(57)【要約】【課題】第１の処理液と第２の処理液との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止しながら、かつ基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。第１のバルブの閉動作の開始から第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を良好に設定できる、基板処理装置、遅延期間設定方法およびプログラムを提供する。【解決手段】基板処理装置１は、有機溶剤配管１２を開閉する有機溶剤バルブ１３と、疎水化剤配管９を開閉する疎水化剤バルブ１０とを含む。有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から遅延期間の経過後、有機溶剤ノズル１１からのＩＰＡの吐出が完全には停止していない状態で疎水化剤バルブ１０の開動作が開始される。【選択図】図２
2019192799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、
前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、
前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、
前記第１のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、
前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、
前記第２の配管を開閉する第２のバルブと、
前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記第１のノズルから第１の処理液が吐出されている状態において、開状態にある前記第１のバルブを閉じる第１の閉動作工程と、前記第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する第２の開動作工程とを実行する、基板処理装置。
【請求項２】
前記第２の開動作工程が、前記第１のバルブにおける第１の処理液の流通が完全に停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する工程を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記遅延期間が、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が、所定の閾値以下になるように設けられており、
前記所定の閾値が、第１の処理液の吐出流量よりも低い値である、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、前記合計流量が前記閾値以下になるように設けられている、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記遅延期間として、予め定められた期間を記憶する記憶ユニットを含み、
前記制御装置が、前記記憶ユニットに記憶されている前記遅延期間に基づいて前記第２の開動作工程を実行する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の一方を含み、
前記第２の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の他方を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、
前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、
前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、
前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、
前記第２の配管を開閉する第２のバルブと、
前記第１のバルブの閉動作の開始から前記第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定ユニットとを含み、
前記遅延期間設定ユニットが、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて前記遅延期間を算出し、前記遅延期間を設定する、基板処理装置。
【請求項８】
前記第１の流量推移情報および前記第２の流量推移情報を取得するために、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する情報取得制御装置をさらに含み、
前記遅延期間設定ユニットが、取得された前記第１の流量推移情報、および取得された前記第２の流量推移情報に基づいて前記遅延期間を設定する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の流量推移情報および前記第２の流量推移情報を取得するために、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する情報取得制御装置と、
第１の処理液の吐出流量を計測する流量計と、
前記流量計によって計測されている吐出流量と、取得された前記第１の流量推移情報とに基づいて第１の処理液の吐出流量の将来の推移を予測する予測ユニットとをさらに含み、
前記遅延期間設定ユニットが、前記予測ユニットによって予測された前記将来の推移、および取得された前記第２の流量推移情報に基づいて前記遅延期間を設定する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記遅延期間設定ユニットが、前記第１の流量推移情報と前記第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になるように前記遅延期間を設定する、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記遅延期間設定ユニットが、前記合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間を、前記遅延期間として設定する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記閾値が、前記基板処理装置を用いた実験によって求められた値である、請求項３、４、１０または１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記基板における前記第２のノズルからの第２の処理液の着液位置が、前記基板における前記第１のノズルからの第１の処理液の着液位置と接近している、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記第１のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記第１のノズルから第１の処理液が吐出されている状態において、開状態にある前記第１のバルブを閉じる第１の閉動作工程と、
前記第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する第２の開動作工程とを含む、基板処理方法。
【請求項１５】
前記遅延期間が、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の流量と当該第２の処理液の流量との合計流量が所定の閾値以下になるように設けられており、
前記所定の閾値が、第１の処理液の吐出流量よりも低い値である、請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、前記閾値以下になるように設けられている、請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第１の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の一方を含み、
前記第２の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の他方を含む、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブとを含む基板処理装置において、前記第１のバルブの閉動作の開始から前記第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定方法であって、
前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になる期間を算出し、その期間を前記遅延期間として設定する、遅延期間設定方法。
【請求項１９】
前記遅延期間設定方法が、前記遅延期間設定方法が、前記合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間を、前記遅延期間として設定する、請求項１８に記載の遅延期間設定方法。
【請求項２０】
第１のノズルに第１の処理液を供給するための第１の配管を開閉する第１のバルブの閉動作の開始から、前記第１のノズルとは別のノズルである第２のノズルに第２の処理液を供給するための第２の配管を開閉する第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定方法を実行させるためのプログラムであって、
前記遅延期間設定方法が、前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になる期間を算出し、その期間を前記遅延期間として設定する、プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置、基板処理方法、遅延期間設定方法およびプログラムに関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板がたとえば一枚ずつ処理される。具体的には、薬液が基板に供給されることにより、基板の主面が薬液によって処理される。その後、純水が基板に供給されることにより、基板に付着している薬液が洗い流される。薬液が洗い流された後は、有機溶剤の一例であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が基板に供給され、基板に付着している純水がＩＰＡに置換される。その後、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているＩＰＡが基板から除去され、基板が乾燥する。
【０００３】
しかしながら、このような基板処理方法では、基板を乾燥させるときに、基板の主面に形成されたパターンが倒壊する場合がある。そのため、下記特許文献１では、パターンの倒壊を防止するために、ＩＰＡによる置換後に基板の主面を疎水化させる手法が開示されている。
具体的には、基板の上面のＩＰＡの液膜が形成された後、基板の上面中央部に向けてノズルから疎水化剤が吐出されることにより、基板の上面に疎水化剤が供給され、基板の上面に、当該上面の全域を覆う疎水化剤の液膜が形成される。これにより、基板の上面が疎水化される。その後、基板が高速回転されることにより、基板が乾燥する。
【０００４】
また、下記特許文献２には、薬液処理の終了からリンス処理の開始までの期間が、０．５秒以上１．５秒以内という短い時間に設定されている点が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１１２３９１号公報
【特許文献２】特開２００５−３２７８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の手法では、ＩＰＡ処理（ＩＰＡを用いた処理）から疎水化剤処理（疎水化剤を用いた処理）への移行時において、ＩＰＡ処理の終了から疎水化剤処理の開始までに間隔が空くと、基板の上面でＩＰＡが乾燥してしまい、その結果、パターン倒壊が発生するおそれがある。
この問題を解決するために、ＩＰＡ処理から疎水化剤処理への移行を連続的に行うことが考えられる。具体的には、疎水化剤およびＩＰＡを供給するためのノズルを、疎水化剤ノズルとＩＰＡノズルとに分け、疎水化剤ノズルに接続された疎水化剤配管に介装された疎水化剤バルブの閉動作の開始と、ＩＰＡノズルに接続されたＩＰＡ配管に介装されたＩＰＡバルブの開動作の開始とを同期させることが考えられる。
【０００７】
しかしながら、ＩＰＡバルブの閉動作の開始からＩＰＡバルブが完全に閉じるまでにタイムラグがある。また、疎水化剤バルブの開動作の開始から疎水化剤バルブが完全に開くまでにタイムラグがある。そのため、ＩＰＡ処理から疎水化剤処理への移行時において、ＩＰＡノズルからＩＰＡが吐出される期間と、疎水化剤ノズルから疎水化剤が吐出される期間とが部分的に重複する。基板の上面におけるＩＰＡの着液位置と、基板の上面における疎水化剤の着液位置とは、ともに基板の上面中央部であり、互いに接近しているから、ＩＰＡ処理から疎水化剤処理への移行時において、疎水化剤ノズルから吐出された疎水化剤と、ＩＰＡノズルから吐出されたＩＰＡとが干渉し、液跳ねや大きな液乱れが発生するおそれがある。そして、これらの液跳ねや大きな液乱れに起因して、パターン倒壊やパーティクル汚染が発生するおそれがある。
【０００８】
このような上面中央部におけるパターン倒壊等を抑制または防止するために、下記特許文献２に記載のように、ＩＰＡノズルの吐出口からのＩＰＡの吐出終了から、疎水化剤ノズルの吐出口からの疎水化剤の吐出開始までの期間を、所定の短時間だけ空けることも考えられる。しかしながら、この場合、ＩＰＡ処理後の状態のまま放置されるから、前述したような、ＩＰＡの乾燥に伴うパターン倒壊の懸念がある。
【０００９】
そのため、基板に処理液（疎水化剤またはＩＰＡ）を液切れさせることなく、かつ疎水化剤とＩＰＡとの干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止しながら、ＩＰＡ処理から疎水化剤処理に移行させる必要がある。
また、基板の疎水化後、基板の上面中央部に向けてＩＰＡが供給され、基板の上面に保持されているＩＰＡを、乾燥時に先立って疎水化剤に置換することもある。このような、疎水化剤処理からＩＰＡ処理への移行時にも、同様の課題が存在する。
【００１０】
さらには、処理液として疎水化剤およびＩＰＡを採用する場合に限られず、他の処理液を採用する場合においても、第１の処理液処理（第１の処理液を用いる処理）の終了から第２の処理液処理（第２の処理液を用いる処理）の開始までの間に期間が空くと、基板の上面の露出に伴うパーティクルの発生等の問題が生じることもある。
そこで、この発明の目的の一つは、第１の処理液と第２の処理液との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止しながら、かつ基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【００１１】
また、第１のバルブ（ＩＰＡバルブ）の閉動作の開始後に、第２のバルブ（疎水化剤バルブ）の開動作を開始する場合、基板処理装置の制御上、第１のバルブの閉動作の開始から第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する必要がある。このような遅延期間の設定を良好に設定することが求められている。
そこで、この発明の他の目的は、第１のバルブの閉動作の開始から第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を良好に設定できる、基板処理装置、遅延期間設定方法およびプログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明（この発明の第１の局面）は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記第１のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブと、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記第１のノズルから第１の処理液が吐出されている状態において、開状態にある前記第１のバルブを閉じる第１の閉動作工程と、前記第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する第２の開動作工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
【００１３】
この構成によれば、第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で第２のバルブの開動作が開始される。第２のバルブの開動作の開始が第１のバルブの閉動作の開始よりも遅れるので、吐出された第１の処理液と、吐出された第２の処理液とが干渉する期間が短い。そのため、第１の処理液と第２の処理液との干渉に伴う液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。また、第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していないタイミングで第２のバルブの開動作が開始されるので、基板への処理液の供給を途絶えさせることなく連続的に行うことができる。そのため、基板において液切れが生じない。これらにより、第１の処理液と第２の処理液との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止しながら、かつ基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記第２の開動作工程が、前記第１のバルブにおける第１の処理液の流通が完全に停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する工程を含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、第１のバルブにおける第１の処理液の流通が完全に停止していないタイミングで第２のバルブの開動作が開始される。
【００１５】
「第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していないタイミング」は、「第１のバルブにおける第１の処理液の流通が完全に停止していないタイミング」と同視できる。また、第１の配管に流量計等を配置することにより、「第１のバルブにおける第１の処理液の流通が完全に停止していないタイミング」を良好に検出することが可能である。そのため、「第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していないタイミング」を良好に取得できる。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、前記遅延期間が、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が、所定の閾値以下になるように設けられており、前記所定の閾値が、第１の処理液の吐出流量よりも低い値である、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、第１のノズルから第１の処理液が吐出される期間と、第２のノズルから第２の処理液が吐出される期間とは重複する。このとき、第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致するタイミングにおける、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量との合計流量（以下、単に「合計流量」という場合がある）が、所定の閾値以下になるように、遅延期間が設定される。また、閾値が、第１のバルブの閉動作の開始直前における、第１の処理液の吐出流量より低い値である。合計流量がこのような閾値以下に設けられているので、第１の処理液と第２の処理液との干渉によって基板上で大きな液跳ねが生じない。そのため、第１の処理液処理から第２の処理液処理への移行時における液跳ねの発生を抑制または防止できる。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、前記合計流量が前記閾値以下になるように設けられている、請求項３に記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、第１の流量推移情報および第２の流量推移情報は、処理を実行する基板処理装置ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、合計流量が閾値以下になるような遅延期間が設けられるので、基板処理装置や処理条件に対応した良好な遅延期間を容易に設けることができる。
【００２０】
請求項５に記載のように、予め定められた期間が前記遅延期間として記憶ユニットに記憶されていてもよい。この場合、前記制御装置が、前記記憶ユニットに記憶されている遅延期間に基づいて前記第２の開動作工程を実行してもよい。
請求項６に記載のように、前記第１の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の一方を含み、前記第２の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の他方を含んでいてもよい。
【００２１】
この場合、第１のノズルから、疎水化剤および有機溶剤の一方が吐出されている状態において、開状態にある第１のバルブが閉じられる。また、第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、疎水化剤および有機溶剤の一方の、第１のノズルからの吐出が完全には停止していない状態で第２のバルブの開動作が開始される。これにより、第２のノズルから、疎水化剤および有機溶剤の他方が吐出される。
【００２２】
第２のバルブの開動作の開始が第１のバルブの閉動作の開始よりも遅れるので、疎水化剤と有機溶剤とが基板上で干渉する期間が短い。そのため、疎水化剤と有機溶剤との干渉に伴う液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。
また、疎水化剤および有機溶剤の一方の、第１のノズルからの吐出が完全には停止していないタイミングで第２のバルブの開動作が開始されるので、疎水化剤および有機溶剤の他方が供給されるまでの間に、疎水化剤および有機溶剤の一方が基板上において乾燥することを抑制または防止できる。
【００２３】
これにより、疎水化剤と有機溶剤との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止し、かつ、疎水化剤および有機溶剤の一方の基板での乾燥を抑制または防止しながら、疎水化剤および有機溶剤の一方を用いた処理から、疎水化剤および有機溶剤の他方を用いた処理に移行させることができる。
前記の目的を達成するための請求項７に記載の発明（この発明の第２の局面）は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブと、前記第１のバルブの閉動作の開始から前記第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定ユニットとを含み、前記遅延期間設定ユニットが、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて前記遅延期間を算出し、前記遅延期間を設定する、基板処理装置を提供する。
【００２４】
この構成によれば、基板処理装置が、第１のバルブの閉動作の開始から第２の開動作工程の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定ユニットを備えている。第１の流量推移情報および第２の流量推移情報は、処理を実行する基板処理装置ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、合計流量が閾値以下になるような遅延期間が設けられるので、基板処理装置や処理条件に対応した良好な遅延期間を容易に設けることができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明は、前記第１の流量推移情報および前記第２の流量推移情報を取得するために、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する情報取得制御装置をさらに含み、前記遅延期間設定ユニットが、取得された前記第１の流量推移情報および前記第２の流量推移情報に基づいて前記遅延期間を設定する、請求項７に記載の基板処理装置である。
【００２６】
この構成によれば、第１のバルブおよび第２のバルブを実際に開閉して行う事前実験等に基づいて、情報取得制御装置が、当該基板処理装置に対応する第１の流量推移情報および第２の流量推移情報を取得する。そして、取得された第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、遅延期間が設定される。第１の流量推移情報および第２の流量推移情報が、当該基板処理装置における実測に基づく情報であるので、基板処理装置の個体差が排除された、良好な遅延期間を設定できる。
【００２７】
請求項９に記載の発明は、前記第１の流量推移情報および前記第２の流量推移情報を取得するために、前記第１のバルブおよび前記第２のバルブの開閉を制御する情報取得制御装置と、第１の処理液の吐出流量を計測する流量計と、前記流量計によって計測されている吐出流量と、取得された前記第１の流量推移情報とに基づいて第１の処理液の吐出流量の将来の推移を予測する予測ユニットとをさらに含み、前記遅延期間設定ユニットが、前記予測ユニットによって予測された前記将来の推移、および取得された前記第２の流量推移情報に基づいて前記遅延期間を設定する、請求項７に記載の基板処理装置である。
【００２８】
この構成によれば、計測している現在の第１の処理液の吐出流量に基づいて、第１の処理液の吐出流量の将来の推移が予測される。そして、予測された第１の流量推移情報と、取得した第２の流量推移情報とに基づいて、基板処理の進行に並行して遅延期間が設定される。これにより、進行中の基板処理の処理条件に最も適した良好な遅延期間を設定することが可能である。
【００２９】
請求項１０に記載の発明は、前記遅延期間設定ユニットが、前記第１の流量推移情報と前記第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になるように前記遅延期間を設定する、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００３０】
この構成によれば、第１のノズルから第１の処理液が吐出される期間と、第２のノズルから第２の処理液が吐出される期間とは重複する。このとき、第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致するタイミングにおける、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量との合計流量が、所定の閾値以下になるように、遅延期間が設定される。また、閾値が、第１のバルブの閉動作の開始直前における、第１の処理液の吐出流量より低い値である。合計流量がこのような閾値以下に設けられているので、第１の処理液と第２の処理液との干渉によって基板上で大きな液跳ねが生じない。そのため、第１の処理液処理から第２の処理液処理への移行時における液跳ねの発生を抑制または防止できる。
【００３１】
請求項１１に記載の発明は、前記遅延期間設定ユニットが、前記合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間を、前記遅延期間として設定する、請求項１０に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間が遅延期間として設定される。これにより、基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることが可能である。
【００３２】
請求項１２に記載のように、前記閾値が、前記基板処理装置を用いた実験によって求められた値であってもよい。
請求項１３に記載のように、前記基板における前記第２のノズルからの第２の処理液の着液位置が、前記基板における前記第１のノズルからの第１の処理液の着液位置と接近していてもよい。
【００３３】
前記の目的を達成するための請求項１４に記載の発明（この発明の第３の局面）は、  基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記第１のノズルとは別のノズルであって、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記第１のノズルから第１の処理液が吐出されている状態において、開状態にある前記第１のバルブを閉じる第１の閉動作工程と、前記第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で前記第２のバルブの開動作を開始する第２の開動作工程とを含む、基板処理方法を提供する。
【００３４】
この方法によれば、第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していない状態で第２のバルブの開動作が開始される。第２のバルブの開動作の開始が第１のバルブの閉動作の開始よりも遅れるので、吐出された第１の処理液と、吐出された第２の処理液とが干渉する期間が短い。そのため、第１の処理液と第２の処理液との干渉に伴う液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。また、第１のノズルからの第１の処理液の吐出が完全には停止していないタイミングで第２のバルブの開動作が開始されるので、基板への処理液の供給を途絶えさせることなく連続的に行うことができる。そのため、基板において液切れが生じない。これらにより、第１の処理液と第２の処理液との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止しながら、かつ基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることができる。
【００３５】
請求項１５に記載の発明は、前記遅延期間が、前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の流量と当該第２の処理液の流量との合計流量が所定の閾値以下になるように設けられており、前記所定の閾値が、第１の処理液の吐出流量よりも低い値である、請求項１４に記載の基板処理方法である。
【００３６】
この方法によれば、第１のノズルから第１の処理液が吐出される期間と、第２のノズルから第２の処理液が吐出される期間とは重複する。このとき、第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量と第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量とが一致するタイミングにおける、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量との合計流量が、所定の閾値以下になるように、遅延期間が設定される。また、閾値が、第１のバルブの閉動作の開始直前における、第１の処理液の吐出流量より低い値である。合計流量がこのような閾値以下に設けられているので、第１の処理液と第２の処理液との干渉によって基板上で大きな液跳ねが生じない。そのため、第１の処理液処理から第２の処理液処理への移行時における液跳ねの発生を抑制または防止できる。
【００３７】
請求項１６に記載の発明は、前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、前記閾値以下になるように設けられている、請求項１５に記載の基板処理方法である。
【００３８】
この方法によれば、第１の流量推移情報および第２の流量推移情報は、処理を実行する基板処理装置ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、合計流量が閾値以下になるような遅延期間が設けられるので、基板処理装置や処理条件に対応した良好な遅延期間を容易に設けることができる。
【００３９】
請求項１７に記載のように、前記第１の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の一方を含み、前記第２の処理液が、疎水化剤および有機溶剤の他方を含んでいてもよい。
この場合、第１のノズルから、疎水化剤および有機溶剤の一方が吐出されている状態において、開状態にある第１のバルブが閉じられる。また、第１のバルブの閉動作の開始から遅延期間の経過後、疎水化剤および有機溶剤の一方の、第１のノズルからの吐出が完全には停止していない状態で第２のバルブの開動作が開始される。これにより、第２のノズルから、疎水化剤および有機溶剤の他方が吐出される。
【００４０】
第２のバルブの開動作の開始が第１のバルブの閉動作の開始よりも遅れるので、疎水化剤と有機溶剤とが基板上で干渉する期間が短い。そのため、疎水化剤と有機溶剤との干渉に伴う液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。
また、疎水化剤および有機溶剤の一方の、第１のノズルからの吐出が完全には停止していないタイミングで第２のバルブの開動作が開始されるので、疎水化剤および有機溶剤の他方が供給されるまでの間に、疎水化剤および有機溶剤の一方が基板上において乾燥することを抑制または防止できる。
【００４１】
これにより、疎水化剤と有機溶剤との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制または防止し、かつ、疎水化剤および有機溶剤の一方の基板での乾燥を抑制または防止しながら、疎水化剤および有機溶剤の一方を用いた処理から、疎水化剤および有機溶剤の他方を用いた処理に移行させることができる。
請求項１８に記載の発明（この発明の第４の局面）は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第１の処理液を吐出するための第１のノズルと、前記第１のノズルに第１の処理液を供給する第１の配管と、前記第１の配管を開閉する第１のバルブと、前記基板保持ユニットに保持されている基板に向けて、第２の処理液を吐出するための第２のノズルと、前記第２のノズルに対して第２の処理液を供給する第２の配管と、前記第２の配管を開閉する第２のバルブとを含む基板処理装置において、前記第１のバルブの閉動作の開始から前記第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定方法であって、前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になる期間を算出し、その期間を前記遅延期間として設定する、遅延期間設定方法を提供する。
【００４２】
この方法によれば、遅延期間設定方法が、第１のバルブの閉動作の開始から第２の開動作工程の開始までの遅延期間を設定する。第１の流量推移情報および第２の流量推移情報は、処理を実行する基板処理装置ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、合計流量が閾値以下になるような遅延期間が設けられるので、基板処理装置や処理条件に対応した良好な遅延期間を容易に設けることができる。
【００４３】
請求項１９に記載の発明は、前記遅延期間設定方法が、前記合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間を、前記遅延期間として設定する、請求項１８に記載の遅延期間設定方法である。
この方法によれば、合計流量が閾値以下になる期間のうち最も短い期間が遅延期間として設定される。これにより、基板に液切れさせることなく、第１の処理液処理から第２の処理液処理に移行させることが可能である。
【００４４】
請求項２０に記載の発明（この発明の第５の局面）は、第１のノズルに第１の処理液を供給するための第１の配管を開閉する第１のバルブの閉動作の開始から、前記第１のノズルとは別のノズルである第２のノズルに第２の処理液を供給するための第２の配管を開閉する第２のバルブの開動作の開始までの遅延期間を設定する遅延期間設定方法を実行させるためのプログラムであって、前記遅延期間設定方法が、前記遅延期間が、前記第１のバルブの閉動作の開始後における前記第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量の推移についての第１の流量推移情報と、前記第２のバルブの開動作の開始後における前記第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量の推移についての第２の流量推移情報とに基づいて、第１の処理液の吐出流量と第２の処理液の吐出流量とが一致する状態における、当該第１の処理液の吐出流量と当該第２の処理液の吐出流量との合計流量が閾値以下になる期間を算出し、その期間を前記遅延期間として設定する、プログラムを提供する。
【００４５】
この方法によれば、遅延期間設定方法が、第１のバルブの閉動作の開始から第２の開動作工程の開始までの遅延期間を設定する。第１の流量推移情報および第２の流量推移情報は、処理を実行する基板処理装置ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら第１の流量推移情報および第２の流量推移情報に基づいて、合計流量が閾値以下になるような遅延期間が設けられるので、基板処理装置や処理条件に対応した良好な遅延期間を容易に設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平方向に見た模式図である。
【図３】図３は、共通ノズルの構成例を説明するための模式的な縦断面図である。
【図４】図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図５】図５は、前記基板処理装置の処理対象の基板の表面を拡大して示す断面図である。
【図６】図６は、前記基板処理装置による基板処理例を説明するための流れ図である。
【図７】図７は、ＩＰＡ供給工程から疎水化剤供給工程への移行時における基板を水平に見た模式図である。
【図８】図８は、ＩＰＡ供給工程から疎水化剤供給工程への移行時における、バブルの開閉およびバルブにおける処理液の流通流量の推移を示す図である。
【図９】図９は、図８の要部を拡大した図である。
【図１０】図１０は、参考形態に係る、前記疎水化剤供給工程への移行時における、バブルの開閉およびバルブにおける処理液の流通流量の推移を示す図である。
【図１１】図１１は、図１０の要部を拡大した図である。
【図１２】図１２は、閾値の決定を説明するための図である。
【図１３】図１３は、閾値の決定を説明するための図である。
【図１４】図１４は、第１の変形例を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、図１５の記憶ユニットに記憶される立ち下がり流量推移パターンを説明するための図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１５の記憶ユニットに記憶される立ち上がり流量推移パターンを説明するための図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、前記立ち下がり流量推移パターンと、前記立ち上がり流量推移パターンとのマッチングを説明するための図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、遅延期間設定を説明するための流れ図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、事前実験を説明するための流れ図である。
【図１８】図１８は、第２の変形例を説明するためのブロック図である。
【図１９】図１９は、第３の変形例に係る遅延期間設定を説明するための流れ図である。
【図２０】図２０は、第３の変形例に係る遅延期間設定を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置を上から見た模式図である。基板処理装置１は、シリコンウエハなどの基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円板状の基板である。基板処理装置１は、処理液およびリンス液で基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器Ｃが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲおよび基板搬送ロボットＣＲと、基板処理装置１を制御する制御装置３とを含む。インデクサロボットＩＲは、基板収容器Ｃと基板搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。
【００４８】
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット２は、箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に薬液を供給するための薬液供給ユニット６と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に疎水化剤を吐出するための疎水化剤ノズル８と、疎水化剤ノズル８に液体の疎水化剤を供給するための疎水化剤配管９と、疎水化剤配管９を開閉する疎水化剤バルブ１０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に有機溶剤を吐出するための有機溶剤ノズル１１と、有機溶剤ノズル１１に液体の有機溶剤を供給するための有機溶剤配管１２と、有機溶剤配管１２を開閉する有機溶剤バルブ１３と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ１４とを含む。
【００４９】
チャンバ４は、スピンチャック５等を収容する箱型の隔壁１５を含む。
スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ（回転ユニット）１６と、このスピンモータ１６の駆動軸と一体化されたスピン軸１７と、スピン軸１７の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１８とを含む。
【００５０】
スピンベース１８は、基板Ｗの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面１８ａを含む。上面１８ａには、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば４個または６個）の挟持部材１９が配置されている。複数個の挟持部材１９は、スピンベース１８の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。
【００５１】
また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持された基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液供給ユニット６は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて薬液を下方に吐出する薬液ノズル２０と、薬液供給源からの薬液を薬液ノズル２０に導く薬液配管２１と、薬液配管２１を開閉する薬液バルブ２２とを含む。薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液であってもよい。薬液バルブ２２が開かれると、薬液配管２１から薬液ノズル２０に薬液が供給される。薬液バルブ２２が閉じられると、薬液配管２１から薬液ノズル２０への薬液の供給が停止される。薬液ノズル２０を移動させることにより、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置を、基板Ｗの上面中央部と、それ以外の部分（たとえば周縁部）との間で移動させる薬液ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００５２】
リンス液供給ユニット７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けてリンス液を下方に吐出するリンス液ノズル２３と、リンス液供給源からのリンス液をリンス液ノズル２３に導くリンス液配管２４と、リンス液配管２４を開閉するリンス液バルブ２５とを含む。リンス液は、たとえば、純水（脱イオン水：Deionized water）である。リンス液バルブ２５が開かれると、リンス液配管２４からリンス液ノズル２３にリンス液が供給される。リンス液バルブ２５が閉じられると、リンス液配管２４からリンス液ノズル２３へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれであってもよい。リンス液ノズル２３を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を、基板Ｗの上面中央部と、それ以外の部分（たとえば周縁部）との間で移動させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。
【００５３】
疎水化剤配管９に供給される疎水化剤は、金属を疎水化するメタル系の疎水化剤である。疎水化剤は、配位性の高い疎水化剤である。すなわち、疎水化剤は、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。疎水化剤は、シリコン系の疎水化剤であってもよいし、メタル系の疎水化剤であってもよい。
【００５４】
シリコン系の疎水化剤は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化剤である。シリコン系疎水化剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系疎水化剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系疎水化剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。
【００５５】
メタル系の疎水化剤は、たとえば高い配位性を有し、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。この疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
より具体的には、疎水化剤として、たとえば、ＯＳＲＡ−Ａ００４、ＯＳＲＡ−７８０１、ＰＫ−ＨＰ−Ｓ、ＰＫ-ＨＵＳ等を例示できる。
【００５６】
疎水化剤バルブ１０は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。
疎水化剤配管９には、その一次側、すなわち疎水化剤バルブ１０の上流側に、疎水化剤配管９を流通する疎水化剤の流量を検出する疎水化剤流量計９Ａが介装されている。
処理ユニット２は、疎水化剤配管９に介装された第１の吸引装置９Ｂを備えている。第１の吸引装置９Ｂは、たとえばダイヤフラム式の吸引装置である。ダイヤフラム式の吸引装置は、配管の途中部に介装される筒状のヘッドと、ヘッド内に収容されたダイヤフラムとを含み、ダイヤフラムの駆動により、ヘッド内に形成される流路の容積を変化させるような公知の構成の吸引装置である。図２の例では、第１の吸引装置９Ｂが疎水化剤バルブ１０と別装置で構成されているが、疎水化剤バルブ１０の一部を利用して設けられていてもよい。
【００５７】
有機溶剤配管１２に供給される有機溶剤は、水よりも表面張力が低い溶剤である。有機溶剤は、水を含んでいてもよい。有機溶剤の具体例としては、アルコールや、フッ素系溶剤とアルコールの混合液が挙げられる。アルコールは、たとえば、メチルアルコール、エタノール、プロピルアルコール、およびＩＰＡの少なくとも一つを含む。フッ素系溶剤は、たとえば、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、ＨＦＣ（ハイドロフルオロカーボン）の少なくとも一つを含む。以下の説明では、有機溶剤がＩＰＡである場合を例に挙げる。
【００５８】
有機溶剤バルブ１３は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。
有機溶剤配管１２には、その一次側、すなわち有機溶剤バルブ１３の上流側に、有機溶剤配管１２を流通するＩＰＡの流量を検出する有機溶剤流量計１２Ａが介装されている。流量計９Ａ，１２Ａが、配管９，１２においてバルブ１０，１３の上流側に配置されているが、バルブ１０，１３の上流側は常に液密状態に保たれている。そのため、流量計９Ａ，１２Ａの計測流量と、バルブ１０，１３における処理液（疎水化剤、ＩＰＡ）の流通流量とを同視できる。また、疎水化剤ノズル８の吐出口８ａと疎水化剤バルブ１０との距離は、有機溶剤ノズル１１の吐出口１１ａと有機溶剤バルブ１３との距離とそれほど大差なく、そのため、バルブ１０，１３における処理液（疎水化剤、ＩＰＡ）の流通流量と、ノズル８，１１からの処理液（疎水化剤、有機溶剤）の吐出流量を同視できる。
【００５９】
処理ユニット２は、有機溶剤配管１２に介装された第２の吸引装置１２Ｂを備えている。第２の吸引装置１２Ｂは、たとえばダイヤフラム式の吸引装置である。図２の例では、第２の吸引装置１２Ｂが有機溶剤バルブ１３と別装置で構成されているが、有機溶剤バルブ１３の一部を利用して設けられていてもよい。また、第１および第２の吸引装置９Ｂ，１２Ｂとしてダイヤフラム式ではなく、サイフォン式が採用されていてもよい。
【００６０】
処理カップ１４は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１４は、スピンベース１８を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、処理液やリンス液、保護液等の液体が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。これらの液体が基板Ｗに供給されるとき、処理カップ１４の上端部１４ａは、スピンベース１８よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された液体は、処理カップ１４によって受け止められる。そして、処理カップ１４に受け止められた液体は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００６１】
図３は、共通ノズルＣＮの構成例を説明するための構成例を説明するための模式的な縦断面図である。
処理ユニット２は、さらに、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上方に、不活性ガス等の低湿度ガスを吐出するための気体ノズル３２と、気体ノズル３２に低湿度ガスを供給する気体配管３０と、気体配管３０を開閉する気体バルブ３１とを含む。
【００６２】
この実施形態では、気体ノズル３２に、疎水化剤ノズル８および有機溶剤ノズル１１が一体に結合されている。すなわち、気体ノズル３２は、共通ノズルＣＮとして機能する。そのため、共通ノズルＣＮは、ＩＰＡを吐出する有機溶剤ノズルとしての機能と、疎水化剤を吐出する疎水化剤ノズルとしての機能と、窒素ガス等の不活性ガスを吐出する不活性ガスノズルとしての機能とを備えている。
【００６３】
共通ノズルＣＮには、共通ノズルＣＮを昇降および水平移動させるためのノズル移動ユニット２９が結合されている。ノズル移動ユニット２９は、共通ノズルＣＮを、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面中央部を通る円弧状の軌跡に沿って水平に移動させる。また、ノズル移動ユニット２９は、共通ノズルＣＮを、基板Ｗの上面中央部の上方の処理位置（図９に示す共通ノズルＣＮの位置）と、基板Ｗの上方から側方に退避したホーム位置との間で移動させる。
【００６４】
気体ノズル３２は、下端にフランジ部３３を有する円筒状のノズル本体３４を有している。フランジ部３３の側面である外周面には、上側気体吐出口３５および下側気体吐出口３６が、それぞれ環状に外方に向けて開口している。上側気体吐出口３５および下側気体吐出口３６は、上下に間隔を空けて配置されている。ノズル本体３４の下面には、中心気体吐出口３７が配置されている。
【００６５】
ノズル本体３４には、気体配管３０から不活性ガスが供給される気体導入口３８，３９が形成されている。気体導入口３８，３９に対して、個別の不活性ガス配管が結合されてもよい。ノズル本体３４内には、気体導入口３８と上側気体吐出口３５および下側気体吐出口３６とを接続する筒状の気体流路４１が形成されている。また、ノズル本体３４内には、気体導入口３９に連通する筒状の気体流路４２が疎水化剤ノズル８または有機溶剤ノズル１１のまわりに形成されている。気体流路４２の下方にはバッファ空間４３が連通している。バッファ空間４３は、さらに、パンチングプレート４４を介して、その下方の空間４５に連通している。この空間４５が中心気体吐出口３７に開放している。気体導入口３８，３９に供給される低湿度ガスとしては、窒素ガス（Ｎ２）等の不活性ガスを例示できるが、不活性ガス以外の低湿度ガス、たとえば乾燥空気や清浄空気などを採用することもできる。
【００６６】
気体導入口３８から導入された低湿度ガスは、気体流路４１を介して上側気体吐出口３５および下側気体吐出口３６に供給され、これらの気体吐出口３５，３６から放射状に吐出される。これにより、上下方向に重なる２つの放射状気流が基板Ｗの上方に形成される。一方、気体導入口３９から導入された不活性ガスは、気体流路４２を介してバッファ空間４３に蓄えられ、さらにパンチングプレート４４を通って拡散された後に、空間４５を通って中心気体吐出口３７から基板Ｗの上面に向けて下方に吐出される。この不活性ガスは、基板Ｗの上面にぶつかって方向を変え、放射方向の不活性ガス流を基板Ｗの上方に形成する。
【００６７】
したがって、中心気体吐出口３７から吐出される不活性ガスが形成する放射状気流と、気体吐出口３５，３６からの吐出される二層の放射状気流とを合わせて、三層の放射状気流が基板Ｗの上方に形成されることになる。この三層の放射状気流によって、基板Ｗの上面が保護される。
疎水化剤ノズル８は、気体流路４２、バッファ空間４３およびパンチングプレート４４を貫通して上下方向に延びている。疎水化剤ノズル８の下端の吐出口８ａは、基板Ｗの上面に向けて鉛直上方から液体の疎水化剤を吐出する。
【００６８】
有機溶剤ノズル１１は、気体流路４２、バッファ空間４３およびパンチングプレート４４を貫通して上下方向に延びている。有機溶剤ノズル１１の下端の吐出口１１ａは、基板Ｗの上面に向けて鉛直上方から液体のＩＰＡを吐出する。
共通ノズルＣＮが処理位置（図７に示す、共通ノズルＣＮの位置）に配置された状態で、共通ノズルＣＮの下面と基板Ｗの上面との間隔Ｗ１は、たとえば約５ｍｍである。また、共通ノズルＣＮが処理位置に配置された状態で、疎水化剤ノズル８から基板Ｗの上面に向けて吐出された疎水化剤は、基板Ｗの上面中央部に着液する。さらに、共通ノズルＣＮが処理位置に配置された状態で、有機溶剤ノズル１１から基板Ｗの上面に向けて吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの上面中央部に着液する。
【００６９】
図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット５１、固定メモリデバイス（図示しない）、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット５２、および入出力ユニット（図示しない）を有している。
記憶ユニット５２には、演算ユニット５１が実行するプログラム５３や、基板Ｗに対する各処理の内容を規定するレシピが記憶されている。また、記憶ユニット５２には、後述する遅延期間Ｄ１，Ｄ２を記憶するための遅延期間記憶部５４が設けられている。遅延期間記憶部５４は、電気的にデータを書き換え可能な不揮発性メモリからなる。
【００７０】
制御装置３には、疎水化剤流量計９Ａからの検出出力が与えられる。制御装置３は、この検出出力に基づいて疎水化剤配管９を流通している疎水化剤の流量を検知できる。また、制御装置３には、有機溶剤流量計１２Ａからの検出出力が与えられるようになっている。制御装置３は、この検出出力に基づいて有機溶剤配管１２を流通しているＩＰＡの流量を検知できる。
【００７１】
また、制御装置３は、スピンモータ１６、ノズル移動ユニット２９および吸引装置９Ｂ，１２Ｂの動作を制御する。
また、制御装置３は、スピンモータ１６およびノズル移動ユニット２９の動作を制御する。また、制御装置３は、疎水化剤バルブ１０、有機溶剤バルブ１３、薬液バルブ２２、リンス液バルブ２５、気体バルブ３１等を開閉する。
【００７２】
以下では、デバイス形成面である表面にパターンが形成された基板Ｗを処理する場合について説明する。
図５は、基板処理装置１の処理対象の基板Ｗの表面を拡大して示す断面図である。処理対象の基板Ｗは、たとえばシリコンウエハであり、そのパターン形成面である表面（上面６２）にパターンＰが形成されている。パターンＰは、たとえば微細パターンである。パターンＰは、凸形状（柱状）を有する構造体６１が行列状に配置されていてもよい。この場合、構造体６１の線幅Ｗ２はたとえば１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度に、パターンＰの隙間Ｗ３はたとえば１０ｎｍ〜数μｍ程度に、それぞれ設けられている。パターンＰの膜厚Ｔは、たとえば、１μｍ程度である。また、パターンＰは、たとえば、アスペクト比（線幅Ｗ２に対する膜厚Ｔの比）が、たとえば、５〜５００程度であってもよい（典型的には、５〜５０程度である）。
【００７３】
また、パターンＰは、微細なトレンチにより形成されたライン状のパターンが、繰り返し並べられていてもよい。また、パターンＰは、薄膜に、複数の微細穴（ボイド（void）またはポア（pore））を設けることにより形成されていてもよい。
パターンＰは、たとえば絶縁膜を含む。また、パターンＰは、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターンＰは、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターンＰは、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜（たとえば金属配線膜）であってもよい。
【００７４】
また、パターンＰは、親水性膜であってもよい。親水性膜として、ＴＥＯＳ膜（シリコン酸化膜の一種）を例示できる。
図６は、基板処理装置１によって実行される基板処理例を説明するための流れ図である。図７は、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時における基板Ｗを水平に見た模式図である。
【００７５】
図１〜図６を参照しながら、この基板処理例について説明する。
未処理の基板Ｗは、ロボットＩＲ，ＣＲによって搬送されチャンバ４に搬入され、チャンバ４内に収容されているスピンチャック５に、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けた状態で受け渡され、スピンチャック５に基板Ｗが保持される（図６のＳ１：基板搬入）。基板Ｗの搬入に先立って、共通ノズルＣＮは、基板Ｗの上方から側方に位置する退避位置に退避させられている。また、疎水化剤配管９の内部の疎水化剤の先端面、および有機溶剤配管１２の内部のＩＰＡの先端面が、それぞれ所定の後退位置まで後退させられている。
【００７６】
その後、制御装置３は、スピンモータ１６によって基板Ｗの回転を開始させる（図６のＳ２。回転工程）。基板Ｗは予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
基板Ｗの回転が液処理速度に達すると、制御装置３は、基板Ｗの上面に薬液を供給する薬液工程（図６のＳ３）を実行する。具体的には、制御装置３は、薬液バルブ２２を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、薬液ノズル２０から薬液が供給される。供給された薬液は遠心力によって基板Ｗの上面の全域に行き渡り、基板Ｗに薬液を用いた薬液処理が施される。薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、薬液バルブ２２を閉じて、薬液ノズル２０からの薬液の吐出を停止する。これにより、薬液工程（Ｓ３）が終了する。
【００７７】
次いで、制御装置３は、基板Ｗの上面に存在している薬液をリンス液に置換して基板Ｗ上から薬液を排除するためのリンス工程（図６のＳ４）を実行する。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ２５を開く。それにより、回転状態の基板Ｗの上面に向けて、リンス液ノズル２３からリンス液が吐出される。吐出されたリンス液は遠心力によって基板Ｗの上面の全域に行き渡る。このリンス液によって、基板Ｗ上に付着している薬液が洗い流される。
【００７８】
次いで、基板Ｗの上面に、有機溶剤の一例としてのＩＰＡを供給するＩＰＡ供給工程が行われる（図６のＳ５）。このＩＰＡ供給工程（Ｓ５）において、有機溶剤（ＩＰＡ）は低表面張力液体として機能する。具体的には、制御装置３は、ノズル移動ユニット２９を制御して、退避位置から基板Ｗの上方に共通ノズルＣＮを移動させる。さらに、制御装置３は、ノズル移動ユニット２９を制御して共通ノズルＣＮを下降させ、処理位置（図７に示す位置）に配置する。そして、制御装置３は、気体バルブ３１を開いて、低湿度ガスを気体ノズル３２の３つの気体吐出口（上側気体吐出口３５（図３参照）、下側気体吐出口３６（図３参照）および中心気体吐出口３７（図３参照））から吐出開始させる。これにより、上下方向に重なる三層の環状気流が基板Ｗの上方に形成され、この三層の環状気流によって基板Ｗの上面が保護される（図７を併せて参照）。
【００７９】
スピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、制御装置３は、有機溶剤バルブ１３を開いて、有機溶剤ノズル１１から基板Ｗの上面中央部に向けてＩＰＡを吐出させる。基板Ｗの上面中央部に着液したＩＰＡは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの上面の周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗの上面に、基板Ｗの上面の全域を覆うＩＰＡの液膜が形成される（基板Ｗの上面がＩＰＡでカバレッジされる。有機溶剤液膜形成工程）。これにより、基板Ｗに保持されていたリンス液がＩＰＡに置換される。ＩＰＡの吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ１３を閉じてＩＰＡの吐出を停止させる。有機溶剤バルブ１３の閉成後、制御装置３は、第２の吸引装置１２Ｂを駆動して、有機溶剤配管１２の内部のＩＰＡを所定量吸引する。ＩＰＡの吸引により、有機溶剤配管１２の内部のＩＰＡの先端面が、所定の後退位置まで後退させられる。ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）が行われることにより、基板Ｗからリンス液が除去される。
【００８０】
次いで、液体の疎水化剤を基板Ｗの上面に供給する疎水化剤供給工程が行われる（図６のＳ６）。具体的には、制御装置３は、共通ノズルＣＮを処理位置に位置決めし、かつスピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、さらに疎水化剤バルブ１０を開いて疎水化剤ノズル８の吐出口８ａから基板Ｗの上面中央部に向けて疎水化剤を吐出させる。
基板Ｗの上面中央部に着液した疎水化剤は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板の上面の周縁部に向けて流れる。そして、基板Ｗに保持されていた液膜に含まれるＩＰＡが、疎水化剤に置換される。これにより、基板Ｗの上面に、基板Ｗの上面の全域を覆う疎水化剤の液膜が形成される。基板Ｗの上面に疎水化剤の液膜が形成されることにより、疎水化剤がパターンＰの奥深くにまで入り込んで、基板Ｗの上面が疎水化される（疎水化処理）。疎水化剤の吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、疎水化剤バルブ１０を閉じて疎水化剤の吐出を停止させる。疎水化剤バルブ１０の閉成後、制御装置３は、第１の吸引装置９Ｂを駆動して、疎水化剤配管９の内部の疎水化剤を所定量吸引する。疎水化剤の吸引により、疎水化剤配管９の内部の疎水化剤の先端面が、所定の後退位置まで後退させられる。
【００８１】
次いで、有機溶剤としてのＩＰＡを基板Ｗの上面に供給するＩＰＡ供給工程が行われる（図６のＳ７）。このＩＰＡ供給工程（Ｓ７）において、ＩＰＡは乾燥剤として機能する。
具体的には、制御装置３は、共通ノズルＣＮを処理位置（図７に示す位置）に位置決めし、かつスピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、有機溶剤バルブ１３を開いて、有機溶剤ノズル１１から基板Ｗの上面中央部に向けてＩＰＡを吐出させる。これにより、有機溶剤ノズル１１から吐出されたＩＰＡが基板Ｗの上面全域に供給される。したがって、基板Ｗに保持されている疎水化剤の大部分は、ＩＰＡによって洗い流される。そして、ＩＰＡの吐出開始から所定期間が経過すると、制御装置３は、有機溶剤バルブ１３を閉じてＩＰＡの吐出を停止させる。有機溶剤バルブ１３の閉成後、制御装置３は、第２の吸引装置１２Ｂを駆動して、有機溶剤配管１２の内部のＩＰＡを所定量吸引する。ＩＰＡの吸引により、有機溶剤配管１２の内部のＩＰＡの先端面が、所定の後退位置まで後退させられる。
【００８２】
次いで、制御装置３は、スピンドライ工程（図６のＳ８）を実行する。具体的には、制御装置３は、液処理速度よりも大きい所定のスピンドライ速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、そのスピンドライ速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。
【００８３】
基板Ｗの高速回転の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１６を制御して、スピンチャック５による基板Ｗに対する回転を停止させる（図６のＳ９）。
また、制御装置３は、気体バルブ３１を閉じて、気体ノズル３２の３つの気体吐出口からの低湿度ガスの吐出を停止させる。また、制御装置３は、ノズル移動ユニット２９を制御して共通ノズルＣＮを退避位置に戻す。
【００８４】
その後、処理済みの基板Ｗが、ロボットＩＲ，ＣＲによってスピンチャック５から搬出される（図６のＳ１０）。
図８は、バルブ１０，１３の開閉状態、およびバルブ１０，１３における処理液（疎水化剤およびＩＰＡ）の流通流量の推移を示す図である。図９は、図８の要部を拡大した図である。
【００８５】
図８および図９では、流量計９Ａ，１２Ａによって計測された流量を、バルブ１０，１３における処理液（疎水化剤およびＩＰＡ）の流通流量としている。また、図９においては、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量と、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量との合計流量ＴＦも併せて示している。
疎水化剤バルブ１０は、弁体を移動させるタイプのバルブである。そのため、疎水化剤バルブ１０の開動作の開始から、疎水化剤バルブ１０が完全に開かれる（疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量が、予め定める流量になる）までにタイムラグがある。また、疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始から、疎水化剤バルブ１０が完全に閉じる（疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量が零になる）までにタイムラグがある。
【００８６】
有機溶剤バルブ１３は、弁体を移動させるタイプのバルブである。そのため、有機溶剤バルブ１３の開動作の開始から、有機溶剤バルブ１３が完全に開かれる（有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量が、予め定める流量になる）までにタイムラグがある。有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から、有機溶剤バルブ１３が完全に閉じる（有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量が零になる）までにタイムラグがある。
【００８７】
ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行について説明する。
有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から完全に閉じるまでのＩＰＡの流通流量は、次に述べるように推移する。すなわち、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始に伴って、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量は急減する。その後、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量は、流量減少の勾配を緩めながら零に近づく。有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から有機溶剤バルブ１３が完全に閉じるまでの時間はたとえば約２秒間である。
【００８８】
また、疎水化剤バルブ１０の開動作の開始から完全に開くまでの疎水化剤の流通流量は、次に述べるように推移する。すなわち、疎水化剤バルブ１０の開動作の開始に伴って、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量は急増する。その後、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量は、流量増大の勾配を緩めながら予め定める流量に近づく。疎水化剤バルブ１０の開動作の開始から疎水化剤バルブ１０が完全に開くまでの時間はたとえば約２秒間である。
【００８９】
以下、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時において、制御装置３は、疎水化剤バルブ１０の開動作の開始タイミングを、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始タイミングよりも、所定の遅延期間Ｄ１だけ遅らせている。遅延期間Ｄ１は、たとえば０．６ｓｅｃ以上２．０ｓｅｃ以下の期間である。とくに０．８ｓｅｃ以上１．４ｓｅｃ以下が好ましい。
【００９０】
この遅延期間Ｄ１は、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から有機溶剤バルブ１３が完全に閉じるまでのタイムラグ（図８に示す「ＰＥ１」の期間）よりも短く設定されている。そのため、有機溶剤バルブ１３が完全に閉じていない状態（つまり、有機溶剤ノズル１１からのＩＰＡの吐出が完全には停止していない状態）で疎水化剤バルブ１０の開動作が開始される。
【００９１】
遅延期間Ｄ１は、より具体的には、次のように設定されている。有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量と、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量とが一致するタイミング（図９の流量交点Ｐ１が得られるタイミング（以下、「流量交点タイミング」という））に着目する。この流量交点タイミングにおける、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量と、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量との合計流量ＴＦ（以下、「流量交点タイミングの合計流量ＴＦ」という）が、所定の閾値Ｔｈ未満になるように遅延期間Ｄ１が設定されている。また、遅延期間Ｄ１は、有機溶剤と疎水化剤とが干渉しないか、あるいはパターン倒壊やパーティクル汚染を考慮して干渉が許容できる範囲内で、可能な限り短い期間に設定されている。
【００９２】
閾値Ｔｈは、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始直前における有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量以下の所定値である。より好ましくは、閾値Ｔｈは、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始直前における有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量の１／２以下の所定値である。閾値Ｔｈの設定については、図１２および図１３を参照しながら後述する。
【００９３】
遅延期間Ｄ１が極めて短い時間であるために、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時において、有機溶剤バルブ１３をＩＰＡが流通する期間（以下、「ＩＰＡ流通期間」という場合がある）と、疎水化剤バルブ１０を疎水化剤が流通する期間（以下、「疎水化剤流通期間」という場合がある）とが重複する。この実施形態では、ＩＰＡ流通期間と疎水化剤流通期間とが重なる期間において、遅延期間Ｄ１が設けられている。この場合、図９に示すように、ＩＰＡ流通期間と疎水化剤流通期間とが重なる期間において、合計流量ＴＦの推移が下に凸の形状をなしている。
【００９４】
次に、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行について説明する。
疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始から完全に閉じるまでの疎水化剤の流通流量は、次に述べるように推移する。すなわち、疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始に伴って、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量は急減する。その後、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量は、流量減少の勾配を緩めながら零に近づく。疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始から疎水化剤バルブ１０が完全に閉じるまでの時間はたとえば約２秒間である。
【００９５】
また、有機溶剤バルブ１３の開動作の開始から完全に開くまでのＩＰＡの流通流量は、次に述べるように推移する。すなわち、有機溶剤バルブ１３の開動作の開始に伴って、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量は急増する。その後、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量は、流量増大の勾配を緩めながら予め定める流量に近づく。有機溶剤バルブ１３の開動作の開始から有機溶剤バルブ１３が完全に開くまでの時間はたとえば約２秒間である。
【００９６】
疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行時において、制御装置３は、有機溶剤バルブ１３の開動作の開始タイミングを、疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始タイミングよりも、所定の遅延期間Ｄ２だけ遅らせている。遅延期間Ｄ２は、たとえば０．６ｓｅｃ以上２．０ｓｅｃ以下の期間である。とくに０．８ｓｅｃ以上１．４ｓｅｃ以下が好ましい。
【００９７】
この遅延期間Ｄ２は、疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始から疎水化剤バルブ１０が完全に閉じるまでのタイムラグ（図８に示す「ＰＥ２」の期間）よりも短く設定されている。そのため、疎水化剤バルブ１０が完全に閉じていない状態（つまり、疎水化剤ノズル８からの疎水化剤の吐出が完全には停止していない状態）で有機溶剤バルブ１３の開動作が開始される。
【００９８】
遅延期間Ｄ２は、より具体的には、次のように設定されている。流量交点タイミングにおける、有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量と、疎水化剤バルブ１０における疎水化剤の流通流量との合計流量ＴＦ（以下、「流量交点タイミングの合計流量ＴＦ」という）が、所定の閾値Ｔｈ未満になるように遅延期間Ｄ２が設定されている。また、遅延期間Ｄ２は、可能な限り短い期間に設定されている。これらのＩＰＡの流通流量および疎水化剤の流通流量は、それぞれ、流量計１２Ａ，９Ａによる計測流量である。
【００９９】
以上により、この実施形態によれば、ＩＰＡ供給工程（図６のＳ５）から疎水化剤供給工程（図６のＳ６）への移行時において、次に述べる作用効果を奏する。
すなわち、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始から遅延期間Ｄ１の経過後、有機溶剤バルブ１３において有機溶剤の流通が完全に停止していないタイミング（有機溶剤ノズル１１からのＩＰＡの吐出が完全には停止していないタイミング）で疎水化剤バルブ１０の開動作が開始される。
【０１００】
疎水化剤バルブ１０の開動作の開始が有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始よりも遅れるので、ＩＰＡと疎水化剤とが基板Ｗ上で干渉する期間が短い。そのため、ＩＰＡと疎水化剤との干渉に伴う液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。そのため、基板Ｗの上面中央部における、パターン倒壊およびパーティクル汚染を効果的に抑制することができる。また、有機溶剤ノズル１１からのＩＰＡの吐出が完全には停止していないタイミングで疎水化剤バルブ１０の開動作が開始されるので、疎水化剤が供給されるまでの間に基板Ｗ上においてＩＰＡが乾燥することを抑制または防止できる。これにより、ＩＰＡと疎水化剤との干渉に起因する液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止し、かつ基板Ｗ上でのＩＰＡの乾燥を抑制または防止しながら、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）に移行させることができる。
【０１０１】
また、流量交点タイミングの合計流量ＴＦ（すなわち、ＩＰＡの吐出流量と疎水化剤の吐出流量との合計流量）が、閾値Ｔｈ未満になるように、遅延期間Ｄ１が設定されている。閾値Ｔｈは、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始直前における有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量（すなわち、ＩＰＡの吐出流量）以下の所定値である（より好ましくは、ＩＰＡの流通流量の１／２以下の所定値である）。合計流量ＴＦがこのような閾値Ｔｈ未満に設けられているので、ＩＰＡと疎水化剤との干渉によって基板Ｗ上で大きな液跳ねが生じない。そのため、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時における液跳ねや大きな液乱れの発生を抑制または防止できる。
【０１０２】
また、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（図６のＳ７）への移行時においても、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時の場合と同等の作用効果を奏する。
図１０は、参考形態に係る、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時における、バルブ１０，１３の開閉およびバルブ１０，１３における処理液（ＩＰＡ、疎水化剤）の流通流量の推移を示す図である。
【０１０３】
参考形態が、図１〜図９に示す実施形態（第１の実施形態）と相違する点は、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時において、遅延期間Ｄ１を設けずに、制御装置３が、疎水化剤バルブ１０の開動作の開始タイミングと、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始タイミングとを同期させた点である。
疎水化剤バルブ１０の開動作の開始タイミングと、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始タイミングとを同期させたために、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時において、ＩＰＡ流通期間と、疎水化剤流通期間とが重複する。この場合、図１１に示すように、ＩＰＡ流通期間と疎水化剤流通期間とが重なる期間において、合計流量ＴＦの推移が上に凸の形状をなしている。この場合、流量交点タイミングの合計流量ＴＦが、有機溶剤バルブ１３の閉動作の開始直前における有機溶剤バルブ１３におけるＩＰＡの流通流量を超える。換言すると、流量交点タイミングの合計流量ＴＦが、閾値Ｔｈを超える。
【０１０４】
この場合には、基板Ｗの上面中央部に吐出される疎水化剤およびＩＰＡの合計流量が多いので、基板Ｗの上面中央部において、ＩＰＡと疎水化剤とが干渉し、液跳ねや大きな液乱れが発生するおそれがある。そして、これらの液跳ねや大きな液乱れに起因して、疎水化剤の供給が阻害されることにより、基板Ｗの上面中央部において十分な疎水化が行われず、乾燥時における基板Ｗの高速回転によって、パターン倒壊が発生するおそれがある。
【０１０５】
また、共通ノズルＣＮが処理位置（図７に示す、共通ノズルＣＮの位置）に配置されている状態では、共通ノズルＣＮの下面と基板Ｗの上面との間が狭いので、液跳ねした疎水化剤やＩＰＡが共通ノズルＣＮの下面に付着する。そして、乾燥時において、液滴または液滴が固化して生じるパーティクルが基板Ｗの上面に付着することにより、基板Ｗの上面中央部におけるパーティクル汚染の原因になることが考えられる。
【０１０６】
また、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行時において、有機溶剤バルブ１３の開動作の開始タイミングと、疎水化剤バルブ１０の閉動作の開始タイミングとを同期させた場合にも、ＩＰＡと疎水化剤とが干渉し、液跳ねや大きな液乱れが発生するおそれがある。そして、これらの液跳ねや大きな液乱れに起因して、ＩＰＡの供給が阻害されることによりＩＰＡによる充分な置換が行えず、乾燥時における基板の高速回転によって、パターン倒壊が発生するおそれがある。また、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行時には、前述したパーティクル汚染の問題もある。
【０１０７】
図１２および図１３は、閾値Ｔｈの決定を説明するための図である。
閾値Ｔｈは、基板処理装置１を用いた事前実験によって求められる。事前実験の詳細については、後述する。以下では、遅延期間Ｄ１および遅延期間Ｄ２を含む遅延期間を総称して、遅延期間Ｄという場合がある。
オペレータは、事前実験において、遅延期間Ｄを複数の期間（図１３の例では、０．２ｓｅｃ、０．４ｓｅｃおよび０．６ｓｅｃの３種類の期間）の間で異ならせながら、基板Ｗ（サンプル用の基板）を処理する。そして、オペレータは、処理後の基板Ｗの状態に基づき、良品であるか否かを判定する。オペレータは、事前実験によって、良品と判定された全ての遅延期間Ｄに対応する閾値のうち、最も高い値を閾値Ｔｈとして決定する。
【０１０８】
図１３を用いて具体的に説明する。良品「ＯＫ」と判定された遅延期間が０．４ｓｅｃおよび０．６ｓｅｃであると仮定する。このとき、遅延期間が０．４ｓｅｃの場合の方が、遅延期間が０．６ｓｅｃの場合の方よりも流量交点Ｐ１の値が大きくなる（図１２参照）。この場合、遅延期間が０．４ｓｅｃの場合に対応する値、すなわち、流量交点Ｐ１における合計流量ＴＦ（すなわち、流量交点Ｐ１における流量の２倍の流量）の値を閾値Ｔｈとして決定する。換言すると、閾値Ｔｈは、パターン倒壊やパーティクルを考慮して許容される、流量交点Ｐ１における最大の合計流量ＴＦである。さらに、換言すると、図１２に示すように、閾値Ｔｈの半分（１/２・Ｔｈ）が、流量交点Ｐ１が一致する。
【０１０９】
このようにして決定された閾値Ｔｈに基づいてオペレータは遅延期間Ｄを設定する。具体的には、流量交点タイミングの合計流量ＴＦが当該閾値Ｔｈ未満になるように遅延期間Ｄが設定され、遅延時間記憶部５４に当該遅延期間Ｄが記憶される。なお、事前実験の結果に基づいて、オペレータの操作により制御装置３へ遅延期間Ｄが直接入力され、遅延期間記憶部５４に記憶される構成としても良い（上記の例の場合は、０．４ｓｅｃが遅延期間Ｄとして入力される）。
【０１１０】
図１４は、第１の実施形態に係る第１の変形例における、共通ノズルＣＮの構成例を説明するための模式図である。第１の変形例において、その他の構成については、第１の実施形態にて説明した構成と同様である。本願発明の実施に関しては、図１４に示すように、疎水化剤流量計９Ａが、疎水化剤配管９の二次側、すなわち疎水化剤バルブ１０の下流側に介装されていてもよい。また、有機溶剤流量計１２Ａが、有機溶剤配管１２の二次側、すなわち有機溶剤バルブ１３の下流側に介装されていてもよい。また、図１４に示す第１の変形例は、次に述べる第２の実施形態にも適用可能である。
＜第２の実施形態＞
図１５は、この発明の第２の実施形態に係る基板処理装置２０１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【０１１１】
第２の実施形態に係る基板処理装置２０１が、第１の実施形態に係る基板処理装置１と相違する点は、記憶ユニット５２に、プログラム５３や遅延期間記憶部５４の他に、閾値記憶部２１１および流量推移情報記憶部２１２を備えた点である。その他の点においては、第１の実施形態に係る基板処理装置１と共通するため、各部構成について同一符号を付し、説明を省略する。第２の実施形態では、制御装置３が、情報取得制御装置および遅延期間設定ユニットとして機能する。
【０１１２】
閾値記憶部２１１は、閾値Ｔｈを記憶する。閾値記憶部２１１には、基板処理装置１を用いた事前実験（後述する）によって求められた閾値Ｔｈが記憶されている。
流量推移情報記憶部２１２は、次に述べる立ち下がり流量推移パターン（第１の流量推移情報）ＦＣ１および立ち上がり流量推移パターン（第２の流量推移情報）ＦＣ２が記憶されている。立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、後述するようにマッチングのために用いられるパターンである。
【０１１３】
図１６Ａは、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１を説明するための図である。立ち下がり流量推移パターンＦＣ１は、第１のノズルからの第１の処理液の吐出流量（たとえば、有機溶剤ノズル１１からの有機溶剤の吐出流量）の時間変化を表すパターンである。立ち下がり流量推移パターンＦＣ１は、処理液バルブ（たとえば、有機溶剤バルブ１３）の閉動作の開始からの、吐出流量の時間変化を表している。立ち下がり流量推移パターンＦＣ１は、基板処理装置１を用いた事前実験（後述する）によって求められており、基板処理装置１の制御装置３によって流量推移情報記憶部２１２に記憶されている。
【０１１４】
図１６Ｂは、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を説明するための図である。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、第２のノズルからの第２の処理液の吐出流量（たとえば、疎水化剤ノズル８からの疎水化剤の吐出流量）の時間変化を表すパターンである。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、第２のバルブ（たとえば、疎水化剤バルブ１０）の開動作の開始からの、吐出流量の時間変化を表している。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、基板処理装置１を用いた事前実験（後述する）によって求められており、基板処理装置１の制御装置３によって流量推移情報記憶部２１２に記憶されている。
【０１１５】
閾値Ｔｈ、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２が、それぞれ、基板処理装置１を用いた事前実験によって求められており、しかもそれらを用いて遅延期間Ｄを算出するので、基板処理装置の配管構成の影響（疎水化剤ノズル８の吐出口８ａと疎水化剤バルブ１０との距離と、有機溶剤ノズル１１の吐出口１１ａと有機溶剤バルブ１３との距離とが異なる等）を排除して、遅延期間Ｄを良好に求めることができる。
【０１１６】
図１６Ｃは、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１と、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２とのマッチングを説明するための図である。図１７Ａは、遅延期間設定を説明するための流れ図である。
演算ユニット５１は、閾値記憶部２１１から閾値Ｔｈを読み出す（図１７ＡのＳ１１）、また、演算ユニット５１は、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１と、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２とを時間軸方向に関してパターンマッチングする（図１７ＡのＳ１２）。
【０１１７】
この実施形態では、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２の波形が、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１の波形にマッチングされている。立ち上がりの開始時点が、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１と同じ立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を、基準パターン（図１６Ｃに実線で表す）とする。
パターンマッチング（Ｓ１２）では、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２が時間軸方向にスライドされる。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を左側にスライドさせると、流量交点Ｐ１における流量（すなわち、流量交点Ｐ１の高さ位置）が減少する。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を右側にスライドさせると、流量交点Ｐ１における流量が増大する。
【０１１８】
そして、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を、流量交点Ｐ１における合計流量ＴＦ（すなわち、流量交点Ｐ１における流量の２倍の流量）が閾値Ｔｈ以内でかつ最大になるように配置する。そのときの立ち上がり流量推移パターンＦＣ２（図１６Ｃに一点鎖線で表す）の、基準パターンからの時間軸方向のずれ量を、演算ユニット５１は、遅延期間Ｄとして算出する。立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を、流量交点Ｐ１における流量が最大になるような位置に配置することで、遅延期間Ｄとして最も短い時間を選択できる。
【０１１９】
演算ユニット５１は、算出した遅延期間Ｄを、遅延期間記憶部５４に記憶させる（図１７ＡのＳ１４）。
図１７Ｂは、基板処理装置１を用いて行われる事前実験を説明するための流れ図である。
この事前実験は、制御装置３が閾値Ｔｈを取得するための実験である。また、この事前実験は、制御装置３が、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を取得するための実験でもある。この事前実験では、処理対象の基板として、サンプル用の基板が用いられる。
【０１２０】
サンプル用の基板は、チャンバ４に搬入され、チャンバ４内に収容されているスピンチャック５に、デバイス形成面である表面をたとえば上に向けた状態で保持される。
この状態で、チャンバ４内において、前述した基板処理例に示す各工程（図６のＳ２〜Ｓ９）との同等の工程が、サンプル用の基板に施される（Ｓ１７ＢのＳ２１）。すなわち、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）、疎水化剤供給工程（Ｓ６）およびＩＰＡ供給工程（Ｓ７）が、サンプル用の基板に順に施される。
【０１２１】
各工程（Ｓ２〜Ｓ９）の処理時間、各工程（Ｓ２〜Ｓ９）におけるサンプル用の基板の回転速度等の処理条件は、前述した基板処理例（図６）における処理条件と同一である。むろん、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５，Ｓ７）におけるＩＰＡの吐出流量や、疎水化剤供給工程（Ｓ６）における疎水化剤の吐出流量についても、前述した基板処理例（図６）の場合と同一流量である。
【０１２２】
事前実験は、他の条件を同一に保持したまま、遅延期間Ｄ（図１６Ｃ参照）を異ならせながら、複数回行われる。
この事前実験において、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１が取得される（図１７ＢのＳ２２）。具体的には、有機溶剤バルブ１３が閉じられると、制御装置３は、有機溶剤流量計１２Ａの出力する計測値を参照し、有機溶剤流量計１２Ａが出力する計測値を、有機溶剤バルブ１３の閉動作が開始されてからの時間と対応付けてサンプリングする。制御装置３は、サンプリングされた計測値に基づいて、ＩＰＡの計測値の時間変化を表す立ち下がり流量推移パターンＦＣ１を取得し、この立ち下がり流量推移パターンＦＣ１を流量推移情報記憶部２１２に格納する。
【０１２３】
また、この事前実験において、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２が取得される（図１７ＢのＳ２３）。具体的には、疎水化剤バルブ１０が開かれると、制御装置３は、疎水化剤流量計９Ａの出力する計測値を参照し、疎水化剤流量計９Ａが出力する計測値を、疎水化剤バルブ１０の開動作が開始されてからの時間と対応付けてサンプリングする。制御装置３は、サンプリングされた計測値に基づいて、疎水化剤の計測値の時間変化を表す立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を取得し、この立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を流量推移情報記憶部２１２に格納する。
【０１２４】
そして、オペレータが、図１２および図１３において説明した内容と同様に、事前実験によって得られたサンプル用の基板を観察し、良品であるか否かを判定する。オペレータは、事前実験によって、良品と判定された全ての遅延期間に対応する閾値（流量交点Ｐ１における合計流量ＴＦ（すなわち、流量交点Ｐ１における流量の２倍の流量）の値）のうち、最も高い値を閾値Ｔｈとして決定する。このようにして決定された閾値Ｔｈが、オペレータの操作により制御装置３に入力される。入力された閾値Ｔｈが、閾値記憶部２１１に記憶される（図１７ＢのＳ２４）。
【０１２５】
以上により、この第２の実施形態によれば、制御装置３が、第１のバルブ（有機溶剤バルブ１３）の閉動作の開始から第２のバルブ（疎水化剤バルブ１０）の開動作の開始までの遅延期間Ｄを設定する。立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、基板処理を実行する基板処理装置１ごとに、または、その処理条件ごとに異なる。そして、これら立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を用いたマッチングによって、合計流量ＴＦが閾値Ｔｈ以下になるような遅延期間Ｄが設けられるので、基板処理装置１や処理条件に対応した良好な遅延期間Ｄを容易に設けることができる。しかもマッチングによって遅延期間Ｄを求めるので、流量交点Ｐ１における合計流量ＴＦが閾値Ｔｈ以内でかつ最大になるような遅延期間Ｄを比較的容易に設けることができる。
【０１２６】
また、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２が、基板処理装置１を用いた事前実験に基づいて取得されるので（すなわち、実測値であるので）、基板処理装置１の個体差が排除された、良好な遅延期間Ｄを設定できる。
また、合計流量ＴＦが閾値Ｔｈ以下になる期間のうち最も短い期間が遅延期間Ｄとして設定される。換言すると、遅延期間Ｄとして、可能な限り短い期間が設定される。これにより、基板Ｗに液切れさせることなく、第１の処理液処理（有機溶剤供給工程（Ｓ５））から第２の処理液処理（疎水化剤供給工程（Ｓ６））に移行させることが可能である。
【０１２７】
図１８は、第２の実施形態に係る変形例（第２の変形例）を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１のように、複数のチャンバ４を備えた基板処理装置１では、チャンバ４が異なれば配管９，１２が異なる。また、バルブ１０，１３から吐出口８ａ，１１ａまでの距離がチャンバ４毎に異なることがある。これらに起因して、バルブ１０，１３の開閉動作と、その開閉動作における、吐出口８ａ，１１ａからの処理液の吐出流量の推移（バルブ１０，１３における処理液の流通流量の推移）とが、チャンバ４ごとにばらつくおそれがある。
【０１２８】
そのため、第２の変形例では、各チャンバ４に、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を対応付けて設けている。そのため、遅延期間Ｄもチャンバ４毎に異なる。この場合、閾値Ｔｈは、各チャンバ４間で共通の値が用いられる。
これにより、吐出口８ａ，１１ａからの処理液の吐出流量の推移（バルブ１０，１３における処理液の流通流量の推移）がチャンバ４ごとにばらつく場合であっても、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時のパターン倒壊やパーティクルの発生を抑制または防止できる。
【０１２９】
この場合、閾値Ｔｈが共通であるので、閾値Ｔｈを得るための大掛かりな事前実験（図１７Ｂを用いて説明した事前実験）は、１つのチャンバ４でのみ行えば足り、他のチャンバ４については、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１や立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を取得するための事前実験で足りる。流量推移パターンＦＣ１，ＦＣ２を得るためだけの事前実験であれば、処理条件でバルブ１０，１３を開閉させれば足りるのでダミー基板等を用いて、短時間で行うことができる。よって、事前実験に伴うオペレータの負担が少ない。
【０１３０】
図１９は、第２の実施形態に係る変形例（第３の変形例）に係る遅延期間設定を説明するための流れ図である。図２０は、第３の変形例に係る遅延期間設定を説明するための模式図である。
第３の変形例では、チャンバ４における基板処理例の実行に並行して遅延期間Ｄを設定する（リアルタイム設定）。
【０１３１】
演算ユニット５１は、閾値記憶部２１１から閾値Ｔｈを読み出す（図１９のＳ３１）。また、演算ユニット５１は、有機溶剤流量計１２Ａが出力する計測値をサンプリング（監視）する（図１９のＳ３２）。有機溶剤バルブ１３の閉動作が開始されると、有機溶剤流量計１２Ａによる計測値が急減する。有機溶剤バルブ１３の閉動作が開始後の所定タイミング（図２０に示す「現時点」）において、演算ユニット５１は、サンプリングされた計測値に基づいて、ＩＰＡの計測値の時間変化を表すＩＰＡパターンを作成する。また、演算ユニット５１は、作成したＩＰＡパターンを、流量推移情報記憶部２１２に記憶されている立ち下がり流量推移パターンＦＣ１の波形にパターンマッチングさせる。このパターンマッチングでは、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１が時間軸方向にスライドされ、両パターンの波形のずれが少なくなるように両パターンがパターンマッチングされる。これにより、現時点において、ＩＰＡの吐出流量の将来の推移が予測される（図１９のＳ３３）。
【０１３２】
そして、演算ユニット５１は、予測されたＩＰＡの吐出流量の将来の推移と、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２とを時間軸方向に関してパターンマッチングする（図１９のＳ３４）。このマッチングは、図１７ＡのＳ１２の場合と同様の手法を用いて行う。
そして、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を、流量交点Ｐ１における合計流量ＴＦ（すなわち、流量交点Ｐ１における流量の２倍の流量が閾値Ｔｈ以内でかつ最大になるように配置して、遅延期間Ｄを算出する（図１９のＳ３５）。その後、演算ユニット５１は、算出した遅延期間Ｄを、遅延期間記憶部５４に記憶させる（図１９のＳ３６）。
【０１３３】
この場合、計測している現在のＩＰＡの吐出流量に基づいて、ＩＰＡの吐出流量の将来の推移が予測される。そして、予測された立ち下がり流量推移と、取得した立ち上がり流量推移パターンＦＣ２とに基づいて、基板処理の進行に並行して遅延期間Ｄが設定される。これにより、進行中の基板処理の処理条件に最も適した良好な遅延期間Ｄを設定することが可能である。
【０１３４】
また、第２の実施形態の前述の説明では、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時のバルブ１０，１３の開閉を例に挙げて説明した。しかしながら、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行時のバルブ１０，１３の開閉にも、第２の実施形態を適用することができる。
また、ＩＰＡ供給工程（Ｓ５）から疎水化剤供給工程（Ｓ６）への移行時と、疎水化剤供給工程（Ｓ６）からＩＰＡ供給工程（Ｓ７）への移行時とで、閾値Ｔｈを互いに異ならせるようにしてもよい。
【０１３５】
以上、この発明の２つの実施形態および３つの変形例について説明したが、本発明は、さらに他の実施形態を用いて実施することもできる。
たとえば、制御装置３が閾値Ｔｈを取得するための事前実験と、制御装置３が、立ち下がり流量推移パターンＦＣ１および立ち上がり流量推移パターンＦＣ２を取得するための事前実験とを、一括ではなく、個別に行うこともできる。
【０１３６】
また、第２の実施形態において、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、基板処理装置１を用いた事前実験によって得られた実測データではく、予め作成されたデータであってもよい。バルブ１０，１３の開動作の開始時には、処理液（ＩＰＡ、疎水化剤）の先端面が後退させられており、バルブ１０，１３の開動作の開始後におけるバルブ１０，１３を流通する処理液の挙動（ＩＰＡ、疎水化剤）にそれほど差が見られない。そのため、立ち上がり流量推移パターンＦＣ２は、実測データでなく、予め作成されたデータであってもよい。
【０１３７】
また、閾値Ｔｈは、該基板処理装置１を用いた事前実験を用いて判定された値でなく、予め与えられた値であってもよい。
また、第１および第２の実施形態において、ノズル８，１１が、共通ノズルＣＮではなく、基板Ｗの上面の略全域の上方に対向する遮断部材に設けられていてもよい。
また、前述の実施形態において、基板処理装置１が半導体ウエハからなる基板Ｗの表面を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置が、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electrolumineＳcence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel DiＳplay）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板を処理する装置であってもよい。
【０１３８】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１３９】
１      ：基板処理装置
２      ：処理ユニット
３      ：制御装置
４      ：チャンバ
５      ：スピンチャック（基板保持ユニット）
８      ：疎水化剤ノズル（第１のノズルおよび第２のノズルの他方）
９      ：疎水化剤配管（第１の配管および第２の配管の他方）
９Ａ    ：疎水化剤流量計
１０    ：疎水化剤バルブ（第１のバルブおよび第２のバルブの他方）
１１    ：有機溶剤ノズル（第１のノズルおよび第２のノズルの一方）
１２    ：有機溶剤配管（第１の配管および第２の配管の一方）
１２Ａ  ：有機溶剤流量計（流量計）
１３    ：有機溶剤バルブ（第１のバルブおよび第２のバルブの一方）
５１    ：演算ユニット
５２    ：記憶ユニット
５４    ：遅延期間記憶部
２０１  ：基板処理装置
２１１  ：閾値記憶部
２１２  ：流量推移情報記憶部
Ｄ      ：遅延期間
Ｄ１    ：遅延期間
Ｄ２    ：遅延期間
ＦＣ１  ：立ち下がり流量推移パターン（第１の流量推移情報）
ＦＣ２  ：立ち上がり流量推移パターン（第２の流量推移情報）
Ｐ１    ：流量交点
ＴＦ    ：合計流量
Ｔｈ    ：閾値
Ｗ      ：基板
【図１】
2019192799.tif 000003
【図２】
2019192799.tif 000004
【図３】
2019192799.tif 000005
【図４】
2019192799.tif 000006
【図５】
2019192799.tif 000007
【図６】
2019192799.tif 000008
【図７】
2019192799.tif 000009
【図８】
2019192799.tif 000010
【図９】
2019192799.tif 000011
【図１０】
2019192799.tif 000012
【図１１】
2019192799.tif 000013
【図１２】
2019192799.tif 000014
【図１３】
2019192799.tif 000015
【図１４】
2019192799.tif 000016
【図１５】
2019192799.tif 000017
【図１６Ａ】
2019192799.tif 000018
【図１６Ｂ】
2019192799.tif 000019
【図１６Ｃ】
2019192799.tif 000020
【図１７Ａ】
2019192799.tif 000021
【図１７Ｂ】
2019192799.tif 000022
【図１８】
2019192799.tif 000023
【図１９】
2019192799.tif 000024
【図２０】
2019192799.tif 000025