(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた帯電特性を有するエレクトレットを提供する。【解決手段】エレクトレット１００は、第１誘電体から構成された第１エレクトレット膜２と、第１誘電体と異なる誘電率を有する第２誘電体から構成された第２エレクトレット膜３とを有し、第２エレクトレット膜は、第１エレクレット膜の上に直接形成されていることを特徴とする。第１エレクトレット膜は、例えばＳｉＯ2またはＳｉＮから構成され、第２エレクトレット膜は、例えば樹脂から構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１誘電体から構成された第１エレクトレット膜と、
前記第１誘電体と異なる誘電率を有する第２誘電体から構成された第２エレクトレット膜と、
前記第１誘電体および前記第２誘電体と異なる誘電率を有する第３誘電体から構成された第３エレクトレット膜と
を有し、
前記第２エレクトレット膜は、前記第１エレクトレット膜の上に直接形成され、前記第３エレクトレット膜は、前記第２エレクトレット膜の上に直接形成されている
ことを特徴とするエレクトレット。
【請求項２】
請求項１記載のエレクトレットにおいて、
前記第１エレクトレット膜と前記第２エレクトレット膜と前記第３エレクトレット膜とが交互に複数積層されている
ことを特徴とするエレクトレット。
【請求項３】
請求項１または２記載のエレクトレットにおいて、
前記第１エレクトレット膜は、ＳｉＯ2またはＳｉＮから構成されている
ことを特徴とするエレクトレット。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載のエレクトレットにおいて、
前記第２エレクトレット膜は、樹脂から構成されている
ことを特徴とするエレクトレット。
【請求項５】
請求項４記載のエレクトレットにおいて、
前記樹脂は、フッ素環状重合体である
ことを特徴とするエレクトレット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を利用した微小な装置の開発が盛んに行われている。ＭＥＭＳ技術とは、半導体基板などのウエハ上に薄膜を形成し、この薄膜を加工することで半導体集積回路を製造する技術を基本とした技術であり、このＭＥＭＳ技術により作製されたＭＥＭＳ素子として、例えば、可動構造を備えた微小振動素子が知られている。微小振動素子は、ばねにより移動可能に支持された振動子を備えた素子であり、他の半導体デバイスとの集積化が容易で、振動子の専有面積が小さいという特徴がある。
【０００３】
近年、微小振動素子を、環境中の振動エネルギーを電気エネルギーに変換するエネルギーハーベスタとして利用する技術の開発が進められている。具体的には、非特許文献１に示されるように、帯電体であるエレクトレットに対して電極（導体）を相対的に変位させることによって発生する誘導電荷の移動（静電誘導の原理）を利用して発電するエレクトレット微小発電素子の開発が進められている。
【０００４】
例えば、非特許文献２には、振動子に形成された導体から成る可動電極と、振動子を支持するばねを介して可動電極と電気的に接続された固定電極と、エレクトレットとを備え、振動子を振動させることにより可動電極とエレクトレットとの間で電荷を移動させ、電流を発生させるエレクトレット微小発電素子が開示されている。
【０００５】
ここで、エレクトレット微小発電素子のようなエネルギーハーベスト技術に用いられるエレクトレットとしては、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）等の無機材料を用いたものや、フッ素樹脂等の有機材料を用いたものが知られている。これらの材料は、基板の上に成膜された後、公知のコロナ放電法などにより電荷がチャージされることにより帯電し、エレクトレットとして機能する。特に、非特許文献３，４，５に示されるように、フッ素重合体を母材とするＣＹＴＯＰ（サイトップ，登録商標）は、高い帯電保持性能と加工容易性を有しているため、エレクトレットとして多くの研究機関において利用されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】小野一善、佐藤昇男、阪田知巳、小舘淳一、神好人、「ＭＥＭＳを用いた振動エネルギーハーベスト技術」、ＮＴＴ技術ジャーナル２０１２年１２月号、p.32-36.
【非特許文献２】C. Marboutin, Y. Suzuki and N. Kasagi, “Optimal Design of Micro Electret Generator for Energy Harvesting”, 7th Int. Workshop on Micro and Nanotechnology for Power Generation and Energy Conversion Applications (PowerMEMS 2007), Freiburg, Nov. 28-29, 2007, pp. 141-144.
【非特許文献３】“エレクトレットグレード（ＥＧＧ）”，  ［ｏｎｌｉｎｅ］，  小西安株式会社  ，［平成２７年１０月２７日検索］，  インターネット<URL: http://www.konishiyasu.com/syouhin/egg/index.html >
【非特許文献４】柏木王明、「振動型発電器用超高性能エレクトレット材料の開発」，  Res. Reports Asahi Glass Co., Ltd., 60(2010), pp.23-28.
【非特許文献５】荒川康弘、「エレクトレット高分子膜を用いたマイクロ振動型発電器」、日本機械学会第９回動力・エネルギー技術シンポジウム講演論文集、Ｐ．３７（０４，６，２２−２３東京）
【非特許文献６】岩本光正、田口大、「熱刺激電流による電気電子材料評価  基礎と応用」、コロナ社、２０１４年、ｐ．１０９．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、エネルギーハーベスト技術に用いられるエレクトレットは、エネルギーハーベスタの発電効率の向上を図るため、帯電量（電荷保持量）の向上が望まれている。
一般に、エレクトレットの単位体積あたりの帯電密度は、エレクトレットを構成する材料により一意に決まる。そのため、エレクトレットの帯電量を増やすためには、上述の非特許文献５に示されるように、エレクトレットの厚さを大きくする必要があった。
しかしながら、材料コストや製造コストの点から、実際にエレクトレットの厚さを大きくすることには限界があるため、帯電特性の大幅な改善は見込めない。
【０００８】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、優れた帯電特性を有するエレクトレットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るエレクトレット（１０２）は、第１誘電体から構成された第１エレクトレット膜（２）と、第１誘電体と異なる誘電率を有する第２誘電体から構成された第２エレクトレット膜（３）と、第１誘電体および第２誘電体と異なる誘電率を有する第３誘電体から構成された第３エレクトレット膜（４）とを有し、第２エレクトレット膜は、第１エレクトレット膜の上に直接形成され、第３エレクトレット膜は、第２エレクトレット膜の上に直接形成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記エレクトレットにおいて、第１エレクトレット膜（２）と第２エレクトレット膜（３）と第３エレクトレット膜（４）とが交互に複数積層されていてもよい。
【００１１】
なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって表している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、より優れた帯電特性を有するエレクトレットを実現することにある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施の形態１に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係るエレクトレットにおける帯電の原理を説明するための図である。
【図３】図３は、従来の１層のエレクトレット膜から構成されたエレクトレットにおける帯電の原理を説明するための図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施の形態１に係るエレクトレットの製造方法を説明するための図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施の形態１に係るエレクトレットの製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、エレクトレット膜を構成するＣＹＴＯＰの化学式を示す図である。
【図６】図６は、直流コロナ放電装置を用いた帯電方法を模式的に示す図である。
【図７】図７は、第２比較サンプルの断面を模式的に示す図である。
【図８】図８は、本発明に係るエレクトレットの製造方法によって作製されたエレクトレットの表面電位分布の計測結果を示す図である。
【図９】図９は、３つのサンプルの表面電位の時間変化を示す図である。
【図１０】図１０は、３つのサンプルの表面電位の時間変化を対数で示した図である。
【図１１】図１１は、実施の形態２に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、実施の形態３に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００１５】
≪実施の形態１≫
〈エレクトレットの構成〉
図１は、本発明の一実施の形態に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
同図には、一例として、本実施の形態に係るエレクトレットの積層構造の一部が図示されている。
【００１６】
同図に示されるエレクトレット１００は、電場を形成し続けることが可能な素子であり、環境中の振動エネルギーを電気エネルギーに変換するエネルギーハーベスタとしてのエレクトレット微小発電素子等に利用することができる。
図１に示されるように、本実施の形態に係るエレクトレット１００は、従来の一つのエレクトレット膜から構成されたエレクトレットとは異なり、異なる誘電体から構成された複数のエレクトレット膜を接合した構造を有している。
【００１７】
ここで、エレクトレット膜とは、注入された電荷を保持し続けることが可能な誘電体（絶縁体）から構成された薄膜である。本明細書では、後述するコロナ放電等によって電荷が注入される前の上記薄膜のみならず、電荷が注入された後の上記薄膜についても、エレクトレット膜と称することがある。
【００１８】
具体的に、エレクトレット１００は、エレクトレット膜２と、エレクトレット膜２と異なる誘電率を有するエレクトレット膜３とを有する。
エレクトレット膜２は、例えばシリコンから成る基板１上に形成されている。エレクトレット膜２は、例えば、ＳｉＯ2またはＳｉＮから構成されている。エレクトレット膜３は、エレクレット膜２の上に直接形成されている。エレクトレット膜３は、例えば樹脂から構成されている。上記樹脂としては、例えば、エレクトレット膜２上に塗布し易いフッ素環状重合体等を例示することができる。
後述するコロナ放電等により、エレクトレット膜２，３に電荷を注入すると、エレクトレット膜２とエレクトレット膜３とが積層された構造体１０は、エレクトレットとして機能する。
【００１９】
ここで、エレクトレット１００の帯電の原理について説明する。
図２は、実施の形態１に係るエレクトレットの帯電の原理を説明するための図である。図３は、従来の１層のエレクトレット膜から構成されたエレクトレットの帯電の原理を示す図である。
【００２０】
図３に示すように、従来の１つのエレクトレット膜から構成されたエレクトレット５０は、エレクトレット膜を構成する材料の分極により帯電する。これに対し、図２に示すように、実施の形態１に係るエレクトレット１００は、誘電率が異なるエレクトレット膜２，３が接合された構造体１０にコロナ放電等により電荷を注入すると、マクスウェル・ワグナー（Ｍａｘｗｅｌｌ−Ｗａｇｎｅｒ）効果（非特許文献６参照）により、エレクトレット膜２とエレクトレット膜３との接合界面の近傍に電荷が集中して蓄積される。
これにより、従来の１層のエレクトレット膜の膜厚を単に大きくする場合に比べて、エレクトレットにおける帯電量を向上させることができ、且つ長期間に渡って電荷を安定して保持することが可能となる。
【００２１】
〈本実施の形態に係るエレクトレットの製造方法〉
次に、実施の形態１に係るエレクトレット１００の製造方法について説明する。
先ず、図４Ａに示すように、第１誘電体から構成されたエレクトレット膜２を形成する（第１工程）。具体的には、公知のスパッタリング法によって基板１上に第１誘電体を堆積させることにより、エレクトレット膜２を形成する。
【００２２】
ここで、基板１としては、例えばシリコン（Ｓｉ）を用いることができる。また、第１誘電体としては、ＳｉＯ2またはＳｉＮを用いることができる。
【００２３】
次に、図４Ｂに示すように、第１誘電体とは異なる誘電率を有する第２誘電体から構成されたエレクトレット膜３をエレクトレット膜２の上に直接形成する（第２工程）。第２誘電体としては、フッ素環状重合体（例えばＣＹＴＯＰ）等の樹脂を用いることができる。
具体的には、先ず、第２誘電体を溶質とする溶液を用意する。例えば、第２誘電体としてフッ素環状重合体を用いる場合には、フッ素環状重合体を含フッ素有機溶媒に溶解させた溶液を用意し、その溶液を所定量採取する。その後、採取した溶液を更に上記含フッ素有機溶媒で希釈することにより、含フッ素環状重合体溶液が得られる。
次に、第２誘電体を溶質とする溶液を、公知のスピンコート法によりエレクトレット膜２上に塗布し、オーブンにて加熱処理を施す。これにより、エレクトレット膜２上にエレクトレット膜３が形成される。
【００２４】
〈実施例〉
次に、上記の製造方法に基づいてエレクトレット１００を実際に作製し、作製したエレクトレット１００の帯電特性を調べた実験の結果について説明する。
（１）エレクトレット１００の作製
先ず、本実験に用いたエレクトレット１００の作製手順について詳細に説明する。
【００２５】
（ａ）基板１の準備
はじめに、下地処理を施した基板１を用意する。
本実験では、両面鏡面研磨加工を施した厚さ６２５μｍのＳｉ基板をダイシング法等によって切断し、縦１ｃｍ、横１ｃｍの複数のＳｉチップを作製した後、切断した夫々のチップに対して強酸性の溶液で洗浄し、フッ酸水溶液中に１分間浸漬させた。その後、超純水によって１０分間洗浄することにより、夫々のチップの表面に付着しているパーティクルを除去した。本実験では、これらの下地処理を施した１つのＳｉチップを基板１として用いた。
【００２６】
（ｂ）エレクトレット膜２の形成（第１工程）
本実験では、公知のスパッタリング法（ＲＦパワー：５００Ｗ）により、上記下地処理を施して乾燥させたＳｉチップ（基板１）上に酸化シリコン（ＳｉＯ2）を０．８μｍ堆積させた。これにより、ＳｉＯ2から構成されたエレクトレット膜２をＳｉチップ上に形成した（図４Ａ参照）。
【００２７】
（ｃ）エレクトレット膜３の形成
本実験では、図５に示す化学式の繰り返し単位を有し、主鎖にカルボキシ基を有するフッ素環状重合体のＣＹＴＯＰ（サイトップ；登録商標、旭硝子社製、比誘電率２．１）を含フッ素有機溶媒としての溶媒ＣＴ−ｓｏｌｖ１８０（旭硝子社製）に溶解させたＣＹＴＯＰ溶液ＣＴＬ−８１３Ａ（旭硝子社製）を用意する。そして、そのＣＹＴＯＰ溶液ＣＴＬ−８１３Ａを１０ｇを採取し、３０ｇの上記溶媒ＣＴ−ｓｏｌｖ１８０で希釈する。
これにより、質量比１：３の含フッ素環状重合体溶液を作製した。
【００２８】
次に、ＳｉＯ2から構成されたエレクトレット膜２とＣＹＴＯＰとの密着性を高めるために、エレクトレット膜２上にＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）を公知のスピンコート法により塗布し、自然乾燥させた。その後、上述の方法で調合した含フッ素環状重合体溶液を、公知のスピンコート法によりエレクトレット膜２上に塗布し、オーブンにて１１０℃の温度において３０分間加熱した。
【００２９】
これにより、ＳｉＯ2から構成されたエレクトレット膜２の直上にＣＹＴＯＰから構成されたエレクトレット膜３が形成され、異なる誘電率を有するエレクトレット膜２，３が積層された構造体１０が得られる（図４Ｂ参照）。
【００３０】
（ｄ）帯電処理
次に、例えば公知の直流コロナ放電法により、エレクトレット膜２，３から成る構造体１０に電荷を印加する。より具体的には、図６に示す直流コロナ放電装置４００において、構造体１０が形成された基板１を電極板４１上に載置するとともに、電極針４２を構造体１０の電極板４と反対側の面の直上に配置し、電源４０により高電圧を電極針４２と電極板４１との間に印加する。本実験では、室温（約２５℃）において、１０ｋＶの電圧を電極針４２と電極板４１との間に３０分間印加した。
【００３１】
これにより、電極針４２と構造体１０との間の空気の絶縁破壊によるコロナ放電が生じ、構造体１０を形成する夫々のエレクトレット膜２，３の分子が分極し、電荷がエレクトレット膜２とエレクトレット膜３の接合界面の近傍に集中して蓄積される。
本実験では、以上の工程を経てエレクトレット１００を作製した。
【００３２】
（２）帯電特性の計測
次に、実際に作製したエレクトレット１００の帯電特性の計測結果について説明する。
本実験では、測定対象のサンプルとして、上述の製造方法によって実際に作製したエレクトレット１００と、上述の製造方法における上記下地処理を施した基板１上にＳｉＯ2から構成されたエレクトレット膜２のみを形成し、上記コロナ放電法により高電圧を印加した第１比較サンプル（図４Ａ参照）と、上述の製造方法における上記下地処理を施した基板１上にＣＹＴＯＰから構成されたエレクトレット膜３のみを形成し、上記コロナ放電法により高電圧を印加した第２比較サンプル（図７参照）の３つを用意し、それらのサンプルの夫々の表面電位を表面電位計（トレック社製、型番８３２０）を用いて計測した。
【００３３】
図８は、上述した製造方法によって作製されたエレクトレット１００の表面電位分布の計測結果を示す図である。同図に示されるグラフは、エレクトレット１００のサンプルのＸ軸およびＹ軸から成るＸＹ平面に対して、上記表面電位計のプローブを走査することで得られた４００点の測定結果に基づく表面電位の分布が示している。同図に示されるグラフにおいて、横軸は図４ＢにおけるＸ軸〔μｍ〕に対応し、縦軸は図４ＢにおけるＹ軸〔μｍ〕に対応している。
【００３４】
図９，１０は、各サンプルの表面電位の時間変化を示す図である。
図９，１０には、上記３つのサンプルを２５℃、相対湿度（ＲＨ：ｒｅｌａｔｉｖｅ  ｈｕｍｉｄｉｔｙ）５０％の環境下で導電性トレイに保管し、定期的にそれらを取り出して、上記図８と同様の方法によって計測した表面電位の最小値がサンプル毎にプロットされている。なお、図１０は、図９のグラフを対数で表示させたものである。
【００３５】
また、図９，１０において、縦軸は表面電位〔Ｖ〕であり、横軸はコロナ放電による帯電処理を施してからの経過時間〔ｈｏｕｒｓ〕である。図９，１０において、参照符号４０１，４０１Ａは第１比較サンプルの特性を示し、参照符号４０２，４０２Ａは第２比較サンプルの特性を示し、参照符号４０３，４０３Ａは、本実施の形態に係るエレクトレット１００の特性を示している。
【００３６】
図９，１０に示すように、上記の製造方法によって実際に作製したエレクトレット１００は、第１比較サンプルおよび第２比較サンプルに比べて、表面電位が著しく高いことが理解される。また、エレクトレット１００は、第１比較サンプルおよび第２比較サンプルに比べて、コロナ放電による帯電処理を施してから約３３００時間までの期間における表面電位の低下が著しく抑えられていることが理解される。
【００３７】
以上、本実施の形態に係るエレクトレットによれば、上記の実験結果からも理解されるように、従来の１層のエレクトレット膜の膜厚を単に大きくする場合に比べて、エレクトレットにおける帯電量を向上させることができ、且つ長期間に渡って電荷を安定して保持することが可能となる。すなわち、優れた帯電特性を有するエレクトレットを実現することができる。
【００３８】
また、本実施の形態に係るエレクトレットによれば、膜厚を大きくする場合に比べて、材料コストを抑えることが可能となる。
【００３９】
また、誘電体として樹脂（例えばサイトップ）を用いることにより、１つのエレクトレット膜を塗布法によって形成することができるので、製造コストを更に抑えることが可能となる。
【００４０】
≪実施の形態２≫
次に、本発明に係るエレクトレットの別の実施の形態について説明する。
実施の形態１では、誘電率の異なる２種類のエレクトレット膜を１組だけ基板１上に積層する場合を示したが、２種類のエレクトレット膜を交互に複数積層してもよい。
【００４１】
図１１は、実施の形態２に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
同図に示されるエレクトレット１０１は、エレクトレット膜２とエレクトレット膜３とが交互にｎ（ｎは２以上の整数）層積層された構造を有している。エレクトレット１０１は、上述のエレクトレット１００と同様に、第２工程（図４Ｂ）までの各処理を行った後に、第１工程（図４Ａ）と第２工程を交互に繰り返し行うことによって作製することができる。
【００４２】
具体的には、上記第２工程によってエレクトレット膜３＿１を形成した後に、上記第１工程と同様に、公知のスパッタリング法等により誘電体（例えばＳｉＯ2）をエレクトレット膜３＿１の直上に堆積させることで、エレクトレット膜２＿２を形成する。その後、上記第２工程と同様に、ＨＭＤＳを公知のスピンコート法によって塗布して自然乾燥させた後、上記含フッ素環状重合体溶液を公知のスピンコート法によってエレクトレット膜２＿２の直上に塗布し、加熱処理を施すことにより、エレクトレット膜３＿２を形成する。これらの処理を所定の回数だけ繰り返し行うことにより、誘電率が異なるエレクトレット膜２，３が交互に複数積層されたエレクトレット１０１を作製することができる。
【００４３】
エレクトレット１０１によれば、複数の隣接するエレクトレット膜の夫々の接合界面において電荷を蓄積することができるので、従来のようにエレクトレット膜の膜厚を単に大きくする場合に比べて、エレクトレットとしての帯電量を更に向上させることができる。
【００４４】
また、エレクトレット１０１によれば、積層数によってエレクトレットの帯電量を調整することができるので、従来のように単に膜厚を大きくする方法に比べて、帯電量の調整が容易となるとともに、帯電量の更なる向上が可能となる。
【００４５】
≪実施の形態３≫
実施の形態２では、２種類のエレクトレット膜を交互に複数積層する場合を例示したが、３種類のエレクトレット膜を複数積層してもよい。
図１２は、実施の形態３に係るエレクトレットの断面を模式的に示す図である。
同図に示されるように、エレクトレット１０２は、誘電率が異なる３種類のエレクトレット膜２，３，４が複数積層された構造を有している。例えば、エレクトレット膜２をＳｉＯ2によって形成し、エレクトレット膜３をサイトップによって形成し、エレクトレット膜４をＳｉＮによって形成する。
【００４６】
エレクトレット膜２，３，４を積層する順番は、隣接するエレクトレット膜が誘電率の異なる材料によって形成されていればよく、特に制限はない。例えば、エレクトレット膜２，３，４が周期的に積層されていてもよいし、図１２に示されるように、エレクトレット膜２，３，４を積層する順番を適宜入れ替えてもよい。
【００４７】
エレクトレット１０２によれば、実施の形態２に係るエレクトレット１０１と同様に、複数の隣接するエレクトレット膜の夫々の接合界面において電荷を蓄積することができるので、従来のようにエレクトレット膜の膜厚を単に大きくする場合に比べて、エレクトレットとしての帯電量を更に向上させることができる。
【００４８】
また、３種類のエレクトレット膜を用いることにより、帯電量の微調整が容易となる。
【００４９】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５０】
例えば、上記実施の形態において、エレクトレット膜３として、ＣＹＴＯＰを用いる場合を例示したが、エレクトレット膜２と異なる誘電率を有する別の有機材料を用いてもよい。
【００５１】
また、上記実施の形態では、エレクトレット膜２として、ＳｉＯ2を用いる場合を例示したが、エレクトレット膜３と異なる材料を用いてもよい。例えば、エレクトレット膜２としてＳｉＮを用いてもよい。
【００５２】
また、上記実施の形態の図１２において、３種類のエレクトレット膜を形成する材料として、ＳｉＯ2、ＣＹＴＯＰおよびＳｉＮを例示したが、互いに誘電率が異なる材料であれば他の材料を用いてもよい。また、図１２において、３種類のエレクトレット膜を積層する場合を例示したが、エレクトレット膜の種類は特に制限されない。例えば、４種類以上のエレクトレット膜を積層させてもよい。
【００５３】
また、エレクトレット膜３を構成する樹脂を溶質とする溶液（含フッ素環状重合体溶液）の塗布法としてスピンコート法を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、公知のディッピング法、スプレーコート法、インクジェット法、またはロールコーター法によって塗布してもよい。
【００５４】
また、ＳｉＯ2から成るエレクトレット膜２，２＿１〜２＿ｎを、スパッタリング法によって形成する場合を例示したが、これに限定されるものではなく、例えば、公知の真空蒸着法によって形成してもよい。特に、基板１に直接形成されるエレクトレット膜２，２＿１については、上記のスパッタリング法および真空蒸着法の代わりに、熱酸化法やＰ−ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００５５】
また、ＳｉＮから構成されるエレクトレット膜を形成する場合には、スパッタリング法だけでなく、Ｐ−ＣＶＤ法によっても形成することができる。
【００５６】
また、上記実施の形態では、基板１としてＳｉを用いる場合を例示したが、これに限定されるものではなく、Ｓｉと同様にエレクトレット膜を積層する基台として機能する他の材料を用いることもできる。
【符号の説明】
【００５７】
１００，１０１，１０２…エレクトレット、１…基板、２，２＿１〜２＿ｎ，３，３＿１〜３＿ｎ，４＿１〜４＿ｎ…エレクトレット膜、１０…構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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