(57)【要約】【課題】マルチビーム描画において周囲のブランカ等から漏れ出した電界の影響を抑制する。【解決手段】本実施形態によるマルチビーム用アパーチャセットは、マルチビームを形成する成形アパーチャアレイ１０と、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の通過孔３２が形成され、各通過孔３２にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極３４が設けられたブランキングアパーチャアレイ３０と、マルチビームが通過する複数の開口２２が形成された電場シールド板２０と、を備える。電場シールド板２０は、基板２４、及び基板２４のブランキングアパーチャアレイ３０に対向する面に設けられた高抵抗膜２６を有する。高抵抗膜２６は基板２４よりも電気抵抗値が高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、基板、及び該基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜を有し、該高抵抗膜は該基板よりも電気抵抗値が高いことを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。
【請求項２】
前記基板は導電性基板であり、該基板と前記高抵抗膜との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム用アパーチャセット。
【請求項３】
前記第３開口の側壁に金属膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマルチビーム用アパーチャセット。
【請求項４】
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、絶縁体基板、該絶縁体基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜、及び前記第３開口の側壁に設けられた導電膜を有し、該高抵抗膜は前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高いことを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。
【請求項５】
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、
前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、
を備え、
前記電場シールド板は、前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高い高抵抗材料で構成されていることを特徴とするマルチビーム用アパーチャセット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチビーム用アパーチャセットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングアパーチャアレイを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングアパーチャアレイのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。ブランキングアパーチャアレイはビームを個別に偏向するための電極対と、その間にビーム通過用の開口を備えており、電極対（ブランカ）の一方をグラウンド電位で固定して他方をグラウンド電位とそれ以外の電位に切り替えることにより、それぞれ個別に、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
【０００４】
従来のマルチビーム描画装置では、各ビームが隣接するビームのブランカ等から漏れ出した電界の影響によりビーム軌道が僅かに曲がり、試料面上でのビーム照射位置がずれ、描画精度が劣化し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１０８１４６号公報
【特許文献２】特開平８−１７６９８号公報
【特許文献３】特開２００９−３２６９１号公報
【特許文献４】特開２００２−３１９５３２号公報
【特許文献５】特開２０１６−７６５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ブランキングアパーチャアレイを用いたマルチビーム描画において、あるビームのブランキング偏向のための電場がその周囲のビーム通過領域まで漏れて広がることにより、試料面でのビーム位置ずれを起こして描画精度が劣化することを抑制するマルチビーム用アパーチャセットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットは、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、を備え、前記電場シールド板は、基板、及び該基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜を有し、該高抵抗膜は該基板よりも電気抵抗値が高いものである。
【０００８】
本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットにおいて、前記基板は導電性基板であり、該基板と前記高抵抗膜との間に絶縁膜が設けられている。
【０００９】
本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットにおいて、前記第３開口の側壁に金属膜が設けられている。
【００１０】
本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットは、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、を備え、前記電場シールド板は、絶縁体基板、該絶縁体基板の前記ブランキングアパーチャアレイに対向する面に設けられた高抵抗膜、及び前記第３開口の側壁に設けられた導電膜を有し、該高抵抗膜は前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高いものである。
【００１１】
本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットは、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられたブランキングアパーチャアレイと、前記ブランキングアパーチャアレイに対向して設置され、前記マルチビームが通過する複数の第３開口が形成された電場シールド板と、を備え、前記電場シールド板は、前記ブランキング電極よりも電気抵抗値が高い高抵抗材料で構成されているものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ブランキングアパーチャアレイを用いたマルチビーム描画において、あるビームのブランキング偏向のための電場がその周囲のビーム通過領域まで漏れて広がることにより、試料面でのビーム位置ずれを起こして描画精度が劣化することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。
【図２】成形アパーチャアレイの平面図である。
【図３】電場シールド板の実装例を示す側面図である。
【図４】（ａ）は電場シールド板の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のIVb-IVb線に沿った断面の一部を示す図である。
【図５】（ａ）は電場シールド板の１セル分の模式図であり、（ｂ）は各層の抵抗値を示す表である。
【図６】電場シールド板と電極が接触した状態の一例を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｇ）は電場シールド板の製造方法を説明する工程断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は変形例による電場シールド板の製造方法を説明する工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。
【００１５】
図１は、実施形態に係る描画装置の概略構成図である。図１に示す描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、電子鏡筒１０２と描画室１０３とを備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃１１１、照明レンズ１１２、アパーチャセットＳ、縮小レンズ１１５、制限アパーチャ部材１１６、対物レンズ１１７及び偏向器１１８が配置されている。
【００１６】
アパーチャセットＳは、成形アパーチャアレイ１０、ブランキングアパーチャアレイ３０、及び電場シールド板２０を有する。ブランキングアパーチャアレイ３０は実装基板４０に実装（搭載）され、ダイボンディングやワイヤボンディングにより回路同士が接続されている。実装基板４０の中央部には、電子ビーム（マルチビーム１３０Ｍ）が通過するための開口４２が形成されている。成形アパーチャアレイ１０はマルチビーム１３０Ｍを成形する際、電子ビーム１３０の大部分を阻止するため発熱して熱膨張する。このため成形アパーチャアレイ１０は可動ステージ上に設置され、マルチビーム１３０Ｍがブランキングアパーチャアレイ３０の貫通穴を通過するように位置調整される。
【００１７】
アパーチャセットＳは、他のアパーチャを含んでいてもよい。例えば、ブランキングアパーチャアレイ３０の下方、または上方に、成形アパーチャアレイ１０で発生した散乱電子を阻止するコントラストアパーチャを設置してもよい。
【００１８】
描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００１９】
図２に示すように、成形アパーチャアレイ１０には、縦ｍ列×横ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口（第１開口）１２が所定の配列ピッチで形成されている。各開口１２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。開口１２の形状は、円形であっても構わない。これらの複数の開口１２を電子ビーム１３０の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム１３０Ｍが形成される。
【００２０】
ブランキングアパーチャアレイ３０は、成形アパーチャアレイ１０の下方に設けられ、成形アパーチャアレイ１０の各開口１２の配置位置に合わせて通過孔（第２開口）３２が形成されている。ブランキングアパーチャアレイ３０の下面側には、各通過孔３２の近傍に、対となる２つのブランキング電極３４（図３参照）の組からなるブランカが配置される。ブランキング電極３４の一方はグラウンド電位で固定されており、他方をグラウンド電位と別の電位に切り替える。
【００２１】
各通過孔３２を通過する電子ビームは、ブランカに印加される電圧によってそれぞれ独立に偏向される。このように、複数のブランカが、成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２を通過したマルチビーム１３０Ｍのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
【００２２】
図３に示すように、電場シールド板２０は、スペーサ５０を介して、ブランキングアパーチャアレイ３０の上方に設けられている。ブランキング電極３４の上端と、電場シールド板２０の下面との間隔が電極の配置ピッチより小さくなるようにすると好ましい。例えば、電極の配置ピッチが３２μｍの場合、ブランキング電極３４の上端と電場シールド板２０の下面との間隔が１０μｍ程度となるようにすることが好ましい。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、電場シールド板２０には、成形アパーチャアレイ１０の各開口１２及びブランキングアパーチャアレイ３０の各通過孔３２の配置位置に合わせて開口（第３開口）２２が形成されている。開口２２の径は、通過孔３２の径よりも大きい。
【００２３】
電場シールド板２０は、グランド接続された基板２４と、基板２４上に設けられた絶縁膜２５と、絶縁膜２５上に設けられた高抵抗膜２６とを有する。基板２４は導電性を有し、例えばホウ素等のｐ型不純物をドープしたシリコン基板を用いることができる。絶縁膜２５は例えばシリコン酸化膜である。
【００２４】
高抵抗膜２６は、基板２４よりも面方向の抵抗が高く、１〜１００ＭΩ程度のシート抵抗を有する。高抵抗膜２６は、例えば、ゲルマニウムのような半導体材料の膜、又は膜厚１０ｎｍ以下のアルミニウム等の金属膜を用いることができる。また、図示は省略するが、開口２２の側壁には、金属膜が僅かに設けられており、高抵抗膜２６と基板２４との導通が開口部端面で取れるようになっている。電場シールド板２０は、高抵抗膜２６がブランキングアパーチャアレイ３０に対向するように配置される。
【００２５】
図５（ａ）は開口２２に囲まれた電場シールド板２０の１セル分に相当するシールド片の模式図である。シールド片の面方向のサイズは３２μｍ×３２μｍとする。基板２４は、厚さ３０μｍの不純物ドープシリコン基板とする。絶縁膜２５は、膜厚１０ｎｍのシリコン酸化膜とする。高抵抗膜２６は、膜厚１０ｎｍのゲルマニウム膜とする。
【００２６】
この場合、基板２４、絶縁膜２５、高抵抗膜２６の厚さ方向の抵抗、面方向の抵抗は、ぞれぞれ、図５（ｂ）に示す表のようになる。高抵抗膜２６は、面方向に高い抵抗値を有する。高抵抗膜２６は、ブランキング電極３４や基板２４よりも高い電気抵抗値を有する。
【００２７】
このようなアパーチャセットＳが設置された描画装置１００において、電子銃１１１（放出部）から放出された電子ビーム１３０は、照明レンズ１１２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ１０全体を照明する。電子ビーム１３０が成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２を通過することによって、複数の電子ビーム（マルチビーム）１３０Ｍが形成される。マルチビーム１３０Ｍは、電場シールド板２０の開口２２を通過し、次いでブランキングアパーチャアレイ３０のそれぞれ対応するブランカ間を通過する。
【００２８】
ブランキングアパーチャアレイ３０を通過したマルチビーム１３０Ｍは、縮小レンズ１１５によって、縮小され、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ３０のブランカによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材１１６によって遮蔽される。一方、ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴を通過する。ブランカのオン／オフによって、ブランキング制御が行われ、ビームのオン／オフが制御される。
【００２９】
このように、制限アパーチャ部材１１６は、複数のブランカによってビームオフの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームオンになってからビームオフになるまでに形成された、制限アパーチャ部材１１６を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。
【００３０】
制限アパーチャ部材１１６を通過したマルチビームは、対物レンズ１１７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となる。偏向器１１８によってマルチビーム全体が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。ＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向器１１８によって制御される。
【００３１】
一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２の配列ピッチに、上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置１００は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、不要なビームはブランキング制御によりビームオフに制御される。
【００３２】
ブランキング制御によりビームオフする際、ブランカの一方のブランキング電極３４には例えば正の電位が印加され、他方の電極は常にグラウンド電位に保たれる。正の電位が印加されたブランキング電極３４から出る電界が、隣接するビームの軌道上まで漏れて広がると、隣接するビーム軌道が意図せずに曲がり、隣接するビームがオンに制御されている場合に、その試料１０１上の照射位置にずれが生じる。しかし、本実施形態では、ブランキングアパーチャアレイ３０の上方に電場シールド板２０を設けているため、漏れ電界が隣接するビームの軌道上まで広がることを阻止し、ビームの軌道が周囲のビームのオン、オフ制御状態に依存して曲げられてビームの試料面上での位置ずれが発生することを防止できる。
【００３３】
電場シールド板２０をブランキングアパーチャアレイ３０のブランカ上面（又はブランキングアパーチャアレイ３０の主面）に対向して平行（略平行）に近接させて配置することで、漏れ電界の広がりを効果的に阻止できる。ブランキング電極３４の先端と、電場シールド板２０の下面との間隔が、ブランキングアパーチャアレイ３０の通過孔３２の配置間隔より狭くなっていることが好ましい。配置間隔が３２μｍの場合、ブランキング電極３４の上端と、電場シールド板２０の下面との間隔が１０μｍ程度となるように電場シールド板２０を配置する。
【００３４】
ブランキングアパーチャアレイ３０のサイズは、大規模なものでは１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるため、ブランキングアパーチャアレイ３０の基板の反りを１０μｍ以下に抑えることは困難である。そのため、電場シールド板２０をブランキングアパーチャアレイ３０の近傍に配置すると、図６に示すように、ブランキングアパーチャアレイ３０が反ってブランキング電極３４が電場シールド板２０に接触する可能性がある。例えば、ブランキングアパーチャアレイ３０の実装基板４０を装置塔載のために固定する際、実装基板４０とブランキングアパーチャアレイ３０に応力がかかり、ブランキングアパーチャアレイ３０が反る可能性がある。
【００３５】
電場シールド板２０は、ブランキングアパーチャアレイ３０に対向する面に高抵抗膜２６が設けられており、ブランキング電極３４は高抵抗膜２６に接触する。上述したように高抵抗膜２６は、面方向に非常に高い抵抗値を有するため、ブランキング電極３４が接触しても微弱な電流が流れるのみである。開口２２の側壁に設けられた金属膜を介して、導電性を有する基板２４と高抵抗膜２６とが導通し、高抵抗膜２６はグランド電位となる。これにより、ブランキング電極３４間のショートを防止し、ブランキングアパーチャアレイ３０の電極駆動回路を保護することができる。
【００３６】
次に、図７（ａ）〜（ｇ）を参照して、電場シールド板２０の製造方法を説明する。
【００３７】
まず、図７（ａ）に示すように、ｐ型不純物をドープしたシリコン基板２４を準備する。次に、図７（ｂ）に示すように、熱酸化処理により、シリコン基板２４の一方の面にシリコン酸化膜からなる絶縁膜２５を形成する。
【００３８】
図７（ｃ）に示すように、シリコン基板２４の他方の面にレジスト６０を塗布する。露光及び現像処理により、図７（ｄ）に示すように、レジスト６０にホールパターン６２を形成する。
【００３９】
図７（ｅ）に示すように、レジスト６０をマスクとしてシリコン基板２４及び絶縁膜２５をエッチングして、開口２２を形成する。その後、図７（ｆ）に示すように、灰化処理によりレジスト６０を剥離する。
【００４０】
図７（ｇ）に示すように、スパッタリングにより、絶縁膜２５上にゲルマニウムのような半導体材料の膜、又は膜厚１０ｎｍ以下のアルミニウム等の金属薄膜からなる高抵抗膜２６を形成する。このとき、開口２２の側壁にも金属薄膜（図示略）が形成され、シリコン基板２４と高抵抗膜２６との導通を取ることが可能となる。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、ブランキングアパーチャアレイ３０の上方に電場シールド板２０を設けることで、ブランカから広がった電界が周囲のビームに影響を与えることを阻止し、ビーム軌道が曲げられることを防止できる。
【００４２】
また、電場シールド板２０の下面には高抵抗膜２６が設けられているため、ブランキング電極３４が電場シールド板２０に接触した場合でも、ブランキング電極３４間のショートを防止できる。これにより、電場シールド板２０をブランキングアパーチャアレイ３０に接近させて配置することができ、ブランカから漏れ出した電界の影響を効果的に抑制できる。
【００４３】
上記実施形態では、電場シールド板２０をブランキングアパーチャアレイ３０の上方に設ける構成について説明したが、電場シールド板２０をブランキングアパーチャアレイ３０の下方に設けてもよい。この場合、電場シールド板２０の上面、すなわちブランキングアパーチャアレイ３０に対向する面に高抵抗膜２６が設けられる。
【００４４】
上記実施形態では、導体基板上に絶縁膜及び高抵抗膜を順に積層した電場シールド板を用いていたが、高抵抗材料からなる１層構造の基板を電場シールド板として用いてもよい。
【００４５】
また、絶縁体基板上に高抵抗膜を積層し、開口側壁に導電膜を形成した電場シールド板を用いてもよい。このような電場シールド板の製造方法を図８（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。
【００４６】
まず、図８（ａ）に示すように、不純物がドープされていないシリコン基板等からなる絶縁体基板２０４を準備する。次に、図８（ｂ）に示すように、スパッタリングにより、絶縁体基板２０４の一方の面に、ゲルマニウムやアルミニウム等の金属薄膜からなる高抵抗膜２０６を形成する。
【００４７】
図８（ｃ）に示すように、高抵抗膜２０６上に保護膜２７０を形成する。保護膜２７０は例えばシリコン窒化膜である。
【００４８】
図８（ｄ）に示すように、絶縁体基板２０４の他方の面にレジスト２６０を塗布する。露光及び現像処理により、図８（ｅ）に示すように、レジスト２６０にホールパターン２６２を形成する。
【００４９】
図８（ｆ）に示すように、レジスト２６０をマスクとして絶縁体基板２０４、高抵抗膜２０６、及び保護膜２７０をエッチングして、開口２０２を形成する。
【００５０】
図８（ｇ）に示すように、レジスト２６０、保護膜２７０、及び開口２０２の側壁を覆うように導電膜２０８を形成する。導電膜２０８は、例えばゲルマニウムやアルミニウム等の金属薄膜である。
【００５１】
続いて、図８（ｈ）に示すように、基板両面からエッチングを行い、レジスト２６０及び保護膜２７０を除去する。これにより、絶縁体基板２０４上に高抵抗膜２０６を積層し、開口２０２の側壁に導電膜２０８が形成された電場シールド板２００を作製できる。開口２０２の側壁に導電膜２０８を形成することで、絶縁体基板２０４がチャージアップすることを防止できる。
【００５２】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０  成形アパーチャアレイ
２０  電場シールド板
２２  開口
２４  基板
２５  絶縁膜
２６  高抵抗膜
３０  ブランキングアパーチャアレイ
４０  実装基板
１００  描画装置
１０１  基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１１１  電子銃
【図１】
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【図２】
2019106498.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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