(57)【要約】【課題】中性子を照射するソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を低減する。【解決手段】中性子発生源１がソフトエラー試験の試験対象装置２に照射した中性子を反射する中性子反射材３の位置を決定する際、中性子発生源１から試験対象装置２の前面に照射された第１の中性子数と、中性子発生源１から試験対象装置２の後面に照射された第２の中性子数と、中性子反射材３から試験対象装置２の後面に照射された第３の中性子数と、中性子反射材３から試験対象装置２の前面に照射された第４の中性子数とを、ＱＭＤモデルまたはＧＥＭモデルを用いて算出する。次に、第１の中性子数および第４の中性子数の合計と、第２の中性子数および第３の中性子数の合計とを略同等にする、中性子反射材の前後方向における位置を決定する。【選択図】図１
2019086429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定方法であって、
計算機が、
前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数と、前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数と、前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数と、前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数とを、ＱＭＤ（Quantum Molecular Dynamics）モデルまたはＧＥＭ（Generalized Evaporation Model）モデルを用いて算出するステップと、
前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定するステップと、を実行する、
ことを特徴とする中性子反射材位置決定方法。
【請求項２】
コンピュータに、請求項１に記載の中性子反射材位置決定方法を実行させるための中性子反射材位置決定プログラム。
【請求項３】
中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定方法であって、
第１の測定器が、前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数を測定するステップと、
第２の測定器が、前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数を測定するステップと、
第３の測定器が、前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数を測定するステップと、
第４の測定器が、前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数を測定するステップと、
計算機が、前記第１の測定器〜前記第４の測定器の各々から前記第１の中性子数〜前記第４の中性子数の各々を取得し、前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定するステップと、を実行する、
ことを特徴とする中性子反射材位置決定方法。
【請求項４】
中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定装置であって、
前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数を測定した第１の測定器から前記第１の中性子数を取得し、
前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数を測定した第２の測定器から前記第２の中性子数を取得し、
前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数を測定した第３の測定器から前記第３の中性子数を取得し、
前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数を測定した第４の測定器から前記第４の中性子数を取得し、
前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定する、
ことを特徴とする中性子反射材位置決定装置。
【請求項５】
コンピュータを、請求項４に記載の中性子反射材位置決定装置として機能させるための中性子反射材位置決定プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中性子反射材位置決定方法、中性子反射材位置決定プログラム、および、中性子反射材位置決定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器は、高機能化および高性能化に加え、小型化および省電力化が強く求められており、半導体デバイスの高集積化が必要とされている。一方、地球上には、宇宙線が大気と衝突することにより発生する中性子線が降り注いでいる。半導体デバイスの高集積化および微細化に伴い、デバイス内でビットを判定するのに必要な電荷は、減少傾向にあり、宇宙線由来の中性子線によって発生する二次粒子の微小な電荷の影響を受けやすくなっている。このため、近年の電子機器は、従来の電子機器に比べソフトエラーの発生確率が増加しつつある。
このようなソフトエラーの増加傾向に対して、これまで中性子透過像撮影等で用いられてきた加速器中性子源を用いて試験対象の電子機器に中性子を照射し、ソフトエラーを再現することで、電子機器に生じた影響を確認するソフトエラー試験手法が行われている（非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】H.Iwashita et al., “Accelerated Tests of Soft Errors in Network Systems Using a Compact Accelerator-Driven Neutron Source”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol.64, pp.689-696, 2017.
【非特許文献２】K.Niita et al., “Analysis of the (N,xN') reactions by quantum molecular dynamics plus statistical decay model”, Physical. rev. C, 52, No.5, 2620-2635 (1995).
【非特許文献３】S.Furihata, “Statistical analysis of light fragment production from medium energy proton-induced reactions”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 171, 251-258 (2000).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、図６に示すように、中性子透過像撮影の中性子照射の既存手法では、サンプル２１に照射される中性子の量を増やすために、中性子発生用のターゲット１１の周りを中性子反射材３１で囲い、サンプル方向以外に発生した中性子をサンプル２１に反射させる構成を採っていた。
【０００５】
ソフトエラー試験で上記の構成を採った場合、または、上記構成にてターゲット周りの中性子反射材３１を用いない構成を採った場合、ターゲット１１、つまり、中性子の発生源から発生した中性子数は、発生源からの距離の２乗に反比例して減衰する。このため、照射先となる試験対象装置（サンプル）の前面と後面とで照射中性子数が異なる。
【０００６】
ソフトエラー試験では、照射した中性子数とエラー発生数とから自然環境でのソフトエラー発生率を推定する。このため、照射中性子数が多い、試験対象装置の前面を基準に推定すると自然環境でのソフトエラー発生率が低く推定されてしまい、照射中性子数が少ない、試験対象装置の後面を基準に推定すると自然環境でのソフトエラー発生率が高く推定されてしまう。その結果、推定したソフトエラー発生率の誤差が大きくなるという課題がある。
【０００７】
このような課題に鑑み、中性子数の減衰に対して装置内部の部品位置を考慮して、部品位置毎に中性子数を算出し、ソフトエラー発生率を推定する手法が考えられる。しかし、一般に装置内部の構造は公開されないため推定が困難であり、上記手法は採用できない。
【０００８】
このような背景に鑑みて、本発明は、中性子を照射するソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を低減することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記した課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定方法であって、計算機が、前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数と、前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数と、前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数と、前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数とを、ＱＭＤ（Quantum Molecular Dynamics）モデルまたはＧＥＭ（Generalized Evaporation Model）モデルを用いて算出するステップと、前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定するステップと、を実行する、ことを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、コンピュータに、請求項１に記載の中性子反射材位置決定方法を実行させるための中性子反射材位置決定プログラムである。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明は、中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定方法であって、第１の測定器が、前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数を測定するステップと、第２の測定器が、前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数を測定するステップと、第３の測定器が、前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数を測定するステップと、第４の測定器が、前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数を測定するステップと、計算機が、前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定するステップと、を実行する、ことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、中性子発生源がソフトエラー試験の試験対象装置に照射した中性子を反射する中性子反射材の位置を決定する中性子反射材位置決定装置であって、前記中性子発生源から前記試験対象装置の前面に照射された第１の中性子数を測定した第１の測定器から前記第１の中性子数を取得し、前記中性子発生源から前記試験対象装置の後面に照射された第２の中性子数を測定した第２の測定器から前記第２の中性子数を取得し、前記中性子反射材から前記試験対象装置の後面に照射された第３の中性子数を測定した第３の測定器から前記第３の中性子数を取得し、前記中性子反射材から前記試験対象装置の前面に照射された第４の中性子数を測定した第４の測定器から前記第４の中性子数を取得し、前記第１の中性子数および前記第４の中性子数の合計と、前記第２の中性子数および前記第３の中性子数の合計とを略同等にする、前記中性子反射材の前後方向における位置を決定する、ことを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５に記載の発明は、コンピュータを、請求項４に記載の中性子反射材位置決定装置として機能させるための中性子反射材位置決定プログラムである。
【００１４】
請求項１〜請求項５の発明によれば、試験対象装置の後方に配置した中性子反射材が、試験対象装置の前面と後面との中性子数を略同等とするように、試験対象装置を透過した中性子の減衰を補完することができる。これにより、試験対象装置のソフトエラー発生率を推定する際、推定されるソフトエラー発生率に対応する、試験対象装置への照射中性子数を一定にすることができる。
したがって、中性子を照射するソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を低減することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、中性子を照射するソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態を実現する系１の構成図である。
【図２】系１による中性子反射材の位置決定方法を示すフローチャートである。
【図３】第２の実施形態を実現する系２の構成図である。
【図４】系２による中性子反射材の位置決定方法を示すフローチャートである。
【図５】奥行２５ｃｍの試験対象装置の場合の実施例であり、（ａ）が中性子エネルギと中性子数との関係を示すグラフ、（ｂ）が既存手法と提案手法との比較結果を示す表である。
【図６】既存手法の試験系の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態（以下、「本実施形態」という）について説明する。
【００１８】
≪第１の実施形態≫
第１の実施形態では、ソフトエラー試験の試験対象装置の後面に中性子反射材を配置し、試験対象装置を通過した中性子を反射し、減衰した分の中性子数を補完することで試験対象装置の前面と後面の照射中性子数を一定とすることが可能な中性子反射材の位置を決定する。これにより決定された位置に中性子反射材を配置することで、試験対象装置の前面、後面のいずれの照射中性子数を用いてもソフトエラー発生率を一定に推定可能となる。
【００１９】
［構成］
図１に示すように、第１の実施形態を実現する系１は、中性子発生源１と、試験対象装置２と、中性子反射材３とで構成される。
中性子発生源１は、加速器（図示せず）で加速された加速粒子Ｐが衝突するターゲットであって、加速粒子Ｐの衝突により、中性子Ｎを発生する。
【００２０】
試験対象装置２は、ソフトエラー試験の試験対象であって、例えば、半導体デバイスを備える電子機器である。試験対象装置２は、中性子発生源１からの中性子Ｎの照射先に配置されている。本明細書中の各実施形態では、中性子発生源１と試験対象装置２とを結ぶ直線方向において、試験対象装置２から中性子発生源１に向かう方向を「前」とし、中性子発生源１から試験対象装置２に向かう方向を「後」とする。試験対象装置２は、前後方向に所定量の寸法（奥行）を有している。
【００２１】
中性子反射材３は、試験対象装置２を透過してきた中性子Ｎを試験対象装置２に反射する。中性子反射材３は、例えば、鉛、鉄、グラファイト等の中性子反射体を用いることができる。
中性子反射材３は、試験対象装置２のおよそ後方に配置するが、中性子反射材３の厳密な配置位置は、以下に述べる方法に従って決定する。
【００２２】
図１中「測定点Ａ」とは、前後方向における中性子発生源１の位置である。また、「測定点Ｂ」とは、前後方向における試験対象装置２の前面の位置である。また、「測定点Ｃ」とは、前後方向における試験対象装置２の後面の位置である。「測定点Ｄ」とは、前後方向における中性子反射材３（の前面）の位置である。
【００２３】
［方法］
図２を参照して、系１による中性子反射材３の位置決定方法の手順について説明する。本実施形態は、計算機によるシミュレーションによって中性子反射材３の位置を決定する。計算機は、入出力部、処理部、記憶部といったハードウェアを備えており、処理部の具体例となるＣＰＵが、記憶部の具体例となるメモリ上に読み込んだプログラム（中性子反射材位置決定プログラムを含む）を実行することにより、本実施形態の方法を実現する。計算機は、中性子発生源１の位置、つまり、測定点Ａを原点とし、試験対象装置２の位置、具体的には、測定点Ｂ，Ｃのデータを記憶している。
【００２４】
図２の処理を開始すると、まず、処理部は、加速粒子Ｐが中性子発生源１に衝突して発生した中性子Ｎについて、測定点Ａにて発生した中性子数Ｆ（ｘ１）を算出する（ステップＡ１）。Ｆ（ｘ）は、中性子発生源１からの距離ｘにおける中性子数である。測定点Ａの中性子発生源１からの距離ｘ＝ｘ１は、０である。
【００２５】
測定点Ａにおける中性子数Ｆ（ｘ１）は、例えば、ＱＭＤ（Quantum Molecular Dynamics）モデルを用いて算出することができる。ＱＭＤモデルは、核反応の動的過程に関する計算モデルであって、核子の状態を量子的に取り扱うことで、核子間の相互作用を考慮した反古典的なモデルである。ＱＭＤモデルの詳細は、例えば、非特許文献２に開示されている。ＱＭＤモデルに用いられる既知の各式を用いたシミュレーションによって、Ｆ（ｘ１）を算出することができる。
【００２６】
また、測定点Ａにおける中性子数Ｆ（ｘ１）は、例えば、ＧＥＭ（Generalized Evaporation Model）モデルを用いて算出することもできる。ＧＥＭモデルは、蒸発過程と核分裂を取り扱うモデルである。ＧＥＭモデルの詳細は、例えば、非特許文献３に開示されている。ＧＥＭモデルに用いられる既知の各式を用いたシミュレーションによって、Ｆ（ｘ１）を算出することができる。
【００２７】
次に、処理部は、算出した中性子数Ｆ（ｘ１）から、測定点Ｂ，Ｃ，Ｄにおける、中性子発生源１から照射される中性子数Ｆ（ｘ２）（第１の中性子数），Ｆ（ｘ３）（第２の中性子数），Ｆ（ｘ４）をそれぞれ算出する（ステップＡ２）。ｘ２，ｘ３，ｘ４はそれぞれ、測定点Ｂ，Ｃ，Ｄでの中性子発生源１からの距離である。先述した通り、中性子発生源１から発生した中性子数は、中性子発生源１からの距離の２乗に反比例して減衰するため、算出したＦ（ｘ１）に対して、Ｆ（ｘ２），Ｆ（ｘ３），Ｆ（ｘ４）をそれぞれ算出することができる。
【００２８】
次に、処理部は、中性子反射材３の材料、厚さ（奥行）を仮設定する（ステップＡ３）。中性子反射材３の材料を特定する周知のパラメータ（例：誘電率、透磁率）の値、および、厚さのパラメータの値を計算機に入力する。
【００２９】
次に、処理部は、算出した測定点Ｄでの中性子数Ｆ（ｘ４）から、中性子反射材３で反射される中性子数Ｇ（ｙ１）を算出する（ステップＡ４）。Ｇ（ｙ）は、中性子反射材３からの距離ｙにおける、反射された中性子数である。測定点Ｄの中性子反射材３からの距離ｙ＝ｙ１は、０である。測定点Ｄにおける中性子数Ｇ（ｙ１）は、例えば、ＱＭＤモデル、ＧＥＭモデルなどで算出することができる。ＱＭＤモデルやＧＥＭモデルに用いられる既知の各式を用いたシミュレーションによって、Ｆ（ｘ１）を算出することができる。
【００３０】
次に、処理部は、算出した中性子数Ｇ（ｙ１）から、測定点Ｃ，Ｂにおける、中性子反射材３から照射（反射）される中性子数Ｇ（ｙ２）（第３の中性子数），Ｇ（ｙ３）（第４の中性子数）をそれぞれ算出する（ステップＡ５）。ｙ２，ｙ３はそれぞれ、測定点Ｃ，Ｂでの中性子反射材３からの距離である。中性子反射材３から反射した中性子数は、中性子反射材３からの距離の２乗に反比例して減衰するため、算出したＧ（ｙ１）に対して、Ｇ（ｙ２），Ｇ（ｙ３）をそれぞれ算出することができる。
【００３１】
次に、測定点Ｂ，Ｃのそれぞれにて、中性子発生源１から照射された中性子数と、中性子反射材３から反射された中性子数とを足し合わせる。その結果、処理部は、測定点Ｂでの中性子数Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）、および、測定点Ｃでの中性子数Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）を算出する（ステップＡ６）。
【００３２】
次に、処理部は、ステップＡ６で算出した、測定点Ｂ，Ｃでの中性子数に対し、差分ｈを算出する（ステップＡ７）。差分ｈの算出式は、例えば、以下の通りである。
ｈ  ＝  １  −  ｛Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）｝／｛Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）｝
【００３３】
次に、処理部は、差分ｈが５％以内であるか否か、つまり、｜ｈ｜≦０．０５という関係式を満たすか否か判定する（ステップＡ８）。満たす場合（ステップＡ８／Ｙｅｓ）、処理部は、試験対象装置２の前面と後面との間で中性子数が略同じとなるため、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置が妥当であると判定し、中性子反射材３の位置を決定する（ステップＡ９）。決定後、図２の処理を終了する。
【００３４】
一方、｜ｈ｜≦０．０５という関係式を満たさない場合（ステップＡ８／Ｎｏ）、処理部は、差分ｈが＋５％を超えるか否か、つまり、ｈ＞０．０５という関係式を満たすか否かを判定する（ステップＡ１０）。なお、｜ｈ｜≦０．０５という関係式を満たさないことは、主に、ブラックボックス化している試験対象装置２自身の影響に起因すると考えられる。
【００３５】
ｈ＞０．０５という関係式を満たす場合（ステップＡ１０／Ｙｅｓ）、試験対象装置２の前面の中性子数が、後面の中性子数よりも多いことを意味している。この場合、処理部は、中性子反射材３を厚くする、または、中性子反射材３を試験対象装置２に近づけるアプローチをとる（ステップＡ１１）。具体的には、中性子反射材３の奥行のパラメータに、より大きな値を計算機に入力する、または、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置のパラメータに、より小さな値を計算機に入力する。各値の入力後、処理部は、入力された値に基づいて、中性子数Ｇ（ｙ１）を再度算出し（ステップＡ４）、以降のステップが繰り返される。なお、中性子反射材３を試験対象装置２に近づけた場合には、ステップＡ２で算出した、測定点ＤにおけるＦ（ｘ４）の値が変更されるので、処理部は、変更後のＦ（ｘ４）を用いて、中性子数Ｇ（ｙ１）を再度算出する。
【００３６】
ｈ＞０．０５という関係式を満たさない場合（ステップＡ１０／Ｎｏ）、ｈ＜−０．０５であるが、試験対象装置２の前面の中性子数が、後面の中性子数よりも少ないことを意味している。この場合、処理部は、中性子反射材３を薄くする、または、中性子反射材３を試験対象装置２から遠ざけるアプローチをとる（ステップＡ１２）。具体的には、中性子反射材３の奥行のパラメータに、より小さな値を計算機に入力する、または、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置のパラメータに、より大きな値を計算機に入力する。各値の入力後、処理部は、入力された値に基づいて、中性子数Ｇ（ｙ１）を再度算出し（ステップＡ４）、以降のステップが繰り返される。なお、中性子反射材３を試験対象装置２から遠ざけた場合には、ステップＡ２で算出した、測定点ＤにおけるＦ（ｘ４）の値が変更されるので、処理部は、変更後のＦ（ｘ４）を用いて、中性子数Ｇ（ｙ１）を再度算出する。
【００３７】
第１の実施形態によれば、試験対象装置２の後方に配置した中性子反射材３が、試験対象装置の前面と後面との中性子数を略同等とするように、試験対象装置２を透過した中性子の減衰を補完することができる。これにより、試験対象装置２のソフトエラー発生率を推定する際、推定されるソフトエラー発生率に対応する、試験対象装置２への照射中性子数を一定にすることができる。
したがって、中性子を照射するソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を低減することができる。
【００３８】
≪第２の実施形態≫
第２の実施形態では、ソフトエラー試験の試験対象装置の後面に可動式の中性子反射材を配置し、試験対象装置の前面と後面の中性子数を測定しながら、試験対象装置を透過した中性子を反射し、減衰した分の中性子数を補完し、試験対象装置の前面と後面の照射中性子数を一定とする。これにより、試験対象装置の前面、後面のいずれの照射中性子数を用いてもソフトエラー発生率を一定に推定可能となる。
【００３９】
［構成］
図３に示すように、第２の実施形態を実現する系２は、中性子発生源１と、試験対象装置２と、中性子反射材３と、中性子数測定器４１〜４４と、中性子数判定システム５と、可動式リフト６とで構成される。中性子発生源１と、試験対象装置２と、中性子反射材３は、第１の実施形態と共通するので説明を省略する。
【００４０】
中性子数測定器４１〜４４は、例えば、周知の放射線量計数器である。
中性子数測定器４１（第１の測定器）は、試験対象装置２の前面に配置されている。中性子数測定器４１は、中性子発生源１から試験対象装置２の前面に照射された中性子数を測定する。
中性子数測定器４２（第２の測定器）は、試験対象装置２の後面に配置されている。中性子数測定器４２は、試験対象装置２を前方から透過して試験対象装置２の後面に照射された中性子数を測定する。
中性子数測定器４３（第３の測定器）は、試験対象装置２の後面に配置されている。中性子数測定器４３は、試験対象装置２を透過し、試験対象装置２の後方に配置されている中性子反射材３から試験対象装置２の後面に反射された中性子数を測定する。
中性子数測定器４４（第４の測定器）は、試験対象装置２の前面に配置されている。中性子数測定器４４は、試験対象装置２を後方から透過して試験対象装置２の前面に反射された中性子数を測定する。
【００４１】
中性子数判定システム５（中性子反射材位置決定装置）は、中性子数測定器４１〜４４、および、可動式リフト６と通信可能に接続している計算機である。中性子数判定システム５は、中性子数測定器４１〜４４の各々から取得される中性子数に基づいて、試験対象装置２の位置を決定する。中性子数判定システム５は、入出力部、処理部、記憶部といったハードウェアを備えており、処理部の具体例となるＣＰＵが、記憶部の具体例となるメモリ上に読み込んだプログラム（中性子反射材位置決定プログラムを含む）を実行することにより、本実施形態の方法を実現する。
可動式リフト６は、中性子反射材３の載置台である。可動式リフト６は、中性子数判定システム５からの指示に従い、前後方向に可動する。
【００４２】
系２では、試験を行いながら、可動式リフト６を動かして中性子反射材３の前後方向の位置を決定し、中性子数を調整する。
図４を参照して、系２による中性子反射材３の位置決定方法の手順について説明する。
図４の処理を開始すると、まず、中性子数判定システム５の処理部は、中性子反射材３の材料、厚さ（奥行）を仮設定する（ステップＢ１）。中性子反射材３の材料を特定する周知のパラメータ（例：誘電率、透磁率）の値、および、厚さのパラメータの値を中性子数判定システム５に入力する。
【００４３】
次に、中性子数測定器４１が、試験対象装置２の前面に照射された中性子数Ｆ（ｘ２）（第１の中性子数）を測定する。中性子数測定器４２が、試験対象装置２の後面に照射された中性子数Ｆ（ｘ３）（第２の中性子数）を測定する。中性子数測定器４３が、試験対象装置２の後面に反射された中性子数Ｇ（ｙ２）（第３の中性子数）を測定する。中性子数測定器４４が、試験対象装置２の前面に反射された中性子数Ｇ（ｙ３）（第４の中性子数）を測定する（ステップＢ２）。中性子数判定システム５は、中性子数測定器４１〜４４の各々から、中性子数Ｆ（ｘ２），Ｆ（ｘ３），Ｇ（ｙ２），Ｇ（ｙ３）のデータをそれぞれ取得する。
【００４４】
次に、中性子数判定システム５の処理部は、Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）、および、Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）を算出する（ステップＢ３）。ステップＢ３は、ステップＡ６（図２）に相当する。Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）は、試験対象装置２の前面の中性子数の合計である。Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）は、試験対象装置２の後面の中性子数の合計である。
【００４５】
次に、処理部は、ステップＢ３で算出した、試験対象装置２の前面、後面での中性子数に対し、差分ｈを算出する（ステップＢ４）。ステップＢ４は、ステップＡ７（図２）に相当し、差分ｈは、例えば、ステップＡ７で用いたものと同じである。
【００４６】
次に、処理部は、差分ｈが５％以内であるか否か、つまり、｜ｈ｜≦０．０５という関係式を満たすか否か判定する（ステップＢ５）。ステップＢ５は、ステップＡ８（図２）に相当する。満たす場合（ステップＢ５／Ｙｅｓ）、処理部は、試験対象装置２の前面と後面との間で中性子数が略同じとなるため、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置が妥当であると判定し、中性子反射材３の位置を決定する（ステップＢ６）。決定後、図４の処理を終了する。
【００４７】
一方、｜ｈ｜≦０．０５という関係式を満たさない場合（ステップＢ５／Ｎｏ）、処理部は、差分ｈが＋５％を超えるか否か、つまり、ｈ＞０．０５という関係式を満たすか否かを判定する（ステップＢ７）。ステップＢ７は、ステップＡ１０（図２）に相当する。
【００４８】
ｈ＞０．０５という関係式を満たす場合（ステップＢ７／Ｙｅｓ）、試験対象装置２の前面の中性子数が、後面の中性子数よりも多いことを意味している。この場合、さらに、処理部は、中性子反射材３が試験対象装置２に最接近しているか否かを判定する（ステップＢ８）。中性子反射材３が試験対象装置２に最接近しているとは、中性子反射材３の位置の許容範囲内で中性子反射材３が最も前方に位置していることをいう。中性子反射材３の位置の許容範囲は設計事項である。
【００４９】
最接近している場合（ステップＢ８／Ｙｅｓ）、試験対象装置２の前面の中性子数を少なくしたいが、可動式リフト６による中性子反射材３の移動では、実現できないことを意味する。この場合、処理部は、中性子反射材３を厚くする、または、中性子反射材３の材料の種類を変更するアプローチをとる（ステップＢ９）。具体的には、中性子反射材３の奥行のパラメータにより大きな値を中性子数判定システム５に入力する、または、中性子反射材３の材料のパラメータの値を変えて中性子数判定システム５に入力する。各値の入力後、中性子数測定器４１は、中性子数Ｆ（ｘ２），Ｆ（ｘ３），Ｇ（ｙ２），Ｇ（ｙ３）を再度算出し（ステップＢ２）、中性子反射材３の位置が決定されるまで（ステップＢ６）、以降のステップが繰り返される。
【００５０】
一方、最接近していない場合（ステップＢ８／Ｎｏ）、処理部は、中性子反射材を試験対象装置２に近づけるアプローチをとる（ステップＢ１０）。具体的には、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置のパラメータに、より小さな値を中性子数判定システム５に入力する。また、中性子数判定システム５は、可動式リフト６を制御して中性子反射材３を近づける。その後、中性子数測定器４１は、中性子数Ｆ（ｘ２），Ｆ（ｘ３），Ｇ（ｙ２），Ｇ（ｙ３）を再度測定し（ステップＢ２）、中性子反射材３の位置が決定されるまで（ステップＢ６）、以降のステップが繰り返される。
【００５１】
また、ｈ＞０．０５という関係式を満たさない場合（ステップＢ７／Ｎｏ）、ｈ＜−０．０５であるが、試験対象装置２の前面の中性子数が、後面の中性子数よりも少ないことを意味している。この場合、処理部は、中性子反射材３を試験対象装置２から遠ざけるアプローチをとる（ステップＢ１１）。具体的には、中性子発生源１からの中性子反射材３の位置のパラメータに、より大きな値を計算機に入力する。また、中性子数判定システム５は、可動式リフト６を制御して中性子反射材３を遠ざける。その後、中性子数測定器４１は、中性子数Ｆ（ｘ２），Ｆ（ｘ３），Ｇ（ｙ２），Ｇ（ｙ３）を再度測定し（ステップＢ２）、中性子反射材３の位置が決定されるまで（ステップＢ６）、以降のステップが繰り返される。
【００５２】
第２の実施形態の効果は、第１の実施形態の効果と同じである。また、第２の実施形態では、中性子数測定器４１〜４４が測定した中性子数が得られればよく、第１の実施形態のように、測定点Ａで発生した中性子数や測定点Ｄで反射した中性子数を求める必要はない。よって、第１の実施形態と比較して、第２の実施形態の中性子数判定システム５による計算負荷を低減させることができる。
【００５３】
≪実施例≫
奥行２５ｃｍの試験対象装置２に対して第２の実施形態を適用した場合の結果を図５に示す。中性子発生源１から試験対象装置２の前面までの距離は１５０ｃｍであり、後面までの距離は１７５ｃｍである。この図５には、中性子反射材３を試験対象装置２の後方に配置しない既存手法による結果と、中性子反射材３を試験対象装置２の後方に配置した提案手法による結果とを示す。
【００５４】
中性子発生源１が発生した中性子に対し、既存手法による試験対象装置２の前面（１５０ｃｍ）の中性子数（図５（ａ）中符号Ｌ１）、後面（１７５ｃｍ）の中性子数（図５（ａ）中符号Ｌ２）、提案手法による試験対象装置２の前面（１５０ｃｍ）の中性子数（図５（ａ）中符号Ｌ３）、後面（１７５ｃｍ）の中性子数（図５（ａ）中符号Ｌ４）の、１．０ＭｅＶ〜６．０ＭｅＶに亘る分布は図５（ａ）の通りである。
【００５５】
図５（ｂ）に示す通り、試験対象装置２の前面と後面との間で照射中性子数が減少してしまう既存手法に対し（３．７２Ｅ＋５→２．７７Ｅ＋５）、提案手法においては照射中性子数が一定になることが確認された（３．８５Ｅ＋５→３．９８Ｅ＋５）。第１の実施形態および第２の実施形態で説明した、中性子反射材３を試験対象装置２の後方に配置するという提案手法は、既存手法と比較して、ソフトエラー試験におけるソフトエラー発生率の推定誤差を３０％程度（７４％→１０３％）改善することができ、有効に作用するといえる。
なお、第１の実施形態を適用した場合であっても、図５に示す結果と同等の結果が得られる。
【００５６】
≪その他≫
（ａ）：差分ｈによる判定において、５％以内に限る必要はなく（図２のステップＡ８、図４のステップＢ５）、５％より小さい微小量（試験対象装置の前面と後面との中性子数が略同等と設定することができる量）であってもよいし、５％より大きい微小量であってもよい。
（ｂ）：Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）と、Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）との比較において、差分ｈを算出する（図２のステップＡ７、図４のステップＢ４）のではなく、例えば、｛Ｆ（ｘ２）＋Ｇ（ｙ３）｝−｛Ｆ（ｘ３）＋Ｇ（ｙ２）｝の値が所定値を超えるか否かを判定してもよい。
【００５７】
本実施形態で説明した種々の技術を適宜組み合わせた技術を実現することもできる。
その他、系の構成、フローチャートなどについて、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１      中性子発生源
２      試験対象装置
３      中性子反射材
４１〜４４      中性子数測定器（第１〜第４の測定器）
５      中性子数判定システム（計算機：中性子反射材位置決定装置）
６      可動式リフト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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