(57)【要約】【課題】信号鈍りの発生を抑制する。【解決手段】アレイ基板１１Ｂは、画素電極１７と、画素電極１７を挟み込む形で少なくとも一対が配されて画素電極１７に信号を供給するソース配線１９と、ソース配線１９と交差するよう延在して画素電極１７及び一対のソース配線１９をそれぞれ横切って、ソース配線１９とは第１層間絶縁膜２８を介して重畳し、画素電極１７とは第２層間絶縁膜３０を介して重畳する第１補助容量部である補助容量配線３３と、補助容量配線３３に対してソース配線１９の延在方向について離れた位置に配されて画素電極１７と第２層間絶縁膜３０を介して重畳していて少なくとも一方のソース配線１９とは非重畳とされる第２補助容量部である補助容量電極３４と、補助容量配線３３と補助容量電極３４とを接続する補助容量接続部３５と、を備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極を挟み込む形で少なくとも一対が配されて前記画素電極に信号を供給する信号配線と、
前記信号配線と交差するよう延在して前記画素電極及び一対の前記信号配線をそれぞれ横切って、前記信号配線とは第１層間絶縁膜を介して重畳し、前記画素電極とは第２層間絶縁膜を介して重畳する第１補助容量部と、
前記第１補助容量部に対して前記信号配線の延在方向について離れた位置に配されて前記画素電極と前記第２層間絶縁膜を介して重畳していて少なくとも一方の前記信号配線とは非重畳とされる第２補助容量部と、
前記第１補助容量部と前記第２補助容量部とを接続する補助容量接続部と、を備える表示装置用基板。
【請求項２】
前記信号配線と交差するよう延在する走査配線を備えており、
前記第１補助容量部及び前記第２補助容量部は、互いに同層で且つ前記走査配線とは異なる層に配される請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項３】
前記第１補助容量部は、少なくとも一部が前記走査配線と重畳するよう配される請求項２記載の表示装置用基板。
【請求項４】
前記信号配線及び前記走査配線の各延在方向に沿って前記画素電極がマトリクス状に並んで配される表示領域を備えており、
前記第１補助容量部は、前記表示領域において前記信号配線の延在方向について複数が間隔を空けて並んで配されていて少なくとも一部が前記表示領域の全域にわたって前記走査配線に並行するよう延在する請求項３記載の表示装置用基板。
【請求項５】
複数の前記第１補助容量部は、前記第２補助容量部及び前記補助容量接続部を介して相互に接続されている請求項４記載の表示装置用基板。
【請求項６】
前記第２補助容量部は、少なくとも一部が前記走査配線と重畳するよう配される請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項７】
前記補助容量接続部は、前記第１補助容量部及び前記第２補助容量部と同層に配される請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項８】
前記第１補助容量部及び前記第２補助容量部と同層に配されて前記信号配線に並行するよう延在するとともに少なくとも一部が前記信号配線と重畳するよう配される信号重畳配線を備えており、
前記信号配線と前記信号重畳配線との間に介在する前記第１層間絶縁膜には、両者を接続するためのコンタクトホールが開口形成されている請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項９】
前記信号重畳配線は、前記信号配線の延在方向について前記第２補助容量部を挟んだ前後に延在する請求項８記載の表示装置用基板。
【請求項１０】
前記走査配線は、前記信号配線の延在方向について間隔を空けて複数が配されるのに対し、前記第１補助容量部及び前記第２補助容量部は、少なくとも一部ずつが前記走査配線とそれぞれ重畳するよう配されており、
前記信号配線と前記信号重畳配線との間に介在する前記第１層間絶縁膜には、前記信号重畳配線における前記延在方向についての両端部に加えて前記延在方向について前記第２補助容量部を挟み込む２位置に前記コンタクトホールがそれぞれ設けられている請求項９記載の表示装置用基板。
【請求項１１】
前記第１補助容量部は、前記信号配線の延在方向について間隔を空けて複数が配されるのに対し、前記第２補助容量部は、前記信号配線の延在方向について並ぶ２つの前記第１補助容量部の間に複数が前記信号配線の延在方向について間隔を空けて並んで配されており、
前記信号重畳配線は、前記信号配線の延在方向について並ぶ２つの前記第１補助容量部の間の範囲にわたって延在する請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項１２】
前記第２補助容量部には、前記画素電極を挟み込む一対の前記信号配線とは非重畳とされる補助容量電極が含まれる請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項１３】
前記第２補助容量部には、前記画素電極を挟み込む一対の前記信号配線の一方と前記第１層間絶縁膜を介して重畳される拡張補助容量電極が含まれる請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項１４】
前記補助容量接続部は、平面形状が点対称となるよう配される請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置用基板。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置用基板と、
前記表示装置用基板と対向状に配される対向基板と、を備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置は、並設された各画素のそれぞれに映像信号を供給するドレイン信号線と、このドレイン信号線の断線を予防する断線予防配線とを備え、この断線予防配線は、該ドレイン信号線の断線個所の各端に映像信号を供給できるように互いに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１３５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載された液晶表示装置によれば、ドレイン信号線に断線予防配線が接続されることで、ドレイン信号線に断線が生じた場合でも、断線予防配線が分岐回路として機能することで、ドレイン信号線の信号供給側に対して反対側の断線されたドレイン信号線に映像信号を供給することができる。ところで、液晶表示装置には、ドレイン信号線に供給される映像信号に基づいて充電された画素電極の電位を保持するための補助容量配線が備えられる場合がある。この補助容量配線は、ゲート信号線に並行しつつ延在して途中でドレイン信号線及び画素電極を横切る形で配索形成される。このため、互いに交差するドレイン信号線と補助容量配線との間には寄生容量が発生し、それに起因してドレイン信号線に伝送される映像信号に鈍りが生じることが懸念される。特に、液晶表示装置が大型化・高精細化されると、ドレイン信号線と補助容量配線との交差箇所数が増加する傾向にあるため、映像信号の鈍りがより生じ易くなっていた。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、信号鈍りの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表示装置用基板は、画素電極と、前記画素電極を挟み込む形で少なくとも一対が配されて前記画素電極に信号を供給する信号配線と、前記信号配線と交差するよう延在して前記画素電極及び一対の前記信号配線をそれぞれ横切って、前記信号配線とは第１層間絶縁膜を介して重畳し、前記画素電極とは第２層間絶縁膜を介して重畳する第１補助容量部と、前記第１補助容量部に対して前記信号配線の延在方向について離れた位置に配されて前記画素電極と前記第２層間絶縁膜を介して重畳していて少なくとも一方の前記信号配線とは非重畳とされる第２補助容量部と、前記第１補助容量部と前記第２補助容量部とを接続する補助容量接続部と、を備える。
【０００７】
このようにすれば、画素電極は、信号配線に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。補助容量接続部により接続された第１補助容量部及び第２補助容量部は、第２層間絶縁膜を介して重畳する画素電極との間で静電容量を形成することで、充電された画素電極の電位を保持させことができる。第１補助容量部は、信号配線と交差するよう延在して画素電極を挟み込む一対の信号配線を横切ることで、信号供給源からの電位の供給を受けることが可能とされる。一方、第２補助容量部は、補助容量接続部を介して第１補助容量部から電位の供給を受けることが可能とされる。そして、第２補助容量部は、一対の信号配線の少なくとも一方とは非重畳とされているので、仮に第２補助容量部が一対の信号配線を横切る配置とされた場合に比べると、信号配線との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。これにより、信号配線に伝送される信号に鈍りが生じ難くなるので、特に大型化や高精細化などを図る上で好適となる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、信号鈍りの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置を構成する液晶パネルとフレキシブル基板とプリント基板との接続構成を示す概略平面図
【図２】液晶パネルの表示領域における補助容量幹配線及び補助容量配線などの接続構成を概略的に示す平面図
【図３】液晶パネルの表示領域における配線構成を概略的に示す平面図
【図４】液晶パネルにおける図３のＡ−Ａ線断面図
【図５】液晶パネルの表示領域におけるＴＦＴ及び補助容量配線付近を拡大した平面図
【図６】液晶パネルの表示領域におけるＴＦＴ及び補助容量電極付近を拡大した平面図
【図７】図５のＢ−Ｂ線断面図
【図８】図６のＣ−Ｃ線断面図
【図９】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【図１０】図５のＤ−Ｄ線断面図
【図１１】図６のＥ−Ｅ線断面図
【図１２】図６のＦ−Ｆ線断面図
【図１３】本発明の実施形態２に係る液晶パネルの表示領域における配線構成を概略的に示す平面図
【図１４】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる透明電極膜のパターンを示す平面図
【図１５】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【図１６】本発明の実施形態３に係る液晶パネルの表示領域における配線構成を概略的に示す平面図
【図１７】図１６のＧ−Ｇ線断面図
【図１８】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる透明電極膜のパターンを示す平面図
【図１９】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【図２０】本発明の実施形態４に係る液晶パネルの表示領域における配線構成を概略的に示す平面図
【図２１】本発明の実施形態５に係る液晶パネルの表示領域における配線構成を概略的に示す平面図
【図２２】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる透明電極膜のパターンを示す平面図
【図２３】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【図２４】本発明の実施形態６に係る液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【図２５】液晶パネルの表示領域における補助容量幹配線及び補助容量配線などの接続構成を概略的に示す平面図
【図２６】本発明の実施形態７に係る液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第３金属膜のパターンを示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１２によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図４，図７，図８，図１０から図１２を基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。
【００１１】
液晶表示装置１０は、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル（表示装置）１１と、液晶パネル１１に対して裏側に配されて液晶パネル１１に表示のための光を照射する外部光源であるバックライト装置（図示せず）と、を有する。本実施形態では、液晶パネル１１の画面サイズが例えば７０インチ程度とされるとともに、解像度が「７６８０×４３２０」とされ、いわゆる８Ｋ解像度相当である。さらには、液晶表示装置１０は、液晶パネル１１の端部に接続される複数のフレキシブル基板１４と、複数のフレキシブル基板１４の一部に接続されるプリント基板１３と、を少なくとも備える。フレキシブル基板１４及びプリント基板１３は、液晶パネル１１に対して直接的にまたは間接的にそれぞれ接続されることで１つのモジュール部品を構成するものであり、液晶パネル１１と共に「液晶パネルモジュール（表示パネルモジュール）」を構成している、と言える。なお、液晶パネル１１とフレキシブル基板１４との接続箇所と、フレキシブル基板１４とプリント基板１３との接続箇所には、それぞれ図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）が介設されている。
【００１２】
液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として長方形状（矩形状）をなしている。液晶パネル１１の板面（表示面）のうち、中央側が画像を表示可能な表示領域（アクティブエリア）ＡＡとされ、その外周側が平面に視て枠状（額縁状）をなす非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡとされる。なお、図１では、一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。液晶パネル１１は、ガラス製の一対の基板１１Ａ，１１Ｂを少なくとも有しており、そのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）１１Ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（表示装置用基板、アクティブマトリクス基板、ＴＦＴ基板）１１Ｂとされる。なお、両基板１１Ａ，１１Ｂの外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。フレキシブル基板１４は、合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなり絶縁性及び可撓性を有するフィルム状の基材上に多数本の配線パターンを形成した構成とされる。フレキシブル基板１４には、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡである長辺側の端部に接続される複数のソース側フレキシブル基板１４Ａと、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡである短辺側の端部に接続される複数のゲート側フレキシブル基板１４Ｂと、が含まれる。ソース側フレキシブル基板１４Ａは、液晶パネル１１における一方（図１の上側）の長辺側の端部に対してＸ軸方向について間隔を空けて複数（本実施形態では６つ）が並ぶ形で接続されている。各ソース側フレキシブル基板１４Ａは、アレイ基板１１Ｂの長辺側の端部に設けられたソース側端子部（図示せず）に接続されている。ソース側端子部は、各ソース側フレキシブル基板１４Ａの実装領域においてＸ軸方向に沿って複数が間隔を空けてそれぞれ配される。複数のソース側端子部は、表示領域ＡＡから引き出されたソース配線１９に接続される。各ソース側フレキシブル基板１４Ａには、ソース配線１９に画像信号を供給するソースドライバ（表示駆動部）１２Ａがそれぞれ実装されている。一方、ゲート側フレキシブル基板１４Ｂは、液晶パネル１１における両短辺側の端部に対してＹ軸方向について間隔を空けて複数ずつ（本実施形態では４つずつ）が並ぶ形でそれぞれ接続されている。各ゲート側フレキシブル基板１４Ｂは、アレイ基板１１Ｂの両短辺側の各端部に設けられたゲート側端子部（図示せず）に接続されている。ゲート側端子部は、各ゲート側フレキシブル基板１４Ｂの実装領域においてＹ軸方向に沿って複数が間隔を空けてそれぞれ配される。複数のゲート側端子部は、表示領域ＡＡから引き出されたゲート配線１８に接続される。各ゲート側フレキシブル基板１４Ｂには、ゲート配線１８に走査信号を供給するゲートドライバ（表示駆動部）１２Ｂがそれぞれ実装されている。アレイ基板１１Ｂの非表示領域ＮＡＡには、図２に示すように、後述する補助容量配線３３が接続される補助容量幹配線（信号供給源）１５が設けられている。補助容量幹配線１５は、非表示領域ＮＡＡの長辺部をＹ軸方向に沿って延在しており、図１に示した各ドライバ１２Ａ，１２Ｂのいずれかから、または各ドライバ１２Ａ，１２Ｂを介さずにフレキシブル基板１４を介してプリント基板１３から基準電位が供給されるようになっている。
【００１３】
アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、図３に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６及び画素電極１７が多数個マトリクス状（行列状）に並んで設けられる。ＴＦＴ１６及び画素電極１７の周りには、格子状をなすゲート配線（走査配線）１８及びソース配線（信号配線、データ線）１９が取り囲むようにして配設されている。ゲート配線１８は、相対的に下層側に配されてＸ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在するのに対し、ソース配線１９は、相対的に上層側に配されてＹ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在している。ＴＦＴ１６は、ゲート配線１８に接続されるゲート電極１６Ａと、ソース配線１９に接続されるソース電極１６Ｂと、画素電極１７に接続されるドレイン電極１６Ｃと、ソース電極１６Ｂ及びドレイン電極１６Ｃに接続されるチャネル部１６Ｄと、を有する。そして、ＴＦＴ１６は、ゲート配線１８に供給される走査信号に基づいて駆動される。すると、ソース配線１９に供給される画像信号に係る電位がチャネル部１６Ｄを介してドレイン電極１６Ｃに供給され、もって画素電極１７が画像信号に係る電位に充電される。また、ＴＦＴ１６は、画素電極１７に対してＸ軸方向について図３に示す左右に偏在している。ＴＦＴ１６は、画素電極１７に対して左側に偏在するものと、画素電極１７に対して右側に偏在するものと、がＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。なお、ＴＦＴ１６の詳しい構成については後に詳しく説明する。画素電極１７は、一対ずつのゲート配線１８及びソース配線１９により囲まれた縦長の概ね方形の領域に配されている。画素電極１７は、Ｙ軸方向について両側から一対のゲート配線１８により挟み込まれるとともに、Ｘ軸方向について両側から一対のソース配線１９により挟み込まれる。
【００１４】
液晶パネル１１は、図４に示すように、一対の基板１１Ａ，１１Ｂの間に挟持される液晶層（媒質）１１Ｃと、一対の基板１１Ａ，１１Ｂのうちの液晶層１１Ｃに臨む最内面に設けられる一対の配向膜１１Ｄ，１１Ｅと、を有する。液晶層１１Ｃには、垂直配向する液晶分子（媒質）が含まれるのに対し、一対の配向膜１１Ｄ，１１Ｅは、液晶層１１Ｃに含まれる液晶分子をほぼ垂直に配向させる垂直配向膜とされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、表示モードがノーマリブラックのＶＡ（Vertical Alignment）モードであり、より詳しくは画素電極１７を区分する複数のドメイン毎に液晶分子の配向が異なる４Ｄ−ＲＴＮ（4-Domain Reverse Twisted Nematic）モードとされる。本実施形態では、図３に示すように、１つの画素電極１７が合計８つのドメインに区分されており、区分されたドメインはＸ軸方向に沿って２つずつ、Ｙ軸方向に沿って４つずつ並んでいる。なお、図３では、８つのドメインの境界線を一点鎖線にて図示している。具体的には、配向膜１１Ｄ，１１Ｅは、その表面に光配向処理が行われることで液晶分子に配向規制力を付与することが可能となる光配向膜とされており、光配向処理が上記した複数のドメインに応じたものとなっている。すなわち、例えばＣＦ基板１１Ａ側の配向膜１１Ｄには、製造過程でＹ軸方向に沿って並ぶ４つのドメインに対してＸ軸方向に沿って配向処理光（偏光紫外線）が照射されており、その照射方向がＹ軸方向について隣り合うドメインで１８０°異なっている。一方、アレイ基板１１Ｂ側の配向膜１１Ｅは、製造過程でＸ軸方向に沿って並ぶ２つのドメインに対してＹ軸方向に沿って配向処理光が照射されており、その照射方向がＸ軸方向について隣り合うドメインで１８０°異なっている。このような光配向処理が行われる一対の配向膜１１Ｄ，１１Ｅによって各ドメインに配される液晶分子が異なる向きに配向規制されることで、視野角特性が平均化され、もって良好な表示を得ることができる。なお、上記したドメイン分割構造に関しては、例えば国際公開第２００６／１３２３６９号公報や国際公開第２０１０／０７９７０３号公報などに記載された技術を適用することが可能である。
【００１５】
ＣＦ基板１１Ａの表示領域ＡＡにおける内面側には、図４に示すように、カラーフィルタ２０及び遮光部２１が少なくとも設けられている。カラーフィルタ２０は、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）の３色を呈するよう設けられている。カラーフィルタ２０は、互いに異なる色を呈するものがゲート配線１８（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し多数並ぶとともに、それらがソース配線１９（Ｙ軸方向）に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２０は、アレイ基板１１Ｂ側の各画素電極１７と平面に視て重畳する配置とされている。この液晶パネル１１では、Ｘ軸方向に沿って並ぶ青色、緑色及び赤色のカラーフィルタ２０と、各カラーフィルタ２０と対向する３つの画素電極１７と、が３色の画素部をそれぞれ構成している。そして、Ｘ軸方向に沿って隣り合う青色、緑色及び赤色の３色の画素部によって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。なお、画素部におけるＸ軸方向についての配列ピッチは、例えば７０μｍ程度（具体的には６７μｍ）とされ、Ｙ軸方向についての配列ピッチは、例えば２００μｍ程度（具体的には２０１μｍ）とされる。カラーフィルタ２０の内面側（上層側）には、オーバーコート膜（平坦化膜）２２が積層形成されており、さらにその内面側には、対向電極２３及び配向膜１１Ｅが順次に積層形成されている。対向電極２３は、少なくとも表示領域ＡＡにおいてベタ状に設けられる透明電極膜からなり、全ての画素電極１７に対して液晶層１１Ｃを挟んで対向している。対向電極２３には、基準電位が供給されることで、ＴＦＴ１６によって充電された画素電極１７との間に電位差を生じさせる。この電位差に基づいて液晶層１１Ｃの液晶分子の配向状態が変化し、それにより画素部毎に所定の階調表示を行うことが可能とされる。
【００１６】
ＴＦＴ１６及び画素電極１７の構成について詳しく説明する。ＴＦＴ１６は、図３に示すように、全体としてＸ軸方向に沿って延在する横長形状をなしており、接続対象とされる画素電極１７に対してＹ軸方向について図３に示す下側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ１６は、図５及び図６に示すように、ゲート配線１８の一部（ソース配線１９との交差部付近）からなるゲート電極１６Ａを有する。ゲート電極１６Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在する横長形状をなしていて、ゲート配線１８に供給される走査信号に基づいてＴＦＴ１６を駆動し、それによりソース電極１６Ｂとドレイン電極１６Ｃとの間の電流が制御される。ＴＦＴ１６は、ソース配線１９の一部（ゲート配線１８との交差部付近）からなるソース電極１６Ｂを有する。ソース電極１６Ｂは、ＴＦＴ１６におけるＸ軸方向についての一端側に配されていてそのほぼ全域がゲート電極１６Ａと重畳するとともにチャネル部１６Ｄに接続される。ＴＦＴ１６は、ソース電極１６Ｂとの間に間隔を空けた位置、つまりＴＦＴ１６におけるＸ軸方向についての他端側に配されるドレイン電極１６Ｃを有する。ドレイン電極１６Ｃは、概ねＸ軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極１６Ｂと対向状をなしてゲート電極１６Ａと重畳するとともにチャネル部１６Ｄに接続されるのに対し、他端側が画素電極１７に接続される。画素電極１７は、ドレイン電極１６Ｃのほぼ全域と重畳するとともに、ゲート配線１８のうち一対のソース配線１９の間に挟まれた部分の殆どと重畳するよう配されている。なお、ゲート配線１８のうち後述する画素コンタクトホール３２と重畳する部分は、切り欠かれている。チャネル部１６Ｄは、全域がゲート電極１６Ａと重畳しつつ概ねＸ軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極１６Ｂと、他端側がドレイン電極１６Ｃと、それぞれ接続されている。
【００１７】
ここで、アレイ基板１１Ｂの内面側に積層形成された各種の膜について図７を参照しつつ説明する。アレイ基板１１Ｂには、図７に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜２４、ゲート絶縁膜２５、半導体膜２６、第２金属膜２７、第１層間絶縁膜２８、第３金属膜２９、第２層間絶縁膜（絶縁膜）３０、透明電極膜３１、配向膜１１Ｅが積層形成されている。第１金属膜２４、第２金属膜２７及び第３金属膜２９は、それぞれ銅、アルミニウムなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜２４は、ゲート配線１８、ＴＦＴ１６のゲート電極１６Ａなどを構成する。第２金属膜２７は、ソース配線１９、ＴＦＴ１６のソース電極１６Ｂ及びドレイン電極１６Ｃ、補助容量幹配線１５などを構成する。第３金属膜２９は、後述する補助容量配線３３などを構成する。ゲート絶縁膜２５、第１層間絶縁膜２８及び第２層間絶縁膜３０は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜２５は、下層側の第１金属膜２４と、上層側の半導体膜２６及び第２金属膜２７と、を絶縁状態に保つ。第１層間絶縁膜２８は、下層側の半導体膜２６及び第２金属膜２７と、上層側の第３金属膜２９と、を絶縁状態に保つ。第２層間絶縁膜３０は、下層側の第３金属膜２９と、上層側の透明電極膜３１と、を絶縁状態に保つ。第１層間絶縁膜２８及び第２層間絶縁膜３０のうち、画素電極１７とドレイン電極１６Ｃとの重畳箇所には、両者を接続するための画素コンタクトホール３２が開口形成されている。半導体膜２６は、材料として例えば酸化物半導体を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ１６を構成するチャネル部１６Ｄなどを構成する。透明電極膜３１は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなり、画素電極１７などを構成する。
【００１８】
ここで、本実施形態に係るアレイ基板１１Ｂには、図３及び図９に示すように、画素電極１７に対して第２層間絶縁膜３０を介して重畳し、画素電極１７との間で静電容量（補助容量）を形成することで、画素電極１７に充電された電位を保持させるための補助容量配線（第１補助容量部）３３及び補助容量電極（第２補助容量部）３４が設けられている。補助容量配線３３は、ソース配線１９と交差するようＸ軸方向に沿って延在し、少なくとも画素電極１７及び画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９をそれぞれ横切ることで、信号供給源である補助容量幹配線１５からの基準電位（電位）の供給を受けることが可能とされる。補助容量配線３３は、少なくとも一部が横切った画素電極１７に対して第２層間絶縁膜３０を介して平面に視て重畳しており、ソース配線１９に対して第１層間絶縁膜２８を介して平面に視て重畳している。補助容量電極３４は、補助容量配線３３に対してＹ軸方向（ソース配線１９の延在方向）について離れた位置に配されている。補助容量電極３４は、画素電極１７に対して第２層間絶縁膜３０を介して平面に視て重畳するものの、その画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９とは非重畳とされる。そして、アレイ基板１１Ｂには、これら補助容量配線３３と補助容量電極３４とを接続するための補助容量接続部３５が設けられている。補助容量電極３４は、補助容量接続部３５を介して補助容量配線３３から基準電位の供給を受けることが可能とされる。このような構成によれば、補助容量接続部３５により接続された補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、第２層間絶縁膜３０を介して重畳する画素電極１７との間で静電容量を形成することで、ＴＦＴ１６によって充電された画素電極１７の電位を保持させことができる。そして、補助容量電極３４は、一対のソース配線１９とは非重畳とされているので、仮に補助容量電極が一対のソース配線１９を横切る配置とされた場合に比べると、ソース配線１９との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。これにより、ソース配線１９に伝送される画像信号に鈍りが生じ難くなるので、特に大型化や高精細化などを図る上で好適となる。
【００１９】
補助容量配線３３は、図２に示すように、表示領域ＡＡの全域にわたってゲート配線１８に並行するよう延在し、その両端部が非表示領域ＮＡＡにて信号供給源である補助容量幹配線１５に対してそれぞれ接続されている。これにより、補助容量配線３３は、両端部に接続された補助容量幹配線１５から共通電位の供給を受けることができる。そして、補助容量配線３３は、Ｙ軸方向について間隔を空けて複数が並んで配されるとともに、Ｙ軸方向について隣り合うもの同士が間に配された補助容量電極３４及び補助容量接続部３５を介して接続されている。つまり、Ｙ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線３３は、Ｙ軸方向について間に配された１つの補助容量電極３４と２つの補助容量接続部３５とによって互いに接続されている。このようにすれば、補助容量配線３３、補助容量電極３４及び補助容量接続部３５に関する表示領域ＡＡにおける電位分布を均一化する上で好適となる。
【００２０】
補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、図７及び図８に示すように、共に第３金属膜２９からなる。つまり、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、互いに同層に配されるとともに、第１金属膜２４からなるゲート配線１８とは異なる層に配される。これにより、ゲート配線１８に対する補助容量配線３３及び補助容量電極３４の配置自由度が高くなっている。そして、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、少なくとも一部ずつがゲート配線１８と平面に視て重畳するよう配されている。このような構成によれば、仮に補助容量配線及び補助容量電極がそれぞれゲート配線１８とは非重畳で画素電極１７と重畳する配置とされる場合に比べると、補助容量配線３３及び補助容量電極３４による画素電極１７の遮光面積が減少するので、画素部の開口率の向上を図る上で好適となる。補助容量配線３３及び補助容量電極３４と、重畳するゲート配線１８と、の間には、少なくともゲート絶縁膜２５及び第１層間絶縁膜２８が介在することで、両者の絶縁性が担保される。これら補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、図３及び図９に示すように、Ｙ軸方向について複数ずつが間隔を空けて並んで配されている。具体的には、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、Ｙ軸方向について交互に繰り返し並ぶよう複数ずつ配されており、その配列間隔が画素電極１７の長辺寸法と同等とされる。従って、補助容量配線３３は、Ｙ軸方向について端から数えて奇数番目または偶数番目のゲート配線１８と平面に視て重畳するのに対し、補助容量電極３４は、偶数番目または奇数番目のゲート配線１８と平面に視て重畳するようそれぞれ配されている。また、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、図７，図８及び図１２に示すように、画素コンタクトホール３２と重畳する部分が開口されている。
【００２１】
さらには、上記した補助容量配線３３及び補助容量電極３４に接続される補助容量接続部３５は、図４に示すように、第３金属膜２９からなる。つまり、補助容量接続部３５は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４と同層に配されている。このようにすれば、仮に補助容量接続部を補助容量配線３３及び補助容量電極３４とは異なる層の第２金属膜２７により構成した場合には、補助容量接続部と補助容量配線３３及び補助容量電極３４との間に介在する第１層間絶縁膜２８に接続のためのコンタクトホールを開口形成する必要があるが、そのようなコンタクトホールを設けることなく、補助容量接続部３５と補助容量配線３３及び補助容量電極３４とを接続することができる。
【００２２】
補助容量接続部３５は、図９に示すように、全体の平面形状が点対称となるよう配されている。詳しくは、補助容量接続部３５は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４にそれぞれ連なる一対の第１接続部３５Ａと、一対の第１接続部３５Ａ同士を繋ぐ第２接続部３５Ｂと、から構成される。一対の第１接続部３５Ａは、ソース配線１９に並行してＹ軸方向に沿って延在しており、それぞれの延在長さが画素電極１７の長辺寸法の半分程度とされる。一対の第１接続部３５Ａは、延在方向についての一端側が補助容量配線３３及び補助容量電極３４にそれぞれ接続されており、他端側が次述する第２接続部３５Ｂに接続されている。一対の第１接続部３５Ａは、画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９に対してそれぞれＸ軸方向について隣接するような位置に配されている。詳しくは、一対の第１接続部３５Ａは、図５及び図６に示すように、一部ずつが画素電極１７の各長辺部とそれぞれ重畳しており、画素電極１７とは非重畳となる部分が画素電極１７とソース配線１９との間に挟み込まれる配置とされる。一対の第１接続部３５Ａは、隣り合う各ソース配線１９との間にほぼ同じ間隔（例えば５μｍ程度ずつの間隔）を空けて配されることで、ソース配線１９との間に生じ得る寄生容量の低減や短絡防止が図られている。従って、アレイ基板１１Ｂの製造に際して、第３金属膜２９からなる一対の第１接続部３５Ａに対して透明電極膜３１からなる画素電極１７のアライメントがＸ軸方向（ソース配線１９の延在方向と交差する方向）についてどちら側にずれた場合でも、一対の第１接続部３５Ａと画素電極１７との重畳面積に変動が生じ難くなっている。従って、上記したアライメントずれに起因して生じ得る補助容量接続部３５と画素電極１７との間の静電容量値の変動が抑制される。
【００２３】
第２接続部３５Ｂは、図９に示すように、ゲート配線１８に並行してＸ軸方向に沿って延在しており、その延在長さが画素電極１７の短辺寸法と同等とされる。第２接続部３５Ｂは、延在方向についての両端部が一対の第１接続部３５Ａにおける他端側と接続されている。第２接続部３５Ｂは、Ｙ軸方向について画素電極１７における長辺のほぼ中央位置に配されている。つまり、第２接続部３５Ｂは、図３に示すように、いずれも画素電極１７を区分する複数のドメインの境界線と重畳するよう平面配置されている。画素電極１７におけるドメインの境界位置は、液晶分子の配向に乱れが生じ易く、それに起因して表示階調が局所的に低い暗線（暗部）となり易い傾向にある。第２接続部３５Ｂがこの暗線と重畳する配置とされることで、第２接続部３５Ｂに起因して画素部の開口率が低下し難くなる。
【００２４】
さらには、アレイ基板１１Ｂには、図３及び図９に示すように、ソース配線１９に並行するよう延在していてその大部分がソース配線１９と重畳するよう配されるソース重畳配線（信号重畳配線）３６が設けられている。ソース重畳配線３６は、第３金属膜２９からなる。つまり、ソース重畳配線３６は、補助容量配線３３、補助容量電極３４及び補助容量接続部３５と同層に配されており、重畳する第２金属膜２７からなるソース配線１９との間には第１層間絶縁膜２８が介在している。そして、ソース重畳配線３６とソース配線１９との間に介在する第１層間絶縁膜２８には、図１０に示すように、両者を接続するためのコンタクトホール３７が開口形成されている。このようにすれば、ソース配線１９は、第１層間絶縁膜２８に開口形成されたコンタクトホール３７を通してソース重畳配線３６に接続されることで複線化される。これにより、ソース配線１９の配線抵抗が低減され、もって信号鈍りがより生じ難くなる。このソース重畳配線３６は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４の設置のためにアレイ基板１１Ｂに設けられる第３金属膜２９を利用して設けられている、とも言え、製造コストの低下を図る上でも好適となる。
【００２５】
ソース重畳配線３６は、図９に示すように、Ｙ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線３３の間の範囲にわたって延在しており、その延在方向についての両端部がＹ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線３３に隣接する配置とされる。これにより、ソース重畳配線３６が同層の補助容量配線３３と短絡することが避けられるとともに、その延在長さ（延面距離、形成範囲）が最大化されている。ソース重畳配線３６は、延在長さが画素電極１７の長辺寸法の２倍程度とされており、Ｙ軸方向について補助容量電極３４を挟んだ前後に延在している。仮に補助容量電極がソース配線１９と重畳するよう配されると、補助容量電極の幅の分と、さらに、補助容量電極との短絡を避けるための間隔の分だけソース重畳配線の延在長さは短くなる。これに比べると、ソース重畳配線３６の延在長さを長くすることができるので、ソース配線１９の配線抵抗の低減を図る上でより好適となる。なお、ソース重畳配線３６と同層に配される補助容量電極３４は、ソース配線１９とは非重畳の配置とされているので、ソース重畳配線３６がＹ軸方向について補助容量電極３４を挟んだ前後に延在していても、補助容量電極３４と短絡することが避けられている。また、ソース重畳配線３６は、線中心がソース配線１９の線中心とほぼ一致している。
【００２６】
さらには、ソース重畳配線３６とソース配線１９との間に介在する第１層間絶縁膜２８には、図１０及び図１１に示すように、ソース重畳配線３６におけるＹ軸方向についての両端部に加えてＹ軸方向について補助容量電極３４を挟み込む２位置にコンタクトホール３７がそれぞれ設けられている。つまり、１本のソース重畳配線３６は、Ｙ軸方向について離間した合計４箇所に配されたコンタクトホール３７によって重畳するソース配線１９との接続が図られている。そして、４つのコンタクトホール３７は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４とそれぞれ重畳する各ゲート配線１８に隣接する配置となっているので、ソース配線１９との接続確実性（冗長性）が担保されるのに加えて、コンタクトホール３７に起因する表示品位の悪化が視認され難くなる。
【００２７】
以上説明したように本実施形態のアレイ基板（表示装置用基板）１１Ｂは、画素電極１７と、画素電極１７を挟み込む形で少なくとも一対が配されて画素電極１７に信号を供給するソース配線（信号配線）１９と、ソース配線１９と交差するよう延在して画素電極１７及び一対のソース配線１９をそれぞれ横切って、ソース配線１９とは第１層間絶縁膜（絶縁膜）２８を介して重畳し、画素電極１７とは第２層間絶縁膜（絶縁膜）３０を介して重畳する第１補助容量部である補助容量配線３３と、補助容量配線３３に対してソース配線１９の延在方向について離れた位置に配されて画素電極１７と第２層間絶縁膜３０を介して重畳していて少なくとも一方のソース配線１９とは非重畳とされる第２補助容量部である補助容量電極３４と、補助容量配線３３と補助容量電極３４とを接続する補助容量接続部３５と、を備える。
【００２８】
このようにすれば、画素電極１７は、ソース配線１９に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。補助容量接続部３５により接続された補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、第２層間絶縁膜３０を介して重畳する画素電極１７との間で静電容量を形成することで、充電された画素電極１７の電位を保持させことができる。補助容量配線３３は、ソース配線１９と交差するよう延在して画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９を横切ることで、信号供給源である補助容量幹配線１５からの電位の供給を受けることが可能とされる。一方、補助容量電極３４は、補助容量接続部３５を介して補助容量配線３３から電位の供給を受けることが可能とされる。そして、補助容量電極３４は、一対のソース配線１９の少なくとも一方とは非重畳とされているので、仮に補助容量電極が一対のソース配線１９を横切る配置とされた場合に比べると、ソース配線１９との間に生じ得る寄生容量を低減することができる。これにより、ソース配線１９に伝送される信号に鈍りが生じ難くなるので、特に大型化や高精細化などを図る上で好適となる。
【００２９】
また、ソース配線１９と交差するよう延在するゲート配線（走査配線）１８を備えており、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、互いに同層で且つゲート配線１８とは異なる層に配される。このようにすれば、仮に補助容量配線及び補助容量電極をゲート配線１８と同層に配した場合に比べると、ゲート配線１８に対する補助容量配線３３及び補助容量電極３４の配置自由度が高くなる。
【００３０】
また、補助容量配線３３は、少なくとも一部がゲート配線１８と重畳するよう配される。このようにすれば、仮に補助容量配線をゲート配線１８とは非重畳の配置とした場合に比べると、開口率の向上を図る上で好適となる。
【００３１】
また、ソース配線１９及びゲート配線１８の各延在方向に沿って画素電極１７がマトリクス状に並んで配される表示領域ＡＡを備えており、補助容量配線３３は、表示領域ＡＡにおいてソース配線１９の延在方向について複数が間隔を空けて並んで配されていて少なくとも一部が表示領域ＡＡの全域にわたってゲート配線１８に並行するよう延在する。このようにすれば、表示領域ＡＡの全域にわたってゲート配線１８に並行するよう延在する補助容量配線３３は、表示領域ＡＡ外において信号供給源である補助容量幹配線１５から信号の供給を受けることが可能となる。
【００３２】
また、複数の補助容量配線３３は、補助容量電極３４及び補助容量接続部３５を介して相互に接続されている。このようにすれば、補助容量配線３３、補助容量電極３４及び補助容量接続部３５に関する表示領域ＡＡにおける電位分布を均一化する上で好適となる。
【００３３】
また、補助容量電極３４は、少なくとも一部がゲート配線１８と重畳するよう配される。このようにすれば、仮に補助容量電極をゲート配線１８とは非重畳の配置とした場合に比べると、開口率の向上を図る上で好適となる。
【００３４】
また、補助容量接続部３５は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４と同層に配される。このようにすれば、仮に補助容量接続部を補助容量配線３３及び補助容量電極３４とは異なる層に配した場合には、補助容量接続部と補助容量配線３３及び補助容量電極３４との間に介在する絶縁膜に接続のためのコンタクトホールを開口形成する必要があるが、そのようなコンタクトホールを設けることなく、補助容量接続部３５と補助容量配線３３及び補助容量電極３４とを接続することができる。
【００３５】
また、補助容量配線３３及び補助容量電極３４と同層に配されてソース配線１９に並行するよう延在するとともに少なくとも一部がソース配線１９と重畳するよう配されるソース重畳配線（信号重畳配線）３６を備えており、ソース配線１９とソース重畳配線３６との間に介在する第１層間絶縁膜２８には、両者を接続するためのコンタクトホール３７が開口形成されている。このようにすれば、ソース配線１９は、第１層間絶縁膜２８に開口形成されたコンタクトホール３７を通してソース重畳配線３６に接続されるので、配線抵抗が低減され、もって信号鈍りがより生じ難くなる。このソース重畳配線３６は、補助容量配線３３及び補助容量電極３４と同層に配されているので、製造コストの低下を図る上でも好適となる。
【００３６】
また、ソース重畳配線３６は、ソース配線１９の延在方向について補助容量電極３４を挟んだ前後に延在する。このようにすれば、仮に補助容量電極がソース配線１９と重畳するよう配される場合に比べると、ソース重畳配線３６の延面距離を長くすることができるので、ソース配線１９の配線抵抗の低減を図る上でより好適となる。ソース重畳配線３６と同層に配される補助容量電極３４は、ソース配線１９とは非重畳の配置とされているので、ソース重畳配線３６がソース配線１９の延在方向について補助容量電極３４を挟んだ前後に延在していても、補助容量電極３４と短絡することが避けられている。
【００３７】
また、ゲート配線１８は、ソース配線１９の延在方向について間隔を空けて複数が配されるのに対し、補助容量配線３３及び補助容量電極３４は、少なくとも一部ずつがゲート配線１８とそれぞれ重畳するよう配されており、ソース配線１９とソース重畳配線３６との間に介在する第１層間絶縁膜２８には、ソース重畳配線３６における延在方向についての両端部に加えて延在方向について補助容量電極３４を挟み込む２位置にコンタクトホール３７がそれぞれ設けられている。ソース重畳配線３６は、一対のソース配線１９を横切る補助容量配線３３と同層に配されているため、延在方向についての形成範囲は、短絡防止の観点から補助容量配線３３を超えることが避けられる。一方、ソース重畳配線３６における延在方向についての形成範囲を最大化するには、ソース重畳配線３６の端部を補助容量配線３３に隣接する配置とするのが好ましい。従って、コンタクトホール３７が、第１層間絶縁膜２８のうちのソース重畳配線３６の両端部に加えて補助容量電極３４を挟み込む２位置にそれぞれ設けられることで、各コンタクトホール３７が補助容量配線３３及び補助容量電極３４とそれぞれ重畳する各ゲート配線１８に隣接する配置となるので、ソース配線１９との接続確実性が担保されるのに加えて、コンタクトホール３７に起因する表示品位の悪化が視認され難くなる。
【００３８】
また、第２補助容量部には、画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９とは非重畳とされる補助容量電極３４が含まれる。このようにすれば、第２補助容量部に含まれる補助容量電極３４は、単一の画素電極１７と重畳する配置となり、画素電極１７を挟み込む一対のソース配線１９とは非重畳とされているので、仮に一方のソース配線１９と重畳する場合に比べると、ソース配線１９との間に生じ得る寄生容量をより低減することができる。
【００３９】
また、補助容量接続部３５は、平面形状が点対称となるよう配される。このようにすれば、仮に補助容量接続部の平面形状が非点対称とされる場合に比べると、例えば補助容量接続部３５に対して画素電極１７のアライメントがソース配線１９の延在方向と交差する方向についてずれた場合に生じ得る補助容量接続部３５と画素電極１７との間の静電容量値の変動が抑制される。
【００４０】
また、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１１は、上記したアレイ基板１１Ｂと、アレイ基板１１Ｂと対向状に配されるＣＦ基板（対向基板）１１Ａと、を備える。このような構成の液晶パネル１１によれば、ソース配線１９に伝送される信号に鈍りが生じ難くなるので、優れた表示品位が得られる。
【００４１】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１３から図１５によって説明する。この実施形態２では、液晶パネルの表示モードを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４２】
本実施形態に係る液晶パネルは、図１３に示すように、画素電極１１７に設けられたスリット４０を利用して液晶層に含まれる液晶分子を配向させるようにしたＶＡモードとされる。詳しくは、画素電極１１７は、図１４に示すように、幹電極部３８と、幹電極部３８から放射状に延出して間にスリット４０を有する形で並ぶ複数の枝電極部３９と、からなり、全体としてフィッシュボーン型をなしている。幹電極部３８は、全体として平面に視て十字形をなしており、Ｘ軸方向に沿って延在する部分と、Ｙ軸方向に沿って延在する部分と、からなる。枝電極部３９は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対する斜め方向に沿って延在し、その一端側が幹電極部３８に連ねられている。枝電極部３９は、幹電極部３８の延在方向に沿って複数がほぼ等しい間隔（スリット４０の幅寸法）を空けて並んで配されている。隣り合う枝電極部３９間に有されるスリット４０は、枝電極部３９に並行する細長い溝状をなしており、幹電極部３８の延在方向に沿って等ピッチ配列されている。アレイ基板の表面のうち、上記したスリット４０と重畳する箇所には、部分的な凹部（電極の不在部分）が形成されることになり、凹部形状に応じた電界が形成されるから、この凹部に沿って液晶層に含まれる液晶分子を放射状に配向させることが可能となる。
【００４３】
そして、補助容量接続部１３５は、図１３及び図１５に示すように、画素電極１１７のうちの幹電極部３８と選択的に重畳するよう配される。ここで、画素電極１１７における幹電極部３８付近は、液晶層に含まれる液晶分子の配向に乱れが生じ易く、それに起因して表示階調が局所的に低い暗線（暗部）となり易い傾向にある。補助容量接続部１３５がこの暗線と重畳する配置とされることで、補助容量接続部１３５に起因して画素部の開口率が低下し難くなる。補助容量接続部１３５は、Ｙ軸方向に沿って延在してその両端部が補助容量配線１３３及び補助容量電極１３４に対してそれぞれ接続される部分と、Ｘ軸方向に沿って延在する部分と、からなり、全体の平面形状が幹電極部３８と同じ十字形とされる。補助容量接続部１３５は、Ｘ軸方向に沿って延在する部分とＹ軸方向に沿って延在する部分とが、画素電極１１７におけるＸ軸方向及びＹ軸方向についてのほぼ中央位置にそれぞれ配されている。従って、補助容量接続部１３５のうちのＹ軸方向に沿って延在する部分は、並行していて同じ第３金属膜からなるソース重畳配線１３６から最大限に離間した配置とされている。これにより、補助容量接続部１３５とソース重畳配線１３６とが短絡する事態が生じ難くなっている。また、補助容量接続部１３５は、幹電極部３８のほぼ全域に対して重畳配置されているので、画素電極１１７との間に生じる静電容量がより大きくなる。
【００４４】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１６から図１９によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から液晶パネル２１１の表示モードを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態に係る液晶パネル２１１は、図１６及び図１７に示すように、ＣＦ基板２１１Ａの対向電極２２３に設けられた開口部（切欠部）４１を利用して液晶層２１１Ｃに含まれる液晶分子を配向させるようにしたＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）モードとされる。なお、図１６では、開口部４１を二点鎖線により図示している。詳しくは、開口部４１は、対向電極２２３のうち、画素電極２１７と重畳する位置に２つずつ設けられている。この開口部４１により対向電極２２３の表面には凹部が生じることになる。対向電極２２３と対向状をなす画素電極２１７は、図１８に示すように、２つのサブ画素電極４２と、ＴＦＴ２１６のドレイン電極２１６Ｃと接続されるコンタクト部４３と、２つのサブ画素電極４２同士を繋ぐ第１繋ぎ部４４と、一方のサブ画素電極４２とコンタクト部４３とを繋ぐ第２繋ぎ部４５と、から構成される。各サブ画素電極４２は、平面に視て角を丸めた縦長の方形状をなしている。コンタクト部４３は、ＴＦＴ２１６と平面に視て重畳するとともに、ＴＦＴ２１６に並行して延在する横長形状とされる。そして、各画素電極２１７毎に２つずつ設けられる開口部４１は、図１６に示すように、平面に視て各サブ画素電極４２の中心と一致する位置にそれぞれ配置されている。従って、液晶層に含まれる液晶分子は、上記した開口部４１を中心にして放射状に配向させられる。
【００４６】
そして、補助容量接続部２３５は、図１６及び図１９に示すように、画素電極２１７のうちの各サブ画素電極４２の外縁部に沿って延在するよう配され、その一部が各サブ画素電極４２の外縁部と重畳している。詳しくは、補助容量接続部２３５は、各サブ画素電極４２における長辺側の両外縁部に並行するとともに、各サブ画素電極４２における補助容量配線２３３及び補助容量電極２３４側とは反対側の短辺側の外縁部に並行する形で延在している。ここで、画素電極２１７における各サブ画素電極４２の外縁部付近は、平面に視て開口部４１から最も遠いため、液晶層２１１Ｃに含まれる液晶分子の応答が最も遅くなっており、それに起因して動画表示時に残像などが生じ易い傾向にある。補助容量接続部２３５がこの残像が生じ易い各サブ画素電極４２の外縁部と重畳する配置とされることで、補助容量接続部２３５に起因して画素部の開口率が低下し難くなる。
【００４７】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図２０によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態３から画素電極３１７及び開口部３４１の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４８】
本実施形態に係る画素電極３１７は、図２０に示すように、各サブ画素電極３４２の外縁部に複数のスリット４６が形成された構成となっている。複数のスリット４６は、各サブ画素電極３４２の外縁部の周方向に沿って間隔を空けて並んで配されており、各サブ画素電極３４２のほぼ全周にわたって万遍なく配置されている。これに対し、開口部３４１は、平面に視て十字形をなしている。このような構成によれば、上記した実施形態３に比べて液晶層に含まれる液晶分子の応答を早くすることができる。一方、画素電極３１７にスリット４６を形成した分だけ、補助容量接続部３３５などとの間に生じる静電容量が小さい。言い換えると、上記した実施形態３は、実施形態４に比べると、画素電極２１７の面積が大きく確保されているので、補助容量接続部２３５などとの間に生じる静電容量が大きくなっている（図１６を参照）。
【００４９】
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図２１から図２３によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１から液晶パネルの表示モードを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５０】
本実施形態に係る液晶パネルは、図２１に示すように、ＴＮ（Twisted Nematic）モードとされる。詳しくは、画素電極４１７は、図２２に示すように、平面に視て縦長の方形状をなしている。これに対し、補助容量接続部４３５は、画素電極４１７における長辺側の両外縁部に並行する形でＹ軸方向に沿って直線状に延在し、その一部が画素電極４１７における長辺側の両外縁部と重畳している。このように補助容量接続部４３５が複線化されることで、冗長性が向上して補助容量配線４３３及び補助容量電極４３４の接続信頼性が高く保たれるとともに、低抵抗化が図られる。
【００５１】
＜実施形態６＞
本発明の実施形態６を図２４または図２５によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１から補助容量電極５３４の一部を拡張補助容量電極４７としたものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５２】
本実施形態に係るアレイ基板には、図２４に示すように、補助容量配線５３３、補助容量電極５３４及び補助容量接続部５３５に加えて拡張補助容量電極（第２補助容量部）４７が設けられている。拡張補助容量電極４７は、補助容量電極５３４と同様に、Ｘ軸方向に沿って延在するとともに画素電極５１７の一部と重畳することで画素電極５１７との間に静電容量を形成する機能を有している。また、拡張補助容量電極４７は、ゲート配線５１８と重畳する配置とされる。しかし、拡張補助容量電極４７は、画素電極５１７を挟み込む一対のソース配線５１９の一方とは重畳するよう配される点で、補助容量電極５３４とは異なる。つまり、拡張補助容量電極４７は、ソース配線５１９を挟んで隣り合う２つの画素電極５１７に跨る形で延在し、それら２つの画素電極５１７を横切っていて且つそれらと重畳している。拡張補助容量電極４７は、補助容量電極５３４とＸ軸方向について隣り合うよう配されており、Ｘ軸方向について続けて２つの拡張補助容量電極４７が並ぶことが避けられている。同様に、補助容量電極５３４は、Ｘ軸方向について続けて２つの補助容量電極５３４が並ぶことが避けられている。拡張補助容量電極４７及び補助容量電極５３４は、Ｙ軸方向について隣り合うもの同士がＸ軸方向についてオフセットした配置、つまり千鳥状の平面配置とされている。
【００５３】
そして、本実施形態では、拡張補助容量電極４７が設置されるのに伴って、補助容量配線５３３の設置数が実施形態１よりも削減されている。具体的には、Ｙ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線５３３の間には、図２５に示すように、Ｘ軸方向に沿って複数ずつ並ぶ拡張補助容量電極４７及び補助容量電極５３４の行が９個介在するとともに、Ｘ軸方向に沿って複数が並ぶ補助容量接続部５３５の行が１０個介在している。言い換えると、拡張補助容量電極４７及び補助容量電極５３４の行は、Ｙ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線５３３の間に９個並んで配され、補助容量接続部５３５の行は、Ｙ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線５３３の間に１０個並んで配されている。従って、実施形態１のように補助容量配線３３と補助容量電極３４とがＹ軸方向について交互に並ぶ配置（図２を参照）に比べると、補助容量配線５３３の設置数が大幅に削減されている。これにより、ソース配線５１９は、補助容量配線５３３と交差する箇所数が減少するので、補助容量配線５３３との間に生じ得る寄生容量の削減を図ることができる。しかも、ソース重畳配線５３６は、Ｙ軸方向について並ぶ補助容量配線５３３と拡張補助容量電極４７との間、またはＹ軸方向について隣り合う２つの拡張補助容量電極４７の間の範囲にわたって延在している。具体的には、Ｙ軸方向について離間していて且つＸ軸方向についての配置が揃えられた２つの拡張補助容量電極４７は、図２４に示すように、間に２つずつの拡張補助容量電極４７及び補助容量電極５３４が介在するよう周期的に配置されている。従って、ソース重畳配線５３６は、これら２つの拡張補助容量電極４７の間の範囲にわたって延在しており、その延在長さが画素電極５１７の長辺寸法の３倍程度となっている。このようにソース重畳配線５３６の延面距離は、上記した実施形態１に記載されたものよりも長くなっているので、ソース配線５１９の配線抵抗をより低減させることができる。また、拡張補助容量電極４７及び補助容量電極５３４が上記のように規則性をもって配列されることで、補助容量配線５３３から供給される基準電位に鈍りが生じ難くなり、もってシャドーイングなどの表示不良が生じ難くなる。
【００５４】
以上説明したように本実施形態によれば、第２補助容量部には、画素電極５１７を挟み込む一対のソース配線５１９の一方と第１層間絶縁膜を介して重畳される拡張補助容量電極４７が含まれる。このようにすれば、第２補助容量部に含まれる拡張補助容量電極４７は、一対のソース配線５１９のうちの一方のソース配線５１９を挟んで隣り合う画素電極５１７を横切る配置を採ることが可能とされる。拡張補助容量電極４７の設置に伴って補助容量配線５３３の設置数を削減することが可能となるので、結果として補助容量配線５３３とソース配線５１９との間に生じ得る寄生容量の削減を図ることができる。
【００５５】
＜実施形態７＞
本発明の実施形態７を図２６によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態１から補助容量電極６３４及び補助容量接続部６３５の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５６】
本実施形態に係る補助容量配線６３３は、図２６に示すように、Ｙ軸方向について隣り合う補助容量配線６３３との間に、２つの補助容量電極６３４と３つの補助容量接続部６３５とが介在するよう配されている。従って、ソース重畳配線６３６は、２つの補助容量電極６３４の間の範囲にわたって延在しており、その延在長さが画素電極６１７の長辺寸法の３倍程度となっている。このようにソース重畳配線６３６の延面距離は、上記した実施形態１に記載されたものよりも長くなっているので、ソース配線６１９の配線抵抗をより低減させることができる。
【００５７】
以上説明したように本実施形態によれば、補助容量配線６３３は、ソース配線６１９の延在方向について間隔を空けて複数が配されるのに対し、補助容量電極６３４は、ソース配線６１９の延在方向について並ぶ２つの補助容量配線６３３の間に複数がソース配線６１９の延在方向について間隔を空けて並んで配されており、ソース重畳配線６３６は、ソース配線６１９の延在方向について並ぶ２つの補助容量配線６３３の間の範囲にわたって延在する。このようにすれば、ソース重畳配線６３６は、同層に配されていてソース配線６１９を横切る補助容量配線６３３に対して短絡することが避けられる。その上で、仮に２つの補助容量配線６３３の間に補助容量電極が１つのみ配される場合に比べると、ソース重畳配線６３６の延面距離がより長くなる。これにより、ソース配線６１９の低抵抗化を図る上でより好適となる。
【００５８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、補助容量配線及び補助容量電極と、補助容量接続部と、が同じ第３金属膜からなる場合を示したが、補助容量配線及び補助容量電極と、補助容量接続部と、を異なる金属膜により構成することも可能である。その場合、補助容量配線及び補助容量電極と、補助容量接続部と、の間に介在する絶縁膜に、両者を接続するためのコンタクトホールを開口形成すればよい。
（２）上記した（１）以外にも、補助容量配線と、補助容量電極と、補助容量接続部と、を異なる金属膜により構成することも可能である。また、補助容量配線及び補助容量接続部と、補助容量電極と、を異なる金属膜により構成したり、補助容量配線と、補助容量電極及び補助容量接続部と、を異なる金属膜により構成したりすることも可能である。
（３）上記した各実施形態では、補助容量配線及び補助容量電極がゲート配線と重畳される配置を示したが、補助容量配線及び補助容量電極のうちの少なくとも一方がゲート配線とは非重畳の配置であっても構わない。例えば補助容量配線をゲート配線と重畳する配置としつつ、補助容量電極をゲート配線とは非重畳の配置とする場合には、補助容量電極を画素電極における長辺方向についての中央部分と重畳するよう配することが可能であるが、必ずしもその限りではない。また、実施形態６，７に記載した拡張補助容量電極についてもゲート配線と非重畳の配置とすることが可能である。
（４）上記した各実施形態以外にも、補助容量接続部の具体的な配索経路は適宜に変更可能である。その場合、表示モードなどに応じて画素部に生じ得る局所的な暗部などと重畳するよう補助容量接続部の配索経路を決定するのが好ましい。
（５）上記した実施形態２〜４に記載した構成に、ＰＳＡ（Polymer Sustained Alignment）技術を併用することも可能である。ＰＳＡ技術とは、電圧無印加時において液晶層に含まれる液晶分子にプレチルトを与える配向維持層を形成するものである。配向維持層は、液晶材料に予め混合しておいた光重合性モノマーを、液晶層に電圧を印加した状態で光重合することで形成される。配向維持層により電圧無印加時の液晶分子は基板面の法線方向から例えば２〜３°傾斜したプレチルト角と配向方位とに維持される。
（６）上記した実施形態３，４では、対向電極に形成した開口部の平面形状を方形または十字形とした場合を示したが、開口部の平面形状はこれら以外にも適宜に変更可能である。例えば、開口部の平面形状を、上記した実施形態２に記載した画素電極のようなフィッシュボーン型とすることができる。
（７）上記した実施形態３，４では、対向電極に開口部を設けるようにした場合を示したが、例えば対向電極と配向膜との間に誘電体で形成した突起を設けることで、ＣＦ基板の表面に凸部を形成するようにしても構わない。
（８）上記した実施形態６以外にも、補助容量配線及び拡張補助容量電極の具体的な配置やＹ軸方向について並ぶ２つの補助容量配線の間に介在する補助容量配線及び拡張補助容量電極の具体的な行数などは、適宜に変更可能である。
（９）上記した実施形態７では、Ｙ軸方向について隣り合う２つの補助容量配線の間に、２つの補助容量電極が介在するよう配された場合を示したが、間に介在する数を３つ以上に変更することも可能である。そのようにすれば、ソース重畳配線の延面距離をより長くすることができる。
（１０）上記した各実施形態では、アレイ基板に設けられる金属膜の材料として導電性に優れた銅及びアルミニウムを例示したが、それ以外にもチタン、モリブデン、タングステンなどを用いることも可能である。
（１１）上記した各実施形態（実施形態５を除く）では、液晶パネルが電圧無印加時に最低階調表示（黒表示）となるノーマリブラックとされる場合を示したが、それ以外にも、液晶パネルが電圧無印加時に最高階調表示（白表示）となるノーマリホワイトとされていても構わない。その場合、液晶パネルの表示モードとしては、ＴＮモードが好ましい。
（１２）上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの表示モードは、ＩＰＳモードやＦＦＳモードであっても構わない。その場合は、ＶＡモードなどにおいてＣＦ基板側に設置される対向電極に代えて、アレイ基板側に共通電極を設置すればよい。
（１３）上記した各実施形態では、アレイ基板においてＴＦＴがジグザグ状に平面配置された場合を示したが、ＴＦＴがマトリクス状に平面配置されていても構わない。
（１４）上記した各実施形態以外にも、液晶パネルの具体的な画面サイズや解像度は適宜に変更可能である。また、液晶パネルにおける画素部の具体的な配列ピッチについても適宜に変更可能である。
（１５）上記した各実施形態では、アレイ基板に複数のドライバが実装される場合を示したが、アレイ基板に１つのドライバを実装するようにしても構わない。
（１６）上記した各実施形態では、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜が酸化物半導体からなる場合を示したが、半導体膜がアモルファスシリコンからなるようにしてもよい。また、半導体膜はポリシリコンであってもよく、その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするのが好ましい。
（１７）上記した各実施形態では、液晶パネルの平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
（１８）上記した各実施形態では、液晶パネルを備えた液晶表示装置について例示したが、他の種類の表示パネル（有機ＥＬパネル、ＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示パネルなど）を備えた表示装置であっても構わない。
【符号の説明】
【００５９】
１１，２１１…液晶パネル（表示装置）、１１Ａ，２１１Ａ…ＣＦ基板（対向基板）、１１Ｂ…アレイ基板（表示装置用基板）、１７，１１７，２１７，３１７，４１７，５１７，６１７…画素電極、１８，５１８…ゲート配線（走査配線）、１９，５１９，６１９…ソース配線（信号配線）、２８…第１層間絶縁膜（絶縁膜）、３０…第２層間絶縁膜（絶縁膜）、３３，１３３，２３３，４３３，５３３，６３３…補助容量配線（第１補助容量部）、３４，１３４，２３４，４３４，５３４，６３４…補助容量電極（第２補助容量部）、３５，１３５，２３５，４３５，５３５，６３５…補助容量接続部、３６，１３６，５３６，６３６…ソース重畳配線（信号重畳配線）、３７…コンタクトホール、４７…拡張補助容量電極（第２補助容量部）、ＡＡ…表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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