(57)【要約】【課題】一態様において、研磨されたシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）を低減できるシリコンウェーハの製造方法の提供。【解決手段】本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法に関する。（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。  ただし、研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、成分ｂ１を実質的に含まない。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、成分ｂ１を実質的に含まない。
【請求項２】
成分ｂ１は、下記式（Ｉ）で表されるアニオン性界面活性剤である、請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
Ｒ1−(Ｏ)m−（ＥＯ）n−Ｘ-  Ｙ+          （Ｉ）
ただし、式（Ｉ）中、Ｒ1は、炭素数１０以上２０以下の炭化水素基であり、Ｘ-は、−ＳＯ3-、−ＣＯＯ-、−ＣＨ2ＣＯＯ-、及び−ＰＯ3-から選ばれる少なくとも１種であり、ＥＯは、エチレンオキサイド基を示し、ｍは０又は１であり、ｎは平均付加モル数を示し０以上１０以下の数あり、Ｙ+は、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及びアンモニウムイオンから選ばれる少なくとも１種である。
【請求項３】
工程（２）は、工程（１）で得られたシリコンウェーハを液体組成物Ｂ中で保管する工程である、請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
工程（２）において、シリコンウェーハの液体組成物Ｂへの浸漬時間が、１２０分以下である、請求項１から３のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の配合量が、０．００８質量％以上である、請求項１から４のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
液体組成物ＢのｐＨが、４以上９以下である、請求項１から５のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
研磨液組成物Ａが、砥粒、及び、成分ｂ１以外の水溶性高分子を含む、請求項１から６のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、シリコンウェーハ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコンウェーハ（ベアウェーハ）の表面欠陥（ＬＰＤ：Light point defects）や表面粗さ（ヘイズ：Ｈａｚｅ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。
【０００３】
シリコンウェーハの品質を向上する目的で、シリコンウェーハの研磨は多段階で行われている。研磨後のシリコンウェーハ表面に研磨くずや砥粒等由来のパーティクルが残留していると、表面欠陥発生の原因となる。通常、研磨後のシリコンウェーハは、ウェーハ表面に残留するパーティクルを除去するため洗浄工程へと運ばれるが、洗浄工程に運ばれるまでの間、水中で保管されている。これは、シリコンウェーハを大気中で保管すると、パーティクルがウェーハ表面に固着してしまい、洗浄工程での除去が難しくなるからである。
【０００４】
研磨後のウェーハ表面に残留するパーティクルを除去する方法としては、例えば、特許文献１には、アニオン性界面活性剤、有機溶剤及びアルカリ成分を含む洗浄剤を用いて洗浄する方法が開示されている。
特許文献２には、Ｃｕ濃度が０．０１ｐｐｂ以下の保管用水に研磨後のシリコンウェーハを保管する方法が開示されている。
特許文献３には、鏡面研磨後のリンス処理を経たシリコンウェーハの鏡面を親水化処理する方法が開示されている。
特許文献４には、液温が０〜１８℃の保管用水に研磨後のシリコンウェーハを保管する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２０６４８１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１５４３号公報
【特許文献３】特開２００７−２３５０３６号公報
【特許文献４】ＷＯ２００２／０７５７９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ウェーハ表面に残留するパーティクルがより微細化してきており、今まで以上にウェーハ表面に付着しやすいことから、研磨されたウェーハ表面に残留するパーティクルをより効果的に除去し、ウェーハの表面欠陥（ＬＰＤ）をより低減する方法が求められている。さらに、研磨されたウェーハの表面粗さ（ヘイズ）をより低減することも求められている。
【０００７】
そこで、本開示は、研磨されたシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）を低減できるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法に関する。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、成分ｂ１を実質的に含まない。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、研磨されたシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）を低減できるシリコンウェーハの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示は、研磨後のシリコンウェーハを、アニオン性界面活性剤を含む液体組成物に浸漬することで、研磨されたシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）を低減できるという知見に基づく。
【００１１】
すなわち、本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハ製造方法（以下、「本開示の製造方法」ともいう）に関する。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、成分ｂ１を実質的に含まない。
【００１２】
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
一般的に、シリコンウェーハの製造において、研磨機と洗浄機は一体型ではないため、研磨機から洗浄機まで搬送する必要がある。
本開示の製造方法では、研磨工程と洗浄工程との間に、研磨されたシリコンウェーハを液体組成物Ｂ中に浸漬させる工程を有している。これにより、液体組成物Ｂ中のアニオン性界面活性剤（成分ｂ１）の疎水基（アルキル基）がシリコンウェーハ表面に吸着し、ウェーハ表面に付着しているパーティクルが剥がれやすくなると考えられる。さらに、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）のアニオン性基の反発力により、砥粒粒子のウェーハ表面への再付着を抑制できると考えられる。このようにして、表面欠陥（ＬＰＤ）の原因となるパーティクルがウェーハ表面から除去されると考えられる。
さらに、成分ｂ１が基板表面を保護し、腐食を抑制することにより、研磨されたウェーハ表面の表面粗さ（ヘイズ）を低減できると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１３】
以下、上記工程（１）〜（３）の詳細を説明する。
【００１４】
［工程（１）：研磨工程］
本開示の製造方法における工程（１）は、被研磨シリコンウェーハを、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程（研磨工程）である。工程（１）は、一又は複数の実施形態において、最終の研磨工程及び／又は仕上げ研磨工程であることが好ましい。
【００１５】
［研磨液組成物Ａ］
工程（１）で使用する研磨液組成物Ａは、一又は複数の実施形態において、アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）を実質的に含まない研磨液組成物である。ここで、研磨液組成物Ａが成分ｂ１を実質的に含まないとは、研磨液組成物Ａ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。研磨液組成物Ａとしては、一又は複数の実施形態において、砥粒（以下、「成分ａ１」ともいう）、成分ｂ１以外の水溶性高分子（以下、「成分ａ２」ともいう）、及び水系媒体を含有するものが挙げられる。
【００１６】
＜砥粒（成分ａ１）＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる砥粒（成分ａ１）としては、例えば、シリカ粒子、酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子等が挙げられ、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分ａ１は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１７】
成分ａ１の使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示の研磨液組成物Ａに含まれる成分ａ１がコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコンウェーハの汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、例えば、従来から公知の方法によって作製できる。
【００１８】
成分ａ１の平均一次粒子径は、研磨速度の確保の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、研磨速度の確保、並びに、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、４０ｎｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましい。
特に、成分ａ１としてコロイダルシリカを用いた場合、成分ａ１の平均一次粒子径は、研磨速度の確保、並びに、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０ｎｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましい。さらに同様の観点から、成分ａ１の平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、成分ａ１の平均一次粒子径は、窒素吸着（ＢＥＴ）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出できる。
【００１９】
成分ａ１の平均二次粒子径は、研磨速度の確保、並びに、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。成分ａ１がシリカ粒子である場合、成分ａ１の平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上７５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましい。成分ａ１がセリア粒子である場合、成分ａ１の平均二次粒子径は、１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましく、１３ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以上１７０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、例えば、実施例に記載の装置を用いて測定できる。
【００２０】
本開示の研磨液組成物Ａ中の成分ａ１の含有量は、研磨速度確保の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．０４質量％以上が好ましく、０．０９質量％以上がより好ましく、０．１３質量％以上が更に好ましく、そして、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０．５質量％以下が好ましく、０．４質量％以下がより好ましく、０．３質量％以下が更に好ましい。研磨液組成物Ａ中の成分ａ１の含有量は、研磨速度確保、並びに表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、ＳｉＯ2換算で、０．０４質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．０９質量％以上０．４質量％以下がより好ましく、０．１３質量％以上０．３質量％以下が更に好ましい。成分ａ１が２種以上の砥粒からなる場合、成分ａ１の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００２１】
＜水溶性高分子（成分ａ２）＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる水溶性高分子（成分ａ２）は、成分ｂ１以外の水溶性高分子である。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。成分ａ２は、１種単独でも用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２２】
成分ａ２としては、例えば、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール系重合体、ポリビニルリン誘導体、ポリビニルアルキルエーテル誘導体、ポリグリセリン誘導体、エチレンオキシド基を有する水溶性高分子、アミド基を有する水溶性高分子等が例示できる。
【００２３】
成分ａ２のセルロース誘導体としては、例えば、カルボキシメチルセルロ−ス、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース等が挙げられる。
【００２４】
成分ａ２のポリビニルアルコール系重合体としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アルキレンオキサイド変性ＰＶＡ、カチオン変性ＰＶＡ、アニオン変性ＰＶＡ、アルキル変性ＰＶＡ、ヒドロキシアルキル変性ＰＶＡ等が挙げられる。
【００２５】
成分ａ２のポリビニルリン誘導体としては、例えば、ポリジメチルビニルホスホナート、ポリジエチルビニルホスホナート、ポリジイソプロピルホスホナート、ポリ１−（ジメトキシホスフィニル）−１−メチルエテン、１−（ジメトキシホスフィニル）１−１フェニルエテン、ポリ１−（ジメトキシホスフィニル）−２−フェニルエテン、ポリジメチル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジメチル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジイソプロピル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジフェニルビニルホスホナート、ポリ２−（ジメトキシホスフィニル）−１−オクテン、ポリビニルリン酸等が挙げられる。
【００２６】
成分ａ２のポリビニルアルキルエーテル誘導体としては、例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル等が挙げられる。
【００２７】
成分ａ２のポリグリセリン誘導体としては、例えば、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルケニルエーテル、ポリグリセリンフェニルエーテル、ポリグリセリンアルキルフェニルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ポリグリセリンアルケニルエステル、ポリグリセリンフェニルエステル、ポリグリセリンアルキルフェニルエステル等が挙げられる。
【００２８】
成分ａ２のエチレンオキシド基を有する水溶性高分子としては、例えば、モノメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（ＰＥＧＭＡ）の単独重合体、メタクリル酸とＰＥＧＭＡとの共重合体、プルロニック型高分子（ＥＯ・ＰＯブロックポリマー）等が挙げられる。
【００２９】
成分ａ２のアミド基を有する水溶性高分子としては、例えば、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリメチルアクリルアミド、ポリジエチルアクリルアミド、ポリＮ−イソプロピルアクリルアミド、ポリＮ−ヒドロキシエチルアクリルアミド（ｐＨＥＡＡ）、ポリＮ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、ポリｔ−ブチルアクリルアミド、ポリｎ−ブチルアクリルアミポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン、ポリアクロイルモルホリン等が挙げられる。
【００３０】
成分ａ２の重量平均分子量は、研磨速度確保の観点から、０．１万以上が好ましく、１万以上がより好ましく、５万以上が更に好ましく、２０万以上が更に好ましく、そして、シリカ粒子の凝集抑制の観点から、１５０万以下が好ましく、１１０万以下がより好ましく、９０万以下が更に好ましく、３０万以下が更に好ましい。成分ａ２の重量平均分子量は、研磨速度確保及びシリカ粒子の凝集抑制の観点から、０．１万以上１５０万以下が好ましく、１万以上１１０万以下がより好ましく、５万以上９０万以下が更に好ましく、２０万以上３０万以下が更に好ましい。が更に好ましい。本開示において重量平均分子量は、液体クロマトグラフィー（株式会社日立製作所製、Ｌ−６０００型高速液体クロマトグラフィー）を使用し、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって下記条件で測定できる。
【００３１】
本開示の研磨液組成物Ａ中の成分ａ２の含有量は、研磨速度確保、並びに、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０．０００５質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以下が更により好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａ中の成分ａ２の含有量は、０．０００５質量％以上１質量％以下が好ましく、０．００１質量％以上、０．５質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上０．１質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。成分ａ２が２種以上の水溶性高分子からなる場合、成分ａ２の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００３２】
＜水系媒体＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる水系媒体としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が好ましい。本開示の研磨液組成物Ａ中の水系媒体の含有量は、成分ａ１、成分ａ２及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００３３】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物Ａは、本開示の効果が妨げられない範囲で、更に、ｐＨ調整剤、塩基性化合物、防腐剤、アルコール類、キレート剤、及び成分ｂ１以外の界面活性剤から選ばれる少なくとも１種のその他の成分が含まれてもよい。前記その他の成分は、本開示の効果を損なわない範囲で、研磨液組成物中に含有されることが好ましく、研磨液組成物Ａ中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａ中のその他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％超１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
【００３４】
ｐＨ調整剤としては、例えば、酸性化合物及びアルカリ化合物が挙げられる。酸性化合物としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸；及び、酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸等の有機酸；から選ばれる１種以上が挙げられる。アルカリ化合物としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム等の無機アルカリ化合物；及び、アルキルアミン、アルカノールアミン等の有機アルカリ化合物；から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３５】
本開示の研磨液組成物Ａは、例えば、成分ａ１、成分ａ２及び水系媒体、並びに所望により上述したその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。本開示において「配合する」とは、成分ａ１、成分ａ２、及び水系媒体、並びに必要に応じて上述したその他の成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示において、研磨液組成物Ａの製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量と同じとすることができる。
【００３６】
本開示において、「研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量」は、研磨液組成物Ａの使用時、すなわち、研磨液組成物Ａの研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。
【００３７】
本開示の研磨液組成物Ａの２５℃におけるｐＨは、研磨速度確保の観点から、９以上が好ましく、９．５以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１２以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａの２５℃におけるｐＨは、９以上１２以下が好ましく、９．５以上１１．５以下がより好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。ｐＨの調整は、後述するｐＨ調整剤を適宜添加して行うことができる。ここで、２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値とすることができる。
【００３８】
［被研磨シリコンウェーハ］
本開示の研磨液組成物Ａの研磨対象である被研磨シリコンウェーハとしては、例えば、単結晶１００面シリコンウェーハ、１１１面シリコンウェーハ、１１０面シリコンウェーハ等が挙げられる。シリコンウェーハの抵抗率としては、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上、更により好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上であり、そして、好ましくは１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは２０Ω・ｃｍ以下である。同様の観点から、シリコンウェーハの抵抗率は、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下であり、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上２０Ω・ｃｍ以下である。
【００３９】
工程（１）は、例えば、単結晶シリコンインゴットを薄円板状にスライスすることにより得られた単結晶シリコンウェーハを平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピングされた単結晶シリコンウェーハをエッチングした後、単結晶シリコンウェーハ表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とを含むことができる。本開示の研磨液組成物Ａは、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。
【００４０】
工程（１）では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨シリコンウェーハを挟み込み、３〜２０ｋＰａの研磨圧力で被研磨シリコンウェーハを研磨することができる。
【００４１】
上記研磨圧力とは、研磨時に被研磨シリコンウェーハの被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。研磨圧力は、研磨速度を向上させ経済的に研磨を行う観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、４ｋＰａ以上がより好ましく、５ｋＰａ以上が更に好ましく、５．５ｋＰａ以上が更により好ましい。そして、表面品質を向上させ、且つ研磨されたシリコンウェーハにおける残留応力を緩和する観点から、研磨圧力は、２０ｋＰａ以下が好ましく、１８ｋＰａ以下がより好ましく、１６ｋＰａ以下が更に好ましい。同様の観点から、研磨圧力は、３ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下が好ましく、４ｋＰａ以上１８ｋＰａ以下がより好ましく、５ｋＰａ以上１６ｋＰａ以下が更に好ましく、５．５ｋＰａ以上１６ｋＰａ以下が更により好ましい。
【００４２】
工程（１）では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨シリコンウェーハを挟み込み、１５℃以上４０℃以下の研磨液組成物Ａ及び研磨パッド表面温度で被研磨シリコンウェーハを研磨することができる。研磨液組成物Ａの温度及び研磨パッド表面温度としては、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、１５℃以上が好ましく、２０℃以上がより好ましく、そして、４０℃以下が好ましく、３０℃以下がより好ましく、２５℃以下が更に好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａの温度及び研磨パッド表面温度は、１５℃以上４０℃以下が好ましく、２０℃以上３０℃以下がより好ましく、２０℃以上２５℃以下が更に好ましい。
【００４３】
工程（１）は、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ａを用いて研磨されたシリコンウェーハを、成分ｂ１を実質的に含まないリンス剤組成物Ｄを用いてリンスする工程をさらに含むことができる。ここで、リンス剤組成物Ｄが成分ｂ１を実質的に含まないとは、リンス剤組成物Ｄ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。リンスする方法としては、例えば、研磨されたシリコンウェーハをリンス剤組成物Ｄとの接触下に、研磨パッド上で押圧しながら回転させる方法が挙げられる。リンス剤組成物Ｄとしては、一又は複数の実施形態において、成分ｂ１以外の水溶性高分子を含むリンス剤組成物が挙げられる。リンス剤組成物Ｄに含まれる水溶性高分子としては、例えば、上述した成分ａ２と同じものを用いることができる。
【００４４】
［工程（２）：浸漬工程］
工程（２）は、工程（１）で得られたシリコンウェーハを液体組成物Ｂに浸漬する工程（浸漬工程）である。工程（２）は、一又は複数の実施形態において、工程（１）で得られたシリコンウェーハを液体組成物Ｂに浸漬し、工程（３）に運ばれるまで保管する工程であってもよい。
【００４５】
［液体組成物Ｂ］
＜アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）＞
工程（２）で使用する液体組成物Ｂに含まれるアニオン性界面活性剤（成分ｂ１）としては、例えば、硫酸基、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するアニオン性界面活性剤が挙げられる。表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、成分ｂ１は、下記式（Ｉ）で表されるアニオン性界面活性剤が好ましい。成分ｂ１は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４６】
Ｒ1−（Ｏ）m−（ＥＯ）n−Ｘ-  Ｙ+          （Ｉ）
【００４７】
式（Ｉ）中、Ｒ1は、炭素数１０以上２０以下の炭化水素基であり、Ｘ-は、−ＳＯ3-、−ＣＯＯ-、−ＣＨ2ＣＯＯ-、及び−ＰＯ3-から選ばれる少なくとも１種であり、ＥＯは、エチレンオキサイド基を示し、ｍは０又は１であり、ｎは、平均付加モル数を示し０以上１０以下の数あり、Ｙ+は、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及びアンモニウムイオンから選ばれる少なくとも１種である。
【００４８】
式（Ｉ）において、Ｒ1は、炭素数１０以上２０以下の炭化水素基を示す。Ｒ1の炭素数は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、１０以上が好ましく、１２以上がより好ましく、そして、２０以下が好ましく、１８以下がより好ましい。同様の観点から、Ｒ1の炭化水素基は、直鎖でも分岐鎖でもよく、好ましくは分岐鎖である。同様の観点から、Ｒ1の炭化水素基は、飽和でも不飽和でもよく、好ましくは飽和である。
【００４９】
式（Ｉ）において、Ｘ-は、−ＳＯ3-、−ＣＯＯ-、−ＣＨ2ＣＯＯ-、及び−ＰＯ3-から選ばれる少なくとも１種であり、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、−ＳＯ3-が好ましい。
【００５０】
式（Ｉ）において、ｎは０以上１０以下の数であり、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０以上１０以下が好ましい、０以上５以下がより好ましく、０以上３以下が更に好ましい。
【００５１】
式（Ｉ）において、Ｙ+は、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン及びアンモニウムイオンから選ばれる少なくとも１種である。アルカリ金属イオンを構成するアルカリ金属としては、例えば、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属イオンを構成するアルカリ土類金属としては、例えば、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。
【００５２】
成分ｂ１の具体例としては、例えば、ラウリル硫酸アンモニウム、ミリスチル硫酸アンモニウム、ヘキサデキシル硫酸アンモニウム、ラウリル硫酸ナトリウム、デシル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ヘキサデキシル硫酸ナトリウム、２−ブチル−１−ｎ−オクチル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレン（２）ラウリルエーテル硫酸ナトリウム、ラウリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレン（２．５）ラウリル酸ナトリウム、ラウリルリン酸ナトリウム、ポリオキシエチレン（２）ラウリルリン酸ナトリウム等が挙げられる。
【００５３】
液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の含有量は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０．００８質量％以上が好ましく、０．０１５質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０４質量％以上が更に好ましく、そして、コストや泡立ち観点から、３質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の含有量は、０．００８質量％以上３質量％以下が好ましく、０．０１５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０４質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。成分ｂ１が２種以上のアニオン性界面活性剤からなる場合、成分ｂ１の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００５４】
＜水＞
液体組成物Ｂは、媒体として水を含有する。水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。液体組成物Ｂ中の水の含有量は、成分ｂ１及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００５５】
＜消泡剤（成分ｂ２）＞
液体組成物Ｂは、消泡剤ｂ２（以下、「成分ｂ２」ともいう）をさらに含むことができる。成分ｂ２としては、例えば、シリコーン系消泡剤、ポリエーテル系消泡剤、高級アルコール系消泡剤が挙げられる。成分ｂ２は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。液体組成物Ｂ中の成分ｂ２の含有量は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、消泡剤成分の残留の観点から、５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましい。成分ｂ２が２種以上の消泡剤からなる場合、成分ｂ２の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００５６】
液体組成物Ｂは、本開示の効果が妨げられない範囲で、成分ｂ１、成分ｂ２及び水以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、ｐＨ調整剤、キレート剤が挙げられる。ｐＨ調整剤としては、上述した研磨液組成物ＡのｐＨ調整剤と同じものが挙げられる。
【００５７】
液体組成物Ｂは、一又は複数の実施形態において、塩基性の窒素含有有機化合物を実質的に含まないものであってもよい。ここで、液体組成物Ｂが前記窒素含有有機化合物を実質的に含まないとは、液体組成物Ｂ中の前記窒素含有有機化合物の含有量が０．０１質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。
【００５８】
本開示における液体組成物Ｂは、成分ｂ１、水、及び、所望により上述した任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、液体組成物Ｂは、少なくとも成分ｂ１及び水を配合してなるものとすることができる。成分ｂ１が複数種類のアニオン性界面活性剤の組合せである場合、成分ｂ１は、複数種類のアニオン性界面活性剤をそれぞれ配合することにより得ることができる。ここで、「配合する」とは、成分ｂ１及び水、並びに必要に応じて上述した任意成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示において、液体組成物Ｂの製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示における液体組成物Ｂ中の各成分の含有量と同じとすることができる。
【００５９】
液体組成物ＢのｐＨは、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、４以上９以下が好ましい。本開示において、液体組成物ＢのｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
【００６０】
本開示において、「液体組成物Ｂ中の各成分の含有量」は、液体組成物Ｂの使用時、すなわち、液体組成物Ｂをシリコンウェーハの浸漬に使用する時点（浸漬時）における前記各成分の含有量をいう。
【００６１】
液体組成物Ｂの温度は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、１０℃以上が好ましく、１３℃以上がより好ましく、１５℃以上が更に好ましく、１８℃超以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０℃以下が好ましく、３０℃以下がより好ましく、２５℃以下が更に好ましい。同様の観点から、液体組成物Ｂの温度は、１０℃以上４０℃以下が好ましく、１３℃以上４０℃以下が好ましく、１５℃以上４０℃以下が更に好ましく、１８℃超４０℃以下が更に好ましく、１８℃超３０℃以下が更に好ましく、１８℃超２５℃以下が更に好ましい。
【００６２】
工程（２）において、工程（１）で得られたシリコンウェーハの液体組成物Ｂへの浸漬時間は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、1分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、１０分以上が更に好ましい、そして、同様の観点から、１２０分以下が好ましく、９０分以下がより好ましく、６０分以下が更に好ましく、４５分以下が更に好ましい。同様の観点から、浸漬時間は、１分以上１２０分以下が好ましく、５分以上９０分以下がより好ましく、１０分以上６０分以下が更に好ましく、１０分以上４５分以下が更に好ましい。
【００６３】
工程（２）において、シリコンウェーハの表面の面積（ｍ2）と液体組成物Ｂの量（Ｌ）の比（面積／液体組成物Ｂの量）は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、０．０１以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０３以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．１以下が好ましく、０．０８以下がより好ましく、０．０６以下が更に好ましい。同様の観点から、シリコンウェーハの表面の面積（ｍ2）と液体組成物Ｂの量（Ｌ）の比は、０．０１以上０．１以下が好ましく、０．０２以上０．０８以下がより好ましく、０．０３以上０．０６以下が更に好ましい。
【００６４】
［工程（３）：洗浄工程］
工程（３）は、工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程（洗浄工程）である。洗浄剤組成物Ｃは、一又は複数の実施形態において、成分ｂ１を実質的に含まない洗浄剤組成物である。ここで、洗浄剤組成物Ｃが成分ｂ１を実質的に含まないとは、洗浄剤組成物Ｃ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。洗浄剤組成物Ｃは、一又は複数の実施形態において、洗浄性向上の観点から、有機化合物を実質的に含まないことが好ましい。ここで、洗浄剤組成物Ｃが有機化合物を実質的に含まないとは、洗浄剤組成物Ｃ中の有機化合物の含有量が０．１質量％以下、好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは実質的に０質量％であることをいう。
【００６５】
工程（３）の洗浄は、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の観点から、無機物洗浄が好ましく、例えば、一般的に用いられているＲＣＡ洗浄やＳＣＲＯＤ洗浄を用いることができる。
【００６６】
ＲＣＡ洗浄とは、基本的には、ウェーハ表面に付着したパーティクルの除去に使用されるＳＣ１洗浄、及び、ウェーハ表面に付着した重金属の除去に使用されるＳＣ２洗浄を含み、必要に応じて、ウェーハ表面に付着した有機物の除去に使用されるＳＰＭ洗浄、及び、ウェーハ表面の不要な酸化膜の除去に使用されるＤＨＦ洗浄を含むものである。ＳＣＲＯＤ洗浄は、パーティクルの除去や重金属の除去に使用されるものである。ＲＣＡ洗浄及びＳＣＲＯＤ洗浄の洗浄方法としては、例えば、浸漬洗浄法や枚葉洗浄法が挙げられる。
ＳＣ１洗浄では、例えば、アンモニアと過酸化水素と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣ２洗浄では、例えば、塩酸と過酸化水素水と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＰＭ洗浄では、例えば、硫酸と過酸化水素水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＤＨＦ洗浄では、例えば、フッ酸と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣＲＯＤ洗浄では、オゾン水やフッ酸が用いられる。
上述した洗浄の各洗浄工程の後に、水でリンスし、乾燥する工程が含まれていてもよい。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【００６８】
１．液体組成物Ｂの調製
表１に記載の組成となるよう各成分を表１に示す割合（質量％、有効分）で配合して混合することとにより、実施例１〜１４及び比較例１〜９の液体組成物Ｂを調製した。ｐＨは４以上９以下であった。
【００６９】
表１に示す実施例１〜１４及び比較例１〜９の液体組成物Ｂの調製に用いた各成分には、以下のものを使用した。
＜アニオン性界面活性剤（成分ｂ１）＞
ラウリル硫酸アンモニウム/ミリスチル硫酸アンモニウム/ヘキサデキシル硫酸アンモニウム(=9/4/2)［花王社製、ＫＰ−３１００］（実施例１、比較例９）
ラウリル硫酸ナトリウム［花王社製、エマール  ０］
デシル硫酸ナトリウム［花王社製、エマール  ３Ｆ］
ミリスチル硫酸ナトリウム［和光純薬社製、硫酸ナトリウムミリスチル］
ヘキサデキシル硫酸ナトリウム［和光純薬社製］
２−ブチル−１−ｎ−オクチル硫酸ナトリウム[合成品]
（２−ブチル−１−ｎ−オクチル硫酸ナトリウムの合成例：２−ブチル−１−ｎ−オクタノール［東京化成工業社製］２５ｇを入れ、０℃に冷却した容器に、クロロスルホン酸［東京化成工業社製］１６．５ｇを３０分かけて滴下し、１０分攪拌した。続いて水酸化ナトリウム［東京化成工業社製］を用いて作成した５０％水溶液をｐHが１０になるまで攪拌しながら、滴下した。その後、ヘキサン［和光純薬社製］を用いて抽出し、凍結乾燥することで２−ブチル−１−ｎ−オクチル硫酸ナトリウムを３２．１ｇ得た。）
ポリオキシエチレン（２）ラウリルエーテル硫酸ナトリウム［花王社製、エマール  ２７０Ｊ］
Ｃ１８ＩＯＳ［炭素数１８の内部オレフィンスルホン酸ナトリウム、合成品］
（Ｃ１８ＩＯＳの合成例：特開２０１６−３５００９号公報の段落［００６３］〜［００６５］に記載の方法により炭素数１８の内部オレフィンスルホン酸ナトリウムを合成した。）
ラウリル酸ナトリウム［東京化成工業社製］
ポリオキシエチレン（４．５）ラウリン酸ナトリウム［花王社製、カオーアキポ  ＲＬＭ−４５ＮＶ］
ラウリルリン酸ナトリウム［日光ケミカルズ社製、ＮＩＫＫＯＬ  ＳＬＰ−Ｎ］
ポリオキシエチレン（２）ラウリルリン酸ナトリウム［花王社製、エレクトロストリッパーＦ］
＜ノニオン性界面活性剤（非成分ｂ１）＞
ポリオキシエチレン（２０）アルキル（sec-C12-14）エーテル［日本触媒社製、ソフタノール２００］
ポリオキシエチレン（８）オクチルフェニルエーテル［和光純薬社製］
ポリオキシエチレン（６）ポリオキシプロピレン（１．５）ラウリルミリスチルエーテル［花王社製、エマルゲンＬＳ−１０６］
＜カチオン性界面活性剤（非成分ｂ１）＞
ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド［花王社製、コータミン２４Ｐ］
＜酸＞
クエン酸［和光純薬社製］
＜水＞
超純水
【００７０】
２．各種パラメータの測定方法
［研磨液組成物Ａ及び液体組成物ＢのｐＨ］
研磨液組成物Ａ及び液体組成物ＢのｐＨ２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜電波工業社製、「ＨＭ−３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物Ａ又は液体組成物Ｂへ浸漬して１分後の数値である。
【００７１】
［砥粒（シリカ粒子）の平均二次粒子径］
シリカ粒子の平均二次粒子径（ｎｍ）は、シリカ粒子の濃度が０．１５質量％となるようにイオン交換水で希釈した後、得られた水溶液を、Ｄｉｓｐｏｓａｂｌｅ  Ｓｉｚｉｎｇ  Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製、１０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：ゼータサイザーＮａｎｏ  ＺＳ、シスメックス社製）を用いて２５℃、積算１０回、平衡時間０分の条件で測定した。粒子パラメータとして水の屈折率１．３３３、吸収係数０を用い、Ｚ平均値を平均二次粒子径とした。
【００７２】
３．評価
下記の評価用基板を用いて、工程（１）、工程（２）及び工程（３）を順に行い、シリコンウェーハ表面の表面欠陥及び表面粗さを評価した。
【００７３】
［工程（１）：研磨］
シリカ粒子（コロイダルシリカ、平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、扶桑化学社製の「PL-3」）、ＨＥＣ（重量平均分子量２５万、ダイセル社製の「SE400」）、アンモニア及び超純水を混合して研磨液組成物Ａを調製した。研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．３質量％、ＨＥＣが０．０１５質量％、アンモニアが０．０１５質量％であり、その残余が超純水である。研磨液組成物ＡのｐＨは、１０．７であった。
調製した研磨液組成物Ａ（２５℃）を研磨直前にフィルター（コンパクトカートリッジフィルター  ＭＣＰ−ＬＸ−Ｃ１０Ｓ  アドバンテック株式会社）にてろ過を行い、下記の研磨条件で被研磨シリコンウェーハ（直径２００ｍｍ、シリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型Ｐ、結晶方位１００、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満）に対して仕上げ研磨を行った。当該仕上げ研磨に先立ってシリコンウェーハに対して市販の研磨液組成物を用いてあらかじめ粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハの表面粗さ（Ｈａｚｅ）は、２．６８０ｐｐｍ（ＤＷＯ）及び６．３３０ｐｐｍ（ＤＮＮ）であった。前記Ｈａｚｅの測定値は、後述の洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ（Ｈａｚｅ）の評価と同じ方法によるものである。
＜研磨条件＞
研磨機：片面８インチ研磨機（岡本工作機械製作所製「ＳＰＰ６００Ｓ」）
研磨パッド：スエードパッド（東レ  コーテックス社製、アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０ｕｍ、開口径：６０ｕｍ）
シリコンウェーハ研磨圧力：１００ｇ／ｃｍ2
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：１５０ｇ／分
研磨液組成物の温度：２５℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
【００７４】
［工程（２）：浸漬］
研磨液組成物Ａで研磨されたシリコンウェーハ（表面積０．０３１４ｍ2）を、調製した各液体組成物Ｂ（温度２５℃）１Ｌに１分間浸漬した。
【００７５】
［工程（３）：洗浄］
浸漬されたシリコンウェーハに対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。
オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ純水をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎで、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。
次に、希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス社製）を含んだ純水をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎで、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって６秒間噴射した。
上記のオゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして合計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１５００ｒｐｍでシリコンウェーハを回転させた。
なお、比較例９に関しては、上記の「２０ｐｐｍのオゾンを含んだ純水」および「０．５％のフッ化水素アンモニウム（特級、ナカライテクス社製）を含んだ純水」に替えて、浸漬工程で使用した液体組成物Ｂ（表１記載）を用いて洗浄を行った。
【００７６】
［シリコンウェーハの表面粗さ（Ｈａｚｅ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の評価］
洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ（Ｈａｚｅ）の評価には、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ１−ＤＬＳ」（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値を用いた。また、表面欠陥（ＬＰＤ）は、Ｈａｚｅ測定時に同時に測定され、シリコンウェーハ表面上の粒径が４５ｎｍ以上のパーティクル数を測定することによって評価した。表面欠陥（ＬＰＤ）の評価結果は、数値が小さいほど表面欠陥が少ないことを示す。また、Ｈａｚｅ（ＤＷＯ）の数値は小さいほど、表面の平滑性が高いことを示す。表面粗さ（Ｈａｚｅ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の測定は、各々２枚のシリコンウェーハに対して行い、各々平均値を表１に示した。
【００７７】
【表１】
2019117816.tif 000002
【００７８】
表１に示されるように、所定のアニオン性界面活性剤を含む液体組成物を用いた実施例１〜１４では、比較例１〜９に比べて、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）が低減されていた。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本開示によれば、表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）が低減されたシリコンウェーハを製造でき、半導体基板の量産において有用である。