(57)【要約】【課題】素子特性を正確に測定することができる半導体検査治具を得る。【解決手段】治具本体１の上面に凹部２が設けられている。プリント基板３が治具本体１の上面に設けられている。ＧＮＤブロック８及び第１及び第２のブロック９，１０が凹部２に設けられている。第１及び第２のブロック９，１０はＧＮＤブロック８を挟み込む。押上げ部１１がＧＮＤブロック８を凹部２の底面から押し上げる。第１及び第２の押し付け部１２，１３が、第１及び第２のブロック９，１０をそれぞれＧＮＤブロック８の対向する第１及び第２の側面８ａ，８ｂに押し付ける。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凹部を有する治具本体と、
前記治具本体の前記上面に設けられたプリント基板と、
前記凹部に設けられ、対向する第１及び第２の側面を有するＧＮＤブロックと、
前記凹部に設けられ、前記ＧＮＤブロックを挟み込む第１及び第２のブロックと、
前記ＧＮＤブロックを前記凹部の底面から押し上げる押上げ部と、
前記第１及び第２のブロックをそれぞれ前記ＧＮＤブロックの前記第１及び第２の側面に押し付ける第１及び第２の押し付け部とを備えることを特徴とする半導体検査治具。
【請求項２】
前記ＧＮＤブロックの上面は、検査対象である半導体素子のパッケージ裏面に設けられた裏面電極に接触し、
前記プリント基板の上面に設けられた伝送線路は、前記半導体素子のパッケージ側面から突出したリードに接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体検査治具。
【請求項３】
前記ＧＮＤブロックの前記第１及び第２の側面は傾斜面であり、
前記第１及び第２のブロックは、前記第１及び第２の側面にそれぞれ面接触する第１及び第２の傾斜面を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体検査治具。
【請求項４】
前記ＧＮＤブロックの断面形状は前記第１の側面の側と前記第２の側面の側で対称であることを特徴とする請求項３に記載の半導体検査治具。
【請求項５】
前記ＧＮＤブロックの断面形状は逆台形であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体検査治具。
【請求項６】
前記ＧＮＤブロックの断面形状は台形であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体検査治具。
【請求項７】
前記ＧＮＤブロックは平面視で複数に分割されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体検査治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の検査に使用される半導体検査治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波電力増幅器のＲＦテストでは、検査する素子のリードをプリント基板の伝送線路に接触させ、素子裏面にＧＮＤブロックを接触させる。素子が反っていると、素子裏面とＧＮＤブロックの接触が悪くなり素子の放熱性が悪化する。これにより素子の温度が上昇し素子特性を正確に測定できない。両者の間に導電性のコンタクトシートを設けても長期の使用により摩耗していく。これに対して、ＧＮＤブロックを傾斜面をスライドさせながら素子裏面に押し当てる半導体検査治具が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２９５３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＧＮＤブロックをスライドさせるためにＧＮＤブロックとプリント基板の間隔を広くとる必要がある。従って、ＧＮＤブロック上で素子を置く位置によって素子のリードとプリント基板の伝送線路の接触状態が変動するため、素子特性の測定値が変動し、素子特性を正確に測定することができなかった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は素子特性を正確に測定することができる半導体検査治具を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体検査治具は、上面に凹部を有する治具本体と、前記治具本体の前記上面に設けられたプリント基板と、前記凹部に設けられ、対向する第１及び第２の側面を有するＧＮＤブロックと、前記凹部に設けられ、前記ＧＮＤブロックを挟み込む第１及び第２のブロックと、前記ＧＮＤブロックを前記凹部の底面から押し上げる押上げ部と、前記第１及び第２のブロックをそれぞれ前記ＧＮＤブロックの前記第１及び第２の側面に押し付ける第１及び第２の押し付け部とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、ＧＮＤブロックが押上げ部により押し上げられることで半導体素子の裏面電極との密着性が向上し、半導体素子の放熱性が向上する。また、第１及び第２の押し付け部が第１及び第２のブロックをそれぞれＧＮＤブロックの第１及び第２の側面に押し付けて両者の隙間を無くすことで、熱が水平方向にも広がるため、放熱性が向上する。また、ＧＮＤブロックを水平方向にスライドさせる必要はないため、ＧＮＤブロックとプリント基板の間隔を狭くできる。従って、ＧＮＤブロック上に置いた半導体素子とプリント基板の間隔のバラツキが少ないため、素子特性の測定値の変動は少なくなる。この結果、素子特性を正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る半導体検査治具を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体検査治具を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体検査治具に半導体素子が置かれた状態を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体検査治具の変形例を示す断面図である。
【図５】実施の形態２に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。
【図６】実施の形態３に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。
【図７】実施の形態４に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。
【図８】実施の形態５に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態に係る半導体検査治具について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体検査治具を示す斜視図である。図２は、実施の形態１に係る半導体検査治具を示す断面図である。図３は、実施の形態１に係る半導体検査治具に半導体素子が置かれた状態を示す断面図である。
【００１１】
治具本体１の上面に凹部２が設けられている。プリント基板３が治具本体１の上面に設けられている。プリント基板３は、誘電体の上面に伝送線路４、下面にＧＮＤ導体５が設けられたマイクロストリップラインである。伝送線路４にＲＦコネクタ６が接続されている。コネクタサポート７がＲＦコネクタ６を保持する。
【００１２】
ＧＮＤブロック８及び第１及び第２のブロック９，１０が凹部２に設けられている。第１及び第２のブロック９，１０は水平方向に可動してＧＮＤブロック８を挟み込む。バネ１１がＧＮＤブロック８を凹部２の底面から押し上げる。バネ１２，１３が、第１及び第２のブロック９，１０をそれぞれＧＮＤブロック８の対向する第１及び第２の側面８ａ，８ｂに押し付ける。
【００１３】
ＧＮＤブロック８の第１及び第２の側面８ａ，８ｂは傾斜面である。第１及び第２のブロック９，１０は、第１及び第２の側面８ａ，８ｂにそれぞれ面接触する第１及び第２の傾斜面９ａ，１０ａを有する。
【００１４】
コレット１４は素子押さえ部１５とリード押さえ部１６を有する。リード押さえ部１６はシャフト付きネジ１７により上下方向に移動可能に取り付けられ、バネ１８により下方に押されている。
【００１５】
半導体素子１９の検査を行う際、半導体素子１９をＧＮＤブロック８上に置く。そして、コレット１４の素子押さえ部１５が半導体素子１９に荷重をかける。これにより、ＧＮＤブロック８の上面は、検査対象である半導体素子１９のパッケージ裏面に設けられた裏面電極２０に接触する。リード押さえ部１６が半導体素子１９のリード２１を押さえつける。これにより、プリント基板３の上面に設けられた伝送線路４は、半導体素子１９のパッケージ側面から突出したリード２１に接触する。この際にＧＮＤブロック８が下に動くと、ＧＮＤブロック８を挟み込む第１及び第２のブロック９，１０は左右に広がる。
【００１６】
本実施の形態では、ＧＮＤブロック８がバネ１１により押し上げられることで半導体素子１９の裏面電極２０との密着性が向上し、半導体素子１９の放熱性が向上する。また、バネ１２，１３が第１及び第２のブロック９，１０をそれぞれＧＮＤブロック８の第１及び第２の側面８ａ，８ｂに押し付けて両者の隙間を無くすことで、熱が水平方向にも広がるため、放熱性が向上する。また、ＧＮＤブロック８を水平方向にスライドさせる必要はないため、ＧＮＤブロック８とプリント基板３の間隔を狭くできる。従って、ＧＮＤブロック８上に置いた半導体素子１９とプリント基板３の間隔Ｗ１，Ｗ２のバラツキが少ないため、素子特性の測定値の変動は少なくなる。この結果、素子特性を正確に測定することができる。
【００１７】
また、ＧＮＤブロック８の断面形状は第１の側面８ａの側と第２の側面８ｂの側で対称である。これにより、半導体素子１９をＧＮＤブロック８に押し付ける際に左右のバネ１２，１３に均等に横方向圧力がかかり、ＧＮＤブロック８が真下に押し下げられる。従って、半導体素子１９とＧＮＤブロック８が接触した後に両者が左右に擦れることはないため、半導体素子１９の裏面電極２０に傷がつかない。
【００１８】
また、ＧＮＤブロック８の断面形状は逆台形である。これにより、第１及び第２のブロック９，１０をＧＮＤブロック８の第１及び第２の側面８ａ，８ｂに押し付けると、ＧＮＤブロック８を押し上げる方向に圧力がかかる。
【００１９】
なお、プリント基板３の下の治具本体１と第１及び第２のブロック９，１０の水平距離は測定周波数のλ／４以内の寸法にするのがよい。例えば１０ＧＨｚであれば３ｃｍ以内にする。これにより、入力信号の波長に対して特性インピーダンスの変化を無視できる。水平距離を空け過ぎるとプリント基板３のＧＮＤ性が弱くなりＶＳＷＲが悪くなることで素子特性の測定値に悪影響を与える可能性がある。
【００２０】
図４は、実施の形態１に係る半導体検査治具の変形例を示す断面図である。ＧＮＤブロック８の側面は垂直面である。その側面に面接触する第１及び第２のブロック９，１０の側面も垂直面である。その他の構成は実施の形態１に係る半導体検査治具と同様である。この場合でも実施の形態１と同様に素子特性を正確に測定することができる。
【００２１】
実施の形態２．
図５は、実施の形態２に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。本実施の形態ではＧＮＤブロック８が平面視で上下２分割されている。分割されたＧＮＤブロック８はそれぞれ個別のバネ１１で押し上げられる。これにより、半導体素子１９のパッケージが反っていた場合でも密着性が向上し、高い放熱性を得ることができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００２２】
実施の形態３．
図６は、実施の形態３に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。本実施の形態ではＧＮＤブロック８の断面形状が台形である。これによりＧＮＤブロック８を逆台形の場合よりも大きくできるため、放熱性が向上する。ただし、第１及び第２のブロック９，１０をＧＮＤブロック８の第１及び第２の側面８ａ，８ｂに押し付けるとＧＮＤブロック８を押し下げる方向に圧力がかかるため、その分だけバネ１１の押し上げ力を強くしておく必要がある。
【００２３】
また、一般的に熱は４５度方向に拡散していくため、ＧＮＤブロック８の斜面の角度を４５度にすることで実施の形態１よりも高い放熱性を得ることができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００２４】
実施の形態４．
図７は、実施の形態４に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。本実施の形態ではＧＮＤブロック８が平面視で上下２分割されている。これにより、半導体素子１９のパッケージが反っていた場合でも密着性が向上し、高い放熱性を得ることができる。その他の構成及び効果は実施の形態３と同様である。
【００２５】
実施の形態５．
図８は、実施の形態５に係る半導体検査治具を示す斜視断面図である。本実施の形態ではＧＮＤブロック８は平面視で上下左右に４分割されている。これにより、実施の形態４よりも更に密着性が向上し、高い放熱性を得ることができる。その他の構成及び効果は実施の形態３，４と同様である。なお、実施の形態２，４，５においてＧＮＤブロック８は２分割又は４分割に限らず複数に分割することができる。
【符号の説明】
【００２６】
１  治具本体、２  凹部、３  プリント基板、４  伝送線路、８  ＧＮＤブロック、９  第１のブロック、１０  第２のブロック、１１  バネ（押上げ部）、１２  バネ（第１の押し付け部）、１３  バネ（第２の押し付け部）、１９  半導体素子、２０  裏面電極、２１  リード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019086425.tif 000009
【図８】
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