(57)【要約】【課題】  型を洗浄するのに有利な技術を提供する。【解決手段】  型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、型にプラズマ又は光を照射して型を洗浄するドライ洗浄部と、ドライ洗浄部によるプラズマ又は光の照射領域を型の表面上において移動させる移動部と、を有し、型の表面のうち異物に関する位置を含む第１部分領域において照射領域を第１速さで移動させながら第１部分領域を照射し、型の表面のうち第１部分領域とは異なる第２部分領域において照射領域を第１速さより速い第２速さで移動させながら第２部分領域を照射する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、
前記型にプラズマ又は光を照射して前記型を洗浄するドライ洗浄部と、
前記ドライ洗浄部による前記プラズマ又は光の照射領域を前記型の表面上において移動させる移動部と、を有し、
前記移動部が前記型の表面のうち異物に関する位置を含む第１部分領域において前記照射領域を第１速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第１部分領域を照射し、
前記移動部が前記型の表面のうち前記第１部分領域とは異なる第２部分領域において前記照射領域を前記第１速さより速い第２速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第２部分領域を照射する、ことを特徴とする成形装置。
【請求項２】
前記第１部分領域及び前記第２部分領域を含む領域において前記照射領域を１方向に移動させるとき、
前記第１部分領域において前記照射領域を前記１方向に前記第１速さで移動させ、
前記第２部分領域において前記照射領域を前記１方向に前記第２速さで移動させることを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
【請求項３】
前記第２部分領域は、複数の前記第１部分領域の間にあり、
複数の前記第１部分領域の１つにおいて、前記移動部が前記照射領域を第１速さで移動させてから、
前記第２部分領域において前記移動部が前記照射領域を前記第２速さで移動させた後、
複数の前記第１部分領域の他の１つにおいて、前記移動部が前記照射領域を第１速さで移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載の成形装置。
【請求項４】
前記移動部を制御する制御部を有し、
前記制御部は、
前記第１部分領域において前記照射領域を移動させるときの第１目標速さを設定して、
前記第２部分領域において前記照射領域を移動させるときの、前記第１目標速さより速い第２目標速さを設定する、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項５】
前記移動部は、前記ドライ洗浄部と前記型とを相対的に移動させることにより前記照射領域を前記第１速さ又は前記第２速さで移動させ、
前記ドライ洗浄部によって前記型に前記プラズマ又は光を照射していないときに、前記ドライ洗浄部と前記型とを相対的に前記第２速さよりも速い第３速さで移動させる、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項６】
前記型の表面のうち異物の位置に関する情報に基づいて前記第１部分領域を指定する制御部を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記型の表面のうち異物の位置に関する情報に基づいて前記第１部分領域及び前記第２部分領域を指定することを特徴とする請求項６に記載の成形装置。
【請求項８】
前記異物の位置に関する情報を記憶する記憶部を有し、
前記制御部は、前記記憶部に記憶された前記異物の位置に関する情報を取得する、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の成形装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記異物の位置に関する情報を、異物の履歴を有する外部のデータベースから取得することを特徴とする請求項６又は７に記載の成形装置。
【請求項１０】
前記異物の位置に関する情報は、過去に使用した前記型の表面に付いた異物の位置の情報を含む、ことを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１１】
前記型の画像を表示し、表示された画像を用いてユーザーが前記第１部分領域を指定するユーザーインターフェイスを有する、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１２】
前記型はパターンが形成されたパターン部を有し、
前記第１部分領域及び前記第２部分領域は前記パターン部にある、ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１３】
前記成形装置は、型のパターンに基板上の組成物を接触させ、前記組成物を硬化させ、前記組成物から前記型を離すことによって、前記組成物のパターンを形成するインプリント装置である、ことを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のインプリント装置の前記ドライ洗浄部及び前記移動部によって洗浄された型を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
前記成形装置は、平板状の型を組成物を接触させ、前記組成物を硬化させ、前記組成物から前記型を離すことによって、前記組成物を平坦化する平坦化装置である、ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の成形装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の平坦化装置の前記ドライ洗浄部及び前記移動部によって洗浄された型を用いて基板上の組成物を平坦化する工程と、
平坦化された組成物を有する基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスのパターンの微細化の要求が進み、基板上の未硬化の樹脂（インプリント材）をモールド（型）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。かかる技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。
【０００３】
インプリント技術の１つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のショット領域（インプリント領域）に樹脂を供給（塗布）する。次いで、基板上の未硬化の樹脂とモールドとを接触させた状態で光を照射して樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。
【０００４】
インプリント装置ではモールドと基板上の樹脂とを接触させるため、モールドに異物が付着していると、かかる異物がそのまま転写され、基板上に形成されるパターンに不良（欠陥など）が生じてしまう。また、モールドと基板との間に異物を噛み込み、モールドと基板上の樹脂とを接触させたときの圧力でモールドが破損することもある。
【０００５】
このような異物を除去する技術に関して従来から幾つか提案されている。特許文献１には、モールド上の異物を検出し、検出した結果をもとに異物のある箇所をクリーニングする技術が公開されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−５９６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の従来技術において、プラズマ又は光を照射して洗浄するドライ洗浄装置を用いた場合、異物のある箇所をクリーニングするために、プラズマ又は光を照射する照射部の電源をＯＮにする。また、異物のある箇所とは異なる領域ではクリーニングをしないため、照射部をＯＦＦにするなど、照射部のＯＮとＯＦＦを繰り返す。また、次の異物をクリーニングするために照射部の電源をＯＮにした後クリーニングを開始するまでに照射部が所定の性能に達するまで待機時間を要する。また、クリーニングの回数や異物の数によっては頻繁にＯＮとＯＦＦを繰り返すことになり、照射部の寿命を短くなったりする場合がある。
【０００８】
そのため、異物のある箇所とは異なる領域においても照射部によってプラズマ又は光を照射してモールドを洗浄すると、異物のある箇所より広い領域を洗浄することになり、洗浄時間が長くなる。
【０００９】
そこで、本発明は、モールドを洗浄するのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の一側面としての成形装置は、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置であって、前記型にプラズマ又は光を照射して前記型を洗浄するドライ洗浄部と、前記ドライ洗浄部による前記プラズマ又は光の照射領域を前記型の表面上において移動させる移動部と、を有し、前記移動部が前記型の表面のうち異物に関する位置を含む第１部分領域において前記照射領域を第１速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第１部分領域を照射し、前記移動部が前記型の表面のうち前記第１部分領域とは異なる第２部分領域において前記照射領域を前記第１速さより速い第２速さで移動させながら、前記ドライ洗浄部によって前記第２部分領域を照射する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、モールドを洗浄するのに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態のインプリント装置の概略図である。
【図２】第１実施形態のマスククリーニングを説明するための図である。
【図３】モールドのクリーニングに関する処理を説明するためのフローチャートである。
【図４】第２実施形態のインプリント装置の概略図を示した図である。
【図５】第３実施形態のインプリント装置の概略図を示した図である。
【図６】第４実施形態のインプリント装置の概略図を示した図である。
【図７】第５実施形態のインプリント装置の概略図を示した図である。
【図８】第６実施形態のインプリント装置の概略図を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
本実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置としてインプリント装置を説明する。図１は、インプリント装置１００の概略構成を示す図である。インプリント装置１００は、モールド（型）３を用いて基板７上の樹脂（組成物、インプリント材）にパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、モールド３を保持して移動するモールド保持部２と、基板７を保持して移動する基板ステージ６と、クリーニング部４０と、モールド搬送部３０と、制御部２０とを有する。
【００１５】
制御部２０は、ＣＰＵ（演算装置）やメモリ（記憶部）で構成され、インプリント装置１００の全体を制御する。例えば、制御部２０は、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理を行う。インプリント処理では、基板上に樹脂を供給し、モールド３と基板上の樹脂とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールド３を引き離すことで基板上にパターンを形成する。
【００１６】
具体的には、インプリント処理において、まず、モールド保持部２を降下させて、基板上の樹脂にモールド３のパターン部３ａを接触させる。そして、樹脂とパターン部３ａが接触した状態で樹脂に光又は熱を与えて樹脂を硬化させる。硬化し終えた後、モールド保持部２を上昇させて、樹脂からパターン部３ａを離す。これにより、基板上に樹脂のパターンを形成する。なお、インプリント処理において、モールド保持部２を上下動させる形態に限らず、基板ステージ６を上下動させてもよい。
【００１７】
インプリント処理においては、モールド３と基板上の樹脂とが同一の空間に存在し、且つ、それぞれを接触させるため、モールド３（パターン面３ａ）に異物４が付着してしまうことがある。例えば、モールド３と基板上の樹脂との接触や基板上の樹脂からのモールド３の引き離しによってモールド３が帯電し、モールド３の近傍に存在するパーティクルがモールド３に引き付けられて異物４として付着することがある。また、モールド３に残留した樹脂が堆積して異物４となることもある。モールド３、特にパターン面３ａに異物４が付着したまま樹脂とパターン面３ａを接触させると、基板上に形成されるパターンの不良やモールド３の破損が生じてしまう。
【００１８】
そこで、本実施形態では、インプリント装置１００内にあるクリーニング部４０を用いてモールド３を洗浄する。クリーニング部４０は、照射部４１より照射されるプラズマ又は光によってモールド３のクリーニングを行うドライ洗浄部である。クリーニング部４０は、モールド３を保持するモールドステージ４２と、プラズマ、又は、紫外線などの光をクリーニング対象物に向けて照射する照射部４１を有する。
【００１９】
モールドステージ４２（移動部）は、モールドの外周を保持するモールド保持部と、モールドを移動させる移動機構を有する。これらにより、照射部４１に対して、モールドステージ４２に保持されたモールド３が相対的に移動可能に構成されている。移動する部分は、モールドステージ４２に限らず、照射部４１が移動してもよい。
【００２０】
クリーニング部４０は、モールドステージ４２にモールド３が保持された状態において、モールド３を洗浄する。洗浄する部分は、例えば、モールド３のパターン面３ａ又はパターン面３ａが形成されている凸部の側面である。モールド搬送部３０は、モールド保持部２に保持されたモールド３を、クリーニング部４０へ搬送するロボットハンドである。
【００２１】
インプリント装置１００は、モールド３のパターン面３ａの状態を観察して、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出する検出部を有する。検出部は、例えば、モールド３のパターン面３ａを撮像して画像を取得するカメラを含み、かかる画像からパターン面３ａに付着した異物４を検出する方式がある。但し、この方式に限定されず、渦電流式、光学式、超音波式などの非接触型のセンサを含むようにしてもよい。検出部が非接触型のセンサを含む場合には、モールド３の基準となるデータ（例えば、高さ）を予め求めておくことで、かかるデータと任意のタイミングでの検出結果との差分からモールド３のパターン面３ａに付着した異物４を検出することができる。また、異物４からの反射に起因してパターン面３ａの状態が観察不可能となるような場合には、モールド３のパターン面３ａへの異物４の付着が発生したことを検出することができる。また、検出部１は、非接触型のセンサではなく、トランス方式、スケール方式などの接触型のセンサを含むようにしてもよい。
【００２２】
制御部２０は、特定部２２と、生成部２４と、処理部２６とを含む。制御部２０による制御フローを説明する。図３に、制御フローを示す。特定部２２は、モールド３のパターン面３ａに付着した異物４の位置等を特定する（Ｓ８０１）。特定部２２は、例えば、モールド３のパターン面３ａへ付着した異物４の情報を検出部から取得し、モールド３のパターン面３ａへ異物４の付着が検出されたら、その異物４の位置を特定する。他に、モールドの画像を表示し、表示された画像を用いてユーザーが異物のある位置を含む領域を指定するユーザーインターフェイス（ＧＵＩ）を用いて、異物の位置を特定してもよい。また、外部の検査装置によって検出された異物の位置の情報をネットワークを介して取得してもよい。
【００２３】
次に、生成部２４は、特定部２２によって特定された異物４に関する情報である異物情報１２を生成する（Ｓ８０２）。異物情報１２は、例えば、モールド３のパターン面３ａにおける異物４の位置（座標）を表すデータ、異物４の大きさを表すデータ、異物４の高さを表すデータなどを含む。図１には、異物４ａ、４ｂが複数ある例を示す。
【００２４】
次に、照射部４１によって照射されうる領域がモールドの洗浄対象面に位置した後、照射部４１によるプラズマ又は光の照射を開始する（Ｓ８０３）。本実施形態では、洗浄対象面をモールド３のパターン部３ａとする。これ以降、モールド３を移動させながら、照射部４１によるプラズマ又は光の照射によりクリーニングを行わせて異物４を除去する処理を行う。照射部４１によってプラズマ又は光で同時に照射できる照射領域４１ａは、モールド３の表面全体よりも小さい。図２には、ｘ方向に延びるライン状に形成される照射領域を示す。そのため、モールドステージ４２を１方向（ｙ方向）に移動させることによって、モールド３の表面上において照射部４１による照射領域４１ａを移動させながら、モールド表面全体を洗浄する。
【００２５】
処理部２６は、特定部２２によって特定された異物４の位置に基づいてモールドステージ４２を移動させる（Ｓ８０４、Ｓ８０５）。処理部２６は、生成部２４で生成された異物情報１２に基づいて、異物のある第１部分領域を指定する。また、処理部２６は、第１部分領域とは異なる第２部分領域も指定することができる。第２部分領域は、異物が検出されていない領域であるが、検出部により検出できない程度の異物が存在する可能性はある。
【００２６】
まず、照射部４１による照射領域が異物４ｂのある領域に位置するまで、モールドステージ４２を高速に移動させる（Ｓ８０４）。このとき、図１、２に示す異物４ｂのある領域よりも右側にある第２部分領域において照射領域を第１速さより速い第２速さでｙ方向に移動させて、照射部４１により第２部分領域を照射する。このとき、制御部２０は、第２部分領域において照射領域を移動させるときの、第１目標速さより速い第２目標速さを設定して、モールドステージ４２を制御する。
【００２７】
次に、異物４ｂの位置を含む第１部分領域において照射領域を所定の速さ（第１速さ）で移動させるようにモールドステージ４２をｙ方向に移動させて、照射部４１により第１部分領域を照射して、異物を除去する（Ｓ８０５）。第１速さとして、例えば、異物除去に必要な照射量が確保できる速度で、第２速さよりも遅い速さに設定する。このとき、制御部２０は、第１部分領域において照射領域を移動させるときの上記第１目標速さを設定して、モールドステージ４２を制御する。
【００２８】
次に、照射部４１による照射領域がモールド３のパターン部３ａの端部に達したかどうかを判定する（Ｓ８０６）。照射領域がモールド３のパターン部３ａの端部に達した場合は、照射部４１による照射を停止して（Ｓ８０７）、洗浄を終了する。なお、クリーニング効果を上げるために、モールド３のパターン部３ａの端部で折り返して再度クリーニングを実施してもよい。
【００２９】
照射領域がモールド３のパターン部３ａの端部に達していない場合は、Ｓ８０４へ戻る。図２の例では、異物が離れた位置に複数あり、つまり、異物のある第１部分領域が複数あり、複数の第１部分領域の間に第２部分領域が存在する。そのため、第２部分領域を照射した後、異物４ａのある第１部分領域も洗浄する必要がある。そこで、第２部分領域において照射領域を第２速さで移動させた後、次の異物４ａのある第１部分領域において照射領域を第１速さで移動させる。
【００３０】
このとき、異物４ｂのクリーニング後、異物４ａの位置へ照射領域を移動させる際に照射部４１の照射を一旦、ＯＦＦにすると異物４ｂをクリーニングする際に再度ＯＮさせる必要がある。照射部の電源のＯＦＦ、ＯＮを繰り返すと寿命を短くすることがある。このような理由から、ＯＦＦ、ＯＮは頻繁に行わないことが望ましい。
【００３１】
そのため、異物４ｂのある位置を含む領域に照射領域がある状態から、異物４ａのある位置を含む領域に照射領域がある状態になるまでの間、照射部４１によってモールド３の第２部分領域を照射しながらモールドステージ４２を高速な第２速さで移動させる。これにより、照射部４１のＯＦＦ、ＯＮの回数を減らすことができ、照射部４１の延命ができる。また、照射部をＯＦＦにした後にＯＮにした場合の照射部が所定の性能に達するまでの待機時間、を減らすこともできる。
【００３２】
モールドの全体領域において、異物を洗浄するための第１速さで照射領域を移動させると、洗浄時間が長くなる。本実施形態によれば、上記のように異物のある領域のクリーニング時は、予め設定された、異物除去に必要な照射量が確保できる速度にし、異物の検出されていない領域では高速に照射領域を移動させることにより、洗浄時間を短くすることができる。また、短い洗浄時間で、第１部分領域と第２部分領域を含む全体領域において異物の洗浄を行うことができるため、効率的な洗浄を行うことができる。
【００３３】
なお、照射部４１による照射をしていないとき、例えば照射領域をモールド３のパターン部３ａに位置させる前に、モールドステージ４２を移動させる場合、第２部分領域を照射するとき（洗浄時）の第２速さよりも速い第３速さで移動させることも可能である。このように、第２速さと第３速さを設定することによって、さらに、洗浄のために要する時間を短くすることができる。
【００３４】
＜第２実施形態＞
次に、図４に基づいて第２の実施形態のインプリント装置１００について説明する。図４は外部装置とネットワークでつながったインプリント装置を示した図である。本実施形態のインプリント装置１００は、異物に関する情報をネットワーク５０を介して取得する入力部２７を有する。他の装置であるインプリント装置１００ａは、異物に関する情報を記憶するメモリ（記憶部）２８を有し、サーバ６０は異物に関する情報をメモリに格納している。インプリント装置１００の制御部２０は、入力部２７を用いて、インプリント装置１００ａ又はサーバ６０から異物に関する情報を取得することが可能である。制御部２０は、取得した異物に関する情報に基づいて、モールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置１００のクリーニング部４０を制御する。クリーニング方法は実施形態１と同様であるため説明は省略する。
【００３５】
＜第３実施形態＞
次に、図５に基づいて第３の実施形態のインプリント装置１００について説明する。図５は、インプリント条件を格納するサーバとネットワークでつながったインプリント装置を示した図である。本実施形態のインプリント装置１００は、インプリント条件に関する情報をネットワーク５０を介して取得する入力部２７を有する。
【００３６】
サーバ７０は、モールドのパターンの形状、線幅、密度などの情報、基板上においてパターンを形成すべき層の下地の層の凹凸の情報、を格納している。また、サーバ７０は、基板上に塗布する樹脂の塗布量分布、モールドのパターンの凹凸の間に樹脂が充填する時間、モールドを樹脂から離す方法などの情報を格納している。
【００３７】
インプリント装置１００の制御部２０は、入力部２７を用いて、サーバ７０からインプリント条件に関する情報を取得する。生成部２４は、取得したインプリント条件に関する情報に基づいて、モールドに付く異物の位置を予測し、異物に関する情報（異物情報）を生成する。制御部２０は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置１００のクリーニング部４０を制御する。クリーニング方法は実施形態１と同様であるため説明は省略する。
【００３８】
＜第４実施形態＞
次に、図６に基づいて第４の実施形態のインプリント装置１００について説明する。図６は、インプリント装置１００の制御部２０の構成を示す図である。制御部２０は、インプリント装置１００において過去に使用したモールドの表面に付いた異物の位置の情報（異物履歴）をデータベースとして記憶する記憶部２８を有する。生成部２４は、記憶部２８に記憶された情報を取得し、異物情報を生成する。制御部２０は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置１００のクリーニング部４０を制御する。クリーニング方法は実施形態１と同様であるため説明は省略する。
【００３９】
＜第５実施形態＞
次に、図７に基づいて第５の実施形態のインプリント装置１００について説明する。図７は、外部の洗浄装置１０１とネットワーク５０でつながったインプリント装置１００を示した図である。洗浄装置１０１は、インプリント装置１００や他のインプリント装置で使用されたモールドに付着した異物を検出して、洗浄する。洗浄装置１０１は、検出した異物に関する情報を記憶するメモリ８０を有する。インプリント装置１００は、洗浄装置１０１のメモリ８０に記憶された異物に関する情報をネットワーク５０を介して取得する入力部２７を有する。
【００４０】
インプリント装置１００の制御部２０は、入力部２７を用いて、洗浄装置１０１から異物に関する情報を取得する。制御部２０は、取得した異物に関する情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置１００のクリーニング部４０を制御する。クリーニング方法は実施形態１と同様であるため説明は省略する。
【００４１】
＜第６実施形態＞
次に、図８に基づいて第６の実施形態のインプリント装置１００について説明する。図８は、他のインプリント装置１００ａとネットワーク５０でつながったインプリント装置１００を示した図である。他のインプリント装置１００ａは、インプリント装置１００ａにおいて過去に使用したモールドの表面に付いた異物の位置の情報（異物履歴）をデータベースとして記憶する記憶部２８を有する。インプリント装置１００は、他のインプリント装置１００ａの記憶部２８に記憶された異物に関する情報をネットワーク５０を介して取得する入力部２７を有する。
【００４２】
インプリント装置１００の制御部２０は、入力部２７を用いて、インプリント装置１００ａの記憶部２８に記憶された異物に関する情報を取得する。インプリント装置１００の生成部２４は、取得した情報を用いて異物情報を生成する。制御部２０は、生成した異物情報に基づいてモールドのクリーニングを実施するようにインプリント装置１００のクリーニング部４０を制御する。クリーニング方法は実施形態１と同様であるため説明は省略する。
【００４３】
＜第７実施形態＞
第１実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置としてインプリント装置を説明したが、本実施形態では、型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置として平坦化装置を説明する。
【００４４】
インプリント装置又は露光装置などのリソグラフィ装置によってウエハ上に形成されたパターンの層はショット領域又はウエハ全体としてみると凹凸（うねり）がある。そのため、平坦化装置は、パターン層の上に樹脂を塗布して、薄い平板状の型を樹脂に接触させて、樹脂を硬化させ、樹脂から型を離すことによって、樹脂の層を平坦化する装置である。
【００４５】
本実施形態では、平坦化装置内に実施形態１と同じクリーニング部４０を備え、制御部２０によって実施形態１と同様の制御フローに従い、型を洗浄する。また、制御部２０としては、上述の各実施形態の構成を採用することができる。
【００４６】
（物品製造方法）
次に、実施形態１のインプリント装置を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、カラーフィルタ、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。インプリント装置は、クリーニング部（ドライ洗浄部及び移動部）を用いて型を洗浄し、洗浄された型を用いて基板（ウェハ、ガラス基板等）上にパターンを形成する。そして、パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する。
【００４７】
また、次に、実施形態７の平坦化装置を利用した物品の製造方法を説明する。平坦化装置は、クリーニング部（ドライ洗浄部及び移動部）を用いて型を洗浄し、洗浄された型を用いて基板上の組成物を平坦化する。次に、インプリント装置又は露光装置などのリソグラフィ装置によって、平坦化された組成物を有する基板上にパターンを形成する。そして、パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する。
【００４８】
上記の基板の加工工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本製造方法によれば、異物を効率的に除去できるため、パターンの欠陥が少ない、高精度なパターン形成できるといった、高品位の物品を製造することができ、歩留りの高い製造方法を提供することができる。また、洗浄時間の短縮により、生産性の高い製造方法を提供することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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