(57)【要約】【課題】多層配線基板内における反射特性の劣化を改善する。【解決手段】多層配線基板１９に形成された擬似同軸線路構造において、複数のグランドパターン１２が、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域１３Ａを有するグランドパターン１２Ａを含むとともに、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域１３Ｂを有し、切欠き領域１３Ｂの面積または形状が切欠き領域１３Ａの面積または形状と異なるグランドパターン１２Ａからなる不連続構造を含む。【選択図】  図１
2019106680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導体層が誘電体層を挟んで積層された多層配線基板と、
前記多層配線基板の上面から底面までを貫通して形成された信号ビアと、
前記複数の導体層上に形成された複数のグランドパターンと、
前記信号ビアの周囲に等配されて、前記複数のグランドパターン間を相互に接続する複数のグランドビアとを備え、
前記複数のグランドパターンは、
前記信号ビアを中心として導体の一部が選択的に除去された第１の切欠き領域を有する第１のグランドパターンを含むとともに、
前記信号ビアを中心として導体の一部が選択的に除去された第２の切欠き領域を有し、前記第２の切欠き領域の面積または形状が前記第１の切欠き領域の面積または形状と異なる第２のグランドパターンからなる不連続構造を含む
ことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波伝送線路において、
前記第２の切欠き領域の面積は、前記第１の切欠き領域の面積より小さいことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項３】
請求項２に記載の高周波伝送線路において、
前記第１および第２の切欠き領域は、前記信号ビアを中心とする同心円形状をなし、前記第２の切欠き領域の同心円径が前記第１の切欠き領域の同心円径より小さいことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項４】
請求項２に記載の高周波伝送線路において、
前記第１および第２の切欠き領域は、前記信号ビアを中心とする多角形状をなし、前記第２の切欠き領域の多角形状の一辺の長さが前記第１の切欠き領域の多角形状の一辺の長さより小さいことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の高周波伝送線路において、
前記不連続構造は、前記誘電体層を挟んで連続して積層された複数の前記第２のグランドパターンからなることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項６】
請求項５に記載の高周波伝送線路において、
前記グランドビアのうち、前記不連続構造を構成する前記第２のグランドパターン間を接続する第２のグランドビアは、前記第１のグランドパターン間および前記第１のグランドパターンと前記第２のグランドパターンとの間を接続する第１のグランドビアより、前記信号ビアの近くに等配されていることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の高周波伝送線路において、
前記不連続構造は、前記第１のグランドパターンおよび前記誘電体層を挟んで複数設けられていることを特徴とする高周波伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板内を垂直方向に同軸モードで高周波信号を伝送するための擬似同軸線路構造を有する高周波伝送線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣなど電子デバイスを搭載し、マイクロ波やミリ波等の高周波信号を処理する高周波モジュールでは、基材として複数の導体層が誘電体層を挟んで積層された多層配線基板が用いられている。
この種の多層配線基板としては、例えば有機材料基板であるＰＣＢ（Poly Chlorinated Biphenyl：ポリ塩化ビフェニル）、あるいは無機材料であるＨＴＣＣ（High Temperature Co-Fired Ceramic：高温焼成セラミック多層基板）や、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）などが知られている。
【０００３】
このような多層配線基板では、基板の上面と底面との間で高周波信号を伝送する際、擬似同軸線路構造を有する高周波伝送線路を用いる場合がある。
擬似同軸線路構造は、多層配線基板の上面から底面まで貫通して形成された高周波信号の伝送経路となる信号ビアと、各導体層上に信号ビアを取り囲むように形成されたグランドパターン間を接続するグランドビアとからなり、多層配線基板内を垂直方向に同軸モードで高周波信号を伝送する構造を備えている。特に、高周波域ではその同軸モードの特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計される。例えば、特許文献１には、高周波伝送線路の擬似同軸線路構造の設計手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４６５２２３０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示されているような従来の高周波伝送線路の擬似同軸線路構造では、多層配線基板の厚さと高周波信号の周波数との組み合わせによっては、定在波の発生により反射特性が劣化するという問題があった。
【０００６】
図７は、従来の高周波伝送線路の構成を示す説明図であり、図７（ａ）が上面図を示し、図７（ｂ）が図７（ａ）のＡＡ断面図を示している。特許文献１に記載された従来の高周波伝送線路５０は、図７に示すように、複数の導体層が誘電体層５５を介して積層された多層配線基板５９のうち、上面５０Ａおよび底面５０Ｂを除く基板内部の各導体層には、信号ビア５１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域５３を有するグランドパターン５２が、それぞれ同一形状で一様に形成されており、これらグランドパターン５２間を接続するグランドビア５４が、信号ビア５１を中心としてその周囲に等配された擬似同軸線路構造を採用している。
【０００７】
このような擬似同軸線路構造では、多層配線基板５９の内部において、信号ビア５１により一様な擬似同軸モードで高周波信号が伝送されることになる。一般に、擬似同軸線路構造を持つ多層配線基板では、その上面層がチップ部品の実装面として用いられ、底面層が高周波信号を伝達するためのインターポーザ（interposer）として用いられることが多い。この場合、信号ビアと上面層および底面層に形成された導体パターンとが接続される２つの接続点において、高周波信号がその進行方向を直角に変化させるため、これら接続点はいわゆる不連続点となる。
【０００８】
高周波伝送線路上にこのような不連続点が存在すると、これら２点間で高周波信号の反射が発生し、これら２点間に１つまたは複数の半波長を持つ定在波が生じ、高周波伝送線路の反射損失が劣化する。特に、誘電体層の誘電率にもよるが、多層配線基板の厚さが０．１ｍｍ〜数ｍｍである場合、信号周波数が数ＧＨｚ〜数十ＧＨｚ程度の領域で反射損失が増大し、反射特性が劣化することになる。
【０００９】
本発明はこのような課題を解決するためのものであり、多層配線基板内における反射特性の劣化を改善できる高周波伝送線路を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明にかかる高周波伝送線路は、複数の導体層が誘電体層を挟んで積層された多層配線基板と、前記多層配線基板の上面から底面までを貫通して形成された信号ビアと、前記複数の導体層上に形成された複数のグランドパターンと、前記信号ビアの周囲に等配されて、前記複数のグランドパターン間を相互に接続する複数のグランドビアとを備え、前記複数のグランドパターンは、前記信号ビアを中心として導体の一部が選択的に除去された第１の切欠き領域を有する第１のグランドパターンを含むとともに、前記信号ビアを中心として導体の一部が選択的に除去された第２の切欠き領域を有し、前記第２の切欠き領域の面積または形状が前記第１の切欠き領域の面積または形状と異なる第２のグランドパターンからなる不連続構造を含むものである。
【００１１】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記第２の切欠き領域の面積が、前記第１の切欠き領域の面積より小さいものである。
【００１２】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記第１および第２の切欠き領域が、前記信号ビアを中心とする同心円形状をなし、前記第２の切欠き領域の同心円径が前記第１の切欠き領域の同心円径より小さいものである。
【００１３】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記第１および第２の切欠き領域が、前記信号ビアを中心とする多角形状をなし、前記第２の切欠き領域の多角形状の一辺の長さが前記第１の切欠き領域の多角形状の一辺の長さより小さいものである。
【００１４】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記不連続構造が、前記誘電体層を挟んで連続して積層された複数の前記第２のグランドパターンからなるものである。
【００１５】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記グランドビアのうち、前記不連続構造を構成する前記第２のグランドパターン間を接続する第２のグランドビアが、前記第１のグランドパターン間および前記第１のグランドパターンと前記第２のグランドパターンとの間を接続する第１のグランドビアより、前記信号ビアの近くに等配されているものである。
【００１６】
また、本発明の上記高周波伝送線路の一構成例は、前記不連続構造が、前記第１のグランドパターンおよび前記誘電体層を挟んで複数設けられているものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、不連続構造が新たな不連続点となって、信号ビアの上端および下端の２つの不連続点の間が、不連続構造を挟んで上下に分離されることになる。したがって、不連続点間の距離Ｌを多層配線基板の厚さＴより短く調整することにより、厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせにおいて定在波の発生条件が成立しなくなるため、結果として多層配線基板内における反射特性の劣化を改善することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図である。
【図２】グランドパターンを示す上面図である。
【図３】高周波伝送線路で生じる定在波を示す説明図である。
【図４】第１の実施形態にかかる高周波伝送線路の反射特性を示すグラフである。
【図５】第２の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図である。
【図６】第３の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図である。
【図７】従来の高周波伝送線路の構成を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態にかかる高周波伝送線路１０について説明する。図１は、第１の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図であり、図１（ａ）が上面図を示し、図１（ｂ）が図１（ａ）のＡＡ断面図を示している。
【００２０】
この高周波伝送線路１０は、複数の導体層が誘電体層１５を挟んで積層された多層配線基板１９のうち、上面１０Ａから底面１０Ｂまでを貫通して形成された導体である信号ビア１１と、各導体層上に信号ビア１１を囲むようにして形成されたグランドパターン１２と、信号ビア１１の周囲に等配されて、これらグランドパターン１２間を相互に接続するよう形成された導体であるグランドビア１４とからなる擬似同軸線路構造を備えている。
【００２１】
なお、図１（ａ）には、６つのグランドビア１４が信号ビア１１の周囲に等配されている例が示されているが、グランドビア１４の配置数はこれに限定されるものではなく、少なくとも２〜３以上あればよい。
また、以下では、信号ビア１１が１つである場合を例として説明するが、これに限定されるものではなく、対となる２つの導体からなる差動ビアであっても、同様の作用効果が得られれる。
【００２２】
多層配線基板１９としては、例えば有機材料基板であるＰＣＢ（Poly Chlorinated Biphenyl：ポリ塩化ビフェニル）、あるいは無機材料であるＨＴＣＣ（High Temperature Co-Fired Ceramic：高温焼成セラミック多層基板）や、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）などが知られている。
【００２３】
各グランドパターン１２は、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域（アンチパッド領域）１３を有している。本実施の形態は、これらグランドパターン１２として、切欠き領域１３の面積または形状が異なる２種類のグランドパターン１２Ａ，１２Ｂを備えている。
【００２４】
図２は、グランドパターンを示す上面図であり、図２（ａ）がグランドパターン１２Ａを示し、図２（ｂ）がグランドパターン１２Ｂを示している。図２（ａ）に示すように、グランドパターン（第１のグランドパターン）１２Ａは、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域（アンチパッド領域）１３Ａを有している。また、図２（ｂ）に示すように、グランドパターン（第２のグランドパターン）１２Ｂは、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域（アンチパッド領域）１３Ｂを有している。
【００２５】
これら切欠き領域１３Ａ，１３Ｂは、信号ビア１１を中心とした同心円形状をなし、切欠き領域１３Ｂの同心円径ＬＢは、切欠き領域１３Ａの同心円径ＬＡより小さい。これにより、切欠き領域１３Ｂの面積ＳＢも、切欠き領域１３Ａの面積ＳＡより小さく、グランドパターン１２Ｂは、グランドパターン１２Ａよりも信号ビア１１の近くに形成されることになる。この際、グランドパターン１２Ｂは、実際に用いる信号周波数より十分小さいサイズであって、信号周波数の集中定数に見られる範囲で形成してもよい。
【００２６】
図２では、切欠き領域１３Ａ，１３Ｂが同心円形状をなす場合が例として示されているが、これに限定されるものではなく、信号ビア１１を中心とした点対称である多角形状であってもよい。この場合、切欠き領域１３Ｂの多角形状の一辺の長さは、切欠き領域１３Ａの多角形状の一辺の長さより小さい。これにより、切欠き領域１３Ｂの面積ＳＢも、切欠き領域１３Ａの面積ＳＡより小さく、グランドパターン１２Ｂは、グランドパターン１２Ａよりも信号ビア１１の近くに形成されることになる。
【００２７】
多層配線基板１９の上面１０Ａには、グランドパターン１２を形成する導体の一部をスリット形状で直線的に選択的に除去した領域に、高周波信号を伝送するための信号線１６が直線的に形成されており、その先端部が信号ビア１１の上端と接続されている。
同様に、多層配線基板１９の底面１０Ｂには、グランドパターン１２を形成する導体の一部をスリット形状で直線的に選択的に除去した領域に、高周波信号を伝送するための信号線１７が直線的に形成されており、その先端部が信号ビア１１の下端と接続されている。
【００２８】
これら信号ビア１１の上端および下端の接続点では、高周波信号の進行方向が、多層配線基板１９の基板平面に沿った方向から基板平面に垂直な方向へ直角に変化するため、これら接続点は特性インピーダンスがマッチングしない不連続点となる。高周波伝送線路上にこのような不連続点が存在すると、これら２点間で高周波信号の反射が発生し、場合によっては定在波が発生することになる。不連続点間の距離をＬとし、自然数をｎとし、定在波の波長をλとすると、次の式（１）に示す条件が成立すると定在波が生じ、高周波伝送線路の反射損失が劣化することになる。
Ｌ＝ｎλ／２    …（１）
【００２９】
図３は、高周波伝送線路で生じる定在波を示す説明図であり、図３（ａ）は従来の高周波伝送線路での定在波を示し、図３（ｂ）は本実施の形態にかかる高周波伝送線路での定在波を示している。
図３（ａ）の場合、信号ビア５１の上端および下端の２つの不連続点の間で、高周波信号が一様な擬似同軸モードで伝送される。このため、不連続点間の距離Ｌが多層配線基板５９の厚さＴに相当することになり、この厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせによって式（１）の条件が成立した場合、不連続点間で定在波５８が発生して、高周波伝送線路５０の反射特性が大きく劣化する原因となる。
【００３０】
本実施の形態は、このような信号ビア１１における定在波の発生条件に着目し、信号ビア１１の途中に、特性インピーダンスが連続しない不連続構造２０を形成して、不連続点間の距離Ｌを多層配線基板５９の厚さＴより短く調整することにより、実際に適用する厚さＴと波長λとの組み合わせにおいて、式（１）に示した定在波の発生条件が成立しないようにしたものである。
また、不連続構造２０の具体例として、グランドパターン１２のうち、グランドパターン１２Ａの切欠き領域１３Ａとは面積または形状が異なる切欠き領域１３Ｂを有するグランドパターン１２Ｂを、多層配線基板１９の上面１０Ａおよび底面１０Ｂを除く中間の導体層に設けたものである。
【００３１】
これにより、図３（ｂ）に示すように、不連続構造２０が新たな不連続点となって、信号ビア１１の上端および下端の２つの不連続点間が、不連続構造２０を挟んで上下２つに分離されることになる。このため、これら定在波の波長を多層配線基板５９の厚さＴより短くすることができ、厚さＴと波長λとの組み合わせで成立していた式（１）の発生条件が成立しなくなるため、結果として高周波信号の反射特性の劣化を改善することが可能となる。
【００３２】
図４は、第１の実施形態にかかる高周波伝送線路の反射特性を示すグラフであり、横軸が高周波信号の信号周波数［ＧＨｚ］を示し、縦軸が高周波信号の反射減衰量［ｄＢ］を示している。
図４において、反射特性４１は、図７に示した従来の高周波伝送線路５０の反射特性を示しており、信号周波数が１０ＧＨｚ〜４０ＧＨｚの領域において、−２０ｄＢ以上となる反射減衰量が発生している。一方、反射特性４２は、図１に示した本実施形態にかかる高周波伝送線路１０の反射特性を示しており、信号周波数が１０ＧＨｚ〜４０ＧＨｚの領域において、反射減衰量が−２５ｄｂ以下に抑えられており、従来の反射特性４１より７ｄＢ〜１３ｄＢ程度、反射減衰量が低減できていることがわかる。
【００３３】
［第１の実施の形態の効果］
このように、本実施の形態は、多層配線基板１９に形成された擬似同軸線路構造において、複数のグランドパターン１２が、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域１３Ａを有するグランドパターン１２Ａを含むとともに、信号ビア１１を中心として導体の一部が選択的に除去された切欠き領域１３Ｂを有し、切欠き領域１３Ｂの面積または形状が切欠き領域１３Ａの面積または形状と異なるグランドパターン１２Ａからなる不連続構造２０を含むようにしたものである。
【００３４】
これにより、不連続構造２０が新たな不連続点となって、信号ビア１１の上端および下端の２つの不連続点の間が、不連続構造２０を挟んで上下２つに分離されることになる。したがって、不連続点間の距離Ｌを多層配線基板５９の厚さＴより短く調整することにより、実際に適用する厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせにおいて定在波の発生条件が成立しなくなるため、結果として多層配線基板１９内における反射特性の劣化を改善することが可能となる。
【００３５】
なお、図１（ｂ）には、多層配線基板１９が７つの導体層を有し、その中央の導体層に１つのグランドパターン１２Ｂからなる不連続構造２０が形成されており、これ以外の導体層に合わせて６つのグランドパターン１２Ａが形成されている例が示されているが、不連続構造２０を形成する導体層や数については、これら限定されるものではない。実際に適用する厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせにおいて、定在波の発生条件が成立しなくなる導体層や数を、前述した式（１）に基づいて特定して、不連続構造２０を形成すればよい。
【００３６】
また、本実施の形態において、切欠き領域１３Ｂの面積を切欠き領域１３Ａの面積より小さくしてもよい。さらには、切欠き領域１３Ａ，１３Ｂを、信号ビア１１を中心とする同心円形状とし、切欠き領域１３Ｂの同心円径を切欠き領域１３Ａの同心円径より小さくしてもよい。これにより、極めて簡素な構成および工程で不連続構造２０を形成することが可能となる。
【００３７】
また、本実施の形態において、切欠き領域１３Ａ，１３Ｂを、信号ビア１１を中心とする多角形状とし、切欠き領域１３Ｂの多角形状の一辺の長さを切欠き領域１３Ａの多角形状の一辺の長さより小さくしてもよい。これにより、極めて簡素な構成および工程で、面積が異なる不連続構造２０を形成することが可能となる。
【００３８】
［第２の実施の形態］
次に、図５を参照して、本発明の第２の実施の形態にかかる高周波伝送線路１０について説明する。図５は、第２の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図であり、図５（ａ）が上面図を示し、図５（ｂ）が図５（ａ）のＢＢ断面図を示している。
【００３９】
第１の実施の形態では、不連続構造２０が１つのグランドパターン１２Ｂからなる場合を例として説明した。本実施の形態では、不連続構造２１が複数のグランドパターン１２Ｂからなる場合を例として説明する。
すなわち、本実施の形態にかかる不連続構造２１は、図５（ｂ）に示すように、誘電体層１５を挟んで連続して積層された複数のグランドパターン１２Ｂから構成されている。
【００４０】
この不連続構造２１は、前述した不連続構造２０と同様に新たな不連続点となって、信号ビア１１の上端および下端の２つの不連続点間が、不連続構造２１を挟んで上下２つに分離されることになる。このため、これら定在波の波長を多層配線基板１９の厚さＴより短くすることができ、厚さＴと波長λとの組み合わせで成立していた式（１）の発生条件が成立しなくなるため、結果として高周波信号の反射特性の劣化を改善することが可能となる。
【００４１】
これら不連続構造２１を形成する導体層や数については、実際に適用する多層配線基板１９の厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせにおいて、定在波の発生条件が成立しなくなる導体層や数を、前述した式（１）に基づいて特定して、不連続構造２１を形成すればよい。
【００４２】
また、グランドビア１４のうち、不連続構造２１を構成するグランドパターン１２Ｂ間を接続するグランドビア（第２のグランドビア）１４Ｂは、グランドパターン１２Ａ間およびグランドパターン１２Ａとグランドパターン１２Ｂとの間を接続するグランドビア１４Ａより、信号ビア１１の近くに等配されている。これにより、特性インピーダンスを大きく変化させることができ、明確な不連続点を形成することができる。
なお、図５（ｂ）には、８つのグランドビア１４Ｂが配置されている例が示されているが、グランドビア１４Ｂの配置数はこれに限定されるものではなく、少なくとも２〜３以上あればよい。
【００４３】
［第２の実施の形態の効果］
このように、本実施の形態は、不連続構造２１を、誘電体層１５を挟んで連続して積層された複数のグランドパターン１２Ｂで構成したものである。
これにより、第１の実施の形態の不連続構造２０と同様にして、不連続点間の距離Ｌを調整することができ、定在波の発生条件の成立を阻止することができ、結果として多層配線基板１９内における反射特性の劣化を改善することが可能となる。また、不連続構造２１は、第１の実施の形態の不連続構造２０と比較して、多層配線基板１９の垂直方向に沿って、ある程度の厚さを有しているため、反射効率が高くなって特性インピーダンスを大きく変化させることができ、明確な不連続点を形成することができる。
【００４４】
また、不連続構造２１の持つ厚さ分が多層配線基板１９の厚さＴから削減されるため、不連続構造２１で厚さＴを分割するだけでなく、より詳細に不連続点間の距離Ｌを調整することができ、定在波の発生条件の成立を正確に阻止することができる。
なお、図５（ｂ）では、不連続構造２１を、誘電体層１５を挟んで連続して積層された２つのグランドパターン１２Ｂで構成した場合を例として説明したがこれに限定されるものではなく、３つ以上のグランドパターン１２Ｂで不連続構造２１を構成してもよい。これにより、不連続構造２１の厚さを増やすことができ、より詳細に不連続点間の距離Ｌを調整することができる。
【００４５】
また、本実施の形態において、グランドビア１４のうち、不連続構造２１を構成するグランドパターン１２Ｂ間を接続するグランドビア１４Ｂを、グランドパターン１２Ａ間およびグランドパターン１２Ａ，１２Ｂ間を接続するグランドビア１４Ａより、信号ビア１１の近くに等配してもよい。
これにより、特性インピーダンスを大きく変化させることができ、明確な不連続点を形成することができる。
【００４６】
［第３の実施の形態］
次に、図６を参照して、本発明の第３の実施の形態にかかる高周波伝送線路１０について説明する。図６は、第３の実施の形態にかかる高周波伝送線路の構成を示す説明図であり、図６（ａ）が上面図を示し、図６（ｂ）が図６（ａ）のＣＣ断面図を示している。
【００４７】
第２の実施の形態では、不連続構造２１を１つ設けた場合を例として説明した。本実施の形態では、不連続構造２１を複数設けた場合を例として説明する。
すなわち、本実施の形態にかかる不連続構造２１は、グランドパターン１２Ａおよび誘電体層１５を挟んで複数設けられている。以下では、不連続構造２１を用いた例について説明するが、これら不連続構造２１の一部またはすべてを不連続構造２０で実現してもよい。
【００４８】
図６（ｂ）では、不連続構造２１が上下に２つ設けられており、これら不連続構造２１の間に、２つのグランドパターン１２Ａと３つの誘電体層１５が存在している。これにより、信号ビア１１の上端および下端の２つの不連続点間が、不連続構造２１を挟んで上中下の３つに分離されることになる。
なお、これら不連続構造２１を形成する導体層や数については、実際に適用する多層配線基板１９の厚さＴと高周波信号の波長λとの組み合わせにおいて、定在波の発生条件が成立しなくなる導体層や数を、前述した式（１）に基づいて特定して、不連続構造２１を形成すればよい。
【００４９】
また、グランドビア１４のうち、不連続構造２１を構成するグランドパターン１２Ｂ間を接続するグランドビア（第２のグランドビア）１４Ｂは、グランドパターン１２Ａ間およびグランドパターン１２Ａとグランドパターン１２Ｂとの間を接続するグランドビア１４Ａより、信号ビア１１の近くに等配されている。これにより、特性インピーダンスを大きく変化させることができ、明確な不連続点を形成することができる。
なお、図５（ｂ）には、８つのグランドビア１４Ｂが配置されている例が示されているが、グランドビア１４Ｂの配置数はこれに限定されるものではなく、少なくとも２〜３以上あればよい。
【００５０】
［第３の実施の形態の効果］
このように、本実施の形態は、不連続構造２１を、グランドパターン１２Ａおよび誘電体層１５を挟んで複数設けたものである。
これにより、不連続構造２１が新たな不連続点となって、信号ビア１１の上端および下端の２つの不連続点の間が、不連続構造２１を挟んで３つ以上に分離されることになる。したがって、より詳細に不連続点間の距離Ｌを調整することができ、定在波の発生条件の成立を正確に阻止することができる。
【００５１】
［実施の形態の拡張］
以上、実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明のスコープ内で当業者が理解しうる様々な変更をすることができる。また、各実施形態については、矛盾しない範囲で任意に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１０…高周波伝送線路、１０Ａ…上面、１０Ｂ…底面、１１…信号ビア、１２，１２Ａ，１２Ｂ…グランドパターン、１３，１３Ａ，１３Ｂ…切欠き領域、１４，１４Ａ，１４Ｂ…グランドビア、１５…誘電体層、１６，１７…信号線、１９…多層配線基板、２０，２１…不連続構造。
【図１】
2019106680.tif 000003
【図２】
2019106680.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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