(57)【要約】【課題】基板上に載置された半導体素子上に感光性樹脂膜を形成して露光、現像等を行った後、感光性樹脂膜を加熱して硬化させる電子デバイスの製造工程において、半導体素子間に生じる凹みを低減する。【解決手段】半導体素子が載置された基板の半導体素子が載置された面に、エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜を形成して、感光性樹脂膜を備えた基板を得る製膜工程と、感光性樹脂膜を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂膜を現像してパターン形成された樹脂膜を得る現像工程と、パターン形成された樹脂膜を加熱する第１加熱工程と、第１加熱工程よりも高い温度でパターン形成された樹脂膜を加熱する第２加熱工程と、をこの順に含む電子デバイスの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が載置された基板の当該半導体素子が載置された面に、エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜を形成して、感光性樹脂膜を備えた基板を得る製膜工程と、
前記感光性樹脂膜を露光する露光工程と、
露光された前記感光性樹脂膜を現像してパターン形成された樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン形成された樹脂膜を加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程よりも高い温度で前記パターン形成された樹脂膜を加熱する第２加熱工程と、
をこの順に含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第１加熱工程の温度が７０〜１８０℃の範囲内である電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第１加熱工程の時間が３０〜１２０分である電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第２加熱工程の温度が１９０〜２５０℃の範囲内である電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第２加熱工程の時間が３０〜１２０分である電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第１加熱工程と前記第２加熱工程とが連続して行われる電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記第１加熱工程と前記第２加熱工程との間に、前記基板の温度を下げる工程を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法であって、
前記現像工程後かつ前記第１加熱工程前の樹脂膜を基準とした前記第２加熱工程後の樹脂膜の質量減少が、３．５％以下である電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。より具体的には、感光性樹脂を用いた電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造の様々な場面において、感光性樹脂が用いられている。例えば、電子デバイス中に存在する「すき間」を埋めて平坦化したり、電子デバイス中の部材（素子、チップ等）を封止したりするために感光性樹脂が用いられる場合がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、特定のアクリルポリマー、（メタ）アクリレート化合物、エポキシ樹脂及び光開始剤を含有する感光性樹脂組成物を用いて、「埋込性」を向上させたことが記載されている。
また、特許文献２には、感光性樹脂からなるフィルムを、絶縁部及び導電部を覆うように配置することで、封止される被対象物に段差があっても、その段差部に起因したボイドの発生が抑制され、ひいては優れた耐食性を備える半導体装置を提供することができること等が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１６８０４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６０７６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、感光性樹脂は電子デバイスの製造において様々に用いられている。
しかし、本発明者らの検討によると、例えば、図１に示されるように、基板１の上に載置された半導体素子２（具体的には半導体チップなど）の上に、感光性樹脂膜３を形成し、その後露光、現像などを行った後、感光性樹脂膜を加熱して硬化させると、半導体素子２の間の部分に凹み５が生じる場合があった（特に図１（ｂ）および図１（ｃ）を参照）。
このような凹みは、電子デバイスの積層化や信頼性向上等の点において問題となりうる。特に、感光性樹脂膜３が厚い場合、凹み５も大きくなりがちであり、大きな問題となり得る。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。つまり、本発明は、基板上に載置された半導体素子上に感光性樹脂膜を形成して露光、現像等を行った後、感光性樹脂膜を加熱して硬化させる電子デバイスの製造工程において、半導体素子間に生じる凹みを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討の結果、感光性樹脂膜の加熱方法を工夫することで、上記の凹みを低減できる旨の知見を得た。これにより、以下に提供される発明を完成させ、上記課題を解決した。
【０００８】
本発明によれば、
半導体素子が載置された基板の当該半導体素子が載置された面に、エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜を形成して、感光性樹脂膜を備えた基板を得る製膜工程と、
前記感光性樹脂膜を露光する露光工程と、
露光された前記感光性樹脂膜を現像してパターン形成された樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン形成された樹脂膜を加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程よりも高い温度で前記パターン形成された樹脂膜を加熱する第２加熱工程と、
をこの順に含む電子デバイスの製造方法
が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板上に載置された半導体素子上に感光性樹脂膜を形成して露光、現像等を行った後、感光性樹脂膜を加熱して硬化させる電子デバイスの製造工程において、半導体素子間に生じる凹みを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の課題、および、本発明の工程の一部を説明するための模式図である。図１（ａ）および図１（ｂ）は、後述の製膜工程に対応する図である。図１（ｃ）は、特に、本発明の課題である「半導体素子間に生じる凹み」を示す図である。
【図２】第１加熱工程と第２加熱工程について補足するための図である。
【図３】実施例における評価の方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
図面中、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合がある。
図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。
【００１２】
本明細書中、「略」という用語は、特に明示的な説明の無い限りは、製造上の公差や組立て上のばらつき等を考慮した範囲を含むことを表す。
本明細書中、数値範囲の説明における「ａ〜ｂ」との表記は、特に断らない限り、ａ以上ｂ以下のことを表す。例えば、「１〜５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」を意味する。
【００１３】
本明細書における基（原子団）の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書における「（メタ）アクリル」との表記は、アクリルとメタアクリルの両方を包含する概念を表す。「（メタ）アクリレート」等の類似の表記についても同様である。
本明細書における「電子デバイス」の語は、半導体チップ、半導体素子、プリント配線基板、電気回路ディスプレイ装置、情報通信端末、発光ダイオード、物理電池、化学電池など、電子工学の技術が適用された素子、デバイス、最終製品等を包含する意味で用いられる。
【００１４】
＜電子デバイスの製造方法＞
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、
半導体素子が載置された基板の当該半導体素子が載置された面に、エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜を形成して、感光性樹脂膜を備えた基板を得る製膜工程（以下、単に「製膜工程」ともいう）と、
感光性樹脂膜を露光する露光工程（以下、単に「露光工程」ともいう）と、
露光された感光性樹脂膜を現像してパターン形成された樹脂膜を得る現像工程（以下、単に「現像工程」ともいう）と、
パターン形成された樹脂膜を加熱する第１加熱工程（以下、単に「第１加熱工程」ともいう）と、
第１加熱工程よりも高い温度でパターン形成された樹脂膜を加熱する第２加熱工程（以下、単に「第２加熱工程」ともいう）と、
をこの順に含む。
【００１５】
このような工程により、前述の「半導体素子間に生じる凹み」が低減される理由は、必ずしも全てが明らかではないが、以下のように説明することができる。
【００１６】
エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜の熱硬化については、加熱温度が高いほど硬化は進行する。しかし、硬化前の感光性樹脂膜には低分子量成分が多く含まれる。よって、その低分子量成分の一部が、加熱により系外に放出されてしまう（揮発してしまう）と考えられる。
エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜が、平坦な基板上に形成される場合には、低分子量成分の一部が系外に放出されても問題は少ないと考えられる（平坦な基板において、低分子量成分が一様に放出されるならば、場所により膜厚が異なることは無いはずである）。しかし、本発明の課題において説明したように、半導体素子が載置された（換言すると、段差がある）基板の上に感光性樹脂膜を形成した場合など、樹脂膜の膜厚が場所により異なる場合は、場所により低分子量成分の放出のされ方に違いが生じると考えられる。これが、前述の凹みの原因と推測される。
【００１７】
本実施形態の電子デバイスの製造方法では、第１加熱工程において、比較的低い温度で樹脂膜を加熱することで、低分子量成分の放出（揮発）を抑えながら樹脂膜をある程度硬化させる。そしてその後、第２加熱工程において、比較的高い温度で樹脂膜を加熱することで十分な硬化状態を得る。これら二段階の加熱硬化により、凹みの問題が軽減され、かつ十分に硬化した硬化膜を得ることができると考えられる。
【００１８】
なお、低分子量成分の放出（揮発）を抑えるという目的のみであれば、比較的低温と比較的高温の二段階の加熱硬化を行わず、比較的低い温度での加熱硬化のみを行うことが考えられる。
しかしながら、そのようにした場合、硬化反応自体が不十分となる懸念がある。硬化が不十分であると、例えば硬化膜のガラス転移温度が低くなり、硬化膜の耐熱性や実装時の信頼性などの点で問題となりうる。
本実施形態の電子デバイスの製造方法では、二段階の加熱硬化により、凹みを低減するだけでなく、硬化反応自体を十分に進行させることができ、これにより硬化膜のガラス転移温度を高くする（ひいては硬化膜の耐熱性や実装時の信頼性を高める）こともできると考えられる。
【００１９】
以下、各工程についてより具体的に説明する。
なお、製膜工程の説明においては図１を一部参照し、第１加熱工程および第２加熱工程の説明のために図２を一部参照するが、それ以外の工程の説明においては特に図面を参照しない。
【００２０】
（製膜工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、製膜工程を含むことができる。
具体的には、図１（ｂ）に示されるように、半導体素子２が載置された基板１における、半導体素子２が載置された面に、感光性樹脂膜３を形成することができる。
【００２１】
基板１は任意の基板であってよいが、例えば、シリコンウエハー、シリコンオキサイドウエハー、シリコンナイトライドウエハー、ＦＲ４（ Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ  ４の略で、ガラス繊維の布にエポキシ樹脂をしみ込ませ熱硬化処理を施し板状にしたもの）などである。基板１には配線や回路構造等が形成されていてもよい。
半導体素子２の大きさ等は特に限定されないが、典型的には、上面視した時の縦および横の大きさがそれぞれ５〜３０ｍｍ程度、また、側面視したときの高さが１０〜２００μｍ程度である。
なお、基板１と半導体素子２は、何らかの手段で接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。
【００２２】
ここでの製膜は、大きくは以下の２つの方法のいずれかにより行われる。
（ｉ）フィルム状の感光性樹脂組成物３Ａ（図１（ａ））を用いて、ラミネート法により製膜する。
（ｉｉ）液状の感光性樹脂組成物を、半導体素子２が載置された基板１における半導体素子２が載置された面に塗布することで製膜する（図示せず）。
【００２３】
本実施形態の電子デバイスの製造方法においては、上記のいずれの方法により製膜工程を行ってもよい。しかしながら、樹脂膜表面の平坦性の担保（特に、樹脂膜が厚い場合や、基板の面積が広い場合などにはクリティカルな問題となる）を鑑みると、（ｉ）のラミネート法による製膜が好ましい。
以下、ラミネート法により製膜工程を行う場合についてより詳しく説明する。
【００２４】
フィルム状の感光性樹脂組成物（図１（ａ）における感光性樹脂組成物３Ａ）は、例えば、適当な支持フィルム（合成樹脂フィルム、例えばＰＥＴフィルム等）の上に、液状の感光性樹脂組成物を略一定の膜厚で塗布し、そして乾燥させることで得ることができる。このとき、塗布には、ロールコーター、コンマコーター等の公知の塗布装置を用いることができる。また、感光性樹脂組成物は、支持フィルムと接する面と反対の面に表面保護フィルム（ＰＥＴフィルムなど）を貼り付けてもよい。このようにすることで、保管時の外力による外観悪化を防ぐことができる。
ここで塗布される感光性樹脂組成物に含まれる成分等については、後述する。
【００２５】
ラミネート用の感光性樹脂組成物の厚みは、載置された半導体素子（図１における半導体素子２）の高さ等により適宜調整されるが、例えば３〜５００μｍ、より好ましくは５〜３００μｍ、更に好ましくは１０〜２００μｍである。
【００２６】
支持フィルム上に形成されたフィルム状の感光性樹脂組成物は、半導体素子が載置された基板の当該半導体素子が載置された面と直接触れるように配置される。そして、真空ラミネート装置等を用いたラミネート工程により、感光性樹脂膜を基板上に形成することができる。
真空ラミネートの条件は、例えば、圧力０．１〜１．０ＭＰａ、温度５０〜１２０℃、時間１０〜９０秒である。
このラミネート工程後、通常、支持フィルムは剥離される。
【００２７】
感光性樹脂膜を形成するための感光性樹脂組成物の含有成分などについて説明する。
感光性樹脂組成物は、少なくともエポキシ樹脂を含有する。また、硬化剤や感光剤などを含むことが好ましい。さらに、密着助剤、界面活性剤などの他の成分を含んでもよい。なお、感光性樹脂組成物が液状である場合には、感光性樹脂組成物は更に溶剤を含むことが好ましい。
以下、含有成分などについてより具体的に説明する。
【００２８】
・エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、例えば、１分子中にエポキシ基が２個以上であるものを使用することができる。
具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ナフタレン骨格型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族多官能エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族多官能エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、多官能脂環式エポキシ樹脂などを挙げることができる。
エポキシ樹脂は、単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。
【００２９】
また、エポキシ樹脂は、３官能以上の多官能エポキシ樹脂を含むことができる。
具体的には、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）エチル］フェニル］プロパン、フェノールノボラック型エポキシ、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、α−２，３−エポキシプロポキシフェニル−ω−ヒドロポリ（ｎ＝１〜７）｛２−（２，３−エポキシプロポキシ）ベンジリデン−２，３−エポキシプロポキシフェニレン｝、１−クロロ−２，３エポキシプロパン・ホルムアルデヒド・２，７−ナフタレンジオール重縮合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などを挙げることができる。
多官能エポキシ樹脂は、単独で用いてもよいし、複数組み合わせて用いてもよい。
【００３０】
また、エポキシ樹脂は、シロキサン構造を含む樹脂や、シルフェニレン構造を含む樹脂などであってもよい。より具体的には、特許第６０３１０５９号公報の請求項４や段落００５５以降に記載された、シロキサン構造を含む樹脂や、シルフェニレン構造を含む樹脂を好ましく用いることができる。
【００３１】
エポキシ樹脂の含有量の下限値は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して、例えば、４０質量％以上であり、好ましくは４５質量％以上であり、より好ましくは５０質量％以上である。これにより、感光性樹脂組成物の硬化物において、耐熱性や機械的強度を向上させることができる。一方で、エポキシ樹脂の含有量の上限値は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して、例えば、８０質量％以下であり、好ましくは７５質量％以下であり、より好ましくは７０質量％以下である。含有量を適切に調整することで、感光性樹脂組成物のパターニング性を向上させることができる。
【００３２】
なお、ここで「固形分」とは、組成物中から水および有機溶媒を除いた残部のことをいう。エポキシ樹脂以外の他の成分においても同様である。
【００３３】
・硬化剤
硬化剤としては、エポキシ樹脂の重合反応を促進させるものであればとくに限定されない。
例えば、フェノール性水酸基を有する硬化剤を含むことができる。より具体的には、フェノール樹脂を用いることができる。フェノール樹脂は公知のものの中から適宜選択することができるが、たとえばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、トリスフェニルメタン型フェノール樹脂、アリールアルキレン型フェノール樹脂を用いることができる。また、低分子フェノール化合物（多核フェノール化合物）を用いることもできる。
【００３４】
硬化剤は、一態様として、良好な現像特性を有するノボラック型フェノール樹脂が好ましい。
また、別の態様として、以下に例示されるような低分子フェノール化合物（ベンゼン環を２〜５個程度含み、かつ、フェノール性水酸基を２〜６個程度含む低分子化合物）も好ましく用いられる。
【００３５】
【化１】
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【００３６】
硬化剤の含有量は、エポキシ樹脂全体を１００質量部とした時に、例えば２５〜１００質量部であり、好ましくは３０〜９０質量部であり、より好ましくは３５〜８０質量部である。この範囲内で配合することで硬化物の耐熱性や強度の向上が期待できる。
【００３７】
・感光剤
感光剤としては、光酸発生剤、すなわち、紫外線等の活性光線の照射により酸を発生する化合物を使用することができる。
具体的には、オニウム塩化合物などを挙げることができる。より具体的には、ジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩等のヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等のスルホニウム塩、トリアリールビリリウム塩、ベンジルピリジニウムチオシアネート、ジアルキルフェナシルスルホニウム塩、ジアルキルヒドロキシフェニルホスホニウム塩などを挙げることができる。
【００３８】
また、光酸発生剤としては、オキシムスルホネート構造を有する光酸発生剤や、イミドスルホネート構造を有する光酸発生剤なども挙げることができる。これら光酸発生剤の具体的構造としては、例えば以下を挙げることができる。
【００３９】
【化２】
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【００４０】
感光剤としては、分解によるフッ化水素の発生がないものが好ましい。これにより、基板等の腐食を低減することができる。
【００４１】
感光剤の含有量の下限値は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して、例えば０．３質量％であり、好ましくは０．５質量％であり、より好ましくは１質量％である。これにより、感光性樹脂組成物において、パターニング性を向上させることができる。
また、感光剤の含有量の上限値は、感光性樹脂組成物の固形分全体に対して、例えば２０質量％であり、好ましくは１５質量％であり、より好ましくは１０質量％であり、さらに好ましくは５質量％である。これにより、感度と、他の性能とのバランスを取りやすくなる。
【００４２】
・密着助剤
密着助剤は特に限定されない。例えば、アミノシラン、エポキシシラン、アクリルシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン、ウレイドシラン、酸無水物官能型シラン、スルフィドシラン等のシランカップリング剤を用いることができる。シランカップリング剤は、１種類を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、エポキシシラン（すなわち、１分子中に、エポキシ部位と、加水分解によりシラノール基を発生する基の両方を含む化合物）または酸無水物官能型シラン（すなわち、１分子中に、酸無水物基と、加水分解によりシラノール基を発生する基の両方を含む化合物）が好ましい。
【００４３】
アミノシランとしては、例えば、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、またはＮ−フェニル−γ−アミノ−プロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４４】
エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、またはβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシジルプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４５】
アクリルシランとしては、例えば、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）メチルジメトキシシラン、またはγ−（メタクリロキシプロピル）メチルジエトキシシラン等が挙げられる。
【００４６】
メルカプトシランとしては、例えば、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４７】
ビニルシランとしては、例えば、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、またはビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４８】
ウレイドシランとしては、例えば、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００４９】
酸無水物官能型シランとしては、例えば、３−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物などが挙げられる。
【００５０】
スルフィドシランとしては、例えば、ビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）ジスルフィド、またはビス（３−（トリエトキシシリル）プロピル）テトラスルフィド等が挙げられる。
【００５１】
密着助剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、通常０．０１〜５質量％、好ましくは０．０５〜３質量％である。この範囲とすることで、他の性能とのバランスを取りつつ、密着助剤の効果である「密着性」を十分に得ることができると考えられる。
【００５２】
・界面活性剤
感光性樹脂組成物が界面活性剤を含むことで、樹脂膜の厚みの均一性の向上等が期待できる。
界面活性剤としては、フッ素原子およびケイ素原子の少なくともいずれかを含むノニオン系界面活性剤であることが好ましい。市販品としては、例えば、ＤＩＣ株式会社製の「メガファック」シリーズの、Ｆ−２５１、Ｆ−２５３、Ｆ−２８１、Ｆ−４３０、Ｆ−４７７、Ｆ−５５１、Ｆ−５５２、Ｆ−５５３、Ｆ−５５４、Ｆ−５５５、Ｆ−５５６、Ｆ−５５７、Ｆ−５５８、Ｆ−５５９、Ｆ−５６０、Ｆ−５６１、Ｆ−５６２、Ｆ−５６３、Ｆ−５６５、Ｆ−５６８、Ｆ−５６９、Ｆ−５７０、Ｆ−５７２、Ｆ−５７４、Ｆ−５７５、Ｆ−５７６、Ｒ−４０、Ｒ−４０−ＬＭ、Ｒ−４１、Ｒ−９４等の、フッ素を含有するオリゴマー構造の界面活性剤、株式会社ネオス製のフタージェント２５０、フタージェント２５１等のフッ素含有ノニオン系界面活性剤、ワッカー・ケミー社製のＳＩＬＦＯＡＭ（登録商標）シリーズ（例えばＳＤ  １００  ＴＳ、ＳＤ  ６７０、ＳＤ  ８５０、ＳＤ  ８６０、ＳＤ  ８８２）等のシリコーン系界面活性剤が挙げられる。
【００５３】
界面活性剤の含有量は、感光性樹脂組成物の固形分全体を基準として、通常０．０１〜５質量％、好ましくは０．０５〜３質量％である。この範囲とすることで、他の性能とのバランスを取りつつ、樹脂膜の厚みの均一性の向上等の効果を十分に得ることができると考えられる。
【００５４】
・溶剤
感光性樹脂組成物が液体状である場合には、感光性樹脂組成物は更に溶剤を含むことが好ましい。
溶剤は、典型的には有機溶剤である。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ラクトン系溶剤、カーボネート系溶剤などを用いることができる。
【００５５】
より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、プロピレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、プロピレングリコール１−モノメチルエーテル２−アセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ベンジルアルコール、プロピレンカーボネート、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、アニソール、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等の有機溶剤を挙げることができる。
溶剤を用いる場合は、一種のみを用いてもよいし、二種以上を用いてもよい。
【００５６】
溶剤を用いる場合、その使用量は特に限定されないが、例えば、固形分濃度が３０〜８５質量％、好ましくは４０〜８０質量％となるような量で使用される。
【００５７】
・その他の成分
感光性樹脂組成物は、上記の成分に加え、必要に応じて、その他の成分を含んでもよい。その他の成分としては、架橋剤、塩基性化合物、硬化促進剤、酸化防止剤、シリカ等の充填材、増感剤、フィルム化剤等が挙げられる。
【００５８】
上記のうち、架橋剤については、−Ｎ−ＣＨ２−ＯＨの部分構造を複数個（典型的には２〜６個）有する化合物を挙げることができる。より具体的には、市販のメラミン系架橋剤、グリコールウリル系架橋剤、尿素系架橋剤を挙げることができる。
【００５９】
上記のうち、塩基性化合物については、各種のアミン化合物（例えば１級アミン、２級アミン、３級アミンなど）を挙げることができる。
【００６０】
上記のうち、硬化促進剤については、アミジン骨格を含む含窒素複素環式化合物またはその塩を挙げることができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（別称：ジアザビシクロウンデセン、略称：ＤＢＵ）、６−（ジブチルアミノ）−１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（略称：ＤＢＡ−ＤＢＵ）、６−（２−ヒドロキシプロピル）−１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン（略称：ＯＨ−ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５（略称：ＤＢＮ）、ＤＢＵのフェノール塩（具体的には、商品名：Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ１（サンアプロ社製））、ＤＢＵのオクチル酸塩（具体的には、商品名：Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ１０２（サンアプロ社製））、ＤＢＵのｐ−トルエンスルホン酸塩（具体的には、商品名：Ｕ−ＣＡＴ  ＳＡ５０６（サンアプロ社製））、ＤＢＮのオクチル酸塩（具体的には、商品名：Ｕ−ＣＡＴ  １１０２（サンアプロ社製））などを挙げることができる。
【００６１】
・組成物の性状など
前述のように、感光性樹脂組成物の性状は、フィルム状や液状でありうる。
塗布により製膜を行う場合、感光性樹脂組成物は通常液状であり、そして溶剤を含む。溶剤の具体例などについては上述のとおりである。
【００６２】
また、前述のラミネート法により製膜を行う場合、感光性樹脂組成物は、典型的にはフィルム状であり、溶剤を実質的に含まない。つまり、若干量の不可避的な残存溶剤以外は含まない。
ただし、フィルム状の感光性樹脂組成物を得るに際しては、通常、溶剤が必要である。すなわち、感光性樹脂組成物を支持フィルムに塗布してラミネート用フィルムを作製する（フィルム状の感光性樹脂組成物を得る）ときに溶剤は必要である。
【００６３】
（露光工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、露光工程を含むことができる。
露光工程については、典型的には、適当なフォトマスクを介するなどして、上記の製膜工程で製膜した感光性樹脂膜に、活性光線を照射する。フォトマスクを介した露光の方法としては、密着露光法、投影露光法、コンタクト・プロキシミティ露光法などが適宜適用可能である。
【００６４】
露光光源は、感光性樹脂膜の感光特性などに基づき適宜設定可能であるが、例えば波長１００〜１０００ｎｍの光、より具体的にはｇ線、ｉ線などが挙げられる。
露光量（ドーズ）も、感光性樹脂膜の感光特性などに基づき適宜設定可能であるが、例えば、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００６５】
なお、露光工程後かつ現像工程前に、必要に応じて、感光性樹脂膜を加熱してもよい。この温度・時間は、例えば８０〜１４０℃、１０〜３００秒程度である。これにより、樹脂膜の化学反応が促進されるため、よりパターニング性能の良化（例えばパターン形状の良化）を行える場合がある。
【００６６】
（現像工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、現像工程を含むことができる。
現像は、適当な現像液を用いて、例えば浸漬法、パドル法、回転スプレー法などの方法により行うことができる。現像により、樹脂膜の露光部（ポジ型画像形成の場合）または未露光部（ネガ型画像形成の場合）が除去され、パターニングされた樹脂膜が得られる。なお、本実施形態の電子デバイスの製造方法においては、通常、現像により未露光部が除去され、ネガ型のパターンが得られる。
現像時間（現像液を樹脂膜に接触させる時間）は、好ましくは０．５秒〜１０分、より好ましくは１秒〜５分である。
【００６７】
現像に使用可能な現像液は特に限定されない。一態様として、有機溶剤現像液（有機溶剤を組成中９５質量％以上含有する現像液）を用いることができる。有機溶剤として具体的には、シクロペンタノン等のケトン溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートや酢酸ブチルなどのエステル溶剤を挙げることができる。また、現像液には、例えばメタノール、エタノールなどの水溶性有機溶媒や、界面活性剤などが添加されていてもよい。
本実施形態の電子デバイスの製造方法においては、有機溶剤現像液を用いることが好ましい。
【００６８】
また、アルカリ水溶液、例えば、（ｉ）水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機アルカリ水溶液、（ｉｉ）エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミンなどの有機アミン水溶液、（ｉｉｉ）テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシドなどの４級アンモニウム塩の水溶液なども現像液として挙げることができる。
【００６９】
なお、現像工程においては、現像液の振り切りや現像後のリンス等により現像液を十分に除去することが好ましい。
現像液の振り切りは、例えば、基板を回転させる等により行うことができる。
現像後のリンスは、例えば、リンス液を、スピンコート、噴霧、浸漬等により、基板およびパターニングされた樹脂に供することで行う。リンス液としては、例えば蒸留水、アルコール類、エーテル類（例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなど）を用いることができる。
【００７０】
（第１加熱工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、第１加熱工程を含むことができる。
加熱方法は、任意の方法であってよい。例えば、加熱用のオーブンや、ホットプレート等を挙げることができる。また、加熱の雰囲気も適宜選択してよい。すなわち、加熱は、空気下、窒素や希ガス等の不活性雰囲気下、減圧または真空下などで行うことができる。
温度管理のしやすさや、不活性雰囲気を作りやすい等の点で、オーブンによる加熱が好ましい。
【００７１】
第１加熱工程の温度は、好ましくは７０〜１８０℃の範囲内であり、より好ましくは１２０〜１８０℃の範囲内であり、さらにより好ましくは１５０〜１８０℃の範囲内である。
温度を１８０℃以下とすることで、前述の「低分子量成分の揮発」を十分に少なくすることができ、凹みの低減の効果を確実に得ることができる。また、温度を７０℃以上とすることで、エポキシ樹脂等の反応を十分早く進行させることができ、スループットの向上等を期待することができる。
【００７２】
なお、第１加熱工程においては、上記温度範囲内である限り、温度変動があってもよい。つまり、第１加熱工程は、一定の温度で行われる必要は無い。例えば、７０℃から１８０℃まで徐々に昇温するような加熱であってもよい。
【００７３】
第１加熱工程の時間は、好ましくは３０〜１２０分であり、より好ましくは４０〜１００分であり、さらに好ましくは４５〜９０分である。
第１加熱工程を３０分以上行うことで、低分子量成分が系中にとどまりやすくなり、そして他成分と反応して高分子量化しやすくなる（つまり低分子量成分の揮発をより抑えることができる）。よって、前述の凹みの低減の効果を一層得ることができると考えられる。また、第１加熱工程を１２０分以下で行うことで、スループットの向上等を期待することができる。
【００７４】
（第２加熱工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、第２加熱工程を含むことができる。
加熱方法は、任意の方法であってよい。第１加熱工程と同様、加熱用のオーブンや、ホットプレート等を用いることができ、また、加熱の雰囲気も特に限定されない。温度管理のしやすさ等の点でオーブンによる加熱が好ましい。
【００７５】
第２加熱工程の温度は、好ましくは１９０〜２５０℃の範囲内であり、より好ましくは１９０〜２３０℃の範囲内であり、さらにより好ましくは１９０〜２１０℃の範囲内である。
加熱温度を１９０℃以上とすることで、感光性樹脂膜中のエポキシ樹脂などを十分に反応させることができ、硬化物の機械物性等をより良好とすることができる。一方、加熱温度を２５０℃以下とすることで、わずかに残存する低分子量成分の揮発を抑えることができ、凹みの一層の低減の効果を得ることができる。
なお、第２加熱工程も、第１加熱工程と同様、温度は一定でなくてもよく、温度変動（昇温など）があってもよい。
【００７６】
第２加熱工程の時間は、好ましくは３０〜１２０分であり、より好ましくは４０〜１００分であり、さらに好ましくは４５〜９０分である。
上記時間とすることで、樹脂膜を十分に硬化させることと、スループットとの両立を図りやすくなる。
【００７７】
（第１加熱工程と第２加熱工程に関する補足）
第１加熱工程と第２加熱工程とは、一態様として、連続して行うことができる。
例えば、オーブンを用いてまず一定の温度で第１加熱工程を行い、その後、当該オーブンの設定温度を上げ、第１加熱工程よりも高い一定の温度で続けて第２加熱工程を行う、というようにすることができる（加熱パターン１）。
あるいは、オーブンの温度を連続的に昇温させて、第１加熱工程と第２加熱工程とを分け隔てなく行ってもよい（加熱パターン２）。
【００７８】
参考のため、上記の加熱パターン１および２における、加熱温度と時間の関係を表したグラフを図２に示す。これらの「連続的な加熱」も、本実施形態の電子デバイスの製造方法における「パターン形成された樹脂膜を加熱する第１加熱工程と、第１加熱工程よりも高い温度で前記パターン形成された樹脂膜を加熱する第２加熱工程」の一態様である。なお、便宜的に、例えば加熱温度が１８５℃未満の領域を第１加熱工程、加熱温度が１８５℃以上の領域を第２加熱工程とすることができる。
【００７９】
第１加熱工程と第２加熱工程とを連続して行う場合、１つのオーブンで２つの工程を行うことになるため、新たな設備投資等が不要であるというメリットが期待できる。また、加熱を１つのオーブンで連続して行うことができるため、以下に述べる別の態様に比べて、窒素ガス等の不活性ガス環境下での加熱を継続しやすく、基板や樹脂膜の酸化を抑えやすいといったメリットもある。
【００８０】
一方、別の態様として、第１加熱工程と第２加熱工程との間に、基板の温度を下げる工程を含めてもよい。例えば、第１のオーブンに基板を入れて用いてまず第１加熱工程を行い、その後、基板を第１のオーブンから一旦取り出す（このときに、基板の温度が一旦下がる）。その後、第１のオーブンより高温に予熱された第２のオーブンに基板を入れて第２加熱工程を行うことができる。
こうすると、前述の態様では必要な「オーブンの昇温」をする必要が無いため、プロセス全体としての時間短縮、プロセスの安定性などのメリットを期待することができる。
【００８１】
（その他の工程）
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、上記以外の工程を含んでもよい。例えば、加熱後の放熱工程、樹脂膜に孔を空ける工程などを含んでいてもよい。
【００８２】
（樹脂膜の質量減少について）
上述したが、本実施形態の電子デバイスの製造方法は、加熱工程を工夫することで、感光性樹脂膜からの低分子量成分の揮発を抑えることができると考えられる。
換言すると、本実施形態の電子デバイスの製造方法によれば、加熱硬化による感光性樹脂膜の質量減少を抑えることができる。
【００８３】
具体的には、本実施形態の電子デバイスの製造方法によれば、現像工程後かつ第１加熱工程前の樹脂膜を基準としたときの、第２加熱工程後の樹脂膜の質量減少を、３．５％以下とすることができる。
【００８４】
この「質量減少が少ない」（感光性樹脂膜からの揮発が少ない）ということは、上述の凹みの問題が低減されるということだけでなく、揮発による製造装置の汚染を低減できることも意味する。つまり、本実施形態の電子デバイスの製造方法は、製造装置の汚染を少なくできるという効果も奏すると言える。
【００８５】
（樹脂膜のガラス転移温度）
本実施形態の電子デバイスの製造方法を通して得られる硬化膜（エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜の硬化膜）のガラス転移温度は、典型的には１５０〜２００℃である。
第１加熱工程および第２加熱工程の温度を選択するに際し、このガラス転移温度を参考とすることも考えられる。例えば、第１加熱工程の温度はガラス転移温度よりも低くとすることで、樹脂膜中の分子運動を抑えて低分子量成分の揮発をより低減し、一方で第２加熱工程の温度はガラス転移温度よりも高くすることで分子運動を活発化させ、残存するエポキシ基を反応させやすくするといったことが考えられる。
【００８６】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
【実施例】
【００８７】
本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００８８】
＜エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜の形成＞
まず、表１に示す原料をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）に溶解させ、溶液を調製した。
次に、調製した溶液を、孔径０．２μｍのポリプロピレンフィルターでろ過し、ワニス状の感光性樹脂組成物を得た。この感光性樹脂組成物はネガ型であり、固形分の割合は５０質量％とした。
【００８９】
【表１】
2019117334.tif 000005
【００９０】
表１における、エポキシ樹脂、硬化剤、感光剤、界面活性剤およびカップリング剤の入手先、化学構造等について以下に示す。
【００９１】
【表２】
2019117334.tif 000006
【００９２】
【化３】
2019117334.tif 000007
【００９３】
【化４】
2019117334.tif 000008
【００９４】
【化５】
2019117334.tif 000009
【００９５】
【化６】
2019117334.tif 000010
【００９６】
上記で準備した溶液を、コンマコーターを用いて、支持フィルムであるＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗工し、８０℃５分の条件で乾燥させた。こうしてラミネート用フィルムを作製した。膜厚は、後のラミネート後に得られる感光性樹脂膜の素子上での厚みが１０μｍとなるように調整した。また、表面保護のため、保護フィルムとしてＰＥＴフィルム（帝人フィルムソリューション社製、ピューレックス（登録商標）Ａ５４、膜厚３８μｍ）を感光性樹脂膜の支持フィルムと接する面と反対の面に貼り付けた。
【００９７】
＜実施例１：プロセスの実施＞
以下の手順に基づき、製膜工程から第２加熱工程までを行った。
【００９８】
（１）基板および半導体素子の準備
図３に示されるように、直径８インチのシリコン製基板の上に、縦横の大きさ１０．５ｍｍ×８ｍｍ、高さ（厚み）１５０μｍの半導体素子を１０１個載置した。素子の接着は公知の接続用の接着剤を接着剤として用いて行った。
【００９９】
（２）製膜工程
まず、上記＜エポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜の形成＞で作製したラミネートフィルムから、保護フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離し、感光性樹脂膜の支持フィルムと接していない面を露出させた。
その後、（１）で準備した基板における半導体素子が載置された面と、上記で露出させた感光性樹脂膜の支持フィルムと接していない面とを密着させた。そして、真空ラミネータ装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、７０℃、０．４ＭＰａの条件で真空ラミネートを行った。放冷後、支持フィルムであるＰＥＴフィルムを剥離した。これにより、基板および半導体素子を覆う、表面が略平坦なエポキシ樹脂を含む感光性樹脂膜を形成した。
形成された感光性樹脂膜の膜厚（半導体素子が載置されていない箇所の膜厚）は、１８０μｍであった。
【０１００】
（３）露光工程
（２）で設けた感光性樹脂膜に対して、フォトマスクを介してパターン露光を行った。
露光光源はＮＳＲ−４４２５ｉ （ＮＩＫＯＮ社製）を用いた。光量は３００ｍＪ／ｃｍ２とした。
露光後にはホットプレート上で、７０℃、５分の条件で露光後加熱をした。
【０１０１】
（４）現像工程
（３）の工程を経た樹脂膜を、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）で９０秒間スプレー現像することで、未露光部を溶解除去した。
【０１０２】
（５）加熱工程
上記（４）の現像工程後の基板を、オーブンに投入し、雰囲気をＮ２置換した。その後、室温から１７０℃まで５℃／分の速度で昇温し、その後１７０℃で６０分間加熱して樹脂膜を硬化させた（第１加熱工程）。
その後、基板を一旦取り出し、室温まで放冷の後、オーブンに投入し、雰囲気をＮ２置換した。その後、室温から２００℃まで５℃／分の速度で昇温し、その後２００℃で６０分間加熱して、樹脂膜をさらに硬化させた（第２加熱工程）。
【０１０３】
＜実施例２：プロセスの実施＞
実施例１の（５）加熱工程において、第１加熱工程後の基板をオーブンから取り出さずに、オーブンの温度を２００℃まで昇温し、さらに６０分間樹脂膜を硬化させて第２硬化工程を行った以外は、実施例１と同様のプロセスを実施した。
【０１０４】
＜実施例３：プロセスの実施＞
実施例１で、第１加熱工程の「１７０℃で６０分間加熱」を「１４０℃で６０分間加熱」にした以外は、実施例１と同様のプロセスを実施した。
【０１０５】
＜比較例：プロセスの実施＞
実施例１で、（５）加熱工程を２段階で行わず、室温から２００℃まで５℃／分の速度で昇温し、その後２００℃で１２０分の１段階の硬化のみを行った以外は、実施例１と同様のプロセスを実施した。
【０１０６】
＜参考例：プロセスの実施＞
実施例１で、（５）加熱工程を２段階で行わず、室温から１７０℃まで５℃／分の速度で昇温し、その後１７０℃で１２０分の１段階の硬化のみを行った以外は、実施例１と同様のプロセスを実施した。
【０１０７】
＜評価：凹み＞
上記の実施例、比較例または参考例のプロセスにより硬化させた樹脂膜について、表面の凹凸を測定するために、表面粗さ測定を行った。装置は、株式会社東京精密で販売されている表面粗さ測定装置（品番：ＳＵＲＦＣＯＭ  １４００Ｇ−６４）を用いた。
測定は、図３の太線で囲われた部分の５か所において、隣接素子間の最高点から最低点までの深さ方向の距離を凹みの深さを測定した。そして、５か所の凹みのうち、最大値および最小値を除いた３か所での凹みの平均値により凹みの深さを定量的に評価した。
【０１０８】
＜評価：質量減少＞
株式会社日立ハイテクノロジーズ製の示差熱熱重量同時測定装置（品番：ＳＴＡ７２００ＲＶ）を用いて、加熱時の質量減少率測定を実施した。
具体的には、上記（４）の現像工程終了後の膜を粉末化したサンプル１０ｍｇを用いて、上記（５）加熱工程と同一の昇温速度、硬化温度および硬化時間で加熱した際の質量減少率を測定した。ただし、実施例１〜３、比較例および参考例のうち、第１加熱工程と第２加熱工程の間に基板からオーブンを一旦取り出した例においては、第１加熱工程後、液体窒素で室温まで急降下させ、そして第２加熱工程を行った。
【０１０９】
＜評価：硬化膜のガラス転移温度＞
セイコーインスツルメンツ社製の熱機械的装置（品番：ＴＭＡ／ＳＳ６０００）を用いてガラス転移温度を測定した。具体的には、各実施例、比較例または参考例で得られた硬化膜を、５℃／分の昇温速度で３０℃から４００℃まで昇温した際の、膜の熱膨張量の変曲点をガラス転移温度とした。
【０１１０】
各評価の結果をまとめて表３に示す。
【０１１１】
【表３】
2019117334.tif 000011
【０１１２】
表３からわかるとおり、加熱工程を２段階で行った実施例１〜３では、比較例に比べて硬化膜表面の凹みを有意に低減できた。
【０１１３】
また、加熱工程を２段階で行ったことで、比較例に比べて膜の質量減少が少なくなる旨のデータが得られた。このことは、加熱工程を２段階で行ったことにより、前述の「膜中の低分子量成分の系外への放出」が抑えられたことの傍証となっていると考えられる。
低分子量成分の系外への放出が抑えられる結果、揮発による製造装置の汚染を低減できると考えられる。
【０１１４】
なお、加熱工程を、低温（１７０℃）の一段階のみとした参考例では、凹みは小さかったが、ガラス転移温度が実施例１〜３および比較例で得られた硬化膜に比べ、ガラス転移温度が有意に低い値であった（同一材料を用いたにもかかわらず、ガラス転移温度が１０℃以上異なった）。
この結果は、低温での一段階加熱では、低分子成分の放出は抑えられたため凹みは小さくできたものの、硬化反応自体が不十分となってしまったことを表していると考えられる。
【符号の説明】
【０１１５】
１    基板
２    半導体素子
３    感光性樹脂膜
３Ａ  感光性樹脂組成物（フィルム状の感光性樹脂組成物）
５    凹み
【図１】
2019117334.tif 000012
【図２】
2019117334.tif 000013
【図３】
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