(57)【要約】【課題】湿度変化に対する応答性を向上できるガスセンサを提供する。【解決手段】本開示は、被検出雰囲気中のガスを検出するためのガスセンサである。ガスセンサは、自身の温度変化により抵抗値が変化する抵抗体を有するガス検出素子を備える。ガス検出素子は、抵抗体が配置された基板と、カバーと、を有する。カバーは、基板の厚み方向で抵抗体と重なる領域において、基板との間に内部空間を形成するよう基板の表面に取り付けられる。また、カバーは、内部空間に連通すると共に、水蒸気を透過しかつ被検出ガスを透過しない膜体で塞がれた開口を有する。【選択図】図２
2019027991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出雰囲気中のガスを検出するためのガスセンサであって、
自身の温度変化により抵抗値が変化する抵抗体を有するガス検出素子を備え、
前記ガス検出素子は、
前記抵抗体が配置された基板と、
前記基板の厚み方向で前記抵抗体と重なる領域において、前記基板との間に内部空間を形成するよう前記基板の表面に取り付けられたカバーと、
を有し、
前記カバーは、前記内部空間に連通すると共に、水蒸気を透過しかつ被検出ガスを透過しない膜体で塞がれた開口を有する、ガスセンサ。
【請求項２】
前記開口は、前記抵抗体と対向する位置に設けられる、請求項１に記載のガスセンサ。
【請求項３】
前記カバーは、複数の前記開口を有する、請求項１又は請求項２に記載のガスセンサ。
【請求項４】
前記膜体は、フッ素樹脂系のイオン交換膜である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項５】
前記膜体は、前記カバーに他の物質を介さず直接固定されている、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【請求項６】
前記ガス検出素子は、熱伝導式の検出素子である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
可燃性ガス等を検出するガスセンサとして、水分の影響を受けないガスセンサが公知である（特許文献１参照）。特許文献１のガスセンサでは、検知対象ガスに開放した空間に１つのガス検出素子が配置され、水蒸気を透過しかつ被検出ガスを透過しない膜体で覆った空間に別のガス検出素子が配置される。
【０００３】
これにより、特許文献１のガスセンサでは、１対のガス検出素子の湿度条件が同じになるため、湿度の影響を受けずにガスを検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１２４７１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記ガスセンサにおいて、例えば台座の上にガス検出素子を配置し、この台座にキャップを固定することで空間を形成すると、空間の容積の増大が避けられない。その結果、ガスセンサの湿度変化に対する応答性が低下するという不都合が生じる。
【０００６】
本開示の一局面は、湿度変化に対する応答性を向上できるガスセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様は、被検出雰囲気中のガスを検出するためのガスセンサである。ガスセンサは、自身の温度変化により抵抗値が変化する抵抗体を有するガス検出素子を備える。ガス検出素子は、抵抗体が配置された基板と、カバーと、を有する。カバーは、基板の厚み方向で抵抗体と重なる領域において、基板との間に内部空間を形成するよう基板の表面に取り付けられる。また、カバーは、内部空間に連通すると共に、水蒸気を透過しかつ被検出ガスを透過しない膜体で塞がれた開口を有する。
【０００８】
このような構成によれば、内部空間を形成するカバーがガス検出素子の基板に直接取り付けられるため、内部空間の容積を低減することができる。その結果、湿度変化に対する応答性を向上できる。また、内部空間の減少により、ガスセンサ全体の大きさを低減できる。
【０００９】
本開示の一態様では、開口は、抵抗体と対向する位置に設けられてもよい。このような構成によれば、内部空間の外部と抵抗体との距離が小さくなるので、湿度変化に対する応答性をより高めることができる。
【００１０】
本開示の一態様では、カバーは、複数の開口を有してもよい。このような構成によれば、カバー又は膜体の強度を維持しつつ、水蒸気の内部空間への透過性を高めることができる。その結果、湿度変化に対する応答性をより高めることができる。
【００１１】
本開示の一態様では、膜体は、フッ素樹脂系のイオン交換膜であってもよい。このような構成によれば、より確実に水蒸気を透過させつつ、被検出ガスを透過させないことができる。
【００１２】
本開示の一態様では、膜体は、カバーに他の物質を介さず直接固定されてもよい。このような構成によれば、カバーの開口に直接膜体を成形できるので、製造コストを低減することができる。
【００１３】
本開示の一態様では、抵抗体は、温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体であってもよい。また、ガス検出素子は、熱伝導式の検出素子であってもよい。このような構成によれば、本開示の利点を有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態のガスセンサを示す模式的な断面図である。
【図２】図１のガスセンサの第１ガス検出素子及び第２ガス検出素子近傍の模式的な部分拡大断面図である。
【図３】図１のガスセンサにおける第１ガス検出素子とカバーとの模式的な部分拡大断面図である。
【図４】図１のガスセンサにおける第１ガス検出素子の基板の模式的な平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線での模式的な断面図である。
【図６】図１のガスセンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図７】図２とは異なる実施形態のガスセンサを示す模式的な部分拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示すガスセンサ１は、被検出雰囲気中の特定のガスを検出するためのガスセンサである。
【００１６】
ガスセンサ１が検出する被検出ガスとしては、水素、アンモニア、一酸化炭素（ＣＯ）、炭化水素（ＨＣ）等の可燃性ガスが挙げられる。
ガスセンサ１は、図１に示すように、第１ガス検出素子２と、第２ガス検出素子３と、ケーシング４と、回路基板１０と、演算部１２とを備える。
【００１７】
＜第１ガス検出素子＞
第１ガス検出素子２は、熱伝導式の検出素子である。
第１ガス検出素子２は、図２及び図３に示すように、発熱抵抗体２１と、基板２２と、カバー２３とを有する。
【００１８】
（発熱抵抗体）
発熱抵抗体２１は、図４に示すように、平面視で（つまり素子の厚み方向から視て）渦巻き形状にパターン化された導体であり、基板２２の中央部分に埋設されている。具体的には、発熱抵抗体２１は、図５に示すように、基板２２を構成する第１圧縮応力層２２Ｄと第２圧縮応力層２２Ｅとの間に配置されている。
【００１９】
発熱抵抗体２１は、自身の温度変化により抵抗値が変化する部材であり、温度抵抗係数が大きい導電性材料で構成される。発熱抵抗体２１の材料としては、例えば白金（Ｐｔ）が使用できる。発熱抵抗体２１は、被検出ガスの存在により発熱抵抗体２１が配置された基板２２のダイアフラム構造の温度が変化することで、抵抗値が変化する。
【００２０】
発熱抵抗体２１には、図４に示すように、基板２２に埋設された配線２５が電気的に接続されている。配線２５は、両端が電極パッド２６Ａ，２６Ｂに電気的に接続されている。つまり、発熱抵抗体２１は、電極パッド２６Ａ，２６Ｂに電気的に接続されている。
【００２１】
電極パッド２６Ａ，２６Ｂは、図５に示すように、基板２２の表面に形成されている。また、電極パッド２６Ａ，２６Ｂは、第２圧縮応力層２２Ｅまで突出する突出部を有する。配線２５は、この突出部に接続されている。
【００２２】
（基板）
基板２２は、発熱抵抗体２１、配線２５及び電極パッド２６Ａ，２６Ｂを支持する。
基板２２は、本実施形態では６層構造を有する。具体的には、基板２２は、基材層２２Ａと、第１引張応力層２２Ｂと、第２引張応力層２２Ｃと、第１圧縮応力層２２Ｄと、第２圧縮応力層２２Ｅと、第３引張応力層２２Ｆとを有する。
【００２３】
基材層２２Ａは、シリコン又はガラス製の基板であり、表面及び裏面を有する。
第１引張応力層２２Ｂは、基材層２２Ａの表面（つまり発熱抵抗体２１が配置される側の面）に積層されている。第２引張応力層２２Ｃは、基材層２２Ａの裏面に積層されている。第２引張応力層２２Ｃは、基板２２のカバー２３と反対側の最表層を構成する。
【００２４】
第１引張応力層２２Ｂ及び第２引張応力層２２Ｃは、引張応力が発生する膜である。第１引張応力層２２Ｂ及び第２引張応力層２２Ｃの具体例としては、例えばＬＰ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ）−ＣＶＤ（化学気相成長）法により成膜された窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜等が挙げられる。
【００２５】
第１圧縮応力層２２Ｄは、第１引張応力層２２Ｂの表面に積層されている。第２圧縮応力層２２Ｅは、第１圧縮応力層２２Ｄの表面に積層されている。また、第１圧縮応力層２２Ｄと第２圧縮応力層２２Ｅとの間には、発熱抵抗体２１及び配線２５がこれらの層に埋設するように配置されている。
【００２６】
第１圧縮応力層２２Ｄ及び第２圧縮応力層２２Ｅは、圧縮応力が発生する膜である。第１圧縮応力層２２Ｄ及び第２圧縮応力層２２Ｅの具体例としては、例えばプラズマＣＶＤ（化学気相成長）法により成膜された酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜等が挙げられる。
【００２７】
第３引張応力層２２Ｆは、第２圧縮応力層２２Ｅの表面に積層されている。第３引張応力層２２Ｆは、基板２２のカバー２３側の最表層を構成する。なお、第３引張応力層２２Ｆは、第１引張応力層２２Ｂ及び第２引張応力層２２Ｃと同種の膜である。
【００２８】
第３引張応力層２２Ｆ、第２圧縮応力層２２Ｅ、第１圧縮応力層２２Ｄ及び第１引張応力層２２Ｂの層構成は、発熱抵抗体２１を挟んで厚み方向（図中上下方向）に対称となっている。
【００２９】
基板２２は、図５に示すように、発熱抵抗体２１が配置される領域において第２引張応力層２２Ｃ及び基材層２２Ａが除去されることで形成された凹部２２Ｇを有する。つまり、基板２２は、凹部２２Ｇによるダイアフラム構造を有する。
【００３０】
図４に示すように、凹部２２Ｇは、基板２２の厚み方向で発熱抵抗体２１が配置される領域と重なっており、この領域には第２引張応力層２２Ｃ及び基材層２２Ａが存在しない。したがって、凹部２２Ｇでは、第１引張応力層２２Ｂが基板２２の裏面として露出している。
【００３１】
（カバー）
カバー２３は、図３に示すように、基板２２の厚み方向で発熱抵抗体２１と重なる領域において、基板２２との間に内部空間２４を形成するよう基板２２の表面に取り付けられている。
【００３２】
カバー２３は、複数の開口２３Ａと、膜体２３Ｂと、基材層２３Ｃと、第１引張応力層２３Ｄと、第２引張応力層２３Ｅとを有する。カバー２３は、３層構造のシート状部材に、膜体２３Ｂが設けられた構成を有する。
【００３３】
基材層２３Ｃは、基板２２の基材層２２Ａと同様のシリコン又はガラス製の基板であり、表面及び裏面を有する。
第１引張応力層２３Ｄは、基材層２３Ｃの表面（つまり基板２２とは反対側の面）に積層されている。第２引張応力層２３Ｅは、基材層２３Ｃの裏面に積層されている。第１引張応力層２３Ｄは、カバー２３の基板２２と反対側の最表層を構成する。また、第２引張応力層２３Ｅは、カバー２３の基板２２側の最表層を構成する。
【００３４】
第１引張応力層２３Ｄ及び第２引張応力層２３Ｅは、引張応力が発生する膜であり、基板２２の第１引張応力層２２Ｂ及び第２引張応力層２２Ｃと同種の膜である。また、第２引張応力層２３Ｅは、基板２２の表面に積層されている。
【００３５】
カバー２３における平面視で発熱抵抗体２１と対向する領域は、第２引張応力層２３Ｅと基材層２３Ｃの一部とが除去された凹部が形成されている。この凹部と基板２２の表面とにより、内部空間２４が形成されている。内部空間２４は、平面視で発熱抵抗体２１が配置される領域と重なっている。また、内部空間２４では、カバー２３の基材層２３Ｃが露出している。
【００３６】
複数の開口２３Ａは、内部空間２４に連通している。したがって、複数の開口２３Ａは、第１引張応力層２３Ｄと基材層２３Ｃとを厚み方向に貫通している。また、複数の開口２３Ａは、発熱抵抗体２１と対向する位置に設けられている。
【００３７】
膜体２３Ｂは、複数の開口２３Ａの全体を覆って塞ぐように配置されている。本実施形態では、膜体２３Ｂは、カバー２３の表面（つまり第１引張応力層２３Ｄの表面）において、複数の開口２３Ａに跨るように配置されている。また、膜体２３Ｂは、カバー２３に接着剤等の他の物質を介さず直接固定されている。
【００３８】
膜体２３Ｂは、水蒸気を透過しかつ被検出ガスを透過しない性質を有する。このような膜体２３Ｂとしては、フッ素樹脂系のイオン交換膜が好適に使用できる。具体的には、例えばＮａｆｉｏｎ（登録商標）、Ｆｌｅｍｉｏｎ（登録商標）、Ａｃｉｐｌｅｘ（登録商標）等が挙げられる。また、膜体２３Ｂとして、被検出ガスと水蒸気とを分離できる中空糸膜を用いてもよい。
【００３９】
膜体２３Ｂによって、内部空間２４には被検出ガスが供給されない。そのため、第１ガス検出素子２は、発熱抵抗体２１が被検出ガスの影響を受けない参照素子として機能する。一方で、膜体２３Ｂは水蒸気を透過するので、第１ガス検出素子２のガス検出における湿度条件は第２ガス検出素子３と同じになる。なお、内部空間２４は、複数の開口２３Ａ以外には開口を有さない。
【００４０】
＜第２ガス検出素子＞
第２ガス検出素子３は、第１ガス検出素子２と同様、温度変化により抵抗値が変化する発熱抵抗体３１と、基板３２とを有する。一方、第２ガス検出素子３は、第１ガス検出素子２のように基板３２の表面に取り付けられるカバーを有しない。
【００４１】
第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１及び基板３２の構成は、第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１及び基板２２と同様であるので、詳細な説明は省略する。なお、第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１と第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１とは、抵抗値が同じであることが好ましい。
【００４２】
＜ケーシング＞
ケーシング４は、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３を収容する。ケーシング４は、図２に示すように、被検出ガスを内部に導入する開口４Ａと、開口４Ａに配置されたフィルタ４Ｂとを有する。
【００４３】
具体的には、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３は、ケーシング４の内部に設けられた内部空間４Ｃに収容されている。内部空間４Ｃは、ケーシング４の内部に突出した内枠４Ｄにシール部材１１を介して回路基板１０を固定することで形成されている。
【００４４】
開口４Ａは、被検出雰囲気と内部空間４Ｃとを連通するように形成されている。フィルタ４Ｂは、被検出ガスを透過しかつ液状の水を透過しない（つまり、被検出ガスに含まれている水滴を除去する）撥水フィルタである。フィルタ４Ｂにより、開口４Ａから内部空間４Ｃに水滴が侵入することが抑制される。なお、本実施形態では、フィルタ４Ｂは、開口４Ａを塞ぐようにケーシング４の内面に取り付けられている。
【００４５】
＜回路基板＞
回路基板１０は、ケーシング４内に配置され、演算部１２とガス濃度を演算する回路を形成する。回路基板１０は、第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１及び第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１に電圧を印加する。
【００４６】
＜演算部＞
演算部１２は、被検出雰囲気中のガスの濃度を演算する。具体的には、演算部１２は、直列に接続された第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１及び第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１に一定の電圧を印加したときの、第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１及び第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１それぞれの電圧（つまり分圧）から濃度を演算する。
【００４７】
より詳細には、オペアンプにより、第１ガス検出素子２の発熱抵抗体２１と第２ガス検出素子３の発熱抵抗体３１との分圧の差が出力され、この分圧の差から算出された濃度が演算部１２により出力される。
【００４８】
［１−２．製造方法］
次に、ガスセンサ１の製造方法について説明する。
ガスセンサ１の製造方法は、図６に示すように、基板形成工程Ｓ１０と、カバー形成工程Ｓ２０と、カバー取付工程Ｓ３０と、ケーシング内配置工程Ｓ４０とを備える。
【００４９】
＜基板形成工程＞
本工程では、第１ガス検出素子２の基板２２及び第２ガス検出素子３の基板３２（いわゆるマイクロヒータ）をそれぞれ形成する。以下では、第１ガス検出素子２の基板２２に対する具体的な形成手順を説明するが、第２ガス検出素子３の基板３２の形成手順も同じである。
【００５０】
まず、基材層２２Ａの表面及び裏面に第１引張応力層２２Ｂ及び第２引張応力層２２Ｃを例えばＬＰ−ＣＶＤ法により成膜する。
次に、第１引張応力層２２Ｂの表面に第１圧縮応力層２２Ｄを例えばプラズマＣＶＤ法により成膜する。
【００５１】
第１圧縮応力層２２Ｄの成膜後、第１圧縮応力層２２Ｄの表面に、発熱抵抗体２１及び配線２５を含むヒータ層となる金属膜と、密着層となる金属膜とをスパッタ法により成膜する。密着層としては例えばタンタル（Ｔａ）又はニオブ（Ｎｂ）が使用できる。これらの金属膜をパターニングすることで、発熱抵抗体２１及び配線２５を形成する。
【００５２】
さらに、発熱抵抗体２１及び配線２５の表面に第２圧縮応力層２２ＥをプラズマＣＶＤ法で成膜する。その後、第２圧縮応力層２２Ｅの表面に第３引張応力層２２ＦをＬＰ−ＣＶＤ法により成膜する。
【００５３】
成膜した第３引張応力層２２Ｆ及び第２圧縮応力層２２Ｅに対し、ヒータ層の配線２５に電極パッド２６Ａ，２６Ｂを接続するためのコンタクトホールを設ける。
コンタクトホールの形成後、金（Ａｕ）等のコンタクト金属をスパッタ法により成膜し、さらにパターニングすることで、電極パッド２６Ａ，２６Ｂを形成する。
【００５４】
次に、基板２２のダイアフラム構造を形成するため、第２引張応力層２２Ｃの裏面をパターニングする。パターニング後、第２引張応力層２２Ｃ及び基材層２２Ａをエッチングすることで、ダイアフラム構造が形成された基板２２が得られる。
【００５５】
エッチングは、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等の異方性エッチング溶液によって行われる。なお、異方性エッチング溶液を用いた場合、結晶面に沿ってエッチングが進むため、図５に示すようにエッチング面は厚み方向に対し傾斜した面となる。なお、基材層２２Ａとしてガラス基板を用いた場合は、サンドブラストを用いて凹部を形成してもよい。
【００５６】
＜カバー形成工程＞
本工程では、第１ガス検出素子２のカバー２３を形成する。
まず、基材層２３Ｃの表面及び裏面に第１引張応力層２３Ｄ及び第２引張応力層２３Ｅを例えばＬＰ−ＣＶＤ法により成膜する。
【００５７】
次に、内部空間２４を形成するための凹部と、複数の開口２３Ａとなる貫通孔を設けるため、第１引張応力層２３Ｄの表面及び第２引張応力層２３Ｅの裏面をパターニングする。パターニング後、第１引張応力層２３Ｄ、第２引張応力層２３Ｅ及び基材層２３Ｃをエッチングする。これにより、上記凹部と、複数の開口２３Ａとが形成される。エッチングは、例えばＴＭＡＨ等の異方性エッチング溶液によって行われる。なお、基材層２３Ｃとしてガラス基板を用いた場合は、例えばサンドブラストを用いて凹部や貫通孔を形成してもよい。
【００５８】
次に、第１引張応力層２３Ｄの表面に対し、膜体２３Ｂの液体原料を例えばマイクロピペット等で複数の開口２３Ａを塞ぐように載置する。載置後の液体原料を乾燥することで、膜体２３Ｂが形成される。このように液体原料を使用すると、膜体２３Ｂの厚みの調整が容易になる。そのため、ガスセンサ１の応答性を向上することができる。
【００５９】
＜カバー取付工程＞
本工程では、第１ガス検出素子２の基板２２にカバー２３を取り付け、第１ガス検出素子２を得る。
【００６０】
具体的には、まず、基板２２の表面にカバー２３の裏面が当接するように重ね合わせる。このとき、カバー２３の凹部が基板２２の厚み方向で発熱抵抗体２１と重なるように位置決めを行う。
【００６１】
カバー２３の重ね合わせ後、例えば陽極接合装置により基板２２の第３引張応力層２２Ｆと、カバー２３の第２引張応力層２３Ｅとを接合する。これにより、内部空間２４を有する第１ガス検出素子２が形成される。なお、熱硬化性の樹脂等を用いて、基板２２とカバー２３とを接着してもよい。
【００６２】
＜ケーシング内配置工程＞
本工程では、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３をケーシング４の内部空間４Ｃ内に配置する。これにより、ガスセンサ１が得られる。
【００６３】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）内部空間２４を形成するカバー２３が第１ガス検出素子２の基板２２に直接取り付けられるため、発熱抵抗体２１が反応する内部空間２４の容積を低減することができる。その結果、湿度変化に対する応答性を向上できる。また、内部空間２４の減少により、ガスセンサ１全体の大きさを低減できる。
【００６４】
（１ｂ）複数の開口２３Ａは、発熱抵抗体２１と対向する位置に設けられるので、内部空間２４の外部と発熱抵抗体２１との距離が小さくなる。その結果、湿度変化に対する応答性をより高めることができる。
【００６５】
（１ｃ）カバー２３が複数の開口２３Ａを有するので、カバー２３又は膜体２３Ｂの強度を維持しつつ、水蒸気の内部空間２４への透過性を高めることができる。その結果、湿度変化に対する応答性をより高めることができる。
【００６６】
（１ｄ）膜体２３Ｂがカバー２３に他の物質を介さず直接固定されている。つまり、カバー２３の開口２３Ａに直接膜体２３Ｂが成形されている。そのため、ガスセンサ１の製造コストを低減することができる。
【００６７】
［２．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００６８】
（２ａ）上記実施形態のガスセンサ１において、図７に示すように、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３は、回路基板１０の表面に設けられた台座５に載置されてもよい。台座５は、セラミック製であり、例えばアルミナで構成される。
【００６９】
（２ｂ）上記実施形態のガスセンサ１において、カバー２３に設けられる開口２３Ａは１つであってもよい。また、開口２３Ａは、必ずしも発熱抵抗体２１と対向する必要はない。
【００７０】
（２ｃ）上記実施形態のガスセンサ１において、膜体２３Ｂは、必ずしもカバー２３に直接固定されなくてもよい。したがって、膜体２３Ｂは、接着剤等によってカバー２３に固定されてもよい。この場合、カバー２３の形成時に膜体２３Ｂとして予め成膜されたものが使用される。また、膜体２３Ｂは、開口２３Ａを構成する各貫通孔の内部にそれぞれ充填されてもよい。つまり、膜体２３Ｂは、必ずしもカバー２３の表面に配置される必要はない。
【００７１】
（２ｄ）上記実施形態のガスセンサ１において、基板２２の構造は上述のものに限定されない。したがって、基板２２は、上述した層を全て備えていなくてもよいし、上述以外の層を備えてもよい。
【００７２】
（２ｅ）上記実施形態のガスセンサ１において、カバー２３の構造も上述のものに限定されない。したがって、カバー２３は、上述した層を全て備えていなくてもよいし、上述以外の層を備えてもよい。また、カバー２３は、基板２２に直接取り付けられればよいので、金属製であってもよい。
【００７３】
（２ｆ）上記実施形態のガスセンサ１において、ケーシング４は必ずしもフィルタ４Ｂを備えなくてもよい。また、図１及び図２に示すケーシング４の形状は一例であり、適宜変更が可能である。
【００７４】
（２ｇ）上記実施形態のガスセンサ１において、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３は、熱伝導式に限定されない。したがって、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３は、貴金属等の燃焼触媒により被検出ガスを燃焼させる接触燃焼式の検出素子であってもよい。また、第１ガス検出素子２及び第２ガス検出素子３は、抵抗体として金属酸化物半導体を使用した検出素子であってもよい。
【００７５】
（２ｈ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００７６】
１…ガスセンサ、２…第１ガス検出素子、３…第２ガス検出素子、４…ケーシング、
４Ａ…開口、４Ｂ…フィルタ、４Ｃ…内部空間、４Ｄ…内枠、５…台座、
１０…回路基板、１１…シール部材、１２…演算部、２１…発熱抵抗体、２２…基板、
２２Ａ…基材層、２２Ｂ…第１引張応力層、２２Ｃ…第２引張応力層、
２２Ｄ…第１圧縮応力層、２２Ｅ…第２圧縮応力層、２２Ｆ…第３引張応力層、
２２Ｇ…凹部、２３…カバー、２３Ａ…開口、２３Ｂ…膜体、２３Ｃ…基材層、
２３Ｄ…第１引張応力層、２３Ｅ…第２引張応力層、２４…内部空間、２５…配線、
２６Ａ，２６Ｂ…電極パッド、３１…発熱抵抗体、３２…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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