(57)【要約】【課題】光素子とＩＣの電極面に段差があっても、接合面積を確保した電気的接続を可能とし、配線抵抗による伝送ロスの少ない光通信モジュール装置及び光通信システムを提供する。【解決手段】第一の電極１０７を有し、光電変換素子により構成される第一の素子１０３と、第二の電極１０８を有する第二の素子１０４と、第一の電極１０７と第二の電極１０８とを電気的に接続する接続体１０６と、第一の電極１０７および第二の電極１０８のそれぞれに、接続体１０６に対向するようにして設けられたスタッドバンプ１０５Ａ，１０５Ｂと、を備え、スタッドバンプ１０５Ａ，１０５Ｂは、それぞれの先端が接続体１０６に食い込み、かつ、接続体１０６に固相接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極を有し、光電変換素子により構成される第一の素子と、
第二の電極を有する第二の素子と、
前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する接続体と、
前記第一の電極および前記第二の電極のそれぞれに、前記接続体に対向するようにして設けられたスタッドバンプと、を備え、
前記スタッドバンプは、それぞれの先端が前記接続体に食い込み、かつ、前記接続体に固相接合されている
光通信モジュール装置。
【請求項２】
前記接続体における前記スタッドバンプと対向する第一面側のビッカース硬度は、前記スタッドバンプのビッカース硬度以上であり、且つ、前記スタッドバンプのビッカース硬度に２０ＨＶを加えた値以下である
請求項１記載の光通信モジュール装置。
【請求項３】
前記接続体は、前記第一面が金属箔により形成され、前記第一面と反対側の第二面が基材により形成されている
請求項２に記載の光通信モジュール装置。
【請求項４】
前記金属箔の厚みは、前記スタッドバンプのバンプ径以上である
請求項３に記載の光通信モジュール装置。
【請求項５】
前記第一の素子がフォトダイオードであり、
前記第二の素子が、前記フォトダイオードの信号を増幅するアンプＩＣであり、
受信用として構成されている
請求項１〜４の何れか一項に記載の光通信モジュール装置。
【請求項６】
第一の素子が発光素子であり、
第二の素子が、前記発光素子を駆動するドライバＩＣであり、
送信用として構成されている
請求項１〜４の何れか一項に記載の光通信モジュール装置。
【請求項７】
請求項５に記載の受信用の光通信モジュール装置と、
請求項６に記載の送信用の光通信モジュール装置と、を備える
光通信システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気信号を光信号に変換して光信号を送信あるいは受信する光通信モジュール装置及びそれを使用した光通信システムの構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インターネット回線などで使われている光通信モジュール装置は、光−電気変換機能を有する受信部と送信部とを備える。受信部は、受光素子（フォトダイオード）と、受光素子の信号を増幅するアンプＩＣとを備える。また、送信部は、発光素子と、発光素子を駆動するドライバＩＣとを備える。
【０００３】
以下、図４Ａおよび図４Ｂを参照して、従来の光通信モジュール装置の一例を説明する。図４Ａに、従来の受信用光通信モジュール装置の一例における模式的な側面を示す。図４Ｂに、従来の送信用光通信モジュール装置の一例における模式的な側面を示す。
【０００４】
図４Ａに示されるように、受信用光通信モジュール装置では、受光素子１が搭載されている高周波回路基板２は、ボンディングワイヤー４を介して、アンプＩＣ３と電気的に接続されている。
【０００５】
図４Ｂに示されるように、送信用光通信モジュール装置では、発光素子５が搭載されている高周波回路基板６は、ボンディングワイヤー８を介して、ドライバＩＣ７と電気的に接続されている。
【０００６】
光通信モジュールは、通信データの大容量化に伴い、高速化が求められてきた。この時、ボンディングワイヤー４、８に起因する寄生インダクタンスが、インピーダンス不整合を引き起こし、高周波領域での伝送ロスを増加させるという問題がある。
【０００７】
その対策として、ボンディングワイヤー４、８による配線を短くし、寄生インダクンスを減らすことが挙げられる。その一方、ボンディングワイヤー４、８は、それらの断線を避けるために、一定のループ高さとループ距離をもった形状とする必要がある。すなわち、ボンディングワイヤー４、８の長さは、寄生インダクンスを減らすには短いほうが好ましいが、断線を避けるためにはある程度は長くしなければならなかった。このため、ボンディングワイヤーを用いたモジュール構成での伝送ロス低減には限界があった。
【０００８】
これに対し、発光素子とドライバＩＣを、リジット基板を介して接続することで、光通信モジュールの高周波特性の向上を実現しているものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００９】
以下、図５Ａおよび図５Ｂを参照して、特許文献１に記載された光通信モジュール装置について説明する。図５Ａは、特許文献１に記載された光通信モジュール装置の構成を示す模式な側面図である。図５Ｂは、図５Ａの光通信モジュール装置のリジッド基板５５の裏面の構成を示す模式的な斜視図である。
【００１０】
図５Ａに示されるように、フォトダイオード５１が搭載された素子搭載基板５２と、アンプＩＣ５３とはリジッド基板５５を介して、電気的に接続されている。
【００１１】
リジッド基板５５の裏面（素子搭載基板５２およびアンプＩＣ５３と対向する面）には、コプレーナ線路等の高周波回路パターン５４が形成されている。この高周波回路パターン５４は、素子搭載基板５２とアンプＩＣ５３とに、各々はんだ、もしくは導電性ペーストで接合される。
【００１２】
この構成を用いれば、フォトダイオード５１とアンプＩＣ５３との間の寄生インダクタンスが低減されるため、光通信モジュールの高速伝送特性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−０４７５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、特許文献１に記載の光通信モジュール装置では、素子搭載基板５２とアンプＩＣ５３とに厚み差があると、素子搭載基板５２とびアンプＩＣ５３とをリジッド基板５５で接続するのは困難であった。つまり、当該厚み差は、素子搭載基板５２およびアンプＩＣ５３におけるリジッド基板５５の取付面の高低差（以下「段差」ともいう）であり、この段差をリジッド基板５５で吸収するのは困難であった。すなわち、リジッド基板５５は柔軟性が低く曲がり難いため、リジッド基板５５によって段差のある素子搭載基板５２とアンプＩＣ５３とを接続するのは困難であった。
【００１５】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、光素子とＩＣの電極面に段差があっても、接合面積を確保した電気的接続を可能とし、配線抵抗による伝送ロスの少ない光通信モジュール装置及び光通信システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の光通信モジュール装置は、第一の電極を有し、光電変換素子により構成される第一の素子と、第二の電極を有する第二の素子と、前記第一の電極と前記第二の電極とを電気的に接続する接続体と、前記第一の電極および前記第二の電極のそれぞれに、前記接続体に対向するようにして設けられたスタッドバンプと、を備え、前記スタッドバンプは、それぞれの先端が前記接続体に食い込み、かつ、前記接続体に固相接合されている。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明の光通信モジュール装置によれば、スタッドバンプの塑性変形に加え、接続体も塑性変形することから、光電変換素子により構成される第一の素子の電極面と、第二の素子の電極面との間に段差（高低差）が生じても、安定した電気的接続を得ることが出来る。
【００１８】
また、スタッドバンプの先端部が、接続体に食い込むことで、スタッドバンプと接続体との接合面が平面ではなく、三角錐状となり、接合面積を確保することが出来る。
【００１９】
その結果、配線抵抗による伝送ロスの少ない光通信モジュール装置及び光通信システムを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１における光通信モジュール装置の模式的な断面図
【図２】本発明の実施の形態２における光通信モジュール装置の模式的な断面図
【図３】本発明の実施の形態３における光通信モジュール装置の模式的な断面図
【図４Ａ】従来の受信用光通信モジュール装置の模式的な側面図
【図４Ｂ】従来の送信用光通信モジュール装置の模式的な側面図
【図５Ａ】特許文献１に記載された従来の光通信モジュール装置の構成を示す模式的な側面図
【図５Ｂ】特許文献１に記載された従来の光通信モジュール装置におけるリジッド基板の裏面の構成を示す模式的な斜視図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下に示す各実施の形態はあくまでも例示に過ぎず、以下の各実施の形態で明示しない種々の変形や技術の適用を排除するものではない。また、各実施の形態の各構成は、それらの趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。さらに、各実施の形態の各構成は、必要に応じて取捨選択することができ、あるいは適宜組み合わせることができる。
【００２２】
以下の説明では、便宜上、特段の説明のない限り、各図面の紙面上の配置に基づいて上下を規定し、紙面で上側の面を上面、紙面で下側の面を下面と表記する。もちろん、これらの表記は、便宜的なものであって、光モジュール装置の使用時の姿勢を制限するものではない。
【００２３】
（１．実施の形態１）
以下、図１を参照して本発明の実施の形態１における光通信モジュール装置１０１の構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態１における光通信モジュール装置１０１の模式的な断面図である。
【００２４】
光通信モジュール装置１０１は、基板１０２と、フォトダイオード１０３と、アンプＩＣ１０４と、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと、接続体１０６とを備える。
【００２５】
フォトダイオード１０３と、アンプＩＣ１０４とは、基板１０２の上面にそれぞれ設けられる。スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂおよび接続体１０６は、これらのフォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４とを電気的に接続するために、フォトダイオード１０３およびアンプＩＣ１０４の上面に設けられる。フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４とは、フォトダイオード１０３の出力電極１０７と、アンプＩＣ１０４上の入力電極１０８との距離が、基板１０２の上で最短距離になるよう、ダイボンディングペーストや接着シートで固定されている。
【００２６】
＜基板１０２＞
基板１０２は、フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４とを固定し、電源、ＧＮＤ、その他電気信号用のパターンが形成されている電気回路基板である。基板１０２の材料は、セラミック、珪素（Ｓｉ）などの無機材料でも良いし、ガラスエポキシや、アラミドエポキシのような樹脂材料でも良い。
【００２７】
＜フォトダイオード１０３＞
フォトダイオード１０３は、光ファイバーや光導波路を経て受光した光信号を、電気信号に変換する機能を有する素子である。フォトダイオード１０３は、０．２〜０．４ｍｍ角の寸法のものが主流となっており、本実施形態のフォトダイオード１０３には、例えばこの寸法の範囲のものが使用される。
【００２８】
＜出力電極１０７＞
出力電極１０７は、フォトダイオード１０３の上面にアンプＩＣ１０４寄りに設けられている。出力電極１０７は、光電変換を経た電気信号（すなわちフォトダイオード１０３から出力される電気信号）を出力する。この出力電極１０７は、その表層が金（Ａｕ）であるものが主流となっており、本実施形態の出力電極１０７には、例えばこのような表層が金（Ａｕ）であるものが使用される。
【００２９】
＜アンプＩＣ１０４＞
アンプＩＣ１０４は、フォトダイオード１０３から出力される電気信号を、アンプＩＣ１０４以降に接続される（アンプＩＣ１０４から出力される電気信号を使用する）ＬＳＩ等での演算処理に適した電気信号へと増幅・変換するＩＣである。
【００３０】
＜入力電極１０８＞
入力電極１０８は、アンプＩＣ１０４の上面にフォトダイオード１０３寄りに設けられている。入力電極１０８は、接続体１０６を介して出力電極１０７と電気的に接続され、フォトダイオード１０３が出力する電気信号を、アンプＩＣ１０４へ入力する。入力電極１０８の表層は、金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）であるものが主流となっている。本実施形態の入力電極１０８には、例えばこのような表層が金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）であるものが使用される。
【００３１】
＜スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂ＞
スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂは、出力電極１０７と入力電極１０８とに接続体１０６に対向するようにして形成されている。スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの構成材料は、出力電極１０７と入力電極１０８との構成材料と固相接合が可能な金属であれば何ら限定されない。電極の材質は上述したように金（Ａｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）が主流であることを考慮すると、金（Ａｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のどちらにも固相接合が可能である。特に、金（Ａｕ）は、表面に酸化膜が形成されにくいので、スタッドバンプ形成時に不活性ガスや還元剤を用いる必要がなく、スタッドバンプ形成のプロセスが容易であることから、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの構成材料には好ましい。
【００３２】
スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂのサイズは、幅方向（図１の紙面に垂直な方向）に隣接する他の電極に干渉しないよう、出力電極１０７と入力電極１０８とのうち、小さい方の電極サイズに合わせるのが良い。すなわち、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂのサイズは、当該小さい方の電極サイズに収まるサイズにするのが良い。
【００３３】
以下の要因（１），（２），（３）により、フォトダイオード１０３の電極面（図１における出力電極１０７の上面）と、アンプＩＣ１０４との電極面（図１における入力電極１０８の上面）との間に生じる段差（高低差）を制御するのは困難である（±３０μｍでばらつく）。
（１）フォトダイオード１０３及びアンプＩＣ１０４（以下「部品１０３，１０４」ともいう）の固有の寸法のばらつき。
（２）部品１０３，１０４を基板１０２に固定する際の、部品１０３，１０４を基板１０２に固定するための固定層の厚みのばらつき。
（３）部品１０３，１０４を基板１０２に固定する際の、部品１０３，１０４の傾き。
【００３４】
フォトダイオード１０３の接合面高さｈ１とアンプＩＣ１０４の接合面高さｈ２とは、これらの要因（１），（２），（３）から、接合面高さｈ１よりも接合面高さｈ２が高くなる場合と、逆に接合面高さｈ２よりも接合面高さｈ１が高くなる場合とがある。このため、どちらの場合でも接合可能性を確保するために、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂは互いに同じ形状、同じサイズが好ましい。
【００３５】
＜接続体１０６＞
接続体１０６は、本実施形態では単一の金属により形成され、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂに、超音波接合や熱圧着で、固相接合されている。
【００３６】
接続体１０６のスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと対向する第一面側の材料は、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと固相接合が可能な金属とし、そのビッカース硬度βが、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの材料のビッカース硬度γに２０ＨＶを加えたビッカース硬度以下（β≦γ＋２０ＨＶ）の金属とする。なお、本実施形態では接続体１０６は単一の金属により形成されているため、接続体１０６全体が、これらの条件を満たすこととなる。
【００３７】
スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂは、形成時の加工による硬化により、当該加工前の硬度つまり材料自体の硬度よりも硬度が増している。その一方、接続体１０６は、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合時、熱圧着による接合の場合は加熱によって、超音波接合の場合は超音波振動による摩擦熱によって、軟化する。
【００３８】
したがって、接続体１０６のビッカース硬度βが、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの材料自体のビッカース硬度γに２０ＨＶを加えたビッカース硬度以下であれば、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体１０６とを接合できる。つまり、接合時、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの先端部（以下「スタッドバンプ先端」ともいう）によって、接続体１０６が塑性変形し、スタッドバンプ先端が接続体１０６に食い込んだ状態で接合を完了することが出来る。
【００３９】
すなわち、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂは、形成時の加工硬化で、元の線材（材料）のビッカース硬度γよりもビッカース硬度で２０ＨＶ程度硬くなっている。したがって、接続体１０６のビッカース硬度βが、加工により硬化したスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの硬度α（＝γ＋２０ＨＶ）以下であれば、スタッドバンプ先端が必ず接続体に食い込む。
【００４０】
また、接続体１０６は上述のとおり接合時の加熱（昇温）により多少軟化する。したがって、被加熱時の接続体１０６のビッカース硬度が、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの元の線材（材料）のビッカース硬度γよりも２５ＨＶ硬い（γ＋２５ＨＶ）程度までなら、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂが接続体１０６に食い込む。
【００４１】
スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂ自体のビッカース硬度αと、接続体１０６の硬度βとで比較すると、（α＋５）≧βなら良い（スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体１０６との固相接合が可能である）が、好ましくは、α≧βである。
【００４２】
接続体１０６は、配線抵抗を低減するために、体積抵抗率が３．０μΩ・ｃｍ以下の金属であるのが好ましい。
【００４３】
例えば、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの材料が金（Ａｕ）であるとき、接続体１０６の材料は、純アルミニウム（Ａｌ）、もしくは金（Ａｕ）が好ましい。
【００４４】
接続体１０６の幅方向のサイズは、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合面積を確保するため、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂのバンプ径よりも大きい値とする。その一方、接続体１０６の幅方向のサイズは、隣接する他の電極に干渉しないよう、フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４の電極１０７，１０８の幅方向のピッチよりも小さい値とする。
【００４５】
接続体１０６の厚みは、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの接合性を確保するため、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂのバンプ径Ｄ１以上の値とする。これは次の理由による。接続体１０６の厚みが薄すぎると、接合時にスタッドバンプ先端が接続体１０６を貫通する恐れがある。スタッドバンプ先端が接続体１０６を貫通してしまうと、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接触面において十分な荷重が得られない。このため、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合に不良が起きてしまう。スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂは、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合時、バンプ径Ｄ１以下に必ず潰れる。したがって、接続体１０６の厚みＴをバンプ径Ｄ１以上にしておけば（Ｔ≧Ｄ１）、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂが接続体１０６を貫通することなく、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとを接合できる。
【００４６】
さらに、接続体１０６とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合時に荷重を付加する際の安定性を確保するために、接続体１０６の厚みは、接続体１０６の幅寸法よりも小さい方が好ましい。
【００４７】
＜光通信モジュール装置１０１＞
以上の構成要素により、光―電気変換による、受信機能を有する光通信モジュール装置１０１が構成される。
【００４８】
＜効果＞
かかる構成によれば、フォトダイオード１０３の電極面（図１における出力電極１０７の上面）とアンプＩＣ１０４との電極面（図１における入力電極１０８の上面）との間に段差（高低差）が生じたとしても、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体１０６とが塑性変形することでこの段差が吸収される。
【００４９】
これは次の理由による。電極面に段差が生じると、電極面に設けられるスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの先端の高さも異なるようになる。しかし、スタッドバンプ先端が接続体１０６に食い込んだ部分における接続体１０６の塑性変形量とスタッドバンプ先端の塑性変形量とが、電極面に高低差に応じて、スタッドバンプ１０５Ａ側とスタッドバンプ１０５Ｂ側とで異なるようになるので、電極面の段差を吸収できる。
【００５０】
したがって、フォトダイオード１０３の電極面、アンプＩＣ１０４との電極面、及び、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの各相互間で安定した電気的接続を得ることが出来る。
【００５１】
また、スタッドバンプ先端が、接続体１０６に食い込むことで、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体１０６との接合面が、スタッドバンプ先端の形状に応じて三角錐状となる。これにより、当該接合面の面積を確保できるので、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体１０６との接合を、接合抵抗が小さく、かつ、接合強度が高い接合とすることができる。
【００５２】
その結果、フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４との間において、短配線で低抵抗な配線が可能となり、高周波における伝送ロスの少ない光通信モジュール装置を提供することができる。
【００５３】
接続体１０６は、実装機のヘッドのツール吸着面に吸着され、このツール吸着面に平行な姿勢でフォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４まで搬送され、フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４とに接合される。基板１０２の部品設置面に対して、フォトダイオード１０３とアンプＩＣ１０４との各上面の平面度はバラつくが（段差が生じるが）、上述のようにこの平面度のバラつきは吸収される。したがって、接続体１０６を、ツール吸着面にならって、基板１０２の部品設置面に平行になるように基板１０２に実装するのが好ましい。
【００５４】
（２．実施の形態２）
以下、図２を参照して本発明の実施の形態２における光通信モジュール装置２０１の構成を説明する。図２は、本発明の実施の形態２の光通信モジュール装置２０１の断面図である。図２において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００５５】
実施の形態１との違いは、接続体２０２である。すなわち、図２に示す光通信モジュール装置２０１は、実施の形態１の光通信モジュール装置１０１（図１参照）において、接続体１０６に替えて接続体２０２が使用されたものである。
【００５６】
図２に示すように、接続体２０２は、基材２０３と、金属箔２０４から構成されている。接続体２０２において、金属箔２０４は、下方のスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと対向する下面（第一面）を形成し、基材２０３はその反対側の上面（第二面）を形成する。
【００５７】
＜金属箔２０４＞
金属箔２０４は、基材２０３に、接着、溶着、めっきなどの手段を用いて接合されている。金属箔２０４の材料は、実施の形態１における接続体１０６の材料と同様である。
【００５８】
＜基材２０３＞
基材２０３の材料は、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合時の耐熱性の観点からセラミック、珪素（Ｓｉ）などの無機材料が好ましい。また、接続体２０２とスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂの接合時に、基材２０３の弾性変形や塑性変形による応力緩和を抑制するために、基材２０３の材料には、金属箔２０４よりも弾性率とビッカース硬度との両方が高い材料を使用するのが好ましい。
【００５９】
この他の構成は、実施の形態１と同様なので説明を省略する。
【００６０】
＜効果＞
かかる構成によれば、接続体２０２の接合時に、スタッドバンプ先端が、接続体２０２の金属箔２０４に食い込む。したがって、実施の形態１と同様に、スタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂと接続体２０２との接合を、接合抵抗が小さく、かつ、接合強度の高い接合とすることができる。
【００６１】
さらに、接続体２０２の基材２０３が、接続体２０２のスタッドバンプ１０５Ａ、１０５Ｂとの接合面以外の塑性変形を抑制するので、実装すべりのない、精度の良い接合を得ることができる。実装すべりとは、実装中に、吸着部品（この場合、接続体２０２）がツール吸着面上で滑り、本来の実装位置からずれて実装されてしまうことを指す（基板１０２が本来の位置からずれることもある）。吸着部品である接続体２０２が変形すると、接続体２０２に作用する吸着力が変化して実装すべりが生じやすくなるが、本実施形態によれば基材２０３により上述のとおり接続体２０２の塑性変形が抑制されるので、実装すべりが抑制される。
【００６２】
（３．実施の形態３）
以下、図３を参照して本発明の実施の形態３における光通信モジュール装置３００の構成を説明する。図３は、本発明の実施の形態３における光通信モジュール装置３００の模式的な断面図である。
【００６３】
実施の形態１及び実施の形態２では、本発明の光通信モジュール装置として、受信用の光通信モジュール装置を例示したが、本発明の光通信モジュール装置は、受信用の光通信モジュール装置に限定されず、送信用の光通信モジュール装置にも適用できる。本実施の形態３の光通信モジュール装置３００は送信用のものである。
【００６４】
送信用の光通信モジュール装置の場合も、受信用の光通信モジュール装置と同様の構成が好ましく、本実施の形態の光通信モジュール装置３００は、図３に示されるように構成される。
【００６５】
この発信用の光通信モジュール装置３００は、実施の形態２の受信用の光通信モジュール装置２０１において、フォトダイオード１０３を発光素子３０１に、アンプＩＣ１０４をドライバＩＣ３０２に、それぞれ置き換えたものである。このような置き換えにより、本実施の形態の送信機能を有する光通信モジュール装置においても、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
＜発光素子３０１＞
発光素子３０１は、入力された電気信号を光信号に変換して出射する半導体レーザーの一種である。発光素子３０１のサイズや、出力電極１０７の材料は、フォトダイオード１０３と同様である。
【００６７】
＜ドライバＩＣ＞
ドライバＩＣ３０２は、発光素子３０１を駆動するためのＩＣである。ドライバＩＣ３０２のサイズや、入力電極１０８の材料は、フォトダイオード１０３と同様である。
【００６８】
この他の構成は、実施の形態２と同様なので説明を省略する。
【００６９】
なお、実施の形態１の受信用の光通信モジュール装置１０１（図１参照）においても、フォトダイオード１０３を発光素子３０１に、アンプＩＣ１０４をドライバＩＣ３０２に、それぞれ置き換えることで送信機能を有する光通信モジュール装置を構成することができる。
【００７０】
（４．その他）
（１）複数の光電変換素子と複数のＩＣとの接続に、各実施の形態の構成を用いることで、多チャンネルの光通信モジュール装置を提供することができる。
【００７１】
（２）実施の形態１，２で例示した受信用の光通信モジュール装置と、実施の形態３で例示した発信用の光通信モジュール装置とを組み合わせて、光通信システムを構成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明の光通信モジュール装置及び光通信システムは、短配線で低抵抗な配線の提供を可能とし、電気通信機器の高速シリアル伝送部に適用することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１  受光素子
２、６  高周波回路基板
３、５３  アンプＩＣ
４、８  ボンディングワイヤー
５  発光素子
７  ドライバＩＣ
５１  フォトダイオード
５２  素子搭載基板
５４  高周波回路パターン
５５  リジッド基板
１０１、２０１  受信用の光通信モジュール装置
１０２  基板
１０３  フォトダイオード（光電変換素子、第一の素子）
１０４  アンプＩＣ（第二の素子）
１０５Ａ、１０５Ｂ  スタッドバンプ
１０６、２０２  接続体
１０７  出力電極（第一の電極）
１０８  入力電極（第二の電極）
２０３  基材
２０４  金属箔
３００  送信用の光通信モジュール装置
３０１  発光素子（光電変換素子、第一の素子）
３０２  ドライバＩＣ（第二の素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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