(57)【要約】【課題】ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２上に設けられており、Ｍｏを主成分とする電極層を有するＩＤＴ電極３とを備える。ＩＤＴ電極３のデューティ比が０．３以上、０．４８以下である。【選択図】図１
2019041307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、Ｍｏを主成分とする電極層を有するＩＤＴ電極と、
を備え、
前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．３以上、０．４８以下である、弾性波装置。
【請求項２】
前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４７５以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４７以下である、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記圧電基板上に設けられており、前記ＩＤＴ電極を覆っている誘電体膜をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４４以上、０．４６以下である、請求項４に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記圧電基板がニオブ酸リチウムにより構成されており、
前記誘電体膜が酸化ケイ素により構成されており、
前記圧電基板を伝搬するレイリー波を利用している、請求項４または５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長により規格化された膜厚を規格化膜厚としたときに、前記誘電体膜の規格化膜厚が２６％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長により規格化された膜厚を規格化膜厚としたときに、前記誘電体膜の規格化膜厚が３７．５％以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
アンテナに接続されるアンテナ端子と、
前記アンテナ端子に接続されており、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置を含む第１の帯域通過型フィルタと、
前記アンテナ端子に接続されており、通過帯域が前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側に位置する第２の帯域通過型フィルタと、
を備える、マルチプレクサ。
【請求項１０】
前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ３の送信帯域であり、
前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ１の送信帯域及び受信帯域のうち一方である、請求項９に記載のマルチプレクサ。
【請求項１１】
前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ６６の送信帯域であり、
前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ２５の送信帯域及び受信帯域のうち一方である、請求項９に記載のマルチプレクサ。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載のマルチプレクサと、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を有する。圧電基板上にＩＤＴ電極が設けられている。ＩＤＴ電極は、Ｍｏ層及びＡｌ層が積層された積層金属膜からなる。圧電基板上に、ＩＤＴ電極を覆うように、ＳｉＯ２からなる誘電体膜が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１８７５６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１においてはＩＤＴ電極のデューティ比について記載されていないが、該デューティ比の値によっては、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきが大きくなる。そのため、この弾性波装置が他のフィルタと共にアンテナに共通接続された場合には、該フィルタの通過帯域などに上記リップルが生じ、挿入損失などのフィルタ特性を劣化させるおそれがあった。
【０００５】
本発明の目的は、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられており、Ｍｏを主成分とする電極層を有するＩＤＴ電極とを備え、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．３以上、０．４８以下である。
【０００７】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４７５以下である。この場合には、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきをより一層抑制することができる。
【０００８】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４７以下である。この場合には、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきをより一層抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板上に設けられており、前記ＩＤＴ電極を覆っている誘電体膜をさらに備える。この場合には、周波数温度特性（ＴＣＶ）を改善することができる。
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４４以上、０．４６以下である。この場合には、周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係を改善することができる。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板がニオブ酸リチウムにより構成されており、前記誘電体膜が酸化ケイ素により構成されており、前記圧電基板を伝搬するレイリー波を利用している。
【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長により規格化された膜厚を規格化膜厚としたときに、前記誘電体膜の規格化膜厚が２６％以上である。この場合には、周波数のばらつきをより一層抑制することができる。よって、周波数間隔が狭いデュプレクサに本構成が好適である。
【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長により規格化された膜厚を規格化膜厚としたときに、前記誘電体膜の規格化膜厚が３７．５％以下である。この場合には、セザワ波を効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明に係るマルチプレクサは、アンテナに接続されるアンテナ端子と、前記アンテナ端子に接続されており、本発明に従い構成された弾性波装置を含む第１の帯域通過型フィルタと、前記アンテナ端子に接続されており、通過帯域が前記第１の帯域通過型フィルタと通過帯域よりも高域側に位置する第２の帯域通過型フィルタとを備える。
【００１５】
本発明に係るマルチプレクサのある特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ３の送信帯域であり、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ１の送信帯域及び受信帯域のうち一方である。
【００１６】
本発明に係るマルチプレクサの他の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ６６の送信帯域であり、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域がＢａｎｄ２５の送信帯域及び受信帯域のうち一方である。
【００１７】
本発明の高周波フロントエンド回路のある広い局面では、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
【００１８】
本発明の高周波フロントエンド回路の他の広い局面では、本発明に従い構成されたマルチプレクサと、パワーアンプとを備える。
【００１９】
本発明の通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる、弾性波装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態及び比較例の弾性波装置におけるデューティ比とストップバンド上端の周波数との関係を示す図である。
【図３】ＩＤＴ電極がＣｕからなる弾性波装置における、デューティ比とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【図４】ＩＤＴ電極がＭｏからなる弾性波装置における、デューティ比とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【図５】誘電体膜の規格化膜厚と、ＩＤＴ電極の電極指幅に対する周波数の依存性との関係を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の弾性波装置を含むデュプレクサの一例における減衰量周波数特性を示す図である。
【図７】誘電体膜の規格化膜厚とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【図８】セザワ波の比帯域と減衰量周波数特性との関係を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態の変形例におけるＩＤＴ電極の電極指の拡大正面断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ、第２の帯域通過型フィルタ、第３の帯域通過型フィルタ及び第４の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
【図１６】本発明の第６の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの直列腕共振子のインピーダンス特性を示す図と、図１５の拡大図とを重ねた図である。
【図１７】弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４７５及び０．４８の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。
【図１８】弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４０５、０．４４及び０．４７５の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。
【図１９】弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４８、０．５１５及び０．５５の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。
【図２０】弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４、０．４３５及び０．４７の場合の、ストップバンドリップルに起因するリップルのリターンロスを示す図である。
【図２１】本発明の第８の実施形態における誘電体膜の規格化膜厚、ＩＤＴ電極のデューティ比及び周波数温度特性（ＴＣＶ）の関係を示す図である。
【図２２】本発明の第８の実施形態における誘電体膜の規格化膜厚、ＩＤＴ電極のデューティ比及び比帯域の関係を示す図である。
【図２３】本発明の第８の実施形態における周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係と、ＩＤＴ電極のデューティ比との関係を示す図である。
【図２４】ＩＤＴ電極のデューティ比と、比帯域が４％のときの周波数温度特性（ＴＶ）との関係を示す図である。
【図２５】高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２４】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００２５】
弾性波装置１は、ニオブ酸リチウムからなる圧電基板２を有する。本実施形態では、圧電基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）は、オイラー角（０°，３７．５°，０°）である。なお、圧電基板２のオイラー角（φ，θ，ψ）は上記に限定されない。圧電基板２の材料はニオブ酸リチウムには限定されない。圧電基板２は、例えば、タンタル酸リチウムなどの圧電単結晶からなっていてもよい。
【００２６】
圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３が設けられている。ＩＤＴ電極３に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極３は、複数の電極指３ａを有する。弾性波装置１におけるＩＤＴ電極３のデューティ比は、０．３以上、０．４８以下である。
【００２７】
ＩＤＴ電極３の弾性波伝搬方向両側には、反射器５Ａ及び反射器５Ｂが設けられている。本実施形態の弾性波装置は１ポート型の弾性波共振子である。
【００２８】
本実施形態では、ＩＤＴ電極３はＭｏからなる。なお、ＩＤＴ電極３は、Ｍｏ主成分とする電極層を有していればよく、該電極層及び他の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよい。本明細書において、主成分とするとは、５０重量％以上含むことをいう。なお、本実施形態においては、反射器５Ａ及び反射器５ＢはＩＤＴ電極３と同様の材料からなる。
【００２９】
圧電基板２上には、ＩＤＴ電極３を覆うように、誘電体膜４が設けられている。本実施形態では、誘電体膜４はＳｉＯ２からなる。なお、誘電体膜４の材料には、ＳｉＯ２以外の酸化ケイ素を用いることもできる。上記酸化ケイ素は、ＳｉＯ２に限らず、ＳｉＯｘ（ｘは整数）で表される。あるいは、誘電体膜４の材料は、酸化ケイ素以外であってもよい。誘電体膜４上に、ＳｉＮなどからなる周波数調整膜を形成してもよい。周波数調整膜の膜厚を調整することにより、周波数調整を容易に行うことができる。
【００３０】
本実施形態の弾性波装置１はレイリー波を利用している。なお、弾性波装置１が利用する弾性波は上記に限定されない。
【００３１】
本実施形態の特徴は、ＩＤＴ電極３がＭｏからなり、かつＩＤＴ電極３のデューティ比が０．３以上、０．４８以下である点にある。それによって、ストップバンド上端に起因するリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。これを以下において、本実施形態と比較例とを比較することにより説明する。なお、比較例の弾性波装置は、ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４８より大きい点以外においては、本実施形態と同様の構成を有する。ここで、本明細書においては、ストップバンド上端に起因するリップルをストップバンドリップルと記載する。
【００３２】
図２は、第１の実施形態及び比較例の弾性波装置におけるデューティ比とストップバンド上端の周波数との関係を示す図である。図２において、黒色のプロットが第１の実施形態の結果を示し、白色のプロットが比較例の結果を示す。各破線は、第１の実施形態の結果の近似線及び比較例の結果の近似線である。図２中の各式におけるｙはストップバンド上端の周波数を示し、ｘはデューティ比を示す。
【００３３】
図２に示すように、比較例では、デューティ比が変化すると、ストップバンド上端の周波数が大きく変化している。式中のｘの係数として表される傾きは、−１６５．７７となっている。これに対して、デューティ比が０．４８以下である第１の実施形態においては、上記傾きは−２４．９３２となっており、ストップバンド上端の周波数の変化量が大幅に小さくなっていることがわかる。よって、第１の実施形態においては、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。加えて、デューティ比が０．３以上であるため、ＩＤＴ電極を容易に形成することができ、形成不良が生じ難い。
【００３４】
本実施形態においては、ＩＤＴ電極がＭｏからなる。ＩＤＴ電極がＭｏ以外の、例えばＣｕからなる場合には、デューティ比を小さくすると、不要波であるセザワ波が大きくなるという問題がある。これを下記の図３に示す。ここで、ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより定められる波長をλとし、波長λにより規格化された膜厚を規格化膜厚（％）とする。なお、図３の関係を求めた弾性波装置は、ＩＤＴ電極の材料以外は、本実施形態と同様の構成を有する。ＩＤＴ電極の規格化膜厚は３％とし、誘電体膜の規格化膜厚は３４％とした。
【００３５】
図３は、ＩＤＴ電極がＣｕからなる弾性波装置における、デューティ比とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【００３６】
図３に示すように、ＩＤＴ電極がＣｕからなる場合には、デューティ比が小さいほど、セザワ波の比帯域が大幅に大きくなっていることがわかる。図３に示す範囲におけるセザワ波の比帯域は、いずれも０．１１８％を超える値となっている。そのため、ＣｕからなるＩＤＴ電極のデューティ比を小さくした弾性波装置が、他の帯域通過型フィルタとアンテナに共通接続される場合などには、該帯域通過型フィルタの挿入損失などのフィルタ特性を劣化させるおそれがある。
【００３７】
他方、ＩＤＴ電極がＭｏからなる場合のデューティ比とセザワ波との関係を下記の図４に示す。なお、図４の関係を求めた弾性波装置は、デューティ比が０．４８以下の場合、第１の実施形態と同様の構成とし、デューティ比が０．４８より大きい場合、上記比較例と同様の構成とした。ＩＤＴ電極の規格化膜厚は５％とし、誘電体膜の規格化膜厚は３４％とした。
【００３８】
図４は、ＩＤＴ電極がＭｏからなる弾性波装置における、デューティ比とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【００３９】
図４に示すように、ＩＤＴ電極がＭｏからなる場合には、デューティ比の変化に対するセザワ波の比帯域の変化は小さいことがわかる。加えて、図４に示す範囲におけるセザワ波の比帯域は、いずれも０．０２％未満と、小さい値となっている。よって、第１の実施形態の弾性波装置が他の帯域通過型フィルタとアンテナに共通接続される場合などには、該帯域通過型フィルタに対するセザワ波の影響は非常に小さい。
【００４０】
ここで、図１に示すＩＤＴ電極３の電極指３ａの、弾性波伝搬方向に沿う寸法を電極指幅とする。ＩＤＴ電極３における電極指幅には、実際には製造ばらつきが生じる。そのため、弾性波装置１においては、周波数にばらつきが生じることとなる。本実施形態においては、圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３を覆うように誘電体膜４が設けられている。それによって、電極指幅に対する周波数の依存性を低くすることができ、周波数のばらつきを小さくすることができる。他方、誘電体膜の規格化膜厚が厚すぎる場合には、セザワ波の比帯域が大きくなる。これを下記の図５及び図７に示す。なお、図５及び図７の関係を求めた弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。ＩＤＴ電極の規格化膜厚は５％とした。
【００４１】
図５は、誘電体膜の規格化膜厚と、ＩＤＴ電極の電極指幅に対する周波数の依存性との関係を示す図である。
【００４２】
図５に示すように、誘電体膜の規格化膜厚が厚くなるほど、ＩＤＴ電極の電極指幅に対する周波数の依存性の絶対値が小さくなっていることがわかる。誘電体膜の規格化膜厚は、２６％以上であることが好ましい。それによって、上記依存性の絶対値を０．１５ＭＨｚ／ｎｍ以下とすることができ、周波数のばらつきをより一層抑制することができる。
【００４３】
ＩＤＴ電極の電極指幅の絶対値が０．１５ＭＨｚ／ｎｍ以下である場合、電極指幅が、例えば０．４３μｍと０．４４μｍとの間において１０ｎｍばらついたとしても、周波数のばらつきは１．５ＭＨｚ以下とすることができる。そのため、本実施形態の弾性波装置をデュプレクサに適用した場合、周波数特性のばらつきを抑制することができ、結果として、デュプレクサやデュプレクサを含む弾性表面波素子の歩留まりの向上を図ることができる。Ｂａｎｄ３のデュプレクサに本実施形態の弾性波装置を適用した例を用いて、これを以下において説明する。
【００４４】
なお、上記デュプレクサは、第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタと、第１の通過帯域とは異なる第２の通過帯域を有する第２の帯域通過型フィルタとを有する。第１の通過帯域は、Ｂａｎｄ３の送信帯域であり、１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚである。第２の通過帯域は、Ｂａｎｄ３の受信帯域であり、１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。下記の説明においては、本実施形態の弾性波装置を第１，第２の帯域通過型フィルタに適用するものとする。
【００４５】
Ｂａｎｄ３の送信帯域の高域側の端部と受信帯域の低域側の端部との間隔は２０ＭＨｚであり、非常に狭い。Ｂａｎｄ３のデュプレクサを製造するためには、フィルタの急峻性、温度変化による周波数のばらつき、製造上における周波数のばらつきの総和を２０ＭＨｚ以内に抑制することが望ましい。
【００４６】
図６は、第１の実施形態の弾性波装置を含むデュプレクサの一例における減衰量周波数特性を示す図である。
【００４７】
ここで、一方の帯域通過型フィルタの通過帯域における他方の帯域通過型フィルタの通過帯域側の端部の周波数と、双方の帯域通過型フィルタのアイソレーションが−５０ｄＢとなる周波数との周波数の差を、急峻性というものとする。上記デュプレクサにおいては、第１の通過帯域の第２の通過帯域に近い側の端部の周波数は１７８５ＭＨｚであり、第１の帯域通過型フィルタと第２の帯域通過型フィルタとのアイソレーションが−５０ｄＢとなる周波数は１８００ＭＨｚである。よって、第１の帯域通過型フィルタの急峻性は１５ＭＨｚである。
【００４８】
他方、温度変化による周波数のばらつきが、例えば、１ＭＨｚであるとする。温度変化による周波数のばらつきは、第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタの各々から生じるので、温度変化による周波数ばらつきは、１ＭＨｚ×２となる。
【００４９】
ここで、第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタの電極指幅の製造ばらつきによる周波数のばらつきを、それぞれＸＭＨｚとすると、Ｂａｎｄ３のデュプレクサを製造するためには、下記の式１を満たすことが望ましい。
【００５０】
２０ＭＨｚ≧１５ＭＨｚ（急峻性）＋１ＭＨｚ（温度変化による周波数のばらつき）×２＋ＸＭＨｚ（製造上における周波数のばらつき）×２…式１
【００５１】
第１の帯域通過型フィルタ及び第２の帯域通過型フィルタを第１の実施形態の構成とすることにより、電極指幅のばらつきによる周波数のばらつきＸを１．５ＭＨｚ以下に制御することができる。従って、周波数間隔が２０ＭＨｚ以上の通信バンドのデュプレクサを歩留まり良く製造することができる。なお、周波数間隔とは、第１の通過帯域の第２の通過帯域側の端部と、第２の通過帯域の第１の通過帯域側の端部との周波数の差をいう。
【００５２】
図７は、誘電体膜の規格化膜厚とセザワ波の比帯域との関係を示す図である。
【００５３】
図７に示すように、誘電体膜の規格化膜厚が厚くなるほど、セザワ波の比帯域が大きくなっていることがわかる。誘電体膜の規格化膜厚は、３７．５％以下であることが好ましい。それによって、セザワ波の比帯域を０．１％未満とすることができる。従って、セザワ波を十分に抑制することができる。この例を、下記の図８に示す。なお、図８においては、セザワ波の比帯域がそれぞれ異なるＢａｎｄ３の複数の受信フィルタの減衰量周波数特性を示す。セザワ波の比帯域は、０．３％、０．０９８％、０．０１２％及び０．００５％とした。
【００５４】
図８は、セザワ波の比帯域と減衰量周波数特性との関係を示す図である。図８においては、実線がセザワ波の比帯域０．３％の結果を示す。破線がセザワ波の比帯域０．０９８％の結果を示す。一点鎖線がセザワ波の比帯域０．０１２％の結果を示す。二点鎖線がセザワ波の比帯域０．００５％の結果を示す。
【００５５】
図８に示すように、セザワ波の比帯域が０．３％の場合には、２２４０ＭＨｚ〜２３００ＭＨｚ付近において、セザワ波を十分に抑制することができていない。これに対して、セザワ波の比帯域が０．１％未満の場合には、上記帯域においてセザワ波を−４５ｄＢ以下に抑制することができている。
【００５６】
なお、図３に示したように、ＩＤＴ電極がＣｕからなる場合には、誘電体膜の規格化膜厚が３４％である場合においても、セザワ波を十分に抑制することができていない。本実施形態のように、ＩＤＴ電極がＭｏを主成分とする電極層を有することにより、セザワ波の比帯域の増大を招かずして、デューティ比が０．４８以下である構成とすることができる。従って、本実施形態においては、セザワ波を抑制することができ、かつストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。
【００５７】
図９は、第１の実施形態の変形例におけるＩＤＴ電極の電極指の拡大正面断面図である。
【００５８】
ＩＤＴ電極１３の電極指１３ａは、圧電基板２上に設けられている第１の電極層１５ａと、第１の電極層１５ａ上に設けられている第２の電極層１５ｂとを有する。ＩＤＴ電極１３は、第１の電極層１５ａ及び第２の電極層１５ｂが積層された積層金属膜からなる。第１の電極層１５ａはＭｏからなる。第２の電極層１５ｂはＡｌからなる。ＩＤＴ電極１３は、Ｍｏよりも電気抵抗が低いＡｌからなる第２の電極層１５ｂを有する。よって、ＩＤＴ電極１３の電気抵抗を低くすることができる。
【００５９】
以下において、第２〜第５の実施形態に係る帯域通過型フィルタを示す。第２〜第５の実施形態に係る帯域通過型フィルタは、第１の実施形態の構成を有する弾性波装置としての弾性波共振子を含む。よって、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。従って、本発明に係る帯域通過型フィルタが他の帯域通過型フィルタとアンテナに共通接続される場合、該帯域通過型フィルタの挿入損失などのフィルタ特性の劣化をより確実に抑制することができる。
【００６０】
図１０は、第２の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【００６１】
帯域通過型フィルタ２１Ａは複数の弾性波共振子を有する。より具体的には、帯域通過型フィルタ２１Ａは、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４並びに並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４を有するラダー型フィルタである。本実施形態では、直列腕共振子Ｓ４が第１の実施形態の弾性波装置１の構成を有する。なお、帯域通過型フィルタ２１Ａの複数の弾性波共振子のうち少なくとも１つが本発明の弾性波共振子の構成を有していればよい。
【００６２】
帯域通過型フィルタ２１Ａは、信号端子２３と、アンテナに接続されるアンテナ端子２２とを有する。信号端子２３とアンテナ端子２２との間には、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４が互いに直列に接続されている。信号端子２３と直列腕共振子Ｓ１との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。
【００６３】
帯域通過型フィルタ２１Ａのアンテナ共通端子２２側のリターンロスは、アンテナ共通端子２２に最も近い直列腕共振子Ｓ４から生じる高次モードのレスポンスが最も大きくなるため、本実施形態のように、アンテナ端子２２に最も近い弾性波共振子が第１の実施形態の構成を有することが好ましい。それによって、帯域通過型フィルタ２１Ａが他の帯域通過型フィルタとアンテナに共通接続された場合、該帯域通過型フィルタに対するストップバンドリップルの影響をより一層確実に抑制することができる。
【００６４】
図１１は、第３の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【００６５】
帯域通過型フィルタ２１Ｂは、直列腕共振子Ｓ４を有さず、並列腕共振子Ｐ４が第１の実施形態の構成を有する点において、第２の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の帯域通過型フィルタ２１Ｂは第２の実施形態の帯域通過型フィルタ２１Ａと同様の構成を有する。
【００６６】
帯域通過型フィルタ２１Ｂのアンテナ共通端子２２側のリターンロスは、アンテナ共通端子２２に最も近い並列腕共振子Ｐ４から生じる高次モードのレスポンスが最も大きくなるため、並列腕共振子Ｐ４が第１の実施形態の構成を有することで、帯域通過型フィルタ２１Ｂが他の帯域通過型フィルタとアンテナに共通接続された場合、該帯域通過型フィルタに対するストップバンドリップルの影響をより一層確実に抑制することができる。第２の実施形態及び第３の実施形態で示したように、アンテナ端子２２に最も近い弾性波共振子であり、かつ第１の実施形態の構成を有する弾性波共振子が直列腕共振子及び並列腕共振子のいずれであっても、上記のような抑制の効果を得ることができる。
【００６７】
図１２は、第４の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【００６８】
帯域通過型フィルタ２１Ｃは、アンテナ端子２２と信号端子２３との間に配置された縦結合共振子型弾性波フィルタ２４を有する。アンテナ端子２２と縦結合共振子型弾性波フィルタ２４との間には、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２及び並列腕共振子Ｐ１１を有するラダー型フィルタが接続されている。
【００６９】
より具体的には、アンテナ端子２２と縦結合共振子型弾性波フィルタ２４との間に、直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１１と直列腕共振子Ｓ１２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。本実施形態においては、直列腕共振子Ｓ１１が第１の実施形態の構成を有する。
【００７０】
縦結合共振子型弾性波フィルタ２４と信号端子２３との間には、弾性波共振子２５が接続されている。弾性波共振子２５と信号端子２３との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子２６が接続されている。弾性波共振子２５及び弾性波共振子２６は、特性調整用の弾性波共振子である。
【００７１】
本実施形態では、縦結合共振子型弾性波フィルタ２４は５ＩＤＴ型であるが、縦結合共振子型弾性波フィルタ２４のＩＤＴ電極の個数は特に限定されない。例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタ２４は３ＩＤＴ型や７ＩＤＴ型などであってもよい。
【００７２】
図１３は、第５の実施形態に係る帯域通過型フィルタの回路図である。
【００７３】
帯域通過型フィルタ２１Ｄは、直列腕共振子Ｓ１１を有さず、並列腕共振子Ｐ１１が第１の実施形態の構成を有する点において、第４の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の帯域通過型フィルタ２１Ｄは第４の実施形態の帯域通過型フィルタ２１Ｃと同様の構成を有する。
【００７４】
図１４は、第６の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。
【００７５】
マルチプレクサ３０は、アンテナ端子２２並びにアンテナ端子２２に共通接続されている第１の帯域通過型フィルタ３１Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂ、第３の帯域通過型フィルタ３１Ｃ及び第４の帯域通過型フィルタ３１Ｄを有する。第１の帯域通過型フィルタ３１Ａは、図１０に示した帯域通過型フィルタ２１Ａと同様の構成を有し、アンテナ端子２２に最も近い直列腕共振子Ｓ４が、第１の実施形態の構成を有する。
【００７６】
なお、第１の帯域通過型フィルタ３１Ａは第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する弾性波共振子を含んでいればよく、回路構成は上記に限定されない。第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂ、第３の帯域通過型フィルタ３１Ｃ及び第４の帯域通過型フィルタ３１Ｄの回路構成も特に限定されない。
【００７７】
第１の帯域通過型フィルタ３１Ａの通過帯域はＢａｎｄ３の送信帯域であり、１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚである。第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂの通過帯域はＢａｎｄ１の送信帯域であり、１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚである。第３の帯域通過型フィルタ３１Ｃの通過帯域はＢａｎｄ３の受信帯域であり、１８０５ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚである。第４の帯域通過型フィルタ３１Ｄの通過帯域はＢａｎｄ１の受信帯域であり、２１１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚである。第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂの通過帯域は第１の帯域通過型フィルタ３１Ａの通過帯域より高域側に位置していればよく、第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂの通過帯域はＢａｎｄ１の受信帯域であってもよい。なお、第１の帯域通過型フィルタ３１Ａ、第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂ、第３の帯域通過型フィルタ３１Ｃ及び第４の帯域通過型フィルタ３１Ｄの通過帯域は上記に限定されない。
【００７８】
図１５は、第６の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ、第２の帯域通過型フィルタ、第３の帯域通過型フィルタ及び第４の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図１６は、第６の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの直列腕共振子のインピーダンス特性を示す図と、図１５の拡大図とを重ねた図である。図１５及び図１６における実線は、第１の帯域通過型フィルタ及び第３の帯域通過型フィルタの結果を示す。破線は、第２の帯域通過型フィルタ及び第４の帯域通過型フィルタの結果を示す。図１６における一点鎖線は、第１の帯域通過型フィルタの直列腕共振子のインピーダンス特性を示す。図１５及び図１６における二点鎖線Ａは第３の帯域通過型フィルタの通過帯域の高域側の端部を示し、二点鎖線Ｂは第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の低域側の端部を示す。
【００７９】
第１の帯域通過型フィルタの直列腕共振子のストップバンドリップルは、例えば、図１６中の矢印Ｃの位置に生じる。この場合には、上記リップルは、二点鎖線Ａと二点鎖線Ｂとの間に位置しており、第２の帯域通過型フィルタ及び第３の帯域通過型フィルタのいずれの通過帯域にも生じていないため、フィルタ特性の劣化は抑制される。
【００８０】
本実施形態においては、第１の帯域通過型フィルタが第１の実施形態の構成を有する直列腕共振子を含む。これにより、リップルが生じる周波数が、二点鎖線Ａと二点鎖線Ｂとの間に位置するように、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができ、フィルタ特性の劣化を効果的に抑制することができる。
【００８１】
第１の帯域通過型フィルタの上記直列腕共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比は、０．４７５以下であることが好ましい。それによって、フィルタ特性の劣化をより一層抑制することができる。これを下記の図１７及び図１８により示す。なお、図１７及び図１８の関係を求めるに際し、第１の実施形態と同様の構成を有する弾性波共振子のＩＤＴ電極のデューティ比を変化させている。
【００８２】
図１７は、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４７５及び０．４８の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。図１８は、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４０５、０．４４及び０．４７５の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。図１７においては、実線はデューティ比が０．４７５の場合の結果を示し、破線はデューティ比が０．４８の場合の結果を示す。図１８においては、実線はデューティ比が０．４７５の場合の結果を示し、破線はデューティ比が０．４４の場合の結果を示し、一点鎖線はデューティ比が０．４０５の場合の結果を示す。
【００８３】
図１７に示すように、ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４８の場合、ストップバンドリップルの最も大きいピークはＢａｎｄ３の受信帯域及びＢａｎｄ１の送信帯域との間に位置しており、フィルタ特性の大幅な劣化は抑制されている。さらに、デューティ比が０．４７５の場合には、Ｂａｎｄ３の受信帯域及びＢａｎｄ１の送信帯域におけるリターンロスの絶対値は０．９よりも小さく、フィルタ特性の劣化をより一層抑制できることがわかる。図１８に示すように、デューティ比が０．４７５より小さい場合においても、Ｂａｎｄ３の受信帯域及びＢａｎｄ１の送信帯域におけるリターンロスの絶対値は０．９よりも小さい。よって、デューティ比を０．４７５以下とすることにより、フィルタ特性の劣化をより一層抑制することができる。
【００８４】
ところで、ＩＤＴ電極の電極指幅の製造ばらつきが±７％であるとすると、デューティ比は±０．０３５ばらつくこととなる。このとき、ＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値が０．４４の場合、０．４４±０．０３５の範囲内においてばらつく。弾性波共振子のＩＤＴ電極のデューティ比が上記のようにばらついた場合におけるストップバンドリップルの挙動は、図１８に示した通りとなる。
【００８５】
他方、例えば、ＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値が０．５１５の場合、０．５１５±０．０３５の範囲内においてばらつく。この場合の、ストップバンドリップルの挙動を下記の図１９に示す。なお、図１９の関係を求めた弾性波共振子は、デューティ比が０．４８の場合、第１の実施形態と同様の構成とし、デューティ比が０．４８より大きい場合、上記比較例と同様の構成とした。
【００８６】
図１９は、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４８、０．５１５及び０．５５の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。図１９においては、実線はデューティ比が０．４８の場合の結果を示し、破線はデューティ比が０．５１５の場合の結果を示し、一点鎖線はデューティ比が０．５５の場合の結果を示す。
【００８７】
図１９に示すように、ＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値が０．４８よりも大きい０．５１５の場合、ストップバンドリップルが生じる周波数が大きくばらついていることがわかる。これに対して、図１８に示すように、ＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値が０．４８よりも小さい０．４４の場合、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを効果的に抑制することができている。さらに、デューティ比が０．４４±０．０３５の範囲内においては、Ｂａｎｄ３の受信帯域及びＢａｎｄ１の送信帯域におけるリターンロスの絶対値は０．９よりも小さい。
【００８８】
よって、図１４に示す第１の帯域通過型フィルタ３１Ａにおいて、第１の実施形態の構成を有する直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値を０．４４以下とすることが好ましい。図１５などに示すように、Ｂａｎｄ３の送信帯域の高域側の端部とＢａｎｄ１の受信帯域の低域側の端部との間の帯域は４０ＭＨｚと非常に狭い。このような場合においても、デューティ比の狙い値を０．４４以下とすることにより、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができ、該周波数を上記帯域内とすることができる。従って、Ｂａｎｄ３の受信帯域を通過帯域とする第３の帯域通過型フィルタ３１Ｃ及びＢａｎｄ１の送信帯域を通過帯域とする第２の帯域通過型フィルタ３１Ｂの挿入損失などのフィルタ特性の劣化を効果的に抑制することができる。
【００８９】
なお、用いる帯域通過型フィルタの通過帯域に応じて、ＩＤＴ電極の好ましいデューティ比は異なる。例えば、Ｂａｎｄ６６及びＢａｎｄ２５の送信帯域及び受信帯域を通過帯域とするマルチプレクサにおいては、デューティ比は０．４７以下であることが好ましい。これを以下において説明する。
【００９０】
第７の実施形態に係るマルチプレクサは、各帯域通過型フィルタの通過帯域が第６の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第７の実施形態のマルチプレクサは第６の実施形態のマルチプレクサ３０と同様の構成を有する。
【００９１】
より具体的には、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域はＢａｎｄ６６の送信帯域であり、１７１０ＭＨｚ〜１７８０ＭＨｚである。第２の帯域通過型フィルタの通過帯域はＢａｎｄ２５の送信帯域であり、１８５０ＭＨｚ〜１９１５ＭＨｚである。第３の帯域通過型フィルタの通過帯域はＢａｎｄ６６の受信帯域であり、２１１０ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚである。第４の帯域通過型フィルタの通過帯域はＢａｎｄ２５の受信帯域であり、１９３０ＭＨｚ〜１９９５ＭＨｚである。なお、第２の帯域通過型フィルタの通過帯域はＢａｎｄ２５の受信帯域であってもよい。
【００９２】
本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタにおけるストップバンドリップルが、Ｂａｎｄ２５の送信帯域及び受信帯域の間の帯域付近に生じる。
【００９３】
本実施形態においては、第１の帯域通過型フィルタにおける第１の実施形態の構成を有する直列腕共振子のＩＤＴ電極のデューティ比を０．４７以下とすることにより、フィルタ特性の劣化を効果的に抑制することができる。これを下記の図２０に示す。なお、図２０の関係を求めた弾性波共振子は、第１の実施形態と同様の構成とした。
【００９４】
図２０は、弾性波共振子におけるＩＤＴ電極のデューティ比がそれぞれ０．４、０．４３５及び０．４７の場合の、ストップバンドリップルのリターンロスを示す図である。図２０においては、実線はデューティ比が０．４７の場合の結果を示し、破線はデューティ比が０．４３５の場合の結果を示し、一点鎖線はデューティ比が０．４の場合の結果を示す。二点鎖線Ｄは、第２の帯域通過型フィルタの通過帯域の高域側の端部を示す。二点鎖線Ｅは、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域の低域側の端部を示す。
【００９５】
図２０に示すように、デューティ比が０．４７以下の場合、ストップバンドレスポンスが生じる周波数のばらつきを抑制することができており、Ｂａｎｄ２５の受信帯域及び送信帯域におけるリターンロスの絶対値は０．９よりも小さい。よって、デューティ比を０．４７以下とすることにより、フィルタ特性の劣化を効果的に抑制できることがわかる。
【００９６】
ここで、ＩＤＴ電極の電極指幅の製造ばらつきが±７％であるとすると、ＩＤＴ電極のデューティ比の狙い値が０．４３５の場合、デューティ比は０．４３５±０．０３５の範囲内においてばらつく。弾性波共振子のＩＤＴ電極のデューティ比が上記のようにばらついた場合におけるストップバンドリップルの挙動は、図２０に示した通りとなる。Ｂａｎｄ２５の送信帯域の高域側の端部と受信帯域の低域側の端部との間の帯域は２０ＭＨｚと非常に狭い。このような場合においても、デューティ比の狙い値を０．４３５以下とすることにより、ストップバンドリップルが生じる周波数を上記帯域内とすることができる。従って、Ｂａｎｄ２５の送信帯域を通過帯域とする第２の帯域通過型フィルタ及びＢａｎｄ２５の受信帯域を通過帯域とする第４の帯域通過型フィルタの挿入損失などのフィルタ特性の劣化を効果的に抑制することができる。
【００９７】
以下において、第８の実施形態に係る弾性波装置について説明する。
【００９８】
第８の実施形態に係る弾性波装置は、図１に示した誘電体膜４及びＩＤＴ電極３のデューティ比の関係が、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００９９】
本実施形態における圧電基板は、カット角１２７．５°ＹのＬｉＢｂＯ３からなる基板である。ＩＤＴ電極の規格化膜厚は５％としている。
【０１００】
本実施形態の弾性波装置は、第１の実施形態と同様に酸化ケイ素からなる誘電体膜を有するため、周波数温度特性（ＴＣＶ）を改善することができる。ここで、周波数温度特性（ＴＣＶ）は、ＩＤＴ電極のデューティ比に依存する。他方、弾性波装置の比帯域も、ＩＤＴ電極のデューティ比に依存する。
【０１０１】
図２１は、第８の実施形態における誘電体膜の規格化膜厚、ＩＤＴ電極のデューティ比及び周波数温度特性（ＴＣＶ）の関係を示す図である。図２２は、第８の実施形態における誘電体膜の規格化膜厚、ＩＤＴ電極のデューティ比及び比帯域の関係を示す図である。
【０１０２】
図２１に示すように、ＩＤＴ電極のデューティ比が小さくなるほど、同じ誘電体膜の規格化膜厚において、周波数温度特性（ＴＣＶ）は劣化している。しかしながら、図２２に示すように、デューティ比が小さくなるほど、同じ誘電体膜の規格化膜厚において、比帯域が狭くなっていることがわかる。
【０１０３】
図２３は、第８の実施形態における周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係と、ＩＤＴ電極のデューティ比との関係を示す図である。
【０１０４】
図２３に示すように、周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とは、トレードオフ関係を有する。ここで、図２１と図２２で示したように、デューティ比が小さくなると、周波数温度特性（ＴＣＶ）は良化するものの、比帯域は狭くなる。そのため、トレードオフ関係は、そのバランスが良好となる条件で最も良好となる。周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係を改善するとは、同じ比帯域のときのＴＣＶが良好となることをいう。また、周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係が劣化するとは、同じ比帯域のときのＴＣＶが悪化することをいう。下記の図２４において、同じ比帯域における周波数温度特性（ＴＣＶ）の値と、デューティ比の関係を示す。
【０１０５】
図２４は、ＩＤＴ電極のデューティ比と、比帯域が４％のときの周波数温度特性（ＴＶ）との関係を示す図である。
【０１０６】
図２４に示すように、ＩＤＴ電極のデューティ比が０．４５に近づくほど、周波数温度特性（ＴＣＶ）が改善されていることがわかる。デューティ比は、０．４１以上、０．４６以下であることが好ましく、０．４４以上、０．４６以下であることがより好ましい。デューティ比が０．４５であることがさらに好ましい。それによって、周波数温度特性（ＴＣＶ）と比帯域とのトレードオフ関係を改善することができる。
【０１０７】
加えて、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、ＩＤＴ電極のデューティ比は０．３以上、０．４８以下であるため、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。
【０１０８】
上記各実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
【０１０９】
図２５は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
【０１１０】
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図２４の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
【０１１１】
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
【０１１２】
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
【０１１３】
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
【０１１４】
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
【０１１５】
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
【０１１６】
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
【０１１７】
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。
【０１１８】
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
【０１１９】
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
【０１２０】
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサなどを備えることにより、ストップバンドリップルが生じる周波数のばらつきを抑制することができる。
【０１２１】
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０１２２】
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１２３】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
３ａ…電極指
４…誘電体膜
５Ａ，５Ｂ…反射器
１３…ＩＤＴ電極
１３ａ…電極指
１５ａ，１５ｂ…第１，第２の電極層
２１Ａ〜２１Ｄ…帯域通過型フィルタ
２２…アンテナ端子
２３…信号端子
２４…縦結合共振子型弾性波フィルタ
２５，２６…弾性波共振子
３０…マルチプレクサ
３１Ａ〜３１Ｄ…第１〜第４の帯域通過型フィルタ
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
Ｓ１〜Ｓ４，Ｓ１１，Ｓ１２…直列腕共振子
Ｐ１〜Ｐ４，Ｐ１１…並列腕共振子
【図１】
2019041307.tif 000003
【図２】
2019041307.tif 000004
【図３】
2019041307.tif 000005
【図４】
2019041307.tif 000006
【図５】
2019041307.tif 000007
【図６】
2019041307.tif 000008
【図７】
2019041307.tif 000009
【図８】
2019041307.tif 000010
【図９】
2019041307.tif 000011
【図１０】
2019041307.tif 000012
【図１１】
2019041307.tif 000013
【図１２】
2019041307.tif 000014
【図１３】
2019041307.tif 000015
【図１４】
2019041307.tif 000016
【図１５】
2019041307.tif 000017
【図１６】
2019041307.tif 000018
【図１７】
2019041307.tif 000019
【図１８】
2019041307.tif 000020
【図１９】
2019041307.tif 000021
【図２０】
2019041307.tif 000022
【図２１】
2019041307.tif 000023
【図２２】
2019041307.tif 000024
【図２３】
2019041307.tif 000025
【図２４】
2019041307.tif 000026
【図２５】
2019041307.tif 000027