(57)【要約】      （修正有）【課題】電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することのできる半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子１００は、基板、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型半導体層、ｎ型コンタクト電極２５、ｐ型コンタクト電極４５、絶縁層５０、ｐ型パッド電極６０、ｎ型パッド電極７０を有し、ｎ型コンタクト電極形成領域および発光層形成領域はｎ側絶縁層形成領域を介して互いに離隔し、各電極２５，４５を平面視した仮想平面において、ｐ型コンタクト電極４５の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、短冊型形状の間隙において、ｎ型コンタクト電極２５の少なくとも一部２５Ｐは複数の細片に対して互いに平行に配置され、ｐ型パッド電極６０は、短冊型形状の間隙に配置されたｎ型コンタクト電極２５Ｐを、絶縁層５０を介して跨ぐ。【選択図】図１Ｆ
2019106406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられ、ｎ型コンタクト電極形成領域、ｎ側絶縁層形成領域および発光層形成領域を備えるｎ型半導体層と、
該第ｎ型半導体層の前記発光層形成領域上に設けられた発光層と、
該発光層上に設けられたｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の前記ｎ型コンタクト電極形成領域に設けられたｎ型コンタクト電極と、
前記ｐ型半導体層上に形成され、ｐ型パッド電極形成領域およびｐ側絶縁層形成領域を備えるｐ型コンタクト電極と、
前記ｎ側絶縁層形成領域および前記ｐ側絶縁層形成領域を被覆する絶縁層と、
前記ｐ型コンタクト電極の前記ｐ型パッド電極形成領域上に設けられたｐ型パッド電極と、
前記ｎ型コンタクト電極の前記ｎ型パッド電極形成領域上に設けられたｎ型パッド電極と、
を有する半導体発光素子であって、
前記ｎ型半導体層における、前記ｎ型コンタクト電極形成領域および前記発光層形成領域は前記ｎ側絶縁層形成領域を介して互いに離隔するよう区画され、
前記ｐ型コンタクト電極および前記ｎ型コンタクト電極を平面視した仮想平面において、前記ｐ型コンタクト電極の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部は前記複数の細片に対して互いに平行に配置され、
前記ｐ型パッド電極は、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト電極は前記ｐ型半導体層の全面を覆う、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト層の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置される、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、請求項３または４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト層の形状は、前記ｐ型コンタクト電極の前記短冊型形状と互いに平行に配置された短冊型形状である、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｎ型コンタクト電極の前記短冊型形状の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｎ型コンタクト電極の前記短冊型形状の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、請求項６または７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記ｎ型パッド電極が、前記ｐ型コンタクト電極の一部を、前記絶縁層を介して覆う、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記ｐ型パッド電極および前記ｎ型パッド電極がＡｕおよびＡｕＳｎはんだを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記発光層から放射される光の中心発光波長が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体発光素子
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体発光素子と、
実装基板とを有し、
前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心を位置合わせされた表面実装デバイス。
【請求項１３】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次形成する第１工程と、
前記ｐ型半導体層および前記発光層の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層を露出させる第２工程と、
前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタクト電極を形成し、前記ｎ型半導体層上の一部領域に、前記発光層と離隔するｎ型コンタクト電極を形成する第３工程と、
前記ｎ型半導体層の露出面、前記ｎ型コンタクト電極および前記ｐ型コンタクト電極を被覆する絶縁層を形成する第４工程と、
前記絶縁層における前記ｐ型コンタクト電極の一部領域上および前記ｎ型コンタクト電極の一部領域上に開口部を形成して、前記ｐ型コンタクト電極にｐ型パッド電極形成領域を形成し、前記ｎ型コンタクト電極にｎ型パッド電極形成領域を形成する第５工程と、
前記ｐ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第１領域上にｐ型パッド電極を形成し、前記ｎ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第２領域上にｎ型パッド電極を形成する第６工程と、を有し、
前記第２工程において、前記ｐ型半導体層の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とし、
前記第３工程において、前記ｐ型半導体層の前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部が前記複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、前記ｎ型コンタクト電極を形成し、
前記第６工程において、前記ｐ型パッド電極が、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐよう形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の製造方法により製造された半導体発光素子を実装基板に実装する実装工程を含み、
前記実装工程において、前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心と位置合わせする、表面実装デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子およびそれを用いた表面実装デバイスならびにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色から深紫外光までの短波長の光を発光する半導体発光素子（Chip）が注目されている。半導体発光素子は、一般的に以下のようにして形成される。まず、サファイア基板などの支持基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する。次に、ｐ型半導体層および発光層の一部領域を、ドライエッチングなどによって除去してｎ型半導体層の表面を露出させる。露出したｎ型半導体層上にｎ型コンタクト電極を形成し、ｐ型半導体層上にもｐ型コンタクト電極を形成する。ｎ型コンタクト電極およびｎ型コンタクト電極の一部には、実装基板と電気的に接続するためのパッド電極がそれぞれ形成される。こうした半導体発光素子は特に横型構造の半導体発光素子と呼ばれる。
【０００３】
ここで、横型構造の半導体発光素子の素子面内では電流拡散が不均一となりやすく、半導体発光素子の発光面全体で均一な発光を確保することは困難であった。そこで、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制するための種々の電極パターンが検討されている。
【０００４】
特許文献１には、基板上に、ｎ型層、活性層及びｐ型層が積層されてなる積層体を備え、その積層体はｎ側の電極をライン状に形成するために上記ｎ型層表面が露出された互いに平行なｎ電極形成領域を有し、そのｎ電極形成領域にそれぞれｎライン電極が形成され、上記ｐ型層のほぼ全面に透光性電極が形成された窒化物半導体発光素子が開示されている。そして、特許文献１の窒化物半導体発光素子において、ｎライン電極は、互いに分離されて等間隔に配置されかつ各ｎライン電極の一端にはそれぞれｎパッド電極が形成され、上記透光性電極上には、上記ｎライン電極と交互に配置されかつ隣接するｎライン電極から等距離になるようにライン状の電流拡散導体が形成され、その電流拡散導体の一端にそれぞれｐパッド電極が形成されている。
【０００５】
特許文献１では、ｎライン電極と電流拡散導体とが等間隔に形成され、かつｎライン電極と電流拡散導体の一端にそれぞれ個別にパッド電極が形成されている。特許文献１によれば、こうしたパッド電極が形成されているため、発光領域全体にほぼ均一に電流を注入することができ、発光面全体にわたって均一な発光が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−５６１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の電極パターンでは、パッド電極近傍に電流が集中することが不可避であり、その結果、発光むらが生じてしまう。発光むらのある半導体発光素子を実装基板に実装した表面実装デバイスのレンズ設計は困難を極める。そのため、半導体発光素子において、電流拡散を均一化して発光むらを抑制することのできる電極パターンの確立が求められる。
【０００８】
そこで、本発明は、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することのできる半導体発光素子を提供する。また、本発明は、この半導体発光素子を用いた表面実装デバイスを提供することを目的とする。さらに本発明は、これら半導体発光素子および表面実装デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決する方途について鋭意検討した。そして、ｐ型コンタクト電極およびｎ型コンタクト電極の電極パターンと、ｐ型パッド電極の構造によって、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することができることを知見し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
【００１０】
（１）基板と、
該基板上に設けられ、ｎ型コンタクト電極形成領域、ｎ側絶縁層形成領域および発光層形成領域を備えるｎ型半導体層と、
該第ｎ型半導体層の前記発光層形成領域上に設けられた発光層と、
該発光層上に設けられたｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の前記ｎ型コンタクト電極形成領域に設けられたｎ型コンタクト電極と、
前記ｐ型半導体層上に形成され、ｐ型パッド電極形成領域およびｐ側絶縁層形成領域を備えるｐ型コンタクト電極と、
前記ｎ側絶縁層形成領域および前記ｐ側絶縁層形成領域を被覆する絶縁層と、
前記ｐ型コンタクト電極の前記ｐ型パッド電極形成領域上に設けられたｐ型パッド電極と、
前記ｎ型コンタクト電極の前記ｎ型パッド電極形成領域上に設けられたｎ型パッド電極と、
を有する半導体発光素子であって、
前記ｎ型半導体層における、前記ｎ型コンタクト電極形成領域および前記発光層形成領域は前記ｎ側絶縁層形成領域を介して互いに離隔するよう区画され、
前記ｐ型コンタクト電極および前記ｎ型コンタクト電極を平面視した仮想平面において、前記ｐ型コンタクト電極の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部は前記複数の細片に対して互いに平行に配置され、
前記ｐ型パッド電極は、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐことを特徴とする半導体発光素子。
【００１１】
（２）前記ｐ型コンタクト電極は前記ｐ型半導体層の全面を覆う、上記（１）に記載の半導体発光素子。
【００１２】
（３）前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト層の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置される、上記（１）または（２）に記載の半導体発光素子。
【００１３】
（４）前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、上記（３）に記載の半導体発光素子。
【００１４】
（５）前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、上記（３）または（４）に記載の半導体発光素子。
【００１５】
（６）前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト層の形状は、前記ｐ型コンタクト電極の前記短冊型形状と互いに平行に配置された短冊型形状である、上記（１）または（２）に記載の半導体発光素子。
【００１６】
（７）前記ｎ型コンタクト電極の前記短冊型形状の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、上記（５）に記載の半導体発光素子。
【００１７】
（８）前記ｎ型コンタクト電極の前記短冊型形状の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、上記（６）または（７）に記載の半導体発光素子。
【００１８】
（９）前記ｎ型パッド電極が、前記ｐ型コンタクト電極の一部を、前記絶縁層を介して覆う、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【００１９】
（１０）前記ｐ型パッド電極および前記ｎ型パッド電極がＡｕおよびＡｕＳｎはんだを含む、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【００２０】
（１１）前記発光層から放射される光の中心発光波長が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である、上記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【００２１】
（１２）上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の半導体発光素子と、
実装基板とを有し、
前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心を位置合わせされた表面実装デバイス。
【００２２】
（１３）基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次形成する第１工程と、
前記ｐ型半導体層および前記発光層の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層を露出させる第２工程と、
前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタクト電極を形成し、前記ｎ型半導体層上の一部領域に、前記発光層と離隔するｎ型コンタクト電極を形成する第３工程と、
前記ｎ型半導体層の露出面、前記ｎ型コンタクト電極および前記ｐ型コンタクト電極を被覆する絶縁層を形成する第４工程と、
前記絶縁層における前記ｐ型コンタクト電極の一部領域上および前記ｎ型コンタクト電極の一部領域上に開口部を形成して、前記ｐ型コンタクト電極にｐ型パッド電極形成領域を形成し、前記ｎ型コンタクト電極にｎ型パッド電極形成領域を形成する第５工程と、
前記ｐ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第１領域上にｐ型パッド電極を形成し、前記ｎ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第２領域上にｎ型パッド電極を形成する第６工程と、を有し、
前記第２工程において、前記ｐ型半導体層の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とし、
前記第３工程において、前記ｐ型半導体層の前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部が前記複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、前記ｎ型コンタクト電極を形成し、
前記第６工程において、前記ｐ型パッド電極が、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐよう形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【００２３】
（１４）上記（１３）に記載の製造方法により製造された半導体発光素子を実装基板に実装する実装工程を含み、
前記実装工程において、前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心と位置合わせする、表面実装デバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することのできる半導体発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第１工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第２工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第３工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第４工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第５工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態による半導体発光素子の製造方法による第６工程後の平面図を示す模式図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態による半導体発光素子のｎ型半導体層を説明する模式平面図である。
【図２】図１ＡのＡ−Ａ断面図である。
【図３Ａ】図１ＢのＡ−Ａ断面図である。
【図３Ｂ】図１ＢのＢ−Ｂ断面図である。
【図３Ｃ】図１ＢのＣ−Ｃ断面図である。
【図４Ａ】図１ＣのＡ−Ａ断面図である。
【図４Ｂ】図１ＣのＢ−Ｂ断面図である。
【図４Ｃ】図１ＣのＣ−Ｃ断面図である。
【図５Ａ】図１ＤのＡ−Ａ断面図である。
【図５Ｂ】図１ＤのＢ−Ｂ断面図である。
【図５Ｃ】図１ＤのＣ−Ｃ断面図である。
【図６Ａ】図１ＥのＡ−Ａ断面図である。
【図６Ｂ】図１ＥのＢ−Ｂ断面図である。
【図６Ｃ】図１ＥのＣ−Ｃ断面図である。
【図７Ａ】図１ＦのＡ−Ａ断面図である。
【図７Ｂ】図１ＦのＢ−Ｂ断面図である。
【図７Ｃ】図１ＦのＣ−Ｃ断面図である。
【図８】比較態様による半導体発光素子のｐ型コンタクト電極およびｎ型コンタクト電極の配置パターンを説明する模式図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態における電極間距離を説明するための模式図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態における電極間距離の好適態様を説明するための模式図である。
【図１０】本発明の別の実施形態による半導体発光素子の製造方法による第６工程後の平面図を示す模式図である。
【図１１Ａ】図１０のＡ−Ａ断面図である。
【図１１Ｂ】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
【図１１Ｃ】図１０のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１Ｄ】図１０のＤ−Ｄ断面図である。
【図１１Ｅ】図１０のＥ−Ｅ断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表面実装デバイスを示す模式断面図である。
【図１３Ａ】実施例１に係る深紫外発光素子を、おもて側（サファイア基板側）から撮影した写真である。
【図１３Ｂ】実施例１に係る深紫外発光素子を、裏側（パッド電極側）から撮影した写真である。
【図１４Ａ】実施例１の発光写真である。
【図１４Ｂ】実施例２の発光写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。説明の便宜上、本発明の一実施形態に従う半導体発光素子１００の製造方法の実施形態の説明を行い、次いで、半導体発光素子１００の詳細を説明することとする。
【００２７】
実施形態の説明に先立ち、図１Ａ〜図１Ｆの平面図と、図２〜図７の断面図との対応関係および図１Ｇの平面図を先に説明する。
まず、図１Ａは本発明の一実施形態による半導体発光素子１００の製造方法による第１工程後の平面図を示す模式図であり、同様に、図１Ｂ〜図１Ｆはそれぞれ第２工程〜第６工程の各工程後の平面図を示す模式図である。
図２は、図１Ａの状態でのＡ−Ａ断面図である。また、図２は図１Ａの状態でのＢ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図およびＤ−Ｄ断面図にも相当する。
図３Ａは図１Ｂの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｂの状態でのＢ−Ｂ断面図にも相当する。図３Ｂは図１Ｂの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図３Ｃは図１Ｂの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図４Ａは図１Ｃの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｃの状態でのＢ−Ｂ断面図にも相当する。図４Ｂは図１Ｃの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図４Ｃは図１Ｃの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図５Ａは図１Ｄの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｃの状態でのＢ−Ｂ断面図にも相当する。図５Ｂは図１Ｄの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図５Ｃは図１Ｄの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図６Ａは図１Ｅの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図６Ｂは図１Ｅの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図６Ｃは図１Ｅの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図７Ａは図１Ｆの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図７Ｂは図１Ｆの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図７Ｃは図１Ｆの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
なお、図１Ｄ、図１Ｅおよび図１ＦにおけるＤ−Ｄ断面図はいずれも図５Ａに相当する。
そして、図１Ｇは、本発明の一実施形態により得られる半導体発光素子１００のｎ型半導体層２０の各領域を説明する模式平面図である。
【００２８】
以下では、同一の構成要素には原則として同一の参照番号あるいは下２桁で共通する参照番号を付して、重複する説明を省略する。また、各図において、説明の便宜上、基板および各層の縦横の比率を実際の比率から誇張して示している。
【００２９】
（半導体発光素子の製造方法）
本発明の一実施形態に従う半導体発光素子１００の製造方法を、図１Ａ〜図１Ｆおよびそれらの断面図を参照しつつ説明する。半導体発光素子１００の製造方法は、基板１０上にｎ型半導体層２０、発光層３０およびｐ型半導体層４０を順次形成する第１工程（図１Ａ）と、ｐ型半導体層４０および発光層３０の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層２０を露出させる第２工程（図１Ｂ）と、ｐ型半導体層４０上にｐ型コンタクト電極４５を形成し、ｎ型半導体層２０上の一部領域に、発光層３０と離隔するｎ型コンタクト電極２５を形成する第３工程（図１Ｃ）と、ｎ型半導体層２０の露出面、ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５を被覆する絶縁層５０を形成する第４工程（図１Ｄ）と、絶縁層５０におけるｐ型コンタクト電極４５上の一部領域およびｎ型コンタクト電極２５上の一部領域に開口部５０Ａ、５０Ｂを形成して、ｐ型コンタクト電極４５にｐ型パッド電極形成領域４５Ａを形成し、ｎ型コンタクト電極２５にｎ型パッド電極形成領域２５Ａを形成する第５工程（図１Ｅ）と、ｐ型パッド電極形成領域４５Ａ上および絶縁層５０の第１領域上にｐ型パッド電極６０を形成し、ｎ型パッド電極形成領域２５Ａ上および絶縁層５０の第２領域上にｎ型パッド電極７０を形成する第６工程と、を有する。そして、第２工程において、ｐ型半導体層４０の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とする。また、第３工程において、ｐ型半導体層４０の短冊型形状の各細片の間隙において、ｎ型コンタクト電極２５の少なくとも一部２５Ｐが上記複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、ｎ型コンタクト電極２５を形成する。さらに、第６工程において、ｐ型パッド電極６０が、ｐ型半導体層４０の短冊型形状の間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、絶縁層５０を介して跨ぐよう形成する。以下、各構成の詳細を順次説明する。
【００３０】
＜第１工程＞
まず、第１工程では、図１Ａおよび図２に示すように、基板１０上にｎ型半導体層２０、発光層３０およびｐ型半導体層４０を順次形成する。基板１０としては特に制限されず、サファイア基板、サファイア基板表面にＡｌＮ層が形成されたＡｌＮテンプレート基板およびＡｌＮ単結晶基板などを用いることができる。
【００３１】
基板１０上に形成するｎ型半導体層２０、発光層３０およびｐ型半導体層４０は特に制限されず、ＡｌＩｎＧａＮなどのIII族窒化物半導体を用いることができ、ｎ型半導体層２０、発光層３０およびｐ型半導体層４０の各半導体層の形成にあたっては、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法や分子線エピタキシ（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法、スパッタ法などの公知の薄膜成長方法を適用可能である。また、各半導体層の一部または全部を超格子構造としてもよいし、適宜アンドープの半導体層を設けてもよい。各半導体層の形成にあたり、半導体発光素子を形成するための公知の手法が適用可能である。
【００３２】
＜第２工程＞
続く第２工程では、図１Ｂおよび図３Ａ〜図３Ｃに示すように、ｐ型半導体層４０および発光層３０の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層２０を露出させる。この際、ｐ型半導体層４０の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とする。短冊形形状の細片は略長方形であり、長軸と短軸を有する。略長方形とは、長方形、角を直線で面取りした面取り長方形、および、角を曲線で面取りした角丸長方形を含むものである。細片の角部は図示したように直角とすることができるが、必ずしも直角である必要はない。また、細片の各辺も直線形状に限られず、波形でも構わない。ただし、各細片の長手方向の周縁部は互いに等距離であるものとする。
【００３３】
なお、発光層３０およびｐ型半導体層４０は積層構造であるので、この積層構造（あるいは、後述のｐ型コンタクト電極４５を形成した後の状態での積層構造）が短冊形形状であると言ってもよい。
【００３４】
図３Ａに図１ＢのＡ−Ａ断面図を示すように、複数の発光層３０およびｐ型半導体層４０の積層構造の間でｎ型半導体層２０が露出する。また、図３Ｂに図１ＢのＢ−Ｂ断面図を示すように、Ｂ−Ｂ断面においてはｎ型半導体層２０のみが露出している。また、図３Ｃに図１ＢのＣ−Ｃ断面図を示すように、Ｃ−Ｃ断面においては発光層３０およびｐ型半導体層４０の積層構造と、ｎ型半導体層２０の露出面が形成される。
【００３５】
ｎ型半導体層２０を露出させるための手法としては、プラズマエッチング法などのドライエッチング法を用いることが好ましいが、ウエットエッチング法を用いてもよいし、両者を併用してもよい。
【００３６】
＜第３工程＞
次に、第３工程では、図１Ｃおよび図４Ａ〜図４Ｃに示すように、ｐ型半導体層４０上にｐ型コンタクト電極４５を形成する。また、第３工程では、ｎ型半導体層２０上の一部領域に、絶縁を確保するため、発光層３０と離隔するｎ型コンタクト電極２５を形成する。ここで、この第３工程では、ｐ型半導体層４０の短冊型形状の間隙において、ｎ型コンタクト電極２５の少なくとも一部２５Ｐがｐ型半導体層４０を構成する複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、ｎ型コンタクト電極２５を形成する。
【００３７】
なお、第６工程を終えた後における、ｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極２５を平面視した仮想平面が図１Ｃに相当すると言える。本実施形態では、この仮想平面において、ｎ型コンタクト層２５の形状は、根元部２５Ｑおよび該根元部２５Ｑに連結し、互いに平行な線状の櫛歯部２５Ｐを備える櫛歯型形状である場合を説明する。図１Ｃに示すように、ｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐが、発光層３０およびｐ型半導体層４０からなる積層構造の短冊型形状の間隙に配置されている。櫛歯部２５Ｐの形状は、ｐ型コンタクト電極４５の短冊形形状の各細片と同様、略長方形であり、長軸と短軸を有する。各細片の角部は図示したように直角とすることができるが、必ずしも直角である必要はない。また、細片の各辺も直線形状に限られず、波形でも構わない。ただし、各細片の長軸方向の中心軸は互いに等距離であり、実質的な平行関係を具えるものとする。
【００３８】
図４Ａに図１ＣのＡ−Ａ断面図を示すように、発光層３０およびｐ型半導体層４０からなる複数の積層構造の間に露出したｎ型半導体層２０上にｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐを形成する。また、図４Ｂに図１ＣのＢ−Ｂ断面図を示すように、Ｂ−Ｂ断面においてはｎ型半導体層２０上にｎ型コンタクト電極２５の根元部２５Ｑが形成される。そして、図４Ｃに図１ＣのＣ−Ｃ断面図を示すように、Ｃ−Ｃ断面においては発光層３０およびｐ型半導体層４０の積層構造の上にｐ型コンタクト電極４５が形成され、ｎ型半導体層２０の露出面の上には根元部２５Ｑが形成される。
【００３９】
なお、図４Ａ、図４Ｃに示すように、本実施形態ではｐ型半導体層４０の全面を覆うようにｐ型コンタクト電極４５を形成することが好ましい。ただし、ｐ型コンタクト電極４５の全面を覆うとは、必ずしもｐ型半導体層４０と形が一致するｐ型コンタクト電極４５を形成する必要はなく、電極形成時のフォトリソなどにおいて外周に必要な余裕幅を設けてもよい。また、ｐ型半導体層４０の全面に電流を広げる機能を有する形状（例えば、網目状や放射状など）であれば、ｐ型半導体層４０の一部を露出させるように形成しても構わない。
【００４０】
ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５のそれぞれを形成するためには、スパッタリング法、真空蒸着法、めっき成長法など公知の薄膜成長法を用いればよい。また、ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５の電極材料としては、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、およびこれらのいずれかを少なくとも含有する合金を挙げるができ、また、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide; ITO）および酸化インジウムも用いることができる。ｎ型半導体層２０およびｐ型半導体層４０のそれぞれで良好なオーミック接触を取るために、ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５のそれぞれで適切な電極材料を選択することが好ましい。例えば、ｎ型コンタクト電極２５の電極材料としてＴｉ／Ａｌ／Ａｕ（Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕの順に積層した電極）を例示することができ、ｐ型コンタクト電極４５の電極材料としてＮｉ／Ａｕ（Ｎｉ、Ａｕの順に積層した電極）を例示することができる。また、半導体層上にこれらの金属を積層した後にアニールすることで、半導体層と電極はオーミック接合を形成する。
【００４１】
また、図示の簡略化のため、ｎ型半導体層２０を露出させてからｐ型コンタクト電極４５を形成しているが、ｐ型コンタクト電極４５を形成してからｎ型半導体層２０を露出させても構わない。また、ｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極２５の形成順序はどちらが先でも構わないし、両者を同時形成しても構わない。
【００４２】
＜第４工程＞
続く第４工程では、図１Ｄおよび図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ｎ型半導体層２０の露出面、ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５を被覆する絶縁層５０を形成する。絶縁層５０としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、窒化ハフニウム（ＨｆＮ）などの電気的絶縁体を用いることができる。絶縁層５０を形成するためには、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法およびスピンオングラス法などの公知の手法を適用すればよい。
【００４３】
絶縁層５０の形成後は、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃのそれぞれに図１ＤのＡ−Ａ断面図、Ｂ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図を示すように、ｎ型コンタクト電極２５と発光層３０、ｐ型半導体層４０、ｐ型コンタクト電極４５からなる積層構造との、それぞれの間の空隙は絶縁層５０によって充填される。したがって、発光層３０、ｐ型半導体層４０およびｐ型コンタクト電極４５の側面も絶縁層５０に被覆されることとなる。
【００４４】
＜第５工程＞
第５工程では、図１Ｅおよび図６Ａ〜図６Ｃに示すように、絶縁層５０におけるｐ型コンタクト電極４５上の一部領域およびｎ型コンタクト電極２５上の一部領域に開口部５０Ａ、５０Ｂを形成する。形成された開口部５０Ａにより露出されたｐ型コンタクト電極４５の露出面は、その上にｐ型パッド電極６０を形成するためのｐ型パッド電極形成領域４５Ａとなる。また、形成された開口部５０Ｂにより露出されたｎ型コンタクト電極２５の露出面は、その上にｎ型パッド電極７０を形成するためのｎ型パッド電極形成領域２５Ａとなる。
【００４５】
本工程において、絶縁層５０の一部領域を除去して所望の開口部形状を得るためには、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した後、露光およびエッチングを行い、残留したレジストを除去するなどすればよい。
【００４６】
＜第６工程＞
最後の第６工程では、図１Ｆおよび図７Ａ〜図７Ｃに示すように、ｐ型パッド電極形成領域４５Ａ上および絶縁層５０の第１領域上には、ｐ型パッド電極６０を形成する。また、ｎ型パッド電極形成領域２５Ａ上および絶縁層５０の第２領域上には、ｎ型パッド電極７０を形成する。そして、ｐ型パッド電極６０が、ｐ型半導体層４０の短冊型形状の間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、絶縁層５０を介して跨ぐよう形成する。こうして、半導体発光素子１００を製造することができる。なお、図１Ｆにおいて、上記第１領域および第２領域にそれぞれｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０が形成されるものの、上記第１領域およびｐ型パッド電極６０と、上記第２領域およびｎ型パッド電極７０とは図面上で重なり合うため、図示の簡略化の都合上、符号は付していない。
【００４７】
図１Ｆおよび図７Ｃに示すように、上面視において、ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０の間には、両者の短絡を防止するための間隙が設けられる。その限りで、上面視におけるｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０の形状は任意とすることができるが、ｐ型コンタクト電極が短冊形形状であるため、図７Ａに図１ＦのＡ−Ａ断面図を示すように、ｐ型パッド電極６０は、ｐ型コンタクト電極４５の短冊型形状の間隙に配置されたｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐを、絶縁層５０を介して跨ぐこととなる。
【００４８】
図１Ｂおよび図１Ｇを参照すると、第２工程において、ｎ型半導体層２０が露出されずに、ｎ型半導体層２０上に発光層３０が残留した領域を、ｎ型半導体層２０の発光層形成領域２０Ｃと言うことができる。また、図１Ｃおよび図１Ｇを参照すると、第３工程において、ｎ型半導体層２０上にｎ型コンタクト電極２５を形成する領域を、ｎ型半導体層２０のｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａと言うことができる。そして、ｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａおよび発光層形成領域２０Ｃを区画し、かつ、両者を互いに離隔させる領域がｎ側絶縁層形成領域２０Ｂである。第４工程において、ｎ型半導体層２０上には、このｎ側絶縁層形成領域２０Ｂ上が絶縁層５０により充填される。
【００４９】
なお、ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０の電極材料としてＡｕおよびＡｕＳｎはんだを用いることが好ましい。こうすることで、半導体発光素子１００をフリップチップ型の素子とすることができる。ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０はスパタッリング法、真空蒸着法およびめっき法などの公知の手法を用いて形成することができる。また、ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０の各電極最表面をＡｕ層とする場合、そのＡｕ層の厚さは、９０ｎｍ〜１８０ｎｍとすることが好ましい。こうすることで、ＡｕＳｎはんだ溶融時の拡散により、ダイシェア強度を上げることができる。
【００５０】
（半導体発光素子）
こうして得られた半導体発光素子１００は、図１Ｆ，図１Ｇおよび図７Ａ〜図７Ｃに示すように、基板１０と、基板１０上に設けられ、ｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａ、ｎ側絶縁層形成領域２０Ｂおよび発光層形成領域２０Ｃを備えるｎ型半導体層２０と、第ｎ型半導体層２０の発光層形成領域２０Ｃ上に設けられた発光層３０と、発光層３０上に設けられたｐ型半導体層４０と、ｎ型半導体層２０のｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａに設けられたｎ型コンタクト電極２５と、ｐ型半導体層４０上に形成され、ｐ型パッド電極形成領域およびｐ側絶縁層形成領域を備えるｐ型コンタクト電極４５と、ｎ型半導体層２０のｎ側絶縁層形成領域２０Ｂおよびｐ型コンタクト電極４５のｐ側絶縁層形成領域を被覆する絶縁層５０と、ｐ型コンタクト電極４５のｐ型パッド電極形成領域４５Ａ上に設けられたｐ型パッド電極６０と、ｎ型コンタクト電極２５のｎ型パッド電極形成領域２５Ａ上に設けられたｎ型パッド電極７０と、を有する。また、ｎ型半導体層２０における、ｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａおよび発光層形成領域２０Ｃはｎ側絶縁層形成領域２０Ｂを介して互いに離隔するよう区画される。そして、この半導体発光素子１００は、ｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極２５を平面視した仮想平面（図１Ｃ参照）において、ｐ型コンタクト電極４５の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、この短冊型形状の間隙において、ｎ型コンタクト電極２５の少なくとも一部、すなわち櫛歯部２５Ｐは複数の細片に対して互いに平行に配置される。ここで、ｐ型パッド電極６０は、ｐ型コンタクト電極４５の短冊型形状の間隙に配置されたｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐを、絶縁層５０を介して跨ぐ。
【００５１】
なお、製造方法の実施形態において前述したように、発光層形成領域２０Ｃは、製造方法の実施形態における第２工程の、ｎ型半導体層２０が露出されずに、ｎ型半導体層２０上に発光層３０が残留した領域に由来する。また、ｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａは、第３工程におけるｎ型半導体層２０上にｎ型コンタクト電極２５を形成する領域に由来する。そして、ｎ側絶縁層形成領域２０Ｂにより、ｎ型コンタクト電極形成領域２０Ａおよび発光層形成領域２０Ｃの両者が区画され、かつ、両者は互いに離隔している。また、ｐ型パッド電極形成領域４５Ａおよびｎ型パッド電極形成領域２５Ａのそれぞれが、第５工程における開口部５０Ａ、５０Ｂに由来するのも、製造方法の実施形態において前述したとおりである。
【００５２】
本実施形態に従う半導体発光素子１００の技術的意義を、図８に示す比較態様に係る半導体発光素子９００との対比により説明する。図８は、半導体発光素子９００のｐ型コンタクト電極９４５およびｎ型コンタクト電極９２５を平面視した仮想平面であり、ｐ型コンタクト電極９４５が櫛歯型形状を有し、かつ、ｎ型コンタクト電極９２５がｐ型コンタクト電極９４５の櫛歯部を噛み合わさる櫛歯型形状である以外は、前述した半導体発光素子１００と同様の構成を有する。
【００５３】
比較態様に係る半導体発光素子９００では、図８の破線部に示すｐ型コンタクト電極９４５の根元部分において、ｎ型コンタクト電極と距離が離れた部分が形成されてしまうため、当該部分では電流が均一に流れず、発光むらが生じてしまう（破線部分で囲まれた領域が暗くなる）。発光むらが生じると、発光パターンの歪に対応させるためのレンズ設計が困難となってしまう。前述した特許文献１のような孤立した複数のパッド電極を設ける場合も同様に電流の不均一現象が生じ、パッド電極直下で発光むらが生じる。
【００５４】
これに対して、本実施形態による半導体発光素子１００では、ｐ型コンタクト電極４５が短冊形形状であるため、ｎ型コンタクト電極との距離をより均一化することができ、その結果、素子面内での電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することができる。そして、本実施形態では、ｐ型コンタクト電極４５を短冊形形状としつつ、ｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極の間で導通させるため、前述したように、ｐ型パッド電極６０が、ｐ型コンタクト電極４５の短冊型形状の間隙に配置されたｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐを、絶縁層５０を介して跨ぐように構成する。
【００５５】
また、このようにしてｐ型パッド電極６０を設ければ、ｐ型パッド電極６０の大面積化が可能となり、ｐ型パッド電極６０を放熱部として利用できる点でも有用である。この観点で、ｎ型パッド電極７０を大面積化して放熱部として利用するために、図１Ｆおよび図７Ｃに示すように、ｎ型パッド電極７０が、ｐ型コンタクト電極４５の一部を、絶縁層５０を介して覆うことも好ましい態様である。なお、ｎ型パッド電極７０は、必ずしもｐ型コンタクト電極４５の一部を、絶縁層５０を介して覆う必要はない。
【００５６】
ここで、図９Ａを用いて、本発明におけるｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極の間の距離を定義する。図９Ａは、半導体発光素子１００のｐ型コンタクト電極４５およびｎ型コンタクト電極２５を平面視した仮想平面の拡大図に相当する。ｎ型コンタクト電極２５と、ｐ型コンタクト電極４５の短軸中心との間の距離、より具体的には、ｎ型コンタクト電極２５のｐ型コンタクト電極４５の端面と、ｐ型コンタクト電極４５中心との距離をＬ１と表記する。また、ｎ型コンタクト電極２５のｐ型コンタクト電極４５側の端面と、ｐ型コンタクト電極４５の、ｎ型コンタクト電極側の端面との距離をＬ２と表記する。なお、図９Ａには、ｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐにおける短軸長ＬＮおよびｐ型コンタクト電極４５の短軸長Ｌｐも図示した。
【００５７】
引き続き図９Ａを参照する。まず、ｐ型コンタクト電極４５の短軸長Ｌｐを、例えば２０μｍ以上２００μｍ以下とし、発光面積を確保することが好ましい。そして、半導体発光素子１００の発光むらを低減するためには、ｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐの短軸長ＬＮと、ｐ型コンタクト電極４５の短軸中心との間の距離Ｌ１を２００μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以下とすることがより好ましい。
【００５８】
一方、発光層３０の発光面積を増大させるためには、ｐ型コンタクト電極４５による短冊形形状の各細片間の距離（２Ｌ２＋ＬＮ）は小さいほど好ましい。しかしながら、ｎ型コンタクト電極２５とｎ型半導体層２０との間でのコンタクト抵抗を考慮すると、ｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐの短軸長ＬＮはある程度確保する必要があり、短軸長ＬＮを例えば１０μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることがより好ましい。一方、距離Ｌ２については、発光面積を増大させるため、絶縁できる限りは小さくするほど好ましい。そのため、距離Ｌ２を３０μｍ以下とすることが好ましく、１５μｍ以下とすることがより好ましい。なお、生産性の観点では、距離Ｌ２の下限を１μｍとすることが好ましい。
【００５９】
以上、図９Ａを参照して、短冊型形状のｐ型コンタクト電極４５と、互いに平行に配置されるｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐとの、短軸方向の幅に関して説明した。以下では、短冊型形状のｐ型コンタクト電極４５の長軸方向および長軸方向における端部とｎ型コンタクト電極との関係の好適態様について述べる。ｐ型コンタクト電極４５の長軸方向の長さについては、少なくとも短軸長より長くし、発光面積が大きくなるように半導体発光素子１００のチップサイズに応じて適宜設定すればよい。ｐ型コンタクト電極４５の長軸方向におけるｎ型コンタクト電極２５側の端面と、ｎ型コンタクト電極２５のｐ型コンタクト電極４５側の端面との間の距離（間隙）の幅は、上述した距離Ｌ２と同じ幅、または、距離Ｌ２よりも大きい幅とすることが好ましい。また、図９Ａは、ｐ型コンタクト電極４５の各細片を長方形の短冊型とした場合の図示であるが、各細片の形状は図９Ａの例に限定されない。ｐ型コンタクト電極４５の長軸方向におけるｎ型コンタクト電極２５側の端面と、ｎ型コンタクト電極２５のｐ型コンタクト電極４５側の端面の形状は、図９Ａに図示した長方形のように角がある必要はなく、角を削った（C面取りした）長方形や、角丸四角形（R面取り、すなわち、一つ以上の角を丸くした四角形、または、端部全体を丸くした四角形）とすることも好ましい。長方形、面取り長方形、角丸長方形をまとめて略長方形と呼称するのは前述のとおりである。図９Ｂに示すように、ｐ型コンタクト電極２５の各細片のうち、少なくともｎ型コンタクト電極２５の根元部２５Ｑ側を角丸四角形とし、さらに間隙の幅Ｌ２を一定とするようにｎ型コンタクト電極２５の櫛歯部２５Ｐの根元側（根元部２５Ｑ側）の内周形状を丸くすることで、角部における電極間距離の乱れや、電極の剥がれ等の外観不良を抑制することもできる。また、角丸長方形の場合、角部の曲率半径（R）を、例えば３μｍ〜１０μｍとすることができる。ただし、ｐ型コンタクト電極２５の曲率半径を大きくすると、その分発光面積が減少するため、面取りは過大とならないようにする。例えば、ｐ型コンタクト電極２５側の曲率半径は５μｍとすることができる。
【００６０】
以下、本発明に適用して好適な種々の態様を説明する。
【００６１】
ｐ型半導体層４０の全面に電流を届けるため、ｐ型コンタクト電極４５はｐ型半導体層４０の全面を覆うことが好ましい。ｐ型コンタクト電極は、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、およびこれらのいずれかを少なくとも含有する合金を挙げるができ、また、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide; ITO）および酸化インジウムも用いることができる。そして、ｐ型コンタクト電極として、発光層３０から放射される光を反射する反射金属を用いることも好ましい。例えば、ロジウム（Ｒｈ）およびルテニウム（Ｒｕ）は、紫外光および青色光（それぞれ、波長域２００〜３５０ｎｍおよび波長域３５０〜４９５ｎｍ）に対して６０％以上の反射率を有することが知られている。また、ｐ型コンタクト電極４５を網目状とし、網目の間に反射率の高い領域を形成しても良い。
【００６２】
また、本発明による半導体発光素子１００の発光波長は特に限定されないものの、青色から深紫外域であることが好ましく、特に発光層３０から放射される光の中心発光波長が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である発光素子に供して好適である。深紫外発光素子ではｐ型半導体層４０におけるｐ型コンタクト層とｐ型コンタクト電極４５とで良好なオーミックコンタクトを取りがたいため、電流拡散が特に問題となるものの、本発明によりｐ型とｎ型との電極間距離を、より均一化することができるため、電流拡散の均一化を図ることが可能となる。
【００６３】
これまで、ｎ型コンタクト電極２５が櫛歯型である実施形態を説明してきたが、ｎ型コンタクト層２５の形状は、ｐ型コンタクト電極４５の短冊型形状と互いに平行に配置された短冊型形状であってもよい。この態様に係る半導体発光素子１５０を、図１０および図１１Ａ〜図１１Ｅの断面図に示す。なお、図１１Ａは図１０のＡ−Ａ断面図であり、図１１Ｂは図１０のＢ−Ｂ断面図であり、図１１Ｃは図１０のＣ−Ｃ断面図であり、図１１Ｄは図１０のＤ−Ｄ断面図であり、図１１Ｅは図１０のＥ−Ｅ断面図である。ｎ型コンタクト電極２５はｐ型コンタクト電極の短冊形形状の各短冊部と互いにと噛み合っており、この場合も前述の半導体発光素子１００と同様に、ｐ型とｎ型との電極間距離を、より均一化することができるため、素子面内での電流拡散を均一化することができ、発光むらの発生を抑制することが可能となる。
【００６４】
このように、ｎ型コンタクト電極２５も短冊形形状となる場合も、図９Ａを参照して説明したように、ｎ型コンタクト電極２５の短冊形形状の短軸長ＬＮと、ｐ型コンタクト電極４５の短軸中心との間の距離Ｌ１を２００μｍ以下とすることが好ましく、１００μｍ以下とすることがより好ましい。さらに、ｎ型コンタクト電極２５の短冊形形状の短軸長ＬＮを１０μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下とすることがより好ましい。図９を参照して説明した距離Ｌ１、Ｌ２についても、同様の考え方が当てはまる。
【００６５】
（表面実装デバイス）
また、本発明による表面実装デバイス３００は、図１２に示すように、半導体発光素子２００と、実装基板３１０とを有し、実装基板３１０の中心軸位置Ｃ２に、半導体発光素子２００のｐ型半導体層２４０の長軸中心を位置合わせされる。半導体発光素子２００は、これまで説明してきた半導体発光素子１００または半導体発光素子１５０の端部にダイシングのためのメサ端部を形成したものであり、半導体発光素子１００または半導体発光素子１５０と共通する構成については、下２桁で共通符号を付して、重複する説明を省略する。
【００６６】
半導体発光素子２００は、半導体発光素子１００における発光層３０、ｐ型半導体層４０およびｐ型コンタクト電極からなる積層構造と同形状の積層構造を有する。そのため、半導体発光素子２００を平面視したときの発光中心位置は、半導体発光素子２００の中心軸Ｃ１ではなく、ｐ型半導体層２４０の長軸中心となる。そのため、発光中心位置を表面実装デバイス３００の中心位置に合わせるためには、実装基板３１０の中心軸位置Ｃ２に、半導体発光素子２００のｐ型半導体層２４０の長軸中心を位置合わせする。なお、図１２では図示の簡略化のため、表面実装デバイス３００の構成のうち、パッケージを含む表面実装基板３１０および窓部３２０のみを図示しているが、表面実装デバイスが半導体発光素子２００と接続するための電極等の他の構成を含むことはもちろんである。
【００６７】
また、本発明による表面実装デバイスの製造方法は、前述した製造方法により製造された半導体発光素子２００を実装基板に実装する実装工程を含み、実装工程において、実装基板３１０の中心軸位置Ｃ２に、半導体発光素子２００のｐ型半導体層２４０の長軸中心と位置合わせする。
【実施例】
【００６８】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら
限定されるものではない。
【００６９】
［実施例１］
図１Ａ〜図１Ｆと同様にして、前述した半導体発光素子１００を作製し、さらにダイシングのためのメサ端部を形成してダイシングを行い、個片化することで実施例１に係る発光素子（Chip）を作製した。なお、基板１０としてはサファイア基板を用い、発光層は量子井戸構造のＡｌＧａＮ層として発光波長２８０ｎｍの深紫外発光素子とした。また、ｐ型コンタクト電極４５はＮｉＡｕを用いて短冊型形状とし、ｎ型コンタクト電極２５はＴｉＡｌを用いて櫛歯型形状とした（図１Ｃ参照）。また、ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０を図１Ｆおよび図７Ａ〜図７Ｃに従い形成した。なお、ｐ型パッド電極６０およびｎ型パッド電極７０のそれぞれは、最表層から順に、Ａｕ（１４０ｎｍ）／Ａｕ０．７５Ｓｎ０．２５合金（３μｍ）／Ｐｔ（２００ｎｍ）／Ｔｉ（５０μｍ）／コンタクト電極の構造とした。
【００７０】
なお、図９Ｂを用いて前述したｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５間の距離Ｌ１、Ｌ２に関し、実施例１ではＬ１：６８μｍ、Ｌ２：２２μｍとした。また、ｐ型コンタクト電極の短軸長Ｌｐ：９２μｍ、ｎ型コンタクト電極の短軸長ＬＮ：２５μｍとした。さらに、ｎ型コンタクト電極根元側のｐ型コンタクト電極の角部をＲ面取して曲率半径５μｍの曲部を設けた。なお、チップサイズは１０００μｍ×１０００μｍであり、ｐ型コンタクト電極の短冊型形状は平行に５枚並んでおり、ｐ型コンタクト電極の長軸長は７５０μｍである。ｐ型コンタクト電極の長軸方向において、ｐ型コンタクト電極端部とｎ型コンタクト電極根元側との間隔はＬ２：２２μｍと同じであり、ｎ型コンタクト電極根元の幅は６０μｍであり、その中央に幅３０μｍのｎ型パッド電極形成領域を設けた。
【００７１】
得られた実施例１に係る深紫外発光素子のおもて側（サファイア基板側）の写真と、裏側（ｐ型パッド電極およびｎ型パッド電極側）の写真を図１３Ａ、図１３Ｂにそれぞれ示す。なお、図１３Ｂに関して、裏側からの写真となるため、図１Ｆとは左右対称である。
【００７２】
［実施例２］
ｎ型コンタクト電極２５およびｐ型コンタクト電極４５間の距離Ｌ１、Ｌ２に関し、実施例２ではＬ１：１１５μｍ、Ｌ２：３０μｍとし、ｐ型コンタクト電極を３枚として短軸長Ｌｐを１７０μｍとした以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る深紫外発光素子を作製した。
【００７３】
実施例１，２を発光させたときの発光写真を図１４Ａ、図１４Ｂにそれぞれ示す。なお、実施例２の発光写真については、ｐ型コンタクト電極の片端の拡大図である。実施例１，２の両者いずれも、発光むらが抑制できていることが確認できる。ただし、電極間距離Ｌ１，Ｌ２を適正化した実施例１の方が、より発光むらを低減していることが確認される。これは、実施例１の方が実施例２に比べて、ｎ型コンタクト電極２５からの距離が近くなるためにキャリアが十分に供給され、その結果、ｐ型コンタクト電極４５全面でキャリアがホールと結合し、発光分布がより均一となっているためだと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明によれば、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することのできる半導体発光素子を提供することができる。
【符号の説明】
【００７５】
１０    基板
２０    ｎ型半導体層
２０Ａ  ｎ型コンタクト電極形成領域
２０Ｂ  ｎ側絶縁層形成領域
２０Ｃ  発光層形成領域
２５    ｎ型コンタクト電極
３０    発光層
４０    ｐ型半導体層
４５    ｐ型コンタクト電極
５０    絶縁層
６０    ｐ型パッド電極
７０    ｎ型パッド電極
１００    半導体発光素子
３００    表面実装デバイス
【図１Ａ】
2019106406.tif 000003
【図１Ｂ】
2019106406.tif 000004
【図１Ｃ】
2019106406.tif 000005
【図１Ｄ】
2019106406.tif 000006
【図１Ｅ】
2019106406.tif 000007
【図１Ｆ】
2019106406.tif 000008
【図１Ｇ】
2019106406.tif 000009
【図２】
2019106406.tif 000010
【図３Ａ】
2019106406.tif 000011
【図３Ｂ】
2019106406.tif 000012
【図３Ｃ】
2019106406.tif 000013
【図４Ａ】
2019106406.tif 000014
【図４Ｂ】
2019106406.tif 000015
【図４Ｃ】
2019106406.tif 000016
【図５Ａ】
2019106406.tif 000017
【図５Ｂ】
2019106406.tif 000018
【図５Ｃ】
2019106406.tif 000019
【図６Ａ】
2019106406.tif 000020
【図６Ｂ】
2019106406.tif 000021
【図６Ｃ】
2019106406.tif 000022
【図７Ａ】
2019106406.tif 000023
【図７Ｂ】
2019106406.tif 000024
【図７Ｃ】
2019106406.tif 000025
【図８】
2019106406.tif 000026
【図９Ａ】
2019106406.tif 000027
【図９Ｂ】
2019106406.tif 000028
【図１０】
2019106406.tif 000029
【図１１Ａ】
2019106406.tif 000030
【図１１Ｂ】
2019106406.tif 000031
【図１１Ｃ】
2019106406.tif 000032
【図１１Ｄ】
2019106406.tif 000033
【図１１Ｅ】
2019106406.tif 000034
【図１２】
2019106406.tif 000035
【図１３Ａ】
2019106406.tif 000036
【図１３Ｂ】
2019106406.tif 000037
【図１４Ａ】
2019106406.tif 000038
【図１４Ｂ】
2019106406.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月17日(2019.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられ、ｎ型コンタクト電極形成領域、ｎ側絶縁層形成領域および発光層形成領域を備えるｎ型半導体層と、
該ｎ型半導体層の前記発光層形成領域上に設けられた発光層と、
該発光層上に設けられたｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の前記ｎ型コンタクト電極形成領域に設けられたｎ型コンタクト電極と、
前記ｐ型半導体層上に形成され、ｐ型パッド電極形成領域およびｐ側絶縁層形成領域を備えるｐ型コンタクト電極と、
前記ｎ側絶縁層形成領域および前記ｐ側絶縁層形成領域を被覆する絶縁層と、
前記ｐ型コンタクト電極の前記ｐ型パッド電極形成領域上に設けられたｐ型パッド電極と、
前記ｎ型コンタクト電極のｎ型パッド電極形成領域上に設けられたｎ型パッド電極と、を有する半導体発光素子であって、
前記ｎ型半導体層における、前記ｎ型コンタクト電極形成領域および前記発光層形成領域は前記ｎ側絶縁層形成領域を介して互いに離隔するよう区画され、
前記ｐ型コンタクト電極および前記ｎ型コンタクト電極を平面視した仮想平面において、前記ｐ型コンタクト電極の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部は前記複数の細片に対して互いに平行に配置され、
前記ｐ型パッド電極は、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぎ、
前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト電極の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置され、さらに、前記根元部および前記櫛歯部の連結部分の角部がＲ面取りされ、かつ、該連結部分の角部に対向する前記ｐ型コンタクト電極の角部が前記Ｒ面取りに対応して面取されることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト電極は前記ｐ型半導体層の全面を覆う、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｎ型パッド電極が、前記ｐ型コンタクト電極の一部を、前記絶縁層を介して覆う、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型パッド電極および前記ｎ型パッド電極がＡｕおよびＡｕＳｎはんだを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記発光層から放射される光の中心発光波長が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子と、
実装基板とを有し、
前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心を位置合わせされた表面実装デバイス。
【請求項９】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次形成する第１工程と、
前記ｐ型半導体層および前記発光層の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層を露出させる第２工程と、
前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタクト電極を形成し、前記ｎ型半導体層上の一部領域に、前記発光層と離隔するｎ型コンタクト電極を形成する第３工程と、
前記ｎ型半導体層の露出面、前記ｎ型コンタクト電極および前記ｐ型コンタクト電極を被覆する絶縁層を形成する第４工程と、
前記絶縁層における前記ｐ型コンタクト電極の一部領域上および前記ｎ型コンタクト電極の一部領域上に開口部を形成して、前記ｐ型コンタクト電極にｐ型パッド電極形成領域を形成し、前記ｎ型コンタクト電極にｎ型パッド電極形成領域を形成する第５工程と、
前記ｐ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第１領域上にｐ型パッド電極を形成し、前記ｎ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第２領域上にｎ型パッド電極を形成する第６工程と、を有し、
前記第２工程において、前記ｐ型半導体層の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とし、
前記第３工程において、前記ｐ型半導体層の前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部が前記複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、前記ｎ型コンタクト電極を形成し、
前記第６工程において、前記ｐ型パッド電極が、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐよう形成し、
前記第３工程において形成される前記ｎ型コンタクト電極の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置され、さらに、前記根元部および前記櫛歯部の連結部分の角部がＲ面取りされ、かつ、該連結部分の角部に対向する前記ｐ型コンタクト電極の角部が前記Ｒ面取りに対応して面取されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の製造方法により製造された半導体発光素子を実装基板に実装する実装工程を含み、
前記実装工程において、前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心と位置合わせする、表面実装デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、青色から深紫外光までの短波長の光を発光する半導体発光素子（Chip）が注目されている。半導体発光素子は、一般的に以下のようにして形成される。まず、サファイア基板などの支持基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する。次に、ｐ型半導体層および発光層の一部領域を、ドライエッチングなどによって除去してｎ型半導体層の表面を露出させる。露出したｎ型半導体層上にｎ型コンタクト電極を形成し、ｐ型半導体層上にもｐ型コンタクト電極を形成する。ｎ型コンタクト電極およびｐ型コンタクト電極の一部には、実装基板と電気的に接続するためのパッド電極がそれぞれ形成される。こうした半導体発光素子は特に横型構造の半導体発光素子と呼ばれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、電流拡散を均一化して、発光むらを抑制することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。また、本発明は、この半導体発光素子を用いた表面実装デバイスを提供することを目的とする。さらに本発明は、これら半導体発光素子および表面実装デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）基板と、
該基板上に設けられ、ｎ型コンタクト電極形成領域、ｎ側絶縁層形成領域および発光層形成領域を備えるｎ型半導体層と、
該ｎ型半導体層の前記発光層形成領域上に設けられた発光層と、
該発光層上に設けられたｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の前記ｎ型コンタクト電極形成領域に設けられたｎ型コンタクト電極と、
前記ｐ型半導体層上に形成され、ｐ型パッド電極形成領域およびｐ側絶縁層形成領域を備えるｐ型コンタクト電極と、
前記ｎ側絶縁層形成領域および前記ｐ側絶縁層形成領域を被覆する絶縁層と、
前記ｐ型コンタクト電極の前記ｐ型パッド電極形成領域上に設けられたｐ型パッド電極と、
前記ｎ型コンタクト電極のｎ型パッド電極形成領域上に設けられたｎ型パッド電極と、を有する半導体発光素子であって、
前記ｎ型半導体層における、前記ｎ型コンタクト電極形成領域および前記発光層形成領域は前記ｎ側絶縁層形成領域を介して互いに離隔するよう区画され、
前記ｐ型コンタクト電極および前記ｎ型コンタクト電極を平面視した仮想平面において、前記ｐ型コンタクト電極の形状は、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状であり、かつ、前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部は前記複数の細片に対して互いに平行に配置され、
前記ｐ型パッド電極は、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぎ、
前記仮想平面において、前記ｎ型コンタクト電極の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置され、さらに、前記根元部および前記櫛歯部の連結部分の角部がＲ面取りされ、かつ、該連結部分の角部に対向する前記ｐ型コンタクト電極の角部が前記Ｒ面取りに対応して面取されることを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（３）前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸長が１５μｍ以上３０μｍ以下である、上記（１）または（２）に記載の半導体発光素子。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（４）前記ｎ型コンタクト電極の前記櫛歯部の短軸中心と、前記ｐ型コンタクト電極の短軸中心との間の距離が１００μｍ以下である、上記（３）に記載の半導体発光素子。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（５）前記ｎ型パッド電極が、前記ｐ型コンタクト電極の一部を、前記絶縁層を介して覆う、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（６）前記ｐ型パッド電極および前記ｎ型パッド電極がＡｕおよびＡｕＳｎはんだを含む、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（７）前記発光層から放射される光の中心発光波長が２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（８）上記（１）〜（７）のいずれかに記載の半導体発光素子と、
実装基板とを有し、
前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心を位置合わせされた表面実装デバイス。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（９）基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次形成する第１工程と、
前記ｐ型半導体層および前記発光層の一部領域をエッチングしてｎ型半導体層を露出させる第２工程と、
前記ｐ型半導体層上にｐ型コンタクト電極を形成し、前記ｎ型半導体層上の一部領域に、前記発光層と離隔するｎ型コンタクト電極を形成する第３工程と、
前記ｎ型半導体層の露出面、前記ｎ型コンタクト電極および前記ｐ型コンタクト電極を被覆する絶縁層を形成する第４工程と、
前記絶縁層における前記ｐ型コンタクト電極の一部領域上および前記ｎ型コンタクト電極の一部領域上に開口部を形成して、前記ｐ型コンタクト電極にｐ型パッド電極形成領域を形成し、前記ｎ型コンタクト電極にｎ型パッド電極形成領域を形成する第５工程と、
前記ｐ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第１領域上にｐ型パッド電極を形成し、前記ｎ型パッド電極形成領域上および前記絶縁層の第２領域上にｎ型パッド電極を形成する第６工程と、を有し、
前記第２工程において、前記ｐ型半導体層の形状を、間隙を介して互いに平行な複数の細片からなる短冊型形状とし、
前記第３工程において、前記ｐ型半導体層の前記短冊型形状の間隙において、前記ｎ型コンタクト電極の少なくとも一部が前記複数の細片に対して互いに平行に配置するよう、前記ｎ型コンタクト電極を形成し、
前記第６工程において、前記ｐ型パッド電極が、前記短冊型形状の前記間隙に配置された前記ｎ型コンタクト電極を、前記絶縁層を介して跨ぐよう形成し、
前記第３工程において形成される前記ｎ型コンタクト電極の形状は、根元部および該根元部に連結し、互いに平行な線状の櫛歯部を備える櫛歯型形状であり、前記櫛歯部が前記短冊型形状の前記間隙に配置され、さらに、前記根元部および前記櫛歯部の連結部分の角部がＲ面取りされ、かつ、該連結部分の角部に対向する前記ｐ型コンタクト電極の角部が前記Ｒ面取りに対応して面取されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（１０）上記（９）に記載の製造方法により製造された半導体発光素子を実装基板に実装する実装工程を含み、
前記実装工程において、前記実装基板の中心軸位置に、前記半導体発光素子の前記ｐ型半導体層の長軸中心と位置合わせする、表面実装デバイスの製造方法。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
実施形態の説明に先立ち、図１Ａ〜図１Ｆの平面図と、図２〜図７の断面図との対応関係および図１Ｇの平面図を先に説明する。
まず、図１Ａは本発明の一実施形態による半導体発光素子１００の製造方法による第１工程後の平面図を示す模式図であり、同様に、図１Ｂ〜図１Ｆはそれぞれ第２工程〜第６工程の各工程後の平面図を示す模式図である。
図２は、図１Ａの状態でのＡ−Ａ断面図である。また、図２は図１Ａの状態でのＢ−Ｂ断面図、Ｃ−Ｃ断面図およびＤ−Ｄ断面図にも相当する。
図３Ａは図１Ｂの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｂの状態でのＤ−Ｄ断面図にも相当する。図３Ｂは図１Ｂの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図３Ｃは図１Ｂの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図４Ａは図１Ｃの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｃの状態でのＤ−Ｄ断面図にも相当する。図４Ｂは図１Ｃの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図４Ｃは図１Ｃの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図５Ａは図１Ｄの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図１Ｃの状態でのＤ−Ｄ断面図にも相当する。図５Ｂは図１Ｄの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図５Ｃは図１Ｄの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図６Ａは図１Ｅの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図６Ｂは図１Ｅの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図６Ｃは図１Ｅの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
図７Ａは図１Ｆの状態でのＡ−Ａ断面図であり、図７Ｂは図１Ｆの状態でのＢ−Ｂ断面図であり、図７Ｃは図１Ｆの状態でのＣ−Ｃ断面図である。
なお、図１Ｄ、図１Ｅおよび図１ＦにおけるＤ−Ｄ断面図はいずれも図５Ａに相当する。
そして、図１Ｇは、本発明の一実施形態により得られる半導体発光素子１００のｎ型半導体層２０の各領域を説明する模式平面図である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
これまで、ｎ型コンタクト電極２５が櫛歯型である実施形態を説明してきたが、ｎ型コンタクト層２５の形状は、ｐ型コンタクト電極４５の短冊型形状と互いに平行に配置された短冊型形状であってもよい。この態様に係る半導体発光素子１５０を、図１０および図１１Ａ〜図１１Ｅの断面図に示す。なお、図１１Ａは図１０のＡ−Ａ断面図であり、図１１Ｂは図１０のＢ−Ｂ断面図であり、図１１Ｃは図１０のＣ−Ｃ断面図であり、図１１Ｄは図１０のＤ−Ｄ断面図であり、図１１Ｅは図１０のＥ−Ｅ断面図である。ｎ型コンタクト電極２５はｐ型コンタクト電極の短冊形形状の各短冊部と互いに噛み合っており、この場合も前述の半導体発光素子１００と同様に、ｐ型とｎ型との電極間距離を、より均一化することができるため、素子面内での電流拡散を均一化することができ、発光むらの発生を抑制することが可能となる。