(57)【要約】      （修正有）【課題】良好な誘電体除去速度を持つ、欠陥減少を向上させた化学機械研磨組成物及び基板の研磨方法を提供する。【解決手段】初期成分として：水；砥粒；アルカリ金属若しくはアンモニウム塩の無機塩又はこれらの混合物；ベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物（Ｉ）；及び、ヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物（ＩＩ）を含む、組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期成分として：
水；
砥粒；
アルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；
式（Ｉ）：
【化１１】
2019163457.tif 000015
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び
式（ＩＩ）：
【化１２】
2019163457.tif 000016
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及びアルキル基から選択され；Ｒ７は、アルキレン基である］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の化学機械研磨組成物であって、初期成分として：
水；
０．１〜４０wt％の砥粒；
０．００１〜５wt％のアルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；
０．００１〜１wt％の式（Ｉ）を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び
０．００１〜１wt％の式（ＩＩ）を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の化学機械研磨組成物であって、初期成分として：
水；
０．１〜４０wt％の砥粒；
０．００１〜５wt％のアルカリ金属若しくはアンモニウム塩の無機塩又はこれらの混合物［ここで、アルカリ金属は、１種以上のＬｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋及びＣｓ＋から選択され、そしてアニオンは、１種以上の硝酸、炭酸、ハロゲン化物、重炭酸、リン酸、重リン酸、ピロリン酸、三リン酸、硫酸アニオンから選択される］；
０．００１〜１wt％の式（Ｉ）［ここで、式（Ｉ）中のアニオンは、１種以上の水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸アニオンから選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；
０．００１〜１wt％の式（ＩＩ）［ここで、式（ＩＩ）のアニオンは、１種以上の水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、硫酸、リン酸、酢酸アニオンから選択される］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物
を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の化学機械研磨組成物であって、ｐＨが＞ｐＨ７である、化学機械研磨組成物。
【請求項５】
基板の化学機械研磨のための方法であって：
基板を提供すること［ここで、基板は、酸化ケイ素を含む］；
請求項１に記載の化学機械研磨組成物を提供すること；
研磨面を持つ化学機械研磨パッドを提供すること；
化学機械研磨パッドの研磨面と基板との間の界面に０．６９〜６９kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせること；及び
化学機械研磨パッド上、化学機械研磨パッドと基板との間の界面又はその近くに化学機械研磨組成物を分注することを含み、
提供される化学機械研磨組成物が＞７のｐＨを有しており；基板が研磨され；そして酸化ケイ素の少なくとも一部が基板から除去される、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、提供される化学機械研磨組成物が、初期成分として：
水；
０．１〜４０wt％の砥粒［ここで、砥粒は、２０〜２００nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である］；
０．００１〜５wt％のアルカリ金属又はアンモニウム塩の無機塩；
０．００１〜１wt％の式（Ｉ）を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び
０．００１〜１wt％の式（ＩＩ）を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含み、
提供される化学機械研磨組成物がｐＨ＞７を有する、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、基板が酸化ケイ素を含み、そして化学機械研磨組成物が１，０００〜６，０００Å/minの酸化ケイ素除去速度を示す、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、基板が酸化ケイ素を含み、そして化学機械研磨スラリー組成物が、ウェーハ当たりｐｓｔ−ＨＦスクラッチ欠陥＜１００を示す、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の分野
本発明は、良好な誘電体除去速度を持つ、欠陥減少を向上させた研磨組成物及び基板の研磨方法に関する。より具体的には、本発明は、良好な誘電体除去速度を持つ、欠陥減少を向上させた研磨組成物及び基板の研磨方法であって、酸化ケイ素の誘電体を含む基板上の欠陥の減少を向上させるために、研磨組成物がある種の第４級窒素化合物の組合せを含み、そして酸化ケイ素の少なくとも一部が基板から除去される、研磨組成物及び基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
集積回路及び他の電子デバイスの作製において、導電性材料、半導体材料及び誘電材料の複数の層が、半導体ウェーハの表面上に堆積されるか又は表面から除去される。導電性材料、半導体材料及び誘電材料の薄層を、幾つかの堆積技術によって堆積させることができる。最新の加工における一般的な堆積技術は、スパッタリングとしても知られている物理蒸着法（ＰＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、プラズマ増強化学蒸着法（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学的めっき法（ＥＣＰ）を含む。
【０００３】
材料の層が順次堆積され除去されるにつれ、ウェーハの最上面は平坦でなくなる。後続の半導体加工（例えばメタライゼーション）は、ウェーハが平らな表面を有することを要求するため、ウェーハを平坦化する必要がある。平坦化は、望ましくない表面トポグラフィー及び表面欠陥（粗面、凝集した材料、結晶格子損傷、スクラッチ、及び汚染された層又は材料など）を除去するのに有用である。
【０００４】
化学機械平坦化又は化学機械研磨（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハのような基板を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰにおいて、ウェーハは、キャリアアセンブリに取り付けられ、ＣＭＰ装置内で研磨パッドと接触して配置される。キャリアアセンブリは、ウェーハに調節可能な圧力を提供し、ウェーハを研磨パッドに押し付ける。パッドは、外部駆動力によってウェーハに対して移動（例えば回転）させられる。それと同時に、研磨組成物（「スラリー」）又は他の研磨溶液は、ウェーハと研磨パッドとの間に提供される。したがって、パッド表面及びスラリーの化学的及び機械的作用によって、ウェーハ表面は、研磨され、平坦化される。
【０００５】
ある種の進歩したデバイス設計は、研磨プロセスの至るところの及び製品歩留まり％の改善のために、より低い使用時点（ＰＯＵ）研磨wt％での酸化ケイ素除去効率の向上、更にはスクラッチ欠陥の減少を提供する研磨組成物を要求する。半導体デバイス上の構造のサイズが縮小し続けるにつれて、平坦化及び誘電材料研磨の欠陥減少のためにかつて許容し得た性能基準は、ますます許容し得なくなってきている。かつて許容し得ると考えられていたスクラッチは、今日では歩留まりを制限するようになっている。
【０００６】
したがって、スクラッチのような欠陥を最小化しながら、望ましい平坦化効率、均一性及び誘電体除去速度を示す、研磨組成物及び研磨方法が必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明の概要
本発明は、初期成分として：水；砥粒；アルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；式（Ｉ）：
【化１】
2019163457.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び式（ＩＩ）：
【化２】
2019163457.tif 000003
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及びアルキル基から選択され；そしてＲ７は、アルキレン基である］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含む、化学機械研磨組成物を提供する。
【０００８】
本発明はまた、化学機械研磨組成物であって、初期成分として：水；０．１〜４０wt％の砥粒；０．００１〜５wt％のアルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；０．００１〜１wt％の式（Ｉ）［ここで、式（Ｉ）のアニオンは、式（Ｉ）のカチオン上の＋電荷と釣り合うアニオンである］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び０．００１〜１wt％の式（ＩＩ）［ここで、式（ＩＩ）中のアニオンは、式（ＩＩ）中のカチオン上の＋電荷と釣り合うアニオンである］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含む組成物を提供する。
【０００９】
本発明は更に、化学機械研磨組成物であって、初期成分として：水；５〜２５wt％の砥粒［ここで、砥粒は、２０〜２００nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である］；０．０１〜２wt％のアルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物［ここで、アルカリ金属は、１種以上のリチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムから選択され、そして対アニオンは、１種以上の硝酸、炭酸、重炭酸、ハロゲン化物、リン酸、重リン酸、ピロリン酸、三リン酸及び硫酸アニオンから選択される］；０．０１〜１wt％の式（Ｉ）［ここで、式（Ｉ）中のアニオンは、１種以上の水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、炭酸、硫酸、リン酸及び酢酸アニオンから選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び０．００１〜１wt％の式（ＩＩ）［ここで、式（ＩＩ）のアニオンは、１種以上の水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、炭酸、硫酸、リン酸及び酢酸アニオンから選択される］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含む組成物を提供する。
【００１０】
本発明は、基板の化学機械研磨のための方法であって：基板を提供すること［ここで、基板は、酸化ケイ素を含む］；化学機械研磨組成物であって、初期成分として：水；砥粒；アルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；式（Ｉ）：
【化３】
2019163457.tif 000004
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び式（ＩＩ）：
【化４】
2019163457.tif 000005
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及びアルキル基から選択され；Ｒ７は、アルキレン基である］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含む組成物を提供することを含む、方法を提供する。
【００１１】
本発明はまた、基板の化学機械研磨のための方法であって：基板を提供すること［ここで、基板は、酸化ケイ素を含む］；化学機械研磨組成物であって、初期成分として：水；砥粒；アルカリ金属若しくはアンモニウムの無機塩又はこれらの混合物；式（Ｉ）：
【化５】
2019163457.tif 000006
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び式（ＩＩ）：
【化６】
2019163457.tif 000007
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及び（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択され；Ｒ７は、（Ｃ１−Ｃ４）アルキレン基である］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物を含む組成物を提供すること；そして任意選択的に、化学機械研磨組成物のｐＨを＞７に調整するために、組成物にｐＨ調整剤を添加することを含む、方法を提供する。
【００１２】
本発明はまた、基板を化学機械研磨するための方法であって：基板を提供すること［ここで、基板は、少なくとも１つの酸化ケイ素層を含む］；上記の化学機械研磨組成物を提供すること；研磨面を持つ化学機械研磨パッドを提供すること；化学機械研磨パッドの研磨面と基板との間の界面に０．６９〜６９kPaのダウンフォースで動的接触を生じさせること；及び化学機械研磨パッド上、化学機械研磨パッドと基板との間の界面又はその近くに化学機械研磨組成物を分注することを含み、提供される化学機械研磨組成物が＞７のｐＨを有しており、そして基板が研磨される、方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の化学機械研磨組成物及び方法によって、欠陥の減少を向上させることができ、良好な酸化ケイ素除去速度が可能になり、そして化学機械研磨組成物は、安定である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
発明の詳細な説明
本明細書全体を通して使用されるとき、特に断りない限り、以下の略語は、以下の意味を有する：℃＝セ氏温度；g＝グラム；L＝リットル；mL＝ミリリットル；μ＝μm＝ミクロン；kPa＝キロパスカル；Å＝オングストローム；mm＝ミリメートル；cm＝センチメートル；nm＝ナノメートル；min＝分；rpm＝毎分回転数；lb＝ポンド；kg＝キログラム；wt％＝重量パーセント；ＲＲ＝除去速度；ＰＳ＝本発明の研磨スラリー；ＰＣ＝比較研磨スラリー。
【００１５】
「化学機械研磨」又は「ＣＭＰ」という用語は、基板が化学的及び機械的な力だけによって研磨されるプロセスを指し、基板に電気的バイアスを印加する電気化学機械研磨（ＥＣＭＰ）とは区別される。「ＴＥＯＳ」という用語は、オルトケイ酸テトラエチル（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）の分解から形成される酸化ケイ素を意味する。「組成物」及び「スラリー」という用語は、本明細書全体を通して互換的に使用される。「ハロゲン化物」という用語は、塩化物、臭化物、フッ化物及びヨウ化物を意味する。「a」及び「an」という用語は、単数及び複数の両方を指す。全ての百分率は、特に断りない限り重量による。全ての数値範囲は、このような数値範囲が合計して１００％になるように制約されることが論理的である場合を除いて、範囲の始めと終わりを含み、任意の順序で組合せ可能である。
【００１６】
本発明の化学機械研磨方法は、酸化ケイ素を含む基板を研磨するのに有用である。本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物は、水；酸化ケイ素除去速度を向上させるための、ある濃度のアルカリ金属又はアンモニウムの無機塩；及び欠陥を減少させるための式（Ｉ）：
【化７】
2019163457.tif 000008
［式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基から選択される］を有するベンジルトリアルキル第４級アンモニウム化合物；及び欠陥を減少させるための式（ＩＩ）：
【化８】
2019163457.tif 000009
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及びアルキル基から選択され；Ｒ７は、アルキレン基である］を有するヒドロキシル含有第４級アンモニウム化合物；並びに任意選択的に、化学機械研磨組成物のｐＨを＞７に調整するために、必要に応じて該組成物にｐＨ調整剤を添加することを含有する（好ましくは、これらから成る）。
【００１７】
化学機械研磨組成物への無機塩の添加により得られる酸化ケイ素の除去速度（Å/min単位で測定される除去速度）を記述するための、本明細書及び添付の特許請求の範囲に使用される「向上した酸化ケイ素除去速度」という用語は、少なくとも以下の表現を満たすことを意味する：
Ａ＞Ａ０
【００１８】
ここで、Ａは、実施例に明記される研磨条件下で測定されるとき、本発明の方法に使用される請求された無機塩を含有する化学機械研磨組成物の酸化ケイ素除去速度（Å/min）であり；Ａ０は、シリカ砥粒だけが存在する同一条件下で得られた酸化ケイ素除去速度（Å/min）である。
【００１９】
式（Ｉ）を有する化合物及び式（ＩＩ）を有する化合物を一緒にして、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含めることによって得られる欠陥性能を記述するための、明細書及び添付の特許請求の範囲に使用される「改善した研磨欠陥性能」という用語は、少なくとも以下の表現を満たすことを意味する：
Ｘ＜Ｘ０
【００２０】
ここで、Ｘは、実施例に明記される研磨条件下で測定されるとき、本発明の方法に使用される物質を含有する化学機械研磨組成物の欠陥（即ち、ＣＭＰ／フッ化水素（ＨＦ）後スクラッチ）であり；そしてＸ０は、シリカ砥粒だけが存在する同一条件下で得られた欠陥（即ち、ＣＭＰ／フッ化水素後スクラッチ）である。
【００２１】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含有される水は、付随的な不純物を制限するために、好ましくは脱イオン水及び蒸留水の少なくとも一方である。
【００２２】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、０．１〜４０wt％の砥粒；好ましくは５〜２５wt％の砥粒、より好ましくは８〜１２wt％の砥粒を含有する。使用される砥粒は、好ましくは＜２００nm；より好ましくは７５〜１５０nm；最も好ましくは１００〜１５０nmの平均粒径を有する。
【００２３】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に使用するための砥粒は、例えば、無機酸化物、無機水酸化物、無機水酸化酸化物、金属ホウ化物、金属炭化物、金属窒化物、ポリマー粒子及び上記の少なくとも１種を含む混合物を含む。適切な無機酸化物は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、セリア（ＣｅＯ２）、酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）又はこれらの組合せを含む。有機ポリマー被覆無機酸化物粒子及び無機被覆粒子のような、これらの無機酸化物の変形態様もまた、必要に応じて利用することができる。適切な金属炭化物、ホウ化物及び窒化物は、例えば、炭化ケイ素、窒化ケイ素、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）、炭化ホウ素、炭化タングステン、炭化ジルコニウム、ホウ化アルミニウム、炭化タンタル、炭化チタン、又はこれらの組合せを含む。
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に使用するための好ましい砥粒は、コロイダルシリカである。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは、沈降シリカ及び凝集シリカの少なくとも一方を含有する。好ましくは、使用されるコロイダルシリカは、＜２００nm、より好ましくは７５〜１５０nm、最も好ましくは１００〜１５０nmの平均粒径を有しており；そして化学機械研磨組成物の０．１〜４０wt％、好ましくは５〜２５wt％、より好ましくは８〜１２wt％を占める。市販されているコロイダルシリカの例は、平均粒径１３９nmのKlebosol（商標）II 1630コロイダルシリカ；平均粒径１４５nmのKlebosol（商標）II 1630コロイダルシリカ；及び粒径１３０nmのKlebosol（商標）II 1730コロイダルシリカであり、これらは全てMerck KgAA, Darmstadt, Germanyにより製造され、全てThe Dow Chemical Companyから入手可能である。
【００２４】
化学機械研磨組成物は、アルカリ金属及びアンモニウムの１種以上の無機塩を含む。好ましくは、無機塩の量は、０．０１〜２wt％、好ましくは０．１〜１wt％、より好ましくは０．１〜０．５wt％、最も好ましくは０．２wt％〜０．４wt％の量で化学機械研磨組成物に含まれるが、ここで、アルカリ金属は、１種以上のリチウム、ナトリウム、カリウム、セシウムから選択され、そして対アニオンは、１種以上の硝酸、炭酸、重炭酸、ハロゲン化物、リン酸、重リン酸、ピロリン酸、三リン酸及び硫酸アニオンから選択される。最も好ましい無機塩は、炭酸カリウムである。
【００２５】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、好ましくは、初期成分として、０．００１〜５wt％の式（Ｉ）：
【化９】
2019163457.tif 000010
を有する化合物を含有する。
【００２６】
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、好ましくは（Ｃ１−Ｃ２）アルキル基、最も好ましくはメチル基から選択され；そしてアニオンは、ベンジルトリメチルアンモニウムカチオンの＋電荷を中和するための対アニオンであり、アニオンは、水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、炭酸、硫酸、リン酸又は酢酸アニオンであり、好ましくは、アニオンは、水酸化物又はハロゲン化物アニオンである。本発明の化学機械研磨組成物はまた、初期成分として、０．００１〜１wt％、より好ましくは０．１〜１wt％、最も好ましくは０．１〜０．３wt％の式（Ｉ）を有する化合物を含有する。最も好ましくは、式（Ｉ）を有する化合物は、塩化ベンジルトリメチルアンモニウムである。
【００２７】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、初期成分として、式（ＩＩ）：
【化１０】
2019163457.tif 000011
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立にＨ及びアルキル基、好ましくは（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、より好ましくは（Ｃ１−Ｃ２）アルキル基、最も好ましくはメチル基から選択され；Ｒ７は、アルキレン基であり；Ｒ７は、好ましくは（Ｃ１−Ｃ４）アルキレン基から選択され、より好ましくは、Ｒ７は、メチレン及びエチレンの一方から選択され、最も好ましくは、Ｒ７は、エチレンであり；そしてアニオンは、ヒドロキシル含有第４級アンモニウムカチオンの＋電荷を中和し、アニオンは、水酸化物、ハロゲン化物、硝酸、炭酸、硫酸、リン酸又は酢酸アニオンであり、好ましくは、アニオンは、水酸化物又はハロゲン化物アニオンであり、最も好ましくは、アニオンは、塩化物アニオンである］を有する化合物を更に含有する。
【００２８】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物中に式（ＩＩ）を有する化合物を含めることにより、酸化ケイ素上の欠陥の減少が容易になり、酸化ケイ素上の除去速度の向上の観点からの研磨性能が改善し、そして無機塩の存在下でのコロイダルシリカの安定化が助けられる。本発明の化学機械研磨組成物はまた、初期成分として、０．００１〜１wt％、より好ましくは０．１〜１wt％、最も好ましくは０．２〜０．３wt％の式（ＩＩ）を有する化合物を含有する。
【００２９】
任意選択的に、本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、１種以上の緩衝剤、消泡剤及び殺生物剤から選択される追加の添加剤を更に含有する。
【００３０】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物は、＞７、好ましくは７〜１２、より好ましくは１０〜１１のｐＨを有する。使用される化学機械研磨組成物は、好ましい範囲にｐＨを維持するために１種以上のｐＨ調整剤を任意選択的に含むことができる。好ましくは、ｐＨ調整剤は、１種以上の水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びアンモニアから選択される。
【００３１】
本発明の化学機械研磨方法において研磨される基板は、酸化ケイ素を含む。基板中の酸化ケイ素は、ホウリンケイ酸（borophosphosilicate）ガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエッチングオルトケイ酸テトラエチル（ＰＥＴＥＯＳ）、熱酸化物、非ドープケイ酸塩ガラス、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化物を含むが、これらに限定されない。
【００３２】
任意選択的に、本発明の化学機械研磨方法において研磨される基板は、更に窒化ケイ素を含む。基板中の窒化ケイ素は、存在する場合は、Ｓｉ３Ｎ４のような窒化ケイ素材料を含むが、これらに限定されない。
【００３３】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨パッドは、当技術分野において公知の任意の適切な研磨パッドであってよい。化学機械研磨パッドは、場合により、織布及び不織布の研磨パッドから選択され得る。化学機械研磨パッドは、種々の密度、硬度、厚さ、圧縮率及び弾性率の任意の適切なポリマーで作られていてよい。化学機械研磨パッドは、必要に応じて溝が刻まれていたり穴が開けられていてもよい。
【００３４】
本発明の化学機械研磨方法に使用される本発明のスラリー組成物は、酸化ケイ素の除去速度（毎分オングストローム、Å/min単位で測定されるとおり）を向上させる。我々は、酸化ケイ素の除去速度の相対的向上（ΔＡ）をΔＡ＝（Ａ−Ａ０）／Ａ０［式中、Ａ及びＡ０は、化学機械研磨組成物に少なくとも式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の化合物並びに無機塩（好ましくは炭酸カリウム）を添加した（Ａ）及び添加しない（Ａ０）研磨組成物を用いて、Å/min単位で測定された酸化ケイ素の除去速度を表す］として定義する。本発明の方法に使用される化学機械研磨組成物に、式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の化合物並びに無機塩（好ましくは炭酸カリウム）を含めると、酸化ケイ素除去速度の好ましくは＞５％、より好ましくは＞１０％の向上が提供される。即ち、以下の式の少なくとも一方を好ましくは満たす：
（ｉ）  （（（Ａ−Ａ０）／Ａ０）×１００） ＞ ５；及び
（ii）  （（（Ａ−Ａ０）／Ａ０）×１００） ＞ １０
［全て実施例に明記される研磨条件下で測定される］。
【００３５】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物に含まれる式（Ｉ）を有する化合物（最も好ましくは塩化ベンジルトリメチルアンモニウム）及び式（ＩＩ）を有する化合物（最も好ましくは塩化コリン）によって、研磨欠陥性能が改善する。好ましくは、初期成分として、化学機械研磨組成物に式（Ｉ）及び式（ＩＩ）を有する化合物を含めると、実施例に明記される研磨条件下で測定されるとき、研磨欠陥（即ち、ＣＭＰ／フッ化水素後スクラッチ）の＞５０％；より好ましくは＞６０％；最も好ましくは＞７０％の減少が提供される。即ち、以下の式の少なくとも一方を好ましくは満たす：
【００３６】
（ｉ）  （Ｘ０−Ｘ）／Ｘ × １００ ＞ ５０；
【００３７】
（ii）  （Ｘ０−Ｘ）／Ｘ × １００ ＞ ６０；及び
【００３８】
（iii）  （Ｘ０−Ｘ）／Ｘ × １００ ＞ ７０；
【００３９】
ここで、Ｘは、実施例に明記される研磨条件下で測定されるとき、本発明の方法に使用される式（Ｉ）及び式（ＩＩ）の物質を含有する化学機械研磨組成物の研磨欠陥（即ち、ＣＭＰ／フッ化水素後スクラッチ）であり；そしてＸ０は、シリカ砥粒だけ；又はシリカと無機塩；又はシリカと無機塩と共に式（Ｉ）の化合物が存在する、同一条件下で得られた研磨欠陥（即ち、ＣＭＰ／フッ化水素後スクラッチ）である。
【００４０】
本発明の化学機械研磨方法に使用される化学機械研磨組成物によって、低い公称研磨パッド圧、例えば３〜３５kPaでの操作が可能になる。低い公称研磨パッド圧は、スクラッチング及び他の望ましくない研磨欠陥を減少させることにより研磨性能を改善し、そして壊れやすい材料への損傷を最小限にする。
【実施例】
【００４１】
以下の実施例は、本発明を説明することを目的とするが、その範囲を限定するものではない。
以下の実施例において、特に断りない限り、温度及び圧力の条件は、周囲温度及び標準圧力である。
以下の材料が後述の実施例に使用された：
ＰＣ＝炭酸カリウム、９９．９wt％（Aldrich）。
ＣＣ＝塩化コリン、９９％（Aldrich）
ＢＴＭＡＣ＝塩化ベンジルトリメチルアンモニウム（６０％、Starchem. Inc.）
【００４２】
研磨除去速度実験は、８インチブランケットウェーハで行われた。全ての実施例にApplied Materials Mirra（登録商標）研磨機を使用した。全ての研磨実験は、VisionPad 5000（商標）ポリウレタン研磨パッド（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販されている）を用い、３４．５kPa（５psi）のダウンフォース、１２５mL/minの化学機械研磨スラリー組成物流量、９３rpmのテーブル回転速度及び８７rpmのキャリア回転速度で行われた。除去速度は、KLA-Tencor FX200計測ツールを用いて、研磨の前後の膜厚を測定することによって決定された。実施例に報告される欠陥性能は、フッ化水素研磨後洗浄（a hydrogen fluoride post polishing wash）（「Ｐｓｔ ＨＦ」）後に走査型電子顕微鏡を用いて決定された。Ｐｓｔ−ＨＦ洗浄後の全てのＴＥＯＳウェーハは、KLA-Tencorから入手可能なSurfscan（登録商標）SP2欠陥検査システムを用いて検査された。ウェーハ上のその座標を含む欠陥情報は、KLARF（KLA Results File）に記録され、次にこれがKLA-Tencorから入手可能なeDR-5200欠陥点検システムに転送された。１００個の欠陥画像のランダム試料を選択して、eDR-5200システムにより再検討した。これらの１００個の画像は、種々の欠陥タイプ、例えば、チャターマーク（スクラッチ）、粒子及びパッドくずに分類された。これらの１００個の画像からの分類結果に基づいて、ウェーハ上のスクラッチの総数が決定された。
【００４３】
実施例１
本発明の化学機械研磨組成物
以下の本発明の化学機械研磨組成物は、研磨スラリーであり、そして以下の表１に開示された成分及び量を含むように調製された。更にｐＨの調整をすることなく、成分を残部である脱イオン水と合わせた。
【表１】
2019163457.tif 000012
【００４４】
実施例２
比較化学機械研磨組成物
以下の比較化学機械研磨組成物は、研磨スラリーであり、そして以下の表２に開示された成分及び量を含むように調製された。更にｐＨの調整をすることなく、成分を残部である脱イオン水と合わせた。
【表２】
2019163457.tif 000013
【００４５】
実施例３
ＴＥＯＳ除去速度及び欠陥性能
実施例１の上記の表１の本発明の化学機械研磨スラリー組成物のＴＥＯＳ除去速度及び欠陥性能を、実施例２の上記の表２に開示された比較スラリーのＴＥＯＳ除去速度及び欠陥性能と比較した。性能結果は、以下の表３である。
【表３】
2019163457.tif 000014
【外国語明細書】
2019163457000001.pdf