(57)【要約】【課題】液晶ディスプレイ用ポリイミド光配向膜の製造原料として用いられる２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造中間体として有用なアゾベンゼン誘導体とその効率的な製造方法を提供する。【解決手段】一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体。Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２は、水素原子、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。2019156841.tif 000088【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体。
【化１】
2019156841.tif 000072
［一般式（１）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２は、水素原子、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項２】
一般式（１）のＲ１が水素原子、炭素数１から６の無置換のアルキル基、炭素数２から６の無置換のアシル基又は炭素数２から６の無置換のアルコキシカルボニル基である、請求項１に記載のアゾベンゼン誘導体。
【請求項３】
請求項１に記載の一般式（１）のＲ２が水素原子、４−メトキシベンジル基、２，４−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、２−ナフチルメチル基、ソジオオキシスルホニルメチル基又はｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基である、請求項１又は２に記載のアゾベンゼン誘導体。
【請求項４】
請求項１に記載の一般式（１）のＲ３がニトロ基又はｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基である、請求項１から３のいずれか一項に記載のアゾベンゼン誘導体。
【請求項５】
下記一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と、下記一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体とを反応させることにより、下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化２】
2019156841.tif 000073
［一般式（２ａ）中、Ｘ−は対イオンを表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化３】
2019156841.tif 000074
［一般式（３ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。］
【化４】
2019156841.tif 000075
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項６】
下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体におけるアミノ基の保護基Ｒ２ａを脱保護して、下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化５】
2019156841.tif 000076
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化６】
2019156841.tif 000077
［一般式（１ｂ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項７】
下記一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と、下記一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体とを反応させることにより、下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を得た後、前記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体におけるアミノ基の保護基Ｒ２ａを脱保護して、下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化７】
2019156841.tif 000078
［一般式（２ａ）中、Ｘ−は対イオンを表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化８】
2019156841.tif 000079
［一般式（３ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。］
【化９】
2019156841.tif 000080
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１０】
2019156841.tif 000081
［一般式（１ｂ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項８】
下記一般式（１ｂａ）で示されるアゾベンゼン誘導体と、下記一般式（５）で示される化合物とを塩基の存在下に反応させることにより、下記一般式（１ｂｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１１】
2019156841.tif 000082
［一般式（１ｂａ）中、Ｒ１ａは水素原子を表す。Ｒ３は、ニトロ基、アミノ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１２】
2019156841.tif 000083
［一般式（５）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｌは脱離基を表す。］
【化１３】
2019156841.tif 000084
［一般式（１ｂｂ）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、アミノ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項９】
下記一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体の２位の水酸基の水素原子を、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で置換することにより、下記一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１４】
2019156841.tif 000085
［一般式（１ｃ）中、Ｒ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１５】
2019156841.tif 000086
［一般式（１ｄ）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【請求項１０】
一般式（１ｄ）のＲ１ｂが置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であり、一般式（１ｃ）で示される化合物と、下記一般式（８）、下記一般式（９）または下記一般式（１０）で示される化合物とを反応させることにより、一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、請求項９に記載のアゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１６】
2019156841.tif 000087
［一般式（８）、一般式（９）および一般式（１０）中、Ｒ１ｂａは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアルコキシ基を表す。Ｒ１ｂｂは置換されていてもよいアルキル基を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ用ポリイミド光配向膜の製造原料として用いられる４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造中間体として有用なアゾベンゼン誘導体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
主鎖にアゾベンゼン骨格を有するポリイミド光配向膜は、液晶分子の配向性制御能が高く、熱・光・薬品に対して安定で、高速動作に対応可能な配向膜として注目されている。当該ポリイミド光配向膜は、ベンゼン環上が無置換の４，４’−ジアミノアゾベンゼンやベンゼン環上に種々の置換基を有する４，４’−ジアミノアゾベンゼン類と、テトラカルボン酸二無水物との反応により得られるポリアミック酸を有機溶剤に溶解させ、基板に塗布した後、直線偏光紫外光を照射し、次いで、熱イミド化することにより得られる（例えば、特許文献１〜３参照）。
こうしたポリイミド光配向膜の原料となる４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造においては、公知の反応を応用して、例えばベンゼンジアゾニウム塩とベンゼン誘導体をジアゾカップリング反応させることでアゾベンゼン骨格を構築し（例えば、特許文献４〜６、非特許文献１〜６参照）、さらに、アミノ基や所望の置換基をアゾベンゼン骨格の所望の位置に導入するため、ニトロ基のアミノ基への還元反応やアミノ基への保護基の導入・脱離反応など、様々な反応を適宜組み合わせて実施することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２５３９６３号公報
【特許文献２】特開２００５−２７５３６４号公報
【特許文献３】特開２０１１−００８２１８号公報
【特許文献４】米国特許公開第２０１６／１２２２８５Ａ１号明細書
【特許文献５】国際公開第２０１１／０２４８９２号
【特許文献６】国際公開第２０１６／０６０１７４号
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Dyes and Pigments, 82(3), 347-352; 2009
【非特許文献２】Journal of Enzyme Inhibition and Medicinal Chemistry, 31(6), 1162-1169; 2016
【非特許文献３】Synthetic Metals, 206, 84-91; 2015
【非特許文献４】Chemical Communications (Cambridge,United Kingdom), 50(93), 14613-14615; 2014
【非特許文献５】Journal of the American Chemical Society, 135(26), 9777-9784; 2013
【非特許文献６】Bioconjugate Chemistry, 27(3), 509-514; 2016
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類は、ベンゼンジアゾニウム塩とベンゼン誘導体のジアゾカップリング反応によるアゾベンゼン骨格の構築と、ニトロ基のアミノ基への還元反応やアミノ基への保護基の導入・脱離反応などを組み合わせて製造される。
しかしながら、アゾベンゼン類のうちで合成方法が検討されているのは、アゾ基（−ＮＨ＝ＮＨ−）の１，２位に結合している２つベンゼン環の置換基の種類や位置が等しい対称構造の化合物であり、２つのベンゼン環の置換基の種類や置換位置が異なる化合物（非対称アゾベンゼン）については、合成方法を検討した報告例が存在しないのが実情である。
【０００６】
このような状況の下、本発明者らは、ポリイミド光配向膜の原料として、一方のベンゼン環の２位にヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基又はアルコキシカルボニルオキシメチル基を有する４，４’−ジアミノアゾベンゼン類（以下では、これらを総称して「２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類」と言う）に着目した。そして、その化合物を、簡便な手法により、高い純度で効率よく生成しうる中間体を見出すこと、さらに、その中間体を、簡便な手法により、効率よく製造しうる製造方法を提供することを目的として検討を進めた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、一方のベンゼン環の２位にヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基又はアルコキシカルボニルオキシメチル基を有するとともに、その４位にアミノ基又は特定の保護基で保護された置換アミノ基を有し、また、他方のベンゼン環の４’位にニトロ基又は特定の保護基で保護された置換アミノ基を有するアゾベンゼン誘導体を中間体として用いることにより、目的の２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を、簡便な手法により、高い純度で収率よく生成できるとの知見を得るに至った。さらに、このアゾベンゼン誘導体は、特定のベンゼンジアゾニウム塩と特定のアニリン誘導体とのジアゾカップリング反応と、必要に応じて脱保護反応や還元反応を行うことにより、簡便な手法で効率よく製造できることも見出した。本発明はこうした知見に基づいて提案されたものであり、具体的に以下の構成を有する。
【０００８】
［１］  下記一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体。
【化１】
2019156841.tif 000002
［一般式（１）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２は、水素原子、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［２］  一般式（１）のＲ１が水素原子、炭素数１から６の無置換のアルキル基、炭素数２から６の無置換のアシル基又は炭素数２から６の無置換のアルコキシカルボニル基である、［１］に記載のアゾベンゼン誘導体。
［３］  一般式（１）のＲ２が水素原子、４−メトキシベンジル基、２，４−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、２−ナフチルメチル基、ソジオオキシスルホニルメチル基又はｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基である、［１］又は［２］に記載のアゾベンゼン誘導体。
［４］  一般式（１）のＲ３がニトロ基又はｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ基である、［１］から［３］のいずれか一項に記載のアゾベンゼン誘導体。
［５］  下記一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と、下記一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体とを反応させることにより、下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化２】
2019156841.tif 000003
［一般式（２ａ）中、Ｘ−は対イオンを表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化３】
2019156841.tif 000004
［一般式（３ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。］
【化４】
2019156841.tif 000005
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［６］  下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体におけるアミノ基の保護基Ｒ２ａを脱保護して、下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化５】
2019156841.tif 000006
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化６】
2019156841.tif 000007
［一般式（１ｂ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［７］  下記一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と、下記一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体とを反応させることにより、下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を得た後、前記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体におけるアミノ基の保護基Ｒ２ａを脱保護して、下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化７】
2019156841.tif 000008
［一般式（２ａ）中、Ｘ−は対イオンを表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化８】
2019156841.tif 000009
［一般式（３ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。］
【化９】
2019156841.tif 000010
［一般式（１ａ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１０】
2019156841.tif 000011
［一般式（１ｂ）中、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［８］  下記一般式（１ｂａ）で示されるアゾベンゼン誘導体と、下記一般式（５）で示される化合物とを塩基の存在下に反応させることにより、下記一般式（１ｂｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１１】
2019156841.tif 000012
［一般式（１ｂａ）中、Ｒ１ａは水素原子を表す。Ｒ３は、ニトロ基、アミノ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１２】
2019156841.tif 000013
［一般式（５）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｌは脱離基を表す。］
【化１３】
2019156841.tif 000014
［一般式（１ｂｂ）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３は、ニトロ基、アミノ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［９］  下記一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体の２位の水酸基の水素原子を、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で置換することにより、下記一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、アゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１４】
2019156841.tif 000015
［一般式（１ｃ）中、Ｒ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
【化１５】
2019156841.tif 000016
［一般式（１ｄ）中、Ｒ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。］
［１０］  一般式（１ｄ）のＲ１ｂが置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であり、一般式（１ｃ）で示される化合物と、下記一般式（８）、下記一般式（９）または下記一般式（１０）で示される化合物とを反応させることにより、一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する、［９］に記載のアゾベンゼン誘導体の製造方法。
【化１６】
2019156841.tif 000017
［一般式（８）、一般式（９）および一般式（１０）中、Ｒ１ｂａは置換されていてもよいアルキル基又は置換されていてもよいアルコキシ基を表す。Ｒ１ｂｂは置換されていてもよいアルキル基を表す。］
【発明の効果】
【０００９】
本発明のアゾベンゼン誘導体は、液晶ディスプレイ用ポリイミド光配向膜の製造原料として用いられる２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造中間体として有用である。また、本発明のアゾベンゼン誘導体は、特定のベンゼンジアゾニウム塩と特定のアニリン誘導体との反応と、必要に応じて脱保護反応や還元反応を行うことにより、簡便な手法により、効率よく製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」又は「から」を用いて表される数値範囲は「〜」又は「から」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
【００１１】
アゾベンゼン誘導体
本発明のアゾベンゼン誘導体は一般式（１）で示される構造を有するものである。
【００１２】
【化１７】
2019156841.tif 000018
【００１３】
本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体において、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。好ましくは、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子や炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよいアルキル基、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよいアシル基又はフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
Ｒ１におけるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。アルキル基の好ましい炭素数は１〜６であり、より好ましくは１〜４であり、さらに好ましくは１〜３である。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、１−エチルプロピル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、１−メチルペンチル基、１−エチルブチル基等を例示することができる。Ｒ１におけるアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。アルキル基に置換しうるハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子であることが好ましい。ハロゲン原子で置換されたアルキル基の具体例として、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３−フルオロプロピル基等を例示することができる。Ｒ１におけるアルキル基は、炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよく、ここでいうアルコキシ基は直鎖状、分枝状のいずれであってもよい。アルコキシ基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を例示することができる。Ｒ１におけるアルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基が好ましい。
Ｒ１におけるアシル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。また、ここでいうアシル基は、アルキル基がカルボニル基に結合した構造と、アリール基がカルボニル基に結合した構造をともに含む概念である。Ｒ１におけるアシル基は、フッ素原子又は塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよい。アシル基の好ましい炭素数は２〜７であり、より好ましい炭素数は２〜６であり、さらに好ましくは２〜４であり、さらにより好ましくは２又は３である。アシル基の具体例として、メタノイル基（ホルミル基）、エタノイル基（アセチル基）、トリフルオロアセチル基、トリクロロアセチル基、プロパノイル基（プロピオニル基）、ブタノイル基（ブチリル基）、イソブタノイル基（イソブチリル基）、ペンタノイル基（バレリル基）、イソペンタノイル基（イソバレリル基）、ｓｅｃ−ペンタノイル基（２−メチルブチリル基）、ｔｅｒｔ−ペンタノイル基（ピバロイル基）、ヘキサノイル基、イソヘキサノイル基（４−メチルペンタノイル基）、２，２−ジメチルブタノイル基、３，３−ジメチルブタノイル基、２−メチルペンタノイル基、２−エチルブタノイル基、ベンゾイル基、２−フルオロフェニルカルボニル基、４−フルオロフェニルカルボニル基、２，４−ジフルオロフェニルカルボニル基、２，６−ジフルオロフェニルカルボニル基、２，４，６−トリフルオロフェニルカルボニル基、パーフルオロフェニルカルボニル基等を例示することができ、エタノイル基（アセチル基）、プロパノイル基（プロピオニル基）が好ましい。
Ｒ１におけるアルコキシカルボニル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。Ｒ１におけるアルコキシカルボニル基は、フッ素原子又は塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよい。アルコキシカルボニル基の好ましい炭素数は２〜６であり、より好ましくは２〜４であり、さらに好ましくは２又は３である。アルコキシカルボニル基の具体例として、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、１−メチルブチルオキシカルボニル基、１−エチルプロピルオキシカルボニル基、２，２−ジトリフルオロエチルオキシカルボニル基、２，２，２−トリフルオロエチルオキシカルボニル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシカルボニル基等を例示することができ、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基が好ましい。
最終的に製造される光配向膜の性能を良好にできる点から、Ｒ１は、メチル基、エチル基、プロピル基、エタノイル基（アセチル基）、エトキシカルボニル基、水素原子が好ましい。
【００１４】
Ｒ２は、水素原子、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。好ましくは、Ｒ２は、水素原子、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子や炭素数１〜４のアルキル基や炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又はフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
Ｒ２におけるアリールメチル基のアリール部分は、単環であっても縮合環であってもよい。アリール部分の好ましい炭素数は６〜２２であり、より好ましくは６〜１４であり、さらに好ましくは６〜１０である。アリール部分の具体例として、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等を例示することができる。Ｒ２におけるアリールメチル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、ここでいうハロゲン原子としてフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子であることが好ましい。Ｒ２におけるアリールメチル基は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよく、ここでいうアルキル基は直鎖状、分枝状のいずれであってもよい。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等を例示することができる。Ｒ２におけるアリールメチル基は炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよく、ここでいうアルコキシ基は直鎖状、分枝状のいずれであってもよい。アルコキシ基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等を例示することができる。アリールメチル基の具体例として、４−メトキシベンジル基、２，４−ジメトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基、２−ナフチルメチル基等を例示することができる。
Ｒ２がとることができるアルカリ金属オキシスルホニルメチル基のアルカリ金属としては、ナトリウム、カリウムを好ましく例示することができる。好ましいのは、ソジオオキシスルホニルメチル基である。
Ｒ２におけるアルコキシカルボニル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよいが、分枝状であることが好ましい。Ｒ２におけるアルコキシカルボニル基は、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子等で置換されていてもよい。アルコキシカルボニル基の好ましい炭素数は２〜６であり、より好ましくは４〜６であり、さらに好ましくは４又は５である。アルコキシカルボニル基の具体例については、Ｒ１におけるアルコキシカルボニル基の具体例を参照することができる。Ｒ２におけるアルコキシカルボニル基は、イソプロピルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基が特に好ましい。
Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。好ましくは、Ｒ３は、ニトロ基、フッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子や炭素数１〜４のアルキル基や炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又はハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。Ｒ３のアミノ基におけるアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又はアルコキシカルボニル基、及びこれらの好ましい置換基の説明と好ましい範囲、具体例については、Ｒ２についての対応する記載を参照することができる。
【００１５】
Ｒ２がとりうるフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基及びフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシカルボニル基、並びに、Ｒ３のアミノ基におけるフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子や炭素数１〜４のアルキル基や炭素数１〜４のアルコキシ基で置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基及びフッ素原子や塩素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよいアルコキシカルボニル基は、アゾベンゼン誘導体を、ジアゾカップリング反応等を用いて合成する際や、２位のヒドロキシ基の水素原子をアルキル基、アシル基又はアルコキシカルボニル基で置換する際、アミノ基を保護する保護基として機能する。
以下の説明では、「置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基及び置換されていてもよいアルコキシカルボニル基」を「所定の保護基」といい、「置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基及び置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基」を「所定の保護基で保護されたアミノ基」ということがある。
【００１６】
Ｒ１〜Ｒ３の好ましい組み合わせとして、Ｒ１が水素原子又は置換されていてもよいアルキル基であり、Ｒ２が水素原子、置換されていてもよいアリールメチル基又はアルカリ金属オキシスルホニルメチル基であり、Ｒ３がニトロ基である組み合わせや、Ｒ１が置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であり、Ｒ２が置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であり、Ｒ３が置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基である組み合わせを挙げることができる。
【００１７】
以下において、一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体の具体例を例示する。ただし、本発明において用いることができる一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。
【化１８】
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【００１８】
［アゾベンゼン誘導体の用途］
一般式（１）で表されるアゾベンゼン誘導体を中間体として４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を合成することにより、光配向膜の原料として有用な、２位がヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基又はアルコキシカルボニルオキシメチル基で置換された４，４’−ジアミノアゾベンゼン類（総称して「２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類」と言う）を、簡便な手法により、高い純度で効率よく製造することができる。そのため、一般式（１）で表されるアゾベンゼン誘導体は、２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造中間体として有用である。
具体的には、例えば、公知の反応を単純に応用してアゾベンゼン骨格は構築し、ニトロ基のアミノ基への還元反応やアミノ基への保護基の導入・脱離反応などを組み合わせて、２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類のような非対称アゾベンゼンを合成しようとした場合、工程数が多くなり、工程毎の原料及び生成物の損失、不純物の混入のために、純度や収率が低くなる傾向がある。
これに対して、本発明においては、例えば一般式（１）で表されるアゾベンゼン誘導体のうち、
（Ｉ）  Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基で、Ｒ２が水素原子で、Ｒ３がニトロ基であるもの（例えば、アゾベンゼン誘導体Ａ１〜Ａ５）は、Ｒ３のニトロ基を還元することにより４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシメチル）アゾベンゼン類に変換することができる。また、
（II）  一般式（１）において、Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基で、Ｒ２が所定の保護基で、Ｒ３がニトロ基であるもの（例えば、アゾベンゼン誘導体Ｂ１〜Ｂ６）は、Ｒ２を構成する基を水素原子に変換（脱保護）した後、Ｒ３のニトロ基を還元することにより４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシメチル）アゾベンゼン類に変換することができる。
（III）  一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２がともに水素原子で、Ｒ３がニトロ基であるもの（例えば、アゾベンゼン誘導体Ｃ１）では、Ｒ３のニトロ基を還元してアミノ基に変換することにより４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができ、そのＲ１の水素原子をアルキル基で置換（水酸基をアルキル化）することにより４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシメチル）アゾベンゼン類を生成することができる。
（IV）  一般式（１）において、Ｒ１が水素原子で、Ｒ２が所定の保護基、Ｒ３がニトロ基であるもの（例えば、アゾベンゼン誘導体Ｄ１、Ｄ２）では、Ｒ２を構成する基を水素原子に変換（脱保護）し、Ｒ３を構成するニトロ基を還元してアミノ基に変換することにより４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができ、そのＲ１の水素原子をアルキル基で置換（水酸基をアルキル化）することにより４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシメチル）アゾベンゼン類を生成することができる。
（V）  一般式（１）において、Ｒ１が置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で、Ｒ２が所定の保護基、Ｒ３が所定の保護基で保護されたアミノ基であるもの（例えば、アゾベンゼン誘導体Ｅ１、Ｅ２）では、Ｒ２を構成する基を水素原子に変換（脱保護）するとともにＲ３を脱保護してアミノ基に変換することにより、４，４’−ジアミノ−２−（アシルオキシメチル）アゾベンゼン類又は４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができる。
また、上記の（Ｉ）、（II）の欄に記載した方法で、Ｒ１が置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であるものを用いた場合には、各欄に記載したのと同様の操作により、４，４’−ジアミノ−２−（アシルオキシメチル）アゾベンゼン類又は４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができる。
また、上記の（III）、（IV）の欄に記載した方法で、Ｒ１の水素原子と置き換える置換基をアシル基又はアルコキシカルボニル基に変えた場合には、各欄に記載したのと同様の操作により、４，４’−ジアミノ−２−（アシルオキシメチル）アゾベンゼン類又は４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができる。
また、上記の（V）の欄に記載した方法で、Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基であるものを用いた場合には、この欄に記載したのと同様の操作により、４，４’−ジアミノ−２−（アルコキシメチル）アゾベンゼン類を得ることができる。
すなわち、いずれのアゾベンゼン誘導体を中間体として用いる場合でも、比較的少ない工程数で、目的の２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を製造することができるため、高い純度と高い収率を実現することができる。
なお、本発明のアゾベンゼン誘導体を中間体として用いる２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造方法の詳細については、後掲の４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造方法の欄において説明する。ここでは、代表として、一般式（１）のＲ１が水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で、Ｒ２が水素原子、Ｒ３がニトロ基であるアゾベンゼン誘導体を用いる場合、および、Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で、Ｒ２が所定の保護基、Ｒ３が所定の保護基で保護されたアミノ基であるアゾベンゼン誘導体を用いる場合を例にしているが、その他のアゾベンゼン誘導体（Ｒ２が所定の保護基、Ｒ３がニトロ基であるアゾベンゼン誘導体）を中間体として用いる場合には、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造方法の欄に記載された方法とアゾベンゼン誘導体の第１製造方法におけるアミノ基の脱保護工程（工程１−２）についての説明を参照することができる。
また、本発明のアゾベンゼン誘導体を中間体として製造される２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類は、光配向膜の原料として有用である。すなわち、２−置換４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を原料として製造されたポリアミック酸溶液の塗膜は、直線偏光紫外光の照射により配向性を付与した後、加熱・焼成すると、そのベンゼン環の２位に置換しているアルコキシ基、アシル基又はアルコキシカルボニル基がアゾ基と反応して環状構造を形成し、アゾベンゼン基を含まない光配向膜となる。こうした形成された光配向膜は、アゾベンゼン基を含まないため、例えば液晶表示素子の液晶配向膜に用いた場合には、長時間強い光に晒されても液晶表示素子の電圧保持率を低下させず、高い表示品位を保持させることができる。
４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造に供するアゾベンゼン誘導体の純度は、目的の４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を高純度で得るとともに、最終的に得られる光配向膜の品質向上の点から、好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上、さらに好ましくは９９％以上である。
【００１９】
アゾベンゼン誘導体の製造方法
次に、本発明のアゾベンゼン誘導体の製造方法（第１製造方法〜第４製造方法）について詳細に説明する。本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体は、本発明のアゾベンゼン誘導体の製造方法を用いることにより、簡便な手法で効率よく製造することができる。
【００２０】
［アゾベンゼン誘導体の第１製造方法］
アゾベンゼン誘導体の第１製造方法では、本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体のうち、Ｒ２が置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基（所定の保護基）である化合物、すなわち下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。具体的には、下記一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と下記一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体とを反応させる工程（工程１−１）により、一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体（１ａ）を製造する。
【００２１】
【化１９】
2019156841.tif 000021
【００２２】
一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩において、Ｘ−は対イオンを表す。Ｘ−で表される対イオンとしては、Ｃｌ−、Ｂｒ−などのハロゲン化物イオン、硫酸水素イオン（ＨＳＯ４−）、硝酸イオン（ＮＯ３−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、テトラフルオロほう酸イオン（ＢＦ４−）又はヘキサフルオロリン酸イオン（ＰＦ６−）などを例示することができる。ベンゼンジアゾニウム塩（２ａ）を簡便に調製することができる点で、Ｘ−はＣｌ−、Ｂｒ−などのハロゲン化物イオンや硫酸水素イオン（ＨＳＯ４−）が好ましい。
一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体及び一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体において、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩及び一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体において、Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。
ここで、Ｒ１が表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ１についての対応する記載を参照することができ、Ｒ２ａが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ２についての対応する記載を参照することができ、Ｒ３が表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ３についての対応する記載を参照することができる。
【００２３】
一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩と一般式（３ａ）で表されるアニリン誘導体との反応（工程１−１の反応）はジアゾカップリング反応であり、ジアゾカップリング反応における一般的な反応条件を採用して行うことができる。例えば酢酸ナトリウムや酢酸カリウムのようなカルボン酸塩の存在下で反応を実施することにより、目的物である一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得ることができる。ここで、カルボン酸塩の使用量に特に制限されず、ジアゾカップリング反応で通常用いられる使用量を採用することができる。
工程１−１の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、水、メタノールやエタノール等のアルコール系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトニトリル、アセトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の非プロトン性溶媒又はこれらの混合溶媒を用いることができる。
工程１−１の反応温度は０〜５０℃の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜５時間が適当である。
【００２４】
工程１−１の反応により得られたアゾベンゼン誘導体は、精製せずに次の反応（例えば、下記の第２製造方法）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
【００２５】
ここで、工程１−１の原料に用いる一般式（２ａ）で示されるベンゼンジアゾニウム塩は、対応する４−ニトロアニリンを原料として、ジアゾニウム塩の一般的な合成方法により得ることができる。ジアゾニウム塩の合成方法については、例えば、Journal of Heterocyclic Chemistry,42,781-786;2005等に記載された方法を参照することができる。一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体（３ａ）の合成方法については、下記の＜アニリン誘導体の製造方法＞の欄を参照することができる。
【００２６】
［アゾベンゼン誘導体の第２製造方法］
アゾベンゼン誘導体の第２製造方法では、本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体のうち、Ｒ２が水素原子である化合物、すなわち下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。具体的には、下記一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体のアミノ基の保護基Ｒ２ａを水素原子に変換（脱保護）する工程（工程１−２）により、下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。
【００２７】
【化２０】
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【００２８】
一般式（１ａ）のＲ１、Ｒ２ａ及びＲ３は、アゾベンゼン誘導体の第１製造方法における一般式（１ａ）のＲ１、Ｒ２ａ及びＲ３とそれぞれ同義であり、一般式（１ｂ）のＲ１及びＲ３は、第１製造方法における一般式（１ａ）のＲ１及びＲ３とそれぞれ同義である。すなわち、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ２ａは、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ３は、ニトロ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。それらの説明と好ましい範囲、具体例については、アゾベンゼン誘導体の第１製造方法の一般式（１ａ）についての対応する記載を参照することができる。
一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体は、上記の第１製造方法で得たアゾベンゼン誘導体であってもよいし、その他の方法で得たアゾベンゼン誘導体であってもよいが、第１製造方法で得たアゾベンゼン誘導体であることが好ましい。
【００２９】
工程１−２の反応は、アミノ基の保護基Ｒ２ａに適した脱保護法を利用することにより、目的の一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく製造することができる。
脱保護法としては、アミノ基の保護基Ｒ２ａが、置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基の場合には、加水素化分解（例えばＨ２、Ｐｄ／Ｃ）による脱保護、酸化条件下における脱保護、強酸性条件下における脱保護などを挙げることができる。中でも、酸化条件下における脱保護が好ましく、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−ｐ−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、ｐ−クロラニル、ｏ−クロラニル等のキノン系酸化試薬や硝酸二アンモニウムセリウム（ＩＶ）等の酸化剤を用いる温和な酸化条件下における脱保護が、一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体の他の置換基に害を及ぼさないことから、より好ましい。また、強酸性条件下における脱保護には、トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ）や塩酸を用いることができる。
これらの加水素化分解、酸化条件、又は強酸性条件による脱保護反応は有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、具体的にはジクロロメタンやクロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒を例示することができる。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
この脱保護反応での反応温度は、室温から６０℃の範囲から適宜選択することができ、これにより、目的物である一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得ることができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、２〜４８時間が適当である。
【００３０】
また、アミノ基の保護基Ｒ２ａがソジオオキシスルホニルメチル基の場合には、アルカリ水溶液中で加水分解することにより、容易に保護基Ｒ２ａを脱保護することができる。脱保護に用いるアルカリとしては、アルカリ金属水酸化物やアルカリ土類金属水酸化物を例示することができる。中でも、安価で、且つ、一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率良く得られる点で、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物を用いることが好ましい。
アルカリ加水分解による脱保護反応は水溶液中で実施することができるが、メタノールやエタノール、ＴＨＦなどの水と均一に混合する有機溶媒とアルカリ水溶液との混合溶媒中や、トルエンやキシレン、ジクロロメタンなどの水と混合しない二層系中で実施してもよい。
この脱保護反応での反応温度は、室温から溶媒還流温度の範囲から適宜選択することができ、これにより、目的物である一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得ることができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜３時間が適当である。
【００３１】
また、アミノ基の保護基Ｒ２ａがアルコキシカルボニル基の場合には、酸処理することにより、容易に保護基Ｒ２ａを脱保護することができる。脱保護に用いる酸としては、ＴＦＡや塩酸を例示することができる。
酸処理による脱保護反応は有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、具体的にはジクロロメタンやクロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒を例示することができる。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
この脱保護反応での反応温度は、室温から溶媒の加熱還流温度の範囲から適宜選択することができ、これにより、目的物である一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得ることができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、２〜２４時間が適当である。
【００３２】
［アゾベンゼン誘導体の第３製造方法］
アゾベンゼン誘導体の第３製造方法では、本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体のうち、Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基であってＲ２が水素原子である化合物、すなわち下記一般式（１ｂｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。具体的には、下記一般式（１ｂａ）で示されるアゾベンゼン誘導体と下記一般式（５）で示される化合物とを、塩基の存在下で反応させる工程（工程２−１）により、下記一般式（１ｂｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。
【００３３】
【化２１】
2019156841.tif 000023
【００３４】
一般式（１ｂａ）のＲ１ａは水素原子を表す。
一般式（５）及び一般式（１ｂｂ）のＲ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（１ｂａ）及び一般式（１ｂｂ）のＲ３はニトロ基、アミノ基、置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。
ここで、Ｒ１ｂが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ１についての対応する記載を参照することができ、Ｒ３が表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ３についての対応する記載を参照することができる。
一般式（５）のＬは脱離基を表す。一般式（５）のＬで表される脱離基としては、臭素原子やヨウ素原子などのハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基やトリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基などのスルホニルオキシ基を例示することができる。
【００３５】
一般式（１ｂａ）で示されるアゾベンゼン誘導体と一般式（５）で示される化合物の反応（工程２−１）は塩基の存在下に実施する。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水素化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化テトラブチルアンモニウムなどを例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（１ｂａ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して１〜５モル等量用いればよい。
工程２−１の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。これらの溶媒は、単独又は２種以上混合して使用してもよい。
工程２−１の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜２４時間が適当である。
【００３６】
［アゾベンゼン誘導体の第４製造方法］
アゾベンゼン誘導体の第４製造方法では、本発明の一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体のうち、Ｒ１が水素原子、Ｒ２が置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基（所定の保護基）、Ｒ３が置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基（所定の保護基で保護されたアミノ基）である化合物、すなわち下記一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体と、Ｒ１が置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基であり、Ｒ２が所定の保護基、Ｒ３が所定の保護基で保護されたアミノ基である化合物、すなわち下記一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。具体的には、下記式（４ｃ）で表される４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）−アゾベンゼンのアミノ基に所定の保護基を導入して下記一般式（１ｃ）で表される化合物を製造する工程（工程７−１）と、下記一般式（１ｃ）で示される化合物のヒドロキシメチル基の水素原子を、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で置換する工程（工程７−２）により、下記一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。
【００３７】
【化２２】
2019156841.tif 000024
【００３８】
一般式（１ｄ）のＲ１ｂは、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（１ｃ）及び一般式（１ｄ）のＲ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（１ｃ）及び一般式（１ｄ）のＲ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。
ここで、Ｒ１ｂが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ１についての対応する記載を参照することができ、Ｒ２ａが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ２についての対応する記載を参照することができ、Ｒ３ａが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ３についての対応する記載を参照することができる。
式（４ｃ）で示される４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）−アゾベンゼンは、後述の４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第１製造方法で得たアゾベンゼン誘導体であってもよいし、その他の方法で得たものであってもよいが、後述の４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第１製造方法で得たものであることが好ましい。
【００３９】
工程７−１において、例えば、一般式（１ｃ）のＲ２ａがアルコキシカルボニル基、Ｒ３ａがアルコキシカルボニルアミノ基であるアゾベンゼン誘導体は、下記式（４ｃ）で表される４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）−アゾベンゼンと下記一般式（７）で示される炭酸エステルとを反応させることにより得ることができる。
【００４０】
【化２３】
2019156841.tif 000025
【００４１】
一般式（７）中、Ｒ２３ａは、置換されていてもよいアルキル基を表す。Ｒ２３ａにおけるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよいが、分枝状であることが好ましい。アルキル基の好ましい炭素数は１〜５であり、より好ましくは３〜５であり、さらに好ましくは３又は４である。アルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、１−エチルプロピル基等を例示することができ、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基が特に好ましい。
【００４２】
一般式（４ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体と一般式（７）で示される化合物の反応（工程７−１）はアミノ基の保護である。工程７−１で用いる一般式（７）で示される炭酸エステルの使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（４ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して、２〜５モル等量用いればよい。
工程７−１の反応は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば特に限定されるものではなく、例えば、ジクロロメタンやクロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジオキサン、ＴＨＦ、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ベンゼンやトルエンなどの芳香族有機溶媒、ＤＭＦやＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒を例示することができる。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。中でも、一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得られる点で、ジオキサン、ＴＨＦ、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒が好ましい。これらの有機溶媒は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
また、工程７−１の反応は、塩基の存在下に反応を促進させることができる。塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミン、ピリジン、Ｎ,Ｎ‐ジメチル‐４‐アミノピリジン（ＤＭＡＰ）等の芳香族アミン、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水素化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化テトラブチルアンモニウムなどを例示することができる。中でも、一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得られる点で、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミンが望ましい。塩基の使用量に特に制限はなく、一般式（４ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して１〜２モル等量用いればよい。
工程７−１の反応温度は、０℃から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができ、高い収率が得られることから、４０から６０℃となるように温度制御しながら反応を行うことが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、２〜２４時間が適当である。
【００４３】
工程７−１の反応により得られたアゾベンゼン誘導体は、精製せずに次の反応に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
工程７−２では、一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体の２位の水酸基の水素原子を、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基で置換して一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を製造する。一般式（１ｄ）のＲ１ｂがアシル基であるアゾベンゼン誘導体は、一般式（１ｃ）で表されるアゾベンゼン誘導体と下記一般式（８）で示されるカルボン酸無水物又は下記一般式（９）で示されるカルボン酸塩化物との反応により得ることができ、一般式（１ｄ）のＲ１ｂがアルコキシカルボニル基であるアゾベンゼン誘導体は、一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体と下記一般式（９）で示されるクロロギ酸エステル又は下記一般式（１０）で示される炭酸エステルとの反応により得ることができる。
【００４４】
【化２４】
2019156841.tif 000026
【００４５】
一般式（８）、一般式（９）および一般式（１０）中、Ｒ１ｂａは置換されていてもよいアルキル基又はアルコキシ基を表す。Ｒ１ｂａにおけるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。アルキル基の好ましい炭素数は１〜５であり、より好ましくは１〜３であり、さらに好ましくは１又は２である。アルキル基の具体例については、Ｒ２３ａにおけるアルキル基の具体例を参照することができる。Ｒ１ｂａにおけるアルキル基は、メチル基、エチル基であることが好ましい。また、工程７−２については、上記のアゾベンゼン誘導体の第３製造方法における工程２−１についての記載も参照することができる。Ｒ１ｂａにおけるアルコキシ基の好ましい炭素数は１〜５であり、より好ましくは１〜３であり、さらに好ましくは１又は２である。Ｒ１ｂａにおけるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基であることが好ましい。Ｒ１ｂｂは置換されていてもよいアルキル基を表す。Ｒ１ｂｂにおけるアルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。アルキル基の好ましい炭素数は１〜５であり、より好ましくは１〜３であり、さらに好ましくは１又は２である。アルキル基の具体例については、Ｒ２３ａにおけるアルキル基の具体例を参照することができる。Ｒ１ｂａにおけるアルキル基は、メチル基、エチル基であることが好ましい。
【００４６】
一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体と一般式（８）、一般式（９）および一般式（１０）で示される化合物の反応（工程７−２）はヒドロキシ基のアシル化およびアルコキシカルボニル化である。工程７−２で用いる一般式（８）、一般式（９）および一般式（１０）で示されるカルボン酸無水物、カルボン酸塩化物、クロロギ酸エステル、炭酸エステルの使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して、１〜３モル等量用いればよい。
工程７−２の反応は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば特に限定されるものではなく、例えば、ジクロロメタンやクロロホルム等のハロゲン系溶媒、ジオキサン、ＴＨＦ、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン等の芳香族有機溶媒、ＤＭＦやＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒を例示することができる。これらの有機溶媒は、単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。中でも、一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得られる点で、ジオキサン、ＴＨＦ、ジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテルなどのエーテル系溶媒が好ましい。これらの有機溶媒は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
また、工程７−２の反応は、塩基の存在下に行うことがより好ましい。これにより、反応を促進させることができる。塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリブチルアミンなどの三級アミン、ピリジン、ＤＭＡＰ等の芳香族アミン、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水素化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化テトラブチルアンモニウムなどを例示することができる。中でも、一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を収率よく得られる点で、ピリジンとＤＭＡＰを組み合わせ使用するのが望ましい。塩基の使用量に特に制限はなく、一般式（１ｃ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して１〜３モル等量用いればよい。
工程７−２の反応温度は、０℃から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができ、高い収率が得られることから、４０から６０℃となるように温度制御しながら反応を行うことが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、２〜１２時間が適当である。
【００４７】
工程７−２の反応により得られたアゾベンゼン誘導体は、精製せずに次の反応に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
【００４８】
［アゾベンゼン誘導体の精製］
上記の第１製造方法〜第４製造方法で製造されたアゾベンゼン誘導体は高い純度を有するため、精製せずに４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造に供してもよいが、必要に応じて更なる精製を行ってもよい。例えば、アゾベンゼン誘導体の製造品に包含される微量の金属を排除することや、製造品の着色を低減する目的で、最終段階又は一連の製造工程の途中の工程で精製を行うことも好ましい。微量の金属を除去する方法としては、水、酸又は塩基性水による洗浄を挙げることができ、特に純水洗浄、希塩酸洗浄、希硫酸洗浄、重曹水洗浄、苛性ソーダ水洗浄等を用いることが好ましい。着色を低減する方法としては、単体又は酸塩の再結晶、カラムクロマトグラフィー、活性炭吸着処理等を挙げることができる。クロマトグラフィーにはシリカゲル、アルミナ、ゼオライト等の吸着剤を用いることが好ましい。さらに、反応により最終的に得られた生成品に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶、活性炭処理などの通常の方法により、精製を行ってもよい。
【００４９】
アニリン誘導体の製造方法
次に、上記のアゾベンゼン誘導体の第１製造方法において、一般式（１ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体の製造に用いる一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体の製造方法について説明する。
【００５０】
［アニリン誘導体の第１製造方法］
アニリン誘導体の第１製造方法では、一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体のうち、Ｒ２ａが置換されていてもよいアリールメチル基である化合物、すなわち下記一般式（３ａａ）で示されるアニリン誘導体を製造する。具体的には、下記一般式（３）で示されるアニリン誘導体と、下記一般式（６）で示される芳香族アルデヒドとを反応させることにより、下記一般式（３ｂ）で示されるアニリン誘導体を合成する工程（工程３−１）と、合成した一般式（３ｂ）で示されるアニリン誘導体を還元して一般式（３ａａ）で示されるアニリン誘導体を製造する工程（工程３−２）を順に行う。
【００５１】
【化２５】
2019156841.tif 000027
【００５２】
一般式（３）、（３ｂ）及び（３ａａ）において、Ｒ１はアゾベンゼン誘導体の第１製造方法における一般式（１ａ）のＲ１と同義である。すなわち、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。その説明と好ましい範囲、具体例については、アゾベンゼン誘導体の第１製造方法の一般式（１ａ）についての対応する記載を参照することができる。
一般式（３ｂ）、（３ａａ）及び（６）において、Ｒ２ａａは置換されていてもよいアリールメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
【００５３】
工程３−１の反応は、一般式（３）で示されるアニリン誘導体と一般式（６）で示される芳香族アルデヒドとの縮合反応である。工程３−１で用いる一般式（６）で示される芳香族アルデヒドの使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（３）で示されるアニリン誘導体に対して、１〜１．５モル等量用いればよい。
工程３−１の反応は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば特に限定されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン等の芳香族有機溶媒、メタノール、エタノール又はイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒等を例示することができる。中でも、一般式（３ｂ）で示されるアニリン誘導体を収率よく得られる点で、メタノール、エタノールやイソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒が好ましい。これらの有機溶媒は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
また、工程３−１の反応は、酸の存在下に行うことがより好ましい。これにより、反応を促進させることができる。酸としては、酢酸、クロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などのカルボン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸、塩酸、硫酸等の鉱酸を例示することができる。
工程３−１の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができ、高い収率が得られることから、溶媒の還流温度となるように温度制御しながら反応を行うことが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、２〜１５時間が適当である。
【００５４】
工程３−１の反応により得られたアニリン誘導体は、精製せずに次の反応に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
【００５５】
工程３−２における一般式（３ｂ）で示されるアニリン誘導体の還元は、例えば、Journal of Organic Chemistry,55,2034-2044;1990、Journal of Organic Chemistry,37,1673-1674;1972に記載されるように、水素化ホウ素ナトリウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、トリアセトキシ水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、２−ピコリンボラン等の還元剤を用いて行うことができ、その他の公知の還元方法を用いてもよい。還元剤の使用量に特に制限はなく、一般式（３ｂ）で示されるアニリン誘導体に対して１〜１．５モル等量用いればよい。
工程３−２の反応は、有機溶媒中で実施することができる。有機溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば特に限定されるものではなく、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の非プロトン性溶媒等を例示することができる。目的の一般式（３ａａ）で示されるアニリン誘導体を収率良く得られる点で、メタノール、エタノール又はイソプロピルアルコールが好ましい。これらの溶媒は１種類を使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
工程３−２の反応温度は、室温から使用する溶媒還流温度の範囲から適宜選択することができ、高い収率が得られることから、溶媒の還流温度となるように温度制御しながら反応を行うことが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜４８時間が適当である。
【００５６】
工程３−２の反応により得られたアニリン誘導体は、精製せずに次の反応（アゾベンゼン誘導体の第１製造方法）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
【００５７】
［アニリン誘導体の第２製造方法］
アニリン誘導体の第２製造方法では、一般式（３ａ）で示されるアニリン誘導体のうち、Ｒ２ａがアルカリ金属オキシスルホニルメチル基である化合物、すなわち下記一般式（３ａｂ）で示されるアニリン誘導体を製造する。具体的には、下記一般式（３）で示されるアニリン誘導体をホルムアルデヒド及び亜硫酸水素アルカリ金属と反応させる工程（工程４−１）により、下記一般式（３ａｂ）で示されるアニリン誘導体を製造する。
【００５８】
【化２６】
2019156841.tif 000028
【００５９】
一般式（３）及び（３ａｂ）において、Ｒ１はアゾベンゼン誘導体の第１製造方法における一般式（１ａ）のＲ１と同義である。すなわち、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。その説明と好ましい範囲、具体例については、アゾベンゼン誘導体の第１製造方法の一般式（１ａ）についての対応する記載を参照することができる。Ｍは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属を表す。
一般式（３ａｂ）において、Ｒ２ａｂはアルカリ金属オキシスルホニルメチル基を表す。
【００６０】
工程４−１の反応は、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基をアニリン誘導体に付加する反応であり、例えばJournal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry, 185, 338-344; 2007やJournal of the American Chemical Society, 135, 9777-9784; 2013等に記載されたアルカリ金属オキシスルホニルメチル基をアニリン又はアニリン誘導体に付加する方法を参照して行うことができる。
工程４−１では、ホルムアルデヒドの代わりに、複数のホルムアルデヒドが重合したトリオキサンやパラホルムアルデヒドを用いることもできる。また、ホルムアルデヒドの水溶液、いわゆるホルマリンを用いてもよい。ホルマリンの濃度に特に制限はなく、市販の３７％ホルマリンが入手容易で取り扱いが簡便な点で好ましい。ホルムアルデヒドの使用量に特に制限はなく、例えば原料となる一般式（３）で示されるアニリン誘導体に対して、１〜１．５モル等量用いればよい。
工程４−１で用いる亜硫酸水素アルカリ金属として、亜硫酸水素ナトリウムや亜硫酸水素カリウム等を例示することができる。例えば、市販の亜硫酸水素ナトリウム等を固体のまま使用してもよいし、水溶液として使用してもよい。亜硫酸水素アルカリ金属の使用量に特に制限はなく、原料となる一般式（３）で示されるアニリン誘導体（３）に対して、１〜２モル等量用いればよい。
また、工程４−１で用いるホルムアルデヒド及び亜硫酸水素アルカリ金属の代わりに、市販のヒドロキシメタンスルホン酸アルカリ金属を用いてもよいが、製造コストが抑えられる点から、ホルムアルデヒド及び亜硫酸水素アルカリ金属を組み合わせて用いるのが好ましい。ヒドロキシメタンスルホン酸アルカリ金属の使用量に特に制限はなく、原料となる一般式（３）で示されるアニリン誘導体（３）に対して、１〜１．５モル等量用いればよい。
工程４−１の反応は、水溶液中で実施することができる。
反応温度は、室温から１００℃の範囲で適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜３時間が適当である。
【００６１】
工程４−１の反応により得られたアニリン誘導体は、精製せずに次の反応（アゾベンゼン誘導体の第１製造方法）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。
【００６２】
４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造方法
次に、一般式（１）で示されるアゾベンゼン誘導体を中間体として用いる４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造方法を、一般式（１ｂ）または一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体を中間体に用いる場合を例にして説明する。
【００６３】
［４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第１製造方法］
４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第１製造方法では、中間体である下記一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体のニトロ基を、還元反応によりアミノ基に変換する工程（工程５−１）により、下記一般式（４）で示される４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を製造する。
【００６４】
【化２７】
2019156841.tif 000029
【００６５】
一般式（１ｂ）及び（４）のＲ１は、アゾベンゼン誘導体の第２製造方法における一般式（１ｂ）のＲ１と同義である。すなわち、Ｒ１は、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。その説明と好ましい範囲、具体例については、アゾベンゼン誘導体の第２製造方法の一般式（１ｂ）についての対応する記載を参照することができる。
【００６６】
工程５−１で行うニトロ基の還元には、硫化ナトリウムなどの硫化物、亜ジチオン酸ナトリウムなどの無機塩等を還元剤に用いる試薬による還元や、水素ガス雰囲気下でＰｄ／Ｃ触媒、ラネーニッケルなどを用いて還元する接触還元、塩酸、酢酸等の酸存在下で鉄、亜鉛、又は塩化スズ等を用いて還元する金属還元など多様な還元法を利用することができるが、アゾ結合の還元を抑制しつつニトロ基を還元できることから、硫化物などの還元剤を用いて行う、試薬による還元によることが好ましい。試薬による還元の具体的な条件については、例えば、特開２０１４−１２２１８号公報、特開２０１４−０５５１２３号公報等の記載を参照することができる。
還元剤としての硫化物は特に限定されず、水硫化物、硫化物、二硫化物及び多硫化物がいずれも使用可能である。具体的には、例えば、水硫化物としては、水硫化ナトリウムや水硫化カリウム、水硫化アンモニウムなどが挙げられ、硫化物としては、硫化ナトリウムや硫化カリウム、硫化アンモニウムなどが挙げられる。これらは無水物でも結晶水を含有したものであってもよい。二硫化物としては、二硫化ナトリウムや二硫化カリウム、二硫化アンモニウムなどが挙げられ、多硫化物としては、三硫化ナトリウムや三硫化カリウム、三硫化アンモニウム、四硫化ナトリウム、四硫化カリウム、四硫化アンモニウムなどが挙げられる。二硫化物及び多硫化物は、市販のものを用いてもよいが、硫化物と硫黄から調製したものを用いてもよい。これらの硫化物は１種類を単独で使用しても２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
還元剤としての硫化物の使用量については、特に制限はないが、原料としての一般式（１ｂ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して、硫黄原子換算で２．５〜１０モル等量が好ましく、２．５〜５モル等量がより好ましい。硫化物は、水溶液として使用することが好ましく、その硫化物水溶液の濃度は、１０％〜４０％が好ましく、１８％〜２８％がより好ましい。
工程５−１の反応は、反応に害を及ぼさない有機溶媒中で実施することもできる。有機溶媒としては、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼンなどのハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒が挙げられる。これらの有機溶媒は、１種類を単独で使用してもよいし、２種類以上を混合して使用してもよい。
工程５−１の反応温度は、５０℃から１５０℃の範囲から適宜選択することができ、９０℃から１１０℃の範囲から選択することが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、例えば０．５〜２時間の範囲とするのが適当である。
【００６７】
第１製造方法で得られた一般式（４）で示される４，４’−ジアミノアゾベンゼン類は精製することも好ましい。例えば、抽出や洗浄などの慣用の後処理方法によって、過剰の硫化物などを除去することにより、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を効率よく単離することができる。また、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶、活性炭処理などの通常の方法により、精製することもできる。
【００６８】
［４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第２製造方法］
４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第２製造方法では、第１製造方法で得られる４，４’−ジアミノアゾベンゼン類のうち、Ｒ１が水素原子である化合物の水酸基をアルコキシ基に変換して、２位にアルコキシメチル基を有する４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を製造する。具体的には、下記一般式（４ａ）で示される４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を、塩基の存在下で、下記一般式（５）で示される化合物と反応させる工程（工程６−１）により、下記一般式（４ｂ）で示される４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を製造する。
【化２８】
2019156841.tif 000030
【００６９】
一般式（４ａ）のＲ１ａは水素原子を表す。
一般式（４ｂ）及び（５）のＲ１ｂは置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。Ｒ１ｂが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ１についての対応する記載を参照することができる。
一般式（５）のＬは脱離基を表す。Ｌで表される脱離基としては、臭素原子やヨウ素原子などのハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基やトリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基などのスルホニルオキシ基を例示することができる。
工程６−１の反応は塩基の存在下で実施する。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水素化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属アルコキシド、水酸化テトラブチルアンモニウムなどを例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料である一般式（４ａ）で示されるアゾベンゼン誘導体に対して１〜５モル等量用いればよい。
工程６−１の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。これらの溶媒は、単独又は２種以上混合して使用してもよい。
工程６−１の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができ、高い収率が得られることから、溶媒還流温度となるに温度制御しながら反応を実施することが好ましい。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１〜２４時間が適当である。
【００７０】
第２製造方法で得られた一般式（４ｂ）で示される４，４’−ジアミノアゾベンゼン類は精製することも好ましい。この４，４’−ジアミノアゾベンゼン類は、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶、活性炭処理などの通常の方法により、精製することができる。
【００７１】
［４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第３製造方法］
４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の第３製造方法では、中間体である下記一般式（１ｄ）で示されるアゾベンゼン誘導体の保護基を脱保護する工程（工程８−１）により、下記一般式（４ｂ）で示される４，４−ジアミノアゾベンゼン類を製造する。
【００７２】
【化２９】
2019156841.tif 000031
【００７３】
一般式（１ｄ）および一般式（４ｂ）のＲ１ｂは、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアシル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（１ｄ）のＲ２ａは置換されていてもよいアリールメチル基、アルカリ金属オキシスルホニルメチル基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニル基を表す。
一般式（１ｄ）のＲ３ａは置換されていてもよいアリールメチルアミノ基、アルカリ金属オキシスルホニルメチルアミノ基又は置換されていてもよいアルコキシカルボニルアミノ基を表す。
ここで、Ｒ１ｂが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ１についての対応する記載を参照することができ、Ｒ２ａが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ２についての対応する記載を参照することができ、Ｒ３ａが表す各基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式（１）のＲ３についての対応する記載を参照することができる。
【００７４】
工程８−１で行う脱保護法については、［アゾベンゼン誘導体の第２製造方法］の欄における工程１−２についての記載を参照することができる。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例、参考例及び比較例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定して解釈されるものではない。例えば、以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。
【００７６】
［１］アゾベンゼン誘導体の製造例１
以下の実施例１、２では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ１を製造し（実施例１）、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ１のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した（実施例２）。
また、実施例３では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ４を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ４のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した。
【００７７】
アニリン誘導体１の合成
ここでは、実施例１において、アゾベンゼン誘導体Ｂ１の原料として用いるアニリン誘導体１を合成した。
【００７８】
【化３０】
2019156841.tif 000032
【００７９】
アルゴン雰囲気下、３−ニトロベンジルアルコール（50.0 g, 326 mmol）のジクロロメタン（1L）溶液に、氷冷下（氷浴）で、トリエチルアミン（49.5 g, 489 mmol）及びメタンスルホニルクロリド（41.1 g, 359 mmol）を加え、1時間撹拌した後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。この反応溶液に酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮することにより、メタンスルホン酸３−ニトロベンジルの粗生成物を得た。
得られたメタンスルホン酸３−ニトロベンジルの粗生成物にエタノール（500 mL）を加え、ナトリウムエトキシド（18.5 g, 342 mmol）のエタノール（200 mL）溶液を室温で滴下した後、20時間加熱還流した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、飽和塩化アンモニウム水溶液を加えた。析出した不溶物をろ過によって除去した後、母液を減圧下濃縮した。得られた濃縮物に酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、濃縮することにより、粗生成物を得た。この粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝100:0〜83:17の溶媒（ヘキサン単独又はヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、エチル（３−ニトロベンジル）エーテルの淡黄色油状物を収量56.4 g、収率94％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.22 (m, 1H), 8.14 (m, 1H), 7.68 (m, 1H), 7.52 (m, 1H), 4.59 (s, 2H), 3.60 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.29 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【００８０】
【化３１】
2019156841.tif 000033
【００８１】
アルゴン雰囲気下、エチル（３−ニトロベンジル）エーテル（36.2g, 200 mmol）のメタノール（200 mL）溶液に、塩化アンモニウム（53.5 g, 1.00 mol）の水（460 mL）溶液と、還元鉄（33.5 g, 600 mmol）を加え、90℃の油浴中で4時間半撹拌した。反応終了後、反応液を室温に冷却し、セライトろ過にて不溶物を除去した。母液を濃縮した後、酢酸エチル（300 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することにより、粗生成物を得た。この粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝95:5〜60:40の混合溶媒を溶離液に用いてカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、３−（エトキシメチル）アニリンを収量25.2 g、収率83％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.12 (m, 1H), 6.73-6.61 (m, 2H), 6.60 (m, 1H), 4.42 (s, 2H), 3.65 (brs, 2H), 3.53 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.24 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【００８２】
【化３２】
2019156841.tif 000034
【００８３】
アルゴン雰囲気下、３−（エトキシメチル）アニリン（30.0 g, 198 mmol）のイソプロピルアルコール（300 mL）溶液にクロロ酢酸（374 mg, 3.96 mmol）と４−メトキシベンズアルデヒド（25.3 mL, 208 mmol）を加え、撹拌しながら14時間加熱還流した後、クロロ酢酸（1.50 g, 15.8 mmol）を加え、更に2時間撹拌しながら加熱還流した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、減圧下濃縮することにより、３−（エトキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物を得た。
得られた３−（エトキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物をエタノール（200 mL）に溶解し、その溶液を氷冷した後、水素化ホウ素ナトリウム（7.49 g, 198 mmol）を少量ずつ加えた。反応溶液を室温で3時間撹拌した後、更に12時間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を氷冷し、水（200 mL）をゆっくり加え、減圧下濃縮した。得られた反応溶液にクロロホルム（250 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮し、得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝94:6〜73:27の混合溶媒を溶離液に用いてカラムクロマトグラフィーにて精製した。以上の工程により、３−（エトキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体１）の黄色油状物を収量45.6 gｇ、収率：85％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.29 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.14 (m, 1H), 6.88 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.71-6.63 (m, 2H), 6.55 (m, 1H), 4.43 (s, 2H), 4.26 (s, 2H), 3.95 (brs, 1H), 3.80 (s, 2H), 3.51 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.22 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【００８４】
（実施例１）アゾベンゼン誘導体Ｂ１の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩１と、合成したアニリン誘導体１とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ１を製造した。
【００８５】
【化３３】
2019156841.tif 000035
【００８６】
４−ニトロアニリン（15.1 g, 109 mmol）、酢酸（140 mL）及びプロピオン酸（72 mL）の混合溶液に、硫酸（20 mL）を氷冷下（氷浴）で加えた。次いで、この溶液に、亜硝酸ナトリウム（9.04 g, 131 mmol）の水（24 mL）の溶液を氷冷下（氷浴）でゆっくりと加え、5分間撹拌した後、尿素（2.16 g, 36.0 mmol）を加え、更に5分間撹拌し、４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩（ベンゼンジアゾニウム塩１）の水溶液を調製した。
得られた４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩の水溶液を、氷冷した３−（エトキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体１：29.7 g, 109 mmol）のエタノール（200 mL）の溶液に撹拌しながらゆっくりと加えた。反応溶液を氷冷下（氷浴）で3時間撹拌した後、水酸化ナトリウム（40 g）の水（200 mL）溶液を加えた。反応混合物を減圧下濃縮し、酢酸エチル（300 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することにより、粗製の２−（エトキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ１）の紫色固体を収量42.9 gで得た。得られた２−（エトキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.33 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.89 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.79 (m, 1H), 7.32-7.27 (m, 2H), 6.93-6.88 (m, 3H), 6.57 (m, 1H), 5.08 (s, 2H), 4.68 (brs, 1H), 4.40 (s, 2H), 3.82 (s, 3H), 3.66 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.28 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【００８７】
（実施例２）アゾベンゼン誘導体Ａ１の製造
本実施例では、実施例１で製造したアゾベンゼン誘導体Ｂ１のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した。
【００８８】
【化３４】
2019156841.tif 000036
【００８９】
２−（エトキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ１：42.9 g, 102 mmol）のジクロロメタン（600 mL）溶液に水（380 mL）とＤＤＱ（23.6 g, 104 mmol）を加え、室温で3時間半撹拌した。反応終了後、反応混合物にクロロホルム（200 mL）を加えた後、セライトろ過し、不溶物を除去した。母液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層と水層を分離した。水層にクロロホルム（200 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮することにより、４−アミノ−２−（エトキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ１）の紫色固体を収量30.6 gで得た。得られた４−アミノ−２−（エトキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.90 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.76 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.94 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.07 (s, 2H), 4.25 (brs, 2H), 3.69 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.31 (t, J = 7.0Hz, 3H)．
【００９０】
（実施例３）アゾベンゼン誘導体Ｂ４の製造、Ａ１の他工程による製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩２と、アニリン誘導体１の合成の欄に記載した方法により調製した３−（エトキシメチル）アニリンから合成したアニリン誘導体７とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ４を得、次いでアゾベンゼン誘導体Ｂ４のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した。
【００９１】
【化３５】
2019156841.tif 000037
【００９２】
４−ニトロアニリン（13.8 g, 100 mmol）の水（100 mL）懸濁液に、室温で攪拌しながら濃塩酸（24 mL）を加え、0℃の氷浴にて冷却した。次いで、氷浴で冷却しながら、反応溶液に亜硝酸ナトリウム（6.90 g, 100 mmol）の水（33 mL）溶液を滴下した後、0℃で30分間攪拌することにより、４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を得た。この水溶液は全量を次の反応に使用した。
メカニカルスターラーを備えた1Lセパラブルフラスコに３−（エトキシメチル）アニリン（15.1 g, 100 mmol）、ホルムアルデヒド重亜硫酸ナトリウム（13.8 g, 100 mmol）、水（23.5 mL）を加え、70℃で1時間半激しく攪拌することでアニリン誘導体７を合成し、0℃の氷浴で冷却した。冷却の後、水（150 mL）を加え、先に調製した４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を0℃で5分かけて滴下した。反応混合物を室温まで徐々に昇温させながら3時間攪拌した。
得られたアゾベンゼン誘導体Ｂ４を含む反応溶液を0℃の氷浴で冷却した後、トルエン（150 mL）と48％水酸化ナトリウム水溶液（55.2 mL, 1.00 mol）を加え、70℃まで昇温させて、2時間攪拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、蒸留水（600 mL）を加え、酢酸エチル（600 mL）で抽出した。有機層を水（300 mL）で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターで減圧濃縮することにより、粗製の４−アミノ−２−（エトキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ１）の紫色固体を収量26.4 gで得た。ＮＭＲスペクトルは実施例２に記載したとおりである。
【００９３】
［２］アゾベンゼン誘導体の製造例２
以下の実施例４、５では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ３を製造し（実施例４）、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ３のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ３を製造した（実施例５）。
また、実施例６では、アミノ基の脱保護に用いる水酸化ナトリウムの使用量を変更したこと以外は、実施例４、５と同様にしてアゾベンゼン誘導体Ｂ３、Ａ３を製造した。
【００９４】
アニリン誘導体２の合成
ここでは、実施例４において、アゾベンゼン誘導体Ｂ３の原料として用いるアニリン誘導体２を合成した。
【００９５】
【化３６】
2019156841.tif 000038
【００９６】
アルゴン雰囲気下、55％油性水素化ナトリウム（5.59 g, 128 mmol）をヘキサンで洗浄した後、氷冷下（氷浴）で、プロピルアルコール（200 mL）をゆっくり加え、20分間撹拌した。次いで、この混合物に３−ニトロベンジルブロミド（25.0 g, 116 mmol）を加え、徐々に室温まで昇温させながら3時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷（氷浴）し、飽和塩化アンモニウム水溶液（200 mL）を加えた。析出した不溶物をろ過によって取り除いた後、母液を減圧濃縮し、酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（150 mL）及び飽和食塩水（150 mL）で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去することにより、３−ニトロベンジル（プロピル）エーテルの淡黄色油状物を収量22.6 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.22 (m, 1H), 8.14 (m, 1H), 7.68 (m, 1H), 7.52 (m, 1H), 4.59 (s, 2H), 3.49 (t, J = 6.7Hz, 2H), 1.68 (qt, J = 7.4 and 6.7Hz, 2H), 0.97 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【００９７】
【化３７】
2019156841.tif 000039
【００９８】
アルゴン雰囲気下、３−ニトロベンジル（プロピル）エーテル（22.6 g, 116 mmol）のエタノール（200 mL）溶液に、還元鉄（19.4 g, 348 mmol）と2Ｍ塩酸（50 mL）を加え、90℃（油浴）で2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温に冷却し、炭酸カリウム（16 g）の水（75 mL）溶液を加えた。得られた反応溶液をセライトろ過した後、母液を減圧濃縮した。得られた混合物に酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水（100 mL）及び飽和食塩水（100 mL）で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去することにより、３−（プロピルオキシメチル）アニリン（アニリン誘導体２）の茶褐色油状物を収量19.2 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.12 (m, 1H), 6.73-6.61 (m, 2H), 6.60 (m, 1H), 4.42 (s, 2H), 3.65 (brs, 2H), 3.42 (t, J = 6.7Hz, 2H), 1.64 (qt, J = 7.4 and 6.7Hz, 2H), 0.94 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【００９９】
（実施例４）アゾベンゼン誘導体Ｂ３の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩２と、アニリン誘導体２から生成したアニリン誘導体３とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ３を製造した。
【０１００】
【化３８】
2019156841.tif 000040
【０１０１】
４−ニトロアニリン（1.67 g, 12.1 mmol）を水（12 mL）に懸濁させた懸濁液に、室温で撹拌しながら濃塩酸（3 mL）を加え、0℃の氷浴にて冷却した。次いで、氷浴で冷却しながら、反応溶液に、亜硝酸ナトリウム（0.835 g, 12.1 mmol）の水（4 mL）溶液を滴下した後、0℃で30分間撹拌することにより４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を得た。この水溶液はそのまま次の反応に使用した。
亜硫酸水素ナトリウム（1.75 g, 16.8 mmol）及び37％ホルマリン（1.13 ml, 15.1 mmol）の水（2 mL）溶液を50℃の油浴中で30分間撹拌した。この溶液に、70℃の油浴中で、３−（プロピルオキシメチル）アニリン（アニリン誘導体２：2.00 g, 12.1 mmol）とエタノール（1 mL）のエタノール溶液を加え、1時間半撹拌した後、氷冷下で10分間静置した。反応混合物に酢酸ナトリウム（8 g）の水（40 mL）溶液を加え、［｛３−（プロピルオキシメチル）フェニル｝アミノ］メチルスルホン酸ナトリウム（アニリン誘導体３）の懸濁液を得た。
得られた［｛３−（プロピルオキシメチル）フェニル｝アミノ］メチルスルホン酸ナトリウムの懸濁液に、別途調製した４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を氷冷下（氷浴）で10分かけて滴下した。反応混合物を室温まで徐々に昇温させながら3時間撹拌し、析出した固体をろ取した。この固体を蒸留水で洗浄し、減圧乾燥することにより、粗製の２−（プロピルオキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ３）の茶褐色固体を収量5.21 gで得た。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 8.35 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.91 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.68 (d, J = 9.1Hz, 1H), 7.67 (t, J = 6.9Hz, 1H), 6.96 (d, J = 2.5Hz, 1H), 6.79 (dd, J = 9.1 and 2.5Hz, 1H), 4.95 (s, 2H), 4.03 (d, J = 6.9Hz, 2H), 3.50 (t, J = 6.5Hz, 2H), 1.60 (qt, J = 7.4 and 6.5Hz, 2H), 0.91 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【０１０２】
（実施例５）アゾベンゼン誘導体Ａ３の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ｂ３のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ３を製造した。
【０１０３】
【化３９】
2019156841.tif 000041
【０１０４】
２−（プロピルオキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ３：5.21 g, 12.1 mmol）に、水酸化ナトリウム（1.09 g, 27.2 mmol）の水（15 mL）溶液を室温で加え、次いで80℃の油浴中で2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水（100 mL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を水（100 mL）で洗浄した後、酢酸エチル（200 mL）に溶解させた。得られた酢酸エチル溶液を水（50 mL）及び飽和食塩水（100 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより、４−アミノ−２−（プロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ３）の茶褐色固体を収量2.46 g、収率65％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.90 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.76 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.94 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.07 (s, 2H), 4.26 (brs, 2H), 3.58 (t, J = 6.7Hz, 2H), 1.71 (qt, J = 7.4 and 6.7Hz, 2H), 0.98 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【０１０５】
（実施例６）アゾベンゼン誘導体Ａ３の他工程による製造
本実施例では、実施例４と同様にしてアゾベンゼン誘導体Ｂ３を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ３のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ３を製造した。
【０１０６】
【化４０】
2019156841.tif 000042
【０１０７】
実施例４と同様にして、２−（プロピルオキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ３）の水溶液を得た。
得られた２−（プロピルオキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼンの水溶液に、水酸化ナトリウム（2.42 g, 60.5 mmol）の水（20 mL）溶液を室温で加え、次いで80℃の油浴中で2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水（100 mL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を水（100 mL）で洗浄した後、酢酸エチル（200 mL）に溶解させた。得られた酢酸エチル溶液を水（50 mL）及び飽和食塩水（100 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧濃縮することにより、４−アミノ−２−（プロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼンの茶褐色固体（アゾベンゼン誘導体Ａ３）を収量3.25 g、収率86％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.90 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.76 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.94 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.07(s, 2H), 4.26 (brs, 2H), 3.58(t, J = 6.7Hz, 2H), 1.71 (qt, J = 7.4 and 6.7Hz, 2H), 0.98 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【０１０８】
［３］アゾベンゼン誘導体の製造例３
以下の実施例７、８では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ２を製造し（実施例７）、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ２のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ２を製造した（実施例８）。
【０１０９】
アニリン誘導体４の合成
ここでは、実施例７において、アゾベンゼン誘導体Ｂ２の原料として用いるアニリン誘導体４を合成した。
【０１１０】
【化４１】
2019156841.tif 000043
【０１１１】
アルゴン雰囲気下、55％油性水素化ナトリウム（5.59 g, 128 mmol）をヘキサンで洗浄した後、氷冷下（氷浴）で、イソプロピルアルコール（200 mL）をゆっくり加え、20分間撹拌した。次いで、３−ニトロベンジルブロミド（25.0 g, 116 mmol）を加え、徐々に室温まで昇温させながら3時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷（氷浴）し、飽和塩化アンモニウム水溶液（200 mL）を加えた。析出した不溶物をろ過によって取り除いた後、母液を減圧濃縮し、酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（200 mL）及び飽和食塩水（200 mL）で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去することにより、イソプロピル（３−ニトロベンジル）エーテルの淡黄色油状物を収量22.6 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.22 (m, 1H), 8.13 (m, 1H), 7.68 (m, 1H), 7.51 (m, 1H), 4.59 (s, 2H), 3.73 (sep, J = 6.1Hz, 1H), 1.25 (d, J = 6.1Hz, 6H).
【０１１２】
【化４２】
2019156841.tif 000044
【０１１３】
アルゴン雰囲気下、イソプロピル（３−ニトロベンジル）エーテル（44.2 g, 216 mmol）とエタノール（200 mL）のエタノール溶液に、還元鉄（32.7 g, 585 mmol）と2Ｎ塩酸（100 mL）を加え、90℃の油浴中で3時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温に冷却し、炭酸カリウム（32 g）と水（150 mL）の水溶液を加えた。得られた反応溶液をセライトろ過した後、母液を減圧濃縮した。得られた混合物に酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水（100 mL）及び飽和食塩水（100 mL）で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去することにより得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝84:16〜63:37の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより３−（イソプロピルオキシメチル）アニリンの茶褐色油状物を収量31.5 g、収率：88％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.11 (m, 1H), 6.74-6.68 (m, 2H), 6.59 (m, 1H), 4.43 (s, 2H), 3.67 (sep, J = 6.1Hz, 1H), 3.65 (brs, 2H), 1.21 (d, J = 6.1Hz, 6H).
【０１１４】
【化４３】
2019156841.tif 000045
【０１１５】
アルゴン雰囲気下、３−（イソプロピルオキシ）アニリン（31.5 g, 191 mmol）とイソプロピルアルコール（190 mL）の溶液にクロロ酢酸（1.80 g, 19.1 mmol）と４−メトキシベンズアルデヒド（24.4 mL, 201 mmol）を加え、撹拌しながら13時間加熱還流した後、減圧下濃縮することにより、３−（イソプロピルオキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物を得た。
得られた３−（イソプロピルオキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物をエタノール（200 mL）に溶解し、その溶液を氷冷した後、水素化ホウ素ナトリウム（7.23 g, 191 mmol）を少量ずつ加えた。反応溶液を室温で4時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷し、飽和塩化アンモニウム水溶液（150 mL）をゆっくり加え、減圧下濃縮した。得られた濃縮物に酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮し、得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝100:0〜90:10の溶媒（ヘキサンの単独溶媒又はヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を溶離液に用いてカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、目的の３−（イソプロピルオキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体４）の黄色油状物を収量50 4 g、収率：92％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.39 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.13 (m, 1H), 6.88 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.70-6.64 (m, 2H), 6.54 (m, 1H), 4.44 (s, 2H), 4.25 (s, 2H), 3.95 (brs, 2H), 3.80 (s, 3H), 3.66 (sep, J = 6.1Hz, 2H), 1.19 (d, J = 6.1Hz, 6H).
【０１１６】
（実施例７）アゾベンゼン誘導体Ｂ２の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩１と、合成したアニリン誘導体４とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ２を製造した。
【０１１７】
【化４４】
2019156841.tif 000046
【０１１８】
４−ニトロアニリン（2.71 g, 19.6 mmol）、酢酸（25 mL）及びプロピオン酸（13 mL）の混合溶液に、硫酸（3.6 mL）を氷冷下（氷浴）で加えた。次いで、この溶液に、亜硝酸ナトリウム（1.62 g, 23.5 mmol）の水（4 mL）溶液を氷冷下（氷浴）でゆっくりと加え、5分間撹拌した後、尿素（466 mg, 7.76 mmol）を加え、更に5分間撹拌し４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩（ベンゼンジアゾニウム塩１）の溶液を得た。
得られた４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩の溶液を、氷冷した３−（イソプロピルオキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体４：5.58 g, 19.6 mmol）のエタノール（40 mL）溶液に撹拌しながらゆっくりと加えた。反応溶液を氷冷下（氷浴）で3時間撹拌した後、蒸留水（200 mL）を加え、反応系中の固体をろ取した。この固体を水（500 mL）、エタノール（50 mL）、ヘキサン（100 mL）で順次洗浄し、減圧下乾燥することにより、粗製の２−（イソプロピルオキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ２）の紫色固体を収量7.86 gで得た。得られた２−（イソプロピルオキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.33 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.89 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.79 (m, 1H), 7.32-7.27 (m, 2H), 6.93-6.87 (m, 3H), 6.56 (m, 1H), 5.07 (s, 2H), 4.68 (brs, 1H), 4.40 (s, 2H), 3.82 (s, 3H), 3.78 (sep, J = 6.1Hz, 1H), 1.25 (d, J = 6.1Hz, 3H).
【０１１９】
（実施例８）アゾベンゼン誘導体Ａ２の製造
本実施例では、実施例７で製造したアゾベンゼン誘導体Ｂ２のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ２を製造した。
【０１２０】
【化４５】
2019156841.tif 000047
【０１２１】
２−（イソプロピルオキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｂ２：7.00 g, 16.1 mmol）のジクロロメタン（100 mL）溶液に水（50 mL）とＤＤＱ（3.70 g, 16.3 mmol）を加え、室温で3時間撹拌した。反応終了後、反応混合物にクロロホルム（300 mL）を加えた後、セライトろ過し、不溶物を除去した。母液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、有機層と水層を分離した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮することにより、粗製の４−アミノ−２−（イソプロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ２）の紫色固体を収量5.06 gで得た。得られた４−アミノ−２−（イソプロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.90 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.75 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.96 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.60 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.07 (s, 2H), 4.26 (brs, 2H), 3.81 (sep, J = 6.1Hz, 1H), 1.28 (d, J = 6.1Hz, 3H).
【０１２２】
［４］アゾベンゼン誘導体の製造例４
以下の実施例９では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ５を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ５のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ４を製造した。
【０１２３】
アニリン誘導体８の合成
ここでは、実施例９において、アゾベンゼン誘導体Ｂ５の原料として用いるアニリン誘導体８を合成した。
【０１２４】
【化４６】
2019156841.tif 000048
【０１２５】
アルゴン雰囲気下、55％油性水素化ナトリウム（7.77 g, 178 mmol）をヘキサンで洗浄した後、氷冷下（氷浴）でイソブチルアルコール（290 mL）をゆっくり加え、15分間撹拌した。次いで、この混合物に３−ニトロベンジルブロミド（35.0 g, 162 mmol）を加え、徐々に室温まで昇温させながら3時間半撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷（氷浴）し、飽和塩化アンモニウム水溶液（300 mL）を加えた。析出した不溶物をろ過によって取り除いた後、母液を減圧濃縮し、酢酸エチル（150 mL）を用いて３回抽出を行った。合一した有機層を水（150 mL）及び飽和食塩水（150 mL）で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去することにより、イソブチル（３−ニトロベンジル）エーテルの淡黄色油状物を収量33.8 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.21 (m, 1H), 8.14 (m, 1H), 7.68 (m, 1H), 7.52 (m, 1H), 4.59 (s, 2H), 3.29 (d, J = 6.6Hz, 2H), 1.94 (m, 1H), 0.95 (d, J = 6.7Hz, 6H).
【０１２６】
【化４７】
2019156841.tif 000049
【０１２７】
アルゴン雰囲気下、イソブチル（３−ニトロベンジル）エーテル（33.8 g, 162 mmol）のエタノール（130 mL）溶液に、還元鉄（27.1 g, 486 mmol）と2Ｍ塩酸（90 mL）を加え、90℃（油浴）で2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温に冷却し、炭酸カリウム（29 g）の水（125 mL）溶液を加えた。得られた反応溶液をセライトろ過した後、母液を減圧濃縮した。得られた混合物に酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水（100 mL）及び飽和食塩水（50 mL）で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去することにより、３−（イソブチルオキシメチル）アニリン（アニリン誘導体８）の茶褐色油状物を収量28.3 g、収率98％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.12 (m, 1H), 6.72 (m, 1H), 6.69 (m, 1H), 6.60 (m, 1H), 4.42 (s, 2H), 3.65 (brs, 2H), 3.22 (t, J = 6.7Hz, 2H), 1.91 (m, 1H), 0.92 (d, J = 6.7Hz, 6H).
【０１２８】
（実施例９）アゾベンゼン誘導体Ｂ５、Ａ４の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩２と、アニリン誘導体８から合成したアニリン誘導体９とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ５を得、次いでアゾベンゼン誘導体Ｂ５のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ４を製造した。
【０１２９】
【化４８】
2019156841.tif 000050
【０１３０】
４−ニトロアニリン（25.6 g, 185 mmol）の水（180 mL）懸濁液に、室温で撹拌しながら濃塩酸（46 mL）を加え、0℃の氷浴にて冷却した。次いで、氷浴で冷却しながら、反応溶液に、亜硝酸ナトリウム（12.8 g, 185 mmol）の水（60 mL）溶液を滴下した後、0℃で30分間撹拌することにより、４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を得た。この水溶液はそのまま次の反応に使用した。
亜硫酸水素ナトリウム（26.7 g, 257 mmol）及び37％ホルマリン（17.1 mL, 216 mmol）の水（30 mL）溶液を50℃の油浴中で30分間撹拌した。この溶液に、70℃の油浴中で、３−（イソブチルオキシメチル）アニリン（アニリン誘導体８：33.1 g, 185 mmol）のエタノール（15 mL）溶液を加え、1時間半撹拌した後、氷冷下で酢酸ナトリウム（120 g）の水（600 mL）溶液を加えてアニリン誘導体９の懸濁液を得た。得られたアニリン誘導体９の懸濁液に、別途調製した４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を氷冷下（氷浴）で10分かけて滴下した。反応混合物を室温まで徐々に昇温させながら3時間半撹拌した。
得られたアゾベンゼン誘導体Ｂ５を含む反応溶液に、水酸化ナトリウム（37.0 g, 925 mmol）の水（300 mL）溶液を室温で加え、次いで80℃の油浴中で2時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水（1L）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を水（1L）で洗浄し、減圧乾燥することにより、粗製の４−アミノ−２−（イソブチルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ４）の茶褐色固体を収量60.7 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.91 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.80 (d, J = 8.9Hz, 1H), 6.94 (d, J = 2.5Hz, 1H), 6.64 (dd, J = 8.9 and 2.5Hz, 1H), 5.09 (s, 2H), 3.39 (d, J = 6.7Hz, 2H), 1.98 (m, 1H), 0.96 (d, J = 6.7Hz, 6H).
【０１３１】
［５］アゾベンゼン誘導体の製造例５
以下の実施例１０では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｂ６を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｂ６のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ａ５を製造した。
【０１３２】
アニリン誘導体１０の合成
ここでは、実施例１０において、アゾベンゼン誘導体Ｂ６の原料として用いるアニリン誘導体１０を合成した。
【０１３３】
【化４９】
2019156841.tif 000051
【０１３４】
アルゴン雰囲気下、55％油性水素化ナトリウム（5.59 g, 128 mmol）をヘキサンで洗浄し、ＴＨＦ（150 mL）に懸濁させた後、氷冷下（氷浴）で２，２，２−トリフルオロエタノール（29.0 g, 290 mmol）をゆっくり加え、10分間撹拌した。次いで、この混合物に３−ニトロベンジルブロミド（25.0 g, 116 mmol）を加え、徐々に室温まで昇温させながら一晩撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷（氷浴）し、飽和塩化アンモニウム水溶液（100 mL）を加えた。析出した不溶物をろ過によって取り除いた後、母液を減圧濃縮し、酢酸エチル（150 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（50 mL）及び飽和食塩水（50 mL）で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で溶媒を留去することにより、３−ニトロベンジル（２，２，２−トリフルオロエチル）エーテル（アニリン誘導体１０）の淡黄色油状物を収量27.3 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.25-8.15 (m, 2H), 7.70 (m, 1H), 7.57 (m, 1H), 4.78 (s, 2H), 3.93 (q, J = 8.6Hz, 2H); 19F-NMR (376MHz, CDCl3): -73.9 (s).
【０１３５】
【化５０】
2019156841.tif 000052
【０１３６】
アルゴン雰囲気下、３−ニトロベンジル（２，２，２−トリフルオロエチル）エーテル（27.3 g,116 mmol）のエタノール（100 mL）溶液に、還元鉄（19.4 g, 348 mmol）と2Ｍ塩酸（65 mL）を加え、90℃（油浴）で2時間半撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温に冷却し、炭酸カリウム（20 g）の水（100 mL）溶液を加えた。得られた反応溶液をセライトろ過した後、母液を減圧濃縮した。得られた混合物に酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水（100 mL）及び飽和食塩水（100 mL）で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下に溶媒を留去することにより、３−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］アニリンの茶褐色油状物を収量22.4 g、収率94％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.14 (m, 1H), 6.73-6.62 (m, 3H), 4.59 (s, 2H), 3.80 (q, J = 8.7Hz, 2H), 3.69 (brs, 2H); 19F-NMR (376MHz, CDCl3): -73.9 (s).
【０１３７】
（実施例１０）アゾベンゼン誘導体Ｂ６、Ａ５の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩２と、アニリン誘導体１０から合成したアニリン誘導体１１とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｂ６を得、次いでアゾベンゼン誘導体Ｂ６のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ａ５を製造した。
【０１３８】
【化５１】
2019156841.tif 000053
【０１３９】
４−ニトロアニリン（15.1 g, 109 mmol）の水（100 mL）懸濁液に、室温で撹拌しながら濃塩酸（27 mL）を加え、0℃の氷浴にて冷却した。次いで、氷浴で冷却しながら、反応溶液に、亜硝酸ナトリウム（7.59 g, 110 mmol）の水（30 mL）溶液を滴下した後、0℃で30分間撹拌することにより４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を得た。この水溶液はそのまま次の反応に使用した。
亜硫酸水素ナトリウム（15.8 g, 152 mmol）及び37％ホルマリン（9.72 mL, 128 mmol）の水（20 mL）溶液を50℃の油浴中で30分間撹拌した。この溶液に、70℃の油浴中で、３−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］アニリン（22.4 g, 109 mmol）のエタノール（10 mL）溶液を加え、1時間半撹拌した後、氷冷下で酢酸ナトリウム（70 g）の水（350 mL）溶液を加え、得られた懸濁液に、別途調製した４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリドの水溶液を氷冷下（氷浴）で10分かけて滴下した。反応混合物を室温まで徐々に昇温させながら3時間半撹拌した。
得られたアゾベンゼン誘導体Ｂ６を含む反応溶液に、水酸化ナトリウム（22.0 g, 550 mmol）の水（150 mL）溶液を室温で加え、次いで80℃の油浴中で1時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水（1L）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を水（1L）で洗浄し、減圧乾燥することにより、粗製の４−アミノ−２−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ５）の茶褐色固体を収量38.6 gで得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.89 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.79 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.90 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.65 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.25 (s, 2H), 3.98 (d, J = 8.7Hz, 2H); 19F-NMR (376MHz, CDCl3): -73.9 (s).
【０１４０】
［６］アゾベンゼン誘導体の製造例６
以下の実施例１１、１２では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｄ１を製造し（実施例１１）、そのアゾベンゼン誘導体Ｄ１のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ｃ１を製造した（実施例１２）。
【０１４１】
アニリン誘導体５の合成
ここでは、実施例１１において、アゾベンゼン誘導体Ｄ１の原料として用いるアニリン誘導体５を合成した。
【０１４２】
【化５２】
2019156841.tif 000054
【０１４３】
アルゴン雰囲気下、３−アミノベンジルアルコール（10.0 g, 81.2 mmol）とイソプロピルアルコール（120 mL）の溶液にクロロ酢酸（767 mg, 8.12 mmol）及び４−メトキシベンズアルデヒド（10.4 mL, 85.3 mmol）を加え、撹拌しながら14時間加熱還流した。反応後、反応溶液を室温に戻し、減圧下濃縮することにより、３−（ヒドロキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物を得た。
得られた３−（ヒドロキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジリデン）アニリンの粗生成物のエタノール（120 mL）溶液を氷冷した後、水素化ホウ素ナトリウム（3.07 g, 81.2 mmol）を少量ずつ加え、室温で2日間撹拌した。反応終了後、反応溶液を氷冷し、水（100 mL）をゆっくりと加え、減圧下濃縮した。得られた反応液に、クロロホルム（100 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮し、ヘキサン：酢酸エチル＝94:6〜73:27の混合溶媒を溶離液に用いてカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、３−（ヒドロキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体５）の黄色油状物を収量18.6 g、収率94％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.28 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.16 (m, 1H), 6.88 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.70 (m, 1H), 6.66 (m, 1H), 6.56 (m, 1H), 4.60 (s, 2H), 4.26 (s, 2H), 3.99 (brs, 1H), 3.80 (s, 3H).
【０１４４】
（実施例１１）アゾベンゼン誘導体Ｄ１の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩１と、合成したアニリン誘導体５とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｄ１を製造した。
【０１４５】
【化５３】
2019156841.tif 000055
【０１４６】
４−ニトロアニリン（10.6 g, 76.4 mmol）、酢酸（93 mL）及びプロピオン酸（46 mL）の混合物を氷冷した後、硫酸（14 mL）を加えた。この溶液に亜硝酸ナトリウム（6.33 g, 91.7 mmol）の水（14 mL）溶液をゆっくり加えた後、氷冷下（氷浴）で5分間撹拌した後、尿素（1.51 g, 25.2 mmol）を加え、更に5分間撹拌し、４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩（ベンゼンジアゾニウム塩１）の水溶液を得た。
得られた４−ニトロベンゼンジアゾニウム硫酸塩の水溶液を、氷冷したＮ−（３−ヒドロキシメチル）−Ｎ−（４−メトキシベンジル）アニリン（アニリン誘導体５：18.6 g，76.4 mmol）のエタノール（150 mL）溶液にゆっくりと加え、氷冷下（氷浴）で3時間撹拌した。反応後、生じた固体をろ取し、水（2L）、エタノール（100 mL）及びヘキサン（500 mL）で洗浄し、減圧下乾燥した。得られた粗固体に酢酸エチル（200 mL）及びヘキサン（300 mL）を加えた後、析出した固体をろ取することにより、粗製の２−（ヒドロキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｄ１）を収量25.9 gで得た。得られた２−（ヒドロキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 8.34 (d, J = 8.6Hz, 2H), 7.88 (d, J = 8.6Hz, 2H), 7.67 (m, 1H), 7.29 (d, J = 8.6Hz, 2H), 6.95 (m, 1H), 6.91 (d, J = 8.6Hz, 2H), 6.62 (m, 1H), 5.00 (s, 2H), 4.37 (s, 2H), 3.73 (s, 3H).
【０１４７】
（実施例１２）アゾベンゼン誘導体Ｃ１の製造
本実施例では、実施例１１で製造したアゾベンゼン誘導体Ｄ１のアミノ基の保護基を脱保護して、アゾベンゼン誘導体Ｃ１を製造した。
【０１４８】
【化５４】
2019156841.tif 000056
【０１４９】
２−（ヒドロキシメチル）−４−（４−メトキシベンジルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｄ１：5.00 g, 12.7 mmol）とジクロロメタン（80 mL）の溶液に水（50 mL）及びＤＤＱ（2.95 g, 13.0 mmol）を加え、室温で2日間撹拌した。反応終了後、反応混合物にクロロホルム（200 mL）を加えた後、固形物をろ取した。得られた固体を酢酸エチル（300 mL）に溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水及び飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮することにより、粗製の４−アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｃ１）の紫色固体を収量2.51 gで得た。得られた４−アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼンは精製することなく次の反応に用いることができる。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.88 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.65 (m, 1H), 6.89 (m, 1H), 6.56 (brs, 2H), 6.54 (m, 1H), 5.23 (m, 1H), 5.01-4.98 (m, 2H).
【０１５０】
［７］アゾベンゼン誘導体の製造例７
以下の実施例１３では、アミノ基を保護してアゾベンゼン誘導体Ｄ２を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｄ２のアミノ基の保護基を脱保護することによりアゾベンゼン誘導体Ｃ１を製造した。また、実施例１４では、アゾベンゼン誘導体Ｃ１の２位の水酸基をエトキシ基に変換してアゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した。
【０１５１】
（実施例１３）アゾベンゼン誘導体Ｄ２、Ｃ１の製造
本実施例では、４−ニトロアニリンから生成したベンゼンジアゾニウム塩２と、３−アミノベンジルアルコールから生成したアニリン誘導体６とを反応させることにより、アゾベンゼン誘導体Ｄ２を製造し、さらに、そのアゾベンゼン誘導体Ｄ２のアミノ基の保護基を脱保護することにより、アゾベンゼン誘導体Ｃ１を製造した。
【０１５２】
【化５５】
2019156841.tif 000057
【０１５３】
４−ニトロアニリン（1.67 g, 12.1 mmol）を水（12 mL）に懸濁させた懸濁液に、室温で撹拌しながら濃塩酸（3 mL）を加えた。次いで、氷浴で冷却しながら、反応溶液に亜硝酸ナトリウム（835 mg, 12.1 mmol）の水（4 mL）溶液を滴下した後、氷冷下（氷浴）で30分間撹拌することにより４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を得た。この水溶液の全量を次の反応に使用した。
亜硫酸水素ナトリウム（1.75 g, 16.8 mmol）及び37％ホルマリン（1.13 mL, 15.1 mmol）と水（2 mL）を混合した溶液を50℃（油浴）で30分間撹拌した。この溶液に、70℃の油浴中で、３−アミノベンジルアルコール（1.49 g, 12.1 mmol）のエタノール（1 mL）溶液を加え、1時間半撹拌した後、氷冷下で10分間静置した。反応混合物に酢酸ナトリウム（8 g）の水（40 mL）溶液を加え、［｛３−（ヒドロキシメチル）フェニル｝アミノ］メチルスルホン酸ナトリウム（アニリン誘導体６）の懸濁液を得た。
得られた［｛３−（ヒドロキシメチル）フェニル｝アミノ］メチルスルホン酸ナトリウムの懸濁液に、別途調製した４−ニトロベンゼンジアゾニウムクロリド（ベンゼンジアゾニウム塩２）の水溶液を氷冷下（氷浴）で10分かけて滴下した。反応混合物を室温まで徐々に昇温させながら3時間撹拌し、２−（ヒドロキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｄ２）の水溶液を得た。
得られた２−（ヒドロキシメチル）−４−（ソジオオキシスルホニルメチルアミノ）−４’−ニトロアゾベンゼンの水溶液に、水酸化ナトリウム（2.42 g, 60.5 mmol）の水（20 mL）溶液を室温で加え、次いで80℃の油浴中で1時間半撹拌した。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却し、水（100 mL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を水（100 mL）で洗浄し、減圧乾燥することにより、４−アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｃ１）の茶褐色固体を収量2.48 g、収率：75％で得た。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.88 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.65 (m, 1H), 6.89 (m, 1H), 6.56 (brs, 2H), 6.54 (m, 1H), 5.23 (m, 1H), 5.01-4.98 (m, 2H).
【０１５４】
（実施例１４）アゾベンゼン誘導体Ａ１の製造
本実施例では、実施例１３で製造したアゾベンゼン誘導体Ｃ１の水酸基をエトキシ基に変換して、アゾベンゼン誘導体Ａ１を製造した。
【０１５５】
【化５６】
2019156841.tif 000058
【０１５６】
アルゴン雰囲気下、ヘキサンで鉱油を洗浄除去した55％油性水素化ナトリウム（64.1 mg, 1.47 mmol）をＤＭＦ（2 mL）に懸濁させた懸濁液に、冷却下（氷浴）で、４−アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｃ１：100 mg, 0.367 mmol）のＤＭＦ（2 mL）溶液をゆっくり加えた。次いで、ヨードエタン（60 mg, 0.385 mmol）を加え、室温まで昇温させた後、24時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷却（氷浴）し、水（50 mL）を加えた。得られた混合物に酢酸エチル（50 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することで得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝64:36〜43:57の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、４−アミノ−２−（エトキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ１）の赤褐色固体を収量42.5 mg、収率37％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 8.34 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.90 (d, J = 9.1Hz, 2H), 7.76 (d, J = 8.8Hz, 1H), 6.94 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.61 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.07 (s, 2H), 4.25 (brs, 2H), 3.69 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.31 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【０１５７】
［８］アゾベンゼン誘導体の製造例８
以下の実施例１５では、アミノ基が保護されたアゾベンゼン誘導体Ｆ１を製造し、そのアゾベンゼン誘導体Ｆ１の水酸基をアセチルオキシ基に変換してアゾベンゼン誘導体Ｅ１を製造した。また、実施例１６では、アゾベンゼン誘導体Ｆ１の水酸基をエトキシカルボニルオキシ基に変換してアゾベンゼン誘導体Ｅ２を製造した。
【０１５８】
（実施例１５）アゾベンゼン誘導体Ｆ１、Ｅ１の製造
本実施例では、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼンを原料に用いて、アゾベンゼン誘導体Ｆ１、Ｅ１を製造した。
【０１５９】
【化５７】
2019156841.tif 000059
【０１６０】
アルゴン雰囲気下、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン（15.0 g, 61.9mmol）のＴＨＦ（300 mL）溶液を氷冷した後、二炭酸ジｔｅｒｔ−ブチル（40.6 g, 186 mmol）を加えた。反応系を55℃で12時間撹拌した後、減圧下濃縮し、得られた残渣をヘキサンで洗浄することにより、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン(アゾベンゼン誘導体Ｆ１)の黄色固体を収量24.4 g、収率89％で得た。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 9.72 (brs, 1H), 9.69 (brs, 1H), 7.87 (d, J = 2.2Hz, 1H), 7.77 (d, J = 9.0Hz, 2H), 7.64 (d, J = 9.0Hz, 2H), 7.55 (d, J = 8.8Hz, 1H), 7.43 (dd, J = 8.9 and 2.3Hz, 1H), 5.21 (t, J = 5.6Hz, 1H), 5.02 (d, J = 5.5Hz, 2H), 1.50 (s, 18H).
【０１６１】
【化５８】
2019156841.tif 000060
【０１６２】
アルゴン雰囲気下、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｆ１：24.0 g, 54.2 mmol）のＴＨＦ（300 mL）溶液を氷冷した後、無水酢酸（5.81 g, 56.9 mmol）、ピリジン（8.54 g, 108 mmol）、４−ジメチルアミノピリジン（66 mg, 0.54 mmol）を順次加えた。反応系を50℃で4時間撹拌した後、減圧下濃縮し、残渣を酢酸エチル（500 mL）に溶解させた。有機層を水（200 mL）、飽和食塩水（100 mL）で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮することにより、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（アセチルオキシメチル）アゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｅ１）の黄色固体を収量23.5 g、収率89％で得た。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 9.77 (brs, 1H), 9.76 (brs, 1H), 7.79 (d, J = 9.0Hz, 2H), 7.69 (d, J = 2.2Hz, 1H), 7.66 (d, J = 9.0Hz, 2H), 7.65 (d, J = 8.9Hz, 1H), 7.58 (dd, J = 8.9 and 2.2Hz, 1H), 5.59 (s, 2H), 2.09 (s, 3H), 1.50 (s, 18H).
【０１６３】
（実施例１６）アゾベンゼン誘導体Ｅ２の製造
本実施例では、実施例１５で合成したアゾベンゼン誘導体Ｆ１を原料に用いて、アゾベンゼン誘導体Ｅ２を製造した。
【０１６４】
【化５９】
2019156841.tif 000061
【０１６５】
アルゴン雰囲気下、アゾベンゼン誘導体Ｆ１（19.0 g, 42.9 mmol）のＴＨＦ（150 mL）溶液を氷冷した後、ピリジン（8.46 g, 107 mmol）、４−ジメチルアミノピリジン（524 mg, 4.29 mmol）、クロロぎ酸エチル（7.91 g, 72.9 mmol）を順次加えた。反応系を室温まで昇温させながら1時間半撹拌した後、減圧下濃縮し、残渣を酢酸エチル（500 mL）に溶解させた。有機層を水（200 mL）で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮することにより、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（エトキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｅ２）の黄色固体を収量20.9 g、収率95％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.86 (m, 2H), 7.76 (m, 1H), 7.55 (m, 1H), 7.52-7.45 (m, 3H), 6.65 (brs, 2H), 5.74 (s, 2H), 4.23 (q, J = 7.1Hz, 2H), 1.55 (s, 9H), 1.54 (s, 9H), 1.31 (t, J = 7.1Hz, 3H).
【０１６６】
［９］４，４’−ジアミノアゾベンゼン類の製造例
以下の実施例１７〜２５では、アゾベンゼン誘導体Ａ１〜Ａ５、Ｃ１、Ｅ１、Ｅ２を原料に用いて４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１〜８を製造した。
【０１６７】
（実施例１７）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ａ１を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１を製造した。
【０１６８】
【化６０】
2019156841.tif 000062
【０１６９】
４−アミノ−２−（エトキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ１：30.6 g, 102 mmol）のエタノール（500 mL）溶液に水（50 mL）及び硫化ナトリウム（23.9 g, 306 mmol）を加え30分間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水（100 mL）を加え、減圧下濃縮した後、酢酸エチル（300 mL）で抽出した。合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧下濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−（エトキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた粗生成物にトルエン（70 mL）を加えて溶解させ、次いでヘキサン（100 mL）を加え、析出した固体をろ取した。得られた固体を、ヘキサン：酢酸エチル＝70:30〜25:75の混合溶媒を溶離液に用いてカラムクロマトグラフィーにて精製した後、メタノール（200 mL）に溶解させ、活性炭（10 g）を加えて50℃の油浴中で10分間撹拌した。活性炭をろ別し、母液から減圧下に溶媒を留去することにより、４，４’−ジアミノ−２−（エトキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１)の黄色固体を収量9.93 g、収率36％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.71 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.63 (m, 1H), 6.90 (m, 1H), 6.72 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.59 (m, 1H), 5.05 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.65 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.29 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【０１７０】
（実施例１８）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類２の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ａ３を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類２を製造した。
【０１７１】
【化６１】
2019156841.tif 000063
【０１７２】
４−アミノ−２−（プロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ３：3.00 g, 9.54 mmol）のエタノール（48 mL）溶液に、水（4.8 mL）及び硫化ナトリウム（2.23 g, 28.6 mmol）を加え、30分間加熱還流した。反応混合物を室温まで冷却し、減圧濃縮した後、水（50 mL）を加え、酢酸エチル（50 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（50 mL）及び飽和食塩水（50 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−（プロピルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた４，４’−ジアミノ−２−（プロピルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝60:40の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物をトルエン（5 mL）に溶解し、ヘキサン（10 mL）を加え、析出した固体をろ取することで、粗固体（2.2 g）を得た。得られた粗固体（2.2 g）をメタノール（44 mL）に溶解させた。このメタノール溶液に、活性炭（2.2 g）を加え50℃の油浴中で10分間撹拌した後、更にメタノール（44 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−（プロピルオキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類２）の黄色固体を収量1.87 g、収率69％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.63 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.91 (s, 1H), 6.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.60 (dd, J = 8.7 and 2.6Hz, 1H), 5.05 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.55 (t, J = 6.71Hz, 2H), 1.67 (qt, J = 7.4 and 6.7Hz, 2H), 0.97 (t, J = 7.4Hz, 3H).
【０１７３】
（実施例１９）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類３の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ａ２を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類３を製造した。
【０１７４】
【化６２】
2019156841.tif 000064
【０１７５】
４−アミノ−２−（イソプロピルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ２：5.06 g, 16.1 mmol）のエタノール（80 mL）溶液に、水（8 mL）及び硫化ナトリウム（3.77 g, 48.3 mmol）を加え、30分間加熱還流した。反応混合物を室温まで冷却し、減圧濃縮した後、水（30 mL）を加え、酢酸エチル（100 mL）を用いて4回抽出を行った。合一した有機層を水（150 mL）及び飽和食塩水（150 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−（プロピルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた４，４’−ジアミノ−２−（プロピルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝70:30〜25:75の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物をトルエン（5 mL）に溶解し、ヘキサン（10 mL）を加え、析出した固体をろ取することで、粗固体（2.4 g）を得た。得られた粗固体（2.4 g）をメタノール（48 mL）に溶解させた。このメタノール溶液に、活性炭（2.4 g）を加え50℃（油浴）で10分間撹拌した後、更にメタノール（48 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−（イソプロピルオキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類３）の黄色固体を収量1.63 g、収率36％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.62 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.93 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.60 (dd, J = 8.7 and 2.6Hz, 1H), 5.05 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.78 (t, J = 6.1Hz, 1H), 1.26 (d, J = 6.1Hz, 6H).
【０１７６】
（実施例２０）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類４の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ｃ１を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類４を製造した。
【０１７７】
【化６３】
2019156841.tif 000065
【０１７８】
４−アミノ−２−（ヒドロキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｃ１：132 mg, 0.485 mmol）のエタノール（25 mL）溶液に、水（2.5 mL）及び硫化ナトリウム（114 mg, 1.46 mmol）を加え、30分間加熱還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却し、水（100 mL）を加え、減圧下濃縮した。得られた反応液を、酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を水及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧下濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を、酢酸エチルを溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物にトルエン（5 mL）及びヘキサン（10 mL）を加え、析出した固体をろ取することで、粗固体（0.1 g）を得た。得られた粗固体（0.1 g）をメタノール（10 mL）に溶解させた。このメタノール溶液に、活性炭（0.1 g）を加え50℃（油浴）で10分間撹拌した後、更にメタノール（10 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼンの黄色固体（収量67 mg，収率：58％）を得た。
1H-NMR (400MHz, DMSO-d6): δ 7.50 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.42 (m, 1H), 6.81 (m, 1H), 6.62 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.46 (m, 1H), 5.72 (brs, 2H), 5.71 (brs, 2H), 5.00 (m, 1H), 4.93-4.90 (m, 2H).
【０１７９】
【化６４】
2019156841.tif 000066
【０１８０】
アルゴン雰囲気下、ヘキサンで鉱油を洗浄除去した５５％油性水素化ナトリウム（54.1 mg, 1.24mmol）をＴＨＦ（6 mL）に懸濁させた懸濁液に、冷却下（氷浴）で、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン（300 mg, 1.24 mmol）のＴＨＦ（6 mL）溶液をゆっくり加えた。次いで、ヨードメタン（176 mg, 1.24 mmol）を加え、室温まで昇温させた後、22時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷却（氷浴）し、水（50 mL）を加えた。得られた混合物を、酢酸エチル（30 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することで得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝57:43〜36:64の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、４，４’−ジアミノ−２−（メトキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類４）の黄色固体を収量135 mg、収率42％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.64 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.88 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.61 (dd, J = 8.8 and 2.6Hz, 1H), 5.01 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.49 (s, 3H).
【０１８１】
（実施例２１）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１の他工程による製造
ヨードメタンの代わりにヨードエタンを用いること以外は、実施例２０と同様にして、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼンを原料に用いて、４，４’−ジアミノ−２−（エトキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１）を合成した。
【０１８２】
【化６５】
2019156841.tif 000067
【０１８３】
アルゴン雰囲気下、ヘキサンで鉱油を洗浄除去した５５％油性水素化ナトリウム（54.1 mg, 1.24mmol）をＤＭＦ（6 mL）に懸濁させた懸濁液に、冷却下（氷浴）で、４，４’−ジアミノ−２−（ヒドロキシメチル）アゾベンゼン（300 mg, 1.24 mmol）とＤＭＦ（6 mL）の溶液をゆっくり加えた。次いで、ヨードエタン（193 mg, 1.24 mmol）を加え、室温まで昇温させた後、22時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を冷却（氷浴）し、水（50 mL）を加えた。得られた混合物に酢酸エチル（50 mL）を用いて3回抽出を行い、合一した有機層を蒸留水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下濃縮することで得られた粗生成物をヘキサン：酢酸エチル＝57:43〜36:64の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、４，４’−ジアミノ−２−（エトキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類１）の黄色固体を収量132 mg、収率39％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.71 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.63 (m, 1H), 6.90 (m, 1H), 6.72 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.59 (m, 1H), 5.05 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.65 (q, J = 7.0Hz, 2H), 1.29 (t, J = 7.0Hz, 3H).
【０１８４】
（実施例２２）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類５の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ａ４を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類５を製造した。
【０１８５】
【化６６】
2019156841.tif 000068
４−アミノ−２−（イソブチルオキシメチル）−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ４：58.8 g, 179 mmol）のエタノール（880 mL）溶液に、水（60 mL）及び硫化ナトリウム（42.0 g, 538 mmol）を加え、30分間加熱還流した。反応混合物を室温まで冷却し、減圧濃縮した後、水（300 mL）を加え、酢酸エチル（300 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（300 mL）及び飽和食塩水（300 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−（イソブチルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた４，４’−ジアミノ−２−（イソブチルオキシメチル）アゾベンゼンの粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝60:40の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物をトルエン（50 mL）に溶解し、ヘキサン（200 mL）を加え、析出した固体をろ取することにより、粗固体を得た。得られた粗固体（15 g）をメタノール（600 mL）に溶解させ、活性炭（15 g）を加え50℃の油浴中で5分間撹拌した後、更にメタノール（300 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−（イソブチルオキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類５）の黄色固体を収量12.3 g、収率23％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.62 (d, J = 8.6Hz, 1H), 6.92 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.60 (dd, J = 8.6 and 2.6Hz, 1H), 5.04 (s, 2H), 3.95 (brs, 4H), 3.35 (d, J = 6.7Hz, 2H), 1.97 (m, 1H), 0.96 (d, J = 6.7Hz, 6H).
【０１８６】
（実施例２３）４，４’−ジアミノアゾベンゼン類６の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ａ５を原料に用いて、４，４’−ジアミノアゾベンゼン類６を製造した。
【０１８７】
【化６７】
2019156841.tif 000069
【０１８８】
４−アミノ−２−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］−４’−ニトロアゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ａ５：38.6 g, 109 mmol）のエタノール（550 mL）溶液に、水（45 mL）及び硫化ナトリウム（25.5 g, 327 mmol）を加え、30分間加熱還流した。反応混合物を室温まで冷却し、減圧濃縮した後、水（100 mL）を加え、酢酸エチル（100 mL）を用いて3回抽出を行った。合一した有機層を水（150 mL）及び飽和食塩水（150 mL）で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後、減圧濃縮することにより、４，４’−ジアミノ−２−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］アゾベンゼンの粗生成物を得た。
得られた４，４’−ジアミノ−２−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］アゾベンゼンの粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝60:40の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物をトルエン（10 mL）に溶解し、ヘキサン（200 mL）を加え、析出した固体をろ取することにより、粗固体（12.7 g）を得た。得られた粗固体（12.7 g）をメタノール（260 mL）に溶解させ、活性炭（13 g）を加え50℃の油浴中で5分間撹拌した後、更にメタノール（260 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−［（２，２，２−トリフルオロエチルオキシ）メチル］アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類６）の黄色固体を収量9.53 g、収率27％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.71 (d, J = 8.7Hz, 2H), 7.66 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.86 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.73 (d, J = 8.7Hz, 2H), 6.65 (dd, J = 8.7 and 2.6Hz, 1H), 5.22 (s, 2H), 3.99 (brs, 4H), 3.94 (t, J = 8.8Hz, 2H); 19F-NMR (376MHz, CDCl3): -74.0 (s).
【０１８９】
（実施例２４）４，４−ジアミノアゾベンゼン類７の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ｅ１を原料に用いて、４，４−ジアミノアゾベンゼン類７を製造した。
【０１９０】
【化６８】
2019156841.tif 000070
【０１９１】
アルゴン雰囲気下、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（アセチルオキシメチル）アゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｅ１：23.4 g, 48.3 mmol）のジクロロメタン（450 mL）溶液を氷冷した後、ＴＦＡ（55.1 g, 483 mmol）を加えた。反応系を徐々に室温まで昇温させながら13時間撹拌した後、減圧下濃縮した。残渣に酢酸エチル（500 mL）を加えた後、飽和炭酸ナトリウム水溶液（200 mL）を加えて撹拌した。有機層を水（200 mL）、飽和食塩水（200 mL）にて洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮した。得られた粗生成物を、ヘキサン：酢酸エチル＝60:40の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製し、高極性成分を除去した。次いで、得られた粗生成物をトルエン（20 mL）に溶解し、ヘキサン（200 mL）を加え、析出した固体をろ取することにより、粗固体（10.9 g）を得た。得られた粗固体（10.9 g）をメタノール（600 mL）に溶解させ、活性炭（10 g）を加え50℃の油浴中で5分間撹拌した後、更にメタノール（600 mL）を加え、セライトろ過で活性炭を取り除いた。得られた母液を減圧濃縮した後、減圧乾燥することにより、４，４’−ジアミノ−２−（アセチルオキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類７）の黄色固体を収量8.59 g、収率63％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.67 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.78 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.66 (dd, J = 8.7 and 2.6Hz, 1H), 5.66 (s, 2H), 3.97 (brs, 4H), 2.12 (s, 3H).
【０１９２】
（実施例２５）４，４−ジアミノアゾベンゼン類８の製造
本実施例では、アゾベンゼン誘導体Ｅ２を原料に用いて、４，４−ジアミノアゾベンゼン類８を製造した。
【化６９】
2019156841.tif 000071
【０１９３】
アルゴン雰囲気下、４，４’−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルアミノ）−２−（エトキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン（アゾベンゼン誘導体Ｅ２：81.9 mg, 0.159 mmol）のジクロロメタン（1 mL）溶液を氷冷した後、ＴＦＡ（181 mg, 1.59 mmol）を加えた。反応系を徐々に室温まで昇温させながら21時間撹拌した後、減圧下濃縮した。残渣に酢酸エチル（10 mL）を加えた後、飽和炭酸ナトリウム水溶液（10 mL）を加えて撹拌した。有機層を水（50 mL）にて洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製することにより、４，４’−ジアミノ−２−（エトキシカルボニルオキシメチル）アゾベンゼン（４，４’−ジアミノアゾベンゼン類８）の黄色固体を収量3.66 mg、収率7％で得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3): δ 7.73 (d, J = 8.8Hz, 2H), 7.67 (d, J = 8.7Hz, 1H), 6.82 (d, J = 2.6Hz, 1H), 6.72 (d, J = 8.8Hz, 2H), 6.65 (dd, J = 8.7 and 2.6Hz, 1H), 5.72 (s, 2H), 4.24 (q, J = 7.1Hz, 2H), 3.97 (brs, 4H), 1.32 (t, J = 7.1Hz, 3H).
【産業上の利用可能性】
【０１９４】
本発明のアゾベンゼン誘導体を中間体として用いることにより、液晶ディスプレイ用ポリイミド光配向膜の製造原料である４，４’−ジアミノアゾベンゼン類を簡便な手法により、高い純度で効率よく製造することができる。したがって、本発明のアゾベンゼン誘導体は産業上の利用可能性が高い。