(57)【要約】【課題】インプリント用のモールドの高精度な複製に有利な技術を提供すること。【解決手段】インプリントによってレプリカモールドを作製するためのモールドは、第１面と、レプリカモールドに転写されるパターンが形成されたパターン部を有し、第１面から突出するメサ部と、第１面において、メサ部を取り囲み、メサ部よりも更に突出する突出部とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントによってレプリカモールドを作製するためのモールドであって、
第１面と、
前記レプリカモールドに転写されるパターンが形成されたパターン部を有し、前記第１面から突出するメサ部と、
前記第１面において、前記メサ部を取り囲み、前記メサ部よりも更に突出する突出部と、
を有することを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記突出部は、前記パターン部と前記レプリカモールドのパターン転写領域上のインプリント材とを接触させたときに、前記パターン部と前記パターン転写領域との周辺の空間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のモールド。
【請求項３】
前記突出部は、前記モールドの端部まで延びるように形成されていることを特徴とする請求項２に記載のモールド。
【請求項４】
前記突出部は、前記メサ部から遠ざかるに従って突出の度合いが小さくなる形状を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のモールド。
【請求項５】
インプリントによってマスターモールドのパターンが転写されるレプリカモールドであって、
第１面と、
前記マスターモールドのパターンが転写されるパターン転写領域を有し、前記第１面から突出するメサ部と、
前記第１面において、前記メサ部を取り囲み、前記メサ部よりも更に突出する突出部と、
を有することを特徴とするレプリカモールド。
【請求項６】
前記突出部は、前記パターン転写領域の上のインプリント材と前記マスターモールドのパターン部とを接触させたときに、前記パターン転写領域と前記マスターモールドの前記パターン部との周辺の空間を埋めるように形成されていることを特徴とする請求項５に記載のレプリカモールド。
【請求項７】
前記突出部は、前記第１面から除去可能に構成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載のレプリカモールド。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のモールドをマスターモールドとして用いてレプリカモールドの上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記マスターモールドを保持して移動する移動機構と、
前記マスターモールドの外側に設けられ、前記マスターモールドと前記インプリント材との間にガスを供給するガス供給部と、
前記ガス供給部により前記ガスが供給されている間に前記レプリカモールドが前記ガス供給部の下を経由して前記パターンの形成が行われる位置まで移動する際に前記突出部が前記インプリント材と干渉しないように前記移動機構を制御する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
請求項７に記載の前記突出部が前記第１面から除去されたレプリカモールドを用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含み、前記加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント用のモールド、レプリカモールド、インプリント装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、被処理物体である基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を分離させることで、基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
インプリント装置を用いて例えば半導体デバイスを製造する場合、被処理物体は半導体ウエハである。一方で、インプリント技術は、例えば特許文献１に示されているように、マスターモールドを用いてレプリカモールドを製造する技術にも利用されうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７５６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、被処理物体にパターンを良好に転写するためには、モールドのパターン部と被処理物体との間に残るインプリント材の厚み（残膜厚）を均一にする必要がある。残膜厚はＣＤ精度の観点から十数ｎｍといった厚さが求められる。そのため、被処理物体にインプリント材が供給されてから、硬化の処理が完了するまでの間にインプリント材の揮発による体積変化が起こることが原因で、残膜厚の均一性が悪くなる。
【０００６】
さらに、マスターモールドのパターン部およびレプリカモールドのパターン転写領域は、その外周よりも高い段差構造（メサ構造）となっている。それにより、インプリント材を介して両モールドが接触する場合、メサ部よりも外側は、その段差構造の分だけ間隙が大きくなり、インプリント材が揮発しやすい状況となる。そのため、レプリカモールドの製造において、被処理物体の外周部付近ではインプリント材の揮発はより顕著に進み、残膜厚が薄くなってしまう。
【０００７】
本発明は、例えば、インプリント用のモールドの高精度な複製に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、インプリントによってレプリカモールドを作製するためのモールドであって、第１面と、前記レプリカモールドに転写されるパターンが形成されたパターン部を有し、前記第１面から突出するメサ部と、前記第１面において、前記メサ部を取り囲み、前記メサ部よりも更に突出する突出部とを有することを特徴とするモールドが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、インプリント用のモールドの高精度な複製に有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の概略構成を示す図。
【図２】第１実施形態におけるマスターモールドの構成例を説明する図。
【図３】第１実施形態におけるマスターモールドの構成例を説明する図。
【図４】インプリント材とマスターモールドとの間の大気をガスで置換する方法の一例を示す図。
【図５】第２実施形態におけるレプリカモールドの構成例を示す図。
【図６】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１２】
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型（モールド）と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１３】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１４】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置の概略構成を示す。上述したように、インプリント技術においては、基板（例えば、デバイス製造用の半導体ウエハ）の上に供給されたインプリント材とモールド（テンプレート）とを直接接触させることが必要である。このような接触により、モールドの寿命には限界がある。そこで、典型的には、まず最初に例えば電子ビーム技術によりガラスや石英のようなテンプレート基板にパターンを形成して、マスターモールドが作製される。通常、このマスターモールドはデバイス製造用の半導体ウエハ上にパターンを形成するのには使用されず、その代わりに、モールド複製処理により１つ以上のレプリカモールドを作製し、そのレプリカモールドを用いて半導体ウエハ上にパターンを形成する。
【００１５】
このようなモールド複製処理は、上記のようなインプリント技術を取り込んで行うことができる。したがって、図１に示すインプリント装置１は、デバイス製造用の基板にインプリントを行う他、マスターモールドに形成されているパターンをレプリカ基板に転写することによりレプリカモールドを作製するものに転用が可能である。以下では、インプリント装置１によりレプリカモールドを作製することに関して説明する。本実施形態において、インプリント装置１は、光（紫外線）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するものとする。なお、本実施形態では、図１に示すように、マスターモールド１１に対して紫外線を照射する方向に平行な軸をＺ軸とし、Ｚ軸に対して直交する方向にＸ軸及びＹ軸を定める。
【００１６】
レプリカモールド８は、インプリント処理によってマスターモールド１１の複製となるブランクのモールドであり、例えば、石英などの紫外線を透過する素材が用いられる。レプリカモールド８の被処理面にはインプリント材２１が供給される。
【００１７】
マスターモールド１１は、レプリカモールド８と対向する面に、レプリカモールド８上に供給されたインプリント材２１に転写する凹凸のパターンが形成された型である。なお、マスターモールド１１の材質には石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。
【００１８】
硬化部５は、マスターモールド１１を介してインプリント材２１に紫外線を照射することによりインプリント材２１を硬化させる。この硬化部５は、紫外線を発生する光源１６と、光源１６からの紫外線をインプリントに適切な光に調整するための光学系１７とを含みうる。
【００１９】
インプリントヘッド３は、マスターモールド１１を保持して移動可能に構成されている。インプリントヘッド３は、マスターモールド保持部１２と、マスターモールド駆動部１９とを含みうる。マスターモールド保持部１２は、マスターモールド１１を真空吸着パッド等によって保持する。マスターモールド保持部１２はマスターモールド駆動部１９に保持されている。マスターモールド駆動部１９は、マスターモールド１１のパターンをレプリカモールド８に転写する際にレプリカモールド８とマスターモールド１１との間隔を調整するための駆動系（移動機構）を含み、Ｚ軸方向に駆動しうる。また、マスターモールド駆動部１９は、パターン転写時には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系を含んでいてもよい。さらに、マスターモールド駆動部１９は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向への位置調整機能、マスターモールド１１の傾きを補正するためのチルト機能を有していてもよい。
【００２０】
ステージ装置２は、レプリカモールド８を保持し、インプリント時にレプリカモールド８とマスターモールド１１の並進シフトの補正（位置合わせ）を行いうる。ステージ装置２は、レプリカモールド保持部９と、レプリカモールドステージ１０とを含みうる。レプリカモールド保持部９は、レプリカモールド８を真空吸着パッド等によって保持する。また、レプリカモールド保持部９はレプリカモールドステージ１０によって支持されている。レプリカモールドステージ１０は、レプリカモールド８とマスターモールド１１の並進シフトの補正（位置合わせ）をするためのＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する駆動系である。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、レプリカモールド８のθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、レプリカモールド８の傾きを補正するためのチルト機能を有していてもよい。
【００２１】
インプリント材供給部７は、レプリカモールド８にインプリント材２１を供給する。インプリント材供給部７は、例えばマスターモールド保持部１２に保持された吐出ノズルからレプリカモールド８にインプリント材２１を吐出する。なお、インプリント材２１には紫外線を照射することによって硬化する性質を持つ紫外線硬化性樹脂を利用する。また、吐出するインプリント材２１の量は、必要となるインプリント材２１の厚さや転写するパターン密度などによって適宜決定される。
【００２２】
マスターモールド１１とレプリカモールド８上に供給されたインプリント材２１との接触に際して、マスターモールド１１とインプリント材２１との間に気泡（大気）が存在すると、インプリント材２１の硬化後、形成されたパターンに未充填欠陥が生じうる。このような未充填欠陥の発生を防止するためには、マスターモールド１１とインプリント材２１との間の気体を、インプリント材２１に対して高可溶性又は高拡散性の少なくともいずれか一方の性質を有する気体と置換させるとよい。このような性質を有する気体としては、ヘリウムなどがある。そこで本実施形態において、ガス供給部４０は、例えばマスターモールド保持部１２に保持されたガス供給ノズルから、レプリカモールド８上のインプリント材２１とマスターモールド１１との間にそのようなガスを供給する。
【００２３】
インプリント装置１は、雰囲気を清浄な環境に保つため、不図示のクリーンチャンバに収められていてもよい。その他に、インプリント装置１は、ステージ装置２を支持するための定盤２０、マスターモールド保持ユニット３を支持するための支持体１４、支持体１４を支えるための支柱１５を有する。
【００２４】
制御部６は、インプリント装置１の各構成要素の動作及び調整等を制御する。制御部６は、上記のようなクリーンチャンバ内に収められていてもよいし、クリーンチャンバ外に設けられていてもよい。制御部６は、マスターモールド１１のパターンをレプリカモールド８に転写するインプリント処理を例えば以下のようにして行う。まず、インプリント材供給部７により、レプリカモールド８上にインプリント材２１を供給する。その後、マスターモールド１１をインプリントヘッド３により下降させてレプリカモールド８上のインプリント材２１と接触させる。これによりインプリント材２１はマスターモールド１１に形成されているパターンの溝に流入する。この状態で、硬化部５によりインプリント材２１に紫外線を照射させることでインプリント材２１を硬化させる。インプリント材２１が硬化することで、インプリント材２１によるマスターモールド１１のパターン（回路パターン）が形成される。インプリント材２１が硬化した後、マスターモールド１１をインプリントヘッド３により上昇させることで、硬化したインプリント材２１からマスターモールド１１が引き離される。なお、本実施形態のインプリント装置１では、固定されたレプリカモールド８上のインプリント材２１に対してインプリントヘッド３を駆動して接触させる構成としているが、これとは反対の構成もありうる。すなわち、固定されたマスターモールド１１に対してステージ装置２を駆動してレプリカモールド８上のインプリント材２１を接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド３とステージ装置２をそれぞれ上下に駆動させる構成であってもよい。すなわち、マスターモールド１１とレプリカモールド８との相対的な位置を変化させる駆動部を有していればよい。本実施形態におけるレプリカモールド８を作製するためのインプリント処理は概ね以上のようなものである。
【００２５】
＜第１実施形態＞
図２を参照して、第１実施形態におけるマスターモールド１１の構成例を説明する。図２（ａ）は、レプリカモールド８にインプリント材２１が供給され、マスターモールド１１と接触した状態を示している。マスターモールド１１は、モールド本体１１ａとパターン部１１ｃとを有する。マスターモールド１１は、レプリカモールド８と対向する面である第１面１１ｄから突出する（本体部１１ａよりもレプリカモールド８に対して凸となる）メサ部を有し、パターン部１１ｃは、このメサ部に形成されている。
【００２６】
レプリカモールド８のパターン部も、マスターモールド１１に対して凸となるメサ構造を有している。このため、インプリント材２１を介してマスターモールド１１のパターン部とレプリカモールド８のパターン部とが接触するとき、その接触領域の外側に空間３１ができる。インプリント材の揮発成分がこの空間３１に流入しうる。空間３１が大きいほど、インプリント材の揮発成分が多く流れ込みやすくなるため両モールドの外周部付近ではインプリント材の揮発が顕著に進み、残膜圧が薄くなってしまう。
【００２７】
この課題に対処するため、本実施形態におけるマスターモールド１１は、第１面１１ｄにおいて、メサ部を取り囲み、レプリカモールド８に対してメサ部よりも更に突出する突出部１１ｂを有する。突出部１１ｂは、例えば、パターン部１１ｃとレプリカモールド８のパターン転写領域上のインプリント材２１とを接触させたときに、パターン部１１ｃとレプリカモールド８のパターン転写領域との周辺の空間を埋めるように形成されている。突出部１１ｂの存在により、レプリカモールド８と突出部１１ｂとの間隙が狭くなるため、インプリント材２１の揮発成分が突出部１１ｂよりも外側へ拡散することが抑制される。そうすると、空間３１内の揮発したインプリント材２１の揮発成分の圧力が高まり、インプリント材２１のさらなる揮発が抑えられ、揮発によるインプリント材２１の体積変化を抑制することができる。突出部１１ｂの高さ（図２（ａ）におけるＺ方向の厚み）は、狭間隙による拡散抑制の効果と、突出部１１ｂのレプリカモールド８への干渉回避の観点から決定される。突出部１１ｂのそのような高さは、例えば５０〜５５μｍの範囲内の値でありうる。
【００２８】
図２（ｂ）は、マスターモールド１１をＸ−Ｙ平面視の図である。突出部１１ｂは、メサ部を取り囲むように、すなわち、パターン部１１ｃの外周を囲うように配置されている。これによって、揮発抑制の効果をインプリント材２１の外周の全方向で得ることができる。
【００２９】
図２（ａ），（ｂ）の例では、突出部１１ｂは、マスターモールド１１のパターン部の外周の一部のみに形成されていたが、図３（ａ），（ｂ）に示すように、突出部１１ｂは、マスターモールド１１の端部まで延びるように形成されていてもよい。
【００３０】
図４に、レプリカモールド８上に供給されたインプリント材２１とマスターモールド１１との間の大気をガスで置換する方法の一例を示す。制御部６は、インプリント材供給部７を制御して、レプリカモールド８にインプリント材２１を供給する（図４（ａ））。その後、制御部６は、レプリカモールドステージ１０を制御して、レプリカモールド８を、ガス供給部４０の下を通過させ（図４（ｂ））、マスターモールド１１の下の位置まで移動させる（図４（ｃ））。制御部６は、このレプリカモールド８の移動に合わせて、ガス供給部４０からガスを供給する。これにより、レプリカモールド８上に供給されたインプリント材２１とマスターモールド１１との間にガスを効果的に引き込むことができる。図４においては、このガスの流れの妨げとならないように、突出部１１ｂは、メサ部から遠ざかるに従って突出の度合いが小さくなる（すなわち、厚さ（Ｚ方向の高さ）が薄くなる）ような形状を有する。
【００３１】
上記の例において、図４（ｂ）および（ｃ）に示したように、ガス供給部４０によりガスが供給されている間にレプリカモールド８がガス供給部４０の下を経由してパターンの形成が行われる位置まで移動する。この際に、制御部６は、その移動中に突出部１１ｂがインプリント材２１やレプリカモールド８と干渉しないように、マスターモールド駆動部１９（移動機構）を制御してマスターモールド１１とレプリカモールド８とを離間させておく。
【００３２】
上述の突出部１１ｂは、マスターモールド１１の本体部１１ａと一体成型されていてもよいし、本体部１１ａとは別体で構成されていてもよい。突出部１１ｂが本体部１１ａと別体で構成される場合、突出部１１ｂは、蒸着や塗布によって本体部１１ａに薄膜を形成することで付加されてもよい。
【００３３】
続いて、第１実施形態のマスターモールドを使用したレプリカモールドの製造方法を、図１を用いて説明する。マスターモールド１１は、インプリント装置１に導入され、不図示のマスターモールド搬送部によってインプリントヘッド３まで搬送される。マスターモールド保持部１２は、このマスターモールド１１を保持する。一方、ブランクのレプリカモールド８が、不図示のレプリカモールド搬送部によってステージ装置２まで搬送され、レプリカモールド保持部９を介してレプリカモールドステージ１０によって保持される。制御部６は、レプリカモールド８を保持したレプリカモールドステージ１０を制御して、レプリカモールド８をインプリント材供給部７の下へ駆動する。その後、制御部６は、インプリント材供給部７を制御して、レプリカモールド８にインプリント材２１を供給する。次に、制御部６は、レプリカモールドステージ１０を制御して、ガス供給部４０の下を通過してマスターモールド１１の下まで移動する。この際にガス供給部４０からガスを供給することによって、レプリカモールド８上に供給されたインプリント材２１とマスターモールド１１との間にガスを引き込み、大気とガスとを置換する。
【００３４】
レプリカモールド８のパターン転写領域がマスターモールド１１のパターン部と対向するように配置された後、制御部６は、マスターモールド駆動部１９の降下駆動によって、インプリント材２１とマスターモールド１１のパターン部とを接触させる。これによりインプリント材２１はマスターモールド１１に形成されているパターンの溝に流入する。パターン部の凹凸の隅々までインプリント材２１が充填されるまでの間に、インプリント材２１の一部が揮発して近傍の空間へ拡散するが、本実施形態では、マスターモールド１１の突出部１１ｂの存在によってインプリント材２１の揮発が抑制される。インプリント材２１の微細パターン部への充填が完了すると、制御部６は、効果部５によりインプリント材２１に紫外線を照射してインプリント材２１を硬化させる。その後、マスターモールド駆動部１９の上昇駆動によって、インプリント材２１とマスターモールド１１のパターン部とが引き離される。
【００３５】
以上のインプリント動作によって、レプリカモールド８に供給されたインプリント材２１にマスターモールド１１のパターンが転写される。このインプリント動作においては、インプリント材２１の揮発が抑制され、インプリント材２１の体積の減少を防止できるため、転写されたパターンは、均一な厚さの残膜を得ることができる。レプリカモールド８は不図示のエッチング処理ユニットまたはエッチング装置によってインプリント材２１をマスクにしたエッチングが行われ、レプリカモールド８のパターン転写領域にパターンが生成される。
【００３６】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。図５（ａ）は、ブランクのレプリカモールド２５にインプリント材２１が供給され、レプリカモールド２５とマスターモールド１１とが対向するように位置合わせされた状態を示している。レプリカモールド２５は、本体部２５ａとパターン転写領域であるパターン部２５ｃとを有する。レプリカモールド２５は、マスターモールド１１と対向する面である第１面２５ｄから突出する（本体部２５ａよりもマスターモールド１１に対して凸となる）メサ部を有し、このメサ部にパターン部２５ｃが形成されている。
【００３７】
第１実施形態では、マスターモールド１１側に突出部１１ｂが設けられていた。これに対し本実施形態では、その逆に、レプリカモールド２５が、第１面２５ｄにおいて、メサ部を取り囲み、マスターモールド１１に対してメサ部よりも更に突出する突出部２５ｂを有する。突出部２５ｂは、例えば、パターン部２５ｃの上のインプリント材２１とマスターモールド１１のパターン部とを接触させたときに、パターン部２５ｃとマスターモールド１１のパターン部との周辺の空間を埋めるように形成されている。
【００３８】
図５（ｂ）は、レプリカモールド２５にインプリント材２１が供給された後、マスターモールド１１がインプリント材２１と接触した状態を示している。第１実施形態と同様に、突出部２５ｂの存在により、インプリント材２１の、揮発による体積変化を抑制することができる。
【００３９】
エッチング処理によってレプリカモールド２５にパターンが形成された後は、この突出部２５ｂを有するレプリカモールド２５をマスターモールドとして使用し、第２世代以降の他のレプリカモールドを作製することができる。また、突出部２５ｂは、蒸着や塗布によって本体部２５ａに薄膜を形成することで付加されてもよく、これにより突出部２５ｂは、本体部２５ａから取り外しまたは除去可能に構成されていてもよい。この場合、レプリカモールド２５から突出部２５ｂを除去する処理を行い、この突出部２５が除去されたレプリカモールド２５を、半導体ウエハをワークとする半導体デバイス用のインプリント装置において、モールドとして使用することもできる。
【００４０】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４１】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４２】
次に、図６を参照して、物品製造方法について説明する。工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４３】
工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。ここで、型４ｚとして、上記したような、突出部２５が除去されたレプリカモールド２５が使用されうる。
【００４４】
工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４５】
工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４６】
工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。
【００４７】
工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１：インプリント装置、２：ステージ装置、３：インプリントヘッド、６：制御部、７：インプリント材供給部、８：レプリカモールド、１１：マスターモールド、２１：インプリント材、４０：ガス供給部
【図１】
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【図２】
2019117844.tif 000004
【図３】
2019117844.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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