(57)【要約】【課題】光学特性が悪化することを抑制できる光デバイスを提供する。【解決手段】光デバイス１は、内部に光導波路１０が形成された基板２０と、基板２０の光導波路１０に向けて光を発する端面３６又は基板２０の光導波路１０からの光を受ける端面３６を有する光半導体素子３０と、光半導体素子３０の少なくとも一部を覆って保護するポッティング樹脂４０とを備える。ポッティング樹脂４０の下方には、空気の層からなる中空空間Ｓが形成される。中空空間Ｓ内には、基板２０の光導波路１０と光半導体素子３０の端面３６との間を伝搬する光の光路Ｃが位置している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に光導波路が形成された基板と、
前記基板の前記光導波路に向けて光を発する端面又は前記基板の前記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子と、
前記光半導体素子の少なくとも一部を覆って保護するポッティング樹脂と
を備え、
前記ポッティング樹脂の下方には、空気の層からなる中空空間が形成され、
前記中空空間内には、前記基板の前記光導波路と前記光半導体素子の前記端面との間を伝搬する光の光路が位置している、
光デバイス。
【請求項２】
前記中空空間は、前記光半導体素子の上面に達している、請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記中空空間は、前記光半導体素子の周囲にわたって形成されている、請求項１又は２に記載の光デバイス。
【請求項４】
内部に光導波路が形成された基板を用意し、
前記基板の前記光導波路に向けて光を発する端面又は前記基板の前記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子を用意し、
前記基板の前記光導波路と前記光半導体素子の前記端面との間の空間に揮発性液体を滴下し、
少なくとも、前記揮発性液体の上方を覆うようにポッティング樹脂を形成し、
前記揮発性液体を揮発温度以上にして揮発させる、
光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記揮発性液体を滴下する際に、前記揮発性液体が前記光半導体素子の上面に達するように前記揮発性液体を滴下する、請求項４に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記揮発性液体を充填する際に、前記光半導体素子の周囲を取り囲む空間に前記揮発性液体を滴下する、請求項４又は５に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項７】
内部に光導波路が形成された基板を用意し、
前記基板の前記光導波路に向けて光を発する端面又は前記基板の前記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子を用意し、
少なくとも、前記基板の前記光導波路と前記光半導体素子の前記端面との間の空間の上方を覆うようにシート状部材を形成し、
前記シート状部材を覆うようにポッティング樹脂を形成する、
光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記シート状部材を形成する際に、前記シート状部材が前記光半導体素子の上面に達するように前記シート状部材を形成する、請求項７に記載の光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記シート状部材を形成する際に、前記光半導体素子の周囲を取り囲む空間を覆うように前記シート状部材を形成する、請求項７又は８に記載の光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス及びその製造方法に係り、特に光半導体素子を有する光デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような光デバイスにおいては、レーザダイオードやフォトディテクタなどの光半導体素子が基板に搭載されているが、光半導体素子と基板に形成された光導波路との間の光路に塵が侵入することを防止したり、光半導体素子に湿気が浸透することを防止したりするために、光半導体素子と基板との間に樹脂を充填する（ポッティング）ことがなされている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
図１は、このような従来の光デバイス５０１を模式的に示す縦断面図である。図１に示すように、従来の光デバイス５０１では、基板５２０に搭載された光半導体素子５３０を覆うようにポッティング樹脂５４０が形成され、このポッティング樹脂５４０は、光半導体素子５３０と基板５２０との間の間隙にも充填される。このため、光半導体素子５３０と基板５２０内の光導波路５１０との間を伝搬する光Ｄは、ポッティング樹脂５４０内を通過するように構成されている。
【０００４】
一般的に、ポッティング樹脂の形成の過程でポッティング樹脂の内部には微小なボイドが生じ得る。従来の光デバイス５０１では、図１に示すように、光半導体素子５３０と基板５２０内の光導波路５１０との間を伝搬する光Ｄが、ポッティング樹脂５４０内を通過するように構成されているので、ポッティング樹脂５４０中のボイドが光Ｄが伝搬する光路中に存在した場合、光Ｄがポッティング樹脂５４０中のボイドにより散乱し、光損失が生じて光学特性が悪化するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１６５９４号公報
【特許文献２】特許第４３３３１１４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、光学特性が悪化することを抑制できる光デバイスもしくは光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、光学特性が悪化することを抑制できる光デバイスが提供される。この光デバイスは、内部に光導波路が形成された基板と、上記基板の上記光導波路に向けて光を発する端面又は上記基板の上記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子と、上記光半導体素子の少なくとも一部を覆って保護するポッティング樹脂とを備える。上記ポッティング樹脂の下方には、空気の層からなる中空空間が形成される。上記中空空間内には、上記基板の上記光導波路と上記光半導体素子の上記端面との間を伝搬する光の光路が位置している。
【０００８】
このように、基板内の光導波路と光半導体素子との間を伝搬する光の光路が、空気の層からなる中空空間内に位置しているため、光がポッティング樹脂の内部を通過することがなく基板内の光導波路と光半導体素子との間を伝搬する。したがって、ポッティング樹脂中のボイドによる光損失を抑制しつつ、基板内の光導波路と光半導体素子との間で光を伝搬することができる。
【０００９】
上記中空空間は、上記光半導体素子の上面に達していることが好ましい。中空空間が光半導体素子の上面まで達している場合には、光半導体素子の縁部に生じる応力集中を防止又は緩和することができ、また、ポッティング樹脂が光路上に垂れ下がってきにくいので、光学特性の悪化を抑制することができる。
【００１０】
上記中空空間は、上記光半導体素子の周囲にわたって形成されていてもよい。このように、光半導体素子の周囲にわたって中空空間が形成されている場合には、中空空間の体積が増加するため、光半導体素子の縁部に生じる応力集中をより一層防止又は緩和することができる。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、光学特性が悪化することを抑制できる光デバイスを簡単に製造することができる光デバイスの製造方法が提供される。この方法によれば、内部に光導波路が形成された基板を用意し、上記基板の上記光導波路に向けて光を発する端面又は上記基板の上記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子を用意する。上記基板の上記光導波路と上記光半導体素子の上記端面との間の空間に揮発性液体を滴下し、少なくとも、上記揮発性液体の上方を覆うようにポッティング樹脂を形成し、上記揮発性液体を揮発温度以上にして揮発させる。
【００１２】
このような方法により、上述した光損失の生じにくい光デバイスを極めて簡単に製造することができる。
【００１３】
上記揮発性液体を滴下する際に、上記揮発性液体が上記光半導体素子の上面に達するように上記揮発性液体を滴下することが好ましい。また、上記揮発性液体を充填する際に、上記光半導体素子の周囲を取り囲む空間に上記揮発性液体を滴下してもよい。
【００１４】
本発明の第３の態様によれば、光学特性が悪化することを抑制できる光デバイスを簡単に製造することができる光デバイスの製造方法が提供される。この方法によれば、内部に光導波路が形成された基板を用意し、上記基板の上記光導波路に向けて光を発する端面又は上記基板の上記光導波路からの光を受ける端面を有する光半導体素子を用意する。少なくとも、上記基板の上記光導波路と上記光半導体素子の上記端面との間の空間の上方を覆うようにシート状部材を形成し、上記シート状部材を覆うようにポッティング樹脂を形成する。
【００１５】
このような方法により、上述した光損失の生じにくい光デバイスを極めて簡単に製造することができる。
【００１６】
上記シート状部材を形成する際に、上記シート状部材が上記光半導体素子の上面に達するように上記シート状部材を形成することが好ましい。また、上記シート状部材を形成する際に、上記光半導体素子の周囲を取り囲む空間を覆うように上記シート状部材を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基板内の光導波路と光半導体素子との間を伝搬する光の光路が、空気の層からなる中空空間内に位置しているため、光がポッティング樹脂の内部を通過することを抑制し、基板内の光導波路と光半導体素子との間を伝搬する。したがって、ポッティング樹脂中のボイドによる光損失を抑制しつつ、基板内の光導波路と光半導体素子との間で光を伝搬することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、従来の光デバイスを模式的に示す縦断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態における光デバイスを模式的に示す縦断面図である。
【図３】図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図２に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図２に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図２に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図２に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態における光デバイスを模式的に示す縦断面図である。
【図６】図６は、図５のＢ−Ｂ線断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図５に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図５に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図５に示す光デバイスを製造する工程を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る光デバイスの実施形態について図２から図７Ｃを参照して詳細に説明する。なお、図２から図７Ｃにおいて、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図２から図７Ｃにおいては、各構成要素の縮尺や寸法が誇張されて示されている場合や一部の構成要素が省略されている場合がある。
【００２０】
図２は、本発明の第１の実施形態における光デバイス１を模式的に示す縦断面図、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図２及び図３に示すように、この光デバイス１は、内部に光導波路１０が形成された基板２０と、基板２０の上面２１に形成された凹部２２内に実装される光半導体素子３０と、光半導体素子３０の上部を覆うように形成されたポッティング樹脂４０とを含んでいる。ポッティング樹脂４０としては、熱硬化型樹脂、ＵＶ硬化型樹脂、湿気硬化型樹脂、嫌気硬化型樹脂などを用いることができ、例えばシリコーンゲルやエポキシ樹脂をポッティング樹脂４０として用いることができる。
【００２１】
光半導体素子３０の例としては、基板２０内の光導波路１０に向けて光を発する半導体レーザダイオードや基板２０内の光導波路１０からの光を受けるフォトダイオードが挙げられるが、光半導体素子３０はこれらに限られるものではない。また、このような光半導体素子３０を備えた光デバイス１の例としては例えば光トランシーバなどが挙げられるが、光デバイス１はこれに限られるものではない。さらに、基板２０は、シリコンやリン化インジウムなどの半導体材料から構成することができるが、これらに限られるものではない。
【００２２】
本実施形態においては、図２に示すように、基板２０の凹部２２の底面にバンプ５０が設けられており、いわゆるフリップチップによりこのバンプ５０上に光半導体素子３０が実装されている。バンプ５０の周囲には、バンプ５０を保護するためのアンダーフィル５２が充填されている。
【００２３】
図２に示すように、本実施形態におけるポッティング樹脂４０は、光半導体素子３０の上面の略全面を覆っている。また、図３に示すように、光半導体素子３０内の光導波路３２の端面３６と基板２０内の光導波路１０の端面１１との間及びその周囲を除く光半導体素子３０の周囲には、光半導体素子３０と基板２０との間の間隙を埋めるようにポッティング樹脂４０が充填されている。
【００２４】
図２及び図３に示すように、光デバイス１は、空気の層からなる中空空間Ｓを有している。この中空空間Ｓは、光半導体素子３０内の光導波路３２の端面３６と基板２０内の光導波路１０の端面１１との間に形成されており、この中空空間Ｓ内に、光半導体素子３０の端面３６と基板２０内の光導波路１０の端面１１との間を伝搬する光の光路Ｃが位置している。中空空間Ｓの上方にはポッティング樹脂４０がアーチ状に形成されており、このアーチ状のポッティング樹脂４０により基板２０の上面２１と光半導体素子３０の上面３４とが接続されている。なお、図３では、理解を容易にするために、基板２０の上面２１上のポッティング樹脂４０の外形を点線で示している。
【００２５】
このような構成において、光半導体素子３０が半導体レーザダイオードである場合には、半導体レーザダイオードの端面３６から出射されたレーザ光が、上述した中空空間Ｓを通って基板２０内の光導波路１０に入射する。また、光半導体素子３０がフォトダイオードである場合には、基板２０内の光導波路１０を通って伝搬された光が、上述した中空空間Ｓを通ってフォトダイオードの端面３６に入射する。
【００２６】
このように、本実施形態では、基板２０内の光導波路１０と光半導体素子３０との間を伝搬する光の光路Ｃが、空気の層からなる中空空間Ｓ内に位置しているため、光がポッティング樹脂４０の内部を通過することが抑制された状態で基板２０内の光導波路１０と光半導体素子３０との間を伝搬する。したがって、ポッティング樹脂４０中のボイドによる光損失を抑制しつつ、基板２０内の光導波路１０と光半導体素子３０との間で光を伝搬することができる。
【００２７】
ポッティング樹脂は、周囲環境の変化（例えば温度変化）や経時変化によって屈折率や透明度が変化するが、例えば、図１に示す従来の例では、基板５２０内の光導波路５１０と光半導体素子５３０との間を伝搬する光Ｄがポッティング樹脂５４０の内部を通過するため、周囲環境の変化や経時変化によってポッティング樹脂５４０の屈折率や透明度が変化すると、光デバイス５０１の光学特性が悪化してしまう。これに対して、本実施形態では、基板２０内の光導波路１０と光半導体素子３０との間を伝搬する光は、中空空間Ｓ内の空気の層を通過するため、ポッティング樹脂４０の屈折率や透明度の変化による影響を受けない。
【００２８】
上述したように、中空空間Ｓの上方はポッティング樹脂４０により覆われているため、基板２０内の光導波路１０と光半導体素子３０との間を伝搬する光の光路Ｃ上に塵などの異物が侵入することが防止される。また、光半導体素子３０の略全面がポッティング樹脂４０で覆われているため、湿気が光半導体素子３０に浸透することが防止される。このように、本実施形態によれば、光デバイス１の光学特性が悪化することが抑制される。
【００２９】
ここで、中空空間Ｓは、基板２０と光半導体素子３０との間の隙間だけではなく、図２に示すように、光半導体素子３０の上面３４にまで達していることが好ましい。例えば、図１に示す従来の例において、ポッティング樹脂５４０が例えばエポキシ樹脂のような比較的硬い樹脂である場合には、ポッティング樹脂５４０の収縮などによって光半導体素子５３０の縁部５３８に応力集中が生じやすいが、図２に示すように、中空空間Ｓが光半導体素子３０の上面３４にまで達している場合には、ポッティング樹脂４０が光半導体素子３０の縁部３８に接していないため、光半導体素子３０の縁部３８に生じる応力集中を防止又は緩和することができる。また、ポッティング樹脂４０が例えばシリコーンゲルのような比較的柔らかい樹脂である場合には、ポッティング樹脂４０の経時変化により中空空間Ｓの上方のポッティング樹脂４０が垂れてくることが考えられるが、中空空間Ｓが光半導体素子３０の上面３４まで形成されているため、ポッティング樹脂４０が光路Ｃ上に垂れ下がることを抑制できる。このため、光デバイス１の光学特性が悪化しにくい構造となっている。
【００３０】
次に、このような光デバイス１の製造方法について図４Ａから図４Ｄを参照して説明する。光デバイス１を製造するに当たっては、まず、凹部２２が形成された基板２０と光半導体素子３０とを用意する。そして、図４Ａに示すように、基板２０の凹部２２の底面に形成されたバンプ５０上に光半導体素子３０を載置し、フリップチップ実装を行う。このとき、バンプ５０を保護するためにアンダーフィル５２を封止材として充填する。
【００３１】
その後、図４Ｂに示すように、光半導体素子３０の端面３６と基板２０内の光導波路１０の端面１１との間の隙間に揮発性液体６０を滴下し、この隙間を揮発性液体６０で充填する。このとき、揮発性液体６０が光半導体素子３０の上面３４に達するまで揮発性液体６０を滴下することが好ましい。また、揮発性液体６０としては、揮発しやすく、基板２０や光半導体素子３０を汚染する懸念の低いものが好ましい。例えば、揮発性液体６０として、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を用いるのが好適であるが、これらに限られるものではない。
【００３２】
次に、図４Ｃに示すように、揮発性液体６０の上方、光半導体素子３０の上面３４、及び凹部２２の周囲の基板２０の上面２１を覆うようにポッティング樹脂４０を滴下する。上述したように、このポッティング樹脂４０としては、熱硬化型樹脂、ＵＶ硬化型樹脂、湿気硬化型樹脂、嫌気硬化型樹脂などを用いることができるが、ポッティング樹脂４０を硬化させるときの温度が揮発性液体６０の揮発温度よりも高くなるように、ポッティング樹脂４０及び揮発性液体６０を選択する。
【００３３】
その後、図４Ｄに示すように、加熱処理や減圧処理などを行うことにより揮発性液体６０を揮発させる。揮発した揮発性液体６０は、ポッティング樹脂４０を透過して外部に蒸発する。これにより、揮発性液体６０があった場所に空間（中空空間Ｓ）が形成される。この後、ポッティング樹脂４０の種類に応じた処理（ＵＶ照射や加熱など）を行うことでポッティング樹脂４０を硬化させる。これにより、図２に示す光デバイス１が得られる。このように、本実施形態によれば、光学特性が悪化することを抑制できる光デバイス１を極めて簡単に製造することができる。
【００３４】
ところで、図１に示す従来の例においては、基板５２０内の光導波路５１０と光半導体素子５３０との間で光が効果的に伝搬するように、ポッティング樹脂５４０を透明にすることが要求される。一方で、ポッティング樹脂５４０を透明にすると、外部からの外乱光がポッティング樹脂５４０を透過して光デバイス１内の光路に入り、光デバイス１の光学特性が悪化することが考えられる。これに対して、本実施形態では、基板５２０内の光導波路５１０と光半導体素子５３０との間で伝搬される光は、ポッティング樹脂４０内ではなく、中空空間Ｓ内を伝搬するので、ポッティング樹脂４０を透明にする必要がない。したがって、ポッティング樹脂４０として例えば黒色などの有色の樹脂を用いることが可能であり、有色のポッティング樹脂４０を用いることで外乱光などによるバックグラウンドノイズを抑制することができる。
【００３５】
上述のように、揮発性液体６０を滴下する際に、光半導体素子３０と基板２０との間の隙間だけではなく、揮発性液体６０が光半導体素子３０の上面３４に達するまで揮発性液体６０を滴下することが好ましい。揮発性液体６０を光半導体素子３０の上面３４に達するまで滴下することで、図２に示すように、完成した光デバイス１において中空空間Ｓが光半導体素子３０の上面３４に達するように構成することができる。
【００３６】
上記では、揮発性液体６０を用いて中空空間Ｓを形成した例を説明したが、上述した中空空間Ｓの形成方法はこれに限られるものではない。例えば、基板２０に光半導体素子３０を実装した後に、基板２０の光導波路１０と光半導体素子３０の端面３６との間の隙間の上方を覆うようにシート状部材を配置し、このシート状部材を覆うようにポッティング樹脂を形成することによっても、上述した中空空間Ｓを形成することができる。この場合において、中空空間Ｓが光半導体素子３０の上面３４に達するように、シート状部材が光半導体素子３０の上面３４に達するようにシート状部材を形成することが好ましい。
【００３７】
図５は、本発明の第２の実施形態における光デバイス１０１を模式的に示す縦断面図、図６は、図５のＢ−Ｂ線断面図である。図５及び図６に示すように、本実施形態における光デバイス１０１は、光半導体素子３０の周囲に空気の層からなる中空空間Ｓを有している。すなわち、この中空空間Ｓは、光半導体素子３０内の光導波路３２の端面３６と基板２０内の光導波路１０の端面１１との間だけではなく、光半導体素子３０の周囲にわたって形成されている。その他の点については、上述した第１の実施形態と同様である。
【００３８】
このように、本実施形態では、光デバイス１０１の光半導体素子３０の周囲にわたって中空空間Ｓが形成されているため、上述した第１の実施形態に比べて中空空間Ｓの体積が増加する。したがって、光半導体素子３０の縁部に生じる応力集中をより一層防止又は緩和することができる。
【００３９】
このような光デバイス１０１を製造する際には、基板２０に光半導体素子３０を実装した後、図７Ａに示すように、光半導体素子３０の周囲を取り囲む空間（光半導体素子３０の側面と基板２０の凹部２２の側面との間の隙間）に揮発性液体６０を滴下する。このとき、揮発性液体６０が光半導体素子３０の上面３４に達するまで揮発性液体６０を滴下することが好ましい。
【００４０】
次に、図７Ｂに示すように、揮発性液体６０の上方、光半導体素子３０の上面３４、及び凹部２２の周囲の基板２０の上面２１を覆うようにポッティング樹脂４０を滴下する。その後、図７Ｃに示すように、加熱処理や減圧処理などを行うことにより揮発性液体６０を揮発させ、揮発性液体６０があった場所に空間（中空空間Ｓ）を形成する。そして、ポッティング樹脂４０の種類に応じた処理（ＵＶ照射や加熱など）を行うことでポッティング樹脂４０を硬化させる。これにより、図５に示す光デバイス１０１が得られる。
【００４１】
このような方法により、光半導体素子３０の周囲にわたって中空空間Ｓが形成された光デバイス１０１を製造することができる。したがって、光半導体素子３０の縁部に生じる応力集中がより一層防止又は緩和された光デバイス１０１を得ることができる。
【００４２】
また、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、シート状部材を用いて中空空間Ｓを形成することができる。例えば、基板２０に光半導体素子３０を実装した後に、光半導体素子３０の周囲を取り囲む空間（光半導体素子３０の側面と基板２０の凹部２２の側面との間の隙間）の上方を覆うようにシート状部材を配置し、このシート状部材を覆うようにポッティング樹脂を形成することによっても、上述した中空空間Ｓを形成することができる。この場合においても、中空空間Ｓが光半導体素子３０の上面３４に達するように、シート状部材が光半導体素子３０の上面３４に達するようにシート状部材を形成することが好ましい。このような方法によっても、光半導体素子３０の周囲にわたって中空空間Ｓが形成された光デバイス１０１を製造することができる。したがって、光半導体素子３０の縁部に生じる応力集中がより一層防止又は緩和された光デバイス１０１を得ることができる。
【００４３】
上述の実施形態においては、光半導体素子３０がフリップチップ実装によって基板２０上に実装されているが、光半導体素子３０の実装方法はフリップチップ実装に限られるわけではなく、例えばワイヤボンディングなど種々の実装方法を用いることができる。
【００４４】
本明細書において使用した用語「上」、「上方」、「下方」、「底」、その他の位置関係を示す用語は、図示した実施形態との関連において使用されているのであり、装置の相対的な位置関係によって変化するものである。
【００４５】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４６】
１    光デバイス
１０    光導波路
２０    基板
２２    凹部
３０    光半導体素子
３６    端面
４０    ポッティング樹脂
５０    バンプ
５２    アンダーフィル
６０    揮発性液体
１０１    光デバイス
Ｃ    光路
Ｓ    中空空間
【図１】
2019086673.tif 000003
【図２】
2019086673.tif 000004
【図３】
2019086673.tif 000005
【図４Ａ】
2019086673.tif 000006
【図４Ｂ】
2019086673.tif 000007
【図４Ｃ】
2019086673.tif 000008
【図４Ｄ】
2019086673.tif 000009
【図５】
2019086673.tif 000010
【図６】
2019086673.tif 000011
【図７Ａ】
2019086673.tif 000012
【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
2019086673.tif 000014