(57)【要約】【課題】弾性波デバイスの設計の自由度を向上すること【解決手段】圧電基板１０ａと、前記圧電基板１０ａに設けられ、前記圧電基板１０ａの一方の面に第１領域２５ａ、前記圧電基板１０ａの他方の面に前記第１領域より面積の小さい第２領域２５ｂを有する前記圧電基板１０ａを貫通する第１のビア電極１１と、前記圧電基板１０ａの他方の面上に設けられる弾性波素子を含む機能部１３と、前記圧電基板１０ａの一方の面に貼り合わされる支持基板１０ｂと、前記支持基板１０ｂに設けられ、前記第１のビア電極１１に接続される前記支持基板１０ｂを貫通する第２のビア電極１２とを有する弾性波デバイス。【選択図】図１
2019117992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板に設けられ、前記圧電基板の一方の面に第１領域、前記圧電基板の他方の面に前記第１領域より面積の小さい第２領域を有する前記圧電基板を貫通する第１のビア電極と、
前記圧電基板の他方の面上に設けられる弾性波素子を含む機能部と、
前記圧電基板の一方の面に貼り合わされる支持基板と、
前記支持基板に設けられ、前記第１のビア電極に接続される前記支持基板を貫通する第２のビア電極とを有する弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第２のビア電極は、前記支持基板の一方の面に第３領域、前記支持基板の他方の面に第３領域より面積の小さい第４領域を有する請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記圧電基板の他方の面上に搭載され、接続手段を介して前記第１のビア電極に接続される圧電素子をさらに有する請求項１または２に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電素子は、ＦＢＡＲである請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１のビア電極と前記第２のビア電極は、直に接続されている請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記支基板は、サファイア、スピネル、シリコンまたはアルミナのいずれかである請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
圧電基板の一方の面に前記圧電基板の途中まで第１の孔部を形成する第１の工程と、
支持基板の一方の面に前記支持基板の途中まで第２の孔部を形成する第２の工程と、
前記第１の孔部に第１のビア電極を形成する第３の工程と、
前記第２の孔部に第２のビア電極を形成する第４の工程と、
前記圧電基板および前記支持基板を、前記圧電基板の一方の面と前記支持基板の一方の面とで貼り合わせる第５の工程と、
前記圧電基板を前記圧電基板の他方の面から前記第１のビア電極を露出させる第６の工程と、
前記支持基板を前記支持基板の他方の面から前記第２のビア電極を露出させる第７の工程と、
前記圧電基板の他方の面上に弾性波素子を含む機能部を形成する第８の工程とを有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第５の工程は、前記第１のビア電極と前記第２のビア電極を直に接続するように前記圧電基板と前記支持基板を貼り合わせることを特徴とする請求項８に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、前記第１の孔部が、開口から底にかけて径が小さくなるテーパー形状に形成される請求項８または９に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程において、前記第２の孔部が、開口から底にかけて径が小さくなるテーパー形状に形成される請求項８から１０のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイスとその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの無線通信機器に用いられるデュプレクサや段間フィルタには、弾性波デバイスが使われる。弾性波デバイスの構造は、特許文献１に記載されるように、圧電基板の主面に機能部を配置した２つの基板をそれぞれの基板の機能部が空隙を介して対向するように接合する構造が知られている。機能部は、例えばＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極で構成される。
【０００３】
上記のような機能部を形成した基板を接合する方法では、基板間に加わる熱応力等により基板に歪みが生じ、機能部の特性が劣化する。これを解消するため、特許文献２には、圧電基板に支持基板を貼り合わせた基板を用いる方法が記載されている。このような貼り合わせ基板を用いた弾性波デバイスは、例えば図３のような構成である。図３に示される弾性波デバイスの基板１１０は、圧電基板１１０ａと、支持基板１１０ｂとを貼り合わせた基板である。圧電基板１１０ａには、IDT電極により構成された機能部１１３が設けられている。支持基板１１０ｂには端子１１４が設けられている。配線１２０ａを介して機能部１１３と端子１１４とを電気的に接続するために、圧電基板１１０ａには第１のビア電極１１１が、支持基板１１０ｂには第２のビア電極１１２が、それぞれ設けられている。圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂは、ビア電極１１１とビア電極１１２を接続するように貼り合わされる。ビア電極１１１とビア電極１１２とを接続することにより、ビア電極１１１とビア電極１１２は、基板１１０の貫通電極となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５４６２０７号広報
【特許文献２】特開２０１７−１５７９２２号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述のような貫通電極を設けるため、圧電基板と支持基板には、貫通孔を形成する必要がある。しかしながら、圧電基板の穴開け加工が難しく、貫通孔の形成時にテーパーがつく。圧電基板と支持基板を貼り合わせてから貫通孔を形成すると、圧電基板の支持基板と貼り合わされる面の裏面、すなわち、機能部を配置する面において、貫通孔の開口部が大きくなり、機能部の形成を可能とする面積が小さくなる。その結果、圧電基板の設計自由度が低くなるという課題を有していた。
【０００６】
本発明は、このような課題を鑑みてなされたものであり、設計自由度の高い弾性波デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため本発明の弾性波デバイスおよびその製造方法では、圧電基板を貫通する貫通孔が、圧電基板の一方の主面と他方の主面に開ける２つの開口の内、孔径の小さい方の開口を持つ面を機能部を配置する面にすることにより、設計の自由度を大きくする。
【０００８】
そのため、本発明に係る弾性波デバイスは、圧電基板と、前記圧電基板に設けられ、前記圧電基板の一方の面に第１領域、前記圧電基板の他方の面に前記第１領域より面積の小さい第２領域を有する前記圧電基板を貫通する第１のビア電極と、前記圧電基板の他方の面上に設けられる弾性波素子を含む機能部と、前記圧電基板の一方の面に貼り合わされる支持基板と、前記支持基板に設けられ、前記第１のビア電極に接続される前記支持基板を貫通する第２のビア電極とを具備することを特徴とする。
【０００９】
上記構成において、前記第２のビア電極は、前記支持基板の一方の面に第３領域、前記支持基板の他方の面に第３領域より面積の小さい第４領域を有することを特徴とする。
【００１０】
上記構成において、前記圧電基板の他方の面上に搭載され接続手段を介して接続される圧電素子をさらに有する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記圧電素子はFBARである構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１のビア電極と前記第２のビア電極は直に接続されている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記圧電基板はタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記支基板はサファイア、スピネル、シリコンまたはアルミナのいずれかである構成とすることができる。
【００１５】
本発明に係る弾性波デバイスの製造方法は、圧電基板の一方の面に前記圧電基板の途中まで第１の孔部を形成する第１の工程と、支持基板の一方の面に前記支持基板の途中まで第２の孔部を形成する第２の工程と、前記第１の孔部に第１のビア電極を形成する第３の工程と、前記第２の孔部に第２のビア電極を形成する第４の工程と、前記圧電基板および前記支持基板を、前記圧電基板の一方の面と前記支持基板の一方の面とで貼り合わせる第５の工程と、前記圧電基板を前記圧電基板の他方の面から前記第１のビア電極を露出させる第６の工程と、  前記支持基板を前記支持基板の他方の面から前記第２のビア電極を露出させる第７の工程と、前記圧電基板の他方の面上に弾性波素子を含む機能部を形成する第８の工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、前記第５の工程は、前記第１のビア電極と前記第２のビア電極を直に接続するように前記圧電基板と前記支持基板を貼り合わせることを特徴とする。
【００１７】
また、前記第１の工程において、前記第１の孔部が、開口から底にかけて径が小さくなるテーパー形状に形成されることを特徴とする。
【００１８】
また、前記第２の工程において、前記第２の孔部が、開口から底にかけて径が小さくなるテーパー形状に形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、弾性波デバイスにおける圧電基板の設計の自由度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、実施例に係る弾性波デバイスを示す断面図である。
【図２】図２は、図１の基板１０を圧電素子１８側から見た平面図である。
【図３】図３は、比較例に係る弾性波デバイスを示す断面図である。
【図４】図４（１）〜（４）は、比較例における基板１１０の穴開け加工の方法を示す図である。
【図５】図５は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６】図６は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）および（ｂ）は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１０】図１０（ａ）および（ｂ）実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１１】図１１（ａ）および（ｂ）は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その７）である。
【図１２】図１２は、実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その８）である。
【図１３】図１３は、実施例の変形例に係る弾性波デバイスを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る弾性波デバイスの実施例について、図面を用いて説明する。説明のため図の上側方向を上、図の下側方向を下とする。
【実施例】
【００２２】
図１は、本実施例に係る弾性波デバイスの断面図であり、後述する図２のＡ−Ａ断面図である。本実施例に係る弾性波デバイスは、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂとを貼り合わせた基板１０を用いる。圧電基板１０ａは、例えば膜厚が１〜２０μｍのタンタル酸リチウム基板やニオブ酸リチウム基板である。支持基板１０ｂは、例えば膜厚が７５〜１００μｍのサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板である。
【００２３】
圧電基板１０ａには第１のビア電極１１が、支持基板１０ｂには第２のビア電極１２がそれぞれ設けられている。ビア電極１１およびビア電極１２は、基板１０に設けられた貫通孔に金属めっきが充填されたものである。圧電基板１０ａと支持基板１０ｂは、ビア電極１１とビア電極１２とが直に接触し、電気的に接続するように貼り合わされている。ここで、直に接触するとは、次の事を意味している。図１において、電極１１と電極１２は、間に配線等何も介在していないが、電極１１と電極１２とが直接接している状態を言う。もちろん、間に配線等の金属層を介して電極１１と電極１２とが接触していてもよい。
【００２４】
基板１０ａの上面には、機能部１３と配線２０ａが設けられている。機能部１３はＩＤＴ電極である。基板１０ｂの下面には、端子１４が設けられている。端子１４は、機能部１３を外部と接続するためのフットパッドである。
【００２５】
ビア電極１１、ビア電極１２および配線２０ａは、例えば銅、アルミニウムまたは金からなる金属である。端子１４は、例えば上から膜厚がそれぞれ０．１μｍのチタン、２．３μｍの銅、５μｍのニッケル、０．３μｍの金からなる金属である。ビア電極１１およびビア電極１２は、配線２０ａと端子１４を電気的に接続する。
【００２６】
圧電基板１０ａの外縁には、環状金属層１５と、環状電極１６が設けられている。環状金属層１５は、例えば銅、アルミニウムなどの金属からなる。環状電極１６は、複数の金属からなり、環状電極１６ａは、例えば金、環状電極１６ｂは、例えばニッケル、環状電極１６ｃは、例えばチタンである。
【００２７】
圧電素子１８は、例えばＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）フィルタにより構成されている弾性波デバイスである。圧電素子１８の下面にＦＢＡＲが形成されているが図では省略する。圧電素子１８の基板はシリコンである。圧電素子１８の下面には、ＦＢＡＲ素子と接続された配線２０ｂが設けられている。配線２０ｂは、例えば銅、アルミニウム、金からなる金属である。バンプ１９は、配線２０ａと配線２０ｂとを接続する。バンプ１９は、金、又ははんだバンプである。バンプ以外に導電性接着剤、異方性導電樹脂等の接続手段を用いてもよい。このようにして、圧電素子１８は、圧電基板１０ａの上に搭載される。
【００２８】
基板１０の上側に、圧電素子１８を囲むように封止部材１７が設けられている。封止部材１７は、環状電極１６に接合されている。封止部材１７は、圧電素子１８の側面には接合されていない。封止部材１７は、例えば金-錫合金はんだなどの金属または樹脂である。圧電素子１８上および封止部材１７上にリッド２１が設けられている。リッド２１は、例えば膜厚が１５μｍで、圧電素子１８の熱膨張率と同じ熱膨張率のコバール板である。リッド２１と封止部材１７とを覆うように保護膜２２が設けられている。保護膜２２は、例えば膜厚が１０μｍのニッケルである。
【００２９】
ビア電極１１は、圧電基板１０ａの一方の面である支持基板１０ｂと貼り合わされる面に第１領域２５ａ、他方の面に第２領域２５ｂをそれぞれ有する。本実施例に係る弾性波デバイスでは、領域２５ｂの面積は、領域２５ａの面積より小さい。ビア電極１２は、支持基板１０ｂの一方の面である圧電基板１０ａと貼り合わされる面に第３領域２６ａ、他方の面に第４領域２６ｂをそれぞれ有する。領域２６ｂの面積は領域２６ａより小さい。領域２５ａ、領域２５ｂ、領域２６ａおよび領域２６ｂの上または下から見た形状は、例えば円形である。楕円や多角形でもよい。領域２５ａおよび領域２５ｂの径は、例えばそれぞれ５０μｍ、７０μｍであり、領域２６ａおよび領域２６ｂの径は、例えばそれぞれ４０μｍ、１５μｍである。
【００３０】
図２は、実施例に係る弾性波デバイスを示す平面図である。図２に示すように、基板１０ａ内には配線２０ａに接続するビア電極１１が形成されている。基板１０ａの上面には、複数の機能部１３と配線２０ａ、環状金属層１５および環状電極１６が設けられている。配線２０ａ上にバンプ１９が設けられている。破線４０は圧電素子１８が搭載される領域である。機能部１３はＩＤＴ電極で構成され、高周波の信号が入力されると圧電基板１０ａの表面に弾性波を発生させ、ＩＤＴ電極の構造周期に応じた波長の弾性波の定在波を利用してフィルタ作用を得て、特定の周波数の信号を入力信号からフィルタリングする。
【００３１】
図３は、比較例に係る弾性波デバイスを示す断面図である。比較例の弾性波デバイスは、圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂとが貼り合わされている。圧電基板１１０ａには、ビア電極１１１が設けられている。ビア電極１１１は、圧電基板１１０ａ上で、支持基板１１０ｂと貼り合わせる面である一方の面に第１領域１２５ａを有し、他方の面に領域１２５ｂを有する。その他の構成は図１に示す実施例と同様である。比較例では、領域１２５ｂが領域１２５ａと比べて面積が大きくなるが、これについて図４を用いて説明する。
【００３２】
図４は、比較例に係る弾性波デバイスの貼り合わせ基板の貫通孔形成の工程を示す図である。図４の圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂとを貼り合わせた基板１１０に貫通孔を形成するにあたっては、以下のような圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂを段階的に孔開け加工する手法が用いられている。
【００３３】
はじめに、図４（１）に示すように、圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂを貼り合わせた基板１１０を用意して、パターニングされたレジスト１３０を形成する。圧電基板１１０ａをタンタル酸リチウムとした場合の圧電基板１１０ａをエッチングする方法は、例えばスパッタエッチングである。エッチングに用いられるエッチングガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）ガスである。プラズマ化したＡｒを圧電基板１１０ａに衝突させスパッタエッチングする。Ａｒガスの粒子は、粒子同士が衝突することによって、レジスト１３０のパターン開口部に垂直に入射するものばかりではなく、斜めに入射することでレジスト１３０に衝突してレジスト１３０のパターン開口上部を削る。それとともに、Ａｒガスの衝突で弾かれた圧電基板１１０ａの粒子が、レジスト１３０の側壁に衝突してレジスト１３０を削り、レジスト１３０の形状が破線１３１に示すようなテーパー形状を形成しながらスパッタエッチングが進行する。
【００３４】
これにより、図４（２）に示すように、圧電基板１１０ａはテーパー状にエッチングされ、孔部１２３が形成される。レジスト１３０はアッシングで取り除かれる。
【００３５】
次に、図４（３）に示すように、支持基板１１０ｂにレーザー光１３２を照射し、破線１３３に示すように、支持基板１１０ｂの途中まで孔部１２４を形成する。レーザー光１３２は、光軸である中央部と外側の周縁部とでエネルギー密度が異なるため、中央部に近いほど支持基板１１０ｂの加工が早く進み、孔部１２４はテーパー状に形成される。
【００３６】
図４（４）に示すように、支持基板１１０ｂを図の下側の面から研磨または研削する。これらの工程を通して圧電基板１１０ａと支持基板１１０ｂとを貫通する貫通孔が形成される。孔部１２３と孔部１２４は、後の工程で金属めっきが充填され、それぞれ図３中のビア電極１１１とビア電極１１２となる。ビア電極１１１の有する領域１２５ｂの面積は、領域１２５ａの面積と比べて大きくなる。領域１２５ｂが大きくなるほど機能部１１３を配置できる面積が小さくなり、設計の自由度は小さくなる。
【００３７】
次に、図５〜図１２を用いて実施例に係る弾性波デバイスの製造方法を説明する。なお、図では簡単のため最終的に製造される本実施例の弾性波デバイスを２つのみ示すが、製造される本実施例の弾性波デバイスは２つ以上であってもよい。
【００３８】
図５は、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂの断面図である。図５に示すように、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂを準備する。準備する圧電基板１０ａと支持基板１０ｂの厚さは、例えば、それぞれ４０μｍ、５００μｍである。圧電基板１０ａの途中まで第１の孔部２３と環状電極を形成するための外縁孔部２７、支持基板１０ｂの途中まで第２の孔部２４をそれぞれ形成する。圧電基板１０ａの孔部２３及び外縁孔部２７の形成方法は例えば、スパッタエッチング法、反応性イオンエッチング法、イオンミリング法、ブラスト法などがある。これらの方法はイオン等を試料に衝突させて試料をエッチングする方法であるため、図４（１）で説明したスパッタエッチング法と同様に、圧電基板１０ａがテーパー形状にエッチングされる。支持基板１０ｂの孔部２４は、例えばレーザーを照射して形成する。この時孔部２３、孔部２４および外縁孔部２７は、前述の理由でテーパーがつき、開口部の面積が孔部の底の面積より大きくなる。例えば孔部２３の深さは１〜２０μｍでありテーパーの勾配は６０度、孔部２４の深さは７５〜１００μｍでありテーパーの勾配は８０〜８５度である。
【００３９】
次に、図６に示すように、孔部２３、孔部２４および外縁孔部２７の内部にシード層（不図示）を形成した後、シード層に電流を供給し電解めっき法を用いてビア電極１１、ビア電極１２及び環状金属層１５をそれぞれ形成する。シード層は例えば膜厚が１００nmのチタンである。めっきに用いる金属材は、例えば銅とすることができる。その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などを用いて孔部２３、孔部２４、および外縁孔部２７の外に形成された不要なめっき層を除去する。
【００４０】
次に、図７に示すように、圧電基板１０ａを反転し、支持基板１０ｂと貼り合わせる。この時、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂは、ビア電極１１とビア電極１２が接続するように貼り合わされる。貼り合わせの方法としては、例えば特許第３７７４７８２号に記載されるように圧電基板１０ａと支持基板１０ｂとのそれぞれの貼り合わせ面を活性化させ常温接合する方法で貼り合わせることができる。
【００４１】
次に、図８に示すように、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂをそれぞれの貼り合わせ面の裏面からビア電極１１とビア電極１２が露出するまで研磨もしくは研削する。
【００４２】
次に、図９（ａ）に示すように、圧電基板１０ａ上に機能部１３および配線２０ａを形成する。機能部１３は、例えば基板１０側からチタン、アルミニウムの順である。配線２０ａは、例えば基板１０側からチタンおよび金である。
【００４３】
次に、図９（ｂ）に示すように、環状金属層１５上に環状電極１６を形成する。環状電極１６は、例えば基板１０側からチタン、ニッケル、金の順であり、蒸着法またはリフトオフ法を用いて形成する。
【００４４】
次に、図１０（ａ）に示すように、ビア電極１２に接続するように端子１４を形成する。端子１４の形成方法は、例えば基板１０の下面にシード層（不図示）を形成し、シード層下に開口を有するレジストを形成し、シード層に電流を供給して電解めっき法を用いて開口内にめっき層を形成し、開口内のめっき層以外のめっき層とシード層を除去して端子１４を形成する。シード層は、例えば基板１０側からチタンおよび銅とすることができる。めっき層は、例えば基板１０側からチタン、銅、ニッケル、および金とすることができる。
【００４５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、基板１０上に圧電素子１８をバンプ１９により搭載する。圧電素子１８は、ＦＢＡＲフィルタにより構成されている弾性波デバイスであり、圧電素子１８の下面のバンプ１９が配線２０ａと配線２０ｂとを接続する。
【００４６】
次に、図１１（ａ）の基板１０の上側に圧電素子１８を覆うようにはんだ板（不図示）を配置する。はんだ板の上面にリッド２１を配置する。リッド２１は圧電素子１８の熱膨張率と同じ熱膨張率のコバールである。リッド２１ではんだ板を基板１０に押圧しはんだ板の融点以上に加熱する。これによりはんだ板が溶融し、封止部材１７が形成される。封止部材１７は、環状電極１６に接合する。封止部材１７は、圧電素子１８とのはんだ濡れ性が悪いため、圧電素子１８の側面に接触したとしても接合はしない。封止部材１７はリッド２１に接合する。リッド２１は、圧電素子１８上に接触するが接合はしない。
【００４７】
次に、図１１（ｂ）に示すように、基板１０の下面をレジストなどの保護材２８で保護する。ダイシングソー等を用いてリッド２１、封止部材１７、および基板１０を切断する。
【００４８】
次に、図１２に示すように、封止部材１７の側面を覆うように保護膜２２を形成する。保護膜２２は、例えばニッケルでありバレルめっき法を用いて形成する。以上により実施例に係る弾性波デバイスが完成する。
【００４９】
以上のとおり、図１の本実施例の領域２５ｂの径は５０μｍである。図３の比較例の領域１２５ｂの径は７０μｍであるから、本実施例は比較例と比べて圧電基板１０ａの表面を占める領域２５ｂの面積を約５１％にすることができる。図２に示すように、圧電基板１０ａの領域２５ｂの面積を小さくすることにより、機能部１３や配線２０ａを配置可能な面積を大きくすることができ、弾性波デバイスの設計の自由度を高くすることができる。
【００５０】
図１３は、本実施例の変形例に係る弾性波デバイスを示す断面図である。図１３に示すように、実施例との相違点は支持基板１０ｂが反転して接合されていることである。孔部２４は支持基板１０ｂと圧電基板１０ａとの貼り合わせ面に領域２６ｂ、貼り合わせ面の裏面に領域２６ａを有する。また、支持基板１０ｂの貼り合わせ面上にビア電極１１とビア電極１２を接続する配線２０ｃが設けられている。その他の構成は実施例と同じである。
【００５１】
面積の大きい領域２６ｂのある面を支持基板１０ｂの下面にすることにより、ビア電極１２と端子１４との接続する面積を実施例と比較して大きくし、接続の不良を防ぐことができる。また、ビア電極１１とビア電極１２を配線２０ｃで接続する構造とすることで、圧電基板１０ａと支持基板１０ｂの貼り合わせ工程の際、ビア電極１１とビア電極１２の位置合わせの労力を減らすことができる。
【００５２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、圧電素子１８は、ＦＢＡＲ以外にＳＡＷフィルタ、チップコンデンサ、またはチップインダクタ等の電子部品でもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０,１１０  基板
１０ａ，１１０ａ  圧電基板
１０ｂ，１１０ｂ  支持基板
１１，１１１  第１のビア電極
１２，１１２  第２のビア電極
２３  第１の孔部
２４  第２の孔部
２５ａ，１２５ａ  第１領域
２５ｂ，１２５ｂ  第２領域
【図１】
2019117992.tif 000003
【図２】
2019117992.tif 000004
【図３】
2019117992.tif 000005
【図４】
2019117992.tif 000006
【図５】
2019117992.tif 000007
【図６】
2019117992.tif 000008
【図７】
2019117992.tif 000009
【図８】
2019117992.tif 000010
【図９】
2019117992.tif 000011
【図１０】
2019117992.tif 000012
【図１１】
2019117992.tif 000013
【図１２】
2019117992.tif 000014
【図１３】
2019117992.tif 000015