(57)【要約】【課題】発光素子を適切に駆動する。【解決手段】駆動装置は、発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部とを備える。本技術は、例えば、測距モジュールに適用できる。【選択図】図２
2019041201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部と
を備える駆動装置。
【請求項２】
前記設定部は、前記発光素子の発光強度が駆動電流に対して略線形に変化する線形区間内の複数の値が異なる第１の駆動電流により前記発光素子をそれぞれ発光させた場合の複数の第１のサンプル光量、及び、前記オフセット光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記バイアス電流の設定を行う
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記設定部は、設定された前記バイアス電流に基づく駆動電流により前記発光素子を発光させた場合の第１のテスト光量を前記受光素子により検出した結果、及び、前記オフセット光量の検出結果に基づいて、前記バイアス電流の異常の検出を行う
請求項２に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記複数の第１の駆動電流は、前記発光素子の閾値電流の近傍の電流である
請求項２に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記設定部は、前記発光素子の発光強度が駆動電流に対して略線形に変化する線形区間より大きい複数の値が異なる第２の駆動電流により前記発光素子をそれぞれ発光させた場合の複数の第２のサンプル光量、及び、前記オフセット光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記線形区間より大きい前記ターゲット電流を設定する
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記設定部は、設定された前記ターゲット電流に基づく駆動電流により前記発光素子を発光させた場合の第２のテスト光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記ターゲット電流の異常の検出を行う
請求項５に記載の駆動装置。
【請求項７】
前記受光素子は、前記出射光を拡散させる拡散部材により反射された戻り光を受光し、
前記設定部は、前記オフセット光量の検出結果及び前記第２のテスト光量の検出結果に基づいて、前記拡散部材の異常の検出を行う
請求項６に記載の駆動装置。
【請求項８】
前記出力制御部は、前記ターゲット電流及び前記バイアス電流を加算した駆動電流の出力を制御する
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項９】
前記出射光を用いて対象物までの距離の測定が行われ、
前記設定部は、前記距離の測定前に、前記オフセット光量の検出結果に基づいて、前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項１０】
前記受光素子は、前記出射光が所定の部材により反射されて戻ってくる戻り光を受光する
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項１１】
前記出力制御部は、カレントミラー比が可変のカレントミラー回路を備え、前記カレントミラー回路の出力電流と前記バイアス電流を加算した駆動電流の出力を制御する
請求項１に記載の駆動装置。
【請求項１２】
前記カレントミラー比は、前記出力電流の出力を開始するときに下げられる
請求項１１に記載の駆動装置。
【請求項１３】
前記カレントミラー比は、前記出力電流の出力が開始されてから所定の遅延時間が経過した後に下げられる
請求項１１に記載の駆動装置。
【請求項１４】
前記遅延時間は可変である
請求項１３に記載の駆動装置。
【請求項１５】
前記カレントミラー回路の出力段に接続可能なシャント回路が設けられており、
前記シャント回路は、前記出力電流の出力が開始されてから前記遅延時間が経過するまでの間、前記出力段に接続され、前記遅延時間の経過後に、前記出力段から切り離される
請求項１３に記載の駆動装置。
【請求項１６】
前記シャント回路を構成する抵抗は、電界効果トランジスタのオン抵抗により構成され、
前記電界効果トランジスタのゲート電圧は、前記カレントミラー回路の入力電流により線形に変化する
請求項１５に記載の駆動装置。
【請求項１７】
前記カレントミラー回路の入力段は、複数のトランジスタを備え、
前記複数のトランジスタのオン又はオフの状態により、前記カレントミラー比が変化する
請求項１１に記載の駆動装置。
【請求項１８】
前記出力電流の出力開始前に、前記複数のトランジスタのうちの一部がオフしており、
前記出力電流の出力を開始するとき、又は、前記出力電流の出力が開始されてから所定の遅延時間が経過した後に、前記オフしているトランジスタのうちの少なくとも一部がオンする
請求項１７に記載の駆動装置。
【請求項１９】
駆動装置が、
発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行い、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する
駆動方法。
【請求項２０】
発光素子と、
前記発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子と、
前記受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部と
を備える発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、駆動装置、駆動方法、及び、発光装置に関し、特に、発光素子を適切に駆動できるようにした駆動装置、駆動方法、及び、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＤ（Laser Diode、半導体レーザ）の閾値電流近傍の値が異なる２種類のバイアス電流、及び、２種類のバイアス電流によりＬＤを発光させた場合に受光素子により検出される受光パワーに基づいて、ＬＤのバイアス電流と受光パワーとの関係式を求めることが提案されている。また、求めた関係式において受光パワーが０のときの電流値をＬＤの閾値電流として算出することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４７４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、外光等の背景光の影響が考慮されていない。
【０００５】
例えば、レーザプリンタや光ディスク装置においては、ＬＤが筺体内に設置されるため、背景光がＬＤの周辺にほとんど存在しない。
【０００６】
一方、ＴｏＦ（Time of Flight）を用いた測距モジュールにおいては、レーザ光を外部に向けて出射可能な位置にＬＤが設置されるため、背景光がＬＤの周辺に存在する。そのため、ＬＤの未発光時も受光素子により検出される受光パワーは０にならない。従って、特許文献１に記載の発明によりＬＤの閾値電流を算出する場合、背景光の影響により算出結果に誤差が生じる。そして、この誤差によりＬＤを適切に駆動できなくなるおそれがある。
【０００７】
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ＬＤ等の発光素子を適切に駆動できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術の第１の側面の駆動装置は、発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部とを備える。
【０００９】
本技術の第１の側面の駆動方法は、駆動装置が、発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行い、設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する。
【００１０】
本技術の第２の側面の発光装置は、発光素子と、前記発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子と、前記受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部とを備える。
【００１１】
本技術の第１の側面又は第２の側面においては、発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定が行われ、設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力が制御される。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の第１の側面又は第２の側面によれば、発光素子のバイアス電流及びターゲット電流のうちの少なくとも１つを適切に設定することができる。また、本技術の第１の側面又は第２の側面によれば、発光素子を適切に駆動することができる。
【００１３】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載された何れかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術を適用した測距モジュールの一実施の形態を示すブロック図である。
【図２】ＬＤＤの構成例を示すブロック図である。
【図３】ＬＳＩの機能の構成例を示すブロック図である。
【図４】測距モジュールにより実行されるＡＰＣ実行処理を説明するためのフローチャートである。
【図５】測距モジュールにより実行されるＡＰＣ実行処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】背景光測定処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図７】背景光測定処理の詳細を説明するためのグラフである。
【図８】ＡＰＣ１の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図９】ＡＰＣ１の詳細を説明するためのグラフである。
【図１０】ＡＰＣ２の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図１１】ＡＰＣ２の詳細を説明するためのグラフである。
【図１２】ＡＰＣ１発光チェック処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図１３】ＡＰＣ１発光チェック処理の詳細を説明するためのグラフである。
【図１４】ＡＰＣ２発光チェック処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【図１５】ＡＰＣ２発光チェック処理の詳細を説明するためのグラフである。
【図１６】ディフューザの異常の検出方法を説明するための図である。
【図１７】ディフューザの異常の検出方法を説明するための図である。
【図１８】バイアス電流及びターゲット電流の誤差を説明するための図である。
【図１９】バイアス電流及びターゲット電流の誤差による発光遅延を説明するための図である。
【図２０】スイッチング電流生成回路の第１の実施の形態を示す回路図である。
【図２１】ＬＤの等価回路を示す回路図である。
【図２２】ＬＤの駆動電流のスルーレートの低下を説明するためのグラフである。
【図２３】ＬＤの駆動電流のスルーレートの限界を説明するためのグラフである。
【図２４】スイッチング電流生成回路の動作の第１の例を示すタイミングチャートである。
【図２５】スイッチング電流生成回路の動作の第２の例を示すタイミングチャートである。
【図２６】スイッチング電流生成回路の動作の第３の例を示すタイミングチャートである。
【図２７】スイッチング電流生成回路の第２の実施の形態を示す回路図である。
【図２８】スイッチング電流生成回路の第３の実施の形態を示す回路図である。
【図２９】スイッチング電流生成回路の第４の実施の形態を示す回路図である。
【図３０】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図３１】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術を実施するための形態について説明する。説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例
３．その他
【００１６】
＜＜１．実施の形態＞＞
＜測距モジュールの構成例＞
図１は、本技術を適用した測距モジュールの一実施の形態を示している。
【００１７】
測距モジュール１００は、ＴｏＦ方式により、レーザ光を用いて対象物までの距離を測定するモジュールである。測距モジュール１００は、基板１１１、光学モジュール１１２、ＬＤＤ（Laser Diode Driver）１１３、レンズ１１４、距離画像センサ１１５、及び、ＬＳＩ１１６を備える。光学モジュール１１２、ＬＤＤ１１３、レンズ１１４、距離画像センサ１１５、及び、ＬＳＩ１１６は、基板１１１上に装着されている。また、光学モジュール１１２及びＬＤＤ１１３により、レーザ光の発光を行う発光部１０１が構成される。
【００１８】
光学モジュール１１２は、ＬＤ（Laser Diode）１２１、ＰＤ（Photo Diode）１２２、及び、ディフューザ１２３を備える。
【００１９】
ＬＤ１２１は、所定の波長のレーザ光を出射する発光素子である。例えば、ＬＤ１２１は、ＬＤＤ１１３の制御の下に、対象物までの距離の測定に用いるレーザ光を出射する。
【００２０】
ＰＤ１２２は、ＬＤ１２１から出射されるレーザ光の強度（パワー）の測定に用いられる受光素子であり、受光量を示す受光信号を出力する。例えば、ＰＤ１２２は、ＬＤ１２１から出射されたレーザ光の一部がディフューザ１２３により反射されることにより戻ってくる戻り光を受光し、戻り光の光量を示す受光信号を出力する。
【００２１】
ディフューザ１２３は、ＬＤ１２１から出射されるレーザ光が、ＩＥＣ（International Electrotechnical Commission）６０８２５-１等の安全基準を満たすようにする目的で設けられる拡散部材である。ＬＤ１２１から出射されたレーザ光は、ディフューザ１２３を透過することにより拡散され、拡散光となる。また、レーザ光の一部はディフューザ１２３により反射され、その戻り光がＰＤ１２２に入射する。
【００２２】
ＬＤＤ１１３は、ＬＤ１２１に駆動電流を供給することにより、ＬＤ１２１の発光を制御する。また、ＬＤＤ１１３は、ＰＤ１２２からの受光信号に基づいて、ＬＤ１２１から出射されるレーザ光の強度（パワー）を制御するＡＰＣ（Auto Power Control）を行う。
【００２３】
レンズ１１４は、ＬＤ１２１からのレーザ光を測距対象となる対象物に照射したときに、対象物により反射されて戻ってくる反射光を距離画像センサ１１５の受光面に結像させる。
【００２４】
距離画像センサ１１５は、例えば、ＴｏＦ方式の距離画像センサであり、被写体までの距離（デプス）を画素毎に検出する。より具体的には、距離画像センサ１１５は、ＬＤ１２１から出射されるレーザ光と、被写体からの反射光との間の位相差を画素毎に検出し、検出した位相差を示す距離画像データをＬＳＩ１１６に供給する。
【００２５】
ＬＳＩ１１６は、ＬＤＤ１１３及び距離画像センサ１１５の制御を行ったり、距離画像データに基づいて、被写体までの距離の検出等の各種の処理を行ったりする。
【００２６】
なお、図１の光学モジュール１１２、ＬＤＤ１１３、レンズ１１４、距離画像センサ１１５、及び、ＬＳＩ１１６の基板１１１上の配置は、その一例であり、適宜変更することが可能である。
【００２７】
＜ＬＤＤの構成例＞
図２は、図１のＬＤＤ１１３の構成例を示している。ＬＤＤ１１３は、ＡＤＣ（Ａ／Ｄコンバータ）１５１及び駆動部１５２を備える。駆動部１５２は、設定部１６１、ＩＤＡＣ（電流出力Ｄ／Ａコンバータ）１６２、ＩＤＡＣ１６３、及び、出力制御部１６４を備える。
【００２８】
なお、ＬＤ１２１のアノード及びＰＤ１２２のカソードは、所定の電圧の電源１７１に接続されている。すなわち、この例では、ＬＤ１２１がアノードコモンとなっている。また、ＡＤＣ１５１の入力端子は、抵抗１７２を介して接地されている。
【００２９】
ＡＤＣ１５１は、ＰＤ１２２から供給される受光信号のＡ／Ｄ変換を行い、デジタルの受光信号を設定部１６１に供給する。
【００３０】
設定部１６１は、ＬＳＩ１１６の制御の下に、ＡＤＣ１５１からの受光信号に基づいて、ＬＤ１２１に供給するスイッチング電流及びバイアス電流の設定を行う。設定部１６１は、ＩＤＡＣ１６２から出力させるスイッチング電流の値を示すデジタルの入力信号をＩＤＡＣ１６２に供給する。また、設定部１６１は、ＩＤＡＣ１６３から出力させるバイアス電流の値を示すデジタルの入力信号をＩＤＡＣ１６３に供給する。
【００３１】
ＩＤＡＣ１６２は、入力信号のＤ／Ａ変換を行い、入力信号により示される値のスイッチング電流を生成し、出力制御部１６４に供給する。
【００３２】
ＩＤＡＣ１６３は、入力信号のＤ／Ａ変換を行い、入力信号により示される値のバイアス電流を生成し、出力制御部１６４に供給する。
【００３３】
出力制御部１６４は、ＬＤ１２１の駆動電流の出力の制御を行う。例えば、出力制御部１６４は、ＬＳＩ１１６の制御の下に、スイッチング電流を増幅し、増幅後のスイッチング電流とバイアス電流を加算した値をピークとするパルス状の駆動電流を生成し、ＬＤ１２１に供給する。
【００３４】
＜ＬＳＩの機能の構成例＞
図３は、図１のＬＳＩ１１６の機能の構成例を示している。ＬＳＩ１１６は、制御部２０１を含む機能を実現する。制御部２０１は、ＡＰＣ実行部２１１及び測距制御部２１２を備える。
【００３５】
ＡＰＣ実行部２１１は、ＬＤＤ１１３を制御することにより、ＬＤ１２１から出射されるレーザ光の強度を調整するＡＰＣを実行する。
【００３６】
測距制御部２１２は、測距モジュール１００による測距の制御を行う。より具体的には、測距制御部２１２は、ＬＤＤ１１３及び距離画像センサ１１５を制御することにより、対象物にレーザ光を照射し、距離画像データを取得する処理を制御する。
【００３７】
＜ＡＰＣ実行処理＞
次に、図４のフローチャート、及び、図５のタイミングチャートを参照して、測距モジュール１００により実行されるＡＰＣ実行処理について説明する。なお、この処理は、例えば、測距モジュール１００により測距を行う度に、測距前に実行される。
【００３８】
ステップＳ１において、測距モジュール１００は、背景光測定処理を実行する。ここで、図６のフローチャートを参照して、背景光測定処理の詳細について説明する。なお、この処理は、図５のＢＧ区間内に実行される。
【００３９】
ステップＳ１０１において、ＬＤＤ１１３は、ＬＤ１２１を非発光状態にする。具体的には、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流及びバイアス電流の値が０になるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、ＬＤ１２１に供給される駆動電流の値が０になり、ＬＤ１２１が非発光状態となる。
【００４０】
ステップＳ１０２において、ＬＤＤ１１３は、オフセット光量ＰＤ＿ＢＧを検出し、保持する。具体的には、ＡＤＣ１５１は、ＬＤ１２１が非発光状態のときのＰＤ１２２からの受光信号をＡ／Ｄ変換し、設定部１６１に供給する。設定部１６１は、このときの受光信号の値であるオフセット光量ＰＤ＿ＢＧを保持する。
【００４１】
図７は、ＬＤ１２１の発光特性の例を示すグラフである。図７において、横軸はＬＤ１２１の駆動電流を示し、縦軸はＰＤ１２２の検出光量を示しており、ＬＤ１２１の駆動電流とＰＤ１２２の検出光量（ＬＤ１２１の発光強度）との関係が示されている。
【００４２】
ＬＤ１２１は、駆動電流が閾値電流Ｉｔｈ未満では発光せず、駆動電流が閾値電流Ｉｔｈ以上になると発光する。
【００４３】
また、ＬＤ１２１の発光強度（発光パワー）は、駆動電流が閾値電流Ｉｔｈ以上となってから、ある程度のレベルに達するまでの区間（以下、線形区間と称する）内において、駆動電流に対して略線形に変化する。従って、ＰＤ１２２の検出光量は、線形区間内において駆動電流に対して略線形に変化する。
【００４４】
これに対して、駆動電流が大きくなり線形区間を超えると、ＬＤ１２１の発光強度は駆動電流に対して非線形に変化するようになる。具体的には、線形区間と比較して、ＬＤ１２１の発光強度の駆動電流に対する変化量が小さくなる。なお、以下、駆動電流が線形区間を超えた区間を非線形区間と称する。
【００４５】
また、ＰＤ１２２は、レーザ光の戻り光以外に、外光等の周辺の背景光を受光する。そのため、ＰＤ１２２の検出光量は、ＬＤ１２１が未発光のときにも０にならない。従って、オフセット光量ＰＤ＿ＢＧは、ＰＤ１２２による背景光の検出光量を示す。
【００４６】
ステップＳ１０２の処理の後、背景光測定処理は終了する。
【００４７】
図４に戻り、ステップＳ２において、測距モジュール１００は、ＡＰＣ１を実行する。ここで、図８のフローチャートを参照して、ＡＰＣ１の詳細について説明する。なお、この処理は、図５のＡＰＣ１区間内に実行される。
【００４８】
ステップＳ１３１において、ＬＤＤ１１３は、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１によりＬＤ１２１を発光させる。具体的には、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値が０、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿Ｌ１になるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿Ｌ１のバイアス電流（以下、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１と称する）がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００４９】
図９は、図７と同様に、ＬＤ１２１の駆動電流とＰＤ１２２の検出光量との関係を示している。バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１は、例えば、線形区間内において、ＬＤ１２１の閾値電流Ｉｔｈ近傍であって、閾値電流Ｉｔｈより大きい値に設定される。なお、ＡＰＣ実行処理において、閾値電流Ｉｔｈには、例えば、事前に算出された設計値（例えば、カタログ値）が用いられる。
【００５０】
ステップＳ１３２において、ＬＤＤ１１３は、サンプル光量ＰＤ＿Ｌ１を検出し、保持する。具体的には、ＡＤＣ１５１は、ＰＤ１２２からの受光信号をＡ／Ｄ変換し、設定部１６１に供給する。設定部１６１は、このときの受光信号の値であるサンプル光量ＰＤ＿Ｌ１を保持する。サンプル光量ＰＤ＿Ｌ１は、図９に示されるように、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１によりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００５１】
ステップＳ１３３において、ＬＤＤ１１３は、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１によりＬＤ１２１を発光させる。具体的には、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値が０、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿Ｈ１になるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿Ｈ１のバイアス電流（以下、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１と称する）がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００５２】
バイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１の値は、例えば、図９に示されるように、線形区間内において、閾値電流Ｉｔｈ近傍であって、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１より大きい値に設定される。
【００５３】
ステップＳ１３４において、ステップＳ１３２と同様の処理により、サンプル光量ＰＤ＿Ｈ１が検出され、保持される。サンプル光量ＰＤ＿Ｈ１は、図９に示されるように、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１によりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００５４】
ステップＳ１３５において、設定部１６１は、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを算出する。
【００５５】
上述したように、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１及びバイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１は、線形区間内に含まれる。そこで、設定部１６１は、図９に示されるように、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｌ１及びサンプル光量ＰＤ＿Ｌ１に対応する点Ｌ１、並びに、バイアス電流ＩＬＤ＿Ｈ１及びサンプル光量ＰＤ＿Ｈ１に対応する点Ｈ１を用いた２点補間の演算を行うことにより、オフセット光量ＰＤ＿ＢＧに対応するバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを算出する。このバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈは、閾値電流Ｉｔｈとほぼ等しい値となり、バイアス電流の精度が向上する。
【００５６】
なお、例えば、３以上の値が異なるバイアス電流によりＬＤ１２１を発光させた場合の３以上のサンプル光量を用いた補間処理により、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを算出するようにしてもよい。
【００５７】
ステップＳ１３６において、設定部１６１は、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈが想定の範囲内であるか否かを判定する。すなわち、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈの演算結果のチェックが行われる。例えば、設定部１６１は、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈと閾値電流Ｉｔｈとを比較し、両者の差が所定の判定値以内である場合、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈが想定の範囲内であると判定し、処理はステップＳ１３７に進む。
【００５８】
ステップＳ１３７において、設定部１６１は、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを記憶する。
【００５９】
その後、ＡＰＣ１は終了する。
【００６０】
一方、ステップＳ１３６において、設定部１６１は、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈと閾値電流Ｉｔｈとの差が所定の判定値を超える場合、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈが想定の範囲外であると判定し、処理はステップＳ１３８に進む。
【００６１】
ステップＳ１３８において、ＬＤＤ１１３は、エラー処理を行う。
【００６２】
例えば、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１にエラー信号を供給する。また、例えば、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を０に設定する。これにより、ＬＤ１２１に供給される駆動電流の値が０になり、ＬＤ１２１が非発光状態となる。
【００６３】
その後、測距は行われずに、ＡＰＣ実行処理は終了する。
【００６４】
図４に戻り、ステップＳ３において、測距モジュール１００は、ＡＰＣ２を実行する。ここで、図１０のフローチャートを参照して、ＡＰＣ２の詳細について説明する。なお、この処理は、図５のＡＰＣ２区間内に実行される。
【００６５】
ステップＳ１６１において、ＬＤＤ１１３は、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２によりＬＤ１２１を発光させる。具体的には、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値がＩＬＤ＿Ｌ２、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿ｔｈになるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿Ｌ２のスイッチング電流（以下、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２と称する）とバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算したパルス状の駆動電流がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００６６】
図１１は、図７と同様に、ＬＤ１２１の駆動電流とＰＤ１２２の検出光量との関係を示している。
【００６７】
測距モジュール１００では、遠方の対象物にレーザ光を照射し、その反射光を受光する必要があるため、測距時に用いるＬＤ１２１のレーザ光の所望の強度（以下、ターゲット強度と称する）は非常に大きくなる。従って、ＬＤ１２１からターゲット強度のレーザ光を出射させるための駆動電流は、線形区間を超え、非線形区間内に含まれる。
【００６８】
そこで、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２は、非線形区間内において設定される。より具体的には、例えば、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２は、非線形区間内において、仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’より小さい値に設定される。
【００６９】
ここで、仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’とは、ターゲット強度のレーザ光をＬＤ１２１から出射させるためのスイッチング電流（駆動電流からバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを引いた電流）の仮想値である。例えば、非線形区間においてもＬＤ１２１の発光強度が駆動電流に対して線形に変化すると仮定した直線Ｓ２に基づいて、ターゲット光量ＰＤ＿Ｔに対するスイッチング電流を計算した値が、仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’に設定される。
【００７０】
また、ターゲット光量ＰＤ＿Ｔは、ＬＤ１２１からターゲット強度のレーザ光を出射したときにＰＤ１２２により検出される光量であり、例えば、実測又は計算により事前に求められる。
【００７１】
ステップＳ１６２において、図１０のステップＳ１３２と同様の処理により、サンプル光量ＰＤ＿Ｌ２が検出され、保持される。サンプル光量ＰＤ＿Ｌ２は、図１１に示されるように、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２とバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算した駆動電流によりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００７２】
ステップＳ１６３において、ＬＤＤ１１３は、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｈ２によりＬＤ１２１を発光させる。具体的には、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値がＩＬＤ＿Ｈ２、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿ｔｈになるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿Ｈ２のスイッチング電流（以下、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｈ２と称する）とバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算したパルス状の駆動電流がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００７３】
スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｈ２は、例えば、図１１に示されるように、非線形区間内において、仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’の近傍であって、仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’より大きい値に設定される。
【００７４】
ステップＳ１６４において、図１０のステップＳ１３２と同様の処理により、サンプル光量ＰＤ＿Ｈ２が検出され、保持される。サンプル光量ＰＤ＿Ｈ２は、図１１に示されるように、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｈ２とバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算した駆動電流によりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００７５】
ステップＳ１６５において、設定部１６１は、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔを算出する。例えば、設定部１６１は、図１１に示されるように、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｌ２及びサンプル光量ＰＤ＿Ｌ２に対応する点Ｌ２、並びに、スイッチング電流ＩＬＤ＿Ｈ２及びサンプル光量ＰＤ＿Ｈ２に対応する点Ｈ２を用いた２点補間の演算を行うことにより、ターゲット光量ＰＤ＿Ｔに対応するスイッチング電流であるターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔを算出する。
【００７６】
これにより、点Ｌ２と点Ｈ２とを結ぶ直線Ｓ１に基づいて、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔが算出される。従って、例えば、非線形区間においてもＬＤ１２１の発光強度が駆動電流に対して線形に変化すると仮定した直線Ｓ２に基づいて算出される仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’と比較して、ターゲット電流の精度が向上する。
【００７７】
なお、例えば、３以上の値が異なるスイッチング電流によりＬＤ１２１を発光させた場合の３以上のサンプル光量を用いた補間処理により、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔを算出するようにしてもよい。
【００７８】
ステップＳ１６６において、設定部１６１は、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔが想定の範囲内であるか否かを判定する。すなわち、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔの演算結果のチェックが行われる。例えば、設定部１６１は、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔと仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’とを比較し、両者の差が所定の判定値以内である場合、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔが想定の範囲内であると判定し、処理はステップＳ１６７に進む。
【００７９】
ステップＳ１６７において、設定部１６１は、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔを記憶する。
【００８０】
その後、ＡＰＣ２は終了する。
【００８１】
一方、ステップＳ１６６において、設定部１６１は、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔと仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’との差が所定の判定値を超える場合、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔが想定の範囲外であると判定し、処理はステップＳ１６８に進む。
【００８２】
ステップＳ１６８において、図８のステップＳ１３８の処理と同様に、エラー処理が行われる。
【００８３】
その後、測距は行われずに、ＡＰＣ実行処理は終了する。
【００８４】
図４に戻り、ステップＳ４において、測距モジュール１００は、ＡＰＣ１発光チェック処理を実行する。ここで、図１２のフローチャートを参照して、ＡＰＣ１発光チェック処理の詳細について説明する。なお、この処理は、図５のＡＰＣ１発光チェック区間内に実行される。
【００８５】
ステップＳ１９１において、ＬＤＤ１１３は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈによりＬＤ１２１を発光させる。例えば、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値が０、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿ｔｈになるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿ｔｈのバイアス電流（以下、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈと称する）がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００８６】
ステップＳ１９２において、図１０のステップＳ１３２と同様の処理により、テスト光量ＰＤ１＿ＣＨＫが検出され、保持される。
【００８７】
図１３は、図７と同様に、ＬＤ１２１の駆動電流とＰＤ１２２の検出光量との関係を示している。テスト光量ＰＤ１＿ＣＨＫは、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈによりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００８８】
ステップＳ１９３において、設定部１６１は、テスト光量ＰＤ１＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧの差が判定値以内であるか否かを判定する。この判定処理により、ＡＰＣ１により設定されたバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈの精度の確認が行われる。例えば、両者の差が所定の判定値以内であると判定された場合、すなわち、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈの精度が高い場合、処理はステップＳ１９４に進む。
【００８９】
ステップＳ１９４において、設定部１６１は、バイアス電流を決定する。すなわち、設定部１６１は、ＡＰＣ１により設定されたバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈをＬＤ１２１のバイアス電流に決定する。
【００９０】
その後、ＡＰＣ１発光チェック処理は終了する。
【００９１】
一方、ステップＳ１９３において、両者の差が所定の判定値を超えていると判定された場合、すなわち、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈの精度が低い場合、処理はステップＳ１９５に進む。
【００９２】
ステップＳ１９５において、図８のステップＳ１３８の処理と同様に、エラー処理が行われる。
【００９３】
その後、測距は行われずに、ＡＰＣ実行処理は終了する。
【００９４】
図４に戻り、ステップＳ５において、測距モジュール１００は、ＡＰＣ２発光チェック処理を実行する。ここで、図１４のフローチャートを参照して、ＡＰＣ２発光チェック処理の詳細について説明する。なお、この処理は、図５のＡＰＣ２発光チェック区間内に実行される。
【００９５】
ステップＳ２２１において、ＬＤＤ１１３は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、ターゲット電流ＩＬＤ＿ＴによりＬＤ１２１を発光させる。例えば、設定部１６１は、ＡＰＣ実行部２１１の制御の下に、スイッチング電流の値がＩＬＤ＿Ｔ、及び、バイアス電流の値がＩＬＤ＿ｔｈになるように、ＩＤＡＣ１６２及びＩＤＡＣ１６３への入力信号の値を設定する。これにより、値がＩＬＤ＿Ｔのスイッチング電流（ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ）とバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算したパルス状の駆動電流がＬＤ１２１に供給され、ＬＤ１２１が発光する。
【００９６】
ステップＳ２２２において、図１０のステップＳ１３２と同様の処理により、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫが検出され、保持される。
【００９７】
図１５は、図７と同様に、ＬＤ１２１の駆動電流とＰＤ１２２の検出光量との関係を示している。テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫは、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔとバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈを加算した駆動電流によりＬＤ１２１が発光しているときのＰＤ１２２の検出光量となる。
【００９８】
ステップＳ２２３において、設定部１６１は、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧの差が判定値以内であるか否かを判定する。この判定処理により、ディフューザ１２３の異常（例えば、ディフューザ１２３の設置異常や破損等）の検出が行われる。
【００９９】
例えば、図１６のＡ及びＢに示されるように、ディフューザ１２３が正常に設置されている場合、ＬＤ１２１からのレーザ光の戻り光がＰＤ１２２に入射する。従って、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫは、戻り光と背景光を加算した光量とほぼ等しくなる。その結果、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧの差が大きくなり、所定の判定値を超える。
【０１００】
この場合、ＬＤ１２１から出射されたレーザ光は、ディフューザ１２３により拡散光となり、強度が弱められてから対象物３０１に照射される。従って、光学モジュール１１２から出射されるレーザ光は、所定の安全規格を満たすことができる。
【０１０１】
一方、図１７のＡ及びＢに示されるように、ディフューザ１２３が外れている場合、ＬＤ１２１からのレーザ光の戻り光がＰＤ１２２に入射しない。従って、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫは、背景光の光量とほぼ等しくなる。その結果、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧがほぼ等しくなり、所定の判定値以内となる。
【０１０２】
この場合、ＬＤ１２１から出射されたレーザ光は、強度が弱められることなく直接対象物３０１に照射される。従って、光学モジュール１１２から出射されるレーザ光が、所定の安全規格を満たさないおそれがある。
【０１０３】
そして、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧの差が所定の判定値を超えていると判定された場合、すなわち、ディフューザ１２３の異常が発生していない場合、処理はステップＳ２２４に進む。
【０１０４】
ステップＳ２２４において、設定部１６１は、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとターゲット光量ＰＤ＿Ｔの差が判定値以内であるか否かを判定する。この判定処理により、ＡＰＣ２により設定されたターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔの精度の確認が行われる。例えば、両者の差が所定の判定値以内であると判定された場合、すなわち、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔの精度が高い場合、処理はステップＳ２２５に進む。
【０１０５】
ステップＳ２２５において、設定部１６１は、ターゲット電流を決定する。すなわち、設定部１６１は、ＡＰＣ２により設定されたターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔを測距時のＬＤ１２１のスイッチング電流に決定する。
【０１０６】
その後、ＡＰＣ２発光チェック処理は終了する。
【０１０７】
一方、ステップＳ２２４において、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとターゲット光量ＰＤ＿Ｔの差が所定の判定値を超えていると判定された場合、すなわち、ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔの精度が低い場合、処理はステップＳ２２６に進む。
【０１０８】
また、ステップＳ２２３において、テスト光量ＰＤ２＿ＣＨＫとオフセット光量ＰＤ＿ＢＧの差が所定の判定値以内であると判定された場合、すなわち、ディフューザ１２３に異常が発生していると想定される場合、処理はステップＳ２２６に進む。
【０１０９】
ステップＳ２２６において、図８のステップＳ１３８の処理と同様に、エラー処理が行われる。これにより、例えば、ディフューザ１２３が外れている場合に、安全規格を満たさないレーザ光が、人の目などに照射されることが防止される。
【０１１０】
その後、測距は行われずに、ＡＰＣ実行処理は終了する。
【０１１１】
図４に戻り、ステップＳ６において、測距モジュール１００は、測距を開始する。
【０１１２】
その後、ＡＰＣ実行処理は終了する。
【０１１３】
以上のようにして、測距前にＬＤ１２１の駆動電流（バイアス電流及びターゲット電流）を適切に設定することができる。
【０１１４】
例えば、図１８に示されるように、背景光の影響を考慮しない場合、ＰＤ１２２の検出光量が０になるときの電流であるバイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈ’が算出される。その結果、バイアス電流ＩＬＤ＿ｔｈ’とＬＤ１２１の閾値電流Ｉｔｈとの間に誤差Ｅ１が生じる。
【０１１５】
また、例えば、図１８に示されるように、ＬＤ１２１の非線形区間を考慮しない場合、ＬＤ１２１のターゲット強度に対してターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’（上述した仮想ターゲット電流ＩＬＤ＿Ｔ’と同じ電流）が算出される。その結果、非線形区間を考慮した場合に算出されるターゲット電流との誤差Ｅ２が生じる。
【０１１６】
そして、このバイアス電流及びターゲット電流の誤差により、例えば、図１９に示されるように、ＬＤ１２１の発光遅延が発生するおそれがある。すなわち、駆動電流に対してＬＤ１２１が発光するタイミングが遅延し、レーザ光のパルス幅が、駆動電流のパルス幅より狭くなる。その結果、測距精度が低下するおそれがある。
【０１１７】
一方、測距モジュール１００では、背景光の影響及びＬＤ１２１の非線形区間が考慮され、ＬＤ１２１のバイアス電流及びターゲット電流の設定精度が向上する。その結果、ＬＤ１２１が適切に駆動され、ＬＤ１２１の発光遅延が抑制されるため、測距精度が向上する。
【０１１８】
また、ＬＤ１２１の閾値電流Ｉｔｈは、温度や経年劣化により変化する。一方、測距モジュール１００では、測距前にＡＰＣが行われるため、閾値電流Ｉｔｈの変化に応じて、バイアス電流及びターゲット電流が適切に設定される。その結果、ＬＤ１２１が適切に駆動され、ＬＤ１２１の発光遅延が抑制されるため、測距精度が向上する。
【０１１９】
さらに、測距モジュール１００では、物理的な検出機構を用いずに、ディフューザ１２３の異常を検出することができる。その結果、測距モジュール１００の安全性を容易に高めることができる。
【０１２０】
＜スイッチング電流生成回路の第１の実施の形態＞
次に、ＬＤＤ１１３の出力制御部１６４においてスイッチング電流の生成及び出力を行うスイッチング電流生成回路の第１の実施の形態について説明する。
【０１２１】
図２０は、スイッチング電流生成回路の第１の実施の形態であるスイッチング電流生成回路４０１の構成例を示す回路図である。
【０１２２】
スイッチング電流生成回路４０１は、カレントミラー回路を備えている。具体的には、スイッチング電流生成回路４０１は、電源４１１、電流源４１２、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃ、スイッチ４１４ａ乃至スイッチ４１４ｃ、コンデンサ４１５、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタ４１６、スイッチ４１７、及び、出力端子４１８を備えている。
【０１２３】
電流源４１２は、例えば、図２のＩＤＡＣ１６２により構成され、電源４１１と、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのドレインとの間に接続されている。
【０１２４】
トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのゲート及びトランジスタ４１６のゲートは、互いに接続されるともに、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのドレインに接続されている。
【０１２５】
トランジスタ４１３ａのソースは、スイッチ４１４ａを介して接地されている。スイッチ４１４ａは、常時オンしているダミーのスイッチである。
【０１２６】
トランジスタ４１３ｂのソースは、スイッチ４１４ｂを介して接地されている。スイッチ４１４ｂは、図３のＡＰＣ実行部２１１又は測距制御部２１２から供給されるオン信号又はオフ信号により、オン又はオフする。そして、スイッチ４１４ｂがオンすることにより、トランジスタ４１３ｂがオンし、スイッチ４１４ｂがオフすることにより、トランジスタ４１３ｂがオフする。
【０１２７】
トランジスタ４１３ｃのソースは、スイッチ４１４ｃを介して接地されている。スイッチ４１４ｃは、ＡＰＣ実行部２１１又は測距制御部２１２から供給されるオン信号又はオフ信号により、オン又はオフする。そして、スイッチ４１４ｃがオンすることにより、トランジスタ４１３ｃがオンし、スイッチ４１４ｃがオフすることにより、トランジスタ４１３ｃがオフする。
【０１２８】
トランジスタ４１６のドレインは、出力端子４１８に接続され、トランジスタ４１６のソースは、スイッチ４１７を介して接地されている。スイッチ４１７は、ＡＰＣ実行部２１１又は測距制御部２１２から供給されるオン信号又はオフ信号により、オン又はオフする。そして、スイッチ４１７がオンすることにより、トランジスタ４１６がオンし、スイッチ４１７がオフすることにより、トランジスタ４１６がオフする。
【０１２９】
コンデンサ４１５の一端は、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのドレインに接続され、コンデンサ４１５の他端は接地されている。コンデンサ４１５は、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃ及びトランジスタ４１６のゲート電圧（以下、カレントミラー回路のゲート電圧とも称する）の揺れを抑制するために設けられている。
【０１３０】
スイッチング電流生成回路４０１では、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃによりカレントミラー回路の入力段が構成され、トランジスタ４１６によりカレントミラー回路の出力段が構成されている。
【０１３１】
また、トランジスタ４１３ａ、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６のサイズ（具体的には、ゲート幅／ゲート長）の比は、Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃ：（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍに設定されている。そして、入力段のトランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのオン又はオフの状態により、カレントミラー回路のカレントミラー比（出力電流と入力電流の比、折り返し比ともいう）が変化する。
【０１３２】
具体的には、入力段のトランジスタ４１３ａのみがオンし、入力段のトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃ、及び、出力段のトランジスタ４１６がオフしている状態（以下、初期状態と称する）において、カレントミラー比は（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａとなる。初期状態においては、トランジスタ４１６がオフしているため、電流は出力されない。
【０１３３】
入力段のトランジスタ４１３ａ及びトランジスタ４１３ｂ、並びに、出力段のトランジスタ４１６がオンし、入力段のトランジスタ４１３ｃがオフしている状態（以下、中間状態と称する）において、カレントミラー比は、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）となる。従って、中間状態において、電流源４０２から供給される入力電流に対して、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）倍の出力電流（スイッチング電流）が出力端子４０８から出力される。
【０１３４】
入力段のトランジスタ４１３ａ、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃ、及び、出力段のトランジスタ４１６が全てオンしている状態（以下、定常状態と称する）において、カレントミラー比は、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）＝Ｍとなる。従って、定常状態において、電流源４０２から供給される入力電流に対して、Ｍ倍の出力電流（スイッチング電流）が出力端子４０８から出力される。
【０１３５】
従って、カレントミラー比は、初期状態＞中間状態＞定常状態となる。
【０１３６】
そして、後述するように、スイッチング電流生成回路４０１は、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６をオン又はオフするタイミングを制御することにより、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを向上させることができる。
【０１３７】
ここで、図２１乃至図２３を参照して、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートが低下する原因について説明する。
【０１３８】
図２１の右の図は、左のＬＤ１２１の等価回路を示している。
【０１３９】
ＬＤ１２１の等価回路は、活性抵抗４３１、寄生容量４３２、ＬＤ１２１の動作電圧Ｖｏｐの最低電圧を供給する電源４３３、及び、寄生インダクタンス４３４により表される。そして、電源１７１と電源４３３の＋端子との間に、活性抵抗４３１及び寄生容量４３２が並列に接続されており、電源４３３の−端子に寄生インダクタンス４３４が接続されている。
【０１４０】
例えば、プリンタや光ディスク等では、必要なレーザ光の強度が小さいため、駆動電流が小さい範囲でＬＤ１２１が使用される。そして、駆動電流が小さい範囲においては、駆動電流の立ち上がり時のスルーレートは、主に活性抵抗４３１と寄生容量４３２の時定数により定まる。
【０１４１】
一方、上述したように、測距モジュール１００では、駆動電流が非常に大きい範囲でＬＤ１２１が使用される。そして、駆動電流が大きくなるにつれて、駆動電流の立ち上がり時のスルーレートに対して、活性抵抗４３１と寄生容量４３２より、寄生インダクタンス４３４の影響が大きくなる。
【０１４２】
例えば、図２２は、ＬＤ１２１の理想的な駆動電流（以下、理想駆動電流と称する）と実際の駆動電流（以下、実駆動電流と称する）の波形の例を示している。図２２の横軸は時間を示し、縦軸は電流値を示している。また、一点鎖線の波形は理想駆動電流を示し、実線の波形は実駆動電流を示している。
【０１４３】
このグラフに示されるように、実駆動電流は理想駆動電流と比較して、寄生インダクタンス（寄生Ｌ）４３４の影響により、立ち上がり時のスルーレートが低下する。
【０１４４】
これに対して、駆動電流の立ち上がり時に、何らかの手段により補助的なアシスト電流を供給することにより、スルーレートを改善することが考えられる。ただし、この場合、図２３の点線で示されるように、寄生インダクタンス４３４により駆動電流のスルーレートに限界が生じ、それ以上は駆動電流の応答速度を速めることは困難である。
【０１４５】
また、測距モジュール１００では、駆動電流が大きくなるため、大きなアシスト電流が必要になる。そのため、従来の容量による微分電流をアシスト電流として用いたのでは、電流量が足りないため、スルーレートの改善は困難である。
【０１４６】
従って、アシスト電流を供給するための加算系の回路が別途必要になり、トランジスタ４１６のサイズが大きくなってしまう。トランジスタ４１６のサイズが大きくなると、トランジスタ４１６のドレイン−ゲート間及びゲート−ソース間の寄生容量が大きくなる。
【０１４７】
この寄生容量により、トランジスタ４１６のオン時にトランジスタ４１６のゲート電圧が一瞬下降し、その後徐々に上昇する。そして、トランジスタ４１６のゲート電圧が下降することにより、トランジスタ４１６のドレイン電流（カレントミラー回路の出力電流）が低下する。これにより、カレントミラー回路の出力電流にサグのような歪みが発生する。
【０１４８】
このトランジスタ４１６に寄生容量によるゲート電圧の低下を軽減するために、トランジスタ４１６のゲートに大きな容量を設けることが考えられる。しかし、トランジスタ４１６の寄生容量によりゲートの容量から引き抜かれた電荷を補う経路がないため、出力電流の歪みを多少小さくすることはできても、その効果は限定的である。また、必要な容量が非常に大きくなるため、トランジスタ４１６を構成する半導体内部への実装が困難である。
【０１４９】
＜スイッチング電流生成回路の動作＞
次に、図２４乃至図２６のタイミングチャートを参照して、スイッチング電流生成回路４０１の動作について説明する。
【０１５０】
なお、図２４乃至図２６の横軸は、時間を示し、縦軸は、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃ及びトランジスタ４１６のゲート電圧（カレントミラー回路のゲート電圧）を示している。
【０１５１】
まず、図２４を参照して、スイッチ４１４ｂ、スイッチ４１４ｃ、及び、スイッチ４１７を同時にオン又はオフすることにより、スイッチング電流生成回路４０１の出力電流（スイッチング電流）をオン又はオフする場合について説明する。
【０１５２】
図２４のＡは、出力段のスイッチ４１７がオン又はオフし、トランジスタ４１６がオン又はオフすることによるゲート電圧の変化を示している。図２４のＢは、入力段のスイッチ４１４ｂ及びスイッチ４１４ｃがオン又はオフし、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオン又はオフすることによるゲート電圧の変化を示している。図２４のＣは、図２４のＡとＢを合わせた実際のゲート電圧を示している。
【０１５３】
時刻ｔ１以前において、スイッチ４１４ａがオンし、スイッチ４１４ｂ、スイッチ４１４ｃ、及び、スイッチ４１７がオフすることにより、トランジスタ４１３ａがオンし、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６がオフしている。すなわち、カレントミラー回路が初期状態に設定され、カレントミラー比が（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａに設定されている。ただし、トランジスタ４１６がオフしているため、スイッチング電流生成回路４０１から電流は出力されない。
【０１５４】
また、入力段のトランジスタ４１３ａのみがオンしているため、トランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃが全てオンしている定常状態と比較して、ゲート電圧が高くなる。
【０１５５】
時刻ｔ１において、スイッチ４１４ｂ、スイッチ４１４ｃ、及び、スイッチ４１７がオンすることにより、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６がオンする。これにより、カレントミラー回路が初期状態から定常状態に遷移し、カレントミラー比が（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／ＮａからＭに低下する（カレントミラー比が下げられる）。また、スイッチング電流生成回路４０１から入力電流のＭ倍の出力電流の出力が開始される。
【０１５６】
このとき、出力段のトランジスタ４１６がオンすることにより、トランジスタ４１６のドレイン−ゲート間及びゲート−ソース間の寄生容量によるゲート電圧の揺れが発生する。すなわち、図２４のＡに示されるように、時刻ｔ１において、ゲート電圧が一瞬下降し、その後徐々に元の電圧に戻り、安定する。
【０１５７】
また、入力段のトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオンすることにより、図２４のＢに示されるように、ゲート電圧が徐々に下がり、所定の電圧で安定する。
【０１５８】
時刻ｔ２において、スイッチ４１４ｂ、スイッチ４１４ｃ、及び、スイッチ４１７がオフすることにより、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６がオフする。これにより、カレントミラー回路が定常状態から初期状態に遷移し、カレントミラー比がＭから（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａに上昇する（カレントミラー比が上げられる）。また、スイッチング電流生成回路４０１からの電流の出力が停止される。従って、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの区間が、出力電流の出力区間となる。
【０１５９】
このとき、トランジスタ４１６がオフすることにより、トランジスタ４１６の寄生容量によるゲート電圧の揺れが発生する。すなわち、図２４のＡに示されるように、時刻ｔ２において、ゲート電圧が一瞬上昇し、その後徐々に元の電圧に戻り、安定する。
【０１６０】
また、入力段のトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオフすることにより、図２４のＢに示されるように、ゲート電圧が徐々に上昇し、初期状態の電圧で安定する。
【０１６１】
ここで、トランジスタ４１３ａのサイズを適切に設定することにより、図２４のＡに示される出力段のスイッチングによるゲート電圧の揺れと、図２４のＢに示される入力段のスイッチングによるゲート電圧の低下及び上昇を相殺することができる。すなわち、大きな容量を追加しなくても、入力段のトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃのスイッチング前と後のゲート電圧の差により、出力段のトランジスタ４１６の寄生容量に電荷が供給され、寄生容量がチャージされる。これにより、トランジスタ４１６のスイッチング時のゲート電圧の揺れが相殺される。
【０１６２】
その結果、図２４のＣに示されるように、ゲート電圧がほぼフラットな特性になる。すなわち、時刻ｔ１以前の初期状態において、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオフしているため、ゲート電圧は、定常状態の電圧Ｖ２より高い電圧Ｖ１となる。時刻ｔ１において、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６がオンし、初期状態から定常状態に遷移するのに伴い、ゲート電圧が瞬時に電圧Ｖ２まで下降し、安定する。また、時刻ｔ２において、トランジスタ４１３ｂ、トランジスタ４１３ｃ、及び、トランジスタ４１６がオフし、定常状態から初期状態に遷移するのに伴い、ゲート電圧が瞬時に電圧Ｖ２まで上昇し、安定する。
【０１６３】
このように、ゲート電圧がほぼフラットなパルス状に変化することにより、スイッチング電流生成回路４０１の出力電流も、ほぼフラットなパルス状に変化するようになり、出力電流の波形が安定する。
【０１６４】
次に、図２５を参照して、スイッチング電流生成回路４０１から電流を出力する際に、出力段のトランジスタ４１６をオン又はオフした後、遅延時間ΔＴｎｓｅｃだけ遅延させて入力段のトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃをオン又はオフする場合について説明する。なお、遅延時間ΔＴは可変であり、例えば、３ｎｓｅｃ以内に設定される。
【０１６５】
図２５のＡは、図２４のＡと同様に、出力段のスイッチ４１７がオン又はオフし、トランジスタ４１６がオン又はオフすることによるゲート電圧の変化を示している。図２５のＢは、図２４のＢと同様に、入力段のスイッチ４１４ｂ及びスイッチ４１４ｃがオン又はオフし、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオン又はオフすることによるゲート電圧の変化を示している。図２５のＣは、図２５のＡとＢを合わせた実際のゲート電圧を示している。
【０１６６】
出力段のスイッチ４１７及びトランジスタ４１６がオン又はオフするタイミングは、図２４の例とで同じであるため、図２５のＡのゲート電圧の波形は、図２４のＡのゲート電圧の波形と同様になる。
【０１６７】
一方、上述したように、入力段のスイッチ４１４ｂ及びスイッチ４１４ｃ、並びに、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオン又はオフするタイミングは、出力段のスイッチ４１７及びトランジスタ４１６がオン又はオフするタイミングから遅延時間ΔＴだけ遅延する。従って、図２５のＢのゲート電圧の波形は、図２４のＢのゲート電圧の波形から遅延時間ΔＴだけ遅延した波形となる。
【０１６８】
従って、図２５のＣに示されるように、時刻ｔ１以前においては、図２４のＣの例と同様に、ゲート電圧は、電圧Ｖ２より高い電圧Ｖ１となる。
【０１６９】
時刻ｔ１において、トランジスタ４１６がオンするのに伴い、ゲート電圧は、一瞬下降した後、上昇する。これにより、時刻ｔ１から、遅延時間ΔＴ経過後の時刻ｔ１１においてトランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオンするまでの間に、ゲート電圧が定常状態の電圧Ｖ２より高くなる持ち上がり部分が生じる。
【０１７０】
この間、トランジスタ４１３ａのみオンし、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオフしているため、カレントミラー比は（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａとなり、入力電流の（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａ倍の出力電流が出力される。この出力電流は、定常状態の出力電流（入力電流のＭ倍）より大きいため、ＬＤ１２１の駆動電流の立ち上がり時のアシスト電流とすることができる。
【０１７１】
ここで、入力段のトランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのサイズ比Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃを調整することにより、アシスト電流の大きさが調整される。また、遅延時間ΔＴを調整することにより、アシスト電流を供給する時間が調整される。従って、サイズ比Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃ及び遅延時間ΔＴを適切に設定することにより、寄生インダクタンス４３４の影響を抑制し、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを改善することができる。
【０１７２】
時刻ｔ１１において、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオンするのに伴い、ゲート電圧は、徐々に下降し、電圧Ｖ２で安定する。また、カレントミラー比が、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／ＮａからＭに低下する（カレントミラー比が下げられる）。これにより、スイッチング電流生成回路４０１の出力電流が、所定の電流（ターゲット電流）となり安定する。
【０１７３】
時刻ｔ２において、トランジスタ４１６がオフするのに伴い、ゲート電圧は、一瞬上昇した後、下降する。また、スイッチング電流生成回路４０１からの電流の出力が停止される。
【０１７４】
時刻ｔ２から遅延時間ΔＴ経過後の時刻ｔ１２において、トランジスタ４１３ｂ及びトランジスタ４１３ｃがオフするのに伴い、ゲート電圧は、徐々に上昇し、電圧Ｖ１で安定する。また、カレントミラー比が、Ｍから（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａに上昇する（カレントミラー比が上げられる）。
【０１７５】
この時刻ｔ２以降のゲート電圧の揺れは、トランジスタ４１６がオフしているため基本的に出力電流には影響しない。ただし、例えば、次にトランジスタ４１６がオンするまでの間隔が短く、このゲート電圧の揺れが出力電流に影響するようであれば、例えば簡単なロジック回路を追加することにより、ゲート電圧の揺れをマスクすることが可能である。
【０１７６】
次に、図２６を参照して、スイッチング電流生成回路４０１から電流を出力する際に、入力段のトランジスタ４１３ｂ及び出力段のトランジスタ４１６をオン又はオフした後、遅延時間ΔＴだけ遅延させて入力段のトランジスタ４１３ｃをオン又はオフする場合について説明する。
【０１７７】
図２６は、図２４のＣ及び図２５のＣと同様に、ゲート電圧の波形を示している。
【０１７８】
時刻ｔ１以前において、図２４及び図２５の例と同様に、トランジスタ４１３ａのみがオンしている。
【０１７９】
時刻ｔ１において、スイッチ４１４ｂ及びスイッチ４１７がオンすることにより、入力段のトランジスタ４１３ｂ及び出力段のトランジスタ４１６がオンする。これにより、カレントミラー回路が初期状態から中間状態に遷移し、カレントミラー比が（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａから（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）に低下する（カレントミラー比が下げられる）。また、スイッチング電流生成回路４０１から入力電流の（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）倍（＞Ｍ倍）の出力電流の出力が開始される。
【０１８０】
ここで、入力段のトランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのサイズ比Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃを適切に設定することにより、図２６に示されるように、時刻ｔ１以前の初期状態のゲート電圧を、図２４のＣ及び図２５のＣの電圧Ｖ１より高い適切な電圧Ｖ１１に設定することができる。これにより、図２４のＣの時刻ｔ１の場合と同様に、トランジスタ４１６がオンしたときのトランジスタ４１６の寄生容量によるゲート電圧の揺れを抑制し、ゲート電圧を瞬時に電圧Ｖ１２までフラットに下げ、安定させることができる。
【０１８１】
また、時刻ｔ１から時刻ｔ１１までの間、出力電流は、定常状態の出力電流（入力電流のＭ倍）より大きくなり、ＬＤ１２１の駆動電流の立ち上がり時のアシスト電流とすることができる。
【０１８２】
ここで、入力段のトランジスタ４１３ａ乃至トランジスタ４１３ｃのサイズ比Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃを調整することにより、アシスト電流の大きさが調整される。また、遅延時間ΔＴを調整することにより、アシスト電流を供給する時間が調整される。従って、サイズ比Ｎａ：Ｎｂ：Ｎｃ及び遅延時間ΔＴを適切に設定することにより、寄生インダクタンス４３４の影響を抑制し、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを改善することができる。
【０１８３】
時刻ｔ１１において、スイッチ４１４ｃがオンすることにより、入力段のトランジスタ４１３ｃがオンする。これにより、カレントミラー回路が中間状態から定常状態に遷移し、カレントミラー比が、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）からＭに変化する（カレントミラー比が下げられる）。また、ゲート電圧が、電圧Ｖ１２から電圧Ｖ２に下降し、安定する。さらに、スイッチング電流生成回路４０１の出力電流が、所定の電流（ターゲット電流）となり安定する。
【０１８４】
時刻ｔ２において、スイッチ４１４ｂ及びスイッチ４１７がオフすることにより、入力段のトランジスタ４１３ｂ及び出力段のトランジスタ４１６がオフする。これにより、カレントミラー比が、Ｍから（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）に変化する（カレントミラー比が上げられる）。これにより、ゲート電圧が、電圧Ｖ２から電圧Ｖ１２に上昇し、安定する。また、スイッチング電流生成回路４０１からの電流の出力が停止される。
【０１８５】
時刻ｔ１２において、スイッチ４１４ｃがオフすることにより、入力段のトランジスタ４１３ｃがオフする。これにより、カレントミラー比が、（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／（Ｎａ＋Ｎｂ）から（Ｎａ＋Ｎｂ＋Ｎｃ）×Ｍ／Ｎａに上昇する（カレントミラー比が上げられる）。また、ゲート電圧が、瞬時に電圧Ｖ１２から電圧Ｖ１１にフラットに上昇し、安定する。
【０１８６】
以上のようにして、専用の回路や大きな容量を設けることなく、回路規模を増大させずに、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを改善したり、駆動電流の波形をフラットに安定させることができる。これにより、ＬＤ１２１を適切に駆動することができる。また、アシスト電流用に専用の回路や電流源を用いないため、消費電力の増大を抑制することができる。
【０１８７】
さらに、スイッチング電流生成回路４０１は、種類を問わずに各種のＬＤに適用することが可能である。また、スイッチング電流生成回路４０１は、駆動電流の制御がアナログ及びデジタルのいずれの場合においても適用することが可能である。
【０１８８】
＜スイッチング電流生成回路の第２の実施の形態＞
図２７は、スイッチング電流生成回路の第２の実施の形態であるスイッチング電流生成回路４５１の構成例を示す回路図である。
【０１８９】
上述したスイッチング電流生成回路４０１は、特にＬＤ１２１が接続される電源１７１（図２）の電圧が十分に高い場合には有効である。
【０１９０】
一方、電源１７１の電圧が低い場合、スイッチング電流生成回路４０１が十分に作用しないときがある。すなわち、スイッチング電流生成回路４０１では、ＬＤ１２１に駆動電流を流し始めるときに、寄生インダクタンス４３４により発生する逆起電圧によりトランジスタ４１６のドレイン電圧が下降する。そして、電源１７１の電圧が低い場合、トランジスタ４１６のドレイン電圧が不足し、ドレイン電流（出力電流）が十分に出力されなくなるおそれがある。
【０１９１】
図２７のスイッチング電流生成回路４５１は、この現象に対する対策を施したものである。スイッチング電流生成回路４５１は、図２０のスイッチング電流生成回路４０１と比較して、可変抵抗４６１、スイッチ４６２、及び、ＡＮＤ回路４６３が追加されている点が異なる。
【０１９２】
可変抵抗４６１は、抵抗値が非常に小さく、シャント回路を構成する。また、可変抵抗４６１は、スイッチ４１７を介して、カレントミラー回路の出力段に接続されている。より具体的には、可変抵抗４６１は、スイッチ４１７を介して、トランジスタ４１６のドレイン（出力端子４１８）とグラウンドとの間に接続されている。そして、可変抵抗４６１は、スイッチ４１７により、カレントミラー回路の出力段に接続されたり、カレントミラー回路の出力段から切り離されたりする。
【０１９３】
ＡＮＤ回路４６３は、スイッチ４１４ｂにオン信号が入力され、スイッチ４１４ｃにオフ信号が入力されている場合、スイッチ４６２にオン信号を入力し、それ以外の場合、スイッチ４６２にオフ信号を入力する。従って、スイッチ４６２は、スイッチ４１４ｂがオンすることによりトランジスタ４１３ｂがオンし、スイッチ４１４ｃがオフすることによりトランジスタ４１３ｃがオフしている場合にオンし、それ以外の場合にオフする。これにより、図２６の時刻ｔ１から時刻ｔ１１までの期間において、カレントミラー回路の出力段に可変抵抗４６１が接続された状態となる。
【０１９４】
従って、ＬＤ１２１に駆動電流が流れ始める瞬間において、可変抵抗４６１を介して印加される電圧によりＬＤ１２１が駆動される。これにより、電源１７１の電圧が低くても、トランジスタ４１６のドレイン電圧に左右されることなく、ＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを早めることができる。
【０１９５】
その後、寄生インダクタンス４３４に電流が流れ始め、トランジスタ４１６のドレイン電圧が安定した後、時刻ｔ１１において、スイッチ４１４ｃにオン信号が入力され、トランジスタ４１３ｃがオンするときに、スイッチ４６２は、オフ信号が入力され、オフする。これにより、可変抵抗４６１が、カレントミラー回路の出力段から切り離される。このように可変抵抗４６１が切り離されても、トランジスタ４１６のドレイン電圧が安定しているため、ＬＤ１２１に駆動電流を安定して供給することができる。
【０１９６】
なお、シャント回路によりＬＤ１２１の駆動電流のスルーレートを改善する度合いは、ＬＤ１２１の動作が安定した後の定常的な駆動電流（定常状態の駆動電流）の大きさにより変化する。すなわち、定常的な駆動電流が大きくなるほど、シャント回路による改善量が大きくなり、定常的な駆動電流が小さくなるほど、シャント回路による改善量が小さくなる。従って、定常的な駆動電流が大きくなるほど、可変抵抗４６１の抵抗値を小さくし、定常的な駆動電流が小さくなるほど、可変抵抗４６１の抵抗値を大きくすることが望ましい。
【０１９７】
一方、ＬＤ１２１の定常的な駆動電流は、スイッチング電流生成回路４５１からの出力電流（スイッチング電流）により変動し、出力電流は、電流源４１２によりスイッチング電流生成回路４５１に入力される入力電流により変動する。従って、入力電流が大きくなるほど、可変抵抗４６１の抵抗値を小さくし、入力電流が小さくなるほど、可変抵抗４６１の抵抗値を大きくすることが望ましい。これにより、ＬＤ１２１の定常的な駆動電流の大きさに関わらず、シャント回路の効果をほぼ一様に保ち、駆動電流のスルーレートをほぼ一様に保つことが可能になる。
【０１９８】
＜スイッチング電流生成回路の第３の実施の形態＞
図２８は、スイッチング電流生成回路の第３の実施の形態であるスイッチング電流生成回路５０１の構成例を示す回路図である。
【０１９９】
スイッチング電流生成回路５０１は、図２７のスイッチング電流生成回路４５１と比較して、可変抵抗４６１が削除され、抵抗５１１、及び、Ｎ型のＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタ５１２が追加されている点が異なる。
【０２００】
抵抗５１１は、電流源４１２とトランジスタ４１３ａのドレインの間に接続されている。
【０２０１】
トランジスタ５１２のドレインは出力端子４１８に接続され、ゲートは、電流源４１２と抵抗５１１の間に接続され、ソースは、スイッチ４６２を介して接地されている。
【０２０２】
このスイッチング電流生成回路５０１では、図２７のスイッチング電流生成回路４５１の可変抵抗４６１に相当する可変抵抗が、トランジスタ５１２のオン抵抗により実現されている。
【０２０３】
具体的には、トランジスタ５１２のゲート電圧は、電流源４１２の電流（入力電流）と抵抗５１１により規定される。すなわち、トランジスタ５１２のゲート電圧は、入力電流により抵抗５１１の両端に生じる電圧により線形に変化し、入力電流が大きくなると上昇し、入力電流が小さくなると下降する。
【０２０４】
従って、入力電流が大きくなると、トランジスタ５１２のゲート電圧が大きくなり、オン抵抗が小さくなる。一方、入力電流が小さくなると、トランジスタ５１２のゲート電圧が小さくなり、オン抵抗が大きくなる。
【０２０５】
このように、シャント回路の抵抗値（トランジスタ５１２のオン抵抗）を、入力電流に連動して線形に変化させることができる。その結果、ＬＤ１２１の定常的な駆動電流の大きさに関わらず、シャント回路の効果をほぼ一様に保ち、駆動電流のスルーレートをほぼ一様に保つことが可能になる。
【０２０６】
＜スイッチング電流生成回路の第４の実施の形態＞
図２９は、スイッチング電流生成回路の第４の実施の形態であるスイッチング電流生成回路５５１の構成例を示す回路図である。
【０２０７】
スイッチング電流生成回路５５１は、図２８のスイッチング電流生成回路５０１と比較して、スイッチ５６１が追加されている点が異なる。
【０２０８】
スイッチ５６１は、電流源４１２と抵抗５１１の間と、トランジスタ５１２のゲートとの間に接続されている。スイッチ５６１は、ＡＰＣ実行部２１１又は測距制御部２１２からオン信号が入力されることによりオンし、トランジスタ５１２のゲートを電流源４１２と抵抗５１１の間に接続する。その結果、トランジスタ５１２がオンし、シャント回路が有効になる。一方、スイッチ５６１は、ＡＰＣ実行部２１１又は測距制御部２１２からオフ信号が入力されることによりオフし、トランジスタ５１２のゲートをグラウンドに接続する。その結果、トランジスタ５１２がオフし、シャント回路が無効になる。
【０２０９】
これにより、例えば、ＬＤ１２１が接続される電源１７１の電圧が十分に高く、シャント回路が特に必要ない場合、スイッチ５６１をオフし、シャント回路を無効にすることができる。
【０２１０】
＜＜２．変形例＞＞
以下、上述した本技術の実施の形態の変形例について説明する。
【０２１１】
例えば、バイアス電流の精度のみを向上させたい場合、図４のＡＰＣ実行処理において、ステップＳ３のＡＰＣ２及びステップＳ５のＡＰＣ２発光チェック処理を省略し、ターゲット電流を固定値とするようにしてもよい。なお、ＡＰＣ２発光チェック処理を省略する場合に、ディフューザ１２３の異常の検出処理を残すようにしてもよい。
【０２１２】
また、例えば、ターゲット電流の精度のみを向上させたい場合、図４のＡＰＣ実行処理において、ステップＳ１の背景光測定処理、ステップＳ２のＡＰＣ１、及び、ステップＳ４のＡＰＣ１発光チェック処理を省略し、バイアス電流を固定値とするようにしてもよい。なお、例えば、背景光測定処理を省略せずに、オフセット光量を検出するようにして、ターゲット電流の算出に、検出したオフセット光量を用いるようにしてもよい。
【０２１３】
また、例えば、図６のステップＳ１３８、図１０のステップＳ１６８、及び、図１２のステップＳ１９５のエラー処理において、ＬＤ１２１からのレーザ光の出射を停止しないようにしてもよい。例えば、エラー判定が下されたバイアス電流又はターゲット電流を用いずに、予め設定したバイアス電流又はターゲット電流を用いて、その後の処理を継続するようにしてもよい。
【０２１４】
さらに、例えば、図１４のステップＳ２２６の処理においても同様に、ディフューザ１２３の異常が検出された場合を除いて、ＬＤ１２１からのレーザ光の出射を停止しないようにしてもよい。例えば、エラー判定が下されたターゲット電流を用いずに、予め設定したターゲット電流を用いて、その後の処理を継続するようにしてもよい。
【０２１５】
また、図２０及び図２７乃至図２９の各カレントミラー回路において、ＬＤ１２１がアノードコモンとなっていることを前提にして、各トランジスタにＮ型のＭＯＳＦＥＴを用いる例を示したが、例えば、ＬＤ１２１がカソードコモンとなっている場合、各トランジスタにＰ型のＭＯＳＦＥＴを用いるようにすればよい。また、例えば、各カレントミラー回路において、ＭＯＳＦＥＴ以外のトランジスタを用いることも可能である。
【０２１６】
さらに、上述した説明では、ＰＤ１２２が、ディフューザ１２３により反射されたレーザ光を戻り光として受光する例を示したが、例えば、他の部材により反射された戻り光を受光するようにしてもよい。また、ＰＤ１２２が、戻り光以外の方法により、ＬＤ１２１から出射されたレーザ光の一部を受光するようにしてもよい。
【０２１７】
また、測距モジュール１００の構成例は、上述した例に限定されるものではない。例えば、発光部１０１、距離画像センサ１１５、及び、ＬＳＩ１１６をそれぞれ異なるモジュールに設けたり、３つのうちの１つを異なるモジュールに設けたりすることが可能である。
【０２１８】
さらに、本技術は、レーザ光以外の光を出射する発光素子の駆動を行う場合にも適用することができる。
【０２１９】
＜＜３．その他＞＞
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【０２２０】
図３０は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【０２２１】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３０に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
【０２２２】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
【０２２３】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【０２２４】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【０２２５】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
【０２２６】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【０２２７】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｄｒｉｖｅｒ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【０２２８】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０２２９】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【０２３０】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３０の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【０２３１】
図３１は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
【０２３２】
図３１では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
【０２３３】
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【０２３４】
なお、図３１には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【０２３５】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【０２３６】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０２３７】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
【０２３８】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【０２３９】
以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４等に適用され得る。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つが距離情報を取得する機能を有する場合に、図１の測距モジュール１００を適用することができる。これにより、車両の周辺の物体までの距離の検出精度を向上させることが可能になる。
【０２４０】
上述した一連の処理は、ハードウェアにより実行することもできるし、ソフトウェアにより実行することもできる。一連の処理をソフトウェアにより実行する場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが、コンピュータにインストールされる。ここで、コンピュータには、専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ（例えば、図１のＬＳＩ１１６等）や、各種のプログラムをインストールすることで、各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のパーソナルコンピュータなどが含まれる。
【０２４１】
なお、コンピュータが実行するプログラムは、本明細書で説明する順序に沿って時系列に処理が行われるプログラムであっても良いし、並列に、あるいは呼び出しが行われたとき等の必要なタイミングで処理が行われるプログラムであっても良い。
【０２４２】
また、本明細書において、システムとは、複数の構成要素（装置、モジュール（部品）等）の集合を意味し、すべての構成要素が同一筐体中にあるか否かは問わない。したがって、別個の筐体に収納され、ネットワークを介して接続されている複数の装置、及び、１つの筐体の中に複数のモジュールが収納されている１つの装置は、いずれも、システムである。
【０２４３】
さらに、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０２４４】
例えば、本技術は、１つの機能をネットワークを介して複数の装置で分担、共同して処理するクラウドコンピューティングの構成をとることができる。
【０２４５】
また、上述のフローチャートで説明した各ステップは、１つの装置で実行する他、複数の装置で分担して実行することができる。
【０２４６】
さらに、１つのステップに複数の処理が含まれる場合には、その１つのステップに含まれる複数の処理は、１つの装置で実行する他、複数の装置で分担して実行することができる。
【０２４７】
＜構成の組み合わせ例＞
本技術は、以下のような構成をとることもできる。
【０２４８】
（１）
発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部と
を備える駆動装置。
（２）
前記設定部は、前記発光素子の発光強度が駆動電流に対して略線形に変化する線形区間内の複数の値が異なる第１の駆動電流により前記発光素子をそれぞれ発光させた場合の複数の第１のサンプル光量、及び、前記オフセット光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記バイアス電流の設定を行う
前記（１）に記載の駆動装置。
（３）
前記設定部は、設定された前記バイアス電流に基づく駆動電流により前記発光素子を発光させた場合の第１のテスト光量を前記受光素子により検出した結果、及び、前記オフセット光量の検出結果に基づいて、前記バイアス電流の異常の検出を行う
前記（２）に記載の駆動装置。
（４）
前記複数の第１の駆動電流は、前記発光素子の閾値電流の近傍の電流である
前記（２）又は（３）に記載の駆動装置。
（５）
前記設定部は、前記発光素子の発光強度が駆動電流に対して略線形に変化する線形区間より大きい複数の値が異なる第２の駆動電流により前記発光素子をそれぞれ発光させた場合の複数の第２のサンプル光量、及び、前記オフセット光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記線形区間より大きい前記ターゲット電流を設定する
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の駆動装置。
（６）
前記設定部は、設定された前記ターゲット電流に基づく駆動電流により前記発光素子を発光させた場合の第２のテスト光量を前記受光素子により検出した結果に基づいて、前記ターゲット電流の異常の検出を行う
前記（５）に記載の駆動装置。
（７）
前記受光素子は、前記出射光を拡散させる拡散部材により反射された戻り光を受光し、
前記設定部は、前記オフセット光量の検出結果及び前記第２のテスト光量の検出結果に基づいて、前記拡散部材の異常の検出を行う
前記（６）に記載の駆動装置。
（８）
前記出力制御部は、前記ターゲット電流及び前記バイアス電流を加算した駆動電流の出力を制御する
前記（１）乃至（７）のいずれかに記載の駆動装置。
（９）
前記出射光を用いて対象物までの距離の測定が行われ、
前記設定部は、前記距離の測定前に、前記オフセット光量の検出結果に基づいて、前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う
前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の駆動装置。
（１０）
前記受光素子は、前記出射光が所定の部材により反射されて戻ってくる戻り光を受光する
前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の駆動装置。
（１１）
前記出力制御部は、カレントミラー比が可変のカレントミラー回路を備え、前記カレントミラー回路の出力電流と前記バイアス電流を加算した駆動電流の出力を制御する
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の駆動装置。
（１２）
前記カレントミラー比は、前記出力電流の出力を開始するときに下げられる
前記（１１）に記載の駆動装置。
（１３）
前記カレントミラー比は、前記出力電流の出力が開始されてから所定の遅延時間が経過した後に下げられる
前記（１１）又は（１２）に記載の駆動装置。
（１４）
前記遅延時間は可変である
前記（１３）に記載の駆動装置。
（１５）
前記カレントミラー回路の出力段に接続可能なシャント回路が設けられており、
前記シャント回路は、前記出力電流の出力が開始されてから前記遅延時間が経過するまでの間、前記出力段に接続され、前記遅延時間の経過後に、前記出力段から切り離される
前記（１３）又は（１４）に記載の駆動装置。
（１６）
前記シャント回路を構成する抵抗は、電界効果トランジスタのオン抵抗により構成され、
前記電界効果トランジスタのゲート電圧は、前記カレントミラー回路の入力電流により線形に変化する
前記（１５）に記載の駆動装置。
（１７）
前記カレントミラー回路の入力段は、複数のトランジスタを備え、
前記複数のトランジスタのオン又はオフの状態により、前記カレントミラー比が変化する
前記（１１）乃至（１６）のいずれかに記載の駆動装置。
（１８）
前記出力電流の出力開始前に、前記複数のトランジスタのうちの一部がオフしており、
前記出力電流の出力を開始するとき、又は、前記出力電流の出力が開始されてから所定の遅延時間が経過した後に、前記オフしているトランジスタのうちの少なくとも一部がオンする
前記（１７）に記載の駆動装置。
（１９）
駆動装置が、
発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行い、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する
駆動方法。
（２０）
発光素子と、
前記発光素子からの出射光の一部を受光する受光素子と、
前記受光素子により前記発光素子が発光していないときのオフセット光量を検出した結果に基づいて、前記発光素子のバイアス電流、及び、前記出射光を所望の強度に設定するためのターゲット電流のうちの少なくとも１つの設定を行う設定部と、
設定された前記バイアス電流及び前記ターゲット電流のうちの少なくとも１つに基づいて、前記発光素子の駆動電流の出力を制御する出力制御部と
を備える発光装置。
【０２４９】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
【符号の説明】
【０２５０】
１００  測距モジュール，  １０１  発光部，  １１２  光学モジュール，  １１３  ＬＤＤ，  １１５  距離画像センサ，  １１６  ＬＳＩ，  １２１  ＬＤ，  １２２  ＰＤ，  １２３  ディフューザ，  １５１  ＡＤＣ，  １５２  駆動部，  １６１  設定部，  １６２，１６３  ＩＤＡＣ，  １６４  出力制御部，  １７１  電源，  ２０１  制御部，  ２１１  ＡＰＣ実行部，  ２１２  測距制御部，  ４０１  スイッチング電流生成回路，  ４１２  電流源，  ４１３ａ乃至４１３ｃ  トランジスタ，  ４１４ａ乃至４１４ｃ  スイッチ，  ４１６  トランジスタ，  ４１７  スイッチ，  ４３４  寄生インダクタンス，  ４５１  スイッチング電流生成回路，  ４６１  可変抵抗，  ４６２  スイッチ，  ５０１  スイッチング電流生成回路，  ５１１  抵抗，  ５１２  トランジスタ，  ５５１  スイッチング電流生成回路，  ５６１  スイッチ
【図１】
2019041201.tif 000003
【図２】
2019041201.tif 000004
【図３】
2019041201.tif 000005
【図４】
2019041201.tif 000006
【図５】
2019041201.tif 000007
【図６】
2019041201.tif 000008
【図７】
2019041201.tif 000009
【図８】
2019041201.tif 000010
【図９】
2019041201.tif 000011
【図１０】
2019041201.tif 000012
【図１１】
2019041201.tif 000013
【図１２】
2019041201.tif 000014
【図１３】
2019041201.tif 000015
【図１４】
2019041201.tif 000016
【図１５】
2019041201.tif 000017
【図１６】
2019041201.tif 000018
【図１７】
2019041201.tif 000019
【図１８】
2019041201.tif 000020
【図１９】
2019041201.tif 000021
【図２０】
2019041201.tif 000022
【図２１】
2019041201.tif 000023
【図２２】
2019041201.tif 000024
【図２３】
2019041201.tif 000025
【図２４】
2019041201.tif 000026
【図２５】
2019041201.tif 000027
【図２６】
2019041201.tif 000028
【図２７】
2019041201.tif 000029
【図２８】
2019041201.tif 000030
【図２９】
2019041201.tif 000031
【図３０】
2019041201.tif 000032
【図３１】
2019041201.tif 000033