(57)【要約】【課題】設計変更をせずに基板の温度の均一性を図るための補正を行うことを目的とする。【解決手段】冷媒用の流路を有する部材であって、前記流路が形成された基台と、前記流路内に設けられ、昇降可能又は回転可能な突起状部材と、を有する部材が提供される。【選択図】図２
2019041024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒用の流路を有する部材であって、
前記流路が形成された基台と、
前記流路内に設けられ、昇降可能又は回転可能な突起状部材と、
を有する部材。
【請求項２】
前記突起状部材は、前記流路内の温度に関する特異点に配置される、
請求項１に記載の部材。
【請求項３】
前記流路には、冷媒が流入する入口の穴及び冷媒が流出する出口の穴が形成され、
前記突起状部材は、前記入口の穴及び前記出口の穴を特異点として、該特異点の近傍に配置される、
請求項１又は２に記載の部材。
【請求項４】
前記流路は、渦巻型に形成され、
前記突起状部材は、冷媒の流れの向きが変わる流路の中央部を特異点として、該特異点又はその近傍に配置される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の部材。
【請求項５】
前記流路には、貫通孔が形成され、
前記突起状部材は、前記貫通孔を特異点として、該特異点の近傍に配置される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の部材。
【請求項６】
前記突起状部材は、ネジ又は整流板である、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の部材。
【請求項７】
前記流路を有する部材は、
前記基台に隣接して設けられ、被処理体を載置する載置面を有し、被処理体を静電吸着する静電チャックを有する、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の部材。
【請求項８】
前記流路を有する部材は、
前記基台に隣接して設けられ、電極として機能する板状部材を有する、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の部材。
【請求項９】
処理容器内に配置され、被処理体を載置する載置台と、前記載置台に対向して配置される上部電極と、冷媒用の流路を有する部材とを有する基板処理装置であって、
前記流路を有する部材は、
前記流路が形成された基台と、
前記流路内に設けられ、昇降可能又は回転可能な突起状部材と、を有し、
前記載置台と前記上部電極との少なくともいずれかに設けられる、
基板処理装置。
【請求項１０】
冷媒用の流路を有する部材の制御方法であって、
前記流路を有する部材は、前記流路が形成された基台と、前記流路内に設けられた突起状部材と、加熱部材とを有し、
前記流路に所定の温度の冷媒を供給する工程と、
前記加熱部材に所定の電力を供給する工程と、
前記加熱部材に供給する電力に応じて前記突起状部材の昇降又は回転を制御する工程と、
を有する冷媒用の流路を有する部材の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの温度を調整するために、載置台の内部に冷媒を流す流路を設けたり、ヒーターを組み込むことが提案されている。例えば、特許文献１には、載置台の全体を冷却するための流路の他に載置台の周辺を冷却するための周辺流路を別途設け、ウェハの端部の抜熱特性を向上させることで、ウェハの表面における温度分布の面内均一性を高めることが提案されている。また、ヒーターのパターンを最適化することで、ウェハの表面における温度分布の面内均一性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−８５３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記各手法では、周辺流路を設けたり、ヒーターのパターンを最適化したりするために設計変更が必要となる。よって、例えば、抜熱量が急変するような温度にかかる特異点において、再設計を行うことなくウェハの温度の均一性を図るための補正を行うことはできない。
【０００５】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、設計変更をせずに基板の温度の均一性を図るための補正を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、冷媒用の流路を有する部材であって、前記流路が形成された基台と、前記流路内に設けられ、昇降可能又は回転可能な突起状部材と、を有する部材が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、設計変更をせずに基板の温度の均一性を図るための補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係る載置台に形成された冷媒用の流路の一例を示す斜視図。
【図３】一実施形態に係る冷媒用の流路内に設けられた突起状部材の一例を示す図。
【図４】一実施形態に係る載置台に形成された冷媒用の流路の一例を示す斜視図。
【図５】一実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御処理の一例を示すフローチャート。
【図６】一実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御処理に用いるテーブルの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
［基板処理装置の全体構成］
まず、基板処理装置１の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す。本実施形態にかかる基板処理装置１は、容量結合型の平行平板基板処理装置であり、略円筒形の処理容器１０を有している。処理容器１０の内面には、アルマイト処理（陽極酸化処理）が施されている。処理容器１０の内部は、プラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理が行われる処理室となっている。
【００１１】
載置台２０は、基板の一例である半導体ウェハＷ（以下、単に「ウェハＷ」と称する。）を載置する。載置台２０は、基台２０ａ及び静電チャック２１を含む。静電チャック２１は、絶縁体２１ｂの間に吸着電極２１ａを介在させた構造を有している。吸着電極２１ａには、直流電源１１２が接続されている。吸着電極２１ａに直流電源１１２から直流電圧が印加されると、ウェハＷが静電チャック２１に静電吸着される。
【００１２】
基台２０ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等で構成されており、下部電極としての機能を有する。基台２０ａの内部には、冷媒用の流路２４ａが形成されている。また、基台２０ａには、冷媒用の流路２４ａの上方の位置にヒーター２７が組み込まれている。
【００１３】
基台２０ａは、導体の支持台２３に支持され、絶縁板２２を介して処理容器１０に配置されている。冷媒用の流路２４ａには、冷媒入口配管２４ｂと冷媒出口配管２４ｃとを介してチラーユニット１０５が接続されている。
【００１４】
冷却水等の冷媒は、チラーユニット１０５にて設定温度に制御され、チラーユニット１０５から出力され、冷媒入口配管２４ｂから冷媒用の流路２４ａに入り、基台２０ａ内の流路２４ａを流れた後、冷媒出口配管２４ｃから出てチラーユニット１０５に戻る。このようにして、載置台２０は、その内部を循環する冷媒により冷却される。また、載置台２０は、交流電源１０６からヒーター２７に所定の設定温度の電力が供給されることにより加熱される。これにより、載置台２０が所定の温度に制御されることで、ウェハＷの温度が、所定の温度に制御される。なお、ヒーター２７は、加熱部材の一例であり、これに限らない。加熱部材は、基台２０ａに埋設される伝熱線であってもよいし、シート状の伝熱線を基台２０ａに貼り付けてもよい。また、ヒーター２７は、設けなくてもよい。
【００１５】
載置台２０の外周側の上部には、ウェハＷを囲むように、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング２５が設けられている。さらに、基台２０ａ、静電チャック２１、フォーカスリング２５の外周面を囲むように、例えば石英等からなる円筒状のインシュレータリング２６が設けられている。
【００１６】
基台２０ａには、第１の整合器３３を介して第１のＲＦ電源３２が接続され、また、第２の整合器３５を介して第２のＲＦ電源３４が接続されている。第１のＲＦ電源３２からは、所定の周波数のプラズマ発生用の高周波電力が基台２０ａに供給される。また、第２のＲＦ電源３４からは、第１のＲＦ電源３２から出力される高周波電力の周波数よりも低い周波数の高周波電力であって、イオン引き込み用（バイアス用）の高周波電力が基台２０ａに供給される。
【００１７】
ウェハＷの裏面には、ヘリウムガス等の伝熱ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管１７が設けられている。ガス供給管１７には、伝熱ガス供給部１０４が接続されている。伝熱ガスは、伝熱ガス供給部１０４から供給され、ガス供給管１７を通ってウェハＷの裏面と静電チャック２１の表面との間に供給される。
【００１８】
載置台２０には、複数、例えば３つのリフトピン１０３が配設されている。図１には、２つのリフトピン１０３のみが図示されている。リフトピン１０３は、モーター等により駆動され、ウェハＷの搬入及び搬出時に上下動し、ウェハＷを載置台２０へ載置したり、ウェハＷを載置台２０から剥がしたりする。
【００１９】
載置台２０の上方には、載置台２０と平行に対向するように、上部電極として機能するガスシャワーヘッド４０が設けられている。つまり、ガスシャワーヘッド４０と載置台２０とは、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。なお、第１のＲＦ電源３２から出力されるプラズマ発生用の高周波電力は、ガスシャワーヘッド４０に印加されてもよい。
【００２０】
ガスシャワーヘッド４０は、本体部４０ａ及び天板４０ｂを有し、処理容器１０の天壁部分に設けられている。ガスシャワーヘッド４０は、絶縁性部材４１を介して処理容器１０に支持される。本体部４０ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に天板４０ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
【００２１】
本体部４０ａの内部には、中央側のガス拡散室５０ａ及び外周側のガス拡散室５０ｂが設けられている。各ガス拡散室５０ａ、５０ｂの下部の天板４０ｂには、処理容器１０側に開口する多数のガス孔５５が形成されている。
【００２２】
本体部４０ａには、ガス拡散室５０ａ、５０ｂへ処理ガスを導入するためのガス導入口４５が形成されている。ガス導入口４５にはガス供給配管４６が接続されており、ガス供給配管４６には、ガス供給部３０が接続される。ガス供給部３０からは、プラズマエッチング等の所定の処理ガスが、ガス供給配管４６を介してガス拡散室５０ａ、５０ｂに供給される。ガス拡散室５０ａ、５０ｂにて拡散された処理ガスは、ガス孔５５を介して処理容器１０内にシャワー状に分散して供給される。
【００２３】
天板４０ｂの内部には、冷媒用の流路４２ａが形成されている。冷媒用の流路４２ａには、本体部４０ａを貫通する冷媒入口配管４２ｂと冷媒出口配管４２ｃとを介してチラーユニットが接続されている。冷媒用の流路４２ａに接続されるチラーユニットは、チラーユニット１０５であってもよいし、別のチラーユニットであってもよい。
【００２４】
設定温度に制御された冷媒は、チラーユニットから出力され、冷媒入口配管４２ｂから冷媒用の流路４２ａに入り、天板４０ｂ内の流路４２ａを流れた後、冷媒出口配管４２ｃから出てチラーユニットに戻る。このようにして、上部電極４０は、その内部を循環する冷媒によって所定の温度に制御される。
【００２５】
処理容器１０の底部には、排気管６０が形成されており、排気管６０を介して排気装置６５が接続されている。排気装置６５は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１０内を所定の真空度まで減圧する。処理容器１０内の側壁には、ウェハＷの搬入出口６７が設けられており、この搬入出口６７には、当該搬入出口６７を開閉するゲートバルブ６８が設けられている。
【００２６】
基板処理装置１は、制御部１００によって、その動作が制御される。制御部１００には、ＣＰＵと、メモリと、ユーザインターフェースとが設けられている。ユーザインターフェースは、工程管理者が基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２７】
メモリには、ＣＰＵの制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用してもよい。制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用することも可能である。
【００２８】
ウェハＷの搬送時には、ゲートバルブ６８が開き、搬入出口６７からウェハＷが処理容器１０に搬入されると、リフトピン１０３が上昇し、ウェハＷはアームからリフトピン１０３に受け渡され、リフトピン１０３に支持される。リフトピン１０３は、モーター等の駆動により上下動する。リフトピン１０３が下降し、ウェハＷが載置台２０に載置されると、直流電源１１２から吸着電極２１ａに直流電圧が印加され、ウェハＷが静電チャック２１に吸着され、保持される。
【００２９】
ガス供給部３０から処理容器１０内に処理ガスが供給される。第１のＲＦ電源３２から載置台２０にプラズマ生成用の高周波電力が印加され、第２のＲＦ電源３４から載置台２０にイオンの引き込み用の高周波電力が印加される。これにより、ウェハＷの上方に生成されたプラズマの作用とイオンの引き込みによりウェハＷに所定のプラズマ処理が施される。
【００３０】
プラズマ処理後、直流電源１１２から吸着電極２１ａへの直流電圧の印加が停止され、伝熱ガスをウェハＷと静電チャック２１との間の隙間に供給することで、除電が行われる。除電後、ウェハＷは、静電チャック２１から剥がされ、リフトピン１０３の上昇によりリフトピン１０３に支持された状態でアームへ受け渡され、搬入出口６７から搬出される。
【００３１】
［冷媒用の流路／突起状部材（ネジの場合）］
次に、載置台２０に形成された冷媒用の流路２４ａ及び突起状部材の一例について、図２を参照しながら説明する。図２は、一実施形態に係る載置台２０に形成された冷媒用の流路２４ａの一例を示す斜視図である。図２では、突起状部材の一例としてネジが示されている。
【００３２】
図２に示す冷媒用の流路２４ａは、基台２０ａに形成される。本実施形態に係る冷媒用の流路２４ａは、渦巻型に形成され、端部には、冷媒入口配管２４ｂに繋がる入口の穴２４ｂ１と、冷媒出口配管２４ｃに繋がる出口の穴２４ｃ１とが形成される。チラーユニット１０５から供給される冷媒は、入口の穴２４ｂ１から流入し、渦巻型の流路２４ａを、時計回りに内側に向かって流れ、中央部にて流れの向きを変え、反時計回りに外側に向かって流れ、出口の穴２４ｃ１から流出する。
【００３３】
流路２４ａには、温度にかかる特異点がある。つまり、冷媒の流速が高い位置は冷却され易く、冷媒の流速が低い位置は冷却され難くなるため、冷媒の流れが変わる位置が、温度にかかる特異点（以下、単に「特異点」ともいう。）となる。
【００３４】
例えば、図２に示す流路２４ａの入口の穴２４ｂ１及び出口の穴２４ｃ１が形成された位置は、特異点の一つである。また、入口の穴２４ｂ１から流入した冷媒の流れの向きが変わる流路２４ａの中央部は、特異点の一つである。
【００３５】
このように冷媒用の流路２４ａ内の特異点又はその近傍には、突起状部材が配置される。図２では、突起状部材の一例として、流速を調整するネジ（押しネジ）２ａ、２ｂが、流路２４ａのの入口の穴２４ｂ１及び出口の穴２４ｃ１の近傍に取り付けられている。また、ネジ２ｄが、冷媒の流れの向きが変わる流路２４ａの中央部（流路形成部材５の内端部）の近傍に取り付けられている。
【００３６】
流路２４ａを形成する流路形成部材５の上面や、流路２４ａの近傍には、複数の貫通孔が形成されている。貫通孔は、伝熱ガスを供給するガス供給管１７を貫通させるための孔であったり、リフトピン１０３を貫通させるための孔であり、冷媒の流速が急に変化するため、特異点になり得る。
【００３７】
貫通孔３ｃ、３ｅ、３ｆは、流路２４ａを形成する流路形成部材５に形成された貫通孔の一例である。例えば、流路２４ａ内の貫通孔３ｃは、流路２４ａ内に形成された流路形成部材５により冷媒の流れが変わる位置となる。そこで、本実施形態では、ネジ２ｃが、貫通孔３ｃが形成された流路形成部材５の近傍に取り付けられている。以下、ネジ２ａ〜２ｃを総称して、ネジ２ともいう。ネジ２は、特異点又はその近傍であって、流路２４ａ内の冷媒の流速が急激に遅くなる又は早くなる位置に配置される。
【００３８】
その他、例えば、流路２４ａ外に貫通孔３があるために、流路形成部材５を蛇行させている部分においても、対応する流路２４ａ内にて流速が急に変わる場合には、その位置が特異点となり得る。この場合、特異点又はその近傍にネジ２を配置してもよい。
【００３９】
図３（ａ）は、流路２４ａに配置されたネジ２の一例を示す。ネジ２は、流路２４ａの底面を貫通し、流路２４ａ内に飛び出した状態である。ネジ２の回しこみで、ネジ２の流路２４ａ内への飛び出し量を調整する。ネジ２のまわしこみは、手動で行ってもよいし、ネジ２にモーター等の駆動機構を接続することで自動制御してもよい。これにより、ネジ２の飛び出し量を変更することで、流路２４ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。特に、本実施形態では、流路２４ａやヒーター２７の設計変更が不要であり、簡易に温度に関する特異点を補正することができる。
【００４０】
以上に説明したように、冷媒用の流路２４ａが形成された基台２０ａと、冷媒用の流路２４ａ内に設けられ、昇降可能なネジ２とを有する載置台２０は、冷媒用の流路を有する部材の一例である。
【００４１】
［冷媒用の流路／突起状部材（整流板）］
次に、載置台２０に形成された冷媒用の流路２４ａ及び突起状部材の他の例について、図４を参照しながら説明する。図４は、一実施形態に係る載置台２０に形成された冷媒用の流路２４ａの一例を示す斜視図である。図４では、突起状部材が整流板４の場合を示す。
【００４２】
図４に示す冷媒用の流路２４ａには、突起状部材の一例として、流速を調整する整流板４ａ、４ｂが、入口の穴２４ｂ１及び出口の穴２４ｃ１の近傍に取り付けられている。また、整流板４ｄが、冷媒の流れの向きが変わる流路２４ａの中央部（流路形成部材５の内端部）の近傍に取り付けられている。
また、整流板４ｃが、貫通孔３ｃが形成された流路形成部材５の近傍に取り付けられている。以下、整流板４ａ〜４ｄを総称して、整流板４ともいう。整流板４は、特異点又はその近傍であって、流路２４ａ内の冷媒が滞留し、冷媒の流速が急激に遅くなる又は早くなる位置に配置される。例えば、冷媒の流れの向きが変わる流路２４ａの中央部の、流路２４ａの内端部の近傍に整流板４が取り付けられてもよい。
【００４３】
図３（ｂ）は、流路２４ａ内に配置された整流板４の一例を示す。整流板４は、流路２４ａ内に設けられ、整流板４の中心から流路２４ａの底面を貫通する回転軸により回転可能となっている。回転軸を回転させることで整流板４の角度を調整し、これにより、流路２４ａ内の冷媒の流速を調整する。整流板４の回転制御は、手動で行ってもよいし、整流板４の回転軸にモーター―等の駆動機構を接続することで自動で行ってもよい。これにより、整流板４の角度を変更することで、流路２４ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。
【００４４】
以上に説明したように、冷媒用の流路２４ａが形成された基台２０ａと、冷媒用の流路２４ａ内に設けられ、回転可能な整流板４とを有する載置台２０は、冷媒用の流路を有する部材の一例である。
【００４５】
なお、図２に示す冷媒用の流路２４ａは、該流路２４ａが形成された流路形成部材５を基台２０ａと接合することにより、基台２０ａの内部に形成されてもよい。また、冷媒用の流路２４ａは、例えば３Ｄプリンタに読み込まれる冷媒流路用３Ｄデータに基づき３Ｄプリンタにより成形してもよい。
【００４６】
なお、ネジ２は、基台２０ａの上部部分を基台２０ａの流路形成部材５と接合する前に配置してもよいし、接合後に配置してもよい。一方、整流板４は、基台２０ａの上部部分を流路形成部材５と接合する前に配置する。
【００４７】
［変形例１］
突起状部材の一例であるネジ２及び整流板４の表面は、表面積が大きくなるように機械加工されてもよい。例えば、図３（ｃ）には、突起状部材の変形例として、ネジ２にフィン２ｖを取り付けた構成例が示されている。図３（ｄ）には、突起状部材の変形の一例として、ネジ２に凹凸２ｗが形成された構成例が示されている。
【００４８】
ただし、突起状部材は、上記突起状部材の変形例に限らず、ネジ２や整流板４に溝や穴を設けたり、ネジ２や整流板４の形状を湾曲させたり、円錐状や多角形状にしたりしてもよい。また、突起状部材は、昇降可能又は回転可能な部材である。このように突起状部材を、冷媒の流れを乱すような形状にすることで、流路２４ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。
【００４９】
［変形例２］
以上では、冷媒用の流路を有する部材として、基台２０ａと突起状部材（ネジ２、整流板４）とを有する載置台２０を例に挙げて説明した。図１に示す例では、冷媒用の流路を有する部材は、さらに、基台２０ａに隣接して設けられ、ウェハＷを載置する載置面を有し、ウェハＷを静電吸着する静電チャック２１を有する。
【００５０】
冷媒用の流路を有する部材は、例えば、図１に示す上部電極として機能するガスシャワーヘッド４０であってもよい。ガスシャワーヘッド４０は、本体部４０ａ（基台）に隣接して設けられ、電極として機能する天板４０ｂ（板状部材）を有する。天板４０ｂには、冷媒用の流路４２ａが形成されている。冷媒用の流路４２ａには、冷媒用の流路２４ａと同様に、冷媒用の流路４２ａ内の特異点に突起状部材としてネジや整流板が設けられている。これにより、流路４２ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。
【００５１】
その他、本実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材は、ウェハＷを処理する際に、プラズマの入熱がある部分等、基板処理装置１において流路によって部材を冷却したい部分配置することができる。
【００５２】
［変形例３］
ネジ２及び整流板４は、流路の底面側から流路２４ａ，４２ａを貫通してもよいし、流路の天井面側から流路２４ａ，４２ａを貫通してもよいし、流路の側面側から流路２４ａ，４２ａを貫通してもよい。
【００５３】
［変形例４］
流路２４ａ，４２ａは、渦巻型でなくてもよい。流路２４ａ，４２ａの他の例としては、環状に流路が同心円上に設けられる例が挙げられる。その場合にも、流路２４ａ，４２ａに形成された貫通孔や冷媒の入口及び出口の穴、蛇行する流路部分等が特異点になる。よって、特異点又はその近傍に、突起状部材を１つ以上設けることで、流路２４ａ，４２ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。
【００５４】
［冷媒用の流路を有する部材の制御方法］
次に、本実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御方法について、図５及び図６を参照しながら説明する。図５は、一実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御処理の一例を示すフローチャートである。図６は、一実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御処理に用いるテーブルの一例を示す。
【００５５】
図５に示す制御処理では、載置台２０の温度調整は、冷媒用の流路２４ａ及びヒーター２７を使用して行われる例を挙げる。ヒーター２７の設定温度とチラーユニット１０５の冷媒の設定温度とが決まると、ヒーター２７から出力する電力が決まる。よって、ヒーター２７から出力する電力に応じてネジ２を昇降するか、又は整流板４の回転軸を回転させて整流板４の角度を変えることで、流路２４ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、温度に関する特異点を補正することができる。
【００５６】
図６のテーブルには、ヒーター２７から出力する電力とネジ２の高さとを予め対応付けたデータ（バックデータ）が記録されている。本テーブルは、制御部１００のメモリに記録されてもよい。
【００５７】
本処理が開始されると、制御部１００は、チラーユニット１０５から所定の設定温度の冷媒を流路２４ａに供給する（ステップＳ１０）。次に、制御部１００は、交流電源１０６からヒーター２７に所定の電力を供給する（ステップＳ１２）。
【００５８】
次に、制御部１００は、冷媒用の流路２４ａに設けられたネジ２を、ヒーター２７に供給した所定の電力値に応じて昇降する制御を行い（ステップＳ１４）、本処理を終了する。ステップＳ１４では、制御部１００は、図６のテーブルに従い、ヒーターへの供給電力に応じたネジ２の高さになるようにネジ２を昇降させる。
【００５９】
以上に説明したように、本実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御方法は、冷媒用の流路２４ａが形成された基台２０ａと、冷媒用の流路２４ａ内に設けられたネジ２と、ヒーター２７とを有し、冷媒用の流路２４ａを有する載置台２０において、冷媒用の流路２４ａに所定の温度の冷媒を供給する工程と、ヒーター２７に所定の電力を供給する工程と、ヒーター２７に供給する電力に応じてネジ２の昇降を制御する工程とを行う。
【００６０】
または、本実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御方法は、載置台２０において、冷媒用の流路２４ａに所定の温度の冷媒を供給する工程と、ヒーター２７に所定の電力を供給する工程と、ヒーター２７に供給する電力に応じて整流板４の角度を制御する工程とを行ってもよい。
【００６１】
これによれば、ネジ２を上昇させる又は流路２４ａを狭める方向に整流板４の角度を変えると、ネジ２又は整流板４が存在する位置にて冷媒のコンダクタンスが低下し、冷媒の流速が上がって、その位置での冷却効果が高まる。これにより、流路４２ａ内を流れる冷媒の流速を変更し、抜熱応答性を変更させることで温度に関する特異点を補正することができる。
【００６２】
なお、本実施形態では、突起状部材の動作の制御を、ヒーター２７への供給電力に基づき行う例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、突起状部材の動作の制御は、第１のＲＦ電源３２，第２のＲＦ電源３４から出力されるＲＦ電力等のプロセス条件に応じてでネジの高さを決めてもよい。また、、突起状部材の動作の制御は、ラングミュアプローブ等の測定器により測定したプラズマの密度に応じてでネジの高さを決めてもよい。また、ヒーター２７への供給電力、ＲＦ電力等のプロセス条件及びプラズマの密度の少なくともいずれかに応じてでネジの高さを決めてもよい。更に、冷媒の種類や冷媒の流速により、突起状部材の動作の制御を補正してもよい。
【００６３】
また、本実施形態に係る冷媒用の流路を有する部材の制御方法は、プロセス中のプラズマの密度やヒータへ供給した電力に応じてリアルタイムで制御することが好ましい。
【００６４】
以上に説明したように、本実施形態の基板処理装置１によれば、設計変更をせずに温度の均一性を図るための補正を行うことができる。
【００６５】
以上、冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置を上記実施形態により説明したが、本発明にかかる冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００６６】
本発明に係る基板処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP),Inductively Coupled Plasma(ICP),Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR),Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【００６７】
本明細書では、基板の一例としてウェハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００６８】
１        基板処理装置
２        ネジ
４        整流板
１０      処理容器
２０      載置台（下部電極）
２０ａ    基台
２１      静電チャック
２４ａ    流路
２５      フォーカスリング
２６      インシュレータリング
２７      ヒーター
３０      ガス供給部
３２      第１のＲＦ電源
３４      第２のＲＦ電源
４０      ガスシャワーヘッド（上部電極）
４０ａ    本体部
４０ｂ    天板
４２ａ    流路
６５      排気装置
１００    制御部
１０４    伝熱ガス供給部
１０５    チラーユニット
１０６    交流電源
１１２    直流電源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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