(57)【要約】【課題】パワーサイクル試験によるパワーデバイスの信頼性評価の精度を向上させる。【解決手段】参照モデル計算部１１は、操作温度Ｔｊｏｐと、インピーダンス関数とを用いて、予測値であるモデル温度Ｔｍｏｄを算出する。プロセスモデル計算部１２は、パワーデバイスに印加された操作電力と、インピーダンス関数とを用いて、推定値であるプロセス温度Ｔｊ＊を算出する。レギュレータ１３は、設定温度Ｔｊｄと、プロセス温度Ｔｊ＊とを用いて、プロセス温度Ｔｊ＊が設定温度Ｔｊｄに追従するようにモデル温度Ｔｍｏｄを補正した値を操作温度Ｔｊｏｐとして算出する。【選択図】図５
2019027929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーデバイスに対してパワーサイクル試験を行なうパワーサイクル試験装置であって、
電力駆動部と、
前記電力駆動部に操作信号を出力する制御演算部とを備え、
前記電力駆動部は、前記操作信号に制御されて、予め定められた設定温度のプロファイルに従って前記パワーデバイスの温度が変化するように、前記パワーデバイスに操作電力を供給し、
前記制御演算部は、
前記操作信号を決定するための操作温度を算出するレギュレータと、
予め定められたモデルにおいて、前記操作温度と、前記パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、前記温度の予測値であるモデル温度を算出する参照モデル計算部と、
前記パワーデバイスに印加された前記操作電力と、前記パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、前記温度の推定値であるプロセス温度を算出するプロセスモデル計算部とを含み、
前記レギュレータは、前記設定温度と、前記プロセス温度とを用いて、前記プロセス温度が前記設定温度に追従するように前記モデル温度を補正した値を前記操作温度として算出する、パワーサイクル試験装置。
【請求項２】
前記参照モデル計算部が参照する前記パワーデバイスのインピーダンス関数は、前記パワーサイクル試験が行なわれている間更新されず、
前記プロセスモデル計算部が参照する前記パワーデバイスのインピーダンス関数は、前記パワーサイクル試験の経過に伴い前記パワーデバイスの熱応答特性に応じて更新され、
前記パワーサイクル試験装置は、前記プロセス温度と前記モデル温度との比較結果を出力する状態診断部をさらに備える、請求項１に記載のパワーサイクル試験装置。
【請求項３】
前記パワーデバイスのインピーダンス関数からは、最も大きい時定数の成分が除かれており、
前記パワーサイクル試験装置は、前記パワーデバイスからの熱を吸収する温度調整部をさらに備える、請求項１または２に記載のパワーサイクル試験装置。
【請求項４】
前記制御演算部は、前記インピーダンス関数を生成するモデル生成部をさらに備え、
前記モデル生成部は、前記パワーデバイスの状態を高出力状態から低出力状態へ遷移させるための校正信号を前記電力駆動部に出力し、
前記電力駆動部は、前記校正信号に従って前記パワーデバイスに校正電力を出力し、
前記モデル生成部は、前記パワーデバイスの温度についての有感信号を受けて、前記パワーデバイスのインピーダンス関数を生成し、前記参照モデル計算部および前記プロセスモデル計算部に出力する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパワーサイクル試験装置。
【請求項５】
前記校正信号のパルス幅は、前記パワーデバイスの構造から導かれる前記パワーデバイスの熱拡散時間の最大値を超えない、請求項４に記載のパワーサイクル試験装置。
【請求項６】
前記レギュレータは、今回のサンプリング時刻から予測時間差だけ経過後のサンプリング時刻までの前記モデル温度の変化量と前記プロセス温度の変化量とが等しくなるように前記操作温度を算出し、
前記予測時間差は、前記パワーデバイスの構造から導かれる前記パワーデバイスの熱拡散時間の最大値を超えない、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパワーサイクル試験装置。
【請求項７】
パワーデバイスのパワーサイクル試験装置において行なわれるパワーサイクル試験方法であって、
前記パワーサイクル試験装置は、
電力駆動部と、
前記電力駆動部に操作信号を出力する制御演算部とを備え、
前記電力駆動部は、前記操作信号に制御されて、予め定められた設定温度のプロファイルに従って前記パワーデバイスの温度が変化するように、前記パワーデバイスに操作電力を供給し、
前記パワーサイクル試験方法は、
前記操作信号を決定するための操作温度を算出するステップと、
予め定められたモデルにおいて、前記操作温度と、前記パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、前記温度の予測値であるモデル温度を算出するステップと、
前記パワーデバイスに印加された前記操作電力と、前記パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、前記温度の推定値であるプロセス温度を算出するステップと、
前記設定温度と、前記プロセス温度とを用いて、前記プロセス温度が前記設定温度に追従するように前記モデル温度を補正した値を前記操作温度として算出するステップとを含む、パワーサイクル試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーサイクル試験装置およびパワーサイクル試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パワーデバイスに対してパワーサイクル試験を行なうパワーサイクル試験装置が知られている。たとえば、特開２０１４−１３８４８８号公報には、直流電源回路とパワー半導体（被試験体）との間に定電流制御回路を介装し、直流電源回路の出力ＯＮ状態で定電流制御回路に対してＯＮまたはＯＦＦの動作指令を与えるパワーサイクル試験装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１３８４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パワーデバイスの実装部材、主にはボンデイングワイヤやはんだ材の接合部には、熱応力が集中して熱サイクル疲労が蓄積されることが多い。パワーサイクル試験においては、接合部の劣化あるいは破壊事象が評価対象とされることが多い。
【０００５】
実環境における接合部温度Ｔｊの昇降温は、昇温と高温とが単純に繰り返されるのではなく、不規則な変化をすることが多い。そのため、特開２０１４−１３８４８８号公報に開示されているパワーサイクル試験装置のように、供給電力あるいは供給電流の単純なＯＮ動作とＯＦＦ動作とを繰り返す制御によっては、実環境に近い環境でパワーサイクル試験を行なうことが困難である。その結果、パワーサイクル試験によってパワーデバイスの信頼性の評価を精度よく行なうことが困難になり得る。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、パワーサイクル試験によるパワーデバイスの信頼性評価の精度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るパワーサイクル試験装置は、パワーデバイスに対してパワーサイクル試験を行なう。パワーサイクル試験装置は、電力駆動部と、制御演算部とを備える。制御演算部は、電力駆動部に操作信号を出力する。電力駆動部は、操作信号に制御されて、予め定められた設定温度のプロファイルに従ってパワーデバイスの温度が変化するように、パワーデバイスに操作電力を供給する。制御演算部は、レギュレータと、参照モデル計算部と、プロセスモデル計算部とを含む。レギュレータは、操作信号を決定するための操作温度を算出する。参照モデル計算部は、予め定められたモデルにおいて、操作温度と、パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、温度の予測値であるモデル温度を算出する。プロセスモデル計算部は、パワーデバイスに印加された操作電力と、パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、温度の推定値であるプロセス温度を算出する。レギュレータは、設定温度と、プロセス温度とを用いて、プロセス温度が設定温度に追従するようにモデル温度を補正した値を操作温度として算出する。
【０００８】
パワーデバイスとは、電気変換用の高電圧あるいは大電流に対応可能な半導体デバイスであり、バイポーラパワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor  Field  Effect  Transistor）、あるいはＩＧＢＴ（Insulated  Gate  Bipolar  Transistor)などを含む半導体デバイスである。本発明は、パワーデバイスおよび保護回路を含むパワーモジュールにも適用可能である。
【０００９】
パワーサイクル試験とは、パワーデバイスに電流を流す状態と流さない状態とを繰り返すことにより、パワーデバイスの温度を予め定められた範囲内において繰り返し昇温および降温させる信頼性試験である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るパワーサイクル試験装置によれば、レギュレータが設定温度とプロセス温度とを用いて、プロセス温度が設定温度に追従するようにモデル温度を補正した値を操作温度として算出することにより、接合部温度Ｔｊの変化を実環境の変化に近づけることができる。その結果、パワーサイクル試験によるパワーデバイスの信頼性評価の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】パワーサイクル試験の対象であるパワーデバイスの実装構造の断面図の一例を示す。
【図２】実施の形態１に係るパワーサイクル試験装置の機能ブロック図である。
【図３】電力駆動部によるパワーデバイスの動作領域を模式的に示した図である。
【図４】図１に示されるパワーデバイスの実装構造に対応する熱等価回路である。
【図５】図１の制御演算部の制御機能ブロック図である。
【図６】設定温度のプロファイル、操作信号のプロファイル、プロセス温度のプロファイルを併せて示す図である。
【図７】設定温度のプロファイル、モデル温度のプロファイル、プロセス温度のプロファイルを併せて示す図である。
【図８】設定温度に対するパワーデバイスの接合部温度の特性の実験値である。
【図９】図８に示されるデータを用いた直線性図である。
【図１０】従来例における昇降温速度の異なる測定点のサーモビュアーによるチップ表面プロファイルを示す図である。
【図１１】実施の形態２に係る制御演算部の制御機能ブロック図である。
【図１２】実施の形態２における設定温度、およびプロセス温度のそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。
【図１３】設定温度、モデル温度、およびプロセス温度のそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。
【図１４】設定温度、モデル温度、および操作温度のそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。
【図１５】パワーデバイスへのステップ印加電力に対するインピーダンス関数曲線を模式的に示した図である。
【図１６】実施の形態３に係るパワーサイクル試験装置の機能ブロック図である。
【図１７】実施の形態３に係る制御演算部３０の制御機能ブロック図である。
【図１８】実施の形態４に係る制御演算部４０の制御機能ブロック図である。
【図１９】図１８のモデル生成部の機能ブロック図である。
【図２０】校正信号および有感信号のプロファイルを併せて示す図である。
【図２１】実験によって取得された接合部温度信号をプロットした図である。
【図２２】図１９のモデル生成部の出力特性を示す図である。
【図２３】パルス信号のパルス幅が異なる校正信号に対する出力温度の時間特性を示す図である。
【図２４】実施の形態５に係るモデル生成部の機能ブロック図である。
【図２５】パワーデバイスの放熱特性のパワーサイクル経過数による変化を示す図である。
【図２６】実施の形態６に係る制御演算部６０の制御機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は原則として繰り返さない。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、パワーサイクル試験の対象であるパワーデバイス１００の実装構造の断面図の一例を示す。図１に示されるように、パワーデバイス１００は、架台ｆｒに載置されている。パワーデバイス１００は、ワイヤボンドｗｂと、デバイスチップｓｉと、第１はんだ層ｍ１と、セラミック層ｍ２と、第２はんだ層ｍ３と、ベースプレートｍ４とを含む。ベースプレートｍ４は、架台ｆｒに載置されている。ベースプレートｍ４と架台ｆｒとの間には、熱伝導材（たとえばグリース材あるいは伝導性ゴム材）が配置されている。セラミック層ｍ２とベースプレートｍ４とは、第２はんだ層ｍ３によって接合されている。デバイスチップｓｉとセラミック層ｍ２とは、第１はんだ層ｍ１によって接合されている。ワイヤボンドｗｂの一端は、デバイスチップｓｉの表面に接合されている。
【００１４】
図２は、実施の形態１に係るパワーサイクル試験装置１の機能ブロック図である。図２に示されるように、パワーサイクル試験装置１は、制御演算部１０と、電力駆動部２００と、時間管理部３００と、温度調整部４００とを備える。図示はしてないが、パワーサイクル試験装置１は、デバイスチップｓｉの自己発熱に起因する接合部温度サイクル範囲ΔＴｊ信号の入力端子を備える。
【００１５】
制御演算部１０は、パワーデバイス１００の接合部温度サイクル範囲ΔＴｊを制御する。制御演算部１０は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）のようなプロセッサによって実現される。制御演算部１０は、設定温度Ｔｊｄ、パワーデバイス１００のインピーダンス関数Ｒの初期値データＲ０、および伝達利得Ｇｍ０を受けて、操作信号Ｕｏｐを電力駆動部２００に出力する。なお、接合部温度サイクル範囲ΔＴｊ信号は、サイクル最大温度Ｔｊｍａｘと最小温度Ｔｊｍｉｎとの差である。実施の形態においては、便宜上、最小温度Ｔｊｍｉｎを温度Ｔａとする。それぞれ独立変数となる接合部温度サイクル範囲ΔＴｊと温度Ｔａから一意的にサイクル最大温度Ｔｊｍａｘを決定することができる。なお、インピーダンス関数とは、パワーデバイス１００の外部からの電力供給に伴うデバイスチップｓｉの発熱に起因する接合部温度の上昇および、その熱応答時間の経過特性のことである。
【００１６】
電力駆動部２００は、操作信号Ｕｏｐに基づいて、パワーデバイス１００に操作電力Ｕを出力する。電力駆動部２００は、操作信号Ｕｏｐに制御されて、予め定められた設定温度Ｔｊｄのプロファイルに従ってパワーデバイス１００の温度が変化するように、パワーデバイス１００に操作電力Ｕを供給する。電力駆動部２００は、たとえばＤＣ−ＤＣコンバータのような電力変換装置である。電力駆動部２００は、操作信号Ｕｏｐに対して、所望のデバイス発熱Ｑを期待して操作電力Ｕを出力する。デバイス発熱Ｑ（Ｊ／ｓｅｃ）と操作電力Ｕ（Ｗ）との関係は、以下の式（１）と表せる。
【００１７】
【数１】
2019027929.tif 000003
【００１８】
電力駆動部２００は、図３に示される非飽和動作領域でパワーデバイス１００が動作するように、パワーデバイス１００のゲート電位Ｖｇを高電位（１５Ｖ程度）に設定する。パワーサイクル試験中のコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅのレベルの変化幅が狭くなるため、操作信号Ｕｏｐによって、コレクタ電流Ｉｃを介してデバイス発熱Ｑを一意的に制御することができる。
【００１９】
時間管理部３００は、制御演算部１０および温度調整部４００に時刻信号ｔｒｇを出力する。温度調整部４００は、パワーデバイス１００のベースプレートｍ４の温度を実環境の温度を模擬するように管理する。
【００２０】
パワーサイクル試験装置１は、動作モードとして、パワーサイクルストレス試験（以下では、サイクル試験ともいう。）モードと、初期データ設定モードとを含む。初期データ設定モードにおいては、制御パラメータ（インピーダンス関数および伝達利得）、および設定温度Ｔｊｄが設定される。パワーサイクル試験装置１は、初期データ設定モードで動作した後に、サイクル試験モードで動作する。
【００２１】
図４は、図１に示されるパワーデバイス１００の実装構造に対応する熱等価回路である。熱抵抗Ｒ１および熱容量Ｃ１がデバイスチップｓｉに対応する。熱抵抗Ｒ２および熱容量Ｃ２が第１はんだ層ｍ１に対応する。熱抵抗Ｒ３および熱容量Ｃ３がセラミック層ｍ２に対応する。熱抵抗Ｒ４および熱容量Ｃ４が第２はんだ層ｍ３に対応する。熱抵抗Ｒ５および熱容量Ｃ５がベースプレートｍ４に対応する。熱抵抗Ｒ６および熱容量Ｃ６がベースプレートｍ４と架台ｆｒとの間に配置された熱伝導材に対応する。熱抵抗Ｒ７は、外部熱抵抗に対応する。
【００２２】
図４に示されるように、熱抵抗Ｒ１〜Ｒ７は、熱源ＨＳと基準温度点ＢＰとの間に直列に接続されている。熱容量Ｃ１は、熱抵抗Ｒ１とＲ２との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。熱容量Ｃ２は、熱抵抗Ｒ２とＲ３との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。熱容量Ｃ３は、熱抵抗Ｒ３とＲ４との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。熱容量Ｃ４は、熱抵抗Ｒ４とＲ５との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。熱容量Ｃ５は、熱抵抗Ｒ５とＲ６との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。熱容量Ｃ６は、熱抵抗Ｒ６とＲ７との間の接続点と、基準温度点ＢＰとの間に接続されている。
【００２３】
パワーデバイス１００を図４に示される熱等価回路としてとらえて、パワーサイクル試験の制御量を接合部温度Ｔｊとした場合、以下の式（２）に示される畳み込み積分演算に従って、接合部温度Ｔｊは、パワーデバイス１００のインピーダンス関数Ｒおよびパワーデバイス１００に出力された操作電力Ｕから一意的に決定することができる。
【００２４】
【数２】
2019027929.tif 000004
【００２５】
接合部温度Ｔｊの変化を所望のプロファイルとするために、予め所望のプロファイルとした設定温度Ｔｊｄを実現する操作電力Ｕｒｅｑをパワーデバイス１００に与える必要がある。操作電力Ｕｒｅｑは、インピーダンス関数Ｒの数値列の逆関数Ｒ−１を用いて式（３）として表される。
【００２６】
【数３】
2019027929.tif 000005
【００２７】
図４に示される熱等価回路に含まれる熱回路要素（熱抵抗Ｒ１〜Ｒ７および熱容量Ｃ１〜Ｃ６）の各数値を構造部材の熱物性値および形状寸法から算出するためには手間を要する。
【００２８】
そこで実施の形態１においては、内部モデル制御においてパワーデバイス１００の熱応答特性を表すインピーダンス関数Ｒを用いて、所望のプロファイルとした設定温度Ｔｊｄから操作電力Ｕｒｅｑを算出する。
【００２９】
図５は、制御演算部１０の制御機能ブロック図である。図５に示されるように、制御演算部１０は、参照モデル計算部１１と、プロセスモデル計算部１２と、レギュレータ１３と、設定温度ＴＢＬ１４と、係数変換部１５と、状態診断部１６とを備える。
【００３０】
参照モデル計算部１１は、外乱を考慮しないモデルとして予め定められた独立モデルに基づいて予測モデル制御を行なう。参照モデル計算部１１は、サンプリング時刻ｉｉより１サンプリング時間前のサンプリング時刻（ｉｉ−１）の操作温度Ｔｊｏｐ、サンプリング時刻（ｉｉ−１）のモデル温度Ｔｍｏｄ、およびインピーダンス関数の初期値データＲ０の先頭データＲ０（１）を用いて、以下の式（４）に従って演算し、今回のサンプリング時刻ｉｉにおける接合部温度Ｔｊの予測値であるモデル温度Ｔｍｏｄをレギュレータ１３および状態診断部１６に出力する。
【００３１】
【数４】
2019027929.tif 000006
【００３２】
プロセスモデル計算部１２は、コンボリューションモデルを用いて、パワーデバイス１００に実際に印加された操作電力から接合温度Ｔｊを推定する。プロセスモデル計算部１２は、パワーデバイスに印加された操作電力と、パワーデバイスのインピーダンス関数とを用いて、接合部温度Ｔｊの推定値（実績値）であるプロセス温度Ｔｊ＊を算出する。プロセスモデル計算部１２は、パワーサイクル試験が開始されてからサンプリング時刻ｉｉまでのインピーダンス関数Ｒ０、操作信号Ｕｏｐを用いて、以下の式（５）に従ってサンプリング時刻ｉｉにおけるプロセス温度Ｔｊ＊を算出し、レギュレータ１３および状態診断部１６に出力する。
【００３３】
【数５】
2019027929.tif 000007
【００３４】
レギュレータ１３は、サンプリング時刻ｉｉから予測時間差Δｈが経過したサンプリング時刻（ｉｉ＋Δｈ）までのモデル温度Ｔｍｏｄの変化量Δｍを以下の式（６）に従って算出する。
【００３５】
【数６】
2019027929.tif 000008
【００３６】
式（６）の第１項は、モデル温度Ｔｍｏｄのサンプリング時刻ｉｉから予測時間差Δｈが経過するまでの自然放熱寄与分である。式（６）の第２項は、強制加熱寄与分である。式（６）の第３項は、サンプリング時刻ｉｉのモデル温度Ｔｍｏｄである。
【００３７】
レギュレータ１３は、サンプリング時刻ｉｉからサンプリング時刻（ｉｉ＋Δｈ）までのプロセス温度Ｔｊ＊の変化量Δｐを、以下の式（７）に従って算出する。式（７）においてＫ（Δｈ）は制御係数である。
【００３８】
【数７】
2019027929.tif 000009
【００３９】
レギュレータ１３は、設定温度Ｔｊｄと、サンプリング時刻ｉｉにおける推定値であるプロセス温度Ｔｊ＊とを用いて、プロセス温度Ｔｊ＊が設定温度Ｔｊｄのプロファイルに追従するように、サンプリング時刻ｉｉの予測値であるモデル温度Ｔｍｏｄを補正した値をサンプリング時刻ｉｉの操作温度Ｔｊ＊として算出する。具体的には、レギュレータ１３は、変化量Δｍと変化量Δｐとが一致するように、式（８）に従ってサンプリング時刻ｉｉにおける操作温度Ｔｊｏｐを算出する。レギュレータ１３は、参照モデル計算部１１、プロセスモデル計算部１２、および係数変換部１５へ操作温度Ｔｊｏｐを出力する。
【００４０】
【数８】
2019027929.tif 000010
【００４１】
参照モデル計算部１１、プロセスモデル計算部１２、およびレギュレータ１３による同時処理が、サンプリング時刻毎に再帰的に実施される。式（４）〜（８）による計算は、予測時間差Δｈ時間経過後の設定温度Ｔｊｄおよびインピーダンス関数Ｒの情報を用いた予測モデル制御に基づいている。
【００４２】
設定温度ＴＢＬ１４には、パワーサイクル試験の１サイクル分の接合部温度Ｔｊの時系列データである設定温度Ｔｊｄが、初期データ設定モードにおいて保存される。設定温度ＴＢＬ１４は、時間管理部３００から時刻信号ｔｒｇを受ける度にレギュレータ１３に設定温度Ｔｊｄを出力する。設定温度ＴＢＬ１４は、時間管理部３００から予測時間差Δｈを受ける。
【００４３】
係数変換部１５は、操作温度Ｔｊｏｐを受けて、伝達利得Ｇｍ０を用いて変換し、操作信号Ｕｏｐを電力駆動部２００に出力する。
【００４４】
状態診断部１６は、パワーサイクル試験の１サイクル分のモデル温度Ｔｍｏｄとプロセス温度Ｔｊ＊との比較演算により、パワーサイクル試験におけるパワーデバイス１００の劣化状態を診断し、評価信号Ｓｔｊを出力する。
【００４５】
制御演算部１０は、サイクル試験モードにおいて、設定温度Ｔｊｄおよびインピーダンス関数Ｒ０を用いて、模擬演算上で算出するプロセス温度Ｔｊ＊が設定温度Ｔｊｄに一致するまで繰り返し演算処理を続ける。設定温度Ｔｊｄが時間経過に伴って変化すれば、プロセス温度Ｔｊ＊が追従動作する。その結果、設定温度Ｔｊｄのプロファイルとほとんど同じプロセス温度Ｔｊ＊のプロファイルが得られる。
【００４６】
操作温度Ｔｊｏｐは、伝達利得Ｇｍ０の係数変換部１５によって変換され、操作信号Ｕｏｐに基づいた操作電力として、パワーデバイス１００に出力される。パワーデバイス１００の接合部温度Ｔｊは、操作温度Ｔｊｏｐに倣うように制御される。制御演算部１０が出力する操作信号Ｕｏｐに基づいた操作電力をパワーデバイス１００に印加することにより、接合部温度Ｔｊに対して、レギュレータ１３が生成する操作温度Ｔｊｏｐをマスタープロファイルとする倣い制御を実現することができる。
【００４７】
図６は、設定温度Ｔｊｄのプロファイル、操作電力Ｕのプロファイル、プロセス温度Ｔｊ＊のプロファイルを併せて示す図である。図６に示されるように、出力温度Ｔｊが設定温度Ｔｊｄに追従動作するように、操作電力Ｕがパワーデバイス１００に印加されている。
【００４８】
図７は、設定温度Ｔｊｄのプロファイル、モデル温度Ｔｍｏｄのプロファイル、プロセス温度Ｔｊ＊のプロファイルを併せて示す図である。図７に示されるように、パワーサイクル試験初期において各プロファイルは、ほぼ一致している。
【００４９】
図８は、実施の形態１において、設定温度Ｔｊｄに対するパワーデバイス１００の接合部温度Ｔｊの特性の実験値である。図８に示されているのは、パワーデバイス１００の表面の測定点の温度をサーモビュアーで観測した結果である。図８においては、チップ表面の１箇所の時間経過温度がプロットされている。以下では、時間経過温度がプロットされたグラフを、プロファイルと呼ぶ。曲線Ｅｓ１〜Ｅｓ５のチップ表面温度の昇降温速度ｄＴｊ／ｄｔは、それぞれ、８℃／sec、１９℃／ｓｅｃ、３５℃／ｓｅｃ、６４℃／ｓｅｃ、および１１６℃／ｓｅｃである。図８に示されるように、接合部温度Ｔｊは、一定の昇降温速度で変化している。昇温後の接合部温度Ｔｊが一定であることから、所与のプロファイルに対して接合部温度Ｔｊが忠実に制御されている。
【００５０】
図９は、図８に示されるデータを用いた直線性図である。図９において、曲線Ｌｎ１，Ｌｎ２は、それぞれ昇温曲線および降温曲線を表す。以下の表１は、図８の昇降温速度（実験値）を示す。
【００５１】
【表１】
2019027929.tif 000011
【００５２】
図８、図９、および表１から、実施の形態１においては、昇降温速度に関して、±２％以内の直線性（コーナ部を除く）が得られている。図１０に示される従来例のデータと比較すると、図７と同様に、実施の形態１においては昇降温速度ｄＴｊ／ｄｔに関する制御が精度よく行なわれている。
【００５３】
以上、実施の形態１に係るパワーサイクル試験装置によれば、パワーサイクル試験によるパワーデバイスの信頼性評価の精度を向上させることができる。
【００５４】
実施の形態２．
実施の形態１においては、パワーサイクル試験が行なわれている間、プロセスモデル計算部が参照するインピーダンス関数Ｒが更新されない場合について説明した。実施の形態２においては、パワーサイクル試験が行なわれている間、プロセスモデル計算部が参照するインピーダンス関数が更新される場合について説明する。
【００５５】
図１１は、実施の形態２に係る制御演算部２０の制御機能ブロック図である。図１１に示されるように、制御演算部２０の構成は、図５に示されるインピーダンス関数Ｒ０、伝達利得Ｇｍｎ、および状態診断部１６が、それぞれインピーダンス関数Ｒｎ、伝達利得Ｇｍｎ、および状態診断部２６に置き換えられている。
【００５６】
実施の形態２においては、プロセスモデル計算部１２が参照するインピーダンス関数Ｒｎは、パワーサイクル試験の間、逐次更新される。実施の形態２においては、状態診断部２６においてパワーデバイス１００の最新の放熱特性を示すインピーダンス関数Ｒｎと、インピーダンス関数Ｒ０（初期値）とが比較され、パワーデバイス１００の放熱特性の劣化進行具合が定量化される。
【００５７】
制御演算部２０においてインピーダンス関数Ｒｎは、参照モデル計算部１１、およびプロセスモデル計算部１２に制御モデル関数データとして格納される。参照モデル計算部１１が参照するインピーダンス関数Ｒｎは、パワーサイクル試験が行なわれている間、インピーダンス関数Ｒ０であり、更新されない。プロセスモデル計算部１２においては、パワーサイクル数に伴うパワーデバイス１００の熱応答特性の変化に応じて、インピーダンス関数Ｒｎが更新される。
【００５８】
プロセスモデル計算部１２は、実施の形態１の式（５）に替えて、以下の式（９）に従って、プロセス温度Ｔｊ＊を算出する。
【００５９】
【数９】
2019027929.tif 000012
【００６０】
パワーサイクル試験の経過と共に、繰り返し熱ストレスがパワーデバイス１００、特にはんだ接合層等に集中して蓄積されるため、パワーデバイス１００のはんだ接合部位での放熱特性の劣化が進行する。その結果、インピーダンス関数Ｒｎがインピーダンス関数Ｒ０から変化する。状態診断部２６は、インピーダンス関数Ｒｎとインピーダンス関数Ｒ０との比較を行なって、評価信号Ｓｔｊとともに、評価信号変化量ΔＳｔｊを出力する。評価信号変化量ΔＳｔｊは、たとえば、図１３の時刻Ｔｃｈｋでのモデル温度Ｔｍｏｄとプロセス温度Ｔｊ＊との強度の差を用いることができる。評価信号変化量ΔＳｔｊから、パワーデバイス１００の放熱特性の劣化推移を示すことができる。
【００６１】
制御演算部２０は、模擬演算処理を通じて、所望する設定温度Ｔｊｄに対して、プロセス温度Ｔｊ＊を生成し、操作信号Ｕｏｐを電力駆動部２００に出力する。制御演算部２０は、設定温度Ｔｊｄのプロファイルと同期するように外部制御を行なう。この一連の動作は倣い制御動作と呼ぶことができる。
【００６２】
パワーサイクル試験中、パワーデバイス１００に繰り返し熱ストレスが蓄積するため、パワーデバイスの放熱特性が悪化する。制御演算部２０は、パワーデバイス１００の放熱特性が劣化した場合でも、所望の接合部温度Ｔｊのプロファイル制御を維持することができる。更に制御演算部２０は、パワーデバイス１００の放熱特性の劣化の度合いを定量化する手段として、状態診断部２６を備える。
【００６３】
状態診断部２６は、パワーサイクル試験中、制御演算部２０が行なう１サイクルの倣い制御動作において、参照モデル計算部１１が出力するモデル温度Ｔｍｏｄのプロファイルと、およびプロセスモデル計算部１２が出力するプロセス温度のプロファイルとを比較処理する。その結果、状態診断部２６は、プロセス状態量となる信号強度差および強度時間積算量が算出する。実施の形態２においては、パワーデバイス１００の劣化の推移が、常時観測することができる。
【００６４】
参照モデル計算部１１が算出するモデル温度Ｔｍｏｄと、プロセスモデル計算部１２が算出するプロセス温度Ｔｊ＊とは、パワーサイクル試験のサイクル回数の増加に伴って、両者の差が拡がる。レギュレータ１３は、設定温度Ｔｊｄにプロセス温度Ｔｊ＊が一致するように操作温度Ｔｊｏｐを出力する。結果的に、パワーデバイス１００の放熱特性が劣化した場合でも、制御演算部２０は、追従制御動作を通じて、接合部温度Ｔｊを、設定温度Ｔｊｄに追従するように制御することができる。
【００６５】
図１２は、実施の形態２における設定温度Ｔｊｄ、およびプロセス温度Ｔｊ＊のそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。図１２に示されるように、プロセス温度Ｔｊ＊は、設定温度Ｔｊに追従するように制御されている。
【００６６】
図１３は、設定温度Ｔｊｄ、モデル温度Ｔｍｏｄ、およびプロセス温度Ｔｊ＊のそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。図１３に示されるように、プロセス温度Ｔｊ＊と設定温度Ｔｊｄとの間に差異が生じた場合、当該差異を補う補償動作を行なうようにモデル温度Ｔｍｏｄが制御されている。すなわち、プロセス温度Ｔｊ＊が設定温度Ｔｊｄよりも小さい場合、モデル温度Ｔｍｏｄは、設定温度Ｔｊｄよりも大きくなるように制御される。プロセス温度Ｔｊ＊が設定温度Ｔｊｄよりも大きい場合、モデル温度Ｔｍｏｄは、設定温度Ｔｊｄよりも小さくなるように制御される。
【００６７】
図１４は、設定温度Ｔｊｄ、モデル温度Ｔｍｏｄ、および操作温度Ｔｊｏｐのそれぞれのプロファイルを併せて示す図である。操作温度Ｔｊｏｐは、プロセス温度Ｔｊ＊およびモデル温度Ｔｍｏｄから算出され、電力駆動部２００に出力される。
【００６８】
以上、実施の形態２に係るパワーサイクル試験装置によれば、パワーサイクル試験によるパワーデバイスの信頼性評価の精度を向上させることができる。また、実施の形態２に係るパワーサイクル試験装置によれば、パワーサイクル試験中にパワーデバイス１００の放熱特性が劣化した場合でも、接合部温度を設定温度に追従させることができるため、パワーデバイスの信頼性評価の精度をさらに向上させることができる。さらに、実施の形態２に係るパワーサイクル試験装置によれば、パワーサイクル試験中、サイクルプロセスを停止することなく、サイクル疲労に因るはんだ接合部材の劣化進展に伴うパワーデバイスの放熱特性の劣化状態をインラインモニタリングすることができる。
【００６９】
実施の形態３．
実施の形態３では、インピーダンス関数から長時時定数の寄与分を排除することにより、パワーサイクル試験を短縮化する場合について説明する。
【００７０】
図１５は、パワーデバイス１００に対するステップ印加電力に対するインピーダンス関数曲線を模式的に示した図である。図１５に示される曲線は、ステップ熱入力Ｐｃに対する接合部温度Ｔｊの昇温特性を示す。図１５に示されるインピーダンス関数曲線にステップ熱入力Ｐｃをかけることにより、接合部温度Ｔｊを算出することができる。時刻ｔｍ０からｔｍ１までの時間間隔Ｔｐｋｇは、図１のデバイスチップｓｉからベースプレートｍ４の下面に熱が拡散する熱拡散時間を表す。
【００７１】
パワーデバイス１００の実装構造を、図４に示される熱等価回路のような２端子回路（１端子対回路）として捉えた場合、伝播遅延の効果が少ないことから無駄時間に相当する遅れ時間がないため、インピーダンス関数Ｒは式（１０）のように表せる。式（１０）において時定数τＡ，τＢ，τＣの大小関係は、τＡ＜τＢ＜τＣである。
【００７２】
【数１０】
2019027929.tif 000013
【００７３】
実施の形態３においては、最も大きい時定数である長時間時定数（最も大きい時定数）の寄与分を排除した式（１１）で表されるインピーダンス関数Ｒを用いて応答時間の短縮を図ることにより、パワーサイクル試験の短縮を図る。
【００７４】
【数１１】
2019027929.tif 000014
【００７５】
図１６は、実施の形態３に係るパワーサイクル試験装置３の機能ブロック図である。図１６において、インピーダンス関数Ｒｎ*、伝達利得Ｇｍｎ＊は、式（１１）に基づいて、長時間時定数が除かれた修正インピーダンス関数である。当該修正インピーダンス関数を用いることにより、ステップ応答時の収束時間が短縮され、パワーサイクルの時間周期を短縮することができる。
【００７６】
排除された長時間時定数の成分については、十分に収束しない状態でパワーサイクル電力が印加されるため、パワーサイクル信号に重畳されて平均温度を上昇させることになる。そこで、実施の形態３では、この昇温成分を調整するための温度調整部４００を備える。
【００７７】
温度調整部４００は、パワーデバイス１００のベースプレートｍ４の温度を周囲環境模擬温度Ｔａに管理する。温度調整部４００は、昇降温制御が可能である。温度調整部４００は、パワーデバイス１００からの熱Ｑｅｘを吸収する。温度調整部４００は、長い時定数項に起因する熱応答による温度上昇量を吸収してパワーデバイス１００を冷却する。
【００７８】
図１７は、実施の形態３に係る制御演算部３０の制御機能ブロック図である。制御演算部３０の構成は、図１１の制御演算部２０の構成のインピーダンス関数Ｒｎおよび伝達利得Ｇｍｎが、インピーダンス関数Ｒｎ＊および伝達利得Ｇｍｎ＊に置き換えられた構成である。これら以外の構成は同様であるため、説明を繰り返さない。
【００７９】
以上、実施の形態３に係るパワーサイクル試験装置によれば、実施の形態２と同様の効果を得ることができるとともに、パワーサイクル試験に要する時間を短縮することができる。
【００８０】
実施の形態４．
パワーサイクル試験の間にパワーデバイスの放熱特性は徐々に劣化する。実施の形態４においては、パワーデバイスの放熱特性の劣化に応じたインピーダンス関数を生成する構成について説明する。
【００８１】
図１８は、実施の形態４に係る制御演算部４０の制御機能ブロック図である。図１８に示されるように、制御演算部４０の構成は、図１７の制御演算部３０の構成にモデル生成部１８０が加えられている点である。それ以外の構成は同様であるため説明を繰り返さない。
【００８２】
モデル生成部１８０は、パワーデバイス１００から接合部温度Ｔｊについての有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）を受けて、パワーデバイスの放熱特性の劣化に応じたインピーダンス関数Ｒｎを生成し、参照モデル計算部１１およびプロセスモデル計算部１２に出力する。
【００８３】
図１９は、モデル生成部１８０の機能ブロック図である。図１９に示されるように、モデル生成部１８０は、変換部１８１と、インピーダンス関数生成部１８２と、伝達利得出力部１８３と、校正信号出力部１８４とを含む。
【００８４】
変換部１８１は、有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）を受けて、温度変換処理を行ない、接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）を出力する。インピーダンス関数生成部１８２は、接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）を受けて、正規化されたインピーダンス関数を生成して出力する。伝達利得出力部１８３は、校正電力Ｐｃａｌおよび接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）を受けて、伝達利得Ｇｍｎを出力する。校正信号出力部１８４は、時刻信号ｔｒｇを受けて校正信号Ｓｃａｌを電力駆動部２００に出力する。
【００８５】
図２０は、校正信号Ｓｃａｌおよび有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）それぞれのプロファイルを併せて示す図である。図２０に示されるように実施の形態４においては、校正信号Ｓｃａｌはステップ入力信号である。
【００８６】
実施の形態４に係るパワーサイクル試験装置の動作モードは、校正試験モードをさらに含む。以下では、校正試験モードにおけるモデル生成部１８０の動作について説明する。
【００８７】
校正信号Ｓｃａｌを受けた電力駆動部２００は、パワーデバイス１００に校正電力Ｐｃａｌを印加する。パワーデバイス１００は、校正信号Ｓｃａｌを受けて、接合部温度Ｔｊが昇温する高出力状態（状態Ｈ）から低出力状態（状態Ｌ）に遷移する。低出力状態においてパワーデバイス１００に流れる電流値は、予め温度校正係数を取得するために自己発熱を避けて低電流値（たとえば０．０１〜０．１Ａ）が選択される。
【００８８】
高出力状態から低出力状態へ高速に遷移してから接合部温度が安定するまで、変換部１８１は、パワーデバイス１００が出力する有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）を量子化する。変換部１８１は、式（１２）に従って有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）を接合部温度Ｔｊ（ｔ）に換算し、接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）を出力する。式（１２）における、温度換算係数α，βは、Ｋファクターとよばれる校正係数であり、実験値である。
【００８９】
【数１２】
2019027929.tif 000015
【００９０】
図２１は、実験によって取得された接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）をプロットした図である。接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）の収斂時間は、パワーデバイス１００のパッケージ構造に依存し、１０３秒程度の時間を要する場合がある。
【００９１】
パワーデバイス１００がＩＧＢＴである場合、有感信号Ｒｖｃｅ（ｔ）は、コレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅである。電圧Ｖｃｅと接合部温度Ｔｊとが密接に関係しているため、予め取得した温度校正係数値α，β、および電位差Ｖｃｅの計測値から接合部温度Ｔｊを導くことができる。
【００９２】
伝達利得出力部１８３は、式（１３）に従って工学値変換係数κを算出し、工学値変換係数κを伝達利得Ｇｍｎとして出力する。式（１３）において、Ｐｃは入力電力（コレクタ損失）である。Ｒｔｊ（∞）は、高速遷移を経て出力変動が収束した時刻ｔ∞での出力温度である。
【００９３】
【数１３】
2019027929.tif 000016
【００９４】
インピーダンス関数生成部１８２は、接合部温度信号Ｒｔｊ（ｔ）を、式（１４）に従って最大値が１となるように規格化されたインピーダンス関数Ｒｎ（図２２参照）の時系列データを出力する。インピーダンス関数Ｒｎを規格化することにより、加熱手段能力あるいはパワーデバイスにより異なる電力容量−昇温特性に影響されることなく処理を行なうことができる。
【００９５】
【数１４】
2019027929.tif 000017
【００９６】
以上、実施の形態４に係るパワーサイクル装置によれば、実施の形態２と同様の効果を得ることができる。さらに、パワーデバイスの熱応答特性に応じたインピーダンス関数を自動的に取得することができる。
【００９７】
実施の形態５．
インピーダンス関数は、パワーデバイスの放熱構造上、パワーデバイス自体の放熱特性に加えて、パワーデバイスと架台との間に配置されたグリースあるいは放熱ゴム材などの熱伝導材（熱抵抗）の影響を受け、パワーサイクル数とともに増加する傾向がある。このため、パワーデバイス以外の熱抵抗の影響を回避する必要がある。
【００９８】
実施の形態５においては、校正信号のパルス幅を適切な値とすることにより、伝達係数の誤差、およびインピーダンス関数の減衰時定数の増加を抑える構成について説明する。
【００９９】
図２３は、パルス信号である校正信号Ｓｃａｌのパルス幅がＴｗ１，Ｔｗ２，Ｔｗ３（Ｔｗ１＜Ｔｗ２＜Ｔｗ３）である各場合の出力温度Ｔｊの時間特性を示す図である。図１および図２３を参照しながら、パワーデバイス１００の内部ではデバイスチップｓｉの発熱により熱拡散が進展する。図２３に示されるように、この熱拡散のプロセスに起因して、校正信号ＳｃａｌのＯＮパルス幅により出力時間Ｔｊの波形の最大値、あるいは最大値に至る時間が異なる。最大値に至るまでの経過時間は、パワーデバイス１００の内部の熱拡散距離に相当する。経過時間がパルス幅Ｔｗ１である場合、熱拡散は第１はんだ層ｍ１まで進む。経過時間がパルス幅Ｔｗ２である場合、熱拡散は第２はんだ層ｍ３まで進む。経過時間がパルス幅Ｔｗ３である場合、ベースプレートｍ４と架台ｆｒとの間の熱伝導材まで熱拡散が進む。図２３に示される各曲線は、各部位の熱伝導特性を反映している。
【０１００】
また、パワーデバイス１００に対する大電流を伴う高電力から低電流へ出力操作する場合、高出力から低出力に高速に状態遷移する。高出力状態の保持時間（校正信号Ｓｃａｌのパルス幅）によっては、パワーデバイス１００以外の熱伝導材の寄与分は、出力信号強度に含まれる。実施の形態５では、高出力状態の保持時間は、パワーデバイス１００以外の熱伝導材まで熱拡散が及ばないように保持時間が決められる。
【０１０１】
図２４は、実施の形態５に係るモデル生成部１９０の機能ブロック図である。モデル生成部１９０の構成は、図１９に示されるモデル生成部１８０の校正信号出力部１８４が校正信号出力部１９４に置き換えられた構成である。それ以外の構成は同様であるため、説明を繰り返さない。
【０１０２】
校正信号出力部１９４は、時間管理部３００から時刻信号ｔｒｇおよびパルス幅Ｔｗを受けて、パルス幅Ｔｗのパルス信号として校正信号Ｓｃａｌを出力する。パルス幅Ｔｗは、図１のデバイスチップｓｉからベースプレートｍ４までの熱拡散距離に相当するパルス幅Ｔｗｍａｘ以下のパルス幅Ｔｗｏｐｔ（図２３参照）になるように設定される。
【０１０３】
以上、実施の形態５に係るパワーサイクル試験装置によれば、実施の形態４と同様の効果を得ることができる。さらに、パワーデバイス以外の熱伝導材の放熱特性劣化に起因する伝達係数の誤差、およびインピーダンス関数の減衰時定数の増加を抑えることができる。
【０１０４】
実施の形態６．
パワーサイクル試験中、パワーデバイスと載置面間に施したグリース材等の熱伝導材の熱特性の劣化が進行する。パワーサイクル試験においては、このような熱伝導材の熱特性劣化の影響を抑制する必要がある。実施の形態６では、予測制御アルゴリズムにおける式（６）〜（８）における現時刻と予測時刻との予測時間差Δｈを適切な値とすることにより、熱伝導材の熱特性劣化の影響を抑制する構成について説明する。
【０１０５】
図２５は、実施の形態６のパワーデバイス１００の放熱特性のパワーサイクル経過数による変化を示している。図２５に示されるように、パワーデバイス１００の熱拡散時間Ｔｐｋｇを越えて熱拡散が進んでいる。また、パワーサイクル数の増加（Ｎ１，Ｎ２，…，Ｎｋ）とともに、減衰時間の遅れが生じている。これは、パワーデバイス１００以外の熱特性に、パワーデバイス１００と架台ｆｒとの間に配置されたグリース材等の熱伝導材の熱特性が寄与しているためである。
【０１０６】
そこで、実施の形態６においては、予測制御アルゴリズムに基づく現時刻と予測時刻との予測時間差Δｈを、デバイスチップｓｉからベースプレートｍ４の底面までの熱拡散時間を超えない値Δｈｏｐｔに設定する。このように差Δｈを設定することにより、熱拡散が及んだ領域の寄与が計測値に現れるので、熱伝導材に熱拡散が進む時間Δｈｏｐｔまでの取得値における当該熱伝導材の熱特性の寄与を抑制することができる。
【０１０７】
図２６は、実施の形態６に係る制御演算部６０の制御機能ブロック図である。図２６に示される制御演算部６０においては、図１８に示される制御演算部４０における予測時間差Δｈが予測時間差Δｈｏｐｔに置き換えられている。それ以外の構成は同様であるため説明を繰り返さない。レギュレータ１３に入力される設定信号Ｓは、Δｈｏｐｔを含むＳ（ｔ）ないしＳ（Δｈｏｐｔ）となる。
【０１０８】
以上、実施の形態６に係るパワーサイクル試験装置によれば、実施の形態４と同様の効果を得ることができる。さらに、実施の形態６に係るパワーサイクル試験装置によれば、パワーデバイス以外の熱伝導在の熱特性の寄与を抑制することができるため、パワーサイクル試験による信頼性評価の精度をさらに向上させることができる。
【０１０９】
今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わせて実施することも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１１０】
１，３  パワーサイクル試験装置、１０，２０，３０，４０，６０  制御演算部、１１  参照モデル計算部、１２  プロセスモデル計算部、１３  レギュレータ、１５  係数変換部、１６，２６  状態診断部、１００  パワーデバイス、１８０，１９０  モデル生成部、１８１  変換部、１８２  インピーダンス関数生成部、１８３  伝達利得出力部、１８４，１９４  校正信号出力部、２００  電力駆動部、３００  時間管理部、４００  温度調整部、Ｃ１〜Ｃ６  熱容量、Ｒ１〜Ｒ７  熱抵抗、ｆｒ  架台、ｍ１  第１はんだ層、ｍ２  セラミック層、ｍ３  第２はんだ層、ｍ４  ベースプレート、ｓｉ  デバイスチップ、ｗｂ  ワイヤボンド。 
【図１】
2019027929.tif 000018
【図２】
2019027929.tif 000019
【図３】
2019027929.tif 000020
【図４】
2019027929.tif 000021
【図５】
2019027929.tif 000022
【図６】
2019027929.tif 000023
【図７】
2019027929.tif 000024
【図８】
2019027929.tif 000025
【図９】
2019027929.tif 000026
【図１０】
2019027929.tif 000027
【図１１】
2019027929.tif 000028
【図１２】
2019027929.tif 000029
【図１３】
2019027929.tif 000030
【図１４】
2019027929.tif 000031
【図１５】
2019027929.tif 000032
【図１６】
2019027929.tif 000033
【図１７】
2019027929.tif 000034
【図１８】
2019027929.tif 000035
【図１９】
2019027929.tif 000036
【図２０】
2019027929.tif 000037
【図２１】
2019027929.tif 000038
【図２２】
2019027929.tif 000039
【図２３】
2019027929.tif 000040
【図２４】
2019027929.tif 000041
【図２５】
2019027929.tif 000042
【図２６】
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