(57)【要約】      （修正有）【課題】インダクター内のコイルパターンの線幅を微細化することで、Ｒｄｃ特性などの電気的特性及び小型化されたインダクターの信頼性を両方とも改善することができるインダクター及びそのインダクターの製造方法を提供する。【解決手段】インダクターは、貫通孔及びビアホールｖを含む支持部材１２１と、支持部材１２１により支持され、開口１２２ｈを有する絶縁体１２２と、支持部材１２１により支持され、開口１２２ｈ内に配置され、且つ支持部材１２１と接触するシード層を含む複数層で構成されるコイルパターン１２３と、を含む本体と、本体の外部面上に配置される外部電極２２を含む。支持部材１２１は少なくとも第１絶縁層１２１１及び第２絶縁層１２１２の積層構造を有し、ビアホールｖは第１絶縁層１２１１及び第２絶縁層１２１２をともに貫通する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔及びビアホールを含む支持部材と、前記支持部材により支持され、第１開口を含む絶縁体と、前記支持部材により支持され、且つ前記第１開口内に配置され、前記支持部材と接触するシード層を含む複数層で構成されるコイルパターンと、を含む本体と、
前記本体の外部面上に配置される外部電極と、を含むインダクターであって、
前記支持部材は少なくとも第１及び第２絶縁層の積層構造を有し、前記ビアホールは前記第１及び第２絶縁層をともに貫通する、インダクター。
【請求項２】
前記第２絶縁層は、前記絶縁体の第１開口に対応する形状を有する第２開口を含む、請求項１に記載のインダクター。
【請求項３】
前記第２絶縁層の開口の幅は、前記絶縁体の第１開口の幅より小さい、請求項２に記載のインダクター。
【請求項４】
前記シード層は前記第２開口の内部に配置される、請求項２または３に記載のインダクター。
【請求項５】
前記第１絶縁層の厚さは１０μｍ以上６０μｍ未満の範囲であり、前記第２絶縁層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下の範囲である、請求項１から４のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項６】
前記コイルパターンは、前記支持部材の一面に配置される上部コイルパターンと、前記一面と向い合う他面に配置される下部コイルパターンと、を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項７】
前記上部コイルパターンと前記下部コイルパターンは、前記ビアホールに充填されたシード層によって互いに電気的に連結される、請求項６に記載のインダクター。
【請求項８】
前記上部コイルパターンは、下面の幅が上面の幅より狭いＴ字状の断面形状を有し、前記下部コイルパターンは、長方形の断面形状を有する、請求項６または７に記載のインダクター。
【請求項９】
前記下部コイルパターンはシード層を含まない、請求項６から８のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項１０】
前記第１絶縁層は、ガラスフィラー、ＰＩＤ樹脂、ＡＢＦ、またはＦＲ−４である、請求項１から９のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項１１】
前記第２絶縁層はＰＩＤ樹脂またはＡＢＦを含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項１２】
基板を準備する段階と、
前記基板上に第１絶縁体をラミネートする段階と、
前記基板の一部を露出させることで、前記第１絶縁体が第１開口を有するようにパターニングする段階と、
前記第１開口の内部に第１コイルパターンを形成する段階と、
前記第１コイルパターンと前記第１絶縁体上に第１絶縁層をラミネートする段階と、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層をラミネートする段階と、
前記第２絶縁層の少なくとも一部を除去することで、前記第１絶縁層が露出するように前記第２絶縁層の少なくとも一部を開口させる段階と、
前記第１及び第２絶縁層上に薄膜導体層を形成する段階と、
前記薄膜導体層の残部をシード層に転換するように、前記薄膜導体層の少なくとも一部を除去する段階と、
前記シード層を埋め込むように第２絶縁体をラミネートする段階と、
前記シード層を露出させることで、前記第２絶縁体が第２開口を有するようにパターニングする段階と、
前記第２開口の内部にめっき層を形成する段階であって、前記シード層及び前記めっき層を含む第２コイルパターンを形成するように前記めっき層を形成する段階と、
前記第１及び第２コイルパターン、ならびにその間に配置される第１及び第２絶縁層を含むコイル部を形成するように前記基板を除去する段階と、
前記コイル部の前記第１及び第２コイルパターンと連結されることができる外部電極を形成する段階と、を含む、インダクターの製造方法。
【請求項１３】
前記基板は、中心コアと、前記中心コアの上面及び下面にコーティングされた導電性物質と、からなる構造を有する、請求項１２に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１４】
前記基板の導電性物質は中心コアから除去された後、連続して前記コイル部から除去される、請求項１３に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１５】
前記第２絶縁層の開口の線幅は前記第２絶縁体の開口の線幅に比べて狭い、請求項１２から１４のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１６】
前記薄膜導体層を前記シード層に転換した後、前記第２絶縁層の上面の少なくとも一部が前記シード層から露出するようにする、請求項１３または１４に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１７】
前記第１開口は前記第２開口に対応する形状を有する、請求項１２から１６のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１８】
前記第１絶縁体の第１開口内を充填するコイルパターンは、前記基板の導電性物質をベースとして成長する、請求項１２から１７のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１９】
前記基板の厚さが、前記第１及び第２絶縁層の厚さより厚い、請求項１２から１８のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項２０】
前記第１絶縁層は、ガラスフィラー、ＰＩＤ樹脂、ＡＢＦ、またはＦＲ−４を含み、前記第２絶縁層はＰＩＤ樹脂またはＡＢＦを含む、請求項１２から１９のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクター及びその製造方法に関するものであって、具体的に、高容量及び小型化に有利な薄膜型パワーインダクター及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴ技術の発展に伴い、装置の小型化及び薄膜化が加速化するとともに、小型の薄型素子に対する市場の要求も増加している。
【０００３】
下記特許文献１では、かかる技術傾向に適するように、ビアホールを有する基板と、上記基板の両面に配置され、上記基板のビアホールを介して電気的に連結されるコイルと、を含むパワーインダクターを提供することで、均一で且つ高アスペクト比を有するコイルを含むインダクターを提供するための努力がなされた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許第１９９９−００６６１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題の一つは、インダクター内のコイルパターンの線幅を微細化することで、Ｒｄｃ特性などの電気的特性、及び小型化したインダクターの信頼性を両方とも改善することができるインダクター、及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一例によるインダクターは、貫通孔及びビアホールを含む支持部材と、上記支持部材により支持され、開口を有する絶縁体と、上記支持部材により支持され、且つ上記開口内に配置され、上記支持部材と接触するシード層を含む複数層で構成されるコイルパターンと、を含む本体と、上記本体の外部面上に配置される外部電極と、を含む。上記支持部材は少なくとも第１及び第２絶縁層の積層構造を有し、上記ビアホールは上記第１及び第２絶縁層をともに貫通する。
【０００７】
本発明の他の例によるインダクターの製造方法は、基板を準備する段階と、上記基板上に第１絶縁体をラミネートする段階と、上記基板の一部を露出させることで、上記第１絶縁体が第１開口を有するようにパターニングする段階と、上記第１開口の内部に第１コイルパターンを形成する段階と、上記第１コイルパターンと上記第１絶縁体上に第１絶縁層をラミネートする段階と、上記第１絶縁層上に第２絶縁層をラミネートする段階と、上記第２絶縁層の少なくとも一部を除去することで、上記第１絶縁層が露出するように上記第２絶縁層の少なくとも一部を開口させる段階と、上記第１及び第２絶縁層上に薄膜導体層を形成する段階と、上記薄膜導体層の残部をシード層に転換するように、上記薄膜導体層の少なくとも一部を除去する段階と、上記シード層を埋め込むように第２絶縁体をラミネートする段階と、上記シード層を露出させることで、上記第２絶縁体が第２開口を有するようにパターニングする段階と、上記第２開口の内部にめっき層を形成する段階であって、上記シード層及び上記めっき層を含む第２コイルパターンを形成するように上記めっき層を形成する段階と、上記第１及び第２コイルパターン、ならびにその間に配置される第１及び第２絶縁層を含むコイル部を形成するように上記基板を除去する段階と、上記コイル部の上記第１及び第２コイルパターンと連結されることができる外部電極を形成する段階と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の様々な効果の一効果は、ロープロファイル化（Ｌｏｗ  Ｐｒｏｆｉｌｅ）するとともに、高アスペクト比のコイルパターンを含むインダクター及びその製造方法を提供することができることである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一例によるインダクターの斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'線に沿って切断した断面図である。
【図３ａ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｂ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｃ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｄ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｅ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｆ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｇ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｈ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｉ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｊ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｋ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｌ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｍ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【図３ｎ】本発明の他の例によるインダクターの製造方法を概略的に示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１１】
なお、本発明を明確に説明すべく、図面において説明と関係ない部分は省略し、様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示し、同一思想の範囲内において機能が同一である構成要素に対しては同一の参照符号を用いて説明する。
【００１２】
さらに、明細書全体において、ある構成要素を「含む」というのは、特に異なる趣旨の説明がされていない限り、他の構成要素を除外する趣旨ではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。
【００１３】
以下では、本発明の一例によるインダクター、及びその製造工程について説明するが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００１４】
インダクター
図１は本発明の一例によるインダクターの斜視図であり、図２は図１のＩ−Ｉ'線に沿って切断した断面図である。
【００１５】
図１及び図２を参照すると、インダクター１００は、本体１と、上記本体の外部面上に配置される外部電極２と、を含む。上記外部電極は、互いに異なる極性として機能する第１及び第２外部電極２１、２２を含む。
【００１６】
上記本体１は、インダクターの外観を成すものであって、厚さ（Ｔ）方向において互いに向い合う上面及び下面、長さ（Ｌ）方向において互いに向い合う第１端面及び第２端面、幅（Ｗ）方向において互いに向い合う第１側面及び第２側面を含むことで実質的に六面体形状に構成される。
【００１７】
上記本体１は磁性特性を有する磁性材料１１を含み、上記磁性材料は、当業者が必要に応じて適宜選択することができることは言うまでもない。例えば、上記磁性材料は、フェライトまたは金属磁性粒子を樹脂中に分散させた金属−樹脂の複合物質であることができる。
【００１８】
上記磁性材料１１によりコイル部１２０が封止される。上記コイル部１２０は、支持部材１２１と、上記支持部材により支持され、開口を有する絶縁体１２２と、上記支持部材により支持され、上記開口の内部を充填するコイルパターン１２３と、を含む。
【００１９】
先ず、上記コイル部内の支持部材１２１は、貫通孔Ｈと、上記貫通孔から離隔し、上記貫通孔の周りのビアホールｖと、を含む。上記貫通孔は磁性材料により充填され、コイルから発生した磁束を強化する機能を果たす。上記ビアホールは、複数のビアホールの集合体で構成されることができる。これは、ビアの開口不良が発生するおそれを無くすためのものである。上記ビアホールは、支持部材を基準として上下のコイルパターンを互いに電気的に連結するビアを形成するための空間である。上記ビアホールの内部が導電性物質で充填されることで、ビアが形成される。上記支持部材１２１は、少なくとも第１絶縁層１２１１と第２絶縁層１２１２を含む複数層の積層構造を有する。この際、上記ビアホールｖは上記第１及び第２絶縁層をともに貫通する。上記支持部材のうち第１絶縁層１２１１は薄膜のシート状を有し、絶縁特性を有する材料で構成される。上記第１絶縁層の具体的な厚さは当業者が適宜選択することができることは言うまでもないが、ロープロファイル化したインダクター内で高アスペクト比のコイルパターンを形成するためには、上記第１絶縁体の厚さを薄くするほど有利である。例えば、上記第１絶縁層の厚さは１０μｍ以上６０μｍ未満であることができる。公知の支持部材の材料であるＣＣＬ（Ｃｌａｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）の中心コアの厚さが略６０μｍであるが、このようなＣＣＬではロープロファイル化したインダクターに対する要求を満たすことが困難である。これと異なって、本発明のインダクター１００では、支持部材内の第１絶縁層の厚さが略１０μｍ程度まで薄膜化するため、コイルのアスペクト比を著しく増加させ、小型化したインダクターを容易に提供することができる。上記第１絶縁層の材料としては、絶縁特性を有するものであれば制限されず、剛性のためのガラスフィラーなどを含んでもよく、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｉｍａｇｅａｂｌｅ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）樹脂、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４などであってもよいが、これに限定されない。
【００２０】
次に、上記第１絶縁層上に積層される第２絶縁層１２１２は、所定の開口１２１２ｈを有するようにパターニングされる。上記所定の開口の全体的な断面形状は、コイルパターンの全体的な断面形状に対応することが好ましく、例えば、全体的に一定のスパイラル状であればよいが、これに限定されるものではない。上記第２絶縁層の上記開口１２１２ｈの厚さは第２絶縁層の厚さと実質的に同一である。これは、上記開口により、第２絶縁層の下に積層された第１絶縁層の上面の一部が露出するためである。上記第２絶縁層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。上記厚さが５μｍより小さい場合には、工程時の取り扱いが非常に難く、コイルパターンを支持できる程度の剛性を確保することが容易ではない。また、上記厚さが２０μｍより大きい場合には、チップ厚さの薄膜化に対する要求を満たすには限界がある。
【００２１】
上記支持部材が上記第１及び第２絶縁層の積層構造で構成されるため、上記第１絶縁層を著しく薄膜化しても、工程を行う際に発生し得る材料の制御が困難となることを低減することができる。具体的に、第１絶縁層の厚さを略１０μｍ程度に薄くする場合、上記第１絶縁層上にコイルパターンや絶縁体が安定して支持されるようにすることが容易ではない。ところが、上記第１絶縁層上に第２絶縁層を積層すると、支持部材の機械的強度及び加工容易性が増加し、上記第２絶縁層が開口を含むことで上記開口内にコイルパターンを形成することができるようになるため、コイルの厚さを大きくするのに有利となる。
【００２２】
また、上記開口１２１２ｈの側面が上記第１絶縁層と成す角度は、直角だけでなく、鋭角若しくは鈍角であってもよく、具体的な傾斜度は制限されない。
【００２３】
上記第２絶縁層の材料としては、開口を含むパターンを容易にパターニングすることができ、絶縁特性及び加工容易性を有するものであれば制限されずに適用可能であり、例えば、ＰＩＤ樹脂、ＡＢＦフィルムなどであればよい。
【００２４】
上記開口１２１２ｈの線幅は、特に制限されないが、上記第２絶縁層上に配置される絶縁体のアライメントを容易にするためには、上記開口１２１２ｈの線幅を狭くし、相対的に第２絶縁層の線幅を大きくすることが有利である。
【００２５】
上記第２絶縁層上には、開口１２２ｈを含む絶縁体１２２が配置される。上記開口１２２ｈは、上記第２絶縁層の開口１２１２ｈに対応する形状を有することが好ましく、上記絶縁体の上記開口１２２ｈの線幅は、上記第２絶縁層の開口１２１２ｈの線幅に比べてより大きい。これは、第２絶縁層の開口１２１２ｈの内部にはシード層が配置されるのに対し、上記絶縁体の開口１２２ｈの内部には、コイルパターンのうち実質的にコイルの厚さを決定するめっき層が配置されるためである。
【００２６】
次に、支持部材により支持されるコイルパターン１２３を説明する。上記コイルパターンは、全体的にスパイラル状を有するように連結され、且つＬ−Ｔ断面を基準として、Ｔ字状の断面を有するコイルパターンを含む。具体的に、上記コイルパターン１２３は、上記支持部材の上面により支持される上部コイルパターン１２３１と、上記支持部材の下面により支持される下部コイルパターン１２３２と、を含む。上記上部コイルパターンは、上面の幅が下面の幅より大きいＴ字状の断面を有し、上記下部コイルパターンは、上面の幅と下面の幅が実質的に同一である長方形の断面を有することができる。
【００２７】
上記上部コイルパターン１２３１は、第２絶縁層の開口内に充填されたシード層１２３１ａと、上記シード層上に配置されるめっき層１２３１ｂと、を含む。上記めっき層１２３１ｂは絶縁体の開口内を充填する。上記シード層１２３１ａの上面は所定の処理済みの面である。例えば、上記シード層の上面は、エッチング処理済みの面であることができる。上記シード層の上面の形状は、平らな形状だけでなく、支持部材に向かって凹状になっていてもよいが、これは、上記シード層の上面上に適用された所定の処理時に当業者が適宜制御することができる。
【００２８】
上記シード層の最大厚さは、上記第２絶縁層の厚さと同一またはより薄いことが好ましい。これは、互いに隣接するコイルパターン間にショート不良が発生する可能性が低減されるためである。
【００２９】
上記シード層上に配置されるめっき層は絶縁体の開口を充填するが、めっき層の厚さが絶縁体の厚さを超えないことが好ましい。
【００３０】
上記上部コイルパターン１２３１とは異なる断面形状を有する下部コイルパターン１２３２は、上記第２絶縁層を介在することなく直ちに上記第１絶縁層の下面と接するように配置される。上記下部コイルパターンは別のシード層を含まない。これは、後述の製造工程で説明されるように、下部コイルパターンの形成のためのシード層が最終インダクターの構造から除去されるためである。
【００３１】
一方、インダクター１００において、上記絶縁体の下面が上記第１絶縁層上に直ちに接触して支持されるのではなく、上記第２絶縁層が上記絶縁体の下面を支持する構造を有するため、上記絶縁体の倒れや、支持部材から剥離する現象が著しく低減される。これは、第２絶縁層により、上記絶縁体と第１絶縁層との接触面積が増加する結果が導出されるためである。
【００３２】
次に、上記コイルパターンの上面と磁性材料との間の絶縁のために、絶縁部１２４がさらに配置されることができる。上記絶縁部は、コイルパターンの上面のみを酸化処理してコイルパターンの上面が絶縁性を有するようにしてもよいことは言うまでもなく、絶縁フィルムをラミネートするか、または絶縁特性を有する樹脂に対する化学気相蒸着（ＣＶＤ）を行うことにより、絶縁コーティング層がコイル部の全体だけでなく支持部材の露出面を囲むように構成してもよい。
【００３３】
上記インダクター１００によると、支持部材の厚さを著しく低減するとともに、絶縁体と支持部材との接触面積を十分に確保することができ、絶縁体が支持される領域を二重の支持部材で構成することで、上記支持部材が高アスペクト比のコイルパターンを適切に支持することができるようにする。その結果、ロープロファイル化、及び高アスペクト比のコイルパターンを含むインダクターの提供に対する要求を満たすことができるようになる。
【００３４】
インダクターの製造方法
以下、上記インダクター１００の一製造方法について説明する。後述の製造方法は、インダクター１００を製造するための製造方法の一例示にすぎない。
【００３５】
先ず、基板２１０を準備する（Ｓ１０１）。基板２１０は、公知の銅張積層板（ＣＣＬ）であればよいが、これに限定されるものではない。上記基板２１０は、絶縁特性を有する中心コアと、上記中心コアの上面及び下面に薄くコーティングされた導電性物質と、からなる構造を有することが好ましい。
【００３６】
その後、上記基板の上面及び下面に第１絶縁体２２０をラミネートする（Ｓ１０２）。上記第１絶縁体の厚さは適宜選択することができるが、要求されるコイルパターンの厚さを考慮して、コイルパターンの厚さより厚く形成することが好ましい。上記第１絶縁体は、複数の絶縁シートを積層したものであってもよく、単一の第１絶縁体であってもよい。
【００３７】
次に、上記第１絶縁体が所定の開口２２０ｈを有するようにパターニングする（Ｓ１０３）。パターニング方法は特に制限されないが、露光及び現像を活用することができる。上記所定の開口を形成するためのパターンは、最終コイルの形状を考慮してスパイラル状を有するようにすることができ、Ｌ−Ｔ断面における上記開口を形成するためのパターンの断面は長方形であることができる。
【００３８】
続いて、上記第１絶縁体の開口２２０ｈ内にコイルパターンを形成する（Ｓ１０４）。上記コイルパターン２３０は、基板に含まれた導電性物質をベースとしてめっきされたものであることができる。めっき方式としては、電解めっき若しくは無電解めっきの何れも適用可能であり、当業者が適宜選択する。ここで、上記コイルパターンの上面が、上記第１絶縁体の上面と同一レベルまたはそれより低いレベルに位置するようにめっき工程を行うことが好ましい。上記第１絶縁体とコイルパターンの厚さが実質的に一致する場合、追加の研磨工程は不要であるが、上記コイルパターンの厚さに比べて第１絶縁体の厚さがより高い場合には、所定の研磨方式を活用してコイルパターンと第１絶縁体の上面が同一平面上に位置するようにする。
【００３９】
次に、上記第１絶縁体と上記コイルパターン上に第１絶縁層２４１をラミネートする（Ｓ１０５）。上記第１絶縁層は基板に比べて著しく薄い厚さを有し、略１０μｍ程度の厚さまで薄型化することができる。その具体的な材料は、絶縁特性を有するものであれば特に制限されず、例えば、ＰＩＤ樹脂またはＡＢＦフィルムであればよいが、これに限定されるものではない。
【００４０】
次に、上記第１絶縁層上に第２絶縁層２４２をラミネートする（Ｓ１０６）。上記第２絶縁層は、第１絶縁層と同一の材料で構成してもよく、第１絶縁層と異なる材料で構成してもよい。
【００４１】
次に、上記第２絶縁層に開口２４２ｈを形成するためのパターニング工程を行う（Ｓ１０７）。パターニング工程の具体的な方式は、第２絶縁層の材料特性によって変わり得る。例えば、第２絶縁層が感光性絶縁材料である場合には、露光及び現像によりパターニングすることができ、そうではない場合には、レーザーを用いてパターニングすることができる。上記開口の幅は第１絶縁体の幅に比べて狭くすることが好ましい。上記第２絶縁層をパターニングすることで、上記第２絶縁層によって覆われた上記第１絶縁層の一部が露出するようになる。
【００４２】
次に、第１及び第２絶縁層上に薄膜導体層を形成する（Ｓ１０８）。上記薄膜導体層２５０は、上記第２絶縁層の開口２４２ｈの少なくとも一部を充填するための層であるため、上記第１絶縁層と直ちに接触するように構成される。上記薄膜導体層は、上記第２絶縁層の開口だけでなく、上記第２絶縁層の上面及び側面まで連続してコーティングされる。
【００４３】
次に、上記薄膜導体層の少なくとも一部を除去することで、上記薄膜導体層が上記第２絶縁層の上面で断絶されるパターンを有するようにする（Ｓ１０９）。上記薄膜導体層の一部を除去する方式は、例えば、化学エッチングであることができる。当業者は、上記薄膜導体層が第２絶縁層の開口の少なくとも一部を充填し、且つ上記第２絶縁層の上面では断絶されるようにすることができる程度のクイックエッチングを行うことが好ましく、そのエッチング溶液の濃度やエッチング時間などは適宜選択することができる。
【００４４】
次に、上記薄膜導体層が埋め込まれるように第２絶縁体をラミネートする（Ｓ１１０）。第２絶縁体２６０は、基板上にラミネートされた第１絶縁体と実質的に同一の構成であることができ、当業者が必要に応じて異なる材料及び厚さを選択することができることは言うまでもない。
【００４５】
次に、上記第２絶縁体が第１絶縁体に対応する開口を含むように、上記第２絶縁体をパターニングする（Ｓ１１１）。上記第２絶縁体のパターニングによって形成された開口２６０ｈは、第１絶縁体に対応する開口であることが好ましい。これは、上記開口内にコイルパターンが充填されるため、第１及び第２絶縁体の開口が互いに対応する際に、コイルパターンのアライメントが一致することができるためである。
【００４６】
次に、上記第２絶縁体の開口２６０ｈ内にコイルパターンを充填する（Ｓ１１２）。上記コイルパターン２７０は、第２絶縁層の開口内に充填された薄膜導体層をベースとしてめっき工程により形成することができる。上記コイルパターン２７０の厚さは特に限定されないが、互いに隣接するコイルパターン間のショートを防止するために、第２絶縁体の厚さと同一またはより低い程度に構成されることが好ましい。選択的に、上記第２絶縁体の厚さと上記コイルパターンの厚さを一致させるために、所定の研磨工程を行うことができる。
【００４７】
次に、基板を除去する段階である（Ｓ１１３）。上記基板を除去することで、基板の上部及び下部にそれぞれ形成されたコイル部Ｃが互いに分離されることができる。その結果、１つの基板によって、実質的に同一の２つのコイル部Ｃを確保することができる。上記基板を除去するとは、上記基板の中心コアだけでなく、上記中心コアの上面及び下面に付着された導電性物質をエッチングなどにより除去することを意味する。
【００４８】
仕上げ工程として、上記コイル部Ｃにおいてコイルパターンの上面上に絶縁層を配置し、磁性材料で上記コイル部を封止し、上記コイル部の引き出し部を形成して外部電極と連結させる工程（Ｓ１１４）を行う。
【００４９】
上記の説明を除き、上述の本発明の一例によるインダクターの特徴と重複される説明は省略する。
【００５０】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【００５１】
一方、本発明で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施例を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかし、上記提示された一例は、他の例の特徴と結合して実施される場合を排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の例で説明されていなくても、他の例でその事項と反対の説明がされているかその事項と矛盾する説明がされていない限り、他の例に関連する説明であると解釈することもできる。
【００５２】
また、本発明で用いられた用語は、一例を説明するために説明されたものであるだけで、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数を含む。
【符号の説明】
【００５３】
１００  インダクター
２１、２２  第１及び第２外部電極
１  本体
２１、２２  第１及び第２外部電極
１１  磁性材料
１２０  コイル部
１２１  支持部材
１２２  絶縁体
１２３  コイルパターン
【図１】
2019106523.tif 000003
【図２】
2019106523.tif 000004
【図３ａ】
2019106523.tif 000005
【図３ｂ】
2019106523.tif 000006
【図３ｃ】
2019106523.tif 000007
【図３ｄ】
2019106523.tif 000008
【図３ｅ】
2019106523.tif 000009
【図３ｆ】
2019106523.tif 000010
【図３ｇ】
2019106523.tif 000011
【図３ｈ】
2019106523.tif 000012
【図３ｉ】
2019106523.tif 000013
【図３ｊ】
2019106523.tif 000014
【図３ｋ】
2019106523.tif 000015
【図３ｌ】
2019106523.tif 000016
【図３ｍ】
2019106523.tif 000017
【図３ｎ】
2019106523.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔及びビアホールを含む支持部材と、前記支持部材により支持され、第１開口を含む絶縁体と、前記支持部材により支持され、且つ前記第１開口内に配置され、前記支持部材と接触するシード層を含む複数層で構成されるコイルパターンと、を含む本体と、
前記本体の外部面上に配置される外部電極と、を含むインダクターであって、
前記支持部材は少なくとも第１及び第２絶縁層の積層構造を有し、前記ビアホールは前記第１及び第２絶縁層をともに貫通し、
前記第２絶縁層は第２開口を含み、
前記第２絶縁層の第２開口の幅は、前記絶縁体の第１開口の幅より小さい、インダクター。
【請求項２】
前記第２開口は、前記絶縁体の第１開口に対応する形状を有する、請求項１に記載のインダクター。
【請求項３】
前記シード層は前記第２開口の内部に配置される、請求項１または２に記載のインダクター。
【請求項４】
前記第１絶縁層の厚さは１０μｍ以上６０μｍ未満の範囲であり、前記第２絶縁層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下の範囲である、請求項１から３のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項５】
前記コイルパターンは、前記支持部材の一面に配置される上部コイルパターンと、前記一面と向い合う他面に配置される下部コイルパターンと、を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項６】
前記上部コイルパターンと前記下部コイルパターンは、前記ビアホールに充填されたシード層によって互いに電気的に連結される、請求項５に記載のインダクター。
【請求項７】
前記上部コイルパターンは、下面の幅が上面の幅より狭いＴ字状の断面形状を有し、前記下部コイルパターンは、長方形の断面形状を有する、請求項５または６に記載のインダクター。
【請求項８】
前記下部コイルパターンはシード層を含まない、請求項５から７のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項９】
前記第１絶縁層は、ガラスフィラー、ＰＩＤ樹脂、ＡＢＦ、またはＦＲ−４である、請求項１から８のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項１０】
前記第２絶縁層はＰＩＤ樹脂またはＡＢＦを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のインダクター。
【請求項１１】
基板を準備する段階と、
前記基板上に第１絶縁体をラミネートする段階と、
前記基板の一部を露出させることで、前記第１絶縁体が第１開口を有するようにパターニングする段階と、
前記第１開口の内部に第１コイルパターンを形成する段階と、
前記第１コイルパターンと前記第１絶縁体上に第１絶縁層をラミネートする段階と、
前記第１絶縁層上に第２絶縁層をラミネートする段階と、
前記第２絶縁層の少なくとも一部を除去することで、前記第１絶縁層が露出するように前記第２絶縁層の少なくとも一部を開口させる段階と、
前記第１及び第２絶縁層上に薄膜導体層を形成する段階と、
前記薄膜導体層の残部をシード層に転換するように、前記薄膜導体層の少なくとも一部を除去する段階と、
前記シード層を埋め込むように第２絶縁体をラミネートする段階と、
前記シード層を露出させることで、前記第２絶縁体が第２開口を有するようにパターニングする段階と、
前記第２開口の内部にめっき層を形成する段階であって、前記シード層及び前記めっき層を含む第２コイルパターンを形成するように前記めっき層を形成する段階と、
前記第１及び第２コイルパターン、ならびにその間に配置される第１及び第２絶縁層を含むコイル部を形成するように前記基板を除去する段階と、
前記コイル部の前記第１及び第２コイルパターンと連結されることができる外部電極を形成する段階と、を含む、インダクターの製造方法。
【請求項１２】
前記基板は、中心コアと、前記中心コアの上面及び下面にコーティングされた導電性物質と、からなる構造を有する、請求項１１に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１３】
前記基板の導電性物質は中心コアから除去された後、連続して前記コイル部から除去される、請求項１２に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１４】
前記第２絶縁層の開口の線幅は前記第２絶縁体の開口の線幅に比べて狭い、請求項１１から１３のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜導体層を前記シード層に転換した後、前記第２絶縁層の上面の少なくとも一部が前記シード層から露出するようにする、請求項１２または１３に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１６】
前記第１開口は前記第２開口に対応する形状を有する、請求項１１から１５のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１７】
前記第１絶縁体の第１開口内を充填するコイルパターンは、前記基板の導電性物質をベースとして成長する、請求項１１から１６のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１８】
前記基板の厚さが、前記第１及び第２絶縁層の厚さより厚い、請求項１１から１７のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。
【請求項１９】
前記第１絶縁層は、ガラスフィラー、ＰＩＤ樹脂、ＡＢＦ、またはＦＲ−４を含み、前記第２絶縁層はＰＩＤ樹脂またはＡＢＦを含む、請求項１１から１８のいずれか一項に記載のインダクターの製造方法。