(57)【要約】      （修正有）【課題】バイアスストレス耐性に優れた積層構造体、その製造方法、およびそれを用いた有機トランジスタを提供する。【解決手段】有機半導体層と、溶剤溶解性ポリマー層と、耐溶剤性下層との積層構造体であり、該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下であることで、有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面の粗さが小さい。該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下であるとき、該耐溶剤性下層上に溶剤溶解性ポリマー層が濡れ拡がり、溶剤溶解性ポリマー層の表面粗さが小さくなることで、有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面の平滑化が可能となる。有機半導体層が平滑であるため、電荷トラップの少ない良好な有機半導体／ゲート絶縁膜界面が形成され、本発明の積層構造体を用いてなる有機トランジスタは、バイアスストレス耐性に優れる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体層と、溶剤溶解性ポリマー層と、耐溶剤性下層との積層構造体であり、該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下であることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
溶剤溶解性ポリマーの平均膜厚が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面の粗さＲａが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層構造体。
【請求項４】
溶剤溶解性ポリマー層に用いるポリマーのガラス転移温度以下で加熱して積層構造体を製造することを特徴とする積層構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載された積層構造体をトランジスタのチャネル領域に有することを特徴とする有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体層および有機薄膜トランジスタに関するものであり、特に印刷法に適用可能な塗工性に優れた低分子有機半導体材料を含む有機半導体層、これを用いて形成した有機薄膜トランジスタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜トランジスタに代表される有機半導体デバイスは、省エネルギー、低コストおよびフレキシブルといった無機半導体デバイスにはない特徴を有することから近年注目されている。この有機半導体デバイスは、有機半導体層、基板、絶縁層、電極等の数種類の材料から構成され、有機半導体デバイスの電気特性（キャリア移動度、オン電流及びオン・オフ比、閾値電圧、電流ヒステリシス等）および信頼性（耐熱性、バイアスストレス耐性等）は、デバイスを構成する材料の特性により左右されることから、高い電気特性および高い信頼性を与える材料ならびに製造方法の開発が所望されている。
【０００３】
中でも電荷のキャリア移動を担う有機半導体層は該デバイスの中心的な役割を有している。有機半導体層を作製する方法としては、高温真空下、有機半導体材料を気化させて実施する真空蒸着法、有機半導体材料を適当な溶媒に溶解させその溶液を塗布する塗布法等の方法が一般的に知られている。塗布は高温高真空条件を用いることなく印刷技術を用いても実施することができるため、経済的に好ましいプロセスと考えられており、塗工性が高く、キャリア移動度に優れた塗布型有機半導体層が望まれている。
【０００４】
一般的に印刷技術を用いて塗布型有機半導体層を形成するには溶液の成膜性を改善する必要があり、有機半導体材料にポリマーバインダーを添加した溶液を用いる方法が知られている。
【０００５】
例えば、ポリスチレン等のポリマーバインダーと高分子半導体等の有機半導体とを含む溶液を用いて形成した有機半導体層を用いてなる有機薄膜トランジスタが提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、ポリマーバインダーを用いることにより良好な性能特性を有するトランジスタを生産できることが開示されている。好ましいポリマーバインダーは低誘電率の材料であり、共役結合、特に二重結合及び／または芳香環を含有していることが好ましいと記載されている。また、材料の誘電率は、周波数への依存度が小さいことが望ましく、これは無極性材料の特徴であると記載されている。さらに、低誘電率（低極性）ポリマーバインダーとしては、スチレン、αメチルスチレン、ブタジエンのコポリマーが好適に用いることができると記載されている。
【０００６】
また、有機半導体材料にポリスチレン等のポリマーバインダーを添加した溶液を用いる別の方法として、特定のポリアセン化合物とポリマーバインダー（有機結合剤樹脂）を含む溶液を用いて有機半導体層を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２では、該方法を用いることで、有機半導体層を基板上の広い領域に均一に被覆でき、ＯＦＥＴ（有機電界効果トランジスタ）の移動度及び均一性が改善されるとされている。好ましいポリマーバインダーは低い誘電率の材料であり、高い誘電率のポリマーバインダーは、移動度の減少、望ましくない電流ヒステリシスの増加をもたらすことが示されている。また、好ましいポリマーバインダーとしてはスチレン、αメチルスチレン、ブタジエンのコポリマーであると記載されている。しかしながら、特許文献１および特許文献２で得られる有機トランジスタは、バイアスストレス耐性等のデバイスの信頼性に課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００２−０４５１８４号公報
【特許文献２】ＷＯ２００５−０５５２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、バイアスストレス耐性に優れた有機トランジスタの作製に好適な積層構造体およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討の結果、特定の構造の積層構造体が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明は、
有機半導体層と、溶剤溶解性ポリマー層と、耐溶剤性下層との積層構造体であり、該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下である積層構造体に関するものである。
【００１１】
以下に、本発明をより詳細に説明する。
【００１２】
本発明の積層構造体は、有機トランジスタのチャネル領域に存在している。ここで、チャネル領域とは、ソース電極からドレイン電極の間の領域で、かつ、垂直方向にゲート電極と重複している領域である。
【００１３】
本発明の積層構造体は、有機半導体層と、溶剤溶解性ポリマー層と、耐溶剤性下層との積層構造体であることを特徴とする。ここで、本発明において、「溶剤溶解性ポリマー」とは、有機半導体層を形成する段階で、用いる有機半導体の溶媒に対して１重量％以上が溶解するポリマーを示し、「耐溶剤性下層」とは、有機半導体層を形成する段階で該溶媒に溶解しない層を示す。また、「有機半導体層」、「溶剤溶解性ポリマー層」、および「耐溶剤性下層」は、それぞれ有機半導体、溶剤溶解性ポリマー、および耐溶剤性を有する層であることを示す。
【００１４】
本発明の積層構造体は、有機半導体層と耐溶剤性下層とが、溶剤溶解性ポリマー層を介して接することで、積層構造を有することを特徴とする。また、本発明の積層構造体は、該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下であることで、有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面の粗さが小さいことを特徴とする。ここで、該溶剤溶解性ポリマー層と該耐溶剤性下層との界面エネルギーが３ｍＪ/ｍ２以下であるとき、該耐溶剤性下層上に溶剤溶解性ポリマー層が濡れ拡がり、溶剤溶解性ポリマー層の表面粗さが小さくなることで、有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面の平滑化が可能となるものである。そして、有機半導体層が平滑であるため、電荷トラップの少ない良好な有機半導体／ゲート絶縁膜界面が形成され、本発明の積層構造体を用いてなる有機トランジスタは、バイアスストレス耐性に優れたものになるものである。溶剤溶解性ポリマー層と耐溶剤性下層との界面エネルギーは、２ｍＪ／ｍ２以下であることが好ましく、１ｍＪ／ｍ２以下であることがさらに好ましい。
【００１５】
溶剤溶解性ポリマー層と耐溶剤性下層との界面エネルギー（γＳＬ）は、下記計算式（１）から求めることができる。
【００１６】
γＳＬ＝γＳ＋γＬ−２（γＳｄγＬｄ）１／２−２（γＳｐγＬｐ）１／２  （１）
（式中、γＳは耐溶剤性下層の表面エネルギー、γＬは溶剤溶解性ポリマーの表面エネルギー、γＳｄは耐溶剤性下層の表面エネルギーの分散項、γＳｐは耐溶剤性下層の表面エネルギーの極性項、γＬｄは溶剤溶解性ポリマーの表面エネルギーの分散項、γＬｐは溶剤溶解性ポリマーの表面エネルギーの極性項を示す。）
ここで、本発明の耐溶剤性下層は有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層の積層構造体の下層であり、該溶剤溶解性ポリマーを製膜する表面を示す。有機トランジスタの場合、素子構造によっては、耐溶剤性下層はゲート絶縁層であってもよい。
【００１７】
本発明で用いられる有機半導体は、半導体特性を有するものであれば特に制限はなく、低分子半導体、高分子半導体のいずれも使用することができる。
【００１８】
本発明では、有機半導体が低分子半導体の場合、例えば、下記一般式（２）で示される化合物が挙げられる。
【００１９】
【化１】
2019117884.tif 000002
【００２０】
（ここで、環構造Ａｒ１及びＡｒ５は、それぞれ独立してチオフェン環、チアゾール環、又はベンゼン環を示し、環構造Ａｒ２及びＡｒ４は、それぞれ独立してチオフェン環、ベンゼン環、又はシクロブテン環を示し、環構造Ａｒ３はベンゼン環、チオフェン環、又はシクロブテン環を示す。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示し、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、トリアルキルシリルエチニル基、炭素数１〜２０のアルキル基、又は炭素数１〜２０のアルコキシ基を示す。ｍは１又は２の整数、ｎは０〜２の整数、ｏは０又は１の整数を示す。但し、環構造Ａｒ３がチオフェン環又はシクロブテン環の場合、ｏは０である。）
該有機半導体の環構造Ａｒ１及びＡｒ５は、それぞれ独立してチオフェン環、チアゾール環、又はベンゼン環を示し、高移動度のためチオフェン環、チアゾール環が好ましい。
【００２１】
環構造Ａｒ２及びＡｒ４は、それぞれ独立してチオフェン環、ベンゼン環、又はシクロブテン環を示し、高い耐酸化性のため、チオフェン環が好ましい。
【００２２】
環構造Ａｒ３はベンゼン環、チオフェン環、又はシクロブテン環を示し、高い耐熱性のためベンゼン環が好ましい。
【００２３】
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示し、溶解性の観点から炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましい。
【００２４】
Ｒ３及びＲ４における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル、２−ヘキシルデシル基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示すことから、炭素数３〜１２のアルキル基が好ましく、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基がさらに好ましい。
【００２５】
Ｒ３及びＲ４における炭素数４〜２０のアリール基は、例えば、フェニル基、ｐ−トリル基、ｐ−（ｎ−ヘキシル）フェニル基、ｐ−（ｎ−オクチル）フェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基等のアルキル置換フェニル基；２−フリル基；２−チエニル基；５−フルオロ−２−フリル基、５−メチル−２−フリル基、５−エチル−２−フリル基、５−（ｎ−プロピル）−２−フリル基、５−（ｎ−ブチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−フリル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−フリル基、５−（ｎ−オクチル）−２−フリル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−フリル基、５−フルオロ−２−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−（ｎ−プロピル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ブチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ペンチル）−２−チエニル基、５−（ｎ−ヘキシル）−２−チエニル基、５−（ｎ−オクチル）−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基等のアルキル置換カルコゲノフェン基を挙げることができる。
【００２６】
Ｒ３及びＲ４における炭素数２〜２０のアルケニル基は、例えば、エテニル基、ｎ−プロペニル基、ｎ−ブテニル基、ｎ−ペンテニル基、ｎ−ヘキセニル基、ｎ−ヘプテニル基、ｎ−オクテニル基、ｎ−ノネル基、ｎ−デセニル基、ｎ−ドデセニル基等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ３及びＲ４における炭素数２〜２０のアルキニル基は、例えば、エチニル基、ｎ−プロピニル基、ｎ−ブチニル基、ｎ−ペンチニル基、ｎ−ヘキシニル基、ｎ−ヘプチニル基、ｎ−オクチニル基、ｎ−ノニニル基、ｎ−デシニル基、ｎ−ドデシニル基等が挙げられる。
【００２８】
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して水素原子、トリアルキルシリルエチニル基、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基を示し、高移動度のため水素原子であることが好ましい。
【００２９】
Ｒ５及びＲ６におけるトリアルキルシリルエチニル基は、例えば、トリメチルシリルエチニル基、トリエチルシリルエチニル基、トリイソプロピルシリルエチニル基等が挙げられる。
【００３０】
Ｒ５及びＲ６における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル、２−ヘキシルデシル基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示すことから、炭素数１〜８のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基がさらに好ましい。
【００３１】
Ｒ５及びＲ６における炭素数１〜２０のアルコキシ基は、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｎ−ペンチロキシ基、ｎ−ヘキシリキシ基、イソヘキシロキシ基、ｎ−ヘプチロキシ基、ｎ−オクチロオキシ基、ｎ−ノニロキシ基、ｎ−デシロキシ基、ｎ−ドデシロキシ基、ｎ−テトラデシロキシ基、２−エチルヘキシロキシ基、３−エチルヘプチロキシ基、２−ヘキシルデシロキシ基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。そして、その中でも特に高移動度及び高溶解性を示すことから、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｎ−ペンチロキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、イソヘキシロキシ基、ｎ−ヘプチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基がさらに好ましい。
【００３２】
ｍは１又は２の整数であるが、高溶解性のため、１であることが好ましい。
【００３３】
ｎは０〜２の整数を示し、πスタッキングが強固なため、１であることが好ましい。
【００３４】
ｏは０又は１の整数を示し、高い耐熱性のため、０であることが好ましい。なお、環構造Ａｒ３がチオフェン環又はシクロブテン環の場合、ｏは０である。
【００３５】
本発明で用いられる有機半導体は高融点のため、５個以上の縮合環数を持つ構造が好ましい。
【００３６】
本発明で用いられる有機半導体は、対称性が高く高移動度となるため、下記一般式（３）で示される化合物であることがさらに好ましい。
【００３７】
【化２】
2019117884.tif 000003
【００３８】
（ここで、Ｘは硫黄又はＣＨ＝ＣＨを示し、ＹはＣＨ又は窒素を示す。Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示し、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、又はトリアルキルシリルエチニル基を示す。ｍは１又は２の整数、ｎは０〜２の整数を示す。但し、ＸがＣＨ＝ＣＨの場合、ＹはＣＨを示す。）
さらに本発明で用いられる有機半導体は、高溶解性であることから、下記一般式（４）で示される化合物であることが特に好ましい。
【００３９】
【化３】
2019117884.tif 000004
【００４０】
（ここで、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数４〜２０のアリール基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は炭素数２〜２０のアルキニル基を示す。）
本発明で用いられる有機半導体の具体的例示としては、以下の構造のものを挙げることができる。
【００４１】
【化４】
2019117884.tif 000005
【００４２】
【化５】
2019117884.tif 000006
【００４３】
【化６】
2019117884.tif 000007
【００４４】
【化７】
2019117884.tif 000008
【００４５】
本発明では、有機半導体が高分子半導体の場合、該高分子半導体としては、例えば、下記（Ａ）〜（Ｉ）で示される構造の繰り返し単位のいずれかを含む高分子半導体が挙げられる。
【００４６】
【化８】
2019117884.tif 000009
【００４７】
（ここで、置換基Ｒ７〜Ｒ３０は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示し、ｌは１〜４の整数を示す。）
Ｒ７〜Ｒ３０は、それぞれ独立して、水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基を示す。
【００４８】
Ｒ７〜Ｒ３０における炭素数１〜２０のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−オクタデシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘプチル基、３−エチルデシル基、２−ヘキシルデシル基等の直鎖又は分岐アルキル基が挙げられる。
【００４９】
ｌは１〜４の整数である。
【００５０】
該高分子半導体の分子量は、高分子半導体とポリマーが分離しやすく高移動度となることから、２，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００〜１，０００，０００がさらに好ましく、２０，０００〜５００，０００が特に好ましい。ここで、該高分子半導体の分子量は、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）をいうものである。
【００５１】
本発明で使用される高分子半導体は高キャリア移動度の有機トランジスタが得られるため、（Ａ）の構造を持つものがさらに好ましい。
【００５２】
有機半導体層の厚みについては特に制限はなく、例えば、１ｎｍ〜１，０００ｎｍが挙げられ、膜厚の制御のし易さのため、５ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍがさらに好ましい。
【００５３】
本発明で用いられる溶剤溶解性ポリマーは、ポリマーバインダーとして機能し、溶剤溶解性ポリマー層として用いられるときの耐溶剤性下層との界面エネルギーが３．０ｍＪ/ｍ２以下である限り特に制限はなく、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（４−メチルスチレン）、ポリ（１−ビニルナフタレン）、ポリ（２−ビニルナフタレン）、ポリ（スチレン−ブロック−ブタジエン−ブロック−スチレン）、ポリ（スチレン−ブロック−イソプレン−ブロック−スチレン）、ポリ（ビニルトルエン）、ポリ（スチレン−コ−２，４−ジメチルスチレン）、ポリ（クロロスチレン）、ポリ（スチレン−コ−α−メチルスチレン）、ポリ（スチレン−コ−ブタジエン）、ポリ（エチレン−コ−ノルボルネン）、ポリカルバゾール、ポリトリアリールアミン、ポリ（９,９−ジオクチルフルオレン−コ−ジメチルトリアリールアミン）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ｎ−プロピル、ポリメタクリル酸イソプロピル、ポリメタクリル酸ｎ−ブチル、ポリメタクリル酸フェニル、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ｎ−プロピル、極性環状ポリオレフィン類、ポリスルホン類、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−スチレン共重合体類等を挙げることができる。なお、本発明で用いられる溶剤溶解性ポリマーは、１種類の溶剤溶解性ポリマーを単独で使用、または２種類以上の溶剤溶解性ポリマーの混合物として使用することが可能である。更に、異なる分子量の溶剤溶解性ポリマーを混合して使用することも可能である。
【００５４】
本発明では、有機半導体を用いた電子デバイス製造時のプロセス温度への対応により好適であることから（製造時のプロセス加熱によって有機トランジスタ性能が低下しない）、溶剤溶解性ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）が１０５℃以上であることが好ましく、該溶剤溶解性ポリマーとしては、例えば、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリ（ビスフェノールAカーボネート（ＰＣ）、 ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、極性環状ポリオレフィン類を挙げることができるが、これらに限定するものではない。
【００５５】
本発明で用いられる溶剤溶解性ポリマーは、表面処理剤により表面エネルギーを調整したものを用いることができる。表面処理剤としては、シランカップリング剤を用いることができ、その具体例としては、例えば、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン、フェニルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリメトキシシラン等を挙げることができる。
【００５６】
有機半導体と耐溶剤性下層との界面の粗さＲａは、バイアスストレス耐性を高めるため、１０ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００５７】
溶剤溶解性ポリマー層の平均厚みは、本発明の積層構造体を有機トランジスタに用いる際に、有機半導体とソース電極、ドレイン電極、またはゲート絶縁膜との接触を阻害させないため、平均厚みを指標として、３０ｎｍ以下であることが好ましく、２５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。ここで、有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの界面の粗さＲａ、および溶剤溶解性ポリマーの平均膜厚は、レーザーテック株式会社のハイブリッドレーザーマイクロスコープを用いて求めることができる。
【００５８】
本発明の耐溶剤性下層に用いられる材料としては、例えば、架橋ポリマー、自己組織化単分子膜、無機膜等が挙げられるが、溶剤溶解性ポリマーを製膜する際の溶媒に対して耐溶剤性があれば特に制限はない。該耐溶剤性下層がゲート絶縁膜としても用いられる場合（ゲート絶縁膜が有機半導体層の下側になる有機トランジスタの場合）、後述するゲート絶縁膜の例示うち、該溶剤に対して耐溶剤性のあるものも好適に用いられる。
【００５９】
本発明の有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層の２層は、有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの混合溶液を用いて作製してもよく（該溶液を用いて層を作製する際に層分離して２層となる）、それぞれの溶液から段階的に形成してもよい。
【００６０】
本発明の有機半導体を溶解させた有機半導体層形成用溶液の溶媒としては、有機半導体および／または本発明に係る溶剤溶解性ポリマーを溶解することが可能な有機溶媒であれば如何なる溶媒を使用してもよい。
【００６１】
本発明で用いることが可能な有機溶媒として、特に制限はなく、例えば、テトラリン、インダン、メシチレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、イソプロピルベンゼン、ペンチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、トルエン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、ベンゾチアゾール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、１，２−メチレンジオキシベンゼン、１，２−エチレンジオキシベンゼン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼン等の芳香族化合物；シクロヘキサノン、イソホロン、メチルエチルケトン等のケトン類；オクタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等の飽和脂肪族化合物；フェニルアセテート、シクロヘキシルアセテート等のエステル類；ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１,４−ブタンジオールジアセテート、１,３−ブチレングリコールジアセテート、１,３−ブチレングリコールジアセテート、１,６−ヘキサンジオールジアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のグリコール類；トリアセチレンなどを挙げられることができ、その中でも高溶解性のため芳香族化合物が好ましく、適度な乾燥速度を持つことから、テトラリン、メシチレン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、１，２，４−トリメチルベンゼン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，６−ジメチルアニソール、ベンゾチアゾール、１，２−メチレンジオキシベンゼン、１，２−エチレンジオキシベンゼン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，３−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼンがさらに好ましい。
【００６２】
なお、本発明で用いる有機溶媒は、１種類の有機溶媒を単独で使用、または沸点、極性、溶解度パラメーターなど性質の異なる有機溶媒を２種類以上混合して使用することが可能である。
【００６３】
本発明の有機半導体層形成用溶液は、有機半導体および／または本発明に係るポリマーを有機溶媒と混合し、溶解することで調製することができる。
【００６４】
本発明の有機半導体層形成用溶液における有機半導体の濃度に特に制限はないが、０．００１〜５０．０重量％の範囲であると、取り扱いがより容易になり、有機半導体層を形成する際の効率により優れるものとなる。また、有機半導体層形成用溶液の粘度が０．３〜１００ｍＰａ・ｓの範囲であると、より好適な塗工性を発現するものとなる。
【００６５】
有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの混合溶液を用いて作製する場合、有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの混合組成比に特に制限はないが、本発明の積層構造体を形成するのにより好適であるため、有機半導体の重量に対してポリマーの重量が０．０００１〜１００重量％の範囲であることが好ましく、０．０００１〜５０重量％の範囲であることがさらに好ましく、０．０００１〜３０重量％の範囲が特に好ましい。
【００６６】
有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの混合溶液を用いて層を形成する際の塗布方法としては、特に制限はなく、例えば、スピンコート、ドロップキャスト、ディップコート、キャストコート等の簡易塗工法；ディスペンサー、インクジェット、スリットコート、ブレードコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等の印刷法を挙げることができ、中でも容易に効率よく製造することが可能となることから、スピンコート、ディスペンサー、インクジェットであることがさらに好ましい。また、その際の温度については特に制限はなく、基板や溶液を加熱した状態で塗工することもできる。加熱する際は、均一に塗工するため、ポリマーのガラス転移温度以下で塗工することが好ましく、７０℃以下で塗工することがさらに好ましい。
【００６７】
塗布した有機半導体層およびポリマー層から有機溶媒を乾燥除去する際、乾燥する条件に特に制限はなく、例えば、常圧下、又は減圧下で有機溶媒の乾燥除去を行うことが可能である。乾燥除去する温度に特に制限はないが、ポリマーを流動させないため、ポリマーのガラス転移温度以下の温度で行うことが好ましい。
【００６８】
本発明の有機半導体層形成用溶液より形成される有機半導体層は、有機半導体デバイス、特に有機トランジスタの有機半導体層として使用することが可能である。
【００６９】
有機トランジスタは、基板上に、ソース電極およびドレイン電極を付設した有機半導体層とゲート電極とを絶縁層を介し積層することにより得ることができ、該有機半導体層に本発明の有機半導体層形成用溶液により形成した有機半導体層を用いることにより、優れた半導体・電気特性を発現する有機トランジスタとすることが可能である。
【００７０】
図１に一般的な有機トランジスタの断面形状による構造を示す。ここで、（Ａ）は、ボトムゲート−トップコンタクト型、（Ｂ）は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型、（Ｃ）は、トップゲート−トップコンタクト型、（Ｄ）は、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機トランジスタであり、１は有機半導体層、２は基板、３はゲート電極、４はゲート絶縁層、５はソース電極、６はドレイン電極を示し、本発明の積層構造体は、いずれの有機ランジスタにも適用することが可能である。
【００７１】
基板の具体例としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ハロゲン化環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリ（ジイソプロピルマレエート）、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテート等のプラスチック基板；ガラス、石英、酸化アルミニウム、シリコン、ハイドープシリコン、酸化シリコン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウム錫酸化物等の無機材料基板；金、銅、クロム、チタン、アルミニウム等の金属基板等を挙げることができる。なお、ハイドープシリコンを基板に用いた場合、その基板はゲート電極を兼ねることができる。
【００７２】
本発明に係るゲート電極としては特に制限はなく、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ハイドープシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、クロム、チタン、タンタル、グラフェン、カーボンナノチューブ等の無機材料；ドープされた導電性高分子（例えばＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等の有機材料を挙げることができる。
【００７３】
また、上記の無機材料は、金属のナノ粒子インクとしても差し支えなく使用することができる。この場合の溶媒は、適度の分散性のため、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール等の極性溶媒；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン等の炭素数６〜１４の脂肪族炭化水素溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、オクチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、インダン、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、１，２−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール等の炭素数７〜１４の芳香族炭化水素溶媒であることが好ましい。該ナノ粒子インクを塗布後、導電性向上のため、８０℃〜２００℃の温度範囲でアニール処理することが好ましい。
【００７４】
本発明に係るゲート絶縁層としては特に制限はなく、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウム錫酸化物、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス等の無機材料；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリけい皮酸エチル、ポリけい皮酸メチル、ポリクロトン酸エチル、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン−コ−１−ブテン、ポリイソブチレン、ポリプロピレン、ポリシクロペンタン、ポリシクロヘキサン、ポリシクロヘキサン−エチレン共重合体、ポリハロゲン化シクロペンタン、ポリハロゲン化シクロヘキサン、ポリハロゲン化シクロヘキサン−エチレン共重合体、ハロゲン化環状ポリオレフィン、ＢＣＢ樹脂（商品名：サイクロテン、ダウ・ケミカル社製）、Ｃｙｔｏｐ（商標）、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）、パリレンＣ等のパリレン（商標）類のポリマー絶縁材料を挙げることができる。
【００７５】
また、これらのゲート絶縁層の表面は、例えば、オクタデシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のシラン類；ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン類で修飾処理したものであっても使用することができる。
【００７６】
ソース電極およびドレイン電極の材料としては、ゲート電極と同様の材料を用いることができ、ゲート電極の材料と同じであっても異なっていてもよく、異種材料を積層してもよい。また、キャリアの注入効率を上げるために、これらの電極材料に表面処理を実施することもできる。表面処理に用いる表面処理剤としては、例えば、ベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール、４−フルオロベンゼンチオール、４−メトキシベンゼンチオール等を挙げることができる。
【００７７】
本発明の有機半導体層形成用溶液を用いて得られる有機トランジスタは、速い動作性のため、キャリア移動度が、０．５ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上であることが好ましい。
【００７８】
本発明の有機半導体層形成用溶液を用いて得られる有機トランジスタは、高いバイアスストレス耐性のため、閾値電圧のシフトΔＶｔｈが３Ｖ以下であることが好ましく、１Ｖ以下であることがさらに好ましい。
【００７９】
本発明の有機半導体層形成用溶液およびそれより形成される有機半導体層は、電子ペーパー、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＩＣタグ（ＲＦＩＤタグ）、メモリー、センサー用等の有機薄膜トランジスタ用途；有機ＥＬディスプレイ材料；有機半導体レーザー材料；有機薄膜太陽電池材料；フォトニック結晶材料等の電子材料に利用することができ、有機半導体が結晶性の薄膜となるため、有機トランジスタの半導体層用途として用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【００８０】
本発明の積層構造体を用いることで、バイアスストレス耐性の高い有機トランジスタを提供することが可能となる。
【実施例】
【００８１】
以下実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。
【００８２】
実施例中、有機半導体と溶剤溶解性ポリマーとの界面の粗さＲａおよび溶剤溶解性ポリマー層の厚みについては、ハイブリッドレーザーマイクロスコープ（レーザーテック社製）を用い、チャネル領域（１００μｍ２）を測定し、解析した。電気物性については、半導体パラメータアナライザー（ケースレー社製４２００ＳＣＳ）を用い、ドレイン電圧（Ｖｄ＝−２０Ｖ）、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋５〜−２０Ｖまで１Ｖ刻みで走査し、伝達特性（Ｉｄ-Ｖｇ）の評価を行った。
【００８３】
合成例１
（耐溶剤性下層に用いられる材料（架橋ポリマー１）の合成）
窒素ボックス内で５００ｍＬのシュレンク管に重量平均分子量２８万のポリスチレン−ｂ−ポリ（エチレン・ブチレン）−ｂ−ポリスチレン（以下、ＳＥＢＳ」という）１０．０ｇ、脱水した塩化メチレン３００ｍＬ、桂皮酸クロリド３．４ｇを仕込み、室温、撹拌下で溶解させた。シュレンク管を氷水で冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸（以下、「ＴＦＭＳ」という）４．６ｇをシリンジで１０分かけて滴下した。滴下とともにポリマー溶液の色は赤紫色に着色した。滴下終了後、氷水浴を除き、室温で４０時間反応させた。反応溶液を再度、氷水で冷却した後、飽和炭酸水素ナトリウム５．６ｇを溶解させた飽和水溶液を添加してＴＦＭＳ及び系内の塩酸を中和した。反応物を分液ロートに移し、塩化メチレン層を分離した。更に水層を塩化メチレンで３回洗浄、分液してポリマーの塩化メチレン溶液を得た。この溶液を３μｍのテフロン（登録商標）フィルターで濾過後、１．５Ｌのメタノールで再沈殿させ、ポリマーを濾過により単離する操作を２回行った後、５０℃で減圧乾燥して８．８ｇの架橋ポリマー１を得た。
【００８４】
１Ｈ−ＮＭＲによる分析の結果、得られた架橋ポリマー１のカルコン基の含有量は、７．７モル％有していることを確認した。
【００８５】
用いたＳＥＢＳは特許２７７７２３９号記載の製造方法に従って合成し、スチレンユニットの含有量は２８モル％有していることを確認した。
【００８６】
実施例１
（有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製）
空気下、１０ｍｌサンプル管に、ｍ−キシレン１．５ｇ、２，７−ジ（ｎ−ヘキシル）ジチエノベンゾジチオフェン（化合物１）１２ｍｇ（０．８ｗｔ％）、およびＰＭＭＡ（アルドリッチ製、Ｍｗ３５０，００００．７５ｍｇ（０．０５ｗｔ％）を加え、５０℃に加熱して溶解させることで、有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製を行った。
（積層構造体の作製）
ガラス基板上に耐溶剤性下層として、架橋ＰＶＰを製膜した（ＰＭＭＡとの界面エネルギー０．２２ｍＪ/ｍ２）。Ａｇを全面に５０ｎｍの厚みで真空蒸着し、フォトリソグラフィーによりＬ／Ｗ＝１０／１０μｍのソース・ドレイン電極を形成し、ペンタフルオロベンゼンチオールで電極修飾した。空気下、ソース・ドレイン電極上に、上述の方法で調製した有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液を室温でディスペンサ印刷し、９０℃で１０分加熱して積層構造体を作製した。
（有機トランジスタの作製）
上述の方法で作製した積層構造体に、ゲート絶縁膜としてパリレンを６００ｎｍ真空蒸着した。チャネル上にシャドウマスクを置き、ゲート電極としてＡｇを５０ｎｍ蒸着し、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機トランジスタを作製した。
（バイアスストレス試験前の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機薄膜トランジスタの伝達特性から、正孔のキャリア移動度は２．３５ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は０．４５Ｖであった。
【００８７】
バイアスストレス試験前の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、良好な電気物性を発現することがわかった。
（バイアスストレス試験後の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機薄膜トランジスタに＋３０Ｖのゲート電圧を大気下で１時間印加（バイアスストレス試験）後、伝達特性を測定した。その結果、伝達特性からキャリア移動度は２．３５ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は０．６０Ｖ（ΔＶｔｈ＝＋０．１５Ｖ）であった。
【００８８】
バイアスストレス試験後の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、バイアスストレス耐性に優れていることがわかった。
（積層構造体の解析）
電気物性を測定した後、ゲート電極およびゲート絶縁膜をテープで剥離した。さらに有機半導体を貧溶媒中で超音波除去し、露出したポリマー層を解析した。有機半導体層と溶剤溶解性ポリマーとの界面粗さＲａ、すなわちＰＭＭＡ表面のＲａは６ｎｍ、ＰＭＭＡの平均膜厚は１１ｎｍであった。
【００８９】
実施例２
（有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製）
ＰＭＭＡの代わりに極性環状ポリオレフィン１（ＧＰＣによるＭｗ＝４４，０００）１．５ｍｇ（０．１ｗｔ％）を用いた以外は実施例１と同様の方法により有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製をおこなった。
【００９０】
極性環状ポリオレフィン１の構造を下記に示した。
【００９１】
【化９】
2019117884.tif 000010
【００９２】
（積層構造体の作製）
ガラス基板上に耐溶剤性下層として、架橋ポリマー１を製膜した（極性環状ポリオレフィン１との界面エネルギー０．１２ｍＪ/ｍ２）。５０℃で１分間乾燥した後、２５０ｍJ／ｃｍ２の紫外線を照射して架橋した。Ａｇを全面に５０ｎｍの厚みで真空蒸着し、フォトリソグラフィーによりＬ／Ｗ＝１０／１０μｍのソース・ドレイン電極を形成し、ペンタフルオロベンゼンチオールで電極修飾した。空気下、ソース・ドレイン電極上に、上述の方法で調製した有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液を室温でスピンコート製膜し、９０℃で２０分加熱して積層構造体を作製した。
（有機薄膜トランジスタの作製）
上述の方法で作製した積層構造体に、ゲート絶縁膜としてサイトップ（旭化成製）をスピンコート製膜した。Ａｇを全面に５０ｎｍの厚みで真空蒸着し、フォトリソグラフィーによりチャネル上にゲート電極を形成し、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
（バイアスストレス試験前の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機薄膜トランジスタの伝達特性から、正孔のキャリア移動度は１．８２ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は−０．４１Ｖであった。
【００９３】
バイアスストレス試験前の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、良好な電気物性を発現することがわかった。
（バイアスストレス試験後の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機薄膜トランジスタに＋３０Ｖのゲート電圧を大気下で１時間印加（バイアスストレス試験）後、伝達特性を測定した。その結果、伝達特性からキャリア移動度は１．８７ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は−０．３９Ｖ（ΔＶｔｈ＝＋０．０２Ｖ）であった。
【００９４】
バイアスストレス試験後の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、バイアスストレス耐性に優れていることがわかった。
（積層構造体の解析）
実施例１と同様の方法で解析をおこなったところ、有機半導体層と溶剤溶解性ポリマー層との界面粗さＲａ、すなわち極性環状ポリオレフィン１表面のＲａは１ｎｍ、極性環状ポリオレフィン１の平均膜厚は２４ｎｍであった。
【００９５】
比較例１
（有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製）
ＰＭＭＡの代わりにＰＳｔ（アルドリッチ製、Ｍｗ２８０，０００）（架橋ＰＶＰとの界面エネルギー４．２ｍＪ/ｍ２）を用いた以外は実施例１と同様の方法により有機半導体・溶剤溶解性ポリマー混合溶液の調製をおこなった。
（積層構造体の作製）
実施例１と同様の方法により積層構造体を作製した。
（バイアスストレス試験前の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機トランジスタの伝達特性から、正孔のキャリア移動度は２．５５ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は０．５６Ｖであった。
【００９６】
バイアスストレス試験前の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、良好な電気物性を発現することがわかった。
（バイアスストレス試験後の電気物性の測定）
上述の方法で作製した有機薄膜トランジスタに＋３０Ｖのゲート電圧を大気下で１時間印加（バイアスストレス試験）後、伝達特性を測定した。その結果、伝達特性からキャリア移動度は２．４６ｃｍ２／Ｖ・ｓ（ｐ型）、閾値電圧は１．６９Ｖ（ΔＶｔｈ＝＋１．１３Ｖ）であった。
【００９７】
バイアスストレス試験後の電気物性の測定結果から、得られた有機薄膜トランジスタは、バイアスストレス耐性に劣っていることがわかった。
（積層構造体の解析）
実施例１と同様の方法で解析をおこなったところ、有機半導層と溶剤溶解性ポリマー層との界面粗さＲａ、すなわちＰＳｔ表面のＲａは１２ｎｍ、ＰＳｔの平均膜厚は３１ｎｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明の積層構造体を用いることで、優れた半導体・電気物性を有する有機薄膜トランジスタを作製することができるため、半導体デバイス材料としての適用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】；有機薄膜トランジスタの断面形状による構造を示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
（Ａ）：ボトムゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｂ）：ボトムゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｃ）：トップゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｄ）：トップゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
１：有機半導体層
２：基板
３：ゲート電極
４：ゲート絶縁層
５：ソース電極
６：ドレイン電極
【図１】
2019117884.tif 000011