(57)【要約】【課題】被研磨物に形成する磁場を、より強くするための磁性素子、及びそれを用いた渦電流式センサを提供する。【解決手段】渦電流式センサ５０は、磁性体である底面部６１ａと、底面部６１ａの中央に設けられた磁心部６１ｂと、底面部６１ａの周辺部に設けられた周壁部６１ｃを有する。渦電流式センサ５０は、さらに、磁心部６１ｂの外周に配置され、磁場を生成可能な励磁コイル８６０と、周壁部６１ｃの外周に配置され、磁場を生成可能な励磁コイル８６２とを有する。【選択図】図１８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部磁性体と、
前記底部磁性体の中央に設けられた中央磁性体と、
前記底部磁性体の周辺部に設けられた周辺部磁性体と、
前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な内部コイルと、
前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な外部コイルとを有することを特徴とする磁性素子。
【請求項２】
前記底部磁性体は、柱状の形状を有し、前記周辺部磁性体は、前記柱状の形状の両端に配置されることを特徴とする請求項１記載の磁性素子。
【請求項３】
前記周辺部磁性体は、前記底部磁性体の周辺部に複数個設けられることを特徴とする請求項１記載の磁性素子。
【請求項４】
前記周辺部磁性体は、前記中央磁性体を囲うように前記底部磁性体の周辺部に設けられる壁部であることを特徴とする請求項１記載の磁性素子。
【請求項５】
前記内部コイルと前記外部コイルは電気的に並列に接続されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項６】
前記内部コイルが前記中央磁性体内に生成する磁場の方向と、前記外部コイルが前記中央磁性体内に生成する磁場の方向は同じであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項７】
前記中央磁性体の外周および／または前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能な検出コイルを有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項８】
前記中央磁性体の外周および／または前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能なダミーコイルを有することを特徴とする請求項７に記載の磁性素子。
【請求項９】
前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能な検出コイルと、前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能なダミーコイルとを有することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁性素子。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか１項に記載の磁性素子を有することを特徴とする渦電流式センサ。
【請求項１１】
被研磨物を研磨するための研磨パッドが貼り付け可能な研磨テーブルと、
前記研磨テーブルを回転駆動可能な駆動部と、
前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに押圧可能な保持部と、
前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出可能な請求項１０記載の渦電流式センサと、
前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出可能な終点検出部と、
を備える研磨装置。
【請求項１２】
前記終点検出部は、前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨レートを決定し
、前記研磨レートで前記被研磨物を研磨したときの予想研磨量を算出して、前記研磨終点を検出することを特徴とする請求項１１記載の研磨装置。
【請求項１３】
前記終点検出部は、前記渦電流から得られる膜厚に関するデータと、前記研磨レートから予測される膜厚に関するデータとを比較し、比較した結果が所定値より大きい場合には、前記渦電流から得られる膜厚に関する前記データを使用しないことを特徴とする請求項１２記載の研磨装置。
【請求項１４】
前記終点検出部は、前記予想研磨量と、前記研磨終点に対応する膜厚に関する閾値から前記研磨終点を検出することを特徴とする請求項１２または１３記載の研磨装置。
【請求項１５】
研磨パッドと、前記研磨パッドに対向して配置される被研磨物との間で研磨を行うための研磨方法であって、
研磨テーブルにより前記研磨パッドを保持するステップと、
前記研磨テーブルを回転駆動するステップと、
前記被研磨物を保持するとともに前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動するステップと、
前記研磨テーブルの内部に請求項１０記載の渦電流式センサを配置して、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出するステップと、
前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出するステップと、を有することを特徴とする研磨方法。
【請求項１６】
前記内部コイルおよび／または前記外部コイルが生成する磁場の強度を、前記被研磨物の導電性が変化した時に変えることを特徴とする請求項１５記載の研磨方法。
【請求項１７】
前記研磨テーブルの内部に請求項１０記載の渦電流式センサを複数配置し、
前記複数の渦電流式センサは、検出感度が互いに異なることを特徴とする請求項１５または１６記載の研磨方法。
【請求項１８】
被研磨物を研磨するための研磨パッドが貼り付け可能な研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転駆動可能な駆動部と、前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに押圧可能な保持部と、前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出可能な請求項１０記載の渦電流式センサとを有して前記被研磨物を研磨する研磨装置を制御するためのコンピュータを、
前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出可能な終点検出部手段、
前記研磨装置による研磨を制御する制御手段、として機能させるためのプログラム。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性素子、及びそれを用いた渦電流式センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。そこで、被研磨物である半導体ウェハの表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の一手段として研磨装置により研磨（ポリッシング）することが行われている。
【０００３】
研磨装置は、被研磨物を研磨するための研磨パッドを保持するための研磨テーブルと、被研磨物を保持して研磨パッドに押圧するためにトップリングを備える。研磨テーブルとトップリングはそれぞれ、駆動部（例えばモータ）によって回転駆動される。研磨剤を含む液体（スラリー）を研磨パッド上に流し、そこにトップリングに保持された被研磨物を押し当てることにより、被研磨物は研磨される。
【０００４】
研磨装置では、被研磨物の研磨が不十分であると、回路間の絶縁がとれず、ショートするおそれが生じ、また、過研磨となった場合は、配線の断面積が減ることによる抵抗値の上昇、又は配線自体が完全に除去され、回路自体が形成されないなどの問題が生じる。このため、研磨装置では、最適な研磨終点を検出することが求められる。
【０００５】
このような技術としては、特開２０１７−５８２４５号に記載のものがある。この技術においては、いわゆるポッド型のコイルを用いた渦電流式センサが研磨終点を検出するために用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−５８２４５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
被研磨物の表面には、金属が広く面状に（バルク状に）分布する場合と、銅などの細い配線が表面に部分的に存在する場合がある。表面に部分的に存在する場合、被研磨物に流れる渦電流密度を、金属が広く面状に分布する場合よりも大きくする、すなわち、渦電流式センサが被研磨物に形成する磁場を、より強くすることが求められる。
【０００８】
本発明の一形態は、このような問題点を解消すべくなされたもので、その目的は、被研磨物に形成する磁場を、より強くするための磁性素子、及びそれを用いた渦電流式センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、第１の形態では、底部磁性体と、前記底部磁性体の中央に設けられた中央磁性体と、前記底部磁性体の周辺部に設けられた周辺部磁性体と、前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な内部コイルと、前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な外部コイルとを有することを特徴とする磁性素子という構成を採っている。
【００１０】
本実施形態では、周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な外部コイルを有す
る。このため、従来は中央磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な内部コイルのみであったが、本実施形態によれば、磁場を従来よりも強化することが可能である。
【００１１】
第２の形態では、前記底部磁性体は、柱状の形状を有し、前記周辺部磁性体は、前記柱状の形状の両端に配置されることを特徴とする第１の形態記載の磁性素子という構成を採っている。磁性素子は、例えば、Ｅ型のコイルとすることができる。
【００１２】
第３の形態では、前記周辺部磁性体は、前記底部磁性体の周辺部に複数個設けられることを特徴とする第１の形態記載の磁性素子という構成を採っている。周辺部磁性体の数は、２個、３個、４個、６個等が可能であり、多極のコイルとすることができる。
【００１３】
第４の形態では、前記周辺部磁性体は、前記中央磁性体を囲うように前記底部磁性体の周辺部に設けられる壁部であることを特徴とする第１の形態記載の磁性素子という構成を採っている。周辺部磁性体は、円筒形、４角形の筒形状等とすることができる。これらの形状は、従来のポッド型のコイルと形状が同じである。しかし、従来のポッド型のコイルには、周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を生成可能な外部コイルは存在しなかった。そのため、第４の形態は、従来のポッド型のコイルよりも磁場を強化することが可能である。
【００１４】
第５の形態では、前記内部コイルと前記外部コイルは電気的に並列に接続されることを特徴とする第１の形態ないし第４の形態のいずれか１項に記載の磁性素子という構成を採っている。
【００１５】
第６の形態では、前記内部コイルが前記中央磁性体内に生成する磁場の方向と、前記外部コイルが前記中央磁性体内に生成する磁場の方向は同じであることを特徴とする第１の形態ないし第５の形態のいずれか１項に記載の磁性素子という構成を採っている。
【００１６】
第７の形態では、前記中央磁性体の外周および／または前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能な検出コイルを有することを特徴とする第１の形態ないし第６の形態のいずれか１項に記載の磁性素子という構成を採っている。
【００１７】
第８の形態では、前記中央磁性体の外周および／または前記周辺部磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能なダミーコイルを有することを特徴とする第７の形態に記載の磁性素子という構成を採っている。
【００１８】
第９の形態では、前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能な検出コイルと、前記中央磁性体の外周に配置され、磁場を検出可能なダミーコイルとを有することを特徴とする請求項第１の形態ないし第６の形態のいずれか１項に記載の磁性素子という構成を採っている。本実施形態によれば以下の効果がある。周辺部磁性体の外周に検出コイルとダミーコイルが必須でない場合がある。例えば、周辺部磁性体には検出コイルおよびダミーコイルを設けないで、磁性素子を使用することにより、外部コイルと内部コイルにより生成した渦電流によって生じた鎖交磁束の取得範囲を限定したい場合がある。すなわち、中央磁性体の外周に配置した検出コイルとダミーコイルによって取得できる鎖交磁束の範囲に限定することが望ましい場合がある。
【００１９】
第１０の形態では、第７の形態ないし第９の形態のいずれか１項に記載の磁性素子を有することを特徴とする渦電流式センサという構成を採っている。
【００２０】
第１１の形態では、被研磨物を研磨するための研磨パッドが貼り付け可能な研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転駆動可能な駆動部と、前記被研磨物を保持して前記研磨パ
ッドに押圧可能な保持部と、前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出可能な第１０の形態記載の渦電流式センサと、前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出可能な終点検出部と、を備える研磨装置という構成を採っている。
【００２１】
第１２の形態では、前記終点検出部は、前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨レートを決定し、前記研磨レートで前記被研磨物を研磨したときの予想研磨量を算出して、前記研磨終点を検出することを特徴とする第１１の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００２２】
第１３の形態では、前記終点検出部は、前記渦電流から得られる膜厚に関するデータと、前記研磨レートから予測される膜厚に関するデータとを比較し、比較した結果が所定値より大きい場合には、前記渦電流から得られる膜厚に関する前記データを使用しないことを特徴とする第１２の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００２３】
第１４の形態では、前記終点検出部は、前記予想研磨量と、前記研磨終点に対応する膜厚に関する閾値から前記研磨終点を検出することを特徴とする第１２の形態または第１３の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００２４】
第１５の形態では、研磨パッドと、前記研磨パッドに対向して配置される被研磨物との間で研磨を行うための研磨方法であって、研磨テーブルにより前記研磨パッドを保持するステップと、前記研磨テーブルを回転駆動するステップと、前記被研磨物を保持するとともに前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動するステップと、前記研磨テーブルの内部に第１０の形態記載の渦電流式センサを配置して、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出するステップと、前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出するステップと、を有することを特徴とする研磨方法という構成を採っている。
【００２５】
第１６の形態では、前記内部コイルおよび／または前記外部コイルが生成する磁場の強度を、前記被研磨物の導電性が変化した時に変えることを特徴とする第１５の形態記載の研磨方法という構成を採っている。
【００２６】
第１７の形態では、前記研磨テーブルの内部に第１０の形態記載の渦電流式センサを複数配置し、前記複数の渦電流式センサは、検出感度が互いに異なることを特徴とする第１５または第１６の形態記載の研磨方法という構成を採っている。
【００２７】
第１８の形態では、被研磨物を研磨するための研磨パッドが貼り付け可能な研磨テーブルと、前記研磨テーブルを回転駆動可能な駆動部と、前記被研磨物を保持して前記研磨パッドに押圧可能な保持部と、前記研磨テーブルの内部に配置され、前記研磨テーブルの回転に伴い前記内部コイルと前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出可能な第１０の形態記載の渦電流式センサとを有して前記被研磨物を研磨する研磨装置を制御するためのコンピュータを、前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出可能な終点検出部手段、前記研磨装置による研磨を制御する制御手段、として機能させるためのプログラムという構成を採っている。
【００２８】
第１９の形態では、前記研磨装置は、前記研磨パッドに設けられた貫通孔を通して、光ファイバにより前記被研磨物の被研磨面に光を照射し、反射された反射光を光ファイバに
より受光する光学系と、該光学系で受光した反射光を分析処理する分析処理手段を設け、該分析処理手段で前記反射光を分析処理し、被研磨物の被研磨面上に形成された薄膜の研磨進行状況を監視する被研磨物膜厚モニター装置を有し、前記研磨装置は、前記研磨パッドに設けられた貫通孔に透明液体を供給する給液孔を前記研磨テーブルに設け、該給液孔はそこから供給される透明液が前記被研磨物の被研磨面に対して垂直に進む流れを形成し且つ前記貫通孔を満たすように配置形成され、前記光ファイバは照射光及び反射光が該被研磨面に対して垂直に進む流れ部分の透明液を通るように配置され、前記貫通孔の透明液を排液する排液孔を設け、該排液孔は前記給液孔に対して前記研磨テーブルの移動方向後方に位置し、前記貫通孔の前記被研磨物反対側の端面に開口していることを特徴とする、第１１の形態ないし第１４の形態のいずれかに記載の研磨装置という構成を採っている。
【００２９】
第２０の形態では、前記給液孔の中心と前記排液孔の中心とを結ぶ線分の中点が前記貫通孔の中心点より前記研磨テーブルの移動方向の前方にあることを特徴とする、第１９の形態に記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３０】
第２１の形態では、前記貫通孔はその端面外周が前記給液孔と排液孔の端面を囲むように断面が概略長円状の孔であることを特徴とする、第１９の形態または第２０の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３１】
第２２の形態では、強制排液機構を設け、該強制排液機構で前記排液孔から強制排液をすることを特徴とする、第１９の形態ないし第２１の形態のいずれかに記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３２】
第２３の形態では、透光液ノズルと該透光液ノズルの外周部に該透光液ノズルを囲むように配置された透光液受部を備え、前記透光液ノズルから被研磨物の被研磨面に柱状の透光液流を当接させると共に該透光液流を前記透光液受部で受けることにより、前記透光液ノズル内の透光液と前記透光液受部内の透光液とが連通し且つ外部から密封された状態の透光液流を形成し、光学系により前記透光液流を通して前記被研磨物の被研磨面に光を照射すると共に、該透光液流を通して前記被研磨物の被研磨面で反射された反射光を該光学系で受光し、該受光した反射光強度から該被研磨面の膜厚を測定することを特徴とする第１５の形態ないし第１７の形態のいずれかに記載の研磨方法という構成を採っている。
【００３３】
第２４の形態では、前記光学系は少なくとも１本の光ファイバを具備し、該光ファイバーの先端部を前記透光液流に挿入し、該光ファイバー及び透光液流を通して前記被研磨物の被研磨面に光を照射すると共に、該被研磨面で反射される反射光を該透光液流及び光ファイバーを通して受光することを特徴とする、第２３の形態記載の研磨方法という構成を採っている。
【００３４】
第２５の形態では、遮光処理を施した複数の処理ユニットを上下に配置して内部に収納する複数の処理エリアと、搬送機を内部に収納して前記処理エリアの間に設置される搬送エリアとを有し、前記処理エリアと前記搬送エリアとの間を遮光壁で、前記搬送エリアの前面をメンテナンス用扉でそれぞれ遮光し、前記処理ユニットを前記遮光壁に遮光状態で連結したことを特徴とする、第１１の形態ないし第１４の形態，および第１９の形態ないし第２２の形態のいずれか１項に記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３５】
第２６の形態では、前記処理ユニットには、開閉自在なシャッタを有する基板挿入口が設けられ、前記遮光壁には、前記被研磨物挿入口の周囲を囲繞する遮光膜が設けられ、前記遮光壁の前記遮光膜で包囲された領域内に開口部が設けられていることを特徴とする第２５の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３６】
第２７の形態では、前記処理エリアは洗浄エリアで、被研磨物の処理は、被研磨物の洗浄であることを特徴とする第２５の形態または第２６の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００３７】
第２８の形態では、前記研磨装置は、前記被研磨物を研磨する研磨部と、前記被研磨物を洗浄し乾燥させる洗浄部と、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と、前記隔壁の開口を介して研磨後の前記被研磨物を前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構と、側壁を有して、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを内部に収納する筐体とを有し、前記洗浄部は、研磨後の前記被研磨物を洗浄液により洗浄する洗浄手段と、洗浄後の前記被研磨物を乾燥させる乾燥手段と、前記洗浄手段と乾燥手段間を水平および昇降自在に前記被研磨物の受け渡しが可能な搬送手段とを有し、前記研磨部は、前記研磨テーブルと、前記保持部と、前記駆動部と、前記渦電流式センサと、前記終点検出部とを有することを特徴とする、第１１の形態ないし第１４の形態，および第１９の形態ないし第２２の形態、および第２５の形態ないし第２７の形態のいずれか１項に記載の研磨装置という構成を採っている。なお、米国特許第５，８８５，１３８号は、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【００３８】
第２９の形態では、前記被研磨物を研磨する研磨部と、前記被研磨物を洗浄し乾燥させる洗浄部と、前記研磨部と前記洗浄部との間を分離する隔壁と、前記隔壁の開口を介して研磨後の前記被研磨物を前記研磨部から前記洗浄部へ搬送する搬送機構と、側壁を有して、前記研磨部と前記洗浄部と前記搬送機構とを内部に収納する筐体とを有する研磨装置を用いた前記研磨方法において、前記洗浄部においては、研磨後の前記被研磨物を洗浄液により洗浄し、洗浄後の前記被研磨物を乾燥させ、該洗浄する工程と該乾燥する工程との間で水平および昇降自在に前記被研磨物の受け渡しを行って、前記被研磨物を搬送することを特徴とする、第１５〜１７、２３，および２４の形態のいずれかに記載の研磨方法という構成を採っている。
【００３９】
第３０の形態では、前記被研磨物に光を当て、前記被研磨物からの反射光の強度を計測する光学式センサを有し、前記渦電流と、前記光学式センサが計測した前記被研磨物からの反射光の強度とに基づいて、前記研磨の終了を示す研磨終点を検出することを特徴とする、第１１の形態ないし第１４の形態，および第１９の形態ないし第２２の形態、および第２５の形態ないし第２８の形態のいずれか１項に記載の研磨装置という構成を採っている。
【００４０】
第３１の形態では、研磨時に前記被研磨物と対向可能な、前記研磨テーブル内の位置に組込まれるウィンドウを有し、前記ウィンドウの下部に、前記光学式センサが配置されることを特徴とする、第３０の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００４１】
第３２の形態では、前記研磨テーブルは、研磨時に前記被研磨物と対向可能な、前記研磨テーブル内の位置に開口を有し、前記光学式センサは、前記ウィンドウの下部に配置され、前記光学式センサは、洗浄用の流体を前記開口内に供給する流体供給部を有することを特徴とする、第３０の形態記載の研磨装置という構成を採っている。
【００４２】
第３３の形態では、前記渦電流式センサは、前記被研磨物に磁場を生成し、生成した前記磁場の強度を検知し、さらに、研磨装置は、前記保持部を回転駆動するための第２の電動モータと、前記保持部を保持するための揺動アームと、前記揺動アーム上の揺動中心のまわりに前記揺動アームを揺動するための第３の電動モータと、前記駆動部（第１の電動モータ）及び前記第２、第３の電動モータのうちの１つの電動モータの電流値、およびまたは前記１つの電動モータのトルク指令値を検出して、第１の出力を生成する検出部を有し、前記第１の出力と、前記渦電流式センサが計測した前記磁場の強度とに基づいて、前
記研磨の終了を示す研磨終点を検出することを特徴とする第１１の形態ないし第１４の形態，および第１９の形態ないし第２２の形態、第２５の形態ないし第２８の形態、および第３０の形態ないし第３２の形態のいずれか１項に記載の研磨装置という構成を採っている。
【００４３】
第３４の形態では、被研磨物を保持するための保持部と、前記保持部を保持するための揺動アームと、前記揺動アームに加わるアームトルクを直接または間接に検知するアームトルク検知部とを有して前記被研磨物を研磨する研磨装置を制御するためのコンピュータを、前記アームトルク検知部が検知した前記アームトルクに基づいて、前記研磨の終了を示す研磨終点を検出する終点検出手段、前記研磨装置による研磨を制御する制御手段、として機能させるためのプログラムという構成を採っている。
【００４４】
第３５の形態では、前記プログラムは更新可能であることを特徴とする第３４の形態に記載のプログラムという構成を採っている。
【００４５】
第３６の形態では、基板を研磨するとともに研磨に関する信号を取得する基板処理装置と、前記基板処理装置と通信手段により接続されるデータ処理装置とを有し、前記データ処理装置は、前記基板処理装置が取得した信号に基づいて、研磨処理に関するパラメータを更新することを特徴とする研磨装置という構成を採っている。ここで、信号は、アナログ信号及び／又はデジタル信号である。
【００４６】
ここで、研磨パラメータとしては、例えば、（１）半導体ウェハの４つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部に対する押圧力、（２）研磨時間、（３）研磨テーブルやトップリングの回転数、（４）研磨終点の判定のための閾値等がある。パラメータの更新とは、これらを更新することである。
【００４７】
第３７の形態では、第３６の形態に記載の研磨装置において、前記信号は、１種類のセンサ又は種類の異なる複数のセンサにより取得されることを特徴とする研磨装置という構成を採っている。本形態で用いられる種類の異なるセンサとしては、以下のセンサ等がある。すなわち（１）揺動軸モータのトルク変動に関する測定信号を取得するセンサ、（２）ＳＯＰＭ（光学式センサ）、（３）渦電流式センサ、（４）研磨テーブル回転用モータのモータ電流変動に関する測定信号を取得するセンサである。
【００４８】
第３８の形態では、基板処理装置とデータ処理装置を通信手段により接続するステップと、前記基板処理装置を用いて基板を研磨するとともに研磨に関する信号を取得するステップと、前記データ処理装置により、前記基板処理装置が取得した信号に基づいて、研磨処理に関するパラメータを更新するステップとを含むことを特徴とする研磨方法という構成を採っている。
【００４９】
第３９の形態では、基板を研磨するとともに研磨に関する信号を取得する基板処理装置と、中間処理装置と、データ処理装置とを有し、基板処理装置と中間処理装置は第１の通信手段により接続され、中間処理装置とデータ処理装置は第２の通信手段により接続され、前記中間処理装置は、前記基板処理装置が取得した信号に基づいて、研磨処理に関するデータセットを作成し、前記データ処理装置は、前記データセットに基づいて前記基板処理装置の研磨処理の状態を監視し、前記中間処理装置または前記データ処理装置は前記データセットに基づいて前記研磨の終了を示す研磨終点を検出することを特徴とする研磨装置という構成を採っている。
【００５０】
第４０の形態では、第３９の形態において、前記信号は、１種類のセンサ又は種類の異なる複数のセンサにより取得されることを特徴とする研磨装置という構成を採ることがで
きる。本形態で用いられる種類の異なるセンサとしては、以下のセンサ等がある。すなわち（１）揺動軸モータのトルク変動に関する測定信号を取得するセンサ、（２）ＳＯＰＭ（光学式センサ）、（３）渦電流式センサ、（４）研磨テーブル回転用モータのモータ電流変動に関する測定信号を取得するセンサである。
【００５１】
第４１の形態では、第３９の形態において、前記データセットの例としては、以下がある。前記センサが出力するセンサ信号と、必要な制御パラメータをデータセットにすることが可能である。すなわち、データセットは、トップリングの半導体ウェハへの押圧・ 揺動軸モータの電流・ 研磨テーブルのモータ電流・ 光学式センサの測定信号・ 渦電流式センサの測定信号・ 研磨パッド上でのトップリングの位置・ スラリと薬液の流量／種類、それらの相関算出データ等を含むことができる。
【００５２】
第４２の形態では、第３９の形態において、前記データセットの送信方法の例としては、以下がある。１次元データをパラレルに送信する送信システムや、１次元データをシーケンシャルに送信する送信システムを用いて、送信することが可能である。また、上記１次元データを２次元データに加工して、データセットにすることが可能である。
【００５３】
第４３の形態では、第３９の形態において、信号値の変動が大きい信号を抽出して研磨パラメータを更新することができる。研磨パラメータを更新する方法としては、例えば、以下がある。主であるセンサと従であるセンサの両方の目標値に優先割合係数(重み係数)を設けることにより、主であるセンサと従であるセンサとの影響割合を規定する。信号値の変動が大きい信号を抽出して優先割合係数を変更する。なお、信号値の変動には、短時間のみ変動するものと、長時間にわたって変動するものがある。また、信号値の変動とは、信号値の時間に関する微分値、又は時間に関する差分値等である。
【００５４】
第４４の形態では、基板を研磨するとともに研磨に関する信号を取得する基板処理装置と中間処理装置を第１の通信手段により接続するステップと、前記中間処理装置とデータ処理装置を第２の通信手段により接続するステップと、前記基板処理装置が取得した信号に基づいて、前記中間処理装置が研磨処理に関するデータセットを作成するステップと、前記データセットに基づいて前記基板処理装置の研磨処理の状態を前記データ処理装置が監視するステップと、前記データセットに基づいて前記研磨の終了を示す研磨終点を前記中間処理装置または前記データ処理装置が検出するステップとを含むことを特徴とする研磨方法という構成を採っている。
【００５５】
第４５の形態では、研磨パッドと、前記研磨パッドに対向して配置される被研磨物との間で研磨を行うための研磨方法であって、
研磨テーブルにより前記研磨パッドを保持するステップと、
前記研磨テーブルを回転駆動するステップと、
前記被研磨物を保持するとともに前記研磨パッドへ押圧するための保持部を回転駆動するステップと、
前記研磨テーブルの内部に第１０の形態記載の渦電流式センサを配置するステップと、
前記研磨テーブルの回転に伴い、前記内部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出する第１のステップと、前記外部コイルによって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出する第２のステップと、前記内部コイルと前記外部コイルの両方によって前記被研磨物に形成される渦電流を前記検出コイルによって検出する第３のステップのうちの少なくとも１つのステップにより、前記被研磨物に形成される前記渦電流を前記検出コイルによって検出するステップと、
前記検出された前記渦電流から前記被研磨物の研磨の終了を示す研磨終点を検出するステップと、を有することを特徴とする研磨方法という構成を採っている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、第１研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、トップリングの構造を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、トップリングの他の構造例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、トップリングを回転および揺動させる機構を説明するための断面図である。
【図６】図６は、研磨テーブルの内部構造を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、光学式センサを備えた研磨テーブルを示す模式図である。
【図８】図８は、マイクロ波センサを備えた研磨テーブルを示す模式図である。
【図９】図９は、ドレッサを示す斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）はアトマイザを示す斜視図であり、図１０（ｂ）はアームの下部を示す模式図である。
【図１１】図１１（ａ）はアトマイザの内部構造を示す側面図であり、図１１（ｂ）はアトマイザを示す平面図である。
【図１２】図１２（ａ）は洗浄部を示す平面図であり、図１２（ｂ）は洗浄部を示す側面図である。
【図１３】図１３は、洗浄ラインの一例を示す模式図である。
【図１４】図１４は、上側乾燥モジュールを示す縦断面図である。
【図１５】図１５は、上側乾燥モジュールを示す平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す概略図である。
【図１７】図１７は、渦電流センサの構成を示す図であり、図１７（ａ）は渦電流センサの構成を示すブロック図であり、図１７（ｂ）は渦電流センサの等価回路図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の渦電流センサの構成例を示す概略図である。
【図１９】図１９は、渦電流センサにおける励磁コイルの接続例を示す概略図である。
【図２０】図２０は、渦電流センサによる磁場を示す図である。
【図２１】図２１は、渦電流センサにおける励磁コイルの別の接続例を示す概略図である。
【図２２】図２２は、渦電流センサによる磁場を示す図である。
【図２３】図２３は、渦電流センサにおける各コイルの接続例を示す概略図である。
【図２４】図２４は、渦電流センサの同期検波回路を示すブロック図である。
【図２５】図２５は、渦電流式センサを用いて、終点検知を行う方法の一例をしめす。
【図２６】図２６は、周辺部磁性体が、磁心部を囲うように底面部の周辺部に設けられる壁部ではない例を示す。
【図２７】図２７は、周辺部磁性体が、磁心部を囲うように底面部の周辺部に設けられる壁部ではない例を示す。
【図２８】図２８は、周辺部磁性体が、磁心部を囲うように底面部の周辺部に設けられる壁部ではない例を示す。
【図２９】図１７は、アームトルク検知部によるアームトルクの検知方法を説明するブロック図である。
【図３０】図３０は、光学式センサを有する別の実施形態を示す図である。
【図３１】図３１は、光学式センサを有する別の実施形態を示す図である。
【図３２】図３２は、終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合の例を示す図である。
【図３３】図３３は、終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合の例を示す図である。
【図３４】図３４は、終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合の例を示す図である。
【図３５】図３５は、図１６の変形例としての実施形態を示す図である。
【図３６】図３６は、制御部による全体の制御を示す図である。
【図３７】図３７は、別の実施形態の構成を示す図である。
【図３８】図３８は、図３７の実施形態の変形例を示す図である。
【図３９】本発明に係る研磨装置のセンサの他の概略構成例を示す図で、図３９（ａ）は平面図、図３９（ｂ）は側断面図である。
【図４０】別の実施形態の概略構成例を示す図である。
【図４１】別の実施形態の概略構成例を示す図である。
【図４２】別の実施形態の研磨装置の構成例を示す図である。
【図４３】図４２のＹ−Ｙ矢視を示す図である。
【図４４】ＰＮ接続の例を示す断面図である。
【図４５】図４５は、カルーセルによって支持されたマルチヘッド型のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略側面図である。
【図４６】図４６は、アーム駆動部を有するカルーセルによって支持されたマルチヘッド型のトップリングと研磨テーブルとの関係を示す概略側面図である。
【図４７】図４７は、図４６に示す実施形態の上面図である。
【図４８】図４７は、励磁コイルが生成する磁場の強度を、半導体ウェハの導電性が変化した時に変える実施形態を説明する図である。
【図４９】図４９は、周辺部磁性体が、磁心部を囲うように底面部の周辺部に設けられる壁部ではない例を示す。
【図５０】図５０は、周辺部磁性体が、磁心部を囲うように底面部の周辺部に設けられる壁部ではない例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【００５８】
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置は、筐体部、すなわち、本実施形態では略矩形状のハウジング６１を備えている。ハウジング６１は側壁７００を有する。ハウジング６１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロード部６２と研磨部６３と洗浄部６４とに区画されている。これらのロード／アンロード部６２、研磨部６３、および洗浄部６４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、基板処理装置は、基板処理動作を制御する制御部６５を有している。
【００５９】
ロード／アンロード部６２は、多数の半導体ウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング６１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向に垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard  Manufacturing  Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front  Opening  Unified  Pod）を搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
【００６０】
また、ロード／アンロード部６２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されている。走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２
１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各々の搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理された半導体ウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前の半導体ウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドは使い分けられる。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、半導体ウェハを反転させることができる。
【００６１】
ロード／アンロード部６２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域である。そのため、ロード／アンロード部６２の内部は、基板処理装置外部、研磨部６３、および洗浄部６４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部６３は研磨液としてスラリを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部６３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部６４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部６２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられている。フィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
【００６２】
研磨部６３は、半導体ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄを備えている。第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
【００６３】
図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａは、研磨テーブル３０Ａと、トップリング３１Ａと、研磨液供給ノズル３２Ａと、ドレッサ３３Ａと、アトマイザ３４Ａとを備えている。研磨テーブル３０Ａには、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられている。トップリング(保持部)３１Ａは、半導体ウェハを保持し、かつ半導体ウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨する。研磨液供給ノズル３２Ａは、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給する。ドレッサ３３Ａは、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行う。アトマイザ３４Ａは、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射する。
【００６４】
同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。
【００６５】
第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、研磨ユニットの詳細に関しては、以下では、第１研磨ユニット３Ａを対象として説明する。
【００６６】
図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト１１１に支持されている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、この研磨パッド１０の上面は半導体ウェハ１６を研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するよ
うに構成されている。半導体ウェハ１６は、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象である半導体ウェハ１６がトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。
【００６７】
図３はトップリング３１Ａの構造を模式的に示す断面図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト１１１の下端に自在継手６３７を介して連結されている。自在継手６３７は、トップリング３１Ａとトップリングシャフト１１１との互いの傾動を許容しつつ、トップリングシャフト１１１の回転をトップリング３１Ａに伝達するボールジョイントである。トップリング３１Ａは、略円盤状のトップリング本体６３８と、トップリング本体６３８の下部に配置されたリテーナリング６４０とを備えている。トップリング本体６３８は金属やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成されている。また、リテーナリング６４０は、剛性の高い樹脂材またはセラミックス等から形成されている。なお、リテーナリング６４０をトップリング本体６３８と一体的に形成することとしてもよい。
【００６８】
トップリング本体６３８およびリテーナリング６４０の内側に形成された空間内には、半導体ウェハ１６に当接する円形の弾性パッド６４２と、弾性膜からなる環状の加圧シート６４３と、弾性パッド６４２を保持する概略円盤状のチャッキングプレート６４４とが収容されている。弾性パッド６４２の上周端部はチャッキングプレート６４４に保持され、弾性パッド６４２とチャッキングプレート６４４との間には、４つの圧力室（エアバッグ）Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４が設けられている。圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は弾性パッド６４２とチャッキングプレート６４４とによって形成されている。圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４にはそれぞれ流体路６５１，６５２，６５３，６５４を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。中央の圧力室Ｐ１は円形であり、他の圧力室Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は環状である。これらの圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は、同心上に配列されている。
【００６９】
圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の内部圧力は後述する圧力調整部により互いに独立して変化させることが可能であり、これにより、半導体ウェハ１６の４つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部に対する押圧力を独立に調整することができる。また、トップリング３１Ａの全体を昇降させることにより、リテーナリング６４０を所定の押圧力で研磨パッド１０に押圧できるようになっている。チャッキングプレート６４４とトップリング本体６３８との間には圧力室Ｐ５が形成され、この圧力室Ｐ５には流体路６５５を介して加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。これにより、チャッキングプレート６４４および弾性パッド６４２全体が上下方向に動くことができる。
【００７０】
半導体ウェハ１６の周端部はリテーナリング６４０に囲まれており、研磨中に半導体ウェハ１６がトップリング３１Ａから飛び出さないようになっている。圧力室Ｐ３を構成する、弾性パッド６４２の部位には開口（図示せず）が形成されており、圧力室Ｐ３に真空を形成することにより半導体ウェハ１６がトップリング３１Ａに吸着保持されるようになっている。また、この圧力室Ｐ３に窒素ガス、乾燥空気、圧縮空気等を供給することにより、半導体ウェハ１６がトップリング３１Ａからリリースされるようになっている。
【００７１】
図４はトップリング３１Ａの他の構造例を模式的に示す断面図である。この例では、チャッキングプレートは設けられていなく、弾性パッド６４２はトップリング本体６３８の下面に取り付けられている。また、チャッキングプレートとトップリング本体６３８との間の圧力室Ｐ５も設けられていない。これに代えて、リテーナリング６４０とトップリング本体６３８との間には弾性バッグ６４６が配置されており、その弾性バッグ６４６の内
部には圧力室Ｐ６が形成されている。リテーナリング６４０はトップリング本体６３８に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Ｐ６には流体路６５６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路６５６を通じて圧力室Ｐ６に供給されるようになっている。圧力室Ｐ６の内部圧力は後述する圧力調整部により調整可能となっている。したがって、半導体ウェハ１６に対する押圧力とは独立してリテーナリング６４０の研磨パッド１０に対する押圧力を調整することができる。他の構成および動作は、図２０に示すトップリングの構成と同一である。本実施形態では、図２０または図２１のいずれのタイプのトップリングを用いることができる。
【００７２】
図５はトップリング３１Ａを回転および揺動させる機構を説明するための断面図である。トップリングシャフト（例えば、スプラインシャフト）６３６はトップリングヘッド６６０に回転自在に支持されている。また、トップリングシャフト１１１は、プーリ６６１，６６２およびベルト６６３を介してモータＭ１の回転軸に連結されており、モータＭ１によってトップリングシャフト１１１およびトップリング３１Ａがその軸心周りに回転する。このモータＭ１はトップリングヘッド６６０の上部に取り付けられている。また、トップリングヘッド６６０とトップリングシャフト１１１とは、上下駆動源としてのエアシリンダ６６５によって連結されている。このエアシリンダ６６５に供給されるエア（圧縮気体）によりトップリングシャフト１１１およびトップリング３１Ａが一体に上下動する。なお、エアシリンダ６６５に代えて、ボールねじおよびサーボモータを有する機構を上下駆動源として用いてもよい。
【００７３】
トップリングヘッド６６０は、支持軸６６７に軸受６７２を介して回転自在に支持されている。この支持軸６６７は固定軸であり、回転しない構造となっている。トップリングヘッド６６０にはモータＭ２が設置されており、トップリングヘッド６６０とモータＭ２との相対位置は固定である。このモータＭ２の回転軸は、図示しない回転伝達機構（歯車など）を介して支持軸６６７に連結されており、モータＭ２を回転させることによって、トップリングヘッド６６０が支持軸６６７を中心として揺動（スイング）するようになっている。したがって、トップリングヘッド６６０の揺動運動により、その先端に支持されたトップリング３１Ａは研磨テーブル３０Ａの上方の研磨位置と研磨テーブル３０Ａの側方の搬送位置との間を移動する。なお、本実施形態では、トップリング３１Ａを揺動させる揺動機構はモータＭ２から構成される。
【００７４】
トップリングシャフト１１１の内部には、その長手方向に延びる貫通孔（図示せず）が形成されている。上述したトップリング３１Ａの流体路６５１，６５２，６５３，６５４，６５５，６５６は、この貫通孔を通って、トップリングシャフト１１１の上端に設けられている回転継手６６９に接続されている。この回転継手６６９を介してトップリング３１Ａに加圧気体（クリーンエア）や窒素ガスなどの流体が供給され、またトップリング３１Ａから気体が真空排気される。回転継手６６９には、上記流体通路６５１，６５２，６５３，６５４，６５５，６５６（図２０および図２１参照）に連通する複数の流体管６７０が接続され、これら流体管６７０は圧力調整部６７５に接続されている。また、エアシリンダ６６５に加圧空気を供給する流体管６７１も圧力調整部６７５に接続されている。
【００７５】
圧力調整部６７５は、トップリング３１Ａに供給される流体の圧力を調整する電空レギュレータや、流体管６７０，６７１に接続される配管、これら配管に設けられたエアオペレートバルブ、これらのエアオペレートバルブの作動源となるエアの圧力を調整する電空レギュレータ、トップリング３１Ａに真空を形成するエジェクタなどを有しており、これらが集合して１つのブロック（ユニット）を構成している。圧力調整部６７５は、トップリングヘッド６６０の上部に固定されている。トップリング３１Ａの圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５（図２０参照）に供給される加圧気体や、エアシリンダ６６５に供給される加圧空気の圧力は、この圧力調整部６７５の電空レギュレータによって調整される。
同様に、圧力調整部６７５のエジェクタによってトップリング３１ＡのエアバッグＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４内や、チャッキングプレート６４４とトップリング本体６３８の間の圧力室Ｐ５内に真空が形成される。
【００７６】
このように、圧力調整機器である電空レギュレータやバルブがトップリング３１Ａの近くに設置されているので、トップリング３１Ａ内の圧力の制御性が向上される。より具体的には、電空レギュレータと圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５との距離が短いので、制御部６５からの圧力変更指令に対する応答性が向上する。同様に、真空源であるエジェクタもトップリング３１Ａの近くに設置されているので、トップリング３１Ａ内に真空を形成するときの応答性が向上する。また、圧力調整部６７５の裏面を、電装機器の取り付け用台座として利用することができ、従来必要であった取付用のフレームを不要とすることができる。
【００７７】
トップリングヘッド６６０、トップリング３１Ａ、圧力調整部６７５、トップリングシャフト１１１、モータＭ１、モータＭ２、エアシリンダ６６５は、１つのモジュール（以下、トップリングアッセンブリという）として構成されている。すなわち、トップリングシャフト１１１、モータＭ１、モータＭ２、圧力調整部６７５、エアシリンダ６６５は、トップリングヘッド６６０に取り付けられている。トップリングヘッド６６０は、支持軸６６７から取り外しできるように構成されている。したがって、トップリングヘッド６６０と支持軸６６７とを分離することにより、トップリングアッセンブリを基板処理装置から取り外すことができる。このような構成によれば、支持軸６６７やトップリングヘッド６６０などのメンテナンス性を向上させることができる。例えば、軸受６７２から異音が発生したときに、軸受６７２を容易に交換することができ、また、モータＭ２や回転伝達機構（減速機）を交換する際に、隣接する機器を取り外す必要もない。
【００７８】
図６は、研磨テーブル３０Ａの内部構造を模式的に示す断面図である。図６に示すように、研磨テーブル３０Ａの内部には、半導体ウェハ１６の膜の状態を検知するセンサ６７６が埋設されている。この例では、センサ６７６として渦電流式センサが用いられている。センサ６７６の信号は制御部６５に送信され、制御部６５によって膜厚を表すモニタリング信号が生成されるようになっている。このモニタリング信号（およびセンサ信号）の値は膜厚自体を示すものではないが、モニタリング信号の値は膜厚に応じて変化する。したがって、モニタリング信号は半導体ウェハ１６の膜厚を示す信号ということができる。
【００７９】
制御部６５は、モニタリング信号に基づいて各々の圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の内部圧力を決定し、決定された内部圧力が各々の圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に形成されるように圧力調整部６７５に指令を出すようになっている。制御部６５は、モニタリング信号に基づいて各々の圧力室Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の内部圧力を操作する圧力制御部として、および研磨終点を検知する終点検知部として機能する。
【００８０】
センサ６７６は、第１研磨ユニット３Ａと同様に、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄの研磨テーブルにも設けられている。制御部６５は、各々の研磨ユニット３Ａ〜３Ｄのセンサ７６から送られてくる信号からモニタリング信号を生成し、各々の研磨ユニット３Ａ〜３Ｄでの半導体ウェハの研磨の進捗を監視する。複数の半導体ウェハが研磨ユニット３Ａ〜３Ｄで研磨されている場合、制御部５は、半導体ウェハの膜厚を示すモニタリング信号を研磨中に監視し、それらのモニタリング信号に基づいて、研磨ユニット３Ａ〜３Ｄでの研磨時間がほぼ同一となるようにトップリング３１Ａ〜３１Ｄの押圧力を制御する。このように研磨中のトップリング３１Ａ〜３１Ｄの押圧力をモニタリング信号に基づいて調整することで、研磨ユニット３Ａ〜３Ｄでの研磨時間を平準化することができる。
【００８１】
半導体ウェハ１６は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄのいずれかで研磨されてもよく、またはこれらの研磨ユニット３Ａ〜３Ｄから予め選択された複数の研磨ユニットで連続的に研磨されてもよい。例えば、半導体ウェハ１６を第１研磨ユニット３Ａ→第２研磨ユニット３Ｂの順で研磨してもよく、または半導体ウェハ１６を第３研磨ユニット３Ｃ→第４研磨ユニット３Ｄの順で研磨してもよい。さらに、半導体ウェハ１６を第１研磨ユニット３Ａ→第２研磨ユニット３Ｂ→第３研磨ユニット３Ｃ→第４研磨ユニット３Ｄの順で研磨してもよい。いずれの場合でも、研磨ユニット３Ａ〜３Ｄのすべての研磨時間を平準化することで、スループットを向上させることができる。
【００８２】
渦電流式センサは、半導体ウェハの膜が金属膜である場合に好適に用いられる。半導体ウェハの膜が酸化膜などの光透過性を有する膜である場合には、センサ７６として光学式センサを用いることができる。あるいは、センサ７６としてマイクロ波センサを用いてもよい。マイクロ波センサは、金属膜および非金属膜のいずれの場合にも用いることができる。以下、光学式センサおよびマイクロ波センサの一例について説明する。
【００８３】
図７は、光学式センサを備えた研磨テーブルを示す模式図である。図７に示すように、研磨テーブル３０Ａの内部に、半導体ウェハ１６の膜の状態を検知する光学式センサ６７６が埋設されている。このセンサ６７６は、半導体ウェハ１６に光を照射し、半導体ウェハ１６からの反射光の強度（反射強度または反射率）から半導体ウェハ１６の膜の状態（膜厚など）を検知する。
【００８４】
また、研磨パッド１０には、センサ６７６からの光を透過させるための透光部６７７が取付けられている。この透光部６７７は、透過率の高い材質で形成されており、例えば、無発泡ポリウレタンなどにより形成される。あるいは、研磨パッド１０に貫通孔を設け、この貫通孔が半導体ウェハ１６に塞がれる間下方から透明液を流すことにより、透光部６７７を構成してもよい。透光部６７７は、トップリング３１Ａに保持された半導体ウェハ１６の中心を通過する位置に配置される。
【００８５】
センサ６７６は、図７に示すように、光源６７８ａと、光源６７８ａからの光を半導体ウェハ１６の被研磨面に照射する発光部としての発光光ファイバ６７８ｂと、被研磨面からの反射光を受光する受光部としての受光光ファイバ６７８ｃと、受光光ファイバ６７８ｃにより受光された光を分光する分光器およびこの分光器により分光された光を電気的情報として蓄積する複数の受光素子とを内部に有する分光器ユニット６７８ｄと、光源６７８ａの点灯および消灯や分光器ユニット６７８ｄ内の受光素子の読取開始のタイミングなどの制御を行う動作制御部６７８ｅと、動作制御部６７８ｅに電力を供給する電源６７８ｆとを備えている。なお、光源６７８ａおよび分光器ユニット６７８ｄには、動作制御部６７８ｅを介して電力が供給される。
【００８６】
発光光ファイバ６７８ｂの発光端と受光光ファイバ６７８ｃの受光端は、半導体ウェハ１６の被研磨面に対して略垂直になるように構成されている。分光器ユニット６７８ｄ内の受光素子としては、例えば１２８素子のフォトダイオードアレイを用いることができる。分光器ユニット６７８ｄは、動作制御部６７８ｅに接続されている。分光器ユニット６７８ｄ内の受光素子からの情報は、動作制御部６７８ｅに送られ、この情報に基づいて反射光のスペクトルデータが生成される。すなわち、動作制御部６７８ｅは、受光素子に蓄積された電気的情報を読み取って反射光のスペクトルデータを生成する。このスペクトルデータは、波長に従って分解された反射光の強度を示し、膜厚によって変化する。
【００８７】
動作制御部６７８ｅは、上述した制御部６５に接続されている。このようにして、動作制御部６７８ｅで生成されたスペクトルデータは、制御部６５に送信される。制御部６５
では、動作制御部６７８ｅから受信したスペクトルデータに基づいて、半導体ウェハ１６の膜厚に関連付けられた特性値を算出して、これをモニタリング信号として使用する。
【００８８】
図８は、マイクロ波センサを備えた研磨テーブルを示す模式図である。センサ６７６は、マイクロ波を半導体ウェハ１６の被研磨面に向けて照射するアンテナ６８０ａと、アンテナ６８０ａにマイクロ波を供給するセンサ本体６８０ｂと、アンテナ６８０ａとセンサ本体６８０ｂとを接続する導波管６８１とを備えている。アンテナ６８０ａは研磨テーブル３０Ａに埋設されており、トップリング３１Ａに保持された半導体ウェハ１６の中心位置に対向するように配置されている。
【００８９】
センサ本体６８０ｂは、マイクロ波を生成してアンテナ６８０ａにマイクロ波を供給するマイクロ波源６８０ｃと、マイクロ波源６８０ｃにより生成されたマイクロ波（入射波）と半導体ウェハ１６の表面から反射したマイクロ波（反射波）とを分離させる分離器６８０ｄと、分離器６８０ｄにより分離された反射波を受信して反射波の振幅および位相を検出する検出部６８０ｅとを備えている。なお、分離器６８０ｄとしては、方向性結合器が好適に用いられる。
【００９０】
アンテナ６８０ａは導波管６８１を介して分離器６８０ｄに接続されている。マイクロ波源６８０ｃは分離器６８０ｄに接続され、マイクロ波源６８０ｃにより生成されたマイクロ波は、分離器６８０ｄおよび導波管６８１を介してアンテナ６８０ａに供給される。マイクロ波はアンテナ６８０ａから半導体ウェハ１６に向けて照射され、研磨パッド１０を透過（貫通）して半導体ウェハ１６に到達する。半導体ウェハ１６からの反射波は再び研磨パッド１０を透過した後、アンテナ６８０ａにより受信される。
【００９１】
反射波はアンテナ６８０ａから導波管６８１を介して分離器６８０ｄに送られ、分離器６８０ｄによって入射波と反射波とが分離される。分離器６８０ｄにより分離された反射波は検出部６８０ｅに送信される。検出部６８０ｅでは反射波の振幅および位相が検出される。反射波の振幅は電力（ｄｂｍまたはＷ）または電圧（Ｖ）として検出され、反射波の位相は検出部６８０ｅに内蔵された位相計測器（図示せず）により検出される。検出部６８０ｅによって検出された反射波の振幅および位相は制御部６５に送られ、ここで反射波の振幅および位相に基づいて半導体ウェハ１６の金属膜や非金属膜などの膜厚が解析される。解析された値は、モニタリング信号として制御部６５により監視される。
【００９２】
図９は、本発明の一実施例として用いうるドレッサ３３Ａを示す斜視図である。図９に示すように、ドレッサ３３Ａは、ドレッサアーム６８５と、ドレッサアーム６８５の先端に回転自在に取り付けられたドレッシング部材６８６と、ドレッサアーム６８５の他端に連結される揺動軸６８８と、揺動軸６８８を中心にドレッサアーム６８５を揺動（スイング）させる駆動機構としてのモータ６８９とを備えている。ドレッシング部材６８６は円形のドレッシング面を有しており、ドレッシング面には硬質な粒子が固定されている。この硬質な粒子としては、ダイヤモンド粒子やセラミック粒子などが挙げられる。ドレッサアーム６８５内には、図示しないモータが内蔵されており、このモータによってドレッシング部材６８６が回転するようになっている。揺動軸６８８は図示しない昇降機構に連結されており、この昇降機構によりドレッサアーム６８５が下降することでドレッシング部材６８６が研磨パッド１０の研磨面を押圧するようになっている。
【００９３】
図１０（ａ）はアトマイザ３４Ａを示す斜視図である。アトマイザ３４Ａは、下部に１または複数の噴射孔を有するアーム６９０と、このアーム６９０に連結された流体流路６９１と、アーム６９０を支持する揺動軸６９４とを備えている。図１０（ｂ）はアーム６９０の下部を示す模式図である。図１０（ｂ）に示す例では、アーム６９０の下部には複数の噴射孔６９０ａが等間隔に形成されている。流体流路６９１としては、チューブ、ま
たはパイプ、またはこれらの組み合わせから構成することができる。
【００９４】
図１１（ａ）はアトマイザ３４Ａの内部構造を示す側面図であり、図１１（ｂ）はアトマイザ３４Ａを示す平面図である。流体流路６９１の開口端部は、図示しない流体供給パイプに接続され、この流体供給パイプから流体が流体流路６９１に供給されるようになっている。用いられる流体の例としては、液体（例えば純水）、または液体と気体の混合流体（例えば、純水と窒素ガスの混合流体）などが挙げられる。流体流路６９１はアーム６９０の噴射孔６９０ａに連通しており、流体は霧状となって噴射孔６９０ａから研磨パッド１０の研磨面に噴射される。
【００９５】
アーム６９０は、図１０（ａ）および図１１（ｂ）の点線で示すように、揺動軸６９４を中心として洗浄位置と退避位置との間で旋回可能となっている。アーム６９０の可動角度は約９０°である。通常、アーム６９０は洗浄位置にあり、図１に示すように、研磨パッド１０の研磨面の径方向に沿って配置されている。研磨パッド１０の交換などのメンテナンス時には、アーム６９０は手動により退避位置に移動する。したがって、メンテナンス時にアーム６９０を取り外す必要がなく、メンテナンス性を向上させることができる。なお、回転機構を揺動軸６９４に連結し、この回転機構によりアーム６９０を旋回させてもよい。
【００９６】
図１１（ｂ）に示すように、アーム６９０の両側面には、互いに形状の異なる２つの補強部材６９６，６９６が設けられている。これらの補強部材６９６，６９６を設けることにより、洗浄位置と退避位置との間でアーム６９０が旋回動作を行ったときに、アーム６９０の軸心が大幅にぶれることがなく、アトマイジング動作を効果的に行うことができる。また、アトマイザ３４Ａは、アーム６９０の旋回位置（アーム６９０が旋回可能な角度範囲）を固定するためのレバー６９５を備えている。すなわち、レバー６９５を操作することにより、アーム６９０の旋回可能な角度を条件に合わせて調整することができる。レバー６９５を回すと、アーム６９０が自由に旋回可能となり、手動によりアーム６９０を洗浄位置と退避位置との間で移動させる。そして、レバー６９５を締めると、アーム６９０の位置が洗浄位置と退避位置のいずれかで固定される。
【００９７】
アトマイザのアーム６９０は折りたたみ可能な構造とすることもできる。具体的には、アーム６９０をジョイントで連結された少なくとも２つのアーム部材から構成してもよい。この場合、折りたたまれたときのアーム部材同士がなす角度は、１°以上４５°以下とし、好ましくは５°以上３０°以下とする。アーム部材同士がなす角度が４５°よりも大きいと、アーム６９０が占めるスペースが大きくなり、１°未満とすると、アーム６９０の幅を薄くせざるを得ず、機械的強度が低くなる。この例では、アーム６９０は揺動軸６９４周りに回転しないように構成してもよい。研磨パッド１０の交換などのメンテナンス時には、アーム６９０を折りたたむことによって、アトマイザがメンテナンス作業の邪魔にならないようにすることができる。他の変形例としては、アトマイザのアーム６９０を伸縮自在な構造とすることもできる。この例でも、メンテナンス時にアーム６９０を縮めることによって、アトマイザが邪魔となることはない。
【００９８】
このアトマイザ３４Ａを設ける目的は、研磨パッド１０の研磨面に残留する研磨屑や砥粒などを高圧の流体により洗い流すことである。アトマイザ３４Ａの流体圧による研磨面の浄化と、機械的接触であるドレッサ３３Ａによる研磨面の目立て作業により、より好ましいドレッシング、すなわち研磨面の再生を達成することができる。通常は接触型のドレッサ（ダイヤモンドドレッサ等）によるドレッシングの後に、アトマイザによる研磨面の再生を行う場合が多い。
【００９９】
次に、半導体ウェハを搬送するための搬送機構について、図１により説明する。搬送機
構は、リフタ１１と、第１リニアトランスポータ６６と、スイングトランスポータ１２と、第２リニアトランスポータ６７と、仮置き台１８０と、を備える。
【０１００】
リフタ１１は、搬送ロボット２２から半導体ウェハを受け取る。第１リニアトランスポータ６６は、リフタ１１から受け取った半導体ウェハを、第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、及び、第４搬送位置ＴＰ４、の間で搬送する。第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂは、第１リニアトランスポータ６６から半導体ウェハを受け取って研磨する。第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂは、研磨した半導体ウェハを第１リニアトランスポータ６６へ渡す。
【０１０１】
スイングトランスポータ１２は、第１リニアトランスポータ６６と第２リニアトランスポータ６７との間で半導体ウェハの受け渡しを行う。第２リニアトランスポータ６７は、スイングトランスポータ１２から受け取った半導体ウェハを、第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、及び、第７搬送位置ＴＰ７、の間で搬送する。第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄは、第２リニアトランスポータ６７から半導体ウェハを受け取って研磨する。第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄは、研磨した半導体ウェハを第２リニアトランスポータ６７へ渡す。研磨ユニット３によって研磨処理が行われた半導体ウェハは、スイングトランスポータ１２によって仮置き台１８０へ置かれる。
【０１０２】
図１２（ａ）は洗浄部６４を示す平面図であり、図１２（ｂ）は洗浄部６４を示す側面図である。図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、洗浄部６４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール２０１Ａおよび下側一次洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール２０２Ａおよび下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いて半導体ウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
【０１０３】
上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、半導体ウェハの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。これら上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、および下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
【０１０４】
第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二
段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図１２（ａ）の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【０１０５】
第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間で半導体ウェハ１６を搬送するように動作する。洗浄前の半導体ウェハ（スラリが付着している半導体ウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後の半導体ウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間で半導体ウェハ１６を搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄された半導体ウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂから半導体ウェハを取り出し、その半導体ウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
【０１０６】
洗浄部６４は、２台の一次洗浄モジュールおよび２台の二次洗浄モジュールを備えているので、複数の半導体ウェハを並列して洗浄する複数の洗浄ラインを構成することができる。「洗浄ライン」とは、洗浄部６４の内部において、一つの半導体ウェハが複数の洗浄モジュールによって洗浄される際の移動経路のことである。例えば、図１３に示すように、１つの半導体ウェハを、第１搬送ロボット２０９、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、第１搬送ロボット２０９、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、第２搬送ロボット２１０、そして上側乾燥モジュール２０５Ａの順で搬送し（洗浄ライン１参照）、これと並列して、他の半導体ウェハを、第１搬送ロボット２０９、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、第１搬送ロボット２０９、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、第２搬送ロボット２１０、そして下側乾燥モジュール２０５Ｂの順で搬送することができる（洗浄ライン２参照）。このように２つの並列する洗浄ラインにより、複数（典型的には２枚）の半導体ウェハをほぼ同時に洗浄および乾燥することができる。
【０１０７】
次に、上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの構成について説明する。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは、いずれもロタゴニ乾燥を行う乾燥機である。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは同一の構成を有しているので、以下、上側乾燥モジュール２０５Ａについて説明する。図１４は、上側乾燥モジュール２０５Ａを示す縦断面図であり、図１５は上側乾燥モジュール２０５Ａを示す平面図である。上側乾燥モジュール２０５Ａは、基台４０１と、この基台４０１に支持された４本の円筒状の基板支持部材４０２とを備えている。基台４０１は回転軸４０６の上端に固定されており、この回転軸４０６は軸受４０５によって回転自在に支持されている。軸受４０５は回転軸４０６と平行に延びる円筒体４０７の内周面に固定されている。円筒体４０７の下端は架台４０９に取り付けられており、その位置は固定されている。回転軸４０６は、プーリ４１１，４１２およびベルト４１４を介してモータ４１５に連結されており、モータ４１５を駆動させることにより、基台４０１はその軸心を中心として回転するようになっている。
【０１０８】
基台４０１の上面には回転カバー４５０が固定されている。なお、図１４は回転カバー４５０の縦断面を示している。回転カバー４５０は半導体ウェハ１６の全周を囲むように配置されている。回転カバー４５０の縦断面形状は径方向内側に傾斜している。また、回
転カバー４５０の縦断面は滑らかな曲線から構成されている。回転カバー４５０の上端は半導体ウェハ１６に近接しており、回転カバー４５０の上端の内径は、半導体ウェハ１６の直径よりもやや大きく設定されている。また、回転カバー４５０の上端には、基板支持部材４０２の外周面形状に沿った切り欠き４５０ａが各々の基板支持部材４０２に対応して形成されている。回転カバー４５０の底面には、斜めに延びる液体排出孔４５１が形成されている。
【０１０９】
半導体ウェハ１６の上方には、半導体ウェハ１６の表面（フロント面）に洗浄液として純水を供給するフロントノズル４５４が配置されている。フロントノズル４５４は、半導体ウェハ１６の中心を向いて配置されている。このフロントノズル４５４は、図示しない純水供給源（洗浄液供給源）に接続され、フロントノズル４５４を通じて半導体ウェハ１６の表面の中心に純水が供給されるようになっている。洗浄液としては、純水以外に薬液が挙げられる。また、半導体ウェハ１６の上方には、ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル４６０，４６１が並列して配置されている。ノズル４６０は、半導体ウェハ１６の表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給するためのものであり、ノズル４６１は半導体ウェハ１６の表面の乾燥を防ぐために純水を供給するものである。これらノズル４６０，４６１は半導体ウェハ１６の径方向に沿って移動可能に構成されている。
【０１１０】
回転軸４０６の内部には、洗浄液供給源４６５に接続されたバックノズル４６３と、乾燥気体供給源４６６に接続されたガスノズル４６４とが配置されている。洗浄液供給源４６５には、洗浄液として純水が貯留されており、バックノズル４６３を通じて半導体ウェハ１６の裏面に純水が供給されるようになっている。また、乾燥気体供給源４６６には、乾燥気体として、Ｎ２ガスまたは乾燥空気などが貯留されており、ガスノズル４６４を通じて半導体ウェハ１６の裏面に乾燥気体が供給されるようになっている。
【０１１１】
次に、フロントノズル４５４からの純水の供給を停止し、フロントノズル４５４を半導体ウェハ１６から離れた所定の待機位置に移動させるとともに、２つのノズル４６０，４６１を半導体ウェハ１６の上方の作業位置に移動させる。そして、半導体ウェハ１６を３０〜１５０ｍｉｎ−１の速度で低速回転させながら、ノズル４６０からＩＰＡ蒸気を、ノズル４６１から純水を半導体ウェハ１６の表面に向かって供給する。このとき、半導体ウェハ１６の裏面にもバックノズル４６３から純水を供給する。そして、２つのノズル４６０，４６１を同時に半導体ウェハ１６の径方向に沿って移動させる。これにより、半導体ウェハ１６の表面（上面）が乾燥される。
【０１１２】
その後、２つのノズル４６０，４６１を所定の待機位置に移動させ、バックノズル４６３からの純水の供給を停止する。そして、半導体ウェハ１６を１０００〜１５００ｍｉｎ−１の速度で高速回転させ、半導体ウェハ１６の裏面に付着している純水を振り落とす。このとき、ガスノズル４６４から乾燥気体を半導体ウェハ１６の裏面に吹き付ける。このようにして半導体ウェハ１６の裏面が乾燥される。乾燥された半導体ウェハ１６は、図１に示す搬送ロボット２２により乾燥モジュール２０５Ａから取り出され、ウェハカセットに戻される。このようにして、研磨、洗浄、および乾燥を含む一連の処理が半導体ウェハに対して行われる。上述のように構成された乾燥モジュール２０５Ａによれば、半導体ウェハ１６の両面を迅速かつ効果的に乾燥することができ、また、正確に乾燥処理の終了時点を制御することができる。したがって、乾燥処理のための処理時間が洗浄プロセス全体の律速工程となることはない。また、洗浄部４に形成される上述した複数の洗浄ラインでの処理時間は平準化することができるので、プロセス全体のスループットを向上させることができる。
【０１１３】
本実施形態によれば、半導体ウェハを研磨装置に搬入した時（ロード前）に、半導体ウ
ェハが乾燥状態にあり、研磨と洗浄が終了後、アンロード前に、半導体ウェハが乾燥状態になって、基板カセットにアンロードされる。乾燥状態の半導体ウェハを研磨装置からカセットに入れて、取り出すことが可能となる。すなわち、ドライイン／ドライアウトが可能である。
【０１１４】
仮置き台１８０へ置かれた半導体ウェハは、第１搬送室１９１を介して第１洗浄室１９０又は第２洗浄室１９２へ搬送される。半導体ウェハは、第１洗浄室１９０又は第２洗浄室１９２において洗浄処理される。第１洗浄室１９０又は第２洗浄室１９２において洗浄処理された半導体ウェハは、第２搬送室１９３を介して乾燥室１９４へ搬送される。半導体ウェハは、乾燥室１９４において乾燥処理される。乾燥処理された半導体ウェハは、搬送ロボット２２によって乾燥室１９４から取り出されてカセットへ戻される。
【０１１５】
図１６は、本発明の一実施形態に係る研磨ユニット（研磨装置）の全体構成を示す概略図である。図１６に示すように、研磨装置は、研磨テーブル３０Ａと、研磨対象物である半導体ウェハ等の基板を保持して研磨テーブル上の研磨面に押圧するトップリング３１Ａ（保持部）とを備えている。
【０１１６】
第１研磨ユニット３Ａは、研磨パッド１０と、研磨パッド１０に対向して配置される半導体ウェハ１６との間で研磨を行うための研磨ユニットである。第１研磨ユニット３Ａは、研磨パッド１０を保持するための研磨テーブル３０Ａと、半導体ウェハ１６を保持するためのトップリング３１Ａを有する。第１研磨ユニット３Ａは、トップリング３１Ａを保持するための揺動アーム１１０と、揺動アーム１１０を揺動するための揺動軸モータ１４と、揺動軸モータ１４に、駆動電力を供給するドライバ１８を有する。さらに第１研磨ユニット３Ａは、揺動アーム１１０に加わるアームトルクを検知するアームトルク検知部２６と、アームトルク検知部２６が検知したアームトルク２６ａに基づいて、研磨の終了を示す研磨終点を検出する終点検出部２８とを有する。終点検出部２８は、アームトルク検知部２６の出力、および後述する電流検出部８１０の出力のうちの少なくとも１つを用いて、研磨の終了を示す研磨終点を検出する。
【０１１７】
図１６〜図４８により説明する本実施形態によれば、トップリングを揺動アームの端部に保持する方式において、研磨終点検出の精度を向上させることができる。本実施形態では、研磨終点検出手段として、渦電流に基づく方法、アームトルクに基づく方法、研磨テーブルまたはトップリングを回転駆動する駆動部の駆動負荷を検出して利用する方法が可能である。本実施形態は、トップリングを揺動アームの端部に保持する方式において、渦電流に基づいて研磨終点検出を行うことを主として説明するが、渦電流アームトルクに基づいて研磨終点検出を行うこと、または、研磨テーブルまたはトップリングを回転駆動する駆動部の駆動負荷を検出して研磨終点検出を行うこともできる。
【０１１８】
保持部と揺動アームとアーム駆動部と終点検知部は、組を構成し、同一の構成を有する組が、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄのそれぞれに設けられている。
【０１１９】
研磨テーブル３０Ａは、テーブル軸１０２を介してその下方に配置される駆動部であるモータＭ３（図２を参照）に連結されており、そのテーブル軸１０２周りに回転可能になっている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、研磨パッド１０の表面１０１が半導体ウェハ１６を研磨する研磨面を構成している。研磨テーブル３０Ａの上方には研磨液供給ノズル（図示しない）が設置されており、研磨液供給ノズルによって研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に研磨液Ｑが供給される。図１６に示すように、研磨テーブル３０Ａの内部には、半導体ウェハ１６内に渦電流を生成して、当該渦電流を検出することにより研磨終点を検知できる渦電流式センサ５０が埋設されている。
【０１２０】
トップリング３１Ａは、半導体ウェハ１６を研磨面１０１に対して押圧するトップリング本体２４と、半導体ウェハ１６の外周縁を保持して半導体ウェハ１６がトップリングから飛び出さないようにするリテーナリング２３とから構成されている。
【０１２１】
トップリング３１Ａは、トップリングシャフト１１１に接続されている。トップリングシャフト１１１は、図示しない上下動機構により揺動アーム１１０に対して上下動する。トップリングシャフト１１１の上下動により、揺動アーム１１０に対してトップリング３１Ａの全体を昇降させ位置決めする。
【０１２２】
また、トップリングシャフト１１１はキー（図示せず）を介して回転筒１１２に連結されている。この回転筒１１２はその外周部にタイミングプーリ１１３を備えている。揺動アーム１１０にはトップリング用モータ１１４が固定されている。上記タイミングプーリ１１３は、タイミングベルト１１５を介してトップリング用モータ１１４に設けられたタイミングプーリ１１６に接続されている。トップリング用モータ１１４が回転すると、タイミングプーリ１１６、タイミングベルト１１５、およびタイミングプーリ１１３を介して回転筒１１２およびトップリングシャフト１１１が一体に回転し、トップリング３１Ａが回転する。
【０１２３】
揺動アーム１１０は、揺動軸モータ１４の回転軸に接続されている。揺動軸モータ１４は揺動アームシャフト１１７に固定されている。従って、揺動アーム１１０は、揺動アームシャフト１１７に対して回転可能に支持されている。
【０１２４】
トップリング３１Ａは、その下面に半導体ウェハ１６などの基板を保持できる。揺動アーム１１０は、揺動アームシャフト１１７を中心として、旋回可能である。下面に半導体ウェハ１６を保持したトップリング３１Ａは、揺動アーム１１０の旋回により、半導体ウェハ１６の受取位置から研磨テーブル３０Ａの上方に移動される。そして、トップリング３１Ａを下降させて、半導体ウェハ１６を研磨パッド１０の表面（研磨面）１０１に押圧する。このとき、トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａをそれぞれ回転させる。同時に、研磨テーブル３０Ａの上方に設けられた研磨液供給ノズルから研磨パッド１０上に研磨液を供給する。このように、半導体ウェハ１６を研磨パッド１０の研磨面１０１に摺接させて、半導体ウェハ１６の表面を研磨する。
【０１２５】
第１研磨ユニット３Ａは、研磨テーブル３０Ａを回転駆動するテーブル駆動部（図示しない）を有する。第１研磨ユニット３Ａは、研磨テーブル３０Ａに加わるテーブルトルクを検知するテーブルトルク検知部（図示しない）を有してもよい。テーブルトルク検知部は、回転モータであるテーブル駆動部の電流からテーブルトルクを検知することができる。終点検出部２８は、渦電流式センサ５０が検知した渦電流のみから研磨の終了を示す研磨終点を検出してもよいし、アームトルク検知部２６が検知したアームトルク２６ａやテーブルトルクも考慮して、研磨の終了を示す研磨終点を検出してもよい。
【０１２６】
次に、本発明に係る研磨装置が備える渦電流式センサ５０について、添付図面を用いてより詳細に説明する。図１７は、渦電流式センサ５０の構成を示す図であり、図１７（ａ）は渦電流式センサ５０の構成を示すブロック図であり、図１７（ｂ）は渦電流式センサ５０の等価回路図である。
【０１２７】
図１７（ａ）に示すように、渦電流式センサ５０は、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆの近傍に配置され、そのコイルに交流信号源５２が接続されている。ここで、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆは、例えば半導体ウェハＷ上に形成されたＣｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗなどの薄膜である。渦電流式センサ５０は、検出対象の金属膜（または導
電性膜）に対して、例えば１．０〜４．０ｍｍ程度の近傍に配置される。
【０１２８】
渦電流センサには、金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流が生じることにより、発振周波数が変化し、この周波数変化から金属膜（または導電性膜）を検出する周波数タイプと、インピーダンスが変化し、このインピーダンス変化から金属膜（または導電性膜）を検出するインピーダンスタイプとがある。即ち、周波数タイプでは、図１７（ｂ）に示す等価回路において、渦電流I２が変化することで、インピーダンスＺが変化し、信号源（可変周波数発振器）５２の発振周波数が変化すると、検波回路５４でこの発振周波数の変化を検出し、金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。インピーダンスタイプでは、図１７（ｂ）に示す等価回路において、渦電流I２が変化することで、インピーダンスＺが変化し、信号源（固定周波数発振器）５２から見たインピーダンスＺが変化すると、検波回路５４でこのインピーダンスＺの変化を検出し、金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。
【０１２９】
インピーダンスタイプの渦電流センサでは、信号出力Ｘ、Ｙ、位相、合成インピーダンスＺ、が後述するように取り出される。周波数Ｆ、またはインピーダンスＸ、Ｙ等から、金属膜（または導電性膜）Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ｗの測定情報が得られる。渦電流式センサ５０は、図１６に示すように研磨テーブル３０Ａの内部の表面付近の位置に内蔵することができ、研磨対象の半導体ウェハに対して研磨パッドを介して対面するように位置し、半導体ウェハ上の金属膜（または導電性膜）に流れる渦電流から金属膜（または導電性膜）の変化を検出することができる。
【０１３０】
渦電流センサの周波数は、単一電波、混合電波、ＡＭ変調電波、ＦＭ変調電波、関数発生器の掃引出力または複数の発振周波数源を用いることができ、金属膜の膜種に適合させて、感度の良い発振周波数や変調方式を選択することが好ましい。
【０１３１】
以下に、インピーダンスタイプの渦電流センサについて具体的に説明する。交流信号源５２は、２〜３０ＭＨｚ程度の固定周波数の発振器であり、例えば水晶発振器が用いられる。そして、交流信号源５２により供給される交流電圧により、渦電流式センサ５０に電流Ｉ１が流れる。金属膜（または導電性膜）ｍｆの近傍に配置された渦電流式センサ５０に電流が流れることで、この磁束が金属膜（または導電性膜）ｍｆと鎖交することでその間に相互インダクタンスＭが形成され、金属膜（または導電性膜）ｍｆ中に渦電流Ｉ２が流れる。ここでＲ１は渦電流センサを含む一次側の等価抵抗であり、Ｌ１は同様に渦電流センサを含む一次側の自己インダクタンスである。金属膜（または導電性膜）ｍｆ側では、Ｒ２は渦電流損に相当する等価抵抗であり、Ｌ２はその自己インダクタンスである。交流信号源５２の端子ａ，ｂから渦電流センサ側を見たインピーダンスＺは、金属膜（または導電性膜）ｍｆ中に形成される渦電流損の大きさによって変化する。
【０１３２】
図１８、１９は、本実施形態の渦電流式センサ５０の構成例を示す概略図である。導電性膜が形成された基板の近傍に配置される渦電流式センサ５０は、ポットコア６０と、６個のコイル８６０，８６２、８６４，８６６、８６８、８７０により構成されている。磁性体であるポットコア６０は、底面部６１ａ（底部磁性体）と、底面部６１ａの中央に設けられた磁心部６１ｂ（中央磁性体）と、底面部６１ａの周辺部に設けられた周壁部６１ｃ（周辺部磁性体）とを有する。周壁部６１ｃは、磁心部６１ｂを囲うように底面部６１ａの周辺部に設けられる壁部である。本実施形態では、底面部６１ａは、円形のディスク形状であり、磁心部６１ｂは、中実な円柱形状であり、周壁部６１ｃは、底面部６１ａを囲うシリンダ形状である。
【０１３３】
前記６個のコイル８６０，８６２、８６４，８６６、８６８、８７０のうち中央のコイル８６０，８６２は、交流信号源５２に接続される励磁コイルである。この励磁コイル８
６０，８６２は、交流信号源５２より供給される電圧の形成する磁界により、近傍に配置される半導体ウェハＷ上の金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流を形成する。励磁コイル８６０，８６２の金属膜側には、検出コイル８６４，８６６が配置され、金属膜に形成される渦電流により発生する磁界を検出する。励磁コイル８６０，８６２を挟んで検出コイル８６４，８６６と反対側にはダミーコイル８６８、８７０が配置されている。
【０１３４】
励磁コイル８６０は、磁心部６１ｂの外周に配置され、磁場を生成可能な内部コイルであり、導電性膜に渦電流を形成する。励磁コイル８６２は、周壁部６１ｃの外周に配置され、磁場を生成可能な外部コイルであり、導電性膜に渦電流を形成する。検出コイル８６４は、磁心部６１ｂの外周に配置され、磁場を検出可能であり、導電性膜に形成される渦電流を検出する。検出コイル８６６は、周壁部６１ｃの外周に配置され、磁場を検出可能であり、導電性膜に形成される渦電流を検出する。
【０１３５】
渦電流センサは、導電性膜に形成される渦電流を検出するダミーコイル８６８、８７０を有する。ダミーコイル８６８は、磁心部６１ｂの外周に配置され、磁場を検出可能である。ダミーコイル８７０は、周壁部６１ｃの外周に配置され、磁場を検出可能である。検出コイルとダミーコイルは、本実施形態では、底面部６１ａの外周および周壁部６１ｃの外周に配置されているが、検出コイルとダミーコイルは、底面部６１ａの外周および周壁部６１ｃの外周の一方のみに配置してもよい。
【０１３６】
磁心部６１ｂの軸方向は、基板上の導電性膜に直交し、検出コイル８６４，８６６と励磁コイル８６０，８６２とダミーコイル８６８，８７０は、磁心部６１ｂの軸方向に異なる位置に配置され、かつ磁心部６１ｂの軸方向に、基板上の導電性膜に近い位置から遠い位置に向かって、検出コイル８６４，８６６、励磁コイル８６０，８６２、ダミーコイル８６８，８７０の順に配置される。検出コイル８６４，８６６、励磁コイル８６０，８６２、ダミーコイル８６８，８７０からは、それぞれ、外部と接続するためのリード線（図示しない）が出ている。
【０１３７】
図１８は、磁心部６１ｂの中心軸８７２を通る平面における断面図である。磁性体であるポットコア６０は、円板形状の底面部６１ａと、底面部６１ａの中央に設けられた円柱形状の磁心部６１ｂと、底面部６１ａの周囲に設けられた円筒形状の周壁部６１ｃとを有する。ポットコア６０の寸法の１例としては、底面部６１ａの直径Ｌ１は約１ｃｍ〜５ｃｍ、渦電流式センサ５０の高さＬ２は約１ｃｍから５ｃｍである。周壁部６１ｃの外径は、図１８では高さ方向に同一である円筒形状であるが、底面部６１ａから離れる方向に、すなわち先端に向かって細くなる先細形状(テーパ形状)でもよい。
【０１３８】
検出コイル８６４，８６６、励磁コイル８６０，８６２、ダミーコイル８６８，８７０に使用される導線は、銅、マンガニン線、又はニクロム線である。マンガニン線やニクロム線を使用することにより、電気抵抗等の温度変化が少なくなり、温度特性が良くなる。
【０１３９】
本実施形態では、フェライト等からなる磁心部６１ｂの外側と、周壁部６１ｃの外側に線材を巻き付けて、励磁コイル８６０，８６２を形成しているために、計測対象物に流れる渦電流密度を上げることができる。また、検出コイル８６４，８６６も磁心部６１ｂの外側と、周壁部６１ｃの外側に形成しているために、生成された逆磁場（鎖交磁束）を効率的に収集できる。
【０１４０】
計測対象物に流れる渦電流密度を上げるために、本実施形態では、さらに、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２は、図１９に示すように、並列に接続する。すなわち、内部コイルと外部コイルは電気的に並列に接続される。並列に接続する理由は、以下のとおりである。並列に接続すると、直列に接続した場合よりも、励磁コイル８６０と励磁コイル８
６２に印加できる電圧が増加して、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２に流れる電流が増加する。このため、磁場が大きくなる。また、直列に接続すると、回路のインダクタンスが増加して、回路の周波数が低下する。必要な高周波を励磁コイル８６０，８６２に印可することが困難になる。矢印８７４は、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２に流れる電流の向きを示す。
【０１４１】
励磁コイル８６０と励磁コイル８６２は、図１９に示すように、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２の磁場方向が同じになるように接続する。すなわち、電流は励磁コイル８６０と励磁コイル８６２で異なる方向に流す。磁場８７６は、内側の励磁コイル８６０が生成する磁場であり、磁場８７８は、外側の励磁コイル８６２が生成する磁場である。図２０に示すように、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２の磁場方向は同じである。すなわち、内部コイルが磁心部６１ｂ内に生成する磁場の方向と、外部コイルが磁心部６１ｂ内に生成する磁場の方向は同じである。
【０１４２】
領域８８０に示す磁場８７６と磁場８７８は、同じ向きであるために、２つの磁場が加算されて大きくなる。従来のような励磁コイル８６０による磁場８７６のみが存在する場合に比べて、本実施形態では励磁コイル８６２による磁場８７８分だけ、磁場が大きくなる。
【０１４３】
次に、図１９とは異なって、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２が、図２１に示すように、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２の磁場方向が逆になるように接続した場合について説明する。すなわち、電流は励磁コイル８６０と励磁コイル８６２で同じ方向に流す。磁場８７６は、内側の励磁コイル８６０が生成する磁場であり、磁場８７８は、外側の励磁コイル８６２が生成する磁場である。図２２に示すように、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２の磁場方向は逆である。すなわち、内部コイルが磁心部６１ｂ内に生成する磁場の方向と、外部コイルが磁心部６１ｂ内に生成する磁場の方向は逆である。
【０１４４】
領域８８０に示す磁場８７６と磁場８７８は、逆向きであるために、２つの磁場が相殺されて小さくなる。外側の励磁コイル８６２による磁場８７８が、内側の励磁コイル８６０による磁場８７６を抑え込み、磁心部６１ｂ内の磁力線の流れが変わる。なお、図２２に示す磁場は、外側にある励磁コイル８６２に流す電流が大きい場合である。電流が大きい場合、周壁部６１ｃの内側において、励磁コイル８６２による磁場が、励磁コイル８６０による磁場よりも強度が大きいために、磁場８７８が磁場８７６を抑え込む。この結果、図２２に示す磁場が生成される。
【０１４５】
図２０と図２２を比較すると以下のことがわかる。図２０に示す磁場により半導体ウェハ１６に生成される渦電流密度は、狭い範囲に強く生成される。図２２に示す磁場により半導体ウェハ１６に生成される渦電流密度は、広い範囲に強く生成される。
【０１４６】
図２３は、渦電流センサにおける各コイルの接続例を示す概略図である。図２３（ａ）に示すように、検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０は互いに逆相に接続されている。検出コイル８６４と検出コイル８６６は直列に接続される。ダミーコイル８６８とダミーコイル８７０は直列に接続される。図２３では、励磁コイル８６０，８６２、検出コイル８６４，８６６、ダミーコイル８６８，８７０は、１つのコイルで図示している。
【０１４７】
検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０は、上述したように逆相の直列回路を構成し、その両端は可変抵抗７６を含む抵抗ブリッジ回路７７に接続されている。励磁コイル８６０，８６２は交流信号源５２に接続され、交番磁束を生成することで、近傍に配置される金属膜（または導電性膜）ｍｆに渦電流を形成する。可変抵抗７６の抵
抗値を調整することで、検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０からなる直列回路の出力電圧が、金属膜（または導電性膜）が存在しないときにはゼロとなるように調整可能としている。検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０のそれぞれに並列に入る可変抵抗７６（VR１，VR２）でＬ１，Ｌ３の信号を同位相にするように調整する。即ち、図２３（ｂ）の等価回路において、
VR1-1×(VR2-2+jωL3)＝VR1-2×(VR2-1+jωL1)      (1)
となるように、可変抵抗VR1(=VR1-1+VR1-2)およびVR2(=VR2-1+VR2-2)を調整する。これにより、図２３（ｃ）に示すように、調整前のＬ１,Ｌ３の信号（図中点線で示す）を、同位相・同振幅の信号（図中実線で示す）とする。
【０１４８】
そして、金属膜（または導電性膜）が検出コイル８６４，８６６の近傍に存在する時には、金属膜（または導電性膜）中に形成される渦電流によって生じる磁束が検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０とに鎖交するが、検出コイル８６４，８６６のほうが金属膜（または導電性膜）に近い位置に配置されているので、検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０に生じる誘起電圧のバランスが崩れ、これにより金属膜（または導電性膜）の渦電流によって形成される鎖交磁束を検出することができる。即ち、交流信号源に接続された励磁コイル８６０，８６２から、検出コイル８６４，８６６とダミーコイル８６８，８７０との直列回路を分離して、抵抗ブリッジ回路でバランスの調整を行うことで、ゼロ点の調整が可能である。従って、金属膜（または導電性膜）に流れる渦電流をゼロの状態から検出することが可能になるので、金属膜（または導電性膜）中の渦電流の検出感度が高められる。これにより、広いダイナミックレンジで金属膜（または導電性膜）に形成される渦電流の大きさの検出が可能となる。
【０１４９】
図２４は、渦電流センサの同期検波回路を示すブロック図である。本図は、交流信号源５２側から渦電流式センサ５０側を見たインピーダンスＺの計測回路例を示している。本図に示すインピーダンスＺの計測回路においては、膜厚の変化に伴う抵抗成分（Ｒ）、リアクタンス成分（Ｘ）、振幅出力（Ｚ）および位相出力（ｔａｎ−１Ｒ／Ｘ）を取り出すことができる。
【０１５０】
上述したように、検出対象の金属膜（または導電性膜）ｍｆが成膜された半導体ウェハＷ近傍に配置された渦電流式センサ５０に、交流信号を供給する信号源５２は、水晶発振器からなる固定周波数の発振器であり、例えば、２ＭＨｚ，８ＭＨｚ，１６ＭＨｚの固定周波数の電圧を供給する。信号源５２で形成される交流電圧は、バンドパスフィルタ８２を介して渦電流式センサ５０に供給される。渦電流式センサ５０の端子で検出された信号は、高周波アンプ８３および位相シフト回路８４を経て、ｃｏｓ同期検波回路８５およびｓｉｎ同期検波回路８６からなる同期検波部により検出信号のｃｏｓ成分とｓｉｎ成分とが取り出される。ここで、信号源５２で形成される発振信号は、位相シフト回路８４により信号源５２の同相成分（０゜）と直交成分（９０゜）の２つの信号が形成され、それぞれｃｏｓ同期検波回路８５とｓｉｎ同期検波回路８６とに導入され、上述の同期検波が行われる。
【０１５１】
同期検波された信号は、ローパスフィルタ８７，８８により、信号成分以上の不要な高周波成分が除去され、ｃｏｓ同期検波出力である抵抗成分（Ｒ）出力と、ｓｉｎ同期検波出力であるリアクタンス成分（Ｘ）出力とがそれぞれ取り出される。また、ベクトル演算回路８９により、抵抗成分（Ｒ）出力とリアクタンス成分（Ｘ）出力とから振幅出力（Ｒ２＋Ｘ２）１／２が得られる。また、ベクトル演算回路９０により、同様に抵抗成分出力とリアクタンス成分出力とから位相出力（ｔａｎ−１Ｒ／Ｘ）が得られる。ここで、測定装置本体には、各種フィルタがセンサ信号の雑音成分を除去するために設けられている。各種フィルタは、それぞれに応じたカットオフ周波数が設定されており、例えば、ローパスフィルタのカットオフ周波数を０．１〜１０Ｈｚの範囲で設定することにより、研磨中
のセンサ信号に混在する雑音成分を除去して測定対象の金属膜（または導電性膜）を高精度に測定することができる。
【０１５２】
次に、図１８に示す渦電流式センサ５０を用いて、終点検知を行う方法の一例を図２５により説明する。図２５は、半導体ウェハ１６の膜厚（ｍｍ）を縦軸に示し、研磨開始後の研磨時間（ｓｅｃ）を横軸に示す。横軸には、渦電流式センサ５０による測定が行われるときが、何回転目であるかも整数により示す。１は、１回転目であり、Ｎは、Ｎ回転目である。終点検出部２８は、検出された渦電流から半導体ウェハ１６の研磨レートを決定し、研磨レートに基づいて、近似線（初期研磨レート式８８２）を作る。初期研磨レート式８８２は、研磨の初期段階において研磨テーブル３０Ａが数回転する期間に得られた渦電流を使用して作成される。
【０１５３】
初期研磨レート式８８２に従った研磨レートで半導体ウェハ１６を研磨したときの予想研磨量を算出して、研磨終点８８４に到達する時間を検出する。終点検出部２８は、予想研磨量と、研磨終点８８４に対応する膜厚に関する閾値８８６から研磨終点８８４を検出する。このときに、研磨による半導体ウェハ１６内の配線高さの変化に対して、渦電流式センサ５０の出力の変化が小さい場合、渦電流式センサ５０の出力値の変化を精度よく得ることが難しい。このようなときは以下に示す、渦電流式センサ５０の出力値のキャンセルアルゴリズムを実行する。
【０１５４】
終点検出部２８はキャンセルアルゴリズムにおいて、渦電流から得られる膜厚に関するデータと、研磨レートから予測される膜厚に関するデータとを比較し、比較した結果が所定値より大きい場合には、渦電流から得られる膜厚に関するデータを使用しない。例えば、１回転毎に収集されるデータと初期研磨レート式８８２から予測される膜厚に関するデータを比較し、両者が所定値より大きく異なる場合には、収集されたデータを採用しない。例えば、Ｎ＋２回転目にデータが収集されたときは、Ｎ＋２回転目に収集されるデータとＮ＋１回転目に収集されるデータとの差分が、Ｎ＋１回転目に収集されるデータとＮ回転目に収集されるデータとの差分（所定値）より大きい（または小さい）ときは、Ｎ＋２回転目に収集されるデータは使用しない。その代りに、初期研磨レート式８８２から得られた値を用いる。所定値より大きいときに使用しないか、小さいときに使用しないかは、膜の性質等の研磨条件に依存する。
【０１５５】
収集されたデータを採用しない他のケースとしては以下の場合もある。例えば、Ｎ＋２回転目にデータが収集されたときは、Ｎ＋２回転目に収集されるデータがＮ＋１回転目に収集されるデータより大きい時は、Ｎ＋２回転目に収集されるデータは使用しない。その代りに、初期研磨レート式８８２から得られたデータを用いる。
【０１５６】
Ｎ＋２回転目に収集されるデータを使用しないときに、Ｎ＋３回転以降に近似線に近い値を取得した場合には、そのデータは採用する。初期研磨レート式８８２は既述のように、研磨開始後、数回転を使用して作り、例えば、１０回転ごとに最新の数回転を使用して作り直すことができる。
【０１５７】
次に、周辺部磁性体が、磁心部６１ｂを囲うように底面部６１ａの周辺部に設けられる壁部ではない例について図２６〜２８により説明する。図２６，２７は、底面部６１ａが柱状の形状を有し、周壁部６１ｃは、柱状の形状の両端に配置される渦電流式センサ５０（磁性素子）である。図２６は上面図である。図２７は、図２６のＡＡ断面図である。周辺部磁性体６１ｄは、底面部６１ａの周辺部に２個設けられている。この渦電流式センサ５０は、図２７からわかるようにＥ型の磁性素子である。図２８は、周辺部磁性体６１ｄが、底面部６１ａの周辺部に４個設けられている渦電流式センサ５０（磁性素子）の上面図である。周辺部磁性体６１ｄは、５個以上でもよい。
【０１５８】
Ｅ型の磁性素子の場合、コイルの配置は、図２６，２７に示すもの以外に、図４９，５０に示すコイルの配置も可能である。図４９は上面図である。図５０は、図４９のＡＡ断面図である。図４９，５０に示す実施形態では、底面部６１ａのうち、磁心部６１ｂと周辺部磁性体６１ｄの間にある部分６１ｅの外周に検出コイル８６４ａ，８６４ｂ、励磁コイル８６０ａ、８６０ｂ、ダミーコイル８６８ａ、８６８ｂが、さらに設けられる。検出コイル８６４ａ，８６４ｂ、励磁コイル８６０ａ、８６０ｂ、ダミーコイル８６８ａ、８６８ｂは、これらのうちの少なくも１つを部分６１ｅに設けてもよい。また、図４９，５０に示す実施形態では、励磁コイル８６０，ダミーコイル８６８を設けずに、励磁コイルおよびダミーコイルとして、励磁コイル８６０ａ、８６０ｂ、ダミーコイル８６８ａ、８６８ｂのみを設けてもよい。
【０１５９】
検出コイル８６４ａと検出コイル８６４ｂは導線で電気的に接続されていてもよいし、導線で接続せずに電気的に独立していてもよい。励磁コイル８６０ａと励磁コイル８６０ｂ、ダミーコイル８６８ａとダミーコイル８６８ｂについても、導線で電気的に接続されていてもよいし、導線で接続せずに電気的に独立していてもよい。
【０１６０】
次に、図４８により、励磁コイル８６０および／または励磁コイル８６２が生成する磁場の強度を、半導体ウェハ１６の導電性が変化した時に変える実施形態について説明する。以下では、励磁コイル８６０および励磁コイル８６２が生成する磁場の強度を変える実施形態について説明するが、励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の一方のみについて、生成する磁場の強度を変えてもよい。
【０１６１】
図４８では、半導体ウェハ１６に絶縁層８８８（バリア）が形成され、その上に銅等の導電層８９０が形成されている。図４８（ａ）の状態から図４８（ｂ）の状態を経て、図４８（ｃ）の状態まで研磨が行われる。導電層８９０は、例えば配線として使用されるものである。
【０１６２】
図４８（ａ）の状態では、導電層８９０は、半導体ウェハ１６の前面に存在するため、導電層８９０は、多くの渦電流を生成する。図４８（ｃ）の状態では、導電層８９０は、半導体ウェハ１６の小さな部分にのみ存在するため、導電層８９０は、少ない渦電流を生成する。図４８（ａ）の状態から図４８（ｂ）の状態になるまでは、励磁コイル８６０、８６２が生成する磁場の強度は小さい。図４８（ｂ）の状態になった時に、励磁コイル８６０、８６２が生成する磁場の強度を大きくする。図４８（ｂ）の状態になった時に、半導体ウェハ１６の導電性が変化するからである。
【０１６３】
励磁コイル８６０、８６２が生成する磁場の強度を、半導体ウェハ１６の導電性が変化した時に変えるタイミングとして、図４８（ｂ）の状態になった時ではなくて、図４８（ａ）に示す絶縁層８８８の部分８９２の研磨が終了した時としてもよい。
【０１６４】
励磁コイル８６０、８６２が生成する磁場の強度を大きくするためには、励磁コイル８６０、８６２に流す電流を大きくする、または励磁コイル８６０、８６２に印加する電圧を大きくする。磁場の強度を大きくする別の方法として、励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の一方のみを使用している状態から、励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の両方を用いる状態に変えてもよい。
【０１６５】
なお、励磁コイル８６０および／または励磁コイル８６２が生成する磁場の強度を、半導体ウェハ１６の導電性が変化した時に変える代わりに、研磨テーブルの内部に渦電流式センサを複数配置してもよい。複数の渦電流式センサは、検出感度が互いに異なる。図４８（ａ）の状態から図４８（ｂ）の状態になるまでは、検出感度が小さい方の渦電流式セ
ンサ５０を用いる。図４８（ｂ）の状態になった時に、検出感度が大きい方の渦電流式センサ５０を用いる。
【０１６６】
ここで、「検出感度が互いに異なる」とは、「生成する磁場の強度が異なる」、および／または「生成する磁場の広がりが異なる」等を意味する。検出感度が互いに異なる複数の渦電流式センサが必要になる場合としては、例えば以下の場合がある。（ａ）１個のチップ内における導電性の膜が占める割合が異なる複数のチップの膜厚を測定することが求められる場合、（ｂ）図４８（ａ）に示す高さ方向８９６の分解能に対する要求が異なる複数のチップの膜厚を測定することが求められる場合、（ｃ）図４８（ａ）に示す高さ方向８９６の研磨量が異なる複数のチップの膜厚を測定することが求められる場合等である。
【０１６７】
（ｃ）の高さ方向８９６の研磨量が異なる複数のチップの膜厚を測定することが求められる場合とは、例えば、以下の場合である。研磨開始時に導電層８９０（Ｃｕ配線）は、図４８（ａ）に示す高さ方向の距離ＬＬを有する。研磨終了時に導電層８９０は、図４８（ｃ）に示す高さ方向８９６の距離ＬＳを有する。距離ＬＬと距離ＬＳの組み合わせとしては、種々可能である。距離ＬＬの範囲によっては、異なる分解能を有する複数のセンサが必要となる場合がある。
【０１６８】
以上、検出感度を変える方法として、研磨テーブルの内部に渦電流式センサを複数配置することを述べたが、検出感度を変える方法として、図１８に示す励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の一方のみを使用してもよい。すなわち、検出感度を変える方法として、研磨テーブル３０Ａの回転に伴い、励磁コイル８６０によって半導体ウェハ１６に形成される渦電流を検出コイル８６４およびまたは検出コイル８６６によって検出する第１のステップと、励磁コイル８６２によって半導体ウェハ１６に形成される渦電流を検出コイル８６４およびまたは検出コイル８６６によって検出する第２のステップと、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２の両方によって半導体ウェハ１６に形成される渦電流を検出コイル８６４およびまたは検出コイル８６６によって検出する第３のステップのうちの少なくとも１つのステップにより、半導体ウェハ１６に形成される渦電流を検出コイル８６４およびまたは検出コイル８６６によって検出するステップと、検出された渦電流から半導体ウェハ１６の研磨の終了を示す研磨終点を検出するステップと、を有する方法を採用することができる。
【０１６９】
励磁コイル８６０は、励磁コイル８６２よりも外径が小さい。そのため、励磁コイル８６０が単独で生成する磁場の広がりと、励磁コイル８６２が単独で生成する磁場の広がりを比較すると、励磁コイル８６２が単独で生成する磁場の広がりの方が大きい。従って、励磁コイル８６０は、狭い領域での膜厚の測定が可能である。励磁コイル８６２は、広い領域での膜厚の測定が可能である。
【０１７０】
励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の両方を使用した場合は、励磁コイル８６０と励磁コイル８６２のそれぞれが生成する磁場を組み合わせて(合成して)制御することができる。組み合わせて制御することにより、磁場の広がる領域と磁場の強度の両方を、励磁コイル８６０および励磁コイル８６２の一方のみを使用する場合と比較して、より幅広く制御することができる。
【０１７１】
第１、第２、第３のステップのうちのどのステップを採用するかは、半導体ウェハ１６上の微細回路がどのような構成を有しているか、ダイサイズがどの程度の大きさであるかによって決定することができる。
【０１７２】
ところで、渦電流式センサ５０のサイズと計測対象のチップサイズの関係については、
以下のようにすることが好ましい。例えば、チップの形状が正方形または長方形の場合、渦電流式センサ５０のサイズは、当該正方形または長方形に外接する外接円であることが好ましい。渦電流式センサ５０のサイズは、外接円より小さ過ぎても大き過ぎても好ましくない。チップサイズが渦電流式センサ５０のサイズよりも極端に大きい、または小さい場合には渦電流が検出できない可能性があるため、その場合、サイズが異なる複数の渦電流式センサ５０を配置することが必要な場合がある。
【０１７３】
なお、励磁コイルのみの追加で、渦電流の強度は上がるため、図４８（ａ）に示すバルク（膜）を検出する際には、励磁のみの追加だけでも効果がある。「バルク（膜）」とは、導電層８９０のうち、領域８９４のように、半導体ウェハ１６の表面全体を覆っているものを意味する。また、「励磁コイルのみの追加」とは、励磁コイル８６０，８６２についてのみ、外側コイルである励磁コイル８６２を設け、検出コイル８６４，８６６、ダミーコイル８６８，８７０については、外側コイルである検出コイル８６６，ダミーコイル８７０を設けないことを意味する。
【０１７４】
図４８（ｂ）、図４８（ｃ）に示す導電層８９０（Ｃｕ配線）を検出する時は、図４８（ａ）の状態の時よりも渦電流式センサ５０の検出感度が大きい必要があるため、検出コイル８６４，８６６、ダミーコイル８６８，８７０についても、外側コイルである検出コイル８６６，ダミーコイル８７０を設けることが好ましい場合がある。
【０１７５】
次に、終点検出部２８が、アームトルク検知部２６が検知したアームトルク２６ａやテーブルトルクも考慮して、研磨の終了を示す研磨終点を検出する例を説明する。図１６においては、揺動アーム１１０の、揺動軸モータ１４への接続部において、アームトルク検知部２６は、揺動アーム１１０に加わるアームトルク２６ａを検知する。具体的には、アーム駆動部は、揺動アーム１１０を回転させる揺動軸モータ（回転モータ）１４であり、アームトルク検知部２６は、揺動軸モータ１４の電流値から、揺動アーム１１０に加わるアームトルク２６ａを検知する。揺動軸モータ１４の電流値は、揺動アーム１１０の、揺動軸モータ１４への接続部におけるアームトルクに依存する量である。揺動軸モータ１４の電流値は、本実施形態では、ドライバ１８から揺動軸モータ１４に供給される電流値１８ｂである。
【０１７６】
アームトルク検知部２６によるアームトルク２６ａの検知方法を図２９により説明する。ドライバ１８は、制御部６５から、揺動アーム１１０の位置に関する位置指令６５ａを入力される。位置指令６５ａは、揺動アームシャフト１１７に対する揺動アーム１１０の回転角度に相当するデータである。ドライバ１８は、また、揺動軸モータ１４に内蔵して取り付けられたエンコーダ３６から、揺動アームシャフト１１７の回転角度３６ａを入力される。
【０１７７】
エンコーダ３６は、揺動軸モータ１４の回転軸の回転角度３６ａ、すなわち揺動アームシャフト１１７の回転角度３６ａを検知することができるものである。本図では、揺動軸モータ１４とエンコーダ３６は、独立に図示されているが、実際は、揺動軸モータ１４とエンコーダ３６は、一体化している。このような一体型モータの一例として、フィードバックエンコーダ付き同期型ＡＣサーボモータがある。
【０１７８】
ドライバ１８は、偏差回路３８と、電流生成回路４０と、ＰＷＭ回路４２とを有する。偏差回路３８は、位置指令６５ａと回転角度３６ａから、位置指令６５ａと回転角度３６ａの偏差３８ａを求める。偏差３８ａと、電流値１８ｂは、電流生成回路４０に入力される。電流生成回路４０は、偏差３８ａと、現在の電流値１８ｂから、偏差３８ａに応じた電流指令１８ａを生成する。ＰＷＭ回路４２は、電流指令１８ａを入力されて、ＰＷＭ（Ｐulse  Ｗidth  Ｍodulation）制御により、電流値１８ｂを生成する。電流値１８ｂは
、揺動軸モータ１４を駆動できる３相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電流である。電流値１８ｂは揺動軸モータ１４に供給される。
【０１７９】
電流指令１８ａは、揺動軸モータ１４の電流値に依存する量であり、アームトルクに依存する量である。アームトルク検知部２６は、電流指令１８ａに対して、ＡＤ変換、増幅、整流、実効値変換等の処理のうちの少なくとも１つの処理をしたのちに、終点検出部２８に、アームトルク２６ａとして出力する。
【０１８０】
電流値１８ｂは、揺動軸モータ１４の電流値そのものであるとともに、アームトルクに依存する量である。アームトルク検知部２６は、電流値１８ｂから、揺動アーム１１０に加わるアームトルク２６ａを検知してもよい。アームトルク検知部２６は、電流値１８ｂを検出する際に、ホールセンサ等の電流センサを用いることができる。
【０１８１】
研磨テーブルを回転駆動するためのモータＭ３（第１の電動モータ、図２を参照）、トップリング３１Ａを回転駆動するためのモータＭ１（第２の電動モータ、図５を参照）、及び揺動アームを揺動するためのモータＭ２（第３の電動モータ、図５を参照）のうちの１つの電動モータの電流値を検出して、第１の出力を生成する電流検出部８１０（検出部）によるモータ電流の検知方法を図２９により説明する。本実施形態では、電流検出部８１０は、モータＭ２の電流値を検出して、第１の出力８１０ａを生成する。電流検出部８１０には、３相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の電流値１８ｂが入力される。
【０１８２】
電流検出部８１０は、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の電流値１８ｂのそれぞれについて、例えば、１０ｍｓｅｃごとにサンプリングを行い、サンプリングした電流値１８ｂについてそれぞれ１００ｍｓｅｃの移動平均を求める。移動平均を行う目的は、ノイズの低減である。その後、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の電流値１８ｂについて、全波整流を行い、次に実効値変換により、それぞれについて実効値を求める。実効値を算出した後に、これら３個の値を加算して第１の出力８１０ａを生成する。電流検出部８１０は、生成された第１の出力８１０ａを終点検出部２８に出力する。
【０１８３】
なお、ノイズの低減処理は、上記の移動平均処理に限られず、種々のノイズ低減処理が可能である。また、電流検出部８１０は、電流値１８ｂに対して、実効値算出以外の処理を行ってもよい。例えば、電流値１８ｂのそれぞれの絶対値を算出した後に、これら３個の値を加算して第１の出力８１０ａを生成してもよい。また、電流検出部８１０は、電動モータの３相の電流値の絶対値の２乗の和を第１の出力として生成してもよい。さらに、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３相の電流値１８ｂのうちの１相、又は２相のみについて、実効値を算出してもよい。第１の出力は、トルクの変化を示すことができる量であれば、任意の量とすることができる。第１の出力に基づいて、研磨の終了を示す研磨終点を検出する終点検出部２８は、第１の出力（摩擦力）の変化から、研磨の終了を示す研磨終点を検出することもできる。
【０１８４】
本実施形態では、研磨テーブル３０Ａの平面上で左右方向（円周方向）に揺動する揺動アーム１１０について説明した。しかし、研磨テーブル３０Ａの平面上で、研磨テーブル３０Ａの回転中心と、研磨テーブル３０Ａの端部との間で半径方向に直線方向に往復するアームについても、本実施形態は適用できる。
【０１８５】
なお、終点検出部２８は、ＣＰＵ，メモリ、入出力手段を有するコンピュータとして構成することができる。そのときは、検出された渦電流から半導体ウェハ１６の研磨の終了を示す研磨終点を検出可能な終点検出部手段、研磨装置による研磨を制御する制御手段、として機能させるためのプログラムをメモリに格納することができる。
【０１８６】
次に、図３０により、光学式センサを有する別の実施形態を説明する。本形態では、研磨テーブル３０Ａを揺動する揺動軸モータ１４のトルク変動の検知と、光学式センサによる半導体ウェハ１６の研磨面の反射率の検知を併用する。終点検知のために、研磨テーブル３０Ａにセンサが組み込まれている。センサは光学式センサ７２４である。光学式センサ７２４としては、ファイバを利用したセンサ等が使用される。なお、光学式センサ７２４の代わりに、渦電流式センサを用いることもできる。
【０１８７】
図３０の実施形態の場合、以下の課題を解決することができる。終点検知のために、トルク変動検知方式又は光学式検知方式の一方のみを用いた場合、研磨対象物の研磨に、金属膜の研磨と絶縁膜の研磨が混在する場合、以下の問題がある。トルク変動検知方式は、金属膜と絶縁膜の境界の検知に適しており、光学式検知方式は、膜の厚さの変化の検知に適している。そのため、一方の方式のみでは、膜の境界の検知と、残膜の厚さの検知の両方が必要な場合に、不十分な検知精度しか得られない。膜の境界の検知と、残膜の厚さの検知のいずれであるかに応じて、トルク変動検知と光学式検知を使い分けることにより、課題が解決できる。
【０１８８】
光学式センサの場合、研磨装置の終点検出部は、半導体ウェハ１６に光を当て、半導体ウェハ１６からの反射光の強度を計測する。終点検出部は、アームトルク検知部が検知したアームトルクと、光学式センサ７２４が計測した半導体ウェハ１６からの反射光の強度とに基づいて、研磨の終了を示す研磨終点を検出する。光学式センサ７２４の出力は、配線７２６を介して、制御部６５に送られる。
【０１８９】
光学式センサの場合、研磨パッド１０の一部に開口７２０がある。開口７２０に、ウィンドウであるビューポート７２２がある。ビューポート７２２を介して、光照射と、反射光の検知が行われる。研磨時に半導体ウェハ１６と対向可能な、研磨テーブル３０Ａ内の位置にビューポート７２２は組込まれる。ビューポート７２２の下部に、光学式センサ７２４が配置される。光学式センサ７２４がファイバセンサの場合は、ビューポート７２２が無い場合もある。
【０１９０】
ビューポート７２２が無い場合、ファイバセンサの周囲から純水を出して、ノズル７２８から供給されるスラリを除去して終点検知を行う場合もある。光学式センサは、スラリを洗浄するための純水（又は高純度ガス、液体とガスの混合物などの流体）を開口４２０内に供給する流体供給部（図示しない）を有する。
【０１９１】
センサは複数あってもよい。例えば、図３０に示すように、中心部と端部に設けて、中心部と端部の双方における検知信号をモニタする。図３０(ａ)は、光学式センサ７２４の配置を示し、図３０(ｂ)は、光学式センサ７２４の拡大図である。終点検出部２８は、それらの複数の信号の中から、研磨条件（半導体ウェハ１６の材質、研磨時間等）の変化に応じて、研磨条件の影響を受けない（もしくは、当該研磨条件に最適な）検知信号を選んで、終点を判断して、研磨を止める。
【０１９２】
この点について、さらに説明する。既述の揺動軸モータ１４によるトルク変動検知（モータ電流変動測定）と、光学式検知の組合せは、層間絶縁膜（ＩＬＤ）や、ＳＴＩ(Shallow Trench Isolation)による素子分離膜の研磨終点を検知することに用いると、有効である。ＳＯＰＭ（Spectrum Optical Endpoint Monitoring）等の光学式検知では、残膜の厚さの検出を行い、終点検知を行う。例えば、ＬＳＩの積層膜の製造プロセスにおいて、金属膜の研磨と絶縁膜の研磨により、残膜を形成することが必要な場合がある。金属膜の研磨と絶縁膜の研磨を行う必要があり、金属膜の研磨と絶縁膜の研磨のいずれであるかに応じて、トルク変動検知と光学式検知を使い分けることが可能となる。
【０１９３】
また、終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合、トルク変動検知と光学式検知のうちの一方式だけでは、正確な終点検知が困難である。そのため、トルク変動検知と光学式検知による膜厚測定を行い、双方の検知結果より、終点であるかを判定して、最適な時点で研磨を終了する。混在状態では、トルク変動検知と光学式検知のいずれにおいても測定信号が弱いために測定精度が低下する。しかし、２種類以上の測定方法により得られた信号を用いて判定することにより、最適な終点位置を判定することが可能となる。例えば、２種類以上の測定方法により得られた信号を用いた判定のいずれもが、終点であるという結果を出した時に終点であると判断する。
【０１９４】
次に、図３１により、光学式センサを有する別の実施形態を説明する。本形態では、研磨テーブル３０Ａを揺動する揺動軸モータ１４のトルク変動（研磨テーブル３０Ａの摩擦変動）の検知と、光学式センサによる半導体ウェハ１６の研磨面の反射率の検知と、渦電流式センサによる半導体ウェハ１６の被研磨物内の渦電流の検知を併用する。３種類の検知方法が併用される。
【０１９５】
図３１の実施形態の場合、以下の課題を解決することができる。図３０の実施形態のトルク変動検知方式および光学式検知方式は、金属膜の厚さの変化を検知することが難しいという課題がある。図３１の実施形態は、この課題を解決するものであり、図３０の実施形態に、さらに、渦電流の検知を併用している。金属膜内の渦電流を検知するため、金属膜の厚さの変化を検知することが、より容易になる。
【０１９６】
図３１(ａ)は、光学式センサ７２４と、渦電流式センサ７３０の配置を示し、図３１(ｂ)は、光学式センサ７２４の拡大図であり、図３１(ｃ)は、渦電流式センサ７３０の拡大図である。渦電流式センサ７３０は、研磨テーブル３０Ａ内に配置される。渦電流式センサ７３０は、半導体ウェハ１６に磁場を生成し、生成した磁場の強度を検知する。終点検出部２８は、アームトルク検知部２６が検知したアームトルクと、光学式センサ７２４が計測した半導体ウェハ１６からの反射光の強度と、渦電流式センサ７３０が計測した磁場の強度とに基づいて、研磨の終了を示す研磨終点を検出する。
【０１９７】
本形態は、終点検知のために、揺動軸モータ１４のトルク変動検出、研磨テーブル３０Ａに組み込まれた光学式センサ７２４と渦電流式センサ７３０による半導体ウェハ１６の物理量の検出とが組み合わされた例である。揺動軸モータ１４のトルク変動検知（モータ電流変動測定）は、研磨する試料の膜質が変化する部位の終点検知に優れる。光学方式は、ＩＬＤ、ＳＴＩなどの絶縁膜の残膜量の検出と、それによる終点検出に優れる。渦電流式センサによる終点検出は、例えばめっきされた金属膜を研磨して終点である下層の絶縁膜まで研磨した時点の終点検出に優れる。
【０１９８】
ＬＳＩなどの多層を有する半導体の製造プロセスにおいては、種々の材料からなる多層の研磨を行うことになるので、多様な膜の研磨と終点検出を高精度にて行うため、一実施態様においては３種類の終点検出方法を用いることができ、３種類以上も可能である。例えば、さらに、研磨テーブル３０Ａを回転させるモータのトルク変動検知（モータ電流変動測定（ＴＣＭ））を併用することができる。
【０１９９】
これら４種類の終点検出の組合せを用いて、高機能な制御や精度のよい終点検知を行うことが可能となる。例えば、研磨テーブル３０Ａ上をトップリング３１Ａが移動して（揺動して）研磨を行っている場合、トップリング３１Ａの位置の変化による研磨テーブル３０Ａのトルク変動をＴＣＭにより検出する。これにより、トップリング３１Ａが研磨テーブル３０Ａの中心部にある時、トップリング３１Ａが研磨テーブル３０Ａの一方の端部に移動した時、トップリング３１Ａが研磨テーブル３０Ａの他方の端部に移動した時のトルク変動により、トップリング３１Ａの試料への押圧が異なる要因を見つけることが可能と
なる。要因が見つかると、試料への押圧を均一化するために、トップリング３１Ａの表面の押圧の調整を行う等のフィードバックを行うことができる。
【０２００】
トップリング３１Ａの位置の変化による研磨テーブル３０Ａのトルク変動の要因としては、トップリング３１Ａと研磨テーブル３０Ａの水平度のズレや、試料面と研磨パッド１０の表面の水平度のズレ、又は、研磨パッド１０の摩耗度の差異により、中心部にトップリング３１Ａがある時と、中心部からずれた位置にトップリング３１Ａがある時の摩擦力が異なる等が考えられる。
【０２０１】
なお、半導体ウェハ１６の膜の研磨終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合、１つの検知方式だけでは正確な終点検知が困難であるため、アームトルク変動を検知する方式と光学式検知方法、あるいは、アームトルク変動を検知する方式と渦電流を検知する方式、あるいは、３種類全ての信号検出から終点状態を判定して、最適な時点で研磨を終了する。混在状態では、トルク変動検知と光学式と検知渦電流を検知する方式のいずれにおいても測定信号が弱いために測定精度が低下する。しかし、３種類以上の測定方法により得られた信号を用いて判定することにより、最適な終点位置を判定することが可能となる。例えば、３種類以上の測定方法により得られた信号を用いた判定のいずれもが、終点であるという結果を出した時に終点であると判断する。
【０２０２】
これらの組み合わせを列記すると、以下のとおりである。ｉ．アームトルク検知＋テーブルトルク検知ｉｉ．アームトルク検知＋光学式検知ｉｉｉ．アームトルク検知＋渦電流検知ｉｖ．アームトルク検知＋マイクロ波センサによる光学式検知ｖ．アームトルク検知＋光学式検知＋テーブルトルク検知ｖｉ．アームトルク検知＋光学式検知＋渦電流検知ｖｉｉ．アームトルク検知＋光学式検知＋マイクロ波センサによる光学式検知ｖｉｉｉ．アームトルク検知＋渦電流検知＋テーブルトルク検知ｉｘ．アームトルク検知＋渦電流検知＋マイクロ波センサによる光学式検知ｘ．アームトルク検知＋テーブルトルク検知＋マイクロ波センサによる光学式検知ｘｉ．この他、アームトルク検知と組み合わせるいかなるセンサの組合せをも含む。
【０２０３】
終点部の膜構造が金属と絶縁膜の混在状態である場合の例を図３２，３３，３４に示す。以下の例では、金属としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｏ等の金属であり、絶縁膜は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ガラス材（SOG(Spin-on Glass)、BPSG（Boron Phosphorus Silicon Glass)等）、Ｌｏｗｋ材、樹脂材、他の絶縁材料である。ＳｉＯ２，ＳＯＧ，ＢＰＳＧ等は、ＣＶＤ又はコーティングにより製造される。図３２（ａ）、３２（ｂ）は、絶縁膜を研磨する例である。図３２（ａ）は、研磨前の状態を示し、図３２（ｂ）は、研磨後の状態を示す。膜７３２は、シリコンである。膜７３２の上に、ＳｉＯ２(熱酸化膜)やＳｉＮ等の絶縁膜である膜７３４が形成されている。膜７３４の上に、成膜による酸化膜（ＳｉＯ２）やガラス材（SOG、BPSG）等の絶縁膜である膜７３６が形成されている。膜７３６は、図３２（ｂ）に示す状態まで研磨される。
【０２０４】
膜７３６は、光学式検知により、膜厚を測定する。膜７３６と膜７３４の境７５８や、膜７３４と膜７３２の境は、光の反射に敏感である。従って、光学式検知が望ましい。また膜７３６と膜７３４の材質が異なるときは、研磨時の摩擦の変化が大きい場合がある。この時は、光学式検知＋トルク検知が好ましい。
【０２０５】
図３３（ａ）、３３（ｂ）は、金属膜を研磨する例である。図３３（ａ）は、研磨前の状態を示し、図３３（ｂ）は、研磨後の状態を示す。埋込部７３７は、ＳＴＩである。膜７３４の上に、膜７３６と同様の膜７３８が形成されている。膜７３４の上に、ゲート電極７４０が形成されている。膜７３４の下にはドレインまたはソースである拡散層７４４が形成されている。拡散層７４４は、ビアやプラグ等の縦配線７４２に接続している。ゲ
ート電極７４０は、図示しない縦配線７４２に接続されている。縦配線７４２は、膜７３８内を貫通している。膜７３８の上に、金属膜７４６が形成されている。縦配線７４２と金属膜７４６は、同一の金属である。金属膜７４６は、図３３（ｂ）に示す状態まで研磨される。なお、図３３では、ゲート電極７４０や拡散層７４４が形成されているが、他の回路要素が形成されてもよい。
【０２０６】
金属膜７４６は、金属膜であるため、金属膜が急激に減少した時の、金属膜７４６内の渦電流の波形変化が大きいということを利用して、渦電流を検知する。また、金属膜の反射量が大きい状態から金属膜が減少し、反射量が急激に変化することを利用する光学式検知を、渦電流検知と併用することもできる。膜７３８は、絶縁膜であるため、光学式検知により、膜厚を測定する。
【０２０７】
図３４（ａ）、３４（ｂ）は、金属膜を研磨する例である。図３４（ａ）は、研磨前の状態を示し、図３４（ｂ）は、研磨後の状態を示す。埋込部７３７は、ＳＴＩである。膜７３４の上に、膜７３８が形成されている。膜７３４の上に、ゲート電極７４０が形成されている。膜７３４の下にはドレインまたはソースである拡散層７４４が形成されている。拡散層７４４は、ビアやプラグ等の縦配線７４２に接続している。ゲート電極７４０は、図示しない縦配線７４２に接続されている。縦配線７４２は、膜７３８内を貫通している。ビア７４２の上に、金属の横配線７５０が形成されている。金属膜７４８と横配線７５０は、同一の金属である。金属膜７４８は、図３４（ｂ）に示す状態まで研磨される。
【０２０８】
金属膜７４８は、金属膜であるため、渦電流式センサを用いて、渦電流を検知する。絶縁膜７３８は、絶縁膜であるため、光学式検知により、膜厚を測定する。なお、図３２以下に示す実施形態は、図１〜図３１までの実施形態の全てに対して適用可能である。
【０２０９】
次に、図３５により、図１６の変形例としての実施形態を説明する。本形態では、揺動アーム１１０が複数のアームで構成されている。図３５では、例えば、アーム７５２とアーム７５４で構成されている。アーム７５２は、揺動軸モータ１４に取り付けられ、アーム７５４にトップリング３１Ａが取り付けられる。アーム７５２とアーム７５４の接合部において、揺動アームのトルク変動を検出して終点検知を行う。
【０２１０】
図３５の実施形態の場合、以下の課題を解決することができる。図１６の場合、終点検知において、後述するクリアランス振動等の影響により、終点検知精度が低下するという課題がある。図３５の実施形態の場合、クリアランス振動等の影響が低減できるため、この課題が解決できる。
【０２１１】
アーム７５２とアーム７５４の接合部７５６に、揺動アームのトルク変動を検出するトルクセンサが配置される。トルクセンサは、ロードセル７０６やヒズミゲージを有する。接合部７５６では、アーム７５２とアーム７５４は、金具７１０によって、互いに固定される。アーム７５２は揺動軸モータ１４により搖動が可能である。前述の揺動モータ電流の変動によるトルク変化を測定するときに、揺動動作を一旦停止して、トルク変化を測定することが好ましい場合がある。これは、揺動動作に伴って揺動モータのモータ電流のノイズが増加することがあるためである。
【０２１２】
本形態の場合、図３２（ａ）の境７５８のような膜質が変化する部分の摩擦変動による研磨トルクの変動が発生した場合、接合部７５６のトルクセンサによる境７５８の検知が可能となる。研磨トルクの変動の検知は、揺動軸モータ１４の電流変動の検知によっても可能である。電流変動によるトルク変動検出に比べて、接合部７５６のトルクセンサによるトルク変動検出は、以下のメリットを有する。
【０２１３】
電流変動の検知によるトルク変動検出は、揺動軸モータ１４の回転動作（スウィング）による誤差、例えば、揺動軸モータ１４による揺動アーム１１０のクリアランス振動等の影響がある。クリアランス振動とは、揺動アーム１１０の揺動軸モータ１４への取り付け部に若干のがたつきがあるため、揺動軸モータ１４の回転動作時に、がたつきに起因して生じる振動である。接合部７５６のトルクセンサによるトルク変動検出においては、接合部７５６にはクリアランス振動が無く、研磨部の摩擦変化に対応したトルク変動を検出できる。このため、より高精度な終点検出を行うことが可能となる。クリアランス振動を低減するためには、揺動アーム１１０のスウィングを停止する必要がある。しかし、接合部７５６のトルクセンサによるトルク変動検出においては、揺動アーム１１０のスウィングを停止しなくても、高精度の終点検出が可能となる。
【０２１４】
本形態は、トップリング３１Ａが複数ある場合や、カルーセル方式にも適用可能である。ＬＳＩの積層膜の薄膜化や機能素子の微細化が進むと、性能安定化と歩留まり維持のために、従来と比較して、より高い精度にて研磨終点を行う必要が生じている。この様な要求に対応できる技術として、本形態は有効である。
【０２１５】
次に、図３６により、制御部６５による基板処理装置全体の制御について説明する。メインコントローラである制御部６５は、ＣＰＵとメモリと記録媒体と、記録媒体に記録されたソフトウェア等とを有する。制御部６５は、基板処理装置全体の監視・制御を行い、そのための信号の授受、情報記録、演算を行う。制御部６５は主にユニットコントローラ７６０との間で信号の授受を行う。ユニットコントローラ７６０も、ＣＰＵとメモリと記録媒体と、記録媒体に記録されたソフトウェア等とを有する。図３６の場合、制御部６５は、研磨の終了を示す研磨終点を検出する終点検出手段、研磨ユニットによる研磨を制御する制御手段として機能するプログラムを内蔵する。なお、ユニットコントローラ７６０が、このプログラムの一部または全部を内蔵してもよい。プログラムは更新可能である。なお、プログラムは更新可能でなくてもよい。
【０２１６】
図３６〜図３８により説明する実施形態によれば、以下の課題を解決することができる。これまでの典型的な研磨装置の制御方式の課題として、以下の点がある。終点検出について、対象物の研磨を行う前に、複数のテストを行い、得られたデータから研磨条件や終点判定条件を求めて、研磨条件であるレシピ作成を行う。一部信号解析を用いていることもあるが、半導体ウェハ構造に対して、１つのセンサ信号を用いて、終点検出を判断する処理を行う。これでは次のような要求に対して十分な精度が得られなかった。製作するデバイスやチップの歩留まり向上のために、デバイスやチップの製作において更に高精度の終点検出と、ロット間やチップ間のばらつきを小さく抑える必要がある。それを実現するため、図３６以降にある実施例を適用した終点検知を行うシステムを用いることにより、より高精度の終点検出を行うことが可能となり、歩留まり向上やチップ間の研磨量バラツキを低減することが可能となる。
【０２１７】
特に、高速のデータ処理、多数種類かつ多数のセンサの信号処理、これらの信号を規格化したデータ、データから人工知能(Artificial Intelligence; AI)を利用した学習及び終点検出の判定に用いるデータセットの作成と、作成されたデータセットによる判定例の蓄積による学習と、学習効果による精度向上、学習された判定機能により判断され更新された研磨パラメータ、この研磨パラメータの高速な制御系への反映を実現する高速通信処理系、等が実現できる。これらは、図３５以前に示した全ての実施例に対して適用可能である。
【０２１８】
ユニットコントローラ７６０は、基板処理装置に搭載されているユニット７６２（１個もしくは複数）の制御を行う。ユニットコントローラ７６０は、各々のユニット７６２ごとに本実施形態では設けられる。ユニット７６２としては、アンロード部６２、研磨部６
３、洗浄部６４等がある。ユニットコントローラ７６０は、ユニット７６２の動作制御、監視用センサとの信号授受、制御信号の授受、高速な信号処理等を行う。ユニットコントローラ７６０は、ＦＰＧＡ（field-programmable gate array）や、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit、特定用途向け集積回路）等から構成されている。
【０２１９】
ユニット７６２は、ユニットコントローラ７６０からの信号により動作を行う。また、ユニット７６２は、センサ信号をセンサから受信し、ユニットコントローラ７６０に送信する。センサ信号は、ユニットコントローラ７６０から、さらに制御部６５に送られることもある。センサ信号が制御部６５又はユニットコントローラ７６０により処理（演算処理含む）され、次の動作のための信号がユニットコントローラ７６０から送られてくる。それに従ってユニット７６２は動作を行う。例えば、ユニットコントローラ７６０は、揺動アーム１１０のトルク変動を揺動軸モータ１４の電流変化により検知する。ユニットコントローラ７６０は検知結果を制御部６５に送る。制御部６５は、終点検知を行う。
【０２２０】
ソフトウェアとしては、例えば以下のものがある。ソフトウェアは、コントロール機器（制御部６５又はユニットコントローラ７６０）内に記録されているデータにより、研磨パッド１０の種類とスラリ供給量を求める。次に、ソフトウェアは、研磨パッド１０のメンテナンス時期又はメンテナンス時期まで使用できる研磨パッド１０を特定し、スラリ供給量を演算し、これらを出力する。ソフトウェアは、基板処理装置７６４を出荷後に、基板処理装置７６４にインストール可能なソフトウェアであってもよい。
【０２２１】
制御部６５、ユニットコントローラ７６０、ユニット７６２の間における通信は、有線、無線のいずれも可能である。基板処理装置７６４の外部との間ではインターネットを介した通信や他の通信手段（専用回線による高速通信）が使用可能である。データの通信に関しては、クラウド連携によりクラウドを利用すること、スマートフォン連携により基板処理装置においてスマートフォン経由でのデータの交換等を行うことが可能である。これらにより、基板処理装置の運転状況、基板処理の設定情報を基板処理装置の外部とやり取りを行うことが可能である。通信機器として、センサ間に通信ネットワークを形成して、この通信ネットワークを利用してもよい。
【０２２２】
上記の制御機能、通信機能を用いて、基板処理装置の自動化運転を行うことも可能である。自動化運転のために、基板処理装置の制御パターンの規格化や、研磨終点の判断における閾値の利用が可能である。
【０２２３】
基板処理装置の異常／寿命の予測／判断／表示を行うことが可能である。また、性能安定化のための制御を行うことも可能である。
【０２２４】
基板処理装置の運転時の種々のデータや研磨データ（膜厚や研磨の終点）の特徴量を自動的に抽出して、運転状態や研磨状態を自動学習することや、制御パターンの自動規格化を行い、異常／寿命の予測／判断／表示を行うことが可能である。
【０２２５】
通信方式、機器インターフェース等において、例えばフォーマット等の規格化を行い、装置・機器相互の情報通信に用いて、装置・機器の管理を行うことが可能である。
【０２２６】
次に、基板処理装置７６４において、センサで半導体ウェハ１６から情報を取得し、インターネット等の通信手段を経由して、基板処理装置が設置された工場内/工場外に設置されたデータ処理装置（クラウド等）にデータを蓄積し、クラウド等に蓄積されたデータを分析し、分析結果に応じて基板処理装置を制御する実施形態について説明する。図３７は、この実施形態の構成を示す。
【０２２７】
１．センサで半導体ウェハ１６から取得する情報としては、以下が可能である。・ 揺動軸モータ１４のトルク変動に関する測定信号又は測定データ・ ＳＯＰＭ（光学式センサ）の測定信号又は測定データ・ 渦電流式センサの測定信号又は測定データ・ 上記の１つ又は複数の組合せの測定信号又は測定データ２．インターネット等の通信手段の機能及び構成としては、以下が可能である。・ 上記の測定信号又は測定データを含む信号又はデータを、ネットワーク７６６に接続されたデータ処理装置７６８に伝送する。・ ネットワーク７６６は、インターネット又は高速通信等の通信手段でよい。例えば、基板処理装置、ゲートウェイ、インターネット、クラウド、インターネット、データ処理装置という順序で接続されたネットワーク７６６が可能である。高速通信としては、高速光通信、高速無線通信等がある。また、高速無線通信としては、Wi-Fi (登録商標), Bluetooth(登録商標), Wi-Max(登録商標),3G, LTE等が考えられる。これ以外の高速無線通信も適用可能である。なお、クラウドをデータ処理装置とすることも可能である。・ データ処理装置７６８が、工場内に設置される場合は、工場内にある１台もしくは複数の基板処理装置からの信号を処理することが可能である。・ データ処理装置７６８が、工場外に設置される場合は、工場内にある１台もしくは複数の基板処理装置からの信号を、工場外部に伝達し、処理することが可能である。このときは、国内又は外国に設置されたデータ処理装置との接続が可能である。３．クラウド等に蓄積されたデータをデータ処理装置７６８が分析し、分析結果に応じて基板処理装置７６４を制御することに関しては、以下のようなことが可能である。・ 測定信号又は測定データが処理された後に、制御信号又は制御データとして基板処理装置７６４に伝達することができる。・ データを受取った基板処理装置７６４はそのデータに基づいて、研磨処理に関する研磨パラメータを更新して研磨動作を行う、また、データ処理装置７６８からのデータが、終点が検知されたことを示す信号／データの場合、終点が検知されたと判断して、研磨を終了する。研磨パラメータとしては、（１）半導体ウェハ１６の４つの領域、すなわち、中央部、内側中間部、外側中間部、および周縁部に対する押圧力、（２）研磨時間、（３）研磨テーブル３０Ａやトップリング３１Ａの回転数、（４）研磨終点の判定のための閾値等がある。
【０２２８】
次に、図３８により別の実施形態を説明する。図３８は、図３７の実施形態の変形例を示す図である。本実施形態は、基板処理装置、中間処理装置、ネットワーク７６６、データ処理装置という順に接続された構成である。中間処理装置は、例えば、ＦＰＧＡやＡＳＩＣで構成され、フィルタリング機能、演算機能、データ加工機能、データセット作成機能等を有する。
【０２２９】
インターネットと高速光通信をどのように使用するかによって、以下の３ケースに分ける。（１）基板処理装置と中間処理装置との間がインターネットであり、ネットワーク７６６がインターネットである場合、（２）基板処理装置と中間処理装置との間が高速光通信であり、ネットワーク７６６が高速光通信である場合、（３）基板処理装置と中間処理装置との間が高速光通信であり、中間処理装置から外側がインターネットである場合がある。
【０２３０】
（１）の場合：全体システムにおけるデータ通信速度とデータ処理速度が、インターネット通信速度でよい場合である。データサンプリング速度１〜１０００ｍＳ程度であり、複数の研磨条件パラメータのデータ通信を行うことができる。この場合は、中間処理装置７７０は、データ処理装置７６８に送るデータセットの作成を行う。データセットの詳細は後述する。データセットを受領したデータ処理装置７６８はデータ処理を行い、例えば、終点位置までの研磨条件パラメータの変更値の算出と、研磨プロセスの工程計画を作成し、ネットワーク７６６を通じて中間処理装置７７０に返す。中間処理装置７７０は研磨条件パラメータの変更値と、必要な制御信号を基板処理装置７６４に送る。
【０２３１】
（２）の場合：基板処理装置−中間処理装置間、中間処理装置−データ処理装置間のセ
ンサ信号や状態管理機器間の通信が高速通信である。高速通信では、通信速度１〜１０００Ｇｂｐｓで通信が可能である。高速通信では、データ・ データセット・ コマンド・ 制御信号等が通信できる。この場合、中間処理装置７７０にてデータセットの作成を行い、それをデータ処理装置７６８に送信する。中間処理装置７７０は、データ処理装置７６８における処理に必要なデータを抽出して、加工を行い、データセットとして作成する。例えば、終点検出用の複数のセンサ信号を抽出してデータセットとして作成する。
【０２３２】
中間処理装置７７０は、作成したデータセットを高速通信にてデータ処理装置７６８に送る。データ処理装置７６８は、データセットに基づいて、研磨終点までのパラメータ変更値の算出・ 工程計画作成を行う。データ処理装置７６８は、複数の基板処理装置７６４からのデータセットを受領し、夫々の装置に対する、次のステップのパラメータ更新値の算出と工程計画作成を行い、更新されたデータセットを中間処理装置７７０に送信する。中間処理装置７７０は、更新されたデータセットに基づいて、更新されたデータセットを制御信号に変換して、基板処理装置７６４の制御部６５に高速通信にて送信する。基板処理装置７６４は、更新された制御信号に応じて研磨を実施し、精度のよい終点検出を行う。
【０２３３】
（３）の場合： 中間処理装置７７０は、基板処理装置７６４の複数のセンサ信号を高速通信により受領する。高速光通信では、通信速度１〜１０００Ｇｂｐｓの通信が可能である。この場合、基板処理装置７６４、センサ、制御部６５と、中間処理装置７７０との間は、高速通信によるオンラインの研磨条件の制御を行うことが可能である。データの処理順序は、例えば、センサ信号受領（基板処理装置７６４から中間処理装置７７０）、 データセット作成、 データ処理、パラメータ更新値算出、更新パラメータ信号の送信、制御部６５による研磨制御、更新した終点検知という順序である。
【０２３４】
この時、中間処理装置７７０は、高速の終点検出制御を高速通信の中間処理装置７７０で行う。中間処理装置７７０からは、ステータス信号をデータ処理装置７６８に定期的に送信し、制御状態のモニタリング処理をデータ処理装置７６８で行う。データ処理装置７６８は、複数の基板処理装置７６４からのステータス信号を受領し、それぞれの基板処理装置７６４に対して、次のプロセス工程の計画作成を行う。計画に基づいたプロセス工程の計画信号をそれぞれの基板処理装置７６４に送り、それぞれの基板処理装置７６４において、互いに独立に、研磨プロセスの準備・研磨プロセスの実施を行う。この様に、高速の終点検出制御を高速通信の中間処理装置７７０で行い、複数の基板処理装置７６４の状態管理をデータ処理装置７６８にて行う。
【０２３５】
次に、データセットの例について説明する。センサ信号と必要な制御パラメータをデータセットにすることが可能である。データセットは、トップリング３１Ａの半導体ウェハ１６への押圧・ 揺動軸モータ１４の電流・ 研磨テーブル３０Ａのモータ電流・ 光学式センサの測定信号・ 渦電流式センサの測定信号・ 研磨パッド１０上でのトップリング３１Ａの位置・ スラリと薬液の流量／種類、それらの相関算出データ等を含むことができる。
【０２３６】
上記の種類のデータセットは、１次元データをパラレルに送信する送信システムや、１次元データをシーケンシャルに送信する送信システムを用いて、送信することが可能である。データセットとして、上記１次元データを２次元データに加工して、データセットにすることが可能である。例えば、Ｘ軸を時間とし、Ｙ軸が多数のデータ列とすると、同時刻における複数のパラメータデータが、一つのデータセットに加工処理される。２次元データは、２次元の画像データのようなものとして扱える。このメリットは、２次元データの転送とするため、１次元データの転送よりも少ない配線で、時間に関連付けられたデータとして授受でき、かつ、取扱いができることである。具体的には、１次元データをその
まま１信号１ラインにすると、多数の配線が必要となるが、２次元データの転送の場合、１本のラインにより複数の信号を送ることができる。また、複数本のラインを用いると、送信されたデータを受けるデータ処理装置７６８とのインターフェースが複雑となり、データ処理装置７６８におけるデータ再組立てが複雑となる。
【０２３７】
また、このような時間に関連付けられた２次元データセットがあると、以前に行った標準的な研磨条件による研磨時のデータセットと、現時点で行っている標準的な研磨条件のデータセットの比較が容易となる。また、２次元データ相互の相違点を差分処理等により容易に知ることが可能となる。差があるところを抽出して、異常が起こっているセンサやパラメータ信号を検出することも容易となる。また、以前の標準的な研磨条件と現時点の研磨中のデータセットの比較を行い、周囲との差分が異なる部位のパラメータ信号の抽出による異常検知も容易となる。
【０２３８】
図３９はセンサの他の概略構成例（第１９の形態〜第２２の形態に記載の実施形態例）を示す図で、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側断面図である。図示するように、給液孔１０４２の中心と排液孔１０４６の中心とを結ぶ線分の中点が貫通孔１０４１の中心点より研磨テーブル３０Ａの移動方向（矢印Ｄ方向）の前方になるように、給液孔１０４２と排液孔１０４６とを配設（研磨テーブル３０Ａの移動方向に排液孔１０４６、給液孔１０４２の順に配設）すると共に、貫通孔１０４１の下端面外周が給液孔１０４２と排液孔１０４６の上端面を囲むように断面が概略長円状としている。このようにすることにより、給液孔１０４２から貫通孔１０４１内に供給される透明液Ｑの流れは半導体ウェハ１６の被研磨面１６ａに対して垂直に進む流れとなる。また、貫通孔１０４１の断面を概略長円状とすることにより、貫通孔１０４１の面積を最小化して、研磨特性への影響を低減できる。
【０２３９】
なお、照射光用光ファイバ１０４３と反射光用光ファイバ１０４４をその中心線が給液孔１０４２の中心線と平行になるように該給液孔１０４２内に配置する。なお、照射光用光ファイバ１０４３と反射光用光ファイバ１０４４に換えて、１本の照射・反射光用光ファイバとしてもよい。
【０２４０】
次に、第２３、２４の形態の実施形態例を図面に基づいて説明する。図４０は本発明の実施形態例の概略構成を示す図である。図４０において、水噴出用ノズル１００５は、表面に薄膜１００２が形成された半導体ウェハ１６の処理面１００２ａに円柱状の水流を噴出し当接させる。該水噴出用ノズル１００５内には照射用ファイバ１００７と受光用ファイバ１００８の先端部が挿入配置されている。
【０２４１】
上記構成において、加圧水流１００６を水噴出用ノズル１００５に供給しその先端から細い円柱状の水流１００４を半導体ウェハ１６の処理面１００２ａの所定の位置に当接させ、測定スポット１００３を形成する。この状態で、測定演算部１００９から照射用ファイバ１００７を通して、水流１００４内に光を送り、該光を該水流１００４を通して半導体ウェハ１６の測定スポット１００３内の研磨面に照射する。このときの水流１００４中の光軸と該研磨面は略垂直であることが装置構成上好ましい。但し、場合によっては照射用ファイバからの光の該研磨面からの反射光を受光用ファイバ１００８が受光可能な位置関係ならば水流１００４中に光軸を該研磨面に対して斜めとする構成も可能である。
【０２４２】
処理面（研磨面）１００２ａで反射された反射光は水流１００４及び受光用ファイバ１００８を通って測定演算部１００９に導かれる。該測定演算部１００９では反射光から薄膜１００２の膜厚を測定する。この時水噴出用ノズル１００５の内面は鏡面加工を施し、効率良く照射／反射光を照射用／受光用ファイバ１００７、１００８に導くように工夫がなされている。
【０２４３】
また、時として、薄膜１００２と水流１００４が接する部分に水滴が溜まる場合があり、測定スポット１００３が乱れてしまう。そこで、図４１に示すように、水噴出用ノズル１００５から薄膜１００２の測定スポット１００３に延びる螺旋状に巻回した排水用部材１１３８を設け、水滴を除去する工夫をするとよい。また、水流１００４を半導体ウェハに対して斜めとした場合、及び水流１００４を上方向や下方向に供給する機構においても、水滴を除去する手段を適宜組合せても良い。なお、図４１で示すように排水用部材としてはバネのような形状を有する構造で、水の表面張力を利用するもの、或いは図示しないが水噴出用ノズル１００５を囲むように設置された吸引ノズルによるものなどが考えられる。
【０２４４】
図４２及び４３は半導体ウェハ１６と研磨パッド１０の相対運動により半導体ウェハ１６の研磨面を研磨する研磨装置いおいて、研磨中の膜厚をリアルタイムで検出する場合の構成例を示す図である。図４２は一部断面側面図、図４３は図４２のＹ−Ｙ矢視図である。
【０２４５】
水噴出用ノズル１００５は、図４０及び図４１と同様のものであり、該水噴出用ノズル１００５には加圧水流パイプ１１３６が接続され、水噴出用ノズル１００５から噴出された水流１００４の水は水受皿１１３５で受けられ、排水パイプ１１３７で排出される。該水受皿１１３５の上端は研磨パッド１０の上面に開口しており、水噴出用ノズル１００５から噴出される水流１００４は半導体ウェハ１６の研磨面に図４０及び図４１と同じように測定スポット１００３を形成する。なお、図では水噴出用ノズル１００５を分り易くするため大きく描いているが、実際には微小なスポットを構築するために水噴出用ノズル１００５の径は小さい（０．４ｍｍ〜０．７ｍｍ）。
【０２４６】
水噴出用ノズル１００５内には図４０及び図４１の場合と同様、照射用ファイバ１００７と受光用ファイバ１００８の先端部が挿入されており、測定演算部１００９から照射用ファイバ１００７を通って水噴出用ノズル１００５内に導かれ、該水噴出用ノズル１００５から噴出される水流１００４を通って該水流１００４が当接する研磨面の測定スポット１００３内に投光される。そして該研磨面で反射された反射光は水流１００４及び受光用ファイバ１００８を通って測定演算部９に導かれる。
【０２４７】
第２５の形態は、遮光処理を施した複数の処理ユニットを上下に配置して内部に収納する複数の処理エリアと、搬送機を内部に収納して処理エリアの間に設置される搬送エリアとを有し、処理エリアと搬送エリアとの間を遮光壁で、搬送エリアの前面をメンテナンス用扉でそれぞれ遮光し、処理ユニットを遮光壁に遮光状態で連結したことを特徴とする被研磨物処理装置である。
【０２４８】
このように、処理ユニットに遮光処理を施し、しかも処理ユニットを内部に配置する処理エリアと搬送エリアとの間を遮光壁で、搬送エリアの前面をメンテナンス用扉でそれぞれ遮光することで、処理ユニットのメンテナンス用扉を開けた状態でも、搬送エリア内への外部からの光の進入を防止し、しかも、上下に配置した処理ユニットの、例えば上段の処理ユニットをメンテナンスしている場合でも、下段の処理ユニットによる遮光状態での被研磨物の処理が可能となる。これによって、一部の処理ユニットのメンテナンス中においても、装置を停止させることなく、当該処理ユニット以外の他の処理ユニットによる被研磨物処理が可能となる。
【０２４９】
第２６の形態は、処理ユニットには、開閉自在なシャッタを有する被研磨物挿入口が設けられ、遮光壁には、被研磨物挿入口の周囲を囲繞する遮光膜が設けられ、遮光壁の遮光膜で包囲された領域内に開口部が設けられていることを特徴とする形態１８記載の装置で
ある。
【０２５０】
これにより、処理ユニットのシャッタを開いた状態で、処理ユニット及び搬送エリア内の遮光状態を維持しつつ被研磨物の受け渡しを行い、処理ユニットのシャッタを閉じることで、例えばメンテナンス時等に、遮光壁の開口部を通って外部からの光が搬送エリア内に進入することを防止することができる。
【０２５１】
第２７の形態は、処理エリアは洗浄エリアで、被研磨物の処理は、被研磨物の洗浄であることを特徴とする形態２４または２５記載の被研磨物処理装置である。
【０２５２】
第２５〜２７の形態によれば、被研磨物の被処理面への光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止し、しかも装置内の一部の処理ユニットのメンテナンス中においても、被研磨物の処理枚数は一時的に減少するものの、光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止した被研磨物の処理が可能となる。
【０２５３】
第２５〜２７の形態は、さらに以下の特徴を有することができる。（１）半導体材料（すなわち、基板）のバンド・ギャップ・エネルギー以上のエネルギーを有する光への半導体材料の曝露をなくすための密閉機構を含む、半導体材料中の金属フィーチャ間の電気分解を減少させる装置。（２）前記密閉機構が、化学機械研磨装置およびブラシ洗浄装置からなる群から選択される半導体加工ツールの周囲に配置される、上記（１）に記載の装置。（３）バンド・ギャップ・エネルギーより低いエネルギーを有する光を発生することができる光源をさらに含む、上記（２）に記載の装置。（４）バンド・ギャップ・エネルギーより低いエネルギーを有する光を検出することができるプロセス監視用ビデオ・カメラをさらに含む、上記（３）に記載の装置。（５）前記半導体材料がシリコン系であり、前記密閉機構が約１．１μｍ以下の波長を有する光を排除し、前記光源が約１．１μｍを超える波長を有する光を発生し、前記ビデオ・カメラがそれを検出する、上記（４）に記載の装置。好適には、例えば、当該領域の波長を有する光、例えば赤外光を用いて、前記に記載した研磨装置におけるシリコン系被研磨物の研磨処理における終点を検知するようにしてもよい。（６）前記半導体材料がガリウムヒ素系であり、前記密閉機構が約０．９μｍ以下の波長を有する光を排除し、前記光源が約０．９μｍを超える波長を有する光を発生し、前記ビデオ・カメラがそれを検出する、上記（４）に記載の装置。好適には、例えば、当該領域の波長を有する光、例えば赤外光を用いて、前記に記載した研磨装置におけるガリウムヒ素系被研磨物の研磨処理における終点を検知するようにしてもよい。（７）少なくとも１つの電気分解抑制剤を半導体材料中の金属フィーチャと結合させることができる半導体加工ツールを含む、半導体材料中の金属フィーチャ間の電気分解を減少させる装置。（８）前記半導体材料がシリコン系であり、前記密閉機構が約１．１μｍ以下の波長を有する光を排除し、前記光源が約１．１μｍを超える波長を有する光を発生し、前記ビデオ・カメラがそれを検出する、上記（７）に記載の装置。好適には、例えば、当該領域の波長を有する光、例えば赤外光を用いて、前記に記載した研磨装置におけるシリコン系被研磨物の研磨処理における終点を検知するようにしてもよい。
【０２５４】
集積回路を構成する材料などの結晶性固体では、原子軌道は事実上結合（combine）して、「結晶」軌道または電子エネルギー・レベルの連続「帯」となる。最高の占有帯は価電子帯と呼ばれ、最低の空帯は伝導帯と呼ばれる。１つの電子を価電子帯の最高点から伝導帯の最低点へ励起するのに必要なエネルギー量はバンド・ギャップ・エネルギー（Ｅg）と呼ばれる。シリコンでは室温でＥg＝１．１２ｅＶであり、ガリウムヒ素では室温でＥg＝１．４２ｅＶである。シリコンなどの半導体材料は、光照射が電子を伝導帯に励起して半導体の導電性を増大させるのに十分なエネルギーを与える、光導電性を示すことが知られている。光エネルギーは、式Ｅ＝ｈνまたはＥ＝ｈｃ／λによって周波数または波長に関係付けられ、式中、ｈはプランク定数、ｃは光の速度、νは周波数、λは波長であ
る。室温における大部分のシリコン系半導体では、光導電性を達成するのに必要な光エネルギーは約１．１２ｅＶに達しなければならず、すなわち、約１．１μｍ以下の波長を有しなければならない。ガリウムヒ素半導体では光導電性に約０．９μｍ以下の波長が必要である。他の半導体では、Ｅgは一般の参照文献から容易に得られ、波長は上記の式を用いて計算することができる。以下の説明はシリコン系半導体素子に焦点を合わせて行うが、本発明がガリウムヒ素などの他の半導体材料で製作された素子にも同様に適用できることは当業者には理解されるであろう。
【０２５５】
上記で論じた光導電性は、図４４に示すＰＮ接合３００における光電効果の基礎となる。ｎ型半導体３２０は、シリコン伝導帯に電子を供与して余分な負の電荷担体を生成する、リンやヒ素などのドナー不純物でドープしたシリコンである。したがって、ｎ型半導体３２０中の多数の電荷担体は負に荷電した粒子である。ｐ型半導体３１０は、シリコンの価電子帯から電子を受け取って余分の正孔または正の電荷担体を生成する、ホウ素などのアクセプタ不純物でドープしたシリコンである。したがって、ｐ型半導体３１０中の多数の荷担体は正に荷電した正孔である。ＰＮ接合３００が十分なエネルギーを有する光３５０の光子で照射されると、ｐ型３１０およびｎ型３２０半導体の両方で電子が価電子帯から伝導帯に励起され、正孔が残る。こうしてｎ型の半導体３２０中に生成した追加の正の電荷担体は、多数の電荷担体が正（正孔）である接合３００のｐ型３１０側に移動する。また、こうしてｐ型半導体３１０中に生成した追加の負の電荷担体は、多数の電荷担体が負（電子）である接合３００のｎ型３２０側に移動する。この電荷担体の移動が光電効果を生じ、電池に類似の電流源を生み出す。
【０２５６】
電流源として働くＰＮ接合を、電解質２３０に露出した相互接続３３０、３４０などの金属導体に接続すると、電気分解に必要な要素が全て揃い、電位が十分であればアノード金属成分の溶解が起こる。光電圧によって生じる図４４の電気化学的溶解は、電気化学的溶解に類似している。アノード３３０における酸化反応は、電解質２３０中に溶解した遊離カチオン２５０、および内部接続を介して電流源（ＰＮ接合３００）に流れカソード３４０上に達する電子を生成する。この酸化反応は、電気分解の最も目に付く標識、すなわちアノード３３０の溶解またはピッチングを引き起こすが、還元反応も起こらなければならない。カソードにおける還元反応は、電子を電解質２３０中の反応物２６０と結合させて、還元された反応生成物を生成する。ＰＮ接合のｐ側およびｎ側のどちらに接続するかに応じて、金属導体のあるものはカソードになり、あるものはアノードになることに注目されたい。
【０２５７】
電気化学的溶解の解消または低減本発明の好ましい実施形態によれば、グローバル配線、相互接続、接点およびその他の金属フィーチャの電気化学的溶解をなくすまたは削減する方法および装置が提供される。この好ましい実施形態は、光電効果を引き起こすことができる光へのＰＮ接合の曝露をなくすか、または光電効果によって誘発される酸化または還元あるいはその両方を阻止するか、あるいはその両方を行うことによって溶解を低減させる。
【０２５８】
なお、トップリングと、トップリングの駆動部の保持方式としては、これらを揺動アーム（片持アーム）の端部に保持する既述の方式以外に、複数のトップリングと、各トップリングを駆動する複数の駆動部を１個のカルーセルに保持する方式がある。カルーセルに、本発明の１実施形態を適用した場合にも、複数の研磨装置間で電流センサの計測結果の差が減少した研磨装置を提供するができる。これらのトップリングと駆動部が、組（研磨装置）を構成し、この組は、１個のカルーセルに、複数組、設けることができる。複数の駆動部（トップリング用モータ１１４）のモータ電流の電流値について、既述の実施形態を適用することにより、複数組の研磨装置間で電流センサの計測結果の差が減少した研磨装置を実現することができる。
【０２５９】
図４５により、カルーセルについて説明する。カルーセルは、回転軸７０４の周りに回転可能であり、トップリング用モータ１１４は、カルーセル７０２に取り付けられる。図４５は、カルーセル７０２によって支持されたマルチヘッド型のトップリング３１Ａおよびトップリング用モータ１１４と、研磨テーブル３０Ａとの関係を示す概略側面図である。図４５に示すように、１つの研磨テーブル３０Ａに、複数のトップリングユニットが設置されている。カルーセルに一つのトップリングが設置され、テーブルは一つ以上あってもよい。カルーセルに複数のトップリングが設置され、複数のテーブルが有ってもよい。この場合、一つのテーブルに一つのトップリングが有ってもよいし、一つのテーブルに複数のトップリングが有ってもよい。カルーセルが回転等の移動を行い、トップリングが次段階に別のテーブルに移動し研磨を行ってもよい。
【０２６０】
カルーセル７０２は回転可能である。カルーセル７０２の中心部付近に回転機構を設ける。カルーセル７０２は、支柱（図示せず）によって支持されている。カルーセル７０２は支柱に取り付けられたモータ（図示せず）の回転主軸に支持されている。したがって、カルーセル７０２は回転主軸の回転によって垂直な回転軸芯７０４を中心に回転可能である。なお、カルーセル方式に類似した方式として、カルーセルの代わりに、例えば、円形状のレールを用いてもよい。レール上に複数の駆動部（トップリング用モータ１１４）を設置する。このとき、駆動部は、レール上を移動させることができる。
【０２６１】
次に、研磨装置は、回転軸の周りに回転可能なカルーセルを有し、アーム駆動部は、カルーセルに取り付けられる実施形態について、図４６、４７により説明する。図４６は、カルーセル７０２によって支持されたマルチヘッド型のトップリング３１Ａおよび揺動アーム１１０と、研磨テーブル３０Ａとの関係を示す概略側面図であり、図４７は、上面図である。
【０２６２】
図４６に示すカルーセル７０２にトップリングが付いている実施形態によれば、以下の課題を解決することができる。大きなカルーセル７０２に複数のトップリング３１Ａが設置されている時、研磨終点検出手段の１つとして、アームトルクに基づく方法とは別に、研磨テーブルの回転駆動モータまたはトップリング回転駆動モータのトルク変動をモニタリングする方法がある。これらの方法では、トップリング３１Ａの回転抵抗力（摩擦力）の変化を検知する。しかし、アームの揺動と、トップリングの回転の変動と、テーブルの回転の変動による誤差等による摩擦力検知信号の誤差があり、高精度の終点検知が従来は難しかった。又、１個の回転テーブルに複数のトップリングがある時は、テーブルの回転が複数のトップリング３１Ａの影響により、複雑に変動するため、トップリング３１Ａ毎の正確な摩擦力の変動をとらえることが従来は難しかった。
【０２６３】
図４６の研磨装置では、カルーセル７０２に揺動アーム１１０が取り付けられ、揺動アーム１１０にトップリング３１Ａが取り付けられる。１個の揺動アーム１１０と１個のトップリング３１Ａからなるユニット（以下では、「ＴＲユニット」と呼ぶ。）は、カルーセル７０２に１つ設置されている場合と複数設置されている場合（マルチヘッド型）がある。図４６は、複数設置されているカルーセル７０２の場合である。
【０２６４】
なお、図４５，４６において、トップリング用モータ１１４は、揺動アーム１１０上側に配置されているが、図４６に点線で示すように、トップリング用モータ１１４ａを揺動アーム１１０の下側に配置してもよい。なお、図４５に示すように１個の研磨テーブル３０Ａに複数のトップリング３１Ａがあるとき、複数のトップリング３１Ａの揺動方向又は移動方向は、複数のトップリング３１Ａが互いに干渉しないように移動する必要がある。例えば、複数のトップリング３１Ａが互いに近づくように移動すると、干渉する可能性がある配置の場合は、互いに近づかないように移動する、又は、同一方向に移動することに
より干渉を防止する。
【０２６５】
別の実施形態として、トラック上を揺動アーム１１０が移動してもよい。例えば研磨装置は、支持フレームと、支持フレームに取り付けられ、トップリング用モータ１１４の搬送経路を画定するトラックと、トラックによって画定された経路に沿って、トップリング用モータ１１４を搬送するキャリッジであって、トラックに結合され、トラックに沿って可動であるキャリッジとを有する。
【０２６６】
トラックと、トラックに沿って移動する機構（キャリッジ）は、リニアモータ駆動方式を用いることも可能である。またモータとベアリングを用いる軌道機構も可能である。さらに別の形態として、トラック自体が回転可能な形態がある。この形態では、トラック自体が回転して、トップリングを別のテーブル部に移動可能である。その時に少量の移動調整がキャリッジによって行われる。
【０２６７】
図４５，４６において、揺動アーム１１０の代わりに、リニアモータ駆動方式を用いたリニア移動する機構（キャリッジ）を用いることも可能である。リニア移動の方向としては、カルーセル７０２の中心７０４と端部間の半径上を１方向に移動する方向がある。または、図４７に示すようなＸ方向に移動する機構と、Ｙ方向に移動する機構と、Ｚ方向に移動する機構とを有し、これらの移動方向を組み合わせた移動を行うことができる。方向の組み合わせとしては、（Ｘ方向またはＹ方向）＋Ｚ方向、Ｘ方向やＹ方向ではない他の方向等がある。
【０２６８】
図４５〜４７に示す形態では、アーム又はキャリッジは、揺動または移動し、揺動または移動しながら研磨が行われる。アーム又はキャリッジが揺動または移動する場合、モータ電流信号は、研磨時に摩擦力が変化しないときでも変動する。そのようなときに、図１６以下に示す実施形態は有効である。図１６以下に示す実施形態は、研磨の進行に伴う半導体ウェハ１６表面の材質の変化や回路パターンの変化による摩擦力の変化を検出することができる。検出した摩擦力の変化に基づいて終点検知を行う。
【０２６９】
以上、本発明の実施形態の例について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 
【符号の説明】
【０２７０】
６１ａ…底面部
６１ｂ…磁心部
６１ｃ…周壁部
６１ｄ…周辺部磁性体
８６０、８６２…励磁コイル
８６４、８６６…検出コイル
８６８、８７０…ダミーコイル
８７６、８７８…磁場
８８２…初期研磨レート式
８８４…研磨終点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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