(57)【要約】【課題】積層体の稜部に損傷が加わりにくい積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品の製造方法では、一軸方向に積層した複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、上記一軸方向を向いた第１及び第２主面と、上記第１及び第２主面を接続し、上記複数の内部電極が露出する第１及び第２側面と、上記第１主面と上記第１側面とを鈍角で接続する稜部と、を有し、上記第１主面が保持部材によって保持された積層体が作製される。上記積層体を上記保持部材上で上記稜部を支軸として転動させることにより、上記積層体における上記保持部材によって保持される保持面が上記第１主面から上記第１側面に変更される。上記第１側面を上記保持部材によって保持された上記積層体の上記第２側面にサイドマージン部が形成される。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一軸方向に積層した複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、前記一軸方向を向いた第１及び第２主面と、前記第１及び第２主面を接続し、前記複数の内部電極が露出する第１及び第２側面と、前記第１主面と前記第１側面とを鈍角で接続する稜部と、を有し、前記第１主面を保持部材によって保持された積層体を作製し、
前記積層体を前記保持部材上で前記稜部を支軸として転動させることにより、前記積層体における前記保持部材によって保持される保持面を前記第１主面から前記第１側面に変更し、
前記第１側面を前記保持部材によって保持された前記積層体の前記第２側面にサイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記第１及び第２側面が相互に平行である
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記第２側面でセラミックシートを打ち抜くことによって前記サイドマージン部を形成する
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記鈍角が９３°より小さい
積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サイドマージン部を後付けする積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、積層セラミックコンデンサを製造するための技術が開示されている。この技術では、セラミックシートを積層した積層シートを切断し、内部電極が露出した切断面を側面とする複数の積層体を作製する。そして、積層体の側面に、内部電極の周囲の絶縁性を確保するためのサイドマージン部を形成する。
【０００３】
特許文献１に記載の技術では、積層シートを切断した直後の状態において、積層体の側面が横方向を向いているため、積層体の側面にサイドマージン部を形成することが困難である。このため、この技術では、サイドマージン部を形成する前に、積層体を９０度転動させることによって、積層体の側面を上方向に向ける。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２０９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の技術では、積層体が転動する際に、積層体の稜部が転動の回動中心となる支軸として機能するため、積層体の稜部に応力が集中しやすい。したがって、積層体を転動させる技術では、積層体の稜部に欠けなどの損傷が加わりやすい。これにより、積層セラミックコンデンサの製造歩留まりが低下する。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、積層体の稜部に損傷が加わりにくい積層セラミック電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、一軸方向に積層した複数のセラミック層と、上記複数のセラミック層の間に配置された複数の内部電極と、上記一軸方向を向いた第１及び第２主面と、上記第１及び第２主面を接続し、上記複数の内部電極が露出する第１及び第２側面と、上記第１主面と上記第１側面とを鈍角で接続する稜部と、を有し、上記第１主面が保持部材によって保持された積層体が作製される。
上記積層体を上記保持部材上で上記稜部を支軸として転動させることにより、上記積層体における上記保持部材によって保持される保持面が上記第１主面から上記第１側面に変更される。
上記第１側面を上記保持部材によって保持された上記積層体の上記第２側面にサイドマージン部が形成される。
【０００８】
この構成の積層体では、転動の回動中心となる支軸として機能する第１主面と第１側面とを接続する稜部における接続角が鈍角である。このため、この積層体が転動する際の稜部への応力の集中が抑制される。このため、積層セラミック電子部品の製造方法では、積層体の稜部に損傷が加わりにくい。
【０００９】
上記第１及び第２側面が相互に平行であってもよい。
上記第２側面でセラミックシートを打ち抜くことによって上記サイドマージン部が形成されてもよい。
この構成では、転動後の複数の積層体の第２側面を同一平面上に配置することができる。これにより、複数の積層体の第２側面に一括してサイドマージン部を形成可能となる。このため、積層セラミック電子部品の製造効率が向上する。
【００１０】
上記鈍角が９３°より小さくてもよい。
この構成では、稜部における接続角を鈍角にすることによる積層体の寸法の変化を小さく留めることができる。これにより、積層セラミック電子部品の実装面積を小さく維持することができる。
【発明の効果】
【００１１】
以上述べたように、本発明によれば、積層体の稜部に損傷が加わりにくい積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの斜視図である。
【図２】上記積層セラミックコンデンサの図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【図３】上記積層セラミックコンデンサの図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【図４】上記積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図５】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。
【図６】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図７】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す平面図である。
【図８】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。
【図９】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【図１０】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。
【図１１】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。
【図１２】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す模式図である。
【図１３】上記積層セラミックコンデンサの製造過程を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
図面には、適宜相互に直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は全図において共通である。
【００１４】
［積層セラミックコンデンサ１０の構成］
図１〜３は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０を示す図である。図１は、積層セラミックコンデンサ１０の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサ１０の図１のＢ−Ｂ'線に沿った断面図である。
【００１５】
積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック素体１１と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５と、を具備する。セラミック素体１１の外面は、Ｘ軸方向を向いた第１及び第２端面と、Ｙ軸方向を向いた第１及び第２側面と、Ｚ軸方向を向いた第１及び第２主面と、を有する。
【００１６】
各外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の第１及び第２端面を覆い、セラミック素体１１を挟んでＸ軸方向に対向している。外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の各端面から主面及び側面に延出している。これにより、外部電極１４，１５では、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面、及びＸ−Ｙ平面に平行な断面がいずれもＵ字状となっている。
【００１７】
なお、外部電極１４，１５の形状は、図１に示すものに限定されない。例えば、外部電極１４，１５は、セラミック素体１１の端面から一方の主面のみに延び、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面がＬ字状となっていてもよい。また、外部電極１４，１５は、いずれの主面及び側面にも延出していなくてもよい。
【００１８】
外部電極１４，１５は、電気の良導体により形成されている。外部電極１４，１５を形成する電気の良導体としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。
【００１９】
セラミック素体１１は、誘電体セラミックスで形成され、積層体１６と、サイドマージン部１７と、を有する。積層体１６は、Ｙ軸方向を向いた第１及び第２側面Ｓ１，Ｓ２と、Ｚ軸方向を向いた第１及び第２主面Ｍ１，Ｍ２と、を有する。第１及び第２主面Ｍ１，Ｍ２は、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びている。
【００２０】
積層体１６は、第１及び第２稜部Ｒ１，Ｒ２を更に有する。第１稜部Ｒ１は、第１主面Ｍ１と第１側面Ｓ１とを９０°よりもやや大きい鈍角の接続角θ１で接続する。第２稜部Ｒ２は、第１主面Ｍ１と第２側面Ｓ２とを９０°よりもやや小さい鋭角の接続角θ２で接続する。つまり、側面Ｓ１，Ｓ２は、Ｘ−Ｚ平面に対してやや傾いている。
【００２１】
積層体１６の側面Ｓ１，Ｓ２は相互に平行であることが好ましい。これにより、積層体１６の側面Ｓ１，Ｓ２にサイドマージン部１７を効率的に形成可能となる。サイドマージン部１７の形成方法については、後述する積層セラミックコンデンサ１０の製造方法において説明する。
【００２２】
また、積層体１６の第１稜部Ｒ１における接続角θ１は、９３°より小さいことが好ましい。積層体１６の第２稜部Ｒ２における接続角θ２は、８７°より大きいことが好ましい。これにより、積層体１６のＹ軸方向の寸法を小さく留めることができるため、積層セラミックコンデンサ１０の実装面積を小さく維持することができる。
【００２３】
なお、積層体１６では、稜部Ｒ１，Ｒ２が、第１主面Ｍ１と側面Ｓ１，Ｓ２とを直接接続する稜線であってもよいが、第１主面Ｍ１と側面Ｓ１，Ｓ２とを緩やかに接続する丸みを帯びた面であることが好ましい。これにより、積層体１６では、稜部Ｒ１，Ｒ２に応力が集中しにくくなるため、稜部Ｒ１，Ｒ２に損傷が加わりにくくなる。
【００２４】
積層体１６は、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びる平板状の複数のセラミック層がＺ軸方向に積層された構成を有する。積層体１６は、容量形成部１８と、カバー部１９と、を有する。カバー部１９は、容量形成部１８をＺ軸方向上下から被覆し、積層体１６の主面Ｍ１，Ｍ２を構成している。
【００２５】
容量形成部１８は、複数のセラミック層の間に配置され、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びるシート状の複数の第１及び第２内部電極１３を有する。内部電極１２，１３は、Ｚ軸方向に沿って交互に配置されている。つまり、内部電極１２，１３は、セラミック層を挟んでＺ軸方向に対向している。
【００２６】
第１内部電極１２はセラミック素体１１の第１端面のみに引き出され、第２内部電極１３はセラミック素体１１の第２端面のみに引き出されている。これにより、第１内部電極１２は第１外部電極１４のみに接続され、第２内部電極１３は第２外部電極１５のみに接続されている。
【００２７】
内部電極１２，１３は、容量形成部１８のＹ軸方向の全幅にわたって形成され、積層体１６の両側面Ｓ１，Ｓ２に露出している。サイドマージン部１７は、積層体１６の両側面Ｓ１，Ｓ２を覆っている。これにより、積層体１６の両側面Ｓ１，Ｓ２における内部電極１２，１３間の絶縁性を確保することができる。
【００２８】
このような構成により、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間に電圧が印加されると、第１内部電極１２と第２内部電極１３との間の複数のセラミック層に電圧が加わる。これにより、積層セラミックコンデンサ１０では、第１外部電極１４と第２外部電極１５との間の電圧に応じた電荷が蓄えられる。
【００２９】
セラミック素体１１では、内部電極１２，１３間の各セラミック層の容量を大きくするため、高誘電率の誘電体セラミックスが用いられる。高誘電率の誘電体セラミックスとしては、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料が挙げられる。
【００３０】
なお、セラミック層は、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）系、チタン酸マグネシウム（ＭｇＴｉＯ３）系、ジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）系、チタン酸ジルコン酸カルシウム（Ｃａ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）系、ジルコン酸バリウム（ＢａＺｒＯ３）系、酸化チタン（ＴｉＯ２）系などで構成してもよい。
【００３１】
内部電極１２，１３は、電気の良導体により形成されている。内部電極１２，１３を形成する電気の良導体としては、典型的にはニッケル（Ｎｉ）が挙げられ、この他にも銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを主成分とする金属又は合金が挙げられる。
【００３２】
なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１６及びサイドマージン部１７を備えていればよく、その他の構成について適宜変更可能である。例えば、第１及び第２内部電極１２，１３の枚数は、積層セラミックコンデンサ１０に求められるサイズや性能に応じて、適宜決定可能である。
【００３３】
［積層セラミックコンデンサ１０の製造方法］
図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を示すフローチャートである。図５〜１３は積層セラミックコンデンサ１０の製造過程を示す図である。以下、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について、図４に沿って、図５〜１３を適宜参照しながら説明する。
【００３４】
（ステップＳ０１：セラミックシート準備）
ステップＳ０１では、容量形成部１８を形成するための第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２と、カバー部１９を形成するための第３セラミックシート１０３と、を準備する。セラミックシート１０１，１０２，１０３は、誘電体セラミックスを主成分とする未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。
【００３５】
セラミックシート１０１，１０２，１０３は、例えば、ロールコーターやドクターブレードなどを用いてシート状に成形される。セラミックシート１０１，１０２の厚さは、焼成後の容量形成部１８におけるセラミック層の厚さに応じて調整される。第３セラミックシート１０３の厚さは適宜調整可能である。
【００３６】
図５は、セラミックシート１０１，１０２，１０３の平面図である。この段階では、セラミックシート１０１，１０２，１０３が、個片化されていない大判のシートとして構成される。図５には、各積層セラミックコンデンサ１０ごとに個片化する際の切断線Ｌｘ，Ｌｙが示されている。切断線ＬｘはＸ軸に平行であり、切断線ＬｙはＹ軸に平行である。
【００３７】
図５に示すように、第１セラミックシート１０１には第１内部電極１２に対応する未焼成の第１内部電極１１２が形成され、第２セラミックシート１０２には第２内部電極１３に対応する未焼成の第２内部電極１１３が形成されている。なお、カバー部１９に対応する第３セラミックシート１０３には内部電極が形成されていない。
【００３８】
内部電極１１２，１１３は、任意の導電性ペーストをセラミックシート１０１，１０２に塗布することによって形成することができる。導電性ペーストの塗布方法は、公知の技術から任意に選択可能である。例えば、導電性ペーストの塗布には、スクリーン印刷法やグラビア印刷法を用いることができる。
【００３９】
内部電極１１２，１１３には、切断線Ｌｙに沿ったＸ軸方向の隙間が、切断線Ｌｙ１本置きに形成されている。第１内部電極１１２の隙間と第２内部電極１１３の隙間とはＸ軸方向に互い違いに配置されている。つまり、第１内部電極１１２の隙間を通る切断線Ｌｙと第２内部電極１１３の隙間を通る切断線Ｌｙとが交互に並んでいる。
【００４０】
（ステップＳ０２：積層）
ステップＳ０２では、ステップＳ０１で準備したセラミックシート１０１，１０２，１０３を、図６に示すように積層することにより積層シート１０４を作製する。積層シート１０４では、容量形成部１８に対応する第１セラミックシート１０１及び第２セラミックシート１０２がＺ軸方向に交互に積層されている。
【００４１】
また、積層シート１０４では、交互に積層されたセラミックシート１０１，１０２のＺ軸方向上下面にカバー部１９に対応する第３セラミックシート１０３が積層される。なお、図６に示す例では、第３セラミックシート１０３がそれぞれ３枚ずつ積層されているが、第３セラミックシート１０３の枚数は適宜変更可能である。
【００４２】
積層シート１０４は、セラミックシート１０１，１０２，１０３を圧着することにより一体化される。セラミックシート１０１，１０２，１０３の圧着には、例えば、静水圧加圧や一軸加圧などを用いることが好ましい。これにより、積層シート１０４を高密度化することが可能である。
【００４３】
（ステップＳ０３：切断）
ステップＳ０３では、ステップＳ０２で得られた積層シート１０４を、切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って切断することにより、未焼成の積層体１１６を作製する。積層体１１６は、焼成後の積層体１６に対応する。積層シート１０４の切断には、例えば、押し切り刃や回転刃などを用いることができる。
【００４４】
図７，８は、ステップＳ０３の一例を説明するための模式図である。図７は、積層シート１０４の平面図である。図８は、積層シート１０４をＸ軸方向から見た端面図である。積層シート１０４は、粘着性を有するテープ状の保持部材Ｔによって保持された状態で、切断線Ｌｘ，Ｌｙに沿って押し切り刃Ｆで切断される。
【００４５】
図８に示すように、積層シート１０４を切断線Ｌｘに沿って切断する際に、押し切り刃ＦをＸ−Ｚ平面に対してＸ軸を中心として少し傾けて積層シート１０４に挿入する。これにより、図９に示すように、側面Ｓ１，Ｓ２が相互に平行であり、かつＸ−Ｚ平面に対して傾いた未焼成の積層体１１６が得られる。
【００４６】
積層体１１６において、第１稜部Ｒ１における第１主面Ｍ１と第１側面Ｓ１との接続角θ１及び第２稜部Ｒ２における第１主面Ｍ１と第２側面Ｓ２との接続角θ２は、押し切り刃ＦのＸ−Ｚ平面に対する傾きによって制御することができる。しかし、接続角θ１，θ２の制御方法は、これに限定されない。
【００４７】
（ステップＳ０４：サイドマージン部形成）
ステップＳ０４では、ステップＳ０３で得られた積層体１１６における内部電極１１２，１１３が露出した側面Ｓ１，Ｓ２に未焼成のサイドマージン部１１７を設けることにより、未焼成のセラミック素体１１１を作製する。図１０〜１３は、ステップＳ０４の過程を示す図である。
【００４８】
図１０（Ａ）は、ステップＳ０３の直後の状態を示している。この状態では、保持部材Ｔ上にＸ軸及びＹ軸方向に配列された積層体１１６同士が近接しているため、各積層体１１６の取り扱いに困難がある。このため、保持部材Ｔ上に配列された積層体１１６のＸ軸及びＹ軸方向の間隔を広げる。
【００４９】
具体的には、図１０（Ａ）に示す保持部材ＴをＸ軸及びＹ軸方向に引き延ばす。これにより、図１０（Ｂ）に示すように保持部材Ｔ上の積層体１１６の間隔が広がる。なお、例えばステップＳ０３で用いた保持部材Ｔが伸縮性を有さない場合など、必要に応じて、積層体１１６を事前に伸縮性を有する他の保持部材Ｔに張り替えておく。
【００５０】
図１０（Ｂ）に示す状態においてもなお、各積層体１１６の側面Ｓ１，Ｓ２が保持部材Ｔの表面の面内方向であるＹ軸方向を向いているため、積層体１１６の側面Ｓ１，Ｓ２にサイドマージン部１１７を設けることが困難である。このため、保持部材Ｔ上において、積層体１１６の向きを変更する。
【００５１】
具体的に、図１１（Ａ）に示すように、Ｘ−Ｙ平面に沿って延びる平板状の作用板Ｂを積層体１１６の第２主面Ｍ２上に配置する。作用板Ｂは、保持部材Ｔ上の全ての積層体１１６の第２主面Ｍ２を一括して被覆することが好ましい。作用板Ｂは、例えば、シリコンラバーなどの滑りにくい弾性材料で形成されていることが好ましい。
【００５２】
そして、図１１（Ｂ）に示すように、作用板ＢをＹ軸方向に移動させる。このとき、積層体１１６には、作用板ＢからＹ軸方向に加わる力によってモーメントが発生する。これにより、積層体１１６は、第１主面Ｍ１と第１側面Ｓ１とを接続する第１稜部Ｒ１を回動中心として保持部材Ｔ上で転動する。
【００５３】
積層体１１６の転動によって、第１主面Ｍ１が保持部材Ｔから剥がれた後に、第１側面Ｓ１が保持部材Ｔに接着される。これにより、図１１（Ｃ）に示すように、積層体１１６における保持部材Ｔに保持される保持面が第１主面Ｍ１から第１側面Ｓ１に変更され、積層体１１６の第２側面Ｓ２がＺ軸方向上方向を向く。
【００５４】
積層体１１６では、転動の回動中心となる支軸として機能する第１稜部Ｒ１が鈍角であるため、転動の際に第１稜部Ｒ１に加わる応力が分散される。つまり、転動時の積層体１１６の第１稜部Ｒ１には、応力が集中しにくい。したがって、ステップＳ０４では、積層体１１６の転動の際に、積層体に欠けなどの損傷が加わりにくい。
【００５５】
図１１（Ｃ）に示す状態では、保持部材Ｔ上の全ての積層体１１６の第２側面Ｓ２が、保持部材Ｔ側とは反対のＺ軸方向上側を向いているため、積層体１１６の第２側面Ｓ２にサイドマージン部１１７を形成しやすくなっている。サイドマージン部１１７の形成方法の一例について、図１２を用いて説明する。
【００５６】
まず、図１２（Ａ）に示すように、保持部材Ｔ上に配列された積層体１１６を覆うように、セラミックシート１１７ｓを配置する。このとき、全ての積層体１１６の第２側面Ｓ２がＸ−Ｙ平面に沿った同一平面上にあるため、セラミックシート１１７ｓを全ての積層体１１６の第２側面Ｓ２に密着させることができる。
【００５７】
セラミックシート１１７ｓは、ステップＳ０１で準備されるセラミックシート１０１，１０２，１０３と同様に、未焼成の誘電体グリーンシートとして構成される。セラミックシート１１７ｓは、例えば、ロールコーターやドクターブレードを用いてシート状に成形される。
【００５８】
そして、図１２（Ａ）に示す状態から、各積層体１１６の第２側面Ｓ２の輪郭に沿ってセラミックシート１１７ｓを切断する。セラミックシート１１７ｓの切断方法としては、公知の方法から任意に選択可能であるが、例えば、セラミックシート１１７ｓを各積層体１１６の第２側面Ｓ２で打ち抜く打ち抜き法を採用可能である。
【００５９】
打ち抜き法では、セラミックシート１１７ｓをＺ軸方向上側から弾性部材で押圧する。これにより、弾性部材と積層体１１６の第２側面Ｓ２との間に挟まれたセラミックシート１１７ｓには、各積層体１１６の第２側面Ｓ２の輪郭に沿ってせん断力が加わる。これにより、セラミックシート１１７ｓを打ち抜くことができる。
【００６０】
続いて、図１２（Ｂ）に示す積層体１１６を別の保持部材Ｔに張り替えることにより、積層体１１６のＹ軸方向の向きを反転させる。そして、積層体１１６の第２側面Ｓとは反対側の、サイドマージン部１１７が形成されていない第１側面Ｓ１にも、上記と同様の要領でサイドマージン部１１７を形成する。
【００６１】
これにより、図１３に示すように、積層体１１６の両側面Ｓ１，Ｓ２にサイドマージン部１１７が形成された未焼成のセラミック素体１１１が得られる。未焼成のセラミック素体１１１では、内部電極１１２，１１３が露出した積層体１１６の両側面Ｓ１，Ｓ２がサイドマージン部１１７によって覆われている。
【００６２】
なお、図１１（Ｃ）に示す状態の積層体１１６の第２側面Ｓ２にサイドマージン部１１７を形成する方法は、上記に限定されない。例えば、予め切断されたセラミックシート１１７ｓを積層体１１６の第２側面Ｓ２に貼り付けてもよい。また、セラミックスラリーを積層体１１６の第２側面Ｓ２に例えばディップ法によって塗布してもよい。
【００６３】
（ステップＳ０５：焼成）
ステップＳ０５では、ステップＳ０４で得られた未焼成のセラミック素体１１１を焼成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０のセラミック素体１１を作製する。つまり、ステップＳ０５によって、積層体１１６が積層体１６になり、サイドマージン部１１７がサイドマージン部１７になる。
【００６４】
ステップＳ０５における焼成温度は、セラミック素体１１１の焼結温度に基づいて決定することができる。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料を用いる場合には、焼成温度は１０００〜１３００℃程度とすることができる。また、焼成は、例えば、還元雰囲気下、又は低酸素分圧雰囲気下において行うことができる。
【００６５】
（ステップＳ０６：外部電極形成）
ステップＳ０６では、ステップＳ０５で得られたセラミック素体１１のＸ軸方向両端部に外部電極１４，１５を形成することにより、図１〜３に示す積層セラミックコンデンサ１０を作製する。ステップＳ０６における外部電極１４，１５の形成方法は、公知の方法から任意に選択可能である。
【００６６】
以上により、積層セラミックコンデンサ１０が完成する。この製造方法では、内部電極１２，１３が露出した積層体１６の側面Ｓ１，Ｓ２にサイドマージン部１７が後付けされるため、セラミック素体１１における複数の内部電極１２，１３のＹ軸方向の端部の位置が、０．５μｍ以内の範囲で揃う。
【００６７】
［その他の実施形態］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００６８】
例えば、積層体１６，１１６では、第１稜部Ｒ１における接続角θ１が鈍角であれば、転動の際に損傷が加わりにくい構成を実現可能である。このため、積層体１６，１１６では、第２稜部Ｒ２における接続角θ２は、必ずしも鋭角でなくてもよく、直角であっても鈍角であってもよい。
【００６９】
また、上記実施形態では積層セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサ１０について説明したが、本発明は積層セラミック電子部品全般に適用可能である。このような積層セラミック電子部品としては、例えば、チップバリスタ、チップサーミスタ、積層インダクタなどが挙げられる。
【符号の説明】
【００７０】
１０…積層セラミックコンデンサ
１１，１１１…セラミック素体
１２，１１２…第１内部電極
１３，１１３…第２内部電極
１４，１１４…第１外部電極
１５，１１５…第２外部電極
１０４…積層シート
１６，１１６…積層体
１７，１１７…サイドマージン部
Ｍ１，Ｍ２…主面
Ｓ１，Ｓ２…側面
Ｒ１，Ｒ２…稜部
θ１，θ２…接続角
Ｔ…保持部材
Ｆ…押し切り刃
Ｂ…作用板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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