(57)【要約】【課題】磁気センサの占有面積を抑制することができる磁気センサ装置を提供する。【解決手段】磁気センサ装置１は、第１の状態と第２の状態とが切り替わる切替位置７に配置され、磁石２が切替位置７を境とした一方の領域に位置する場合、第１の状態となり、他方の領域に位置する場合、第２の状態となる第１の磁気センサ３ａと、第１の磁気センサ３ａとの間を磁石２の軌跡２６が通るように切替位置７に配置され、磁石２が一方の領域に位置する場合、第１の磁気センサ３ａと異なる第２の状態となり、他方の領域に位置する場合、第１の磁気センサ３ａと異なる第１の状態となる第２の磁気センサ３ｂと、を備えて概略構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の状態と第２の状態とが切り替わる切替位置に配置され、磁石が前記切替位置を境とした一方の領域に位置する場合、前記第１の状態となり、他方の領域に位置する場合、前記第２の状態となる第１の磁気センサと、
前記第１の磁気センサとの間を前記磁石の軌跡が通るように前記切替位置に配置され、前記磁石が前記一方の領域に位置する場合、前記第１の磁気センサと異なる前記第２の状態となり、前記他方の領域に位置する場合、前記第１の磁気センサと異なる前記第１の状態となる第２の磁気センサと、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記第１の磁気センサは、前記磁石が前記切替位置に位置する場合、前記磁石の第１の磁極側に配置され、
前記第２の磁気センサは、前記磁石が前記切替位置に位置する場合、前記磁石の第２の磁極側に配置された、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
前記第１の磁気センサ及び前記第２の磁気センサの前記第１の状態及び前記第２の状態の組み合わせに基づいて前記磁石が前記一方の領域に位置するのか前記他方の領域に位置するのかを判定する判定部を備えた、
請求項１又は２に記載の磁気センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術として、可動部材に固定された磁石と、ロック位置とアンロック位置に対応する位置にそれぞれ配置されて磁石の磁力を検出する複数の磁気検出素子と、該磁気検出素子の検出結果に応じて電動モータを制御する制御手段と、を備えた電動ステアリングロック装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
この電動ステアリングロック装置は、ロック部材がアンロック位置に移動したときにＯＮ状態からＯＦＦ状態に切り替わる第１の磁気検出素子、及びＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる第２の磁気検出素子と、ロック部材がロック位置に移動したときにＯＦＦ状態からＯＮ状態に切り替わる第３の磁気検出素子と、を有している。この第１の磁気検出素子〜第３の磁気検出素子は、第２の磁気検出素子、第１の磁気検出素子及び第３の磁気検出素子の順で並んで配置され、両端の第２の磁気検出素子から第３の磁気検出素子までの距離は、磁石の移動距離（ストローク）より長くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２５２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし従来の電動ステアリングロック装置は、両端の第２の磁気検出素子から第３の磁気検出素子までの距離が磁石のストロークよりも長いので、磁石のストロークと比較して磁気検出素子の占有面積が大きい問題がある。
【０００６】
従って本発明の目的は、磁気センサの占有面積を抑制することができる磁気センサ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、第１の状態と第２の状態とが切り替わる切替位置に配置され、磁石が切替位置を境とした一方の領域に位置する場合、第１の状態となり、他方の領域に位置する場合、第２の状態となる第１の磁気センサと、第１の磁気センサとの間を磁石の軌跡が通るように切替位置に配置され、磁石が一方の領域に位置する場合、第１の磁気センサと異なる第２の状態となり、他方の領域に位置する場合、第１の磁気センサと異なる第１の状態となる第２の磁気センサと、を備えた磁気センサ装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、磁気センサの占有面積を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサ装置のブロック図の一例であり、図１（ｃ）は、制御部が記憶するテーブルの一例を説明するための概略図である。
【図２】図２（ａ）は、実施の形態の磁気センサ装置を側面から見た一例を示す概略図であり、図２（ｂ）は、磁石の位置に対する第１の磁気センサの磁化方向、抵抗値及び電流の一例を示す概略図であり、図２（ｃ）は、磁石の位置に対する第２の磁気センサの磁化方向、抵抗値及び電流の一例を示す概略図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の外乱磁場に対する耐性の一例を説明するための概略図である。
【図４】図４は、実施の形態に係る磁気センサ装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態の要約）
実施の形態に係る磁気センサ装置は、第１の状態と第２の状態とが切り替わる切替位置に配置され、磁石が切替位置を境とした一方の領域に位置する場合、第１の状態となり、他方の領域に位置する場合、第２の状態となる第１の磁気センサと、第１の磁気センサとの間を磁石の軌跡が通るように切替位置に配置され、磁石が一方の領域に位置する場合、第１の磁気センサと異なる第２の状態となり、他方の領域に位置する場合、第１の磁気センサと異なる第１の状態となる第２の磁気センサと、を備えて概略構成されている。
【００１１】
この磁気センサ装置は、第１の状態と第２の状態が切り替わる位置に第１の磁気センサ及び第２の磁気センサが配置されるので、磁石の軌跡に沿ってそれらが配置される場合と比べて、磁気センサの占有面積を抑制することができる。
【００１２】
[実施の形態]
（磁気センサ装置１の概要）
図１（ａ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の一例を示す概略図であり、図１（ｂ）は、磁気センサ装置のブロック図の一例であり、図１（ｃ）は、制御部が記憶するテーブルの一例を説明するための概略図である。図２（ａ）は、実施の形態の磁気センサ装置を側面から見た一例を示す概略図であり、図２（ｂ）は、磁石の位置に対する第１の磁気センサの磁化方向、抵抗値及び電流の一例を示す概略図であり、図２（ｃ）は、磁石の位置に対する第２の磁気センサの磁化方向、抵抗値及び電流の一例を示す概略図である。図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、縦軸が抵抗値Ｒ及び電流Ｉであり、横軸が磁石２の位置である。
【００１３】
なお、以下に記載する実施の形態に係る各図において、図形間の比率は、実際の比率とは異なる場合がある。また図１（ｂ）では、主な信号の流れを矢印で示している。
【００１４】
この磁気センサ装置１は、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２が第１の位置Ｐ１及び第２の位置Ｐ２間を移動するように構成されている。この磁石２は、例えば、操作部に設けられている。この操作部は、一例として、磁気センサ装置１を搭載する非接触スイッチの操作部である。図１（ａ）の紙面において切替位置７の左側の領域（オフ領域５）に磁石２が位置する場合、一例として、非接触スイッチがオフ状態にある。また図１（ａ）の紙面において切替位置７の右側の領域（オン領域６）に磁石２が位置する場合、一例として、非接触スイッチがオン状態にある。
【００１５】
また磁気センサ装置１は、例えば、車両のステアリングロック装置のロックバーの位置検出のために用いられても良い。この場合、磁石２がロックバーに取り付けられる。そしてロックバーは、例えば、図１（ａ）の紙面において切替位置７の左側の領域（オフ領域５）に磁石２が位置する場合、ロック状態にある。またロックバーは、例えば、図１（ａ）の紙面において切替位置７の右側の領域（オン領域６）に磁石２が位置する場合、アンロック状態にある。
【００１６】
なお磁気センサ装置１は、非接触スイッチやステアリングロック装置などへの搭載に限定されず、機能を切り替えるような電子機器に広く搭載することが可能である。
【００１７】
この磁気センサ装置１は、例えば、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、第１の状態と第２の状態とが切り替わる切替位置７に配置され、磁石２が切替位置７を境とした一方の領域に位置する場合、第１の状態となり、他方の領域に位置する場合、第２の状態となる第１の磁気センサ３ａと、第１の磁気センサ３ａとの間を磁石２の軌跡２６が通るように切替位置７に配置され、磁石２が一方の領域に位置する場合、第１の磁気センサ３ａと異なる第２の状態となり、他方の領域に位置する場合、第１の磁気センサ３ａと異なる第１の状態となる第２の磁気センサ３ｂと、を備えて概略構成されている。
【００１８】
本実施の形態の第１の状態とは、一例として、磁気センサのＬｏ状態（Ｌｏ）である。また第２の状態とは、一例として、磁気センサのＨｉ状態（Ｈｉ）である。後述するようにＬｏとは、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、磁気センサのバリア層３１に、電流Ｉが殆ど流れない状態を示している。またＨｉとは、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、磁気センサのバリア層３１に、大きな電流Ｉが流れる状態を示している。
【００１９】
また本実施の形態の一方の領域とは、一例として、図１（ａ）の紙面において右肩下がりの斜線で示すオフ領域５である。また他方の領域とは、一例として、図１（ａ）の紙面において右肩上がりの斜線で示すオン領域６である。上述のように、磁石２がオフ領域５に位置する場合、例えば、非接触スイッチは、オフ状態である。また磁石２がオン領域６に位置する場合、例えば、非接触スイッチは、オン状態である。
【００２０】
さらに磁石２の軌跡２６とは、一例として、磁石２の中心の移動の軌跡を第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂが配置された基板１０の設置面１１に投影したものである。この軌跡２６は、例えば、図１（ａ）に示す切替位置７を示す一点鎖線と直交している。
【００２１】
また磁気センサ装置１は、第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂの第１の状態（Ｌｏ状態）及び第２の状態（Ｈｉ状態）の組み合わせに基づいて磁石２が一方の領域（オフ領域５）に位置するのか他方の領域（オン領域６）に位置するのかを判定する判定部としての制御部４を備えている。この制御部４は、Ｌｏ状態の際には「０」を示す判定信号Ｓ３を出力し、Ｈｉ状態の際には「１」を示す判定信号Ｓ３を出力する。
【００２２】
（磁石２の構成）
磁石２は、例えば、アルニコ磁石、フェライト磁石、ネオジム磁石などの永久磁石、又はフェライト系、ネオジム系、サマコバ系、サマリウム鉄窒素系などの磁性体材料と、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリアミド系、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン（ＡＢＳ）などの合成樹脂材料と、を混合して所望の形状に成形したプラスチックマグネットである。
【００２３】
磁石２は、例えば、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すように、移動方向、つまり軌跡２６に対して交差する方向で、かつ切替位置７に沿う方向に着磁されている。磁石２は、例えば、図１（ａ）に示すように、端部２０がＮ極、端部２１がＳ極に着磁され、Ｎ極からＳ極に向かう磁場２５を生成する。
【００２４】
（第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂの構成）
第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、例えば、磁極検出素子である。この磁極検出素子とは、例えば、磁石２の磁極に対応して二通りの状態（第１の状態及び第２の状態）を示す素子である。磁極検出素子としては、例えば、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）素子やＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance effect）素子などを用いることが可能である。本実施の形態の第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、一例として、ＴＭＲ素子を用いるがこれに限定されない。
【００２５】
このＴＭＲ素子とは、強磁性体であるピン層３０とフリー層３２とで、薄い絶縁体のバリア層３１を挟んだ構造を有している。従って第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、磁化方向３５が固定されたピン層３０と、バリア層３１と、磁石２の磁場２５によって磁化方向３５が変化するフリー層３２と、を備えて概略構成されている。なお説明のため、第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂの構造は同じものとしてピン層３０、バリア層３１及びフリー層３２を備えるものとする。
【００２６】
そして第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、バリア層３１を介してフリー層３２からピン層３０に向かって電流Ｉが流れる。第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、この電流Ｉに基づいたセンサ信号Ｓ１及びセンサ信号Ｓ２を制御部４に出力する。
【００２７】
ピン層３０は、例えば、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのうちの少なくとも１つ以上を含む合金などを用い、外部から磁場が印加されても磁化方向が固定されるように形成される。バリア層３１は、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを用いて形成される。フリー層３２は、例えば、ピン層３０と同様の材料を用い、外部からの磁場に応じて磁化方向が変化するような材料が選択されて形成される。
【００２８】
第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、ピン層３０とフリー層３２の磁化方向３５が平行である場合、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、抵抗値Ｒが下がり、フリー層３２からピン層３０に向かって流れる電流Ｉが大きくなる。
【００２９】
一方第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、ピン層３０とフリー層３２の磁化方向３５が反平行である場合、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、抵抗値Ｒが増加し、フリー層３２からピン層３０に向かって、微弱な電流Ｉしか流れなくなる。第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂは、この特性に基づいて配置されている。
【００３０】
そしてピン層３０とフリー層３２の磁化方向３５が平行から反平行、反平行から平行へと変化する場合、抵抗値Ｒは、例えば、図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すように、切替位置７の近傍で急峻に変化する。従って電流Ｉは、切替位置７の近傍で急峻に変化する。つまりＨｉ状態からＬｏ状態、及びＬｏ状態からＨｉ状態への切り替わりは、急峻になる。
【００３１】
ここで第１の磁気センサ３ａは、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２が切替位置７に位置する場合、磁石２の第１の磁極側に配置されている。そして第２の磁気センサ３ｂは、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２が切替位置７に位置する場合、磁石２の第２の磁極側に配置されている。第１の磁極は、例えば、Ｎ極である。第２の磁極は、例えば、Ｓ極である。
【００３２】
第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂは、例えば、図１（ａ）に示すように、互いの中心を結んだ直線が切替位置７と一致するように配置されている。この中心とは、例えば、磁石２の磁場２５が作用するフリー層３２の感磁面３２０の中心である。
【００３３】
第１の磁気センサ３ａは、磁石２がオフ領域５に位置する場合、Ｌｏ状態となり、オン領域６に位置する場合、Ｈｉ状態となる。従って第１の磁気センサ３ａは、磁石２がオフ領域５に位置する場合、ピン層３０とフリー層３２の磁化方向３５が反平行となる。また第１の磁気センサ３ａは、磁石２がオン領域６に位置する場合、ピン層３０とフリー層３２の磁化方向３５が平行となる。
【００３４】
第１の磁気センサ３ａは、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２のＳ極側に配置されている。従って磁石２がオフ領域５に位置する場合、第１の磁気センサ３ａに作用する磁場２５の磁気ベクトル２５０は、例えば、図１（ａ）に示すように、およそ左上方向を向く。従って磁気ベクトル２５０を成分分解すると、フリー層３２の磁化方向３５は、例えば、図２（ｂ）の紙面左方向となる。
【００３５】
また磁石２がオン領域６に位置する場合、第１の磁気センサ３ａに作用する磁場２５の磁気ベクトル２５０は、例えば、図１（ａ）に示すように、およそ右上方向を向く。従って磁気ベクトル２５０を成分分解すると、フリー層３２の磁化方向３５は、例えば、図２（ｂ）の紙面右方向となる。つまりフリー層３２の磁化方向３５は、磁石２の第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２の移動により、左方向から右方向に変化する。
【００３６】
第１の磁気センサ３ａは、磁石２の第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２への移動に伴って、状態がＬｏからＨｉへと変化する。従って第１の磁気センサ３ａは、オフ領域５ではフリー層３２の磁化方向３５に対して反平行であり、オン領域６では平行となるようにピン層３０の磁化方向３５が定められる。つまり第１の磁気センサ３ａのピン層３０の磁化方向３５は、図２（ｂ）の紙面右方向である。
【００３７】
第２の磁気センサ３ｂは、第１の磁気センサ３ａとは反対に、磁石２がオフ領域５に位置する場合、Ｈｉ状態となり、オン領域６に位置する場合、Ｌｏ状態となる。また第２の磁気センサ３ｂに作用する磁気ベクトル２５０は、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２の第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２の移動に伴って右上方向から左上方向に変化する。従って第２の磁気センサ３ｂのピン層３０は、例えば、図２（ｃ）に示すように、第１の磁気センサ３ａとは反対となる左方向の磁化方向３５を有している。
【００３８】
第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂの間の距離は、例えば、図１（ａ）に示すように、磁石２の長手方向の長さよりも長い。つまり第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂは、例えば、図１（ａ）に示すように、切替位置７に沿って、かつ磁石２の端部２０及び端部２１より外側に配置される。
【００３９】
（制御部４の構成）
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施の形態に係る磁気センサ装置の外乱磁場に対する耐性の一例を説明するための概略図である。
【００４０】
制御部４は、例えば、記憶されたプログラムに従って、取得したデータに演算、加工などを行うＣＰＵ（Central Processing Unit）、半導体メモリであるＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）などから構成されるマイクロコンピュータである。このＲＯＭには、例えば、制御部４が動作するためのプログラムと、テーブル４０と、が格納されている。ＲＡＭは、例えば、一時的に演算結果などを格納する記憶領域として用いられる。
【００４１】
制御部４は、第１の磁気センサ３ａからセンサ信号Ｓ１が入力し、第２の磁気センサ３ｂからセンサ信号Ｓ２が入力するように構成されている。制御部４は、このセンサ信号Ｓ１及びセンサ信号Ｓ２とテーブル４０とに基づいて磁石２が位置する領域を判定する。
【００４２】
テーブル４０は、例えば、図１（ｃ）に示すように、センサ信号Ｓ１及びセンサ信号Ｓ２のＨｉ、Ｌｏと、磁石２が位置する領域であるオフ領域５及びオン領域６と、の組み合わせに基づいて作成されている。
【００４３】
制御部４は、第１の磁気センサ３ａがＬｏで、第２の磁気センサ３ｂがＨｉである場合、テーブル４０に基づいて磁石２がオフ領域５に位置すると判定する。また制御部４は、第１の磁気センサ３ａがＨｉで、第２の磁気センサ３ｂがＬｏである場合、テーブル４０に基づいて磁石２がオン領域６に位置すると判定する。
【００４４】
ここで磁場の強さに応じてＨｉを出力する２つ磁気センサによって磁石の位置を検出する場合、例えば、図３（ａ）の紙面の左から右方向に磁石２の磁場２５よりも強い外乱磁場９が作用すると、磁石２が接近していないにも関わらず、同時にＨｉを出力し、誤判定が生じる可能性がある。
【００４５】
また同様に、２つの磁気センサは、例えば、図３（ｂ）の紙面の右から左方向に磁石２の磁場２５よりも強い外乱磁場９が作用すると、磁石２が接近していないにも関わらず、同時にＨｉを出力し、誤判定が生じる可能性がある。
【００４６】
しかし磁気センサ装置１は、第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂの出力が同時に反転する構成を有しているので、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すような外乱磁場９が印加された場合、外乱磁場９に対する耐性が高く、誤判定を抑制することができる。
【００４７】
以下に本実施の形態の磁気センサ装置１の動作の一例について図４のフローチャートに従って説明する。
【００４８】
（動作）
磁気センサ装置１の制御部４は、第１の磁気センサ３ａから出力されたセンサ信号Ｓ１を取得すると共に第２の磁気センサ３ｂから出力されたセンサ信号Ｓ２を取得する（Ｓｔｅｐ１）。
【００４９】
制御部４は、取得したセンサ信号Ｓ１及びセンサ信号Ｓ２と、テーブル４０と、に基づいて磁石２が位置する領域を判定する。制御部４は、センサ信号Ｓ１がＬｏ、センサ信号Ｓ２がＨｉであった場合（Ｓｔｅｐ２:Ｙｅｓ）、磁石２がオフ領域５に位置すると判定し（Ｓｔｅｐ３）、判定結果に基づく判定信号Ｓ３を出力する。
【００５０】
ここでステップ２において制御部４は、センサ信号Ｓ１がＨｉ、センサ信号Ｓ２がＬｏであった場合（Ｓｔｅｐ２:Ｎｏ）、磁石２がオン領域６に位置すると判定し（Ｓｔｅｐ４）、判定結果に基づく判定信号Ｓ３を出力する。
【００５１】
また制御部４は、例えば、センサ信号Ｓ１とセンサ信号Ｓ２がＨｉとＨｉ、又はＬｏとＬｏの組み合わせであった場合、第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂの少なくとも一方が故障しているとして、故障を示す判定信号Ｓ３を出力する。
【００５２】
（実施の形態の効果）
本実施の形態に係る磁気センサ装置１は、磁気センサの占有面積を抑制することができる。具体的には、磁気センサ装置１は、ＨｉとＬｏとが切り替わる切替位置７に沿って第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂが配置されるので、磁石のストロークに沿ってそれらが配置される場合と比べて、第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂの間の距離が短く、占有面積が抑制される。
【００５３】
磁気センサ装置１は、第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂが磁極検出素子であり、ＨｉとＬｏ、及びＬｏとＨｉの組み合わせで磁石２の位置する領域を判定するように互いに異なる磁極を検出するように配置されているので、この構成を採用しない場合と比べて、外乱磁場９が印加されたとしても磁石２の位置の誤判定を抑制することができる。
【００５４】
磁気センサ装置１は、ＨｉとＬｏ、及びＬｏとＨｉの組み合わせで磁石２の位置する領域を判定するので、この構成を採用しない場合と比べて、ＨｉとＨｉ、ＬｏとＬｏを出力するような故障の検出ができる。
【００５５】
磁気センサ装置１は、磁石２が切替位置７を通過することで、第１の磁気センサ３ａ及び第２の磁気センサ３ｂの出力（Ｈｉ又はＬｏ）が切り替わるので、この構成を採用しない場合と比べて、磁石２のストローク≒第１の磁気センサ３ａと第２の磁気センサ３ｂの間の距離とすることができて小型となる。
【００５６】
以上、本発明のいくつかの実施の形態及び変形例を説明したが、これらの実施の形態及び変形例は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態及び変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。また、これら実施の形態及び変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態及び変形例は、発明の範囲及び要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１…磁気センサ装置、２…磁石、３ａ…第１の磁気センサ、３ｂ…第２の磁気センサ、４…制御部、５…オフ領域、６…オン領域、７…切替位置、９…外乱磁場、１０…基板、１１…設置面、２０…端部、２１…端部、２５…磁場、２６…軌跡、３０…ピン層、３１…バリア層、３２…フリー層、３５…磁化方向、４０…テーブル、２５０…磁気ベクトル、３２０…感磁面
【図１】
2019105536.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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