(57)【要約】【課題】リソグラフィ工程で使用されるパラメータを効率的に設定する。【解決手段】第１および第２のリソグラフィ装置を管理する管理装置であって、前記第１のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第１の複数パラメータのうち、前記第２のリソグラフィ装置で使用可能な共通パラメータの値を前記第２のリソグラフィ装置に設定する設定部と、設定された前記共通パラメータの値を用いた前記第２のリソグラフィ装置のリソグラフィ工程の結果から前記共通パラメータの補正値を求める算出部とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２のリソグラフィ装置を管理する管理装置であって、
前記第１のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第１の複数パラメータのうち、前記第２のリソグラフィ装置で使用可能な共通パラメータの値を前記第２のリソグラフィ装置に設定する設定部と、
設定された前記共通パラメータの値を用いた前記第２のリソグラフィ装置のリソグラフィ工程の結果から前記共通パラメータの補正値を求める算出部と
を備えるリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項２】
前記設定部は、前記第１の複数パラメータの値を前記第１のリソグラフィ装置に設定する第１のパラメータ入力部と、
前記第１の複数パラメータのうち、前記共通パラメータの値を前記第２のリソグラフィ装置に設定する第２のパラメータ入力部と
を備える請求項１に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項３】
前記設定部は、前記第２のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第２の複数パラメータのうち、前記共通パラメータを除くパラメータの値を前記第２のリソグラフィ装置に設定する第３のパラメータ入力部を備える請求項２に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項４】
前記第１のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値と、前記第２のリソグラフィ装置用の前記共通パラメータの値とのオフセットを記憶する記憶部を備え、
前記第２のパラメータ入力部から、前記共通パラメータの値を前記オフセットを用いて補正して得られる値が前記第２のリソグラフィ装置に入力される請求項２又は３に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項５】
前記記憶部は、前記第１の複数パラメータの初期値、及び前記第１のリソグラフィ装置をリソグラフィ工程で使用して基板に第１のパターンを形成し、該形成された前記第１のパターンを計測して得られる計測結果を記憶し、
前記第１のパラメータ入力部は、
前記第１の複数パラメータの初期値を、前記第１のパターンの計測結果に応じて補正し、補正後の前記第１の複数パラメータの値を前記第１のリソグラフィ装置に設定する請求項４に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項６】
前記共通パラメータを表示する表示部をさらに備える請求項１〜５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項７】
前記第２のリソグラフィ装置に設定された許容範囲に前記共通パラメータの値が入るか否かを判断する判断部をさらに備える請求項１〜６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項８】
前記判断部の判断結果が表示部に表示される請求項７に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項９】
前記第１の複数パラメータは、リソグラフィ工程において互いに関連して使用される複数のパラメータよりなるパラメータ群を含み、
前記共通パラメータは前記パラメータ群を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２のリソグラフィ装置はそれぞれ露光装置であり、
前記共通パラメータは、基板の複数のショット毎の重ね合わせ誤差を補正するためのパラメータ、及び基板の複数のショット毎のデフォーカス量を補正するためのパラメータのうち少なくとも一方を含む請求項１〜９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置が備える前記設定部の処理を、当該管理装置が備えるコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１２】
基板にパターンを形成する露光システムにおいて、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置の管理装置と、
前記第１及び第２のリソグラフィ装置としての第１及び第２の露光装置と、
を備える露光システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の露光システムを用いて、所定のパターンを基板に形成することと、
前記所定のパターンを介して前記基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にパターンを形成するために使用されるリソグラフィ装置の管理技術、この管理技術用のプログラム、その管理技術を用いる露光技術、その露光技術を用いる露光システム、及びデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程では、露光装置（投影露光装置）、コータ・デベロッパ、及びエッチング装置等のパターン形成用の装置（以下、リソグラフィ装置という）が使用されている。それらのリソグラフィ装置のうちの例えば露光装置においては、製造する電子デバイス毎に、及びレイヤ毎にそれぞれ多数のパラメータの設定及び調整を行う必要がある。例えば、光学的近接効果(optical proximity effect: OPE)による投影像の誤差を複数の露光装置間でマッチングさせるためには、例えば投影光学系の開口数ＮＡ、及び／又は照明光源のσ値（いわゆるコヒーレンスファクタ）等のパラメータの設定及び調整が行われる。
【０００３】
同様に、レチクルのパターンと照明光源とを同時に最適化するＳＭＯ(Source and Mask
Optimization)を実行する際にも、照明光源のσ値等のパラメータの調整が行われることがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１０２１０９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電子デバイスの製造工場には、複数の露光装置が設置されている。これらの露光装置についてそれぞれ個別に、製造する電子デバイス毎に、及びレイヤ毎にそれぞれ多数のパラメータの設定及び調整を行う場合には、パラメータの調整が完了するまでの全体の時間が長くなり、露光工程のスループットが低下する恐れがある。
同様に他のリソグラフィ装置においても、複数の装置が設置されているような場合には、これらの装置に効率的にパラメータを設定する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、第１および第２のリソグラフィ装置を管理する管理装置であって、その第１のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第１の複数パラメータのうち、その第２のリソグラフィ装置で使用可能な共通パラメータの値をその第２のリソグラフィ装置に設定する設定部と、設定されたその共通パラメータの値を用いたその第２のリソグラフィ装置のリソグラフィ工程の結果からその共通パラメータの補正値を求める算出部とを備えるリソグラフィ装置の管理装置が提供される。
第２の態様によれば、複数のリソグラフィ装置の管理方法であって、第１及び第２のリソグラフィ装置がそれぞれリソグラフィ工程で使用する第１組及び第２組のパラメータのうち、共通に設定可能な共通パラメータを選択することと、その第１組のパラメータの値を決定することと、その第１組のパラメータの値をその第１のリソグラフィ装置に設定することと、その第１組のパラメータのうち、その共通パラメータの値をその第２のリソグラフィ装置に設定することと、を含むリソグラフィ装置の管理方法が提供される。
【０００７】
第３の態様によれば、基板にパターンを形成する露光方法において、本発明の態様のリソグラフィ装置の管理方法を用いて、その第１及び第２のリソグラフィ装置としての第１及び第２の露光装置にそれぞれその第１組及び第２組のパラメータの値を設定することと、その第１及び第２の露光装置を用いて基板にパターンを露光することとを含む露光方法が提供される。
【０００８】
第４の態様によれば、複数のリソグラフィ装置を管理する管理装置であって、その複数のリソグラフィ装置のうちの第１のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第１組のパラメータ及びその複数のリソグラフィ装置のうちのその第２のリソグラフィ装置がリソグラフィ工程で使用する第２組のパラメータから、その第１及び第２のリソグラフィ装置で共通に設定可能なパラメータを選択する選択部と、その第１組のパラメータのうちのその共通パラメータの値をその第２のリソグラフィ装置に設定する設定部と、を備えるリソグラフィ装置の管理装置が提供される。
【０００９】
第５の態様によれば、本発明の態様のリソグラフィ装置の管理装置が備えるその設定部の処理を、当該管理装置が備えるコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
第６の態様によれば、基板にパターンを形成する露光システムにおいて、本発明の態様のリソグラフィ装置の管理装置と、その第１及び第２のリソグラフィ装置としての第１及び第２の露光装置と、を備える露光システムが提供される。
【００１０】
第７の態様によれば、本発明の態様の露光方法又は露光システムを用いて、所定のパターンを基板に形成することと、その所定のパターンを介してその基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の一例に係るリソグラフィシステムの外観を示す図である。
【図２】図１中の露光装置の機構部の概略構成を示す一部を断面で表した図である。
【図３】図１中のマスターサーバの制御演算系及び第１の露光装置の制御演算系を示すブロック図である。
【図４】パラメータ設定方法の一例を示すフローチャートである。
【図５】パラメータ設定時の表示装置の画面の一例を示す図である。
【図６】（Ａ）は重ね合わせ誤差の計測結果の一例を示す図、（Ｂ）は重ね合わせ誤差補正後のショット配列の一例を示す図、（Ｃ）はフォーカス誤差の計測結果の一例を示す図である。
【図７】（Ａ）は露光装置に設定する照明光源の一例を示す図、（Ｂ）は別の露光装置に設定する照明光源を示す図、（Ｃ）は補正後の照明光源を示す図、（Ｄ）はＯＰＥ特性の一例を示す図である。
【図８】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図１〜図７（Ｄ）を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係るリソグラフィシステムＤＭＳを示す。図１において、リソグラフィシステムＤＭＳは、複数（図１では５台）の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥと、これらの露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥで使用される種々のレチクル（マスク）のパターンの配置、フーリエ変換パターン、及びパターンの膜構造の情報（３次元の構造情報）を含むパターン情報を各レチクルのＩＤ情報（識別情報）に対応させて記憶するマスクサーバＭＳＥと、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥに種々のパラメータを設定するマスターサーバ６とを備えている。さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、形成されたパターンの検査を行う重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡ、形成されたパターンのフォーカス誤差（デフォーカス量）を計測するフォーカス誤差計測装置（不図示）、及び形成されたパターン
の線幅等を計測する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（不図示）等の複数の検査装置と、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥ、マスクサーバＭＳＥ、マスターサーバ６、及び検査装置間で情報の送受信を行うために使用される例えばＬＡＮ(Local Area Network)などの通信回線１２と、マスクサーバＭＳＥとマスターサーバ６との間でパターン情報等を送受信する専用のより高速の通信回線１３とを備えている。
【００１３】
また、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥは、それぞれマスターサーバ６から通信回線１２を介して供給されるパラメータ情報の受信及び各種制御情報の送受信を行う通信ユニット１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅを備えている。露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥ、マスターサーバ６、及び通信回線１２を露光システムとみなすことができる。また、マスターサーバ６及びマスクサーバＭＳＥはそれぞれ通信回線１２，１３を介して情報の送受信を行う入出力ポート（以下、ＩＯポートという）８Ａ及び８Ｂを備え、重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡは、通信回線１２を介して情報の送受信を行うＩＯポート１１を備えている。
【００１４】
さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、通信回線１２よりも広い範囲で情報の送受信を行う例えばＷＡＮ(Wide Area Network)などの通信回線（不図示）と、この通信回線に接続されたコータ・デベロッパ（不図示）と、この通信回線を介して、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥ、マスクサーバＭＳＥ、マスターサーバ６、重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡ、及びコータ・デベロッパの間で工程管理情報等の送受信等を行うホストコンピュータ（不図示）とを備えている。一例として、リソグラフィシステムＤＭＳは、半導体デバイス等を製造するための製造工場に設置され、複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥはその製造工場内の複数の製造ラインに沿って配置されている。
【００１５】
図２は、図１中の露光装置ＥＸＡの機構部の概略構成を示し、図３は、露光装置ＥＸＡの制御演算系及び図１中のマスターサーバ６の制御演算系を示す。図２において、露光装置ＥＸＡは、一例としてスキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型の投影露光装置である。露光装置ＥＸＡは、レチクル（マスク）のパターンの像をレジスト（感光材料）が塗布された半導体ウエハ（以下、単にウエハという）の表面に投影する投影光学系ＰＬを備えている。以下、図２において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面（本実施形態ではほぼ水平面に平行な面）内でレチクルとウエハ（感光性の基板）とが相対走査される方向に沿ってＹ軸を、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向に沿ってＸ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の回りの回転方向をθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明する。
【００１６】
露光装置ＥＸＡは、露光用の照明光（露光光）ＩＬを発生する露光用の光源（不図示）と、この光源からの照明光ＩＬを用いてレチクルＲＡを照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲＡを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、を備えている。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡから射出された照明光ＩＬでウエハＷの表面（以下、ウエハ面ともいう）を露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を制御する主制御部４０及び露光動作の制御を行う露光制御部１４を含む制御系（図３参照）とを備えている。主制御部４０及び露光制御部１４は、一例としてコンピュータのソフトウェア上の機能である。そして、後述するマスターサーバ６の運用の実施するプログラムによって制御される。
【００１７】
図２において、照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。なお、露光用の照明光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、又は固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波なども使用できる。照明光学系ＩＬＳは、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、光源（不図示）から供給される照明光ＩＬを用いて瞳面（以下、照明瞳
面という）に円形、輪帯状、又は複数極状等の可変の光強度分布（以下、照明光源という）を形成する空間光変調器(Spatial Light Modulator: SLM)等の光強度分布形成部と、この光強度分布形成部を駆動して照明光源の形状を制御する光学系制御部３７（図３参照）と、その照明光源からの照明光ＩＬでレチクルＲＡのパターン面（以下、レチクル面ともいう）のＸ方向に細長いスリット状の照明領域ＩＡＲを照明するコンデンサ光学系と、及び照明領域ＩＡＲの形状を規定する可変視野絞り等とを有する。光強度分布形成部として空間光変調器を用いることによって、照明光源の基本的な形状を円形、複数極（４極等）、輪帯、又は他の任意の形状の分布に容易に設定できる。これによって、露光対象のレチクルに応じて照明光源の形状を最適化するＳＭＯ(Source and Mask Optimization)を容易に適用できる。さらに、空間光変調器を用いることによって、照明光源のσ値（コヒーレンスファクタ）の調整、及び輪帯照明を行う場合の輪帯状（又は複数極状）の照明光源の輪帯比（外径と内径との比）の調整等も容易に行うことができる。
【００１８】
さらに、照明光学系ＩＬＳ内には、照明光ＩＬから分岐した光の光量を検出する光電センサよりなるインテグレータセンサ３６（図３参照）が設けられ、このインテグレータセンサの計測値が露光制御部１４に供給されている。露光制御部１４ではその計測値を積算することで、投影光学系ＰＬを通過する積算照射エネルギーをモニタできる。なお、積算照射エネルギーの代替情報として、露光継続時間等を使用することも可能である。
【００１９】
レチクルＲＡはレチクルステージＲＳＴの上面に真空吸着等により保持され、レチクル面には、回路パターン等のデバイスパターンＲＰＡ及びアライメントマーク（不図示）が形成されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む図３のレチクルステージ駆動系３１によって、ＸＹ平面内で微少駆動可能であると共に、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能である。異なるレイヤの露光を行う際には、レチクルステージＲＳＴには別のデバイスパターンＲＰＢが形成されたレチクルＲＢが設置される。
【００２０】
レチクルステージＲＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計２４によって、移動鏡２２（又は鏡面加工されたステージ端面）を介して例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計２４の計測値は、図３の露光制御部１４に送られる。露光制御部１４は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系３１を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。
【００２１】
また、投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β（例えば１／４倍などの縮小倍率）を有する。投影光学系ＰＬの瞳面（以下、投影瞳面という。）ＰＬＰ又はこの近傍に開口絞りＡＳが設置されている。光学系制御部３７（図３参照）が開口絞りＡＳを駆動して投影光学系ＰＬの開口数ＮＡを制御する。投影瞳面ＰＬＰは照明光学系ＩＬＳの瞳面（照明瞳面）と光学的に共役であり、投影瞳面ＰＬＰは、レチクルＲＡのパターン面（投影光学系ＰＬの物体面）に対して光学的なフーリエ変換面でもある。なお、投影光学系ＰＬは中間像を形成するタイプでもよい。さらに、投影光学系ＰＬは、屈折系でもよいが、反射屈折系であってもよい。照明光学系ＩＬＳからの照明光ＩＬによってレチクルＲＡのパターン面の照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲＡを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＩＡＲ内のデバイスパターンの像が、ウエハＷの一つのショット領域の露光領域ＩＡ（照明領域ＩＡＲと光学的に共役な領域）に形成される。ウエハＷは、一例としてシリコン等の半導体よりなる直径が２００〜４５０ｍｍ程度の円板状の基材にレジスト（感光材料）を数１０〜２００ｎｍ程度の厚さで塗布したものを含む。
【００２２】
また、露光装置ＥＸＡにおいて、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを
構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子の下端部の周囲を取り囲むように、局所液浸装置の一部を構成して、露光領域ＩＡを含む液浸領域で露光用の液体Ｌｑ（例えば純水）の供給及び回収を行うノズルユニット２８が設けられている。ノズルユニット２８は、液体Ｌｑを供給するための配管（不図示）を介して、液体供給装置３３及び液体回収装置３４（図３参照）に接続されている。なお、液浸タイプの露光装置としない場合には、上記の局所液浸装置は設けなくともよい。
【００２３】
また、投影光学系ＰＬには、内部の所定の複数のレンズの姿勢を制御してディストーション及び球面収差等の波面収差で表される結像特性を補正する結像特性補正装置３０が設けられている。そのような結像特性補正装置は、例えば米国特許出願公開第２００６／２４４９４０号明細書に開示されている。
さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡのアライメントマークの投影光学系ＰＬによる像の位置を計測する空間像計測系（不図示）、及びウエハＷのアライメントマークの位置を計測する例えば画像処理方式（ＦＩＡ系）のセンサを含むアライメント系ＡＬと、ウエハＷの表面の複数箇所のＺ位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという）３５（図３参照）とを備えている。アライメント系ＡＬ等の計測情報は露光制御部１４に供給される。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルローダ系（不図示）及びウエハローダ系（不図示）を備えている。
【００２４】
また、ウエハステージＷＳＴは、不図示の複数のエアパッド（不図示）を介して、ベース盤ＷＢのＸＹ面に平行な上面に非接触で支持されている。ウエハステージＷＳＴは、例えば平面モータ、又は直交する２組のリニアモータを含むステージ駆動系３２（図３参照）によってＸ方向及びＹ方向に駆動可能である。ウエハステージＷＳＴは、Ｘ方向、Ｙ方向に駆動されるステージ本体と、このステージ本体のθｚ方向の回転角を調整する機構と、このステージ本体に設けられてウエハＷを真空吸着等で保持するウエハホルダＷＨと、ウエハＷのＺ位置、及びθｘ方向、θｙ方向のチルト角を制御するＺステージ機構（不図示）とを備えている。
【００２５】
そして、ウエハステージＷＳＴの位置情報を計測するためにレーザ干渉計よりなるウエハ干渉計２６が配置されている。ウエハステージＷＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、ウエハ干渉計２６によって例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出され、その計測値は露光制御部１４に送られる。露光制御部１４は、その計測値に基づいてステージ駆動系３２を制御することで、ウエハステージＷＳＴの位置及び速度を制御する。なお、ウエハ干渉計２６の代わりに、回折格子と検出器とを組み合わせたエンコーダ方式の位置計測システムを使用してもよい。
【００２６】
また、ウエハステージＷＳＴに投影瞳面ＰＬＰの光強度分布（光量分布）を計測できる特性計測装置２０が組み込まれている。特性計測装置２０は、一例として、ウエハＷの表面と同じ高さの表面を有し、その表面にピンホール２１Ａａが形成された平板状のガラス基板２１Ａと、ピンホール２１Ａａを通過した照明光を集光する受光光学系２１Ｂと、受光光学系２１Ｂで集光された照明光を受光するＣＣＤ又はＣＭＯＳ型の二次元の撮像素子２１Ｃと、これらの部材を保持する筐体２１Ｄとを有する。ピンホール２１Ａａを露光領域ＩＡ内に移動した状態で、受光光学系２１Ｂによって、投影瞳面ＰＬＰ（又は射出瞳）に対して撮像素子２１Ｃの受光面は光学的に共役になる。撮像素子２１Ｃの検出信号を演算部（不図示）で画像処理することによって、投影瞳面ＰＬＰ（又は入射瞳若しくは射出瞳）における光強度分布（画像）を計測できる。さらに、例えばレチクルＲＡの代わりに所定の複数の回折格子パターンが形成されたテストレチクル（不図示）を配置したときに得られる画像を処理することで、投影光学系ＰＬの所定の収差を計測することも可能である。計測された光強度分布又は収差の情報は露光制御部１４に供給される。
【００２７】
また、露光装置ＥＸＡは、マスターサーバ６から供給される複数のパラメータの値、アライメント系ＡＬ及びＡＦセンサ３５の計測値、並びに露光装置ＥＸＡ用の露光データファイル等を記憶する記憶部３８と、通信回線１２に接続されたＩＯポート４２と、マスターサーバ６及びホストコンピュータ等（不図示）との間のＩＯポート４２を介した情報の入出力を制御する入出力制御部（以下、ＩＯ制御部という）４１と、マスターサーバ６から通信回線１２及びＩＯポート４２を介して供給されるパラメータが入力されるパラメータ入力部４３とを備えている。主制御部４０には表示装置１８Ｅ及び入力装置１６Ｅが接続され、オペレータは主制御部４０に各種コマンド等を入力できる。
【００２８】
ＩＯポート１０Ａ及びパラメータ入力部４３から通信ユニット１０Ａが構成されている。後述のようにマスターサーバ６からパラメータ入力部４３に供給される複数のパラメータは、主制御部４０及び露光制御部１４を介して記憶部３８に記憶される。また、パラメータ入力部４３に入力されたパラメータに対応するパラメータがそれぞれ結像特性補正装置３０及び光学系制御部３７等に設定される。
露光装置ＥＸＡの照明光ＩＬの波長（露光波長）、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＬを構成する光学部材の配置情報、投影光学系ＰＬの解像度、特性計測装置２０によって計測される投影光学系ＰＬの残存する波面収差、重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡによって計測される露光装置ＥＸＡの重ね合わせ誤差、露光装置ＥＸＡで投影可能なパターンのほぼ最小線幅を示すＣＤ（critical dimension）の計測値（例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって計測される線幅）、結像特性補正装置３０によって補正可能な投影光学系ＰＬの波面収差、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの位置決め精度、アライメント系ＡＬのアライメント精度等の情報、並びに設定が必要なパラメータの種類及び初期値等の情報を含む露光装置の構成及び特性に関する情報（以下、露光装置の構成情報という）は、記憶部３８に記憶されるとともに、露光装置ＥＸＡのＩＤ情報に対応させてマスターサーバ６の第１記憶部５１（図３参照）に記憶されている。なお、その露光装置の構成情報中の特性計測装置２０及び重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡ等によって計測される値は計測データということもできる。
【００２９】
図１の他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＥの構成も露光装置ＥＸＡと同様であり、露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＥの構成情報もそれぞれ露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥのＩＤ情報に対応させてマスターサーバ６の第１記憶部５１（図３参照）に記憶されている。なお、露光装置の構成情報は、必要に応じて通信回線１２を介してマスターサーバ６に供給されてもよい。また、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥは互いに機種が異なっていてもよい。一例として、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢが液浸型であり、露光装置ＥＸＣがドライ型であってもよい。さらに、露光装置ＥＸＤが一括露光型のステッパーであってもよい。また、露光光の波長も限定されるものではなく、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ光やＫｒＦエキシマレーザ光やi線を使う露光装置を組み合わせてもよい。また、極端紫外光を用いるＥＵＶ露光装置を組み合わせてもよい。
【００３０】
露光装置ＥＸＡによるウエハＷの露光時に、基本的な動作として、レチクルＲＡ及びウエハＷのアライメントが行われた後、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向への移動（ステップ移動）によって、ウエハＷの露光対象のショット領域が投影光学系ＰＬの露光領域の手前に移動する。そして、露光制御部１４の制御のもとで、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬによる像でウエハＷの当該ショット領域を露光しつつ、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期駆動して、投影光学系ＰＬに対してレチクルＲ及びウエハＷを例えば投影倍率を速度比としてＹ方向に走査することによって、当該ショット領域の全面にレチクルＲのパターンの像が走査露光される。このようにステップ移動と走査露光とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの複数のショット領域に対して順次レチクルＲＡのパターンの像が露光される。
【００３１】
このような露光に際しては、予めレチクルＲＡのパターン及び露光装置ＥＸＡの構成に応じて露光装置ＥＸＡに種々のパラメータの値を設定しておく必要がある。また、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＥに対してもそれぞれレチクルのパターン及び露光装置の構成に応じて種々のパラメータの値を設定しておく必要がある。このようなパラメータの設定を露光装置毎に個別に行うものとすると、露光工程のスループットが低下する恐れがある。本実施形態では、それらのパラメータの値を効率的に設定するためにマスターサーバ６が設けられている。
【００３２】
マスターサーバ６は、一例として図３に示すように、複数のＣＰＵ（中央演算ユニット）又はＭＰＵ（マイクロプロセッシングユニット）と、半導体メモリと、ハードディスク装置等の大容量の記憶装置とを備えたコンピュータである。また、マスターサーバ６は、通信回線１２，１３との間で送受信を行うためのＩＯポート８Ａと、DVD (digital versatile disk)又はフラッシュメモリ等の記録媒体５３に記録されたデータ及びプログラムを読み取るとともに、記録媒体５３にデータ等を書き込むことが可能な記録再生部５２と、記憶装置の一部である第１記憶部５１及び第２記憶部６１と、記憶装置の一部であるパラメータ情報記憶部５５と、各種情報を表示するための表示装置１８と、オペレータが制御情報等を入力するための例えばタッチパネル方式の入力装置１６と、以下で説明するコンピュータのソフトウェア上の種々の機能とを備えている。パラメータ情報記憶部５５は、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥが指定されたレチクルを使用する場合のそれぞれの１組のパラメータの初期値及び補正後の値を記憶するパラメータ記憶部５６Ａ〜５６Ｅと、例えば実測又は計算によって求められた露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥの各組の所定のパラメータ（例えば複数の露光装置で共通に設定されるパラメータ）間の値のオフセット等を記憶するオフセット記憶部５６Ｆとを有する。
【００３３】
マスターサーバ６のソフトウェア上の機能としては、マスターサーバ６の全体の動作を統括的に制御する主制御部５０（例えばオペレーティングシステム）と、主制御部５０がＩＯポート８Ａを制御するためのＩＯ制御部５４と、パラメータ選択決定部５８とがある。以下、例えば露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣがそれぞれｉ，ｊ，ｋ番目（ｉ，ｊ，ｋは例えば整数で、互いに同じ数でもよい）のレチクルを使用する場合に設定が必要となる１組のパラメータを（Ａ−ｉ）組、（Ｂ−ｊ）組、（Ｃ−ｋ）組のパラメータと称する。パラメータ選択決定部５８は、それらのパラメータのうち、複数の露光装置で共通に設定する所定のパラメータの種類を選択するパラメータ選択部６２と、ある露光装置（例えば露光装置ＥＸＡ）に設定する（Ａ−ｉ）組のパラメータの値を決定する第１パラメータ決定部６３と、オペレータの指示に応じてこの１組のパラメータの値の補正を行う第１の補正部６５Ａと、他の露光装置（例えば露光装置ＥＸＢ，ＥＸＣ）に設定する（Ｂ−ｊ）組及び（Ｃ−ｋ）組のパラメータの値を決定する第２パラメータ決定部６４と、オペレータの指示に応じてこれらの１組のパラメータの値の補正を行う第２の補正部６５Ｂと、決定されたパラメータの値を対応する露光装置の主制御部４０に送信して、決定されたパラメータの値（以下、Ｐとする）を対応する露光装置に設定させる副制御部６０とを有する。決定されたパラメータの値Ｐは、対応するパラメータ記憶部５６Ａ〜５６Ｅにも記憶される。
【００３４】
副制御部６０は、第１記憶部５１に記憶されている各露光装置の構成情報から各露光装置に設定が必要なパラメータの種類及び初期値を読み出し、読み出したパラメータの初期値を対応するパラメータ記憶部５６Ａ〜５６Ｅに記憶させる。また、副制御部６０は、一例として、必要に応じて露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥの各組の所定のパラメータ（例えば複数の露光装置で共通に設定されるパラメータ）の初期値間のオフセットをオフセット記憶部５６Ｆに記憶させる。第２記憶部６１は、副制御部６０及びパラメータ選択決定部５８がデータを一時的に記憶させるために使用される。これらのソフトウェア上の種々の機能は、それぞれ例えば主制御部５０が記録媒体５３に記録されたプログラムを読み取り、読み
取ったプログラムを第１記憶部５１に記憶させた後、必要な機能に対応するプログラムを実行させることによって実現される。
【００３５】
次に、例えば露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＣに設定される（Ａ−ｉ）組、（Ｂ−ｊ）組、（Ｃ−ｋ）組のパラメータの一例につき図５を参照して説明する。図５は、オペレータがマスターサーバ６を使用してパラメータの設定を行っている際に、表示装置１８に表示される内容の一例を示す。図５において、各組のパラメータは、一例として、照明系等の設定に関する１群のパラメータＰＩＵ、投影光学系の収差を低減するための一群のパラメータＰＬＣ、重ね合わせ誤差を低減するための一群のパラメータＰＯＶ、及びフォーカス誤差（デフォーカス量）を低減するための一群のパラメータＰＦＯ（ウエハのショット毎、及び各ショット内のフォーカス位置のオフセット等）を含む。また、パラメータＰＩＵは、ＯＰＥ（optical proximity effect:）特性を複数の露光装置間でマッチングさせるためのパラメータＰＯＰ（例えば照明系のσ値（コヒーレンスファクタ）、輪帯照明時の輪帯比等）、及びレチクルのパターンと照明光源とを同時に最適化するＳＭＯ(Source and Mask
Optimization)を実行する際に使用するパラメータＰＳＯ（例えば照明光源の形状等）を有する。以下、パラメータＰＯＰをサブセットａともいい、また、パラメータＰＳＯをパラメータのサブセットｂともいう。
【００３６】
また、パラメータＰＬＣは、投影光学系の波面収差を規定するツェルニケ(ZERNIKE) 多項式の係数（以下、ツェルニケ係数という）Ｚａｎ（ｎ＝１，２，…）を含むパラメータＰＬＢ、及び露光光の照射によって変動する投影光学系の収差（いわゆる熱収差）を規定するパラメータＰＴＡ（収差変動の時定数及び飽和時の収差変動量等）を有する。以下、パラメータＰＬＢを、パラメータのサブセットｃともいい、また、パラメータＰＴＡをパラメータのサブセットｄともいう。また、パラメータＰＯＶは、ウエハのショット毎のデバイスパターンの重ね合わせ誤差を示すパラメータＰＳＧ（露光位置のオフセット、傾斜角、回転、投影像の倍率、ディストーション等）、及びレチクルの熱膨張による重ね合わせ誤差を示すパラメータＰＲＥ（レチクルの熱膨張率、透過率等）を有する。以下、パラメータＰＳＧを、パラメータのサブセットｅともいい、パラメータＰＲＥをパラメータのサブセットｆともいう。なお、（Ａ−ｉ）組、（Ｂ−ｊ）組、（Ｃ−ｋ）組のパラメータは、それぞれパラメータＰＩＵ，ＰＬＣ，ＰＯＶ，ＰＦＯ（サブセットａ〜ｆ及びパラメータＰＦＯ）の少なくとも一部を含んでいるが、通常はそれらのパラメータとして最終的に設定される値は、特に等しい値に限定された場合を除いて、互いに異なっている。
【００３７】
以下、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳにおいて、例えば露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＣに対してマスターサーバ６を用いてパラメータを設定する方法の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。以下では、一例として最初に露光装置ＥＸＡの（Ａ−ｉ）組のパラメータを設定し、この設定されたパラメータの少なくとも一部を用いて他の露光装置ＥＸＢ，ＥＸＣの（Ｂ−ｊ）組、（Ｃ−ｋ）組のパラメータを設定するものとして説明する。
【００３８】
まず、図４のステップ１０２において、複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥで共通に設定するパラメータを選択する。このため、まず副制御部６０は、パラメータ情報記憶部５５のパラメータ記憶部５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃに（Ａ−ｉ）組、（Ｂ−ｊ）組、（Ｃ−ｋ）組のパラメータの初期値を設定する。そして、マスターサーバ６のパラメータ選択部６２は、副制御部６０等を介して表示装置１８に図５に示す表示を行わせる。なお、この段階では、図５中のブロックＡ１，Ａ５等が選択されたことを示す情報（図５では斜線で表されている）は表示されていない。さらに、パラメータ選択部６２は、オペレータに共通に設定するパラメータを選択するように表示（不図示）を行う。
【００３９】
これに応じてオペレータは、一例として、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＣでサブセットａの設
定を共通に行い、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣでサブセットｅの設定を共通に行い、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢでパラメータＰＦＯの設定を共通に行うように、タッチパネルを用いて共通に設定する部分のパラメータを示すブロックＡ１，Ｂ５，Ｃ１等を選択する。これによって、パラメータ選択部６２では、選択されたパラメータの情報を第２記憶部６１に記憶させる。なお、パラメータ選択部６２では、例えば予め定められた方法（例えば同じ機種の露光装置ではサブセットａ，ｅを共通に設定し、異なる機種の露光装置ではサブセットａのみを共通に設定する等の方法）で共通に設定するパラメータを選択してもよい。また、ここではそれぞれ複数のパラメータを含むサブセットａ〜ｆ及び／又はパラメータＰＦＯを単位として共通に設定するパラメータを選択しているため、設定効率を高くできる。なお、一つのパラメータのみを共通に設定するパラメータとして選択してもよい。
【００４０】
次のステップ１０４において、副制御部６０は、共通に設定されるサブセットａ，ｅ、及びパラメータＰＦＯに関して、共通に設定される露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＣ間のパラメータの初期値間のオフセットを求めて、オフセット記憶部５６Ｆに記憶させる。なお、共通に設定するパラメータの補正を行わない場合には、ステップ１０４を省略できる。さらに、ステップ１０６において、露光装置ＥＸＡ（第１の露光装置）に対するパラメータの設定を行う。このため、第１パラメータ決定部６３ではパラメータ記憶部５６Ａから（Ａ−ｉ）組のパラメータの初期値を読み出し、この初期値の情報を副制御部６０を介して露光装置ＥＸＡの主制御系４０に供給し、主制御系４０ではそのパラメータの初期値を対応する装置に設定する。
【００４１】
その後、パラメータの補正を行う場合には、露光装置ＥＸＡを用いて所定のテストパターンが形成されたレチクルを用いて露光を行い（ステップ１０８）、現像後のパターンを例えば重ね合わせ誤差計測装置ＭＥＡ等で計測し、例えば重ね合わせ誤差及びデフォーカス量を求める（ステップ１１０）。この重ね合わせ誤差及びデフォーカス量の計測値の情報は通信回線１２を介してマスターサーバ６の第１記憶部５１に記憶される。
【００４２】
そして、ステップ１１２において、補正部６５Ａは、その重ね合わせ誤差及びデフォーカス量の計測値を用いて対応するパラメータを補正する。例えば重ね合わせ誤差は、図６（Ａ）に示すように、ウエハＷのｉ番目のショットＳＡｉ（ｉ＝１〜Ｎ：Ｎはショットの総数を表す整数）に露光されるテストパターンＥＰｉの複数の重ね合わせ誤差計測用のマークＭＰＳの位置情報（例えば前のレイヤのマークと今回露光したマークとの位置ずれ量）を計測することによって求められる。その重ね合わせ誤差から、補正部６５Ａは、重ね合わせ誤差補正用のパラメータであるサブセットｅ（ショットＳＡｉ毎の露光位置のＸ方向、Ｙ方向のオフセット、及び投影光学系のディストーション等）の補正値を求める。この補正後のサブセットｅを用いて露光することによって、図６（Ｂ）に示すように、各ショットＳＡｉにデバイスパターンＧＰｉを高精度に重ね合わせて露光できるようになる。
【００４３】
同様に、図６（Ｃ）に示すように、ショット毎のデフォーカス量δＦは、ウエハＷのショットＳＡｉに露光されるテストパターンＦＰｉの複数のフォーカス位置計測用のマークＭＰＦの位置情報（例えば非テレセントリックな状態で露光される複数のマークの間隔等）を計測することによって求められる。そのデフォーカス量δＦから補正部６５Ａは、フォーカス誤差を低減するためのパラメータＰＦＯ（例えばショット毎のショット内のフォーカス位置のオフセット）の補正値を求める。このようにして求められたサブセットｅ及びパラメータＰＦＯの補正値は第１パラメータ決定部６３に送られ、第１パラメータ決定部６３はその補正値を用いて露光装置ＥＸＡ用の（Ａ−ｉ）組のパラメータを補正し、補正された結果をパラメータ記憶部５６Ａに記憶させるとともに、副制御部６０を介して露光装置ＥＸＡの主制御系４０に送信する。これによって、補正後のパラメータが露光装置ＥＸＡに設定される。図５の表示画面では、（Ａ−ｉ）組のパラメータの部分に設定済み
の表示が行われる。なお、ステップ１０８及び１１０の動作はステップ１０２の前工程で行っておいてもよい。
【００４４】
次のステップ１１４において、第２パラメータ決定部６４は、露光装置ＥＸＢ，ＥＸＣに対して共通に設定するパラメータ（例えばサブセットａ，ｅ及びパラメータＰＦＯ）を補正するかどうかを、不図示の確認のための表示、警報等の方法を用いてオペレータに問い合わせる。パラメータを補正する場合、オペレータは、例えば、表示画面中の対応するパラメータのブロック内の補正することを示す表示（図５ではＣＲの文字で表されている）を選択する。その後、オペレータは次の処理への移行を示す表示（不図示）を選択する。これに応じて、ステップ１１６において、補正部６５Ｂは、（Ａ−ｉ）組のパラメータ中のサブセットａを、オフセット記憶部５６Ｆに記憶されている露光装置ＥＸＡ，ＥＸＣ間のオフセットを用いて補正し、補正した結果を第２パラメータ決定部６４を介してパラメータ記憶部５６Ｃ内のサブセットａの部分に書き込む。
【００４５】
同様に、補正部６５Ｂは、（Ａ−ｉ）組のパラメータ中のサブセットｅを、例えば、オフセット記憶部５６Ｆに記憶されている露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ間及び露光装置ＥＸＡ，ＥＸＣ間のオフセットを用いて補正し、補正した結果をそれぞれ第２パラメータ決定部６４を介してパラメータ記憶部５６Ｂ及び５６Ｃ内のサブセットｅの部分に書き込む。さらに、補正部６５Ｂは、（Ａ−ｉ）組のパラメータＰＦＯを、例えば、オフセット記憶部５６Ｆに記憶されている露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ間のオフセットを用いて補正し、補正した結果を第２パラメータ決定部６４を介してパラメータ記憶部５６Ｂ内のパラメータＰＦＯの部分に書き込む。これで、露光装置ＥＸＡの（Ａ−ｉ）組のパラメータのうち、他の露光装置に対して共通に使用するパラメータ（サブセットａ，ｅ及びパラメータＰＦＯ）が補正されたことになる。
なお、オフセットを用いて補正するのではなく、決定されたパラメータＰを使って露光動作または露光シミュレーションを行なった結果を用いて補正してもよい。例えば、主制御部５０（マスターサーバ６）が、決定されたパラメータＰのままでは、露光装置ＥＸＢに設定されている許容範囲に入らないと判断した場合、その旨を警告するようにしてもよい。警告の方法としては、例えば、表示装置１８の画面上に警報が表示されるようにしてもよいし、アラームなどの警報が鳴るようにしてもよく、特に限定されるものではない。
【００４６】
ここで、パラメータ補正の効果の例を説明すると、例えば、（Ａ−ｉ）組のパラメータのうち、照明光源を示すパラメータが、図７（Ａ）の照明瞳４５で示すように、照明系の光軸ＡＸＩの回りに配置された４個の照明光源４４Ａａを使用する４極照明４４Ａとなっており、サブセットａ中の輪帯比の初期値が、σ２１／σ１１となっているものとする。このとき、露光装置ＥＸＣ用のパラメータ中の輪帯比は、一例として、図７（Ｂ）の４極照明４４Ｂで示すように、図７（Ａ）の場合の輪帯比を予め求めてあるオフセットで補正したσ２２／σ１２となる。この輪帯比に基づいて露光装置ＥＸＣの図７（Ｄ）に示すＯＰＥ特性（曲線Ａ１）を基準となる特性（曲線Ａ２）に所定の許容範囲内で合致するように調整すると、調整後の輪帯比は、一例として、図７（Ｃ）の４極照明４４Ｃで示すようにσ２３／σ１３となる。この際に、図７（Ｂ）の輪帯比は最終的に露光装置ＥＸＣにおいて設定される輪帯比に近いため、露光装置ＥＸＣにおける調整時間を短縮できることになる。
【００４７】
図４のフローチャートの説明に戻ると、その後、動作はステップ１１８に移行する。なお、共通に使用するパラメータを補正しない場合には、ステップ１１４から動作はステップ１１８に移行する。
ステップ１１８において、第２パラメータ決定部６４は、図５の表示画面に共通に設定するパラメータを指定するように表示（不図示）を行う。これに応じて、オペレータが例えば（Ａ−ｉ）組のパラメータのうちのサブセットｅを示すブロックＡ５を選択用表示Ｃ
Ｕを用いて選択し、このブロックＡ５を（Ｂ−ｊ）組のパラメータのうちのサブセットｅを示すブロックＢ５に移動する動作（ドラッグ＆ドロップやカット＆ペースト等）を行うと、第２パラメータ決定部６４は、（Ａ−ｉ）組のパラメータのうちのサブセットｅを、パラメータ記憶部５６Ｂの（Ｂ−ｊ）組のパラメータのうちのサブセットｅの部分にコピーする。さらに、そのコピーしたサブセットｅを、副制御部６０を介して露光装置ＥＸＢ（第２の露光装置）の主制御系４０に送信する。これによって、露光装置ＥＸＢ用のサブセットｅのパラメータが設定されたことになる。
なお、この時点で露光装置ＥＢＸに設定されたパラメータの値の許容範囲にコピーされたパラメータの値が入らないことが分かれば、マスターサーバ６が、表示装置１８の画面に、指示されたパラメータのコピーができないことを表示してもよい。例えば、主制御部５０において、コピーを指示されたサブセットeのパラメータの値が、露光装置ＥＸＢに設定されたサブセットeの許容範囲に入るか否かを判断し、入らない場合は、コピーできない理由と、上記許容範囲に最も近くなるようなパラメータeの値の候補を表示部１８に表示してオペレータに知らせるようにしてもよい。
【００４８】
さらに、オペレータが選択用表示ＣＵをブロックＡ７からブロックＢ７に移動する動作を行うことによって、第２パラメータ決定部６４は、（Ａ−ｉ）組のパラメータＰＦＯを、パラメータ記憶部５６Ｂの（Ｂ−ｊ）組のパラメータのうちのパラメータＰＦＯにコピーする。そして、コピーしたパラメータＰＦＯを、副制御部６０を介して露光装置ＥＸＢ（第２の露光装置）の主制御系４０に送信する。これにより、露光装置ＥＸＡのパラメータＰＦＯが露光装置ＥＸＢ用のパラメータＰＦＯとして設定される。同様に、オペレータが選択用表示ＣＵをブロックＡ１及びＡ５からそれぞれブロックＣ１及びＣ５に移動する動作を行うことによって、露光装置ＥＸＡのサブセットａ及びｅがそれぞれ露光装置ＥＸＣ用のサブセットａ及びｅとして設定される。
パラメータのコピーの方法は特に限定されるものではない。本実施形態では、表示装置１８の表示画面でオペレータが動作する場合を説明したが、ハードディスクや光ディスクや磁気テープのような記憶媒体を介してコピーが行なわれるよう構成してもよい。また、露光装置ＥＸＢが起動した際に、起動動作に伴って自動的に通信回線１２を介してパラメータのコピーが行われるようにしてもよい。
【００４９】
その後、露光装置ＥＸＢの他のパラメータ（サブセットｅ及びパラメータＰＦＯ以外のパラメータ）を設定する場合、ステップ１２０において、第２パラメータ決定部６４は、パラメータ記憶部５６Ｂ中の設定対象のパラメータの初期値を副制御部６０を介して露光装置ＥＸＢの主制御系４０に送信する。同様に、露光装置ＥＸＣの他のパラメータ（サブセットａ，ｅ以外のパラメータ）を設定する場合、第２パラメータ決定部６４は、パラメータ記憶部５６Ｃ中の設定対象のパラメータの初期値を副制御部６０を介して露光装置ＥＸＣの主制御系４０に送信する。
【００５０】
そして、ステップ１２２において、露光装置ＥＸＢでは設定された（Ｂ−ｊ）組のパラメータを用いて例えばテストパターンの露光を行い、現像後のパターンの計測を行い（ステップ１２４）、計測結果を表示装置１８の画面に表示する。そして、例えば、計測結果が許容範囲に入らなかった場合は、その旨を画面に表示して、オペレータが対応を選択できるようにしてもよい。例えば、オペレータが、計測結果が許容範囲に入るようにパラメータを修正することを選択すると、マスターサーバ６が、パラメータを補正した場合の結果を露光シミュレーションや計算等で導き出して表示装置１０の画面に表示するようにしてもよい。そして、補正した結果を表示した場合は、オペレータが、その補正を受け入れる動作をマスターサーバ６に対して行なうと、補正したパラメータの値が露光装置ＥＸＢに設定される。このようにパラメータを補正することによって（ステップ１２６）、露光装置ＥＸＢではパラメータを効率的に設定することができる。同様に露光装置ＥＸＣにおいてもパラメータの補正や設定が効率的に行なうことが可能になる。
【００５１】
上述のように、本実施形態のマスターサーバ６は、ウエハＷ（基板）にパターン（レジストパターン等）を形成するためのリソグラフィ工程で使用されるパラメータを設定するために使用される。そして、マスターサーバ６は、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ（リソグラフィ装置）の管理装置であって、第１及び第２の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢがそれぞれリソグラフィ工程で使用する（Ａ−ｉ）組（第１組）及び（Ｂ−ｊ）組（第２組）のパラメータのうち、共通に設定可能なサブセットｅ及びパラメータＰＦＯ（共通パラメータ）を選択するパラメータ選択部６２（選択部）と、（Ａ−ｉ）組のパラメータの値を決定して露光装置ＥＸＡに設定する第１パラメータ決定部６３（第１のパラメータ設定部）と、（Ａ−ｉ）組のパラメータのうちその共通パラメータの値を露光装置ＥＸＢに設定する第２パラメータ決定部６４（第２のパラメータ設定部）と、を備えている。
【００５２】
また、本実施形態の露光装置（リソグラフィ装置）の管理方法は、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢがそれぞれリソグラフィ工程で使用する（Ａ−ｉ）組及び（Ｂ−ｊ）組のパラメータのうち、共通に設定可能なサブセットｅ及びパラメータＰＦＯ（共通パラメータ）を選択するステップ１０２と、（Ａ−ｉ）組のパラメータの値を決定して露光装置ＥＸＡに設定するステップ１０６と、（Ａ−ｉ）組のパラメータのうちその共通パラメータの値を露光装置ＥＸＢに設定するステップ１１８とを有する。
【００５３】
本実施形態によれば、露光装置ＥＸＡで設定されたパラメータの一部を共通に露光装置ＥＸＢに設定しているため、複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢに対するパラメータの設定を効率的に行うことができる。
また、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ（露光システム）は、ウエハＷ（基板）にパターン（潜像パターン又はレジストパターンを含む）を形成するリソグラフィシステムであって、マスターサーバ６（パラメータ設定装置）と、マスターサーバ６で設定される複数組のパラメータの値に基づいて、ウエハＷにそのパターンを形成するための露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ（リソグラフィ装置）とを備えている。
【００５４】
また、本実施形態の露光方法は、本実施形態の管理方法（ステップ１０２〜１２０）と、その管理方法で設定されるパラメータの値に基づいて、ウエハＷにパターンを形成するステップ（リソグラフィ工程）とを有する。
本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ又は露光方法によれば、パラメータの設定を効率的に行うことができるため、リソグラフィ工程でのスループット（生産性）を向上できる。また、リソグラフィ装置が露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥである場合、露光装置ＥＸＡ等においてはレチクルの交換毎に個別にパラメータの調整を行う必要がなくなるため、例えば小ロット生産を行う場合でも、リソグラフィ工程（露光工程）のスループットを高く維持できる。
【００５５】
（変形例）
なお、上述の実施形態では次のような変形が可能である。
本実施形態では、マスターサーバ６内にパラメータ選択決定部５８が設けられている。別の構成として、各露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥの通信ユニット１０Ａ〜１０Ｅに相当する部分にそれぞれパラメータ選択決定部５８を設け、これらのパラメータ選択決定部５８で、他の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥに複数のパラメータを設定してもよい。
【００５６】
また、上述の実施形態では、マスターサーバ６において露光装置用のパラメータの値を決定しているが、マスターサーバ６において、コータ・デベロッパ（不図示）用の第１組及び第２組のパラメータを含む複数組のパラメータの値を決定してもよい。この場合、一例として、第１組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及びプリベーク時間＞であり、第２組のパラメータは＜膜厚の平均値、膜厚のばらつき、及び現像時間＞であ
る。この場合、マスターサーバ６は、設定が必要なパラメータをコータ・デベロッパから取得してもよい。
【００５７】
また、上述の実施形態では、マスターサーバ６で設定した複数のパラメータを露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＥに設定しているが、その複数のパラメータを露光装置の露光動作をシミュレーションする装置に設定し、この仮想露光装置で、その設定されたパラメータに応じた露光結果（ＣＤ線幅等）を求めてもよい。
また、マスターサーバ６では、薄膜形成装置又はエッチング装置等のリソグラフィ装置用のパラメータの値を設定してもよい。
【００５８】
また、上記の各実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ、マスターサーバ６、又はこれらを用いた露光方法を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、この電子デバイスは、図８に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ等又は露光方法等によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００５９】
言い替えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ（露光システム）又は露光方法を用いて、マスクのパターンを介して基板（ウエハ）を露光する工程と、その露光された基板を処理する工程（即ち、基板のレジストを現像し、そのマスクのパターンに対応するマスク層をその基板の表面に形成する現像工程、及びそのマスク層を介してその基板の表面を加工（加熱及びエッチング等）する加工工程）と、を含んでいる。
【００６０】
このデバイス製造方法によれば、露光装置ＥＸＢ等において、パラメータを効率的に設定できるため、電子デバイスを高いスループットで高精度に製造できる。
なお、上記の実施形態のリソグラフィシステムが備える露光装置は、ステッパー型の露光装置等でもよい。さらに、その露光装置は、露光光として波長１００ｎｍ以下の極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）等であってもよい。
【００６１】
また、本実施形態のデバイス製造方法では、特に半導体デバイスの製造方法について説明したが、本実施形態のデバイス製造方法は、半導体材料を使用したデバイスの他、例えば液晶パネルや磁気ディスクなどの半導体材料以外の材料を使用したデバイスの製造にも適用することができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００６２】
ＤＭＳ…リソグラフィシステム、ＥＸＡ〜ＥＸＥ…露光装置、ＲＡ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、６…マスターサーバ、１０Ａ〜１０Ｅ…通信ユニット、１２…通信回線、５５…パラメータ情報記憶部、５８…パラメータ選択決定部、６２…パラメータ選択部、６３，６４…パラメータ決定部、６５Ａ，６５Ｂ…補正部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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