(57)【要約】【課題】プラズマ処理装置の接地経路の接地状態を短時間で診断する。【解決手段】プラズマ処理が行われるチャンバ２を備えたＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）１において、プラズマ８を着火していない状態でＣＶＤ装置１のチャンバ２の接地経路７に電荷を供給し、接地経路７の接地状態（アース状態）を診断する。その際、プラズマ８を生成していない状態で測定装置１０からチャンバ２に電荷を供給し、かつ電圧応答波形Ｅを取得し、測定装置１０の測定部１１により、電圧応答波形Ｅの周期および減衰振動時定数を測定してＣＶＤ装置１の接地状態を診断する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定される真空容器を備え、かつ前記真空容器内でプラズマ処理が行われるプラズマ処理装置において、プラズマを着火していない状態で、前記接地線に接続される前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態を診断する、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置の診断方法において、
前記真空容器の接地状態の診断は、サンプリング時間を１００ｎｓｅｃ以下として前記真空容器への電荷供給時の電圧応答波形を測定することで行う、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置の診断方法において、
前記電圧応答波形の周期および減衰振動時定数を測定して前記プラズマ処理装置を診断する、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置の診断方法において、
前記周期および前記減衰振動時定数のそれぞれにおいて閾値を設け、前記閾値に基づいて前記接地状態の合否を判定する、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置の診断方法において、
前記プラズマ処理装置では、前記真空容器の内部で放電が行われる、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項６】
請求項５に記載のプラズマ処理装置の診断方法において、
前記プラズマ処理装置は、ドライエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置またはスパッタリング装置の何れかの装置である、プラズマ処理装置の診断方法。
【請求項７】
接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定されるとともに、内部にプラズマが生成されてプラズマ処理が行われる真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、試料を保持する試料台と、
前記真空容器内に配置された電極に高周波電力を供給する高周波電源と、
前記真空容器に電荷を供給し、かつ電荷供給時の前記真空容器からの電圧応答波形を測定する測定部と、
前記測定部による測定結果を表示する表示部と、
を有し、
プラズマを着火していない状態で、前記測定部により、前記接地線に接続される前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態の診断を行う、プラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ処理装置のアイドリング状態で、前記測定部により、前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態の診断を行う、プラズマ処理装置。
【請求項９】
（ａ）接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定される真空容器を備え、かつ前記真空容器内でプラズマ処理が行われるプラズマ処理装置において、プラズマを着火していない状態で、前記接地線に接続される前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態を診断する工程、
（ｂ）前記診断により合格と判定された前記プラズマ処理装置の前記真空容器内に設けられた試料台に半導体ウエハを載置する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハ上にプラズマを生成して前記半導体ウエハに成膜または加工処理を行う工程、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程における前記真空容器の接地状態の診断は、サンプリング時間を１００ｎｓｅｃ以下として前記真空容器への電荷供給時の電圧応答波形を測定することで行う、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記電圧応答波形の周期および減衰振動時定数を測定して前記プラズマ処理装置を診断する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程において、前記周期および前記減衰振動時定数のそれぞれにおいて閾値を設け、前記閾値に基づいて前記接地状態の合否を判定する、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記真空容器の内部で放電が行われる、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記プラズマ処理装置のアイドリング状態で前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態の診断を行う、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記プラズマ処理装置の前記真空容器を大気開放した状態で前記真空容器に電荷を供給し、前記真空容器の接地状態の診断を行う、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、プラズマ処理装置の診断技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置のアースライン（接地経路）のモニター方法については、特開平７−３０２６９６号公報（特許文献１）にその技術が開示されている。また、プラズマ処理装置のアース状態（接地状態）を診断する方法については、特開２０１４−１０７３９５号公報（特許文献２）にその技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−３０２６９６号公報
【特許文献２】特開２０１４−１０７３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、アースラインに電流計を挿入し、さらにプラズマ処理時のアースラインの電流を測定し、そのデータからプラズマ処理を実施するために、アースラインの可変抵抗を調整している。
【０００５】
また、上記特許文献２に記載されたプラズマ処理装置の診断方法では、プラズマ処理装置のチャンバの壁面に電流センサを設け、プラズマ処理時のアースへの電流を測定してプラズマ処理装置のアース状態の診断を行っている。
【０００６】
なお、上記特許文献１に記載されたプラズマ処理装置の場合、予めアースラインに電流計を挿入する必要があり、設備を変更する必要性が生じる。
【０００７】
また、上記特許文献１と上記特許文献２の技術は、両者ともプラズマを着火させている時に測定を実施するものである。言い換えると、両者ともプラズマ処理を行うまでアース状態を定量化することができない技術である。プラズマ処理装置のパーツの機差診断に利用するためには、プラズマが着火されていない状態でアース状態を測定（モニター）できないとパーツの機差診断は意味がない。つまり、プラズマ処理装置の診断技術では、パーツを設置したその場で結果が判定できるような診断の手法が求められている。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態によるプラズマ処理装置の診断方法は、接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定される真空容器を備え、かつ上記真空容器内でプラズマ処理が行われるプラズマ処理装置において、プラズマを着火していない状態で、上記接地線に接続される上記真空容器に電荷を供給し、上記真空容器の接地状態を診断するものである。
【００１０】
また、一実施の形態によるプラズマ処理装置は、接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定されるとともに、内部にプラズマが生成されてプラズマ処理が行われる真空容器と、上記真空容器内に設けられ、試料を保持する試料台と、上記真空容器内に配置された電極に高周波電力を供給する高周波電源と、を有している。さらに、上記真空容器に電荷を供給し、かつ電荷供給時の上記真空容器からの電圧応答波形を測定する測定部と、上記測定部による測定結果を表示する表示部と、を有している。そして、プラズマを着火していない状態で、上記測定部により、上記接地線に接続される上記真空容器に電荷を供給し、上記真空容器の接地状態の診断を行うものである。
【００１１】
また、一実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）接地線を介して接地電位部位に接続されて接地電位に固定される真空容器を備え、かつ上記真空容器内でプラズマ処理が行われるプラズマ処理装置において、プラズマを着火していない状態で、上記接地線に接続される上記真空容器に電荷を供給し、上記真空容器の接地状態を診断する工程を有している。さらに、（ｂ）上記診断により合格と判定された上記プラズマ処理装置の上記真空容器内に設けられた試料台に半導体ウエハを載置する工程、（ｃ）上記半導体ウエハ上にプラズマを生成して上記半導体ウエハに成膜または加工処理を行う工程、を有している。
【発明の効果】
【００１２】
上記一実施の形態によれば、プラズマ処理装置の接地経路（アースライン）の接地状態を短時間で診断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法で用いられる診断装置の構造の一例を示す模式図である。
【図２】図１のＡ部の構造を示す拡大模式図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置によって行われるプラズマ処理の処理前の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１に示すプラズマ処理装置によって行われるプラズマ処理の処理後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す診断装置によってＮＧチャンバを測定した際の電圧応答波形の測定結果の一例を示す波形図である。
【図６】図１に示す診断装置によってＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形の測定結果の一例を示す波形図である。
【図７】図１に示す診断装置によってＮＧチャンバとＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形における周期の測定結果の比較図である。
【図８】図１に示す診断装置によってＮＧチャンバとＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形における減衰振動時定数の測定結果の比較図である。
【図９】比較例のＤＣテスターを用いたアース診断方法を示す概略図である。
【図１０】プラズマ処理装置の接地状態をモデル化した回路図である。
【図１１】図１０に示す回路における応答式の一例を示す数式図である。
【図１２】実施の形態２のプラズマ処理装置の構造の一例を示す模式図である。
【図１３】図１２に示すプラズマ処理装置によって行われたアース診断の電圧応答波形の経時劣化前の波形図である。
【図１４】図１２に示すプラズマ処理装置によって行われたアース診断の電圧応答波形の経時劣化後の波形図である。
【図１５】実施の形態３の絶縁性能の診断方法の一例を示す模式図である。
【図１６】実施の形態３の絶縁性能の診断方法の一例を示す模式図である。
【図１７】実施の形態３の絶縁性能の電圧応答波形の一例を示す波形図である。
【図１８】実施の形態４の半導体装置の製造工程における下地配線形成後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図１９】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるＡｌスパッタ後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２０】図１９のＡｌスパッタで用いられたスパッタリング装置の構造の一例を示す模式図である。
【図２１】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト塗布後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２２】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト露光後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２３】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト現像後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２４】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるＡｌエッチング後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２５】図２４のＡｌエッチングで用いられたエッチング装置の構造の一例を示す模式図である。
【図２６】実施の形態４の半導体装置の製造工程における酸化膜成膜後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２７】図２６の酸化膜成膜で用いられたＣＶＤ装置の構造の一例を示す模式図である。
【図２８】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト塗布後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図２９】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト露光後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図３０】実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト現像後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【図３１】実施の形態４の半導体装置の製造工程における酸化膜エッチング後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１５】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１６】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法で用いられる診断装置の構造の一例を示す模式図、図２は図１のＡ部の構造を示す拡大模式図、図３は図１に示すプラズマ処理装置によって行われるプラズマ処理の処理前の試料の構造の一例を示す断面図、図４は図１に示すプラズマ処理装置によって行われるプラズマ処理の処理後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【００２１】
図１に示す本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法について説明する。まず、図１に示すプラズマ処理装置について説明する。図１に示すプラズマ処理装置は、プラズマを生成して試料に成膜または加工処理を行う半導体製造装置であり、ここでは、プラズマ処理装置の一例としてＨＤＰ（高密度プラズマ）型のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)装置１について説明する。
【００２２】
ＣＶＤ装置１は、内部にプラズマ８が生成され、かつ内部で試料に成膜または加工処理が行われるチャンバ（真空容器）２と、チャンバ２の内部に設けられ、かつ試料である半導体ウエハ５を保持するステージ（試料台）３と、ステージ３と対向して配置され、かつ高周波電源４ａから整合器４ｂを介して高周波電力が供給される対向電極４と、を有している。したがって、ＣＶＤ装置１は、チャンバ２の内部で放電が行われる装置でもある。また、高周波電源４ａやチャンバ２は、それぞれにアースポイント（接地電位部位）６に電気的に接続されている。
【００２３】
なお、ＣＶＤ装置１は、半導体装置の製造工程において、例えば、図３に示す下層配線膜１５やＡｌ膜１６上に、図４に示すような層間絶縁膜１７を成膜する装置である。
【００２４】
そして、チャンバ２は、試料の搬入出があるため、その側壁の高さ方向の中央付近で上側と下側とに分離・開口する構造となっている。すなわち、チャンバ２は、上側チャンバ２ａと下側チャンバ２ｂとからなり、試料の搬入出の時には、上側チャンバ２ａと下側チャンバ２ｂとが分離して開口し、その開口部で試料の搬入出を行う。
【００２５】
したがって、上側チャンバ２ａと下側チャンバ２ｂとの境界部、すなわち、チャンバ２の開閉する箇所には、図２に示すように、絶縁性Ｏリング２ｃと、スパイラルシールドなどと呼ばれる導電性シールド部材２ｄとが介在されている。ここで、絶縁性Ｏリング２ｃは、例えば、絶縁性の樹脂などからなるＯリングであり、上側チャンバ２ａと下側チャンバ２ｂとが閉じた際には、チャンバ２の内部を密閉し、チャンバ２の内部の雰囲気を維持する。
【００２６】
一方、導電性シールド部材２ｄは、例えば、ＳＵＳや銅合金などの導電性の材料からなり、上側チャンバ２ａと下側チャンバ２ｂとの電気的接続を図る機能を有している。
【００２７】
なお、チャンバ２の壁部には、チャンバ２をアースポイント（接地電位部位）６に電気的に接続して接地電位に固定するためのアース線（接地線）６ａが取り付けられている。さらに、チャンバ２は、アース線６ａに繋がる接地経路（アースライン）７を有している。したがって、上側チャンバ２ａの接地経路７と下側チャンバ２ｂの接地経路７は、導電性シールド部材２ｄを含む接続部２ｅを介して電気的に接続されている。すなわち、ＣＶＤ装置１では、チャンバ２を上下に開放するため、接地経路７に接続部２ｅがある。
【００２８】
本実施の形態１では、このＣＶＤ装置１の接地経路７における接続部２ｅの接続状態を診断する。その際、本実施の形態１では、ＣＶＤ装置１において、プラズマ８を着火していない状態でＣＶＤ装置１の接地状態を診断する。
【００２９】
次に、ＣＶＤ装置１の接地状態を診断する図１に示す診断装置である測定装置１０について説明する。測定装置１０は、チャンバ２に取り付けられた図２に示す電荷供給端子（第１の端子）１３を介してチャンバ２の接地経路７に電荷を供給し、かつチャンバ２に取り付けられた波形取得端子（第２の端子）１４を介して電荷供給時の接地経路７からの電圧応答波形Ｅを測定する測定部１１を有している。また、測定装置１０は、図１に示すように測定部１１による電圧応答波形Ｅの測定結果を表示する表示部１２を有している。
【００３０】
すなわち、測定装置１０は、プラズマ８を着火していない状態で、測定部１１により、チャンバ２の接地経路７に電荷を供給し、これにより、ＣＶＤ装置１の接地状態の診断を行うものである。ＣＶＤ装置１のチャンバ２では、測定装置１０により、チャンバ２の接地経路７に電荷供給端子１３を介して電荷が供給されると、導電性シールド部材２ｄを含む接続部２ｅを介して電荷が矢印Ｐのようにアースポイント６に移動する。
【００３１】
したがって、ＣＶＤ装置１の接地状態を診断する際には、まず、診断対象（接続部２ｅ）よりアースポイント６から遠い部分に、電荷を供給する電極である電荷供給端子１３を図２のように接触させ、さらに、電圧応答波形Ｅを測定する電極である波形取得端子１４を、同じく診断対象（接続部２ｅ）よりアースポイント６から遠い部分に接触させる。
【００３２】
そして、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０からチャンバ２の接地経路７の測定対象に電荷を供給すると、その電荷は矢印Ｐのように直ちにアースポイント６に移動する。その際の高速な電圧応答波形Ｅを波形取得端子１４を介して取得し、その波形の周期や減衰時定数などの重要パラメータを、表示部１２に表示する。
【００３３】
なお、測定装置１０は、ＣＶＤ装置１のチャンバ２における接地経路７の導電性シールド部材２ｄを含む接続部２ｅの接続状態のみを診断するわけではなく、ＣＶＤ装置１の接地経路７の状態を診断するものである。
【００３４】
次に、測定装置１０によって測定される測定内容を、具体例を挙げて説明する。図５は図１に示す診断装置によってＮＧチャンバを測定した際の電圧応答波形の測定結果の一例を示す波形図、図６は図１に示す診断装置によってＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形の測定結果の一例を示す波形図である。また、図７は図１に示す診断装置によってＮＧチャンバとＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形における周期の測定結果の比較図、図８は図１に示す診断装置によってＮＧチャンバとＯＫチャンバを測定した際の電圧応答波形における減衰振動時定数の測定結果の比較図である。
【００３５】
ここでは、異物ＮＧチャンバと異物ＯＫチャンバを取り上げてそれぞれから得られた波形を用いて説明する。なお、異物ＮＧチャンバにおける異物とは、アース状態不良による異常放電起因のものであり、異物の付着によるＮＧ判定のチャンバである。また、異物ＯＫチャンバとは、異物付着がＯＫと判定されたチャンバである。そして、測定装置１０によって異物ＮＧチャンバと異物ＯＫチャンバそれぞれのアース状態（接地状態）を測定し、得られた波形が図５および図６にそれぞれ示されている。
【００３６】
図５に示す異物ＮＧチャンバの電圧応答波形Ｅと、図６に示す異物ＯＫチャンバの電圧応答波形Ｅでは、周期Ｔ１、Ｔ２、および減衰振動時定数（減衰振動周期）に有意に差が有ることがわかる。すなわち、図５に示す異物ＮＧチャンバの場合、電圧応答波形Ｅにおいて周期Ｔ１が、図６に示す異物ＯＫチャンバの周期Ｔ２より大きい。さらに、電圧応答波形Ｅの減衰振動時定数においても、図５に示す異物ＮＧチャンバの減衰振動時定数の方が、図６に示す異物ＯＫチャンバの減衰振動時定数より大きい（図５に示す異物ＮＧチャンバの方が電圧応答波形Ｅの減衰時間が長い）。
【００３７】
さらに、異物ＮＧチャンバ１台と、異物ＯＫチャンバ３台（異物ＯＫ１、異物ＯＫ２、異物ＯＫ３）の測定結果について、それぞれ周期と減衰振動時定数を比較したものが図７、図８に示されている。図７および図８から、異物ＮＧチャンバは、アース導通状態が異物ＯＫチャンバ３台と有意に異なっており、異物ＮＧチャンバは、図７に示す周期で６×１０-8ｓｅｃ以上、図８に示す減衰振動周期は１．５×１０-6ｓｅｃ以上であることが分かる。これらの数値はアース経路のパーツ交換で変化するため、チャンバ立上げ前（チャンバ２の電源投入前）に異物ＮＧに繋がるアース状態を診断し、改善することが可能である。
【００３８】
例えば、プラズマ８の側部付近のチャンバ２の側壁部分に、ガスノズルなどのプラズマ８の方向に向かう突起部材が設けられていてこの突起部材に異物が付着している場合には、プラズマ８を生成した際に電荷が突起部材の方に流れてプラズマ８が不安定な状態となる。このような場合、プラズマ処理を行う前にＣＶＤ装置１などのプラズマ処理装置の接地状態を予め診断してＮＧと判定することで、プラズマ処理前にパーツ交換を行ってパーツが良好な状態でプラズマ処理を実施することができる。
【００３９】
なお、プラズマ処理装置の接地経路７の接地状態の診断は、電圧応答波形Ｅを取得する際のサンプリング時間を、１００ｎｓｅｃ以下、好ましくは１０ｎｓｅｃ以下として接地経路７への電荷供給時の電圧応答波形Ｅを測定することで実施することが好ましい。
【００４０】
また、上述のようにプラズマ処理装置の接地状態の診断は、電圧応答波形Ｅの周期および減衰振動時定数を測定することで判定を行うことができる。
【００４１】
さらに、電圧応答波形Ｅの周期および減衰振動時定数のそれぞれにおいて閾値を設け、上記閾値に基づいて接地状態の合否を判定することにより、自動でプラズマ処理装置の診断を行うことができる。
【００４２】
例えば、図７に示す周期では６×１０-8ｓｅｃを閾値（Ｋ１）とし、閾値以上の場合は、ＮＧ（不合格）とする。さらに、図８に示す減衰振動周期では１．５×１０-6ｓｅｃを閾値（Ｋ２）とし、閾値以上の場合は、同様にＮＧ（不合格）とする。なお、上記閾値は一例であり、チャンバ２の構造に応じて上記閾値を変更してもよく、また、上記閾値はこれらの数値に限定されるものではない。
【００４３】
ここで、本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法におけるインダクタンスやキャパシタンスの成分について説明する。
【００４４】
図９は比較例のＤＣテスターを用いたアース診断方法を示す概略図、図１０はプラズマ処理装置の接地状態をモデル化した回路図、図１１は図１０に示す回路における応答式の一例を示す数式図である。
【００４５】
本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法は、プラズマ処理装置をプラズマ着火状態まで立ち上げることなくその場で測定できる点が特長である。その際、図９に示すように、導通状態を測定する技術として一般的なＤＣテスター９を用いた導通測定と比較し、ＤＣとしてほぼ導通（図９のＤ部）と考えられるようなアース状態においても、本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法であれば、高周波プラズマで問題となる図９のＢ部に示すような寄生容量Ｃ、インダクタンスＬの状態を感度良く判別することができる。例えば、図１に示すＣＶＤ装置１では、プラズマ８を生成する際に、高周波電力を印加するため、導電性シールド部材（スパイラルシールド）２ｄの周辺のインダクタンスや寄生容量の状態が問題となる。
【００４６】
ここで、プラズマ処理装置のアースポイント６への接地状態が図１０に示すようにモデル化できるとすると、その応答は、図１１に示す式（１）のように表わすことができる。このことから、本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法で測定される電圧応答波形Ｅの減衰振動時定数および周期が、ＤＣテスター９では診断できない図９のＢ部に示すようなインダクタンスＬやキャパシタンスＣの成分を示すことがわかる。
【００４７】
以上のように本実施の形態１のプラズマ処理装置の診断方法によれば、プラズマ８を着火させていない状態でプラズマ処理装置の診断を行うため、プラズマ処理装置の接地経路（アースライン）７の接地状態を短時間で診断することができる。さらに、プラズマ８を着火させていない状態で診断を行うため、プラズマ処理装置のガスノズルなどのパーツを設置したその場で診断結果の判定を行うことができる。つまり、プラズマ処理装置のパーツの機差診断に利用することができる。
【００４８】
言い換えれば、プラズマ処理装置においてプラズマ処理を伴わない診断を行うことができるため、パーツの機差診断に用いることができ、短時間で容易にチャンバ２などを復旧させることができる。
【００４９】
（実施の形態２）
図１２は実施の形態２のプラズマ処理装置の構造の一例を示す模式図、図１３は図１２に示すプラズマ処理装置によって行われたアース診断の電圧応答波形の経時劣化前の波形図、図１４は図１２に示すプラズマ処理装置によって行われたアース診断の電圧応答波形の経時劣化後の波形図である。
【００５０】
本実施の形態２のプラズマ処理装置は、接地状態（アース状態）を診断する診断機能付プラズマ処理装置２０である。すなわち、図１に示す測定部１１および表示部１２を有する測定装置１０がプラズマ処理装置に組み込まれた診断機能付プラズマ処理装置２０である。つまり、プラズマ処理装置に図１に示す測定装置１０の機能を組み込んだものである。
【００５１】
診断機能付プラズマ処理装置２０の構成は、プラズマ８が生成され、かつアースポイント６に電気的に接続されたチャンバ２と、半導体ウエハ５などの試料を保持するステージ３と、高周波電力を供給する高周波電源４ａと、を備えている。さらに、これらに加えて、チャンバ２の接地経路７に電荷を供給し、かつ電荷供給時の接地経路７からの電圧応答波形Ｅを測定する測定部１１と、測定部１１による測定結果を表示する表示部１２と、を有している。
【００５２】
そして、プラズマ８を着火していない状態で、測定部１１により、チャンバ２の接地経路７に電荷を供給して接地経路７の接地状態の診断を行うものである。
【００５３】
本実施の形態２の診断機能付プラズマ処理装置２０では、この診断機能付プラズマ処理装置２０のアイドリング状態の際に定期的に診断を行うことにより、診断機能付プラズマ処理装置２０のアース状態（接地状態）の経時的変化を診断することができる。例えば、図１３に示すような電圧応答波形Ｅ１が得られた診断機能付プラズマ処理装置２０において、所定期間経過後、定期的な診断を行った際に図１４に示すような電圧応答波形Ｅ２が得られた場合、周期および減衰振動時定数の減衰時間が長くなっていることが分かる。これは、経時的変化によって診断機能付プラズマ処理装置２０のアース状態が変化したものと思われる。
【００５４】
なお、プラズマ処理装置のアイドリング状態とは、プラズマ処理装置の主電源が投入された状態で、かつプラズマ８を生成していない状態である。さらに、製品に対して仕掛かり待ちの状態である。
【００５５】
このように診断機能付プラズマ処理装置２０のアイドリング状態で、定期的にアース状態の診断を行うことにより、アース状態の経時的変化を検知してトラブルを未然に防ぐことが可能になる。なお、ここでの上記トラブルとは、例えば、半導体ウエハ５に異物が多数付着して半導体ウエハ５の歩留りが悪くなることなどである。
【００５６】
（実施の形態３）
図１５は実施の形態３の絶縁性能の診断方法の一例を示す模式図、図１６は実施の形態３の絶縁性能の診断方法の一例を示す模式図、図１７は実施の形態３の絶縁性能の電圧応答波形の一例を示す波形図である。
【００５７】
本実施の形態３は、図１に示す測定装置１０を用いて構造体の絶縁性能を診断するものである。本実施の形態３では、半導体製造装置あるいはその構成要素であり、かつ絶縁体２２を含む構造体２１における絶縁性能の診断に、上記本実施の形態１と同様の診断技術を適用した例について説明する。
【００５８】
図１５に示すように、診断対象である絶縁体２２を含む構造体２１に、測定装置１０の測定部１１から電荷２６を供給する。詳細には、絶縁体２２と、絶縁体２２に接合して絶縁体２２の一方の面側に設けられた導体部（第１導体部）２３と、絶縁体２２に接合して絶縁体２２の他方の面側に設けられた導体部（第２導体部）２４と、からなる構造体２１を有した半導体製造装置の導体部２３に電荷供給端子（第１の端子）１３を接続する。さらに、測定装置１０の測定部１１から電荷供給端子１３を介して導体部２３に電荷２６を供給する。なお、導体部（第２導体部）２４は、アースポイント（接地電位部位）２５に電気的に接続されている。
【００５９】
この時、絶縁体２２の絶縁性能が不十分であると電荷２６はアース線２５ａを介してアースポイント２５に移動してしまうため、帯電量は絶縁体２２の絶縁性能に応じた数値となる。
【００６０】
その後、図１６に示すように、波形取得端子（第２の端子）１４を導体部２３に接続し、電圧応答波形Ｅを取得すると、その帯電量に応じた電圧応答波形Ｅを得ることができる。この取得した電圧応答波形Ｅから、絶縁体２２の絶縁性能を診断する。
【００６１】
詳細には、図１５に示すように、電荷供給端子１３を介して導体部２３に電荷２６を供給した後、図１６に示すように、導体部２３から電荷供給端子１３を離脱させる。そして、離脱後、導体部２３に電荷供給端子１３と異なる波形取得端子（第２の端子）１４を接続してこの波形取得端子１４を介して導体部２３における電圧応答波形Ｅを測定する。このようにして取得した電圧応答波形Ｅにより構造体２１における絶縁体２２の絶縁性能を診断する。
【００６２】
図１７に示す診断結果の波形によれば、例えば、同条件で絶縁体（絶縁物）Ａと絶縁体（絶縁物）Ｂの測定を行った際、絶縁体Ｂは絶縁体Ａよりも波形の高さが高い（電圧値が大きい）。これにより、絶縁体Ｂは絶縁体Ａより絶縁性能が良いことが診断できる。
【００６３】
このように絶縁体における絶縁性能の診断は、例えば、半導体製造装置のうちのスパッタリング装置などにおいて、絶縁体の上に半導体ウエハを載置してスパッタを行う際の上記絶縁体の絶縁性能の診断などに適用することが可能である。
【００６４】
（実施の形態４）
図１８は実施の形態４の半導体装置の製造工程における下地配線形成後の試料の構造の一例を示す断面図、図１９は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるＡｌスパッタ後の試料の構造の一例を示す断面図、図２０は図１９のＡｌスパッタで用いられたスパッタリング装置の構造の一例を示す模式図である。
【００６５】
本実施の形態４では、実施の形態１で説明した測定装置１０を半導体装置の製造工程の一例である配線形成工程で用いる具体例について説明する。
【００６６】
まず、図１８に示すように、試料（例えば、図１に示す半導体ウエハ５）に形成された酸化膜６２およびタングステン膜６１の上層に下地配線膜６０を形成する。下地配線膜６０は、例えば、チタン膜上に窒化チタン膜が形成されたバリアメタル膜である。
【００６７】
次に、図１９に示すように、スパッタリングによって下地配線膜６０上にＡｌ膜６３を形成する。その際、図２０に示すようなスパッタリング装置（プラズマ処理装置）３０を用いてスパッタリングを実施する。
【００６８】
なお、本実施の形態４では、スパッタリング処理を実施する前に、スパッタリング装置３０のアース状態の診断を行う。すなわち、スパッタリング処理（プラズマ処理）を実施する前に、プラズマ処理が行われる真空容器を備えたプラズマ処理装置において、実施の形態１で説明した診断方法と同様の診断方法でアース状態の診断を行う。具体的には、プラズマ８を着火していない状態でスパッタリング装置３０のチャンバ（真空容器）３１の接地経路７に電荷を供給し、接地経路７の接地状態を診断する。
【００６９】
ここで、図２０に示すスパッタリング装置３０の概略構成について説明する。スパッタリング装置３０は、プラズマ８が生成されてプラズマ処理が行われる真空容器であるチャンバ３１と、チャンバ３１内に設けられ、半導体ウエハ５などの試料を保持するステージ（試料台）３２と、ステージ３２に対向して設けられたターゲット３３と、を備えている。このスパッタリング装置３０では、試料の保持は、静電チャックによって行われる。
【００７０】
さらに、ターゲット３３には、整合器３６とＲＦ電源３５とが接続され、ＤＣ電源３７も接続されており、これらはアースポイント（接地電位部位）３９に電気的に接続されている。
【００７１】
また、チャンバ３１の上方で、かつターゲット３３の上部には、磁場を形成するマグネトロン３４が設けられている。さらに、チャンバ３１の排気系には、真空排気を行うポンプ３８が設けられている。また、チャンバ３１の壁部には、チャンバ３１をアースポイント３９に電気的に接続して接地電位に固定するためのアース線（接地線）３９ａが取り付けられている。すなわち、チャンバ３１は、アース線３９ａを介してアースポイント３９に電気的に接続されている。そして、チャンバ３１の接地経路７は、アース線３９ａを介してアースポイント３９に繋がっている。
【００７２】
以上のようなスパッタリング装置３０に対して、プラズマ８を着火していない状態でスパッタリング装置３０のアース状態の診断を行う。すなわち、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０の測定部１１により、チャンバ３１の接地経路７に電荷を供給し、これにより、スパッタリング装置３０の接地状態の診断を行う。
【００７３】
上記接地状態を診断する際には、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０からチャンバ３１の接地経路７に電荷を供給し、その時の電圧応答波形Ｅを測定して表示部１２に表示する。そして、この電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数からスパッタリング装置３０の接地状態を診断する。
【００７４】
例えば、電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数に閾値を設定しておき、この閾値に基づいてスパッタリング装置３０の接地状態の判定（診断）を行う。なお、スパッタリング装置３０の接地状態の診断方法の詳細は、実施の形態１で説明した測定装置１０による診断方法と同様であるため、その説明は省略する。
【００７５】
次に、上記判定（診断）により、合格と判定されたスパッタリング装置３０において、チャンバ３１内のステージ３２上に半導体ウエハ５を載置する。そして、載置後、半導体ウエハ５上にプラズマ８を生成して半導体ウエハ５にスパッタリング（プラズマ処理）を行う。
【００７６】
スパッタリング装置３０によるスパッタリングでは、例えば、チャンバ３１内にＡｒガスを供給してターゲット３３にＡｒイオンを衝突させ、これによりＡｌが叩き出され（図１９に示すＧ部）、下地配線膜６０上へのＡｌ膜６３の堆積が行われる。
【００７７】
次に、フォトレジスト塗布工程〜Ａｌエッチング工程を説明する。図２１は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト塗布後の試料の構造の一例を示す断面図、図２２は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト露光後の試料の構造の一例を示す断面図、図２３は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト現像後の試料の構造の一例を示す断面図である。さらに、図２４は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるＡｌエッチング後の試料の構造の一例を示す断面図、図２５は図２４のＡｌエッチングで用いられたエッチング装置の構造の一例を示す模式図である。
【００７８】
Ａｌスパッタリング後、図２１に示すフォトレジスト塗布を行う。すなわち、Ａｌ膜６３上にフォトレジスト膜６４を形成する。ここでは、例えば、レジスト塗布装置などを用いてフォトレジスト膜６４を形成する。
【００７９】
次に、図２２に示すフォトレジスト露光を行う。すなわち、フォトレジスト膜６４の所望箇所を露光する。ここでは、フォトレジスト膜６４上に、開口部６５ａを有したマスク６５を配置する。配置後、露光装置を用いてフォトレジスト膜６４のマスク６５の開口部６５ａに相当する領域を露光する（図２２に示すＨ部）。
【００８０】
次に、図２３に示すフォトレジスト現像を行う。すなわち、現像装置を用いてフォトレジスト膜６４を現像し、フォトレジスト膜６４の未感光部分を除去する。
【００８１】
次に、図２４に示すＡｌエッチングを行う。その際、図２５に示すようなドライエッチング装置（プラズマ処理装置）４０を用いて、図２４に示す下地配線膜６０およびＡｌ膜６３の不要部分をエッチングする（図２４のＩ部）。
【００８２】
なお、本実施の形態４では、Ａｌエッチング処理を実施する前に、図２５に示すドライエッチング装置４０のアース状態の診断を行う。すなわち、Ａｌエッチング処理（プラズマ処理）を実施する前に、プラズマ処理が行われる真空容器を備えたプラズマ処理装置において、実施の形態１で説明した診断方法と同様の診断方法でアース状態の診断を行う。具体的には、プラズマ８を着火していない状態でドライエッチング装置４０のチャンバ（真空容器）４１の接地経路７に電荷を供給し、接地経路７の接地状態を診断する。
【００８３】
ここで、図２５に示すドライエッチング装置４０の概略構成について説明する。ドライエッチング装置４０は、プラズマ８が生成されてプラズマ処理が行われる真空容器であるチャンバ４１と、チャンバ４１内に設けられ、半導体ウエハ５などの試料を保持するステージ（試料台）４２と、ステージ４２に対向して設けられた対向電極４４と、を備えている。このドライエッチング装置４０においても、試料の保持は、静電チャックによって行われる。
【００８４】
さらに、対向電極４４およびステージ４２のそれぞれには、整合器４６とＲＦ電源４５とが接続されている。また、ステージ４２には、静電吸着用のＨＶ電源４３が接続されており、これらはアースポイント４８に接続されている。
【００８５】
また、チャンバ４１の排気系には、真空排気を行うポンプ４７が設けられている。さらに、チャンバ４１の壁部には、チャンバ４１をアースポイント（接地電位部位）４８に電気的に接続して接地電位に固定するためのアース線（接地線）４８ａが取り付けられている。すなわち、チャンバ４１は、アース線４８ａを介してアースポイント４８に電気的に接続されている。そして、チャンバ４１の接地経路７は、アース線４８ａを介してアースポイント４８に繋がっている。
【００８６】
以上のようなドライエッチング装置４０に対して、プラズマ８を着火していない状態でドライエッチング装置４０のアース状態の診断を行う。すなわち、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０の測定部１１により、チャンバ４１の接地経路７に電荷を供給し、これにより、ドライエッチング装置４０の接地状態の診断を行う。
【００８７】
上記接地状態を診断する際には、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０からチャンバ４１の接地経路７に電荷を供給し、その時の電圧応答波形Ｅを測定して表示部１２に表示する。そして、この電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数からドライエッチング装置４０の接地状態を診断する。
【００８８】
例えば、電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数に閾値を設定しておき、この閾値に基づいてドライエッチング装置４０の接地状態の判定（診断）を行う。なお、ドライエッチング装置４０の接地状態の診断方法の詳細は、実施の形態１で説明した測定装置１０による診断方法と同様であるため、その説明は省略する。
【００８９】
次に、上記判定（診断）により、合格と判定されたドライエッチング装置４０において、チャンバ４１内のステージ４２上に半導体ウエハ５を載置する。そして、載置後、半導体ウエハ５上にプラズマ８を生成して半導体ウエハ５にドライエッチング（プラズマ処理）を行う。
【００９０】
ドライエッチング装置４０によるエッチングでは、例えば、チャンバ４１内に塩素系ガスを供給して、図２４に示すＡｌ膜６３および下地配線膜６０の不要部分をエッチング（除去）する。
【００９１】
次に、酸化膜成膜工程〜酸化膜エッチング工程を説明する。図２６は実施の形態４の半導体装置の製造工程における酸化膜成膜後の試料の構造の一例を示す断面図、図２７は図２６の酸化膜成膜で用いられたＣＶＤ装置の構造の一例を示す模式図、図２８は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト塗布後の試料の構造の一例を示す断面図である。また、図２９は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト露光後の試料の構造の一例を示す断面図、図３０は実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるフォトレジスト現像後の試料の構造の一例を示す断面図、図３１は実施の形態４の半導体装置の製造工程における酸化膜エッチング後の試料の構造の一例を示す断面図である。
【００９２】
Ａｌエッチング後、フォトレジスト膜６４を除去し、その後、図２６に示す酸化膜成膜を行う。すなわち、Ａｌ膜６３の上層に酸化膜６２を形成し、Ａｌ膜６３を酸化膜６２で覆う。言い換えると、タングステン膜６１と下地配線膜６０とＡｌ膜６３とを酸化膜６２によって覆う。その際、図２７に示すようなプラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）５０を用いて、図２６に示す酸化膜６２を成膜する。
【００９３】
なお、本実施の形態４では、酸化膜６２の成膜処理を実施する前に、図２７に示すプラズマＣＶＤ装置５０のアース状態の診断を行う。すなわち、酸化膜成膜（プラズマ処理）を実施する前に、プラズマ処理が行われる真空容器を備えたプラズマ処理装置において、実施の形態１で説明した診断方法と同様の診断方法でアース状態の診断を行う。具体的には、プラズマ８を着火していない状態でプラズマＣＶＤ装置５０のチャンバ（真空容器）５１の接地経路７に電荷を供給し、接地経路７の接地状態を診断する。
【００９４】
ここで、図２７に示すプラズマＣＶＤ装置５０の概略構成について説明する。プラズマＣＶＤ装置５０は、プラズマ８が生成されてプラズマ処理が行われる真空容器であるチャンバ５１と、チャンバ５１内に設けられ、半導体ウエハ５などの試料を保持するステージ（試料台）５２と、チャンバ５１の外側に設けられた電磁波誘導用のコイル５３と、を備えている。すなわち、プラズマＣＶＤ装置５０は、誘導結合型プラズマを用いたＣＶＤ装置である。
【００９５】
また、チャンバ５１の天井には、シャワーノズル５４が設けられ、さらに、チャンバ５１の側壁には内方に向かって突出したガス供給ノズル５５が設けられている。また、チャンバ５１の壁部には、チャンバ５１をアースポイント（接地電位部位）５６に電気的に接続して接地電位に固定するためのアース線（接地線）５６ａが取り付けられている。すなわち、チャンバ５１は、アース線５６ａを介してアースポイント５６に電気的に接続されている。そして、チャンバ５１の接地経路７は、アース線５６ａを介してアースポイント５６に繋がっている。
【００９６】
以上のようなプラズマＣＶＤ装置５０に対して、プラズマ８を着火していない状態でプラズマＣＶＤ装置５０のアース状態の診断を行う。すなわち、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０の測定部１１により、チャンバ５１の接地経路７に電荷を供給し、これにより、プラズマＣＶＤ装置５０の接地状態の診断を行う。
【００９７】
上記接地状態を診断する際には、プラズマ８を着火していない状態で、測定装置１０からチャンバ５１の接地経路７に電荷を供給し、その時の電圧応答波形Ｅを測定して表示部１２に表示する。そして、この電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数からプラズマＣＶＤ装置５０の接地状態を診断する。
【００９８】
例えば、電圧応答波形Ｅの周期や減衰時定数に閾値を設定しておき、この閾値に基づいてプラズマＣＶＤ装置５０の接地状態の判定（診断）を行う。なお、プラズマＣＶＤ装置５０の接地状態の診断方法の詳細は、実施の形態１で説明した測定装置１０による診断方法と同様であるため、その説明は省略する。
【００９９】
次に、上記判定（診断）により、合格と判定されたプラズマＣＶＤ装置５０において、チャンバ５１内のステージ５２上に半導体ウエハ５を載置する。そして、載置後、半導体ウエハ５上にプラズマ８を生成し、かつ所定のガスを供給して半導体ウエハ５に成膜処理（プラズマ処理）を行う。
【０１００】
プラズマＣＶＤ装置５０による酸化膜６２の成膜処理では、例えば、チャンバ５１内にＴＥＯＳガスを供給して、図２６に示すようにＡｌ膜６３上に酸化膜６２を成膜する。
【０１０１】
酸化膜形成後、図２８に示すフォトレジスト塗布を行う。すなわち、酸化膜６２上にフォトレジスト膜６６を形成する。ここでは、例えば、レジスト塗布装置などを用いてフォトレジスト膜６６を形成する。
【０１０２】
次に、図２９に示すフォトレジスト露光を行う。すなわち、フォトレジスト膜６６の所望箇所を露光する。ここでは、フォトレジスト膜６６上に、開口部６５ａを有したマスク６５を配置する。配置後、露光装置を用いてフォトレジスト膜６６のマスク６５の開口部６５ａに相当する領域を露光する（図２９に示すＨ部）。
【０１０３】
次に、図３０に示すフォトレジスト現像を行う。すなわち、現像装置を用いてフォトレジスト膜６６を現像し、フォトレジスト膜６６の未感光部分を除去する。
【０１０４】
次に、図３１に示す酸化膜エッチングを行う。その際、エッチング装置を用いて、フォトレジスト膜６６の開口部６６ａを介して酸化膜６２をエッチングし（図３１に示すＩ部）、酸化膜６２に溝６７を形成する。
【０１０５】
以上により、スパッタリング装置３０、ドライエッチング装置４０およびプラズマＣＶＤ装置５０などのプラズマ処理装置を用いた配線形成工程における主要部の形成を完了する。
【０１０６】
本実施の形態４の半導体装置の製造方法によれば、スパッタリング装置３０、ドライエッチング装置４０もしくはプラズマＣＶＤ装置５０などのプラズマ処理装置を用いて半導体ウエハ５に成膜または加工処理を行う際に、成膜または加工処理前に上記各プラズマ処理装置のアース状態を診断することで、アース状態が良好な上記各プラズマ処理装置を用いて半導体ウエハ５に成膜または加工処理を行うことができる。
【０１０７】
これにより、半導体ウエハ５への成膜または加工処理を安定して行うことができ、半導体ウエハ（製品）５の歩留りを向上させることができる。
【０１０８】
また、プラズマ処理のアース状態（接地状態）を診断する際に、プラズマ８を着火していない状態でプラズマ処理装置の接地状態を診断するため、プラズマ処理装置のパーツの機差診断に利用することができる。すなわち、プラズマ処理装置においてプラズマ処理を伴わない診断を行うため、パーツの機差診断に用いることができ、短時間で容易にチャンバなどを復旧させることができる。
【０１０９】
その結果、半導体装置の製造工程におけるプラズマ処理の効率を向上させることができる。
【０１１０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明はこれまで記載した実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１１】
例えば、上記実施の形態１では、一例として、プラズマ処理装置がアイドリング状態の際に、このプラズマ処理装置のアース状態（接地状態）を診断してもよいことを述べた。しかしながら、プラズマ処理装置のアース状態（接地状態）の診断は、例えば、真空容器を大気開放した状態で行ってもよい。すなわち、プラズマ処理装置の真空容器を大気開放した状態で上記真空容器の接地経路に電荷を供給して上記接地経路の接地状態の診断を行ってもよい。
【０１１２】
また、プラズマ処理装置のアース状態を診断する測定装置において、測定部と表示部とは、一体であってもよいし、別体であってもよい。
【０１１３】
また、上記実施の形態は、以下の形態を含んでいてもよい。
【０１１４】
（付記１）
（ａ）絶縁体と、前記絶縁体に接合して前記絶縁体の一方の面側に設けられた第１導体部と、前記絶縁体に接合して前記絶縁体の他方の面側に設けられ、かつ接地に接続された第２導体部と、からなる構造体を有した半導体製造装置の前記第１導体部に第１の端子を接続して前記第１の端子を介して前記第１導体部に電荷を供給する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記第１導体部から前記第１の端子を離脱させ、前記離脱後、前記第１導体部に前記第１の端子と異なる第２の端子を接続して前記第２の端子を介して前記第１導体部における電圧応答波形を測定する工程、
を有し、
前記電圧応答波形により前記構造体における前記絶縁体の絶縁性能を診断する、半導体製造装置の診断方法。
【符号の説明】
【０１１５】
１  ＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）
２  チャンバ（真空容器）
２ａ  上側チャンバ
２ｂ  下側チャンバ
２ｃ  絶縁性Ｏリング
２ｄ  導電性シールド部材
２ｅ  接続部
３  ステージ（試料台）
４  対向電極（電極）
４ａ  高周波電源
４ｂ  整合器
５  半導体ウエハ（試料）
６  アースポイント（接地電位部位）
６ａ  アース線（接地線）
７  接地経路
８  プラズマ
９  ＤＣテスター
１０  測定装置
１１  測定部
１２  表示部
１３  電荷供給端子（第１の端子）
１４  波形取得端子（第２の端子）
１５  下層配線膜
１６  Ａｌ膜
１７  層間絶縁膜
２０  診断機能付プラズマ処理装置（プラズマ処理装置）
２１  構造体
２２  絶縁体
２３  導体部（第１導体部）
２４  導体部（第２導体部）
２５  アースポイント（接地電位部位）
２５ａ  アース線（接地線）
２６  電荷
３０  スパッタリング装置（プラズマ処理装置）
３１  チャンバ（真空容器）
３２  ステージ（試料台）
３３  ターゲット
３４  マグネトロン
３５  ＲＦ電源
３６  整合器
３７  ＤＣ電源
３８  ポンプ
３９  アースポイント（接地電位部位）
３９ａ  アース線（接地線）
４０  ドライエッチング装置（プラズマ処理装置）
４１  チャンバ（真空容器）
４２  ステージ（試料台）
４３  ＨＶ電源
４４  対向電極
４５  ＲＦ電源
４６  整合器
４７  ポンプ
４８  アースポイント（接地電位部位）
４８ａ  アース線（接地線）
５０  プラズマＣＶＤ装置（プラズマ処理装置）
５１  チャンバ（真空容器）
５２  ステージ（試料台）
５３  コイル
５４  シャワーノズル
５５  ガス供給ノズル
５６  アースポイント（接地電位部位）
５６ａ  アース線（接地線）
６０  下地配線膜
６１  タングステン膜
６２  酸化膜
６３  Ａｌ膜
６４  フォトレジスト膜
６５  マスク
６５ａ  開口部
６６  フォトレジスト膜
６６ａ  開口部
６７  溝
【図１】
2019117897.tif 000003
【図２】
2019117897.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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