(57)【要約】【課題】歩留まりの改善が可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示層が形成された第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面との間に位置する側面と、を有する基材を備え、前記側面を覆うように、前記側面の全周に亘って第１導電層が形成されている、表示装置。【選択図】      図３
2019105805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示層が形成された第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面との間に位置する側面と、を有する基材を備え、
前記側面を覆うように、前記側面の全周に亘って第１導電層が形成されている、表示装置。
【請求項２】
前記第１導電層は、カーボン系物質によって形成されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、前記基材と対向し、前記第１面側に配置される光学部材と、
前記第２面に接着層を介して接着する支持体と、を備え、
前記光学部材、前記接着層及び前記支持体のそれぞれの端部は、前記第１導電層が形成されていない、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１導電層の体積抵抗率は、１０６Ω・ｃｍ以上１０９Ω・ｃｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、前記第２面と前記接着層との間に第２導電層を備え、
前記第２導電層は、前記第１導電層と同一材料によって形成され、前記第１導電層と接している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記接着層は、導電性材料を含んでいる導電性粘着層である、請求項３又は５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基材は、ポリイミド樹脂によって形成されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１導電層は、前記第１面側において第１厚さを有し、前記第２面側において前記第１厚さとは異なる第２厚さを有している、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
さらに、第１端子及び第２端子と、
前記第１面と前記第１端子及び前記第２端子との間に位置する無機絶縁膜と、
前記第１端子と接続し、前記第１端子から前記側面に向かって延出した第１配線と、
前記第２端子と接続し、前記第２端子から前記側面に向かって延出した第２配線と、を備え、
前記無機絶縁膜は、前記第１配線と前記第２配線との間において、前記側面より前記端子側に位置する端部を有している、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記側面から前記無機絶縁膜の前記端部までの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
さらに、前記第１面に形成された第１端子と、
前記第１端子と接続し、前記第１端子から前記側面に向かって延出する第１配線と、を備え、
前記第１配線は、前記第１端子と接続する第１部分と、前記第１部分より前記側面に近い第２部分と、を有しており、
前記第１部分と前記第２部分とは、第１間隔をあけて互いに離間している、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２部分は、前記第１導電層と接続している、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
さらに、前記第１面に形成された第２端子と、
前記第１配線が延出する方向と直交する方向に、前記第１配線と並んで配置され、前記第２端子から前記側面に向かって延出する第２配線と、を備え、
前記第２配線は、前記第２端子と接続する第３部分と、前記第３部分より前記側面に近い第４部分と、を有しており、
前記第３部分と前記第４部分とは、第２間隔をあけて互いに離間している、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１間隔と前記第２間隔は、同じ間隔であり、同一直線上に形成されている、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第４部分は、前記第１導電層と接続している、請求項１３に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂基板を用いた表示装置が種々検討されている。一例では、樹脂基板の上面に無機絶縁膜を形成し、樹脂基板の下面に金属層を形成する技術が開示されている。また、対向基板と駆動基板との間に設けられた表示層の端面から対向基板および駆動基板の少なくとも一部に連続して封止層を設ける技術が提案されている。また、ガスバリアフィルム及び機能層を積層した機能層積層体の端面を端面保護層で覆う技術も提案されている。このような表示装置の製造工程において、基板搬送時やハンドリング時の静電気破壊による歩留まりの低下を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８０５５３号公報
【特許文献２】特開２０１６−７２１２７号公報
【特許文献３】国際公開２０１６／０３９０７９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、歩留まりの改善が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
表示層が形成された第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、前記第１面と前記第２面との間に位置する側面と、を有する基材を備え、
前記側面を覆うように、前記側面の全周に亘って第１導電層が形成されている、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰを示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示部ＤＡを示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの製造工程の一部を示したフローチャートである。
【図６】図６は、図５に示した製造工程における支持基板剥離工程ＳＴ３を示す図である。
【図７】図７は、図５に示した製造工程におけるセルカット工程ＳＴ５を示す図である。
【図８】図８は、図５に示した製造工程における面取り工程ＳＴ６の一例を示す図である。
【図９】図９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第４構成例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第５構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１１に示したＡ−Ａ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図１３】図１３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第６構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰを示す平面図である。図中において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに交差する方向であり、第３方向Ｚは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、互いに９０度以外の角度で交差していてもよい。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離間していてもよい。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【０００９】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板ＦＳ１と、回路基板ＦＳ２と、ＩＣチップＩ１と、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡの周囲の非表示部ＮＤＡと、を有している。表示部ＤＡは、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを有している。非表示部ＮＤＡは、額縁状に形成されている。  
表示パネルＰＮＬは、基材１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。基材１０は、第１方向Ｘに沿って延出した辺Ｅ１及びＥ２と、第２方向Ｙに沿って延出した辺Ｅ３及びＥ４と、を有している。第１導電層Ｌ１は、非表示部ＮＤＡに位置し、平面視で、辺Ｅ１乃至Ｅ４に沿って形成されている。基材１０は、辺Ｅ１乃至Ｅ４に沿った側面を有しており、第１導電層Ｌ１は、この側面に形成されている。この点については後述する。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、基材１０の全周に亘って形成されている。なお、第１導電層Ｌ１は、辺Ｅ１乃至Ｅ４のすべてに形成されていなくてもよく、少なくとも一部に形成されていればよい。また、図示した例では、基材１０は、矩形状に形成されているが、隣り合う辺の間にラウンド部を有していてもよい。また、表示部ＤＡは、第１方向Ｘに沿って延出した辺Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した辺Ｅ１３及びＥ１４と、を有する矩形状に形成されているが、隣り合う辺の間にラウンド部を有していてもよい。
【００１０】
表示パネルＰＮＬは、非表示部ＮＤＡにおいて、表示部ＤＡと辺Ｅ２との間に、端子部ＴＡを有している。端子部ＴＡは、複数の端子Ｔを備えている。配線基板ＦＳ１は、端子Ｔに電気的に接続されている。また、配線基板ＦＳ１は、回路基板ＦＳ２に電気的に接続されている。図示した例では、ＩＣチップＩ１は、配線基板ＦＳ１の下側に実装されている。但し、ＩＣチップＩ１は、端子部ＴＡに実装されてもよいし、回路基板ＦＳ２に実装されてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。例えば、表示パネルＰＮＬは、表示部ＤＡと端子部ＴＡとの間において折り曲げられ、辺Ｅ１２よりも外側の第２方向Ｙに沿った額縁幅を小さくすることができる。
【００１１】
図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰの表示部ＤＡを示す断面図である。表示パネルＰＮＬは、基材１０に加えて、表示層２０と、封止層３０と、接着層５０と、光学部材ＰＬと、粘着層６０と、支持体７０と、を備えている。
【００１２】
基材１０は、表示層２０が形成された第１面１０Ａと、第１面１０Ａの反対側に位置する第２面１０Ｂと、を有している。粘着層６０は、導電性材料を含んでいる導電性粘着層である。粘着層６０は、第２面１０Ｂ側に位置し、基材１０と支持体７０とを接着している。支持体７０は、例えば、透明な樹脂によって形成されている。なお、支持体７０は、表示層２０とは反対側に位置しており、不透明であってもよい。
【００１３】
表示層２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子ＯＬＥＤと、スイッチング素子ＳＷと、絶縁膜１１乃至１４と、を備えている。絶縁膜１１は、第１面１０Ａ上に形成されている。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に形成され、絶縁膜１２によって覆われている。絶縁膜１２は、絶縁膜１１の上にも形成されている。ゲート電極ＧＥは、絶縁膜１２の上に形成され、絶縁膜１３によって覆われている。絶縁膜１３は、絶縁膜１２の上にも形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１３の上に形成され、絶縁膜１４によって覆われている。ソース電極ＳＥは、絶縁膜１２及び１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１を介して、半導体層ＳＣと電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥは、絶縁膜１２及び１３を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して、半導体層ＳＣと電気的に接続されている。
【００１４】
基材１０は、ポリイミド樹脂などによって形成されている。なお、基材１０は、ポリイミド樹脂からなる単層構造であってもよいし、ポイリミド樹脂層、無機絶縁膜層、及び、ポリイミド樹脂層を順に積層した積層体などによって形成されてもよい。絶縁膜１１乃至１３は、いずれも、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成されている。絶縁膜１４は、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成されるが、無機絶縁材料によって形成されてもよい。絶縁膜１１乃至１４は、それぞれが単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコン（例えば低温ポリシリコン）によって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、ゲート電極ＧＥはモリブデン・タングステン合金によって形成され、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥはチタン系導電層、アルミニウム系導電層、及び、チタン系導電層を順に積層した積層体によって形成されている。
【００１５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、光学部材ＰＬに向かって発光するトップエミッションタイプの自発光素子である。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥと対向する共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に配置された有機発光層ＯＲＧと、を備えている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４の上に形成されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続されている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。リブＰＩは、絶縁膜１４の上に形成され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを区画している。
【００１６】
封止層３０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを封止している。封止層３０は、例えば、無機絶縁膜３１及び３３と、有機絶縁膜３２とを備えている。無機絶縁膜３１は、共通電極ＣＥを覆っている。有機絶縁膜３２は、無機絶縁膜３１及び３３の間に位置している。封止層３０は、表示層２０への水分等の侵入を抑制している。
【００１７】
光学部材ＰＬは、封止層３０と対向している。光学部材ＰＬは、例えば、偏光板である。なお、光学部材ＰＬは、位相差板などの他の光学素子を含んでいてもよい。また、光学部材ＰＬは、透明なガラスや樹脂などのカバー部材であってもよい。接着層５０は、透明であり、光学部材ＰＬと封止層３０とを接着している。接着層５０は、例えば、透明なエポキシ樹脂またはアクリル樹脂などからなる。
【００１８】
図３は、図１に示した表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す断面図である。基材１０は、第１面１０Ａと第２面１０Ｂとの間に側面１０Ｓを有している。側面１０Ｓは、図１に示した辺Ｅ１乃至Ｅ４に沿って形成された面であるが、図示した側面１０Ｓは、それぞれ辺Ｅ３及びＥ４に沿った側面に相当する。図示した表示層２０は、図２に示した部材のうち、表示部ＤＡに位置する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに相当する。なお、図２に示した絶縁膜１１乃至１３は、表示部ＤＡのみならず、非表示部ＮＤＡに延在していてもよい。  
封止層３０において、有機絶縁膜３２は、少なくとも表示部ＤＡに亘って配置され、無機絶縁膜３１及び３３は、表示部ＤＡのみならず、非表示部ＮＤＡにも配置されている。無機絶縁膜３３は、非表示部ＮＤＡにおいて、無機絶縁膜３１に接している。
【００１９】
第１導電層Ｌ１は、側面１０Ｓに形成されている。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、側面１０Ｓの全面を覆うように形成されているが、側面１０Ｓの少なくとも一部と接していればよい。第１導電層Ｌ１は、基材１０よりも低抵抗の材料によって形成され、ここでは、カーボン系物質によって形成されている。一例では、第１導電層Ｌ１は、カーボン、あるいは、グラファイト前駆体などのポリイミドの熱分解生成物によって形成されている。第１導電層Ｌ１は、例えば、常温（２０℃）で１０６Ω・ｃｍ以上１０９Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する導電材料によって形成されている。  
第１導電層Ｌ１は、第１面１０Ａよりも上方には延在していない。つまり、基材１０の上側において、封止層３０の端部３０Ｅ、接着層５０の端部５０Ｅ、及び、光学部材ＰＬの端部ＰＬＥは、いずれも第１導電層Ｌ１から露出している。なお、端部３０Ｅは、無機絶縁膜３１及び３３によって形成され、有機絶縁膜３２を含まない。図示した例では、端部３０Ｅは、側面１０Ｓよりも表示部ＤＡ側に位置しており、接着層５０によって覆われている。
また、第１導電層Ｌ１は、第２面１０Ｂよりも下方には延在していない。つまり、基材１０の下側において、粘着層６０の端部６０Ｅ、及び、支持体７０の端部７０Ｅは、いずれも第１導電層Ｌ１から露出している。
【００２０】
本実施形態の第１構成例によれば、基材１０よりも低抵抗の第１導電層Ｌ１が基材１０の側面１０Ｓに形成されているため、基材１０の側面１０Ｓに沿って静電気の拡散経路が形成され、基材１０の帯電を抑制することができる。これにより、表示パネルＰＮＬの製造工程において、製造装置との接触などによる静電気破壊を抑制することができ、表示パネルＰＮＬの歩留まりを改善することができる。  
また、基材１０の第２面１０Ｂに接する粘着層６０は、導電性を有している。このため、表示層２０と重畳する第２面１０Ｂに沿って静電気の拡散経路が形成され、表示層２０の静電気破壊を抑制することができる。
【００２１】
図４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第２構成例を示す断面図である。図４に示した第２構成例は、図３に示した第１構成例と比較して、第２面１０Ｂに第２導電層Ｌ２が形成されている点で相違している。封止層３０は、簡略化して図示している。第２導電層Ｌ２は、基材１０と接する上面Ｌ２Ａと、粘着層６０と接する下面Ｌ２Ｂと、端部Ｌ２Ｅと、を有している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、その端部Ｌ２Ｅで第１導電層Ｌ１と接している。なお、第１導電層Ｌ１は、端部Ｌ２Ｅよりも下方には延在せず、端部６０Ｅ及び７０Ｅを露出している。第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１と同様に、基材１０よりも低抵抗の材料によって形成され、ここでは、カーボン系物質によって形成されている。一例では、第２導電層Ｌ２は、カーボンなどのポリイミドの熱分解生成物によって形成されている。なお、第２導電層Ｌ２は、粘着層６０とは異なる材料によって形成されている。粘着層６０が導電性を有している場合であっても、第２導電層Ｌ２の抵抗率は、粘着層６０の抵抗率とは異なる。  
本実施形態の第２構成例によれば、第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、基材１０よりも低抵抗の第２導電層Ｌ２が基材１０の第２面１０Ｂに形成されているため、第２面１０Ｂに沿って静電気の拡散経路が形成され、表示層２０の静電気破壊をさらに抑制することができる。
【００２２】
次に、表示パネルＰＮＬの製造工程において、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを形成する一手法について、図５乃至図８を参照しながら説明する。
【００２３】
図５は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの製造工程の一部を示したフローチャートである。まず、ポリイミド基材形成工程ＳＴ１では、ガラス基板などの支持基板ＳＵＢ上にポリイミド前駆体化合物をコーティングした後に、加熱処理することで硬化させて、ポリイミド製の基材１０を形成する。表示層形成工程ＳＴ２では、基材１０上に、図２に示したような表示層２０を形成したのちに、表示層２０を覆う封止層３０を形成する。支持基板剥離工程ＳＴ３では、基材１０に向けてレーザー光Ｌを照射し、支持基板ＳＵＢから基材１０を剥離する。例えば、レーザー光Ｌは、エキシマレーザー装置から出射され、３５５ｎｍ以下の波長を有する。
【００２４】
図６は、支持基板剥離工程ＳＴ３を示す図である。なお、図６では、封止層３０よりも上層の図示を省略しているが、封止層３０の上に保護部材等を貼り合わせてもよい。支持基板ＳＵＢを介して、基材１０の第２面１０Ｂにレーザー光Ｌを照射することで、第２面１０Ｂのポリイミドがレーザー光Ｌを吸収し、その一部が熱分解される（あるいは、ポリイミドの一部が炭化される）。ポリイミドは、熱分解あるいは炭化により、カーボンやグラファイト前駆体などのカーボン系物質に変質する。このため、第２面１０Ｂにカーボン系物質によって形成された第２導電層Ｌ２が形成される。支持基板ＳＵＢが基材１０から剥離された際には、第２導電層Ｌ２は、基材１０に残る場合もありうるし、支持基板ＳＵＢとともに基材１０から除去される場合もありうる。第２導電層Ｌ２が基材１０に残った場合、支持基板剥離工程ＳＴ３以降の工程において、第２導電層Ｌ２が静電気の拡散経路を形成するため、表示層２０等の静電気破壊を抑制することができる。
【００２５】
再び、図５に戻る。支持体貼り合せ工程ＳＴ４では、支持体７０を、粘着層６０によって、基材１０の第２面１０Ｂに貼り合わせる。セルカット工程ＳＴ５では、マザー基板ＭＬから単個の表示パネルＰＮＬにカットする。
【００２６】
図７は、セルカット工程ＳＴ５を示す図である。マザー基板ＭＬは、表示パネルＰＮＬとなりうる有効領域ＥＦを備えている。複数の有効領域ＥＦは、マトリクス状に配置されている。レーザー光ＬＸは、第２方向Ｙに隣接する有効領域ＥＦの間に照射され、第１方向Ｘに沿って走査される。複数のカットラインＣＬＸは、レーザー光ＬＸの軌跡を示すものである。レーザー光ＬＹは、第１方向Ｘに隣接する有効領域ＥＦの間に照射され、第２方向Ｙに沿って走査される。複数のカットラインＣＬＹは、レーザー光ＬＹの軌跡を示すものである。例えば、レーザー光ＬＸ及びＬＹは、エキシマレーザー装置から出射され、３５５ｎｍ以下の波長を有する。１つの有効領域ＥＦは、２本のカットラインＣＬＸと、２本のカットラインＣＬＹとで囲まれている。マザー基板ＭＬは、複数のカットラインＣＬＸ及び複数のカットラインＣＬＹに沿ってそれぞれカットされ、複数の表示パネルＰＮＬに分断される。  
分断された１つの表示パネルＰＮＬに着目すると、基材１０の辺Ｅ２１及びＥ２２はそれぞれカットラインＣＬＸに相当し、基材１０の辺Ｅ２３及びＥ２４はそれぞれカットラインＣＬＹに相当する。セルカット工程ＳＴ５において、表示パネルＰＮＬが所望の最終製品と同等の外形を有するようにカットされた場合、辺Ｅ２１乃至Ｅ２４は、図１に示した辺Ｅ１乃至Ｅ４にそれぞれ相当する。なお、セルカット工程ＳＴ５において、表示パネルＰＮＬが最終製品と同等の外形を有するようにカットされていない場合もありうる。
【００２７】
カットラインＣＬＸ及びＣＬＹに沿ってカットされた際には、基材１０のポリイミドがレーザー光ＬＸまたはＬＹを吸収し、その一部が熱分解される（あるいは、ポリイミドの一部が炭化される）。このため、支持基板剥離工程ＳＴ３で説明したのと同様に、辺Ｅ２１乃至Ｅ２４に沿って、カーボン系物質によって形成された第１導電層Ｌ１が形成される。なお、セルカットの際、レーザー光ＬＸ及びＬＹをマザー基板ＭＬの上方から照射するか、マザー基板ＭＬの下方から照射するかによって、第１導電層Ｌ１の形状が異なる。これについては、図９乃至図１０によって説明する。
【００２８】
例えば、セルカット工程ＳＴ５以降の表示パネルＰＮＬの製造工程としては、端子部ＴＡのドライ洗浄工程や、検査工程や、光学部材ＰＬの貼り合せ工程や、端子部ＴＡへの配線基板ＦＳ１の実装工程などがある。セルカット工程ＳＴ５の終了時点で、第２導電層Ｌ２のみならず、第１導電層Ｌ１が静電気の拡散経路を形成するため、セルカット工程ＳＴ５以降の製造工程における表示層２０等の静電気破壊を抑制することができる。
【００２９】
再び、図５に戻る。ここでは、セルカット工程ＳＴ５において、表示パネルＰＮＬが最終製品と同等の外形を有するようにカットされていない場合を想定して、面取り工程ＳＴ６が追加されている。
【００３０】
図８は、面取り工程ＳＴ６の一例を示す図である。レーザー光ＬＸは、辺Ｅ２１と表示部ＤＡとの間に照射され、第１方向Ｘに沿って走査される。レーザー光ＬＹは、辺Ｅ２３と表示部ＤＡとの間、及び、辺Ｅ２４と表示部ＤＡとの間にそれぞれ照射され、第２方向Ｙに沿って走査される。例えば、レーザー光ＬＸ及びＬＹは、セルカット工程ＳＴ５と同様のエキシマレーザー装置から出射される。１本のカットラインＣＬＸと２本のカットラインＣＬＹとに沿ってカットされた後の表示パネルＰＮＬに着目すると、基材１０の辺Ｅ１はカットラインＣＬＸに沿って形成され、基材１０の辺Ｅ３及びＥ４はそれぞれカットラインＣＬＹに沿って形成される。辺Ｅ２は、辺Ｅ２２に相当する。  
カットラインＣＬＸ及びＣＬＹに沿ってカットされた際には、支持基板剥離工程ＳＴ３で説明したのと同様に、辺Ｅ１、Ｅ３及びＥ４に沿って、カーボン系物質によって形成された第１導電層Ｌ１が形成される。
【００３１】
以上説明した例では、表示パネルＰＮＬの製造工程でレーザー光がポリイミド製の基材１０に照射されることにより、第１導電層Ｌ１が基材１０の側面１０Ｓに形成され、また、第２導電層が基材１０の第２面１０Ｂに形成されたが、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、他の手法によって形成されてもよい。例えば、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、スパッタ法などによって、基材１０よりも低抵抗の導電材料で形成されてもよい。
【００３２】
図９は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第３構成例を示す断面図である。第３構成例は、図７に示したセルカット工程ＳＴ５あるいは図８に示した面取り工程ＳＴ６において、レーザー光Ｌが基材１０の上方から照射された場合に相当する。レーザー光Ｌは、第１面１０Ａ側から照射されるため、レーザー光Ｌの照射量は、第２面１０Ｂ側よりも第１面１０Ａ側の方が大きい。このようなレーザー光Ｌの照射によって形成された第１導電層Ｌ１は、側面１０Ｓの第１面１０Ａ側から第２面１０Ｂ側に亘って均一な厚さを有するとは限らない。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、第１面１０Ａ側において第１厚さＴＬＡを有し、第２面１０Ｂ側において第２厚さＴＬＢを有している。なお、ここでの厚さとは、第１方向Ｘに沿った長さである。第１厚さＴＬＡは第２厚さＴＬＢより大きい。このような第３構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００３３】
図１０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第４構成例を示す断面図である。第４構成例は、セルカット工程ＳＴ５あるいは面取り工程ＳＴ６において、レーザー光Ｌが基材１０の下方から照射された場合に相当する。第４構成例は、第３構成例と比較して、第１厚さＴＬＡが第２厚さＴＬＢより小さい点で相違している。すなわち、レーザー光Ｌは、第２面１０Ｂ側から照射されるため、レーザー光Ｌの照射量は、第１面１０Ａ側よりも第２面１０Ｂ側の方が大きい。このため、図示したような第１導電層Ｌ１が形成される。このような第４構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００３４】
図１１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第５構成例を示す平面図である。図１２は、図１１に示したＡ−Ａ’線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。表示パネルＰＮＬは、さらに、複数の端子Ｔ（Ｔ１、Ｔ２、・・・）と、複数の配線ＥＬ（ＥＬ１、ＥＬ２、・・・）と、を備えている。複数の端子Ｔは、第１方向Ｘに沿って間隔を置いて並んでいる。なお、ここでは、端子Ｔに電気的に接続される配線基板ＦＳ１の図示は省略している。配線ＥＬの各々は、端子Ｔに接続されている。配線ＥＬは、例えば静電気対策あるいは検査用として設けられ、図７に示したマザー基板ＭＬにおいてバス配線や検査配線等に接続されている。各配線ＥＬは、端子Ｔから辺Ｅ２（あるいは辺Ｅ２に沿った側面１０Ｓ）に向かって延出している。
【００３５】
無機絶縁膜１５は、図１２に示すように、基材１０の第１面１０Ａに形成されている。ここに示した無機絶縁膜１５は、例えば、図２に示した絶縁膜１１乃至１３の少なくとも１つによって形成されるものである。無機絶縁膜１５は、図１１に示すように、表示部ＤＡに亘って形成され、非表示部ＮＤＡにおいては辺Ｅ１乃至Ｅ４よりも表示部ＤＡ側に端部１５Ｅを有している。つまり、無機絶縁膜１５は、辺Ｅ１乃至Ｅ４の近傍において除去されており、基材１０を露出している。但し、各配線ＥＬは、無機絶縁膜１５の上に形成されており、配線ＥＬが延出する領域では基材１０と配線ＥＬとの間に無機絶縁膜１５が介在している。
【００３６】
ここで、配線ＥＬ１及びＥＬ２に着目し、配線ＥＬ１を第１配線と称し、配線ＥＬ２を第２配線と称する。第１配線ＥＬ１は、辺Ｅ２付近に第１端部ＥＬ１Ｅを有している。第２配線ＥＬ２も同様に、辺Ｅ２付近に第２端部ＥＬ２Ｅを有している。無機絶縁膜１５は、第１配線ＥＬ１及び第２配線ＥＬ２の直下に配置されている。つまり、無機絶縁膜１５は、第１端部ＥＬ１Ｅ及び第２端部ＥＬ２Ｅと重なる位置まで配置されている。無機絶縁膜１５は、第１配線ＥＬ１と第２配線ＥＬ２との間において、辺Ｅ２に沿った第３端部１５Ｅを有している。第３端部１５Ｅは、第１端部ＥＬ１Ｅ及び第２端部ＥＬ２Ｅよりも辺Ｅ２（あるいは辺Ｅ２に沿った側面１０Ｓ）から表示部ＤＡ側に離間している。平面視で、辺Ｅ２から第３端部１５Ｅまでの第２方向Ｙに沿った幅ＷＹは、３０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００３７】
例えば、図７に示したマザー基板ＭＬにおいて、カットラインＣＬＸ及びＣＬＹ上に無機絶縁膜１５が形成されていた場合、特に、端子部ＴＡ側において、各配線ＥＬ間に無機絶縁膜１５が形成されていた場合、基材１０がカットされた際に生成される第１導電層Ｌ１が基材１０と無機絶縁膜１５との間に形成されてしまう場合がある。そうすると、無機絶縁膜１５が基材１０から浮き上がり、無機膜にクラックが発生する恐れがある。また、カットラインＣＬＸ及びＣＬＹに沿った第１面１０Ａに導電パスが形成される恐れがある。すなわち、特に端子部ＴＡ側のように第１面１０Ａ側においてカットラインＣＬＸ及びＣＬＹの近傍まで延出した配線が存在する場合、配線と第１導電層Ｌ１や、第１導電層Ｌ１を介して隣接する配線同士がショートする可能性がある。
【００３８】
第５構成例によれば、第１配線ＥＬ１と第２配線ＥＬ２との間においては、無機絶縁膜１５は、辺Ｅ２に沿って除去されている。このため、基材１０がカットされた際に、辺Ｅ２に沿って形成された第１導電層Ｌ１は、第１配線ＥＬ１と第２配線ＥＬ２との間において形成されることはなく、無機絶縁膜１５の浮き上がりを抑制でき、かつ、第１配線ＥＬ１と第２配線ＥＬ２とのショートを抑制することができる。
【００３９】
図１３は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第６構成例を示す平面図である。図１３に示した第６構成例は、図１１に示した第５構成例と比較して、端子Ｔに接続し且つ辺Ｅ２（あるいは辺Ｅ２に沿った側面１０Ｓ）に向かって延出している配線ＥＬの各々に、端子Ｔと辺Ｅ２との間において、離間している部分が形成されている点で相違している。つまり、配線ＥＬ１は、端子Ｔ１に接続されている部分ＥＬ１ａと、部分ＥＬ１ａと離間した部分ＥＬ１ｂと、を有している。同様に、配線ＥＬ２は、端子Ｔ２に接続されている部分ＥＬ２ａと、部分ＥＬ２ａと離間した部分ＥＬ２ｂと、を有している。すなわち、部分ＥＬ１ａ及びＥＬ１ｂは、間隔を置いて第２方向Ｙに並んでいる。部分ＥＬ２ａ及びＥＬ２ｂは、間隔を置いて第２方向Ｙに並んでいる。部分ＥＬ１ａ及びＥＬ２ａは、部分ＥＬ１ｂ及びＥＬ２ｂと等ピッチで配置されている。  
ここでは、部分ＥＬ１ａ及びＥＬ１ｂに着目し、部分ＥＬ１ａを第１部分と称し、部分ＥＬ１ｂを第２部分と称し、第１部分ＥＬ１ａ及び第２部分ＥＬ１ｂを併せて第１配線ＥＬ１と称する。また、部分ＥＬ２ａ及びＥＬ２ｂに着目し、部分ＥＬ２ａを第３部分と称し、部分ＥＬ２ｂ２を第４部分と称し、第３部分ＥＬ２ａ及び第４部分ＥＬ２ｂを併せて第２配線ＥＬ２と称する。第１部分ＥＬ１ａは、端子Ｔ１から辺Ｅ２（側面１０Ｓ）に向かって延出している。第２部分ＥＬ１ｂは、第１部分ＥＬ１ａよりも辺Ｅ２に近接している。図示した例の第１部分ＥＬ１ａ及び第２部分ＥＬ１ｂは、同一直線上に沿って延出している。また、第１部分ＥＬ１ａ及び第２部分ＥＬ１ｂは、第２方向Ｙに沿って第１間隔Ｄ１をあけて互いに離間している。第２部分ＥＬ１ｂは、第１導電層Ｌ１に接続している場合がある。  
第３部分ＥＬ２ａは、端子Ｔ２から辺Ｅ２（側面１０Ｓ）に向かって延出している。第４部分ＥＬ２ｂは、第３部分ＥＬ２ａよりも辺Ｅ２に近接している。図示した例の第３部分ＥＬ２ａ及び第４部分ＥＬ２ｂは、同一直線上に沿って延出している。また、第３部分ＥＬ２ａ及び第４部分ＥＬ２ｂは、第２方向Ｙに沿って第２間隔Ｄ２をあけて互いに離間している。第４部分ＥＬ２ｂは、第１導電層Ｌ１に接続している場合がある。
ここで、第１配線ＥＬ１及び第２配線ＥＬ２と、第３配線ＥＬ３との関係に着目する。第３配線ＥＬ３は、端子Ｔ３に接続されている部分ＥＬ３ａと、第３間隔Ｄ３をあけて部分ＥＬ３ａと離間した部分ＥＬ３ｂと、を有している。第１間隔Ｄ１、第２間隔Ｄ２、及び、第３間隔Ｄ３は、同等であり、第１方向Ｘに沿った同一直線上に形成されている。
【００４０】
第１間隔Ｄ１、第２間隔Ｄ２、及び、第３間隔Ｄ３は、例えば、レーザー光Ｌを照射し第１方向Ｘに走査することで形成することができる。ここで適用されるレーザー光Ｌは、例えば支持基板剥離工程やセルカット工程と同様に、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザー光を用いることができる。レーザー光Ｌのエネルギーは、セルカット工程などで用いるレーザー光Ｌのエネルギーより小さく設定される。そのため、基材１０の第１面１０Ａに傷をつけることなく、配線ＥＬの一部を消失させて第１間隔Ｄ１、第２間隔Ｄ２、及び、第３間隔Ｄ３を形成することができる。なお、第１間隔Ｄ１等を形成する間隔形成工程は、図７に示したセルカット工程ＳＴ５あるいは図８に示した面取り工程ＳＴ６の際に同時に行っても良いし、セルカット工程ＳＴ５と面取り工程ＳＴ６との間に行っても良い。配線ＥＬが検査用として設けられる場合は、検査後に間隔形成工程が実施される。また、第１間隔Ｄ１等を形成する工程は、例えば、支持基板剥離工程ＳＴ３と同様に、基材１０の第１面１０Ａにレーザー光Ｌを照射し、基材１０の一部を熱分解することで配線ＥＬの一部を消失させて第１間隔Ｄ１、第２間隔Ｄ２、及び、第３間隔Ｄ３を形成しても良い。この場合でも、レーザー光Ｌのエネルギーは、セルカット工程などで用いるレーザー光Ｌのエネルギーより小さく設定される。
図示した例では、第１間隔Ｄ１、第２間隔Ｄ２、及び、第３間隔Ｄ３は、第１方向Ｘに沿った同一直線上に位置しているが、同一直線上に位置していなくても良い。
【００４１】
例えば、第５構成例のように、端子部ＴＡ側において、各配線ＥＬ間の無機絶縁膜１５が除去されていたとしても、基材１０がカットされた際に生成される第１導電層Ｌ１が基材１０と無機絶縁膜１５との間に形成されてしまい、カットラインＣＬＸ及びＣＬＹに沿った第１面１０Ａに導電パスを形成する恐れがある。そのため、配線と第１導電層Ｌ１とが導通し、また、第１導電層Ｌ１を介して隣接する配線同士が導通し、結果として、隣接する端子同士がショートする可能性がある。
【００４２】
第６構成例によれば、たとえ配線ＥＬ１及びＥＬ２が、それぞれ第１導電層Ｌ１と導通したり、第１導電層Ｌ１を介して配線ＥＬ１及びＥＬ２同士が導通したりしたとしても、端子Ｔ１に接続された部分ＥＬ１ａ及び端子Ｔ２に接続されたＥＬ２ａは、部分ＥＬ１ｂ及び２ｂとは離間しているため、隣接する端子同士のショートを抑制することができる。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、歩留まりの改善が可能な表示装置を提供することができる。
【００４４】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００４５】
本実施形態においては、表示装置の一例として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、これに限らない。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
ＤＳＰ…表示装置  ＤＡ…表示部  ＮＤＡ…非表示部
１０…基材  １０Ａ…第１面  １０Ｂ…第２面  １０Ｓ…側面
Ｌ１…第１導電層  Ｌ２…第２導電層
２０…表示層  ３０…封止層  ５０…接着層  ６０…粘着層  ７０…支持体
ＰＬ…光学部材
１５…無機絶縁膜
Ｔ…端子  ＥＬ…配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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