(57)【要約】【課題】フィルタリングの精度の低下を抑制することができるＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】ＳＡＷデバイスの製造方法は、圧電体セラミックス基板の一方の面を研磨する圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１と、支持基板の一方の面を研磨する支持基板研磨ステップＳＴ２と、圧電体セラミックス基板の一方の面と支持基板の一方の面とを接合させ積層基板を形成する接合ステップＳＴ３と、圧電体セラミックス基板の他方の面を研削する研削ステップＳＴ４と、集光点を圧電体セラミックス基板の内部に位置付けてレーザー光線を照射し、圧電体セラミックス基板の内部に改質層からなる振動拡散層を形成する振動拡散層形成ステップＳＴ５と、圧電体セラミックス基板の他方の面に電極パターンを形成する電極形成ステップＳＴ６とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷデバイスの製造方法であって、
圧電体セラミックス基板の一方の面を研磨して平坦化する圧電体セラミックス研磨ステップと、
該圧電体セラミックス基板より熱膨張係数の低い支持基板の一方の面を研磨して平坦化する支持基板研磨ステップと、
該圧電体セラミックス基板の研磨した該一方の面と該支持基板の研磨した該一方の面とを接合させ積層基板を形成する接合ステップと、
該接合ステップを実施した後に、該圧電体セラミックス基板の他方の面を研削して所定厚みまで薄化する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後に、該圧電体セラミックス基板または該支持基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該圧電体セラミックス基板の内部または該支持基板の内部に位置付けて該レーザー光線を照射し、該圧電体セラミックス基板の内部または該支持基板の内部に改質層からなる振動拡散層を形成する振動拡散層形成ステップと、
該振動拡散層形成ステップの後に、該圧電体セラミックス基板の他方の面に電極パターンを形成する電極形成ステップと、を備えるＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２】
該振動拡散層形成ステップは、該レーザー光線を該積層基板の圧電体セラミックス基板側から照射する請求項１に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項３】
該圧電体セラミックス基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、該支持基板は、シリコン又はサファイアである請求項１又は請求項２に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等の通信端末は。８００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚ帯で動作する高周波(RF:Radio  Frepuency)フィルタを用いている。このＲＦフィルタとして、圧電体基板の表面を伝搬する表面波を利用したＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）フィルタが用いられている（例えば、特許文献１参照）。ＳＡＷフィルタは、圧電体として用いられるタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなるタンタル酸リチウム基板、又は圧電体として用いられるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなるニオブ酸リチウム基板に櫛形電極を形成している。
【０００３】
通信端末は、世界中で爆発的に広がっており、利用される周波数帯域も広がりながら、それぞれ区分される周波数帯が狭くなっている。このために、ＲＦフィルタは、高精度なフィルタリングが必要不可欠である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２９９９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示されたＳＡＷフィルタは、圧電体として用いられるタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板の温度変化による膨張収縮の影響で、高精度なフィルタリングが出来なくなるという課題がある。そこで、圧電体自体を薄くして小さくし、圧電体より熱膨張係数が小さい支持基板に圧電体を積層して製造されるＳＡＷフィルタが開発された。この種のＳＡＷフィルタは、温度による膨張収縮の影響を抑制できる。しかしながら、前述したＳＡＷフィルタは、表面弾性波だけでなく、圧電体内部に伝搬し例えば底面で反射した振動がノイズとなり、高精度なフィルタリングのさまたげになるという課題が発生していた。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、フィルタリングの精度の低下を抑制することができるＳＡＷデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷデバイスの製造方法であって、圧電体セラミックス基板の一方の面を研磨して平坦化する圧電体セラミックス研磨ステップと、該圧電体セラミックス基板より熱膨張係数の低い支持基板の一方の面を研磨して平坦化する支持基板研磨ステップと、該圧電体セラミックス基板の研磨した該一方の面と該支持基板の研磨した該一方の面とを接合させ積層基板を形成する接合ステップと、該接合ステップを実施した後に、該圧電体セラミックス基板の他方の面を研削して所定厚みまで薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後に、該圧電体セラミックス基板または該支持基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該圧電体セラミックス基板の内部または該支持基板の内部に位置付けて該レーザー光線を照射し、該圧電体セラミックス基板の内部または該支持基板の内部に改質層からなる振動拡散層を形成する振動拡散層形成ステップと、該振動拡散層形成ステップの後に、該圧電体セラミックス基板の他方の面に電極パターンを形成する電極形成ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
前記ＳＡＷデバイスの製造方法において、該振動拡散層形成ステップは、該レーザー光線を該積層基板の圧電体セラミックス基板側から照射しても良い。
【０００９】
前記ＳＡＷデバイスの製造方法において、該圧電体セラミックス基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、該支持基板は、シリコン又はサファイアでも良い。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明は、フィルタリングの精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法により得られる積層基板の斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の他方の面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。
【図４】図４は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の他方の面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図である。
【図５】図５は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップを示す側面図である。
【図６】図６は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の支持基板研磨ステップを示す側面図である。
【図７】図７は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の接合ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の一方の面と支持基板の一方の面とを対向した状態を示す側面図である。
【図８】図８は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の接合ステップにおいて形成された積層基板の側面図である。
【図９】図９は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の研削ステップを示す側面図である。
【図１０】図１０は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップを示す側面図である。
【図１１】図１１は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップ中の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の電極形成ステップ後の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の分割ステップを示す側面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１の変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップ中の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法により得られる積層基板の斜視図である。図２は、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法の流れを示すフローチャートである。
【００１４】
実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、図１に示す積層基板１を製造した後、積層基板１を所定の大きさのＳＡＷフィルタ２に分割する方法である。積層基板１は、図１に示すように、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１と、支持基板４の一方の面４−１とが接合され、圧電体セラミックス基板３と支持基板４とが所定厚み３−２，４−２まで薄化されたものである。
【００１５】
支持基板４は、圧電体セラミックス基板３より熱膨張係数が低く、半導体または絶縁体である。実施形態１において、支持基板４は、圧電体セラミックス基板３よりも熱膨張率の低いシリコン、ガラス又はサファイアであるが、本発明では、シリコン又はサファイアに限定されない。実施形態１において、支持基板４の所定厚み４−２は、１００μｍ以上でかつ３００μｍ以下である。
【００１６】
圧電体セラミックス基板３は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）からなるタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなるニオブ酸リチウム基板である。タンタル酸リチウム及びニオブ酸リチウムは、圧電体セラミックスである。実施形態１において、圧電体セラミックス基板３の所定厚み３−２は、１μｍ以上でかつ１５μｍ以下である。なお、図１は、省略しているが、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３に櫛形の電極パターンが形成されている。
【００１７】
また、積層基板１は、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１と、支持基板４の一方の面４−１とが常温接合により接合されている。また、実施形態１において、圧電体セラミックス基板３と、支持基板４とは、互いに外径の等しい円板状に形成されている。
【００１８】
実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、図１に示す積層基板１を製造した後、積層基板１を分割して、ＳＡＷフィルタ２を製造する方法である。なお、実施形態１では、ＳＡＷフィルタ２は、所定の周波数帯域の電気信号のみを取り出すＳＡＷデバイスである。
【００１９】
実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、図２に示すように、圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１と、支持基板研磨ステップＳＴ２と、接合ステップＳＴ３と、研削ステップＳＴ４と、振動拡散層形成ステップＳＴ５と、電極形成ステップＳＴ６と、分割ステップＳＴ７とを備える。
【００２０】
（圧電体セラミックス研磨ステップ）
図３は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の他方の面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図４は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の他方の面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図である。図５は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の圧電体セラミックス研磨ステップを示す側面図である。
【００２１】
圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１は、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１を研磨して平坦化するステップである。実施形態１では、圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１は、図３に示すように、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３と保護部材１３とを間隔をあけて対向させた後、図４に示すように、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３に保護部材１３を貼着する。
【００２２】
圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１では、図５に示すように、研磨装置２０がチャックテーブル２１に保護部材１３を介して圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３を吸引保持し、チャックテーブル２１を軸心回りに回転させつつ研磨ユニット２２の研磨パッド２３を軸心回りに回転させて圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１に接触させて、一方の面３−１を研磨して、平坦化する。実施形態１において、圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１は、研磨液供給源２４からアルカリ性の研磨液を供給しながら化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）で圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１を研磨するが、本発明では、研磨液を供給することなく研磨するドライポリッシュで圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１を研磨しても良い。ＳＡＷデバイスの製造方法は、圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１後、支持基板研磨ステップＳＴ２に進む。
【００２３】
（支持基板研磨ステップ）
図６は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の支持基板研磨ステップを示す側面図である。支持基板研磨ステップＳＴ２は、圧電体セラミックス基板３より熱膨張係数の低い支持基板４の一方の面４−１を研磨して平坦化するステップである。
【００２４】
実施形態１では、支持基板研磨ステップＳＴ２は、支持基板４の他方の面４−３に保護部材１４を貼着する。支持基板研磨ステップＳＴ２では、図６に示すように、研磨装置２０がチャックテーブル２１に保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を吸引保持し、チャックテーブル２１を軸心回りに回転させつつ研磨ユニット２２の研磨パッド２３を軸心回りに回転させて支持基板４の一方の面４−１に接触させて、一方の面４−１を研磨して、平坦化する。実施形態１において、支持基板研磨ステップＳＴ２は、研磨液供給源２４からアルカリ性の研磨液を供給しながら化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical  Mechanical  Polishing）で支持基板４の一方の面４−１を研磨する、又は、研磨液供給源２４から純水などの研磨液を供給しながら支持基板４の一方の面４−１を研磨する。また、本発明は、支持基板研磨ステップＳＴ２において、研磨液を供給することなく研磨するドライポリッシュで支持基板４の一方の面４−１を研磨しても良い。ＳＡＷデバイスの製造方法は、支持基板研磨ステップＳＴ２後、接合ステップＳＴ３に進む。
【００２５】
（接合ステップ）
図７は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の接合ステップにおいて、圧電体セラミックス基板の一方の面と支持基板の一方の面とを対向した状態を示す側面図である。図８は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の接合ステップにおいて形成された積層基板の側面図である。接合ステップＳＴ３は、圧電体セラミックス基板３の研磨した一方の面３−１と、支持基板４の研磨した一方の面４−１とを接合させ、積層基板１を形成するステップである。
【００２６】
実施形態１では、接合ステップＳＴ３は、圧電体セラミックス基板３と支持基板４とを図示しない真空チャンバ内に挿入し、図７に示すように、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１と支持基板４の一方の面４−１とを間隔をあけて対向させる。接合ステップＳＴ３は、真空チャンバ内を減圧し、イオンビーム又は原子ビームを一方の面３−１，４−１に照射して、一方の面３−１，４−１を活性化した後、図８に示すように、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１と支持基板４の一方の面４−１とを接合する。即ち、実施形態１では、圧電体セラミックス基板３の一方の面３−１と支持基板４の一方の面４−１とを常温接合で接合して、積層基板１を形成する。ＳＡＷデバイスの製造方法は、接合ステップＳＴ３後、研削ステップＳＴ４に進む。
【００２７】
（研削ステップ）
図９は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ４は、接合ステップＳＴ３を実施した後に、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３を研削して、圧電体セラミックス基板３を所定厚み３−２まで薄化するステップである。
【００２８】
実施形態１では、研削ステップＳＴ４は、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３に貼着した保護部材１３を他方の面３−３から剥離する。研削ステップＳＴ４では、図９に示すように、研削装置３０がチャックテーブル３１に保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を吸引保持し、チャックテーブル３１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット３２の研削ホイール３３を軸心回りに回転させて圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３に研削砥石３４を接触させて、他方の面３−３を研削して、圧電体セラミックス基板３を所定厚み３−２まで薄化する。また、実施形態１では、研削ステップＳＴ４では、所定厚み３−２まで薄化した後、保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を研磨装置２０のチャックテーブル２１に吸引保持した後、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３を圧電体セラミックス研磨ステップＳＴ１と同様に研磨し、平坦化する。ＳＡＷデバイスの製造方法は、研削ステップＳＴ４後、振動拡散層形成ステップＳＴ５に進む。
【００２９】
（振動拡散層形成ステップ）
図１０は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップを示す側面図である。図１１は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップ中の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。
【００３０】
振動拡散層形成ステップＳＴ５は、研削ステップＳＴ４を実施した後に、圧電体セラミックス基板３に対して透過性を有する波長のレーザー光線１５の集光点１６を圧電体セラミックス基板３の内部に位置付けてレーザー光線１５を照射し、圧電体セラミックス基板３の内部に改質層１７からなる振動拡散層１８を形成するステップである。実施形態１において、振動拡散層形成ステップＳＴ５では、図１０及び図１１に示すように、レーザー加工装置４０がチャックテーブル４１に保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を吸引保持し、レーザー光線１５を積層基板１の圧電体セラミックス基板３側から照射する。
【００３１】
振動拡散層形成ステップＳＴ５では、レーザー光線１５の集光点１６を圧電体セラミックス基板３の内部に設定して、チャックテーブル４１とレーザー光線照射ユニット４２とを相対的に移動させながらレーザー光線１５を圧電体セラミックス基板３に照射する。振動拡散層形成ステップＳＴ５では、圧電体セラミックス基板３の内部に改質層１７を等間隔に形成する。
【００３２】
なお、実施形態１において、レーザー光線１５の条件は、以下のように設定される。
波長：１０６４ｎｍ（ＹＶＯ４パルスレーザー）
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚ
出力：０．１Ｗ〜０．３Ｗ
【００３３】
また、改質層１７とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。このために、改質層１７は、圧電体セラミックス基板３の内部を伝搬する振動が衝突すると、この振動を拡散する。ＳＡＷデバイスの製造方法は、振動拡散層形成ステップＳＴ５後、電極形成ステップＳＴ６に進む。
【００３４】
（電極形成ステップ）
図１２は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の電極形成ステップ後の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。電極形成ステップＳＴ６は、振動拡散層形成ステップＳＴ５の後に、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３に電極パターン５を形成するステップである。実施形態１において、電極形成ステップＳＴ６では、圧電体セラミックス基板３の他方の面３−３にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる薄膜で所定の周波数の電気信号を取り出すことができる電極パターン５を形成する。電極パターン５は、櫛形に形成されている。ＳＡＷデバイスの製造方法は、電極形成ステップＳＴ６後、分割ステップＳＴ７に進む。
【００３５】
（分割ステップ）
図１３は、図２に示されたＳＡＷデバイスの製造方法の分割ステップを示す側面図である。分割ステップＳＴ７は、電極形成ステップＳＴ６の後に、積層基板１を切削して、個々のＳＡＷフィルタ２に分割するステップである。なお、図１３は、電極パターン５を省略している。
【００３６】
実施形態１において、分割ステップＳＴ７では、図１３に示すように、切削装置５０がチャックテーブル５１に保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を吸引保持し、アライメントを遂行した後、切削ユニット５２の回転される切削ブレード５３を積層基板１に保護部材１４に到達するまで切り込ませて、積層基板１を個々のＳＡＷフィルタ２に分割する。ＳＡＷデバイスの製造方法は、分割ステップＳＴ７後、終了する。なお、分割ステップＳＴ７により分割されたＳＡＷフィルタ２は、図示しないピックアップにより保護部材１４からピックアップされる。
【００３７】
以上説明したように、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、振動拡散層形成ステップＳＴ５において、圧電体セラミックス基板３の内部にレーザー光線１５の照射により改質層１７からなる振動拡散層１８を形成する。このために、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、圧電体セラミックス基板３の内部に形成した改質層１７によって、圧電体セラミックス基板３の内部に伝搬する振動を拡散する。その結果、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷフィルタ２が、圧電体セラミックス基板３の内部に伝搬する振動を表面弾性波の所定の周波数の電気信号とともに取り出すことを抑制でき、即ち、圧電体セラミックス基板３の内部に伝搬する振動が表面弾性波の所定の周波数の電気信号のノイズとなってしまうことを抑制することができる。したがって、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、ＳＡＷフィルタ２が取り出す電気信号の周波数の誤差を抑制でき、即ち、ＳＡＷフィルタ２のフィルタリングの精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【００３８】
また、実施形態１に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、レーザー光線１５を圧電体セラミックス基板３側から照射するので、レーザー光線１５から受ける支持基板４のダメージを抑制することができる。
【００３９】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法を図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態１の変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップ中の圧電体セラミックス基板などの要部を示す断面図である。なお、図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】
変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、振動拡散層形成ステップＳＴ５において、改質層１７からなる振動拡散層１８を支持基板４に形成すること以外、実施形態１と同じである。
【００４１】
変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法の振動拡散層形成ステップＳＴ５は、研削ステップＳＴ４を実施した後に、圧電体セラミックス基板３及び支持基板４に対して透過性を有する波長のレーザー光線１５の集光点１６を支持基板４の内部に位置付けてレーザー光線１５を照射し、支持基板４の内部に改質層１７からなる振動拡散層１８を形成するステップである。変形例において、振動拡散層形成ステップＳＴ５では、図１４に示すように、レーザー加工装置４０がチャックテーブル４１に保護部材１４を介して支持基板４の他方の面４−３を吸引保持し、レーザー光線１５を積層基板１の圧電体セラミックス基板３側から照射する。
【００４２】
振動拡散層形成ステップＳＴ５では、レーザー光線１５の集光点１６を支持基板４の内部に設定して、チャックテーブル４１とレーザー光線照射ユニット４２とを相対的に移動させながらレーザー光線１５を圧電体セラミックス基板３に照射する。振動拡散層形成ステップＳＴ５では、支持基板４の内部に改質層１７を等間隔に形成する。実施形態１では、振動拡散層形成ステップＳＴ５は、支持基板４の内部のうちの支持基板４の厚みを２等分にする位置よりも一方の面４−１寄りの位置に改質層１７を形成するが、本発明では、改質層１７を形成する位置は図１４に示す位置に限定されない。
【００４３】
なお、変形例において、レーザー光線１５の条件は、例えば、以下のように設定される。
波長：１０６４ｎｍ（ＹＶＯ４パルスレーザー）
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ〜１２０ｋＨｚ
出力：０．１Ｗ〜０．３Ｗ
【００４４】
また、変形例において、支持基板４の内部に形成される改質層１７は、圧電体セラミックス基板３の内部を伝搬して支持基板４の内部に伝搬した振動が衝突すると、この振動を拡散する。
【００４５】
実施形態１の変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、振動拡散層形成ステップＳＴ５において、支持基板４の内部にレーザー光線１５の照射により改質層１７からなる振動拡散層１８を形成するために、改質層１７によって、圧電体セラミックス基板３及び支持基板４の内部に伝搬する振動を拡散する。その結果、実施形態１の変形例に係るＳＡＷデバイスの製造方法は、実施形態１と同様に、ＳＡＷフィルタ２のフィルタリングの精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【００４６】
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明は、振動拡散層形成ステップＳＴ５において、支持基板４側からレーザー光線１５を積層基板１に入射させて、改質層１７を積層基板１の圧電体セラミックス基板３または支持基板４に形成しても良い。
【符号の説明】
【００４７】
１  積層基板
２  ＳＡＷフィルタ（ＳＡＷデバイス）
３  圧電体セラミックス基板
３−１  一方の面
３−２  所定厚み
３−３  他方の面
４  支持基板
４−１  一方の面
４−２  所定厚み
４−３  他方の面
５  電極パターン
１５  レーザー光線
１６  集光点
１７  改質層
１８  振動拡散層
ＳＴ１  圧電体セラミックス研磨ステップ
ＳＴ２  支持基板研磨ステップ
ＳＴ３  接合ステップ
ＳＴ４  研削ステップ
ＳＴ５  振動拡散層形成ステップ
ＳＴ６  電極形成ステップ
【図１】
2019192988.tif 000003
【図２】
2019192988.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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