(57)【要約】【課題】寄生バイポーラトランジスタ動作時の耐圧の低下量を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第１導電型のドリフト領域と、第２導電型のボディ領域と、第１導電型の低濃度ソース領域と、第１導電型の高濃度ソース領域と、を有している。ドリフト領域とボディ領域と低濃度ソース領域と高濃度ソース領域とがこの順で積層している。半導体装置は、半導体基板の表面から低濃度ソース領域、高濃度ソース領域およびボディ領域を貫通してドリフト領域に侵入するトレンチを備える。半導体装置は、トレンチの内壁を被覆しているゲート絶縁膜を備える。半導体装置は、トレンチ内部にゲート絶縁膜を介して配置されているゲート電極を備える。低濃度ソース領域の側面の全面が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のドリフト領域と、第２導電型のボディ領域と、第１導電型の低濃度ソース領域と、第１導電型の高濃度ソース領域と、を有しており、前記ドリフト領域と前記ボディ領域と前記低濃度ソース領域と前記高濃度ソース領域とがこの順で積層している半導体基板と、
前記半導体基板の表面から前記低濃度ソース領域、前記高濃度ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に侵入するトレンチと、
前記トレンチの内壁を被覆しているゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内部に前記ゲート絶縁膜を介して配置されているゲート電極と、
を備え、
前記低濃度ソース領域の側面の全面が、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に対向している、半導体装置。
【請求項２】
前記高濃度ソース領域と前記ボディ領域とは、前記低濃度ソース領域によって互いに隔離されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低濃度ソース領域の側面と前記ゲート電極との間に配置されている前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記低濃度ソース領域の側面の全面に渡って一定である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板はシリコンであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域にはヒ素が存在しており、
前記低濃度ソース領域にはリンが存在している、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板はシリコンであり、
前記第１導電型はｐ型であり、
前記第２導電型はｎ型であり、
前記高濃度ソース領域には三フッ化ホウ素が存在しており、
前記低濃度ソース領域にはホウ素が存在している、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板はＳｉＣであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域にはリンが存在しており、
前記低濃度ソース領域には窒素が存在している、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板はＧａＮであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域にはシリコンが存在しており、
前記低濃度ソース領域には酸素が存在している、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１導電型のドリフト領域の上面に第２導電型のボディ領域を形成する工程と、
前記ボディ領域の上部に第１導電型の高濃度ソース領域および第１導電型の低濃度ソース領域を形成するソース領域形成工程と、
前記低濃度ソース領域、前記高濃度ソース領域および前記ボディ領域を貫通して前記ドリフト領域に侵入するトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内壁にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記トレンチの内部にゲート電極を形成する工程と、
を備え、
前記高濃度ソース領域は、前記ボディ領域の表面から、前記ボディ領域の表面を基準とした第１深さまでの領域に、イオン注入によって形成され、
前記低濃度ソース領域は、前記第１深さから、前記第１深さよりも深い第２深さまでの領域に、イオン注入によって形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ソース領域形成工程において、前記低濃度ソース領域を形成するイオン種の原子量は、前記高濃度ソース領域を形成するイオン種の原子量よりも小さい、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ソース領域形成工程において、前記低濃度ソース領域を形成する際の注入エネルギーは、前記高濃度ソース領域を形成する際の注入エネルギーよりも高い、請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ドリフト領域および前記ボディ領域を構成する半導体基板はシリコンであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域は、ヒ素のイオン注入により形成され、
前記低濃度ソース領域はリンのイオン注入により形成される、請求項８〜１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ドリフト領域および前記ボディ領域を構成する半導体基板はＳｉＣであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域は、リンのイオン注入により形成され、
前記低濃度ソース領域は、窒素のイオン注入により形成される、請求項８〜１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ドリフト領域および前記ボディ領域を構成する半導体基板はＧａＮであり、
前記第１導電型はｎ型であり、
前記第２導電型はｐ型であり、
前記高濃度ソース領域は、シリコンのイオン注入により形成され、
前記低濃度ソース領域は、酸素のイオン注入により形成される、請求項８〜１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で開示する技術は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチゲート構造を有した縦型トランジスタが知られている。特許文献１には、ドリフト領域、ボディ領域、ソース領域が積層された構造において、ソース領域表面からボディ層を貫通してドリフト領域に侵入するトレンチゲートを備えた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１６４２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ソース領域、ボディ領域、ドリフト領域によって、寄生バイポーラトランジスタが形成されてしまう場合がある。寄生バイポーラトランジスタが動作してしまった場合、半導体装置の本来の耐圧は、二次降伏電圧まで低下してしまう。本明細書は、耐圧の低下量を抑制することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書で開示する半導体装置の一実施形態は、第１導電型のドリフト領域と、第２導電型のボディ領域と、第１導電型の低濃度ソース領域と、第１導電型の高濃度ソース領域と、を有している。ドリフト領域とボディ領域と低濃度ソース領域と高濃度ソース領域とがこの順で積層している。半導体装置は、半導体基板の表面から低濃度ソース領域、高濃度ソース領域およびボディ領域を貫通してドリフト領域に侵入するトレンチを備える。半導体装置は、トレンチの内壁を被覆しているゲート絶縁膜を備える。半導体装置は、トレンチ内部にゲート絶縁膜を介して配置されているゲート電極を備える。低濃度ソース領域の側面の全面が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向している。
【０００６】
二次降伏電圧は、寄生バイポーラトランジスタの電流増幅率に依存し、電流増幅率が高いほど二次降伏電圧が低くなる。上記実施形態の半導体装置では、ボディ領域に低濃度ソース領域が接している。そのため、寄生バイポーラトランジスタのベース−エミッタ接合におけるエミッタの不純物濃度を低濃度とすることができる。エミッタからの注入効率を低減させることができるため、寄生バイポーラトランジスタの電流増幅率を低下させることができる。その結果、半導体装置の二次降伏電圧の低下を抑制することが可能となる。また、ソース領域の側面の全面がゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向しているため、半導体装置のオン時には、低濃度ソース領域のゲート電極に対向する領域に多量の電子を誘起することができる。低濃度ソース領域を配置することに起因するオン抵抗の増加を、抑制することが可能となる。
【０００７】
高濃度ソース領域とボディ領域とは、低濃度ソース領域によって互いに隔離されていてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
【０００８】
低濃度ソース領域の側面とゲート電極との間に配置されているゲート絶縁膜の厚さは、低濃度ソース領域の側面の全面に渡って一定であってもよい。
【０００９】
半導体基板はシリコンであってもよい。第１導電型はｎ型であってもよい。第２導電型はｐ型であってもよい。高濃度ソース領域にはヒ素が存在していてもよい。低濃度ソース領域にはリンが存在していてもよい。
【００１０】
半導体基板はシリコンであってもよい。第１導電型はｐ型であってもよい。第２導電型はｎ型であってもよい。高濃度ソース領域には三フッ化ホウ素が存在していてもよい。低濃度ソース領域にはホウ素が存在していてもよい。
【００１１】
半導体基板はＳｉＣであってもよい。第１導電型はｎ型であってもよい。第２導電型はｐ型であってもよい。高濃度ソース領域にはリンが存在していてもよい。低濃度ソース領域には窒素が存在していてもよい。
【００１２】
半導体基板はＧａＮであってもよい。第１導電型はｎ型であってもよい。第２導電型はｐ型であってもよい。高濃度ソース領域にはシリコンが存在していてもよい。低濃度ソース領域には酸素が存在していてもよい。
【００１３】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法の一実施形態は、第１導電型のドリフト領域の上面に第２導電型のボディ領域を形成する工程を備える。ボディ領域の上部に第１導電型の高濃度ソース領域および第１導電型の低濃度ソース領域を形成するソース領域形成工程を備える。低濃度ソース領域、高濃度ソース領域およびボディ領域を貫通してドリフト領域に侵入するトレンチを形成する工程を備える。トレンチの内壁にゲート絶縁膜を形成する工程を備える。トレンチの内部にゲート電極を形成する工程を備える。高濃度ソース領域は、ボディ領域の表面から、ボディ領域の表面を基準とした第１深さまでの領域に、イオン注入によって形成される。低濃度ソース領域は、第１深さから、第１深さよりも深い第２深さまでの領域に、イオン注入によって形成される。効果の詳細は実施例で説明する。
【００１４】
ソース領域形成工程において、低濃度ソース領域を形成するイオン種の原子量は、高濃度ソース領域を形成するイオン種の原子量よりも小さくてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
【００１５】
ソース領域形成工程において、低濃度ソース領域を形成する際の注入エネルギーは、高濃度ソース領域を形成する際の注入エネルギーよりも高くてもよい。効果の詳細は実施例で説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図２】半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】半導体装置の製造工程を示す図である。
【図５】半導体装置の変形例における要部断面図を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００１７】
図１の要部断面図に示されるように、半導体装置１は、ＭＯＳＦＥＴと称される縦型のパワー半導体素子である。半導体装置１は、トレンチゲート型である。半導体装置１は、半導体基板１０、半導体基板１０の裏面を被覆するドレイン電極２２、半導体基板１０の表面を被覆するソース電極２４、及び、半導体基板１０の表層部に設けられているトレンチ型の絶縁ゲート部３０を備える。
【００１８】
半導体基板１０は、シリコン（Ｓｉ）を材料とする基板である。ｎ+型のドレイン領域１１、ｎ-型のドリフト領域１２、ｐ型のボディ領域１３、ｎ型の低濃度ソース領域１４、ｎ+型の高濃度ソース領域１５、およびｐ+型のボディコンタクト領域１６を有する。ドレイン領域１１とドリフト領域１２とボディ領域１３と低濃度ソース領域１４と高濃度ソース領域１５は、半導体基板１０の厚み方向に沿ってこの順で並んでいる。高濃度ソース領域１５とボディ領域１３とは、低濃度ソース領域１４およびボディコンタクト領域１６によって互いに隔離されている。
【００１９】
ドレイン領域１１は、半導体基板１０の裏層部に配置されており、半導体基板１０の裏面に露出する。ドレイン領域１１は、ドリフト領域１２がエピタキシャル成長するための下地基板でもある。ドレイン領域１１は、半導体基板１０の裏面を被膜するドレイン電極２２にオーミック接触する。一例では、ドレイン領域１１は、その厚みが約１〜３００μｍであり、その不純物濃度が約１×１０18〜１×１０23ｃｍ-3であってもよい。
【００２０】
ドリフト領域１２は、ドレイン領域１１上に設けられている。ドリフト領域１２は、絶縁ゲート部３０の側面に接する。ドリフト領域１２は、エピタキシャル成長技術を利用して、ドレイン領域１１の表面から結晶成長して形成される。一例では、ドリフト領域１２は、その厚みが約５〜２００μｍであり、その不純物濃度が約１×１０13〜１×１０17ｃｍ-3であってもよい。
【００２１】
ボディ領域１３は、ドリフト領域１２上に設けられており、半導体基板１０の表層部に配置されている。ボディ領域１３は、絶縁ゲート部３０の側面に接する。ボディ領域１３は、エピタキシャル成長技術を利用して、ドリフト領域１２の表面から結晶成長して形成される。ボディ領域１３は、半導体基板１０の表面を被膜するソース電極２４に接触する。一例では、ボディ領域１３は、その厚みが約０．５〜２μｍであり、その不純物濃度が約１×１０16〜１×１０18ｃｍ-3であってもよい。
【００２２】
高濃度ソース領域１５は、ボディ領域１３上に設けられており、半導体基板１０の表層部に配置されており、半導体基板１０の表面に露出する。高濃度ソース領域１５は、ボディ領域１３の表面から、ボディ領域１３の表面を基準とした第１深さＤ１までの領域Ｒ１に形成されている。高濃度ソース領域１５は、絶縁ゲート部３０の側面に接する。高濃度ソース領域１５は、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の表層部にヒ素を導入して形成される。高濃度ソース領域１５は、半導体基板１０の表面を被膜するソース電極２４にオーミック接触する。一例では、高濃度ソース領域１５は、その厚みが約０．１〜０．５μｍであり、その不純物濃度が約１×１０１９〜１×１０２１ｃｍ-3であってもよい。
【００２３】
低濃度ソース領域１４は、第１深さＤ１から、第１深さよりも深い第２深さＤ２までの領域Ｒ２に形成されている。低濃度ソース領域１４は、絶縁ゲート部３０の側面に接する。低濃度ソース領域１４は、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の表層部にリンを導入して形成される。一例では、低濃度ソース領域１４は、その厚みが約０．４〜０．６μｍであり、その不純物濃度が約１×１０１７〜５×１０１８ｃｍ-3であってもよい。
【００２４】
ボディコンタクト領域１６は、ボディ領域１３上に設けられており、半導体基板１０の表層部に配置されており、半導体基板１０の表面に露出する。ボディコンタクト領域１６は、半導体基板１０の表面を被膜するソース電極２４にオーミック接触する。ボディコンタクト領域１６は、ブレークダウン時の正孔を引き抜く役割を有している。一例では、ボディコンタクト領域１６は、その厚みが約０．１〜０．５μｍであり、その不純物濃度が約１×１０19〜２×１０20ｃｍ-3であってもよい。
【００２５】
絶縁ゲート部３０は、半導体基板１０の表面から深部に向けて伸びている。絶縁ゲート部３０は、ゲート絶縁膜３２、ゲート電極３４を有する。絶縁ゲート部３０は、高濃度ソース領域１５、低濃度ソース領域１４およびボディ領域１３を貫通してドリフト領域１２の一部に侵入する、トレンチ３０Ｔ内に設けられている。ゲート絶縁膜３２は、トレンチ３０Ｔの内壁を被覆しており、酸化シリコンで構成されている。ゲート電極３４は、ゲート絶縁膜３２によって高濃度ソース領域１５、低濃度ソース領域１４、ボディ領域１３及びドリフト領域１２から隔てられており、ｎ-型のポリシリコンで構成されている。ゲート電極３４の上面には、ソース電極２４との絶縁を確保するための絶縁膜３６が配置されている。
【００２６】
領域Ｒ１に示すように、低濃度ソース領域１４の側面の全面が、ゲート絶縁膜３２を介してゲート電極３４に対向している。低濃度ソース領域１４の側面とゲート電極３４との間に配置されているゲート絶縁膜３２の厚さは、低濃度ソース領域１４の側面の全面に渡って一定である。換言すると、領域Ｒ１に対応するゲート絶縁膜３２の厚さは一定である。ゲート電極３４は、ドリフト領域１２と低濃度ソース領域１４の間に位置するボディ領域１３に対向しており、この対向部分に反転層を形成するように構成されている。
【００２７】
半導体装置１の動作を説明する。ドレイン電極２２に正電圧が印加され、ソース電極２４が接地され、絶縁ゲート部３０のゲート電極３４が接地されていると、半導体装置１はオフである。ドレイン電極２２に正電圧が印加され、ソース電極２４が接地され、絶縁ゲート部３０のゲート電極３４にソース電極２４よりも正となる電圧が印加されると、ゲート電極３４とボディ領域１３の対向部分に反転層が形成される。半導体装置１はオン状態になる。
【００２８】
（半導体装置１の製造方法）
図２〜図４を参照して、半導体装置１の製造方法について説明する。図２のフローチャートのステップＳ１において、ドレイン領域１１上にドリフト領域１２およびボディ領域１３を積層させた積層構造を形成する。
【００２９】
ステップＳ２において、ボディ領域１３の上部にｎ型の高濃度ソース領域１５およびｎ型の低濃度ソース領域１４を形成する、ソース領域形成工程が行われる。具体的には、図３に示すように、周知のリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、高濃度ソース領域１５および低濃度ソース領域１４を形成する領域が開口しているマスク４０を形成する。次に、マスク４０を介して、ヒ素をイオン注入する。これにより、ボディ領域１３の表面から、ボディ領域１３の表面を基準とした第１深さＤ１までの領域Ｒ１に、高濃度ソース領域１５が形成される。次に、マスク４０を介して、リンをイオン注入する。これにより、第１深さＤ１から、第１深さよりも深い第２深さＤ２までの領域Ｒ２に、低濃度ソース領域１４が形成される。これにより、図３の構造が形成される。なお、高濃度ソース領域１５と低濃度ソース領域１４の作成順番は逆でもよい。
【００３０】
ステップＳ３において、周知のリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、ボディコンタクト領域１６を形成する領域が開口しているマスクを形成する。次に、マスクを介してボロンをイオン注入する。これにより、ボディ領域１３の表面に露出するボディコンタクト領域１６が形成される。
【００３１】
ステップＳ４において、リソグラフィおよびドライエッチングを用いて、ボディ領域１３の上面からドリフト領域１２まで到達するトレンチ３０Ｔを加工する。これにより、図４に示す構造が形成される。
【００３２】
ステップＳ５において、トレンチ３０Ｔの内壁にゲート絶縁膜３２を成膜する。ステップＳ６において、トレンチ３０Ｔ内にゲート電極３４を埋め込む。ステップＳ７において、絶縁膜３６、ソース電極２４、ドレイン電極２２を形成する。これにより、図１に示す半導体装置１が完成する。
【００３３】
（効果）
図１に示す半導体装置１では、低濃度ソース領域１４（Ｎ、エミッタ）−ボディ領域１３（Ｐ、ベース）−ドリフト領域１２（Ｎ、コレクタ）で形成される、寄生ＮＰＮトランジスタＰＴが存在する。この寄生ＮＰＮトランジスタＰＴが一旦動作してしまうと、半導体装置１の耐圧が、本来の耐圧であるショート耐圧ＢＶＣＥＳから、オープン耐圧ＢＶＣＥＯに低下してしまう。オープン耐圧ＢＶＣＥＯは、下式（１）で表される。
ＢＶＣＥＯ＝ＢＶＣＥＳ／[ｈｆｅ］１／Ｎ・・・式（１）
ここで各符号の内容は以下である。ＢＶＣＥＯ：オープン耐圧（寄生ＮＰＮトランジスタＰＴの動作時の耐圧）、ＢＶＣＥＳ：ショート耐圧（半導体装置１の本来の耐圧）、ｈｆｅ：寄生ＮＰＮトランジスタＰＴの電流増幅率、Ｎ：定数（Ｓｉの場合、４〜６の値）。なお、オープン耐圧ＢＶＣＥＯは、二次降伏電圧とも称する。
【００３４】
本実施形態の半導体装置１では、ボディ領域１３に低濃度ソース領域１４が接している構造を備えることで、二次降伏電圧の低下を抑制している。理由を説明する。上式（１）から分かるように、オープン耐圧ＢＶＣＥＯ（すなわち二次降伏電圧）は、寄生ＮＰＮトランジスタＰＴの電流増幅率ｈｆｅが大きいほど低くなってしまう。従って、二次降伏電圧の低下を抑制するためには、電流増幅率ｈｆｅを低下させればよいことが分かる。電流増幅率ｈｆｅは、寄生ＮＰＮトランジスタＰＴの注入効率と、輸送効率との積で表される。ここで注入効率は、エミッタからベースへ注入されるキャリアによる電流分が、全電流に占める割合である。エミッタのキャリア密度をベースのキャリア密度よりはるかに大きくすることで、注入効率をほぼ１に近づけることができる。本実施形態の半導体装置１では、高濃度ソース領域１５ではなく低濃度ソース領域１４がボディ領域１３に接しているため、寄生ＮＰＮトランジスタＰＴのベース−エミッタ接合におけるエミッタの不純物濃度を低濃度とすることで、エミッタのキャリア密度を小さくすることができる。エミッタからの注入効率を低減させることができるため、寄生ＮＰＮトランジスタＰＴの電流増幅率ｈｆｅを低下させることができる。その結果、半導体装置１の二次降伏電圧の低下を抑制することが可能となる。
【００３５】
本実施形態の半導体装置１では、高濃度ソース領域１５とボディ領域１３とが、低濃度ソース領域１４によって互いに隔離されている。すると、低濃度ソース領域１４の存在によって、ソース抵抗が増加してしまうことが懸念される。そこで本実施形態の半導体装置１では、低濃度ソース領域１４の側面の全面がゲート絶縁膜３２を介してゲート電極３４に対向している構造を備えている（図１、領域Ｒ１参照）。これにより、半導体装置１のオン時には、低濃度ソース領域１４の側面とゲート電極３４とが対向する領域（すなわち領域Ｒ１）に、多量の電子を誘起することができる。低濃度ソース領域１４を配置することに起因するオン抵抗の増加を、抑制することが可能となる。
【００３６】
ステップＳ２のソース領域形成工程において、低濃度ソース領域１４を形成するリンイオンの原子量（３０．９７）は、高濃度ソース領域１５を形成するヒ素イオンの原子量（７４．９２）よりも小さい。これにより、低濃度ソース領域１４を形成するイオンの飛程を、高濃度ソース領域１５を形成するイオンの飛程よりも大きくすることができる。低濃度ソース領域１４を形成するイオンを、高濃度ソース領域１５を形成するイオンよりも深く打ち込むことができる。低濃度ソース領域１４が下側、高濃度ソース領域１５が上側に積層している構造を形成することができる。
【００３７】
半導体装置１はｐ型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。この場合、ｐ型の低濃度ソース領域１４はホウ素イオンの注入により形成し、ｐ型の高濃度ソース領域１５は三フッ化ホウ素イオンの注入により形成してもよい。
【００３８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【００３９】
（変形例）
半導体基板１０はＳｉＣであってもよい。半導体装置１はｎ型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。この場合、ｎ型の低濃度ソース領域１４は窒素イオンの注入により形成し、ｎ型の高濃度ソース領域１５はリンイオンの注入により形成してもよい。窒素イオンの原子量（１４．０）は、リンイオンの原子量（３０．９７）よりも小さいため、低濃度ソース領域１４を形成する窒素イオンを、高濃度ソース領域１５を形成するリンイオンよりも深く打ち込むことができる。
【００４０】
半導体基板１０はＧａＮであってもよい。半導体装置１はｎ型のＭＯＳＦＥＴであってもよい。この場合、ｎ型の低濃度ソース領域１４は酸素イオン（原子量１６．００）の注入により形成し、ｎ型の高濃度ソース領域１５はシリコンイオン（原子量２８．０９）の注入により形成してもよい。
【００４１】
ステップＳ２のソース領域形成工程において、低濃度ソース領域１４を形成する際の注入エネルギーを、高濃度ソース領域１５を形成する際の注入エネルギーよりも高くしてもよい。これにより、低濃度ソース領域１４を形成するイオンを、高濃度ソース領域１５を形成するイオンよりも深く打ち込むことができる。またこの場合、低濃度ソース領域１４および高濃度ソース領域１５は、同一のイオン種で形成してもよい。
【００４２】
図２のフローチャートにおいて、高濃度ソース領域１５および低濃度ソース領域１４を形成するステップＳ２と、ボディコンタクト領域１６を形成するステップＳ３との順番は、逆であってもよい。
【００４３】
図１に示すｐ+型のボディコンタクト領域１６に代えて、図５に示す金属層１６ａを配置してもよい。金属層１６ａは低抵抗の金属層であれば何れの材料でもよい。金属層１６ａの一例としては、アルミニウムが挙げられる。図５の金属層１６ａは、図１のボディコンタクト領域１６と同様に、ブレークダウン時の正孔を引き抜く機能を発揮することができる。
【００４４】
実施例１に係る半導体装置１において、ボディコンタクト領域１６やドレイン領域１１は省略することができる。以上より、一般的に言うと、半導体装置１は、ドリフト領域１２、ボディ領域１３、低濃度ソース領域１４、高濃度ソース領域１５、トレンチ３０Ｔ、ゲート絶縁膜３２、ゲート電極３３を、少なくとも備えていれば良い。そして、低濃度ソース領域１４の側面の全面が、ゲート絶縁膜３２を介してゲート電極３３に対向していればよい。
【００４５】
半導体基板１０の材料は、Ｓｉ、ＳｉＣやＧａＮに限られない。ＧａＡｓなどの材料であってもよい。
【００４６】
ｎ型は、第１導電型の一例である。ｐ型は、第２導電型の一例である。
【符号の説明】
【００４７】
１：半導体装置、１０：半導体基板、１１：ドレイン領域、１２：ドリフト領域、１３：ボディ領域、１４：低濃度ソース領域、１５：高濃度ソース領域、１６：ボディコンタクト領域、２２：ドレイン電極、２４：ソース電極、３０：絶縁ゲート部、３０Ｔ：トレンチ、３２：ゲート絶縁膜、３４：ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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