(57)【要約】【課題】品質管理を容易にする。【解決手段】ウェハにレジスト液を塗布して所定の処理を行うレジスト塗布装置３２にレジスト液を供給するレジスト液供給装置２００であって、レジスト液の供給先のレジスト塗布装置３２は複数であり、レジスト液を貯留するレジスト液ボトルＢに貯留されていたレジスト液を複数のレジスト塗布装置３２それぞれに送出する、複数のレジスト塗布装置３２で共通の送出部２１２と、送出部２１２を制御する制御部Ｕと、を有し、送出部２１２は、レジスト液を吸引して補充し、補充したレジスト液を送出する第１及び第２のポンプ２１２ａ、２１２ｂを有し、制御部Ｕは、第１及び第２のポンプ２１２ａ、２１２ｂのいずれかが複数のレジスト塗布装置３２にレジスト液を送出することが可能な状態に常になるように、第１及び第２のポンプ２１２ａ、２１２ｂそれぞれの吸引タイミングを制御する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を塗布して所定の処理を行う液処理装置に前記処理液を供給する処理液供給装置であって、
前記処理液の供給先の前記液処理装置は複数であり、
前記処理液を貯留する処理液供給源に貯留されていた前記処理液を前記複数の液処理装置それぞれに送出する、前記複数の液処理装置で共通の送出部と、
少なくとも前記送出部を制御する制御部と、を有し、
前記送出部は、前記処理液を吸引して補充し、補充した処理液を送出する複数のポンプを有し、
前記制御部は、前記複数のポンプのいずれかが前記複数の液処理装置に前記処理液を送出することが可能な状態に常になるように、前記複数のポンプそれぞれの吸引タイミングを制御することを特徴とする処理液供給装置。
【請求項２】
前記送出部から前記複数の液処理装置それぞれに分岐された複数の分岐管を有し、
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内の圧力を測定する圧力測定部と、当該分岐管内の圧力を調整する圧力調整弁と、が設けられ、
前記制御部は、前記複数の分岐管それぞれにおいて、前記圧力測定部による測定結果が目標圧力となるように前記圧力調整弁を制御することを特徴とする請求項１に記載の処理液供給装置。
【請求項３】
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内を流れる前記処理液の流量測定部が設けられ、
前記複数の分岐管それぞれの前記圧力調整弁における前記目標圧力は、当該複数の分岐管に対応する前記液処理装置の処理液塗布部から前記処理液を吐出させた際に、前記流量測定部での測定結果が所定の流量となる圧力であることを特徴とする請求項２に記載の処理液供給装置。
【請求項４】
前記複数の液処理装置は積層されており、
前記制御部は、前記複数の液処理装置全ての処理液塗布部から同時に前記処理液を吐出した時に、最上段の前記液処理装置に対応する前記圧力測定部での測定結果が前記目標圧力となるように、前記複数のポンプそれぞれからの前記処理液の供給圧力を調整することを特徴とする請求項２または３に記載の処理液供給装置。
【請求項５】
基板に処理液を塗布して所定の処理を行う液処理装置に前記処理液を供給する処理液供給装置を用いた処理液供給方法であって、
前記処理液の供給先の前記液処理装置は複数であり、
前記処理液供給装置は、
前記処理液を貯留する処理液供給源に貯留されていた前記処理液を前記複数の液処理装置それぞれに送出する、前記複数の液処理装置で共通の送出部を有し、
該送出部は、前記処理液を吸引して補充し、補充した処理液を送出する複数のポンプを有し、
当該処理液供給方法は、
前記複数のポンプの一部から前記複数の液処理装置の全部または一部に前記処理液を供給する工程と、
前記複数のポンプの一部が前記複数の液処理装置に処理液を送出することが可能な状態である時に、前記複数のポンプに含まれる他の前記ポンプに処理液を補充する工程と、を有することを特徴とする処理液供給方法。
【請求項６】
前記処理液供給装置は、
前記送出部から前記複数の液処理装置それぞれに分岐された複数の分岐管を有し、
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内の圧力を測定する圧力測定部と、当該分岐管内の圧力を調整する圧力調整弁と、が設けられ、
当該処理液供給方法は、
前記複数の分岐管それぞれについて、前記圧力測定部による測定結果が目標圧力となるように前記圧力調整弁の開度を調整する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の処理液供給方法。
【請求項７】
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内を流れる前記処理液の流量測定部が設けられ、
当該処理液供給方法は、
前記複数の分岐管それぞれにおいて、前記液処理装置の処理液塗布部から前記処理液を吐出させ前記流量測定部での測定結果が所定の流量となったときに前記圧力測定部で測定された圧力を、前記目標圧力に設定する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の処理液供給方法。
【請求項８】
前記複数の液処理装置は積層されており、
当該処理液供給方法は、
前記複数の液処理装置全ての処理液塗布部から同時に前記処理液を吐出させ、その状態で最上段の前記液処理装置に対応する前記圧力測定部での測定結果が前記目標圧力となるように、前記複数のポンプそれぞれからの前記処理液の供給圧力を調整する工程を有することを特徴とする請求項６または７に記載の処理液供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液供給装置及び処理液供給方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）表面上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理等の一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理装置やウェハを搬送する搬送機構等を搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。また、塗布現像処理システムには、上記処理装置として、フォトリソグラフィー工程で用いられるレジスト液や、現像液等といった処理液をウェハに塗布して液処理を行う液処理装置が設けられている。
【０００３】
さらに、塗布現像処理システムには、液処理装置に処理液を供給する処理液供給装置が設けられている。この処理液供給装置は、例えば、処理液を貯留する処理液供給源と、該処理液供給源からの処理液を一時的に貯留する中間タンクと、該中間タンクに貯留された処理液を、処理液供給管を介して上記液処理装置の塗布ノズルに供給するポンプと、を有する。また、処理液供給装置では、処理液中から異物（パーティクル）を除去するフィルタが、処理液供給管に設けられている（特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、特許文献１では、塗布現像処理システムにおいて、同種の液処理装置が複数設けられており、例えば、レジスト液をウェハに塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置が複数設けられている。このように、同種の液処理装置が複数設けられた塗布現像処理システムでは、従来、処理液供給装置が液処理装置毎に独立して設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２１１５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、同種の液処理装置が複数設けられた塗布現像処理システムにおいて、前述のように、処理液供給装置が液処理装置毎に独立して設けられる場合、処理液供給装置の状態が、液処理装置毎に異なることになる。具体的には、処理液供給装置のポンプやフィルタの状態が、液処理装置間で異なることになる。このように、処理液供給装置のポンプやフィルタの状態が液処理装置間で異なると、処理液供給装置から供給されて液処理装置の塗布ノズルからウェハに吐出される処理液内のパーティクルの量や、その処理液を用いて液処理が行われたウェハ内の欠陥の量に、液処理装置間で差が生じる。その結果、製品としての半導体チップを製造する上での品質管理が複雑になってしまう。
特許文献１は、上述のような処理液供給装置の状態の液処理装置間差について考慮されていない。したがって、従来の処理液供給装置には改善の余地がある。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、品質管理が容易である処理液供給装置及び処理液供給方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明は、基板に処理液を塗布して所定の処理を行う液処理装置に前記処理液を供給する処理液供給装置であって、前記処理液の供給先の前記液処理装置は複数であり、前記処理液を貯留する処理液供給源に貯留されていた前記処理液を前記複数の液処理装置それぞれに送出する、前記複数の液処理装置で共通の送出部と、少なくとも前記送出部を制御する制御部と、を有し、前記送出部は、前記処理液を吸引して補充し、補充した処理液を送出する複数のポンプを有し、前記制御部は、前記複数のポンプのいずれかが前記複数の液処理装置に前記処理液を送出することが可能な状態に常になるように、前記複数のポンプそれぞれの吸引タイミングを制御することを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、処理液供給装置が液処理装置間で共通であるため、当該処理液供給装置から供給されて液処理装置の処理液塗布部から基板に吐出される処理液内のパーティクルの量や、その処理液を用いて液処理が行われた基板内の欠陥の量が、液処理装置間で差が生じないようにすることができる。したがって、半導体チップ等の製品を製造する上での品質管理が容易である。また、処理液供給装置が液処理装置間で共通であるため、ポンプ等の部品の数を少なくすることができるため、製造コストを抑えることができる。さらに、複数のポンプのいずれかが複数の液処理装置に処理液を送出することが可能な状態に常になるように、複数のポンプそれぞれの処理液の吸引／補充タイミングを制御しているため、液処理装置の処理液塗布部からの処理液の吐出が、吸引／補充により妨げられることがない。
【００１０】
前記送出部から前記複数の液処理装置それぞれに分岐された複数の分岐管を有し、前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内の圧力を測定する圧力測定部と、当該分岐管内の圧力を調整する圧力調整弁と、が設けられ、前記制御部は、前記複数の分岐管それぞれにおいて、前記圧力測定部による測定結果が目標圧力となるように前記圧力調整弁を制御してもよい。
【００１１】
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内を流れる前記処理液の流量測定部が設けられ、前記複数の分岐管それぞれの前記圧力調整弁における前記目標圧力は、当該複数の分岐管に対応する前記液処理装置の処理液塗布部から前記処理液を吐出させた際に、前記流量測定部での測定結果が所定の流量となる圧力としてもよい。
【００１２】
前記複数の液処理装置は積層されており、前記制御部は、前記複数の液処理装置全ての処理液塗布部から同時に前記処理液を吐出した時に、最上段の前記液処理装置に対応する前記圧力測定部での測定結果が前記目標圧力となるように、前記複数のポンプそれぞれからの前記処理液の供給圧力を調整してもよい。
【００１３】
別な観点による本発明は、基板に処理液を塗布して所定の処理を行う液処理装置に前記処理液を供給する処理液供給装置を用いた処理液供給方法であって、前記処理液の供給先の前記液処理装置は複数であり、前記処理液供給装置は、前記処理液を貯留する処理液供給源に貯留されていた前記処理液を前記複数の液処理装置それぞれに送出する、前記複数の液処理装置で共通の送出部を有し、該送出部は、前記処理液を吸引して補充し、補充した処理液を送出する複数のポンプを有し、当該処理液供給方法は、前記複数のポンプの一部から前記複数の液処理装置の全部または一部に前記処理液を供給する工程と、前記複数のポンプの一部が前記複数の液処理装置に処理液を送出することが可能な状態である時に、前記複数のポンプに含まれる他の前記ポンプに処理液を補充する工程と、を有することを特徴としている。
【００１４】
前記処理液供給装置は、前記送出部から前記複数の液処理装置それぞれに分岐された複数の分岐管を有し、前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内の圧力を測定する圧力測定部と、当該分岐管内の圧力を調整する圧力調整弁と、が設けられ、当該処理液供給方法は、前記複数の分岐管それぞれについて、前記圧力測定部による測定結果が目標圧力となるように前記圧力調整弁の開度を調整する工程を有してもよい。
【００１５】
前記複数の分岐管それぞれに、当該分岐管内を流れる前記処理液の流量測定部が設けられ、当該処理液供給方法は、前記複数の分岐管それぞれにおいて、前記液処理装置の処理液塗布部から前記処理液を吐出させ前記流量測定部での測定結果が所定の流量となったときに前記圧力測定部で測定された圧力を、前記目標圧力に設定する工程を有してもよい。
【００１６】
前記複数の液処理装置は積層されており、当該処理液供給方法は、前記複数の液処理装置全ての処理液塗布部から同時に前記処理液を吐出させ、その状態で最上段の前記液処理装置に対応する前記圧力測定部での測定結果が前記目標圧力となるように、前記複数のポンプそれぞれからの前記処理液の供給圧力を調整する工程を有してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、品質管理を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態に係る基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】本実施の形態に係るレジスト液供給装置の構成の概略を示す説明図である。
【図７】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、バッファタンクへの補充工程の説明図である。
【図８】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第１のポンプへの補充工程の説明図である。
【図９】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第２のポンプへの補充工程の説明図である。
【図１０】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第１のポンプからの定圧送出工程の説明図である。
【図１１】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第２のポンプからの定圧送出工程の説明図である。
【図１２】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、吐出工程の説明図である。
【図１３】各ポンプと各ノズルの動作状態を示すタイミングチャートである。
【図１４】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第１のポンプへの再補充工程の説明図である。
【図１５】レジスト液供給装置の構成の概略を説明するための配管系統を示し、第２のポンプへの再補充工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る処理液供給装置としてのレジスト液供給装置を搭載した基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。
【００２１】
基板処理システム１は、図１に示すように基板としてのウェハＷを複数枚収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２３】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００２４】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００２５】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が水平方向に並べて配置されている。
【００２６】
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ上下方向に５つ積層されて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
【００２７】
これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３といった液処理装置では、例えばウェハＷ上に所定の処理液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に処理液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、処理液をウェハＷの表面に拡散させる。
【００２８】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０〜４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理装置４０〜４２の数や配置についても、任意に選択できる。
【００２９】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００３０】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００３１】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３２】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３３】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００３４】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム１１０ａを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アーム１１０ａにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３５】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部Ｕが設けられている。制御部Ｕは、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、処理液の供給処理を含む基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部Ｕにインストールされたものであってもよい。
【００３６】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理の概略について説明する。先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。
【００３７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。
【００３８】
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、温度調節処理される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置７０によって第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。その後ウェハＷは、熱処理装置４０に搬送され、プリベーク処理される。
【００３９】
次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５６に搬送される。
【００４０】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置１２に搬送され、所定のパターンで露光処理される。
【００４１】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。これにより、レジスト膜の露光部において発生した酸により脱保護反応させる。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる。
【００４２】
現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される。
その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡し装置５０に搬送され、カセットステーション１０のウェハ搬送装置２３によって所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００４３】
次に、上述のレジスト塗布装置３２の構成について説明する。図４は、レジスト塗布装置３２の構成の概略を示す縦断面図であり、図５は、レジスト塗布装置３２の構成の概略を示す横断面図である。
【００４４】
レジスト塗布装置３２は、図４に示すように内部を閉鎖可能な処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、図５に示すようにウェハＷの搬入出口１２１が形成され、搬入出口１２１には、開閉シャッタ１２２が設けられている。
【００４５】
処理容器１２０内の中央部には、図４に示すようにウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３０が設けられている。スピンチャック１３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをスピンチャック１３０上に吸着保持できる。
【００４６】
スピンチャック１３０は、例えばモータなどを備えたチャック駆動機構１３１を有し、そのチャック駆動機構１３１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動機構１３１には、シリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３０は上下動可能である。
【００４７】
スピンチャック１３０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３２が設けられている。カップ１３２の下面には、回収した液体を排出する排出管１３３と、カップ１３２内の雰囲気を排気する排気管１３４が接続されている。
【００４８】
図５に示すようにカップ１３２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１４０が形成されている。レール１４０は、例えばカップ１３２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１４０には、アーム１４１が取り付けられている。
【００４９】
アーム１４１には、図４及び図５に示すようにレジスト液を吐出する塗布ノズル１４２が支持されている。アーム１４１は、図５に示すノズル駆動部１４３により、レール１４０上を移動自在である。これにより、塗布ノズル１４２は、カップ１３２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１４４からカップ１３２内のウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該ウェハＷの表面上をウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム１４１は、ノズル駆動部１４３によって昇降自在であり、塗布ノズル１４２の高さを調節できる。塗布ノズル１４２は、図４に示すようにレジスト液を供給するレジスト液供給装置２００に接続されている。
【００５０】
次に、レジスト塗布装置３２内の処理液塗布部としての塗布ノズル１４２に対しレジスト液を供給するレジスト液供給装置２００の構成について説明する。図６は、レジスト液供給装置２００の構成の概略を示す説明図である。なお、レジスト液供給装置２００は、例えば後述のレジスト液トルＢから送出部２１２までの部分が、不図示のケミカル室内に設けられている。ケミカル室とは、各種処理液を液処理装置に供給するために基板処理システム１内に設けられたものである。
【００５１】
図６のレジスト液供給装置２００は、そのレジスト液の供給先のレジスト塗布装置３２が複数（本例では５つ）であり、つまり、複数のレジスト塗布装置３２で共通のものである。このレジスト液供給装置２００は、内部にレジスト液を貯留する処理液供給源としてのレジスト液ボトルＢと塗布ノズル１４２との間に、上流側から順に、バッファタンク２１０と、フィルタ２１１と、送出部２１２とを有する。
【００５２】
バッファタンク２１０は、取り替え可能なレジスト液ボトルＢから移送されたレジスト液を一時的に貯留する一次貯留装置であり、例えば可変容量ポンプから構成される。このバッファタンク２１０は、レジスト液ボトルＢの取り換え中に、塗布ノズル１４２へのレジスト液の供給が停止するのを防ぐためのものである。また、バッファタンク２１０とレジスト液ボトルＢとは、第１の供給管２５０により接続されており、第１の供給管２５０には、その流路を開閉する供給弁２５１が設けられている。なお、バッファタンク２１０の上端には、該バッファタンク２１０の上部に滞留する不活性ガスを大気に開放する排出管２５２が設けられている。
【００５３】
フィルタ２１１は、レジスト液を濾過して当該レジスト液中の異物を捕集して除去するものである。このフィルタ２１１の一時側とバッファタンク２１０の底部側とは第２の供給管２６０により接続されており、第２の供給管２６０には、その流路を開閉する開閉弁２６１が設けられている。
【００５４】
送出部２１２は、レジスト液を複数のレジスト塗布装置３２それぞれの塗布ノズル１４２に送出するものであり、複数のレジスト塗布装置３２で共通のものである。送出部２１２は、レジスト塗布装置３２の下方に位置する。この送出部２１２は、レジスト液を吸引して補充し、補充したレジスト液を送出するポンプとして、第１のポンプ２１２ａと第２のポンプ２１２ｂとの２つを並列に有する。
【００５５】
この送出部２１２の一次側とフィルタ２１１の二次側とは第３の供給管２７０により接続されている。第３の供給管２７０の下流端には、第１のポンプ用分岐管２７１及び第２のポンプ用分岐管２７２が並列に接続されている。
【００５６】
第１のポンプ用分岐管２７１には、第１のポンプ２１２ａが設けられており、その第１のポンプ２１２ａの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁２７３と開閉弁２７４とが設けられている。また、第１のポンプ用分岐管２７１における第１のポンプ２１２ａと開閉弁２７４との間には圧力センサ２７５が設けられている。
また、第２のポンプ用分岐管２７２には、第２のポンプ２１２ｂが設けられており、その第２のポンプ２１２ｂの上流側と下流側とにそれぞれ、開閉弁２７６と開閉弁２７７とが設けられている。また、第２のポンプ用分岐管２７２における第２のポンプ２１２ｂと開閉弁２７７との間には圧力センサ２７８が設けられている。
開閉弁２７３、２７４、２７６、２７７は、第１のポンプ用分岐管２７１や第２のポンプ用分岐管２７２の流路を開閉する。また、圧力センサ２７５は、第１のポンプ用分岐管２７１の内部の圧力を測定し、圧力センサ２７８は、第２のポンプ用分岐管２７２の内部の圧力を測定する。
【００５７】
また、第１のポンプ２１２ａと第２のポンプ２１２ｂは、所定の圧力でレジスト液を吸引すると共に、吸引し補充したレジスト液を所定の圧力で圧送するものであり、例えば、可変容量ポンプの一種であるチューブフラムポンプで構成される。第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂは、可撓性部材にて不図示のポンプ室と作動室に仕切られている。
上記ポンプ室は、第１のポンプ用分岐管２７１または第２のポンプ用分岐管２７２と連通している。したがって、第１のポンプ用分岐管２７１の圧力を圧力センサ２７５で測定することにより、第１のポンプ２１２ａのポンプ室の圧力を測定することができる。また、第２のポンプ用分岐管２７２の圧力を圧力センサ２７８で測定することにより、第２のポンプ２１２ｂのポンプ室の圧力を測定することができる。
【００５８】
なお、第１のポンプ２１２ａと第２のポンプ２１２ｂの前述の作動室には、該作動室内の気体の減圧及び加圧を制御する不図示の駆動手段がそれぞれ接続されている。
【００５９】
さらに、送出部２１２の二次側と複数のレジスト塗布装置３２それぞれの塗布ノズル１４２とは、接続管２８０により接続されている。接続管２８０は、複数のレジスト塗布装置３２で共通、すなわち、複数の塗布ノズル１４２で共通の主管２８１と、主管２８１から複数のレジスト塗布装置３２それぞれに分岐された複数の分岐管２８２とを有する。
【００６０】
主管２８１の上流側端には、第１のポンプ用分岐管２７１及び第２のポンプ用分岐管２７２それぞれの下流側端が接続されている。
複数の分岐管２８２それぞれには、圧力調整弁２８３、圧力センサ２８４、流量計２８５及びディスペンスバルブ２８６が、上流側から順に設けられている。
【００６１】
圧力調整弁２８３は、その開度を変えることにより、当該圧力調整弁２８３が設けられた分岐管２８２の内部の圧力を調整するためのものであり、上記分岐管２８２の内部の圧力を一定に保つ定圧弁として機能する。
圧力センサ２８４は、当該圧力センサ２８４が設けられた分岐管２８２の内部の圧力を測定する。この圧力センサ２８４での測定結果に基づいて、圧力調整弁２８３は例えばフィートバック制御される。
【００６２】
流量計２８５は、当該流量計２８５が設けられた分岐管２８２の内部を流れるレジスト液の流量を測定する。
ディスペンスバルブ２８６は、塗布ノズル１４２へのレジスト液の供給／非供給を切り替えるものであり、例えば開閉弁とサックバックバルブとを有する。
【００６３】
レジスト液供給装置２００に設けられた各弁、バルブには、制御部Ｕにより制御可能な電磁弁や空気作動弁等が用いられ、各弁、バルブと制御部Ｕは電気的に接続されている。また、制御部Ｕは、圧力センサ２７５、圧力センサ２７８、圧力センサ２８４、流量計２８５と電気的に接続されている。この構成により、レジスト液供給装置２００における一連の処理は制御部Ｕの制御の下、自動で行うことが可能となっている。
【００６４】
次に、図７〜図１５に基づいて、レジスト液供給装置２００の動作について説明する。なお、以下の図では、レジスト液が流通する管を太線で示すことで、一部の弁の開閉状態については説明を省略する。また、説明の簡略化のため、開閉弁２７４、２７７とディスペンスバルブ２８６との間は予めレジスト液で満たされているものとする。
【００６５】
（バッファタンク２１０への補充）
図７に示すように、制御部からの制御信号に基づいて、第１の供給管２５０に介設された供給弁２５１を開状態とし、レジスト液をバッファタンク２１０に吸引させて当該バッファタンク２１０に補充する。
【００６６】
（第１のポンプ２１２ａへの最初の補充）
バッファタンク２１０内に所定量のレジスト液が補充されると、図８に示すように、供給弁２５１を閉状態とする。このとき開閉弁２６１、２７３、２７４、２７６、２７７は閉状態である。そして、第１のポンプ２１２ａの駆動手段により当該ポンプ２１２ａの作動室内の排気動作を開始すると共に、第２の供給管２６０に開設された開閉弁２６１と第１のポンプ用分岐管２７１に介設された開閉弁２７３とを開状態とし、第１のポンプ２１２ａによるバッファタンク２１０のレジスト液の吸引を開始する。これにより、バッファタンク２１０内のレジスト液は、フィルタ２１１を通過し、第１のポンプ２１２ａに移送され補充される。なお、第１のポンプ２１２ａへのレジスト液の補充の際、第１のポンプ用分岐管２７１内の圧力すなわち第１のポンプ２１２ａのポンプ室内の圧力は圧力センサ２７５により測定され、測定結果に基づく第１のポンプ２１２ａの駆動手段の動作により、上記ポンプ室内の圧力は所定の圧力で一定とされる。
【００６７】
（第２のポンプ２１２ｂへの最初の補充）
第１のポンプ２１２ａ内に所定量のレジスト液が補充されると、図９に示すように、開閉弁２７３を閉状態とすると共に、第１のポンプ２１２ａの駆動手段による当該ポンプ２１２ａの作動室内の排気動作を停止する。そして、第２のポンプ２１２ｂの駆動手段により当該ポンプ２１２ｂの作動室内の排気動作を開始すると共に、第２のポンプ用分岐管２７２に介設された開閉弁２７６を開状態とし、第２のポンプ２１２ｂによるバッファタンク２１０のレジスト液の吸引を開始する。これにより、バッファタンク２１０内のレジスト液は、フィルタ２１１を通過し、第２のポンプ２１２ｂに移送され補充される。なお、第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の補充の際、第２のポンプ用分岐管２７２内の圧力すなわち第２のポンプ２１２ｂのポンプ室内の圧力は圧力センサ２７８により測定され、測定結果に基づく第２のポンプ２１２ｂの駆動手段の動作により、上記ポンプ室内の圧力は所定の圧力で一定とされる。
第２のポンプ２１２ｂ内に所定量のレジスト液が補充されると、図１０に示すように、開閉弁２６１、２７６を閉状態とすると共に、第２のポンプ２１２ｂの駆動手段による当該ポンプ２１２ｂの作動室内の排気動作を停止する。
【００６８】
（吐出）
第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の補充が完了すると、第１のポンプ２１２ａの駆動手段による当該ポンプ２１２ａの作動室内の加圧動作、または、第２のポンプ２１２ｂの駆動手段による当該ポンプ２１２ｂの作動室内の加圧動作を開始する。
【００６９】
前者の場合、加圧動作の開始と共に、図１０に示すように、開閉弁２７４を開状態とし、第１のポンプ２１２ａから接続管２８０へのレジスト液の圧送が可能な状態とする。なお、第１のポンプ用分岐管２７１内の圧力すなわち第１のポンプ２１２ａのポンプ室内の圧力は圧力センサ２７５により測定されている。そして、測定結果に基づく第１のポンプ２１２ａの駆動手段の動作により、上記ポンプ室内の圧力は所定の圧力（例えば１８０ｋＰａ）で一定とされるため、第１のポンプ２１２ａからのレジスト液の送出は一定圧で行われる。
【００７０】
後者の場合、加圧動作の開始と共に、図１１に示すように、開閉弁２７７を開状態とし、第２のポンプ２１２ｂから接続管２８０へのレジスト液の圧送が可能な状態とする。なお、第２のポンプ用分岐管２７２内の圧力すなわち第２のポンプ２１２ｂのポンプ室内の圧力は圧力センサ２７８により測定されている。そして、測定結果に基づく第２のポンプ２１２ｂの駆動手段の動作により、上記ポンプ室内の圧力は所定の圧力（例えば１８０ｋＰａ）で一定とされるため、第２のポンプ２１２ｂからのレジスト液の送出も一定圧で行われる。
【００７１】
図１０または図１１に示すように第１のポンプ２１２ａまたは第２のポンプ２１２ｂから接続管２８０へのレジスト液の一定圧での送出が可能な状態（以下、定圧送出状態という）で、吐出動作対象の塗布ノズル１４２に接続された分岐管２８２に設けられたディスペンスバルブ２８６を開状態とすると、当該ノズル１４２を介してレジスト液がウェハ上に吐出される。図１２の例では、第１のポンプ２１２ａが定圧送出状態にあり、吐出動作対象である最上段のレジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２に対応するディスペンスバルブ２８６が開状態とされ、当該ノズル１４２からレジスト液が吐出されている。なお、同時に吐出動作対象となる塗布ノズル１４２の数は、後述の図１３に示すように、１つの場合もあれば、複数の場合もある。
また、塗布ノズル１４２からの吐出の際、当該塗布ノズル１４２が設けられた分岐管２８２の圧力は圧力センサ２８４により測定され、測定結果に基づいて圧力調整弁２８３の制御が行われることにより、当該塗布ノズル１４２に供給されるレジスト液の圧力は所定の圧力（例えば３０ｋＰａ）で一定とされる。つまり、当該塗布ノズル１４２からのレジスト液の吐出レートは一定とされる。そして、ディスペンスバルブ２８６が開状態とされる時間（期間）は予め定められているため、塗布ノズル１４２から所定量のレジスト液が吐出される。
【００７２】
（第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂへの再補充）
第１のポンプ２１２ａまたは第２のポンプ２１２ｂから塗布ノズル１４２へのレジスト液の供給が行われると、これら第１のポンプ２１２ａまたは第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の再補充が必要となる。
レジスト液の再補充のタイミングすなわちレジスト液の吸引タイミングは、例えば所定期間が経過する毎または所定量のレジスト液を送出する毎であり、且つ、図１３に示すように、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの少なくともいずれかがレジスト液を送出することが可能な状態に常になるようなタイミングである。具体的には、例えば、第１のポンプ２１２ａへのレジスト液の再補充は、第２のポンプ２１２ｂが定圧送出状態のときに行われ、また、第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の再補充は、第１のポンプ２１２ａが定圧送出状態のときに行われる。
【００７３】
より具体的には、第１のポンプ２１２ａへのレジスト液の再補充は、以下のようにして行われる。第２のポンプ２１２ｂの作動室内の加圧動作が行われると共に図１４に示すように開閉弁２７７が開状態とされているときに、すなわち、第２のポンプ２１２ｂが定圧送出状態とされているときに、第１のポンプ２１２ａの作動室内の排気動作を行い、開閉弁２６１、２７３を開状態とすることで、第１のポンプ２１２ａへのレジスト液の再補充が行われる。
また、第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の再補充は、以下のようにして行われる。第１のポンプ２１２ａの作動室内の加圧動作が行われると共に図１５に示すように開閉弁２７４が開状態とされているときに、すなわち、第１のポンプ２１２ａが定圧送出状態とされているときに、第２のポンプ２１２ｂの作動室内の排気動作を行い、開閉弁２６１、２７６を開状態とすることで、第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の再補充が行われる。
【００７４】
なお、複数の塗布ノズル１４２から同時に吐出したときに第１のポンプ２１２ａまたは第２のポンプ２１２ｂが不足しないように、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの容量が従来のポンプのものより大きくなっている。例えば、供給先の塗布ノズル１４２の数が５つであり、１つの塗布ノズル１４２からの吐出量が８ｍｌである場合、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの容量は８０ｍｌである。
【００７５】
続いて、圧力調整弁２８３の目標圧力の設定方法並びに第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの送出圧力の設定方法の一例を説明する。
圧力調整弁２８３の目標圧力の設定の際には、例えば第１のポンプ２１２ａまたは第２のポンプ２１２ｂを定圧送出状態とすると共に、当該圧力調整弁２８３に対応するディスペンスバルブ２８６を開状態として、当該圧力調整弁２８３に対応する塗布ノズル１４２からレジスト液を塗布させる。このときに、流量計２８５により測定されるレジスト液の流量が所定の流量になるように、圧力調整弁２８３の弁開度を調整し、流量計２８５が所定の流量のときに圧力センサ２８４で測定された圧力が、当該圧力調整弁２８３の目標圧力として設定される。
この目標圧力の設定は、全ての圧力調整弁２８３について行われる。
【００７６】
その後、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの目標送出圧力の設定を行う。
第１のポンプ２１２ａの送出圧力すなわち供給圧力の設定の際には、まず、当該ポンプ２１２ａを定圧送出状態とすると共に、全ての塗布ノズル１４２についてのディスペンスバルブ２８６を開状態とし、全ての塗布ノズル１４２から同時にレジスト液を吐出させる。このときに、最上段のレジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２に対する圧力センサ２８４で測定された圧力が当該ノズル１４２に対する圧力調整弁２８３における目標圧力になるように、つまり、最上段のレジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２において、圧力センサ２８４の測定結果に基づく圧力調整弁２８３の目標圧力へのフィードバック制御が可能なように、第１のポンプ２１２ａの送出圧力が調整／設定される。この調整／設定の際、圧力調整弁２８３における調圧マージンも考慮される。
第２のポンプ２１２ｂの送出圧力の設定方法も同様である。
【００７７】
本実施形態によれば、レジスト液供給装置２００がレジスト塗布装置３２間で共通であるため、当該レジスト液供給装置２００から供給されてレジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２からウェハＷに吐出されるレジスト液内のパーティクルの量や、そのレジスト液を用いて液処理が行われたウェハ内の欠陥の量が、レジスト塗布装置３２間で差が生じないようにすることができる。したがって、半導体チップ等の製品を製造する上での品質管理が容易である。
【００７８】
また、本実施形態によれば、レジスト液供給装置２００がレジスト塗布装置３２間で共通であるため、ポンプ等の部品の数を少なくすることができるため、製造コストを抑えることができる。
【００７９】
さらに、本実施形態によれば、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂのいずれかがレジスト塗布装置３２にレジスト液を送出することが可能な状態に常になるように、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂそれぞれのレジスト液の吸引／補充タイミングを制御している。そのため、レジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２からのレジスト液の吐出が、上記吸引／補充により妨げられることがない。
【００８０】
さらにまた、本実施形態によれば、複数の分岐管２８２それぞれにおいて、圧力センサ２８４による測定結果が目標圧力となるように圧力調整弁２８３を制御する。したがって、複数の塗布ノズル１４２から同時に吐出したときに、各塗布ノズル１４２から同吐出レートでレジスト液を吐出することができる。また、塗布ノズル１４２間に揚程差がある場合でも、各塗布ノズル１４２から同吐出レートでレジスト液を吐出することができる。さらに、圧力調整弁２８３より下流側の部分の塗布ノズル１４２間の差を低減することができる。
【００８１】
また、本実施形態によれば、前述のように、全ての塗布ノズル１４２についてのディスペンスバルブ２８６を開状態としたときでも最上段のレジスト塗布装置３２の塗布ノズル１４２に関する圧力センサ２８４の測定結果に基づく圧力調整弁２８３の目標圧力へのフィードバック制御が可能なように、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの目標送出圧力が設定される。したがって、全ての塗布ノズル１４２から同時にレジスト液を吐出する必要がある場合でも、全ての塗布ノズル１４２から所望の量のレジスト液を吐出させることができる。
【００８２】
なお、以上の実施形態では、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂへのレジスト液の補充の際、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの吸引動作のみで補充していた。レジスト液の粘度が高い場合等、圧損が大きいときは、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂの吸引動作に加えて、バッファタンク２１０から当該バッファタンク２１０内のレジスト液を圧送するようにしてもよい。これにより、第１のポンプ２１２ａ及び第２のポンプ２１２ｂへの補充を迅速に行うことができる。
【００８３】
以上の例では、送出部が備えるポンプの数は２つであるが、３つ以上であってもよい。
【００８４】
また、以上の実施形態では、バッファタンク２１０として１つのダイヤフラムポンプすなわち可変容量ポンプを有していた。しかし、送出部２１２と同様に、バッファタンクを複数の可変容量ポンプで構成し、複数の可変容量ポンプのいずれかが複数の液処理装置にレジスト液を送出することが可能な状態に常になるように、バッファタンクへのレジスト液の吸引／補充のタイミングを制御するようにしてもよい。
【００８５】
また、以上の例では、送出部２１２は、最下段のレジスト塗布装置３２の下方に位置していた。しかし、送出部２１２は、最上段のレジスト塗布装置３２と略同等の高さに位置してもよいし、最上段のレジスト塗布装置３２より高い位置に配設されていてもよく、また、中段のレジスト塗布装置３２と略同等の高さであってもよい。
【００８６】
また、以上の例では、レジスト液供給装置２００の供給先のレジスト塗布装置３２は積層されていたが、水平方向に並べられていてもよい。
【００８７】
なお、第１のポンプ２１２ａの送出圧力の設定方法は以下のようにしてもよい。
第１のポンプ２１２ａより下流側の弁を全て開状態にしておき、圧力調整弁２８３は全開状態としておき、最上段の流量計２８５で所定の流量が得られるときに圧力センサ２７５で測定された圧力に、調圧マージンを加えた圧力を第１のポンプ２１２ａの送出圧力としてもよい。第２のポンプ２１２ｂについても同様である。
【００８８】
以上の説明では、基板は半導体ウェハであるものとしたが、基板は、これに限定されず、例えば、ガラス基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板等であってもよい。
また、以上の説明では、処理液はレジスト液であるものとしたが、レジスト膜とは異なる塗布膜を形成するための塗布液、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜やＳＯＤ（Spin on Dielectric）膜、ＳＯＧ（Spin on Glass）膜を形成するための塗布液であってもよい。また、処理液は、塗布液に限定されず、現像液等であってもよい。
【００８９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は基板に処理液を塗布して所定の処理を行う液処理装置に上記処理液を供給する技術に有用である。
【符号の説明】
【００９１】
１  基板処理システム
３２  レジスト塗布装置
１４２  塗布ノズル
２００  レジスト液供給装置
２１０  バッファタンク
２１１  フィルタ
２１２  送出部
２１２ａ  第１のポンプ
２１２ｂ  第２のポンプ
２５０  第１の供給管
２５１  供給弁
２５２  排出管
２６０  第２の供給管
２６１、２７３、２７４、２７６、２７７  開閉弁
２７０  第３の供給管
２７１  第１のポンプ用分岐管
２７２  第２のポンプ用分岐管
２７５  第１の圧力センサ
２７８  第２の圧力センサ
２８０  接続管
２８１  主管
２８２  分岐管
２８３  圧力調整弁
２８４  圧力センサ
２８５  流量計
２８６  ディスペンスバルブ
Ｂ  レジスト液ボトル
Ｕ  制御部
Ｗ  ウェハ
【図１】
2019192814.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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