(57)【要約】【課題】  リード処理性能を向上することが可能な磁気ディスク装置及びリード／ライト処理方法を提供することである。【解決手段】  本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ディスクの第１トラックと前記第１トラックと一部が重なっている第２トラックとをライトした際の前記ヘッドの位置情報を前記第１トラックでリード処理を開始する前記第１トラックの第１領域にライトするコントローラと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクと、
前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
前記ディスクの第１トラックと前記第１トラックと一部が重なっている第２トラックとをライトした際の前記ヘッドの位置情報を前記第１トラックでリード処理を開始する前記第１トラックの第１領域にライトするコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記第１トラックに前記第２トラックを重ね書きし、前記第１領域に前記位置情報をライトする、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記位置情報を前記第２トラックと反対方向にずらしてライトする、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記第１領域の前記ディスクの半径方向に隣接する前記第２トラックの第２領域以外の前記第２トラックの第３領域にデータをライトする、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記第１領域の前記ディスクの半径方向に隣接する前記第２トラックの第２領域において前記第１トラックと反対方向にずらしてデータをライトする、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記第２トラックと反対方向への前記ヘッドのずれを許容する第１閾値よりも小さい前記第２トラックの方向への前記ヘッドのずれを許容する第２閾値で前記ヘッドを制御してデータをライトする、請求項２乃至５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記第２トラックに前記第１トラックを重ね書きし、前記第１領域に前記位置情報をライトする、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記コントローラは、前記位置情報の内の前記第１トラックをライトした際の第１位置情報に基づいて前記第２トラックをライトする、請求項２乃至６のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第１領域で前記位置情報をリードし、前記位置情報の内の前記第１トラックをライトした際の第１位置情報に基づいて前記第２トラックをライトし、前記第１位置情報と前記位置情報の内の前記第２トラックをライトした際の第２位置情報に基づいて前記第１トラックをリードする、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、前記第１トラックの前記第１領域を除く第４領域をリードする際に、前記第４領域にデータをライトした際の前記ヘッド１５の第１位置と前記第４領域の半径方向に隣接する前記第２トラックの第５領域をライトした際の第２位置との平均値に基づいて前記第４領域をリードする、請求項９に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドとを備える磁気ディスク装置に適用されるリード／ライト処理方法であって、
前記ディスクの第１トラックと前記第１トラックと一部が重なっている第２トラックとをライトした際の前記ヘッドの位置情報を前記第１トラックでリード処理を開始する前記第１トラックの第１領域にライトする、リード／ライト処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及びリード／ライト処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の高記録容量化を実現するための様々な技術が開発されている。これら技術の一つとして瓦記録方式（Shingled write Magnetic Recording（ＳＭＲ）、またはShingled Write Recording（ＳＷＲ））と称される記録技術がある。瓦記録方式の磁気ディスク装置は、磁気ディスクへデータをライトする際に、隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）の一部に重ねて次の記録トラックを書き込みする。瓦記録方式の磁気ディスク装置では、重ね書きされたトラックの幅が重ね書きされていないトラックの幅と比較して狭くなり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８８８５２８４号明細書
【特許文献２】米国特許第９４１２４０３号明細書
【特許文献３】米国特許第９４３７２３２号明細書
【特許文献４】米国特許第９３７８７６３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、リード処理性能を向上することが可能な磁気ディスク装置及びリード／ライト処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ディスクの第１トラックと前記第１トラックと一部が重なっている第２トラックとをライトした際の前記ヘッドの位置情報を前記第１トラックでリード処理を開始する前記第１トラックの第１領域にライトするコントローラと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、データがライトされた瓦記録領域の一例を示す模式図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係るライト処理の一例を示す模式図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係るバンド領域においてバンド情報をライトする位置の一例を示す図である。
【図５】図５は、リードＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。
【図６】図６は、第１実施形態に係るライト処理時のヘッドの位置決め制御系の一例を示すブロック図である。
【図７】図７は、第１実施形態に係るリード処理時のヘッドの位置決め制御系の一例を示すブロック図である。
【図８】図８は、第１実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、第１実施形態に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、リード処理時のヘッドの位置決め制御の一例を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。
【図１２】図１２は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態に係るライト処理時のヘッドの位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。
【図１４】図１４は、第２実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、ライト処理時のヘッドの位置決め制御の一例を示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、変形例１に係るリード処理時のヘッドの位置決め制御系ＳＹ２の一例を示すブロック図である。
【図１７】図１７は、変形例２に係るバンド情報のライト方法の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、変形例２に係るバンド情報のライト方法の一例を示す図である。
【図１９】図１９は、変形例３に係るバンド領域の各トラックのライト方法の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、変形例３に係るバンド領域のトラックのライト方法の一例を示す図である。
【図２１】図２１は、変形例４に係るバンド領域の各トラックのライト方法の一例を示す図である。
【図２２】図２２は、変形例５に係るバンド領域の各トラックのライト方法の一例を示す図である。
【図２３】図２３は、変形例５に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。
【図２４】図２４は、変形例５に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。  
（第１実施形態）  
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。  
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、揮発性メモリ７０と、バッファメモリ（バッファ）８０と、不揮発性メモリ９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（以下、単に、ホストと称する）１００と接続される。
【０００８】
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスクと称する）１０と、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４とを有する。ディスク１０は、ＳＰＭ１２に取り付けられ、ＳＰＭ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータＡＣを構成している。アクチュエータＡＣは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０上の所定の位置まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。  
ディスク１０は、データ領域に、瓦記録（Shingled Magnetic Recording：ＳＭＲ）領域１０ａと、メディアキャッシュ（media cache）領域１０ｂと、が割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。ディスク１０は、サーボデータ等をそれぞれ含む複数のサーボ領域ＳＶを有している。複数のサーボ領域ＳＶは、ディスク１０の半径方向に放射状に延出して円周方向に所定の間隔を空けて離散的に配置されている。つまり、複数のサーボ領域ＳＶは、ディスク１０にライトされる各トラックに亘って配置されている。以下、各トラックにおけるサーボ領域ＳＶをサーボセクタと称する場合もある。
【０００９】
瓦記録領域１０ａは、ホスト１００からライト要求されたユーザデータ等が記録される。メディアキャッシュ領域１０ｂは、瓦記録領域１０ａのキャッシュとして利用され得る。瓦記録領域１０ａでは、トラックの一部に次にライトするトラックが重ね書きされる。そのため、瓦記録領域１０ａのトラック密度（Track Per Inch：ＴＰＩ）は、重ね書きされていない記録領域のトラック密度よりも高くなる。瓦記録領域１０ａでは、重ね書きされた複数のトラックをそれぞれ含む複数のトラック群が互いに間隔（ギャップ）を空けて配置される。以下で、重ね書きされた複数のトラックを含むトラック群をバンド領域と称する。バンド領域は、一部に半径方向に隣接するトラック（以下、隣接トラックと称する）が重ね書きされた少なくとも１つのトラックと、最後に重ね書きされたトラック（最終トラック）とを含む。最終トラックは、一部に他のトラックが重ね書きされていないため、一部に重ね書きされているトラックよりもトラック幅が広い。以下で、ディスク１０にライトされたトラックをライトトラックと称する。隣接トラックが重ね書きされた領域を除いた残りのライトトラックの領域をリードトラックと称する。また、ライトトラックを単にトラックと称する場合もあるし、リードトラックを単にトラックと称する場合もあるし、ライトトラック及びリードトラックをまとめて単にトラックと称する場合もある。トラックは、複数のセクタを含んでいる。なお、”トラック”は、ディスク１０の円周方向に延長するデータ、ディスク１０の円周方向に延長する領域、ヘッド１５の軌跡又は経路（動作経路）や、その他の種々の意味で用いる。”セクタ”は、トラックの所定の領域、例えば、セクタにライトされたデータ、トラックの所定の領域や、その他の種々の意味で用いる。また、ライトトラックの半径方向の幅をライトトラック幅と称し、リードトラックの半径方向の幅をリードトラック幅と称する場合もある。ライトトラック幅及びリードトラック幅をまとめてトラック幅と称する場合もある。
【００１０】
図２は、データがライトされた瓦記録領域１０ａの一例を示す模式図である。図２において、縦軸は、ディスク１０の半径方向を示し、横軸は、ディスク１０の円周方向を示している。半径方向において、ディスク１０の中心に向かう方向を内方向と称し、内方向と反対方向を外方向と称する。半径方向において、ディスク１０の内周から外周へ向かう方向を外方向（外側）ＯＤとし、外方向ＯＤと反対方向を内方向（内側）ＩＤとする。また、半径方向において、データをライト及びリードする方向を順方向と称する。図２に示した例では、順方向は、内方向ＩＤと同じ方向である。なお、順方向は、外方向ＯＤと同じ方向であってもよい。円周方向において、一方向を右方向とし、右方向と反対方向を左方向とする。また、円周方向において、データをライト及びリードする方向を進行方向と称する。例えば、進行方向は、ディスク１０の回転方向と反対方向である。図２に示した例では、進行方向は、右方向と同じ方向である。なお、進行方向は、左方向と同じ方向であってもよい。
【００１１】
図２に示した例では、瓦記録領域１０ａは、バンド領域ＴＧ１と、バンド領域ＴＧ２とを含む。図２では、バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２における各トラックは、説明の便宜上、一方向に延長する帯状に示している。実際には、バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２における各トラックは、ディスク１０の形状に沿って湾曲している同心円状である。つまり、実際には、バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２における各トラックの左方向の端部と右方向の端部とは、一致している。また、図２に示した例では、各トラックは、外乱やその他の構造等の影響によるずれが生じている。なお、瓦記録領域１０ａは、２つより多くの数のバンド領域を含んでいてもよいし、２つよりも少ない数のバンド領域を含んでいてもよい。
【００１２】
バンド領域ＴＧ１及びバンド領域ＴＧ２は、半径方向で互いにギャップ（又は、ガード領域と称する場合もある）ＧＰを空けて並んでいる。以下で、バンド領域ＴＧ１を用いてバンド領域の構成について説明するが、バンド領域ＴＧ２の構成もバンド領域ＴＧ１と同等である。そのため、バンド領域ＴＧ２の構成について詳細な説明を省略する。
【００１３】
図２に示した例では、バンド領域ＴＧ１は、ライトトラックＷＴ１１、ＷＴ１２、ＷＴ１３、ＷＴ１４、及びＷＴ１５を含む。ライトトラックＷＴ１１及びＷＴ１２は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１２及びＷＴ１３は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１３及びＷＴ１４は、互いに一部が重なっている。ライトトラックＷＴ１４及びＷＴ１５は、互いに一部が重なっている。バンド領域ＴＧ１では、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５が半径方向にこの順番で重ね書きされている。図示していないが、ライトトラックＷＴ１１、ＷＴ１２、ＷＴ１３、ＷＴ１４、及びＷＴ１５は、それぞれ、複数のサーボセクタ及び複数のセクタを含む。なお、バンド領域ＴＧ１は、５つのトラックを含むとしたが、５つよりも少ない数のトラックを含んでいてもよいし、５つよりも多い数のトラックを含んでいてもよい。
【００１４】
ライトトラックＷＴ１１は、トラックエッジＥ１１ＡとトラックエッジＥ１１Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１１Ａは、ライトトラックＷＴ１１の外側ＯＤの端部であり、トラックエッジＥ１１Ｂは、ライトトラックＷＴ１１の内側ＩＤ（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１２は、トラックエッジＥ１２ＡとトラックエッジＥ１２Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１２Ａは、ライトトラックＷＴ１２の外側ＯＤの端部であり、トラックエッジＥ１２Ｂは、ライトトラックＷＴ１２の内側ＩＤ（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１３は、トラックエッジＥ１３ＡとトラックエッジＥ１３Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１３Ａは、ライトトラックＷＴ１３の外側ＯＤの端部であり、トラックエッジＥ１３Ｂは、ライトトラックＷＴ１３の内側ＩＤ（順方向）の端部である。ライトトラックＷＴ１４は、トラックエッジＥ１４ＡとトラックエッジＥ１４Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１４Ａは、ライトトラックＷＴ１４の外側ＯＤの端部であり、トラックエッジＥ１４Ｂは、ライトトラックＷＴ１４の内側ＩＤ（順方向）の端部である。ライトトラック（最終トラック）ＷＴ１５は、トラックエッジＥ１５ＡとトラックエッジＥ１５Ｂとを有している。図２に示した例では、トラックエッジＥ１５Ａは、ライトトラックＷＴ１５の外側ＯＤの端部であり、トラックエッジＥ１５Ｂは、ライトトラックＷＴ１５の内側ＩＤ（順方向）の端部である。
【００１５】
ライトトラックＷＴ１１のライトトラック幅ＷＷ１１は、トラックエッジＥ１１Ａ及びＥ１１Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１２のライトトラック幅ＷＷ１２は、トラックエッジＥ１２Ａ及びＥ１２Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１３のライトトラック幅ＷＷ１３は、トラックエッジＥ１３Ａ及びＥ１３Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１４のライトトラック幅ＷＷ１４は、トラックエッジＥ１４Ａ及びＥ１４Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ１５のライトトラック幅ＷＷ１５は、トラックエッジＥ１５Ａ及びＥ１５Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラック幅ＷＷ１１乃至ＷＷ１５は、例えば、同等である。なお、ライトトラック幅ＷＷ１１乃至ＷＷ１５は、異なっていてもよい。
【００１６】
リードトラックＲＴ１１は、ライトトラックＷＴ１２が重ね書きされたライトトラックＷＴ１１の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１２は、ライトトラックＷＴ１３が重ね書きされたライトトラックＷＴ１２の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１３は、ライトトラックＷＴ１４が重ね書きされたライトトラックＷＴ１３の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１４は、ライトトラックＷＴ１５が重ね書きされたライトトラックＷＴ１４の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ１５は、ライトトラックＷＴ１５に対応している。リードトラックＲＴ１５は、バンド領域ＴＧ１における最終トラックに相当する。
【００１７】
リードトラックＲＴ１１のリードトラック幅ＲＷ１１は、トラックエッジＥ１１Ａ及びＥ１２Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１２のリードトラック幅ＲＷ１２は、トラックエッジＥ１２Ａ及びＥ１３Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１３のリードトラック幅ＲＷ１３は、トラックエッジＥ１３Ａ及びＥ１４Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１４のリードトラック幅ＲＷ１４は、トラックエッジＥ１４Ａ及びＥ１５Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ１５のリードトラック幅ＲＷ１５は、トラックエッジＥ１５Ａ及びＥ１５Ｂの間の半径方向の長さである。つまり、リードトラック幅ＲＷ１５は、ライトトラック幅ＷＷ１５と同等である。
【００１８】
図２に示した例では、バンド領域ＴＧ２は、ライトトラックＷＴ２１、ＷＴ２２、ＷＴ２３、ＷＴ２４、及びＷＴ２５を含む。バンド領域ＴＧ２では、ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５が、半径方向にこの順番で重ね書きされている。ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５は、それぞれ、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５に対応している。
【００１９】
ライトトラックＷＴ２１のライトトラック幅ＷＷ２１は、トラックエッジ２１Ａ及びＥ２１Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２２のライトトラック幅ＷＷ２２は、トラックエッジＥ２２Ａ及びＥ２２Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２３のライトトラック幅ＷＷ２３は、トラックエッジＥ２３Ａ及びＥ２３Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２４のライトトラック幅ＷＷ２４は、トラックエッジＥ２４Ａ及びＥ２４Ｂの間の半径方向の長さである。ライトトラックＷＴ２５のライトトラック幅ＷＷ２５は、トラックエッジＥ２５Ａ及びＥ２５Ｂの間の半径方向の長さである。
【００２０】
リードトラックＲＴ２１は、ライトトラックＷＴ２２が重ね書きされたライトトラックＷＴ２１の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２２は、ライトトラックＷＴ２３が重ね書きされたライトトラックＷＴ２２の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２３は、ライトトラックＷＴ２４が重ね書きされたライトトラックＷＴ２３の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２４は、ライトトラックＷＴ２５が重ね書きされたライトトラックＷＴ２４の一部を除いた残りの領域である。リードトラックＲＴ２５は、ライトトラックＷＴ２５に対応している。リードトラックＲＴ２１乃至ＲＴ２５は、それぞれ、リードトラックＲＴ１１乃至ＲＴ１５に対応している。
【００２１】
リードトラックＲＴ２１のリードトラック幅ＲＷ２１は、トラックエッジＥ１１Ａ及びＥ１２Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２２のリードトラック幅ＲＷ２２は、トラックエッジＥ２２Ａ及びＥ２３Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２３のリードトラック幅ＲＷ２３は、トラックエッジＥ２３Ａ及びＥ２４Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２４のリードトラック幅ＲＷ２４は、トラックエッジＥ２４Ａ及びＥ２５Ａの間の半径方向の長さである。リードトラックＲＴ２５のリードトラック幅ＲＷ２５は、トラックエッジＥ２５Ａ及びＥ２５Ｂの間の半径方向の長さである。
【００２２】
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０に記録されているデータをリードする。なお、ライトヘッド１５Ｗを単にヘッド１５と称する場合もあるし、リードヘッド１５Ｒを単にヘッド１５と称する場合もあるし、ライトヘッド１５Ｗ及びリードヘッド１５Ｒをまとめてヘッド１５と称する場合もある。  
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。  
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル４０から出力される信号に応じたライト電流をヘッド１５に出力する。
【００２３】
揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ７０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ７０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。  
バッファメモリ８０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ８０は、揮発性メモリ７０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ８０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。  
不揮発性メモリ９０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ９０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。
【００２４】
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル４０、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）５０、及びマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０等を含む。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ３０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、不揮発性メモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。  
Ｒ／Ｗチャネル４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータ及びホスト１００から転送されるライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル４０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル４０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０、ＨＤＣ５０、及びＭＰＵ６０等に電気的に接続されている。  
ＨＤＣ５０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル４０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ５０は、例えば、Ｒ／Ｗチャネル４０、ＭＰＵ６０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、及び不揮発性メモリ９０等に電気的に接続されている。
【００２５】
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、リードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、Ｒ／Ｗチャネル４０、及びＨＤＣ５０等に電気的に接続されている。  
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１を備えている。ＭＰＵ６０は、各部、例えば、リード／ライト制御部６１等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、各部を回路として備えていてもよい。
【００２６】
リード／ライト制御部６１は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の位置に位置決めし、データをリード又はライトする。例えば、瓦記録を実行する場合、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域においてシーケンシャルにデータをライトする。例えば、所定のバンド領域をリードする場合、リード／ライト制御部６１は、シーケンシャルにデータをリードする。リード／ライト制御部６１は、シーク制御部６１１と、位置決め制御部６１２とを備えている。以下、”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）の中心部を所定の位置に位置決め、又は配置する”ことを単に”ヘッド１５（ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒ）を所定の位置に位置決め、又は配置する”と表現する場合もある。
【００２７】
シーク制御部６１１は、ディスク１０上の所定の位置、例えば、所定の円周方向の位置（以下、円周位置と称する）の所定の半径方向の位置（以下、半径位置と称する）にヘッド１５をシークする。一例では、シーク制御部６１１は、ディスク１０上の所定のトラックの所定のセクタにヘッド１５をシークする。
【００２８】
位置決め制御部６１２は、各トラックにおいて、リード処理及びライト処理時に目標とする半径位置（以下、目標位置と称する）にヘッド１５を位置決め制御する。位置決め制御部６１２は、サーボセクタ単位でサンプリング割り込み制御によりヘッド１５の位置決め制御を実行する。位置決め制御部６１２は、例えば、各トラックにおいて、リード処理及びライト処理時に目標とする経路（以下、目標経路と称する）を追従するようにヘッド１５を制御する。ここで、ヘッド１５の経路は、例えば、所定のトラックの各円周位置におけるヘッド１５の半径位置に相当する。以下、ライト処理時のヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗ又はリードヘッド１５Ｒの半径位置をライト位置と称し、リード処理時のヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒの半径位置をリード位置と称する。ライト処理時のヘッド１５の経路をライト経路と称し、リード処理時のヘッド１５の経路をリード経路と称する。ライト処理時のヘッド１５の目標位置を目標ライト位置と称し、リード処理時のヘッド１５の目標位置を目標リード位置と称する。また、ライト処理時のヘッド１５の目標経路を目標ライト経路と称し、リード処理時のヘッド１５の目標経路を目標リード経路と称する。
【００２９】
一例では、位置決め制御部６１２は、ライト処理時に、ディスク１０と同心円状にライトされたライトトラック（以下、初期ライトトラックと称する）の中心部の半径位置に対応する目標ライト位置（以下、初期ライト位置と称する）にヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを位置決めする。換言すると、位置決め制御部６１２は、ライト処理時に、初期ライトトラックの半径方向の中心部を通る目標ライト経路（以下、初期ライト経路と称する）を追従するようにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを制御する。
【００３０】
また、位置決め制御部６１２は、例えば、リード処理時に、初期ライト位置（初期ライト経路）にライトされた順方向に隣接するライトトラックが重ね書きされた一部除いた初期ライト位置（初期ライト経路）にライトされたライトトラックの残りのリードトラック（以下、初期リードトラックと称する）の中心部の半径位置に対応する通常の目標リード位置（以下、初期リード位置と称する）にヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを位置決めする。換言すると、位置決め制御部６１２は、リード処理時に、初期リードトラックの半径方向の中心部を通る目標リード経路（以下、初期リード経路と称する）を追従するようにヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを制御する。
【００３１】
位置決め制御部６１２は、ライト処理時にヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗ（又はリードヘッド１５Ｒ）の位置に関連する情報（以下、単に、位置情報と称する）を取得する。以下、ライト処理時のヘッド１５の位置情報をライト位置情報と称する。ライト位置情報は、ライト処理時の各円周位置におけるヘッド１５の半径位置に関連する情報、つまり、ライト処理時のヘッド１５の経路に関連する情報（以下、ライト経路情報と称する）、各円周位置における初期ライト位置と現在の（又は実際の）ライト位置（以下、実ライト位置と称する）との差分値（以下、オフセット値と称する場合もある）や、各円周位置における目標ライト位置と実ライト位置との差分値（以下、ライト誤差と称する場合もある）等を含む。以下、目標リード位置と現在のリード位置（以下、実リード位置と称する）との差分値をリード誤差と称する場合もある。位置決め制御部６１２は、取得したライト位置情報をメモリ、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００３２】
所定のバンド領域の複数のトラックにそれぞれ対応する複数のライト位置情報（以下、バンド情報と称する）を取得した場合、位置決め制御部６１２は、取得したバンド情報をこのバンド情報に対応するバンド領域の所定の領域にライトする。例えば、位置決め制御部６１２は、所定のバンド領域において、リード処理時に最初にリードするトラック（以下、開始トラックと称する）にこのバンド領域に対応するバンド情報をライトする。開始トラックは、ホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータでリード処理時に最初にリードするデータ、例えば、ホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータの論理アドレス内で最も小さい番号の論理アドレスに対応するデータ（以下、最前データと称する）がライトされる。一例では、位置決め制御部６１２は、所定のバンド領域の開始トラックにおいて、リード処理時に最初にリードする領域、つまり、リード処理を開始する領域（以下、開始領域と称する）にこのバンド領域に対応するバンド情報をライトする。開始領域は、少なくとも１つのセクタを含む。開始領域は、最前データがライトされた領域の進行方向と反対方向に位置している。開始領域は、最前データがライトされていてもよい。また、一例では、位置決め制御部６１２は、所定のバンド領域の開始領域において、リード処理時に最初にリードするセクタ（以下、開始セクタと称する）にこのバンド領域に対応するバンド情報をライトする。開始セクタは、最前データがライトされたセクタの進行方向と反対方向、例えば、進行方向と反対方向の１つ前に位置している。
【００３３】
バンド情報をこのバンド情報に対応するバンド領域の開始トラックにライトする場合、位置決め制御部６１２は、順方向におけるライト動作を禁止する初期ライト位置に対するヘッド１５の半径方向へのずれを許容するずれ量の閾値（以下、ライト禁止閾値と称する）を順方向と反対方向におけるライト禁止閾値よりも小さくしてもよい。このようにライト禁止閾値を設定することで、バンド情報をライトした開始トラックの所定の領域の順方向に隣接する領域にライトされたデータへのバンド情報の上書きすることが抑制される。
【００３４】
位置決め制御部６１２は、位置情報に基づいて、位置決め制御を実行できる。以下、位置情報に基づいて生成した現在の目標位置及び現在の目標経路を追従するようにヘッド１５を制御することをＡＴＣ（Adaptive Track Center、又はAutomatic Track width Control）制御と称する場合もある。例えば、位置決め制御部６１２は、現在ライトするライトトラック（以下、現在のライトトラック又は現在のトラックと称する）の１つ前にライトしたライトトラック（以下、前のライトトラック又は前のトラックと称する）に対応するライト位置情報（以下、前のライト位置情報と称する）に基づいて、現在のライトトラックにおける目標ライト位置（以下、現在の目標ライト位置と称する）及び目標ライト経路（以下、現在の目標ライト経路と称する）を生成し、生成した現在の目標ライト位置及び現在の目標ライト経路に基づいてライトヘッド１５Ｗを制御する。以下、前のライト位置情報に基づいて生成した現在の目標ライト位置及び現在の目標ライト経路に基づいてヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを制御することをライトＡＴＣ制御と称する場合もある。また、位置決め制御部６１２は、バンド情報、例えば、現在リードするリードトラック（以下、現在のリードトラック又は現在のトラックと称する）の順方向で１つ先に位置する（隣接する）リードトラック（以下、次のリードトラックと称する）又はライトトラック（以下、次のライトトラックと称する）に対応するライト位置情報（以下、次のライト位置情報と称する）と現在のリードトラック（現在のライトトラック）に対応するライト位置情報（以下、現在のライト位置情報と称する）とに基づいて、現在のリードトラックにおける目標リード位置（以下、現在の目標リード位置と称する）及び目標リード経路（以下、現在の目標リード経路）を生成し、生成した現在の目標リード位置及び現在の目標リード経路に基づいてリードヘッド１５Ｒを制御する。以下、バンド情報、例えば、次のライト位置情報及び現在のライト位置情報に基づいて生成した現在の目標リード位置及び現在の目標リード経路に基づいてヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを制御することをリードＡＴＣ制御と称する。以下、現在ライト又はリードするセクタを現在のセクタと称し、現在のセクタの進行方向に位置する、例えば、１つ先に位置するセクタを次のセクタと称する。
【００３５】
図３は、第１実施形態に係るライト処理の一例を示す模式図である。図３に示した例では、ライトヘッド１５Ｗと、ライトヘッド１５Ｗの中心部ＷＣと、バンド領域ＴＧｎにおけるライトトラックＷＴｎと、を示している。図３に示した例では、ライトヘッド１５Ｗは、バンド領域ＴＧｎにおいて、ライトトラックＷＴｎのセクタＳＣ（ｎ，ｋ）にデータをライトしている。図３には、ライトトラックＷＴｎの初期ライト位置ＷＴＣｎと、初期ライト位置ＷＴＣｎに対応するセクタＳＣ（ｎ，ｋ）における初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）に対する補正値（以下、ライト補正値と称する）Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ）とを示している。ライト補正値は、例えば、所定のバンド領域の所定のセクタの順方向と反対方向に隣接するセクタの実ライト位置に基づいて算出される。図３に示した例では、初期ライト位置ＷＴＣｎは、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）に相当する。初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）は、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）に対応する目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）に相当する。また、ライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ）は、目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）及び実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）の差分値であるライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）と、初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）及び実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）の差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｋ）とに相当する。初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）は、例えば、基準とする半径位置（以下、基準位置と称する）から初期ライト位置ＷＴＣｎ（目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ））までの半径方向の距離に相当し、実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）は、例えば、基準位置からセクタＳＣ（ｎ，ｋ）における現在のライトヘッド１５Ｗの中心部ＷＣまでの半径方向の距離に相当する。
【００３６】
図３に示した例では、位置決め制御部６１２は、例えば、サーボサンプリング割り込みが開始した場合、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）（目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ））を取得する。位置決め制御部６１２は、実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）を取得する。位置決め制御部６１２は、初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）とに基づいてオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｋ）を取得する。位置決め制御部６１２は、トラックＷＴｎ、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）及びヘッド１５等に関連づけたオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｋ）を含むライト位置情報をテーブルとしてメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０等に記録する。位置決め制御部６１２は、目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）とに基づいてライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）を算出し、ライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）に基づいて目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）に位置するようにライトヘッド１５Ｗを制御する。
【００３７】
位置決め制御部６１２は、バンド領域ＴＧｎの各トラックにおいて、初期ライト位置と実ライト位置とを取得し、初期ライト位置と実ライト位置とに基づいて、オフセット値を取得する。位置決め制御部６１２は、バンド領域ＴＧｎの各トラックにおけるオフセット値を含むライト位置情報をテーブルとして、メモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０等に記録する。位置決め制御部６１２は、メモリに記録したバンド領域ＴＧｎの複数のトラックにそれぞれ対応する複数のライト位置情報をバンド情報としてバンド領域ＴＧｎ、例えば、バンド領域ＴＧｎの開始セクタにライトする。
【００３８】
図４は、第１実施形態に係るバンド領域においてバンド情報をライトする位置の一例を示す図である。  
位置決め制御部６１２は、例えば、バンド領域ＴＧ１のライトトラックＷＴ１１のライト処理時に、進行方向に沿ってライトトラックＷＴ１１の各セクタでライト位置情報を取得する。ライトトラックＷＴ１１と同様に、位置決め制御部６１２は、ライトトラックＷＴ１２からライトトラック（最終トラック）ＷＴ１５までの各トラックの各セクタでライト位置情報を取得する。位置決め制御部６１２は、ライトトラックＷＴ１５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ１をバンド領域ＴＧ１において最初にライトしたライトトラックＷＴ１１の開始セクタＳＳ１１にライトする。
【００３９】
また、位置決め制御部６１２は、例えば、バンド領域ＴＧ２のライトトラックＷＴ２１のライト処理時に、進行方向に沿ってライトトラックＷＴ２１の各セクタでライト位置情報を取得する。ライトトラックＷＴ２１と同様に、位置決め制御部６１２は、ライトトラックＷＴ２１からライトトラック（最終トラック）ＷＴ２５までの各トラックの各セクタでライト位置情報を取得する。位置決め制御部６１２は、ライトトラック（最終トラック）ＷＴ２５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ２をバンド領域ＴＧ２において最初にライトしたライトトラックＷＴ１１の開始セクタＳＳ２１にライトする。
【００４０】
図５は、リードＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。図５に示した例では、リードヘッド１５Ｒと、リードヘッド１５Ｒの中心部ＲＣと、バンド領域ＴＧｎにおけるライトトラックＷＴｎと、ライトトラックＷＴｎの順方向の一部に重ね書きされたライトトラックＷＴｎ＋１と、ライトトラックＴｎ＋１が重ね書きされた一部以外の残りのライトトラックＷＴｎに対応するリードトラックＲＴｎと、ライトトラックＷＴｎ及びリードトラックＲＴｎのセクタＳＣ（ｎ，ｍ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ）の進行方向に位置する（又は、隣接する）ライトトラックＷＴｎ及びリードトラックＲＴｎの次のセクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）と、ライトトラックＷＴｎ＋１のセクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ）と、セクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ）の進行方向に位置する（又は、隣接する）ライトトラックＷＴｎ＋１の次のセクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）とを示している。セクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ）は、セクタＳＣ（ｎ、ｍ）の順方向に隣接し、セクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）は、セクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）の順方向に隣接している。また、図５には、ライトトラックＷＴｎの初期ライト位置ＷＴＣｎにライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされたセクタＩＳＣｎ（のデータ）と、ライトトラックＷＴｎ＋１の初期ライト位置ＷＴＣｎ＋１にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされたセクタＩＳＣｎ＋１（のデータ）と、リードトラックＲＴｎのセクタＩＳＣｎの初期リード位置ＩＴＲＰｎとを示している。初期リード位置ＩＴＲＰｎは、例えば、セクタＩＳＣｎ＋１（のデータ）が重ね書きされた一部以外の残りのセクタＩＳＣｎ（のデータ）の半径方向の幅の中間部の半径位置に相当する。
【００４１】
図５に示した例では、リードヘッド１５Ｒは、バンド領域ＴＧｎにおいて、次のライト位置情報及び現在のライト位置情報に基づいて、リードトラックＲＴｎのセクタＳＣ（ｎ，ｍ）のデータをリードしている。図５には、初期リード位置ＩＴＲＰｎに対応する初期リード位置Ｘ１ｒと、セクタＳＣ（ｎ，ｍ）における初期リード位置Ｘ１ｒ（ｎ，ｍ）（リード位置ＩＴＲＰｎ）に対する補正値（以下、リード補正値と称する）Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ）における目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ）と、目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ）に対応するセクタＳＣ（ｎ，ｍ）の目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ）における実リード位置Ｙｒ（ｎ，ｍ）と、目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）と実リード位置Ｙｒ（ｎ，ｍ）との差分値であるリード誤差ｅｒ（ｎ，ｍ）と、ライトトラックＷＴｎの初期ライト位置ＷＴＣｎとセクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）（のデータ）の中心部ＳＣＣ（ｎ，ｍ＋１）の半径位置との差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｍ＋１）と、ライトトラックＷＴｎ＋１の初期ライト位置ＷＴＣｎ＋１とセクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）（のデータ）の中心部ＳＣＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）の半径位置との差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ＋１，ｍ＋１）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）における目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ＋１）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）における初期リード位置ＩＴＲＰｎのリード補正値Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ＋１）と、を示している。リード補正値は、例えば、所定のバンド領域の所定のセクタの順方向に隣接するセクタの実ライト位置に基づいて算出される。目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ）は、例えば、セクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ）（のデータ）が重ね書きされた一部以外の残りのセクタＳＣ（ｎ，ｍ）（のデータ）の半径方向の幅の中間部の半径位置に相当する。目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ＋１）は、例えば、セクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）（のデータ）が重ね書きされた一部以外の残りのセクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）（のデータ）の半径方向の幅の中間部の半径位置に相当する。図５に示した例では、初期リード位置Ｘ１ｒ（ｎ，ｍ）は、例えば、基準位置から初期リード位置ＩＴＲＰｎまでの半径方向の距離に相当し、目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）は、基準位置から目標リード位置ＴＲＰ（ｎ，ｍ）までの半径方向の距離に相当し、実リード位置Ｙｒ（ｎ，ｍ）は、例えば、基準位置からセクタＳＣ（ｎ，ｍ）における現在のリードヘッド１５Ｒの中心部ＲＣまでの半径方向の距離に相当する。
【００４２】
図５に示した例では、位置決め制御部６１２は、例えば、サーボサンプリング割り込みが開始した場合、セクタＳＣ（ｎ，ｍ）における初期リード位置Ｘ１ｒ（ｎ，ｍ）を取得する。位置決め制御部６１２は、リードＡＴＣ制御の実行を示すフラグ、例えば、リードＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされていた場合、リードＡＴＣ制御を実行していると判定する。リードＡＴＣ制御を実行している判定した場合、位置決め制御部６１２は、テーブルのバンド情報からセクタＳＣ（ｎ，ｍ）に対応するリード補正値Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ）を取得し、初期リード位置Ｘ１ｒ（ｎ，ｍ）にリード補正値Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ）を加算して目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）を取得する。例えば、リードＡＴＣ制御を実行していると判定した場合、位置決め制御部６１２は、バンド情報の内の現在のリードトラックに位置決め制御部６１２は、実リード位置Ｙｒ（ｎ，ｍ）を取得する。位置決め制御部６１２は、目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）と実リード位置Ｙｒ（ｎ，ｍ）とに基づいてリード誤差ｅｒ（ｎ，ｍ）を算出し、リード誤差ｅｒ（ｎ，ｍ）に基づいて、目標リード位置Ｘｒ（ｎ，ｍ）に位置するようにリードヘッド１５Ｒを制御する。
【００４３】
位置決め制御部６１２は、次のサーボサンプリング割り込みのために、バンド情報を含むテーブルからセクタＳＣ（ｎ，ｍ）の進行方向に位置する次のセクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）（のデータ）のオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｍ＋１）と、セクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）の順方向に隣接するセクタＳＣ（ｎ＋１，ｍ＋１）（のデータ）のオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ＋１，ｍ＋１）とを取得する。位置決め制御部６１２は、オフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｍ＋１）及びＸ３ｗ（ｎ＋１，ｍ＋１）に基づいて、セクタＳＣ（ｎ，ｍ＋１）に対応するリード補正値Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ＋１）を算出し、リード補正値Ｘ２ｒ（ｎ，ｍ）をメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００４４】
図６は、第１実施形態に係るライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。  
磁気ディスク装置１は、ライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系（以下、ライト制御系と称する）ＳＹ１を有している。ライト制御系ＳＹ１は、変換器Ｓ１と、制御器Ｓ２と、アクチュエータＳ３と、メモリＳ４と、保存領域Ｓ５と、演算部Ｃ６１、Ｃ６２とを有している。変換器Ｓ１、制御器Ｓ２、演算部Ｃ６１、及び演算部Ｃ６２は、例えば、システムコントローラ１３０に含まれている。アクチュエータＳ３は、例えば、アクチュエータＡＣに含まれている。メモリＳ４は、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０に含まれている。保存領域Ｓ５は、例えば、ディスク１０に含まれている。
【００４５】
変換器Ｓ１は、上位装置、例えば、ホスト１００から指定されたディスク１０の論理な位置（以下、論理位置と称する）をディスク１０の物理的な位置（以下、物理位置と称する）に変換する。論理位置は、例えば、論理アドレスであってもよいし、物理位置は、例えば、物理アドレスであってもよい。  
制御器Ｓ２は、アクチュエータＳ３を制御する。制御器Ｓ２は、例えば、ライト誤差ｅｗに基づいて、アクチュエータＳ３のライト処理時のヘッド１５の駆動量（以下、ライト駆動量と称する）Ｕｗを生成する。なお、制御器Ｓ２は、ライト誤差ｅｗ以外の値に基づいて、ライト駆動量Ｕｗを生成してもよい。  
アクチュエータＳ３は、制御器Ｓ２の出力に応じて駆動する。アクチュエータＳ３は、例えば、ライト駆動量Ｕｗに基づいて駆動し、ヘッド１５を実ライト位置Ｙｗに移動する。  
メモリＳ４は、テーブルＴＢを有している。テーブルＴＢは、ライト位置情報やバンド情報を含む。
【００４６】
所定のバンドにおいてデータをライトする論理位置、例えば、位置（Ｃ：トラック又はシリンダ、Ｈ：ヘッド、Ｓ：セクタ）が指定された場合、変換器Ｓ１は、位置（Ｃ、Ｈ）が入力される。変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ）を物理位置である初期ライト位置Ｘ１ｗ（目標ライト位置Ｘｗ）に変換し、演算部Ｃ６１及びＣ６２に出力する。演算部Ｃ６１は、実ライト位置Ｙｗと初期ライト位置Ｘ１ｗ（目標ライト位置Ｘｗ）との差分値であるライト誤差ｅｗを制御器Ｓ２に出力する。制御器Ｓ２は、ライト誤差ｅｗが入力される。制御器Ｓ２は、ライト駆動量ＵｗをアクチュエータＳ３に出力する。アクチュエータＳ３は、ライト駆動量Ｕｗが入力される。アクチュエータＳ３は、ライト駆動量Ｕｗに応じて駆動し、駆動量Ｕｗに対応する実ライト位置Ｙｗにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを移動する。アクチュエータＳ３は、実ライト位置Ｙｗを演算部Ｃ６１及びＣ６２に出力する。演算部Ｃ６２は、実ライト位置Ｙｗ及び初期ライト位置Ｘ１ｗの差分値であるオフセット値Ｘ３ｗをメモリＳ４に出力する。メモリＳ４は、論理位置（Ｃ，Ｓ）及びオフセット値Ｘ３ｗが入力される。メモリＳ４では、論理位置（Ｃ，Ｓ）と関連付けられたオフセット値Ｘ３ｗを含むライト位置情報がテーブルとして記録される。メモリＳ４は、所定のバンド領域の全てのライト位置情報が記録された場合、所定のバンド領域の全てのライト位置情報をバンド情報として保存領域Ｓ５にライトする。
【００４７】
図７は、第１実施形態に係るリード処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ２の一例を示すブロック図である。  
磁気ディスク装置１は、リード処理時のヘッド１５の位置決め制御系（以下、リード制御系と称する）ＳＹ２を有している。リード制御系ＳＹ２は、変換器Ｓ１と、制御器Ｓ２と、アクチュエータＳ３と、メモリＳ４と、保存領域Ｓ５と、増幅器Ａ１と、遅延器Ｓ６と、演算部Ｃ７１、Ｃ７２とを有している。増幅器Ａ１、遅延器Ｓ６、演算部Ｃ７１、及び演算部Ｃ７２は、例えば、システムコントローラ１３０に含まれている。
【００４８】
制御器Ｓ２は、例えば、リード誤差ｅｒに基づいて、アクチュエータＳ３のリード処理時のヘッド１５の駆動量（以下、リード駆動量）Ｕｒを生成する。なお、制御器Ｓ２は、リード誤差ｅｒ以外の値に基づいて、リード駆動量Ｕｒを生成してもよい。  
アクチュエータＳ３は、例えば、リード駆動量Ｕｒに基づいて駆動し、ヘッド１５を実リード位置Ｙｒに移動する。  
増幅器Ａ１は、所定の値を乗じる。増幅器Ａ１は、例えば、上位装置から指定された位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）に対応するセクタ（Ｃ，Ｓ）の次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）に次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の順方向に隣接するセクタ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）を加算した値に１／２を乗じる。
遅延器Ｓ６は、１サンプリング周期分を遅延させる。遅延器Ｓ６は、例えば、次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応するリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させる。
【００４９】
所定のバンド領域において、データをリードする位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が指定された場合、変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が入力される。変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ）を物理位置である初期リード位置Ｘ１ｒに変換し、演算部Ｃ７１に出力する。演算部Ｃ７１は、初期リード位置Ｘ１ｒにリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ）を加算した目標リード位置Ｘｒを生成し、生成した目標リード位置Ｘｒを演算部Ｃ７２に出力する。演算部Ｃ７２は、目標リード位置Ｘｒ及び実リード位置Ｙｒが入力される。演算部Ｃ７２は、目標リード位置Ｘｒ及び実リード位置Ｙｒの差分値であるリード誤差ｅｒを制御器Ｓ２に出力する。制御器Ｓ２は、リード誤差ｅｒが入力される。制御器Ｓ２は、リード駆動量ＵｒをアクチュエータＳ３に出力する。アクチュエータＳ３は、リード駆動量Ｕｒが入力される。アクチュエータＳ３は、リード駆動量Ｕｒに応じて駆動し、リード駆動量Ｕｒに対応する実リード位置Ｙｒにヘッド１５、例えば、リードヘッド１５Ｒを移動する。アクチュエータＳ３は、実リード位置Ｙｒを演算部Ｃ７２に出力する。メモリＳ４は、位置（Ｃ，Ｓ）が入力され、保存領域Ｓ５から所定のバンド領域のバンド情報を含むテーブルが入力される。メモリＳ４は、位置（Ｃ，Ｓ）に対応するセクタ（Ｃ，Ｓ）の次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応するオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）と、セクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の順方向に隣接するセクタ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）に対応するオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）とを増幅器Ａ１に出力する。増幅器Ａ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）及びＸ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）が入力される。増幅器Ａ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）にオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）を加算した値に１／２を乗じたセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応するリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ６に出力する。遅延器Ｓ６は、リード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させた補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ）を演算部Ｃ７１に出力する。
【００５０】
図８は、第１実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、ホスト１００からライトコマンドを受ける（Ｂ８０１）。システムコントローラ１３０は、指定された所定のバンド領域の所定のセクタにヘッド１５を移動する（Ｂ８０２）。例えば、システムコントローラ１３０は、指定された所定のバンド領域の開始セクタ又は開始セクタの進行方向に位置する次のセクタにヘッド１５を移動する。システムコントローラ１３０は、データをライトする（Ｂ８０３）。例えば、システムコントローラは、開始セクタ又は開始セクタの進行方向に位置する次のセクタから進行方向にデータのライト処理を開始し、順方向にシーケンシャルにデータをライトする。システムコントローラ１３０は、ライト処理時にライト位置情報を取得する（Ｂ８０４）。例えば、システムコントローラ１３０は、所定のバンド領域の複数のトラックにそれぞれ対応する複数のライト位置情報（バンド情報）を取得する。所定のバンド領域の複数のトラックにそれぞれ対応する複数の位置情報（バンド情報）を取得した場合、システムコントローラ１３０は、所定のセクタにヘッド１５を移動する（Ｂ８０５）。例えば、所定のバンド領域においてバンド情報を取得した場合、システムコントローラ１３０は、所定のバンド領域において最初にライトしたライトトラックの開始セクタにヘッド１５を移動する。システムコントローラ１３０は、所定のセクタにバンド情報をライトし（Ｂ８０６）、処理を終了する。システムコントローラ１３０は、例えば、所定のバンド領域の開始セクタにバンド情報をライトし、処理を終了する。
【００５１】
図９は、第１実施形態に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、ホスト１００からリードコマンドを受ける（Ｂ９０１）。システムコントローラ１３０は、指定された所定のバンド領域の所定のセクタにヘッド１５を移動する（Ｂ９０２）。例えば、システムコントローラ１３０は、指定された所定のバンド領域の開始セクタにヘッド１５を移動する。システムコントローラ１３０は、所定のセクタにライトされたバンド情報をリードする（Ｂ９０３）。例えば、システムコントローラ１３０は、所定のバンド領域の開始セクタにライトされたバンド情報をリードする。システムコントローラは１３０、リードＡＴＣ制御を実行する（Ｂ９０４）。例えば、システムコントローラ１３０は、リードＡＴＣ制御の実行を示すフラグ、例えば、ビットをアサートする。システムコントローラ１３０は、バンド情報に基づいてリードＡＴＣ制御によりデータをリードし（Ｂ９０５）、処理を終了する。例えば、システムコントローラ１３０は、現在のリード対象セクタのライト位置情報（現在のライト位置情報）及び隣接トラックのライト位置情報（次のライト位置情報）に基づいて、リードＡＴＣ制御により所定のバンド領域の開始トラックから最終トラックまでシーケンシャルに順方向にリードし、処理を終了する。
【００５２】
図１０は、リード処理時のヘッド１５の位置決め制御の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、サーボサンプリング割り込みが開始した場合、現在のセクタの初期リード位置を取得する（Ｂ１００１）。システムコントローラ１３０は、リードＡＴＣ制御が実行されているか実行されていないかを判定する（Ｂ１００２）。例えば、システムコントローラ１３０は、リードＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされているかアサートされていないかを判定する。リードＡＴＣ制御が実行されていると判定した場合（Ｂ１００２のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期リード位置に対するリード補正値を取得する（Ｂ１００３）。例えば、リードＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされていると判定した場合、システムコントローラ１３０は、テーブルＴＢから現在のセクタにおける初期リード位置に対するリード補正値を取得する。リードＡＴＣ制御が実行されていないと判定した場合（Ｂ１００２のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期リード位置に対するリード補正値を０とする（Ｂ１００４）。例えば、リードＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされていると判定した場合、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期リード位置に対するリード補正値を０とする。
【００５３】
システムコントローラ１３０は、初期リード位置及びリード補正値に基づいて目標リード位置を取得する（Ｂ１００５）。システムコントローラ１３０は、目標リード位置及び実リード位置に基づいてアクチュエータＡＣを駆動する（Ｂ１００６）。例えば、システムコントローラ１３０は、目標リード位置及び実リード位置に基づいてリード誤差を算出し、リード誤差に基づいてヘッド１５が目標リード位置に位置するようにアクチュエータＡＣを駆動する。
【００５４】
システムコントローラ１３０は、リードＡＴＣ制御が実行されているか実行されていないかを判定する（Ｂ１００７）。リードＡＴＣ制御が実行されていると判定した場合（Ｂ１００７のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタの進行方向に位置する次のセクタのための準備を実行する（Ｂ１００８）。次のセクタの準備（Ｂ１００８）として、システムコントローラ１３０は、次のセクタのオフセット値を取得し（Ｂ８１１）、次のセクタの順方向に隣接するセクタのオフセット値を取得する（Ｂ８１２）。システムコントローラ１３０は、次のセクタのオフセット値と次のセクタの順方向に隣接するセクタのオフセット値とに基づいて、次のセクタに対応するリード補正値を取得し（Ｂ８１３）、次のセクタの準備（Ｂ１００８）を終了する。例えば、システムコントローラ１３０は、次のセクタのオフセット値と次のセクタの順方向に隣接するセクタのオフセット値との平均値を次のセクタに対応するリード補正値として取得し、次のセクタに対応するリード補正値をメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０に記録する。リードＡＴＣ制御が実行されていないと判定した場合（Ｂ１００７のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、次のセクタにヘッド１５を移動し（Ｂ１００９）、処理を終了する。
【００５５】
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域にデータをシーケンシャルにライトした際に、所定のバンド領域の各トラックでライト位置情報を取得する。所定のバンド領域のバンド情報を取得した場合、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域の開始セクタにバンド情報をライトする。所定のバンド領域をリードする場合、磁気ディスク装置１は、開始セクタのバンド情報をリードし、バンド情報に基づいてリードＡＴＣ制御により所定のバンド領域の各トラックをシーケンシャルにリードする。磁気ディスク装置１は、現在のライト位置情報と次のライト位置情報とに基づいて、各円周位置で現在のリードトラックを精度良くリードすることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード処理性能を向上することができる。
【００５６】
次に、他の実施形態及び変形例に係る磁気ディスク装置について説明する。他の実施形態及び変形例において、前述の実施形態と同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。  
（第２実施形態）  
第２実施形態の磁気ディスク装置１は、ライトＡＴＣ制御を実行する点が第１実施形態と異なる。  
図１１は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。  
図１１に示した例では、バンド領域ＴＧｊは、ライトトラックＷＴｊ−１、ＷＴｊ、及びＷＴｊ＋１を含む。バンド領域ＴＧｊでは、ライトトラックＷＴｊ−１乃至ＷＴｊ＋１が順方向にこの順番で重ね書きされている。ライトトラックＷＴｊ−１は、トラックエッジＥｊ−１Ａを有している。図１１に示した例では、トラックエッジＥｊ−１Ａは、ライトトラックＷＴｊ−１の外方向ＯＤの端部である。図１１には、ライトトラックＷＴｊ−１に対応する初期ライト経路ＷＴＴｊ−１を示している。ライトトラックＷＴｊは、トラックエッジＥｊを有している。図１１に示した例では、トラックエッジＥｊＡは、ライトトラックＷＴｊの外方向ＯＤの端部である。図１１には、ライトトラックＷＴｊに対応する初期ライト経路ＷＴＴｊを示している。ライトトラックＷＴｊ＋１は、トラックエッジＥｊ＋１Ａを有している。図１１に示した例では、トラックエッジＥｊ＋１Ａは、ライトトラックＷＴｊ＋１の外方向ＯＤの端部である。図１１には、ライトトラックＷＴｊ＋１に対応する初期ライト経路ＷＴＴｊ＋１を示している。
【００５７】
位置決め制御部６１２は、ライトトラックＷＴｊ−１をライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊ−１を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。目標ライト経路ＴＷＴｊ−１は、初期ライト経路ＷＴＴｊ−１に相当する。実際には、ライトトラックＷＴｊ−１をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、ライト誤差を含む実際のライト経路（以下、実ライト経路と称する）ＳＷＴｊ−１上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ−１に対応するライト処理時のヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗのライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報をメモリ、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００５８】
位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ−１に対応するライト経路情報に基づいて、ライトトラックＷＴｊをライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊを生成し、目標ライト経路ＴＷＴｊを追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴｊをライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路ＳＷＴｊ上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊに対応するライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報をメモリ、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００５９】
位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊに対応するライト経路情報に基づいて、ライトトラックＷＴｊ＋１をライトする際の目標ライト経路ＴＷＴｊ＋１を生成し、目標ライト経路ＴＷＴｊ＋１を追従するようにライトヘッド１５Ｗを位置決め制御する。実際には、ライトトラックＷＴｊ＋１をライトする場合、ライトヘッド１５Ｗは、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１上を走行する。位置決め制御部６１２は、実ライト経路ＳＷＴｊ＋１に対応するライト経路情報を取得し、取得したライト経路情報をメモリ、例えば、ディスク１０、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０や、不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００６０】
図１２は、ライトＡＴＣ制御の一例を示す模式図である。図１２に示した例では、ライトヘッド１５Ｗと、ライトヘッド１５Ｗの中心部ＷＣと、バンド領域ＴＧｎにおけるライトトラックＷＴｎ−１と、ライトトラックＷＴｎ−１の順方向の一部に重ね書きされたライトトラックＷＴｎと、ライトトラックＷＴｎ−１のセクタＳＣ（ｎ−１，ｋ）と、セクタＳＣ（ｎ−１，ｋ）の進行方向に位置する（又は、隣接する）ライトトラックＷＴｎ−１の次のセクタＳＣ（ｎ−１，ｋ＋１）と、ライトトラックＷＴｎのセクタＳＣ（ｎ，ｋ）と、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）の進行方向に位置する（又は、隣接する）ライトトラックＷＴｎの次のセクタＳＣ（ｎ，ｋ＋１）と、を示している。セクタＳＣ（ｎ，ｋ）は、セクタＳＣ（ｎ−１，ｋ）の順方向に隣接し、セクタＳＣ（ｎ，ｋ＋１）は、セクタＳＣ（ｎ−１，ｋ＋１）の順方向に隣接している。
【００６１】
図１２に示した例では、ライトヘッド１５Ｗは、バンド領域ＴＧｎにおいて、ライトトラックＷＴｎのセクタＳＣ（ｎ，ｋ）にデータをライトしている。ライトヘッド１５Ｗは、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）にデータをライトした後にセクタＳＣ（ｎ，ｋ＋１）にデータをライトする。図１２には、ライトトラックＷＴｎ−１の初期ライト位置ＷＴＣｎ−１と、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）における目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）と、目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）に対応するセクタＳＣ（ｎ，ｋ）における目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）と、目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）との差分値であるライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）と、初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）との差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｋ）と、ライトトラックＷＴｎ−１の初期ライト位置ＷＴＣｎ−１とセクタＳＣ（ｎ−１，ｋ＋１）（のデータ）の半径方向の中心部ＳＣＣ（ｎ−１，ｋ＋１）の半径位置との差分値であるオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ−１，ｋ＋１）と、ライトトラックＷＴｎの初期ライト位置ＷＴＣｎに対するセクタＳＣ（ｎ，ｋ＋１）に対応するライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ＋１）と、を示している。目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）は、例えば、セクタＳＣ（ｎ，ｋ）（のデータ）の半径方向の幅の中間部の半径位置に相当する。目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）は、例えば、基準位置から目標ライト位置ＴＷＰ（ｎ，ｋ）までの半径方向の距離に相当する。ライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ＋１）は、初期ライト位置ＷＴＣｎとセクタＳＣ（ｎ，ｋ＋１）（のデータ）の半径方向の中心部ＳＣＣ（ｎ，ｋ＋１）の半径位置との差分値に相当する。
【００６２】
図１２に示した例では、位置決め制御部６１２は、例えば、サーボサンプリング割り込みが開始した場合、セクタＳＣ（ｎ、ｋ）における初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）を取得する。位置決め制御部６１２は、ライトＡＴＣ制御の実行を示すフラグ、例えば、ライトＡＴＣの実行を示すビットがアサートされていた場合、ライトＡＴＣ制御を実行していると判定する。ライトＡＴＣ制御を実行していると判定した場合、位置決め制御部６１２は、セクタＳＣ（ｎ−１，ｋ）（のデータ）のオフセット値に基づいてセクタＳＣ（ｎ，ｋ）に対応するライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ）を生成し、初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）にライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ）を加算して目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）を取得する。位置決め制御部６１２は、実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）を取得する。位置決め制御部６１２は、初期ライト位置Ｘ１ｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）とに基づいてオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ，ｋ）を取得し、メモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０にオフセット値Ｘ３ｗをテーブルＴＢとして記録する。位置決め制御部６１２は、目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）と実ライト位置Ｙｗ（ｎ，ｋ）とに基づいてライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）を算出し、ライト誤差ｅｗ（ｎ，ｋ）に基づいて目標ライト位置Ｘｗ（ｎ，ｋ）に位置するようにライトヘッド１５Ｗを制御する。
【００６３】
位置決め制御部６１２は、次のサーボサンプリング割り込みのために、セクタ（ｎ，ｋ＋１）の順方向と反対方向に隣接するセクタ（ｎ−１，ｋ＋１）のオフセット値Ｘ３ｗ（ｎ−１，ｋ＋１）を取得する。位置決め制御部６１２は、オフセット値Ｘ３ｗ（ｎ−１，ｋ＋１）をセクタＳＣ（ｎ，ｋ）の進行方向に位置する次のセクタ（ｎ，ｋ＋１）に対応するライト補正値Ｘ２ｗ（ｎ，ｋ＋１）としてメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０等に記録する。
【００６４】
図１３は、第２実施形態に係るライト処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ１の一例を示すブロック図である。  
ライト制御系ＳＹ１は、遅延器Ｓ６、補償器Ｓ７、演算部Ｃ１３１、及び演算部Ｃ１３２をさらに有している。遅延器Ｓ６、補償器Ｓ７、演算部Ｃ１３１、及び演算部Ｃ１３２は、例えば、システムコントローラ１３０に含まれている。
【００６５】
遅延器Ｓ６は、例えば、現在のセクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）（のデータ）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させ、オフセット値Ｘ３ｗをライト補正値Ｘ２ｗとして出力する。  
補償器Ｓ７は、ゲインや位相を調整する。補償器Ｓ７は、例えば、ローパスフィルタやアッテネータを含む。補償器Ｓ７は、例えば、次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の順方向と反対方向に隣接するセクタ（Ｃ−１，Ｓ＋１）（のデータ）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）のゲインや位相を調整する。
【００６６】
所定のバンド領域において、データをライトする位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が指定された場合、変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ，Ｓ）が入力される。変換器Ｓ１は、位置（Ｃ，Ｈ）を物理位置である初期ライト位置Ｘ１ｗに変換し、演算部Ｃ１３１に出力する。演算部Ｃ１３１は、初期ライト位置Ｘ１ｗにライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ）を加算した目標ライト位置Ｘｗを生成し、生成した目標ライト位置Ｘｗを演算部Ｃ１３１に出力する。演算部Ｃ１３２は、目標ライト位置Ｘｗ及び実ライト位置Ｙｗの差分値であるライト誤差ｅｗを制御器Ｓ２に出力する。制御器Ｓ２は、ライト誤差ｅｗが入力される。制御器Ｓ２は、ライト駆動量ＵｗをアクチュエータＳ３に出力する。アクチュエータＳ３は、ライト駆動量Ｕｗに応じて駆動し、ライト駆動量Ｕｗに対応する実ライト位置Ｙｗにヘッド１５、例えば、ライトヘッド１５Ｗを移動する。アクチュエータＳ３は、実ライト位置Ｙｗを演算部Ｃ１３２及びＣ６２に出力する。メモリＳ４は、位置（Ｃ，Ｓ）に対応するセクタ（Ｃ，Ｓ）の進行方向に位置する次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）の順方向と反対方向に隣接するセクタ（Ｃ−１，Ｓ＋１）のオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）を補償器Ｓ７に出力する。補償器Ｓ７は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）が入力される。補償器Ｓ７は、ゲインや位相を調整したオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ６に出力する。遅延器Ｓ６は、調整したオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ−１，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させたライト補正値Ｘ２ｗ（Ｃ，Ｓ）を演算器Ｃ１３１に出力する。
【００６７】
図１４は、第２実施形態に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、ホスト１００からライトコマンドを受け（Ｂ８０１）、指定された所定のセクタにヘッド１５を移動する（Ｂ８０２）。システムコントローラは１３０、ライトＡＴＣ制御を実行する（Ｂ１４０１）。例えば、システムコントローラ１３０は、ライトＡＴＣ制御の実行を示すフラグ、例えば、ビットをアサートする。システムコントローラ１３０は、前のライト位置情報に基づいてライトＡＴＣ制御によりデータをライトする（Ｂ８０３）。例えば、システムコントローラ１３０は、前のライト位置情報に基づいて、ライトＡＴＣ制御により所定のバンド領域の開始トラックから最終トラックまでシーケンシャルにライトする。システムコントローラ１３０は、ライト処理時にライト位置情報を取得し（Ｂ８０４）、所定のセクタにヘッド１５を移動し（Ｂ８０５）、所定のセクタにバンド情報をライトし（Ｂ８０６）、処理を終了する。
【００６８】
図１５は、ライト処理時のヘッド１５の位置決め制御の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、サーボサンプリング割り込みが開始した場合、現在のセクタの初期ライト位置を取得する（Ｂ１５０１）。システムコントローラ１３０は、ライトＡＴＣ制御が実行されているか実行されていないかを判定する（Ｂ１５０２）。例えば、システムコントローラ１３０は、ライトＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされているかアサートされていないかを判定する。ライトＡＴＣ制御が実行されていると判定した場合（Ｂ１５０２のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期ライト位置に対するライト補正値を取得する（Ｂ１５０３）。例えば、ライトＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされていると判定した場合、システムコントローラ１３０は、テーブルＴＢから現在のセクタにおける初期ライト位置に対するライト補正値を取得する。ライトＡＴＣ制御が実行されていないと判定した場合（Ｂ１５０２のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期ライト位置に対するライト補正値を０とする（Ｂ１５０４）。例えば、ライトＡＴＣ制御の実行を示すビットがアサートされていると判定した場合、システムコントローラ１３０は、現在のセクタにおける初期ライト位置に対するライト補正値を０とする。
【００６９】
システムコントローラ１３０は、初期ライト位置及びライト補正値に基づいて目標ライト位置を取得する（Ｂ１５０５）。システムコントローラ１３０は、目標ライト位置及び実ライト位置に基づいてアクチュエータＡＣを駆動する（Ｂ１５０６）。例えば、システムコントローラ１３０は、目標ライト位置及び実ライト位置に基づいてライト誤差を算出し、ライト誤差に基づいてヘッド１５が目標ライト位置に位置するようにアクチュエータＡＣを駆動する。
【００７０】
システムコントローラ１３０は、ライトＡＴＣ制御が実行されているか実行されていないかを判定する（Ｂ１５０７）。ライトＡＴＣ制御が実行されていると判定した場合（Ｂ１５０７のＹＥＳ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタの進行方向に位置する次のセクタのための準備を実行する（Ｂ１５０８）。次のセクタの準備（Ｂ１５０８）として、システムコントローラ１３０は、次のセクタの順方向と反対方向に隣接するセクタのオフセット値を取得する（Ｂ８２１）。システムコントローラ１３０は、次のセクタの順方向と反対方向に隣接するセクタのオフセット値に基づいて、次のセクタに対応するライト補正値を取得し（Ｂ８２２）、次のセクタの準備（Ｂ１５０８）を終了する。例えば、システムコントローラ１３０は、次のセクタの順方向と反対方向に隣接するセクタのオフセット値を次のセクタに対応するライト補正値として取得し、次のセクタに対応するライト補正値をメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０に記録する。ライトＡＴＣ制御が実行されていないと判定した場合（Ｂ１５０７のＮＯ）、システムコントローラ１３０は、現在のセクタ（のデータ）のオフセット値を取得する（Ｂ１５０９）。例えば、ライトＡＴＣ制御が実行されていないと判定した場合、システムコントローラ１３０は、初期ライト位置と実ライト位置とに基づいて現在のセクタ（のデータ）オフセット値を取得し、オフセット値をメモリ、例えば、揮発性メモリ７０、バッファメモリ８０、又は不揮発性メモリ９０にテーブルとして記録する。システムコントローラ１３０は、次のセクタにヘッド１５を移動し（Ｂ１５１０）、処理を終了する。  
第２実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、ライトＡＴＣ制御を実行する。磁気ディスク装置１は、前のライト位置情報に基づいて、各円周位置において現在のライトトラックを精度良くライトすることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、データの信頼性を向上することができる。
【００７１】
（変形例１）  
変形例１の磁気ディスク装置１は、リード制御系ＳＹ２の構成が前述した実施形態と異なる。  
図１６は、変形例１に係るリード処理時のヘッド１５の位置決め制御系ＳＹ２の一例を示すブロック図である。  
リード制御系ＳＹ２は、補償器Ｓ７をさらに有している。補償器Ｓ７は、例えば、システムコントローラ１３０に含まれている。  
補償器Ｓ７は、例えば、次のセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）のリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）のゲインや位相を調整する。  
増幅器Ａ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）及びＸ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）が入力される。増幅器Ａ１は、オフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ，Ｓ＋１）にオフセット値Ｘ３ｗ（Ｃ＋１，Ｓ＋１）を加算した値に１／２を乗じたセクタ（Ｃ，Ｓ＋１）に対応するリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を補償器Ｓ７に出力する。補償器Ｓ７は、調整したリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を遅延器Ｓ６に出力する。遅延器Ｓ６は、調整したリード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）が入力される。遅延器Ｓ６は、リード補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ＋１）を１サンプリング周期分遅延させた補正値Ｘ２ｒ（Ｃ，Ｓ）を演算部Ｃ７１に出力する。
変形例１によれば、磁気ディスク装置１は、現在のセクタの進行方向に位置する次のセクタに対応するリード補正値を調整する。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。
【００７２】
（変形例２）  
変形例２の磁気ディスク装置１は、バンド情報のライト方法が前述した実施形態や変形例と異なる。  
リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報をこのバンド領域の開始トラックの所定の領域に順方向と反対方向にずらしてライトする。例えば、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域のバンド情報に対応する目標ライト位置を順方向と反対方向にずらした半径位置に変更し、変更した目標ライト位置に基づいてこのバンド情報を開始領域にライトする。
【００７３】
また、バンド情報をずらしてライトした場合、リード／ライト制御部６１は、バンド情報をライトした所定のバンド領域の所定の領域においてリードヘッド１５Ｒをずらしてバンド情報をリードする。例えば、順方向と反対方向にずらしてバンド情報をライトした場合、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域のバンド情報に対応する目標リード位置を順方向と反対方向にずらした半径位置に変更し、変更した目標リード位置に基づいてこのバンド情報をリードする。
【００７４】
図１７は、変形例２に係るバンド情報ＰＤ１及びＰＤ２のライト方法の一例を示す図である。  
リード／ライト制御部６１は、例えば、ライト処理時に、バンド領域ＴＧ１において、ライトトラックＷＴ１１の開始セクタＳＳ１１の進行方向の次のセクタＳ１１１からライト位置情報の取得を開始し、セクタＳ１１１から進行方向に沿ってライトトラックＷＴ１１の各セクタにおいてライト位置情報を取得する。つまり、リード／ライト制御部６１は、開始セクタＳＳ１１をライトせずに、セクタＳ１１１からライトする。また、リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５においてライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ１を順方向と反対方向にずらして開始セクタＳＳ１１にライトする。
【００７５】
また、リード／ライト制御部６１は、バンド領域ＴＧ１と同様にバンド領域ＴＧ２において、ライトトラックＷＴ２１の開始セクタＳＳ２１の進行方向の次のセクタＳ２１１からライト位置情報の取得を開始し、セクタＳ２１１から進行方向に沿ってライトトラックＷＴ２１の各セクタにおいてライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ２５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ２を順方向と反対方向、つまり、バンド領域ＴＧ１側にずらして開始セクタＳＳ２１にライトする。バンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の間にはギャップＧＰが配置されているため、順方向と反対方向にずらしてライトしたとしてもバンド情報が他のデータに上書きされる可能性が低い。また、順方向と反対方向にずらしてバンド情報をライトするため、バンド情報をライトした開始トラックの所定の領域の順方向に隣接する領域にライトされたデータへのバンド情報の上書きすることが抑制される。
【００７６】
図１８は、変形例２に係るバンド情報ＰＤ１のライト方法の一例を示す図である。図１８には、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１３が重ね書きされたバンド領域ＴＧ１の一部を示している。図１８において、ライトトラックＷＴ１１の開始セクタＳＳ１１以外の領域は、初期ライト位置ＷＴＣ１１にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされ、ライトトラックＷＴ１２は、初期ライト位置ＷＴＣ１２にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされ、ライトトラックＷＴ１３は、初期ライト位置ＷＴＣ１３にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされている。図１８において、初期ライト位置ＷＴＣ１１は、ライトトラックＷＴＣ１１の開始セクタＳＳ１１以外の各セクタにおける目標ライト位置に相当する。初期ライト位置ＷＴＣ１２は、ライトトラックＷＴＣ１２の各セクタにおける目標ライト位置に相当する。初期ライト位置ＷＴＣ１３は、ライトトラックＷＴＣ１３の各セクタにおける目標ライト位置に相当する。図１８において、リードトラック幅ＲＷ１２ｍは、バンド情報ＰＤ１が上書きされたセクタＳＳ１２（のデータ）の半径方向の幅を示している。例えば、リードトラック幅ＲＷ１２ｍは、リードヘッド１５Ｒでリード可能な半径方向の幅の閾値に相当する。
【００７７】
図１８に示した例では、リード／ライト制御部６１は、バンド情報ＰＤ１を開始セクタＳＳ１１に対応する目標ライト位置、例えば、初期ライト位置ＷＴＣ１１に対して順方向と反対方向にずれ量Ｘｃでずらして開始セクタＳＳ１１にライトしている。ずれ量Ｘｃは、例えば、Ｘｃ＞ＲＷ１２ｍ−（ＲＷ１１＋ＲＷ１２−Ｗ１１）の範囲に設定される。ここで、Ｘｃは、開始セクタＳＳ１１におけるバンド情報ＰＤ１の半径方向のずれ量であり、ＲＷ１２ｍは、開始セクタＳＳ１１の順方向に隣接するセクタＳＳ１２でデータをリード可能な半径方向の幅の閾値であり、ＲＷ１１は、通常通りに開始セクタＳＳ１１に対応する目標ライト位置に応じてセクタＳＳ１１をライトした場合にセクタＳＳ１２が重ね書きされた一部以外のセクタＳＳ１１の残りの領域の半径方向の幅であり、ＲＷ１２は、通常通りに開始セクタＳＳ１１に対応する目標ライト位置に応じて開始セクタＳＳ１１をライトした場合にセクタＳＳ１２の順方向に隣接するセクタＳＳ１３（のデータ）が重ね書きされた一部以外のセクタＳＳ１２（のデータ）の残りの領域の半径方向の幅である。リード／ライト制御部６１は、バンド情報をずれ量Ｘｃで順方向と反対方向にずらして開始セクタＳＳ１１にライトした後に、セクタＳＳ１１１からセクタＳＳ１１１に対応する目標ライト位置、例えば、初期ライト位置ＷＴＣ１２にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトする。  
変形例２によれば、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報を順方向と反対方向にずらして開始領域にライトする。磁気ディスク装置１は、開始領域の順方向に隣接する領域にライトされたデータの半径方向の幅の狭窄を抑制することができる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。
【００７８】
（変形例３）  
変形例３の磁気ディスク装置１は、バンド領域の各トラックのライト方法が前述した実施形態や変形例と異なる。  
リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報をライトする開始トラックの所定の領域の順方向に並んでいるこのバンド領域の各トラックの各領域においてデータを順方向にずらしてライトする。例えば、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報をライトする開始セクタの順方向に位置するこのバンド領域の所定のトラックのセクタ（以下、調整セクタと称する）における目標ライト位置を順方向にずらした半径位置に変更し、変更した目標ライト位置に基づいて調整セクタのデータをライトする。なお、リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域の複数の調整セクタにそれぞれ対応する複数のデータを順方向に同じずれ量でそれぞれずらしてライトしてもよいし、順方向に異なるずれ量でそれぞれずらしてライトしてもよい。
【００７９】
また、調整セクタのデータをずらしてライトした場合、リード／ライト制御部６１は、調整セクタにおいてリードヘッド１５Ｒをずらして調整セクタのデータをリードする。例えば、順方向にずらして調整セクタのデータをライトした場合、リード／ライト制御部６１は、この調整セクタのデータの目標リード位置を順方向にずらした半径位置に変更し、変更した目標リード位置に基づいてこの調整セクタのデータをリードする。
【００８０】
図１９は、変形例３に係るバンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックのライト方法の一例を示す図である。  
図１９において、ライトトラックＷＴ１１及びリードトラックＲＴ１１は、開始セクタＳＳ１１と、開始セクタＳＳ１１の進行方向に位置する次のセクタＳ１１１とを含む。ライトトラックＷＴ１２及びリードトラックＲＴ１２は、開始セクタＳＳ１１の順方向に隣接する調整セクタＳＳ１２ａと、調整セクタＳＳ１２ａの進行方向に位置する次のセクタＳ１２１とを含む。ライトトラックＷＴ１３及びリードトラックＲＴ１３は、調整セクタＳＳ１２ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ１３ａと、調整セクタＳＳ１３ａの進行方向に位置する次のセクタＳ１３１とを含む。ライトトラックＷＴ１４及びリードトラックＲＴ１４は、調整セクタＳＳ１３ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ１４ａと、調整セクタＳＳ１４ａの進行方向に位置する次のセクタＳ１４１とを含む。ライトトラックＷＴ１５及びリードトラックＲＴ１５は、調整セクタＳＳ１４ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ１５ａと、調整セクタＳＳ１５ａの進行方向に位置する次のセクタＳ１５１とを含む。
【００８１】
図１９において、ライトトラックＷＴ２１及びリードトラックＲＴ２１は、開始セクタＳＳ２１と、開始セクタＳＳ２１の進行方向に位置する次のセクタＳ２１１とを含む。ライトトラックＷＴ２２及びリードトラックＲＴ２２は、開始セクタＳＳ２１の順方向に隣接する調整セクタＳＳ２２ａと、調整セクタＳＳ２２ａの進行方向に位置する次のセクタＳ２２１とを含む。ライトトラックＷＴ２３及びリードトラックＲＴ２３は、調整セクタＳＳ２２ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ２３ａと、調整セクタＳＳ２３ａの進行方向に位置する次のセクタＳ１３１とを含む。ライトトラックＷＴ２４及びリードトラックＲＴ２４は、調整セクタＳＳ２３ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ２４ａと、調整セクタＳＳ２４ａの進行方向に位置する次のセクタＳ２４１とを含む。ライトトラックＷＴ２５及びリードトラックＲＴ２５は、調整セクタＳＳ２４ａの順方向に隣接する調整セクタＳＳ２５ａと、調整セクタＳＳ２５ａの進行方向に位置する次のセクタＳ２５１とを含む。
【００８２】
リード／ライト制御部６１は、例えば、バンド領域ＴＧ１において、ライトトラックＷＴ１１において、セクタＳ１１１から進行方向に沿って各セクタにデータをライトする。ライトトラックＷＴ１１にデータをライトしている際に、リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１１において、セクタＳ１１１から進行方向に沿って各セクタでライト位置情報の取得を開始する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１２において、調整セクタＳＳ１２ａを調整セクタＳＳ１２ａにおける目標ライト位置に対して順方向にずらしてライトし、セクタＳ１２１から目標ライト位置に基づいてライトする。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１３において、調整セクタＳＳ１３ａを調整セクタＳＳ１３ａにおける目標ライト位置に対して順方向にずらしてライトし、セクタＳ１３１から目標ライト位置に基づいてライトする。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１４において、調整セクタＳＳ１４ａを調整セクタＳＳ１４ａにおける目標ライト位置に対して順方向にずらしてライトし、セクタＳ１４１から目標ライト位置に基づいてライトする。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１５において、調整セクタＳＳ１５ａを調整セクタＳＳ１５ａにおける目標ライト位置に対して順方向にずらしてライトし、セクタＳ１５１から目標ライト位置に基づいてライトする。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１２乃至ＷＴ１５においてライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラック（最終トラック）ＷＴ１５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ１を開始セクタＳＳ１１にライトする。
【００８３】
リード／ライト制御部６１は、バンド領域ＴＧ１と同様にバンド領域ＴＧ２のライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５にデータをそれぞれライトし、バンド領域ＴＧ２のライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５からそれぞれライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラック（最終トラック）ＷＴ２５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ２を開始セクタＳＳ２１にライトする。
【００８４】
図２０は、変形例３に係るバンド領域ＴＧ１のトラックのライト方法の一例を示す図である。図２０には、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１３が重ね書きされたバンド領域ＴＧ１の一部を示している。図２０において、ライトトラックＷＴ１２の調整セクタＳＳ１２ａ以外の領域は、初期ライト位置ＷＴＣ１２にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされ、ライトトラックＷＴ１３の調整セクタＳＳ１３ａ以外の領域は、初期ライト位置ＷＴＣ１３にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトされている。図２０において、初期ライト位置ＷＴＣ１１は、ライトトラックＷＴ１１の目標ライト位置に相当し、初期ライト位置ＷＴＣ１２は、ライトトラックＷＴ１２の目標ライト位置に相当し、初期ライト位置ＷＴＣ１３は、ライトトラックＷＴＣ１３の目標ライト位置に相当する。
【００８５】
図２０に示した例では、リード／ライト制御部６１は、データを調整セクタＳＣ１２ａに対応する目標ライト位置、例えば、初期ライト位置ＷＴＣ１２に対して順方向にずれ量Ｘｄをずらして調整セクタＳＳ１２ａにライトしている。ずれ量Ｘｄは、例えば、Ｘｄ＞ＷＷ１２−ＲＷ１２ａの範囲に設定される。ここで、Ｘｄは、バンド情報ＰＤ１がライトされた開始セクタＳＳ１１の順方向に隣接する調整セクタＳＳ１２ａのデータの半径方向のずれ量であり、ＷＷ１２は、目標ライト位置に対してずらさずに調整セクタＳＳ１２ａにライトした場合のライトトラックＷＴ１２の調整セクタＳＳ１２ａのデータの半径方向の幅であり、ＲＷ１２ａは、リードトラックＲＴ１２の調整セクタＳＳ１２ａのデータの半径方向の幅である。リード／ライト制御部６１は、データをずれ量Ｘｄで順方向にずらして調整セクタＳＳ１２ａにライトした後に、セクタＳＳ１２１からセクタＳＳ１２１に対応する目標ライト位置、例えば、初期ライト位置ＷＴＣ１２にライトヘッド１５Ｗを位置決めしてライトする。リード／ライト制御部６１は、ライトトラックＷＴ１２と同様にライトトラックＷＴ１２の順方向に位置する他のライトトラックをライトする。
【００８６】
変形例３によれば、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報をライトする開始領域の順方向に並んでいる所定のバンド領域の各領域をそれぞれ順方向にずらしてライトする。磁気ディスク装置１は、バンド情報を半径方向にずらすことなく開始領域にライトすることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。
【００８７】
（変形例４）  
変形例４の磁気ディスク装置１は、バンド領域に対応するバンド情報をライトする領域に隣接する領域にデータをライトしない点が前述した実施形態や変形例と異なる。  
リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報をライトする開始トラックの所定の領域の順方向に隣接する所定の領域（以下、未ライト領域と称する）、例えば、セクタ（以下、未ライトセクタと称する）にデータをライトしない。換言すると、リード／ライト制御部６１は、開始トラックの順方向に隣接するトラックにおいて、未ライト領域以外の領域にデータをライトする。リード／ライト制御部６１は、例えば、開始トラックの順方向に隣接するトラックにおいて、未ライト領域以外の領域でデータをリードする。
【００８８】
図２１は、変形例４に係るバンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックのライト方法の一例を示す図である。図２１において、ライトトラックＷＴ１２及びリードトラックＲＴ１２は、未ライトセクタＢＡ１２を含む。ライトトラックＷＴ２２及びリードトラックＲＴ２２は、未ライトセクタＢＡ２２を含む。
【００８９】
リード／ライト制御部６１は、バンド領域ＴＧ１のライトトラックＷＴ１２において、開始セクタＳＳ１１の順方向に隣接する未ライトセクタＢＡ１２以外のライトトラックＷＴ１２の領域にデータをライトする。
リード／ライト制御部６１は、バンド領域ＴＧ１と同様にバンド領域ＴＧ２のライトトラックＷＴ２２において、開始セクタＳＳ２１の順方向に隣接するライトトラックＷＴ２２の未ライトセクタＢＡ２２以外の領域にデータをライトする。
【００９０】
変形例４によれば、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域に対応するバンド情報を開始領域にライトする。磁気ディスク装置１は、開始領域の順方向に隣接する未ライト領域にデータをライトしない。磁気ディスク装置１は、バンド情報を半径方向にずらすことなくライトすることができる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。
【００９１】
（変形例５）  
変形例５の磁気ディスク装置１は、ライト処理時とリード処理時とで順方向が異なる点が前述した実施形態や変形例と異なる。  
リード／ライト制御部６１は、ライト処理時の順方向とリード処理時とで順方向が異なる。リード／ライト制御部６１は、ホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータでリード処理時に最後にリードするデータ、例えば、ホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータの論理アドレス内で最も大きい番号の論理アドレスに対応するデータ（以下、最後データと称する）から最前データの順にメモリ、例えば、バッファ８０等でホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータを並び替える。リード／ライト制御部６１は、ライト処理時には、内方向ＩＤから外方向ＯＤを順方向として所定のバンド領域の各トラックにデータをライトする。一例では、リード／ライト制御部６１は、ライト処理時には、最後データから最前データの順にホスト１００から送られるデータを内方向ＩＤから外方向ＯＤを順方向として所定のバンド領域の各トラックにライトする。リード／ライト制御部６１は、内方向から外方向を順方向として、所定のバンド領域の各トラックの各ライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、所定のバンド領域において最終トラックにこのバンド領域に対応するバンド情報をライトする。変形例５では、最終トラックは、前述した開始トラックに相当する。そのため、最終トラックは、例えば、所定のバンド領域をリードする際に最初にリードされる。このように、データをライトすることで、バンド情報をライトした開始トラックの所定の領域の順方向に隣接する領域にライトされたデータにバンド情報を上書きすることが抑制される。
【００９２】
リード／ライト制御部６１は、リード処理時には、外方向ＯＤから内方向ＩＤを順方向として所定のバンド領域の各トラックにライトされたデータをリードする。一例では、リード／ライト制御部６１は、リード処理時には、最初にバンド情報をリードし、バンド情報に基づいて最前データから最後データの順に外方向ＯＤから内方向ＩＤを順方向として所定のバンド領域の各トラックからリードする。
【００９３】
図２２は、変形例５に係るバンド領域ＴＧ１及びＴＧ２の各トラックのライト方法の一例を示す図である。  
リード／ライト制御部６１は、例えば、バンド領域ＴＧ１において、内方向から外方向にライトトラックＷＴ１１からライトトラックＷＴ１５までの各トラックに最後データから最前データの順にライトし、各トラックにおいてライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラック（最終トラック）ＷＴ１５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ１１乃至ＷＴ１５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ１をライトトラックＷＴ１５の開始セクタＳＳ１５にライトする。リード／ライト制御部６１は、例えば、開始セクタＳＳ１５でバンド情報ＰＤ１をリードし、外方向から内方向にバンド情報ＰＤ１に基づいてリードトラックＲＴ１５、ＲＴ１４、ＲＴ１３、ＲＴ１２、及びＲＴ１１の順にリードする。
【００９４】
また、リード／ライト制御部６１は、例えば、バンド領域ＴＧ１と同様にバンド領域ＴＧ２において、内方向から外方向にライトトラックＷＴ２１からライトトラックＷＴ２５までの各トラックに最後データから最前データの順にライトし、各トラックにおいてライト位置情報を取得する。リード／ライト制御部６１は、ライトトラック（最終トラック）ＷＴ２５のライト位置情報を取得した後に、ライトトラックＷＴ２１乃至ＷＴ２５の各ライト位置情報を含むバンド情報ＰＤ２をライトトラックＷＴ２５の開始セクタＳＳ２５にライトする。リード／ライト制御部６１は、例えば、開始セクタＳＳ２５でバンド情報ＰＤ２をリードし、外方向から内方向にバンド情報ＰＤ２に基づいてリードトラックＲＴ２５をリードし、外方向から内方向にリードトラックＲＴ２５、ＲＴ２４、ＲＴ２３、ＲＴ２２、及びＲＴ２１の順にリードする。
【００９５】
図２３は、変形例５に係るライト処理方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、ホスト１００からライトコマンドを受け（Ｂ８０１）、指定された所定のセクタにヘッド１５を移動する（Ｂ８０２）。システムコントローラは１３０、半径方向においてリード処理時と反対方向にデータをライトする（Ｂ２３０１）。例えば、システムコントローラ１３０は、ホスト１００から送られた所定のバンド領域にライトするデータを最後データから最前データの順に並び替えて、半径方向においてリード処理時と反対方向に向かってこのバンド領域の各トラックに最後データから最前データの順にシーケンシャルにライトする。システムコントローラ１３０は、データをライトし（Ｂ８０３）、ライト処理時にライト位置情報を取得し（Ｂ８０４）、所定のセクタにヘッド１５を移動し（Ｂ８０５）、所定のセクタにバンド情報をライトし（Ｂ８０６）、処理を終了する。
【００９６】
図２４は、変形例５に係るリード処理方法の一例を示すフローチャートである。  
システムコントローラ１３０は、ホスト１００からリードコマンドを受ける（Ｂ９０１）。指定された所定のバンド領域の所定のセクタにヘッド１５を移動し（Ｂ９０２）、所定のセクタにライトされたバンド情報をリードし（Ｂ９０３）、リードＡＴＣ制御を実行する（Ｂ９０４）。システムコントローラ１３０は、半径方向においてライト処理時と反対方向にデータをリードし（Ｂ２４０１）、処理を終了する。例えば、システムコントローラ１３０は、半径方向においてライト処理時と反対方向に向かってこのバンド領域の各トラックから最前データから最後データの順にシーケンシャルにリードする。
【００９７】
変形例５によれば、磁気ディスク装置１は、ライト処理時及びリード処理時で順方向が異なる。磁気ディスク装置１は、バンド情報を開始領域にライトする。磁気ディスク装置１は、開始領域の順方向に隣接する領域にライトしたデータに上書きすることをなく、バンド情報を開始領域にライトすることができる。磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域において、最終トラックのライト位置情報を取得した後に、他のトラックにヘッド１５をシークすることなく、このバンド領域に対応するバンド情報を開始セクタにライトすることができる。また、磁気ディスク装置１は、所定のバンド領域のバンド情報をライトした後に、他のトラックにヘッド１５をシークすることなく、このバンド領域に対応するバンド情報をリードしてこのバンド情報に基づいてこのバンド領域のリード処理を実行できる。そのため、磁気ディスク装置１は、リード性能を向上することができる。
【００９８】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９９】
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…瓦記録領域、１０ｂ…メディアキャッシュ、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、５０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…揮発性メモリ、８０…バッファメモリ、９０…不揮発性メモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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