(57)【要約】【課題】エキスパンド工程での割断性を確保しつつリングフレームなどフレーム部材に対する良好な貼着性を実現するのに適した粘接着剤層を備えるダイシングダイボンドフィルムを提供する。【解決手段】本発明のダイシングダイボンドフィルムＸは、ダイシングテープ１０および粘接着剤層２０を備える。ダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。粘接着剤層２０は、粘着剤層１２に剥離可能に密着している。粘接着剤層２０は、幅１０ｍｍおよび厚さ１６０μｍの粘接着剤層試料片について所定条件で測定される２５℃での引張貯蔵弾性率が５〜１２０ＭＰａである。これとともに、粘接着剤層２０は、幅５ｍｍおよび厚さ８０μｍの粘接着剤層試料片について所定条件で測定される−１５℃での引張貯蔵弾性率が３０００〜６０００ＭＰａである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と粘着剤層とを含む積層構造を有するダイシングテープと、
前記ダイシングテープにおける前記粘着剤層に剥離可能に密着している粘接着剤層とを備え、
前記粘接着剤層は、幅１０ｍｍおよび厚さ１６０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離２２.５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度１０℃/分の条件で測定される２５℃での引張貯蔵弾性率が５〜１２０ＭＰａであり、且つ、
前記粘接着剤層は、幅５ｍｍおよび厚さ８０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離１０ｍｍ、周波数９００Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度５℃/分の条件で測定される−１５℃での引張貯蔵弾性率が３０００〜６０００ＭＰａである、ダイシングダイボンドフィルム。
【請求項２】
前記粘接着剤層の外周端は、フィルム面内方向において前記粘着剤層の外周端から１０００μｍ以内の距離にある、請求項１に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項３】
前記粘接着剤層におけるＳＵＳ平面に対する−１５℃でのせん断粘着力は６６Ｎ/ｃｍ2以上である、請求項１または２に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記粘接着剤層は、重量平均分子量８０００００〜２００００００かつガラス転移温度−１０〜３℃のポリマー成分を含む、請求項１から３のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項５】
前記ポリマー成分は、アクリロニトリル由来の構成ユニットを含む、請求項４に記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項６】
前記粘接着剤層は、１０〜４０質量％の割合でシリカフィラーを含有する、請求項１から５のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記粘着剤層は放射線硬化型粘着剤層であり、
２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の前記粘着剤層と前記粘接着剤層との間の剥離力が、０.５Ｎ/２０ｍｍ以上である、請求項１から６のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【請求項８】
前記粘接着剤層は７〜３０μｍの厚さを有する、請求項１から7のいずれか一つに記載のダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造過程で使用することのできるダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程においては、ダイボンディング用のチップ相当サイズの接着フィルムを伴う半導体チップ、即ち、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、加工対象である半導体ウエハに対応するサイズを有し、例えば、基材および粘着剤層からなるダイシングテープと、その粘着剤層側に剥離可能に密着しているダイボンドフィルム（接着剤層）とを有する。
【０００３】
ダイシングダイボンドフィルムを使用してダイボンドフィルム付き半導体チップを得る手法の一つとして、ダイシングダイボンドフィルムにおけるダイシングテープをエキスパンドしてダイボンドフィルムを割断するための工程を経る手法が知られている。この手法では、まず、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハが貼り合わせられる。この半導体ウエハは、例えば、後にダイボンドフィルムに共だって割断されて複数の半導体チップへと個片化可能なように、加工されたものである。次に、それぞれが半導体チップに密着している複数のダイボンドフィルム小片がダイシングテープ上のダイボンドフィルムから生じるように当該ダイボンドフィルムを割断すべく、エキスパンド装置が使用されてダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープがエキスパンドされる。このエキスパンド工程では、ダイボンドフィルムにおける割断箇所に相当する箇所でダイボンドフィルム上の半導体ウエハにおいても割断が生じ、ダイシングダイボンドフィルムないしダイシングテープ上にて半導体ウエハが複数の半導体チップに個片化される。次に、ダイシングテープ上の割断後の複数のダイボンドフィルム付き半導体チップについて離間距離を広げるために、再度のエキスパンド工程が行われる。次に、例えば洗浄工程を経た後、各半導体チップがそれに密着しているチップ相当サイズのダイボンドフィルムと共に、ダイシングテープの下側からピックアップ機構のピン部材によって突き上げられたうえでダイシングテープ上からピックアップされる。このようにして、ダイボンドフィルムを伴う半導体チップが得られる。このダイボンドフィルム付き半導体チップは、そのダイボンドフィルムを介して、実装基板等の被着体にダイボンディングによって固着されることとなる。例えば以上のように使用されるダイシングダイボンドフィルムに関する技術については、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２１７３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７７４０１号公報
【特許文献３】特開２０１２−２３１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１５は、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹをその断面模式図で表すものである。ダイシングダイボンドフィルムＹは、ダイシングテープ６０およびダイボンドフィルム７０からなる。ダイシングテープ６０は、基材６１と、粘着力を発揮する粘着剤層６２との積層構造をする。ダイボンドフィルム７０は、粘着剤層６２の粘着力に依って粘着剤層６２に密着している。このようなダイシングダイボンドフィルムＹは、半導体装置の製造過程における加工対象ないしワークたる半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有し、上述のエキスパンド工程に使用され得る。例えば図１６に示すように、半導体ウエハ８１がダイボンドフィルム７０に貼り合わされ、且つ、リングフレーム８２が粘着剤層６２に貼り付けられた状態で、上述のエキスパンド工程が実施される。半導体ウエハ８１は、例えば、複数の半導体チップへと個片化可能なように加工されたものである。
【０００６】
リングフレーム８２は、ダイシングダイボンドフィルムＹに貼り付けられた状態において、エキスパンド装置の備える搬送アームなど搬送機構がワーク搬送時に機械的に当接するフレーム部材である。従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは、このようなリングフレーム８２がダイシングテープ６０の粘着剤層６２の粘着力に依って当該フィルムに固定され得るように、設計されている。すなわち、ダイシングテープ６０の粘着剤層６２においてダイボンドフィルム７０の周囲にリングフレーム貼着用領域が確保される設計を、従来型のダイシングダイボンドフィルムＹは有するのである。そのような設計において、粘着剤層６２の外周端６２ｅとダイボンドフィルム７０の外周端７０ｅとの間のフィルム面内方向の距離は、１０〜３０ｍｍ程度である。
【０００７】
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、エキスパンド工程での割断性を確保しつつリングフレームなどフレーム部材に対する良好な貼着性を実現するのに適したダイボンドフィルムとしての粘接着剤層を備えるダイシングダイボンドフィルムを、提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明により提供されるダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングテープとダイボンドフィルムとしての粘接着剤層とを備える。ダイシングテープは、基材と粘着剤層とを含む積層構造を有する。粘接着剤層は、ダイシングテープにおける粘着剤層に剥離可能に密着している。粘接着剤層は、幅１０ｍｍおよび厚さ１６０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離２２.５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度１０℃/分の条件で測定される２５℃での引張貯蔵弾性率（第１引張貯蔵弾性率）が、５〜１２０ＭＰａである。これとともに、粘接着剤層は、幅５ｍｍおよび厚さ８０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離１０ｍｍ、周波数９００Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度５℃/分の条件で測定される−１５℃での引張貯蔵弾性率（第２引張貯蔵弾性率）が３０００〜６０００ＭＰａである。このような構成のダイシングダイボンドフィルムは、半導体装置の製造過程でダイボンドフィルム付き半導体チップを得るのに使用することができる。
【０００９】
半導体装置の製造過程においては、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合がある。このエキスパンド工程では、半導体ウエハ等のワークとリングフレームなどフレーム部材とが共にダイシングダイボンドフィルムに保持されつつ、ダイボンドフィルムがダイシングテープのエキスパンドによって割断され得ることが必要である。
【００１０】
本ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルムとしての粘接着剤層は、上述のように、２５℃での上記の第１引張貯蔵弾性率が５〜１２０ＭＰａである。このような構成は、ダイシングダイボンドフィルムないしその粘接着剤層においてリングフレームなどフレーム部材に対する常温での貼着力を確保するうえで好適である。具体的には、同構成は、ダイシングダイボンドフィルムないしその粘接着剤層にフレーム部材を常温で適切に貼り付けるうえで好適である。また、同構成は、エキスパンド工程の前後で常温にある粘接着剤層において良好な粘着力を実現するうえで好適である。ダイシングダイボンドフィルムには、それに貼り付けられるフレーム部材から剥離される時に当該フレーム部材上に糊残りを生じないこと（剥離時残渣の防止）が求められるところ、本ダイシングダイボンドフィルムにおける粘接着剤層にて常温での剥離時残渣を防止するという観点からは、２５℃での第１引張貯蔵弾性率は、好ましくは６ＭＰａ以上、より好ましくは７ＭＰａ以上である。粘接着剤層においてフレーム部材に対する常温での高い貼着力を実現するという観点からは、２５℃での第１引張貯蔵弾性率は、好ましくは１１０ＭＰａ以下、より好ましくは１００ＭＰａ以下である。
【００１１】
これとともに、本ダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層は、上述のように、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率が３０００〜６０００ＭＰａである。このような構成は、−１５℃およびその近傍の低温で実施されるエキスパンド工程において粘接着剤層を割断するのに好適であるとともに、粘接着剤層においてフレーム部材に対する低温での貼着力を確保するうえで好適である。粘接着剤層において低温での良好な割断性を実現するという観点からは、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率は、好ましくは３２００ＭＰａ以上、より好ましくは３５００ＭＰａ以上である。粘接着剤層において低温での高い貼着力を実現するという観点からは、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率は、好ましくは５８００ＭＰａ以下、より好ましくは５５００ＭＰａ以下である。エキスパンド工程実施温度での対フレーム部材貼着力が高いほど、当該エキスパンド工程におけるフレーム部材からの粘接着剤層ないしダイシングダイボンドフィルムの剥離は抑制される傾向にある。
【００１２】
以上のように、本ダイシングダイボンドフィルムは、その粘接着剤層において、エキスパンド工程での割断性を確保しつつリングフレームなどフレーム部材に対する良好な貼着性を実現するのに適する。
【００１３】
このような本ダイシングダイボンドフィルムは、その粘接着剤層にワーク貼着用領域に加えてフレーム貼着用領域を含むように、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の粘接着剤層とをフィルム面内方向において実質的に同一の寸法で設計することが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムの面内方向において、粘接着剤層の外周端がダイシングテープの基材や粘着剤層の各外周端から１０００μｍ以内の距離にある設計を、採用することが可能である。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の粘接着剤層ないしダイボンドフィルムを形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適する。
【００１４】
上述の従来型のダイシングダイボンドフィルムＹの製造過程においては、所定のサイズおよび形状のダイシングテープ６０を形成するための加工工程（第１の加工工程）と、所定のサイズおよび形状のダイボンドフィルム７０を形成するための加工工程（第２の加工工程）とが、別個の工程として必要である。第１の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、基材６１へと形成されることとなる基材層と、これらの間に位置して粘着剤層６２へと形成されることとなる粘着剤層との積層構造を有する積層シート体に対し、基材層の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上の粘着剤層６２と基材６１との積層構造を有するダイシングテープ６０が、セパレータ上に形成される。第２の加工工程では、例えば、所定のセパレータと、ダイボンドフィルム７０へと形成されることとなるダイボンドフィルムとの積層構造を有する積層シート体に対し、ダイボンドフィルムの側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる加工が施される。これにより、セパレータ上にダイボンドフィルム７０が形成される。このように別個の工程で形成されたダイシングテープ６０とダイボンドフィルム７０とは、その後、位置合わせされつつ貼り合わせられる。図１７に、ダイボンドフィルム７０表面および粘着剤層６２表面を覆うセパレータ８３を伴う従来型のダイシングダイボンドフィルムＹを示す。
【００１５】
これに対し、ダイシングテープないしその粘着剤層とその上の粘接着剤層とがフィルム面内方向において実質的に同一の設計寸法を有する場合の本発明のダイシングダイボンドフィルムは、基材と粘着剤層との積層構造を有する一のダイシングテープを形成するための加工と、一の粘接着剤層を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施するのに適するのである。このような本ダイシングダイボンドフィルムは、粘接着剤層においてエキスパンド工程での割断性を確保しつつフレーム部材に対する良好な粘着力を実現するのに適するうえに、製造工程数削減や製造コスト抑制の点などにおいて効率的に製造するのに適する。
【００１６】
本ダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層におけるＳＵＳ平面に対する−１５℃でのせん断粘着力は、好ましくは６６Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは６８Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは７０Ｎ/ｃｍ2以上である。せん断粘着力は、実施例に関して後述するせん断粘着力測定方法によって測定される値とする。せん断粘着力に関する当該構成は、−１５℃およびその近傍の低温での本ダイシングダイボンドフィルムによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。
【００１７】
本ダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層は、好ましくは、重量平均分子量８０００００〜２００００００かつガラス転移温度−１０〜３℃のポリマー成分を含む。このような構成は、粘接着剤層における低温での割断性と、フレーム部材に対する粘接着剤層の貼着力と、粘接着剤層の剥離時残渣の防止とのバランスを図るうえで、好適である。粘接着剤層における低温での割断性の確保の観点や剥離時残渣の防止の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは９０００００以上、より好ましくは１００００００以上である。粘接着剤層の対フレーム部材貼着力確保の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは１８０００００以下、より好ましくは１５０００００以下である。粘接着剤層における低温での割断性の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは−８℃以上、より好ましくは−６.５℃以上である。粘接着剤層における低温での対フレーム部材粘着力の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは０℃以下、より好ましくは−１.５℃以下である。
【００１８】
粘接着剤層中のポリマー成分は、好ましくは、アクリロニトリル由来の構成ユニットを含む。このような構成は、粘接着剤層中ポリマー成分の当該ユニット内のニトリル基が高極性であることに依り、粘接着剤層において、ＳＵＳ製リングフレームなど金属製フレーム部材に対する高い密着性を実現するうえで好ましい。
【００１９】
本ダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層は、好ましくは、１０〜４０質量％の割合でシリカフィラーを含有する。粘接着剤層中のシリカフィラー含有量が１０質量％以上であるという構成は、粘接着剤層においてエキスパンド工程での割断性を確保するうえで好ましく、また、粘接着剤層において凝集力を確保して上述の剥離時残渣の防止を図るうえで好ましい。粘接着剤層においてフレーム部材に対する低温での貼着力を確保するうえでは、粘接着剤層のシリカフィラー含有量は、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下である。
【００２０】
本ダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープの粘着剤層は、好ましくは放射線硬化型粘着剤層である。ダイシングテープ粘着剤層が放射線硬化型粘着剤層である場合、本ダイシングダイボンドフィルムにおいて、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の粘着剤層と粘接着剤層との間の剥離力は、好ましくは０.５Ｎ/２０ｍｍ以上である。剥離粘着力に関するこのような構成は、粘接着剤層において対フレーム部材貼着力を確保するうえで好ましい。
【００２１】
本ダイシングダイボンドフィルムにおける粘接着剤層の厚さは、好ましくは７〜３０μｍである。粘接着剤層の厚さが７μｍ以上であるという構成は、フレーム部材が貼り付けられた粘接着剤層が当該フレーム部材表面の微細凹凸に追従して良好なフレーム部材貼着性を発揮するうえで好ましい。粘接着剤層の厚さが３０μｍ以下であるという構成は、粘接着剤層においてエキスパンド工程での割断性を確保するうえで好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。
【図２】図１に示すダイシングダイボンドフィルムがセパレータを伴う場合の一例を表す。
【図３】図１に示すダイシングダイボンドフィルムの製造方法の一例における一部の工程を表す。
【図４】図３に示す工程の後に続く工程を表す。
【図５】図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法における一部の工程を表す。
【図６】図５に示す工程の後に続く工程を表す。
【図７】図６に示す工程の後に続く工程を表す。
【図８】図７に示す工程の後に続く工程を表す。
【図９】図８に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１０】図９に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１１】図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１２】図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１３】図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１４】図１に示すダイシングダイボンドフィルムが使用される半導体装置製造方法の変形例における一部の工程を表す。
【図１５】従来のダイシングダイボンドフィルムの断面模式図である。
【図１６】図１５に示すダイシングダイボンドフィルムの使用態様を表す。
【図１７】図１５に示すダイシングダイボンドフィルムの一供給形態を表す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、本発明の一の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムＸの断面模式図である。ダイシングダイボンドフィルムＸは、ダイシングテープ１０と粘接着剤層２０とを含む積層構造を有する。ダイシングテープ１０は、基材１１と粘着剤層１２とを含む積層構造を有する。粘着剤層１２は、粘接着剤層２０側に粘着面１２ａを有する。粘接着剤層２０は、ワーク貼着用領域およびフレーム貼着用領域を含み、且つ、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２ないしその粘着面１２ａに剥離可能に密着している。ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造においてダイボンドフィルム付き半導体チップを得る過程での例えば後記のようなエキスパンド工程に使用することのできるものである。また、ダイシングダイボンドフィルムＸは、半導体装置の製造過程における加工対象の半導体ウエハに対応するサイズの円盤形状を有し、その直径は、例えば、３４５〜３８０ｍｍの範囲内（１２インチウエハ対応型）、２４５〜２８０ｍｍの範囲内（８インチウエハ対応型）、１９５〜２３０ｍｍの範囲内（６インチウエハ対応型）、または、４９５〜５３０ｍｍの範囲内（１８インチウエハ対応型）にある。
【００２４】
ダイシングテープ１０の基材１１は、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて支持体として機能する要素である。基材１１は例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。当該プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、およびエチレン−ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）が挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよいし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。また、基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、無延伸フィルムであってもよいし、一軸延伸フィルムであってもよいし、二軸延伸フィルムであってもよい。基材１１上の粘着剤層１２が後述のように紫外線硬化性を有する場合、基材１１は紫外線透過性を有するのが好ましい。
【００２５】
ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程においてダイシングテープ１０ないし基材１１を例えば部分的な加熱によって収縮させる場合には、基材１１は熱収縮性を有するのが好ましい。基材１１において良好な熱収縮性を確保するという観点からは、基材１１は、主成分としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を含むのが好ましい。基材１１の主成分とは、基材構成成分中で最も大きな質量割合を占める成分とする。また、基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、ダイシングテープ１０ないし基材１１について等方的な熱収縮性を実現するうえでは、基材１１は二軸延伸フィルムであるのが好ましい。ダイシングテープ１０ないし基材１１は、加熱温度１００℃および加熱処理時間６０秒の条件にて行われる加熱処理試験での熱収縮率が例えば２〜３０％である。
【００２６】
基材１１における粘着剤層１２側の表面は、粘着剤層１２との密着性を高めるための物理的処理、化学的処理、または下塗り処理が施されていてもよい。物理的処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、サンドマット加工処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、およびイオン化放射線処理が挙げられる。化学的処理としては例えばクロム酸処理が挙げられる。密着性を高めるための当該処理は、基材１１における粘着剤層１２側の表面全体に施されているのが好ましい。
【００２７】
基材１１の厚さは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける支持体として基材１１が機能するための強度を確保するという観点からは、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは５５μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上である。また、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおいて適度な可撓性を実現するという観点からは、基材１１の厚さは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。
【００２８】
ダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、粘着剤を含有する。粘着剤は、放射線照射や加熱など外部からの作用によって意図的に粘着力を低減させることが可能な粘着剤（粘着力低減型粘着剤）であってもよいし、外部からの作用によっては粘着力がほとんど又は全く低減しない粘着剤（粘着力非低減型粘着剤）であってもよい。粘着剤層１２中の粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いるか或いは粘着力非低減型粘着剤を用いるかについては、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用して個片化される半導体チップの個片化の手法や条件など、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用態様に応じて、適宜に選択することができる。
【００２９】
粘着剤層１２中の粘着剤として粘着力低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングダイボンドフィルムＸの使用過程において、粘着剤層１２が相対的に高い粘着力を示す状態と相対的に低い粘着力を示す状態とを、使い分けることが可能である。例えば、ダイシングダイボンドフィルムＸが後記のエキスパンド工程に使用される時には、粘着剤層１２からの粘接着剤層２０の浮きや剥離を抑制・防止するために粘着剤層１２の高粘着力状態を利用する一方で、それより後、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０から粘接着剤層付き半導体チップをピックアップするための後記のピックアップ工程では、粘着剤層１２から粘接着剤層付き半導体チップをピックアップしやすくするために粘着剤層１２の低粘着力状態を利用することが可能である。
【００３０】
このような粘着力低減型粘着剤としては、例えば、放射線硬化性を有する粘着剤（放射線硬化性粘着剤）や加熱発泡型粘着剤などが挙げられる。本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２の一部が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位が粘着力低減型粘着剤から形成され、他の部位が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造をなす全ての層が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよいし、積層構造中の一部の層が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。
【００３１】
粘着剤層１２における放射線硬化性粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射により硬化するタイプの粘着剤を用いることができ、紫外線照射によって硬化するタイプの粘着剤（紫外線硬化性粘着剤）を特に好適に用いることができる。
【００３２】
粘着剤層１２における放射線硬化性粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤たるアクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分とを含有する、添加型の放射線硬化性粘着剤が挙げられる。
【００３３】
上記のアクリル系ポリマーは、好ましくは、アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多いモノマーユニットとして含む。以下では、「(メタ)アクリル」をもって「アクリル」および／または「メタクリル」を表し、「(メタ)アクリレート」をもって、「アクリレート」および／または「メタクリレート」を表す。
【００３４】
アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどの炭化水素基含有(メタ)アクリル酸エステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のメチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ-ブチルエステル、ｔ-ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２-エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、およびエイコシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸のシクロペンチルエステルおよびシクロヘキシルエステルが挙げられる。(メタ)アクリル酸アリールエステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸フェニルおよび(メタ)アクリル酸ベンジルが挙げられる。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすためのモノマー成分として、一種類の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよいし、二種類以上の(メタ)アクリル酸エステルが用いられてもよい。アクリル系ポリマーのモノマーユニットをなすための(メタ)アクリル酸エステルとしては、アルキル基の炭素数が１０以上の(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましく、アクリル酸ドデシルがより好ましい。また、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における(メタ)アクリル酸エステルの割合は、好ましくは４０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上である。
【００３５】
アクリル系ポリマーは、その凝集力や耐熱性などを改質するために、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、およびアクリロニトリルなどの官能基含有モノマーが挙げられる。カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、(メタ)アクリル酸２-カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸５-カルボキシペンチル、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸および無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシドデシル、および(メタ)アクリル酸(４-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチルが挙げられる。グリシジル基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジルおよび(メタ)アクリル酸メチルグリシジルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、およびスルホプロピル(メタ)アクリレートが挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば、２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。アクリル系ポリマーのための当該他の共重合性モノマーとしては、一種類のモノマーが用いられてもよいし、二種類以上のモノマーが用いられてもよい。
【００３６】
アクリル系ポリマーは、そのポリマー骨格中に架橋構造を形成するために、(メタ)アクリル酸エステルなどのモノマー成分と共重合可能な多官能性モノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ポリグリシジル(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、およびウレタン(メタ)アクリレートが挙げられる。アクリル系ポリマーのためのモノマー成分として、一種類の多官能性モノマーが用いられてもよいし、二種類以上の多官能性モノマーが用いられてもよい。アクリル系ポリマーを形成するための全モノマー成分における多官能性モノマーの割合は、(メタ)アクリル酸エステルに依る粘着性等の基本特性を粘着剤層１２にて適切に発現させるうえでは、好ましくは４０質量％以下、好ましくは３０質量％以下である。
【００３７】
アクリル系ポリマーは、それを形成するための原料モノマーを重合して得ることができる。重合手法としては、例えば、溶液重合、乳化重合、塊状重合、および懸濁重合が挙げられる。ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸの使用される半導体装置製造方法における高度の清浄性の観点からは、ダイシングテープ１０ないしダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２中の低分子量物質は少ない方が好ましく、アクリル系ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは１０００００以上、より好ましくは２０００００〜３００００００である。
【００３８】
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤は、アクリル系ポリマーなどベースポリマーの重量平均分子量を高めるために例えば、外部架橋剤を含有してもよい。アクリル系ポリマーなどベースポリマーと反応して架橋構造を形成するための外部架橋剤としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物（ポリフェノール系化合物など）、アジリジン化合物、およびメラミン系架橋剤が挙げられる。粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤における外部架橋剤の含有量は、ベースポリマー１００質量部に対して、好ましくは６質量部以下、より好ましくは０.１〜５質量部である。
【００３９】
放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、および１,４-ブタンジオールジ(メタ)アクリレートが挙げられる。放射線硬化性粘着剤をなすための上記の放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーが挙げられ、分子量１００〜３００００程度のものが適当である。放射線硬化性粘着剤中の放射線重合性のモノマー成分やオリゴマー成分の総含有量は、形成される粘着剤層１２の粘着力を放射線照射によって適切に低下させ得る範囲で決定され、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して、例えば５〜５００質量部であり、好ましくは４０〜１５０質量部である。また、添加型の放射線硬化性粘着剤としては、例えば特開昭６０−１９６９５６号公報に開示のものが用いられてもよい。
【００４０】
粘着剤層１２における放射線硬化性粘着剤としては、例えば、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基をポリマー側鎖や、ポリマー主鎖中、ポリマー主鎖末端に有するベースポリマーを含有する内在型の放射線硬化性粘着剤も挙げられる。このような内在型の放射線硬化性粘着剤は、形成される粘着剤層１２内での低分子量成分の移動に起因する粘着特性の意図しない経時的変化を抑制するうえで好適である。
【００４１】
内在型の放射線硬化性粘着剤に含有されるベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。そのような基本骨格をなすアクリル系ポリマーとしては、添加型の放射線硬化性粘着剤中のアクリル系ポリマーとして上述したものを採用することができる。アクリル系ポリマーへの放射線重合性の炭素−炭素二重結合の導入手法としては、例えば、所定の官能基（第１の官能基）を有するモノマーを含む原料モノマーを共重合させてアクリル系ポリマーを得た後、第１の官能基との間で反応を生じて結合しうる所定の官能基（第２の官能基）と放射線重合性炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線重合性を維持したままアクリル系ポリマーに対して縮合反応または付加反応させる方法が、挙げられる。
【００４２】
第１の官能基と第２の官能基の組み合わせとしては、例えば、カルボキシ基とエポキシ基、エポキシ基とカルボキシ基、カルボキシ基とアジリジル基、アジリジル基とカルボキシ基、ヒドロキシ基とイソシアネート基、イソシアネート基とヒドロキシ基が挙げられる。これら組み合わせのうち、反応追跡の容易さの観点からは、ヒドロキシ基とイソシアネート基の組み合わせや、イソシアネート基とヒドロキシ基の組み合わせが、好適である。また、反応性の高いイソシアネート基を有するポリマーを作製するのは技術的難易度が高いことから、アクリル系ポリマーの作製または入手のしやすさの点では、アクリル系ポリマー側の上記第１の官能基がヒドロキシ基であり且つ上記第２の官能基がイソシアネート基である場合が、より好適である。この場合、放射線重合性炭素−炭素二重結合と第２の官能基たるイソシアネート基とを併有するイソシアネート化合物、即ち、放射線重合性の不飽和官能基含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）、およびｍ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネートが挙げられる。
【００４３】
粘着剤層１２における放射線硬化性粘着剤は、好ましくは光重合開始剤を含有する。光重合開始剤としては、例えば、α-ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、およびアシルホスフォナートが挙げられる。α-ケトール系化合物としては、例えば、４-(２-ヒドロキシエトキシ)フェニル(２-ヒドロキシ-２-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α'-ジメチルアセトフェノン、２-メチル-２-ヒドロキシプロピオフェノン、および１-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンが挙げられる。アセトフェノン系化合物としては、例えば、メトキシアセトフェノン、２,２-ジメトキシ-１,２-ジフェニルエタン-１-オン、２,２-ジエトキシアセトフェノン、および２-メチル-１-[４-(メチルチオ)-フェニル]-２-モルホリノプロパン-１が挙げられる。ベンゾインエーテル系化合物としては、例えば、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、およびアニソインメチルエーテルが挙げられる。ケタール系化合物としては、例えばベンジルジメチルケタールが挙げられる。芳香族スルホニルクロリド系化合物としては、例えば２-ナフタレンスルホニルクロリドが挙げられる。光活性オキシム系化合物としては、例えば、１-フェニル-１,２-プロパンジオン-２-(Ｏ-エトキシカルボニル)オキシムが挙げられる。ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、および３,３'-ジメチル-４-メトキシベンゾフェノンが挙げられる。チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２-クロロチオキサントン、２-メチルチオキサントン、２,４-ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２,４-ジクロロチオキサントン、２,４-ジエチルチオキサントン、および２,４-ジイソプロピルチオキサントンが挙げられる。粘着剤層１２における放射線硬化性粘着剤中の光重合開始剤の含有量は、アクリル系ポリマーなどのベースポリマー１００質量部に対して例えば０.０５〜２０質量部である。
【００４４】
粘着剤層１２における上記の加熱発泡型粘着剤は、加熱によって発泡や膨張をする成分を含有する粘着剤である。加熱によって発泡や膨張をする成分としては、例えば、発泡剤および熱膨張性微小球が挙げられる。
【００４５】
加熱発泡型粘着剤用の発泡剤としては、種々の無機系発泡剤および有機系発泡剤が挙げられる。無機系発泡剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、およびアジド類が挙げられる。有機系発泡剤としては、例えば、トリクロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタンなどの塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリルやアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレートなどのアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラジドやジフェニルスルホン-３,３'-ジスルホニルヒドラジド、４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)などのヒドラジン系化合物、ρ-トルイレンスルホニルセミカルバジドや４,４'-オキシビス(ベンゼンスルホニルセミカルバジド)などのセミカルバジド系化合物、５-モルホリル-１,２,３,４-チアトリアゾールなどのトリアゾール系化合物、並びに、Ｎ,Ｎ'-ジニトロソペンタメチレンテトラミンやＮ,Ｎ'-ジメチル-Ｎ,Ｎ'-ジニトロソテレフタルアミドなどのＮ-ニトロソ系化合物が、挙げられる。
【００４６】
加熱発泡型粘着剤用の熱膨張性微小球としては、例えば、加熱によって容易にガス化して膨張する物質が殻内に封入された構成の微小球が挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質としては、例えば、イソブタン、プロパン、およびペンタンが挙げられる。加熱によって容易にガス化して膨張する物質をコアセルベーション法や界面重合法などによって殻形成物質内に封入することによって、熱膨張性微小球を作製することができる。殻形成物質としては、熱溶融性を示す物質や、封入物質の熱膨張の作用によって破裂し得る物質を用いることができる。そのような物質としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、およびポリスルホンが挙げられる。
【００４７】
粘着剤層１２における上記の粘着力非低減型粘着剤としては、例えば感圧性粘着剤が挙げられる。この感圧性粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤やゴム系粘着剤を用いることができる。粘着剤層１２が感圧性粘着剤としてアクリル系粘着剤を含有する場合、当該アクリル系粘着剤のベースポリマーたるアクリル系ポリマーは、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多いモノマーユニットとして含む。そのようなアクリル系ポリマーとしては、例えば、放射線硬化性粘着剤に関して上述したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００４８】
粘着剤層１２における感圧性粘着剤として、粘着力低減型粘着剤に関して上述した放射線硬化性粘着剤を放射線照射によって硬化させた形態の粘着剤を利用してもよい。そのような硬化済の放射線硬化タイプの粘着剤は、放射線照射によって粘着力が低減されているとしても、ポリマー成分の含有量によっては当該ポリマー成分に起因する粘着性を示し得て、所定の使用態様において被着体を粘着保持するのに利用可能な粘着力を発揮することが可能である。
【００４９】
本実施形態の粘着剤層１２においては、一種類の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよいし、二種類以上の粘着力非低減型粘着剤が用いられてもよい。また、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２の一部が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。例えば、粘着剤層１２が単層構造を有する場合、粘着剤層１２の全体が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、粘着剤層１２における所定の部位が粘着力非低減型粘着剤から形成され、他の部位が粘着力低減型粘着剤から形成されてもよい。また、粘着剤層１２が積層構造を有する場合、積層構造をなす全ての層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよいし、積層構造中の一部の層が粘着力非低減型粘着剤から形成されてもよい。
【００５０】
粘着剤層１２ないしそれをなすための粘着剤には、上述の各成分に加えて、架橋促進剤や、粘着付与剤、老化防止剤、着色剤などを含有してもよい。着色剤としては、顔料および染料が挙げられる。また、着色剤は、放射線照射を受けて着色する化合物であってもよい。そのような化合物としては、例えばロイコ染料が挙げられる。
【００５１】
粘着剤層１２の厚さは、好ましくは１〜５０μｍ、より好ましくは２〜３０μｍ、より好ましくは５〜２５μｍである。このような構成は、例えば、粘着剤層１２が放射線硬化性粘着剤を含む場合に当該粘着剤層１２の放射線硬化の前後における粘接着剤層２０に対する接着力のバランスをとるうえで、好適である。
【００５２】
ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０は、ダイボンディング用の熱硬化性を示す接着剤としての機能と、半導体ウエハなどワークと後記のリングフレームなどフレーム部材とを保持するための粘着機能とを併有する。本実施形態において、粘接着剤層２０をなすための粘接着剤は、熱硬化性樹脂と例えばバインダー成分としての熱可塑性樹脂とを含む組成を有してもよいし、硬化剤と反応して結合を生じ得る熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有してもよい。粘接着剤層２０をなすための粘接着剤が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む組成を有する場合、当該粘接着剤は熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂など）を更に含む必要はない。このような粘接着剤層２０は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。
【００５３】
粘接着剤層２０が、熱硬化性樹脂を熱可塑性樹脂とともに含む場合、当該熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、および熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。粘接着剤層２０における熱硬化性樹脂としては、一種類の樹脂が用いられてもよいし、二種類以上の樹脂が用いられてもよい。ダイボンディング対象の半導体チップの腐食原因となりうるイオン性不純物等の含有量が少ない傾向にあるという理由から、粘接着剤層２０に含まれる熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００５４】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、およびグリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、およびテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み且つ耐熱性に優れることから、粘接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂として好ましい。
【００５５】
エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、および、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。ノボラック型フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ-ブチルフェノールノボラック樹脂、およびノニルフェノールノボラック樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂の硬化剤として作用しうるフェノール樹脂としては、一種類のフェノール樹脂が用いられてもよいし、二種類以上のフェノール樹脂が用いられてもよい。フェノールノボラック樹脂やフェノールアラルキル樹脂は、ダイボンディング用接着剤としてのエポキシ樹脂の硬化剤として用いられる場合に当該接着剤の接続信頼性を向上させうる傾向にあるので、粘接着剤層２０に含まれるエポキシ樹脂の硬化剤として好ましい。
【００５６】
粘接着剤層２０におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との硬化反応を充分に進行させるという観点からは、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たり、当該フェノール樹脂中の水酸基が好ましくは０.５〜２.０当量、より好ましくは０.８〜１.２当量となる量で、粘接着剤層２０中に含まれる。
【００５７】
粘接着剤層２０における熱硬化性樹脂の含有割合は、粘接着剤層２０において熱硬化型接着剤としての機能を適切に発現させるという観点から、好ましくは５〜６０質量％、より好ましくは１０〜５０質量％である。
【００５８】
粘接着剤層２０に含まれる熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６-ナイロンや６,６-ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびフッ素樹脂が挙げられる。粘接着剤層２０における熱可塑性樹脂としては、一種類の樹脂が用いられてもよいし、二種類以上の樹脂が用いられてもよい。粘接着剤層２０に含まれる熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく且つ耐熱性が高いために粘接着剤層２０による接合信頼性を確保しやすいという理由から、アクリル樹脂が好ましい。
【００５９】
粘接着剤層２０は、好ましくは、重量平均分子量８０００００〜２００００００かつガラス転移温度−１０〜３℃のポリマー成分を熱可塑性樹脂の主成分として含む。熱可塑性樹脂の主成分とは、熱可塑性樹脂成分中で最も大きな質量割合を占める樹脂成分とする。このような構成は、粘接着剤層２０における低温での割断性と、フレーム部材に対する粘接着剤層２０の貼着力と、粘接着剤層２０の剥離時残渣の防止とのバランスを図るうえで、好適である。粘接着剤層２０における低温での割断性の確保の観点や剥離時残渣の防止の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは９０００００以上、より好ましくは１００００００以上である。粘接着剤層２０の対フレーム部材貼着力確保の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは１８０００００以下、より好ましくは１５０００００以下である。粘接着剤層２０における低温での割断性の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは−８℃以上、より好ましくは−６.５℃以上である。粘接着剤層２０における低温での対フレーム部材粘着力の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは０℃以下、より好ましくは−１.５℃以下である。
【００６０】
ポリマーのガラス転移温度については、下記のＦｏｘの式に基づき求められるガラス転移温度（理論値）を用いることができる。Ｆｏｘの式は、ポリマーのガラス転移温度Ｔｇと、当該ポリマーにおける構成モノマーごとの単独重合体のガラス転移温度Ｔｇｉとの関係式である。下記のＦｏｘの式において、Ｔｇはポリマーのガラス転移温度（℃）を表し、Ｗｉは当該ポリマーを構成するモノマーｉの重量分率を表し、Ｔｇｉはモノマーｉの単独重合体のガラス転移温度（℃）を示す。単独重合体のガラス転移温度については文献値を用いることができる。例えば「新高分子文庫７ 塗料用合成樹脂入門」（北岡協三 著，高分子刊行会，１９９５年）や「アクリルエステルカタログ（１９９７年度版）」（三菱レイヨン株式会社）には、各種の単独重合体のガラス転移温度が挙げられている。一方、モノマーの単独重合体のガラス転移温度については、特開２００７−５１２７１号公報に具体的に記載されている手法によって求めることも可能である。
【００６１】
Ｆｏｘの式    １／（２７３＋Ｔｇ）＝Σ［Ｗｉ／（２７３＋Ｔｇｉ）］
【００６２】
粘接着剤層２０に熱可塑性樹脂として含まれるアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化性粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。粘接着剤層２０に熱可塑性樹脂として含まれるアクリル樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーに由来するモノマーユニットを含んでいてもよい。そのような他のモノマー成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリロニトリルなどの官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマーが挙げられ、具体的には、粘着剤層１２形成用の放射線硬化性粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して(メタ)アクリル酸エステルと共重合可能な他のモノマーとして上記したのと同様のものを用いることができる。粘接着剤層２０において高い凝集力を実現するという観点からは、粘接着剤層２０に含まれる当該アクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルと、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマーとの共重合体である。当該(メタ)アクリル酸エステルとしては、アルキル基の炭素数が４以下の(メタ)アクリル酸アルキルエステルが好ましい。当該多官能性モノマーとしては、ポリグリシジル系多官能モノマーが好ましい。粘接着剤層２０に含まれる当該アクリル樹脂は、より好ましくは、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル(メタ)アクリレートとの共重合体である。
【００６３】
粘接着剤層２０中のアクリル系ポリマーなどポリマー成分がアクリロニトリル由来の構成ユニットを含むという構成は、粘接着剤層２０中の当該ポリマー成分のアクリロニトリル由来構成ユニット内のニトリル基が高極性であることに依り、粘接着剤層２０において、ＳＵＳ製リングフレームなど金属製フレーム部材に対する高い密着性を実現するうえで好ましい。
【００６４】
粘接着剤層２０が、熱硬化性官能基を伴う熱可塑性樹脂を含む場合、当該熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂を用いることができる。この熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすためのアクリル樹脂は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来するモノマーユニットを質量割合で最も多い主たるモノマーユニットとして含む。そのような(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化性粘着剤の一成分たるアクリル系ポリマーに関して上記したのと同様の(メタ)アクリル酸エステルを用いることができる。一方、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂をなすための熱硬化性官能基としては、例えば、グリシジル基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、およびイソシアネート基が挙げられる。これらのうち、グリシジル基およびカルボキシ基を好適に用いることができる。すなわち、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂としては、グリシジル基含有アクリル樹脂やカルボキシ基含有アクリル樹脂を好適に用いることができる。また、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂の硬化剤としては、例えば、粘着剤層１２形成用の放射線硬化性粘着剤の一成分とされる場合のある外部架橋剤として上記したものを用いることができる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂における熱硬化性官能基がグリシジル基である場合には、硬化剤としてポリフェノール系化合物を好適に用いることができ、例えば上記の各種フェノール樹脂を用いることができる。
【００６５】
ダイボンディングのために硬化される前の粘接着剤層２０について、ある程度の架橋度を実現するためには、例えば、粘接着剤層２０に含まれる上述の樹脂の分子鎖末端の官能基等と反応して結合しうる多官能性化合物を架橋剤として粘接着剤層形成用樹脂組成物に配合しておくのが好ましい。このような構成は、粘接着剤層２０について、高温下での接着特性を向上させるうえで、また、耐熱性の改善を図るうえで好適である。そのような架橋剤としては、例えばポリイソシアネート化合物が挙げられる。ポリイソシアネート化合物としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ-フェニレンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、および、多価アルコールとジイソシアネートの付加物が挙げられる。粘接着剤層形成用樹脂組成物における架橋剤の含有量は、当該架橋剤と反応して結合しうる上記官能基を有する樹脂１００質量部に対し、形成される粘接着剤層２０の凝集力向上の観点からは好ましくは０.０５質量部以上であり、形成される粘接着剤層２０の接着力向上の観点からは好ましくは７質量部以下である。また、粘接着剤層２０における架橋剤としては、エポキシ樹脂など他の多官能性化合物をポリイソシアネート化合物と併用してもよい。
【００６６】
粘接着剤層２０における以上のような高分子量成分の含有割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは５０〜８０質量％である。高分子量成分とは、重量平均分子量１００００以上の成分とする。このような構成は、後記のリングフレームなどフレーム部材に対する粘接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。また、粘接着剤層２０は、２３℃で液状である液状樹脂を含んでもよい。粘接着剤層２０がそのような液状樹脂を含む場合、粘接着剤層２０における当該液状樹脂の含有割合は、好ましくは１〜１０質量％、より好ましくは１〜５質量％である。このような構成は、後記のリングフレームなどフレーム部材に対する粘接着剤層２０の、室温およびその近傍の温度における貼着性と剥離時残渣の防止との両立を図るうえで好ましい。
【００６７】
粘接着剤層２０は、フィラーを含有していてもよい。粘接着剤層２０へのフィラーの配合により、粘接着剤層２０の引張貯蔵弾性率など弾性率や、導電性、熱伝導性などの物性を調整することができる。フィラーとしては、無機フィラーおよび有機フィラーが挙げられ、特に無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミニウムウィスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカの他、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル等の金属単体や、合金、アモルファスカーボンブラック、グラファイトが挙げられる。フィラーは、球状、針状、フレーク状等の各種形状を有していてもよい。粘接着剤層２０には一種類のフィラーが配合されてもよいし、二種類以上のフィラーが配合されてもよい。粘接着剤層２０において後記のエキスパンド工程での割断性を確保するうえでは、粘接着剤層２０のシリカフィラー含有量は好ましくは１０質量％以上である。粘接着剤層２０において凝集力を確保してフレーム部材からの剥離時の残渣を防止するうえでは、粘接着剤層２０のシリカフィラー含有割合は、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下である。
【００６８】
粘接着剤層２０がフィラーを含有する場合における当該フィラーの平均粒径は、好ましくは０.００５〜１０μｍ、より好ましくは０.００５〜１μｍである。当該フィラーの平均粒径が０.００５μｍ以上であるという構成は、粘接着剤層２０において、半導体ウエハ等の被着体に対する高い濡れ性や接着性を実現するうえで好適である。当該フィラーの平均粒径が１０μｍ以下であるという構成は、粘接着剤層２０において充分なフィラー添加効果を享受するとともに耐熱性を確保するうえで好適である。フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（商品名「ＬＡ−９１０」，株式会社堀場製作所製）を使用して求めることができる。
【００６９】
粘接着剤層２０は、必要に応じて一種類または二種類以上の他の成分を含んでいてもよい。当該他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、および臭素化エポキシ樹脂が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β-(３,４-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、含水酸化アンチモン（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-３００」）、特定構造のリン酸ジルコニウム（例えば東亜合成株式会社製の「ＩＸＥ-１００」）、ケイ酸マグネシウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード６００」）、およびケイ酸アルミニウム（例えば協和化学工業株式会社製の「キョーワード７００」）を挙げることができる。金属イオンとの間で錯体を形成し得る化合物もイオントラップ剤として使用することができる。そのような化合物としては、例えば、トリアゾール系化合物、テトラゾール系化合物、およびビピリジル系化合物が挙げられる。これらのうち、金属イオンとの間で形成される錯体の安定性の観点からはトリアゾール系化合物が好ましい。そのようなトリアゾール系化合物としては、例えば、１,２,３-ベンゾトリアゾール、１-{Ｎ,Ｎ-ビス(２-エチルヘキシル)アミノメチル}ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３-ｔ-ブチル-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、６-(２-ベンゾトリアゾリル)-４-ｔ-オクチル-６'-ｔ-ブチル-４'-メチル-２,２'-メチレンビスフェノール、１-(２,３-ジヒドロキシプロピル)ベンゾトリアゾール、１-(１,２-ジカルボキシジエチル)ベンゾトリアゾール、１-(２-エチルヘキシルアミノメチル)ベンゾトリアゾール、２,４-ジ-ｔ-ペンチル-６-{(Ｈ-ベンゾトリアゾール-１-イル)メチル}フェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル)-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、オクチル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-エチルヘキシル-３-[３-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシ-５-(５-クロロ-２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)フェニル]プロピオネート、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-６-(１-メチル-１-フェニルエチル)-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール、２-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-４-ｔ-ブチルフェノール、２-(２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-５-ｔ-オクチルフェニル)-ベンゾトリアゾール、２-(３-ｔ-ブチル-２-ヒドロキシ-５-メチルフェニル)-５-クロロベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、２-(２-ヒドロキシ-３,５-ジ-ｔ-ブチルフェニル)-５-クロロ-ベ��ゾトリアゾール、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ジ(１,１-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、２,２'-メチレンビス[６-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル]-４-(１,１,３,３-テトラメチルブチル)フェノール]、２-[２-ヒドロキシ-３,５-ビス(α,α-ジメチルベンジル)フェニル]-２Ｈ-ベンゾトリアゾール、および、メチル-３-[３-(２Ｈ-ベンゾトリアゾール-２-イル)-５-ｔ-ブチル-４-ヒドロキシフェニル]プロピオネートが挙げられる。また、キノール化合物や、ヒドロキシアントラキノン化合物、ポリフェノール化合物など所定の水酸基含有化合物も、イオントラップ剤として使用することができる。そのような水酸基含有化合物としては、例えば、１,２-ベンゼンジオール、アリザリン、アントラルフィン、タンニン、没食子酸、没食子酸メチル、およびピロガロールが挙げられる。
【００７０】
粘接着剤層２０の厚さは、例えば１〜２００μｍの範囲にあり、好ましくは７〜３０μｍである。粘接着剤層２０の厚さが７μｍ以上であるという構成は、フレーム部材が貼り付けられた粘接着剤層２０が当該フレーム部材表面の微細凹凸に追従して良好なフレーム部材貼着性を発揮するうえで好ましい。粘接着剤層２０の厚さが３０μｍ以下であるという構成は、粘接着剤層２０において後記のエキスパンド工程での割断性を確保するうえで好ましい。
【００７１】
粘接着剤層２０は、幅１０ｍｍおよび厚さ１６０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離２２.５ｍｍ、周波数１Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度１０℃/分の条件で測定される２５℃での引張貯蔵弾性率（第１引張貯蔵弾性率）が、５〜１２０ＭＰａである。この第１引張貯蔵弾性率は、好ましくは６ＭＰａ以上、より好ましくは７ＭＰａ以上であり、且つ、好ましくは１１０ＭＰａ以下、より好ましくは１００ＭＰａ以下である。
【００７２】
粘接着剤層２０は、幅５ｍｍおよび厚さ８０μｍの粘接着剤層試料片について初期チャック間距離１０ｍｍ、周波数９００Ｈｚ、動的ひずみ０.００５％、および昇温速度５℃/分の条件で測定される−１５℃での引張貯蔵弾性率（第２引張貯蔵弾性率）が３０００〜６０００ＭＰａである。この第２引張貯蔵弾性率は、好ましくは３２００ＭＰａ以上、より好ましくは３５００ＭＰａ以上であり、且つ、好ましくは５８００ＭＰａ以下、より好ましくは５５００ＭＰａ以下である。
【００７３】
粘接着剤層２０におけるＳＵＳ平面に対する−１５℃でのせん断粘着力は、好ましくは６６Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは６８Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは７０Ｎ/ｃｍ2以上である。せん断粘着力は、実施例に関して後述するせん断粘着力測定方法によって測定される値とする。せん断粘着力に関する当該構成は、−１５℃およびその近傍の低温でのダイシングダイボンドフィルムＸによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。
【００７４】
本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸの面内方向Ｄにおいて、ダイシングテープ１０における基材１１の外周端１１ｅおよび粘着剤層１２の外周端１２ｅから、粘接着剤層２０の外周端２０ｅが、１０００μｍ以内、好ましくは７００μｍ以内、より好ましくは５００μｍ以内、より好ましくは３００μｍ以内の距離にある。すなわち、粘接着剤層２０の外周端２０ｅは、全周にわたり、フィルム面内方向Ｄにおいて、基材１１および粘着剤層１２の外周端１１ｅ,１２ｅに対して内側１０００μｍから外側１０００μｍまでの間、好ましくは内側７００μｍから外側７００μｍまでの間、より好ましくは内側５００μｍから外側５００μｍまでの間、より好ましくは内側３００μｍから外側３００μｍまでの間にある。ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の粘接着剤層２０とが面内方向Ｄにおいて実質的に同一の寸法を有する当該構成では、粘接着剤層２０は、上述のように、ワーク貼着用領域に加えてフレーム部材貼着用領域を面２０ａ側に含むこととなる。
【００７５】
ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、ダイシングテープ１０の粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層である場合、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の粘着剤層１２と粘接着剤層２０との間の剥離力は、好ましくは０.６Ｎ/２０ｍｍ以上である。このようなＴ型剥離試験については、引張試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，株式会社島津製作所製）を使用して行うことができる。その試験に供される試料片は、次のようにして作製される。まず、ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて基材１１の側から粘着剤層１２に対して３５０ｍＪ/ｃｍ2の紫外線を照射して粘着剤層１２を硬化させる。次に、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０側に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、幅５０ｍｍ×長さ１２０ｍｍのサイズの試料片を切り出す。
【００７６】
ダイシングダイボンドフィルムＸは、図２に示すようにセパレータＳを伴ってもよい。具体的には、ダイシングダイボンドフィルムＸごとに、セパレータＳを伴うシート状の形態をとってもよいし、セパレータＳが長尺状であってその上に複数のダイシングダイボンドフィルムＸが配され且つ当該セパレータＳが巻き回されてロールの形態とされてもよい。セパレータＳは、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０の表面を被覆して保護するための要素であり、ダイシングダイボンドフィルムＸを使用する際には当該フィルムから剥がされる。セパレータＳとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素系剥離剤や長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙類などが、挙げられる。セパレータＳの厚さは、例えば５〜２００μｍである。
【００７７】
以上のような構成を有するダイシングダイボンドフィルムＸは、例えば以下のようにして製造することができる。
【００７８】
まず、図３（ａ）に示すように、長尺状のセパレータＳの上に粘接着剤組成物層Ｃ１を形成する。粘接着剤組成物層Ｃ１は、粘接着剤層２０形成用に調製された粘接着剤組成物をセパレータＳ上に塗工することによって形成することができる。粘接着剤組成物の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。
【００７９】
次に、図３（ｂ）に示すように、粘接着剤組成物層Ｃ１の上に粘着剤組成物層Ｃ２を形成する。粘着剤組成物層Ｃ２は、粘着剤層１２形成用に調製された粘着剤組成物を粘接着剤組成物Ｃ１上に塗工することによって形成することができる。粘着剤組成物の塗工手法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、およびグラビア塗工が挙げられる。
【００８０】
次に、セパレータＳ上の粘接着剤組成物層Ｃ１および粘着剤組成物層Ｃ２の一括的な加熱処理を経ることにより、図３（ｃ）に示すように、粘接着剤層２０'および粘着剤層１２'を形成する。この加熱処理では、両層を必要に応じて乾燥させ、また、両層において必要に応じて架橋反応を生じさせる。加熱温度は例えば６０〜１７５℃であり、加熱時間は例えば０.５〜５分間である。粘接着剤層２０'は、上述の粘接着剤層２０へと加工形成されることとなるものである。粘着剤層１２'は、上述の粘着剤層１２へと加工形成されることとなるものである。
【００８１】
次に、図３（ｄ）に示すように、粘着剤層１２'上に基材１１'を圧着して貼り合わせる。基材１１'は、上述の基材１１へと加工形成されるものである。樹脂製の基材１１'は、カレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法などの製膜手法により作製することができる。製膜後のフィルムないし基材１１'には、必要に応じて所定の表面処理が施される。本工程において、貼り合わせ温度は、例えば３０〜５０℃であり、好ましくは３５〜４５℃である。貼り合わせ圧力（線圧）は、例えば０.１〜２０ｋｇｆ/ｃｍであり、好ましくは１〜１０ｋｇｆ/ｃｍである。本工程により、セパレータＳと、粘接着剤層２０'と、粘着剤層１２'と、基材１１'との積層構造を有する長尺状の積層シート体が得られる。
【００８２】
次に、図４（ａ）に示すように、上記の積層シート体に対し、基材１１'の側からセパレータＳに至るまで加工刃を突入させる加工を施す（図４（ａ）では切断箇所を模式的に太線で表す）。例えば、積層シート体を一方向Ｆに一定速度で流しつつ、その方向Ｆに直交する軸心まわりに回転可能に配され且つ打抜き加工用の加工刃をロール表面に伴う加工刃付き回転ロール（図示略）の加工刃付き表面を、積層シート体の基材１１'側に所定の押圧力を伴って当接させる。これにより、ダイシングテープ１０（基材１１，粘着剤層１２）と粘接着剤層２０とが一括的に加工形成される。それぞれがダイシングテープ１０と粘接着剤層２０とを含む複数の積層体がこのようにしてセパレータＳ上にて加工形成された後、図４（ｂ）に示すように、各積層体（ダイシングテープ１０，粘接着剤層２０）の周囲の材料積層部がセパレータＳ上から取り除かれる。
【００８３】
以上のようにして、ダイシングダイボンドフィルムＸを製造することができる。
【００８４】
半導体装置の製造過程においては、上述のように、ダイボンドフィルム付き半導体チップを得るうえで、ダイシングダイボンドフィルムを使用して行うエキスパンド工程、即ち、割断のためのエキスパンド工程が、実施される場合がある。このエキスパンド工程では、半導体ウエハ等のワークとリングフレームなどフレーム部材とが共にダイシングダイボンドフィルムに保持されつつ、ダイボンドフィルムがダイシングテープ１０のエキスパンドによって割断され得ることが必要である。
【００８５】
上述の実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムＸのダイボンドフィルムとしての粘接着剤層２０は、上述のように、２５℃での上記の第１引張貯蔵弾性率が５〜１２０ＭＰａである。このような構成は、ダイシングダイボンドフィルムＸないしその粘接着剤層２０においてリングフレームなどフレーム部材に対する常温での貼着力を確保するうえで好適である。具体的には、同構成は、ダイシングダイボンドフィルムＸないしその粘接着剤層２０にフレーム部材を常温で適切に貼り付けるうえで好適である。また、同構成は、エキスパンド工程の前後で常温にある粘接着剤層２０において良好な粘着力を実現するうえで好適である。ダイシングダイボンドフィルムＸには、それに貼り付けられるフレーム部材から剥離される時に当該フレーム部材上に糊残りを生じないこと（剥離時残渣の防止）が求められるところ、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘接着剤層２０にて常温での剥離時残渣を防止するという観点からは、２５℃での第１引張貯蔵弾性率は、好ましくは６ＭＰａ以上、より好ましくは７ＭＰａ以上である。粘接着剤層２０においてフレーム部材に対する常温での高い貼着力を実現するという観点からは、２５℃での第１引張貯蔵弾性率は、好ましくは１１０ＭＰａ以下、より好ましくは１００ＭＰａ以下である。
【００８６】
これとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０は、上述のように、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率が３０００〜６０００ＭＰａである。このような構成は、−１５℃およびその近傍の低温で実施されるエキスパンド工程において粘接着剤層２０を割断するのに好適であるとともに、粘接着剤層２０においてフレーム部材に対する低温での貼着力を確保するうえで好適である。粘接着剤層２０において低温での良好な割断性を実現するという観点からは、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率は、好ましくは３２００ＭＰａ以上、より好ましくは３５００ＭＰａ以上である。粘接着剤層２０において低温での高い貼着力を実現するという観点からは、−１５℃での第２引張貯蔵弾性率は、好ましくは５８００ＭＰａ以下、より好ましくは５５００ＭＰａ以下である。エキスパンド工程実施温度での対フレーム部材貼着力が高いほど、当該エキスパンド工程におけるフレーム部材からの粘接着剤層２０ないしダイシングダイボンドフィルムＸの剥離は抑制される傾向にある。
【００８７】
以上のように、ダイシングダイボンドフィルムＸは、その粘接着剤層２０において、エキスパンド工程での割断性を確保しつつリングフレームなどフレーム部材に対する良好な貼着性を実現するのに適する。
【００８８】
また、ダイシングテープ１０ないしその粘着剤層１２とその上の粘接着剤層２０とがフィルム面内方向において実質的に同一の設計寸法を有するダイシングダイボンドフィルムＸは、上述のように、基材１１と粘着剤層１２との積層構造を有する一のダイシングテープ１０を形成するための加工と、一の粘接着剤層２０を形成するための加工とを、一の打抜き加工等の加工で一括的に実施して作製するのに適する。このようなダイシングダイボンドフィルムＸは、粘接着剤層２０においてエキスパンド工程での割断性を確保しつつフレーム部材に対する良好な粘着力を実現するのに適するうえに、製造工程数削減や製造コスト抑制の点などにおいて効率的に製造するのに適する。
【００８９】
ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０におけるＳＵＳ平面に対する−１５℃でのせん断粘着力は、上述のように、好ましくは６６Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは６８Ｎ/ｃｍ2以上、より好ましくは７０Ｎ/ｃｍ2以上である。せん断粘着力に関するこのような構成は、−１５℃およびその近傍の低温でのダイシングダイボンドフィルムＸによるフレーム部材の保持を確保するうえで、好適である。
【００９０】
ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０は、上述のように、好ましくは、重量平均分子量８０００００〜２００００００かつガラス転移温度−１０〜３℃のポリマー成分を含む。このような構成は、粘接着剤層２０における低温での割断性と、フレーム部材に対する粘接着剤層２０の貼着力と、粘接着剤層２０の剥離時残渣の防止とのバランスを図るうえで、好適である。上述のように、粘接着剤層２０における低温での割断性の確保の観点や剥離時残渣の防止の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは９０００００以上、より好ましくは１００００００以上である。上述のように、粘接着剤層２０の対フレーム部材貼着力確保の観点からは、当該ポリマーの重量平均分子量は、より好ましくは１８０００００以下、より好ましくは１５０００００以下である。上述のように、粘接着剤層２０における低温での割断性の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは−８℃以上、より好ましくは−６.５℃以上である。上述のように、粘接着剤層２０における低温での対フレーム部材粘着力の確保の観点からは、当該ポリマーのガラス転移温度は、より好ましくは０℃以下、より好ましくは−１.５℃以下である。
【００９１】
ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０の粘着剤層１２は、上述のように、好ましくは放射線硬化型粘着剤層１２である。ダイシングテープ１０粘着剤層１２が放射線硬化型粘着剤層１２である場合、ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて、２３℃および剥離速度３００ｍｍ/分の条件でのＴ型剥離試験における、放射線硬化前の粘着剤層１２と粘接着剤層２０との間の剥離力は、上述のように、好ましくは０.５Ｎ/２０ｍｍ以上である。剥離粘着力に関するこのような構成は、粘接着剤層２０において対フレーム部材貼着力を確保するうえで好ましい。
【００９２】
図５から図１０は、本発明の一の実施形態に係る半導体装置製造方法を表す。
【００９３】
本半導体装置製造方法においては、まず、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、半導体ウエハＷに分割溝３０ａが形成される（分割溝形成工程）。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ１ａを有するウエハ加工用テープＴ１が半導体ウエハＷの第２面Ｗｂ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ１に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に所定深さの分割溝３０ａがダイシング装置等の回転ブレードを使用して形成される。分割溝３０ａは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための空隙である（図５から図７では分割溝３０ａを模式的に太線で表す）。
【００９４】
次に、図５（ｃ）に示すように、粘着面Ｔ２ａを有するウエハ加工用テープＴ２の、半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側への貼り合わせと、半導体ウエハＷからのウエハ加工用テープＴ１の剥離とが、行われる。
【００９５】
次に、図５（ｄ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化される（ウエハ薄化工程）。研削加工は、研削砥石を備える研削加工装置を使用して行うことができる。このウエハ薄化工程によって、本実施形態では、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ａが形成される。半導体ウエハ３０Ａは、具体的には、当該ウエハにおいて複数の半導体チップ３１へと個片化されることとなる部位を第２面Ｗｂ側で連結する部位（連結部）を有する。半導体ウエハ３０Ａにおける連結部の厚さ、即ち、半導体ウエハ３０Ａの第２面Ｗｂと分割溝３０ａの第２面Ｗｂ側先端との間の距離は、例えば１〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍである。
【００９６】
次に、図６（ａ）に示すように、ウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ３０Ａが、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０に対して貼り合わせられる。この後、図６（ｂ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａからウエハ加工用テープＴ２が剥がされる。ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘着剤層１２が放射線硬化性粘着剤層である場合には、ダイシングダイボンドフィルムＸの製造過程での上述の放射線照射に代えて、半導体ウエハ３０Ａの粘接着剤層２０への貼り合わせの後に、基材１１の側から粘着剤層１２に対して紫外線等の放射線を照射してもよい。照射量は、例えば５０〜５００ｍＪ/ｃｍ2であり、好ましくは１００〜３００ｍＪ/ｃｍ2である。ダイシングダイボンドフィルムＸにおいて粘着剤層１２の粘着力低減措置としての照射が行われる領域（図１に示す照射領域Ｒ）は、例えば、粘着剤層１２における粘接着剤層２０貼り合わせ領域内のその周縁部を除く領域である。
【００９７】
次に、ダイシングダイボンドフィルムＸにおける粘接着剤層２０上にリングフレーム４１が貼り付けられた後、図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ３０Ａを伴う当該ダイシングダイボンドフィルムＸがエキスパンド装置の保持具４２に固定される。
【００９８】
次に、相対的に低温の条件下での第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）が、図７（ｂ）に示すように行われ、半導体ウエハ３０Ａが複数の半導体チップ３１へと個片化されるとともに、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０が小片の粘接着剤層２１に割断されて、粘接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ａの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ａの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において好ましくは１５〜３２ＭＰａ、より好ましくは２０〜３２ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。クールエキスパンド工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。クールエキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、好ましくは０.１〜１００ｍｍ/秒である。また、クールエキスパンド工程におけるエキスパンド量は、好ましくは３〜１６ｍｍである。
【００９９】
本工程では、半導体ウエハ３０Ａにおいて薄肉で割れやすい部位に割断が生じて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している粘接着剤層２０において各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、粘接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝に対向する箇所が割断されることとなる。本工程の後、図７（ｃ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。
【０１００】
次に、相対的に高温の条件下での第２エキスパンド工程が、図８（ａ）に示すように行われ、粘接着剤層付き半導体チップ３１間の距離（離間距離）が広げられる。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が再び上昇され、ダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０がエキスパンドされる。第２エキスパンド工程における温度条件は、例えば１０℃以上であり、好ましくは１５〜３０℃である。第２エキスパンド工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、例えば０.１〜１０ｍｍ/秒であり、好ましくは０.３〜１ｍｍ/秒である。また、第２エキスパンド工程におけるエキスパンド量は、例えば３〜１６ｍｍである。後記のピックアップ工程にてダイシングテープ１０から粘接着剤層付き半導体チップ３１を適切にピックアップ可能な程度に、本工程では粘接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が広げられる。本工程の後、図８（ｂ）に示すように、突き上げ部材４３が下降されて、ダイシングテープ１０におけるエキスパンド状態が解除される。エキスパンド状態解除後にダイシングテープ１０上の粘接着剤層付き半導体チップ３１の離間距離が狭まることを抑制するうえでは、エキスパンド状態を解除するより前に、ダイシングテープ１０における半導体チップ３１保持領域より外側の部分を加熱して収縮させるのが好ましい。
【０１０１】
次に、粘接着剤層付き半導体チップ３１を伴うダイシングテープ１０における半導体チップ３１側を水などの洗浄液を使用して洗浄するクリーニング工程を必要に応じて経た後、図９に示すように、粘接着剤層付き半導体チップ３１をダイシングテープ１０からピックアップする（ピックアップ工程）。例えば、ピックアップ対象の粘接着剤層付き半導体チップ３１について、ダイシングテープ１０の図中下側においてピックアップ機構のピン部材４４を上昇させてダイシングテープ１０を介して突き上げた後、吸着治具４５によって吸着保持する。ピックアップ工程において、ピン部材４４の突き上げ速度は例えば１〜１００ｍｍ/秒であり、ピン部材４４の突き上げ量は例えば５０〜３０００μｍである。
【０１０２】
次に、図１０（ａ）に示すように、ピックアップされた粘接着剤層付き半導体チップ３１が、所定の被着体５１に対して粘接着剤層２１を介して仮固着される。被着体５１としては、例えば、リードフレーム、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）フィルム、配線基板、および、別途作製した半導体チップが挙げられる。粘接着剤層２１の仮固着時における２５℃でのせん断粘着力は、被着体５１に対して好ましくは０.２ＭＰａ以上、より好ましくは０.２〜１０ＭＰａである。粘接着剤層２１の当該せん断粘着力が０.２ＭＰａ以上であるという構成は、後記のワイヤーボンディング工程において、超音波振動や加熱によって粘接着剤層２１と半導体チップ３１または被着体５１との接着面でずり変形が生じるのを抑制して適切にワイヤーボンディングを行うのに好適である。
【０１０３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の電極パッド（図示略）と被着体５１の有する端子部（図示略）とをボンディングワイヤー５２を介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。半導体チップ３１の電極パッドや被着体５１の端子部とボンディングワイヤー５２との結線は、加熱を伴う超音波溶接によって実現され、粘接着剤層２１を熱硬化させないように行われる。ボンディングワイヤー５２としては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０〜２５０℃であり、好ましくは８０〜２２０℃である。また、その加熱時間は数秒〜数分間である。
【０１０４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、被着体５１上の半導体チップ３１やボンディングワイヤー５２を保護するための封止樹脂５３によって半導体チップ３１を封止する（封止工程）。本工程では、粘接着剤層２１の熱硬化が進む。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂５３が形成される。封止樹脂５３の構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。本工程において、封止樹脂５３を形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。本工程（封止工程）で封止樹脂５３の硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂５３を完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。封止工程において粘接着剤層２１が完全に熱硬化しない場合であっても、後硬化工程において封止樹脂５３と共に粘接着剤層２１の完全な熱硬化が可能となる。後硬化工程において、加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば０.５〜８時間である。
【０１０５】
以上のようにして、半導体装置を製造することができる。
【０１０６】
本実施形態では、上述のように、粘接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、粘接着剤層２１が完全な熱硬化に至ることなくワイヤーボンディング工程が行われる。このような構成に代えて、粘接着剤層付き半導体チップ３１が被着体５１に仮固着された後、粘接着剤層２１が熱硬化されてからワイヤーボンディング工程が行われてもよい。
【０１０７】
半導体装置製造方法おいては、図５（ｃ）を参照して上述した過程を経た後、図５（ｄ）を参照して上述したウエハ薄化工程に代えて、図１１に示すウエハ薄化工程を行ってもよい。図１１に示すウエハ薄化工程では、ウエハ加工用テープＴ２に半導体ウエハＷが保持された状態で、当該ウエハが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、複数の半導体チップ３１を含んでウエハ加工用テープＴ２に保持された半導体ウエハ分割体３０Ｂが形成される。本工程では、分割溝３０ａそれ自体が第２面Ｗｂ側に露出するまでウエハを研削する手法（第１の手法）を採用してもよいし、第２面Ｗｂ側から分割溝３０ａに至るより前までウエハを研削し、その後、回転砥石からウエハへの押圧力の作用により分割溝３０ａと第２面Ｗｂとの間にクラックを生じさせて半導体ウエハ分割体３０Ｂを形成する手法（第２の手法）を採用してもよい。採用される手法に応じて、図５（ａ）および図５（ｂ）を参照して上述したように形成される分割溝３０ａの、第１面Ｗａからの深さは、適宜に決定される。図１１では、第１の手法を経た分割溝３０ａ、または、第２の手法を経た分割溝３０ａおよびこれに連なるクラックについて、模式的に太線で表す。本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸに対し、このようにして作製される半導体ウエハ分割体３０Ｂが上述の半導体ウエハ３０Ａの代わりに貼り合わされたうえで、図６から図１０を参照して上述した各工程が行われてもよい。
【０１０８】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、ダイシングダイボンドフィルムＸに半導体ウエハ分割体３０Ｂが貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ分割体３０Ｂの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ分割体３０Ｂの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば１〜１００ＭＰａ、好ましくは５〜４０ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、好ましくは１〜５００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０が小片の粘接着剤層２１に割断されて粘接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している粘接着剤層２０において、半導体ウエハ分割体３０Ｂの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、粘接着剤層２０において半導体チップ３１間の分割溝３０ａに対向する箇所が割断されることとなる。
【０１０９】
本実施形態の半導体装置製造方法おいては、ダイシングダイボンドフィルムＸに対して半導体ウエハ３０Ａまたは半導体ウエハ分割体３０Ｂが貼り合わされるという上述の構成に代えて、ダイシングダイボンドフィルムＸに対し、以下のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃが貼り合わされてもよい。
【０１１０】
図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、まず、半導体ウエハＷに改質領域３０ｂが形成される。半導体ウエハＷは、第１面Ｗａおよび第２面Ｗｂを有する。半導体ウエハＷにおける第１面Ｗａの側には各種の半導体素子（図示略）が既に作り込まれ、且つ、当該半導体素子に必要な配線構造等（図示略）が第１面Ｗａ上に既に形成されている。本工程では、粘着面Ｔ３ａを有するウエハ加工用テープＴ３が半導体ウエハＷの第１面Ｗａ側に貼り合わされた後、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、ウエハ内部に集光点の合わせられたレーザー光がウエハ加工用テープＴ３とは反対の側から半導体ウエハＷに対してその分割予定ラインに沿って照射され、多光子吸収によるアブレーションに因って半導体ウエハＷ内に改質領域３０ｂが形成される。改質領域３０ｂは、半導体ウエハＷを半導体チップ単位に分離させるための脆弱化領域である。半導体ウエハにおいてレーザー光照射によって分割予定ライン上に改質領域３０ｂを形成する方法については、例えば特開２００２−１９２３７０号公報に詳述されている。当該方法において、本実施形態でのレーザー光照射条件は、例えば以下の条件の範囲内で適宜に調整される。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３.１４×１０-8ｃｍ2
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ以下
パルス幅                  １μｓ以下
出力                      １ｍＪ以下
レーザー光品質            ＴＥＭ００
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                １００倍以下
ＮＡ                                ０.５５
レーザー光波長に対する透過率        １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される載置台の移動速度  ２８０ｍｍ/秒以下
【０１１１】
次に、ウエハ加工用テープＴ３に半導体ウエハＷが保持された状態で、半導体ウエハＷが所定の厚さに至るまで第２面Ｗｂからの研削加工によって薄化されて、図１３（ｃ）に示すように、複数の半導体チップ３１に個片化可能な半導体ウエハ３０Ｃが形成される（ウエハ薄化工程）。本実施形態では、ダイシングダイボンドフィルムＸに対し、以上のようにして作製される半導体ウエハ３０Ｃが半導体ウエハ３０Ａの代わりに貼り合わされたうえで、図６から図１０を参照して上述した各工程が行われてもよい。
【０１１２】
図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、ダイシングダイボンドフィルムＸに対して半導体ウエハ３０Ｃが貼り合わされた後に行われる第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）を表す。本工程では、エキスパンド装置の備える中空円柱形状の突き上げ部材４３が、ダイシングダイボンドフィルムＸの図中下側においてダイシングテープ１０に当接して上昇され、半導体ウエハ３０Ｃの貼り合わされたダイシングダイボンドフィルムＸのダイシングテープ１０が、半導体ウエハ３０Ｃの径方向および周方向を含む二次元方向に引き伸ばされるようにエキスパンドされる。このエキスパンドは、ダイシングテープ１０において、例えば１〜１００ＭＰａ、好ましくは５〜４０ＭＰａの範囲内の引張応力が生ずる条件で行われる。本工程における温度条件は、例えば０℃以下であり、好ましくは−２０〜−５℃、より好ましくは−１５〜−５℃、より好ましくは−１５℃である。本工程におけるエキスパンド速度（突き上げ部材４３が上昇する速度）は、好ましくは１〜５００ｍｍ/秒である。また、本工程におけるエキスパンド量は、好ましくは５０〜２００ｍｍである。このようなクールエキスパンド工程により、ダイシングダイボンドフィルムＸの粘接着剤層２０が小片の粘接着剤層２１に割断されて粘接着剤層付き半導体チップ３１が得られる。具体的に、本工程では、半導体ウエハ３０Ｃにおいて脆弱な改質領域３０ｂにクラックが形成されて半導体チップ３１への個片化が生じる。これとともに、本工程では、エキスパンドされるダイシングテープ１０の粘着剤層１２に密着している粘接着剤層２０において、半導体ウエハ３０Ｃの各半導体チップ３１が密着している各領域では変形が抑制される一方で、ウエハのクラック形成箇所に対向する箇所には、そのような変形抑制作用の生じない状態で、ダイシングテープ１０に生ずる引張応力が作用する。その結果、粘接着剤層２０において半導体チップ３１間のクラック形成箇所に対向する箇所が割断されることとなる。
【０１１３】
上述のように、ダイシングダイボンドフィルムＸは粘接着剤層付き半導体チップを得るうえで使用することができる。また、ダイシングダイボンドフィルムＸは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合における粘接着剤層付き半導体チップを得るうえでも使用することができる。そのような３次元実装における半導体チップ３１間には、粘接着剤層２１と共にスペーサが介在していてもよいし、スペーサが介在していなくてもよい。
【実施例】
【０１１４】
〈ダイシングテープの作製〉
冷却管と、窒素導入管と、温度計と、撹拌装置とを備える反応容器内で、アクリル酸ドデシル１００モル部と、アクリル酸２-ヒドロキシエチル（２ＨＥＡ）２０モル部と、これらモノマー成分１００質量部に対して０.２質量部の重合開始剤としての過酸化ベンゾイルと、重合溶媒としてのトルエンとを含む混合物を、６０℃で１０時間、窒素雰囲気下で撹拌した（重合反応）。これにより、アクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液中のアクリル系ポリマーＰ1の重量平均分子量（Ｍｗ）は４５００００であった。次に、このアクリル系ポリマーＰ1を含有するポリマー溶液と、２-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）と、付加反応触媒としてのジブチル錫ジラウリレートとを含む混合物を、室温で４８時間、空気雰囲気下で撹拌した（付加反応）。当該反応溶液において、アクリル系ポリマーＰ1における２ＨＥＡ由来ユニットないしその水酸基の総量に対するＭＯＩ配合量のモル比率は０.２である。また、当該反応溶液において、ジブチル錫ジラウリレートの配合量は、アクリル系ポリマーＰ1１００質量部に対して０.０３質量部である。この付加反応により、側鎖にメタクリレート基を有するアクリル系ポリマーＰ2を含有するポリマー溶液を得た。次に、当該ポリマー溶液に、アクリル系ポリマーＰ2１００質量部に対して０.７５質量部のポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，東ソー株式会社製）と、２質量部の光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」，ＢＡＳＦ社製）とを加えて混合し、且つ、当該混合物の室温での粘度が５００ｍＰａ・ｓになるように当該混合物についてトルエンを加えて希釈し、粘着剤溶液を得た。次に、シリコーン離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）のシリコーン離型処理面上にアプリケーターを使用して粘着剤溶液を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、ラミネーターを使用して、この粘着剤層の露出面にエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）製の基材（商品名「ＲＢ-０１０３」，厚さ１２５μｍ，倉敷紡績株式会社製）を室温で貼り合わせた。以上のようにしてダイシングテープを作製した。
【０１１５】
〈粘接着剤層の形成〉
アクリル樹脂Ａ1（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１００００００，ガラス転移温度は−１.５℃）６０質量部と、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１ＳＳ」，２３℃で固形，明和化成株式会社製）１５質量部と、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｅ２」，平均粒径は０.５μｍ，株式会社アドマテックス製）２５質量部とを、メチルエチルケトンに加えて混合し、室温での粘度が１０００ｍＰａ・ｓになるように濃度を調整し、粘接着剤組成物を得た。次に、離型処理の施された面を有するＰＥＴセパレータ（厚さ３８μｍ）の離型処理面上にアプリケーターを使用して接着剤組成物を塗布して塗膜を形成し、この塗膜について１３０℃で２分間の加熱乾燥を行い、ＰＥＴセパレータ上に厚さ１０μｍのダイボンドフィルムとしての粘接着剤層を形成した。
【０１１６】
〈ダイシングダイボンドフィルムの作製〉
上述のダイシングテープからＰＥＴセパレータを剥離した後、ダイシングテープにおいて露出した粘着剤層と、ＰＥＴセパレータを伴う上述の粘接着剤層とを、ラミネーターを使用して室温で貼り合わせ、積層シート体を得た。次に、この積層シート体に対し、ダイシングテープのＥＶＡ基材の側からセパレータに至るまで加工刃を突入させる打抜き加工を行った。具体的には、積層シート体を一方向に１０ｍ/分の速度で流しつつ、その方向に直交する軸心まわりに回転可能に配され且つ円形打抜き加工用のトムソン刃がロール表面に巻き付けられた加工刃付き回転ロールの加工刃付き表面を、積層シート体のＥＶＡ基材側に所定の押圧力を伴って当接させて打抜き加工を行った。この打抜き加工に使用した回転ロールの円周長さ即ち周囲長さは３７８.９ｍｍである。また、回転ロール表面に巻き付けられたトムソン刃は、ＳＵＳ製であり、直径３７０ｍｍの円を打抜き加工可能にロール表面に配置されており、刃の高さは０.３ｍｍであり、刃先のなす刃角は５０°である。このような打抜き加工により、ダイシングテープと粘接着剤層とが円盤形状に一括的に加工形成され、ダイシングダイボンドフィルムがセパレータ上に形成された。この後、形成されたダイシングダイボンドフィルムの周囲の材料積層部をセパレータ上から取り除いた。以上のようにして、ダイシングテープとダイボンドフィルムとしての粘接着剤層とを含む積層構造を有する実施例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。実施例１における粘接着剤層の組成を、他の実施例および比較例の粘接着剤層組成とともに表１に掲げる（表１において、粘接着剤層組成に関する各数値の単位は、当該層内での相対的な“質量部”である）。
【０１１７】
〔実施例２〕
アクリル樹脂Ａ1の配合量を６０質量部に代えて４８質量部としたこと、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１１ＳＳ」，明和化成株式会社製）の配合量を１５質量部に代えて１２質量部としたこと、および、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｅ２」，株式会社アドマテックス製）の配合量を２５質量部に代えて４０質量部としたこと以外は実施例１の粘接着剤層と同様にして、実施例２における粘接着剤層（厚さ１０μｍ）をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における粘接着剤層の代わりに実施例２における当該粘接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１１８】
〔実施例３〕
アクリル樹脂Ａ1６０質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１００００００，ガラス転移温度は−６.５℃）６０質量部を用いたこと以外は実施例１の粘接着剤層と同様にして、実施例３における粘接着剤層（厚さ１０μｍ）をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における粘接着剤層の代わりに実施例３における当該粘接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例３のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１１９】
〔実施例４〕
アクリル樹脂Ａ1６０質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１００００００，ガラス転移温度は−６.５℃）４８質量部を用いたこと、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１１ＳＳ」，明和化成株式会社製）の配合量を１５質量部に代えて１２質量部としたこと、および、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｅ２」，株式会社アドマテックス製）の配合量を２５質量部に代えて４０質量部としたこと以外は実施例１の粘接着剤層と同様にして、実施例４における粘接着剤層（厚さ１０μｍ）をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における粘接着剤層の代わりに実施例４における当該粘接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、実施例４のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１２０】
〔比較例１〕
アクリル樹脂Ａ1６０質量部に代えてアクリル樹脂Ａ3（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１００００００，ガラス転移温度は４℃）４２.４質量部を用いたこと、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１１ＳＳ」，明和化成株式会社製）の配合量を１５質量部に代えて１０.６質量部としたこと、および、シリカフィラー（商品名「ＳＯ-Ｅ２」，株式会社アドマテックス製）の配合量を２５質量部に代えて４７質量部としたこと以外は実施例１の粘接着剤層と同様にして、比較例１における粘接着剤層（厚さ１０μｍ）をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における粘接着剤層の代わりに比較例１における当該粘接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１２１】
〔比較例２〕
アクリル樹脂Ａ1６０質量部に代えてアクリル樹脂Ａ2（アクリル酸エチルとアクリル酸ブチルとアクリロニトリルとグリシジルメタクリレートとの共重合体，重量平均分子量は１００００００，ガラス転移温度は−６.５℃）４８質量部を用いたこと、固形フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ-７８５１１ＳＳ」，明和化成株式会社製）の配合量を１５質量部に代えて２０質量部としたこと、および、シリカフィラーを用いなかったこと以外は実施例１の粘接着剤層と同様にして、比較例２における粘接着剤層（厚さ１０μｍ）をＰＥＴセパレータ上に作製した。そして、実施例１における粘接着剤層の代わりに比較例２における当該粘接着剤層を用いたこと以外は実施例１のダイシングダイボンドフィルムと同様にして、比較例２のダイシングダイボンドフィルムを作製した。
【０１２２】
〔第１引張貯蔵弾性率（２５℃）〕
実施例１〜４および比較例１,２における各粘接着剤層について、動的粘弾性測定装置（商品名「ＲＳＡIII」，ＴＡインスツルメンツ社製）を使用して行う動的粘弾性測定に基づき、２５℃での引張貯蔵弾性率（第１引張貯蔵弾性率）を調べた。動的粘弾性測定に供される試料片は、各粘接着剤層を厚さ１６０μｍに積層した積層体を形成した後、当該積層体から幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍのサイズで切り出して用意した。また、本測定においては、試料片保持用チャックの初期チャック間距離を２２.５ｍｍとし、測定モードを引張りモードとし、測定温度範囲を−３０℃〜１００℃とし、周波数を１Ｈｚとし、動的ひずみを０.００５％とし、昇温速度を１０℃/分とした。求められた２５℃での引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表１に掲げる。
【０１２３】
〔第２引張貯蔵弾性率（−１５℃）〕
実施例１〜４および比較例１,２における各粘接着剤層について、動的粘弾性測定装置（商品名「Ｒｈｅｏｇｅｌ-Ｅ４０００」，ＵＢＭ社製）を使用して行う動的粘弾性測定に基づき、−１５℃での引張貯蔵弾性率（第２引張貯蔵弾性率）を調べた。動的粘弾性測定に供される試料片は、各粘接着剤層を厚さ８０μｍに積層した積層体を形成した後、当該積層体から幅５ｍｍ×長さ２５ｍｍのサイズで切り出して用意した。また、本測定においては、試料片保持用チャックの初期チャック間距離を１０ｍｍとし、測定モードを引張りモードとし、測定温度範囲を−３０℃〜１００℃とし、周波数を９００Ｈｚとし、動的ひずみを０.００５％とし、昇温速度を５℃/分とした。求められた−１５℃での第２引張貯蔵弾性率（ＭＰａ）を表１に掲げる。
【０１２４】
〈せん断粘着力〉
実施例１〜４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムについて、ＳＵＳ板に対する−１５℃でのせん断粘着力を測定した。本測定に供される試料片は、次のようにして作製した。まず、ダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイシングテープから粘接着剤層を剥離した。次に、この粘接着剤層においてダイシングテープに貼り合わせられていた側の面に裏打ちテープ（商品名「ＢＴ-３１５」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた。そして、得られた裏打ち粘接着剤層から、幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍのサイズの試料片を切り出した。
【０１２５】
作製された試料片を室温でＳＵＳ板に対して貼り合わせた。このＳＵＳ板は、トルエンを染み込ませた不織布ワイパーでの拭き取りと、メタノールを染み込ませた不織布ワイパーでの拭き取りとによる、表面清浄化処理を経たものである。貼合わせ作業においては、試料片端部における１０ｍｍ×１０ｍｍの領域を、ＳＵＳ板の端部に対し、２ｋｇローラーによる一往復の荷重で圧着させた。そして、当該試料片およびＳＵＳ板について、室温で３０分間の放置の後、引張り試験機（商品名「オートグラフＡＧＳ-Ｊ」，島津製作所製）を使用してせん断粘着力を測定した。本測定において、測定温度は−１５℃であり、引張り速度は１０００ｍｍ/分であり、得られた最大応力値をせん断粘着力（Ｎ/ｃｍ2）とした。
【０１２６】
〈２３℃でのフレーム保持性〉
実施例１〜４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムについて、次のようにして、リングフレームに対する貼着性ないし保持性を調べた。まず、貼合わせ装置（ＭＡ-３０００II，日東精機株式会社製）を使用して、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム(株式会社ディスコ製)をダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層側に貼り合わせた。この貼合わせは、貼合わせ速度１０ｍｍ/秒および温度６０℃の条件で行った。その後、水平状態でケース内に保管し、室温にて１週間の放置を行った。そして、粘接着剤層からのリングフレームの剥離の有無を確認した。ダイシングダイボンドフィルムないしその粘接着剤層からのリングフレームの剥離が生じなかった場合を良と評価し、リングフレームの剥離が生じた場合を不良と評価した。その評価結果を表１に掲げる。
【０１２７】
〔クールエキスパンド工程（−１５℃）での割断性〕
実施例１〜４および比較例１,４の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して、以下のような貼合わせ工程、割断のための第１エキスパンド工程（クールエキスパンド工程）、および、離間のための第２エキスパンド工程（常温エキスパンド工程）を行った。
【０１２８】
貼合わせ工程では、ウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）に保持された半導体ウエハ分割体をダイシングダイボンドフィルムの粘接着剤層に対して貼り合わせ、その後、半導体ウエハ分割体からウエハ加工用テープを剥離した。貼合わせにおいては、ラミネーターを使用し、貼合わせ速度を１０ｍｍ/秒とし、温度条件を６０℃とし、圧力条件を０.１５ＭＰａとした。また、半導体ウエハ分割体は、次のようにして形成して用意したものである。まず、ウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」，日東電工株式会社製）にリングフレームと共に保持された状態にあるベアウエハ（直径１２インチ，厚さ７８０μｍ，東京化工株式会社製）について、その一方の面の側から、ダイシング装置（商品名「ＤＦＤ６２６０」，株式会社ディスコ製）を使用してその回転ブレードによって個片化用の分割溝（幅２５μｍ，深さ５０μｍ，一区画６ｍｍ×１２ｍｍの格子状をなす）を形成した。次に、分割溝形成面にウエハ加工用テープ（商品名「ＵＢ-３０８３Ｄ」，日東電工株式会社製）を貼り合わせた後、上記のウエハ加工用テープ（商品名「Ｖ１２Ｓ-Ｒ２-Ｐ」）をウエハから剥離した。この後、バックグラインド装置（商品名「ＤＧＰ８７６０」，株式会社ディスコ製）を使用して、ウエハの他方の面（分割溝の形成されていない面）の側からの研削によって当該ウエハを厚さ２０μｍに至るまで薄化し、続いて、同装置を使用して行うドライポリッシュによって当該研削面に対して鏡面仕上げを施した。以上のようにして、半導体ウエハ分割体（ウエハ加工用テープに保持された状態にある）を形成した。この半導体ウエハ分割体には、複数の半導体チップ（６ｍｍ×１２ｍｍ）が含まれている。
【０１２９】
クールエキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、そのクールエキスパンドユニットにて行った。具体的には、まず、半導体ウエハ分割体を伴う上述のダイシングダイボンドフィルムにおける粘接着剤層のフレーム貼着用領域（ワーク貼着用領域の周囲）に、直径１２インチのＳＵＳ製リングフレーム(株式会社ディスコ製)を室温で貼り付けた。次に、当該ダイシングダイボンドフィルムを装置内にセットし、同装置のクールエキスパンドユニットにて、半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープをエキスパンドした。このクールエキスパンド工程において、温度は−１５℃であり、エキスパンド速度は３００ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１５ｍｍである。
【０１３０】
常温エキスパンド工程は、ダイセパレート装置（商品名「ダイセパレータ ＤＤＳ３２００」，株式会社ディスコ製）を使用して、その常温エキスパンドユニットにて行った。具体的には、上述のクールエキスパンド工程を経た半導体ウエハ分割体を伴うダイシングダイボンドフィルムのダイシングテープを、同装置の常温エキスパンドユニットにてエキスパンドした。この常温エキスパンド工程において、温度は２３℃であり、エキスパンド速度は１ｍｍ/秒であり、エキスパンド量は１０ｍｍである。この後、常温エキスパンドを経たダイシングダイボンドフィルムについて加熱収縮処理を施した。その処理温度は２００℃であり、処理時間は２０秒である。
【０１３１】
実施例１〜４および比較例１,２の各ダイシングダイボンドフィルムを使用して行った以上のような過程を経た段階において、半導体ウエハ分割体に含まれる半導体チップの総数に対する、割断された粘接着剤層を伴う半導体チップの総数の割合を調べた。そして、粘接着剤層の割断性について、当該割合が８０％以上である場合を良と評価し、当該割合が８０％未満である場合を不良と評価した。この評価結果を表１に掲げる。
【０１３２】
［評価］
実施例１〜４のダイシングダイボンドフィルムは、フレーム保持性、並びに、クールエキスパン工程（−１５℃）での割断性について、いずれも良好な結果が得られた。これに対し、比較例１のダイシングダイボンドフィルムは、その粘接着剤層の引張貯蔵弾性率が高すぎるために、当該粘接着剤層にてリングフレームを保持することができなかった。そのため、比較例１のダイシングダイボンドフィルムを使用してのクールエキスパンド工程は実施できなかった。また、比較例２のダイシングダイボンドフィルムでは、その粘接着剤層の引張貯蔵弾性率が低すぎるために、クールエキスパンド工程にて当該粘接着剤層を十分に割断させることができなかった。
【０１３３】
【表１】
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【符号の説明】
【０１３４】
Ｘ                  ダイシングダイボンドフィルム
１０                ダイシングテープ
１１                基材
１１ｅ              外周端
１２                粘着剤層
１２ｅ              外周端
２０，２１          粘接着剤層
２０ｅ              外周端
Ｗ，３０Ａ，３０Ｃ  半導体ウエハ
３０Ｂ              半導体ウエハ分割体
３０ａ              分割溝
３０ｂ              改質領域
３１                半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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