(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】内部が減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程（Ｓ１）と、前記（Ｓ１）工程の後、プラズマＣＶＤ法により、前記半導体ウエハ上に第１膜を形成する工程（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）と、前記（Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４）工程の後、前記半導体ウエハを搬出する工程（Ｓ１０）を含んでいる。前記（Ｓ４）工程の後であって、前記（Ｓ１０）工程の前に、粘性流領域の第１ガスを前記半導体ウエハに接触させる工程（Ｓ７）を有している。前記（Ｓ７）工程では、前記半導体ウエハと前記第１ガスとの間に摩擦が生じ、摩擦により発生した静電気によって、正に帯電している前記半導体ウエハの外周部の電荷が中和される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）内部が減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、プラズマＣＶＤ法により、前記半導体ウエハ上に第１膜を形成する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記チャンバから前記半導体ウエハを搬出する工程、
を含み、
前記（ｂ）工程の後であって、前記（ｃ）工程の前に、
（ｄ）粘性流領域の第１ガスを前記半導体ウエハに接触させる工程、
を有し、
前記（ｄ）工程では、前記半導体ウエハと前記第１ガスとの間に摩擦が生じ、摩擦により発生した静電気によって、正に帯電している前記半導体ウエハの外周部の電荷が中和される、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後であって、前記（ｄ）工程の前に、または、前記（ｄ）工程の途中に、
（ｅ）前記半導体ウエハを前記ステージから離間させ、前記半導体ウエハの裏面と前記ステージとの間に空隙を生じさせる工程、
をさらに有している、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程では、前記ステージ上においてピン部材によって前記半導体ウエハを押し上げる、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記（ｅ）工程によって前記ステージから離間した前記半導体ウエハを、搬送アームに受け渡して前記チャンバから搬出する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、前記（ｄ）工程の前に行われ、
前記（ｄ）工程において、前記第１ガスは、前記半導体ウエハの表面から、前記半導体ウエハの裏面と前記ステージとの間の前記空隙へと流れ込み、前記半導体ウエハの外周部に静電気が発生する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記チャンバ内に、前記第１膜の原料ガスの供給を開始する工程、
（ｂ２）前記（ｂ１）工程の後、前記チャンバ内にプラズマを生成し、前記半導体ウエハ上に前記第１膜を形成する工程、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記原料ガスの供給を停止する工程、
（ｂ４）前記チャンバ内に、パージガスの供給を開始する工程、
を含んでいる、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記チャンバ内のプラズマは、高周波電源により生成され、
前記高周波電源の電圧は、前記（ｂ１）工程の後に印加を開始する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、
前記高周波電源の電圧は、前記（ｂ４）工程の後であって、前記（ｄ）工程の前に印加を停止する、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ４）工程は、前記（ｂ３）工程の後、前記チャンバ内の圧力が、前記チャンバ内にプラズマが生成できる圧力よりも小さくなる前に行われ、
前記（ｂ２）工程から前記（ｂ４）工程まで、前記チャンバ内にプラズマが生成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記チャンバ内にプラズマが生成している間は、前記半導体ウエハは負に帯電しており、
前記チャンバ内にプラズマが消失した後に、前記半導体ウエハの電荷分布が変化する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
前記チャンバ内からプラズマが消失した後に、前記半導体ウエハの前記外周部が正に帯電する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記半導体ウエハの前記外周部に発生した静電気により、前記半導体ウエハの前記外周部の正電荷が中和された後に、前記半導体ウエハの前記外周部が負に帯電する、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程において、前記第１ガスは、前記パージガスである、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程では、前記（ｂ４）工程の後、前記パージガスの圧力を上昇させることによって、粘性流領域の前記パージガスを前記半導体ウエハに接触させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ガスは、ヘリウム、酸素、窒素、アルゴンのいずれかである、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体ウエハに対してプラズマ処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハ（ウエハ、半導体基板）に対してプラズマ処理を行う工程において、この半導体ウエハに不純物（異物）が付着すると、その後の工程に悪影響を及ぼす。例えば、半導体ウエハ上に絶縁膜（層間絶縁膜）をプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により形成する際に、原料ガス由来の不純物が、半導体ウエハや半導体ウエハ上に形成した絶縁膜に付着することがある。この場合、付着した不純物によって絶縁膜上にフォトレジスト膜等のマスクが適切に形成されず、フォトリソグラフィ法において絶縁膜のエッチング不良が生じる。
【０００３】
そのため、これまで半導体ウエハに付着した不純物を除去する技術が提案されてきている。例えば、特許文献１には、収容室内に配設され、基板を載置する載置台と、前記載置台に配設され、電圧が印加されて前記基板を前記載置台に吸着させる電極と、前記収容室内を排気する排気装置と、前記載置台及び前記基板の間に空間を生じさせる離間装置と、前記空間に気体を供給する気体供給装置とを備える基板洗浄装置が記載されている。この基板洗浄装置は、前記空間が生じているときに、前記電極に電圧が印加され、前記気体供給装置が前記空間に気体を供給し、前記排気装置は前記収容室内を排気する。
【０００４】
また、例えば、特許文献２には、減圧処理室の部材に付着した微粒子を飛散させる部材清浄化方法であって、前記部材に付着した前記微粒子を帯電させるステップと、前記微粒子の帯電電荷と同極性の電圧を前記部材に印加するステップとを備え、前記部材に付着した前記微粒子を飛散させる部材清浄化方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１７７８２号公報
【特許文献２】特開２０１１−３５２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体ウエハや絶縁膜等に一度付着した不純物を除去するのは困難である。さらに、不純物を除去する際に、半導体ウエハや絶縁膜等を損傷する可能性がある。そのため、本発明者は、半導体ウエハに付着した不純物を除去するのではなく、そもそも半導体ウエハに不純物が付着するのを防止することを検討している。半導体装置の製造方法を工夫することにより、半導体装置の信頼性を向上することが望まれる。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態の半導体装置の製造方法は、（ａ）内部が減圧されたチャンバ内に設けられたステージに半導体ウエハを載置する工程、（ｂ）前記（ａ）工程の後、プラズマＣＶＤ法により、前記半導体ウエハ上に第１膜を形成する工程、および、（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体ウエハを搬出する工程、を含んでいる。そして、前記（ｂ）工程の後であって、前記（ｃ）工程の前に、（ｄ）粘性流領域の第１ガスを前記半導体ウエハに接触させる工程、を有している。前記（ｄ）工程では、前記半導体ウエハと前記第１ガスとの間に摩擦が生じ、摩擦により発生した静電気によって、正に帯電している前記半導体ウエハの外周部の電荷が中和される。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施の形態のＣＶＤ装置を示す要部断面図である。
【図２】一実施の形態の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。
【図３】一実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図４】図３に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図５】図４に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図６】図５に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１０】第１の検討例の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。
【図１１】第１の検討例の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図１３】第２の検討例の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。
【図１４】一実施の形態の半導体装置の製造工程を示すシーケンス図である。
【図１５】第２の検討例の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出の後の半導体ウエハの電荷分布を示す模式図である。
【図１６】一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出の後の半導体ウエハの電荷分布を示す模式図である。
【図１７】第２の検討例の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出の後の半導体ウエハに付着している不純物を示す模式図である。
【図１８】一実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出の後の半導体ウエハに付着している不純物を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１２】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１３】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００１４】
（実施の形態）
＜ＣＶＤ装置の構成について＞
以下、本実施の形態の半導体装置の製造方法で用いられるＣＶＤ装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態のＣＶＤ装置を示す要部断面図である。
【００１５】
図１に示すＣＶＤ装置１１は、プラズマＣＶＤ装置であり、半導体デバイスの微細加工プロセスで用いられるプラズマ処理装置の一つである。特に、本実施の形態のＣＶＤ装置１１は、ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma：容量結合型プラズマ）方式である場合を例に説明する。図１に示すように、本実施の形態のＣＶＤ装置１１は、チャンバ（真空容器）１２と、チャンバ１２内に設けられたステージ（試料台）１３と、チャンバ１２内を減圧する排気部１４とを含んでいる。排気部１４は、ターボ分子ポンプ等により構成されている。
【００１６】
ステージ１３には、半導体ウエハ（ウエハ、半導体基板）１０を保持するための凹部１５が形成されている。半導体ウエハ１０の平面形状は、円形状である。そのため、ステージの凹部１５の平面形状も、円形状である。また、ステージ１３には加熱機構（図示せず）が設けられている。また、チャンバ１２内には、電極（放電電極）１６と電極（接地電極）１７とが所定間隔をおいて対向して配置されている。電極１６には、高周波電源１８が接続されている。電極１７は、ステージ１３内に配置され、接地電位（グランド電位）が供給されている。
【００１７】
また、チャンバ１２の外部に設けられたガス供給設備（図示せず）から、電極１６の内部を通過してチャンバ１２の内部にガスを供給するガス供給管１９が設けられている。電極１６の下部には、板状のシャワープレート２０が取り付けられている。シャワープレート２０には、上面から下面へと貫通する多数のガス導入孔２１が設けられている。そのため、ガス供給管１９からチャンバ１２内に供給されたガスは、シャワープレート２０のガス導入孔２１を通って、ステージ１３の上部に供給される。また、ステージ１３には、半導体ウエハ１０を押し上げるためのリフトピン（ピン部材）２２が設けられている。
【００１８】
なお、本実施の形態の半導体装置の製造方法で用いられるＣＶＤ装置は、上記構成を有するものに限定されず、半導体ウエハ１０とステージ１３とを離間できるように構成されていればよい。一例として、リフトピン２２の代わりにステージ１３が可動する構成である場合、ステージ１３が下がることによって、半導体ウエハ１０がリフトピン２２に支持され、結果的に半導体ウエハ１０とステージ１３とが離間する。そのため、このような構成を有するＣＶＤ装置を用いて、本実施の形態の製造方法を適用する場合には、以下の説明中の「リフトピン上昇」を「ステージ降下」と読み替えればよい。
【００１９】
また、本実施の形態のＣＶＤ装置は、ＣＣＰ方式である場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma：誘導結合プラズマ）方式のＣＶＤ装置であってもよい。
【００２０】
＜半導体装置の製造工程について＞
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる工程について説明する。図２は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。図３〜図９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【００２１】
図示しないが、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、例えば、半導体ウエハの主面上に、半導体素子として、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect Transistor）を形成する工程等を有している。そのため、ここでは、このＭＯＳＦＥＴが形成された半導体ウエハ上に絶縁膜（第１膜、絶縁層、層間絶縁膜）を形成する工程について説明する。
【００２２】
図３に示すように、チャンバ１２内に設けられたステージ１３上に半導体ウエハ１０を載置する（図２のウエハ搬入（Ｓ１））。この際、チャンバ１２内の圧力は、例えば５０ｍＴｏｒｒ以下、好ましくは１５ｍＴｏｒｒ以下に減圧されている。
【００２３】
次に、ガス供給設備（図示せず）から、図１に示すガス供給管１９を通じてチャンバ１２の内部に原料ガスを供給する（図２の原料ガス供給（Ｓ２））。原料ガスは、例えばＴＥＯＳ（Tetraethyl orthosilicate：オルトケイ酸テトラエチル）やシラン、アンモニア等である。原料ガスの流量は、例えば５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍであり、原料ガス供給時のチャンバ１２の圧力は、２２５ｍＴｏｒｒ程度である。
【００２４】
次に、図１に示す高周波電源１８から電極１６に対して、例えば３０Ｗの電力となるように電圧を印加する（図２の高周波電源電圧印加開始（Ｓ３））。これにより、図１および図４に示すように、原料ガスが励起され、半導体ウエハ１０の上方にプラズマ２３が発生する。その結果、図５に示すように、半導体ウエハ１０上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２５を形成することができる。絶縁膜２５の成膜温度は、例えば６００〜７００℃である。絶縁膜２５の形成膜厚は、例えば１００ｎｍ〜１μｍ程度である。
【００２５】
次に、図５に示す絶縁膜２５が所望の膜厚で形成された後に、原料ガスの供給を停止する（図２の原料ガス供給停止（Ｓ４））。これと同時に、ガス供給設備（図示せず）から、図１に示すガス供給管１９を通じてチャンバ１２の内部にパージガス（第１ガス）を供給する（図２のパージガス供給開始（Ｓ５））。パージガスは、例えばＨｅ（ヘリウム）、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ２（窒素）等の不活性ガスである。ここで、パージとは、チャンバ内に不活性ガスを送り込み、チャンバ内に滞留していた原料ガスを不活性ガスに置き換える形で、原料ガスを除去することをいう。なお、半導体ウエハ上が絶縁膜２５に覆われていれば、Ｏ２（酸素）は絶縁膜２５と反応しないため、パージガスとしてＯ２（酸素）を用いることもできる。
【００２６】
パージガスの流量は、例えば５０ｓｃｃｍ〜１００ｓｃｃｍであり、パージガス供給時のチャンバ１２の圧力は、例えば２００〜４００ｍＴｏｒｒ程度である。また、パージガスを供給する時間は、例えば１０秒程度である。これにより、チャンバ１２内の未反応の原料ガスがパージガスと共に排気される。また、本実施の形態では、電極１６に電圧が印加されているため、原料ガスの代わりにパージガスが励起され、半導体ウエハ１０の上方にプラズマ２３が発生した状態が維持される。
【００２７】
次に、図１に示す高周波電源１８から電極１６に対する電圧印加を停止する（図２の高周波電源電圧印加停止（Ｓ６））。これにより、図５に示すプラズマ２３が消失する。
【００２８】
次に、パージガスの圧力を上昇させ、パージガスの圧力を粘性流領域にする（図２のパージガス圧力上昇（Ｓ７））。パージガスの流量は、例えば７００ｓｃｃｍ程度であり、パージガス供給時のチャンバ１２の圧力は、例えば３Ｔｏｒｒ程度である。また、粘性流領域のパージガスを供給する時間は、例えば１０〜２０秒程度である。
【００２９】
ここで、粘性流について説明する。まず、ガスの圧力が低い状態では、分子同士の衝突よりも分子と容器（例えばチャンバ１２）との衝突の方が支配的である。このガスの流れを分子流といい、対応するガスの圧力の範囲を分子流領域という。一方、ガスの圧力が高くなると、分子と容器との衝突よりも分子同士の衝突の方が支配的になる。このガスの流れを粘性流といい、対応するガスの圧力の範囲を粘性流領域という。なお、分子の平均自由行程をλ［ｍ］、容器の内径寸法をＤ［ｍ］とすると、Ｋ＝λ／Ｄという無次元数を考えれば、Ｋ＜＜１で粘性流、Ｋ≧１で分子流となる。Ｋはクヌーセン数とよばれる。すなわち、粘性流領域では、分子の平均自由行程が例えば容器の内径寸法に比べて小さく、分子流領域では、分子の平均自由行程が例えば容器の内径寸法以上となる。一般的には、Ｋ＞０．０１を粘性流、Ｋ＞０．３を分子流と呼ぶことが多い。
【００３０】
本実施の形態において、パージガスにＨｅを採用した場合は、パージガスの圧力を１Ｔｏｒｒ以上に、好ましくは３Ｔｏｒｒにすることで、図１に示すチャンバ１２内のパージガスが粘性流となる。こうすることで、図７に示すように、パージガスの分子２７同士が衝突するよりも、パージガスの分子２７がチャンバ（図１参照）や半導体ウエハ１０に接触（衝突）する方が支配的になる。特に、半導体ウエハ１０の表面に接触（衝突）して、ステージ１３の外側を通って排気される分子２７ａの数が多くなる。
【００３１】
そして、図８に示すように、リフトピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１０をリフトピン２２によって押し上げる（図２のリフトピン上昇（Ｓ８））。これにより、半導体ウエハ１０はステージ１３から離れ、半導体ウエハ１０とステージ１３との間に空隙（空間）が生じる。こうすることで、半導体ウエハ１０の表面に衝突したパージガスの分子２７のうち、半導体ウエハ１０の外周部（径方向端部）から半導体ウエハ１０の裏面に回り込む分子２７ｂが生じる。
【００３２】
その後、パージガスの供給を停止する（図２のパージガス供給停止（Ｓ９））。そして、図９に示すように、搬送アーム３０により、半導体ウエハ１０を図１に示すチャンバ１２から搬出する（図２のウエハ搬出（Ｓ１０））。
【００３３】
以上が、本実施の形態において、半導体ウエハ上に絶縁膜を形成する工程である。
【００３４】
なお、この絶縁膜が形成された後は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術などにより、前記絶縁膜をパターニングして、配線溝を形成する工程を有している。続いて、例えばＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）法により、前記絶縁膜上に銅からなるシード膜を形成する工程、そして、例えば電解メッキ法により、このシード膜上に銅からなる導体膜を形成する工程を有している。そして、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）法により、前記配線溝の外部の前記シード膜および前記導体膜を除去し、前記配線溝内に導体膜からなる配線を形成する工程を有している。また、その後、他の配線を形成する工程や、さらにその上層においてパッド電極やパッシベーション膜を形成する工程、半導体ウエハをダイシングして複数のチップに分割する工程等を経て、本実施の形態の半導体装置が完成する。
【００３５】
なお、本実施の形態では、半導体ウエハ上に絶縁膜を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。
【００３６】
＜検討の経緯について＞
以下、本発明者が検討した検討例の半導体装置の製造方法に含まれる工程について説明する。図１０は、検討例１の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。図１１および図１２は、検討例１の半導体装置の製造工程中の要部断面図である。図１３は、検討例２の半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。
【００３７】
まず、検討例１の半導体装置の製造方法について説明する。図１０に示す検討例１の半導体装置の製造工程は、ウエハ搬入（Ｓ１０１）から高周波電源電圧印加開始（Ｓ１０３）までは、図２に示す本実施の形態の半導体装置の製造工程に含まれるウエハ搬入（Ｓ１）から高周波電源電圧印加開始（Ｓ３）までと同じである。すなわち、高周波電源電圧印加開始（Ｓ１０３）を経て、原料ガスが励起され、半導体ウエハ１０の上方にプラズマ２３が発生する（図４参照）。これにより、図１１に示すように、半導体ウエハ１０上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２５が形成される。
【００３８】
次に、図５に示す絶縁膜２５が所望の膜厚で形成された後に、図１に示す高周波電源１８から電極１６に対する電圧印加を停止する（図１０の高周波電源電圧印加停止（Ｓ１０４））。これにより、プラズマ２３（図５参照）が消失する。
【００３９】
次に、原料ガスの供給を停止する（図１０の原料ガス供給停止（Ｓ１０５））。続いて、ガス供給設備（図示せず）から、図１に示すガス供給管１９を通じてチャンバ１２の内部にパージガスを供給する（図１０のパージガス供給開始（Ｓ１０６））。これにより、チャンバ１２内の未反応の原料ガスがパージガスと共に排気される。
【００４０】
その後、パージガスの供給を停止する（図１０のパージガス供給停止（Ｓ１０７））。そして、図１２に示すように、リフトピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１０をリフトピン２２によって押し上げる（図１０のリフトピン上昇（Ｓ１０８））。そして、搬送アーム３０により、半導体ウエハ１０を図１に示すチャンバ１２から搬出する（図１０のウエハ搬出（Ｓ１０９））。
【００４１】
以上が、検討例１において、半導体ウエハ上に絶縁膜（絶縁層、層間絶縁膜）を形成する工程である。ここで、本発明者が検討例１について見出した課題を説明する。
【００４２】
前述したように、図１０に示す原料ガス供給開始（Ｓ１０２）および高周波電源電圧印加開始（Ｓ１０３）を経て、原料ガスが励起され、半導体ウエハ１０の上方にプラズマ２３が発生する（図４参照）。この際、プラズマ２３中には、原料ガス由来の正イオンと電子とが存在するが、プラズマ２３中の電子の移動速度が正イオンの速度よりも速い。そのため、単位時間当たりにプラズマ２３から半導体ウエハ１０に到着する電子の数は、正イオンの数よりも多い。そのため、半導体ウエハ１０（および絶縁膜２５）に負電荷２４が蓄積され、半導体ウエハ１０（および絶縁膜２５）の表面は負に帯電する。
【００４３】
しかし、発明者の検討によれば、図１０に示す高周波電源電圧印加停止（Ｓ１０４）によって、プラズマ２３（図５参照）が消失すると、図１１に示すように、半導体ウエハ１０の外周部（径方向端部）では蓄積されていた負電荷が消失し、代わりに正電荷２６が蓄積されることがわかった。ここで、半導体ウエハ１０の外周部（径方向端部）とは、直径３００ｍｍの半導体ウエハ１０の中心（軸中心）Ｏを基準にして、半導体ウエハ１０の径方向端部から２０ｍｍ程度内側の領域Ｘを指している。また、領域Ｘよりも径方向内側の領域を領域Ｙとして表す。なお、半導体ウエハ１０をダイシングして複数のチップに分割する工程により、半導体チップとして個片化される領域（半導体チップ取得領域）には、領域Ｙおよび領域Ｘの一部が含まれている。以下、半導体ウエハの外周部（径方向端部）は、半導体ウエハの外周部として記載を統一する。
【００４４】
半導体ウエハ１０の外周部は、ステージ１３の凹部１５の径方向端部（特に内周面）に近接しているため、半導体ウエハ１０の外周部からステージ１３の凹部１５の径方向端部に負電荷２４が移動して、電荷分布が変化することが原因の一つと考えられる。
【００４５】
ここで、図１１に示すように、プラズマ生成時に生じた原料ガス由来の酸化シリコン粒子やフッ化アルミニウム粒子等の不純物２９がチャンバ１２内に存在している。ここで、前述した半導体ウエハ１０の場合と同様に、不純物２９にはプラズマ由来の電子が蓄積され、不純物２９は負に帯電している。そのため、不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部に存在する正電荷２６に引き寄せられ、半導体ウエハ１０の外周部の表面に付着する。その結果、図１２に示すように、半導体ウエハ１０は、不純物２９が付着した状態でチャンバ１２から搬出されることになる。以上より、検討例１の半導体装置の製造方法にあっては、半導体ウエハの外周部が正に帯電することにより、半導体ウエハの外周部表面に不純物が付着してしまうという問題がある。
【００４６】
また、検討例１では別の問題も生じている。図１０に示すように、検討例１では、高周波電源電圧印加停止（Ｓ１０４）の後に、原料ガス供給停止（Ｓ１０５）を行っている。すなわち、プラズマが消失した後にも、原料ガスが供給されている。ここで、チャンバ内の不純物は、未反応の原料ガスが負に帯電したものや、原料ガスの反応途中の生成物が負に帯電したものである。そのため、プラズマが消失し、半導体ウエハの外周部が正に帯電する際に、チャンバ内には原料ガス由来の不純物が大量に存在することになる。そのため、半導体ウエハの外周部表面に不純物が付着する可能性が高まってしまう。従って、原料ガスを供給している間にプラズマを消失させることは望ましくない。
【００４７】
そこで、検討例１の課題を解決するために、検討例２の半導体装置の製造方法について検討した。以下、検討例２の半導体装置の製造方法について説明する。
【００４８】
図１３に示す検討例２の半導体装置の製造工程は、ウエハ搬入（Ｓ２０１）から高周波電源電圧印加停止（Ｓ２０６）までは、図２に示す本実施の形態の半導体装置の製造工程に含まれるウエハ搬入（Ｓ１）から高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）までと同じである。すなわち、高周波電源電圧印加開始（Ｓ２０３）を経て、原料ガスが励起され、半導体ウエハ１０の上方にプラズマ２３が発生する（図４参照）。これにより、図１１に示すように、半導体ウエハ１０上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜２５が形成される。
【００４９】
次に、図５に示す絶縁膜２５が所望の膜厚で形成された後に、原料ガスの供給を停止する（図１３の原料ガス供給停止（Ｓ２０４））。続いて、ガス供給設備（図示せず）から、図１に示すガス供給管１９を通じてチャンバ１２の内部にパージガスを供給する（図１３のパージガス供給開始（Ｓ２０５））。これにより、チャンバ１２内の未反応の原料ガスがパージガスと共に排気される。
【００５０】
次に、図１に示す高周波電源１８から電極１６に対する電圧印加を停止する（図１３の高周波電源電圧印加停止（Ｓ２０６））。これにより、プラズマ２３（図５参照）が消失する。
【００５１】
その後、パージガスの供給を停止する（図１３のパージガス供給停止（Ｓ２０７））。そして、図１２に示すように、リフトピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１０をリフトピン２２によって押し上げる（図１３のリフトピン上昇（Ｓ２０８））。そして、搬送アーム３０により、半導体ウエハ１０を図１に示すチャンバ１２から搬出する（図１３のウエハ搬出（Ｓ２０９））。
【００５２】
以上が、検討例２において、半導体ウエハ上に絶縁膜（絶縁層、層間絶縁膜）を形成する工程である。ここで、検討例２の特徴および効果、ならびに、本発明者が検討例２について見出した課題を説明する。
【００５３】
まず、検討例１では、原料ガスを供給している状態で、高周波電源電圧の印加を停止することによって、絶縁膜の成膜を停止していた。それに対して、図１３に示すように、検討例２では、原料ガス供給停止（Ｓ２０４）の後に、高周波電源電圧印加停止（Ｓ２０６）を行っている。すなわち、検討例２では、プラズマが生成された状態を維持して、半導体ウエハの外周部が正に帯電しないようにしながら、原料ガスの供給を停止して、絶縁膜の成膜を停止している。
【００５４】
ただし、単に原料ガスの供給を停止すると、図１に示す電極１６と電極１７との間にプラズマを生成するのに必要なガス量（分子数）を確保することができず、プラズマが消失してしまう。そのため、図１３に示すように、検討例２では、原料ガス供給停止（Ｓ２０４）の後であって、高周波電源電圧印加停止（Ｓ２０６）の前に、パージガス供給開始（Ｓ２０５）を行っている。すなわち、検討例２では、原料ガスの供給を停止すると共に、パージガスの供給を開始して、図１に示す電極１６と電極１７との間にプラズマを生成するのに必要なガス量（分子数）を確保している。こうすることで、プラズマが生成された状態を維持して、半導体ウエハの外周部が正に帯電しないようにしながら、チャンバ内から原料ガスを排気することができる。
【００５５】
以上より、検討例２では、原料ガスがチャンバ内からある程度排気されてから、プラズマを消失させることができる。こうすることで、検討例２では、プラズマが消失して半導体ウエハの外周部が正に帯電する際に、チャンバ内に存在する原料ガス由来の不純物の量は、検討例１よりも少ない。その結果、検討例２では、不純物が半導体ウエハの外周部に付着する可能性を低減することができる。
【００５６】
しかしながら、検討例２においても、図１３に示す高周波電源電圧印加停止（Ｓ２０６）によって、プラズマが消失すると、図１１に示すように、半導体ウエハ１０の外周部では蓄積されていた負電荷が消失し、代わりに正電荷２６が蓄積されることには変わりがない。そのため、不純物が半導体ウエハの外周部に付着することを根本的には防止することができない。従って、半導体ウエハの外周部が正に帯電しないようにすることが望まれる。
【００５７】
＜主要な特徴および効果について＞
以下、本実施の形態の主要な特徴および効果について説明する。図２に示すように、本実施の形態の主要な特徴のうちの一つは、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の後に、パージガス圧力上昇（Ｓ７）を行い、パージガスの圧力を粘性流領域にすることである。そして、パージガス圧力上昇（Ｓ７）に加えて、リフトピン上昇（Ｓ８）を行っている。
【００５８】
また、図２に示すように、本実施の形態の主要な特徴のうちの他の一つは、原料ガス供給停止（Ｓ４）の後に、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）を行っていることである。そして、原料ガス供給停止（Ｓ４）の後であって、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の前に、パージガス供給開始（Ｓ５）を行っている。
【００５９】
本実施の形態では、このような工程を採用したことにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。以下、その理由について具体的に説明する。
【００６０】
まず、上記検討例１および上記検討例２で説明したように、図２に示す高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）によって、プラズマ２３（図５参照）が消失すると、図６に示すように、半導体ウエハ１０の外周部（領域Ｘ）では蓄積されていた負電荷が消失し、代わりに正電荷２６が蓄積される。
【００６１】
ここで、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の後に、パージガス圧力上昇（Ｓ７）を行い、パージガスの圧力を粘性流領域にする。こうすることで、図７に示すように、半導体ウエハ１０の表面に接触（衝突）して、ステージ１３の外側を通って排気される分子２７ａの数が多くなる。この際、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部表面との摩擦により、半導体ウエハ１０の外周部に静電気（特に負電荷）が生じるため、半導体ウエハ１０の外周部の正電荷２６が中和されて消失しはじめる。
【００６２】
そして、パージガス圧力上昇（Ｓ７）に加えて、リフトピン上昇（Ｓ８）を行う。すなわち、図８に示すように、リフトピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１０をリフトピン２２によって押し上げる。こうすることで、半導体ウエハ１０はステージ１３から離れ、半導体ウエハ１０とステージ１３との間に空隙（空間）が生じ、半導体ウエハ１０の表面に衝突したパージガスの分子２７のうち、半導体ウエハ１０の外周部から半導体ウエハ１０の裏面に回り込む分子２７ｂが生じる。この際、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部表面との摩擦に加えて、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部側面との摩擦、および、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部裏面との摩擦が起こるようになる。これにより、リフトピン上昇（Ｓ８）後では、リフトピン上昇（Ｓ８）前に比べて、半導体ウエハ１０の外周部に静電気（特に負電荷）がさらに生じるようになる。その結果、図８に示すように、半導体ウエハ１０の外周部（領域Ｘ）では蓄積されていた正電荷２６が消失し、代わりに負電荷２８が蓄積される。
【００６３】
すなわち、図１０に示すように、半導体ウエハ１０には負電荷２４，２８が蓄積され、半導体ウエハ１０の表面には負電荷２４，２８が蓄積され、負に帯電している。そのため、チャンバ１２内に存在するプラズマ生成時に生じた不純物２９が、半導体ウエハ１０の表面に接触（衝突）した場合であっても、電荷反発により半導体ウエハ１０に付着することがない。
【００６４】
以上より、本実施の形態では、プラズマ消失後に正に帯電した半導体ウエハの外周部の電荷を減少させることにより、不純物が半導体ウエハの外周部に付着するのを防止できる。さらに、半導体ウエハの外周部を負に帯電させることにより、不純物が半導体ウエハの外周部に付着するのを確実に防止できる。その結果、半導体ウエハに付着した不純物によって絶縁膜上にフォトレジスト膜等のマスクが適切に形成されず、フォトリソグラフィ法において絶縁膜のエッチング不良が生じる等の問題を回避して、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００６５】
また、図２に示すように、本実施の形態では、原料ガス供給停止（Ｓ４）の後に、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）を行い、かつ、原料ガス供給停止（Ｓ４）の後であって、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の前に、パージガス供給開始（Ｓ５）を行っている。こうすることで、プラズマが生成された状態を維持して、半導体ウエハの外周部が正に帯電しないようにしながら、原料ガスの供給を停止して絶縁膜の成膜を停止し、かつ、チャンバ内から原料ガスを排気することができる。その結果、本実施の形態では、上記検討例２と同様に、プラズマが消失して半導体ウエハの外周部が正に帯電する際に、チャンバ内に存在する原料ガス由来の不純物の量を、上記検討例１よりも少なくして、不純物が半導体ウエハの外周部に付着する可能性を低減することができる。
【００６６】
ここで、図１４に示すシーケンス図について説明する。図１４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程を示すシーケンス図である。より具体的には、図１４は、図２の各ステップを行うタイミングを示している。
【００６７】
前述したように、高周波電源電圧印加開始（Ｓ３）から、原料ガス供給停止（Ｓ４）までは、図６に示す絶縁膜２５の成膜が行われる。ここで、絶縁膜２５を安定して成膜するためには、プラズマ２３が安定している必要があり、特に原料ガスが安定して供給されている必要がある。そのため、原料ガス供給開始（Ｓ２）の後、原料ガスの流量が安定してから、高周波電源電圧印加開始（Ｓ３）を行うことが好ましい。
【００６８】
また、絶縁膜２５の成膜を停止させるには、原料ガスの供給を停止するか、高周波電源電圧の印加を停止するかのいずれかの方法があるが、上記検討例で説明したように、高周波電源電圧の印加を停止すると、図６に示すプラズマ２３が消失する。その結果、図７に示すように、半導体ウエハ１０の外周部に正電荷２６が蓄積され、図１３に示すように不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部表面に付着する可能性が高まる。そのため、絶縁膜２５の成膜を停止するには、プラズマが生成されている状態で、原料ガスの供給を停止することが好ましい。
【００６９】
ただし、単に原料ガスの供給を停止すると、図１に示す電極１６と電極１７との間にプラズマを生成するのに必要なガス量（分子数）を確保することができず、プラズマが消失してしまう。従って、原料ガスの供給を停止すると共に、パージガスの供給を開始して、プラズマが維持されるようにすることが好ましい。すなわち、原料ガス供給停止（Ｓ４）とパージガス供給開始（Ｓ５）とは、ほぼ同時に行われることになる。なお、パージガスの圧力が高すぎると、プラズマによりイオン化されたパージガスが、半導体ウエハ１０に形成した絶縁膜２５をスパッタして、絶縁膜２５を荒らしてしまうおそれがある。そのため、パージガスの圧力は、プラズマが維持されるために必要な圧力以上である必要がある一方で、原料ガスの導入時の圧力よりも低いことが好ましい。
【００７０】
そして、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）は、原料ガス供給停止（Ｓ４）の後であって、かつ、パージガス供給開始（Ｓ５）の後に行う必要がある。こうすることで、図３に示すように、高周波電源電圧印加開始（Ｓ３）から、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）までは、原料ガスまたはパージガスがチャンバ内に供給されているため、プラズマが生成された状態が維持される。
【００７１】
また、パージガス圧力上昇（Ｓ７）およびリフトピン上昇（Ｓ８）は、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）よりも後に行う必要がある。まず、パージガス圧力上昇（Ｓ７）を高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）よりも前に行うと、前述したように、プラズマによりイオン化されたパージガスが半導体ウエハに形成した絶縁膜を荒らしてしまうおそれがある。また、リフトピン上昇（Ｓ８）を高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）よりも前に行うと、生成しているプラズマの中に半導体ウエハを押し入れることになり、半導体ウエハの表面および裏面にプラズマが影響を及ぼすおそれがある。特に、リフトピン上昇（Ｓ８）を原料ガス供給停止（Ｓ４）よりも前に行ってしまうと、半導体ウエハの裏面に絶縁膜が形成されてしまうおそれがある。
【００７２】
なお、パージガス圧力上昇（Ｓ７）およびリフトピン上昇（Ｓ８）は、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の直後に行うことが好ましい。これは、前述したように、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）によって、図６に示すプラズマ２３が消失すると、図７に示すように、半導体ウエハ１０の外周部に正電荷２６が蓄積され、図１３に示すように不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部表面に付着する可能性が高まる。そのため、プラズマ２３の消失後、できるだけ速やかに粘性流領域のパージガスを半導体ウエハ１０の外周部に当てることによって、半導体ウエハ１０の表面外周部に正電荷２６が存在する時間を短くして、不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部表面に付着する可能性を低減することが好ましい。
【００７３】
また、負電荷を帯びた不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部表面に付着する可能性を低減するためには、半導体ウエハ１０の外周部に静電気（特に負電荷）を多数生じさせる必要がある。このためには、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部との接触面積（摩擦が生じる面積）を大きくする必要がある。この観点において、リフトピン２２を上昇させずにパージガスの圧力を上昇した場合には、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部表面との摩擦のみが生じる。それに対して、リフトピン２２を上昇させてパージガスの圧力を上昇した場合には、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部表面との摩擦に加えて、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部側面との摩擦、および、パージガスの分子２７ｂと半導体ウエハ１０の外周部裏面との摩擦も生じる。そのため、リフトピン上昇（Ｓ８）を行うことなく、パージガス圧力上昇（Ｓ７）を行っても半導体ウエハ１０の外周部に静電気（負電荷）を生じさせることはできるが、負電荷を帯びた不純物２９が半導体ウエハ１０の外周部表面に付着する可能性を低減するためには、パージガス圧力上昇（Ｓ７）およびリフトピン上昇（Ｓ８）の両方を行うことが好ましい。
【００７４】
なお、パージガス圧力上昇（Ｓ７）とリフトピン上昇（Ｓ８）との順序は逆であってもよい。ただし、リフトピン上昇（Ｓ８）により、図９に示すように半導体ウエハ１０がステージ１３と離間した状態になる。このため、この状態でパージガスの圧力を上昇させると、半導体ウエハ１０の位置ずれが生じる可能性がある。半導体ウエハ１０の位置ずれが生じると、半導体ウエハ１０を適切に搬出できなくなるおそれがある。従って、パージガス圧力上昇（Ｓ７）の後に、リフトピン上昇（Ｓ８）を行うことが好ましい。
【００７５】
また、本実施の形態では、パージガスの圧力を上昇させ、パージガスの圧力を粘性流領域にする場合を例に説明したが、粘性流領域のガスは、パージガスと異なる気体（第１ガス）を用いても良い。すなわち、図２のパージガス圧力上昇（Ｓ７）の代わりに、パージガスの供給を停止し、パージガスと異なる気体を粘性流領域の圧力でチャンバ内に導入し、パージガス供給停止（Ｓ９）の代わりに、この気体の供給を停止してもよい。ただし、本実施の形態のようにパージガスを粘性流として用いる場合には、パージガスの供給を停止し、パージガスをチャンバ内に新たに導入する必要はなく、パージガスの圧力を高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の後にそのまま上昇させればよい。そのため、工程の簡略化および操作の容易化が図れるという観点から、パージガスを粘性流として用いた方が、パージガスと異なる気体を粘性流として用いる場合に比べて、有利である。
【００７６】
＜半導体ウエハの電荷分布および不純物付着結果＞
ここで、上記検討例２および本実施の形態において、ＣＶＤ装置から搬出した後の半導体ウエハの電荷分布および不純物付着結果について説明する。図１５は、検討例２の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出（Ｓ２０９）の後の半導体ウエハの電荷分布を示す模式図である。図１６は、本実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出（Ｓ１０）の後の半導体ウエハの電荷分布を示す模式図である。図１７は、検討例２の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出（Ｓ２０９）の後の半導体ウエハに付着している不純物を示す模式図である。図１８は、本実施の形態の半導体装置の製造方法において、ウエハ搬出（Ｓ１０）の後の半導体ウエハに付着している不純物を示す模式図である。
【００７７】
まず、半導体ウエハの電荷分布について説明する。図１５に示すように、検討例２において、半導体ウエハ１０の径方向中央部３１（図１２の領域Ｙに相当）は、負（−０．５〜０Ｖ程度）に帯電している。また、半導体ウエハの径方向中央部３１には、局所的に大きく負（−０．５以下）に帯電している箇所がある。一方、半導体ウエハの外周部３２（図１２の領域Ｘに相当）は、基板端から１０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲で、正（０．５Ｖ以上）に帯電していることがわかる。これらの結果は、図１１で説明した検討例２の半導体ウエハ１０の電荷分布に矛盾しない。
【００７８】
図１６に示すように、本実施の形態において、半導体ウエハ１０の径方向中央部３１（図９の領域Ｙに相当）は、負（−０．５〜０Ｖ程度）に帯電しており、これは上記検討例２と同様である。また、半導体ウエハの径方向中央部３１には、局所的に大きく負（−０．５Ｖ以下）に帯電している箇所があるが、これは上記検討例２に比べて少なくなっている。そして、半導体ウエハの外周部３２（図９の領域Ｘに相当）は、基板端から１０ｍｍ〜４０ｍｍの範囲で、正に帯電している領域が少なくなり、その値も０〜０．５Ｖ程度と小さくなっていることがわかる。特に半導体ウエハの外周部３２の一部は、負（−０．５〜０Ｖ程度）に帯電しており、これは上記検討例２と異なる結果になっている。これらの結果は、図９で説明した本実施の形態の半導体ウエハ１０の電荷分布に矛盾しない。
【００７９】
次に、半導体ウエハの不純物付着結果について説明する。図１７および図１８に示す不純物付着結果は、半導体ウエハをダイシングする直前の検査によって得られたものである。そのため、図１７および図１８に示すように、半導体ウエハ１０には不純物３３が付着しているが、不純物３３の付着位置は、半導体ウエハ１０の位置に依存していない。そのため、不純物３３は、半導体ウエハをＣＶＤ装置から搬出した後に付着したものであると考えられる。
【００８０】
一方で、図１７に示すように、検討例２において、半導体ウエハ１０の外周部３２（図１２の領域Ｘに相当）には不純物２９が付着している。一方、図１８に示すように、本実施の形態において、半導体ウエハ１０の外周部３２（図９の領域Ｘに相当）には、図１７に示す不純物２９は付着していない。そのため、図１７に示す不純物２９は、検討例２のＣＶＤ装置のチャンバ内において負に帯電していた不純物であり、半導体ウエハの外周部に蓄積された正電荷に引き寄せられて、半導体ウエハの外周部に吸着したものと考えられる。逆に、図１８に示すように、本実施の形態では、半導体ウエハの外周部の正電荷が減少していることから、負に帯電している不純物が半導体ウエハに吸着しにくくなったものと考えられる。特に、半導体ウエハの外周部の一部には負電荷が蓄積されているため、負に帯電している不純物は、半導体ウエハと反発して吸着しなかったものと考えられる。
【００８１】
以上より、本実施の形態では、高周波電源電圧印加停止（Ｓ６）の後に、パージガス圧力上昇（Ｓ７）およびリフトピン上昇（Ｓ８）を行うことで、半導体ウエハの外周部に蓄積されていた正電荷が減少し、さらに負電荷が蓄積されることが、実験的に確認できた。それに伴い、不純物が半導体ウエハの外周部に付着するのを防止できることが実験的に示された。
【００８２】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００８３】
１０  半導体ウエハ
１１  ＣＶＤ装置
１２  チャンバ
１３  ステージ
１４  排気部
１５  凹部
１６  電極（放電電極）
１７  電極（接地電極）
１８  高周波電源
１９  ガス供給管
２０  シャワープレート
２１  ガス導入孔
２２  リフトピン（ピン部材）
２３  プラズマ
２４  負電荷
２５  絶縁膜
２６  正電荷
２７，２７ａ，２７ｂ  パージガスの分子
２８  負電荷
２９  不純物
３０  搬送アーム
３１  径方向中央部
３２  外周部
３３  不純物
【図１】
2019204910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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