(57)【要約】【課題】汚染の影響が少なく、小型化に適用可能な配線板を提供する。【解決手段】本発明の配線板は、プラスチック基板と、その基板上のグランド線、信号線及び端子と、グランド線、信号線及び端子上の第一の接着剤を含む第一の絶縁層と、第一の絶縁層上のプラスチック材料を含む第二の絶縁層と、第二の絶縁層上のシールド金属層と、シールド金属層上の熱可塑性樹脂又は接着剤を含む第三の絶縁層と、第三の絶縁層上の保護フィルムとして機能する第四の絶縁層とを有し、第一の絶縁層と、第二の絶縁層と、シールド金属層と、第三の絶縁層と、第四の絶縁層とに端子上に表面処理をするための第一の開口部が設けられ、第一の絶縁層と、第二の絶縁層と、シールド金属層と、第三の絶縁層と、第四の絶縁層とに第二の開口部が設けられ、第二の開口部中の接続配線を介して、シールド金属層とグランド線とが接続していることを特徴とする。【選択図】図３
2019204934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板と、
前記プラスチック基板上のグランド線、信号線及び端子と、
前記グランド線、前記信号線及び前記端子上の第一の接着剤を含む第一の絶縁層と、
前記第一の絶縁層上のプラスチック材料を含む第二の絶縁層と、
前記第二の絶縁層上のシールド金属層と、
前記シールド金属層上の熱可塑性樹脂又は接着剤を含む第三の絶縁層と、
前記第三の絶縁層上の保護フィルムとして機能する第四の絶縁層と、
を有し、
前記第一の絶縁層と、前記第二の絶縁層と、前記シールド金属層と、前記第三の絶縁層と、前記第四の絶縁層とに端子上に表面処理をするための第一の開口部が設けられ、
前記第一の絶縁層と、前記第二の絶縁層と、前記シールド金属層と、前記第三の絶縁層と、前記第四の絶縁層とに第二の開口部が設けられ、
前記第二の開口部中の接続配線を介して、前記シールド金属層と前記グランド線とが接続していることを特徴とする配線板。
【請求項２】
前記シールド金属層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏのグループから選ばれた材料からなることを特徴とする請求項１のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項３】
前記第一の開口部内の前記第三の絶縁層の延伸部が、前記シールド金属層の端面を覆っていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線板。
【請求項４】
前記第二の絶縁層上に、前記シールド金属層の端面と前記第三の絶縁層の端面と前記第四の絶縁層の端面とが設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記接続配線は、前記第一の絶縁層、前記第二の絶縁層、前記シールド金属層、前記第三の絶縁層及び前記第四の絶縁層の端部に沿って、前記グランド線上の第二の開口部内にあり、かつ、上面部分が曲率半径を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記接続配線の一部は、前記シールド金属層の上端部上にあり、かつ、前記上端部と接することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
接続配線は、前記グランド線上にあり、かつ、前記グランド線と前記シールド金属層とが接続していることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記プラスチック基板又はプラスチック材料は、ポリイミドを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
前記接続配線は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、又はＣｕを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項１０】
前記接続配線は、さらに、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項９に記載の配線板。
【請求項１１】
第一の開口部を有する接着剤を有する第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層上の第二の絶縁層と、前記第二の絶縁層上のシールド金属層と、前記
シールド金属層上の第三の絶縁層と、前記第三の絶縁層上の第四の絶縁層からなる二元機能カバーフィルム材と、プラスチック基板に設けられたグランド線及び信号線を貼り合わせるステップと、
前記グランド線と重なるように、前記二元機能カバーフィルム基材に対して、レーザー加工を行い、第二の開口部を形成するステップと、
前記第二の開口部内に、前記グランド線と、前記シールド金属層とが接続するように、接続配線を形成するステップと、
を有する配線板の作製方法。
【請求項１２】
レーザー加工により、前記端子上の前記第四の絶縁層の端部と、前記第三の絶縁層の端部と、前記シールド金属層の端部が除去されるステップを、
さらに、有することを特徴とする請求項１１に記載の配線板の作製方法。
【請求項１３】
前記貼り合わせるステップ後、前記レーザー加工前に、前記端子の露出した面の表面処理としてめっきを行うステップを有することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の配線板の作製方法。
【請求項１４】
前記めっきを行うステップは、無電解Ｎｉ−Ａｕ、無電解Ｐｄ−Ａｕ、無電解Ａｕ、無電解Ｓｎ、無電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｎｉ−Ａｕ、電解Ａｕ又は無電解Ｐｄめっき法によりめっきを行うことを特徴とする請求項１３に記載の配線板の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ以下、ＦＰＣ）などの積層板及びその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、大規模集積回路ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）などを実装するプリント回路の基板として銅張積層絶縁基板が幅広く使用されている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
銅張積層絶縁基板はフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｕｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、以下、ＦＣＣＬ）とも呼ばれ、ＦＰＣの作製には、主要部材においてＦＣＣＬが用いられている。
【０００４】
スマートフォンに代表される携帯情報端末などの小型化、高性能化に伴い、ＦＰＣの軽薄短小化、ファインパターン回路形成、低コスト化が強く望まれている。
（非特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−０５１７６６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】ＪＣＵテクニカルレポート ９７号 (２０１５年１月) 高徳 誠、福本ユリナ、中丸弥一郎
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＦＰＣに用いられる配線板２００の一例を、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図１（ａ）は、従来の配線板を示す断面図である。図１（ｂ）は、従来の配線板を示す上面図である。図１（ｃ）は、従来の配線板を示す断面概略図である。なお、図１（ｂ）のI−I’、II−II’、及びIII−III’における断面は、図１（ａ）のI−I’、II−II’、及びIII−III’に対応する。
【０００８】
配線板２００は、ベース基板として、ポリイミドを含むプラスチック基板２０１と、プラスチック基板２０１上のグランド線(Ｇ)２０２ａ、信号線(Ｓ)２０２ｂ、及び端子２０２ｃと、グランド線２０２ａ、信号線２０２ｂ、及び端子２０２ｃ上の接着剤を含む第一の絶縁層２０３と、ブラックポリイミド材料を含む第二の絶縁層２０４と、第二の絶縁層２０４上の導電性接着層２０５と、導電性接着層２０５上のシールド金属層２０６と、シールド金属層２０６上の保護フィルムとして機能する第三の絶縁層２０７とを有し、第一の絶縁層２０３及び第二の絶縁層２０４に第二の開口部を有し、第二の開口部を介して、グランド線２０２ａと導電性接着層２０５とが接している。また、端子２０２ｃ上にも第一の開口部２０８が形成されている。
【０００９】
なお、第一の絶縁層２０３と第二の絶縁層２０４との積層体が、図１（ｂ）及び（c）に示すカバーフィルム２１０に対応する。また、シールド金属層２０６と保護フィルムとして機能する第三の絶縁層２０７との積層体が、図1（ｂ）及び（ｃ）に示すシールドフィルム２１１に対応する。
【００１０】
なお、グランド線２０２ａ及び信号線２０２ｂは、Ｃｕ（銅）から形成されている。また、シールド金属層は、Ａｇ（銀）又はＣｕ（銅）を含み、その膜厚は、０．１〜５μｍ程度である。
【００１１】
導電性接着層２０５は、エポキシ樹脂やカーボン樹脂を含んでいる。一般に、導電性接着層２０５の通電能力は低いため、また、断線防止のため、このような配線板２００では、ステップカバレッジ（段差被覆性）を十分に確保する必要がある。このため、大きな開口部を形成し、導電性接着層２０５とグランド線２０２ａとの接触面積を大きくすることが必要であった。
【００１２】
次に、図１の配線板２００の作製工程を、図２を用いて説明する。
【００１３】
まず、プラスチック基板２０１上に、銅（Ｃｕ）を形成し、ＦＣＣＬを形成する。このＦＣＣＬは、ＦＰＣ基材とも言う。（Ｓ１１：ＦＰＣ基材（ＦＣＣＬ）の形成）次いで、フォトマスクを必要としないレーザーを用いたダイレクトイメージング（直接露光）を行う。（Ｓ１２：イメージング）次いで、銅（Ｃｕ）箔のパターンエッチングを行い、グランド線２０２ａ及び信号線２０２ｂが設けられたプラスチック基板２０１を得る。（Ｓ１３：パターンエッチング）
【００１４】
上記処理と別に、または、並行して、接着剤を含む第一の絶縁層２０３と第二の絶縁層２０４とからなるカバーフィルム（基材）２１０を形成する。（Ｓ２１：ＣＦ（カバーフィルム）基材の形成）次いで、機械的にパンチングにより、カバーフィルムに開口部を形成する。（Ｓ２２：カバーフィルム基材の開口）
【００１５】
グランド線２０２ａ、信号線２０２ｂ、及び端子２０２ｃが設けられたプラスチック基板２０１上に、接着剤を含む第一の絶縁層と第二の絶縁層とからなり、開口部を有するカバーフィルム（基材）２１０を貼り合わせる。グランド線２０２ａ、信号線２０２ｂ、及び端子２０２ｃと、接着剤を含む第一の絶縁層２０３とが対向するように、カバーフィルム２１０とベース基板とを貼り合わせ、第一の絶縁層２０３を硬化させる。（Ｓ１４：貼り合わせ）
【００１６】
貼り合わせ後、例えばメック（株）製ＣＺ８１００を使用して前処理を行う。（Ｓ１５：前処理）
【００１７】
次いで、露出したグランド線の面、及び端子部において表面処理を行う。（Ｓ１６：表面処理）
【００１８】
上記処理と別に、または、並行して、シールドフィルム２１１を形成する。シールド金属層２０６上に、第三の絶縁層２０７を形成し、シールドフィルム２１１の形成を行う。（Ｓ３１：ＥＭＩ-シールドフィルムの形成）なお、ＥＭＩは、Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ（電磁干渉遮蔽）の略である。次いで、シールドフィルム２１１のパンチングを行い、凸部を有するシールド金属層２０６及び第三の絶縁層２０７を得る。その際、端子と重なる部分に開口部を形成する。（Ｓ３２：ＥＭＩ-シールドフィルムの開口）
【００１９】
導電性接着層２０５を用いて、ＥＭＩ-シールドフィルムの開口部とシールド金属層２０６の凸部が重なるように、カバーフィルム２１０とシールドフィルム２１１との貼り合わせを行う。導電性接着層２０５は、カバーフィルム２１０側にあらかじめ設けていてもよいし、シールドフィルム２１１側にあらかじめ設けていてもよい。（Ｓ１７：貼り合わせ）次いで、貼り合わせ後の配線板の外形加工を行う。（Ｓ１８：外形加工）
【００２０】
図２の工程では、カバーフィルムとシールドフィルムとを貼り合わせるため、工程数が多いという課題を有していた。そのため、歩留まりの低下を招いていた。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、汚染の影響が少なく、小型化に適用可能な配線板を提供することにある。また、本発明の他の目的は、工程を簡略化し、汚染の影響を低減し、歩留まりを向上させることのできる配線板の作製方法を提供することにある。
【００２２】
このような目的を達成するため、本発明の配線板の一様態は、プラスチック基板と、前記プラスチック基板上のグランド線、信号線及び端子と、前記グランド線、前記信号線及び前記端子上の第一の接着剤を含む第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層上のプラスチック材料を含む第二の絶縁層と、前記第二の絶縁層上のシールド金属層と、前記シールド金属層上の熱可塑性樹脂又は第二の接着剤を含む第三の絶縁層と、前記第三の絶縁層上の保護フィルムとして機能する第四の絶縁層と、を有し、端子上の前記第一の絶縁層と、前記第二の絶縁層と、前記シールド金属層と、前記第三の絶縁層と、前記第四の絶縁層とに第一の開口部が設けられ、グランド線上の前記第一の絶縁層と、前記第二の絶縁層と、前記シールド金属層と、前記第三の絶縁層と、前記第四の絶縁層とに第二の開口部が設けられ、前記第二の開口部中の接続配線を介して、前記シールド金属層と前記グランド線とが接続していることを特徴とする。
【００２３】
前記シールド金属層は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏのグループから選ばれた材料からなることを特徴とする。
【００２４】
前記第一の開口部内では、前記第三の絶縁層の延伸部が、前記シールド金属層の端面を覆っていることを特徴とする。
【００２５】
前記第一の開口部内では、前記第二の絶縁層上に、前記シールド金属層の端面と、前記第三の絶縁層の端面と前記第四の絶縁層の端面とが設けられていることを特徴とする。
【００２６】
前記接続配線は、前記第一の絶縁層、前記第二の絶縁層及び前記シールド金属層、前記第三の絶縁層及び前記第四の絶縁層の端部に沿って、前記グランド線上の第二の開口部内にあり、かつ、上面部分が曲率半径を有すること特徴とする。
【００２７】
前記接続配線の一部は、前記シールド金属層の上端部上にあり、かつ、前記上端部と接することを特徴とする。
【００２８】
前記接続配線は、前記グランド線上にあり、かつ、前記グランド線と前記シールド金属層とに接続していることを特徴とする。
【００２９】
前記プラスチック基板又は前記プラスチック材料は、ポリイミドを含むことを特徴とする。
【００３０】
前記接続配線は、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、又はＣｕを含むことを特徴とする。さらに、前記接続配線は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種類を含むことが好ましい。
【００３１】
また、本発明の配線板の作製方法の一様態は、第一の開口部が設けられた、接着剤を有する第一の絶縁層と、前記第一の絶縁層上の第二の絶縁層と、前記第二の絶縁層上のシールド金属層と、前記シールド金属層上の第三の絶縁層と、前記第三の絶縁層上の第四の絶縁層とを有する二元機能カバーフィルム基材と、プラスチック基板に設けられたグランド線及び信号線とを貼り合わせるステップと、前記グランド線と重なるように、前記二元機能カバーフィルム基材に対して、レーザー加工を行い、前記第二の開口部を形成するステップと、前記第二の開口部内に、前記グランド線と、前記シールド金属層とが接続するように、接続配線を形成するステップと、を有する配線板の作製方法。
【００３２】
レーザー加工により、前記端子上の前記第四の絶縁層の端部と、前記第三の絶縁層の端部と、前記シールド金属層の端部が除去されるステップと、を有することを特徴とする。
【００３３】
前記端子の露出した面に表面処理としてめっきを行うステップ、を有することを特徴とする。
【００３４】
表面処理としてめっきを行うステップは、無電解Ｎｉ−Ａｕ、無電解Ｐｄ−Ａｕ、無電解Ａｕ、無電解Ｓｎ、無電解Ｐｄ、無電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｐｄ−Ａｕ、電解Ａｕ又は電解Ｎｉ−Ａｕめっき法によりめっきを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明では、シールド機能を有するポリイミドのカバーフィルムを作製するため、工程数の短縮が可能となり、その結果、歩留まりが向上する。
【００３６】
また、本発明では、グランド線とシールド金属層との接合の際に金属ペースト化を用いることにより、通電能力が桁違いに向上するため、接続配線の小径化が可能となる。その結果、製品の小型化の技術に対して、優位性を保つことができる。
【００３７】
さらに本発明では、信号線とグランド線との近接化が可能であり、シールド能力を向上させることができる。
【００３８】
なお、保護フィルムの機能を有する前記第四の絶縁層と前記シールド金属層との間に、熱可塑性樹脂の代わりに、低誘電タイプの接着剤で配線板を製作することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）従来の配線板を示す断面図である。（ｂ）従来の配線板を示す上面図である。（ｃ）従来の配線板を示す断面概略図である。
【図２】図１の配線板を作製するフローチャートである。
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１にかかる配線板を示す断面図である。（ｂ）本発明の実施の形態１にかかる配線板を示す上面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる配線板を作成するフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態２にかかる配線板を示す断面図である。
【図６】（ａ）本発明の実施形態にかかる開口部内の接続配線付近を示す断面図である。（ｂ）本発明の実施形態にかかる開口部内の接続配線付近を示す断面図である。（ｃ）本発明の実施形態にかかる開口部内の接続配線付近を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、本発明の配線板及びその作製方法の形態について、図を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施形態に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同様の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００４１】
（実施の形態１）
ＦＰＣに用いられる本実施の形態の配線板４００の一例を、図３を用いて説明する。図３（ａ）は、本実施の形態１にかかる配線板を示す断面図である。図３（ｂ）本実施の形態１にかかる配線板を示す上面図である。なお、図３（ｂ）のI−I’、II−II’における断面は、図３（a）のI−I’、II−II’に対応する。
【００４２】
配線板４００は、ポリイミド材料からなるプラスチック基板４０１と、プラスチック基板４０１上のグランド線４０２ａ、信号線４０２ｂ及び端子４０２ｃと、
グランド線４０２ａ、信号線４０２ｂ及び端子４０２ｃ上の第一の絶縁層４０３と、第一の絶縁層４０３上の第二の絶縁層４０４と、第二の絶縁層４０４上のシールド金属層４０５と、シールド金属層４０５上の第三の絶縁層４０６と、第三の絶縁層４０６上の保護フィルムとして機能する第四の絶縁層４０７とを有し、第一の絶縁層４０３と、第二の絶縁層４０４と、シールド金属層４０５と、第三の絶縁層４０６と、第四の絶縁層４０７とに第二の開口部４０９を有し、第二の開口部４０９中の接続配線４０８を介して、シールド金属層４０５とグランド線４０２ａとが接している。なお、端子４０２ｃ上にも、第一の開口部４１１が形成されている。
【００４３】
なお、グランド線４０２ａ、信号線４０２ｂ及び端子４０２ｃは、Ｃｕ（銅）を含む。
【００４４】
第一の絶縁層４０３は、接着剤を含む。
【００４５】
第二の絶縁層４０４は、プラスチック材料を含む。本実施の形態では、第二の絶縁層としてポリイミドを用いる。
【００４６】
第三の絶縁層４０６の熱可塑性樹脂の材料として、ＰＥ（ポリエチレン) 樹脂、ＰＰ（ポリプロピレン）樹脂、ＰＯＵ（ポリウレタン）樹脂、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ＰＣ（ポリカーボネート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ＡＢＳ（アクリロ二トリル、ブタジエン、スチレン）樹脂を用いる。
【００４７】
第四の絶縁層４０７の耐熱性フィルムの材料として、ＰＥＮ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）樹脂、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）樹脂、ＴＰＸ（ポリメチルペンテン）樹脂、ＰＩ（ポリイミド）樹脂、ＰＡＩ（ポリイミドアミド）樹脂、ＰＡ（ポリアミド系）樹脂、ｍ−ＰＰＥ（変性ポリフェニレンエーテル）樹脂、ＰＥＳ（ポリエーテルサルファン）樹脂、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）樹脂、ＰＳＵ（ポリスルホン）樹脂、高周波特性が高いＰＳ（ポリスチレン）樹脂を用いる。
【００４８】
また、図４に、本実施の形態の配線板を作成するフローチャートを示し、その作製工程を以下に示す。
【００４９】
まず、プラスチック基板４０１を準備する。本実施の形態では、プラスチック基板４０１の材料として、ポリイミドを用いる。また、ポリイミド材料は、東レ・デュポン社製のカプトン（登録商標）を用いることができる。プラスチック基板２０１上に、金属、例えば、銅（Ｃｕ）を形成し、銅箔ＦＣＣＬを形成する。この銅箔ＦＣＣＬは、ＦＰＣ基材とも言う。（Ｓ４１：ＦＰＣ基材（ＦＣＣＬ）の形成）次いで、フォトマスクを必要としないレーザーを用いたダイレクトイメージング（直接露光）を行う。（Ｓ４２：イメージング）次いで、銅（Ｃｕ）箔のパターンエッチングを行い、グランド線４０２ａ及び信号線４０２ｂ及び端子４０２ｃが設けられたプラスチック基板４０１を得る。プラスチック基板４０１上に、グランド線４０２ａ、信号線４０２ｂ及び端子４０２ｃが設けられて、これらがベース基板を構成する。（Ｓ４３：パターンエッチング）
【００５０】
上記処理と別に、第一の絶縁層４０３上の第二の絶縁層４０４と、第二の絶縁層４０４上のシールド金属層４０５と、シールド金属層４０５上の第三の絶縁層４０６と、第三の絶縁層４０６上の保護フィルムとして機能する第四の絶縁層４０７を有する、ＤＦＣＦ（ｄｕａｌ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｃｏｖｅｒ ｆｉｌｍ）基材４１０言い換えると、二元機能カバーフィルム基材を準備する。（Ｓ５１：ＤＦＣＦ基材の準備）なお、ＤＦＣＦ基材は、例えば、１００μｍ以上の厚さを有する離型紙上に形成されており、第一の絶縁層４０３として、例えば、２０μｍの厚さを有する接着剤、第二の絶縁層４０４として、例えば、１２μｍの厚さを有するポリイミド、第三の絶縁層４０５として、例えば、５μｍ以上の厚さを有する接着剤、及び第三の絶縁層４０５として、例えば、５μｍ以上の厚さを有するポリイミドを用いることができる。
【００５１】
なお、端子上に表面処理をするために、ＤＦＣＦ基材に、機械的なパンチングで、第一の開口部を形成する。（Ｓ５２：ＤＦＣＦ基材の開口）ここで、シールド金属層４０５は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、又はＡｌを用いて、スパッタ法やインク塗布法で形成される。シールド金属層４０５のシールド効果の向上と通電性の確保のために、シールド金属層４０５の膜厚を０．１〜３．０μｍとすることが好ましく、さらに好ましくは膜厚を０．３〜２．０μｍとすることがよい。
【００５２】
ＤＦＣＦ基材の上方から見た第一の開口部の形状は、概略矩形であってもよいし、曲率半径を有する形状、例えば、円形状であってもよい。
【００５３】
離型紙をＤＦＣＦ基材４１０から剥離した後、第一の開口部が設けられたＤＦＣＦ基材４１０とベース基板とを貼り合わせる。（Ｓ４４：貼り合わせ）
【００５４】
貼り合わせ後、例えば、メック（株）製ＣＺ８１００を使用して前処理を行う。（Ｓ４５：前処理）
【００５５】
次いで、ＤＦＣＦ基材４１０の第一の開口部に露出した、端子４０２ｃの表面処理を行う。本実施の形態では、無電解Ｎｉ−Ａｕめっき法を用いる。（Ｓ４６：表面処理）
【００５６】
次いで、レーザー加工により、第一の絶縁層４０３、第二の絶縁層４０４、シールド金属層４０５、第三の絶縁層４０６及び第四の絶縁層４０７内に第二の開口部４０９を形成する。（Ｓ４７：レーザー加工）
【００５７】
次いで、グランド線４０２ａの上第二の開口部４０９内に、導通ペーストを利用し、接続配線４０８を形成する。（Ｓ４８：導通ペースト充填）
【００５８】
なお、ポリイミドフィルムからなる第二の絶縁層４０４上にシールド金属層４０５を設けているため、グランド線とシールド金属層の導通性をレーザーによる開口部形成（後穴加工）及び金属ペースト充填をすることで、導通性を確保できる。
【００５９】
次いで、接続配線４０８の形成後の配線板の外形加工を行う。（Ｓ４９：外形加工）
【００６０】
上述の工程により、本実施の形態の配線板を完成させることができる。
【００６１】
本実施の形態では、無電解Ｎｉ−Ａｕを用いてめっきを行ったが、無電解めっき法、電解めっき法のいずれの方法を用いてもよく、例えば、無電解Ｐｄ−Ａｕ、無電解Ａｕ、無電解Ｓｎ、無電解Ｐｄ、無電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｎｉ−Ｐｄ−Ａｕ、電解Ｐｄ−Ａｕ、電解Ａｕ又は電解Ｎｉ−Ａｕめっき法によりめっきを行ってもよい。
【００６２】
本実施の形態では、接続配線の材料として銀（Ａｇ）を用いたが、接続配線の導通性ペーストは銀を主成分とするものであるが、その代わりに、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、又は銅（Ｃｕ）を主成分とするものであっても良い。その主成分の他に、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種類を含むことが好ましい。
【００６３】
本実施の形態では、シールド機能付きポリイミド（Ｐｉ）を含むＤＦＣＦ基材４１０の作製を採用したため、工程短縮が可能となる。
【００６４】
また、金属ペースト化での通電能力は、導電性接着層と比較して桁違いのため、接続配線の小径化に適用しやすい。よって、製品の小型化の技術に対して、優位性を保つことができる。
【００６５】
また、信号線４０２ｂとグランド線４０２ａとの近接化が可能であり、シールド能力の向上になる。
【００６６】
さらに、第三の絶縁層４０６に熱可塑性樹脂を用いたが、熱可塑性樹脂のかわりに、低誘電タイプの接着剤で配線板を製作することも可能である。
【００６７】
なお、第三の絶縁層４０６に熱可塑性樹脂の代わりに、接着剤を用い、シールド金属層に耐薬品性に優れたＮｉ又はＣｏを使用すれば、シールド金属層が汚染されにくくなる。
【００６８】
図３の端子の上方のように、ＤＦＣＦ基材４１０の貼り合わせ時に、保護フィルムの機能を有する第四の絶縁層４０７下の熱可塑性樹脂からなる第三の絶縁層４０６が端部において延伸（はみ出し）させて、シールド金属層４０５の端面を覆っている。この場合、はみ出した（延伸部の）熱可塑性樹脂の耐薬品性でシールド金属層を保護することができる。
【００６９】
また、第一の絶縁層４０３は、接着剤から形成されているので、ＤＦＣＦ基材４１０の端面からその端部ははみ出していてもよい。
【００７０】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１の工程に、さらに、レーザー加工の工程を加え、図５の配線板７００を形成する方法を記載する。この方法は、汚染されたシールド金属層の端部を、レーザー加工で蒸発させて除去する方法である。
【００７１】
まず、実施の形態１で開示した配線板４００と同じ形成方法を用い、グランド線７０２ａ、信号線７０２ｂ及び端子７０２ｃが設けられたプラスチック基板７０１上に、第一の絶縁層７０３、第二の絶縁層７０４と、シールド金属層７０５と、第三の絶縁層７０６と、第四の絶縁層７０７の積層体を設け、その積層体に開口部７０９を形成し、開口部７０９内に接続配線７０８を形成する。
【００７２】
次いで、レーザー加工で、保護フィルムの端部と、熱可塑性樹脂からなる絶縁層の端部と、シールド金属層の端部を除去し、第二の絶縁層７０４上に、シールド金属層７０５の端面と第三の絶縁層７０６の端面と保護フィルムとして機能する第四の絶縁層７０７の端面７１１とを形成する。なお、端子７０２ｃ上にも開口部が形成されている。
【００７３】
本実施の形態により、汚染されたシールド金属層の端部を除去することができる。
【００７４】
（実施の形態３）
実施の形態１〜２における接続配線の構造の例を図６（ａ）〜（ｃ）を用いて述べる。
【００７５】
レーザー加工（ウィンドウ加工）により、グランド線（Ｇ）とシールド金属層とが導通できるように、例えば、銀（Ａｇ）を用いて接続配線を形成する。
【００７６】
図６（ａ）に示す構造の例では、配線板６００のように、第一の絶縁層６０３、第二の絶縁層６０４、シールド金属層６０５、熱可塑性樹脂からなる第三の絶縁層６０６及び保護フィルムからなる第四の絶縁層６０７の端部に沿って、グランド線６０２a上の開口部６０９内に、上面部分が曲率半径を有する接続配線６０８を形成する。
【００７７】
図６（ｂ）に示す構造の例では、配線板６１０のように、熱可塑性樹脂からなる第三の絶縁層６１６及び保護フィルムからなる第四の絶縁層６１７に形成される開口部６１９の上部の幅が、第一の絶縁層６１３、第二の絶縁層６１４及びシールド金属層６１５に形成されるグランド線６１２a上の開口部６１９の下部の幅よりも広くなるため、開口部６１９の上部に、はみ出た部分（延伸した部分）とシールド金属層６１５の上端部とが接するように接続配線６１８が形成される。
【００７８】
図６（ｃ）に示す構造の配線板６２０のように、グランド線６２２a上に、かつ、第一の絶縁層６２３、第二の絶縁層６２４、シールド金属層６２５、熱可塑性樹脂からなる第三の絶縁層６２６、及び保護フィルムとして機能する第四の絶縁層６２７の端面に沿って、金属をペーストすると、グランド線６２２aとシールド金属層６２５とに接続する接続配線６２８が形成される。
【００７９】
接続配線６０８、６１８、及び６２８の断面形状は一部の例にすぎず、この形状に限定されないことは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ＦＰＣなどに適用する配線板及びその作製方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
２００、４００、６００、６１０、６２０、７００  配線板
２０１、４０１、７０１  プラスチック基板
２０２ａ、４０２ａ、６０２ａ、６１２ａ、６２２ａ、７０２ａ  グランド線
２０２ｂ、４０２ｂ、７０２ｂ  信号線
２０２ｃ、４０２ｃ、７０２ｃ  端子
２０３、４０３、７０３、６０３、６１３、６２３  第一の絶縁層
２０４、４０４、７０４、６０４、６１４、６２４  第二の絶縁層
２０５  導電性接着層
２０６、４０５、７０５、６０５、６１５、６２５  シールド金属層
２０７、４０６、７０６、６０６、６１６、６２６  第三の絶縁層
４０７、５０７、６０７、６１７、６２７、７０７  第四の絶縁層
４０８、６０８、６１８、６２８、７０８  接続配線
６０９、６１９、７０９  開口部
２０８、４１１  第一の開口部
４０９  第二の開口部
２１０  カバーフィルム（基材）
２１１  シールドフィルム
４１０  ＤＦＣＦ基材
７１１  端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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