(57)【要約】【課題】ダミーパターンのエッチング条件の設定が容易であるとともに、実使用時における渦電流損を低減可能なコイル部品を提供する。【解決手段】第１の導電材料からなる複数の導体層４０ａ〜４０ｄと複数の層間絶縁層５０ａ〜５０ｄが交互に積層されたコイル部２０を備える。導体層４０ａ〜４０ｄはスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４を含み、層間絶縁層５０ａ〜５０ｄは、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の上面を覆う上面部５０ｔと、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の側面を覆う側壁部５０ｙとを有し、層間絶縁層５０ａ〜５０ｄの側壁部５０ｙには、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の側面を露出させる開口部５０ｘが形成されている。開口部５０ｘには、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなる補助パターン４２が埋め込まれている。本発明によれば、ダミーパターンのエッチング条件の設定が容易となる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電材料からなる複数の導体層と複数の層間絶縁層が交互に積層されたコイル部と、
前記コイル部を覆う封止樹脂層と、を備え、
前記導体層は、スパイラルパターンを含み、
前記層間絶縁層は、前記スパイラルパターンの上面を覆う上面部と、前記スパイラルパターンの側面を覆う側壁部とを有し、
前記層間絶縁層の前記側壁部には、前記スパイラルパターンの前記側面を露出させる開口部が形成されており、
前記開口部には、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなる補助パターンが埋め込まれていることを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
前記第２の導電材料は、前記層間絶縁層に対する密着性が前記第１の導電材料よりも高いことを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記第２の導電材料は、前記第１の導電材料よりも抵抗値が高いことを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記第１の導電材料は銅（Ｃｕ）からなり、前記第２の導電材料は金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ）からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記補助パターンは、前記封止樹脂層に食い込むよう、一部が前記開口部から突出していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項６】
前記封止樹脂層は、金属磁性粒子及び樹脂バインダーを含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項７】
前記補助パターンは、前記スパイラルパターンの最内周ターンに接続された内側補助パターンを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項８】
前記補助パターンは、前記スパイラルパターンの最外周ターンに接続された外側補助パターンをさらに含む、請求項７に記載のコイル部品。
【請求項９】
前記コイル部は、前記導体層を３層以上有し、
前記複数の導体層のうち、最下層の導体層と最上層の導体層の間に位置する導体層には、前記内側補助パターンと前記外側補助パターンの両方が設けられている、請求項８に記載のコイル部品。
【請求項１０】
前記複数の導体層のうち、前記最下層及び前記最上層の導体層には、前記内側補助パターンが設けられており、前記外側補助パターンが設けられていない、請求項９に記載のコイル部品。
【請求項１１】
前記スパイラルパターンは、シード層及び前記シード層上に形成された主導体層を含み、
前記補助パターンは、前記主導体層よりも下層に位置することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項１２】
第１の導電材料からなり、スパイラルパターン及び前記スパイラルパターンとは独立して設けられたダミーパターンを含む導体層と、前記第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなり、前記スパイラルパターンと前記ダミーパターンを接続する補助パターンを形成する工程と、
前記スパイラルパターンを層間絶縁層で覆った状態で、前記ダミーパターンを除去する工程と、
前記ダミーパターンの除去により形成された空間に封止樹脂層を埋め込む工程と、を備えることを特徴とするコイル部品の製造方法。
【請求項１３】
前記ダミーパターンは、前記スパイラルパターンの内径領域に位置する内側補助パターンを含む、請求項１２に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１４】
前記ダミーパターンは、前記スパイラルパターンの外周領域に位置する外側補助パターンを含む、請求項１２又は１３に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１５】
前記ダミーパターンを除去する工程は、前記第２の導電材料よりも前記第１の導電材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
【請求項１６】
前記導体層は、シード層を形成する工程と、電解めっきによって前記シード層上に主導体層を形成する工程を含み、
前記補助パターンは、前記主導体層を形成する前に形成することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載のコイル部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品及びその製造方法に関し、特に、スパイラルパターンを有するコイル部を埋め込む封止樹脂層を備えたコイル部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパイラルパターンを埋め込む封止樹脂層を備えたコイル部品として、特許文献１には、磁性基板上に絶縁樹脂層を介してスパイラルパターンを有するコイル部を形成し、コイル部の内径領域及び外周領域を磁性樹脂層で覆った構造を有するコイル部品が開示されている。
【０００３】
また、特許文献２には、スパイラルパターンの内径領域に位置するダミーパターンをスパイラルパターンと同時に形成し、最終的にダミーパターンを除去することによって得られた空間に磁性樹脂を埋め込む方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１４０９３９号公報
【特許文献２】特開２０１７−１１１８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ダミーパターンは平面視でスパイラルパターンに囲まれていることから、ダミーパターンを電解めっきによって形成する際、ダミーパターンに給電することは容易ではない。ダミーパターンに給電する方法としては、スパイラルパターンの最内周ターンとダミーパターンを接続する方法が考えられるが、この場合には、エッチング条件の設定が難しくなる。例えば、ダミーパターンを確実に除去するためにエッチング時間を長く設定すれば、スパイラルパターンの一部も除去される可能性があり、逆に、エッチング時間を短く設定すれば、ダミーパターンとスパイラルパターンの接続部が残存し、実使用時において渦電流損を増加させるという問題が生じる。
【０００６】
したがって、本発明は、ダミーパターンのエッチング条件の設定が容易であるとともに、実使用時における渦電流損を低減可能なコイル部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるコイル部品は、第１の導電材料からなる複数の導体層と複数の層間絶縁層が交互に積層されたコイル部と、コイル部を覆う封止樹脂層とを備え、導体層はスパイラルパターンを含み、層間絶縁層は、スパイラルパターンの上面を覆う上面部と、スパイラルパターンの側面を覆う側壁部とを有し、層間絶縁層の側壁部には、スパイラルパターンの側面を露出させる開口部が形成されており、開口部には、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなる補助パターンが埋め込まれていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、スパイラルパターンを構成する第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなる補助パターンを用いていることから、ダミーパターンのエッチング条件の設定が容易となる。
【０００９】
本発明において、第２の導電材料は、層間絶縁層に対する密着性が第１の導電材料よりも高くても構わない。これによれば、コイル部と封止樹脂層の密着性を高めることが可能となる。
【００１０】
本発明において、第２の導電材料は、第１の導電材料よりも抵抗値が高くても構わない。これによれば、実使用時における渦電流損を低減することが可能となる。
【００１１】
本発明において、第１の導電材料は銅（Ｃｕ）からなり、第２の導電材料は金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ）からなるものであっても構わない。これによれば、スパイラルパターンを低抵抗化することができるとともに、補助パターンによる密着性の向上効果、並びに、渦電流損の低減を達成することが可能となる。
【００１２】
本発明において、補助パターンは、封止樹脂層に食い込むよう、一部が開口部から突出していても構わない。これによれば、アンカー効果によってコイル部と封止樹脂層の接着性を高めることができる。このため、封止樹脂層と層間絶縁層の熱膨張率が相違していても、コイル部品の信頼性及び耐久性を向上させることが可能となる。
【００１３】
本発明において、封止樹脂層は、金属磁性粒子及び樹脂バインダーを含有するものであっても構わない。これによれば、コイル部品のインダクタンスを高めることが可能となる。
【００１４】
本発明において、補助パターンは、スパイラルパターンの最内周ターンに接続された内側補助パターンを含むものであっても構わない。これによれば、スパイラルパターンの内径領域に位置するダミーパターンに給電することが可能となる。
【００１５】
本発明において、補助パターンは、スパイラルパターンの最外周ターンに接続された外側補助パターンをさらに含むものであっても構わない。これによれば、スパイラルパターンの外周領域に位置するダミーパターンに給電することが可能となる。
【００１６】
本発明において、コイル部は導体層を３層以上有し、複数の導体層のうち、最下層の導体層と最上層の導体層の間に位置する導体層には、内側補助パターンと外側補助パターンの両方が設けられていても構わない。これによれば、端子パターンが形成されない中間層に位置するスパイラルパターンに給電を行うことが可能となる。
【００１７】
本発明において、複数の導体層のうち、最下層及び最上層の導体層には、内側補助パターンが設けられており、外側補助パターンが設けられていなくても構わない。これは、最下層及び最上層の導体層に端子パターンが形成される場合、端子パターンからスパイラルパターンに給電されるため、外側補助パターンが不要だからである。
【００１８】
本発明において、スパイラルパターンは、シード層及びシード層上に形成された主導体層を含み、補助パターンは、主導体層よりも下層に位置するものであっても構わない。これによれば、比較的平坦性の高い表面に補助パターンを形成することが可能となる。
【００１９】
本発明によるコイル部品の製造方法は、第１の導電材料からなり、スパイラルパターン及びスパイラルパターンとは独立して設けられたダミーパターンを含む導体層と、第１の導電材料とは異なる第２の導電材料からなり、スパイラルパターンとダミーパターンを接続する補助パターンを形成する工程と、スパイラルパターンを層間絶縁層で覆った状態で、ダミーパターンを除去する工程と、ダミーパターンの除去により形成された空間に封止樹脂層を埋め込む工程とを備えることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、スパイラルパターンとダミーパターンを異なる導電材料からなる補助パターンによって接続していることから、ダミーパターンを除去する際のエッチング条件が緩和される。
【００２１】
本発明において、ダミーパターンは、スパイラルパターンの内径領域に位置する内側補助パターンを含むものであっても構わない。これによれば、スパイラルパターンの内径領域に位置するダミーパターンに給電することが可能となる。
【００２２】
本発明において、ダミーパターンは、スパイラルパターンの外周領域に位置する外側補助パターンを含むものであっても構わない。これによれば、スパイラルパターンの外周領域に位置するダミーパターンに給電することが可能となる。
【００２３】
本発明において、ダミーパターンを除去する工程は、第２の導電材料よりも第１の導電材料に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いるものであっても構わない。これによれば、オーバーエッチングを行っても、スパイラルパターンに対するエッチングをより確実に防止することが可能となる。
【００２４】
本発明において、導体層は、シード層を形成する工程と、電解めっきによってシード層上に主導体層を形成する工程を含み、補助パターンは、主導体層を形成する前に形成するものであっても構わない。これによれば、比較的平坦性の高い表面に補助パターンを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
このように、本発明によれば、ダミーパターンのエッチング条件の設定が容易であるとともに、実使用時における渦電流損を低減可能なコイル部品及びその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す斜視図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、コイル部品１０の構造を示す断面図であって、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す部分断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、４層構造のコイル部２０の各導体層の平面レイアウト図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は図５（ａ）のＸ１−Ｘ１線に対応する断面図、（ｂ）は図５（ａ）のＸ２−Ｘ２線に対応する断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は図５（ａ）のＸ１−Ｘ１線に対応する断面図、（ｂ）は図５（ａ）のＸ２−Ｘ２線に対応する断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１８】図１８（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図１９】図１９（ａ）〜（ｃ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。
【図２０】図２０（ａ）及び（ｂ）は、コイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、（ａ）は図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図、（ｂ）は図４（ａ）等のＸ２−Ｘ２線の位置に対応する断面図である。
【図２１】図２１（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図である。
【図２２】図２２（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図である。
【図２３】図２３（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図である。
【図２４】図２４は、第１の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略断面図である。
【図２５】図２５は、第２の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略断面図である。
【図２６】図２６は、第３の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す斜視図である。
【００２９】
本実施形態によるコイル部品１０は電源回路用のインダクタとして用いることが好適な表面実装型のチップ部品であり、図１に示すように、封止樹脂層である第１及び第２磁性樹脂層１１，１２を有する。第１及び第２磁性樹脂層１１，１２には、後述するコイルパターンが埋め込まれており、コイルパターンの一端が第１の外部端子Ｅ１に接続され、コイルパターンの他端が第２の外部端子Ｅ２に接続される。但し、本発明によるコイル部品が表面実装型のチップ部品であることは必須でなく、回路基板に埋め込むタイプのチップ部品であっても構わない。
【００３０】
第１及び第２磁性樹脂層１１，１２は、金属磁性粒子を含有する樹脂からなる複合部材であり、コイルパターンに電流を流すことによって生じる磁束の磁路を構成する。金属磁性粒子としては、パーマロイ系材料を用いることが好適であり、その表面はシリカなどの無機系絶縁材料によって絶縁コートされていることが好ましい。また、樹脂バインダーとしては、液状又は粉体である半硬化状態のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。第１及び第２磁性樹脂層１１，１２は、互いに同じ材料からなるものであっても構わないし、互いに異なる材料からなるものであっても構わない。第１及び第２磁性樹脂層１１，１２の材料として互いに同じ材料を用いれば、材料コストを低減することが可能となる。
【００３１】
本実施形態によるコイル部品１０は、一般的な積層コイル部品とは異なり、積層方向であるｚ方向が回路基板と平行となるよう立てて実装される。具体的には、ｘｚ面を構成する面が実装面Ｓ１として用いられる。そして、実装面Ｓ１には、第１の外部端子Ｅ１及び第２の外部端子Ｅ２が設けられる。第１の外部端子Ｅ１は、実装面Ｓ１からｙｚ面を構成する側面Ｓ２に亘って連続的に形成され、第２の外部端子Ｅ２は、実装面Ｓ１からｙｚ面を構成する側面Ｓ３に亘って連続的に形成される。
【００３２】
図２（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態によるコイル部品１０の構造を示す断面図であって、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す部分断面図である。
【００３３】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１及び第２磁性樹脂層１１，１２の積層体の内部にはコイル部２０が埋め込まれている。コイル部２０は４層の導体層４０ａ〜４０ｄを有しており、各導体層は約３ターンのスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４をそれぞれ有している。これにより、コイルパターンの合計ターン数は約１２ターンとなる。また、導体層４０ａ〜４０ｄのスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の表面は、絶縁ギャップ層３０又は層間絶縁層５０ａ〜５０ｄによって覆われ、これによって第１及び第２磁性樹脂層１１，１２との接触が防止されている。特に限定されるものではないが、導体層４０ａ〜４０ｄの材料としては、抵抗値の低い銅（Ｃｕ）を用いることが好ましい。
【００３４】
第１磁性樹脂層１１は、コイル軸方向（ｚ方向）における一方側からコイル部２０を覆っており、コイル部２０に囲まれた内径領域２２、コイル部２０を囲む外周領域２３、並びに、コイル部２０のコイル軸方向の一方側の上部領域２４に設けられている。一方、第２磁性樹脂層１２は、コイル軸方向（ｚ方向）における他方側からコイル部２０を覆っており、コイル部２０のコイル軸方向の他方側の下部領域２１に設けられている。
【００３５】
第１磁性樹脂層１１と第２磁性樹脂層１２との間には、絶縁ギャップ層３０（絶縁樹脂層）が設けられている。絶縁ギャップ層３０は樹脂などの非磁性材料からなり、第１磁性樹脂層１１と第２磁性樹脂層１２との間に磁気ギャップを形成することによって、磁気飽和を防止する役割を果たす。第１磁性樹脂層１１は絶縁ギャップ層３０の表面３０ａ側に設けられており、第２磁性樹脂層１２は絶縁ギャップ層３０の裏面３０ｂ側に設けられている。
【００３６】
図２（ｂ）に示すように、層間絶縁層５０ａ〜５０ｄは、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の上面及び側面をそれぞれ覆う上面部５０ｔ及び側壁部５０ｙを有している。そして、側壁部５０ｙにはスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の側面を露出させる開口部５０ｘが形成されており、開口部５０ｘには補助パターン４２が埋め込まれている。補助パターン４２の一部はスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４と接し、補助パターン４２の別の一部は第１磁性樹脂層１１に食い込むよう、開口部５０ｘから突出している。
【００３７】
詳細は後述するが、補助パターン４２はスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の電解めっき工程においてめっき電流経路を確保するために用いられるものであり、スパイラルパターンの最内周ターンに接続される内側補助パターン４２ａと、スパイラルパターンの最外周ターンに接続される外側補助パターン４２ｂの２種類がある。本実施形態において、内側補助パターン４２ａは、１〜４層目のスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の最内周ターンの各々に接続されている。外側補助パターン４２ｂは、２層目及び３層目のスパイラルパターンＣ２、Ｃ３の最外周ターンの各々に接続されている。なお１層目及び４層目のスパイラルパターンＣ１、Ｃ４の最外周ターンには外側補助パターン４２ｂは接続されておらず、また１層目及び４層目の層間絶縁層５０ａ，５０ｄの外周側の側壁部５０ｙには、外側補助パターン４２ｂの側面を露出させるための開口部５０ｘは形成されていない。
【００３８】
補助パターン４２は、導体層４０ａ〜４０ｄを構成する導電材料とは異なる導電材料からなる。補助パターン４２を構成する導電材料としては、導体層４０ａ〜４０ｄを構成する導電材料よりも層間絶縁層５０ａ〜５０ｄ又は絶縁ギャップ層３０との密着性が高く、且つ、抵抗値の高い材料を用いることが好ましい。一例として、導体層４０ａ〜４０ｄを構成する導電材料として銅（Ｃｕ）を用いた場合、補助パターン４２を構成する導電材料としては、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ）を用いることが好ましい。尚、補助パターン４２を構成する導電材料は金属である必要はなく、ＩＴＯなどの導電性化合物や、カーボンブラックなど導電性を有する非金属元素を用いることも可能である。
【００３９】
このように、補助パターン４２の一部は第１磁性樹脂層１１に食い込んでいることから、この部分においてアンカー効果が得られ、コイル部２０と磁性樹脂層１１の密着性が高められる。但し、本発明において、補助パターン４２の一部が第１磁性樹脂層１１に食い込んでいる点は必須でない。この場合であっても、補助パターン４２の材料として導体層４０ａ〜４０ｄよりも層間絶縁層５０ａ〜５０ｄ又は絶縁ギャップ層３０との密着性の高い材料を用いれば、導体層４０ａ〜４０ｄと層間絶縁層５０ａ〜５０ｄ又は絶縁ギャップ層３０との密着性を高めることが可能となる。さらに、補助パターン４２の材料として導体層４０ａ〜４０ｄよりも抵抗値の高い材料を用いれば、実使用時に磁束が補助パターン４２と干渉することによって生じる渦電流損が小さくなるという利点も得られる。
【００４０】
また、補助パターン４２は第１磁性樹脂層１１と接しているが、第１磁性樹脂層１１に含まれる金属磁性粒子が絶縁コートされていれば、補助パターン４２や導体層４０ａ〜４０ｄと第１磁性樹脂層１１との電気的絶縁を確保することが可能である。
【００４１】
図３（ａ）〜（ｄ）は、４層構造のコイル部２０の各導体層の平面レイアウト図である。
【００４２】
図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、コイル部２０の１層目のスパイラルパターンＣ１の外周端は端子パターンを構成し、第１の外部端子Ｅ１に接続されている。また１層目のスパイラルパターンＣ１の内周端は、層間絶縁層５０ａを貫通するスルーホール導体４５ａを介して２層目のスパイラルパターンＣ２の内周端に接続されている。２層目のスパイラルパターンＣ２の外周端は、層間絶縁層５０ｂを貫通するスルーホール導体４５ｂを介して３層目のスパイラルパターンＣ３の外周端に接続されており、３層目のスパイラルパターンＣ３の内周端は、層間絶縁層５０ｃを貫通するスルーホール導体４５ｃを介して４層目のスパイラルパターンＣ４の外周端に接続されている。さらに４層目のスパイラルパターンＣ４の外周端は端子パターンを構成し、第２の外部端子Ｅ２に接続されている。このように、４つのスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４は直列に接続されて単一のコイルパターンを構成している。
【００４３】
スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の最内周ターンのＹ方向の中央部には、内径領域２２に位置する第１磁性樹脂層１１と接する内側補助パターン４２ａが形成されている。またスパイラルパターンＣ２，Ｃ３の最外周ターンのＹ方向の中央部には、外周領域２３に位置する第１磁性樹脂層１１と接する外側補助パターン４２ｂが形成されている。上記のように、１層目（最下層）及び４層目（最上層）のスパイラルパターンＣ１、Ｃ４には内側補助パターン４２ａだけが接続されており、外側補助パターン４２ｂは接続されていない。これに対し、２層目及び３層目（中間層）のスパイラルパターンＣ２、Ｃ３には内側補助パターン４２ａと外側補助パターン４２ｂの両方が接続されている。内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂの個数や位置は特に限定されない。
【００４４】
次に、本実施形態によるコイル部品１０の製造方法について説明する。
【００４５】
図４〜図２３は、本実施形態によるコイル部品１０の製造方法を説明するための図であって、図４、図５、図８〜図１９の（ａ）は略平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ１線に沿った断面図、（ｃ）は（ａ）のＸ２−Ｘ２線に沿った断面図である。また、図６及び図７の（ａ）は図５（ａ）のＸ１−Ｘ１線に対応する断面図、（ｂ）は図５（ａ）のＸ２−Ｘ２線に対応する断面図である。さらに、図２０（ａ）は、図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図、図２０（ｂ）は、図４（ａ）等のＸ２−Ｘ２線の位置に対応する断面図である。また図２１〜図２３の（ａ）及び（ｂ）は、図４（ａ）等のＸ１−Ｘ１線の位置に対応する断面図である。
【００４６】
コイル部品１０の製造では、まず図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、所定の強度を有するキャリア基板６０の上面に絶縁ギャップ層３０（絶縁樹脂層）を形成する。キャリア基板６０の材料については、キャリア基板６０からの中間体の剥離し易さの観点から透明なガラス基板を用いることが好ましいが、フェライト基板やシリコン基板などを用いてもよい。また、絶縁ギャップ層３０の形成方法についても特に限定されず、スピンコート法や印刷法によってキャリア基板６０の表面に樹脂材料を塗布することによって形成しても構わないし、あらかじめフィルム状に成型した絶縁ギャップ層３０をキャリア基板６０に貼り付けても構わない。説明の便宜上、キャリア基板６０上に単一のコイル部品を形成する例を示すが、実際には一枚のキャリア基板６０上に多数のコイル部品を同時に形成する量産プロセスが採用される。
【００４７】
次に、絶縁ギャップ層３０の表面３０ａ（第１主面）に第１の導体層４０ａを形成するため、スパッタリング法などの薄膜プロセス又は薄い銅箔等を用いてシード層ＳＬ（シードパターン）を形成する。シード層ＳＬは例えば銅（Ｃｕ）からなる。図４（ａ）〜(ｃ)に示すように、シード層ＳＬは、約３ターンのスパイラルパターンＣ１と、スパイラルパターンＣ１の内径領域に形成された内側ダミーパターン４３ａと、スパイラルパターンＣ１の外周領域に形成された外側ダミーパターン４３ｂとを含む。スパイラルパターンＣ１の巻回方向は、端子パターンである外周端４１ｂから内周端４１ａに向かって右回りである。シード層ＳＬの厚さは１〜１０μｍであることが好ましい。シード層ＳＬの厚さが１０μｍを超えると、後述する電解めっき工程で形成されるスパイラルパターンの断面におけるトップ形状が丸くなる場合がある。その場合、コイルパターンの抵抗値が高くなる可能性がある。
【００４８】
次に、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ１の最内周ターンと内側ダミーパターン４３ａを接続する内側補助パターン４２ａを形成する。これにより、内側補助パターン４２ａを介して、スパイラルパターンＣ１と内側ダミーパターン４３ａが電気的に接続される。内側補助パターン４２ａを構成する導電材料としては、スパイラルパターンＣ１、内側ダミーパターン４３ａ、外側ダミーパターン４３ｂを構成する導電材料とは異なる導電材料（例えば金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ））を用いる。
【００４９】
内側補助パターン４２ａはスパイラルパターンＣ１の最内周ターンの一部に接続されており、スパイラルパターンＣ１と内側ダミーパターン４３ａとを短絡している。これにより、後述する電解めっき工程において、スパイラルパターンＣ１の外周端４１ｂからスパイラルパターンＣ１及び内側ダミーパターン４３ａに給電を行うことが可能となる。
【００５０】
内側補助パターン４２ａの形成方法としては、図示しない薄いダミーシード層を全面に形成した後、図６（ａ），（ｂ）に示すように、内側補助パターン４２ａを形成すべき領域に開口部を有するレジストパターン７１を形成し、この状態で電解めっきを行うことによって内側補助パターン４２ａを形成した後、ダミーシード層を除去する方法を挙げることができる。この方法によれば、内側補助パターン４２ａを構成する導電材料の使用量を最小限に抑えることができることから、内側補助パターン４２ａを構成する導電材料として金（Ａｕ）などの高価な材料を使用する場合に好適である。
【００５１】
或いは、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、内側補助パターン４２ａを形成すべき領域に開口部を有するレジストパターン７２を形成し、この状態でスパッタリング法などを用いて全面に金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）又はタングステン（Ｗ）からなる膜７３を形成した後、レジストパターン７２をリフトオフする方法を用いても構わない。この方法によれば、ダミーシード層の形成工程が不要であることから、より少ない工程数で内側補助パターン４２ａを形成することが可能となる。
【００５２】
次に、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ１のエッジに沿って、感光性永久レジストパターン５１ａ（レジストポスト）を形成する。内側補助パターン４２ａは、レジストパターン５１ａに覆われている。レジストパターン５１ａは、層間絶縁層５０ａの側壁部５０ｙを構成する。
【００５３】
次に、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように、電解めっき法によりシード層ＳＬを所望の膜厚までめっき成長させる。このとき、内側補助パターン４２ａの上面のうち、レジストパターン５１ａで覆われている部分はめっき成長することはない。
【００５４】
内側補助パターン４２ａが設けられていない場合、内側ダミーパターン４３ａはスパイラルパターンＣ１から絶縁分離されたフローティングパターンとなるため、電解めっき工程においてスパイラルパターンＣ１の外周端４１ｂ及び外側ダミーパターン４３ｂにマイナス電位を付与するだけでは内側ダミーパターン４３ａをめっき成長させることができない。しかし、本実施形態のようにスパイラルパターンＣ１の内径領域に内側補助パターン４２ａを形成し、内側ダミーパターン４３ａとスパイラルパターンＣ１の最内周ターンとを短絡することにより、内側ダミーパターン４３ａをめっき成長させることができ、被めっき面の全面に十分な厚さの電解めっき層（主導体層）ＰＬを均一に形成することができる。
【００５５】
次に、アッシング等によりレジストパターン５１ａの上端部を除去してスパイラルパターンＣ１の頭出しを行った後、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ１の上面を覆うレジストパターン５１ｂを形成する。レジストパターン５１ｂは、層間絶縁層５０ａの上面部５０ｔを構成する。以上により、レジストパターン５１ａ，５１ｂからなり、スパイラルパターンＣ１を取り囲む層間絶縁層５０ａが形成される。
【００５６】
その後、図４〜図１０の工程を繰り返すことによって、第２〜第４の導体層４０ｂ〜４０ｄと第２〜第４の層間絶縁層５０ｂ〜５０ｄとを交互に形成する。
【００５７】
第２の導体層４０ｂの形成では、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すように薄膜プロセス又は薄い銅箔等を用いてシード層ＳＬ（シードパターン）を形成する。シード層ＳＬは、３ターンのスパイラルパターンＣ２と、スパイラルパターンＣ２の内径領域に形成された内側ダミーパターン４３ａと、スパイラルパターンＣ２の外周領域に形成された外側ダミーパターン４３ｂとを備えており、スパイラルパターンＣ２の巻回方向は、内周端から外周端に向かって右回りである。
【００５８】
次に、図１２（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ２の最内周ターンと内側ダミーパターン４３ａを接続する内側補助パターン４２ａを形成するとともに、スパイラルパターンＣ２の最外周ターンと外側ダミーパターン４３ｂを接続する外側補助パターン４２ｂを形成する。これにより、内側補助パターン４２ａを介して、スパイラルパターンＣ２と内側ダミーパターン４３ａが電気的に接続されるとともに、外側補助パターン４２ｂを介して、スパイラルパターンＣ２と外側ダミーパターン４３ｂが電気的に接続される。
【００５９】
その後、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、感光性永久レジストパターン５１ａ（レジストポスト）、電解めっき層ＰＬ、レジストパターン５１ｂを順に形成する。内側補助パターン４２ａの上面及び外側補助パターン４２ｂの上面のうち、レジストパターン５１ａで覆われている部分はめっき成長することはない。
【００６０】
内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂが設けられていない場合、内側ダミーパターン４３ａ及びスパイラルパターンＣ２は、外側ダミーパターン４３ｂから絶縁分離されたフローティングパターンとなるため、電解めっき工程において外側ダミーパターン４３ｂにマイナス電位を付与するだけでは内側ダミーパターン４３ａ及びスパイラルパターンＣ２をめっき成長させることができない。しかし、本実施形態のようにスパイラルパターンＣ２の内径領域及び外周領域に内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂをそれぞれ形成し、内側ダミーパターン４３ａとスパイラルパターンＣ２の最内周ターンとを短絡すると共に、外側ダミーパターン４３ｂとスパイラルパターンＣ２の最外周ターンとを短絡することにより、スパイラルパターンＣ２及び内側ダミーパターン４３ａをそれぞれめっき成長させることができ、被めっき面の全面に十分な厚さの電解めっき層ＰＬを均一に形成することができる。したがって、全長に亘って厚みが均一なスパイラルパターンＣ２を形成することができる。
【００６１】
第３の導体層４０ｃの形成では、図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように薄膜プロセス又は薄い銅箔等を用いてシード層ＳＬ（シードパターン）を形成する。シード層ＳＬは、３ターンのスパイラルパターンＣ３と、スパイラルパターンＣ３の内径領域に形成された内側ダミーパターン４３ａと、スパイラルパターンＣ３の外周領域に形成された外側ダミーパターン４３ｂとを備えており、スパイラルパターンＣ３の巻回方向は、外周端４１ｂから内周端４１ａに向かって右回りである。
【００６２】
次に、図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ３の最内周ターンと内側ダミーパターン４３ａを接続する内側補助パターン４２ａを形成するとともに、スパイラルパターンＣ３の最外周ターンと外側ダミーパターン４３ｂを接続する外側補助パターン４２ｂを形成する。これにより、内側補助パターン４２ａを介して、スパイラルパターンＣ３と内側ダミーパターン４３ａが電気的に接続されるとともに、外側補助パターン４２ｂを介して、スパイラルパターンＣ３と外側ダミーパターン４３ｂが電気的に接続される。
【００６３】
その後、図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように、感光性永久レジストパターン５１ａ（レジストポスト）、電解めっき層ＰＬ、レジストパターン５１ｂを順に形成する。内側補助パターン４２ａの上面及び外側補助パターン４２ｂの上面のうち、レジストパターン５１ａで覆われている部分はめっき成長することはない。
【００６４】
内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂが設けられていない場合、内側ダミーパターン４３ａ及びスパイラルパターンＣ３は外側ダミーパターン４３ｂから絶縁分離されたフローティングパターンとなるため、電解めっき工程において外側ダミーパターン４３ｂにマイナス電位を付与するだけでは内側ダミーパターン４３ａ及びスパイラルパターンＣ３をめっき成長させることができない。しかし、本実施形態のようにスパイラルパターンＣ３の内径領域及び外周領域に内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂをそれぞれ形成し、内側ダミーパターン４３ａとスパイラルパターンＣ３の最内周ターンとを短絡すると共に、外側ダミーパターン４３ｂとスパイラルパターンＣ３の最外周ターンとを短絡することにより、スパイラルパターンＣ３及び内側ダミーパターン４３ａをそれぞれめっき成長させることができ、被めっき面の全面に十分な厚さの電解めっき層ＰＬを均一に形成することができる。したがって、全長に亘って厚みが均一なスパイラルパターンＣ３を形成することができる。
【００６５】
第４の導体層４０ｄの形成では、図１７（ａ）〜（ｃ）に示すように薄膜プロセス又は薄い銅箔等を用いてシード層ＳＬ（シードパターン）を形成する。シード層ＳＬは、３ターンのスパイラルパターンＣ４と、スパイラルパターンＣ４の内径領域に形成された内側ダミーパターン４３ａと、スパイラルパターンＣ４の外周領域に形成された外側ダミーパターン４３ｂとを備えており、スパイラルパターンＣ４の巻回方向は、内周端４１ａから端子パターンである外周端４１ｂに向かって右回りである。
【００６６】
次に、図１８（ａ）〜（ｃ）に示すように、スパイラルパターンＣ４の最内周ターンと内側ダミーパターン４３ａを接続する内側補助パターン４２ａを形成する。これにより、内側補助パターン４２ａを介して、スパイラルパターンＣ４と内側ダミーパターン４３ａが電気的に接続される。
【００６７】
その後、図１９（ａ）〜（ｃ）に示すように、感光性永久レジストパターン５１ａ（レジストポスト）、電解めっき層ＰＬ、レジストパターン５１ｂを順に形成する。内側補助パターン４２ａの上面の上面のうち、レジストパターン５１ａで覆われている部分はめっき成長することはない。
【００６８】
内側補助パターン４２ａが設けられていない場合、内側ダミーパターン４３ａはスパイラルパターンＣ４から絶縁分離されたフローティングパターンとなるため、電解めっき工程においてスパイラルパターンＣ４の外周端４１ｂ及び外側ダミーパターン４３ｂにマイナス電位を付与するだけでは内側ダミーパターン４３ａをめっき成長させることができない。しかし、本実施形態のようにスパイラルパターンＣ４の内径領域に内側補助パターン４２ａを形成し、内側ダミーパターン４３ａとスパイラルパターンＣ４の最内周ターンとを短絡することにより、内側ダミーパターン４３ａをめっき成長させることができ、被めっき面の全面に十分な厚さの電解めっき層ＰＬを均一に形成することができる。したがって、全長に亘って厚みが均一なスパイラルパターンＣ４を形成することができる。
【００６９】
次に、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、ウェットエッチングを行うことにより、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４以外の導体層４０ａ〜４０ｄを選択的に除去する。すなわち、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の内径領域２２及び外周領域２３に存在する導体層４０ａ〜４０ｄを除去する。スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４は層間絶縁層５０ａ〜５０ｄに覆われているのでエッチングによって除去されないが、それ以外の導体パターンはエッチングによって除去される。これにより、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４に囲まれた内径領域２２、並びに、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の外側に位置する外周領域２３に空間が形成される。
【００７０】
導体層４０ａ〜４０ｄを選択的に除去する工程においては、内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂを構成する導電材料（金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）など）よりも、導体層４０ａ〜４０ｄを構成する導電材料（例えば銅（Ｃｕ））に対するエッチングレートが高いエッチャントを用いることが好ましい。これによれば、導体層４０ａ〜４０ｄを選択的に除去する工程において、内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂのエッチング量が小さくなることから、開口部５０ｘを介したスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４のエッチングを防止または最小限に留めることが可能となる。
【００７１】
次に、図２１（ａ）に示すように、ＰＥＴ樹脂などからなるフィルム１１ａ上に保持された半硬化状態の第１磁性樹脂層１１を用意し、第１磁性樹脂層１１がコイル部２０と向かい合うようにキャリア基板６０に張り合わせる。これにより、コイル部２０の内径領域２２、外周領域２３及び上部領域２４に第１磁性樹脂層１１が形成される。或いは、導体層４０ａ〜４０ｄの不要部分の除去によって形成された空間に、金属磁性粒子を含有する樹脂からなる半硬化状態の複合部材を印刷法によって埋め込んでも構わない。
【００７２】
次に、図２１（ｂ）に示すように、第１磁性樹脂層１１をプレスすることによって、コイル部２０の内径領域２２や外周領域２３に生じている隙間を第１磁性樹脂層１１によって完全に埋める。これにより、コイル部２０の内径領域２２や外周領域２３に突出している内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂが第１磁性樹脂層１１に食い込むことから、アンカー効果により磁性樹脂層１１とコイル部２０との接着性が高められる。また、内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂと第１磁性樹脂層１１は直接接することになるが、第１磁性樹脂層１１に含まれる金属磁性粒子が絶縁コートされていれば、両者間の電気的絶縁を確保することが可能である。
【００７３】
次に、図２２（ａ）に示すように、フィルム１１ａを剥離し、接着剤６２を介して第１磁性樹脂層１１にサポート板６１を貼り付けた後、図２２（ｂ）に示すようにキャリア基板６０を剥離する。これにより、絶縁ギャップ層３０の裏面３０ｂ（第２主面）が露出した状態となる。尚、サポート板６１は、キャリア基板６０を剥離する工程における支持部材であり、キャリア基板６０を剥離する工程において全体を支持する必要がない場合には、サポート板６１を貼り付ける必要はない。
【００７４】
キャリア基板６０を剥離する方法としては、レーザー照射による熱剥離が好ましいが、機械的な剥離であってもよい。キャリア基板６０を熱剥離する場合、キャリア基板６０にはガラス基板が好ましく用いられ、この場合、キャリア基板６０の裏側から絶縁ギャップ層３０に向けてレーザーを照射する。レーザー光はガラス基板を通って絶縁ギャップ層３０に到達し、絶縁ギャップ層３０が急速に加熱されることにより、キャリア基板６０との界面において絶縁ギャップ層３０の接着力が低下するので、絶縁ギャップ層３０からキャリア基板６０を容易に剥離することができる。
【００７５】
次に、図２３（ａ）に示すようにサポート板６１を剥離し、中間体を上下反転させた後、ＰＥＴ樹脂などからなるフィルム１２ａ上に保持された半硬化状態の第２磁性樹脂層１２を用意し、第２磁性樹脂層１２が絶縁ギャップ層３０と向かい合うようにキャリア基板６０に張り合わせる。これにより、絶縁ギャップ層３０の裏面３０ｂに第２磁性樹脂層１２が形成される。
【００７６】
次に、図２３（ｂ）に示すように、第１及び第２磁性樹脂層１１，１２をプレスした後、半硬化状態である第１及び第２磁性樹脂層１１，１２に熱や紫外線を与えることによって、第１及び第２磁性樹脂層１１，１２を完全に硬化させる。その後、フィルム１２ａを剥離する。さらに量産プロセスではダイシングによって個片化を行った後、図１に示す外部端子Ｅ１，Ｅ２を形成すれば、本実施形態によるコイル部品１０が完成する。
【００７７】
以上説明したように、本実施形態によるコイル部品の製造方法においては、導体層４０ａ〜４０ｄと内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂに異なる導電材料を用いていることから、内側ダミーパターン４３ａ及び外側ダミーパターン４３ｂを除去する工程において、内側ダミーパターン４３ａ及び外側ダミーパターン４３ｂを確実に除去することができるとともに、開口部５０ｘを介したスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４のエッチングを防止または最小限に留めることが可能となる。
【００７８】
図２４は、第１の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略断面図であり、図２（ｂ）に示す断面に対応している。
【００７９】
図２４に示す第１の変形例では、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４を構成するシード層ＳＬ及び電解めっき層ＰＬが補助パターン４２上に位置している点において、図２（ｂ）に示す構成と相違している。これによれば、補助パターン４２を平坦面に形成できるという利点が得られるとともに、密着性の高い補助パターン４２と層間絶縁層５０ａ〜５０ｄ及び絶縁ギャップ層３０の接触面積を拡大することが可能となる。
【００８０】
第１の変形例が例示するように、本発明において、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４と補助パターン４２の積層方向における位置関係については特に限定されず、両者が電気的に接続されていれば足りる。
【００８１】
図２５は、第２の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略断面図であり、図２（ｂ）に示す断面に対応している。
【００８２】
図２５に示す第２の変形例では、補助パターン４２がコイル部２０の内径領域２２に向かって突出しておらず、補助パターン４２と層間絶縁層５０ａ〜５０ｄの側壁部５０ｙがほぼ同一平面を構成している点において、図２（ｂ）に示す構成と相違している。これによれば、コイル部２０の内径領域２２を通過する磁束と補助パターン４２との干渉が少なくなることから、渦電流損を低減することが可能となる。
【００８３】
第２の変形例が例示するように、本発明において、補助パターン４２がコイル部２０の内径領域２２（又は外周領域２３）に向かって突出している点は必須でない。
【００８４】
図２６は、第３の変形例による補助パターン４２の形状を説明するための略平面図である。
【００８５】
図２６に示す第３の変形例では、内側補助パターン４２ａ及び外側補助パターン４２ｂの平面形状が、スパイラルパターンＣ２から内側ダミーパターン４３ａ又は外側ダミーパターン４３ｂに向かって真っ直ぐに伸びる直線パターンではなく、折れ曲がり部を有するクランクパターンである。他のスパイラルパターンＣ１，Ｃ３，Ｃ４についても同様である。折れ曲がり回数は特に限定されず何回でもよい。したがって、補助パターン４２は例えばミアンダパターンであってもよい。このような折れ曲がり部を有する補助パターン４２によれば、補助パターン４２の先端からスパイラルパターンまでの距離を稼ぐことができ、オーバーエッチングによってスパイラルパターンＣ２の一部が除去されてしまうことがない。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１０は、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４と第１〜第４の層間絶縁層５０ａ〜５０ｄが交互に積層されたコイル部２０と、コイル部２０を覆う磁性樹脂層１１，１２と、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４の最内周ターン又は最外周ターンに接続された補助パターン４２とを備え、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４と補助パターン４２が互いに異なる導電材料によって構成されている。これにより、内側ダミーパターン４３ａ及び外側ダミーパターン４３ｂをエッチングにより除去する際に、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４がオーバーエッチングされることがないため、エッチング条件の設定が容易となる。
【００８７】
また、補助パターン４２をコイル部２０の内径領域２２又は外周領域２３に向かって突出させれば、アンカー効果によって、コイル部２０と磁性樹脂層１１との接着性を高めることができる。しかも、スパイラルパターンＣ１〜Ｃ４を構成する導電材料よりも補助パターン４２を構成する導電材料の方が高抵抗であれば、渦電流損を低減することも可能となる。
【００８８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００８９】
例えば、上記実施形態においては、第２及び第３の導体層４０ｂ，４０ｃ（中間層）だけに外側補助パターン４２ｂを形成し、第１及び第４の導体層４０ａ，４０ｄにおいて外側補助パターン４２ｂを省略しているが、第１及び第４の導体層４０ａ，４０ｄに外側補助パターン４２ｂを形成してもよい。すなわち、１〜４層目のスパイラルパターンＣ１〜Ｃ４のすべてに内側補助パターン４２ａと外側補助パターン４２ｂの両方を接続してもよい。また上記実施形態においては、１つのスパイラルパターンに対して内側補助パターン４２ａ又は外側補助パターン４２ｂを２つずつ設けているが、補助パターンの個数は特に限定されず、３つ以上設けてもよく、あるいは１つだけ設けても構わない。
【００９０】
また上記実施形態においては、コイル部２０が４層の導体層４０ａ〜４０ｄを有しているが、導体層の数は特に限定されず何層であってもよい。またコイルパターンのターン数も本発明を適用できる限りにおいて特に限定されない。
【００９１】
また上記実施形態においては、コイル部２０を覆う封止樹脂層が磁性樹脂からなる場合を例に挙げたが、金属磁性粒子を含まない非磁性の樹脂で封止することも可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１０    コイル部品
１１，１２    磁性樹脂層（封止樹脂層）
１１ａ，１２ａ    フィルム
２０    コイル部
２１    下部領域
２２    内径領域
２３    外周領域
２４    上部領域
３０    絶縁ギャップ層
３０ａ    絶縁ギャップ層の表面
３０ｂ    絶縁ギャップ層の裏面
４０ａ〜４０ｄ    導体層
４１ａ    内周端
４１ｂ    外周端
４２    補助パターン
４２ａ    内側補助パターン
４２ｂ    外側補助パターン
４３ａ    内側ダミーパターン
４３ｂ    外側ダミーパターン
４５ａ〜４５ｃ    スルーホール導体
５０ａ〜５０ｄ    層間絶縁層
５０ｔ    上面部
５０ｘ    開口部
５０ｙ    側壁部
５１ａ，５１ｂ    レジストパターン
６０    キャリア基板
６１    サポート板
６２    接着剤
７１，７２    レジストパターン
７３    膜
Ｃ１〜Ｃ４    スパイラルパターン
Ｅ１，Ｅ２    外部端子
ＰＬ    電解めっき層（主導体層）
Ｓ１    実装面
Ｓ２，Ｓ３    側面
ＳＬ    シード層
【図１】
2019204835.tif 000003
【図２】
2019204835.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019204835.tif 000009
【図８】
2019204835.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2019204835.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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