(57)【要約】【課題】基板の温度ばらつきを低減できる基板加熱保持装置を提供する。【解決手段】基板加熱保持装置３０は基板保持部５０とヒータ３２とを備えている。基板保持部５０は基板９の下面９ｂに接触する上面５１ａを有し、基板９を保持する。ヒータ３２は基板保持部５０を介して基板９へと熱を伝達して基板９を加熱する。平面視において、基板保持部５０の上面５１ａの周縁は、基板９の周縁よりも５［ｍｍ］だけ内側のラインと、基板９の周縁との間に位置している。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の下面に接触する上面を有し、前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を介して前記基板へと熱を伝達して前記基板を加熱するヒータと、
を備え、
平面視において、前記基板保持部の前記上面の周縁は、前記基板の周縁よりも５［ｍｍ］だけ内側のラインと、前記基板の周縁との間に位置している、基板加熱保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板加熱保持装置であって、
前記基板は複数の成分を含む化合物基板である、基板加熱保持装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板加熱保持装置と、
前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、
気体供給部と
を備え、
前記基板保持部は、
前記基板の下面に接触する前記上面を有する本体部と、
前記本体部の側面と第１空隙を隔てて対面する内周面と、前記内周面に連結し、前記基板保持部に保持された前記基板の下面の周縁部分と第２空隙を隔てて対面する先端面と、前記先端面に連結する外周面とを含む筒状壁部と、
前記本体部と前記筒状壁部とを連結し、前記第１空隙に連通する孔が形成された連結部と
を有し
前記気体供給部は、気体を前記孔に供給して、前記第１空隙を経由して前記第２空隙から外側に前記気体を吹き出させる、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記本体部の前記側面および前記筒状壁部の前記内周面の少なくともいずれか一方には、周方向に沿って延在する溝が形成されている、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記本体部と前記筒状壁部との間の隙間は、前記溝に対して前記基板側の方が、前記溝に対して前記基板とは反対側よりも狭い、基板処理装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記本体部の前記側面および前記筒状壁部の前記内周面の他方は、前記溝に対向する位置において突起部を有し、
前記突起部は前記溝に向かって突起し、周方向に沿って延在している、基板処理装置。
【請求項７】
請求項３から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板保持部は、前記本体部および前記筒状壁部が相互に連結された状態で着脱できるように、前記基板処理装置に固定されている、基板処理装置。
【請求項８】
請求項３から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記筒状壁部の前記先端面の外周側の周縁は、平面視において、前記基板保持部に保持された前記基板の周縁と同じまたは内側に位置している、基板処理装置。
【請求項９】
請求項１または請求項２に記載の基板加熱保持装置と、
前記基板を昇降させる昇降部と、
を備え、
前記昇降部は、前記基板保持部と離れた位置で前記基板を受け取り、前記ヒータが前記基板保持部を加熱している状態で、前記基板を前記基板保持部へと下降させた上で、一旦、停止し、その後、前記基板を前記基板保持部の前記上面まで下降させる、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記昇降部は、前記基板の下降を一旦停止した後に、前記基板を上昇させてから前記基板を前記基板保持部の前記上面の上まで下降させる、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の基板処理装置であって、
前記昇降部は、前記基板を上昇させるときの速度よりも低い速度で前記基板を前記基板保持部の上まで下降させる、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板加熱保持装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、塗布装置が記載されている。この塗布装置は吸着ステージとヒータとスプレーノズルとを備えている。吸着ステージは基板を吸着して保持する。ヒータは吸着ステージの内部に配置されており、基板を加熱する。スプレーノズルは、吸着ステージに保持された基板の上方に配置される。スプレーノズルはミスト状の塗布液（例えばフォトレジスト液）を、加熱された基板の表面に供給する。これにより、基板の表面には塗布膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３９５８７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板を加熱した際に、大きな温度ばらつきが基板に生じると、基板に割れが生じる可能性がある。
【０００５】
そこで本願は、基板の温度ばらつきを低減できる基板加熱保持装置および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
基板加熱保持装置の第１の態様は、基板の下面に接触する上面を有し、前記基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を介して前記基板へと熱を伝達して前記基板を加熱するヒータと、を備え、平面視において、前記基板保持部の前記上面の周縁は、前記基板の周縁よりも５［ｍｍ］だけ内側のラインと、前記基板の周縁との間に位置している。
【０００７】
基板加熱保持装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板加熱保持装置であって、前記基板は複数の成分を含む化合物基板である。
【０００８】
基板処理装置の第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板加熱保持装置と、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に処理液を供給する処理液供給部と、気体供給部とを備え、前記基板保持部は、前記基板の下面に接触する前記上面を有する本体部と、前記本体部の側面と第１空隙を隔てて対面する内周面と、前記内周面に連結し、前記基板保持部に保持された前記基板の下面の周縁部分と第２空隙を隔てて対面する先端面と、前記先端面に連結する外周面とを含む筒状壁部と、前記本体部と前記筒状壁部とを連結し、前記第１空隙に連通する孔が形成された連結部とを有し前記気体供給部は、気体を前記孔に供給して、前記第１空隙を経由して前記第２空隙から外側に前記気体を吹き出させる。
【０００９】
基板処理装置の第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記本体部の前記側面および前記筒状壁部の前記内周面の少なくともいずれか一方には、周方向に沿って延在する溝が形成されている。
【００１０】
基板処理装置の第５の態様は、第４の態様にかかる基板処理装置であって、前記本体部と前記筒状壁部との間の隙間は、前記溝に対して前記基板側の方が、前記溝に対して前記基板とは反対側よりも狭い。
【００１１】
基板処理装置の第６の態様は、第４または第５の態様にかかる基板処理装置であって、前記本体部の前記側面および前記筒状壁部の前記内周面の他方は、前記溝に対向する位置において突起部を有し、前記突起部は前記溝に向かって突起し、周方向に沿って延在している。
【００１２】
基板処理装置の第７の態様は、第３から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板保持部は、前記本体部および前記筒状壁部が相互に連結された状態で着脱できるように、前記基板処理装置に固定されている。
【００１３】
基板処理装置の第８の態様は、第３から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記筒状壁部の前記先端面の外周側の周縁は、平面視において、前記基板保持部に保持された前記基板の周縁と同じまたは内側に位置している。
【００１４】
基板処理装置の第９の態様は、第１または第２の態様にかかる基板加熱保持装置と、前記基板を昇降させる昇降部と、を備え、前記昇降部は、前記基板保持部と離れた位置で前記基板を受け取り、前記ヒータが前記基板保持部を加熱している状態で、前記基板を前記基板保持部へと下降させた上で、一旦、停止し、その後、前記基板を前記基板保持部の前記上面まで下降させる。
【００１５】
基板処理装置の第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記昇降部は、前記基板の下降を一旦停止した後に、前記基板を上昇させてから前記基板を前記基板保持部の前記上面の上まで下降させる。
【００１６】
基板処理装置の第１１の態様は、第９または第１０の態様にかかる基板処理装置であって、前記昇降部は、前記基板を上昇させるときの速度よりも低い速度で前記基板を前記基板保持部の上まで下降させる。
【発明の効果】
【００１７】
基板加熱保持装置の第１および第２の態様によれば、基板の温度のばらつきを低減することができる。
【００１８】
基板処理装置の第３の態様によれば、第２空隙から外側に吹き出される気体は、基板の側面から下面へ伝達される処理液を外側に吹き飛ばすことができる。
【００１９】
基板処理装置の第４の態様によれば、気体は溝に沿って周方向に流れた後で、基板と筒状壁部との間の第２空隙から外側に吹き出される。よって、第２空隙から外側に流れる気体の周方向における流量の均一性を向上できる。
【００２０】
基板処理装置の第５の態様によれば、溝からの出口が溝への入り口に比べて狭くなるので、気体が溝に沿って周方向に流れやすくなる。よって、第２空隙から外側に流れる気体の流量の均一性を更に向上できる。
【００２１】
基板処理装置の第６の態様によれば、突起部に衝突した気体は溝に向かって流れる。よって、溝を周方向に沿って流れる気体が多くなり、ひいては、第２空隙から外側に流れる気体の流量の均一性を更に向上できる。
【００２２】
基板処理装置の第７の態様によれば、本体部および筒状壁部が相互に連結された状態で基板処理装置から取り外すことができる。よって、本体部の側面と筒状壁部の内周面との間の第２空隙の幅を狭くしても、基板保持部を容易に基板処理装置に着脱できる。よって、基板保持部の洗浄の際の作業を容易にできる。
【００２３】
基板処理装置の第８の態様によれば、先端面に付着する処理液を低減または回避できる。
【００２４】
基板処理装置の第９の態様によれば、基板の温度分布のばらつきを低減できる。
【００２５】
基板処理装置の第１０の態様によれば、基板の温度のばらつきを低減しつつ、速やかに基板の温度を上昇できる。
【００２６】
基板処理装置の第１１の態様によれば、基板の温度ばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】基板処理システムの構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図２】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図３】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側面図である。
【図４】基板保持部の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図５】基板保持部の本体部および基板の一例を概略的に示す平面図である。
【図６】基板の温度分布の一例を概略的に示すグラフである。
【図７】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図８】基板の搬入時の様子の一例を概略的に示す図である。
【図９】基板の搬入時の様子の一例を概略的に示す図である。
【図１０】基板の搬入時の様子の一例を概略的に示す図である。
【図１１】基板搬入時の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図１２】基板保持部の本体部の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、基板処理装置の一例であり、基板処理装置の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。また、各図では、同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。上下方向は鉛直方向である。
【００２９】
第１の実施の形態．
＜基板処理システム＞
図１は、基板処理システム１００の一例を概略的に示す図である。この基板処理システム１００は基板９に対して種々の処理を行う。基板９は例えばタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）などの圧電基板である。この圧電基板の熱伝達率は低いので、基板９に対して局所的に熱を加えると、基板９に温度のばらつきが生じやすい。また圧電基板の熱膨張係数は高いので、たとえ低温（例えば８０度から１５０度の範囲）であっても数［℃］程度の温度のばらつきに起因して割れが生じ得る。本実施の形態では、後に詳述するように、熱に起因した割れを生じさせずに基板９を加熱することを企図する。
【００３０】
このような圧電基板は、例えば、ＳＡＷ（表面弾性波）フィルタの基板に採用される。基板９は板状の形状を有しており、平面視において略円形状を有している。基板９の直径は例えば数十［ｍｍ］程度以上に設定される。
【００３１】
図１の例では、基板処理システム１００には、２台の基板処理装置１０が隣接して配置され、両基板処理装置１０に対向するように搬送ロボット１２０が設けられている。搬送ロボット１２０はローダ部１１０に載置されるカセット１１１，１１２の各々から基板９を１枚ずつ取り出し、該基板９を基板処理装置１０に搬送する。各基板処理装置１０は、搬送ロボット１２０によって搬入された基板９を支持し、基板９に対して種々の処理を行う。例えば、基板処理装置１０は処理液を基板９の上面に供給して、処理液に基づいた処理を基板９に対して行う。より具体的な一例として、基板処理装置１０は処理液としてフォトレジスト液等の塗布液を基板９の上面に噴霧塗布することによってフォトレジスト膜等の膜形成を行う。このような基板処理装置１０は塗布装置とも呼ばれる。
【００３２】
基板９への処理が終了すると、搬送ロボット１２０が処理済みの基板９を基板処理装置１０から取り出し、該基板９をアンローダ部１３０に載置されたカセット１３１，１３２の各々に収納する。このような動作を、基板処理システム１００において連続的に繰り返し行うことにより、ローダ部１１０のカセット１１１，１１２の各々に収納されていた複数枚の基板９は処理が行われた状態（例えば、その表面に塗布膜が形成された状態）で、アンローダ部１３０に載置されたカセット１３１，１３２の各々に収容される。なお、アンローダ部１３０のカセット１３１，１３２の下部には、図示しないヒータ（オーブン）が設けられ、基板９の表面に形成された塗布膜をアンローダ部１３０において乾燥・硬化させることができる。
【００３３】
＜基板処理装置＞
図２は、基板処理装置１０の内部構成の一例を概略的に示す平面図であり、図３は、基板処理装置１０の内部構成の一例を概略的に示す側面図である。
【００３４】
基板処理装置１０は、基板９の上面９ａに処理液を供給する処理液供給部として、ノズル支持アーム１１とスプレーノズル１２と駆動部１３とを備えている。ノズル支持アーム１１の一方端部（基部）は駆動部１３の回転シャフト１３ａに連結され、他方端部（先端部）はスプレーノズル１２を基板９の上面９ａから所定高さ位置で支持する。スプレーノズル１２には、図３に示すように、窒素（Ｎ２）等の気体（プロセスエア）と、レジスト液等の塗布液（処理液）とが供給され、スプレーノズル１２が塗布液を霧状に噴霧するように構成される。駆動部１３はモータ等の回転駆動部材によって構成され、ノズル支持アーム１１の一方端部を支持する回転シャフト１３ａを回転駆動することによって、スプレーノズル１２を円弧状の軌跡Ｌに沿って移動させる。軌跡Ｌは、図２に示すように、基板９の中心を通り、基板９の上面９ａ上を通過する軌跡である。
【００３５】
また、基板処理装置１０は基板加熱保持装置３０と回転機構４０と気体供給部７０とピン昇降部６０とを備えている。基板加熱保持装置３０は基板９を略水平な姿勢で保持しながら基板９を加熱する。具体的には、基板加熱保持装置３０は基板保持部５０とヒータ３２とを有している。基板保持部５０は基板９を略水平な姿勢で保持する部材である。
【００３６】
図４は、基板保持部５０の一部の構成の一例を概略的に示す断面図である。基板保持部５０は本体部５１と筒状壁部５２と連結部５３とカバー部５４とを有している。本体部５１は略水平な上面５１ａを有しており、この上面５１ａの上に基板９が載置される。言い換えれば、上面５１ａが基板９の下面９ｂに接触することで、本体部５１は基板９を略水平に保持する。基板保持部５０は吸着ステージであってよい。例えば本体部５１の上面５１ａには、吸着用の複数の開口部（不図示）が形成され、この開口部から空気が吸引されることで、基板９が本体部５１の上面５１ａに吸着される。
【００３７】
本体部５１の上面５１ａは平面視において基板９と同様の形状を有する。ここでは基板９は平面視において略円形状を有しているので、本体部５１の上面５１ａも平面視において略円形状を有する。図５は、基板９と基板保持部５０の本体部５１との一例を概略的に示す平面図である。本体部５１の上面５１ａの周縁は、基板９の周縁よりも５［ｍｍ］だけ内側のラインＶＬ１と基板９の周縁との間に位置している。つまり、本体部５１の上面５１ａの直径は基板９の直径よりも短く、且つ、基板９の直径から１０［ｍｍ］だけ減算した値よりも長い。
【００３８】
ここでは、基板９はその中心が上面５１ａの中心とほぼ一致するように本体部５１の上面５１ａの上に載置されているので、基板９は本体部５１の上面５１ａの周縁からほぼ均等に外側に広がっている。具体的な一例として、基板９の周縁と本体部５１の上面５１ａの周縁との間の距離は３［ｍｍ］に設定される。
【００３９】
図３および図４を参照して、筒状壁部５２は空隙Ｇ１を隔てて本体部５１を外側から囲う筒状の形状を有している。この筒状壁部５２は先端面５２ａと内周面５２ｂと外周面５２ｃとを有しており、内周面５２ｂは空隙Ｇ１を隔てて本体部５１の側面５１ｂと対向している。筒状壁部５２の先端面５２ａは内周面５２ｂと外周面５２ｃとを連結する面であって、本体部５１に保持された基板９の下面９ｂの周縁部分と空隙Ｇ２を隔てて対向している。つまり、筒状壁部５２の先端面５２ａは本体部５１の上面５１ａよりも低い位置に形成されている。空隙Ｇ１，Ｇ２は基板保持部５０の全周に亘って形成されており、相互に連通している。
【００４０】
空隙Ｇ２の幅（鉛直方向に沿う幅）は例えば数十（具体的には５０）［μｍ］程度に設定される。また空隙Ｇ１の幅（水平方向に沿う幅）は、図４の例ではその鉛直方向における位置によって相違するものの、空隙Ｇ２側において例えば数百（具体的には５００）［μｍ］程度に設定される。
【００４１】
図４の例では、本体部５１の側面５１ｂには、溝５１１が形成されており、筒状壁部５２の内周面５２ｂには、溝５１１に対向して突起部５２１が設けられている。これらについては後に詳述する。
【００４２】
連結部５３は本体部５１と筒状壁部５２とを連結しており、本体部５１の下側部分と筒状壁部５２の下側部分とを繋げる。また連結部５３には、自身を鉛直方向で貫通しつつ空隙Ｇ１に連通する孔Ｈ１が形成されている。孔Ｈ１は平面視において周方向に沿って間隔を空けて形成されており、例えば４つの孔Ｈ１が周方向で略等間隔に形成される。なお図４では、孔Ｈ１が図示される断面の構成が示されているので、一見すれば、連結部５３は本体部５１および筒状壁部５２を連結していないように見えるものの、実際には孔Ｈ１が存在していない断面において、連結部５３は本体部５１から筒状壁部５２まで延在する。
【００４３】
孔Ｈ１には、後述の気体供給部７０から気体（例えば窒素）が供給される。気体供給部７０からの気体は孔Ｈ１、空隙Ｇ１，Ｇ２の内部をこの順に流れて、空隙Ｇ２から外側に吹き出る。つまり、本体部５１に保持された基板９の下面９ｂの周縁部分と筒状壁部５２の先端面５２ａとの間から外側に気体が吹き出す。これにより、基板９の上面９ａの上の塗布液が基板９の側面を伝わったとしても、その塗布液は気体によって外側に吹き飛ばされて、基板９の下面９ｂ側には伝わりにくい。よって、基板９の下面９ｂ側に付着する塗布液の量をほぼ零に低減することができる。
【００４４】
カバー部５４は連結部５３の周縁部分から鉛直下方に沿って延在している。より具体的には、カバー部５４は連結部５３の孔Ｈ１よりも外側の周縁部分から鉛直下方に沿って延在している。カバー部５４は連結部５３の下方側の空間を囲っている。後に詳述するヒータ３２、回転機構４０、ピン昇降部６０および気体供給部７０はカバー部５４の内部に設けられており、カバー部５４はこれらを塗布液から保護する。
【００４５】
基板保持部５０（本体部５１、筒状壁部５２、連結部５３およびカバー部５４）は同一の材料（例えばアルミ）で一体的に形成されてもよい。あるいは、基板保持部５０は複数の部材が所定の固定方法（例えばねじ、ボルト、圧入、係止または接着剤など）によって相互に固定されて構成されてもよい。例えば、筒状壁部５２、連結部５３およびカバー部５４が同一の材料で一体に形成されており、その一体物が本体部５１に対して例えばねじ止めによって固定されてもよい。例えば、本体部５１と連結部５３とが鉛直方向において相互にねじ止めされることにより、当該一体物と本体部５１とが相互に固定される。
【００４６】
ヒータ３２は発熱機構（例えば電熱線など）を有しており、制御部２０の制御の下で発熱する。ヒータ３２は、発熱した熱を、基板保持部５０を介して基板９へと伝達させる。図３の例では、ヒータ３２は連結部５３の鉛直下方に設けられており、連結部５３の下面に接触している。ヒータ３２からの熱は連結部５３および本体部５１をこの順に介して基板９に伝達される。これにより、基板９を昇温することができる。例えばヒータ３２は基板９を８０度〜１５０度程度の範囲内の温度に昇温させる。これにより、基板９の上面９ａに塗布された塗布液を速やかに乾燥・定着させることができる。
【００４７】
基板保持部５０およびヒータ３２には回転機構４０が連結されている。回転機構４０は回転シャフト４１と回転駆動部４２とを有している。回転シャフト４１は鉛直方向に沿って延在しており、その一方端部（先端）がヒータ３２に連結されている。回転駆動部４２はモータを有しており、制御部２０の制御の下で回転シャフト４１を回転させる。回転駆動部４２が回転動作を行うことにより、その回転動作が回転シャフト４１に伝達され、回転シャフト４１がＲ方向に回転する。その結果、基板保持部５０によって保持された基板９は回転シャフト４１の回転に伴ってＲ方向に回転する。
【００４８】
回転シャフト４１は中空構造を有しており、その中空部は本体部５１の上面５１ａに形成された複数の開口部に連通している。そして、不図示の吸引装置によってエア吸引が行われ、本体部５１の上面５１ａの上に載置された基板９が真空吸着される。
【００４９】
ピン昇降部６０は、基板保持部５０から離れた位置で搬送ロボット１２０から未処理の基板９を受け取り、当該基板９を下降させて基板９を基板保持部５０の上に載置するとともに、処理済みの基板９を基板保持部５０から上昇させる。搬送ロボット１２０はその状態で処理済みの基板９を受け取る。
【００５０】
具体的には、ピン昇降部６０は複数のリフトピン６１と昇降駆動部６２とを有している。複数のリフトピン６１は、鉛直方向に沿って延在する長尺状形状を有しており、周方向に沿って略等間隔に配置される。複数のリフトピン６１はその基端部において相互に連結される。ただし図３の例では、図示を容易にするために、複数のリフトピン６１を連結する連結部材のうち、回転シャフト４１と重なる部分については図示を省略している。複数のリフトピン６１は、ヒータ３２および基板保持部５０を鉛直方向に沿って貫通可能である。言い換えれば、ヒータ３２および基板保持部５０には、リフトピン６１によって貫通される貫通孔（不図示）が形成されている。
【００５１】
昇降駆動部６２は例えばエアシリンダを有しており、リフトピン６１を鉛直方向に沿って昇降させる。昇降駆動部６２がリフトピン６１を持ち上げた状態で、搬送ロボット１２０によって基板９が複数のリフトピン６１の先端上に載置される。図３の例では、この状態のリフトピン６１の先端部分と基板９とが仮想線で示されている。この状態で昇降駆動部６２が複数のリフトピン６１を下降させることで、本体部５１の上面５１ａの上に基板９が載置される。
【００５２】
気体供給部７０は気体を基板保持部５０の孔Ｈ１に供給して、空隙Ｇ１を経由して空隙Ｇ２から外側に気体を吹き出させる。より具体的には、気体供給部７０は複数のノズル７１と配管７２と開閉弁７３とヒータ７４とを備えている。ノズル７１は、例えば、その先端が孔Ｈ１に挿入された状態で配置されてもよい。なお孔Ｈ１のうちノズル７１の先端が挿入される空間は基板保持部５０の全周に亘って連通している。これにより、基板保持部５０が回転機構４０によって回転しても、ノズル７１が基板保持部５０と衝突しないように、基板保持部５０が構成される。ここでは、４つのノズル７１が周方向に沿って略等間隔に設けられる。
【００５３】
各ノズル７１は配管７２を介して気体供給源７５に接続されている。気体供給源７５は例えば窒素などの気体を配管７２の内部に供給する。開閉弁７３は配管７２の途中に設けられており、配管７２の内部の流路の開閉を切り替える。開閉弁７３は制御部２０によって制御される。開閉弁７３が開くことにより、気体供給源７５からの気体が配管７２の内部を流れて、ノズル７１から吐出される。この気体は孔Ｈ１および空隙Ｇ１，Ｇ２をこの順に流れて、基板９の周縁よりも外側に吹き出される。これにより、基板９の側面から下面９ｂへ伝達される塗布液を外側に吹き飛ばすことができる。
【００５４】
ヒータ７４は配管７２の途中に設けられており、発熱機構（例えば電熱線など）を有している。このヒータ７４は配管７２内の気体を加熱する。このヒータ７４は制御部２０によって制御されて、気体を基板９の温度と同程度の温度（例えば８０度から１５０度までの範囲）に昇温する。
【００５５】
この基板処理装置１０においては、基板９がＲ方向に回転しているときに、処理液供給部による塗布液の噴霧塗布が行われる。基板９を比較的低速で回転させつつ、スプレーノズル１２を軌跡Ｌに沿って移動させながら塗布液を噴霧塗布するように構成されているので、遠心力による塗布液の飛散は少なくなり、塗布液の利用効率は高くなる。またこのとき、ヒータ３２が熱源となって基板保持部５０上の基板９を加熱する。これにより、塗布膜の形成を促進できる。またこのとき、気体供給部７０は孔Ｈ１および空隙Ｇ１，Ｇ２の内部へと気体を供給している。これにより、基板９の側面からの塗布液の液垂れや基板９の下面９ｂ側への塗布液の付着等を抑制または回避できる。
【００５６】
基板保持部５０の周囲には、カップ部８０が設けられている。カップ部８０は外壁部８１と気液分離チャンバ８３とを備えている。外壁部８１は基板保持部５０に対して空隙を隔てて外側から対向する筒状の形状を有しており、気液分離チャンバ８３によってカバー部５４に連結されている。外壁部８１の先端面は基板９よりも上方に位置している。基板保持部５０とカップ部８０とは一体的に形成されてもよく、あるいは、所定の固定方法（例えばねじ、ボルト、圧入、係止または接着剤など）により相互に固定されてもよい。
【００５７】
基板９の表面に付着しなかった塗布液は、気液分離チャンバ８３の排気による気流に沿って外壁部８１と基板保持部５０との間の空間を下方側に移動し、気液分離チャンバ８３に導かれる。また、外壁部８１と基板保持部５０に付着した塗布液もこれら壁面に沿って流下して外壁部８１および基板保持部５０の下部に設けられた気液分離チャンバ８３に導かれる。気液分離チャンバ８３では気液分離が行われ、カップ内部の排液および排気が行われる。このように基板９の外側に散った塗布液は気液分離チャンバ８３によって排液されるように構成されているので、カップ洗浄の頻度は低くなる。
【００５８】
基板処理装置１０には、上記のような処理液供給部および支持機構を制御するために、制御部２０が設けられている。制御部２０は駆動部１３、昇降駆動部６２および回転駆動部４２を制御するとともに、スプレーノズル１２に供給するプロセスエアおよび塗布液の供給状態、ならびに、開閉弁７３およびヒータ７４（つまり、ノズル７１に供給する気体の供給状態）を制御する。また制御部２０は、基板９を基板保持部５０に吸着固定するためのエア吸引やヒータ３２を制御するようにも構成される。故に、制御部２０は基板９に対して塗布液を噴霧塗布することによって塗布膜形成を行う処理を統括的に制御するものである。なお、制御部２０は基板処理システム１００における搬送ロボット１２０等の各部と連携した動作を行うように、各部と信号通信を行うようになっている。
【００５９】
制御部２０は電子回路機器であって、例えば演算処理装置および記憶媒体を有していてもよい。演算処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部２０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部２０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部２０が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。
【００６０】
基板処理装置１０において、搬送ロボット１２０と基板９の受け渡しを行う際には、図２に示すように、スプレーノズル１２が初期位置Ｐ１に位置する。初期位置Ｐ１は基板保持部５０と鉛直方向で対向しない位置である。そして基板９が基板保持部５０に吸着固定され、Ｒ方向への回転を開始するとともに、スプレーノズル１２が軌跡Ｌに沿って移動を開始する。そしてスプレーノズル１２が基板９の端部上方に差し掛かる直前の位置（例えば位置Ｐ２）でスプレーノズル１２からの噴霧塗布が開始され、その後、噴霧塗布を継続しながら、基板９の中心位置を通って基板９上を移動する。そしてスプレーノズル１２が基板９の端部から抜け出た直後の位置（例えば位置Ｐ３）で噴霧塗布が停止される。
【００６１】
上記のような一連の塗布処理過程において、制御部２０は、スプレーノズル１２のノズル移動速度を、基板９の中心近傍位置では基板９の周縁部よりも高速に制御する。また、制御部２０はスプレーノズル１２のノズル移動速度の変動に比例して基板保持部５０の回転速度を変化させる。これにより、より均一な膜厚で塗布膜を形成できる。
【００６２】
また、この基板処理装置１０においては、本体部５１の上面５１ａの周縁が平面視においてラインＶＬ１と基板９の周縁との間に位置している（図５参照）。よって、本体部５１の上面５１ａはより広い面積で基板９の下面９ｂに接触する。これにより、基板９が本体部５１から直接に受熱する領域の面積を向上することができ、基板９における温度分布のばらつきを低減することができる。
【００６３】
図６は、基板の温度分布の一例を概略的に示すグラフである。図６の例では、基板処理装置１０にかかる基板９の温度分布を実線で示し、比較例にかかる基板処理装置における基板９の温度分布を破線で示している。比較例では、基板保持部の上面の周縁と基板９の周縁との間の距離が４０［ｍｍ］程度である。基板９上の温度は本実施の形態でも比較例でも、その周縁部分において側面に近づくにつれて低下している。しかしながら比較例においては、基板９の周縁部分において温度の傾斜が大きく、基板９の側面における温度と基板９の中央付近の温度との差が大きくなっている。
【００６４】
これに対して、本実施の形態によれば、基板保持部５０の上面５１ａの周縁と基板９の周縁との間の距離が３［ｍｍ］程度であるので、基板９の周縁部分における温度の傾斜を比較例よりも充分に小さくすることができる。よって、基板９の側面における温度と基板９の中央付近の温度との差を比較例よりも充分に小さくすることができる。例えば図６では、当該差を比較例の１／６程度に低減することができる。つまり、基板９における温度のばらつきを効果的に低減することができる。したがって、温度のばらつきに起因して基板９に割れが生じる可能性を効果的に低減することができる。
【００６５】
＜溝＞
図４の例では、本体部５１の側面５１ｂには、溝５１１が形成されている。この溝５１１は周方向に沿って延在しており、より具体的には、本体部５１の側面５１ｂの全周に亘って形成される。図４の例では、溝５１１は基板９側の面５１１ａと、面５１１ｂと、基板９とは反対側の面５１１ｃとによって形成されている。面５１１ａ，５１１ｃは鉛直方向において互いに向かい合う面であり、図４の例では、略水平に延在している。面５１１ｂは面５１１ａ，５１１ｃを連結する面であり、図４の例では、鉛直方向に沿って延在している。溝５１１の幅（鉛直方向に沿う幅）は例えば数［ｍｍ］（具体的には５［ｍｍ］）程度に設定される。
【００６６】
このような基板保持部５０によれば、ノズル７１から吐出された気体の少なくとも一部は一旦、溝５１１に沿って周方向に広がる。よって、気体は基板９の周縁からより均一な流量で外側に吹き出る。つまり、基板９の周縁から吹き出される気体の流量の周方向における均一性（以下、単に均一性と呼ぶ）を向上することができる。これにより、基板９の全周に亘ってより均一に塗布液を吹き飛ばすことができる。
【００６７】
また図４の例では、溝５１１に対して上方側における空隙Ｇ１の幅は溝５１１に対して下方側における空隙Ｇ１の幅よりも狭い。言い換えれば、本体部５１と筒状壁部５２との間の隙間は、溝５１１に対して基板９側の方が、溝５１１に対して基板９と反対側よりも狭い。これによれば、溝５１１への入り口が広く、溝５１１からの出口が狭いので、気体は溝５１１において周方向に沿って更に広がりやすい。したがって、基板９の周縁から吹き出される気体の均一性を更に向上することができる。
【００６８】
＜突起＞
図４の例では、筒状壁部５２の内周面５２ｂには、突起部５２１が設けられている。この突起部５２１は径方向において溝５１１と対向する位置で、溝５１１側へと突起している。この突起部５２１は周方向に沿って延在しており、より具体的には、筒状壁部５２の全周に亘って設けられている。この突起部５２１は基板９側の上面５２１ａと、突起部５２１の先端面となる側面５２１ｂと、基板９とは反対側の下面５２１ｃとによって形成されている。図４の例では、上面５２１ａおよび下面５２１ｃは略水平に延在している。側面５２１ｂは上面５２１ａおよび下面５２１ｃを連結する面であり、図４の例では、鉛直方向に沿って延在している。
【００６９】
突起部５２１の幅（鉛直方向に沿う幅）は溝５１１の幅（鉛直方向に沿う幅）よりも狭く、突起部５２１の上面５２１ａの内周側の一部が、溝５１１の面５１１ａの外周側の一部と鉛直方向において対向している。一方で、突起部５２１の下面５２１ｃは本体部５１とは鉛直方向において対向していない。溝５１１の面５１１ｂと突起部５２１の側面５２１ｂとの間の距離は例えば数［ｍｍ］（具体的には５［ｍｍ］）程度に設定される。
【００７０】
このような基板保持部５０において、ノズル７１から鉛直上方に沿って流れる気体は突起部５２１の下面５２１ｃに衝突し、溝５１１側へと流れる。つまり、突起部５２１が設けられていない場合には、一部の気体は溝５１１を経由せずに直接に空隙Ｇ２へと流れ得るのに対して、突起部５２１が設けられる場合には、当該一部の気体も溝５１１に流れ込みやすくなる。これにより、溝５１１において周方向に沿って広がる気体が多くなり、ひいては、基板９の周縁から吹き出される気体の均一性を更に向上することができる。
【００７１】
＜基板保持部の組み立て＞
図４の例では、上述のように、突起部５２１の下面５２１ｃは本体部５１とは鉛直方向において対向していない。これは、筒状壁部５２、連結部５３およびカバー部５４を一体で形成し、当該一体物を本体部５１に取り付けることで、基板保持部５０を構成する構造において好適である。当該一体物を本体部５１に対して鉛直上方に沿って移動させることで、当該一体物を本体部５１に取り付けることができるからである。つまり、当該一体物を鉛直方向に沿って本体部５１に対して移動させても、突起部５２１が本体部５１と衝突しないので、このような組み立てが可能となる。
【００７２】
＜筒状壁部の先端面＞
図４に例示するように、筒状壁部５２の先端面５２ａの外周側の周縁は平面視において基板９の周縁と同じ、あるいは、内側に位置するとよい。この場合、筒状壁部５２の先端面５２ａは平面視において基板９よりも外側に張り出さない。
【００７３】
これによれば、スプレーノズル１２から噴出される塗布液は先端面５２ａにはほとんど付着しない。先端面５２ａが基板９によって覆われるからである。しかも、気体供給部７０からの気体が基板９と先端面５２ａとの間から外側に吹き出るので、塗布液が基板９の下面９ｂに伝わって先端面５２ａに付着することもほとんどない。もし仮に先端面５２ａに塗布液が付着した場合には、その基板９の処理が完了して次の基板９が上面５１ａに載置されたときに、先端面５２ａ上の塗布液が当該次の基板９の下面９ｂに付着し得る。このような付着は好ましくない。これに対して、図４の例では、先端面５２ａには塗布液がほとんど付着しないので、そのような不具合を抑制または回避できる。
【００７４】
＜基板保持部の着脱方法＞
この基板保持部５０の外周面（筒状壁部５２およびカバー部５４の外周面）には、塗布液が付着し得る。よって、基板保持部５０を基板処理装置１０から取り外して洗浄する必要がある。
【００７５】
そこで、基板保持部５０は基板処理装置１０の筐体（不図示）に対して着脱可能に固定される。より具体的には、基板保持部５０は、例えば本体部５１、筒状壁部５２、連結部５３およびカバー部５４が相互に連結された状態で、基板処理装置１０から取り外され、また、当該状態で基板処理装置１０に取り付けられる。具体的な一例として、基板保持部５０はヒータ３２に対して着脱可能に取り付けられる。この場合、作業員は基板保持部５０を一体的に取り扱って、基板処理装置１０に対して着脱できる。そして作業員は、基板保持部５０を基板処理装置１０から取り外した上で当該基板保持部５０を洗浄する。これにより、基板保持部５０の外周面に付着した塗布液を除去できる。
【００７６】
このように本体部５１と筒状壁部５２とが相互に連結された状態で、基板保持部５０を基板処理装置１０に対して着脱できることは以下の点で好ましい。
【００７７】
この利点を説明するために、まず、従来の構造について説明する。従来では、基板９を保持するステージ（本体部５１に相当）と、保護用のカバー（連結部５３の外周部分、筒状壁部５２およびカバー部５４に相当）とは、別体で構成されており、カバーは基板処理装置に着脱可能に固定されていた。そして、塗布液はステージには付着しないので、作業員はカバーのみを単独で基板処理装置から取り外し、このカバーを洗浄した後で、洗浄後のカバーを基板処理装置に取り付けていた。
【００７８】
しかしながら、本実施の形態では、基板９の温度のばらつきを低減すべく、本体部５１の上面５１ａを広く設定し、その代わりに、本体部５１と筒状壁部５２との間の隙間（空隙Ｇ１の幅）を例えば数百[μｍ]程度に小さく設定し、かつ筒状壁部５２の幅を薄く設定する。
【００７９】
従来においても、ステージの上面を広く設定し、その代わりに、当該ステージと保護用のカバーとの間の隙間を数百［μｍ］程度に小さく設定し、カバーを薄く設定すれば、基板９の割れを抑制することができる。しかるに、このような構造では、カバーの着脱作業中においてカバーとステージとが互いに衝突しやすく、作業性が劣化する。しかもカバーは薄く形成されるので、当該衝突によって破損する場合もあり得る。
【００８０】
これに対して、本体部５１および筒状壁部５２が相互に連結された状態で、基板保持部５０が基板処理装置１０に対して着脱できる場合には、そのような作業上の困難を回避することができる。つまり、基板保持部５０を容易に基板処理装置１０に着脱できる。よって、基板保持部の洗浄の際の作業を容易にできる。
【００８１】
逆に言えば、本体部５１および筒状壁部５２が相互に連結された状態で基板保持部５０が基板処理装置１０に対して着脱可能に固定されることにより、本体部５１と筒状壁部５２との間の隙間をより狭く設定でき、また、筒状壁部５２の幅をより狭く設定することができる。したがって、本体部５１の上面５１ａをより広く設定することができる。これにより、基板９の温度のばらつきを効果的に抑制できる。
【００８２】
＜気体の昇温＞
ヒータ３２は連結部５３を介して筒状壁部５２も加熱する。よって、ヒータ３２は基板保持部５０を全体的に加熱する。
【００８３】
さて、上述の例では、気体供給部７０からの気体は基板保持部５０の内部（孔Ｈ１および空隙Ｇ１，Ｇ２）を流れる。よって、気体供給部７０からの気体が基板保持部５０の温度よりも低い場合には、当該気体は基板保持部５０の内部において加熱される。つまり、当該気体は基板保持部５０から熱を受け取る。そこで、ヒータ７４によって昇温された気体の温度を、ヒータ３２によって昇温された基板保持部５０の温度（あるいは、基板９の温度）よりも低く設定しても構わない。
【００８４】
これにより、基板保持部５０の内部を流路として、基板保持部５０によって温度調整（加熱）された気体を基板９の周縁から吹き出させることができる。つまり、基板保持部５０が保有する熱量を有効に活用して気体供給部７０からの気体を加熱することができ、基板処理装置１０の全体としての消費電力を低減することができる。
【００８５】
なお基板保持部５０から気体へ伝達される熱量が十分に大きい場合には、ヒータ７４を省略しても構わない。例えば基板保持部５０の内部を流れる気体の経路の長さを長くすることにより、気体へ伝達される熱量を増大することができる。
【００８６】
＜変形例＞
上述の例では、本体部５１の側面５１ｂに溝５１１が形成され、筒状壁部５２の内周面５２ｂに突起部５２１が形成されている。しかしながら、必ずしもこれに限らない。筒状壁部５２の内周面５２ｂにおいて、周方向に沿って全周に延在する溝が形成され、本体部５１の側面５１ｂにおいて、当該溝に向かって突起する突起部が形成されてもよい。これによっても、基板９の周縁から吹き出される気体の均一性を向上することができる。
【００８７】
ただし、上述のように筒状壁部５２の幅を薄く設定する場合には、その内周面５２ｂに溝を形成しにくい。よってこの場合には、本体部５１の側面５１ｂに溝５１１を形成するとよい。逆に言えば、本体部５１の側面５１ｂに溝５１１を形成することにより、筒状壁部５２の内周面５２ｂに溝を形成する必要性がなくなり、筒状壁部５２を薄く形成することができる。これにより、筒状壁部５２の先端面５２ａの外周側の周縁を基板９の周縁と同じ、または、内側に位置させやすい。
【００８８】
第２の実施の形態．
第２の実施の形態にかかる基板処理装置１０の構成は第１の実施の形態と同様である。ただし第２の実施の形態では、基板９の搬入時の動作が第１の実施の形態と相違する。具体的には、ピン昇降部６０は、未処理の基板９を受け取ってから当該基板９を下降させる途中で一旦停止し、その後に、基板９を基板保持部５０の上面５１ａまで下降させる。なおヒータ３２は基板９の搬入時において制御部２０の制御の下で発熱しており、基板保持部５０を加熱している。
【００８９】
図７は、基板搬入時の基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートであり、図８から図１０は、各ステップにおけるリフトピン６１の状態の一例を概略的に示す図である。まずステップＳ１にて、制御部２０は昇降駆動部６２を制御して、複数のリフトピン６１を第１高さ位置まで上昇させる。第１高さ位置は搬送ロボット１２０と基板９の受け渡しを行う位置である。
【００９０】
次にステップＳ２にて、搬送ロボット１２０が未処理の基板９を複数のリフトピン６１の先端の上に載置する（図８参照）。例えば搬送ロボット１２０は基板９を複数のリフトピン６１の上方に移動させた上で、基板９を下降させることにより、基板９を複数のリフトピン６１の先端に載置させる。
【００９１】
次にステップＳ３にて、制御部２０は昇降駆動部６２を制御して、複数のリフトピン６１を、第１高さ位置よりも低い第２高さ位置まで下降させる（図９も参照）。この第２高さ位置においても基板９は未だ基板保持部５０の本体部５１の上面５１ａから離れており、本体部５１からの輻射熱によって加熱される。第２高さ位置における基板９と基板保持部５０の上面５１ａとの間の距離は例えば数［ｍｍ］程度以下である。
【００９２】
第２高さ位置でリフトピン６１を所定期間に亘って停止させた後、ステップＳ４にて、制御部２０は昇降駆動部６２を制御して複数のリフトピン６１を更に下降させて、基板９を上面５１ａの上に載置させる（図１０も参照）。これにより、基板９は本体部５１から直接に熱が伝達されて加熱される。なお所定期間の経過は、例えばタイマ回路を用いて検出することができる。タイマ回路は例えば制御部２０に設けられる。
【００９３】
このような基板搬入方法によれば、基板９は本体部５１の上面５１ａの上に載置される前に、ステップＳ３において加熱される。ステップＳ３において基板９が本体部５１から受け取る熱量はステップＳ４に比して小さいので、基板９はステップＳ３においてゆっくりと昇温する。また、熱は基板９において広がるので、基板９の周縁もゆっくりと昇温する。そして、ステップＳ３において、基板９の温度ばらつきが十分に低下する程度の期間が経過すると、ステップＳ４にて基板９は本体部５１の上面５１ａの上に載置される。このように基板９が予め小さい温度ばらつきで昇温した状態で本体部５１の上面５１ａの上に載置される。よって、ステップＳ４における基板９の加熱において生じる温度のばらつきを低減することができる。
【００９４】
なお上述の例では、ピン昇降部６０は基板９を受け取ってから、基板９を上昇させることなく、基板保持部５０の上面５１ａの上まで下降させている。しかるに、ピン昇降部６０は基板９の下降を一旦停止した後に、基板９を上昇させてから基板保持部５０の上面５１ａの上まで下降させてもよい。
【００９５】
図１１は、基板搬入時の基板処理装置１０の上記動作の一例を示すフローチャートである。図１１の例では、図７と比較して、ステップＳ３１が更に実行される。ステップＳ３１はステップＳ３，Ｓ４の間で実行される。このステップＳ３１においては、制御部２０は昇降駆動部６２を制御して、複数のリフトピン６１を第３高さ位置まで上昇させる。第３高さ位置は第１高さ位置と第２高さ位置との間の位置である。そして、第２高さ位置でリフトピン６１を所定期間に亘って停止させた後、制御部２０はステップＳ４を実行する。
【００９６】
この基板搬入方法によれば、ステップＳ３にて、一旦、基板９を本体部５１に近づけて、その輻射熱により基板９を昇温させる。この輻射熱においても、基板９のうち本体部５１と対向する中央領域で多くの熱量を受け取るので、基板９の周縁領域は中央領域に比して昇温しにくい。つまり厳密に言えば、ステップＳ３においても、基板９の温度ばらつきがある程度生じ得る。
【００９７】
続くステップＳ３１にて基板９を本体部５１から遠ざける。これにより、基板９が受け取る輻射熱の熱量は小さくなり、基板９の中央から周縁へと熱が伝達されて、基板９における温度のばらつきが低減される。
【００９８】
よって、続くステップＳ４において、基板９は、より低い温度ばらつきで予め昇温された状態で、本体部５１の上面５１ａの上に載置される。
【００９９】
以上のように、基板９を予め昇温しつつも、温度のばらつきがより低い状態で本体部５１の上面５１ａの上に載置できるので、ステップＳ４の加熱時における温度のばらつきを更に低減できる。したがって、基板９に割れが生じる可能性を更に低減できる。
【０１００】
また、ステップＳ３を実行せずにステップＳ３１の実行後にステップＳ４を実行する場合についても考察する。この場合、基板９が受け取る輻射熱の単位時間当たりの熱量は少なくなる。よって、昇温に必要な時間が長くなる。これに対して、一旦ステップＳ３を実行して、基板９をより本体部５１に近づけることで、基板９が受け取る輻射熱の単位時間当たりの熱量を増大させることができる。したがって、昇温に必要な時間を短縮することができる。つまり基板９の温度のばらつきを低減しつつ、より速やかに基板９の温度を上昇できる。
【０１０１】
上述の例では、ピン昇降部６０は基板９の下降を１回だけ停止させた上で、基板９を基板保持部５０の上面５１ａの上に載置しているものの、必ずしもこれに限らない。例えば基板９を複数の高さ位置で段階的に停止させてもよい。
【０１０２】
また上述の例では、ピン昇降部６０は基板９の下降を一旦停止することで、予め基板９を昇温している。しかるに、基板９の下降速度を低くすることで、基板９が下降中に本体部５１から受け取る輻射熱の量を増大させて基板９を予め昇温させてもよい。例えば昇降駆動部６２はボールねじ機構を有しており、制御部２０の制御の下で可変の速度でリフトピン６１を昇降させる。
【０１０３】
基板９を基板保持部５０まで下降させる際の下降速度は、処理済みの基板９を基板保持部５０から上昇させる際の上昇速度を基準として規定できる。具体的には、ピン昇降部６０は当該上昇速度よりも低い下降速度で、未処理の基板９を基板保持部５０の上面５１ａの上まで下降させる。これにより、基板９が下降中に受け取る輻射熱の量を向上することができる。
【０１０４】
またピン昇降部６０は、基板９の下降中にその下降速度を変更してもよい。例えば、ピン昇降部６０は、基板９が基板保持部５０の上面５１ａに近づくほど、下降速度を段階的にあるいは連続的に低下させてもよい。
【０１０５】
第３の実施の形態．
第３の実施の形態にかかる基板処理装置１０は第１の実施の形態と同様である。ただし本体部５１の構成が第１の実施の形態と相違する。
【０１０６】
図１２は、基板保持部５０の本体部５１の上面５１ａの一例を概略的に示す図である。図１２に例示するように、本体部５１の上面５１ａには、周方向に沿って延びる溝５１２が形成されている。図１２の例では、この溝５１２は全周に亘って形成されており、リング形状を呈している。リングの中心は本体部５１の中心と略一致する。溝５１２は本体部５１の上面５１ａの周縁付近に形成される。ここで、溝５１２の径方向における位置の一例を説明すべく、仮想円ＶＲ１を導入する。この仮想円ＶＲ１は上面５１ａの中心と同じ位置に中心を有し、上面５１ａを面積で２等分する円である。溝５１２はこの仮想円ＶＲ１よりも外側の領域に形成される。
【０１０７】
溝５１２は、吸着用の吸引装置に連通しており、吸引装置によるエア吸引によって基板９が吸引される。図１２の例では、本体部５１の上面５１ａには、複数の吸引用の孔５１３が形成されている。図１２の例では、複数の孔５１３は平面視において円形状を有しており、溝５１２よりも内側に形成されている。図１２の例では、溝５１２は複数の孔５１３のうちいくつかに連通している。例えば、溝５１２と孔５１３とを繋ぐ溝が上面５１ａに形成されている。図１２の例では、溝５１２と孔５１３とを繋ぐ溝は径方向に沿って延びている。これにより、溝５１２と孔５１３とを最短で繋ぐことができる。
【０１０８】
孔５１３は本体部５１、連結部５３およびヒータ３２を貫通して、回転シャフト４１の中空部に連通する。当該中空部は吸引装置（不図示）に連通しており、当該吸引装置によるエア吸引によって、複数の孔５１３および溝５１２において基板９を吸着固定することができる。
【０１０９】
溝５１２は基板９の周縁付近において基板９の周方向に沿って形成されるので、基板９はその周縁付近において周方向の広い領域で吸引される。これにより、基板９の周縁付近における吸引力を向上することができる。よって、基板９の加熱時において、基板９の周縁付近に反りが発生する可能性を低減することができる。
【０１１０】
変形例．
基板９は必ずしも圧電基板である必要はない。より広い概念として、複数の成分を含む化合物基板を基板９に採用してもよい。この化合物基板の結晶構造は、単成分で構成される基板に比して均一となりにくい。よって、その不均一性により、たとえ８０度から１５０度の範囲といった低温であっても、基板９に割れが生じやすい場合がある。よって、このような基板９を用いた場合に、基板処理装置１０は特に有効である。つまり、基板処理装置１０は、温度のばらつきに起因して割れが生じやすい基板９に対して、割れを生じさせずに基板９に対して処理を行うことができるのである。
【０１１１】
また、単一の成分を含む基板であっても、その厚みが薄い場合（例えば１５０［μｍ］以下）には、温度のばらつきによって割れが生じ得る。したがって、そのような基板９を用いた場合にも、基板処理装置１０は特に有効である。
【０１１２】
また上述の例では、処理液として、フォトレジスト液を採用しているものの、必ずしもこれに限らない。処理液としては、種々のポリマーを採用することができる。例えば処理液としては、エポキシ系樹脂などの接着剤を採用し、複数の基板９間を貼りあわせる接着処理が実行されてもよい。この場合にも、基板９を例えば８０度から１５０度程度の範囲で昇温させる。
【０１１３】
基板加熱保持装置および基板処理装置は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、基板加熱保持装置および基板処理装置は実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。また各種の実施の形態は相互に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０  基板処理装置
３０  基板加熱保持装置
３２  ヒータ
５０  基板保持部
５１  本体部
６０  昇降部（ピン昇降部）
７０  気体供給部
５１１  溝
５１ａ  上面
５２  筒状壁部
５２１  突起部
５２ａ  先端面
５２ｂ  内周面
５２ｃ  外周面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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