(57)【要約】      （修正有）【課題】改善した原子層エッチング（ＡＬＥ）プロセスを提供する。【解決手段】シリコン酸化物をエッチングするためのＡＬＥプロセスであって、四フッ化炭素（ＣＦ４）ベースのプラズマを使用し、シリコン酸化物の表面から酸素を優先的に除去し、シリコンに富んだ表面を提供する水素（Ｈ２）ベースのプラズマを使用することを含むＡＬＥ修正ステップとＡＬＥ修正ステップにおいて形成されたシリコンに富んだ単層を除去するＡＬＥ除去ステップと、を含む。【効果】ＣＦ４およびＨ２のステップを利用するシリコン酸化物エッチングＡＬＥプロセスは、広範囲の基板プロセスステップにおいて利用することができ、例えば、自己整合コンタクトエッチングステップ、シリコンフィン露呈ステップ、酸化物マンドレルプルステップ、酸化物スペーサトリムおよび酸化物ライナーエッチングのために利用できる。【選択図】図１２
2019204950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングするための方法であって、
シリコン酸化物を含む第１の層を提供するステップであって、該第１の層は第２の層に対して選択的にエッチングされる、ステップと、
四フッ化炭素（ＣＦ４）を含む第１のプラズマに前記第１の層を暴露して、前記第１の層の少なくとも表面を修正して、修正表面層を形成するステップであって、該修正表面層は、前記第１の層の残りの部分と比較してシリコンに富んでいる、ステップと、
水素（Ｈ２）を含む第２のプラズマに前記修正表面層を暴露し、Ｈ２を含む該第２のプラズマは前記修正表面層の少なくとも一部を除去する、ステップと、を含み、
前記第１のプラズマと前記第２のプラズマとの使用を組み合わせることで、前記第１の層の厚さの少なくとも一部を低減する、方法。
【請求項２】
ＣＦ４を含む前記第１のプラズマに前記第１の層を暴露する前記ステップと、Ｈ２を含む前記第２のプラズマに前記修正表面層を暴露する前記ステップとの複数のサイクルが実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板をエッチングするための当該方法は、自己整合コンタクト用途の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板をエッチングするための当該方法は、フィン露呈用途の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板をエッチングするための当該方法は、酸化物マンドレルプル用途の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物スペーサトリム用途の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物ライナーエッチング用途の一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板をエッチングするための方法であって、
シリコン酸化物を含む第１の層の提供するステップと、
前記第１の層をエッチングするための原子層エッチングプロセスを実行するステップであって、該原子層エッチングプロセスは、（１）  第１のプラズマを含む表面修正ステップであって、該第１のプラズマが四フッ化炭素（ＣＦ４）を含む、表面修正ステップと、（２）  該表面修正ステップに続く除去ステップであって、該除去ステップは第２のプラズマを含み、該第２のプラズマは水素（Ｈ２）を含む、除去ステップと、の複数サイクルを含む、ステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記基板をエッチングするための当該方法は、自己整合コンタクト用途の一部である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板をエッチングするための当該方法は、フィン露呈用途の一部である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板をエッチングするための当該方法は、酸化物マンドレルプル用途の一部である、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物スペーサトリム用途の一部である、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物ライナーエッチング用途の一部である、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
基板上のシリコン酸化物層の厚さを低減する方法であって、（ａ）  パーフルオロ炭化水素プラズマに該シリコン酸化物層を暴露して、該シリコン酸化物層の表面を修正するステップと、（ｂ）  ステップ（ａ）に続いて、元素水素（Ｈ２）プラズマにステップ（ａ）の生成物を暴露して、ステップ（ａ）で修正された前記表面の少なくとも一部を除去するステップと、の少なくとも１つのサイクルを実行するステップを含む方法。
【請求項１５】
前記基板をエッチングするための当該方法は、自己整合コンタクト用途の一部である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板をエッチングするための当該方法は、フィン露呈用途の一部である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板をエッチングするための当該方法は、酸化物マンドレルプル用途の一部である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物スペーサトリム用途の一部である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板をエッチングするための当該方法は、シリコン酸化物ライナーエッチング用途の一部である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記パーフルオロ炭化水素が、四フッ化炭素（ＣＦ４）である、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１８年５月１１日に出願された「Method  of  Atomic  Layer  Etching  of  Oxide」と題する米国仮特許出願第６２／６７０，４５９号および２０１８年６月１４日に出願された「Method  of  Atomic  Layer  Etching  of  Oxide」と題する米国仮特許出願第６２／６８４，８７８号の優先権を主張し、それらの開示はそのまま参照により本明細書に援用する。
【背景技術】
【０００２】
本開示は、プラズマ処理機器における基板の処理に関する。特に、酸化物を含む層のプラズマエッチングを制御する方法を提供する。
【０００３】
基板の処理のためにプラズマシステムを使用することは古くから知られている。例えば、半導体ウェハのプラズマ処理は周知である。プラズマ処理の一つの周知の使用は、基板のエッチングのためのものである。プラズマエッチングは数多くの技術的課題を提示する。さらに、基板上の構造および層の幾何学的形状が縮小し続けるにつれて、エッチング選択性、プロファイル、アスペクト比依存性エッチング、均一性等の間のトレードオフを管理することがより困難になる。所望のプロセス性能を達成するために、プラズマ処理機器の可変設定を調整して、プラズマ特性を変化させることができる。これらの設定には、ガス流量、ガス圧力、プラズマ励起のための電力、バイアス電圧等が含まれるが、これらに限定されるものではなく、従来技術において既知のものすべてが含まれる。しかし、幾何学的形状が収縮し続けるにつれて、プラズマ処理機器の設定から生じるイオンエネルギー、イオン束、ラジカル束等を十分に制御しても所望のエッチング結果を達成するためには満足のいくものでないことが分かった。
【０００４】
プラズマエッチングを改善する一つの技術は、原子層エッチング（ＡＬＥ）プラズマプロセスを利用することであった。ＡＬＥプロセスは、１つ以上の自己制限的反応を通して薄層を連続的に除去するプロセスを伴うことが一般的に知られている。従って、ＡＬＥプロセスは、エッチングプロセスを、表面の修正および修正された表面の除去の連続ステップに分離することにより、改良された性能を提供し、それにより、ラジカル束およびイオン束およびエネルギーの役割の分離を可能にする。このようなプロセスは、しばしば、層の修正およびエッチングステップの複数のサイクルシリーズを含む。修正ステップは、露出した表面を修正することができ、エッチングステップは、修正した層を選択的に除去することができる。したがって、一連の自己制限的反応が起こる可能性がある。また、本明細書で使用するように、ＡＬＥプロセスは、準ＡＬＥプロセスを含むことができる。このようなプロセスでは、一連の修正およびエッチングステップサイクルが依然として使用され得るが、除去ステップは、修正した層の除去の後に、エッチングはかなり減速するものの、完全に停止しないことがあるため、純粋には自己制限的ではないことがある。いずれの場合も、ＡＬＥベースのプロセスは、修正およびエッチングステップのサイクルシリーズを含む。
【０００５】
改善したＡＬＥプロセスを提供することが望ましい。より具体的には、酸化物のエッチングのための改善したＡＬＥプロセスを提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
１つの例示的な実施形態において、本明細書で説明するのは、酸化物をエッチングするためのＡＬＥプロセスである。一実施形態では、シリコン酸化物をエッチングするためのＡＬＥプロセスが提供される。しかし、本明細書で説明する概念は、他の酸化物、例えば、金属酸化物、二酸化ゲルマニウム、シリコン酸窒化物等のエッチングに適用可能であることが認識されるだろう。一実施形態では、ＡＬＥ修正ステップは、四フッ化炭素（ＣＦ４）ベースのプラズマのようなフルオロ炭化水素の使用を含み、ここで、フルオロ炭化水素は、パーフルオロ炭化水素とすることができ、本明細書で説明する方法の作用温度では気体である。この修正ステップは、シリコン酸化物の表面から酸素を優先的に除去し、修正表面層を提供するが、この修正表面層は、シリコンに富んだ表面とすることができ、単分子層とすることができる。ＡＬＥ除去ステップは、水素（Ｈ２）ベースのプラズマの使用を含む。この除去ステップは、修正ステップで形成されたシリコンに富んだ層を除去する。ＣＦ４およびＨ２のステップを利用するシリコン酸化物エッチングＡＬＥプロセスは、多種多様な基板プロセスステップで利用することができる。例えば、ＡＬＥプロセスは、自己整合コンタクトエッチングステップ、シリコンフィン露呈ステップ、酸化物マンドレルプルステップ、酸化物スペーサトリム、および酸化物ライナーエッチングのために利用され得るが、これらに限定されない。
【０００７】
一実施形態では、基板をエッチングするための方法が提供される。本方法は、シリコン酸化物を含む第１の層を提供するステップであって、第１の層は第２の層に対して選択的にエッチングされる、ステップを含むことができる。本方法は、ＣＦ４を含む第１のプラズマに第１の層を暴露して、第１の層の少なくとも表面を修正して、修正表面層を形成するステップであって、修正表面層は、第１の層の残りの部分と比較してシリコンに富んでいる、ステップをさらに含む。本方法は、Ｈ２を含む第２のプラズマに修正表面層を暴露するステップであって、Ｈ２を含むプラズマは、修正表面層の少なくとも一部を除去する、ステップをさらに含む。第１のプラズマと第２のプラズマとの使用を組み合わせることで、第１の層の厚さの少なくとも一部を低減する。
【０００８】
別の実施形態では、基板をエッチングするための方法が提供される。本方法は、シリコン酸化物を含む第１の層を提供するステップを含む。本方法は、第１の層をエッチングするための原子層エッチングプロセスを実行するステップであって、原子層エッチングプロセスは、（１）第１のプラズマを含む表面修正ステップであって、第１のプラズマはＣＦ４を含む、ステップと、（２）表面修正ステップに続く除去ステップであって、除去ステップは第２のプラズマを含み、第２のプラズマはＨ２を含む、ステップとの複数のサイクルを含む、ステップをさらに含む。
【０００９】
別の実施形態では、基板上のシリコン酸化物層の厚さを低減する方法が提供される。本方法は、（ａ）パーフルオロ炭化水素プラズマにシリコン酸化物層を暴露してシリコン酸化物層の表面を修正するステップと、それ続けて（ｂ）元素水素プラズマにステップ（ａ）の生成物を暴露して、ステップ（ａ）で修正した表面の少なくとも一部を除去するステップとの少なくとも１つのサイクルを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明およびその利点のより完全な理解は、添付の図面と関連して取り上げた以下の説明を参照することによって得ることができ、その場合、同様の参照番号は同様の特徴を示す。しかし、添付の図面は、開示した概念の例示的な実施形態のみを示しており、開示された概念は、他の等しく有効な実施形態を認めることができるため、範囲を制限するものとはみなされないことに留意されたい。
【００１１】
【図１】本明細書で説明するエッチング方法を利用する１つの例示的なプロセスフローを示す。
【図２Ａ】本明細書で説明する一実施形態の方法のステップにおいて起こり得る表面メカニズムを示す。
【図２Ｂ】本明細書で説明する一実施形態の方法のステップにおいて起こり得る表面メカニズムを示す。
【図２Ｃ】本明細書で説明する一実施形態の方法のステップにおいて起こり得る表面メカニズムを示す。
【図３】四フッ化炭素プラズマのみ、水素プラズマのみ、および四フッ化炭素プラズマとそれに続く水素プラズマによってエッチングされたシリコン酸化物の量を対比する１つの例示的な表を示す。
【図４】四フッ化炭素プラズマの後に水素プラズマによって除去されたシリコン酸化物のグラフを示す。
【図５】本明細書で説明する第１および第２のプラズマのサイクル数の関数として、エッチングされた総シリコン酸化物およびサイクル当たりのエッチングされたシリコン酸化物の量を比較するグラフを示す。
【図６】本明細書で説明する方法を使用した、例示的なシリコン酸化物、シリコン窒化物、およびポリシリコンの量を示すグラフを示す。
【図７Ａ】自己整合コンタクト用途における本明細書で説明する方法の代表的な用途を示す。
【図７Ｂ】自己整合コンタクト用途における本明細書で説明する方法の代表的な用途を示す。
【図７Ｃ】自己整合コンタクト用途における本明細書で説明する方法の代表的な用途を示す。
【図８Ａ】フィン露呈用途における本明細書における方法の代表的な用途を示す。
【図８Ｂ】フィン露呈用途における本明細書における方法の代表的な用途を示す。
【図９Ａ】酸化物マンドレルプル用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図９Ｂ】酸化物マンドレルプル用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図１０Ａ】シリコン酸化物スペーサトリム用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図１０Ｂ】シリコン酸化物スペーサトリム用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図１１Ａ】シリコン酸化物ライナーエッチング用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図１１Ｂ】シリコン酸化物ライナーエッチング用途において本明細書で説明する方法の代表的な応用例を示す。
【図１２】本明細書で開示する方法の代表的なフローダイヤグラムを示す。
【図１３】本明細書で開示する方法の代表的なフローダイヤグラムを示す。
【図１４】本明細書で開示する方法の代表的なフローダイヤグラムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１つの例示的な実施形態において、本明細書で説明するのは、酸化物をエッチングするためのＡＬＥプロセスである。一実施形態では、シリコン酸化物をエッチングするためのＡＬＥプロセスが提供される。しかし、本明細書で説明する概念は、他の酸化物のエッチングに適用可能であることが認識されるであろう。例えば、揮発性金属水素化物およびシリコン酸窒化物の形成が適用可能な金属酸化物である。ＡＬＥ修正ステップは、四フッ化炭素（ＣＦ４）ベースのプラズマのようなフルオロ炭化水素プラズマを使用することを含む。しかし、本開示の利益により、修正ステップを達成するために、他のフルオロカーボンガスを単独で、あるいはＣＦ４と組み合わせて利用することができる認識されるであろう。例えば、他のフルオロカーボンは、ヘキサフルオロブタジエン（Ｃ４Ｆ６）およびオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含むことができるが、これらに限定されない。この修正ステップは、シリコン酸化物の表面から酸素を優先的に除去し、基板の表面上にシリコンに富んだ層を提供する。ＡＬＥ除去ステップは、水素（Ｈ２）ベースのプラズマを使用することを含む。この除去ステップは、修正ステップにおいて形成されたシリコンに富んだ層を除去する。シリコンに富んだ層は、単分子層とすることができる。ＣＦ４およびＨ２のステップを利用するシリコン酸化物エッチングＡＬＥプロセスは、広範囲の基板プロセスステップで利用することができる。例えば、ＡＬＥプロセスは、自己整合コンタクトエッチングステップ、シリコンフィン露呈ステップ、酸化物マンドレルプルステップ、酸化物スペーサトリムステップ、および酸化物ライナーエッチングステップのために利用できるが、これらに限定されない。
【００１３】
より具体的には、図１は、本明細書で開示する技術により酸化物をエッチングするための例示的なＡＬＥプロセスを示す。図１では、プロセス１００は、プラズマ処理領域への基板の初期搬送ステップ１１０によって示される。次に、ステップ１（ブロック１２０）において、四フッ化炭素プラズマが点火される。次いで、基板はステップ２（ブロック１３０）の対象となり、ここでは、水素プラズマが点火され、基板は水素プラズマに暴露される。アルゴンまたは他の不活性ガスが、四フッ化炭素および水素と共に供給（co-feed）として使用され得ることに留意されたい。さらなるエッチングが望まれる場合、基板は、ステップ１およびステップ２のさらなるサイクルのためにライン１２５を介してステップ１（ブロック１２０）に戻される。エッチングが完了した場合、基板は、除去ブロック１４０に示すように、プラズマ処理領域から除去される。
【００１４】
より具体的には、図１に示すように、ＡＬＥプロセスは、ＣＦ４／アルゴンプラズマステップ１（ブロック１２０）で開始し、層修正ステップとして動作する。次に、ステップ２（ブロック１３０）に示すように、Ｈ２／アルゴンプラズマステップが実行され、層修正ステップにおいて生成された修正層を除去する。そして、修正および除去ステップは、所望量の酸化物の除去を完了するように、十分な数のサイクルで繰り返すことができる。一実施形態では、酸化物はシリコン酸化物である。
【００１５】
図２Ａ〜図２Ｃは、図１のＡＬＥプロセスの各ステップで起きる例示的なメカニズムを示しており、開示したメカニズムは単に例示的なものであり、他のメカニズムも起こり得ることが理解されるだろう。図２Ａ〜図２Ｃは例示的なものであり、正確な基板修正を示すことを意図していない。図２Ａに示すように、基板２１０は、シリコン原子２１１および酸素原子２１２を含む。図２Ａに示すように、上部酸素層２１３が提供される。四フッ化炭素プラズマに暴露された後、基板２１０は、図２Ｂに示すように、修正されて、酸素が枯渇したゾーン２１３Ａを含む基板２２０上にシリコンに富んだ層２２５を形成する。特に、図２Ａの上部酸素層２１３は、少なくとも部分的に還元されたことでシリコンに富んだ層２２５をもたらす。次いで、基板２２０のシリコンに富んだ層２２５は水素プラズマの対象となり、図２Ｃに示すように、最終基板２３０をもたらす。図２Ｃに示すように、シリコンに富んだ層２２５の除去は、シリコン酸化物に対して選択的である。
【００１６】
従って、図２Ａ〜２Ｃに示すように、シリコン酸化物の表面における領域は、修正ステップ２１５において、酸素がシリコン酸化物の表面から除去されるため、シリコンに富むようになる。次に、除去ステップ（ステップ２）において、図２Ｃに示すように、水素プラズマへの暴露により水素プラズマのエッチング作用により、シリコンの除去がもたらされる。この水素プラズマは、１つの例示的な実施形態においては、Ｈ２／アルゴンプラズマとすることができる。このプロセスは、好ましい量のシリコン酸化物の除去が達成されるまで、酸素を徐々に除去し、次いで、シリコン酸化物層を通じて、シリコンに富んだ層を除去して下げる複数のサイクルで繰り返すことができる。
【００１７】
１つのステップまたは他のステップだけを使用したものと比較して２段階ＡＬＥステップを使用することによるインパクトを図３に示す。図３のグラフに示すように、ステップ１、バー３１０およびステップ２、バー３３０によって示される、ステップ１、ステップ２だけによってエッチングされた酸化物の量を、上記に説明したように、ステップ１およびステップ２の組み合わせ、バー３２０によって示されるステップ１とステップ２の両方を組み合わせて使用したものと対比する。Ｙ軸はエッチングされた酸化物（オングストローム（Å））として表される。
【００１８】
２段階ＡＬＥプロセスの自己制限効果を図４に示す。図４は、第１のステップ（四フッ化炭素プラズマ）の実行後に、第２のステップ（水素プラズマ）によって除去される酸化物の量を示す。図４のグラフのライン４１０に示すように、第２のステップのエッチング時間が増加すると、表面から除去されるシリコン酸化物の量は、時間の経過と共に相対的に飽和する。グラフでは、Ｙ軸はＯｘｉｄｅ  ＥＡ（酸化物エッチング量）（オングストローム（Å））として表され、Ｘ軸は秒単位での水素プラズマ時間として表される。
【００１９】
図５は、エッチングされた総酸化物およびサイクル当たりエッチングされた酸化物の量を、ＡＬＥステップのサイクル数の関数として示す。図５におけるグラフは、左のＹ軸でエッチングされた酸化物（オングストローム（Å））および右のＹ軸でエッチングされたサイクル当たりのエッチング（ＥＰＣ）（オングストローム／サイクル（Å／cyc））を示す。Ｘ軸はステップ１＋ステップ２のサイクル数を示す。エッチングされた酸化物は、ライン５２０として表され、サイクル当たりのエッチングは、ライン５１０として表される。
【００２０】
図６は、第２のステップ（Ｈ２／アルゴンプラズマ）の１２０秒毎に本明細書で説明するＡＬＥプロセスのための例示的なシリコン酸化物、シリコン窒化物およびポリシリコンを、第２のステップの圧力の関数として示す。図６のグラフに見ることができるように、２段階ＡＬＥプロセスは、シリコン酸化物、シリコン窒化物またはポリシリコンをエッチングするための高度選択的なプロセスを提供することができる。図２〜図６のエッチング量、エッチング速度、材料等は、単に例示的なものであり、本明細書で説明する概念は、他の特徴および特性を有する他のＡＬＥプロセスと共に使用され得ることが認識されるであろう。図６のグラフでは、ライン６１０は、（各材料についてのグラフ線が実質的に重なるように）エッチングされた酸化物およびシリコン窒化物の両方の量を示し、線６２０は、エッチングされたポリシリコンを示す。
【００２１】
本明細書で説明する２段階ＡＬＥプロセスは、基板プロセスフローを異ならせる種々のポイントにおいて、広範囲の用途において利用することができる。例えば、ＡＬＥプロセスは、自己整合コンタクトエッチングステップ、シリコンフィン露呈ステップ、酸化物マンドレルプルステップ、酸化物スペーサトリムステップ、および酸化物ライナーエッチングステップで使用することができる。図７Ａ〜図１１Ｂは、種々の基板プロセスフローにおいて本明細書で説明するＡＬＥプロセスの例示的な使用を提供する。本明細書で説明するＡＬＥプロセスは、他の多くの基板処理用途において利用可能であることが認識されるだろう。例えば、シリコン酸化物の選択的除去が望まれることがある種々のプロセスステップは、本明細書で説明する技術を適切に利用することができる。一実施形態では、本技術は、半導体基板処理、より詳細には、半導体ウェハ処理において利用することができる。
【００２２】
図７Ａ〜図７Ｃは、自己整合コンタクト用途において本明細書で開示するＡＬＥプロセス技術の応用例を示す。図７Ａに示すように、基板７０５上に複数の層が形成されている。基板７０５は、パターニングされたフィーチャの使用が望ましい任意の基板とすることができる。例えば、一実施形態では、基板７０５は、その上に形成された１つ以上の半導体処理層を有する半導体基板とすることができる。一実施形態では、基板７０５は、多種多様な構造および層をもたらす複数の半導体処理ステップの対象とされた基板することができ、それらの構造及び層はすべて基板処理分野において既知であり、基板７０５の一部であるとみなすことができる。図７Ａの例示的実施形態では、酸化物層７１０は、アモルファスシリコン層７１５の下に設けられ得る。シリコン窒化物ハードマスク７２０は、図示のように、シリコン窒化物スペーサ７２５と共に設けられ得る。酸化物層７３０は、図示のように、アモルファスシリコン層７１５によって形成された構造の上およびそれらの間に形成され得る。シリコン反射防止コート７４０が上に設けられた有機誘電体層７３５が設けられ得る。また、パターニングされたフォトレジスト層７４５が設けられる。
【００２３】
図７Ａに示されるように、酸化物層７３０は、コンタクトが最終的に形成されることが望ましい領域内およびその上に形成されている。図７Ｂは、酸化物層７３０が部分的にエッチングされるポイントまでの種々の層の除去（従来のプロセスステップを介して実行され得る）を示す。一例では、従来の酸化物フルオロカーボンエッチングを利用して、酸化物層７３０を部分的にエッチングし、図７Ｂに示す、酸化物層７３０の残りの部分７３０Ａを有する構造を達成することができる。次いで、図７Ｃなどに示すように、残りの部分７３０Ａを除去することができる。図７Ｃに示すように、残りの部分７３０Ａは、本明細書で説明する高度選択的な２段階ＡＬＥプロセス、例えば、四フッ化炭素などのフルオロカーボンプラズマエッチング化学、それに続く水素プラズマステップなどの第２のステップを利用することによって除去されている。従って、達する下層の窒化ケイ素スペーサ層に対して高度選択的な方法で接触領域の残りの酸化物を除去するプロセスが提供される。従って、ポストエッチング後にコンタクト領域７５０を有する構造を得ることができる。
【００２４】
図８Ａ〜図８Ｂは、フィン露呈用途において本明細書で開示するＡＬＥプロセス技術の応用例を示す。図８Ａに示すように、基板上のフィン８０７は、シリコン窒化物層８０５によって保護されている。シリコン酸化物８０３は、図８Ａに示すように、フィン８０７の領域の周りに設けられている。シリコン酸化物８０３は、本明細書で開示するＡＬＥプロセスの使用を介して、この応用例では除去され得る（この実施例では、部分的に除去されている）。このようにして、シリコン酸化物８０３は、図８Ｂに示すような構造を達成するために、シリコン窒化物層８０５に対して選択的に除去され得る。
【００２５】
図９Ａ〜図９Ｂは、酸化物マンドレルプル用途において本明細書で説明するＡＬＥプロセス技術の応用例を示す。図示するように、シリコン酸化物マンドレル９１０は、例えば、シリコン酸化物マンドレル９１０の側面に形成されるスペーサのためのような、シリコンまたはシリコン窒化物層９１２によって囲まれ得る。本明細書で説明するＡＬＥプロセスを利用して、基板からシリコン酸化物マンドレル９１０を除去（プル）して、図９Ｂにおいてエッチング後にスペース９３１を残す。
【００２６】
図１０Ａ〜図１０Ｂは、シリコン酸化物スペーサトリム用途において本明細書で開示するＡＬＥプロセス技術の応用例を示す。図１０Ａに示すように、シリコン酸化物スペーサ１０１０Ａは、構造１０１２（例えば、シリコンまたはシリコン窒化物構造）の周囲に形成され得る。また、シリコン酸化物スペーサ１０１０は、エッチングストップ層１０１５の上に設けられ得る。本明細書で説明するＡＬＥプロセスを利用して、シリコン酸化物スペーサ１０１０Ａの幅を狭くして、図１０Ｂに示すように、より狭いシリコン酸化物スペーサ１０１０Ｂを生成するように、制御された方法でシリコン酸化物スペーサ１０１０Ａの一部をトリミングするスペーサトリミングステップを提供する。
【００２７】
図１１は、シリコン酸化物ライナーエッチング用途において本明細書で説明するＡＬＥプロセス技術の応用例を示す。図に示すように、シリコン酸化物ライナー１１１０は、図１１Ａに示すように、構造１１１２の側面（例えば、シリコンまたはシリコン窒化物構造）を裏打ちする（line）ことができる。次いで、シリコン酸化物ライナー１１１０は、構造１１１２に対して選択的な方法で酸化物ライナーエッチングを介して除去され、本明細書に開示するＡＬＥプロセスを酸化物ライナーエッチングとして利用することにより、図１１Ｂに示すような構造を生成する。
【００２８】
上記に説明したプロセスフローは単に例示的なものであり、多くの他のプロセスおよび応用例において、本明細書で開示した技術を有利に利用することができることが認識されるであろう。図１２〜図１４は、本明細書で説明する処理技術を使用するための例示的な方法を示している。図１２〜図１４の実施形態は、単に例示的なものであり、追加の方法は本明細書で説明する技術を利用することができることが認識されるであろう。さらに、説明するステップは排他的であることを意図していないため、追加の処理ステップを図１２〜図１４に示す方法に追加することができる。さらに、ステップの順序は、異なる順序が発生する可能性があり、かつ／あるいは様々なステップを組み合わせて、あるいは同時に実行する可能性があるため、図に示す順序に限定されない。
【００２９】
図１２では、基板をエッチングする方法を示す。本方法は、シリコン酸化物を含む第１の層を提供するステップであって、第１の層は、第２の層に対して選択的にエッチングされる、ステップ１２０５を含む。本方法は、さらに、ＣＦ４を含む第１のプラズマに第１の層を暴露して、第１の層の少なくとも表面を修正して、修正表面層を形成するステップであって、修正表面層は、第１の層の残りの部分と比較してシリコンに富んでいる、ステップ１２１０を含む。本方法は、さらに、Ｈ２を含む第２のプラズマに修正表面層を暴露するステップであって、Ｈ２を含むプラズマは、修正表面層の少なくとも一部を除去する、ステップ１２１５を含む。本方法では、第１のプラズマと第２のプラズマの使用を組み合わせることで第１の層の厚さの少なくとも一部を低減する。
【００３０】
図１３では、基板をエッチングする方法を示す。本方法は、シリコン酸化物を含む第１の層を提供するステップ１３０５を含む。本方法は、さらに、原子層エッチングプロセスを実行して第１の層をエッチングするステップ１３１０を含む。本方法では、原子層エッチングプロセスは、（１）第１のプラズマを含む表面修正ステップであって、第１のプラズマはＣＦ４を含む、表面修正ステップと、（２）表面修正ステップに続く除去ステップであって、除去ステップは第２のプラズマを含み、第２のプラズマはＨ２を含む、除去ステップとの複数のサイクルのステップを含むことができる。
【００３１】
図１４に、基板上のシリコン酸化物層の厚さを低減する方法を示す。本方法は、ステップ（ａ）とステップ（ｂ）との少なくとも１つのサイクルを実行することを含む。ステップ（ａ）では、パーフルオロ炭化水素プラズマにシリコン酸化物層を暴露して、シリコン酸化物層の表面を修正する（ステップ１４０５）。ステップ（ｂ）では、ステップ（ａ）に続いて、元素水素（elemental  hydrogen）プラズマにステップ（ａ）の生成物を暴露して、ステップ（ａ）で修正された表面の少なくとも一部を除去する（ステップ１４１０）。
【００３２】
本発明のさらなる修正および代替の実施形態は、この明細書に照らして当業者には明らかであろう。従って、この明細書は、単に例示的なものと解釈されるべきであり、本発明の実施方法を当業者に教示するためのものである。本発明の形態および方法は、本明細書において示され、説明されるものは、現在好ましい実施形態として取りあげられることを理解されたい。本明細書において図示および説明されたものに対して等価な技術を代用することができ、本発明の特定の特徴は、本発明のこの明細書の利益を得た後に当業者に明らかなように、他の特徴の使用とは独立して利用することができる。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【外国語明細書】
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