(57)【要約】【課題】タスクタイムを短くしつつ、導電性の良好な補助電極を形成して、有機ＥＬ表示パネルの共通電極における電圧降下を抑制し、発光効率の低下や輝度ムラの発生を防ぐ。【解決手段】複数の有機ＥＬ素子列を含む発光領域５００と有機ＥＬ素子列を含まない補助電極形成領域６００とが、基板１１上に交互に配されてなり、有機ＥＬ素子列の共通電極１７上に保護層１８が形成され、補助電極形成領域６００における保護層１８上に、共通電極１７への給電を補助する補助電極１９が配され、補助電極１９は、コンタクト用開口部２０を介して共通電極１７に電気的に接続され、保護層１８は、樹脂材料からなる第１の保護層１８２と、無機材料からなり第１の保護層の上方を覆う第２の保護層１８３とを含み、補助電極形成領域６００のうち、少なくとも補助電極１９が形成される領域においては第１の保護層１８２が形成されていない。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
前記有機ＥＬ素子列は、前記基板上方に形成された第１電極と、前記第１電極に対向配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機発光層とを含み、
前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されると共に、前記第２電極上に保護層が形成されており、
前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層上に、前記第２電極への給電を補助する給電補助電極が、前記列方向に延伸して配され、
前記給電補助電極は、その直下の前記保護層に開設されたコンタクト用開口部を介して前記第２電極に電気的に接続され、
前記保護層は、樹脂材料からなる第１の保護層と、無機材料からなり前記第１の保護層の上方を覆う第２の保護層とを含み、
前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極が形成される領域においては前記第１の保護層が存在していない
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記基板を平面視したとき、前記発光部と前記非発光列との境界に、前記列方向に延伸する仕切り壁が形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記仕切り壁を第１仕切り壁とすると、前記基板を平面視したときに、前記第１仕切り壁と前記給電補助電極が形成される領域との間に、第２仕切り壁が前記列方向に延伸して形成されている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記第２仕切り壁は、前記第１仕切り壁よりも高い
請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子列の有機発光層は、前記列方向に延伸する隔壁によって仕切られており、
前記第１仕切り壁と前記第２仕切り壁の高さは前記隔壁の高さより高い
請求項３または４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子列の有機発光層は、前記列方向に延伸する隔壁によって仕切られており、
前記隔壁のうち、前記非発光列に最も近い隔壁が前記仕切り壁を兼ねている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記仕切り壁の前記列方向と直交する方向における幅が、前記隔壁の前記列方向と直交する方向における幅よりも大きい
請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記非発光列における一対の仕切り壁間の、前記列方向と直交する方向における距離が、前記発光部において隣接する隔壁間の、前記列方向と直交する方向における距離よりも大きい
請求項６または７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記第２電極の下層として電荷移動容易化層が前記発光部と前記非発光列に共通に形成されており、
前記給電補助電極を第１給電補助電極とすると、
前記非発光列における前記電荷移動容易化層の前記第２電極と反対側の面に電気的に接触する第２給電補助電極が前記列方向に延伸して形成されている
請求項１から８までのいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第２給電補助電極は、前記第１電極と同じ材料であって前記第１電極と同じ層に形成されている
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記保護層は、前記第２保護層の下層に無機材料からなる第３保護層をさらに備える
請求項１から１０までのいずれかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記基板を準備する工程と、
前記基板上の前記発光部の領域に、第１電極と第２電極との間に有機発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子列を複数形成する工程と、
前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されており、前記第２電極上に保護層を形成する工程と、
前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層に、コンタクト用開口部を形成する工程と、
前記コンタクト用開口部を介して前記第２電極と電気的に接続される給電補助電極を、前記列方向に延伸して形成する工程と、
を含み、
前記保護層は、樹脂材料からなる第１保護層と、無機材料からなり前記第１保護層の上方を覆う第２保護層とを含み、
前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極の形成される領域においては前記第１の保護層が存在していない
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる隔壁で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）（以下、単にＲ、Ｇ、Ｂという。）の各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層（有機発光層）が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入される正孔と電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板上の画像表示領域の全面にわたって成膜することが多い。
【０００４】
テレビ等大画面表示装置への利用に向けた有機ＥＬ表示パネルが大型化に伴い、共通電極の電気抵抗が増加し、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生することが懸念される。
これに対し、例えば、特許文献１では、共通電極上に形成された保護層上に導電性の電極（補助電極）を形成し、保護層に形成されたコンタクトホールを介して、補助電極と共通電極を電気的に接続することにより、共通電極における電圧降下を抑制するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２６１０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、通常、保護層は、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの無機材料で形成されている。このような無機材料は、光透過性や耐水性、電気絶縁性に優れている一方、クラックが生じやすいというマイナス面も有しており、内部の有機ＥＬ素子を酸化や変質などから十分に保護するため、比較的膜厚を大きくする必要がある。
そのため上記コンタクトホールの加工時間（タスクタイム）が長くなり、その結果としてコンタクトホールの内側面の状態も悪くなって、補助電極用の金属を蒸着させても十分なカバレッジ（被覆面積）を得ることができず、補助電極自体の電気抵抗が増すと共に共通電極との電気的接続が十分ではなくなるという課題がある。
【０００７】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、保護層上に補助電極を形成する場合において、コンタクトホールなどのコンタクト用開口部の形成に要するタスクタイムを短くしつつ、共通電極と補助電極との間の電気的接続性を向上し、発光効率を向上させるとともに輝度ムラを抑制する有機ＥＬ表示パネル、及びその有機ＥＬ表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記有機ＥＬ素子列は、前記基板上方に形成された第１電極と、前記第１電極に対向配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機発光層とを含み、前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されると共に、前記第２電極上に保護層が形成されており、前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層上に、前記第２電極への給電を補助する給電補助電極が、前記列方向に延伸して配され、前記給電補助電極は、その直下の前記保護層に開設されたコンタクト用開口部を介して前記第２電極に電気的に接続され、前記保護層は、樹脂材料からなる第１の保護層と、無機材料からなり前記第１の保護層の上方を覆う第２の保護層とを含み、前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極が形成される領域においては前記第１の保護層が存在していないことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明に係る別の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する工程と、前記基板上の前記発光部の領域に、第１電極と第２電極との間に有機発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子列を複数形成する工程と、前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されており、前記第２電極上に保護層を形成する工程と、前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層に、コンタクト用開口部を形成する工程と、前記コンタクト用開口部を介して前記第２電極と電気的に接続される給電補助電極を、前記列方向に延伸して形成する工程と、を含み、前記保護層は、樹脂材料からなる第１保護層と、無機材料からなり前記第１保護層の上方を覆う第２保護層とを含み、前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極の形成される領域においては前記第１の保護層が存在していないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルによれば、コンタクト用開口部の加工に要するタスクタイムを短くできると共に、第２電極と給電補助電極の電気的接続を良好に維持できる。その結果、有機ＥＬ素子の共通電極である第２電極の電圧降下を効果的に抑制し、発光効率を向上させると共に輝度ムラの発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示パネルの製造工程を示すフローチャートである。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ素子の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、図５に続く有機ＥＬ素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ素子におけるコンタクト用開口部形成工程の変形例を模式的に示す部分断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、補助電極形成領域６００の仕切り構造の変型例を説明するための模式断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、図８におけるダム隔壁４２がない場合に生じ得る弊害を説明するための模式断面図である。
【図１０】補助電極形成領域６００の仕切り構造の別の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１１】補助電極形成領域６００の仕切り構造のさらに別の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１２】補助電極形成領域６００の仕切り構造のさらに別の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１３】補助電極形成領域６００の仕切り構造のさらに別の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１４】補助電極形成領域６００の仕切り構造のさらに別の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１５】保護層１８の第２保護層１８２の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１６】保護層１８の第１保護層１８１がない場合の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１７】電子輸送層１６の下方に第２補助電極１９１を設けた場合の変型例を説明するための模式断面図である。
【図１８】（ａ）〜（ｅ）は、従来の有機ＥＬ表示パネルにおける課題を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
≪本開示の一態様に至った経緯≫
図１８（ａ）〜（ｅ）は、従来の有機ＥＬ表示パネルにおける補助電極の製造工程を示す模式断面図である。
図１８（ａ）は、補助電極形成前の有機ＥＬ表示パネルの一部の模式断面図であり、同図に示すように、基材３１１１とＴＦＴ層３１１２からなる基板３１１上に層間絶縁層３１２が形成され、その上に複数の隔壁（バンク）３１４が形成され、補助電極形成領域６００を除いて、隣接する隔壁３１４間に画素電極３１３、発光層３１５が配設されて、発光領域５００を形成している。
【００１３】
補助電極形成領域６００と発光領域５００上に共通に電子輸送層３１６、共通電極３１７が積層されると共に、この共通電極３１７の上方に、内部の有機ＥＬ素子を保護するための保護層３１８が形成されている。
通常、保護層３１８は、窒化ケイ素などの無機材料を蒸着やスパッタリングで、単層または複数層に形成してなるが、この種の無機層は、クラックが生じ易く、また、共通電極３１７の表面に、もし微小な異物があった場合でも、当該異物を覆い隠すように積層し、十分な耐液性を確保するため比較的膜厚を大きくする必要がある（例えば、２μｍ〜１０μｍの膜厚）。
【００１４】
保護層３１８の補助電極形成領域６００にコンタクトホールを形成する際に、まず、保護層３１８の上面にエッチングに対する耐性の強いマスク（以下、「ハードマスク」という。主にＩＴＯ膜が使用される。）３１９を形成し、これをフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ハードマスク３１９のコンタクトホールの形成予定領域に開口部３１９１を設ける（図１８（ｂ））。
【００１５】
そして、異方性のドライエッチング処理により、保護層３１８にコンタクトホール３２０を穿設していく（図１８（ｃ））。しかしながら、上述のように保護層３１８は膜厚があるので、完全にコンタクトホール３２０を穿設するまでのタクトタイムが長くなり、しかも、長い間エッチングしていると異方性エッチングの場合であっても、コンタクトホール３２０の内側面にサイドエッチング３２０ａが生じやすくなり、コンタクトホール３２０内面の表面状態が大変悪くなる（図１８（ｄ））。
【００１６】
このような状態で、蒸着もしくはスパッタリングによりコンタクトホール３２０内に金属からなる補助電極３２１を形成しても、コンタクトホール３２０の内側面に対する金属膜のカバレッジ（被覆面積）が悪く、補助電極３２１の抵抗値が高くなって、本来補助電極３２１に期待される共通電極３１７の電圧降下の抑止力を十分得られないおそれがある。
【００１７】
そこで、本願の発明者らは、保護層による内部の有機ＥＬ素子の保護を十分確保しつつ、コンタクトホールの形成によるタスクタイムを短縮化して、補助電極の導電性および共通電極との電気接続性を良好に維持すべく、鋭意研究した結果、本開示の一態様に至ったものである。
≪本開示の一態様の概要≫
本開示の一態様は、基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、前記有機ＥＬ素子列は、前記基板上方に形成された第１電極と、前記第１電極に対向配置された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する有機発光層とを含み、前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されると共に、前記第２電極上に保護層が形成されており、前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層上に、前記第２電極への給電を補助する給電補助電極が、前記列方向に延伸して配され、前記給電補助電極は、その直下の前記保護層に開設されたコンタクト用開口部を介して前記第２電極に電気的に接続され、前記保護層は、樹脂材料からなる第１の保護層と、無機材料からなり前記第１の保護層の上方を覆う第２の保護層とを含み、前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極が形成される領域においては前記第１の保護層が存在していないことを特徴とする。
【００１８】
係る構成により、給電補助電極自体の導電性を確保しつつ、共通電極である第２電極との電気的接続を改善して、有機ＥＬ表示パネルの発光効率を向上させると共に輝度ムラを抑制することができる。
また、本開示の別の態様は、上記態様において、前記基板を平面視したとき、前記発光部と前記非発光列との境界に、前記列方向に延伸する仕切り壁が形成されている。
【００１９】
係る態様により、樹脂材料からなる第１の保護層をウエットプロセスにより形成する際に、非発光列の領域に樹脂材料が浸入するのを防ぐことができる。
また、本開示の別の態様は、前記仕切り壁を第１仕切り壁とすると、前記基板を平面視したときに、前記第１仕切り壁と前記給電補助電極が形成される領域との間に、第２仕切り壁が前記列方向に延伸して形成されている。
【００２０】
これにより、二重に樹脂材料の給電補助電極が形成される領域への浸入をより抑制することができる。
また、前記第２仕切り壁は、前記第１仕切り壁よりも高いこととしてもよい。
前記有機ＥＬ素子列の有機発光層は、前記列方向に延伸する隔壁によって仕切られており、前記第１仕切り壁と前記第２仕切り壁の高さは前記隔壁の高さより高いとしてもよい。
【００２１】
これらの態様により、上記樹脂材料の給電補助電極が形成される領域への浸入をさらに抑制することができる。
前記有機ＥＬ素子列の有機発光層は、前記列方向に延伸する隔壁によって仕切られており、前記隔壁のうち、前記非発光列に最も近い隔壁が前記仕切り壁を兼ねているとしてもよい。
【００２２】
このようにすることにより、列方向と直交する方向における非発光列の幅を小さくでき、高精細化に適する。
前記仕切り壁の前記列方向と直交する方向における幅が、前記隔壁の前記列方向と直交する方向における幅よりも大きいとしてもよい。
また、前記非発光列における一対の仕切り壁間の、前記列方向と直交する方向における距離が、前記発光部において隣接する隔壁間の、前記列方向と直交する方向における距離よりも大きいとしてもよい。
【００２３】
いずれの態様においても、上記樹脂材料の給電補助電極が形成される領域への浸入を抑制することができる。
本開示の別の態様では、前記第２電極の下層として電荷移動容易化層が前記発光部と前記非発光列に共通に形成されており、前記給電補助電極を第１給電補助電極とすると、前記非発光列における前記電荷移動容易化層の前記第２電極と反対側の面に電気的に接触する第２給電補助電極が前記列方向に延伸して形成されている。
【００２４】
これにより、第２電極の電圧降下をより一層抑制し、発光効率がよく輝度ムラのない画像を表示することができる。
ここで、前記第２給電補助電極は、前記第１電極と同じ材料であって、前記第１電極と同じ層に形成されているとしてもよい。
係る態様により、第２給電補助電極を第１電極の形成工程において同時に形成することができ、製造コストを抑制できるという効果が得られる。
【００２５】
上記各態様において、前記保護層は、前記第２保護層の下層に無機材料からなる第３保護層をさらに備えるとしてもよい。
係る態様により保護層の封止性をさらに増すことができる。
本開示に係る別の態様は、基板上に、複数の有機ＥＬ素子列を含む発光部と、有機ＥＬ素子列を含まない非発光列とが、前記列方向と直交する方向に複数交互に配されてなる有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記基板を準備する工程と、前記基板上の前記発光部の領域に、第１電極と第２電極との間に有機発光層を介在させてなる有機ＥＬ素子列を複数形成する工程と、前記第２電極は、前記発光部と前記非発光列の全体に共通して形成されており、前記第２電極上に保護層を形成する工程と、前記複数の非発光列のうち少なくとも一部の非発光列における前記保護層に、コンタクト用開口部を形成する工程と、前記コンタクト用開口部を介して前記第２電極と電気的に接続される給電補助電極を、前記列方向に延伸して形成する工程とを含み、前記保護層は、樹脂材料からなる第１保護層と、無機材料からなり前記第１保護層の上方を覆う第２保護層とを含み、前記非発光列のうち、少なくとも前記給電補助電極の形成される領域においては前記第１の保護層が存在していないことを特徴とする。
【００２６】
上記態様に係る製造方法により、共通電極である第２電極の電圧降下を効果的に抑制して、発光効率がよく輝度ムラの少ない画像を表示できる有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。
≪実施の形態≫
以下、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルについて、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、説明の便宜上、模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
【００２７】
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
図１は、有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ（電子看板、商業施設用大型スクリーン）などに用いられる表示装置である。
有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに電気的に接続された駆動制御部２００とを備える。
【００２８】
有機ＥＬ表示パネル１０は、本実施の形態では、上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。有機ＥＬ表示パネル１０では、画像表示面に沿って複数の有機ＥＬ素子（不図示）が配列され、各有機ＥＬ素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、有機ＥＬ表示パネル１０は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
【００２９】
駆動制御部２００は、有機ＥＬ表示パネル１０に接続された駆動回路２１０と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路２２０とを有する。駆動回路２１０は、各有機ＥＬ素子に電力を供給する電源回路、各有機ＥＬ素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。
【００３０】
制御回路２２０は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路２１０の動作を制御する。
なお、図１では、一例として、駆動回路２１０が有機ＥＬ表示パネル１０の周囲に４つ配置されているが、駆動制御部２００の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路２１０の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０上面の長辺に沿った方向をＸ方向、有機ＥＬ表示パネル１０上面の短辺に沿った方向をＹ方向とする。
【００３１】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
（Ａ）平面構成
図２は、有機ＥＬ表示パネル１０の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。有機ＥＬ表示パネル１０では、一例として、Ｒ、Ｇ、Ｂ色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが行列状に配列されている。副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、Ｘ方向に交互に並び、Ｘ方向に並ぶ一組の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、一つの画素Ｐを構成している。
【００３２】
副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂには、それぞれＲ、Ｇ、Ｂの色に発光する有機ＥＬ素子２（図３参照）が配置されており、階調制御された副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
また、Ｙ方向においては、副画素１００Ｒ、副画素１００Ｇ、副画素１００Ｂのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列ＣＲ、副画素列ＣＧ、副画素列ＣＢが構成されている。これにより、有機ＥＬ表示パネル１０全体として画素Ｐが、Ｘ方向及びＹ方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Ｐの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。
【００３３】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、いわゆるラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢを１列ごとに仕切る隔壁（バンク）１４がＸ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、有機発光層を共有している。
ただし、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢでは、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ同士を絶縁する画素規制層１４１がＹ方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、独立して発光することができるようになっている。
【００３４】
なお、画素規制層１４１の高さは、発光層の表面の高さより低い。図２では、隔壁１４及び画素規制層１４１は点線で表されているが、これは、画素規制層１４１及び隔壁１４が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されているからである。
ここで、一組の副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢからなる領域を一の発光領域５００（発光部）と定義すると、隣接する２つの発光領域の間には、各副画素列と平行に伸びる補助電極形成領域６００（非発光列）が存在する。
【００３５】
この補助電極形成領域６００には有機ＥＬ素子が形成されておらず、Ｘ方向におけるほぼ中央には、Ｙ方向に伸びる長尺な補助電極１９が形成されている。
（Ｂ）有機ＥＬ素子の断面構成
上述のように、有機ＥＬ表示パネル１０において、一つの画素は、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ発光する３つの副画素からなる。各副画素は、対応する色を発光する有機ＥＬ素子で構成される。
【００３６】
各色の有機ＥＬ素子は、基本的には、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子２として説明する。
図３は、図２のＡ−Ａ線に沿った模式断面図である。
同図に示すように、本実施の形態においては、有機ＥＬ素子２は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３、隔壁１４、発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、および、保護層１８、補助電極１９とからなる。
【００３７】
基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１６、共通電極１７、および、保護層１８は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１０が備える複数の有機ＥＬ素子２に共通して形成されている。
（１）基板
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００３８】
プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００３９】
（２）層間絶縁層
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図３の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
【００４０】
（３）画素電極
画素電極１３は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール（不図示）を通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施の形態においては、画素電極１３は、陽極として機能する。
【００４１】
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
【００４２】
画素電極１３は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
（４）隔壁・画素規制層
隔壁１４は、基板１１の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極１３を、Ｘ方向（図２参照）において列毎に仕切るものであって、Ｘ方向に並ぶ副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢの間においてＹ方向に延伸するラインバンク形状である。
【００４３】
この隔壁１４には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）が用いられる。
隔壁１４は、発光層１５を塗布法で形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。
【００４４】
なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。
隔壁１４は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁１４の表面は所定の撥液性を有することが好ましい。
画素電極１３が形成されていない部分において、隔壁１４の底面が層間絶縁層１２の上面と接している。
【００４５】
画素規制層１４１は、電気絶縁性材料からなり、各副画素列においてＹ方向（図２）に隣接する画素電極１３の端部を覆い、当該Ｙ方向に隣接する画素電極１３同士を仕切っている。
画素規制層１４１の膜厚は、画素電極１３の膜厚よりも若干大きいが、発光層１５の上面までの厚みよりも小さくなるように設定されている。これにより、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける発光層１５は、画素規制層１４１によっては仕切られず、発光層１５を形成する際のインクの流動が妨げられない。そのため、各副画素列における発光層１５の厚みを均一に揃えることを容易にする。
【００４６】
画素規制層１４１は、上記構造により、Ｙ方向に隣接する画素電極１３の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列ＣＲ、ＣＧ、ＣＢにおける有機発光層１６の段切れ抑制、画素電極１３と共通電極１７との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
画素規制層１４１に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、上記隔壁１４の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上層となる発光層１５を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素規制層１４１の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。
【００４７】
なお、補助電極形成領域６００においては、画素規制層１４１は形成されない。
（５）発光層
発光層１５は、発光領域５００における隔壁１４の間に形成されており、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色の光を発光する機能を有する。なお、特に、発光色を特定して説明する必要があるときには、発光層１５（Ｒ）、１５（Ｇ）、１５（Ｂ）と記す。
【００４８】
発光層１５の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００４９】
（６）電子輸送層
電子輸送層１６は、共通電極１７からの電子を発光層１５へ輸送する機能を有する。電子輸送層１６は、電子輸送性が高い有機材料からなり、アルカリ金属、および、アルカリ土類金属を含まない。
電子輸送層１６に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
【００５０】
（７）共通電極
共通電極１７は、透光性の導電性材料からなり、電子輸送層１６上に形成されている。共通電極１７は、陰極として機能する。
共通電極１７の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯや、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属を用いるのが望ましい。金属で共通電極１７を形成する場合には、共通電極１７は透光性を有する必要があるため、膜厚は、約２０ｎｍ以下の薄膜として形成される。
【００５１】
（８）保護層
保護層１８は、内部の有機ＥＬ素子の構成要素、特に、発光層１５、電子輸送層１６などの有機層が水分やその他の液体に晒されたり、空気に晒されたりして劣化するのを防止するために設けられるものである。
本実施の形態においては、発光領域５００においては、保護層１８は、それぞれ透光性を有する第１保護層１８１、第２保護層１８２、第３保護層１８３の３層からなる。
【００５２】
第１保護層１８１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）の薄膜であって、共通電極１７の上面を被覆する。
第２保護層１８２は、樹脂からなり第１保護層１８１の上面を、補助電極形成領域６００やその周縁部を除いて被覆する。第２保護層１８２を形成する樹脂材料として、例えば、フッ素系やアクリル系、エポキシ系、シリコーン系等の樹脂が使用される。
【００５３】
第３保護層１８３も、第１保護層１８１と同様な窒化シリコンの薄膜であって、第２保護層１８２の上面を被覆している。
このような保護層１８を３層構造にすることにより、第２保護層１８２の樹脂が無機層からなる第１保護層１８１、第３保護層１８３の脆弱性をカバーすると共に、共通電極１７上に微小な異物があったとしても、十分覆い隠して、クラックや耐液性の劣化を生じないようにすることができる。
【００５４】
なお、第１と第３の保護層１８１、１８３は、補助電極形成領域６００や有機ＥＬ表示パネル１０の周縁部において、第２保護層１８２を介せずに直接密着する。
（９）補助電極
補助電極１９は、導電性に優れた金属からなる。この金属材料として、銀、アルミニウムや銅などの金属が考えられる。
【００５５】
（１０）その他
図３には示されてないが、保護層１８上に接着剤を介して防眩用の偏光板や上部基板を貼り合せてもよい。これらを貼り合せることによって、有機ＥＬ素子２の構成要素、特に有機層が水分および空気などから、さらに保護される。
３．有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
以下、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００５６】
図４は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程を示すフローチャートであり、図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における補助電極形成工程の手順を示す模式断面図である。
（１）基板準備工程
まず、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を準備する（図４のステップＳ１）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
【００５７】
ＴＦＴ層１１２上に、層間絶縁層１２を形成する。具体的には、一定の流動性を有する感光性樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１１の上面に沿って、ＴＦＴ層１１２による基板１１上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、層間絶縁層１２の上面は、基材１１１の上面に沿って平坦化した形状となる。
また、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
【００５８】
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
（２）画素電極形成工程
次に、層間絶縁層１２上に画素電極１３を形成する（図４のステップＳ３）。画素電極１３は、まず、層間絶縁層１２上に画素電極材料層を、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成した後、エッチング法によりパターニングして、副画素ごとに区画された複数の画素電極１３を形成する。
【００５９】
（３）隔壁・画素規制層形成工程
次に、隔壁１４および画素規制層１４１を形成する（図４のステップＳ３）。
本実施の形態では、以下のようにしてハーフトーンマスクを用いて、隔壁１４と画素規制層１４１同時に形成するようにしている。
まず、画素電極１３が形成された層間絶縁層１２上に、樹脂材料を隔壁１４の膜厚だけ塗布して隔壁材料層を形成する。具体的な塗布方法として、例えばダイコート法やスリットコート法、スピンコート法などの湿式法を用いることができる。
【００６０】
塗布後には、例えば、真空乾燥及び６０℃〜１２０℃程度の低温加熱乾燥（プリベーク）などを行って不要な溶媒を除去し、フォトマスク（不図示）を介して隔壁材料層を露光する。
例えば、隔壁材料層がポジ型の感光性を有する場合は、隔壁材料層１４０を残す箇所を遮光し、除去する部分を露光する。
【００６１】
本例の場合、画素規制層１４１は、隔壁１４よりも膜厚が小さいので、画素規制層１４１の部分は、隔壁材料層１４０を半露光する必要がある。
そのため、この露光工程で使用されるフォトマスクは、隔壁１４に対応する位置に配され光を完全に遮断する遮光部と、画素規制層１４１に対応する位置に配された半透明部と、それ以外の画素電極１３の露出部分に対応する位置に配された透光部とを有するものが用いられる。
【００６２】
半透明部の透光度は、所定時間露光したときに、画素電極１３上の隔壁材料層が全露光され、画素規制層１４１は、その高さ分だけ露光されないで残るように決定される。
次に、現像を行い、隔壁材料層１４０の露光領域を除去することにより、隔壁１４と、これよりも膜厚の小さな画素規制層１４１を形成することができる。具体的な現像方法としては、例えば、基板１１全体を、隔壁材料層１４０の露光により感光した部分を溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板１１を洗浄すればよい。
【００６３】
これにより、層間絶縁層１２上に、Ｙ方向に延伸する形状の隔壁１４およびＸ方向に延伸する画素規制層１４１を形成することができる。
（４）発光層形成工程
次に、上記画素電極１３の上方に、発光層１５を形成する（図４のステップＳ４）。
具体的には、各一対の隔壁１４で挟まれた開口部に、対応する発光色の発光材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッドのノズルから順次吐出して開口部内の画素電極１３上に塗布する。この際、インクを画素規制層１４１の上方においても連続するように塗布する。これにより、Ｙ方向に沿ってインクが流動可能となり、インクの塗布むらを低減して、同一の副画素列における発光層１５の膜厚を均一化することが可能となる。
【００６４】
そして、インク塗布後の基板１１を真空乾燥室内に搬入して真空環境下で加熱することにより、インク中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、発光層１５を形成できる。
（５）電子輸送層形成工程
次に、発光層１５および隔壁１４上に、電子輸送層１６を形成する（図４のステップＳ５）。電子輸送層１６は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各副画素に共通して成膜することにより形成される。
【００６５】
（６）共通電極（対向電極）形成工程
次に、電子輸送層１６上に、共通電極１７を形成する（図４のステップＳ７）。本実施の形態では、共通電極１７は、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法または真空蒸着法により成膜することにより形成される。
（７）保護層形成工程
次に、共通電極１７上に、保護層１８を形成する（図４のステップＳ１０）。
【００６６】
まず、ＳｉＮからなる第１保護層１８１を、例えばプラズマＣＶＤ法により成膜することにより形成する（図５（ａ））。
原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）が用いられ、さらに、窒素（Ｎ２）を用いてもよい。
次に、第２保護層１８２を、樹脂材料を第１保護層１８１上に印刷装置のヘッド部のノズルから吐出することにより形成する（図５（ｂ））。この際、樹脂材料が、補助電極形成領域６００に流れ込まないように印刷装置で塗り分ける。なお、有機ＥＬ表示パネル１０の周縁部においても第２保護層１８２を形成しない。
【００６７】
このとき補助電極形成領域６００の両側の隔壁１４が、樹脂材料が補助電極形成領域６００内に流れ込まないように堰き止める、いわばダムとして機能する。
そして、樹脂材料を硬化させる。例えば、これらの樹脂材料が熱硬化性を有すれば加熱し、これらの樹脂材料が紫外線硬化性を有すれば紫外線を照射することにより硬化させることができる。樹脂材料を塗布する方法としては、スクリーン印刷法やディスペンス法などを用いることができる。
【００６８】
そして、第３保護層１８３を、第１保護層１８１と同一の成膜条件により、第２保護層１８２上に形成されるが、上述のように補助電極形成領域６００や有機ＥＬ表示パネル１０の周縁部には第２保護層１８２が介在しないので、第１保護層１８１上に直接第３保護層１８３が積層されることになる（図５（ｃ））。これにより、第２保護層１８２の樹脂が外部に露出するおそれがないので、大気中の水分などが、第２保護層１８２内に浸入しにくくなると共に、補助電極形成領域６００においては、保護層１８の膜厚を従来よりもかなり薄くできる。補助電極形成領域６００においては、有機ＥＬ素子２が存在していないので、発光領域５００におけるように３層構造にしなくても有機ＥＬ素子２の劣化の問題は生じにくい。
【００６９】
（８）コンタクト開口部形成工程
次に、保護層１８の補助電極形成領域６００に補助電極１９を形成するためのコンタクト用開口部２０（本実施の形態では、溝状に形成するため、本来の貫通孔としてのコンタクトホールを含めて「コンタクト用開口部」と称する。）を形成する（ステップＳ８）。
上述の通り、補助電極形成領域６００には、第２保護層１８２が形成されておらず、第１保護層１８１と第３保護層１８３が直接積層されているため、この部分における膜厚を図１８で説明した従来構造よりもかなり薄くすることができる（５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度）。したがってコンタクト用開口部２０をエッチング処理で形成しやすい。
【００７０】
例えば、コンタクト用開口部２０は次の手順で形成される。
（ア）まず、第３保護層１８３上にレジスト２１を形成し、フォトリソグラフィ法によって、コンタクト用開口部２０（図６（ｂ）参照）の形成予定位置に対応する部分が開口するように感光性樹脂からなるレジスト２１をパターニングする（図６（ａ））。
（イ）次に、ドライエッチング処理により、第１保護層１８１、第３保護層１８３に補助電極１９形成用のコンタクト用開口部２０を形成し、共通電極１７の表面を露出させる（図６（ｂ））。
【００７１】
レジスト２１はエッチング耐性がそれほど強くないので、ドライエッチングの最中で、その開口の内縁部がわずかに侵食されて径が徐々に大きくなってため、形成されたコンタクト用開口部２０の内側面は、上方に向けて広がるテーパー状に形成されている。しかも、エッチング時間が短いのでサイドエッチングもほとんど発生しない。
（ウ）レジスト２１をウエットプロセスにより除去し、リンス液で洗浄する。
【００７２】
なお、本実施の形態では、コンタクト用開口部として列方向（図２のＹ方向）に伸びる溝状に形成しているが、複数のコンタクトホールが、所定の間隔をおいて列方向に列設されてもよい。
（９）補助電極形成工程
次に、補助電極１９を形成する（図４のステップＳ９）。
【００７３】
補助電極１９は、図６（ｂ）の状態で保護層１８上に金属層を形成した後、フォトリソグラフィ法でパターニングすることにより形成される。
例えば、次のような手順で形成される。
（ア）保護層１８の上面を覆うようにして、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により、金属層を成膜する。
【００７４】
（イ）上記金属層上に、フォトリソグラフィ法を用いて、補助電極１９の形成予定位置をマスクするようにパターニングされたレジストマスクを形成する。
（ウ）ウエットエッチングもしくはドライエッチングにより金属層のマスクされた部分以外を除去した後、残ったレジストマスクをウエットプロセスにより除去し（レジスト剥離）、リンス液で洗浄する。
【００７５】
これにより補助電極１９が形成され（図６（ｃ））、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
なお、上記の製造方法は、あくまで例示であり、適宜変更可能である。
上記のように、コンタクト用開口部２０は、テーパーが形成され、表面の状態もよいので、金属層成膜時におけるカバレッジ（被覆性）が良好であり、完成した補助電極１９の電気的抵抗を極めて低くすることができるので、共通電極１７の電圧降下を抑制して輝度むらのない良質な画像を表示することができる。
【００７６】
なお、補助電極１９は必ずしも全ての補助電極形成領域６００に形成する必要はなく、一定の間隔をおいた一部の補助電極形成領域６００に形成されても共通電極１７の電圧降下抑制の効果は得られる。この場合には、複数の補助電極形成領域６００（非発光列）のうち少なくとも補助電極１９が設けられている補助電極形成領域６００について、第２保護層１８２が形成されておらず、第１保護層１８１と第３保護層１８３が直接積層されているようにすればよい。
【００７７】
４．効果
上記実施の形態によれば、次のような効果が得られる。
（１）保護層１８が有機ＥＬ表示パネル１０の発光領域においては、水分などの液体を透過しにくい無機材料からなる第１保護層１８１、第３保護層１８３により、樹脂材料からなる第２保護層１８２を挟んだ３層構造となっているため厚みもあり、共通電極１７上に微小な異物が仮にあったとしても十分覆うことができる。また、第２保護層１８２が樹脂材料からなるため外部からの衝撃を吸収して保護層１８にクラックを生じにくくすることができる。
【００７８】
（２）また、補助電極形成領域６００においては、第２保護層１８２を介在せずに、第１保護層１８１と第２保護層１８２が直接積層されているので、この部分での保護層１８の膜厚を小さくすることができる。そのためコンタクト用開口部２０の形成が容易であり、タスクタイムが短縮化できると共に、コンタクト用開口部２０の内面にサイドエッチングが生じないので、その後の補助電極１９の成膜状態が良好であり、共通電極１７の電圧降下の抑制のため十分な導電性を得ることが可能である。
【００７９】
（３）タスクタイムが短縮化できることから、エッチングマスクとして通常の感光性樹脂を用いることができ、コスト面で有利になると共に、コンタクト用開口部２０の内側面が上方向に開いたテーパー状に形成でき、補助電極１９の成膜性やカバレッジがますます向上するため、補助電極１９の良好な導電性を確保できる。
≪変形例≫
以上、本発明の一態様として、有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示パネルの製造方法の実施の形態について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。
【００８０】
１．コンタクト用開口部形成工程の変形例
上記実施の形態では、図４のステップＳ８のコンタクト用開口部形成工程において、第３保護層１８３上に感光性樹脂からなるレジスト２１を形成して、これをパターニングし、これをドライエッチング処理によりコンタクト用開口部２０を形成するようにしたが、レジスト２１に代えて、ＩＴＯ膜などのいわゆるハードマスク２２を形成するようにしてもよい。図７は、係る変形例におけるコンタクト用開口部の形成過程を示す模式断面図である。
【００８１】
まず、保護層１８の最上層の第３保護層１８３上にハードマスク２２を形成し、これをフォトリソグラフィ法でパターニングして、コンタクト用開口部の形成予定位置に開口２２１を形成する（図７（ａ））。
次に、ドライエッチング処理によりハードマスク２２を介して第１保護層１８１、第３保護層１８３をエッチングしてコンタクト用開口部２０’を形成する（図７（ｂ））。
【００８２】
ハードマスク２２はエッチング耐性が強いため、レジスト２１を使用した図６（ｂ）のようにコンタクト用開口部２０’にはテーパーは形成されないが、第１保護層１８１と第３保護層１８３を合わせた膜厚が従来に比して極めて薄いため、エッチング処理の時間が短くて済み、コンタクト用開口部２０’の内側面にサイドエッチングは生じない。
そして、蒸着またはスパッタリングにより金属層を形成した後、パターニングすることにより、図７（ｃ）に示すように補助電極１９’が形成される。コンタクト用開口部２０’にサイドエッチングがないため、補助電極１９’は比較的膜厚が均等であり、電圧降下抑制のための十分な導電性を確保できる。
【００８３】
この変形例によれば、ハードマスク２２が、ＩＴＯなどの透明な膜であるため、コンタクト用開口部２０’を形成後、これをわざわざ除去する必要がなく、それだけ工数を減らすことができる。
２．補助電極形成領域６００の仕切り構造の変形例
上記実施の形態では、補助電極形成領域６００は、その両サイドを発光領域５００における隔壁１４で仕切ることにより形成されていた。
【００８４】
ところが、保護層１８における第２保護層１８２は、比較的流動性の高い樹脂を印刷装置で塗布して形成されるため、場合によっては、補助電極形成領域６００まで浸入するおそれがある。
図９（ａ）、（ｂ）このときの様子を示す模式断面図である。
塗布直後の樹脂材料は流動性が大きく、塗布位置がわずかにずれたり、滴下量が多くなると、図９（ａ）に示すように、隔壁１４を超えて、補助電極形成領域６００まで樹脂材料が浸入する。
【００８５】
そうすると、コンタクト用開口部２０の形成位置における保護層１８の膜厚が厚くなると共に、エッチング後は、図９（ｂ）に示すようにコンタクト用開口部２０に第２保護層１８２の樹脂が露出し、その後のレジスト２１を除去するためのウエットプロセス時などにおいて、この露出部分から液体が入り込み、保護層１８の目的を十分達成することができない。
【００８６】
図８（ａ）、（ｂ）は、このような不都合を解消するための補助電極形成領域の構成の第１変型例に係る有機ＥＬ表示パネル１０の模式断面図である。
図８（ａ）に示すように本変型例では、補助電極形成領域６００と発光領域５００との境界をなす隔壁（以下では、「境界隔壁４１」とする。）の内側に、第２保護層１８２の有機材料が流入するのを阻止するための専用の隔壁（ダム隔壁）４２が設けられており、境界隔壁４１（第１仕切り壁）とダム隔壁４２（第２仕切り壁）との間に有機材料が溢れても構わない領域（溢れマージン領域）６０１が形成され、一対のダム隔壁４２に仕切られた領域が、真の補助電極形成領域６０２となる。
【００８７】
これにより、第２保護層１８２の形成時にその樹脂材料が、境界隔壁４１を乗り越えたとしても、ダム隔壁４２により堰き止められ、それより内側に浸入するおそれがなくなる（図８（ｂ）参照）。
また、図１０は、補助電極形成領域の仕切り構造の第２変形例を示す模式断面図である。
【００８８】
同図に示すように、ダム隔壁４２が境界隔壁４１よりも高く形成されているため、第２保護層１８２形成時における樹脂材料の浸入をより確実に阻止できる。
図１１は、補助電極形成領域の仕切り構造の第３変形例を示す模式断面図である。
この変形例では、境界隔壁４１もダム隔壁４２と同じだけ高くしているので、樹脂材料の浸入をさらに確実に阻止できる。
【００８９】
図１２は、補助電極形成領域の仕切り構造の第４変形例を示す模式断面図である。
この変形例では、境界隔壁４１の幅を大きくして、補助電極形成領域６００側の高さが、発光領域５００側の高さよりも高くなるように段部を形成しており、丁度、図１０におけるダム隔壁４２を境界隔壁４１に近付けて一体化したような形状になっている。
図１３は、境界隔壁４１の幅はそのままで、補助電極形成領域６００における一対の境界隔壁４１間の距離が、前記発光部５００において隣接する隔壁１４間の距離よりも大きくした第５変形例を示し、図１４は、境界隔壁４１の幅を他の隔壁１４の幅よりも広くした第６変型例を示している。
【００９０】
このようにすれば、少なくとも上記実施の形態の場合よりは、実際に補助電極１９用のコンタクト用開口部２０が形成される位置（一対の境界隔壁４１間の中央）まで有機樹脂が流入するのを抑制しやすくなる。
３．第２保護層１８２の形状の変形例
上記実施の形態では、第２保護層１８２は、補助電極形成領域６００と有機ＥＬ表示パネル１０の周縁部を除いて、発光領域５００の全部を覆うようにしたが、個々の有機ＥＬ素子における特に有機層を保護するという観点からすれば、図１５に示すように、各発光層１５の上方であって、隔壁１４を跨ぐような位置のみに第２保護層１８２を設けるようにしても構わない。
【００９１】
４．保護層１８において第１保護層１８１を省略した変形例
また、保護層１８は、必ずしも第１保護層１８１を含まなくてもよい。図１６に示すように第２保護層１８２と第３保護層１８３があれば、内部への液体の吸収を防ぎ、また外気に触れることによる有機ＥＬ素子の構成要素の酸化や変質を防止するという役目を一応果たすことができるからである。また、この場合には補助電極形成領域において共通電極１７上にあるのは第３保護層１８３だけなので、コンタクト用開口部２０の形成がより容易になり、タスクタイムのさらなる短縮化を図ることができる。
【００９２】
５．電子輸送層１６下方へ第２補助電極を配設した変形例
図１７は、補助電極（第１補助電極）１９とは別に電子輸送層１６の下方に第２補助電極１９１を設けた構成を示す模式断面図である。
第２補助電極１９１は、画素電極形成工程において、層間絶縁層１２上に形成された画素電極材料層をパターニングする際に画素電極１３と同時に形成すればよい。
【００９３】
電子輸送層１６は、原則として導電性に優れてはいないので、共通電極１７と直接接触している補助電極１９ほどまでではないが、共通電極１７における電圧降下防止の補助とはなり得る。
６．その他の変形例
（１）上記実施の形態では、フルカラーの有機ＥＬ表示パネル１０を形成するためＲ，Ｇ，Ｂの各副画素にそれぞれ対応する色を発光する発光材料を含む発光層１５（Ｒ）、１５（Ｇ）、１５（Ｂ）を形成したが、全て白色を発光する発光層に統一して、保護層１８の上方にＲ、Ｇ、Ｂのフィルターを配した公知のカラーフィルター基板を透明な接着剤などを介して貼着するように構成してもよい。
【００９４】
（２）上記実施の形態では、発光層の形成方法としては、ウエットプロセスによる方法を説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等のドライプロセスを用いることもできる。
（３）上記実施の形態では、第１保護層１８１の成膜条件および組成と第３保護層１８３の成膜条件および組成は同一であるとしたが、必ずしも完全に一致する必要はなく、当業者により適宜変更されてよい。
【００９５】
また、一般的に無機材料は樹脂よりも液体を吸収しにくい特性を有するので、第１保護層１８１、第３保護層１８３の材料として、上述の窒化シリコン（ＳｉＮ）のほかに、他の適当な無機材料（例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等）を使用してもよい。
（４）上記実施の形態では、各有機ＥＬ素子が、画素電極、発光層、電子輸送層、共通電極からなる構成であるとしたが、例えば、画素電極と発光層との間に正孔注入層や正孔輸送層を含む構成であってもよいし、電子輸送層と共通電極との間に電子注入層を含む構成であってもよい。
【００９６】
（５）上記実施の形態では、高さの異なる隔壁１４と画素規制層１４１をハーフトーンマスクを用いることにより一つの工程で同時に形成したが、隔壁１４と画素規制層１４１を別工程で形成するようにしても構わない。
例えば、まず、Ｙ方向における画素電極列を仕切るための画素規制層１４１を形成する。
【００９７】
具体的な画素規制層１４１の形成方法としては、例えば、ダイコート法などにより、画素電極１３を形成した基板１１の上面に、樹脂材料を塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Ｙ方向に隣接する画素電極１３の間に画素規制層１４１を形成すべく樹脂材料をパターニングした後、焼成することにより、画素規制層１４１を形成することができる。
【００９８】
次に、隔壁１４の材料である隔壁用樹脂を、例えば、ダイコート法などを用いて一様に塗布し、隔壁材料層を形成し、フォトリソグラフィ法により隔壁材料層にパターニングした後、焼成して隔壁１４を形成する。
（６）上記実施の形態においてはラインバンク方式の有機ＥＬ表示パネルについて説明したが、発光領域５００において、一つの副画素ごとにその四方を隔壁で囲むようにした、いわゆるピクセルバンク方式の有機ＥＬ表示パネルであっても構わない。
【００９９】
（７）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、Ｒ、Ｇ、Ｂ色にそれぞれ発光する副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて黄色（Ｙ）の４色であってもよい。また、一つの画素Ｐにおいて、副画素は１色あたり１個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Ｐにおける副画素の配列は、図２に示すような、Ｒ、Ｇ、Ｂの順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。
【０１００】
（８）上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１３を陽極、共通電極１７を陰極としたが、これに限られず、画素電極１３を陰極、共通電極１７を陽極とする逆構造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの積層順も陰極と陽極の位置によって適宜修正される。
なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能を考慮すれば、これらの上位概念として、「電荷移動容易化層」として捉えることができる。
【０１０１】
（９）上記実施の形態では、コンタクト用開口部２０は、隔壁１４に平行な方向（列方向）に溝状に形成したが、これに代えて、複数のコンタクトホール（貫通穴）を、適当なピッチで列状に設けても構わない。
（１０）また、上記実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、アクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。
【０１０２】
≪補足≫
以上、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルおよびその製造方法について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１    有機ＥＬ表示装置
２    有機ＥＬ素子
１０    有機ＥＬ表示パネル
１１    基板
１２    層間絶縁層
１３    画素電極（第１電極）
１４    隔壁
１５    発光層
１６    電子輸送層
１７    共通電極（第２電極）
１８    保護層
４１    境界隔壁（第１仕切り壁）
４２    ダム隔壁（第２仕切り壁）
１８１  第１保護層
１８２  第２保護層
１８３  第３保護層
１９    補助電極（第１給電補助電極）
１９１  第２補助電極（第２給電補助電極）
１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ  副画素
１１１    基材
１１２    ＴＦＴ層
１４０    隔壁材料層
１４１    画素規制層
５００    発光領域（発光部）
６００    補助電極形成領域（非発光列）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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