(57)【要約】      （修正有）【課題】実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、温度特性、比誘電率、発熱特性および直流破壊電圧が良好であり常温での誘電損失が小さい誘電体組成物等の提供。【解決手段】チタン酸バリウムａモル％、チタン酸ストロンチウムｂモル％およびチタン酸ビスマスカルシウムｃモル％を主成分（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）とし、副成分を含む誘電体組成物であって、前記ａ、ｂおよびｃが、５０≦ａ≦８３、１２≦ｂ≦４９．５、０．５≦ｃ≦５の範囲であり、主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．２重量％以上３重量％以下の割合で含み、主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含む誘電体組成物。【選択図】図１
2019182736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを主成分とし、副成分を含む誘電体組成物であって、
主成分組成において、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、チタン酸ビスマスカルシウムをＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが下記範囲内の値であり、
５０≦ａ≦８３
１２≦ｂ≦４９．５
０．５≦ｃ≦５
主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．２重量％以上３重量％以下の割合で含み、
主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含む誘電体組成物。
【請求項２】
前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃが
６５≦ａ≦７８
１７．５≦ｂ≦３４
１．０≦ｃ≦４．５
の範囲内の値である請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項３】
第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）が０．３以上２未満である請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項４】
第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）が０．３以上２未満である請求項１に記載の誘電体組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体組成物からなる電子部品。
【請求項６】
電極としてＣｕ電極を備える請求項５に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体組成物および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化においても静電容量を維持するために誘電率が高く低損失で、動作時の発熱が小さく、さらに高電圧下で使用するために直流破壊電圧が高い誘電体組成物および電子部品が求められている。
【０００３】
上記の要求に応えるため、引用文献１には、ＰｂＴｉＯ３−ＳｒＴｉＯ３−Ｂｉ２Ｔｉ３Ｏ９系の誘電体組成物が記載されている。しかし、当該誘電体組成物は鉛を含むため環境負荷の観点から問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６３１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、高誘電率でありながら温度特性がよく、さらには誘電損失および発熱性が低く、直流破壊電圧が高い誘電体組成物、および当該誘電体組成物からなる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る誘電体組成物は、
チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを主成分とし、副成分を含み、
主成分組成において、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、チタン酸ビスマスカルシウムをＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが下記範囲内の値であり、
５０≦ａ≦８３
１２≦ｂ≦４９．５
０．５≦ｃ≦５
主成分１００重量％に対して、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．２重量％以上３重量％以下の割合で含み、
主成分１００重量％に対して、第２副成分として、ニオブを含む化合物をＮｂ２Ｏ５換算で、０．１重量％以上３重量％以下の割合で含むことを特徴としている。
【０００７】
また、本発明に係る誘電体組成物は、より好ましくは、
前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃが
６５≦ａ≦７８
１７．５≦ｂ≦３４
１．０≦ｃ≦４．５
の範囲内の値である。
【０００８】
さらに好ましくは、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）が０．３以上２未満である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る誘電体組成物は、上記の特定の組成および含有量とすることで、実質的に鉛を使用しないにもかかわらず、比誘電率および直流破壊電圧を高く、常温での誘電損失を小さく、発熱特性、温度特性を良好にすることができる。
【００１０】
本発明に係る電子部品は、上記の誘電体組成物からなる。さらに、本発明の誘電体組成物は、耐還元性に優れることから、電極としてＣｕ電極を用いることができ、コストの削減に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は本発明の実施形態に係る単板コンデンサの断面図である。
【図２】図２は本実施形態に係る主成分の組成の三元系相図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の具体的な実施形態を図面に基づき説明する。
【００１３】
本実施形態の誘電体組成物からなる電子部品の種類には特に制限はないが、例えば、図１に示す単板コンデンサ１が挙げられる。
【００１４】
図１に示す単板コンデンサ１は本実施形態に係る誘電体組成物１０を有する。誘電体組成物１０の両面にはそれぞれ端子１２ａ、１２ｂが電極１４ａ、１４ｂを介して固着され、その周囲全面にわたって合成樹脂１６で被覆されている。
【００１５】
本実施形態に係る誘電体組成物は、主成分として、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムおよびチタン酸ビスマスカルシウムを特定の範囲内の含有量で含有する。また、第１副成分として、マンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を、特定の範囲内の含有量で含有し、かつ第２副成分として、ニオブを含む化合物を特定の範囲内の含有量で含有する。
【００１６】
主成分は、チタン酸バリウムの含有量をＢａＴｉＯ３換算でａモル％、チタン酸ストロンチウムの含有量をＳｒＴｉＯ３換算でｂモル％、およびチタン酸ビスマスカルシウムの含有量をＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５換算でｃモル％とし、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００とした場合において、
前記ａ、ｂおよびｃが下記範囲内の値である。
５０≦ａ≦８３
１２≦ｂ≦４９．５
０．５≦ｃ≦５
【００１７】
前記ａ、ｂおよびｃにより規定される範囲を、三元系相図上に示すと、下記点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内となる。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（５０，４５，５、）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１６．５，０．５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（５０，４９．５，０．５）
【００１８】
前記主成分組成におけるａ、ｂおよびｃは、下記の範囲にあることがより好ましい。
６５≦ａ≦７８
１７．５≦ｂ≦３４
１．０≦ｃ≦４．５
好ましいａ、ｂおよびｃにより規定される範囲を、三元系相図上に示すと、下記点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲となる。
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６５，３０．５，４．５）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７８，１７．５，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７８，２１，１）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６５，３４，１）
上記各点の位置を示す三元系相図を図２に示す。
【００１９】
本実施形態に係る誘電体組成物は、各主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃおよび点Ｄの４点に囲まれる範囲内であることにより、実質的に鉛を使用しなくても、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で＋２２％〜−６０％と良く、１１ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、誘電損失が３％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・２５０Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃未満と良好な発熱特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。各主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合には、比誘電率、温度特性、発熱特性および誘電損失の全体的なバランスが、より良好になる傾向がある。各主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´および点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合には、特に、１４００以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で＋２２％〜−５０％と良く、１１ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、誘電損失が２．５％以下と小さく、発熱特性の良好な誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００２０】
一方、チタン酸バリウムの含有量が５０モル％未満であると、比誘電率、発熱特性、温度特性の少なくとも一つが悪化することがある。チタン酸バリウムの含有量が８３モル％を超えると、誘電損失、発熱特性の少なくとも一つが悪化することがある。
【００２１】
また、チタン酸ビスマスカルシウムの含有量が０．５モル％未満であると温度特性、誘電損失および発熱特性の何れか１つ以上が低下することがあり、５モル％を超えると、比誘電率が低下することがある。
【００２２】
なお、本実施形態に係る誘電体組成物では、実質的に鉛を使用しないとは、具体的には、誘電体組成物全体を１００重量％とした場合において鉛の含有量が０．００１重量％以下である場合を指す。本実施形態に係る誘電体組成物では、鉛を実質的に使用しないことで、環境負荷を小さくすることができる。
【００２３】
本実施形態に係る誘電体組成物は、第一副成分としてマンガンを含む化合物、鉄を含む化合物およびクロムを含む化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含有する。第一副成分を含有することにより誘電損失を小さくするとともに、絶縁抵抗、直流破壊電圧を高くすることができる。
【００２４】
第１副成分の含有量は、主成分全体を１００重量％とした場合において、それぞれＭｎＣＯ３、Ｆｅ２Ｏ３およびＣｒ２Ｏ３換算で合計０．２重量％以上３重量％以下であり、好ましくは０．２５〜２．５重量％であり、さらに好ましくは０．２８〜１．０重量％である。第１副成分の含有量が過剰の場合には、比誘電率、直流破壊電圧が悪化することがある。
【００２５】
本実施形態に係る誘電体組成物は、第二副成分としてニオブを含む化合物を含有する。第二副成分を含有することにより温度特性、発熱特性を良好にし、誘電損失を小さくし、直流破壊電圧を高くすることができる。
【００２６】
前記ニオブを含む化合物の含有量は、主成分全体を１００重量％とした場合において、Ｎｂ２Ｏ５換算で０．１重量％以上３重量％以下であり、好ましくは０．２〜１．８重量％、さらに好ましくは０．３〜１．５重量％である。第２副成分の含有量が過剰の場合には、比誘電率、誘電損失、直流破壊電圧および発熱特性の何れか１つ以上が悪化することがある。
【００２７】
本実施形態に係る誘電体組成物において、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）は好ましくは０．３以上２未満であり、さらに好ましくは０．４〜１．８である。第１副成分に対する第２副成分の重量比を上記の範囲にすることで、さらに直流破壊電圧を高くし、誘電損失を低減し、温度特性を良好にすることができる。
【００２８】
以下、本実施形態に係る誘電体組成物および電子部品の製造方法について説明するが、誘電体組成物および電子部品の製造方法は下記の方法に限定されない。
【００２９】
まず、本実施形態に係る誘電体組成物の原料粉末を準備する。原料粉末としては、各成分の化合物、または焼成により各成分となる化合物の粉末を準備する。各成分のうち、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）については、原料を準備する時点でチタン酸バリウム粉末およびチタン酸ストロンチウム粉末を準備することが好ましい。
【００３０】
また、チタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５）は予め調製されたものであってもよく、誘電体の焼成時にチタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料を用いてもよい。チタン酸ビスマスカルシウムを生成する原材料としては、例えば酸化ビスマス、酸化チタンおよび炭酸カルシウムが挙げられるが、これらに限定はされない。予め調製したチタン酸ビスマスカルシウムを用いた方が、直流破壊電圧および温度特性を向上させ、誘電損失を低下させることができる。
【００３１】
第１副成分、第２副成分については、各元素の酸化物のほか、焼成後に各元素の酸化物となりうる化合物、例えば炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩等を準備することが可能である。
【００３２】
次に、各成分の原料粉末を混合して混合粉末を得る。混合方法には特に制限はなく、通常用いられる方法、例えば乾式混合、湿式混合等を用いることができる。
【００３３】
次に、前記混合粉末を造粒し、造粒後に必要に応じて整粒を行い、顆粒粉末を得る。造粒方法に特に制限はない。例えば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）水溶液を前記混合粉末に添加して造粒する方法がある。また、整粒方法にも特に限定はない。例えば、粗大な造粒粉末を取り除くためにふるいにかけてもよい。
【００３４】
次に、顆粒粉末を成形し、誘電体組成物からなる成形体を得る。成形方法に特に制限はなく、通常用いられる方法を用いることができる。例えば加圧成形を用いることができる。加圧時の圧力に特に制限はない。例えば２００〜６００ＭＰａとすることができる。
【００３５】
次に、得られた成形体を焼成することで、誘電体組成物からなる焼結体を得る。焼成条件に特に制限はない。焼成温度は１２００〜１３５０℃とすることができる。焼成雰囲気にも特に制限はない。例えば、空気中、窒素雰囲気中、または窒素および水素を用いた還元雰囲気中とすることができるがその他の雰囲気中でもよい。
【００３６】
さらに、得られた焼結体に一対の電極を接合させる。一対の電極は、例えば、得られた焼結体の対向する２面に接合させる。
【００３７】
また、得られた焼結体に電極を接合させる方法に特に制限はない。例えば、得られた焼結体に電極ペーストを塗装し、７００〜９００℃で焼付けすることで、得られた焼結体に電極を接合させることができる。電極ペーストとしては、たとえばＡｇペースト、Ｃｕペーストなどが使用できる。
【００３８】
本発明の誘電体組成物は、鉛を使用しないにも関わらず、上記のような優れた特性を有する。そして、さらに驚くべきことに、本発明の誘電体組成物は、耐還元性にも優れる。一般にチタン酸バリウム系の誘電体は耐還元性が低いため、還元雰囲気下で焼き付けを行うＣｕ電極の使用は困難であった。しかし、本実施形態の誘電体組成物は耐還元性が高いため、安価なＣｕ電極が使用でき、コストの削減が可能になる。
【００３９】
さらに、電極を介して端子を接続する。電極を介して端子を接続する方法に特に制限はない。さらに、端子の一部を露出させるように、誘電体組成物の周囲全面にわたって樹脂被覆を行う。被覆方法および被覆させる樹脂の種類に特に制限はない。
【００４０】
このようにして図１に記載の単板型コンデンサを得ることができる。当該単板型コンデンサは、本実施形態に係る誘電体組成物を用いることにより、非常に高い電圧で用いることが可能となる。
【００４１】
なお、上記の説明では本実施形態に係る電子部品を図１に示す単板型コンデンサとして製造方法を説明したが、本発明の電子部品は単板型コンデンサに限定されず、積層型コンデンサ等、単板型コンデンサ以外のコンデンサであってもよい。積層型コンデンサ等の製造方法には特に制限はなく、既知の製造方法を用いることができる。また、本発明の電子部品の用途には特に制限はないが、高周波用コンデンサや高電圧用コンデンサとして好適に用いることができる。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明をさらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００４３】
（実施例および比較例）
原料粉末として、チタン酸バリウム粉末、チタン酸ストロンチウム粉末、チタン酸ビスマスカルシウム粉末、酸化ビスマス粉末、酸化チタン粉末および炭酸カルシウム粉末、および焼成により前記第１副成分および第２副成分になる粉末を準備し、最終的に表１に記載された実施例および比較例の組成物が得られるように秤量した。なお、表１のＢＴとはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を表し、ＳＴとはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を表し、ＣＢＴとはチタン酸ビスマスカルシウム（ＣａＢｉ４Ｔｉ４Ｏ１５）を表す。Ｎｂ／（Ｍｎ＋Ｃｒ＋Ｆｅ）は、第１副成分の合計重量（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）に対する第２副成分の重量比、Ｎｂ２Ｏ５／（ＭｎＣＯ３＋Ｆｅ２Ｏ３＋Ｃｒ２Ｏ３）を示す。また、試料番号１ｂでは、チタン酸ビスマスカルシウム粉末の代わりに炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末およびを用いた。炭酸カルシウム粉末、酸化ビスマス粉末および酸化チタン粉末は、ＣａＣＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２がモル比で１：２：４となるように用いた。
【００４４】
表１では、主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄの４点に囲まれる範囲内である場合にはＡＢＣＤ欄を「ｉｎ」とし、主成分の組成が点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄの４点に囲まれる範囲外である場合にはＡＢＣＤ欄を「ｏｕｔ」とした。さらに、主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´、点Ｄ´の４点に囲まれる範囲内である場合にはＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´欄を「ｉｎ」とし、主成分の組成が点Ａ´、点Ｂ´、点Ｃ´、点Ｄ´の４点に囲まれる範囲外である場合にはＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´欄を「ｏｕｔ」とした。
【００４５】
なお、各点は以下のとおりである。
点Ａ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（５０，４５，５、）
点Ｂ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１２，５）
点Ｃ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（８３，１６．５，０．５）
点Ｄ：（ａ，ｂ，ｃ）＝（５０，４９．５，０．５）
点Ａ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６５，３０．５，４．５）
点Ｂ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７８，１７．５，４．５）
点Ｃ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（７８，２１，１）
点Ｄ´：（ａ，ｂ，ｃ）＝（６５，３４，１）
ａはチタン酸バリウムの含有量（モル％）、ｂはチタン酸ストロンチウムの含有量（モル％）、ｃはチタン酸ビスマスカルシウムの含有量（モル％）を示す。
【００４６】
各原料粉末を混合した後に、ポットミルを用いて平均粒径が０．５〜３μｍ程度になるように微粉砕した。微粉砕した粉末を脱水乾燥した後に、有機結合剤としてポリビニルアルコールを添加し、造粒および整粒を行い、顆粒粉末とした。
【００４７】
前記顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し、直径１６．５ｍｍ、厚さ０．６５ｍｍの円板状の成形体とした。
【００４８】
前記成形体を空気中、１２００〜１３００℃で４時間焼成し円板状の磁器素体を得た。得られた磁器素体の組成が、所定の酸化物または炭酸塩換算で、表１に示す組成になっていることを蛍光Ｘ線分析で確認した。次に前記磁器素体の両面にＣｕ電極ペーストを塗装し、還元雰囲気中で焼き付けをして、コンデンサ試料を得た。コンデンサ試料は、以下に示す評価を全て行うために必要な数を製造した。
【００４９】
そして、得られたコンデンサ試料について、比誘電率、誘電損失、絶縁抵抗、発熱特性、直流破壊電圧、静電容量温度特性を評価した。以下、評価方法について説明する。
【００５０】
（比誘電率（εｓ））
比誘電率（εｓ）は、円板状のコンデンサ試料に対して、温度２５℃、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下でＬＣＲメータを用いて測定された静電容量から算出した。本実施例では、εｓ≧１２５０を良好とし、εｓ≧１４００をさらに良好とした。
【００５１】
（誘電損失）
基準温度２５℃における誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、ＬＣＲメータにて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。本実施例では、周波数１ｋＨｚにおける誘電損失（ｔａｎδ）は、３％以下を良好とした。
【００５２】
（絶縁抵抗（ＩＲ））
コンデンサ試料に対し、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２０℃において５００Ｖの直流電圧を、コンデンサ試料に１０秒間印加し、印加後５０秒放置した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。本実施例では、１．０×１０６ＭΩ以上を良好とした。
【００５３】
（発熱特性）
Ｃｕ電極焼付後に１０００ｐＦとなるように素地の直径を変えた試料を作成し、素地にリード線を取り付けて絶縁樹脂で塗装後、ＡＣ９０ｋＨｚ２５０Ｖ（１ｍｍあたり２５０Ｖ／ｍｍ）印加後素子の温度が安定する温度を測定した。素子温度と環境温度との差（ΔＴ）を求めた。ΔＴが小さいほど、発熱性が低いことを意味する。本実施例ではΔＴ１５℃以下を良好とした。
（直流破壊電圧）
直流破壊電圧（ＤＣ−Ｅｂ、ｋＶ／ｍｍ）の測定は、下記の方法で行った。得られたコンデンサ試料の両端に対して、直流電場を与えた。直流電場の大きさを１００Ｖ／ｓの速さで上昇させていき、リーク電流の変化を観察した。リーク電流が１００ｍＡとなったときの電場を、コンデンサ試料の厚さで除し、単位厚み当りの直流破壊電圧（ＤＣ−Ｅｂ）とした。ＤＣ−Ｅｂが高いほど、直流破壊電圧が高く、直流電圧に対する耐圧性に優れているといえる。本実施例では、ＤＣ−Ｅｂ≧１１ｋＶ／ｍｍを良好とした。
【００５４】
（温度特性）
温度特性ＴＣ（％）の測定方法は以下の通りである。まず、−２５℃〜＋１２５℃の範囲で温度を変化させて各温度の静電容量を測定した。静電容量はＬＣＲメータを用い、周波数１ＭＨｚ、入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。そして、基準温度＋２５℃での静電容量をＣ２５、Ｔ（℃）での静電容量をＣＴとした場合に、以下の式に従い各温度でのＴＣを測定した。
ＴＣ（％）＝｛（ＣＴ−Ｃ２５）／Ｃ２５｝×１０２
【００５５】
本実施例では、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内で常に−６０≦ＴＣ≦＋２２となる場合を良好とした。本実施例では、−２５℃および＋１２５℃でＴＣが上記の範囲内であるコンデンサ試料は、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内の他の温度でもＴＣが上記の範囲内となった。したがって、表１には−２５℃および＋１２５℃でのＴＣを記載した。ただし、−２５℃〜＋１２５℃の範囲内で常に−６０≦ＴＣ≦＋２２の範囲内とならなくても上述した本願発明の目的を達成することはできる。
【００５６】
【表１】
2019182736.tif 000003
【００５７】
表中の「＊」は比較例を示す。表１より、本願発明の範囲内の組成を有する実施例、すなわち主成分組成がＡＢＣＤに囲まれる範囲にあり、所定の第１および第２副成分を有する誘電体組成物では、鉛を使用しないにもかかわらず、１２５０以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で＋２２％〜−６０％と良く、１１ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し、誘電損失が３％以下と小さく、さらに９０ｋＨｚ・５００Ｖ／ｍｍ印加時の発熱（ΔＴ）が１５℃未満と良好な発熱特性を示した。
【００５８】
また、主成分組成がＡ´Ｂ´Ｃ´Ｄ´に囲まれる範囲にあると、各特性およびそのバランスがさらに向上し、１４００以上の高い比誘電率をもちながら、温度特性が−２５℃〜１２５℃で＋２２％〜−５０％と良く、１１ｋＶ／ｍｍ以上の高い直流破壊電圧を有し，誘電損失が２．５％以下と小さく、発熱特性の良好な誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００５９】
さらに驚くべきことに、本発明の誘電体組成物は、耐還元性にも優れる。一般にチタン酸バリウム系の誘電体は耐還元性が低いため、還元雰囲気下で焼き付けを行うＣｕ電極の使用は困難であった。しかし、本実施形態の誘電体組成物は耐還元性が高いため、安価なＣｕ電極が使用でき、コストの削減が可能になる。  
【符号の説明】
【００６０】
１・・・単板コンデンサ
１０・・・誘電体組成物
１２ａ，１２ｂ・・・端子
１４ａ，１４ｂ・・・電極
１６・・・合成樹脂
【図１】
2019182736.tif 000004
【図２】
2019182736.tif 000005