(57)【要約】      （修正有）【解決手段】配線基板１００は、第１面および第１面と反対側の第２面を有する基板と、基板の第１面上に設けられた絶縁層１４０と、絶縁層上の発光するまたは受光する半導体素子２００と、を含む。絶縁層は、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域での透過率が９０％以上である。配線基板において、絶縁層は、有機絶縁層であってもよい。配線基板において、絶縁層は、オキシムエステル構造を有する化合物を含んでもよい。【効果】透過率の向上により耐光性が改善し、絶縁層の劣化を防止できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および前記第１面と反対側の第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた発光するまたは受光する半導体素子と、を含み、
前記絶縁層は、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域での可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、有機絶縁層であることを特徴とする、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、オキシムエステル構造を有する化合物を含む、
請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層は、カルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物を含む、
請求項２または３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記基板の前記第１面側の同一平面上に設けられた複数の第１配線をさらに含み、
前記絶縁層は、前記複数の第１配線の間に設けられることを特徴とする、
請求項１乃至４のいずれか一に記載の配線基板。
【請求項６】
前記基板の前記第２面側の同一平面上に設けられた複数の第２配線と、
前記基板を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に設けられた貫通電極と、を含み、
前記複数の第１配線の一つおよび前記複数の第２配線の一つは前記貫通電極により電気的に接続されることを特徴とする、
請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記基板の屈折率と前記絶縁層の屈折率との差が０．２以下であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一に記載の配線基板。
【請求項８】
前記基板は、ガラスであることを特徴とする、請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
基板上に配線を形成し、
前記基板および前記配線上にオキシムエステル構造を有する化合物を含む有機絶縁層用組成物を塗布し、
前記有機絶縁層用組成物を光硬化させて絶縁層を形成し、
前記絶縁層のうち前記配線上に開口部を形成し、
前記配線と、発光するまたは受光する半導体素子とを前記開口部を介して接続させる、
配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記有機絶縁層用組成物中のオキシムエステル構造を有する化合物の含有量は、５質量％以下である、
請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板および配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
発光素子または受光素子などの半導体素子の小型化、高品質化及び高精度化とともに配線基板の開発が進められている。貫通電極を有する配線基板は、中継基板（インターポーザ）として用いられている。配線基板における絶縁層には有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料は、配線間に隙間なく埋め込むことができ、絶縁性に優れている。特許文献１および特許文献２には、有機樹脂材料を用いた配線基板を含む半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】再表２０１０−０７４０３８号公報
【特許文献２】特開２０１７−１３９４８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の配線基板の場合、有機樹脂材料を用いた絶縁層は外部から、または発光素子の発する紫外領域から可視領域（例えば３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域）の光を吸収する場合がある。これにより、絶縁層が劣化し、絶縁層の膜厚が低下してしまう場合がある。この結果、半導体素子と配線基板との接続が不安定となる恐れがある。これは、半導体素子および配線基板が電子部品として用いられた場合に、長期信頼性に影響を与える。
【０００５】
このような課題に鑑み、本開示の実施形態における目的の一つは、耐光性を有し、信頼性の高い配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によると、第１面および第１面と反対側の第２面を有する基板と、基板の第１面上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられた発光するまたは受光する半導体素子と、を含み、絶縁層は、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域での可視光透過率が９０％以上であることを特徴とする、配線基板が、提供される。
【０００７】
上記配線基板において、絶縁層は、有機絶縁層であってもよい。
【０００８】
上記配線基板において、絶縁層は、オキシムエステル構造を有する化合物を含んでもよい。
【０００９】
上記配線基板において、絶縁層は、カルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物を含んでもよい。
【００１０】
上記配線基板において、基板の第１面側の同一平面上に設けられた複数の第１配線をさらに含み、絶縁層は、複数の第１配線の間に設けられてもよい。
【００１１】
上記配線基板において、基板の第２面側の同一平面上に設けられた複数の第２配線と、基板を貫通する貫通孔と、貫通孔に設けられた貫通電極と、を含み、複数の第１配線の一つおよび複数の第２配線の一つは貫通電極により電気的に接続されてもよい。
【００１２】
上記配線基板において、基板の屈折率と絶縁層の屈折率との差が０．２以下であってもよい。
【００１３】
上記配線基板において、基板は、ガラスであってもよい。
【００１４】
本開示の一実施形態によると、基板上に配線を形成し、基板および配線上にオキシムエステル構造を有する化合物を含む有機絶縁層用組成物を塗布し、有機絶縁層用組成物を光硬化させて絶縁層を形成し、絶縁層のうち配線上に開口部を形成し、配線と発光するまたは受光する半導体素子とを開口部を介して接続させる、配線基板の製造方法が提供される。
【００１５】
上記配線基板の製造方法において、有機絶縁層用組成物中のオキシムエステル構造を有する化合物の含有量は、５質量％以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本開示の一実施形態によると、耐光性を有し、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する上面図である。
【図２】本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。
【図３】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本開示の一実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本開示の一実施形態に係る配線基板を含む電子機器を説明する斜視図である。
【図９】実施例１の透過率分光スペクトルである。
【図１０】本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。
【図１１】本開示の一実施形態に係る配線基板を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の各実施形態に係る配線基板等について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。なお、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００１９】
＜第１実施形態＞
（１−１．配線基板１００の構成）
以下に配線基板１００の詳細について説明する。図１に配線基板１００の上面図を示す。図２に配線基板１００のＡ１−Ａ２間の断面図を示す。図１および図２に示すように、配線基板１００は、基板１１０、貫通電極１２０のほか、基板１１０の第１面１１０−１側に配線１３０、絶縁層１４０、配線１５０、バンプ電極１６０、および半導体素子２００を含む。また、配線基板１００は、基板１１０の第1面１１０−１の反対側の第２面１１０−２側に配線２３０、絶縁層２４０、配線２５０、およびバンプ電極２６０を含む。
【００２０】
基板１１０の種類は、特に限定されないが、基板１１０の屈折率は、後述する絶縁層１４０の屈折率との差が０．２以下であることが好ましい。例えば、基板１１０には、光を透過する材料が用いられる。具体的には、基板１１０には、ソーダガラス基板、無アルカリガラス基板、石英ガラス基板などのガラス基板が用いられる。例えば、石英ガラス基板の透過率は、可視領域３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域の光に対して９０％を有するように構成される。
【００２１】
また、基板１１０には、第１面１１０−１から第２面１１０−２まで貫通する貫通孔１１５が設けられる。上面から見たときの貫通孔１１５は円形状を有してもよい。また、貫通孔１１５の幅は、１０μｍ以上２５０μｍ未満の範囲で適宜設定すればよい。
【００２２】
貫通電極１２０は、貫通孔１１５に設けられる。貫通電極１２０には、低抵抗の材料が用いられる。例えば、貫通電極１２０には、銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、貫通電極１２０は、銅に限定されず、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）または錫（Ｓｎ）を含む材料が用いられてもよい。貫通電極１２０が用いられることにより、配線１３０（配線１３０−１）と配線２３０（配線２３０−１）とが電気的に接続される。
【００２３】
配線１３０は、基板１１０の第１面１１０−１および貫通電極１２０に接して設けられる。配線１３０は、配線１３０−１および配線１３０−２のように同一平面上に複数設けられ、貫通電極１２０と電気的に接続される。配線１３０には、例えば、銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、配線１３０は、銅（Ｃｕ）に限定されず、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）またはニッケル（Ｎｉ）などが用いられてもよい。なお、配線１３０は、基板１１０の第１面１１０−１に必ずしも接していなくてもよい。このとき、基板１１０と配線１３０の間に絶縁層１４０とは異なる絶縁層が設けられてもよい。このとき、当該絶縁層には、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの無機絶縁材料が用いられてもよい。
【００２４】
絶縁層１４０は、基板１１０の第１面１１０−１および貫通電極１２０上に設けられる。また、絶縁層１４０は、複数の配線１３０（図２で示す配線１３０−１および配線１３０−２）の間にも設けられる。絶縁層１４０には、有機樹脂材料を含む有機絶縁層が用いられる。例えば、絶縁層１４０には、アクリル樹脂が用いられる。
【００２５】
また、絶縁層１４０には、アクリル樹脂とともにカルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物を含むことが望ましい。例えば、カルバゾール基を有する化合物の場合、化学式（１）に示す構造を有する。
【００２６】
【化１】
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【００２７】
絶縁層１４０中のカルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物の含有量は、０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。カルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物は波長４００ｎｍ近傍の光（波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍ）を吸収する性質を持っており，その補色（余色）に当たる色（具体的には黄色または橙色）を有するが、本実施形態の場合、上記化合物の含有量を小さくすることができる。その結果として、絶縁層１４０は、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域での透過率が９０％以上となる。これにより、絶縁層１４０は、可視領域さらには一部の紫外領域の光に対して高い透過率を有するため、光による劣化を防ぐことができる。光による劣化が防止されることにより、絶縁層１４０の膜厚が低下することを防止することができる。
【００２８】
なお、上述において、絶縁層１４０の厚さは、０．５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上６μｍ以下であることが望ましい。このときの絶縁層１４０の厚さ１μｍあたりの波長３６５ｎｍにおける透過率は９６％以上であり、且つ、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域での透過率が９８％以上となる。
【００２９】
配線１５０は、絶縁層１４０の開口部１４５に設けられる。配線１５０は、配線１３０と電気的に接続される。配線１５０には、貫通電極１２０と同様の材料が用いられる。
【００３０】
バンプ電極１６０は、絶縁層１４０および配線１５０上に設けられる。バンプ電極１６０には、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、または銅（Ｃｕ）などが用いられる。
【００３１】
半導体素子２００は、絶縁層１４０上に設けられる。半導体素子２００は、バンプ電極１６０と電気的に接続される。このとき、配線１３０と半導体素子２００とは、配線１５０およびバンプ電極１６０を介して電気的に接続することができる。半導体素子２００は、発光する機能または受光する機能を有する。例えば、半導体素子２００が発光素子として用いられる場合、発光ダイオード（ＬＥＤ）などが挙げられる。または、半導体素子２００が受光素子として用いられる場合、光センサや、固体撮像素子など挙げられる。なお、半導体素子２００は、発光素子または受光素子を制御する素子を含んでもよい。また、半導体素子２００は発光素子若しくは受光素子を制御するための情報、または受光素子において得られた情報などを記憶する素子（メモリ）を含んでもよい。
【００３２】
配線２３０は、基板１１０の第２面１１０−２および貫通電極１２０上に設けられる。配線２３０は、配線２３０−１および配線２３０−２のように同一平面上に複数設けられ、貫通電極１２０と電気的に接続される。配線２３０には、配線１３０と同様の材料が用いられてもよい。
【００３３】
絶縁層２４０は、基板１１０の第２面１１０−２および配線２３０上に設けられる。また、絶縁層２４０は、複数の配線２３０（図２で示す配線２３０−１および配線２３０−２）の間にも設けられる。絶縁層２４０には、絶縁層１４０と同様の有機絶縁材料が用いられる。
【００３４】
配線２５０は、絶縁層２４０の開口部２４５に設けられる。配線２５０は、配線２３０と電気的に接続される。配線２５０には、配線１５０と同様の材料が用いられる。
【００３５】
バンプ電極２６０は、絶縁層２４０および配線２５０上に設けられる。バンプ電極２６０には、バンプ電極１６０と同様の材料が用いられる。なお、バンプ電極２６０は、他の配線基板または半導体素子などと適宜接続される。例えば、バンプ電極２６０は、プリント基板３００と接続されてもよい。
【００３６】
（１−２．配線基板１００の製造方法）
次に、図１および図２に示した配線基板１００の製造方法を図３乃至図７を用いて説明する。
【００３７】
まず、図３（Ａ）に示すように、第１面１１０−１および第１面１１０−１の反対側の第２面１１０−２を有する基板１１０を用いる。例えば、基板１１０には、石英ガラスが用いられる。なお、以下の説明では、基板１１０に石英ガラスが用いられた場合として説明する。
【００３８】
次に、図３（Ｂ）に示すように、基板１１０に貫通孔１１５を形成する。貫通孔１１５は、例えば、基板１１０に対してレーザー照射法（レーザーアブレーション法と呼ぶことができる）を用いることにより形成される。レーザーには、エキシマレーザー、ネオジウム：ヤグレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧ）レーザー、フェムト秒レーザー等が用いられる。エキシマレーザーを用いる場合、紫外領域の光が照射される。例えば、エキシマレーザーにおいて塩化キセノンを用いる場合、波長が３０８ｎｍの光が照射される。なお、レーザーによる照射径は、１０μｍ以上２５０μｍ未満としてもよい。貫通孔１１５の孔径は、１０μｍ以上２５０μｍ未満の範囲で適宜設定することができる。
【００３９】
なお、貫通孔１１５の形成は、レーザー照射法に限定されず、反応性イオンエッチング法、深堀り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法を用いてもよいし、レーザー照射法とウェットエッチング法を組み合わせて用いてもよい。例えば、石英ガラスをウェットエッチングする場合、フッ酸水溶液が用いられる。
【００４０】
次に、図４（Ａ）に示すように、貫通孔１１５に対して、貫通電極１２０を形成する。貫通電極１２０には、銅（Ｃｕ）の他、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）などが用いられる。貫通電極１２０は、めっき法により形成される。例えば、貫通電極１２０は、めっき法により形成された銅（Ｃｕ）が用いられる。貫通電極１２０の形成方法の一例を以下に示す。まず、貫通孔１１５の側壁部に無電解めっき法により銅（Ｃｕ）の薄膜を形成する。次に、銅（Ｃｕ）の薄膜をシード層として電解めっき法により銅（Ｃｕ）膜を形成する。最後に、銅（Ｃｕ）膜に対して化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により平坦化処理することで貫通電極１２０が形成される。
【００４１】
次に、図４（Ｂ）に示すように、基板１１０の第１面１１０−１および貫通電極１２０上に配線１３０を形成する。配線１３０は、めっき法、スパッタリング、ＣＶＤ法、塗布法、印刷法などにより形成される。例えば、配線１３０には、めっき法より形成された銅（Ｃｕ）が用いられる。また、配線１３０は、適宜フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて適切な形状に加工される。なお、図４（Ｂ）において、配線２３０は記載されていないが、配線２３０は配線１３０と同様の材料および方法により形成されてもよい。
【００４２】
次に、基板１１０の第１面１１０−１および配線１３０上に絶縁層１４０を形成する。まず、図５（Ａ）に示すように絶縁層１４０を形成する材料である有機絶縁層用組成物１３５を塗布法により形成する。塗布法の具体例としては、スピンコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ディップコート法などが挙げられる。有機絶縁層用組成物１３５には、アクリル樹脂などが用いられる。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、有機絶縁層用組成物１３５に３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の広い波長領域を含む光１３７を照射する。これにより、有機絶縁層用組成物１３５が硬化し、絶縁層１４０が形成される。このとき、有機絶縁層用組成物１３５には、光重合開始剤としてオキシムエステル構造を有する化合物が含まれることが望ましい。オキシムエステル構造を有する化合物として、以下のカルバゾール型オキシムエステル開始剤（２）、およびフェニルスルフィド型オキシムエステル開始剤（３）が挙げられる。
【００４４】
【化２】
2019161135.tif 000004
【化３】
2019161135.tif 000005
【００４５】
上記化合物のうち、カルバゾール型オキシムエステル開始剤（２）に光が照射された場合の反応機構を式（４）に示す。
【化４】
2019161135.tif 000006
【００４６】
上記の式（４）に示すように、カルバゾール型オキシムエステル開始剤（２）に光が照射されることにより、メチルラジカルが生成される。このメチルラジカルが有機絶縁層用組成物１３５の重合化を促進させる。
【００４７】
オキシムエステル構造を有する光重合開始剤は、従来の光重合開始剤（例えば、アセトフェノン基またはアシルフォスフィンオキサイド基を有する光重合開始剤）に比べて、短波長側の近紫外領域（具体的には３００ｎｍ付近）の光に対する感度が高い特徴を有する。具体的には、オキシムエステル構造を有する化合物を含む光重合開始剤の含有量は、有機絶縁層用組成物に対して５質量％以下とすることができる。
【００４８】
ここで、光重合開始剤に含まれるカルバゾール基またはフェニルスルフィド基などの官能基は、近紫外領域から可視領域に属する光（例えば、波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍの領域）を吸収する性質を有する。このため、有機絶縁層用組成物１３５中に光重合開始剤が多量に含有される場合、上記波長領域の補色（余色）に当たる色（具体的には黄色または橙色）を有することとなる。一方で、本実施形態の光重合開始剤を用いることで、有機絶縁層用組成物１３５中の光重合開始剤の含有量を５質量％以下に抑えることができる。これにより、形成された絶縁層１４０の波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域での透過率が９０％以上とすることができる。つまり、本実施形態の絶縁層を用いることにより、波長３５０ｎｍ〜５００ｎｍの領域の光が透過するため、絶縁層が劣化することを防止することができる。絶縁層の劣化は、絶縁層の膜厚の低下（膜べり）などをもたらすことがあるが、本実施形態の絶縁層を用いることにより、その課題を解決することができる。
【００４９】
なお、上記において、絶縁層２４０は記載されていないが、絶縁層１４０と同様の材料および方法により形成される。
【００５０】
次に、図６（Ａ）に示すように、絶縁層１４０のうち配線１３０と重畳する部分に開口部１４５を形成する。開口部１４５は、例えば、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いて形成される。なお、図５（Ｂ）において、有機絶縁層用組成物１３５の全体に光１３７が照射されているが、開口部１４５に相当する部分にマスクを設けて光を照射することにより、開口部１４５を形成してもよい。これにより、配線基板の製造工程数を削減することができる。
【００５１】
次に、図６（Ｂ）に示すように、開口部１４５に配線１５０を形成する。配線１５０は、めっき法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、または印刷法などにより形成される。配線１５０には、銅（Ｃｕ）の他、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）などが用いられる。例えば、配線１５０には、めっき法により形成された銅（Ｃｕ）膜が用いられる。なお、上記において、配線２５０は記載されていないが、配線２５０は配線１５０と同様の材料および方法により形成される。
【００５２】
次に、図７に示すように、配線１５０上に、バンプ電極１６０を形成する。バンプ電極１６０は、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、の他、鉛（Ｐｂ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などを含む。バンプ電極１６０は、めっき法、印刷法などにより形成される。次に絶縁層１４０上に半導体素子２００を重畳させ、バンプ電極１６０と接触させる。そして、リフロー熱処理を行うことにより、半導体素子２００が絶縁層１４０上に実装される。
【００５３】
なお、上記において、バンプ電極２６０は記載されていないが、バンプ電極２６０はバンプ電極１６０と同様の材料および方法により形成される。以上により、配線基板１００が製造される。
【００５４】
（１−３．配線基板の適用例）
次に、本実施形態の配線基板を電気機器に適用した例について説明する。
【００５５】
図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は、電気機器を説明する図である。上述した配線基板１００は、例えば携帯端末（携帯電話、スマートフォンおよびノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器等）、情報処理装置（デスクトップ型パーソナルコンピュータ、サーバ、カーナビゲーション等）、家庭用電気機器（電子レンジ、エアコン、洗濯機、冷蔵庫）、自動車等、様々な電気機器に搭載される。図８（Ａ）はスマートフォン４０００である。図８（Ｂ）は携帯用ゲーム機５０００である。図８（Ｃ）は、ノート型パーソナルコンピュータ６０００である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）において、配線基板１００のうち半導体素子２００は、例えばイメージセンサとして用いられ、半導体素子２００とともに配線基板１００が設けられる。
【００５６】
これらの電気機器において、本実施形態の配線基板１００、後述する配線基板１００−１、または配線基板１００−２を用いることにより、配線基板に用いられる絶縁層が光により劣化することが防止される。これにより、長期にわたり素子間の良好な電気的接続を維持することができる。したがって、耐光性を有し、かつ高い信頼性の電気機器を提供することができる。
【実施例】
【００５７】
以下、実施例に基づいて本開示の一実施形態の絶縁層の特性についてより具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５８】
（３−１．実施例１の絶縁層の形成条件）
アクリル樹脂およびカルバゾール型オキシムエステル光重合開始剤を含有した有機絶縁層用組成物を平滑なガラス基板上に塗布した。次に、有機絶縁層用組成物に３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の広い波長領域を含む光を照射して硬化させることにより、厚さ６μｍの有機絶縁層を形成した。
【００５９】
（３−２．  透過率評価）
透過率評価は、日本工業規格（ＪＩＳ）の「可視光透過率及び可視光反射率の算定」（ ｈｔｔｐ：／／ｋｉｋａｋｕｒｕｉ．ｃｏｍ／ｒ３／Ｒ３１０６−１９９８−０２．ｈｔｍｌ）に記載された方法に基づき、上述した条件により形成された絶縁層を有する測定サンプルに対して紫外可視分光光度計を用いて行われた。このとき、波長２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の領域において、波長１ｎｍおきに各点での透過率を測定した。図９は、波長２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長領域における透過率分光スペクトルである。
【００６０】
図９に示すように、実施例１の場合、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であるとともに、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長領域における透過率が９０％となる。つまり、本実施形態の絶縁層を用いることにより、耐光性を有し、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００６１】
（変形例１）
本実施形態において、貫通電極１２０は、貫通孔１１５に充填された例を示したが、これに限定されない。図１０は、配線基板１００−１の断面図である。配線基板１００−１は基板１１０、貫通電極１２１、絶縁層１４０、配線１５０、バンプ電極１６０、半導体素子２００、絶縁層２４０、配線２５０、およびバンプ電極２６０を含む。図１０に示すように、貫通電極１２１は、貫通孔１１５に充填されずに貫通孔１１５の側壁部にのみ形成されてもよい。この場合、貫通電極１２１は、配線１３０および配線２３０に相当する配線部分を一括で形成することができる。貫通電極１２１は、セミアディティブ法により形成することができる。また、貫通電極１２１の内部に充填材１２２が設けられてもよい。このとき、絶縁層１４０と同様の材料が設けられてもよい。これにより、絶縁層１４０と充填材１２２との熱膨張率の差が減らすことができるため、絶縁層１４０と充填材１２２との間の応力が緩和され、素子−配線基板間の電気的接続を安定させることができる。したがって、高信頼性の配線基板を提供することができる。
【００６２】
（変形例２）
本実施形態では、基板１１０上に絶縁層１４０が一層設けられた例を示したが、これに限定されない。図１１は、配線基板１００−２の断面図である。配線基板１００−２は、基板１１０、貫通電極１２０、配線１３０、絶縁層１４０、配線１５０、バンプ電極１６０、半導体素子２００、配線２３０、絶縁層２４０、配線２５０、およびバンプ電極２６０の他、配線１７０、絶縁層１８０および配線１９０を含む。絶縁層１８０は、絶縁層１４０上に設けられる。絶縁層１８０は、絶縁層１４０と同様の材料、具体的にはアクリル樹脂とともにオキシムエステル構造、カルバゾール基またはフェニルスルフィド基を有する化合物を含むことが好ましい。このとき、絶縁層１８０は絶縁層１４０と同様の光透過性、具体的には絶縁層１８０においても、波長３６５ｎｍにおける透過率が８０％以上であり、且つ、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域での透過率が９０％以上となる。これにより、複数の絶縁層を有した場合においても、絶縁層の劣化が抑えられる。これにより、耐光性を有し、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００６３】
本実施形態では、基板にガラス基板を用いる例を示したが、これに限定されない。基板１１０は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などの半導体材料でもよいし、サファイア基板などのガラス基板、窒化シリコン（ＳｉＮ）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、ジルコニア（ＺｒＯ2）基板、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）基板などでもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１００・・・配線基板、１１０・・・基板、１１５・・・貫通孔、１２０・・・貫通電極、１３０・・・配線、１３７・・・光、１４０・・・絶縁層、１４５・・・開口部、１５０・・・配線、１６０・・・バンプ電極、１７０・・・配線、１８０・・・絶縁層、１９０・・・配線、２００・・・半導体素子、２３０・・・配線、２４０・・・絶縁層、２５０・・・配線、２６０・・・バンプ電極、４０００・・・スマートフォン、５０００・・・携帯用ゲーム機、６０００・・・ノート型パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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