(57)【要約】      （修正有）【課題】電子製品の小型化、薄型化に伴ってＰＣＢも薄板化されており、薄板化が進むほど、反りによる不良率が問題となっている。【解決手段】互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材１１０と、絶縁材の一面及び他面に形成される回路層１２０と、回路層上に形成される金属層１３０と、を含み、金属層１３０の電気伝導率は、回路層１２０の電気伝導率よりも小さく、絶縁材の一面側に位置する金属層の厚さは、絶縁材の他面側に位置する金属層の厚さよりも厚い。【選択図】図１
2019029637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、
前記絶縁材の前記一面及び他面上に形成される回路層と、
前記回路層上に形成される金属層と、を含み、
前記金属層の電気伝導率は、前記回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記絶縁材の前記一面側に位置する前記金属層の厚さは、前記絶縁材の前記他面側に位置する前記金属層の厚さよりも厚い、プリント回路基板。
【請求項２】
前記金属層の厚さは、前記回路層の厚さよりも薄い請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも小さく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも大きい請求項１又は２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも大きく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも小さい請求項１又は２に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記絶縁材の前記一面側に位置する前記回路層の体積は、前記絶縁材の前記他面側に位置する前記回路層の体積よりも小さい請求項１又は２に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記絶縁材の内部を貫通して形成され、
前記絶縁材の前記一面に形成されている前記回路層と前記絶縁材の前記他面に形成されている前記回路層とを接続させる貫通ビアをさらに含む請求項１から５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記絶縁材と前記貫通ビアとの間、そして前記絶縁材と前記回路層との間に形成される合金層をさらに含み、
前記金属層と前記合金層とは、互いに同一の物質からなる請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記絶縁材の前記一面に位置する前記合金層の厚さは、前記絶縁材の前記他面に位置する前記合金層の厚さよりも厚い請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記貫通ビアは、前記絶縁材を貫通する貫通ビアホール内に形成され、
前記合金層は、シード層を含み、
前記シード層は、前記貫通ビアホールの内壁及び前記絶縁材の前記一面及び他面に形成される請求項７又は８に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、
前記絶縁材の前記一面上に積層される１つ以上の第１絶縁層と、
前記絶縁材の前記他面上に積層される１つ以上の第２絶縁層と、
前記１つ以上の第１絶縁層のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される第１回路層と、
前記１つ以上の第２絶縁層のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される第２回路層と、
前記第１回路層上に形成される第１金属層と、
前記第２回路層上に形成される第２金属層と、を含み、
前記第１金属層の電気伝導率は、前記第１回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記第２金属層の電気伝導率は、前記第２回路層の電気伝導率よりも小さく、
前記第１金属層の厚さは、前記第２金属層の厚さよりも厚い、
プリント回路基板。
【請求項１１】
前記第１回路層及び前記第１金属層は、最外層に位置する第１絶縁層上に形成され、
前記第２回路層及び前記第２金属層は、最外層に位置する第２絶縁層上に形成される請求項１０に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
最外層に位置する前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層上にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層をさらに含み、
前記ソルダーレジスト層には開口部が形成され、
前記開口部から前記第１回路層及び前記第２回路層が露出するように、
前記第１金属層及び前記第２金属層は前記開口部の領域には形成されない請求項１１に記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
前記第１金属層と前記第１回路層とは、厚さ方向に互いに離隔され、
前記ソルダーレジスト層は、前記第１金属層と前記第１回路層との間にさらに形成される請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記第１金属層の形成領域は、前記第１回路層の形成領域よりも大きい請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
絶縁材と、
前記絶縁材上に形成される回路層と、
前記回路層上に形成され、電気伝導率が前記回路層の電気伝導率よりも小さい金属層と、
前記絶縁材上に積層される絶縁層と、
前記絶縁層及び前記金属層を貫通するビアホールと、を含み、
前記ビアホールの底面から前記回路層が露出される、
プリント回路基板。
【請求項１６】
前記ビアホール内に形成されるビアをさらに含み、
前記ビアの側面は、前記金属層と接触する請求項１５に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
前記ビアホールは、第１ホールと第２ホールとを含み、
前記第１ホールは、前記絶縁層を貫通し、
前記第２ホールは、前記金属層を貫通し、
前記第１ホールの幅及び前記第２ホールの幅のそれぞれは、前記絶縁材側に行くほど狭くなる請求項１５に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
前記第１ホールと前記第２ホールとが接する面において、
前記第１ホールの幅は、前記第２ホールの幅よりも狭い請求項１７に記載のプリント回路基板。
【請求項１９】
前記第２ホールの側面が曲面である請求項１７に記載のプリント回路基板。
【請求項２０】
前記金属層の厚さは、前記回路層の厚さよりも薄い請求項１５から１９のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２１】
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも小さく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも大きい請求項１５から１９のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２２】
前記金属層の熱膨脹係数は、前記回路層の熱膨脹係数よりも大きく、
前記金属層の剛性は、前記回路層の剛性よりも小さい請求項１５から１９のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ＰＲＩＮＴＥＤ  ＣＩＲＣＵＩＴ  ＢＯＡＲＤ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＣＢの製造過程においては、ＰＣＢが熱処理工程を経ることにより反り（ｗａｒｐａｇｅ）が発生することがある。電子製品の小型化、薄型化に伴ってＰＣＢも薄板化されており、薄板化が進むほど、反りによる不良率が問題となっている。反りの発生原因は、樹脂絶縁材と金属回路との間の熱膨脹係数（ＣＴＥ）の差、弾性係数の差等様々である。反りを制御するために、低膨脹樹脂の開発、無機フィラー含有量の調整等絶縁材を調整する技術が開発されている。一方、反りを低減するために絶縁材を調整する技術以外に、プリント回路基板に反り防止構造物を付加したり、回路のデザイン等を調整する技術も開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１６−００８０４３３号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一側面によれば、互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、上記絶縁材の上記一面及び他面に形成される回路層と、上記回路層上に形成される金属層と、を含み、上記金属層の電気伝導率は、上記回路層の電気伝導率よりも小さく、上記絶縁材の上記一面側に位置する上記金属層の厚さは、上記絶縁材の上記他面側に位置する上記金属層の厚さよりも大きいプリント回路基板が提供される。
【０００５】
本発明の一側面によれば、互いに対向する一面及び他面を備える絶縁材と、上記絶縁材の上記一面上に積層される１つ以上の第１絶縁層と、上記絶縁材の上記他面上に積層される１つ以上の第２絶縁層と、上記１つ以上の第１絶縁層のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される第１回路層と、上記１つ以上の第２絶縁層のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される第２回路層と、上記第１回路層上に形成される第１金属層と、上記第２回路層上に形成される第２金属層と、を含み、上記第１金属層の電気伝導率は、上記第１回路層の電気伝導率よりも小さく、上記第２金属層の電気伝導率は、上記第２回路層の電気伝導率よりも小さく、上記第１金属層の厚さは、上記第２金属層の厚さよりも大きいプリント回路基板が提供される。
【０００６】
本発明の一側面によれば、絶縁材と、上記絶縁材上に形成される回路層と、上記回路層上に形成され、電気伝導率が上記回路層の電気伝導率よりも小さい金属層と、上記絶縁材上に積層される絶縁層と、上記絶縁層及び上記金属層を貫通するビアホールと、を含み、上記ビアホールの底面から上記回路層が露出されるプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図７】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図８】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図９】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図１０】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１３】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１５】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１７】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１８】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図１９】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図２０】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【図２１】回路形成工法による様々な回路層を示す図である。
【図２２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２３】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２５】図２４の部分拡大図である。
【図２６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２７】図２６の部分拡大図である。
【図２８】本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【図２９】図２８の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。
【０００９】
本出願において、ある部分がある構成要素を「含む」とする場合、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００１０】
また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１２】
第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために用いたものであって、上記構成要素が上記用語により限定されることはない。上記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するための目的にのみ使用される。
【００１３】
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。
【００１４】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１５】
また、以下で説明した本発明のそれぞれの実施例は、必ずしも１つの実施例のみを示す概念ではなく、それぞれの実施例に従属されている実施例を包括する概念として理解しなければならない。
【００１６】
図１から図９は、様々な実施例に係るプリント回路基板の断面図を示している。
【００１７】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材１１０と、回路層１２０と、金属層１３０とを含み、上記金属層１３０の電気伝導率は、上記回路層１２０の電気伝導率よりも小さく、上記絶縁材１１０の上記一面側に位置する金属層１３１の厚さは、上記絶縁材１１０の上記他面側に位置する金属層１３２の厚さよりも大きいことができる。
【００１８】
絶縁材１１０は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、薄い板状である。絶縁材１１０の側面を除いた、互いに対向する両面を一面及び他面と称する。すなわち、絶縁材１１０は、一面及び他面を備えることができる。
【００１９】
絶縁材１１０の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミド等を用いることができる。ここで、エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂等があるが、これに限定されない。
【００２０】
絶縁材１１０は、プリプレグ（ＰＰＧ）またはビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）であってもよい。プリプレグの場合は、上記樹脂にガラス・クロス（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含まれてもよい。ビルドアップフィルムの場合は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が充填されてもよい。このビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。
【００２１】
絶縁材１１０は、プリント回路基板の中間に位置するコアであってもよく、またはコア上に積層されるそれぞれの層であってもよい。
【００２２】
回路層１２０は、絶縁材１１０の一面及び他面に形成されており、電気信号を伝達するためにパターン化されている導電体である。回路層１２０は、複数の回路パターンの集合として理解すればよく、回路層１２０の各回路パターンは、所定の幅と厚さを有して形成され、回路デザインの設計に応じて長さ、方向等を決定できる。
【００２３】
回路層１２０は、金属により形成されることができ、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金からなることができる。
【００２４】
回路層１２０は、シード層Ｓ１を含むことができる。シード層Ｓ１は、回路層１２０と同一の金属で形成されることができる。シード層Ｓ１の存在は、回路層１２０の形成工法により決定可能であり、特に回路層１２０がＳＡＰ、ＭＳＡＰ等の工法により形成される場合は、回路層１２０にはシード層Ｓ１が含まれることができる。
【００２５】
図１においては、回路層１２０がＳＡＰ工法により形成された例と理解すればよく、ここでシード層Ｓ１は、絶縁材１１０の一面及び他面に直接形成される。これとは異なって、回路層１２０がＭＳＡＰ工法により形成される場合は、シード層Ｓ４は、絶縁材１１０の一面及び他面から若干離隔して位置することができる（図２１の（ｃ）参照）。ここで、シード層Ｓ４と絶縁材１１０の一面（または他面）との間の離隔距離は、ＭＳＡＰにおいて使用される原資材の薄い金属箔（銅箔）Ｍの厚さと一致することになる。
【００２６】
図１に基づいて発明を説明したが、回路層１２０が必ずしもＳＡＰ工法により形成される必要はなく、またＭＳＡＰを含む他の工法を排除することではない。例えば、図２１の（ｂ）のように、サブトラクティブ法（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）またはテンティング法（ｔｅｎｔｉｎｇ）により回路層１２０を形成する場合は、回路層１２０は、シード層を含まなくてもよく、これは、図２１の（ａ）のＳＡＰ工法により形成した回路層１２０と差がある。
【００２７】
回路層１２０は、絶縁材１１０の一面に形成される第１回路層１２１と、絶縁材１１０の他面に形成される第２回路層１２２とに区分できる。
【００２８】
回路層１２０において、絶縁材１１０の一面に形成される第１回路層１２１と絶縁材１１０の他面に形成される第２回路層１２２とは、実質的に同一の厚さを有してもよく、例えば、第１回路層１２１及び第２回路層１２２の厚さは、１５μｍであってもよい。
【００２９】
金属層１３０は、回路層１２０上に形成され、金属からなる層である。金属層１３０の金属は、合金素材であってもよく、具体的には、インバー（ｉｎｖａｒ）等のＦｅ−Ｎｉ（ニッケル鋼）合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金の黄銅（ｂｒａｓｓ）等の銅合金であってもよい。
【００３０】
金属層１３０は、回路層１２０と接触するように形成されてもよく、回路層１２０の幅と一致するように形成されてもよい。この場合、平面図では金属層１３０のみが観察され、回路層１２０は観察されないことがある。ただし、この形状に限定されず、金属層１３０と回路層１２０とが接触しない構造については後述する。
【００３１】
金属層１３０の電気伝導率は、回路層１２０の電気伝導率よりも小さい。このため、電気信号は実質的に回路層１２０に伝達され得る。
【００３２】
金属層１３０の厚さは、回路層１２０の厚さよりも薄くできる。金属層１３０の厚さは、結合している回路層１２０の厚さの２／３を超えない。
【００３３】
金属層１３０の電気伝導率が回路層１２０の電気伝導率よりも小さいので、金属層１３０が回路層１２０よりも薄く形成されることにより、効果的な信号伝達を図ることができる。ここで、回路層１２０は１５μｍの厚さを、金属層１３０は２〜５μｍの厚さを有することができる。
【００３４】
金属層１３０は、第１回路層１２１上に形成される第１金属層１３１と、第２回路層１２２上に形成される第２金属層１３２とを含む。すなわち、第１金属層１３１は、絶縁材１１０の一面側に形成され、第２金属層１３２は、絶縁材１１０の他面側に形成される。
【００３５】
絶縁材１１０の一面側に位置する金属層１３１の厚さは、絶縁材１１０の他面側に位置する金属層１３２の厚さよりも大きいことができる。すなわち、第１金属層１３１の厚さは、第２金属層１３２の厚さよりも大きく形成されることができる。
【００３６】
プリント回路基板が製造工程で熱処理されることにより、プリント回路基板には反りが発生することがある。金属層１３０は、プリント回路基板の反りを制御することができ、特に、絶縁材１１０の両面に形成されている金属層１３０の厚さを互いに異なる厚さにすることで、プリント回路基板においての反りを効果的に制御することができる。
【００３７】
例えば、プリント回路基板が（側面から見た場合）下方に凸に反る場合（ｓｍｉｌｅ）は、絶縁材１１０の下面側の金属層１３０を相対的に厚く形成して反りを低減することができ、これに対して、プリント回路基板が上方に凸に反る場合（ｃｒｙｉｎｇ）は、絶縁材１１０の上面側の金属層１３０を相対的に厚く形成して反りを低減することができる。
【００３８】
金属層１３０の熱膨脹係数は、回路層１２０の熱膨脹係数よりも小さいことができ、この場合、金属層１３０の剛性（ｒｉｇｉｄｉｔｙ）は、回路層１２０の剛性よりも大きいことができる。または、金属層１３０の熱膨脹係数は、回路層１２０の熱膨脹係数よりも大きいことができ、この場合、金属層１３０の剛性は、回路層１２０の剛性よりも小さいことができる。
【００３９】
ここで、剛性は、外力に対する変形率を意味し、単純には、軸方向力（垂直応力）が加えられる時の変形率と見ることができる。この剛性は、弾性係数（ｍｏｄｕｌｕｓ  ｏｆ  ｅｌａｓｔｉｃｉｔｙ）またはヤング率（Ｙｏｕｎｇ'ｓ  ｍｏｄｕｌｕｓ）に応じて変わり、弾性係数またはヤング率が大きいほど剛性は大きいと理解できる。
【００４０】
金属層１３０の熱膨脹係数が回路層１２０の熱膨脹係数よりも小さく、金属層１３０の剛性が回路層１２０の剛性よりも大きい場合として、回路層１２０が銅で、金属層１３０がインバーで形成される例が挙げられる。また、金属層１３０の熱膨脹係数が回路層１２０の熱膨脹係数よりも大きく、金属層１３０の剛性が回路層１２０の剛性よりも小さい場合として、回路層１２０が銅で、金属層１３０が黄銅で形成される例が挙げられる。
【００４１】
いずれの場合でも、金属層１３０の熱膨脹係数は絶縁材１１０の樹脂の熱膨脹係数よりも小さく、金属層１３０の剛性は絶縁材１１０樹脂の剛性よりも大きいので、絶縁材１１０の両面に形成されている金属層１３１、１３２の厚さの差、すなわち、第１金属層１３１と第２金属層１３２との厚さの差を調整することによりプリント回路基板の反りを制御することができる。
【００４２】
一方、第１金属層１３１と第２金属層１３２との厚さの差は、絶縁材１１０の両面の配線密度（ｗｉｒｉｎｇ  ｄｅｎｓｉｔｙ）の差、すなわち、第１回路層１２１と第２回路層１２２との配線密度の差により決定できる。回路層１２０の配線密度は回路層１２０の体積から決定される。すなわち、金属層１３０の厚さは、回路層１２０の体積を考慮して設定することができる。ここで、回路層１２０の体積は、回路層１２０を構成する複数の回路パターンの全体の体積を意味する。
【００４３】
例えば、絶縁材１１０の一面側に位置する第１回路層１２１の体積が絶縁材１１０の他面側に位置する第２回路層１２２の体積よりも小さい場合は、絶縁材１１０の一面側に位置する第１金属層１３１の厚さが絶縁材１１０の他面側に位置する第２金属層１３２の厚さよりも大きいことができる。
【００４４】
具体的には、絶縁材１１０の上面に位置する回路層１２０の体積が小さく、絶縁材１１０の下面に位置する回路層１２０の体積が大きい場合は、熱膨脹係数は、絶縁材１１０の上面が相対的に大きく、剛性は、絶縁材１１０の上面が相対的に小さいので、プリント回路基板の熱処理時に、上方に凸状の反りが発生することがあり、絶縁材１１０の上面に位置する金属層１３０の厚さを絶縁材１１０の下面に位置する金属層１３０の厚さよりも大きくすることにより、絶縁材１１０の上下面の熱膨脹率及び剛性のバランスを合わせてプリント回路基板の反りを制御することができる。
【００４５】
これに対して、絶縁材１１０の上面に位置する回路層１２０の体積が大きく、絶縁材１１０の下面に位置する回路層１２０の体積が小さい場合は、熱膨脹係数は、絶縁材１１０の下面が相対的に大きく、剛性は、絶縁材１１０の下面が相対的に小さいので、プリント回路基板の熱処理時に、下方に凸状の反りが発生することがあり、絶縁材１１０の下面に位置する金属層１３０の厚さを絶縁材１１０の上面に位置する金属層１３０の厚さよりも大きくすることにより、絶縁材１１０の上下面の熱膨脹率及び剛性のバランスを合わせてプリント回路基板の反りを制御することができる。
【００４６】
つまり、金属層１３０は、回路層１２０に比べて電気伝導率及び厚さが小さいため、回路層１２０による電気信号の伝達には実質的に関与せず、絶縁材１１０の両面においての金属層１３１、１３２の厚さの差によりプリント回路基板の反りを制御する機能をすることができる。
【００４７】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、貫通ビア１４０を含むことができる。
【００４８】
貫通ビア１４０は、絶縁材１１０の内部を貫通して形成され、絶縁材１１０の一面に形成されている第１回路層１２１と絶縁材１１０の他面に形成されている第２回路層１２２とを接続させる。
【００４９】
貫通ビア１４０は、絶縁材１１０の内部を貫通する貫通ビアホール１４１の内部に導電層を形成することにより形成されることができる。ここで、導電層としては、メッキ層、導電性ペースト、導電性インク等を含むことができる。
【００５０】
一方、貫通ビア１４０及び回路層１２０は、シード層Ｓ１を含むことができ、シード層Ｓ１は、貫通ビアホール１４１の内壁及び絶縁材１１０の一面及び他面に形成されることができる。この場合、貫通ビア１４０の導電層は、無電解メッキにより形成されたシード層Ｓ１と、電解メッキにより形成された電解メッキ層とを含むことができる。
【００５１】
図３を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、貫通ビア１４０及び合金層１５０を含むことができる。
【００５２】
貫通ビア１４０は、絶縁材１１０の内部を貫通して形成され、絶縁材１１０の一面に形成されている第１回路層１２１と、絶縁材１１０の他面に形成されている第２回路層１２２とを接続させる。
【００５３】
貫通ビア１４０は、絶縁材１１０の内部を貫通する貫通ビアホール１４１の内部に導電層を形成することにより形成されることができる。
【００５４】
合金層１５０は、絶縁材１１０と貫通ビア１４０との間、及び絶縁材１１０と回路層１２０との間に形成されることができる。合金層１５０は、金属層１３０と同一の金属で形成されることができる。
【００５５】
図３に示すように、合金層１５０は、シード層Ｓ２を含むことができる。シード層Ｓ２は、合金層１５０と同一の金属で形成されることができる。シード層Ｓ２は、貫通ビアホール１４１の内壁及び絶縁材１１０の一面及び他面に形成されることができる。この場合、上記導電層は、メッキ層、特に電解メッキにより形成されたメッキ層であることができる。また、この場合、貫通ビア１４０の幅は、貫通ビアホール１４１の幅よりも狭い。
【００５６】
図４を参照すると、図３を参照して説明した合金層１５０において、絶縁材１１０の一面に位置する第１合金層１５１の厚さは、絶縁材１１０の他面に位置する第２合金層１５２の厚さよりも大きいことができる。貫通ビアホール１４１の内壁、すなわち、絶縁材１１０と貫通ビア１４０との間に形成される第３合金層１５３の厚さは、第１合金層１５１及び／または第２合金層１５２の厚さと同一または異なってもよいが、貫通ビア１４０の幅を確保するために、厚過ぎないようにする必要があり、第２合金層１５２の厚さよりも薄くできる。
【００５７】
図５を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ソルダーレジスト層１７０を含むことができる。
【００５８】
ソルダーレジスト層１７０は、金属層１３０上に積層され、感光性絶縁物質で形成されることができる。ソルダーレジスト層１７０には開口部Ｏが形成され、開口部Ｏから回路層１２０が露出されることができる。回路層１２０の露出された領域は、電子部品を接続するためのワイヤボンディングパッドまたはソルダーボールパッドとなる。ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏから回路層１２０を露出するために、金属層１３０は、開口部Ｏの領域には形成されなくてもよい。金属層１３０の電気伝導率が回路層１２０の電気伝導率よりも小さいので、パッドとなる領域は、金属層１３０ではなく回路層１２０の一部であることが電気信号の伝達の側面から有利である。
【００５９】
図６を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、図５を参照して説明したプリント回路基板において、表面処理層１７１をさらに含むことができる。
【００６０】
表面処理層１７１は、ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏから露出する回路層１２０の領域上に形成され、回路層１２０の酸化を防止することができる。表面処理層１７１は、金属で形成されることができる。金属素材の表面処理層１７１は、無電解メッキにより形成されることができる。また、表面処理層１７１は、複数の層で構成されてもよい。例えば、表面処理層１７１は、金で形成されることができる。また、表面処理層１７１'は、ニッケル層及び金層の複数層で形成されることができる。この場合、「回路層（銅層）−ニッケル層−金層」の順に形成されることで、ニッケル層が銅層と金層との間の拡散を防止することができる。一方、表面処理層１７１は、ＯＳＰ等の非金属で形成されることもできる。
【００６１】
図７を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ビルドアップ層１６０を含むことができる。ビルドアップ層１６０は、絶縁層１６１、１６２と、ビルドアップ回路層１６３、１６４と、ビア１６５と、ビルドアップ金属層１６７、１６８とを含むことができる。図７には、両面にそれぞれビルドアップ層１６０が１層ずつ形成されており、プリント回路基板が（回路層数を基準にした場合）４層に示されているが、ビルドアップ層１６０は、複数形成されることができ、プリント回路基板は、４層、６層、８層…等様々な回路層数を有することができる。
【００６２】
絶縁層１６１、１６２は、金属層１３０上に積層され、第１絶縁層１６１は、第１金属層１３１上に、及び第２絶縁層１６２は第２金属層１３２上にそれぞれ積層される。
【００６３】
絶縁層１６１、１６２は、樹脂等の絶縁物質で組成され、絶縁層１６１、１６２の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミド等を用いることができる。
【００６４】
絶縁層１６１、１６２は、プリプレグ（ＰＰＧ）またはビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）であってもよい。プリプレグの場合は、上記樹脂にガラス・クロス（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含まれてもよい。ビルドアップフィルムの場合は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラーが充填されてもよい。このビルドアップフィルムとしては、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。
【００６５】
絶縁層１６１、１６２は、絶縁材１１０と同一の物質で形成可能であり、互いに異なる物質で形成されることも可能である。例えば、絶縁材１１０はプリプレグであり、絶縁層１６１、１６２はビルドアップフィルムにより形成されることができる。
【００６６】
ビルドアップ回路層１６３、１６４は、絶縁層１６１、１６２上に形成され、電気信号を伝達するためにパターン化された導電体である。ビルドアップ回路層１６３、１６４は、上述した回路層１２０と機能の側面から実質的に同一であるが、説明上、区分する必要があるため、ビルドアップ回路層１６３、１６４という用語を導入した。
【００６７】
ビルドアップ回路層１６３、１６４は、複数の回路パターンの集合として理解することができる。回路層１２０とビルドアップ回路層１６３、１６４とは、機能的には同一の構成であると理解することができ、上述した回路層１２０に関する説明はビルドアップ回路層１６３、１６４にも適用できる。ただし、形成される位置が互いに異なる。回路層１２０は、コアである絶縁材１１０上に形成される回路パターンの集合であり、ビルドアップ回路層１６３、１６４は、絶縁材１１０上に積層される絶縁層１６１、１６２上に形成される回路パターンの集合である。ビルドアップ回路層１６３、１６４の厚さは回路層１２０の厚さと実質的に同一であることができる。
【００６８】
ビルドアップ回路層１６３、１６４は金属で形成されることができるが、電気伝導特性を考慮して銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成されることができる。
【００６９】
ビルドアップ回路層１６３、１６４は、シード層Ｓ３を含むことができる。シード層Ｓ３は、ビルドアップ回路層１６３、１６４と同一の金属で形成されることができる。シード層Ｓ３の存在は、ビルドアップ回路層１６３、１６４の形成工法により決まり、特にビルドアップ回路層１６３、１６４がＳＡＰ、ＭＳＡＰ等の工法により形成される場合は、ビルドアップ回路層１６３、１６４にはシード層Ｓ３が含まれることができる。
【００７０】
図７を参照して発明を説明しているが、ビルドアップ回路層１６３、１６４が必ずしもＳＡＰ工法により形成される必要はなく、ＭＳＡＰを含む他の工法を排除することでもない。
【００７１】
ビルドアップ回路層１６３、１６４は、絶縁材１１０の一面側に形成される第１ビルドアップ回路層１６３と、絶縁材１１０の他面側に形成される第２ビルドアップ回路層１６４とに区分できる。
【００７２】
第１ビルドアップ回路層１６３と第２ビルドアップ回路層１６４とは、実質的に同一の厚さを有することができ、例えば、第１ビルドアップ回路層１６３及び第２ビルドアップ回路層１６４の厚さは、１５μｍであることができる。
【００７３】
ビア１６５は、絶縁層１６１、１６２を貫通してビルドアップ回路層１６３、１６４と回路層１２０とを接続する導電体であり、互いに異なる層にある回路パターン間に電気信号を伝達する。ビア１６５は、ビルドアップ回路層１６３、１６４及び回路層１２０と同一の金属で形成されることができる。
【００７４】
ビア１６５と回路層１２０とが直接接触するように、金属層１３０はビア１６５の形成領域には形成されない。金属層１３０の電気伝導率が回路層１２０の電気伝導率よりも小さいため、ビア１６５と回路層１２０とが直接接触することが電気信号の伝達に有利である。
【００７５】
ビア１６５は、絶縁層１６１、１６２に形成されているビアホール１６６の内部に導電層が形成されることにより形成されることができる。ここで、導電層は、メッキ層等であることができる。
【００７６】
上記ビルドアップ回路層１６３、１６４及び上記ビア１６５は、シード層Ｓ３を含むことができ、シード層Ｓ３は、ビアホール１６６の内部の表面（内壁及び底部）及び絶縁層１６１、１６２上に形成されることができる。この場合、導電層は電解メッキにより形成されたメッキ層であり、ビア１６５は、無電解メッキにより形成されたシード層Ｓ３と電解メッキにより形成されたメッキ層とを含む。
【００７７】
ビルドアップ金属層１６７、１６８は、ビルドアップ回路層１６３、１６４上に形成され、金属層１３０と同一の金属で形成されることができる。ビルドアップ金属層１６７、１６８は、金属層１３０と実質的に同一の機能を有するので、上述した金属層１３０の説明を同様にビルドアップ金属層１６７、１６８に適用することができる。
【００７８】
上記絶縁材１１０の上記一面側に位置するビルドアップ金属層１６７、１６８の厚さは、上記絶縁材１１０の上記他面側に位置するビルドアップ金属層１６７、１６８の厚さよりも大きいことができる。
【００７９】
第１ビルドアップ回路層１６３上に形成されるビルドアップ金属層を第１ビルドアップ金属層１６７といい、第２ビルドアップ回路層１６４上に形成されるビルドアップ金属層を第２ビルドアップ金属層１６８といい、第１ビルドアップ金属層１６７の厚さを第２ビルドアップ金属層１６８の厚さよりも大きいことができる。これにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。
【００８０】
ビルドアップ金属層１６７、１６８の厚さは、回路層１２０及び／またはビルドアップ回路層１６３、１６４の配線密度により決定できる。例えば、第１回路層１２１及び／または第１ビルドアップ回路層１６３の配線密度が第２回路層１２２及び／または第２ビルドアップ回路層１６４の配線密度よりも小さい場合は、第１ビルドアップ金属層１６７の厚さが第２ビルドアップ金属層１６８の厚さよりも大きいことができる。
【００８１】
図７を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ソルダーレジスト層１７０をさらに含むことができる。
【００８２】
ソルダーレジスト層１７０は、ビルドアップ金属層１６７、１６８上に積層され、感光性絶縁物質で形成されることができる。ソルダーレジスト層１７０には開口部Ｏが形成され、開口部Ｏからビルドアップ回路層１６３、１６４が露出され得る。ビルドアップ回路層１６３、１６４の露出された領域はパッドとなる。ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏからビルドアップ回路層１６３、１６４が露出されるために、ビルドアップ金属層１６７、１６８は、開口部Ｏの領域には形成されなくてもよい。ビルドアップ金属層１６７、１６８の電気伝導率がビルドアップ回路層１６３、１６４の電気伝導率よりも小さいので、パッドとなる領域は、ビルドアップ金属層１６７、１６８ではなく、ビルドアップ回路層１６３、１６４の一部であることが電気信号の伝達の側面から有利である。
【００８３】
図８を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、図７を参照して説明したプリント回路基板と比べて表面処理層１７１をさらに含むことができる。
【００８４】
表面処理層１７１は、ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏから露出されるビルドアップ回路層１６３、１６４の領域上に形成され、ビルドアップ回路層１６３、１６４の酸化を防止することができる。表面処理層１７１は、金属で形成されることができる。金属素材の表面処理層１７１は、無電解メッキにより形成されることができる。また、表面処理層１７１は、複数の層で構成されることができる。例えば、表面処理層１７１は、金で形成されることができる。また、表面処理層１７１'は、ニッケル層及び金層の複数層で形成されることができる。この場合、「ビルドアップ回路層（銅層）−ニッケル層−金層」の順に形成することができる。ニッケル層は、銅層と金層との間の拡散を防止することができる。一方、表面処理層１７１は、ＯＳＰ等の非金属で形成されることができる。
【００８５】
図９を参照すると、図６を参照して説明したプリント回路基板と比べて、金属層１３０と回路層１２０とが厚さ方向に互いに離隔することができる。すなわち、金属層１３０は、回路層１２０から離隔して形成されることができる。ソルダーレジスト層１７０は、金属層１３０と回路層１２０とが離隔することで形成される空間にもさらに形成されることができる。すなわち、金属層１３０がソルダーレジスト層１７０の中間に位置することができる。
【００８６】
金属層１３０は、回路層１２０が形成されていない領域まで延びることができる。この場合、金属層１３０の形成領域（横断面積）は、回路層１２０の形成領域（横断面積）よりも大きい。ただし、この場合であっても、金属層１３０はソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏには形成されない。金属層１３０は、開口部Ｏの領域に対応して穴が形成された金属シートであってもよい。すなわち、金属層１３０は、回路層１２０の回路パターンのパターン通りにパターン化されない。また、この場合にすべての電気信号は、回路層１２０に伝達され、金属層１３０には伝達されない。
【００８７】
金属層１３０の厚さに関連して、絶縁材１１０の一面側に位置する第１金属層１３１の厚さは、絶縁材１１０の他面側に位置する第２金属層１３２の厚さよりも大きいことができ、これにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。これ以外にも、図６等を参照して説明した内容を本実施例にも適用することができる。
【００８８】
以下、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法について説明する。
【００８９】
図１０から図２０は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【００９０】
図１０を参照すると、絶縁材１１０に貫通ビアホール１４１が形成され、貫通ビアホール１４１の内壁と絶縁材１１０の一面及び他面とにシード層Ｓ１が形成される。貫通ビアホール１４１は、ドリルビット等を用いて形成可能であり、シード層Ｓ１は、無電解メッキにより形成することができる。貫通ビア１４０は、シード層Ｓ１上に電解メッキされた電解メッキ層を含むことができる。
【００９１】
図１１を参照すると、メッキレジストＲ１を用いて回路層１２０が形成される。ここで、第１回路層１２１、貫通ビア１４０の電解メッキ層、第２回路層１２２を同一のメッキ過程で形成することができる。
【００９２】
第１回路層１２１及び第２回路層１２２の高さ（厚さ）は、メッキレジストＲ１の高さ（厚さ）よりも低い（薄い）。これは、同一のメッキレジストＲ１を用いて金属層１３０を形成するためである。
【００９３】
すなわち、図１２を参照すると、回路層１２０上に金属層１３０が形成される。金属層１３０は、メッキレジストＲ１を用いた電解メッキにより形成されることができる。
【００９４】
図１３を参照すると、メッキレジストＲ１が剥離され、シード層Ｓ１の不要な部分が除去される。シード層Ｓ１の不要な部分の除去は、エッチングにより行われることができる。ここで、「不要な部分」とは、回路層１２０の領域ではない部分を意味し、不要なショートを防止するためである。
【００９５】
図１４から図１７を参照すると、ビルドアップ層１６０が形成される。
【００９６】
先ず、図１４及び図１５を参照すると、金属層１３０上に絶縁層１６１、１６２が積層され、ビアホール１６６が形成される。ビアホール１６６は、金属層１３０の一部の領域まで除去する方式により形成されることができる。この場合、ビアホール１６６は、段階的に形成される。すなわち、金属層１３０を露出するように、絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡが先に除去され（図１４）、その後に金属層１３０の領域のビアホールＢが除去される（図１５）。これは、絶縁層１６１、１６２と金属層１３０との材料の差から起因することである。
【００９７】
絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡは、レーザドリルにより形成可能であり、金属層１３０の領域のビアホールＢは、エッチングにより形成可能である。金属層１３０と回路層１２０とが互いに異なるエッチング液に反応するように設定し、金属層１３０のエッチングにおいては回路層１２０がストッパとなることができる。また、金属層１３０がエッチングされるときには、絶縁層１６１、１６２がエッチングレジストの役割をすることができる。
【００９８】
すなわち、ビアホール１６６の断面形状は、絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡの幅が絶縁材１１０側に行くほど狭くなるが、これはレーザ光量が内側に行くほど小さくなるからである。一方、金属層１３０の領域のビアホールＢの幅も絶縁材１１０側に行くほど狭くなり、これは、エッチングが等方性エッチングである場合に該当する。特に、この場合は、金属層１３０の領域のビアホールＢの内壁が曲面をなすことができる。
【００９９】
一方、絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡと、金属層１３０の領域のビアホールＢとが結合する地点において、絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡの幅は、金属層１３０の領域のビアホールＢの幅よりも狭くできる。また、金属層１３０の領域のビアホールＢの最底部の幅は、絶縁層１６１、１６２の領域のビアホールＡの最底部の幅と実質的に同一である。
【０１００】
ただし、エッチングの条件を調整して金属層１３０の領域のビアホールＢの幅が一定になるようにすることができる。
【０１０１】
図１６を参照すると、ビアホール１６６の内部及び絶縁層１６１、１６２上にシード層Ｓ３を形成し、メッキレジストＲ２を積層した後にパターニングする。
【０１０２】
図１７を参照すると、ビルドアップ回路層１６３、１６４とビルドアップ金属層１６７、１６８が順次メッキされて形成される。メッキレジストＲ２は剥離される。
【０１０３】
図１８及び図１９を参照すると、ビルドアップ金属層１６７、１６８上にソルダーレジスト層１７０が形成され、ソルダーレジスト層１７０には開口部Ｏが形成される。開口部Ｏもビルドアップ金属層１６７、１６８の一部も除去されて形成され、上述したビアホール１６６と同様に、２つの部分に区分できる。すなわち、開口部Ｏは、ソルダーレジスト層１７０の領域の開口部Ｃとビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄとを含むことができる。
【０１０４】
開口部Ｏの断面形状は、ソルダーレジスト層１７０の領域の開口部Ｃの幅が絶縁材１１０側に行くほど狭くなるが、これはフォトリソグラフィ工程において露光量（またはレーザドリルの光量）が内側に行くほど小さくなるからである。一方、ビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄの幅も絶縁材１１０側に行くほど狭くなり、これはエッチングが等方性エッチングである場合に該当する。特に、この場合、ビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄの内壁が曲面をなすことができる。
【０１０５】
一方、ソルダーレジスト層１７０の領域の開口部Ｃと、ビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄとが結合する地点において、ソルダーレジスト層１７０の領域の開口部Ｃの幅は、ビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄの幅よりも狭くできる。また、ビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄの最底部の幅は、ソルダーレジスト層１７０の領域の開口部Ｃの最底部の幅と実質的に同一である。
【０１０６】
ただし、エッチングの条件を調整してビルドアップ金属層１６７、１６８の領域の開口部Ｄの幅が一定になるようにすることができる。
【０１０７】
図２０を参照すると、開口部Ｏから露出しているビルドアップ回路層１６３、１６４に表面処理層１７１が形成される。表面処理層１７１は、金属がメッキされて、１つ以上の層で形成されることができる。
【０１０８】
図２２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。以下には、上述した内容を同様に適用することができる。
【０１０９】
図２２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材１１０と、１つ以上の第１絶縁層１６１と、１つ以上の第２絶縁層１６２と、第１回路層２２１と、第２回路層２２２と、第１金属層２３１と、第２金属層２３２と、を含むことができる。
【０１１０】
絶縁材１１０は、互いに対向する一面及び他面を備える。絶縁材１１０の一面及び他面には、回路３２１、３２２が形成されることができる。絶縁材１１０の一面及び他面に形成されている回路３２１、３２２は、絶縁材１１０を貫通する貫通ビア１４１により電気的に接続されることができる。
【０１１１】
絶縁材１１０の一面上には、１つ以上の第１絶縁層１６１が積層されることができる。例えば、第１絶縁層１６１が２つであれば、図２２に示すように、絶縁材１１０の一面上に（図２２を基準にして、絶縁材１１０の下側へ）２つの層が厚さ方向に順次積層されることができる。
【０１１２】
また、絶縁材１１０の他面上には、１つ以上の第２絶縁層１６２を積層することができる。例えば、第２絶縁層１６２が２つであれば、図２２に示すように、絶縁材１１０の他面上に（図２２を基準にして、絶縁材１１０の上側へ）２つの層が厚さ方向に順次積層されることができる。
【０１１３】
第１絶縁層１６１及び第２絶縁層１６２のそれぞれが、３つ、４つ…等で構成されている場合であっても、上述した方式により絶縁材１１０の両面に厚さ方向に順次積層されることができる。
【０１１４】
一方、第１絶縁層１６１及び第２絶縁層１６２がそれぞれ１つである場合は、絶縁材１１０の両面にそれぞれ１つずつ絶縁層が積層されることになり、その第１絶縁層１６１及び第２絶縁層１６２は、最外層に位置する絶縁層となる。
【０１１５】
第１回路層２２１は、上述の１つ以上の第１絶縁層１６１のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される。第１絶縁層１６１が１つである場合は、その第１絶縁層１６１上に第１回路層２２１が形成されることになり、第１絶縁層１６１が２つ以上である場合は、それらのうちの少なくともいずれか１つ上に形成される。勿論、第１回路層２２１が形成されていない他の第１絶縁層１６１上にも他の回路３２１が形成され、第１回路層２２１と電気的に接続されることができる。
【０１１６】
図２２に示すように、第１回路層２２１は、１つ以上の第１絶縁層１６１のうちの最外層に位置する第１絶縁層１６１上に形成されることができる。
【０１１７】
第２回路層２２２は、上述の１つ以上の第２絶縁層１６２のうちの少なくともいずれか１つ上に形成される。第２絶縁層１６２が１つである場合は、その第２絶縁層１６２上に第２回路層２２２が形成されることになり、第２絶縁層１６２が２つ以上である場合は、それらのうちの少なくともいずれか１つ上に形成される。勿論、第２回路層２２２が形成されていない他の第２絶縁層１６２上にも他の回路３２２が形成され、第２回路層２２２と電気的に接続されることができる。
【０１１８】
図２２に示すように、第２回路層２２２は、１つ以上の第２絶縁層１６２のうちの最外層に位置する第２絶縁層１６２上に形成されることができる。
【０１１９】
第１金属層２３１は、第１回路層２２１上に形成され、第１金属層２３１の電気伝導率は、第１回路層２２１の電気伝導率よりも小さい。
【０１２０】
第２金属層２３２は、第２回路層２２２上に形成され、第２金属層２３２の電気伝導率は、第２回路層２２２の電気伝導率よりも小さい。
【０１２１】
第１回路層２２１と第２回路層２２２とは互いに同一の厚さを有することができる。また、第１金属層２３１の厚さは、第１回路層２２１の厚さよりも薄く、第２金属層２３２の厚さは、第２回路層２２２の厚さよりも薄くできる。第１金属層２３１の厚さは、第１回路層２２１の厚さの２／３を超えない。また、第２金属層２３２の厚さは、第２回路層２２２の厚さの２／３を超えない。一方、第１金属層２３１の厚さは、第２金属層２３２の厚さよりも大きいことができる。このように厚さを調整することにより、プリント回路基板の反りを制御することができる。
【０１２２】
第１回路層２２１と第２回路層２２２とは、銅を主成分とする層であることができ、第１金属層２３１と第２金属層２３２とは、インバー（ｉｎｖａｒ）等のＦｅ−Ｎｉ（ニッケル鋼）合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金の黄銅（ｂｒａｓｓ）等の銅合金素材からなることができる。
【０１２３】
本発明の実施例に係るプリント回路基板は、最外層に位置する上記第１絶縁層１６１及び上記第２絶縁層１６２上にそれぞれ積層されるソルダーレジスト層１７０をさらに含むことができる。
【０１２４】
ソルダーレジスト層１７０には開口部Ｏが形成され、開口部Ｏから第１回路層２２１及び第２回路層２２２が露出するように、第１金属層２３１及び第２金属層２３２は開口部領域には形成されなくてもよい。このような構造的特徴は、方法的には、第１回路層２２１に第１金属層２３１を形成した後に第１金属層２３１をエッチングすることにより、エッチングされた領域が開口部Ｏ（の一部）となることができる。同様に、第２回路層２２２に第２金属層２３２を形成した後に第２金属層２３２をエッチングすることによりエッチングされた領域が開口部Ｏ（の一部）となることができる。
【０１２５】
図２３は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図である。
【０１２６】
図２３を参照すると、図２２を参照して説明したプリント回路基板において、第１金属層２３１と第１回路層２２１とが厚さ方向に互いに離隔し、第１金属層２３１と第１回路層２２１との間に空間が形成され、上記空間にはソルダーレジスト層１７０が形成される。
【０１２７】
同様に、第２金属層２３２と第２回路層２２２とが厚さ方向に互いに離隔し、第２金属層２３２と第２回路層２２２との間には空間が形成され、上記空間にはソルダーレジスト層１７０が形成される。
【０１２８】
ここで、第１金属層２３１の形成領域は、第１回路層２２１の形成領域よりも大きいことができる、第２金属層２３２の形成領域は、第２回路層２２２の形成領域よりも大きいことができる。
【０１２９】
第１金属層２３１は、第１回路層２２１が形成されていない領域上にも形成されることができ、ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏを除いた全体の領域にわたって形成されることができる。第２金属層２３２は、第２回路層２２２が形成されていない領域上にも形成されることができ、ソルダーレジスト層１７０の開口部Ｏを除いた全体の領域にわたって形成されることができる。第１金属層２３１及び第２金属層２３２は、金属シートであってもよい。
【０１３０】
図２４は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図２５は、図２４の部分拡大図であり、図２６は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図２７は、図２６の部分拡大図であり、図２８は本発明の実施例に係るプリント回路基板の断面図であり、図２９は、図２８の部分拡大図である。
【０１３１】
図２４を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁材１１０と、回路層１２１、１２２と、金属層１３１、１３２と、絶縁層１６１、１６２と、を含み、絶縁層１６１、１６２及び金属層１３１、１３２にはビアホール１６６が形成され、ビアホール１６６の底面から回路層１２１、１２２が露出されることができる。
【０１３２】
絶縁材１１０は、樹脂等の絶縁物質で組成される板状の資材であって、上述した通りである。
【０１３３】
回路層１２１、１２２は、電気信号を伝達するためにパターン化された導電体であって、絶縁材１１０上に形成される。回路層１２１、１２２は、絶縁材１１０の両面上に形成されることができる。
【０１３４】
金属層１３１、１３２は、回路層１２１、１２２上に形成され、電気伝導率が回路層１２１、１２２の電気伝導率よりも小さい金属で形成される導電体である。
【０１３５】
絶縁層１６１、１６２は、樹脂等の絶縁物質で組成される板状の資材であって、絶縁材１１０と同一または異なる物質で形成されることができる。
【０１３６】
ビアホール１６６は、上記絶縁層１６１、１６２及び上記金属層１３１、１３２を貫通するホールであって、上記ビアホール１６６の底面から回路層１２１、１２２が露出されることができる。また、ビアホール１６６に導電層が形成されてビア１６５が形成されると、金属層１３１、１３２とビア１６５の側面とが接触可能となる。この場合、ビア１６５の底面は、回路層１２１、１２２と直接接触することができる。
【０１３７】
ビアホール１６６は、第１ホールＥと第２ホールＦとを含むことができる。第１ホールＥは、第２ホールＦよりも外側に位置し、第１ホールＥの幅及び第２ホールＦの幅のそれぞれは、内側に行くほど狭くなる。
【０１３８】
図２５には、第１ホールＥ及び第２ホールＦを含むビアホール１６６の様々な形態が示されている。
【０１３９】
図２５の（ａ）、（ｂ）に示すように、第１ホールＥと第２ホール（Ｆ）とが接する面において、第１ホールＥの幅が第２ホールＦの幅よりも狭くできる。また、（ｂ）に示すように、第２ホールＦの側面は、曲面をなすことができる。これは、金属層１３１、１３２が等方性エッチングされることにより第２ホールＦが形成された結果であると言える。ここで、第１ホールＥの最内側の幅及び第２ホールＦの最内側の幅は、実質的に同一であることができる。
【０１４０】
一方、金属層１３１、１３２の厚さ、エッチングの方法、条件等を調整することにより、（ｃ）に示すように、第１ホールＥと第２ホールＦとが接する面において第１ホールＥの幅と第２ホールＦの幅とを同一に形成することができる。
【０１４１】
図２６を参照すると、ビアホール１６６内にビア１６５が形成されており、ビア１６５は、シード層を含むことができる。また、絶縁層１６１、１６２上には、ビア１６５と接続するビルドアップ回路層１６３、１６４を形成することができ、ビルドアップ回路層１６３、１６４上にはビルドアップ金属層１６７、１６８を形成することができる。
【０１４２】
ビアホール１６６内のビア１６５の側面は、金属層１３１、１３２と接触することができ、ビア１６５がシード層を含む場合は、金属層１３１、１３２はシード層と接触することができる。
【０１４３】
図２７には、図２５の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）によりシード層、ビア１６５、ビルドアップ回路層１６３、１６４、ビルドアップ金属層１６７、１６８が形成されている状態を示している。
【０１４４】
図２８を参照すると、絶縁層１６１、１６２上にソルダーレジスト層１７０が形成され、ソルダーレジスト層１７０に開口部Ｏが形成されており、開口部Ｏは、第１開口Ｇと第２開口Ｈとを含むことができる。第１開口Ｇは、第２開口Ｈよりも外側に位置し、第１開口Ｇの幅及び第２開口Ｈの幅のそれぞれは、内側に行くほど狭くなる。
【０１４５】
図２９には、第１開口Ｇと第２開口Ｈとを含む開口部Ｏの様々な形態が示されている。
【０１４６】
図２９の（ａ）、（ｂ）に示すように、第１開口Ｇと第２開口Ｈとが互いに接する面において、第１開口Ｇの幅が第２開口Ｈの幅よりも狭くできる。また、（ｂ）に示すように、第２開口Ｈの側面は、曲面をなすことができる。これは、ビルドアップ金属層１６７、１６８が等方性エッチングされることにより第２開口Ｈが形成された結果であると言える。ここで、第１開口Ｇの最内側の幅及び第２開口Ｈの最内側の幅は、実質的に同一であることができる。
【０１４７】
一方、ビルドアップ金属層１６７、１６８の厚さ、エッチングの方法、条件等を調整することにより、図２９の（ｃ）に示すように、第１開口Ｇと第２開口Ｈとが接する面において、第１開口Ｇの幅と第２開口Ｈの幅とを同一に形成することができる。
【０１４８】
一方、図２８、図２９に示すように、開口部Ｏから露出したビルドアップ回路層１６３、１６４上には表面処理層１７１を形成することができる。
【０１４９】
以上、本発明の実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１５０】
１１０      絶縁材
１２０      回路層
１２１、２２１      第１回路層
１２２、２２２      第２回路層
１３０      金属層
１３１、２３１      第１金属層
１３２、２３２      第２金属層
１４０      貫通ビア
１４１      貫通ビアホール
１５０      合金層
１５１      第１合金層
１５２      第２合金層
１５３      第３合金層
１６０      ビルドアップ層
１６１      第１絶縁層
１６２      第２絶縁層
１６３      第１ビルドアップ回路層
１６４      第２ビルドアップ回路層
１６５      ビア
１６６      ビアホール
１６７      第１ビルドアップ金属層
１６８      第２ビルドアップ金属層
１７０      ソルダーレジスト層
Ｏ          開口部
１７１      表面処理層
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４      シード層
Ｒ１、Ｒ２      メッキレジスト
【図１】
2019029637.tif 000003
【図２】
2019029637.tif 000004
【図３】
2019029637.tif 000005
【図４】
2019029637.tif 000006
【図５】
2019029637.tif 000007
【図６】
2019029637.tif 000008
【図７】
2019029637.tif 000009
【図８】
2019029637.tif 000010
【図９】
2019029637.tif 000011
【図１０】
2019029637.tif 000012
【図１１】
2019029637.tif 000013
【図１２】
2019029637.tif 000014
【図１３】
2019029637.tif 000015
【図１４】
2019029637.tif 000016
【図１５】
2019029637.tif 000017
【図１６】
2019029637.tif 000018
【図１７】
2019029637.tif 000019
【図１８】
2019029637.tif 000020
【図１９】
2019029637.tif 000021
【図２０】
2019029637.tif 000022
【図２１】
2019029637.tif 000023
【図２２】
2019029637.tif 000024
【図２３】
2019029637.tif 000025
【図２４】
2019029637.tif 000026
【図２５】
2019029637.tif 000027
【図２６】
2019029637.tif 000028
【図２７】
2019029637.tif 000029
【図２８】
2019029637.tif 000030
【図２９】
2019029637.tif 000031