(57)【要約】【課題】従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供する。【解決手段】被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、導電体膜形成ステップの後、ベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、
ベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、
該導電体膜形成ステップの後、該ベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。
【請求項２】
該ベース基板は、ガラスで形成されており、
該レーザービームの波長は、５００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の静電チャックプレートの製造方法。
【請求項３】
被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、
第１面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、
該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第１面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、
該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備えることを特徴とする静電チャックプレートの製造方法。
【請求項４】
該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、
該レーザービームの波長は、１０００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項３に記載の静電チャックプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状の被加工物等を保持する際に用いられる静電チャックプレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、パッケージ基板等を、切削装置や研削装置、レーザー加工装置等で加工する際には、これら板状の被加工物に対して、粘着テープや硬質基板等の保護部材を貼付するのが一般的である。これにより、加工や搬送等の際に加わる衝撃から被加工物を保護できる。
【０００３】
上述した保護部材は、通常、ある程度の接着力を持つ接着剤によって被加工物に貼付される。そのため、例えば、加工後の被加工物から保護部材を容易に剥離できないことがあった。また、再使用できない使い捨ての粘着テープ等を用いる場合には、被加工物の加工に要するコストも高くなり易い。
【０００４】
そこで、近年では、静電気を利用して被加工物を吸着、保持する静電チャックプレートの開発が進められている（例えば、特許文献１参照）。この静電チャックプレートでは、例えば、静電気による吸着力を発生させるための電極を櫛歯状に形成することで、電極への給電を停止した後にも強い吸着力が維持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−５１８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した櫛歯状の電極に代表される静電チャックプレートの電極は、ウェットエッチングによって形成されることが多い。しかしながら、このウェットエッチングには、電極のパターンに合わせたマスクが必要なので、コストが掛かり易いという問題があった。そのため、より低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法が求められていた。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、従来に比べて低いコストで電極を形成できる静電チャックプレートの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、ベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける導電体膜形成ステップと、該導電体膜形成ステップの後、該ベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、を備える静電チャックプレートの製造方法が提供される。
【０００９】
上述した本発明の一態様において、該ベース基板は、ガラスで形成されており、該レーザービームの波長は、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１０】
本発明の別の一態様によれば、被加工物を静電気の力で吸着して保持する静電チャックプレートの製造方法であって、第１面側に金属酸化物を含む導電体膜が設けられた樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、該樹脂シート準備ステップの後、該樹脂シートに対して透過性を有する波長のレーザービームで該導電体膜をアブレーション加工し、該樹脂シートの第１面側に正負の電極を形成する電極形成ステップと、該電極形成ステップの後、該電極をベース基板の絶縁体からなる絶縁面側に貼付し、該電極から該樹脂シートを剥離することで、該ベース基板の該絶縁面側に正負の電極を移設する電極移設ステップと、を備える静電チャックプレートの製造方法が提供される。
【００１１】
上述した本発明の別の一態様において、該樹脂シートは、可視域で透明な樹脂シートであり、該レーザービームの波長は、１０００ｎｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る静電チャックプレートの製造方法、及び本発明の別の一態様に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、正負の電極を形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正負の電極を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１（Ａ）は、ベース基板に導電体膜が形成された状態を模式的に示す断面図であり、図１（Ｂ）は、導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図１（Ｃ）は、完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】完成した静電チャックプレートの構造を模式的に示す平面図である。
【図３】静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す斜視図である。
【図４】静電チャックプレートが使用されたフレームユニットの構造を模式的に示す断面図である。
【図５】フレームユニットに被加工物を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。
【図６】図６（Ａ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板に貼付された電極から樹脂シートが剥離される様子を模式的に示す断面図であり、図６（Ｃ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法は、導電体膜形成ステップ（図１（Ａ）参照）、及び電極形成ステップ（図１（Ｂ）、図１（Ｃ）及び図２参照）を含む。
【００１５】
導電体膜形成ステップでは、少なくとも第１面が絶縁体からなるベース基板の第１面側に、金属酸化物を含む導電体膜を設ける。電極形成ステップでは、このベース基板に対して透過性を有する波長のレーザービームで導電体膜をアブレーション加工し、ベース基板の第１面側に正負の電極を形成する。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について詳述する。
【００１６】
本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜をベース基板に設ける導電体膜形成ステップを行う。図１（Ａ）は、ベース基板１の第１面（絶縁面）１ａ側に導電体膜３が形成された状態を模式的に示す断面図である。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、ベース基板１は、例えば、可視域の光（波長：３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）に対して透明なソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等のガラス材を用いて円盤状に形成されており、概ね平坦な第１面１ａ及び第２面１ｂを有している。すなわち、このベース基板１の第１面１ａ及び第２面１ｂは、絶縁体で構成されている。
【００１８】
ベース基板１の直径は、例えば、吸着の対象である被加工物１１（図５等参照）の直径と同程度、又はそれ以上であることが望ましい。また、ベース基板１の厚みは、代表的には、１ｍｍ〜３０ｍｍ程度である。ただし、ベース基板１の材質、形状、構造、大きさ、厚み等に制限はない。
【００１９】
例えば、樹脂やセラミックス等の材料でなるベース基板１を用いることもできる。また、ベース基板１は、少なくとも第１面１ａが絶縁体で構成されていれば良い。よって、例えば、半導体や導体等でなる基板を絶縁体で被覆し、ベース基板１として用いることもできる。
【００２０】
本実施形態の導電体膜形成ステップでは、このベース基板１の第１面１ａ側全体に、スパッタリング等の方法で金属酸化物を含む導電体膜３を形成する。金属酸化物としては、例えば、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の可視域の光に対して透明な材料を用いることが望ましい。これにより、可視域で導電体膜３が透明になるので、例えば、可視域のレーザービームを用いるレーザー加工等の際に本実施形態の静電チャックプレートを使用できるようになる。導電体膜３の厚みは、代表的には、１μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２１】
ただし、導電体膜３の材質、形状、大きさ、厚み、形成方法等に特段の制限はない、例えば、ＣＶＤ、真空蒸着、塗布等の方法で導電体膜３を形成しても良い。また、樹脂シート上に設けられた導電体膜をベース基板１の第１面１ａ側に貼付する方法で導電体膜３を形成することもできる。この場合には、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムＥＬＥＣＲＹＳＴＡ／エレクリスタ（登録商標）等を用いると良い。
【００２２】
導電体膜形成ステップの後には、ベース基板１の第１面１ａ側に設けられた導電体膜３をレーザービームでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。図１（Ｂ）は、導電体膜３がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。電極形成ステップは、例えば、図１（Ｂ）に示すようなレーザー加工装置２を用いて行われる。
【００２３】
レーザー加工装置２は、ベース基板１を吸引、保持するためのチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル４は、この移動機構によって加工送り方向（第１水平方向）及び割り出し送り方向（第２水平方向）に移動する。
【００２４】
チャックテーブル４の上面の一部は、ベース基板１を吸引、保持するための保持面４ａになっている。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。吸引源の負圧を保持面４ａに作用させることで、ベース基板１は、チャックテーブル４に吸引、保持される。
【００２５】
チャックテーブル４の上方には、レーザー照射ユニット６が配置されている。レーザー照射ユニット６は、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービーム６ａを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、ベース基板１に対して透過性を有し、導電体膜３をアブレーション加工できる波長のレーザービーム６ａをパルス発振するように構成されている。
【００２６】
電極形成ステップでは、まず、レーザービーム６ａが照射される照射予定ライン（不図示）を導電体膜３に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜３を２以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜３に対してレーザービーム６ａを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。
【００２７】
次に、ベース基板１の第２面１ｂ側をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、ベース基板１は、第１面１ａ側に設けられている導電体膜３が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。その後、チャックテーブル４を回転、移動させて、ベース基板１とレーザー照射ユニット６との位置関係を調整する。
【００２８】
そして、照射予定ライン（不図示）に沿ってレーザービーム６ａが照射されるように、レーザー照射ユニット６から導電体膜３に向けてレーザービーム６ａを照射しながらチャックテーブル４を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜３の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域３ａを形成できる。
【００２９】
なお、本実施形態では、ベース基板１に対して透過性を有する波長のレーザービーム６ａを導電体膜３に照射する。より具体的には、例えば、波長が５００ｎｍ以上のレーザービーム６ａを、０．４４Ｊ/ｃｍ２以上の条件で導電体膜３に照射することが望ましい。これにより、ベース基板１の変質を抑制しながら、導電体膜３の一部を除去して絶縁領域３ａを形成できる。
【００３０】
照射予定ラインの全てに絶縁領域３ａが形成されると、導電体膜３は、この絶縁領域３ａによって正の電極パターン（正の電極）３ｂ（図１（Ｃ）等参照）と負の電極パターン（負の電極）３ｃ（図１（Ｃ）等参照）とに分離される。すなわち、ベース基板１の第１面１ａ側には、正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとが形成される。これにより、ベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとを有する静電チャックプレート５（図１（Ｃ）等参照）が完成する。
【００３１】
上述のように、本実施形態では、導電体膜３の照射予定ラインに沿ってレーザービーム６ａを照射するだけで良いので、マスクが必要なウェットエッチング等の方法に比べて加工に要する時間を短縮し易い。また、ウェットエッチング等のようにマスクを形成しなくて良いので、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形成にかかるコストを低く抑えられる。
【００３２】
図１（Ｃ）は、静電チャックプレート５の構造を模式的に示す断面図であり、図２は、静電チャックプレート５の構造を模式的に示す平面図である。図１（Ｃ）及び図２に示すように、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形状は、例えば、正の電極と負の電極とを互い違いに整列させてなる一対の櫛歯状にすると良い。
【００３３】
このような櫛歯状の電極では、正の電極と負の電極とが高い密度で配置されるので、例えば、電極と被加工物１１との間に作用するグラジエント力等と呼ばれる静電気の力も強くなる。つまり、被加工物１１を強い力で吸着、保持できるようになる。また、正の電極及び負の電極への給電を停止した後にも、強い吸着力を維持できるようになる。
【００３４】
ただし、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの形状、大きさ等に特段の制限はない。例えば、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを曲線や円等で構成することもできる。なお、図２に示すように、絶縁領域３ａが形成される照射予定ラインを一筆書きできる形状に設定することで、加工に要する時間を更に短縮できる。
【００３５】
このように、本実施形態に係る静電チャックプレートの製造方法では、レーザービーム６ａで導電体膜３をアブレーション加工し、正の電極パターン（正の電極）３ｂ及び負の電極パターン（負の電極）３ｃを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを形成できる。
【００３６】
このようにして製造された静電チャックプレート５は、被加工物１１を吸着、保持するための各種の装置に組み込んで使用される。図３は、静電チャックプレート５が使用されたフレームユニット１２の構造を模式的に示す斜視図であり、図４は、静電チャックプレート５が使用されたフレームユニット１２の構造を模式的に示す断面図である。
【００３７】
図３及び図４に示すように、フレームユニット１２は、アルミニウム等の材料でなる環状のフレーム１４を備えている。フレーム１４の中央部分には、このフレーム１４を第１面１４ａから第２面１４ｂに貫通する開口１４ｃが形成されている。開口１４ｃの形状は、例えば、第１面１４ａ側（又は第２面１４ｂ側）から見て概ね円形である。なお、フレーム１４の材質、形状、大きさ等に特段の制限はない。
【００３８】
フレーム１４の第２面１４ｂには、ポリエチレン（ＰＥ）やポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の材料でなるフィルム状のベースシート１６が、開口１４ｃを覆うように固定されている。具体的には、円形のベースシート１６の第１面１６ａ側の外周部分が、フレーム１４の第２面１４ｂに貼付されている。
【００３９】
ベースシート１６は、例えば、被加工物１１を保護できる程度の柔軟性と、後述する静電気の力を阻害しない程度の絶縁性とを有している。ただし、ベースシート１６の材質、形状、厚さ、大きさ等に特段の制限はない。被加工物１１は、このベースシート１６の第１面１６ａ側で保持される。一方で、ベースシート１６の第２面１６ｂ側の中央部分には、上述した静電チャックプレート５が設けられている。
【００４０】
静電チャックプレート５は、例えば、接着力のあるカバーシート１８によって、導電体膜３（正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃ）側がベースシート１６の第２面１６ｂ側に密着する態様で固定される。この場合には、ベース基板１の第２面１ｂ側をベースシート１６の第２面１６ｂ側に密着させる場合に比べて、導電体膜３から発生する電界を第１面１６ａ側の被加工物１１に効率よく作用させることができる。
【００４１】
カバーシート１８は、例えば、ベースシート１６と同様の材料で形成される円形の基材シートと、基材シートの一方の面に設けられる接着剤層（糊層）とを含む。ここで、カバーシート１８（基材シート）の直径は、静電チャックプレート５（ベース基板１）の直径よりも大きい。ただし、カバーシート１８の材質、形状、厚さ、大きさ、構造等に特段の制限はない。
【００４２】
ベースシート１６の第２面１６ｂ側には、正の電極パターン３ｂに接続される第１配線２０ａと、負の電極パターン３ｃに接続される第２配線２０ｂとが配置されている。図３に示すように、フレーム１４の第１面１４ａ側には、給電ユニット２２が設けられており、第１配線２０ａ及び第２配線２０ｂは、例えば、フレーム４を回り込むようにして給電ユニット２２に接続される。
【００４３】
給電ユニット２２は、上述した正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへの給電に使用される電池２４を収容するための電池ホルダ２２ａを備えている。また、電池ホルダ２２ａに隣接する位置には、正の電極パターン３ａ及び負の電極パターン３ｂへの給電と非給電とを切り替えるためのスイッチ２２ｂが設けられている。
【００４４】
例えば、スイッチ２２ｂを導通状態（オン状態）にすると、電池ホルダ２２ａに収容されている電池２４の電力が、第１配線２０ａ及び第２配線２０ｂを介して正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへと供給される。一方で、スイッチ２２ｂを非導通状態（オフ状態）にすると、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃへの給電は停止する。
【００４５】
なお、図３及び図４では、給電ユニット２２をフレーム１４の第１面１４ａ側に配置しているが、給電ユニット２２の配置等に特段の制限はない。少なくとも、この給電ユニット２２は、フレームユニット１２を使用（すなわち、被加工物１１を吸着、保持）する際に邪魔にならない位置に配置されていれば良い。例えば、フレーム１４の開口１４ｃ内に給電ユニット２２を配置することもできる。また、電池２４は、ボタン型電池（コイン型電池）のような一次電池でも良いし、充電により繰り返し使用可能な２次電池でも良い。
【００４６】
図５は、フレームユニット１２に被加工物１１を吸着させる様子を模式的に示す斜視図である。被加工物１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の材料でなる円盤状のウェーハである。この被加工物１１の表面１１ａ側は、格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域に区画されており、各領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。
【００４７】
ただし、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる被加工物１１をフレームユニット１２で吸着、保持することもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【００４８】
フレームユニット１２に被加工物１１を吸着させる際には、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側とベースシート１６の第１面１６ａ側とが接触するように、被加工物１１をベースシート１６に載せる。より具体的には、被加工物１１をベースシート１６の静電チャックプレート５に対応する領域（中央部分）に載せる。次に、給電ユニット２２のスイッチ２２ｂを導通状態にして、電池２４の電力を正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとに供給する。
【００４９】
これにより、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃの周りに電界が発生し、その効果として、被加工物１１と導電体膜３との間に静電気の力が作用する。この静電気の力により、被加工物１１は、フレームユニット１２に吸着、保持される。なお、被加工物１１と導電体膜３との間に作用する静電気の力には、クーロン力、ジョンソン・ラーベック力、グラジエント力等がある。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態等の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、金属酸化物を含む導電体膜３をベース基板１に設けた後に、この導電体膜３をレーザービーム６ａでアブレーション加工しているが、別の手順で静電チャックプレート５を製造することもできる。
【００５１】
図６（Ａ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で導電体膜３がアブレーション加工される様子を模式的に示す断面図である。変形例に係る静電チャックプレートの製造方法では、まず、金属酸化物を含む導電体膜３が設けられた樹脂シート７を準備する樹脂シート準備ステップを行う。
【００５２】
樹脂シート７は、例えば、可視域の光に対して透明なポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等の樹脂材で形成されており、その第１面７ａ側には、金属酸化物を含む導電体膜３が設けられている。このような導電体膜３付きの樹脂シート７としては、例えば、日東電工株式会社製の透明導電性フィルムＥＬＥＣＲＹＳＴＡ／エレクリスタ（登録商標）等を用いることができる。
【００５３】
樹脂シート準備ステップの後には、樹脂シート７の第１面７ａ側に設けられた導電体膜３をレーザービーム６ａでアブレーション加工し、正負の電極を形成する電極形成ステップを行う。電極形成ステップは、例えば、レーザー加工装置２を用いて行われる。この変形例で使用されるレーザー加工装置２の構成の大部分は、上記実施形態で使用されるレーザー加工装置２と同じだが、そのレーザー発振器は、樹脂シート７に対して透過性を有し、導電体膜３をアブレーション加工できる波長のレーザービーム６ａをパルス発振するように構成される。
【００５４】
変形例に係る電極形成ステップでは、まず、レーザービーム６ａが照射される照射予定ライン（不図示）を導電体膜３に設定する。この照射予定ラインは、導電体膜３を２以上に分離する形状に設定される必要がある。ただし、照射予定ラインを設定するタイミングは任意で良い。少なくとも、導電体膜３に対してレーザービーム６ａを照射する前に照射予定ラインが設定されれば良い。
【００５５】
次に、樹脂シート７の第２面７ｂ側をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、樹脂シート７は、第１面７ａ側に設けられている導電体膜３が上方に露出した状態でチャックテーブル４に保持される。次に、チャックテーブル４を回転、移動させて、樹脂シート７とレーザー照射ユニット６との位置関係を調整する。
【００５６】
そして、導電体膜３に設定される照射予定ライン（不図示）に沿ってレーザービーム６ａが照射されるように、レーザー照射ユニット６から導電体膜３に向けてレーザービーム６ａを照射しながらチャックテーブル４を移動させる。これにより、アブレーション加工によって導電体膜３の一部を除去し、照射予定ラインに沿う絶縁領域３ａを形成できる。
【００５７】
なお、この変形例では、樹脂シート７に対して透過性を有する波長のレーザービーム６ａを導電体膜３に照射する。より具体的には、例えば、波長が１０００ｎｍ以上のレーザービーム６ａを、０．４４Ｊ/ｃｍ２以上８．８４Ｊ/ｃｍ２未満の条件で導電体膜３に照射することが望ましい。これにより、紫外域（波長：３６０ｎｍ未満）のレーザービームを用いる場合のように樹脂シート７を変質、損傷させることなく、導電体膜３の一部を除去して絶縁領域３ａを形成できる。
【００５８】
照射予定ラインの全体に絶縁領域３ａが形成されると、導電体膜３は、この絶縁領域３ａによって正の電極パターン（正の電極）３ｂと負の電極パターン（負の電極）３ｃとに分離される。すなわち、樹脂シート７の第１面７ａ側に、正の電極パターン３ｂと負の電極パターン３ｃとが形成される。
【００５９】
電極形成ステップの後には、ベース基板１の第１面（絶縁面）１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを移設する電極移設ステップを行う。この電極移設ステップでは、例えば、樹脂シート７上の正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃをベース基板１の第１面１ａ側に貼付してから、樹脂シート７を剥離する。
【００６０】
図６（Ｂ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でベース基板１に貼付された正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃから樹脂シート７が剥離される様子を模式的に示す断面図である。図６（Ｂ）に示すように、正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃは、接着剤９を用いてベース基板１の第１面１ａ側に貼付される。なお、ベース基板１は、上記実施形態で使用されるベース基板１と同じで良い。
【００６１】
接着剤９を用いてベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを貼付した後には、この正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃから樹脂シート７を剥離する。これにより、ベース基板１の第１面１ａ側に正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃが移設され、静電チャックプレート５ａが完成する。図６（Ｃ）は、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法で製造された静電チャックプレートの構造を模式的に示す断面図である。
【００６２】
このように、変形例に係る静電チャックプレートの製造方法でも、レーザービーム６ａで導電体膜３をアブレーション加工し、正の電極パターン（正の電極）３ｂ及び負の電極パターン（負の電極）３ｃを形成するので、コストが掛かり易いウェットエッチング等の方法を用いる場合に比べて、低いコストで正の電極パターン３ｂ及び負の電極パターン３ｃを形成できる。
【００６３】
その他、上記実施形態や変形例等に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６４】
１  ベース基板
１ａ  第１面（絶縁面）
１ｂ  第２面
３  導電体膜
３ａ  絶縁領域
３ｂ  正の電極パターン（正の電極）
３ｃ  負の電極パターン（負の電極）
５，５ａ  静電チャックプレート
７  樹脂シート
７ａ  第１面
７ｂ  第２面
９  接着剤
２  レーザー加工装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
６  レーザー照射ユニット
６ａ  レーザービーム
１２  フレームユニット
１４  フレーム
１４ａ  第１面
１４ｂ  第２面
１４ｃ  開口
１６  ベースシート
１６ａ  第１面
１６ｂ  第２面
１８  カバーシート
２０ａ  第１配線
２０ｂ  第２配線
２２  給電ユニット
２２ａ  電池ホルダ
２２ｂ  スイッチ
２４  電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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