(57)【要約】【課題】ピックアップ条件の設計を容易にするチップのピックアップ条件の設計支援方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体チップのピックアップ条件の設計支援方法は、第１〜第４工程を含み、第４工程の判定の結果に基づいてピックアップ条件を設計する。第１工程では、ダイシングテープの剥離応力を導出する。第２工程では、チップ本体のヤング率、フィルムのヤング率、及びダイシングテープのヤング率を導出する。第３工程では、チップ本体の破壊応力を導出する。第４工程では、ダイシングテープの剥離応力、チップ本体のヤング率、フィルムのヤング率、及びダイシングテープのヤング率に基づいて、ピックアップの際にチップ本体に生じる第１応力を算出し、第１応力が破壊応力未満であるか否かを判定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ本体及び前記チップ本体の片面に設けられたフィルムを含むチップを、前記フィルムと接着するダイシングテープから剥離するチップのピックアップ方法におけるピックアップ条件の設計を支援する方法であって、
前記ダイシングテープの剥離応力を導出する第１工程と、
前記チップ本体のヤング率、前記フィルムのヤング率、及び前記ダイシングテープのヤング率を導出する第２工程と、
前記チップ本体の破壊応力を導出する第３工程と、
前記ダイシングテープの剥離応力、前記チップ本体のヤング率、前記フィルムのヤング率、及び前記ダイシングテープのヤング率に基づいて、ピックアップの際に前記チップ本体に生じる第１応力を算出し、前記第１応力が前記破壊応力未満であるか否かを判定する第４工程と、
を備え、
前記第４工程の判定の結果に基づいて前記ピックアップ条件を設計する、チップのピックアップ条件の設計支援方法。
【請求項２】
前記第１工程において、
前記フィルムと前記ダイシングテープとの第１積層体に対する剥離試験により前記ダイシングテープの剥離強度を取得し、
前記ダイシングテープの剥離応力の仮値を設定し、
前記ダイシングテープの剥離応力の仮値に基づいて前記ダイシングテープの剥離強度推定値を算出し、
前記剥離強度と前記剥離強度推定値とが一致するときの前記剥離応力の仮値を前記ダイシングテープの剥離応力とする、請求項１記載のチップのピックアップ条件の設計支援方法。
【請求項３】
前記第２工程において、
前記チップ本体に対する曲げ試験により前記チップ本体のヤング率を取得し、
前記チップに対する曲げ試験により前記チップのヤング率を取得し、
前記フィルムのヤング率の仮値を設定し、
前記チップ本体のヤング率及び前記フィルムのヤング率の仮値に基づいて前記チップのヤング率推定値を算出し、
前記チップのヤング率と前記チップのヤング率推定値とが一致するときの前記フィルムのヤング率の仮値を前記フィルムのヤング率とし、
前記チップと前記ダイシングテープとの第２積層体に対する曲げ試験により前記第２積層体のヤング率を取得し、
前記ダイシングテープのヤング率の仮値を設定し、
前記チップ本体のヤング率、前記フィルムのヤング率、及び前記ダイシングテープのヤング率の仮値に基づいて前記第２積層体のヤング率推定値を算出し、
前記第２積層体のヤング率と前記第２積層体のヤング率推定値とが一致するときの前記ダイシングテープのヤング率の仮値を前記ダイシングテープのヤング率とする、請求項１又は２に記載のチップのピックアップ条件の設計支援方法。
【請求項４】
前記第３工程において、
前記チップ本体に対する曲げ試験により前記チップ本体の抗折強度を取得し、
前記抗折強度と同じ荷重を印加した際に前記チップ本体に生じる第２応力を算出し、前記第２応力を前記チップ本体の破壊応力とする、請求項１〜３のいずれか１つに記載のチップのピックアップ条件の設計支援方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、チップのピックアップ条件の設計支援方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップをダイシングテープから剥離するチップのピックアップ方法がある。このチップのピックアップ方法において、ピックアップ条件の設計を容易にするピックアップ条件の設計支援方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１９５２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、ピックアップ条件の設計を容易にするチップのピックアップ条件の設計支援方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法は、ダイシングテープからチップを剥離するチップのピックアップ方法におけるピックアップ条件の設計を支援する方法である。チップは、チップ本体及びチップ本体の片面に設けられたフィルムを含む。ダイシングテープは、フィルムと接着する。実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法は、第１〜第４工程を含み、第４工程の判定の結果に基づいてピックアップ条件を設計する。第１工程では、ダイシングテープの剥離応力を導出する。第２工程では、チップ本体のヤング率、フィルムのヤング率、及びダイシングテープのヤング率を導出する。第３工程では、チップ本体の破壊応力を導出する。第４工程では、ダイシングテープの剥離応力、チップ本体のヤング率、フィルムのヤング率、及びダイシングテープのヤング率に基づいて、ピックアップの際にチップ本体に生じる第１応力を算出し、第１応力が破壊応力未満であるか否かを判定する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係るチップのピックアップ方法を表す模式的断面図である。
【図２】実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法を表すフローチャートである。
【図３】実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法の第１工程を表すフローチャートである。
【図４】実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法の第２工程を表すフローチャートである。
【図５】実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法の第３工程を表すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
図１は、実施形態に係るチップのピックアップ方法を表す模式的断面図である。  
図１に表すように、チップ１０は、チップ本体１２及びチップ本体１２の片面に設けられたフィルム１４を含む。ダイシングテープ２０は、フィルム１４と接着している。フィルム１４は、ダイシングテープ２０とチップ本体１２との間に位置する。
【０００９】
チップ本体１２は、例えば、半導体チップである。チップ本体１２は、例えば、ポリイミド層、メモリ層、及びシリコン層（いずれも図示せず）の３層構造を有している。フィルム１４は、例えば、シリコン層と接着している。チップ本体１２の構造は、３層に限定されず、任意の構成でよい。チップ本体１２の厚さは、例えば、０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。
【００１０】
フィルム１４は、例えば、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）である。フィルム１４の材料は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などである。フィルム１４の厚さは、例えば、０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下である。
【００１１】
ダイシングテープ２０の材料は、例えば、ポリオレフィン、ポリエステルなどである。ダイシングテープ２０の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【００１２】
ダイシングテープ２０からチップ１０を剥離することで、チップ１０をピックアップすることができる。より具体的には、コレット５０に設けられた吸着口５２によりチップ本体１２を吸着しつつ、ダイシングテープ２０のチップ１０とは反対側の面（以下、「ダイシングテープ２０の裏面」とも称する）を突き上げ冶具６０で突き上げる。一方で、突き上げ冶具６０の周辺において、ダイシングテープ２０の裏面を真空吸着し、ダイシングテープ２０を突き上げ冶具６０の突き上げ方向とは逆の方向に吸引する。これらにより、ダイシングテープ２０とフィルム１４とを乖離させることで、ダイシングテープ２０からチップ１０を剥離することができる。
【００１３】
このようなチップ１０のピックアップ方法において、例えば、チップ本体１２、フィルム１４、及びダイシングテープ２０の種類並びに大きさなどによって、最適なピックアップ条件は異なる。従って、チップ本体１２、フィルム１４、及びダイシングテープ２０の種類並びに大きさなどに応じて最適なピックアップ条件を設計することが求められる。ピックアップ条件は、例えば、コレット５０及び突き上げ冶具６０の形状及び大きさ、コレット５０の吸着力、突き上げ冶具６０の突き上げ速度、並びにダイシングテープ２０の裏面を真空吸着する際の吸着力などである。
【００１４】
ピックアップ条件を検討する際に、ピックアップ条件を変更しながら実際にチップ１０のピックアップを繰り返し行い、最適なピックアップ条件を求める方法が考えられる。しかしながら、この方法では、ピックアップ条件を変更するたびにコレット５０又は突き上げ冶具６０を作り直す必要があり、時間、手間、及びコストがかかる。
【００１５】
そこで、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法では、例えば、シミュレーションによりピックアップ条件を検討する。より具体的には、コレット５０又は突き上げ冶具６０を作製する前に、例えば、ピックアップのシミュレーションにより、チップ本体１２にクラックが発生しにくいピックアップ条件を求める。これにより、実機での評価を行う回数を減らすことができ、ピックアップ条件の検討にかかる時間、手間、及びコストを削減できる。
【００１６】
図２は、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法を表すフローチャートである。  
図２に表すように、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法では、まず、チップ本体１２、フィルム１４、及びダイシングテープ２０の情報を取得する（ステップＳ１００）。このとき取得する情報は、例えば、チップ本体１２、フィルム１４、及びダイシングテープ２０の厚さなどである。
【００１７】
次に、第１〜第３工程を行う。第１工程では、ダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａを導出する（ステップＳ１０１）。第２工程では、チップ本体１２のヤング率Ｅａ、フィルム１４のヤング率Ｅｂ、及びダイシングテープ２０のヤング率Ｅｃを導出する（ステップＳ１０２）。第３工程では、チップ本体１２の破壊応力σｃｒを導出する（ステップＳ１０３）。第１〜第３工程の各パラメータの導出は、任意の方法で行うことができる。第１〜第３工程の詳細については、後述する。
【００１８】
次に、第４工程を行う。第４工程では、まず、ピックアップ条件を仮設定する（ステップＳ１０４）。ピックアップ条件は、例えば、コレット５０の吸着口５２の位置、吸着口５２の形状、吸着口５２の大きさ、吸着口５２の数、コレット５０の吸着力、突き上げ冶具６０の形状、突き上げ冶具６０の大きさ、突き上げ冶具６０の突き上げ速度、及びダイシングテープ２０の裏面を真空吸着する際の吸着力などを含む。これらの種々のパラメータは、任意の数値に設定することができる。
【００１９】
第４工程では、次に、第１工程（ステップＳ１０１）で導出したダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａ、第２工程（ステップＳ１０２）で導出したチップ本体１２のヤング率Ｅａ、フィルム１４のヤング率Ｅｂ、及びダイシングテープ２０のヤング率Ｅｃに基づいて、ピックアップの際にチップ本体１２に生じる第１応力σ１を算出する（ステップＳ１０５）。第１応力σ１の算出は、例えば、ピックアップのシミュレーションにより行うことができる。ピックアップのシミュレーションは、例えば、有限要素法により行うことができる。ピックアップの際にチップ本体１２に生じる第１応力σ１を求める方法は、これに限定されず、任意の方法でピックアップの際にチップ本体１２に生じる第１応力σ１を求めることができる。
【００２０】
第４工程では、次に、ステップＳ１０５で算出された第１応力σ１が、第３工程（ステップＳ１０３）で導出した破壊応力σｃｒ未満であるか否かを判定する（ステップＳ１０６）。ピックアップの際に生じる第１応力σ１がチップ本体１２の破壊応力σｃｒ以上である場合、ピックアップの際に生じる応力により、チップ本体１２にクラックが発生しやすいと推測できる。そこで、第１応力σ１が破壊応力σｃｒ以上である場合、ステップＳ１０４に戻ってピックアップ条件の仮設定を再度行う。そして、上記と同様にステップＳ１０５及びステップＳ１０６を行う。このようにして、第１応力σ１が破壊応力σｃｒ未満になるまで、ステップＳ１０４〜Ｓ１０６を繰り返す。
【００２１】
ステップＳ１０６において、第１応力σ１が破壊応力σｃｒ未満である場合、ピックアップの際にチップ本体１２にクラックが生じにくいと推測できる。従って、第１応力σ１が破壊応力σｃｒ未満である場合、ステップＳ１０４で仮設定したピックアップ条件を適用可能であると判断し、ピックアップ条件を決定する（ステップＳ１０７）。
【００２２】
その後、ステップＳ１０７で決定したピックアップ条件に基づいて、コレット５０又は突き上げ冶具６０を作製し、それを用いて実際にチップ１０をピックアップする実機評価を行ってもよい（ステップＳ１０８）。
【００２３】
第１〜第３工程（ステップＳ１０１〜Ｓ１０３）は、第４工程（ステップＳ１０４〜Ｓ１０７）の前に行われる。第１〜第３工程は、任意の順番で行うことができる。第１〜第３工程は、同時に行ってもよい。
【００２４】
以上、説明したように、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法によれば、仮設定したピックアップ条件に基づいて、例えば、ピックアップのシミュレーションにより、ピックアップ条件を検討する。これにより、実機での評価を行う回数を減らすことができ、ピックアップ条件の検討にかかる時間、手間、及びコストを削減できる。従って、ピックアップ条件の設計を容易にするチップのピックアップ条件の設計支援方法を提供できる。
【００２５】
また、ステップＳ１０６の判定結果に基づいて、チップ本体１２、フィルム１４、及びダイシングテープ２０の厚さなどを変更することもできる。
【００２６】
以下、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法の第１〜第３工程の例について、説明する。
【００２７】
図３は、実施形態に係るチップのピックアップ条件の設計支援方法の第１工程を表すフローチャートである。  
図３に表すように、第１工程では、例えば、以下のようにしてダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａを導出することができる。
【００２８】
まず、フィルム１４とダイシングテープ２０との第１積層体に対して剥離試験を行い、ダイシングテープ２０の剥離強度Ｔａを取得する（ステップＳ２０１）。剥離試験では、例えば、フィルム１４を支持板等に固定し、フィルム１４とダイシングテープ２０とがなす角度を所定の角度（例えば、５０度）にしてダイシングテープ２０に荷重をかけ、剥離に必要な荷重を測定する。そして、この荷重から、剥離強度Ｔａを求める。
【００２９】
次に、ダイシングテープ２０の剥離応力の仮値Ｓｐを設定する（ステップＳ２０２）。剥離応力の仮値Ｓｐは、任意の数値に設定することができる。設定した剥離応力の仮値Ｓｐに基づいて、ダイシングテープ２０の剥離強度推定値Ｔｓを算出する（ステップＳ２０３）。剥離強度推定値Ｔｓの算出は、例えば、第１積層体に対する剥離試験のシミュレーションにより行うことができる。剥離試験のシミュレーションは、例えば、有限要素法により行うことができる。ステップＳ２０２及びステップＳ２０３は、ステップＳ２０１よりも前に行ってもよい。ステップＳ２０２及びステップＳ２０３は、ステップＳ２０１と同時に行ってもよい。
【００３０】
次に、ステップＳ２０１で得られた剥離強度Ｔａと、ステップＳ２０３で算出された剥離強度推定値Ｔｓと、が一致するか否かを判定する（ステップＳ２０４）。剥離強度Ｔａと剥離強度推定値Ｔｓとが一致しない場合、ステップＳ２０２に戻って剥離応力の仮値Ｓｐを再設定し、上記と同様にステップＳ２０３及びステップＳ２０４を行う。このように、剥離強度Ｔａと剥離強度推定値Ｔｓとが一致するまで、ステップＳ２０２〜Ｓ２０４を繰り返す。本明細書における「一致」は、実質的な一致であり、例えば、±５％の誤差範囲を含む。例えば、剥離強度推定値Ｔｓが、剥離強度Ｔａの０．９５倍以上１．０５倍以下になったときに、剥離強度Ｔａと剥離強度推定値Ｔｓとが一致したとみなす。
【００３１】
ステップＳ２０４において、剥離強度Ｔａと剥離強度推定値Ｔｓとが一致した場合、このときの剥離応力の仮値Ｓｐをダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａとする（ステップＳ２０５）。ダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａを求める方法は、これに限定されず、任意の方法でダイシングテープ２０の剥離応力Ｓａを求めることができる。
【００３２】
図４は、実施形態に係る半導体チップのピックアップ条件の設計支援方法の第２工程を表すフローチャートである。  
図４に表すように、第２工程では、例えば、以下のようにしてチップ本体１２のヤング率、フィルム１４のヤング率、及びダイシングテープ２０のヤング率を導出することができる。
【００３３】
まず、チップ本体１２に対して曲げ試験を行い、チップ本体１２のヤング率Ｅａを取得する（ステップＳ３０１）。チップ本体１２に対する曲げ試験は、例えば、３点曲げ試験により行うことができる。より具体的には、２つの支点にサンプル（この場合は、チップ本体１２）を架け渡し、圧子によってサンプルの中央部にかける荷重を大きくしながら、サンプルの変位を測定する。これにより、サンプルの荷重−変位曲線を取得し、荷重−変位曲線の傾きからサンプルのヤング率を算出する。また、サンプルが割れた時点の荷重から、サンプルの抗折強度を求めることもできる。
【００３４】
次に、チップ１０に対して曲げ試験を行い、チップ１０のヤング率Ｅｘａを取得する（ステップＳ３０２）。チップ１０に対する曲げ試験は、サンプルをチップ１０に変更する以外は、上記のチップ本体１２に対する曲げ試験と同様にして行うことができる。ステップＳ３０２は、ステップＳ３０１よりも前に行ってもよい。ステップＳ３０２は、ステップＳ３０１と同時に行ってもよい。
【００３５】
次に、フィルム１４のヤング率の仮値Ｅｂｐを設定する（ステップＳ３０３）。ヤング率の仮値Ｅｂｐは、任意の数値に設定することができる。ステップＳ３０１で得られたチップ本体１２のヤング率Ｅａ及びステップＳ３０３で設定したフィルム１４のヤング率の仮値Ｅｂｐに基づいて、チップ１０のヤング率推定値Ｅｘｓを算出する（ステップＳ３０４）。ヤング率推定値Ｅｘｓの算出は、例えば、チップ１０に対する曲げ試験のシミュレーションにより行うことができる。チップ１０に対する曲げ試験のシミュレーションは、例えば、有限要素法により行うことができる。
【００３６】
次に、ステップＳ３０２で得られたチップ１０のヤング率Ｅｘａと、ステップＳ３０４で算出されたチップ１０のヤング率推定値Ｅｘｓと、が一致するか否かを判定する（ステップＳ３０５）。ヤング率Ｅｘａとヤング率推定値Ｅｘｓとが一致しない場合、ステップＳ３０３に戻ってフィルム１４のヤング率の仮値Ｅｂｐを再設定し、上記と同様にステップＳ３０４及びステップＳ３０５を行う。このように、ヤング率Ｅｘａとヤング率推定値Ｅｘｓとが一致するまで、ステップＳ３０３〜Ｓ３０５を繰り返す。
【００３７】
ステップＳ３０５において、ヤング率Ｅｘａとヤング率推定値Ｅｘｓとが一致した場合、このときのフィルム１４のヤング率の仮値Ｅｂｐをフィルム１４のヤング率Ｅｂとする（ステップＳ３０６）。フィルム１４のヤング率Ｅｂを求める方法は、これに限定されず、任意の方法でフィルム１４のヤング率Ｅｂを求めることができる。
【００３８】
次に、チップ１０とダイシングテープ２０との第２積層体に対して曲げ試験を行い、第２積層体のヤング率Ｅｙａを取得する（ステップＳ３０７）。第２積層体に対する曲げ試験は、サンプルを第２積層体に変更する以外は、上記のチップ本体１２に対する曲げ試験と同様にして行うことができる。ステップＳ３０７は、ステップＳ３０１よりも前に行ってもよい。ステップＳ３０７は、ステップＳ３０２よりも前に行ってもよい。ステップＳ３０７は、ステップＳ３０１及びＳ３０２のいずれか又は両方と同時に行ってもよい。
【００３９】
次に、ダイシングテープ２０のヤング率の仮値Ｅｃｐを設定する（ステップＳ３０８）。ヤング率の仮値Ｅｃｐは、任意の数値に設定することができる。ステップＳ３０１で得られたチップ本体１２のヤング率Ｅａ、ステップＳ３０６で得られたフィルム１４のヤング率Ｅｂ、及びステップＳ３０８で設定したダイシングテープ２０のヤング率の仮値Ｅｃｐに基づいて、第２積層体のヤング率推定値Ｅｙｓを算出する（ステップＳ３０９）。ヤング率推定値Ｅｙｓの算出は、例えば、第２積層体に対する曲げ試験のシミュレーションにより行うことができる。第２積層体に対する曲げ試験のシミュレーションは、例えば、有限要素法により行うことができる。
【００４０】
次に、ステップＳ３０７で得られた第２積層体のヤング率Ｅｙａと、ステップＳ３０９で算出された第２積層体のヤング率推定値Ｅｙｓと、が一致するか否かを判定する（ステップＳ３１０）。ヤング率Ｅｙａとヤング率推定値Ｅｙｓとが一致しない場合、ステップＳ３０８に戻ってダイシングテープ２０のヤング率の仮値Ｅｃｐを再設定し、上記と同様にステップＳ３０９及びステップＳ３１０を行う。このように、ヤング率Ｅｙａとヤング率推定値Ｅｙｓとが一致するまで、ステップＳ３０８〜Ｓ３１０を繰り返す。
【００４１】
ステップＳ３１０において、ヤング率Ｅｙａとヤング率推定値Ｅｙｓとが一致した場合、このときのダイシングテープ２０のヤング率の仮値Ｅｃｐをダイシングテープ２０のヤング率Ｅｃとする（ステップＳ３１１）。ダイシングテープ２０のヤング率Ｅｃを求める方法は、これに限定されず、任意の方法でダイシングテープ２０のヤング率Ｅｃを求めることができる。
【００４２】
図５は、実施形態に係る半導体チップのピックアップ条件の設計支援方法の第３工程を表すフローチャートである。  
図５に表すように、第３工程では、例えば、以下のようにしてチップ本体２２の破壊応力σｃｒを導出することができる。
【００４３】
まず、チップ本体１２に対して曲げ試験を行い、チップ本体１２の抗折強度Ｐｃｒを取得する（ステップＳ４０１）。チップ本体１２に対する曲げ試験は、上記の第２工程と同様にして行うことができる。第３工程よりも前、又は第３工程と同時に第２工程を行う場合は、第２工程のチップ本体１２に対する曲げ試験において、抗折強度Ｐｃｒを取得してもよい。また、第２工程よりも前、又は第２工程と同時に第３工程を行う場合は、第３工程のチップ本体１２に対する曲げ試験において、チップ本体１２のヤング率Ｅａを取得してもよい。
【００４４】
次に、抗折強度Ｐｃｒと同じ荷重を印加した際にチップ本体１２に生じる第２応力σ２を算出する（ステップＳ４０２）。第２応力σ２の算出は、例えば、チップ本体１２に対する曲げ試験のシミュレーションにより行うことができる。チップ本体１２に対する曲げ試験のシミュレーションは、例えば、有限要素法により行うことができる。
【００４５】
チップ本体１２に生じる第２応力σ２をチップ本体１２の破壊応力σｃｒとする（ステップＳ４０３）。チップ本体１２の破壊応力σｃｒを求める方法は、これに限定されず、任意の方法でチップ本体１２の破壊応力σｃｒを求めることができる。
【００４６】
以上、本発明の実施形態を例示したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。この実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４７】
１０…半導体チップ、  １２…チップ本体、  １４…フィルム、  ２０…ダイシングテープ、  ５０…コレット、  ５２…吸着口、  ６０…突き上げ冶具
【図１】
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【図２】
2019161006.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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