(57)【要約】【課題】パターン欠陥の抑制の点で有利なインプリント方法を提供する。【解決手段】型のパターンと、基板上の複数のショット領域のインプリント材と、を接触させてパターンにインプリント材を充填させ、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、型と、複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域のインプリント材と、を接触させる接触工程と、型とインプリント材とが接触している状態において、ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、画像に基づいて、インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、判定工程において、異物が含まれていると判定した場合、異物を除去する除去工程と、除去工程の後、ひとつのショット領域とは異なるショット領域とパターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、を含む一連の工程を、判定工程において異物が含まれていないと判定されるまで繰り返す。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させて前記パターンに前記インプリント材を充填させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合に前記異物を除去する除去工程と、
前記除去工程の後、前記ひとつのショット領域とは異なるショット領域と前記パターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、を含む一連の工程を、
前記判定工程において前記異物が含まれていないと判定されるまで繰り返す、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記除去工程は、前記判定工程が行われた前記基板と同一の基板を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記除去工程は、前記判定工程が行われた前記基板と異なる基板を用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記除去工程において、前記型を保持する型保持部の保持力、または、前記基板を保持する基板保持部の保持力を前記接触工程から変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記除去工程において、前記型を変形させる力、または、前記基板を変形させる力を前記接触工程から変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記一連の工程を繰り返す回数が所定の閾値を超える場合は、前記型を別の型と交換することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記判定工程において、前記ひとつのショット領域に隣接するショット領域に前記異物が含まれていると判定した場合、前記隣接するショット領域に対し、前記パターンを形成しないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記判定工程において、前記異物が存在する位置座標を記憶することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させて前記パターンに前記インプリント材を充填させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合、前記型を保持する型保持部の保持力、または、前記基板を保持する基板保持部の保持力を前記接触工程から変更して前記異物を除去する除去工程と、を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１０】
型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させて前記パターンに前記インプリント材を充填させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合、前記型を変形させる力、または、前記基板を変形させる力を前記接触工程から変更して前記異物を除去する除去工程と、を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させて前記パターンに前記インプリント材を充填させ、前記基板上に前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記ショット領域を撮像する撮像部と
前記撮像部により撮像された前記ショット領域の画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定し、前記インプリント材に前記異物が含まれていると判定した場合に、前記異物を除去するように前記型保持部または前記基板保持部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記インプリント材に前記異物が含まれていないと判定するまで、前記異物を除去するように前記型保持部または前記基板保持部を制御する、 
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインプリント方法、インプリント装置、プログラム、異物除去方法および異物除去判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンを形成する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成された型と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
型と基板上のインプリント材とを接触させる際に、型と基板との間に異物が存在すると、或いは、型に異物が付着していると、基板上に形成されるインプリント材のパターンに欠陥が発生しうる。特許文献１に記載されたインプリント方法は、パーティクル除去膜が表面に形成されたダミーウエハを用いてテンプレートに付着したパーティクルを除去する工程を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のインプリント方法では、パーティクルを除去する工程の後、パーティクルが除去されたか否かを確認しておらず、テンプレートにパーティクルが付着したままになっている場合がありうる。
【０００６】
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制の点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させてパターンにインプリント材を充填させ、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、型と、複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域のインプリント材と、を接触させる接触工程と、型とインプリント材とが接触している状態において、ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、取得した画像に基づいて、インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、判定工程において、異物が含まれていると判定した場合、異物を除去する除去工程と、除去工程の後、ひとつのショット領域とは異なるショット領域とパターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、を含む一連の工程を、判定工程において異物が含まれていないと判定されるまで繰り返す、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制の点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の構成を例示する図である。
【図２】正常なインプリント処理過程を例示する図である。
【図３】異物を含む異常なインプリント処理を例示する図である。
【図４】第１実施形態に係るインプリント方法を示すフロー図である。
【図５】第１実施形態に係るインプリント方法を説明する図である。
【図６】第１実施形態に係る異物処理の一例を説明する図である。
【図７】第３実施形態に係るインプリント方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
図１は、インプリント装置の代表的な装置構成を例示する図である。インプリント装置１００は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置１００は、型と基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。ここでは、一例として、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外線硬化型インプリント装置を使用した。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法を用いてもよい。
【００１２】
インプリント装置１００は、型保持部１１０と、基板保持部１２０と、軸外アライメントスコープ１３０と、軸上アライメントスコープ１４０と、光源１５０と、供給部１６０（ディスペンサ）と、撮像部１７０と、記憶部１８０と、制御部１９０と、を含む。また、以下の図においては、基板Ｗ上のインプリント材に対して照射される紫外光の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。
【００１３】
型保持部１１０は、不図示の型搬送装置により搬入された型Ｍを保持して移動する。型保持部１１０は、例えば、型Ｍを保持する型チャック（不図示）と、型チャックを駆動させることで、型Ｍを移動させる駆動部（不図示）と、型Ｍを外周方向から加圧することによって型Ｍの形状を変形させる型変形部（不図示）を含む。
【００１４】
型チャックによる型Ｍの保持は、例えば、真空吸引力や静電気力等による。駆動部は、型Ｍの位置を６軸に関して制御したり、型Ｍを基板上のインプリント材に接触させたり、硬化したインプリント材から型Ｍを剥離（離型）したりする。ここで、６軸は、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸およびそれらの各軸回りの回転である。型保持部１１０は、空気や油等の流体で作動するシリンダ（アクチュエータ）を用いて型Ｍの形状を変形させることができる。基板Ｗは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（典型的には、膨張又は収縮）しうる。型変形部は、このような基板Ｗの変形に応じて、基板Ｗと型Ｍとの位置が合うように型Ｍの形状を補正する。
【００１５】
型Ｍは、例えば、外周の形状が矩形であり、基板Ｗに対向する面において、例えば回路パターンなどの凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部Ｐを含む。また、型Ｍの材質は、紫外光を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。
【００１６】
基板保持部１２０は、不図示の基板搬送装置によって搬入された基板Ｗを保持して移動する。基板保持部１２０は、ステージ１２１、基板チャック１２２、基板変形部（不図示）、基準プレート１２３、を含みうる。基板チャック１２２は、例えば、真空吸着パッド等により基板Ｗを保持する。ステージ１２１は、基板チャック１２２を保持し、不図示の駆動機構により駆動して基板Ｗを定盤１上において６軸に移動する。基板変形部は、基板Ｗを外周方向から加圧することによって基板Ｗの形状を変形させ、基板Ｗに形成されたパターン形成領域（ショット領域）と型Ｍに形成されたパターン部Ｐの形状を合わせる。基準プレート１２３は、後述する基板Ｗと基板保持部１２０の位置合わせに用いられる。
【００１７】
基板Ｗは、型Ｍによって、インプリント材のパターンが形成される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（ＳＩＬＩＣＯＮ  ＯＮ  ＩＮＳＵＬＡＴＯＲ）基板などを含む。基板Ｗには複数のショット領域が形成されている。
【００１８】
軸外アライメントスコープ１３０は、基板Ｗ上に設けられたマーク（不図示）及び基準プレート１２３に設けられたマークを検出し、基板Ｗと基板保持部１２０との位置・形状ずれ量を求め、基板Ｗと基板保持部１２０との位置合わせを行う。
【００１９】
軸上アライメントスコープ１４０は、型Ｍに設けられたマーク（不図示）及び基準プレート１２３に設けられたマークを検出することで、型Ｍと基板保持部１２０との相対的な位置を求め、型Ｍと基板保持部１２０との位置合わせを行う。
【００２０】
光源１５０は、型Ｍ介してインプリント材に光を照射し、インプリント材を硬化させるものであって、例えば、紫外光（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生するハロゲンランプなどである。インプリント材は、この実施形態では、紫外光硬化樹脂である。
【００２１】
供給部１６０は、例えば、インプリント材を収容するタンク１６１と、該タンクから供給路を通して供給されるインプリント材を基板に対して吐出する吐出口１６２と、該供給路に設けられたバルブ（不図示）と、供給量制御部（不図示）とを含みうる。供給部１６０は、基板に設けられたショット領域にインプリント材を供給する。供給量制御部は、バルブを制御して基板Ｗへのインプリント材の供給量を制御する。
【００２２】
撮像部１７０は、撮像光源１７１と、撮像素子１７２とを含み、型Ｍを介して、或いは、型Ｍを介さずに、基板Ｗのショット領域を撮像して画像を取得する。撮像光源１７１は、紫外線とは異なる波長の光、即ち、インプリント材を硬化させる波長の光とは異なる波長の光（例えば、可視光）で基板Ｗ（ショット領域）を照明する。撮像素子１７２は、例えば、ＣＣＤイメージセンサ又はＣＭＯＳイメージセンサを含み、型Ｍのパターン面や基板Ｗの表面で反射された光を検出する。また、撮像素子１７２は、型Ｍで反射された光と基板Ｗで反射された光との干渉光（によって形成される干渉パターン）も検出することができる。撮像素子１７２は、基板上のインプリント材と型（パターン部）とが接触している領域を検出することができる。
【００２３】
記憶部１８０は、例えば、メモリやハードディスク（ＨＤＤ）を含み、撮像部１７０で取得された画像や後述するインプリント処理過程の画像を記憶する。また、記憶部１８０は、インプリント装置１００で用いられる種々のプログラム、データ、情報なども記憶することが可能である。
【００２４】
制御部１９０は、例えば、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の各部を制御してインプリント処理を行う。また、制御部１９０は、撮像部１７０で取得された画像に基づいてインプリント材に異物が含まれているか否かを判定する。制御部１９０は、例えば、インプリント装置の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、又はシーケンサ等（不図示）で構成される。本実施形態に係る方法は、プログラムとしてコンピュータに実行されうる。制御部１９０は、インプリント装置１００内に設けてもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
【００２５】
図２は、第１実施形態に係るインプリント処理過程を例示する図である。図２（Ａ）に示す、インプリント材Ｒの基板Ｗ上への供給の前に、基板Ｗを基板保持部１２０に保持させる。次に、基板Ｗ上に設けられたマークと基準プレート１２３に設けられたマークとを軸外アライメントスコープ１３０で検出して、基板Ｗとステージ１２１との位置や形状のずれ量を求める。
【００２６】
次いで、型Ｍに設けられたマークと基準プレート１２３に設けられたマークとを軸上アライメントスコープ１４０で検出して、型Ｍとステージ１２１との位置や形状のずれ量を求める。このようにして求めた位置や形状のずれ量に基づいて、型Ｍと基板Ｗとの位置や形状のずれを補正する（即ち、型Ｍと基板Ｗとのアライメント（位置合わせ工程）を行う）。
【００２７】
型Ｍと基板Ｗとの位置や形状のずれを補正したら、供給部１６０によって基板Ｗ上のショット領域にインプリント材Ｒを供給する（図２（Ａ））。供給部１６０の下で基板Ｗにインプリント材を供給した後、インプリント材Ｒが供給されたショット領域を型Ｍの下に配置する。次いで、型Ｍを保持した型保持部１１０を移動させて、型Ｍと基板（ショット領域）上のインプリント材とを接触させる（接触工程）（図２（Ｂ））。型Ｍのパターン部Ｐの凹部に樹脂が充填されたら、光源１５０によって、型Ｍを介して、基板上のインプリント材Ｒに光２０１を照射し、かかるインプリント材Ｒを硬化させる（図２（Ｃ））。次に、型保持部１１０を移動させて、基板上の硬化したインプリント材から型Ｍを剥離する（図２（Ｄ））。これにより、基板（ショット領域）上にパターンが形成される。以上の工程が、インプリント処理である。
【００２８】
ここで、撮像部１７０は、インプリント処理を行っている間、詳細には、型Ｍと基板上の樹脂とが接触している間において、基板上のインプリント材Ｒが型Ｍと基板Ｗとの間で広がりながらパターン面の凹部に充填される過程を撮像する（撮像工程）。このようにして、撮像部１７０で取得された画像は、上述したように、記憶部１８０に記憶される。
【００２９】
しかし、図３に示すように、基板Ｗ上に、異物３０１が有る場合（図３（Ａ））、型Ｍと基板Ｗを接触させてパターン部Ｐにインプリント材Ｒを充填させても、異物３０１により型Ｍと基板Ｗの間に未充填空間３０２が生じる（図３（Ｃ））。この状態で光源により光２０１を照射しても、異物３０１付近にインプリント材Ｒが充填されず形成されるパターンに欠陥が生じる（図３（Ｄ））。更に、異物３０１は型Ｍへ移動しうる。
【００３０】
これにより、以降のインプリント処理では、型Ｍに異物が付着しているため、ショット内の同じ座標で欠陥を再発させる。本実施形態では、これをリピート欠陥と称している。このリピート欠陥は、型Ｍの異物を取り除かなければ正常なパターンの形成が出来ない。
【００３１】
本実施形態では、基板上のショット領域にパターンを形成するためのインプリント処理である、通常インプリント処理の中で、充填画像から異物の検出を行う。異物による欠陥等の異常を検出した場合、異物を除去するためのインプリント処理である異物除去処理の設定にインプリント条件を切り替え、型Ｍに対して、異物除去処理を開始する。この異物除去処理中の充填画像からも検出を行い、異物除去処理により欠陥が無くなったか判定する。未充填等の欠陥が無くなったと判定した場合、インプリント設定に戻し、通常インプリント処理を再開する。
【００３２】
図４は、第１実施形態に係るインプリント方法を示すフロー図である。各フローは、主に制御部１９０による各部の制御により実行される。本実施形態は、通常インプリント処理と異物除去処理とを含む。
【００３３】
工程Ｓ４００では、基板Ｗが、不図示の基板搬送装置により、基板チャック１２２に搬入される。基板Ｗの搬入後、工程Ｓ４１１にてインプリント処理を行う。
【００３４】
工程Ｓ４１２では、上述のとおり、工程Ｓ４１１を行っている間、撮像部１７０が、基板Ｗ上に供給されたインプリント材Ｒが型Ｍのパターン面の凹部に充填される過程を撮像する（撮像工程）。撮像部１７０で取得された画像は、上述したように、記憶部１８０に記憶される。
【００３５】
工程Ｓ４１３では、インプリント材Ｒに異物が含まれていたか否かを判定する（判定工程）。例えば、まず、撮像部１７０が撮像した画像であって、型Ｍと基板Ｗとが異物を挟まずに接触している状態で得られた基準画像を記憶部１８０に記憶させる。次に、工程Ｓ４１２において、撮像部１７０が工程Ｓ４１１と並行して撮像した画像と、記憶させた基準画像とを比較し、その差分から欠陥を検出する。ここでは、撮像部１７０が、インプリント処理時において取得した画像を基準画像として用いたが、予め基準画像を記憶部１８０に記憶させておいてもよい。また、例えば、ショット領域のそれぞれに対応する基準画像を記憶部１８０に記憶させてもよい。
【００３６】
工程Ｓ４１３において、異物が含まれていなかったと判定された場合（ＮＯ）、工程Ｓ４１４にて、制御部１９０が、基板Ｗ上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了したか否かを判断する。完了していない場合（ＮＯ）、工程Ｓ４１１〜工程Ｓ４１３を繰り返す。完了した場合には（ＹＥＳ）、工程Ｓ４１５にて、制御部１９０が不図示の搬送装置を制御して基板Ｗを搬出する。
【００３７】
工程Ｓ４１３において、異物が含まれていたと判定された場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４２０にて、制御部１９０は、例えば、インプリント装置１００のインプリント条件を異物除去処理の設定へと切り替える。
【００３８】
工程Ｓ４３１では、工程Ｓ４２０で設定されたインプリント条件でインプリント処理を行う。これにより、例えば、型Ｍに付着した異物を、基板Ｗ上のインプリント材Ｒによって、基板Ｗ側に移動させ、型Ｍから除去する。本工程を本実施形態では、除去工程と称する。工程Ｓ４３２では、工程Ｓ４１２と同様に、異物除去Ｓ４３１を行っている間、撮像部１７０が、基板Ｗ上に供給されたインプリント材Ｒが型Ｍのパターン面の凹部に充填される過程を撮像する。工程Ｓ４３３では、制御部１９０は、工程Ｓ４３２において、撮像部が撮像した画像と、基準画像とを比較し、その差分からインプリント材Ｒに異物が含まれていたか否かを判定する。
【００３９】
工程Ｓ４３３において、異物が検出されない場合（ＮＯ）、工程Ｓ４４０にて、制御部１９０は、インプリント条件を工程Ｓ４１１のインプリント設定に戻し、工程Ｓ４１１を再開する。異物が検出された場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４３４にて、制御部１９０は、予め設定した回数、除去工程を繰り返したか否かを判断する。繰り返しが完了していない場合（ＮＯ）、工程Ｓ４３１に戻り、再度位置合わせ工程を行い、工程Ｓ４３１〜工程Ｓ４３３を繰り返す。繰り返しが完了している場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４５０にて、型Ｍを、型Ｍとは異なる新しい型に交換し、再度工程Ｓ４３１〜工程Ｓ４３３を行う。通常は数回の除去処理で異物が除去されるが、稀に、例えば１０ショット以上異物除去を実施しても欠陥が解消されない場合がある。このため、予め、異物検出〜異物除去を含む一連の異物除去工程を繰り返す所定の最大回数（閾値）を設定しておくことで、欠陥が解消されない場合は、新しい型に交換し、不要な異物除去の繰り返しを防止することができる。
【００４０】
図５は、第１実施形態に係るインプリント方法を説明する図である。ショット５０１から紙面左方向へ順番にインプリント処理を行い、本図では、ショット５０２で欠陥５１０が検出されたとする。すると、次のショット５０３ではインプリント条件を異物除去処理の設定に切り替えてインプリント処理（除去処理）を行う。除去処理により、欠陥５１０の大きさは、ショット５０４、５０５と徐々に小さくなっていき、４回目の異物除去を行ったショット５０６で欠陥が無くなったことが確認された。このため、インプリント条件を通常インプリント処理の設定に戻し、ショット５０７から通常インプリント処理を再開している。
【００４１】
本実施形態によれば、異物除去後に欠陥検出の判定を行うため、通常インプリント処理を再開した際に、再度リピート欠陥が生じることがない。
【００４２】
図６は、第１実施形態に係る異物除去処理の一例を説明する図である。インプリント条件の切替（図４、Ｓ４２０）は、例えば、制御部１９０が、インプリント装置１００の以下のパラメータ１〜７を、異物除去に有利な値に設定することにより行う。
【表１】
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異物除去処理用のインプリント条件（パラメータ）は、予め設定しておいても良いし、例えば、検出された異物の大きさに応じて設定しても良い。
【００４３】
例えば、図６では、表１中、２以外のパラメータを通常インプリント処理とは異なる数値に変更し、インプリント処理（異物除去）を行う。まず、インプリント材Ｒを通常インプリント処理時よりも厚く供給させ、型を変形させる力であるキャビティプレッシャーも通常インプリント処理よりゆっくり変化させ、通常インプリント処理よりも低速で型と基板とを接触させる（図６（Ａ））。さらに、充填時間を伸ばし、インプリント材Ｒの型Ｍへの充填性を上げる（図６（Ｂ））。続いて、通常インプリント処理よりも長時間光を照射し、インプリント材の収縮を通常よりも高める（図６（Ｃ））。最後に、通常インプリント処理よりも低速で型と基板とを剥離させ、型Ｍにかかる離型力を抑える（図６（Ｄ））。この条件においては、通常のインプリント処理よりも離型力が高くなりうる。したがって、基板Ｗが基板保持部１２０から外れたり、型Ｍが型保持部１１０から外れたりすることを防止するため、型保持部１１０、基板保持部１２０の吸着圧力（保持力）も通常インプリント処理よりも高くする。
【００４４】
このように、通常インプリント処理とは異なるインプリント条件でインプリントを行うことにより、型Ｍに付着した異物が、基板上のインプリント材中に留まり、型Ｍから除去される。なお、本実施形態では、一例として上述のパラメータを組み合わせて変更する場合を説明したが、上述の組み合わせに限られず、また、単一のパラメータのみを変更しても良い。
【００４５】
本実施形態では、通常インプリント処理時と同一の基板Ｗを用い、型Ｍに付着した異物の除去を行ったが、例えば通常インプリント処理時と異なる基板である、ダミーの基板を用いて異物除去処理を行っても良い。この場合、例えば以下のインプリント条件を変更することも可能となる。
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また、インプリント材を物性値の異なるものに変更しても良い。
【００４６】
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態に係るのインプリント方法を説明する図である。第１実施形態と同様の工程及び構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、例えば、ショットの輪郭上で欠陥を検出した場合の動作について説明する。
【００４７】
ショット７０１のインプリント処理において、例えば、ショットの輪郭上に付着した異物７０２が隣接ショットへはみ出し、欠陥として検出された場合を考える。この場合、隣接ショット７０３に対してインプリント処理を行わず、ショット７０４から通常インプリント処理又は異物除去処理を再開しても良い。
【００４８】
これにより、隣接ショット７０３にはみ出した異物７０２が、隣接ショット７０３に対しインプリント処理を行った際に型Ｍに付着し、新たな欠陥を引き起こす危険性を低減することが可能である。
【００４９】
（第３実施形態）
本実施形態では、通常のインプリント処理で検出された欠陥の位置座標を記憶するインプリント方法について説明する。通常のインプリント処理から異物除去処理のインプリント条件へと切り替える条件として、通常のインプリント処理において欠陥を検出した際の欠陥の位置座標を、例えば、異物除去処理の設定とともに記憶部１８０に記憶する。以降のショットのインプリント処理において同じ位置座標で欠陥が検出された場合に、インプリント条件を記憶しておいた異物除去処理の設定へと切り替えても良い。
【００５０】
これにより例えば型に付着した異物による欠陥等、型の不良に起因するリピート欠陥に特化した異物除去が可能となり、エアートラップ等の異物に起因しない欠陥や、リピートしない欠陥に対して、不必要な異物除去処理を行うことを回避する事が可能となる。
【００５１】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００５２】
１００    インプリント装置
１１０    型保持部
Ｍ    型
１２０    基板保持部
Ｗ    基板
１５０    光源
１７０    撮像部
１８０    記憶部
１９０    制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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