(57)【要約】【課題】端子間の位置合わせにおいて、溶融金属の表面張力を適切に利用した整列を行うことを目的とする。【解決手段】電子部品は、第１の素子本体が備える第１の電極形成面に設けられ、第１の溶融金属接合面を有する第１の電極端子と、前記第１の電極形成面に設けられ、溶融金属含浸部を備えた第２の溶融金属接合面を有する第１の位置合わせ端子と、を備える。電子部品は、他の電子部品と接合されるときに、まず、第１の位置合わせ端子と他の電子部品が備える第２の位置合わせ端子との間で溶融金属層の表面張力によって整列される。そして、溶融した溶融金属層の溶融金属含浸部に含浸されることで第１の電極端子と、他の電子部品が備える第２の電極端子との間で溶融金属層の表面張力によってさらなる整列効果を得ることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の素子本体が備える第１の電極形成面に設けられ、第１の溶融金属接合面を有する第１の電極端子と、
前記第１の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第２の溶融金属接合面を有する第１の位置合わせ端子と、
を備えた電子部品。
【請求項２】
前記第１の溶融金属接合面に第１の溶融金属層が形成され、前記第２の溶融金属接合面に第２の溶融金属層が形成された請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１の電極形成面から前記第２の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第１の電極形成面から前記第１の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第２の溶融金属接合面の直径は、前記第１の溶融金属接合面の直径よりも大きい請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
第１の素子本体が備える第１の電極形成面に第１の電極端子と第１の位置合わせ端子とを備えた第１の電子部品と、
第２の素子本体が備える第２の電極形成面に第２の電極端子と第２の位置合わせ端子とを備えた第２の電子部品と、
第１の溶融金属層によって形成され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを接合する第１の接合部と、
第２の溶融金属層によって形成され、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを接合する第２の接合部と、を備え、
前記第２の接合部は、前記第１の位置合わせ端子が有する溝状の溶融金属含浸部に入り込んでいる電子装置。
【請求項６】
第１の電極端子と第１の位置合わせ端子を備える第１の電子部品と、第２の電極端子と第２の位置合わせ端子を備える第２の電子部品とを、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に第１の接合部を介在させ、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に第２の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、
前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを対向配置する工程と、
前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第２の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、
溶融状態の前記第２の接合部を前記第１の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第１の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、
を有する電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、半導体素子における電極接続端子の狭ピッチ化が進み、電極接続端子を形成するパッドやバンプの配置も高密度化していることから、素子を積層し、溶融金属層を介して端子間を接続する際のより正確な位置合わせが求められている。従来、可視光や赤外光を用いた光学的なマーク検出を利用して電極接続端子の接合における位置合わせを行うことがある。また、電極用パッドと位置合わせ用パッドを用いてはんだ付けを行い、各パッド間の表面張力による自己整列性を活用して位置合わせを行う提案が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−５０７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光学的なマーク検出を利用して電極接続端子の接合における位置合わせを行う場合、位置合わせ精度は、光学的検出精度や素子の積層を行う装置の機械的精度に制約される。また、特許文献１では、位置合わせ用パッド間の表面張力が発揮される状態となるときに電極接続端子間のはんだも接触し、全体として十分な位置合わせ効果が発揮されない事態が想定される。今後、電極接続端子間のピッチが狭まると、このような現象が顕著になることが想定される。
【０００５】
１つの側面では、本明細書開示の発明は、端子間の位置合わせにおいて、溶融金属の表面張力を適切に利用した整列を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、電子部品は、第１の素子本体が備える第１の電極形成面に設けられ、第１の溶融金属接合面を有する第１の電極端子と、前記第１の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第２の溶融金属接合面を有する第１の位置合わせ端子と、を備える。
【０００７】
また、別の態様では、電子装置は、第１の素子本体が備える第１の電極形成面に第１の電極端子と第１の位置合わせ端子とを備えた第１の電子部品と、第２の素子本体が備える第２の電極形成面に第２の電極端子と第２の位置合わせ端子とを備えた第２の電子部品と、第１の溶融金属層によって形成され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを接合する第１の接合部と、第２の溶融金属層によって形成され、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを接合する第２の接合部と、を備え、前記第２の接合部は、前記第１の位置合わせ端子が有する溶融金属含浸部に入り込んでいる。
【０００８】
さらに、別の態様では、電子装置の製造方法は、第１の電極端子と第１の位置合わせ端子を備える第１の電子部品と、第２の電極端子と第２の位置合わせ端子を備える第２の電子部品とを、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に第１の接合部を介在させ、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に第２の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを対向配置する工程と、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第２の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、溶融状態の前記第２の接合部を前記第１の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第１の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本明細書開示の発明によれば、端子間の位置合わせにおいて、溶融金属の表面張力を適切に利用した整列を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は実施形態の第１の溶融金属層及び第２の溶融金属層を具備しない状態の第１の電子部品の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態の第１の溶融金属層及び第２の溶融金属層を具備した状態の第１の電子部品の断面図である。
【図２】図２は実施形態の第１の電子部品の平面図である。
【図３】図３（Ａ）は第１の位置合わせ端子及び第２の溶融金属層を示す平面図であり、図３（Ｂ）は第１の位置合わせ端子及び第２の溶融金属層を示す側面図である。
【図４】図４は第１の電極端子と第１の位置合わせ端子の各部の高さの関係を示す説明図である。
【図５】図５は実施形態の第２の電子部品の断面図である。
【図６】図６（Ａ）は第２の位置合わせ端子を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第２の位置合わせ端子を示す側面図である。
【図７】第２の電極端子と第２の位置合わせ端子の各部の高さの関係を示す説明図である。
【図８】図８は実施形態の電子装置の断面図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｅ）は実施形態の電子装置の製造方法の工程を時系列的に示す説明図である。
【図１０】図１０は第１の位置合わせ端子と第２の位置合わせ端子との間に介在する第２の溶融金属層と第４の溶融金属層を溶融し、第２の接合部を形成しつつ、一次整列を行う様子を示す説明図である。
【図１１】図１１は溶融状態の第２の接合部が第１の位置合わせ端子が備える溶融金属含浸部に含浸される様子を示す説明図である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は溶融金属含浸部の変形例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。ただし、図面中、各部の寸法、比率等は、実際のものと完全に一致するようには図示されていない場合がある。また、図面によっては、説明の都合上、実際には存在する構成要素が省略されていたり、寸法が実際よりも誇張されて描かれていたりする場合がある。
【００１２】
（実施形態）
図１（Ａ）を参照すると、第１の電子部品１０は、第１の電極形成面１１ａを備えた第１の素子本体１１を備える。第１の電極形成面１１ａには、金属ピラーである第１の電極端子１２が形成されている。第１の電極端子１２は、第１の溶融金属接合面１２ａを備える。本実施形態の第１の電極端子１２は、Ｃｕ（銅）によって、円柱状に形成されている。ここで、図２を参照すると、第１の電極端子１２は、矩形の第１の素材本体１１の第１の電極形成面１１ａに区画された矩形の電極形成領域Ｒ内に複数設けられている。図２では、複数の第１の電極端子１２の一部のみが描かれている。第１の電子部品１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリ等のチップとすることができる。また、インターポーザとすることもできる。第１の電極端子１２は、第１の電子部品１０の機能に応じた電極接続端子として形成されている。第１の電極端子１２は、他の素材によって形成してもよい。第１の電極端子１２は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第１の電極端子１２は、バンプとして形成されている。
【００１３】
第１の電極形成面１１ａには、金属ピラーである第１の位置合わせ端子１３が設けられている。本実施形態の第１の位置合わせ端子１３は、Ｃｕ（銅）によって、柱状に形成されている。第１の位置合わせ端子１３は、電極形成領域Ｒの周囲に設けられている。具体的に、第１の位置合わせ端子１３は、矩形の第１の電極形成面１１ａの角部と、各辺の中央部に設けられている。第１の位置合わせ端子１３は、第２の溶融金属接合面１３ａを備える。また、第１の位置合わせ端子１３は、溝状の溶融金属含浸部１３ｂを備える。溶融金属含浸部１３ｂは、第２の溶融金属接合面１３ａに十字状に設けられている。図３（Ａ）や図３（Ｂ）を参照すると、溶融金属含浸部１３ｂの幅はＷとされている。溶融金属含浸部１３ｂは、後述するように、第１の電子部品１０を他の電子部品と接合するときに、毛細管現象によって溶融金属を含浸し、両者の間隔を調整する機能を有する。第１の位置合わせ端子１３は、他の素材によって形成してもよい。第１の位置合わせ端子１３は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第１の位置合わせ端子１３は、バンプとして形成されている。
【００１４】
再び、図１（Ａ）を参照すると、第１の位置合わせ端子１３が有する第２の溶融金属接合面１３ａの直径Ｒ２は、第１の電極端子１２が有する第１の溶融金属接合面１２ａの直径Ｒ１よりも大きい。第１の電極端子１２及び第１の位置合わせ端子１３は、後述するように、共に、溶融金属の表面張力による整列機能を発揮するが、直径が大きく、面積が大きい第１の位置合わせ端子１３の方がより大きな整列機能を発揮することができる。
【００１５】
図１（Ｂ）や図３を参照すると、第１の電極端子１２が有する第１の溶融金属接合面１２ａには、第１の溶融金属層１４が形成されている。また、第１の位置合わせ端子１３が有する第２の溶融金属接合面１３ａには、第２の溶融金属層１５が形成されている。本実施形態の第１の溶融金属層１４及び第２の溶融金属層１５は、いずれもＳｎＡｇ（すず銀）はんだであるが、他の素材を用いてもよい。第１の溶融金属層１４は、電極端子間溶融金属層に含まれる。第２の溶融金属層１５は位置合わせ端子間溶融金属層に含まれる。
【００１６】
図４を参照すると、第１の電極端子１２の高さはｈａ１とされている。また、第１の溶融金属層１４の高さはｈａ２とされている。そして、第１の電極形成面１１ａから第１の溶融金属層１４の頂部までの高さはｈａとなっている。一方、第１の位置合わせ端子１３の高さはｈｂ１とされている。また、第２の溶融金属層１５の高さはｈｂ２とされている。そして、第１の電極形成面１１ａから第２の溶融金属層１５の頂部までの高さはｈｂとなっている。本実施形態では、第１の電極端子１２の高さｈａ１と、第１の位置合わせ端子１３の高さｈｂ１とを一致させている。そして、第１の溶融金属層１４の高さｈａ２を第２の溶融金属層１５の高さｈｂ２よりも低くしている。この結果、第１の電極形成面１１ａから第２の溶融金属層１５の頂部までの高さｈｂは、第１の電極形成面１１ａから第１の溶融金属層１４の頂部までの高さｈａよりも高い。これにより、第２の溶融金属層１５は、第１の溶融金属層１４と他方の電子部品の電極端子又は溶融金属層との接触に先行して他方の位置合わせ端子又は溶融金属層に接触し易くなる。この結果、位置合わせ端子による整列機能が電極端子による整列機能に先行して発揮され易い状態となる。
【００１７】
第１の電子部品１０は、第１の位置合わせ端子１３に溝状の溶融金属含浸部１３ｂを備えることで、第１の電極端子１２による整列機能よりも第１の位置合わせ端子１３による整列機能を先行して発揮させることができる。すなわち、第１の電子部品１０は、まず、第１の位置合わせ端子１３に設けられた第２の溶融金属層１５が他方の位置合わせ端子又は溶融金属層に接触することで整列機能を発揮する。そして、第１の電子部品１０は、溝状の溶融金属含浸部１３ｂが溶融金属を含浸することで、他の電子部品に接近し、第１の電極端子１２に設けられた第１の溶融金属層１４を他方の電子部品の電極端子又は溶融金属層と接触させ、さらなる整列機能を得る。このように、第１の電子部品１０は、高い自己整列性を備えている。
【００１８】
つぎに、図５から図６（Ｂ）を参照し、他の電子部品となる第２の電子部品３０について説明する。第２の電子部品３０は、第２の電極形成面３１ａを備えた第２の素子本体３１を備える。第２の電極形成面３１ａには、金属ピラーである第２の電極端子３２が形成されている。第２の電極端子３２は、第３の溶融金属接合面３２ａを備える。本実施形態の第２の電極端子３２は、Ｃｕ（銅）によって、円柱状に形成されている。第２の電極端子３２は、第１の電極端子１２の配置に対応させて複数設けられている。第２の電子部品３０は、第１の電子部品１０と接合して用いることができる種々の部品とすることができる。例えば、第１の電子部品１０がＣＰＵである場合に、第２の電子部品３０をメモリとすることができる。第２の電極端子３２は、第２の電子部品３０の機能に応じた電極接続端子として形成されている。第２の電極端子３２は、他の素材によって形成してもよい。第２の電極端子３２は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第２の電極端子３２は、バンプとして形成されている。第２の電極端子３２する第３の溶融金属接合面３２ａの直径は、第１の電極端子１２が有する第１の溶融金属接合面１２ａの直径と同様にＲ１とされている。
【００１９】
第２の電極形成面３１ａには、金属ピラーである第２の位置合わせ端子３３が設けられている。本実施形態の第２の位置合わせ端子３３は、Ｃｕ（銅）によって、円柱状に形成されている。第２の位置合わせ端子３３は、第１の位置合わせ端子１３の配置に対応させて設けられている。すなわち、第２の位置合わせ端子３３は、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａとを対向させたときに、第１の位置合わせ端子１３と重なるように設けられている。
【００２０】
第２の位置合わせ端子３３は、第４の溶融金属接合面３３ａを備える。第２の位置合わせ端子３３は、他の素材によって形成してもよい。第２の位置合わせ端子３３は、パッドやバンプとして設けることができる。本実施形態では、第２の位置合わせ端子３３は、バンプとして形成されている。第２の位置合わせ端子３３が有する第４の溶融金属接合面３３ａの直径は、第１の位置合わせ端子１３が有する第２の溶融金属接合面１３ａの直径と同様にＲ２とされている。
【００２１】
図５や図７を参照すると、第２の電極端子３２が有する第３の溶融金属接合面３２ａには、第３の溶融金属層３４が形成されている。また、第２の位置合わせ端子３３が有する第４の溶融金属接合面３３ａには、第４の溶融金属層３５が形成されている。本実施形態の第３の溶融金属層３４及び第４の溶融金属層３５は、いずれもＳｎＡｇ（すず銀）はんだであるが、他の素材を用いてもよい。第３の溶融金属層３４は電極端子間溶融金属層に含まれる。第４の溶融金属層３５は位置合わせ端子間溶融金属層に含まれる。なお、本実施形態では、第１の溶融金属接合面１２ａに第１の溶融金属層１４が設けられているため、第３の溶融金属層３４を廃止した形態としてもよい。同様に、本実施形態では、第２の溶融金属接合面１３ａに第２の溶融金属層１５が設けられているため、第４の溶融金属層３５を廃止した形態としてもよい。これとは逆に、第１の溶融金属層１４を廃止し、第３の溶融金属層３４を採用するようにしてもよい。第２の溶融金属層１５を廃止し、第４の溶融金属層３５を採用するようにしてもよい。すなわち、溶融金属層は、いずれか一方の電子部品に設けられていてもよいし、双方の電子部品に設けられていてもよい。
【００２２】
図７を参照すると、第２の電極端子３２の高さはｈｃ１とされている。また、第３の溶融金属層３４の高さはｈｃ２とされている。そして、第２の電極形成面３１ａから第３の溶融金属層３４の頂部までの高さはｈｃとなっている。一方、第２の位置合わせ端子３３の高さはｈｄ１とされている。また、第４の溶融金属層３５の高さはｈｄ２とされている。そして、第２の電極形成面３１ａから第４の溶融金属層３５の頂部までの高さはｈｄとなっている。本実施形態では、第２の電極端子３２の高さｈｃ１と、第２の位置合わせ端子３３の高さｈｄ１とを一致させている。そして、第３の溶融金属層３４の高さｈｃ２を第４の溶融金属層３５の高さｈｄ２よりも低くしている。この結果、第２の電極形成面３１ａから第４の溶融金属層３５の頂部までの高さｈｄは、第２の電極形成面３１ａから第３の溶融金属層３４の頂部までの高さｈｃよりも高い。
【００２３】
ここで、各電子部品において電極端子と位置合わせ端子の高さが同一であることを前提とすると、第１の電子部品１０及び第２の電子部品３０における各部の寸法は、以下の関係を有する。すなわち、電極端子間溶融金属層の寸法となるｈａ２＋ｈｃ２と、位置合わせ端子間溶融金属層の寸法となるｈｂ２＋ｈｄ２との間には、ｈａ２＋ｈｃ２＜ｈｂ２＋ｈｄ２の関係が成立している。これにより、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａとを対向させて両者を接近させたときに、位置合わせ端子間溶融金属層が電極端子間溶融金属層に先行して接触する。各端子及び溶融金属層の寸法は、適宜変更することができる。ただし、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａとを対向させて両者を接近させたときに、位置合わせ端子間溶融金属層が電極端子間溶融金属層に先行して接触する関係が維持されることが条件となる。
【００２４】
つぎに、図８を参照して、本実施形態の電子装置１について説明する。電子装置１は、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａを対向させた状態で、第１の電子部品１０と第２の電子部品３０とを接合して形成されている。第１の電極端子１２と第２の電極端子３２とは、第１の接合部２によって接合されており、両者間の電気導通が取られている。第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３とは、第２の接合部３によって接合されている。第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３は、整列機能を発揮するものであるが、第２の接合部３によって電気的導通が取られていることから、電極として使用することもできる。例えば、第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３は、電源や接地線として使用してもよい。
【００２５】
電子装置１は、高い自己整列性を有する第１の電子部品１０を備えるので、第１の電子部品１０と第２の電子部品３０との間で、高い位置合わせ精度を有している。
【００２６】
つぎに、図９（Ａ）乃至図１１を参照して、本実施形態の電子装置１の製造方法の一例について説明する。
【００２７】
まず、第１の電子部品１０と第２の電子部品３０を準備する。第１の電子部品１０は、半導体素子基板となる第１の素子本体１１に予め有機樹脂絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィーにより第１の電極端子１２や第１の位置合わせ端子１３に相当する位置を開口した。
【００２８】
ついで、シード層としてＴｉ／Ｃｕ層を形成した。そして、バンプ用のレジストにより開口後、電界めっき法によりφ１０μｍ（＝Ｒ１）、高さ１０μｍ（＝ｈａ１）のＣｕピラー上に、１μｍ厚のＮｉ層と、ＳｎＡｇはんだを２μｍ厚（＝ｈａ２）で形成し、第１の電極端子１２を形成した。ＳｎＡｇはんだは、第１の溶融金属層１４に相当し、リフロー後は３μｍとなった。第１の電極端子１２は、２０μｍピッチで設けた。
【００２９】
また、第１の電極端子１２の周辺に第１の位置合わせ端子１３のバンプをφ２０μｍ（＝Ｒ２）、高さ１０μｍ（＝ｈｂ１）のＣｕピラー上に、１μｍ厚のＮｉ層と、ＳｎＡｇはんだを１０μｍ厚（＝ｈｂ２）で形成し、リフローを行った。このとき、幅Ｗ＝４μｍの十字状の溝が形成されるようにパターニングを行うことで溶融金属含浸部１３ｂを形成した。これにより、第１の位置合わせ端子１３は、４つの領域に分割された状態となった。ここで、第１の位置合わせ端子１３はφ２０μｍであり、溶融金属含浸部１３ｂの溝幅がＷ＝４μｍであるため、第１の位置合わせ端子１３における電極占有率は４４．３％となった。電極占有率は、第１の位置合わせ端子１３の第２の溶融金属接合面１３ａから溶融金属含浸部１３ｂの面積を除いた残りの部分の第２の溶融金属接合面１３ａに対する面積割合である。なお、ＳｎＡｇはんだは、第２の溶融金属層１５に相当し、リフロー後は１５μｍとなった。
【００３０】
第２の電子部品３０は、半導体素子基板となる第２の素子本体３１に予め有機樹脂絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィーにより第２の電極端子３２や第２の位置合わせ端子３３に相当する位置を開口した。
【００３１】
ついで、シード層としてＴｉ／Ｃｕ層を形成した。そして、バンプ用のレジストにより開口後、電界めっき法によりφ１０μｍ（＝Ｒ１）、高さ５μｍ（＝ｈｃ１＝ｈｄ１）のＣｕピラーを形成した。第２の電極端子３２は、２０μｍピッチで設けた。
【００３２】
また、第２の電極端子３２の周辺に第２の位置合わせ端子３３のバンプをφ２０μｍ（＝Ｒ２）、高さ５μｍ（＝ｈｄ１）のＣｕピラーを形成した。
【００３３】
なお、第１の電子部品１０及び第２の電子部品３０は、従来公知のプロセスで準備することができ、図示を省略している。
【００３４】
第１の電子部品１０及び第２の電子部品３０を準備した後は、まず、図９（Ａ）に示すように第１の電子部品１０の第１の素子本体１１と第２の電子部品３０の第２の素子本体３１を、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａとを対向させた状態で配置する。これにより、第１の電極端子１２と第２の電極端子３２との間に電極端子間溶融金属層としての第１の溶融金属層１４と第３の溶融金属層３４とが設けられた状態となる。また、第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３との間に位置合わせ端子間溶融金属層としての第２の溶融金属層１５と第４の溶融金属層３５とが設けられた状態となる。
【００３５】
この状態で光学手段を用いた位置合わせを実施する。光学手段を用いた位置合わせは、専用の光学検出マークを設けて実施してもよいが、本実施形態では、第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３を用いている。なお、本実施形態では、光学手段を用いた位置合わせを、便宜上、零次整列と呼ぶこととする。
【００３６】
光学手段を用いた位置合わせを実施した後、図９（Ｂ）に示すように第１の電子部品１０と第２の電子部品を接近させ、第２の溶融金属層１５と第４の溶融金属層３５とを接触させて、フリップチップボンダーで両者の接合を開始する。零次整列後の第１の素子本体１１と第２の素子本体３１とのずれ量、すなわち、接合精度は、２〜５μｍ程度であった。この接合精度は、光学手段を用いた位置合わせに依存するものである。
【００３７】
フリップチップボンダーで、還元雰囲気でのリフローが開始されると、第１の位置合わせ端子１３と第２の位置合わせ端子３３との間に介在する第２の溶融金属層１５及び第４の溶融金属層３５が溶融し始める。このとき、図９（Ｃ）や図１０に示すように、第１の溶融金属層１４と第３の溶融金属層３４とは、離れた状態となっており、溶融した第２の溶融金属層１５と第４の溶融金属層３５とが一体となって第２の接合部３が形成される。溶融状態の第２の接合部３は、表面張力に起因する整列機能を発揮する。これにより、零次整列に引き続き、一次整列が実施される。一次整列後の第１の素子本体１１と第２の素子本体３１とのずれ量、すなわち、接合精度は、１μｍ程度であった。
【００３８】
そして、リフローを継続すると、溶融した第２の溶融金属層１５と第４の溶融金属層３５、すなわち、第２の接合部３が第１の位置合わせ端子１３が備える溝状の溶融金属含浸部１３ｂに含浸される。溶融状態の第２の接合部３は、毛細管現象によって溶融金属含浸部１３ｂに含浸される。この結果、第２の接合部３の高さが低くなり、第１の電極形成面１１ａと第２の電極形成面３１ａとが接近し、第１の溶融金属層１４と第３の溶融金属層３４とが接触する。すなわち、第１の電極端子１２と第２の電極端子３２とが第１の溶融金属層１４と第３の溶融金属層３４とを介して接触する。溶融した第１の溶融金属層１４と第３の溶融金属層３４とが一体となって第１の接合部２が形成される。溶融状態の第１の接合部２は、表面張力に起因する整列機能を発揮する。これにより、一次整列に引き続き、二次整列が実施される。表面張力に起因する整列機能は、各電極端子において発揮される。二次整列後の第１の素子本体１１と第２の素子本体３１とのずれ量、すなわち、接合精度は、１μｍ以下であった。
【００３９】
以上の工程を経ることで、図９（Ｅ）に示す電子装置１を得ることができる。電子装置１は、複数回の整列の調整が行われることで、精度の高い位置合わせが行われている。
【００４０】
本実施形態の電子装置１は、溶融金属の表面張力を利用した複数回の調整過程を行うことで、光学的な位置合わせ精度以上の接合精度が実現し、狭ピッチの電極接続端子の接合が確実に行うことができ、信頼性の高い接合部が提供できる。本実施形態は、例えば、チップに予めシリコン貫通ビア（Through Silicon Via）を形成した半導体素子やインターポーザを用いて、３次元、２．５次元実装等の高密度実装にも適用できる。
【００４１】
（変形例）
図３（Ａ）に示すように、本実施形態の溶融金属含浸部１３ｂは、十字状に設けられている。溶融金属含浸部１３ｂは、溶融金属を含浸して第２の接合部３の高さを調整する機能を有する。このため、電極占有率を調整し、溶融金属の含浸量を調整することで、適切な表面張力を発揮させ、精度の高い自己整列性を得ることができる。そこで、図１２（Ａ）に示すように、扇形状の中心部分の四か所に溝の拡張部１３ｂ１を設けることで、溶融金属の含浸量を増量することができる。また、図１２（Ａ）に示す例ほどは溶融金属の含浸量を増量しなくてもよい場合には、例えば、図１２（Ｂ）に示すように、扇形状の中心部分の二か所に溝の拡張部１３ｂ１を設けるようにしてもよい。溝の形状は、これらの形状に限定されるものではなく、溶融金属の必要な含浸量を実現することができる形状とすることができる。
【００４２】
以上本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【００４３】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）  第１の素子本体が備える第１の電極形成面に設けられ、第１の溶融金属接合面を有する第１の電極端子と、
前記第１の電極形成面に設けられ、溝状の溶融金属含浸部を備えた第２の溶融金属接合面を有する第１の位置合わせ端子と、
を備えた電子部品。
（付記２）  前記第１の溶融金属接合面に第１の溶融金属層が形成され、前記第２の溶融金属接合面に第２の溶融金属層が形成された付記１に記載の電子部品。
（付記３）  前記第１の電極形成面から前記第２の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第１の電極形成面から前記第１の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い付記２に記載の電子部品。
（付記４）  前記第２の溶融金属接合面の直径は、前記第１の溶融金属接合面の直径よりも大きい付記１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品。
（付記５）  第１の素子本体が備える第１の電極形成面に第１の電極端子と第１の位置合わせ端子とを備えた第１の電子部品と、
第２の素子本体が備える第２の電極形成面に第２の電極端子と第２の位置合わせ端子とを備えた第２の電子部品と、
第１の溶融金属層によって形成され、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子とを接合する第１の接合部と、
第２の溶融金属層によって形成され、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを接合する第２の接合部と、を備え、
前記第２の接合部は、前記第１の位置合わせ端子が有する溝状の溶融金属含浸部に入り込んでいる電子装置。
（付記６）  前記第１の電極端子は、第１の溶融金属接合面に第１の溶融金属層が形成され、前記第１の位置合わせ端子は、第２の溶融金属接合面に第２の溶融金属層が形成された付記５に記載の電子装置。
（付記７）  前記第１の電極形成面から前記第２の溶融金属層の頂部までの高さは、前記第１の電極形成面から前記第１の溶融金属層の頂部までの高さよりも高い付記６に記載の電子装置。
（付記８）  前記第２の溶融金属接合面の直径は、前記第１の溶融金属接合面の直径よりも大きい付記６又は７に記載の電子装置。
（付記９）  第１の電極端子と第１の位置合わせ端子を備える第１の電子部品と、第２の電極端子と第２の位置合わせ端子を備える第２の電子部品とを、前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に第１の接合部を介在させ、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に第２の接合部を介在させて接合する電子装置の製造方法であって、
前記第１の電極端子と前記第２の電極端子との間に電極端子間溶融金属層を設け、前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子との間に位置合わせ端子間溶融金属層を設けた状態で前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを対向配置する工程と、
前記第１の位置合わせ端子と前記第２の位置合わせ端子とを前記位置合わせ端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
前記位置合わせ端子間溶融金属層を溶融し、前記第２の接合部を形成しつつ、一次整列を行う工程と、
溶融状態の前記第２の接合部を前記第１の位置合わせ端子が備える溝状の溶融金属含浸部に含浸させつつ、前記電極端子間溶融金属層を介して接触させる工程と、
溶融した前記電極端子間溶融金属層により前記第１の接合部を形成しつつ、二次整列を行う工程と、
を有する電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４４】
１  電子装置
２  第１の接合部
３  第２の接合部
１０  第１の電子部品
１１  第１の素子本体
１１ａ  第１の電極形成面
１２  第１の電極端子
１２ａ  第１の溶融金属接合面
１３  第１の位置合わせ端子
１３ａ  第２の溶融金属接合面
１３ｂ  溶融金属含浸部
１４  第１の溶融金属層
１５  第２の溶融金属層
３０  第２の電子部品
３１  第２の素子本体
３１ａ  第２の電極形成面
３２  第２の電極端子
３３  第２の位置合わせ端子
３４  第３の溶融金属層
３５  第４の溶融金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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