(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱性を向上させることができる弾性波デバイス、モジュール及びマルチプレクサを提供する。【解決手段】弾性波デバイス５０は、第１基板１０と、第１基板の第１面に設けられた第１端子と、第１基板の第１面に設けられた第２端子と、第１基板の第１面に設けられた接地端子である第３端子と、第１基板の第１面と反対の面である第２面に設けられ、第１端子と第２端子との間の経路に電気的に直列に接続された複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ４と、第１基板の第２面に設けられ、一端が経路に電気的に接続され、他端が第３端子に電気的に接続された並列共振器と、第１基板の第１面に設けられ、第１基板の厚さ方向において、複数の直列共振器のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された１または複数の直列共振器の少なくとも一部と少なくとも一部が重なる第４端子Ｔ４と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の第１面に設けられた第１端子と、
前記第１基板の前記第１面に設けられた第２端子と、
前記第１基板の前記第１面に設けられた接地端子である第３端子と、
前記第１基板の前記第１面と反対の面である第２面に設けられ、前記第１端子と前記第２端子との間の経路に電気的に直列に接続された複数の直列共振器と、
前記第１基板の前記第２面に設けられ、一端が前記経路に電気的に接続され、他端が前記第３端子に電気的に接続された並列共振器と、
前記第１基板の前記第１面に設けられ、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された１または複数の直列共振器の少なくとも一部と少なくとも一部が重なる第４端子と、
を備える弾性波デバイス。
【請求項２】
前記第４端子は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子と前記第１基板内において電気的に接続されていない請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第４端子は、前記第３端子と前記第２面において電気的に接続されている請求項１に記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記１または複数の直列共振器の少なくとも１つの直列共振器が内側に収まるように重なる請求項１から３のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された複数の直列共振器と重なる請求項１から４のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両端のうち一方の端にのみ他の直列共振器が電気的に接続されている直列共振器および前記並列共振器の少なくとも１つの共振器と重ならない請求項１から５のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記第１基板は、前記第２面を有する圧電基板と、前記第１面を有し前記圧電基板の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する支持基板と、を備える請求項１から６のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電基板と前記支持基板とは接している請求項７に記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記１または複数の直列共振器の少なくとも１つの直列共振器に隣接し、前記第２面において前記複数の直列共振器および前記並列共振器と電気的に接続されておらず前記第１基板を貫通し前記第４端子に接続された貫通電極を備える請求項１から８のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記第１基板の厚さ方向において、前記１または複数の直列共振器と重なり、前記第１面から前記第１基板の途中まで設けられ、前記第４端子と接続された金属柱を備える請求項１から９のいずれか一項に記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の弾性波デバイスと、
前記第１面と対向する第３面と前記第３面と反対の面である第４面とを有し、前記第３面に設けられ前記第４端子と接合する第５端子と、前記第４面に設けられ外部と接続するための第６端子と、前記第５端子と前記第６端子とを接続する金属パターンとを備えるモジュール基板と、
を備えるモジュール。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの前記複数の直列共振器と前記並列共振器とを有する第１フィルタを備えるマルチプレクサ。
【請求項１３】
前記第１基板上に空隙を挟み搭載された第２基板と、
前記第２面に前記空隙を挟み対向する前記第２基板の第３面に設けられた第２フィルタと、
を備える請求項１２に記載のマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサに関し、例えば複数の直列共振器を有する弾性波デバイス、モジュールおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波共振器等を用いたラダー型フィルタが知られている。基板の上面に弾性波共振器を形成し、基板の下面に弾性波共振器と電気的に接続された端子を形成することが知られている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１５７９２２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１６／０６８０９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板上に形成されたラダー型フィルタにおいて発生した熱は、バンプおよび／または基板を貫通する貫通ビア等の放熱経路を介し外部に放出される。しかしながら、これらの放熱経路は長くかつ熱容量が十分でない。このため、放熱性が悪い。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、放熱性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１基板と、前記第１基板の第１面に設けられた第１端子と、前記第１基板の前記第１面に設けられた第２端子と、前記第１基板の前記第１面に設けられた接地端子である第３端子と、前記第１基板の前記第１面と反対の面である第２面に設けられ、前記第１端子と前記第２端子との間の経路に電気的に直列に接続された複数の直列共振器と、前記第１基板の前記第２面に設けられ、一端が前記経路に電気的に接続され、他端が前記第３端子に電気的に接続された並列共振器と、前記第１基板の前記第１面に設けられ、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された１または複数の直列共振器の少なくとも一部と少なくとも一部が重なる第４端子と、を備える弾性波デバイスである。
【０００７】
上記構成において、前記第４端子は、前記第１端子、前記第２端子および前記第３端子と前記第１基板内において電気的に接続されていない構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第４端子は、前記第３端子と前記第２面において電気的に接続されている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記１または複数の直列共振器の少なくとも１つの直列共振器が内側に収まるように重なる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された複数の直列共振器と重なる構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第４端子は、前記第１基板の厚さ方向において、前記複数の直列共振器のうち両端のうち一方の端にのみ他の直列共振器が電気的に接続されている直列共振器および前記並列共振器の少なくとも１つの共振器と重ならない構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１基板は、前記第２面を有する圧電基板と、前記第１面を有し前記圧電基板の熱伝導率より大きな熱伝導率を有する支持基板と、を備える構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記圧電基板と前記支持基板とは接している構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記１または複数の直列共振器の少なくとも１つの直列共振器に隣接し、前記第２面において前記複数の直列共振器および前記並列共振器と電気的に接続されておらず前記第１基板を貫通し前記第４端子に接続された貫通電極を備える構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１基板の厚さ方向において、前記１または複数の直列共振器と重なり、前記第１面から前記第１基板の途中まで設けられ、前記第４端子と接続された金属柱を備える構成とすることができる。
【００１６】
本発明は、上記弾性波デバイスと、前記第１面と対向する第３面と前記第３面と反対の面である第４面とを有し、前記第３面に設けられ前記第４端子と接合する第５端子と、前記第４面に設けられ外部と接続するための第６端子と、前記第５端子と前記第６端子とを接続する金属パターンとを備えるモジュール基板と、を備えるモジュールである。
【００１７】
本発明は、上記弾性波デバイスの前記複数の直列共振器と前記並列共振器とを有する第１フィルタを備えるマルチプレクサである。
【００１８】
上記構成において、前記第１基板上に空隙を挟み搭載された第２基板と、前記第２面に前記空隙を挟み対向する前記第２基板の第３面に設けられた第２フィルタと、を備える構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、放熱性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。
【図２】図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図３】図３は、実施例１における弾性波デバイスの回路図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図であり、図４（ｂ）は、実施例１における別の弾性波共振器の断面図である。
【図５】図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図７】図７は、比較例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に搭載された断面図である。
【図８】図８は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図９】図９は、実施例２に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。
【図１０】図１０は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。
【図１１】図１１は、実施例３に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。
【図１２】図１２は、実施例３の変形例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。
【図１３】図１３は、実施例４に係るデュプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１は、実施例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。図１に示すように、モジュール基板５２上に弾性波デバイス５０が搭載されている。弾性波デバイス５０は、主に基板１０および封止部３１を備えている。基板１０の上面（第１面の反対の面である第２面）には、弾性波共振器１２および配線１４が設けられている。基板１０の下面（第１面）には端子１８が設けられている。基板１０を貫通する貫通電極１６が設けられている。貫通電極１６は配線１４と端子１８とを電気的に接続する。配線１４、貫通電極１６および端子１８は例えば銅、金、アルミニウムまたはニッケル等の金属層である。基板１０の厚さは例えば５０μｍから２００μｍである。封止部３１は、基板１０上に設けられ、弾性波共振器１２を空隙２８に封止する。封止部３１は、例えば金属、樹脂等の絶縁体、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム等の圧電体、またはシリコン等の半導体である。
【００２３】
モジュール基板５２は、基板６０を備えている。基板６０は、積層された１または複数の絶縁層６０ａおよび６０ｂを有している。基板６０の上面には端子６４が設けられている。基板６０の下面には端子６８が設けられている。端子６８は、外部と電気的および熱的に接続するための外部端子である。絶縁層６０ａおよび６０ｂをそれぞれ貫通する貫通電極６６ａおよび６６ｂが設けられている、絶縁層６０ａと６０ｂとの間に配線６６ｃが設けられている。貫通電極６６ａ、６６ｂおよび配線６６ｃは内部配線６６を形成する。内部配線６６は端子６４と６８とを電気的および熱的に接続する。端子６４と１８とは半田６５に接合する。これにより、端子１８と６４とは電気的および熱的に接続される。半田６５の厚さは例えば１０μｍから１００μｍである。絶縁層６０ａおよび６０ｂは、例えば樹脂層またはセラミック層である。配線１４、端子１８および内部配線６６は、例えば銅、金、アルミニウムまたはニッケル等の金属層である。半田６５は例えば錫銀合金または錫銀銅合金である。
【００２４】
図２は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図２では、弾性波共振器１２、配線１４、貫通電極１６および端子１８を図示している。図１は、図２のＡ−Ａ断面図に相当する。図２に示すように、基板１０の上面に複数の弾性波共振器１２が設けられている。弾性波共振器１２は、直列共振器Ｓ１からＳ５および並列共振器Ｐ１からＰ３を含む。配線１４は、弾性波共振器１２の間を電気的に接続、および、弾性波共振器１２と貫通電極１６とを電気的に接続する。端子１８は、端子Ｔ１から端子Ｔ４を含む。
【００２５】
図３は、実施例１における弾性波デバイスの回路図である。図２および図３に、直列共振器Ｓ１からＳ５は、端子Ｔ１とＴ２との間の直列経路に直列に電気的に接続されている。並列共振器Ｐ１からＰ３の一端は端子Ｔ１とＴ２との間の直列経路に接続され、並列共振器Ｐ１からＰ３の他端は端子Ｔ３に接続されている。端子Ｔ１（第１端子）は、高周波信号が入力する入力端子であり、端子Ｔ２（第２端子）は、高周波信号が出力する出力端子であり、端子Ｔ３（第３端子）は、接地電位が供給される接地端子である。端子Ｔ４（第４端子）は、基板１０の厚さ方向において直列共振器Ｓ１からＳ４と重なるように設けられている。端子Ｔ１からＴ４は図１のように独立に端子６４に半田６５を介し接続される。直列共振器の個数および並列共振器の個数は適宜設定できる。
【００２６】
図４（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図であり、図４（ｂ）は、実施例１における別の弾性波共振器の断面図である。図４（ａ）の例では、弾性波共振器１２は弾性表面波共振器である。基板１０の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）４０と反射器４２が設けられている。ＩＤＴ４０は、互いに対向する１対の櫛型電極４０ａを有する。櫛型電極４０ａは、複数の電極指４０ｂと複数の電極指４０ｂを接続するバスバー４０ｃとを有する。反射器４２は、ＩＤＴ４０の両側に設けられている。ＩＤＴ４０が基板１０に弾性表面波を励振する。基板１０は、例えば、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板等の圧電基板である。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に圧電基板が接合された複合基板でもよい。ＩＤＴ４０および反射器４２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ４０および反射器４２を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００２７】
図４（ｂ）の例では、弾性波共振器１２は圧電薄膜共振器である。基板１０上に圧電膜４６が設けられている。圧電膜４６を挟むように下部電極４４および上部電極４８が設けられている。下部電極４４と基板１０との間に空隙４５が形成されている。圧電膜４６の少なくとも一部を挟み下部電極４４と上部電極４８とが対向する領域が共振領域４７である。共振領域４７内の下部電極４４および上部電極４８は圧電膜４６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極４４および上部電極４８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜４６は例えば窒化アルミニウム膜である。弾性波共振器１２は、弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波の励振を阻害しないように、弾性波共振器１２は空隙２８に覆われている。
【００２８】
［実施例１の変形例１］
図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図５に示すように、端子Ｔ４は、直列共振器Ｓ２およびＳ３の一部に重なり、他の共振器には重なっていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００２９】
［実施例１の変形例２］
図６は、実施例１の変形例２に係る弾性波デバイスの平面図である。図６に示すように、端子Ｔ４は、直列共振器Ｓ１からＳ４、並列共振器Ｐ１からＰ３を内側に含むように重なり、直列共振器Ｓ５の一部に重なっている。端子Ｔ４は、基板１０の下面において端子Ｔ３と接続されている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００３０】
［比較例１］
図７は、比較例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に搭載された断面図である。図７に示すように、弾性波デバイス５０において、基板７０上に基板１０が搭載されている。基板７０は、積層された絶縁層７０ａおよび７０ｂを有する。基板７０の上面に端子７４が設けられ、下面に端子７８が設けられている。端子７４と７８とは内部配線７７により接続されている。基板７０上に基板１０がバンプ７５を介しフリップチップ実装されている。基板１０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０および基板１０の上面を覆うように保護膜３２が設けられている。
【００３１】
比較例１では、基板１０に設けられた弾性波共振器１２において発生した熱は、放熱経路８０として主に配線１４、バンプ７５、端子７４、内部配線７７および端子７８を介し基板６０に至る。放熱経路８０は、長くかつ熱容量が小さい。例えば放熱経路８０は断面積の小さいバンプ７５を経由することになる。このため、放熱性が悪い。これにより、弾性波デバイスに耐電力性能が低い。
【００３２】
これに対し、図１のように、実施例１では、配線１４、貫通電極１６および端子１８を介する放熱経路８０に加え、直列共振器Ｓ１からＳ４から基板１０を介し端子Ｔ４に至る放熱経路８２が形成される。さらに、端子Ｔ４、半田６５および端子６４に至る放熱経路８３と、端子Ｔ４、内部配線６６および端子６８の放熱経路８４と、を介し外部に放熱される。ラダー型フィルタにおいては、端子Ｔ１に入力した高周波信号は主に直列共振器Ｓ１からＳ５を介して流れる。よって、直列共振器Ｓ１からＳ５は発熱しやすい。特に、両側に直列共振器が電気的に接続されている直列共振器Ｓ２からＳ４は、貫通電極１６が接続されていない。このため、直列共振器Ｓ２からＳ４は熱が逃げにくく最も発熱する。
【００３３】
実施例１およびその変形例によれば、図２、図５および図６のように、端子Ｔ４（第４端子）は、基板１０（第１基板）の厚さ方向において、複数の直列共振器Ｓ１からＳ５のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された１または複数の直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも一部と少なくとも一部が重なる。これにより、最も発熱量の大きい直列共振器Ｓ２からＳ４において発生した熱は、放熱経路８２を介し基板１０を介し最短距離で端子１８に至る。また、放熱経路８２の断面積を大きくできる。よって、放熱性に優れ耐電力性の高い弾性波デバイスを実現できる。
【００３４】
弾性波共振器１２が図４（ａ）のような弾性表面波共振器のとき、端子Ｔ４が直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも一部と少なくとも一部が重なるとは、端子Ｔ４の少なくとも一部とＩＤＴ４０および反射器４２の少なくとも一部とが重なることである。弾性波共振器１２が図４（ｂ）のような圧電薄膜共振器のとき、端子Ｔ４が直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも一部と少なくとも一部が重なるとは、端子Ｔ４の少なくとも一部と共振領域４７の少なくとも一部とが重なることである。
【００３５】
実施例１およびその変形例１では、図２および図５のように、端子Ｔ４は、端子Ｔ１、端子Ｔ２および端子Ｔ３と基板１０内において電気的に接続されていない。すなわち端子Ｔ４の電位は浮遊電位である。これにより、直列共振器Ｓ１からＳ４とグランドとの間の寄生容量が小さくなる。よって、寄生容量に起因した特性劣化を抑制できる。
【００３６】
実施例１の変形例２では、図６のように、端子Ｔ４は、端子Ｔ３と基板１０の下面において電気的に接続する。このように、端子Ｔ４は接地されていてもよい。これにより、端子Ｔ４の面積を大きくでき、放熱性をより高めることができる。
【００３７】
図６のように、端子Ｔ４は、基板１０の厚さ方向において、１または複数の直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも１つの直列共振器Ｓ２からＳ４が内側に収まるように重なる。これにより、内側に収まった直列共振器からの放熱性をより高めることができる。
【００３８】
図２、図５および図６のように、端子Ｔ４は、基板１０の厚さ方向において、複数の直列共振器Ｓ１からＳ５のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続された複数の直列共振器Ｓ２からＳ４と重なる。これにより、より多くの直列共振器からの放熱性を高めることができる。
【００３９】
図５のように、端子Ｔ４は、基板１０の厚さ方向において、複数の直列共振器Ｓ１からＳ５のうち両側に他の直列共振器が電気的に接続されていない直列共振器Ｓ１、Ｓ５（すなわち、両端のうち一方の端にのみ他の直列共振器が電気的に接続されている直列共振器）および並列共振器Ｐ１からＰ３の少なくとも１つの共振器（直列共振器Ｓ１）と重ならない。これにより、直列共振器Ｓ１の寄生容量が小さくなる。よって、高周波特性を向上できる。
【００４０】
図１のように、通信機器に用いられるモジュールでは、モジュール基板５２は、上面（基板１０の下面と対向する第３面）に設けられ端子Ｔ４と接合する端子６４（第５端子）と、下面（上面の反対の面である第４面）に設けられ外部と接続するための端子６８（第６端子）と、端子６４と６８とを接続する内部配線６６（金属パターン）と、を備える。これにより、端子Ｔ４から端子６４、内部配線６６および端子６８を介し外部に効率的に放熱することができる。
【実施例２】
【００４１】
図８は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。図９は、実施例２に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。図９は、図８のＡ−Ａ断面図である。図８および図９に示すように、直列共振器Ｓ２からＳ４に隣接して配線１４ａが設けられている。配線１４ａは基板１０の上面において直列共振器Ｓ２からＳ４と電気的に接続されていない。貫通電極１６ａは配線１４ａと端子Ｔ４とを電気的および熱的に接続する。貫通電極１６ａの熱伝導率は基板１０の熱伝導率より高い。配線１４ａおよび貫通電極１６ａと直列共振器Ｓ２からＳ４との間には他の配線１４および弾性波共振器１２は設けられていない。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４２】
実施例２によれば、貫通電極１６ａは、直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも１つの直列共振器に隣接する。すなわち、貫通電極１６ａと隣接する直列共振器の間には他の共振器が設けられていない。貫通電極１６ａは、直列共振器Ｓ１からＳ５および並列共振器Ｐ１からＰ３と基板１０の上面において電気的に接続されておらず、基板１０を貫通し端子Ｔ４に接続されている。これにより、図９のように、放熱経路８２に加え、貫通電極１６ａを介した放熱経路８５により直列共振器Ｓ２からＳ４から放熱することができる。実施例１の変形例に配線１４ａおよび貫通電極１６ａを設けてもよい。
【００４３】
［実施例２の変形例１］
図１０は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。図１０に示すように、基板１０の下面から基板１０の途中まで金属柱１６ｂが設けられている。金属柱１６ｂは基板１０の厚さ方向において直列共振器Ｓ２と重なっている。金属柱１６ｂは例えば貫通電極１６および１６ａと同じ材料からなる。金属柱１６ｂの熱伝導率は基板の熱伝導率より高い。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。
【００４４】
実施例２の変形例１によれば、金属柱１６ｂは、基板１０の厚さ方向において、直列共振器Ｓ２からＳ４の少なくとも１つの直列共振器Ｓ２と重なり、基板１０の下面から基板の途中まで設けられ、端子Ｔ４と熱的に接続されている。これにより、放熱経路８６のように、金属柱１６ｂを介し効率的に放熱することができる。効率的に放熱するため、金属柱１６ｂの高さは基板１０の厚さの１／２以上が好ましい。貫通電極１６ａを設けない実施例１およびその変形例に金属柱１６ｂを設けてもよい。
【実施例３】
【００４５】
図１１は、実施例３に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。図１１に示すように、基板１０は、支持基板１０ｂと支持基板１０ｂ上に接合された圧電基板１０ａとが積層された複合基板である。圧電基板１０ａは支持基板１０ｂ上に直接接合されている。基板１０上に空隙２８を挟み基板２０が搭載されている。基板２０の下面には弾性波共振器２２および配線２４が設けられている。弾性波共振器２２は、例えば図４（ａ）の弾性表面波共振器または図４（ｂ）の圧電薄膜共振器である。バンプ２５は配線１４および２４に接合されている。弾性波共振器２２は、配線２４、バンプ２５、配線１４および貫通電極１６を介し端子１８に電気的に接続されている。配線２４は例えば銅層、アルミニウム層または金層等の金属層である。バンプ２５は、例えば半田バンプ、金バンプまたは銅バンプ等の金属バンプである。
【００４６】
基板１０の周縁において、圧電基板１０ａが除去され、環状金属層３４が設けられている。環状金属層３４は例えば銅層およびニッケル層である。基板２０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は環状金属層３４の上面に接合されている。封止部３０により、弾性波共振器１２および２２は空隙２８に封止される。封止部３０は、例えば錫銀半田等の金属または樹脂等の絶縁体である。封止部３０の上面および側面並びに基板２０の上面を覆うように保護膜３２が設けられている。保護膜３２は例えばニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００４７】
［実施例３の変形例１］
図１２は、実施例３の変形例１に係る弾性波デバイスがモジュール基板に実装された断面図である。図１２に示すように、基板２０は、下面の周縁に設けられた環状金属層３６により基板１０の上面に接合する。環状金属層３６により弾性波共振器１２および２２は空隙２８に封止される。環状金属層３６は、例えばバンプ２５ａと同じ材料からなり、銅層または金層である。その他の構成は実施例３と同じであり説明を省略する。
【００４８】
実施例３およびその変形例１によれば、基板１０は、基板１０の上面を有する圧電基板１０ａと、基板１０の下面を有する支持基板１０ｂと、を備えている。支持基板１０ｂは、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板であり、圧電基板１０ａは例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。支持基板１０ｂの熱伝導率は圧電基板１０ａの熱伝導率より大きい。これにより、放熱経路８２の熱抵抗を小さくでき、放熱性をより高くできる。
【００４９】
圧電基板１０ａと支持基板１０ｂとは接している（すなわち直接接合されている）ことが好ましい。これにより、放熱経路８３の放熱性を高めることができる。圧電基板１０ａと支持基板１０ｂとは接着剤等を介し間接的に接合されていてもよい。放熱性の観点から、支持基板１０ｂは圧電基板１０ａより厚いことが好ましい。
【実施例４】
【００５０】
図１３は、実施例４に係るデュプレクサの回路図である。図１３に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ９０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ９２が接続されている。送信フィルタ９０の通過帯域と受信フィルタ９２の通過帯域とは重なっていない。送信フィルタ９０は送信端子Ｔｘに入力した高周波信号のうち送信帯域の信号を共通端子Ａｎｔに出力し、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ９２は共通端子Ａｎｔに入力した高周波信号のうち受信帯域の信号を受信端子Ｒｘに出力し他の周波数の信号を抑圧する。
【００５１】
送信フィルタ９０および受信フィルタ９２の少なくとも一方のフィルタ（第１フィルタ）が実施例１から３およびこれらの変形例の直列共振器Ｓ１からＳ５と並列共振器Ｐ１からＰ３とを有する。これにより、フィルタの放熱性を向上できる。送信フィルタ９０は受信フィルタ９２より発熱する。このため、送信フィルタ９０は基板１０の上面に設けられていることが好ましい。
【００５２】
実施例３およびその変形例１では、基板２０（第２基板）が基板１０上に空隙２８を挟み搭載されている。基板２０の下面（第３面）は、基板１０の上面に空隙２８を挟み対向している。このような場合、送信フィルタ９０および受信フィルタ９２の他方のフィルタ（第２フィルタ）は基板２０の下面に設ける。これにより、実施例４のデュプレクサを小型化できる。
【００５３】
実施例４ではデュプレクサを例に説明したが、マルチプレクサは、トリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００５４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０、２０  基板
１２、２２  弾性波共振器
１４、１４ａ、２４  配線
１６、１６ａ  貫通電極
１６ｂ  金属柱
１８  端子
２５  バンプ
２８  空隙
５２  モジュール基板
９０  送信フィルタ
９２  受信フィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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