(57)【要約】【課題】光損失を抑制すること。【解決手段】光変調器１００は、分岐部１１０、並行導波路１２１，１２２および干渉部１３０を含む光導波路を通過した光のパワーを検出する。そして、光変調器１００は、検出の結果に基づいて、光導波路を通過する光の位相ずれの大きさが所定の大きさより小さい場合は低速位相シフタ１６１，１６２を制御することによりその位相ずれを補正する。また、光変調器１００は、位相ずれの大きさが所定の大きさ以上である場合は低速位相シフタ１６１，１６２を制御することによりその位相ずれを補正する。【選択図】図１
2019191252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を通過させる光導波路と、
前記光導波路に設けられたダイオードに電流を流すことにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第１位相シフタと、
前記光導波路の温度を調整することにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第２位相シフタと、
前記光導波路を通過した光のパワーの検出結果に基づいて、前記光導波路を通過する光の位相ずれの大きさが所定の大きさより小さい場合は前記第１位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正し、前記位相ずれの大きさが前記所定の大きさ以上である場合は前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正する制御部と、
を備えることを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記光導波路は、入力された光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された各光を通過させる各導波路と、前記各導波路を通過した各光を干渉させる干渉部と、を有し、
前記第１位相シフタは、前記各導波路の少なくともいずれかに設けられた前記ダイオードに電流を流すことにより、前記各導波路を通過する各光の位相差を調整可能であり、
前記第２位相シフタは、前記各導波路の少なくともいずれかの温度を制御することにより、前記各導波路を通過する各光の位相差を調整可能であり、
前記位相ずれは、前記各導波路を通過した各光の位相差の所定値からのずれであり、
前記制御部は、前記干渉部における前記各光の干渉により得られた光のパワーに基づいて、前記位相ずれの大きさが前記所定の大きさより小さいか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
入力されたデータ信号に基づいて、前記光導波路を通過する光を位相変調するデータ変調部を備え、
前記制御部は、前記データ変調部による位相変調の開始前に、前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、マッハツェンダ干渉計型の光デバイスにおいて、ダイオード特性を有するアームの光導波路に電流を流すことにより位相シフトを行う技術が知られている（たとえば、下記特許文献１参照。）。また、マッハツェンダ変調器において、一方のアームに設けられた位相調整ヒータに電圧を与えることにより位相差を与える技術が知られている（たとえば、下記特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３３６６４号公報
【特許文献２】特開２０１７−１１１３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術では、たとえばダイオードを用いて位相シフトを行う構成においては、位相のシフト量が大きくなるほど光損失が大きくなるという問題がある。また、ヒータを用いて位相シフトを行う構成においては、微弱な位相ずれに追従して補正を行うことができないという問題がある。
【０００５】
１つの側面では、本発明は、光損失を抑制することができる光変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、１つの実施態様では、光を通過させる光導波路と、前記光導波路に設けられたダイオードに電流を流すことにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第１位相シフタと、前記光導波路の温度を調整することにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第２位相シフタと、前記光導波路を通過した光のパワーの検出結果に基づいて、前記光導波路を通過する光の位相ずれの大きさが所定の大きさより小さい場合は前記第１位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正し、前記位相ずれの大きさが前記所定の大きさ以上である場合は前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正する制御部と、を備える光変調器が提案される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一側面によれば、光損失を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施の形態にかかる光変調器の一例を示す図である。
【図２】図２は、実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電流特性の一例を示すグラフである。
【図３】図３は、実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電圧特性の一例を示すグラフである。
【図４】図４は、実施の形態にかかる光変調器における位相差対光パワー特性の一例を示すグラフである。
【図５】図５は、実施の形態にかかるヒータによる変調動作点の粗調整の一例を示すグラフである。
【図６】図６は、実施の形態にかかる光変調器における変調動作点のドリフトの一例を示すグラフである。
【図７】図７は、実施の形態にかかる光変調器の他の一例を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態にかかる光変調器によるヒータ設定の一例を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態にかかる光変調器による低速位相シフタ設定の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、実施の形態にかかる光変調器による処理の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に図面を参照して、本発明にかかる光変調器の実施の形態を詳細に説明する。
【００１０】
（実施の形態）
（実施の形態にかかる光変調器）
図１は、実施の形態にかかる光変調器の一例を示す図である。図１に示すＬＤ１０は、光を生成して光変調器１００へ出力する。ＬＤはＬａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ（レーザダイオード）の略語である。ＬＤ１０が出力する光は連続光である。実施の形態にかかる光変調器１００は、ＬＤ１０から出力された光を強度変調することにより光信号を生成する。また、たとえば、光変調器１００は、シリコン基板を用いて形成されるシリコン型の変調器である。
【００１１】
たとえば、光変調器１００は、分岐部１１０と、並行導波路１２１，１２２と、干渉部１３０と、分岐部１４１，１４２と、を備える。分岐部１１０、並行導波路１２１，１２２、干渉部１３０および分岐部１４１，１４２は、たとえばシリコン基板に形成された光導波路である。また、光変調器１００は、高速位相シフタ１５１，１５２と、低速位相シフタ１６１，１６２と、ヒータ１７１，１７２と、モニタＰＤ１８１，１８２と、制御部１９０と、を備える。ＰＤはＰｈｏｔｏ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒの略語である。
【００１２】
分岐部１１０は、ＬＤ１０から出力された光を分岐し、分岐した各光の一方を並行導波路１２１へ出力し、分岐した各光の他方を並行導波路１２２へ出力する。分岐部１１０は、たとえば２入力２出力の光カプラである。
【００１３】
並行導波路１２１，１２２は、互いに並行して設けられており、それぞれ分岐部１１０から出力された各光を通過させて干渉部１３０へ出力する。並行導波路１２１，１２２の各光路長はほぼ等しいが、製造誤差や経年劣化等によりわずかに異なる場合もある。以下、並行導波路１２１をＵｐｐｅｒ（アッパー）側、並行導波路１２２をＬｏｗｅｒ（ローワー）側と称する。
【００１４】
干渉部１３０は、並行導波路１２１，１２２から出力された各光を干渉させ、干渉により得られた各光をそれぞれ分岐部１４１，１４２へ出力する。干渉部１３０は、たとえば２入力２出力の光カプラである。
【００１５】
分岐部１４１は、干渉部１３０から出力された光を分岐し、分岐した各光の一方を光変調器１００の後段に出力し、分岐した各光の他方をモニタＰＤ１８１へ出力する。分岐部１４２は、干渉部１３０から出力された光を分岐し、分岐した各光の一方を光変調器１００の後段に出力し、分岐した各光の他方をモニタＰＤ１８２へ出力する。分岐部１４１，１４２のそれぞれは、たとえば、干渉部１３０から出力した光の一部を、たとえば分岐比が９０：１や９５：５などの光カプラによりモニタＰＤ１８１，１８２へ出力し、残りの光を透過させて光変調器１００の後段へ出力することで実現することができる。なお、光変調器１００の後段へ出力される光は、分岐部１４１，１４２のいずれかから出力される光のみでもよい。
【００１６】
高速位相シフタ１５１，１５２および低速位相シフタ１６１，１６２は、光変調器１００のシリコン基板にｐｎ接合を設けることにより形成されたダイオードである。シリコン基板に形成されたダイオードに流れる電流に応じてダイオードの屈折率が変化するため、ダイオードを通過する光を位相変調することができる。ダイオードはたとえばＰＩＮダイオード（ｐ−ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−ｎ  Ｄｉｏｄｅ）である。
【００１７】
高速位相シフタ１５１，１５２は、それぞれ並行導波路１２１，１２２に設けられており、図示しない駆動回路から入力されたデータ信号に応じて、それぞれ並行導波路１２１，１２２を通過する光を位相変調する（位相シフトさせる）データ変調部である。また、高速位相シフタ１５１，１５２は、高速なデータ信号に応じた位相変調が可能なように、たとえば低速位相シフタ１６１，１６２と比べて高速に動作する位相シフタである。
【００１８】
低速位相シフタ１６１，１６２およびヒータ１７１，１７２は、光変調器１００における変調動作点（バイアス）を調整するための位相シフタである。低速位相シフタ１６１，１６２は、それぞれ並行導波路１２１，１２２に設けられており、制御部１９０からの印加電圧に応じて、それぞれ並行導波路１２１，１２２を通過する光を位相変調する。また、低速位相シフタ１６１，１６２は、たとえば上述の高速位相シフタ１５１，１５２と比べて低速に動作し、後述のヒータ１７１，１７２と比べて高速に動作する位相シフタとすることができる。
【００１９】
ヒータ１７１，１７２は、それぞれ並行導波路１２１，１２２に沿って設けられており、制御部１９０からの印加電圧に応じて、それぞれ並行導波路１２１，１２２を通過する光を位相変調する位相シフタである。シリコン基板に形成された並行導波路１２１，１２２の温度を変化させると、並行導波路１２１，１２２の屈折率が変化するため、並行導波路１２１，１２２を通過する光を位相変調することができる。たとえば、ヒータ１７１，１７２は電熱線などにより実現することができる。
【００２０】
モニタＰＤ１８１，１８２は、それぞれ分岐部１４１，１４２から出力された光を電気信号に変換し、変換した電気信号を制御部１９０へ出力する。また、モニタＰＤ１８１，１８２は、たとえば高速位相シフタ１５１，１５２へ入力されるデータ信号のレートに対して低速に動作する。これにより、高速位相シフタ１５１，１５２が駆動中においても、モニタＰＤ１８１，１８２によって光変調器１００の光出力パワーの平均値、すなわち、変調動作点での光変調器１００の光出力パワーを測定することができる。
【００２１】
制御部１９０は、低速位相シフタ１６１，１６２にそれぞれ電圧を印加し、低速位相シフタ１６１，１６２への各印加電圧を制御することにより、低速位相シフタ１６１，１６２（ダイオード）に流れる電流を調整する。これにより、低速位相シフタ１６１，１６２における各光の位相シフト量を制御することができる。
【００２２】
また、制御部１９０は、ヒータ１７１，１７２にそれぞれ電圧を印加し、ヒータ１７１，１７２への各印加電圧を制御することにより、並行導波路１２１，１２２のうちヒータ１７１，１７２の付近の温度を調整する。これにより、並行導波路１２１，１２２のうちヒータ１７１，１７２の付近における各光の位相シフト量を制御することができる。
【００２３】
また、制御部１９０は、モニタＰＤ１８１，１８２から出力された各電気信号に基づいて、低速位相シフタ１６１，１６２への各印加電圧と、ヒータ１７１，１７２への各印加電圧と、を制御する。たとえば、制御部１９０は、モニタＰＤ１８１，１８２から出力された各電気信号に基づいて、干渉部１３０において干渉する各光の位相ずれの大きさや方向を判定し、この位相ずれを補正するように各印加電圧を制御する。位相ずれは、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相の最適な位相状態からのずれであり、たとえば後述の変調動作点の最適点からのずれである。位相ずれの補正は、位相ずれを小さくすること（変調動作点を最適点に近づけること）である。
【００２４】
図１に示した例では、たとえば並行導波路１２１において、前段から高速位相シフタ１５１、低速位相シフタ１６１、ヒータ１７１の順序で設ける構成について説明したが、これらの順序は入れ替えてもよい。一例としては、低速位相シフタ１６１とヒータ１７１の位置を入れ替えてもよい。同様に、並行導波路１２２において、前段から高速位相シフタ１５２、低速位相シフタ１６２、ヒータ１７２の順序で設ける構成について説明したが、これらの順序は入れ替えてもよい。
【００２５】
また、たとえば、高速位相シフタ１５１または低速位相シフタ１６１と、ヒータ１７１と、を並行導波路１２１における同じ場所に設けてもよい。この場合は、ヒータ１７１は、並行導波路１２１のうち高速位相シフタ１５１または低速位相シフタ１６１のダイオードが設けられた部分の温度を調整する。同様に、高速位相シフタ１５２または低速位相シフタ１６２と、ヒータ１７２と、を並行導波路１２２における同じ場所に設けてもよい。
【００２６】
（実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電流特性）
図２は、実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電流特性の一例を示すグラフである。図２において、横軸は電流［ｍＡ］を示し、縦軸は光の位相シフト量［ｒａｄ］および損失［ｄＢ］を示している。
【００２７】
電流対位相シフト量特性２０１は、低速位相シフタ１６１，１６２に用いるダイオード（ＰＩＮダイオード）に流れる電流［ｍＡ］に対する、低速位相シフタ１６１，１６２に用いるダイオードを通過する光の位相のシフト量［ｒａｄ］の特性を示している。電流対位相シフト量特性２０１に示すように、ダイオードに電流を流すほど、ダイオードを通過する光の位相のシフト量が増加する。
【００２８】
電流対損失特性２０２は、低速位相シフタ１６１，１６２に用いるダイオードに流れる電流［ｍＡ］に対する、低速位相シフタ１６１，１６２に用いるダイオードを通過する光の損失［ｄＢ］の特性を示している。電流対損失特性２０２に示すように、ダイオードに電流を流すほど、光吸収効果によりダイオードを通過する光の損失が大きくなる。すなわち、ダイオードに電流を流すほど、光の位相のシフト量が増加するが、同時に光の損失が大きくなる。一方で、ダイオードを用いる低速位相シフタ１６１，１６２は、ヒータ１７１，１７２による位相シフトよりも応答性に優れている。
【００２９】
（実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電圧特性）
図３は、実施の形態にかかる位相シフタに用いるダイオードの電圧特性の一例を示すグラフである。図３において、横軸は電圧［Ｖ］を示し、縦軸は消費電力［ｍＷ］を示している。電圧対消費電力特性３０１は、低速位相シフタ１６１，１６２に用いるダイオードに印加される電圧［Ｖ］に対する、低速位相シフタ１６１，１６２の消費電力の特性を示している。電圧対消費電力特性３０１に示すように、ダイオードに大きな電圧を印加すると消費電力が大きくなる。
【００３０】
（実施の形態にかかる光変調器における位相差対光パワー特性）
図４は、実施の形態にかかる光変調器における位相差対光パワー特性の一例を示すグラフである。図４において、横軸は、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を示し、縦軸は光パワーを示している。並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差とは、たとえば、並行導波路１２１を通過する光の位相から、並行導波路１２２を通過する光の位相を減じた値である。すなわち、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差が大きいほど、並行導波路１２２を通過する光の位相に対して、並行導波路１２１を通過する光の位相が相対的に進んでいること、もしくは遅れていることを意味する。
【００３１】
位相差対光パワー特性４０１は、ヒータ１７１，１７２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差に対する、干渉部１３０から出力される光のパワー（光出力パワー）の特性を示している。位相差対光パワー特性４０１に示すように、ヒータ１７１，１７２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差が変化すると光出力パワーが周期的に変化する。また、ヒータ１７１，１７２による位相シフトにおいては光吸収効果が生じないため、ヒータ１７１，１７２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差が大きくなっても光出力パワーの減衰はない。
【００３２】
位相差対光パワー特性４０２は、低速位相シフタ１６１，１６２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差に対する光出力パワーの特性を示している。位相差対光パワー特性４０２に示すように、低速位相シフタ１６１，１６２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差が変化すると光出力パワーが周期的に変化する。ただし、低速位相シフタ１６１，１６２による位相シフトにおいては光吸収効果が生じるため、低速位相シフタ１６１，１６２が並行導波路１２１，１２２を通過する各光に与える位相差が大きくなると光出力パワーの減衰４０３が生じる。減衰カーブ４０４は、低速位相シフタ１６１，１６２による光パワーの減衰を示している。
【００３３】
このため、仮に、並行導波路１２１，１２２を通過する各光に対して低速位相シフタ１６１，１６２のみで位相差を制御する構成とすると、位相差に応じて光の損失が大きくなる。したがって、たとえば光の損失を補償するためにＬＤ１０の出力を上げることになり、光変調器１００の消費電力が増加する。
【００３４】
また、仮に、並行導波路１２１，１２２を通過する各光に対してヒータ１７１，１７２のみで位相差を制御する構成とすると、ヒータ１７１，１７２による温度調整には時間がかかるため、各光の微弱な位相ずれに対する応答性が低くなる。このため、たとえば光変調器１００により得られる光信号の品質（たとえば消光比）が低下する。
【００３５】
実施の形態にかかる光変調器１００は、低速位相シフタ１６１，１６２とヒータ１７１，１７２を併用して並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を制御することで、光損失を抑制することができる。このため、たとえば光信号の品質の低下および消費電力の増加を抑制することができる。
【００３６】
（実施の形態にかかるヒータによる変調動作点の粗調整）
図５は、実施の形態にかかるヒータによる変調動作点の粗調整の一例を示すグラフである。図５において、図４に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。ヒータ１７１，１７２の各印加電圧を制御することにより、位相差対光パワー特性４０１における光変調器１００の変調動作点を粗調整することができる。
【００３７】
光変調器１００の変調動作点は、高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号に基づく変調を行っていない場合における、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差である。あるいは、光変調器１００の変調動作点は、高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号に基づく変調を行っている際に、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差が変化する範囲の中心（平均値）である。
【００３８】
一例として、ヒータ１７１，１７２の各印加電圧を制御することによりヒータ１７１，１７２の付近の各温度をともに４０［℃］にした状態を基準状態とする。このときの光変調器１００の変調動作点が変調動作点５０１であったとする。変調動作点が変調動作点５０１である状態で高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号に基づく位相変調を行うと、光変調器１００の光出力パワーはデータ信号に応じて最大値付近を中心として変化する。このため、データ信号に応じた強度変調を正常に行うことができない。
【００３９】
この場合に、光変調器１００は、たとえばＵｐｐｅｒ側のヒータの印加電圧を増加させてヒータ１７１の付近の温度を上昇させることで、並行導波路１２１を通過する光の位相を変化させ、変調動作点を最適点である変調動作点５０２に設定する。変調動作点が変調動作点５０２である状態で高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号に基づく位相変調を行うと、光変調器１００の光出力パワーはデータ信号に応じて最小値および最大値に変化するため、データ信号に応じた強度変調を正常に行うことができる。
【００４０】
または、光変調器１００は、Ｌｏｗｅｒ側のヒータの印加電圧を増加させてヒータ１７２の付近の温度を上昇させることで、並行導波路１２２を通過する光の位相を変化させ、変調動作点を他の最適点である変調動作点５０３に設定してもよい。変調動作点が変調動作点５０３である状態で高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号に基づく位相変調を行うと、光変調器１００の光出力パワーはデータ信号に応じて最小値および最大値に変化するため、データ信号に応じた強度変調を正常に行うことができる。
【００４１】
なお、干渉部１３０において干渉する各光の位相差は、たとえば並行導波路１２１，１２２の光路長の製造誤差などにより光変調器１００の個体ごとに異なる。このため、上述の変調動作点の調整は光変調器１００の個体ごとに行われる。
【００４２】
（実施の形態にかかる光変調器における変調動作点のドリフト）
図６は、実施の形態にかかる光変調器における変調動作点のドリフトの一例を示すグラフである。図６において、図５に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。光変調器１００の変調動作点が変調動作点５０３である場合に、高速位相シフタ１５１，１５２がデータ信号６１０に基づいて位相変調を行うと、光変調器１００の光出力パワーは動作範囲６２０で変化する。
【００４３】
たとえば、光変調器１００の光出力パワーは、データ信号６１０の値が“０”である場合は最小パワー６２１になり、データ信号６１０の値が“１”である場合は最大パワー６２２になる。このため、データ信号６１０に応じた強度変調（光のオン／オフ）を正常に行うことができる。
【００４４】
ただし、光変調器１００の動作時に、経年劣化や周辺温度の変動等により、位相差対光パワー特性４０１が位相差対光パワー特性６３１や位相差対光パワー特性６３２のように変化し、変調動作点が位相方向に変動するドリフトが発生する場合がある。この変動が微小でありかつ変動速度がヒータ１７１，１７２で追随できない場合は、ダイオードを用いた低速位相シフタ１６１，１６２により位相差を調整する。
【００４５】
（実施の形態にかかる光変調器の他の例）
図７は、実施の形態にかかる光変調器の他の一例を示す図である。図７において、図１に示した部分と同様の部分については同一の符号を付して説明を省略する。図７に示すように、光変調器１００は、図１に示した構成に加えて温度モニタ７０１，７０２を備えてもよい。温度モニタ７０１，７０２は、それぞれヒータ１７１，１７２の温度を測定し、測定した温度を示す温度情報を制御部１９０へ出力する。
【００４６】
また、制御部１９０は、たとえば、抵抗７１１，７１２と、ＡＤＣ７２１，７２２と、ＭＣＵ７３０と、ＤＡＣ７４１，７４２，７５１，７５２と、を備える。ＡＤＣはＡｎａｌｏｇ／Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（アナログ／デジタル変換器）の略語である。ＭＣＵはＭｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ（マイクロコントロールユニット）の略語である。ＤＡＣはＤｉｇｉｔａｌ／Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ（デジタル／アナログ変換器）の略語である。
【００４７】
抵抗７１１，７１２は、それぞれモニタＰＤ１８１，１８２から出力された電気信号を電流信号から電圧信号に変換する。そして、抵抗７１１，７１２は、変換した電気信号をそれぞれＡＤＣ７２１，７２２へ出力する。抵抗７１１からＡＤＣ７２１へ出力される電気信号は、Ｕｐｐｅｒ側の分岐部１４１における光パワーＰ（Ｕ）を電圧により示す信号である。抵抗７１２からＡＤＣ７２２へ出力される電気信号は、Ｌｏｗｅｒ側の分岐部１４２における光パワーＰ（Ｌ）を電圧により示す信号である。
【００４８】
ＡＤＣ７２１，７２２は、それぞれ抵抗７１１，７１２から出力された電気信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する。ＡＤＣ７２１は、変換した電気信号を、光パワーＰ（Ｕ）を示す光パワー情報としてＭＣＵ７３０へ出力する。ＡＤＣ７２２は、変換した電気信号を、光パワーＰ（Ｌ）を示す光パワー情報としてＭＣＵ７３０へ出力する。
【００４９】
ＭＣＵ７３０は、それぞれ低速位相シフタ１６１，１６２に印加するための電圧を示すデジタルの各電圧情報をそれぞれＤＡＣ７４１，７４２へ出力する。また、ＭＣＵ７３０は、それぞれヒータ１７１，１７２に印加するための電圧を示すデジタルの各電圧情報をそれぞれＤＡＣ７５１，７５２へ出力する。また、ＭＣＵ７３０は、それぞれ温度モニタ７０１，７０２から出力される温度情報が示すヒータ１７１，１７２の各温度が後述の目標温度になるように、ＤＡＣ７５１，７５２へ出力するデジタル信号を調整する。
【００５０】
また、ＭＣＵ７３０は、ＡＤＣ７２１，７２２から出力された各光パワー情報が示す光パワーＰ（Ｕ）および光パワーＰ（Ｌ）に基づいて、ＤＡＣ７４１，７４２，７５１，７５２へ出力する各電圧情報を制御する。
【００５１】
ＤＡＣ７４１，７４２は、ＭＣＵ７３０から出力されたデジタルの電圧信号をアナログの電圧に変換し、変換した電圧をそれぞれ低速位相シフタ１６１，１６２へ印加する。ＤＡＣ７５１，７５２は、ＭＣＵ７３０から出力されたデジタルの電圧信号をアナログの電圧に変換し、変換した電圧をそれぞれヒータ１７１，１７２へ印加する。
【００５２】
（実施の形態にかかる光変調器によるヒータ設定）
図８は、実施の形態にかかる光変調器によるヒータ設定の一例を示す図である。図８に示すテーブル８００は、光変調器１００のＭＣＵ７３０がヒータ１７１，１７２に対して行う設定を示している。
【００５３】
テーブル８００におけるヒータ設定ＨＳ（−２０）〜ＨＳ（２０）は、並行導波路１２１，１２２を通過する各光にヒータ１７１，１７２が与える位相差が１ステップずつ異なるヒータ１７１，１７２の目標温度の設定である。また、テーブル８００におけるＵｐｐｅｒ側のヒータの目標温度はヒータ１７１の目標温度を示す。また、テーブル８００におけるＬｏｗｅｒ側のヒータの目標温度はヒータ１７２の目標温度を示す。
【００５４】
ＭＣＵ７３０は、ヒータ１７１，１７２の制御を行う際に、ヒータ設定ＨＳ（−２０）〜ＨＳ（２０）のいずれかを選択する。そして、ＭＣＵ７３０は、温度モニタ７０１から出力される温度情報が、選択したヒータ設定に対応するＵｐｐｅｒ側のヒータの目標温度となるように、ＤＡＣ７５１へ出力する電圧情報を調整する。また、ＭＣＵ７３０は、温度モニタ７０２から出力される温度情報が、選択したヒータ設定に対応するＬｏｗｅｒ側のヒータの目標温度となるように、ＤＡＣ７５２へ出力する電圧情報を調整する。
【００５５】
たとえばヒータ設定ＨＳ（０）は、基準となる設定であって、ヒータ１７１，１７２の温度を所定の基準温度となるようにする設定である。基準温度は、一例としては４０［℃］である。
【００５６】
ヒータ設定ＨＳ（１）は、ヒータ設定ＨＳ（０）に対して、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を１ステップだけ増加させた設定であって、ヒータ１７１の温度が基準温度＋ΔＴとなり、ヒータ１７２の温度が基準温度となるようにする設定である。ΔＴは、所定単位の温度であり、一例としては１［℃］である。
【００５７】
ヒータ設定ＨＳ（２）は、ヒータ設定ＨＳ（１）に対して、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を１ステップだけ増加させた設定であって、ヒータ１７１の温度が基準温度＋２ΔＴとなり、ヒータ１７２の温度が基準温度となるようにする設定である。このように、ヒータ設定ＨＳ（１）〜ＨＳ（２０）は、基準となるヒータ設定ＨＳ（０）に対して、ヒータ１７１の目標温度をΔＴずつ増加させた各設定である。
【００５８】
ヒータ設定ＨＳ（−１）は、ヒータ設定ＨＳ（０）に対して、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を１ステップだけ減少させた設定であって、ヒータ１７１の温度が基準温度となり、ヒータ１７２の温度が基準温度＋ΔＴとなるようにする設定である。
【００５９】
ヒータ設定ＨＳ（−２）は、ヒータ設定ＨＳ（−１）に対して、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を１ステップだけ減少させた設定であって、ヒータ１７１の温度が基準温度となり、ヒータ１７２の温度が基準温度＋２ΔＴとなるようにする設定である。このように、ヒータ設定ＨＳ（−１）〜ＨＳ（−２０）は、基準となるヒータ設定ＨＳ（０）に対して、ヒータ１７２の目標温度をΔＴずつ増加させた各設定である。
【００６０】
図８に示したように、所定の基準温度に対して、ヒータ１７１，１７２のいずれかの温度を変化させることで、並行導波路１２１，１２２を通過する各光にヒータ１７１，１７２が与える位相差を増減することができる。
【００６１】
（実施の形態にかかる光変調器による低速位相シフタ設定）
図９は、実施の形態にかかる光変調器による低速位相シフタ設定の一例を示す図である。図９に示すテーブル９００は、光変調器１００のＭＣＵ７３０が低速位相シフタ１６１，１６２に対して行う設定を示している。
【００６２】
テーブル９００における低速位相シフタ設定ＰＳ（−２０）〜ＰＳ（２０）は、並行導波路１２１，１２２を通過する各光に低速位相シフタ１６１，１６２が与える位相差が１ステップずつ異なる低速位相シフタ１６１，１６２への印加電圧の設定である。また、テーブル９００におけるＵｐｐｅｒ側の低速位相シフタへの印加電圧は低速位相シフタ１６１への印加電圧を示す。また、テーブル９００におけるＬｏｗｅｒ側の低速位相シフタへの印加電圧は低速位相シフタ１６２への印加電圧を示す。
【００６３】
ＭＣＵ７３０は、低速位相シフタ１６１，１６２の制御を行う際に、低速位相シフタ設定ＰＳ（−２０）〜ＰＳ（２０）のいずれかを選択する。そして、ＭＣＵ７３０は、選択した低速位相シフタ設定に対応するＵｐｐｅｒ側の低速位相シフタへの印加電圧を示す電圧情報をＤＡＣ７４１へ出力する。また、ＭＣＵ７３０は、選択した低速位相シフタ設定に対応するＬｏｗｅｒ側の低速位相シフタへの印加電圧を示す電圧情報をＤＡＣ７４２へ出力する。
【００６４】
たとえば低速位相シフタ設定ＰＳ（０）は、基準となる設定であって、低速位相シフタ１６１，１６２への印加電圧を０［Ｖ］にする（ダイオードに電流を流さない）ようにする設定である。
【００６５】
低速位相シフタ設定ＰＳ（１）は、低速位相シフタ設定ＰＳ（０）に対して、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を１ステップだけ増加させた設定である。たとえば、低速位相シフタ設定ＰＳ（１）は、低速位相シフタ１６１への印加電圧がΔＶとなり、低速位相シフタ１６２への印加電圧が０［Ｖ］となるようにする設定である。ΔＶは、所定単位の電圧である。
【００６６】
低速位相シフタ設定ＰＳ（２）は、低速位相シフタ設定ＰＳ（１）に対して、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を１ステップだけ増加させた設定である。たとえば、低速位相シフタ設定ＰＳ（２）は、低速位相シフタ１６１への印加電圧が２ΔＶとなり、低速位相シフタ１６２への印加電圧が０［Ｖ］となるようにする設定である。このように、低速位相シフタ設定ＰＳ（１）〜ＰＳ（２０）は、基準となる低速位相シフタ設定ＰＳ（０）に対して、低速位相シフタ１６１への印加電圧をΔＶずつ増加させた各設定である。
【００６７】
低速位相シフタ設定ＰＳ（−１）は、低速位相シフタ設定ＰＳ（０）に対して、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を１ステップだけ減少させた設定である。たとえば、低速位相シフタ設定ＰＳ（−１）は、低速位相シフタ１６１への印加電圧が０［Ｖ］となり、低速位相シフタ１６２への印加電圧がΔＶとなるようにする設定である。
【００６８】
低速位相シフタ設定ＰＳ（−２）は、低速位相シフタ設定ＰＳ（−１）に対して、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を１ステップだけ減少させた設定である。たとえば、低速位相シフタ設定ＰＳ（−２）は、低速位相シフタ１６１への印加電圧が０［Ｖ］となり、低速位相シフタ１６２への印加電圧が２ΔＶとなるようにする設定である。このように、低速位相シフタ設定ＰＳ（−１）〜ＰＳ（−２０）は、基準となる低速位相シフタ設定ＰＳ（０）に対して、低速位相シフタ１６２への印加電圧をΔＶずつ増加させた各設定である。
【００６９】
図９に示したように、低速位相シフタ１６１，１６２のいずれかに電圧を印加しその電圧を変化させることで、並行導波路１２１，１２２を通過する各光に低速位相シフタ１６１，１６２が与える位相差を増減することができる。
【００７０】
（実施の形態にかかる光変調器による処理）
図１０は、実施の形態にかかる光変調器による処理の一例を示すフローチャートである。実施の形態にかかる光変調器１００は、たとえば図１０に示す処理を実行する。図１０に示す処理は、たとえば図６に示したＭＣＵ７３０により実行される。初期状態として、ＬＤ１０は光を出力しているが、光変調器１００は高速位相シフタ１５１，１５２および低速位相シフタ１６１，１６２を駆動していない状態とする。
【００７１】
まず、光変調器１００は、モニタＰＤ１８１，１８２から出力された各電気信号に基づいて光パワーＰ（Ｕ）および光パワーＰ（Ｌ）をモニタしながら、ヒータ設定をスイープする（ステップＳ１００１）。たとえば、光変調器１００は、ヒータ１７１，１７２の設定をヒータ設定ＨＳ（０），ＨＳ（１），ＨＳ（２），…，ＨＳ（２０），ＨＳ（−１），ＨＳ（−２），…，ＨＳ（−２０）の順に切り替えながら光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）を取得する。このとき、光変調器１００は、ヒータ設定を切り替えるごとに、温度モニタ７０１，７０２からの温度情報が示す温度がヒータ設定の目標温度になるまで待ってから光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）を取得する。
【００７２】
なお、ヒータ設定のスイープの順序はこれに限らず任意の順序にすることができる。たとえば、光変調器１００は、ヒータ設定を、ヒータ設定ＨＳ（０），ＨＳ（−１），ＨＳ（−２），…，ＨＳ（−２０），ＨＳ（０），ＨＳ（１），ＨＳ（２），…，ＨＳ（２０）の順に切り替えてもよい。または、光変調器１００は、ヒータ設定を、ヒータ設定ＨＳ（−２０），ＨＳ（−１９），…，ＨＳ（−１），ＨＳ（０），ＨＳ（１），ＨＳ（２），…，ＨＳ（２０）の順に切り替えてもよい。また、光変調器１００は、取得した光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）が等しくなった時点でヒータ設定のスイープを終了してもよい。
【００７３】
つぎに、光変調器１００は、ヒータ１７１，１７２の設定を、ステップＳ１００１によってスイープしたヒータ設定のうち、取得した光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）が等しくなったときのヒータ設定に設定する（ステップＳ１００２）。または、光変調器１００は、ヒータ１７１，１７２の設定を、ステップＳ１００１によってスイープしたヒータ設定のうち、取得した光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差が最小になったときのヒータ設定に設定してもよい。これにより、光変調器１００の変調動作点を最適点（たとえば図５に示した変調動作点５０２，５０３）に設定することができる。ここでは、変調動作点が変調動作点５０３になった場合について説明する。
【００７４】
つぎに、光変調器１００は、高速位相シフタ１５１，１５２の駆動、すなわちデータ信号に基づく変調を開始する（ステップＳ１００３）。つぎに、光変調器１００は、モニタＰＤ１８１，１８２から出力された各電気信号に基づいて、光パワーＰ（Ｕ）および光パワーＰ（Ｌ）が等しいか否かを判断する（ステップＳ１００４）。光パワーＰ（Ｕ）および光パワーＰ（Ｌ）が等しい場合（ステップＳ１００４：Ｙｅｓ）は、変調動作点が最適点に保たれていると判断することができる。この場合に、光変調器１００はステップＳ１００４へ戻る。
【００７５】
ステップＳ１００４において、光パワーＰ（Ｕ）および光パワーＰ（Ｌ）が等しくない場合（ステップＳ１００４：Ｎｏ）は、経年劣化や周辺温度の変動等により変調動作点が最適点からずれたと判断することができる。この場合に、光変調器１００は、光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きいか否かを判断する（ステップＳ１００５）。
【００７６】
ステップＳ１００５において、光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きい場合（ステップＳ１００５：Ｙｅｓ）は、光変調器１００は、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さいか否かを判断する（ステップＳ１００６）。所定値ｅは、一例としては０．５［ｍＷ］とすることができる。ただし、所定値ｅは、これに限らず、たとえばＬＤ１０の出力パワー、許容可能な光損失、許容可能な信号品質の低下などに応じて任意に設定することができる。
【００７７】
ステップＳ１００６において、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さい場合（ステップＳ１００６：Ｙｅｓ）は、光変調器１００は、ステップＳ１００７へ移行する。すなわち、光変調器１００は、低速位相シフタ設定の設定を、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を現状より１ステップだけ増加させる低速位相シフタ設定に変更し（ステップＳ１００７）、ステップＳ１００４へ戻る。ステップＳ１００７において、たとえば、光変調器１００は、変更前の低速位相シフタ設定がＰＳ（０）であった場合は、低速位相シフタ設定をＰＳ（１）に変更する。
【００７８】
ステップＳ１００６において、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さくない場合（ステップＳ１００６：Ｎｏ）は、光変調器１００は、ステップＳ１００８へ移行する。すなわち、光変調器１００は、ヒータ設定を、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を現状より１ステップだけ増加させるヒータ設定に変更し（ステップＳ１００８）、ステップＳ１００４へ戻る。ステップＳ１００８において、たとえば、光変調器１００は、変更前のヒータ設定がＨＳ（０）であった場合は、ヒータ設定をＨＳ（１）に変更する。
【００７９】
ステップＳ１００５において、光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きくない場合（ステップＳ１００５：Ｎｏ）は、光変調器１００は、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さいか否かを判断する（ステップＳ１００９）。
【００８０】
ステップＳ１００９において、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さい場合（ステップＳ１００９：Ｙｅｓ）は、光変調器１００は、ステップＳ１０１０へ移行する。すなわち、光変調器１００は、低速位相シフタ設定を、低速位相シフタ１６１，１６２が各光に与える位相差を現状より１ステップだけ減少させる低速位相シフタ設定に変更し（ステップＳ１０１０）、ステップＳ１００４へ戻る。ステップＳ１０１０において、たとえば、光変調器１００は、変更前の低速位相シフタ設定がＰＳ（０）であった場合は、低速位相シフタ設定をＰＳ（−１）に変更する。
【００８１】
ステップＳ１００９において、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値が所定値ｅより小さくない場合（ステップＳ１００９：Ｎｏ）は、光変調器１００は、ステップＳ１０１１へ移行する。すなわち、光変調器１００は、ヒータ１７１，１７２の設定を、ヒータ１７１，１７２が各光に与える位相差を現状より１ステップだけ減少させるヒータ設定に変更し（ステップＳ１０１１）、ステップＳ１００４へ戻る。ステップＳ１０１１において、たとえば、光変調器１００は、変更前のヒータ設定がＨＳ（０）であった場合は、ヒータ設定をＨＳ（−１）に変更する。
【００８２】
図１０に示したように、光変調器１００は、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）を比較することにより位相ずれの方向を判定するとともに、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値に基づいて位相ずれの大小を判定する。そして、光変調器１００は、位相ずれが小さい場合は低速位相シフタ設定を変更し、位相ずれが大きい場合はヒータ設定を変更することにより、位相ずれを補正する制御を行う。
【００８３】
ステップＳ１００２において変調動作点が変調動作点５０３になった場合について説明したが、ステップＳ１００２において変調動作点が変調動作点５０２になった場合は、ステップＳ１００５〜Ｓ１０１１における位相差の制御の増減が逆になる。すなわち、光変調器１００は、ステップＳ１００５において、光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きい場合（ステップＳ１００５：Ｙｅｓ）はステップＳ１００９へ移行する。また、光変調器１００は、ステップＳ１００５において、光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きくない場合（ステップＳ１００５：Ｎｏ）はステップＳ１００６へ移行する。
【００８４】
また、光変調器１００は、ステップＳ１００２において変調動作点が変調動作点５０２，５０３のいずれになったかについて、たとえばステップＳ１００１のスイープの結果に基づいて判断することができる。たとえば、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）が等しくなったときのヒータ設定よりも各光に与える位相差が１ステップだけ多いヒータ設定において光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より大きい場合は、変調動作点は変調動作点５０３になったと判断することができる。また、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）が等しくなったときのヒータ設定よりも各光に与える位相差が１ステップだけ多いヒータ設定において光パワーＰ（Ｕ）が光パワーＰ（Ｌ）より小さい場合は、変調動作点は変調動作点５０２になったと判断することができる。
【００８５】
また、ステップＳ１００７，Ｓ１００８，Ｓ１０１０，Ｓ１０１１において、光変調器１００が、位相差を１ステップ変化させるようにヒータ設定または低速位相シフタ設定を変更する処理について説明したが、このような処理に限らない。たとえば、光変調器１００は、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値に応じたステップ数だけ位相差を変化させるようにヒータ設定または低速位相シフタ設定を変更してもよい。
【００８６】
また、光パワーＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）に基づいてヒータ設定または低速位相シフタ設定を変更する処理について説明したが、このような処理に限らない。たとえば、光変調器１００は、ステップＳ１００１において設定したヒータ設定におけるＰ（Ｕ）（＝Ｐ（Ｌ））をＰ（０）として記憶しておき、ステップＳ１００４〜Ｓ１００６，Ｓ１００９においてはＰ（Ｌ）に代えてこのＰ（０）を用いてもよい。これにより、変調動作点の最適点における光出力パワーを基準として、位相ずれの方向や大きさを判定することができる。
【００８７】
このように、実施の形態にかかる光変調器１００は、位相ずれが比較的小さい場合は、ダイオードを用いる低速位相シフタ１６１，１６２（第１位相シフタ）を制御することにより位相ずれを補正する。微弱な位相ずれに対する応答速度を向上させることができる。位相ずれの大きさは、たとえば上述のＰ（Ｕ），Ｐ（Ｌ）の差の絶対値である。
【００８８】
また、光変調器１００は、位相ずれが比較的大きい場合は、温度調整を用いるヒータ１７１，１７２（第２位相シフタ）を制御することにより位相ずれを補正する。これにより、大きな位相ずれを補正する際の光損失を抑制することができる。
【００８９】
したがって、実施の形態にかかる光変調器１００は、微弱な位相ずれに追従して補正を行いつつ、光損失を抑制することができる。このため、たとえば、光変調器１００により得られる光信号の品質の低下を抑制しつつ、消費電力の増加を抑制することができる。
【００９０】
たとえば、低速位相シフタ１６１，１６２は、並行導波路１２１，１２２のそれぞれに設けられたダイオードに電流を流すことにより、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を調整可能である。また、ヒータ１７１，１７２は、並行導波路１２１，１２２の各温度を制御することにより、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を調整可能である。
【００９１】
この場合に、上述の位相ずれは、並行導波路１２１，１２２を通過して干渉部１３０において干渉する各光の位相差の平均値（変調動作点）の所定値（最適点）からのずれである。また、光変調器１００は、干渉部１３０における各光の干渉により得られた各光のパワーに基づいて、位相ずれの大小を判定する。
【００９２】
また、光変調器１００は、高速位相シフタ１５１，１５２による位相変調の開始前に、位相ずれの大きさに関わらず、ヒータ１７１，１７２を制御することにより位相ずれを補正してもよい。この場合に、光変調器１００は、高速位相シフタ１５１，１５２による位相変調の開始後に、上述のように位相ずれの大きさに応じて低速位相シフタ１６１，１６２またはヒータ１７１，１７２を制御することにより位相ずれを補正する。これにより、製造誤差等による位相ずれを、光変調器１００の運用前に、ヒータ１７１，１７２を制御することにより補正しておくことができる。このため、光変調器１００の運用中における低速位相シフタ１６１，１６２による位相シフト量を少なくし、光変調器１００の消費電力を低減することができる。
【００９３】
また、上述した実施の形態において、並行導波路１２１，１２２にそれぞれ低速位相シフタ１６１，１６２を設ける構成について説明したが、低速位相シフタ１６１，１６２のいずれかを省いた構成としてもよい。すなわち、低速位相シフタ１６１，１６２の一方のみの位相変調であっても、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を変化させることができる。
【００９４】
また、上述した実施の形態において、並行導波路１２１，１２２にそれぞれヒータ１７１，１７２を設ける構成について説明したが、ヒータ１７１，１７２のいずれかを省いた構成としてもよい。すなわち、ヒータ１７１，１７２の一方のみの位相変調であっても、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を変化させることができる。
【００９５】
また、並行導波路１２１，１２２の各温度を調整する構成としてヒータ１７１，１７２について説明したが、並行導波路１２１，１２２の各温度を調整する構成はヒータ１７１，１７２に限らない。たとえば、並行導波路１２１，１２２の各温度を調整する構成として、並行導波路１２１，１２２を冷却する素子等を用いてもよい。すなわち、並行導波路１２１，１２２の冷却によっても、並行導波路１２１，１２２を通過する各光の位相差を変化させることができる。
【００９６】
以上説明したように、光変調器によれば、光損失を抑制することができる。
【００９７】
たとえば、変調動作点をヒータ１７１，１７２により最適点に移動させ、細かな微調整はダイオードを用いた低速位相シフタ１６１，１６２により行うことができる。すなわち、微弱な位相ずれに対しては高速に応答可能な低速位相シフタ１６１，１６２により補正を行い、大きな位相ずれに対しては位相シフト量が増加しても光損失が増加しないヒータ１７１，１７２により補正を行うことができる。これにより、光損失を抑制することができる。
【００９８】
上述した各実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００９９】
（付記１）光を通過させる光導波路と、
前記光導波路に設けられたダイオードに電流を流すことにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第１位相シフタと、
前記光導波路の温度を調整することにより、前記光導波路を通過する前記光の位相を調整可能な第２位相シフタと、
前記光導波路を通過した光のパワーの検出結果に基づいて、前記光導波路を通過する光の位相ずれの大きさが所定の大きさより小さい場合は前記第１位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正し、前記位相ずれの大きさが前記所定の大きさ以上である場合は前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正する制御部と、
を備えることを特徴とする光変調器。
【０１００】
（付記２）前記光導波路は、入力された光を分岐する分岐部と、前記分岐部により分岐された各光を通過させる各導波路と、前記各導波路を通過した各光を干渉させる干渉部と、を有し、
前記第１位相シフタは、前記各導波路の少なくともいずれかに設けられた前記ダイオードに電流を流すことにより、前記各導波路を通過する各光の位相差を調整可能であり、
前記第２位相シフタは、前記各導波路の少なくともいずれかの温度を制御することにより、前記各導波路を通過する各光の位相差を調整可能であり、
前記位相ずれは、前記各導波路を通過した各光の位相差の所定値からのずれであり、
前記制御部は、前記干渉部における前記各光の干渉により得られた光のパワーに基づいて、前記位相ずれの大きさが前記所定の大きさより小さいか否かを判定する、
ことを特徴とする付記１に記載の光変調器。
【０１０１】
（付記３）前記制御部は、前記干渉部における前記各光の干渉により得られた各光のパワーの差が小さくなるように前記第１位相シフタおよび前記第２位相シフタの少なくともいずれかを制御することにより前記位相ずれを補正することを特徴とする付記２に記載の光変調器。
【０１０２】
（付記４）入力されたデータ信号に基づいて、前記光導波路を通過する光を位相変調するデータ変調部を備えることを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１０３】
（付記５）入力されたデータ信号に基づいて、前記光導波路を通過する光を位相変調するデータ変調部を備え、
前記制御部は、前記データ変調部による位相変調の開始前に、前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正する、
ことを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の光変調器。
【０１０４】
（付記６）前記制御部は、前記データ変調部による位相変調の開始前に、前記第１位相シフタのダイオードに電圧を印加しない状態で前記第２位相シフタを制御することにより前記位相ずれを補正することを特徴とする付記５に記載の光変調器。
【０１０５】
（付記７）前記第２位相シフタはヒータであることを特徴とする付記１〜６のいずれか一つに記載の光変調器。
【符号の説明】
【０１０６】
１０  ＬＤ
１００  光変調器
１１０，１４１，１４２  分岐部
１２１，１２２  並行導波路
１３０  干渉部
１５１，１５２  高速位相シフタ
１６１，１６２  低速位相シフタ
１７１，１７２  ヒータ
１８１，１８２  モニタＰＤ
１９０  制御部
２０１  電流対位相シフト量特性
２０２  電流対損失特性
３０１  電圧対消費電力特性
４０１，４０２，６３１，６３２  位相差対光パワー特性
４０３  減衰
４０４  減衰カーブ
５０１〜５０３  変調動作点
６１０  データ信号
６２０  動作範囲
６２１  最小パワー
６２２  最大パワー
７０１，７０２  温度モニタ
７１１，７１２  抵抗
７２１，７２２  ＡＤＣ
７３０  ＭＣＵ
７４１，７４２，７５１，７５２  ＤＡＣ
８００，９００  テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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