(57)【要約】【課題】配線の湾曲に対する所望の耐性を有しつつ、配線を設けるのに必要な平面視での面積を減少させることができる表示装置を提供する。【解決手段】画素アレイ部を備える表示領域と、前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号が供給される接続端子を備える端子領域と、前記表示領域と前記端子領域とを連結する湾曲領域と、を有する表示装置であって、前記表示装置は、前記湾曲領域に、可撓性を有する下地層と、前記下地層上に設けられ、前記画素アレイ部側から前記接続端子側に延伸する接続配線と、を備え、前記下地層の上面は、前記接続配線が前記下地層の厚さ方向に延伸方向を繰り返し変化するように凹凸形状を有する、ことを特徴とする。【選択図】図８
2019191525.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素アレイ部を備える表示領域と、
前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号が供給される接続端子を備える端子領域と、
前記表示領域と前記端子領域とを連結する湾曲領域と、
を有する表示装置であって、
前記表示装置は、前記湾曲領域に、
可撓性を有する下地層と、
前記下地層上に設けられ、前記画素アレイ部側から前記接続端子側に延伸する接続配線と、を備え、
前記下地層の上面は、前記接続配線が前記下地層の厚さ方向に延伸方向を繰り返し変化するように凹凸形状を有する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記凹凸形状は、楔型形状である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記凹凸形状は、波型形状である、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記接続配線は、平面視で、非直線形状で設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記接続配線は、湾曲方向と平行となる箇所が、前記凹凸形状が有する頂部及び底部を通過するように設けられる、
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記接続配線は、湾曲方向と平行となる箇所が、少なくとも前記凹凸形状が有する頂部及び底部を通過しないように設けられる、
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記接続配線は、前記湾曲方向と平行となる前記箇所が、前記凹凸形状が有する前記頂部と前記底部との間の面上を通過するように設けられる、
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記接続配線は、平面視で、直線形状で設けられる、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の表示装置。
【請求項９】
可撓性を有し、かつ前記下地層と共に前記接続配線を挟む被覆層を、前記湾曲領域に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記被覆層の上面は、前記凹凸形状と同様の凹凸形状を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記被覆層の上面は、前記凹凸形状に関わらず、平坦化されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記接続配線は、前記表示領域外の周辺領域及び前記端子領域において電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に、表示装置の配線の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネルの表示領域より外側に設けられる、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）やフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）の実装部を表示領域の裏側に湾曲することで狭額縁化を図ることが可能なフレキシブル表示装置が開発されている。
【０００３】
下記特許文献１及び２には、湾曲を行う領域に設けられる配線が平面視で非直線的な形状で配置されることで、湾曲に対する耐性を向上させる点が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０１７４３０４号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１７／０３０２７７２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、平面視で非直線的な形状で配線を設けると、配線１本あたりに必要な平面視での面積が増加してしまう。そのため、配線を直線で設ける場合と比較して、同じ本数の配線を設けるために平面視で必要な面積が増加してしまう。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線の湾曲に対する所望の耐性を有しつつ、配線を設けるのに必要な平面視での面積を減少させることができる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の表示装置の一態様は、画素アレイ部を備える表示領域と、前記表示領域の裏面側に配置され、外部から信号が供給される接続端子を備える端子領域と、前記表示領域と前記端子領域とを連結する湾曲領域と、を有する表示装置であって、前記表示装置は、前記湾曲領域に、可撓性を有する下地層と、前記下地層上に設けられ、前記画素アレイ部側から前記接続端子側に延伸する接続配線と、を備え、前記下地層の上面は、前記接続配線が前記下地層の厚さ方向に延伸方向を繰り返し変化するように凹凸形状を有する、ことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。
【図２】表示パネルの構成を説明する斜視図である。
【図３】表示パネルの構成を説明する平面図である。
【図４】表示パネルの構成を説明する断面図である。
【図５】表示パネルを湾曲させた状態を示す図である。
【図６】表示パネルを湾曲させた状態での構成を説明する断面図である。
【図７】接続配線層の形状を概略的に示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態における湾曲領域の構造を説明する斜視図である。
【図９】本発明の第１の実施形態における湾曲領域の構造を模式的に説明する平面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態における湾曲領域の構造を模式的に説明する側面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態の変形例１における湾曲領域の構造を模式的に説明する平面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態の変形例２における湾曲領域の構造を模式的に説明する平面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態における湾曲領域の構造を説明する斜視図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態における湾曲領域の構造を模式的に説明する平面図である。
【図１５】本発明の第２の実施形態における湾曲領域の構造を模式的に説明する側面図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態における湾曲領域の構造を模式的に説明する正面図である。
【図１７】本発明の第２の実施形態の変形例における湾曲領域の構造を模式的に説明する平面図である。
【図１８】本発明の第２の実施形態の変形例における湾曲領域の構造を模式的に説明する正面図である。
【図１９】本発明の一実施形態における湾曲領域の構造を拡大して説明する図である。
【図２０】本発明の一実施形態における湾曲領域の構造を拡大して説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上又は直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１を概略的に示す図である。図に示すように、表示装置１は、上フレーム１０及び下フレーム２０に挟まれるように固定された表示パネル１００を含むように構成されている。
【００１２】
次に、本実施形態に係る表示装置１が有する表示パネル１００の構成を、図２及び３を参照して説明する。図２は、表示パネル１００の構成を説明する斜視図である。図３は、表示パネル１００の構成を説明する平面図である。
【００１３】
本実施形態に係る表示パネル１００は、第１基板１０２と、第２基板１０４と、第３基板１１６と、第４基板１２４を有している。なお図２では、第４基板１２４の図示を省略する。
【００１４】
第１基板１０２、第２基板１０４、第３基板１１６及び第４基板１２４は、それぞれポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有する樹脂製の基板である。基板の厚さは例として、１０乃至２０μｍで形成される。また、第１基板１０２は、表示領域１０６と、湾曲領域１１８と、額縁領域１２０と、を含む。
【００１５】
第１基板１０２の一端部には、さらに、基板接続部１１４が設けられている。基板接続部１１４には、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネル１００とを接続する、配線基板である第３基板１１６が配置される。
【００１６】
表示領域１０６は、複数の画素１０８がマトリクス状に配置された画素アレイ部を有する。画素アレイ部は、各画素に、画素を点灯させるための電源や信号を供給する端子を少なくとも１つ含む。画素アレイ部に含まれる当該端子は、例えば、第３基板１１６上に設けられるドライバＩＣ１１２から、湾曲領域１１８に設けられる接続配線１２２を介して供給される、走査信号、映像信号や電源が入力される端子である。
【００１７】
表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲むシール材１１０によって、第１基板１０２に固定されている。第１基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。
【００１８】
額縁領域１２０は、表示領域１０６の周囲に配置される。具体的には、額縁領域１２０には、表示領域１０６を含むように無機膜２０４（図４を参照）が配置される。左右の額縁には、無機膜２０４の上層に、画素アレイ部の行を選択する信号を生成する回路等が配置される。上下の額縁には、電源を引き回す配線や、データ信号を分配する配線等が配置される。
【００１９】
湾曲領域１１８は、表示領域１０６と接続領域１３０とを連結し、画素アレイ部と接続端子１２８との間に配置される接続配線１２２を有する。
【００２０】
第３基板１１６及び第４基板１２４は、端子領域１３０を含む。端子領域１３０は、湾曲領域１１８における湾曲によって、表示領域１０６の裏面側に配置される。また端子領域１３０は、外部装置から信号を供給される接続端子１２８を有し、接続端子１２８も、第３基板１１６及び／又は第４基板１２４に配置されることで、表示領域１０６の裏面側に配置される。
【００２１】
第３基板１１６は、第１基板１０２と接続される配線基板である。第３基板１１６には、ドライバＩＣ１１２が配置される。ドライバＩＣ１１２は、第４基板１２４から供給されたデータ信号や電源電圧を、接続配線１２２を介して画素アレイ部に供給する。画素アレイ部に含まれる複数の画素１０８は、当該電源やデータ信号によって発光し、表示領域１０６に画像が表示される。
【００２２】
第４基板１２４は、第３基板１１６と接続される。第４基板１２４には、回路部品１２６や接続端子１２８が配置される。接続端子１２８は、例えば外部接続用コネクタであって、画素アレイ部に電源やデータ信号を供給する外部装置と接続される。また、接続端子１２８は、当該電源やデータ信号を回路部品１２６によって形成される電子回路（図示なし）に供給する。当該電子回路が生成した電源やデータ信号は、接続配線１２２を介して画素アレイ部に供給される。
【００２３】
続いて、湾曲される前の状態における、表示パネル１００の断面について説明する。なおここでは例として、有機ＥＬ表示パネルでの構成を示す。図４は、図３の表示領域１０６から湾曲領域１１８にかけての断面を示す図である。なお、後述する湾曲された状態における断面図（図６を参照）は、表示パネル１００がスペーサや補強フィルム等を含む構成を記載しているが、図４では、スペーサや補強フィルム等は省略する。
【００２４】
第１基板１０２は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有するフィルムである。第１基板１０２の表面には、第１基板１０２が含有する不純物に対するバリアとなる無機膜２０４が配置される。無機膜２０４は、下地絶縁層である。無機膜２０４は、窒化膜、酸化膜を交互に配置した３層又は５層の膜で形成される。窒化膜及び酸化膜は、２０乃至５０ｎｍ又は１００乃至５００ｎｍの厚さである。
【００２５】
無機膜２０４の上には半導体層２００が積層される。当該半導体層２００により画素回路のトランジスタ２０２や、周辺回路のトランジスタ２０２のチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層２００は、ａ−Ｓｉ層をＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）処理することで形成されるｐ−Ｓｉ層である。半導体層２００は、例えば５０ｎｍの厚さである。
【００２６】
半導体層２００の上に、シリコン酸化物等からなるゲート絶縁膜２０６が配置される。詳細は後述するが、上述の湾曲領域１１８において、少なくともゲート絶縁膜２０６の上面は凹凸形状を有する。また、無機膜２０４の上面も凹凸形状を有していてもよい。この場合、無機膜２０４上に設けられるゲート絶縁膜２０６の上面も、無機膜２０４上面の凹凸形状と同様の凹凸形状となるよう設けられる。ゲート絶縁膜２０４は、例えば、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４によって、８０乃至１００ｎｍの厚さで形成される。なお、以後湾曲領域１１８内の第１基板１０２、無機膜２０４及びゲート絶縁膜２０６による積層構造を下地層３００と呼称する。
【００２７】
下地層３００の上には、接続配線１２２が配置される。接続配線１２２は、上述の下地層３００（ゲート絶縁膜２０６）の上面が有する凹凸形状に沿うように形成される。接続配線１２２は、ＭｏＷによって形成される。また、接続配線１２２は、１００乃至２００ｎｍの厚さのＴｉ、１００乃至３００ｎｍの厚さのＴｉＡｌ、１００乃至２００ｎｍの厚さのＴｉを積層して形成してもよい。
【００２８】
上述の凹凸形状は、接続配線１２２が下地層３００の厚さ方向に延伸方向を繰り返し変化させた形状である。その上でこの凹凸形状は、更に楔型形状や波型形状であることがより好ましい。またこの凹凸形状は、湾曲領域１１８内において、少なくとも接続配線１２２が設けられる領域に設けられていればよい。
【００２９】
層間絶縁膜及び接続配線１２２の被覆膜として、ゲート絶縁膜２０６及び接続配線１２２上に、第１無機絶縁膜２０８が配置される。湾曲領域１１８内の第１無機絶縁膜２０８は、下地層３００の上面及び接続配線１２２が有する凹凸形状に沿うよう設けられてもよい。又は、下湾曲領域１１８内の第１無機絶縁膜２０８は、下地層３００の上面及び接続配線１２２が有する凹凸形状を平坦化するように設けられてもよい。第１無機絶縁膜２０８は、例えば、３００ｎｍの厚さの窒化膜と、３００乃至４００ｎｍの酸化膜を積層して形成される。
【００３０】
第１無機絶縁膜２０８の上には、画素配線層２１０が配置される。画素配線層２１０は、例えば、１００乃至２００ｎｍの厚さのＭｏ、３００乃至６００ｎｍの厚さのＡｌＮｄ及び３０乃至１００ｎｍの厚さのＭｏを積層して形成される。また、画素配線層２１０は、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉを積層して形成してもよい。画素配線層２１０は、無機膜２０４及びゲート絶縁膜２０６を貫通するコンタクトホールを介して、下部電極２２０及び反射膜２１８と、トランジスタ２０２の半導体層２００と、を電気的に接続する。
【００３１】
画素配線層２１０を覆って、有機材料からなる有機平坦化膜２１２が配置される。有機平坦化膜２１２は、２乃至３μｍの厚さで、ポリイミドやアクリル樹脂等によって形成される。有機平坦化膜２１２は、有機平坦化膜２１２の下層の段差を平坦にする。
【００３２】
有機平坦化膜２１２などから有機ＥＬ膜２１６への水分浸入を防止するために、有機平坦化膜２１２の表面に第２無機絶縁膜２１４が配置される。第２無機絶縁膜２１４は、防湿性及び絶縁性を有する材料で形成される。例えば、第２無機絶縁膜２１４は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される。第２無機絶縁膜２１４は、窒化膜によって、例えば２００ｎｍの厚さで形成されてもよい。
【００３３】
第２無機絶縁膜２１４の上に反射膜２１８及び下部電極２２０が配置される。反射膜２１８は、例えば、ＭｇＡｇ等の光を反射する材料で形成される。下部電極２２０は、第２無機絶縁膜２１４及び有機平坦化膜２１２を貫通するコンタクトホールを介して、トランジスタ２０２のソース電極に電気的に接続される。具体的には、例えば、下部電極２２０は、３０乃至６０ｎｍの厚さの酸化インジウム・スズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）と、１００乃至１５０ｎｍの厚さの銀と、１０乃至２０ｎｍの厚さの酸化インジウム・スズを積層して形成される。酸化インジウム・スズの代わりに酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）を用いてもよい。下部電極２２０は、各画素の配置される有機ＥＬ素子のアノードに相当する。
【００３４】
有機バンク層２２２は、反射膜２１８及び下部電極２２０の上に配置される。有機バンク層２２２は、画素の境界に沿って配置され、有機ＥＬ膜２１６の発光面の位置に開口部を有する。当該開口部の底部には、発光層を含む有機ＥＬ膜２１６が配置される。有機バンク層２２２は、ポリイミドやアクリル樹脂等を用いて、１乃至２μｍの厚さで配置される。
【００３５】
有機ＥＬ膜２１６は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を含んで形成される。発光層は、画素毎に、赤色、緑色及び青色の光を発する材料を用いて形成される。
【００３６】
有機ＥＬ膜２１６の上に上部電極２２４が配置される。上部電極２２４は表示領域１０６から額縁領域１２０にわたって配置される。上部電極２２４は、画素アレイ部全体の画素に亘る共通電極である。上部電極２２４は、有機ＥＬ膜２１６が発する光を透過する材料で形成される。例えば、上部電極２２４は酸化インジウム亜鉛や酸化インジウム・スズなどの透明導電材で形成される。なお、上部電極２２４は、コンタクトホールを介して、額縁領域１２２に形成された下部電極２２０と電気的に接続される。上部電極２２４は、各画素の配置される有機ＥＬ素子のカソードに相当する。
【００３７】
下部電極２２０、有機ＥＬ膜２１６及び上部電極２２４からなる有機ＥＬ素子が配置された表示領域１０６全体に、有機ＥＬ膜２１６の上面を封止し有機ＥＬ膜２１６の水分による劣化を防止する封止膜が配置される。封止膜は、第１無機封止膜２２６と、有機封止膜２２８と、第２無機封止膜２３０と、が積層して形成される。例えば、封止膜は、１乃至１０μｍの厚さの窒化膜と、５乃至５０μｍの厚さの樹脂層と、１乃至１０μｍの厚さの窒化膜と、が積層して形成される。
【００３８】
また、表示パネル１００は、図４の右端部に画素配線層２１０が露出した外部コンタクト部２３２を有する。外部コンタクト部２３２において、画素配線層２１０と、第３基板１１６に配置された端子が電気的に接続される。
【００３９】
続いて、湾曲された後の状態における、表示パネル１００について説明する。表示パネル１００は、外部コンタクト部２３２に第３基板１１６が接続された後、湾曲される。図５は、表示パネル１００が湾曲された状態を示す図である。湾曲領域１１８が湾曲されることによって、第３基板１１６及び第４基板１２４は、表示領域１０６の裏側に配置される。
【００４０】
図６は、湾曲領域１１８の近傍における表示パネル１００の模式的な断面を示す図である。図６に示すように、表示パネル１００は、第１基板１０２と、保護フィルム３０と、偏光板３２と、第１補強フィルム３４と、熱拡散シート３６と、スペーサ３８と、第２補強フィルム４０と、を含む。
【００４１】
第１基板１０２は、湾曲領域１１８において湾曲される。なお図４では、半導体層２００乃至第２無機封止膜２３０が表示パネル１００に含まれる構成を記載しているが、ここでは半導体層２００乃至第２無機封止膜２３０の図示を省略する。
【００４２】
保護フィルム３０は、表示パネル１００を保護するフィルムである。具体的には、保護フィルム３０は、第１基板１０２に配置された第２無機封止膜の表面を保護するフィルムである。
【００４３】
偏光板３２は、表示パネル１００に入射した外光の反射を低減する。偏光板３２により、表示装置１の視認性が向上する。
【００４４】
第１補強フィルム３４は、表示パネル１００を補強するフィルムである。第１補強フィルム３４は、湾曲された状態の表示パネル１００の平坦な領域に配置される。具体的には、第１補強フィルム３４は、表示パネル１００の表示領域１０６の裏面に配置される。
【００４５】
熱拡散シート３６は、表示パネル１００の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート３６は、表示パネル１００の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、表示パネル１００全体に拡散する。熱拡散シート３６により、表示パネル１００の一部だけ高温になる状態を防止する。
【００４６】
スペーサ３８は、折り曲げられた表示パネル１００の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ３８は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。スペーサ３８により、表示パネル１００に厚み方向の圧力が加わっても湾曲領域１１８の曲率が許容範囲に保たれる。
【００４７】
また、スペーサ３８の端部は、湾曲領域１１８の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ３８の端部を湾曲領域１１８の背面に当接させることで、湾曲領域１２０の表面に圧力が加わっても湾曲領域１１８の形状を一定に保つことができる。スペーサ３８によって、湾曲領域１１８に配置された接続配線１２２にかかる応力を小さくし、接続配線１２２の断線を起こりにくくすることができる。
【００４８】
第２補強フィルム４０は、表示パネル１００を補強するフィルムである。第２補強フィルム４０は、湾曲された状態の表示パネル１００の湾曲領域１１８に配置される。具体的には、第１補強フィルム３４は、表示パネル１００の表示領域の裏面に配置される。第２補強フィルム４０は、第１補強フィルム３４よりも曲げやすい材質及び厚さで形成される。
【００４９】
なお、湾曲領域１１８には第２補強フィルム４０を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、湾曲領域１１８の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で表示パネル１００を湾曲させることができる。湾曲領域１１８の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた表示パネル１００の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた表示パネル１００の厚さも小さくなる。
【００５０】
以上のように、表示領域１０６から見て、湾曲領域１１８より先の第３基板１１６及び第４基板１２４を表示領域１０６の裏側に折り返すことができる。このように折り返すことで、表示パネル１００の平面視のサイズを小さくすることができ、表示パネル１００を搭載する表示装置１の小型化を図ることができる。また、表示パネル１００のうち、第１基板１０２の湾曲領域１１８から先の部分が裏面に隠れることにより、表示装置１００の正面に占める表示領域１０６の割合を大きくすることができる。
【００５１】
さらに、表示面側に現れる額縁領域１２０は、ＩＣ等の部品の配置領域として用いないようにする。そのため、ドライバＩＣ１１２などは表示パネル１００のうち裏面に折り返される部分に搭載する。これにより、額縁領域２１２の面積を小さくでき、表示装置１のいわゆる狭額縁化を進めることができる。
【００５２】
続いて、接続配線について説明する。図７は、配置される接続配線の形状を模式的に示す図である。
【００５３】
図７（ａ）では、従来技術で採用されている接続配線の形状の一例を示す。ここに示すように、接続配線が湾曲方向と平行となる箇所は少なくなるものの、直線形状で設ける場合と比較して、接続配線を設けるために必要な面積は大きく増加している。
【００５４】
図７（ｂ）は、接続配線をより直線形状に近づけた非直線の形状を示している。本発明は、上述のように、湾曲領域１１８におけるゲート絶縁膜２０６の上面は、接続配線１２２が下地層３００の厚さ方向に延伸方向を繰り返し変化させた凹凸形状となっている。そして、接続配線１２２も上述の凹凸形状の上に設けられる。これにより、接続配線１２２が湾曲方向と平行となる箇所が少なくなる。そのため、平面視で直線形状となるよう設けても、図７（ｂ）で示すように、従来の非直線形状よりも直線形状に近い形状で設けても、接続配線層１２２が湾曲方向と平行となる箇所は少なくなる。
【００５５】
以降、湾曲領域１１８の構造について説明する。なお、以下の説明においては、湾曲領域１１８が湾曲される前の状態について説明する。また、下地層３００及び接続配線１２２上に被覆層として設けられる、第１無機絶縁膜２０８については、ここでの図示を省略する。
【００５６】
図８は、本発明の第１の実施形態における湾曲領域１１８の構造を説明する斜視図である。図８に示すように、湾曲領域１１８において接続配線１２２は、下地層３００上面が有する凹凸形状、ここでは楔型形状に沿って配置される。
【００５７】
図８に示す、第１の実施形態における湾曲領域１１８の構造を平面図及び側面図で示したものが図９及び１０である。図９は、Ｄ３方向から見た、この湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する平面図である。図１０は、Ｄ２（左側面）方向から見た、この湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する側面図である。この実施形態では、図９で示す一点鎖線の部分（図９，１０のＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４及びＢ５）が谷の形状における底部となっており、図９で示す二点鎖線の部分（図９、１０のＴ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４及びＴ５）が山の形状における頂部となっている。なおここでは、接続配線１２２を平面視で直線形状となるように設けている。
【００５８】
図１１及び１２はそれぞれ、第１の実施形態の変形例における湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する平面図を示す。図１１及び１２で下地層３００上に設ける接続配線１２２の形状は、正弦波のような形状となっている。その上で図１２は、図１１よりも反復の周期が一周期長い形状を採用している。このように、正弦波のような形状で接続配線１２２を設ける場合は、反復の周期を長くすることで、より直線形状に近い接続配線１２２とすることができる。また、図１１及び１２は、接続配線１２２の頂点部分が、下地層３００の谷の形状における底部や山の形状における頂部と重畳しないように設けられている。
【００５９】
図１３は、本発明の第２の実施形態における湾曲領域１１８の構造を説明する斜視図である。なお、ここでは図が煩雑になることによって、下地層３００上面の形状についての理解が妨げられることを防ぐため、接続配線１２２についても図示を省略している。図１３に示すように、湾曲領域１１８において接続配線１２２は、下地層３００上面が有する凹凸形状、ここでは波型形状が形成されている。ここでの波型形状は、谷の形状の箇所と山の形状の箇所が互い違いとなるように設けられている。その上で、この波型形状となっている下地層３００上に、図示していないが、接続配線１２２が設けられている。
【００６０】
図１３に示す、第２の実施形態における湾曲領域１１８の構造を平面図、側面図及び正面図で示したものが図１４乃至１６である。図１４は、Ｄ３方向から見たこの湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する平面図である。図１４では、下地層３００上面における波型形状を、平面視でも視覚的に理解できるようにするため、下地層３００における山部分を薄い領域（Ｔｎ）で示し、谷部分を濃い領域（Ｂｎ）で示している。また、接続配線１２２については、第１の実施形態と同様に、接続配線１２２の頂点部分が、下地層３００で谷の形状における底部や山の形状における頂部と重畳しないように設けられている。
【００６１】
図１５は、Ｄ２（左側面）方向から見た、この湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する側面図である。ここでは、下地層３００が波型形状となっているため、谷の形状となっている部分から、後ろの山の形状に沿って設けられている接続配線１２２が見えるような構造となっている。
【００６２】
図１６は、Ｄ１方向から見た、この湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する正面図である。上述のように、第２の実施形態では、接続配線１２２の頂点部分が、下地層３００で谷の形状となっている部分や山の形状となっている部分と重畳しないように設けられている。そのためここでは、接続配線１２２の頂点部分が、下地層３００における山の形状でも谷の形状でもない、傾きの無い箇所又は傾きの緩やかな面上を通るように設けられている。
【００６３】
なお、図１４乃至１６に示す接続配線１２２は、らせん形状となっている。この「らせん形状」の接続配線１２２は、他の形状の接続配線１２２と比較して、より湾曲に対する耐性が高い。
【００６４】
図１７は、第２の実施形態の変形例における湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する平面図である。図１８は、図１７に示す湾曲領域１１８の構造を模式的に説明する正面図である。図１７及び１８において、下地層３００上に設ける接続配線１２２の形状は、直線形状である。なお、図１８において接続配線１２２は、下地層３００の谷の形状における底部及び山の形状における頂部を通るように設けられているが、これに限るものではない。接続配線１２２を山の形状の縁及び谷の形状の縁を通るように設けてもよい。
【００６５】
図１９は、本発明の一実施形態における湾曲領域１１８の構造を拡大して説明する図である。ここでは、１本の接続配線１２２の構成を拡大して示す。図１９中の矢印は、湾曲領域１１８の湾曲方向を示す。上述の第１の実施形態及び第２の実施形態のように、下地層３００において谷の形状となっている部分Ｂ及び山の形状となっている部分Ｔに、接続配線１２２の頂点部分が重畳しない構成となっている。
【００６６】
図２０は、本発明の一実施形態における湾曲領域１１８の構造を拡大して説明する図である。なお、図２０も図１９と同様に、１本の接続配線１２２の構成を拡大している。また、図２０中の矢印も図１９の矢印と同様に、湾曲領域１１８の湾曲方向を示す。図２０においては、図１９とは異なり、下地層３００において谷の形状となっている部分Ｂ及び山の形状となっている部分Ｔと、接続配線１２２の頂点部分が重畳する構成となっている。
【００６７】
なお図１９において、湾曲領域１１８内の第１無機絶縁膜２０８は、下地層３００の上面及び接続配線１２２が有する凹凸形状に沿って設けられている。対して図２０において、湾曲領域１１８内の第１無機絶縁膜２０８は、下地層３００の上面及び接続配線１２２が有する凹凸形状を平坦化するように設けられている。つまり、上述の第１無機絶縁膜２０８の構造は、下地層３００の上面が有する凹凸形状に関わらず、上述の２つの構造から１つの構造を選択して設けてもよい。
【００６８】
このような構成を有することによって、接続配線の湾曲に対する所望の耐性を有しつつ、接続配線を設けるのに必要な平面視での面積を減少させることができる。
【００６９】
本実施形態においては、開示例（特に、図４）として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００７０】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７１】
１  表示装置、１０  上フレーム、２０  下フレーム、３０  保護フィルム、３２  偏光板、３４  第１補強フィルム、３６  熱拡散シート、３８  スペーサ、４０  第２補強フィルム、１００  表示パネル、１０２  第１基板、１０４  第２基板、１０６  表示領域、１０８  画素、１１０  シール材、１１２  ドライバＩＣ、１１４  基板接続部、１１６  第３基板、１１８  湾曲領域、１２０  額縁領域、１２２  接続配線、１２４  第４基板、１２６  回路部品、１２８  接続端子、１３０  端子領域、２００  半導体層、２０２  トランジスタ、２０４  無機膜、２０６  ゲート絶縁膜、２０８  第１無機絶縁膜、２１０  画素配線層、２１２  有機平坦化膜、２１４  第２無機絶縁膜、２１６  有機ＥＬ膜、２１８  反射膜、２２０  下部電極、２２２  有機バンク層、２２４  上部電極、２２６  第１無機封止膜、２２８  有機封止膜、２３０  第２無機封止膜、２３２  外部コンタクト部、３００  下地層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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