(57)【要約】【課題】周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供する。【解決手段】基板と、基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の壁部の間に表示パネルが配置される筐体と、筐体に設けられ、平面視で表示領域よりも外側に位置して、第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、を有する。【選択図】図１１
2019021289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記筐体に設けられ、平面視で前記表示領域よりも外側に位置して、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、を有する表示装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記壁部の上面に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極は、前記壁部の側面に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極は、前記壁部の上面及び側面に連続して設けられる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、前記筐体に接続された接続部材を介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
前記第２電極は、平面視で前記カバー基板よりも外側に設けられる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記筐体は、前記基板と重なる位置に開口が設けられ、
前記開口に前記表示パネルが固定され、
前記第２電極は、前記筐体と前記表示パネルとの間の間隙を介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極は、前記筐体に設けられたスリットを介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板及び前記壁部と対向するカバー基板を有し、
前記壁部の上面に垂直な方向において、前記第２電極は、前記カバー基板と、前記壁部との間に設けられる請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、フィルム基材の上に保護層を介して設けられ、前記フィルム基材が前記筐体に配置される請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第２電極の表面を覆って保護層が設けられ、前記第２電極は前記保護層を介して前記筐体に配置される請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記筐体に溝部が設けられており、
前記第２電極及び前記保護層は、前記溝部に設けられる請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１電極は、平面視で第１方向に延出し、前記第１方向と交差する第２方向に複数配列され、
前記第２電極は、前記第１電極の端部と対向して配置される請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記筐体には、さらに、前記第２電極との間に静電容量を形成する第３電極が設けられ、前記第３電極は、前記壁部の長手方向に沿って複数配列される請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
複数の前記第１電極は、前記基板の表示領域にマトリクス状に配列され、
前記第２電極は、平面視で、前記表示領域の少なくとも一辺に沿って前記表示領域の外側に設けられる請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２電極は、平面視で、複数の前記第１電極を囲んで枠状に設けられる、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記筐体は、前記基板を固定する第１筐体と、前記第１筐体よりも外側に設けられ前記第１筐体を固定する第２筐体とを有し、
前記第２電極は、前記第１筐体に設けられる請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記筐体は、前記基板を固定する第１筐体と、前記第１筐体よりも外側に設けられ前記第１筐体を固定する第２筐体とを有し、
前記第２電極は、前記第２筐体に設けられる請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている（例えば特許文献１参照）。タッチ検出機能付き表示装置において、表示領域の周辺部の周辺領域に入力機能を有するボタンが配置される。このような入力用ボタンをタッチパネルや表示装置の周辺領域に一体化する技術について知られている。特許文献１のタッチセンサ付き表示装置では、ＴＦＴ基板の額縁領域にセンサ用検出電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４４９５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、基板の周辺領域には、電極と接続された配線や駆動回路等が設けられる場合がある。このため、周辺領域にセンサ用検出電極を設けると額縁領域の幅が増大する可能性がある。また、カバー基板にセンサ用検出電極を設けると、狭額縁のカバー基板ではセンサ用検出電極の面積が小さくなり検出性能が低下する可能性がある。また、基板が固定される筐体の存在によって、検出性能が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明は、周辺領域における良好な検出性能を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の表示装置は、基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、前記筐体に設けられ、平面視で前記表示領域よりも外側に位置して、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。
【図３】図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。
【図４】図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。
【図６】図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。
【図７】図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。
【図８】図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係る表示パネルの概略断面構造を表す断面図である。
【図１０】図１０は、表示部の画素配列を表す回路図である。
【図１１】図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図１２】図１２は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。
【図１３】図１３は、第１基板及び第２基板の平面図である。
【図１４】図１４は、第１の実施形態に係るフィルムセンサを模式的に示す断面図である。
【図１５】図１５は、第１の実施形態に係る第２電極を筐体に配置する構成の他の例を模式的に示す断面図である。
【図１６】図１６は、第２検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。
【図１７】図１７は、表示パネルと第２電極との接続構成を説明するための説明図である。
【図１８】図１８は、表示パネルと第２電極との接続構成の他の例を説明するための説明図である。
【図１９】図１９は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。
【図２０】図２０は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【図２１】図２１は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図２２】図２２は、第１の実施形態の第２変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図２３】図２３は、第２の実施形態に係る表示装置を表す斜視図である。
【図２４】図２４は、第２の実施形態に係る駆動電極及び検出電極を模式的に示す平面図である。
【図２５】図２５は、第２の実施形態に係る第１変形例の表示装置を表す斜視図である。
【図２６】図２６は、第２の実施形態に係る第２変形例の表示装置を表す斜視図である。
【図２７】図２７は、第２の実施形態に係る第３変形例の表示装置を表す斜視図である。
【図２８】図２８は、第２の実施形態に係る第４変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図２９】図２９は、第２の実施形態に係る第５変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３０】図３０は、第２の実施形態に係る第６変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３１】図３１は、第２の実施形態に係る第７変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３２】図３２は、第２の実施形態に係る第８変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３３】図３３は、第２の実施形態に係る第９変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３４】図３４は、第２の実施形態に係る第１０変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３５】図３５は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図３６】図３６は、第３の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。
【図３７】図３７は、第３の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【図３８】図３８は、第３の実施形態に係る表示装置の、第３検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。
【図３９】図３９は、第３の実施形態に係る表示装置の、第３検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。
【図４０】図４０は、第３の実施形態に係る接続回路の一例を示す回路図である。
【図４１】図４１は、第３の実施形態に係る表示装置の、第２検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。
【図４２】図４２は、第３の実施形態に係る第１変形例の表示装置を示す斜視図である。
【図４３】図４３は、第３の実施形態に係る第２変形例の表示装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御部１１と、検出制御部１１Ａと、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、第１駆動部１４Ａと、第２駆動部１４Ｂと、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。
【００１０】
表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示部２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチセンサ３０の電極や基板等に兼用される。
【００１１】
表示部２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示部２０は、映像信号Ｖｄｉｓｐの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上に、タッチセンサ３０を装着した装置であってもよい。また、表示部２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１２】
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、第１駆動部１４Ａ、検出制御部１１Ａ及び検出部４０に制御信号を供給する。制御部１１は、主として表示装置１の表示動作を制御する回路である。検出制御部１１Ａは、制御部１１から供給された制御信号に基づいて、第１駆動部１４Ａ及び第２駆動部１４Ｂに制御信号を供給する。検出制御部１１Ａは、主として表示装置１の検出動作を制御する回路である。
【００１３】
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。
【００１４】
ソースドライバ１３は、表示部２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図１０参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御部１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。
【００１５】
第１駆動部１４Ａは、表示パネル１０の第１電極ＣＯＭＬに表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する回路である。また、第１駆動部１４Ａは、相互静電容量方式のタッチ検出の際に、第１電極ＣＯＭＬに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給し、又は、第２電極５３Ａ、５３Ｂに検出用の駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。第２駆動部１４Ｂは、自己静電容量方式のタッチ検出の際に、第１電極ＣＯＭＬに駆動信号ＶｃｏｍＡを供給し、又は、検出電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。第２駆動部１４Ｂは、第２電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号を供給して自己静電容量方式のタッチ検出を行ってもよい。
【００１６】
本実施形態において、制御部１１は、表示部２０により表示を行う表示動作と、タッチセンサ３０により被検出体を検出する検出動作とを時分割で行う。第１駆動部１４Ａは、制御部１１からの制御信号に基づいて、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２を、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂにそれぞれ供給する。第２駆動部１４Ｂは、検出制御部１１Ａからの制御信号に基づいて、駆動信号ＶｃｏｍＡ、ＶｃｏｍＢを、第１電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂにそれぞれ供給する。
【００１７】
タッチセンサ３０は、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行う。タッチセンサ３０は、接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ１を検出部４０に出力する。また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によるタッチ検出の基本原理に基づいて、タッチ検出を行うこともできる。タッチセンサ３０は、自己静電容量方式により接触状態の被検出体を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔ２を検出部４０に出力する。
【００１８】
本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を表す。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を表す。
【００１９】
検出部４０は、相互静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ１とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する回路である。また、検出部４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、制御部１１から供給される制御信号と、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔ２とに基づいて、表示パネル１０の表示面への被検出体のタッチの有無を検出する。検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
【００２０】
検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６と、を備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。
【００２１】
タッチ検出において、検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２に同期したタイミングで、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２２】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体が接触状態又は近接状態であると判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。
【００２３】
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【００２４】
なお、検出部４０の検出信号増幅部４２、Ａ／Ｄ変換部４３、信号処理部４４、座標抽出部４５及び検出タイミング制御部４６は、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部の制御基板やプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。或いは、信号処理部４４及び座標抽出部４５は外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、Ａ／Ｄ変換部４３が信号処理したデジタル信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
【００２５】
次に、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等であってもよい。
【００２６】
図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示す検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
【００２７】
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。
【００２８】
非接触状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図４参照））に変換する。
【００２９】
図２及び図３に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。そして、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１（図４参照））に変換する。
【００３０】
この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。
【００３１】
検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００３２】
次に、図５から図８を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図５は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、非接触状態を表す説明図である。図６は、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための、接触状態を表す説明図である。図７は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図８は、自己静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【００３３】
図５左図は、非接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１が充電される。図５右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により、検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷はコンデンサＣｃｒを介して放電される。
【００３４】
図６左図は、接触状態において、スイッチＳＷ１により電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続され、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３がコンデンサＣｃｒに接続されていない状態を示している。この状態では、検出電極Ｅ３が有する容量Ｃｘ１に加え、検出電極Ｅ３に近接している指により生じる容量Ｃｘ２も充電される。図６右図は、スイッチＳＷ１により、電源Ｖｄｄと検出電極Ｅ３とが接続されず、スイッチＳＷ２により検出電極Ｅ３とコンデンサＣｃｒとが接続された状態を示している。この状態では、容量Ｃｘ１の電荷と容量Ｃｘ２の電荷とがコンデンサＣｃｒを介して放電される。
【００３５】
ここで、図５右図に示す放電時（非接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性に対して、図６右図に示す放電時（接触状態）におけるコンデンサＣｃｒの電圧変化特性は、容量Ｃｘ２が存在するために、明らかに異なる。したがって、自己静電容量方式では、容量Ｃｘ２の有無により、コンデンサＣｃｒの電圧変化特性が異なることを利用して、指などの操作入力の有無を判定している。
【００３６】
具体的には、検出電極Ｅ３に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇ（図８参照）が印加される。図７に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（波形Ｖ４、Ｖ５）に変換する。
【００３７】
図８において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ６に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ３の電位も電圧Ｖ６に上昇する。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ３はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２、図６参照）によって、検出電極Ｅ３の電位は電圧Ｖ６が維持される。さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。
【００３８】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ３の容量Ｃｘ１（またはＣｘ１＋Ｃｘ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ５に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図８の検出信号Ｖｄｅｔ２参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ２）は、非接触状態では、実線で示す波形Ｖ４となり、Ｖｄｅｔ２＝Ｃｘ１×Ｖ６／Ｃ５となる。接触状態では、点線で示す波形Ｖ５となり、Ｖｄｅｔ２＝（Ｃｘ１＋Ｃｘ２）×Ｖ６／Ｃ５となる。
【００３９】
その後、時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ３の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出部４０は自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
【００４０】
次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図９は、第１の実施形態に係る表示パネルの概略断面構造を表す断面図である。図９に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。
【００４１】
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、第１電極ＣＯＭＬと、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図９では省略して示す）が設けられる。
【００４２】
第１電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して第１電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、第１電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと重なって配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。
【００４３】
なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。また、「平面視」とは、第１基板２１の表面に垂直な方向から見た場合を示す。
【００４４】
画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘを構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられる。表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘは、ソースドライバ１３（図１参照）から画素電極２２に供給される。また、表示動作の際に、直流の電圧信号である表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが第１電極ＣＯＭＬに供給される。これにより、第１電極ＣＯＭＬは、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。また、第１電極ＣＯＭＬは、相互静電容量方式のタッチ検出における駆動電極として機能する。さらに、第１電極ＣＯＭＬは、自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。
【００４５】
本実施形態において、画素電極２２及び第１電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００４６】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた検出電極ＴＤＬと、偏光板３５Ａとを有する。検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。検出電極ＴＤＬは、相互静電容量方式のタッチ検出及び自己静電容量方式のタッチ検出における検出電極として機能する。
【００４７】
本実施形態において、検出電極ＴＤＬは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料が用いられる。又は、検出電極ＴＤＬは、メッシュ状、ジグザグ線状、或いは波線状、直線状のパターンを有する金属細線により構成されていてもよい。この場合、検出電極ＴＤＬは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。
【００４８】
カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
【００４９】
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調する。液晶層６として、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図９に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜（図９では省略して示す）が配設されている。
【００５０】
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００５１】
次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図１０は、実施形態に係る表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図９参照）には、図１０に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。
【００５２】
図１０に示す表示部２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と第１電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図１０に示す保持容量６ｂが形成される。
【００５３】
図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００５４】
この表示動作を行う際、図１に示す第１駆動部１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各第１電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、第１駆動部１４Ａは、表示領域Ａｄの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。
【００５５】
図９に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタ３２の色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図１０に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００５６】
次に、検出電極ＴＤＬ、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂの構成と、タッチ検出動作について説明する。図１１は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１２は、第１の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。図１３は、第１基板及び第２基板の平面図である。図１２は、検出電極ＴＤＬ、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂの配置の関係を模式的に示している。
【００５７】
図１１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、第１筐体１０１と、第２筐体１０２と、第２電極５３Ａ、５３Ｂと、カバー基板５１とを有する。第１筐体１０１は、底部１０１Ａと、少なくとも１対の壁部１０１Ｂとを備える。底部１０１Ａと、壁部１０１Ｂとで囲まれた空間に、表示パネル１０、スペーサ１２２及びバックライト１２０が固定される。バックライト１２０は、底部１０１Ａに固定される。表示パネル１０はスペーサ１２２を介してバックライト１２０の上に固定される。これにより、表示パネル１０とバックライト１２０との間に間隙１２１が形成される。間隙１２１には、スポンジや弾性ゴム等の弾性体を設けてもよい。このような構成により、第１筐体１０１の内部に表示パネル１０が固定される。
【００５８】
なお、図１１に示す構成は、あくまで一例であり、表示パネル１０及びバックライト１２０の固定構造は適宜変更してもよい。例えば、表示パネル１０はスペーサ１２２を介さずにバックライト１２０の上に設けられていてもよい。
【００５９】
第２電極５３Ａ、５３Ｂは、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに設けられる。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、表示パネル１０の検出電極ＴＤＬ（図９参照）との間に静電容量を形成し、周辺領域Ｇｄのタッチ検出における駆動電極として機能する。
【００６０】
第２筐体１０２は、底部１０２Ａと、壁部１０２Ｂとを備える。底部１０２Ａと、壁部１０２Ｂとで囲まれた空間に第１筐体１０１、表示パネル１０、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及びカバー基板５１が固定される。第２筐体１０２の底部１０２Ａの上側に第１筐体１０１の底部１０１Ａが固定される。第２筐体１０２の壁部１０２Ｂの内側に第１筐体１０１の壁部１０１Ｂが配置される。このような構成により、第２筐体１０２の内部に第１筐体１０１が固定される。
【００６１】
第２筐体１０２の壁部１０２Ｂの高さは、第１筐体１０１の壁部１０１Ｂの高さよりも高い。第２筐体１０２の上面には、壁部１０２Ｂによって囲まれた開口１０２Ｂａが形成されている。この開口１０２Ｂａにカバー基板５１が設けられる。
【００６２】
カバー基板５１は、画素基板２及び対向基板３を覆って保護するための保護部材である。カバー基板５１は、ガラス基板であってもよく、樹脂材料等を用いたフィルム状の基材であってもよい。カバー基板５１は、第１面５１ａと、第１面５１ａの反対側の第２面５１ｂとを有する。カバー基板５１の第１面５１ａは、画像が表示される表示面であり、被検出体が接触又は近接する検出面である。カバー基板５１の第２面５１ｂは、対向基板３と対向し、図示しない接着層を介して対向基板３と接着される。
【００６３】
本実施形態では、カバー基板５１は、平面視で表示パネル１０よりも大きい外形形状を有している。カバー基板５１は、表示パネル１０と対向し、かつ、第１筐体１０１の壁部１０１Ｂとも対向する。壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに垂直な方向において、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、壁部１０１Ｂとカバー基板５１との間に配置される。
【００６４】
本実施形態では、第１筐体１０１は金属材料が用いられ、第２筐体１０２は樹脂材料が用いられる。これに限定されず、第１筐体１０１は樹脂材料が用いられ、第２筐体１０２は金属材料が用いられてもよい。第１筐体１０１と第２筐体１０２とは同じ材料が用いられてもよい。
【００６５】
図１２に示すように、表示装置１において、表示領域Ａｄと、周辺領域Ｇｄとが設けられている。本明細書において、表示領域Ａｄは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。周辺領域Ｇｄは、第２筐体１０２の外周よりも内側で、かつ、表示領域Ａｄよりも外側の領域を示す。第２筐体１０２が設けられない構成の場合、周辺領域Ｇｄは、第１筐体１０１の外周又はカバー基板５１の外周よりも内側で、かつ、表示領域Ａｄよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域Ｇｄは表示領域Ａｄを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域Ｇｄは額縁領域とも言える。
【００６６】
図１２に示すように、第２筐体１０２は、平面視で、カバー基板５１及び第１筐体１０１を囲む枠状である。又、第１筐体１０１も表示パネル１０を囲む枠状となっている。なお、これに限定されず、第１筐体１０１は、少なくとも表示パネル１０を挟む１対の壁部１０１Ｂ（図１１参照）を有していればよい。
【００６７】
図１２に示すように、第１電極ＣＯＭＬ及び検出電極ＴＤＬは、表示領域Ａｄに設けられている。また、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、周辺領域Ｇｄに設けられている。図１２及び図１３に示すように、第１電極ＣＯＭＬは、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに複数配列される。言い換えると、第１電極ＣＯＭＬは、表示領域Ａｄの長辺に沿って延出し、表示領域Ａｄの短辺に沿って複数配列される。第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ第２方向Ｄｙに長手を有する矩形状である。
【００６８】
本実施形態において、第１方向Ｄｘは、表示領域Ａｄの一辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向は、第１基板２１（図９参照）の厚み方向である。
【００６９】
検出電極ＴＤＬは、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに複数配列される。検出電極ＴＤＬは、平面視で第１電極ＣＯＭＬと交差して配置される。第１電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの交差部分において、静電容量が形成される。
【００７０】
この構成により、相互静電容量方式のタッチ検出を行う際、第１駆動部１４Ａは、第１電極ＣＯＭＬを時分割的に順次走査して、駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。そして、第１電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ１が電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、表示領域Ａｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。
【００７１】
図１３に示すように、第１基板２１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７２が設けられている。第１電極ＣＯＭＬの端部とフレキシブル基板７２との間の周辺領域Ｇｄに、走査部１４Ｃ、ソースドライバ１３及び表示用ＩＣ１９が設けられている。走査部１４Ｃは、駆動対象となる第１電極ＣＯＭＬを順次選択するスキャナ回路である。また、第１電極ＣＯＭＬの延出方向に沿う周辺領域Ｇｄ、つまり第１基板２１の周辺領域Ｇｄの長辺側に、ゲートドライバ１２が設けられている。フレキシブル基板７２に検出用ＩＣ１８が設けられている。
【００７２】
第２基板３１の周辺領域Ｇｄにフレキシブル基板７１が設けられている。フレキシブル基板７１は、接続端子７１Ａを介して第１基板２１の表示用ＩＣ１９或いはフレキシブル基板７２と電気的に接続される。検出電極ＴＤＬは、フレキシブル基板７１を介して検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。
【００７３】
表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。また、検出部４０の機能の一部は、検出用ＩＣ１８に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。なお、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。また、図１に示す第１駆動部１４Ａは、表示用ＩＣ１９に含まれる。第２駆動部１４Ｂは、検出用ＩＣ１８に含まれる。これに限定されず、第１駆動部１４Ａ及び第２駆動部１４Ｂは、第１基板２１に設けられていてもよく、或いは、外部の制御基板に備えられていてもよい。
【００７４】
本実施形態の表示装置１において、第１電極ＣＯＭＬは、平面視でゲート線ＧＣＬ（図１０参照）と交差する方向に延出する。これにより、第１電極ＣＯＭＬに接続される配線（図示は省略する）や、走査部１４Ｃ等の回路を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域Ｇｄに設けることができる。具体的には、例えば、図１２に示すように、ゲートドライバ１２は、周辺領域Ｇｄの長辺に設けられ、走査部１４Ｃ等の回路や表示用ＩＣ１９は周辺領域Ｇｄの短辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、第１電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域Ｇｄの狭額縁化に有利である。なお、これに限定されず、第１電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬ（図１０参照）と交差する方向、すなわち第１方向Ｄｘに延出してもよい。この場合、検出電極ＴＤＬは、第１電極ＣＯＭＬと交差するように、第２方向Ｄｙに延出する。
【００７５】
図１２に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、平面視で表示領域Ａｄよりも外側に配置される。具体的には、第２電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第２電極５３Ｂは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第２電極５３Ａと第２電極５３Ｂとは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに対向して配置される。平面視で、第２電極５３Ａと第２電極５３Ｂとの間に第１電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとが配置される。言い換えると、第２電極５３Ａ及び第２電極５３Ｂは、第１電極ＣＯＭＬ及び検出電極ＴＤＬと重ならない位置に設けられる。第２電極５３Ａと第２電極５３Ｂとは、平面視で、第１電極ＣＯＭＬと平行な方向に延出する。第２電極５３Ａは、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬのうち、最も外側に配置された２つの第１電極ＣＯＭＬの一方に対向して配置され、第２電極５３Ｂは、最も外側に配置された２つの第１電極ＣＯＭＬの他方に対向して配置される。また、第２電極５３Ａ及び第２電極５３Ｂは、検出電極ＴＤＬの端部と対向して配置される。
【００７６】
第２電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さと同程度の長さ、又はそれ以上の長さであることが好ましい。第２電極５３Ａ、５３Ｂの第２方向Ｄｙの長さは、表示領域Ａｄの第２方向Ｄｙの長さよりも短くてもよい。また、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれ表示領域Ａｄの少なくとも一辺に沿った範囲内において電気的に分離されず連続的につながっていることが好ましい。
【００７７】
図１２に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第１筐体１０１の周辺領域Ｇｄに設けられる。カバー基板５１の周辺領域Ｇｄには、図示しない着色層が設けられる。着色層は、例えば、光の透過を抑制するように着色された樹脂材料や、金属材料が用いられた加飾層である。
【００７８】
第２電極５３Ａ、５３Ｂは、着色層と重なって配置されるので、外部から視認されることが抑制される。このため、第２電極５３Ａ、５３Ｂとして、良好な導電性を有する金属材料を用いることができる。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。第２電極５３Ａ、５３Ｂは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成されてもよく、或いは、これらの材料で形成された導電層が複数積層された積層体としてもよい。
【００７９】
このように第２電極５３Ａ、５３Ｂを設けることにより、第２電極５３Ａ、５３Ｂと、表示領域Ａｄに設けられた検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄへのタッチ入力を検出することができる。
【００８０】
また、図１１に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第１筐体１０１の壁部１０１Ｂに設けられる。このため、第２電極５３Ａ、５３Ｂを第１基板２１、第２基板３１又はカバー基板５１の周辺領域Ｇｄに設ける構成と比較して、第１基板２１、第２基板３１又はカバー基板５１の狭額縁化に有利である。さらに、第１基板２１又は第２基板３１に設けられる各種配線や回路等の配置の制約を少なくすることができる。
【００８１】
第１筐体１０１が金属製の場合、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第１筐体１０１と電気的に絶縁する必要がある。図１４は、第１の実施形態に係るフィルムセンサを模式的に示す断面図である。図１４は、図１２に示すＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【００８２】
図１４に示す例では、フィルムセンサ１１０が壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに設けられている。フィルムセンサ１１０は、基材５５と、保護層５６と、第２電極５３Ａと、保護層５７とを含む。壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに基材５５が設けられる。基材５５に、保護層５６、第２電極５３Ａ、保護層５７の順に配置される。基材５５は、例えばＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）等の樹脂材料を用いたフィルム状の基材である。この場合、第２電極５３Ａは、スパッタなどの薄膜法により形成される。保護層５６、５７は、酸化物、窒化物等の絶縁材料が用いられ、第２電極５３Ａを保護するために設けられる。
【００８３】
このように、第２電極５３Ａは、保護層５６を介して基材５５の上に設けられ、基材５５が第１筐体１０１に配置される。このため、第２電極５３Ａは、保護層５６及び基材５５により第１筐体１０１と電気的に絶縁される。したがって、第１筐体１０１が金属製であっても、第２電極５３Ａは、検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄへのタッチ入力を良好に検出することができる。
【００８４】
なお、図１４では、第２電極５３Ａを示しているが、第２電極５３Ｂも同様にフィルムセンサ１１０を構成して、壁部１０１Ｂに配置することができる。なお、第２電極５３Ａ、５３Ｂを第１筐体１０１に配置する方法は、図１４に示す例に限定されない。図１５は、第１の実施形態に係る第２電極を筐体に配置する構成の他の例を模式的に示す断面図である。なお、図１５は、図１２に示すＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。
【００８５】
図１５に示すように、第２電極５３Ａの周囲に保護層５８が設けられている。保護層５８は、第２電極５３Ａの上面、下面及び側面を覆っている。第２電極５３Ａは保護層５８を介して第１筐体１０１に配置される。保護層５８は、例えば樹脂材料が用いられる。第２電極５３Ａは保護層５８によりコーティングされているため、耐食性、耐摩耗性が向上する。
【００８６】
壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａには、溝部１０１Ｂｂが形成されている。溝部１０１Ｂｂは、壁部１０１Ｂの長手方向に沿って設けられる。第２電極５３Ａ及び保護層５８は、溝部１０１Ｂｂに設けられる。このため、表示装置１の組み立て工程などにおいて、カバー基板５１や第２筐体１０２等が上面１０１Ｂａに接触しても、第２電極５３Ａがこれらの部材に接触することが抑制される。したがって、第２電極５３Ａの耐食性、耐摩耗性が向上する。なお、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａと保護層５８の上面とは、第３方向Ｄｚの位置が同じであることが好ましい。これに限定されず、保護層５８の上面は、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａよりも下側に配置されていてもよく、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａよりも上側に配置されていてもよい。
【００８７】
このような構成により、第２電極５３Ａは、保護層５８を介して第１筐体１０１と電気的に絶縁される。したがって、第１筐体１０１が金属製であっても、第２電極５３Ａは、検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄへのタッチ入力を良好に検出することができる。
【００８８】
次に、本実施形態における表示装置１の検出動作について詳細に説明する。図１６は、第２検出モードにおける動作例を模式的に示す説明図である。
【００８９】
本実施形態の表示装置１は、第１検出モードと、第２検出モードと、第３検出モードとの、３つの検出モードを有する。表示装置１は、第１検出モードにおいて、相互静電容量方式により主として表示領域Ａｄの被検出体を検出する。表示装置１は、第２検出モードにおいて、相互静電容量方式により主として周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。表示装置１は、第３検出モードにおいて、自己静電容量方式により表示領域Ａｄ及び周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。
【００９０】
第１検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１３参照）は、第１電極ＣＯＭＬを駆動対象として時分割的に順次、選択する。走査部１４Ｃは駆動対象として選択された第１電極ＣＯＭＬを第１駆動部１４Ａに接続する。第１駆動部１４Ａは、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬに駆動信号Ｖｃｏｍ１を供給する。検出電極ＴＤＬは、第１電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓを電圧検出器ＤＥＴに出力する。これにより、表示領域Ａｄの被検出体を検出することができる。なお、走査部１４Ｃは、複数の第１電極ＣＯＭＬを同時に駆動対象として選択して、複数の第１電極ＣＯＭＬを含む駆動電極ブロックごとに検出を行ってもよい。
【００９１】
図１６に示すように、第２検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１３参照）は、第２電極５３Ａ、５３Ｂを駆動対象として時分割的に順次、選択する。第１駆動部１４Ａは、第２電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。これにより、第２電極５３Ａ、５３Ｂと検出電極ＴＤＬとの間にフリンジ分の電気力線Ｅｆが生じる。なお、図１６では、第２電極５３Ａ側の電気力線Ｅｆのみ示している。
【００９２】
電気力線Ｅｆは、周辺領域Ｇｄの第２電極５３Ａから、カバー基板５１の第１面５１ａよりも上側に延びて、表示領域Ａｄの検出電極ＴＤＬに向かって延びる。被検出体ＣＱが第１面５１ａの周辺領域Ｇｄに接触又は近接すると、被検出体ＣＱにより電気力線Ｅｆが遮られる。これにより、第２電極５３Ａ、５３Ｂと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化が生じる。第２電極５３Ａ、５３Ｂと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＬ、ＶｓＲが、検出電極ＴＤＬから電圧検出器ＤＥＴに出力される。これにより、第２電極５３Ａが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出が行われるようになっている。
【００９３】
本実施形態において、図１１に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに設けられている。このため、第２電極５３Ａ、５３Ｂから生じる電気力線Ｅｆが金属製の第１筐体１０１によって遮られることが抑制される。したがって本実施形態では、周辺領域Ｇｄにおける良好なタッチ検出を行うことができる。
【００９４】
なお、図１６に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、平面視で、第２基板３１の端部３１ａ、３１ｂよりも外側に配置されることが好ましい。こうすれば、第２基板３１の周辺領域Ｇｄに設けられた各種配線と、第２電極５３Ａ、５３Ｂとの間に形成される寄生容量を低減できる。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。
【００９５】
図１６に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、カバー基板５１と重なる位置に配置されるが、これに限定されない。例えば、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、カバー基板５１の一方の端部５１ｃ、５１ｄよりも外側に配置されてもよい。
【００９６】
また、表示装置１は、第３検出モードにおいて、第１電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬ、第２電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれの容量変化に基づいて被検出体を検出する。具体的には、第２駆動部１４Ｂ（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂに、同時に又は順次、駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第２駆動部１４Ｂは、検出電極ＴＤＬに、同時に又は順次、駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。そして、第１電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬ、第２電極５３Ａ、５３Ｂのそれぞれ容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２が電圧検出器ＤＥＴに出力される。
【００９７】
図１７は、表示パネルと第２電極との接続構成を説明するための説明図である。上述したように、第２電極５３Ａ、５３Ｂも、制御部１１及び検出制御部１１Ａによって、動作が制御される。このため、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、図１３に示す表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８の少なくとも一方に電気的に接続される必要がある。
【００９８】
図１７に示すように、第１筐体１０１は底部１０１Ａと、２つの壁部１０１Ｂとを有する。２つの壁部１０１Ｂと壁部１０１Ｂは、底部１０１Ａの対向する２つの辺に沿ってそれぞれ設けられる。表示パネル１０は、間隔を有して対向する１対の壁部１０１Ｂと壁部１０１Ｂとの間に組み込まれる。図１７に示す例に限定されず、第１筐体１０１は、底部１０１Ａの４つの辺に沿って、４つの壁部１０１Ｂを有する構成であってもよい。
【００９９】
図１７に示すように、第１筐体１０１にフレキシブル基板７３が接続されている。フレキシブル基板７３は、第１筐体１０１の側面に設けられる。フレキシブル基板７３は、底部１０１Ａの辺のうち、壁部１０１Ｂが設けられていない辺に沿って設けられ、対向する２つの壁部１０１Ｂ、１０１Ｂに接続される。フレキシブル基板７３の一方の端部には接続基板７３ａが設けられる。フレキシブル基板７３の他方の端部には接続基板７３ｂが設けられる。接続基板７３ａは、壁部１０１Ｂに沿ってフレキシブル基板７３から上側に延出して、第２電極５３Ａと接続される。同様に、接続基板７３ｂは、壁部１０１Ｂに沿ってフレキシブル基板７３から上側に延出して、第２電極５３Ｂと接続される。
【０１００】
表示パネル１０が第１筐体１０１に組み込まれた場合に、フレキシブル基板７３は、表示パネル１０のフレキシブル基板７２と平面視で重なる位置に設けられる。そして、フレキシブル基板７３の端子部８３は、フレキシブル基板７２の端子部８１と電気的に接続される。このような構成により、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、フレキシブル基板７３、フレキシブル基板７２を介して、第１筐体１０１の内部の表示パネル１０に電気的に接続される。なお、フレキシブル基板７２の端子部８２は、表示装置１とメイン基板７４（図１８参照）とを接続するための端子部である。
【０１０１】
図１８は、表示パネルと第２電極との接続構成の他の例を説明するための説明図である。本変形例では、第１筐体１０１にメイン基板７４が接続されている。メイン基板７４は、例えば、ホストＩＣや電源等が搭載される。メイン基板７４は、第１筐体１０１の側面に設けられる。メイン基板７４は、底部１０１Ａの辺のうち、壁部１０１Ｂが設けられていない辺に沿って設けられ、対向する２つの壁部１０１Ｂ、１０１Ｂに接続される。メイン基板７４の一方の端部には接続基板７４ｃが設けられる。メイン基板７４の他方の端部には接続基板７４ｄが設けられる。接続基板７４ｃ、７４ｄは、例えば、フレキシブル基板である。
【０１０２】
接続基板７４ｃは、壁部１０１Ｂに沿ってメイン基板７４から上側に延出して、第２電極５３Ａと接続される。接続基板７４ｃは、メイン基板７４に設けられた配線７４ａを介して端子部８４に接続される。同様に、接続基板７４ｄは、壁部１０１Ｂに沿ってメイン基板７４から上側に延出して、第２電極５３Ｂと接続される。接続基板７４ｄは、メイン基板７４に設けられた配線７４ｂを介して端子部８４に接続される。
【０１０３】
表示パネル１０が第１筐体１０１に組み込まれた場合に、メイン基板７４は、表示パネル１０のフレキシブル基板７２と平面視で重なる位置に設けられる。そして、メイン基板７４の端子部８４は、フレキシブル基板７２の端子部８２と電気的に接続される。このような構成により、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、接続基板７４ｃ、７４ｄ、メイン基板７４及びフレキシブル基板７２を介して、第１筐体１０１の内部の表示パネル１０に電気的に接続される。
【０１０４】
次に、本実施形態の駆動回路の一例を説明する。図１９は、第１の実施形態に係る駆動回路を示す回路図である。図１９に示すように、第２電極５３Ａ、５３Ｂ及び第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）、ＣＯＭＬ（５）は、走査部１４Ｃに接続される。なお、説明において、以下の第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）、ＣＯＭＬ（５）を区別して説明する必要がない場合には、第１電極ＣＯＭＬと表す。また、図１９では、説明を分かりやすくするために５つの第１電極ＣＯＭＬを示しているが、これに限定されず、６つ以上の第１電極ＣＯＭＬが設けられていてもよい。
【０１０５】
走査部１４Ｃは、表示用ＩＣ１９から出力される各種制御信号に基づいて、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂを、順次又は同時に選択する。駆動対象として選択された第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂは、走査部１４Ｃを介して、表示用ＩＣ１９又は検出用ＩＣ１８に接続される。本実施形態では、第１駆動部１４Ａ（図１参照）の機能が表示用ＩＣ１９に含まれる。また、第２駆動部１４Ｂ（図１参照）の機能が検出用ＩＣ１８に含まれる。
【０１０６】
走査部１４Ｃは、第１走査部１４Ｃａと、第２走査部１４Ｃｂとを含む。第１走査部１４Ｃａは、第１電極ＣＯＭＬを順次走査する回路である。第２走査部１４Ｃｂは、第２電極５３Ａ、５３Ｂを順次走査する回路である。
【０１０７】
図１９に示すように、第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。１本の配線Ｌ１９に、複数のスイッチＳＷ１５と複数の配線Ｌ２２とが接続される。第１電極ＣＯＭＬは、共通の配線Ｌ１９を介して駆動信号ＴＳＶＣＯＭが供給される。また、第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２３を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（１）、Ｌ２３（２）、Ｌ２３（３）、Ｌ２３（４）、Ｌ２３（５）は、それぞれ第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）、ＣＯＭＬ（５）に対応して設けられる。
【０１０８】
第２電極５３Ａは、配線ＬＡを介して第２走査部１４Ｃｂに接続される。第２電極５３Ａは、配線ＬＡ、増幅器７９、スイッチＳＷ３５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。また、第２電極５３Ａは、配線ＬＡ、スイッチＳＷ３１、配線Ｌ２３（Ｌ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。
【０１０９】
同様に、第２電極５３Ｂは、配線ＬＢを介して第２走査部１４Ｃｂに接続される。第２電極５３Ｂは、配線ＬＢ、増幅器８０、スイッチＳＷ３６及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９に接続される。また、第２電極５３Ｂは、配線ＬＢ、スイッチＳＷ３２、配線Ｌ２３（Ｒ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。
【０１１０】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１３を介して制御信号ＸＶＣＯＭＦＬをスイッチＳＷ１３に供給する。制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、表示動作と検出動作を切り換える制御信号である。制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、表示動作の際に高レベルの電圧信号となり、検出動作の際に低レベルの電圧信号となる。なお、制御信号ＸＶＣＯＭＦＬは、制御信号ＶＣＯＭＦＬ（図２０参照）の電圧レベルを反転させた電圧信号である。
【０１１１】
表示動作の際に制御信号ＸＶＣＯＭＦＬが高レベルになる。これにより、スイッチＳＷ１３がオンとなる。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１２、スイッチＳＷ１３、配線Ｌ２２を介して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを、全ての第１電極ＣＯＭＬに供給する。
【０１１２】
表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１４を介してスイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２に制御信号ＳＥＬＦＥＮを供給する。制御信号ＳＥＬＦＥＮに基づいて、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２のオン、オフが切り換えられる。制御信号ＳＥＬＦＥＮは、相互静電容量方式と自己静電容量方式の検出モードを切り換える制御信号である。第３検出モードにおいて、制御信号ＳＥＬＦＥＮは高レベルの電圧信号となる。一方、第３検出モード以外の検出モード及び表示動作の際には、制御信号ＳＥＬＦＥＮは低レベルの電圧信号となる。
【０１１３】
第３検出モードでは、制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルとなり、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２がオンとなる。これにより、第１電極ＣＯＭＬは、それぞれ配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１４及び配線Ｌ２３を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（１）、Ｌ２３（２）、Ｌ２３（３）、Ｌ２３（４）、Ｌ２３（５）は、検出用ＩＣ１８の出力端子Ｐａｄ１、Ｐａｄ２、Ｐａｄ３、Ｐａｄ４、Ｐａｄ５にそれぞれ接続される。検出用ＩＣ１８に含まれる第２駆動部１４Ｂ（図示しない）は、駆動信号ＶｃｏｍＡを第１電極ＣＯＭＬに同時又は時分割で供給する。第１電極ＣＯＭＬの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２は、検出用ＩＣ１８の電圧検出器ＤＥＴに供給される。これにより、上述した自己静電容量方式のタッチ検出が行われる。
【０１１４】
第２電極５３Ａは、配線ＬＡ、スイッチＳＷ３１、配線Ｌ２３（Ｌ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（Ｌ）は検出用ＩＣ１８の出力端子ＰａｄＬに接続される。同様に、第２電極５３Ｂは、配線ＬＢ、スイッチＳＷ３２、配線Ｌ２３（Ｒ）を介して検出用ＩＣ１８に接続される。配線Ｌ２３（Ｒ）は検出用ＩＣ１８の出力端子ＰａｄＲに接続される。これにより、第２駆動部１４Ｂ（図示しない）は、駆動信号ＶｃｏｍＡを第２電極５３Ａ、５３Ｂに同時又は時分割で供給する。第２電極５３Ａ、５３Ｂの静電容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２は、検出用ＩＣ１８の電圧検出器ＤＥＴに供給される。これにより、上述した自己静電容量方式のタッチ検出が行われる。
【０１１５】
制御信号ＳＥＬＦＥＮが低レベルの電圧信号である場合、スイッチＳＷ１４、スイッチＳＷ３１及びスイッチＳＷ３２がオフとなる。このため、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂは、検出用ＩＣ１８と電気的に接続されない状態となる。
【０１１６】
第１検出モード及び第２検出モードにおいて、第１走査部１４Ｃａ及び第２走査部１４Ｃｂは、表示用ＩＣ１９からの制御信号に基づいて、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂを選択する。具体的には、第１走査部１４Ｃａは、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）を含む。シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）は、それぞれ第１電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、ＣＯＭＬ（３）、ＣＯＭＬ（４）、ＣＯＭＬ（５）に対応して設けられる。また、第２走査部１４Ｃｂは、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）を含む。シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）は、それぞれ第２電極５３Ａ、５３Ｂに対応して設けられる。
【０１１７】
なお、以下の説明において、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）、７５（Ｌ）、７５（Ｒ）を区別して説明する必要がない場合には、シフトレジスタ７５と表す。
【０１１８】
図１９に示すように、シフトレジスタ７５は、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）、７５（Ｌ）、７５（Ｒ）の順に配置されている。シフトレジスタ７５（５）と、シフトレジスタ７５（Ｌ）の間にスイッチＳＷ２１が設けられる。スイッチＳＷ２１は、表示用ＩＣ１９から供給される選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１に基づいて、オンとオフとが切り換えられる。本実施形態では、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１は、高レベルに固定された電圧信号である。これにより、第１走査部１４Ｃａのシフトレジスタ７５と、第２走査部１４Ｃｂのシフトレジスタ７５が直列に電気的に接続される。このような構成により、シフトレジスタ７５は、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂに順次走査信号ＳＲｏｕｔを供給する。
【０１１９】
具体的には、表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ２０を介して走査開始信号ＳＤＳＴ及びクロック信号ＳＤＣＫをシフトレジスタ７５に供給する。シフトレジスタ７５は、走査開始信号ＳＤＳＴをトリガーとして走査を開始する。シフトレジスタ７５は、クロック信号ＳＤＣＫに同期した走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５、ＳＲｏｕｔＬ、ＳＲｏｕｔＲを順次、スイッチＳＷ１５、ＳＷ３５、ＳＷ３６に出力する。
【０１２０】
第１検出モードでは、シフトレジスタ７５が走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５を順次スイッチＳＷ１５に供給する。スイッチＳＷ１５は、配線Ｌ２２と配線Ｌ１９との間に設けられる。走査信号ＳＲｏｕｔが供給され、スイッチＳＷ１５がオンになると、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬは、配線Ｌ２２、スイッチＳＷ１５及び配線Ｌ１９を介して表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。これにより、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬがシフトレジスタ７５により選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを駆動対象の第１電極ＣＯＭＬに順次供給する。これにより、相互静電容量方式により表示領域Ａｄのタッチ検出が行われる。
【０１２１】
検出用ＩＣ１８は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを表示用ＩＣ１９に供給する。表示用ＩＣ１９に含まれる増幅器７７は、入力ロジック信号ＥＸＶＣＯＭを増幅する。これにより、表示用ＩＣ１９は、増幅された信号を駆動信号ＴＳＶＣＯＭとして第１電極ＣＯＭＬに供給する。駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、上述した駆動信号Ｖｃｏｍ１（図１、１６参照）に相当する信号である。なお、これに限定されず、駆動信号ＴＳＶＣＯＭは、どのように生成してもよい。例えば、高レベルの直流電圧信号と、低レベルの直流電圧信号とを交互に切り換えることで駆動信号ＴＳＶＣＯＭを生成してもよい。
【０１２２】
第２検出モードでは、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）が走査信号ＳＲｏｕｔＬ、ＳＲｏｕｔＲを順次スイッチＳＷ３５、ＳＷ３６に供給する。スイッチＳＷ３５は、配線ＬＡと配線Ｌ１９との間に設けられる。スイッチＳＷ３５がオンになると、駆動対象の第２電極５３Ａは、表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１９、スイッチＳＷ３５を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅器７９に供給する。そして、増幅器７９により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２は、配線ＬＡを介して第２電極５３Ａに供給される。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。
【０１２３】
同様に、スイッチＳＷ３６は、配線ＬＢと配線Ｌ１９との間に設けられる。スイッチＳＷ３６がオンになると、駆動対象の第２電極５３Ｂは、表示用ＩＣ１９と電気的に接続される。表示用ＩＣ１９は、配線Ｌ１９、スイッチＳＷ３６を介して、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅器８０に供給する。そして、増幅器８０により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２は、配線ＬＢを介して第２電極５３Ｂに供給される。これにより、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出が行われる。
【０１２４】
本実施形態では、第２電極５３Ａ、５３Ｂには、増幅器７９、８０により増幅された駆動信号Ｖｃｏｍ２が供給される。これにより、周辺領域Ｇｄのタッチ検出感度を向上させることができる。
【０１２５】
また、本実施形態において、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）は、スイッチＳＷ２１により、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）と接続又は遮断の切り換えが可能になっている。このため、第１走査部１４Ｃａは、第１電極ＣＯＭＬを時分割駆動する従来構成の駆動回路を大きく変更することなく用いることができる。また、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行わない場合であっても、表示用ＩＣ１９は、選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１をスイッチＳＷ２１に供給することで、走査部１４Ｃの駆動を変更することが可能である。
【０１２６】
なお、図１９に示す回路構成は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。例えば、シフトレジスタ７５は、シフトレジスタ７５（Ｌ）、７５（Ｒ）、７５（１）、７５（２）、７５（３）、７５（４）、７５（５）の順に配置してもよい。
【０１２７】
次に、本実施形態の表示装置１の動作の一例について説明する。図２０は、第１の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【０１２８】
表示装置１は、タッチ検出動作（検出期間）及び表示動作（表示期間）を時分割に行う。タッチ検出動作及び表示動作はどのように分けて行ってもよい。例えば、表示パネル１０の１フレーム期間１ＤＦ、すなわち、１画面分の映像情報が表示されるのに要する時間の中において、タッチ検出及び表示をそれぞれ時分割に行う方法について説明する。
【０１２９】
図２０に示すように、複数の表示期間Ｐｄと、複数の検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２とが交互に配置される。これらの表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２とは、制御部１１（図１参照）からの制御信号ＶＣＯＭＦＬ、ＳＥＬＦＥＮに基づいて切り換えられる。
【０１３０】
制御信号ＶＣＯＭＦＬが低レベルの場合、表示期間Ｐｄにおいて、上述した表示動作が実行される。表示用ＩＣ１９に含まれる第１駆動部１４Ａは、図２０に示すように、表示期間Ｐｄにおいて、表示領域Ａｄの全ての第１電極ＣＯＭＬに対して表示駆動用の共通電位である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。また、検出電極ＴＤＬは、電圧信号が供給されず、電位が固定されていないフローティング状態となる。
【０１３１】
検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２において、制御信号ＶＣＯＭＦＬが高レベルになり、第１検出モード、第２検出モードの検出動作が実行される。検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２は、走査信号ＳＲｏｕｔに基づいて順次、実行される。検出期間Ｐｍにおいて、表示装置１は、第１検出モードのタッチ検出により表示領域Ａｄの被検出体を検出する。検出期間Ｐｅ１、Ｐｅ２において、表示装置１は、第２検出モードのタッチ検出により周辺領域Ｇｄの被検出体を検出する。
【０１３２】
選択信号Ｅｄｇｅｓｅｌ１は、１フレーム期間１ＤＦにおいて、高レベルＨに固定されている。これにより、図１９に示す第１走査部１４Ｃａのシフトレジスタ７５は、第２走査部１４Ｃｂのシフトレジスタ７５と直列に接続される。このため、１フレーム期間１ＤＦにおいて検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２の検出動作を時分割的に順次、実行できる。
【０１３３】
また、検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２では、制御信号ＳＥＬＦＥＮが高レベルになる。この場合、表示装置１は、第３検出モードの検出動作を実行する。図２０に示すように、１フレーム期間１ＤＦにおいて、検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の順に配置され、表示装置１は、第１検出モード、第２検出モード、第３検出モードの順に検出動作を実行する。
【０１３４】
第１検出モードにおいて、走査部１４Ｃ（図１９参照）は、検出期間Ｐｍ毎に、１つの第１電極ＣＯＭＬを駆動対象として選択する。具体的には、走査部１４Ｃは、走査信号ＳＲｏｕｔ１、ＳＲｏｕｔ２、ＳＲｏｕｔ３、ＳＲｏｕｔ４、ＳＲｏｕｔ５を順次出力し、駆動対象の第１電極ＣＯＭＬを選択する。表示用ＩＣ１９は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭ（駆動信号Ｖｃｏｍ１）を駆動対象の第１電極ＣＯＭＬに順次供給する。検出電極ＴＤＬは、第１電極ＣＯＭＬとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ１を電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、表示領域Ａｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。
【０１３５】
第２検出モードでは、走査部１４Ｃ（図１９参照）は、検出期間Ｐｅ１において、走査信号ＳＲｏｕｔＬを出力する。これにより、駆動対象の第２電極５３Ａが選択される。表示用ＩＣ１９は、駆動信号Ｖｃｏｍ２を第２電極５３Ａに供給する。駆動信号Ｖｃｏｍ２は、駆動信号ＴＳＶＣＯＭを増幅した電圧信号であり、例えば駆動信号Ｖｃｏｍ１の３倍程度の振幅を有する。検出電極ＴＤＬは、第２電極５３Ａとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＬを電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。
【０１３６】
同様に、検出期間Ｐｅ２において、走査部１４Ｃは、走査信号ＳＲｏｕｔＲを出力する。これにより、駆動対象の第２電極５３Ｂが選択される。検出電極ＴＤＬは、第２電極５３Ｂとの間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＲを電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより、周辺領域Ｇｄにおける被検出体のタッチ検出が行われる。
【０１３７】
検出期間Ｐｓ１、Ｐｓ２では、主に検出用ＩＣ１８に含まれる検出制御部１１Ａ（図１参照）により、自己静電容量方式によるタッチ検出が実行される。検出期間Ｐｓ１において、検出用ＩＣ１８は、検出電極ＴＤＬに駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。検出電極ＴＤＬは、検出電極ＴＤＬの容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ１において、検出電極ＴＤＬの配列方向、すなわち第２方向Ｄｙ（図１３参照）における被検出体の位置が算出される。
【０１３８】
また、検出期間Ｐｓ１において検出用ＩＣ１８は、全ての第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給する。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＡと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂは、検出電極ＴＤＬと同じ電位で駆動される。このため、第１基板２１に設けられたスイッチング素子Ｔｒや各種配線と、検出電極ＴＤＬとの間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０１３９】
検出期間Ｐｓ２において、検出用ＩＣ１８は、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂに駆動信号ＶｃｏｍＢを供給する。第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂは、それぞれの容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を電圧検出器ＤＥＴに出力する。検出期間Ｐｓ２において、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂの配列方向、すなわち第１方向Ｄｘ（図１２参照）における被検出体の位置が算出される。このように、自己静電容量方式のタッチ検出において、第１電極ＣＯＭＬ及び第２電極５３Ａ、５３Ｂは検出電極として機能する。
【０１４０】
なお、検出期間Ｐｓ２において検出用ＩＣ１８は、第２電極５３Ａ、５３Ｂに対し、ガード信号Ｖｇｄを供給してもよい。ガード信号Ｖｇｄは、駆動信号ＶｃｏｍＢと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、第１電極ＣＯＭＬと同じ電位で駆動される。この場合、第１電極ＣＯＭＬが検出電極として機能し、第２電極５３Ａ、５３Ｂはガード電極として機能する。これにより、第１電極ＣＯＭＬの寄生容量を低減することができる。また、検出用ＩＣ１８は、検出電極ＴＤＬに対し電圧信号を供給せず、検出電極ＴＤＬをフローティング状態としてもよい。或いは、検出用ＩＣ１８は、検出電極ＴＤＬに対し固定された電位を有する電圧信号を供給してもよい。
【０１４１】
図２０に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の長さ（幅）は、模式的に示したものであり、同じ長さでもよく、異なる長さであってもよい。検出期間Ｐｍ、Ｐｅ１、Ｐｅ２、Ｐｓ１、Ｐｓ２の順番も適宜変更してもよい。１フレーム期間１ＤＦにおいて１検出面の検出動作が行われるが、複数の１フレーム期間１ＤＦに亘って１検出面の検出動作が行われてもよい。
【０１４２】
（第１の実施形態の第１変形例）
図２１は、第１の実施形態の第１変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２１に示すように、本変形例の表示装置１Ａにおいて、第２筐体１０２（図１１参照）が設けられていない。本変形例において、図１１と同様に、表示パネル１０は、第１筐体１０１に固定される。第１筐体１０１は、対向する２つの壁部１０１Ｂを有している。壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに第２電極５３Ａ、５３Ｂが設けられる。
【０１４３】
カバー基板５１は、表示パネル１０及び壁部１０１Ｂに対向して設けられる。上面１０１Ｂａに垂直な方向において、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、カバー基板５１と壁部１０１Ｂとの間に配置される。本変形例では、カバー基板５１の外周よりも外側に、筐体等の他の部材が配置されていない。カバー基板５１の外周は、断面視で曲面を有する。本変形例では、第２筐体１０２（図１１参照）が設けられていないため、表示装置１Ａの小型化、狭額縁化に有利である。また、表示装置１Ａの構成を簡略化してコストを低減できる。
【０１４４】
（第１の実施形態の第２変形例）
図２２は、第１の実施形態の第２変形例に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２２に示すように、本変形例の表示装置１Ｂにおいても、第２筐体１０２（図１１参照）が設けられていない。本変形例においても、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに第２電極５３Ａ、５３Ｂが設けられる。
【０１４５】
カバー基板５１は、表示パネル１０の上に図示しない接着層を介して貼り合わされる。カバー基板５１は、表示パネル１０と実質的に同じ幅を有しており、壁部１０１Ｂと対向する位置には設けられていない。本変形例では、第２筐体１０２（図１１参照）が設けられておらず、カバー基板５１は平面視で第１筐体１０１の外形形状よりも小さい外形を有する。このため、カバー基板５１の狭額縁化を図ることができ、表示装置１Ｂの小型化、狭額縁化に有利である。また、表示装置１Ｂの構成を簡略化してコストを低減できる。
【０１４６】
また、第２電極５３Ａ、５３Ｂは、平面視でカバー基板５１よりも外側に設けられる。つまり、第２電極５３Ａ、５３Ｂと重なる位置に、カバー基板５１や第１筐体１０１等の部材が設けられていない。したがって、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱと第２電極５３Ａ、５３Ｂとの距離が小さくなり、周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出の検出感度を高めることができる。
【０１４７】
（第２の実施形態）
図２３は、第２の実施形態に係る表示装置を表す斜視図である。図２４は、第２の実施形態に係る駆動電極及び検出電極を模式的に示す平面図である。図２３に示すように、本実施形態の表示装置１Ｃにおいて、第１筐体１０３の内部に表示パネル１０が固定されている。第１筐体１０３は、２つの第１壁部１０３Ｂと、２つの第２壁部１０３Ｃとを有する。２つの第１壁部１０３Ｂは、それぞれ第２方向Ｄｙに沿って延出し、第１方向Ｄｘに互いに対向する。２つの第２壁部１０３Ｃは、それぞれ第１方向Ｄｘに沿って延出し、第２方向Ｄｙに互いに対向する。２つの第１壁部１０３Ｂと２つの第２壁部１０３Ｃとが接続されて、第１筐体１０３は平面視で枠状となっている。
【０１４８】
第２壁部１０３Ｃには、スリットＳＬが形成されている。スリットＳＬは、第２壁部１０３Ｃの外側の側面１０３Ｃｃと、側面１０３Ｃｃと反対側の内側の面１０３Ｃｄとに連通している。スリットＳＬは、第３方向Ｄｚに延出し、第２壁部１０３Ｃの上面から下面まで連続している。これに限定されず、なお、スリットＳＬは、第３方向Ｄｚにおいて、第２壁部１０３Ｃの一部に設けられていてもよい。スリットＳＬは、それぞれの第２壁部１０３Ｃに２つ、合計４つ設けられているが、これに限定されず、少なくとも１つ設けられていればよい。スリットＳＬは、例えばＳＩＭ（Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  Ｉｄｅｎｔｉｔｙ  Ｍｏｄｕｌｅ）カード等を挿入するためのスロットであってもよい。
【０１４９】
本実施形態では、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃにセンサ部１１１が設けられている。センサ部１１１は、第２電極６２と第３電極６１とを含む。図２４に示すように、第２電極６２は、第２方向Ｄｙに複数配列されている。第３電極６１は、第２方向Ｄｙに対向する２つの第２電極６２の間に配置される。言い換えると、第３電極６１と第２電極６２とは、第２方向Ｄｙにおいて交互に配列されている。第３電極６１は、四角形状である。第２電極６２は、第３方向Ｄｚに長手を有する帯状である。これに限定されず、第３電極６１及び第２電極６２の形状は適宜変更してもよい。
【０１５０】
複数の第３電極６１に配線ＬＴが接続される。配線ＬＴは第２方向Ｄｙに延出し、複数の第３電極６１の一端とそれぞれ接続される。第３電極６１に対して配線ＬＴの反対側に、複数の配線ＬＲが設けられる。複数の配線ＬＲは、複数の第３電極６１に１対１の関係で接続される。
【０１５１】
図２３に示すように、配線ＬＴと配線ＬＲは、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃから第２壁部１０３Ｃの側面１０３Ｃｃまで延出する。そして、配線ＬＴと配線ＬＲは、スリットＳＬを介して第１筐体１０３の内側に引き出されて、表示パネル１０の表示用ＩＣ１９（図２３では省略して示す）と接続される。本実施形態では、側面１０３Ｂｃに第３電極６１及び第２電極６２が設けられ、側面１０３Ｂｃとは異なる側面１０３ＣｃにスリットＳＬが設けられる。配線ＬＴ及び配線ＬＲは、側面１０３Ｂｃと側面１０３Ｃｃとに連続して設けられる。このような構成により、第２電極６２及び第３電極６１は、スリットＳＬを介して、第１筐体１０３の内部の表示パネル１０と電気的に接続される。
【０１５２】
隣り合って配列された第２電極６２と第３電極６１との間に静電容量が形成される。第１駆動部１４Ａ（図１参照）は、第２電極６２に配線ＬＴを介して駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。第３電極６１は、第２電極６２との間の容量変化に応じたセンサ出力信号ＶｓＲを、配線ＬＲを介して電圧検出器ＤＥＴに供給する。これにより、表示装置１Ｃは、側面１０３Ｂｃに接触又は近接する被検出体ＣＱを検出することができる。第３電極６１は複数配列されており、それぞれの第３電極６１のセンサ出力信号ＶｓＲに基づいて、被検出体ＣＱの第２方向Ｄｙの位置を検出することができる。また、第３電極６１ごとに、例えばカメラの動作の機能等を割り当てて、入力用ボタンとして用いることもできる。表示装置１Ｃは、側面１０３Ｂｃにセンサ部１１１を設けることで、種々の入力操作を実現できる。
【０１５３】
図２３に示すように、配線ＬＴは、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃと上面１０３Ｂａとの接続部分の近傍に配置されている。このため、配線ＬＴは、検出電極ＴＤＬとの間に静電容量を形成する。配線ＬＴは、第１の実施形態に示した第２電極５３Ａと同様に駆動電極として機能してもよい。これにより表示装置１Ｃは、配線ＬＴと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱを検出することができる。
【０１５４】
図２３では、対向する２つの第１壁部１０３Ｂのうち、一方の第１壁部１０３Ｂに第２電極６２及び第３電極６１が設けられている。これに限定されず、２つの第１壁部１０３Ｂの、それぞれに第２電極６２及び第３電極６１が設けられていてもよい。
【０１５５】
第２電極６２及び第３電極６１の配置方法は特に限定されない。第１筐体１０３が金属製である場合には、上述した図１４に示す例と同様に、第２電極６２及び第３電極６１を含むフィルムセンサを構成してもよい。この場合、保護層５６を介して基材５５（図１４参照）の上に第２電極６２及び第３電極６１が設けられる。第２電極６２と第３電極６１とは、同じ層に設けられてもよく、異なる層に設けられてもよい。側面１０３Ｂｃにフィルムセンサを貼り合わせることで、第２電極６２及び第３電極６１と、第１筐体１０３との間の絶縁を確保できる。
【０１５６】
或いは、上述した図１５に示す例と同様に、第２電極６２及び第３電極６１に保護層５８を設け、コーティングを施してもよい。この場合、側面１０３Ｂｃに溝部を形成して、溝部に第２電極６２及び第３電極６１を埋め込む構成を採用してもよい。
【０１５７】
（第２の実施形態の第１変形例）
図２５は、第２の実施形態に係る第１変形例の表示装置を表す斜視図である。第２電極６２及び第３電極６１の配置と、これらによる検出動作は、図２３に示す表示装置１Ｃと同様である。
【０１５８】
本変形例では、表示パネル１０の外周と第１筐体１０３との間に間隙が設けられている。つまり、表示パネル１０の外周と第２壁部１０３Ｃとの間に間隙１２５が設けられている。また、表示パネル１０の外周と第１壁部１０３Ｂとの間にも間隙１２５が設けられている。間隙１２５に設けられた接着層１２８を介して表示パネル１０は第１筐体１０３に固定される。
【０１５９】
配線ＬＴと配線ＬＲは、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃから第２壁部１０３Ｃの側面１０３Ｃｃまで延出する。そして、配線ＬＴと配線ＬＲは、間隙１２５を介して第１筐体１０３の内側に引き出されて、表示パネル１０の表示用ＩＣ１９（図２３では省略して示す）と接続される。このような構成により、第２電極６２及び第３電極６１は、第１筐体１０３と表示パネル１０との間の間隙１２５を介して、第１筐体１０３の内部の表示パネル１０と電気的に接続される。なお、本変形例では、表示パネル１０の外周を囲んで間隙１２５が設けられているがこれに限定されない。表示パネル１０の少なくとも１辺に沿って間隙１２５が設けられていればよい。
【０１６０】
（第２の実施形態の第２変形例）
図２６は、第２の実施形態に係る第２変形例の表示装置を表す斜視図である。本変形例の表示装置１Ｅは、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃに複数の第３電極６１が配列される。本変形例では、第２電極６２が設けられていない。
【０１６１】
表示装置１Ｅは、第３電極６１のそれぞれの容量変化に基づいて、側面１０３Ｂｃに接触又は近接する被検出体ＣＱを検出することができる。具体的には、第２駆動部１４Ｂ（図１参照）は、第３電極６１に駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第３電極６１は、第３電極６１の容量変化に応じたセンサ出力信号Ｖｓ２を、配線ＬＲ（図２４参照）を介して検出器に供給する。これにより、表示装置１Ｅは、側面１０３Ｂｃに接触又は近接する被検出体ＣＱを検出することができる。
【０１６２】
本変形例においても、図２３に示す例と同様に、第３電極６１はスリットＳＬを介して表示パネル１０の表示用ＩＣ１９と接続されてもよい。或いは、図２５に示す例と同様に、第３電極６１は間隙１２５を介して表示パネル１０の表示用ＩＣ１９と接続されてもよい。
【０１６３】
（第２の実施形態の第３変形例）
図２７は、第２の実施形態に係る第３変形例の表示装置を表す斜視図である。本変形例の表示装置１Ｆは、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａに第２電極６２Ａが設けられ、側面１０３Ｂｃに第２電極６２Ｂが設けられる。第２電極６２Ａは上面１０３Ｂａの長手方向に沿って設けられる。また、第２電極６２Ｂは、側面１０３Ｂｃの長手方向に沿って設けられる。それぞれ第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃと上面１０３Ｂａとの接続箇所で第２電極６２Ａと第２電極６２Ｂとが接続される。これにより、第２電極６２Ａと第２電極６２Ｂとは、上面１０３Ｂａ及び側面１０３Ｂｃに連続して設けられ、１つの駆動電極として機能する。本変形例では、第３電極６１が設けられていない。
【０１６４】
第２電極６２Ａ、６２Ｂは、表示パネル１０の検出電極ＴＤＬとの間に静電容量を形成する。第２電極６２Ａ、６２Ｂは、第１の実施形態に示した第２電極５３Ａと同様に駆動電極として機能してもよい。これにより表示装置１Ｆは、第２電極６２Ａ、６２Ｂと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱを検出することができる。
【０１６５】
本変形例においても、図２３に示す例と同様に、第２電極６２Ａ、６２Ｂは、はスリットＳＬを介して表示パネル１０の表示用ＩＣ１９と接続されてもよい。或いは、図２５に示す例と同様に、第２電極６２Ａ、６２Ｂは、間隙１２５を介して表示パネル１０の表示用ＩＣ１９と接続されてもよい。
【０１６６】
（第２の実施形態の第４変形例）
図２８は、第２の実施形態に係る第４変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｇは、第１筐体１０３を固定する第２筐体１０４を備える。図２８に示すように、第２筐体１０４は、底部１０４Ａと、壁部１０４Ｂと、張出部１０４Ｃと、を備える。底部１０４Ａの上側に第１筐体１０３の底部１０３Ａが固定される。壁部１０４Ｂは、底部１０４Ａの外周に設けられ、第１筐体１０３の第１壁部１０３Ｂよりも外側に設けられる。少なくとも２つの壁部１０４Ｂが設けられ、壁部１０４Ｂ同士の間に第１筐体１０３が配置される。また、４つの壁部１０４Ｂを設け、平面視で第１筐体１０３の周囲を４つの壁部１０４Ｂにより囲む構成としてもよい。
【０１６７】
張出部１０４Ｃは、壁部１０４Ｂの上部から、第２筐体１０４の内側に向かって突出する。張出部１０４Ｃは、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａと対向する。張出部１０４Ｃと底部１０４Ａとの間に第１壁部１０３Ｂが配置される。また、張出部１０４Ｃは、開口１０４Ｃａが設けられている。カバー基板５１は、この開口１０４Ｃａに固定される。
【０１６８】
このような構成により、底部１０４Ａと、壁部１０４Ｂと、張出部１０４Ｃと、で囲まれた空間に第１筐体１０３、表示パネル１０、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂ及びカバー基板５１が固定される。例えば、第１筐体１０３は金属製であり、第２筐体１０４は樹脂製である。
【０１６９】
本変形例の表示装置１Ｇにおいて、第１筐体１０３の第１壁部１０３Ｂと、第２筐体１０４の壁部１０４Ｂとの間に、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂが設けられる。このため、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂの耐食性、耐摩耗性が向上する。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。このような構成により、表示装置１Ｇは、側面に接触又は近接する被検出体ＣＱを検出することができる。
【０１７０】
（第２の実施形態の第５変形例）
図２９は、第２の実施形態に係る第５変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｈは、図２８に示す表示装置１Ｇと同様に、第１筐体１０３と第２筐体１０４とを備える。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第２筐体１０４の壁部１０４Ｂの側面１０４Ｂａに設けられる。壁部１０４Ｂの側面１０４Ｂａは、表示装置１Ｈの最も外側の面であり、側面１０４Ｂａに操作者の手や指が接触する。このような構成により、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂと、被検出体ＣＱとの距離が小さくなり、側面１０４Ｂａにおけるタッチ検出の検出感度が向上する。
【０１７１】
本変形例において、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。
【０１７２】
（第２の実施形態の第６変形例）
図３０は、第２の実施形態に係る第６変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｉは、図２８及び図２９に示す表示装置１Ｇ、１Ｈと同様に、第１筐体１０３と第２筐体１０４とを備える。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第２筐体１０４の張出部１０４Ｃの上面１０４Ｃｂに設けられる。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、平面視で、張出部１０４Ｃの開口１０４Ｃａよりも外側、つまり、カバー基板５１よりも外側に配置される。
【０１７３】
本変形例において、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。また、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１実施形態に示す第２電極５３Ａ、５３Ｂ（図１２参照）を含む構成であってもよい。このような構成により、例えば、第１筐体１０３が金属製の場合であっても、周辺領域Ｇｄに接触又は近接する被検出体ＣＱを良好に検出することができる。また、本変形例は、カバー基板５１の狭額縁化に有利である。
【０１７４】
（第２の実施形態の第７変形例）
図３１は、第２の実施形態に係る第７変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｊは、図２８から図３０に示す表示装置１Ｇ−１Ｉと同様に、第１筐体１０３と第２筐体１０４とを備える。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、上面１０４Ｃｂと、側面１０４Ｂａとの接続箇所に設けられる。すなわち、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、上面１０４Ｃｂと、側面１０４Ｂａとの両方に連続して設けられる。
【０１７５】
本変形例において、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２７に示す第２電極６２Ａ、６２Ｂを含む構成であってもよい。このような構成により、上面１０４Ｃｂに接触又は近接する被検出体ＣＱを検出するとともに、側面１０４Ｂａに接触又は近接する被検出体ＣＱを検出することも可能である。また、図３０に示す表示装置１Ｉと比較して、側面１０４Ｂａよりも外側の検出範囲を拡大することができる。
【０１７６】
（第２の実施形態の第８変形例）
図３２は、第２の実施形態に係る第８変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｋは、第１筐体１０３を備えており、第２筐体１０４は設けられていない。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１筐体１０３の第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａに設けられる。カバー基板５１は、表示パネル１０及び第１壁部１０３Ｂと対向して配置される。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、カバー基板５１と第１壁部１０３Ｂとの間に配置される。より具体的には、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、カバー基板５１の第２面５１ｂと、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａとの間に配置される。このため、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂの耐食性、耐摩耗性が向上する。
【０１７７】
本変形例においてセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。また、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１実施形態に示す第２電極５３Ａ、５３Ｂ（図１２参照）を含む構成であってもよい。このような構成により、表示装置１Ｋは、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱを良好に検出することができる。また、本変形例の表示装置１Ｋは、図２８から図３１に示す表示装置１Ｇ−１Ｊに比べ、小型化、狭額縁化に有利である。
【０１７８】
（第２の実施形態の第９変形例）
図３３は、第２の実施形態に係る第９変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｌは、図３２に示す例と同様に、第１筐体１０３を備えており、第２筐体１０４は設けられていない。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１壁部１０３Ｂの側面１０３Ｂｃに設けられる。カバー基板５１は、表示パネル１０及び第１壁部１０３Ｂと対向して配置される。図３３に示す例では、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、平面視で、カバー基板５１よりも外側に配置される。側面１０３Ｂｃは、表示装置１Ｌの最も外側の面であり、側面１０３Ｂｃに操作者の手や指が接触する。
【０１７９】
本変形例においてセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。このような構成により、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂと、被検出体ＣＱとの距離が小さくなり、側面１０３Ｂｃにおけるタッチ検出の検出感度が向上する。
【０１８０】
（第２の実施形態の第１０変形例）
図３４は、第２の実施形態に係る第１０変形例の表示装置の概略断面構造を表す断面図である。本変形例の表示装置１Ｍは、第１筐体１０３を備えており、第２筐体１０４は設けられていない。センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１筐体１０３の第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａに設けられる。カバー基板５１は、表示パネル１０と実質的に同じ幅を有しており、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａと重なる位置に設けられていない。つまり、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、平面視でカバー基板５１よりも外側に配置される。
【０１８１】
本変形例においてセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２４に示すセンサ部１１１と同様に、第２電極６２と第３電極６１とを含む構成であってもよい。或いは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、図２６に示す例と同様に、第３電極６１が複数配列された構成であってもよい。また、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂは、第１実施形態に示す第２電極５３Ａ、５３Ｂ（図１２参照）を含む構成であってもよい。このような構成により、表示装置１Ｍは、周辺領域Ｇｄの被検出体ＣＱを良好に検出することができる。表示装置１Ｍは、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂの上にカバー基板５１が設けられていない。このため、センサ部１１１Ａ、１１１Ｂと、被検出体ＣＱとの距離が小さくなり、周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出の検出感度が向上する。また、本変形例の表示装置１Ｍは、図３３に示す表示装置１Ｌに比べ、カバー基板５１の小型化、狭額縁化に有利である。
【０１８２】
（第３の実施形態）
図３５は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図３６は、第３の実施形態に係る表示装置を模式的に示す平面図である。なお、上述した第１の実施形態及び第２の実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１８３】
図３５に示すように、本実施形態の表示装置１Ｎにおいて、画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、第１電極ＣＯＭＬＡと、偏光板３５Ｂとを有する。また、対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた偏光板３５Ａとを有する。すなわち、本実施形態では、第２基板３１に検出電極ＴＤＬ（図９参照）が設けられていない。
【０１８４】
カバー基板５１の周辺領域Ｇｄには、着色層５２と、第２電極５４Ａ、５４Ｂが設けられている。着色層５２は、例えば、光の透過を抑制するように着色された樹脂材料や、金属材料が用いられる。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、着色層５２と重なる位置に設けられる。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、周辺領域Ｇｄのタッチ検出における駆動電極として機能する。なお、図３５では図示を省略しているが、第２電極５４Ａ、５４Ｂは、図１１と同様に、壁部１０１Ｂの上面１０１Ｂａに設けられ、壁部１０１Ｂとカバー基板５１との間に配置されていてもよい。
【０１８５】
図３６に示すように、複数の第１電極ＣＯＭＬＡは、第１基板２１の表示領域Ａｄにマトリクス状に配置される。言い換えると、複数の第１電極ＣＯＭＬＡは、第１方向Ｄｘに配列されるとともに、第２方向Ｄｙに配列される。図３６では、一部の第１電極ＣＯＭＬＡを省略して示しているが、第１電極ＣＯＭＬＡは、表示領域Ａｄの全領域に配列される。第１電極ＣＯＭＬＡは、配線２７（図４０参照）を介して、表示用ＩＣ１９及び検出用ＩＣ１８と電気的に接続される。
【０１８６】
第２電極５４Ａ、５４Ｂは、平面視で表示領域Ａｄよりも外側に配置される。具体的には、第２電極５４Ａは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの一方に配置され、第２電極５４Ｂは、第１方向Ｄｘに対向する周辺領域Ｇｄの他方に配置される。第２電極５４Ａと第２電極５４Ｂとは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに対向して配置される。平面視で、第２電極５４Ａと第２電極５４Ｂとの間に複数の第１電極ＣＯＭＬＡが配列される。言い換えると、第２電極５４Ａ及び第２電極５４Ｂは、第１電極ＣＯＭＬＡと重ならない位置に設けられる。なお、第２電極５４Ａ、５４Ｂが配置される位置や数は適宜変更することができる。第２電極５４Ａ、５４Ｂは、平面視で、表示領域Ａｄの少なくとも一辺に沿って表示領域Ａｄの外側に設けられていればよい。
【０１８７】
次に、図３７から図４１を参照して、表示装置１Ｎの動作について説明する。図３７は、第３の実施形態に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図３８は、第３の実施形態に係る表示装置の、第３検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。図３９は、第３の実施形態に係る表示装置の、第３検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。図４０は、第３の実施形態に係る接続回路の一例を示す回路図である。図４１は、第３の実施形態に係る表示装置の、第２検出モードのタッチ検出の動作例を説明するための説明図である。なお、図３８、図３９及び図４１では、第２電極５４Ａ、５４Ｂを二点鎖線で示している。
【０１８８】
図３７に示すように、複数の表示期間Ｐｄと、複数の検出期間Ｐｓとが交互に配置される。また、１フレーム期間１ＤＦに１回の検出期間Ｐｅが配置される。検出期間Ｐｅは、１フレーム期間１ＤＦに複数設けられていてもよい。表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｓ、Ｐｅとは、制御部１１（図１参照）からの制御信号ＶＣＯＭＦＬ、ＳＥＬＦＥＮに基づいて切り換えられる。
【０１８９】
図３７に示すように、第１駆動部１４Ａ（図１参照）は、表示期間Ｐｄにおいて、表示領域Ａｄの複数の第１電極ＣＯＭＬＡを含む第１電極ブロックＢＫ１、ＢＫ２、…、ＢＫ５、…に、表示駆動用の共通電位である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。
【０１９０】
表示装置１Ｎは、検出期間Ｐｓで第３検出モードのタッチ検出を行う。すなわち、表示装置１Ｎは、自己静電容量方式により表示領域Ａｄの被検出体を検出する。具体的には、第２駆動部１４Ｂ（図１参照）は、複数の第１電極ＣＯＭＬＡを含む第１電極ブロックＢＫ１、ＢＫ２、…、ＢＫ５、…ごとに、順次、駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。
【０１９１】
図３８に示すように、１つの検出期間Ｐｓにおいて、検出用ＩＣ１８は、第１電極ブロックＢＫ１を選択する。第１電極ブロックＢＫ１は、第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡを含む。第２駆動部１４Ｂは、第１電極ブロックＢＫ１に含まれる第１電極ＣＯＭＬＡに、同時に駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第１電極ブロックＢＫ１に含まれる第１電極ＣＯＭＬＡは、それぞれの自己静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ（Analog  Front  End）４８（図４０参照）に出力する。これにより、第１電極ブロックＢＫ１と重なる部分の表示領域Ａｄにおいてタッチ検出が行われる。
【０１９２】
次の検出期間Ｐｓでは、図３９に示すように、検出用ＩＣ１８は、第１電極ブロックＢＫ２を選択する。第１電極ブロックＢＫ２は、第１方向Ｄｘに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡを含み、第１電極ブロックＢＫ１と第２方向Ｄｙに隣り合う。図３８と同様に、第２駆動部１４Ｂは、第１電極ブロックＢＫ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬＡに、同時に駆動信号ＶｃｏｍＡを供給する。第１電極ブロックＢＫ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬＡは、それぞれの自己静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８（図４０参照）に出力する。これにより、第１電極ブロックＢＫ２と重なる部分の表示領域Ａｄにおいてタッチ検出が行われる。
【０１９３】
そして、第２駆動部１４Ｂは、検出期間Ｐｓごとに、第１電極ブロックＢＫを順次走査する。これにより１検出面のタッチ検出が行われる。なお、第２駆動部１４Ｂは、非選択の第１電極ブロックＢＫにガード信号を供給してもよい。ガード信号は、駆動信号ＶｃｏｍＡと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、選択された第１電極ブロックＢＫと、非選択の第１電極ブロックＢＫが、同じ電位で駆動される。このため、第１電極ブロックＢＫの寄生容量を抑制することができる。
【０１９４】
なお、第２駆動部１４Ｂは、同じ検出期間Ｐｓで、第１電極ブロックＢＫとして２ライン分以上の第１電極ＣＯＭＬＡを選択してもよい。同時に駆動する電極の数は、ＡＦＥ４８のチャンネル数に応じて適宜変更することができる。
【０１９５】
図４０に示すように、複数の第１電極ＣＯＭＬＡは、それぞれ配線２７及び接続回路１７を介してＡＦＥ４８に接続される。ＡＦＥ４８は、図１に示す検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、を含む。ＡＦＥ４８は、検出信号Ｖｄｅｔ１、Ｖｄｅｔ２をデジタル信号に変換して信号処理部４４に出力するアナログ信号処理回路である。図４０に示す例では、配線２７は第１電極ＣＯＭＬＡに対して１対１の関係で接続される。配線２７は、第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに間隔を有して複数配列される。なお、図４０では、第２電極５４Ａ、５４Ｂ、表示用ＩＣ１９等を省略して示す。
【０１９６】
図４０に示すように、例えば、第１電極ＣＯＭＬＡ（１１）、ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（１３）、ＣＯＭＬＡ（１４）は、第２方向Ｄｙに配列されている。第１電極ＣＯＭＬＡ（１１）、ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（１３）、ＣＯＭＬＡ（１４）の順にＡＦＥ４８に近づいて配置される。また、第１電極ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（２２）、ＣＯＭＬＡ（３２）、ＣＯＭＬＡ（４２）の順に第１方向Ｄｘに配列されている。なお、以下の説明において第１電極ＣＯＭＬＡ（１１）、ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（１３）、ＣＯＭＬＡ（１４）、ＣＯＭＬＡ（２２）、ＣＯＭＬＡ（３２）、ＣＯＭＬＡ（４２）を区別して説明する必要がない場合には、第１電極ＣＯＭＬＡと表す。
【０１９７】
接続回路１７は、例えばマルチプレクサであり、第１電極ＣＯＭＬＡとＡＦＥ４８との間の、接続と遮断とを切り替えることができる。接続回路１７は、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４と配線Ｌ１２とを含む。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡ（１１）、ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（１３）、ＣＯＭＬＡ（１４）に対応して設けられる。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４は、共通の配線Ｌ１２を介して１つの配線Ｌ１１に接続される。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４及び配線Ｌ１２は、第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬＡごとに設けられている。
【０１９８】
スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３、ＳＷ１４の動作は、検出用ＩＣ１８からの制御信号に基づいて制御される。図４０に示す例では、スイッチＳＷ１２がオンになり、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１３、ＳＷ１４がオフになる。第１方向Ｄｘに配列された第１電極ＣＯＭＬＡ（１２）、ＣＯＭＬＡ（２２）、ＣＯＭＬＡ（３２）、ＣＯＭＬＡ（４２）が、それぞれ配線Ｌ１１を介してＡＦＥ４８に接続される。これにより、第１電極ブロックＢＫが選択される。検出用ＩＣ１８からの制御信号に基づいてスイッチＳＷ１１からスイッチＳＷ１４が動作することで、第１電極ブロックＢＫが順次選択される。
【０１９９】
このように接続回路１７を設けることにより、ＡＦＥ４８に接続される配線Ｌ１１の数は、１つの第１電極ブロックＢＫに含まれる第１電極ＣＯＭＬＡの数と等しくなる。つまり、配線Ｌ１１の数を、第１電極ＣＯＭＬＡにそれぞれ接続された配線２７の数よりも少なくすることができる。なお、図４０に示す接続回路１７の構成は、あくまで一例であり、これに限定されない。例えば、第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡを同時に選択する構成としてもよい。
【０２００】
次に、図３７に示す検出期間Ｐｅでは、表示装置１Ｎは、第２検出モードのタッチ検出を行う。すなわち、表示装置１Ｎは、相互静電容量方式により第２電極５４Ａ、５４Ｂと、第１電極ＣＯＭＬＡとの間の静電容量変化に基づいて、周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行う。
【０２０１】
具体的には、図４１に示すように、表示用ＩＣ１９に含まれる第１駆動部１４Ａ（図１参照）は、第２電極５４Ａ及び第２電極５４Ｂに、駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給する。制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬＡのうち、第２電極５４Ａと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬＡを検出対象として選択する。ここで、第２電極５４Ａと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡを第１検出電極ブロックＲｘ１とする。すなわち、第１検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬＡは、第２電極５４Ａと隣り合って、第２電極５４Ａの長手方向に沿って配列される。
【０２０２】
また、制御部１１（図１参照）は、第１電極ＣＯＭＬＡのうち、第２電極５４Ｂと隣り合う複数の第１電極ＣＯＭＬＡを検出対象として選択する。ここで、第２電極５４Ｂと隣り合って第２方向Ｄｙに配列された複数の第１電極ＣＯＭＬＡを第２検出電極ブロックＲｘ２とする。すなわち、第２検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬＡは、第２電極５４Ｂと隣り合って、第２電極５４Ｂの長手方向に沿って配列される。
【０２０３】
第２電極５４Ａ、５４Ｂに駆動信号Ｖｃｏｍ２が供給された場合に、第１検出電極ブロックＲｘ１の第１電極ＣＯＭＬＡは、第２電極５４Ａとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８（図４０参照）に出力する。同時に第２検出電極ブロックＲｘ２の第１電極ＣＯＭＬＡは、第２電極５４Ｂとの間の静電容量変化に応じたセンサ出力信号をＡＦＥ４８に出力する。このように、第１検出電極ブロックＲｘ１、第２検出電極ブロックＲｘ２の各第１電極ＣＯＭＬＡがそれぞれ検出電極として機能する。このため、第２電極５４Ａ、５４Ｂが長尺状の場合であっても、周辺領域Ｇｄの一辺に沿った領域の、被検出体の位置を検出することができる。以上のように、表示装置１Ｎは、相互静電容量方式により、第２電極５４Ａが設けられた周辺領域Ｇｄ及び第２電極５４Ｂが設けられた周辺領域Ｇｄにおけるタッチ検出を行うことができる。
【０２０４】
なお、第１検出電極ブロックＲｘ１及び第２検出電極ブロックＲｘ２に含まれる第１電極ＣＯＭＬＡの数は、ＡＦＥ４８のチャネル数に応じて定められる。図４１に示す例では、同じ検出期間において、同時に１６個の第１電極ＣＯＭＬＡがＡＦＥ４８に接続される。これに限定されず、１５個以下又は１７個以上の第１電極ＣＯＭＬＡがＡＦＥ４８に接続されてもよい。第１検出電極ブロックＲｘ１及び第２検出電極ブロックＲｘ２は、第２方向Ｄｙに配列された第１電極ＣＯＭＬＡのうち、一部の第１電極ＣＯＭＬＡが含まれなくてもよい。第１検出電極ブロックＲｘ１及び第２検出電極ブロックＲｘ２は、表示領域Ａｄの最も外周側に位置する第１電極ＣＯＭＬＡにより構成されるが、これに限定されない。第１検出電極ブロックＲｘ１及び第２検出電極ブロックＲｘ２は、表示領域Ａｄの内側に配置された第１電極ＣＯＭＬＡを含んでもよい。また、第１駆動部１４Ａは、第２電極５４Ａ及び第２電極５４Ｂに、それぞれ異なる期間に駆動信号Ｖｃｏｍ２を供給してもよい。
【０２０５】
（第３の実施形態の第１変形例）
図４２は、第３の実施形態に係る第１変形例の表示装置を示す斜視図である。図４２に示すように、本変形例の表示装置１Ｏは、表示パネル１０Ａと第１筐体１０３とを含む。第１筐体１０３の内部に表示パネル１０Ａが固定されている。第１筐体１０３は、図２３等に示したものと同様であり、２つの第１壁部１０３Ｂと、２つの第２壁部１０３Ｃとを有する。
【０２０６】
第２電極５４Ａ、５４Ｂは、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａにそれぞれ設けられる。なお、第２電極５４Ａ、５４Ｂと、表示パネル１０Ａとの接続は、上述した各実施形態及び各変形例の構成を適用することができる。例えば、図２３に示す表示装置１Ｃと同様に、第２壁部１０３Ｃに設けられたスリットＳＬを介して、第２電極５４Ａ、５４Ｂと、表示パネル１０Ａとを接続することができる。或いは、図２５に示す表示装置１Ｄと同様に、表示パネル１０Ａの外周と第２壁部１０３Ｃとの間に設けられた間隙１２５を介して、第２電極５４Ａ、５４Ｂと、表示パネル１０Ａとを接続することができる。
【０２０７】
また、第２電極５４Ａ、５４Ｂを設ける位置や、カバー基板５１及び各筐体の構成についても、例えば図２１から図３４に示した各実施形態及び各変形例の構成を適用することができる。
【０２０８】
（第３の実施形態の第２変形例）
図４３は、第３の実施形態に係る第２変形例の表示装置を示す斜視図である。図４３に示すように、本変形例の表示装置１Ｐにおいて、第２電極５４Ｃは、第１壁部１０３Ｂの上面１０３Ｂａ及び第２壁部１０３Ｃの上面１０３Ｃａに設けられる。第２電極５４Ｃは、平面視で、複数の第１電極ＣＯＭＬＡを囲んで枠状に設けられる。言い換えると、第１電極ＣＯＭＬＡは、平面視で、第２電極５４Ｃに囲まれた領域内に配置される。なお、第２電極５４Ｃは、１つの連続した形状に限定されず、複数に分割されていてもよい。
【０２０９】
本変形例においても、表示装置１Ｐは、図４１に示す例と同様に、相互静電容量方式により周辺領域Ｇｄのタッチ検出を行うことができる。第２電極５４Ｃは、複数の第１電極ＣＯＭＬＡを囲んで配置されているため、第２壁部１０３Ｃの近傍の周辺領域Ｇｄにおいてもタッチ検出を行うことができる。
【０２１０】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０２１１】
例えば、図２８から図３４に示す各変形例のセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂとして、図２３に示す第３電極６１及び第２電極６２を設けた構成、図２６に示す複数の第３電極６１のみ設けた構成及び図２７に示す駆動電極のみ設けた構成のいずれも採用することができる。また、図３０、図３１に示す第１筐体１０３、第２筐体１０４及びセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂの構成は、第１の実施形態の電極構成と組み合わせることができる。さらに、図３２、図３４に示す第１筐体１０３及びセンサ部１１１Ａ、１１１Ｂの構成は、第１の実施形態の電極構成と組み合わせることができる。
【０２１２】
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記筐体に設けられ、平面視で前記表示領域よりも外側に位置して、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、
前記第２電極に駆動信号を供給する駆動部と、を有する表示装置。
（２）前記第２電極は、前記壁部の上面に設けられる、上記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第２電極は、前記壁部の側面に設けられる、上記（１）に記載の表示装置。
（４）前記第２電極は、前記壁部の上面及び側面に連続して設けられる、上記（１）に記載の表示装置。
（５）前記第２電極は、前記筐体に接続された接続部材を介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）前記基板の表面に垂直な方向において、前記基板と対向するカバー基板を有し、
前記第２電極は、平面視で前記カバー基板よりも外側に設けられる上記（１）乃至上記（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）前記筐体は、前記基板と重なる位置に開口が設けられ、
前記開口に前記表示パネルが固定され、
前記第２電極は、前記筐体と前記表示パネルとの間の間隙を介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される上記（１）乃至上記（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記第２電極は、前記筐体に設けられたスリットを介して、前記筐体の内部の前記表示パネルと電気的に接続される上記（１）乃至上記（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記基板及び前記壁部と対向するカバー基板を有し、
前記壁部の上面に垂直な方向において、前記第２電極は、前記カバー基板と、前記壁部との間に設けられる上記（２）に記載の表示装置。
（１０）前記第２電極は、フィルム基材の上に保護層を介して設けられ、前記フィルム基材が前記筐体に配置される上記（１）乃至上記（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）前記第２電極の表面を覆って保護層が設けられ、前記第２電極は前記保護層を介して前記筐体に配置される上記（１）乃至上記（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）前記筐体に溝部が設けられており、
前記第２電極及び前記保護層は、前記溝部に設けられる上記（１１）に記載の表示装置。
（１３）前記第１電極は、平面視で第１方向に延出し、前記第１方向と交差する第２方向に複数配列され、
前記第２電極は、前記第１電極の端部と対向して配置される上記（１）乃至上記（１２）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１４）前記筐体には、さらに、前記第２電極との間に静電容量を形成する第３電極が設けられ、前記第３電極は、前記壁部の長手方向に沿って複数配列される上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）複数の前記第１電極は、前記基板の表示領域にマトリクス状に配列され、
前記第２電極は、平面視で、前記表示領域の少なくとも一辺に沿って前記表示領域の外側に設けられる上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）前記第２電極は、平面視で、複数の前記第１電極を囲んで枠状に設けられる、上記（１５）に記載の表示装置。
（１７）前記筐体は、前記基板を固定する第１筐体と、前記第１筐体よりも外側に設けられ前記第１筐体を固定する第２筐体とを有し、
前記第２電極は、前記第１筐体に設けられる上記（１）乃至上記（１６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１８）前記筐体は、前記基板を固定する第１筐体と、前記第１筐体よりも外側に設けられ前記第１筐体を固定する第２筐体とを有し、
前記第２電極は、前記第２筐体に設けられる上記（１）乃至上記（１６）のいずれか１つに記載の表示装置。
【０２１３】
さらに、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１９）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記表示パネル及び前記壁部と対向するカバー基板と、
前記壁部の上面と前記カバー基板との間に設けられ、平面視で前記表示領域よりも外側に位置して、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、を有する表示装置。
（２０）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記表示パネルと対向し、前記筐体よりも小さい外形形状を有するカバー基板と、
前記カバー基板よりも外側で前記壁部の上面に設けられ、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、を有する表示装置。
（２１）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記筐体の側面に設けられた第２電極と、
前記筐体の側面に設けられ、前記第２電極との間に静電容量を形成する複数の第３電極と、を有し、
前記第２電極及び前記第３電極は、前記筐体に設けられたスリットを介して、前記表示パネルと電気的に接続される表示装置。
（２２）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記筐体の側面に設けられた第２電極と、
前記筐体の側面に設けられ、前記第２電極との間に静電容量を形成する複数の第３電極と、を有し、
前記筐体は、前記基板と重なる位置に開口が設けられ、
前記開口に前記表示パネルが固定され、
前記第２電極及び前記第３電極は、前記筐体と前記表示パネルとの間の間隙を介して、前記表示パネルと電気的に接続される表示装置。
（２３）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記筐体の側面に設けられ、それぞれの静電容量変化に応じた信号を出力する複数の検出電極と、を有する表示装置。
（２４）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記壁部の上面及び側面に連続して設けられ、平面視で前記表示領域よりも外側に位置して、前記第１電極との間に静電容量を形成する第２電極と、を有する表示装置。
（２５）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される第１筐体と、
平面視で対向する少なくとも１対の外側壁部を有し、１対の前記外側壁部の間に前記第１筐体が配置される第２筐体と、
前記壁部と前記外側壁部との間に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（２６）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される第１筐体と、
平面視で対向する少なくとも１対の外側壁部を有し、１対の前記外側壁部の間に前記第１筐体が配置される第２筐体と、
前記外側壁部の、外側の側面に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（２７）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される第１筐体と、
平面視で対向する少なくとも１対の外側壁部と、前記外側壁部の上部から内側に突出し、前記壁部の上面と対向する張出部と、を有し、１対の前記外側壁部の間に前記第１筐体が配置される第２筐体と、
前記張出部の上面に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（２８）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される第１筐体と、
平面視で対向する少なくとも１対の外側壁部と、前記外側壁部の上部から内側に突出し、前記壁部の上面と対向する張出部と、を有し、１対の前記外側壁部の間に前記第１筐体が配置される第２筐体と、
前記張出部の上面及び前記外側壁部の外側の側面に連続して設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（２９）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記表示パネル及び前記壁部と対向するカバー基板と、
前記壁部の上面と前記カバー基板との間に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（３０）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記表示パネル及び前記壁部と対向するカバー基板と、
前記壁部の側面に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
（３１）基板と、前記基板の表示領域に複数配列された第１電極と、を備える表示パネルと、
平面視で対向する少なくとも１対の壁部を有し、１対の前記壁部の間に前記表示パネルが配置される筐体と、
前記表示パネルと対向し、前記筐体よりも小さい外形形状を有するカバー基板と、
前記カバー基板よりも外側で前記壁部の上面に設けられたセンサ部と、を有する表示装置。
【符号の説明】
【０２１４】
１、１Ａ−１Ｐ  表示装置
２  画素基板
３  対向基板
６  液晶層
１０  表示パネル
１１  制御部
１８  検出用ＩＣ
１９  表示用ＩＣ
２０  表示部
２１  第１基板
２２  画素電極
３０  タッチセンサ
３１  第２基板
４０  検出部
５１  カバー基板
５３Ａ、５３Ｂ、５４Ａ、５４Ｂ、５４Ｃ、６２  第２電極
５５  基材
５６、５７、５８  保護層
６１  第３電極
１０１、１０３  第１筐体
１０１Ａ、１０２Ａ  底部
１０１Ｂ  壁部
１０１Ｂａ、１０３Ｂａ  上面
１０２、１０４  第２筐体
１０２Ｂ  壁部
１０３Ａ  底部
１０３Ｂ  第１壁部
１０３Ｂｃ  側面
１０３Ｃ  第２壁部
１１０  フィルムセンサ
１１１、１１１Ａ、１１１Ｂ  センサ部
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬＡ  第１電極
ＴＤＬ  検出電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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