(57)【要約】【課題】基板処理装置について効率のよい管理を実現するための技術を提供する。【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、位置情報を保存する記憶部と、位置情報取得部が取得した位置情報を記憶部に保存させるとともに、必要に応じて記憶部が保存する位置情報を出力させる情報制御部と、を有する技術が提供される。【選択図】図９
2019161072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力させる情報制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
上位装置との間で情報を送受信する送受信部を有し、
前記情報制御部は、前記送受信部が前記上位装置から前記位置情報の送信要求情報を受信すると、前記上位装置を出力先として前記記憶部が保存する前記位置情報を前記送受信部に送信させるように構成されている
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
情報の表示出力を行う表示部を有し、
前記情報制御部は、前記上位装置に送信した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を前記上位装置から受信すると、前記マップ情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記マップ情報を前記表示部に表示させるように構成されている
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記表示部は、移動端末によって構成されている
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記情報制御部は、前記上位装置から受信した前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を前記表示部または前記上位装置の少なくとも一方に出力するように構成されている
請求項３または４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の一態様としては、例えばリアクタを有するモジュールを備えた装置がある（例えば、特許文献１参照）。このような基板処理装置においては、装置稼働情報等をディスプレイ等で構成される入出力装置に表示して、装置管理者が確認し得るようにしている。また、半導体装置を製造するクリーンルームには複数の基板処理装置が設置され、各基板処理装置がネットワークを介して管理されるようになっている（例えば、特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７―１０３３５６号公報
【特許文献２】特開２００８―２１８３５号公報
【特許文献３】特開２０１５―１１５５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理装置について効率のよい管理を実現するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力させる情報制御部と、
を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示に係る技術によれば、基板処理装置について効率のよい管理を行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の一実施形態に係る基板処理システムの概略構成例を模式的に示すイメージ図である。
【図２】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を模式的に示す横断面図である。
【図３】本開示の一実施形態に係る基板処理装置の構成例を模式的に示す縦断面図であり、図２におけるα−α’断面を示す図である。
【図４】本開示の一実施形態に係る基板処理装置が有するリアクタ（処理室）の構成例を模式的に示す説明図である。
【図５】本開示の一実施形態に係る基板処理装置が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。
【図６】本開示の一実施形態に係る基板処理装置で行われる基板処理工程の概要を示すフロー図である。
【図７】本開示の一実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の基本的な手順を示すフロー図である。
【図８】本開示の一実施形態に係る群管理装置の構成例を模式的に示すブロック図である。
【図９】本開示の一実施形態に係る基板処理システムで行われる管理方法の一具体例の手順を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本開示の一実施形態＞
以下に、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の管理状況
はじめに、半導体装置の製造工程で用いられる基板処理装置の管理に関する状況について説明する。近年、半導体装置の製造工程では、以下のような状況が存在する。
【００１０】
第一の状況は、生産効率の向上が求められている点である。半導体装置の生産効率を向上させるためには、例えば、クリーンルーム内で稼働させる基板処理装置の台数を増加させることが有効である。その一方で、各基板処理装置については、ダウンタイム時間を短くするために、メンテナンス時間の短縮が求められる。したがって、基板処理装置の台数を増加させる場合、クリーンルーム内の各基板処理装置のそれぞれについて、稼働状況を迅速かつ的確に把握し得ることが、生産効率を向上させる上では必要となる。
【００１１】
第二の状況は、近年の半導体装置は、回路の高集積化や微細化等が求められている点である。これらの回路は複数の工程を跨いで製造されるため、それぞれの工程に対応した基板処理装置が準備される。ただし、連続する工程に対応した基板処理装置については、同じクリーンルーム内に配される場合が多い。つまり、回路の高集積化や微細化等のためには、複数の工程に対応するそれぞれの基板処理装置について、クリーンルーム内の設置場所にも配慮することが求められる。
【００１２】
第三の状況は、年々、多くの膜や回路等が新たに開発されており、半導体装置の製造工場はそれに対応する必要がある点である。例えば、ある工程で使用する基板処理装置を、新たな回路に対応した高い性能を有する基板処理装置に入れ替えたり、あるいは全く異なる膜を形成可能な基板処理装置に置き換えたりする、といったことが起こり得る。基板処理装置の入れ替えまたは置き換えを繰り返すと、連続する工程に対応した基板処理装置であっても、近くに配することが困難になる場合が多い。したがって、クリーンルーム内の各基板処理装置については、新たな回路等に対応するための入れ替えまたは置き換えを想定した上で、それぞれを適切に管理し得るようにすることが求められる。
【００１３】
本実施形態では、以上の状況の少なくとも一つに対応可能な技術を説明する。
【００１４】
（２）基板処理システムの概要
次に、本実施形態に係る基板処理システムについて説明する。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成例を模式的に示すイメージ図である。
【００１５】
図１に示す基板処理システムは、クリーンルーム（以下「ＣＲ」と称する。）４００内に設置された複数の基板処理装置１００と、各基板処理装置１００を管理する上位装置としての群管理装置５００と、を備えて構成されている。
【００１６】
ＣＲ４００は、フロア４０１上に主通路４０３、メンテナンスエリア４０４および側通路４０５が配されており、これらによってフロア４０１上が複数の区画に区切られている。
【００１７】
フロア４０１上の各区画には、基板処理装置１００が設置される。基板処理装置１００は、半導体集積回路装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という。）に対して所定の処理を行うもので、原則として、一区画に一台が設置される。ただし、基板処理装置１００の機種（処理内容の種類）によっては、一台が複数区画を跨ぐように設置されていてもよい。つまり、ＣＲ４００内には、複数種類の基板処理装置１００が存在していてもよい。これらの基板処理装置１００は、半導体装置の製造するための複数の工程のそれぞれに対応したものである。また、これらの基板処理装置１００については、必要に応じて入れ替えまたは置き換えを行い得るように構成することが考えられる。
【００１８】
群管理装置５００は、各基板処理装置１００の上位装置として機能するコンピュータによって構成されたもので、図示せぬ無線または有線のネットワークを介して各基板処理装置１００との間で情報の送受信を行い得るようになっている。
【００１９】
以下、このような基板処理システムを構成する基板処理装置１００および群管理装置５００について、さらに詳しく説明する。
【００２０】
（３）基板処理装置の構成
まず、基板処理装置１００の構成例について説明する。
図２は、本実施形態に係る基板処理装置の構成例を模式的に示す横断面図である。図３は、図２におけるα−α’断面を示す縦断面図である。
【００２１】
図２および図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、基板としてのウエハＷを処理するもので、ＩＯステージ１１０、大気搬送室１２０、ロードロック室１３０、真空搬送室１４０、リアクタ（ＲＣ）２００で主に構成される。なお、基板処理装置１００は、ＩＯステージ１１０が主通路４０３側となるように、ＣＲ４００内に配される。
【００２２】
（大気搬送室・ＩＯステージ）
基板処理装置１００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）１１０が設置されている。ＩＯステージ１１０上には、複数のポッド１１１が搭載されている。ポッド１１１はシリコン（Ｓｉ）基板等のウエハＷを搬送するキャリアとして用いられる。
【００２３】
ＩＯステージ１１０は、大気搬送室１２０に隣接する。大気搬送室１２０には、ＩＯステージ１１０と異なる面に、後述するロードロック室１３０が連結されている。大気搬送室１２０内には、ウエハＷを移載する大気搬送ロボット１２２が設置されている。
【００２４】
大気搬送室１２０の筐体１２７の前側には、ウエハＷを大気搬送室１２０に対して搬入搬出するための基板搬入出口１２８と、ポッドオープナ１２１と、が設置されている。大気搬送室１２０の筐体１２７の後ろ側には、ウエハＷをロードロック室１３０に搬入搬出するための基板搬入出口１２９が設けられる。基板搬入出口１２９は、ゲートバルブ１３３によって開放・閉鎖することにより、ウエハＷの出し入れを可能とする。
【００２５】
（ロードロック室）
ロードロック室１３０は、大気搬送室１２０に隣接する。ロードロック室１３０を構成する筐体１３１が有する面のうち、大気搬送室１２０と異なる面には、後述する真空搬送室１４０が配置される。
【００２６】
ロードロック室１３０内には、ウエハＷを載置する載置面１３５を少なくとも二つ有する基板載置台１３６が設置されている。基板載置面１３５間の距離は、後述するロボット１７０のアームが有するエンドエフェクタ間の距離に応じて設定される。
【００２７】
（真空搬送室）
基板処理装置１００は、負圧下でウエハＷが搬送される搬送空間となる搬送室としての真空搬送室（トランスファモジュール）１４０を備えている。真空搬送室１４０を構成する筐体１４１は、平面視が五角形に形成され、五角形の各辺には、ロードロック室１３０およびウエハＷを処理する処理室としてのリアクタ２００（２００ａ〜２００ｄ）が連結されている。以下、リアクタのことを「ＲＣ」とも呼ぶ。
【００２８】
真空搬送室１４０を構成する筐体１４１の側壁のうち、各ＲＣ２００と向かい合う壁には、基板搬入出口１４８が設けられる。例えば、図３に記載のように、ＲＣ２００ｃと向かい合う壁には、基板搬入出口１４８ｃが設けられる。さらには、ゲートバルブ１４９がＲＣ２００ごとに設けられる。例えば、ＲＣ２００ｃには、ゲートバルブ１４９ｃが設けられる。なお、ＲＣ２００ａ、２００ｂ、２００ｄもＲＣ２００ｃと同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
真空搬送室１４０の略中央部には、負圧下でウエハＷを移載（搬送）する搬送部としての搬送ロボット１７０が、フランジ１４４を基部として設置されている。ロボット１７０は、二つのアーム１８０を備える。アーム１８０は、ウエハＷを載置するエンドエフェクタを備える。アーム１８０は、アーム軸（図示省略）を介してフランジ１４４に接続される。つまり、二つのアーム１８０を備えるロボット１７０は、エレベータ１４５およびフランジ１４４によって、真空搬送室１４０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。なお、図３においては、説明の便宜上、アーム１８０のエンドエフェクタを表示し、フランジ１４４と接続されるロボット軸等の構造は省略している。
【００３０】
エレベータ１４５は、アーム１８０の昇降や回転を制御する。これにより、アーム１８０は、アーム軸を中心とした回転や延伸が可能である。アーム１８０が回転や延伸を行うことで、ロボット１７０は、ＲＣ２００（２００ａ〜２００ｄ）内にウエハＷを搬送したり、ＲＣ２００（２００ａ〜２００ｄ）内からウエハＷを搬出したりする。
【００３１】
（リアクタ）
真空搬送室１４０の外周には、ウエハＷを処理する処理室としてのＲＣ２００ａ〜２００ｄが接続される。
図４は、本実施形態に係る基板処理装置が有するリアクタの構成例を模式的に示す説明図である。
なお、ＲＣ２００ａからＲＣ２００ｄは同様の構成であるので、以下の説明では、これらを総称しＲＣ２００として説明する。
【００３２】
（容器）
図４に示すように、ＲＣ２００は、容器２０２を備えている。容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により構成されている。容器２０２内には、ウエハＷを処理する処理空間２０５と、ウエハＷを処理空間２０５に搬送する際にウエハＷが通過する搬送空間２０６とが形成されている。容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には、仕切り板２０８が設けられる。
【００３３】
下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、その基板搬入出口１４８を介してウエハＷが真空搬送室１４０との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは接地されている。
【００３４】
処理空間２０５には、ウエハＷを支持する基板支持部２１０が配される。基板支持部２１０は、ウエハＷを載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２と、基板載置台２１２内に設けられた加熱源としてのヒータ２１３と、を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。
【００３５】
基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、容器２０２の底部を貫通しており、さらに容器２０２の外部で昇降部２１８に接続されている。
【００３６】
昇降部２１８は、シャフト２１７を支持する支持軸２１８ａと、支持軸２１８ａを昇降させたり回転させたりする作動部２１８ｂと、を主に有する。作動部２１８ｂは、例えば昇降を実現するためのモータを含む昇降機構２１８ｃと、支持軸２１８ａを回転させるための歯車等の回転機構２１８ｄと、を有する。
昇降部２１８には、昇降部２１８の一部として、作動部２１８ｂに昇降・回転指示するための指示部２１８ｅを設けても良い。指示部２１８ｅは、後述するコントローラ２８０に電気的に接続される。指示部２１８ｅは、コントローラ２８０の指示に基づいて、作動部２１８ｂを制御する。
昇降部２１８を作動させてシャフト２１７および支持台２１２を昇降させることにより、基板載置台２１２は、載置面２１１上に載置されるウエハＷを昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲は、ベローズ２１９により覆われており、これにより処理空間２０５内が気密に保持されている。
【００３７】
基板載置台２１２は、ウエハＷの搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８に対向する位置まで下降する。また、ウエハＷの処理時には、図４で示されるように、ウエハＷが処理空間２０５内の処理位置となるまで上昇する。
【００３８】
処理空間２０５の上部（上流側）には、ガス分散機構としてのシャワーヘッド２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０の蓋２３１には、貫通孔２３１ａが設けられる。貫通孔２３１ａは、後述するガス供給管２４２と連通する。
【００３９】
シャワーヘッド２３０は、ガスを分散させるための分散機構としての分散板２３４を備えている。この分散板２３４の上流側がバッファ空間２３２であり、下流側が処理空間２０５である。分散板２３４には、複数の貫通孔２３４ａが設けられている。分散板２３４は、基板載置面２１１と対向するように配置されている。分散板２３４は、例えば円盤状に構成される。貫通孔２３４ａは、分散板２３４の全面にわたって設けられている。
【００４０】
シャワーヘッド２３０の支持ブロック２３３は、上部容器２０２ａが有するフランジ上に載置されて固定される。また、分散板２３４は、支持ブロック２３３が有するフランジ２３３ａ上に載置されて固定される。さらに、蓋２３１は、支持ブロック２３３の上面に固定される。このような構造とすることで、上方から、蓋２３１、分散板２３４、支持ブロック２３３の順に取り外すことが可能となる。
【００４１】
（供給部）
シャワーヘッド２３０の蓋２３１には、その蓋２３１に設けられたガス導入孔２３１ａと連通するように、共通ガス供給管２４２が接続される。
【００４２】
共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａ、第二ガス供給管２４４ａ、第三ガス供給管２４５ａが接続されている。第二ガス供給管２４４ａは共通ガス供給管２４２に接続される。第二ガス供給管２４４ａは、詳細を後述するようにガスを励起してプラズマ状態にするプラズマ生成部としてのリモートプラズマユニット（ＲＰＵ）２４４ｅを介して、共通ガス供給管２４２に接続される。
【００４３】
（第一ガス供給系）
第一ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、第一ガス源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、および、開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。そして、第一ガス供給管２４３ａからは、第一処理ガスが、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０に供給される。
【００４４】
第一処理ガスは、第一元素を含有する原料ガスである。ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、第一元素含有ガスは、例えばシリコン含有ガスである。具体的には、シリコン含有ガスとして、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６。ＨＣＤとも呼ぶ。）ガスが用いられる。
【００４５】
主に、第一ガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄにより、第一ガス供給系（以下「シリコン含有ガス供給系」ともいう。）２４３が構成される。なお、第一ガス供給源２４３ｂ、共通ガス供給管２４２を、第一ガス供給系２４３に含めて考えてもよい。
【００４６】
（第二ガス供給系）
第二ガス供給管２４４ａには、上流方向から順に、第二ガス源２４４ｂ、ＭＦＣ２４４ｃおよびバルブ２４４ｄが設けられている。そして、第二ガス供給管２４４ａからは、第二処理ガスが、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０に供給される。
【００４７】
第二処理ガスは、第一元素とは異なる第二元素を含有するガスである。ここで、第二元素は、例えば、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）のいずれか一つである。本実施形態において、第二元素含有ガスは、例えば酸素含有ガスであるものとする。具体的には、酸素含有ガスとしては、酸素（Ｏ２）ガスが用いられる。なお、第二元素含有ガスである第二処理ガスについては、反応ガスまたは改質ガスとして考えてもよい。
【００４８】
ウエハＷをプラズマ状態の第二処理ガスで処理する場合、第二ガス供給管２４４ａにリモートプラズマユニット２４４ｅを設けてもよい。
リモートプラズマユニット２４４ｅには、配線２５１が接続される。配線２５１の上流側には電源２５３が設けられ、リモートプラズマユニット２４４ｅと電源２５３の間には周波数整合器２５２が設けられる。電源２５３からの電力供給とともに、周波数整合器２５２によるマッチング用パラメータの調整を行い、リモートプラズマユニット２４４ｅでプラズマを生成する。なお、本実施形態においては、リモートプラズマユニット２４４ｅ、配線２５１、周波数整合器２５２をまとめてプラズマ生成部と呼ぶ。プラズマ生成部に電源２５３を加えてもよい。
【００４９】
主に、第二ガス供給管２４４ａ、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄにより、第二ガス供給系（以下「酸素含有ガス供給系」ともいう。）２４４が構成される。なお、第二ガス供給源２４４ｂ、共通ガス供給管２４２を、第二ガス供給系２４４に含めて考えてもよい。
【００５０】
（第三ガス供給系）
第三ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、第三ガス源２４５ｂ、ＭＦＣ２４５ｃおよびバルブ２４５ｄが設けられている。そして、第三ガス供給管２４５ａからは、不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、共通ガス供給管２４２を介して、シャワーヘッド２３０に供給される。
【００５１】
不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ２）ガスである。不活性ガスは、基板処理工程では、容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。
【００５２】
主に、第三ガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄにより、第三ガス供給系２４５が構成される。なお、第三ガス供給源２４５ｂ、共通ガス供給管２４２を、第三ガス供給系２４５に含めて考えてもよい。
【００５３】
（排気系）
容器２０２の雰囲気を排気する排気系は、容器２０２に接続された複数の排気管を有する。具体的には、処理空間２０５に接続される排気管（第一排気管）２６２と、搬送空間２０６に接続される排気管（第二排気管）２６１とを有する。また、各排気管２６１，２６２の下流側には、排気管（第三排気管）２６４が接続される。なお、バッファ空間２３２に接続される排気管（第四排気管）２６３を設けてもよい。第四排気管２６３は、第三排気管２６４に接続される。
【００５４】
排気管２６１は、搬送空間２０６の側方あるいは下方に設けられる。排気管２６１には、処理空間２０５内と搬送空間２０６内のいずれかまたは両方を所定の圧力に制御する圧力調整器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２６５が設けられる。ＡＰＣ２６５は、開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、後述するコントローラ２８０からの指示に応じて排気管２６１のコンダクタンスを調整する。また、排気管２６１において、ＡＰＣ２６５の上流側には、搬送空間用第一排気バルブとしてのバルブ２６６が設けられる。
【００５５】
排気管２６２は、処理空間２０５の側方に設けられる。排気管２６２には、処理空間２０５内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２６７が設けられる。ＡＰＣ２６７は、開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、後述するコントローラ２８０からの指示に応じて排気管２６２のコンダクタンスを調整する。また、排気管２６２において、ＡＰＣ２６７の上流側には、バルブ２６９が設けられる。排気管２６２、バルブ２６９、ＡＰＣ２６７をまとめて処理室排気系と呼ぶ。
【００５６】
排気管２６３は、バッファ空間２３２に連通するよう、シャワーヘッド２３０に接続される。排気管２６３には、バルブ２６９が備えられる。排気管２６３、バルブ２６９をまとめてシャワーヘッド排気系と呼ぶ。
【００５７】
排気管２６４には、ドライポンプ（ＤＰ：Ｄｒｙ  Ｐｕｍｐ）２７０が設けられる。図示のように、排気管２６４には、その上流側から排気管２６３、排気管２６２、排気管２６１が接続され、さらにそれらの下流にＤＰ２７０が設けられる。ＤＰ２７０は、排気管２６２、排気管２６３、排気管２６１のそれぞれを介してバッファ空間２３２、処理空間２０５および搬送空間２０６のそれぞれの雰囲気を排気する。上記した排気系の各バルブには、例えばエアバルブが用いられる。
【００５８】
（コントローラ）
基板処理装置１００は、当該基板処理装置１００の各部の動作を制御するコントローラ２８０を有している。
図５は、本実施形態に係る基板処理装置が有するコントローラの構成例を模式的に示すブロック図である。
【００５９】
図５に示すように、コントローラ２８０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２８０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２８０ｂ、記憶部２８０ｃ、Ｉ／Ｏポート２８０ｄを少なくとも備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２８０ｂ、記憶部２８０ｃ、Ｉ／Ｏポート２８０ｄは、内部バス２８０ｆを介して、ＣＰＵ２８０ａとデータ交換可能なように構成されている。
【００６０】
また、コントローラ２８０には、例えば、タブレット端末等の携帯可能な移動端末として構成された入出力装置２８１が電気的に接続されている。入出力装置２８１からは、コントローラ２８０に対して情報入力を行い得る。また、入出力装置２８１は、コントローラ２８０の制御に従って情報の表示出力を行うようになっている。つまり、入出力装置２８１は、情報の表示出力を行う表示部２８１ａを備えて構成されている。なお、入出力装置２８１は、移動端末として構成されていることから、コントローラ２８０から取り外して用いることができ、取り外した状態であってもＣＰＵ２８０ａ等とのデータ交換が可能に構成されている。
【００６１】
また、コントローラ２８０は、入出力装置２８１の他にも、外部記憶装置２８２が接続可能に構成されている。さらに、コントローラ２８０は、送受信部２８３を通じてネットワークが接続可能に構成されている。このことは、コントローラ２８０がネットワーク上に存在する上位装置としての群管理装置５００とも接続可能であることを意味する。つまり、コントローラ２８０は、送受信部２８３を通じてネットワーク上の群管理装置５００との間で情報の送受信を行い得るようになっている。
【００６２】
コントローラ２８０における記憶部２８０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶部２８０ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、後述する位置情報およびマップ情報等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２８０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２８０ｂは、ＣＰＵ２８０ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００６３】
Ｉ／Ｏポート２８０ｄは、各ゲートバルブ１４９、ＲＣ２００に設けられた昇降機構２１８、ＭＦＣ２４３ｃ〜２４５ｃ、バルブ２４３ｄ〜２４５ｄ，２６６，２６８，２６９、ＲＰＵ２４４ｅ等をはじめとする基板処理装置１００の各構成に接続されている。
【００６４】
ＣＰＵ２８０ａは、記憶部２８０ｃから制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置２８１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶部２８０ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ２８０ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９の開閉動作、ロボット１７０の動作、昇降機構２１８の昇降動作、各ポンプのオンオフ制御、ＭＦＣの流量調整動作、バルブ等を制御可能に構成されている。また、ＣＰＵ２８０ａは、読み出されたプログラムを実行することで、詳細を後述するように、位置情報取得部２８０ｇおよび情報制御部２８０ｈとして機能するようになっている。
【００６５】
なお、コントローラ２８０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ  Ｆｌａｓｈ  Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）２８２を用意し、その外部記憶装置２８２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ２８０を構成することができる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２８２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置である群管理装置５００から送受信部２８３を介して情報を受信し、外部記憶装置２８２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、入出力装置２８１を用いて、コントローラ２８０に指示をしてもよい。
【００６６】
コントローラ２８０における記憶部２８０ｃ、および、コントローラ２８０に接続可能な外部記憶装置２８２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部２８０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２８２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【００６７】
（４）基板処理工程の概要
次に、半導体製造工程の一工程として、上述した構成の基板処理装置１００を用いて、ウエハＷに対する所定処理を行う基板処理工程について、その概要を説明する。
図６は、本実施形態に係る基板処理装置１００で行われる基板処理工程の概要を示すフロー図である。
ここでは、基板処理工程として、ウエハＷ上に薄膜を形成する場合を例に挙げる。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、コントローラ２８０により制御される。
【００６８】
（基板搬入・加熱工程：Ｓ１０２）
先ず、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）について説明する。
基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、容器２０２内にウエハＷを搬入する。そして、容器２０２内にウエハＷを搬入したら、真空搬送ロボット１７０を容器２０２の外へ退避させ、ゲートバルブ１４９を閉じて容器２０２内を密閉する。その後、基板載置台２１２を上昇させることにより、基板載置台２１２に設けられた基板載置面２１１上にウエハＷを載置させ、さらに基板載置台２１２を上昇させることにより、前述した処理空間２０５内の処理位置（基板処理ポジション）までウエハＷを上昇させる。
【００６９】
ウエハＷが搬送空間２０６に搬入された後、処理空間２０５内の処理位置まで上昇すると、バルブ２６６（とバルブ２６９）を閉状態とする。これにより、搬送空間２０６とＡＰＣ２６５の間（および、バッファ空間２３２と排気管２６４との間）が遮断され、ＡＰＣ２６５による搬送空間２０６の排気が終了する。一方、バルブ２６８を開き、処理空間２０５とＡＰＣ２６７の間を連通させるとともに、ＡＰＣ２６７とＤＰ２７０の間を連通させる。ＡＰＣ２６７は、排気管２６２のコンダクタンスを調整することで、ＤＰ２７０による処理空間２０５の排気流量を制御し、処理空間２０５を所定の圧力（例えば１０−5〜１０−1Ｐａの高真空）に維持する。
【００７０】
このようにして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）では、処理空間２０５内を所定の圧力となるように制御するとともに、ウエハＷの表面温度が所定の温度となるように制御する。温度は、例えば室温以上５００℃以下であり、好ましくは室温以上であって４００℃以下である。圧力は例えば５０〜５０００Ｐａとすることが考えられる。
【００７１】
（成膜工程:Ｓ１０４）
続いて、成膜工程（Ｓ１０４）について説明する。
処理空間２０１内の処理位置にウエハＷを位置させたら、基板処理装置１００では、成膜工程（Ｓ１０４）を行う。成膜工程（Ｓ１０４）は、プロセスレシピに応じて、異なる処理ガスである第一処理ガス（第一元素含有ガス）と第二処理ガス（第二元素含有ガス）とを処理空間２０５に供給することで、ウエハＷ上に薄膜を形成する工程である。成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガスと第二処理ガスとを同時に処理空間２０５に存在させてＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行ったり、第一処理ガスと第二処理ガスとを交互に供給する工程を繰り返すサイクリック（交互供給）処理を行ったりしてもよい。また、第二処理ガスをプラズマ状態として処理する場合は、ＲＰＵ２４４ｅを起動してもよい。なお、成膜工程（Ｓ１０４）については、その詳細を後述する。
【００７２】
（基板搬入出工程：Ｓ１０６）
次に、基板搬入出工程（Ｓ１０６）について説明する。
成膜工程（Ｓ１０４）の終了後、基板処理装置１００では、基板搬入出工程（Ｓ１０６）を行う。基板搬入出工程（Ｓ１０６）では、上述した基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と逆の手順にて、処理済みのウエハＷを容器２０２の外へ搬出する。そして、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）と同様の手順にて、次に待機している未処理のウエハＷを容器２０２内に搬入する。その後、搬入されたウエハＷに対しては、成膜工程（Ｓ１０４）が実行されることになる。
【００７３】
（判定工程：Ｓ１０８）
次に、判定工程（Ｓ１０８）を説明する。
基板搬入出工程（Ｓ１０６）を終えると、基板処理装置１００では、上述した一連の処理（Ｓ１０２〜Ｓ１０６）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、基板搬入・加熱工程（Ｓ１０２）から基板搬入出工程（Ｓ１０６）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、基板処理工程を終了する。
【００７４】
（５）成膜工程の基本的な手順
次に、上述した基板処理工程のうちの成膜工程（Ｓ１０４）について、基本的な手順を説明する。
図７は、本実施形態に係る基板処理装置で行われる成膜工程の基本的な手順を示すフロー図である。
ここでは、第一処理ガス（第一元素含有ガス）としてＨＣＤを気化させて得られるＨＣＤガスを用い、第二処理ガス（第二元素含有ガス）としてＯ２ガスを用いて、それらを交互に供給することによって、ウエハＷ上にシリコン含有膜としてのシリコン酸化膜（ＳｉＯ）膜を形成する場合を例に挙げる。
【００７５】
（第一処理ガス供給工程：Ｓ２０２）
第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）を説明する。
成膜工程に際しては、先ず、第一ガス供給系２４３から処理空間２０５内に第一処理ガス（第一元素含有ガス）としてのＨＣＤガスを供給する。処理空間２０５内に供給されたＨＣＤガスは、ウエハ処理位置にあるウエハＷの面上に到達する。これにより、ウエハＷの表面には、ＨＣＤガスが接触することによって「第一元素含有層」としてのシリコン含有層が形成される。シリコン含有層は、例えば、容器２０２内の圧力、ＨＣＤガスの流量、基板載置台２１２の温度、処理空間２０５の通過にかかる時間等に応じて、所定の厚さおよび所定の分布で形成される。
【００７６】
ＤＣＳガスの供給を開始してから所定時間経過後、バルブ２４３ｄを閉じて、ＨＣＤガスの供給を停止する。なお、第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）では、バルブ２６８が開とされ、ＡＰＣ２６７によって処理空間２０５の圧力が所定の圧力となるように制御される。また、第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）において、バルブ２６８以外の排気系のバルブは全て閉とされる。
【００７７】
（パージ工程：Ｓ２０４）
パージ工程（Ｓ２０４）を説明する。
第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）の後は、次に、第三ガス供給管２４５ａからＮ２ガスを供給し、処理空間２０５およびシャワーヘッド２３０のパージを行う。これにより、第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）でウエハＷに結合できなかったＨＣＤガスは、ＤＰ２７０により処理空間２０５から除去される。また、シャワーヘッド２３０（バッファ空間２３２）内に残留したＨＣＤガスは、ＤＰ２７０によりバッファ空間２３２から除去される。
【００７８】
（第二処理ガス供給工程：Ｓ２０６）
第二処理ガス供給工程（Ｓ２０６）を説明する。
パージ工程（Ｓ２０４）の後は、次に、第二ガス供給系２４４から処理空間２０５内に第二処理ガス（第二元素含有ガス）としてのＯ２ガスを供給する。Ｏ２ガスは、ＲＰＵ２４４ｅによりプラズマ状態とされ、ウエハ処理位置にあるウエハＷの面上に照射されるようにしてもよい。これにより、ウエハＷの面上では、既に形成されているシリコン含有層が改質され、例えばＳｉ元素およびＯ元素を含有する層であるＳｉＯ膜が形成される。
【００７９】
そして、所定時間の経過後、バルブ２４４ｄを閉じて、Ｏ２ガスの供給を停止する。なお、第二処理ガス供給工程（Ｓ２０６）においても、上述した第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）と同様に、バルブ２６８が開とされ、ＡＰＣ２６７によって処理空間２０５の圧力が所定の圧力となるように制御される。また、バルブ２６８以外の排気系のバルブは全て閉とされる。
【００８０】
（パージ工程：Ｓ２０８）
パージ工程（Ｓ２０８）を説明する。
第二処理ガス供給工程（Ｓ２０６）の後に、パージ工程（Ｓ２０８）を実行する。パージ工程（Ｓ２０８）における各部の動作は、上述したパージ工程（Ｓ２０４）の場合と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００８１】
（判定工程：Ｓ２１０）
判定工程（Ｓ２１０）を説明する。
パージ工程（Ｓ２０８）を終えると、続いて、コントローラ２８０は、上述した一連の処理（Ｓ２０２〜Ｓ２０８）を１つのサイクルとし、その１サイクルを所定回数（ｎ  ｃｙｃｌｅ）実施したか否かを判定する。そして、所定回数実施していなければ、第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）からパージ工程（Ｓ２０８）までの１サイクルを繰り返す。一方、所定回数実施したときには、成膜工程（Ｓ１０４）を終了する。
【００８２】
このように、成膜工程（Ｓ１０４）では、第一処理ガス供給工程（Ｓ２０２）からパージ工程（Ｓ２０８）までの各工程を順次行うことで、ウエハＷの面上に所定の厚さのＳｉＯ膜が堆積される。そして、これらの各工程を１サイクルとし、その１サイクルを所定回数繰り返すことで、ウエハＷの面上に形成されるＳｉＯ膜が所望の膜厚に制御される。
【００８３】
（６）群管理装置の構成
次に、基板処理装置１００の上位装置である群管理装置５００の構成例について説明する。
図８は、本実施形態に係る群管理装置の構成例を模式的に示すブロック図である。
【００８４】
図６に示すように、本実施形態に係る群管理装置５００は、ＣＰＵ５１０、ＲＡＭ５２０、記憶部５３０を少なくとも備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ５２０、記憶部５３０は、内部バス５４０を介して、ＣＰＵ５１０とデータ交換可能なように構成されている。
【００８５】
また、群管理装置５００は、送受信部５５０を通じてネットワークが接続可能に構成されている。このことは、群管理装置５００がネットワークを介してＣＲ４００内に設置された各基板処理装置１００と接続可能であることを意味する。つまり、群管理装置５００は、送受信部２８３を通じて各基板処理装置１００のそれぞれとの間で情報の送受信を行い得るようになっている。
【００８６】
群管理装置５００における記憶部５３０は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ等で構成されている。記憶部５３０内には、各基板処理装置１００を管理する管理プログラムや、後述するマップ情報に関する制御動作を行うための制御プログラム等が、読み出し可能に格納されている。また、ＲＡＭ５２０は、ＣＰＵ５１０によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００８７】
ＣＰＵ５１０は、記憶部５３０からプログラムを読み出して実行するように構成されている。そして、ＣＰＵ５１０は、読み出されたプログラムを実行することで、詳細を後述するように、位置情報要求部５１１、マップ情報生成部５１２およびマップ情報管理部５１３として機能するようになっている。
【００８８】
なお、群管理装置５００は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。このことは、上述したコントローラ２８０の場合と同様である。また、汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係る群管理装置５００を構成することができる。その場合に、コンピュータにプログラムを供給するための手段が特に限定されないことは、上述したコントローラ２８０の場合と同様である。
【００８９】
（７）基板処理システム管理方法
次に、上述した各基板処理装置１００および群管理装置５００を備えて構成された基板処理システムにおいて、各基板処理装置１００を管理する方法の一具体例について説明する。
図９は、本実施形態に係る基板処理システムで行われる管理方法の一具体例の手順を示すフロー図である。
ここでは、基板処理システムにおいて、各基板処理装置１００および群管理装置５００が、以下に説明する第一工程（Ｓ３０２）〜第七工程（Ｓ３１４，Ｓ３１６）の各工程を行う場合を例に挙げる。なお、各基板処理装置１００および当該基板処理装置１００におけるコントローラ２８０については、以下「ツール」と称することもある。
【００９０】
（第一工程：Ｓ３０２）
先ず、第一工程（Ｓ３０２）について説明する。
第一工程（Ｓ３０２）は、各基板処理装置１００の側で行われる工程であり、各基板処理装置１００について後述する位置情報を取得するとともに、取得した位置情報を各基板処理装置１００のコントローラ２８０における記憶部２８０ｃに保存させる工程である。位置情報を取得することから、第一工程（Ｓ３０２）は、「位置情報取得工程」と言い換えることもできる。このような第一工程（Ｓ３０２）は、例えば、ＣＲ４００内への基板処理装置１００の設置またはＣＲ４００内での基板処理装置１００の移動があった時点で行われる。
【００９１】
第一工程（Ｓ３０２）で取得する位置情報は、基板処理装置１００（特に、当該基板処理装置１００が備えるＲＣ（処理室）２００）のＣＲ４００内での設置位置を特定する情報である。具体的には、位置情報として、例えば、ＣＲ４００内での設置区画を特定するアドレス情報が挙げられる。ただし、ＣＲ４００内での設置位置を特定可能であれば、他の形式の情報であってもよい。
【００９２】
位置情報の取得は、コントローラ２８０のＣＰＵ２８０ａによって実現される位置情報取得部２８０ｇとしての機能を用いて行う。つまり、位置情報取得部２８０ｇが位置情報の取得を行う。具体的には、例えば、位置情報取得部２８０ｇによる制御に従いつつ、入出力装置２８１の表示部２８１ａに所定のＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）画面を表示し、そのＧＵＩ画面を通じて基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者に情報入力操作を行わせることで、位置情報の取得を行うことが考えられる。ただし、必ずしもこれに限定されることはなく、例えば、位置情報取得部２８０ｇがＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）機能に対応していれば、そのＧＰＳ機能を利用して位置情報の取得を行うようにしてもよい。また、例えば、位置情報取得部２８０ｇがＷｉ−Ｆｉ機能に対応していれば、そのＷｉ−Ｆｉ機能を通じて外部装置から位置情報の取得を行うようにしてもよい。
【００９３】
取得した位置情報は、コントローラ２８０のＣＰＵ２８０ａによって実現される情報制御部２８０ｈとしての機能により記憶部２８０ｃに保存される。つまり、情報制御部２８０ｈは、位置情報取得部２８０ｇが取得した位置情報を記憶部２８０ｃに保存させる。このとき、情報制御部２８０ｈは、位置情報を、位置情報ファイルを構成する情報の一つとして、記憶部５３０に保存させる。
【００９４】
記憶部５３０に保存させる位置情報ファイルには、必須設定情報である位置情報の他に、以下のような任意設定情報を含めるようにしてもよい。具体的には、任意設定情報として、例えば、基板処理装置１００の固有ＩＤ情報、基板処理装置１００の種別情報（例えば、ＣＶＤ、スパッタ、プロセス種類の別等に関する情報）、基板処理装置１００が対応するガスパターン情報（例えば、ガス種や排気経路等に関する情報）、基板処理装置１００のサイズ情報（例えば、基板処理装置１００の設置面積やＣＲ４００内の占有区画数等に関する情報）等が挙げられる。
【００９５】
（第二工程：Ｓ３０４）
続いて、第二工程（Ｓ３０４）について説明する。
第二工程（Ｓ３０４）は、群管理装置５００の側で行われる工程であり、各基板処理装置１００に対して、当該基板処理装置１００の記憶部５３０が保存する位置情報の送信を要求する工程である。位置情報の送信を要求することから、第二工程（Ｓ３０４）は、「位置情報要求工程」と言い換えることもできる。このような第二工程（Ｓ３０４）は、予め設定された所定のタイミング毎（例えば、１分毎、５分毎、１０分毎等）に行われる。
【００９６】
位置情報の送信の要求は、群管理装置５００のＣＰＵ５１０によって実現される位置情報要求部５１１としての機能を用いて行う。つまり、位置情報要求部５１１が位置情報を要求する。具体的には、位置情報要求部５１１は、各基板処理装置１００に対して、所定フォーマットの送信要求情報を送信することによって、位置情報の要求を行えばよい。送信要求情報のフォーマット等は、特に限定されるものではない。
【００９７】
（第三工程：Ｓ３０６）
次に、第三工程（Ｓ３０６）について説明する。
第三工程（Ｓ３０６）は、各基板処理装置１００の側で行われる工程であり、群管理装置５００からの要求に応じて、記憶部２８０ｃが保存している位置情報を読み出して、要求元の群管理装置５００へ送信する工程である。位置情報を送信することから、第三工程（Ｓ３０６）は、「位置情報送信工程」と言い換えることもできる。このような第三工程（Ｓ３０６）は、群管理装置５００からの要求がある毎に行われる。したがって、第二工程（Ｓ３０４）および第三工程（Ｓ３０６）は、所定のタイミング毎（例えば、１分毎、５分毎、１０分毎等）に定期的に繰り返し行われることになる。
【００９８】
位置情報の記憶部２８０ｃからの読み出しおよび群管理装置５００への送信は、情報制御部２８０ｈとしての機能を用いて行う。つまり、情報制御部２８０ｈは、群管理装置５００からの送信要求情報を受信すると、記憶部２８０ｃが保存している位置情報を読み出すとともに、要求元の群管理装置５００を出力先として、読み出した位置情報の出力（送信）を行う。
【００９９】
なお、記憶部５３０が位置情報ファイルによって保存を行っており、その位置情報ファイルに複数の設定情報が含まれている場合に、情報制御部２８０ｈは、群管理装置５００へ送信する情報を選択可能にしてもよい。例えば、情報制御部２８０ｈは、位置情報ファイルの送信設定の画面にチェックボックスを表示し、そのチェックボックスを利用して、位置情報に加えて群管理装置５００へ送信する任意設定情報を選択し得るようにしてもよい。
【０１００】
（第四工程：Ｓ３０８）
次に、第四工程（Ｓ３０８）について説明する。
第四工程（Ｓ３０８）は、群管理装置５００の側で行われる工程であり、各基板処理装置１００から送信された位置情報を基に、後述するマップ情報を生成する工程である。マップ情報を生成することから、第四工程（Ｓ３０８）は、「マップ情報生成工程」と言い換えることもできる。このような第四工程（Ｓ３０８）は、各基板処理装置１００から位置情報を受信した時点で行われる。
【０１０１】
第四工程（Ｓ３０８）で生成するマップ情報は、ＣＲ４００内における各基板処理装置１００の配置を視覚的に認識し得るように表した情報であり、ＣＲ４００内の装置配置に関するマップ（地図）に相当する情報である。このようなマップ情報によれば、各基板処理装置１００がＣＲ４００内のどこにあるかや、ある基板処理装置１００の周囲にどのような基板処理装置１００が配置されているか等を容易に把握し得るようになり、さらにはＣＲ４００内における動線の判別が容易となる。なお、マップ情報は、各基板処理装置１００のサイズ情報に応じて、当該基板処理装置１００の占有率を表示するものであってもよい。また、マップ情報は、各基板処理装置１００の占有情報が重複した場合に、エラー表示をするものであってもよい。
【０１０２】
マップ情報の生成は、群管理装置５００のＣＰＵ５１０によって実現されるマップ情報生成部５１２としての機能を用いて行う。つまり、マップ情報生成部５１２がマップ情報の生成を行う。具体的には、マップ情報生成部５１２は、所定のマップフォーマットデータに基づいて、そのマップフォーマットデータに各基板処理装置１００から受信した位置情報の内容を当て嵌めることによって、マップ情報の生成を行えばよい。マップフォーマットデータの形式等は、特に限定されるものではない。また、マップフォーマットデータは、予め群管理装置５００の記憶部５３０が保持しているものであってもよいし、群管理装置５００がネットワーク等を通じてアクセス可能な外部装置（サーバ装置）等から取得したものであってもよい。
【０１０３】
（第五工程：Ｓ３１０）
次に、第五工程（Ｓ３１０）について説明する。
第五工程（Ｓ３１０）は、群管理装置５００の側で行われる工程であり、マップ情報生成部５１２が生成したマップ情報を、各基板処理装置１００のそれぞれに対して送信する工程である。マップ情報を送信することから、第五工程（Ｓ３１０）は、「マップ情報送信工程」と言い換えることもできる。このような第五工程（Ｓ３１０）は、マップ情報生成部５１２によるマップ情報の生成が終了した時点で行われる。
【０１０４】
マップ情報の送信は、群管理装置５００のＣＰＵ５１０によって実現されるマップ情報管理部５１３としての機能を用いて行う。つまり、マップ情報管理部５１３がマップ情報の送信を行う。なお、マップ情報管理部５１３は、後述するように、送信先の記憶部２８０ｃにマップ情報を保存させるとともに、そのマップ情報を送信先の入出力装置２８１における表示部２８１ａに表示させるために、マップ情報の送信を行う。
【０１０５】
（第六工程：Ｓ３１２）
次に、第六工程（Ｓ３１２）について説明する。
第六工程（Ｓ３１２）は、各基板処理装置１００の側で行われる工程であり、群管理装置５００からマップ情報を受信すると、そのマップ情報を記憶部２８０ｃに保存させるとともに、そのマップ情報を入出力装置２８１における表示部２８１ａに表示させる工程である。マップ情報の表示を行うことから、第六工程（Ｓ３１２）は、「マップ情報表示工程」と言い換えることもできる。このような第六工程（Ｓ３１２）は、群管理装置５００からマップ情報を受信する毎に行われる。
【０１０６】
受信したマップ情報の記憶部２８０ｃへの保存および表示部２８１ａでの表示は、情報制御部２８０ｈとしての機能を用いて行う。つまり、情報制御部２８０ｈは、群管理装置５００から受信したマップ情報を、記憶部２８０ｃに保存させるとともに、表示部２８１ａに表示させる。
【０１０７】
このとき、マップ情報を表示する表示部２８１ａを備える入出力装置２８１は、タブレット端末等の移動端末によって構成されている。したがって、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者は、入出力装置２８１をコントローラ２８０から取り外した状態で携帯して移動することで、当該基板処理装置１００から離れた場所にいても、当該基板処理装置１００の周囲状況の把握や動線の判別等を容易に行うことができる。
【０１０８】
（第七工程：Ｓ３１４，Ｓ３１６）
次に、第七工程（Ｓ３１４，Ｓ３１６）について説明する。
第七工程（Ｓ３１４，Ｓ３１６）は、各基板処理装置１００の側で行われる工程であり、群管理装置５００からマップ情報を受信する毎に行われる工程である。
【０１０９】
第七工程では、先ず、群管理装置５００から受信したマップ情報と、既に記憶部２８０ｃで保存しているマップ情報とを比較して、それぞれの間に差異があるか否か、すなわち新旧のマップ情報の間で情報修正があるか否かを判別する（Ｓ３１４）。そして、情報修正がある場合には、ＣＲ４００内における各基板処理装置１００の設置状況に変更が生じていることから、その旨のメッセージ情報を出力する（Ｓ３１６）。メッセージ情報を出力することから、第七工程（Ｓ３１４，Ｓ３１６）は、「メッセージ出力工程」と言い換えることもできる。
【０１１０】
マップ情報の比較、情報修正有無の判別およびメッセージ情報の出力は、情報制御部２８０ｈとしての機能を用いて行う。つまり、情報制御部２８０ｈは、群管理装置５００からマップ情報を受信すると、これを保存済みのマップ情報と比較して、情報修正の有無の判別し、情報修正がある場合にその旨のメッセージ情報の出力を行う。
【０１１１】
情報制御部２８０ｈが出力するメッセージ情報は、予め設定されたフォーマットによるであればよい。ただし、基板処理装置１００の設置状況に変更が生じている旨を報知し得るものであれば、そのフォーマット等が特に限定されるものではない。
【０１１２】
メッセージ情報の出力先は、入出力装置２８１における表示部２８１ａまたは群管理装置５００の少なくとも一方、好ましくは両方とすることが考えられる。これにより、少なくとも基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者のいずれかに対して、基板処理装置１００の設置状況に変更が生じている旨を報知し得るようになる。
【０１１３】
つまり、このようなメッセージ情報の出力により、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者のいずれかに対して、基板処理装置１００の設置状況の変更に応じて、各基板処理装置１００の設定確認を促すメッセージを報知することができる。具体的には、例えば、ある基板処理装置１００の隣の区画の基板処理装置１００が撤去された場合を考える。その場合には、当該ある基板処理装置１００の排気特性が向上し、これまでに行っていた基板処理工程における処理特性に影響を及ぼす可能性が生じてしまう。ところが、基板処理装置１００の設置状況の変更に応じてメッセージ情報を出力すれば、これにより当該ある基板処理装置１００の設定確認を管理者等に促すことができるので、設定確認作業を行わせることで、基板処理工程における処理特性への影響を未然に排除し得るようになる。
【０１１４】
本実施形態では、上述した第一工程（Ｓ３０２）〜第七工程（Ｓ３１４，Ｓ３１６）の各工程を行うことで、ＣＲ４００内に設置された各基板処理装置１００の管理を行う。そして、各工程のうち、特に第二工程（Ｓ３０４）および第三工程（Ｓ３０６）については、所定のタイミング毎（例えば、１分毎、５分毎、１０分毎等）に定期的に繰り返す。つまり、ＣＲ４００内に設置された各基板処理装置１００の位置情報は、所定のタイミングで恒常的に監視される。したがって、例えば各基板処理装置１００の設置状況の変更がどのタイミングで行われるかに拘らず、その変更が基板処理装置１００による基板処理工程の処理特性に影響を及ぼしてしまうのを未然に排除し得るようになる。
【０１１５】
（８）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。
【０１１６】
（ａ）本実施形態では、各基板処理装置１００において、位置情報取得部２８０ｇが位置情報の取得を行うとともに、取得した位置情報を情報制御部２８０ｈが記憶部２８０ｃに保存させる。つまり、位置情報を基板処理装置１００そのものに持たせるようになっている。したがって、ＣＲ４００内に複数の基板処理装置１００が設置されている場合に、各基板処理装置１００の設置状況に変更（例えば、新たな基板処理装置１００の設置、基板処理装置１００の位置移動、基板処理装置１００の撤去等）が生じても、その変更に迅速かつ適切に対応することが可能となる。
【０１１７】
（ｂ）本実施形態では、各基板処理装置１００において、上位装置である群管理装置５００から位置情報の送信要求情報を受信すると、情報制御部２８０ｈが記憶部２８０ｃから位置情報を読み出して要求元の群管理装置５００へ出力（送信）する。つまり、各基板処理装置１００に送信要求情報を送信することで、各基板処理装置１００の位置情報を群管理装置５００に集約させる。したがって、位置情報を各基板処理装置１００に持たせる場合であっても、各基板処理装置１００の位置情報を適切に管理することが可能となる。具体的には、各基板処理装置１００の配置を視覚的に認識可能にするマップ情報を作成する上で、非常に好適なものとなる。
【０１１８】
特に、本実施形態で説明したように、送信要求情報の送信および位置情報の集約（具体的には、第二工程および第三工程）を所定のタイミング毎に定期的に繰り返すようにすれば、各基板処理装置１００の位置情報は、所定のタイミングで恒常的に監視されることになる。したがって、例えば各基板処理装置１００の設置状況の変更がどのタイミングで行われるかに拘らず、その変更が基板処理装置１００による基板処理工程の処理特性に影響を及ぼしてしまうのを未然に排除し得るといったように、各基板処理装置１００についての管理を適切に行い得るようになる。
【０１１９】
（ｃ）本実施形態では、各基板処理装置１００において、上位装置である群管理装置５００で生成されたマップ情報を受信すると、そのマップ情報を入出力装置２８１における表示部２８１ａに表示させる。したがって、表示部２８１ａで表示されるマップ情報を参照することで、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者は、当該基板処理装置１００がＣＲ４００内のどこにあるか、当該基板処理装置１００の周囲にどのような基板処理装置１００が配置されているか等を容易に把握し得るようになり、さらにはＣＲ４００内における動線の判別が容易となる。つまり、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者にとって、優れた利便性を有したものとなる。
【０１２０】
（ｄ）本実施形態では、マップ情報を表示する表示部２８１ａを備える入出力装置２８１が、タブレット端末等の移動端末によって構成されている。したがって、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者は、入出力装置２８１をコントローラ２８０から取り外した状態で携帯して移動することで、当該基板処理装置１００から離れた場所にいても、当該基板処理装置１００の周囲状況の把握や動線の判別等を容易に行うことができる。つまり、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者にとっては、より一層利便性に優れたものとなる。
【０１２１】
（ｅ）本実施形態では、各基板処理装置１００において、上位装置である群管理装置５００からマップ情報を受信すると、情報制御部２８０ｈが、受信したマップ情報と既に記憶部２８０ｃで保存しているマップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨のメッセージ情報を入出力装置２８１における表示部２８１ａまたは群管理装置５００の少なくとも一方に出力する。このようなメッセージ情報の出力により、基板処理装置１００の管理者、操作者または保守作業者のいずれかに対して、基板処理装置１００の設置状況の変更に応じて、各基板処理装置１００の設定確認を促すメッセージを報知することができる。つまり、基板処理装置１００の設置状況の変更に応じてメッセージ情報を出力することで、各基板処理装置１００の設定確認を管理者等に促すことができるので、設置状況の変更が各基板処理装置１００での基板処理工程の処理特性に影響を及ぼしてしまうのを未然に排除することができる。
【０１２２】
＜他の実施形態＞
以上に、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。
【０１２３】
例えば、上述した実施形態では、基板処理工程の一工程である成膜工程において、第一処理ガス（第一元素含有ガス）としてＨＣＤガスを用い、第二処理ガス（第二元素含有ガス）としてＯ２ガスを用いて、これらを交互に供給することによってウエハＷ上にＳｉＯ膜を形成する場合を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理に用いる処理ガスは、ＨＣＤガスやＯ２ガス等に限られることはなく、他の種類のガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、これらを交互に供給して成膜処理を行うのであれば、本開示を適用することが可能である。具体的には、第一元素としては、Ｓｉではなく、例えばチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等、種々の元素であってもよい。また、第二元素としては、Ｏではなく、例えば窒素（Ｎ）等であってもよい。
【０１２４】
また、例えば、上述した各実施形態では、基板処理装置が行う処理として成膜処理を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、本開示は、各実施形態で例に挙げた成膜処理の他に、各実施形態で例示した薄膜以外の成膜処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。さらに、本開示は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、エッチング装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本開示は、これらの装置が混在していてもよい。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。
【０１２５】
また、例えば、上述した実施形態では、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハに対する処理を行う場合を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、処理対象となる基板は、ウエハに限らず、ホトマスク、プリント配線基板、液晶パネル、磁気ディスク、光ディスク等であってもよい。
【０１２６】
＜本開示の好ましい態様＞
以下に、本開示の好ましい態様について付記する。
【０１２７】
［付記１］
本開示の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力させる情報制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
【０１２８】
［付記２］
好ましくは、
上位装置との間で情報を送受信する送受信部を有し、
前記情報制御部は、前記送受信部が前記上位装置から前記位置情報の送信要求情報を受信すると、前記上位装置を出力先として前記記憶部が保存する前記位置情報を前記送受信部に送信させるように構成されている
付記１に記載の基板処理装置が提供される。
【０１２９】
［付記３］
好ましくは、
情報の表示出力を行う表示部を有し、
前記情報制御部は、前記上位装置に送信した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を前記上位装置から受信すると、前記マップ情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記マップ情報を前記表示部に表示させるように構成されている
付記２に記載の基板処理装置が提供される。
【０１３０】
［付記４］
好ましくは、
前記表示部は、移動端末によって構成されている
付記３に記載の基板処理装置が提供される。
【０１３１】
［付記５］
好ましくは、
前記情報制御部は、前記上位装置から受信した前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を前記表示部または前記上位装置の少なくとも一方に出力するように構成されている
付記３または４に記載の基板処理装置が提供される。
【０１３２】
［付記６］
本開示の他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有した基板処理装置との間で情報を送受信する送受信部と、
前記処理室の位置情報を前記送受信部が前記基板処理装置から受信すると、前記位置情報に基づいてマップ情報を生成するマップ情報生成部と、
前記マップ情報生成部が生成した前記マップ情報を前記基板処理装置に送信して、前記基板処理装置が有する表示部に表示させるマップ情報管理部と、
を有する上位装置が提供される。
【０１３３】
［付記７］
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有した基板処理装置と、
前記基板処理装置との間で情報の送受信を行うように構成された上位装置と、
を備え、
前記基板処理装置は、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記上位装置からの前記位置情報の送信要求情報に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を前記上位装置に送信させる情報制御部と、
前記記憶部に保存された情報を表示する表示部と、
を有し、
前記上位装置は、
前記処理室の位置情報を前記基板処理装置から受信すると、前記位置情報に基づいてマップ情報を生成するマップ情報生成部と、
前記マップ情報生成部が生成した前記マップ情報を前記基板処理装置に送信して、前記基板処理装置が有する前記表示部に表示させるマップ管理部と、
を有する基板処理システムが提供される。
【０１３４】
［付記８］
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる第一工程と、
前記記憶部が保存する前記位置情報の送信を要求する第二工程と、
要求に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を送信する第三工程と、
送信された前記位置情報を基にマップ情報を生成する第四工程と、
生成した前記マップ情報を前記基板処理装置に送信して前記記憶部に保存させる第五工程と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる第六工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３５】
［付記９］
好ましくは、
前記基板処理装置に送信された前記マップ情報と当該基板処理装置の前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する第七工程
を有する付記８に記載の半導体装置の製造方法が提供される。
【０１３６】
［付記１０］
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる手順と、
必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力する手順と、
前記記憶部から出力した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を受け取って、前記マップ情報を前記記憶部に保存させる手順と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。
【０１３７】
［付記１１］
好ましくは、
受け取った前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する手順
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させる付記１０に記載のプログラムが提供される。
【０１３８】
［付記１２］
本開示のさらに他の一態様によれば、
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる手順と、
必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力する手順と、
前記記憶部から出力した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を受け取って、前記マップ情報を前記記憶部に保存させる手順と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【０１３９】
［付記１３］
好ましくは、
受け取った前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する手順
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させる付記１２に記載のプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１４０】
１００…基板処理装置、１１０…ＩＯステージ、１２０…大気搬送室、１３０…ロードロック室、１４０…真空搬送室、２００，２００ａ〜２００ｄ…リアクタ（ＲＣ）、２００…ウエハ（基板）、２０２…容器、２０５…処理空間、２１２…基板載置台、２３０…シャワーヘッド、２４２…共通ガス供給管、２４３…第一ガス供給系、２４４…第二ガス供給系、２４５…第三ガス供給系、２６１〜２６４…排気管、２８０…コントローラ、２８０ａ…ＣＰＵ、２８０ｃ…記憶部、２８０ｇ…位置情報取得部、２８０ｈ…情報制御部、２８１…入出力装置（移動端末）、２８１ａ…表示部、２８３…送受信部、４００…クリーンルーム（ＣＲ）、５００…群管理装置（上位装置）、５１０…ＣＰＵ、５１１…位置情報要求部、５１２…マップ情報生成部、５１３…マップ情報管理部、５２０…記憶部、５５０…送受信部、Ｗ…ウエハ
【図１】
2019161072.tif 000003
【図２】
2019161072.tif 000004
【図３】
2019161072.tif 000005
【図４】
2019161072.tif 000006
【図５】
2019161072.tif 000007
【図６】
2019161072.tif 000008
【図７】
2019161072.tif 000009
【図８】
2019161072.tif 000010
【図９】
2019161072.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月13日(2018.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力させる情報制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
上位装置との間で情報を送受信する送受信部を有し、
前記情報制御部は、前記送受信部が前記上位装置から前記位置情報の送信要求情報を受信すると、前記上位装置を出力先として前記記憶部が保存する前記位置情報を前記送受信部に送信させるように構成されている
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
情報の表示出力を行う表示部を有し、
前記情報制御部は、前記上位装置に送信した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を前記上位装置から受信すると、前記マップ情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記マップ情報を前記表示部に表示させるように構成されている
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記表示部は、移動端末に設けられる
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記情報制御部は、前記上位装置から受信した前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を前記表示部または前記上位装置の少なくとも一方に出力するように構成されている
請求項３または４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を処理する処理室を有した基板処理装置と、前記基板処理装置との間で情報の送受信を行うように構成された上位装置と、
を備え、
前記基板処理装置は、
前記処理室の位置情報を取得する位置情報取得部と、
前記位置情報を保存する記憶部と、
前記位置情報取得部が取得した前記位置情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記上位装置からの前記位置情報の送信要求情報に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を前記上位装置に送信させる情報制御部と、
前記記憶部に保存された情報を表示する表示部と、
を有し、
前記上位装置は、
前記処理室の位置情報を前記基板処理装置から受信すると、前記位置情報に基づいてマップ情報を生成するマップ情報生成部と、
前記マップ情報生成部が生成した前記マップ情報を前記基板処理装置に送信して、前記基板処理装置が有する前記表示部に表示させるマップ管理部と、
を有する基板処理システム。
【請求項７】
上位装置との間で情報を送受信する送受信部を有し、
前記情報制御部は、前記送受信部が前記上位装置から前記位置情報の送信要求情報を受信すると、前記上位装置を出力先として前記記憶部が保存する前記位置情報を前記送受信部に送信させるように構成されている
請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
情報の表示出力を行う表示部を有し、
前記情報制御部は、前記上位装置に送信した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を前記上位装置から受信すると、前記マップ情報を前記記憶部に保存させるとともに、前記マップ情報を前記表示部に表示させるように構成されている
請求項７に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記表示部は、移動端末によって構成されている
請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記情報制御部は、前記上位装置から受信した前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を前記表示部または前記上位装置の少なくとも一方に出力するように構成されている
請求項８または９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる第一工程と、
前記記憶部が保存する前記位置情報の送信を要求する第二工程と、
要求に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を送信する第三工程と、
送信された前記位置情報を基にマップ情報を生成する第四工程と、
生成した前記マップ情報を前記基板処理装置に送信して前記記憶部に保存させる第五工程と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる第六工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板処理装置に送信された前記マップ情報と当該基板処理装置の前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する第七工程
を有する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる手順と、
必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力する手順と、
前記記憶部から出力した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を受け取って、前記マップ情報を前記記憶部に保存させる手順と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１４】
受け取った前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する手順
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させる請求項１３に記載のプログラム。
【請求項１５】
基板を処理する処理室を有した基板処理装置について前記処理室の位置情報を取得するとともに、取得した前記位置情報を前記基板処理装置が有する記憶部に保存させる手順と、
必要に応じて前記記憶部が保存する前記位置情報を出力する手順と、
前記記憶部から出力した前記位置情報を基に生成されたマップ情報を受け取って、前記マップ情報を前記記憶部に保存させる手順と、
前記マップ情報を前記基板処理装置が有する表示部に表示させる手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１６】
受け取った前記マップ情報と前記記憶部で保存している前記マップ情報とを比較して、それぞれの間に差異がある場合に、その旨の情報を出力する手順
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させる請求項１５に記載のプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。