(57)【要約】【課題】レーザ治療装置において、光源からのレーザ光を治療範囲内で高速に走査することで、治療範囲内にある患部の効率的な治療を可能にする。【解決手段】患部Ｋａにレーザ光Ｌｓを照射して治療するレーザ治療装置１であって、レーザ光Ｌｓを出力する光源１０（光源装置）と、光源１０が出力したレーザ光Ｌｓを偏光する偏光可変装置２０と、偏光可変装置２０で偏光したレーザ光Ｌｓを、患部Ｋａを含む治療範囲Ｋ内で走査して照射する走査装置４０（レーザ光Ｌｓを水平方向に走査する第１結晶素子４２と、波長板４４を介してレーザ光Ｌｓを垂直方向に走査する第２結晶素子４６）と、を有し、走査装置４０は、印加された入力電圧Ｖ（電界）に応じてレーザ光Ｌｓの射出方向が変わる結晶素子を有する構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
患部にレーザ光を照射して治療するレーザ治療装置であって、
レーザ光を出力する光源装置と、
前記レーザ光を、前記患部を含む治療範囲内で走査して照射する走査装置と、を有し、
前記走査装置は、印加された電圧に応じてレーザ光の射出方向が変わる結晶素子を有するレーザ治療装置。
【請求項２】
前記光源装置が出力したレーザ光を偏光する偏光可変装置を有し、
前記結晶素子は、
印加された電圧に応じて、前記偏光可変装置で第１方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第１結晶素子と、
印加された電圧に応じて、前記第１方向と直交する第２方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第２結晶素子とを有する請求項１に記載のレーザ治療装置。
【請求項３】
前記偏光可変装置を制御する制御装置と、
前記光源装置が出力したレーザ光を検出する光検出装置と、を有し、
前記制御装置は、
前記光検出装置によるレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置によるレーザ光の偏光方向を制御する請求項１または請求項２に記載のレーザ治療装置。
【請求項４】
前記光検知装置へ入射されるレーザ光の入射側に設けられた偏光子を有し、
前記光検知装置は、レーザ光の経路における前記第１結晶素子の前方に設けられており、
前記制御装置は、前記偏光器を介して前記光検出装置で検出されたレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置による前記レーザ光の偏光方向を制御する請求項３に記載のレーザ治療装置。
【請求項５】
前記光検知装置は、レーザ光の経路における前記第１結晶素子の後方に設けられており、
前記制御装置は、前記光検出装置で検出されたレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置による前記レーザ光の偏光を制御する請求項３に記載のレーザ治療装置。
【請求項６】
前記走査装置から射出されたレーザ光の焦点距離を、前記患部の深さ位置に合わせる焦点距離調整機構を有する請求項１から請求項５の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項７】
前記焦点距離調整機構は、
前記患部の深さ位置を検出する深さ位置検出装置と、
前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記レーザ光の焦点距離を調整する焦点調整装置と、を有する請求項６に記載のレーザ治療装置。
【請求項８】
前記深さ位置検出装置で検出した健常部位の検出結果を記憶する記憶部を有し、
前記深さ位置検出装置は、前記記憶部に記憶された前記健常部位の検出結果との比較結果に基づいて、前記患部の深さ位置を検出する請求項７に記載のレーザ治療装置。
【請求項９】
前記焦点調整装置は、レーザ光の経路における前記走査装置の後方に設けられると共に、印加された電圧に応じてレーザ光の焦点距離を変える第３結晶素子を有し、
前記焦点距離調整機構は、前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記第３結晶素子の焦点距離を変える請求項６から請求項８の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１０】
前記光源装置は、１〜１０００ピコ秒のパルス幅で繰り返し周波数１ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する請求項１から請求項９の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１１】
前記光源装置は、５００ピコ秒以下のパルス幅で繰り返し周波数２５０ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する請求項１から請求項９の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１２】
前記結晶素子は、ＬＮ結晶、ＬＴ結晶、またはＫＴＮ結晶の少なくとも何れか一つである請求項１から請求項１１の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１３】
レーザ光の光軸を調整する光軸調整機構を有し、
前記光軸調整機構は、レーザ光を検出する光検出装置と、レーザ光の光軸を調整する光軸調整器と、当該光軸調整器を制御する調整器制御装置と、を有し、
前記調整器制御装置は、前記光検出装置で検出したレーザ光の光強度に応じて前記光軸調整器を制御する請求項１から請求項１２の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ治療装置にかかり、特にレーザ光を治療範囲内で高速に走査することで、治療範囲内にある患部の効率的な治療を可能にするレーザ治療装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ光を患部に照射することにより、患部の色素などを破壊して、あざ、シミ、又は刺青などを取り去るレーザ治療装置がある。
【０００３】
この種のレーザ治療装置では、レーザ光の照射位置を治療範囲内で移動させて患部全体に照射する必要があり、レーザ光の照射位置の移動にはガルバノミラーが用いられる。
【０００４】
特許文献１には、ガルバノミラーを用いてレーザ光の照射位置を変えるレーザ治療装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１８５４０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図９に示すように、特許文献１に開示されたレーザ治療装置９００では、光源からのレーザ光Ｌｓの照射位置をＸ、Ｙ方向に移動するために２つのガルバノミラー９０１、９０２が用いられる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１のレーザ治療装置９００では、ガルバノミラー９０１、９０２の物理的な駆動時間が必要であるため、レーザ光Ｌｓの位置を治療範囲Ｋ内で高速に移動することが困難である。よって、レーザ治療装置９００では、治療範囲Ｋ内にある患部の効率的な治療が難しいという問題がある。
【０００８】
したがって本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、レーザ治療装置において、光源からのレーザ光を治療範囲内で高速に走査することで、治療範囲内にある患部を効率的に治療することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、患部にレーザ光を照射して治療するレーザ治療装置であって、レーザ光を出力する光源装置と、光源装置が出力したレーザ光の偏光を制御する偏光可変装置と、偏光可変装置で偏光を制御したレーザ光を、患部を含む治療範囲内で走査して照射する走査装置と、を有し、走査装置は、印加された電圧に応じてレーザ光が透過する媒体の射出方向が変わる結晶素子を有する構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レーザ光を治療範囲内で高速に走査することで、治療範囲内にある患部を効率的に治療することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態にかかるレーザ治療装置の機能を説明するブロック図である。
【図２】実施の形態にかかる第１結晶素子を説明する図である。
【図３】治療範囲に照射されるレーザ光の焦点（スポット）の移動方法の一例を説明する図である。
【図４】治療範囲に照射されるレーザ光の焦点（スポット）の移動方法の他の一例を説明する図である。
【図５】変形例にかかるレーザ治療装置の光軸調整機構を説明するブロック図である。
【図６】第２の実施の形態にかかるレーザ治療装置の機能を説明するブロック図である。
【図７】第３の実施の形態にかかるレーザ治療装置の要部を説明するブロック図である。
【図８】治療範囲で反射したレーザ光の波形と、反射板で反射したレーザ光の波形とを合成したレーザ光の波形の一例を示す図である。
【図９】従来のレーザ治療装置におけるレーザの制御機構を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［治療装置］
以下、本発明の実施の形態にかかるレーザ治療装置１を説明する。
図１は、実施の形態にかかるレーザ治療装置１の機能を説明するブロック図である。
図２は、実施の形態にかかる第１結晶素子４２を説明する図である。
【００１３】
［レーザ治療装置］
レーザ治療装置１は、光源１０と、偏光可変装置２０と、導光装置３０と、走査装置４０と、レンズ５０とを有している。レーザ治療装置１において、光源１０からレンズ５０までは、レーザ光は自由空間で伝搬する構成であり、光源１０から出力されたレーザ光Ｌｓは、多数の反射板で構成された導光装置３０を通過してレンズ５０まで誘導される。
【００１４】
光源１０は、所定の波長のレーザ光Ｌｓを出力する装置であり、例えば、ファイバーレーザなどが用いられる。光源１０は、１〜１０００ピコ秒のパルス幅で繰り返し周波数１ｋＨｚから１０ＭＨｚを有するレーザ光Ｌｓを出力する。なお、光源１０が出力するレーザ光Ｌｓのパルス幅は、患部への熱の影響を防止しつつ、確実な治療効果を発揮するため、５００ピコ秒以下で繰り返し周波数２５０ｋＨｚから１０ＭＨｚであることがより好ましい。光源１０から出力されるレーザ光Ｌｓの直径は約１ｍｍである。
【００１５】
光源１０から出力されたレーザ光Ｌｓは、偏光可変装置２０に入射される。
【００１６】
偏光可変装置２０は、所定の振動方向（偏光方向）のレーザ光Ｌｓの偏光方向
を変化させる結晶（図示せず）と、この結晶（図示せず）の角度を変える可動装置（図示せず）とを有している。可動装置（図示せず）は、モータ（図示せず）などにより構成されている。
【００１７】
偏光可変装置２０は、可動装置（図示せず）により結晶（図示せず）の角度を変えることで、光源１０から入射されたレーザ光Ｌｓの方向を所望の偏光方向へ変更することができる。偏光可変装置２０は、後述する制御装置８０の指令に応じて、透過するレーザ光Ｌｓの偏光方向を変えることができるようになっている。
【００１８】
なお、前述した実施の形態では、偏光可変装置２０は、モータなどにより構成される可動装置により結晶の角度を変える構成を有している場合を例示して説明したが、レーザ光の偏光方向を変更する構成はこれに限定されるものではない。例えば、偏光可変装置２０は、結晶に電気を印加することで結晶射出後のレーザ光の偏光方向を変更する構成を有していても良い。
【００１９】
偏光可変装置２０を透過したレーザ光Ｌｓは、凹レンズや凸レンズ（図示せず）を利用して約１０〜２０ｍｍに拡径されて、導光装置３０に入射される。
【００２０】
導光装置３０は、光源１０から出力されたレーザ光Ｌｓを、患者の治療範囲Ｋの近傍まで誘導する装置である。実施の形態では、導光装置３０として、複数の可動関節を有するマニピュレータ型の導光装置が用いられる。
【００２１】
導光装置３０の内部には、第１反射板３１と、第２反射板３２と、第３反射板３３と、第４反射板３４と、第５反射板３５と、第６反射板３６とが設けられている。導光装置３０では、偏光可変装置２０から入射されたレーザ光Ｌｓが、これらの第１反射板３１〜第６反射板３６で反射されて射出部３７まで誘導される。
【００２２】
なお、前述した実施の形態では、複数の可動関節を有するマニピュレータ型の導光装置を用いた場合を例示して説明したが、レーザ光Ｌｓを治療範囲Ｋ近傍まで誘導できるものであればこれに限定されるものではなく、例えば、フレキシブル性があり偏光が保持できる光ファイバを用いてもよい。
【００２３】
導光装置３０の射出部３７に誘導されたレーザ光Ｌｓは、反射板９０に入射される。
【００２４】
反射板９０は、入射されたレーザ光Ｌｓのうち、一部のレーザ光Ｌｓを偏光子６０側に反射し、その他のレーザ光Ｌｓを走査装置４０側に透過する。
【００２５】
反射板９０を透過したレーザ光Ｌｓは凹レンズや凸レンズ（図示せず）を利用して１ｍｍ程度に縮径されて、走査装置４０に入射される。
【００２６】
走査装置４０は、第１結晶素子４２と、波長板４４と、第２結晶素子４６とを有する。
【００２７】
第１結晶素子４２は、第１方向（例えば、図３に示す水平方向）の偏光成分のレーザ光Ｌｓの射出方向を変化させて透過し、それ以外の偏光成分のレーザ光Ｌｓの射出方向は変化させずに透過する結晶構造を有する。第１結晶素子４２は、電気光学効果を有する結晶素子であり、この第１結晶素子４２に所定の入力電圧Ｖ１が印加される。
【００２８】
第１結晶素子４２は、印加された入力電圧Ｖ１の大きさ（磁界）に応じて内部の結晶構造が変異することで屈折率が変わり、レーザ光Ｌｓの水平方向における照射位置を変えられるようになっている。このような第１結晶素子４２として、例えば、電気光学効果を有するＬＮ（タンタル酸リチウム）、ＬＴ（ニオブ酸リチウム）、ＫＴＮ結晶を適用することができる。
【００２９】
図２に示すように、第１結晶素子４２は、例えば、ＶＡ−Ｖβ〜ＶＡ＋Ｖαの入力電圧Ｖ１が印加されるようになっている。
【００３０】
第１結晶素子４２は、入力電圧Ｖ１が所定の基準電圧ＶＡの場合にはレーザ光Ｌｓの射出方向は入射方向と同一ベクトルとなる。そして、第１結晶素子４２は、入力電圧Ｖ１が基準電圧ＶＡよりもプラス方向にＶα増加すると、レーザ光Ｌｓは、水平方向におけるプラス方向（図３の右方向）に変位し、入力電圧Ｖ１が基準電圧ＶＡよりもマイナス方向にＶβ増加すると、レーザ光Ｌｓは、水平方向におけるマイナス方向（図３の左方向）に変位する。
【００３１】
これにより、第１結晶素子４２は、入力電圧Ｖ１に応じて屈折率を変えることで、レーザ光Ｌｓの射出位置を、同一直線上（同一の水平方向）の所定の位置に調整することができる。
【００３２】
図１に戻って、走査装置４０では、第１結晶素子４２から射出されたレーザ光Ｌｓは、波長板４４に入射される。
【００３３】
波長板４４は、入射されたレーザ光Ｌｓに所定の位相差を与えて射出する。実施の形態では、波長板４４は、入射されたレーザ光Ｌｓにπ（１８０度）の位相差を与えて出力するλ／２波長板が用いられる。これにより、レーザ光Ｌｓの偏光方向は９０度回転する。
【００３４】
走査装置４０では、波長板４４から射出されたレーザ光Ｌｓは、第２結晶素子４６に入射される。
【００３５】
第２結晶素子４６もまた、電気光学効果を有する結晶素子であり、前述した第１結晶素子４２と同様の構造及び機能を有するＬＮ、ＬＴ、ＫＴＮなどの結晶である。第２結晶素子４６は、第１方向（例えば、図３に示す水平方向）と直交する第２方向（例えば、図３に示す垂直方向）の偏光成分のレーザ光Ｌｓの射出方向を変化させて透過し、それ以外の偏光成分のレーザ光Ｌｓの射出方向を変化させないで透過する性質を有する。
【００３６】
実施の形態では、第２結晶素子４６もまた、ＶＢ−Ｖδ〜ＶＢ＋Ｖγの入力電圧Ｖ２が印加されるようになっている。
【００３７】
第２結晶素子４６は、入力電圧Ｖ２が所定の基準電圧ＶＢの場合にはレーザ光Ｌｓの射出方向は、入力方向と同一ベクトルとなる。そして、第２結晶素子４６は、入力電圧Ｖ２が基準電圧ＶＢよりもプラス方向にＶγ増加すると、レーザ光Ｌｓは、第１方向（図３の水平方向）と直交する第２方向（図３の垂直方向）のプラス方向（図３の下方向）に変位し、入力電圧Ｖ２が基準電圧ＶＡよりもマイナス方向にＶδ増加すると、レーザ光Ｌｓは垂直方向のマイナス方向（図３の上方向）に変位する。
【００３８】
これにより、第２結晶素子４６は、入力電圧Ｖ２に応じて屈折率が変わり、レーザ光Ｌｓの出力位置を、同一直線状（垂直方向）の所定の位置に調整することができる。
【００３９】
レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とにより、レーザ光Ｌｓを、治療範囲Ｋの水平方向と垂直方向（図３参照）の任意の位置に移動させることができる。
【００４０】
前述した第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とを含む構成は、結晶素子に相当する。
【００４１】
図１に示すように、走査装置４０（第２結晶素子４６）を透過したレーザ光Ｌｓは、レンズ５０を介して皮膚の所定の治療範囲Ｋに照射され、治療範囲Ｋの患部Ｋａの色素又は組織を破壊する。これにより、レーザ治療装置１により、色素や組織の除去（治療）を行うことができる。
【００４２】
なお、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの直径は、レンズ５０で縮径されて約２０μｍ〜１００μｍの範囲に調整される。
【００４３】
［レーザ光の移動方法］
ここで、治療範囲Ｋでのレーザ光Ｌｓの移動方法を説明する。
【００４４】
図３は、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの焦点（スポット）Ｓｐの移動方法の一例を説明する図であり、治療範囲Ｋを正面から見た図である。
【００４５】
図３において、左右方向を水平方向又は第１方向、上下方向を垂直方向又は第２方向と定義する。また、実施の形態では、治療範囲Ｋとして５ｍｍ×５ｍｍの範囲が設定されている場合を例示して説明する。
【００４６】
前述したように、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの水平方向（第１方向）の位置は、第１結晶素子４２に印加する入力電圧Ｖ１（電界）に応じて変化する。実施の形態では、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの水平方向の位置は、第１結晶素子４２にＶＡ−Ｖβを印加した場合、治療範囲Ｋにおける最左位置、第１結晶素子４２にＶＡ＋Ｖαを印加した場合、治療範囲Ｋにおける最右位置、第１結晶素子４２に基準電圧ＶＡを印加した場合、治療範囲Ｋにおける中央位置となるように設定されている。
【００４７】
また、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの垂直方向（第２方向）の位置は、第２結晶素子４６に印加する入力電圧Ｖ２（電界）に応じて変化する。実施の形態では、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの垂直方向の位置は、第２結晶素子４６にＶＢ−Ｖδを印加した場合、治療範囲Ｋにおける最上位置、第２結晶素子４６にＶＢ＋Ｖγを印加した場合、治療範囲Ｋにおける最下位置、第２結晶素子４６に基準電圧ＶＢを印加した場合、治療範囲Ｋにおける中央位置となるように設定されている。
【００４８】
レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに印加する入力電圧Ｖ１、Ｖ２（電界）を制御し、治療範囲Ｋにおける最左位置かつ最上位置の開始点（図３の焦点Ｓｐの開始位置）からレーザ光Ｌｓの照射を開始する。
【００４９】
そして、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに印加する入力電圧Ｖ１、Ｖ２（電界）を制御し、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、治療範囲Ｋにおける水平方向の最左位置から最右位置まで焦点径分だけ右方向に順次移動させると共に、右方向に順次移動させるごとにレーザ光Ｌｓを照射する（図３の移動方向Ｄ１を参照）。
【００５０】
レーザ治療装置１では、治療範囲Ｋにおける水平方向の最右位置でのレーザ光Ｌｓの照射終了後、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、レーザ光Ｌｓの焦点径分だけ垂直方向の下方向に移動（図３の移動方向Ｄ２を参照）させてレーザ光Ｌｓを照射する。
【００５１】
そして、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに印加する入力電圧Ｖ１、Ｖ２（電界）を制御し、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、治療範囲Ｋにおける水平方向の最右位置から最左位置まで焦点径分だけ左方向に順次移動（図３の移動方向Ｄ３参照）させると共に、左方向に順次移動させるごとにレーザ光Ｌｓを照射する。
【００５２】
レーザ治療装置１では、治療範囲Ｋにおける水平方向の最左位置でのレーザ光Ｌｓの照射終了後、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、レーザ光Ｌｓの焦点径分だけ垂直方向の下方向に移動（図３の移動方向Ｄ４を参照）させてレーザ光Ｌｓを照射する。
【００５３】
レーザ治療装置１では、前述したレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ位置の移動とレーザ光Ｌｓの照射を、最右位置かつ最下位置となる焦点Ｓｐの終了位置（図３参照）に到達するまで繰り返す（図３の移動方向Ｄ５、Ｄ６参照）。
【００５４】
レーザ治療装置１では、このようにレーザ光Ｌｓを走査することで、治療範囲Ｋの全体に均一にレーザ光Ｌｓを照射することができる。
【００５５】
なお、レーザ治療装置１におけるレーザ光Ｌｓの移動方法は、前述した方式に限定されるものではない。例えば、レーザ光Ｌｓを右上から左下方向に前述と同様な方法で走査してもよい。また、治療範囲Ｋの中心から外側に円を描くように渦巻状に走査してもよく、リサージュ曲線の軌道に沿って走査してもよい。さらに、レーザ治療装置１では、各々の走査方法において、隣接する照射光との隙間を空けて照射してもよく、更に隣接する照射光との隙間を詰めて重複するように照射してもよい。
【００５６】
図４は、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの焦点（スポット）Ｓｐの移動方法の他の一例を説明する図であり、治療範囲Ｋを正面から見た図である。
【００５７】
図４において、左右方向を水平方向又は第１方向、上下方向を垂直方向又は第２方向と定義する。
【００５８】
図４に示すように、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに印加する入力電圧Ｖ１、Ｖ２（電界）を制御し、治療範囲Ｋにおける最左位置かつ最上位置の開始点（図中の焦点Ｓｐの開始位置）からレーザ光Ｌｓの照射を開始する。
【００５９】
そして、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに印加する入力電圧Ｖ１、Ｖ２（電界）を制御し、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、治療範囲Ｋにおける水平方向の最左位置から最右位置まで１焦点径分だけ空けて右方向に順次移動させると共に（焦点Ｓｐの位置１〜５０参照）、右方向に順次移動させるごとにレーザ光Ｌｓを照射する。なお、レーザ光Ｌｓは、２焦点径分以上空けて移動させてもよい。
【００６０】
次に、レーザ治療装置１では、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐの位置を、１焦点径分下方向の最左位置に移動させ、治療範囲Ｋにおける水平方向の最左位置から最右位置まで１焦点径分だけ空けて右方向に順次移動させると共に（焦点Ｓｐの位置５１〜１００参照）、右方向に順次移動させるごとにレーザ光Ｌｓを照射する。なお、レーザ光Ｌｓは、２焦点径分以上空けて移動させてもよい。
【００６１】
レーザ治療装置１では、前述したレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ位置の移動とレーザ光Ｌｓの照射を、焦点Ｓｐの終了位置（図４参照）に到達するまで繰り返す。
【００６２】
このように、レーザ治療装置１では、レーザ光Ｌｓを、水平方向及び垂直方向に間隔を空けて照射する。よって、レーザ治療装置１では、レーザ光Ｌｓを、間隔を空けずに連続して照射することでレーザ光Ｌｓの熱が重畳的に蓄積されて、局所的に高温になるのを防ぐことができる。その結果、治療範囲Ｋの熱による健常組織の損傷や、施術した後、回復するまでの時間（ダウンタイム）を抑制することができる。
【００６３】
特に、レーザ治療装置１では、１〜１０００ピコ秒（好ましくは、５００ピコ秒以下）の非常に短いパルス幅で高い繰り返し周波数１ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ（好ましくは２５０ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ）のレーザ光Ｌｓを用いているので、レーザ光Ｌｓの走査時間を短くすることができる。例えば、この種のレーザ治療装置１では、一つの治療範囲Ｋに照射するレーザ光Ｌｓの照射時間が０．３秒以下と非常に短い時間で次の治療範囲Ｋに移動させる必要がある。このような場合でも、レーザ光Ｌｓの繰り返し周波数が高いので、所定の治療範囲Ｋの全体の走査を短時間で確実に行うことができる。
【００６４】
また、レーザ治療装置１では、治療範囲Ｋに照射されるレーザ光Ｌｓの焦点径が２０〜１００μｍと小さいので、治療範囲Ｋに対して微細な照射パターンで、患部Ｋａの状態に応じた最適なレーザ光Ｌｓの照射を行うことができる。また、患部Ｋａの状態に応じた最適なレーザ光Ｌｓの照射を行うことができるので、所定の部位が高温になることによる熱の影響を防ぐことができる。
【００６５】
前述した実施の形態では、間隔を空けてレーザ光Ｌｓの照射を行っているが、レーザ光Ｌｓが高速で動作するために焦点Ｓｐの終了位置に達した後で、開始の初期位置を１焦点径隣から開始し、隙間を埋めるように照射しても良い。
【００６６】
図１に戻って、実施の形態では、導光装置３０と走査装置４０との間に、反射板９０が設けられており、導光装置３０から射出されたレーザ光Ｌｓは、反射板９０に入射される。
【００６７】
反射板９０に入射されたレーザ光Ｌｓは、そのまま透過して走査装置４０側に入射されるレーザ光Ｌｓと、反射板９０で反射されて偏光子６０側に入射されるレーザ光Ｌｓとに分けられる。
【００６８】
偏光子６０は、所定の偏光成分のレーザ光Ｌｓを透過する構造を有している。実施の形態では、偏光子６０は、第１結晶素子４２透過時と同じ偏光成分のレーザ光Ｌｓを透過する配置としており、当該偏光成分のレーザ光Ｌｓを透過させ、その他の偏光成分を消光させる。これにより、第１結晶素子４２を透過したレーザ光Ｌｓと同じ偏光成分のレーザ光Ｌｓがディテクタ７０に入射される。
【００６９】
ディテクタ７０は、レーザ光Ｌｓの強さを検出する装置であり、偏光子６０から入射されたレーザ光Ｌｓの強さを検出する。ディテクタ７０での検出結果は、制御装置８０に送信される。
【００７０】
制御装置８０は、ディテクタ７０で検出されたレーザ光Ｌｓの強さが最大となるように、偏光可変装置２０を制御する。具体的には、制御装置８０は、偏光可変装置２０を制御して、この偏光可変装置２０から出力されるレーザ光Ｌｓの偏光方向が、偏光子６０の偏光方向と一致するように調整する。よって、偏光子６０を介してディテクタ７０で検出されたレーザ光Ｌｓの強さは最大となる。
【００７１】
これにより、レーザ治療装置１では、走査装置４０（第１結晶素子４２及び第２結晶素子４６）から出力されたレーザ光Ｌｓの強さが最大となるように制御することができ、レーザ光Ｌｓによる患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。また、走査装置４０は、治療対象領域に対して大きく動かすため、その都度、偏光状態を調整することで安定的な治療を施すことができる。
【００７２】
以上説明した通り、実施の形態では、
（１）患部Ｋａにレーザ光Ｌｓを照射して治療するレーザ治療装置１であって、レーザ光Ｌｓを出力する光源１０（光源装置）と、レーザ光Ｌｓを、患部Ｋａを含む治療範囲Ｋ内で走査して照射する走査装置４０と、を有し、走査装置４０は、印加された入力電圧Ｖ（電界）に応じてレーザ光Ｌｓの射出方向が変わる結晶素子を有する構成とした。
【００７３】
このように構成すると、走査装置４０は、入力電圧Ｖ（電界）に応じてレーザ光Ｌｓの射出方向を変えることができるので、レーザ光Ｌｓの射出方向を変えるための物理的な駆動時間が必要ない。よって、レーザ治療装置１では、走査装置４０により、光源１０から出力されたレーザ光Ｌｓを治療範囲Ｋ内で高速に走査することが可能で、レーザ光Ｌｓによる患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。
【００７４】
（２）また、結晶素子は、印加された入力電圧Ｖ１に応じて、偏光可変装置２０で第１方向（水平方向）に偏光されたレーザ光Ｌｓの射出方向を変える第１結晶素子４２と、印加された入力電圧Ｖ２に応じて、第１方向（水平方向）と直交する第２方向（垂直方向）に偏光されたレーザ光Ｌｓの射出方向を変える第２結晶素子４６とを有する構成とした。
【００７５】
このように構成すると、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とにより、平面視から見た治療範囲Ｋの水平方向と垂直方向の両方向にレーザ光Ｌｓを自在に走査することができる。よって、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とを用いた簡単な構成で、治療範囲Ｋの全体に均一にレーザ光Ｌｓの走査及び照射を行うことができる。
【００７６】
（３）また、偏光可変装置２０を制御する制御装置８０と、光源１０が出力したレーザ光Ｌｓの強さを検出するディテクタ７０（光検出装置）と、を有し、制御装置８０は、ディテクタ７０によるレーザ光Ｌｓの検出結果（光の強さ）に基づいて、偏光可変装置２０によるレーザ光Ｌｓの偏光方向を制御する構成とした。
【００７７】
このように構成すると、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６とに入射されるレーザ光Ｌｓの偏光状態を、各々の結晶素子４２、４６の結晶構造により決まる最適な偏光方向に制御することができる。よって、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６から出力されるレーザ光Ｌｓの出力を最大にすることができ、患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。
【００７８】
特に、レーザ治療装置１が、複数の可動関節を有するマニピュレータ型の導光装置３０を有する場合、導光装置３０等の可動によりレーザ光Ｌｓの偏光方向が変わり第１結晶素子４２から射出されるレーザ光Ｌｓは、分離して射出される可能性がある。よって、制御装置８０は、ディテクタ７０での検出結果に基づいて偏光可変装置２０を制御することで、導光装置３０の可動により変わったレーザ光Ｌｓの偏光方向を適切に補正することができる。この結果、使用者が、導光装置３０を動かしたとしても、患部Ｋａの治療を安全に再現性高く行うことができる。
【００７９】
（４）また、ディテクタ７０へ入射されるレーザ光Ｌｓの入射側に設けられた偏光子６０を有し、ディテクタ７０は、レーザ光Ｌｓの経路における第１結晶素子４２の前方（偏光可変装置２０と第１結晶素子４２との間）に設けられており、制御装置８０は、偏光子６０を介してディテクタ７０で検出されたレーザ光Ｌｓの検出結果に基づいて、偏光可変装置２０によるレーザ光Ｌｓの偏光方向を制御する構成とした。
【００８０】
このように構成すると、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２に入射される直前のレーザ光Ｌｓの偏光方向に基づいて、第１結晶素子４２に入射されるレーザ光Ｌｓの偏光方向を、当該第１結晶素子４２の結晶構造により決まる最適な偏光方向に制御することができる。よって、レーザ治療装置１では、第１結晶素子４２から射出されたレーザ光Ｌｓの強さを迅速かつ確実に最大にすることができる結果、患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。
【００８１】
（５）また、光源１０は、１〜１０００ピコ秒のパルス幅で繰り返し周波数１ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する構成とした。
【００８２】
このように構成すると、光源１０から出力されるレーザ光Ｌｓの繰り返し周波数が１ｋＨｚから１０ＭＨｚと高いので、レーザ治療装置１では、レーザ光Ｌｓの治療範囲Ｋ全体への走査を高速で確実に行うことができる。また、レーザ治療装置１では、レーザ光Ｌｓのパルス幅が１〜１０００ピコ秒と短いので、患部Ｋａへの熱の影響を少なくすることができ、治療中の痛みを軽減し、及びダウンタイムを早くすることができる。
【００８３】
（６）特に、光源１０は、５００ピコ秒以下のパルス幅で繰り返し周波数２５０ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する構成とした。
【００８４】
このように構成すると、光源１０から出力されるレーザ光Ｌｓの繰り返し周波数を非常に高い範囲に設定することができるので、より多くのスポットへの照射が可能になると共に、患部Ｋａへの熱の影響を少なくすることができ、治療中の痛みを軽減し、及びダウンタイムを早くすることができる。さらに、レーザ照射時の手振れなどによる誤照射も極めて発生し難くなる。
【００８５】
（７）また、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６は、ＬＮ結晶、ＬＴ結晶、またはＫＴＮ結晶の少なくとも何れか一つである構成とした。
【００８６】
このように構成すると、ＬＮ、ＬＴ、ＫＴＮなどの結晶は、印加される入力電圧Ｖ（電界）に応じて結晶構造が変化する。ＬＮ、ＬＴ、ＫＴＮなどの結晶は、この結晶構造の変化により結晶の屈折率が変わり、レーザ光Ｌｓの射出方向を調整することができる。よって、レーザ治療装置１では、結晶素子に印加する入力電圧Ｖ（電界）の制御により、結晶素子の射出方向を自在に調整することができ、所定の治療範囲Ｋ全体への走査を高速かつ正確に行うことができる。
【００８７】
なお、前述したレーザ治療装置１では、偏光可変装置２０から透過したレーザ光Ｌｓは走査装置４０まで導光装置３０内を１０〜２０ｍｍのビーム径で伝搬したが、射出部３７後のレーザ光Ｌｓの位置を安定化させる光軸調整機構３００を利用して１ｍｍ程度のビームで伝搬させても良い。この場合、偏光可変装置２０から射出されたレーザ光Ｌｓは、図示しないレンズで１ｍｍ程度のビーム径を保ちながら伝搬するように構成し、導光装置３０に入射させる。
【００８８】
ここで、変形例にかかるレーザ治療装置１Ａの光軸調整機構３００を説明する。
【００８９】
図５は、変形例にかかるレーザ治療装置１Ａの光軸調整機構３００を説明するブロック図である。
【００９０】
図５に示すように、光軸調整機構３００は、ピエゾ素子内蔵ミラー３０１と、反射板３０２と、凹レンズ３０３と、４分割ディテクタ３０４と、制御装置３０５とを有する。
【００９１】
ピエゾ素子内蔵ミラー３０１は、印加電圧により角度が変わる性質を有しており、制御装置３０５により制御される。
【００９２】
導光装置３０から射出されたレーザ光Ｌｓの一部は、反射板３０２で凹レンズ３０３に入射し、凹レンズ３０３から射出されたレーザ光Ｌｓは、４分割ディテクタ３０４に入射する。
【００９３】
４分割ディテクタ３０４は、受光部が４分割されており、４分割された受光部Ａ１〜Ａ４の光強度を各々検出できるようになっている。
【００９４】
制御装置３０５は、４分割ディテクタ３０４の各々の受光部Ａ１〜Ａ４の電圧値を検出し、各々の受光部Ａ１〜Ａ４の電圧値が均等であればレーザ光Ｌｓは、中心に位置すると判断する（図５の破線内の黒点）。
【００９５】
一方、制御装置３０５は、検出した受光部Ａ１〜Ａ４の各々電圧値に偏りがある場合、レーザ光Ｌｓは、中心に位置していないと判定し、受光部Ａ１〜Ａ４の各々の電圧値が均等になるようにピエゾ素子内蔵ミラー３０１を制御する。
【００９６】
例えば、受光部Ａ１の電圧値ＶＡ１と受光部Ａ４の電圧値ＶＡ４が、受光部Ａ２の電圧値ＶＡ２と受光部Ａ３の電圧値ＶＡ３よりも大きい場合（図５の点線）、制御装置３０５は、レーザ光Ｌｓが上に位置していると判定し、ピエゾ素子内蔵ミラー３０１を制御して各々の電圧値ＶＡ１〜ＶＡ４が均一な値となるように上下方向を調整する。
【００９７】
なお、実施の形態では、受光部を４分割した４分割ディテクタ３０４を用いた場合を例示して説明したが、分割数はこれに限定されるものではない。例えば、受光部は、９分割や１６分割でもよく、このようにするとよりレーザ光Ｌｓの検出精度が向上する。また、ディテクタを４個又はそれ以外の数を並べて構成してもよい。
【００９８】
（８）前述した変形例では、レーザ光Ｌｓの光軸を調整する光軸調整機構３００を有し、光軸調整機構３００は、レーザ光を検出する４分割ディテクタ３０４（光検出装置）と、レーザ光Ｌｓの光軸を調整するピエゾ素子内蔵ミラー３０１（光軸調整器）と、ピエゾ素子内蔵ミラー３０１を制御する制御装置３０５（調整器制御装置）と、を有し、制御装置３０５は、４分割ディテクタ３０４で検出したレーザ光Ｌｓの光強度に応じてピエゾ素子内蔵ミラー３０１を制御する構成とした。
【００９９】
このように構成すると、レーザ光Ｌｓのビーム径を１ｍｍ程度にした場合でも、レーザ光Ｌｓの光軸位置を適切に調整することができる。
【０１００】
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｂを説明する。
第２の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｂは、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６との間のレーザ光Ｌｓの検出結果に基づいて、偏光可変装置２０を制御する点が、前述した実施の形態と異なる。
【０１０１】
第２の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｂにおいて、前述した実施の形態のレーザ治療装置１と同一の構成については、同一の符号を付し、必要に応じて説明する。
【０１０２】
図６は、第２の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｂの機能を説明するブロック図である。
【０１０３】
図６に示すように、レーザ治療装置１Ｂでは、第１結晶素子４２と波長板４４（第２結晶素子４６）との間に偏光子９１と、ディテクタ７１とが設けられており、走査装置４０の後に反射板９２と、ディテクタ７２とが設けられている。。
【０１０４】
偏光子９１は、第１結晶素子４２から射出されたレーザ光Ｌｓの偏光成分のうち、透過する偏光成分（実施の形態では、水平方向）と異なる偏光成分を、ディテクタ７１側に反射する。
【０１０５】
ディテクタ７１は、第１結晶素子４２から射出されたレーザ光Ｌｓの強さを検出し、検出結果（光の強さ）を制御装置８０に送信する。
【０１０６】
制御装置８０では、ディテクタ７１による検出結果に基づいて、ディテクタ７１で検出されるレーザ光Ｌｓの強さが最小となるように、偏光可変装置２０を制御する。
【０１０７】
これにより、レーザ治療装置１Ｂでは、第１結晶素子４２から出力されるレーザ光Ｌｓが最小となるように制御することで、第１結晶素子４２から出射されるレーザ光Ｌｓが最大となるように調整することができ、患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。また、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６との間のレーザ光Ｌｓを検出することで、走査装置４０が光軸に対して回転方向が固定されていない場合でも、実測値を検出できるので、出力効率の良い構成となる。また、偏光子９１により、第１結晶素子４２で射出方向が変化しなかった成分を皮膚側へ伝搬させずに消光することができるために、高い安全性が担保される。
【０１０８】
なお、偏光可変装置２０の制御に偏光子９１を利用する構成としたが、第１の実施の形態同様に反射板９０と偏光子６０を偏光子９１の代わりに配置し、ディテクタ７０で検出されたレーザ光Ｌｓの強さが最大となるように、偏光可変装置２０を制御する方法でも良い。
【０１０９】
また、反射板９２と、ディテクタ７２とにより、走査装置４０の後のレーザ光Ｌｓを検出することで、レーザ光Ｌｓが適切に射出されていることを確認することができ、レーザ出力の安定性を観測できる。
【０１１０】
ディテクタ７２は複数のディテクタで構成されても良く、焦点Ｓｐの開始位置と終了位置に相当する範囲に配置し、走査範囲が適切であるかを確認することができる。
【０１１１】
以上説明した通り、第２の実施の形態では、
（９）ディテクタ７１は、レーザ光Ｌｓの経路における第１結晶素子４２の後方（第１結晶素子４２と第２結晶素子４６との間）に設けられており、制御装置８０は、ディテクタ７１で検出されたレーザ光Ｌｓの検出結果に基づいて、偏光可変装置２０によるレーザ光Ｌｓの偏光方向を制御する構成とした。
【０１１２】
このように構成すると、前述した実施の形態と同様の効果が奏されると共に、レーザ治療装置１Ｂでは、第１結晶素子４２と第２結晶素子４６との間のレーザ光Ｌｓを検出することで、走査装置４０が光軸に対して回転方向が固定されていない場合でも、実測値を検出できるので、より出力効率の良い構成となる。また、偏光子９１により、第１結晶素子４２で射出方向が変化しなかった成分を皮膚側へ伝搬させずに消光することができるために、高い安全性が担保される。
【０１１３】
さらに、レーザ治療装置１Ｂでは、ディテクタ７２により、レーザ出力の安定性やレーザ走査範囲を観測することで、さらに安全性を高めることが可能となる。
【０１１４】
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｃを説明する。
【０１１５】
第３の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｃは、患部Ｋａの深さを検出すると共に、検出した患部Ｋａの深さに応じてレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離（深さ方向の位置）を変える焦点距離調整機構２００を有している点が、前述した実施の形態と異なる。
【０１１６】
第３の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｃにおいて、前述した実施の形態のレーザ治療装置１と同一の構成については、同一の符号を付し、必要に応じて説明する。
【０１１７】
図７は、第３の実施の形態にかかるレーザ治療装置１Ｃの機能を説明するブロック図である。
図８は、治療範囲Ｋで反射したレーザ光Ｌｓ１の波形と、反射板２３０で反射したレーザ光Ｌｓ２の波形とを合成したレーザ光Ｌｓの波形の一例を示す図である。図７の（Ａ）は、病変組織（患部Ｋａ）がある場合の波形の一例であり、（Ｂ）は健常組織の場合の波形の一例であり、（Ｃ）は、病変組織の波形と健常組織の波形との差分を取った波形である。
【０１１８】
図７に示すように、レーザ治療装置１Ｃでは、焦点距離調整機構２００が、走査装置４０とレンズ５０との間に設けられている。
【０１１９】
焦点距離調整機構２００は、第３結晶素子２１０と、反射板２２０と、反射板２３０と、ディテクタ２４０と、記憶部２５０とを有している。
【０１２０】
第３結晶素子２１０は、電気光学効果を有する結晶素子であり、前述した第１結晶素子４２及び第２結晶素子４６と同様の電気光学効果を有するＫＴＮ結晶などが用いられる。第３結晶素子２１０は、印加された入力電圧Ｖ（電界）の大きさに応じて内部の結晶構造が変位することで結晶の屈折率が変わり、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離（皮膚の奥行き方向）を変えられるようになっている。
【０１２１】
反射板２２０は、第３結晶素子２１０から射出されたレーザ光Ｌｓの一部をレンズ５０方向に透過し、他の一部を反射板２３０方向（第３結晶素子２１０から射出されたレーザ光Ｌｓに直行する方向）に反射する。この反射板２２０には、入射光と反射光が等しくなるように設定された反射板などが用いられる。
【０１２２】
反射板２３０は、反射板２２０と所定の距離を空けて設けられており、反射板２２０から受けたレーザ光Ｌｓを、ディテクタ２４０に向けて反射する（図中の一点鎖線）。なお、反射板２３０は可動するように設けられており、反射板２２０と患部Ｌａとの距離に応じて反射板２３０と反射板２２０との距離を自在に調整できるようになっている。
【０１２３】
ここで、反射板２２０を透過したレーザ光Ｌｓは、レンズ５０を介して患者の治療範囲Ｋに照射される。治療範囲Ｋに照射されたレーザ光Ｌｓの一部は、皮膚で反射して反射板２２０に戻される（図中の点線）。皮膚で反射したレーザ光Ｌｓ１は、反射板２２０によりディテクタ２４０側に反射される。
【０１２４】
ディテクタ２４０には、皮膚で反射されたレーザ光Ｌｓ１と、反射板２３０で反射されたレーザ光Ｌｓ２の両方のレーザ光Ｌｓが入射される。
【０１２５】
ディテクタ２４０は、皮膚で反射したレーザ光Ｌｓ１と反射板２３０で反射したレーザ光Ｌｓ２とを受光し、レーザ光Ｌｓ１とレーザ光Ｌｓ２との光路差により発生する干渉縞を解析することで治療範囲Ｋにおける患部Ｋａの深さを検出する。つまり、ディテクタ２４０と、レーザ光Ｌｓ１とレーザ光Ｌｓ２との光路差により発生する干渉縞を解析する処理部（図示せず）とにより、干渉計としての機能を有する。
【０１２６】
図８の（Ａ）に示すように、皮膚に病変組織（疾患、しみや刺青など）がある場合、ディテクタ２４０で検出した波形Ｚは、健常組織に応じた光強度の波形（図７の（Ａ）における波形Ｚ１、Ｚ２、Ｚ４）と、病変組織に応じた光強度の波形（図７の（Ａ）におけるＺ３）を含んで検出される。
【０１２７】
図８の（Ｂ）に示すように、皮膚に病変組織（疾患、しみや刺青など）がない場合、ディテクタ２４０で検出した波形Ｚは、健常組織に応じた光強度の波形（図７の（Ａ）における波形Ｚ１、Ｚ２、Ｚ４）が検出される。
【０１２８】
図８の（Ｃ）に示すように、処理部（図示せず）は、病変組織を有する波形と、病変組織を有しない波形との差分を取ることにより、病変組織の位置や深さなどを検出することができる。
【０１２９】
ここで、レーザ治療装置１Ｃでは、当該患者の健常な皮膚で反射したレーザ光Ｌｓ１と反射板２３０から反射したレーザ光Ｌｓ２の干渉波形を事前に取得し、その波形をＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などの記憶部２５０に記憶している。そして、ディテクタ２４０では、記憶部２５０に記憶された健常な皮膚で反射したレーザ光Ｌｓ１とＬｓ２の干渉波形と、治療範囲Ｋで反射したレーザ光Ｌｓ１とＬｓ２の干渉波形とを比較することで、治療範囲Ｋで反射したレーザ光Ｌｓ１が患部Ｋａ（異常部位）で反射したレーザ光Ｌｓ１であるか否かを判断することができる。
【０１３０】
ディテクタ２４０は、患部Ｋａで反射したレーザ光Ｌｓ１と、他の経路を経由したレーザ光Ｌｓ２との光路差により発生する干渉縞から得られたレーザ光Ｌｓの波形に基づいて、患部Ｋａの深さ位置を検出することができる。
【０１３１】
前述した通り、実施の形態では、反射板２３０は距離を変化させることが可能であり、距離を変化させることで皮膚の深さ方向の情報を収集することができる。また、レーザ治療装置１Ｃでは、光源１０とは異なる他の光源（図示せず）を設けてもよい。これにより、他の光源から出力されたレーザ光の光強度をディテクタ２４０で検出することで、深さ方向の分解能を高めることができる。反射板２２０は、波長特性などにより、光源１０をほとんど損失することなく透過させ、計測用に利用する他の光源（図示せず）に対しては、計測が行いやすいように反射板２３０に適当な反射率で反射する性質を有しても良い。
【０１３２】
レーザ治療装置１Ｃでは、ディテクタ２４０で検出した患部Ｋａの深さ位置に基づいて、第３結晶素子２１０に印加する入力電圧Ｖを制御して、第３結晶素子２１０から射出されたレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を、患部Ｋａの深さ位置に合わせることができる。よって、レーザ治療装置１Ｃでは、患部Ｋａの深さ位置にレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を合わせることができ、患部Ｋａの治療を効率よく行うことができる。
【０１３３】
特に、レーザ治療装置１Ｃでは、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離の制御を、ＬＮ、ＬＴ、ＫＴＮなどの第３結晶素子２１０で行っているため、レーザ光Ｌｓの波長が１〜１０００ピコ秒、繰り返し周波数１ｋＨｚ〜１ＭＨｚとなる高速な走査にも追従することができ、レーザ光Ｌｓによる治療を適切に行うことができる。
【０１３４】
前述した反射板２２０と、反射板２３０と、ディテクタ２４０とを有し、ディテクタ２４０が、治療範囲Ｋで反射したレーザ光Ｌｓ１の波形と、反射板２４０で反射したレーザ光Ｌｓ２との光路差により発生した干渉縞から、患部Ｋａの深さ位置を判定する構成は、本発明の深さ位置検出装置に相当する。
【０１３５】
また、前述した第３結晶素子２１０が、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を調整する構成は、焦点調整装置に相当する。
【０１３６】
そして、ディテクタ２４０による検出された患部Ｋａの深さ位置の検出結果に基づいて、第３結晶素子２１０から出力されるレーザ光Ｌｓの焦点距離を調整する構成は、焦点距離調整機構に相当する。
【０１３７】
以上説明した通り、第３の実施の形態では、
（１０）走査装置４０から射出されたレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を、患部Ｋａの深さ位置に合わせる焦点距離調整機構２００を有する構成とした。
【０１３８】
このように構成すると、レーザ治療装置１Ｂでは、焦点距離調整機構２００により、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を、患部Ｋａの深さ位置に合わせることができるので、患部Ｋａの治療を確実に効率よく行うことができる。
【０１３９】
（１１）また、焦点距離調整機構２００は、患部Ｋａの深さ位置を検出する深さ位置検出装置（反射板２２０、反射板２３０、ディテクタ２４０と、を有し、ディテクタが、治療範囲Ｋで反射したレーザ光Ｌｓ１の波形と、反射板２３０で反射したレーザ光Ｌｓ２とを重ね合わせて得られた干渉縞から、患部Ｋａの深さ位置を判定する構成）と、深さ位置検出装置による患部Ｋａの深さ位置の検出結果に基づいて、レーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を調整する第３結晶素子２１０（焦点調整装置）と、を有する構成とした。
【０１４０】
このように構成すると、レーザ治療装置１Ｂでは、深さ位置検出装置により検出した患部Ｋａの深さ位置に応じて、第３結晶素子２１０から出力されるレーザ光Ｌｓの焦点Ｓｐ距離を調整するので、所定の深さ位置にある患部Ｋａの治療を確実に行うことができる。
【０１４１】
（１２）また、深さ位置検出装置（ディテクタ２４０）で検出した健常部位の検出結果を記憶する記憶部２５０を有し、深さ位置検出装置（ディテクタ２４０）は、記憶部２５０に記憶された健常部位の検出結果との比較結果に基づいて、患部Ｋａの深さ位置を検出する構成とした。
【０１４２】
このように構成すると、ディテクタ２４０は、健常部位の検出結果と、患部Ｋａの検出結果とを比較することで、患部Ｋａの判定及び当該患部Ｋａの深さ位置を適切に検出することができる。
【０１４３】
なお、前述した光源１０は、直線偏光のレーザ光を出力するものでもよい。
【０１４４】
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は、前述した実施の形態を全て組み合わせてもよく、何れか２つ以上の実施の形態を任意に組み合わせても好適である。
【０１４５】
また、本発明は、前述した実施の形態の全ての構成を備えているものに限定されるものではなく、前述した実施の形態の構成の一部を、他の実施の形態の構成に置き換えてもよく、また、前述した実施の形態の構成を、他の実施の形態の構成に置き換えてもよい。
【０１４６】
また、前述した実施の形態の一部の構成について、他の実施の形態の構成に追加、削除、置換をしてもよい。
【符号の説明】
【０１４７】
１：レーザ治療装置、１０：光源、２０：偏光可変装置、３０：導光装置、３１：第１反射板、３２：第２反射板、３３：第３反射板、３４：第４反射板、３５：第５反射板、３６：第６反射板、４０：走査装置、４２：第１結晶装置、４４：波長板、４６：第２結晶素子、５０：レンズ、６０：偏光器、７０：ディテクタ、７１：ディテクタ、８０：制御装置、９０、９１：反射板、２００：焦点距離調整機構、２１０：第３結晶素子、２２０：反射板、２３０：反射板、２４０：ディテクタ、２５０：記憶部、３００：光軸調整機構、Ｌｓ、Ｌｓ１、Ｌｓ２：レーザ光、Ｋ：治療範囲、Ｋａ：患部
【図１】
2019115392.tif 000003
【図２】
2019115392.tif 000004
【図３】
2019115392.tif 000005
【図４】
2019115392.tif 000006
【図５】
2019115392.tif 000007
【図６】
2019115392.tif 000008
【図７】
2019115392.tif 000009
【図８】
2019115392.tif 000010
【図９】
2019115392.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月29日(2018.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患部にレーザ光を照射して治療するレーザ治療装置であって、
レーザ光を出力する光源装置と、
前記レーザ光を、前記患部を含む治療範囲内で走査して照射する走査装置と、を有し、
前記走査装置は、印加された電圧に応じてレーザ光の射出方向が変わる結晶素子を有するレーザ治療装置。
【請求項２】
前記光源装置が出力したレーザ光の偏光方向を変える偏光可変装置を有し、
前記結晶素子は、
印加された電圧に応じて、前記偏光可変装置で第１方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第１結晶素子と、
印加された電圧に応じて、前記第１方向と直交する第２方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第２結晶素子とを有する請求項１に記載のレーザ治療装置。
【請求項３】
前記偏光可変装置を制御する制御装置と、
前記光源装置が出力したレーザ光を検出する光検出装置と、を有し、
前記制御装置は、
前記光検出装置によるレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置によるレーザ光の偏光方向を制御する請求項２に記載のレーザ治療装置。
【請求項４】
前記光検出装置へ入射されるレーザ光の入射側に設けられた偏光子を有し、
前記光検出装置は、レーザ光の経路における前記第１結晶素子の前方に設けられており、
前記制御装置は、前記偏光子を介して前記光検出装置で検出されたレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置による前記レーザ光の偏光方向を制御する請求項３に記載のレーザ治療装置。
【請求項５】
前記光検出装置は、レーザ光の経路における前記第１結晶素子の後方に設けられており、
前記制御装置は、前記光検出装置で検出されたレーザ光の検出結果に基づいて、前記偏光可変装置による前記レーザ光の偏光を制御する請求項３に記載のレーザ治療装置。
【請求項６】
前記結晶素子は、
印加された電圧に応じて、第１方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第１結晶素子と、
印加された電圧に応じて、前記第１方向と直交する第２方向に偏光されたレーザ光の射出方向を変える第２結晶素子とを有し、
前記走査装置は、
レーザ光の経路における前記第１結晶素子と前記第２結晶素子との間に設けられ、前記第１結晶素子から射出されたレーザ光に所定の位相差を与えて射出する光学素子を備える請求項１に記載のレーザ治療装置。
【請求項７】
前記光源装置から出力されたレーザ光を前記走査装置へ誘導し、偏光を保持可能な光ファイバにより構成された導光部品をさらに備える請求項１から請求項６の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項８】
前記走査装置から射出されたレーザ光の焦点距離を、前記患部の深さ位置に合わせる焦点距離調整機構を有する請求項１から請求項７の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項９】
前記焦点距離調整機構は、
前記患部の深さ位置を検出する深さ位置検出装置と、
前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記レーザ光の焦点距離を調整する焦点調整装置と、を有する請求項８に記載のレーザ治療装置。
【請求項１０】
前記深さ位置検出装置で検出した健常部位の検出結果を記憶する記憶部を有し、
前記深さ位置検出装置は、前記記憶部に記憶された前記健常部位の検出結果との比較結果に基づいて、前記患部の深さ位置を検出する請求項９に記載のレーザ治療装置。
【請求項１１】
前記焦点調整装置は、レーザ光の経路における前記走査装置の後方に設けられると共に、印加された電圧に応じてレーザ光の焦点距離を変える第３結晶素子を有し、
前記焦点距離調整機構は、前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記第３結晶素子に印加する電圧を制御しレーザ光の焦点距離を変える請求項８から請求項１０の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１２】
前記光源装置は、１〜１０００ピコ秒のパルス幅で繰り返し周波数１ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する請求項１から請求項１１の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１３】
前記光源装置は、５００ピコ秒以下のパルス幅で繰り返し周波数２５０ｋＨｚから１０ＭＨｚのレーザ光を出力する請求項１から請求項１１の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１４】
前記結晶素子は、ＬＮ結晶、ＬＴ結晶、またはＫＴＮ結晶の少なくとも何れか一つである請求項１から請求項１３の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１５】
レーザ光の光軸を調整する光軸調整機構を有し、
前記光軸調整機構は、レーザ光を検出する光検出装置と、レーザ光の光軸を調整する光軸調整器と、当該光軸調整器を制御する調整器制御装置と、を有し、
前記調整器制御装置は、前記光検出装置で検出したレーザ光の光強度に応じて前記光軸調整器を制御する請求項１から請求項１４の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項１６】
患部にレーザ光を照射して治療するレーザ治療装置であって、
レーザ光を出力する光源装置と、
前記レーザ光を、前記患部を含む治療範囲内で走査して照射する走査装置と、
前記走査装置から射出されたレーザ光の焦点距離を、前記患部の深さ位置に合わせる焦点距離調整機構と、を備え、
前記走査装置は、印加された電圧に応じてレーザ光の射出方向が変わる光学素子を有するレーザ治療装置。
【請求項１７】
前記焦点距離調整機構は、
前記患部の深さ位置を検出する深さ位置検出装置と、
前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記レーザ光の焦点距離を調整する焦点調整装置と、を有する請求項１６に記載のレーザ治療装置。
【請求項１８】
前記深さ位置検出装置で検出した健常部位の検出結果を記憶する記憶部を有し、
前記深さ位置検出装置は、前記記憶部に記憶された前記健常部位の検出結果との比較結果に基づいて、前記患部の深さ位置を検出する請求項１７に記載のレーザ治療装置。
【請求項１９】
前記焦点調整装置は、レーザ光の経路における前記走査装置の後方に設けられると共に、印加された電圧に応じてレーザ光の焦点距離を変える結晶素子を有し、
前記焦点距離調整機構は、前記深さ位置検出装置による前記患部の深さ位置の検出結果に基づいて、前記結晶素子に印加する電圧を制御しレーザ光の焦点距離を変える請求項１６から請求項１８の何れか一項に記載のレーザ治療装置。
【請求項２０】
レーザ光の光軸を調整する光軸調整機構を有し、
前記光軸調整機構は、レーザ光を検出する光検出装置と、レーザ光の光軸を調整する光軸調整器と、当該光軸調整器を制御する調整器制御装置と、を有し、
前記調整器制御装置は、前記光検出装置で検出したレーザ光の光強度に応じて前記光軸調整器を制御する請求項１６から請求項１９の何れか一項に記載のレーザ治療装置。