(57)【要約】【課題】実装部品の配線長が短く且つ部品実装密度及び放熱効率の高い放熱基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】電子部品２がフェイスアップで実装される所定厚みＷ１を有する放熱基板１の製造方法であって、支持板２０上に第１金属膜３を形成する金属膜形成工程と、開口部２１ａが設けられたマスク層２１を第１金属膜３に形成するマスク層形成工程と、開口部２１ａにめっきを施してバンプ６を形成するバンプ形成工程と、マスク層２１を除去した後、バンプ６を埋設する絶縁層５及び第２金属膜４を積層する積層工程と、支持板２０を除去する支持板除去工程と、第２金属膜４及び絶縁層５を部分的に除去してバンプ６の頂部を露出させるバンプ露出工程と、を備え、バンプ形成工程において、所定厚みＷ１から電子部品２の厚みＷ２及び第１金属膜３の厚みＷ３を差し引いた厚みＷ６にバンプ６を調整する。【選択図】図１
2019029622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品がフェイスアップで実装される所定厚みを有する放熱基板の製造方法であって、
支持板上に第１金属膜を形成する金属膜形成工程と、
開口部が設けられたマスク層を前記第１金属膜に形成するマスク層形成工程と、
前記開口部にめっきを施してバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記マスク層を除去した後、前記バンプを埋設する絶縁層及び前記絶縁層の表面を覆う第２金属膜を積層する積層工程と、
前記支持板を除去する支持板除去工程と、
前記第２金属膜及び前記絶縁層を部分的に除去することにより前記バンプの頂部を露出させるバンプ露出工程と、を備え、
前記バンプ形成工程において、前記所定厚みから前記電子部品及び前記第１金属膜の厚みを差し引いた厚みに前記バンプを調整する、放熱基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属膜及び前記第２金属膜に導体パターンを形成するパターニング工程を備え、
前記パターニング工程において、前記バンプと連結した前記第１金属膜の一部を前記導体パターンから独立した放熱パッドとして形成する、請求項１に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項３】
前記マスク層形成工程において、前記マスク層に形成される前記開口部は、平面形状が前記電子部品と略同一に形成される、請求項１又は２に記載の放熱基板の製造方法。
【請求項４】
電子部品がフェイスアップで実装される所定厚みを有する放熱基板であって、
第１金属膜と、
前記第１金属膜上にめっきにより形成されたバンプと、
前記バンプを埋設する絶縁層と、
前記絶縁層の表面を覆う第２金属膜と、
前記第２金属膜及び前記絶縁層が部分的に除去されることにより前記バンプの頂部を露出する部品収容部と、を備え、
前記バンプは、前記所定厚みから前記電子部品及び前記第１金属膜の厚みを差し引いた厚みを有する、放熱基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱基板及び放熱基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのような電子部品は、当該電子部品が搭載されるプリント配線基板の配線パターンに対してボンディングワイヤを介して電気的に接続されることが多い。ボンディングワイヤは、集積度の上昇や素子の多機能化に伴い複数の微小な端子が高密度に形成された電子部品に対しても比較的安価で容易に配線パターンへ接続することができる。例えば、特許文献１には、半導体素子の端子と回路基板上の電極パターンとをボンディングワイヤで接続する発光ダイオードモジュールが開示されている。ここで、特許文献１の従来技術においては、半導体素子は、回路基板の上面、又は回路基板に形成された貫通孔の底部に配置されている。このため、特許文献１のボンディングワイヤは、半導体素子の端子と回路基板上の電極パターンとの配置の高低差に応じた長さに形成されることになる。
【０００３】
ところで、プリント配線基板に搭載される電子部品が例えば高周波デバイスである場合、ボンディングワイヤの長さに応じて配線抵抗やリアクタンス成分の影響が増大し電気性能が劣化することになる。また、高周波デバイスは、動作時に発熱を伴うことが多いため、プリント配線基板に放熱機構が備えられるのが一般的である。このようなことから、例えば特許文献２に開示された半導体モジュールでは、プリント配線基板に形成されたキャビティの内部に半導体素子をフリップ実装すると共に、実装面から基板の裏面に貫通して形成されるサーマルビアにより半導体素子を放熱している。より詳しくは、特許文献２の半導体モジュールは、基板の表面に設けられた一方の電極に対しバンプを介して半導体素子を実装することでボンディングワイヤを不要とし、当該電極からサーマルビアを介して基板の裏面に設けられた他方の電極から熱を放出させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８８２２９号公報
【特許文献２】特開２００３−９２３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２の従来技術のように半導体素子をフリップ実装した場合には、半導体素子が発する熱を端子の寸法に対応した微小なバンプを介して基板の表面電極へ伝えることになるため、放熱経路が制限されることにより放熱性能が不十分となることがある。また、特許文献２の半導体モジュールは、半導体素子が発する熱をサーマルビアを介して基板の裏面に設けられた他方の電極へ伝えるため、個々の断面積が制限されるサーマルビアを複数設けた場合であっても、放熱効率が不十分となることがある。
【０００６】
ここで、半導体素子が発する熱を効率的に基板の裏面に伝えて放出する手段としては、例えば半導体素子が実装される基板の位置に貫通孔を形成し、熱伝導率が高い金属部材を圧入すると共に、圧入された金属上に半導体素子を配置するいわゆるインレイ基板を使用する方法が考えられる。しかしながら、インレイ基板は、搭載した半導体素子の底面全体から放熱できる反面、半導体素子をフリップ実装した場合には複数の端子が金属部材により短絡してしまうことから、端子を基板の外側に向けるフェイスアップにより半導体素子を配置することになる。また、インレイ基板の貫通孔に圧入される金属部材は、一般的に金属板にプレス抜き加工を施すことによって形成されるため、おおよそ直径２ｍｍ以下の寸法で形成することは極めて困難である。また半導体素子の形状に沿った金属部材を形成することは極めて困難である。このため、インレイ基板は、例えば少なくとも一辺がサブミリオーダーまで小型化された半導体素子に対しては過剰な大きさの放熱機構となり、基板の配線可能領域及び部品実装密度を低下させてしまうだけでなく、半導体素子と電極とを接続する配線が長くなる虞が生じる。さらに、インレイ基板は、圧入される金属部材の端部がプレス抜き加工によりＲ面となる他、基板に設けられた貫通孔の隅を圧入により金属部材で完全に埋めることができないため、基板の裏面に設けられた電極への熱伝導効率が低下する虞が生じる。
【０００７】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、実装部品の配線長が短く且つ部品実装密度及び放熱効率の高い放熱基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
＜本発明の第１の態様＞
本発明の第１の態様は、電子部品がフェイスアップで実装される所定厚みを有する放熱基板の製造方法であって、支持板上に第１金属膜を形成する金属膜形成工程と、開口部が設けられたマスク層を前記第１金属膜に形成するマスク層形成工程と、前記開口部にめっきを施してバンプを形成するバンプ形成工程と、前記マスク層を除去した後、前記バンプを埋設する絶縁層及び前記絶縁層の表面を覆う第２金属膜を積層する積層工程と、前記支持板を除去する支持板除去工程と、前記第２金属膜及び前記絶縁層を部分的に除去することにより前記バンプの頂部を露出させるバンプ露出工程と、を備え、前記バンプ形成工程において、前記所定厚みから前記電子部品及び前記第１金属膜の厚みを差し引いた厚みに前記バンプを調整する、放熱基板の製造方法である。
【０００９】
放熱基板の製造方法によれば、放熱基板の両面に第１金属膜及び第２金属膜が形成されると共に、めっきを施すことにより第１金属膜と一体にバンプが形成され、バンプの頂部に電子部品がフェイスアップで実装することができるキャビティが第２金属膜側に形成される。これにより、放熱基板は、当該キャビティに電子部品を実装した場合に、電子部品が発する熱を電子部品の底部と接触するバンプを介して第１金属膜に効率的に伝えて放熱することができる。このとき、バンプの厚みは、放熱基板の所定厚みから電子部品及び第１金属膜の厚みを差し引いた厚みに調整されている。このため、放熱基板は、電子部品の表面と第２金属膜の表面とが面一になることにより、電子部品と第２金属膜とを接続するワイヤの配線長を短くすることができ、例えば配線長に応じて配線抵抗やリアクタンス成分の影響を受けやすい電子部品が実装される場合であっても、信号入出力に係る電気性能が劣化する虞を低減することができる。
【００１０】
また、放熱基板は、実装される電子部品の底部全面をバンプに接触させることができる他、放熱金属部材がプレス抜き加工により形成される一般的なインレイ基板とは異なり、バンプがマスク層を利用しためっきにより形成されているため、電子部品がサブミリオーダーの寸法まで小型化されている場合であっても、電子部品の寸法に応じてバンプを小さく形成することができる。すなわち、第２金属膜に導体パターンを形成できる面積が増加し、また、第２金属膜上に他の部品を高密度に配置することが可能になる。これにより、本発明に係る放熱基板は、実装部品の配線長を短く設定でき、且つ基板の配線可能領域及び部品実装密度を向上させることができる。
【００１１】
＜本発明の第２の態様＞
本発明の第２の態様は、上記した本発明の第１の態様において、前記第１金属膜及び前記第２金属膜に導体パターンを形成するパターニング工程を備え、前記パターニング工程において、前記バンプと連結した前記第１金属膜の一部を前記導体パターンから独立した放熱パッドとして形成する、放熱基板の製造方法である。
【００１２】
放熱基板は、両面にそれぞれ形成されている第１金属膜及び第２金属膜をパターニングして導体パターンを形成するパターニング工程において、第１金属膜の一部を導体パターンから独立した放熱パッドとして形成することにより、放熱パッドと他の導体パターンとを同一の工程において形成することができ、製造工程の工数とそれに伴う製造コストを削減することができる。
【００１３】
＜本発明の第３の態様＞
本発明の第３の態様は、上記した本発明の第１又は第２の態様において、前記マスク層形成工程において、前記マスク層に形成される前記開口部は、平面形状が前記電子部品と略同一に形成される、放熱基板の製造方法である。
【００１４】
マスク層形成工程において、マスク層に形成される開口部を電子部品と略同一の平面形状とすることにより、形成されるバンプの平面形状も電子部品と略同一となる。これにより、放熱基板は、電子部品からバンプへの放熱効率を維持しつつ、バンプの頂部において部分的に除去される第２金属膜及び絶縁層の範囲を最小限に抑えることができ、本発明の第１の態様と同様の作用効果をより効果的に奏することができる。
【００１５】
＜本発明の第４の態様＞
本発明の第４の態様は、電子部品がフェイスアップで実装される所定厚みを有する放熱基板であって、第１金属膜と、前記第１金属膜上にめっきにより形成されたバンプと、前記バンプを埋設する絶縁層と、前記絶縁層の表面を覆う第２金属膜と、前記第２金属膜及び前記絶縁層が部分的に除去されることにより前記バンプの頂部を露出する部品収容部と、を備え、前記バンプは、前記所定厚みから前記電子部品及び前記第１金属膜の厚みを差し引いた厚みを有する、放熱基板である。
【００１６】
放熱基板は、両面に第１金属膜及び第２金属膜が形成されていると共に、めっきにより形成されるバンプが第１金属膜と一体化しており、バンプの頂部に電子部品がフェイスアップで実装することができる部品収容部が第２金属膜側に形成されている。これにより、放熱基板は、部品収容部に電子部品を実装した場合に、電子部品が発する熱を電子部品の底部と接触するバンプを介して第１金属膜に効率的に伝えて放熱することができる。このとき、バンプは、放熱基板の所定厚みから電子部品及び第１金属膜の厚みを差し引いた厚みを有している。このため、放熱基板は、電子部品の表面と第２金属膜の表面とが面一になることにより、電子部品と第２金属膜とを接続するワイヤの配線長を短くすることができ、例えば配線長に応じて配線抵抗やリアクタンス成分の影響を受けやすい電子部品が実装される場合であっても、信号入出力に係る電気性能が劣化する虞を低減することができる。
【００１７】
また、放熱基板は、実装される電子部品の底部全面をバンプに接触させることができる他、放熱金属部材がプレス抜き加工により形成される一般的なインレイ基板とは異なり、バンプがめっきにより形成されているため、電子部品がサブミリオーダーの寸法まで小型化されている場合であっても、実装される電子部品に応じた寸法のバンプを備えることになる。これにより、本発明に係る放熱基板は、実装部品の配線長を短く設定でき、且つ基板の配線可能領域及び部品実装密度を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、実装部品の配線長が短く且つ部品実装密度及び放熱効率の高い放熱基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る放熱基板の断面図である。
【図２】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図３】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図１０】放熱基板の製造工程を示す断面図である。
【図１１】放熱基板をインレイ基板として形成した場合の構造を示す断面図である。
【図１２】放熱基板をインレイ基板として形成した場合の構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る放熱基板の断面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態に係る放熱基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態について、第１実施形態、乃至第３実施形態に基づき詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する内容に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において任意に変更して実施することが可能である。また、各実施形態の説明に用いる図面は、いずれも各実施形態に係る放熱基板及びその構成部材を模式的に示すものであって、理解を深めるべく部分的な強調、拡大、縮小、または省略などを行っており、放熱基板及びその構成部材の縮尺や形状等を正確に表すものとはなっていない場合がある。更に、各実施形態で用いる様々な数値は、いずれも一例を示すものであり、必要に応じて様々に変更することが可能である。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る放熱基板１の断面図である。放熱基板１は、所定厚みＷ１を有するプリント配線基板であり、詳細を後述するように、フェイスアップで実装される電子部品２が発する熱を効率的に基板外部へ放出する。ここで、電子部品２は、厚みＷ２を有する高周波デバイスであり、平面寸法が例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍのような比較的小さい半導体チップである。電子部品２は、複数の端子２ａを備え、本実施形態においては部品表面から複数の端子２ａが突出しないように形成されている。
【００２２】
放熱基板１は、第１金属膜３、第２金属膜４、絶縁層５、及びバンプ６からなる。そして、放熱基板１は、いわゆるキャビティ構造として電子部品２を収容し、ワイヤ８を介して電子部品２との信号入出力を行う。尚、電子部品２及びワイヤ８をオーバコートとして封止樹脂７で覆ってもよい。
【００２３】
第１金属膜３及び第２金属膜４は、放熱基板１の両面にそれぞれ形成される銅箔であり、パターニングされることにより配線層を形成している。本実施形態における放熱基板１では、放熱基板１の厚み方向に対して電子部品２が実装される側に第２金属膜４が形成されている。また、第１金属膜３は、厚みＷ３を有し、詳細を後述するように、その一部が電子部品２を放熱するための放熱パッド３ａとして形成されている。
【００２４】
絶縁層５は、例えば絶縁性を有する樹脂からなり、両面に配線層としての第１金属膜３及び第２金属膜４とを備える放熱基板１の基材である。絶縁層５は、本実施形態においては、後述するように、剛性を有するコア基材５０と、製造工程において流動性を有するプリプレグ５１とからなる。
【００２５】
バンプ６は、例えば銅などの熱伝導性が良好な金属からなり、放熱パッド３ａと一体に形成されると共に、頂部に電子部品２が配置されることにより、電子部品２が発する熱を放熱パッド３ａへ効率的に伝える。
【００２６】
次に、図２乃至図１０を参照しつつ放熱基板１の製造方法について詳細に説明する。ここで、図２乃至図１０は、放熱基板１の各製造工程における断面を示している。
【００２７】
まず、図２に示すように支持板２０を準備し、支持板２０上に第１金属膜３を形成する（金属膜形成工程）。支持板２０は、例えばステンレス鋼材板（ＳＵＳ板）で形成されている。第１金属膜３は、例えば支持板２０にめっきを施すことにより形成される銅箔であり、後の工程でパターニング処理されることにより放熱基板１の一方の配線層を構成する導体パターンとなる。
【００２８】
次に、図３に示すように、第１金属膜３上にマスク層２１を形成する（マスク層形成工程）。マスク層２１は、ドライフィルム等の一般的なレジスト用の樹脂材料からなり、平面視において電子部品２が実装される予定の位置に開口部２１ａが形成されている。開口部２１ａは、例えば露光・現像によりマスク層２１の一部が除去されることで形成され、本実施形態においては平面形状が電子部品２と略同一に形成されている。これにより第１金属膜３は、マスク層２１に形成された開口部２１ａにおいて露出することになる。
【００２９】
続いて、図４に示すように、マスク層２１に形成された開口部２１ａに、例えば銅からなるめっきを施してバンプ６を形成する（バンプ形成工程）。このとき、バンプ６の厚みＷ６は、放熱基板１の所定厚みＷ１から電子部品２の厚みＷ２及び第１金属膜３の厚みＷ３を差し引いた厚みに調整される。すなわち、バンプ６は、Ｗ６＝Ｗ１−Ｗ２−Ｗ３により算出される厚みＷ６になるよう形成される。尚、一般的にプリント配線基板は、基板自体や配線層等の厚みが基板及び材料の種類に応じて工業規格に定められている。そのため、上記した放熱基板１の所定厚みＷ１及び第１金属膜３の厚みＷ３は、工業規格に定められた既定の厚みから選択されることになる。
【００３０】
次に、図５に示すように、第１金属膜３上に設けられたマスク層２１を除去する。これにより、第１金属膜３とバンプ６とが一体化したバンプ構造体１０が形成される。このときバンプ６の平面寸法は、例えば円形であれば直径が０．０５ｍｍ程度まで、方形であれば一辺が０．０５ｍｍ程度まで小さく形成することができる。
【００３１】
続いて、図６に示すように、バンプ構造体１０上に絶縁性を有するコア基材５０及びプリプレグ５１を介して第２金属膜４を配置する。このとき、コア基材５０及びプリプレグ５１は、バンプ６の平面形状よりも大きい開口が形成され、当該開口がバンプ６を通るように第１金属膜３上に積層されている。また、本実施形態においては、コア基材５０は、２つのプリプレグ５１によりを挟まれるように配置されている。ここで、第２金属膜４は、例えば一般的な銅箔からなり、後の工程でパターニング処理されることにより、放熱基板１の片面の配線層を構成する導体パターンとなる。そして、バンプ構造体１０に対して高温条件下でコア基材５０、プリプレグ５１、及び第２金属膜４を圧着することにより、図７に示すように、支持板２０上に積層構造体１１が形成される（積層工程）。
【００３２】
積層構造体１１は、積層工程で流動化したプリプレグ５１がコア基材５０及びバンプ構造体１０の周囲の隙間に流れ込むことにより、コア基材５０とプリプレグ５１とからなる絶縁層５によってバンプ６が埋設される。そして、積層構造体１１は、コア基材５０を含む絶縁層５の一方の面を第１金属膜３が覆い、他方の面を第２金属膜４が覆う両面板となる。積層構造体１１は、両面板として形体が安定することにより、支持板２０が除去される（支持板除去工程）。
【００３３】
次に、図８に示すように、積層構造体１１の第２金属膜４のうち、バンプ６が配置された部分に相当する領域をエッチングにより除去して絶縁層５を部分的に露出させる。さらに、図９に示すように、部分的に露出した絶縁層５を切削加工又はレーザー加工により除去する。これにより積層構造体１１は、除去された第２金属膜４及び絶縁層５の領域において電子部品２を収容するための部品収容部１２が形成されると共に、バンプ６の頂部が露出することになる（バンプ露出工程）。すなわち、積層構造体１１は、所謂キャビティ構造として電子部品２を部品収容部１２に収容して実装することが可能になる他、部品収容部１２に実装された電子部品２の底面が、露出したバンプ６の頂部と接することになる。ここで、露出されたバンプ６の頂部は、必要に応じてデスミア処理及びソフトエッチング処理により表面がクリーニングされる。
【００３４】
続いて、図１０に示すように、第１金属膜３及び第２金属膜４をパターニング処理することにより積層構造体１１の両面に配線層としての導体パターンを形成する（パターニング工程）。これにより、電子部品２が搭載される前の放熱基板１が完成する。このとき、第１金属膜３のうちバンプ６と連結した部分については、他の導体パターンから独立した放熱パッド３ａとして形成される。放熱パッド３ａは、電子部品２の動作に伴い発生する熱がバンプ６を介して伝えられると共に、伝えられた熱をその表面積に応じて効率的に放熱基板１の外部へ放出する。また、第２金属膜４は、パターニングにより部品収容部１２の近傍において図示しない電極が形成されている。
【００３５】
上記の各製造工程により形成される放熱基板１は、図１に示すように、部品収容部１２に電子部品２がフェイスアップで収容されると共に、第２金属膜４に形成された電極と電子部品２の端子２ａとがワイヤ８を介して接続されることにより、電子部品２を実装することができる。尚、本発明に必須の構成ではないが、部品収容部１２と電子部品２との間の空間、及び電子部品２の上面をワイヤ８を含めて封止樹脂７で覆う形態としてもよい。また、電子部品２の底面は、本実施形態においては直接バンプ６の頂部と接しているが、熱伝導率の高い接着剤を介してバンプ６の頂部に接続されてもよい。
【００３６】
以上のように、本発明に係る放熱基板１によれば、実装される電子部品２から発生する熱を放熱パッド３ａとして形成された第１金属膜３へ伝えるバンプ６が形成されると共に、バンプ６の厚みＷ６が放熱基板１の所定厚みＷ１から電子部品２の厚みＷ２及び第１金属膜３の厚みＷ３を差し引いた厚みに調整されている。これにより放熱基板１は、電子部品２が放熱基板１に実装されたときに、ワイヤ８の両端がそれぞれ接続される端子２ａの表面と第２金属膜４の表面とが面一になり、ワイヤ８の配線長を短く設定することができる。従って、放熱基板１は、電子部品２が例えばワイヤ８の長さに応じて配線抵抗やリアクタンス成分の影響を受けやすい高周波デバイスである場合であっても、信号入出力に係る電気性能が劣化する虞を低減することができる。
【００３７】
また、本発明に係る放熱基板１は、実装される電子部品２の底部全面をバンプ６に接触させることができ、また、放熱パッド３ａとして形成された第１金属膜３とバンプ６とがめっきにより密接に一体化されていることにより、一般的なサーマルビアやインレイと比較して放熱効率を向上させることができる。さらに、放熱基板１は、バンプ６がマスク層２１を利用しためっきにより形成されているため、電子部品２がサブミリオーダーの寸法まで小型化されている場合であっても、電子部品２の寸法に応じたバンプ６を形成することができる。これにより、本発明に係る放熱基板１は、放熱金属部材がプレス抜き加工により形成されるインレイ基板と比較して、基板の配線可能領域及び部品実装密度を向上させることができる。
【００３８】
ここで、一般的なインレイ基板を例示することにより、本発明の効果について説明する。図１１は、上記した放熱基板１を一般的なインレイ基板として形成しようとした場合の放熱基板３０の構造を示す断面図である。尚、放熱基板３０が備える電子部品２、第１金属膜３、第２金属膜４、及び絶縁層５は、上記した放熱基板１と共通であるため、放熱基板１と同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３９】
インレイ基板としての放熱基板３０は、放熱基板３０の両面を貫通する貫通孔３１が形成され、貫通孔３１に放熱金属部材としてのインレイ３２が圧入される。そして、インレイ３２に電子部品２が配置されると共に、電子部品２の端子２ａと第２金属膜４とがワイヤ８ａを介して接続される。
【００４０】
ここで、放熱基板３０に圧入されるインレイ３２は、一般的に金属板からプレス抜き加工によって形成されるため、おおよそ直径２ｍｍ以下の寸法で形成することは極めて困難である。そのため、上記のように電子部品２がサブミリオーダーの寸法まで小型化されている場合には、電子部品２に対するインレイ３２の寸法が過剰に大きくなり、ワイヤ８ａを長く設定する必要が生じる。また、貫通孔３１に対するインレイ３２の大きさを調整することも困難であることから、電子部品２の端子２ａの表面と第２金属膜４の表面とを面一に出来ない場合があり、その高低差に応じてワイヤ８ａをさらに長く設定する必要が生じる。
【００４１】
また、インレイ基板としての放熱基板３０は、金属板からプレス抜き加工によってインレイ３２の角部が僅かにＲ面となることから、貫通孔３１の隅、すなわちインレイ３２と第１金属膜３との境界において第１間隙３２ａが形成され、インレイ３２から第１金属膜３への伝熱効率を低下させてしまう虞が生じる。
【００４２】
さらに、図１２に示すように、上記の第１間隙３２ａによる問題を解消すべく、インレイ３２及び第１金属膜３の表面にめっき層３３を形成する場合、めっき金属が第１間隙３２ａに流れ込むことにより、めっき層３３において第２間隙３３ａが新たに形成されてしまう。このため、インレイ基板としての放熱基板３０は、第１金属膜３の厚みの増加に対して熱伝導効率の改善が限定的となる。
【００４３】
これに対し、本発明に係る放熱基板１は、めっきを施すことによりバンプ６が形成され、その厚みＷ６が、放熱基板１の所定厚みＷ１から電子部品２の厚みＷ２及び第１金属膜３の厚みＷ３を差し引いた厚みに調整されている。これにより、本発明によれば、実装部品の配線長が短く且つ部品実装密度及び放熱効率の高い放熱基板１及びその製造方法を提供することができる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、上記した第１実施形態の電子部品２及びバンプ６の態様が第１実施形態とは異なる。以下、第１実施形態と異なる部分について説明することとし、第１実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４５】
図１３は、本発明の第２実施形態に係る放熱基板１３の断面図である。放熱基板１３は、複数の端子２ａ’が電子部品２’の本体表面から突出した形状を有する電子部品２’を部品収容部１２に収容するように構成されている。すなわち、放熱基板１３は、電子部品２’の底部から端子２ａ’の頂部までを電子部品２’の厚みとして、端子２ａ’の頂部と第２金属膜４の表面とが面一になるように、バンプ６０の厚みが調整されている。これにより本発明の第２実施形態によれば、表面から端子２ａ’が突出した形状の電子部品２’を実装する場合であっても、上記した本発明の第１実施形態に係る放熱基板１と同様の作用効果を奏することができる。
【００４６】
＜第３実施形態＞
続いて、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は、上記した第１実施形態のバンプ６の態様が第１実施形態とは異なる。以下、第１実施形態と異なる部分について説明することとし、第１実施形態と共通する構成要素については、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４７】
図１４は、本発明の第３実施形態に係る放熱基板１４の断面図である。放熱基板１４は、部品収容部１２に収容される電子部品２よりもバンプ６１の平面寸法が大きくなるよう構成されている。すなわち、バンプ６１の平面寸法は、部品収容部１２の平面寸法を広げない範囲で、電子部品２の平面寸法よりも大きくなるよう調整されている。これは、本発明の第１実施形態におけるバンプ形成工程において、マスク層２１に形成する開口部２１ａの平面寸法を調整することにより成される。これにより、本発明の第３実施形態によれば、上記した本発明の第１実施形態に係る放熱基板１と同様の作用効果を奏することに加え、本発明の第１実施形態に係る放熱基板１と比較してバンプ６１の平面寸法の増大に伴い、ワイヤ８の配線長を延ばすことなく電子部品２の放熱効率を向上させることができる。
【００４８】
以上で実施形態の説明を終えるが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば第１実施形態では、積層工程において、図７示すようにバンプ６の頂部をプリプレグ５１で完全に埋める積層構造体１１を例示したが、バンプ６の頂部が露出するようにプリプレグ５１の量を調整することで、バンプ露出工程におけるプリプレグ５１の除去を省略してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１、１３、１４  放熱基板
２、２’  電子部品
３  第１金属膜
４  第２金属膜
５  絶縁層
６、６０、６１  バンプ
２０  支持板
２１  マスク層
２１ａ  開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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