(57)【要約】【課題】試験装置において、被試験体（ＤＵＴ）が、絶縁箱内に設けられた試験盤に配置される場合、及び、コンバータが絶縁箱と一体になる場合等の課題を解決する試験装置を提供する。【解決手段】試験装置は、第１の絶縁筺体と、第１の絶縁筺体に連結される第２の絶縁筺体と、第１の部分と第２の部分を含む試験盤と、を含む。第１の絶縁筺体と第２の絶縁筺体は、試験盤の第１の部分を覆い、試験盤の第２の部分を露出させる。【選択図】図２Ａ
2019191144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁筺体と、
前記第１の絶縁筺体に連結される第２の絶縁筺体と、を含む試験装置であって、
前記第１の絶縁筺体と前記第２の絶縁筺体は、試験盤の第１の部分を覆い、前記試験盤の第２の部分を露出させることを特徴とする試験装置。
【請求項２】
前記試験盤の第１の部分は、無線周波数（ＲＦ）信号を送信または受信する第１の接続部材を含む、請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁筺体は、前記第１の接続部材に前記ＲＦ信号を送信するまたは前記第１の接続部材から前記ＲＦ信号を受信する第２の接続部材を含む、請求項２に記載の試験装置。
【請求項４】
前記試験盤の第２の部分が第１の接続部材を含み、前記第１の接続部材が低周波信号または直流（ＤＣ）信号を送信または受信する、請求項１に記載の試験装置。
【請求項５】
前記試験盤は、さらに前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置される第３の部分を含み、
前記第３の部分は、前記第２の絶縁筺体および前記第１の絶縁筺体と接触し、
前記第３の部分は、接地部材を含む、
請求項１に記載の試験装置。
【請求項６】
前記接地部材は、前記試験盤の上面から前記試験盤の底面に伸びる、請求項５に記載の試験装置。
【請求項７】
前記第２の絶縁筺体は、前記接地部材の前記試験盤の上面から露出される部分と接触し、前記第１の絶縁筺体は、前記接地部材の前記試験盤の底面から露出される部分と接触する、請求項６に記載の試験装置。
【請求項８】
前記第１の絶縁筺体は、前記試験盤の第３の部分に対向する第１の放射線吸収層を含み、
前記第２の絶縁筺体は、前記試験盤の第３の部分に対向する第２の放射線吸収層を含む、
請求項７に記載の試験装置。
【請求項９】
前記試験盤は、さらに前記試験盤の第１の部分と第２の部分を覆い、前記試験盤の第３の部分を露出させる保護層を含む、請求項５に記載の試験装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁筺体と前記第２の絶縁筺体により空間が限定され、前記第１の絶縁筺体と前記第２の絶縁筺体により限定される前記空間の断面積は、前記試験盤の断面積より小さい、請求項１に記載の試験装置。
【請求項１１】
さらにチャックを含み、前記第２の絶縁筺体が、チャックを収容する開口を限定する、請求項１に記載の試験装置。
【請求項１２】
前記試験盤の第１の部分は被試験デバイスを支持する、請求項１に記載の試験装置。
【請求項１３】
第１の絶縁カバーと、
前記第１の絶縁カバーに連結される第２の絶縁カバーと、を含む試験装置であって、
前記第１の絶縁カバーと前記第２の絶縁カバーが試験盤により分離されることを特徴とする試験装置。
【請求項１４】
前記第１の絶縁カバーと前記第２の絶縁カバーにより空間が限定され、前記試験盤は、
前記第１の絶縁カバーと前記第２の絶縁カバーにより限定される前記空間内に配置されている第１の部分と、
前記第１の絶縁カバーと前記第２の絶縁カバーから露出される第２の部分と、を含む請求項１３に記載の試験装置。
【請求項１５】
前記試験盤の第１の部分は、無線周波数（ＲＦ）信号を送信または受信する第１の接続部材を含む、請求項１４に記載の試験装置。
【請求項１６】
前記第１の絶縁カバーは、前記第１の接続部材に前記ＲＦ信号を送信するか、あるいは前記第１の接続部材から前記ＲＦ信号を受信するように設けられる第２の接続部材を含む、請求項１５に記載の試験装置。
【請求項１７】
前記試験盤は、さらに前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置される第３の部分を含み、
前記第３の部分は、前記第２の絶縁カバーおよび前記第１の絶縁カバーと接触し、
前記第３の部分は、複数の接地部材を含む、
請求項１６に記載の試験装置。
【請求項１８】
前記接地部材は、前記試験盤の第１の部分を囲むように配置される、請求項１７に記載の試験装置。
【請求項１９】
前記第１の絶縁カバーは、前記試験盤の第３の部分に対向する第１の放射線吸収層を含み、
前記第２の絶縁カバーは、前記試験盤の第３の部分に対向する第２の放射線吸収層を含む、
請求項１８に記載の試験装置。
【請求項２０】
前記試験盤の第２の部分は第１の接続部材を含み、前記第１の接続部材は５００ＭＨｚ以下の周波数の信号を送信または受信する、請求項１４に記載の試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全体として試験装置およびその操作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
試験装置は、モデムの電子デバイスとシステム、特に、相対的高い周波数（例えば、無線周波数ＲＦ）で動作する電子デバイスとシステムの製造とメンテナンスに用いられている。試験プロセスにおいて、試験結果に影響を及ぼす外部干渉またはノイズを避けるために、被試験体（ＤＵＴ）は、絶縁箱内に設けられた試験盤に配置されることがある。
【０００３】
また、コンバータ（例えば、リレーまたはフィルタ）は、試験盤から外部の試験装置（例えば、電源、オシロスコープまたはデジタル制御回路）への信号送信（例えば、直流（ＤＣ）信号または相対的低い周波数の信号）のため、絶縁箱と一体になる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、被試験体（ＤＵＴ）が、絶縁箱内に設けられた試験盤に配置される場合、このような試験盤全体とＤＵＴを封入あるいは覆う絶縁箱は、サイズが相対的に大きく、コストも相対的に大きくなる。
また、コンバータが絶縁箱と一体になる場合、このようなコンバータの設計が試験盤の変化によって異なるので、そのコストが増加する。さらに、外部ノイズまたは干渉は、コンバータまたは絶縁箱とコンバータの間の空間を通って絶縁箱に入り、試験結果に大きな悪影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つ以上の実施形態において、本発明の１つの態様によれば、試験装置は、第１の絶縁筺体と、第１の絶縁筺体に連結される第２の絶縁筺体と、第１の部分および第２の部分を含む試験盤を含む。第１の絶縁筺体と第２の絶縁筺体は、試験盤の第１の部分を覆い、試験盤の第２の部分を露出させる。
【０００６】
１つ以上の実施形態には、本発明の他の態様によれば、試験装置は、第１の絶縁カバーと、第１の絶縁カバーに連結される第２の絶縁カバーと、試験盤を含み、第１の絶縁カバーと第２の絶縁カバーが試験盤により分離される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明のいくつかの実施形態による試験装置の断面図を示す。
【０００８】
【図２】図２Ａは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置の断面図を示す。
【０００９】
【図２】図２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置の斜視図を示す。
【００１０】
【図３】図３Ａ、３Ｂおよび３Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による試験盤の上面図を示す。
【００１１】
【図４】図４Ａ、４Ｂおよび４Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置を操作する方法を示す。
【００１２】
図面と詳細な説明に用いられる共通の参照符号は、同じまたは同様の部材を示す。本発明は、添付図面と併用される以下の詳細な説明から理解されやすい。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、本発明のいくつかの実施形態による試験装置１の断面図を示す。試験装置１は、絶縁箱１０、コンバータ１２、チャック１３、被試験体（ＤＵＴ）１５および試験盤１９を含む。
【００１４】
絶縁箱１０は、第１の筺体１０ａ（第１のカバー、下部筺体または下部カバーとも呼ばれる）および第２の筺体１０ｂ（第２のカバー、上部筺体または上部カバーとも呼ばれる）を含む。第１の筺体１０ａは、底面と、その底面の近くあるいは周りに設けられる側面を有する。第２の筺体１０ｂは、上面と、その上面の近くあるいは周りに設けられる側面を有する。第１の筺体１０ａの側面は、第２の筺体１０ｂの側面に対応して（例えば、連続して）設けられてＤＵＴ１５と試験盤１９を収容する空間１０ｓ（またはチャンバー）を形成する。第１の筺体１０ａと第２の筺体１０ｂは緊密に接続され、外部の電磁波の放射が絶縁箱１０に入り試験結果に影響を及ぼすことを防ぐ。第２の筺体１０ｂは、その上面にチャック１３を収容する開口または穴１０ｂｈを限定する。試験操作において、チャック１３は、開口１０ｂｈ内に配置されＤＵＴ１５と接触する。
【００１５】
絶縁箱１０は、第１の筺体１０ａの１つ以上の側面に配置されている接続部材１０ｃと１２を含む。例えば、接続部材１０ｃと１２は、第１の筺体１０ａの側面を貫通し、絶縁箱１０の内部と絶縁箱１０の外部の間に接続界面を形成し得る。いくつかの実施形態では、接続部材１０ｃと接続部材１２は、第１の筺体１０ａの同じ側面に配置されてもよい。あるいは、接続部材１０ｃと接続部材１２は、第１の筺体１０ａの異なる側面に配置される。いくつかの実施形態では、絶縁箱１０は、設計の仕様によっては任意の数の接続部材を含むことがある。
【００１６】
いくつかの実施形態では、接続部材１０ｃは、相対的な高周波信号（例えば、ＲＦ信号）を送信する。例えば、接続部材１０ｃは、約５００メガヘルツ（ＭＨｚ）から約１２ギガヘルツ（ＧＨｚ）、約５００ＭＨｚから約３ＧＨｚ、約５００ＭＨｚから約６ＧＨｚ、約３ＧＨｚから約６ＧＨｚ、および／または約６ＧＨｚから約１２ＧＨｚの周波数の信号を送信する。例えば、接続部材１０ｃはＲＦコネクタである。
【００１７】
いくつかの実施形態では、接続部材１２は、相対的な低周波信号または直流（ＤＣ）信号を送信する。例えば、接続１２は、供給電力、デジタル信号などを送信する。例えば、接続部材１０ｃは、約５００ＭＨｚより低い低周波数の信号を送信する。例えば、接続部材１２は、コンバータ、リレーまたはフィルタを含む。例えば、接続部材１２は、低周波信号またはＤＣ信号を送信するコネクタ（例えば、ＲＳ−２３２コネクタ）を備える回路基板であってもよい。
【００１８】
ＤＵＴ１５は試験盤１９に配置されている。いくつかの実施形態では、ＤＵＴ１５は、高い周波数（例えば、約５００ＭＨｚより高い周波数）で作動するチープまたはダイ付き回路、モジュールまたはデバイスである。ＤＵＴ１５は、例えば、ワイヤボンディング技術またはフリップチップ技術で試験盤１９に電気的に接続されることができる。
【００１９】
試験盤１９は、プリント回路基板（ＰＣＢ）などの回路基板である。試験盤１９は、単層のＰＣＢ、二層のＰＣＢまたは多層のＰＣＢであってもよい。いくつかの実施形態では、試験盤１９は、ＦＲ−１回路基板、ＣＥＭ−１回路基板、ＣＥＭ−３回路基板、ＦＲ−４回路基板、またはほかの任意の適切な回路基板を含んでもよい。
【００２０】
試験盤１９は、接続部材１０ｃと高周波信号（例えば、ＲＦ信号）を送信または受信するＤＵＴ１５のピンまたはノードに電気的に接続されている端子１９ａを含んでもよい。例えば、試験盤１９の端子１９ａは、接続部材１０ｃに電気的に接続されて、ＤＵＴから絶縁箱１０の外部のデバイス（例えば、オシロスコープ、ベクトルネットワークアナライザ、スペクトラムアナライザなどの試験デバイス）へ高周波信号を送信するおよび／または絶縁箱１０の外部のデバイスから高周波信号を受信する。
【００２１】
試験盤１９は、接続部材１２とＤＣ信号または低周波信号（例えば、デジタル信号）を送信または受信するＤＵＴ１５のピンまたはノードとに電気的に接続される端子１９ｂを含んでもよい。例えば、試験盤１９の端子１９ｂは、接続部材１２に電気的に接続されて、絶縁箱１０の外部のデバイス（例えば、電源、デジタル制御回路など）から供給電力またはデジタル信号を受信するおよび／またはＤＵＴ１５から絶縁箱１０の外部のデバイスへ低周波信号を送信する。
【００２２】
図１に示すように、ＤＵＴ１５と試験盤１９が絶縁箱１０により覆われるか封入されるので、第１の筺体１０ａと第２の筺体１０ｂにより限定される空間１０ｓの幅Ｗ１１または長さは、試験盤１９の幅Ｗ１２または長さの同等かそれ以上である。例えば、試験盤１９の一端、または試験盤１９の反対する両端は、筺体１０と接触してもよい。例えば、空間１０ｓの断面積は、試験盤１９の断面積の同等かそれ以上である。これを可能にするのに、大きい絶縁箱１０が実装されることがある。しかし、このような絶縁箱１０は、ＤＵＴ１５の試験コストを増加させる。なお、絶縁箱１０において試験盤１９を支持するサポート（図１に図示せず）は、試験盤１９の形状に合わせるために特製されることがある。したがって、異なる種類の試験盤が使用される場合に、サポートと絶縁箱は、試験盤１９の形状とサイズに合わせるために変更されることがあり、またＤＵＴ１５の試験コストを増加させる。
【００２３】
さらに、ＤＵＴ１５に電力またはデジタル信号を提供するために、接続部材１２（例えば、コンバータ、リレーまたはフィルタ）は、絶縁箱１０の第１の筺体１０ａの側面と一体になってもよい。しかし、外部のノイズまたは干渉は、接続部材１２および／または接続部材１２と第１の筺体１０ａの側面の間の空間を通って絶縁箱１０に入ることがあり、試験結果に悪影響を及ぼす。また、接続部材１２の設計は、試験盤の設計によって異なることがあるので、ＤＵＴ１５の試験コストを増加させる。
【００２４】
図２Ａは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置２の断面図を示す。試験装置２は、絶縁箱２０、チャック２３、被試験体（ＤＵＴ）２５および試験盤２９を含む。
【００２５】
絶縁箱２０は、第１の筺体２０ａ（第１のカバー、下部筺体または下部カバーとも呼ばれる）と、第１の筺体２０ａに連結される第２の筺体２０ｂ（第２のカバー、上部筺体または上部カバーとも呼ばれる）を含む。第１の筺体２０ａは、底面と、その底面の近くあるいは周りに設けられる側面を有する。第２の筺体２０ｂは、上面と、その上面の近くあるいは周りに設けられる側面を有する。第１の筺体２０ａと第２の筺体２０ｂは絶縁筺体であってもよい。第１の筺体２０ａの側面は、第２の筺体２０ｂの側面に対応して（例えば、連続して）設けられて、ＤＵＴ２５と試験盤２９の１つ以上の部分（例えば、部分２９１と２９２）を覆うか収容する空間２０ｓ（またはチャンバー）を形成し、また、試験盤２９のほかの部分（例えば、部分２９３）を露出させる。第２の筺体２０ｂは、その上面にチャック２３を収容する開口または穴２０ｂｈ１を限定する。試験操作において、チャック２３は、チャック２３と第２の筺体２０ｂを緊密に封止するように、開口２０ｂｈ１内に配置されＤＵＴ２５と接触する。
【００２６】
第１の筺体２０ａと第２の筺体２０ｂにより限定される空間２０ｓの幅Ｗ２１または長さは、試験盤２９の幅Ｗ２３または長さより短い（例えば、約０．９５倍以下、約０．９倍以下、または約０．８５倍以下で短い）。例えば、空間２０ｓの断面積は、本発明のいくつかの実施形態による試験装置２の斜視図を示す図２Ｂに示すように、試験盤２９の断面積より小さい（例えば、約０．９５倍以下、約０．９倍以下、または約０．８５倍以下で小さい）。また、第１の筺体２０ａの幅Ｗ２２または長さも、試験盤２９の幅Ｗ２３または長さより短い（例えば、約０．９５倍以下、約０．９倍以下、または約０．８５倍以下で短い）。例えば、第１の筺体２０ａの底面の断面積は、図２Ｂに示すように、試験盤２９の断面積より小さい（例えば、約０．９５倍以下、約０．９倍以下、または約０．８５倍以下で小さい）。
【００２７】
いくつかの実施形態では、第１の筺体２０ａは、その１つ以上の側壁の内面および／または試験盤２９（例えば、試験盤２９の部分２９２）と接触する表面に放射線吸収層２０ａ１を含む。いくつかの実施形態では、第２の筺体２０ｂは、その１つ以上の側壁の内面および／または試験盤２９（例えば、試験盤２９の部分２９２）と接触する表面に放射線吸収層２０ｂ１を含む。放射線吸収層２０ａ１と２０ｂ１は、電磁波の放射が絶縁箱２０に入ることを防ぐためのものである。
【００２８】
絶縁箱２０は、第１の筺体２０ａの１つ以上の側面に配置されている接続部材２０ｃを含む。例えば、接続部材２０ｃは、第１の筺体２０ａの側面を貫通して絶縁箱２０の内部と絶縁箱２０の外部の間に接続界面を形成し得る。いくつかの実施形態では、絶縁箱２０は、設計の仕様によっては任意の数の接続部材を含んでもよい。いくつかの実施形態では、接続部材２０ｃは、相対的な高周波信号（例えば、ＲＦ信号）を送信する。例えば、接続部材２０ｃは、約５００ＭＨｚから約１２ＧＨｚ、約５００ＭＨｚから約３ＧＨｚ、約５００ＭＨｚから約６ＧＨｚ、約３ＧＨｚから約６ＧＨｚ、および／または約６ＧＨｚから約１２ＧＨｚの周波数の信号を送信する。例えば、接続部材２０ｃはＲＦコネクタである。
【００２９】
ＤＵＴ２５は試験盤２９に配置されている。例えば、ＤＵＴ２５は、試験盤２９の部分２９１に配置されている。いくつかの実施形態では、ＤＵＴ２５は、高い周波数（例えば、約５００ＭＨｚより高い周波数）で作動するチープまたはダイ付き回路、モジュールまたはデバイスである。ＤＵＴ２５は、例えば、ワイヤボンディング技術またはフリップチップ技術で試験盤２９に電気的に接続されることができる。
【００３０】
試験盤２９は、プリント回路基板（ＰＣＢ）などの回路基板を含む。試験盤２９は、単層のＰＣＢ、二層のＰＣＢまたは多層のＰＣＢであってもよい。いくつかの実施形態では、試験盤２９は、ＦＲ−１回路基板、ＣＥＭ−１回路基板、ＣＥＭ−３回路基板、ＦＲ−４回路基板、または任意のほかの適切な回路基板を含んでもよい。部分２９１が第１の筺体２０ａと第２の筺体により限定される空間２０ｓ内に配置され、部分２９３が絶縁箱２０から露出されまたはその外部に位置し、部分２９２が部分２９１と２９３の間に配置されている。部分２９２は、第１の筺体２０ａおよび第２の筺体２０ｂに接触するおよび／または放射線吸収層２０ａ１および２０ｂ１に接触する。いくつかの実施形態では、試験盤２９は、試験盤２９の１つ以上の部分（例えば、部分２９１と２９３）を覆い、試験盤２９のほかの部分（例えば、部分２９２）を露出させる保護層（例えば、ソルダマスク）２９ｐを含む。
【００３１】
試験盤２９は、試験盤２９の部分２９１に配置されている端子２９ａを含んでもよい。端子２９ａは、接続部材２０ｃと高周波信号（例えば、ＲＦ信号）を送信または受信するＤＵＴ２５に電気的に接続されている。例えば、試験盤２９の端子２９ａは、接続部材２０ｃに電気的に接続されて、ＤＵＴ２５から絶縁箱２０の外部のデバイス（例えば、オシロスコープ、ベクトルネットワークアナライザ、スペクトラムアナライザなどの試験デバイス）へ高周波信号を送信するおよび／または絶縁箱２０の外部のデバイスから高周波信号を受信する。
【００３２】
試験盤２９は、試験盤２９の部分２９３に配置されている端子２９ｂを含んでもよい。例えば、端子２９ｂは、絶縁箱２０から露出されまたはその外部に位置する。端子２９ｂは、ＤＣ信号または低周波信号（例えば、デジタル信号）を送信または受信するＤＵＴ２５のピンまたはノードに電気的に接続されている。例えば、試験盤２９の端子２９ｂは、外部のデバイス（例えば、電源、デジタル制御回路など）に電気的に接続されて、供給電力またはデジタル信号を受信するおよび／またはＤＵＴ２５から外部のデバイスに低周波信号を送信する。
【００３３】
外部の干渉またはノイズが低周波信号またはＤＣ信号に相対的小さい影響を及ぼすので、試験盤２９の端子２９ｂは、実質的な悪影響がない限り絶縁箱２０の外部に配置されてもよい。言い換えれば、絶縁箱２０は、ＤＵＴ２５と高周波信号を送信および／または受信する試験盤２９の端子２９ａを覆い、ＤＣ信号および／または低周波信号を送信および／または受信する試験盤２９の端子２９ｂを露出させるように設計されることができる。したがって、図１の絶縁箱１０に比べて、図２Ａの絶縁箱２０のサイズを著しく低減でき、絶縁箱２０の製造コストを低減することができる。また、試験盤２９は、第１の筺体２０ａと第２の筺体２０ｂの間に挟まれるので、試験盤２９を支持するサポートが省かれ、また、ＤＵＴ２５の試験コストを低減できる。
【００３４】
なお、絶縁箱２０からのＤＣ信号および／または低周波信号を送信するおよび／または受信する試験盤２９の端子２９ｂを露出させることにより、図１に示すような接続部材１２（例えば、コンバータ、リレーまたはフィルタ）が省かれ、ＤＵＴ２５の試験コストを低減でき、また、外部ノイズまたは干渉がコンバータ、リレーまたはフィルタを通って絶縁箱２０に入ることが防がれ、絶縁箱２０の遮断性能を向上させることができる。いくつかの実施形態では、図１の絶縁箱１０の遮断性能は約３４．５ｄＢから約４４．８ｄＢの範囲にあるが、図２の絶縁箱２０の遮断性能は約７４．２ｄＢから約７５．５ｄＢの範囲にある。特に、接続部材１２が配置される図１の絶縁箱１０の側面の遮断性能は約３４．５ｄＢであるが、図２の絶縁箱２０の側面の遮断性能は約７４．２ｄＢである。
【００３５】
図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による異なる種類の試験盤（３９Ａ、３９Ｂと３９Ｃ）の上面図を示す。いくつかの実施形態では、試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃは、図２Ａと２Ｂに示すような試験装置２に使用されることができる。図３Ａ、３Ｂおよび３Ｃに示すように、各々の試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃは、試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃの周縁に沿って配置される複数の穴２９ｈを限定する。穴２９ｈは、試験操作において試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃの位置決めと締結の目的で、図２Ｂに示すように、第２の筺体２０ｂの開口２０ｂｈ２に対応して（例えば、隣接して）配置されている。また、各々の試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃは複数の接地部材２９ｇを含む。いくつかの実施形態では、接地部材は、図２Ａの試験盤２９の部分２９２に配置されるか、あるいは試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃの対応する部分に配置される。接地部材２９ｇは、試験盤２９を貫通して試験盤２９の上面から試験盤２９の底面まで伸びる。いくつかの実施形態では、接地部材２９は、絶縁箱２０の遮断性能またはシールド性能を向上させるために、第１の筺体２０ａと第２の筺体２０ｂに電気的に接続される。いくつかの実施形態では、各々の接地部材２９の第１の部分がそれぞれ試験盤の底面から露出され、各々の接地部材２９の第２の部分がそれぞれ試験盤の上面から露出され、第１の筺体２０ａが接地部材２９のそれぞれの第１の部分と接触し、第２の筺体２０ｂが接地部材２９のそれぞれの第２の部分と接触する。
【００３６】
いくつかの実施形態では、試験盤３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃは異なる用途のために設計されることができる。例えば、試験盤３９Ａが約３ＧＨｚ以下の周波数で作動するＤＵＴ２５に適用でき、試験盤３９Ｂが約６ＧＨｚ以下の周波数で作動するＤＵＴ２５に適用でき、試験盤３９Ｃが約１２ＧＨｚ以下の周波数で作動するＤＵＴ２５に適用できる。図３Ａ、図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、２つの隣接する接地部材２９ｇの間の距離（またはピッチ）は、ＤＵＴ２５の操作周波数が増加するにつれて減少する。
【００３７】
図４Ａ、図４Ｂおよび図４Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による図２Ａと図２Ｂに示すような試験装置２を操作する方法を示す。
【００３８】
図４Ａを参照し、第１の筺体２０ａを設ける。図４Ａに示すように、第１の筺体２０ａは、試験盤の位置決めと締結の目的で、配置された試験盤（例えば、試験盤２９、３９Ａ、３９Ｂおよび３９Ｃ）の穴に対応する複数の穴２０ａｈを限定する。
【００３９】
図４Ｂを参照し、試験盤２９を第１の筺体２０ａ上に置き、試験盤２９の穴が第１の筺体２０ａの穴２０ａｈに整列させる。そして、高周波信号を送信する試験盤２９の端子（例えば、図２Ａの端子２９ａ）は、第１の筺体２０ａの側面に接続部材２０ｃに電気的に接続されている。
【００４０】
その後、第２の筺体２０ｂは、試験盤２９に配置されてＤＵＴ２５と試験盤２９の１つ以上の部分（例えば、部分２９１と２９２）を覆い、試験盤２９のほかの部分（例えば、部分２９３）を露出させる。また、試験盤２９の穴は、第２の筺体２０ｂの穴２０ｂｈ２に整列させる。そして、第１の筺体２０ａ、第２の筺体２０ｂと試験盤２９は、例えば、ねじ４１またはほかの任意の適切な締め具により締められることがある。いくつかの実施形態では、試験盤２９は、試験盤３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃとほかの任意の適切な試験盤に置き換えてもよい。
【００４１】
図４Ｃを参照し、第１の筺体２０ａ、第２の筺体２０ｂと試験盤２９が締められた後に、チャック２３は、チャック２３と第２の筺体２０ｂが緊密に封止されるように、第２の筺体２０ｂの開口２０ｂｈ１内に配置されＤＵＴ２５と接触する。そして、接続部材２０ｃは、試験デバイス（例えば、オシロスコープ、ベクトルネットワークアナライザ、スペクトラムアナライザなど）に電気的に接続されてＤＵＴ２５に対して試験を行う。
【００４２】
ここに使用される用語「ほぼ」、「実質的に」、「実質的な」および「約」は、小さな変動を説明し意味するのに使用される。事情または状況と併用される時に、それらの用語は、事情または状況がまさにそのとおりに起こる場合と、事情または状況が近似に生じる場合を言う。例えば、数値と併用される時に、それらの用語は、その数値の±１０％以下、例えば、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、または±０．０５％以下の変動の範囲を言う。例えば、２つの数値は、その差が平均値の±１０％以下、例えば、±５％以下、±４％以下、±３％以下、±２％以下、±１％以下、±０．５％以下、±０．１％以下、または±０．０５％以下であれば、「実質的に」同じであると見なされてもよい。
【００４３】
２つの表面は、その２つの表面のずれが５μｍ以下、２μｍ以下、１μｍ以下、または０．５μｍ以下であれば、共平面または実質的に共平面であると見なされてもよい。
【００４４】
いくつかの実施形態の説明では、部材がほかの部材の「上に」または「上方に」設けられることは、前者の部材が直接に後者の部材の上にある（例えば、物理接触がある）場合と、１つ以上の介在部材が前者の部材と後者の部材の間に位置する場合を含む。
【００４５】
ここに使用される用語「伝導性の」、「導電性の」および「導電性」は、電流を伝導する能力を言う。導電性の材料は、典型的に電流の流れに抵抗が小さいかあるいは抵抗がない材料を意味する。導電性の１つの測定単位として、メートルにつきシーメンス（Ｓ／ｍ）が挙げられる。典型的には、導電性の材料は、ほぼ１０４Ｓ／ｍ以上、例えば、少なくとも１０５Ｓ／ｍまたは少なくとも１０６Ｓ／ｍの導電性を有する材料である。材料の導電性は温度によって異なることがある。特に断りがない場合に、材料の導電性は室温で測定されたものである。
【００４６】
本発明は、その具体的な実施形態を参照しながら説明され図示されたが、それらの説明と図面は本発明を限定するものではない。添付の特許請求の範囲により限定される本発明の精神と範囲から逸脱することなく、実施形態において様々な変形が可能であり、等価部材に置換できることは、当業者にとって明らかである。図面は必ず縮尺にに一致するものとは限らない。製造プロセスにおける変動などにより、本発明の図面表現と実物の間に区別が発生することがある。具体的に図示されない本発明のほかの実施形態がある。仕様と図面は、限定性のものではなく、例示性のものと見なされる。本発明の目的、精神および範囲を逸脱することなく、特定の状況、材料、組成物、方法、またはプロセスに変更を施してもよい。すべてのこのような変更は添付の特許請求の範囲にあることを意図する。ここに開示される方法は特定の順序で行われる特定の操作を参照しながら説明されるが、これらの操作は、本発明の教示から逸脱することなく組み合わせ、細分され、または再順序付けられて等価方法を形成できると了承される。したがって、特にここに断りがない場合に、操作の順序と分類は、本発明を限定するものではない。
【図１】
2019191144.tif 000003
【図２Ａ】
2019191144.tif 000004
【図２Ｂ】
2019191144.tif 000005
【図３Ａ】
2019191144.tif 000006
【図３Ｂ】
2019191144.tif 000007
【図３Ｃ】
2019191144.tif 000008
【図４Ａ】
2019191144.tif 000009
【図４Ｂ】
2019191144.tif 000010
【図４Ｃ】
2019191144.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月27日(2018.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図２Ａ】図２Ａは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置の断面図を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置の斜視図を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図３Ａ】図３Ａは、本発明のいくつかの実施形態による試験盤の上面図を示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による試験盤の上面図を示す。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による試験盤の上面図を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図４Ａ】図４Ａは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置を操作する方法を示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置を操作する方法を示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による試験装置を操作する方法を示す。