(57)【要約】【課題】仮接着工程を含む電子パッケージの製造において、仮接着されていた素子などにメッキ不良等の不具合が生じることを抑える。【解決手段】電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さが０．４μｍの銅箔の第一面とを、一定条件で熱圧着し、そして銅箔を仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた銅箔の第一面の元素組成を加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｆ質量％とし、熱圧着前の銅箔の第一面の元素組成を同様のエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｉ質量％としたとき、Ｘｆ−Ｘｉが７質量％以下である仮接着フィルム。また、露光により接着力が低下または消失し、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光することで上記の仮接着フィルムを製造可能な仮接着フィルム。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の当該第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の当該第一面の元素組成を、加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｆ質量％とし、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｉ質量％としたとき、
Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である仮接着フィルム。
【請求項２】
請求項１に記載の仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さＲａが０．２μｍである第二の銅箔の当該片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして前記第二の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがしたときの引きはがし強さが０．１［ｋＮ／ｍ］以上である仮接着フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の仮接着フィルムであって、
エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物を含む仮接着フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
ウレタン（メタ）アクリレート化合物を含む仮接着フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
【請求項６】
請求項５に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子が、無機フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
【請求項７】
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた請求項１〜６のいずれか１項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
【請求項８】
請求項７に記載の電子パッケージ製造用サポート基板が備える仮接着フィルムと、第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
【請求項９】
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有し、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した当該仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の当該第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を当該仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＹｆ質量％し、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＹｉ質量％としたとき、
Ｙｆ−Ｙｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である仮接着フィルム。
【請求項１０】
請求項９に記載の仮接着フィルムであって、
未露光の前記仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さＲａが０．２μｍである第二の銅箔の当該片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して接着したとき、前記第二の銅箔の引きはがし強さが０．３５［ｋＮ／ｍ］以上であり、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した前記仮接着フィルムと、前記第二の銅箔の当該片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して接着したとき、前記第二の銅箔の引きはがし強さが０．３［ｋＮ／ｍ］以下である仮接着フィルム。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の仮接着フィルムであって、
光硬化性樹脂組成物により構成されている仮接着フィルム。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
エポキシ樹脂および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を含む仮接着フィルム。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子が、無機フィラー粒子を含む仮接着フィルム。
【請求項１５】
請求項に１３または１４に記載の仮接着フィルムであって、
前記フィラー粒子の平均粒径が０．０５〜１０μｍである仮接着フィルム。
【請求項１６】
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた請求項９〜１５のいずれか１項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の電子パッケージ製造用サポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子パッケージの製造方法であって、
前記封止基板における、前記封止用組成物の硬化物のある面を上面として前記封止基板を上面視したとき、前記切削工程は、前記領域Ｂに相当する部分を切削する工程である電子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、電子パッケージ製造用サポート基板および電子パッケージの製造方法に関する。より具体的には、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、その仮接着フィルムを備える電子パッケージ製造用サポート基板、および、そのサポート基板を用いた電子パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子パッケージの製造に際して、基板や素子を一時的にサポート基板に固定または接着しておくプロセス（仮接着、仮固定などとしばしば呼ばれる）が行われる場合がある。また、仮接着や仮固定のための材料、プロセスなどが盛んに検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、「ウエハとサポート基板の容易な仮接着」などの課題を解決するものとして、ポリイミド樹脂の樹脂膜からなる第一仮接着材層と、硬化性シリコーン樹脂を含む接着剤組成物の硬化膜からなる第二仮接着材層とを有する、ウエハ加工用積層体が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、仮固定のプロセスを含み、半導体パッケージの薄型化と低反り化とを両立し、薄型の半導体装置を高い歩留まりで提供することができる技術が開示されている。具体的には、まず封止材により封止された半導体パッケージを作製した後に、その半導体パッケージの表面に反り矯正基板を仮固定する工程、リフローする工程、リフロー後に半導体パッケージから反り矯正基板を除去する工程などを含む半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−８６１５８号公報
【特許文献２】特開２０１６−０７２２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、電子装置の製造において、仮接着ないし仮固定（以下では「仮接着」の語で統一する）については様々な検討が進められている。
しかし、本発明者らの検討によれば、サポート基板に仮接着されていた素子や基板を、サポート基板から引きはがし、その後その素子や基板に更なる処理を行う場合、不具合が生じる場合があった。
例えば、サポート基板から引きはがされた素子、基板、配線構造などに対し、金メッキを行った場合、金メッキができなかったり、金が異常析出したりなどして、適切に金メッキを施すことができない場合があった。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものである。本発明は、仮接着工程を含む電子パッケージの製造において、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の不具合の原因や、その解決方法について様々な観点から検討した。検討の結果、仮接着フィルムと特定の銅箔とを熱圧着し、その後その銅箔を引きはがした際の、銅箔表面に付着するミクロな有機物等が、メッキ不良などの不具合と関係しているらしいことを知見した。この知見に基づき更に検討を進め、以下の本発明を完成させた。
【０００９】
本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
前記仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の当該第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を前記仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｆ質量％とし、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＸｉ質量％としたとき、
Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である仮接着フィルム
が提供される。なお、この発明を「第１発明」とも表記する。
【００１０】
また、本発明によれば、
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた、上記第１発明の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。なお、この発明を「第２発明」とも表記する。
【００１１】
また、本発明によれば、
上記第２発明のサポート基板が備える仮接着フィルムと、第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。なお、この発明を「第３発明」とも表記する。
【００１２】
また、本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有し、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した当該仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の当該第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして前記第一の銅箔を当該仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＹｆ質量％し、
前記熱圧着前の前記第一の銅箔の当該第一面の元素組成を前記エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量をＹｉ質量％としたとき、
Ｙｆ−Ｙｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である仮接着フィルム
が提供される。なお、この発明を「第４発明」とも表記する。
【００１３】
また、本発明によれば、
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた、上記第４発明の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。なお、この発明を「第５発明」とも表記する。
【００１４】
また、本発明によれば、
上記第５発明の電子パッケージ製造用サポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板のある面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。なお、この発明を「第６発明」とも表記する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、仮接着工程を含む電子パッケージの製造において、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図２】第１実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図３】第２実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図４】第２実施形態の電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図５】引きはがし強さの測定方法を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、（ｉ）同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、（ｉｉ）特に図２以降において、図１と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。
【００１８】
本明細書中、「略」という用語は、特に明示的な説明の無い限りは、製造上の公差や組立て上のばらつき等を考慮した範囲を含むことを表す。
本明細書中、数値範囲の説明における「ａ〜ｂ」との表記は、特に断らない限り、ａ以上ｂ以下のことを表す。例えば、「１〜５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」の意である。
【００１９】
本明細書における基（原子団）の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書における「（メタ）アクリル」との表記は、アクリルとメタクリルの両方を包含する概念を表す。「（メタ）アクリレート」等の類似の表記についても同様である。
本明細書において「電子パッケージ」とは、電子素子（典型的には半導体チップ）が、何らかの形で封止材により封止されたもののことをいう。
【００２０】
以下では、第１発明、第２発明および第３発明の実施の形態を＜第１実施形態＞、第４発明、第５発明および第６発明の実施の形態を＜第２実施形態＞として説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
［仮接着フィルム］
第１実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられるものである。
この仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして第一の銅箔を仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の第一面の元素組成を加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｆ質量％とし、
熱圧着前の第一の銅箔の第一面の元素組成を上記と同様の（加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とする）エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｉ質量％としたとき、
Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量は７質量％以下である。
【００２２】
このような仮接着フィルムにより、仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることを低減できる理由については、以下のように説明することができる。なお、以下説明は推測を含み、また、以下説明により本発明が限定されるわけではない。
【００２３】
本発明者らは、従来の仮接着フィルムを用いて仮接着されていた素子、基板、配線構造などにメッキ不良などの不具合が生じることがある原因を様々な観点から検討した。
検討の結果、仮接着フィルムから剥がした素子、基板、配線構造などは、一見して清浄であり、仮接着フィルムのカス等が目視や光学顕微鏡では確認できないものの、目視や光学顕微鏡では確認できないミクロな仮接着フィルム由来の有機物が付着し、これがメッキ不良などの原因になっているように推測された。
【００２４】
上記推測に基づき、本発明者らは、まず、仮接着フィルムと接触しうる素子や基板を代表するものとして、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔を準備した。そして、この第一の銅箔の第一面と仮接着フィルムとを接着し、その後この第一の銅箔を引きはがしたときの「第一の銅箔の第一面に付着する有機物等の量」を制御因子として、この値が一定値以下となる仮接着フィルムを設計して、メッキ不良などの課題を解決しようと考えた。
また、このときの、第一の銅箔の第一面に付着する、目視や光学顕微鏡では確認できない微小な有機物等の定量に、加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法を用いることにした。
【００２５】
種々の検討の結果、本発明者らは、
・仮接着フィルムと、第一の銅箔とを、実プロセスに近い条件（温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱）で仮接着し、その後第一の銅箔を引きはがして、第一の銅箔の第一面の元素組成を、加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｆ質量％とし、
・仮接着フィルムと熱圧着／仮接着される前の第一の銅箔の第一面の元素組成を、上記と同様の（加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とする）エネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｉ質量％としたとき、
Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下となる仮接着フィルムを新たに設計した。このような仮接着フィルムにより、メッキ不良などの不具合を低減することができた。
【００２６】
このような仮接着フィルムは、仮接着フィルムを構成する成分の種類や配合量、仮接着フィルムの製造方法などを適切に工夫することにより得ることができる。なお、仮接着フィルムは、典型的には、熱硬化性樹脂組成物により構成される。
より具体的には、仮接着フィルムの素材としてエポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物を用いること、フィラー粒子を用いること、これらの量を適切にすること、調製や製膜の方法を工夫すること等により、Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下となる仮接着フィルムを得ることができる。
仮接着フィルムを構成する各成分の種類や配合量、製造方法などの詳細は後述する。
【００２７】
なお、Ｘｆ−Ｘｉの値は、０に近いほど好ましいことは言うまでもない。Ｘｆ−Ｘｉの値は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下ある。
【００２８】
「第一の銅箔」や「エネルギー分散型Ｘ線分析法」について補足しておく。
第一の銅箔は、例えば、三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み：１２μｍ、光沢面の算術平均表面粗さＲａ：０．２μｍ）の光沢面に、以下のような処理を施すことで得ることができる。もちろん、第一の銅箔を得る方法は、これに限定されない。
（１）まず、上記銅箔を、エッチング前処理液（例えば、メック株式会社製、商品名：ＣＡ−５３３０Ａを、純水で５０ｖｏｌ％に希釈したもの）に浸漬する。前処理液の温度は２５℃程度に調整し、浸漬の時間は１０秒間程度とする。
（２）続いて、上記前処理をした銅箔を、水平ラインに置き、銅エッチング液（例えば、メック株式会社製、商品名：ＣＺ−８１０１の原液）をスプレーする。スプレー圧は０．２ＭＰａ程度、スプレーの時間は３０秒間程度とする。また、銅エッチング液の温度は２５℃程度に調節する。
（３）上記スプレー処理後の銅箔を、防錆剤（例えば、メック株式会社製、商品名：ＣＬ−８３０１を、純水で５０ｖｏｌ％に希釈したもの）に浸漬する。防錆剤の温度は２５℃程度に調節する。浸漬の時間は１５秒間程度とする。
（４）上記の浸漬後、銅箔を乾燥する。乾燥条件は１２０℃程度で３０分間程度とする。
【００２９】
なお、上記（３）の防錆処理により防錆膜が表面に形成される都合上、上記方法で得られた銅箔の表面には、典型的には、銅原子に対して３質量％程度の量の炭素原子不可避的にが存在する（エネルギー分散型Ｘ線分析法により確認することができる）。
【００３０】
ちなみに、Ｒａの定義／測定方法は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３に基づく。
【００３１】
エネルギー分散型Ｘ線分析法とは、電子線照射により発生する特性Ｘ線を検出し、エネルギーで分光することによって、元素分析や組成分析を行う手法である。特性Ｘ線は元素により固有のエネルギーを持つので、これを測定することにより元素分析を行うことができる。
エネルギー分散型Ｘ線分析法は、Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙの頭文字をとって、ＥＤＸまたはＥＤＳなどとも呼ばれる。
エネルギー分散型Ｘ線分析を行う装置は、しばしば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）に付属している。
第１実施形態（および後述の第２実施形態）では、照射する電子線（一次線）の加速電圧を１０ｋＶとすることで、銅箔をはがしたときの表面に付着する仮接着フィルムの残渣を適切に評価することができる。
【００３２】
また、第１実施形態の仮接着フィルムと、少なくとも片面の算術平均表面粗さＲａが０．２μｍである第二の銅箔のその片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして第二の銅箔を仮接着フィルムから引きはがしたときの引きはがし強さが、０．１［ｋＮ／ｍ］以上であることが好ましい。
この、引きはがし強さが０．１［ｋＮ／ｍ］以上であることにより、十分な接着力を得ることができる。そして、後述の電子パッケージの製造において、第２の基板がはがれる等の不具合を低減できる。
なお、この引きはがし強さは、好ましくは０．１〜０．５［ｋＮ／ｍ］、より好ましくは０．１５〜０．４［ｋＮ／ｍ］、さらに好ましくは０．２〜０．３［ｋＮ／ｍ］である。
【００３３】
引きはがし強さを調整する方法は、特に限定されないが、仮接着フィルムを構成する各成分の種類や配合量、また、仮接着フィルムの製造方法を適切に工夫することで引きはがし強さを調整することができる。特に、素材としてエポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物を用いること、フィラー粒子を用いること、これらの量を適切にすること、調製や製膜の方法を工夫すること等により、引きはがし強さを適切に調整することができる。
【００３４】
なお、第二の銅箔としては、例えば、前述の三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み：１２μｍ、光沢面の算術平均表面粗さＲａ：０．２μｍ）の光沢面を用いることができる。
【００３５】
第１実施形態の仮接着フィルムの含有成分などについて説明する。
なお、第１実施形態の仮接着フィルムは、典型的には、熱硬化性樹脂組成物である。そして、好ましくは、以下に説明される成分の１種または２種以上を含む。
【００３６】
（エポキシ樹脂）  
第１実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは、エポキシ樹脂、および／または、後述の重合性（メタ）アクリレート化合物を含む。
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられる。
【００３７】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば１００以上であり、１５０〜５０００が好ましく、１５０〜１０００がより好ましく、１５０〜５００がさらに好ましい。
エポキシ樹脂は、多官能エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、芳香環構造（ベンゼン環構造など）および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂は、典型的には、多官能（２官能以上）である。
【００３８】
一態様として、エポキシ樹脂は、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
【００３９】
特に、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールアセトフェノン骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、上記のうち複数の骨格を有するフェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００４０】
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０３〜８．０×１０４が好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。
また、フェノキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば１０００〜３００００、より好ましくは５０００〜２００００である。
【００４１】
一態様として、フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂とが併用されることが好ましい。これにより、硬化速度を速めることができる。これにより、後述の電子パッケージの製造において、プロセスのスループットを高める効果が期待できる。
フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂との量比は、特に限定されないが、例えば９：１〜５：５、好ましくは９：１〜６：４（質量比）である。
【００４２】
仮接着フィルム中のエポキシ樹脂の含有量（複数種のエポキシ樹脂を併用する場合は、その合計量）は、例えば２０〜９８質量％、好ましくは３０〜９６質量％、より好ましくは３５〜９０質量％、さらに好ましくは５５〜９０質量％である。
【００４３】
エポキシ樹脂（フェノキシ樹脂を含む）については、公知のものや市販のものを適宜用いることができる。市販品としては、例えば、三菱ケミカル株式会社、日本化薬株式会社、新日鉄住金化学株式会社等のものが挙げられる。
【００４４】
（重合性（メタ）アクリレート化合物）
重合性（メタ）アクリレート化合物とは、光、熱、その他外部刺激により重合反応可能な（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。重合性（メタ）アクリレート化合物は、２官能以上である（１分子中に２以上の（メタ）アクリロイル基を有する）ことが好ましく、２〜６官能であることがより好ましい。
【００４５】
重合性（メタ）アクリレート化合物として具体的には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート等の、（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物；トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物；市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４６】
重合性（メタ）アクリレート化合物は、一態様として、ウレタン（メタ）アクリレートであることが好ましい。この態様として具体的には、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたもの、等が挙げられる。
【００４７】
ウレタン（メタ）アクリレートは、そのウレタン結合などにより、接着力の点で有利である。つまり、例えば前述の引きはがし強さを適切に調整する点でウレタン（メタ）アクリレートを用いることが好ましいと考えられる。
【００４８】
重合性（メタ）アクリレート化合物は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
仮接着フィルム中の硬化性（メタ）アクリレート化合物の含有量（複数種を併用する場合は、その合計量）は、例えば１０〜８５質量％、好ましくは２０〜８０質量％、より好ましくは２５〜７５質量％である。
【００４９】
（熱硬化触媒）
第１実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは熱硬化触媒を含む。
熱硬化触媒を含むことで、後述する電子パッケージの製造において、時間短縮によるスループットの向上や、他の部材との密着性向上等の効果が期待できる。
熱硬化触媒としては、好ましくはイミダゾール類および／またはオニウム塩化合物が用いられる。
イミダゾール類として具体的には、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
熱硬化触媒として用いられるオニウム塩化合物は、特に限定されないが、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４−メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ−ＭＫ）、テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン−２，３−ジオキシ）フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物等が挙げられる。
【００５０】
熱硬化触媒は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
仮接着フィルム中の熱硬化触媒の含有量（複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量）は、例えば０．１〜１５質量％、好ましくは０．３〜１０質量％、より好ましくは０．５〜８質量％である。
熱硬化触媒は、市販品を用いてもよい。例えば、四国化成工業株式会社の「キュアゾール」シリーズ等を用いることができる。
熱硬化触媒は、市販品を用いてもよい。例えば、四国化成工業株式会社の「キュアゾール」シリーズ等を用いることができる。
【００５１】
（フィラー粒子）
第１実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは、フィラー粒子（充填材）を含む。
フィラー粒子は、任意のフィラー粒子であってよく、有機フィラー粒子や無機フィラー粒子であってよい。半導体プロセスにおける耐熱性などの観点などからは、有機フィラー粒子よりも無機フィラー粒子が好ましく用いられる。
【００５２】
フィラー粒子により、仮接着時（熱や圧力を加えた時）の、仮接着フィルムの流動性をコントロールすることができる。具体的には、仮接着フィルムがフィラー粒子を含むことで、樹脂成分（例えば前述のエポキシ化合物や重合性（メタ）アクリレート化合物）の流動性が抑得られる。これにより、仮接着フィルムと基板（例えば後述の第２の基板）との「濡れ性」が小さくなると考えられる。この結果、残渣が残りにくくなる（Ｘｆ−Ｘｉを７質量％以下としやすくなる）と考えられる。
【００５３】
また、仮接着フィルムがフィラー粒子を含むことにより、樹脂成分が基板（例えば後述の第２の基板）に接触する実効的な面積自体が小さくなると考えられる。このことも、残渣が残りにくくなる（Ｘｆ−Ｘｉを７質量％以下としやすくなる）ことに寄与していると考えられる。
【００５４】
フィラー粒子は特に限定されないが、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、硫酸バリウム、タルク、窒化ホウ素および窒化アルミからなる群から選択される１種類または２種類以上の無機フィラー粒子を含むことができる。これらの中でも、シリカおよびアルミナが、入手性や、上記の接着力の調整効果の点で好ましい。
【００５５】
フィラー粒子の平均粒径は、特に限定されないが、例えば、レーザー回折式粒度分布計による測定値において、好ましくは０．２〜２．０μｍ、より好ましくは０．２〜１．０μｍある。また、無機充填材の形状は、略真円状であることが好ましい。
【００５６】
フィラー粒子を用いる場合、その使用量は特に限定されないが、例えば、組成物中の不揮発成分の全量に対し、例えば１０〜８０質量％、好ましくは２０〜７０質量％、より好ましくは２０〜６０質量％である。
【００５７】
（仮接着フィルムの膜厚、製造方法などについて）
第１実施形態の仮接着フィルムは、例えば、上述の各成分を適当な溶剤に溶解させて塗布液とし、その塗布液を用いて膜形成することで得ることができる。
【００５８】
より具体的には、上記塗布液を、適当な基材の上に塗布して膜状にし、そして溶剤を乾燥させることで仮接着フィルムを得ることができる。なお、ここでの「適当な基材」としては、例えば後掲の［サポート基板］の項で説明される第１の基板１０などがある。
または、適当なフィルム状の基材（ＰＥＴフィルムなどの合成樹脂フィルム）に、上記の塗布液を塗布して仮接着フィルムを得ることもできる。このようにして得られた仮接着フィルムを、公知のラミネート法（例えば真空ラミネート法）により、適当な基材（例えば後掲の［サポート基板］の項で説明される第１の基板１０）に貼り合せることで、後述のサポート基板を得ることができる。
【００５９】
上記の塗布液を塗布する方法としては、特に限定されず、ロールコート、コンマコート、スピンコート、スリットコート、カーテンコート、バーコート等の公知のコーティング方法を適用することができる。
【００６０】
上述の各成分を塗布液とする際に用いられる溶剤については、各成分を均一に溶解または分散できるものであれば特に限定されない。使用可能な溶剤は、典型的には有機溶剤である。有機溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
溶剤を用いる場合、その使用量は特に限定されず、塗布膜厚等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、塗布液の不揮発成分の濃度が３０〜８０質量％、好ましくは４０〜７０質量％となるように使用される。
【００６１】
第１実施形態の仮接着フィルムの厚みは、特に限定されないが、例えば１〜１００μｍ、好ましくは３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍである。仮接着フィルムの厚みの調整は、上記の塗布液の濃度を調整する、塗布方法／塗布量を調整する等により行うことができる。
【００６２】
第１実施形態の仮接着フィルムの大きさや形状は特に限定されないが、例えば縦５０〜１０００ｍｍ、横５０〜１０００ｍｍの略長方形状または略正方形状である。また、直径５０〜１０００ｍｍの略円形状などであってもよい。
【００６３】
［サポート基板］
第１実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板（単に「サポート基板」とも記載する）は、第１の基板と、その第１の基板の片面に設けられた仮接着フィルム（上記で［仮接着フィルム］として説明したもの）とを備える。
このサポート基板の一例を、模式的に図１（ｉ）に示す。
図１（ｉ）において、サポート基板３は、第１の基板１０と、その片面に設けられた仮接着フィルム１２とを備える。
【００６４】
第１の基板１０の材質、厚み、大きさ、形状等は、特に限定されないが、好ましくは以下に説明されるものである。
第１の基板１０の材質としては、例えば、金属や合成樹脂等が挙げられる。後述する種々のプロセス（加熱などを含む）を考慮すると、ある程度の高温に耐えられる材質であることが好ましい。この点では、第１の基板１０は金属製であることが好ましい。より好ましくは、鉄、ステンレス鋼材、銅などである。これらの中でも、ステンレスが好ましい。
また、第１の基板１０の材質を合成樹脂とする場合は、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。また、第１の基板１０の材質が合成樹脂である場合、フィラーや繊維等の成分が含まれていてもよい。これら成分により強度の向上が期待できる。
【００６５】
第１の基板１０の厚みは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上である。厚みを一定の値以上とすることで、第１の基板１０が十分な強度・剛性を有することとなる。よって、例えば、後述する電子パッケージの製造方法において、第１の基板１０の変形が抑えられる。つまり、安定的に電子パッケージを製造することができる。
また、第１の基板１０の厚みは、例えば１０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。厚みを一定の値以下とすることで、第１の基板１０の重量の増加が抑えられるため、ハンドリング性が向上する。
【００６６】
第１の基板１０の大きさや形状は、例えば縦５０〜１０００ｍｍ、横５０〜１０００ｍｍの略長方形状または略正方形状である。また、直径５０〜１０００ｍｍの略円形状などであってもよい。
第１の基板１０は、少なくともその片面（仮接着フィルム１２が形成される面）が、略平坦であることが好ましい。
【００６７】
第１の基板１０の片面に、仮接着フィルム１２を設ける方法は、前述のとおり、塗布やラミネートによる方法が挙げられる。
仮接着フィルム１２の厚みについても、前述のとおりである。つまり、例えば１〜１００μｍ、好ましくは３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍである。
【００６８】
［電子パッケージの製造方法］
第１実施形態の電子パッケージの製造方法では、上記の仮接着フィルムないしサポート基板を用いて、電子パッケージを製造することができる。
第１実施形態の電子パッケージの製造方法は、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。これら各工程について、図を参照しつつ説明する。
【００６９】
・仮接着工程（図１（ｉｉ））
仮接着工程では、上述のサポート基板３が有する仮接着フィルム１２と、第２の基板１４とを密着させて、第１の基板１０、仮接着フィルム１２および第２の基板１４の少なくとも３層を備える複合基板を得る。
【００７０】
第２の基板１４として具体的には、半導体ウェハ（シリコンウェハ等）、有機基板、インターポーザー基板に代表される各種パッケージ用基板などが挙げられる。本実施形態においては、インターポーザー基板を好ましく適用することができる。
インターポーザー基板とは、典型的には、電子パッケージ内で異なる電子素子の間を電気的に接続するためのものである。このため、インターポーザー基板には、典型的には銅配線などの金属配線が含まれていたり、露出していたりする。
【００７１】
近年、電子装置（パッケージ）の一層の薄型化が要求されている。そのため、インターポーザー基板についても薄型化が要求されている。インターポーザーの材質として剛性が大きいものを用いることにより、インターポーザー基板のたわみや割れを抑えることも可能であるが、近年の薄膜化の要求に対しては材質の選択・改良のみでは不十分な場合もあると考えられる。
第１実施形態の電子パッケージの製造方法によれば、第１の基板１０の剛性により、第２の基板１４（具体的にはインターポーザー基板）のたわみや割れが抑えられる。
また、インターポーザー基板の材質として剛性が大きいものを用いる場合、より一層インターポーザー基板を薄く設計することができる。
【００７２】
第２の基板１４（インターポーザー基板等）は、位置合わせのためのアラインメントマーク（図示せず）を有することが好ましい。これにより、第１の基板１０と第２の基板１４との位置合わせがしやすくなる、後述する配置工程において電子素子１６を適切な位置に配置しやすくなる、後述する切削工程において適切な位置を切削しやすくなる、などの効果がある。
【００７３】
仮接着工程の具体的方法は、特に限定されないが、例えばラミネート法を用いることができる。具体的には、第２の基板１４と、仮接着フィルム１２とを密着させたうえで、３０〜１００℃、０．１〜１ＭＰａの条件での真空ラミネートにより接着することができる。
また、例えばラミネート工程の後に、第１の基板１０、仮接着フィルム１２および第２の基板１４の全体を、オーブンに投入するなどして、１００〜２００℃で１０〜１２０分加熱してもよい。これにより、接着性が確実となる等の効果が期待できる。  
【００７４】
なお、仮接着フィルム１２の接着性が適当である（具体的には、前述した、引きはがし強さが０．１［ｋＮ／ｍ］以上である）ことにより、十二分な強さで第１の基板１０と第２の基板１４とを接着することができる。
【００７５】
・配置工程（図１（ｉｉｉ））
配置工程では、仮接着工程で得た複合基板の、第２の基板１４を備えた面を上面視したときに、複合基板における第２の基板１４の上に電子素子１６を配置する。
【００７６】
配置工程では、複数の電子素子１６を配置することが好ましい。そうすることで、電子パッケージの生産性の一層の向上が期待できる。本実施形態の電子パッケージの製造方法において、一度に配置される電子素子１６の個数は、例えば、２〜２０００個、好ましくは４〜１０００個である。また、複数の電子素子１６の相対的な配置位置は、特に限定はされないが、典型的には略等間隔に配置される。
【００７７】
配置される電子素子１６は、装置・電子回路などの構成要素となる個々の部品で、独立した固有の機能をもっているものであれば、特に限定されない。電子素子１６の例としては、半導体チップなどがある。
【００７８】
配置される電子素子１６は、後の封止工程において配置位置がずれないようにするため、またはその他の目的のため、追加の適当なプロセスにより、固定や仮止め等がされてもよい。
【００７９】
例えば、第２の基板１４がインターポーザー基板である場合には、そのインターポーザー基板と電子素子１６とを接続するプロセスを含むことが好ましい。具体的には、いわゆるリフロー工程を行う、すなわち、第２の基板１４および／または電子素子１６にあらかじめ付けておいた半田を、適当な手段で（例えば基板全体を加熱することで）溶かし、第２の基板１４と電子素子１６とを接続する工程を行ってもよい。リフロー工程の条件は、例えば、温度２５０〜３００℃で１〜１０分である。
ここでの固定や仮止めには、リフロー工程以外に、公知のバンプ形成技術、チップ接続技術等を適用してもよい。
【００８０】
・封止工程（図１（ｉｖ））
封止工程では、配置工程で配置された電子素子１６に対して封止用組成物を適用し、封止用組成物の硬化物（硬化物１８）で電子素子１６が封止された封止基板２０を得る。
【００８１】
封止用組成物は、電子素子１６を封止可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂等を含むものが好ましく挙げられる。
封止用組成物としては、公知のものを適宜適用することができる。
封止用組成物は、一態様として、以下に説明する熱硬化性樹脂（Ａ）を好ましく含有する。また、その他、硬化剤（Ｂ）、硬化触媒（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）等の成分を含有してもよい。以下、これら成分について説明しておく。
【００８２】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂（Ａ）は、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、オキセタン樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、およびマレイミド樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性、保存性、耐熱性、耐湿性、および耐薬品性を向上させる観点から、エポキシ樹脂を含むことができる。
【００８３】
熱硬化性樹脂（Ａ）に含まれるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
【００８４】
エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリスフェノール型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらのうち、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことが、充填性、耐熱性、耐湿性等の諸特性のバランスを向上させる観点から好ましい。
【００８５】
熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用組成物の全体に対して好ましくは２〜５０質量％、より好ましくは３〜３０質量％、更に好ましくは４〜１５質量％である。適切な含有量とすることで、充填性や成形安定性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。
【００８６】
（硬化剤（Ｂ））
封止用組成物は、硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましい。硬化剤（Ｂ）は、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。
【００８７】
重付加型の硬化剤は、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、アラルキル型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００８８】
触媒型の硬化剤は、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００８９】
縮合型の硬化剤は、たとえばレゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂などの尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂などのメラミン樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００９０】
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤を含むことがより好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。
【００９１】
硬化剤（Ｂ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。これらの中でも、封止用組成物の硬化性を向上させる観点からは、ノボラック型フェノール樹脂、およびフェノールアラルキル型フェノール樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。
【００９２】
硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用組成物全体に対して１〜４０質量％であることが好ましく、２〜２５質量％であることがより好ましく、３〜１０質量％であることが更に好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を適切に調整することで、充填性や成形性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。
【００９３】
（硬化触媒（Ｃ））
封止用組成物は、硬化触媒（Ｃ）をさらに含んでもよい。硬化触媒（Ｃ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）（たとえば、エポキシ樹脂のエポキシ基）と、硬化剤（Ｂ）（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）と、の架橋反応を促進させるものであればよく、公知の封止用組成物に使用するものを用いることができる。
【００９４】
硬化触媒（Ｃ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、イミダゾール化合物、トリアジン系化合物のイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン等のアミン系硬化促進剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、バリの抑制や充填性、硬化性のバランスを向上させる観点からは、リン原子含有化合物およびイミダゾール化合物から選択される一種または二種以上を含むことがより好ましい。また、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。
【００９５】
硬化触媒（Ｃ）の含有量は、封止用組成物全体に対して０．０５〜２．０質量％であることが好ましく、０．１〜１．０質量％であることがより好ましく、０．１５〜０．５質量％であることが更に好ましい。硬化触媒（Ｃ）の含有量を適切に調整することで、硬化性の向上や、流動性の向上による充填性の向上などが期待できる。
【００９６】
（無機充填材（Ｄ））
封止用組成物は、無機充填材（Ｄ）（フィラー）を含んでもよい。無機充填材（Ｄ）は、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、および窒化アルミからなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、汎用性の観点から、シリカを含むことが好ましく、溶融シリカを含むことがより好ましい。また、封止用組成物を用いて形成される封止樹脂の難燃性を向上させる観点からは、水酸化アルミニウムを含むことがより好ましい。とりわけシリカと水酸化アルミニウムをともに含む場合を、好ましい例として挙げることができる。
【００９７】
無機充填材（Ｄ）の含有量は、封止用組成物全体に対して６０〜９０質量％であることが好ましく、７０〜８５質量％であることがより好ましい。含有量を適切に調整することにより、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上、充填性の向上などが期待できる。
【００９８】
（その他の成分）
封止用組成物は、必要に応じて、たとえばカップリング剤、離型性付与剤、着色剤、イオン捕捉剤、オイル、低応力剤、難燃剤および酸化防止剤等の各種添加剤のうち１種以上を適宜配合することができる。
【００９９】
カップリング剤は、たとえば各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を含んでもよい。これらの中でも、エポキシシランまたはアミノシランがより好ましく、２級アミノシランが更に好ましい。
離型性付与剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックスや酸化ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
着色剤は、たとえばカーボンブラックおよび黒色酸化チタンのうちのいずれか一方または双方を含んでもよい。
イオン捕捉剤は、たとえばハイドロタルサイトを含んでもよい。
オイルは、たとえばシリコーンオイルを含んでもよい。
低応力剤は、たとえばシリコーンゴムを含んでもよい。
難燃剤は、たとえば水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、およびホスファゼンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤から選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
【０１００】
（封止用組成物の性状）
封止用組成物の性状は、顆粒状、液体状、フィルム状（適当な支持体の上に膜状に形成されたもの）等であってよい。封止用組成物は、典型的には顆粒状である。
【０１０１】
封止工程は、例えば以下のように行うことができる。
まず、封止用組成物（典型的には、上記に説明した成分を含む顆粒状の封止用組成物）を、配置された電子素子１６が十分に埋もれる程度の量、第２の基板１４の上、すなわち配置された電子素子１６の上面および側面に適用する。この際、配置された電子素子１６の位置がずれないように留意する。
次に、圧縮成形等の方法により、封止成形を行う。これにより、硬化物１８により電子素子１６が封止された封止基板２０が得られる。圧縮成形は、たとえば１２０〜１８０℃の温度で行うことができる。
また、封止用組成物を確実に硬化させるため、圧縮成形の後、更に加熱工程を行うことが好ましい。この加熱は、例えば、オーブンを用いて、温度１２０〜２５０℃で、１〜１０時間程度とすることができる。
もちろん、封止工程は、上記以外のやり方により行ってもよい。例えば、封止用組成物として、顆粒状のものではなく、流動性のあるペースト状のものを用いるなどしてもよい。
【０１０２】
・切削工程および分離工程（図２）
上述の封止基板２０の少なくとも一部を切削する切削工程と、サポート基板３と第２の基板１４とを分離する分離工程とにより、電子素子１６が硬化物１８で封止された構造物（電子パッケージ）を得ることができる。
【０１０３】
切削の一例として、封止基板２０における硬化物１８がある面を上面として、電子素子１６が存在する部分を切り出す（図２（ｖ−１））。これにより、封止基板２０から、電子パッケージを分離することができる。
ここでの切削は、例えば、少なくとも硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分までの深さで行う（図２（ｖ−１）は、このように切削した場合を模式的に示している）。もちろん、切削の深さは「硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分まで」に限定されるものではない。硬化物１８の上面から第１の基板１０まで（上から下まで）を切削してもよい。
【０１０４】
電子パッケージの分離の際、仮接着フィルム１２の、Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下であることにより、分離される電子パッケージの底面（第２の基板）に付着するミクロな残渣を少なくすることができる。これにより、分離された電子パッケージにさらにメッキ処理などを行う場合の不具合を低減することができる。
【０１０５】
なお、切削および分離において、仮接着フィルム１２の接着力が適度に強い（具体的には、前述の引きはがし強さが０．１［ｋＮ／ｍ］以上である）ことにより、切削の際の振動などで仮接着フィルム１２と第２の基板１４とが剥がれる等の事態が起こりづらいと考えられる。
また、仮接着フィルム１２の接着力が強すぎない（具体的には、前述の引きはがし強さが０．５［ｋＮ／ｍ］以下である）ことにより、電子パッケージを分離しやすいという追加のメリットが得られる。
【０１０６】
別の切削の例として、封止基板２０における、第１の基板１０の面を上面として、その上面側から切削し、その後、封止基板２０の一部である、第１の基板１０および仮接着フィルム１２を分離してもよい（図２（ｖ−２））。
この切削は、例えば、少なくとも第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分の深さまで行う。もちろん、切削の深さは「第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分まで」に限定されるものではない。第１の基板１０の上面から硬化物１８まで（上から下まで）を切削するようにしてもよい。
【０１０７】
この場合も、仮接着フィルム１２の、Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下であることにより、電子パッケージの底面（第２の基板）に付着するミクロな残渣を少なくすることができ、そして分離された電子パッケージのメッキ処理の不具合などを低減できる。
【０１０８】
切削には、公知の切削技術を適宜適用できる。具体的には、公知のダイシングソーを用いた切削、すなわち、ダイシングブレード（ダイヤモンド製の円形回転刃が慣用される）を高速回転させ、純水等で冷却・切削屑の洗い流しを行いながら切断する方法、レーザーダイシングによる方法、これら方法の組み合わせ、等の方法を適用できる。
【０１０９】
切削により分離された電子パッケージ（複数の電子素子１６を含む）を、さらに切削するなどすれば、１つ１つの電子素子１６が封止された電子パッケージが得られる。
【０１１０】
なお、上記では、複数個の電子素子１６を含む電子パッケージを切り出す例について説明したが、当然、１つ１つの電子素子１６が切り出されるように切削してもよい。
【０１１１】
・補足
第１実施形態の電子パッケージの製造方法においては、特に、配置工程で複数の電子素子１６を配置する場合、電子パッケージの製造を効率化できるというメリットがある。
つまり、１つ１つの電子パッケージそれぞれを第２の基板１４（インターポーザー基板等）と接続し、封止用組成物で覆い、そして加熱して封止するという煩雑な工程ではなく、複数の電子素子１６を一括して第２の基板１４と接続し、一括して封止用組成物で覆い、一括して加熱し封止する、という効率的な工程により電子パッケージを得ることができる。
【０１１２】
換言すると、第１実施形態の仮接着フィルムまたはサポート基板を用いて電子パッケージを製造することで、電子パッケージの製造効率化という恩恵を受けることができる。
【０１１３】
＜第２実施形態＞
［仮接着フィルム］
第２実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられるものである。
この仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有する。
そして、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した仮接着フィルムと、第一面の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔の第一面とを、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して仮接着し、そして第一の銅箔を仮接着フィルムから引きはがし、引きはがされた第一の銅箔の第一面の元素組成を、加速電圧１０ｋＶの電子線を一次線とするエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＹｆ質量％し、
熱圧着前の第一の銅箔の第一面の元素組成を、上記と同様のエネルギー分散型Ｘ線分析法で測定したときの、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＹｉ質量％としたとき、
Ｙｆ−Ｙｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である。
【０１１４】
なお、ここでのＹｆやＹｉの測定方法は、第１実施形態におけるＸｆやＸｉの測定方法と同様である。すなわち、測定装置や使用可能な銅箔などについて、第１実施形態におけるＸｆやＸｉの測定と同様とすることができる。
また、Ｙｆ−Ｙｉの値は、０に近いほど好ましい。Ｙｆ−Ｙｉの値は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下ある。
【０１１５】
第２実施形態の仮接着フィルムは、第１実施形態の仮接着フィルムの「前段階」のフィルムであると言うことができる。
別の言い方としては、第２実施形態の仮接着フィルムの一部または全部に、２０００ｍＪ／ｃｍ２程度のｉ線を照射するなどして、照射部分の接着力を低下させることで、第１実施形態の仮接着フィルムの如き、ミクロな残渣が銅に付着しづらい仮接着フィルムを得ることができる。
【０１１６】
第２実施形態の仮接着フィルム（正確には、第２実施形態の仮接着フィルムに、２０００ｍＪ／ｃｍ２程度のｉ線を照射して、Ｙｆ−Ｙｉの値を７質量％以下としたフィルム）のメリットは、第１実施形態（仮接着フィルム、サポート基板および電子パッケージの製造方法）で説明したものと同様であるため、改めての詳述はしない。
ただし、第２実施形態の仮接着フィルムは、露光により接着力が低下または消失する性質を有することにより、追加のメリットを有する。これについては、後掲の［電子パッケージの製造方法］の項で説明する。
【０１１７】
また、
・第２実施形態の仮接着フィルム（未露光）と、少なくとも片面の算術平均表面粗さＲａが０．２μｍである第二の銅箔のその片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して接着したとき、第二の銅箔の引きはがし強さが０．３５［ｋＮ／ｍ］以上であり、
・２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した第２実施形態の仮接着フィルムと、第二の銅箔のその片面とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後１５０℃で１時間加熱して接着したとき、第二の銅箔の引きはがし強さが０．３［ｋＮ／ｍ］以下である
ことが好ましい。このように仮接着フィルムを設計することで、後述の第２の基板１４との適度な接着性（適度に接着性が強い）、後述の分離工程において電子パッケージをより容易に分離しやすい、等のメリットが得られると考えられる。
【０１１８】
第２実施形態の仮接着フィルムは、典型的には、光硬化性樹脂組成物により構成される。
ここでの光硬化性樹脂組成物は、例えば、第１実施形態において熱硬化性樹脂組成物の成分として説明された成分（エポキシ樹脂、重合性（メタ）アクリレート化合物、熱硬化触媒、フィラー粒子等）の１種または２種以上を含み、かつ、光により硬化する性質を有する組成物であることができる。各成分の好ましい含有量については、第１実施形態での説明のとおりである。
光硬化性樹脂組成物は、好ましくは、第１実施形態において熱硬化性樹脂組成物の成分として説明された成分の１種または２種以上と、光重合開始剤とを含むものである。
【０１１９】
光重合開始剤について説明する。
光重合開始剤としては、公知の光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤を挙げることができる。
【０１２０】
光ラジカル重合開始剤として具体的には、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジクロロベンゾフェノン、３，３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【０１２１】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、オニウム塩構造のものが挙げられる。より具体的には、ジアゾニウム塩のようなルイス酸発生型のものや、ヨードニウム塩、スルホニウム塩のようなブレンステッド酸発生型のもの等が挙げられる。
光カチオン重合開始剤は、特に、エポキシ樹脂が有するエポキシ基に対して作用し、硬化反応を進行させる。
【０１２２】
光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、オニウムカチオンの構造として具体的には、ジフェニルヨードニウム、４−メトキシジフェニルヨードニウム、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウム、トリフェニルスルホニウム、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルフォニオ）−フェニル］スルフィド、ビス［４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエチル）フェニル）スルホニオ）―フェニル］スルフィド、η５−２，４−（シクロペンタジエニル）［１，２，３，４，５，６−η−（メチルエチル）ベンゼン］−鉄（１＋）等が挙げられる。
【０１２３】
また、光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、そのアニオンとしては、ボレート、ホスフェート、アンチモネート、スルホン酸アニオン等が挙げられる。より具体的なアニオンとしては、例えば以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）などが挙げられる。
【０１２４】
（ｉ）ハロゲン化錯体：例えば、テトラフルオロボレート等のボレート、ヘキサフルオロホスフェート等のホスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサクロロアンチモネート等のアンチモネート。
（ｉｉ）有機酸アニオン：例えば、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロトルエンスルホン酸イオン等。
（ｉｉｉ）芳香族陰イオン：具体例には、テトラ（フルオロフェニル）ボレート、テトラ（ジフルオロフェニル）ボレート、テトラ（トリフルオロフェニル）ボレート、テトラ（テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラ（パーフルオロフェニル）ボレート、テトラ（トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート等。
【０１２５】
好ましい光カチオン重合開始剤としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、２，４，６−トリフェニルチオピリリウムヘキサフルオロホスフェート、４−イソブチルフェニル（４−メチルフェニル）ヨードニウム・ヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。
【０１２６】
光重合開始剤は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、光ラジカル重合開始剤と光カチオン重合開始剤とを併用してもよい。もちろん、２種以上の光ラジカル重合開始剤を用いてもよいし、２種以上の光カチオン重合開始剤を用いてもよい。
第２実施形態の仮接着フィルム中の光重合開始剤の量（複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量）は、例えば０．１〜１５質量％、好ましくは０．３〜１０質量％、より好ましくは０．５〜８質量％である。
【０１２７】
第２実施形態の仮接着フィルムを得る方法については、第１実施形態の仮接着フィルムを得る方法と同様とすることができる。すなわち、第１実施形態での説明のように、上述の成分を適当な溶剤に溶解させて塗布液とし、その塗布液を用いて膜形成することで得ることができる。塗布の具体的方法、塗布膜を形成する基材、塗布液を調製するための溶剤、塗布液の濃度などについても前述のとおりである。
また、第２実施形態の仮接着フィルムの厚み、大きさ、形状などについても、第１実施形態の仮接着フィルムと同様とすることができる。
【０１２８】
［サポート基板］
第２実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板（単に「サポート基板」とも記載する）は、第１の基板と、その第１の基板の片面に設けられた仮接着フィルム（上記で［仮接着フィルム］として説明したもの）とを備える。
【０１２９】
このサポート基板については、模式的には、図３（ｉ）のように図示することができる。
図３（ｉ）において、サポート基板３は、第１の基板１０と、その片面に設けられた仮接着フィルム１２とを備える。
仮接着フィルム１２の具体的態様や、第１の基板１０の片面に仮接着フィルム１２を設ける方法などについては、上記［仮接着フィルム］の項での説明のとおりである。
第１の基板１０の具体的態様（材質、厚み、大きさ、形状等）については、第１実施形態における第１の基板１０と同様である。
【０１３０】
［電子パッケージの製造方法］
第２実施形態の電子パッケージの製造方法は、露光工程、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。以下、これら工程について説明する。
【０１３１】
・露光工程（図３（ｉｉ））
露光工程においては、上述のサポート基板３が有する仮接着フィルム１２を露光し、接着力の強い領域Ａと、領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設けることができる。
露光する光は、光硬化性樹脂組成物の感光特性などに基づき適宜選択可能であるが、例えば波長１００〜１０００ｎｍの光、より具体的にはｇ線、ｉ線などが適用される。露光量（ドーズ）も、組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能である。例えば、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光の方法としては、密着露光法、投影露光法、コンタクト・プロキシミティ露光法などが適宜適用可能である。
【０１３２】
露光条件については、例えば、領域Ｂにおいて、前述の方法で測定された炭素原子増加量（Ｙｆ−Ｙｉの値）が７質量％以下となる、つまり、ミクロな残渣の付着が抑えられる程度に露光して接着力を低下させることが好ましい。これにより、後の仮接着工程〜分離工程を経て得られる半導体パッケージの、メッキの不具合等を低減することができる。
また、露光条件については、別観点として、（ｉ）領域Ａにおいて、前述した第二の銅箔の引きはがし強さが０．３５［ｋＮ／ｍ］以上であり、かつ、（ｉｉ）領域Ｂにおいて、前述した第二の銅箔の引きはがし強さが０．３［ｋＮ／ｍ］以下となるようにすることが好ましい。
（引きはがし強さの測定方法については、第１実施形態と同様とすることができる。）
【０１３３】
・仮接着工程（図３（ｉｉｉ））
仮接着工程では、上述のサポート基板３が有する仮接着フィルム１２（領域ＡおよびＢを備える）と、第２の基板１４とを密着させて、第１の基板１０、仮接着フィルム１２および第２の基板１４の少なくとも３層を備える複合基板を得る。
複合基板を得る具体的方法については、第１実施形態の仮接着工程と同様の方法を適用することができる。
【０１３４】
・配置工程（図３（ｉｖ））
配置工程では、仮接着工程で得た複合基板の第２の基板１４を備えた面を上面として、複合基板を上面視したときに、領域Ｂと重なるようにして、複合基板における第２の基板１４の上に電子素子１６を配置する。
このように電子素子１６を配置することで、後述する切削工程、分離工程等を経て切り出される電子パッケージの底面が、接着力が比較的弱い領域Ｂと接することとなる。よって、切削工程後に、電子パッケージを第１の基板１０から分離することが容易となる。つまり、電子パッケージ製造の生産性を高めることができる。この点は、第２実施形態特有のメリットである。
このことについては、後述の切削工程および分離工程でより詳しく説明する。
【０１３５】
配置工程で配置される電子素子１６の数、相対的な配置位置、電子素子１６の具体例、固定／仮止め／リフロー工程などの追加工程の有無、などについては、第１実施形態の配置工程で説明されたものと同様とすることができる。
【０１３６】
・封止工程（図３（ｖ））
封止工程では、配置工程で配置された電子素子１６に対して封止用組成物を適用し、封止用組成物の硬化物（硬化物１８）で電子素子１６が封止された封止基板２０を得る。
封止用組成物の態様（構成成分や性状）、封止の具体的方法などは、第１実施形態の配置工程で説明されたものと同様とすることができる。
【０１３７】
・切削工程および分離工程（図４）
上述の封止基板２０の少なくとも一部を切削する切削工程と、サポート基板３と第２の基板１４とを分離する分離工程とにより、電子素子１６が硬化物１８で封止された構造物（電子パッケージ）を得ることができる。
【０１３８】
一例として、封止基板２０における硬化物１８がある面を上面として、封止基板２０を上面視したときに領域Ｂに相当する部分（特に、領域Ｂにおける、領域Ａとの境界に近い部分）を切削する。
（念のために述べておくが、本実施形態において、領域Ａに相当する部分を切削してはいけないということはない。また、切削は、通常は電子素子１６を傷つけないように行われる。）
【０１３９】
切削後、封止基板２０の一部である、領域Ｂに相当する部分の第２の基板１４、硬化物１８および電子素子１６を分離する。以上により、封止基板２０から、電子パッケージを切り出し、そして分離することができる（図４（ｖｉ−１））。
【０１４０】
なお、ここでの切削は、例えば、少なくとも硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分までの深さで行う（図４（ｖｉ−１）は、このように切削した場合を模式的に示している）。もちろん、切削の深さは「硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分まで」に限定されるものではない。硬化物１８の上面から第１の基板１０まで（上から下まで）を切削するようにしてもよい。
【０１４１】
切削および分離に際し、領域Ｂの接着力が領域Ａの接着力よりも小さいことにより、電子パッケージの分離が容易であるというメリットがある。また、領域Ａの部分の接着力は比較的大きいことにより、切削工程や前述の各工程において、サポート基板３が第２の基板１４から剥がれる等の不具合が起こりにくいというメリットもある。
つまり、第２実施形態においては、（ｉ）接着力が比較的強い領域Ａが存在することにより、第２の基板１４等は全体としてサポート基板３に強く接着することができ、（ｉｉ）一方、接着力が比較的弱い領域Ｂがあることにより、サポート基板からの半導体パッケージの分離が容易となる。つまり、第２実施形態には、第１実施形態には無い追加のメリットがある。
【０１４２】
図４（ｖｉ−１）とは別の切削／分離方法として、封止基板２０における、第１の基板１０の面を上面として、封止基板２０を上面視したときに領域Ｂに相当する部分の周縁部を切削してもよい（図４（ｖｉ−２））。
この切削は、例えば、少なくとも第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分の深さまで行う。もちろん、切削の深さは「第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分まで」に限定されるものではない。第１の基板１０の上面から硬化物１８まで（上から下まで）を切削するようにしてもよい。
図４（ｖｉ−２）に示されるような切削および分離方法の場合も、図４（ｖｉ−１）のような切削の場合と同様のメリットがある。
【０１４３】
なお、切削に用いることができる装置、切削により分離された電子パッケージ（複数の電子素子１６を含む）をさらに切削してもよいこと、１つ１つの電子素子１６が切り出されるように切削してもよいこと等は、第１実施形態と同様である。
また、第２実施形態の電子パッケージの製造方法により電子パッケージを製造することで、上述の「追加のメリット」だけでなく、当然、第１実施形態が持つメリットをも享受することができる。例えば、１つ１つの電子パッケージそれぞれを封止用組成物で覆い、加熱して封止するという煩雑な工程ではなく、それより単純な工程により最終的な電子パッケージを得られる。つまり、生産性向上のメリットを享受することができる。
【０１４４】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
【実施例】
【０１４５】
本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
【０１４６】
Ｉ．熱硬化性樹脂組成物（非感光性）により仮接着フィルムを製造した例
【０１４７】
１．仮接着フィルム／サポート基板の製造
以下（１）〜（３）の手順により、仮接着フィルムを製造し、それをステンレス製の第１の基板の片面に密着させてサポート基板を製造した。
【０１４８】
（１）後掲の表１に記載の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度６０質量％の塗布液を調製した。
（２）上記の塗布液を、コンマコーターを用いて、ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗布し、溶媒を乾燥させた。このときの膜厚（乾燥時）は１０μｍとした。これにより、ＰＥＴフィルムの片面に仮接着フィルムが形成された積層フィルムを得た。
（３）上記（２）の積層フィルムの仮接着フィルムが形成された面を、ステンレス製の第１の基板（厚さ１００μｍ、縦７０ｍｍ×横２００ｍｍ）と密着させ、そして真空ラミネートを行った。真空ラミネートには、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、ラミネート条件は５０℃／０．３ＭＰａとした。
なお、ＰＥＴフィルムは、下記２．の各測定の直前、または、下記３．（１）の工程の直前に剥離した。
【０１４９】
２．ＸｆおよびＸｉの測定、ならびに、引きはがし強さの測定
（１）ＸｆおよびＸｉの測定
三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み：１２μｍ、光沢面の算術平均表面粗さＲａ：０．２μｍ）の光沢面に、以下（ｉ）〜（ｉｖ）の処理を施して、算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである第一の銅箔を準備した。
（ｉ）まず、上記銅箔を、２５℃に調整されたエッチング前処理液（メック株式会社製、商品名：ＣＡ−５３３０Ａを、純水で５０ｖｏｌ％に希釈したもの）に１０秒間浸漬した。
（ｉｉ）続いて、上記前処理をした銅箔を、水平ラインに置き、２５℃に温度調節した銅エッチング液（メック株式会社製、商品名：ＣＺ−８１０１の原液）を、スプレー圧０．２ＭＰａで３０秒間スプレーした。
（ｉｉｉ）上記スプレー処理後の銅箔を、２５℃に温度調節した防錆剤（メック株式会社製、商品名：ＣＬ−８３０１を、純水で５０ｖｏｌ％に希釈したもの）に１５秒間浸漬した。
（ｉｖ）上記の浸漬後、銅箔を１２０℃で３０分間乾燥した。
【０１５０】
上記の銅箔の算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである面を、上記１．で得られた第１の基板上の仮接着フィルムと密着させた。そして、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用いて温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後さらにオーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。加熱終了後、室温で放冷した。
【０１５１】
熱圧着した銅箔を、銅箔が破断しないようにゆっくりと引きはがし、熱圧着されていた面のエネルギー分散型Ｘ線分析を行った。
具体的には、まず、走査電子顕微鏡ＪＳＭ−７９００Ｆ（日本電子製）を使用して、測定対象（仮接着フィルムから引きはがした銅部分）の適当な箇所を拡大し（倍率１０００倍）、その範囲について、エネルギー分散型Ｘ線分析装置ＪＥＤ−２３００  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｔａｔｉｏｎ  Ｐｌｕｓ（同じく日本電子製）を使用して、一次線として加速電圧１０ｋＶの電子線を照射し、スペクトルを得、銅原子に対する炭素原子の量を求めた。
【０１５２】
上記測定により求められる、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｆ質量％とした。また、仮接着フィルムと密着させる前の銅箔の、算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである面を、上記と同様に測定して求められる、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＸｉ質量％とした。そして、（Ｘｆ−Ｘｉ）質量％を求めた。
【０１５３】
（２）引きはがし強さの測定
まず、算術平均表面粗さＲａが０．２μｍの銅箔として、三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み：３５μｍ）を、幅２５ｍｍの短冊状に切ったものを準備した。
次に、この銅箔の、算術平均表面粗さが０．２μｍの面を、上記１．でステンレス基板上に形成された仮接着フィルムに接触させた。これを温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着（真空ラミネート）し、さらに、オーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。その後、室温で放冷した。
【０１５４】
その後、上記で仮接着フィルムに接着された銅箔を、５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で、図５に示されるように垂直方向に引き剥がした。このときの引きはがし強さ（単位：ｋＮ）を、銅箔の幅０．０２５ｍで割った値を、引きはがし強さ（単位：ｋＮ／ｍ）とした。
引きはがし（引きはがし強さの測定）には、島津製作所社製の精密万能試験機（オートグラフ  ＡＧ−Ｘ  ｐｌｕｓ）を用いた。また、ここに明記のない測定条件等については、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１の特に５．７項に準拠した。
【０１５５】
３．電子パッケージの製造
以下（１）〜（４）の手順で、電子パッケージを製造した。
【０１５６】
（１）仮接着工程
サポート基板が有する仮接着フィルムと、あらかじめ準備しておいた第２の基板（アラインメントマーク付きのインターポーザー基板）とを、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、６０℃、０．３ＭＰａの条件で真空ラミネートを行うことで、接着した。
用いたインターポーザー基板は、厚み８０μｍであり、縦横の大きさが第１の基板と略同じであった。また、このインターポーザー基板は、主としてエポキシ樹脂により構成され、略等間隔にユニット構造（インターポーザーの上下を電気的に接続する銅配線や、半田バンプ構造等を含む）が設けられ、また、ユニット構造が設けられていない部分は略平坦だった。
真空ラミネートによる接着後、接着性を確実にするため、オーブンを用いて、１５０℃で１時間加熱処理を行い、その後、放冷した。
以上により、第１の基板−仮接着フィルム−第２の基板（インターポーザー基板）の３層構成の複合基板を得た。
【０１５７】
（２）配置工程（リフロー工程を含む）
上記（１）で得られた複合基板のインターポーザー基板のユニット構造部分に、複数個の電子素子を配置した。
その後、電子素子を配置した複合基板をリフロー炉（株式会社大和製作所製  ＮＲＹ−３２５−５Ｚ）に投入し、リフロー処理（炉内雰囲気温度２６０℃、投入時間５分）を行った。これにより、インターポーザー基板と電子素子とを接続した。
【０１５８】
（３）封止工程
まず、上記の配置工程を行った後の基板の上面（電子素子が配置されている面）に、電子素子が十分隠れる量の封止用組成物を適用した。封止用組成物としては、公知の顆粒状の封止用組成物（エポキシ樹脂、シリカ粒子、硬化剤等を含有）を用いた。
その後、温度１７５℃、圧力１０ＭＰａ、時間１２０秒の条件で封止用組成物を封止し、そして、オーブンで温度１７５℃、時間５時間の条件で硬化させ、封止基板を得た。
【０１５９】
（４）切削工程および分離工程
上記で得られた封止基板における、封止物と第２の基板（インターポーザー基板）とを適切に切削することで、複数個の電子素子が封止された電子パッケージを切り出した。
切削装置としては、株式会社ディスコ製のダイシング装置  ＤＡＤ３２４０を使用した。また、ダイシングブレードとして、型番ＺＨ０５−ＳＤ２０００のものを使用した。
【０１６０】
４．評価
（１）メッキ性（金メッキ）
上記３．で得られた電子パッケージの、インターポーザー基板部分（銅配線等が存在する）に対し、金メッキ処理を行った。
具体的には、電解金めっき液であるテンペレジストＥＸ（日本高純度化学製）へ、電子パッケージの少なくともインターポーザー基板部分を浸漬し（６５℃で２分間）、電流密度０．２〜０．４Ａ／ｄｍ２の条件で処理を行った。
金メッキ処理後、電子パッケージのインターポーザー基板部分を観察し、問題なく金メッキできたものを○（良い）、金が析出せず金メッキができなかったり、金の異常析出が認められたりしたものを×（悪い）とした。
【０１６１】
（２）基板接着性
上記３．（２）の配置工程（リフロー工程を含む）において、リフロー処理後に、基板の剥がれ等が発生していないかを確認した。基板（第１の基板および／または第２の基板）の剥がれや膨れが発生しなかった場合を○（良い）、剥がれまたは膨れが発生した場合を×（悪い）とした。
【０１６２】
（３）電子パッケージ分離性
上記３．（４）の切削工程にて切り出された電子パッケージについて、以下基準で評価した。
○（良い）：切削終了時には、電子パッケージは仮接着フィルムと接着していたが、容易に剥離でき、電子パッケージを分離することができた。
△（やや悪い）：切削終了時に、既に電子パッケージは仮接着フィルムから剥離していた。
×（悪い）：電子パッケージを仮接着フィルムから容易に剥離することができなかった、または、電子パッケージを仮接着フィルムから剥離した際、第２の基板に損傷が認められた。
【０１６３】
表１に、仮接着フィルム（熱硬化性樹脂組成物）の組成、上記３．の測定結果、および、上記４．の評価結果をまとめて示す。
表１において、各成分の量の単位は、質量部である。
【０１６４】
【表１】
2019172915.tif 000003
【０１６５】
表１（および後掲の表２）に記載されたものの入手先などは以下の通りである。
・エポキシ樹脂１：ＹＸ６９５４ＢＨ３０（フェノキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂２：１２５６Ｂ４０（フェノキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂３：ＹＬ６８１０（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂４：ＮＣ３０００（ＢＡ型エポキシ樹脂）  日本化薬社製
・アクリレート１：ＮＫオリゴＵＡ−１２２Ｐ（ウレタンアクリレート系化合物）  新中村化学社製
・アクリレート２：ＮＫオリゴＵＡ−１６０ＴＭ （ウレタンアクリレート系化合物）  新中村化学社製
・光重合開始剤：Ｉｒｇａｃｕｒｅ  ６５１（光ラジカル重合開始剤、化合物名：２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン）  ＢＡＳＦ社製
・熱硬化触媒：２ＰＺ−ＰＷ（イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤）  四国化成製
・無機フィラー粒子：ＳＯ−Ｃ２（平均粒径０．５μｍの溶融シリカ）  アドマテックス社製
【０１６６】
表１に示されるとおり、Ｘｆ−Ｘｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である実施例１〜７の仮接着フィルムを用いて電子パッケージを製造した場合、メッキ性は良好であった。
また、引きはがし強さが０．１［ｋＮ／ｍ］以上である実施例１〜５および７については、基板接着性や電子パッケージ分離性なども良好であった。仮接着フィルムの接着力を適切に調整することで、電子パッケージ製造において種々の好ましい効果が得られることがわかる。
【０１６７】
一方、Ｘｆ−Ｘｉが７質量％を超える比較例１〜３では、メッキ性が悪かった。また、電子パッケージ分離性が悪く、実用に供しづらいことが分かった。
【０１６８】
ＩＩ．感光性樹脂組成物により仮接着フィルムを製造した例
【０１６９】
１．仮接着フィルム／サポート基板の製造
以下（１）〜（３）の手順により、ステンレス製の第１の基板の片面に、仮接着フィルムを設けた（つまり、サポート基板を製造した）。
【０１７０】
（１）後掲の表２に記載の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度６０質量％の塗布液（光硬化性樹脂組成物）を調製した。
（２）上記の塗布液を、コンマコーターを用いて、ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗布し、溶媒を乾燥させた。塗布量については、乾燥後の膜厚が１０μｍ程度となるように適宜調整した。これにより、ＰＥＴフィルムの片面に仮接着フィルムが形成された積層フィルムを得た。
（３）上記（２）の積層フィルムの仮接着フィルムが形成された面を、ステンレス製の第１の基板（厚さ１００μｍ、縦７０ｍｍ×横２００ｍｍ）と密着させ、そして真空ラミネートを行った。真空ラミネートには、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、ラミネート条件は５０℃／０．３ＭＰａとした。
なお、ＰＥＴフィルムは、下記２．の各測定の直前、または、下記３．（１）の工程の直前に剥離した。
【０１７１】
２．ＹｆおよびＹｉの測定、ならびに、引きはがし強さの測定
（１）ＹｆおよびＹｉの測定
まず、上記１．で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機（オーク社製の高圧水銀ランプ  ＥＸＭ−１２０１）を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を照射した。これにより、接着力が低下した領域（領域Ｂ）と、露光されず接着力が比較的強い領域（領域Ａ）とを設けた。
次に、上記Ｉ．２．（１）で準備したものと同じ銅箔の、算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである面を、領域Ｂの部分に密着させた。そして、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用いて、温度４０℃、圧力０．２ＭＰａ、時間３０秒で熱圧着し、その後さらにオーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。加熱終了後、室温で放冷した。
その後、上記Ｉ．２．（１）と同様にして、銅箔を引きはがしてエネルギー分散型Ｘ線分析測定を行った。
【０１７２】
引きはがした銅箔における仮接着フィルムと接着していた面の、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＹｆ質量％とした。また、仮接着フィルムと密着させる前の銅箔の、算術平均表面粗さＲａが０．４μｍである面の、銅原子に対する炭素原子の量（割合）をＹｉ質量％とした。そして、Ｙｆ−Ｙｉを求めた。
【０１７３】
（２）引きはがし強さの測定
まず、上記１．で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機（オーク社製の高圧水銀ランプ  ＥＸＭ−１２０１）を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を照射した。これにより、接着力が低下した領域（領域Ｂ）と、露光されず接着力が比較的強い領域（領域Ａ）とを設けた。
次に、上記Ｉ．２．（２）で用いたものと同様の銅箔の、算術平均表面粗さＲａが０．２μｍの面を、領域ＡとＢの両方にまたがるように接触させた。これを  温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着（真空ラミネート）し、さらに、オーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。その後、室温で放冷した。
その後、上記Ｉ．２．（２）と同様にして、銅箔を垂直方向に引きはがし、引きはがし強さ（単位：ｋＮ／ｍ）を求めた。
【０１７４】
３．電子パッケージの製造
以下（１）〜（５）の手順で、電子パッケージを製造した。
【０１７５】
（１）露光工程
上記１．で得られたサポート基板の片面に存在する仮接着フィルムの一部に、露光機（オーク社製の高圧水銀ランプ  ＥＸＭ−１２０１）を用いて、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線をパターン照射した。これにより、接着力が低下した領域（領域Ｂ）と、露光されず接着力が比較的強い領域（領域Ａ）とを設けた。
露光パターンについては、図３（ｉｉ）のように、仮接着フィルムの中心部に長方形状の領域Ｂが設けられ、それを領域Ａが囲うようにした。
【０１７６】
（２）仮接着工程
上記Ｉ．３．（１）と同様にして、第１の基板−仮接着フィルム−第２の基板（インターポーザー基板）の３層構成の複合基板を得た。
【０１７７】
（３）配置工程（リフロー工程を含む）
上記Ｉ．３．（２）と同様にした。ただし、複数個の電子素子の配置位置については、上記（２）で得られた複合基板を上面視したときに、全ての電子素子が領域Ｂと重なるようにした。
【０１７８】
（４）封止工程
上記Ｉ．３．（３）と同様にした。
【０１７９】
（５）切削工程および分離工程
上記Ｉ．３．（４）と同様にした。ただし、切削の「位置」については、封止基板を上面視したときの、領域Ｂに相当する部分の周縁部を長方形状に切削した。
【０１８０】
４．評価
メッキ性（金メッキ）、基板接着性および電子パッケージ分離性について、上記Ｉ．４．と同様にして評価した。
【０１８１】
表２に、仮接着フィルム（光硬化性樹脂組成物）の組成、上記３．の測定結果、および、上記４．の評価結果をまとめて示す。
表２において、各成分の量の単位は、質量部である。
表２に記載されたものの入手先などは、表１で説明したとおりである。
【０１８２】
【表２】
2019172915.tif 000004
【０１８３】
表２に示されるとおり、Ｙｆ−Ｙｉで表される炭素原子増加量が７質量％以下である実施例２−１〜２−８の仮接着フィルムを用いて電子パッケージを製造した場合、メッキ性は良好であった。
また、未露光部（領域Ａ）の引きはがし強さが０．３５［ｋＮ／ｍ］以上であり、露光部（領域Ｂ）の引きはがし強さが０．３［ｋＮ／ｍ］以下である実施例２−１〜２−７については、基板接着性や電子パッケージ分離性なども良好であった。仮接着フィルムの接着力を適切に調整することで、電子パッケージ製造において種々の好ましい効果が得られることがわかる。
【０１８４】
一方、Ｙｆ−Ｙｉが７質量％を超える比較例２−１〜２−３では、メッキ性が悪かった。
【符号の説明】
【０１８５】
３  サポート基板
１０  第１の基板
１２  仮接着フィルム
１４  第２の基板
１６  電子素子
１８  硬化物
２０  封止基板
【図１】
2019172915.tif 000005
【図２】
2019172915.tif 000006
【図３】
2019172915.tif 000007
【図４】
2019172915.tif 000008
【図５】
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