(57)【要約】【課題】良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供する。【解決手段】洗浄後の基板の表面に酸化インジウム前駆体を含む塗布液を塗布して基板上に塗布膜を形成する。その基板を冷却しつつ、大気雰囲気中にて塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる。さらに、紫外線照射処理後の基板を加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる。基板を冷却して塗布膜を加熱することなく当該塗布膜に紫外線を照射することにより、良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布して前記基板上に塗布膜を形成する塗布工程と、
前記基板を冷却しつつ、前記塗布膜に紫外線を照射して前記酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる光活性化工程と、
前記光活性化工程の後に、前記基板を加熱して前記酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる熱活性化工程と、
を備えることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜形成方法において、
前記光活性化工程では、前記基板を１０℃以上５０℃以下に維持しつつ前記塗布膜に紫外線を照射することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の薄膜形成方法において、
前記光活性化工程では、前記塗布膜に波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項４】
酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布して前記基板上に塗布膜を形成する塗布処理部と、
前記塗布膜に紫外線を照射して前記酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる光照射処理部と、
前記光照射処理部にて前記酸化インジウム前駆体が光学的に活性化された前記基板を加熱して前記酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる熱処理部と、
を備え、
前記光照射処理部は、前記基板を冷却する冷却部を備え、前記基板を冷却しつつ前記塗布膜に紫外線を照射することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項５】
請求項４記載の薄膜形成装置において、
前記冷却部は前記基板を１０℃以上５０℃以下に維持することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の薄膜形成装置において、
前記光照射処理部は、前記塗布膜に波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射することを特徴とする薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用途に用いる酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成方法および薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的には、酸化インジウム等の金属酸化物の薄膜を成膜するにはスパッタ技術が用いられる。スパッタ技術では、真空チャンバー内にてターゲットにアルゴン等のイオンを衝突させ、叩き出された粒子を基板の表面に堆積させて薄膜を成膜する。しかし、スパッタ技術は、高真空を発生させる装置が必要になることに加えて、金属酸化膜を成膜する場合、酸素欠損が発生して薄膜の特性が低下するという短所を有する。また、スパッタ技術には、薄膜の組成比の調整が困難であるという問題もある。
【０００３】
このため、金属酸化物の薄膜を液相法を用いて製造することが検討されている。例えば、特許文献１，２には、酸化インジウム前駆体を含有する組成物を基板上に塗布し、その組成物に所定波長範囲の紫外線を照射した後、組成物を酸化インジウム含有層に熱的に変換する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０７３００５号
【特許文献２】国際公開第２０１２／０６２５７５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１，２に開示されるように、酸化インジウム前駆体を含有する組成物に単に紫外線を照射してから熱的に変換しただけでは、形成された酸化インジウム含有層が十分に良好な電気的特性を有さないという問題が生じることが判明した。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成方法において、酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布して前記基板上に塗布膜を形成する塗布工程と、前記基板を冷却しつつ、前記塗布膜に紫外線を照射して前記酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる光活性化工程と、前記光活性化工程の後に、前記基板を加熱して前記酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる熱活性化工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る薄膜形成方法において、前記光活性化工程では、前記基板を１０℃以上５０℃以下に維持しつつ前記塗布膜に紫外線を照射することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る薄膜形成方法において、前記光活性化工程では、前記塗布膜に波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項４の発明は、酸化インジウムを含む薄膜を形成する薄膜形成装置において、酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布して前記基板上に塗布膜を形成する塗布処理部と、前記塗布膜に紫外線を照射して前記酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる光照射処理部と、前記光照射処理部にて前記酸化インジウム前駆体が光学的に活性化された前記基板を加熱して前記酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる熱処理部と、を備え、前記光照射処理部は、前記基板を冷却する冷却部を備え、前記基板を冷却しつつ前記塗布膜に紫外線を照射することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る薄膜形成装置において、前記冷却部は前記基板を１０℃以上５０℃以下に維持することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項４または請求項５の発明に係る薄膜形成装置において、前記光照射処理部は、前記塗布膜に波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１から請求項３の発明によれば、酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布し、基板を冷却しつつ、塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させた後に、基板を加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させるため、良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成することができる。
【００１４】
請求項４から請求項６の発明によれば、酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板に塗布し、基板を冷却しつつ、塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させ、その基板を加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させるため、良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る薄膜形成装置の全体要部構成を示す図である。
【図２】光照射処理部の構成を示す図である。
【図３】図１の薄膜形成装置における処理手順を示すフローチャートである。
【図４】酸化インジウム含有層の電気的特性に与える紫外線照射時の温度の影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る薄膜形成装置の全体要部構成を示す図である。本発明に係る薄膜形成装置１は、基板の表面に酸化インジウムを含む薄膜を形成する装置である。処理対象となる基板は、ガラス基板であっても良いし、半導体ウェハーであっても良い（本実施形態では矩形のガラス基板）。また、処理対象となる基板の形状やサイズも特に限定されるものではなく、適宜のものとすることができる。薄膜形成装置１は、洗浄処理部２０、塗布処理部３０、乾燥処理部４０、光照射処理部５０、熱処理部６０および搬送ロボット１０を備える。
【００１８】
洗浄処理部２０は、薄膜形成処理に先立って基板の表面を洗浄する処理部である。洗浄処理部２０は、薬液によって基板の表面を洗浄する薬液洗浄ユニットやブラシによって機械的に汚染物質を除去するブラシ洗浄ユニット等の公知の洗浄ユニットを１つ以上含む。また、洗浄処理部２０は、洗浄後の基板に純水リンス処理を施すリンスユニットおよび基板を乾燥させる乾燥ユニットを併せて含むものであっても良い。さらに、洗浄処理部２０は、基板の表面に紫外線を照射して汚染物質を分解除去するＵＶ洗浄ユニットを含むものであっても良い。
【００１９】
塗布処理部３０は、基板の表面に酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を塗布して基板上に当該塗布液の塗布膜を形成する処理部である。塗布処理部３０としては、例えば塗布液を吐出するスリットノズルを静止状態で保持される基板に対して一定速度で走査させて塗布液を塗布するスリットコータ、または、基板を回転させつつ当該基板の回転中心に塗布液を吐出して基板表面に塗布液を拡布するスピンコータ等を採用することができる。
【００２０】
乾燥処理部４０は、基板上に形成された塗布膜を乾燥させる処理部である。乾燥処理部４０は、例えば大気圧未満に減圧された減圧チャンバー内に塗布処理後の基板を収容して塗布膜を乾燥させる乾燥ユニットを含む。但し、塗布膜に含まれる酸化インジウム前駆体は加熱によって反応が進行するため、熱を加えて塗布膜を乾燥させる乾燥ユニットを乾燥処理部４０として用いることはできない。
【００２１】
光照射処理部５０は、基板上に形成された塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる処理部である。図２は、光照射処理部５０の構成を示す図である。光照射処理部５０は、チャンバー５１とランプハウス５２とを備える。ランプハウス５２は、チャンバー窓５８を挟み込んでチャンバー５１の上側に設置される。
【００２２】
チャンバー５１は、金属製（例えば、ステンレススチール製）の筐体である。チャンバー５１の上側開口部にはチャンバー窓５８が装着されて閉塞されている。チャンバー５１の天井部を構成するチャンバー窓５８は、石英により形成された板状部材であり、ランプハウス５２のＵＶランプ５３から出射された紫外線をチャンバー５１内に透過する石英窓として機能する。チャンバー窓５８は、紫外線域での透過特性に優れた合成石英にて形成されていても良い。
【００２３】
チャンバー５１の内側にはステージ５５が設置されている。ステージ５５は、熱伝導性に優れた金属材料（例えば、アルミニウム）にて形成された載置台である。ステージ５５の上面には図示を省略する微小な支持ピンまたは基板Ｗを真空吸着するための吸着孔が設けられていても良い。
【００２４】
ステージ５５の内部には冷却機構５６が内蔵されている。冷却機構５６としては、例えば所定温度に温調された恒温水を循環させる機構やペルチェ素子等を用いることができる。冷却機構５６は、ステージ５５を所定温度に温調する。なお、冷却機構５６を制御するための温度センサー（例えば、熱電対）をステージ５５に設けるようにしても良い。
【００２５】
また、チャンバー５１の側壁面の一部には搬出入口５７が形設されている。搬出入口５７は図示省略のシャッターによって開閉される。当該シャッターが搬出入口５７を開放しているときには、搬送ロボット１０が搬出入口５７を介してチャンバー５１内への基板Ｗの搬入およびチャンバー５１からの基板Ｗの搬出を行うことができる。
【００２６】
チャンバー５１の上側に設けられたランプハウス５２は、その内側に複数本（例えば、４本）のＵＶランプ５３とリフレクタ５４とを備える。ＵＶランプ５３は、所定波長の紫外線を放射するランプである。ＵＶランプ５３としては、例えばエキシマＵＶランプまたは低圧水銀ランプが用いられる。エキシマＵＶランプは、高周波・高電圧の印加によって励起された放電ガスが基底状態に戻るときに遠紫外線（エキシマ光）を発生させるランプである。エキシマＵＶランプは、波長１７２ｎｍの紫外線を放射する。一方、低圧水銀ランプは、水銀蒸気中のアーク放電により発生する光放射を利用したランプであり、特に点灯中の水銀蒸気圧が１００Ｐａ以下の低圧のものである。低圧水銀ランプは、波長１８５ｎｍおよび波長２５４ｎｍの紫外線を放射する。すなわち、ＵＶランプ５３は、エキシマＵＶランプまたは低圧水銀ランプのいずれであっても、波長２００ｎｍ以下の遠紫外線を放射する。
【００２７】
複数本のＵＶランプ５３の全体を覆うように設けられたリフレクタ５４はＵＶランプ５３から出射された紫外線をチャンバー５１の側に反射する。ＵＶランプ５３から出射された紫外線は、チャンバー窓５８を透過してチャンバー５１内にてステージ５５に載置された基板Ｗの表面に照射される。
【００２８】
図１に戻り、熱処理部６０は、塗布膜に含まれる酸化インジウム前駆体が光学的に活性化された基板Ｗを加熱してその酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる処理部である。熱処理部６０としては、例えば熱風を送風することによって基板Ｗを加熱する熱処理炉を用いることができる。熱処理部６０は、基板Ｗを約３５０℃に加熱する。
【００２９】
また、搬送ロボット１０は、洗浄処理部２０、塗布処理部３０、乾燥処理部４０、光照射処理部５０および熱処理部６０に対して順次に基板Ｗを搬送する。なお、本実施形態では搬送ロボット１０によって基板Ｗを搬送するようにしているが、洗浄処理部２０から熱処理部６０までをインライン式に設けるようにしても良い。
【００３０】
次に、上記構成を有する薄膜形成装置１における処理手順について説明する。図３は、薄膜形成装置１における処理手順、すなわち本発明に係る薄膜形成方法の手順を示すフローチャートである。
【００３１】
まず、基板Ｗが搬送ロボット１０によって洗浄処理部２０に搬入され、その基板Ｗの洗浄処理が行われる（ステップＳ１）。洗浄処理部２０に搬入される前の基板Ｗの表面にはトランジスタ等の素子のパターンが形成されている。洗浄処理部２０は、基板Ｗの表面に薬液等を用いて洗浄処理を施し、汚染物質を除去する。洗浄処理部２０は、基板Ｗの表面に紫外線を照射して汚染物質を分解除去するようにしても良い。
【００３２】
次に、搬送ロボット１０が洗浄処理の終了した基板Ｗを洗浄処理部２０から搬出して塗布処理部３０に搬入する。塗布処理部３０は、酸化インジウム前駆体を含有する塗布液を基板Ｗに塗布して基板Ｗ上に当該塗布液の塗布膜を形成する（ステップＳ２）。ここで、「酸化インジウム前駆体」とは、活性化されることによって酸化インジウムに変化する物質であり、例えばインジウムハロゲンアルコキシド（一般式ＩｎＸ（ＯＲ）２、式中Ｒはアルキル基および／またはアルコキシアルキル基であり、ＸはＦ，Ｃｌ，ＢｒまたはＩである）が例示される。このような酸化インジウム前駆体を溶剤もしくは分散媒体中に分散させて塗布液が構成される。溶剤もしくは分散媒体としては、アルコール、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル等を用いることができる。
【００３３】
塗布処理部３０は、かかる塗布液を基板Ｗに塗布して塗布膜を形成する。基板Ｗ上には均一な膜厚にて酸化インジウム前駆体を含む塗布膜が形成される。塗布処理部３０における塗布直後の塗布膜は溶剤を多量に含んだ湿潤状態のものである。
【００３４】
次に、搬送ロボット１０が塗布膜の形成された基板Ｗを塗布処理部３０から搬出して乾燥処理部４０に搬入する。乾燥処理部４０は、基板Ｗ上に形成された酸化インジウム前駆体を含む塗布膜を乾燥させる（ステップＳ３）。具体的には、乾燥処理部４０は、減圧下にて塗布膜に含まれる溶剤を蒸発させて塗布膜を乾燥させる。溶剤が蒸発することによって塗布膜の膜厚は乾燥前に比較して顕著に減少し、乾燥後の塗布膜の膜厚は約１０ｎｍである。なお、ステップＳ３の乾燥処理は常圧の大気雰囲気中での自然乾燥であっても良い。常圧下であっても揮発性の溶剤は比較的短時間で蒸発し、塗布膜を乾燥させるのに乾燥処理部４０による減圧乾燥では約１分を要するのに対して、自然乾燥であっても約５分で乾燥する。
【００３５】
次に、搬送ロボット１０が乾燥後の基板Ｗを乾燥処理部４０から搬出して光照射処理部５０に搬入する。光照射処理部５０は、基板Ｗ上に形成された塗布膜に紫外線を照射して塗布膜に含まれる酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させる（ステップＳ４）。搬送ロボット１０によって光照射処理部５０のチャンバー５１内に搬入された基板Ｗはステージ５５の上面に水平姿勢にて載置される。そして、ステージ５５に載置された基板Ｗの表面にＵＶランプ５３から波長２００ｎｍ以下の遠紫外線を照射する。紫外線照射は、チャンバー５１内を常圧の大気雰囲気とした状態で行う。すなわち、紫外線照射は、酸素を含む雰囲気中にて実行されるのである。
【００３６】
また、本実施形態においては、ステージ５５に内蔵された冷却機構５６によって基板Ｗを冷却しつつ、基板Ｗ上の塗布膜に紫外線を照射する。ＵＶランプ５３は、発光時に発熱するため、紫外線のみならず輻射熱を基板Ｗに向けて放射することとなる。基板Ｗを冷却することなく、単にＵＶランプ５３から基板Ｗに紫外線を照射した場合、ＵＶランプ５３からの輻射熱によって基板Ｗが６０℃〜７０℃程度にまで昇温する。本実施形態では、冷却機構５６によって基板Ｗを冷却して基板Ｗの温度を１０℃〜５０℃に維持しつつ、基板Ｗ上の塗布膜に紫外線を照射する。光照射処理部５０における基板Ｗへの紫外線照射時間は１０分以下である。塗布膜に紫外線が照射されることによって、塗布膜中に含まれる酸化インジウム前駆体が光学的に活性化される。なお、基板Ｗを冷却しつつ塗布膜に紫外線を照射する技術的意義についてはさらに後述する。
【００３７】
その後、搬送ロボット１０が紫外線照射処理の終了した基板Ｗを光照射処理部５０から搬出して熱処理部６０に搬入する。熱処理部６０は、基板Ｗに加熱処理を施して基板Ｗ上の塗布膜に含まれる酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させる（ステップＳ５）。熱処理部６０における加熱処理も大気雰囲気中、つまり酸素を含む雰囲気中にて行われる。熱処理部６０は、基板Ｗを約３５０℃にて３０分〜１時間程度加熱する。基板Ｗ上の塗布膜が大気雰囲気中にて加熱されることによって、塗布膜中に含まれる酸化インジウム前駆体が熱的に活性化されて酸化インジウムが生成される。その結果、上述した一連の処理によって基板Ｗ上に酸化インジウムを含む薄膜が形成されることとなる。
【００３８】
このように、本実施形態においては、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜を形成した基板Ｗに紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させた後に、当該基板Ｗを加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させて酸化インジウムを生成している。ここで、塗布膜に紫外線を照射しつつ基板Ｗの加熱処理も併せて行えば、塗布膜に含まれる酸化インジウム前駆体の光学的な活性化と熱的な活性化とを同時に行うことができ、処理工程を少なくするとともに処理時間も短くしてスループットを高められるようにも考えられる。
【００３９】
しかしながら、本願発明者等が鋭意調査を行ったところ、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜に紫外線を照射しつつ加熱処理も同時に行うと、形成された酸化インジウムを含む薄膜に良好な電気的特性が得られないことを究明した。図４は、酸化インジウム含有層の電気的特性に与える紫外線照射時の温度の影響を示す図である。同図の横軸には塗布膜への紫外線照射時間を示し、縦軸には形成された酸化インジウム含有層のキャリア移動度を示す。
【００４０】
図４に示すように、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜を２３℃（室温）に維持しつつ、当該塗布膜に紫外線を照射すると、約４０秒の紫外線照射によって酸化インジウム含有層のキャリア移動度は概ね８ｃｍ２／Ｖｓに到達する。また、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜が４０℃の場合であっても、当該塗布膜への紫外線照射時間を６０秒程度とすれば酸化インジウム含有層のキャリア移動度は概ね８ｃｍ２／Ｖｓに到達する。
【００４１】
これに対して、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜を１００℃以上に加熱しつつ、当該塗布膜に紫外線を照射した場合、紫外線照射時間を長くしても酸化インジウム含有層のキャリア移動度は４ｃｍ２／Ｖｓ程度までにしか到達しない。すなわち、図４から明らかなように、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜を加熱しながら当該塗布膜に紫外線を照射すると、塗布膜を加熱せずに紫外線を照射した場合に比較して酸化インジウム含有層のキャリア移動度が顕著に低くなり、十分に良好な電気的特性が得られないのである。
【００４２】
本発明は、上記の知見に基づいて完成されたものであり、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜が形成された基板Ｗを冷却しつつ、当該塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させた後に、基板Ｗを加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させている。すなわち、酸化インジウム前駆体の活性化を光学的活性化と熱的活性化との２段階に分割して行っているのである。そして、酸化インジウム前駆体の光学的活性化を行うときには、塗布膜を加熱することなく当該塗布膜に紫外線を照射している。
【００４３】
上述したように、基板Ｗを冷却することなく、ＵＶランプ５３から基板Ｗに紫外線を照射した場合、ＵＶランプ５３からの輻射熱によって基板Ｗが６０℃〜７０℃程度にまで昇温する。このため、冷却機構５６によって基板Ｗを冷却して基板Ｗの温度を１０℃以上５０℃以下に維持しつつ、基板Ｗ上の塗布膜に紫外線を照射する。基板Ｗの温度が５０℃を超えた状態で基板Ｗ上の塗布膜に紫外線を照射すると、形成された酸化インジウムを含む薄膜のキャリア移動度が十分に高くならない。一方、基板Ｗの温度が１０℃未満となるまで冷却すると、その基板Ｗに雰囲気中の水分が凝結して結露が生じる。このため、紫外線を照射して光学的活性化を行うときの基板Ｗの温度は１０℃以上５０℃以下とする必要がある。
【００４４】
本実施形態のように、酸化インジウム前駆体を含む塗布膜が形成された基板Ｗを冷却して基板Ｗの温度を１０℃以上５０℃以下に維持しつつ、当該塗布膜に紫外線を照射して酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させた後に、基板Ｗを加熱して酸化インジウム前駆体を熱的に活性化させることにより、良好な電気的特性を有する酸化インジウムを含む薄膜を形成することができる。また、波長２００ｎｍ以下の保有エネルギーの大きな遠紫外線を照射することによって、酸化インジウム前駆体を効率良く活性化することができる。さらに、スパッタ技術のような高価な真空設備が不要であるため、成膜コストの上昇を抑制することができる。スパッタ技術と比較すると、本発明に係る技術では、必要な電力を低く抑制することができるとともに、必要なガス量を大幅に削減して環境負荷を低減することもできる。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、ステップＳ４の基板Ｗを冷却しつつ塗布膜に紫外線を照射する工程とステップＳ５の基板Ｗを加熱する工程との間に、基板Ｗを昇温しつつ塗布膜に紫外線を照射する工程を実行するようにしても良い。
【００４６】
また、チャンバー５１に窒素ガスおよび酸素ガスを供給する給気機構と内部雰囲気を排気する排気機構とを設け、チャンバー５１内に窒素と酸素との混合雰囲気を形成した状態にて紫外線照射を行うようにしても良い。ＵＶランプ５３から照射される波長２００ｎｍ以下の遠紫外線は、窒素分子および酸素分子によって吸収されるため、紫外線の照射効率を高める観点からはチャンバー５１を真空とした方が好ましいのであるが、酸化インジウム前駆体を光学的に活性化させるのに酸素が必要であるため、酸素を含む雰囲気中にて紫外線照射を実行する。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に係る技術は、ＴＦＴ(thin film transistor)などの製造に用いる電気的特性に優れた酸化インジウムを含む薄膜を形成するのに好適である。
【符号の説明】
【００４８】
１  薄膜形成装置
１０  搬送ロボット
２０  洗浄処理部
３０  塗布処理部
４０  乾燥処理部
５０  光照射処理部
５１  チャンバー
５３  ＵＶランプ
５５  ステージ
５６  冷却機構
６０  熱処理部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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