(57)【要約】【課題】電子部品の接続部が近接されている接続部材においても、熱圧着ツールの熱の影響が排除され、接続信頼性の高い接続体の製造方法を提供する。【解決手段】第１の接続部２０に第１の硬化性接着剤１を介して第１の接続部品１８が接続された基板１２を支持ステージ３２上に載置し、第１の接続部２０に隣接して設けられ第２の接続部品２１が接続される第２の接続部２２を圧着バックアップステージ３３上に載置する工程と、第２の接続部２２に第２の硬化性接着剤１を介して搭載された第２の接続部品２１を熱圧着ツール３１によって熱加圧する工程を有し、基板１２は、第１の接続部２０の少なくとも一部が支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３に支持される。【選択図】図３
2019021718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、
上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、
上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記基板は、上記第１の接続部の少なくとも一部が上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージに支持される接続体の製造方法。
【請求項２】
第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、
上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、
上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージに支持されている上記基板の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満であり、
上記基板は、上記第１の接続部が上記支持ステージ及び上記圧着バックアップステージに支持されない接続体の製造方法。
【請求項３】
上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージは、互いに対向する端部の上記基板を支持する支持面の下方に、空隙部が形成されている請求項１又は２に記載の接続体の製造方法。
【請求項４】
上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージは、互いに対向する端部が、異なる熱伝導率を持つ材料を結合させて形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項５】
上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージは、互いに対向する端部が、他方の端部から離れるに従って熱伝導率が増加又は減少する請求項４に記載の接続体の製造方法。
【請求項６】
上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージは、互いに対向する端部の上記基板を支持する支持面の裏面に、凹凸部が形成されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項７】
上記基板は、上記第１の接続部と上記第２の接続部との距離が２ｍｍ以内である請求項１〜６のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項８】
上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する端部の上記基板を支持する支持面の裏面が冷却される請求項１〜７のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項９】
上記第１、第２の硬化性接着剤は、バインダー樹脂に導電粒子を含有した導電性の熱硬化性接着剤である請求項１〜８のいずれか１項に記載の接続体の製造方法。
【請求項１０】
上記第１、第２の硬化性接着剤は、フィルム状に成形された異方性導電フィルムである請求項９に記載の接続体の製造方法。
【請求項１１】
第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、
上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、
上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記基板は、上記第１の接続部の少なくとも一部が上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージに支持される接続方法。
【請求項１２】
第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、
上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、
上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージに支持されている上記基板の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満であり、
上記基板は、上記第１の接続部が上記支持ステージ及び上記圧着バックアップステージに支持されない接続方法。
【請求項１３】
支持ステージと、
圧着バックアップステージと、
上記圧着バックアップステージの直上に設けられた熱圧着ツールを備え、
上記圧着バックアップステージの端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記支持ステージ又は上記圧着バックアップステージの少なくとも何れか一方の端部は異なる熱伝導率を持つ材料を結合させて形成されているか、何れか一方の裏面に凹凸部が形成されている接続装置。
【請求項１４】
支持ステージと、
圧着バックアップステージと、
上記圧着バックアップステージの上方に設けられた熱圧着ツールを備え、
上記圧着バックアップステージの端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、
上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージの直上に設けられた上記熱圧着ツールの降下部との距離の最小値が０ｃｍより大きく２．０ｃｍ未満である接続装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、接着剤を介して配置された接続部品を加熱押圧する接続体の製造方法に関し、特に予め第１の接続部品が接続された接続部の近傍に第２の接続部品を接続することにより形成される接続体の製造方法、接続方法、及び接続装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、接続対象物の間に接着剤を介在させ、熱加圧するとともに接着剤を硬化させて接続対象物同士を接続する接続方法が用いられている。一例として、例えばＬＣＤやＯＬＥＤ等の画像表示装置においては、画像表示部が構成されるガラスやプラスチックからなる透明基板の額縁領域上にＩＣチップやフレキシブルプリント基板等の各種電子部品が接続された接続体が提供されている。また、透明基板の狭額縁化が進んでいることから、透明基板と電子部品との接続には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）を用いて電子部品を直接透明基板上に実装するいわゆるＣＯＧ（Chip on Glass）や、ＦＯＧ（Film on Glass）が採用されている。なお、電子部品が実装される接続対象物は、透明基板に限らず、ガラスエポキシ基板やセラミック基板等、各種基板を用いることができる。
【０００３】
透明基板上にＩＣチップやフレキシブルプリント基板を接続する接続装置は、一般に、図１８に示すように、透明基板が載置されるステージ５１と、ステージ５１上で昇降動作して電子部品を圧着させる熱圧着ツール５４とを備える。接続装置５０は、ステージ５１上に透明基板が載置されると、予め透明基板に仮貼りされた異方性導電フィルム上に電子部品が搭載される。次いで、異方性導電フィルムが硬化する所定の温度に加熱された熱圧着ツール５４によって電子部品を加熱押圧する。
【０００４】
熱圧着ツール５４に加熱押圧されることにより、異方性導電フィルムのバインダー樹脂は流動性を示し、透明基板と電子部品との間から流出するとともに、透明基板と電子部品とに設けられた端子間に導電性粒子が挟持され、この状態でバインダー樹脂が硬化される。これにより、透明基板と電子部品とが、電気的、機械的に接続される。画像表示装置においては、画像表示部が形成される透明基板の額縁領域にＩＣチップが実装されるＣＯＧ接続部及びフレキシブルプリント基板が実装されるＦＯＧ接続部が形成され、ＩＣチップの異方性導電接続に続いて、フレキシブルプリント基板の異方性導電接続が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４９５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、画像表示部は強く狭額縁化が求められている。それに伴いＣＯＧ接続部とＦＯＧ接続部が近接させる要請が高まっている。ここで、図１８に示す接続装置５０においては、ステージ上でＣＯＧ接続部５２とＦＯＧ接続部５３が近接した位置に設けられている。
【０００７】
このようにＣＯＧ接続部５２とＦＯＧ接続部５３が近接すると、ＣＯＧ接続後にＦＯＧ接続する際に、熱圧着ツール５４による輻射熱が、近接したＣＯＧ接続部５２に伝わり、バインダー樹脂層の熱膨張及び収縮や軟化等により、導電粒子の押し込み状態の保持性が損なわれる等、ＣＯＧ接続部５２におけるＩＣチップの接続に悪影響を及ぼす恐れがある。
【０００８】
そこで、本技術は、電子部品の接続部が近接されている接続部材においても、熱圧着ツールの熱の影響が排除され、接続信頼性の高い接続体の製造方法、接続方法、接続装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本技術に係る接続体の製造方法は、第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記基板は、上記第１の接続部の少なくとも一部が上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージに支持されるものである。
【００１０】
また、本技術に係る接続体の製造方法は、第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージに支持されている上記基板の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満であり、上記基板は、上記第１の接続部が上記支持ステージ及び上記圧着バックアップステージに支持されないものである。
【００１１】
また、本技術に係る接続方法は、第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記基板は、上記第１の接続部の少なくとも一部が上記支持ステージ及び／又は上記圧着バックアップステージに支持されるものである。
【００１２】
また、本技術に係る接続方法は、第１の接続部に第１の硬化性接着剤を介して第１の接続部品が接続された基板を支持ステージ上に載置し、上記第１の接続部に隣接して設けられ第２の接続部品が接続される第２の接続部を圧着バックアップステージ上に載置する工程と、上記第２の接続部に第２の硬化性接着剤を介して搭載された上記第２の接続部品を熱圧着ツールによって熱加圧し、上記第２の硬化性接着剤を硬化させ、上記第２の接続部品を接続する工程を有し、上記圧着バックアップステージは、上記第２の接続部を支持する端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージに支持されている上記基板の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満であり、上記基板は、上記第１の接続部が上記支持ステージ及び上記圧着バックアップステージに支持されないものである。
【００１３】
また、本技術に係る接続装置は、支持ステージと、圧着バックアップステージと、上記圧着バックアップステージの直上に設けられた熱圧着ツールを備え、上記圧着バックアップステージの端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記支持ステージ又は上記圧着バックアップステージの少なくとも何れか一方の端部は異なる熱伝導率を持つ材料を結合させて形成されているか、何れか一方の裏面に凹凸部が形成されているものである。
【００１４】
また、本技術に係る接続装置は、支持ステージと、圧着バックアップステージと、上記圧着バックアップステージの上方に設けられた熱圧着ツールを備え、上記圧着バックアップステージの端部が、対向して設けられる上記支持ステージの端部と離間され、上記支持ステージは、上記圧着バックアップステージの端部と対向する側の端部と、上記圧着バックアップステージの直上に設けられた上記熱圧着ツールの降下部との距離の最小値が０ｃｍより大きく２．０ｃｍ未満であるものである。
【発明の効果】
【００１５】
本技術によれば、基板の狭額縁化によりＣＯＧ実装部とＦＯＧ実装部との距離が近接している場合にも、ＦＯＧ接続時に、ＣＯＧ実装部に伝わる熱圧着ツールの輻射熱を、支持ステージを介して放熱することができる。また、熱圧着ツールによって加熱押圧されるＦＯＧ実装部を支持する圧着バックアップステージは、支持ステージの端部と離間されているため、圧着バックアップステージ及び支持ステージを介してＣＯＧ実装部に熱圧着ツールの熱が伝わることもない。
【００１６】
したがって、本技術が適用された接続工程によれば、ＦＯＧ実装を行う際の熱圧着ツールの輻射熱や圧着バックアップステージを通じて伝達される熱によりＣＯＧ実装部が過度に熱を持ちすぎることを防止し、バインダー樹脂層の熱膨張及び収縮や軟化等により、導電粒子の押し込み状態の保持性が損なわれる等の第１の接続部品の接続への悪影響を防止し、接続信頼性を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本技術が適用された接続工程を示す図であり、ＣＯＧ接続工程に次いで行うＦＯＧ接続工程を示す断面図である。
【図２】図２は、異方性導電フィルムの断面図である。
【図３】図３は、ＣＯＧ実装部に実装された液晶駆動用ＩＣの全部が支持ステージに重畳するように透明基板を支持する状態を示す断面図である。
【図４】図４は、ＣＯＧ実装部に実装された液晶駆動用ＩＣの一部が支持ステージ及び圧着バックアップステージに重畳するように透明基板を支持する状態を示す断面図である。
【図５】図５は、ＣＯＧ実装部に実装された液晶駆動用ＩＣが支持ステージに重畳せず、一部又は全部が圧着バックアップステージに重畳するように透明基板を支持する状態を示す断面図である。
【図６】図６は、支持ステージの端部と、透明基板の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満とされ、且つＣＯＧ実装部が支持ステージ及び圧着バックアップステージに支持されないよう透明基板を支持する状態を示す断面図である。
【図７】図７は、支持ステージ及び圧着バックアップステージに、両端部の接触を防止するセンサを設けた構成を示す図であり、（Ａ）は各ステージの裏面にセンサを設けた構成を示す断面図であり、（Ｂ）は各ステージの端面にセンサを設けた構成を示す断面図である。
【図８】図８は、空隙部を、支持ステージの圧着バックアップステージと対向する端部に、支持面から裏面に向かって傾斜する傾斜面として形成した構成を示す断面図である。
【図９】図９は、空隙部を、圧着バックアップステージの支持ステージと対向する端部に、支持面から裏面に向かって傾斜する傾斜面として形成した構成を示す断面図である。
【図１０】図１０は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの相対向する端面に相似形状の傾斜面を形成する構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの相対向する端面の一方に断面三角形状の凸部を形成し、他方に当該凸部と嵌合可能な相似形状となる断面三角形状の凹部を形成する構成を示す断面図である。
【図１２】図１２は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの相対向する端面の一方に断面半円形状の凸部を形成し、他方に当該凸部と嵌合可能な相似形状となる断面半円形状の凹部を形成する構成を示す断面図である。
【図１３】図１３は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの相対向する端面の一方に裏面側が突出する断面階段形状の段差部を形成し、他方に当該段差部と嵌合可能な相似形状となる支持面側が突出する断面階段形状の段差部を形成する構成を示す断面図である。
【図１４】図１４は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの互いに対向する端部を、異なる熱伝導率を持つ材料を結合させて形成する構成を示す断面図である。
【図１５】図１５は、支持ステージ及び圧着バックアップステージの互いに対向する端部を、他方の端部から離れるに従って熱伝導率が増加又は減少するように、熱伝導率が低い材料と熱伝導率が高い材料を結合させて形成する構成を示す断面図である。
【図１６】図１６は、支持ステージの端部の裏面に、凹凸部３９を形成する構成を示す断面図である。
【図１７】図１７は、冷却装置により、支持ステージの端部の裏面を冷却する構成を示す断面図である。
【図１８】図１８は、従来の接続工程を示す図であり、ＣＯＧ接続工程に次いで行うＦＯＧ接続工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本技術が適用された接続体の製造方法、接続方法、接続装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本技術は、以下の実施形態のみに限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更が可能であることは勿論である。また、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがある。具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１９】
［接続体］
以下では、接続体の一例として液晶表示パネルを示す。図１に示す液晶表示パネルは、ガラス基板に、液晶駆動用のＩＣチップを実装するいわゆるＣＯＧ（Chip On Glass）実装及び液晶駆動回路が形成されたフレキシブルプリント基板を実装するいわゆるＦＯＧ（Film On Glass）実装を行う。この液晶表示パネル１０は、ガラス基板等からなる二枚の透明基板１１，１２が対向配置され、これら透明基板１１，１２が枠状のシール１３によって互いに貼り合わされている。そして、液晶表示パネル１０は、透明基板１１，１２によって囲繞された空間内に液晶１４が封入されることによりパネル表示部１５が形成されている。
【００２０】
透明基板１１，１２は、互いに対向する両内側表面に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等からなる縞状の一対の透明電極１６，１７が、互いに交差するように形成されている。そして、両透明電極１６，１７は、これら両透明電極１６，１７の当該交差部位によって液晶表示の最小単位としての画素が構成されるようになっている。
【００２１】
両透明基板１１，１２のうち、一方の透明基板１２は、他方の透明基板１１よりも平面寸法が大きく形成されており、この大きく形成された透明基板１２の縁部１２ａには、電子部品として液晶駆動用ＩＣ１８が実装されるＣＯＧ実装部２０が設けられ、またＣＯＧ実装部２０に隣接して電子部品として液晶駆動回路が形成されたフレキシブルプリント基板２１が実装されるＦＯＧ実装部２２が設けられている。図１に示すように、ＦＯＧ実装部２２は、ＣＯＧ実装部２０の透明基板１２の外側近傍に設けられている。
【００２２】
透明基板１２は、近年のパネル表示部１５の狭額縁化に伴い、ＣＯＧ実装部２０とＦＯＧ実装部２２とが近接した位置に形成されており、ＣＯＧ実装部２０とＦＯＧ実装部２２との距離が例えば２ｍｍ以内とされている。
【００２３】
液晶駆動用ＩＣや液晶駆動回路は、画素に対して液晶駆動電圧を選択的に印加することにより、液晶の配向を部分的に変化させて所定の液晶表示を行うことができるようになっている。
【００２４】
各実装部２０，２２には、透明電極１７の電極端子１７ａが形成されている。電極端子１７ａ上には、回路接続用接着剤として例えば異方性導電フィルム１を用いて液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１が接続される。異方性導電フィルム１は、導電粒子４を含有しており、液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１の接続端子と透明基板１２の縁部１２ａに形成された透明電極１７の電極端子１７ａとを、導電粒子４を介して電気的に接続させるものである。この異方性導電フィルム１は、熱硬化型、光硬化型、又は光・熱併用型の接着剤であり、後述する熱圧着ツール３１により熱圧着されることにより流動化して導電粒子４が電極端子１７ａと液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１の各接続端子との間で押し潰され、加熱又は光照射により、導電粒子４が押し潰された状態で硬化する。これにより、異方性導電フィルム１は、透明基板１２と液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１とを電気的、機械的に接続する。
【００２５】
また、両透明電極１６，１７上には、所定のラビング処理が施された配向膜２４が形成されており、この配向膜２４によって液晶分子の初期配向が規制されるようになっている。さらに、両透明基板１１，１２の外側には、図示しない一対の偏光板が配設されており、これら両偏光板によってバックライト等の光源（図示せず）からの透過光の振動方向が規制されるようになっている。
【００２６】
なお、本技術は、接続部品を加熱押圧することにより接続するあらゆる接続体の製造方法に適用することができ、透明基板以外の基板その他の接続部材に、各種電子部品その他の接続部品を接続した接続体の製造に適用することができる。
【００２７】
［接着剤］
なお、液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１を透明基板１２に接続する接着剤としては、異方性導電フィルム１を好適に用いることができる。異方性導電フィルム１は、図２に示すように、通常、基材となる剥離フィルム２上に導電粒子４を含有するバインダー樹脂層（接着剤層）３が形成されたものである。異方性導電フィルム１は、図１に示すように、透明基板１２と液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１との間にバインダー樹脂層３を介在させることで、透明基板１２と液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１とを接続させるとともに、電極端子１７ａと接続端子２８とで導電粒子４を挟持させ、導通させる。
【００２８】
バインダー樹脂層３の接着剤組成物は、例えば膜形成樹脂、熱又は光硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤等を含有する通常のバインダー成分からなる。
【００２９】
膜形成樹脂としては、平均分子量が１００００〜８００００程度の樹脂が好ましく、特にエポキシ樹脂、変形エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等の各種の樹脂が挙げられる。中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂が好ましい。
【００３０】
熱又は光硬化性樹脂としては特に限定されず、例えば市販のエポキシ樹脂やアクリル樹脂等を用いることができる。
【００３１】
エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは単独でも、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００３２】
アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じてアクリル化合物、液状アクリレート等を適宜選択することができる。例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート等を挙げることができる。なお、アクリレートをメタクリレートにしたものを用いることもできる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
硬化剤としては、特に限定されないが、熱硬化型又は光硬化型の硬化剤が挙げられる。硬化剤は、通常では反応せず、熱、光、加圧等の用途に応じて選択される各種のトリガにより活性化し、反応を開始する。熱活性型硬化剤の活性化方法には、加熱による解離反応などで活性種（カチオンやアニオン、ラジカル）を生成する方法、室温付近ではエポキシ樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法、モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤を高温で溶出して硬化反応を開始する方法、マイクロカプセルによる溶出・硬化方法等が存在する。熱活性型硬化剤としては、イミダゾール系、ヒドラジド系、三フッ化ホウ素−アミン錯体、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミン塩、ジシアンジアミド等や、これらの変性物があり、これらは単独でも、２種以上の混合体であってもよい。ラジカル重合開始剤としては、公知のものを使用することができ、中でも有機過酸化物を好ましく使用することができる。
【００３４】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ系、アミノ系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。シランカップリング剤を添加することにより、有機材料と無機材料との界面における接着性が向上される。
【００３５】
［導電粒子］
バインダー樹脂層３に含有される導電粒子４としては、異方性導電フィルムにおいて使用されている公知の何れの導電粒子を挙げることができる。すなわち、導電粒子４としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、或いは、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を挙げることができる。
【００３６】
バインダー樹脂層３を構成する接着剤組成物は、このように膜形成樹脂、熱又は光硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤等を含有する場合に限定されず、通常の異方性導電フィルムの接着剤組成物として用いられる何れの材料から構成されるようにしてもよい。
【００３７】
バインダー樹脂層３を支持する剥離フィルム２は、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）、ＯＰＰ（Oriented Polypropylene）、ＰＭＰ（Poly-4-methylpentene-1）、ＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）等にシリコーン等の剥離剤を塗布してなり、異方性導電フィルム１の乾燥を防ぐとともに、異方性導電フィルム１の形状を維持する。
【００３８】
異方性導電フィルム１は、何れの方法で作製するようにしてもよいが、例えば以下の方法によって作製することができる。膜形成樹脂、熱又は光硬化性樹脂、硬化剤、シランカップリング剤、導電粒子等を含有する接着剤組成物を調整する。調整した接着剤組成物をバーコーター、塗布装置等を用いて剥離フィルム２上に塗布し、オーブン等によって乾燥させることにより、剥離フィルム２にバインダー樹脂層３が支持された異方性導電フィルム１を得る。
【００３９】
また、上述の実施の形態では、接着剤として、バインダー樹脂層３に適宜導電粒子４を含有した熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形した接着フィルムを例に説明したが、本発明に係る接着剤は、これに限定されず、例えばバインダー樹脂層３のみからなる絶縁性接着フィルムでもよい。また、本発明に係る接着剤は、バインダー樹脂層３のみからなる絶縁性接着剤層と導電粒子４を含有したバインダー樹脂層３からなる導電粒子含有層とを積層した構成とすることができる。また、接着剤は、このようなフィルム成形されてなる接着フィルムに限定されず、バインダー樹脂組成物に導電粒子４が分散された導電性接着ペースト、あるいはバインダー樹脂組成物のみからなる絶縁性接着ペーストとしてもよい。本発明に係る接着剤は、上述したいずれの形態をも包含するものである。
【００４０】
［接続装置］
次いで、透明基板１２のＣＯＧ実装部２０及びＦＯＧ実装部２２に液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１を接続する接続装置３０について説明する。接続装置３０は、熱圧着ツール３１と、少なくとも透明基板１２のパネル表示部１５を支持する支持ステージ３２と、熱圧着ツール３１と対向され、少なくとも透明基板１２のＦＯＧ実装部２２を支持する圧着バックアップステージ３３とを有する。
【００４１】
支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３は、ともに同一平面に存在し透明基板１２の下面部が載置される支持面３２ａ，３３ａを有する。また、圧着バックアップステージ３３は、透明基板１２のＦＯＧ実装部２２を支持する端部が、透明基板１２を支持する支持ステージ３２の端部と離間されている。支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３を構成する材料は、ＳＵＳや石英ガラス等、ＡＣＦ接続装置のステージにおいて通常用いられる材料を使用することができ、後述するように所望の熱伝導率に応じて選択することができる。
【００４２】
［接続工程］
接続装置３０を用いて透明基板１２に液晶駆動用ＩＣ１８やフレキシブルプリント基板２１を接続する工程について説明する。なお、以下の説明では接着剤として熱硬化型の異方性導電フィルム１を用いた場合を例に説明するが、本技術は光硬化型、熱光併用型の接着剤も用いることができる。先ず、透明基板１２の内側に位置するＣＯＧ実装部２０に液晶駆動用ＩＣ１８を接続する。このとき、ＣＯＧ実装部２０は、支持ステージ３２又は圧着バックアップステージ３３に支持されている。ＣＯＧ実装部２０には、異方性導電フィルム１が仮貼りされ、この上に液晶駆動用ＩＣ１８が搭載される。次いで、所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール３１によって、適宜緩衝材を介して、液晶駆動用ＩＣ１８の上面を、所定の温度、圧力で所定時間、熱加圧する。これにより、液晶駆動用ＩＣ１８の接続端子及び透明電極１７の電極端子１７ａとの間からバインダー樹脂が流出するとともに、導電粒子４が挟持されることで導通が図られ、この状態でバインダー樹脂が硬化される。
【００４３】
ＣＯＧ実装部２０への実装に続いてＦＯＧ実装部２２へフレキシブルプリント基板２１を実装する。液晶駆動用ＩＣ１８が実装された透明基板１２は、支持ステージ３２上に載置されるとともに、ＦＯＧ実装部２２が圧着バックアップステージ３３上に載置される。
【００４４】
ＦＯＧ実装部２２には異方性導電フィルム１が仮貼りされ、この上にフレキシブルプリント基板２１が搭載される。次いで、所定の加熱温度に昇温された熱圧着ツール３１によって、適宜緩衝材３４を介して、フレキシブルプリント基板２１の上面を、所定の温度、圧力で所定時間、熱加圧する。これにより、フレキシブルプリント基板２１の接続端子及び透明電極１７の電極端子１７ａとの間からバインダー樹脂が流出するとともに、導電粒子４が挟持されることで導通が図られ、この状態でバインダー樹脂が硬化される。
【００４５】
このとき、本技術が適用された接続工程においては、圧着バックアップステージ３３は透明基板１２のＦＯＧ実装部２２を支持する端部が、支持ステージ３２の端部と離間されている。また、透明基板１２のＣＯＧ実装部２０の少なくとも一部が支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３に支持されている。具体的に、図３に示すように、透明基板１２は、ＣＯＧ実装部２０に実装された液晶駆動用ＩＣ１８の全部が支持ステージ３２に重畳するように支持されている。
【００４６】
これにより、透明基板１２の縁部１２ａは、狭額縁化により狭小化され、ＣＯＧ実装部２０とＦＯＧ実装部２２との距離が近接（例えば１〜２ｍｍ）している場合にも、ＣＯＧ実装部２０に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱を、支持ステージ３２を介して放熱することができる。また、熱圧着ツール３１によって加熱押圧されるＦＯＧ実装部２２を支持する圧着バックアップステージ３３は、支持ステージ３２の端部と離間されているため、圧着バックアップステージ３３及び支持ステージ３２を介してＣＯＧ実装部２０に熱圧着ツール３１の熱が伝わることもない。
【００４７】
したがって、本技術が適用された接続工程によれば、ＦＯＧ実装を行う際の熱圧着ツール３１の輻射熱や圧着バックアップステージ３３を通じて伝達される熱によりＣＯＧ実装部２０が過熱することを防止し、バインダー樹脂層の熱膨張及び収縮や軟化等により、導電粒子の押し込み状態の保持性が損なわれる等の液晶駆動用ＩＣ１８の接続への悪影響を防止し、接続信頼性を維持することができる。
【００４８】
なお、上記では接着剤として熱硬化型の異方性導電フィルム１を用いた場合を例に説明したが、光硬化型又は光熱併用型の接着剤を用いた場合にも、熱圧着ツール３１による加熱押圧工程を伴うことから、本技術を適用することにより、熱硬化型の異方性導電フィルム１を用いた場合と同様に熱圧着ツール３１の熱影響を防止することができる。
【００４９】
また、本技術が適用された接続工程では、図４に示すように、透明基板１２を、ＣＯＧ実装部２０に実装された液晶駆動用ＩＣ１８の一部が支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３に重畳するように支持してもよい。この場合も、ＣＯＧ実装部２０に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱を、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３を介して放熱することができる。
【００５０】
また、本技術が適用された接続工程では、図５に示すように、透明基板１２を、ＣＯＧ実装部２０に実装された液晶駆動用ＩＣ１８が支持ステージ３２に重畳せず、一部又は全部が圧着バックアップステージ３３に重畳するように支持してもよい。この場合も、ＣＯＧ実装部２０に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱を、圧着バックアップステージ３３を介して放熱することができる。
【００５１】
以上のように、接続体の一例としてガラス基板を備えた液晶表示パネルを用いて説明したが、本発明は、例えばプラスチック基板を用いた接続体に適用することもできる。この場合、耐熱性が比較的低いプラスチック基板に対する輻射熱の影響を減少させることができることから、有効であると推察される。
【００５２】
［変形例］
また、本技術が適用された接続工程は、図６に示すように、透明基板１２のＣＯＧ実装部２０が支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３に支持させないようにしてもよい。この場合、支持ステージ３２は、圧着バックアップステージ３３の端部と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３の直上に設けられた熱圧着ツール３１の降下部との距離の最小値が０ｃｍより大きく２．０ｃｍ未満とされている。熱圧着ツール３１の降下部とは、圧着バックアップステージ３３上における熱圧着ツール３１による加圧部をいい、透明基板１２のＦＯＧ実装部２２が搭載される部位となる。そして、支持ステージ３２は、圧着バックアップステージ３３の端部と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている透明基板１２の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ未満とされている。
【００５３】
これにより、狭小化された額縁領域においてＣＯＧ実装部２０の近傍に支持ステージ３２や圧着バックアップステージ３３が位置することとなり、ＣＯＧ実装部２０に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱が、ＣＯＧ実装部２０の近傍を支持している支持ステージ３２や圧着バックアップステージ３３に伝達され、放熱することができる。また、熱圧着ツール３１によって加熱押圧されるＦＯＧ実装部２２を支持する圧着バックアップステージ３３は、ＣＯＧ実装部２０と重畳しないため、圧着バックアップステージ３３を介してＣＯＧ実装部２０に熱圧着ツール３１の熱が伝わることもない。
【００５４】
したがって、図６に示す接続工程においても、ＦＯＧ実装を行う際の熱圧着ツール３１の輻射熱や圧着バックアップステージ３３を通じて伝達される熱によりＣＯＧ実装部２０が過熱することを防止し、バインダー樹脂層の熱膨張及び収縮や軟化等により、導電粒子の押し込み状態の保持性が損なわれる等の液晶駆動用ＩＣ１８の接続への悪影響を防止し、接続信頼性を維持することができる。
【００５５】
一方、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３の端部と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている透明基板１２の端部との距離Ｄが２．０ｃｍ以上離間されていると、ＣＯＧ実装部２０と支持ステージ３２や圧着バックアップステージ３３との距離が開き、ＣＯＧ実装部２０に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱を支持ステージ３２や圧着バックアップステージ３３に伝達し難くなり、ＣＯＧ実装部２０の温度が上昇しやすくなってしまう。
【００５６】
［接触防止センサ］
なお、接続装置３０は、図示しない移動機構により支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３を相互に近接離間可能に構成するとともに、図７（Ａ）（Ｂ）に示すように、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３に、両端部の接触を防止するセンサ４１を設けてもよい。これにより、支持ステージ３２の端面と圧着バックアップステージ３３に支持された透明基板１２の端部との距離Ｄを、２．０ｃｍ未満に保ちながら近接させることができる。接触防止センサ４１としては、光や超音波で距離を測定する変位センサ等、距離を測定できる公知の手段を用いることができる。また、センサ４１は、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３の裏面３２ｂ，３３ｂに設けてもよく（図７（Ａ））、あるいは相対向する端部の端面に設けてもよい（図７（Ｂ））。
【００５７】
また、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３を相互に近接離間可能にするために、接触による衝撃を吸収できるような緩衝部材、例えば多段階に伸縮可能な棒状体や、これにばねを組み込んだもの等を備えた移動機構によって近接離間させてもよい。上述したセンサ４１と組み合わせて、この緩衝部材が接触しないように設定することで、近接離間を確実に行うようにしてもよい。また、緩衝部材を指標にすることにより、適切に保たれているかを目視で確認し易くすることもできる。もしくは、連続した接続において毎回の接続工程での支持ステージ３２と圧着バックアップステージ３３との両端面の距離が保たれているかを測る基準としてもよい。これは接続体の製造工程において連続した接続工程の品質を管理する上で有用となる。
【００５８】
［空隙部］
本技術が適用された支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、互いに対向する端部の透明基板１２を支持する支持面３２ａ，３３ａの下方に、空隙部３５を形成してもよい。空隙部３５は、空気と触れることにより、支持ステージ３２や圧着バックアップステージ３３の端部からの放熱を促進させ、熱圧着ツール３１によって熱せられたＣＯＧ実装部２０やＦＯＧ実装部２２を冷却する。
【００５９】
空隙部３５は、例えば図８に示すように、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する端部の端面に設けられ、透明基板１２を支持する支持面３２ａから当該支持面３２ａの裏面３２ｂに向かって傾斜する傾斜面３５ａとして形成することができる。支持ステージ３２は、傾斜面３５ａが空気と触れることで放熱が促進され、ＣＯＧ実装部２０の過熱を防止することができる。
【００６０】
同様に、空隙部３５は、図９に示すように、圧着バックアップステージ３３の支持ステージ３２と対向する端部の端面に設けられ、透明基板１２のＦＯＧ実装部２２を支持する支持面３３ａから当該支持面３３ａの裏面３３ｂに向かって傾斜する傾斜面３５ｂとして形成することができる。
【００６１】
その他、空隙部３５は、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３の支持面３２ａ，３３ａから当該支持面３２ａ，３３ａの裏面３２ｂ，３３ｂにかけて、広範囲に空気と触れる面が設けられる各種構成を採用することができる。例えば支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面に相似形状の傾斜面３５ｃ，３５ｄを形成する構成（図１０）、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面の一方に断面三角形状の凸部３５ｅを形成し、他方に当該凸部３５ｅと嵌合可能な相似形状となる断面三角形状の凹部３５ｆを形成する構成（図１１）、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面の一方に断面半円形状の凸部３５ｇを形成し、他方に当該凸部３５ｇと嵌合可能な相似形状となる断面半円形状の凹部３５ｈを形成する構成（図１２）、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面の一方に裏面３２ｂ，３３ｂ側が突出する断面階段形状の段差部３５ｉを形成し、他方に当該段差部３５ｉと嵌合可能な相似形状となる支持面３２ａ，３３ａ側が突出する断面階段形状の段差部３５ｊを形成する構成（図１３）等、適宜設計することができる。上記のように嵌合可能な相似形状とは、一方と他方とが接触しなくなるように、意図的に大小関係が設けられるとも言い換えられる。
【００６２】
また、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面に接する側面の少なくとも何れか一方にマーキングを施してもよい。これにより、第１、第２の接続工程において、支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３の相対向する端面間の距離を測り易くすることができ、連続した接続工程において毎回の接続工程での支持ステージ３２と圧着バックアップステージ３３との両端面間の距離が保たれているかを測る基準とすることができる。これは接続体の製造工程において連続した接続工程の品質を管理する上で有用となる。
【００６３】
［熱伝導率の異なる材料］
また、本技術が適用された支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、互いに対向する端部を、異なる熱伝導率を持つ材料を結合させて形成してもよい。例えば、図１４に示すように、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、透明基板１２を支持する支持面３２ａ，３３ａの面方向にわたって、異なる熱伝導率を持つ材料が結合されて形成され、ＣＯＧ実装部２０やＦＯＧ実装部２２の中央に相対的に熱伝導率が低い材料３７を設け、外方に相対的に熱伝導率が高い材料３８を設けることにより、ＣＯＧ実装部２０やＦＯＧ実装部２２の外方に向かってより効率よく熱が伝わるような熱伝導の指向性を付与することができる。
【００６４】
また、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、互いに対向する端部の厚さ方向にわたって異なる熱伝導率を持つ材料を結合させ、支持面３２ａ，３３ａから裏面３２ｂ，３３ｂに向かって効率よく熱が伝わるような熱伝導の指向性を付与してもよい。
【００６５】
また、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、互いに対向する端部が、他方の端部から離れるに従って熱伝導率が増加又は減少するように、熱伝導率が低い材料３７と熱伝導率が高い材料３８を結合させてもよい。
【００６６】
例えば、図１５に示すように、圧着バックアップステージ３３は、支持ステージ３２の端部と対向する端部から離れるに従って熱伝導率を増加させることで、支持ステージ３２の端部との距離が近接した場合にも、熱圧着ツール３１の熱を支持ステージ３２から離れる方向に伝達させやすくなり、輻射熱が支持ステージ３２側に伝達することを防止し、ＣＯＧ実装部２０への影響を抑制することができる。また、支持ステージ３２は、圧着バックアップステージ３３の端部から離れるに従って熱伝導率を減少させることで、熱が支持面３２ａ，３３ａに拡散することを防止し、積極的に端部から放熱させることができる。
【００６７】
［凹凸部］
また、図１６に示すように、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、互いに対向する端部の基板を支持する支持面３２ａ，３３ａの裏面３２ｂ，３３ｂに、凹凸部３９を形成してもよい。これにより、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３は、裏面３２ｂ，３３ｂの表面積が増えることで空気との接触面積が増加し、より効率的に放熱させることができる。なお、凹凸部３９は、断面矩形波状の凹凸形状の他、同様の効果が得られるなら曲線からなる断面正弦波状、断面三角波状、断面のこぎり波状等であってもよい。あるいは、凹凸部３９は、裏面３２ｂ，３３ｂのエンボス加工、粗面化加工等に形成してもよい。
【００６８】
［冷却装置］
また、図１７に示すように、支持ステージ３２は、冷却装置４０により、圧着バックアップステージ３３の端部と対向する端部の透明基板１２を支持する支持面３２ａの裏面３２ｂが積極的に冷却されるようにしてもよい。冷却装置４０は、公知の冷却手段を用いることができ、例えば、送風機等の空冷手段や、水冷手段、その他の冷却手段を用いることができる。
【００６９】
支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３の端部と対向する端部の裏面３２ｂを積極的に冷却することにより、ＣＯＧ実装部２０への影響を抑制することができる。
【第１の実施例】
【００７０】
次いで、本技術の第１の実施例について説明する。第１の実施例では、ＩＣチップを実装したガラス基板に、異方性導電フィルムを介してフレキシブルプリント基板を実装する際、ＩＣチップの一部又は全部を支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３に重畳させた。そして、フレキシブルプリント基板の接続工程の前後におけるＣＯＧ実装部の温度を熱電対を用いて測定し、上昇温度が２０℃以下の場合をＯＫ（良好）、上昇温度が２０℃を超える場合をＮＧ（不良）と評価した。
【００７１】
［異方性導電フィルム］
評価用ＩＣの接続に用いる異方性導電フィルムのバインダー樹脂層は、フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ５０、新日鐵化学社製）５０質量部、エポキシ樹脂（商品名：ＹＬ９８０、三菱化学社製）４５質量部、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ−４０３、信越化学工業社製）２質量部、カチオン系硬化剤（商品名：ＳＩ−６０Ｌ、三新化学工業社製）３質量部を溶剤に加えたバインダー樹脂組成物を調整し、このバインダー樹脂組成物に、導電性粒子を所定の粒子密度で分散させた後、剥離フィルム上に塗布、７０℃オーブンにて乾燥することにより形成した。
【００７２】
［圧痕数及び導通抵抗測定用の評価用ＩＣ］
評価用ＩＣとして、外形：０．７ｍｍ×２０ｍｍ、厚み０．２ｍｍ、バンプ（Ａｕ‐ｐｌａｔｅｄ）：幅１５μｍ×長さ１００μｍ、高さ１２μｍ、バンプピッチ１４μｍの評価用ＩＣを用いた。
【００７３】
［評価用フレキシブルプリント基板］
評価用フレキシブルプリント基板として、ポリイミド基板（厚み：２５μｍ）に銅配線（ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝１００μｍ／１００μｍ、端子高さ：１２μｍ）を形成した評価用フレキシブルプリント基板を用いた。
【００７４】
［評価用ガラス基板］
評価用ＩＣ及び評価用フレキシブルプリント基板が接続される評価用ガラス基板として、外形：３０ｍｍ×５０ｍｍ、厚み０．５ｍｍの、ＩＴＯパターングラス（コーニング社製）を用いた。評価用ＩＣが実装されるＣＯＧ実装部と評価用フレキシブルプリント基板が実装されるＦＯＧ実装部との距離は２ｍｍとした。先にＣＯＧ実装部に評価用ＩＣを異方性導電フィルムを介して接続し、次いで、ＦＯＧ実装部に評価用フレキシブル基板を実装した。具体的に、評価用ＩＣチップを実装した評価用ガラス基板に異方性導電フィルムを仮貼りした後、評価用フレキシブルプリント基板を搭載し、熱圧着ツール３１により１５０℃、３ＭＰａ、４ｓｅｃの条件で熱圧着することにより接続体サンプルを作成した。
【００７５】
［実施例１］
実施例１では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの全部が支持ステージ３２に重畳し、圧着バックアップステージ３３とは重畳しないように支持した（図３参照）。
【００７６】
［実施例２］
実施例２では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３に重畳するように支持した（図４参照）。
【００７７】
［実施例３］
実施例３では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が支持ステージ３２に重畳し、圧着バックアップステージ３３とは重畳しないように支持した。
【００７８】
［実施例４］
実施例４では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が圧着バックアップステージ３３に重畳し、支持ステージ３２とは重畳しないように支持した。
【００７９】
［実施例５］
実施例５では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの全部が圧着バックアップステージ３３に重畳し、支持ステージ３２とは重畳しないように支持した（図５参照）。
【００８０】
［実施例６］
実施例６では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの全部が支持ステージ３２に重畳し、圧着バックアップステージ３３とは重畳しないように支持した（図３参照）。
【００８１】
［実施例７］
実施例７では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３に重畳するように支持した（図４参照）。
【００８２】
［実施例８］
実施例８では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が支持ステージ３２に重畳し、圧着バックアップステージ３３とは重畳しないように支持した。
【００８３】
［実施例９］
実施例９では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの一部が圧着バックアップステージ３３に重畳し、支持ステージ３２とは重畳しないように支持した。
【００８４】
［実施例１０］
実施例１０では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、評価用ガラス基板を、評価用ＩＣの全部が圧着バックアップステージ３３に重畳し、支持ステージ３２とは重畳しないように支持した（図５参照）。
【００８５】
【表１】
2019021718.tif 000003
【００８６】
表１に示すように、実施例１〜１０に係る接続方法によれば、フレキシブル基板の接続工程におけるＣＯＧ実装部の上昇温度は２０℃以下であった。これは、評価用ＩＣの一部又は全部を支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３に重畳させたことにより、ＣＯＧ実装部に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱を、支持ステージ３２及び／又は圧着バックアップステージ３３を介して放熱したことによる。
【００８７】
なお、実施例１〜１０の中でも、評価用ＩＣを全て支持ステージ３２に重畳させた実施例１、実施例６が最も温度上昇を抑制でき、次いで、評価用ＩＣの一部を支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３に重畳させた実施例２、実施例７が温度上昇を抑制できた。これより、評価用ＩＣの少なくとも一部が支持ステージ３２と重畳するように配置することが好ましいことが分かる。
【第２の実施例】
【００８８】
次いで、本技術の第２の実施例について説明する。第２の実施例では、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを変えるとともに、評価用ガラス基板を、ＣＯＧ接続部に接続された評価用ＩＣが支持ステージ３２及び圧着バックアップステージ３３と重畳しないように支持した（図６参照）。そして、上述した第１の実施例と同様に、フレキシブルプリント基板の接続工程の前後におけるＣＯＧ実装部の温度を熱電対を用いて測定し、上昇温度が２０℃以下の場合をＯＫ（良好）、上昇温度が２０℃を超える場合をＮＧ（不良）と評価した。
【００８９】
第２の実施例における評価用ＩＣ、評価用フレキシブル基板、及び評価用ガラス基板は、第１の実施例と同じであり、接続工程、接続条件も第１の実施例と同じである。
【００９０】
［実施例１１］
実施例１１では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを１ｃｍとした。
【００９１】
［実施例１２］
実施例１２では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを１ｃｍとした。
【００９２】
［比較例１］
比較例１では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２と石英ガラス製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを２ｃｍとした。
【００９３】
［比較例２］
比較例２では、ＳＵＳ製の支持ステージ３２とＳＵＳ製の圧着バックアップステージ３３を用いた。また、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを２ｃｍとした。
【００９４】
【表２】
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【００９５】
表２に示すように、実施例１１，１２に係る接続工程によれば、評価用フレキシブル基板の接続工程におけるＣＯＧ実装部の上昇温度は２０℃以下であった。これは、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを２．０ｃｍ未満としたことによりＣＯＧ実装部に伝わる熱圧着ツール３１の輻射熱が、ＣＯＧ実装部の近傍を支持している支持ステージ３２に伝達され、支持ステージ３２を介して放熱することができたことによる。また、これは、熱圧着ツール３１によって加熱押圧されるＦＯＧ実装部２２を支持する圧着バックアップステージ３３は、支持ステージ３２の端部と離間されているため、圧着バックアップステージ３３及び支持ステージ３２を介してＣＯＧ実装部に熱圧着ツール３１の熱が伝わることがなかったことによる。
【００９６】
一方、比較例１，２に係る接続工程においては、支持ステージ３２の圧着バックアップステージ３３と対向する側の端部と、圧着バックアップステージ３３に支持されている評価用ガラス基板の端部との距離Ｄを２．０ｃｍ以上としたため、狭小化された額縁領域においてＣＯＧ実装部と支持ステージ３２との距離が開いて熱が支持ステージ３２に伝わりにくく、温度が２０℃以上、上昇した。
【符号の説明】
【００９７】
１  異方性導電フィルム、２  剥離フィルム、３  バインダー樹脂層、４  導電粒子、１０  液晶表示パネル、１１  透明基板、１２  透明基板、１３  シール、１４  液晶、１５  パネル表示部、１６  透明電極、１７  透明電極、１８  液晶駆動用ＩＣ、２０  ＣＯＧ実装部、２１  フレキシブルプリント基板、２２  ＦＯＧ実装部、２４  配向膜、２５  偏光板、２６  偏光板、３０  接続装置、３１  熱圧着ツール、３２  支持ステージ、３２ａ  支持面、３２ｂ  裏面、３３  圧着バックアップステージ、３３ａ  支持面、３３ｂ  裏面、３４  緩衝材、３５  空隙部、３７  熱伝導率が低い材料、３８  熱伝導率が高い材料、３９  凹凸部、４０  冷却装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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