(57)【要約】【課題】基板を過酸化水素添加水で洗浄することにより、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する基板の洗浄装置１０であって、２０℃以上の過酸化水素添加水Ｗ１を所定の温度に冷却する冷却手段２と、冷却手段２で冷却した過酸化水素添加水Ｗ２により基板を洗浄する洗浄手段３とを備える。洗浄手段３は、冷却手段２により冷却された過酸化水素添加水Ｗ２に基板を浸漬して洗浄する洗浄槽３１を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する基板の洗浄装置であって、
２０℃以上の過酸化水素添加水を所定の温度に冷却する冷却手段と、
前記冷却手段で冷却した過酸化水素添加水により基板を洗浄する洗浄手段と
を備える基板の洗浄装置。
【請求項２】
前記洗浄手段が、前記冷却手段により冷却した過酸化水素添加水に前記基板を浸漬して洗浄する洗浄槽を有する請求項１に記載の基板の洗浄装置。
【請求項３】
前記冷却手段が、過酸化水素添加水を０℃以上２０℃未満に冷却可能なチラーを有する請求項１又は請求項２に記載の基板の洗浄装置。
【請求項４】
前記冷却手段に供給する過酸化水素添加水を生成する過酸化水素添加水生成装置をさらに備え、前記過酸化水素添加水生成装置が、供給された超純水と添加された過酸化水素とを混合する混合手段を有する請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板の洗浄装置。
【請求項５】
過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する基板の洗浄方法であって、
２０℃以上の過酸化水素添加水を所定の温度に冷却する冷却工程と、
前記冷却工程で冷却した過酸化水素添加水により基板を洗浄する洗浄工程と
を備える基板の洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄工程が、前記冷却工程において冷却した過酸化水素添加水に前記基板を浸漬して洗浄する浸漬工程を有する請求項５に記載の基板の洗浄方法。
【請求項７】
前記冷却工程が、過酸化水素添加水を０℃以上２０℃未満に冷却するものである請求項５又は請求項６に記載の基板の洗浄方法。
【請求項８】
前記冷却工程で冷却する過酸化水素添加水を生成する過酸化水素添加水生成工程をさらに備え、前記過酸化水素添加水生成工程が、供給された超純水と添加された過酸化水素とを混合する混合工程を有する請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法に関し、特に、過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する洗浄装置及び洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造において、製造過程で生じるレジスト等の有機物や金属異物の汚染物質は、半導体基板の表面に付着したり残存したりすると、半導体の電気的特性に劣化等を生じさせ、その品質に多大な影響を与える。したがって、半導体デバイスの製造において、半導体基板の洗浄は極めて重要な課題である。
【０００３】
このような基板の洗浄方法としては、液体を媒体として用いるウェット洗浄方法と乾式で行うドライ洗浄方法とがあり、ウェット洗浄方法には、基板を液体に浸漬する浸漬式と、基板に液体を噴射する枚葉式とがある。従来、半導体デバイスの製造においては、浸漬式のウェット洗浄方法であるＲＣＡ洗浄方式を基本として、基板の洗浄が行われている。
【０００４】
ＲＣＡ洗浄方式は、過酸化水素をベースとしたアルカリ洗浄と酸洗浄とを備える洗浄方式である。一般的なＲＣＡ洗浄方式では、第一段階として、微粒子除去を目的とするアンモニア水と過酸化水素水と水との混合液を用いた洗浄（以下、ＳＣ−１洗浄という。）が、第二段階として、金属除去を目的とする塩酸と過酸化水素水と水との混合液を用いた洗浄（以下、ＳＣ−２洗浄という。）が採用されている。なお、ＲＣＡ洗浄後の基板表面には、ＳＣ−１洗浄及びＳＣ−２洗浄により自然酸化膜が形成されるため、これを希フッ酸により除去した後、超純水によりリンスを行っている。
【０００５】
ＳＣ−１洗浄は、アルカリ洗浄液による化学反応で基板表面をエッチングして微粒子とともに除去することを基本メカニズムとしていることから、洗浄中に基板表面の微小な凹凸であるマイクロラフネスが増大することが指摘されている。また、ＳＣ−１洗浄で用いるアルカリ洗浄液等にＦｅ等の金属不純物や有機物が存在する場合には、これら不純物がゲート絶縁膜上に吸着することで、結晶粒の異常成長を引き起こすことが分かっている。このような荒れた表面を有する基板及びゲート絶縁膜は、作製した電解効果トランジスタの駆動能力の低下を招来する。また、このようなトランジスタのゲート電極に実際に電圧を加えた場合、基板表面のマイクロラフネスによって、ゲート絶縁膜中で局所的な電解集中が発生し、絶縁破壊に至るおそれがある。
【０００６】
上記課題への対策として、例えば、特許文献１に示されるような、オゾン水又は過酸化水素水を用いた等方性酸化手段で単結晶シリコン半導体表面を酸化し犠牲酸化膜を形成する第１の工程と、この犠牲酸化膜をフッ酸を含む水溶液又は塩酸とフッ酸の混合溶液を用いて剥離する第２の工程とによって、単結晶シリコン半導体表面を平坦化させることで、単結晶シリコン半導体表面のラフネスを低減させる基板処理方法が提案されている。特許文献１に示される基板処理方法では、シリコンウエハをオゾン水又は過酸化水素水に浸漬又は接触させ、面方位に関係なく等方的に酸化を進行させて犠牲酸化膜を形成した上で、この犠牲酸化膜を剥離することにより、極めて短時間での平坦化処理を可能としている。
【０００７】
ところで、最近の半導体デバイスの高集積化や回路パターンの微細化の進行に伴い、基板表面の品質に対する要求がますます厳しくなっていることから、洗浄性能のさらなる向上が要求されており、これに付随して環境負荷の低減の観点から洗浄工程における基板材料のロスの低減が要求されている。しかしながら、上述の基板処理方法では、基板表面の平坦化は達成できるが、酸化の進行が非常に速く、基板表面へ犠牲酸化膜を形成するのに要する時間が極めて短い（３０秒程度）ことから、少しでも酸化が進行し過ぎると基板表面に酸化膜が厚く形成されてしまい、基板材料のロスが増加するという不都合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４９５４４３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上述のような事情に基づいてなされたものであり、基板を過酸化水素添加水で洗浄することにより、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第一に本発明は、過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する基板の装置であって、２０℃以上の過酸化水素添加水を所定の温度に冷却する冷却手段と、前記冷却手段で冷却した過酸化水素添加水により基板を洗浄する洗浄手段とを備える基板の洗浄装置を提供する（発明１）。
【００１１】
かかる発明（発明１）によれば、基板の洗浄に、所定の温度に冷却した低温の過酸化水素添加水を用いることにより、過酸化水素の活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
【００１２】
上記発明（発明１）においては、前記洗浄手段が、前記冷却手段により冷却した過酸化水素添加水に前記基板を浸漬して洗浄する洗浄槽を有することが好ましい（発明２）。
【００１３】
かかる発明（発明２）によれば、基板全体を冷却した過酸化水素添加水に浸漬することができるので、静電気発生等の問題が生じず、効率的に洗浄を行うことが可能となる。
【００１４】
上記発明（発明１，２）においては、前記冷却手段が、過酸化水素添加水を０℃以上２０℃未満に冷却可能なチラーを有することが好ましい（発明３）。
【００１５】
かかる発明（発明３）によれば、洗浄手段に供給する過酸化水素添加水の温度を０℃以上２０℃未満に制御することができるので、冷却した過酸化水素添加水により安定的に洗浄を行うことが可能となる。
【００１６】
上記発明（発明１−３）においては、前記冷却手段に供給する過酸化水素添加水を生成する過酸化水素添加水生成装置をさらに備え、前記過酸化水素添加水生成装置が、供給された超純水と添加された過酸化水素とを混合する混合手段を有することが好ましい（発明４）。
【００１７】
かかる発明（発明４）によれば、混合手段により、供給された超純水中に添加された過酸化水素を均一に溶解することができるので、洗浄手段にによる洗浄の際に基板表面をより均一に酸化することのできる過酸化水素添加水を生成することが可能となる。
【００１８】
第二に本発明は、過酸化水素添加水を用いて基板を洗浄する基板の洗浄方法であって、２０℃以上の過酸化水素添加水を所定の温度に冷却する冷却工程と、前記冷却工程で冷却した過酸化水素添加水により基板を洗浄する洗浄工程とを備える基板の洗浄方法を提供する（発明５）。
【００１９】
上記発明（発明５）においては、前記洗浄工程が、前記冷却工程において冷却した過酸化水素添加水に前記基板を浸漬して洗浄する浸漬工程を有することが好ましい（発明６）。
【００２０】
上記発明（発明５，６）においては、前記冷却工程が、過酸化水素添加水を０℃以上２０℃未満に冷却するものであることが好ましい（発明７）。
【００２１】
上記発明（発明５−７）においては、前記冷却工程で冷却する過酸化水素添加水を生成する過酸化水素添加水生成工程をさらに備え、前記過酸化水素添加水生成工程が、供給された超純水と添加された過酸化水素とを混合する混合工程を有することが好ましい（発明８）。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の洗浄装置及び洗浄方法によれば、基板の洗浄に、所定の温度に冷却した低温の過酸化水素添加水を用いることにより、過酸化水素の活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板の洗浄装置を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであって、何ら本発明を限定するものではない。
【００２５】
［基板の洗浄装置］
図１は、本発明の一実施形態に係る基板の洗浄装置１０を示す説明図である。図１に示す洗浄装置１０は、過酸化水素添加水生成装置１、冷却手段２、洗浄手段３を主に備える。過酸化水素添加水生成装置１は、冷却手段２に供給する過酸化水素添加水Ｗ１を生成するものであって、混合手段１１、薬注手段１２、制御機構１３を主に有する。冷却手段２は、２０℃以上の過酸化水素添加水Ｗ１を所定の温度に冷却するものであって、過酸化水素添加水Ｗ１を０℃以上２０℃未満に冷却可能なチラー２１を有する。洗浄手段３は、冷却手段２で冷却した過酸化水素添加水Ｗ２により基板ｗを洗浄するものであって、冷却手段２により冷却した過酸化水素添加水Ｗ２に基板ｗを浸漬して洗浄する洗浄槽３１を有する。
【００２６】
洗浄装置１０には、原水槽（不図示）から原水としての超純水Ｗ（１８．２ＭΩ＜）を混合手段１１に供給するための供給配管Ｌ１と、混合手段１１と冷却手段２とを連結する供給配管Ｌ２と、冷却手段２と洗浄手段３とを連結する供給配管Ｌ３とが設けられている。供給配管Ｌ１には、薬注配管Ｌ４を介して薬注手段１２が接続している。また、供給配管Ｌ１には、原水槽から混合手段１１へ超純水Ｗを供給する原水ポンプ１５と、超純水Ｗの流量を測定する流量計１６が設けられている。薬注配管Ｌ４には、薬注手段１２から混合手段１１へ過酸化水素を添加する薬注ポンプ１４が設けられている。
【００２７】
（過酸化水素添加水生成装置）
過酸化水素添加水生成装置１は冷却手段２に供給する過酸化水素添加水Ｗ１を生成するものであって、混合手段１１、薬注手段１２、制御機構１３を主に有する。
【００２８】
混合手段１１は供給された超純水Ｗと添加された過酸化水素とを混合するものであって、本実施形態においては混合槽１１１を有する。混合手段１１の構成や形状は、超純水Ｗと過酸化水素とを混合することで超純水Ｗ中に過酸化水素を均一に溶解することができれば特に制限はないが、添加した過酸化水素を十分に混合することができる時間を確保できる容量を有するものであることが好ましく、例えば、混合槽１１１に撹拌機を備えたものが挙げられる。
【００２９】
薬注手段１２は過酸化水素を混合手段１１に添加するものであって、本実施形態においては過酸化水素タンク１２１と薬注ポンプ１４とを有する。過酸化水素タンク１２１内の過酸化水素は、薬注ポンプ１４によって混合槽１１１に添加される。一方、原水槽内の超純水Ｗは、原水ポンプ１５によって混合槽１１１に供給される。
【００３０】
制御機構１３は薬注手段１２が混合手段１１に添加する過酸化水素の量を制御するものである。本実施形態において、制御機構１３は、流量計１６により測定された超純水Ｗの流量データと、設定された過酸化水素濃度とに基づき、必要な過酸化水素の添加量を算出し、この算出した添加量の過酸化水素を添加するよう、薬注ポンプ１４の稼働を制御する。
【００３１】
流量計１６としては、供給配管Ｌ１を流通する超純水Ｗの流量を測定し、この流量データを制御機構１３に送信することができれば特に制限はないが、原水として超純水を使用することを鑑みると、超純水に接液しない超音波流量計等を使用することが好ましい。薬注ポンプ１４としては、制御機構１３からの命令を受信して、薬注手段１２から所定量の過酸化水素を混合手段１１に添加することができれば特に制限はなく、一般的な薬注ポンプが使用できる。
【００３２】
制御機構１３としては、薬注手段１２から混合手段１１への過酸化水素の添加量を制御することができれば特に制限はなく、ＰＩＤ制御等の一般的な方法を適用したものが使用できる。本実施形態において、制御機構１３は、流量計１６から送信された超純水Ｗの流量データと、設定された過酸化水素濃度とに基づき、必要な過酸化水素の添加量を算出した上で、この算出した添加量の過酸化水素を添加するよう、薬注ポンプ１４へ命令を送信することで薬注ポンプ１４の稼働を制御している。制御機構１３がこのように、薬注手段１２から混合手段１１への過酸化水素の添加量を制御することにより、混合槽１１１内において、設定した過酸化水素濃度を有する過酸化水素添加水Ｗ１を生成することができる。
【００３３】
本実施形態において、過酸化水素添加水Ｗ１の過酸化水素濃度の好ましい領域は、１０ｐｐｂ−１００ｐｐｍである。なお、過酸化水素添加水の生成には、過酸化水素を効率的に溶解させるために、加温された超純水（温超純水）を用いるのが一般的であることから、混合手段１１で生成される過酸化水素添加水Ｗ１は、２０℃以上の水温を有しているのが通常である。混合槽１１１内で生成された過酸化水素添加水Ｗ１は、供給配管Ｌ２を経て冷却手段２へ供給される。
【００３４】
（冷却手段）
冷却手段２は供給された過酸化水素添加水Ｗ１を冷却するものであって、本実施形態においては、過酸化水素添加水Ｗ１を０℃以上２０℃未満に冷却可能なチラー２１を有する。チラー２１としては、過酸化水素添加水Ｗ１を０℃以上２０℃未満に冷却可能であれば特に制限はなく、公知の冷却装置が使用できる。温度を０℃以上２０℃未満に制御された過酸化水素添加水Ｗ２は過酸化水素の活性が低下するので、下流側に設けられた洗浄手段３において、基板ｗ表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することができる。
【００３５】
なお、冷却手段２は、並列に連結される複数のチラー２１を有するチラーユニットを備え、このチラーユニットが、各チラー２１の冷却機能の低下の程度に応じて、複数のチラー２１の運転状態を切替可能に構成されていてもよい。冷却手段２が、このような構成であることにより、複数のチラー２１の運転状態を切り替えることで、使用するチラー２１を選択することができるので、例えば微生物等が発生して冷却機能が低下したチラー２１がある場合でも、チラーユニット全体の運転を停止せずに継続することができ、冷却した過酸化水素添加水Ｗ２の製造効率が向上する。
【００３６】
（洗浄手段）
洗浄手段３は、冷却した過酸化水素添加水Ｗ２により基板ｗを洗浄するためのものであり、本実施形態においては、０℃以上２０℃未満に冷却した過酸化水素添加水Ｗ２に基板ｗを浸漬して洗浄する洗浄槽３１を有する。洗浄槽３１としては、被洗浄物である基板ｗ全体を浸漬することができれば特に制限はなく、既存のものが適用できる。洗浄槽３１を用いることにより、基板ｗ全体を冷却した過酸化水素添加水Ｗ２に浸漬することができるので、静電気発生等の問題が生じず、効率的に洗浄を行うことが可能となる。また、温度を０℃以上２０℃未満に制御した過酸化水素添加水Ｗ２は過酸化水素の活性が低下するので、基板ｗ表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することができ、安定的に基板の洗浄を行うことが可能となる。
【００３７】
［基板の洗浄方法］
次に、上述したような本実施形態の基板の洗浄装置１０を用いた洗浄方法について図１を参照しつつ詳説する。当該基板の洗浄方法は、過酸化水素添加水生成工程、冷却工程、洗浄工程を主に備える。
【００３８】
（過酸化水素添加水生成工程）
過酸化水素添加水生成工程は、過酸化水素添加水を生成するものであって、超純水供給工程、制御工程、過酸化水素添加工程、混合工程を主に備える。
【００３９】
過酸化水素添加水生成工程においては、まず、原水槽から混合手段１１へ、原水ポンプ１５により超純水Ｗが供給される（超純水供給工程）。このとき、制御機構１３は、流量計１６から送信された超純水Ｗの流量データと、設定された過酸化水素濃度とに基づき、必要な過酸化水素の添加量を算出した上で、この算出した添加量の過酸化水素を添加するよう、薬注ポンプ１４へ命令を送信することで薬注ポンプ１４の稼働を制御する（制御工程）。制御機構１３からの命令を受信した薬注ポンプ１４により、薬注手段１２が有する過酸化水素タンク１２１から所定の過酸化水素が混合手段１１が有する混合槽１１１に添加される（過酸化水素添加工程）。混合槽１１１において、供給された超純水Ｗと添加された過酸化水素とが混合され、超純水Ｗ中に過酸化水素が均一に溶解することで、設定された過酸化水素濃度を有する過酸化水素添加水Ｗ１が生成される（混合工程）。なお、過酸化水素添加水生成工程において生成された過酸化水素添加水Ｗ１は、２０℃以上の水温を有している。過酸化水素添加水Ｗ１は、供給配管Ｌ２を経て冷却手段２に供給される。
【００４０】
（冷却工程）
次に、冷却工程において、冷却手段２が有するチラー２１により、供給された過酸化水素添加水Ｗ１を０℃以上２０℃未満に冷却する。０℃以上２０℃未満に冷却された過酸化水素添加水Ｗ２は、供給配管Ｌ３を経て洗浄手段３に供給される。
【００４１】
なお、上記冷却工程は、並列に連結される複数のチラー２１を有するチラーユニットを用いて、各チラー２１の冷却機能の低下の程度に応じて、複数のチラー２１の運転状態を切り替えることにより行ってもよい。複数のチラー２１の運転状態を切り替えることにより、使用するチラー２１を選択することができるので、例えば微生物等が発生して冷却機能が低下したチラー２１がある場合でも、チラーユニット全体の運転は停止させずに継続することができ、冷却した過酸化水素添加水Ｗ２の製造効率が向上する。
【００４２】
（洗浄工程）
洗浄工程においては、まず、洗浄手段３が有する洗浄槽３１に所定量の冷却した過酸化水素添加水Ｗ２が供給されると、搬送手段（不図示）により基板ｗが洗浄槽３１に搬入される。洗浄槽３１に搬入された基板ｗは、冷却した過酸化水素添加水Ｗ２中に浸漬されて、洗浄される。所定時間が経過すると、搬送手段により洗浄後の基板ｗは洗浄槽３１外へ搬出される。なお、搬送手段は、複数の基板ｗを洗浄槽３１に搬入及び搬出するものであってもよい。基板ｗの浸漬洗浄後の過酸化水素添加水は、廃水配管（不図示）を経て洗浄槽３１外に排出される。そして、次に洗浄すべき基板ｗに対して、上記洗浄工程が繰り返し行われる。
【００４３】
以上のように、本発明の洗浄方法によれば、基板の洗浄に、所定の温度、特に０℃以上２０℃未満の温度に冷却した低温の過酸化水素添加水を用いることにより、過酸化水素の活性が低下するので、基板表面の酸化膜の形成を抑制することができ、もって、基板材料のロスを低減することが可能となる。
【００４４】
以上、本発明について図面を参照にして説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変更実施が可能である。例えば、上記実施形態においては、過酸化水素添加水生成装置１において、過酸化水素タンク１２１内に貯留した過酸化水素を混合手段１１に添加しているが、過酸化水素タンク１２１の代わりに、電解過酸化水素発生装置を用いてもよい。また。上記実施形態においては、洗浄手段３において、洗浄槽３１を用いて浸漬式により基板ｗの洗浄を行っているが、０℃以上２０℃未満に冷却した過酸化水素添加水で基板ｗを洗浄することが可能であれば、例えば、基板ｗに過酸化水素添加水を噴射する枚葉式で洗浄を行ってもよい。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳説するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４６】
図１に示す基板の洗浄装置を用いて、シリコン基板の洗浄処理を行った。まず、シリコン基板を常温の過酸化水素添加水（過酸化水素濃度：１５ｐｐｍ）に５分間浸漬させた後、０．５ｗｔ％の希薄フッ酸に５分間浸漬させて、表面を清浄化した。
【００４７】
〔実施例１〕
上記清浄化後のシリコン基板を、チラーにより１２℃に冷却した過酸化水素添加水（過酸化水素濃度：１０ｐｐｍ）に５分間浸漬させて洗浄した後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
【００４８】
〔比較例１〕
シリコン基板を浸漬洗浄する過酸化水素添加水を冷却しなかった以外は実施例１と同様にして、上記清浄化後のシリコン基板の浸漬洗浄をした後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
【００４９】
〔実施例２〕
上記清浄化後のシリコン基板を、チラーにより１２℃に冷却した過酸化水素添加水（過酸化水素濃度：１００ｐｐｍ）に５分間浸漬させて洗浄した後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
【００５０】
〔比較例２〕
シリコン基板を浸漬洗浄する過酸化水素添加水を冷却しなかった以外は実施例２と同様にして、上記清浄化後のシリコン基板の浸漬洗浄をした後、酸化膜厚をエリプソメーターで測定した。
【００５１】
実施例１及び比較例１、実施例２及び比較例２のそれぞれについて、過酸化水素添加水による浸漬洗浄後のシリコン基板に形成された酸化膜厚の数値を表１に示す。本結果から分かるように、シリコン基板を洗浄する過酸化水素添加水の温度を０℃以上２０℃未満に冷却することによって、過酸化水素添加水中の過酸化水素の活性が減少するので、同様の浸漬時間でも酸化膜厚を制御することができることが分かった。
【００５２】
【表１】
2019161161.tif 000003
【００５３】
以上説明したように、本発明の基板の洗浄装置及び基板の洗浄方法によれば、基板表面に残留したレジスト等の有機物や金属異物を洗浄除去するとともに、洗浄工程における基板材料のロスを低減させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、半導体デバイスの製造において、製造過程で生じるレジスト等の有機物や金属異物の汚染物質の洗浄装置及び洗浄方法として有用である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  基板の洗浄装置
１  過酸化水素添加水生成装置
１１  混合手段
１１１  混合槽
１２  薬注手段
１２１  過酸化水素タンク
１３  制御機構
１４  薬注ポンプ
１５  原水ポンプ
１６  流量計
２  冷却手段
２１  チラー
３  洗浄手段
３１  洗浄槽
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３  供給配管
Ｌ４  薬注配管
Ｗ  超純水
Ｗ１  過酸化水素添加水
Ｗ２  冷却した過酸化水素添加水
ｗ  基板
【図１】
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