(57)【要約】【課題】素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供する。【解決手段】主面３ａを有し、複数の第１のセラミック層３ｂが積層されてなる底部３と、底部３の一部の領域を囲むように主面３ａに設けられており、複数の第２のセラミック層４ｂが積層されてなる隔壁部４と、主面３ａにおける隔壁部４の内側に露出している第１の端部５ａと、主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出している第２の端部５ｅとを有し、かつ底部３内を通る配線５とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、
前記底部の一部の領域を囲むように前記主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、
前記主面における前記隔壁部の内側に露出している第１の端部と、前記主面における前記隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ前記底部内を通る配線とを備える、積層セラミック基板。
【請求項２】
前記底部の前記第１のセラミック層と前記隔壁部の前記第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなる、請求項１に記載の積層セラミック基板。
【請求項３】
前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置と、前記第２の端部の前記高さ方向の位置とが同じである、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
【請求項４】
前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より高い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
【請求項５】
前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より低い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
【請求項６】
前記配線が、前記隔壁部の内側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、前記隔壁部の外側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、前記底部内を通り、前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部を接続している接続部とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミック基板。
【請求項７】
前記配線が複数設けられており、
前記複数の配線のうち少なくとも２つの配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられている、請求項６に記載の積層セラミック基板。
【請求項８】
前記配線が、前記接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、
前記接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う前記配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられており、
前記第１のセラミック層の積層方向と、前記接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、前記接続部の前記幅が前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部の前記幅より広い、請求項７に記載の積層セラミック基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層セラミック基板と、
前記隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備える、積層セラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子を搭載するための積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を搭載するために、発光素子搭載用基板が用いられている。発光素子搭載用基板に搭載される発光素子の一例としてのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、小型で消費電力が低い光源である。なかでも、白色ＬＥＤは、白熱球や、蛍光ランプに代わる照明として注目を集めている。また、紫外ＬＥＤは、殺菌、空気洗浄、がん治療、または樹脂硬化等の用途において、紫外線光源として注目を集めている。
【０００３】
下記の特許文献１には、窒化アルミニウム基板上に光反射層が設けられてなる発光素子搭載用基板が開示されている。特許文献１では、窒化アルミニウム基板内にフィルドビアが設けられている。上記フィルドビアは、表面側電極と裏面側電極とを接続している。
【０００４】
また、特許文献１には、上記発光素子搭載用基板に発光素子が搭載された発光デバイスが開示されている。上記発光素子は、上記表面側電極に接続されている。特許文献１では、上記発光素子を覆うように樹脂が設けられており、それによって発光素子が封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１４４２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、殺菌や空気清浄、または樹脂硬化等の性能をより一層向上させる観点から、深紫外線ＬＥＤへの注目が高まっている。深紫外線ＬＥＤを発光素子として用いる場合、より一層高い気密性が必要となる。しかしながら、特許文献１の発光デバイスは、可視光線を発光する発光素子を前提としており、気密性が十分でなかった。
【０００７】
また、発光素子は、発光素子搭載用基板の裏面側電極を介して他の素子と電気的に接続される。そのため、他の素子が搭載された別の実装基板に、発光素子搭載用基板を搭載することを要するため、装置全体の低背化が困難であった。
【０００８】
本発明の目的は、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層セラミック基板は、主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、底部の一部の領域を囲むように主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、主面における隔壁部の内側に露出している第１の端部と、主面における隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ底部内を通る配線とを備えることを特徴とする。
【００１０】
底部の第１のセラミック層と隔壁部の第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなることが好ましい。
【００１１】
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置と、第２の端部の高さ方向の位置とが同じであってもよい。
【００１２】
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より高くてもよい。
【００１３】
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より低くてもよい。
【００１４】
配線が、隔壁部の内側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、隔壁部の外側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、底部内を通り、第１の貫通部及び第２の貫通部を接続している接続部とを有することが好ましい。この場合、配線が複数設けられており、複数の配線のうち少なくとも２つの配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられていることが好ましい。また、配線が、接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられており、第１のセラミック層の積層方向と、接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、接続部の幅が第１の貫通部及び第２の貫通部の幅より広いことが好ましい。
【００１５】
本発明の積層セラミックパッケージは、上記積層セラミック基板と、隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の変形例における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。
【図８】本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。
【図９】図８中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態の変形例における積層セラミック基板の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図２は、第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図２においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。
【００２０】
図１に示すように、積層セラミックパッケージ１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミック基板２と、ガラス蓋７とを備える。積層セラミック基板２には、素子１０が搭載されている。素子１０としては、例えば、可視光線用のＬＥＤ及び深紫外線ＬＥＤ等の発光素子や反射型映像デバイス等を挙げることができる。
【００２１】
図２に示すように、積層セラミック基板２は、主面３ａを有する底部３と、底部３の一部の領域を囲むように主面３ａに設けられている隔壁部４とを備える。底部３は、隔壁部４の内側の領域と外側の領域とを有する。素子１０は、底部３の主面３ａにおける、隔壁部４の内側の領域に配置されている。
【００２２】
図１に戻り、底部３は複数の第１のセラミック層３ｂが積層されてなる。隔壁部４は、底部３の第１のセラミック層３ｂと同じセラミック材料からなる複数の第２のセラミック層４ｂが積層されてなる。積層セラミック基板２は、底部３及び隔壁部４が一体的に設けられた積層セラミック基板である。なお、第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、異なるセラミック材料からなっていてもよい。
【００２３】
積層セラミック基板２の隔壁部４上には、上記ガラス蓋７が設けられている。ガラス蓋７は、封着材層６により隔壁部４に接合されている。素子１０は、積層セラミック基板２及びガラス蓋７により封止されている。
【００２４】
積層セラミック基板２は、底部３を通る配線５を備える。より具体的には、配線５は、隔壁部４の内側において、底部３の少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第１の貫通部５ｂを有する。第１の貫通部５ｂは、底部３の主面３ａにおける隔壁部４の内側に露出している第１の端部５ａを含む。配線５は、隔壁部４の外側において、少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第２の貫通部５ｄを有する。第２の貫通部５ｄは、主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出している第２の端部５ｅを含む。さらに、配線５は、底部３内を通り、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部５ｄを接続している接続部５ｃを有する。
【００２５】
なお、接続部５ｃは、複数の第１のセラミック層３ｂのうち１層に設けられている。該第１のセラミック層３ｂの接続部５ｃが設けられている面に、さらに他の第１のセラミック層３ｂが積層されている。
【００２６】
ここで、第１のセラミック層３ｂ及び第２のセラミック層４ｂの積層方向ｚを高さ方向ｚとしたときに、本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。なお、本明細書においては、底部３の高さ方向ｚの位置よりもガラス蓋７の高さ方向ｚの位置の方が高いものとする。
【００２７】
素子１０は、ワイヤ８により配線５に電気的に接続されている。素子１０は、ワイヤ８及び配線５を介して他の素子等に電気的に接続される。配線５及びワイヤ８は適宜の金属からなる。なお、本実施形態においては、ワイヤ８はＡｕからなる。
【００２８】
本実施形態の特徴は、底部３及び隔壁部４が複数のセラミック層の積層体であり、かつ底部３内を通り、主面３ａにおける隔壁部４の内側及び外側に露出している配線５を有することにある。これにより、隔壁部４の第２のセラミック層４ｂが全面において底部３の第１のセラミック層３ｂと接するため、底部３と隔壁部４とを一体的に設けることができる。よって、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、積層セラミックパッケージ１を実装基板に実装せずに、図１に示す素子１０を他の素子等と電気的に接続することができる。よって、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
【００２９】
ここで、接続部５ｃが延びる方向を方向ｘとし、方向ｘ及び積層方向ｚに直交する方向を方向ｙとする。図２に示すように、本実施形態においては、配線５は方向ｙに複数設けられている。さらに、配線５は方向ｘに複数設けられている。より具体的には、図１に示すように、複数の配線５の接続部５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。配線５において、第１の貫通部５ｂが隔壁部４に近い位置に配置されているほど、第２の貫通部５ｄも隔壁部４に近い位置に配置されている。それによって、複数の配線５を短絡させずに集中的に配置することができるため、配線５を配置するための面積を小さくすることができる。従って、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。なお、配線５の配置は上記に限定されない。
【００３０】
接続部５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂの外層側に、複数の第１のセラミック層３ｂが設けられていることが好ましい。それによって、積層セラミック基板２の強度を高めることができ、かつ配線５が断線し難い。
【００３１】
第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、本実施形態のように、同じセラミック材料からなることが好ましい。それによって、底部３と隔壁部４との密着性を効果的に高めることができ、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。さらに、底部３の材料と隔壁部４の材料との熱膨張係数が同じであるため、温度変化に際しても安定して密閉性を高めることができ、信頼性を高めることができる。
【００３２】
本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。よって、底部３の厚みの均一性が高く、温度変化による複雑な変形が生じ難い。従って、温度変化に際してもより一層安定して密閉性を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
【００３３】
複数の配線５のうち少なくとも２つの配線５の接続部５ｃが、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられていることが好ましい。それによって、上述したように、配線５を集中的に配置することができ、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。
【００３４】
図３は、第１の実施形態の変形例における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。本変形例の積層セラミック基板２２は、底部２３における素子１０が配置される部分を方向ｚに貫通している、複数の放熱部材２８を有する。それによって、素子１０から生じる熱を効果的に放熱することができる。放熱部材２８は、特に限定されないが、熱伝導性が高いＡｇ等の金属からなることが好ましい。なお、放熱部材２８は、底部２３の材料よりも熱伝導性が高い材料からなっていればよい。
【００３５】
以下、図１に示す積層セラミックパッケージ１を構成する各部材の詳細を説明する。
【００３６】
底部３の第１のセラミック層３ｂ及び隔壁部４の第２のセラミック層４ｂを構成するセラミック材料としては、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等が挙げられる。ＬＴＣＣの具体的な例としては、酸化アルミニウムや酸化ジルコニウム等の無機粉末とガラス粉末との焼結体等が挙げられる。
【００３７】
ガラス蓋７を構成するガラスの具体例としては、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫ）系ガラス等が挙げられる。
【００３８】
封着材層６を形成するための封着材料は、Ｂｉ２Ｏ３系ガラス粉末、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラス粉末、Ｖ２Ｏ５−ＴｅＯ２系ガラス粉末等の低融点の封着ガラスを含んでいることが好ましい。特に、レーザーを照射して封着する場合、封着材料をより一層短時間の加熱で軟化させる必要性とより一層接合強度を高める観点から、封着ガラスには、軟化点の低いビスマス系ガラス粉末を用いることがより好ましい。また、封着材料には、低膨張耐火性フィラーや、レーザー吸収材等が含まれていてもよい。低膨張耐火性フィラーとしては、例えば、コーディエライト、ウイレマイト、アルミナ、リン酸ジルコニウム系化合物、ジルコン、ジルコニア、酸化スズ、石英ガラス、β−石英固溶体、β−ユークリプタイト、β−スポジュメンが挙げられる。また、レーザー吸収材としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む酸化物等の化合物が挙げられる。
【００３９】
（製造方法）
以下において、第１の実施形態の積層セラミックパッケージ１の製造方法の一例を説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
【００４０】
図４（ａ）に示す第１のグリーンシート８３ｂを用意する。より具体的には、セラミック粉末に、樹脂バインダー、可塑剤及び溶剤を添加して混練することにより、スラリーを作製する。次に、作製したスラリーをドクターブレード等によりＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の基材の上に塗布した後乾燥し、第１のグリーンシート８３ｂを作製する。次に、第１のグリーンシート８３ｂに複数の孔８５ａを設ける。なお、孔８５ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、パンチングやドリルによる機械加工や、レーザー加工等により形成することができる。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、孔８５ａに金属ペースト８５ｂを充填した後、印刷等により、第１のグリーンシート８３ｂ上に金属ペースト８５ｃを塗布する。金属ペースト８５ｃは、図１に示した配線５の接続部５ｃを形成するための金属ペーストである。同様の方法により、複数の第１のグリーンシート８３ｂを作製する。なお、金属ペースト８５ｃや孔８５ａを形成していない第１のグリーンシート８３ｂを少なくとも１枚作製することが好ましい。
【００４２】
一方で、第１のグリーンシート８３ｂと同様にして作製したグリーンシートを枠状の形状に打ち抜くことにより、複数の第２のグリーンシートを作製する。
【００４３】
次に、図４（ｃ）に示すように、金属ペースト８５ｃが外部に露出しないようにすると共に、各第１のグリーンシート８３ｂの孔８５ａに充填した金属ペースト８５ｂが重なるように、複数の第１のグリーンシート８３ｂを積層圧着する。なお金属ペースト８５ｃを形成していない第１のグリーンシート８３ｂが、上記素子１０を搭載しない方の最外層となるように積層することが好ましい。それによって、上記底部３の強度を高めることができ、かつ上記配線５が断線し難い。
【００４４】
次に、複数の第１のグリーンシート８３ｂの積層体上に、複数の第２のグリーンシート８４ｂを積層する。なお、各金属ペースト８５ｃの、枠状の第２のグリーンシート８４ｂの内側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）と、第２のグリーンシート８４ｂの外側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）とを有するように、第２のグリーンシート８４ｂを積層する。次に、温水ラミネータ等を用いて、複数の第１のグリーンシート８３ｂ及び複数の第２のグリーンシート８４ｂを圧着する。
【００４５】
次に、例えば、８００℃以上、９００℃以下の温度で焼成を行うことにより、図４（ｄ）に示す積層セラミック基板２を得る。
【００４６】
次に、封着材料８６を隔壁部４上もしくはガラス蓋７下に配置する。封着材料８６の配置は、例えば、封着材料８６と適宜の有機バインダとを混合したペーストを印刷することにより行うことができる。次に、例えば、４００℃以上、６００℃以下の温度で焼成を行う。
【００４７】
次に、素子１０を積層セラミック基板２の底部３の主面３ａ上に配置する。次に、素子１０と配線５の第１の端部５ａとを、ワイヤ８により接続する。なお、素子１０を積層セラミック基板２上に配置する前に、配線５の第１の端部５ａにＡｕ膜等の金属膜を形成することが好ましい。これにより、ワイヤ８により、素子１０と配線５とを容易に接続することができる。上記金属膜は、例えば、無電解めっき法や、電解めっき法により形成することができる。
【００４８】
次に、ガラス蓋７を隔壁部４上に配置する。次に、ガラス蓋７を封着材料８６及び隔壁部４に密着させた状態で、ガラス蓋７側から封着材料８６にレーザー光Ｌを照射する。これにより、封着材料８６を軟化させ、ガラス蓋７と隔壁部４とを接合する。レーザー光Ｌとしては、例えば、波長が６００ｎｍ以上、１６００ｎｍ以下のレーザー光を用いることができる。それによって、内部を気密封止して、図１に示す積層セラミックパッケージ１を得る。
【００４９】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部３３における隔壁部４の内側の領域に、凹部３３ｃが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。
【００５０】
凹部３３ｃが設けられていることにより、底部３３の主面３３ａは段差を有する。図５に示すように、配線３５の第１の貫通部５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは、第２の貫通部３５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより短い。第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部３５ｅの高さ方向ｚの位置より低い。この場合、底部３３においては、隔壁部４の内側の領域の厚みよりも外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板３２における外側の強度を高めることができる。それによって、外部から衝撃等が加えられた際、破損し難い。
【００５１】
本実施形態においても、底部３３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線３５が主面３３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
【００５２】
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板４２において、配線４５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点及び底部４３における隔壁部４の外側の厚みが、凹部４３ｃが設けられている部分における厚みと同じである点において、第２の実施形態と異なる。
【００５３】
図６に示すように、配線４５の第１の貫通部４５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは第２の貫通部５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより長い。第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置より高い。それによって、第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線４５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。
【００５４】
第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とがほぼ同じであることが好ましい。それによって、素子１０と配線４５とをより一層接続し易くすることができ、より一層生産性を高めることができる。
【００５５】
底部４３における隔壁部４の外側の厚みは、配線４５の第１の貫通部４５ａが設けられている部分における厚みよりも薄い。それによって、底部４３に用いるセラミック材料の量を削減することができ、生産性を高めることができる。
【００５６】
本実施形態においても、底部４３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線４５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
【００５７】
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板５２において、配線５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点において、第２の実施形態と異なる。
【００５８】
図７に示すように、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。この場合においても、第３の実施形態と同様に、凹部４３ｃが設けられていることにより、第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。加えて、底部５３において、凹部４３ｃが設けられている部分の厚みよりも、隔壁部４の外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板５２における外側の強度を高めることができる。
【００５９】
本実施形態においても、底部５３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
【００６０】
（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図９は、図８中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板６２は、配線６５の構成が第１の実施形態と異なる。
【００６１】
図８に示すように、配線６５は方向ｙに等ピッチで複数設けられている。なお、配線６５の方向ｙにおけるピッチをＤとする。方向ｙにおいて隣り合う配線６５の各第１の端部５ａの、方向ｘにおける位置は互いに異なる。これにより、第１の端部５ａの位置ずれが生じた場合においても、隣接する配線６５が短絡し難い。よって、配線６５間の短絡を招くことなくピッチを狭くすることができ、配線６５を集中的に配置することができる。
【００６２】
図９に示すように、方向ｙにおいて隣り合う配線６５の接続部６５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。方向ｙに沿う長さを幅としたときに、接続部６５ｃの幅は第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部の幅より広い。それによって、配線６５を設ける際に、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部と、接続部６５ｃとをより一層確実に接続することができる。加えて、配線６５の電気抵抗を小さくすることができる。
【００６３】
本実施形態においても、底部６３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線６５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
【００６４】
積層セラミック基板６２においては、３層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部６５ｃが設けられている。配線６５は方向ｙにおいて３つ毎に、接続部６５ｃが同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている。よって、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている配線６５のピッチは３Ｄである。この場合、接続部６５ｃの幅は、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられた配線６５のピッチである３Ｄ未満であればよい。
【００６５】
図１０は、第５の実施形態の変形例における積層セラミック基板の模式的断面図である。なお、図１０は、図９に示す断面に相当する変形例の断面を示す。
【００６６】
本変形例の底部７３においては、６層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部７５ｃが設けられている。この場合には、接続部７５ｃの幅を３Ｄよりも広くすることができ、配線７５の電気抵抗をより一層低くすることができる。このように、第１のセラミック層３ｂの層数を多くすることにより、接続部７５ｃの幅を広くしてもよい。
【００６７】
もっとも、図９に示す本実施形態では、接続部６５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂは３層であるため、第１のセラミック層３ｂの最低限の層数を４層とすることができ、効果的に低背化することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１…積層セラミックパッケージ
２…積層セラミック基板
３…底部
３ａ…主面
３ｂ…第１のセラミック層
４…隔壁部
４ｂ…第２のセラミック層
５…配線
５ａ…第１の端部
５ｂ…第１の貫通部
５ｃ…接続部
５ｄ…第２の貫通部
５ｅ…第２の端部
６…封着材層
７…ガラス蓋
８…ワイヤ
１０…素子
２２…積層セラミック基板
２３…底部
２８…放熱部材
３２…積層セラミック基板
３３…底部
３３ａ…主面
３３ｃ…凹部
３５…配線
３５ｄ…第２の貫通部
３５ｅ…第２の端部
４２…積層セラミック基板
４３…底部
４３ｃ…凹部
４５…配線
４５ａ…第１の貫通部
４５ｂ…第１の端部
５２…積層セラミック基板
５３…底部
６２…積層セラミック基板
６３…底部
６５…配線
６５ｃ…接続部
７３…底部
７５…配線
７５ｃ…接続部
８３ｂ，８４ｂ…第１，第２のグリーンシート
８５ａ…孔
８５ｂ…金属ペースト
８５ｃ…金属ペースト
８６…封着材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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