(57)【要約】【課題】配線基板に形成された電極と、ボール状端子とが導電性接着剤により接合された接合構造において、従来よりも、高い接合強度を確保する。【解決手段】配線基板は、基材と、前記基材の表面に設けられた電極と、前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、前記壁面の上端部に設けられ、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部と、を含む。【選択図】図１Ｂ
2019021752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材の表面に設けられた電極と、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、
前記壁面の上端部に設けられ、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部と、
を含む配線基板。
【請求項２】
前記電極の形成位置に開口部を有して前記基材の表面に設けられたソルダーレジストを含み、
前記壁面は、前記開口部の端面によって形成されている
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記基材は、前記電極をその底部に含む凹部を有し、
前記壁面は、前記凹部の端面によって形成されている
請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記突起部は、樹脂インクによって形成されている
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記突起部は、ソルダーレジストによって形成されている
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記壁面は、上端部が前記環状形状の内側に向かうように傾斜している
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
基材及び前記基材の表面に設けられた電極を有する配線基板と、ボール状端子を有する電子部品とを含み、前記電極と前記ボール状端子とが導電性接着剤によって接合された電子機器であって、
前記配線基板は、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、
前記壁面の上端部において、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部と、
を含む電子機器。
【請求項８】
前記電極、前記壁面、前記突起部及び前記ボール状端子の下面によって画定される空間が、前記導電性接着剤によって満たされている
請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
基材の表面に電極を形成する工程と、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面を形成する工程と、
前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部を、前記壁面の上端部に形成する工程と、
を含む配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、配線基板、電子機器、配線基板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の電極周辺の構造に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、インターポーザ基板の電極パッドが形成された主面に感光性のレジスト層を形成し、電極パッド上の不要なレジストを除去する際の露光工程においてフォーカスをずらすことで、レジスト層の断面形状を逆テーパ状にする技術が知られている。
【０００３】
また回路基板の表面に形成された電極を、回路基板の内層電極により構成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２５１４７２号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造を有する電子部品は、はんだボール等のボール状端子のリフロー処理を経て配線基板に接合される。しかしながら、リフロー処理時の熱によって配線基板に反りが生じる場合があり、配線基板の反りに起因して、接合不良が発生する場合がある。例えば、配線基板の反りによって、電子部品の端子と配線基板の電極との距離が過度に離間し、未着不良が発生する場合がある。また、配線基板の反りによって、電子部品の端子と配線基板の電極との距離が過度に近接し、はんだが押し潰されて広がることで電極間にはんだブリッジが形成され、ショート不良が発生する場合もある。
【０００６】
また、リフロー処理後、電子部品が接合された配線基板を常温に戻すことで、配線基板の反りの状態が変化すると、接合部において応力が付加され続け、接合信頼性が低下してしまうケースがある。
【０００７】
上記の不具合を低減する手段として、Ｂｉ系はんだ等の比較的融点の低いはんだを使用することも考えられるが、この場合でもリフロー温度は、２００℃程度となるので、大きな効果は得られない。
【０００８】
そこで、はんだに代わる低温硬化型の導電性接着剤の適用が期待される。導電性接着剤は、導電体粒子をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に分散させた接着剤であり、例えば、導電体粒子としてＡｇを用いたＡｇペーストが、一般的に知られている。近年では、配線基板のガラス転移温度Ｔｇよりも十分に低い、８０℃程度の加熱で接合可能な導電性接着剤が開発されており、このような導電性接着剤を用いることにより、配線基板の反りを抑制することができる。
【０００９】
しかしながら、導電性接着剤を用いた場合の接合部における接合強度は、はんだを用いた場合の接合強度よりも低く、また、接合信頼性を確保することが困難である。特に、ＢＧＡ等の部品底面に端子を備える構造の電子部品は、配線基板の電極と電子部品の端子との接合部の外観を確認することは容易ではないことから、配線基板の電極と電子部品の端子との間で確実且つ安定に接合が形成されることが好ましい。
【００１０】
開示の技術は、一つの側面として、配線基板に形成された電極と、ボール状端子とが導電性接着剤により接合された接合構造において、従来よりも、高い接合強度を確保することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
開示の技術に係る配線基板は、基材と、前記基材の表面に設けられた電極と、前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、を含む。配線基板は、前記壁面の上端部に設けられ、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部を更に含む。
【発明の効果】
【００１２】
開示の技術は、一つの側面として、配線基板に形成された電極と、ボール状端子とが導電性接着剤により接合された接合構造において、従来よりも、高い接合強度を確保することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の電極周辺の構成を示す部分的な平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。
【図２Ａ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２Ｂ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図２Ｃ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３Ａ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３Ｂ】開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図４Ａ】開示の技術の実施形態に係る電子機器の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】開示の技術の実施形態に係る電子機器の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｃ】開示の技術の実施形態に係る電子機器の製造方法を示す断面図である。
【図５】開示の技術の実施形態に係る電子機器の、導電性接着剤とボール状端子との接触状態を示す図である。
【図６】比較例に係る電子機器の、配線基板と電子部品との接合部近傍の構造を示す断面図である。
【図７】比較例に係る電子機器の、導電性接着剤とボール状端子との接触状態を示す図である。
【図８】開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図９Ａ】開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９Ｂ】開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図９Ｃ】開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】開示の技術の第２の実施形態に係る電子機器の、配線基板と電子部品との接合部近傍の構造を示す断面図である。
【図１１】開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【図１２Ａ】開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２Ｂ】開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２Ｃ】開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１３】開示の技術の第３の実施形態に係る電子機器の、配線基板と電子部品との接合部近傍の構造を示す断面図である。
【図１４】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である
【図１５Ａ】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５Ｂ】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５Ｃ】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５Ｄ】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１５Ｅ】開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す断面図である。
【図１６】開示の技術の第４の実施形態に係る電子機器の、配線基板と電子部品との接合部近傍の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。
【００１５】
[第１の実施形態]
図１Ａは、開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板１０の電極周辺の構成を示す部分的な平面図、図１Ｂは、図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。配線基板１０は、後述する電子部品３０（図４Ｃ参照）が搭載される配線基板であり、基材１１、電極１２、ソルダーレジスト１３及び突起部１５を含んで構成されている。
【００１６】
基材１１は、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁体で構成されている。基材１１の内部に複数の配線層が設けられていてもよい。電極１２は、Ｃｕ等の導電体で構成されており、基材１１の表面に形成されている。電極１２は、後述する電子部品３０（図４Ｃ参照）に設けられたボール状端子３１と接合される。本実施形態において、電極１２の形状は、ボール状端子３１の形状に対応する円形とされているが、これに限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。
【００１７】
ソルダーレジスト１３は、感光性樹脂等の絶縁体で構成されており、基材１１の表面を覆っている。ソルダーレジスト１３には、電極１２を露出させる円形の開口部１６が設けられており、開口部１６の端面によって電極１２の外周を囲む環状の壁面１４が形成されている。ソルダーレジスト１３の厚さ（すなわち、壁面１４の高さ）は、一般的な配線基板において適用される厚さ（例えば３０μｍ〜５０μｍ）よりも厚いことが好ましく、具体的には、１００μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。従って、壁面１４の上端部の高さ位置は、電極１２の表面の高さ位置よりも高い位置に達している。
【００１８】
突起部１５は、ソルダーレジスト１３の表面において、開口部１６の外縁に沿って設けられている。突起部１５は、壁面１４の上端部に設けられ、壁面１４によって画定される環状形状の内側に向けて壁面１４に対して突出している。突起部１５の材料は、特に限定されないが、例えば、配線基板１０の表面に文字、数字、記号等を印字するシルク印刷において用いられる樹脂インクを好適に用いることができる。また、突起部１５の材料として、ソルダーレジスト１３と同じ樹脂材料を用いることも可能である。
【００１９】
図２Ａ、２Ｂ及び２Ｃは、配線基板１０の製造方法の一例を示す断面図である。はじめに、基材１１の表面に形成された導体膜をパターニングすることで、電極１２を形成する（図２Ａ）。
【００２０】
次に、印刷またはスプレー塗布などの方法により基材１１の表面全体にソルダーレジスト１３を形成する。その後、露光及び現像処理によりソルダーレジスト１３のパターニングを行い、電極１２を露出させる開口部１６を形成する。これにより、電極１２の外周を囲む環状の壁面１４が形成される（図２Ｂ）。開口部１６の形成後、熱処理によってソルダーレジスト１３を硬化させる。ソルダーレジスト１３の厚さ（すなわち、壁面１４の高さ）は、１００μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。この厚さを確保するために、下層のレジスト層の上に上層のレジスト層を重ねるように、上記の各処理を複数回に亘り実施してもよい。また、ドライフィルム型のソルダーレジストを積層することで、所望の厚さを確保してもよい。
【００２１】
次に、ソルダーレジスト１３の表面に、開口部１６の外縁に沿って樹脂インクまたはレジスト材を塗布した後、樹脂インクまたはレジスト材を硬化させる。これにより、ソルダーレジスト１３の開口部１６の外縁に沿って突起部１５が形成される。突起部１５は、その先端が、壁面１４（開口部１６の端面）よりも開口部１６の内側に迫り出すように形成される（図２Ｃ）。樹脂インクまたはレジスト材は、例えば、図３Ａに示すように、マスク２００を用いて塗布された後、熱処理等によって硬化され、図３Ｂに示すように突起部１５の先端部がダレにより丸みを帯びる。なお、突起部１５の材料として樹脂インクを用いる場合、インクジェット方式により樹脂インクを塗布してもよい。インクジェット方式によれば、マスク２００が不要となり、また、樹脂インクの塗布位置を高精度に制御することが可能となる。
【００２２】
図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、配線基板１０と、配線基板１０に搭載される電子部品３０とを含んで構成される、開示の技術の実施形態に係る電子機器１００の製造方法を示す断面図である。
【００２３】
印刷または塗布などの方法により、配線基板１０の電極１２の表面に導電性接着剤２０を形成する（図４Ａ）。導電性接着剤２０は、導電体粒子が分散されたエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含んで構成された接合材である。加熱による配線基板１０の反りの発生を抑制する観点から、導電性接着剤２０の硬化温度は、配線基板１０のガラス転移温度Ｔｇよりも低い温度であることが好ましい。導電体粒子の材料としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属を用いることができる。例えば、導電性接着剤２０として、Ａｇ粉末を熱硬化性樹脂に分散させたＡｇペーストを好適に用いることができる。また、導電性接着剤２０は、流動性を有し且つ型崩れを生じにくいという性質を有していることが好ましい。具体的には、適度な粘性（例えば２０〜２００Ｐａ・Ｓｅｃ）及びチクソ比（例えば４．５〜６．０）を有していることが好ましい。
【００２４】
次に、配線基板１０に搭載するＢＧＡ構造の電子部品３０を用意する。電子部品３０は、一方の面に格子状に配列された複数のボール状端子３１を備えた半導体装置であってもよい。ボール状端子３１は、例えば、はんだボールによって構成されていてもよい。電子部品３０は、例えば、部品マウンター（図示せず）によってピックアップされ、ボール状端子３１が、配線基板１０の対応する電極１２の直上に位置するように位置合わせされる（図４Ｂ）。
【００２５】
その後、ボール状端子３１を導電性接着剤２０に押し付ける押圧が、電子部品３０に加えられる。これにより、導電性接着剤２０は、電極１２の外側に押し出されるように流動する。押し出された導電性接着剤２０は、ソルダーレジスト１３によって形成される壁面１４に沿って上方に這い上がる。その後、導電性接着剤２０が突起部１５に到達すると、導電性接着剤２０の流動方向がボール状端子３１に向かう方向へと変化する。このように、壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を制御することで、導電性接着剤２０は、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで到達する（図４Ｃ）。その後、熱処理により導電性接着剤２０を硬化させることで、電子部品３０のボール状端子３１と配線基板１０の電極１２との接合が完了する。
【００２６】
図５は、上記のようにして製造される電子機器１００の、導電性接着剤２０とボール状端子３１との接触状態を示す図である。上記のように、配線基板１０に形成された壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向をボール状端子３１に向かう方向に誘導することで、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０を到達させることができる。これにより、導電性接着剤２０のフィレット角θを９０°以下とすることができ、好ましいフィレット形状を得ることができる。
【００２７】
ここで、図６は、比較例に係る配線基板１０Ｘと電子部品３０とを含んで構成される比較例に係る電子機器１００Ｘの、配線基板１０Ｘと電子部品３０との接合部近傍の構造を示す断面図である。比較例に係る配線基板１０Ｘにおいて、基材１１の表面に形成されるソルダーレジスト１３の厚さは、３０μｍ〜５０μｍ程度であり、開示の技術の実施形態に係る配線基板１０におけるソルダーレジスト１３の厚さよりも薄い。すなわち、比較例に係る配線基板１０Ｘにおいて、電極１２の外周を囲む壁面１４の高さは、開示の技術の実施形態に係る配線基板１０における壁面１４の高さよりも低い。また、比較例に係る配線基板１０Ｘは、開示の技術の実施形態に係る配線基板１０が有する突起部１５を有していない。比較例に係る配線基板１０Ｘによれば、配線基板１０Ｘと電子部品３０とを接合する際の押圧印加によって電極１２の外側に押し出されるように流動した導電性接着剤２０の流動方向を、ボール状端子３１に向かわせるように制御することができない。従って、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０を到達させることが困難である。
【００２８】
図７は、比較例に係る電子機器１００Ｘの、導電性接着剤２０とボール状端子３１との接触状態を示す図である。比較例に係る電子機器１００Ｘによれば、導電性接着剤２０のフィレット角θは、９０°よりも大きくなり、ボール状端子３１の先端の僅かな領域のみが導電性接着剤２０で覆われる。すなわち、比較例に係る電子機器１００Ｘにおける導電性接着剤２０のフィレット形状は、好ましくない。
【００２９】
一方、開示の技術の実施形態に係る配線基板１０及び電子機器１００によれば、図５に示すように、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０が到達した良好なフィレット形状を得ることができる。これにより、図７に示すようなフィレット形状が形成される場合と比較して、ボール状端子３１と電極１２との接合における接合強度を高めることができ、また、接合信頼性を高めることが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態に係る配線基板１０及び電子機器１００によれば、電子部品３０と配線基板１０との接合に導電性接着剤２０を用いることで、１００℃前後の熱処理によって接合を形成することが可能となる。これにより、配線基板１０及び電子部品３０において、加熱による反りの発生を抑制することができるので、ボール状端子３１と電極１２との間での接合不良の発生を抑制することができる。また、配線基板１０及び電子部品３０において、反りの発生が抑制されることで、ボール状端子３１と電極１２との間の接合信頼性の低下が抑制される。
【００３１】
また、電子部品３０と配線基板１０との接合を１００℃前後の熱処理によって行うことができるので、耐熱温度の異なる複数種類の電子部品を、一括処理によって配線基板１０上に実装することができる。また、導電性接着剤２０は、硬化した後は、加熱によって状態が変化しないので、例えば２００℃以上の高温環境で使用する電子部品に開示の技術を適用することが可能である。
【００３２】
また、開示の技術の実施形態に係る配線基板１０及び電子機器１００によれば、導電性接着剤２０とボール状端子３１との接触面積を大きくすることができるので、接合部における電気抵抗を小さくすることができ、電子機器１００の省電力化を図ることができる。
【００３３】
また、ソルダーレジスト１３の開口部１６の外縁に沿って突起部１５が設けられているので、開口部１６内に充填された導電性接着剤２０が、開口部１６の外側に溢れ出すことを抑制することできる。これにより、隣接する電極間で導電性接着剤２０のブリッジが形成されてショート不良に至るリスクを軽減することができる。
【００３４】
また、突起部１５の材料として、シルク印刷に用いられる樹脂インクを用いることで、製造工程を追加することなく突起部１５を形成することができ、突起部１５の追加に伴う製造コストの増加を抑制することができる。
【００３５】
［第２の実施形態］
図８は、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１０Ａの構成を示す断面図である。本実施形態に係る配線基板１０Ａは、基材１１、電極１２及び突起部１５を含んで構成されている。すなわち、本実施形態に係る配線基板１０Ａにおいて、基材１１の表面にはソルダーレジストは設けられていない。
【００３６】
基材１１の表面には、凹部１７が形成されており、凹部１７の底面には電極１２が配置されている。すなわち、本実施形態に係る配線基板１０Ａは、電極１２の外周を囲む壁面１４が、基材１１の表面に形成された凹部１７の端面によって構成されている点が、第１の実施形態に係る配線基板１０と異なる。電極１２は、基材１１の内層に配置された配線層の導体を用いることが可能である。
【００３７】
突起部１５は、基材１１の表面において、凹部１７の外縁に沿って設けられている。突起部１５は、壁面１４の上端部に設けられ、壁面１４によって画定される環状形状の内側に向けて壁面１４に対して突出している。
【００３８】
図９Ａ、９Ｂ及び９Ｃは、配線基板１０Ａの製造方法の一例を示す断面図である。はじめに、内層に電極１２が形成された基材１１を用意する（図９Ａ）。
【００３９】
次に、例えば、ドリル加工、またはエッチングにより、基材１１の表面の、電極１２の形成領域に対応する部分に凹部１７を形成する。これにより、凹部１７の底面において、電極１２が露出する。凹部１７の底面において電極１２を露出させることで、電極１２の外周を囲む環状の壁面１４が形成される。凹部１７の深さ（すなわち、壁面１４の高さ）は、１００μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい（図９Ｂ）。
【００４０】
次に、基材１１の表面に、凹部１７の外縁に沿って樹脂インクまたはレジスト材を塗布した後、樹脂インクまたはレジスト材を硬化させる。これにより、凹部１７の外縁に沿って突起部１５が形成される。突起部１５は、その先端が、凹部１７の端面よりも内側に迫り出すように形成される（図９Ｃ）。
【００４１】
図１０は、配線基板１０Ａと、配線基板１０Ａに搭載される電子部品３０とを含んで構成される開示の技術の第２の実施形態に係る電子機器１００Ａの、配線基板１０Ａと電子部品３０との接合部近傍の構造を示す断面図である。配線基板１０Ａと電子部品３０との接合は、第１の実施形態に係る電子機器１００の場合と同様、導電性接着剤２０を用いて行われる。
【００４２】
ボール状端子３１を導電性接着剤２０に押し付ける押圧が、電子部品３０に加えられると、導電性接着剤２０は、電極１２の外側に押し出されるように流動する。押し出された導電性接着剤２０は、基材１１によって形成される壁面１４に沿って上方に這い上がる。その後、導電性接着剤２０が突起部１５に到達すると、導電性接着剤２０の流動方向がボール状端子３１に向かう方向へと変化する。このように、壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を制御することで、導電性接着剤２０は、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで到達する。その後、熱処理により導電性接着剤２０を硬化させることで、電子部品３０のボール状端子３１と配線基板１０Ａの電極１２との接合が完了する。
【００４３】
本実施形態に係る配線基板１０Ａ及び電子機器１００Ａによれば、配線基板１０Ａに形成された壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を、ボール状端子３１に向かう方向に誘導することができる。これにより、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０が到達した良好なフィレット形状を得ることができる。その結果、図７に示すようなフィレット形状が形成される場合と比較して、ボール状端子３１と電極１２との接合における接合強度及び接合信頼性を高めることが可能となる。
【００４４】
なお、本実施形態に係る配線基板１０Ａには、ソルダーレジストは設けられていない。しかしながら、ボール状端子３１と電極１２との接合において、ボール状端子３１は溶融することはなく、また、導電性接着剤２０は、溶融はんだのような凝集性を有していないので、ソルダーレジストが設けられていなくても問題はない。
【００４５】
［第３の実施形態］
図１１は、開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板１０Ｂの構成を示す断面図である。本実施形態に係る配線基板１０Ｂは、基材１１、電極１２、ソルダーレジスト１３及び突起部１５を含んで構成されている。本実施形態に係る配線基板１０Ｂは、突起部１５が、ソルダーレジスト１３の最上層によって形成されている点が第１の実施形態に係る配線基板１０と異なる。
【００４６】
突起部１５は、電極１２を露出させる開口部１６の外縁に沿って設けられている。突起部１５は、ソルダーレジスト１３によって形成される壁面１４の上端部に設けられ、壁面１４によって画定される環状形状の内側に向けて壁面１４に対して突出している。
【００４７】
図１２Ａ、１２Ｂ及び１２Ｃは、配線基板１０Ｂの製造方法の一例を示す断面図である。はじめに、基材１１の表面に形成された導体膜をパターニングすることで、電極１２を形成する（図１２Ａ）。
【００４８】
次に、印刷またはスプレー塗布などの方法により基材１１の表面全体にソルダーレジスト１３Ａを形成する。その後、露光及び現像処理によりソルダーレジスト１３Ａのパターニングを行い、電極１２を露出させる開口部１６Ａを形成する。これにより、電極１２の外周を囲む環状の壁面１４が形成される（図１２Ｂ）。開口部１６Ａの形成後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ａを硬化させる。ソルダーレジスト１３Ａの厚さ（すなわち、壁面１４の高さ）は、１００μｍ〜２００μｍ程度であることが好ましい。
【００４９】
次に、開口部１６Ａが形成されたソルダーレジスト１３Ａの表面に、更にドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ｂを貼り付ける。その後、露光及び現像処理により開口部１６Ａの径よりも小さい径の開口部１６Ｂを、ソルダーレジスト１３Ｂに形成する。これにより、開口部１６Ａの外縁に沿って突起部１５が形成される（図１２Ｃ）。開口部１６Ｂの形成後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ｂを硬化させる。
【００５０】
図１３は、配線基板１０Ｂと、配線基板１０Ｂに搭載される電子部品３０とを含んで構成される、開示の技術の第３の実施形態に係る電子機器１００Ｂの、配線基板１０Ｂと電子部品３０との接合部近傍の構造を示す断面図である。配線基板１０Ｂと電子部品３０との接合は、第１の実施形態に係る電子機器１００の場合と同様、導電性接着剤２０を用いて行われる。
【００５１】
ボール状端子３１を導電性接着剤２０に押し付ける押圧が、電子部品３０に加えられると、導電性接着剤２０は、電極１２の外側に押し出されるように流動する。押し出された導電性接着剤２０は、ソルダーレジスト１３によって形成される壁面１４に沿って上方に這い上がる。その後、導電性接着剤２０が突起部１５に到達すると、導電性接着剤２０の流動方向がボール状端子３１に向かう方向へと変化する。このように、壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を制御することで、導電性接着剤２０は、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで到達する。その後、熱処理により導電性接着剤２０を硬化させることで、電子部品３０のボール状端子３１と配線基板１０Ｂの電極１２との接合が完了する。
【００５２】
本実施形態に係る配線基板１０Ｂ及び電子機器１００Ｂによれば、配線基板１０Ｂに形成された壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を、ボール状端子３１に向かう方向に誘導することができる。これにより、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０が到達した良好なフィレット形状を得ることができる。その結果、図７に示すようなフィレット形状が形成される場合と比較して、ボール状端子３１と電極１２との接合における接合強度及び接合信頼性を高めることが可能となる。
【００５３】
［第４の実施形態］
図１４は、開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板１０Ｃの構成を示す断面図である。本実施形態に係る配線基板１０Ｃは、基材１１、電極１２、ソルダーレジスト１３及び突起部１５を含んで構成されている。本実施形態に係る配線基板１０Ｃは、ソルダーレジスト１３に形成された開口部１６の断面形状がテーパ形状とされている点が第３の実施形態に係る配線基板１０Ｂと異なる。
【００５４】
すなわち、ソルダーレジスト１３の開口部１６の径は、上方に向けて徐々に小さくなっている。換言すれば、電極１２の外周を囲む環状の壁面１４は、その上端部が、壁面１４によって画定される環状形状の内側に向かうように傾斜している。なお、開口部１６のテーパ形状におけるテーパ角φは、６０°以上９０°未満であることが好ましい。テーパ角φを６０°以上とすることで、電極１２とソルダーレジスト１３との距離を小さく抑えることができ、電極間距離を小さく抑えることができる。これにより、ファインピッチ部品への適用が容易となる。
【００５５】
突起部１５は、電極１２を露出させる開口部１６の外縁に沿って設けられている。突起部１５は、ソルダーレジスト１３によって形成される壁面１４の上端部に設けられ、壁面１４によって画定される環状形状の内側に向けて壁面１４に対して突出している。
【００５６】
図１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ及び１５Ｅは、配線基板１０Ｃの製造方法の一例を示す断面図である。はじめに、基材１１の表面に形成された導体膜をパターニングすることで、電極１２を形成する（図１５Ａ）。
【００５７】
次に、基材１１の表面にドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ａを貼り付け、露光及び現像処理によりソルダーレジスト１３Ａのパターニングを行い、電極１２を露出させる開口部１６Ａを形成する。その後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ａを硬化させる（図１５Ｂ）。
【００５８】
次に、ソルダーレジスト１３Ａの表面にドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ｂを貼り付け、露光及び現像処理により開口部１６Ａの径よりも小さい径の開口部１６Ｂを、ソルダーレジスト１３Ｂに形成する。その後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ｂを硬化させる（図１５Ｃ）。
【００５９】
次に、ソルダーレジスト１３Ｂの表面にドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ｃを貼り付け、露光及び現像処理により開口部１６Ｂの径よりも小さい径の開口部１６Ｃを、ソルダーレジスト１３Ｃに形成する。その後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ｃを硬化させる（図１５Ｄ）。
【００６０】
次に、ソルダーレジスト１３Ｃの表面に突起部１５を形成するためのドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ｄを貼り付け、露光及び現像処理により開口部１６Ｃの径よりも小さい径の開口部１６Ｄを、ソルダーレジスト１３Ｄに形成する。その後、熱処理によってソルダーレジスト１３Ｄを硬化させる（図１５Ｅ）。
【００６１】
上記のように、ドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃにそれぞれ形成される開口部１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃの径を順次小さくすることで、断面形状がテーパ形状の開口部１６をソルダーレジスト１３に形成することができる。また、最上層のドライフィルム型のソルダーレジスト１３Ｄに形成される開口部１６Ｄの径を、開口部１６Ｃの径よりも更に小さくすることで、壁面１４から開口部１６の内側に突出した突起部１５を形成することができる。
【００６２】
なお、ドライフィルム型のソルダーレジストの積層数は、電極１２を囲む壁面１４の高さに応じて適宜変更することが可能である。また、上記の例では、複数のドライフィルム型のソルダーレジストを積層してソルダーレジスト１３を形成する場合を例示したが、印刷またはスプレー塗布などの方法により基材１１の表面全体にソルダーレジスト１３を形成する方式を適用することも可能である。
【００６３】
図１６は、配線基板１０Ｃと、配線基板１０Ｃに搭載される電子部品３０とを含んで構成される、開示の技術の第４の実施形態に係る電子機器１００Ｃの、配線基板１０Ｃと電子部品３０との接合部近傍の構造を示す断面図である。配線基板１０Ｃと電子部品３０との接合は、第１の実施形態に係る電子機器１００の場合と同様、導電性接着剤２０を用いて行われる。
【００６４】
ボール状端子３１を導電性接着剤２０に押し付ける押圧が、電子部品３０に加えられると、導電性接着剤２０は、電極１２の外側に押し出されるように流動する。押し出された導電性接着剤２０は、ソルダーレジスト１３によって形成される壁面１４に沿って上方に這い上がる。その後、導電性接着剤２０が突起部１５に到達すると、導電性接着剤２０の流動方向がボール状端子３１に向かう方向へと変化する。このように、壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を制御することで、導電性接着剤２０は、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで到達する。ソルダーレジスト１３の開口部１６の断面形状をテーパ状とすることで、導電性接着剤２０の流動方向をボール状端子３１に向かう方向に誘導する効果を促進させることができる。その後、熱処理により導電性接着剤２０を硬化させることで、電子部品３０のボール状端子３１と配線基板１０の電極１２との接合が完了する。
【００６５】
本実施形態に係る配線基板１０Ｃ及び電子機器１００Ｃによれば、配線基板１０Ｃに形成された壁面１４及び突起部１５によって導電性接着剤２０の流動方向を、ボール状端子３１に向かう方向に誘導することができる。これにより、ボール状端子３１の比較的高い位置にまで導電性接着剤２０が到達した良好なフィレット形状を得ることができる。その結果、図７に示すようなフィレット形状が形成される場合と比較して、ボール状端子３１と電極１２との接合における接合強度及び接合信頼性を高めることが可能となる。
【００６６】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００６７】
（付記１）
基材と、
前記基材の表面に設けられた電極と、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、
前記壁面の上端部に設けられ、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部と、
を含む配線基板。
【００６８】
（付記２）
前記電極の形成位置に開口部を有して前記基材の表面に設けられたソルダーレジストを含み、
前記壁面は、前記開口部の端面によって形成されている
付記１に記載の配線基板。
【００６９】
（付記３）
前記基材は、前記電極をその底部に含む凹部を有し、
前記壁面は、前記凹部の端面によって形成されている
付記１に記載の配線基板。
【００７０】
（付記４）
前記突起部は、樹脂インクによって形成されている
付記１から付記３のいずれか１つに記載の配線基板。
【００７１】
（付記５）
前記突起部は、ソルダーレジストによって形成されている
付記１から付記３のいずれか１つに記載の配線基板。
【００７２】
（付記６）
前記壁面は、上端部が前記環状形状の内側に向かうように傾斜している
付記１から付記５のいずれか１つに記載の配線基板。
【００７３】
（付記７）
基材及び前記基材の表面に設けられた電極を有する配線基板と、ボール状端子を有する電子部品とを含み、前記電極と前記ボール状端子とが導電性接着剤によって接合された電子機器であって、
前記配線基板は、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面と、
前記壁面の上端部において、前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部と、
を含む電子機器。
【００７４】
（付記８）
前記電極、前記壁面、前記突起部及び前記ボール状端子の下面によって画定される空間が、前記導電性接着剤によって満たされている
付記７に記載の電子機器。
【００７５】
（付記９）
前記電極の形成位置に開口部を有して前記基材の表面に設けられたソルダーレジストを含み、
前記壁面は、前記開口部の端面によって形成されている
付記７または付記９に記載の電子機器。
【００７６】
（付記１０）
前記基材は、前記電極をその底部に含む凹部を有し、
前記壁面は、前記凹部の端面によって形成されている
付記７または付記８に記載の電子機器。
【００７７】
（付記１１）
前記突起部は、樹脂インクによって形成されている
付記７から付記１０のいずれか１つに記載の電子機器。
【００７８】
（付記１２）
前記突起部は、ソルダーレジストによって形成されている
付記７から付記１０のいずれか１つに記載の電子機器。
【００７９】
（付記１３）
前記壁面は、上端部が前記環状形状の内側に向かうように傾斜している
付記７から付記１２のいずれか１つに記載の電子機器。
【００８０】
（付記１４）
基材の表面に電極を形成する工程と、
前記電極の外周を囲み、上端部が前記電極の表面の高さ位置よりも高い位置に達している環状の壁面を形成する工程と、
前記壁面によって画定される環状形状の内側に向けて前記壁面に対して突出した突起部を、前記壁面の上端部に形成する工程と、
を含む配線基板の製造方法。
【００８１】
（付記１５）
前記電極の表面に導電性接着剤を供給する工程と、
電子部品に設けられたボール状端子を前記導電性接着剤に押し付けて、前記導電性接着剤を流動させた後、熱処理により前記導電性接着剤を硬化させる工程と、
と、を更に含む付記１４に記載の製造方法。
【符号の説明】
【００８２】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  配線基板
１１  基材
１２  電極
１３  ソルダーレジスト
１４  壁面
１５  突起部
１６  開口部
２０  導電性接着剤
３０  電子部品
３１  ボール状端子
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ  電子機器
【図１Ａ】
2019021752.tif 000003
【図１Ｂ】
2019021752.tif 000004
【図２Ａ】
2019021752.tif 000005
【図２Ｂ】
2019021752.tif 000006
【図２Ｃ】
2019021752.tif 000007
【図３Ａ】
2019021752.tif 000008
【図３Ｂ】
2019021752.tif 000009
【図４Ａ】
2019021752.tif 000010
【図４Ｂ】
2019021752.tif 000011
【図４Ｃ】
2019021752.tif 000012
【図５】
2019021752.tif 000013
【図６】
2019021752.tif 000014
【図７】
2019021752.tif 000015
【図８】
2019021752.tif 000016
【図９Ａ】
2019021752.tif 000017
【図９Ｂ】
2019021752.tif 000018
【図９Ｃ】
2019021752.tif 000019
【図１０】
2019021752.tif 000020
【図１１】
2019021752.tif 000021
【図１２Ａ】
2019021752.tif 000022
【図１２Ｂ】
2019021752.tif 000023
【図１２Ｃ】
2019021752.tif 000024
【図１３】
2019021752.tif 000025
【図１４】
2019021752.tif 000026
【図１５Ａ】
2019021752.tif 000027
【図１５Ｂ】
2019021752.tif 000028
【図１５Ｃ】
2019021752.tif 000029
【図１５Ｄ】
2019021752.tif 000030
【図１５Ｅ】
2019021752.tif 000031
【図１６】
2019021752.tif 000032