(57)【要約】【課題】ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることで、ウエーハを平坦に研削すること。【解決手段】ウエーハ（Ｗ）の研削方法は、第１のテーブル（２１）でウエーハの他方の面（Ｗ２）を保持する保持工程と、バンプ（Ｂ）を備えた一方の面（Ｗ１）にフィルム（Ｆ）を密着させるフィルム密着工程と、第２のテーブル（５１）に敷かれるシート（Ｓ）に液状樹脂（Ｒ１）を供給し、フィルムとシートとを接近させ、液状樹脂を硬化させフィルムとシートとの間に樹脂層（Ｒ２）を形成する樹脂層形成工程と、ウエーハの外周に沿ってシートと樹脂層とフィルムとを切断する外周除去工程と、ウエーハの一方の面側のシートの表面を切削バイト（１０１）で切削して他方の面に対し平行な被切削面（Ｓ１）を形成する切削工程と、被切削面を第３のテーブル（１２１）で保持しウエーハを研削する研削工程と、を含む。【選択図】図４
2019029543.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にバンプを備えたウエーハの他方の面を研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの外径より大きい径でリング状の糊層を形成したフィルムを、ウエーハを収容可能な開口を有するリングフレームに貼着するフィルム貼着工程と、
ウエーハを保持するウエーハ保持部と、リングフレームを保持するリング状のフレーム保持部と、該フレーム保持部と該ウエーハ保持部との間を真空吸引源へ連通する吸引路とを備える第１のテーブルの該ウエーハ保持部でウエーハの他方の面を保持し、該一方の面を該リングフレームに貼着した該フィルムで覆うと共に、該リングフレームを該フレーム保持部で保持し密室を形成する保持工程と、
該吸引路を真空吸引源に連通させ該保持工程で形成された該密室を減圧し、大気圧で該フィルムを一方の面に押しつけバンプの凸凹形状にならわせ該一方の面に該フィルムを密着させるフィルム密着工程と、
第２のテーブルにシートを敷き、該シートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、該第１のテーブルが保持するウエーハに密着させた該フィルムと該第２のテーブルが保持した該シートとを対面させて相対的に接近させ、該シートの上の該液状樹脂をウエーハの面積以上の広さに広げられた該液状樹脂に紫外線を照射して硬化させ該フィルムと該シートとの間に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
ウエーハの外周に沿って該シートと該樹脂層と該フィルムとを切断し除去する外周除去工程と、
複数のピンを立設させ該ピンの先端に他方の面を接触させたウエーハの外周全周に接触するリング部を備え、該リング部で塞がれた空間を吸引源に連通する連通口を備えるピンチャックテーブルでウエーハを吸引保持させ、ウエーハの一方の面側の該シートの表面全面を切削バイトで切削して該他方の面に対して平行な被切削面を形成する切削工程と、
該切削工程で切削した被切削面を第３のテーブルの保持面で保持しウエーハの他方の面を研削砥石で研削する研削工程と、を備えるウエーハの研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプを備えたウエーハを研削するウエーハの研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程において、ウエーハの表面は分割予定ラインによって区画されており、この区画される領域にデバイスが形成される。ウエーハは表面側に保護テープが貼着された後、研削装置において、保護テープを介して表面側がチャックテーブルに保持された状態で、裏面側が研削砥石で研削されて所定の厚みに薄化される。その後、切削装置において、ウエーハが分割予定ラインに沿って分割されることにより、半導体デバイスが製造される。
【０００３】
従来、半導体デバイスの小型化を実現するための技術として、ウエーハの一方の面にバンプと呼ばれる金属突起物を複数形成し、これらのバンプを配線基板の電極に直接接合するフリップチップボンディングと呼ばれる実装技術が知られている（例えば、特許文献１の記載参照）。
【０００４】
バンプが形成されているウエーハを研削する際には、ウエーハの一方の面に、バンプが埋没される厚みの糊層を備えた保護テープを貼着している。また、バンプが埋没されるようにウエーハの一方の面に樹脂層を形成し、樹脂層を平坦化する方法も知られている（例えば、特許文献２の記載参照）。これらにより、バンプの凸凹の影響を抑えてウエーハの他方の面が研削できるため、ウエーハが均一の厚みに研削される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−８４７７０号公報
【特許文献２】特開２０１３−２４３３１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、バンプが大きいハイバンプウエーハの場合、このバンプを埋没させる糊層を保護テープに形成することは難しく、ウエーハの他方の面を研削する際にバンプの高さによる影響を受けてウエーハを均一な厚みに研削することが困難となる問題がある。また、研削後にウエーハから保護テープや樹脂層が剥がされる際、バンプが球状で大きいことでバンプに糊層や樹脂層が引っ掛かり易くなり、糊層や樹脂層の一部がバンプの根本に残ってしまう問題がある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることでウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できるウエーハの研削方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のウエーハの研削方法は、一方の面にバンプを備えたウエーハの他方の面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの外径より大きい径でリング状の糊層を形成したフィルムを、ウエーハを収容可能な開口を有するリングフレームに貼着するフィルム貼着工程と、ウエーハを保持するウエーハ保持部と、リングフレームを保持するリング状のフレーム保持部と、フレーム保持部とウエーハ保持部との間を真空吸引源へ連通する吸引路とを備える第１のテーブルのウエーハ保持部でウエーハの他方の面を保持し、一方の面をリングフレームに貼着したフィルムで覆うと共に、リングフレームをフレーム保持部で保持し密室を形成する保持工程と、吸引路を真空吸引源に連通させ保持工程で形成された密室を減圧し、大気圧でフィルムを一方の面に押しつけバンプの凸凹形状にならわせ一方の面にフィルムを密着させるフィルム密着工程と、第２のテーブルにシートを敷き、シートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、第１のテーブルが保持するウエーハに密着させたフィルムと第２のテーブルが保持したシートとを対面させて相対的に接近させ、シートの上の液状樹脂をウエーハの面積以上の広さに広げられた液状樹脂に紫外線を照射して硬化させフィルムとシートとの間に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、ウエーハの外周に沿ってシートと樹脂層とフィルムとを切断し除去する外周除去工程と、複数のピンを立設させピンの先端に他方の面を接触させたウエーハの外周全周に接触するリング部を備え、リング部で塞がれた空間を吸引源に連通する連通口を備えるピンチャックテーブルでウエーハを吸引保持させ、ウエーハの一方の面側のシートの表面全面を切削バイトで切削して他方の面に対して平行な被切削面を形成する切削工程と、切削工程で切削した被切削面を第３のテーブルの保持面で保持しウエーハの他方の面を研削砥石で研削する研削工程と、を備える。
【０００９】
この構成によれば、第１のテーブルでウエーハの他方の面を保持した状態で、バンプが形成されたウエーハの一方の面側に、バンプの凸凹形状にならってフィルムを密着させる。その後、第２のテーブルに敷かれたシートの上に紫外線硬化性の液状樹脂を供給し、フィルムを介してウエーハと液状樹脂を押し当てた状態で液状樹脂を硬化させることで、フィルムとシートとの間に樹脂層を形成する。これにより、樹脂層によってバンプを埋没させ、樹脂層の平坦面を基準にウエーハを研削できる。また、ウエーハの一方の面にフィルムを介して樹脂層が形成される。このため、シートをウエーハから剥離することで、樹脂層がウエーハに直接に形成される場合と比べて、ウエーハからフィルム、樹脂層及びシートを容易に剥離することができ、バンプが大きくても樹脂層がバンプの根本に残ることがない。また、第１のテーブルとウエーハとの間に入ったゴミ、及び第２のテーブルとシートとの間に入ったゴミにより均一な厚みの樹脂層が形成されない場合でも、シートを切削バイトで切削することで、シートと樹脂層との合計厚みを均一にすることができる。これにより、ウエーハの他方の面を研削する際に、シート及び樹脂層の平坦面を基準にウエーハを研削できる。よって、ウエーハの厚みを均一にすることができ、ウエーハを平坦に研削することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることでウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係るウエーハの斜視図である。
【図２】フィルム貼着工程前の状態を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係るフィルムを介して樹脂層及びシートで被覆されるウエーハの模式図である。
【図４】樹脂層形成工程におけるゴミ混入の影響を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係るフィルム貼着工程を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係る保持工程を示す図である。
【図７】第１の実施の形態に係るフィルム密着工程を示す図である。
【図８】第１の実施の形態に係る樹脂層形成工程を示す図である。
【図９】第１の実施の形態に係る樹脂層形成工程を示す図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る外周除去工程を示す図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る切削工程を示す図である。
【図１２】第１の実施の形態に係る研削工程を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る保持工程を示す図である。
【図１４】第２の実施の形態に係るフィルム密着工程を示す図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る樹脂層形成工程を示す図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る樹脂層形成工程を示す図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る樹脂層形成工程を示す図である。
【図１８】第２の実施の形態に係る切削工程を示す図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る外周除去工程を示す図である。
【図２０】第２の実施の形態に係る研削工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
添付図面を参照して、第１の実施の形態に係るウエーハについて説明する。図１は第１の実施の形態に係るウエーハの斜視図、図２はフィルム貼着工程前の状態を示す図、図３は、第１の実施の形態に係るフィルムを介して樹脂層及びシートで被覆されるウエーハの模式図、図４は樹脂層形成工程におけるゴミ混入の影響を示す図である。
【００１３】
ウエ―ハＷは円盤状に形成され、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にはバンプＢが突出形成されている。ウエーハＷの他方の面Ｗ２は、ウエーハＷを所定の厚みにするために研削される。ウエーハＷとしては、シリコン等の材料でなる半導体ウエーハが用いられる。
【００１４】
バンプＢの材料としては、金、銅、ニッケル、アルミ、錫及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。バンプＢはウエーハの一方の面Ｗ１に例えば球状で形成され、数量、構造、配置等は特に限定されない。バンプＢの高さは、ウエーハＷの一方の面Ｗ１から、例えば１００μｍ〜２５０μｍ程度の高さとなるように形成されている。バンプＢの代わりに、他の機能を持つ凸凹状の構造が形成されていてもよい。
【００１５】
ここで、従来、バンプが形成されるウエーハを研削する際、バンプの高さによる影響を抑えるために、ウエーハの一方の面にバンプが埋没される厚みの糊層を備えた保護テープを貼着している。また、バンプが埋没されるようにウエーハの一方の面に樹脂層を形成し、樹脂層を平坦化している。しかしながら、バンプが大きい場合、バンプを埋没させる糊層を保護テープに形成することは難しく、ウエーハを均一な厚みに研削することができない。また、研削後にウエーハから保護テープや樹脂層が剥がされる際、バンプに糊層や樹脂層が引っ掛かり易くなり、これらの一部がバンプの根本に残ってしまう問題がある。
【００１６】
そこで、図２に示すように、第１のテーブル５にウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した状態で、一方の面Ｗ１のバンプＢの形状にならわせて薄いフィルムＦを密着させ、このフィルムＦを介して、樹脂層Ｒ２（図４参照）を形成する方法が検討されている。樹脂層Ｒ２は、ウエーハＷの一方の面Ｗ１を、フィルムＦを介してシートＳ（図４Ａ参照）上の樹脂に押し当てることで形成される。これにより、図３に示すように、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に、フィルムＦを介して、バンプＢが埋没される厚みの樹脂層Ｒ２が形成される。シートＳをウエーハＷから引き剥がすことにより、ウエーハＷからフィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを容易に剥離することができる。
【００１７】
樹脂層Ｒ２の形成においては、図４Ａに示すように、まず、第２のテーブル６に載置されたシートＳ（図４Ａ参照）の上に樹脂を供給する。そして、第１のテーブル５で、フィルムＦを密着させたウエーハＷの裏面Ｗ２を保持し、フィルムＦを介してウエーハＷの一方の面Ｗ１を樹脂に押し当てることにより樹脂を押し広げる。この状態で樹脂を硬化させることにより、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に、フィルムＦを介して、樹脂層Ｒ２が形成される。
【００１８】
しかしながら、図４Ａに示すように、樹脂層Ｒ２を形成する際に、第１のテーブル５とウエーハＷの他方の面Ｗ２との間にゴミＤ１が入ると、ゴミＤ１にウエーハＷが押し込まれて、ゴミＤ１の部分において、樹脂層Ｒ２に凹みが形成される。この場合、図４Ｂに示すように、ウエーハＷが研削される際にウエーハＷが研削用のテーブルに置き直されて、ゴミＤ１が取り除かれると、樹脂層Ｒ２の凹みの部分でウエーハＷが凹んだ状態となる。ウエーハが凹んだ状態で、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が研削されると、ウエーハＷを均一な厚みにすることができない。
【００１９】
また、樹脂層Ｒ２を形成する際に、シートＳを載置する第２のテーブル６とシートＳとの間にゴミＤ２が入ると、ゴミＤ２にシートＳが押し込まれて、ゴミＤ２の部分で、樹脂層Ｒ２に凹みが形成され、均一な厚みの樹脂層Ｒ２が形成されない。この場合、図４Ｂに示すように、ウエーハＷが研削される際にウエーハＷが研削用のテーブルに置き直されてゴミＤ２が取り除かれると、ゴミＤ２の影響で樹脂層Ｒ２が薄く形成された部分でウエーハＷが凹む。この状態でウエーハＷの他方の面Ｗ２が研削されると、樹脂層Ｒ２の影響を受けて、ウエーハＷを均一な厚みにすることができない。
【００２０】
この問題を解決するために、樹脂層Ｒ２を形成する際にゴミＤ１、Ｄ２が入らないように、第１のテーブル５及び第２のテーブル６を清掃する場合、洗浄機構が必要になるため装置構成が複雑になる。また、洗浄時間が必要になるため、操作が煩雑になる。このため、洗浄をしなくとも、ゴミＤ１、Ｄ２の影響を抑え、研削したウエーハＷの厚みが均一になる加工方法が必要とされている。
【００２１】
そこで、本実施の形態においては、図４Ｃに示すように、ウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した（シートＳ側が上面になる）状態で、樹脂層Ｒ２の厚みが均一でないことにより生じるシートＳの凹み部分を削り取る高さ（二点鎖線）までシートＳを切削する。すなわち、シートＳの表面の高さｈから、凹み部分が削り取られる高さｈ´まで、シートＳを切削する。これにより、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができるため、シートＳを保持してウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削する際に、ゴミＤ１、Ｄ２に起因する樹脂層Ｒ２の厚みの影響を抑えて、ウエーハＷの厚みを均一にすることができる。
【００２２】
以下、図５から図１２を参照して、第１の実施の形態に係るウエーハの研削方法について説明する。第１の実施の形態に係るウエーハの研削方法は、フィルム貼着工程、保持工程、フィルム密着工程、樹脂層形成工程、外周除去工程、切削工程、研削工程を含んでいる。図５は第１の実施の形態に係るフィルム貼着工程、図６は保持工程、図７はフィルム密着工程、図８及び図９は樹脂層形成工程、図１０は外周除去工程、図１１は切削工程、図１２は研削工程を示す図である。
【００２３】
図５に示すように、まずフィルム貼着装置においてフィルム貼着工程が実施される。図５Ａに示すように、フィルムＦは、例えば、樹脂等の材料からなる柔軟なフィルムであり、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円形状に形成されている。フィルムＦには、外周に沿ってリング状の糊層Ｐが形成されている。また、リングフレーム１０には、ウエーハＷを収容可能な開口が形成されている。
【００２４】
図５Ｂは、図５Ａの部分拡大図である。図５Ｂに示すように、フィルムＦは、糊層Ｐを介してリングフレーム１０に貼着される。フィルムＦの厚みとしては、特に限定されないが、例えば、３０μｍ〜１５０μｍ程度の厚みであることが好ましい。これにより、後述するフィルム密着工程において、ウエーハＷの形状にならってフィルムＦをウエーハＷに密着させることができる。なお、フィルムＦのリングフレーム１０への貼着は、オペレータにより行われてもよい。
【００２５】
図６に示すように、フィルム貼着工程の後には、樹脂貼装置において保持工程が実施される。図６Ａに示すように、樹脂貼装置は、第１のテーブル２１を備えている。第１のテーブル２１の表面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを保持するウエーハ保持部２３が形成されている。ウエーハ保持部２３は、第１のテーブル２１内の流路を通じて切換弁３１に接続されており、切換弁３１を介して吸引源３５又はエア源３６に接続される。ウエーハ保持部２３がポーラス材で形成されることにより、ウエーハＷの保持面を略平坦に形成できる。これにより、後述する樹脂層形成工程で、第１のテーブル２１でウエーハＷを保持した状態でウエーハＷの一方の面Ｗ１に樹脂層Ｒ２が形成される際に、ウエーハＷの波立ちにより樹脂層Ｒ２が不均一な厚みに形成されることが防止される。
【００２６】
第１のテーブル２１の外周部には、リングフレーム１０を保持するリング状のフレーム保持部２４が形成されている。フレーム保持部２４の外周には、複数の吸引孔が形成されている。吸引孔は、第１のテーブル２１内の流路を通じて切換弁３２に接続されており、切換弁３２を介して吸引源３７又はエア源３８に接続される。フレーム保持部２４は、ウエーハ保持部２３と段差を設けて形成され、ウエーハ保持部２３よりも高い位置に設けられている。これにより、ウエーハＷがフィルムＦで覆われた際に、後述する密室Ｃが形成され易くなる。フレーム保持部２４とウエーハ保持部２３との間には吸引路２８が形成されており、吸引路２８は切換弁３３を介して真空吸引源３９に連通している。また、第１のテーブル２１には、反転手段２５が備えられ、第１のテーブル２１が反転可能となっており、反転手段２５には昇降手段２６が備えられ、第１のテーブル２１が昇降可能となっている。
【００２７】
第１のテーブル２１の上方には、フィルムＦが貼着されたリングフレーム１０を吸引保持するフレーム搬送手段４０が設けられている。フレーム搬送手段４０は、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円盤状の支持板の外周部に、複数の保持パッド４１が設けられて形成されている。各保持パッド４１は、支持板内の流路を通じて切換弁４５に接続されており、切換弁４５を介して吸引源４６又はエア源４７に接続される。フレーム搬送手段４０には移動機構（不図示）が備えられ、フレーム搬送手段４０は、リングフレーム１０を保持した状態で垂直方向に移動可能となっている。
【００２８】
図６Ａに示すように、第１のテーブル２１のウエーハ保持部２３に、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が下面になるようにウエーハＷが載置される。このとき、切換弁３１は吸引源３５に接続され、ウエーハ保持部２３に負圧が生じる。これにより、ウエーハＷは、バンプＢが形成される一方の面Ｗ１が上面になる状態で第１のテーブル２１に保持される。また、切換弁３２は吸引源３７に接続され、フレーム保持部２４の吸引孔に負圧が生じる。切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されているため、フレーム保持部２４及び吸引路２８に負圧は生じていない。また、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１によりリングフレーム１０が保持され、フィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１を覆うように、リングフレーム１０がフレーム保持部２４の上方に位置付けられる。このとき、切換弁４５は吸引源４６に接続され、保持パッド４１に負圧が生じている。
【００２９】
そして、図６Ｂに示すように、昇降機構（不図示）によりフレーム搬送手段４０が下降され、リングフレーム１０がフレーム保持部２４に載置される。これにより、フィルムＦでウエーハＷの一方の面Ｗ１が覆われ、フィルムＦと、ウエーハＷの外面と、ウエーハ保持部２３の上面と、フレーム保持部２４の側面及び上面で囲まれた空間には密室Ｃが形成される。
【００３０】
このとき、切換弁４５は切り換えられエア源４７に接続され、保持パッド４１からリングフレーム１０が離される。また、フレーム保持部２４の吸引孔に生じる負圧により、フィルムＦを介してリングフレーム１０が保持される。
【００３１】
図７に示すように、保持工程の後には、フィルム密着工程が実施される。図７に示すように、切換弁３３は切り換えられて真空供給源３９に連通され、吸引路２８に負圧が生じることより、密室Ｃが減圧される。これにより、大気圧により、フィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１に押しつけられ、引き伸ばされる。バンプＢの凸凹形状にならって、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦを密着させることができる。
【００３２】
図８及び図９に示すように、フィルム密着工程の後には、樹脂層形成工程が実施される。図８Ａに示すように、樹脂貼装置は、詳細は記載しないが、第１のテーブル２１の下方に第２のテーブル５１を備えており、第２のテーブル５１では樹脂等でなる略平坦なシートＳが保持される。第２のテーブル５１の上面には、ウエーハＷより径の大きい円形の凹部５１ａが形成されている。
【００３３】
凹部５１ａの内側には、複数の紫外線照射部５５が配置されている。凹部５１ａの上端は、紫外線照射部５５から放射される紫外線の少なくとも一部を透過させるガラス板等のプレート５３で覆われており、第２のテーブル５１の上面の一部を形成している。プレート５３によって、シートＳの中央部分が支持される。第２のテーブル５１の外周部分には、複数の吸引孔が形成されている。吸引孔は第２のテーブル５１内の流路を通じて切換弁５６に接続されており、切換弁５６を介して吸引源５７又はエア源５８に接続される。
【００３４】
シートＳは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の材料からなり、ウエーハＷの外径より大きい径を有する円形状に形成されている。シートＳの厚みとしては、特に限定されないが、例えば、２００μｍ〜３００μｍ程度の厚みであることが好ましい。これにより、シートＳを、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の厚み以上とすることができる。よって、後述する切削工程において、ゴミＤ１及びゴミＤ２により生じるシートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）を効果的に削る取ることができる。
【００３５】
第２のテーブル５１の上方には、シートＳの上に液状樹脂を供給する液状樹脂供給手段５９が設けられている。液状樹脂Ｒ１としては、例えば、紫外線照射部５５から放射される紫外線の光エネルギーによって硬化する紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１が用いられる。
【００３６】
図８Ａに示すように、第２のテーブル５１の上面にシートＳが敷かれる。このとき、切換弁５６は吸引源５７に接続され、第２のテーブル５１の外周に形成される吸引孔に負圧が生じ、シートＳが第２のテーブル５１に保持される。そして、図８Ｂに示すように、液状樹脂供給手段５９により、シートＳの中心付近に紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１が供給される。ウエーハＷの一方の面Ｗ１全面が覆われるように、液状樹脂Ｒ１の供給量が調整される。
【００３７】
次に、図９Ａに示すように、第１のテーブル２１にはフィルム密着工程でフィルムＦが密着された状態のウエーハＷが保持されている。上記したように、第２のテーブル５１の上方に、第１のテーブル２１が位置付けられ、反転手段２５により第１のテーブル２１が反転されて、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されるフィルムＦが、第２のテーブル５１に保持されるシートＳに対面される。
【００３８】
そして、図９Ｂに示すように、昇降手段２６により第１のテーブル２１が下降される。フィルムＦとシートＳとが接近し、フィルムＦを介してウエーハＷが液状樹脂Ｒ１に押し当てられる。これにより、シートＳの上の液状樹脂Ｒ１がウエーハＷの面積以上に広げられ、フィルムＦを介してウエーハＷを被覆する。この状態で、液状樹脂Ｒ１に紫外線照射部５５から紫外線を照射することにより、液状樹脂Ｒ１が硬化して、フィルムＦとシートＳとの間に、バンプＢの凸凹形状を埋没させる厚みの樹脂層Ｒ２が形成される。なお、ウエーハＷが埋没される樹脂層Ｒ２が形成されるように、昇降手段２６による第１のテーブル２１の下降量が調整される。
【００３９】
樹脂層Ｒ２が形成された後、図９Ｃに示すように、切換弁５６は切り換えられエア源５８に接続され第２のテーブル５１のシートＳの保持が解除され、昇降手段２６により第１のテーブル２１が上昇される。これにより、樹脂層Ｒ２及びシートＳが第２のテーブル５１から離され、第１のテーブル２１に保持されるウエーハＷが、樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆された状態で移動される。なお、このとき、切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されていてもよい。
【００４０】
このように、樹脂層Ｒ２によってウエーハＷの一方の面Ｗ１に形成されるバンプＢを埋没させることで、バンプＢの凸凹形状の影響を抑えて、後述する研削工程における基準面を形成できる。また、樹脂が硬化されて樹脂層Ｒ２が形成されることにより、フィルム密着工程においてウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されたフィルムＦは、密着された状態が維持される。
【００４１】
ここで、保持工程において、第１のテーブル２１とウエーハＷとの間にゴミＤ１（図４Ａ参照）が入った状態で第１のテーブル２１にウエーハＷが保持される場合、樹脂層Ｒ２は均一な厚みに形成されていない（図４Ａ参照）。また、樹脂層形成工程において、第２のテーブル５１とシートＳとの間にゴミＤ２（図４Ａ参照）が入った状態で第２のテーブル５１にシートＳが保持される場合、樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されていない。
【００４２】
図１０に示すように、樹脂層形成工程の後には、外周除去工程が実施される。図１０Ａに示すように、第１のテーブル２１の上方には、切断手段６０が設けられている。切断手段６０は、回転台６１の下面から下方に突出したカッター６２を有している。回転台６１は、Ｚ軸回りに回転可能、かつＺ軸方向に移動可能に形成されている。カッター６２は、ウエーハＷの外形寸法に合わせて刃の位置が調整されている。切断手段６０は、下方に配置されたフィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆されるウエーハＷに対して、回転台６１のＺ軸方向の移動によりシートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦに対する切り込み深さを調整し、回転台６１の回転によりシートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦをウエーハＷの外形に沿って切断する。
【００４３】
また、第１のテーブル２１の上方には、搬送機構７０（図１０Ｂ参照）が設けられている。搬送機構７０は、搬送パッド７１を有しており、搬送パッド７１の下面にはウエーハＷを吸引保持する保持面７２を有する多孔質のポーラス板が備えられている。保持面７２は搬送パッド７１内の流路を通じて切換弁７５に接続されており、切換弁７５を介して吸引源７６又はエア源７７に接続される。また、搬送機構７０に設けられる移動手段７４で搬送パッド７１を旋回させることで、搬送パッド７１に保持されるウエーハＷを搬送することができる。
【００４４】
図１０Ａに示すように、反転手段２５により、第１のテーブル２１が反転され、ウエーハＷは、フィルムを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面になる状態となる。第１のテーブル２１の上方に、切断手段６０が位置付けられる。回転台６１が下降され、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦにカッター６２が切り込まれる。回転台６１が回転することにより、ウエーハＷの外周に沿って、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦが切断される。なお、このとき、切換弁３３は真空吸引源３９から遮断されていてもよい。
【００４５】
切断後、図１０Ｂに示すように、第１のテーブル２１の切換弁３１、３２は切り換えられエア源３６、３８に接続され、切換弁３３は切り換えられ真空吸引源３９から遮断される。これにより、第１のテーブル２１によるウエーハＷ及びリングフレーム１０の吸引保持が解除される。また、搬送機構７０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド７１がウエーハＷの中央部分を被覆するシートＳに接触される。このとき、搬送パッド７１の切換弁７５が吸引源７６に接続され、搬送パッド７１に生じる負圧により、搬送パッド７１にシートＳを介してウエーハＷが保持される。そして、図１０Ｃに示すように、移動手段７４により搬送パッド７１が旋回されることで、ウエーハＷが第１のテーブル２１から搬出される。切断されたウエーハＷの外周部分はリングフレーム１０とともにウエーハＷの中央部分から離され、除去される。
【００４６】
図１１に示すように、外周除去工程の後には、バイト切削装置において切削工程が行われる。図１１Ａに示すように、バイト切削装置は、ピンチャックテーブル９１を備えている。ピンチャックテーブル９１の上面には、ウエーハＷより径の小さい円形の凹部９１ａが形成されており、上面の凹部９１ａを囲む領域はリング部９３を形成している。リング部９３は、凹部９１ａの底面の外周部から上方に突出形成されている。凹部９１ａの底面には、複数のピン９２が立設されている。各ピン９２は柱状に形成され、各ピン９２の高さはリング部９３の高さと揃えられている。隣接するピン９２の間隔は略同一であり、複数のピン９２の先端及びリング部９３によりウエーハＷの他方の面Ｗ２を支持する平坦な支持面が形成される。ピンチャックテーブル９１によりウエーハＷが保持されることにより、ウエーハＷとピンチャックテーブル９１との間にゴミが入ることが防止される。
【００４７】
また、凹部９１ａの底面には吸引源９８に連通する連通口９５が形成されている。連通口９５はピンチャックテーブル９１内の流路を通じて切換弁９７に接続されており、切換弁９７を介して吸引源９８又はエア源９９に接続される。吸引源９８の駆動によって凹部９１ａ内に負圧が生じ、この負圧によってウエーハＷをリング部９３及びピン９２上で吸引保持することができる。また、ピンチャックテーブル９１には切削送り手段９６が設けられており、切削送り手段９６により、ピンチャックテーブル９１が切削送りされる。
【００４８】
ピンチャックテーブル９１の上方には、切削手段１００が設けられている。切削手段１００は、スピンドル１０５の下端に円盤状のマウント１０６を備えている。モータ（不図示）によってスピンドル１０５は回転され、これによりマウント１０６が回転される。マウント１０６の下面には、刃部を有する切削バイト１０１が取り付けられ、この切削バイト１０１によりウエーハＷを被覆するシートＳが切削される。切削中は加工部分に向けて切削水を噴射することにより、切削屑が除去される。切削バイト１０１としては、例えば、ダイヤモンド、超硬合金、ＣＢＮ等の硬質材料が使用される。また、切削手段１００は、Ｚ軸方向に移動可能に形成されている。切削バイト１０１でシートＳを切削することにより、シートＳを上から押し付けることがない。このため、研削砥石でシートＳを研削する場合と比べて、ウエーハＷへの加工負荷を抑えることができる。これにより、ピン９２の形状がウエーハＷへ転写されることが抑えられ、ウエーハＷ並びにウエーハＷを被覆する樹脂層Ｒ２及びシートＳが波立つことが抑えられる。これにより、シートＳの表面を平坦に切削することができる。
【００４９】
図１１Ａに示すように、ピンチャックテーブル９１に、フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面にようになるように、ウエーハＷが載置される。ピン９２の先端が他方の面Ｗ２に接触され、リング部９３がウエーハＷの外周全周に接触されることにより、ウエーハＷの他方の面Ｗ２及びリング部９３で凹部９１ａ内は塞がれ、密閉された空間となる。このとき、切換弁９７は吸引源９８に接続され、凹部９１ａ内に生じる負圧により、ウエーハＷがピンチャックテーブル９１に吸引保持される。
【００５０】
スピンドル１０５が回転され切削バイト１０１が回転される。この状態で、シートＳを所定量削り込む高さ、すなわち樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されないことによるシートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）が削り取られる高さｈ´まで切削手段１００を下降させておく。そして、切削送り手段９６によって、切削手段１００の下方の加工位置方向に所定速度でピンチャックテーブル９１を移動させる。これにより、シートＳの表面が切削バイト１０１によって切削されていき、ウエーハＷの一方の面Ｗ１側を被覆するシートＳの表面全面が切削され、ウエーハＷの他方の面Ｗ２に対して平行な被切削面Ｓ１が形成される。これにより、シートＳの凹み部分が削り取られて、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる（図４Ｃ参照）。
【００５１】
切削後、図１１Ｂに示すように、ピンチャックテーブル９１の切換弁９７は切り換えられエア源９９に接続され、ピンチャックテーブル９１によるウエーハＷの吸引保持が解除される。そして、搬送機構１１０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド１１１がウエーハＷを被覆するシートＳに接触される。吸引源１１６により搬送パッド１１１に生じる負圧により、搬送パッド１１１にシートＳを介してウエーハＷが保持され、移動手段１１４により搬送パッド１１１が旋回されることで、ウエーハＷがピンチャックテーブル９１から搬出される。
【００５２】
図１２に示すように、切削工程の後には、研削装置において研削工程が行われる。図１２Ａに示すように、研削装置は、第３のテーブル１２１を備えている。第３のテーブル１２１の下方には、第３のテーブル１２１を回転させる回転手段１２２が設けられている。また、第３のテーブル１２１の上面には、多孔質のポーラス材によってウエーハＷを吸引保持する保持面１２３が形成されている。保持面１２３は、第３のテーブル１２１内の流路を通じて切換弁１２５に接続されており、切換弁１２５を介して吸引源１２６又はエア源１２７に接続される。吸引源１２６への接続により、保持面１２３に生じる負圧でウエーハＷが吸引保持される。
【００５３】
第３のテーブル１２１の上方には、研削手段１３０が設けられている。研削手段１３０は、モータ（不図示）を含むスピンドル１３３の下端に円盤状のマウント１３５を設けて構成されている。マウント１３５の下面には、ホイール基台１３６に複数の研削砥石１３７が真円の環状に配設された研削ホイール１３８が回転可能に装着されている。研削ホイール１３８は、スピンドル１３３の駆動によって回転される。複数の研削砥石１３７は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンド等のボンド剤で固めたセグメント砥石で構成される。研削砥石１３７により、第３のテーブル１２１に保持されたウエーハＷが研削される。また、研削手段１３０は、研削送り手段（不図示）によりＺ軸方向に移動可能となっている。
【００５４】
図１２Ａに示すように、第３のテーブル１２１の保持面１２３に、切削工程で切削したシートＳの被切削面Ｓ１が下面になるように、ウエーハＷが載置される。このとき、切換弁１２５は吸引源１２６に接続され、保持面１２３に生じる負圧により、第３のテーブル１２１にウエーハＷが保持される。
【００５５】
スピンドル１３３が回転され研削ホイール１３８が回転される。ウエーハＷは第３のテーブル１２１の回転により回転し、回転する研削ホイール１３８が研削送り手段（不図示）によりＺ軸方向に研削送りされ、研削砥石１３７がウエーハＷの他方の面Ｗ２に接触されることにより、ウエーハＷが研削される。そして、図１２Ｂに示すように、所定の厚みとなるまでウエーハＷが研削される。
【００５６】
このように、切削工程においてシートＳを切削することにより、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の影響で生じるシートＳの凹みを削り取ることができるため、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一できる（図４Ｃ参照）。よって、シートＳに凹みが生じている部分も生じていない部分も、シートＳ及び樹脂層Ｒ２が同じ厚みになるように調整できる。これにより、研削工程において、シートＳの被切削面Ｓ１を下面にしてウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削すると、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハを研削できる。このため、ゴミＤ１、Ｄ２の影響で樹脂層Ｒ２が均一な厚みに形成されない場合であっても、ウエーハＷを平坦に研削することができる。
【００５７】
研削工程の後には、研削されたウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳが剥離される。ウエーハＷからシートＳの端部側を引き剥がすように、ウエーハＷとシートＳとを相対的に移動させる。フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２が形成されているため、シートＳをウエーハＷから剥離することで、ウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳをまとめて剥離でき、バンプＢに樹脂層Ｒ２が残ることがない。
【００５８】
以上のように、第１の実施の形態に係るウエーハＷの研削方法では、第１のテーブル２１でウエーハＷの他方の面Ｗ２を保持した状態で、バンプＢが形成されたウエーハＷの一方の面Ｗ１側に、バンプＢの凸凹形状にならってフィルムＦを密着させる。その後、第２のテーブル５１に敷かれたシートＳの上に紫外線硬化性の液状樹脂Ｒ１を供給し、フィルムＦを介してウエーハＷと液状樹脂Ｒ１を押し当てた状態で液状樹脂Ｒ１を硬化させることで、フィルムＦとシートＳとの間に樹脂層Ｒ２を形成する。これにより、樹脂層Ｒ２によってバンプＢを埋没させ、樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハＷを研削できる。また、ウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦを介して樹脂層Ｒ２が形成される。このため、シートＳをウエーハＷから剥離することで、樹脂層Ｒ２がウエーハＷに直接に形成される場合と比べて、ウエーハＷからフィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを容易に剥離することができ、バンプが大きくても樹脂層Ｒ２がバンプＢの根本に残ることがない。また、第１のテーブル２１とウエーハＷとの間に入ったゴミＤ１、及び第２のテーブル５１とシートＳとの間に入ったゴミＤ２により均一な厚みの樹脂層Ｒ２が形成されない場合でも、シートＳを切削バイト１０１で切削することで、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる。これにより、ウエーハＷの他方の面Ｗ２を研削する際に、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハＷを研削できる。よって、ウエーハＷの厚みを均一にすることができ、ウエーハＷを平坦に研削することができる。
【００５９】
次に、図１３から図２０を参照して、第２の実施の形態のウエーハの研削方法について説明する。図１３は保持工程、図１４はフィルム密着工程、図１５から図１７は樹脂層形成工程、図１８は切削工程、図１９は外周除去工程、図２０は研削工程を示す図である。なお、第２の実施の形態のウエーハＷの研削方法は、外周除去工程の前に切削工程が行われる点で第１の実施の形態と相違している。したがって、第１の実施の形態と相違する点についてのみ説明し、共通する構成については説明を省略する。
【００６０】
フィルム貼着工程において、フィルムＦがリングフレーム１０に貼着された後（図５参照）、図１３に示すように、保持工程が実施される。図１３Ａに示すように、第１のテーブル２１のウエーハ保持部２３に、ウエーハＷの他方の面Ｗ２が下面になるようにウエーハＷが吸引保持され、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１に保持されたリングフレーム１０がフレーム保持部２４の上方に位置付けられる。そして、図１３Ｂに示すように、フレーム搬送手段４０が下降され、リングフレーム１０がフレーム保持部２４で保持される。これにより、フィルムＦでウエーハＷの一方の面Ｗ１が覆われて密室Ｃが形成される。
【００６１】
図１４に示すように、保持工程の後には、フィルム密着工程が実施される。保持工程で形成された密室Ｃが減圧されることにより、大気圧でフィルムＦがウエーハＷの一方の面Ｗ１に押しつけられる。これにより、バンプＢの凸凹形状にならってウエーハＷの一方の面Ｗ１にフィルムＦが密着される。
【００６２】
図１５から図１７に示すように、フィルム密着工程の後には、樹脂層形成工程が実施される。図１５Ａに示すように、第２のテーブル５１にシートＳが保持され、図１５Ｂに示すように、シートＳの上に液状樹脂Ｒ１が供給される。図１６Ａに示すように、第２のテーブル５１の上方に第１のテーブル２１が位置付けられるとともに反転されて、ウエーハＷの一方の面Ｗ１に密着されるフィルムＦが、第２のテーブル５１に保持されるシートＳに対面される。図１６Ｂに示すように、第１のテーブル２１が下降され、ウエーハＷがフィルムＦを介して液状樹脂Ｒ１に押し当てられる。これにより、フィルムＦを介してウエーハＷが液状樹脂Ｒ１に被覆される。この状態で、液状樹脂Ｒ１が硬化され、フィルムＦとシートＳとの間に樹脂層Ｒ２が形成される。
【００６３】
そして、図１６Ｃに示すように、第２のテーブル５１によるシートＳの保持が解除されて、第１のテーブル２１が上昇され、第１のテーブル２１に保持されるウエーハＷが、フィルムＦを介して樹脂層Ｒ２及びシートＳに被覆された状態で移動される。図１７Ａに示すように、第１のテーブル２１が反転される。そして、切換弁３１、３２がエア源３６、３８に接続され、切換弁３３が真空吸引源３９から遮断されることにより、第１のテーブル２１によるウエーハＷの保持が解除される。図１７Ｂに示すように、フレーム搬送手段４０の保持パッド４１によりリングフレーム１０が吸引保持され、フィルムＦを介してウエーハＷが搬送される。
【００６４】
図１８に示すように、樹脂層形成工程の後には、バイト切削装置において切削工程が行われる。バイト切削装置に備えられるピンチャックテーブル１９１の外周には、リングフレーム１０を支持するフレーム支持部１４１が形成されている。フレーム支持部１４１には複数の保持パッド１４２が設けられており、保持パッド１４２は、フレーム支持部１４１内の流路を通じて切換弁１４５に接続され、切換弁１４５を介して吸引源１４６又はエア源１４７に接続される。
【００６５】
ピンチャックテーブル１９１に、樹脂層Ｒ２及びシートＳで被覆される一方の面Ｗ１が上面になるようにウエーハＷが載置され、フレーム支持部１４１の保持パッド１４２に、リングフレーム１０が載置される。ピン１９２の先端及びリング部１９３でウエーハＷの他方の面Ｗ２が支持されることにより、凹部１９１ａ内は密閉された空間となる。このとき、切換弁１９７は吸引源１９８に接続され、凹部１９１ａ内に生じる負圧により、ウエーハＷがピンチャックテーブル１９１に吸引保持される。また、切換弁１４５は吸引源１４６に接続され、保持パッド１４２に生じる負圧により、リングフレーム１０が吸引保持される。
【００６６】
切削バイト１０１が回転された状態で、シートＳの凹み部分（図４Ｃ参照）を切削する高さまで切削手段１００を下降させておく。そして、切削手段１００の下方の加工位置方向に所定速度でピンチャックテーブル１９１を移動させることにより、シートＳの表面が平坦に切削され、ウエーハＷの他方の面Ｗ２に対して平行な被切削面Ｓ１が形成される。これにより、シートＳの凹み部分が削り取られて、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一にすることができる（図４Ｃ参照）。
【００６７】
図１９に示すように、切削工程の後には、外周除去工程が実施される。図１９Ａに示すように、バイト切削装置に設けられる切断手段６０が、ピンチャックテーブル１９１の上方に位置付けられる。切断手段６０の回転台６１が下降され、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦにカッター６２が切り込まれる。回転台６１が回転することにより、ウエーハＷの外周に沿って、シートＳ、樹脂層Ｒ２及びフィルムＦが切断される。
【００６８】
切断後、図１９Ｂに示すように、ピンチャックテーブル１９１の切換弁１９７は切り換えられエア源１９９に接続される。これにより、ピンチャックテーブル１９１によるウエーハＷの吸引保持が解除される。そして、図１９Ｃに示すように、搬送機構１５０がウエーハＷの上方に移動され、搬送パッド１５１がウエーハＷの中央部分を被覆するシートＳに接触される。このとき、搬送パッド１５１の切換弁１５５は吸引源１５６に接続され、搬送パッド１５１に生じる負圧により、搬送パッド１５１にシートＳを介してウエーハＷが保持される。そして、移動手段１５４により搬送パッド１５１が旋回されることで、ウエーハＷがピンチャックテーブル１９１から搬出される。切断されたウエーハＷの外周部分はフィルムＦに連なり、保持パッド１４２に保持されるリングフレーム１０とともにウエーハＷの中央部分から離され、除去される。
【００６９】
図２０に示すように、外周除去工程の後には、研削装置において研削工程が行われる。図２０Ａに示すように、第３のテーブル１２１の保持面１２３に、シートＳの被切削面Ｓ１が下面になるように、ウエーハＷが載置される。第３のテーブル１２１の切換弁１２５は吸引源１２６に接続され、保持面１２３に生じる負圧により、第３のテーブル１２１にウエーハＷが保持される。ウエーハＷは第３のテーブル１２１の回転により回転し、回転する研削ホイール１３８が研削送りされ、研削砥石１３７がウエーハＷの他方の面Ｗ２に接触されることで、ウエーハＷが研削される。そして、図２０Ｂに示すように、所定の厚みとなるまでウエーハＷが研削される。
【００７０】
このように、切削工程において、ゴミＤ１、Ｄ２（図４Ａ参照）の影響で生じるシートＳの凹みを削り取ることができるため、シートＳと樹脂層Ｒ２との合計厚みを均一できる（図４Ｃ参照）。よって、シートＳに凹みが生じている部分も生じていない部分も、シートＳと樹脂層Ｒ２が同じ厚みになるように調整できる。これにより、研削工程において、シートＳ及び樹脂層Ｒ２の平坦面を基準にウエーハを研削できる。このため、ゴミＤ１、Ｄ２の影響で均一な厚みに形成されていない樹脂層Ｒ２の影響を抑えて、ウエーハＷを平坦に研削することができる。
【００７１】
研削工程の後には、シートＳをウエーハＷから剥離することにより、ウエーハＷから、フィルムＦ、樹脂層Ｒ２及びシートＳを剥離する。以上のように、第２の実施の形態に係るウエーハＷの研削方法では、切削工程において、フィルムＦがリングフレーム１０に貼着された状態でシートＳが切削されることにより、フィルムＦとウエーハＷとの間に切削水が入ることが防止され、フィルムＦとウエーハＷとが密着された状態が効果的に維持される。
【００７２】
上記実施の形態においては、ウエーハＷとして、シリコン等で形成される半導体ウエーハが用いられたが、一方の面Ｗ１にバンプＢが形成されていれば、ウエーハＷはこれに限定されない。加工対象のウエーハＷとしては、加工の種類に応じて、例えば、半導体デバイスウエーハ、光デバイスウエーハ、パッケージ基板、半導体基板、無機材料基板、酸化物ウエーハ、生セラミックス基板、圧電基板等の各種ウエーハが用いられてもよい。半導体デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のシリコンウエーハや化合物半導体ウエーハが用いられてもよい。光デバイスウエーハとしては、デバイス形成後のサファイアウエーハやシリコンカーバイドウエーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）基板、半導体基板としてはシリコンの他にガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。さらに、酸化物ウエーハとしては、デバイス形成後又はデバイス形成前のリチウムタンタレート、リチウムナイオベートが用いられてもよい。
【００７３】
本実施の形態では、第２のテーブル５１によってシートＳを保持してからシートＳの上面に液状樹脂Ｒ１を塗布しているが、液状樹脂Ｒ１が上面に塗布された状態のシートＳを第２のテーブル５１によって保持してもよい。
【００７４】
本実施の形態においては、樹脂層形成工程において、第２のテーブル５１に対して第１のテーブル２１を下降させることにより、フィルムＦとシートＳとを接近させる構成としたが、ウエーハＷがフィルムＦを介して樹脂に押し当てられれば、これに限定されない。第１のテーブル２１に対して、第２のテーブル５１を上昇させることにより、フィルムＦとシートＳとを接近させる構成としてもよい。
【００７５】
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００７６】
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
【００７７】
本実施の形態では、本発明をウエーハＷの研削方法に適用した構成について説明したが、一方の面側が樹脂層で保護される基板を平坦に加工する加工装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
以上説明したように、本発明は、ウエーハを被覆するシートと樹脂層との合計厚みを均一にすることで、ウエーハを平坦に研削できるとともに、樹脂層及びシートを容易に剥離できるという効果を有し、特にバンプを備えたウエーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  リングフレーム
２１  第１のテーブル
２３  ウエーハ保持部
２４  フレーム保持部
２８  吸引路
３９  真空吸引源
５１  第２のテーブル
９１、１９１  ピンチャックテーブル
９２、１９２  ピン
９３、１９３  リング部
９５  連通口
１０１  切削バイト
１２１  第３のテーブル
１２３  （第３のテーブルの）保持面
１３７  研削砥石
Ｂ  バンプ
Ｃ  密室
Ｆ  フィルム
Ｐ  糊層
Ｒ１  液状樹脂
Ｒ２  樹脂層
Ｓ  シート
Ｓ１  （シートの）被切削面
Ｗ  ウエーハ
Ｗ１  （ウエーハの）一方の面
Ｗ２  （ウエーハの）他方の面
【図１】
2019029543.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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