(57)【要約】【課題】ＢＥＲの改善を図った磁気記録装置および記録電流制御装置を提供する。【解決手段】実施形態の磁気記録装置は、磁気ヘッド、記憶部、検出部、および制御器を具備する。磁気ヘッドは、記録媒体に記録を行う。記憶部は、第１の電流波形を規定する第１の電流パラメーター、第２の電流波形を規定する第２の電流パラメーター、および記録ビット列情報を記憶する。検出部は、前記記録ビット列情報から記録ビット長が不連続な不連続点を検出する。制御器は、前記不連続点の次でない記録ビットでは前記第１の電流パラメーター群に基づいて、前記不連続点の次の記録ビットでは前記第２の電流パラメーター群に基づいて、前記磁気ヘッドの記録電流の波形を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録を行う磁気ヘッドと、
第１の電流波形を規定する第１の電流パラメーター、第２の電流波形を規定する第２の電流パラメーター、および記録ビット列情報を記憶する記憶部と、
前記記録ビット列情報から記録ビット長が不連続な不連続点を検出する検出部と、
前記不連続点の次でない記録ビットでは前記第１の電流パラメーター群に基づいて、前記不連続点の次の記録ビットでは前記第２の電流パラメーター群に基づいて、前記磁気ヘッドの記録電流の波形を制御する制御器と、
を具備する磁気記録装置。
【請求項２】
前記第１の電流パラメーター群が、前記波形のベース領域での電流に対応する第１のベース電流Ｉｗ１と、前記波形のオーバーシュート領域でのピーク電流と前記第１のベース電流の差に対応する第１のオーバーシュート電流ＯＳＡ１と、を含み、
前記第２の電流パラメーター群が、前記ピーク電流と前記第１のベース電流の差に対応する第２のオーバーシュート電流ＯＳＡ２を含む、
請求項１に記載の磁気記録装置。
【請求項３】
前記第１のオーバーシュート電流ＯＳＡ１と前記第２のオーバーシュート電流ＯＳＡ２の比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）が１．０５以上２．００以下である
請求項２に記載の磁気記録装置。
【請求項４】
前記比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で略同一である
請求項３に記載の磁気記録装置。
【請求項５】
前記比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で異なる
請求項３に記載の磁気記録装置。
【請求項６】
前記第１の電流パラメーター群が、前記不連続点に対する前記オーバーシュート領域の開始点のずれに対応する第１の位相調整量ＷＰＣ１を含み、
前記第２の電流パラメーター群が、前記ずれに対応する第２の位相調整量ＷＰＣ２を含む、
請求項２に記載の磁気記録装置。
【請求項７】
前記第２の位相調整量ＷＰＣ２が、記録ビット長を基準として、−３０％以上３０％以下である
請求項６に記載の磁気記録装置。
【請求項８】
前記第２の位相調整量ＷＰＣ２が、記録ビット長の比が異なる不連続点で異なる
請求項６または７に記載の磁気記録装置。
【請求項９】
前記第１の電流パラメーター群が、前記波形のベース領域での電流に対応する第１のベース電流Ｉｗ１と、前記波形のオーバーシュート領域でのピーク電流と前記第１のベース電流の差に対応する第１のオーバーシュート電流ＯＳＡ１と、を含み、
前記第２の電流パラメーター群が、前記波形のベース領域での電流を表す第２のベース電流Ｉｗ２を含む、
請求項１、２、および６のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項１０】
前記第１のベース電流Ｉｗ１と前記第２のベース電流Ｉｗ２の比（Ｉｗ２／Ｉｗ１）が０．５以上２．０以下である
請求項９に記載の磁気記録装置。
【請求項１１】
前記比（Ｉｗ２／Ｉｗ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で略同一である
請求項１０に記載の磁気記録装置。
【請求項１２】
前記比（Ｉｗ２／Ｉｗ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で異なる
請求項１０に記載の磁気記録装置。
【請求項１３】
前記第１の電流パラメーター群が、前記波形のベース領域での電流に対応する第１のベース電流Ｉｗ１と、前記波形のオーバーシュート領域でのピーク電流と前記第１のベース電流の差に対応する第１のオーバーシュート電流ＯＳＡ１、および前記オーバーシュート領域の持続時間に対応する第１の持続時間ＯＳＤ１を含み、
前記第２の電流パラメーター群が、前記オーバーシュート領域の持続時間に対応する第２の持続時間ＯＳＤ２を含む、
請求項１、２、６、および９のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項１４】
前記第１の持続時間ＯＳＤ１と前記第２の持続時間ＯＳＤ２の比（ＯＳＤ２／ＯＳＤ１）が０．５以上２．００以下である
請求項１３に記載の磁気記録装置。
【請求項１５】
前記比（ＯＳＤ２／ＯＳＤ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で略同一である
請求項１４に記載の磁気記録装置。
【請求項１６】
前記比（ＯＳＤ２／ＯＳＤ１）が、記録ビット長の比が異なる不連続点で異なる
請求項１４に記載の磁気記録装置。
【請求項１７】
第１の電流波形を規定する第１の電流パラメーター、第２の電流波形を規定する第２の電流パラメーター、および記録ビット列情報を記憶する記憶部と、
前記記録ビット列情報から記録ビット長が不連続な不連続点を検出する検出部と、
前記不連続点の次でない記録ビットでは前記第１の電流パラメーター群に基づいて、前記不連続点の次の記録ビットでは前記第２の電流パラメーター群に基づいて、記録電流の波形を制御する制御器と、
を具備する電流制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は，磁気記録装置および記録電流制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置（例えば、ＨＤＤ）の記録密度が増加している。この記録密度の増加に伴って、記録パターンの欠損も増加し、ＢＥＲ（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）の劣化が顕在化し始めている。
このため、欠損が発生しやすい記録パターンに応じて、記録ヘッドに流す記録電流を特異的に変化させるＰＤＷ（Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  Ｗｒｉｔｅ）と呼ばれる記録電流調整方法が検討されている。
しかし、適切な記録電流調整モード（ＰＤＷモード）でなければ、かえってＢＥＲの劣化を招く懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６６５０４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、ＢＥＲの改善を図った磁気記録装置および記録電流制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の磁気記録装置は、磁気ヘッド、記憶部、検出部、および制御器を具備する。磁気ヘッドは、記録媒体に記録を行う。記憶部は、第１の電流波形を規定する第１の電流パラメーター、第２の電流波形を規定する第２の電流パラメーター、および記録ビット列情報を記憶する。検出部は、前記記録ビット列情報から記録ビット長が不連続な不連続点を検出する。制御器は、前記不連続点の次でない記録ビットでは前記第１の電流パラメーター群に基づいて、前記不連続点の次の記録ビットでは前記第２の電流パラメーター群に基づいて、前記磁気ヘッドの記録電流の波形を制御する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る磁気記録再生装置を示す図である。
【図２】磁気記録再生装置の制御機構を表す図である。
【図３】第１の実施形態に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン、記録電流波形）である。
【図４】第２の実施形態に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図５】第３の実施形態に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図６】第４の実施形態に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図７】第５の実施形態に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図８】比較例１に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図９】比較例２に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【図１０】比較例３に係る記録電流調整モードの模式図（記録パターン）である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下，図面を参照して，実施形態を詳細に説明する。
図１は，実施形態に係る磁気記録再生装置（ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）装置）１０を示す。磁気記録再生装置１０は、磁気記録媒体１１、スピンドルモータ１２、磁気ヘッド１３を有する。磁気記録媒体１１には、磁気的に情報が書き込み、読み込みされる。磁気ヘッド１３は、磁気記録媒体１１から磁気的に情報を書き込み、読み出す。
【０００８】
磁気記録再生装置１０は，ロータリーアクチュエータを用いている。磁気記録媒体１１は，スピンドルモータ１２に装着され，駆動装置制御部（図示せず）からの制御信号に応答するモータ（図示せず）により回転する。
【０００９】
磁気記録媒体１１が回転すると，サスペンション１４による押付け圧力とヘッドスライダーの媒体対向面（ＡＢＳともいう）で発生する圧力とが釣り合う。その結果，ヘッドスライダーの媒体対向面（磁気ヘッド１３）は，磁気記録媒体１１の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００１０】
サスペンション１４は，駆動コイル（図示せず）を保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５の他端に，リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１７が設けられる。ボイスコイルモータ１７は，アクチュエータアーム１５のボビン部に巻き上げられた駆動コイル（図示せず）と，このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とから構成できる。
【００１１】
アクチュエータアーム１５は，軸受部１６の上下２箇所に設けられたボールベアリング（図示せず）によって保持され，ボイスコイルモータ１７により回転摺動が自在にできる。その結果，磁気ヘッド１３を磁気記録媒体１１の任意の位置に移動できる。
【００１２】
磁気ヘッド１３、サスペンション１４、アクチュエータアーム１５によって、磁気ヘッドアセンブリが構成される。
【００１３】
図２は、磁気記録再生装置の制御機構を示す。この図では、磁気記録再生装置は、磁気記録媒体１１、磁気ヘッド１３、メモリ２１、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）２２、ヘッドアンプ２３を有する。
【００１４】
ＳＯＣ２２は、ディスクコントローラー２４、リードライトチャネル回路２５、およびプロセッサ２６を含む。ヘッドアンプ２３はライトドライバー２７を含む。
ＳＯＣ２２は、磁気記録媒体１１にデータを書き込む際に、メモリ２１からデータを読み取り、ヘッドアンプ２３及び、磁気ヘッド１３の動作を指示する。
【００１５】
メモリ２１、ＳＯＣ２２、ヘッドアンプ２３は制御回路（電流制御装置）として機能する。これらの全部及び一部（例えば、ＳＯＣ２２自体）を制御回路と見なすことができる。
この制御回路は、一般に、ヘッドアンプ２３もしくはメモリ２１から受け取ったデータを処理する。また、制御回路は、ヘッドアンプ２３を介して磁気ヘッド１３へのデータの供給およびそのデータの磁気記録媒体１１への書き込みを制御する。
【００１６】
プロセッサ２６はメモリ２１に記憶されているコードを実行し、ＳＯＣ２２の動作（例えば、記録電流の制御）を指示できる。
プロセッサ２６は、後述の記録電流パラメーター群に従って、磁気ヘッド１３での記録電流を制御するようにリードライトチャネル回路２５に指示する。その結果、リードライトチャネル回路２５によって、ヘッドアンプ２３を介して磁気ヘッド１３での記録電流が制御される。
【００１７】
メモリ２１は、記録ビット列情報及び記録電流パラメーター群を記憶する。記録ビット列情報は、磁気記録媒体１１に記録するための複数の記録ビットの配列を表す。
【００１８】
記録電流パラメーター群は、磁気ヘッドでの記録電流の波形を規定するパラメーターの集まりである。記録電流パラメーター群は、基本的な電流波形を規定する基本電流パラメーター群と、副次的な電流波形を規定する副次電流パラメーター群に区別できる。
基本電流パラメーター群と副次電流パラメーター群は、記録ビット列の不連続点との関係で使い分けがなされる。
【００１９】
不連続点は、記録ビット長が異なる隣接する記録ビットの境界を意味する。この不連続点前後の記録ビットにおいて、パターン欠損が生じ易いことが判明した。
この不連続点は、記録ビットのビット長が変わる遷移点を意味する。すなわち、例えば、後述の「３Ｔ−２Ｔ」の記録パターンでは、記録ビットの境界で記録ビット長に不連続が生じている（不連続点を有する）。一方、「２Ｔ−２Ｔ」の記録パターンでは、記録ビット長は連続である（不連続点を有しない）。
【００２０】
ＳＯＣ２２（リードライトチャネル回路２５）は、メモリ２１に記憶されている記録ビット列から記録ビット長が不連続となる不連続点を検出する。
ＳＯＣ２２（リードライトチャネル回路２５）は、不連続点の次でない（接しない）記録ビットにおいては、基本電流パラメーターを用いて、記録電流を制御する。
一方、ＳＯＣ２２（リードライトチャネル回路２５）は、不連続点の次の記録ビットにおいては、副次電流パラメーターを用いて、記録電流を制御する。このとき、用いる副次電流パラメーターに含まれない電流パラメーターについては、基本電流パラメーターを用いてもよい。すなわち、副次電流パラメーターを基本電流パラメーターに対して、優先的に適用することができる。
【００２１】
ここで、「不連続点の次」とは、不連続点のすぐ後に位置することを意味し、そのさらに後は除外される。また、「不連続点の次でない」とは、不連続点のすぐ後には位置しないことを意味し、不連続点の前は除外される。
すなわち、記録ビットＡ、不連続点、記録ビットＢ，Ｃが順に配置される場合（不連続点の前に記録ビットＡが配置され、不連続点の後に記録ビットＢ，Ｃが続く場合）、「不連続点の次」に該当するのは、記録ビットＢのみであり、記録ビットＡ，Ｃはいずれも、「不連続点の次」には該当しない（「不連続点の次でない」に該当）。
【００２２】
（第１の実施形態：記録電流のオーバーシュート電流の調整）
図３は、第１の実施形態に係る記録電流調整モードの一例を示す模式図である。
図３の（Ａ）は、記録パターンの一例を示し、ここでは、「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンを表す。
図３の（Ｂ）は、図３の（Ａ）に示す記録パターンに対して、第１の実施形態に係る記録電流波形の一例を示している。
【００２３】
ここで、３Ｔ、２Ｔなどの用語「Ｔ」は、記録ビット長（記録ビットのビット長）を表す単位として広く使われている。例えば、１Ｔは、１ビット長のことであり、その世代での最小記録ビット長を表す。現在ではおおよそ１１ｎｍ程度である。したがって、例えば、２Ｔは、１Ｔの２倍の長さの記録ビット長を意味し、２ビット長である。
また、ここでの図面は本実施形態の特徴を良く表すように模式的または概念的なものであり、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【００２４】
図３の（Ｂ）に示す電流波形は、オーバーシュート領域とベース領域に区分される。ベース領域は、電流がほぼ一定の領域であり、このときの電流がベース電流Ｉｗである。オーバーシュート領域は、記録ビットの境界とベース領域の間に配置され、電流が正または負のピークを有する領域である。このピーク電流とベース電流の差がオーバーシュート電流ＯＳＡである。
【００２５】
図３の（Ｂ）においては、次のパラメーターが示される。
Ｉｗ１：基本ベース電流［ｍＡ］（基本電流パラメーター群に属するベース電流Ｉｗ）
ＯＳＡ１：基本オーバーシュート電流［ｍＡ］（基本電流パラメーター群に属するオーバーシュート電流ＯＳＡ）
ＯＳＡ２：副次オーバーシュート電流［ｍＡ］（副次電流パラメーター群に属するオーバーシュート電流ＯＳＡ）
【００２６】
これらのパラメーターは、第１の実施形態を表す特徴的なパラメーターだけを示したものであって、現実の記録電流波形がこれらのパラメーターだけで規定されるわけではない。
【００２７】
第１の実施形態では、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットにおいて、ＯＳＡ１に代わってＯＳＡ２が用いられる。
【００２８】
ＯＳＡ２の値は、ＯＳＡ１の値と異なる（ＯＳＡ２≠ＯＳＡ１）。ＯＳＡ２の値は、ＯＳＡ１の値より小さくても良いし、大きくても良い。但し、ＯＳＡ２の値は、ＯＳＡ１の値より大きい方が好ましい。
オーバーシュート電流比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）は、１．０５以上、２．００以下が好ましい。
【００２９】
ここで、ＯＳＡ２は、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットで優先的に適用される記録電流のオーバーシュート電流を包括的に表現している。
したがって、図３の（Ｂ）中に示されるＯＳＡ２の値がすべて同じである必要はない。副次オーバーシュート電流ＯＳＡ２が、基本オーバーシュート電流ＯＳＡ１と異なることを意味するに過ぎない。
【００３０】
オーバーシュート電流比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）は、不連続点での記録ビット長の比に応じて異ならせてもよい。例えば、「３Ｔ−２Ｔ」の不連続点では、１．０５、「２Ｔ−１Ｔ」の不連続点では、１．１５とできる。一方、不連続点での記録ビット長の比によらず、同一の値としてもよい。
【００３１】
ＯＳＡ２の設定の有無あるいはオーバーシュート電流比の値は、磁気記録再生装置１０に搭載されている磁気ヘッド１３、メモリ２１、ＳＯＣ２２、ヘッドアンプ２３の電気特性測定による記録電流波形、あるいはこれらに設定されているレジスタ値の解析等によって確認できる。
これらの解析は、磁気記録再生装置１０自体ではなく、これらのみを抜き出しても可能である。
【００３２】
（第２の実施形態：記録電流の位相調整）
図４は、第２の実施形態に係る記録電流調整モードの一例を示す模式図である。
図４の（Ａ）は、記録パターンの一例を示し、図３の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンを表す。
図４の（Ｂ）は、図４の（Ａ）に示す記録パターンに対して、第２の実施形態に係る記録電流波形の一例を示したものである。
【００３３】
図４の（Ｂ）に示す電流波形は、オーバーシュート領域とベース領域に区分されるが、オーバーシュート領域の開始点が不連続点（記録ビットの境界：基準クロック）に対してずれている。この時間的なずれが位相調整量ＷＰＣとして表される。位相調整量ＷＰＣは、記録ビット長（例えば、「２Ｔ」）に対するオーバーシュート領域の開始点のズレ（ΔＴ）の比を「％」単位で表す。
【００３４】
図４の（Ｂ）においては、次のパラメーターが示される。
Ｉｗ１：基本ベース電流［ｍＡ］（基本電流パラメーター群に属するベース電流Ｉｗ）
ＯＳＡ１：基本オーバーシュート電流［ｍＡ］（基本電流パラメーター群に属するオーバーシュート電流ＯＳＡ）
ＷＰＣ１：基本位相調整量［％］（基本電流パラメーター群に属する位相調整量ＷＰＣ）
ＷＰＣ２：副次位相調整量［％］（副次電流パラメーター群に属する位相調整量ＷＰＣ）
【００３５】
これらのパラメーターは、第２の実施形態を表す特徴的なパラメーターだけを示したものであって、現実の記録電流波形がこれらのパラメーターだけで規定されるわけではない。
【００３６】
第２の実施形態では、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットにおいて、ＷＰＣ１に代わってＷＰＣ２が用いられる。
【００３７】
ＷＰＣ２の値は、ＷＰＣ１の値と異なる（ＷＰＣ２≠ＷＰＣ１）。ＷＰＣ２の値は、ＷＰＣ１の値より小さくても良いし、大きくても良い。
ＷＰＣ２の値は、−３０％以上、３０％以下が好ましい。±は位相調整の方向を示す。例えば、−１０％は基準クロックに対して位相を早める方向に１０％ずらすことであり、＋１０％は位相を遅らす方向に１０％ずらすことである。
【００３８】
ここで、ＷＰＣ１は、基本の記録電流波形の位相調整量を包括的に表現しており、例えば、そのときの記録ビットおよびその前の記録ビットに基づいて調整される。
【００３９】
また、ＷＰＣ２は、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットで優先的に適用される位相調整量を包括的に表現している。したがって、図４の（Ｂ）中に示されているＷＰＣ２の値がすべて同じである必要はない。副次位相調整量ＷＰＣ２が、基本位相調整量ＷＰＣ１と異なることを意味するに過ぎない。
【００４０】
副次位相調整量ＷＰＣ２は、不連続点での記録ビット長の比に応じて異ならせてもよい。例えば、「３Ｔ−２Ｔ」の不連続点では、２０［％］、「２Ｔ−１Ｔ」の不連続点では、−１［％］とできる。一方、不連続点での記録ビット長の比によらず、同一の値としてもよい。
【００４１】
ＷＰＣ２の設定の有無あるいはその値は、第１の実施形態と同様、磁気記録再生装置１０自体や磁気ヘッド１３の解析によって確認できる。
【００４２】
（第３の実施形態：記録電流のベース電流調整）
図５は、第３の実施形態に係る記録電流調整モードの一例を示す模式図である。
図５の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３、図４の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンを表す。
図５の（Ｂ）は、図５の（Ａ）に示す記録パターンに対して、第３の実施形態に係る記録電流波形の一例を示したものである。
【００４３】
図５の（Ｂ）においては、次のパラメーターが示される。
Ｉｗ１：基本ベース電流［ｍＡ］
ＯＳＡ１：基本オーバーシュート電流［ｍＡ］
Ｉｗ２：副次ベース電流［ｍＡ］（副次電流パラメーター群に属するベース電流Ｉｗ）
【００４４】
これらのパラメーターは、第３の実施形態を表す特徴的なパラメーターだけを示したものであって、現実の記録電流波形がこれらのパラメーターだけで規定されるわけではない。
【００４５】
第３の実施形態では、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットにおいて、Ｉｗ１に代わってＩｗ２が用いられる。
【００４６】
Ｉｗ２の値は、Ｉｗ１の値と異なる（Ｉｗ２≠Ｉｗ１）。Ｉｗ２の値は、Ｉｗ１の値より小さくても良いし、大きくても良い。
Ｉｗ２とＩｗ１の比（Ｉｗ２／Ｉｗ１）は、０．５以上、２．００以下であることが好ましい。
【００４７】
ここで、Ｉｗ２は、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットで優先的に適用される副次ベース電流を包括的に表現している。したがって、図５の（Ｂ）中に示されているＩｗ２の値がすべて同じである必要はない。副次ベース電流Ｉｗ２が、基本ベース電流Ｉｗ１と異なることを意味するに過ぎない。
【００４８】
ベース電流比（Ｉｗ２／Ｉｗ１）は、不連続点での記録ビット長の比に応じて異ならせてもよい。例えば、「３Ｔ−２Ｔ」の不連続点では、０．９、「２Ｔ−１Ｔ」の不連続点では、１．３とできる。一方、不連続点での記録ビット長の比によらず、同一の値としてもよい。
【００４９】
Ｉｗ２の設定の有無あるいはベース電流比の値は、第１、第２の実施形態と同様、磁気記録再生装置１０自体や磁気ヘッド１３の解析によって確認できる。
【００５０】
（第４の実施形態：記録電流のオーバーシュート領域持続時間調整）
図６は、第４の実施形態に係る記録電流調整モードの一例を示す模式図である。
図６の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３〜図５の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンを表す。
図６の（Ｂ）は、図６の（Ａ）に示す記録パターンに対して、第４の実施形態に係る記録電流波形の一例を示したものである。
【００５１】
図６の（Ｂ）においては、次のパラメーターが示される。
Ｉｗ１：基本ベース電流
ＯＳＡ１：基本オーバーシュート電流
ＯＳＤ１：基本持続時間［ｐｓｅｃ］（オーバーシュート領域が持続する時間ＯＳＤであり、基本電流パラメーター群に属する）
ＯＳＤ２：副次持続時間［ｐｓｅｃ］（オーバーシュート領域が持続する時間ＯＳＤであり、副次電流パラメーター群に属する）
【００５２】
これらのパラメーターは、第４の実施形態を表す特徴的なパラメーターだけを示したものであって、現実の記録電流波形がこれらのパラメーターだけで規定されるわけではない。
【００５３】
第４の実施形態では、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットにおいて、ＯＳＤ１に代わってＯＳＤ２が用いられる。
【００５４】
ＯＳＤ２の値は、ＯＳＤ１の値と異なる（ＯＳＤ２≠ＯＳＤ１）。ＯＳＤ２の値は、ＯＳＤ１の値より小さくても良いし、大きくても良い。
持続時間比（ＯＳＤ２／ＯＳＤ１）は、０．５以上、２．００以下であることが好ましい。
【００５５】
ここで、ＯＳＤ２は、記録ビット長の不連続点の次の記録ビットで優先的に適用される副次持続時間を包括的に表現している。したがって、図６の（Ｂ）中に示されているＯＳＤ２の値がすべて同じである必要はない。副次持続時間ＯＳＤ２が、基本持続時間ＯＳＤ１と異なることを意味するに過ぎない。
【００５６】
持続時間比（ＯＳＤ２／ＯＳＤ１）は、不連続点での記録ビット長の比に応じて異ならせてもよい。例えば、「３Ｔ−２Ｔ」の不連続点では、１．１、「２Ｔ−１Ｔ」の不連続点では、１．５とできる。一方、不連続点での記録ビット長の比によらず、同一の値としてもよい。
【００５７】
ＯＳＤ２の設定の有無あるいは持続時間比の値は、第１〜第３の実施形態と同様、磁気記録再生装置１０自体や磁気ヘッド１３の解析によって確認できる。
【００５８】
（第５の実施形態：実施形態１〜４の組み合わせ）
前記第１〜第４の実施形態は、それぞれ組み合わせることが可能である。例えば、第５の実施形態は、前記第１の実施形態と前記第２の実施形態を組み合わせたものである。
【００５９】
図７は、第５の実施形態に係る記録電流調整モードの一例を示す模式図である。
図７の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３〜図６の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンである。
図７の（Ｂ）は、図７の（Ａ）に示す記録パターンに対して、第５の実施形態に係る記録電流波形の一例を示したものである。
【００６０】
図７の（Ｂ）においては、次のパラメーターが示される。
Ｉｗ１：基本ベース電流［ｍＡ］
ＯＳＡ１：基本オーバーシュート電流［ｍＡ］
ＷＰＣ１：基本位相調整量［％］
ＯＳＡ２：副次オーバーシュート電流［ｍＡ］
ＷＰＣ２：副次位相調整量［％］
最適なＯＳＡ２、ＷＰＣ２値の範囲は、第１〜第４の実施形態と同様である。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例につき説明する。
（実施例１：第１の実施形態）
実施例１に係る記録電流調整モードの特性について説明する。実施例１に係る記録電流調整モードは、第１の実施形態と同じである。
【００６２】
表１は、実施例１に係る記録電流調整モードでのオーバーシュート電流比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）を示す。
【表１】
2019029047.tif 000003
【００６３】
実施例１においては、すべてのビット長不連続点で同じオーバーシュート電流比とした。したがって、表１に示されている４つの条件はそれぞれ別々の記録電流波形であり、オーバーシュート電流比への依存性を判定できる。
【００６４】
表１に示される４つのオーバーシュート電流比を用いて、Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅシミュレーションからそれぞれ５０万ビット分のランダム記録パターンに対する再生波形を取得し、得られた再生波形からＢＥＲを評価した。
【００６５】
（実施例２：第５の実施形態）
実施例２に係る記録電流調整モードの特性について説明する。
実施例２に係る記録電流調整モードは、第５の実施形態と同じである。
【００６６】
表２は、実施例２に係る記録電流調整モードでの電流パラメーター条件（ＷＰＣ１、ＷＰＣ２、オーバーシュート電流比：ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）を示す。
【表２】
2019029047.tif 000004
【００６７】
表２の実施例、比較例は全て、図７の（Ｂ）に示される「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンを用いている。したがって、表２には、ＷＰＣ１が２条件、ＷＰＣ２が４条件記されており、図７の（Ｂ）に示されるそれぞれの該当箇所に対して、３Ｔパターン側から順番に書き込まれる。
【００６８】
オーバーシュート電流比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）についても同様で、図７の（Ｂ）に示されている４箇所のＯＳＡ２値に対して、３Ｔパターン側から順番に書き込まれる。Ｉｗ１、ＯＳＡ１の値は実施例１と同じである。その他、記述無き条件は実施例１と同じである。
【００６９】
表２に示される記録電流パラメーター条件を用いて、実施例１と同様にＢＥＲを評価した。
【００７０】
（比較例１：ＰＤＷ無し）
比較例１に係る記録電流調整モードの特性について説明する。
図８は、比較例１に係る記録電流調整モードを示す模式図である。
図８の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３〜図７の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンである。
図８の（Ｂ）は、図８の（Ａ）に示す記録パターンに対して、比較例１に係る記録電流波形を示したものである。
【００７１】
比較例１は、基本の記録電流波形を規定するＩｗ１、ＯＳＡ１を含み、副次的な記録電流波形を規定する電流パラメーターは含まない。すなわち、記録ビット長の不連続点に対応して記録電流波形が切り替わることはない。
【００７２】
実施例１、２と同様に、Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅシミュレーションから得られた再生波形からＢＥＲを評価した。Ｉｗ１、ＯＳＡ１値は実施例１、２と同じである。その他、記述無き条件は実施例１と同じである。
【００７３】
（比較例２）
比較例２に係る記録電流調整モードの特性について説明する。
図９は、比較例２に係る記録電流調整モードを示す模式図である。
図９の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３〜図８の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンである。
図９の（Ｂ）は、図９の（Ａ）に示す記録パターンに対して、比較例２に係る記録電流調整モードでの記録電流パターンの一例を示したものである。
【００７４】
比較例２では、基本の記録電流波形を規定するＩｗ１、ＯＳＡ１の他に、「１Ｔ」の記録ビットでの記録電流波形を規定するＯＳＡ２を含む。
【００７５】
第１の実施形態（図３の（Ｂ））と比較例２（図９の（Ｂ））では、「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンでのＯＳＡ２の位置が異なる。既述のとおり、比較例２では１Ｔの記録ビット長での記録電流波形にのみＯＳＡ２が用いられる。すなわち、不連続点である２つの「２Ｔ−１Ｔ」のみに対応して記録電流波形が切り替わる（不連続点「３Ｔ−２Ｔ］，「１Ｔ−２Ｔ］に対応する記録電流波形の切り替えは行われない）。
【００７６】
実施例１、２、比較例１と同様に、Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅシミュレーションから得られた再生波形からＢＥＲを評価した。Ｉｗ１、ＯＳＡ１値は実施例１、２、比較例１と同じである。オーバーシュート電流比（ＯＳＡ２／ＯＳＡ１）を１．５とし、その他、記述無き条件は実施例１と同じである。
【００７７】
（比較例３）
比較例３に係る記録電流調整モードの特性について説明する。
図１０は、比較例３に係る記録電流調整モードを示す模式図である。
図１０の（Ａ）は、記録パターンの一例を示しており、図３〜図９の（Ａ）と同様「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンである。
図１０の（Ｂ）は、図１０の（Ａ）に示す記録パターンに対して、比較例３に係る記録電流調整モードでの記録電流パターンの一例を示したものである。
【００７８】
比較例３は、基本の記録電流波形を規定する記録電流パラメーターＩｗ１、ＯＳＡ１と、「２Ｔ」の後の記録ビットでの記録電流波形を規定するＯＳＡ２を含む。すなわち、不連続点である２つの「２Ｔ−１Ｔ」および不連続点でない２つの「２Ｔ−２Ｔ」に対応して記録電流波形が切り替わる（不連続点「３Ｔ−２Ｔ］，「１Ｔ−２Ｔ］での記録電流波形の切り替えは行われない）。
【００７９】
第１の実施形態（図３の（Ｂ））と比較例２（図１０の（Ｂ））を比較すると、例えば「３Ｔ−２Ｔ−１Ｔ−２Ｔ−２Ｔ−１Ｔ」パターンにおいても、副次的に機能する記録電流パラメーターＯＳＡ２の位置が異なっていることがわかる。
【００８０】
実施例１、実施例２、比較例１、比較例２と同様に、Ｒｅａｄ／Ｗｒｉｔｅシミュレーションから得られた再生波形からＢＥＲを評価した。Ｉｗ１、ＯＳＡ１値は実施例１、実施例２、比較例１、比較例２と同じである。ＯＳＡ２／ＯＳＡ１＝１．５条件を用いて、その他既述に無い条件は実施例１と同じとした。
【００８１】
表３は、実施例１、２、比較例１〜３のＢＥＲを比較して示す。
【表３】
2019029047.tif 000005
【００８２】
ＢＥＲはマイナス側に大きい方が好ましい。したがって、実施例１及び２は、比較例１〜３よりもＢＥＲが良好である。このように、すべての記録ビット長の不連続点において、本実施形態に基づいて記録電流の波形を切り替えることによって、ＢＥＲを改善できることがわかる。
【００８３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが，これらの実施形態は，例として提示したものであり，発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は，その他の様々な形態で実施されることが可能であり，発明の要旨を逸脱しない範囲で，種々の省略，置き換え，変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は，発明の範囲や要旨に含まれるとともに，特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８４】
１０          磁気記録再生装置
１１          磁気記録媒体
１２          スピンドルモータ
１３          磁気ヘッド
１４          サスペンション
１５          アクチュエータアーム
１６          軸受部
１７          ボイスコイルモータ
２１          メモリ
２２          システム・オン・チップ（ＳＯＣ）
２３          ヘッドアンプ
２４          ディスクコントローラー
２５          リードライトチャネル回路
２６          プロセッサ
２７          ライトドライバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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