(57)【要約】【課題】シールド構造による配線基板の高周波対応を可能としつつ、従来よりも微細な幅の溝を少ない工数で配置することが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】信号配線及び内層ランドを有する内層配線と、この上下に配置される絶縁層と、この上下の絶縁層を介して、上層及び下層に配置されたグランド配線と、前記信号配線及び内層ランドの周囲に配置され、前記グランド配線から、前記絶縁層を貫通して形成された溝及びこの溝内に配置された溝内導体と、を備える配線基板であって、前記グランド配線が、前記絶縁層上に直接配置された第１の導体層と、この第１の導体層に形成された線状の開口と、を有し、前記第１の導体層が、前記線状の開口側の端部において、前記溝の幅内に飛び出した庇部を有し、前記溝内導体が、前記庇部において前記第１の導体層と接続される、配線基板及びその製造方法。【選択図】図２
2019029609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号配線及びこの信号配線に連続した内層ランドを有する内層配線と、この内層配線の上下に配置される絶縁層と、この上下の絶縁層を介して、前記内層配線のうち前記内層ランドを除く領域に対応する上層及び下層に配置されたグランド配線と、前記信号配線及び内層ランドの周囲に配置され、前記上層又は下層に配置されたグランド配線の少なくとも一方から、前記絶縁層を貫通して形成された溝及びこの溝内に配置された溝内導体と、を備える配線基板であって、
前記グランド配線が、前記絶縁層上に直接配置された第１の導体層と、この第１の導体層に形成された線状の開口と、を有し、
前記第１の導体層が、前記線状の開口側の端部において、前記溝の幅内に飛び出した庇部を有し、
前記溝内導体が、前記庇部において前記第１の導体層と接続される、配線基板。
【請求項２】
前記内層配線が、前記信号配線及び内層ランドに接続しない、前記溝用の受けパターンをさらに有し、
前記絶縁層を貫通して形成された溝が、前記上層及び下層に配置されたグランド配線の両方から前記溝用の受けパターンに到るように形成される、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の導体層の庇部の下面が、前記絶縁層から露出し、
前記溝の内部に配置された溝内導体が、前記第１の導体層の庇部の上面、端面及び下面において、第１の導体層と接続される、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層上に配置された第１の導体層の厚さが、２〜１０μｍである、請求項１から３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記線状の開口の幅が、２０〜７０μｍである、請求項１から４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記庇部の溝の幅内への飛び出し量が、２〜１０μｍである、請求項１から５の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記溝の内部に配置された溝内導体が、前記溝を埋め込んで配置される、請求項１から６の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項８】
請求項１から７の何れかに一項に記載の配線基板の製造方法であって、
内層配線と、この内層配線の上下に配置される絶縁層と、この上下の絶縁層上に直接配置される第１の導体層と、を有する内層配線付き積層板を形成する工程（１）と、
前記内層配線付き積層板に対し、レーザ加工により、前記上下の絶縁層上の少なくとも一方の第１の導体層に線状の開口と、この線状の開口の下方の絶縁層に溝と、前記第１の導体層が前記線状の開口側の端部において前記溝の幅内に飛び出した庇部と、を形成する溝形成工程（２）と、
前記溝内に、前記絶縁層上に配置された第１の導体層と電気的に接続する溝内導体を形成する、溝内導体形成工程（３）と、
前記絶縁層上の両側に配置された第１の導体層を回路加工して表面配線を形成する回路加工工程（４）と、を有する、配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記溝形成工程（１）では、レーザ加工方法がダイレクトレーザ工法であり、隣接するレーザ加工スキャンエリア同士の少なくとも一部が重複するように設定される、請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記溝形成工程（１）では、レーザ加工が、炭酸ガスレーザを用いて行われる、請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関するものであり、特には、絶縁層に形成した溝内に導体を配置した配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信端末に対する通信速度の高速化の要求から、情報通信端末に用いられる通信モジュール等の機器では、高周波対応が進んでいる。これに伴い、情報通信端末に用いられる通信モジュール用の配線基板では、高周波信号に対しても、ノイズや伝送損失を抑制した良好な伝送特性が求められている。
【０００３】
このような要求に対して、信号配線の上下に絶縁層を介して、シールド配線となるグランド配線を配置するとともに、この上下のグランド配線の相互間を、溝に施しためっき層によって電気的に接続し、厚さ方向と面方向の両方について、信号配線を包囲するシールド構造を備える配線基板が開示されている（特許文献１〜４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０７-０９９３９７号公報
【特許文献２】特開２００１-１４４３８７号公報
【特許文献３】特開２００２-１１１２３３号公報
【特許文献４】特開２００３-２４９７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、従来技術においては、面方向について信号配線を包囲するシールド構造を形成するために必要な絶縁層への溝形成に関して、表面に銅箔を有する絶縁層を用い、表面の銅箔側から絶縁層に楔を打ち込んで楔状の溝を形成する方法（打ち込み加工）（特許文献１）、表面に導体層を有しない絶縁層を用い、絶縁層の表面側からレーザ加工してテーパ形状の溝を形成する方法（特許文献２、３）、表面に銅箔を有する絶縁層を用い、溝形成箇所の銅箔をエッチング除去して開口を設けた後、表面の銅箔をマスクとして、開口から露出した絶縁層をレーザ加工する方法（特許文献４）を用いている。
【０００６】
しかし、特許文献１のように、絶縁層に楔を打ち込んで楔状の溝を形成する方法では、溝の幅が１００μｍ以下といった微細加工が難しい。
【０００７】
また、特許文献２、３のように、表面に導体層を有しない絶縁層に対して直接レーザ加工を行うと、レーザビームに対してマスクとなるものがないため、溝の幅がレーザのビーム径によって決まってしまう。加工速度が速いことから炭酸ガスレーザが広く用いられているが、炭酸ガスレーザはビーム径の絞込みが難しいため、例えば１００μｍ以下の微細な幅の溝の形成が難しく、高密度化が難しい。溝の幅を狭くする方法としては、ビーム径の絞込みが容易なＹＡＧレーザを用いる方法が考えられるが、加工速度が低下する。
【０００８】
また、特許文献４では、溝形成箇所の表面の銅箔をエッチングして開口を設け、露出した絶縁層をレーザ加工する方法を用いているが、銅箔をエッチング除去する精度や工数増加も問題がある。
【０００９】
このように、従来技術においては、要求を満足する溝の幅や加工速度が得難くかったり、工数が増加したりする問題があった。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、シールド構造による配線基板の高周波対応を可能としつつ、従来よりも微細な幅の溝を少ない工数で配置することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下に関する。
［１］  信号配線及びこの信号配線に連続した内層ランドを有する内層配線と、この内層配線の上下に配置される絶縁層と、この上下の絶縁層を介して、前記内層配線のうち前記内層ランドを除く領域に対応する上層及び下層に配置されたグランド配線と、前記信号配線及び内層ランドの周囲に配置され、前記上層又は下層に配置されたグランド配線の少なくとも一方から、前記絶縁層を貫通して形成された溝及びこの溝内に配置された溝内導体と、を備える配線基板であって、前記グランド配線が、前記絶縁層上に直接配置された第１の導体層と、この第１の導体層に形成された線状の開口と、を有し、前記第１の導体層が、前記線状の開口側の端部において、前記溝の幅内に飛び出した庇部を有し、前記溝内導体が、前記庇部において前記第１の導体層と接続される、配線基板。
［２］  前記内層配線が、前記信号配線及び内層ランドに接続しない、前記溝用の受けパターンをさらに有し、前記絶縁層を貫通して形成された溝が、前記上層及び下層に配置されたグランド配線の両方から前記溝用の受けパターンに到るように形成される、［１］に記載の配線基板。
［３］  前記第１の導体層の庇部の下面が、前記絶縁層から露出し、前記溝の内部に配置された溝内導体が、前記第１の導体層の庇部の上面、端面及び下面において、第１の導体層と接続される、［１］又は［２］に記載の配線基板。
［４］  前記絶縁層上に配置された第１の導体層の厚さが、２〜１０μｍである、［１］から［３］の何れか一項に記載の配線基板。
［５］  前記線状の開口の幅が、２０〜７０μｍである、［１］から［４］の何れか一項に記載の配線基板。
［６］  前記庇部の溝の幅内への飛び出し量が、２〜１０μｍである、［１］から［５］の何れか一項に記載の配線基板。
［７］  前記溝の内部に配置された溝内導体が、前記溝を埋め込んで配置される、［１］から［６］の何れか一項に記載の配線基板。
［８］  ［１］から［７］の何れかに一項に記載の配線基板の製造方法であって、内層配線と、この内層配線の上下に配置される絶縁層と、この上下の絶縁層上に直接配置される第１の導体層と、を有する内層配線付き積層板を形成する工程（１）と、前記内層配線付き積層板に対し、レーザ加工により、前記上下の絶縁層上の少なくとも一方の第１の導体層に線状の開口と、この線状の開口の下方の絶縁層に溝と、前記第１の導体層が前記線状の開口側の端部において前記溝の幅内に飛び出した庇部と、を形成する溝形成工程（２）と、前記溝内に、前記絶縁層上に配置された第１の導体層と電気的に接続する溝内導体を形成する、溝内導体形成工程（３）と、前記絶縁層上の両側に配置された第１の導体層を回路加工して表面配線を形成する回路加工工程（４）と、を有する、配線基板の製造方法。
［９］  前記溝形成工程（１）では、レーザ加工方法がダイレクトレーザ工法であり、隣接するレーザ加工スキャンエリア同士の少なくとも一部が重複するように設定される、［８］に記載の配線基板の製造方法。
［１０］  前記溝形成工程（１）では、レーザ加工が、炭酸ガスレーザを用いて行われる、［８］又は［９］に記載の配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シールド構造による配線基板の高周波対応を可能としつつ、従来よりも微細な幅の溝を少ない工数で配置することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の配線層Ｌ１（Ａ）、Ｌ２（Ｂ）、Ｌ３（Ｃ）を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態の配線基板のＸ−Ｘ’断面図（Ａ）及び部分拡大図（Ｂ）である。
【図３】本発明の一実施形態の配線基板のＹ−Ｙ’断面図を示す断面斜図である。
【図４】本発明の他の実施形態の配線基板の配線層Ｌ１（Ａ）、Ｌ２（Ｂ）、Ｌ３（Ｃ）を示す平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態の配線基板のＸ−Ｘ’断面図（Ａ）及び部分拡大図（Ｂ）である。
【図６】本発明の他の実施形態の配線基板のＹ−Ｙ’断面図である。
【図７】本発明の一実地形態の配線基板の製造工程（１）で使用する内層基板（Ａ）及び内層配線付き積層板（Ｂ）を示す断面図である。
【図８】本発明の一実地形態の配線基板の製造工程（２）を示す断面図（Ａ）及び部分拡大図（Ｂ）である。
【図９】本発明の一実地形態の配線基板の製造工程（３）を示す断面図（Ａ）及び部分拡大図（Ｂ）である。
【図１０】本発明の一実地形態の配線基板の製造工程（４）を示す断面図（Ａ）及び部分拡大図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の一実施形態の配線基板の線状の開口及び溝を示す平面図である。（Ａ）は線状の開口の形状を示す平面図、（Ｂ）は円状の形状同士を一部重複させて線状の形状を形成した様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜配線基板）＞
［実施形態１］
図１、図２、図３に、本発明の一例である実施形態１の配線基板を示す。本実施の形態の配線基板は、信号配線１ａ及びこの信号配線１ａに連続した内層ランド１ｂを有する内層配線１と、この内層配線１の上下に配置される絶縁層３と、この上下の絶縁層３を介して、前記内層配線１のうち前記内層ランド１ｂを除く領域に対応する上層及び下層に配置されたグランド配線１０と、前記信号配線１ａ及び内層ランド１ｂの周囲に配置され、前記上層又は下層に配置されたグランド配線１０の少なくとも一方から、前記絶縁層３を貫通して配置された溝６及びこの溝６内に配置された溝内導体１５と、を備える配線基板２３であって、前記グランド配線１０が、前記絶縁層３上に直接配置された第１の導体層４と、この第１の導体層４に形成された線状の開口５と、を有し、前記第１の導体層４が、前記線状の開口５側の端部において、前記溝６の幅内に飛び出した庇部１２を有し、前記溝内導体１５が、前記庇部１２において前記第１の導体層４と接続される、配線基板２３である。以下、本実施の形態の配線基板２３について説明する。
【００１５】
（内層配線）
まず、本実施の形態の配線基板は、信号配線１ａ及びこの信号配線１ａに連続した内層ランド１ｂを有する内層配線１を備えている。内層配線１とは、配線基板２３の内層に配置された配線をいい、信号配線１ａ及びこの信号配線１ａに連続して形成される内層ランド１ｂとを有している。信号配線１ａとは、高周波信号を伝送するための配線をいい、高周波とは、ＧＨｚ帯をいう。内層ランド１ｂとは、信号配線１ａに連続して形成され、内層配線１と上層又は下層のランド１１ａ、１１ｂ等と電気的に接続するために設けられる、内層配線１の一部分をいう。「信号配線１ａに連続した」とは、信号配線１ａと一体的に繋がっていることをいい、金属箔やめっきで一体的に形成された導体層をエッチングすること等によって形成することができる。
【００１６】
（絶縁層）
次に、本実施の配線基板２３は、内層配線１の上下に配置される絶縁層３を有している。絶縁層３とは、電気的に絶縁性を有するものをいう。絶縁層３は、内層配線１の上層及び下層に配置され、内層配線１とグランド配線１０とを絶縁しつつ、これらと積層一体化して支持する基板としての機能も有する。
【００１７】
絶縁層としては、一般に配線基板に用いられるプリプレグや樹脂フィルム等を用いて形成した有機絶縁材料が挙げられる。プリプレグは、補強基材であるガラス繊維等に樹脂組成物（樹脂ワニス）を含浸させ、半硬化のＢステージ状態にした接着性を有するシート状のものをいう。また、樹脂フィルムとは、ガラス繊維等の補強基材を有しない接着性を有するシート状のものをいう。このような補強基材を有しない樹脂フィルムとしては、配線基板で内層材と絶縁層両側の銅箔を接着するために用いられる高分子エポキシ樹脂や熱可塑性のポリイミド接着フィルム等が挙げられる。
【００１８】
上記の樹脂組成物としては、配線基板の絶縁材料として用いられる公知慣例の樹脂組成物を用いることができる。通常、耐熱性、耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂がベースとして用いられ、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素樹脂等の樹脂の１種類又は２種類以上を混合して用い、必要に応じてタルク、クレー、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン等の無機質粉末充填剤、ガラス繊維、アスベスト繊維、パルプ繊維、合成繊維、セラミック繊維等の繊維質充填剤を添加したものが挙げられる。
【００１９】
また、樹脂組成物には、誘電特性、耐衝撃性、ドリルやレーザによる加工性などを考慮して、熱可塑性樹脂がブレンドされてあっても良い。さらに必要に応じて有機溶媒、難燃剤、硬化剤、硬化促進剤、熱可塑性粒子、着色剤、紫外線不透過剤、酸化防止剤、還元剤などの各種添加剤や充填剤を加えて調合する。
【００２０】
上記の補強基材としては、ガラス、アスベスト等の無機質繊維、ポリエステル、ポリアミド、ポリアクリル、ポリビニルアルコール、ポリイミド、フッ素樹脂等の有機質繊維、木綿等の天然繊維の織布、不織布、紙、マット等を用いることができる。
【００２１】
通常、補強基材に対する樹脂組成物の付着量が、乾燥後のプリプレグの樹脂含有率で２０〜９０質量％となるように補強基材に含浸又は塗工した後、通常１００〜２００℃の温度で１〜３０分加熱乾燥し、半硬化状態（Ｂステージ状態）のプリプレグを得る。このプリプレグを通常１〜２０枚重ね、その両面に金属箔を配置した構成で加熱加圧して積層一体化する。積層一体化する前のプリプレグの１枚当りの厚さは、用途等によって異なるが、例えば、０．０１５〜０．１ｍｍの厚みのものが用いられる。
【００２２】
積層一体化のための成形条件としては通常の積層板の手法が適用でき、例えば多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機等を使用し、通常、温度１００〜２５０℃、圧力２〜１００ｋｇｆ／ｃｍ２（１９６ｋＰａ〜９．８１ＭＰａ）、加熱時間０．１〜５時間の範囲で成形したり、真空ラミネート装置などを用いてラミネート条件５０〜１５０℃、０．１〜５ＭＰａの条件で減圧下又は大気圧の条件で行ったりする。このようにして、金属箔と加熱加圧により積層一体化した後の絶縁層の厚さは、用途等によって異なるが、例えば、０．０１５〜０．１ｍｍが挙げられる。
【００２３】
（グランド配線）
次に、本実施の形態の配線基板２３は、内層配線１の上下の絶縁層３を介して、内層配１線のうち内層ランド１ｂを除く領域に対応する上層及び下層に配置されたグランド配線１０を有している。
【００２４】
グランド配線１０とは、電源電流の帰り道であると同時に、電子部品の駆動の際に、基準電位（グランド）となる電位を示す配線をいう。グランド配線１０は、引き回しによる回路特性への影響や、電磁誘導によるノイズを抑制するため、一般にベタパターン（線状ではなく、面を塗りつぶすようになっているパターン）とするのが好ましい。
【００２５】
（溝）
次に、図２に示すように、本実施の形態の配線基板２３は、信号配線１及び内層ランド１ｂの周囲に配置され、上層又は下層に配置されたグランド配線１０の一方から他方に到るように、絶縁層３を貫通して配置された溝６を備えている。
【００２６】
ここで、溝６とは、後述する第１の導体層に形成される線状の開口５の下方の絶縁層３に形成される、平面視において線状の凹部をいう。つまり、溝６は、絶縁層３に形成された線状の凹部をいい、第１の導体層４に設けられた線状の開口５を含まない。また、線状とは、幅に対して長さが大きい長方形もしくは長楕円形を意味し、直線に限られず、曲線でもよい。例えば、アスペクト比（幅に対する長さの比）が、５以上（好ましくは１０以上）のものをいう。なお、溝６が絶縁層３を貫通し、絶縁層３の他方に配置される第１の導体層４又は内層配線１に到るように形成される場合は、このような溝６の底部に露出した、絶縁層３の他方に形成されるこれらの第１の導体層４又は内層配線１の表面までを含む。
【００２７】
本実施の形態の配線基板２３の溝６の深さは、溝内導体を形成するためのめっきの充填性や付きまわり性を確保する観点から、後述する溝の幅（４０〜１００μｍ）（開口幅は３０〜８０μｍ）との関係（アスペクト比で０．１５〜２．５）を考慮すると、溝の深さは、１５〜１００μｍであるのが好ましい。ここで、本実施の形態における溝の深さとは、第１の導体層を除き、絶縁層の表面から溝の底部までをいう。
【００２８】
このような溝を形成する方法としては、第１の導体層に対しては、一般的に配線基板の加工に用いられるレーザ加工、ドリル加工、プレス加工等の機械加工や、金属箔のエッチングに用いられるエッチング液を用いることができる。また、絶縁層に対しては、一般的に配線基板の加工に用いられるレーザ加工、ドリル加工、プレス加工等の機械加工や、乾式及び湿式のデスミア処理などを用いることができる。これらの中でも、後述する第１の導体層に庇部を形成しやすい点から、レーザ加工が好ましい。
【００２９】
レーザ加工の方法としては、第１の導体層に線状の開口を予めエッチングで形成した後、線状の開口の幅よりも直径の大きいビーム径のレーザを用い、第１の導体層をレーザ加工のマスクとして、絶縁層に線状の凹部を形成すようにレーザ加工を行う、いわゆるコンフォーマル工法と、予め第１の導体層に線状の開口を形成することなく、第１の導体層側から第１の導体層と絶縁層とを一度にレーザ加工して、第１の導体層に線状の開口と絶縁層に線状の凹部を形成する、いわゆるダイレクレーザ工法が挙げられる。何れのレーザ加工方法においても、第１の導体層に形成される線状の開口の幅よりも、絶縁層に形成される線状の凹部の幅が広くなるため、絶縁層上に配置された第１の導体層が、溝の幅内に飛び出した部分（庇部）を形成することができる。
【００３０】
これらの中でも、ダイレクトレーザ工法が好ましい。これにより、少ない工程で第１の導体層への線状の開口、絶縁層への線状の凹部（溝）及び庇部を形成でき、しかも、第１の導体層に形成される線状の開口の幅が、約３０μｍまで細く形成でき、その下方の絶縁層に形成される線状の凹部（溝）の幅も、約４０μｍまで細く形成でき、溝内導体によって形成される配線パターンの微細化を図ることが可能になる。
【００３１】
ここで、絶縁層に形成される線状の凹部の幅（溝の幅）とは、長さ方向に対し直角方向の断面において、絶縁層の厚さ方向で最大となる個所の凹部の幅をいう。
【００３２】
本実施の形態の溝の幅は、配線基板の用途に合わせて設定すればよく、特に制限なく選択できるが、レーザ加工での形成のし易さから、４０〜１００μｍが好ましい。ここで、本実施の形態において、溝の幅とは、溝を断面視したとき、絶縁層の厚さ方向で最大となる個所の幅をいう。
【００３３】
（溝内導体）
本実施の形態の配線基板２３は、溝６の内部に配置される溝内導体１５を有している。ここで、溝内導体１５とは、絶縁層３に形成された線状の溝６内に配置され、電気的に導通性を有するものである。溝内導体１５を形成する方法としては、一般的な配線基板の非貫通ビアに用いられるめっきが挙げられ、このようなめっきとして、溝６内を充填するように形成されるフィルドめっきや、溝６内の内壁に沿って膜状に形成されるスルーホールめっきが挙げられる。
【００３４】
フィルドめっきやスルーホールめっきにより、溝内導体１５を形成する方法としては、まず、下地として、薄付け用の無電解めっき（以下、単に「無電解めっき」という。）を形成した後、これを給電層として、電気めっきでフィルドめっきやスルーホールめっきを行う方法が挙げられる。
【００３５】
フィルドめっきは、後述する電解フィルドめっき液を用いてめっき層を形成するものであり、所定の条件で電気めっきを行うことで、溝内を充填するようにめっき層（溝内導体１５）を形成すること、及び溝内の内壁に沿って膜状にめっき層（溝内導体１５）を形成することができる。
【００３６】
電解フィルドめっき液は、一般に硫酸銅めっき浴中にめっき成長を抑制するめっき抑制剤と、めっき成長を促進するめっき促進剤とを添加したものである。
【００３７】
めっき抑制剤は、物質の拡散則に伴い、スルーホール用穴の内部には吸着し難く、基板表面には吸着し易いことを応用して、スルーホール用穴の内部と比較して基板表面のめっき成長速度を遅くすることで、スルーホール用穴の内部を電解フィルド銅めっき層によって充填させ、スルーホール用穴の直上部分とスルーホール用穴の直上部分以外の部分とで、基板表面に平滑な電解フィルド銅めっき層を形成する効果があるといわれている。めっき抑制剤としては、ポリアルキレングリコールなどのポリエーテル化合物、ポリビニルイミダゾリウム４級化物、ビニルピロリドンとビニルイミダゾリウム４級化物との共重合体などの窒素含有化合物などを用いることができる。
【００３８】
めっき促進剤は、スルーホール用穴内の側面、基板表面に、一様に吸着し、続いて、スルーホール用穴の内部ではめっきの成長に伴い、表面積が減少していき、スルーホール用穴内の促進剤の分布が密になることを利用して、スルーホール用穴の内部のめっき速度が基板表面のめっき速度より速くなり、スルーホール用穴の内部を電解フィルド銅めっき層によって充填させ、スルーホール用穴の直上部分とスルーホール用穴の直上部分以外の部分とで、基板表面に平滑な電解フィルド銅めっき層を形成する効果があるといわれている。めっき促進剤としては、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウムもしくは２−メルカプトエタンスルホン酸ナトリウムで表される硫黄化合物、もしくはビス−（３−スルフォプロピル）−ジスルファイドジソディウム等で表される硫黄化合物を用いることができる。これらめっき促進剤は、ブライトナー（光沢剤）と呼ばれる銅めっき液に添加する添加物の一種でもある。
【００３９】
上記めっき抑制剤やめっき促進剤は、１種、もしくは２種以上を混合して用いる。これらの水溶液の濃度は特に限定されないが、数質量ｐｐｍ〜数質量％の濃度で用いることができる。
【００４０】
フィルドめっきは、電解フィルドめっき液によって形成することができる。溝内を充填するようにフィルドめっきを形成する方法としては、２回以上に分けてフィルドめっきを行う方法が好ましい。
【００４１】
このような方法の一例として、まず、フィルドめっきによるめっき層によって、第１の導体層の庇部の下方の溝内に形成される下方空間が充填され、かつ第１の導体層の線状の開口が塞がれる前の段階で、一端、給電を停止し、数秒間以上放置した後、給電を再開することによってフィルドめっきを継続する方法が挙げられる。これによれば、絶縁層に形成された溝の内部及び第１の導体層に形成された線状の開口の内部を、めっき層にボイドのない状態で埋め込むことが容易になる点で好ましい。
【００４２】
また、フィルドめっきを用いて、溝内の内壁に沿って膜状にめっき層（溝内導体）を形成する方法としては、上記のように、溝内がめっき層で埋め込まれる前の段階で、フィルドめっきを停止する方法が挙げられる。これによれば、フィルドめっきは、庇部の下方に形成される下方空間（特に直下部）に析出し易いため、膜状のめっき層であっても、第１の導体層と溝内導体との接続信頼性を確保できる。
【００４３】
スルーホールめっきは、配線基板の層間接続（スルーホール）を形成するために、一般的に用いられる電気めっき液を用いて膜状にめっき層を形成するものであり、このような電気めっき液として、硫酸銅めっき液が挙げられる。スルーホールめっきによれば、電気めっきの電流分布や、めっき液の液流等を所定の条件で行うことにより、溝内の内壁に沿って、均一な厚さで膜状にめっき層（溝内導体）を形成することができる。
【００４４】
（第１の導体層）
本実施の形態の配線基板は、前記グランド配線が、前記絶縁層上に直接配置された第１の導体層を有している。ここで、第１の導体層とは、絶縁層上に配置され、電気的に導電性を有し、回路加工によって配線パターンが形成されたものであって、後述する庇部を有するものをいう。このような第１の導体層として、電気めっきや圧延等によって作製された金属箔、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング等によって形成された金属膜などが使用できる。金属箔を用いる場合は、ＪＩＳＢ０６０１に示す１０点平均粗さ（Ｒｚ）が、両面とも２．０μｍ以下であることが電気特性上好ましい。金属箔として、銅箔、ニッケル箔、アルミニウム箔等を用いることができるが、通常は銅箔を使用する。
【００４５】
絶縁層上に第１の導体層を配置する方法としては、上述したように、絶縁層を形成するためのプリプレグを通常１〜２０枚重ね、その両面に金属箔を配置した構成で加熱加圧して積層一体化する方法、絶縁層の表面に直接、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング等によって金属膜を形成する方法が挙げられる。前者のように、金属箔を加熱加圧して積層一体化した場合は、第１の導体層（ここでは、金属箔）と絶縁層との強い密着が得られる。
【００４６】
第１の導体層の厚さは、特に制限はないが、第１の導体層や後述する溝の形成を容易にする観点から、２〜１０μｍが一般的である。
【００４７】
（線状の開口）
本実施の形態の配線基板は、第１の導体層に形成された線状の開口を有している。ここで、線状の開口とは、第１の導体層に形成され、平面視において線状の開口をいう。線状の開口は、レーザ加工等によって、第１の導体層を貫通し、その下方の絶縁層に到るように加工することで形成することができる。線状の開口は、第１の導電層に形成されるものなので、配線基板として完成した後の状態では、後述するめっき層等により、線状の開口の幅が狭まったり、完全に埋まってしまう場合があるが、このめっき層等は含まない。つまり、線状の開口とは、このような、めっき層を形成する前に、第１の導体層のみで形成されている導体層に形成される開口をいう。
【００４８】
（庇部）
本実施の形態の配線基板２３は、第１の導体層４が、線状の開口５側の端部において、溝６の幅内に飛び出した庇部１２を有する。ここで、庇部とは、絶縁層上に配置された第１の導体層が、線状の開口側の端部において、溝の幅内に飛び出した部分をいう。庇部は、溝の長さ方向に沿って連続して形成されている。また、溝の幅内に飛び出した部分とは、下方の絶縁層に形成される溝の側壁よりも飛び出すことをいう。庇部は、例えば、絶縁層上に第１の導体層を配置した基板に対し、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマル工法を用いて、第１の導体層に線状の開口と、絶縁層に線状の凹部を形成することにより形成することができる、即ち、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマル工法で第１の導体層を貫通してその下の絶縁層に線状の溝を形成する場合には、第１の導体層とその下の絶縁層を構成する樹脂との間で、レーザ加工のされやすさ（熱分解温度）に大きな違いがあることにより、レーザ加工条件を調整することによって、第１の導体層に形成される線状の開口の先端が、その下にある絶縁層の側壁よりも溝の幅内に飛び出すことにより形成することができる。
【００４９】
庇部が溝の幅内に飛び出す幅（庇部の飛び出し量）は、後述する溝内導体を形成するためのめっきが形成できればよく、特に制限はないが、一般に片側で２〜１０μｍである。なお、庇部の飛び出し量とは、溝の幅（溝の断面視において厚さ方向で最大となる個所の幅）から、開口幅（第１の導体層に形成された線状の開口の幅）を引いて２で割った幅をいう。
【００５０】
本実施の形態の配線基板２３は、溝内導体１５が、庇部１２において第１の導体層４と接続される。溝内導体１５と、第１の導体層４の線状の開口５側に形成される庇部１２はとの接続は、溝内導体１５と庇部１２とが電気的に導通すればよい。このため、溝内導体１５が、庇部１２の上面（図示しない）、端面１２ａ、下面１２ｂの何れかに接続すればよい。
【００５１】
本実施の形態の配線基板は、絶縁層に形成された溝の幅内に飛び出した、第１の導体層の庇部を有する。庇部は、溝の長さ方向に沿って連続して形成されている。これにより、第１の導体層の庇部と絶縁層の溝内の側壁との間には、庇部の下方空間が、溝の長さ方向に連続して形成される。ここで、下方空間とは、第１の導体層の上方から平面視したとき、第１の導体層の庇部と絶縁層の溝の側壁と底部に囲まれる空間をいう。
【００５２】
庇部の下方空間は、溝の長さ方向に沿って、途切れ途切れではなく、連続して形成されるため、電解フィルドめっき液の液流が回り込みにくい状態となっている。また、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、複数の円状の形状の開口５同士が少なくとも一部重複した状態で連続したものであると、開口５形状は、平面視において、単純な直線状又は曲線状ではなく、複雑な凹凸を有する形状となる。また、溝６の側壁も凹凸２５を生じる。このような場合は、庇部が溝の深さ方向に対する電解フィルドめっき液の液流を回り込み難くすることに加えて、平面視における庇部及び溝の側壁の複雑な形状が、面方向に対する電解フィルドめっき液の液流を回り込み難くする。このため、さらに、電解フィルドめっき液の液流が回り込みにくい状態となるので好ましい。このような開口５の形状は、例えば、レーザ加工で形成される円状の形状の開口５の中心位置を少しずつずらして線状の開口５及び溝６を形成することによって形成することができる。このとき、レーザ加工装置の加工精度に基づくずれ２４が生じるが、このずれ量２４は、電解フィルドめっき液の液流が回り込みにくさと溝の直線性とを考慮して設定するのが好ましい。
【００５３】
このような開口５の形状は、例えば、レーザ加工で形成される円状の形状の開口５の中心位置を少しずつずらして線状の開口５及び溝６を形成することによって形成することができる。このとき、レーザ加工装置の加工精度に基づくレーザ加工の位置ずれ等によってずれ２４を生じることによっても、開口５の形状や溝６の側壁に凹凸が発生する。平面視における円状の形状の中心のずれ量２４は、例えば、形成される溝６の幅の約１／１５〜１／２（３〜５０μｍ）が好ましく、１／１０〜１／４（４〜２５μｍ）がより好ましい。また、溝６の直線性を考慮すると、約１／１５〜１／１０（３〜１０μｍ）であることが好ましい。なお、平面視における円状の形状の中心のずれ量２４は、例えば、線状の開口５を１０箇所観察したときの、開口５の幅における中央の位置の変化量（図１１（ｂ）のずれ量２４）から求めることができる。
【００５４】
この下方空間の中でも、特に、庇部の裏面近傍の直下部は、電解フィルドめっき液の液流が回り込みにくい領域となる。このため、この直下部を含む下方空間は、電解フィルドめっき液の促進剤が吸着し易くなっており、電解フィルドめっきの初期段階では、まずこの直下部を起点として下方空間に電解フィルドめっき層が形成され、下方空間が充填される。このため、電解フィルドめっきを用いて、溝内導体を形成する場合に、めっき層の付きまわり性又は充填性を改善できる。
【００５５】
つまり、電解フィルドめっきを用いて、溝内導体を溝の内壁に沿って膜状に形成する仕様（溝を埋め込まない仕様）及び溝を埋め込んで配置する仕様の何れの場合でも、溝内導体の形成性を改善できる。このような作用によれば、溝内導体として形成するめっき層の付きまわり性と充填性を改善できるので、仕様に応じた溝内導体を形成することができる。このため、高周波対応のためシールド配線を形成する場合、及び大電流対応のため導体層の断面積増大を図る場合に対応できる。
【００５６】
また、めっき層の付きまわり性又は充填性を改善できることにより、溝内導体を形成するために使用するフィルドめっきやスルーホールめっきを比較的薄く形成しても、第１の導体層と溝内導体との電気的接続とを確保することができる。溝内導体を形成する際のめっきは、溝内だけでなく、第１の導体層の表面も覆うので、めっき層を薄くできることは、めっき工程を短縮できるとともに、第１の導体層の表面を覆うめっき層の厚さを抑制することができ、その結果、第１の導体層とめっき層で形成される表層配線の配線パターンを微細化することができる。
【００５７】
また、第１導体層（金属）がその下方の絶縁層（樹脂）よりもレーザ加工され難いため、いわゆるダイレクトレーザ工法又はコンフォーマルマスク工法を用いることができる。つまり、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマルマスク工法では、第１導体層（金属）をマスクとして、その下の絶縁層（樹脂）をレーザ加工するが、第１の導体層の端部で、絶縁層が過剰に加工されるようにレーザ加工の条件を調整することにより、第１導体層がその下の絶縁層よりも飛び出した庇部を形成することができる。これにより、第１の導体層をマスクとしてレーザ加工することができるので、炭酸ガスレーザのように、ビーム径が絞れないレーザ加工の場合でも、レーザのビーム径に制限されることなく、絶縁層に微細幅の線状の凹部（溝）を形成できる。
さらに、このように、ダイレクトレーザ工法やコンフォーマルマスク工法を使用できるので、ＹＡＧレーザ等に比べて加工速度が速い炭酸ガスレーザを用いることができる。
【００５８】
さらに、溝内導体１５が、庇部１２において第１の導体層４と接続されるので、溝内導体１５は、溝６内を埋め込んで形成されてもよいし、溝６内の内壁に沿って膜状に形成されてもよい。このため、溝内導体１５を形成する方法として、フィルドめっきを用いて溝６内を充填したり、膜状に形成する方法、又はスルーホールめっきを用いて溝６の内壁に沿って膜状に形成する方法を用いることができる。
【００５９】
本実施の形態の配線基板によれば、信号配線の上層及び下層に配置されるグランド配線と、信号配線の周囲に配置される溝内導体を有し、この溝内導体とグランド配線が接続するにより、信号配線の上下方向だけでなく、平面方向についても、シールド構造を形成できる。また、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマル工法によりレーザのビーム径に制限されずに微細幅の線状の凹部を形成でき、このため、加工速度の速い炭酸ガスレーザを用いることができる。したがって、シールド構造による配線基板の高周波対応を可能としつつ、従来よりも微細な幅の溝を少ない工数で配置することが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。
【００６０】
［実施形態２］
図４、図５、図６に、本発明の一例である実施形態２の配線基板を示す。本実施の形態の配線基板は、上記実施形態１の配線基板において、内層配線１が、信号配線１ａ及び内層ランド１ｂに接続しない、溝６用の受けパターン１ｃをさらに有し、絶縁層３を貫通して配置された溝６が、上層及び下層に配置されたグランド配線１０の両方から溝６用の受けパターン１ｃに到るように形成される、配線基板２３である。以下、本実施の形態の配線基板について説明する。
【００６１】
まず、本実施の形態の配線基板２３は、内層配線１が、信号配線１ａ及び内層ランド１ｂに接続しない、溝６用の受けパターン１ｃをさらに有している。ここで、受けパターン１ｃとは、信号配線１ａ及び内層ランド１ｂに接続しておらず、レーザ加工で形成した溝６の底部となる内層配線１のパターンをいう。受けパターン１ｃは、金属箔やめっきで一体的に形成された導体層をエッチングすること等によって内層配線１を形成する際に、信号配線１ａ、内層ランド１ｂとともに形成することができる。
【００６２】
また、本実施の形態の配線基板２３は、絶縁層３を貫通して配置された溝６が、上層及び下層に配置されたグランド配線１０の両方から溝６用の受けパターン１ｃに到るように形成される。つまり、受けパターン１ｃを挟んで、上層側及び下層側の両方に溝６が形成され、受けパターン１ｃの表裏がそれぞれ、上層側又は下層側の溝６の底部となる。上層及び下層のグランド配線１０のそれぞれから、レーザ加工によって溝６を形成する際、受けパターン１ｃを、レーザ加工のストッパー層にすることにより、このように、受けパターン１ｃを挟んで、上層側及び下層側の両方に溝６を形成することができる。
【００６３】
このように、内層配線１に受けパターン１ｃを配置し、上層及び下層の両方のグランド層１０のそれぞれから受けパターン１ｃに到るように、溝６を形成することにより、溝６の深さが浅くなり、アスペクト比（溝の幅／溝の深さ）が小さくなるため、より細い溝６を形成することができ、溝内導体１５も形成しやすくすることができる。また、より絶縁層３が厚い仕様の配線基板に対しても、溝６及び溝内導体１５の形成が可能になる。
【００６４】
（変形例）
本実施の形態の配線基板においては、第１の導体層の庇部の下面が、絶縁層から露出し、溝の内部に配置された溝内導体が、第１の導体層の庇部の上面、端面及び下面において、第１の導体層と接続されるようにしてもよい。
【００６５】
第１の導体層の庇部の下面が絶縁層から露出することにより、庇部の下面に絶縁層が残留することなく、庇部だけが溝の側壁から飛び出していることを示している。つまり、庇部の裏面近傍の直下部（図示しない）が、第１の導体層の開口先端からみて、より幅方向において、奥の方に入り組んだ構造になる。このため、電解フィルドめっきを用いて溝内導体を形成する際には、庇部の直下部を起点として電解フィルドめっき層が形成されやすくなり、めっき層の付きまわり性又は充填性を改善できる。
【００６６】
また、溝の内部に配置された溝内導体が、第１の導体層の庇部の上面、端面及び下面において、第１の導体層と接続されることにより、溝内導体と連続するめっき層が庇部を巻き込んで覆うように形成されるので、確実に溝内導体と第１の導体層との接続を得ることができ、接続信頼性を向上できる。
【００６７】
絶縁層上に配置された第１の導体層の厚さは、２〜１０μｍであるのが好ましい。ダイレクトレーザ工法を用いる場合、第１の導体層が薄いと線状の開口の幅が大きくなり、厚いと線状の開口の幅が小さくなる傾向があり、厚過ぎると線状の開口が形成し難くなる蛍光がある。しかし、第１の導体層の厚さがこの範囲であることにより、ビーム径が約３０μｍと比較的大きい炭酸ガスレーザを用いてダイレクトレーザ工法を用いる場合でも、第１の導体層に形成される線状の開口の幅を２０μｍ以下に狭くできるので、線状の開口の下方に形成される絶縁層の溝の幅も狭くすることができ、溝内導体で形成される配線パターンを微細化することが可能になる。
【００６８】
線状の開口の幅は、３０〜８０μｍであるのが望ましい。線状の開口の幅が２０〜７０μｍであると、ダイレクトレーザ工法やコンフォーマルマスク工法で形成することができ、出力の大きい炭酸ガスレーザを用いて加工を早く行うことができるとともに、溝内導体の幅を微細化することができるので、溝内導体による配線パターンの高密度化を図るのに好ましい。また、線状の開口を通して、下方の絶縁層に形成される溝内にめっき層を形成できるので、溝内導体を形成することができ、放熱や大電流対応が可能になる。
【００６９】
庇部の溝の幅内への飛び出し量は、２〜１０μｍであるのが好ましい。これにより、庇部の裏面側に下方空間や直下部が形成されるので、フィルドめっきを用いて溝内導体を形成するときのめっきの充填性や付きまわり性を確保することができる。また、下方の絶縁層に形成される溝内に、めっき層を埋め込んだり、溝の内壁に沿って膜状に形成できるので、立体的で断面積の大きな溝内導体を形成することができ、放熱や大電流対応が可能になる。このため、溝が細くても溝内導体の断面積が拡大でき、高密度化、大電流、放熱性向上に対応できる。
【００７０】
溝の内部に配置された溝内導体が、前溝を埋め込んで配置されるのが好ましい。これにより、溝６の表面を平坦化できるので、溝６上にさらに絶縁層３を形成して、多層化する際に、絶縁層３に積層ボイドや凹凸が生じるのを抑制できる。
【００７１】
＜配線基板の製造方法＞
（第１の実施形態）
（工程１）
図７、図８、図９、図１０に、本発明の一例である実施形態１の配線基板の製造方法を示す。本実施の形態の配線基板の製造方法は、まず、図７に示すように、内層配線１と、この内層配線１の上下に配置される絶縁層３と、この上下の絶縁層３上に直接配置される第１の導体層４と、を有する内層配線付き積層板２２を形成する工程（１）を有している。
【００７２】
内層配線付き積層板２２を形成する方法の一例としては、まず、絶縁層３の両面に第１の導体層４を配置した導体層付き積層板を出発材料として、絶縁層の片面の第１の導体層４に対してエッチング等による回路加工を行って内層配線１を形成することで、図７（Ａ）の内層基板２１を作製する。
【００７３】
絶縁層の両面に第１の導体層が配置された導体層付き積層板は、絶縁層を形成するためのプリプレグを通常１〜２０枚重ね、その両面に金属箔を配置した構成で加熱加圧して積層一体化する方法、絶縁層の表面に直接、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング等によって金属膜を形成する方法等によって得ることができる。前者のように、金属箔を加熱加圧して積層一体化した場合は、第１の導体層（ここでは、金属箔）と絶縁層との強い密着が得られる。
【００７４】
次に、内層配線１の上に絶縁層３を形成するためのプリプレグを重ね、その上に第１の導体層４を形成するための金属箔を配置した構成で加熱加圧して積層一体化することで、図７（Ｂ）の内層配線付き積層板２２を作製する。
【００７５】
（工程２）
本実施の形態の配線基板の製造方法は、次に、図８に示すように、内層配線付き積層板に対し、レーザ加工により、上下の絶縁層上の少なくとも一方の第１の導体層に、平面視において、線状の開口と、この線状の開口の下方の絶縁層に溝と、第１の導体層が線状の開口側の端部において溝の幅内に飛び出した庇部と、を形成する溝形成工程（２）を有している。
【００７６】
この溝形成工程（２）においては、図８に示すように、内層配線付き積層板に対し、レーザ加工により、上下の絶縁層上の少なくとも一方の第１の導体層に、平面視において、円形の開口（図示しない。）と、この円形の開口の下方の絶縁層に層間接続用穴と、第１の導体層が円形の開口側の端部において層間接続用穴の内側に飛び出した庇部（図示しない。）と、を形成してもよい。
【００７７】
内層配線付き積層板に対して行うレーザ加工方法としては、ダイレクトレーザ工法、コンフォーマルマスク工法が挙げられる。
【００７８】
（工程３）
次に、図９に示すように、溝内に、絶縁層上に配置された第１の導体層と電気的に接続する溝内導体を形成する、溝内導体形成工程（３）と、を有している。
【００７９】
溝内導体を形成する方法としては、フィルドめっきやスルーホールめっきを用いて、溝内導体を溝の内壁に沿って膜状にめっき層を形成する方法、溝内をめっき層で充填する方法、等が挙げられる。特に、フィルドめっきを用いる場合は、溝内導体を溝の内壁に沿って膜状にめっき層を形成する方法、及び溝内をめっき層で充填する方法の何れでも用いることができ、また、溝内へのめっきの付きまわり性や充填性が優れ、かつ、第１の導体層の表面に形成されるめっき層も薄く表層配線を薄く形成でき、微細回路の形成性に優れる点でより望ましい。
【００８０】
（工程４）
次に、図１０に示すように、絶縁層上の両側に配置された第１の導体層を回路加工して表面配線を形成する回路加工工程（４）と、を有している。
【００８１】
第１の導体層を回路加工する方法としてはエッチングにより不要な個所の第１の導体層を除去するサブトラクト法やセミアディティブ法が挙げられる。
【００８２】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、レーザ加工により、絶縁層上の第１の導体層に線状の開口と、この線状の開口の下方の絶縁層に溝と、第１の導体層が線状の開口側の端部において溝の幅内に飛び出した庇部と、を形成する溝形成工程（１）を有するので、絶縁層に形成された溝の上方（開口側）に、第１の導体層が飛び出した庇部が形成される。
【００８３】
この庇部によって、上述したように、溝内導体を溝の内壁に沿って膜状に形成する仕様（溝を埋め込まない仕様）及び溝を埋め込んで配置する仕様の何れの場合でも、溝内導体として形成するめっき層の付きまわり性と充填性を改善できるので、仕様に応じた溝内導体を形成することができる。このため、高周波対応のためシールド配線を形成することができる。
【００８４】
また、めっき層の付きまわり性又は充填性を改善できることにより、溝内導体を形成するために使用するフィルドめっきやスルーホールめっきを比較的薄く形成しても、第１の導体層と溝内導体との電気的接続とを確保することができる。その結果、第１の導体層とめっき層で形成される表層配線の配線パターンを微細化することができる。
【００８５】
また、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマルマスク工法を用いて、第１の導体層の端部で、絶縁層が過剰に加工されるようにレーザ加工の条件を調整することにより、第１導体層がその下の絶縁層よりも飛び出した庇部を形成することができる。
【００８６】
本実施の形態の配線基板によれば、溝内導体により、シールド配線や断面積を増大させた導体を形成でき、ダイレクトレーザ工法又はコンフォーマル工法によりレーザのビーム径に制限されずに微細幅の線状の凹部を形成でき、このため、加工速度の速い炭酸ガスレーザを用いることができる。したがって、配線基板の高周波対応及び大電流対応を可能としつつ、従来よりも微細な幅の溝を配置することができ、しかも従来の転写法に比べて工数低減が可能な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【００８７】
（変形例）
溝形成工程（１）では、レーザ加工方法がダイレクトレーザ工法であり、隣接するレーザ加工スキャンエリア同士の少なくとも一部が重複するように設定されるのが好ましい。
【００８８】
ダイレクトレーザ工法は、一般に層間接続孔を形成するための単独の孔を形成するのに用いられている。このように、隣接するレーザ加工スキャンエリア同士の少なくとも一部を重複するように設定することにより、レーザ加工により形成される孔（開口）が連続して形成され、線状の開口を形成することができる。
【００８９】
溝形成工程（２）では、レーザ加工が、炭酸ガスレーザを用いて行われるのが好ましい。炭酸ガスレーザは、エキシマやＹＡＧレーザ等に比べて、ビーム径が大きいが、出力が大きいため、加工速度を向上できるメリットがある。本実施の形態においては、第１の導体層が線状の開口を有するので、第１の導体層がレーザ加工のマスクとなる。このため、ビーム径が大きい炭酸ガスレーザを用いた場合でも、線状の開口の幅に対応した幅の溝を絶縁層に形成することができる。なお、レーザ加工の方法としては、ダイレクトレーザ工法やコンフォーマルマスク工法を用いることができ、レーザ加工の条件を調整することにより、線状の開口の幅に対して、その下方の絶縁層に形成される溝の幅を小さくすること、同等にすること、大きくすることができる。
【実施例】
【００９０】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は、本実施例に限定されない。
【００９１】
［実施例］
（工程１：内層配線付き積層板を形成する工程）
まず、絶縁層３（厚さ０．０２ｍｍ）の両面に第１の導体層４となる銅箔４（厚さ９μｍ）を配置した導体層付き積層板（図示しない。）を準備した。次に、図７（Ａ）に示すように、絶縁層３の片面の銅箔４に対してエッチング等による回路加工を行って内層配線１を形成した内層基板２１を作製した。
【００９２】
次に、内層配線１の上に絶縁層３（厚さ０．０２ｍｍ）を形成するためのプリプレグを重ね、その上に第１の導体層４を形成するための銅箔（厚さ９μｍ）を配置した構成で加熱加圧して積層一体化することで、図７（Ｂ）の内層配線付き積層板２２を作製した。
【００９３】
（工程２：溝形成工程）
次に、内層配線付き積層板２２の銅箔４の表面に、厚さ０．３〜０．５μｍの黒化処理層（図示しない。）を形成した。
【００９４】
次に、図８に示すように、炭酸ガスレーザを用いたダイレクトレーザ工法により、内層配線１の上層側の絶縁層３上の銅箔４に、平面視において、線状の開口５と、この線状の開口５の下方の絶縁層３に溝６と、銅箔４が線状の開口５側の端部において溝６の幅内に飛び出した庇部１２と、を形成した。このとき、溝は、信号配線及び内層ランドの周囲に配置され、上層に配置されたグランド配線から、絶縁層を貫通して、下層に配置されたグランド配線に到るように形成した。
【００９５】
このとき、平面視における開口５及び溝６の形状は、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すとおりである。円状の形状における中心のずれ量２４は平均５μｍ、最大１０μｍであった。なお、平面視における円状の形状の中心のずれ量２４は、線状の開口５を１０箇所観察したときの、開口５の幅における中央の位置の変化量（図１１（ｂ）のずれ量２４）から求めた。具体的には、まず、線状の開口５を１０箇所観察して、開口５の幅における中央の位置の平均値（平均位置）を求めた。次に、この中央の位置の平均値（平均位置）に対する、各観察個所の開口５の幅における中央の位置の変化量の平均値及び最大値を求めた。次に、この変化量を２倍することによって、ずれ量を求めた。
【００９６】
また、このとき、炭酸ガスレーザを用いたダイレクトレーザ工法により、内層配線１の上層側及び下層側の絶縁層３上の銅箔４に、平面視において、円形の開口（図示しない。）と、この円形の開口５の下方の絶縁層３に層間接続用穴８と、銅箔４が円形の開口側の端部において層間接続用穴８の内側に飛び出した庇部（図示しない。）と、を形成した。
【００９７】
このときのレーザ加工の条件（１穴あたり加工条件）は、以下の通りである。
・パワー：３．２Ｗ
・ビーム径：１００μｍ
・照射時間：８μｓｅｃ
・スキャンエリア：縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ＊
＊レーザ加工位置精度が、形成される溝幅（４０μｍ）の３分の１以下になる大きさとした。以下、同様である。
・ビームのピッチ：１５μｍ
・ショット数：１
【００９８】
（工程３：溝内導体形成工程）
次に、塩化鉄第二鉄水溶液や過硫酸アンモニウム、硫酸−過酸化水素水混合水溶液などのエッチング液により、銅箔の黒化処理層を取り除くために、第１の導体層４である銅箔の厚さが２〜３μｍになるまでハーフエッチングした。また、このとき、溝６の底部１９となる第２の導体層１の表面も、１μｍ程度エッチングされるようにして、レーザ加工時の残渣が除去されるようにした。
【００９９】
次に、デスミア処理を行ってスルーホール壁面に付着した樹脂残渣を取り除いた。そして、銅箔４上及び溝６の内部に、パラジウムコロイド触媒であるＨＳ２０１Ｂ（日立化成株式会社製、商品名）を使用して触媒核を付与後、ＣＵＳＴ２０００（日立化成株式会社製、商品名。「ＣＵＳＴ」は登録商標。）を使用して、厚さ０．５μｍの電解フィルド銅めっきの下地めっき層となる無電解銅めっき層を形成した（図示しない。）。
【０１００】
次に、図９に示すように、溝６の内部にめっき層７を埋め込んで、溝６内に、絶縁層３上に配置された第１の導体層４（銅箔４）と電気的に接続する溝内導体１５を形成した。また、このとき、溝６内と一括に、層間接続用穴８の内部にもめっき層を埋め込んだ。溝６内をめっき層７で充填する方法としては、電解フィルドめっきを断続的に複数回（２回）に分けて行う方法を用いた。
【０１０１】
まず、一段階目の電解フィルドめっきとして、第１の導体層４である銅箔４上の厚さとしては２μｍの電解フィルド銅めっき層を形成した。電解フィルド銅めっき液には、市販の直流電解めっき液ＣＵ−ＢＲＩＴＥ  ＶＦＩＶ（株式会社ＪＣＵ製、商品名）を用いた。このとき、一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、１．０Ａ／ｄｍ２の電流密度で、約８分である。このとき、一段目の電解フィルド銅めっき層を形成した溝６の断面形状は、一段目の電解フィルドめっき層が下方空間１３を充填した状態であった（図示しない）。
【０１０２】
次に、電解フィルド銅めっきの電流密度を一旦低下させるため、一度整流器の電源を切って０Ａ／ｄｍ２としたまま、１分間放置した。この間、基板は電解フィルド銅めっき液に浸漬したままであった。
【０１０３】
その後、二段階目の電解フィルドめっきとして、銅箔４及び一段目の電解フィルド銅めっき層上の厚さとしては、１２μｍの電解フィルド銅めっき層（一段階目と合せて１４μｍ）により、溝穴６の充填を行った。このときの二段目の電解フィルド銅めっきの条件は、１．０Ａ／ｄｍ２の電流密度で、約５５分であった。
【０１０４】
（工程４：回路加工工程）
次に、第１の導体層４と電解フィルド銅めっき層７とを合せたグランド配線層１０の厚さがより薄くなるように、電解フィルド銅めっき層７の表面全体に対してエッチング（ハーフエッチング）を行なった。
【０１０５】
次に、ドライフィルムレジストであるＳＬ−１２２９（日立化成株式会社、商品名）を使用して、厚さ２９μｍのエッチングレジスト１１を形成した（図示しない。）。表層配線１０（グランド配線１０）及び内層配線１となるべき個所以外からは、エッチングレジスト１１を取り除いた。
【０１０６】
次に、表層配線１０（グランド配線１０）及び内層配線１以外の銅箔４及びめっき層７をエッチング除去した。その後、アルカリ性剥離液や硫酸あるいは市販のレジスト剥離液を用いて、エッチングレジスト１１の剥離を行い、図１０に示すように、表層配線１０（グランド配線１０）及び内層配線１を有する配線基板２３を形成した。
【０１０７】
［比較例］
（工程１：内層配線付き積層板を形成する工程）
まず、実施例と同様にして、導体層付き積層板（図示しない。）を準備し、次に、図７（Ａ）に示すように、内層配線１を形成した内層基板２１を作製し、次に、図７（Ｂ）の内層配線付き積層板２２を作製した。
【０１０８】
（工程２：溝形成工程）
次に、実施例とは異なり、内層配線付き積層板２２の両面に配置されている第１の導体層４をエッチングにより全面除去した。つまり、比較例の内層配線付き積層板２２は、表面に銅箔を有さず、内層配線１のみを有している。
【０１０９】
次に、炭酸ガスレーザを用いたレーザ加工により、絶縁層３に対して、平面視において、線状の凹部（溝６）を形成した。このとき、溝６は、信号配線１ａ及び内層ランド１ｂの周囲に配置され、上層に配置されたグランド配線１０ａから、絶縁層３を貫通して、下層に配置されたグランド配線１０ｂに到るように形成した。
【０１１０】
また、このとき、炭酸ガスレーザを用いたレーザ加工により、内層配線１の上層側及び下層側の絶縁層３上の絶縁層３に、平面視において、円形の層間接続用穴８を形成した。
【０１１１】
このときのレーザ加工の条件（１穴あたりの加工条件）は、以下のとおりである。
・パワー：３．２Ｗ
・ビーム径：１００μｍ
・照射時間：４μｓｅｃ
・スキャンエリア：縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ
・ビームのピッチ：１５μｍ
・ショット数：１
【０１１２】
（工程３：溝内導体形成工程）
次に、実施例と同様にして、デスミア処理を行い、触媒核を付与した後、電解フィルド銅めっきの下地めっき層となる無電解銅めっき層を、溝６内及び絶縁層３の表面に形成した（図しない。）。
【０１１３】
次に、実施例と同様にして、電解フィルドめっきを用いて、溝６の内部にめっき層７を埋め込んで溝内導体１５を形成するとともに、絶縁層３表面にもめっき層７を形成した。また、このとき、溝６内と一括に、層間接続用穴８の内部にもめっき層を埋め込んだ。溝６内をめっき層７で充填する方法としては、実施例と同様に、電解フィルドめっきを断続的に複数回（２回）に分けて行う方法を用いた。
【０１１４】
（工程４：回路加工工程）
次に、第１の導体層４と電解フィルド銅めっき層７とを合せたグランド配線層１０の厚さが薄くなるように、電解フィルド銅めっき層７の表面全体に対してエッチング（ハーフエッチング）を行なった。
【０１１５】
次に、実施例と同様にして、回路形成を行い、表層配線１０（グランド配線１０）及び内層配線１を有する配線基板２３を形成した。
【０１１６】
表１に、実施例及び比較例の配線基板の第１の導体層の厚さ、線状の開口の幅、庇部の飛び出し幅、絶縁層の溝の幅、絶縁層の溝の深さ、絶縁層の溝のアスペクト比、溝内導体の配置、めっき直後のグランド配線におけるめっき層の厚さ（第１の導体上のめっき層の厚さ。但し、比較例においては絶縁層上のめっき層の厚さ）、ハーフエッチング後のグランド配線の厚さ、信号配線の幅を纏めた結果を示す。
【０１１７】
【表１】
2019029609.tif 000003
＊（  ）内の数値は、一段目のめっき層の厚さと二段目のめっき層の厚さを表す。
【０１１８】
表１に示すように、実施例では、第１の導体層の線状の開口側の端部において、溝の幅内に飛び出した庇部が形成され、線状の開口の下方の絶縁層に形成された溝内に、めっきボイドや未析出個所を生じることなく、めっきによって溝内導体を形成することができた。このため、埋め込み回路によるシールド配線の形成や、断面積増加による大電流用への対応が可能になる。また、めっきによって溝内導体を形成可能であり、従来の転写法を用いる必要がないため、工数低減が可能である。また、実施例の溝は、比較例に比べて幅が狭く、アスペクト比が大きいものが形成され、配線の微細化によって高密度化にも対応できる。一方、比較例では、絶縁層上に第１の導体層や庇部を有しておらず、絶縁層に形成された溝内に、フィルドめっきでめっき層を埋め込んで溝内導体を形成しようとすると、めっきボイドが発生した。
【符号の説明】
【０１１９】
１．内層配線
１ａ．信号配線
１ｂ．内層ランド
１ｃ．受けパターン
３．絶縁層又はプリプレグ
４．第１の導体層又は金属箔又は銅箔
５．（第１の導体層の）線状の開口
６．溝又は線状の凹部
７．めっき層又は電解フィルドめっき層
８．層間接続用穴
１０．グランド配線又は表層配線
１０ａ．上層のグランド配線
１０ｂ．下層のグランド配線
１１．上下層ランド
１１ａ．上層ランド
１１ｂ．下層ランド
１２．庇部又は金属箔の飛び出し
１２ａ．庇部の端面
１２ｂ．庇部の下面
１３．下方空間
１５．溝内導体又は埋め込み回路
１６．層間接続部
１８．側壁
２０．クリアランス
２１．内層基板
２２．内層配線付き積層板
２３．配線基板
２４．（円状の形状における中心の）ずれ又はずれ量
２５．（溝の側壁の）凹凸又は凹凸量
【図１】
2019029609.tif 000004
【図２】
2019029609.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2019029609.tif 000009
【図７】
2019029609.tif 000010
【図８】
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【図９】
2019029609.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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