(57)【要約】【課題】半導体パッケージにおける封止樹脂の低誘電率化が可能なパッケージ用組成物を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るパッケージ用組成物は、固体状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材及び熱分解型発泡剤を含有する。熱分解型発泡剤の含有量は０．０８質量％以上０．５質量％未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体状のエポキシ樹脂、
硬化剤、
硬化促進剤、
無機充填材及び
熱分解型発泡剤
を含有し、
前記熱分解型発泡剤の含有量は０．０８質量％以上０．５質量％未満である、
パッケージ用組成物。
【請求項２】
前記熱分解型発泡剤は、熱分解するとＮ2とＨ2Ｏとのうちいずれか一方又は両方を発生させる、
請求項１に記載のパッケージ用組成物。
【請求項３】
前記熱分解型発泡剤の熱分解温度は、１２０℃以上１８０℃以下である、
請求項１又は２に記載のパッケージ用組成物。
【請求項４】
前記熱分解型発泡剤は、ｐ，ｐ´−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジドと、アゾジカルボンアミドとのうち、いずれか一方又は両方を含有する、
請求項１から３のいずれか一項に記載のパッケージ用組成物。
【請求項５】
半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備える半導体パッケージの製造方法であり、
請求項１から４のいずれか一項に記載のパッケージ用組成物を、加圧成形法で、発泡させながら成形することで、前記封止樹脂を作製することを含む、
半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂は、請求項１から４のいずれか一項に記載のパッケージ用組成物の硬化物である、
半導体パッケージ。
【請求項７】
前記封止樹脂は、内部に気泡を有し、
前記封止樹脂の断面の面積に対する、前記断面に現れる前記気泡の断面のうち２０μｍ以上の径を有する気泡の断面の総面積の百分比が、１０％未満である、
請求項６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記封止樹脂は、３．３以上３．６以下の比誘電率を有する、
請求項６又は７に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ用組成物、半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージに関し、より詳しくは、エポキシ樹脂を含有する熱硬化性のパッケージ用組成物、前記パッケージ用組成物を用いる半導体パッケージの製造方法及び前記パッケージ用組成物の硬化物からなる封止樹脂を備える半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、トランジスタ、ＩＣ等の半導体チップの封止に関し、生産性向上、コスト低減等の観点から樹脂封止が行われている。樹脂封止は、例えばエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び無機充填材を含有するパッケージ用組成物を成形して封止樹脂を作製することにより行われている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２２２８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、電子デバイスの高速化及び高周波化が進展しており、それに伴って半導体チップの動作の高速化も進められている。そのため、半導体チップを備える半導体パッケージの高周波特性の向上が求められ、そのために半導体パッケージにおける絶縁材料である封止樹脂の低誘電率化が求められている。
【０００５】
本発明の目的は、半導体パッケージにおける封止樹脂の低誘電率化が可能なパッケージ用組成物、半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るパッケージ用組成物は、固体状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材及び熱分解型発泡剤を含有する。前記熱分解型発泡剤の含有量は０．０８質量％以上０．５質量％未満である。
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体パッケージの製造方法は、半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備える半導体パッケージの製造方法であり、前記パッケージ用組成物を、加圧成形法で、発泡させながら成形することで、前記封止樹脂を作製することを含む。
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体パッケージは、半導体チップと、前記半導体チップを覆う封止樹脂とを備える。前記封止樹脂は、前記パッケージ用組成物の硬化物である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、半導体パッケージにおける封止樹脂の低誘電率化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体パッケージの、概略の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【００１２】
本実施形態に係るパッケージ用組成物は、固体状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、及び熱分解型発泡剤を含有する。熱分解型発泡剤の含有量はパッケージ用組成物全体に対して０．０８質量％以上０．５質量％未満である。
【００１３】
パッケージ用組成物は、半導体パッケージ１における封止樹脂６２を作製するために好ましく用いられる。本実施形態における半導体パッケージ１は、半導体チップ５０と、半導体チップ５０を覆う封止樹脂６２とを備え、封止樹脂６２は、パッケージ用組成物の硬化物である（図１参照）。
【００１４】
本実施形態に係る半導体パッケージ１の製造方法は、パッケージ用組成物を、加圧成形法で、発泡させながら成形することで、封止樹脂６２を作製することを含む。
【００１５】
本実施形態によれば、パッケージ用組成物を成形することで、半導体パッケージ１における封止樹脂６２を作製できる。パッケージ用組成物の成形時には、エポキシ樹脂の硬化と、熱分解型発泡剤の熱分解によるガスの発生とが進行し、そのため封止樹脂６２は内部に気泡を有する。この気泡によって、封止樹脂６２の低誘電率化を達成できる。また、熱分解型発泡剤の含有量が０．０８質量％以上であることから、封止樹脂６２内にその誘電率を低下させうる程度の気泡を生じさせることができる。さらに、熱分解型発泡剤の含有量が０．５質量％未満であることから、気泡の寸法が過度に大きくなったり気泡の量が過度に多くなったりすることを抑制できる。このため、封止樹脂６２の吸湿を抑制し、リフロー処理等の加熱処理時に気泡内の水分が蒸発して封止樹脂６２が破裂するような事態を抑制できる。
【００１６】
このため、本実施形態によれば、半導体パッケージ１における封止樹脂６２の低誘電率化が可能である。
【００１７】
パッケージ用組成物の詳細について、更に説明する。上述の通り、パッケージ用組成物は、固体状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材、及び熱分解型発泡剤を含有する。
【００１８】
エポキシ樹脂は、常温で固体である。特にエポキシ樹脂は、１８℃以上２５℃以下のいずれの温度でも固体であることが好ましい。
【００１９】
エポキシ樹脂は、例えばグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂及びオレフィン酸化型（脂環式）エポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。より具体的には、エポキシ樹脂は、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のアルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂；フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能型エポキシ樹脂；トリフェニルメタン型エポキシ樹脂；テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型ブロム含有エポキシ樹脂等のブロム含有エポキシ樹脂；ジアミノジフェニルメタンやイソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；並びにフタル酸やダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上の成分を含有できる。
【００２０】
特にエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂及びトリフェニルホスフィン型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種以上の成分を含有することが好ましい。
【００２１】
硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられる。硬化剤は、例えばフェノール化合物、酸無水物、及びフェノール性水酸基を生成する機能性化合物からなる群から選択される一種以上の成分を含有する。特に硬化剤がフェノール化合物と機能性化合物とのうち少なくとも一方を含有すると、封止樹脂６２に高い耐湿信頼性が付与される。
【００２２】
硬化剤がフェノール化合物を含有する場合、硬化剤は、１分子内に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー及びポリマーのうちいずれも含みうる。例えば硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリフェニルメタン型樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、及びビフェニルアラルキル樹脂からなる群から選択される一種以上の成分を含有できる。
【００２３】
硬化剤がフェノール化合物を含有する場合、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当たりのフェノール化合物の水酸基当量は、０．５以上であることが好ましく０．８以上であれば更に好ましい。またこの水酸基当量は２．０以下であることが好ましく１．４以下であれば更に好ましい。
【００２４】
硬化剤が酸無水物を含有する場合、硬化剤は、例えば無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸及びポリアゼライン酸無水物からなる群から選択される一種以上の成分を含有できる。硬化剤が酸無水物を含有する場合、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当たりの酸無水物は０．７当量以上であることが好ましく０．８当量以上であることが更に好ましい。また、酸無水物は１．５当量以下であることが好ましく１．２当量以下であれば更に好ましい。
【００２５】
硬化剤がフェノール性水酸基を生成する機能性化合物を含有する場合、硬化剤は、加熱されることでフェノール性水酸基を生成する化合物を含有できる。より具体的には、例えば硬化剤は、加熱されると開環してフェノール性水酸基を生成するベンゾオキサジン類を含有できる。
【００２６】
無機充填材は、例えば溶融球状シリカ等の溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有できる。パッケージ用組成物に無機充填材を含有させることで、封止樹脂６２の熱膨張係数を調整できる。特に無機充填材が溶融シリカを含有することが好ましい。この場合、パッケージ用組成物中の無機充填材の高い充填性と、成形時のパッケージ用組成物の高い流動性とが得られる。無機充填材がアルミナ、結晶シリカ及び窒化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することも好ましく、この場合、封止樹脂６２の高い熱伝導性が得られる。
【００２７】
無機充填材の平均粒径は例えば０．２μｍ以上７０μｍ以下である。この場合、パッケージ用組成物の成形時に特に良好な流動性が得られる。なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法による粒度分布の測定値から算出される体積基準のメディアン径であり、市販のレーザー回折・散乱式粒度分布測定装置を用いて得られる。無機充填材は、成形時のパッケージ用組成物の粘度、封止樹脂６２の物性等の調整のために、平均粒径の異なる二種以上の成分を含有してもよい。
【００２８】
無機充填材の含有量は、例えばパッケージ用組成物全量に対して６０質量％以上９３質量％以下である。この場合、無機充填材は封止樹脂６２の線膨張係数を適度に小さくしてリフロー時等の半導体パッケージ１の反りを抑制でき、かつ、成形時のパッケージ用組成物の良好な流動性を確保できる。
【００２９】
熱分解型発泡剤は、熱分解するとＮ2とＨ2Ｏとのうちいずれか一方又は両方を発生させることが好ましい。熱分解型発泡剤は、熱分解するとアンモニア及びホルムアルデヒドを発生させないことも好ましい。これらの場合、熱分解により生じるガスが人体に悪影響を及ぼさないようにできる。
【００３０】
熱分解型発泡剤の熱分解温度は、１２０℃以上であることが好ましい。この場合、パッケージ用組成物の原料を熱分解型発泡剤が熱分解することなく加熱しながら混練して、パッケージ用組成物を調製することが、容易である。このため、熱分解型発泡剤が十分に分散したパッケージ用組成物を容易に得ることができる。熱分解型発泡剤の熱分解温度が１４０℃以上であればより好ましく、１５０℃以上であれば更に好ましい。熱分解型発泡剤の熱分解温度は、１８０℃以下であることも好ましい。この場合、パッケージ用組成物を、特に加圧成形法で発泡させながら成形するときに、熱分解型発泡剤を十分に熱分解させることができる。このため、熱分解型発泡剤は、封止樹脂６２の低誘電率化に特に寄与できる。熱分解型発泡剤の熱分解温度が１7０℃以下であればより好ましく、１6０℃以下であれば更に好ましい。
【００３１】
なお、熱分解型発泡剤の熱分解温度は、例えば熱分解型発泡剤の熱重量・示差熱同時測定を、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、温度範囲室温〜５００℃の条件で行うことで、確認できる。この測定の結果、減量を伴う吸熱ピークが観察された場合の吸熱ピークの位置が熱分解温度である。測定装置としては、株式会社日立ハイテクサイエンス製のＳＴＡ７３００を使用できる。
【００３２】
熱分解型発泡剤は、例えばジニトロソペンタメチレンテトラミン、アゾジカルボンアミド、ｐ，ｐ´−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド、ヒドラゾジカルボンアミド、及び炭酸水素ナトリウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含有できる。特に、熱分解型発泡剤は、アゾジカルボンアミドとｐ，ｐ´−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジドとのうちいずれか一方又は両方を含有することが好ましい。
【００３３】
パッケージ用組成物全体に対する熱分解型発泡剤の含有量は上記の通り０．０８質量％以上であり、そのためパッケージ用組成物を成形すると、封止樹脂６２内にその誘電率を低下させうる程度の気泡を生じさせることができる。熱分解型発泡剤の含有量が０．１質量％以上であればより好ましい。パッケージ用組成物全体に対する熱分解型発泡剤の含有量は上記の通り０．５質量％未満であり、そのため、封止樹脂６２内における気泡の量及び寸法が過度に大きくなることを抑制し、できる。熱分解型発泡剤の含有量が０．４質量％以下であればより好ましく、０．３質量％以下であれば更に好ましい。
【００３４】
パッケージ用組成物は、カップリング剤を含有してもよい。カップリング剤は、無機充填材と熱硬化性樹脂成分との親和性向上及びリードフレーム５２に対する封止樹脂６２の接着性向上に寄与できる。
【００３５】
カップリング剤は、例えばシランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、及びアルミニウム／ジルコニウムカップリング剤からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。シランカップリング剤は、例えばγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のグリシドキシシラン；Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン；アルキルシラン；ウレイドシラン；並びにビニルシランからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００３６】
カップリング剤の含有量は、例えば無機充填材とカップリング剤の合計量に対して０．１質量％以上２．０質量％以下である。この場合、封止樹脂６２とリードフレーム５２との密着性が特に高くなる。
【００３７】
パッケージ用組成物は、本実施形態の利点を大きく損なわない範囲内において、上記成分以外の添加剤を含有してもよい。添加剤として、離型剤、難燃剤、着色剤、低応力化剤、及びイオントラップ剤が挙げられる。
【００３８】
離型剤は、例えばカルナバワックス、ステアリン酸、モンタン酸、カルボキシル基含有ポリオレフィン、エステルワックス、酸化ポリエチレン、及び金属石鹸からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００３９】
難燃剤は、例えば、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム及び赤リンからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００４０】
着色剤は、例えば、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン、フタロシアニン及びペリレンブラックからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００４１】
低応力化剤は、例えば、シリコーンエラストマー、シリコーンレジン、シリコーンオイル及びブタジエン系ゴムからなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。ブタジエン系ゴムは、例えばアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体及びメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体のうち少なくとも一方の成分を含有することができる。
【００４２】
イオントラップ剤は、例えばハイドロタルサイト類化合物と金属元素の含水酸化物とのうち少なくとも一方を含有することができる。金属元素の含水酸化物は、例えばアルミニウムの含水酸化物、ビスマスの含水酸化物、チタンの含水酸化物、及びジルコニウムの含水酸化物からなる群から選択される少なくとも一種の成分を含有することができる。
【００４３】
パッケージ用組成物の製造方法の一例について説明する。パッケージ用組成物の原料を加熱しながら混練することで、パッケージ用組成物を製造できる。より具体的には、例えば固体状のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填材及び熱分解型発泡剤を含む原料を、ミキサー、ブレンダーなどで混合し、続いて熱ロール、ニーダーといった混練機で加熱しながら混練してから、室温に冷却することで、パッケージ用組成物を得ることができる。パッケージ用組成物を粉砕することで粉末にしてもよく、粉末にしてから打錠することでタブレット状にしてもよい。
【００４４】
原料の混練時の加熱温度は、熱分解型発泡剤の熱分解温度未満であることが好ましく、熱分解型発泡剤の熱分解温度より３０℃低い温度以下であれば更に好ましい。この場合、パッケージ用組成物の製造時における熱分解型発泡剤の熱分解を抑制して、パッケージ用組成物の成形時の良好な発泡性を達成できる。原料の混練時の加熱温度は、例えば１２０℃以下である。また、加熱温度は原料を十分に溶融させることができる温度であることが好ましく、例えば８０℃以上であることが好ましい。
【００４５】
パッケージ用組成物の１７０℃でのスパイラルフロー長さは４０ｃｍ以上３００ｃｍ以下であることが好ましく、１００ｃｍ以上３００ｃｍ以下であることがより好ましい。この場合、パッケージ用組成物の成形時に熱分解型発泡剤の熱分解によって発生する気泡が封止樹脂６２内で均一かつ微細に分散しやすくなる。なお、スパイラルフロー長さは、ＡＳＴＭ  Ｄ３１２３に準拠したスパイラルフロー測定金型を用いて、金型温度１７０℃、注入圧力６．９ＭＰａ、成形時間１２０秒の条件で測定される。
【００４６】
パッケージ用組成物のゲルタイムは、１０秒以上１００秒以下であることが好ましい。この場合、パッケージ用組成物の成形時の成形サイクルが長くなることを抑制して封止樹脂６２の良好な生産性を達成でき、かつパッケージ用組成物の成形時に熱分解型発泡剤の熱分解によって発生する気泡が封止樹脂６２内で均一かつ微細に分散しやすくなる。ゲルタイムは１５秒以上であることがより好ましく、８０秒以下であることもより好ましい。なお、ゲルタイムは、キュラストメータを用いて、パッケージ用組成物を１７０℃で加熱しながらトルクを測定した場合に、加熱開始時からトルクの測定値が９．８１（Ｎ／ｍ）に達するまでに要する時間と定義される。キュラストメータとしては、ＪＳＲトレーディング株式会社製のキュラストメータＶＰＳ型を用いることができる。
【００４７】
パッケージ用組成物から作製された封止樹脂６２を備える半導体パッケージ１の例、及びその製造方法の例について、図１を参照して説明する。
【００４８】
半導体パッケージ１は、例えばＭｉｎｉ、Ｄパック、Ｄ２パック、Ｔｏ２２Ｏ、Ｔｏ３Ｐ、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）といった挿入型パッケージ、又はクワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）といった表面実装型パッケージである。
【００４９】
半導体パッケージ１は、例えば基材と、基材に搭載されている半導体チップ５０と、半導体チップ５０を覆う封止樹脂６２とを備える。封止樹脂６２は、半導体パッケージ１の外形を構成するパッケージであり、パッケージ用組成物の硬化物からなる。半導体チップ５０は、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード又は固体撮像素子である。半導体チップ５０は、ＳｉＣ、ＧａＮといった新規のパワーデバイスであってもよい。基材は、例えばリードフレーム又は配線板である。
【００５０】
図１に示す半導体パッケージ１における基材は、リードフレーム５２である。図１に示す半導体パッケージ１は、金属製のリードフレーム５２と、リードフレーム５２に搭載されている半導体チップ５０と、半導体チップ５０とリードフレーム５２とを電気的に接続するワイヤ５６と、半導体チップ５０を覆う封止樹脂６２とを備える。
【００５１】
リードフレーム５２は、ダイパッド５８、インナーリード５２１及びアウターリード５２２を備える。リードフレーム５２は、例えば４２アロイなどの鉄合金又は銅を主に含む金属材料から形成できる。
【００５２】
図１に示す半導体パッケージ１を製造する場合、例えばリードフレーム５２のダイパッド５８上に半導体チップ５０を適宜のダイボンド材６０で固定する。これによりリードフレーム５２に半導体チップ５０を搭載する。続いて、半導体チップ５０における電極パッド（図示せず）とリードフレーム５２におけるインナーリード５２１とを、ワイヤ５６で接続する。ワイヤ５６は、金製でもよいが、銀及び銅のうち少なくとも一方を含んでもよい。続いて、半導体チップ５０の周りでパッケージ用組成物を成形して硬化させることで、封止樹脂６２を作製する。
【００５３】
パッケージ用組成物を加圧成形法で成形することで、封止樹脂６２を作製することが好ましい。加圧成形法は、例えば射出成形法、トランスファー成形法又は圧縮成形法である。
【００５４】
組成物（Ｘ）を加圧成形法で成形する際の加熱温度は例えば１２０℃以上である。また、加熱温度は、熱分解型発泡剤の熱分解温度以上であることが好ましく、熱分解温度よりも１０℃高い温度以上であることがより好ましい。この場合、成形時のパッケージ用組成物の発泡性が良好であり、気泡を有する封止樹脂６２を容易に作製できる。加熱温度は、熱分解型発泡剤の熱分解温度よりも９０℃高い温度以下であることも好ましい。この場合、成形時の熱分解型発泡剤の急激過ぎる発泡を抑制することで、気泡を封止樹脂６２内で均一かつ微細に分散しやすくできる。加熱温度は、熱分解型発泡剤の熱分解温度よりも７０℃高い温度以下であればより好ましい。また、成形圧力は３．０ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００５５】
特にパッケージ用組成物をトランスファー成形法で成形する場合は、金型への組成物（Ｘ）の注入圧力が３ＭＰａ以上であることが好ましい。注入圧力は４ＭＰａ以上であることも好ましく、７１０ＭＰａ以下であることも好ましい。加熱時間は６０秒以上であることがより好ましく、１８０秒以下であることもより好ましい。
【００５６】
トランスファー成形法では、金型内で封止樹脂６２を作製した後、金型を閉じたままで封止樹脂６２を加熱することにより後硬化（ポストキュア）を行ってから、金型を開いて半導体パッケージ１を取り出すことが好ましい。後硬化のための加熱条件は、例えば加熱時間が１６０℃以上１９０℃以下、加熱時間が２時間以上８時間以下である。
【００５７】
パッケージ用組成物を圧縮成形法で成形する場合は、圧縮圧力が３ＭＰａ以上であることが好ましい。圧縮圧力は５０ＭＰａ以上であることがより好ましく、１０ＭＰａ以下であることもより好ましい。加熱温度（金型温度）は１２０℃以上であることが好ましい。加熱温度は１５０℃以上であることがより好ましく、１８５℃以下であることもより好ましい。加熱時間は６０秒以上３００秒以下であることが好ましい。
【００５８】
上述のとおり、封止樹脂６２は内部に気泡を有する。封止樹脂６２内の気泡の寸法は過度に大きくないことが好ましい。特に、封止樹脂６２を切断した場合に生じる封止樹脂６２の断面の面積に対する、この断面に現れる気泡の断面のうち２０μｍ以上の径を有する気泡の断面の総面積の百分比は、１０％未満であることが好ましい。この場合、封止樹脂６２の吸湿を抑制し、リフロー処理等の加熱処理時に気泡内の水分が蒸発して封止樹脂６２が破裂するような事態を抑制できる。気泡の断面の総面積の百分比が５％未満であれば更に好ましい。
【００５９】
半導体パッケージ１の封止樹脂６２の比誘電率は３．３以上３．６以下であることが好ましい。この場合、半導体パッケージ１は良好な高周波特性を有することができる。この比誘電率は、本実施形態によって封止樹脂６２に気泡を含ませることで達成可能である。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。なお、本発明は下記の実施例のみには制限されない。
【００６１】
１．パッケージ用組成物の調製
各実施例及び比較例において、後掲の表に示す成分を配合し、ミキサーで均一に混合分散してから、ニーダーで表に示す加熱温度で加熱しながら混練し、更に冷却してから粉砕した。これにより、パッケージ用組成物の粉末を得た。
【００６２】
なお、表に示す成分の詳細は次の通りである。
・エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱化学株式会社製、品番ＹＸ４０００。
・エポキシ樹脂２：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、日本化薬株式会社製、品番ＮＣ３０００。
・フェノール硬化剤１：ノボラック型フェノール樹脂、明和化成株式会社製、品番Ｈ−３Ｍ。
・フェノール硬化剤２：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、明和化成株式会社製、品番ＭＥＨ７８５１ＳＳ。
・離型剤：ポリエチレンワックス、大日化学工業株式会社製、品番ＰＥ−Ａ。
・熱分解型発泡剤１：ｐ，ｐ´−オキシビスベンゼンスルホニルヒドラジド、三協化成株式会社製、品名セイマルクＳＸ、熱分解温度１６０℃。
・熱分解型発泡剤２：アゾジカルボンアミド、永和化成工業株式会社製、品番ＦＥ−７８８、熱分解温度１４０℃。
・カップリング剤：３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社製、品番ＫＢＭ８０３。
・硬化促進剤：トリフェニルホスフィン、北興化学工業株式会社製、品番ＴＰＰ。
・顔料：カーボンブラック、三菱化学株式会社製、品番ＭＡ６００。
・無機充填材：球状溶融シリカ、デンカ株式会社製、品番Ｂ９４０。
【００６３】
２．評価
（１）誘電率測定
パッケージ用組成物の粉末をトランスファー成形法で成形してから、ポストキュアを施すことで、厚み２ｍｍ、直径６０ｍｍの円盤状のサンプルを作製した。成形の条件及びポストキュアの条件は、それぞれ表の「成形条件」及び「ポストキュア条件」の欄に示す通りである。
【００６４】
サンプルに、直径３７ｍｍの主電極、直径５０ｍｍのガード電極及び５５ｍｍの対向電極を、銀ペーストを用いて設け、サンプルの静電容量とコンダクタンス値とを、温度２５℃下、測定周波数１ＭＨｚの条件で、インピーダンスアナライザ（日置電機株式会社製、型番ＩＭ３５７０）で測定した。その結果から、サンプルの比誘電率を算出した。
【００６５】
（２）気泡評価
上記「（１）誘電率測定」で作製したサンプルの中心部分から、平面視３ｍｍ×７ｍｍ×２ｍｍの部分を切り出し、この部分における、７ｍｍ×２ｍｍの寸法の一つの断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した。その結果から、断面に対する、この断面に現れている直径２０μｍ以上の気泡の占める面積割合を算出した。
【００６６】
その結果から、直径２０μｍ以上の気泡の占める面積割合が５％未満である場合を「Ａ」、５％以上１０％未満である場合を「Ｂ」、１０％以上である場合を「Ｃ」と評価した。
【００６７】
【表１】
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【００６８】
【表２】
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【００６９】
【表３】
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【符号の説明】
【００７０】
１    半導体パッケージ
５０  半導体チップ
６２  封止樹脂
【図１】
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