(57)【要約】【課題】スイッチング素子における熱の集中を緩和する。【解決手段】複数のハイサイドトランジスタ（１１０）は、並列に接続されてハイサイドスイッチング素子（１１ｕ，１１ｖ，１１ｗ）を構成する。複数のローサイドトランジスタ（１２０）は、並列に接続されてローサイドスイッチング素子（１２ｕ，１２ｖ，１２ｗ）を構成する。複数のハイサイドトランジスタ（１１０）および複数のローサイドトランジスタ（１２０）は、ハイサイドトランジスタ（１１０）とローサイドトランジスタ（１２０）とが一対一で隣り合うように配置されている。【選択図】図２
2019115248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子を有するスイッチング電源装置であって、
絶縁層と、前記絶縁層の一方面に設けられた導電層とを有する基板と、
前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ハイサイドスイッチング素子を構成する複数のハイサイドトランジスタと、
前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ローサイドスイッチング素子を構成する複数のローサイドトランジスタとを備え、
前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタは、前記ハイサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタとが一対一で隣り合うように配置されている
スイッチング電源装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電層に設けられた平滑容量部をさらに備えている
スイッチング電源装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記平滑容量部は、前記導電層に設けられて前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタにそれぞれ対応する複数のキャパシタを有し、
前記複数のキャパシタの各々は、前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタのうち前記キャパシタに対応するトランジスタと隣り合うように配置されている
スイッチング電源装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタは、第１方向において前記ハイサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタとが一対一で隣り合うように前記第１方向に配置され、
前記複数のキャパシタの各々は、前記第１方向と直交する第２方向において前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタのうち前記キャパシタに対応するトランジスタと隣り合うように配置されている
スイッチング電源装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記複数のハイサイドトランジスタと前記複数のローサイドトランジスタと前記複数のキャパシタは、前記ハイサイドトランジスタと前記ハイサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組と前記ローサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組とが互いに隣り合うように配置されている
スイッチング電源装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項において、
前記導電層には、出力パターンと電源パターンと接地パターンとが形成され、
前記複数のハイサイドトランジスタは、前記出力パターンと前記電源パターンとに電気的に接続され、
前記複数のローサイドトランジスタは、前記出力パターンと前記接地パターンとに電気的に接続され、
前記電源パターンおよび前記接地パターンのうち少なくとも一方のパターンは、接続部材により電気的に接続される複数の配線領域を有している
スイッチング電源装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記接続部材は、板状に形成された導体により構成されている
スイッチング電源装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記基板は、前記絶縁層と、前記導電層と、前記絶縁層の他方面に設けられた放熱層とを有し、
前記接続部材を構成する材料は、前記放熱層を構成する材料と同種となっている
スイッチング電源装置。
【請求項９】
請求項７または８において、
前記接続部材は、前記複数の配線領域に半田により接合されている
スイッチング電源装置。
【請求項１０】
請求項７において、
前記基板は、前記絶縁層と、前記導電層と、前記絶縁層の他方面に設けられた放熱層とを有し、
前記接続部材は、板状に形成されて前記導電層と間隔をおいて対向する本体部と、前記本体部から前記複数の配線領域のいずれか１つへ向けて延出する延出部とを有し、
前記基板には、前記絶縁層を貫通する第１貫通孔と、前記複数の配線領域のいずれか１つを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔と、前記放熱層を貫通して前記第１貫通孔と連通する第３貫通孔とが設けられ、
前記接続部材の延出部は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔と前記第３貫通孔とに挿入された状態で前記複数の配線領域のうち前記第２貫通孔が設けられた配線領域に半田により接合され、
前記第１貫通孔と前記第２貫通孔と前記第３貫通孔とに挿入された前記接続部材の延出部と前記第３貫通孔の内壁との接触が回避されるように、前記第３貫通孔の開口面積は、前記第１貫通孔の開口面積よりも大きくなっている
スイッチング電源装置。
【請求項１１】
請求項９または１０において、
前記接続部材のうち前記複数の配線領域と半田により接合される部分には、半田による接合を可能とするためのめっき処理が施されている
スイッチング電源装置。
【請求項１２】
請求項７または８において、
前記複数の配線領域のいずれか１つに半田により接合されるナットと、
前記接続部材を貫通して前記ナットに締結されるボルトとをさらに備えている
スイッチング電源装置。
【請求項１３】
請求項１において、
前記導電層には、出力パターンと電源パターンと接地パターンとが形成され、
前記複数のハイサイドトランジスタは、前記出力パターンと前記電源パターンとに電気的に接続され、
前記複数のローサイドトランジスタは、前記出力パターンと前記接地パターンとに電気的に接続され、
前記電源パターンおよび前記接地パターンのうち少なくとも一方のパターンは、途切れのない環状経路を有している
スイッチング電源装置。
【請求項１４】
直列に接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子を有するスイッチング電源装置であって、
絶縁層と、前記絶縁層の一方面に設けられた導電層とを有する基板と、
前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ハイサイドスイッチング素子を構成するハイサイドトランジスタと、
前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ローサイドスイッチング素子を構成するローサイドトランジスタと、
前記導電層に設けられた平滑容量部とを備え、
前記平滑容量部は、前記導電層に設けられて前記ハイサイドトランジスタおよび前記ローサイドトランジスタにそれぞれ対応する複数のキャパシタを有し、
前記ハイサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタと前記複数のキャパシタは、前記ハイサイドトランジスタと前記ハイサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組と前記ローサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組とが互いに隣り合うように配置されている
スイッチング電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、スイッチング電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スイッチング電源装置が知られている。例えば、特許文献１には、金属基板の一方面部にセラミック系基板を介して半導体チップ（インバータを構成するスイッチング素子およびダイオードからなる半導体チップ）が実装された基板実装インバータ装置が開示されている。この装置では、三相インバータの上アームを構成するスイッチング素子（ハイサイドスイッチング素子）のコレクタが上アーム側配線パターンに実装され、三相インバータの下アームを構成するスイッチング素子（ローサイドスイッチング素子）のエミッタが下アーム側配線パターンに実装されている。また、ハイサイドスイッチング素子のエミッタとローサイドスイッチング素子のコレクタとが上下アーム接続用ビームリード電極により電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２８６１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示されているようなスイッチング電源装置において、ハイサイドスイッチング素子とローサイドスイッチング素子の各々を複数のトランジスタによって構成することが考えられる。しかしながら、単にハイサイドスイッチング素子を構成する複数のトランジスタ（ハイサイドトランジスタ）を纏めて配置するとともにローサイドスイッチング素子を構成する複数のトランジスタ（ローサイドトランジスタ）を纏めて配置すると、ハイサイドスイッチング素子またはローサイドスイッチング素子に熱が集中してしまう可能性がある。例えば、ハイサイドスイッチング素子がオン状態でありローサイドスイッチング素子がオフ状態である期間では、複数のハイサイドトランジスタが発熱して複数のハイサイドトランジスタの集合（すなわちハイサイドスイッチング素子）に熱が集中することになり、ハイサイドスイッチング素子がオフ状態でありローサイドスイッチング素子がオン状態である期間では、複数のローサイドトランジスタが発熱して複数のローサイドトランジスタの集合（すなわちローサイドスイッチング素子）に熱が集中することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この開示の一態様におけるスイッチング電源装置は、直列に接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子を有するスイッチング電源装置であって、絶縁層と、前記絶縁層の一方面に設けられた導電層とを有する基板と、前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ハイサイドスイッチング素子を構成する複数のハイサイドトランジスタと、前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ローサイドスイッチング素子を構成する複数のローサイドトランジスタとを備え、前記複数のハイサイドトランジスタおよび前記複数のローサイドトランジスタは、前記ハイサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタとが一対一で隣り合うように配置されている。
【０００６】
また、この開示の別の一態様におけるスイッチング電源装置は、直列に接続されたハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子を有するスイッチング電源装置であって、絶縁層と、前記絶縁層の一方面に設けられた導電層とを有する基板と、前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ハイサイドスイッチング素子を構成するハイサイドトランジスタと、前記導電層に設けられ、並列に接続されて前記ローサイドスイッチング素子を構成するローサイドトランジスタと、前記導電層に設けられた平滑容量部とを備え、前記平滑容量部は、前記導電層に設けられて前記ハイサイドトランジスタおよび前記ローサイドトランジスタにそれぞれ対応する複数のキャパシタを有し、前記ハイサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタと前記複数のキャパシタは、前記ハイサイドトランジスタと前記ハイサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組と前記ローサイドトランジスタと前記ローサイドトランジスタに対応するキャパシタとの組とが互いに隣り合うように配置されている。
【発明の効果】
【０００７】
この開示によれば、ハイサイドスイッチング素子およびローサイドスイッチング素子における熱の集中を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態１のスイッチング電源装置の構成を例示する回路図である。
【図２】実施形態１のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【図３】実施形態１のスイッチング電源装置の構成を例示する断面図である。
【図４】実施形態１のスイッチング電源装置の構成を例示する断面図である。
【図５】接続部材の接続構造の変形例１を例示する断面図である。
【図６】接続部材の接続構造の変形例２を例示する断面図である。
【図７】接続部材の接続構造の変形例３を例示する断面図である。
【図８】接続部材の接続構造の変形例３を例示する分解斜視図である。
【図９】接続部材の接続構造の変形例４を例示する断面図である。
【図１０】実施形態２のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【図１１】実施形態３のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【図１２】実施形態３の変形例１のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【図１３】実施形態３の変形例２のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【図１４】実施形態３の変形例３のスイッチング電源装置の構成を例示する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施の形態を図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一の符号を付しその説明は繰り返さない。
【００１０】
（実施形態１）
図１は、実施形態によるスイッチング電源装置１０の構成を例示している。スイッチング電源装置１０は、電源（この例では直流電源Ｐ）から供給された電力をスイッチング動作により出力電力に変換して出力電力を駆動対象（この例ではモータＭ）に供給するように構成されている。この例では、モータＭは、三相交流モータを構成し、スイッチング電源装置１０は、直流電力を三相交流電力に変換するインバータを構成している。
【００１１】
スイッチング電源装置１０は、電源配線ＬＰと、接地配線ＬＧと、１つまたは複数の出力線ＬＯと、１つまたは複数のスイッチング部ＳＷと、平滑容量部１３とを備えている。平滑容量部１３は、電源配線ＬＰと接地配線ＬＧとの間に接続されている。スイッチング部ＳＷは、電源配線ＬＰと接地配線ＬＧとの間に直列に接続されたハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２を有している。スイッチング部ＳＷの中間点（すなわちハイサイドスイッチング素子１１とローサイドスイッチング素子１２との接続点）は、出力線ＬＯを経由して駆動対象（この例ではモータＭ）に接続されている。なお、図中のハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２にそれぞれ並列に接続された還流ダイオードは、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２に寄生する寄生ダイオードにそれぞれ該当する。
【００１２】
この例では、スイッチング電源装置１０には、３つの出力線（第１，第２，第３出力線ＬＯｕ，ＬＯｖ，ＬＯｗ）と、３つのスイッチング部（第１，第２，第３スイッチング部ＳＷｕ，ＳＷｖ，ＳＷｗ）とが設けられ、直流電源Ｐの一端（正極）が電源配線ＬＰに接続され、直流電源Ｐの他端（負極）が接地配線ＬＧに接続されている。
【００１３】
第１スイッチング部ＳＷｕは、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕと第１ローサイドスイッチング素子１２ｕとを有し、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕと第１ローサイドスイッチング素子１２ｕとの接続点が第１出力線ＬＯｕを経由してモータＭのＵ相の巻線（図示を省略）に接続されている。
【００１４】
第２スイッチング部ＳＷｖは、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖと第２ローサイドスイッチング素子１２ｖとを有し、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖと第２ローサイドスイッチング素子１２ｖとの接続点が第２出力線ＬＯｖを経由してモータＭのＶ相の巻線（図示を省略）に接続されている。
【００１５】
第３スイッチング部ＳＷｗは、第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗと第３ローサイドスイッチング素子１２ｗとを有し、第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗと第３ローサイドスイッチング素子１２ｗとの接続点が第３出力線ＬＯｗを経由してモータＭのＷ相の巻線（図示を省略）に接続されている。
【００１６】
〔スイッチング電源装置の構造〕
次に、図２，図３，図４を参照して、実施形態１によるスイッチング電源装置１０の構造について説明する。なお、図２は、スイッチング電源装置１０の平面構造を例示する概略平面図である。図３および図４は、スイッチング電源装置１０の断面構造の一部を例示する概略断面図であり、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図およびＩＶ−ＩＶ線における断面図にそれぞれ対応する。スイッチング電源装置１０は、基板２０を備えている。
【００１７】
〈基板〉
基板２０は、絶縁層２１と導電層２２と放熱層２３とを有している。この例では、基板２０は、矩形の板状に形成されている。なお、図２の例では、基板２０の長手方向は、第１方向Ｘ（図２では左右方向）となっており、基板２０の短手方向は、第２方向Ｙ（図２では上下方向）となっている。
【００１８】
絶縁層２１は、絶縁材料（例えばエポキシ樹脂シートなど）により構成され、板状に形成されている。導電層２２は、導電材料（例えば銅など）により構成され、絶縁層２１の一方面に設けられて箔状に形成されている。放熱層２３は、伝熱材料（例えばアルミニウムなど）により構成され、絶縁層２１の他方面に設けられている。
【００１９】
この例では、絶縁層２１の厚みは、導電層２２および放熱層２３の各々の厚みよりも薄くなっている。放熱層２３の厚みは、導電層２２の厚みよりも厚くなっている。例えば、絶縁層２１の厚みは、１００μｍ程度に設定され、導電層２２の厚みは、２００μｍ程度に設定され、放熱層２３の厚みは１〜３ｍｍ程度に設定されていてもよい。そして、絶縁層２１の熱伝導率は、導電層２２および放熱層２３の各々の熱伝導率よりも低くなっている。導電層２２の熱伝導率は、放熱層２３の熱伝導率よりも高くなっている。
【００２０】
〈放熱部材〉
また、この例では、放熱層２３は、放熱部材２４に接続されて固定されている。放熱部材２４は、例えば、基板２０を収納する筐体（図示を省略）の一部であり、空冷（空気による冷却）や液冷（冷却水や冷却油などの液体による冷却）により冷却されるように構成されている。
【００２１】
〈固定ネジ〉
また、基板２０は、複数（この例では６つ）の固定ネジ２５によって放熱部材２４にネジ止めされて固定されている。固定ネジ２５は、基板２０を貫通して放熱部材２４に締結される。具体的には、基板２０には固定ネジ２５を挿通させる挿通孔（図示を省略）が設けられ、放熱部材２４には固定ネジ２５に締結されるネジ穴（図示を省略）が設けられており、固定ネジ２５が基板２０の挿通孔に挿通されて放熱部材２４のネジ穴に締結されている。なお、固定ネジ２５の胴部と基板２０の挿通孔との間には隙間が形成され、固定ネジ２５の頭部と基板２０の導電層２２との間には絶縁紙などの絶縁部材（図示を省略）が設けられている。このような構成により、基板２０の導電層２２と放熱層２３と放熱部材２４との絶縁性を確保することができる。
【００２２】
〈配線パターン〉
導電層２２には、配線パターンが形成されている。具体的には、導電層２２には、出力パターン３０と電源パターン４０と接地パターン５０とが形成されている。出力パターン３０と電源パターン４０と接地パターン５０は、互いに短絡しないように所定の間隔をおいて形成されている。
【００２３】
〈出力パターン〉
出力パターン３０は、スイッチング部ＳＷのハイサイドスイッチング素子１１とローサイドスイッチング素子１２とを直列に接続するために設けられている。すなわち、出力パターン３０は、図１に示したスイッチング部ＳＷの中間部（ハイサイドスイッチング素子１１とローサイドスイッチング素子１２との接続部）を構成する部分である。
【００２４】
この例では、出力パターン３０は、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第１〜第３出力領域３０１〜３０３を有している。以下では、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の総称を「出力領域３００」と記載する。出力領域３００は、第１方向Ｘに延伸するように形成されている。具体的には、第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、次のように構成されている。
【００２５】
第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、第１方向Ｘに延伸するように形成され、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙに間隔をおいて配置されている。なお、この例では、第１方向Ｘは、基板２０の長手方向に沿う方向に相当し、第２方向Ｙは、基板２０の短手方向に沿う方向に相当する。そして、第１出力領域３０１は、基板２０の短手方向の一端部（図２では下端部）に配置され、第２出力領域３０２は、基板２０の短手方向の中央部に配置され、第３出力領域３０３は、基板２０の短手方向の他端部（図２では上端部）に配置されている。
【００２６】
〈電源パターン〉
電源パターン４０は、電源（この例では直流電源Ｐ）とスイッチング部ＳＷのハイサイドスイッチング素子１１とを接続するために設けられている。すなわち、電源パターン４０は、図１に示した電源配線ＬＰの一部を構成する部分である。
【００２７】
《電源領域》
この例では、電源パターン４０は、６つの配線領域（第１〜第６電源領域４０１〜４０６）を有している。以下では、第１〜第６電源領域４０１〜４０６の総称を「電源領域４００」と記載する。
【００２８】
複数の電源領域４００は、出力領域３００の延伸方向に沿うように間隔をおいて配列され、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において出力領域３００と所定の隙間を隔てて対向している。具体的には、第１〜第６電源領域４０１〜４０６は、次のように構成されている。
【００２９】
第１および第２電源領域４０１，４０２は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第１出力領域３０１の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第１出力領域３０１の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とが順に並んでいる。また、第１および第２電源領域４０１，４０２は、第１出力領域３０１の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１出力領域３０１と所定の隙間を隔てて対向している。
【００３０】
第３および第４電源領域４０３，４０４は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置され、第２出力領域３０２の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第２出力領域３０２の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第３電源領域４０３と第４電源領域４０４とが順に並んでいる。また、第３および第４電源領域４０３，４０４は、第２出力領域３０２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２出力領域３０２と所定の隙間を隔てて対向している。
【００３１】
第５および第６電源領域４０５，４０６は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置され、第３出力領域３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第３出力領域３０３の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第５電源領域４０５と第６電源領域４０６とが順に並んでいる。また、第５および第６電源領域４０５，４０６は、第３出力領域３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第３出力領域３０３と所定の隙間を隔てて対向している。
【００３２】
《電源連絡領域》
また、この例では、電源パターン４０は、電源連絡領域４１０を有している。電源連絡領域４１０は、直流電源Ｐの一端（正極）に電気的に接続されている。この例では、電源連絡領域４１０は、基板２０の長手方向の縁部（図２では右縁部）に配置されている。なお、この例では、第１〜第６電源領域４０１〜４０６は、後述する接続部材２００（第１〜第３電源接続部材４１〜４３）により電源連絡領域４１０と電気的に接続されている。
【００３３】
《電源余剰領域》
また、この例では、電源パターン４０は、電源余剰領域４２１を有している。電源余剰領域４２１は、基板２０の短手方向の縁部（図２では上縁部）に沿うように形成され、電源連絡領域４１０に接続されている。
【００３４】
〈接地パターン〉
接地パターン５０は、電源（この例では直流電源Ｐ）とスイッチング部ＳＷのローサイドスイッチング素子１２とを接続するために設けられている。すなわち、接地パターン５０は、図１に示した接地配線ＬＧの一部を構成する部分である。
【００３５】
《接地領域》
この例では、接地パターン５０は、９つの配線領域（第１〜第９接地領域５０１〜５０９）を有している。以下では、第１〜第９接地領域５０１〜５０９の総称を「接地領域５００」と記載する。
【００３６】
複数の接地領域５００は、複数の電源領域４００と同様に、出力領域３００の延伸方向に沿うように間隔をおいて配列され、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において出力領域３００と所定の隙間を隔てて対向している。具体的には、第１〜第９接地領域５０１〜５０９は、次のように構成されている。
【００３７】
第１〜第３接地領域５０１〜５０３は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第１出力領域３０１の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第１出力領域３０１の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第１接地領域５０１と第２接地領域５０２と第３接地領域５０３とが順に並んでいる。また、第１〜第３接地領域５０１〜５０３は、第１出力領域３０１の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１出力領域３０１と所定の隙間を隔てて対向している。
【００３８】
第４〜第６接地領域５０４〜５０６は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置され、第２出力領域３０２の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第２出力領域３０２の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第４接地領域５０４と第５接地領域５０５と第６接地領域５０６とが順に並んでいる。また、第４〜第６接地領域５０４〜５０６は、第２出力領域３０２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２出力領域３０２と所定の隙間を隔てて対向している。
【００３９】
第７〜第９接地領域５０７〜５０９は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置され、第３出力領域３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第３出力領域３０３の延伸方向の一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて第７接地領域５０７と第８接地領域５０８と第９接地領域５０９とが順に並んでいる。また、第７〜第９接地領域５０７〜５０９は、第３出力領域３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第３出力領域３０３と所定の隙間を隔てて対向している。
【００４０】
《接地連絡領域》
また、この例では、接地パターン５０は、接地連絡領域５１０を有している。接地連絡領域５１０は、直流電源Ｐの他端（負極）に電気的に接続されている。この例では、接地連絡領域５１０は、基板２０の長手方向の縁部（図２では右縁部）に配置され、基板２０の短手方向において電源連絡領域４１０と所定の隙間を隔てて並んでいる。
【００４１】
《接地接続領域》
また、この例では、接地パターン５０は、第１〜第３接地接続領域５１１〜５１３を有している。
【００４２】
第１接地接続領域５１１は、第１方向Ｘに延伸するように形成され、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置されている。第１および第２電源領域４０１，４０２と第１〜第３接地領域５０１〜５０３は、第１出力領域３０１と第１接地接続領域５１１との間に配置されている。そして、第１および第２電源領域４０１，４０２は、第１接地接続領域５１１の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１接地接続領域５１１と所定の隙間を隔てて対向し、第１〜第３接地領域５０１〜５０３は、第１接地接続領域５１１に接続されている。
【００４３】
第２接地接続領域５１２は、第１方向Ｘに延伸するように形成され、第２出力領域３０２と第２出力領域３０３との間に配置されている。第３および第４電源領域４０３，４０４と第４〜第６接地領域５０４〜５０６は、第２出力領域３０２と第２接地接続領域５１２との間に配置されている。そして、第３および第４電源領域４０３，４０４は、第２接地接続領域５１２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２接地接続領域５１２と所定の隙間を隔てて対向し、第４〜第６接地領域５０４〜５０６は、第２接地接続領域５１２に接続されている。また、第５および第６電源領域４０５，４０６と第７〜第９接地領域５０７〜５０９は、第２接地接続領域５１２と第３出力領域３０３との間に配置されている。そして、第５および第６電源領域４０５，４０６は、第２接地接続領域５１２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２接地接続領域５１２と所定の隙間を隔てて対向し、第７〜第９接地領域５０７〜５０９は、第２接地接続領域５１２に接続されている。
【００４４】
第３接地接続領域５１３は、第２方向Ｙに延伸するように形成され、第２出力領域３０２と電源連絡領域４１０との間に配置されている。そして、第３接地接続領域５１３は、接地連絡領域５１０と第１および第２接続領域５１１，５１２とを接続している。
【００４５】
《接地余剰領域》
また、この例では、接地パターン５０は、接地余剰領域５２１を有している。接地余剰領域５２１は、基板２０の短手方向の縁部（図２では下縁部）に沿うように形成され、接地連絡領域５１０に接続されている。
【００４６】
〈電源領域と接地領域の配置〉
また、複数の電源領域４００および複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向に沿う方向において電源領域４００と接地領域５００とが交互に並ぶように配列されている。また、複数の電源領域４００および複数の接地領域５００は、隣り合う電源領域４００と接地領域５００とが所定の隙間を隔てて対向するように配列されている。
【００４７】
具体的には、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間（図２の例では第１出力領域３０１と第１接地接続領域５１１との間）において、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、第１接地領域５０１と第１電源領域４０１と第２接地領域５０２と第２電源領域４０２と第３接地領域５０３とが順に並んでいる。そして、第１電源領域４０１は、第１および第２接地領域５０１，５０２の各々と所定の隙間を隔てて対向し、第２電源領域４０２は、第２および第３接地領域５０２，５０３の各々と所定の隙間を隔てて対向している。
【００４８】
また、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間（図２の例では第２出力領域３０２と第２接地接続領域５１２との間）において、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、第４接地領域５０４と第３電源領域４０３と第５接地領域５０５と第４電源領域４０４と第６接地領域５０６とが順に並んでいる。そして、第３電源領域４０３は、第４および第５接地領域５０４，５０５の各々と所定の隙間を隔てて対向し、第４電源領域４０４は、第５および第６接地領域５０５，５０６の各々と所定の隙間を隔てて対向している。
【００４９】
また、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間（図２の例では第２接地接続領域５１２と第３出力領域３０３との間）において、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、第７接地領域５０７と第５電源領域４０５と第８接地領域５０８と第６電源領域４０６と第９接地領域５０９とが順に並んでいる。そして、第５電源領域４０５は、第７および第８接地領域５０７，５０８の各々と所定の隙間を隔てて対向し、第６電源領域４０６は、第８および第９接地領域５０８，５０９の各々と所定の隙間を隔てて対向している。
【００５０】
〈ハイサイドスイッチング素子とハイサイドトランジスタ〉
また、このスイッチング電源装置１０では、基板２０の導電層２２にハイサイドスイッチング素子１１が設けられている。ハイサイドスイッチング素子１１は、複数のハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。具体的には、複数のハイサイドトランジスタ１１０が並列に接続されてハイサイドスイッチング素子１１が構成されている。すなわち、このスイッチング電源装置１０は、ハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０を備えている。
【００５１】
ハイサイドトランジスタ１１０は、電源パターン４０と出力パターン３０とに接続されている。この例では、ハイサイドトランジスタ１１０は、電源パターン４０に面実装されて出力パターン３０に接続されている。具体的には、ハイサイドトランジスタ１１０は、電源パターン４０に載置されている。そして、ハイサイドトランジスタ１１０の一端（ドレイン）は、平板状に形成されてハイサイドトランジスタ１１０の本体底部に配置されており、半田により電源パターン４０の表面に接合されている。また、ハイサイドトランジスタ１１０の他端（ソース）は、ハイサイドトランジスタ１１０の本体側部から出力パターン３０に延出しており、半田により出力パターン３０の表面に接合されている。なお、ハイサイドトランジスタ１１０のゲートは、ゲート配線（図示を省略）に電気的に接続されている。例えば、ハイサイドトランジスタ１１０は、面実装型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）により構成されている。
【００５２】
具体的には、この例では、基板２０の導電層２２に第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗが設けられ、第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗの各々が４つのハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。
【００５３】
第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１電源領域４０１に面実装されて第１出力領域３０１に接続され、残りの２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２電源領域４０２に面実装されて第１出力領域３０１に接続されている。
【００５４】
第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３電源領域４０３に面実装されて第２出力領域３０２に接続され、残りの２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第４電源領域４０４に面実装されて第２出力領域３０２に接続されている。
【００５５】
第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第５電源領域４０５に面実装されて第３出力領域３０３に接続され、残りの２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第６電源領域４０６に面実装されて第３出力領域３０３に接続されている。
【００５６】
〈ローサイドスイッチング素子とローサイドトランジスタ〉
また、このスイッチング電源装置１０では、基板２０の導電層２２にローサイドスイッチング素子１２が設けられている。ローサイドスイッチング素子１２は、複数のローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。具体的には、複数のローサイドトランジスタ１２０が並列に接続されてローサイドスイッチング素子１２が構成されている。すなわち、このスイッチング電源装置１０は、ローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０を備えている。
【００５７】
ローサイドトランジスタ１２０は、接地パターン５０と出力パターン３０とに接続されている。この例では、ローサイドトランジスタ１２０は、出力パターン３０に面実装されて接地パターン５０に接続されている。具体的には、ローサイドトランジスタ１２０は、出力パターン３０に載置されている。そして、ローサイドトランジスタ１２０の一端（ドレイン）は、平板状に形成されてローサイドトランジスタ１２０の本体底部に配置されており、半田により出力パターン３０の表面に接合されている。また、ローサイドトランジスタ１２０の他端（ソース）は、ローサイドトランジスタ１２０の本体側部から接地パターン５０に延出しており、半田により接地パターン５０の表面に接合されている。なお、ローサイドトランジスタ１２０のゲートは、ゲート配線（図示を省略）に電気的に接続されている。例えば、ローサイドトランジスタ１２０は、面実装型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）により構成されている。
【００５８】
具体的には、この例では、基板２０の導電層２２に第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗが設けられ、第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗの各々が４つのローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。
【００５９】
第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち１つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１に面実装されて第１接地領域５０１に接続され、２つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１に面実装されて第２接地領域５０２に接続され、残りの１つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１に面実装されて第３接地領域５０３に接続されている。
【００６０】
第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち１つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２に面実装されて第４接地領域５０４に接続され、２つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２に面実装されて第５接地領域５０５に接続され、残りの１つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２に面実装されて第６接地領域５０６に接続されている。
【００６１】
第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち１つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３に面実装されて第７接地領域５０７に接続され、２つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３に面実装されて第８接地領域５０８に接続され、残りの１つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３に面実装されて第９接地領域５０９に接続されている。
【００６２】
〈ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタの配置〉
また、このスイッチング電源装置１０では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０および１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０は、出力領域３００の延伸方向に沿う第１方向Ｘにおいてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが一対一で隣り合うように第１方向Ｘに配置されている。また、ローサイドトランジスタ１２０の端子（本体側部から接地領域５００へ向けて延出する端子）の向く方向は、ハイサイドトランジスタ１１０の端子（本体側部から出力領域３００へ向けて延出する端子）の向く方向と逆方向になっている。
【００６３】
具体的には、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、１つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と１つのローサイドトランジスタ１２０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【００６４】
また、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、１つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と１つのローサイドトランジスタ１２０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【００６５】
また、第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図２では左側から右側）へ向けて、１つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と１つのローサイドトランジスタ１２０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【００６６】
〈平滑容量部とキャパシタ〉
また、このスイッチング電源装置１０では、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３が設けられている。平滑容量部１３は、複数のキャパシタ１３０によって構成されている。すなわち、このスイッチング電源装置１０は、平滑容量部１３を構成する複数のキャパシタ１３０を備えている。
【００６７】
複数のキャパシタ１３０は、電源パターン４０と接地パターン５０に接続されている。この例では、キャパシタ１３０は、電源パターン４０と接地パターン５０とに面実装されている。具体的には、キャパシタ１３０は、電源パターン４０と接地パターン５０に跨がるように載置され、その一端（正極）が半田により電源パターン４０の表面に接合され、その他端（負極）が半田により接地パターン５０の表面に接合されている。例えば、キャパシタ１３０は、電解コンデンサ，フィルムコンデンサ，セラミックコンデンサなどにより構成されている。
【００６８】
また、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応している。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。この例では、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。また、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）に沿う第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙにおいてハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。別の言い方をすれば、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０は、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように配置されている。
【００６９】
具体的には、この例では、基板２０の導電層２２に設けられた１２個のハイサイドトランジスタ１１０および１２個のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する２４個のキャパシタ１３０が設けられている。
【００７０】
第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち２つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第１接地接続領域５１１とに面実装され、残りの２つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第１接地接続領域５１１とに面実装されている。
【００７１】
第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第２出力領域３０２の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち２つのキャパシタ１３０は、第３電源領域４０３と第２接地接続領域５１２とに面実装され、残りの２つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第２接地接続領域５１２とに面実装されている。
【００７２】
第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第３出力領域３０３の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち２つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第２接地接続領域５１２とに面実装され、残りの２つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第２接地接続領域５１２とに面実装されている。
【００７３】
第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第１接地領域５０１とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第２接地領域５０２とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第２接地領域５０２とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第３接地領域５０３とに面実装されている。
【００７４】
第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第２出力領域３０２の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第３電源領域４０３と第４接地領域５０４とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第３電源領域４０３と第５接地領域５０５とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第５接地領域５０５とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第５接地領域５０５とに面実装されている。
【００７５】
第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第３出力領域３０３の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第７接地領域５０７とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第８接地領域５０８とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第８接地領域５０８とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第９接地領域５０９とに面実装されている。
【００７６】
〈接続部材〉
スイッチング電源装置１０において、電源パターン４０および接地パターン５０のうち少なくとも一方のパターンは、接続部材２００により電気的に接続される複数の配線領域（導電層２２に形成される配線パターンの一部）を有している。この例では、電源パターン４０は、第１〜第３電源接続部材４１〜４３（接続部材２００）により電気的に接続される第１〜第６電源領域４０１〜４０６を有している。なお、図２では、第１〜第３電源接続部材４１〜４３（接続部材２００）を二点鎖線で図示している。
【００７７】
第１電源接続部材４１は、電源連絡領域４１０と第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第３電源領域４０３と第４電源領域４０４とを電気的に接続している。第２電源接続部材４２は、第３電源領域４０３と第５電源領域４０５とを電気的に接続している。第３電源接続部材４３は、第４電源領域４０４と第６電源領域４０６とを電気的に接続している。
【００７８】
また、この例では、接続部材２００は、板状に形成された導体（いわゆるバスバー）により構成されている。具体的には、接続部材２００は、板状に形成されて導電層２２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つへ向けて延伸する延出部２０２とを有している。例えば、第１電源接続部材４１は、第２出力領域３０２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から電源パターン４０の５つの配線領域（電源連絡領域４１０と第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第３電源領域４０３と第４電源領域４０４）へ向けてそれぞれ延出する５つの延出部２０２とを有している。
【００７９】
また、この例では、接続部材２００は、導電層２２の複数の配線領域に半田により接合されている。例えば、第１電源接続部材４１の５つの延出部２０２は、電源パターン４０の５つの配線領域（電源連絡領域４１０と第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第３電源領域４０３と第４電源領域４０４）に半田によりそれぞれ接合されている。
【００８０】
なお、この例では、接続部材２００を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料と同種となっている。そして、この例では、接続部材２００のうち複数の配線領域と半田により接合される部分には、半田による接合を可能とするためのめっき処理が施されている。例えば、第１電源接続部材４１と放熱層２３とがアルミニウムにより構成され、第１電源接続部材４１のうち電源パターン４０の５つの配線領域（電源連絡領域４１０と第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第３電源領域４０３と第４電源領域４０４）と半田により接合される５つの延出部２０２には、ニッケル（半田による接合を可能とするための材料）がめっきされている。
【００８１】
〔実施形態１による効果〕
以上のように、このスイッチング電源装置１０では、ハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０は、ハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが一対一で隣り合うように配置されている。このような構成により、一対一で隣り合うハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のうち一方のトランジスタにおいて発生した熱を基板２０を経由して他方のトランジスタに伝達させることができる。具体的には、ハイサイドスイッチング素子１１がオン状態となりローサイドスイッチング素子１２がオフ状態となる期間では、オン状態であるハイサイドトランジスタ１１０において発生した熱を基板２０を経由してオフ状態であるローサイドトランジスタ１２０に伝達させることができる。一方、ハイサイドスイッチング素子１１がオフ状態となりローサイドスイッチング素子１２がオン状態となる期間では、オン状態であるローサイドトランジスタ１２０において発生した熱を基板２０を経由してオフ状態であるハイサイドトランジスタ１１０に伝達させることができる。これにより、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【００８２】
また、基板２０の導電層２２にハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０とともに平滑容量部１３を設けることにより、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３を設けない場合（例えばハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０が設けられた基板２０とは異なる基板に平滑容量部１３を設ける場合）よりも、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０から平滑容量部１３に至る配線経路を短縮することができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０から平滑容量部１３に至る配線経路における寄生インダクタンスを低減することができるので、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のスイッチング動作に起因するサージ電圧を低減することができる。
【００８３】
また、ハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０とそれぞれ隣り合うように、平滑容量部１３を構成する複数のキャパシタ１３０を配置することにより、ハイサイドトランジスタ１１０（またはローサイドトランジスタ１２０）からキャパシタ１３０に至る配線経路を短縮することができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のスイッチング動作に起因するサージ電圧を低減することができる。
【００８４】
また、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０を配置することにより、ハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とキャパシタ１３０との間に形成される配線経路を短縮することができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のスイッチング動作に起因するサージ電圧を低減することができる。
【００８５】
また、このスイッチング電源装置１０では、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０は、第１方向Ｘにおいてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが一対一で隣り合うように第１方向Ｘに配置されている。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙにおいてハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。このような構成により、複数のキャパシタ１３０の間においてキャパシタ１３０とトランジスタ（ハイサイドトランジスタ１１０またはローサイドトランジスタ１２０）との間の配線距離の差を小さくすることができるので、複数のキャパシタ１３０における発熱ばらつき（一部のキャパシタ１３０に電流が集中することにより一部のキャパシタ１３０に発熱が集中すること）を低減することができる。
【００８６】
また、電源パターン４０は、接続部材２００（この例では第１〜第３電源接続部材４１〜４３）により電気的に接続される複数の配線領域（この例では第１〜第６電源領域４０１〜４０６）を有している。このような構成により、電源パターン４０（配線パターン）の設計自由度を向上させることができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０の配置自由度を向上させることができる。
【００８７】
また、接続部材２００（この例では第１〜第３電源接続部材４１〜４３）を板状に形成された導体により構成することにより、導電層２２の配線領域（この例では第１〜第６電源領域４０１〜４０６）に伝達された熱を接続部材２００から放出することができる。これにより、放熱性を向上させることができる。
【００８８】
また、接続部材２００（この例では第１〜第３電源接続部材４１〜４３）を構成する材料を放熱層２３を構成する材料と同種とすることにより、接続部材２００の熱膨張係数を放熱層２３の熱膨張係数に合わせることができる。これにより、温度上昇による放熱層２３の変形に対応するように接続部材２００を変形させることができるので、スイッチング電源装置１０の信頼性を向上させることができる。
【００８９】
また、接続部材２００（この例では第１〜第３電源接続部材４１〜４３）を導電層２２の配線領域（この例では第１〜第６電源領域４０１〜４０６）に半田により接合することにより、接続部材２００を導電層２２の配線領域にネジ止めする場合よりも、接続部材２００の接続構造を簡素にすることができる。
【００９０】
また、接続部材２００（この例では第１〜第３電源接続部材４１〜４３）のうち配線領域（この例では第１〜第６電源領域４０１〜４０６）と半田により接合される部分に、半田による接合を可能とするためのめっき処理を施すことにより、半田による接合に適さない材料により接続部材２００が構成されている場合であっても、接続部材２００を導電層２２の配線領域に半田により接合することができる。そのため、接続部材２００を構成する材料の選択自由度を向上させることができる。
【００９１】
（接続部材の接続構造の変形例１）
図５は、接続部材２００の接続構造の変形例１を例示している。図５では、第１電源接続部材４１と第３電源領域４０３との接続構造を例に挙げている。
【００９２】
この例では、接続部材２００（図５の例では第１電源接続部材４１）は、板状に形成された導体（いわゆるバスバー）により構成されている。具体的には、接続部材２００は、板状に形成されて導電層２２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つ（図５の例では第３電源領域４０３）へ向けて延出する延出部２０２とを有している。
【００９３】
基板２０には、第１貫通孔２１ｈと、第２貫通孔２２ｈと、第３貫通孔２３ｈとが設けられている。第１貫通孔２１ｈは、絶縁層２１を厚み方向に貫通している。第２貫通孔２２ｈは、導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つ（図５の例では第３電源領域４０３）を厚み方向に貫通して第１貫通孔２１ｈと連通している。第３貫通孔２３ｈは、放熱層２３を厚み方向に貫通して第１貫通孔２１ｈと連通している。
【００９４】
接続部材２００（図５の例では第１電源接続部材４１）の延出部２０２は、第１貫通孔２１ｈと第２貫通孔２２ｈと第３貫通孔２３ｈとに挿入された状態で導電層２２の複数の配線領域のうち第２貫通孔２２ｈが設けられた配線領域（図５の例では第３電源領域４０３）に半田（半田部２６）により接合されている。
【００９５】
なお、第１貫通孔２１ｈと第２貫通孔２２ｈと第３貫通孔２３ｈとに挿入された接続部材２００（図５の例では第１電源接続部材４１）の延出部２０２と第３貫通孔２３ｈの内壁との接触が回避されるように、第３貫通孔２３ｈの開口面積は、第１貫通孔２１ｈの開口面積よりも大きくなっている。
【００９６】
また、この例では、接続部材２００（図５の例では第１電源接続部材４１）を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料と同種となっている。そして、この例では、接続部材２００のうち複数の配線領域と半田により接合される部分（図５の例では第１電源接続部材４１の延出部２０２）には、半田による接合を可能とするためのめっき処理が施されている。
【００９７】
以上のように、接続部材２００（図５の例では第１電源接続部材４１）を導電層２２の配線領域（図５の例では第３電源領域４０３）に半田により接合することにより、接続部材２００を導電層２２の配線領域にネジ止めする場合よりも、接続部材２００の接続構造を簡素にすることができる。
【００９８】
（接続部材の接続構造の変形例２）
図６は、接続部材２００の接続構造の変形例２を例示している。図６では、第１電源接続部材４１と第３電源領域４０３との接続構造を例に挙げている。
【００９９】
この例では、接続部材２００（図６の例では第１電源接続部材４１）は、板状に形成された導体（いわゆるバスバー）により構成されている。そして、スイッチング電源装置１０は、導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つ（図６の例では第３電源領域４０３）に半田（半田部２６）により接合されるナット２７と、接続部材２００（図６の例では第１電源接続部材４１）を貫通してナット２７に締結されるボルト２８とを備えている。
【０１００】
なお、この例では、接続部材２００（図６の例では第１電源接続部材４１）を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料と同種となっている。
【０１０１】
以上のように、導電層２２の配線領域（図６の例では第３電源領域４０３）に半田によりナット２７が接合され、ボルト２８が接続部材２００（図６の例では第１電源接続部材４１）を貫通してナット２７に締結されることにより、半田による接合に適さない材料により接続部材２００が構成されている場合であっても、接続部材２００を導電層２２の配線領域に半田により接合することができる。そのため、接続部材２００を構成する材料の選択自由度を向上させることができる。
【０１０２】
（接続部材の接続構造の変形例３）
図７および図８は、接続部材２００の接続構造の変形例３を例示している。図７および図８では、第１電源接続部材４１と第３電源領域４０３との接続構造を例に挙げている。
【０１０３】
接続部材２００（図７および図８の例では第１電源接続部材４１）の接続構造は、連結ネジ６０により接続部材２００を基板２０（具体的には導電層２２）にネジ止めして固定するための構造であり、台座部７１と絶縁部材７２とワッシャ７３と連結ネジ６０とを備えている。
【０１０４】
台座部７１は、導電材料（例えば金属）により構成され、導電層２２に設けられる。具体的には、台座部７１は、接続部材２００と導電層２２との接続部（接続部材２００を接続すべき部分、図７の例では第３電源領域４０３）に設けられている。
【０１０５】
また、この例では、台座部７１の台座面（図２の上面）は、矩形状に形成されている。そして、台座部７１の中央部には、連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられている。台座部７１の挿通孔の口径は、連結ネジ６０の胴部の外径よりも大きくなっている。
【０１０６】
台座部７１の台座面には、接続部材２００が載置される。この例では、板状に形成された接続部材２００が台座部７１の台座面に載置される。また、接続部材２００には、連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられている。接続部材２００の挿通孔の口径は、連結ネジ６０の胴部の外径よりも大きくなっている。
【０１０７】
なお、台座部７１の高さ（導電層２２の表面から台座部７１の台座面までの高さ）は、導電層２２に実装されたハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０の高さ（導電層２２の表面を基準とする高さ）よりも高くなっている。このような構成により、台座部７１の台座面に載置された接続部材２００と導電層２２に実装されたハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０とを接触させないようにすることができる。
【０１０８】
絶縁部材７２は、板状に形成され、台座部７１に載置された接続部材２００に載置される。例えば、絶縁部材７２は、絶縁紙（絶縁ワニスが塗布された上質紙またはクラフト紙）によって構成されている。この例では、絶縁部材７２は、台座部７１の台座面の平面形状に対応する形状（すなわち矩形の板状）に形成されている。また、絶縁部材７２の中央部には、連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられている。絶縁部材７２の挿通孔の口径は、連結ネジ６０の胴部の外径よりも大きくなっているが、接続部材２００の挿通孔の口径および台座部７１の挿通孔の口径よりも小さくなっている。なお、絶縁部材７２の挿通孔の周縁部には、環状凸部７２ａが設けられている。環状凸部７２ａは、例えば、絶縁部材７２の挿通孔の周縁部にエンボス加工を施すことにより形成されている。
【０１０９】
ワッシャ７３は、板状に形成され、接続部材２００に載置された絶縁部材７２に載置される。この例では、ワッシャ７３は、Ｕ字型の板状（Ｕ字型に屈曲する板状）に形成されている。そして、ワッシャ７３は、台座部７１の台座面との間に接続部材２００と絶縁部材７２とを挟み込んだ状態で台座部７１に覆い被さるように構成されている。また、ワッシャ７３の中央部には、連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられている。ワッシャ７３の挿通孔の口径は、連結ネジ６０の胴部の外径よりも大きくなっている。
【０１１０】
また、基板２０の導電層２２と絶縁層２１には、連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられている。導電層２２と絶縁層２１の挿通孔の口径は、連結ネジ６０の胴部の外径よりも大きく、且つ、絶縁部材７２の挿通孔の口径よりも大きくなっている。また、基板２０の放熱層２３には、連結ネジ６０に締結されるネジ穴６１が設けられている。
【０１１１】
連結ネジ６０は、ワッシャ７３と絶縁部材７２と接続部材２００と台座部７１と導電層２２と絶縁層２１とを貫通して放熱層２３に締結されている。具体的には、連結ネジ６０は、ワッシャ７３の挿通孔と絶縁部材７２の挿通孔と接続部材２００の挿通孔と台座部７１の挿通孔と導電層２２の挿通孔と絶縁層２１の挿通孔とに挿通されて放熱層２３のネジ穴６１に締結されている。なお、接続部材２００と台座部７１と導電層２２と絶縁層２１の挿通孔と連結ネジ６０の胴部との間には隙間が形成され、連結ネジ６０の頭部と接続部材２００との間にはワッシャ７３と絶縁部材７２とが設けられている。このような構成により、接続部材２００と放熱層２３との絶縁性を確保することができる。
【０１１２】
以上のように、導電層２２と絶縁層２１とを貫通して放熱層２３に締結される連結ネジ６０を用いて接続部材２００を導電層２２との接続部（図７の例では第３電源領域４０３）にネジ止めすることにより、絶縁層２１と放熱層２３との密着性を向上させることができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０から導電層２２と絶縁層２１とを経由して放熱層２３へ向かう熱の伝達を促進させることができる。このように、基板２０の放熱性を向上させることができるので、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のスイッチング動作に起因する温度上昇を抑制することができる。
【０１１３】
（接続部材の接続構造の変形例４）
図９は、接続部材２００の接続構造の変形例４を例示している。図９では、第１電源接続部材４１と第３電源領域４０３との接続構造を例に挙げている。
【０１１４】
図９に示すように、スイッチング電源装置１０は、連結ネジ６０が導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とを貫通して放熱部材２４に締結されるように構成されていてもよい。すなわち、接続部材２００（図９の例では第１電源接続部材４１）は、導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とを貫通して放熱部材２４に締結される連結ネジ６０により接続部材２００と導電層２２との接続部（図９の例では第３電源領域４０３）にネジ止めされていてもよい。
【０１１５】
図９の例では、導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とに連結ネジ６０を挿通させる挿通孔が設けられ、放熱部材２４に連結ネジ６０に締結されるネジ穴６１が設けられ、連結ネジ６０は、ワッシャ７３の挿通孔と絶縁部材７２の挿通孔と接続部材２００の挿通孔と台座部７１の挿通孔と導電層２２の挿通孔と絶縁層２１の挿通孔と放熱層２３の挿通孔とに挿通されて放熱部材２４のネジ穴６１に締結されている。なお、接続部材２００と台座部７１と導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３の挿通孔と連結ネジ６０の胴部との間には隙間が形成され、連結ネジ６０の頭部と接続部材２００との間にはワッシャ７３と絶縁部材７２とが設けられている。このような構成により、接続部材２００と放熱部材２４との絶縁性を確保することができる。
【０１１６】
以上のように、導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とを貫通して放熱部材２４に締結される連結ネジ６０を用いて接続部材２００を導電層２２との接続部（図９の例では第３電源領域４０３）にネジ止めすることにより、絶縁層２１と放熱層２３と放熱部材２４の密着性を向上させることができる。これにより、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０から導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とを経由して放熱部材２４へ向かう熱の伝達を促進させることができる。このように、基板２０の放熱性を向上させることができるので、ハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０のスイッチング動作に起因する温度上昇を抑制することができる。
【０１１７】
また、導電層２２と絶縁層２１と放熱層２３とを貫通して放熱部材２４に締結される連結ネジ６０を用いて接続部材２００を接続部材２００と導電層２２との接続部（図９の例では第３電源領域４０３）にネジ止めすることにより、基板２０の反りを低減することができる。また、連結ネジ６０により基板２０と放熱部材２４とを共締めすることができるので、スイッチング電源装置１０の部品点数を削減することができる。
【０１１８】
（実施形態２）
図１０は、実施形態２によるスイッチング電源装置１０の構造を例示している。実施形態２によるスイッチング電源装置１０は、電源パターン４０と接地パターン５０と接続部材２００の構成とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とキャパシタ１３０の配置が実施形態１によるスイッチング電源装置１０と異なっている。
【０１１９】
〈電源パターン〉
実施形態２では、電源パターン４０は、６つの配線領域（第１〜第６電源領域４０１〜４０６）と、電源連絡領域４１０とを有している。
【０１２０】
《電源領域》
実施形態２では、実施形態１と同様に、複数の電源領域４００は、出力領域３００の延伸方向に沿うように間隔をおいて配列され、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において出力領域３００と所定の隙間を隔てて対向している。具体的には、第１〜第６電源領域４０１〜４０６は、次のように構成されている。
【０１２１】
第１〜第３電源領域４０１〜４０３は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第１出力領域３０１の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第１出力領域３０１の延伸方向の一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第３電源領域４０３が順に並んでいる。また、第１〜第３電源領域４０１〜４０３は、第１出力領域３０１の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１出力領域３０１と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１２２】
第４〜第６電源領域４０４〜４０６は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置され、第２および第３出力領域３０２，３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第２および第３出力領域３０２，３０３の延伸方向の一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて第４電源領域４０４と第５電源領域４０５と第６電源領域４０６とが順に並んでいる。また、第４〜第６電源領域４０４〜４０６は、第２出力領域３０２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２出力領域３０２と所定の隙間を隔てて対向している。また、第４〜第６電源領域４０４〜４０６は、第３出力領域３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第３出力領域３０３と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１２３】
《電源連絡領域》
実施形態２では、電源連絡領域４１０は、基板２０の短手方向に沿う第２方向Ｙに延伸するように形成され、基板２０の長手方向の縁部（図２では右縁部）に配置されている。第３および第６電源領域４０３，４０６は、電源連絡領域４１０に接続されている。なお、実施形態２では、第１，第２，第４，第５電源領域４０１，４０２，４０４，４０５は、後述する接続部材２００（第１および第２電源接続部材４１，４２）により電源連絡領域４１０と電気的に接続されている。
【０１２４】
〈接地パターン〉
実施形態２では、接地パターン５０は、４つの配線領域（第１〜第４接地領域５０１〜５０４）と、接地連絡領域５１０とを有している。
【０１２５】
《接地領域》
実施形態２では、実施形態１と同様に、複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向に沿うように間隔をおいて配列され、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において出力領域３００と所定の隙間を隔てて対向している。具体的には、第１〜第４接地領域５０１〜５０４は、次のように構成されている。
【０１２６】
第１および第２接地領域５０１，５０２は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第１出力領域３０１の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第１出力領域３０１の延伸方向の一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて第１接地領域５０１と第２接地領域５０２とが順に並んでいる。また、第１および第２接地領域５０１，５０２は、第１出力領域３０１の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１出力領域３０１と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１２７】
第３および第４接地領域５０３，５０４は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第２および第３出力領域３０２，３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うように間隔をおいて配列されている。この例では、第２および第３出力領域３０２，３０３の延伸方向の一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて第３接地領域５０３と第４接地領域５０４とが順に並んでいる。また、第３および第４接地領域５０３，５０４は、第２出力領域３０２の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２出力領域３０２と所定の隙間を隔てて対向している。また、第３および第４接地領域５０３，５０４は、第３出力領域３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第３出力領域３０３と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１２８】
《接地連絡領域》
実施形態２では、接地連絡領域５１０は、基板２０の長手方向の縁部（図１０では右縁部）に配置されている。なお、実施形態２では、第１〜第４接地領域５０１〜５０４は、後述する接続部材２００（接地接続部材５１）により接地連絡領域５１０と電気的に接続されている。
【０１２９】
〈電源領域と接地領域の配置〉
また、実施形態２では、実施形態１と同様に、複数の電源領域４００および複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向に沿う方向において電源領域４００と接地領域５００とが交互に並ぶように配列されている。また、複数の電源領域４００および複数の接地領域５００は、隣り合う電源領域４００と接地領域５００とが所定の隙間を隔てて対向するように配列されている。
【０１３０】
具体的には、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間において、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて、第１電源領域４０１と第１接地領域５０１と第２電源領域４０２と第２接地領域５０２と第３電源領域４０３とが順に並んでいる。そして、第１接地領域５０１は、第１および第２電源領域４０１，４０２の各々と所定の隙間を隔てて対向し、第２接地領域５０２は、第２および第３電源領域４０２，４０３の各々と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１３１】
また、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間において、第２および第３出力領域３０２，３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて、第４電源領域４０４と第３接地領域５０３と第５電源領域４０５と第４接地領域５０４と第６電源領域４０６とが順に並んでいる。そして、第３接地領域５０３は、第４および第５電源領域４０４，４０５の各々と所定の隙間を隔てて対向し、第４接地領域５０４は、第５および第６電源領域４０５，４０６の各々と所定の隙間を隔てて対向している。
【０１３２】
〈ハイサイドスイッチング素子とハイサイドトランジスタ〉
実施形態２では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗが設けられ、第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗの各々が４つのハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。
【０１３３】
第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１電源領域４０１に面実装されて第１出力領域３０１に接続され、２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２電源領域４０２に面実装されて第１出力領域３０１に接続され、残りの１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３電源領域４０３に面実装されて第１出力領域３０１に接続されている。
【０１３４】
第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第４電源領域４０４に面実装されて第２出力領域３０２に接続され、２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第５電源領域４０５に面実装されて第２出力領域３０２に接続され、残りの１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第６電源領域４０６に面実装されて第２出力領域３０２に接続されている。
【０１３５】
第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０のうち１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第４電源領域４０４に面実装されて第３出力領域３０３に接続され、２つのハイサイドトランジスタ１１０は、第５電源領域４０５に面実装されて第３出力領域３０３に接続され、残りの１つのハイサイドトランジスタ１１０は、第６電源領域４０６に面実装されて第３出力領域３０３に接続されている。
【０１３６】
〈ローサイドスイッチング素子とローサイドトランジスタ〉
実施形態２では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗが設けられ、第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗの各々が４つのローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。
【０１３７】
第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち２つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１に面実装されて第１接地領域５０１に接続され、残りの２つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。
【０１３８】
第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち２つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２に面実装されて第３接地領域５０３に接続され、残りの２つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２に面実装されて第４接地領域５０４に接続されている。
【０１３９】
第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０のうち２つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３に面実装されて第３接地領域５０３に接続され、残りの２つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３に面実装されて第４接地領域５０４に接続されている。
【０１４０】
〈ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタの配置〉
また、実施形態２では、実施形態１と同様に、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０および１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０は、出力領域３００の延伸方向に沿う第１方向Ｘにおいてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが一対一で隣り合うように第１方向Ｘに配置されている。また、ローサイドトランジスタ１２０の端子（本体側部から接地領域５００へ向けて延出する端子）の向く方向は、ハイサイドトランジスタ１１０の端子（本体側部から出力領域３００へ向けて延出する端子）の向く方向と逆方向になっている。
【０１４１】
具体的には、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて、１つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と１つのハイサイドトランジスタ１１０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【０１４２】
また、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて、１つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と１つのハイサイドトランジスタ１１０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【０１４３】
また、第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０および第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘの一端側から他端側（図１０では左側から右側）へ向けて、１つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と２つのハイサイドトランジスタ１１０と２つのローサイドトランジスタ１２０と１つのハイサイドトランジスタ１１０とが順に並ぶように、第１方向Ｘに配列されている。
【０１４４】
〈平滑容量部とキャパシタ〉
また、実施形態２によるスイッチング電源装置１０では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３が設けられている。平滑容量部１３は、複数のキャパシタ１３０によって構成されている。
【０１４５】
実施形態２では、実施形態１と同様に、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応している。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。別の言い方をすれば、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０は、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように配置されている。
【０１４６】
具体的には、実施形態２では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に設けられた１２個のハイサイドトランジスタ１１０および１２個のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する２４個のキャパシタ１３０が設けられている。
【０１４７】
第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第１接地領域５０１とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第１接地領域５０１とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第２接地領域５０２とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第３電源領域４０３と第２接地領域５０２とに面実装されている。
【０１４８】
第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第２出力領域３０２の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第４接地領域５０４とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第４接地領域５０４とに面実装されている。
【０１４９】
第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第３出力領域３０３の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第４接地領域５０４とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第４接地領域５０４とに面実装されている。
【０１５０】
第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第１接地領域５０１とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第１接地領域５０１とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第２接地領域５０２とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第３電源領域４０３と第２接地領域５０２とに面実装されている。
【０１５１】
第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第２出力領域３０２の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第４接地領域５０４とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第４接地領域５０４とに面実装されている。
【０１５２】
第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第３出力領域３０３の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置されて４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのキャパシタ１３０のうち１つのキャパシタ１３０は、第４電源領域４０４と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第３接地領域５０３とに面実装され、１つのキャパシタ１３０は、第５電源領域４０５と第４接地領域５０４とに面実装され、残りの１つのキャパシタ１３０は、第６電源領域４０６と第４接地領域５０４とに面実装されている。
【０１５３】
〈接続部材〉
実施形態２では、実施形態１と同様に、電源パターン４０および接地パターン５０のうち少なくとも一方のパターンは、接続部材２００により電気的に接続される複数の配線領域（導電層２２に形成される配線パターンの一部）を有している。この例では、電源パターン４０は、第１および第２電源接続部材４１，４２（接続部材２００）により電気的に接続される第１，第２，第４，第５電源領域４０１，４０２，４０４，４０５を有している。接地パターン５０は、接地接続部材５１（接続部材２００）により電気的に接続される第１〜第４接地領域５０１〜５０４を有している。なお、図１０では、第１および第２電源接続部材４１，４２と接地接続部材５１を二点鎖線で図示している。
【０１５４】
第１電源接続部材４１は、電源連絡領域４１０と第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とを電気的に接続している。第２電源接続部材４２は、電源連絡領域４１０と第４電源領域４０４と第５電源領域４０５とを電気的に接続している。接地接続部材５１は、接地連絡領域５１０と第１接地領域５０１と第２接地領域５０２と第３接地領域５０３と第４接地領域５０４とを電気的に接続している。
【０１５５】
また、実施形態２では、実施形態１と同様に、接続部材２００は、板状に形成された導体（バスバー）により構成されている。具体的には、接続部材２００は、板状に形成されて導電層２２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つへ向けて延伸する延出部２０２とを有している。例えば、接地接続部材５１は、第２出力領域３０２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から接地パターン５０の５つの配線領域（接地連絡領域５１０と第１接地領域５０１と第２接地領域５０２と第３接地領域５０３と第４接地領域５０４）へ向けてそれぞれ延出する５つの延出部２０２とを有している。
【０１５６】
また、実施形態２では、実施形態１と同様に、接続部材２００は、導電層２２の複数の配線領域に半田により接合されている。例えば、接地接続部材５１の５つの延出部２０２は、接地パターン５０の５つの配線領域（接地連絡領域５１０と第１接地領域５０１と第２接地領域５０２と第３接地領域５０３と第４接地領域５０４）に半田によりそれぞれ接合されている。
【０１５７】
なお、実施形態２では、実施形態１と同様に、接続部材２００を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料と同種となっている。そして、この例では、接続部材２００のうち複数の配線領域と半田により接合される部分には、半田による接合を可能とするためのめっき処理が施されている。例えば、接地接続部材５１と放熱層２３とがアルミニウムにより構成され、接地接続部材５１のうち接地パターン５０の５つの配線領域（接地連絡領域５１０と第１接地領域５０１と第２接地領域５０２と第３接地領域５０３と第４接地領域５０４）と半田により接合される５つの延出部には、ニッケル（半田による接合を可能とするための材料）がめっきされている。
【０１５８】
〔実施形態２による効果〕
実施形態２によるスイッチング電源装置１０では、実施形態１によるスイッチング電源装置１０により得られる効果と同様の効果を得ることができる。例えば、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【０１５９】
（実施形態３）
図１１は、実施形態３によるスイッチング電源装置１０の構成を例示している。実施形態３によるスイッチング電源装置１０は、出力パターン３０と電源パターン４０と接地パターン５０と接続部材２００の構成とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とキャパシタ１３０の配置が実施形態１によるスイッチング電源装置１０と異なっている。
【０１６０】
〈出力パターン〉
実施形態３では、出力パターン３０は、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第１〜第３出力領域３０１〜３０３を有している。第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、第１方向Ｘに沿うように延伸するようにそれぞれ形成され、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。この例では、第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、基板２０の短手方向の中央部に配置されている。
【０１６１】
また、第１〜第３出力領域３０１〜３０３には、第１〜第３出力接続部材８１〜８３が電気的に接続されている。第１〜第３出力接続部材８１〜８３は、例えば、板状に形成された導体（バスバー）により構成されている。なお、図１１では、第１〜第３出力接続部材８１〜８３を二点鎖線で図示している。
【０１６２】
〈電源パターン〉
また、実施形態３では、電源パターン４０は、第１電源領域４０１と、第２電源領域４０２と、電源接続領域４３０とを有している。
【０１６３】
《電源領域》
第１電源領域４０１と第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第１電源領域４０１は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３と所定の間隔を隔てて対向している。第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３と後述する第２接地領域５０２を間に挟んで第１電源領域４０１と対向するように配置されている。また、第２電源領域４０２は、直流電源Ｐの一端（正極）に電気的に接続されている。
【０１６４】
《電源接続領域》
電源接続領域４３０は、第２方向Ｙに延伸するように形成され、第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とを接続している。この例では、電源接続領域４３０は、基板２０の長手方向の縁部（図１１では右縁部）に配置されている。
【０１６５】
〈接地パターン〉
また、実施形態３では、接地パターン５０は、第１接地領域５０１と、第２接地領域５０２と、第１接地延出領域５３１と、第２接地延出領域５３２とを有している。
【０１６６】
《接地領域》
第１接地領域５０１と第２接地領域５０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第２接地領域５０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３と所定の間隔を隔てて対向している。第１接地領域５０１は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１電源領域４０１と第１〜第３出力領域３０１〜３０３を間に挟んで第２接地領域５０２と対向するように配置されている。また、第１接地領域５０１は、直流電源Ｐの他端（負極）に電気的に接続されている。
【０１６７】
《接地延出領域》
第１接地延出領域５３１と第２接地延出領域５３２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）に延伸するように形成されている。第１接地延出領域５３１は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第２接地延出領域５３２は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置されている。そして、第１接地延出領域５３１および第２接地延出領域５３２は、第２接地領域５０２に接続され、第１電源領域４０１と所定の間隔をおいて対向している。
【０１６８】
〈電源領域と接地領域の配置〉
実施形態３では、複数の電源領域４００と複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において電源領域４００と接地領域５００とが所定の間隔を隔てて対向するように配置されている。
【０１６９】
具体的には、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１１の例では下側から上側）へ向けて第１接地領域５０１と第１電源領域４０１と第１〜第３出力領域３０１〜３０３と第２接地領域５０２と第２電源領域４０２とが順に並んでいる。そして、第１電源領域４０１は、第１接地領域５０１と所定の間隔を隔てて対向し、第２電源領域４０２は、第２接地領域５０２と所定の間隔を隔てて対向している。
【０１７０】
〈ハイサイドスイッチング素子とハイサイドトランジスタ〉
また、実施形態３では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗが設けられ、第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗの各々が４つのハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。
【０１７１】
第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第１出力領域３０１に接続されている。第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第２出力領域３０２に接続されている。第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第３出力領域３０３に接続されている。
【０１７２】
〈ローサイドスイッチング素子とローサイドトランジスタ〉
また、実施形態３では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗが設けられ、第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗの各々が４つのローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。
【０１７３】
第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１出力領域３０１に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第２出力領域３０２に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第３出力領域３０３に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。
【０１７４】
〈ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタの配置〉
実施形態３では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０および１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）においてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが一対一で隣り合うように、出力領域３００の延伸方向に沿う方向（第１方向Ｘ）に配置されている。
【０１７５】
具体的には、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向と直交する第２方向Ｙにおいて、第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０と一体一で対向している。これと同様に、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向と直交する第２方向Ｙにおいて、第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０と一体一で対向し、第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向と直交する第２方向Ｙにおいて、第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０と一体一で対向している。
【０１７６】
〈平滑容量部とキャパシタ〉
また、実施形態３によるスイッチング電源装置１０では、実施形態１と同様に、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３が設けられている。平滑容量部１３は、複数のキャパシタ１３０によって構成されている。
【０１７７】
実施形態３では、実施形態１と同様に、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応している。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。別の言い方をすれば、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０は、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように配置されている。
【０１７８】
この例では、複数のハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、複数のハイサイドトランジスタ１１０の配列方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において複数のハイサイドトランジスタ１１０と隣り合っている。複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する複数のキャパシタ１３０は、複数のローサイドトランジスタ１２０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、複数のローサイドトランジスタ１２０の配列方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において複数のローサイドトランジスタ１２０と隣り合っている。そして、この例では、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１１では下側から上側）へ向けてハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０とが順に並んでいる。
【０１７９】
具体的には、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、第１電源領域４０１と第１接地領域５０１とに面実装されている。なお、第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０および第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０の構成は、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０の構成と同様となっている。
【０１８０】
また、第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の配列方向（第１出力領域３０１の延伸方向）に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０の近傍にそれぞれ設けられている。そして、これらの４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０は、第２電源領域４０２と第２接地領域５０２とに面実装されている。なお、第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０および第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０の構成は、第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する４つのキャパシタ１３０の構成と同様となっている。
【０１８１】
〈接続部材〉
実施形態３では、実施形態１と同様に、電源パターン４０および接地パターン５０のうち少なくとも一方のパターンは、接続部材２００により電気的に接続される複数の配線領域（導電層２２に形成される配線パターンの一部）を有している。この例では、接地パターン５０は、第１および第２接地接続部材５５，５６（接続部材２００）により電気的に接続される第１接地領域５０１と第１および第２接地延出領域５３１，５３２を有している。なお、図１１では、第１および第２接地接続部材５５，５６を二点鎖線で図示している。
【０１８２】
第１接地接続部材５５は、第１接地領域５０１と第１接地延出領域５３１とを電気的に接続している。第２接地接続部材５６は、第１接地領域５０１と第２接地延出領域５３２とを電気的に接続している。
【０１８３】
また、実施形態３では、実施形態１と同様に、接続部材２００は、板状に形成された導体（バスバー）により構成されている。具体的には、接続部材２００は、板状に形成されて導電層２２と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から導電層２２の複数の配線領域のいずれか１つへ向けて延伸する延出部２０２とを有している。例えば、第１接地接続部材５５は、第１電源領域４０１と間隔をおいて対向する本体部２０１と、本体部２０１から接地パターン５０の２つの配線領域（第１接地領域５０１と第１接地延出領域５３１）へ向けてそれぞれ延出する２つの延出部２０２とを有している。
【０１８４】
また、実施形態３では、実施形態１と同様に、接続部材２００は、導電層２２の複数の配線領域に半田により接合されている。例えば、第１接地接続部材５５の２つの延出部２０２は、接地パターン５０の２つの配線領域（第１接地領域５０１と第１接地延出領域５３１）に半田によりそれぞれ接合されている。
【０１８５】
なお、実施形態３では、実施形態１と同様に、接続部材２００を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料と同種となっている。そして、この例では、接続部材２００のうち複数の配線領域と半田により接合される部分には、半田による接合を可能とするためのめっき処理が施されている。例えば、第１接地接続部材５５と放熱層２３とがアルミニウムにより構成され、第１接地接続部材５５のうち接地パターン５０の２つの配線領域（第１接地領域５０１と第１接地延出領域５３１）と半田により接合される２つの延出部には、ニッケル（半田による接合を可能とするための材料）がめっきされている。
【０１８６】
〔実施形態３による効果〕
実施形態３によるスイッチング電源装置１０では、実施形態１によるスイッチング電源装置１０により得られる効果と同様の効果を得ることができる。例えば、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【０１８７】
（実施形態３の変形例１）
図１２は、実施形態３の変形例１によるスイッチング電源装置１０の構成を例示している。実施形態３の変形例１によるスイッチング電源装置１０は、出力パターン３０と電源パターン４０と接地パターン５０と接続部材２００の構成とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とキャパシタ１３０の配置が実施形態３によるスイッチング電源装置１０と異なっている。
【０１８８】
〈出力パターン〉
実施形態３の変形例１では、出力パターン３０は、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第１〜第３出力領域３０１〜３０３と、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第４〜第６出力領域３０４〜３０６とを有している。第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、第１方向Ｘに沿うように延伸するようにそれぞれ形成され、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。これと同様に、第４〜第６出力領域３０４〜３０６は、第１方向Ｘに沿うように延伸するようにそれぞれ形成され、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。また、第４〜第６出力領域３０４〜３０６は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙにおいて第１〜第３出力領域３０１〜３０３と間隔をおいてそれぞれ対向するように配置されている。
【０１８９】
また、第１出力領域３０１および第４出力領域３０４には、第１出力接続部材８１が電気的に接続され、第２出力領域３０２および第５出力領域３０５には、第２出力接続部材８２が電気的に接続され、第３出力領域３０３および第６出力領域３０６には、第３出力接続部材８３が電気的に接続されている。なお、図１２では、第１〜第３出力接続部材８１〜８３を二点鎖線で図示している。
【０１９０】
〈電源パターン〉
また、実施形態３の変形例１では、電源パターン４０は、第１電源領域４０１と、第２電源領域４０２と、電源連絡領域４１０と、第１電源接続領域４３１と、第２電源接続領域４３２と、第３電源接続領域４３３とを有している。
【０１９１】
《電源領域》
第１電源領域４０１と第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第１電源領域４０１は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３と所定の間隔を隔てて対向している。第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において後述する第１接地領域５０１を間に挟んで第１電源領域４０１と対向するように配置されている。
【０１９２】
《電源連絡領域》
電源連絡領域４１０は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に延伸するように形成され、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３を間に挟んで第１電源領域４０１と対向するように配置されている。この例では、電源連絡領域４１０は、基板２０の短手方向の縁部（図１２では下縁部）に配置されている。また、電源連絡領域４１０は、直流電源Ｐの一端（正極）に電気的に接続されている。
【０１９３】
《電源接続領域》
第１電源接続領域４３１および第２電源接続領域４３２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）に延伸するように形成されている。第１電源接続領域４３１は、第１出力領域３０１と第２出力領域３０２との間に配置され、第２電源接続領域４３２は、第２出力領域３０２と第３出力領域３０３との間に配置されている。そして、第１電源接続領域４３１および第２電源接続領域４３２は、第１電源領域４０１と電源連絡領域４１０とを接続している。
【０１９４】
第３電源接続領域４３３は、第２方向Ｙに延伸するように形成され、第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とを接続している。この例では、第３電源接続領域４３３は、基板２０の長手方向の縁部（図１２では右縁部）に配置されている。
【０１９５】
〈接地パターン〉
また、実施形態３の変形例１では、接地パターン５０は、第１接地領域５０１と、第２接地領域５０２と、接地連絡領域５１０と、第１接地接続領域５１１と、第２接地接続領域５１２とを有している。
【０１９６】
《接地領域》
第１接地領域５０１と第２接地領域５０２は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第２接地領域５０２は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第４〜第６出力領域３０４〜３０６と所定の間隔を隔てて対向している。第１接地領域５０１は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第２電源領域４０２を間に挟んで第２接地領域５０２と対向するように配置されている。
【０１９７】
《接地連絡領域》
接地連絡領域５１０は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向（第１方向Ｘ）に延伸するように形成され、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第４〜第６出力領域３０４〜３０６を間に挟んで第２接地領域５０２と対向するように配置されている。この例では、接地連絡領域５１０は、基板２０の短手方向の縁部（図１２では上縁部）に配置されている。また、接地連絡領域５１０は、直流電源Ｐの他端（負極）に電気的に接続されている。
【０１９８】
《接地接続領域》
第１接地接続領域５１１と第２接地接続領域５１２は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）に延伸するように形成されている。第１接地接続領域５１１は、第４出力領域３０４と第５出力領域３０５との間に配置され、第２接地接続領域５１２は、第５出力領域３０５と第６出力領域３０６との間に配置されている。そして、第１接地接続領域５１１および第２接地接続領域５１２は、第２接地領域５０２と接地連絡領域５１０とを接続している。
【０１９９】
〈電源領域と接地領域の配置〉
実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、複数の電源領域４００と複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において電源領域４００と接地領域５００とが所定の間隔を隔てて対向するように配置されている。
【０２００】
具体的には、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１２の例では下側から上側）へ向けて電源連絡領域４１０と第１〜第３出力領域３０１〜３０３と第１電源領域４０１と第１接地領域５０１と第２電源領域４０２と第２接地領域５０２と第４〜第６出力領域３０４〜３０６と接地連絡領域５１０とが順に並んでいる。そして、第１電源領域４０１は、第１接地領域５０１と所定の間隔を隔てて対向し、第２電源領域４０２は、第２接地領域５０２と所定の間隔を隔てて対向している。
【０２０１】
〈ハイサイドスイッチング素子とハイサイドトランジスタ〉
また、実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗが設けられ、第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗの各々が４つのハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。
【０２０２】
そして、実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第１出力領域３０１に接続されている。第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第２出力領域３０２に接続されている。第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第３出力領域３０３に接続されている。
【０２０３】
〈ローサイドスイッチング素子とローサイドトランジスタ〉
また、実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗが設けられ、第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗの各々が４つのローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。
【０２０４】
なお、実施形態３の変形例１では、第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第４出力領域３０４の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第４出力領域３０４に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第５出力領域３０５の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第５出力領域３０５に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第６出力領域３０６の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第６出力領域３０６に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。
【０２０５】
〈ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタの配置〉
実施形態３の変形例１では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０および１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）においてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが後述するキャパシタ１３０を間に挟んで一対一で隣り合うように、出力領域３００の延伸方向に沿う方向（第１方向Ｘ）に配置されている。
【０２０６】
〈平滑容量部とキャパシタ〉
また、実施形態３の変形例１によるスイッチング電源装置１０では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３が設けられている。平滑容量部１３は、複数のキャパシタ１３０によって構成されている。
【０２０７】
実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応している。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。別の言い方をすれば、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０は、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように配置されている。
【０２０８】
この例では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）と直交する方向（第２方向Ｙ）において、１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応する複数のキャパシタ１３０と一対一で隣り合っている。すなわち、この例では、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１２では下側から上側）へ向けてハイサイドトランジスタ１１０とハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０とローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０とローサイドトランジスタ１２０とが順に並んでいる。
【０２０９】
〈接続部材〉
実施形態３の変形例１では、実施形態３と同様に、接地パターン５０は、第１および第２接地接続部材５５，５６（接続部材２００）により電気的に接続される第１および第２接地領域５０１，５０２を有している。なお、図１２では、第１および第２接地接続部材５５，５６を二点鎖線で図示している。第１および第２接地接続部材５５，５６は、第１接地領域５０１と第２接地領域５０２とを電気的に接続している。
【０２１０】
〔実施形態３の変形例１による効果〕
実施形態３の変形例１によるスイッチング電源装置１０では、実施形態３によるスイッチング電源装置１０により得られる効果と同様の効果を得ることができる。例えば、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【０２１１】
（実施形態３の変形例２）
図１３は、実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０の構成を例示している。実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０は、出力パターン３０と電源パターン４０と接地パターン５０と接続部材２００の構成とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とキャパシタ１３０の配置が実施形態３によるスイッチング電源装置１０と異なっている。
【０２１２】
〈出力パターン〉
実施形態３の変形例２では、出力パターン３０は、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第１〜第３出力領域３０１〜３０３と、第１〜第３スイッチング部ＳＷｕ〜ＳＷｗにそれぞれ対応する第４〜第６出力領域３０４〜３０６とを有している。第１〜第３出力領域３０１〜３０３は、第１方向Ｘに沿うように延伸するようにそれぞれ形成され、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。これと同様に、第４〜第６出力領域３０４〜３０６は、第１方向Ｘに沿うように延伸するようにそれぞれ形成され、第１方向Ｘに間隔をおいて配置されている。また、第４〜第６出力領域３０４〜３０６は、第１方向Ｘと直交する第２方向Ｙにおいて第１〜第３出力領域３０１〜３０３と間隔をおいてそれぞれ対向するように配置されている。
【０２１３】
また、第１出力領域３０１および第４出力領域３０４には、第１出力接続部材８１が電気的に接続され、第２出力領域３０２および第５出力領域３０５には、第２出力接続部材８２が電気的に接続され、第３出力領域３０３および第６出力領域３０６には、第３出力接続部材８３が電気的に接続されている。なお、図１３では、第１〜第３出力接続部材８１〜８３を二点鎖線で図示している。
【０２１４】
〈電源パターン〉
また、実施形態３の変形例２では、電源パターン４０は、第１電源領域４０１と、第２電源領域４０２と、電源接続領域４３０とを有している。
【０２１５】
《電源領域》
第１電源領域４０１と第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第１電源領域４０１は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３と所定の間隔を隔てて対向している。第２電源領域４０２は、第１〜第３出力領域３０１〜３０３の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１〜第３出力領域３０１〜３０３を間に挟んで第１電源領域４０１と対向するように配置されている。また、第１電源領域４０１は、直流電源Ｐの一端（正極）に電気的に接続されている。
【０２１６】
《電源接続領域》
電源接続領域４３０は、第２方向Ｙに延伸するように形成され、第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とを接続している。この例では、電源接続領域４３０は、基板２０の長手方向の縁部（図１３では右縁部）に配置されている。
【０２１７】
〈接地パターン〉
また、実施形態３の変形例２では、接地パターン５０は、第１接地領域５０１と、第２接地領域５０２とを有している。
【０２１８】
《接地領域》
第１接地領域５０１と第２接地領域５０２は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向（第１方向Ｘ）に沿うようにそれぞれ延伸している。第２接地領域５０２は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第４〜第６出力領域３０４〜３０６と所定の間隔を隔てて対向している。第１接地領域５０１は、第４〜第６出力領域３０４〜３０６の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）において第１電源領域４０１と第１〜第３出力領域３０１〜３０３と第２電源領域４０２を間に挟んで第２接地領域５０２と対向するように配置されている。
【０２１９】
〈電源領域と接地領域の配置〉
実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、複数の電源領域４００と複数の接地領域５００は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向において電源領域４００と接地領域５００とが所定の間隔を隔てて対向するように配置されている。
【０２２０】
具体的には、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１３の例では下側から上側）へ向けて第１接地領域５０１と第１電源領域４０１と第１〜第３出力領域３０１〜３０３と第２電源領域４０２と第２接地領域５０２と第４〜第６出力領域３０４〜３０６とが順に並んでいる。そして、第１電源領域４０１は、第１接地領域５０１と所定の間隔を隔てて対向し、第２電源領域４０２は、第２接地領域５０２と所定の間隔を隔てて対向している。
【０２２１】
〈ハイサイドスイッチング素子とハイサイドトランジスタ〉
また、実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗが設けられ、第１〜第３ハイサイドスイッチング素子１１ｕ〜１１ｗの各々が４つのハイサイドトランジスタ１１０によって構成されている。
【０２２２】
そして、実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、第１ハイサイドスイッチング素子１１ｕを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第１出力領域３０１の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第１出力領域３０１に接続されている。第２ハイサイドスイッチング素子１１ｖを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第２出力領域３０２の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第２出力領域３０２に接続されている。第３ハイサイドスイッチング素子１１ｗを構成する４つのハイサイドトランジスタ１１０は、第３出力領域３０３の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第１電源領域４０１に面実装されて第３出力領域３０３に接続されている。
【０２２３】
〈ローサイドスイッチング素子とローサイドトランジスタ〉
また、実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗが設けられ、第１〜第３ローサイドスイッチング素子１２ｕ〜１２ｗの各々が４つのローサイドトランジスタ１２０によって構成されている。
【０２２４】
なお、実施形態３の変形例２では、第１ローサイドスイッチング素子１２ｕを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第４出力領域３０４の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第４出力領域３０４に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第２ローサイドスイッチング素子１２ｖを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第５出力領域３０５の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第５出力領域３０５に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。第３ローサイドスイッチング素子１２ｗを構成する４つのローサイドトランジスタ１２０は、第６出力領域３０６の延伸方向に沿う第１方向Ｘに間隔をおいて配置され、第６出力領域３０６に面実装されて第２接地領域５０２に接続されている。
【０２２５】
〈ハイサイドトランジスタとローサイドトランジスタの配置〉
実施形態３の変形例２では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０および１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０は、出力領域３００の延伸方向と直交する方向（第２方向Ｙ）においてハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０とが後述するキャパシタ１３０を間に挟んで一対一で隣り合うように、出力領域３００の延伸方向に沿う方向（第１方向Ｘ）に配置されている。
【０２２６】
〈平滑容量部とキャパシタ〉
また、実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０では、実施形態３と同様に、基板２０の導電層２２に平滑容量部１３が設けられている。平滑容量部１３は、複数のキャパシタ１３０によって構成されている。
【０２２７】
実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０にそれぞれ対応している。そして、複数のキャパシタ１３０の各々は、複数のハイサイドトランジスタ１１０および複数のローサイドトランジスタ１２０のうちそのキャパシタ１３０に対応するトランジスタと隣り合うように配置されている。別の言い方をすれば、複数のハイサイドトランジスタ１１０と複数のローサイドトランジスタ１２０と複数のキャパシタ１３０は、ハイサイドトランジスタ１１０とそのハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０との組とローサイドトランジスタ１２０とそのローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０との組とが互いに隣り合うように配置されている。
【０２２８】
この例では、１つのハイサイドスイッチング素子１１を構成する複数のハイサイドトランジスタ１１０にそれぞれ対応する複数のキャパシタ１３０は、複数のハイサイドトランジスタ１１０の配列方向（出力領域３００の延伸方向）と直交する方向（第２方向Ｙ）において、１つのローサイドスイッチング素子１２を構成する複数のローサイドトランジスタ１２０と一対一で隣り合っている。すなわち、この例では、基板２０の短手方向の一端側から他端側（図１３では下側から上側）へ向けてハイサイドトランジスタ１１０に対応するキャパシタ１３０とハイサイドトランジスタ１１０とローサイドトランジスタ１２０に対応するキャパシタ１３０とローサイドトランジスタ１２０とが順に並んでいる。
【０２２９】
〈接続部材〉
実施形態３の変形例２では、実施形態３と同様に、接地パターン５０は、第１および第２接地接続部材５５，５６（接続部材２００）により電気的に接続される第１および第２接地領域５０１，５０２を有している。なお、図１３では、第１および第２接地接続部材５５，５６を二点鎖線で図示している。第１および第２接地接続部材５５，５６は、第１接地領域５０１と第２接地領域５０２とを電気的に接続している。
【０２３０】
〔実施形態３の変形例２による効果〕
実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０では、実施形態３によるスイッチング電源装置１０により得られる効果と同様の効果を得ることができる。例えば、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【０２３１】
（実施形態３の変形例３）
図１４は、実施形態３の変形例３によるスイッチング電源装置１０の構成を例示している。実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０は、電源パターン４０の構成が実施形態３によるスイッチング電源装置１０と異なっている。
【０２３２】
〈電源パターン〉
実施形態３の変形例３では、電源パターン４０は、図１１に示した電源接続領域４３０に代えて、第１電源接続領域４３１と第２電源接続領域４３２とを有している。
【０２３３】
《電源接続領域》
第１電源接続領域４３１と第２電源接続領域４３２は、第２方向Ｙに延伸するように形成され、第１電源領域４０１と第２電源領域４０２とを接続している。この例では、第１電源接続領域４３１は、基板２０の長手方向の一方の縁部（図１４では右縁部）に配置され、第２電源接続領域４３２は、基板２０の長手方向の他方の縁部（図１４では左縁部）に配置されている。この例では、第１電源領域４０１と第２電源領域４０２と第１電源接続領域４３１と第２電源接続領域４３２とが接続されることで、途切れのない環状経路が形成されている。すなわち、この例では、電源パターン４０は、途切れのない環状経路を有している。
【０２３４】
〔実施形態３の変形例３による効果〕
実施形態３の変形例３によるスイッチング電源装置１０では、実施形態３によるスイッチング電源装置１０により得られる効果と同様の効果を得ることができる。例えば、ハイサイドスイッチング素子１１およびローサイドスイッチング素子１２における熱の集中を緩和することができる。
【０２３５】
また、実施形態３の変形例３によるスイッチング電源装置１０では、電源パターン４０が途切れのない環状経路を有している。このような構成により、電源パターン４０に設けられた部品（例えばハイサイドトランジスタ１１０やキャパシタ１３０など）の間における電流経路（最短の電流経路）の選択自由度を向上させることができる。これにより、これらの部品間の電流経路を短縮することができるので、これらの部品間の電流経路の寄生インダクタンスを低減することができる。したがって、スイッチング電源装置１０を構成する部品に印加されるサージ電圧（例えばスイッチング素子のスイッチング動作に起因するサージ電圧）を低減することができる。
【０２３６】
なお、実施形態３の変形例２によるスイッチング電源装置１０において、接地パターン５０が途切れのない環状経路を有していてもよい。すなわち、電源パターン４０および接地パターン５０のうち少なくとも一方のパターンが途切れのない環状経路を有していてもよい。
【０２３７】
（その他の実施形態）
また、以上の説明では、接続部材２００がバスバー（板状に形成された導体）によって構成されている場合を例に挙げたが、これに限らず、接続部材２００は、例えば、金属導線によって構成されていてもよい。
【０２３８】
また、以上の説明では、接続部材２００を構成する材料が放熱層２３を構成する材料と同種となっている場合を例に挙げたが、接続部材２００を構成する材料は、放熱層２３を構成する材料とは異なる種類の材料であってもよい。
【０２３９】
また、以上の説明では、平滑容量部１３を構成するキャパシタ１３０の個数が基板２０に実装されたハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０の総数と同数である場合を例に挙げたが、これに限らず、平滑容量部１３を構成するキャパシタ１３０の個数は、基板２０に実装されたハイサイドトランジスタ１１０およびローサイドトランジスタ１２０の総数と異なる数であってもよい。
【０２４０】
また、以上の実施形態および変形例を適宜組み合わせて実施してもよい。以上の実施形態および変形例は、本質的に好ましい例示であって、この発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【産業上の利用可能性】
【０２４１】
以上説明したように、この開示は、スイッチング電源装置として有用である。
【符号の説明】
【０２４２】
１０              スイッチング電源装置
１１              ハイサイドスイッチング素子
１２              ローサイドスイッチング素子
１１０            ハイサイドトランジスタ
１２０            ローサイドトランジスタ
１３０            キャパシタ
１３              平滑容量部
２０              基板
２１              絶縁層
２２              導電層
２３              放熱層
２４              放熱部材
２５              固定ネジ
２６              半田部
２７              ナット
２８              ボルト
２００            接続部材
２０１            本体部
２０２            延出部
３０              出力パターン
３０１〜３０６    出力領域
４０              電源パターン
４０１〜４０６    電源領域
４１〜４３        電源接続部材
５０              接地パターン
５０１〜５０９    接地領域
５１              接地接続部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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