(57)【要約】【課題】ドーパントのみの抵抗率を正確に求める。【解決手段】シリコンウェーハＷが有する酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求めるステップと、縦型ボート１に収容された製造対象のシリコンウェーハＷに対し、縦型熱処理炉２で熱処理することによりサーマルドナーを消去するドナーキラー処理を施し、前記縦型ボートを前記縦型熱処理炉より前記所定速度で炉出しした後、シリコンウェーハの抵抗率と酸素濃度とを測定するステップと、前記測定したシリコンウェーハの抵抗率から、ドーパントとサーマルドナーとを含むキャリア濃度を求めるステップと、前記測定したシリコンウェーハの酸素濃度から、前記関係式により前記シリコンウェーハが有するサーマルドナー量を求めるステップと、前記求めたキャリア濃度から、前記求めたサーマルドナー量を差し引いたドーパント量を求めるステップと、前記求めたドーパント量を抵抗率に変換するステップと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の抵抗率と酸素濃度とを有するシリコンウェーハの抵抗率測定方法であって、
前記シリコンウェーハが有する酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求めるステップと、
縦型ボートに収容された製造対象のシリコンウェーハに対し、縦型熱処理炉で熱処理することによりサーマルドナーを消去するドナーキラー処理を施し、前記縦型ボートを前記縦型熱処理炉より前記所定速度で炉出しした後、シリコンウェーハの抵抗率と酸素濃度とを測定するステップと、
前記測定したシリコンウェーハの抵抗率から、ドーパントとサーマルドナーとを含むキャリア濃度を求めるステップと、
前記測定したシリコンウェーハの酸素濃度から、前記関係式により前記シリコンウェーハが有するサーマルドナー量を求めるステップと、
前記求めたキャリア濃度から、前記求めたサーマルドナー量を差し引いたドーパント量を求めるステップと、
前記求めたドーパント量を抵抗率に変換するステップと、
を備えることを特徴とするシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
【請求項２】
前記シリコンウェーハが有する酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求めるステップは、
前記縦型ボートに、夫々異なる酸素濃度水準を有する複数のシリコンウェーハを積載し、ドナーキラー処理を施した後、所定速度で炉出しされ、サーマルドナーの影響を受けた複数のシリコンウェーハの第一の抵抗率群を測定するステップと、
前記夫々異なる酸素濃度水準を有する複数のシリコンウェーハと同様の条件の複数のシリコンウェーハに対し、前記ドナーキラー処理と同じ最高温度と保持時間での熱処理を行った後、炉出し時に急冷し、サーマルドナーの影響を受けていないシリコンウェーハの第二の抵抗率群を測定するステップと、
酸素濃度水準ごとの前記第一の抵抗率と前記第二の抵抗率との差異に基づき、各酸素濃度水準に対する再生サーマルドナー量の前記関係式を求めるステップと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載されたシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
【請求項３】
前記縦型ボートに積載される前記シリコンウェーハは、ドナーキラー処理が施され、炉出しされた後の抵抗率が同一となる前記縦型ボートの上下方向に沿った積載範囲に積載されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
【請求項４】
前記ドナーキラー処理における最高温度は、少なくとも６５０℃であり、保持時間は、少なくとも３０ｍｉｎであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されたシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
【請求項５】
前記縦型熱処理炉からの炉出し速度は、少なくとも１００ｍｍ／ｍｉｎであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載されたシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
【請求項６】
前記関係式は、サーマルドナー量をＴＤとし、酸素濃度をＯｉとし、係数をＡ、指数をＢとすると、下記式（１）で表すことができることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載されたシリコンウェーハの抵抗率測定方法。
ＴＤ＝Ａ×［Ｏｉ］Ｂ  ・・・（１）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハの抵抗率測定方法に関し、例えば、大口径かつ高抵抗のシリコンウェーハの抵抗率を高精度に求めることのできるシリコンウェーハの抵抗率測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特に２００Ω・ｃｍ以上の高抵抗ウェーハの場合には、サーマルドナーの影響により抵抗率が大きく変化することが知られている。
そのため、従来からシリコンウェーハの抵抗率は、結晶育成時に４５０℃付近の熱履歴で形成されるサーマルドナーを、６５０℃以上の温度で熱処理することにより消去し（以下、ドナーキラー処理と呼ぶ）、残るドーパントのみの抵抗率を求めている。
【０００３】
例えば特許文献１には、枚様式の高速急冷熱処理（ＲＴＡ）炉を用いて６５０℃以上の熱処理を行い、サーマルドナーを消去後、３００℃まで急冷する方法が提案されている。
しかしながら、特許文献１に開示される高速急冷熱処理（ＲＴＡ）炉にあっては、枚葉処理であるために、作業効率が低下するという課題がある。
【０００４】
作業効率を低下させないために、従来行われている６５０℃以上の熱処理によるドナーキラー処理にあっては、例えば６インチ以下の小口径ウェーハの場合、横型炉で熱処理を行い、炉出し後に冷却装置に入れることで、冷却過程におけるサーマルドナーの再生を防いでいる。
【０００５】
しかしながら、例えば８インチ以上の大口径ウェーハにあっては、横型炉で熱処理した場合、ウェーハサイズが大きいため、熱処理時、若しくは冷却時に、熱応力によりウェーハが破損する虞があった。
そのため、大口径ウェーハにあっては、縦型ボートに複数枚のウェーハを積載し、縦型熱処理炉で熱処理することが一般に行われている。
【０００６】
しかしながら、ドナーキラーのための熱処理を行う縦型熱処理炉にあっては、炉出し時にボートエレベータによる昇降が必要であるため、ウェーハを急冷することができない。そのため、炉出し時に、４５０℃の熱履歴を受け、サーマルドナーが再生されるという課題があった。
【０００７】
前記課題に対し、特許文献２には、サーマルドナーの生成を抑える技術として、結晶育成時に炭素を高濃度ドープしてサーマルドナーの生成を阻害する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２４０６８９号公報
【特許文献２】特許第４９７０７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に開示されるように炭素をドープして、サーマルドナーの発生を抑制する方法を用いると、製品に炭素がドープされた状態で出荷されてしまい、客先にてプロセス熱処理を行った際、酸素析出核となり、ライフタイム低下などを引き起こすという課題があった。
【００１０】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、大口径ウェーハであっても、ウェーハを破損させることなくサーマルドナーの再生を抑制し、且つ作業効率を低下させることなくドーパントのみの抵抗率を正確に求めることのできるシリコンウェーハの抵抗率測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法は、所定の抵抗率と酸素濃度とを有するシリコンウェーハの抵抗率測定方法であって、前記シリコンウェーハが有する酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求めるステップと、縦型ボートに収容された製造対象のシリコンウェーハに対し、縦型熱処理炉で熱処理することによりサーマルドナーを消去するドナーキラー処理を施し、前記縦型ボートを前記縦型熱処理炉より前記所定速度で炉出しした後、シリコンウェーハの抵抗率と酸素濃度とを測定するステップと、前記測定したシリコンウェーハの抵抗率から、ドーパントとサーマルドナーとを含むキャリア濃度を求めるステップと、前記測定したシリコンウェーハの酸素濃度から、前記関係式により前記シリコンウェーハが有するサーマルドナー量を求めるステップと、前記求めたキャリア濃度から、前記求めたサーマルドナー量を差し引いたドーパント量を求めるステップと、前記求めたドーパント量を抵抗率に変換するステップと、を備えることに特徴を有する。
【００１２】
尚、前記シリコンウェーハが有する酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求めるステップは、前記縦型ボートに、夫々異なる酸素濃度水準を有する複数のシリコンウェーハを積載し、ドナーキラー処理を施した後、所定速度で炉出しされ、サーマルドナーの影響を受けた複数のシリコンウェーハの第一の抵抗率群を測定するステップと、前記夫々異なる酸素濃度水準を有する複数のシリコンウェーハと同様の条件の複数のシリコンウェーハに対し、前記ドナーキラー処理と同じ最高温度と保持時間での熱処理を行った後、炉出し時に急冷し、サーマルドナーの影響を受けていないシリコンウェーハの第二の抵抗率群を測定するステップと、酸素濃度水準ごとの前記第一の抵抗率と前記第二の抵抗率との差異に基づき、各酸素濃度水準に対する再生サーマルドナー量の前記関係式を求めるステップと、を備えることが望ましい。
また、前記縦型ボートに積載される前記シリコンウェーハは、ドナーキラー処理が施され、炉出しされた後の抵抗率が同一となる前記縦型ボートの上下方向に沿った積載範囲に積載されることが望ましい。
【００１３】
また、前記ドナーキラー処理における最高温度は、少なくとも６５０℃であり、保持時間は、少なくとも３０ｍｉｎであることが望ましい。
また、前記縦型熱処理炉からの炉出し速度は、少なくとも１００ｍｍ／ｍｉｎであることが望ましい。
また、前記関係式は、サーマルドナー量をＴＤとし、酸素濃度をＯｉとし、係数をＡ、指数をＢとすると、下記式（１）で表すことができる。
ＴＤ＝Ａ×［Ｏｉ］Ｂ  ・・・（１）
【００１４】
このような抵抗率測定方法によれば、縦型熱処理炉において一括してドナーキラー処理を行う際、炉出し時に４５０℃熱履歴を受け再生成されるサーマルドナーの影響を、予め求めた関係式に基づき補正して排除し、ドーパントによる抵抗率のみを求めることができる。
即ち、大口径のシリコンウェーハであっても、生産性の高い（作業効率のよい）縦型熱処理炉において熱処理後、ドーパントのみの抵抗率を正確に評価することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、大口径ウェーハであっても、ウェーハを破損させることなくサーマルドナーの再生を抑制し、且つ作業効率を低下させることなくドーパントのみの抵抗率を正確に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法における準備工程を示すフローである。
【図２】図２は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法に用いる縦型熱処理炉を模式的に示す図である。
【図３】図３は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法における運用工程を示すフローである。
【図４】図４は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法の実施例結果を示すグラフである。
【図５】図５は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法の他の実施例結果を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法において、ウェーハが有する各酸素濃度に対する再生サーマルドナー量の関係式（一般式）を示すグラフである。
【図７】図７は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法の実施例結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法について説明する。
本発明のシリコンウェーハの抵抗率測定方法にあっては、枚葉処理ではなく、多数枚のシリコンウェーハを一度に収容し、一括に熱処理することのできる縦型熱処理炉を用いる。そして、所定の温度に加熱してサーマルドナーを消去するドナーキラー熱処理を行い、再生サーマルドナー量を考慮して、ドーパントのみの抵抗率を求める方法である。
【００１８】
本発明にあっては、運用工程の前の準備段階として、各ウェーハの再生サーマルドナー量を導くための関係式を得るために、予め準備工程を実施する。
図１は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法における準備工程の流れを示すフローである。図２は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法に用いる縦型熱処理炉を模式的に示す図である。
【００１９】
先ず、図２に示す縦型ボート１（例えば１２０の積載用溝を有する）に、略等間隔を空けて２０枚のウェーハＷ（例えば直径φ２００ｍｍ）を積載する（図１のステップＳ１）。これらのウェーハＷはドーパント濃度及び酸素濃度が等しいものを用いる。尚、縦型ボート１には、ダミーウェーハＤＷを製造対象のシリコンウェーハに隣接させて上下に５枚以上積載する。
【００２０】
次いで、図示するように縦型ボート１を縦型熱処理炉２に収容し、炉内をＮ２雰囲気下、加熱温度６５０℃として３０ｍｉｎ間、加熱処理を行い、ドナーキラー処理を行う（図１のステップＳ２）。
そして、炉出し速度１００ｍｍ／ｍｉｎ（ボートエレベータの移動速度）でウェーハＷを取り出し、各ウェーハＷについて抵抗率を測定する（図１のステップＳ３）。尚、この抵抗率の測定には、４本の針状の電極を用いる所謂、４探針法により行う。
その結果により、縦型ボート１の上下方向のどの範囲で、抵抗率が略一定になるのかを確認する（図１のステップＳ４）。尚、本実施の形態においては、前記範囲を抵抗率安定溝範囲と呼ぶ。
【００２１】
次に複数の異なる酸素濃度水準を有する複数のウェーハＷを前記縦型ボート１の抵抗率安定溝範囲に積載し（図１のステップＳ５）、縦型熱処理炉２に収容後、Ｎ２雰囲気下、加熱温度６５０℃で３０ｍｉｎの加熱処理を行い、ドナーキラー処理を行う（図１のステップＳ６）。そして、炉出し速度１００ｍｍ／ｍｉｎで取り出し、各ウェーハＷについて抵抗率（第１の抵抗率群）と酸素濃度の測定を行う（図１のステップＳ７）。尚、酸素濃度の測定には、赤外線吸収法（ＦＴＩＲ法）を用いる。即ち、この第１の抵抗率群は、ドーパントとサーマルドナーの影響を受けた抵抗率となる。
【００２２】
続いて、ステップＳ５、Ｓ６で用いた条件と同様の条件を有する複数のウェーハＷを用い、枚様式の急速昇降温熱処理炉（ＲＴＰ）によりＮ２の雰囲気下、６５０℃以上の熱処理を３０ｍｉｎ行い、３００℃まで５０℃／ｓ以上の速度で冷却する。このドナーキラー処理により得られたウェーハＷは、再生サーマルドナーの発生が抑制され、抵抗率に対してその影響が無いものである。そして、各ウェーハＷについて、抵抗率（第２の抵抗率群）と酸素濃度の測定を行う（図１のステップＳ８）。即ち、この第２の抵抗率群は、サーマルドナーの影響を受けることなく、ドーパントのみの影響を受けた抵抗率となる。
【００２３】
次いで、ステップＳ７で測定した抵抗率と、ステップＳ８で測定した抵抗率との差異に基づき、各酸素濃度に対する再生サーマルドナー量の関係式（１）を作成する（図１のステップＳ９）。
具体的には、前記ステップＳ７で測定した抵抗率と前記ステップＳ８で測定した抵抗率との差分から再生サーマルドナー量を求める作業を複数の酸素濃度水準のウェーハＷに対して行い、その結果をグラフ化する。即ち、例えば図６に示すように縦軸にサーマルドナーの値の対数をとり、横軸に酸素濃度をとり、近似曲線（一般式）を求める。その結果、得られる式が関係式（１）の形となる。
式（１）において、再生サーマルドナー量をＴＤとし、酸素濃度をＯｉとし、係数をＡ、指数をＢとする。
ＴＤ＝Ａ×［Ｏｉ］Ｂ・・・（１）
【００２４】
尚、抵抗率とサーマルドナー量との関係は、アービンカーブ（キャリア濃度（ドーパント濃度とサーマルドナー濃度）と抵抗率との一般的な関係）を用いて相互の値を推定することができる（ドーパント１個とサーマルドナー１個の抵抗率に与える影響度は等価）。
即ち、ＳＥＭＩ規格（ＳＥＭＩ−ＭＦ７２３）により標準化された下記式（２）、（３）を用いればよい。
式（２）は、アクセプターの濃度と抵抗率との関係、式（３）は、ドナーの濃度と抵抗率との関係を示す。また、式（２）において、ＮＡはボロン濃度、ρは抵抗率を示し、式（３）において、ＮＤはリン濃度、ρは抵抗率を示す。
【００２５】
ＮＡ＝1.330×1016／ρ＋1.082×1017／ρ［1＋（54.56ρ）1.105］・・・（２）
ＮＤ＝6.242×1018×10Z／ρ  ・・・（３）
尚、
Ｚ＝（A0+A1X+A2X2+A3X3）/(1+B1X+B2X2+B3X3)
X=log10ρ,
A0=-3.1083,A1=-3.2626,A2=-1.2196,A3=-0.13923,B1=1.0265,B2=0.38755,B3=0.041833
【００２６】
このようにして再生サーマルドナー量を求めるための前記関係式（１）が得られた後、ドーパントのみの抵抗率を求めるための運用工程を実施することができる。
図３は、本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法における運用工程の流れを示すフローである。
【００２７】
運用工程では、製造する様々なドーパント濃度及び酸素濃度のウェーハＷを、前記縦型ボート１の抵抗率安定溝範囲に積載し、縦型熱処理炉にてＮ２雰囲気下、６５０℃以上で３０ｍｉｎ加熱し、ドナーキラー処理を行う（図３のステップＳＰ１）。
次いで、炉出し速度１００ｍｍ／ｍｉｎでウェーハＷを取り出す。このとき４５０℃の熱履歴があるため再生サーマルドナーが生じるが、各ウェーハＷについてサーマルドナーの影響を受けた抵抗率と酸素濃度とを測定する（図３のステップＳＰ２）。
【００２８】
そして、各ウェーハＷについて、ステップＳＰ２で測定した抵抗率からアービンカーブに基づきキャリア濃度を求める（図３のステップＳＰ３）。このキャリア濃度は、サーマルドナー量とドーパント量とを含む値である。
また、各ウェーハＷについて、ステップＳＰ２で測定した酸素濃度から関係式（１）を参照することにより、サーマルドナー量を求める（図３のステップＳＰ４）。
次いで、ステップＳＰ３で求めたキャリア濃度（量）から、ステップＳＰ４で求めたサーマルドナー量を差し引き、ドーパントのみの量を求める（図３のステップＳＰ５）。
【００２９】
尚、キャリア濃度、サーマルドナー量、ともに単位は（／ｃｍ３）であり、ドーパント濃度の単位は（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）であるが、サーマルドナーが無い場合、１個のドーパント原子が１個キャリアを放出する為、キャリア濃度＝ドーパント濃度となる。したがって、ｎタイプの場合、キャリア濃度＝ドーパント濃度＋サーマルドナー量となり、ｐタイプの場合、キャリア濃度＝ドーパント濃度―サーマルドナー量となる。
そして、求めたドーパント量を、アービンカーブにより抵抗率に変換する。即ち、ドーパントのみの抵抗率が求められる（図３のステップＳＰ６）。
【００３０】
以上のように、本実施の形態によれば、縦型熱処理炉において一括してドナーキラー処理を行う際、炉出し時に４５０℃熱履歴を受け再生成されるサーマルドナーの影響を、予め求めた関係式（１）に基づき補正して排除し、ドーパントによる抵抗率のみを求めることができる。
即ち、大口径のシリコンウェーハであっても、生産性の高い（作業効率のよい）縦型熱処理炉において熱処理後、ドーパントのみの抵抗率を正確に評価することができる。
【００３１】
尚、本発明にあっては、抵抗率を測定するウェーハの特性を特に制限するものではないが、抵抗率が２００Ω・ｃｍ以上の高抵抗になるほど、抵抗率変化に与えるサーマルドナーの影響が顕著になるため、本発明は効果的である。
【実施例】
【００３２】
本発明に係るシリコンウェーハの抵抗率測定方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に基づき以下の実験を行った。
【００３３】
（実験１）
実験１では、図１に示した準備工程のうち、抵抗率安定溝範囲を求めるまでの工程を行った。
具体的には、酸素濃度１．０Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（Ｏｌｄ ＡＳＴＭ換算値）のｎタイプの直径２００ｍｍウェーハを２０枚用意し、縦型ボードの上下方向に均等に積載した。
そして、縦型ボートを縦型熱処理炉内に収容し、Ｎ２雰囲気下、最高温度６５０℃で３０ｍｉｎ間、熱処理（ドナーキラー処理）を実施し、ボートエレベータ速度１００ｍｍ／ｍｉｎで炉出しを行った後、各ウェーハの抵抗率を測定した。また、熱処理から炉出しまでの間、縦型ボートの上部と中央部と下部のそれぞれの温度変化を観察した。
【００３４】
この実験の結果、サーマルドナーが発生する（再生する）とされる４５０℃の体験時間（通過時間）は、ボート下部が最も長く、ボート上部が最も短いことが分かった。また、ボート中央部は、４５０℃体験時間が一定となる範囲が存在することが分かった。
また、ボート上部から下部にかけて載置されたウェーハの熱処理後の抵抗率を図４のグラフに示す。図４において、縦軸は、抵抗率（Ω・ｃｍ）、横軸は、ボート溝位置である。
図４のグラフに示されるようにボート下部では抵抗率が低く、ボート上部では抵抗率が高めの結果であった。ボート中央部においては、抵抗率の変化が略一定となった。
これらの結果から、４５０℃体験時間がウェーハの抵抗率に影響を与えることが推測された。また、ボート中央部の範囲を、抵抗率安定溝範囲とすればよいことを確認した。
【００３５】
（実験２）
実験２では、図１に示した準備工程のうち、酸素濃度とサーマルドナー量との関係式を求める工程を実施した。
具体的には、前記実験１で求めた抵抗率安定溝範囲に、酸素濃度が異なる複数のｎ型シリコンウェーハＷを載置し、縦型ボートを縦型熱処理炉内に収容し、Ｎ２雰囲気下、最高温度６５０℃で３０ｍｉｎ間、熱処理（ドナーキラー処理）を実施し、各ウェーハの酸素濃度と抵抗率（第１の抵抗率群）を測定した。図７の表に、各ウェーハの酸素濃度と、抵抗率をドーパント量に変換した値（縦型炉）を示す。
【００３６】
また、同条件の複数のシリコンウェーハＷを用い、枚様式の急速昇降温熱処理炉（ＲＴＰ）によりＮ２の雰囲気下、６５０℃以上の熱処理を３０ｍｉｎ行い、３００℃まで５０℃／ｓ以上の速度で冷却した。そして、各ウェーハについて酸素濃度と抵抗率（第２の抵抗率群）とを測定した。図７の表に、各ウェーハの酸素濃度と、抵抗率をドーパント量に変換した値（ＲＴＰ）を示す。
【００３７】
そして、各酸素濃度水準について、第１の抵抗率群と第２の抵抗率群との差異（ドーパント量の差異：図７の表における推定値）から、酸素濃度とサーマルドナー量との関係を求めた。その結果を図５のグラフに示す。図５において、縦軸はサーマルドナー量（個／ｃｍ３）、横軸は酸素濃度（Ｅ１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）である。
このグラフに示される曲線から、関係式（４）が得られた。尚、式（４）において、サーマルドナー量をＴＤ、酸素濃度をＯｉとする。
ＴＤ＝２．３３Ｅ１１×［Ｏｉ］７．３７５・・・（４）
【００３８】
（実験３）
実験３では、第１の縦型熱処理炉の縦型ボートにおいて、前記抵抗率安定溝範囲にｐ型のシリコンウェーハとｎ型のシリコンウェーハとを混在させて載置し、６５０℃以上の熱処理を３０ｍｉｎ行い、ボートエレベータ速度（炉出し速度）１００ｍｍ／ｍｉｎで熱処理を行った。
炉出し後、各ウェーハについて酸素濃度に対するサーマルドナー量を図５のグラフにプロットした。図５において、Ｐ型のウェーハを×で示し、ｎ型のウェーハを△で示す。
【００３９】
また、第２の縦型熱処理炉の縦型ボートにおいて、前記抵抗率安定溝範囲にｐ型のシリコンウェーハとｎ型のシリコンウェーハとを載置し、６５０℃以上の熱処理を３０ｍｉｎ行い、ボートエレベータ速度（炉出し速度）１００ｍｍ／ｍｉｎで熱処理を行った。
炉出し後、各ウェーハについて酸素濃度に対するサーマルドナー量を図５のグラフにプロットした。図５において、Ｐ型のウェーハを◇で示し、ｎ型のウェーハを□で示す。
これらの実験の結果、全て前記式（４）の曲線に沿った位置にプロットされた。従って、同じ条件で熱処理を行った場合、ｎ型、ｐ型に関係なく、実験２で求めた同じ関係式を適用することができると確認した。
【符号の説明】
【００４０】
１      縦型ボート
２      縦型熱処理炉
Ｗ      シリコンウェーハ
【図１】
2019029387.tif 000003
【図２】
2019029387.tif 000004
【図３】
2019029387.tif 000005
【図４】
2019029387.tif 000006
【図５】
2019029387.tif 000007
【図６】
2019029387.tif 000008
【図７】
2019029387.tif 000009