(57)【要約】【課題】金型および封止体に対する剥離性に優れるとともに、金型で挟んだ際にシワの発生が生じ難く、さらには、低分子量成分による金型の汚染が抑制された剥離フィルムを提供する。【解決手段】モールド封止により半導体パッケージ７０を製造する際に使用される剥離フィルム１０であって、剥離フィルム１０が基材１と剥離剤層２と樹脂層３とを備え、剥離フィルム１０の寸法変化率が長さ方向および幅方向ともに２．５％未満であり、基材１の引張弾性率が１５０ＭＰａ以上３５０ＭＰａ以下であり、剥離剤層２が多官能アミノ化合物と剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されており、樹脂層３がエポキシ化合物とポリエステル樹脂と多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されており、剥離フィルム１０の樹脂層３側面の算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である剥離フィルム１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用される剥離フィルムであって、
前記剥離フィルムが、基材と、前記基材の一方の面側に設けられた剥離剤層と、前記基材の他方の面側に設けられた樹脂層とを備え、
前記剥離フィルムの１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で２．５％未満であり、幅方向で２．５％未満であり、
前記基材の２３℃における引張弾性率が、１５０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、
前記剥離剤層が、多官能アミノ化合物と、剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されており、
前記樹脂層が、エポキシ化合物と、ポリエステル樹脂と、多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されており、
前記剥離フィルムにおける前記樹脂層側の面における算術平均粗さＲａが、１００ｎｍ以上、１２００ｎｍ以下である
ことを特徴とする剥離フィルム。
【請求項２】
前記基材を構成する樹脂は、ポリエステル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびアクリル樹脂から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載の剥離フィルム。
【請求項３】
前記基材は、粒子を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の剥離フィルム。
【請求項４】
前記剥離剤組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項５】
前記剥離成分は、１分子中に少なくとも１個の水酸基を有するポリオルガノシロキサンであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項６】
前記剥離成分は、温度２３℃の環境下において液体であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項７】
前記エポキシ化合物は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項８】
前記樹脂層形成用組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項９】
前記ポリエステル樹脂は、活性水酸基を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【請求項１０】
半導体基板における半導体チップがマウントされた面とは反対側の面と、金型との間に配置されて使用されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の剥離フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用される剥離フィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、通常、封止樹脂等の封止材により封止し、半導体パッケージとされる。当該封止は、例えば、リードフレームやインターポーザなどの半導体基板に半導体チップをマウントし、それらを金型（モールド）にセットした後、金型の内部に封止樹脂を充填することで行われる（このような封止を、本明細書では「モールド封止」ということがある）。通常、半導体基板としては、マウント部分を複数備えるものが使用され、当該マウント部分の各々に半導体チップが１つずつマウントされた状態で封止が行われる。そのため、得られる封止体は、個々に封止された半導体チップが平面方向に複数並んだものとなる。このような封止体を適宜切り出すことで、複数の半導体パッケージが得られる。
【０００３】
上述のモールド封止を行う際には、得られた封止体と金型とを良好に剥離するために、剥離フィルムが用いられることがある。例えば、そのような剥離フィルムの例として、特許文献１には、含フッ素樹脂からなる剥離フィルムが開示されている。特許文献１には、当該剥離フィルムを、金型の凹凸に追従させて金型の表面に積層した後、封止樹脂を充填することが開示されている（段落００５１）。また、特許文献１には、当該剥離フィルムを構成する含フッ素樹脂として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）や、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）が好ましいことが開示されている（段落００２４）。
【０００４】
近年、半導体パッケージの小型化や多ピン化が求められており、高密度実装が可能なＣｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＣＳＰ）等の表面実装型の半導体パッケージが注目されている。また、ＣＳＰの中でも、特にＱｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ  Ｌｅａｄ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＱＦＮ）方式の半導体パッケージが多く製造されている。このような半導体パッケージは、通常、半導体基板に対し半導体チップがマウントされた片面側のみを樹脂で封止した状態で製造される。特許文献２〜４には、このような方式の半導体パッケージを製造するために使用される剥離フィルムが開示されている。
【０００５】
特に、特許文献２および特許文献３には、半導体基板における半導体チップがマウントされた面と、当該面に相対する金型との間に介在させて使用される剥離フィルムが開示されている（特許文献２の図１０、特許文献３の図３）。特許文献２の剥離フィルムは、４フッ化エチレンと６フッ化プロピレンとの共重合体（ＦＥＰ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなるフィルムである（段落００１０）。また、特許文献３の剥離フィルムは、延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる積層フィルムである（請求項１）。
【０００６】
一方、特許文献４には、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面と、当該面に相対する金型との間に介在させて使用される剥離フィルムが開示されている（特許文献４の図２）。なお、特許文献４の剥離フィルムは、基材の片面に、微粒子を含有しかつ表面が凹凸である凹凸層が形成され、もう片面に樹脂層が形成されたフィルムである（請求項１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５７５２１０６号
【特許文献２】特開平８−１４２１０６号公報
【特許文献３】特開２００６−４９８５０号公報
【特許文献４】特開２０１４−２１２２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１に開示されるような、含フッ素樹脂からなる剥離フィルムは柔軟性が比較的高いものであるため、このような剥離フィルムを、前述したＱＦＮ方式等の半導体パッケージの製造において、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面と、当該面に相対する金型との間に介在させて使用する場合には、剥離フィルムにシワが発生し易い。その結果、半導体基板および金型に対する剥離フィルムの密封性が不十分となるという問題がある。特に、ＱＦＮ型パッケージには、リードフレームの配線パターンで樹脂封止側とその反対面側とを貫通する孔が形成されているため、剥離フィルムによるリードフレームの密封性が不十分であると、封止樹脂が当該孔を通過して、リードフレームにおける半導体チップがマウントされた側とは反対の面に付着し（以下「樹脂漏れ」ということがある。）、その結果、半導体パッケージの歩留りが低下するという問題がある。
【０００９】
また、モールド封止では、加熱して流動性を持たせた封止樹脂を金型内部に充填するため、剥離フィルムは、１５０℃〜２００℃といった高温に曝されることとなる。このため、特許文献１〜３に開示されるような剥離フィルムが高温に曝されると、剥離フィルム内部に含有されている低分子量成分が剥離フィルムから放出され、さらに、当該低分子量成分が金型に付着してしまい、金型を汚染する問題がある。このような金型の汚染が進むと、金型表面の平坦性が失われ、剥離フィルムと金型との密封性が悪化し、その結果、上述したような樹脂漏れの問題も引き起こす。そのため、金型を定期的に洗浄する必要が生じ、生産性が低下する。
【００１０】
また、特許文献４に開示される剥離フィルムは、封止樹脂に接する層となる凹凸層に剥離成分が含まれていないため、得られた封止体と剥離フィルムとを剥離する際の剥離性が不十分である。
【００１１】
一方、加熱した封止樹脂を金型内部に充填する際、金型内部における封止樹脂の流入口の付近は、高温の封止樹脂に長時間曝されることとなる。そのため、剥離フィルムの耐熱性が十分でない場合には、上記流入口付近に位置する部分において、剥離フィルムを構成する表面の層の凝集破壊が発生し、封止体から剥離フィルムを剥離する際の剥離性が不十分となる。特に、剥離フィルムが、表面の層として剥離剤層を備える場合には、剥離剤層の封止体への転着が生じたり、剥離剤の凝集破壊により剥離フィルムを構成する基材と封止樹脂との接着が生じることで、剥離不良が発生する問題がある。
【００１２】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、金型および封止体に対する剥離性に優れるとともに、金型で挟んだ際にシワの発生が生じ難く、さらには、低分子量成分による金型の汚染が抑制された剥離フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、第１に本発明は、モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用される剥離フィルムであって、前記剥離フィルムが、基材と、前記基材の一方の面側に設けられた剥離剤層と、前記基材の他方の面側に設けられた樹脂層とを備え、前記剥離フィルムの１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で２．５％未満であり、幅方向で２．５％未満であり、前記基材の２３℃における引張弾性率が、１５０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下であり、前記剥離剤層が、多官能アミノ化合物と、剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されており、前記樹脂層が、エポキシ化合物と、ポリエステル樹脂と、多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されており、前記剥離フィルムにおける前記樹脂層側の面における算術平均粗さＲａが、１００ｎｍ以上、１２００ｎｍ以下であることを特徴とする剥離フィルムを提供する（発明１）。
【００１４】
上記発明（発明１）では、剥離フィルムを構成する基材が、上述した引張弾性率を示すとともに、剥離フィルムの１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が上述した範囲であることにより、金型で挟んだ際にシワの発生が生じ難くなる。また、剥離フィルムが、上述した剥離剤組成物から形成された剥離剤層を備えることにより、封止体に対する剥離フィルムの剥離性が優れたものとなる。また、剥離フィルムが、上述した樹脂層形成用組成物から形成された樹脂層を備えることにより、低分子量成分による金型の汚染が抑制される。さらに、剥離フィルムにおける樹脂層側の面における算術平均粗さＲａが上述した範囲であることにより、金型に対する剥離フィルムの剥離性が優れたものとなる。
【００１５】
上記発明（発明１）において、前記基材を構成する樹脂は、ポリエステル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびアクリル樹脂から選択される少なくとも一種であることが好ましい（発明２）。
【００１６】
上記発明（発明１，２）において、前記基材は、粒子を含むことが好ましい（発明３）。
【００１７】
上記発明（発明１〜３）において、前記剥離剤組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることが好ましい（発明４）。
【００１８】
上記発明（発明１〜４）において、前記剥離成分は、１分子中に少なくとも１個の水酸基を有するポリオルガノシロキサンであることが好ましい（発明５）。
【００１９】
上記発明（発明１〜５）において、前記剥離成分は、温度２３℃の環境下において液体であることが好ましい（発明６）。
【００２０】
上記発明（発明１〜６）において、前記エポキシ化合物は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物であることが好ましい（発明７）。
【００２１】
上記発明（発明１〜７）において、前記樹脂層形成用組成物に含有される多官能アミノ化合物は、メラミン樹脂であることが好ましい（発明８）。
【００２２】
上記発明（発明１〜８）において、前記ポリエステル樹脂は、活性水酸基を有することが好ましい（発明９）。
【００２３】
上記発明（発明１〜９）においては、半導体基板における半導体チップがマウントされた面とは反対側の面と、金型との間に配置されて使用されることが好ましい（発明１０）。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係るモールド封止用剥離フィルムは、金型および封止体に対する剥離性に優れるとともに、金型で挟んだ際にシワの発生が生じ難く、さらには、低分子量成分による金型の汚染が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る剥離フィルムの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る剥離フィルムを使用した半導体パッケージの製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る剥離フィルムを使用した半導体パッケージの製造方法の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について説明する。
１．剥離フィルムの構成
図１には、本実施形態に係る剥離フィルム１０の断面図が示される。図１に示されるように、剥離フィルム１０は、基材１と、基材１の一方の面側に設けられた剥離剤層２と、基材１の他方の面側に設けられた樹脂層３とを備える。
【００２７】
（１）基材
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、基材１の２３℃における引張弾性率が、１５０ＭＰａ以上、３５０ＭＰａ以下である。これにより、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、剛性に優れたものとなる。また、後述する通り、本実施形態に係る剥離フィルム１０では、１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で２．５％未満であり、幅方向で２．５％未満であり、これにより、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、耐熱性に優れたものとなる。このように、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、剛性および耐熱性に優れることにより、モールド封止での使用において、剥離フィルム１０を金型で挟み、且つ剥離フィルム１０が加熱された場合であっても、剥離フィルム１０におけるシワの発生が抑制される。その結果、得られる封止体の表面に当該シワが転写されることを抑制することができる。また、剥離フィルム１０におけるシワの発生が抑制されることで、剥離フィルム１０は、当該剥離フィルム１０が接する半導体基板や金型に対して良好な密封性を示すものとなる。特に、剥離フィルム１０を、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみがモールド封止される半導体パッケージの製造に使用する場合には、剥離フィルム１０が半導体基板および金型に対して良好に密封固定される結果、封止樹脂が半導体基板を貫通する孔を通過して、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面に付着すること（樹脂漏れ）が抑制される。これにより、本実施形態に係る剥離フィルム１０を使用することで、高い歩留まりで半導体パッケージを製造することが可能となる。
【００２８】
基材１の２３℃における引張弾性率が１５０ＭＰａ未満であると、剥離フィルム１０の剛性が低下して、モールド封止に使用した際にシワが発生し易くなり、その結果、封止体へのシワの転写が生じたり、樹脂漏れが生じ易くなる。基材１の剛性をより向上させ、シワの発生をより効果的に抑制し、その結果、樹脂漏れを効果的に抑制する観点から、基材１の２３℃における引張弾性率は、１７５ＭＰａ以上であることが好ましく、特に２００ＭＰａ以上であることが好ましい。
【００２９】
また、２３℃における引張弾性率が３５０ＭＰａを超えると、剥離フィルム１０が過度に剛性を有するものとなり、剥離フィルム１０が取り扱い難いものとなる。剥離フィルム１０の取り扱い性をより向上する観点から、２３℃における引張弾性率は、３２５ＭＰａ以下であることが好ましく、特に３００ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００３０】
基材１を構成する材料としては、基材１が上述した２３℃における引張弾性率を達成できるものであれば特に限定されない。特に、基材１を構成する材料に含有される樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびアクリル樹脂の少なくとも一種を使用することが好ましい。
【００３１】
上記ポリエステル樹脂としては、本実施形態の効果を奏する限り特に限定されず、例えば、多価アルコールと多塩基酸との縮合反応によって得られる樹脂を使用することができる。このような樹脂としては、二塩基酸と二価アルコールとの縮合物または不乾性油脂肪酸などで縮合物を変性した不転化性ポリエステル化合物、および二塩基酸と三価以上のアルコールとの縮合物である転化性ポリエステル化合物などが挙げられる。ポリエステル化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
上記多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ネオペンチルグリコール等の二価アルコール、グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン等の三価アルコール、ジグリセリン、トリグリセリン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、マンニット、ソルビット等の四価以上の多価アルコールが挙げられる。これらの多価アルコールは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
上記多塩基酸としては、例えば、無水フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、無水トリメット酸等の芳香族多塩基酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族飽和多塩基酸、マレイン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、無水シトラコン酸等の脂肪族不飽和多塩基酸、シクロペンタジエン−無水マレイン酸付加物、テルペン−無水マレイン酸付加物、ロジン−無水マレイン酸付加物等のディールス・アルダー反応によって得られる多塩基酸などを挙げることができる。これらの多塩基酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
基材１を構成する具体的なポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられ、特にポリエチレンテレフタレートを使用することが好ましい。また、基材１は、一軸延伸フィルムまたは二軸延伸フィルムであることが好ましく、特に二軸延伸フィルムであることが好ましい。したがって、基材１としては、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムを使用することが特に好ましい。
【００３５】
また、基材１は、粒子を含むことが好ましい。基材１が粒子を含むことで、基材１は、その表面に、粒子に起因した凹凸を有するものとなる。これにより、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが後述する範囲を満たし易くなり、剥離フィルム１０の金型に対する剥離フィルム１０の剥離性がより優れたものとなる。
【００３６】
なお、基材１の表面に所望の凹凸を形成する方法としては、基材１の表面に対して粒状物（サンド）を吹き付けて、凹凸を形成するサンドブラスト法も存在する。しかしながら、サンドブラスト法で処理した基材では、表面に残存する粒状物を完全に除去することは困難となる。そのため、サンドブラスト法による処理を行った基材を備えた剥離フィルムをモールド封止に使用した場合、基材に残存した粒状物が半導体基板と剥離フィルムとの間に入り、封止樹脂による封止性が悪化したり、樹脂漏れが発生して生産性が低下するという問題がある。しかしながら、上述のように、基材１に粒子を含有させて、表面に凹凸を形成した場合には、上述の問題が発生せず、より優れた生産性にて半導体パッケージを製造することが可能となる。
【００３７】
上記粒子の例としては、基材１が上述した２３℃における引張弾性率を達成できるとともに、基材１が所望の耐熱性を有するものとなる限り、特に限定されない。例えば、酸化ケイ素（シリカ）、酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミニウム、カオリン、クレー、カーボンブラック等からなる無機粒子が挙げられる。これらの中でも、粒径分布および製膜性に優れるという観点から、酸化ケイ素（シリカ）が好ましい。なお、粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。粒子の形状は、球状等の定形であってもよく、形状が特定されない不定形であってもよい。
【００３８】
上記粒子の平均粒径は、３μｍ以上であることが好ましく、特に３.５μｍ以上であることが好ましく、さらには４μｍ以上であることが好ましい。上記粒子の平均粒径は、１０μｍ以下であることが好ましく、特に９μｍ以下であることが好ましく、さらには８μｍ以下であることが好ましい。粒子の平均粒径が上述した範囲であることで、基材１の表面に所望の凹凸が形成され易くなり、それに伴い、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが後述する範囲を満たし易くなり、剥離フィルム１０の金型に対する剥離フィルム１０の剥離性がより優れたものとなる。なお、本明細書において、粒子の平均粒径はレーザ回折散乱法により測定したものとする。
【００３９】
基材１を構成する材料中における粒子の含有量は、３質量％以上であることが好ましく、特に４質量％以上であることが好ましく、さらには５質量％以上であることが好ましい。また、当該含有量は、３０質量％以下であることが好ましく、特に２５質量％以下であることが好ましく、さらには２０質量％以下であることが好ましい。粒子の含有量が上記範囲であることで、基材１の表面に所望の凹凸が形成され易くなり、それに伴い、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが後述する範囲を満たし易くなり、剥離フィルム１０の金型に対する剥離フィルム１０の剥離性がより優れたものとなる。
【００４０】
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、基材１における少なくとも一方の面における算術平均粗さＲａが、１００ｎｍ以上であることが好ましく、特に１５０ｎｍ以上であることが好ましく、さらには２００ｎｍ以上であることが好ましい。また、当該算術平均粗さＲａは、１２００ｎｍ以下であることが好ましく、特に１０００ｎｍ以下であることが好ましく、さらには８００ｎｍ以下であることが好ましい。基材１における少なくとも一方の面における算術平均粗さＲａが１００ｎｍ以上であると、当該算術平均粗さＲａを満たす面に樹脂層３を形成した場合に、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが後述する範囲を満たし易くなり、剥離フィルム１０の金型に対する剥離フィルム１０の剥離性がより優れたものとなる。また、当該算術平均粗さＲａが１２００ｎｍ以下であることで、フィルム製膜時に基材１の破断などが起き難くなるという利点がある。なお、基材１における算術平均粗さＲａは、後述する試験例１の方法を、測定対象を基材として適用することにより、測定することができる。
【００４１】
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、基材１の厚さが、２０μｍ以上であることが好ましく、特に２５μｍ以上であることが好ましく、さらには３０μｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、１５０μｍ以下であることが好ましく、特に１２５μｍ以下であることが好ましく、さらには１００μｍ以下であることが好ましい。基材１の厚さが２０μｍ以上であることで、基材１が良好な剛性を有し易くなり、それに伴い、剥離フィルム１０をモールド封止に使用した際のシワの発生を効果的に抑制することが可能となる。また、基材１の厚さが１５０μｍ以下であることで、剥離フィルム１０がより良好なハンドリング性を有するものとなるとともに、製造コストを抑えることができる。
【００４２】
（２）剥離剤層
本実施形態における剥離剤層２は、多官能アミノ化合物と、剥離成分とを含有する剥離剤組成物から形成されたものである。剥離剤層２が当該剥離剤組成物から形成されたものであることで、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面を金型に向け、且つ剥離剤層２側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、得られる封止体に対して、剥離フィルムが優れた剥離性を発揮するものとなる。また、剥離剤組成物が多官能アミノ化合物を含有することで、得られる剥離剤層２は、多官能アミノ化合物によって形成される三次元構造を含むものとなる。それにより、剥離剤層２は、高い強度および優れた耐熱性を有するものとなり、剥離剤層２の凝集破壊の発生が抑制される。これにより、剥離性が良好に維持されるとともに、剥離剤層２の封止体への転着が抑制される。さらには、剥離剤層２の凝集破壊した部分において、基材１と封止樹脂とが直接接して接着してしまい、剥離不良が生じる、という問題も抑制される。
【００４３】
上記多官能アミノ化合物としては、三次元構造を形成して剥離剤層２を構成できるものであれば特に制限されず、例えば、後述するメラミン樹脂、メチル化尿素化合物、ブチル化尿素化合物等の尿素化合物、メチル化ベンゾグアナミン樹脂、ブチル化ベンゾグアナミン化合物等のベンゾグアナミン化合物、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルエチレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン等のジアミン類等を使用することができる。これらの中でも、硬化性の観点からメラミン樹脂が好ましい。
【００４４】
上記メラミン樹脂は、具体的には、下記一般式（ａ）で示されるメラミン化合物、または２個以上の当該メラミン化合物が縮合してなる多核体を含有することが好ましい。なお、一般的に、「メラミン樹脂」とは、複数種のメラミン化合物および／または当該メラミン化合物が縮合してできる多核体を含む混合物を意味するが、本明細書においては、「メラミン樹脂」という語句は、上記混合物または１種のメラミン化合物の集合物を意味するものとする。
【化１】
2019029423.tif 000003
【００４５】
式（ａ）中、Ｘは、−Ｈ、−ＣＨ２−ＯＨ、または−ＣＨ２−Ｏ−Ｒを示す。上記−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ基において、Ｒは、炭素数１〜８個のアルキル基であることが好ましい。炭素数１〜８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げられ、特にメチル基が好ましい。上記Ｘは、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、上記Ｒは、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００４６】
上記一般式（ａ）で示されるメラミン樹脂の中でも、剥離剤組成物に含有される多官能アミノ化合物としては、メチル化メラミン、イミノメチロールメラミン、メチロールメラミン、ブチル化メラミン等が好ましく、特にメチル化メラミンが好ましい。
【００４７】
上記剥離成分としては、剥離フィルム１０が剥離剤層２において所望の剥離性を発揮できるものであれば、特に限定されず、例えば、シリコーン系剥離成分、フッ素系剥離成分、長鎖アルキル系剥離成分、アルキド系剥離成分、オレフィン系剥離成分、アクリル系剥離成分、ゴム系剥離成分等を使用することができる。これらの剥離成分は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。上記の中でも、剥離剤層２に所望の剥離性および耐熱性を付与し易く、剥離成分のブリードアウトが生じ難いという観点から、シリコーン系剥離成分を使用することが好ましい。
【００４８】
シリコーン系剥離成分としては、剥離性を発揮できるものであれば、特に限定されない。例えば、シリコーン系剥離成分としては、特に、１分子中に少なくとも１個の水酸基を有するポリオルガノシロキサンを使用することが好ましい。当該ポリオルガノシロキサンが水酸基を有することで、多官能アミノ化合物が当該水酸基と反応可能な反応性基を有する場合に、ポリオルガノシロキサンが有する水酸基と、多官能アミノ化合物が有する反応性基との間で反応が生じ、ポリオルガノシロキサンが多官能アミノ化合物に繋がった構造が形成される。この場合、モールド封止により封止体を製造する際に、剥離フィルム１０の剥離剤層２から封止体に対してポリオルガノシロキサンが移行することを効果的に抑制することが可能となる。
【００４９】
より具体的には、上記ポリオルガノシロキサンは、下記の一般式（ｂ）で示される構造を有することが好ましい。
【化２】
2019029423.tif 000004
【００５０】
式（ｂ）中、ｍは１以上の整数である。また、Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１個は、水酸基または水酸基を有する有機基であることが好ましい。特に、Ｒ３〜Ｒ８の少なくとも１個が水酸基または水酸基を有する有機基であることが好ましい。すなわち、水酸基の少なくとも１個は、ポリオルガノシロキサンの末端に存在することが好ましい。水酸基が末端に存在することで、ポリオルガノシロキサンが多官能アミノ化合物との間で縮合反応し易くなり、上記移行が効果的に抑制される。
【００５１】
式（ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ８のうち、水酸基以外の基の少なくとも１個は、有機基であることが好ましい。ここで、式（ｂ）中のＲ１〜Ｒ８の少なくとも１個が水酸基である場合、その他のＲ１〜Ｒ８に含まれる有機基は、水酸基を有する有機基であってもよく、または水酸基を有しない有機基であってもよい。一方、式（ｂ）中のＲ１〜Ｒ８のいずれもが水酸基でない場合、その他のＲ１〜Ｒ８に含まれる有機基は、水酸基を有する有機基であることが好ましい。なお、本明細書において、「有機基」は、後述するアルキル基を含まないものとする。式（ｂ）で表されるポリオルガノシロキサンは、水酸基を有する有機基または水酸基を有しない有機基を１分子中に少なくとも１個有することが好ましく、特に１〜１０個有することが好ましく、さらには１〜５個有することが好ましい。ここで、有機基は、ポリエステル基およびポリエーテル基から選択される１種類以上の有機基であることが好ましい。１分子中にポリエステル基およびポリエーテル基の両方が存在していてもよい。ポリエステル基またはポリエーテル基に水酸基が含まれる場合、当該水酸基はこれらの有機基の末端に存在していてもよく、または、これらの有機基の側鎖に存在していてもよい。ポリオルガノシロキサンが上記有機基を有することで、剥離剤組成物（の塗布液）中においてポリオルガノシロキサンと多官能アミノ化合物とが良好に混合され、硬化の際においてこれらが極端に相分離することが抑制される。
【００５２】
式（ｂ）中、Ｒ１〜Ｒ８のうち、上述した基以外の基は、炭素数１〜１２のアルキル基であることが好ましい。炭素数１〜１２のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基等が挙げられ、特にメチル基が好ましい。
【００５３】
Ｒ１〜Ｒ８は同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒ１およびＲ２が複数存在する場合、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００５４】
上記ポリオルガノシロキサンの重量平均分子量は、５００以上であることが好ましく、特に１０００以上であることが好ましく、さらには２０００以上であることが好ましい。また、上記ポリオルガノシロキサンの重量平均分子量は、２００００以下であることが好ましく、特に１５０００以下であることが好ましく、さらには１００００以下であることが好ましい。ポリオルガノシロキサンの重量平均分子量が５００以上であることで、剥離剤層２の剥離面における表面自由エネルギーが適度に低下し、所望の剥離性を発揮し易くなる。また、ポリオルガノシロキサンの重量平均分子量が２００００以下であることで、剥離剤組成物の粘度が過度に高くなることが抑制され、剥離剤組成物を基材１に塗工し易くなる。
【００５５】
本実施形態に係る剥離フィルム１０において、剥離成分は、温度２３℃の環境下において液体であることが好ましい。一般的に、モールド封止の際に剥離剤層２が加熱されると、剥離剤層２から剥離成分が放出されることがある。そして、モールド封止の完了後、常温に戻された金型の表面に、放出された剥離成分が固形物として堆積することがある。しかしながら、本実施形態に係る剥離フィルム１０において、剥離成分が温度２３℃の環境下において液体であることで、そのような固形物の堆積を効果的に抑制することができる。
【００５６】
剥離剤組成物中における剥離成分の含有量は、多官能アミノ化合物１００質量部に対して、０．１質量部以上であることが好ましく、特に０．２５質量部以上であることが好ましく、さらには０．５質量部以上であることが好ましい。また、剥離剤組成物中における剥離成分の含有量は、多官能アミノ化合物１００質量部に対して、３０質量部以下であることが好ましく、特に２５質量部以下であることが好ましく、さらには２０質量部以下であることが好ましい。剥離剤組成物中における剥離成分の含有量が０．１質量部以上であることで、剥離剤層２の剥離面の表面自由エネルギーが十分に低下し、所望の剥離力を達成することができる。一方、剥離剤組成物中における剥離成分の含有量が３０質量部以下であることで、剥離成分が剥離剤層２からブリードアウトすることを効果的に抑制することができる。
【００５７】
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、剥離剤層２の厚さが、３０ｎｍ以上であることが好ましく、特に４０ｎｍ以上であることが好ましく、さらには５０ｎｍ以上であることが好ましい。また、当該厚さは、３００ｎｍ以下であることが好ましく、特に２８０ｎｍ以下であることが好ましく、さらには２５０ｎｍ以下であることが好ましい。剥離剤層２の厚さが３０ｎｍ以上であることで、剥離フィルム１０が剥離剤層２において所望の剥離性を発揮し易いものとなる。また、剥離剤層２の厚さが３００ｎｍ以下であることで、剥離フィルム１０がより良好なハンドリング性を有するものとなるとともに、製造コストを抑えることができる。
【００５８】
（３）樹脂層
本実施形態における樹脂層３は、エポキシ化合物と、ポリエステル樹脂と、多官能アミノ化合物とを含有する樹脂層形成用組成物から形成されたものである。当該樹脂層形成用組成物から形成された樹脂層３は、適度な架橋密度で架橋された構造を有するものとなり、剥離フィルム１０が加熱された際に基材１や剥離剤層２から放出される低分子量成分の透過に対してバリア性を発揮することができる。特に、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面を金型に向け、且つ剥離剤層２側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、基材１と金型との間に樹脂層３が存在することで、基材１や剥離剤層２から放出される低分子量成分の金型への移行を樹脂層３が遮断することができる。これにより、金型表面における低分子量成分の付着が抑制される。
【００５９】
さらに、上記樹脂層形成用組成物がポリエステル樹脂を含有することで、形成される樹脂層３にはバリア性を維持したまま適度な柔軟性も付与されるものとなる。これにより、剥離フィルム１０に圧力や衝撃が加えられた場合であっても、樹脂層３におけるクラックの発生が抑制され、当該クラックを通って低分子量成分が金型へ移行することも抑制される。この点からも、金型表面における低分子量成分の付着が抑制される。
【００６０】
以上のように、金型表面における低分子量成分の付着が抑制されることにより、金型表面の平坦性が良好に維持され、剥離フィルム１０と金型との密封性も優れたものとなる。その結果、剥離フィルム１０を、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみがモールド封止される半導体パッケージの製造に使用する場合において、封止樹脂が半導体基板を貫通する孔を通過して、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面に付着すること（樹脂漏れ）が効果的に抑制される。
【００６１】
上記エポキシ化合物としては、所望の架橋密度を有する樹脂層３を形成できるものであれば特に制限されない。当該エポキシ化合物の例としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−ジシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン等のように、分子内の炭素−炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格等を有するエポキシ樹脂を用いることもできる。これらのエポキシ化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
上述したエポキシ樹脂の中でも、所望の架橋密度を達成し易いという観点から、ビスフェノールＡのグリシジルエーテル、すなわちビスフェノールＡ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００６３】
上記エポキシ化合物の重量平均分子量は、１００００以上であることが好ましく、特に１２０００以上であることが好ましく、さらには１５０００以上であることが好ましい。また、当該重量平均分子量は、５００００以下であることが好ましく、特に４５０００以下であることが好ましく、さらには４００００以下であることが好ましい。エポキシ化合物の重量平均分子量が１００００以上であることであることで、樹脂層３が所望の架橋密度の硬化被膜を形成し易くなり、それにより、金型表面に低分子量成分が付着することを効果的に抑制することができる。また、当該重量平均分子量が５００００以下であることで、樹脂層３に適度な柔軟性を付与することができ、剥離フィルム１０に圧力や衝撃が加えられた際の、樹脂層３におけるクラックの発生を効果的に抑制することができる。なお、本明細書における重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
【００６４】
樹脂層形成用組成物中におけるエポキシ化合物の配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、５０質量％以上であることが好ましく、特に５５質量％以上であることが好ましく、さらには６０質量％以上であることが好ましい。また、当該配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、８０質量％以下であることが好ましく、特に７５質量％以下であることが好ましく、さらには７０質量％以下であることが好ましい。樹脂層形成用組成物中におけるエポキシ化合物の配合量が上述の範囲であることで、良好なバリア性を発揮する樹脂層３を形成し易くなり、それより、金型表面に低分子量成分が付着することを効果的に抑制することができる。
【００６５】
上記ポリエステル樹脂としては、所望の架橋密度および柔軟性を有する樹脂層３を形成できるものであれば特に制限されず、例えば、多価アルコールと多塩基酸との縮合反応によって得られる樹脂を使用することができる。このような樹脂としては、二塩基酸と二価アルコールとの縮合物又は不乾性油脂肪酸などで当該縮合物を変性した不転化性ポリエステル化合物、及び二塩基酸と三価以上のアルコールとの縮合物である転化性ポリエステル化合物などが挙げられる。ポリエステル化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６６】
樹脂層形成用組成物に含有されるポリエステル樹脂は、水酸基、カルボキシル基、アミノ基等の活性水素基を有することが好ましく、特に水酸基を有することが好ましい。ポリエステル樹脂が活性水素基を有することで、ポリエステル樹脂は、当該基を介して、多官能アミノ化合物と架橋構造を形成することが可能となる。これにより、良好なバリア性を発揮する樹脂層３を形成し易くなるとともに、ポリエステル樹脂が樹脂層３から金型や封止体に移行することを効果的に抑制することができる。
【００６７】
ポリエステル樹脂が活性水酸基を有する場合、当該ポリエステル樹脂の水酸基価は、５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、特に１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましい。また、当該水酸基価は、５００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、特に３００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましい。当該水酸基価が上記範囲であることで、ポリエステル樹脂は、多官能アミノ化合物との間で適度な密度の架橋構造を形成し、それにより、良好なバリア性を発揮する樹脂層３を形成し易くなる。
【００６８】
ポリエステル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、５００以上であることが好ましく、特に１０００以上であることが好ましい。また、当該数平均分子量（Ｍｎ）は、１００００以下であることが好ましく、特に５０００以下であることが好ましい。ポリエステル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）が上記範囲であることで、適度な柔軟性を有する樹脂層３を形成し易くなる。なお、本明細書における数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
【００６９】
ポリエステル樹脂のガラス転移温度Ｔｇは、０℃以上であることが好ましく、特に１０℃以上であることが好ましい。また、当該ガラス転移温度Ｔｇは、５０℃以下であることが好ましく、特に４０℃以下であることが好ましい。ポリエステル樹脂のガラス転移温度Ｔｇが上記範囲であることで、適度な柔軟性を有する樹脂層３を形成し易くなる。
【００７０】
樹脂層形成用組成物中におけるポリエステル樹脂の配合量は、エポキシ化合物１００質量部に対して、５質量部以上であることが好ましく、特に７．５質量部以上であることが好ましく、さらには１０質量部以上であることが好ましい。また、樹脂層形成用組成物中におけるポリエステル樹脂の配合量は、エポキシ化合物１００質量部に対して、５０質量部以下であることが好ましく、特に４５質量部以下であることが好ましく、さらには４０質量部以下であることが好ましい。ポリエステル樹脂の配合量が上記範囲であることで、良好なバリア性を発揮するとともに所望の柔軟性を有する樹脂層３を形成し易くなる。
【００７１】
また、樹脂層形成用組成物中におけるポリエステル樹脂の配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、５質量％以上であることが好ましく、特に１０質量％以上であることが好ましく、さらには１５質量％以上であることが好ましい。また、樹脂層形成用組成物中におけるポリエステル樹脂の配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、３０質量％以下であることが好ましく、特に２５質量％以下であることが好ましく、さらには２０質量％以上であることが好ましい。ポリエステル樹脂の配合量が上記範囲であることで、良好なバリア性を発揮するとともに所望の柔軟性を有する樹脂層３を形成し易くなる。
【００７２】
上記多官能アミノ化合物は、所望の架橋密度を有する樹脂層３を形成できるものであれば特に制限されない。樹脂層形成用組成物に含有される多官能アミノ化合物としては、例えば、剥離剤組成物に含有される前述した多官能アミノ化合物と同様のものを使用することができる。
【００７３】
樹脂層形成用組成物中における多官能アミノ化合物の配合量は、エポキシ化合物１００質量部に対して、１５質量部以上であることが好ましく、特に２０質量部以上であることが好ましく、さらには２５質量部以上であることが好ましい。また、樹脂層形成用組成物中における多官能アミノ化合物の配合量は、エポキシ化合物１００質量部に対して、６０質量部以下であることが好ましく、特に５５質量部以下であることが好ましく、さらには５０質量部以下であることが好ましい。多官能アミノ化合物の配合量が上記範囲であることで、良好なバリア性を発揮する樹脂層３を形成し易くなる。
【００７４】
また、樹脂層形成用組成物中における多官能アミノ化合物の配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、１０質量％以上であることが好ましく、特に１５質量％以上であることが好ましく、さらには２０質量％以上であることが好ましい。また、樹脂層形成用組成物中における多官能アミノ化合物の配合量は、樹脂層形成用組成物の全質量に対して、４０質量％以下であることが好ましく、特に３５質量％以下であることが好ましく、さらには３０質量％以下であることが好ましい。多官能アミノ化合物の配合量が上記範囲であることで、良好なバリア性を発揮するとともに、所望の柔軟性を有する樹脂層３を形成し易くなる。
【００７５】
樹脂層３の厚さは、３０ｎｍ以上であることが好ましく、特に５０ｎｍ以上であることが好ましく、さらには８０ｎｍ以上であることが好ましい。また、樹脂層３の厚さは、３００ｎｍ以下であることが好ましく、特に２５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらには２００ｎｍ以下であることが好ましい。樹脂層の厚さが３０ｎｍ以上であることで、金型における低分子量成分の汚染を効果的に抑制することができる。また、樹脂層の厚さが３００ｎｍ以下であることで、樹脂層形成用組成物の硬化収縮に伴う剥離フィルム１０のカールを効果的に抑制することができるとともに、基材１の表面に存在する凹凸が樹脂層３によって埋まり難いものとなり、これにより、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面が後述する算術平均粗さＲａを有し易いものとなる。
【００７６】
２．剥離フィルムの物性
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが、１００ｎｍ以上であり、２００ｎｍ以上であることが好ましく、特に３００ｎｍ以上であることが好ましい。当該算術平均粗さＲａが１００ｎｍ未満であると、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面を金型に向け、且つ剥離剤層２側の面を半導体チップや半導体基板に向けて配置してモールド封止した場合に、剥離フィルム１０が金型に対して十分な剥離性を示さないものとなる。また、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａは、１２００ｎｍ以下であり、１０００ｎｍ以下であることが好ましく、特に８００ｎｍ以下であることが好ましい。当該算術平均粗さＲａが１２００ｎｍを超えると、剥離フィルム１０と金型との密封性が低下し、樹脂漏れが発生し易くなるという問題が生じる。なお、上記算術平均粗さＲａの測定方法は、後述する試験例１に示す通りである。
【００７７】
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で２．５％未満であり、幅方向で２．５％未満である。これにより、剥離フィルム１０は耐熱性に優れたものとなる。また、前述した通り、基材１の２３℃における引張弾性率が所定の範囲となることにより、剥離フィルム１０は剛性に優れたものとなる。このように、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、耐熱性および剛性に優れることにより、剥離フィルム１０をモールド封止に使用した際のシワの発生を抑制することが可能となる。
【００７８】
当該シワの発生をより効果的に抑制する観点から、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、長さ方向で２．０％未満であることが好ましい。また、同様の観点から、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が、幅方向で２．０％未満であることが好ましい。特に、本実施形態に係る剥離フィルム１０では、長さ方向および幅方向の寸法変化率が、ともに２．０％未満であると、上述したシワの発生を抑制する効果をより顕著なものとすることができる。なお、上記寸法変化率の測定方法は、後述する試験例に示す通りである。
【００７９】
３．剥離フィルムの製造方法
本実施形態に係る剥離フィルム１０の製造方法は、特に制限されず、例えば、基材１の一方の面に、前述した樹脂層形成用組成物を用いて樹脂層３を形成した後、基材１の他方の面に、前述した剥離剤組成物を用いて剥離剤層２を形成することで、剥離フィルム１０を得ることができる。特に、樹脂層３の形成は、前述した樹脂層形成用組成物及び所望により有機溶剤を含有する塗工液を塗工した後、乾燥し、硬化させることで、樹脂層３を形成することができる。また、剥離剤層２の形成は、前述した剥離剤組成物及び所望により有機溶剤を含有する塗工液を塗工した後、乾燥し、硬化させることで、剥離剤層２を形成することができる。なお、剥離剤層２および樹脂層３を形成する順序は、上記の順番に限られず、先に剥離剤層２を形成した後に樹脂層３を形成してもよい。
【００８０】
上記塗工方法としては、例えば、グラビアコート法、バーコート法、スプレーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ダイコート法などが使用できる。
【００８１】
上記有機溶剤としては特に制限はなく、様々なものを用いることができる。例えばトルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素化合物をはじめ、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、アセトン、酢酸エチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン及びこれらの混合物等が用いられる。特に、剥離剤組成物を希釈するための有機溶剤としては、イソプロピルアルコールとイソブチルアルコールとの混合液（質量比４：１）を使用することが好ましい。また、樹脂層形成用組成物を希釈するための有機溶剤としては、トルエンとメチルエチルケトンとの混合溶媒（質量比率５０：５０）を使用することが好ましい。
【００８２】
上記のように塗工した樹脂層形成用組成物は、熱硬化させることが好ましい。この場合の加熱温度は８０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、加熱時間は１０秒以上、３分以下であることが好ましい。特に、樹脂層形成用組成物の塗膜は、１５０℃で１分間加熱することで硬化させることが好ましい。
【００８３】
また、上記のように塗工した剥離剤組成物も、熱硬化させることが好ましい。この場合の加熱温度は８０℃以上、１５０℃以下であることが好ましく、加熱時間は１０秒以上、３分以下であることが好ましい。特に、剥離剤組成物の塗膜は、１５０℃で１分間加熱することで硬化させることが好ましい。
【００８４】
４．剥離フィルムの使用方法
本実施形態に係る剥離フィルム１０は、モールド封止により半導体パッケージを製造する際に使用されるものである。本実施形態に係る剥離フィルム１０は、特に、ＱＦＮ方式の他、ＢＧＡ方式等の半導体パッケージのように、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみを封止した状態で製造される半導体パッケージの製造に使用することが好ましい。この場合において、特に、剥離フィルム１０は、半導体基板における半導体チップがマウントされた側とは反対の面と、当該面に相対する金型との間に介在させて使用することが好ましい。
【００８５】
図２および図３には、本実施形態に係る剥離フィルム１０の使用方法の一例として、本実施形態に係る剥離フィルム１０を使用した半導体パッケージの製造方法の一例が示されている。本実施形態における半導体パッケージの製造方法では、まず、図２（ａ）に示されるように、複数の半導体チップ２０がマウントされた半導体基板３０を用意した後、それを、図２（ｂ）に示されるように、下金型４０ｂにセットする。このとき、下金型４０ｂにおける複数のキャビティ４１が設けられた面に対して、半導体基板３０における半導体チップ２０がマウントされた面が向き合うようにし、且つ、複数のキャビティ４１の各々に、複数の半導体チップ２０が１つずつ収容されるようにセットする。
【００８６】
続いて、図２（ｃ）に示されるように、半導体チップ２０がマウントされた半導体基板３０を、上金型４０ａと下金型４０ｂとで挟む。このとき、上金型４０ａと半導体基板３０との間に本実施形態に係る剥離フィルム１０を介在させる。特に、剥離フィルム１０における剥離剤層２側の面が半導体基板３０に接し、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面が上金型４０ａに接するように、剥離フィルム１０を介在させる。なお、剥離フィルム１０を半導体基板３０に積層する際には、上金型４０ａとして吸引機構を有するものを使用し、上金型４０ａに剥離フィルム１０における樹脂層３側の面を吸着させた状態で積層することが好ましい。
【００８７】
続いて、図３（ａ）に示されるように、下金型４０ｂのキャビティ４１における、半導体チップ２０の周囲の空間に封止樹脂を充填する。その後、導入された封止樹脂を硬化させて、封止部５０を形成する。封止樹脂の充填の際、封止樹脂は、下金型４０ｂの任意の位置に設けられた注入口から充填することができる。また、封止樹脂は、予め加熱して流動性を有する状態とした後に、金型内部に充填することが好ましい。さらに、封止樹脂の流動性を良好に維持し、それにより充填を良好に完了させるために、上金型４０ａおよび下金型４０ｂも例えば１５０℃以上、２００℃以下の温度に加熱することが好ましい。封止樹脂の充填が完了した後は、例えば１ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下の圧力で上金型４０ａと下金型４０ｂとをクランプした状態で、上金型４０ａおよび下金型４０ｂを１５０℃以上、２００℃以下の温度に３０秒以上、５分以下の時間保持することで、充填された封止樹脂を硬化させて、封止部５０を形成することができる。封止部５０の形成により、複数の半導体チップ２０が半導体基板３０上において、封止部５０により個々に封止されてなる封止体６０が得られる。
【００８８】
本実施形態に係る剥離フィルム１０では、基材１が、前述した引張弾性率を示すとともに、剥離フィルム１０の１８０℃、３０分間の加熱処理前後における寸法変化率が前述した範囲であることにより、剥離フィルム１０を上金型４０ａと下金型４０ｂとでクランプした際にシワが発生し難く、それにより、封止体６０に対するシワの転写が抑制される。さらに、剥離フィルム１０のシワが発生し難いことで、剥離フィルム１０が半導体基板３０に対して良好な密封性を示すものとなる。その結果、導入された封止樹脂が、半導体基板３０に設けられた配線パターン等の孔を通過して、半導体基板３０における半導体チップ２０がマウントされた面とは反対側の面に漏れ、その結果、当該面に封止樹脂が付着することが防止される。
【００８９】
また、本実施形態に係る剥離フィルム１０では、樹脂層３が、前述した樹脂層形成用組成物から形成されたものであることにより、加熱された封止樹脂の充填や金型の加熱によって基材１や剥離剤層２が加熱され、これらから低分子量成分が放出された場合であっても、低分子量成分の上金型４０ａへの移行を樹脂層３が遮断することができる。これにより、上金型４０ａにおける剥離フィルム１０が接する面に低分子量成分が付着することが抑制される。また、前述した樹脂層形成用組成物がポリエステル樹脂を含有することで、樹脂層３は適度な柔軟性を有するものとなるため、剥離フィルム１０に圧力や衝撃が加えられた場合であっても、樹脂層３におけるクラックの発生が抑制され、これにより、良好な封止を行うことができる。
【００９０】
さらに、本実施形態に係る剥離フィルム１０では、剥離剤層２が、多官能アミノ化合物を含有する剥離剤組成物から形成されたものであることで、剥離剤層２は高い強度および優れた耐熱性を有するものとなり、剥離剤層２の凝集破壊の発生が抑制される。そのため、凝集破壊に起因した剥離性の低下や剥離剤層２の封止体への転着が抑制される。
【００９１】
封止部５０の形成に続き、図３（ｂ）に示されるように、上金型４０ａおよび下金型４０ｂが解放される。すなわち、上金型４０ａと下金型４０ｂとの距離を離した後に、剥離フィルム１０および封止体６０が金型から取り出される。
【００９２】
ここで、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、剥離剤層２が前述した剥離剤組成物から形成されていることにより、封止体６０に対して良好な剥離性を発揮することができる。また、本実施形態に係る剥離フィルム１０は、剥離フィルム１０における樹脂層３側の面における算術平均粗さＲａが上述した範囲であることにより、上金型４０ａに対して良好な剥離性を発揮することができる。これらにより、上金型４０ａおよび下金型４０ｂを解放した際に、剥離フィルム１０を、上金型４０ａおよび封止体６０から容易に分離することができる。
【００９３】
上述の通り金型から取り出された封止体６０は、続いて、図３（ｃ）に示すように、半導体基板３０における所定の位置で切断し、これにより、封止部５０により封止された半導体チップ２０を備える半導体パッケージ７０が得られる。
【００９４】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【実施例】
【００９５】
以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
【００９６】
〔実施例１〕
（１）樹脂層形成用組成物の調製
ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（ＤＩＣ社製，製品名「ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｈ−３６０」，固形分濃度：４０質量％，重量平均分子量：２５０００）１００質量部と、ポリエステル樹脂（東洋紡社製，製品名「バイロンＧＫ６８０」，数平均分子量：６０００）のトルエン溶液（固形分濃度：３０質量％）１９．０質量部と、多官能アミノ化合物としてのヘキサメトキシメチルメラミン（日本サイテックインダストリーズ社製，製品名「サイメル３０３」，固形分濃度：１００質量％）１１．４質量部とを混合した後、トルエンとメチルエチルケトンとの混合溶媒（質量比率５０：５０）にて希釈し、固形分２．５質量％の混合液を得た。
【００９７】
得られた混合液に、ｐ−トルエンスルホン酸のメタノール溶液（固形分濃度：５０質量％）を２．９質量部添加して混合することで、樹脂層形成用組成物の塗布液を得た。
【００９８】
なお、得られた樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）に含有される各成分の配合量をそれぞれ算出すると、樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）の全質量に対して、上記エポキシ化合物は６８．３質量％であり、上記ポリエステル樹脂は９．７質量％であり、上記多官能アミノ化合物は１９．５質量％であり、上記ｐ−トルエンスルホン酸は２．５質量％であった。また、得られた樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）中における上記ポリエステル樹脂および上記多官能アミノ化合物の、上記エポキシ化合物１００質量部に対する配合量をそれぞれ算出すると、上記ポリエステル樹脂は１４．３質量部であり、上記多官能アミノ化合物は２８．５質量部であった。
【００９９】
（２）樹脂層の形成
上記工程（１）にて得られた樹脂層形成用組成物の塗布液を、基材としての、シリカ粒子を含有する二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ：５０μｍ，表面：マット調，後述する方法により測定された２３℃における引張弾性率：２６０ＭＰａ，フィルムを構成するポリエチレンテレフタレート樹脂の融点：２６０℃，両面の算術平均粗さＲａ：３５５ｎｍ）の片面上にマイヤーバーコート法にて均一に塗布した。
【０１００】
得られた塗膜を１５０℃で１分間加熱することで硬化させ、厚さ１００ｎｍの樹脂層を形成した。これにより、基材と樹脂層との積層体を得た。
【０１０１】
なお、樹脂層の厚さは、反射式膜厚計（フィルメトリックス社製，製品名「Ｆ２０」）を用いて測定したものである。
【０１０２】
（３）剥離剤組成物の調製
多官能アミノ化合物としてのヘキサメトキシメチルメラミン（日本サイテックインダストリーズ社製，製品名「サイメル３０３」，固形分濃度：１００質量％）９０質量部と、剥離成分としてのポリエステル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン（ビックケミー・ジャパン社製，製品名「ＢＹＫ−３７０」，固形分濃度：２５質量％）１０質量部とを、イソプロピルアルコールとメチルエチルケトンとの混合溶媒（質量比率４：１）中にて混合し、固形分５．０質量％の混合液を得た。
【０１０３】
得られた混合液に、ｐ−トルエンスルホン酸のメタノール溶液（固形分濃度：５０質量％）を、ヘキサメトキシメチルメラミン１００質量部に対してｐ−トルエンスルホン酸が５．０質量部となるように添加して混合することで、剥離剤組成物の塗布液を得た。
【０１０４】
得られた剥離剤組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）中における上記ポリジメチルシロキサンの、上記多官能アミノ化合物１００質量部に対する配合量を算出すると、２．８質量部であった。
【０１０５】
（４）剥離剤層の形成
上記工程（３）にて得られた剥離剤組成物の塗布液を、上記工程（２）にて得られた積層体における基材側の面上にマイヤーバーコート法にて均一に塗布した。
【０１０６】
得られた塗膜を１５０℃で１分間加熱して硬化させ、厚さ２００ｎｍの剥離剤層を形成した。これにより、樹脂層と、基材と、剥離剤層とがこの順に積層されてなる剥離フィルムを得た。
【０１０７】
なお、剥離剤層の厚さは、反射式膜厚計（フィルメトリックス社製，製品名「Ｆ２０」）を用いて測定したものである。
【０１０８】
ここで、前述した基材の２３℃における引張弾性率は、基材を１５ｍｍ×１４０ｍｍの試験片に裁断し、ＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠して、引張試験機（島津製作所社製，製品名「オートグラフＡＧ−ＩＳ  ５００Ｎ」）を用いて測定したものである。具体的には、上記試験片を、上記引張試験機にて、チャック間距離１００ｍｍに設定した後、２００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引張試験を行って測定したものである。
【０１０９】
〔実施例２〕
樹脂層形成用組成物について、ポリエステル樹脂の配合量を２２．２２質量部と変更し、多官能アミノ化合物の配合量を２０質量部と変更するとともに、ｐ−トルエンスルホン酸のメタノール溶液の添加量を３．３質量部となるように変更した以外は、実施例１と同様にして剥離フィルムを得た。
【０１１０】
なお、得られた樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）に含有される各成分の配合量をそれぞれ算出すると、樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）の全質量に対して、上記エポキシ化合物は５６．７質量％であり、上記ポリエステル樹脂は１２．６質量％であり、上記多官能アミノ化合物は２８．４質量％であり、上記ｐ−トルエンスルホン酸は２．３質量％であった。また、得られた樹脂層形成用組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）中における上記ポリエステル樹脂および上記多官能アミノ化合物の、上記エポキシ化合物１００質量部に対する配合量をそれぞれ算出すると、上記ポリエステル樹脂は１６．７質量部であり、上記多官能アミノ化合物は５０．０質量部であった。
【０１１１】
〔実施例３〕
剥離剤組成物の塗布液を調製するための剥離成分として、５質量部のポリエーテル変性水酸基含有ポリジメチルシロキサン（ビックケミー・ジャパン社製，製品名「ＢＹＫ−３７７」，固形分１００質量％）を使用した以外は、実施例１と同様にして剥離フィルムを得た。
【０１１２】
得られた剥離剤組成物（溶媒以外の成分からなる組成物）中における上記ポリジメチルシロキサンの、上記多官能アミノ化合物１００質量部に対する配合量を算出すると、５．６質量部であった。
【０１１３】
〔比較例１〕
剥離成分としての、シロキサン結合を主骨格としビニル基を有するオルガノポリシロキサンおよびオルガノハイドロジェンポリシロキサンからなる付加型オルガノポリシロキサン（信越化学工業社製，製品名「シリコーンＫＳ−８４７Ｈ」，固形分濃度：３０質量％）１００質量部をトルエンにて希釈し、固形分濃度１．５質量％の混合液を調製した。
【０１１４】
次いで、当該混合液に対して、白金触媒（信越化学工業社製，製品名「ＰＬ−５０Ｔ」）を、上記付加型オルガノポリシロキサン１００質量部に対して白金触媒が２質量部となるように添加し、混合することにより、剥離剤組成物の塗布液を得た。
【０１１５】
得られた塗布液を、実施例１における上記工程（２）と同様にして得た、基材と樹脂層との積層体における、基材側の面上にマイヤーバーコート法にて均一に塗布した。
【０１１６】
得られた塗膜を１３０℃で１分間加熱して硬化させ、厚さ１００ｎｍの剥離剤層を形成した。これにより、樹脂層と、基材と、剥離剤層とがこの順に積層されてなる剥離フィルムを得た。
【０１１７】
〔比較例２〕
剥離成分を使用することなく剥離剤組成物を調製した以外は、実施例１と同様にして剥離フィルムを得た。
【０１１８】
〔比較例３〕
樹脂層を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルムを得た。すなわち、基材の片面に剥離剤層が積層されてなる剥離フィルムを得た。
【０１１９】
〔比較例４〕
基材として、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ：５０μｍ，前述の方法により測定された２３℃における引張弾性率：２６０ＭＰａ，フィルムを構成するポリエチレンテレフタレート樹脂の融点：２６０℃，両面の算術平均粗さＲａ：３８ｎｍ）を使用した以外は、実施例１と同様にして剥離フィルムを得た。
【０１２０】
〔試験例１〕（表面の算術平均粗さＲａの測定）
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムについて、以下のようにして、樹脂層側の面および剥離剤層側の面における、それぞれの算術平均粗さＲａを測定した。まず、測定する側の面とは反対の面がガラス板側となるように、両面テープを介して、剥離フィルムをガラス板に固定した。次に、測定する面における算術平均粗さＲａ（ｎｍ）を、表面粗さ測定機（ミツトヨ社製，製品名「サーフテストＳＶ−３０００Ｓ４」）を使用し、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３に準拠して測定した。結果を表１に示す。
【０１２１】
〔試験例２〕（剥離フィルムの寸法変化率）
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムについて、以下のようにして、加熱処理前後の寸法変化率を測定した。剥離フィルムを幅１００ｍｍ×長さ１００ｍｍの寸法に裁断して試験片を得た後、当該試験片の寸法（長さ方向および幅方向）をリニヤスケール（ミツトヨ社製，製品名「ＡＴ１１２」）を用いて正確に測定し、続いて、当該試験片に対して、無荷重で１８０℃、３０分間の加熱処理を行い、加熱処理後の試験片における正確な寸法を加熱処理前の測定と同様にして測定した。そして、下記式（１）に基づいて、剥離フィルムの、長さ方向および幅方向のそれぞれについての加熱処理前後の寸法変化率（％）を算出した。結果を表１に示す。
寸法変化率（％）＝｜（加熱処理前の寸法−加熱処理後の寸法）／加熱処理前の寸法｜×１００  …（１）
【０１２２】
〔試験例３〕（金型に対する剥離性の評価）
（１）モールド封止
実施例および比較例にて製造した剥離フィルムを用いて、半導体チップを封止樹脂にて封止し、封止体を得た後、当該封止体を切断して、半導体パッケージを製造した。当該封止は、モールディング装置（アピックヤマダ社製，製品名「コンパクトマニュアルモールディング装置Ｇ−ＬＩＮＥシリーズ」）を用いて行った。
【０１２３】
具体的には、まず、図２（ａ）に示すように、複数の半導体チップ２０がマウントされた半導体基板３０（リードフレーム）を用意し、これを、図２（ｂ）に示すように、下金型４０ｂにセットした。このとき、下金型４０ｂに形成された複数のキャビティ４１の各々に、半導体チップ２０が１つずつ収まるようにセットした。
【０１２４】
続いて、図２（ｃ）に示すように、半導体基板３０における半導体チップ２０がマウントされた面とは反対側の面に、実施例および比較例にて製造した剥離フィルム１０における剥離剤層側の面を積層し、さらに、当該剥離フィルム１０における樹脂層側の面に対して上金型４０ａを積層し、半導体チップ２０がマウントされた半導体基板３０、および剥離フィルム１０を、上金型４０ａと下金型４０ｂとでクランプした。
【０１２５】
続いて、上金型４０ａおよび下金型４０ｂの温度を１７５℃に維持し、図３（ａ）に示されるように、半導体チップ２０、半導体基板３０、剥離フィルム１０および下金型４０ｂで囲まれる空間に対して、１７５℃に加熱して流動性を有する状態となったエポキシ樹脂系の封止樹脂を導入した後、圧力１０ＭＰａにて１２０秒間加熱保持することで、当該樹脂を硬化させた。これにより、封止樹脂が硬化してなる封止部５０を形成した。
【０１２６】
続いて、図３（ｂ）に示されるように、上金型４０ａおよび下金型４０ｂを解放し、半導体基板３０上にて複数の半導体チップ２０が封止部５０にて封止されてなる封止体６０を得た。その後、図３（ｃ）に示されるように、封止体６０を切り出すことで、複数の半導体パッケージ７０を得た。
【０１２７】
（２）剥離性の評価
上述の通り、上金型４０ａおよび下金型４０ｂを解放した際の、上金型４０ａに対する剥離フィルム１０の剥離性を以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
〇：上金型４０ａおよび下金型４０ｂの解放と同時に、剥離フィルム１０が上金型４０ａから自然に剥離した。
×：上金型４０ａおよび下金型４０ｂの解放した後も、剥離フィルム１０が上金型４０ａに密着しており、引き剥がす力を加えないと剥離しなかった。
【０１２８】
〔試験例４〕（樹脂漏れの評価）
試験例３にて得られた封止体６０において、半導体基板３０における半導体チップ２０がマウントされた面とは反対側の面における封止樹脂の付着の有無を目視にて確認し、その結果に基づいて、以下の基準にて樹脂漏れを評価した。評価結果を表１に示す。
〇：封止樹脂の付着が確認されなかった。
×：封止樹脂の付着が確認された。
【０１２９】
〔試験例５〕（金型の汚染性の評価）
試験例２の項目（１）に示したモールド封止を、同一の上金型４０ａおよび下金型４０ｂを用いて１００回行った後、上金型４０ａの剥離フィルム１０が接する面における、粉状の付着物の有無を確認し、以下の基準に基づいて汚染性を評価した。
〇：粉状の付着物が確認されなかった。
×：粉状の付着物が確認された。
なお、上述の粉状の付着物とは、剥離フィルム１０が加熱されることで、剥離フィルム１０を構成する基材から発生した低分子量成分が、上金型４０ａの剥離フィルム１０が接する面に析出したものと考えられる。
【０１３０】
〔試験例６〕（封止体に対する剥離性の評価）
試験例２の項目（１）に示したモールド封止において、上金型４０ａおよび下金型４０ｂを解放した際の、封止体６０に対する剥離フィルム１０の剥離性を以下の基準で評価した。結果を表１に示す。
〇：上金型４０ａおよび下金型４０ｂの解放と同時に、剥離フィルム１０が封止体６０から自然に剥離した。
×：上金型４０ａおよび下金型４０ｂの解放した後において、剥離フィルム１０が封止体６０に接着して剥離しないか、あるいは、引き剥がす力を強く加えると剥離するものの、剥離剤層の一部が封止体６０の表面に転着して残った。
【０１３１】
【表１】
2019029423.tif 000005
【０１３２】
表１から明らかなように、実施例で得られた剥離フィルムは、金型および封止体に対する剥離性に優れるとともに、樹脂漏れおよび低分子量成分による金型の汚染が抑制された。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明の剥離フィルムは、ＱＦＮ方式、ＢＧＡ方式等の半導体パッケージのように、半導体基板における半導体チップがマウントされた面側のみがモールド封止される半導体パッケージの製造への使用に好適である。
【符号の説明】
【０１３４】
１０…剥離フィルム
１…基材
２…剥離剤層
３…樹脂層
２０…半導体チップ
３０…半導体基板
４０ａ…上金型
４０ｂ…下金型
４１…キャビティ
５０…封止部
６０…封止体
７０…半導体パッケージ
【図１】
2019029423.tif 000006
【図２】
2019029423.tif 000007
【図３】
2019029423.tif 000008