(57)【要約】【課題】記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１面を有する磁極と、第１面に沿う第１方向に沿って前記磁極から離れた第１シールドと、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む磁性層と、前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接した非磁性の第１導電層と、前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層及び前記第１シールドと接した非磁性の第２導電層と、を含む。前記第１シールドは、前記第２導電層と接触する第１シールド面を有する。前記第１面に対して垂直な第２方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第２方向に沿う前記第１シールド面の長さに対する第１比は、０．１以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する磁極と、
第１面に沿う第１方向に沿って前記磁極から離れた第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた積層体と、
を備え、
前記積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む磁性層と、
前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接した非磁性の第１導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層及び前記第１シールドと接した非磁性の第２導電層と、
を含み、
前記第１シールドは、前記第２導電層と接触する第１シールド面を有し、
前記第１面に対して垂直な第２方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第２方向に沿う前記第１シールド面の長さに対する第１比は、０．１以上である、磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１方向に対して垂直で前記第２方向に対して垂直な第３方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第３方向に沿う前記磁極の長さに対する第２比は、０．５以上である、請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２導電層から前記第１導電層へ向かう向きに電流を通電可能な、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第２比が、１．３以下である、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１、請求項２、または、請求項５に記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１導電層から前記磁性層を介して前記第２導電層へ向かう方向に電流を通電可能な、請求項１、請求項２、請求項５、または請求項６に記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくともいずれかは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁極と前記第１シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の電気抵抗は、前記磁極と前記第１シールドとの間に前記第１電流を流さないときの前記磁極と前記第１シールドとの間の電気抵抗とは異なる、請求項１〜８のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記第１導電層、前記磁性層及び前記第２導電層を含む積層体に電流を供給可能な電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、記録密度の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０８１９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、第１面を有する磁極と、第１面に沿う第１方向に沿って前記磁極から離れた第１シールドと、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた積層体と、を含む。前記積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む磁性層と、前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接した非磁性の第１導電層と、前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層及び前記第１シールドと接した非磁性の第２導電層と、を含む。前記第１シールドは、前記第２導電層と接触する第１シールド面を有する。前記第１面に対して垂直な第２方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第２方向に沿う前記第１シールド面の長さに対する第１比は、０．１以上である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。
【図２】第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。
【図３】第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図１２】実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
【図１３】実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【図１４】実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的断面図である。  
図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式的平面図である。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部の拡大図である。図２は、図１（ｂ）の矢印ＡＦからみた平面図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、磁極３０と、第１シールド３１と、積層体２０と、を含む。この例では、第２シールド３２及びコイル３０ｃがさらに設けられている。
【００１０】
第１シールド３１と第２シールド３２との間に、磁極３０が位置する。コイル３０ｃの少なくとも一部は、磁極３０と第１シールド３１との間に位置する。この例では、コイル３０ｃの一部は、磁極３０と第２シールド３２との間に位置する。
【００１１】
コイル３０ｃに記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）が電気的に接続される。記録用電気回路からコイル３０ｃに記録電流が供給され、磁極３０から記録電流に応じた磁界（記録磁界）が生じる。記録磁界が磁気記録媒体８０に加わり、磁気記録媒体８０に情報が記録される。このように、記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）は、記録される情報に対応した電流（記録電流）をコイル３０ｃに供給可能である。
【００１２】
積層体２０は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。
【００１３】
磁極３０、第１シールド３１、第２シールド３２、コイル３０ｃ及び積層体２０の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。
【００１４】
磁極３０の端３０ｅに、第１面３０Ｆが設けられる。第１面３０Ｆは、例えば、媒体対向面である。第１面３０Ｆは、磁気ヘッド１１０のＡＢＳに沿う。第１面３０Ｆが磁気記録媒体８０に対向する。
【００１５】
第１面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１６】
Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。
【００１７】
第１シールド３１は、第１面３０Ｆに沿う第１方向Ｄ１に沿って、磁極３０から離れる。この例では、第１方向Ｄ１は、Ｘ軸方向に沿う。
【００１８】
例えば、第１面３０Ｆの近傍において、第１シールド３１は、Ｘ軸方向に沿って、磁極３０から離れる。例えば、第１面３０Ｆの近傍において、磁極３０は、Ｘ軸方向に沿って第２シールド３２から離れる。例えば、第１シールド３１の一部は、Ｘ軸方向に沿って、磁極３０の一部から離れる。例えば、磁極３０の一部は、Ｘ軸方向に沿って第２シールド３２の一部から離れる。Ｘ軸方向に実質的に沿って、磁気ヘッド１１０と磁気記録媒体８０とが、相対的に移動する。これにより、磁気記録媒体８０の任意の位置に、情報が記録される。
【００１９】
磁極３０は、例えば、主磁極である。第１シールド３１は、例えば、補助磁極である。第１シールド３１は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。例えば、図示しない、例えば、サイドシールドなどの追加のシールドを含んでよい。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、積層体２０は、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２を含む。
【００２１】
磁性層２５は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。磁性層２５は、例えば、ＦｅＣｏ層または、ＦｅＮｉ層などである。
【００２２】
第１導電層２１は、磁極３０と磁性層２５との間に設けられる。第１導電層２１は、磁極３０及び磁性層２５と接する。第１導電層２１は、非磁性である。第１導電層２１は、例えば、非磁性金属層ある。
【００２３】
第２導電層２２は、磁性層２５と第１シールド３１との間に設けられる。第２導電層２２は、磁性層２５及び第１シールド３１と接する。第２導電層２２は、非磁性である。第２導電層２２は、例えば、非磁性金属層である。
【００２４】
第１導電層２１及び第２導電層２２の少なくともいずれかは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１導電層２１及び第２導電層２２は例えば、Ｃｕ層である。
【００２５】
第１導電層２１及び第２導電層２２のいずれかは、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含んでもよい。例えば、第１導電層または第２導電層は、Ｔａを含む。
【００２６】
第１シールド３１は、第１シールド面３１ａを有する。第１シールド面３１ａは、第２導電層２２と対向する。第１シールド面３１ａは、第２導電層２２と接触する。
【００２７】
この例では、第１シールド面３１ａは、第１面３０Ｆ（例えば、Ｘ−Ｙ平面）に対して傾斜している。磁極３０の第１面３０Ｆの近傍において、発生する記録磁界を強めることができる。高密度の記録が安定して可能になる。
【００２８】
磁気ヘッド１１０において、例えば、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２が設けられる。これらの配線により、積層体２０に電流を供給可能である。
【００２９】
この例では、第１配線Ｗ１は、磁極３０と電気的に接続されている。第２配線Ｗ２は第１シールド３１と電気的に接続されている。第１配線Ｗ１が第１導電層２１と電気的に接続されても良い。第２配線Ｗ２が、第２導電層２２と電気的に接続されても良い。第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２は、第１電気回路２０Ｄに電気的に接続される。第１電気回路２０Ｄは、電流を積層体２０に供給可能である。
【００３０】
この電流は、例えば、第２導電層２２から第１導電層２１への向きを有する。この電流が供給された場合、電子流は、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れる。電流は第１導電層から第２導電層への向きを有しても良い。 
磁性層２５の厚さｔｍは、例えば、４ｎｍ（ナノメートル）以上２０ｎｍ以下である。第１導電層２１の厚さｔ１は、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。第２導電層２２の厚さｔ２は、例えば、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。これらの厚さは、積層体２０の積層方向に沿った長さである。積層方向は、例えば、第１シールド面３１ａに対して垂直である。
【００３１】
磁極３０は、第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）において積層体２０と重なる第１部分Ｐ１を含む。一方、第１シールド３１は、第１方向Ｄ１において積層体２０と重なる第２部分Ｐ２を含む。第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２との間の第１方向Ｄ１に沿った距離が、ライトギャップＷＧに対応する。ライトギャップＷＧは、矢印ＡＦからみたときの、第１部分Ｐ１と第２部分Ｐ２との間の距離に対応する。
【００３２】
第１面３０Ｆに対して垂直な方向を第２方向Ｄ２とする。第２方向Ｄ２は、Ｚ軸方向（例えば、ハイト方向）である。第１方向Ｄ１に対して垂直で第２方向Ｄ２に対して垂直な方向を第３方向Ｄ３とする。第３方向Ｄ３は、Ｙ軸方向（例えば、クロストラック方向）である。
【００３３】
第２方向Ｄ２に沿う磁性層２５の長さを磁性層高さｈｍとする。第２方向Ｄ２に沿う第１シールド面３１ａの長さを第１シールド面高さｈｓとする。
【００３４】
図２において、第１導電層２１、第２導電層２２及び絶縁部分は、省略されている。図２に示すように、第３方向Ｄ３（Ｙ軸方向）に沿う磁性層２５の長さを磁性層幅Ｗｍとする。第３方向Ｄ３に沿う磁極の長さを磁極幅Ｗｐとする。既に説明したように、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）に対して垂直であり、第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向）に対して垂直である。
【００３５】
既に説明したように、磁気ヘッド１１０においては、第２導電層２２から第１導電層２１への向きの電流、または、第１導電層２１から第２導電層２２への向きの電流を積層体２０に供給可能な配線（例えば、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２）を設けることができる。以下に説明するように、電流を積層体２０に流すことにより、磁極３０から生じる磁界（記録磁界）を磁気記録媒体８０に有効に印加することが容易になる。
【００３６】
図３は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。  
コイル３０ｃに記録電流を流すことにより、磁極３０から第１シールド３１に向かう磁界が生じる。積層体２０を設けない第１参考例においては、磁極３０から出た磁界の一部は、磁気記録媒体８０に向かわずに、直接、第１シールド３１に入る。このため、磁界は、磁気記録媒体８０に印加され難い。このような現象は、高分解能化を目的としたライトギャップの狭小化において、より顕著となる。一方、図３に示すように、磁気ヘッド１１０においては、積層体２０に電流を流すことで磁性層２５の磁化は、磁極３０から出た磁界Ｈ２の向きとは逆向きの成分を有している。このため、磁極３０から出た磁界Ｈ２は、磁性層２５を通過し難い。磁界Ｈ２の多くが、磁気記録媒体８０を通過して、第１シールド３１に入る。このため、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０に印加され易い。ライトギャップを小さくしたときにおいても、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０に印加される。
【００３７】
このように、実施形態においては、ライトギャップを小さくしたときにおいても、磁極３０から出た磁界Ｈ２が直接的に第１シールド３１に向かうことが抑制される。その結果、磁極３０から出た磁界Ｈ２の多くが磁気記録媒体８０に向かい、有効な記録磁界が磁気記録媒体８０に加わる。これにより、記録密度の向上が可能になる。
【００３８】
一方、磁極３０と第１シールド３１との間に、スピントルクオシレータ（ＳＴＯ）を設ける第２参考例がある。ＳＴＯは、２つの磁性層とその間に設けられた非磁性層とを含む。ＳＴＯから発生する高周波磁界が磁気記録媒体８０に印加され、磁気記録媒体８０の磁化の強磁性共鳴現象を誘起することで、局所的に記録が容易になる。この効果を用いて、高周波アシスト書き込みが行われる。
【００３９】
これに対して、本実施形態においては、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる積層体２０は、１つの磁性層２５を含む。実施形態においては、積層体２０から発生する高周波磁界を利用するのではない。実施形態においては、積層体２０の磁性層２５の磁化を利用して、磁極３０から出た磁界Ｈ２を有効に磁気記録媒体８０に向かわせる。
【００４０】
実施形態においては、磁性層２５の磁化は、例えば、積層体２０を流れる電流によるスピントルクにより、磁極３０から生じる磁界Ｈ２とは逆向きの成分を有する。
【００４１】
実施形態に係る磁気ヘッド１１０において、例えば、磁性層高さｈｍの第１シールド面高さｈｓに対する第１比（ｈｍ／ｈｓ）は、０．１以上である。これにより、後述するように、記録密度の向上が可能な磁気ヘッドを提供できる。
【００４２】
以下、磁気ヘッドの特性に関してのシミュレーション結果について説明する。  
シミュレーション（有限要素法による静磁界シミュレーション）においては、上記の、第１シールド面高さｈｓ、磁極幅Ｗｐ、ライトギャップＷＧ、磁性層高さｈｍ及び磁性層幅Ｗｍを変えたときの磁気ヘッドの特性が求められる。シミュレーションにおいて、第１シールド面高さｈｓは、２０ｎｍ、４０ｎｍ、または６０ｎｍとされる。磁極幅Ｗｐは、４０ｎｍまたは６０ｎｍとされる。ライトギャップＷＧは、１５ｎｍ、１８ｎｍまたは２０ｎｍとされる。磁性層高さｈｍは、１ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍまたは１００ｎｍとされる。磁性層幅Ｗｍは、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍまたは１００ｎｍとされる。
【００４３】
シミュレーションにおいては、これらの各種のパラメータを変更したときに、磁気ヘッドから磁気記録媒体８０に加わる磁界分布が計算される。
【００４４】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、ライトギャップＷＧが１５ｎｍ、１８ｎｍ及び２０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第１比Ｒ１である。第１比Ｒ１は、磁性層高さｈｍの第１シールド面高さｈｓに対する比（ｈｍ／ｈｓ）である。既に説明したように、磁性層高さｈｍは、第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向）に沿う磁性層２５の長さである。第１シールド面高さｈｓは、第２方向Ｄ２に沿う第１シールド面３１ａの長さである。縦軸は、磁界傾度のゲインＨＧＧ（％）である。磁界傾度は、オントラック位置（例えば、磁極幅Ｗｐの中心位置）での、第１方向Ｄ１に沿う磁界分布における空間的な有効磁界強度の変化率である。この例では、磁界傾度は、有効磁界強度が１０ｋＯｅとなるときの、ライトギャップＷＧ近傍の有効磁界強度の空間変化率として、算出される。ゲインＨＧＧは、磁性層２５を挿入していない以外は同様の構造を持つ磁気ヘッドにおける磁界傾度に対する、磁性層２５を含む磁気ヘッド１１０における磁界傾度の改善率を示す。シミュレーションにおいて、磁気ヘッド１１０の磁性層２５の磁化は、磁性層２５の厚さｔｍの方向に沿う。そして、磁性層２５の磁化は、磁性層２５を設けない場合に磁極３０から第１シールド３１へライトギャップＷＧを介して向かう磁界（ギャップ磁界）と、逆方向の成分を有する。ゲインＨＧＧの値が大きいときに、磁気ヘッドとしての特性が向上し、高密度記録が可能となる。ゲインＨＧＧが高いことが好ましい。
【００４５】
これらの図には、第２比Ｒ２が種々の値のときの値が記載されている。第２比Ｒ２は、磁性層幅Ｗｍの磁極幅Ｗｐに対する比（Ｗｍ／Ｗｐ）である。既に説明したように、磁性層幅Ｗｍは、第３方向Ｄ３（Ｙ軸方向）に沿う磁性層２５の長さである。磁極幅Ｗｐは、第３方向Ｄ３に沿う磁極３０の長さである。
【００４６】
図４（ａ）〜図４（ｃ）から分かるように、第１比Ｒ１（ｈｍ／ｈｓ）が低いときにゲインＨＧＧが低い。第１比Ｒ１が高いと、ゲインＨＧＧが高くなる。第１比Ｒ１が約０．１以上になると、ゲインＨＧＧが急峻に高くなり始める。従って、第１比Ｒ１は０．１以上であることが好ましい。これにより、高いゲインＨＧＧが得られる。第１比Ｒ１が１を超えると、ゲインＨＧＧの向上は、飽和する傾向がある。
【００４７】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、ライトギャップＷＧが１５ｎｍ、１８ｎｍ及び２０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第２比Ｒ２である。縦軸は、ゲインＨＧＧ（％）である。これらの図には、第１比Ｒ１が種々の値のときの値が記載されている。
【００４８】
これらの図から分かるように、第２比Ｒ２が上昇するにつれて、ゲインＨＧＧが上昇する。第２比Ｒ２が０．５以上において、ゲインＨＧＧの上昇が明確である。第２比Ｒ２が１よりも高い領域でもゲインＨＧＧは継続して改善する傾向にある。
【００４９】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）は、第１シールド面高さｈｓが２０ｎｍ、４０ｎｍ及び６０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第１比Ｒ１である。縦軸は、ゲインＨＧＧ（％）である。これらの図には、第２比Ｒ２が種々の値のときの値が記載されている。
【００５０】
これらの図から分かるように、第１比Ｒ１（ｈｍ／ｈｓ）が上昇するにつれて、ゲインＨＧＧが上昇する。第１比Ｒ１が約０．１以上になると、ゲインＨＧＧが高くなり始める。従って、第１比Ｒ１は０．１以上であることが好ましい。これにより、高いゲインＨＧＧが得られる。第１比Ｒ１が１を超えると、ゲインＨＧＧの向上は、飽和する傾向がある。
【００５１】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図７（ａ）、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、第１シールド面高さｈｓが２０ｎｍ、４０ｎｍ及び６０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第２比Ｒ２である。縦軸は、ゲインＨＧＧ（％）である。これらの図には、第１比Ｒ１が種々の値のときの値が記載されている。
【００５２】
これらの図から分かるように、第２比Ｒ２が上昇するにつれて、ゲインＨＧＧが上昇する。第２比Ｒ２が０．５以上において、ゲインＨＧＧの上昇が明確である。第２比Ｒ２が１よりも高い領域でもゲインＨＧＧは継続して改善する傾向にある。
【００５３】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、磁極幅Ｗｐが４０ｎｍ及び６０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第１比Ｒ１である。縦軸は、ゲインＨＧＧ（％）である。これらの図には、第２比Ｒ２が種々の値のときの値が記載されている。
【００５４】
これらの図から分かるように、第１比Ｒ１（ｈｍ／ｈｓ）が上昇するにつれて、ゲインＨＧＧが上昇する。第１比Ｒ１が約０．１以上になると、ゲインＨＧＧが高くなり始める。従って、第１比Ｒ１は０．１以上であることが好ましい。これにより、高いゲインＨＧＧが得られる。第１比Ｒ１が１を超えると、ゲインＨＧＧの向上は、実質的に飽和する傾向がある。
【００５５】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁極幅Ｗｐが４０ｎｍ及び６０ｎｍにそれぞれ対応する。これらの図の横軸は、第２比Ｒ２である。縦軸は、ゲインＨＧＧ（％）である。これらの図には、第１比Ｒ１が種々の値のときの値が記載されている。
【００５６】
これらの図から分かるように、第２比Ｒ２が上昇するにつれて、ゲインＨＧＧが上昇する。第２比Ｒ２が０．５以上において、ゲインＨＧＧの上昇が明確である。第２比Ｒ２が１よりも高い領域でもゲインＨＧＧは継続して改善する傾向にある。
【００５７】
上記の結果から、実施形態においては、第１比Ｒ１は、０．０５以上であることが好ましい。これにより、ゲインＨＧＧが得られる。第１比Ｒ１は、例えば、１．５以下である。
【００５８】
実施形態において、第１比Ｒ１は、０．１０以上であることがさらに好ましい。第１比Ｒ１は、０．５以上であることがさらに好ましい。第１比Ｒ１が高いことでゲインＨＧＧを大きくすることができる。
【００５９】
実施形態において、第１比Ｒ１は、１．０以下でも良い。
【００６０】
一方、第２比Ｒ２は、０．５以上であることが好ましい。これにより、高いゲインＨＧＧが得られる。第２比Ｒ２は、例えば、１．５以下である。
【００６１】
磁極幅Ｗｐ（第３方向Ｄ３（Ｙ軸方向）に沿う磁極３０の長さ）は、例えば、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【００６２】
磁性層幅Ｗｍ（第３方向Ｄ３（Ｙ軸方向）に沿う磁性層２５の長さ）は、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００６３】
第１シールド面高さｈｓ（第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向）に沿う第１シールド面３１ａの長さ）は、例えば、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。
【００６４】
磁性層高さｈｍ（第２方向Ｄ２（Ｚ軸方向）に沿う磁性層２５の長さ）は、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００６５】
ライトギャップＷＧ（第１方向（Ｘ軸方向）に沿う磁極３０と第１シールド３１との間の距離）は、例えば、１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００６６】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
ＬＬＧシミュレーションにおいて、上記の、第１シールド面高さｈｓ、磁極幅Ｗｐ、ライトギャップＷＧ、磁性層高さｈｍ及び磁性層幅Ｗｍを変えたときの磁性層２５の磁化反転率ＭＲＲを計算することができる。これらの図に結果を示す。全てのシミュレーションにおいて、磁性層２５の飽和磁化は１．０Ｔであり、厚さｔｍは１０ｎｍである。磁性層２５における電流密度は、５．５×１０８Ａ／ｃｍ２である。
【００６７】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）において、横軸は第１比Ｒ１である。縦軸は、磁性層２５の磁化反転率ＭＲＲである。磁化反転率ＭＲＲが「１」に近いほど、磁性層２５の磁化は、ギャップ磁界に対して大きな反平行成分を有する。
【００６８】
図１０（ａ）では、電流は、第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有する。このとき、第２導電層２２の材料として、Ｔａが想定される。図１０（ａ）に示すように、この場合では、第１比Ｒ１によらず高い磁化反転率ＭＲＲが得られる。
【００６９】
図１０（ｂ）では、電流は、第２導電層２２から第１導電層２１への向きを有する。このとき、第１導電層２１の材料として、Ｔａが想定される。図１０（ｂ）に示すように、この場合は、第１比Ｒ１が１．２を超えると、磁化反転率ＭＲＲが急激に劣化する。このため、第１比Ｒ１は１．２以下であることが好ましい。
【００７０】
図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、横軸は、第２比Ｒ２である。縦軸は、磁性層２５の磁化反転率ＭＲＲである。
【００７１】
図１１（ａ）では、電流は、第１導電層２１から第２導電層２２への向きを有する。このとき、第２導電層２２の材料として、Ｔａが想定される。図１１（ａ）に示すように、この場合では、第２比Ｒ２が１．３を超えると、磁化反転率ＭＲＲが急激に劣化する。このため、第２比Ｒ２は１．３以下であることが好ましい。
【００７２】
図１１（ｂ）では、電流は、第２導電層２２から第１導電層２１への向きを有する。このとき、第１導電層２１の材料として、Ｔａが想定される。図１１（ｂ）に示す通り、この場合では、第２比Ｒ２に対して、磁化反転率ＭＲＲに急激な劣化はみられない。
【００７３】
例えば、第１導電層２１が、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む場合、電流の向きに依存して、磁化反転率ＭＲＲの第１比Ｒ１の依存性、または、磁化反転率ＭＲＲの第２比Ｒ２に対する依存性が異なる。例えば、第２導電層２２が、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む場合、電流の向きに依存して、磁化反転率ＭＲＲの第１比Ｒ１の依存性、または、磁化反転率ＭＲＲの第２比Ｒ２に対する依存性が異なる。
【００７４】
第１導電層２１及び第２導電層２２のいずれかは、例えば、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、これらの材料においては、スピン拡散長が小さい。このような材料を用いることで、磁性層２５の磁化反転効率（例えば磁化反転率ＭＲＲ）を上昇することができる。
【００７５】
第１導電層２１にＴａを用いた場合、例えば、磁性層２５と第１導電層２１の界面において磁性層２５に作用するスピントランスファトルクを抑制することができると考えられる。第２導電層２２にＴａを用いた場合、例えば、磁性層２５と第２導電層２２との界面において磁性層２５に作用するスピントランスファトルクを抑制することができると考えられる。
【００７６】
以下、実施形態に係る磁気ヘッド１１０の動作の例について説明する。  
図１２は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。  
図１２に示すように、磁極３０と第１シールド３１との間に積層体２０が設けられる。積層体２０において、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２が設けられる。
【００７７】
磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）から、記録電流が供給される。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、積層体２０に印加される。
【００７８】
例えば、磁極３０の磁化３０ｍおよび第１シールド３１の磁化３１ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。磁性層２５の磁化２５ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。
【００７９】
このとき、第１電気回路２０Ｄから積層体２０に電流Ｉｃが供給される。この例では、第１シールド３１及び磁極３０を介して、電流Ｉｃが積層体２０に供給される。電流Ｉｃは、例えば、第２導電層２２から第１導電層２１に向かって流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れる。
【００８０】
電子流Ｊｅにより、第１導電層２１と磁性層２５との間の界面において、スピントルク２１ｓｐが生じる。このスピントルク２１ｓｐは、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、磁性層２５と第２導電層２２との間の界面において、スピントルク２２ｓｐが生じる。スピントルク２２ｓｐは、反射型である。これらのスピントルクにより、磁性層２５の磁化２５ｍは反転する。反転した磁化２５ｍは、図１２に示すギャップ磁界Ｈｇ１に対して反平行な成分を有する。
【００８１】
電流Ｉｃは、例えば、第１導電層から第２導電層に向かって流れても良い。このとき、図１２に示すスピントルク２１ｓｐの向き及びスピントルク２２ｓｐの向きが反転する。スピントルク２１ｓｐは反射型であり、スピントルク２２ｓｐは透過型である。
【００８２】
このように、実施形態においては、磁性層２５の磁化２５ｍが、磁性層２５に電流Ｉｃを通電していない場合に磁極３０から生じる磁界（ギャップ磁界Ｈｇ１）とは反対の向きを有する。このような磁化２５ｍにより、磁極３０から生じる磁界を、磁気記録媒体８０に有効に印加することができる。
【００８３】
実施形態において、例えば、第１導電層２１と第２導電層２２との間（例えば、磁極３０と第１シールド３１との間）に電流Ｉｃを流したときに、磁性層２５の磁化２５ｍは、電流Ｉｃを流していない場合に磁極３０から生じる磁界（ギャップ磁界Ｈｇ１）とは逆方向の成分を含む。
【００８４】
例えば、実施形態において、第１導電層２１と第２導電層２２との間に第１電流（電流Ｉｃでも良い）を流したときの磁極３０と第２導電層２２との間の電気抵抗は、第１導電層２１と第２導電層２２との間にその第１電流を流さないときの磁極３０と第２導電層２２との間の電気抵抗とは異なる。
【００８５】
例えば、実施形態において、第１導電層２１と第２導電層２２との間に第１電流を流したときの第１シールド３１と第１導電層２１との間の電気抵抗は、第１導電層２１と第２導電層２２との間にその第１電流を流さないときの第１シールド３１と第１導電層２１との間の電気抵抗とは異なる。
【００８６】
例えば、磁極３０と第１シールド３１との間に、第１導電層２１、磁性層２５及び第２導電層２２を介して第１電流を流している場合の積層体２０の電気抵抗は、第１電流を流さない場合の積層体２０の電気抵抗と異なる。
【００８７】
上記の電気抵抗の差は、例えば、磁気抵抗効果に基づく。
【００８８】
以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の例について説明する。  
図１３は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図１３は、ヘッドスライダを例示している。  
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００８９】
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００９０】
図１４は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。  
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図１４に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
【００９１】
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【００９２】
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
【００９３】
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
【００９４】
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
【００９５】
図１５（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。  
また、図１５（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
【００９６】
図１５（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
【００９７】
図１５（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
【００９８】
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【００９９】
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
【０１００】
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
【０１０１】
磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
【０１０２】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
【０１０３】
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
【０１０４】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。
【０１０５】
実施形態は、以下の構成（技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
第１面を有する磁極と、
第１面に沿う第１方向に沿って前記磁極から離れた第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた積層体と、
を備え、
前記積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む磁性層と、
前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接した非磁性の第１導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層及び前記第１シールドと接した非磁性の第２導電層と、
を含み、
前記第１シールドは、前記第２導電層と接触する第１シールド面を有し、
前記第１面に対して垂直な第２方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第２方向に沿う前記第１シールド面の長さに対する第１比は、０．１以上である、磁気ヘッド。
（構成２）  
前記第１方向に対して垂直で前記第２方向に対して垂直な第３方向に沿う前記磁性層の長さの、前記第３方向に沿う前記磁極の長さに対する第２比は、０．５以上である、構成１記載の磁気ヘッド。
（構成３）
前記第１比が、１．２以下である、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
（構成４）
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成５）
前記第２導電層から前記第１導電層へ向かう向きに電流を通電可能な、構成１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成６）
前記第２比が、１．３以下である、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
（構成７）
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１、構成２、または、構成６に記載の磁気ヘッド。
（構成８）
前記第１導電層から前記磁性層を介して前記第２導電層へ向かう方向に電流を通電可能な、構成１、構成２、構成６、または構成７に記載の磁気ヘッド。
（構成９）
前記第２方向に沿う前記磁性層の前記長さは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、構成１〜８のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１０）
前記第３方向に沿う前記磁性層の前記長さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、構成２記載の磁気ヘッド。
（構成１１）  
前記第１導電層及び前記第２導電層の少なくともいずれかは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１２）
前記第１シールド面に対して垂直な方向に沿う前記磁性層の厚さは、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、構成１〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１３）
前記第１シールド面に対して垂直な方向に沿う前記第１導電層の厚さ、及び、前記第１シールド面に対して垂直な前記方向に沿う第２導電層の厚さのそれぞれは、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である構成１〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１４）  
前記第１導電層と前記第２導電層との間に電流を流したときに、前記磁性層の磁化は、前記磁極から生じる磁界とは逆方向の成分を含む、構成１〜１３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１５）  
前記第１導電層と前記第２導電層との間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２導電層との間の電気抵抗は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に前記第１電流を流さないときの前記磁極と前記第２導電層との間の電気抵抗とは異なる、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１６）  
前記第１導電層と前記第２導電層との間に第１電流を流したときの前記第１シールドと前記第１導電層との間の電気抵抗は、前記第１導電層と前記第２導電層との間に前記第１電流を流さないときの前記第１シールドと前記第１導電層との間の電気抵抗とは異なる、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１７）  
前記磁極と前記第１シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の電気抵抗は、前記磁極と前記第１シールドとの間に前記第１電流を流さないときの前記磁極と前記第１シールドとの間の電気抵抗とは異なる、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
（構成１８）
構成１〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記第１導電層、前記磁性層及び前記第２導電層を含む積層体に電流を供給可能な電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。
【０１０６】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
【０１０７】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１０８】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、第１シールド、第２シールド、積層体、磁性層、導電層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１０９】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１１０】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１１１】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１１２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１３】
２０…積層体、  ２０Ｄ…第１電気回路、  ２１…第１導電層、  ２１ｓｐ…スピントルク、  ２２…第２導電層、  ２２ｓｐ…スピントルク、  ２５…磁性層、  ２５ｍ…磁化、  ３０…磁極、  ３０Ｄ…第２電気回路、  ３０Ｆ…第１面、  ３０ｃ…コイル、  ３０ｅ…端、  ３０ｉ…絶縁部、  ３０ｍ…磁化、  ３１…第１シールド、  ３１ａ…第１シールド面、  ３１ｍ…磁化、  ３２…第２シールド、  ８０…磁気記録媒体、  １１０…磁気ヘッド、  １５０…磁気記録再生装置、  １５４…サスペンション、  １５５…アーム、  １５６…ボイスコイルモータ、  １５７…軸受部、  １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、  １５９…ヘッドスライダ、  １５９Ａ…空気流入側、  １５９Ｂ…空気流出側、  １６０…ヘッドスタックアセンブリ、  １６１…支持フレーム、  １６２…コイル、  １８０…記録用媒体ディスク、  １８０Ｍ…スピンドルモータ、  １８１…記録媒体、  １９０…信号処理部、  ＡＦ、ＡＲ…矢印、  Ｄ１〜Ｄ３…第１方向、  Ｈ２…磁界、  ＨＧＧ…ゲイン、  Ｈｇ１…ギャップ磁界、  Ｉｃ…電流、  Ｊｅ…電子流、  ＭＲＲ…磁化反転率、  Ｐ１、Ｐ２…第１、第２部分、  Ｒ１、Ｒ２…第１、第２比、  Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、  ＷＧ…ライトギャップ、  Ｗｍ…磁性層幅、  Ｗｐ…磁極幅、  ｈｍ…磁性層高さ、  ｈｓ…第１シールド面高さ、  ｔ１、ｔ２、ｔｍ…厚さ
【図１】
2019057338.tif 000003
【図２】
2019057338.tif 000004
【図３】
2019057338.tif 000005
【図４】
2019057338.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2019057338.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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