(57)【要約】【課題】特性低下を抑制すること。【解決手段】電子部品は、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する実装面１１を回路基板に向けて実装される。コイル４０は、実装面１１と直交する第１の側面１３及び第２の側面１４と垂直な方向に配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続した螺旋状のコイルである。そして、コイル４０の内周において実装面１１に最も近い最下点ＰＤと実装面１１から最も遠い最上点ＰＵとの中間点ＰＣは、実装面１１と垂直な方向における素体１０の中心から実装面１１と反対側にオフセットされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に接続されるＬ字状の第１外部電極及び第２外部電極と、
前記第１外部電極と前記第２外部電極とが露出する実装面と、前記実装面と直交し前記第１外部電極が露出する第１の端面と、前記第１の端面と平行であり前記第２外部電極が露出する第２の端面と、前記実装面と前記第１の端面と前記第２の端面と直交し互いに平行な第１の側面及び第２の側面とを有する直方体状の素体と、
前記素体内に設けられ、第１端が前記第１外部電極に接続され、第２端が前記第２外部電極に接続され、前記第１の側面及び前記第２の側面と垂直な第１の方向に配列された複数のコイル導体層を含み、前記複数のコイル導体層を直列に接続した螺旋状のコイルと、
を有し、
前記コイルの内周において前記実装面に最も近い最下点と前記実装面から最も遠い最上点との中間点は、前記実装面と垂直な第２の方向における前記素体の中心から前記実装面と反対側にオフセットされている、
電子部品。
【請求項２】
前記コイルは、前記第１の側面から視て円形状、又は前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長円状である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記コイルに並列接続され、少なくとも一部が前記コイルと前記実装面との間に設けられたコンデンサを有する、請求項１又は２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記コンデンサは、前記第１の方向に配列され、前記第１の方向に対向する複数のコンデンサ導体層を含む、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記コイルは、前記第１の側面から視て円形状である、請求項３又は４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記コンデンサは、前記コイルと前記実装面との間に設けられた第１容量部と、前記コイルと前記第１の端面との間に設けられた第２容量部と、前記コイルと前記第２の端面との間に設けられた第３容量部とを有する、
請求項３〜５の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記コイルは、前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長円状である、請求項３又は４に記載の電子部品。
【請求項８】
前記コンデンサは、前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長方形状である、
請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１外部電極と前記第２外部電極はそれぞれ、前記素体に埋め込まれた外部端子電極を有する、
請求項１〜８の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記中間点は、前記第１外部電極と前記第２外部電極の上端より前記実装面とは反対側に位置している、請求項１〜９の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記コンデンサは、前記第１外部電極と前記第２外部電極の上端よりも前記実装面側に位置している、請求項３〜８の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記実装面に垂直な方向における前記素体の寸法を高さ寸法Ｔ１とし、前記実装面から前記中間点までの距離を高さＤ１としたとき、高さ寸法Ｔ１に対する高さＤ１の比Ｄ１／Ｔ１が０．５１≦Ｄ１／Ｔ１≦０．７１の範囲である、請求項１〜１１の何れか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品は、種々の電子機器に搭載されている。その電子部品の１つとして、例えば積層型のインダクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなインダクタは、複数の内部導体層を螺旋状に接続したコイルと、コイルの両端部が接続された外部電極とを有する。外部電極は、電子機器の回路基板に設けられたパッドと、はんだ等により接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−９８３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、携帯電話などの電子機器の高周波に伴い、電子機器には高周波信号に対応した小型インダクタが要求されている。インダクタの小型化は、インダクタンス値（Ｌ値）やＱ値を低下させる。このため、高周波信号に用いられるインダクタにおいて、インダクタンス値（Ｌ値）やＱ値等の特性の向上が求められる。
【０００５】
しかしながら、電子部品が搭載される回路基板によっては、電子部品の特性値（インダクタンス値（Ｌ値）やＱ値等）が低下する場合がある。例えば、螺旋状のコイルを有する電子部品において、コイルより生じる磁束は、コイルの内部から電子部品の外部を通ってコイルの内部へと戻るように形成される。そのため、回路基板に設けられたパッドやグランド導体層等により磁束が遮られる。また、パッドやグランド導体層等において、磁束による渦電流が発生する。このような渦電流は、コイルの特性を低下させる要因となる。例えば、特許文献１のように、コイルの内径を大きくすることで、高いＱ値を得るようにしたインダクタでは、コイルにより発生する磁束が回路基板により遮られ、Ｑ値が低下し易い。
【０００６】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、特性低下を抑制できる電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様である電子部品は、回路基板に接続されるＬ字状の第１外部電極及び第２外部電極と、前記第１外部電極と前記第２外部電極とが露出する実装面と、前記実装面と直交し前記第１外部電極が露出する第１の端面と、前記第１の端面と平行であり前記第２外部電極が露出する第２の端面と、前記実装面と前記第１の端面と前記第２の端面と直交し互いに平行な第１の側面及び第２の側面とを有する直方体状の素体と、前記素体内に設けられ、第１端が前記第１外部電極に接続され、第２端が前記第２外部電極に接続され、前記第１の側面及び前記第２の側面と垂直な第１の方向に配列された複数のコイル導体層を含み、前記複数のコイル導体層を直列に接続した螺旋状のコイルと、を有し、前記コイルの内周において前記実装面に最も近い最下点と前記実装面から最も遠い最上点との中間点は、前記実装面と垂直な第２の方向における前記素体の中心から前記実装面と反対側にオフセットされている。
【０００８】
この構成によれば、電子部品は、第１外部電極と第２外部電極とが露出する実装面を回路基板に向けてその回路基板に実装される。コイルは、実装面と直交する第１の側面及び第２の側面と垂直な第１の方向に配列された複数のコイル導体層を直列に接続した螺旋状のコイルである。そして、コイルの内周において実装面に最も近い最下点と実装面から最も遠い最上点との中間点は、実装面と垂直な第２の方向における素体の中心から実装面と反対側にオフセットされている。従って、コイルにより生じる磁束は、コイルと実装面との間、つまりコイルと回路基板との間を通り易く、回路基板のグランド配線やパッドによって磁束が遮られ難い。このため、コイルのインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上し、コイルのＱ値の低下が抑制される。
【０００９】
上記の電子部品は、前記コイルは、前記第１の側面から視て円形状、又は前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長円状であることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、高周波の信号における反射損失が低減し、コイルのＱ値の低下がより抑制される。
上記の電子部品は、前記コイルに並列接続され、少なくとも一部が前記コイルと前記実装面との間に設けられたコンデンサを有することが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、コイルの中間点は、実装面と垂直な第２の方向における素体の中心から実装面と反対側にオフセットされているため、コイルと実装面との間にコンデンサを形成することで、コイルのＱ値の低下を抑制しながら、互いに並列に接続されたコイルとコンデンサとを含む電子部品を提供できる。また、コイルの周辺の余った面積をコンデンサに使用することができ、コイルとコンデンサを含む電子部品の実装面積の削減と小型化が可能となる。
【００１２】
上記の電子部品において、前記コンデンサは、前記第１の方向に配列され、前記第１の方向に対向する複数のコンデンサ導体層を含むことが好ましい。
この構成によれば、コンデンサ導体層の数を調整することで、コンデンサの容量の取得範囲が広がる。また、同一プロセスでコイルのパターンとコンデンサのパターンとを形成できるので、製造効率が向上する。
【００１３】
上記の電子部品において、前記コイルは、前記第１の側面から視て円形状であることが好ましい。
この構成によれば、高周波の信号における反射損失を低減し、コイルのＱ値の低下がより抑制できる。
【００１４】
上記の電子部品において、前記コンデンサは、前記コイルと前記実装面との間に設けられた第１容量部と、前記コイルと前記第１の端面との間に設けられた第２容量部と、前記コイルと前記第２の端面との間に設けられた第３容量部とを有することが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、コンデンサの対向面積が大きくでき、コンデンサの容量の取得範囲が広がる。
上記の電子部品において、前記コイルは、前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長円状であることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、高周波の信号における反射損失を低減し、コイルのＱ値の低下がより抑制できる。
上記の電子部品において、前記コンデンサは、前記第１の側面から視て前記第１の端面及び前記第２の端面と垂直な方向に延びる長方形状であることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、コイルの長さを長くしてインダクタンス値（Ｌ値）を大きくでき、インダクタンス値の取得範囲を広くできる。また、コイルの内部の面積を大きくしてＱ値を大きくでき、Ｑ値の取得範囲を広くできる。また、コイルにより生じる磁束のうち、コンデンサ導体層によって遮られる量が低減するため、コイルのＱ値の低下をさらに抑制できる。
【００１８】
上記の電子部品は、前記第１外部電極と前記第２外部電極はそれぞれ、前記素体に埋め込まれた外部端子電極を有することが好ましい。
この構成によれば、外部電極を素体に外付けするものに比べ、電子部品の小型化を図ることができる。また、第１外部電極及び第２外部電極と素体内部のパターン（コイルのパターン）との位置ずれが生じ難く、特性のばらつきが低減される。
【００１９】
上記の電子部品において、前記中間点は、前記第１外部電極と前記第２外部電極の上端より前記実装面とは反対側に位置していることが好ましい。
この構成によれば、コイルにより生じる磁束が第１外部電極と第２外部電極とに遮られ難く、コイルと第１外部電極、第２外部電極との間に派生する浮遊容量が低減する。このため、コイルのＱ値の低下がさらに抑制される。
【００２０】
上記の電子部品において、前記コンデンサは、前記第１外部電極と前記第２外部電極の上端よりも前記実装面側に位置していることが好ましい。
この構成によれば、第１外部電極、第２外部電極とコンデンサ導体層との間に発生する浮遊容量により、コンデンサの容量値の取得効率が向上する。
【００２１】
上記の電子部品において、前記実装面に垂直な方向における前記素体の寸法を高さ寸法Ｔ１とし、前記実装面から前記中間点までの距離を高さＤ１としたとき、高さ寸法Ｔ１に対する高さＤ１の比Ｄ１／Ｔ１が０．５１≦Ｄ１／Ｔ１≦０．７１の範囲であることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、コイルにより生じる磁束が遮られ難く、コイルのＱ値の低下がさらに抑制される。
【発明の効果】
【００２３】
本開示の一態様によれば、特性低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図２】（ａ）は第１実施形態の電子部品の概略平面図、（ｂ）は第１実施形態の電子部品の概略正面図。
【図３】第１実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図４】第１実施形態の電子部品の分解斜視図。
【図５】比較例の電子部品の概略正面図。
【図６】第２実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図７】（ａ）は第２実施形態の電子部品の概略平面図、（ｂ）は第２実施形態の電子部品の概略正面図。
【図８】第２実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図９】第２実施形態の電子部品の分解斜視図。
【図１０】比較例の電子部品の概略正面図。
【図１１】比較例の電子部品の概略斜視図。
【図１２】第３実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図１３】（ａ）は第３実施形態の電子部品の概略平面図、（ｂ）は第３実施形態の電子部品の概略正面図。
【図１４】第３実施形態の電子部品の概略斜視図。
【図１５】第３実施形態の電子部品の分解斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、各形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、斜視図等において、理解を容易にするために、一部の構成要素に梨地のハッチングを付している場合がある。
【００２６】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を説明する。
図１に示すように、電子部品１は、素体１０を有している。素体１０は、概略で直方体状に形成されている。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成されていてもよい。また、「直方体状」では対向する面が必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい。
【００２７】
素体１０は、実装面１１を有している。この実装面１１は、電子部品１を回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面を意味する。素体１０は、実装面１１と平行な上面１２を有している。また、素体１０は、実装面１１に対して直交する二対の面を有している。この二対の面のうちの一方の一対の面を第１の側面１３及び第２の側面１４とし、二対の面のうちの他方の一対の面を第１の端面１５及び第２の端面１６とする。
【００２８】
本明細書において、上面１２及び実装面１１と垂直な方向を「高さ方向」、第１の側面１３と第２の側面１４と垂直な方向を「幅方向」、第１の端面１５と第２の端面１６と垂直な方向を「長さ方向」とする。具体的な例示として、「長さ方向Ｌ」、「高さ方向Ｔ」、「幅方向Ｗ」を図１に図示する。そして、「幅方向」の大きさを「幅寸法」、「高さ方向」の大きさを「高さ寸法」、「長さ方向」の大きさを「長さ寸法」とする。
【００２９】
素体１０において、長さ方向Ｌの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。例えば、長さ寸法Ｌ１は、０．６ｍｍである。また、素体１０において、幅方向Ｗの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることが好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましい。例えば、素体１０の幅寸法Ｗ１は、０．３ｍｍである。また、素体１０において、高さ方向Ｔの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。例えば、素体１０の高さ寸法Ｔ１は、０．４ｍｍである。本実施形態において、素体１０は、幅寸法Ｗ１に対して高さ寸法Ｔ１が大きい（Ｔ１＞Ｗ１）。
【００３０】
図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３に示すように、電子部品１は、第１外部電極２０及び第２外部電極３０と、コイル４０とを有している。図２（ａ）、図２（ｂ）及び図３では、コイル４０と、後述する第１外部電極２０及び第２外部電極３０の外部端子電極２１，３１とを実線にて示すとともに素体１０等の部材を二点鎖線にて示しことにより、コイル４０と外部端子電極２１，３１とを判り易くしている。
【００３１】
第１外部電極２０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第１外部電極２０は、素体１０の第１の端面１５において露出している。
同様に、第２外部電極３０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第２外部電極３０は、素体１０の第２の端面１６において露出している。
【００３２】
つまり、素体１０の実装面１１には、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出している。言い換えると、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する面を実装面１１としている。
【００３３】
本実施形態において、第１外部電極２０は、外部端子電極２１と被覆層２２とを含む。外部端子電極２１は、素体１０に埋め込まれている。外部端子電極２１は、幅方向から視てＬ字状に形成されている。この外部端子電極２１は、素体１０の第２の端面１６に露出する端面電極２３ａと、素体１０の実装面１１に露出する下面電極２３ｂとを含む。被覆層２２は、素体１０の第１の端面１５と実装面１１とに露出する外部端子電極２１を覆うように形成されている。従って、第１外部電極２０は、素体１０において、実装面１１から第１の端面１５にかけて連続して露出する。
【００３４】
本実施形態において、第２外部電極３０は、外部端子電極３１と被覆層３２とを含む。外部端子電極３１は、素体１０に埋め込まれている。外部端子電極３１は、Ｌ字状に形成されている。この外部端子電極３１は、素体１０の第２の端面１６に露出する端面電極３３ａと、素体１０の実装面１１に露出する下面電極３３ｂとを含む。被覆層３２は、素体１０の第２の端面１６と実装面１１とに露出する外部端子電極３１を覆うように形成されている。従って、第２外部電極３０は、素体１０において、実装面１１から第２の端面１６にかけて連続して露出する。
【００３５】
被覆層２２、被覆層３２の材料としては、耐はんだ性やはんだ濡れ性の高い材料を用いることができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等の金属、又はこれらの金属を含む合金などを用いることができる。また、被覆層は、複数の層により形成することもできる。例えば、Ｎｉめっきと、Ｎｉめっきの表面を覆うＳｎめっきとを用いることもできる。なお、被覆層２２と被覆層３２は、省略されてもよい。その場合、外部端子電極２１を第１外部電極２０、外部端子電極３１を第２外部電極３０とすることができる。
【００３６】
第１外部電極２０は、第１の端面１５において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さの略１／２の長さに形成されている。第１外部電極２０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成されている。本実施形態において、幅方向Ｗにおける第１外部電極２０の大きさ（幅寸法）は、素体１０の幅寸法より小さい。なお、第１外部電極２０の幅寸法は、適宜変更されてもよく、例えば素体１０の幅方向の全体に亘って形成されていてもよい。
【００３７】
第２外部電極３０は、第２の端面１６において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さの略１／２の長さに形成されている。第２外部電極３０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成されている。本実施形態において、幅方向Ｗにおける第２外部電極３０の大きさ（幅寸法）は、素体１０の幅寸法より小さい。なお、第２外部電極３０の幅寸法は、適宜変更されてもよく、例えば素体１０の幅方向の全体に亘って形成されていてもよい。
【００３８】
図４に示すように、素体１０は、複数の絶縁体層６０を含む。素体１０は、複数の絶縁体層６０を積層して形成されている。個々の絶縁体層に、それぞれを区別する符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を付している。以下の説明において、複数の絶縁体層を区別しない場合には符号「６０」を用い、個々を区別する場合には符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を用いる。
【００３９】
複数の絶縁体層６０は、それぞれ長方形の板状に形成されている。素体１０は、積層されたこれらの絶縁体層６０により、直方体状をなしている。絶縁体層６０の材料としては、材料としては、比透磁率が「２」以下の材料を用いることができる。なお、絶縁体層６０の比透磁率は「１」に近いことが好ましい。絶縁体層６０は、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料や、アルミナ、ジルコニア、ポリイミド樹脂等の絶縁樹脂などの材料からなる。なお、素体１０は、焼成や硬化等の処理によって、複数の絶縁体層６０の界面が明確となっていない場合がある。
【００４０】
絶縁体層６１，６５の色は、他の絶縁体層６２，６３ａ〜６３ｊ，６４の色と異なる。図１では、これらの絶縁体層６１，６５をハッチング及び実線にて他の絶縁体層と区別して示している。これにより、電子部品１の実装時に、電子部品１の横転等の検出が可能となる。
【００４１】
コイル４０は、素体１０内に設けられている。コイル４０の第１端は第１外部電極２０に接続され、コイル４０の第２端は第２外部電極３０に接続されている。
図２（ａ）に示すように、コイル４０は、素体１０の幅方向Ｗに設けられた複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆと、コイル導体層４１ａ〜４１ｆを接続するビア導体層４２ａ〜４２ｆを含む。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、各コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、幅方向Ｗ（図１に示す第１の側面１３及び第２の側面１４に直交する方向であり絶縁体層の積層方向）から視て、一部が互いに重なりあって略円形状の軌道を形成している。従って、コイル４０は、幅方向Ｗから視て、略円形状に形成されている。なお、「互いに重なる」とは、製造ばらつき等により、僅かに重ならない場合も含む。なお、コイル４０の形状はこの形状に限定されず、例えば、外形が楕円形、矩形、又はその他の多角形、複数の図形の組み合わせ、等としてもよい。
【００４３】
本実施形態のコイル４０において、コイル４０の内周のうちの最も低い、つまり実装面１１に近い点を最下点ＰＤとする。また、コイル４０の内周のうちの最も高い、つまり実装面１１から最も遠い点を最上点ＰＵとする。コイル４０の内周は、コイル４０を形成する複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆにおいて、コイル４０の内側の辺を示す。図２（ｂ）において、コイル導体層４１ｆに重なるコイル導体層４１ｃ，４１ｄ（図４参照）の内側の辺を破線にて示している。そして、最下点ＰＤと最上点ＰＵの中間の点を、コイル４０の中間点ＰＣとする。本実施形態において、コイル４０の中間点ＰＣは、高さ方向Ｔにおいて素体１０の中心よりも上方に位置している。つまり、コイル４０の中間点ＰＣは、素体１０の中心より上方にオフセットされている。
【００４４】
素体１０の高さ寸法をＴ１、コイル４０の中間点ＰＣの高さをＤ１とする。高さ寸法Ｔ１に対する高さＤ１の比Ｄ１／Ｔ１は、例えば０．５１≦Ｄ１／Ｔ１≦０．７１の範囲であることが好ましい。比Ｄ１／Ｔ１が０．５１以上であると、コイル４０により発生する磁束が回路基板に遮られ難くなる。また、比Ｄ１／Ｔ１が０．７１以下であると、コイル４０の内径を確保し易く、コイル４０のＱ値の低下をより抑制できる。
【００４５】
本実施形態において、第１外部電極２０と第２外部電極３０は、それぞれの上端が素体１０の高さ方向Ｔにおいて、素体１０の高さ寸法の１／２の高さに位置している。従って、本実施形態において、コイル４０の中間点ＰＣは、第１外部電極２０と第２外部電極３０の上端よりも上方（素体１０の実装面１１とは反対側）に位置している。
【００４６】
コイル４０（コイル導体層４１ａ〜４１ｆ及びビア導体層４２ａ〜４２ｆ）は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。
【００４７】
図４に示すように、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、絶縁体層６３ｃ〜６３ｈ上に平面状に形成されている。各コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、絶縁体層６３ｄ〜６３ｈを厚さ方向に貫通するビア導体層４２ａ〜４２ｆ（図４参照）を介して電気的に直列に接続されている。なお、図４では、ビア導体層４２ａ〜４２ｆが一点鎖線にて示されている。このように、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆは、互いに電気的に直列に接続され、螺旋を構成する。従ってコイル４０は、巻回数（ターン数）が１周未満のコイル導体層４１ａ〜４１ｆをビア導体層４２ａ〜４２ｆにより直列に接続して構成された、螺旋状のコイルである。なお、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間で全体的に直列に接続されていればよい。例えば、コイル導体層４１ｃ、４１ｄのように部分的に並列に接続された部分が含まれていても、コイル導体層４１ｂと接続されたコイル導体層４１ｃの端部から、コイル導体層４１ｅと接続されたコイル導体層４１ｄの端部までの経路で見ると直列に接続されていると言える。従って、コイル４０は、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続したものである。
【００４８】
各絶縁体層６３ａ〜６３ｊには、図２（ｂ）に示す外部端子電極２１を構成する外部導体層２１ａ〜２１ｊと、外部端子電極３１を構成する外部導体層３１ａ〜３１ｊが形成されている。外部導体層２１ａ〜２１ｊは、Ｌ字状をなしており、絶縁体層６３ａ〜６３ｊの角部に設けられている。また、外部導体層３１ａ〜３１ｊは、Ｌ字状をなしており、外部導体層２１ａ〜２１ｊと対称となるように、絶縁体層６３ａ〜６３ｊの角部に設けられている。
【００４９】
外部端子電極２１は、絶縁体層６３ａ〜６３ｊを積層することにより、外部導体層２１ａ〜２１ｊにより形成される。外部端子電極３１は、絶縁体層６３ａ〜６３ｊを積層することにより、外部導体層３１ａ〜３１ｊにより形成される。
【００５０】
詳述すると、外部導体層２１ａ，３１ａは、絶縁体層６３ａの主面に形成された導体層である。外部導体層２１ｂ〜２１ｊ，３１ｂ〜３１ｊはそれぞれ、絶縁体層６３ｂ〜６３ｊの主面に形成された導体層と、絶縁体層６３ｂ〜６３ｊを貫通する接続部とを含む。図２（ａ）では、導体層と接続部とが幅方向Ｗに交互に設けられた状態が示されている。絶縁体層６３ａ〜６３ｊを積層することにより、外部導体層２１ａ〜２１ｊが互いに接続されて外部端子電極２１を形成するとともに、外部導体層３１ａ〜３１ｊが互いに接続されて外部端子電極３１を形成する。
【００５１】
外部端子電極２１（外部導体層２１ａ〜２１ｊ）は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。外部端子電極３１（外部導体層３１ａ〜３１ｊ）は、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。
【００５２】
（製造方法）
次に、上述の電子部品１の製造方法について、図４を参照して説明する。
先ず、絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層を形成する。マザー絶縁体層とは、複数の絶縁体層６１が繋がった状態でマトリクス状に配列された大判の絶縁体層である。例えばキャリアフィルム上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布した後に、該絶縁ペーストの全体を紫外線で露光する。これにより、絶縁ペーストが硬化し、絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層が形成される。本実施形態では、焼成後の比透磁率が「２」以下となる絶縁ペーストを用いた。なお、絶縁体層６１に用いられる絶縁ペーストには、絶縁体層６２，６３ａ〜６３ｊ，６４に用いられる絶縁ペーストと異なる着色が施されている。
【００５３】
次に、絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６１となるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布した後に、絶縁ペーストの全体を紫外線で露光し、絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層を形成する。
【００５４】
次に、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６２となるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布した後に、絶縁ペーストの全体を紫外線で露光し、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層を形成する。
【００５５】
次に、フォトリソグラフィ工程により、外部導体層２１ａ，３１ａを形成する。例えば、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上にＡｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層を形成する。次いで、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、外部導体層２１ａ，３１ａが、絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。
【００５６】
次に、絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６３ａとなるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布した後に、外部導体層２１ｂ，３１ｂが形成される位置を覆うフォトマスクを介して絶縁ペーストを紫外線で露光する。次いで、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。これにより、外部導体層２１ｂ，３１ｂに対応する角部が切り欠かれた絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層を形成する。
【００５７】
次に、フォトリソグラフィ工程により、外部導体層２１ｂ，３１ｂを形成する。例えば、絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層上にＡｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層を形成する。このとき、導電ペーストは、上述の切り欠き部分に充填される。次いで、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、外部導体層２１ｂ，３１ｂが、絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。
【００５８】
次に、絶縁体層６３ｃとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６３ｂとなるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布した後に、外部導体層２１ｃ，３１ｃが形成される位置を覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。次いで、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。これにより、外部導体層２１ｃ，３１ｃに対応する角部が切り欠かれた絶縁体層６３ｃとなるべきマザー絶縁体層が形成される。
【００５９】
次に、フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層４１ａ及び外部導体層２１ｃ，３１ｃを形成する。絶縁体層６３ｃとなるべきマザー絶縁体層上にＡｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層を形成する。このとき、導電ペーストは、上述の切り欠き部分に充填される。次いで、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、コイル導体層４１ａ及び外部導体層２１ｃ，３１ｃが、絶縁体層６３ｃとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。
【００６０】
次に、絶縁体層６３ｄとなるべきマザー絶縁体層を形成する。絶縁体層６３ｃとなるべきマザー絶縁体層上に絶縁ペーストを塗布した後に、ビア導体層４２ａ、及び外部導体層２１ｄ，３１ｄが形成される位置を覆うフォトマスクを介して該絶縁ペーストを紫外線で露光する。次いで、未硬化の絶縁ペーストをアルカリ溶液などで除去する。これにより、ビア導体層４２ａに対応する位置に貫通孔を有するとともに、外部導体層２１ｄ，３１ｄに対応する角部が切り欠かれた絶縁体層６３ｄとなるべきマザー絶縁体層が形成される。
【００６１】
次に、フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層４１ｂ、ビア導体層４２ａ、及び外部導体層２１ｄ，３１ｄを形成する。絶縁体層６３ｄとなるべきマザー絶縁体層上Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストを印刷により塗布して、導電ペースト層を形成する。このとき、導電ペーストは、上述の貫通孔及び切り欠き部分に充填される。次いで、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、コイル導体層４１ｂ、ビア導体層４２ａ、及び外部導体層２１ｄ，３１ｄが、絶縁体層６３ｄとなるべきマザー絶縁体層上に形成される。
【００６２】
この後、マザー絶縁体層を形成する工程と、フォトリソグラフィ工程と、を交互に繰り返すことにより、絶縁体層６３ｅ〜６３ｈとなるべきマザー絶縁体層、コイル導体層４１ｃ〜４１ｆ、外部導体層２１ｅ〜２１ｈ，３１ｅ〜３１ｈ、及びビア導体層４２ｂ〜４２ｆを形成する。
【００６３】
また、マザー絶縁体層を形成する工程と、フォトリソグラフィ工程と、を交互に繰り返すことにより、絶縁体層６３ｉ，６３ｊとなるべきマザー絶縁体層、外部導体層２１ｉ，２１ｊ，３１ｉ，３１ｊを形成する。
【００６４】
次に、絶縁体層６４となるマザー絶縁体層を、上述の絶縁体層６２となるマザー絶縁体層と同様にして、絶縁体層６３ｊとなるべきマザー絶縁体層上に形成する。そして、絶縁体層６５となるマザー絶縁体層を、上述の絶縁体層６１となるマザー絶縁体層と同様にして、絶縁体層６４となるべきマザー絶縁体層上に形成する。
【００６５】
以上の工程を経て、マトリクス状に配列されるとともに互いにつながった状態の複数の素体１０を含むマザー積層体を得る。
次に、ダイシング等によりマザー積層体をカットして未焼成の素体１０を得る。カット工程では、カットにより形成されるカット面において外部導体層２１ａ〜２１ｊ，３１ａ〜３１ｊが素体１０から露出する。なお、後述する焼成において素体１０が収縮するので、収縮を考慮してマザー積層体をカットする。
【００６６】
次に、未焼成の素体１０を所定条件で焼成し、素体１０を得る。更に、素体１０に対してバレル加工を施す。次いで、外部導体層２１ａ〜２１ｊ，３１ａ〜３１ｊを被覆する被覆層２２，３２（図１参照）を形成する。例えば、被覆層は、電解めっき法や無電解めっき法により形成することができる。
【００６７】
以上の工程を経て、電子部品１が完成する。
なお、上記の製造方法は例示であって、電子部品１の構造が実現できるのであれば、他の公知の製造方法で置き換えたり、追加したりしてもよい。例えば、キャリアフィルム上に各絶縁体層となるマザー絶縁体層を形成し、所要のマザー絶縁体層にコイル導体層等を形成する。複数のマザー絶縁体層を積層して上述のマザー積層体を得るようにしてもよい。また、コイル導体層等を印刷法などの他の方法により形成してもよい。
【００６８】
（作用）
次に、上記の電子部品１の作用を説明する。
電子部品１は、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する実装面１１を回路基板に向けて実装される。コイル４０は、実装面１１と直交する第１の側面１３及び第２の側面１４と垂直な方向に配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続した螺旋状のコイルである。そして、コイル４０の内周において実装面１１に最も近い最下点ＰＤと実装面１１から最も遠い最上点ＰＵとの中間点ＰＣは、実装面１１と垂直な方向における素体１０の中心から実装面１１と反対側にオフセットされている。従って、コイル４０により生じる磁束は、コイル４０と実装面１１との間、つまりコイル４０と回路基板との間を通り易く、回路基板のグランド配線やパッドによって磁束が遮られ難い。このため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上し、コイル４０のＱ値の低下が抑制される。
【００６９】
ここで、比較例を説明する。
図５は、比較例の電子部品７０を示す。この電子部品７０は、上述の電子部品１に対して、コイル４０の位置を変更したものである。この比較例の電子部品７０において、コイル４０の中間点ＰＣは、素体１０の高さ寸法Ｔ１の１／２より低い。この電子部品７０のインダクタンス値（Ｌ値）は、周波数５００ＭＨｚの入力信号において２．６ｎＨである。また、この電子部品７０のＱ値は、周波数５００ＭＨｚの入力信号において８．０である。また、コイル４０の自己共振周波数は１６．２ＧＨｚである。
【００７０】
本実施形態の電子部品１のインダクタンス値（Ｌ値）は、周波数５００ＭＨｚの入力信号において２．７ｎＨである。また、この電子部品１のＱ値は、周波数５００ＭＨｚの入力信号において１２．０である。また、本実施形態の電子部品１において、コイル４０の自己共振周波数は１６．４ＧＨｚである。従って、本実施形態のように、コイル４０の中間点ＰＣを高くすることにより、Ｑ値の低下を抑制できる。
【００７１】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１−１）電子部品１は、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する実装面１１を回路基板に向けて実装される。コイル４０は、実装面１１と直交する第１の側面１３及び第２の側面１４と垂直な方向に配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続した螺旋状のコイルである。そして、コイル４０の内周において実装面１１に最も近い最下点ＰＤと実装面１１から最も遠い最上点ＰＵとの中間点ＰＣは、実装面１１と垂直な方向における素体１０の中心から実装面１１と反対側にオフセットされている。従って、コイル４０により生じる磁束は、コイル４０と実装面１１との間、つまりコイル４０と回路基板との間を通り易く、回路基板のグランド配線やパッドによって磁束が遮られ難い。このため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上し、コイル４０のＱ値の低下を抑制できる。
【００７２】
コイル４０の中間点ＰＣは、第１外部電極２０と第２外部電極３０の上端よりも上方に位置している。従って、コイル４０により生じる磁束が、第１外部電極２０と第２外部電極３０に遮られ難くなる。従って、コイル４０と第１外部電極２０、第２外部電極３０との間に発生する浮遊容量が低減するため、コイル４０のＱ値の低下をさらに抑制できる。
【００７３】
（１−３）第１外部電極２０と第２外部電極３０は、Ｌ字状に形成され、素体１０に埋め込まれている。従って、外部電極を部品本体に外付けするものに比べ、電子部品１を小型化できる。そして、電子部品１の実装面積に対するインダクタンス値の取得効率を向上できる。
【００７４】
（１−４）コイル４０は、円形である。屈曲部を含むコイルでは、高周波の信号における反射損失が発生する。このため、本実施形態では、コイル４０における高周波の信号の反射損失を低減でき、コイル４０のＱ値を向上できる。
【００７５】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略することがある。
【００７６】
図６に示すように、電子部品１００は、素体１０を有している。素体１０は、概略で直方体状に形成されている。素体１０は、実装面１１を有している。この実装面１１は、電子部品１００を回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面と意味する。素体１０は、実装面１１と平行な上面１２を有している。また、素体１０は、実装面１１に対して直交する二対の面を有している。この二対の面のうちの一方の一対の面を第１の側面１３及び第２の側面１４とし、二対の面のうちの他方の一対の面を第１の端面１５及び第２の端面１６とする。
【００７７】
図７（ａ）、図７（ｂ）及び図８に示すように、本実施形態の電子部品１００は、第１及び第２外部電極２０，３０と、コイル４０と、コンデンサ１１０とを有している。なお、図７（ａ）では、コイル４０とコンデンサ１１０が重なっているため、コイル４０のコイル導体層にハッチングを付してコンデンサ１１０と区別し易くしている。
【００７８】
コイル４０の第１端は第１外部電極２０に接続され、コイル４０の第２端は第２外部電極３０に接続されている。コンデンサ１１０は、コイル４０に並列に接続されている。コイル４０とコンデンサ１１０は、ＬＣ並列共振器を構成する。電子部品１は、第１及び第２外部電極２０，３０を介して、図示しない回路基板に電気的に接続される。
【００７９】
図９に示すように、素体１０は、複数の絶縁体層６０を含む。素体１０は、複数の絶縁体層６０を積層して形成されている。個々の絶縁体層に、それぞれを区別する符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を付している。以下の説明において、複数の絶縁体層を区別しない場合には符号「６０」を用い、個々を区別する場合には符号「６１」等の個別の符号を用いる。
【００８０】
図７（ｂ）に示すように、コンデンサ１１０は、素体１０の少なくとも実装面１１とコイル４０との間に設けられている。本実施形態において、コンデンサ１１０は、素体の実装面１１と第１の端面１５及び第２の端面１６とコイル４０との間に設けられている。
【００８１】
コンデンサ１１０は、素体１０の実装面１１とコイル４０との間に設けられた第１容量部１１０ａと、素体１０の第１の端面１５とコイル４０との間に設けられた第２容量部１１０ｂと、素体１０の第２の端面１６とコイル４０との間に設けられた第３容量部１１０ｃとを含む。従って、コンデンサ１１０は、コイル４０の螺旋状の部分と重ならない。このため、コンデンサ１１０は、コイル４０により発生する磁束を遮らないため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率を向上でき、コイル４０のＱ値の低下を抑制できる。
【００８２】
図９に示すように、コンデンサ１１０は、絶縁体層６３ａ〜６３ｊ上に平面状に形成されたコンデンサ導体層１１１ａ〜１１１ｊを含む。
絶縁体層６３ａにおいて、コンデンサ導体層１１１ａは外部導体層２１ａに接続されている。コンデンサ導体層１１１ａは、長方形の一部を円により切り欠いた形状を成している。切り欠いた部分は、コイル４０の螺旋状の部分に対応する。つまり、コンデンサ導体層１１１ａは、積層方向（素体１０の幅方向Ｗ）において、コイル４０の螺旋状の部分と互いに重ならない。
【００８３】
絶縁体層６３ｂにおいて、コンデンサ導体層１１１ｂは、外部導体層３１ｂに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｂは、コンデンサ導体層１１１ａと同様に形成されている。従って、コンデンサ導体層１１１ｂは、積層方向（素体１０の幅方向Ｗ）において、コイル４０の螺旋状の部分と互いに重ならない。
【００８４】
絶縁体層６３ｃにおいて、コンデンサ導体層１１１ｃは外部導体層２１ｃに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｃは、外部導体層３１ｃが形成された角部を挟む２つの辺に沿って延びるＬ字状に形成されている。絶縁体層６３ｄにおいて、コンデンサ導体層１１１ｄは、外部導体層３１ｄに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｄは、コンデンサ導体層１１１ｃと同様に形成されている。
【００８５】
絶縁体層６３ｅ，６３ｆにおいて、コンデンサ導体層１１１ｅは外部導体層２１ｅに接続され、コンデンサ導体層１１１ｆは外部導体層３１ｆに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｅ，１１１ｆは、コンデンサ導体層１１１ａ，１１１ｂと同様に形成されている。従って、コンデンサ導体層１１１ｅ，１１１ｆは、積層方向（素体１０の幅方向Ｗ）において、コイル４０の螺旋状の部分と互いに重ならない。
【００８６】
絶縁体層６３ｇにおいて、コンデンサ導体層１１１ｇは外部導体層２１ｇに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｇは、外部導体層２１ｇが形成された角部を挟む２つの辺に沿って延びるＬ字状に形成されている。絶縁体層６３ｈにおいて、コンデンサ導体層１１１ｈは、外部導体層３１ｈに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｈは、コンデンサ導体層１１１ｇと同様に形成されている。
【００８７】
絶縁体層６３ｉ，６３ｊにおいて、コンデンサ導体層１１１ｉは外部導体層２１ｉに接続され、コンデンサ導体層１１１ｊは外部導体層３１ｊに接続されている。コンデンサ導体層１１１ｉ，１１１ｊは、コンデンサ導体層１１１ａ，１１１ｂと同様に形成されている。従って、コンデンサ導体層１１１ｉ，１１１ｊは、積層方向（素体１０の幅方向Ｗ）において、コイル４０の螺旋状の部分と互いに重ならない。
【００８８】
各コンデンサ導体層１１１ａ〜１１１ｊは、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。
【００８９】
図７（ｂ）に示すように、コンデンサ導体層１１１ｉは、コンデンサ導体層１１１ｊよりも大きく形成されている。そして、両コンデンサ導体層１１１ｉ，１１１ｊは、素体１０の第１の側面１３及び第２の側面１４に垂直な方向から視て、コンデンサ導体層１１１ｉにコンデンサ導体層１１１ｊの全てが重なるように配置されている。図９に示すコンデンサ導体層１１１ｇ，１１１ｅ，１１１ｃ，１１１ａと、コンデンサ導体層１１１ｈ，１１１ｆ，１１１ｄ，１１１ｂについても同様である。
【００９０】
図７（ｂ）において、コンデンサ導体層１１１ｉの位置とコンデンサ導体層１１１ｊの位置に、相対的なずれが生じても、両コンデンサ導体層１１１ｉ，１１１ｊの対向する面積は変化しない。従って、製造工程などによる相対的な位置ずれに対して、コンデンサ１１０の容量のばらつきを抑制できる。
【００９１】
（比較例）
図１０，図１１は、比較例の電子部品２００を示す。
この電子部品２００の素体１０に設けられたコイル４０とコンデンサ２１０とが長さ方向Ｌに並ぶように配置されている。第１外部電極２２０と第２外部電極２３０は、素体１０の上面１２まで延びるように形成されている。コンデンサ２１０は素体１０の幅方向Ｗに設けられた複数のコンデンサ導体層２１１を含む。配列方向に隣り合うコンデンサ導体層２１１の一方は第１外部電極２２０の上端に接続され、配列方向に隣り合うコンデンサ導体層２１１の他方は第２外部電極２３０の上端に接続されている。
【００９２】
この電子部品２００において、コイル４０は、第１外部電極２０及び第２外部電極３０の上端より低く、素体１０の実装面１１の近くに位置している。従って、この電子部品２００において、コイル４０により発生する磁束は、電子部品２００が実装される回路基板により遮られる。このため、コイル４０のＱ値が低下する。
【００９３】
（作用）
本実施形態の電子部品１００は、第１実施形態と同様に、コイル４０の中間点ＰＣが、素体１０の高さ寸法Ｔ１の１／２より上面１２側にオフセットされている。このため、電子部品１００を実装した回路基板のグランド配線やパッド等によりコイル４０により発生する磁束が遮られにくい。このため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）やＱ値の低下が抑制される。
【００９４】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（２−１）第１実施形態と同様に、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）やＱ値の低下を抑制できる。
【００９５】
（２−２）コイル４０の中間点ＰＣが、素体１０の高さ寸法Ｔ１の１／２より上面１２側にオフセットされている。コイル４０は円形状である。このため、コイル４０と実装面１１との間、コイル４０と第１の端面１５、第２の端面１６の間にコンデンサ１１０を配置することができる。このため、コイル４０のＱ値の低下を抑制しながら、コンデンサ１１０を含む電子部品１００を提供できる。
【００９６】
（２−３）コンデンサ１１０は、素体１０の実装面１１とコイル４０との間に設けられた第１容量部１１０ａと、素体１０の第１の端面１５とコイル４０との間に設けられた第２容量部１１０ｂと、素体１０の第２の端面１６とコイル４０との間に設けられた第３容量部１１０ｃとを含む。このため、対向面積の大きなコンデンサ１１０を形成することができる。従って、コンデンサ１１０の容量値の取得範囲を広くできる。
【００９７】
（２−４）電子部品１００では、コイル４０とコンデンサ１１０とがＬＣ並列共振器を構成する。ＬＣ並列共振器の共振周波数における減衰量は、コイル４０のＱ値に依存している。そのため、コイル４０のＱ値の低下を抑制することで、ＬＣ並列共振器の共振周波数における減衰量を大きくできる。
【００９８】
（第３実施形態）
以下、第３実施形態を説明する。
なお、この実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材については同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略することがある。
【００９９】
図１２に示すように、電子部品３００は、素体１０を有している。素体１０は、概略で直方体状に形成されている。素体１０は、実装面１１を有している。この実装面１１は、電子部品３００を回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面と意味する。素体１０は、実装面１１と平行な上面１２を有している。また、素体１０は、実装面１１に対して直交する二対の面を有している。この二対の面のうちの一方の一対の面を第１の側面１３及び第２の側面１４とし、二対の面のうちの他方の一対の面を第１の端面１５及び第２の端面１６とする。
【０１００】
図１３（ａ）、図１３（ｂ）及び図１４に示すように、本実施形態の電子部品３００は、コイル３１０と、コンデンサ３２０と、第１及び第２外部電極２０，３０とを有している。コイル３１０の第１端は第１外部電極２０に接続され、コイル３１０の第２端は第２外部電極３０に接続されている。コンデンサ３２０は、コイル３１０に並列に接続されている。コイル３１０とコンデンサ３２０は、ＬＣ並列共振器を構成する。電子部品１は、第１，第２外部電極２０，３０を介して、図示しない回路基板に電気的に接続される。
【０１０１】
図１３に示すように、素体１０は、複数の絶縁体層６０を含む。素体１０は、複数の絶縁体層６０を積層して形成されている。個々の絶縁体層に、それぞれを区別する符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を付している。以下の説明において、複数の絶縁体層を区別しない場合には符号「６０」を用い、個々を区別する場合には符号「６１」等の個別の符号を用いる。
【０１０２】
図１３（ｂ）に示すように、コイル３１０は、幅方向Ｗ（図１２に示す第１の側面１３及び第２の側面１４に直交する方向であり、図１３（ｂ）の紙面垂直方向）から視て、長さ方向Ｌ（図１３（ｂ）の左右方向）に長い長円状に形成されている。なお、コイル３１０の形状はこの形状に限定されず、例えば、外形が楕円形、矩形、又はその他の多角形、複数の図形の組み合わせ、等としてもよい。
【０１０３】
コンデンサ３２０は、コンデンサ３２０は、素体１０の実装面１１とコイル３１０との間に設けられている。コンデンサ３２０は、素体１０の幅方向Ｗ（図１３（ｂ）の紙面垂直方向）から視て、長さ方向Ｌ（図１３（ｂ）の左右方向）に延びる長方形状に形成されている。従って、コンデンサ３２０は、コイル３１０の内径部と重ならない。このため、コンデンサ３２０は、コイル３１０により発生する磁束を遮らないため、コイル３１０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率を向上でき、コイル３１０のＱ値の低下を抑制できる。
【０１０４】
図１５に示すように、コイル３１０は、絶縁体層６３ａ〜６３ｊ上に平面状に形成されたコイル導体層３１１ａ〜３１１ｊと、コイル導体層３１１ａ〜３１１ｊを接続するビア導体層３１２ａ〜３１２ｉ（一点鎖線にて示す）を含む。このように、複数のコイル導体層３１１ａ〜３１１ｊは、互いに電気的に直列に接続され、螺旋を構成する。従ってコイル３１０は、巻回数（ターン数）が１周未満のコイル導体層３１１ａ〜３１１ｊをビア導体層３１２ａ〜３１２ｉにより直列に接続して構成された、螺旋状のコイルである。コイル導体層３１１ａ〜３１１ｊ及びビア導体層３１２ａ〜３１２ｉは、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。
【０１０５】
コンデンサ３２０は、各絶縁体層６３ａ〜６３ｊ上に平面状に形成されたコンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊを含む。各コンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊは、各絶縁体層６３ａ〜６３ｊの主面において、長方形状に形成されている。コンデンサ導体層３２１ａ，３２１ｃ，３２１ｅ，３２１ｇ，３２１ｉは外部導体層２１ａ，２１ｃ，２１ｅ，２１ｇ，２１ｉに接続されている。コンデンサ導体層３２１ｂ，３２１ｄ，３２１ｆ，３２１ｈ，３２１ｊは外部導体層２１ｂ，２１ｄ，２１ｆ，２１ｈ，２１ｊに接続されている。各コンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊは、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料により形成されている。
【０１０６】
図１３（ｂ）に示すように、コンデンサ導体層３２１ｉは、コンデンサ導体層３２１ｊよりも大きく形成されている。そして、両コンデンサ導体層３２１ｉ，３２１ｊは、素体１０の第１の側面１３及び第２の側面１４に垂直な方向から視て、コンデンサ導体層３２１ｉにコンデンサ導体層３２１ｊの全てが重なるように配置されている。図１５に示すコンデンサ導体層３２１ｇ，３２１ｅ，３２１ｃ，３２１ａと、コンデンサ導体層３２１ｈ，３２１ｆ，３２１ｄ，３２１ｂについても同様である。
【０１０７】
図１３（ｂ）において、コンデンサ導体層３２１ｉの位置とコンデンサ導体層３２１ｊの位置に、相対的なずれが生じても、両コンデンサ導体層３２１ｉ，３２１ｊの対向する面積は変化しない。従って、製造工程などによる相対的な位置ずれに対して、コンデンサ３２０の容量のばらつきを抑制できる。
【０１０８】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（３−１）第１実施形態と同様に、コイル３１０のインダクタンス値（Ｌ値）やＱ値の低下を抑制できる。
【０１０９】
（３−２）コイル３１０は、長さ方向Ｌに長い長円状に形成されている。従って、反射損失が低減しコイル３１０のＱ値の低下を抑制できる。
（３−３）コイル３１０はコイル導体層３１１ａ〜３１１ｊを含む。これにより、コイル３１０の長さを長くできる。従って、コイル３１０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得範囲を広くできる。
【０１１０】
（３−４）コンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊは、第１外部電極２０と第２外部電極３０の最上端よりも実装面１１側、つまり下側に位置している。従って、第１外部電極２０、第２外部電極３０とコンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊとの間に発生する浮遊容量により、コンデンサの容量値の取得効率を向上できる。
【０１１１】
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各実施形態において、絶縁体層、コイル導体層、コンデンサ導体層、外部導体層の層数を適宜変更してもよい。
【０１１２】
例えば、第１実施形態において、図４に示す絶縁体層６３ｂ，６３ｉにコイル導体層を形成してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂ，６３ｉ，６３ｊにコイル導体層を形成してもよい。同様に、第２実施形態において、絶縁体層６３ａ，６３ｂ，６３ｉ，６３ｊにコイル導体層を適宜形成してもよい。このようにすると、同じ数の絶縁体層６０を積層した素体において、コイルの長さを長くすることができ、インダクタンス値Ｌ値を大きくすることができる。つまり、同じ大きさの素体を含む電子部品において、Ｌ値の取得範囲を大きくすることができる。
【０１１３】
また、第２実施形態において、絶縁体層６３ａ，６３ｊのコンデンサ導体層１１１ａ，１１１ｊを省略してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂ，６３ｉ，６３ｊのコンデンサ導体層１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｉ，１１１ｊを省略してもよい。同様に、第３実施形態において、コンデンサ導体層３２１ａ〜３２１ｊを適宜省略してもよい。
【０１１４】
・上記第３実施形態に対し、コイル３１０のみを含む電子部品としてもよい。
・上記各実施形態において、第１外部電極２０の外部端子電極２１と第２外部電極３０の外部端子電極３１とを素体１０に埋め込みとしたが、素体１０の外部に設けるようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１０…素体、１１…実装面、１３，１４…側面、１５，１６…端面、２０…第１外部電極、３０…第２外部電極、４０，３１０…コイル、１１０，３２０…コンデンサ、ＰＣ…中間点、ＰＵ…最上点、ＰＤ…最下点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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