(57)【要約】【課題】接続導体を大径化しつつ、絶縁層における欠陥の発生や接続導体内のボイドの発生を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面及び裏面を有する少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの絶縁層の表面側に配置された第１配線層と、第１配線層が配置された絶縁層の裏面側に配置された第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続する接続導体と、を備える配線基板である。絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有する。接続導体は、貫通孔内に配置される金属製の粒体と、粒体と第１配線層及び第２配線層とを接合する接合部と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有する少なくとも１つの絶縁層と、
前記少なくとも１つの絶縁層の表面側に配置された第１配線層と、
前記第１配線層が配置された前記絶縁層の裏面側に配置された第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層とを電気的に接続する接続導体と、
を備え、
前記絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有し、
前記接続導体は、
前記貫通孔内に配置される金属製の粒体と、
前記粒体と前記第１配線層及び前記第２配線層とを接合する接合部と、
を有する、配線基板。
【請求項２】
前記接続導体において、前記粒体の総体積は、前記接合部の総体積よりも小さい、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記粒体は、前記貫通孔を構成する前記絶縁層の内壁に固定されていない、請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線層及び前記第２配線層の少なくとも一方は、隣接する前記絶縁層と固定されていない非固定領域と、隣接する前記絶縁層と固定されている固定領域とを有する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１配線層及び前記第２配線層は、隣接する前記絶縁層と固定されていない、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第１配線層及び前記第２配線層は、銅を主成分とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記粒体の材質は、前記第１配線層及び前記第２配線層の主成分と同じである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記絶縁層は、セラミックを主成分とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の配線基板を用いたプレーナトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及びプレーナトランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の絶縁層と複数の配線層とを交互に積層した多層配線基板の製造方法として、金属ペーストを絶縁層上に印刷し、焼成して配線層を形成する方法が知られている（特許文献１参照）。この方法では、複数の配線層同士を導通する接続導体であるビアも金属ペーストの焼成により形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２０４０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の多層配線基板において、電気抵抗を低減するため、配線層の厚肉化と合わせて接続導体の大径化が求められることがある。しかし、上述の方法で大径の接続導体を形成すると、接続導体の形成材料と絶縁層との熱膨張率の差異に起因して焼成時に応力が発生し、絶縁層にクラック等の欠陥が発生しやすい。また、接続導体内部に空隙（いわゆるボイド）が発生し、接続導体の形成が困難になる場合がある。
【０００５】
本開示の一局面は、接続導体を大径化しつつ、絶縁層における欠陥の発生や接続導体内のボイドの発生を抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様は、表面及び裏面を有する少なくとも１つの絶縁層と、少なくとも１つの絶縁層の表面側に配置された第１配線層と、第１配線層が配置された絶縁層の裏面側に配置された第２配線層と、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続する接続導体と、を備える配線基板である。絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有する。接続導体は、貫通孔内に配置される金属製の粒体と、粒体と第１配線層及び第２配線層とを接合する接合部と、を有する。
【０００７】
このような構成によれば、金属製の粒体を接合部によって配線層と接合した接続導体を用いることで、接続導体内のボイドの発生が抑制される。また、接続導体の焼成の必要がないため、絶縁層と接続導体との熱膨張率の差異に起因する応力が抑制され、かつ接合部の接合時の応力も粒体によって緩衝される。そのため、絶縁層にクラックや破損等の欠陥が発生することも抑制される。したがって、接続導体の大径化が容易になる。
【０００８】
本開示の一態様では、接続導体において、粒体の総体積は、接合部の総体積よりも小さくてもよい。このような構成によれば、接合部による接合強度が高まるので、接続導体の接続信頼性を向上することができる。
【０００９】
本開示の一態様では、粒体は、貫通孔を構成する絶縁層の内壁に固定されていなくてもよい。このような構成によれば、粒体が接合部によって絶縁層と固定されていないため、粒体を含む接続導体と絶縁層とがそれぞれ個別に変位するので、接続導体と絶縁層との間の熱膨張率の差異に起因する応力の発生を抑制できる。
【００１０】
本開示の一態様では、第１配線層及び第２配線層の少なくとも一方は、隣接する絶縁層と固定されていない非固定領域と、隣接する絶縁層と固定されている固定領域とを有してもよい。または、第１配線層及び第２配線層は、隣接する絶縁層と固定されていなくてもよい。このような構成によれば、温度変化によって配線層及び絶縁層が膨張又は収縮した際に、熱膨張率の差異による配線層と絶縁層との変形量の差を絶縁層と固定されない非固定領域によって吸収できる。そのため、絶縁層と配線層との間で発生する応力が低減され、絶縁層におけるクラック等の欠陥が抑制される。
【００１１】
本開示の一態様では、第１配線層及び第２配線層は、銅を主成分としてもよい。このような構成によれば、低コストで高い電気伝導性及び高い熱伝導性を有する信頼性の高い配線板を得ることができる。
本開示の一態様では、粒体の材質は、第１配線層及び第２配線層の主成分と同じであってもよい。このような構成によれば、粒体と配線層との熱膨張率が同じになるため、温度変化時に接続導体と配線層との間に発生する応力を低減できる。
【００１２】
本開示の一態様では、絶縁層は、セラミックを主成分としてもよい。このような構成によれば、絶縁層の平坦性が向上されるので、絶縁層に配線を高密度に配置することができる。さらに、高い絶縁性も得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態の配線基板の模式的な断面図である。
【図２】図１の配線基板における接続導体近傍の模式的な部分拡大断面図である。
【図３】図１の配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】図１とは異なる実施形態における配線基板の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．配線基板］
図１に示す配線基板１は、複数の絶縁層（第１絶縁層２及び第２絶縁層３）と、複数の配線層（第１配線層４、第２配線層５及び第３配線層６）と、複数の配線層間を接続する複数の接続導体７と、複数の配線層固定部材９とを備える。
【００１５】
なお、本実施形態では、本開示の一例として２つの絶縁層と３つの配線層とを備える多層構造の配線基板１を説明するが、本開示の配線基板における絶縁層及び配線層の数はこれに限定されない。
【００１６】
配線基板１は、配線層のパターンの設計により、トランス（つまり変圧器）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）照明装置、パワートランジスタ、モーター等の用途に使用される。配線基板１は、高電圧及び大電流の用途に特に好適に使用できる。
【００１７】
＜絶縁層＞
第１絶縁層２及び第２絶縁層３は、それぞれ表面及び裏面を有する。また、第１絶縁層２及び第２絶縁層３は、それぞれセラミックを主成分とする。なお、「主成分」とは、８０質量％以上含有される成分を意味する。
【００１８】
第１絶縁層２及び第２絶縁層３を構成するセラミックとしては、例えばアルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）等が挙げられる。これらのセラミックは単体で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００１９】
第１絶縁層２は、その表面側に隣接する第１配線層４が配置され、その裏面側に隣接する第２配線層５が配置されている。第２絶縁層３は、第１絶縁層２の表面側に第１配線層４を介して配置されており、その表面側に隣接する第３配線層６が配置されている。
【００２０】
第１絶縁層２及び第２絶縁層３は、それぞれ第１絶縁層２及び第２絶縁層３を厚み方向に貫通する少なくとも１つの貫通孔２Ａ，３Ａを有する。貫通孔２Ａ，３Ａはいわゆる配線層間を電気的に接続するビアが形成されるビアホールである。本実施形態では、第１絶縁層２の貫通孔２Ａ及び第２絶縁層３の貫通孔３Ａは、絶縁層２，３の厚み方向から視て（つまり平面視で）同じ位置に設けられており、同じ径を有する。
【００２１】
＜配線層＞
第１配線層４、第２配線層５及び第３配線層６は、導電性を有し、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、銅、アルミニウム、銀、金、白金、ニッケル、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、コスト、導電性、熱伝導性、及び強度の観点から、銅が好ましい。したがって、各配線層４，５，６として、銅箔又は銅板が好適に使用できる。
【００２２】
第１配線層４は、第１絶縁層２の表面側に配置されている。第１配線層４は、隣接する第１絶縁層２と固定されている固定領域Ａと、隣接する第１絶縁層２と固定されていない非固定領域Ｂとを有する。なお、第１配線層４は、２つの絶縁層２，３の間に配置された内部配線層である。
【００２３】
第２配線層５は、第１絶縁層２の裏面側に配置されている。第３配線層６は、第２絶縁層３の表面側に配置されている。第２配線層５及び第３配線層６は、第１配線層４と同様、隣接する絶縁層と固定されている固定領域Ａと、隣接する絶縁層と固定されていない非固定領域Ｂとを有する。固定領域Ａ及び非固定領域Ｂの詳細については後述する。
【００２４】
＜接続導体＞
複数の接続導体７は、第１絶縁層２の貫通孔２Ａ内と、第２絶縁層３の貫通孔３Ａ内とに配置されている。接続導体７は、第１配線層４と、第２配線層５又は第３配線層６とを電気的に接続するいわゆるビアである。また、接続導体７は、第１配線層４と、第２配線層５又は第３配線層６と接合されている。
【００２５】
接続導体７は、図２に示すように、金属製の粒体７Ａと、接合部７Ｂとを有する。以下では、第１絶縁層２の貫通孔２Ａ内に配置された接続導体７について説明するが、以下の説明は、第２絶縁層３の貫通孔３Ａ内に配置された接続導体７についても同様である。
【００２６】
粒体７Ａは、金属製の個体粒の集合体である。粒体７Ａは、貫通孔２Ａ内に配置されている。粒体７Ａは、接合部７Ｂを介して第１配線層４と第２配線層５とを電気的に接続する。
【００２７】
粒体７Ａの材質は特に限定されず、第１配線層４及び第２配線層５に使用可能な金属と同じものが使用できる。ただし、粒体７Ａの材質は、第１配線層４及び第２配線層５の主成分と同じとすることが好ましい。これにより、温度変化時に接続導体７と配線層４，５との間に発生する応力を低減できる。
【００２８】
粒体７Ａを構成する各粒の形状は特に限定されず、球体、多面体等とすることができる。また、各粒はすべて同形である必要はなく、粒体７Ａは、大きさや形状が異なる粒を含んでもよい。
【００２９】
なお、粒体７Ａの最大幅は、例えば貫通孔２Ａの直径の１／２以下、好ましくは１／１０以下である。また、粒体７Ａの最大幅の下限は、例えば貫通孔２Ａの直径の１／１００である。
【００３０】
粒体７Ａは、接合部７Ｂによって、貫通孔２Ａ内に保持されている。貫通孔２Ａ内では、粒体７Ａの粒同士が当接していてもよい。また、粒体７Ａは、接合部７Ｂから突出した粒や、第１配線層４又は第２配線層５に当接する粒を含んでもよい。
【００３１】
接合部７Ｂは、導電性を有し、粒体７Ａと第１配線層４及び第２配線層５とを電気的に接続する。接合部７Ｂは、例えば銀−銅合金などの金属ロウ材や、錫−銀−銅合金等の半田材によって構成される。
【００３２】
接合部７Ｂは、図２に示すように、粒体７Ａの各粒の外面と接合されると共に、第１配線層４及び第２配線層５と接合されている。つまり、接合部７Ｂは、粒体７Ａと第１配線層４及び第２配線層５とを接合している。
【００３３】
また、接合部７Ｂは、第１絶縁層２には接合されていない。つまり、粒体７Ａは、貫通孔２Ａを構成する第１絶縁層２の内壁に固定されていない。また、接続導体７と貫通孔２Ａを構成する第１絶縁層２の内壁との間には空隙が存在する。
【００３４】
１つの接続導体７において、粒体７Ａの総体積は、接合部７Ｂの総体積よりも小さい。したがって、接続信頼性の観点から、接合部７Ｂ内に粒体７Ａが分散するように配置されるとよい。
【００３５】
１つの接続導体７の体積（つまり、粒体７Ａの総体積と接合部７Ｂの総体積との和）に対する粒体７Ａの総体積の割合の下限としては、３０％が好ましく、５０％がより好ましい。一方、上記割合の上限としては、９５％が好ましく、７５％がより好ましい。上記割合が小さすぎると、接続導体７の骨格が小さくなり、接続導体７の形成が困難になるおそれがある。逆に、上記割合が大きすぎると、接合部７Ｂによる接合強度が低下して接続信頼性が不十分となるおそれがある。
【００３６】
＜配線層固定部材＞
複数の配線層固定部材９は、図１に示すように、第１配線層４、第２配線層５、又は第３配線層６と第１絶縁層２又は第２絶縁層３との間にそれぞれ配置されている。
【００３７】
複数の配線層固定部材９は、例えば接続導体７の接合部７Ｂと同様の金属ロウ材又は半田材によって構成される。第１配線層４は、複数の配線層固定部材９によって、隣接する第１絶縁層２及び第２絶縁層３に固定されている。
【００３８】
＜固定領域及び非固定領域＞
上述のように、複数の配線層４，５，６は、それぞれ、固定領域Ａと、非固定領域Ｂとを有する。本実施形態では、各配線層４，５，６の固定領域Ａ及び非固定領域Ｂは、平面視で同じ位置に配置されている。以下では第１配線層４を用いて各領域の説明をするが、以下の説明は他の配線層についても同様である。
【００３９】
固定領域Ａは、第１配線層４が第１絶縁層２に固定された領域である。具体的には、図１に示すように、第１配線層４において、複数の配線層固定部材９が接合された領域が固定領域Ａをそれぞれ構成する。固定領域Ａの平面形状は特に限定されない。
【００４０】
複数の配線層固定部材９が接合されていない領域は、非固定領域Ｂに含まれる。本実施形態では、各接続導体７が各絶縁層２，３に接合されていないので、各配線層４，５，６における接続導体７との接合部分は、非固定領域Ｂに含まれる。
【００４１】
第１配線層４の厚み方向から視た固定領域Ａの重心から外縁までの最大距離は、それぞれ、７ｍｍ以下が好ましく、５ｍｍ以下がより好ましい。上記最大距離が大きすぎると、絶縁層と配線層との熱膨張率の差異に起因したクラックや破損が第１絶縁層２及び第２絶縁層３に発生するおそれがある。
【００４２】
なお、「固定領域の重心から外縁までの最大距離」は、固定領域の重心から固定領域の外縁まで伸ばした線分（以下、延伸線分ともいう。）のうち、最も長い延伸線分の長さを意味する。なお、固定領域内に非固定領域が含まれる場合（例えば固定領域が環状の場合）は、まず、固定領域内に含まれる非固定領域を含んだ仮想の重心を定め、上記延伸線分を取得する。次に、取得した上記延伸線分のうち非固定領域を通る部分はその長さから除外する。つまり、上記延伸線分の長さは、固定領域内に含まれる部分のみの長さとする。
【００４３】
なお、非固定領域Ｂにおいて、本実施形態では、各配線層４，５，６は、第１絶縁層２又は第２絶縁層３と離間しているが、各配線層４，５，６は、第１絶縁層２又は第２絶縁層３に当接していてもよい。つまり、非固定領域Ｂでは、配線層と絶縁層とが面方向にそれぞれ個別に変位できれば、各図に示されるように、配線層と絶縁層とが離間せずに、当接していてもよい。
【００４４】
［１−２．配線基板の製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１は、図３に示す貫通孔形成工程Ｓ１と、粒体配置工程Ｓ２と、層配置工程Ｓ３と、接合工程Ｓ４とを備える製造方法によって得られる。
【００４５】
＜貫通孔形成工程＞
本工程では、複数の絶縁層を形成すると共に、これらの絶縁層に、これらの絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を形成する。
【００４６】
本工程では、最初に未焼結セラミックをセラミック基板状に成形する。具体的には、まず、セラミック粉末、有機バインダ、溶剤、及び可塑剤等の添加剤を混合して、スラリーを得る。次に、このスラリーを周知の方法によりシート状に成形することで、基板状の未焼結セラミック（いわゆるセラミックグリーンシート）が得られる。
【００４７】
得られたセラミックグリーンシートに対し、穿設等により、貫通孔２Ａ，３Ａを設ける。その後、セラミックグリーンシートを焼結する。これにより、セラミック製の絶縁層２，３が形成される。
【００４８】
＜粒体配置工程＞
本工程では、各貫通孔２Ａ，３Ａ内に、粒体７Ａと、接合部７Ｂとを配置する。具体的には、例えば粒体７Ａと接合部７Ｂを構成する金属ロウ材又は半田材とを溶剤と混合したペーストを、ディスペンサ等によって各貫通孔２Ａ，３Ａ内に配置する。なお、図２に示す互いに接合された状態の粒体７Ａと接合部７Ｂとを各貫通孔２Ａ，３Ａ内に配置してもよい。また、粒体７Ａに含まれる複数の固体粒のそれぞれに対し、表面に金属ロウ材等の接合部７Ｂがコーティングされた状態の粒体７Ａを各貫通孔２Ａ，３Ａ内に配置してもよい。
【００４９】
＜層配置工程＞
本工程では、粒体７Ａ及び接合部７Ｂを配置した各絶縁層２，３と各配線層４，５，６とを交互に重ね合わせる。
【００５０】
つまり、本工程では、第１絶縁層２の表面側に第１配線層４を配置し、第１絶縁層２の裏面側に第２配線層５を配置する。また、第１配線層４の表面側に第２絶縁層３を配置し、第２絶縁層３の表面側に第３配線層６を配置する。また、各層の間に複数の配線層固定部材９を配置する。
【００５１】
なお、層配置工程Ｓ３は、粒体配置工程Ｓ２の前に行ってもよい。また、粒体配置工程Ｓ２と、層配置工程Ｓ３とを同時に行ってもよい。例えば、第２配線層５を第１絶縁層２の裏面側に配置した後、粒体７Ａ及び接合部７Ｂを貫通孔２Ａ内に配置し、その後、第１配線層４を第１絶縁層２の表面側に配置してもよい。
【００５２】
＜接合工程＞
本工程では、接合部７Ｂを溶融及び固化し、粒体７Ａと第１配線層４及び第２配線層５とを接合する。
【００５３】
具体的には、層配置工程Ｓ３で得た各層を重ね合わせた積層体を加熱する。これにより、接続導体７が形成されると共に、複数の絶縁層２，３と複数の配線層４，５，６とが配線層固定部材９により接合される。
【００５４】
なお、配線層固定部材９は、接合部７Ｂと同様の金属ロウ材等を使用することができる。配線層固定部材９と絶縁層２，３との固定は絶縁層２，３の固定領域Ａとなる範囲にメタライズ層（図示せず）を形成しておくことで容易に行うことができる。
【００５５】
また、上述の接合工程において、接合部７Ｂを溶融及び固化しているが、貫通孔２Ａを構成する絶縁層２の内壁と粒体７Ａとの間は、接合部７Ｂによって固定されていない。これは、貫通孔２Ａを構成する絶縁層２の内壁面に金属層を形成しないことで、接合部７Ｂの濡れ広がりを防止しているためである。
【００５６】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）金属製の粒体７Ａを接合部７Ｂによって配線層４，５，６と接合した接続導体７を用いることで、粒体７Ａが接続導体７における骨格ともいえる役割を果たすため、接続導体７内のボイドの発生が抑制される。また、接続導体７が絶縁層２，３における貫通孔２Ａ，３Ａ内に配置された状態で、接続導体７を絶縁層と同時に又は個別で焼成して形成する必要がないため、絶縁層２，３と接続導体７との熱膨張率の差異に起因する応力が抑制され、かつ接合部７Ｂの接合時の応力も粒体７Ａによって緩衝される。そのため、絶縁層２，３にクラックや破損等の欠陥が発生することも抑制される。したがって、接続導体７の大径化が容易になり、配線基板１を高電圧及び大電流に対応した優れた品質のトランス等として提供することができる。
【００５７】
（１ｂ）接続導体７において、粒体７Ａの総体積が接合部７Ｂの総体積よりも小さい。そのため、接合部７Ｂによる接合強度が高められ、接続導体７の接続信頼性を向上することができる。
【００５８】
（１ｃ）粒体７Ａが、接合部７Ｂによって貫通孔２Ａ，３Ａを構成する絶縁層２，３の内壁に固定されていないため、粒体７Ａを含む接続導体７と絶縁層２，３とがそれぞれ個別に変位できる。そのため、接続導体７と絶縁層２，３との間の熱膨張率の差異に起因する応力の発生を抑制できる。
【００５９】
（１ｅ）配線層４，５，６が非固定領域Ｂを有するため、温度変化によって配線層４，５，６及び絶縁層２，３が膨張又は収縮した際に、配線層４，５，６と絶縁層２，３との間の熱膨張率の差異による配線層４，５，６と絶縁層２，３との変形量の差を絶縁層２，３と固定されない非固定領域Ｂによって吸収できる。そのため、絶縁層２，３と配線層４，５，６との間で発生する応力が低減され、絶縁層２，３におけるクラック等の欠陥が抑制される。
【００６０】
そのため、例えば、絶縁層の主成分としてアルミナ（熱膨張率７．６×１０−６ｍ／Ｋ）を使用し、配線層の主成分として高い電気伝導性と高い熱伝導性を有する銅（熱膨張率１７×１０−６ｍ／Ｋ）を使用することが可能となる。
【００６１】
（１ｆ）第１絶縁層２及び第２絶縁層３は、それぞれセラミックを主成分とするので、各絶縁層２，３の平坦性が向上される。そのため、各絶縁層２，３に配線を高密度に配置することができる。さらに、高い絶縁性も得ることができる。これにより、配線層４，５，６に比較的大きな電流を流す場合でも、配線層４，５，６間の確実な電気的絶縁が可能となる。
【００６２】
［２．第２実施形態］
［２−１．配線基板］
図４に示す配線基板２１は、複数の絶縁層（第１絶縁層２、第２絶縁層３、第３絶縁層２２、第４絶縁層２３、及び第５絶縁層２４）と、複数の配線層（第１配線層４、第２配線層５、第３配線層６、第４配線層２５、第５配線層２６、及び第６配線層２７）と、複数の配線層間を電気的に接続する複数の接続導体７と、複数の絶縁層固定部材１０とを備える。
【００６３】
複数の絶縁層２，３と配線層４，５，６と複数の接続導体７とは、図１の配線基板１と同じものであるため、同一の符号を付して説明を省略する。
第３絶縁層２２、第４絶縁層２３及び第５絶縁層２４は、第１絶縁層２と同じ構成を有する。第３絶縁層２２は、第１絶縁層２の表面側に配置されている。第４絶縁層２３及び第５絶縁層２４は、この順に第２絶縁層３の裏面側に配置されている。
【００６４】
＜配線層＞
第４配線層２５は、第４絶縁層２３及び第５絶縁層２４の間に配置されている。第５配線層２６は、第３絶縁層２２の表面側に配置されている。第６配線層２７は、第５絶縁層２４の裏面側に配置されている。
【００６５】
第５配線層２６及び第６配線層２７は、それぞれ、外部と電気的に接続される端子２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂを含む。これらの端子２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂは、絶縁層にその全体が固定されている。これらの端子２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂは、比較的面積が小さく、絶縁層にその全体が固定されても熱膨張率の差異によって生じる応力が小さいため、絶縁層と接合されていてもよい。ただし、端子２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂは、接続導体７によって配線層と接続されていればよいので、熱膨張率の差異によって生じる応力を考慮しなくてもよくなる理由から、絶縁層と固定されていない方がよい。
【００６６】
また、本実施形態では、第１配線層４、第２配線層５、第３配線層６、及び第４配線層２５は、それぞれ、主配線層４Ａ，５Ａ，６Ａ，２５Ａと、主配線層４Ａ，５Ａ，６Ａ，２５Ａと分離された副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂとを有する。
【００６７】
主配線層４Ａ，５Ａ，６Ａ，２５Ａは、コイル等の配線パターンが形成された配線層である。主配線層４Ａ，５Ａ，６Ａ，２５Ａは、比較的面積が大きいため、図１に示す非固定領域Ｂを有する。
【００６８】
副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂは、厚み方向に主配線層同士を接続するための配線層である。例えば、第１配線層４の副配線層４Ｂは、接続導体７を介して、第２配線層５の主配線層５Ａと第３配線層６の主配線層６Ａとを電気的に接続している。
【００６９】
副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂは、端子２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂと同様、比較的面積が小さく、平面視での重心から外縁までの最大距離が７ｍｍ以下である。そのため、副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂは、非固定領域Ｂを含まずに、平面視における全体が表面側又は裏面側の絶縁層と固定されていてもよい。この場合、副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂは、固定領域Ａのみを含む。
【００７０】
＜絶縁層固定部材＞
絶縁層固定部材１０は、隣接する絶縁層同士（例えば第１絶縁層２及び第２絶縁層３）を厚み方向に接合して固定する部材である。絶縁層固定部材１０は、各絶縁層間に配置されている。各絶縁層固定部材１０は、それぞれ、厚み方向から視て第１配線層４、第２配線層５、第３配線層６、又は第４配線層２５を囲うように配置されている。
【００７１】
各絶縁層固定部材１０は、２つのメタライズ層１０Ａと、接合部１０Ｂとを有する。
２つのメタライズ層１０Ａは、接合する２つの絶縁層のうち一方の絶縁層（例えば第１絶縁層２）の裏面と、他方の絶縁層（例えば第２絶縁層３）の表面とに配置されている。
【００７２】
接合部１０Ｂは、２つのメタライズ層１０Ａの間に配置され、２つのメタライズ層１０Ａを厚み方向に接合している。
メタライズ層１０Ａの材質は、例えばタングステンやモリブデンを主成分とすることができる。また、接合部１０Ｂの材質は、接続導体７の接合部７Ｂと同様とすることができる。
【００７３】
なお、複数の絶縁層固定部材１０は、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂接着剤で形成された絶縁層固定部材１０を含んでもよい。また、セラミックを含むペーストを用いて絶縁層固定部材１０を形成してもよい。樹脂又はセラミックを使用する場合は、メタライズ層１０Ａは形成しなくともよい。
【００７４】
また、各絶縁層間を封止及び固定するために、各絶縁層の間に設けられた絶縁層固定部材１０に加えて、複数の絶縁層に跨って配線基板の側部を一括で覆う絶縁層固定部材１０を設けてもよい。また、各絶縁層の間に設絶縁層固定部材１０をそれぞれ配置する替わりに、複数の絶縁層に跨って配線基板の側部を一括で覆う絶縁層固定部材１０のみを設けてもよい。
【００７５】
［２−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（２ａ）複数の配線層４，５，６，２５が複数の絶縁層固定部材１０によって封止されるので、各配線層４，５，６，２５の酸化や、空気中の水分による配線層間のショートが抑制される。その結果、配線基板１の信頼性を高めることができる。
【００７６】
［３．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００７７】
（３ａ）上記実施形態の配線基板１において、配線層と絶縁層との間に必ずしも配線層固定部材９を設ける必要はない。つまり、各配線層は、固定領域Ａを有さず、非固定領域Ｂのみを有してもよい。
【００７８】
（３ｂ）上記実施形態の配線基板１において、各配線層の固定領域Ａ及び非固定領域Ｂは、平面視において異なる位置に配置されてもよい。つまり、配線層固定部材９は各層で異なる位置に配置されてもよい。
【００７９】
（３ｃ）上記実施形態の配線基板１において、粒体７Ａは、貫通孔２Ａ，３Ａを構成する絶縁層２，３の内壁と当接していてもよい。また、粒体７Ａは、接合部７Ｂによって貫通孔２Ａ，３Ａを構成する絶縁層２，３の内壁と接合されてもよい。
【００８０】
（３ｄ）上記実施形態の配線基板１，２１において、接続導体７における粒体７Ａの総体積を接合部７Ｂの総体積よりも大きくしてもよい。
【００８１】
（３ｅ）上記実施形態の配線基板１，２１において、各絶縁層の材質はセラミックに限定されない。例えば、各絶縁層は樹脂、ガラス等を主成分としてもよい。
【００８２】
（３ｆ）上記実施形態の配線基板１において、配線層固定部材９として接着剤を用いてもよい。この場合の接着剤としては、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂等の樹脂接着剤を選択することができる。
【００８３】
（３ｇ）上記実施形態の配線基板２１において、副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂが固定領域Ａと非固定領域Ｂとの両方をそれぞれ有してもよい。また、副配線層４Ｂ，５Ｂ，６Ｂ，２５Ｂが非固定領域Ｂのみを有してもよい。
【００８４】
（３ｈ）上記実施形態の配線基板１，２１は、プレーナトランスを形成可能である。つまり、第１配線層と第２配線層とは、それぞれコイル状の配線パターンを絶縁層の外縁部に有してもよい。また、絶縁層の中央部にはコイル状に形成された巻線配線パターンの内側を貫通するコア挿入孔が形成されていてもよい。このコア挿入孔には、例えばフェライトなどの磁性体コアが挿入される。
【００８５】
（３ｉ）上記実施形態の配線基板１，２１において、各絶縁層と各配線層とが同じ厚みを有するように図示されているが、各絶縁層の厚みと配線層の厚みとは、異なっていてもよい。また、各配線層の占有面積は異なっていてもよい。
【００８６】
（３ｊ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００８７】
１…配線基板、２…第１絶縁層、２Ａ…貫通孔、３…第２絶縁層、
３Ａ…貫通孔、４…第１配線層、４Ａ…主配線層、４Ｂ…副配線層、５…第２配線層、
５Ａ…主配線層、５Ｂ…副配線層、６…第３配線層、６Ａ…主配線層、
６Ｂ…副配線層、７…接続導体、７Ａ…粒体、７Ｂ…接合部、９…配線層固定部材、
１０…絶縁層固定部材、１０Ａ…メタライズ層、１０Ｂ…接合部、
２１…配線基板、２２，２３，２４…絶縁層、２５，２６，２７…配線層、
２５Ａ…主配線層、２５Ｂ…副配線層、２６Ａ，２６Ｂ，２７Ａ，２７Ｂ…端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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