(57)【要約】【課題】  本発明は、マスターモールドに付着した異物を除去する上で有利な技術を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のインプリント方法は、マスターモールドを用いてブランクモールドにパターンを形成することによってレプリカモールドを形成するインプリント方法であって、前記ブランクモールドの第１領域に第１インプリント材を供給する第１供給工程と、前記第１供給工程で供給されたインプリント材と、前記マスターモールドを接触させることにより、前記レプリカモールドを形成する形成工程と、異物除去基板の前記第１領域よりも広い第２領域に、第２インプリント材を供給する第２供給工程と、前記第２供給工程で供給された第２インプリント材と、前記マスターモールドを接触させることにより、前記マスターモールドに付着した異物を除去する除去工程と、を有することを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスターモールドを用いてブランクモールドにパターンを形成することによってレプリカモールドを形成するインプリント方法であって、
前記ブランクモールドの第１領域に第１インプリント材を供給する第１供給工程と、
前記第１供給工程で供給されたインプリント材と、前記マスターモールドを接触させることにより、前記レプリカモールドを形成する形成工程と、
異物除去基板の前記第１領域よりも広い第２領域に、第２インプリント材を供給する第２供給工程と、
前記第２供給工程で供給された第２インプリント材と、前記マスターモールドを接触させることにより、前記マスターモールドに付着した異物を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記ブランクモールドの第１領域に供給される第１インプリント材と、前記異物除去基板の第２領域に供給される第２インプリント材は同じであることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記異物除去基板の第２領域に供給される第２インプリント材は前記ブランクモールドの第１領域に供給される第１インプリント材よりも粘度が大きいことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記ブランクモールドの第１領域は、前記マスターモールドの側に突出した領域であることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記異物除去基板の第２領域は、前記マスターモールドの側に突出しており、かつ前記ブランクモールドの第１領域よりも広いことを特徴とする請求項４に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記異物を除去する工程は、前記異物除去基板に供給された第２インプリント材と前記マスターモールドを接触させた状態で前記第２インプリント材を硬化させ、硬化した第２インプリント材から前記マスターモールドを引き離すことによって異物を除去することを特徴とする請求項１ないし５の何れか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記レプリカモールドを形成する形成工程の後に、前記マスターモールドに付着する異物の有無を検出する工程を有し、
該検出する工程の結果、前記マスターモールドに異物の付着がある場合、前記異物除去基板に第２インプリント材を供給する前記第２供給工程、及び、前記異物を除去する前記除去工程を行うことを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
マスターモールドを用いてブランクモールドの第１領域に供給された第１インプリント材にパターンを形成することによってレプリカモールドを形成するインプリント装置であって、
前記マスターモールドを保持するモールド保持部と、
前記ブランクモールドの第１領域よりも広い第２領域を有する異物除去基板に第２インプリント材を供給する供給部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、前記異物除去基板の前記第２領域に供給された前記第２インプリント材と前記マスターモールドを接触させることにより、前記マスターモールドに付着した異物を除去することを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
請求項１ないし７の何れか１項に記載のインプリント方法を用いて前記ブランクモールドにインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する加工工程と、を有し、
該加工工程により加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法、インプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの物品を製造する方法として、型（モールド）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント技術が知られている。インプリント技術は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる（押印）。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材から型を引き離す（離型）ことにより、インプリント材のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
インプリント装置で用いられる型は、インプリント処理を繰り返すことによって型の破損や汚染が発生するため、同じパターンが形成された新しい型と交換する必要がある。マスターモールドを用いてレプリカモールドを作製する事により新しい型を得ることが知られている。レプリカモールドは、インプリント技術を用いたレプリカモールド製造装置によって作製される。
【０００４】
レプリカモールドを作製するレプリカモールド製造装置において、マスターモールドの破損や汚染を防止する必要がある。そのため、マスターモールドのパターン形成面に付着した異物を除去する方法が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−３５５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レプリカモールド製造装置において、マスターモールドに形成されているパターン面はレプリカモールドのパターン面よりも広いことがある。そのため、レプリカモールドのパターン面に供給されたインプリント材とマスターモールドを接触させると、レプリカモールドのパターン面からはみ出たインプリント材がマスターモールドに付着し、異物となる恐れがある。
【０００７】
そこで、本発明は、マスターモールドに付着した異物を除去する上で有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のインプリント方法は、マスターモールドを用いてブランクモールドにパターンを形成することによってレプリカモールドを形成するインプリント方法であって、ブランクモールドの第１領域に第１インプリント材を供給する第１供給工程と、第１供給工程で供給されたインプリント材と、マスターモールドを接触させることにより、レプリカモールドを形成する形成工程と、異物除去基板の第１領域よりも広い第２領域に、第２インプリント材を供給する第２供給工程と、第２供給工程で供給された第２インプリント材と、マスターモールドを接触させることにより、マスターモールドに付着した異物を除去する除去工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、マスターモールドに付着した異物を除去する上で有利な技術を提供ことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図２】第１実施形態のインプリント装置を用いてブランクモールドにパターンを形成する方法を示す図である。
【図３】第１実施形態のブランクモールドにパターンを形成する方法を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態のマスターモールドに付着した異物を除去する方法を示す図である。
【図５】第１実施形態の異物除去工程を示すフローチャートである。
【図６】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
（インプリント装置）
図１は第１実施形態におけるインプリント装置１の構成を示した図である。インプリント装置１について、図１を参照しながら説明する。第１実施形態におけるインプリント装置は、原版であるマスターモールド３を用いてレプリカモールドを製造する工程に使用される。レプリカモールドは、被処理基板であるブランクモールド５（パターンが形成されていない基板）にマスターモールド３の凹凸パターンを転写することによって作製される。
【００１３】
なお、ブランクモールド５が配置される面をＸＹ面、それに直交する方向をＺ方向として、図１に示すように各軸を決める。インプリント装置１は、基板（ブランクモールド５）上に供給されたインプリント材を型（マスターモールド３）と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１のインプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１について説明する。
【００１４】
図１に示すインプリント装置１は、光照射部２と、マスターモールド３を保持するモールド保持部４と、ブランクモールド５（レプリカモールド）を保持する基板ステージ６と、供給部７とを備える。さらにインプリント装置１は、制御部１０と、マスターモールド搬送機構１１と、レプリカモールド搬送機構１２とを備える。
【００１５】
光照射部２はインプリント材を硬化させる際に、マスターモールド３を介してインプリント材に光１７を照射する照明手段である。光照射部２から照射される光１７は、例えば紫外線である。光１７は紫外線に限らず、インプリント材に応じて適宜決めることができる。光照射部２は、光源と、該光源から射出された光１７をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学素子とが含まれる。
【００１６】
マスターモールド３は、ブランクモールド５に対する対向面にパターン形成領域３ａ（第１領域）が形成されたモールドである。パターン形成領域３ａには、所定の凹凸パターンが３次元状に形成されている。
【００１７】
モールド保持部４は、マスターモールド３を保持、及び固定するための保持機構である。モールド保持部４は、マスターモールド３を保持した状態で、マスターモールド３とブランクモールド５に供給されたインプリント材とを接触させたり引き離したりするためのＺ駆動機構を有する。また、モールド保持部４は、マスターモールド３の高さと傾きを補正する補正駆動機構を有しうる。
【００１８】
また、モールド変形部５０は、モールド保持部４とマスターモールド３とで囲まれた空間（キャビティ）の圧力を調整することによって、マスターモールド３をブランクモールド５に対して凸形状に変形させることができる。モールド変形部５０にはキャビティ空間の圧力を調整する機構や、キャビティ空間の圧力を計測する機構を有する。同様に、基板変形部５１は、ブランクモールド５と基板ステージ６とで囲まれた空間（キャビティ）の圧力を調整することによって、ブランクモールド５をマスターモールド３に対して凸経時に変形させることができる。基板変形部５１にはキャビティ空間の圧力を調整する機構や、キャビティ空間の圧力を計測する機構を有する。モールド変形部５０と基板変形部５１の何れの場合も、調整する圧力は気圧であっても良いし、液圧であっても良い。
【００１９】
インプリント装置１には、ＴＴＭ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｔｈｅ  Ｍａｓｋ）スコープ１３を備える。ＴＴＭスコープ１３は、マスターモールド３に形成されたアライメントマークと、ブランクモールド５に形成されたアライメントマークを検出するための光学系と撮像系を有するアライメントスコープである。ＴＴＭスコープ１３により、マスターモールド３とブランクモールド５に形成されたアライメントマークを検出することにより、マスターモールド３とブランクモールド５のＸ方向及びＹ方向のずれ量（シフト量）や形状差を計測することができる。ＴＴＭスコープ１３は、モールド保持部４内に設けられてもよいし、リレー光学系を介してモールド保持部４とは異なる場所に設けられてもよい。
【００２０】
基板ステージ６は、ブランクモールド５を保持、及び固定するための保持機構である。基板ステージ６は、ＸＹ平面内を自由に移動可能なＸＹ駆動機構を有する。さらに、基板ステージ６は、ブランクモールド５をＺ軸周りに回転駆動可能な回転駆動機構を設けることが望ましい。基板ステージ６に、Ｚ駆動機構や、ＸＹ軸周りの回転駆動機構を設けることで、モールド保持部４のＺ駆動や傾き補正駆動機構を代用してもよい。
【００２１】
基板ステージ６には、マスターモールド３の表面の高さを計測可能な、モールド計測部９が搭載されている。モールド計測部９は、例えば、マスターモールド３の表面までの距離を計測可能な距離センサとすることができる。基板ステージ６がＸＹ平面に沿って駆動しながらモールド計測部９がマスターモールド３の表面を計測することで、マスターモールド３の位置を計測することができる。
【００２２】
基板ステージ６は、ステージ定盤１５に沿って駆動する。この場合は、ステージがＸＹ方向に駆動した時のＺ方向や傾きの基準は、ステージ定盤１５となる。ステージ定盤１５は、ステージ定盤マウント１６によって、床からの振動から絶縁する構造になっている。図１のインプリント装置１の例では、インプリント装置１全体を、このステージ定盤マウント１６の上に構成することで、床からの振動の影響を受けないような構造になっている。
【００２３】
インプリント装置１には、ブランクモールド５の表面の高さを計測可能な、基板計測部８が搭載されている。基板計測部８は、例えば、ブランクモールド５の表面までの距離を計測可能な距離センサとすることができる。基板ステージ６がＸＹ方向に沿って駆動しながら基板計測部８がブランクモールド５の表面を計測することで、ブランクモールド５の位置を計測することができる。
【００２４】
供給部７（ディスペンサ）は、ブランクモールド５上に未硬化のインプリント材１４を供給（塗布）する塗布手段である。インプリント材１４には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００２５】
硬化性組成物は、光１７の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光１７により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００２６】
インプリント材１４は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材１４の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００２７】
ブランクモールド５（基板）は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
【００２８】
マスターモールド搬送機構１１は、マスターモールド３を搬送し、モールド保持部４にマスターモールド３を搭載する搬送手段である。
【００２９】
レプリカモールド搬送機構１２は、レプリカモールドとなるブランクモールド５を搬送し、基板ステージ６にブランクモールド５を搭載する搬送手段である。
【００３０】
制御部１０は、インプリント装置１の各構成ユニットの動作を制御する。また、制御部１０はインプリント装置１内に設けられたセンサの出力値などを取得する取得手段や記憶手段が含まれていてもよい。制御部１０は、インプリント装置１の各ユニットに回線により接続された、不図示のコンピュータ、又はシーケンサなどで構成される。制御部１０は、インプリント装置１内に設けてもよいし、インプリント装置１とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
【００３１】
インプリント装置１には、ショット全体を観察する撮像部２３を備えうる。撮像部２３は、インプリントの状態や押印、充填の進み具合を観察することができるスコープである。光照射部２から照射される光１７と撮像部２３で用いられる光の波長は互いに異なり、光照射部２の光路と撮像部２３の光路は、ビームスプリッタ（例えば、ハーフミラーＨＭ）で切り換えることができる。
【００３２】
（インプリント方法）
次に、図１のインプリント装置と図２のマスターモールドとブランクモールド、図３のフローチャートを用いて、マスターモールド３を用いてブランクモールド５にインプリント材のパターン形成するインプリント方法を説明する。なお、図２（ａ）〜（ｄ）では、簡略化のため、モールド保持部４や基板ステージ６を不図示としているが、図示のマスターモールド３とブランクモールド５との関係は、図１の通りである。
【００３３】
図３のフローチャートに示すインプリント方法に従ってレプリカモールドを作製する方法について説明する。まず、ステップＳ１０１では、マスターモールド搬送機構１１によって、マスターモールド３をモールド保持部４に搬入する。同様に、ステップＳ１０２ではレプリカモールド搬送機構１２によって、ブランクモールド５を基板ステージ６に搬入する。
【００３４】
その後、ステップＳ１０３では、モールド計測部９によって、マスターモールド３の表面の高さずれ・傾きを計測、同様に、基板計測部８によって、ブランクモールド５の表面の高さずれ・傾きを計測する。２つの計測結果から、マスターモールド３とブランクモールド５が平行になるように、モールド保持部４の傾き補正機構を駆動させることができる。
【００３５】
次に、実際のインプリント工程を説明する。ステップＳ１０４では、図２（ａ）に示すように、ブランクモールド５のメサ部（パターン形成領域）に、供給部７によって、インプリント材１４を供給する。基板ステージ６を供給部７の下で走査駆動しながら、制御部１０がインプリント材１４を供給するように制御することで、ブランクモールドの被転写領域にインプリント材を供給することができる。図２（ａ）は、基板ステージ６を＋ｘ方向に移動させながらインプリント材１４供給する場合を示す。このとき制御部１０は、インプリント材１４の供給量や供給位置を設定したインプリント材の吐出情報を不図示の記憶装置から読み出して供給部７のインプリント材１４の吐出を制御する。
【００３６】
ここでいうメサ部とはマスターモールド３のパターンが転写される領域（パターン形成領域）であり、この領域はブランクモールドの基部よりマスターモールド側に突出した形状（凸形状）の領域が形成されている。このブランクモールドの凸形状は不図示の半導体製造工程にてレプリカモールドを型として基板にインプリント処理する際、型（レプリカモールド）と基板が密着して引きはがせなくなる事を防ぐために必要である。
【００３７】
ステップＳ１０５では、基板ステージ６を駆動することで、インプリント材が供給されたブランクモールド５をマスターモールド３の直下に位置合わせをする。この状態で、図２（ｂ）に示すように、ＴＴＭスコープ１３によって、マスターモールド３とブランクモールド５のアライメントマークを同時に検出し、位置ずれを検出して位置ずれを検出することができる。検出された位置ずれ量に基づいて、基板ステージ６を駆動して位置ずれ量を補正するように位置合わせを行うことができる。
【００３８】
次に、ステップＳ１０６では、図２（ｃ）に示すように、マスターモールド３をモールド変形部５０によりブランクモールド５に対して凸状に変形させ、ブランクモールド５を基板変形部５１によりマスターモールド３に対して凸状に変形させる。そして、マスターモールド３とブランクモールド５の間隔を狭めることで、マスターモールド３とブランクモールド５に供給されたインプリント材１４を接触させる。この後、モールド変形部５０、基板変形部５１を制御して徐々に圧力を下げ、マスターモールド３とインプリント材１４の接触面積を増やしていく。インプリント材１４は、マスターモールド３に形成されたパターン形成領域３ａの凹部に充填する。
【００３９】
そして、ステップＳ１０７では、マスターモールド３とブランクモールド５のアライメントマークをＴＴＭスコープ１３で検出し、検出結果に基づき、基板ステージ６を駆動して位置合わせするダイバイダイアライメントを実施する。
【００４０】
その後、ステップＳ１０８では、図２（ｃ）に示すように、マスターモールド３とインプリント材１４を接触させた状態で、光照射部２から光１７を照射することで、インプリント材１４を硬化させる。
【００４１】
ステップＳ１０９では、図２（ｄ）に示すように、マスターモールド３とパターンが形成されたブランクモールド５（レプリカモールド）の間隔を広げることで、硬化したインプリント材からマスターモールド３を離型する。この結果、硬化したインプリント材パターン２０がブランクモールド５上に形成される。通常、硬化したインプリント材パターン２０がブランクモールド５に残るよう、ブランクモールド５の表面（メサ部）には、あらかじめ密着層を塗布しておくことが望ましい。
【００４２】
そして、ステップＳ１１０では、インプリント処理によりパターンが形成されたブランクモールド５（レプリカモールド）をレプリカモールド搬送機構１２により基板ステージ６から搬出する。
【００４３】
ステップＳ１１１では、レプリカモールドの作製が終了したかを判断する。レプリカモールドの作製が終了していない場合（Ｓ１１１でＮＯの場合）、ステップＳ１１２でマスターモールド３に対する異物除去工程の要否が判定される。ステップＳ１１２の異物除去工程の要否判定は、例えば、撮像部２３の撮像結果に基づいて判断することができる。ステップＳ１１２で異物除去工程が必要ないと判断された場合（Ｓ１１２でＮＯの場合）、ステップＳ１０２に戻って新しいブランクモールド５をインプリント装置に搬入する。ステップＳ１１２で異物除去工程が必要であると判断された場合（Ｓ１１２でＹＥＳの場合）、マスターモールド３に対してステップＳ１１３で異物除去工程が行われる。ステップＳ１１３の異物除去工程については後述する。
【００４４】
ステップＳ１１３の異物除去工程が終了した後、ステップＳ１０２に戻って新しいブランクモールド５をインプリント装置１に搬入する。新しいブランクモールド５に対して上述のインプリント処理を繰り返すことによって、インプリント材のパターンを形成することができる。レプリカモールドの作製が終了した場合（Ｓ１１１でＹＥＳの場合）、マスターモールド３をインプリント装置１から搬出して、レプリカモールド作製工程が終了する。ここでは、ステップＳ１１０でブランクモールドを搬出した後、ステップＳ１１２でマスターモールド３に対して異物除去工程の要否を判定する工程を含んでいるが、ブランクモールドを搬出するたびにステップＳ１１３の異物除去工程を行なってもよい。
【００４５】
（異物除去方法）
第１実施形態の異物除去工程（図３のＳ１１３）について、図３のフローチャート、図４のマスターモールドとブランクモールド、図５のフローチャートを用いて説明する。なお、図４（ａ）〜（ｄ）では、簡略化のため、モールド保持部４や基板ステージ６を不図示としているが、図示のマスターモールド３とブランクモールド５との関係は、図１の通りである。
【００４６】
図４（ａ）は、上述のインプリント方法により、マスターモールド３を用いてブランクモールド５に硬化したインプリント材パターン２０を形成した状態を示している。このように、マスターモールド３をインプリント材１４から離型した後はマスターモールド３にインプリント材が付着していないことが望ましい。
【００４７】
しかしながら、供給部７の吐出量誤差による吐出過大や吐出位置ずれにより余分なインプリント材１４がブランクモールド５のパターン形成領域（第１領域）からはみ出て硬化する恐れがある。このような場合、図４（ｂ）に示すように、パターン形成領域からはみ出て硬化したインプリント材１４が異物２１としてマスターモールド３に付着する恐れがある。異物２１が付着したマスターモールド３を用いて、新たなブランクモールド５にインプリント処理を行うと、インプリント材のパターンに欠陥が生じる恐れがある。このため、新たなブランクモールド５にインプリント処理を行う前に、マスターモールド３に付着した異物２１を除去する必要がある。
【００４８】
そのため、上述のステップＳ１１２では、マスターモールド３の凹凸パターン周囲に異物２１の付着の有無を検出し、異物除去工程の要否を判断する工程を含んでもよい。ステップＳ１１２の工程で、インプリント工程後のマスターモールドが図４（ａ）の状態であるか、または、図４（ｂ）の状態であるかを判断して、図４（ｂ）のようにマスターモールド３に異物２１が付着している場合にステップＳ１１３の異物除去工程を行う。
【００４９】
図５は、異物除去工程を示すフローチャートである。図５のフローチャートを用いてマスターモールド３に付着した異物を除去する方法を説明する。異物除去工程は、ブランクモールドにインプリント材のパターンが形成され、基板ステージ６からブランクモールドが搬出された後に実行される。
【００５０】
ます、異物除去工程を開始した後、ステップＳ２０１ではブランクモールド５とは異なる異物除去基板５２（第２基板）を基板ステージ６に搬入する。異物除去基板５２は、図４（ｃ）に示すように少なくともブランクモールド５に形成されたパターン形成領域の第１領域（図４（ｂ）の領域Ｓ）よりも広い第２領域（図４（ｃ）の領域Ｓ´）のパターン形成領域を有する。異物除去基板５２に形成されるパターン形成領域（第２領域）は、マスターモールド３に付着した異物２１を除去できる領域の大きさである。また、異物除去基板５２に形成されるパターン形成領域の領域は、マスターモールド３がインプリント材１４と接触した際に、インプリント材１４が異物除去基板５２のパターン形成領域の領域Ｓ´外にはみ出さない領域が必要である。
【００５１】
異物除去基板５２を搬入した後、ステップＳ２０２では、図２（ａ）と同様に異物除去基板５２のパターン形成領域に、供給部７によって、インプリント材１４を供給する。基板ステージ６を供給部７の下で走査駆動しながら、制御部１０がインプリント材１４を供給するように制御することで、異物除去基板の被転写領域にインプリント材を供給することができる。
【００５２】
ステップＳ２０３では、マスターモールド３の直下に異物除去基板５２を配置することで、位置合わせを行う。ステップＳ２０３における位置合わせは、マスターモールド３に付着した異物を除去することを目的とするため、上述のステップＳ１０５の位置合わせほどマスターモールド３と異物除去基板５２とを、精度よく位置合わせする必要はない。
【００５３】
ステップ２０４では、上述のステップＳ１０８と同様にマスターモールド３を異物除去基板５２に供給されたインプリント材１４に接触させる。そして、ステップＳ２０５では、上述のステップＳ１０８と同様にインプリント材１４を硬化させる。ステップＳ２０６では、上述のステップＳ１０９と同様にマスターモールド３とパターンが形成された異物除去基板５２の間隔を広げることで、硬化したインプリント材からマスターモールド３を離型する。ステップＳ２０７では、インプリント処理によりパターンが形成された異物除去基板５２をレプリカモールド搬送機構１２により基板ステージ６から搬出される。
【００５４】
このように、マスターモールド３を異物除去基板５２上の硬化したインプリント材から引き離すことにより、マスターモールド３に付着する異物を除去することができる。インプリント材が付着した異物除去基板５２は、不図示の洗浄装置にて洗浄することで再び使用することができる。異物除去工程により異物２１が除去されたマスターモールド３は、新たなブランクモールド５にインプリント材のパターンを形成するために用いられる。
【００５５】
（その他の実施形態）
異物除去工程のステップＳ２０２で異物除去基板５２に供給されるインプリント材１４は、インプリント工程のステップＳ１０４でブランクモールド５に供給されるインプリント材と異なるものを用いてもよい。例えば、異物除去工程で用いるインプリント材（第２インプリント材）をインプリント工程で用いるインプリント材（第１インプリント材）よりも粘度が大きいものを用いることができる。異物除去基板５２に供給される第２インプリント材は、ステップＳ１０４で供給される第１インプリント材の供給部７とは別の供給部から塗布されてよいし、インプリント装置１外の塗布装置を用いて塗布されてもよい。インプリント装置１外の塗布装置を用いて異物除去基板５２に第２インプリント材を塗布する場合、ステップＳ２０２のインプリント材の供給工程が行われず、ステップＳ２０１でインプリント材が塗布された異物除去基板が搬入される。粘度が大きいインプリント材を用いることにより、ブランクモールド５に付着した異物を除去する効果を高めることができる。
【００５６】
上述の異物除去工程において、異物除去基板５２を基板ステージ６に搬入する場合について説明したが、異物除去基板をインプリント装置１内に予め備えていてもよい。この場合、図５に示す異物除去工程において、ステップＳ２０１の異物除去基板を搬入する工程とステップＳ２０７の異物除去基板を搬出する工程は行われない。インプリント装置１内に予め備えられた異物除去基板は、基板ステージ６とは異なる場所（ステージ）に設けてもよいし、基板ステージ６上のブランクモールド５を保持する場所とは異なる場所に設けてもよい。何れの場合も異物除去基板は、ブランクモールド５に形成されたパターン形成領域の領域Ｓよりも広い領域Ｓ´（パターン形成領域）を有する。
【００５７】
また、マスターモールド３に付着した異物２１を除去する効果を上げるために、ステップＳ２０５でインプリント材１４を硬化させる前に、マスターモールド３とインプリント材１４の接触・引き離しを複数回行ってもよい。このように、マスターモールド３とインプリント材１４の接触・引き離しを複数回行うことによって一回では除去できない異物を除去できる確率を高めることができる。さらに、図５に示す異物除去工程を複数回行ってもよい。
【００５８】
（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００５９】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６０】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００６１】
図６（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図６（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１と型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００６２】
図６（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００６３】
図６（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。なお、当該エッチングとは異種のエッチングにより当該残存した部分を予め除去しておくのも好ましい。図６（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更がかのうである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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