(57)【要約】【課題】折り曲げ性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔を提供する。【解決手段】99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、導電率が75%IACSを超え、銅箔の表面のKAM値の構成比＝（KAM値が0〜0.875の領域Ａ）/(KAM値が0〜5の領域Ｂ)が0.98以上であるフレキシブルプリント基板用銅箔である。【選択図】図２
2019029605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、
導電率が75%IACSを超え、
前記銅箔の表面のKAM値の構成比＝（KAM値が0〜0.875の領域Ａ）/(KAM値が0〜5の領域Ｂ)が0.98以上であるフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項２】
板厚をx[μｍ]としたとき、破断伸びy[%]が式１：[y=-0.0365(%・(μｍ) -2)x2+2.1352(%・(μｍ) -1)x-5.7219(%)]以上である請求項１に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔
【請求項３】
ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅からなる請求項１または２に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項４】
さらに、Pを0.03質量％以下、Agを0.05質量％以下、Sbを0.14質量％以下、Snを0.163質量％以下、Niを0.288質量％以下、Beを0.058質量％以下、Znを0.812質量％以下、Inを0.429質量％以下、およびMgを0.149質量％以下、それぞれ単独又は２種以上を含有してなる請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項５】
前記銅箔が圧延銅箔であり、
300℃×30min焼鈍（但し、昇温速度100℃/min〜300℃/min）後、導電率が75%IACSを超え、かつ前記構成比が0.98以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる銅張積層体。
【請求項７】
請求項６に記載の銅張積層体における前記銅箔に回路を形成してなるフレキシブルプリント基板。
【請求項８】
請求項７に記載のフレキシブルプリント基板を用いた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブルプリント基板等の配線部材に用いて好適な銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブル配線板、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板（フレキシブル配線板、以下、「ＦＰＣ」と称する）はフレキシブル性を有するため、電子回路の折り曲げ部や可動部に広く使用されている。例えば、ＨＤＤやＤＶＤ及びＣＤ−ＲＯＭ等のディスク関連機器の可動部や、折りたたみ式携帯電話機の折り曲げ部等にＦＰＣが用いられている。
ＦＰＣは銅箔と樹脂とを積層したＣｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ（銅張積層体、以下ＣＣＬと称する）をエッチングすることで配線を形成し、その上をカバーレイと呼ばれる樹脂層によって被覆したものである。カバーレイを積層する前段階で、銅箔とカバーレイとの密着性を向上するための表面改質工程の一環として、銅箔表面のエッチングが行われる。また、銅箔の厚みを低減して屈曲性を向上させるため、減肉エッチングを行う場合もある。
【０００３】
ところで、電子機器の小型、薄型、高性能化に伴い、これら機器の内部にＦＰＣを高密度で実装することが要求されているが、高密度実装を行うためには、小型化した機器の内部にＦＰＣを折り曲げて収容する、つまり高い折り曲げ性が必要となる。
一方、ＩＰＣ屈曲性に代表される高サイクル屈曲性を改善した銅箔が開発されている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０-１００８８７号公報
【特許文献２】特開２００９-１１１２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述のようにＦＰＣを高密度で実装するためには、ＭＩＴ耐折性に代表される折り曲げ性の向上が必要であり、従来の銅箔では折り曲げ性の改善が十分とはいえないという問題がある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、折り曲げ性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブルプリント基板、及び電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは種々検討した結果、銅箔の最終冷間圧延前の結晶粒径を微細化することにより、冷間圧延中の銅箔の各領域への転位の蓄積を均等にし、再結晶後に銅箔のいずれの領域でも、ひずみが開放されるためにKAM値の低減と破断伸びの向上が両立でき、折り曲げ性が向上できることを見出した。通常、KAM値が大きいほど再結晶後に粒内ひずみが蓄積されており、KAM値が大きい（粒内ひずみの蓄積が大きい）領域とKAM値が小さい（粒内ひずみの蓄積が少ない）領域では、折り曲げ時の塑性変形挙動が異なるため破断する。したがって、KAM値が小さい領域を増やせば、銅箔内における折り曲げ時の塑性変形挙動が均等化され、折り曲げ性が向上する。
【０００７】
すなわち、本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、導電率が75%IACSを超え、前記銅箔の表面のKAM値の構成比＝（KAM値が0〜0.875の領域Ａ）/(KAM値が0〜5の領域Ｂ)が0.98以上である。
【０００８】
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔において、板厚をx[μｍ]としたとき、破断伸びy[%]が式１：[y=-0.0365(%・(μｍ) -2)x2+2.1352(%・(μｍ) -1)x-5.7219(%)]以上であることが好ましい。
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔において、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅からなることが好ましい。
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔において、さらに、Pを0.03質量％以下、Agを0.05質量％以下、Sbを0.14質量％以下、Snを0.163質量％以下、Niを0.288質量％以下、Beを0.058質量％以下、Znを0.812質量％以下、Inを0.429質量％以下、およびMgを0.149質量％以下、それぞれ単独又は２種以上を含有してなることが好ましい。
【０００９】
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔が圧延銅箔であり、300℃×30min焼鈍（但し、昇温速度100℃/min〜300℃/min）後、導電率が75%IACSを超え、かつ前記構成比が0.98以上であることが好ましい。
【００１０】
本発明の銅張積層体は、前記フレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる。
【００１１】
本発明のフレキシブルプリント基板は、前記銅張積層体における前記銅箔に回路を形成してなる。
【００１２】
本発明の電子機器は、前記フレキシブルプリント基板を用いてなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、折り曲げ性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例及び比較例の銅箔厚みと破断伸びの関係を示す図である。
【図２】実施例及び比較例のEBSD測定による結晶方位分布（マップ）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る銅箔の実施の形態について説明する。なお、本発明において％は特に断らない限り、質量％を示すものとする。
【００１６】
＜組成＞
本発明に係る銅箔は、99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる。
上述のように、銅箔の最終冷間圧延前の結晶粒径を微細化することにより、冷間圧延中の銅箔の各領域への転位の蓄積を均等にし、再結晶後に銅箔のいずれの領域でも、ひずみが開放されるためにKAM値の低減と破断伸びの向上が両立でき、折り曲げ性が向上する。通常、KAM値が大きいほど再結晶後に粒内ひずみが蓄積されており、KAM値が大きい（粒内ひずみの蓄積が大きい）領域とKAM値が小さい（粒内ひずみの蓄積が少ない）領域では、折り曲げ時の塑性変形挙動が異なるため破断する。したがって、KAM値が小さい領域を増やせば、銅箔内における折り曲げ時の塑性変形挙動が均等化されるだけでなく折り曲げ性が向上する。
但し、上記したCu99.0質量％以上の純銅系の組成の場合、銅箔の再結晶後にKAM値を小さくすることが困難であるため、冷間圧延時の初期（焼鈍と冷間圧延を繰り返す際の初期の冷間圧延時）に再結晶焼鈍を行うことで、冷間圧延により加工ひずみを大量に導入することができ、再結晶後にKAM値が小さい領域を増えるともに破断伸びを高め、折り曲げ性をさらに向上できる。
【００１７】
又、銅箔の再結晶後にKAM値の低減と破断伸びの向上を両立するためには、冷間圧延と焼鈍を繰り返す工程の中で、最終焼鈍後に行う最終冷間圧延前の結晶粒径を10μm以上〜15μm未満とすると好ましい。15μm以上の場合KAM値の低減と破断伸びの向上を両立できず折り曲げ性が悪くなる。一方、10μmより小さい場合、KAM値の低減と破断伸びの向上を両立する効果は飽和する。
最終冷間圧延前の結晶粒径が15μm以上の場合、加工時の転位の絡み合いが局所的に小さくなり、ひずみの蓄積が少なくなるため、再結晶後にひずみが解放されず、KAM値の低減と破断伸びの向上の両立が困難になる。最終冷間圧延前の結晶粒径が10μmより小さい場合は、加工時の転位の絡み合いが銅箔のほぼ全領域で生じてこれ以上の絡み合いができず、再結晶後のKAM値の低減と破断伸びの向上を両立する効果が飽和する。そして、圧延コストが高くなる。したがって最終冷間圧延前の結晶粒径の下限を10μmとした。
【００１８】
銅箔の最終冷間圧延前の結晶粒径を微細化する方法としては、最終焼鈍温度を400℃より大きく、500℃以下とし、最終焼鈍直前の冷間圧延加工度ηを0.91以上、1.6以下にすることが挙げられる。
【００１９】
又、再結晶後のKAM値を小さくする添加元素として、上記組成に対し、Pを0.0005質量％以上0.03質量％以下、Agを0.0005質量％以上0.05質量％以下、Sbを0.0005質量％以上0.14質量％以下、Snを0.0005質量％以上0.163質量％以下、Niを0.0005質量％以上0.288質量％以下、Beを0.0005質量％以上0.058質量％以下、Znを0.0005質量％以上0.812質量％以下、Inを0.0005質量％以上0.429質量％以下、およびMgを0.0005質量％以上0.149質量％以下、それぞれ単独又は２種以上を含有すると、KAM値を容易に小さくすることができる。
P、Ag、Sb、Sn、Ni、Be、Zn、In、およびMgは、冷間圧延時に転位の絡み合いの頻度を増加させるので、再結晶後にKAM値の低減と破断伸びの向上を両立することができる。又、冷間圧延時の初期に一回のみ再結晶焼鈍を行い、以後は再結晶焼鈍を行わないようにすれば、冷間圧延により転位の絡み合いを増加させることにより、加工ひずみを大量に導入して再結晶後にKAM値の低減と破断伸びの向上をより容易に両立することができる。
【００２０】
Pを0.03質量％を超え、Agを0.05質量％を超え、Sbを0.14質量％を超え、Snを0.163質量％を超え、Niを0.288質量％を超え、Beを0.058質量％を超え、Znを0.812質量％を超え、Inを0.429質量％を超え、又はMgを0.149質量％を超えて含有させると、導電率が低下し、フレキシブル基板用銅箔として適さない場合があるので、上述の範囲を上限とした。P、Sb、Sn、Ni、Be、Zn、In、およびMgの含有量の下限は特に制限されないが、例えば各元素につき0.0005質量％より小さく制御することは工業的に難しいので、各元素の含有量の下限を0.0005質量％とするとよい。
【００２１】
本発明に係る銅箔を、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅（ＴＰＣ）又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅（ＯＦＣ）からなる組成としてもよい。
又、上記ＴＰＣ又はＯＦＣに対し、Pを含有させてなる組成としてもよい。
【００２２】
＜KAM値の構成比＞
銅箔の表面のKAM値の構成比＝（KAM値が0〜0.875の領域）/(KAM値が0〜5の領域)が0.98以上である。
KAM値は、結晶粒内の隣接する測定点間の方位差を定量化した指標であり、KAM値が大きいと粒内ひずみの蓄積が大きく、KAM値が小さいと粒内ひずみの蓄積が少ない傾向にある。
KAM値の構成比として、（KAM値が0〜0.875の領域Ａ）/(KAM値が0〜5の領域Ｂ)を採用した理由は、領域Ｂは粒内ひずみの定義を表しており、その内「0〜0.875」の領域Ａでは粒内ひずみの蓄積が少なく、折り曲げ時のクラックの起点となり難いのに対し、「領域Ｂ−領域Ｂ」（0.875超え5以下）では粒内ひずみの蓄積が大きく折り曲げ時のクラックの起点となり易いからである。
上記のKAM値の構成比が0.98以上であると、粒内ひずみの蓄積が大きい領域が少ないためクラックの起点が少なく、折り曲げ性が向上する。
【００２３】
KAM値は、試料の表面をEBSD（電子後方散乱回折：electron backscatter diffraction）で測定して求める。EBSDは、試料表面付近の結晶方位をｎｍオーダーの分解能で測定することができ、測定データから局所的な結晶方位の変化（局所方位差）を算出することができる。そして、これらのEBSDデータから、隣接する測定点間のKAM値（方位差）が0°以上5°以下となる境界を粒内蓄積ひずみとみなす。
なお、KAM値（方位差）が5°より大きな部位は結晶粒界であり、粒内ひずみとは異なる。
【００２４】
＜破断伸び＞
板厚をx[μｍ]としたとき、破断伸びy[%]が式１：[y=-0.0365(%・(μｍ) -2)x2+2.1352(%・(μｍ) -1)x-5.7219(%)]以上であることが好ましい。
銅箔の伸びは厚みによって変化し、厚みが厚いほど伸びは大きくなる。従って、折り曲げ性は、銅箔の厚みに応じた伸びに依存する。このため、折り曲げ性を向上させるためには、銅箔の伸びの絶対値だけでなく、伸びと厚みとの関係を規定する必要がある。本発明は、このように伸びと厚みとの関係に着目したものである。
図１は、後述する実施例１〜１６、及び比較例１〜６の厚みと破断伸びとの関係を示す。図１に示すように、実施例１〜７の群よりも実施例８〜１２の群の方が同じ厚みでも破断伸びが小さい。又、同じ厚みで見たとき、すべての実施例１〜１６の破断伸びは比較例（比較例１〜６）の群の破断伸びよりも大きい。
【００２５】
このことから、比較例よりも破断伸びが大きくなる領域であれば、折り曲げ性（MIT耐折回数）にも優れると考え、比較例よりも破断伸びが大きくなる最低限の値（下限）として、実施例１〜７の群よりも破断伸びが小さい実施例８〜１２の群の各プロットを通る近似２次曲線を最小二乗法で求めた。その結果、図１の破線に示す上記式１が得られた。
なお、実施例１と２が重なり、実施例６と７が重なるので、実施例１〜７のプロット数は７個ではなく５個となった。
【００２６】
以上から、破断伸びy[%]が式１以上の領域Ｓ（図１参照）であれば、折り曲げ性に優れる。
例えば、銅箔厚みが１２μｍの場合、破断伸び（％）および折り曲げ性（回）はそれぞれ、実施例４（：３５ ％：４５２回）、実施例１０（：１５ ％：３５２回）、比較例４（：１２ ％：１８８回）となり、実施例４、１０共に比較例４に比べ折り曲げ性が優れ、実施例４が最も優れる。
【００２７】
なお、式２：[y=-0.07625(%・(μｍ) -2)x2+4.4090(%・(μｍ) -1)x-7.5054(%)]は、実施例８〜１２の群よりも同じ厚みで破断伸びが大きい群である実施例１〜７の各プロットを通る近似２次曲線を最小二乗法で求めた結果である。
もとより、破断伸びは高ければ高い方が好ましいので、式２の値を超えるものも、本願発明の範囲に含まれることは言うまでもないが、同じ銅箔厚みでも破断伸びの向上には限界があるので、その限界の例示として式２を求めた。従って、本発明をより確実に実現する範囲として、式１以上、かつ式２以下の領域Ｓ１（図１参照）とすることも可能であるが、本発明は式２以下の領域に限定されるものではない。
【００２８】
破断伸びが[y=-0.0365(%・(μｍ) -2)x2+2.1352(%・(μｍ) -1)x-5.7219(%)]未満であると、フレキシブルプリント基板を曲げた時の樹脂の伸びに銅箔が追従できず、折り曲げ性が劣るため、フレキシブルプリント基板用途に適さない。
又、銅箔を300℃×30min焼鈍（昇温速度100〜300℃/min）後の破断伸びy[%]についても、上述の範囲内であることが好ましい。
【００２９】
＜引張強度（ＴＳ）、破断伸び＞
引張強度および破断伸びは、ＩＰＣ-ＴＭ650に準拠した引張試験により、試験片幅12.7ｍｍ、室温（１５〜３５℃）、引張速度50.8mm/min、ゲージ長さ50mmで、銅箔の圧延方向と平行な方向に引張試験した。
【００３０】
＜300℃で30分間の熱処理＞
本発明に係る銅箔はフレキシブルプリント基板に用いられ、その際、銅箔と樹脂とを積層したＣＣＬは、２００〜４００℃で樹脂を硬化させるための熱処理を行うため、再結晶によって結晶粒が粗大化する可能性がある。
従って、樹脂と積層する前後で、銅箔のKAM値の構成比が変わる。そこで、本願の請求項１に係るフレキシブルプリント基板用銅箔は、樹脂と積層後の銅張積層体になった後の、樹脂の硬化熱処理を受けた状態の銅箔を規定している。つまり、既に熱処理を受けているから、新たな熱処理を行わない状態の銅箔である。
一方、本願の請求項５に係るフレキシブルプリント基板用銅箔は、樹脂と積層する前の銅箔に上記熱処理を行ったときの状態を規定している。この300℃で30分間の熱処理は、ＣＣＬの積層時に樹脂を硬化熱処理させる温度条件を模したものである。なお、熱処理による銅箔表面の酸化を防止するため、熱処理の雰囲気は、還元性又は非酸化性の雰囲気が好ましく、例えば、真空雰囲気、又は、アルゴン、窒素、水素、一酸化炭素等若しくはこれらの混合ガスからなる雰囲気などとすればよい。昇温速度は100〜300℃/minの間であればよい。
【００３１】
本発明の銅箔は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、銅インゴットを溶解、鋳造した後、熱間圧延し、冷間圧延と焼鈍を行い、好ましくは冷間圧延時の初期に再結晶焼鈍を行うと共に、上述の最終冷間圧延を行うことにより箔を製造することができる。
ここで、最終冷間圧延前（冷間圧延と焼鈍を繰り返す工程全体の中で、最終焼鈍後に行う冷間圧延をいう）の結晶粒径を10μm以上15μm未満に微細化すると、KAM値の構成比を0.98以上に制御できる。
【００３２】
＜銅張積層体及びフレキシブルプリント基板＞
又、本発明の銅箔に（１）樹脂前駆体（例えばワニスと呼ばれるポリイミド前駆体）をキャスティングして熱をかけて重合させること、（２）ベースフィルムと同種の熱可塑性接着剤を用いてベースフィルムを本発明の銅箔にラミネートすること、により、銅箔と樹脂基材の２層からなる銅張積層体（ＣＣＬ）が得られる。又、本発明の銅箔に接着剤を塗着したベースフィルムをラミネートすることにより、銅箔と樹脂基材とその間の接着層の３層からなる銅張積層体（ＣＣＬ）が得られる。これらのＣＣＬ製造時に銅箔が熱処理されて再結晶化する。
これらにフォトリソグラフィー技術を用いて回路を形成し、必要に応じて回路にめっきを施し、カバーレイフィルムをラミネートすることでフレキシブルプリント基板（フレキシブル配線板）が得られる。
【００３３】
従って、本発明の銅張積層体は、銅箔と樹脂層とを積層してなる。又、本発明のフレキシブルプリント基板は、銅張積層体の銅箔に回路を形成してなる。
樹脂層としては、PET（ポリエチレンテレフタレート）、PI（ポリイミド）、LCP（液晶ポリマー）、PEN（ポリエチレンナフタレート）が挙げられるがこれに限定されない。また、樹脂層として、これらの樹脂フィルムを用いてもよい。
樹脂層と銅箔との積層方法としては、銅箔の表面に樹脂層となる材料を塗布して加熱成膜してもよい。又、樹脂層として樹脂フィルムを用い、樹脂フィルムと銅箔との間に以下の接着剤を用いてもよく、接着剤を用いずに樹脂フィルムを銅箔に熱圧着してもよい。但し、樹脂フィルムに余分な熱を加えないという点からは、接着剤を用いることが好ましい。
【００３４】
樹脂層としてフィルムを用いた場合、このフィルムを、接着剤層を介して銅箔に積層するとよい。この場合、フィルムと同成分の接着剤を用いることが好ましい。例えば、樹脂層としてポリイミドフィルムを用いる場合は、接着剤層もポリイミド系接着剤を用いることが好ましい。尚、ここでいうポリイミド接着剤とはイミド結合を含む接着剤を指し、ポリエーテルイミド等も含む。
【００３５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されない。又、本発明の作用効果を奏する限り、上記実施形態における銅合金がその他の成分を含有してもよい。また、電解銅箔でも良い。
例えば、銅箔の表面に、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、またはこれらの組み合わせによる表面処理を施してもよい。
【実施例】
【００３６】
次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。電気銅に、表１に示す元素をそれぞれ添加して表１の組成とし、Ar雰囲気で鋳造して鋳塊を得た。鋳塊中の酸素含有量は15ppm未満であった。この鋳塊を900℃で均質化焼鈍後、熱間圧延した後に冷間圧延を行い、さらに1回焼鈍を行い10μm以上15μm未満に結晶粒径を調整した。
その後、表面に発生した酸化スケールを除去して、表２に示す加工度ηで最終冷間圧延をして目的とする最終厚さの箔を得た。得られた箔にアルゴン雰囲気において300℃×30分の熱処理を加え、銅箔サンプルを得た。熱処理後の銅箔は、ＣＣＬの積層時に熱処理を受けた状態を模している。
【００３７】
＜Ａ．銅箔サンプルの評価＞
１．導電率
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、ＪＩＳ  Ｈ  ０５０５に基づいて4端子法により、25℃の導電率(%IACS)を測定した。
導電率が７５%IACSより大きければ導電性が良好である。
２．引張強度及び破断伸び
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、ＩＰＣ-ＴＭ650に準拠した引張試験により、試験片幅12.7ｍｍ、室温（１５〜３５℃）、引張速度50.8mm/min、ゲージ長さ50mmで、銅箔の圧延方向と平行な方向に引張試験することにより、引張強度及び破断伸びを測定した。
【００３８】
３．KAM値
上記熱処理後の各サンプルの表面について、EBSD（TSLソリューションズ社製  OIM（Orientation Imaging Microscopy））装置を用いてEBSD測定を行った。測定電圧は15kVとし、ワーキングディスタンス17mmとし、試料傾斜角度70°とした。測定視野は、25μm×25μmで5か所とし、測定間距離d=0.2μmとした。
得られたEBSDデータを、装置に付属の解析ソフトウェア（OIM  analysis5）を用いて解析し、KAM値の構成比＝（KAM値0〜0.875）/(KAM値0〜5)=を算出した。データ解析の際、CI値(Confidential Index)が0.05以下のデータは精度が低いとして解析から除外した。
KAM値の構成比が0.98以上であれば、粒内ひずみの蓄積が小さい。
【００３９】
４．銅箔の折り曲げ性（MIT耐折性）
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、ＪＩＳ  Ｐ  ８１１５に基づいてMIT耐折回数（往復折曲げ回数）を測定した。ただし、折り曲げクランプのRは0.38mm、荷重は250gとした。
MIT耐折回数が同じ厚みの比較例よりも大きければ銅箔の折り曲げ性が良好である。
５．結晶粒径
上記熱処理前であって最終冷間圧延前（最終焼鈍後）の各サンプルをＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）を用いて観察し、ＪＩＳ  Ｈ  ０５０１に基づいて平均粒径を求めた。ただし、双晶は、別々の結晶粒とみなして測定を行った。測定領域は、圧延方向に平行な断面の400μm ×400μmとした。
【００４０】
得られた結果を表１、表２に示す。
【００４１】
【表１】
2019029605.tif 000003
【００４２】
【表２】
2019029605.tif 000004
【００４３】
表１、表２から明らかなように、KAM値の構成比が0.98以上である各実施例の場合、同じ厚みの比較例よりもMIT屈曲性に優れていた。
【００４４】
一方、最終焼鈍の温度を500℃より大きくした結果、最終冷間圧延前の結晶粒径が15μｍ以上となった比較例1〜6、9、10の場合、KAM値の構成比が0.98未満となり、同じ厚みの各実施例よりもMIT屈曲性が劣った。
【００４５】
また、Pの添加量が0.03％を超えた比較例7の場合、導電率が75%以下となり導電性が劣った。
Cuが99.0質量％未満である比較例8の場合も、導電率が75%以下となり導電性が劣った。
【００４６】
図２に、実施例２（図２（ａ））、及び比較例１０（図２（ｂ））のEBSD測定による結晶方位分布（マップ）を示す。図１の暗部は「KAM値が0〜0.875」の領域で、明部はそれ以外の「KAM値が0.875超え5以下」の領域である。実施例２は比較例１０に比べて暗部が多く、KAM値の構成比が比較例１０より高いことがわかる。
【図１】
2019029605.tif 000005
【図２】
2019029605.tif 000006