(57)【要約】【課題】リード部間の間隔を確保するとともに、リードフレーム上の接着剤がリードフレームから流れ出ることを抑制することが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１０は、圧延方向に延びる圧延筋７１を有する。圧延筋７１が設けられた面内に、圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧延方向に延びる圧延筋を有するリードフレームであって、
前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、リードフレーム。
【請求項２】
前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、請求項１または２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項６】
８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ−Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ）である、請求項６に記載のリードフレーム。
【請求項８】
半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のリードフレーム。
【請求項９】
半導体装置であって、
圧延方向に延びる複数の圧延筋を有するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、
前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
前記ダイパッドの前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、半導体装置。
【請求項１０】
前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、請求項９または１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記リード部は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ−Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ）である、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、請求項９乃至１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置用のリードフレームとして、例えば特許文献１に記載されたものが存在する。このようなリードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられたリード部とを有している。ダイパッドには半導体素子が搭載され、半導体素子は、ダイボンディングペースト等の接着剤によってダイパッドに接着されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３４６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般にリードフレームを作製する際に用いられる金属基板は、銅等の金属材料を圧延することにより作製される。このため、リードフレームの表面には、圧延方向に延びる圧延筋が形成される。半導体装置を製造する工程においては、ダイボンディングペースト等の接着剤を使用して半導体素子をリードフレーム上に固定する。このため、リードフレーム上の接着剤が、圧延筋に起因する毛細管現象により、リードフレームの圧延方向に流れ、リードフレームから流れ出るおそれがあり、実装信頼性が低下する可能性がある。
【０００５】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、リードフレーム上の接着剤がリードフレームから流れ出ることを抑制することが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、圧延方向に延びる圧延筋を有するリードフレームであって、前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、リードフレームである。
【０００７】
本発明は、前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、リードフレームである。
【０００８】
本発明は、前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、リードフレームである。
【０００９】
本発明は、前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、リードフレームである。
【００１０】
本発明は、前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、リードフレームである。
【００１１】
本発明は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ−Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、リードフレームである。
【００１２】
本発明は、前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ）である、リードフレームである。
【００１３】
本発明は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、リードフレームである。
【００１４】
本発明は、半導体装置であって、圧延方向に延びる複数の圧延筋を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドの前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、半導体装置である。
【００１５】
本発明は、前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、半導体装置である。
【００１６】
本発明は、前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、半導体装置である。
【００１７】
本発明は、前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、半導体装置。である
【００１８】
本発明は、前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、半導体装置である。
【００１９】
本発明は、前記リード部は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ−Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、半導体装置である。
【００２０】
本発明は、前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ）である、半導体装置である。
【００２１】
本発明は、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、半導体装置である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、リードフレーム上の接着剤がリードフレームから流れ出ることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す底面図。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIII−III線断面図）。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す拡大平面図（図１のVI部拡大図）。
【図５】図５は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す拡大断面図（図３の部分拡大図）。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す光学顕微鏡写真。
【図７】図７は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの変形例を示す平面図。
【図８】図８は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図９】図９は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図８のIX−IX線断面図）。
【図１０】図１０は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図８のX−X線断面図）。
【図１１】図１１は、本発明の一実施の形態による半導体装置の変形例を示す断面図。
【図１２】図１２（ａ）−（ｆ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。
【図１３】図１３（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１３を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
【００２５】
リードフレームの構成
まず、図１乃至図６により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図６は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
【００２６】
図１および図２に示すように、リードフレーム１０は、１つ又は複数の単位リードフレーム１０ａを含んでいる。各単位リードフレーム１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長い第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂを備えている。なお、単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１および図２において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１および図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。
【００２７】
複数の単位リードフレーム１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１と第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂとを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。支持リード１３は、ハーフエッチングされておらず、金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。
【００２８】
ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には、ダイパッド１１のコーナー部から単位リードフレーム１０ａのコーナー部に向けて略直線状に延びる吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。なお、本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。
【００２９】
図１乃至図３に示すように、ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。
【００３０】
次に、図１乃至図３を参照して、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について説明する。
【００３１】
図１および図２に示すように、各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持リード１３から延び出している。
【００３２】
各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲に沿って交互に配置されている。隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。
【００３３】
この場合、複数の第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂは、平面視で複数の列（２列）に沿って配置されている。具体的には、外部端子１７Ａ、１７Ｂは、隣り合う第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう、平面視で交互に千鳥状に配置されている。各外部端子１７Ａはそれぞれ内側（ダイパッド１１側）に位置しており、各外部端子１７Ｂはそれぞれ外側（支持リード１３側）に位置している。複数の外部端子１７Ａ及び複数の外部端子１７Ｂは、それぞれ異なる直線上に配置され、複数の外部端子１７Ａが配置される直線と、複数の外部端子１７Ｂが配置される直線とは互いに平行である。またダイパッド１１の周囲において、内側の外部端子１７Ａを有する第１リード部１２Ａと、外側の外部端子１７Ｂを有する第２リード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに短絡する不具合が防止される。
【００３４】
次に、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について更に説明する。
【００３５】
図１乃至図３に示すように、内側の外部端子１７Ａを有する第１リード部１２Ａは、インナーリード５１と、接続リード５２と、端子部５３とを有している。このうちインナーリード５１は、端子部５３から内側（ダイパッド１１側）に延びており、その先端部にはボンディング領域１５が形成されている。このボンディング領域１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域であり、内部端子としての役割を果たしている。このため、ボンディング領域１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。なお、各インナーリード５１は、平面視で、支持リード１３に対して直角に延びる部分と支持リード１３に対して傾斜して延びる部分とを有している。
【００３６】
接続リード５２は、端子部５３から外側（支持リード１３側）に延びており、その基端部は支持リード１３に連結されている。接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持リード１３に対して垂直に延びている。なお、端子部５３の裏面には、外部端子１７Ａが形成されている。
【００３７】
第１リード部１２Ａのインナーリード５１および接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａおよび支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、インナーリード５１および接続リード５２の厚みが端子部５３の厚みよりも薄いことにより、幅の狭い第１リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。
【００３８】
一方、図１及び図２に示すように、外側の外部端子１７Ｂを有する第２リード部１２Ｂは、インナーリード６１と、端子部６３とを有している。このうちインナーリード６１は、端子部６３から内側（ダイパッド１１側）に延びており、その先端部にはボンディング領域１５が形成されている。このボンディング領域１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域であり、内部端子としての役割を果たしている。このため、ボンディング領域１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。各インナーリード６１は、平面視で、支持リード１３に対して直角に延びる部分と支持リード１３に対して傾斜して延びる部分とを有している。
【００３９】
端子部６３は、その基端側において支持リード１３に連結されており、支持リード１３に対して垂直に延びている。なお、端子部６３の裏面には、外部端子１７Ｂが形成されている。
【００４０】
第２リード部１２Ｂのインナーリード６１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。また、端子部６３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａおよび支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、インナーリード６１の厚さが端子部６３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭い第２リード部１２Ｂを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。
【００４１】
以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、コルソン系合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ）、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属材料から構成されている。とりわけ、リードフレーム１０は、コルソン系合金から構成されていることが好ましい。コルソン系合金は、銅を主成分とし、０．４％以上７％以下のニッケル、０．１％以上２％以下の珪素、０％以上１．２％以下のマグネシウム、及び不可避不純物を含む。このようなコルソン系合金は硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。これにより、後述するように、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングＳ（図１０参照）を低減することができる。ここで本明細書中、伸びとは、ＪＩＳ−Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びをいう。また、本明細書中、スミアリングとは、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離するブレード（図示せず）との摩擦により、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂを構成する金属材料が、ダイシングの方向に沿って部分的に延びたもの（バリ）をいう。
【００４２】
また、リードフレーム１０は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されていることが好ましい。これにより、後述するように、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングＳをより効果的に低減することができる。
【００４３】
また、このようなリードフレーム１０は、上述した金属材料を圧延することにより作製されており、図１及び図４に示すように、その表面及び裏面に圧延方向（本実施の形態においてはＸ方向）に延びる圧延筋７１を有している。なお、図１及び図３において、圧延筋７１のうち、ダイパッド１１に形成された圧延筋７１以外の圧延筋の図示を省略し、図２及び図３において、リードフレーム１０の裏面に形成された圧延筋の図示を省略している。
【００４４】
また、図１及び図３乃至図５に示すように、リードフレーム１０は、圧延筋７１が設けられた面内に、圧延方向に直交する方向（本実施の形態においてはＹ方向）に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。局所変形部７２は、リードフレーム１０の面内に多数点在している。この局所変形部７２は、圧延筋７１が形成された金属材料を更に圧延することにより形成されたものである。図３及び図５に示すように、本実施の形態においては、局所変形部７２は圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である。局所変形部７２を設けることにより、後述するように、半導体素子２１をリードフレーム１０のダイパッド１１上に搭載して固定する際に、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４が、圧延筋７１に起因した毛細管現象により圧延筋７１に沿って圧延方向に流れた場合であっても、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。とりわけ、局所変形部７２が圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部であることにより、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができる。また、局所変形部７２が設けられていることにより、接着剤２４が、局所変形部７２に起因した毛細管現象により局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れる。このため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。なお、図１及び図３において、圧延筋７１のうち、ダイパッド１１に形成された局所変形部７２以外の局所変形部の図示を省略している。また、図２において、リードフレーム１０の裏面に形成された局所変形部の図示を省略している。また、参考として、リードフレーム１０の表面に形成された圧延筋７１および局所変形部７２の例を図６の写真に示す。
【００４５】
このような局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚを０．２μｍ以上とすることにより、局所変形部７２が、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができる。また、局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚを２．０μｍ以下とすることにより、第１リード部１２Ａの端子部５３および第２リード部１２Ｂの端子部６３と、ボンディングワイヤ２２との密着性が低下することを抑制することができる。なお、最大高さ粗さは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１−２０１３に準拠している。
【００４６】
また、局所変形部７２の長さＬ１は、圧延筋７１の長さＬ２の３０分の１以下であることが好ましい。局所変形部７２の長さＬ１を圧延筋７１の長さＬ２の３０分の１以下とすることにより、接着剤２４が局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れ過ぎることを抑制できる。
【００４７】
また、局所変形部７２の幅Ｈは、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。局所変形部７２の幅Ｈを０．５μｍ以上とすることにより、毛細管現象により樹脂を局所変形部の方向へ十分流すことができる。また、局所変形部７２の幅Ｈを３．０μｍ以下とすることにより、圧延筋方向よりも直行方向へ樹脂が流れ出過ぎてしまうことを抑制することができる。
【００４８】
また、局所変形部７２の密度は、２００００個／ｍｍ２以上１２００００個／ｍｍ２以下であることが好ましい。局所変形部７２の密度を２００００個／ｍｍ２以上とすることにより、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができるとともに、毛細管現象により接着剤２４を局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流すことができる。このため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。また、局所変形部７２の密度を１２０００個／ｍｍ２以下とすることにより、圧延筋方向よりも直行方向へ樹脂が流れ出過ぎてしまうことを抑制することができる。
【００４９】
さらに、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００５０】
なお、本実施の形態において、局所変形部７２が、圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である場合を例にとって説明したが、これに限らず、局所変形部７２は、圧延方向に沿った断面において、下方に窪む凹部であっても良い。
【００５１】
また、本実施の形態では、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。
【００５２】
また、本実施の形態では、第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａと第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂとが千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、外部端子が１列に配置されていても良く、３列以上に配置されていても良い。すなわち、リードフレーム１０によって作製される半導体装置は、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプの半導体装置でなくても良い。
【００５３】
さらに、本実施の形態では、第１リード部１２Ａが、インナーリード５１と、接続リード５２と、端子部５３とを有し、第２リード部１２Ｂが、インナーリード６１と、端子部６３とを有し、かつ、第２リード部１２Ｂの端子部６３が、その基端側において支持リード１３に連結されている場合を例にとって説明したが、これに限られることはない。例えば、図７に示すように、第１リード部１２Ａの端子部５３Ａが、第１リード部１２Ａの内端（ダイパッド１１側の端部）に位置し、第２リード部１２Ｂの端子部６３Ｂが、第２リード部１２Ｂの内端（ダイパッド１１側の端部）に位置していても良い。この場合、第１リード部１２Ａは、端子部５３Ａの外側（支持リード１３側）に位置する接続リード５２Ａを有し、この接続リード５２Ａが、その基端側において支持リード１３に連結されている。また、第２リード部１２Ｂは、端子部６３Ｂの外側（支持リード１３側）に位置する接続リード６２Ｂを有し、この接続リード６２Ｂが、その基端側において支持リード１３に連結されている。
【００５４】
半導体装置の構成
次に、図８乃至図１０により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図８乃至図１０は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。
【００５５】
図８及び図９に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（導電部材）２２とを備えている。ダイパッド１１の四隅には、それぞれ吊りリード１４が連結されている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、吊りリード１４、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。
【００５６】
このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図６に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００５７】
また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。半導体素子２１の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下程度とすることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。
【００５８】
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂのボンディング領域１５にそれぞれ接続されている。なお、ボンディング領域１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。
【００５９】
封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下とすることができる。なお、図８において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。
【００６０】
ところで、半導体装置２０を作製する際には、後述するように、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断する。これにより、図１０に示すように第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３には、ブレードとの摩擦により、ダイシングの方向（図１０においてはＸ方向）に沿って延びるスミアリングＳが発生する。このため、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離Ｄが短くなる。この結果、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。一方、リードフレーム１０が、コルソン系合金から構成されている場合、リードフレーム１０の硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。これにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳが発生することを抑制することができる。
【００６１】
ここで、垂直断面において、第２リード部１２Ｂのうち、端子部６３のＺ方向に延びる中心軸線Ｘ１と、当該第２リード部１２Ｂに隣接する第１リード部１２Ａのうち、接続リード５２のＺ方向に延びる中心軸線Ｘ２との間の距離をＤ１とし、垂直断面において、中心軸線Ｘ１と、当該第２リード部１２Ｂに形成されたスミアリングＳのうち、当該第１リード部１２Ａ側に最も突出する部分を通る鉛直線Ｘ３までの距離をＤ２としたとき、Ｄ１とＤ２との比Ｄ２／Ｄ１（以下、スミアリング比Ｒ１と記す）は、０．２≦Ｒ１≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。スミアリング比Ｒ１が０．４を超えると、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなり、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。これに対して、スミアリング比Ｒ１を０．４以下とすることにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。
【００６２】
また、垂直断面において、中心軸線Ｘ２と、当該第１リード部１２Ａに形成されたスミアリングＳのうち、当該第１リード部１２Ａに隣接する第２リード部１２Ｂ側に最も突出する部分を通る鉛直線Ｘ４までの距離をＤ３としたとき、Ｄ１とＤ３との比Ｄ３／Ｄ１（以下、スミアリング比Ｒ２と記す）は、０．２≦Ｒ２≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。スミアリング比Ｒ２が０．４を超えると、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなり、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。これに対して、スミアリング比Ｒ２を０．４以下とすることにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。
【００６３】
このようなスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を有する半導体装置２０は、本実施の形態による半導体装置２０のように、各リード部間の距離が短くなるＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプの半導体装置においても、各リード部間の距離が短くなることを抑制できるため、各リード部間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。このような半導体装置２０は、リードフレーム１０を構成する金属材料として、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金を用いることにより、得ることができる。
【００６４】
なお、図７に示す本実施の形態の変形例によるリードフレーム１０から半導体装置２０を作製した場合、図１１に示すように、Ｄ２とＤ３とが略同一となる。この場合においても、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。
【００６５】
リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図６に示すリードフレーム１０の製造方法について、図１２（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図１２（ａ）−（ｆ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。
【００６６】
まず、図１２（ａ）に示すように、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、コルソン系合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる金属基板３１を使用することができる。とりわけ、金属基板３１は、コルソン系合金を含んでいることが好ましい。これにより、後述するように、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングし、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングを抑制することができる。
【００６７】
次いで、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１に、熱間圧延、第１の冷間圧延、焼鈍及び第２の冷間圧延を、この順で施すことにより、局所変形部７２が形成された平板状の金属基板３１を形成する（図１２（ｂ））。
【００６８】
（熱間圧延）
この場合、まず、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１は、図示しない一対のローラー間に通され、所定の厚みとなるように熱間圧延加工が施される。このとき、金属基板３１の厚みが、リードフレームを作製する際に従来一般に施される熱間圧延後の金属基板の厚みよりも厚くなるように、金属基板３１が加工される。具体的には、熱間圧延後の金属基板３１の厚みは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であっても良い。
【００６９】
（第１の冷間圧延）
次に、熱間圧延加工が施された金属基板３１は、図示しない一対のローラー間に通され、所定の厚みとなるように第１の冷間圧延加工が施される。この際、金属基板３１の厚みが、リードフレームを作製する際に従来一般に施される冷間圧延後の金属基板の厚みよりも厚くなるように、金属基板３１が加工される。具体的には、第１の冷間圧延後の金属基板３１の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下であっても良い。このとき、金属基板３１の表面および裏面に、圧延方向（Ｘ方向）に延びる圧延筋７１（図１及び図４参照）が形成される。
【００７０】
（焼鈍）
次いで、第１の冷間圧延加工が施された金属基板３１が焼鈍される。このように金属基板３１を焼鈍することにより、第１の冷間圧延により金属結晶の歪が生じ、結晶粒が細かくなった金属基板を軟化させ、金属基板３１に含まれる金属結晶粒や結晶方位を調整することができる。
【００７１】
（第２の冷間圧延）
次に、焼鈍された金属基板３１を再度冷間圧延することにより、金属基板３１を加工硬化させ、局所変形部７２が形成された金属基板３１を形成する。この際、金属基板３１が、図示しない一対のローラー間に通され、例えば所定の厚みとなるように、金属基板３１に第２の冷間圧延加工が施される。この場合、金属基板３１の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００７２】
また、このとき、金属基板３１の表面および裏面に、圧延方向に直交する方向（Ｙ方向（図１及び図４参照））に延びる複数の局所変形部７２が形成される。この場合、第２の冷間圧延加工の際に、加工率を適宜調整することにより、局所変形部７２が形成される。ここで本明細書中、加工率とは、第２の冷間圧延後における金属基板３１の断面積に対する、第２の冷間圧延により減少した金属基板３１の断面積の割合をいう。この加工率を高めることにより、すべり変形や、塑性不安定状態に起因する不均一な変形が生じ、金属板３０にせん断帯が発生する。そして、当該せん断帯に、オイルピットが形成される。このようにして、局所変形部７２が形成される。なお、本明細書中、オイルピットとは、冷間圧延時にローラーと被圧延材料との間に取り込まれた潤滑油によって金属基板３１の表面に現れる局部的な凹凸部をいう。
【００７３】
また、加工率を高めることにより、金属基板３１の結晶粒を小さくすることができる。これにより、金属基板３１の加工歪が増大し、金属基板３１の伸びを低下させることができる。このため、金属基板３１の引張強度と伸びの値を調整し、金属基板３１の硬度を高めることができる。この際、金属基板３１は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されていることが好ましい。このようにして、圧延筋７１（図１及び図４参照）と、局所変形部７２とが形成された金属基板３１が得られる。なお金属基板３１は、その後に、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施すことが好ましい。なお、図１２（ｂ）−（ｆ）において、圧延筋７１および局所変形部７２のうち、ダイパッド１１に形成された圧延筋７１および局所変形部７２以外の圧延筋および局所変形部の図示を省略している。
【００７４】
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図１２（ｃ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００７５】
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図１２（ｄ））。
【００７６】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図１２（ｅ））。これにより、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４の外形が形成される。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３の形状およびエッチング条件を適宜調整することにより、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド薄肉部１１ｂとが形成される（図１乃至図３参照）。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。
【００７７】
その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図６に示すリードフレーム１０が得られる。（図１２（ｆ））。
【００７８】
なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リードフレーム１０、とりわけ第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。
【００７９】
半導体装置の製造方法
次に、図８乃至図１０に示す半導体装置２０の製造方法について、図１３（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。
【００８０】
まず、例えば図１２（ａ）−（ｆ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図１３（ａ））。
【００８１】
次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１３（ｂ））。この際、リードフレーム１０の表面には、圧延方向に延びる圧延筋７１が形成されている。これにより、接着剤２４が、圧延筋７１に起因する毛細管現象により圧延筋７１に沿って圧延方向に流れる。一方、本実施の形態によれば、リードフレーム１０の表面には、圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。これにより、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。また、接着剤２４が、局所変形部７２に起因した毛細管現象により局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れるため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。
【００８２】
次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂのボンディング領域１５とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１３（ｃ））。
【００８３】
次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図１３（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、吊りリード１４、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。
【００８４】
次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。この際、リードフレーム１０が、コルソン系合金から構成されている場合、リードフレーム１０の硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。このため、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳ（図１０参照）が発生することを抑制することができる。
【００８５】
また、リードフレーム１０が、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されている場合、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４とすることができる。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを効果的に抑制できる。
【００８６】
このようにして、図８乃至図１０に示す半導体装置２０が得られる（図１３（ｅ））。
【００８７】
このように、本実施の形態によれば、ダイパッド１１の圧延筋７１が設けられた面内に、圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。これにより、接着剤２４により半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する際に、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。
【００８８】
また、ダイパッド１１に局所変形部７２を設けたことにより、接着剤２４が局所変形部７２に起因した毛細管現象により、局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れるため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。
【００８９】
また、本実施の形態によれば、局所変形部７２は、圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である。これにより、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができ、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を効果的に防止することができる。
【００９０】
また、本実施の形態によれば、リードフレーム１０、とりわけ第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂが、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下であるコルソン系合金から構成されている。これにより、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４とすることができる。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。なお、このような金属材料により、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を上記の範囲内にできることは、後述する実施例によって説明する。
【００９１】
さらに、本実施の形態による半導体装置２０は、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣り合う第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている。本実施の形態によれば、このような半導体装置２０のように、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の距離が短くなるＤＲ−ＱＦＮタイプの半導体装置においても、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の距離が短くなることを抑制することができるため、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。
【実施例】
【００９２】
次に、図１０及び図１１を用いて、上述した本実施の形態の作用について、具体的に説明する。
【００９３】
（実施例１）
図１２（ａ）−（ｆ）及び図１３（ａ）−（ｅ）に示す方法により、本実施の形態による半導体装置２０（実施例１）を作製した。その後、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この場合、リードフレーム１０を構成する金属材料には、引張強度が、８６０ＭＰａであり、伸びが、４．４％であるコルソン系合金を使用した。この結果を表１に示す。
【００９４】
（実施例２）
リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が８９０ＭＰａであること、伸びが、２．８％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。
【００９５】
（比較例１）
リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が７００ＭＰａであること、伸びが、１０．０％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。
【００９６】
なお、実施例１、２及び比較例１、２のリードフレームは、同一成分をもつ金属材料を用いて作製されたものであり、その加工工程のみが相違している。
【００９７】
（比較例２）
リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が６９０ＭＰａであること、伸びが、１２．８％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。
【００９８】
【表１】
2019029542.tif 000003
【００９９】
この結果、比較例１においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が、０．５以上となっており、比較例２においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が０．５５以上となっていた。これに対して実施例１においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が、０．３３以下まで低下し、実施例２においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が０．２７以下まで低下した。
【０１００】
このように、本実施の形態によれば、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳが発生することを抑制することができる。例えば、上記実施例においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を約０．５０から約０．３３まで低下させることができた。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることにより、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとが短絡する不具合を抑制できる。
【０１０１】
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
１０        リードフレーム
１１        ダイパッド
１２Ａ      第１リード部
１２Ｂ      第２リード部
１７Ａ      外部端子
１７Ｂ      外部端子
２０        半導体装置
２１        半導体素子
２２        ボンディングワイヤ（導電部材）
２３        封止樹脂
７１        圧延筋
７２        局所変形部
【図１】
2019029542.tif 000004
【図２】
2019029542.tif 000005
【図３】
2019029542.tif 000006
【図４】
2019029542.tif 000007
【図５】
2019029542.tif 000008
【図６】
2019029542.tif 000009
【図７】
2019029542.tif 000010
【図８】
2019029542.tif 000011
【図９】
2019029542.tif 000012
【図１０】
2019029542.tif 000013
【図１１】
2019029542.tif 000014
【図１２】
2019029542.tif 000015
【図１３】
2019029542.tif 000016