(57)【要約】【課題】損失を低減して高効率化を図ることができる回転電機を提供する。【解決手段】埋込磁石型の回転電機において、回転子１２は、磁極ごとに、固定子１３とは反対側に凸となる凸形状をなし、かつ径方向に２層以上に設けられたスリット３２を有する回転子コア３１と、そのスリット３２に収容される磁石３３とを有している。各スリット３２には、それぞれ少なくとも１つの磁石３３が収容されている。また、２層以上のスリット３２のうち固定子１３から遠い側となるスリット３２における長手方向の磁石総幅が、固定子１３に近い側となるスリット３２における磁石総幅よりも大きく、かつ、固定子１３から遠い側となるスリット３２に収容された磁石個数が、固定子１３に近い側となるスリット３２に収容された磁石個数よりも多い構成となっている。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転自在に支持された回転子（１２）と、
前記回転子と同軸に配置され、多相巻線（２３）が巻装された固定子（１３）と、
を備える埋込磁石型の回転電機（１０）であって、
前記回転子は、磁極ごとに、前記固定子とは反対側に凸となる凸形状をなし、かつ径方向に２層以上に設けられたスリット（３２）を有する回転子コア（３１）と、そのスリットに収容される磁石（３３）とを有しており、
前記各スリットに、それぞれ少なくとも１つの前記磁石が収容されており、
前記２層以上のスリットのうち前記固定子から遠い側となる前記スリットにおける長手方向の磁石総幅が、前記固定子に近い側となる前記スリットにおける前記磁石総幅よりも大きく、かつ、前記固定子から遠い側となる前記スリットに収容された磁石個数が、前記固定子に近い側となる前記スリットに収容された磁石個数よりも多い回転電機。
【請求項２】
前記固定子から遠い側となる前記スリット内の前記磁石において最も前記固定子側となる部位を通る仮想円の半径が、前記固定子に近い側となる前記スリット内の前記磁石において最も前記固定子側となる部位を通る仮想円の半径よりも小さい請求項１に記載の回転電機。
【請求項３】
前記各スリットのうち最も前記固定子側となるスリットを第１スリット（３２Ａ）、それ以外のスリットを第２スリット（３２Ｂ，３２Ｃ）とする場合に、前記第２スリットに収容された前記磁石における幅方向の中心軸の延長線が、前記第１スリットに収容された前記磁石を通るようにして、前記第２スリットに前記磁石が配置されている請求項１又は２に記載の回転電機。
【請求項４】
前記磁石は、横断面が矩形状をなす磁石である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の回転電機。
【請求項５】
前記各スリットにおいて、隣り合う前記磁石が互いに離間した状態で配置されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の回転電機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、埋込磁石型の回転電機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
埋込磁石式の回転電機に用いられる回転子において、磁極ごとに径方向に並べて複数のスリット（多層スリット）を設け、そのスリット内に永久磁石を配置したものが知られている。例えば特許文献１に記載の技術では、回転子コアに、複数のスリットを形成し、その複数のスリットのうち径方向内側（すなわち回転中心側）のスリットに永久磁石を配置し、径方向外側のスリットに永久磁石を配置しない構成としている。また、永久磁石が配置されているスリットを、永久磁石の両側に設けた２つずつの繋ぎ部により分断するとともに、永久磁石が配置されていないスリットを、１以上の繋ぎ部により分断している。そして、各繋ぎ部の位置及び大きさの工夫により、永久磁石の減磁を抑制するものとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１７８８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１を含め多層スリットを有する埋込磁石型回転電機の既存技術では、回転子コアの各層のスリットに、単一の永久磁石が収容される構成となっている。そのため、各層の永久磁石において渦電流損失が生じ、それに起因して高効率化が妨げられることが懸念される。また、埋込磁石型回転電機では、回転子の突極性により高調波に起因する磁石損失の増加が懸念される。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、損失を低減して高効率化を図ることができる回転電機を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下、上記課題を解決するための手段、及びその作用効果について説明する。
【０００７】
第１の手段では、
回転自在に支持された回転子と、
前記回転子と同軸に配置され、多相巻線が巻装された固定子と、
を備える埋込磁石型の回転電機であって、
前記回転子は、磁極ごとに、前記固定子とは反対側に凸となる凸形状をなし、かつ径方向に２層以上に設けられたスリットを有する回転子コアと、そのスリットに収容される磁石とを有しており、
前記各スリットに、それぞれ少なくとも１つの前記磁石が収容されており、
前記２層以上のスリットのうち前記固定子から遠い側となる前記スリットにおける長手方向の磁石総幅が、前記固定子に近い側となる前記スリットにおける前記磁石総幅よりも大きく、かつ、前記固定子から遠い側となる前記スリットに収容された磁石個数が、前記固定子に近い側となる前記スリットに収容された磁石個数よりも多い。
【０００８】
上記構成の回転電機では、回転子の回転子コアに、磁極ごとに、固定子との対向面の側から反対側に凸となる凸形状をなし、かつ径方向に２層以上となるスリットが設けられている。そして、その各スリットに、それぞれ少なくとも１つの磁石が収容されている。この場合、全層のスリットに磁石が収容されていることで、回転子の各磁極において磁石磁束が通過する磁路をｄ軸上に確保することができ、ひいては固定子の界磁磁束（巻線励磁磁束）と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【０００９】
また、固定子から遠い側となるスリットにおける磁石総幅が、固定子に近い側となるスリットにおける磁石総幅よりも大きく、かつ、固定子から遠い側となるスリットに収容された磁石個数が、固定子に近い側となるスリットに収容された磁石個数よりも多いため、磁極ごとに適正に磁石磁束を生じさせつつ、各スリットにおける磁石分割により渦電流損失の低減を図ることができる。
【００１０】
第２の手段では、前記固定子から遠い側となる前記スリット内の前記磁石において最も前記固定子側となる部位を通る仮想円の半径が、前記固定子に近い側となる前記スリット内の前記磁石において最も前記固定子側となる部位を通る仮想円の半径よりも小さい。
【００１１】
仮に、固定子とは反対側に凸状をなす多層のスリットにおいて、固定子に対して遠い側のスリットと近い側のスリットとで、最も固定子側となる磁石が径方向に同じ位置に配置されている場合を想定する（図６（ａ）参照）。かかる場合、遠い側のスリット内において最も固定子側となる磁石を通る磁束は、各スリット間の磁路をスリット長手方向に流れた後に、近い側のスリット内の磁石に到達すると考えられる。そのため、各スリット間の磁路において、固定子の巻線励磁磁束と磁石磁束とにより磁気飽和が生じることが懸念される。
【００１２】
これに対し、固定子から遠い側となるスリット内の磁石において最も固定子側となる部位を通る仮想円の半径が、固定子に近い側となるスリット内の磁石において最も固定子側となる部位を通る仮想円の半径よりも小さい構成とすれば（図４（ａ）、図５参照）、磁石磁束が各スリット間の磁路を流れることを抑制できる。そのため、固定子の巻線励磁磁束と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【００１３】
第３の手段では、前記各スリットのうち最も前記固定子側となるスリットを第１スリット、それ以外のスリットを第２スリットとする場合に、前記第２スリットに収容された前記磁石における幅方向の中心軸の延長線が、前記第１スリットに収容された前記磁石を通るようにして、前記各スリットに前記磁石が配置されている。
【００１４】
仮に、各スリットのうち最も固定子側となる第１スリットと、それ以外の第２スリットとにおいて、第２スリット内の磁石における幅方向の中心軸の延長線が、第１スリット内の磁石を通らない構成となっていれば、第２スリット内の磁石の磁束は、各スリット間の磁路をスリット長手方向に流れた後に、第１スリット内の磁石に到達すると考えられる（図７（ｂ）参照）。そのため、各スリット間の磁路において、固定子の巻線励磁磁束と磁石磁束とにより磁気飽和が生じることが懸念される。
【００１５】
これに対し、第２スリット（最も固定子側となる第１スリット以外のスリット）に収容された磁石における幅方向の中心軸の延長線が、第１スリットに収容された磁石を通るようにして、各スリットに磁石が配置されている構成とした（図７（ａ）参照）。これにより、磁石磁束が各スリット間の磁路を流れることを抑制でき、固定子の巻線励磁磁束と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【００１６】
第４の手段では、前記磁石は、横断面が矩形状をなす磁石である。
【００１７】
横断面が矩形状をなす磁石は、汎用性が高くコスト面において優位となる。ここで、上記各手段を用いることにより、汎用性の高い矩形状磁石を用いつつも、所望の効果を奏することができる。
【００１８】
第５の手段では、前記各スリットにおいて、隣り合う前記磁石が互いに離間した状態で配置されている。
【００１９】
各スリットにおいて、隣同士となる各磁石が互いに離間した状態で配置されていることにより、回転子における冷却効果を高めることができる。この場合、磁石同士の間を空隙とし、その空隙を、冷媒の流通が可能な冷媒流路として用いることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】回転電機の概略構成を示す縦断面図。
【図２】回転子及び固定子の横断面図。
【図３】回転子及び固定子を示す部分横断面図。
【図４】（ａ）は実施形態における回転子及び固定子を示す部分横断面図、（ｂ）は比較例の回転子及び固定子を示す部分横断面図。
【図５】回転子における磁石の配置を説明する平面図。
【図６】（ａ）（ｂ）は比較例の回転子及び固定子を示す部分横断面図。
【図７】（ａ）は実施形態における回転子及び固定子を示す部分横断面図、（ｂ）は比較例の回転子及び固定子を示す部分横断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施形態を図面に基づいて説明する。本実施形態における回転電機は、例えば車両動力源として用いられる。ただし、回転電機は、産業用、車両用、家電用、ＯＡ機器用、遊技機用などとして広く用いられることが可能となっている。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一又は均等である部分には、図中、同一符号を付しており、同一符号の部分についてはその説明を援用する。
【００２２】
本実施形態に係る回転電機１０は、埋込磁石型の同期式多相交流モータであり、インナロータ構造（内転構造）のものとなっている。回転電機１０の概要を図１及び図２に示す。図１は、回転電機１０の回転軸１１に沿う方向での縦断面図であり、図２は、回転軸１１に直交する方向での回転子１２及び固定子１３の横断面図である。ただし図２では、便宜上断面部分のハッチングを付与せずに示している。以下の記載では、回転軸１１が延びる方向を軸方向とし、回転軸１１を中心として放射状に延びる方向を径方向とし、回転軸１１を中心として円周状に延びる方向を周方向としている。
【００２３】
回転電機１０は、回転軸１１に固定された回転子１２と、回転子１２を包囲する位置に設けられる固定子１３と、これら回転子１２及び固定子１３を収容するハウジング１４とを備えている。回転子１２及び固定子１３は、同軸で、かつ径方向内外に互いに対向するように配置されている。回転子１２及び固定子１３の間には所定のエアギャップが形成されている。ハウジング１４は、一対のハウジング部材１４ａ，１４ｂを有し、ハウジング部材１４ａ，１４ｂが互いに接合された状態で不図示のボルト等の締結により一体化されている。ハウジング１４には軸受け１６，１７が設けられ、この軸受け１６，１７により回転軸１１及び回転子１２が回転自在に支持されている。
【００２４】
図２に示すように、固定子１３は、周方向に複数のスロット２１を有する円環状の固定子コア２２と、固定子コア２２の各スロット２１に巻装された多相巻線としての固定子巻線２３とを備えている。固定子コア２２は、円環状の複数の電磁鋼板を軸方向に積層し、カシメ等により固定することで構成されている。固定子コア２２は、円環状のヨーク２４と、ヨーク２４から径方向内側へ突出し周方向に所定距離を隔てて配列された複数のティース２５とを有し、隣り合うティース２５の間にスロット２１が形成されている。各ティース２５は、周方向に等間隔でそれぞれ設けられている。
【００２５】
各スロット２１は、固定子巻線２３の１相あたり２個ずつ隣り合わせにして設けられている。つまり、固定子コア２２には、周方向に繰り返し２個ずつ配置されたＵ相スロット、Ｖ相スロット及びＷ相スロットが形成されている。各スロット２１には、ティース２５に巻回されるようにして固定子巻線２３が巻装されている。固定子巻線２３は、例えばＵ相、Ｖ相、Ｗ相からなる３相巻線である。
【００２６】
回転子１２は、回転軸１１に固定される回転子コア３１と、その回転子コア３１に形成されたスリット３２に収容された複数の磁石３３とを有している。回転子コア３１は、円環状の複数の電磁鋼板を軸方向に積層し、カシメ等により固定することで構成されている。各スリット３２は磁石収容孔であり、回転子コア３１において磁極ごとに各々複数設けられている。本実施形態では、回転子１２に、磁石３３による磁極として８つの磁極が設けられ、周方向において異なる磁極が交互に配置されている。
【００２７】
図３には、回転子１２及び固定子１３の１極分が拡大して示されている。以下に、図３を用いて回転子１２の構成を詳細に説明する。
【００２８】
回転子コア３１には、磁極中心であるｄ軸を挟んで両側に延びるようにして複数層（すなわち２層以上）のスリット３２が形成されている。スリット３２は、平面視で回転子１２の中心側（すなわち固定子１３の反対側）に凸となる凸形状をなしており、かつ回転子コア３１の軸方向に延びる貫通孔として形成されている。スリット３２は、ｄ軸を挟んで両側に対称形をなしている。各層のスリット３２は、互いの間隔、すなわち径方向における離間距離が略同じになるようにして設けられており、各スリット３２の間に、固定子巻線２３の通電に伴い生じる回転磁界の磁束を通す磁路（ｑ軸磁路）が形成されている。そして、各スリット３２にそれぞれ磁石３３が収容されている。磁石３３は、例えば焼結ネオジム磁石等の希土類磁石よりなる永久磁石である。なお図３には、便宜上、磁石３３を、ドットを付して示している。
【００２９】
本実施形態では、各磁極に、径方向に並ぶ各３層のスリット３２が形成されており、以下の記載では、各層のスリット３２を、回転子コア３１の外周面側から順に、スリット３２Ａ、スリット３２Ｂ、スリット３２Ｃとする。なお、回転子コア３１の径方向外側を表層側とし、回転子コア３１の径方向内側を深層側とすれば、スリット３２Ａは表層スリット、スリット３２Ｂは中層スリット、スリット３２Ｃは深層スリットとも言える。ここでは、ｄ軸上（磁極中心）での位置を基準にして、回転子コア３１の外周面側を表層側とし、回転子コア３１の中心軸側を深層側としている。スリット３２Ａが「最も固定子側となる第１スリット」、スリット３２Ｂ，３２Ｃが「第１スリット以外の第２スリット」に相当する。
【００３０】
各層のスリット３２Ａ〜３２Ｃは、平面視における長手方向の長さが異なり、「スリット３２Ａの長さ＜スリット３２Ｂの長さ＜スリット３２Ｃの長さ」となっている。各スリット３２Ａ〜３２Ｃの両端はそれぞれ回転子コア３１の外周面付近に達しており、スリット３２Ａの両端の間の周方向距離は約２スロットピッチ、スリット３２Ｂの両端の間の周方向距離は約４スロットピッチ、スリット３２Ｃの両端の間の周方向距離は約６スロットピッチとなっている。
【００３１】
各層のスリット３２Ａ〜３２Ｃにはその全てに磁石３３が収容されている。具体的には、スリット３２Ａには２つの磁石３３が収容され、スリット３２Ｂには４つの磁石３３が収容され、スリット３２Ｃには６つの磁石３３が収容されている。つまり、各スリット３２Ａ〜３２Ｃにおける磁石個数は深層側ほど多くなっており、「スリット３２Ａの磁石個数＜スリット３２Ｂの磁石個数＜スリット３２Ｃの磁石個数」となっている。要するに、各スリット３２Ａ〜３２Ｃには、分割された状態でそれぞれ複数の磁石３３が収容されている。各磁石３３は、軸方向に直交する横断面形状が矩形状をなしており、各スリット３２Ａ〜３２Ｃに沿う方向を長手方向として各スリット３２Ａ〜３２Ｃに収容されている。本実施形態では、各スリット３２Ａ〜３２Ｃに収容される磁石３３として、横断面における幅寸法（すなわち周方向寸法）と厚さ寸法（すなわち径方向寸法）とが同じである同一形状の磁石を用いている。
【００３２】
各層のスリット３２Ａ〜３２Ｃでは、その長手方向における磁石総幅が各々異なっており、深層側（すなわち固定子１３から遠い側）となるスリット３２における磁石総幅が、表層側（すなわち固定子１３に近い側）となるスリット３２における磁石総幅よりも大きいものとなっている。詳しくは、磁石３３の幅寸法をＷとすると、スリット３２Ａでは磁石総幅が「２×Ｗ」であり、スリット３２Ｂでは磁石総幅が「４×Ｗ」であり、スリット３２Ｃでは磁石総幅が「６×Ｗ」である。
【００３３】
また、各スリット３２Ａ〜３２Ｃでは、隣り合う磁石３３が互いに離間した状態で配置されている。この場合、磁石３３同士の間には、スリット３２を挟んで一方側と他方側とを繋ぐ繋ぎ部が適宜設けられているとよい。なお、図示の構成では、少なくともｄ軸上となる部分に、中央繋ぎ部が設けられている。
【００３４】
また、各層の磁石３３は、ｄ軸を基準にしてその両側に配置されており、各スリット３２Ａ〜３２Ｃの両端部にはそれぞれ、磁石３３が配置されていない磁気的空隙部として外側バリア３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｃが形成されている。外側バリア３５Ａ〜３５Ｃにより、回転子コア３１の径方向外側（すなわち固定子１３の対向面側）において磁石３３の端部付近で生じる磁束の自己短絡が抑制される。外側バリア３５Ａ〜３５Ｃは、スリット長手方向の長さが相違しており、外側バリア３５Ａが最も短く、外側バリア３５Ｃが最も長くなるように設けられている。
【００３５】
各スリット３２Ａ〜３２Ｃにおける磁石３３同士の間、及び各外側バリア３５Ａ〜３５Ｃは、空隙とされるか、又は非磁性体が収容されているとよい。これら各部が空隙とされる場合、その各部が、冷媒を流通させる冷媒流路として用いるとよい。
【００３６】
本実施形態の回転電機１０では、全層のスリット３２Ａ〜３２Ｃに磁石３３が収容される構成となっている。これにより、固定子１３による巻線励磁磁束（ｑ軸磁束）と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できるものとなっている。この優位点を、図４を用いて補足説明する。図４において（ａ）には、全層のスリット３２Ａ〜３２Ｃに磁石３３が収容されている構成を示し、（ｂ）には、比較例として一部のスリット３２に磁石３３が収容されていない構成を示す。図４では、固定子巻線２３の通電に伴い生じるｑ軸磁束の流れを破線で示し、回転子１２の磁石磁束を実線で示している。後述の図６，図７も同様である。
【００３７】
図４（ｂ）に示すように、最も表層側となるスリット３２Ａが、磁石３３が収容されていないスリットになっている場合には、磁石磁束が、スリット３２Ａを回避するようにして進む。そのため、磁石磁束が、ｑ軸磁束が流れるｑ軸磁路に流入し、図中のＸ１において、ｑ軸磁束と磁石磁束とが同じ方向で重複することで磁気飽和が生じ、ひいては出力低下の懸念が生じる。
【００３８】
これに対して、図４（ａ）に示すように、全層のスリット３２Ａ〜３２Ｃに磁石３３が収容されている場合には、図示のようにｄ軸に沿うように磁石磁束が進む。そのため、回転子１２の各磁極において磁石磁束が通過する磁路をｄ軸上に確保することができ、ひいてはｑ軸磁束と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【００３９】
また、深層側となるスリット３２における磁石総幅が、表層側となるスリット３２における磁石総幅よりも大きく、かつ、深層側となるスリット３２に収容された磁石個数が、表層側となるスリット３２に収容された磁石個数よりも多い構成になっているため、磁極ごとに適正に磁石磁束を生じさせつつ、各スリット３２における磁石分割により渦電流損失の低減を図ることができる。
【００４０】
また、各スリット３２Ａ〜３２Ｃ内の磁石３３が分割されて渦電流損失が低減されることにより、回転子コア３１の温度上昇を抑制でき、降伏応力を向上させることができる。そのため、回転子コア３１において各スリット３２の外周側のコアブリッジの薄肉化が可能となり、漏れ磁束の低減を図ることができる。
【００４１】
また、本実施形態の回転電機１０では、深層側（固定子１３から遠い側）となるスリット３２内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径が、表層側（固定子１３に近い側）となるスリット３２内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径よりも小さいものとなっている。詳しくは、図５に示すように、スリット３２Ａに収容された磁石３３では、最も固定子１３側となる部位が磁石３３の角部Ｐ１であり、その角部Ｐ１を通る仮想円の半径はＲ１である。また、スリット３２Ｂに収容された磁石３３では、最も固定子１３側となる部位が磁石３３の角部Ｐ２であり、その角部Ｐ２を通る仮想円の半径はＲ２である。スリット３２Ｃに収容された磁石３３では、最も固定子１３側となる部位が磁石３３の角部Ｐ３であり、その角部Ｐ３を通る仮想円の半径はＲ３である。この場合、Ｒ１＞Ｒ２＞Ｒ３となっている。
【００４２】
ここで、図６（ａ）に示すように、仮の構成として、深層側のスリット３２と表層側のスリット３２とで、最も固定子１３側となる磁石３３が径方向に同じ位置に配置されている場合を想定する。スリット３２Ａ内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径はＲ１１であり、スリット３２Ｂ内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径はＲ１２であり、スリット３２Ｃ内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径はＲ１３である。この場合、Ｒ１１＜Ｒ１２＜Ｒ１３となっている。
【００４３】
かかる場合、図６（ａ）に示す構成では、スリット３２Ｃ，３２Ｂ内において最も固定子１３側となる磁石３３を通る磁束は、各スリット３２間のｑ軸磁路をスリット長手方向に流れた後、表層側のスリット３２Ａ内の磁石３３に到達する。そのため、図中のＸ２において、ｑ軸磁束と磁石磁束とにより磁気飽和が生じることが懸念される。
【００４４】
これに対し、本実施形態の回転電機１０では、図５で示したように、深層側となるスリット３２内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径が、表層側となるスリット３２内の磁石３３において最も固定子１３側となる部位を通る仮想円の半径よりも小さい構成（Ｒ１＞Ｒ２＞Ｒ３とした構成）であるため、磁石磁束がｑ軸磁路を流れることを抑制できる（図４（ａ）参照）。そのため、ｑ軸磁束と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【００４５】
また、既述のとおり各スリット３２Ａ〜３２Ｃにおける仮想円の半径をＲ１１＜Ｒ１２＜Ｒ１３とする構成では、図６（ｂ）に示すように、深層側のスリット３２Ｃ内の磁石３３が固定子１３に近づくことになる。そのため、固定子１３側からの界磁磁束が反磁界成分として磁石３３に作用し、磁石３３の減磁が生じることが懸念される。
【００４６】
この点、各スリット３２Ａ〜３２Ｃにおける仮想円の半径をＲ１＞Ｒ２＞Ｒ３とする構成では、各スリット３２Ａ〜３２Ｃ内の磁石が、ｄ軸に近い側、すなわち深層側に寄せて配置されることになり、磁石３３の減磁が抑制される。
【００４７】
さらに、本実施形態の回転電機１０では、図７（ａ）に示すように、各スリット３２Ａ〜３２Ｃのうちスリット３２Ｂ，３２Ｃ（第２スリットに相当）に収容された磁石３３における幅方向の中心軸の延長線Ｙが、スリット３２Ａ（第１スリットに相当）に収容された磁石３３を通るようにして、各スリット３２に磁石３３が配置されている。
【００４８】
ここで、図７（ｂ）は、図７（ａ）とは異なり、最も表層側となるスリット３２Ａと、それ以外のスリット３２Ｂ，３２Ｃとにおいて、スリット３２Ｂ，３２Ｃ内の磁石３３における幅方向の中心軸の延長線Ｙが、スリット３２Ａ内の磁石３３を通らない構成となっている。この場合、スリット３２Ｂ，３２Ｃ内の磁石３３の磁束は、ｑ軸磁路をスリット長手方向に流れた後、スリット３２Ａ内の磁石３３に到達すると考えられる。そのため、ｑ軸磁路において、ｑ軸磁束と磁石磁束とにより磁気飽和が生じることが懸念される。
【００４９】
これに対し、図７（ａ）に示す構成とすれば、磁石磁束が、ｑ軸磁路をスリット長手方向に流れることを抑制できる。そのため、やはりｑ軸磁束と磁石磁束とによる磁気飽和を抑制できる。
【００５０】
以上のように本実施形態では、磁気飽和を抑制することで、その磁気飽和に起因する出力低下を抑制できる。これにより、小型高出力であり、かつ高効率な回転電機１０を実現することができる。
【００５１】
その他に、本実施形態の回転電機１０では、以下に示す効果が得られる。
【００５２】
磁石３３として、横断面が矩形状をなす磁石を用いる構成とした。この場合、汎用性が高くコスト面において優位となる矩形状磁石を用いつつも、所望の効果を奏することができる。また、各磁石３３として、横断面が同寸法（同一の幅、同一厚さ）でかつ同形状の磁石を用いることにより、回転子１２において部分発熱の均一化を図ることができる。
【００５３】
各スリット３２において、隣同士となる各磁石３３が互いに離間した状態で配置されていることにより、回転子１２における冷却効果を高めることができる。この場合、磁石３３同士の間を冷媒流路として用いれば、冷却効果を一層高めることができる。
【００５４】
（他の実施形態）
上記実施形態を例えば次のように変更してもよい。
【００５５】
・上記実施形態では、各層のスリット３２Ａ〜３２Ｃにそれぞれ偶数個の磁石３３を配置したが、これに代えて、各層のスリット３２Ａ〜３２Ｃにそれぞれ奇数個の磁石３３を配置する構成としてもよい。
【００５６】
・上記実施形態では、各層のスリット３２にいずれも同じ磁石３３を収容する構成としたが、これを変更してもよい。例えば、磁石３３として、厚さ寸法が同じであり、かつ幅寸法が異なる複数の磁石３３を用いてもよい。
【００５７】
・磁石３３として、断面矩形状の磁石を用いることに代えて、断面円弧状の磁石を用いてもよい。
【００５８】
・回転子コア３１におけるスリット３２の層数を変更してもよい。スリット３２を、２層、又は４層以上とすることが可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１０…回転電機、１２…回転子、１３…固定子、２３…固定子巻線（多相巻線）、３２…スリット、３３…磁石。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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