(57)【要約】【課題】巻回型フィルムコンデンサの温度依存性に関する新たな知見に基づき、高温環境特性の更なる向上を図った巻回型フィルムコンデンサを提供する。【解決手段】本発明に係る巻回型フィルムコンデンサ１の製造方法は、第一及び第二の導電層５，６と、第一及び第二の絶縁フィルム７，８とを交互に重ね合せて絶縁フィルム７，８の積層体９を形成する積層体形成工程Ｓ１と、積層体９をコア１１まわりに巻き取って巻回体２を形成する巻回体形成工程Ｓ２と、巻回体２の幅方向両側に第一及び第二の電極３，４を形成する電極形成工程Ｓ４と、第一及び第二の電極３，４を設けた巻回体２に仮焼きを行う仮焼き工程Ｓ５とを備える。【選択図】図５
2019021868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一及び第二の導電層と、第一及び第二の絶縁フィルムとが、前記第一の導電層、前記第一の絶縁フィルム、前記第二の導電層、前記第二の絶縁フィルムの順に重なり合った状態でロール状に巻き取られた形態をなす巻回体と、
前記巻回体の幅方向一方の側に設けられ、前記第一の導電層と接しかつ前記第二の導電層と離れている第一の電極と、
前記巻回体の幅方向他方の側に設けられ、前記第二の導電層と接しかつ前記第一の導電層と離れている第二の電極とを備え、
前記第一及び第二の導電層のうち少なくとも一方の導電層は金属で形成されている巻回型フィルムコンデンサの製造方法であって、
前記巻回体に前記第一の電極と前記第二の電極を設けた後に仮焼きを行う、巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記仮焼きは、前記第一及び第二の電極が設けられた前記巻回体を、常温から前記第一及び第二の導電層を形成する金属の酸化がともに始まる温度以上に加熱することで行われる請求項１に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記仮焼きは、前記第一及び第二の電極が設けられた前記巻回体を１２５℃以上に加熱することで行われる請求項１又は２に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記仮焼きは、前記第一及び前記第二の電極が設けられた前記巻回体を少なくとも１７５℃まで加熱することで行われる請求項１〜３の何れか一項に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記少なくとも一方の導電層はＡｇ合金で形成されている請求項１〜４の何れか一項に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記第一及び第二の絶縁フィルムのうち少なくとも一方の絶縁フィルムはガラスフィルムである請求項１〜５の何れか一項に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも一方の絶縁フィルムの比誘電率が５．０以上に設定されている請求項６に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも一方の絶縁フィルムは、質量％で、ＳｉＯ2：２０〜７０％、Ａｌ2Ｏ3：０〜２０％、Ｂ2Ｏ3：０〜１７％、ＭｇＯ：０〜１０％、ＣａＯ：０〜１５％、ＳｒＯ：０〜１５％、ＢａＯ：０〜４０％を含有するガラス組成をなす請求項６又は７に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記第一及び第二の導電層と、前記第一及び第二の絶縁フィルムとを、前記第一の導電層、前記第一の絶縁フィルム、前記第二の導電層、前記第二の絶縁フィルムの順に重ね合せて前記絶縁フィルムの積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体をコアまわりに巻き取って前記巻回体を形成する巻回体形成工程と、
前記巻回体の幅方向両側にペースト状の導電性材料を塗布して固化させることにより、前記巻回体の幅方向一方の側に前記第一の電極を形成し、前記巻回体の幅方向他方の側に前記第二の電極を形成する電極形成工程とをさらに備えた請求項１〜８の何れか一項に記載の巻回型フィルムコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
第一及び第二の導電層と、第一及び第二の絶縁フィルムとが、前記第一の導電層、前記第一の絶縁フィルム、前記第二の導電層、前記第二の絶縁フィルムの順に重なり合った状態でロール状に巻き取られた形態をなす巻回体と、
前記巻回体の幅方向一方の側に設けられ、前記第一の導電層と接しかつ前記第二の導電層と離れている第一の電極と、
前記巻回体の幅方向他方の側に設けられ、前記第二の導電層と接しかつ前記第一の導電層と離れている第二の電極とを備え、
前記第一及び第二の導電層のうち少なくとも一方の導電層は金属で形成されている巻回型フィルムコンデンサであって、
前記少なくとも一方の導電層の一部が酸化しており、残部は非酸化状態である巻回型フィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、巻回型フィルムコンデンサの製造方法、及び巻回型フィルムコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば電気自動車（ＥＶ）やハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）には、バッテリの直流電力を交流電力に変換して交流モータを駆動するために、インバータが用いられる。また、インバータのスイッチング回路へ接続される直流電源回路（コンバータ、バッテリ等）は、一般的にＤＣリンクと呼ばれており、その直流電源電圧はＤＣリンク電圧と呼ばれている。インバータのＤＣリンクには、ＤＣリンクコンデンサと呼ばれる大容量のコンデンサが直流電源と並列に接続され、スイッチング回路による瞬間的な負荷変動を補償している（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
上述の如き用途に用いられるコンデンサには、以下のような特性が求められる。
（１）瞬間的な負荷変動を補償するために、大容量のエネルギーを瞬時に蓄積、放出できること、
（２）温度変化により回路が適正に作動しない事態を防止するために、誘電率の温度依存性が小さいこと、及び
（３）高温環境下においても正常に作動すること。
【０００４】
そこで、本出願人は、上記特性を満足するべく、所定のフィルム巻回構造をなすコンデンサを提案している（特許文献２を参照）。すなわち、特許文献２には、二層の導電層と、二枚の絶縁フィルムとが交互に重なり合った状態でロール状に巻き取られた形態をなす巻回体と、巻回体の幅方向両側に設けられた一対の電極とを備え、二枚の絶縁フィルムのうち少なくとも一方の絶縁フィルムがガラスフィルムである巻回型フィルムコンデンサが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００４−５２４７９６号公報
【特許文献２】特願２０１６−１１１１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載のコンデンサによれば、少なくとも一方の絶縁フィルムがガラスフィルムであるため、ガラスが有する酸素欠損が発生し難い性質を活かして、誘電率を低下させることなく誘電率の温度依存性を小さくすることができる。また、ガラスフィルムを導電層とともに巻き取った形態をとることによって、単位体積当たりの電極の面積を大幅に向上させることができる。よって、ガラスで作製したフィルムを導電層とともにロール状に巻き取った形態をなす巻回体でコンデンサを構成することにより、コンデンサの単位体積当たりの静電容量を大きくしつつも、温度変化により、回路が適正に作動しない事態を有効に防止することができる。従って、大容量のエネルギーを蓄積可能でかつ高温環境特性にも優れたコンデンサを比較的小型に提供することが可能となる。
【０００７】
一方で、上記構成のコンデンサは、ガラスフィルムだけでなく導電層としての金属膜、あるいは金属粒子と共に電極を構成するベース樹脂など、二種類以上の材料で形成されている。そのため、コンデンサ全体で見た場合の温度依存性については未だ不明な部分も多く、実用に足るコンデンサの提供に向けて更なる改良の余地があるものと考えられる。
【０００８】
以上の事情に鑑み、本明細書では、巻回型フィルムコンデンサの温度依存性に関する新たな知見に基づき、高温環境特性の更なる向上を図った巻回型フィルムコンデンサを提供することを、解決すべき技術課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題の解決は、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法により達成される。すなわち、この製造方法は、第一及び第二の導電層と、第一及び第二の絶縁フィルムとが、第一の導電層、第一の絶縁フィルム、第二の導電層、第二の絶縁フィルムの順に重なり合った状態でロール状に巻き取られた形態をなす巻回体と、巻回体の幅方向一方の側に設けられ、第一の導電層と接しかつ第二の導電層と離れている第一の電極と、巻回体の幅方向他方の側に設けられ、第二の導電層と接しかつ第一の導電層と離れている第二の電極とを備え、第一及び第二の導電層のうち少なくとも一方の導電層は金属で形成されている巻回型フィルムコンデンサの製造方法であって、巻回体に第一の電極と第二の電極を設けた後に仮焼きを行う点をもって特徴付けられる。なお、ここでいう仮焼きとは、第一及び第二の電極が設けられた巻回体に対して、少なくとも一方の導電層を形成する金属の酸化が始まる温度もしくはそれ以上の温度で熱処理を施すことを意味する。また、本明細書において、巻回体の幅方向とは、巻回体を構成している状態の第一又は第二の絶縁フィルムの長尺方向と厚み方向の何れに対しても直交する向きを意味する。
【００１０】
本発明者らは、巻回型フィルムコンデンサ、特に導電層が金属で形成された巻回型フィルムコンデンサの温度依存性について検証した結果、少なくとも一対の電極を設けた巻回体に対して所定の温度で熱処理を施した場合に、当該熱処理の前後で、巻回型フィルムコンデンサが示す静電容量の温度依存性が変化することを見出した。具体的には、上記所定の温度で熱処理を施す前の（すなわち電極を設けた後、特に何も熱処理を施さずに完成品に至った）巻回型フィルムコンデンサを昇温していった場合に、当該コンデンサの静電容量が所定の温度を境に低下し始めるのに対し、上記所定の温度で熱処理を施した巻回型フィルムコンデンサの場合には、当該コンデンサの静電容量が、所定の温度を超えてもあまり変わらない（静電容量はほぼ維持される）ことが判明した。ここで、上記所定の温度で熱処理を施した巻回型フィルムコンデンサの少なくとも一方の導電層の一部に、酸化に伴う変色が視認できたことから、上記所定の温度は、導電層を形成する金属の酸化が始まる温度もしくはそれ以上の温度であると本発明者らは推察した。そして、巻回型フィルムコンデンサを所定の温度以上で熱処理すると、導電層が酸化してその表面に酸化被膜が生成し、導電層の表面の一部が適切に被覆されるが、上記酸化は一定以上進まないために、導電層の内部が非酸化状態で残存し、必要十分な導電性を維持し得るものと推察した。本発明は上記知見に基づきなされたもので、二層の導電層及び二枚の絶縁フィルムを交互に重ね合せてロール状に巻き取ってなる巻回体に一対の電極を設けた後、当該巻回体に仮焼きを行うことを特徴とする。このように巻回体に所定の温度で熱処理を予め施すことによって、昇温に伴う静電容量の低下を抑制し、あるいは維持することができる。従って、静電容量に関わる高温環境特性をさらに向上させて、信頼性ひいては実用性を高めた巻回型フィルムコンデンサを提供することが可能となる。
【００１１】
本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、実施上の観点からは、仮焼きを、第一及び第二の電極が設けられた巻回体を、常温（例えばＪＩＳ  Ｚ  ８７０３を参照）から第一及び第二の導電層を形成する金属の酸化がともに始まる温度以上に加熱することで仮焼きを行うのがよい。
【００１２】
また、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、仮焼きを、第一及び第二の電極が設けられた巻回体を１２５℃以上に加熱することで行ってもよい。
【００１３】
本発明者らは、後述する実験結果より、一対の電極を設けた状態の巻回体を１２５℃以上に加熱した際、静電容量の低下がより高確率で抑制され得ることを見出した。従って、上記巻回体を１２５℃以上に加熱することによって、熱処理後の巻回体を備えた巻回型フィルムコンデンサの静電容量が昇温に伴い低下する事態を有効に抑制し、又は温度によらず静電容量の大きさを維持することが可能となる。
【００１４】
あるいは、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、仮焼きを、第一及び第二の電極が設けられた巻回体を少なくとも１７５℃まで加熱することで行ってもよい。
【００１５】
本発明者らは、後述する実験結果より、上記巻回体を１７５℃まで加熱することによって、さらに広い温度範囲内で、静電容量の低下を有効に抑制し得ることを見出した。従って、上記巻回体を少なくとも１７５℃まで加熱することによって、熱処理後の巻回体を備えた巻回型フィルムコンデンサの静電容量が昇温に伴い低下する事態をさらに高温域において有効に抑制し、又は温度によらず静電容量の大きさを維持することが可能となる。
【００１６】
また、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、少なくとも一方の導電層をＡｇ合金で形成してもよい。
【００１７】
本発明者らが行った実験結果によれば、少なくとも一方の導電層をＡｇ合金で形成した巻回体に対して上記所定の加熱処理（仮焼き）を行った際、静電容量の低下が抑制される結果を明確に示した。よって、Ａｇ合金で形成された導電層を有する巻回体に対して上述の仮焼きを施すようにすれば、Ａｇ合金が本来有する耐熱性と相まって、非常に優れた高温環境特性（高温域での耐性）を発揮することが可能となる。
【００１８】
また、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、第一及び第二の絶縁フィルムのうち少なくとも一方の絶縁フィルムをガラスフィルムとしてもよい。
【００１９】
ガラスは他の絶縁材料と比べて酸素欠損が発生し難い材料であるため、誘電率を低下させることなく誘電率の温度依存性を小さくすることができる。よって、ガラスで作製したフィルムを導電層とともにロール状に巻き取った形態をなす巻回体でコンデンサを構成することにより、コンデンサの単位体積当たりの静電容量を大きくしつつも、温度変化により、回路が適正に作動しない事態を有効に防止することができる。従って、高温環境特性に優れると共に大容量のエネルギーを蓄積可能なコンデンサを製造することが可能となる。また、巻回型フィルムコンデンサは、導電層を絶縁フィルムと共にロール状に緻密に巻き取った上で、さらに幅方向両側に電極を形成しているため、通常でもコンデンサ内部は雰囲気中の酸素に触れ難い環境にあるが、絶縁フィルムをガラスフィルムとした場合は、特に、そのガスバリア性と密着性から、仮焼きを行った後も導電層に非酸化状態の部分が多く残るため、特に好ましい。
【００２０】
また、この場合、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、ガラスフィルムの比誘電率が５．０以上に設定されていてもよい。なお、ここでいう比誘電率は、温度２５℃においてＡＳＴＭ  Ｄ１５０に準拠した方法により測定した値を指す。
【００２１】
また、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、ガラスフィルムが、質量％で、ＳｉＯ2：２０〜７０％、Ａｌ2Ｏ3：０〜２０％、Ｂ2Ｏ3：０〜１７％、ＭｇＯ：０〜１０％、ＣａＯ：０〜１５％、ＳｒＯ：０〜１５％、ＢａＯ：０〜４０％を含有するガラス組成をなすものであってもよい。
【００２２】
このようにガラス組成を設定することにより、成形時に失透が生じ難くなるため、幅方向寸法及び長尺方向寸法が大きい絶縁フィルム（ガラスフィルム）を容易に成形することができる。従って、結果的に大容量のエネルギーを蓄積可能なコンデンサを効率よく製造することが可能となる。
【００２３】
また、以上の説明に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法においては、第一及び第二の導電層と、第一及び第二の絶縁フィルムとを、第一の導電層、第一の絶縁フィルム、第二の導電層、第二の絶縁フィルムの順に重ね合せて絶縁フィルムの積層体を形成する積層体形成工程と、積層体をコアまわりに巻き取って巻回体を形成する巻回体形成工程と、巻回体の幅方向両側にペースト状の導電性材料を塗布して固化させることにより、巻回体の幅方向一方の側に第一の電極を形成し、巻回体の幅方向他方の側に第二の電極を形成する電極形成工程とをさらに備えてもよい。
【００２４】
このようにコアを用いて積層体を巻き取ることで巻回体を形成することで、容易に巻回体を作製することができる。また、ペースト状の導電性材料を塗布して固化させることにより、巻回体に電極を形成することで、対応する導電層の幅方向端面（側端面）だけでなく当該端面を含む幅方向端部を覆うように電極を形成できる。これにより、仮に導電層の側端面が巻き取りに伴い厳密に揃っていない状態であったとしても、漏れなく各導電層に対応する電極を接触させて、安定した通電を図ることが可能となる。
【００２５】
また、前記課題の解決は、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサによっても解決される。すなわち、このコンデンサは、第一及び第二の導電層と、第一及び第二の絶縁フィルムとが、第一の導電層、第一の絶縁フィルム、第二の導電層、第二の絶縁フィルムの順に重なり合った状態でロール状に巻き取られた形態をなす巻回体と、巻回体の幅方向一方の側に設けられ、第一の導電層と接しかつ第二の導電層と離れている第一の電極と、巻回体の幅方向他方の側に設けられ、第二の導電層と接しかつ第一の導電層と離れている第二の電極とを備え、第一及び第二の導電層のうち少なくとも一方の導電層は金属で形成されている巻回型フィルムコンデンサであって、少なくとも一方の導電層の一部が酸化しており、残部は非酸化状態である点をもって特徴付けられる。
【００２６】
このように、導電層の一部が酸化した巻回体を備えた巻回型フィルムコンデンサであれば、昇温に伴う静電容量の低下が抑制され、あるいは維持される。従って、静電容量に関わる高温環境特性をさらに向上させて、信頼性ひいては実用性を高めた巻回型フィルムコンデンサを提供することが可能となる。この巻回型フィルムコンデンサは、例えば、当該導電層を有する巻回体に電極を設けた後、仮焼きを施すことで作製することが可能である。
【発明の効果】
【００２７】
以上に述べたように、本発明によれば、巻回型フィルムコンデンサの温度依存性に関する新たな知見に基づき、高温環境特性の更なる向上を図った巻回型フィルムコンデンサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第一実施形態に係る巻回型フィルムコンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示す巻回体の一部を仮想的に展開した状態を示す斜視図である。
【図３】図１に示すコンデンサの断面図である。
【図４】図１に示す巻回体を構成する絶縁フィルムの積層体の分解斜視図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る巻回型フィルムコンデンサの製造方法のフローチャートである。
【図６】積層体の斜視図である。
【図７】積層体の巻き取りに使用するコアの斜視図である。
【図８】積層体の巻き取り態様の一例を説明するための図であって、積層体の巻き取り始めの状態をその巻き取り中心線に沿った向きから見た図とその要部拡大図である。
【図９】積層体の巻き取り態様の一例を説明するための図であって、積層体の巻き取り終わりの状態をその巻き取り中心線に沿った向きから見た図とその要部拡大図である。
【図１０】積層体をコアまわりに巻き取ってコアと一体化した状態の巻回体の斜視図である。
【図１１】一対の電極が設けられた巻回体に対する熱処理について、時間と温度との関係を示すグラフである。
【図１２】本発明の第二実施形態に係る巻回体の一部を仮想的に展開した状態を示す斜視図である。
【図１３】本発明の第二実施形態に係る巻回体の変形例の一部を仮想的に展開した状態を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第三実施形態に係る巻回体の巻き取り態様の一例を説明するための図であって、巻き取り中の巻回体をその中心線に沿った向きから見た図である。
【図１５】本発明の第四実施形態に係る巻回体をその中心線に沿った向きから見た図である。
【図１６】本発明の第五実施形態に係る巻回体をその中心線に沿った向きから見た図である。
【図１７】周波数１２０Ｈｚにおける静電容量の測定結果を示すグラフである。
【図１８】周波数１０００Ｈｚにおける静電容量の測定結果を示すグラフである。
【図１９】周波数１００００Ｈｚにおける静電容量の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の第一実施形態を、図１〜図１１を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本発明の第一実施形態に係る巻回型フィルムコンデンサ１の斜視図である。このコンデンサ１は、巻回体２と、巻回体２にその幅方向で接する一対の電極３，４とを備える。各電極３，４には、図示しないリード線が取り付けられており、両電極３，４間に所定の電圧を印加できるようになっている。以下、巻回体２の構成を中心に説明する。
【００３１】
巻回体２は、図２に示すように、第一及び第二の導電層５，６と、第一及び第二の絶縁フィルム７，８とを有するもので、これら二つの導電層５，６と二枚の絶縁フィルム７，８とを、第一の導電層５、第一の絶縁フィルム７、第二の導電層６、第二の絶縁フィルム８の順に重ね合せてロール状に巻き取った形状をなす。本実施形態では、第一及び第二の導電層５，６はともに金属膜であって、第一の絶縁フィルム７の厚み方向で相反する向きを指向する第一の表面７ａと第二の表面７ｂにそれぞれ形成されている。これにより二つの導電層５，６はともに第一の絶縁フィルム７と一体化された状態となっている。
【００３２】
また、二枚の絶縁フィルム７，８のうち、少なくとも第一の絶縁フィルム７はガラスフィルムであってもよい。本実施形態では、このガラスフィルム（第一の絶縁フィルム７）に二つの導電層５，６が一体化されている。この際、とり得るガラス組成の詳細については後述する。
【００３３】
第一の絶縁フィルム７としてのガラスフィルムの厚み寸法ｔ１（図２を参照）は、５０μｍ以下に設定され、好ましくは４０μｍ以下に設定され、より好ましくは３０μｍ以下に設定され、さらにいえば２０μｍ以下、１０μｍ以下、８μｍ以下、６μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下の順で好適に設定され、特に好ましくは１μｍ以下に設定される。第一の絶縁フィルム７の厚み寸法ｔ１が小さいほど、この絶縁フィルム７を巻き取った状態における単位体積当たりの面積が大きくなるため、大容量のエネルギーを容易に蓄えることが可能となる。また、厚み寸法ｔ１が小さいほど第一の絶縁フィルム７の可撓性が向上するため、当該絶縁フィルム７の最小曲率半径（最小巻き取り径）を後述するレベルにまで小さくすることができる。
【００３４】
また、第二の絶縁フィルム８としては、例えば樹脂製、紙製、ガラス製のものが使用可能であり、この中でもガラス製（すなわちガラスフィルム）が好適に使用可能である。第二の絶縁フィルム８についてもガラスフィルムを使用することで、一対の電極３，４の組成にもよるが、いわゆる有機物を排除して、無機物のみで巻回体２を形成することが可能になる。よって、巻回型フィルムコンデンサ１の耐熱性を容易に高めることが可能となる。ここで、第二の絶縁フィルム８にガラスフィルムを用いる場合、当該ガラスフィルム（第二の絶縁フィルム８）の厚み寸法ｔ２（図２を参照）は、第一の絶縁フィルム７としてのガラスフィルムと同様に、５０μｍ以下に設定され、好ましくは４０μｍ以下に設定され、より好ましくは３０μｍ以下に設定され、さらにいえば２０μｍ以下、１０μｍ以下、８μｍ以下、６μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下の順で好適に設定され、特に好ましくは１μｍ以下に設定される。もちろん、第二の絶縁フィルム８に樹脂フィルムを使用することもでき、その場合には、樹脂フィルムが絶縁体として機能すると共に、緩衝材としても機能する。そのため、双方の絶縁フィルム７，８を巻き取る際にガラスフィルムが破損する事態を有効に回避することが可能となる。
【００３５】
第一の導電層５は、巻回体２の幅方向の一方（図３でいえば左側）を指向する第一の側端面５ａと、第一の側端面５ａ，６ａと相反する向きである巻回体２の幅方向の他方（図３でいえば右側）を指向する第二の側端面５ｂとを有する。また、第二の導電層６は、巻回体２の幅方向一方を指向する第三の側端面６ａと、巻回体２の幅方向の他方を指向する第四の側端面６ｂとを有する。本実施形態では、第一の導電層５の第二の側端面５ｂは、第二の導電層６の第四の側端面６ｂよりも幅方向一方の側にオフセットしており、かつ第二の導電層６の第三の側端面６ａは、第一の導電層５の第一の側端面５ａよりも幅方向他方の側にオフセットしている。また、第一の導電層５のオフセット量、すなわち第一の絶縁フィルム７の厚み方向一方を指向する（ここでは第一の導電層５が形成される）第一の表面７ａのうち第一の導電層５が形成されていない領域の幅方向寸法ｄ１は例えば１ｍｍ以上に設定され、好ましくは２ｍｍ以上に設定され、より好ましくは３ｍｍ以上に設定されている。同様に、第二の導電層６のオフセット量となる、第一の絶縁フィルム７の厚み方向他方を指向する（ここでは第二の導電層６が形成される）第二の表面７ｂのうち第二の導電層６が形成されていない領域の幅方向寸法ｄ２は１ｍｍ以上に設定され、好ましくは２ｍｍ以上に設定され、より好ましくは３ｍｍ以上に設定されている。このようにすれば、後述する積層体９（図４及び図５を参照）の巻き取り態様によって、積層体９が幅方向にずれを生じる場合であっても、第一の導電層５と第二の電極４、第二の導電層６と第一の電極３とが電気的に接続される事態を有効に回避し得る。もちろん、図示は省略するが、第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ及び第二の表面７ｂにおいて、各導電層５，６が形成されていない領域に各導電層５，６と同等の厚み寸法を有する絶縁膜を形成してもかまわない。
【００３６】
なお、これら導電層５，６としては、種々の材料が使用可能である。例えば、コストと導電性の観点からは、Ａｌ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群から選択される一種又は二種以上の金属が好適に使用可能であり、例えばＡｇ合金はＡｇ単体に比べて良好な耐熱性を示す。また、酸化被膜の安定性、緻密性、イオン拡散の観点からは、Ａｌが好ましく、あるいはＮｉ−Ｃｒ合金等の各種合金も好ましい。また、本実施形態のように、各導電層５，６を金属膜として第一の絶縁フィルム７（ガラスフィルム）の表面７ａ，７ｂに形成する場合には、公知の成膜手段が適用可能である。もちろん、これら導電層５，６のうち少なくとも一方の導電層が金属で形成される限りにおいて、他の構成（組成を含む）は任意であり、金属以外の公知の導電性材料、あるいは金属と金属以外の導電性材料とで他方の導電層を形成してもかまわない。
【００３７】
また、本実施形態では、導電層５，６が形成されていない第二の絶縁フィルム８の幅方向寸法ｗ２は、図３に示すように、第一の絶縁フィルム７の幅方向寸法ｗ１よりも小さく、かつ第一の絶縁フィルム７が第二の絶縁フィルム８から幅方向の外側に食み出した状態となるように配設されている。このようにすれば、各導電層５，６よりも第二の絶縁フィルム８が巻回体２の幅方向に突出した状態を回避できるので、巻回体２の幅方向両側に電極３，４を容易に形成することが可能となる。
【００３８】
正極又は負極となる第一の電極３は、巻回体２の幅方向一方（図３でいえば左側）に配設されている。この際、第一の電極３は、巻回体２内で第一の絶縁フィルム７を介して厚み方向（図３でいえば上下方向）で隣り合う第一の導電層５と電気的に接続され、かつ第二の導電層６と絶縁された状態となるよう、第一の導電層５の第一の側端面５ａと接し、かつ第二の導電層６の第三の側端面６ａと離れている（接していない）。また、第二の電極４は、巻回体２の幅方向他方（図３でいえば右側）に配設されており、第二の導電層６と電気的に接続され、かつ第一の導電層５と絶縁された状態となるよう、第二の導電層６の第四の側端面６ｂと接し、かつ第一の導電層５の第二の側端面５ｂと離れている（接していない）。
【００３９】
電極３，４としては、種々の材料が使用可能である。例えば、コストと導電性の観点からは、Ａｌ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群から選択される一種又は二種以上の金属が好適に使用可能であり、例えばＡｇ合金はＡｇ単体に比べて良好な耐熱性を示す。なお、電極３，４は、例えば上記金属の粉末を含む導電性ペースト（例えば樹脂をベースとし所定の粘性を有するペースト状の導電性材料）を巻回体２の幅方向両側に塗布し、固化させることにより形成することが可能である。なお、上記ペーストに耐熱性の高い樹脂（例えばエポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂など）や、無機物等を用いることもできる。これにより、さらに高い温度での仮焼きが可能になるため、巻回型フィルムコンデンサの静電容量の昇温に伴う低下を有効に抑制し、又は広い温度範囲で静電容量の大きさを維持することが可能となる。また、この際とり得る形態も特に制限されず、図１に示すように環状であってもよく、図３に示すように層状であってもよい。もちろん、図１及び図３に示すように環状でかつ層状をなすものであってもよい。
【００４０】
また、巻回体２の最小巻き取り径は例えば１００ｍｍ以下に設定され、好ましくは８０ｍｍ以下、より好ましくは７５ｍｍ以下、さらにいえば５０ｍｍ以下、３０ｍｍ以下、２０ｍｍ以下、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下の順で好適に設定され、特に好ましくは３ｍｍ以下に設定される。巻回体２の外径寸法が一定の場合、最小巻き取り径が小さいほど、単位体積当たりの面積が大きくなるため、大容量のエネルギーを蓄えることが求められる用途に好適である。
【００４１】
第一の絶縁フィルム７の長尺方向寸法Ｌ１（図４を参照）は、例えば０．０５ｍ以上に設定され、好ましくは０．５ｍ以上に設定され、より好ましくは１ｍ以上に設定され、さらにいえば３ｍ以上、５ｍ以上、１０ｍ以上、３０ｍ以上、５０ｍ以上、７０ｍ以上の順で好適に設定され、特に好ましくは１００ｍ以上に設定される。このように第一の絶縁フィルム７の長尺方向寸法Ｌ１の大きさを設定することで、例えば電流回路用に必要とされるレベルの静電容量を確保することが可能となる。
【００４２】
また、第一の絶縁フィルム７の幅方向寸法ｗ１を厚み寸法ｔ１で除した値が例えば１０００以上となるよう、幅方向寸法ｗ１と厚み寸法ｔ１が設定され、好ましくは１２００以上となるよう、より好ましくは１４００以上となるよう、さらにいえば１６００以上、１８００以上、２０００以上の順で好適に幅方向寸法ｗ１と厚み寸法ｔ１が設定され、特に好ましくは２４００以上となるよう、幅方向寸法ｗ１と厚み寸法ｔ１が設定される。幅方向寸法ｗ１と厚み寸法ｔ１との比が上述の範囲となるよう、両寸法ｗ１，ｔ１を設定することで、例えば電流回路用に必要とされるレベルの静電容量を確保することが可能となる。
【００４３】
また、第一の絶縁フィルム７の比誘電率は、例えば５以上に設定され、好ましくは５．５以上に設定され、より好ましくは６以上に設定され、さらにいえば７以上、８以上、９以上、１０以上の順で好適に設定され、特に好ましくは１１以上に設定される。上述の範囲の比誘電率を示す第一の絶縁フィルム７（ガラスフィルム）を使用することで、例えば電流回路用に必要とされるレベルの静電容量を確保することが可能となる。
【００４４】
第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）の算術平均粗さＲａは例えば５ｎｍ以下に設定され、好ましくは３ｎｍ以下に設定され、より好ましくは１ｎｍ以下に設定され、さらにいえば０．８ｎｍ以下、０．４ｎｍ以下、０．３ｎｍ以下の順で好適に設定され、特に好ましくは０．２ｎｍ以下に設定される。第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）の算術平均粗さＲａを上述の範囲に設定することで、高電圧を印加した際に絶縁破壊を生じる電圧を上昇させることができる。
【００４５】
また、第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）の最大高さＲｍａｘは例えば１０ｎｍ以下に設定され、好ましくは５ｎｍ以下に設定され、より好ましくは３ｎｍ以下に設定される。第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）の最大高さＲｍａｘを上述の範囲に設定することによっても、高電圧を印加した際に絶縁破壊を生じる電圧を上昇させることができる。なお、ここでいう最大高さＲｍａｘは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１に準拠した方法で測定した値を指す。
【００４６】
第一の絶縁フィルム７のガラス組成は任意であり、例えば本実施形態では、ガラス組成として、質量％で、例えばＳｉＯ2：２０〜７０％、Ａｌ2Ｏ3：０〜２０％、Ｂ2Ｏ3：０〜１７％、ＭｇＯ：０〜１０％、ＣａＯ：０〜１５％、ＳｒＯ：０〜１５％、ＢａＯ：０〜４０％を含有することが好ましい。
【００４７】
もちろん、第一の絶縁フィルム７のガラス組成には、上記以外の成分を例えば２０％まで、好ましくは１０％までの範囲で添加することも可能である。
【００４８】
第一の絶縁フィルム７の液相温度は例えば１２００℃以下に設定され、好ましくは１１５０℃以下に設定され、より好ましくは１０９０℃以下に設定され、さらにいえば１０５０℃以下、１０３０℃以下の順で好適に設定され、特に好ましくは１０００℃以下に設定される。第一の絶縁フィルム７の液相温度が高すぎると、成形時にガラスの失透が生じやすくなり、第一の絶縁フィルム７の表面精度（表面粗さなど）を高めることが困難になるためである。また、第一の絶縁フィルム７の液相粘度は例えば１０3.5ｄＰａ・ｓ以上に設定され、好ましくは１０4.0ｄＰａ・ｓ以上に設定され、より好ましくは１０4.5ｄＰａ・ｓ以上に設定され、さらに好ましくは１０4.8ｄＰａ・ｓ以上に設定され、特に好ましくは１０5.0ｄＰａ・ｓ以上に設定される。第一の絶縁フィルム７の液相粘度が低すぎると、成形時にガラスの失透が生じやすくなり、第一の絶縁フィルム７の表面精度を高めることが困難になるためである。なお、ここでいう液相粘度は、液相温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法により測定した値を指す。また、液相温度は、標準篩３０メッシュ（約５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（約３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れ、温度勾配炉中で２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定した値を指す。
【００４９】
第一の絶縁フィルム７の密度は例えば４．５ｇ／ｃｍ3以下に設定され、好ましくは４．０ｇ／ｃｍ3以下に設定され、より好ましくは３．６ｇ／ｃｍ3以下に設定され、さらにいえば３．３ｇ／ｃｍ3以下、３．０ｇ／ｃｍ3以下、２．８ｇ／ｃｍ3以下の順で好適に設定され、特に好ましくは２．５ｇ／ｃｍ3以下に設定される。密度が小さいほど、巻回型フィルムコンデンサ１を軽量化しやすくなる。なお、ここでいう密度は、周知のアルキメデス法により測定した値を指す。
【００５０】
第一の絶縁フィルム７の熱膨張係数は例えば２５×１０-7〜１２０×１０-7／℃に設定され、好ましくは３０×１０-7〜１２０×１０-7／℃に設定され、より好ましくは４０×１０-7〜１１０×１０-7／℃に設定され、さらに好ましくは６０×１０-7〜１００×１０-7／℃に設定され、特に好ましくは７０×１０-7〜９５×１０-7／℃に設定される。第一の絶縁フィルム７の熱膨張係数を上記範囲に設定すれば、第一の絶縁フィルム７の熱膨張係数と、第一の絶縁フィルム７の双方の表面７ａ，７ｂに成膜等で形成される導電層５，６の熱膨張係数とを整合させる（近づける）ことができるので、導電層５，６の反り等の変形を防止することが可能となる。なお、ここでいう熱膨張係数は、３０〜３８０℃の範囲において、ディラトメーターにより測定した平均値を指す。
【００５１】
また、第一の絶縁フィルム７の１０2.5ｄＰａ・ｓにおける温度は例えば１５５０℃以下に設定され、好ましくは１４５０℃以下に設定され、より好ましくは１３５０℃以下に設定され、さらにいえば１２５０℃以下、１２００℃以下、１１７０℃以下の順で好適に設定され、特に好ましくは１１５０℃以下に設定される。第一の絶縁フィルム７の１０2.5ｄＰａ・ｓにおける温度が低いほど、低温でガラスを溶融しやすくなるため、ガラスフィルムの製造コストを低廉化することができる。なお、ここでいう１０2.5ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法により測定した値を指す。
【００５２】
第一の絶縁フィルム７の表面７ａ（７ｂ）の少なくとも一部は未研磨の状態であってもよい。また、その場合、互いに相反する向きを指向する第一の表面７ａと第二の表面７ｂの全てが未研磨であることが好ましい。ガラスの理論強度は非常に高いが、実際は理論強度よりもはるかに低い応力で破壊に至ることが多い。これは、ガラスの表面にグリフィスフローと呼ばれる小さな欠陥が成形後の工程、例えば研磨工程等で生じるからである。そこで、ガラスフィルムである第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）を未研磨にすれば、言い換えると、第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）を成形面とすれば、ガラスの機械的強度を本来の強度に近づけることができ、これによりガラスフィルムの破壊を可及的に防止し得る。具体的には、後述するリドロー法又はオーバーフローダウンドロー法でガラスフィルムを成形することにより、未研磨で表面精度に優れた第一の表面７ａ（第二の表面７ｂ）を有する第一の絶縁フィルム７を得ることが可能となる。
【００５３】
第一の絶縁フィルム７の成形手段として、例えばリドロー法を採用することができる。この方法によれば、第一の絶縁フィルム７の厚み寸法ｔ１を小さくしやすい。また、第一の絶縁フィルム７の表面品位を高めることができる。さらに第一の絶縁フィルム７の各側端面７ｃ，７ｄ（図３を参照）を成形面（火造り面と呼ぶこともある）とすることで、第一の絶縁フィルム７が各側端面７ｃ，７ｄから破損し難くなる利点を有する。なお、リドロー法とは、成形済みのガラスを再び軟化点付近の温度にまで加熱し、延伸成形してガラスを所定の形状（本実施形態であれば長尺のフィルム状）に成形する方法をいう。
【００５４】
もちろん、第一の絶縁フィルム７の成形手段として、例えばオーバーフローダウンドロー法、スロットダウンドロー法など、リドロー以外のガラスフィルムの成形手段を採用することも可能である。なお、オーバーフローダウンドロー法とは、フュージョン法とも称される成形手段で、溶融ガラスを耐熱性の桶状構造物の両側から溢れさせて、溢れた溶融ガラスを桶状構造物の下端で合流させながら、下方に延伸成形することで、所定形状のガラス（本実施形態であれば長尺のガラスフィルム）を得る方法である。オーバーフローダウンドロー法でガラスフィルムを成形することによっても、表面品位を高めることができる。
【００５５】
第二の絶縁フィルム８をガラスフィルムとする場合、上述した第一の絶縁フィルム７のガラス組成、物性、形状、表面性状、寸法、成形条件などの少なくとも１つを同一にすることが可能である。もちろん、コスト面や生産性の面で特に問題ないようであれば、ガラス組成、物性、形状、表面性状、寸法、成形条件などが異なるガラスフィルムを第二の絶縁フィルム８に用いてもかまわない。
【００５６】
以上、双方の絶縁フィルム７，８の材質（ガラス組成）について述べたが、割れを生じることなく巻き取り可能なものであれば上述したガラス組成に限らず、種々の材質を採用することも可能である。具体例として、無アルカリガラス、ソーダガラス、アルカリ含有ガラス等が挙げられる。
【００５７】
また、第二の絶縁フィルム８の厚み寸法ｔ２は任意であるが、例えば第二の絶縁フィルム８をガラスフィルムとする場合、第一の絶縁フィルム７の厚み寸法ｔ１に対する第二の絶縁フィルム８の相対厚み寸法（第二の絶縁フィルム８の厚み寸法ｔ２を第一の絶縁フィルム７の厚み寸法ｔ１で除した値）が例えば０．３以上になるように厚み寸法ｔ２が設定され、好ましくは０．４以上となるよう、より好ましくは０．５以上となるよう、さらにいえば０．６以上、０．７以上、０．８以上の順で好適に厚み寸法ｔ２が設定され、特に好ましくは０．９以上となるよう厚み寸法ｔ２が設定される。一方、上限値の観点から、第二の絶縁フィルム８の厚み寸法ｔ２は、上記厚み寸法ｔ１，ｔ２の比が例えば３．０以下となるように設定され、好ましくは２．５以下となるよう、より好ましくは２．０以下となるよう、さらにいえば１．８以下、１．５以下、１．３以下、１．２以下、１．１以下の順で好適に厚み寸法ｔ２が設定され、特に好ましくは１．０５以下となるよう厚み寸法ｔ２が設定される。
【００５８】
本実施形態では、巻回体２の中心に、巻回体２の幅方向に沿った向き、図２でいえば巻回体２の中心線Ｘ１に沿った向きに巻回体２を貫通する貫通穴１０が設けられている。貫通穴１０は、巻回体２だけでなくその幅方向両側に取り付けられる電極３，４をも貫通している。そのため、この貫通穴１０は、図１に示すように、巻回型フィルムコンデンサ１の中心において、巻回型フィルムコンデンサ１をその中心線に沿った向きに貫通している。この場合、巻回型フィルムコンデンサ１の中心線は、巻回体２の中心線Ｘ１に等しい（図１及び図２を参照）。また、本実施形態では、貫通穴１０の内周面は第二の絶縁フィルム８の第二の表面８ｂで構成されているので（図３を参照）、この際の貫通穴１０の内径寸法Ｄは、上述した絶縁フィルム８の最小巻き取り径に略等しくなる。
【００５９】
次に、上記構成の巻回型フィルムコンデンサ１の製造方法の一例を、主に図４〜図１１に基づいて説明する。
【００６０】
この巻回型フィルムコンデンサ１の製造方法は、図５に示すように、積層体９を形成する積層体形成工程Ｓ１と、巻回体２を形成する巻回体形成工程Ｓ２と、巻回体２に貫通穴１０を形成する貫通穴形成工程Ｓ３と、巻回体２の幅方向両側に正負一対の電極３，４を設ける電極形成工程Ｓ４、及び電極３，４が設けられた巻回体２に仮焼きを行う仮焼き工程Ｓ５とを備える。
【００６１】
（Ｓ１）積層体形成工程
この工程では、二枚の絶縁フィルム７，８と二つの導電層５，６を交互に重ね合せることで、長尺の積層体９を形成する。本実施形態では、図４に示すように、第一及び第二の表面７ａ，７ｂにそれぞれ第一及び第二の導電層５，６としての金属膜が一体的に形成された第一の絶縁フィルム７を、第二の絶縁フィルム８上に載置して、第一の導電層５、第一の絶縁フィルム７、第二の導電層６、第二の絶縁フィルム８の順に積層してなる積層体を形成する（図６を参照）。なお、図４では、第一の絶縁フィルム７の長尺方向寸法Ｌ１と、第二の絶縁フィルム８の長尺方向寸法Ｌ２とを同じ長さとしているが、もちろん後述する理由（例えば第二の絶縁フィルム８同士の直接密着など）などにより、これら長尺方向寸法Ｌ１，Ｌ２の大きさを適宜調整することも可能である。
【００６２】
なお、この際、第一の絶縁フィルム７の第二の表面７ｂと第二の絶縁フィルム８の第三の表面８ａ、又は第二の絶縁フィルム７の第四の表面８ｂと第一の絶縁フィルム７の第一の表面とが接着剤などを介在させることなく直接密着するように、各絶縁フィルム７，８をともにガラスフィルムとし、その表面粗さを所定の大きさに設定すると共に、第一の絶縁フィルム７の長尺方向端部が導電層５，６から長尺方向に食み出た形態をとることも可能である（図４を参照）。ここで、表面粗さを算術平均粗さＲａで表した場合、互いに密着する第二の表面７ｂと第三の表面８ａ（第一の表面７ａと第四の表面８ｂ）の算術平均粗さＲａをともに２．０ｎｍ以下に設定するのがよい。各表面７ｂ，８ａ（７ａ，８ｂ）の算術平均粗さＲａを上述した範囲に設定することで、双方の絶縁フィルム７，８同士が位置ずれなく相互に固定された状態でロール状に巻き取られた形態を維持する（巻回体２の形状を維持する）ことが可能となる。もちろん、密着性向上の観点からは、１．０ｎｍ以下とするのが好ましく、さらにいえば０．８ｎｍ以下、０．４ｎｍ以下、０．３ｎｍ以下の順で好ましく、０．２ｎｍ以下とするのが特に好ましい。
【００６３】
（Ｓ２）巻回体形成工程
この工程では、工程Ｓ１で形成した積層体９を例えば図７に示すコア１１まわりに巻き取ることで巻回体２を形成する。ここで、コア１１としては、任意の形態や構造、及び材質を採用することが可能であり、本実施形態では、円柱状をなすコア１１が使用される。コア１１を用いた積層体９の巻き取りは例えば以下のようにして行われる。まず図８に示すように、巻き始め側端部となる積層体９の長尺方向一端部９ａをコア１１の外周面（巻き取り面）に密着させると共に、コア１１の軸嵌合穴１１ａにモータなどの回転駆動軸（図示は省略）を嵌合して、この回転駆動軸を回転駆動することにより、積層体９の巻き取りを開始する。この際、図８に示すように、積層体９の長尺方向一端部９ａにおいて第一の絶縁フィルム７の第二の表面７ｂと第二の絶縁フィルム８の第三の表面８ａとが互いに直接密着する領域を形成してから、二枚の絶縁フィルム７，８と二つの導電層５，６とが図３に示す順序で交互に重ね合さるように巻き取っていく。なお、コア１１を除去した後も絶縁フィルム７，８の巻き取り時の形態をより確実に維持するため、第一の絶縁フィルム７の外側の表面となる第一の表面７ａと、第二の絶縁フィルム８の内側の表面となる第四の表面８ｂとが直接密着するように、第一の絶縁フィルム７の各導電層５，６からの長尺方向一端部９ａ側への食み出し寸法ｐ１（図４を参照）を設定することも可能である。すなわち、第一の絶縁フィルム７の第二の表面７ｂと、第二の絶縁フィルム８の第三の表面８ａとが直接密着した状態で双方の絶縁フィルム７，８が一周以上コア１１まわりに巻き取り可能な程度に、第一の絶縁フィルム７の導電層５，６からの食み出し寸法ｐ１を設定することも可能である。
【００６４】
また、上述のように、二枚の絶縁フィルム７，８を互いに重ね合せた状態で巻き取る際には、各絶縁フィルム７，８の巻き取り速度や巻き取り角度、巻き取り方向などの条件を適切に管理するのがよい。このように巻き取り条件を適切に管理することにより、絶縁フィルム７，８同士の摺接や不当な応力集中を回避でき、ガラスフィルムの破壊確率を低下させ得る。
【００６５】
このようにして、積層体９をコア１１まわりに巻き取っていき、例えば図９に示すように、積層体９の巻き終わり側端部となる長尺方向他端部９ｂをそのすぐ内側に位置する第二の絶縁フィルム８の外側の表面（第三の表面８ａ）に固定することで、コア１１を一体に有する巻回体２（図１０を参照）が形成される。この際、第一の絶縁フィルム７の固定手段は任意であるが、例えば巻き始めと同様、第二の絶縁フィルム８との直接密着を利用した固定手段を採用することも可能である。すなわち、図９に示すように、積層体９の長尺方向他端部９ｂにおいて、第一の絶縁フィルム７の内側の表面（第二の表面７ｂ）と、第二の絶縁フィルム８の外側の表面（第三の表面８ａ）とが直接密着した状態で双方の絶縁フィルム７，８が一周以上コア１１まわりに巻き取り可能な程度に、第一の絶縁フィルム７の導電層５，６からの食み出し寸法ｐ２（図４を参照）を設定することも可能である。このようにすることで、最も半径方向外側に位置する第一の絶縁フィルム７の内側の表面（第二の表面７ｂ）と第二の絶縁フィルム８の外側の表面（第三の表面８ａ）とが直接密着するだけでなく、第二の絶縁フィルム８の内側の表面（第四の表面８ｂ）と、一つ前の周の第一の絶縁フィルム７の外側の表面（第一の表面７ａ）とが直接密着する。これにより、積層体９を巻き取ってなる巻回体２を形成すると共に、積層体９の巻き終わり側の端部において双方の絶縁フィルム７，８同士を強固に固定することが可能となる。
【００６６】
（Ｓ３）貫通穴形成工程
上述のようにしてコア１１を一体に有する巻回体２を形成した後、巻回体２からコア１１を除去することにより、巻回体２の中心に、巻回体２を幅方向に貫通する貫通穴１０を形成する。具体的には、図１０に示す状態からコア１１の露出部分を把持して引き抜くことにより、巻回体２からコア１１を除去する。これにより、中心に貫通穴１０が設けられた巻回体２が得られる。なお、この際に形成される巻回体２において、図示は省略するが、第一及び第二の導電層５，６と第一及び第二の絶縁フィルム７，８は何れも螺旋状をなし、かつ半径方向外側から第一の導電層５、第一の絶縁フィルム７、第二の導電層６、第二の絶縁フィルム８の順で繰り返し位置している。
【００６７】
（Ｓ４）電極形成工程
このようにして巻回体２を形成した後、巻回体２の幅方向両側に正負双方の電極３，４を形成する。この際、巻回体２の幅方向一方の側に位置する第一の電極３は、図３等に示すように、第一の導電層５の第一の側端面５ａと接し、第二の導電層６の第三の側端面６ａとは接しないように形成される。また、巻回体２の幅方向他方の側に位置する第二の電極４は、第二の導電層６の第四の側端面６ｂと接し、第一の導電層５の第二の側端面５ｂとは接しないように形成される。これにより正負双方の電極３，４が巻回体２の幅方向端部を覆うように形成されると共に、対応する導電層５，６とのみ電気的に接続された状態となり、図１に示す形態の、すなわち一対の電極３，４を幅方向両側に設けた状態の巻回体２が得られる。
【００６８】
なお、電極３，４の形成手段は任意であるが、上述した電気的接続を容易に実現する観点からは、上述した金属の粉末を含む導電性ペーストを巻回体２の幅方向両側に塗布し、固化させることにより形成することが好ましい。すなわち、二枚の絶縁フィルム７，８を螺旋状に巻き取る作業の特性上、それぞれの側端面７ｃ，７ｄ，８ｃ，８ｄの位置（図３を参照）を正確に揃えることは難しく、幅方向位置のばらつきも不可避的に生じる。よって例えば電極３，４が板状だと、導電層５，６の各側端面５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂの全域に当接させることは極めて難しい。これに対してペースト状の導電性材料であれば、各側端面５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂの位置に倣って密着するため、例えば部分的にずれた部分があっても当該ずれた部分に倣って電極３，４が密着する。また、はんだ等など供給時に低粘度の液状になるものだと、各絶縁フィルム７，８の間に流れ込んで、絶縁すべき側の導電層５（６）に付着するおそれがある。これに対してペースト状の導電性材料であれば、各絶縁フィルム７，８の間に流れ込む事態を回避できるため、絶縁すべき側の導電層５（６）への付着を避けて、必要な側の導電層６（５）との間でのみ電気的な接続を得ることが可能となる。
【００６９】
（Ｓ５）仮焼き工程
この工程では、工程Ｓ４で得られた巻回体２に対して所定の熱処理（仮焼き）を行う。この熱処理は、第一及び第二の導電層５，６を形成する金属（例えばＡｇ合金など）が大気中で酸化を始める温度又はそれ以上の温度に加熱することで行われる。本実施形態では、例えば図１１に示す熱履歴が得られるように、巻回体２を加熱炉（乾燥炉など）に投入し、室温から昇温と保温とを繰り返し、目標の温度にまで加熱した（その後保温した）。図１１に示す熱履歴を辿る場合、室温から５０℃、７５℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃と２５℃ずつ昇温し、平均で各１０分保温することで、巻回体２に所定の熱処理を施した。上記熱処理の後、巻回体２を加熱炉から取り出して室温まで冷却した。これにより、巻回型フィルムコンデンサ１が完成する。なお、この際、巻回体２を構成する第一及び第二の導電層５，６の一部（例えば幅方向端部）には、酸化に伴う変色が絶縁フィルムを通して視認できる。
【００７０】
以上のように、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサ１の製造方法では、二層の導電層５，６及び二枚の絶縁フィルム７，８を交互に重ね合せてロール状に巻き取ってなる巻回体２に一対の電極３，４を設けた後、巻回体２に仮焼きを行うようにした。このように巻回体２に所定の熱処理を施すことによって、昇温に伴う静電容量の低下を抑制し、あるいは維持することができる。従って、静電容量に関わる高温環境特性をさらに向上させて、信頼性ひいては実用性を高めた巻回型フィルムコンデンサ１を提供することが可能となる。
【００７１】
また、本実施形態では、少なくとも一方の導電層５（６）をＡｇ合金とし、かつ巻回体２を１２５℃以上に加熱することで仮焼きを施したので、後述する実験結果が示すように、広い温度範囲内で、熱処理後の巻回体２を備えた巻回型フィルムコンデンサ１の静電容量が昇温に伴い低下する事態を有効に抑制し、又は温度によらず静電容量の大きさを維持することが可能となる。
【００７２】
以上、本発明の第一実施形態を説明したが、本発明に係る巻回型フィルムコンデンサ１又はその製造方法は、上記実施形態には限定されることなく、本発明の範囲内で種々の形態を採ることが可能である。
【００７３】
例えば、上記実施形態では、仮焼きとして、室温から最高で１７５℃まで昇温する熱履歴を辿る場合を例示したが、もちろんこれ以外の熱履歴を伴う熱処理（仮焼き）を行うことも可能である。例えば、図示は省略するが、工程Ｓ４で得られた巻回体２を、室温から最高で２５℃まで昇温する熱履歴を辿ってもよいし、それぞれ最高で３０℃、４０℃、５０℃、７５℃、１００℃まで昇温する熱履歴を辿ってもよい。要は、導電層５，６を形成する金属の酸化が実質的に始まる温度以上である限りにおいて、仮焼き時の最高温度は任意である。
【００７４】
巻回体２に対して仮焼きを行う場合、仮焼き時の温度が高いほど静電容量の低下を有効に抑制し、又は温度によらず広い温度範囲内で静電容量を所要の大きさに維持することが可能となる。その一方で、仮焼き時の温度が高すぎると、巻回型フィルムコンデンサ１の構成要素が変形し、巻回型フィルムコンデンサ１としての性能が低下するおそれも生じる。それ故、巻回型フィルムコンデンサ１を構成する各要素の耐熱性を考慮して、上記変形に起因した巻回型フィルムコンデンサ１の性能低下をできる限り抑制する観点からは、第一及び第二の電極３，４が設けられた巻回体２を、巻回型フィルムコンデンサ１を構成する各要素の軟化変形温度未満で加熱することで仮焼きを行うことが好ましい。
【００７５】
なお、仮焼きを行う時間は特に問わないが、巻回型フィルムコンデンサ１の性能を安定させる観点からは、仮焼きを開始してから終了するまでの時間（総時間）は１分以上に設定されるのが好ましく、２分以上、３分以上、５分以上、７分以上、１０分以上にそれぞれ設定されてもよい。要は、巻回型フィルムコンデンサ１の導電層５，６の酸化が、仮焼き温度（仮焼き時の最高温度）において一定の定常状態に達するまで、十分な時間をかけて加熱することが好ましい。こうすることで、少なくとも仮焼き温度未満の温度環境下でこの巻回型フィルムコンデンサ１を使用する際に、昇温に伴う静電容量の低下を抑制し、あるいは維持することができる。従って、静電容量に関する高温環境特性をさらに向上させて、信頼性ひいては実用性を高めた巻回型フィルムコンデンサ１を提供することが可能となる。
【００７６】
一方で、仮焼きを行う時間は、巻回型フィルムコンデンサ１の実質的な劣化を生じさせない程度に設定することが好ましい。例えば、仮焼きの温度（最高温度）が高い場合、長時間にわたって仮焼きを行うことで巻回型フィルムコンデンサ１の劣化を招くおそれが高まる。仮焼きの温度がそれほど高くない場合であっても、長時間にわたる必要以上の熱処理は、巻回型フィルムコンデンサ１の製造コストを増大させ、生産性の低下を招きかねない。以上の理由より、仮焼きの総時間は、長くても６時間以内に設定することが好ましく、３時間以内、２時間以内、１時間以内と短くなるにつれてより好ましい。要求される特性にもよるが、静電容量の一定管理が厳密な用途以外、つまり通常の用途であれば、１時間以内に設定するのがよく、好ましくは３０分以内、より好ましくは１０分以内に仮焼きの総時間を設定するのがよい。
【００７７】
また、上記実施形態では、第一及び第二の導電層５，６をともに金属膜とし、これら第一及び第二の金属膜（導電層５，６）をともに、第一の絶縁フィルム７の第一及び第二の表面７ａ，７ｂにそれぞれ成膜した場合を例示したが、もちろんこれ以外の形態を採ることも可能である。図１２は、その一例（本発明の第二実施形態）に係る巻回体２の斜視図であって、第一及び第二の導電層５，６と第一及び第二の絶縁フィルム７，８を仮想的に展開した状態を二点鎖線で示している。この図に示すように、本実施形態に係る巻回体２は、第一及び第二の導電層５，６をともに金属膜とし、かつ第一の金属膜（第一の導電層５）が第一の絶縁フィルム７の第一の表面（ここでは外側の表面）７ａに成膜されており、第二の金属膜（第二の導電層６）が第二の絶縁フィルム８の第三の表面（ここでは外側の表面）８ａに成膜されている。この場合、例えば図１２に示すように、巻回体２の半径方向外側から、第一の導電層５、第一の絶縁フィルム７、第二の導電層６、第二の絶縁フィルム８の順に配置されるよう、二枚の絶縁フィルム７，８をロール状に巻き取った形態をとることが可能である。また、巻き終わりの自由度を高める観点からは、図１３に示すように、巻回体２の半径方向外側から第一の絶縁フィルム７、第一の導電層５、第二の絶縁フィルム８、第二の導電層６の順に配置されるよう、二枚の絶縁フィルム７，８をロール状に巻き取った形態を採ることも可能である。もちろん、この場合、図３に示すように、第一の導電層５と第二の導電層６を互いに幅方向で異なる向きにオフセットした形態とする。あるいは、図示は省略するが、第一及び第二の導電層５，６をともに金属フィルムとし、これら第一及び第二の金属フィルムと第一及び第二の絶縁フィルム７，８とを、第一の金属フィルム、第一の絶縁フィルム７、第二の金属フィルム、第二の絶縁フィルム８の順に重ね合せてロール状に巻き取った形態をとってもよい。
【００７８】
また、巻回体形成工程Ｓ２に関し、例えば図１４に示すように、ロール状に巻き取られた状態の第一の絶縁フィルム７及び第二の絶縁フィルム８とを相互に重なり合うように引き出して、コア１１まわりに巻き取ることによって、巻回体２を形成してもよい（本発明の第三実施形態）。この場合、積層体９の形成工程Ｓ１と、巻回体２の形成工程Ｓ２とが同時に行われる。この場合、図示は省略するが、第二の絶縁フィルム８から巻き始めると共に、第二の絶縁フィルム８で巻き終わるようにするのがよい。
【００７９】
なお、本実施形態では、コア１１に対して同じ側（図１４でいえば、ともに左側）に第一の絶縁フィルム７のロール体２０と第二の絶縁フィルム８のロール体２１を配置してコア１１の周囲に引き出すようにしているが、もちろん第一の絶縁フィルム７のロール体２０と第二の絶縁フィルム８のロール体２１とをコア１１に対して異なる側に配置して（図１４でいえば、コア１１の左右一方の側にロール体２０、他方の側にロール体２１を配設して）コア１１の周囲に引き出すようにしてもよい。また、コア１１まわりの引き出し位置について、必ずしも同じ円周方向位置に双方の絶縁フィルム７，８を引き出す必要はなく、例えば図示は省略するが、円周方向で１８０°ずれた位置に向けて各々の絶縁フィルム７，８を引き出すようにしてもよい。
【００８０】
また、以上の説明では、巻回型フィルムコンデンサ１の巻回体２として、二枚の絶縁フィルム７，８が真円筒状に巻き取られた形態をなすものを例示したが（図９等を参照）、もちろんこれ以外の形状をなすものであってもよい。例えば図１５及び図１６に示すように、その中心線に沿った向きから見て、だ円形状をなす巻回体２２（本発明の第四実施形態）や、直線部分を含む扁平形状をなす巻回体２３（本発明の第五実施形態）など、二枚の絶縁フィルム７，８がロール状に巻き取られた形態をなす限りにおいて、種々の形態をとり得る。
【００８１】
また、以上の説明では、コア１１（図７を参照）まわりに積層体９を巻き取ることで、コア１１を中心に有する巻回体２を形成し（図１０を参照）、その後、コア１１を巻回体２から除去することで、最終的に、巻回体２の中心に貫通穴１０が形成された巻回型フィルムコンデンサ１を製造する場合を例示したが、もちろん、コア１１を中心に残した状態で完成品としての巻回型フィルムコンデンサ１を製造してもよい。その場合、図１０に示す状態から、巻回体２の幅方向両側に一対の電極３，４を設けることで、コア１１を一体に有する巻回型フィルムコンデンサ（図示は省略）を得ることが可能となる。
【実施例】
【００８２】
以下、本発明の作用効果を実施例に基づき説明する。
【００８３】
＜ガラス板の作製＞
まず、実施例１と比較例１に共通のガラス板を作製した。詳述すると、ガラス組成が、質量％で、ＳｉＯ2：６０％、Ａｌ2Ｏ3：１６％、Ｂ2Ｏ3：１０％、ＭｇＯ：１％、ＣａＯ：８％、ＳｒＯ：４．５％、ＢａＯ：０．３％、ＳｎＯ2：０．２％となるように、１種類のガラス原料を調合した後、得られたガラスバッチをガラス溶融炉に供給して１５００〜１６００℃で溶融した。次に、得られた溶融ガラスをカーボン板の上に流し出し、平板形状に成形した後、歪点から室温に至るまで１０時間をかけて徐冷処理を行うことで、所定のガラス板を得た。このガラス板の密度は２．４６ｇ／ｃｍ3、歪点は６５４℃、徐冷点は７０９℃、軟化点は９４４℃、高温粘度は１０4.0ｄＰａ・ｓで１２６８℃、１０3.0ｄＰａ・ｓで１４２８℃、１０2.5ｄＰａ・ｓで１５３２℃、熱膨張係数は３８×１０-7／℃、液相温度は１０８４℃、液相粘度は１０5.3ｄＰａ・ｓ、比誘電率は５．３であった。
【００８４】
なお、密度については、周知のアルキメデス法により測定した。
【００８５】
歪点と徐冷点については、ＡＳＴＭ  Ｃ３３６−７１に準拠した方法により測定した。
【００８６】
軟化点については、ＡＳＴＭ  Ｃ３３８−９３に準拠した方法により測定した。
【００８７】
高温粘度については、１０4.0ｄＰａ・ｓ、１０3.0ｄＰａ・ｓ、及び１０2.5ｄＰａ・ｓにおける温度を、白金球引き上げ法により測定した。
【００８８】
熱膨張係数については、３０〜３８０℃の範囲において、ディラトメーターにより測定した。
【００８９】
液相温度については、標準篩３０メッシュ（約５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（約３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボードに入れ、温度勾配炉中に２４時間保持して、結晶が析出する温度を測定した。
【００９０】
液相粘度については、上記液相温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法により測定した。
【００９１】
比誘電率については、ＡＳＴＭ  Ｄ１５０に準拠した方法により測定した。
【００９２】
＜コンデンサの作製＞
上記ガラス板を軟化点付近まで加熱した後、リドロー法により延伸成形して、長尺方向寸法５０ｍ、幅寸法２５ｍｍ、厚み寸法１０μｍのガラスフィルム（以下、基材ガラスフィルムと称する。）と、長尺方向寸法５０ｍ、幅方向寸法２５ｍｍ、厚み寸法９μｍのガラスフィルム（以下、介装ガラスフィルムと称する。）をそれぞれ得た。何れのガラスフィルムについても材質は同一である。また、算術平均粗さＲａはともに０．２ｎｍとした。
【００９３】
次に、得られた基材ガラスフィルムの一方の表面と他方の表面（本発明でいう第一の絶縁フィルム７の第一の表面７ａと第二の表面７ｂ）に対して、厚み寸法４５ｎｍの金属膜を成膜により形成した。金属はＡｇ合金とした。成膜に際し、一方の表面のうち第二の側端面（図３及び段落００５６を参照）から３ｍｍまでの領域をマスキングし、マスキング部分についてＡｇ合金膜が形成されないようにした。また、他方の表面のうち第一の側端面（図３及び段落００５６を参照）から３ｍｍまでの領域をマスキングし、マスキング部分についてＡｇ合金膜が形成されないようにした。このようにして、Ａｇ合金膜を形成した後、マスキング部を除去した。
【００９４】
続いて、基材ガラスフィルムと介装ガラスフィルムを重ね合せて、重ね合せたものを図７に示すように円柱状をなし外径寸法３０ｍｍのコアの外周面に巻き付けることで、巻回体を形成した。然る後、コアを巻回体から除去することで、巻回体の中心に貫通穴を形成した。
【００９５】
このようにしてコアを除去した後、巻回体の幅方向両側に導電性ペーストを塗布して固化させることにより、一対の電極を形成した。具体的には、基材ガラスフィルムの一方の表面に形成したＡｇ合金膜の第一の側端面全域が電気的に接続された状態とし、かつ他方の表面に形成したＡｇ合金膜の第一の側端面全域が一方の電極と接しない（電気的に接続されない）ようにした。また、基材ガラスフィルムの他方の表面に形成したＡｇ合金膜の第二の側端面全域が電気的に接続された状態とし、かつ一方の表面に形成したＡｇ合金膜の第二の側端面全域が他方の電極と接しない（電気的に接続されない）ようにした。ここで、導電性ペーストには、ベース樹脂にＡｇ粉末が配合されてなる導電性ペースト（具体的にはＩＴＷＣｈｅｍｔｒｏｎｉｃｓ社製ＣＷ２４００）を使用した。
【００９６】
このようにして、一対の電極が設けられた巻回体を形成した後、この巻回体の静電容量を、インピーダンスアナライザ（ソーラトロン社製１２６０型、印加電圧：１００ｍＶ）により測定した。具体的には、電極にリード線を取り付けて通電可能な状態にした巻回体（巻回型フィルムコンデンサ）を乾燥炉に投入し、図１１に示す熱履歴で昇温しながら、室温（昇温開始時）、５０℃、７５℃、１００℃、１２５℃、１５０℃、１７５℃における静電容量を測定した。
【００９７】
ここで、巻回体に一対の電極を設けた後、何らの熱処理を施さずに上述の手順で静電容量の測定を行う場合を比較例１とした。
【００９８】
一方、巻回体に一対の電極を設けた後、図１１に示す熱履歴で熱処理（仮焼き）を施した後、上述の手順で（すなわち図１１に示す熱履歴を付与しながら）静電容量の測定を行った。この場合を実施例１（１回目）とした。また、実施例１に係る静電容量の測定の後、一旦、実施例１に係る試験片を室温まで冷却し、然る後、再び上述の手順で静電容量の測定を行った。この場合を実施例１（２回目）とした。本実施例では、仮焼きの熱履歴と、静電容量の測定時における熱履歴とが同じであるため、１個の試験片に対して上述した熱履歴を伴う静電容量の測定を計３回行った。
【００９９】
また、本実施例では、上記試験片に対して、上述した一連の熱処理及び静電容量の測定を計３回行った。この際、周波数を変えて静電容量の測定を行った。実施した周波数は１２０Ｈｚ、１０００Ｈｚ、１００００Ｈｚの３水準である。
【０１００】
図１７に、周波数１２０Ｈｚにおける比較例１、実施例１（１回目、２回目）の静電容量の測定結果を示す。また、図１８に、周波数１０００Ｈｚにおける比較例１、実施例１（１回目、２回目）の静電容量の測定結果を示す。また、図１９に、周波数１００００Ｈｚにおける比較例１、実施例１（１回目、２回目）の静電容量の測定結果を示す。これらの図に示すように、何れの周波数下においても、巻回体に一対の電極を設けた後、何ら熱処理を施さなかった場合（比較例１）では、１００℃を超えたあたりから（１２５℃の時点で）、静電容量の低下が見られる。これに対して、巻回体に一対の電極を設けた後、所定の熱処理（仮焼き）を施した場合（実施例１）では、何れの周波数下においても、１００℃を超えて以降も、静電容量の顕著な低下は見られず、全温度範囲においてほぼ一定の値を示した。
【符号の説明】
【０１０１】
１      巻回型フィルムコンデンサ
２，２２，２３  巻回体
３，４  電極
５，６  導電層
７      第一の絶縁フィルム（ガラスフィルム）
８      第二の絶縁フィルム
９      積層体
１０    貫通穴
１１    コア
２０，２１  ロール体
Ｓ１    積層体形成工程
Ｓ２    巻回体形成工程
Ｓ４    電極形成工程
Ｓ５    仮焼き工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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