(57)【要約】【課題】薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、ベースと、前記ベース上に搭載された第１半導体チップと、前記第１半導体チップ上に設けられた第２半導体チップと、を備える。前記第２半導体チップは、第１部分と、前記第１半導体チップの中心の直上域を含み、前記第１部分よりも厚い第２部分と、前記第１半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第２部分よりも厚く、前記第１半導体チップを挟む位置に配置された第３部分と、を有する。【選択図】図２２
2019161007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
前記ベース上に搭載された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップ上に設けられた第２半導体チップと、
を備え、
前記第２半導体チップは、
第１部分と、
前記第１半導体チップの中心の直上域を含み、前記第１部分よりも厚い第２部分と、
前記第１半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第２部分よりも厚く、前記第１半導体チップを挟む位置に配置された第３部分と、
を有した半導体装置。
【請求項２】
前記第３部分における前記第２部分に向いた側面の上端部の曲率半径は、前記側面の下端部の曲率半径よりも大きい請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３部分の厚さと前記第１部分の厚さの差をＤとし、前記側面の上端部の曲率半径をＲとするとき、Ｒ／Ｄ比率が０．４以上である請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記Ｒ／Ｄ比率が０．８以上である請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの端部に位置し、前記第１部分よりも厚く、前記第３部分よりも薄い第４部分をさらに有した請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１半導体チップを前記ベースに接続する第１ワイヤと、
前記第２半導体チップを前記ベースに電気的に接続する第２ワイヤと、
前記第２半導体チップ上に設けられた複数の第３半導体チップと、
前記第３半導体チップを前記ベースに電気的に接続する複数の第３ワイヤと、
をさらに備え、
前記第３部分は前記第１ワイヤの直上域に配置されており、
前記第２半導体チップにおける前記第２ワイヤが接続された部分の直上域には、前記第３半導体チップは配置されておらず、
１つの前記第３半導体チップにおける前記第３ワイヤが接続された部分の直上域には、他の前記第３半導体チップは配置されていない請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
上方から見て、前記第１部分の形状は相互に平行な２本のライン状である請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
上方から見て、前記第１部分の形状は格子状である請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
ベース上に第１半導体チップを搭載する工程と、
第２半導体チップの表面を第１深さに研削することにより、ライン状の第１部分を複数本形成する工程と、
前記表面を前記第１深さよりも浅い第２深さに研削することにより、ライン状の第２部分を形成する工程と、
前記第２部分が前記第１半導体チップの中心に対向するように、前記第２半導体チップを前記ベースに搭載する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１部分を形成する工程は、第１ブレードで前記表面を加工する工程を有し、
前記第２部分を形成する工程は、第２ブレードで前記表面を加工する工程を有し、
前記第１ブレードの角部の曲率半径は、前記第２ブレードの角部の曲率半径よりも大きい請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを積層した半導体装置が知られている。このような半導体装置において、薄型化が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１３１５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、ベースと、前記ベース上に搭載された第１半導体チップと、前記第１半導体チップ上に設けられた第２半導体チップと、を備える。前記第２半導体チップは、第１部分と、前記第１半導体チップの中心の直上域を含み、前記第１部分よりも厚い第２部分と、前記第１半導体チップの直上域を除く部分の一部を含み、前記第２部分よりも厚く、前記第１半導体チップを挟む位置に配置された第３部分と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
【図２】図２（ａ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図４】図４（ａ）は、参考例に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図４（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図５（ｂ）は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図６】図６（ａ）は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図６（ｂ）は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図７】図７（ａ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図７（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図８】図８（ａ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図８（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｇ）は、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｈ）は、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｇ）は、第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｈ）は、第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第５実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｇ）は、第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｈ）は、第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図１６】図１６は、第７実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は、第７実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図１７（ｂ）は、第７実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。
【図１８】図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、第８実施形態に係る半導体装置を製造する製造方法の１つを例示する工程順模式断面図である。
【図１９】図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、第９実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図２０】図２０（ａ）及び図２０（ｂ）は、第９実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図２１】図２１（ａ）及び図２１（ｂ）は、第９実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図２２】図２２（ａ）は、第１０実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の一部拡大断面図である。
【図２３】図２３は、第１０実施形態の半導体チップを例示する模式的平面図である。
【図２４】図２４（ａ）は、第１０実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図２４（ｂ）は、第１０実施形態の第１変形例の半導体チップを例示する模式的平面図である。
【図２５】図２５（ａ）は、第１１実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図２５（ｂ）は、第１１実施形態の半導体チップを例示する模式的平面図である。
【図２６】図２６（ａ）は、第１１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図２６（ｂ）は、第１１実施形態の第１変形例の半導体チップを例示する模式的平面図である。
【図２７】図２７（ａ）〜（ｄ）は、第１２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【図２８】図２８（ａ）は、シミュレーションにおいて想定した構造を示す図であり、図２８（ｂ）は、横軸にＲ／Ｄ比率をとり、縦軸に角部に印加される主応力をとって、角部のラウンドが応力集中に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
【０００９】
本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を採用する。Ｚ軸方向のうち、一方を「上」ともいい、他方を「下」ともいうが、この表記は便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、第１実施形態に係る半導体装置１００ａは、ベース１と、半導体チップ２１〜２７とを含む。ベース１は、複数の配線を有した配線群１１を含む。ベース１は、例えば、絶縁性樹脂を含み、配線群１１は、絶縁性樹脂の内部に設けられている。ベース１の上面に平行な方向であって、相互に直交する方向が「Ｘ軸方向」及び「Ｙ軸方向」である。また、半導体チップ２１〜２７の積層方向が「Ｚ軸方向」である。Ｚ軸方向のうち、ベース１から半導体チップ２１に向かう方向を「上」とし、その反対方向を「下」とする。
【００１１】
図１（ｂ）に示すように、ベース１の上には、絶縁封止部材８が設けられている。絶縁封止部材８は、半導体チップ２１〜２７を囲む。半導体チップ２１〜２７は、絶縁封止部材８により絶縁封止されている。図１（ｂ）に示す状態は、半導体パッケージである。半導体チップ２１〜２７は、それぞれ、半導体素子部Ｄ１〜Ｄ７を有する。半導体素子部Ｄ１〜Ｄ７のそれぞれには、図示せぬ半導体素子が設けられている。第１実施形態において、半導体チップ２１は、例えば、コントローラチップである。半導体チップ２２〜２７のそれぞれは、例えば、半導体メモリチップである。半導体チップ２１は、半導体チップ２２〜２７と電気的に接続され、半導体チップ２２〜２７をコントロールする。ベース１には、複数の外部端子９が設けられている。複数の外部端子９のそれぞれは、配線群１１に含まれた配線の少なくとも１つに、電気的に接続され、そして、例えば、半導体チップ２１などに電気的に接続される。
【００１２】
図２（ａ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図２（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）には、ベース１、半導体チップ２１及び２２を示す。また、図２（ｂ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。図２（ｂ）に示す断面は、図２（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う。図２（ａ）に示す断面は、図２（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
【００１３】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、半導体チップ２２は、半導体素子部Ｄ２を有した領域３０と、領域３０と連続した部分３１と、領域３０と連続した部分３２と、を含む。本明細書において“連続した”とは、例えば、領域３０、部分３１及び部分３２が、例えば、１つの半導体基板からなることを含む。第１実施形態において、部分３１及び３２は、領域３０と接合されたものではなく“一体構造”である。半導体チップ２２は、例えば、溝１８０を含む。溝１８０は、領域３０、部分３１及び部分３２によって囲まれるように、半導体チップ２２に設けられている。第１実施形態において、溝１８０はラインパターンであり、例えば、Ｙ軸方向に延びる。
【００１４】
領域３０は平面を含む。平面は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに広がっている。図２（ｂ）に示すように、領域３０は、端面４１〜４４を含む。端面４１及び４２のそれぞれはＸ軸方向に延び、端面４２は端面４１から離れている。端面４３及び４４のそれぞれはＹ軸方向に延び、端面４４は端面４３から離れている。第１実施形態おいて、部分３１は、端面４１から端面４２まで、端面４４に沿って延びている。部分３２は、端面４１から端面４２まで、端面４３に沿って延びている。溝１８０は、端面４１から端面４２まで設けられている。溝１８０は、端面４１及び４２のそれぞれにおいて、半導体チップ２２の外に向かって開いている。部分３１及び３２のそれぞれは、ベース１と領域３０との間に位置する。部分３２は、Ｘ軸方向において部分３１と離れている。
【００１５】
なお、部分３１及び３２は、端面４１〜４４と接していなくてもよい。
【００１６】
半導体チップ２１は、ベース１と領域３０との間に位置する。半導体チップ２１は、部分３１及び部分３２のそれぞれと、例えば、離れている。半導体チップ２１はベース１の上に設けられ、例えば、接着部２１Ａによってベース１と接着されている。
【００１７】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、領域３０は、半導体チップ２１と半導体チップ２３との間に位置する。半導体チップ２３、２６、２４は、マイナスＸ軸方向にこの順にそれぞれオーバーハングしている。半導体チップ２７、２５は、プラスＸ軸方向にこの順にそれぞれオーバーハングしている。半導体チップ２４と半導体チップ２３との間には、半導体チップ２６が少なくとも１つ、位置していてもよい。半導体チップ２５と半導体チップ２４との間には、半導体チップ２７が少なくとも１つ、位置していてもよい。半導体チップの積層数は、任意である。第１実施形態において、例えば、半導体チップ２２、２３、２６、２４、２７及び２５は、この順にＺ軸方向に積層されている。これら半導体チップの間はそれぞれ順に接着部２３Ａ、２６Ａ、２４Ａ、２７Ａ及び２５Ａにより接着されてもよい。
【００１８】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）には、絶縁封止前の状態が示されている。図３（ａ）は半導体チップ２３〜２７を積層した後の平面を示し、図３（ｂ）は半導体チップ２３〜２７を積層する前の平面を示す。
【００１９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ベース１には、複数の端子電極７１〜７３がそれぞれ設けられている（端子電極７１は、図３（ａ）には示されていない。端子電極７１は、図１、図２も参照）。端子電極７１〜７３は、配線群１１に含まれた配線の少なくとも１つと電気的に接続される（配線群１１は、図２（ａ）参照）。端子電極７１〜７３と、配線群１１に含まれた配線との電気的な接続状態は、半導体装置に応じて任意に設定される。半導体チップ２１〜２７には、それぞれ、複数のパッド電極２１Ｐ〜２７Ｐが設けられている（パッド電極２１Ｐは、図２（ｂ）も参照）。パッド電極２１Ｐ〜２７Ｐは、それぞれ、半導体素子部Ｄ１〜Ｄ７と電気的に接続されている（半導体素子部Ｄ１〜Ｄ７は、図１（ａ）等参照）。第１実施形態において、パッド電極２２Ｐは、例えば、部分３１の上に設けられている（図３（ｂ）参照）。端子電極７１〜７３は、それぞれ、配線部材６１、６２、６４を介してパッド電極２１Ｐ、２２Ｐ及び２４Ｐと電気的に接続されている。
【００２０】
パッド電極２２Ｐは、配線部材６３を介してパッド電極２３Ｐと電気的に接続されている。パッド電極２３Ｐは、配線部材６５を介してパッド電極２６Ｐと電気的に接続されている。パッド電極２４Ｐは、配線部材６６を介してパッド電極２７Ｐと電気的に接続されている。パッド電極２７Ｐは、配線部材６７を介してパッド電極２５Ｐと電気的に接続されている。これにより、例えば、半導体チップ２１は、半導体チップ２２〜２７と電気的に接続される。配線部材６１〜６７のそれぞれは、例えば、ボンディングワイヤである。なお、配線部材６１〜６７は、ボンディングワイヤに限らず、他の電気的接続方式が採用されてもよい。例えば、配線部材６１〜６７のそれぞれ、もしくは少なくとも１つに、フリップチップ式半導体装置のバンプ電極を用いてもよい。ボンディングワイヤと、バンプ電極とを併用することも可能である。例えば、配線部材６１にバンプ電極を用い、配線部材６２〜６７にボンディングワイヤを用いるなどである。
【００２１】
半導体チップ２２は、溝１８０をベース１に向けて、ベース１の上に設けられている。第１実施形態によれば、領域３０とベース１との間に、例えば、ラインパターン状の溝１８０が得られる。半導体チップ２１は、ベース１の上において、溝１８０内に位置する。第１実施形態の溝１８０は、例えば、２つの開放端部を有する。このような溝１８０内には、例えば、図１（ｂ）に示したように、絶縁封止部材８を充填できる。例えば、絶縁封止部材８を、少なくとも部分３１と部分３２との間に、さらに設けることが可能である。さらに、絶縁封止部材８は、例えば、溝１８０内において、半導体チップ２１を囲む。
【００２２】
図４（ａ）は、参考例に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図４（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
【００２３】
図４（ａ）に示すように、参考例に係る半導体装置１００ｒは、低弾性樹脂材３００を半導体チップ２１及び配線部材６１の上に設け、半導体チップ２２ｒを低弾性樹脂材３００の上にマウントした例である。半導体装置１００ｒは、配線部材６１が、低弾性樹脂材３００によって埋め込まれた構造を有する。低弾性樹脂材３００には、例えば、配線部材６１のループ形状を保つため、例えば、粘度が低く、熱で容易に軟化する絶縁性の樹脂材が用いられる。低弾性樹脂材３００の弾性率は、例えば、配線部材６１〜６７のワイヤ配線材料に比較して低い。このため、低弾性樹脂材３００は、ワイヤ配線材料に比較して変形しやすい。しかも、低弾性樹脂材３００は、Ｚ軸方向の厚さが、配線部材６１の高さよりも十分に厚くされる。あるいは、半導体チップ２１がフリップチップ接続された場合には、Ｚ軸方向の厚さが、半導体チップ２１の高さよりも十分に厚くされる。例えば、配線部材６１の変形、切断を抑制するためである。半導体装置１００ｒにおいて、半導体チップ２２ｒのＺ軸方向の厚さｔ２２ｒを薄くすると、例えば、
（１）配線部材６２をワイヤボンディングする際、半導体チップ２２ｒが撓み、それに伴う振動が発生する可能性がある
（２）半導体チップ２２ｒが、例えば、熱工程における熱によって反る可能性がある
という、事情を生じる。このため、厚さｔ２２ｒは、厚く設定せざるを得ない。半導体装置１００ｒでは、例えば、ベース１上におけるＺ軸方向の厚さＨ１が厚くなりやすい。したがって、半導体装置１００ｒでは、パッケージの薄型化が難しくなっている。
【００２４】
これに対し、第１実施形態に係る半導体装置１００ａでは、例えば、低弾性樹脂材３００に代えて、半導体チップ２２に、部分３１及び部分３２が設けられる。例えば、低弾性樹脂材３００のＺ軸方向の厚さと、部分３１及び部分３２のＺ軸方向の厚さとを、ほぼ等しく設定したと仮定する（例えば、接着部２１ＡのＺ軸方向の厚さを含む）。
【００２５】
部分３１及び部分３２は、半導体基板、例えば、シリコン基板である。このため、低弾性樹脂材３００に比較して、変形し難い。第１実施形態の半導体チップ２２において、参考例の半導体チップ２２ｒと対応する領域は、領域３０である。領域３０のＺ軸方向の厚さｔ３０は、“撓み”及び“反り”を抑制しつつ、厚さｔ２２ｒよりも薄くすることが可能である。したがって、第１実施形態に係る半導体装置１００ａによれば、例えば、ベース１上におけるＺ軸方向の厚さＨ２を、厚さＨ１に比較して薄くできる。
【００２６】
このように、第１実施形態によれば、パッケージの薄型化が可能な半導体装置を提供できる。さらに、パッケージの厚さの増加を抑制しつつ、半導体チップの積層数を増加させることもできる。
【００２７】
低弾性樹脂材３００は、例えば、厚さが５〜１０μｍ程度であるＤＡＦ材に比較して高価である。半導体装置１００ｒは、製造コストが上昇しやすい。しかし、第１実施形態の半導体装置１００ａは、例えば、低弾性樹脂材３００を用いずに済む。半導体装置１００ａの接着部２１Ａには、例えば、ＤＡＦ材を用いることが可能である。したがって、第１実施形態に係る半導体装置１００ａによれば、参考例に係る半導体装置１００ｒに比較して、製造コストの上昇を抑制することもできる。
【００２８】
さらに、配線部材６２や配線部材６４が、例えば、ワイヤボンディング工程や、パッケージングの際の樹脂封止工程において、切れ難くなる、という利点も得ることができる。
【００２９】
これは、図４（ａ）に示した半導体チップ２２ｒにボンディングされる配線部材６２と、低弾性樹脂材３００を適用した場合の図１（ａ）の半導体チップ２４にボンディングされる配線部材６４とは、図４（ａ）に示した低弾性樹脂３００の剛性が低いため、接合時に撓みや振動が生じやすい。このため、ボンディング装置から印加される接合エネルギー（荷重や超音波）が不安定、あるいは不足し易い状態となる。このため、半導体装置１００ｒでは、配線部材６２とパッド電極２２Ｐとの接合強度、及び、配線部材６４とパッド電極２４Ｐとの接合強度のそれぞれに、充分な接合強度が得られにくい。
【００３０】
これに対し、図４（ｂ）に示した半導体チップ２２にボンディングされる配線部材６２と、図１（ａ）の半導体チップ２４にボンディングされる配線部材６４の場合は、部分３１及び部分３２のそれぞれが高剛性であり、撓みが生じ難い。したがって、半導体装置１００は、ボンディング装置から印加される接合エネルギーを、半導体装置１００ｒに比較して充分に得ることができ、配線部材６２とパッド電極２２Ｐとの接合強度、及び、配線部材６４とパッド電極２４Ｐとの接合強度のそれぞれを高くすることができる。
【００３１】
低弾性樹脂材３００は、熱膨張率（Coefficient of Thermal Expansion: ＣＴＥ）が、例えば、シリコンに比較して大きい。このため、例えば、加熱工程において低弾性樹脂材３００が盛り上がり、半導体チップ２２ｒなどに対してクラックを誘発する可能性がある。
【００３２】
これに対して、第１実施形態では、例えば、接着部２１Ａなどを熱硬化させる工程において、絶縁封止部材は、充填する必要がない。したがって、半導体チップ２２などに対するクラックの発生を抑制できる。
【００３３】
さらに、半導体チップ２２は、領域３０に加えて、部分３１及び部分３２を含む。半導体チップ２２のＺ軸方向の厚さＨ２は、参考例の半導体チップ２２ｒのＺ軸方向の厚さｔ２２ｒよりも厚くできる。このため、半導体チップ１００ａは、参考例の半導体チップ１００ｒに比較して、例えば、剛性を向上でき、反り難くすることも可能である。
【００３４】
さらに、図３（ｂ）に示したように、第１実施形態では、例えば、パッド電極２２Ｐが部分３１の上に設けられている。部分３１及び３２は、半導体基板、例えば、シリコン基板そのものである。部分３１及び３２におけるＺ軸方向の厚さは、溝１８０が設けられた部分におけるＺ軸方向の厚さよりも厚い。しかも、部分３１及び３２は、ベース１の上に、溝１８０を介することなく配置されている。したがって、部分３１及び３２の部分は、溝１８０が設けられた部分に比較して、Ｚ軸方向の厚さが厚く剛性が高い。部分３１及び３２の部分は、半導体チップ２２において、溝１８０が設けられた部分に比較して、変形しにくい部分である。
【００３５】
このように、パッド電極２２Ｐは、例えば、部分３１及び３２の少なくとも１つの上に配置する。これにより、例えば、ワイヤボンディング工程において、半導体チップ２２の変形や撓み、それらに伴う振動の発生を抑制することができ、接合強度に必要な条件を満足させることができる。したがって、溝１８０を有した半導体チップ２２において、パッド電極２２Ｐと配線部材６２との接合強度の低下を抑制できる、という利点を、さらに得ることができる。
【００３６】
また、上記利点は、例えば、半導体チップ２２において、溝１８０の上の部分にはパッド電極２２Ｐを配置しないことにより、さらに良く得ることができる。
【００３７】
なお、実施形態から得られる、他の技術的効果については、後述する変形例及び他の実施形態において適宜説明する。
【００３８】
（第１実施形態：第１変形例）
図５（ａ）は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図５（ａ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。
【００３９】
図５（ａ）に示すように、Ｚ軸方向に沿った方向から見て、端子電極７１は、その全てを、半導体チップ２２で覆われる必要はない。第１変形例に係る半導体装置１００ａａの半導体チップ２２は、例えば、Ｙ軸方向に沿って端面４１から端面４２に達する溝１８０を有する。このような半導体装置１００ａａの場合、一部の端子電極７１は、端面４１及び４２の少なくとも１つの外側に位置するように、ベース１の上に配置することが可能である。図５（ａ）には、一部の端子電極７１を、端面４１及び４２のそれぞれの外側に位置するように、ベース１の上に配置した例を示す。
【００４０】
第１実施形態によれば、半導体チップ２２が、例えば、端面４１から端面４１に達する溝１８０を備えている。従って、本第１変形例に示したように、例えば、端子電極７１のベース１上への配置の自由度を高めることができる、という利点を、さらに得ることもできる。
【００４１】
（第１実施形態：第２変形例）
図５（ｂ）は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図５（ｂ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。
【００４２】
図５（ｂ）に示すように、Ｚ軸方向に沿った方向から見て、半導体チップ２１は、その全てを、半導体チップ２２で覆う必要はない。例えば、半導体チップ２１のＸ軸方向に沿った２つ端面の少なくとも１つを、端面４１及び４２の少なくとも１つの外側に位置するように、ベース１の上に配置してもよい。
【００４３】
第２変形例に係る半導体装置１００ａｂでは、半導体チップ２１のＹ軸方向の長さＬＹ２１は、半導体チップ２２のＹ軸方向の長さＬＹ２２よりも長い。第１実施形態によれば、半導体チップ２２が、例えば、端面４１から端面４１に達する溝１８０を備えている。このため、長さＬＹ２１が、長さＬＹ２２よりも長い半導体チップ２１であっても、ベース１の上に配置することができる。この関係と同じ関係ではあるが、長さＬＹ２２が、長さＬＹ２１よりも短い半導体チップ２２であっても、ベース１の上に配置することができる。
【００４４】
第１実施形態によれば、本第２変形例に示したように、配置可能なチップの制約を、緩和することもできる。このため、例えば、半導体チップ２１及び２２のチップサイズの変更に対しても対応しやすい、という利点を得ることもできる。
【００４５】
（第１実施形態：第３変形例）
図６（ａ）は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図６（ａ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。
【００４６】
図６（ａ）に示すように、半導体チップ２２の形状は、Ｚ軸方向に沿った方向から見て、長軸と短軸とを有した長方形である。このような場合、部分３１及び３２は、長軸に沿って設けることも可能である。第３変形例に係る半導体装置１００ａｃの半導体チップ２２は、Ｘ軸方向に沿って長軸、Ｙ軸方向に沿って短軸である。部分３１及び３２のそれぞれは、Ｘ軸方向に沿っている。
【００４７】
第１実施形態によれば、半導体チップ２２の剛性の低下を緩和できる。第３変形例のように、部分３１及び３２のそれぞれを、半導体チップ２２の長軸方向に沿って設けると、剛性の低下を緩和できる効果を、さらに、良く得ることが可能となる。
【００４８】
第３変形例においても、パッド電極２２Ｐは、例えば、部分３１及び３２の少なくとも１つの上に配置するとよい。これにより、半導体チップ２２が、Ｚ軸方向の厚さが薄い領域３０を含んでいたとしても、パッド電極２２Ｐと配線部材６２との接合強度の低下を抑制できる。第３変形例では、このような効果を維持したまま、パッド電極２２Ｐの数を、部分３１及び３２が短軸方向に沿っている場合に比較して、増加させることもできる。
【００４９】
（第１実施形態：第４変形例）
図６（ｂ）は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図６（ｂ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。
【００５０】
図６（ｂ）に示すように、端子電極７１は、部分３１と半導体チップ２１との間の領域、及び、部分３２と半導体チップ２１との間の領域のいずれか１つ又は双方に、配置しなくてもよい。図６（ｂ）には、端子電極７１は、部分３１と半導体チップ２１との間の領域、及び、部分３２と半導体チップ２１との間の領域の双方に、配置しない例を示す。
【００５１】
半導体チップ２１は、Ｚ軸方向に沿った方向から見て、４つの辺を有した四角形である。例えば、第４変形例では、パッド電極２１Ｐは、半導体チップ２１の１〜３つの辺に対応して半導体チップ２１に配置される。図６（ｂ）には、パッド電極２１Ｐを、Ｘ軸方向に沿った一対の辺に対応して半導体チップ２１に配置した例を示す。パッド電極２１Ｐは、半導体チップ２１の、Ｙ軸方向に沿った一対の辺に隣接した領域には、配置されていない。Ｙ軸方向に沿った一対の辺は、それぞれ、部分３１及び３２と隣接する。
【００５２】
例えば、端子電極７１は、半導体チップ２１の、パッド電極２１Ｐが配置された上記１〜３つの辺に対応してベース１に配置される。図６（ｂ）には、端子電極７１を、半導体チップ２１のＸ軸方向に沿った一対に対応してベース１に配置した例を示す。端子電極７１は、半導体チップ２１のＹ軸方向に沿った一対の辺と部分３１及び３２との間には、それぞれ、配置されていない。
【００５３】
例えば、配線部材６１は、パッド電極２１Ｐが配置された上記１〜３つの辺を跨いで、パッド電極２１Ｐと端子電極７１とを電気的に接続する。図６（ｂ）には、配線部材６１が半導体チップ２１のＸ軸方向に沿った一対の辺を跨ぐことにより、パッド電極２１Ｐと端子電極７１とを電気的に接続した例を示す。半導体チップ２１のＹ軸方向に沿った一対の辺を跨ぐ、配線部材６１はない。
【００５４】
第４変形例では、半導体チップ２１のＹ軸方向に沿った一対の辺と、部分３１及び３２の少なくとも１つとの間には、Ｙ軸方向に沿ってクリアランス７５が存在する。クリアランス７５は、例えば、端子電極７１及び配線部材６１を含むことなく、例えば、図１（ｂ）に示した絶縁封止部材８が設けられる。クリアランス７５は、絶縁封止部材８で埋め込まずに、例えば、エアギャップとすることも可能である。しかし、加熱によるエアの膨張による不具合を避けるため、アンダーフィル、絶縁樹脂材などの材料で埋めたほうがよい。
【００５５】
第４変形例では、クリアランス７５の、例えば、Ｘ軸方向に沿った長さを詰めることで、半導体チップ２２のＸ軸方向の長さを短くすることができる。したがって、半導体チップ２２のサイズを縮小できる、という利点を得ることができる。半導体チップ２２のサイズを縮小できる第４変形例では、例えば、ベース１のサイズを縮小することも可能である。このような第４変形例は、例えば、半導体パッケージの小型化に有利である。
【００５６】
クリアランス７５の、例えば、Ｘ軸方向に沿った長さを詰めると、部分３１及び３２の少なくとも１つのＸ軸方向の長さを、半導体チップ２２のＸ軸方向の長さを変更しなくても長くできる。したがって、第４変形例では、半導体チップ２２の剛性を、さらに高めることも可能である。
【００５７】
クリアランス７５は、無くすことも可能である。第４変形例では、例えば、部分３１及び３２の少なくとも１つを、半導体チップ２１と接触させてもよい。
【００５８】
（第２実施形態）
図７（ａ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図７（ｂ）は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）には、ベース１、半導体チップ２１及び２２を示す。また、図７（ｂ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。図７（ｂ）に示す断面は、図７（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う。図７（ａ）に示す断面は、図７（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
【００５９】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第２実施形態に係る半導体装置１００ｂの半導体チップ２２は、第１実施形態の半導体チップ２２に対して、部分３３及び部分３４を、さらに含む。
【００６０】
部分３３は、領域３０と連続している。部分３３は、Ｙ軸方向において部分３１及び部分３２のそれぞれと離れている。部分３４は、領域３０と連続している。部分３４は、Ｘ軸方向において部分と離れ、Ｙ軸方向において部分３１及び部分３２のそれぞれと離れている。半導体チップ２１は、部分３３及び部分３４のそれぞれと、例えば、離れている。
【００６１】
半導体チップ２２は、角部５１〜５４を含む。端面４１及び端面４４は、角部５１において、交わる。端面４１及び端面４３は、角部５２において、交わる。端面４２及び端面４４は、角部５３において、交わる。端面４２及び端面４３は、角部５４において、交わる。例えば、部分３１〜３４は、それぞれ、角部５１〜５４を含む領域に位置する。
【００６２】
なお、部分３１〜３４は、角部５１〜５４と接していなくてもよい。
【００６３】
第２実施形態の半導体チップ２２が含む溝１８１は、クロスパターンであり、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに延びる。溝１８１は、４つの端部を含む。４つの端部は、それぞれ、端面４１〜４４のそれぞれにおいて、半導体チップ２２の外に向かって開いている。第２実施形態によれば、領域３０とベース１との間に、例えば、クロスパターン状の溝１８１が得られる。半導体チップ２１は、ベース１の上において、溝１８１に位置する。
【００６４】
半導体チップ２２は、例えば、部分３１〜３４を含んでいてもよい。第２実施形態によれば、領域３０とベース１との間に、４つの開放端部を有した溝１８１が得られる。このような溝１８１を有した第２実施形態によれば、例えば、第１実施形態に比較して、樹脂の充填経路が多くなるため、溝１８１内に、絶縁封止部材８を、さらに充填しやすい、という利点を得ることができる。
【００６５】
なお、第２実施形態においても、第１実施形態の第１〜第４変形例と同様の変形が可能である。
【００６６】
（第３実施形態）
図８（ａ）は、第３実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図８（ｂ）は、第３実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図８（ａ）及び図８（ｂ）には、ベース１、半導体チップ２１及び２２を示す。また、図８（ｂ）では、半導体チップ２２の一部を断面として示す。図８（ｂ）に示す断面は、図８（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う。図８（ａ）に示す断面は、図７（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
【００６７】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、第３実施形態に係る半導体装置１００ｃの半導体チップ２２は、第１実施形態の半導体チップ２２に対して、部分３５及び部分３６を、さらに含む。
【００６８】
部分３５は、領域３０、部分３１及び部分３２と連続している。部分３６は、Ｙ軸方向において部分３５と離れ、領域３０、部分３１及び部分３２と連続している。部分３５は、部分３１から部分３２まで、端面４１に沿って延びている。部分３６は、部分３１から部分３２まで、端面４２に沿って延びている。
【００６９】
第３実施形態の半導体チップ２２は、部分３１、３２、３５及び３６のそれぞれを壁とし、領域３０を底とした凹部１８２を含む。半導体チップ２２は、凹部１８２をベース１に向けて、ベース１の上に設けられている。第３実施形態によれば、領域３０とベース１との間に、例えば、キャビティが得られる。半導体チップ２１は、ベース１の上において、キャビティ内に位置する。
【００７０】
半導体チップ２２は、例えば、部分３１、３２、３５及び３６を有した環状部を含んでいていてもよい。環状部は、例えば、端面４１〜４４に沿う。第３実施形態によれば、環状部を有するので、半導体チップ２２の剛性が、例えば、第１、第２実施形態に比較して、さらに高まる、という利点を得ることができる。
【００７１】
なお、部分３１、３２、３５及び３６は、端面４１〜４４と接していなくてもよい。また、第３実施形態におけるキャビティ内は、例えば、絶縁封止部材８を充填してもよいし、充填しなくてもよい。キャビティ内を、絶縁封止部材８で充填しない場合には、キャビティ内は、例えば、エアギャップとなる。さらに、第３実施形態においては、第１実施形態の第３、第４変形例と同様の変形が可能である。例えば、第３実施形態において、クリアランス７５を設けた場合、クリアランス７５は、例えば、絶縁封止部材８で埋め込まずに、例えば、エアギャップとすることも可能である。しかし、加熱によるエアの膨張による不具合を防ぐためにも、アンダーフィル、絶縁樹脂材などによる封止が望ましい。なお、この事情は、真空中で封止すれば解消することも可能である。
【００７２】
（第４実施形態）
図９（ａ）〜図９（ｇ）は、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図１０（ａ）〜図１０（ｈ）は、第４実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第４実施形態では、例えば、半導体チップ２２の製造方法を例示する。
【００７３】
図９（ａ）及び図１０（ａ）に示すように、複数の半導体素子部Ｄ２を形成したシリコンウェハＷ（以下ウェハという）を用意する。ウェハＷは、半導体素子部Ｄ２を備えた第１面と、Ｚ軸方向において第１面と離れた第２面とを含む。次いで、ウェハＷの第１面の上に、表面保護テープ１１０を接着する。
【００７４】
次に、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）に示すように、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第２面を、研削砥石１２０を用いて研削し、後退させる。この工程は、いわゆるＢＳＧ（Back Side Grinding）工程である。
【００７５】
次に、図９（ｃ）及び図１０（ｃ）に示すように、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第２面を、ダイシングリング１３０の上に張り合わせた接着樹脂に接着する。接着樹脂の１つの例は、ＤＡＦ（Die Attach Film）１４０ａである。ＤＡＦ１４０ａは、例えば、接着樹脂１４０ｂによって基材１４０ｃに接着されている。基材１４０ｃは、例えば、ＰＥＴ（PolyEthylene Terephthalate）などの樹脂材である。
【００７６】
次に、図９（ｄ）及び図１０（ｄ）に示すように、ウェハＷの第１面から、表面保護テープ１１０を剥がす。
【００７７】
次に、図９（ｅ）及び図１０（ｅ）に示すように、ブレード１５０を用いて、ウェハＷをダイシングする。ウェハＷには、ダイシングライン１６０が形成される。ダイシングライン１６０は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに沿って形成される。ウェハＷは、複数の半導体チップ２２に分離される。
【００７８】
次に、図９（ｆ）及び図１０（ｆ）に示すように、例えば、紫外線を照射し、接着樹脂１４０ｂの粘着力を低下させる。次いで、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第１面を、ダイシングリング１３０の上に設けたダイシングテープ１７０に接着する。次いで、例えば、接着樹脂１４０ｂ及び基材１４０ｃをＤＡＦ１４０ａから剥離する。
【００７９】
次に、図９（ｇ）及び図１０（ｇ）に示すように、複数の半導体チップ２２に分離されたウェハＷに、凹部を形成する。本実施形態では、ウェハＷに、溝１８０を形成する。溝１８０を形成する際には、溝１８０が所定の幅となるように、例えば、ブレード１５０を、ウェハＷに、Ｙ軸方向に沿って数回入れてもよい。
【００８０】
次に、図１０（ｈ）に示すように、半導体チップ２２をそれぞれ反転させ、ＤＡＦ１４０ａを、ダイシングテープ１７１に接着する。この後、ダイシングテープ１７１に紫外線を照射するなどして、粘着力を低下させ、半導体チップ２２を、ダイシングテープ１７１からピックアップし、ベース１の上に接着する。
【００８１】
例えば、第１実施形態の半導体チップ２２は、例えば、ブレード１５０を用いて溝１８０を形成することで、製造することができる。
【００８２】
また、第２実施形態の半導体チップ２２を製造する場合には、例えば、図９（ｇ）及び図１０（ｇ）に示した工程において、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれにおいて溝を形成し、クロスパターンの溝１８１をウェハＷに形成すればよい。
【００８３】
さらに、第３実施形態の半導体チップ２２を製造する場合には、例えば、あらかじめＤＡＦ１４０ａに凹部１８２に対応する窓を形成し、凹部１８２に対応する位置のＤＡＦを除いたシートを用いればよい。この場合は、接着樹脂１４０ｂ及び基材１４０ｃをＤＡＦ１４０ａから剥離した後にも、凹部１８２に対応する位置にＤＡＦは形成されない。その後、ＤＡＦ１４０ａをエッチングのマスクに用いて、ウェハＷをＲＩＥ法、サンドブラスト法、又はウェットエッチング法などにより、ウェハＷに凹部１８２を形成すればよい。
【００８４】
これら第２、第３実施形態の半導体チップ２２の製造方法は、以下説明する第５、第６実施形態でも同様に適用される。
【００８５】
（第５実施形態）
図１１（ａ）〜図１１（ｇ）は、第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図１２（ａ）〜図１２（ｈ）は、第５実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第５実施形態では、例えば、半導体チップ２１の別の製造方法を例示する。
【００８６】
図１１（ｄ）及び図１２（ｄ）に示すように、例えば、第４実施形態において、図９（ａ）〜図１０（ｄ）を参照して説明した方法に従って、ウェハＷの第２面を研削し、ウェハＷの第２面をＤＡＦ１４０ａに接着し、ウェハＷの第１面から、表面保護テープ１１０を剥がす。
【００８７】
次に、図１１（ｅ）及び図１２（ｅ）に示すように、例えば、紫外線を照射し、接着樹脂１４０ｂの粘着力を低下させる。次いで、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第１面を、ダイシングリング１３０の上に設けたダイシングテープ１７０に接着する。次いで、例えば、接着樹脂１４０ｂ及び基材１４０ｃをＤＡＦ１４０ａから剥離する。
【００８８】
次に、図１１（ｆ）及び図１２（ｆ）に示すように、ブレード１５０を用いて、ウェハＷに、溝１８０を形成する。
【００８９】
次に、図１２（ｇ）に示すように、ウェハＷを反転させ、ＤＡＦ１４０ａを、ダイシングテープ１７１に接着する。
【００９０】
次に、図１１（ｇ）及び図１２（ｈ）に示すように、ブレード１５０を用いて、ウェハＷをダイシングする。ウェハＷには、ダイシングライン１６０が形成される。これにより、例えば、ダイシングテープ１７１の上において、半導体チップ２２が得られる。この後、半導体チップ２２を、ダイシングテープ１７１からピックアップし、ベース１の上に接着する。
【００９１】
このように、例えば、溝１８０は、ダイシングライン１６０よりも先に、形成することも可能である。第５実施形態に係る製造方法によれば、溝１８０を、ウェハＷが半導体チップ２２に分離される前に形成するので、例えば、溝１８０を形成時において位置ずれが少ない、という利点を得ることができる。
【００９２】
（第５実施形態：第１変形例）
図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は、第５実施形態の第１変形例に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。
【００９３】
図１３（ａ）に示すように、例えば、第５実施形態において、図１１（ａ）〜図１２（ｆ）を参照して説明した方法に従って、ブレードを用いて、ダイシングテープ１７０上のウェハＷに、溝１８０を形成する。
【００９４】
次に、図１３（ｂ）に示すように、ブレードを用いて、ダイシングテープ１７０上のウェハＷに、ダイシングライン１６０を形成する。これにより、例えば、ダイシングテープ１７０の上において、半導体チップ２２が得られる。
【００９５】
次に、図１３（ｃ）に示すように、ウェハＷを反転させ、接着部１４０ｂを、ダイシングテープ１７１に接着する。次いで、ダイシングテープ１７０を素子形成面から剥がす。この後、半導体チップ２２を、ダイシングテープ１７１からピックアップし、ベース１の上に接着する。
【００９６】
このように、ウェハＷを反転させずに、ダイシングライン１６０を形成することも可能である。
【００９７】
また、溝１８０をブレードを用いて形成する場合には、溝１８０を、ダイシングライン１６０と同じ工程にて形成することも可能である。即ち、図１３（ａ）に示した溝１８０の形成工程と、図１３（ｂ）に示したダイシング工程とを、同時に行う。ウェハＷに入れるブレードの深さを変えると、溝１８０及びダイシングライン１６０のそれぞれを作り分けることができる。例えば、溝１８０を形成する時には、ウェハＷが分断されないように、ブレード１５０をウェハＷに浅く入れ、ダイシングライン１６０を形成する時には、ウェハＷが分断されるように、ブレード１５０をウェハＷに深く入れる。これにより、溝１８０と、ダイシングライン１６０とを、同一の工程にて形成できる。
【００９８】
なお、溝１８１についても、ダイシング工程にて形成できる。さらに、凹部１８２についても、例えば、ブレード等のツールを変更すれば、ダイシング工程にて、ダイシングライン１６０とともに形成することが可能である。
【００９９】
このように、複数の半導体チップのそれぞれに溝１８１、１８２又は凹部１８２を形成する工程は、
（ａ）ウェハＷを複数の半導体チップに分離する工程の前
（ｂ）ウェハＷを複数の半導体チップに分離する工程の後
（ｃ）ウェハＷを複数の半導体チップに分離する工程の時
上記（ａ）〜（ｃ）のいずれか１つに行うことができる。
【０１００】
（第６実施形態）
図１４（ａ）〜図１４（ｇ）は、第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式斜視図である。図１５（ａ）〜図１５（ｈ）は、第６実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第６実施形態では、例えば、半導体チップ２２の製造方法を例示する。
【０１０１】
図１４（ａ）及び図１５（ａ）に示すように、ブレード１５０を用いて、複数の半導体素子部Ｄ２を形成したシリコンウェハＷの第１面に、ハーフカット溝１６０ａを形成する。ハーフカット溝１６０ａは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに沿って形成される。ハーフカット溝１６０ａのＺ軸方向の深さは、例えば、半導体チップ２２のＺ軸方向の厚さ（最終的な厚さ＝仕上げ厚さ）以上の深さとされる。
【０１０２】
次に、図１４（ｂ）及び図１５（ｂ）に示すように、ハーフカット溝１６０ａが形成されたウェハＷの第１面の上に、表面保護テープ１１０を接着する。
【０１０３】
次に、図１４（ｃ）及び図１５（ｃ）に示すように、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第２面を、研削砥石１２０を用いて研削し、後退させる。ウェハＷは、複数の半導体チップ２２に分離される。即ち、第６実施形態は、ＢＳＧ工程より、ダイシング工程を先に行う、いわゆるＤＢＧ工法（Dicing Before Grinding）を用いた例である。
【０１０４】
次に、図１４（ｄ）及び図１５（ｄ）に示すように、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第２面を、ダイシングリング１３０の上に張り合わせた接着樹脂、例えば、ＤＡＦ１４０ａに接着する。
【０１０５】
次に、図１４（ｅ）及び図１５（ｅ）に示すように、ウェハＷの第１面から、表面保護テープ１１０を剥がす。
【０１０６】
次に、図１４（ｆ）及び図１５（ｆ）に示すように、接着樹脂１４０ｂの粘着力を低下させた後、ウェハＷを反転させ、ウェハＷの第１面を、ダイシングテープ１７０に接着する。次いで、接着樹脂１４０ｂ及び基材１４０ｃをＤＡＦ１４０ａから剥離する。
【０１０７】
次に、図１４（ｇ）及び図１５（ｇ）に示すように、複数の半導体チップ２２に分離されたウェハＷに、凹部を形成する。本実施形態では、ウェハＷに、例えば、ブレード１５０を用いて溝１８０を形成する。次いで、ＤＡＦ１４０ａを切断し、ＤＡＦ１４０ａを、複数の半導体チップ２２ごとに分離する。ＤＡＦ１４０ａの切断には、例えば、レーザー１５１を用いればよい。なお、このレーザー１５１によるＤＡＦ１４０ａの切断は、図１５（ｅ）に示した工程で実施してもよい。
【０１０８】
次に、図１５（ｈ）に示すように、半導体チップ２２をそれぞれ反転させ、ＤＡＦ１４０ａを、ダイシングテープ１７１に接着する。この後、半導体チップ２２を、ダイシングテープ１７１からピックアップし、ベース１の上に接着する。
【０１０９】
第６実施形態のように、ウェハＷのダイシングには、ＤＢＧ工法を用いることも可能である。
【０１１０】
（第７実施形態）
図１６は、第７実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。
図１６に示すように、第６実施形態に係る半導体装置１００ｆは、半導体チップ２３〜２７のそれぞれのＺ軸方向の厚さｔ２３〜ｔ２７を、互いに等しくした例である。
【０１１１】
実施形態に係る半導体装置は、複数の半導体チップを、例えば、Ｘ軸方向にずらしながら積み、積み重ねる方向を、途中で、反対向きとして、さらに積み重ねる。例えば、第７実施形態に係る半導体装置１００ｆにおいては、半導体チップ２４において、積み重ねる方向が、反対向きとなる。半導体チップ２４は、Ｚ軸方向に積み重なった半導体チップ２２、２３、２５〜２７に対して、例えば、“片持ち梁”のような形状となる。半導体チップ２４は、部分３１及び３２の少なくとも１つとオーバーラップした部分３７と、半導体チップ２２からオーバーハングした部分３８とを備えている。
【０１１２】
例えば、図４（ａ）を参照して説明した参考例に係る半導体装置１００ｒのように、絶縁性樹脂材３００を用いた場合、絶縁性樹脂材３００が低弾性率であるために、例えば、ワイヤボンディング時の衝撃により、微小なたわみや、それに伴う“振動”が発生しやすい。特に“片持ち梁”のような形状となる半導体チップ２４では、ワイヤボンディング時、半導体チップ２４の部分３８とベース１との間には、空間が広がる。しかも、パッド電極２４Ｐ（図３（ａ）参照）は、部分３８に配置されている。このため、半導体チップ２４は、ワイヤボンディング時の衝撃によって、特に“たわみ”や“振動”が生じやすい。半導体チップ２４の中でも、部分３８は、特に撓みやすく、振動しやすい。
【０１１３】
半導体チップ２４の“たわみ”や“振動”は、ワイヤボンディングの精度や接合強度を低下させる可能性がある。例えば、半導体チップ２４が撓んだり、振動したりすると、ワイヤボンディングにおいて、配線部材６４及びパッド電極２４Ｐへの接合エネルギーの印加が不十分となりやすい。このため、配線部材６４とパッド電極２４Ｐとの間に、十分な接合強度が得られ難くなる、という事情がある。このようなワイヤボンディングの精度の低下を抑制するために、“片持ち梁”のような形状となる半導体チップ、例えば、半導体チップ２４においては、Ｚ軸方向の厚さｔ２４を、他の半導体チップのＺ軸方向の厚さよりも厚くされる。
【０１１４】
第７実施形態に係る半導体装置１００ｆにおいて、積層された最下層の半導体チップは、半導体チップ２２である。半導体チップ２２は、例えば、絶縁性樹脂材３００（図３参照）に比較して、剛性が高い。しかも、半導体チップ２４の部分３７は、Ｚ軸方向において、例えば、部分３２の上に位置する。このため、半導体チップ２４は、例えば、参考例に係る半導体装置１００ｒ（図３参照）に比較して、たわみや、それに伴う振動が発生し難くなる。したがって、厚さｔ２４を、薄くすることも可能である。もちろん、厚さｔ２４は、例えば、厚さｔ２３、ｔ２５〜２７より厚くても構わない。
【０１１５】
例えば、第７実施形態では、厚さｔ２４は、例えば、半導体チップ２３、２５〜２７のそれぞれのＺ軸方向の厚さｔ２３、ｔ２５〜ｔ２７と同じに設定されている。なお、厚さｔ２３〜ｔ２７は、それぞれ、同じ厚さとしているが、厳密に同じ厚さである必要はない。例えば、厚さｔ２３〜ｔ２７には、それぞれ、許容誤差の範囲内の誤差は含まれる。
【０１１６】
第７実施形態によれば、例えば、ワイヤボンディング時に発生し得る、半導体チップの振動を抑制しつつ、半導体チップ２３〜２７のそれぞれのＺ軸方向の厚さｔ２３〜ｔ２７を、互いに等しくできる。これにより、パッケージの、更なる薄型化を図ることができる。
【０１１７】
（第８実施形態）
図１７（ａ）は、第８実施形態に係る半導体装置を例示する模式断面図である。図１７（ｂ）は、第８実施形態に係る半導体装置を例示する模式平面図である。図１７（ａ）には、ベース１、半導体チップ２１及び２２を示す。図１７（ｂ）には、半導体チップ２２を示し、その一部を断面とする。図１７（ｂ）に示す断面は、図１７（ａ）中のＢ−Ｂ線に沿う。なお、図１７（ｂ）は、半導体チップ２２をＺ軸方向に沿ってベース１側から領域３０に向かって見た図であり、部分３１〜３４のそれぞれが断面として示され、領域３０の裏面が平面として示されている。図１７（ａ）に示す断面は、図１７（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
【０１１８】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示すように、第８実施形態に係る半導体装置１００ｇは、例えば、第２実施形態の半導体チップ２２の溝１８１に、ノッチ２００Ｘ及び２００Ｙを設けた例である。なお、第１実施形態の半導体チップ２２においては、溝１８０に、例えば、ノッチ２００Ｙが設けられる。ノッチ２００Ｘ及び２００Ｙは、例えば、領域３０の底面に設けられる。底面は、半導体素子部Ｄ２が形成された面に対して、反対に位置した面である。ノッチ２００Ｘは、Ｘ軸方向に延びる。ノッチ２００Ｙは、Ｙ軸方向に延びる。
【０１１９】
第４〜第６実施形態において説明したが、溝１８０は、ブレード１５０をウェハＷに、Ｙ軸方向に沿って数回入れることで形成される。また、溝１８１は、ブレード１５０をウェハＷに、さらにＸ軸方向に沿って複数回入れることで形成される。
【０１２０】
図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、第８実施形態に係る半導体装置を製造する製造方法の１つを例示する工程順模式断面図である。
【０１２１】
図１８（ａ）〜図１８（ｃ）に順に示すように、溝１８０又は１８１は、例えば、刃先が、楕円形状やテーパ形状のブレード１５０を、ウェハＷに複数回入れて形成される。このような溝１８０又は１８１の形成方法であると、ブレード１５０がウェハＷに入る度、半導体チップ２２又はウェハＷには、ノッチ２００Ｘ又は２００Ｙが形成される。
【０１２２】
このように、刃先が、楕円形状やテーパ形状のブレード１５０を用い、ブレード１５０をウェハＷに複数回入れて、溝１８０又は溝１８１を形成する。これにより、ノッチ２００Ｘ又は２００Ｙは、溝１８０又は溝１８１を形成した後、工程を追加することなく形成することができる。
【０１２３】
また、ブレード１５０は、加工時の摩耗などにより、先が細くなりやすい。このため、溝１８０や溝１８１は、底部に向かって細くテーパ形状となることもある。
【０１２４】
第８実施形態に係る半導体装置１００ｇによれば、半導体チップ２２の溝１８１に、Ｘ軸方向に沿ったノッチ２００Ｘ、及び、Ｙ軸方向に沿ったノッチ２００Ｙを設ける。例えば、ノッチ２００Ｘ及び２００Ｙは、絶縁封止部材８となる絶縁性樹脂を、凹部に導く“ガイド”として機能させることができる。図１７（ｂ）の矢印２１０は、絶縁性樹脂の流れを示す。
【０１２５】
半導体装置１００ｇによれば、例えば、絶縁封止部材８によって、半導体チップ２１〜２７を絶縁封止する際に、領域３０とベース１との間に得られている凹部に、絶縁封止部材８を充填しやすくなる、という利点を得ることができる。
【０１２６】
さらに、硬化後の絶縁封止部材８は、ノッチ２００Ｘ又は２００Ｙがない場合に比較して、凹部内において、半導体チップ２２により強固に密着する（アンカー効果）。したがって、絶縁封止部材８と半導体チップ２２との密着性が向上し、絶縁封止部材８の剥離を抑制できる、という利点も得ることができる。
【０１２７】
（第９実施形態）
図１９（ａ）〜図２１（ｂ）は、第９実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を例示する工程順模式断面図である。  
図１９（ａ）に示すように、ベース１の上に、半導体チップ２１を接着する。ベース１は、複数の配線を含む配線群１１を有する。半導体チップ２１は、半導体素子部Ｄ１及び半導体素子部Ｄ１に電気的に接続されたパッド電極２１Ｐ（パッド電極２１Ｐについては、図２（ｂ）参照）を有する。
【０１２８】
次に、図１９（ｂ）に示すように、配線群１１に含まれた配線とパッド電極２１Ｐとを電気的に接続する。配線は、端子電極７１と電気的に接続されている。例えば、端子電極７１と、パッド電極２１Ｐとを配線部材６１によって電気的に接続する。接続方式は、図示するように、ボンディングワイヤを用いたワイヤボンディング方式であってもよいし、バンプ電極を用いたフリップチップ方式であってもよい。
【０１２９】
次に、図２０（ａ）に示すように、ベース１の上に、パッド電極２２Ｐ（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）を有する半導体チップ２２を接着する。半導体チップ２２は、半導体チップ２１を、ベース１、領域３０、部分３１及び部分３２に、内包するようにベース１の上に接着される。
【０１３０】
次に、図２０（ｂ）に示すように、半導体チップ２２の上に、パッド電極を有する複数の半導体チップ、例えば、パッド電極２３Ｐ〜２７Ｐ（図３（ａ）参照）をそれぞれ有する半導体チップ２３〜２７を接着する。この接着に際し、パッド電極２２Ｐ〜２７Ｐは、それぞれ、露出させながら接着する。
【０１３１】
図２１（ａ）に示すように、配線群１１に含まれた配線とパッド電極２２Ｐ〜２７Ｐとを電気的に接続する。配線は、端子電極７２、７３と電気的に接続されている。例えば、端子電極７２、端子電極７３、パッド電極２２Ｐ〜２７Ｐを、配線部材６２〜６７によって電気的に接続する。この接続に際しても、図示するワイヤボンディング方式に限らず、フリップチップ方式であってもよい。
【０１３２】
なお、ボンディング装置のボンディングツールと半導体チップとの干渉を防ぐためには、図２０（ｂ）に示す工程（ダイマウント）及び図２１（ａ）に示す工程（ワイヤボンディング）を、例えば、以下のように行えばよい。  
（１）半導体チップ２２、２３及び２６のダイマウント
（２）配線部材６２、６３及び６５のワイヤボンディング
（３）半導体チップ２４、２７及び２５のダイマウント
（４）配線部材６４、６６及び６７のワイヤボンディング
上記（１）〜（４）の順で、ダイマウント及びワイヤボンディングを行うことで、ボンディングツールと半導体チップとの干渉を防ぐことができる。
【０１３３】
次に、図２１（ｂ）に示すように、少なくともベース１の上において、少なくとも半導体チップ２２〜２７を絶縁封止部材８で封止する。第９実施形態では、さらに、半導体チップ２１も、絶縁封止部材８で封止した例が示されている。絶縁封止部材８で封止した後、絶縁封止部材８の表面に、形式番号等の意匠（図示せず）を印字する。
【０１３４】
次に、図１（ｂ）に示すように、ベース１に、外部端子９を形成する。外部端子９は、例えば、バンプ電極である。例えば、これらのような工程を経て、実施形態に係る半導体装置が封止された半導体パッケージが製造される。
【０１３５】
（第１０実施形態）
図２２（ａ）は、第１０実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）の一部拡大断面図である。図２３は、第１０実施形態の半導体チップ２２を例示する模式的平面図である。
【０１３６】
図２２（ａ）及び（ｂ）、図２３に示すように、第１０実施形態に係る半導体装置１００ｈにおいては、半導体チップ２２に、部分８１、８２、８３が一体的に設けられている。部分８１及び部分８２は、第１実施形態における領域３０（図２（ａ）参照）に相当する。
【０１３７】
部分８１は、半導体チップ２１をベース１に電気的に接続する配線部材６１の直上域に配置されている。配線部材６１は例えばループを形成したワイヤである。部分８２は、半導体チップ２１の中心Ｃの直上域を含む領域に配置されている。半導体チップ２１の中心Ｃは、例えば、Ｚ軸方向から見て半導体チップ２１の形状が矩形である場合は、この矩形の対角線の交点である。部分８３は、第１実施形態における部分３１及び３２（図２（ａ）参照）に相当し、半導体チップ２１の直上域を除く部分の一部に配置されている。Ｘ方向において、部分８３は半導体チップ２１を挟む位置に配置されている。部分８３は、接着部２２Ａ（図２（ａ）参照）を介してベース１に接着されている。
【０１３８】
部分８１、８２、８３は、いずれも、半導体チップ２２の全長にわたってＹ軸方向に延びている。部分８１は２ヶ所、部分８２は１ヶ所、部分８３は２ヶ所に設けられており、部分８１は部分８２と部分８３の間に位置している。すなわち、Ｘ軸方向に沿って、部分８３、部分８１、部分８２、部分８１、部分８３がこの順に配列されている。上方から見て、部分８１の形状は相互に平行な２本のライン状である。そして、Ｚ軸方向において、部分８２は部分８１よりも厚く、部分８３は部分８２よりも厚い。なお、本明細書において「厚さ」とは、Ｚ軸方向における長さをいう。半導体チップ２２の上面は略平坦であるため、部分８１、８２、８３の厚さが異なることにより、各部分の下面の位置が異なる。
【０１３９】
換言すれば、半導体チップ２２の下面にはＹ軸方向に延びるライン状の溝１８０が形成されており、部分８２は溝１８０の底面に位置する。また、溝１８０の両側には、溝１８０よりも深い溝１８３が形成されており、部分８１は溝１８３の底面に位置する。溝１８０及び溝１８３がいずれも形成されていない領域が、部分８３に相当する。
【０１４０】
また、部分８３における部分８２に向いた側面８４の下部は、ＹＺ平面に対して略平行である。側面８４の上端部８４ａの曲率半径Ｒは、側面８４の下端部８４ｂの曲率半径Ｒ０よりも大きい。すなわち、上端部８４ａは緩やかにラウンドしている。換言すれば、部分８３の部分８１側の根元は、緩やかにラウンドしている。
【０１４１】
以下、各部の寸法の一例を示す。
半導体チップ２２の全体の厚さ、すなわち、部分８３の厚さは、例えば、１５０μｍ（マイクロメートル）である。部分８１の厚さは、例えば、３０μｍである。このため、配線部材６１（ワイヤ）のループが収納されるスペースの高さは、１２０μｍとなる。部分８２の厚さは、例えば、５０〜１００μｍである。このため、半導体チップ２１が収納されるスペースの高さは、１００〜５０μｍとなる。半導体チップ２１の厚さは、例えば、３０μｍである。このため、半導体チップ２２の部分８２と半導体チップ２１とのクリアランスは、７０〜２０μｍとなる。そして、溝１８３の深さ、すなわち、側面８４の高さをＤとするとき、深さＤに対する側面８４の上端部８４ａの曲率半径Ｒの比の値（以下、「Ｒ／Ｄ比率」という）は、０．４以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましい。
【０１４２】
第１０実施形態における上記以外の構成は、第１実施形態と同様である。すなわち、半導体チップ２２は、配線部材６２としてのワイヤにより、ベース１の配線１１に接続されている。また、半導体チップ２２上には、半導体チップ２３〜２７が少しずつずれて積層されており、半導体チップ２３〜２７は、それぞれ配線部材６３〜６７によってベース１の配線１１に接続されている。そして、半導体チップ２２における配線部材６２が接続されたパッド電極２２Ｐの直上域には、半導体チップ２３〜２７は配置されていない。また、半導体チップ２３〜２７についても、配線部材６３〜６７が接続されたパッド電極２３Ｐ〜２７Ｐの直上域には、他の半導体チップは配置されていない。そして、ベース１上には絶縁封止部材８が設けられており、半導体チップ２１〜２７を封止している。
【０１４３】
次に、第１０実施形態の効果について説明する。
第１０実施形態においては、半導体チップ２２に、部分８１よりも厚い部分８２を設けている。これにより、部分８１においては、ワイヤのループを形成するだけのスペースを確保しつつ、半導体チップ２２の中央部の強度を向上させて、外部から印加される機械的ストレスに対する耐性を増加させることができる。
【０１４４】
例えば、図１０（ｈ）に示す工程の後、ダイシングテープ１７１から半導体チップ２２をピックアップするときは、ダイシングテープ１７１の裏面を突上治具によって押し上げると共に、コレットにより半導体チップ２２を上から吸着する。このとき、半導体チップ２２の中央部には大きな力が印加されるため、この部分が薄いと、破損する懸念がある。しかしながら、第１０実施形態の半導体チップ２２は、中央部に位置する部分８２を部分８１よりも厚くしているため、中央部の破損を抑制することができる。半導体チップ２２が破損しない厚さは、種々の条件によって決まるため一概には決定できないが、例えば、部分８２の厚さは５０μｍ以上とすることが好ましく、１００μｍ以上とすることがより好ましい。
【０１４５】
また、半導体チップ２２に部分８１を設けることにより、ベース１及び半導体チップ２１と部分８１との間に、比較的大きな隙間を形成することができる。この結果、ベース１及び半導体チップ２１と半導体チップ２２との間に、絶縁封止部材８を注入しやすくなる。仮に、部分８１を設けないと、絶縁封止樹脂８が十分に充填されず、未充填の空間が残る可能性がある。その結果、半導体装置の強度が低下する。これを回避するためには、絶縁封止樹脂８を注入する際の圧力を高くする必要があるが、この場合は、半導体チップ、ワイヤ及びバンプ接合部等が破損する可能性がある。また、高圧力に耐え、粘性が低い特殊で高価な樹脂材料が必要になる。
【０１４６】
これに対して、本実施形態によれば、半導体チップ２２に部分８１を設けることにより、樹脂材料の侵入性を向上させ、部分８２を設けることにより、半導体チップ２２の中心付近の応力耐性を向上させ、部分８３の根元をラウンドさせることにより、応力を分散させることができる。この結果、樹脂材料の充填が容易になり、半導体装置の生産性が向上すると共に、半導体装置の強度が向上する。
【０１４７】
また、第１０実施形態においては、側面８４の上端部８４ａの曲率半径Ｒを、側面８４の下端部８４ｂの曲率半径Ｒ０よりも大きくしている。側面８４の上端部８４ａは、半導体チップ２２をベース１にマウントしたときに、応力が集中する部分である。また、半導体チップ２２の運搬に伴う振動によっても、上端部８４ａに応力が集中する。そこで、この部分の曲率半径を大きくすることにより、応力の集中を緩和し、半導体チップ２２の破損を抑制することができる。
第１０実施形態における上記以外の効果は、第１実施形態と同様である。
【０１４８】
（第１０実施形態：第１変形例）
図２４（ａ）は、第１０実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図２４（ｂ）は、第１０実施形態の第１変形例の半導体チップ２２を例示する模式的平面図である。図２４（ａ）には、ベース１、半導体チップ２１、半導体チップ２２、及び、配線部材６１のみを示している。
【０１４９】
図２４（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１０実施形態の第１変形例に係る半導体装置１００ｉにおいては、溝１８３は溝１８０の内部に形成されている。このため、半導体チップ２２が、部分８１、８２、８３の他に、部分８５を有する。部分８５は部分８１と部分８３との間に設けられており、半導体チップ２２の全体にわたってＹ軸方向に延びている。部分８５の厚さは部分８２の厚さと略等しい。すなわち、部分８５は、部分８１よりも厚く、部分８３よりも薄い。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１０実施形態と同様である。
【０１５０】
（第１１実施形態）
図２５（ａ）は、第１１実施形態に係る半導体パッケージを例示する模式的断面図であり、図２５（ｂ）は、第１１実施形態の半導体チップ２２を例示する模式的平面図である。図２５（ａ）に示す断面は、図２５（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
第１１実施形態は、第２実施形態と第１０実施形態を組み合わせた例である。
【０１５１】
図２５（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１１実施形態に係る半導体装置１００ｊにおいては、半導体チップ２２の下面にクロスパターン状の溝１８１が形成されている。また、溝１８１の外縁に沿って、Ｘ軸方向に延びる溝１８３及びＹ軸方向に延びる溝１８３が２本ずつ形成されている。部分８１は溝１８３の底面に設けられている。
【０１５２】
このため、Ｚ軸方向から見て、部分８１の形状は格子状である。また、四辺を部分８１によって囲まれた１つの矩形の領域に、部分８２が配置される。三辺を部分８１によって囲まれた４つの矩形の領域に、部分８５が配置される。二辺を部分８１によって囲まれた４つの矩形の領域に、部分８３が配置される。
【０１５３】
本実施形態によれば、半導体チップ２１から見てＸ軸方向の両側及びＹ軸方向の両側が開口するため、絶縁封止部材８の充填が容易である。
本実施形態における上記以外の構成及び効果は、第１０実施形態と同様である。
【０１５４】
（第１１実施形態：第１変形例）
図２６（ａ）は、第１１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を例示する模式的断面図であり、図２６（ｂ）は、第１１実施形態の第１変形例の半導体チップ２２を例示する模式的平面図である。図２６（ａ）に示す断面は、図２６（ｂ）中のＡ−Ａ線に沿う。
本変形例は、第１１実施形態と第１０実施形態の第１変形例とを組み合わせた例である。
【０１５５】
図２６（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１１実施形態の第１変形例に係る半導体装置１００ｋにおいては、半導体チップ２２の４つの角部にも部分８５が設けられており、これらの部分８５の角部に部分８３が設けられている。
本変形例における上記以外の構成及び効果は、第１１実施形態と同様である。
【０１５６】
なお、第１０実施形態、第１１実施形態、及びこれらの変形例は、前述の各実施形態及びその変形例と組み合わせて実施することができる。例えば、第１実施形態の第１変形例（図５（ａ）参照）のように、一部の端子電極７１を部分８３（部分３１及び３２）の間の領域の外側に配置してもよく、第１実施形態の第２変形例（図５（ｂ）参照）のように、半導体チップ２１の一部を部分８３（部分３１及び３２）の間の領域の外側に配置してもよく、第１実施形態の第３変形例（図６（ａ）参照）のように、部分８３（部分３１及び３２）を半導体チップ２２の長軸方向に沿って設けてもよく、第１実施形態の第４変形例（図６（ｂ）参照）のように、半導体チップ２１と部分８３（部分３１及び３２）の間に端子電極７１を配置しなくてもよい。
【０１５７】
また、第３実施形態（図８（ａ）及び（ｂ）参照）のように、部分８３（部分３１、３２、３５、３６）を枠状に形成してもよく、第７実施形態（図１６参照）のように、半導体チップ２３〜２７の厚さを相互に略等しくしてもよく、第８実施形態（図１７（ａ）及び（ｂ）参照）のように、半導体チップ２２における部分８３（部分３１及び３２）以外の部分の下面にノッチを形成してもよい。
【０１５８】
（第１２実施形態）
図２７（ａ）〜（ｄ）は、第１２実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式断面図である。第１２実施形態では、第１０実施形態に係る半導体装置１００ｈ（図２２（ａ）参照）の製造方法を説明する。
【０１５９】
図２２（ａ）に示すように、ベース１上に半導体チップ２１を搭載する。次に、半導体チップ２１を配線部材６１であるワイヤにより、ベース１に電気的に接続する。
【０１６０】
一方、第４実施形態において説明した方法により、図９（ａ）〜（ｆ）及び図１０（ａ）〜（ｆ）に示す工程を実施する。これにより、図２７（ａ）に示すように、ダイシングテープ１７０上に、個片化された複数の半導体チップ２２がマトリクス状に配列された中間構造体が作製される。各半導体チップ２２の上面には、ＤＡＦ１４０ａが接着されている。
【０１６１】
次に、図２７（ｂ）に示すように、マトリクス状に配列された複数の半導体チップ２２の上面を、ブレード１５２によって、深さＳ１まで研削する。ブレード１５２としては、比較的幅が広く、研削面が平坦で角部の曲率半径が小さい太目平坦ブレードを使用する。これにより、半導体チップ２２の下面にライン状の溝１８０が形成される。なお、ブレード１５２による研削を、位置をずらして複数回実施することにより、ブレード１５２の幅よりも太い溝１８０を形成してもよい。
【０１６２】
次に、図２７（ｃ）に示すように、半導体チップ２２の上面における溝１８０の一端部を、ブレード１５３によって深さＳ２まで研削する。深さＳ２は深さＳ１よりも深くする。ブレード１５３としては、ブレード１５２よりも幅が細く、研削面が楕円状に突出しており角部の曲率半径が大きい細目楕円ブレードを使用する。ブレード１５３の角部の曲率半径はＲである。これにより、溝１８０の一端部に、溝１８０よりも深いライン状の溝１８３が形成される。このとき、ブレード１５３の角部のラウンドを反映して、溝１８３の角部はラウンドする。
【０１６３】
次に、図２７（ｄ）に示すように、半導体チップ２２の上面における溝１８０の他端部を、ブレード１５３によって深さＳ２まで研削する。これにより、溝１８０の両端部に溝１８３が形成される。半導体チップ２２における溝１８３の底部が部分８１となる。溝１８０の底部における溝１８３が形成されていない部分が部分８２となる。半導体チップ２２における溝１８０及び溝１８３がいずれも形成されていない部分が部分８３となる。部分８３の根元部分、すなわち、側面８４の上端部８４ａは、溝１８３の角部に相当するため、ラウンドしている。
【０１６４】
次に、図１０（ｈ）に示すように、半導体チップ２２をそれぞれ反転させ、ＤＡＦ１４０ａをダイシングテープ１７１に接着する。次に、ダイシングテープ１７１に紫外線を照射するなどして、粘着力を低下させる。次に、半導体チップ２２を、ダイシングテープ１７１からピックアップする。このとき、半導体チップ２２の中央部に位置する部分８２は部分８１よりも厚いため、半導体チップ２２の破損を抑制できる。
【０１６５】
そして、半導体チップ２２の部分８１が配線部材６１（ワイヤ）に対向し、部分８２が半導体チップ２１の中心Ｃ（図２３参照）に対向するように位置決めしつつ、部分８３をベース１に接着することにより、半導体チップ２２をベース１に搭載する。このとき、部分８１は薄いため、配線部材６１であるワイヤのループに干渉することがない。また、部分８３の根元部分がラウンドしているため、部分８３の根元に応力が集中して、この部分が破損することを抑制できる。
【０１６６】
次に、図２２（ａ）に示すように、半導体チップ２２上に半導体チップ２３、２６、２４をＸ軸方向の一方側に少しずつずらしながら積層させる。次に、半導体チップ２２を配線部材６２を用いてベース１にワイヤボンディングし、半導体チップ２３を配線部材６３を用いてベース１にワイヤボンディングし、半導体チップ２６を配線部材６２を用いてベース１にワイヤボンディングする。次に、半導体チップ２４上に半導体チップ２７及び２５をＸ軸方向の他方側に少しずつずらしながら積層させる。次に、半導体チップ２４を配線部材６４を用いてベース１にワイヤボンディングし、半導体チップ２７を配線部材６７を用いてベース１にワイヤボンディングし、半導体チップ２５を配線部材６５を用いてベース１にワイヤボンディングする。次に、ベース１上において、半導体チップ２１〜２７を絶縁封止部材８で封止する。このようにして、半導体装置１００ｈが製造される。
【０１６７】
次に、第１２実施形態の効果について説明する。
第１２実施形態においては、深さが異なる溝１８０及び溝１８３を形成することにより、部分８１〜８３を作り分けることができる。また、溝１８３を形成する際に、角部の曲率半径が大きい細目楕円ブレードを用いることにより、また、部分８３の根元をラウンドさせることができる。そして、部分８１を十分に薄くすることにより、配線部材６１をループさせるためのスペースを確保しつつ、部分８２を部分８１よりも厚くし、部分８３の根元をラウンドさせることにより、半導体チップ２２の強度を確保し、半導体装置の製造工程において、半導体チップ２２が破損することを抑制できる。
本実施形態における上記以外の製造方法及び効果は、第４実施形態と同様である。
【０１６８】
なお、図２７（ｂ）に示す溝１８０を形成する工程と、図２７（ｃ）及び（ｄ）に示す溝１８３を形成する工程は、順序を入れ替えてもよい。
また、第１２実施形態は、前述の各実施形態及びその変形例と組み合わせて実施することができる。例えば、第５実施形態（図１１（ａ）〜（ｇ）及び図１２（ａ）〜（ｈ）参照）のように、ウェハに溝１８０及び１８３を形成した後、溝１８０等の反対側からウェハをダイシングして複数の半導体チップ２２に切り分けてもよく、第５実施形態の第１変形例（図１３（ａ）〜（ｃ）参照）のように、ウェハに溝１８０及び１８３を形成した後、溝１８０等と同じ側からウェハをダイシングして複数の半導体チップ２２に切り分けてもよく、第６実施形態（図１４（ａ）〜（ｇ）及び図１５（ａ）〜（ｈ）参照）のように、ダイシング工程をＢＳＧ工程よりも先に行うＤＢＧ工法を適用してもよい。
【０１６９】
（試験例）
次に、第１０〜第１２実施形態の効果を示す試験例について説明する。
図２８（ａ）は、シミュレーションにおいて想定した構造を示す図であり、図２８（ｂ）は、横軸にＲ／Ｄ比率をとり、縦軸に角部に印加される主応力をとって、角部のラウンドが応力集中に及ぼす影響を示すグラフ図である。
【０１７０】
本試験例においては、シミュレーションを行い、角部に印加される主応力を求めた。図２８（ａ）に示すように、シミュレーションの対象とした構造は、多層配線基板を模した基板４０１上にＤＡＦ４０２を設け、その上にシリコンからなるチップ４０３を設けた構造とした。チップ４０３の下面には溝４０４を形成した。チップ４０３上には、ステンレスからなるコレット４０５を設けた。
【０１７１】
コレット４０５による圧縮負荷を模したシミュレーションでは、コレット４０５にチップ４０３を下方、すなわち、基板４０１に向かう方向に、均等な力で押圧させた。一方、搬送時の振動に伴う引張負荷を模したシミュレーションでは、コレット４０５にチップ４０３を上方、すなわち、基板４０１から離れる方向に、均等な力で引っ張らせた。
【０１７２】
そして、溝４０４の角部４０６の曲率半径Ｒを異ならせて、角部４０６における主応力を求めた。溝４０４の深さをＤとし、深さＤに対する曲率半径Ｒの比率をＲ／Ｄ比率とした。各構成部材の物性値を表１に示す。また、Ｒ／Ｄ比率及び角部４０６に印加された主応力を表２に示す。図２８（ｂ）は、表２に示す結果をグラフ化したものである。
【０１７３】
【表１】
2019161007.tif 000003
【０１７４】
【表２】
2019161007.tif 000004
【０１７５】
表２及び図２８（ｂ）に示すように、Ｒ／Ｄ比率が高いほど、角部４０６に印加される主応力が低減した。主応力の低減効果は、Ｒ／Ｄ比率が０．４以上であると顕著であり、Ｒ／Ｄ比率が０．８以上であるとより顕著であった。
【０１７６】
以上、実施形態によれば、薄型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【０１７７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施形態の半導体装置が含むベース１、半導体チップ２１及び半導体チップ２２等の各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。例えば、実施形態においては、半導体チップ２２は半導体メモリチップとし、半導体チップ２１はコントローラチップとしたが、これに限られるものではない。
【０１７８】
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例、及び、修正例に想到し得るものであり、それら変更例、及び、修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１７９】
本発明の実施形態を説明したが、実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８０】
１…ベース、８…絶縁封止部材、９…外部端子、１１…配線群、２１〜２７…半導体チップ、２１Ａ〜２７Ａ…接着部、２１Ｐ〜２７Ｐ…パッド電極、２２ｒ…半導体チップ、３０…領域、３１〜３６…部分、４１〜４４…端面、５１〜５４…角部、６１〜６７…配線部材、７１〜７３…端子電極、７５…クリアランス、８１〜８３…部分、８４…側面、８４ａ…上端部、８４ｂ…下端部、８５〜８３…部分、１００ａ…半導体装置（第１実施形態）、１００ａａ…半導体装置（第１実施形態：第１変形例）、１００ａｂ…半導体装置（第１実施形態：第２変形例）、１００ａｃ…半導体装置（第１実施形態：第３変形例）、１００ａｄ…半導体装置（第１実施形態：第４変形例）、１００ｂ…半導体装置（第２実施形態）、１００ｃ…半導体装置（第３実施形態）、１００ｆ…半導体装置（第６実施形態）、１００ｇ…半導体装置（第７実施形態）、１００ｈ…半導体装置（第１０実施形態）、１００ｉ…半導体装置（第１０実施形態：第１変形例）、１００ｊ…半導体装置（第１１実施形態）、１００ｋ…半導体装置（第１１実施形態：第１変形例）、１１０…表面保護テープ、１２０…研削砥石、１３０…ダイシングリング、１４０ａ…ＤＡＦ、１４０ｂ…接着樹脂、１４０ｃ…基材、１５０…ブレード、１５１…レーザー、１５２、１５３…ブレード、１６０…ダイシングライン、１６０ａ…ハーフカット溝、１７０…ダイシングテープ、１７１…ダイシングテープ、１８０…溝、１８１…溝、１８２…凹部、１８３…溝、２００Ｘ、２００Ｙ…ノッチ、２１０…絶縁樹脂の流れ、３００…絶縁性樹脂材、４０１…基板、４０２…ＤＡＦ、４０３…チップ、４０４…溝、４０５…コレット、４０６…角部、Ｃ…中心、Ｄ…深さ、Ｄ１〜Ｄ７…半導体素子部、Ｒ、Ｒ０…曲率半径、Ｓ１、Ｓ２…深さ、ｔ２２ｒ、ｔ２２〜ｔ２７、ｔ３０…厚さ、Ｗ…ウェハ
【図１】
2019161007.tif 000005
【図２】
2019161007.tif 000006
【図３】
2019161007.tif 000007
【図４】
2019161007.tif 000008
【図５】
2019161007.tif 000009
【図６】
2019161007.tif 000010
【図７】
2019161007.tif 000011
【図８】
2019161007.tif 000012
【図９】
2019161007.tif 000013
【図１０】
2019161007.tif 000014
【図１１】
2019161007.tif 000015
【図１２】
2019161007.tif 000016
【図１３】
2019161007.tif 000017
【図１４】
2019161007.tif 000018
【図１５】
2019161007.tif 000019
【図１６】
2019161007.tif 000020
【図１７】
2019161007.tif 000021
【図１８】
2019161007.tif 000022
【図１９】
2019161007.tif 000023
【図２０】
2019161007.tif 000024
【図２１】
2019161007.tif 000025
【図２２】
2019161007.tif 000026
【図２３】
2019161007.tif 000027
【図２４】
2019161007.tif 000028
【図２５】
2019161007.tif 000029
【図２６】
2019161007.tif 000030
【図２７】
2019161007.tif 000031
【図２８】
2019161007.tif 000032