(57)【要約】【課題】フィルタとアンテナを含む複合電子部品において、フィルタの特性の悪化とアンテナの放射パターンの乱れを防止する。【解決手段】複合電子部品は、積層体とフィルタ１０とアンテナ２０を備えている。フィルタ１０は、積層体内において第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１の間に位置している。アンテナ２０は、放射素子２２を含んでいる。放射素子２２は、第２のグランド導体層４８１に対して第１のグランド導体層３２１とは反対側に配置されている。積層体の積層方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁は、放射素子２２の外縁の外側に位置している。積層体は、フィルタ１０の周囲に配置されて、第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１を接続する複数の接続導体部７１を含んでいる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体と、
少なくとも１つのフィルタ−アンテナ対を構成する少なくとも１つのフィルタおよび少なくとも１つのアンテナを備えた複合電子部品であって、
各フィルタ−アンテナ対において、１つのフィルタと１つのアンテナは電気的に接続され、
前記複数の導体層は、それぞれグランドに接続される第１のグランド導体層および第２のグランド導体層を含み、
前記第１のグランド導体層と前記第２のグランド導体層は、前記第１の方向について互いに異なる位置に配置され、
前記フィルタは、前記第１のグランド導体層から前記第２のグランド導体層までの空間的な範囲内に位置し、
前記アンテナは、前記複数の導体層のうちの１つによって構成された放射素子を含み、
前記放射素子は、前記第２のグランド導体層に対して前記第１のグランド導体層とは反対側に配置され、
前記第１の方向から見たときに、前記第２のグランド導体層の外縁は、前記放射素子の外縁の外側に位置し、
前記積層体は、更に、前記第１のグランド導体層と前記第２のグランド導体層を接続する複数の接続導体部を含み、
前記第１の方向に直交すると共に互いに直交する２つの方向を第２の方向および第３の方向としたときに、前記複数の接続導体部は、前記第２の方向における前記フィルタの前方および後方と前記第３の方向における前記フィルタの前方および後方にそれぞれ１つ以上の接続導体部が存在するように、前記フィルタの周囲に配置されていることを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
前記複数の接続導体部の各々は、直列に接続された複数のスルーホールを含むことを特徴とする請求項１記載の複合電子部品。
【請求項３】
前記フィルタは、複数の共振器を含むバンドパスフィルタであることを特徴とする請求項１または２記載の複合電子部品。
【請求項４】
前記複数の接続導体部は、隣接する２つの接続導体部の間隔が、前記バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下となるように配置されていることを特徴とする請求項３記載の複合電子部品。
【請求項５】
前記複数の共振器は、それぞれ前記第１の方向に交差する方向に長い形状を有する共振器導体部を有することを特徴とする請求項３または４記載の複合電子部品。
【請求項６】
前記複数の接続導体部の各々は、それに最も近い共振器導体部との間の距離が、前記バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下となるように配置されていることを特徴とする請求項５記載の複合電子部品。
【請求項７】
前記複数の接続導体部は、隣接する２つの接続導体部の間隔が１．２５ｍｍ以下となるように配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項８】
前記少なくとも１つのフィルタ−アンテナ対は、複数のフィルタ−アンテナ対であり、
前記少なくとも１つのフィルタは、複数のフィルタであり、
前記少なくとも１つのアンテナは、複数のアンテナであり、
前記複数の接続導体部は、前記複数のフィルタ−アンテナ対に対応するように複数組設けられていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の複合電子部品。
【請求項９】
前記複数のアンテナは、複数の放射素子を含み、
前記第１の方向から見たときに、前記第２のグランド導体層の外縁は、その内側に前記複数の放射素子の外縁の全てを含むことを特徴とする請求項８記載の複合電子部品。
【請求項１０】
前記第１のグランド導体層は、前記複数のフィルタ−アンテナ対に対応する複数の部分導体層を含み、
前記複数の部分導体層は、互いに分離されていることを特徴とする請求項８または９記載の複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタとアンテナを含む複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、第５世代移動通信システム（以下、５Ｇと言う。）の規格化が進められている。５Ｇでは、周波数帯域を拡大するために、１０ＧＨｚ以上の周波数帯域、特に、１０〜３０ＧＨｚの準ミリ波帯や３０〜３００ＧＨｚのミリ波帯の利用が検討されている。
【０００３】
通信装置では、アンテナに対してフィルタが電気的に接続された構成が採用される場合がある。このような構成の通信装置では、例えば特許文献１、２に記載されているような、積層体を用いて一体化されたフィルタとアンテナを含む複合電子部品が用いられる場合がある。積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。このような複合電子部品には、フィルタとアンテナの間の整合の調整が不要になると共に、フィルタおよびアンテナの占有面積を小さくすることができるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−９４３３６号公報
【特許文献２】特開２００４−４０５９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１、２に記載された複合電子部品では、フィルタは、それぞれグランドに接続される２つのグランド導体層の間に配置され、アンテナの放射素子は、一方のグランド導体層に対して、フィルタとは反対側に配置されている。このような構造の複合電子部品では、２つのグランド導体層によって平行平板導波路に似た構造が形成されることによって１つ以上の電磁波の伝搬モードが生じ、この１つ以上の電磁波の伝搬モードによって１つ以上の不要な共振が生じる場合がある。複合電子部品では、この１つ以上の不要な共振によって、フィルタの特性が悪化する場合があった。例えば、フィルタが、準ミリ波帯やミリ波帯に通過帯域が存在するバンドパスフィルタである場合には、１つ以上の不要な共振の１つ以上の共振周波数のうち最も低い共振周波数であっても通過帯域に比較的近くなる。そのため、この場合には、通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタの減衰特性が悪化するという問題が生じていた。
【０００６】
また、上記の構造の複合電子部品では、放射素子とフィルタの間に介在するグランド導体層に起因して、アンテナの放射パターンが乱れる場合があるという問題点があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、互いに電気的に接続されたフィルタとアンテナを含む複合電子部品であって、フィルタの特性が悪化したりアンテナの放射パターンが乱れたりすることを防止できるようにした複合電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の複合電子部品は、第１の方向に積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体と、少なくとも１つのフィルタ−アンテナ対を構成する少なくとも１つのフィルタおよび少なくとも１つのアンテナを備えている。各フィルタ−アンテナ対において、１つのフィルタと１つのアンテナは電気的に接続されている。
【０００９】
複数の導体層は、それぞれグランドに接続される第１のグランド導体層および第２のグランド導体層を含んでいる。第１のグランド導体層と第２のグランド導体層は、第１の方向について互いに異なる位置に配置されている。フィルタは、第１のグランド導体層から第２のグランド導体層までの空間的な範囲内に位置している。
【００１０】
アンテナは、複数の導体層のうちの１つによって構成された放射素子を含んでいる。放射素子は、第２のグランド導体層に対して第１のグランド導体層とは反対側に配置されている。第１の方向から見たときに、第２のグランド導体層の外縁は、放射素子の外縁の外側に位置している。
【００１１】
積層体は、更に、第１のグランド導体層と第２のグランド導体層を接続する複数の接続導体部を含んでいる。第１の方向に直交すると共に互いに直交する２つの方向を第２の方向および第３の方向としたときに、複数の接続導体部は、第２の方向におけるフィルタの前方および後方と第３の方向におけるフィルタの前方および後方にそれぞれ１つ以上の接続導体部が存在するように、フィルタの周囲に配置されている。
【００１２】
本発明の複合電子部品において、複数の接続導体部の各々は、直列に接続された複数のスルーホールを含んでいてもよい。
【００１３】
また、本発明の複合電子部品において、フィルタは、複数の共振器を含むバンドパスフィルタであってもよい。この場合、複数の接続導体部は、隣接する２つの接続導体部の間隔が、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下となるように配置されていてもよい。また、複数の共振器は、それぞれ第１の方向に交差する方向に長い形状を有する共振器導体部を有していてもよい。また、複数の接続導体部の各々は、それに最も近い共振器導体部との間の距離が、バンドパスフィルタの通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下となるように配置されていてもよい。
【００１４】
また、本発明の複合電子部品において、複数の接続導体部は、隣接する２つの接続導体部の間隔が１．２５ｍｍ以下となるように配置されていてもよい。
【００１５】
また、本発明の複合電子部品において、少なくとも１つのフィルタ−アンテナ対は、複数のフィルタ−アンテナ対であってもよい。この場合、少なくとも１つのフィルタは複数のフィルタであり、少なくとも１つのアンテナは複数のアンテナであり、複数の接続導体部は、複数のフィルタ−アンテナ対に対応するように複数組設けられている。また、複数のアンテナは、複数の放射素子を含み、第１の方向から見たときに、第２のグランド導体層の外縁は、その内側に前記複数の放射素子の外縁の全てを含んでいる。また、第１のグランド導体層は、複数のフィルタ−アンテナ対に対応する複数の部分導体層を含んでいてもよい。複数の部分導体層は、互いに分離されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の複合電子部品では、積層体は、複数の接続導体部を含んでいる。これにより、本発明によれば、第１および第２のグランド導体層に起因してフィルタの特性が悪化することを防止することができるという効果を奏する。また、本発明では、第１の方向から見たときに、第２のグランド導体層の外縁は、放射導体層の外縁の外側に位置している。これにより、本発明によれば、第２のグランド導体層に起因してアンテナの放射パターンが乱れることを防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る複合電子部品の構造を示す斜視図である。
【図２】図１の一部を拡大して示す斜視図である。
【図３】図１に示した複合電子部品の側面図である。
【図４】図３の一部を拡大して示す側面図である。
【図５】図１に示した複合電子部品の平面図である。
【図６】図５の一部を拡大して示す平面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る複合電子部品における１つのフィルタ−アンテナ対の回路構成を示す回路図である。
【図８】図１に示した積層体における１層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図９】図１に示した積層体における２層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１０】図１に示した積層体における３層目ないし８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１１】図１に示した積層体における９層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１２】図１に示した積層体における１０層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１３】図１に示した積層体における１１層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１４】図１に示した積層体における１２層目ないし１７層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１５】図１に示した積層体における１８層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１６】図１に示した積層体における１９層目ないし２３層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１７】図１に示した積層体における２４層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１８】図１に示した積層体における３６層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。
【図１９】第１の比較例の複合電子部品の要部の平面図である。
【図２０】本発明の一実施の形態に係る複合電子部品と第１の比較例の複合電子部品の特性を示す特性図である。
【図２１】第２の比較例の複合電子部品の要部の平面図である。
【図２２】第２の比較例の複合電子部品の要部の側面図である。
【図２３】第２の比較例の複合電子部品における放射パターンを示す特性図である。
【図２４】本発明の一実施の形態に係る複合電子部品における放射パターンを示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態に係る複合電子部品について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図６を参照して、本実施の形態に係る複合電子部品の構造について説明する。図１は、複合電子部品の構造を示す斜視図である。図２は、図１の一部を拡大して示す斜視図である。図３は、図１に示した複合電子部品の側面図である。図４は、図３の一部を拡大して示す側面図である。図５は、図１に示した複合電子部品の平面図である。図６は、図５の一部を拡大して示す平面図である。
【００１９】
図１および図３に示したように、本実施の形態に係る複合電子部品１は、積層体３０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体３０は、第１の方向に積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。
【００２０】
複合電子部品１は、更に、少なくとも１つのフィルタ−アンテナ対を構成する少なくとも１つのフィルタ１０および少なくとも１つのアンテナ２０を備えている。各フィルタ−アンテナ対において、１つのフィルタ１０と１つのアンテナ２０は電気的に接続されている。
【００２１】
本実施の形態では特に、複合電子部品１は、複数のフィルタ−アンテナ対を構成する複数のフィルタ１０および複数のアンテナ２０を備えている。具体的には、フィルタ−アンテナ対、フィルタ１０およびアンテナ２０の数は、いずれも４つである。図２、図４および図６は、積層体３０のうち、１つのフィルタ−アンテナ対を含む一部分を拡大して示している。図３および図５には、この一部分の範囲を破線で示している。
【００２２】
ここで、図１に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は、互いに直交する。Ｚ方向は、複数の誘電体層の積層方向であり、上記の第１の方向に対応する。Ｘ方向は本発明における第２の方向に対応し、Ｙ方向は本発明における第３の方向に対応する。
【００２３】
積層体３０は、直方体形状を有している。積層体３０は、複合電子部品１が実装基板等の被実装体に実装される際に被実装体に対向する底面３０Ａと、底面３０Ａとは反対側の上面３０Ｂと、底面３０Ａと上面３０Ｂを接続する４つの側面３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆを有している。底面３０Ａと上面３０Ｂは、Ｚ方向における積層体３０の両端に位置している。側面３０Ｃ，３０Ｄは、Ｙ方向における積層体３０の両端に位置している。側面３０Ｅ，３０Ｆは、Ｘ方向における積層体３０の両端に位置している。
【００２４】
積層体３０の複数の導体層は、それぞれグランドに接続される底面グランド導体層３１０、第１のグランド導体層３２１および第２のグランド導体層４８１を含んでいる。底面グランド導体層３１０は、底面３０Ａに露出している。第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１は、Ｚ方向について互いに異なる位置に配置されている。具体的には、第１のグランド導体層３２１は、第２のグランド導体層４８１よりも、底面３０Ａにより近い位置に配置されている。フィルタ１０は、第１のグランド導体層３２１から第２のグランド導体層４８１までの空間的な範囲内に位置している。
【００２５】
アンテナ２０は、それぞれ複数の導体層のうちの１つによって構成された給電導体層２１と放射素子２２を含んでいる。放射素子２２は、第２のグランド導体層４８１に対して第１のグランド導体層３２１とは反対側に配置されている。給電導体層２１は、Ｚ方向について第２のグランド導体層４８１と放射素子２２の間に配置されている。放射素子２２は、給電導体層２１に対向している。
【００２６】
本実施の形態では特に、フィルタ−アンテナ対の数が４つであることから、積層体３０は、４つの放射素子２２を含んでいる。
【００２７】
また、本実施の形態では特に、第１のグランド導体層３２１は、４つのフィルタ−アンテナ対に対応する４つの部分導体層３２１Ｐを含んでいる。４つの部分導体層３２１Ｐは、互いに分離されている。
【００２８】
第２のグランド導体層４８１は、１つの導体層によって構成されている。図５に示したように、Ｚ方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁は、放射素子２２の外縁の外側に位置している。本実施の形態では特に、Ｚ方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁は、その内側に４つの放射素子２２の外縁の全てを含んでいる。
【００２９】
図７は、複合電子部品１における１つのフィルタ−アンテナ対の回路構成を示す回路図である。複合電子部品１は、４つのフィルタ−アンテナ対を構成する４つのフィルタ１０および４つのアンテナ２０を備えている。また、複合電子部品１は、４つのフィルタ１０に接続された４つの入出力端子Ｔ１を備えている。図７には、４つの入出力端子Ｔ１のうちの１つを示している。本実施の形態では特に、フィルタ１０はバンドパスフィルタである。以下、フィルタ１０をバンドパスフィルタ１０と言う。
【００３０】
図７に示したように、バンドパスフィルタ１０は、入出力端子Ｔ１に接続された第１の入出力ポートＰ１と、第２の入出力ポートＰ２と、複数の共振器とを備えている。複数の共振器は、回路構成上、第１の入出力ポートＰ１と第２の入出力ポートＰ２の間に設けられている。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。
【００３１】
本実施の形態では特に、複数の共振器は、回路構成上、第１の入出力ポートＰ１側から順に配置された１段目の共振器１１、２段目の共振器１２、３段目の共振器１３および４段目の共振器１４を含んでいる。共振器１１〜１４は、回路構成上隣接する２つの共振器が電磁結合するように構成されている。具体的に説明すると、共振器１１〜１４は、共振器１１，１２が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１２，１３が回路構成上隣接して電磁結合し、共振器１３，１４が回路構成上隣接して電磁結合するように構成されている。
【００３２】
共振器１１〜１４の各々は、回路構成上互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。共振器１１〜１４の各々の第２端は、グランドに接続されている。
【００３３】
バンドパスフィルタ１０は、更に、第１の入出力ポートＰ１と１段目の共振器１１との間に設けられたキャパシタＣ１と、第２の入出力ポートＰ２と４段目の共振器１４との間に設けられたキャパシタＣ２とを備えている。
【００３４】
図７において、記号Ｃ３を付したキャパシタの記号は、共振器１１，１２間の容量結合を表している。また、記号Ｃ４を付したキャパシタの記号は、共振器１３，１４間の容量結合を表している。また、記号Ｍを付した曲線は、共振器１２，１３間の磁気結合を表している。本実施の形態では、１段目の共振器１１と４段目の共振器１４は、容量結合するように構成されている。図７において、記号Ｃ５を付したキャパシタの記号は、共振器１１，１４間の容量結合を表している。
【００３５】
図６に示したように、共振器１１，１２，１３，１４は、それぞれＺ方向に交差する方向に長い形状を有する共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４を有している。
【００３６】
図６に示したように、積層体３０は、更に、シールド導体部４０５，４０６，４０７を含んでいる。シールド導体部４０５，４０６，４０７は、グランドに接続されている。共振器導体部４０１とシールド導体部４０５は、１つの導体層の互いに異なる部分である。共振器導体部４０２，４０３とシールド導体部４０６は、他の１つの導体層の互いに異なる部分である。共振器導体部４０４とシールド導体部４０７は、更に他の１つの導体層の互いに異なる部分である。図６では、共振器導体部４０１とシールド導体部４０５の境界、共振器導体部４０２とシールド導体部４０６の境界、共振器導体部４０３とシールド導体部４０６の境界、および共振器導体部４０４とシールド導体部４０７の境界を、それぞれ破線で示している。
【００３７】
共振器導体部４０１と共振器導体部４０４はＸ方向に長い形状を有し、共振器導体部４０２と共振器導体部４０３はＹ方向に長い形状を有している。共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４の各々は、長手方向の両端に位置する第１端と第２端を有している。共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４の各々の第１端は開放されている。共振器導体部４０１の第２端は、シールド導体部４０５に接続されていることによってグランドに接続されている。共振器導体部４０２，４０３の各々の第２端は、シールド導体部４０６に接続されていることによってグランドに接続されている。共振器導体部４０４の第２端は、シールド導体部４０７に接続されていることによってグランドに接続されている。
【００３８】
共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４の各々は、バンドパスフィルタ１０の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下の長さを有している。本実施の形態では特に、共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４の各々の長さは、バンドパスフィルタ１０の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４である。
【００３９】
積層体３０は、更に、第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１を接続する複数の接続導体部７１を含んでいる。複数の接続導体部７１の各々は、直列に接続された複数のスルーホールを含んでいる。図４および図６では、便宜上、複数の接続導体部７１を、ハッチングを付して示している。
【００４０】
複数の接続導体部７１は、複数のフィルタ−アンテナ対に対応するように複数組設けられている。本実施の形態では特に、フィルタ−アンテナ対の数が４つであることから、複数の接続導体部７１は、４組設けられている。
【００４１】
図６に示したように、シールド導体部４０５，４０６，４０７の各々には、複数の接続導体部７１のうちのいくつかが接続されている。残りの複数の接続導体部７１は、シールド導体部４０５，４０６，４０７のいずれにも接続されていない。
【００４２】
積層体３０は、更に、Ｚ方向から見たときに共振器導体部４０２，４０３の間に位置して、第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１を接続する複数の仕切り導体部７２を含んでいる。複数の仕切り導体部７２の各々は、直列に接続された複数のスルーホールを含んでいる。複数の仕切り導体部７２は、４つのバンドパスフィルタ１０に対応するように４組設けられている。
【００４３】
図１ないし図４に示したように、積層体３０は、更に、底面グランド導体層３１０と第２のグランド導体層４８１を接続する複数のスルーホール列８０を含んでいる。複数のスルーホール列８０は、Ｚ方向から見たときに、４つのバンドパスフィルタ１０の周辺に配置されている。複数のスルーホール列８０の各々は、直列に接続された複数のスルーホールを含んでいる。
【００４４】
積層体３０は、更に、４つのフィルタ−アンテナ対に対応する４つのスルーホール列７５を含んでいる。後で詳しく説明するが、４つのスルーホール列７５の各々は、キャパシタＣ２と給電導体層２１とを接続している。スルーホール列７５は、直列に接続された複数のスルーホールを含んでいる。
【００４５】
ここで、本実施の形態に係る複合電子部品１の作用について説明する。バンドパスフィルタ１０は、第１の入出力ポートＰ１と第２の入出力ポートＰ２の一方に与えられた高周波信号のうち、通過帯域内の周波数の信号を選択的に通過させて、第１の入出力ポートＰ１と第２の入出力ポートＰ２の他方から出力する。バンドパスフィルタ１０は、例えば、通過帯域が１０〜３０ＧＨｚの準ミリ波帯または３０〜３００ＧＨｚのミリ波帯に存在するように設計および構成される。
【００４６】
アンテナ２０の給電導体層２１は、第２の入出力ポートＰ２に接続されている。放射素子２２は、給電導体層２１と電磁結合する。バンドパスフィルタ１０の第２の入出力ポートＰ２から出力された高周波信号が給電導体層２１に与えられると、給電導体層２１と放射素子２２は高周波信号を電磁波に変換して、この電磁波を放射素子２２から放射する。また、放射素子２２が電磁波を受信すると、放射素子２２と給電導体層２１は、電磁波を高周波信号に変換して、この高周波信号を第２の入出力ポートＰ２に送る。
【００４７】
本実施の形態に係る複合電子部品１は、複数、具体的には４つのフィルタ−アンテナ対を備えている。この複合電子部品１は、アレーアンテナを構成するために用いることができる。
【００４８】
次に、図８ないし図１８を参照して、積層体３０を構成する複数の誘電体層と、この複数の誘電体層に形成された複数の導体層および複数のスルーホールの構成について説明する。図８ないし図１８の各々において、（ａ）は誘電体層のパターン形成面を示し、（ｂ）は（ａ）において破線の四角で示した部分を拡大して示している。この部分は、図２、図４および図６に示した部分に対応する。また、図９ないし図１４における（ｂ）では、便宜上、複数の接続導体部７１を構成するために用いられる複数のスルーホールを、ハッチングを付して示している。
【００４９】
積層体３０は、積層された３６層の誘電体層を有している。以下、この３６層の誘電体層を、下から順に１層目ないし３６層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし３６層目の誘電体層を、符号３１〜６６で表す。
【００５０】
図８に示したように、１層目の誘電体層３１のパターン形成面には、底面グランド導体層３１０と、４つの入出力端子Ｔ１が形成されている。底面グランド導体層３１０には、４つの円形の孔３１０ａが形成されている。４つの入出力端子Ｔ１は、４つの孔３１０ａの内側に配置され、底面グランド導体層３１０には接していない。
【００５１】
誘電体層３１には、４つの入出力端子Ｔ１に接続された４つのスルーホール３１Ｔ３が形成されている。
【００５２】
また、誘電体層３１には、底面グランド導体層３１０に接続された複数のスルーホール３１Ｔ０が形成されている。複数のスルーホール３１Ｔ０は、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられるものである。
【００５３】
また、誘電体層３１には、複数のスルーホール３１Ｔ４が４組形成されている。各組の複数のスルーホール３１Ｔ４は、４つの孔３１０ａの各々の周囲に配置されて底面グランド導体層３１０に接続されている。
【００５４】
図９に示したように、２層目の誘電体層３２のパターン形成面には、第１のグランド導体層３２１を構成する４つの部分導体層３２１Ｐが形成されている。４つの部分導体層３２１Ｐには、４つの円形の孔３２１ａが形成されている。
【００５５】
誘電体層３２には、４つの孔３２１ａの内側に配置された４つのスルーホール３２Ｔ３が形成されている。４つのスルーホール３２Ｔ３には、誘電体層３１に形成された４つのスルーホール３１Ｔ３が接続されている。
【００５６】
また、誘電体層３２には、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられる複数のスルーホール３２Ｔ０が形成されている。複数のスルーホール３２Ｔ０には、誘電体層３１に形成された複数のスルーホール３１Ｔ０が接続されている。
【００５７】
また、誘電体層３２には、複数のスルーホール３２Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール３２Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層３２には、複数のスルーホール３２Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール３２Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。
【００５８】
誘電体層３１に形成された４組のスルーホール３１Ｔ４は、４つの部分導体層３２１Ｐに接続されている。
【００５９】
図１０に示したように、３層目ないし８層目の誘電体層３３〜３８の各々には、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられる複数のスルーホール３３Ｔ０が形成されている。また、誘電体層３３〜３８の各々には、複数のスルーホール３３Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール３３Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層３３〜３８の各々には、複数のスルーホール３３Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール３３Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。また、誘電体層３３〜３８の各々には、４つのスルーホール３３Ｔ３が形成されている。
【００６０】
３層目の誘電体層３３に形成された複数のスルーホール３３Ｔ０には、誘電体層３２に形成された複数のスルーホール３２Ｔ０が接続されている。誘電体層３３に形成された４組のスルーホール３３Ｔ１には、誘電体層３２に形成された４組のスルーホール３２Ｔ１が接続されている。誘電体層３３に形成された４組のスルーホール３３Ｔ２には、誘電体層３２に形成された４組のスルーホール３２Ｔ２が接続されている。誘電体層３３に形成された４つのスルーホール３３Ｔ３には、誘電体層３２に形成された４つのスルーホール３２Ｔ３が接続されている。８層目の誘電体層３８に形成された４つのスルーホール３３Ｔ３の各々は、第１の入出力ポートＰ１に対応する。
【００６１】
誘電体層３３〜３８では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
【００６２】
図１１に示したように、９層目の誘電体層３９のパターン形成面には、４つのバンドパスフィルタ１０における４つのキャパシタＣ１を構成するために用いられる４つの導体層３９１が形成されている。８層目の誘電体層３８に形成された４つのスルーホール３３Ｔ３は、４つの導体層３９１に接続されている。
【００６３】
また、誘電体層３９には、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられる複数のスルーホール３９Ｔ０が形成されている。また、誘電体層３９には、複数のスルーホール３９Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール３９Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層３９には、複数のスルーホール３９Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール３９Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。
【００６４】
複数のスルーホール３９Ｔ０には、誘電体層３８に形成された複数のスルーホール３３Ｔ０が接続されている。４組のスルーホール３９Ｔ１には、誘電体層３８に形成された４組のスルーホール３３Ｔ１が接続されている。４組のスルーホール３９Ｔ２には、誘電体層３８に形成された４組のスルーホール３３Ｔ２が接続されている。
【００６５】
図１２に示したように、１０層目の誘電体層４０のパターン形成面には、共振器導体部４０１とシールド導体部４０５を構成する導体層と、共振器導体部４０２，４０３とシールド導体部４０６を構成する導体層と、共振器導体部４０４とシールド導体部４０７を構成する導体層の組が、４つのバンドパスフィルタ１０に対応するように４組形成されている。９層目の誘電体層３９のパターン形成面に形成された４つの導体層３９１は、誘電体層３９を介して４つの共振器導体部４０１に対向している。
【００６６】
また、誘電体層４０には、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられる複数のスルーホール４０Ｔ０が形成されている。また、誘電体層４０には、複数のスルーホール４０Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール４０Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層４０には、複数のスルーホール４０Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール４０Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。
【００６７】
複数のスルーホール４０Ｔ０には、誘電体層３９に形成された複数のスルーホール３９Ｔ０が接続されている。４組のスルーホール４０Ｔ１には、誘電体層３９に形成された４組のスルーホール３９Ｔ１が接続されている。４組のスルーホール４０Ｔ２には、誘電体層３９に形成された４組のスルーホール３９Ｔ２が接続されている。
【００６８】
シールド導体部４０５，４０６，４０７の各々には、複数のスルーホール４０Ｔ１のうちのいくつかが接続されている。残りの複数のスルーホール４０Ｔ１は、シールド導体部４０５，４０６，４０７のいずれにも接続されていない。
【００６９】
図１３に示したように、１１層目の誘電体層４１のパターン形成面には、４つのバンドパスフィルタ１０における４つのキャパシタＣ２を構成するために用いられる４つの導体層４１１が形成されている。４つの導体層４１１は、誘電体層４０を介して４つのバンドパスフィルタ１０における４つの共振器導体部４０４に対向している。
【００７０】
また、誘電体層４１には、複数のスルーホール列８０を構成するために用いられる複数のスルーホール４１Ｔ０が形成されている。また、誘電体層４１には、複数のスルーホール４１Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール４１Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層４１には、複数のスルーホール４１Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール４１Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。また、誘電体層４１には、４つのスルーホール列７５を構成するために用いられる４つのスルーホール４１Ｔ５が形成されている。４つのスルーホール４１Ｔ５は、４つの導体層４１１に接続されている。４つのスルーホール４１Ｔ５の各々は、第２の入出力ポートＰ２に対応する。
【００７１】
複数のスルーホール４１Ｔ０には、誘電体層４０に形成された複数のスルーホール４０Ｔ０が接続されている。４組のスルーホール４１Ｔ１には、誘電体層４０に形成された４組のスルーホール４０Ｔ１が接続されている。４組のスルーホール４１Ｔ２には、誘電体層４０に形成された４組のスルーホール４０Ｔ２が接続されている。
【００７２】
図１４に示したように、１２層目ないし１７層目の誘電体層４２〜４７の各々には、複数のスルーホール列８０を構成する複数のスルーホール４２Ｔ０が形成されている。また、誘電体層４２〜４７の各々には、複数のスルーホール４２Ｔ１が４組形成されている。４組のスルーホール４２Ｔ１は、４組の接続導体部７１を構成するために用いられる。また、誘電体層４２〜４７の各々には、複数のスルーホール４２Ｔ２が４組形成されている。４組のスルーホール４２Ｔ２は、４組の仕切り導体部７２を構成するために用いられる。また、誘電体層４２〜４７の各々には、４つのスルーホール列７５を構成するために用いられる４つのスルーホール４２Ｔ５が形成されている。
【００７３】
１２層目の誘電体層４２に形成された複数のスルーホール４２Ｔ０には、誘電体層４１に形成された複数のスルーホール４１Ｔ０が接続されている。誘電体層４２に形成された４組のスルーホール４２Ｔ１には、誘電体層４１に形成された４組のスルーホール４１Ｔ１が接続されている。誘電体層４２に形成された４組のスルーホール４２Ｔ２には、誘電体層４１に形成された４組のスルーホール４１Ｔ２が接続されている。誘電体層４２に形成された４つのスルーホール４２Ｔ５には、誘電体層４１に形成された４つのスルーホール４１Ｔ５が接続されている。
【００７４】
誘電体層４２〜４７では、上下に隣接する同じ符号のスルーホール同士が互いに接続されている。
【００７５】
図１５に示したように、１８層目の誘電体層４８のパターン形成面には、第２のグランド導体層４８１が形成されている。第２のグランド導体層４８１には、４つの円形の孔４８１ａが形成されている。
【００７６】
また、誘電体層４８には、４つのスルーホール列７５を構成するために用いられる４つのスルーホール４８Ｔ５が形成されている。４つのスルーホール４８Ｔ５は、４つの孔４８１ａの内側に配置されている。４つのスルーホール４８Ｔ５には、誘電体層４７に形成された４つのスルーホール４２Ｔ５が接続されている。
【００７７】
図１６に示したように、１９層目ないし２３層目の誘電体層４９〜５３の各々には、４つのスルーホール列７５を構成するために用いられる４つのスルーホール４９Ｔ５が形成されている。１９層目の誘電体層４９に形成された４つのスルーホール４９Ｔ５には、誘電体層４８に形成された４つのスルーホール４８Ｔ５が接続されている。誘電体層４９〜５３では、上下に隣接するスルーホール４９Ｔ５同士が互いに接続されている。
【００７８】
図１７に示したように、２４層目の誘電体層５４には、４つの給電導体層２１が形成されている。４つの給電導体層２１には、誘電体層５３に形成された４つのスルーホール４９Ｔ５が接続されている。
【００７９】
２５層目ないし３５層目の誘電体層５５〜６５には、導体層およびスルーホールは形成されていない。
【００８０】
図１８に示したように、３６層目の誘電体層６６のパターン形成面には、４つの放射素子２２が形成されている。４つの放射素子２２は、誘電体層５４〜６５を介して、４つの給電導体層２１に対向している。
【００８１】
積層体３０は、３６層目の誘電体層６６におけるパターン形成面とは反対側の面が上面３０Ｂになるように、１層目ないし３６層目の誘電体層３１〜６６が積層されて構成される。
【００８２】
以下、１つのフィルタ−アンテナ対に関して、図７に示した回路の構成要素と、図８ないし図１８に示した積層体３０の構成要素との対応関係について説明する。
【００８３】
バンドパスフィルタ１０の共振器１１，１２，１３，１４は、それぞれ、図１２（ｂ）に示した共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４を有している。
【００８４】
入出力端子Ｔ１は、スルーホール３１Ｔ３，３２Ｔ３および誘電体層３３〜３８に形成された６つのスルーホール３３Ｔ３を介して、図１１（ｂ）に示した導体層３９１に接続されている。誘電体層３８に形成されたスルーホール３３Ｔ３は、第１の入出力ポートＰ１に対応する。導体層３９１は、誘電体層３９を介して、図１２（ｂ）に示した共振器導体部４０１に対向している。図７に示したキャパシタＣ１は、導体層３９１と共振器導体部４０１と、これらの間の誘電体層３９とによって構成されている。
【００８５】
図１３（ｂ）に示した導体層４１１は、誘電体層４０を介して、図１２（ｂ）に示した共振器導体部４０４に対向している。図７に示したキャパシタＣ２は、導体層４１１と共振器導体部４０４と、これらの間の誘電体層４０とによって構成されている。
【００８６】
アンテナ２０は、図１７（ｂ）に示した給電導体層２１と、図１８（ｂ）に示した放射素子２２を含んでいる。
【００８７】
スルーホール４１Ｔ５と、誘電体層４２〜４７に形成された６つのスルーホール４２Ｔ５と、スルーホール４８Ｔ５と、誘電体層４９〜５３に形成された５つのスルーホール４９Ｔ５は、キャパシタＣ２と給電導体層２１を接続するスルーホール列７５を構成している。スルーホール４１Ｔ５は、第２の入出力ポートＰ２に対応する。
【００８８】
次に、本実施の形態に係る複合電子部品１の構造上の第１および第２の特徴と、それらによる効果について説明する。始めに、第１の特徴について説明する。第１の特徴は、積層体３０が複数の接続導体部７１を含むことである。
【００８９】
本実施の形態に係る複合電子部品１において、積層体３０の複数の導体層は、Ｚ方向について互いに異なる位置に配置された第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１を含んでいる。バンドパスフィルタ１０は、第１のグランド導体層３２１から第２のグランド導体層４８１までの空間的な範囲内に位置している。アンテナ２０の放射素子２２は、第２のグランド導体層４８１に対して第１のグランド導体層３２１とは反対側に配置されている。
【００９０】
積層体３０は、第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１を接続する複数の接続導体部７１を含んでいる。複数の接続導体部７１の各々は、直列に接続されたスルーホール３２Ｔ１，３３Ｔ１，３９Ｔ１，４０Ｔ１，４１Ｔ１，４２Ｔ１を含んでいる。
【００９１】
複数の接続導体部７１は、第２の方向であるＸ方向におけるバンドパスフィルタ１０の前方および後方と第３の方向であるＹ方向におけるバンドパスフィルタ１０の前方および後方にそれぞれ１つ以上の接続導体部７１が存在するように、バンドパスフィルタ１０の周囲に配置されている。なお、Ｘ方向におけるバンドパスフィルタ１０の前方および後方とは、バンドパスフィルタ１０に対してＸ方向の先の位置と−Ｘ方向の先の位置のことである。同様に、Ｙ方向におけるバンドパスフィルタ１０の前方および後方とは、バンドパスフィルタ１０に対してＹ方向の先の位置と−Ｙ方向の先の位置のことである。
【００９２】
本実施の形態によれば、複数の接続導体部７１が設けられていることにより、第１のグランド導体層３２１および第２のグランド導体層４８１に起因してバンドバスフィルタ１０の特性が悪化することを防止することができる。以下、その理由について説明する。
【００９３】
積層体３０では、複数の接続導体部７１が無い場合には、第１のグランド導体層３２１と第２のグランド導体層４８１によって平行平板導波路に似た構造が形成されることによって１つ以上の電磁波の伝搬モードが生じ、この１つ以上の電磁波の伝搬モードによって１つ以上の不要な共振が生じる場合がある。この１つ以上の不要な共振の共振周波数は、通常、バンドパスフィルタ１０の通過帯域よりも高い周波数領域に存在する。もし、不要な共振の共振周波数がバンドパスフィルタ１０の通過帯域に比較的近いと、通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性が悪化するという問題が生じる。
【００９４】
上記の不要な共振の共振周波数は、第１および第２のグランド導体層３２１，４８１を含む導体によって囲まれた空間の形状に依存する。一般的に、この空間が小さいほど、不要な共振の共振周波数は高くなる。
【００９５】
本実施の形態によれば、積層体３０が複数の接続導体部７１を含むことにより、複数の接続導体部７１と第１および第２のグランド導体層３２１，４８１によって囲まれた空間を、複数の接続導体部７１が無い場合において第１および第２のグランド導体層３２１，４８１を含む導体によって囲まれた空間に比べて小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、複数の接続導体部７１が無い場合に比べて、不要な共振の共振周波数を高くすることができる。これにより、本実施の形態によれば、第１および第２のグランド導体層３２１，４８１に起因して通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性が悪化することを防止することができる。
【００９６】
本実施の形態では、更に、積層体３０が複数の仕切り導体部７２を含むことにより、第１および第２のグランド導体層３２１，４８１を含む導体によって囲まれた空間をより小さくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、第１および第２のグランド導体層３２１，４８１に起因して通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性が悪化することを、より確実に防止することができる。
【００９７】
隣接する２つの接続導体部７１の間隔が小さいほど、複数の接続導体部７１による上述の効果が確実に発揮される。この観点から、複数の接続導体部７１は、隣接する２つの接続導体部７１の間隔が、バンドパスフィルタ１０の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下、すなわち共振器導体部４０１，４０２，４０３，４０４の各々の長さ以下となるように配置されていることが好ましい。同様の観点から、複数の接続導体部７１は、隣接する２つの接続導体部７１の間隔が１．２５ｍｍ以下となるように配置されていることが好ましく、隣接する２つの接続導体部７１の間隔が５００μｍ以下となるように配置されていることがより好ましい。３０ＧＨｚに対応する自由空間における波長は約１０ｍｍである。１．２５ｍｍは、３０ＧＨｚに対応する自由空間における波長の約１／８であり、５００μｍは、３０ＧＨｚに対応する自由空間における波長の約１／２０である。
【００９８】
また、複数の接続導体部７１がバンドパスフィルタ１０に近いほど、複数の接続導体部７１による上述の効果が確実に発揮される。この観点から、複数の接続導体部７１の各々は、それに最も近い共振器導体部との間の距離が、バンドパスフィルタ１０の通過帯域の中心周波数に対応する波長の１／４以下となるように配置されていることが好ましい。
【００９９】
ここで、第１の特徴による効果を示す第１のシミュレーションの結果について説明する。第１のシミュレーションでは、本実施の形態に係る複合電子部品１と第１の比較例の複合電子部品の特性を比較した。
【０１００】
図１９は、第１の比較例の複合電子部品の要部の平面図である。図１９は、図６に対応している。図１９に示したように、第１の比較例の複合電子部品では、本実施の形態における複数の接続導体部７１のうち、シールド導体部４０５，４０６，４０７のいずれにも接続されていない複数の接続導体部７１が設けられていない。そのため、第１の比較例では、Ｙ方向におけるバンドパスフィルタ１０の前方には、接続導体部７１が１つも存在していない。また、第１の比較例において、シールド導体部４０５とシールド導体部４０６の間と、シールド導体部４０７とシールド導体部４０６の間は、それぞれ、導体が存在しない大きな隙間になっている。第１の比較例における複数の接続導体部７１は、本発明における複数の接続導体部の要件を満たしていない。また、第１の比較例では、複数のスルーホール列８０は設けられていない。第１の比較例の複合電子部品のその他の構成は、本実施の形態に係る複合電子部品１と同様である。
【０１０１】
図２０は、第１のシミュレーションの結果を示している。図２０は、本実施の形態に係る複合電子部品１と第１の比較例の複合電子部品について、アンテナ２０のＺ方向の指向性利得の周波数特性を示している。図２０において、横軸は周波数を示し、縦軸はアンテナ２０のＺ方向の指向性利得を示している。また、図２０において、符号９１を付した線は本実施の形態に係る複合電子部品１の特性を示し、符号９２を付した線は第１の比較例の複合電子部品の特性を示している。なお、図２０に示したアンテナ２０のＺ方向の指向性利得の周波数特性は、バンドパスフィルタ１０の挿入損失の周波数特性に対応する。図２０に示した例では、本実施の形態に係る複合電子部品１と第１の比較例の複合電子部品のいずれにおいても、バンドパスフィルタ１０の通過帯域は約２７．５〜２９．５ＧＨｚであり、通過帯域の中心周波数は約２８．５ＧＨｚである。
【０１０２】
図２０に示したように、第１の比較例の複合電子部品の特性９２では、約３５ＧＨｚにおいて、利得が大きくなるピークが存在している。これは、第１の比較例では、約３５ＧＨｚの共振周波数を有する不要な共振が生じているためと考えられる。特性９２では、上記のピークの存在により、通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性が悪化している。これに対し、本実施の形態に係る複合電子部品１の特性９１では、特性９２において生じているようなピークは存在せず、特性９２に比べて、通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性は良好である。図２０から、本実施の形態によれば、第１および第２のグランド導体層３２１，４８１に起因して通過帯域よりも高い周波数領域におけるバンドパスフィルタ１０の減衰特性が悪化することを防止できることが分かる。
【０１０３】
次に、第２の特徴について説明する。第２の特徴は、Ｚ方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁が放射素子２２の外縁の外側に位置していることである。この特徴により、本実施の形態によれば、第２のグランド導体層４８１に起因してアンテナ２０の放射パターンが乱れることを防止することができる。以下、その理由について説明する。
【０１０４】
本実施の形態において、放射素子２２からは、Ｚ方向が主放射方向となるように電磁波が放射され、この電磁波が積層体３０の上面３０Ｂから積層体３０の外部に放射される。放射素子２２からは、バンドパスフィルタ１０側にも電磁波が放射され、この電磁波の一部は、第２のグランド導体層４８１で反射されて、積層体３０の上面３０Ｂから積層体３０の外部に放射される。以下、第２のグランド導体層４８１で反射されて積層体３０の外部に放射される電磁波を反射波と言う。この反射波はアンテナ２０の放射パターンに影響を与える。
【０１０５】
ここで、第２の特徴による効果を示す第２のシミュレーションの結果について説明する。第２のシミュレーションでは、本実施の形態に係る複合電子部品１と第２の比較例の複合電子部品の特性を比較した。
【０１０６】
図２１は、第２の比較例の複合電子部品の要部の平面図である。図２２は、第２の比較例の複合電子部品の要部の側面図である。図２１は、図６に対応している。図２２は、図４に対応している。図２１および図２２に示したように、第２の比較例の複合電子部品では、本実施の形態における第２のグランド導体層４８１の代わりに、グランド導体層４８１Ｐが設けられている。
【０１０７】
図２１に示したように、Ｚ方向から見たグランド導体層４８１Ｐの形状は、Ｚ方向から見た部分導体層３２１Ｐの形状よりも小さい。Ｚ方向から見たときに、グランド導体層４８１Ｐは、放射素子２２の中心に対して偏って存在している。すなわち、Ｚ方向から見たときに、グランド導体層４８１Ｐの中心と放射素子２２の中心は一致せず、グランド導体層４８１Ｐの一部が放射素子２２の一部と重なっている。Ｚ方向から見たときに、グランド導体層４８１Ｐの外縁の一部は放射素子２２の外縁の外側に位置しているが、グランド導体層４８１Ｐの外縁の残りの部分は放射素子２２の外縁の外側に位置していない。また、第２の比較例では、複数のスルーホール列８０は設けられていない。第２の比較例の複合電子部品のその他の構成は、本実施の形態に係る複合電子部品１と同様である。
【０１０８】
図２３および図２４は、第２のシミュレーションの結果を示している。図２３は、第２の比較例の複合電子部品における放射パターンを示す特性図である。図２４は、本実施の形態に係る複合電子部品１における放射パターンを示す特性図である。図２３および図２４は、いずれも、放射素子２２の上面の中心を含むＸＺ平面におけるアンテナ２０の放射パターンを示している。図２３および図２４において、円周方向の目盛りは、放射方向がＺ方向に対してなす角度を示している。図２３および図２４では、Ｚ方向から時計回り方向に見たときの角度を正の値で表し、Ｚ方向から反時計回り方向に見たときの角度を負の値で表している。図２３および図２４において、半径方向の目盛りは指向性利得を示している。
【０１０９】
図２３に示したように、第２の比較例の複合電子部品における放射パターンでは、０°から９０°の範囲における放射パターンと、０°から−９０°の範囲における放射パターンの対称性が悪い。これは、アンテナ２０の放射パターンが乱れていることを表している。その原因は、以下のように考えられる。第２の比較例では、前述のように、Ｚ方向から見たときに、形状の小さいグランド導体層４８１Ｐが、放射素子２２の中心に対して偏って存在している。そのため、放射素子２２の上面の中心を通りＺ方向に平行な中心軸を想定した場合、第２の比較例では、中心軸を含む断面において、中心軸の両側における反射波の強度および位相の対称性が悪い。これに起因して、第２の比較例では、アンテナ２０の放射パターンが乱れると考えられる。
【０１１０】
これに対し、図２４に示したように、本実施の形態に係る複合電子部品１における放射パターンでは、０°から９０°の範囲における放射パターンと、０°から−９０°の範囲における放射パターンの対称性がよい。これは、Ｚ方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁が放射素子２２の外縁の外側に位置しているためと考えられる。すなわち、これにより、本実施の形態では、上記中心軸を含む断面において、中心軸の両側における反射波の強度および位相の対称性がよく、その結果、アンテナ２０の放射パターンの乱れが防止されると考えられる。
【０１１１】
また、本実施の形態では、第２の特徴により、Ｚ方向から見たときに第２のグランド導体層４８１の形状が放射素子２２の形状よりも大きい。これは、第１の特徴を実現するのに適している。すなわち、Ｚ方向から見たときの第２のグランド導体層４８１の形状が大きいことにより、第２のグランド導体層４８１において複数の接続導体部７１を接続するための領域を十分に確保することが可能になると共に、複数の接続導体部７１の数や配置の設計の自由度が大きくなる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、Ｚ方向から見たときに、第２のグランド導体層４８１の外縁は、その内側に４つの放射素子２２の外縁の全てを含んでいる。これにより、Ｚ方向から見たときの第２のグランド導体層４８１の形状をより大きくすることができ、上述の第２のグランド導体層４８１による効果をより確実に発揮させることができる。
【０１１３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の複合電子部品は、フィルタとアンテナを１つずつ備えたものであってもよい。
【０１１４】
また、バンドパスフィルタの構成は、実施の形態で示した構成に限られない。例えば、バンドパスフィルタは、２、３または５以上の共振器を含む構成であってもよい。
【０１１５】
また、アンテナの構成は、実施の形態で示した構成に限られない。例えば、アンテナは、放射素子に直接給電する構成であってもよい。
【０１１６】
また、本発明の複合電子部品におけるフィルタは、バンドパスフィルタ以外のフィルタであってもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
１…複合電子部品、１０…フィルタ、１１，１２，１３，１４…共振器、２０…アンテナ、２２…放射素子、３０…積層体、７１…接続導体部、３２１…第１のグランド導体層、３２１Ｐ…部分導体層、４８１…第２のグランド導体層。
【図１】
2019057852.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019057852.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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