(57)【要約】      （修正有）【課題】光抽出効率および電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置を提供する。【解決手段】実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体；パッケージ胴体の上に配置された発光素子；およびパッケージ胴体と発光素子との間に配置された接着剤；を含むことができる。パッケージ胴体は、パッケージ胴体の上面からパッケージ胴体を貫通する第１および第２開口部と、パッケージ胴体の上面からパッケージ胴体の下面方向に凹なリセスとを含むことができる。発光素子は、第１開口部の上に配置された第１ボンディング部と第２開口部の上に配置された第２ボンディング部とを含み、リセスに接着剤が提供され得る。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ胴体；
前記パッケージ胴体の上に配置された発光素子；および
前記パッケージ胴体と前記発光素子との間に配置された接着剤；
を含み、
前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体を貫通する第１および第２開口部と、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体の下面方向に凹なリセスとを含み、
前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１ボンディング部と前記第２開口部の上に配置された第２ボンディング部とを含み、
前記リセスに前記接着剤が提供された発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記リセスは、前記第１および第２開口部の周りに閉ループ形状で提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子のサイズが前記リセスによって提供された閉ループの内部面積に比べてより大きく提供された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線内に前記リセスによって提供された閉ループが配置された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線が前記リセスの上に重なって提供された、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記パッケージ胴体は、第１フレーム、第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体を含み、
前記第１開口部は、前記第１フレームに提供され、前記第２開口部は、前記第２フレームに提供され、
前記リセスは、前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記パッケージ胴体の上面から下面方向に凹な上部リセスをさらに含み、
前記上部リセスは、前記第１開口部と前記第２開口部との間に提供された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記接着剤は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部の周りに配置された、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１開口部に配置されて前記第１ボンディング部と電気的に連結された第１導電層と、前記第２開口部に配置されて前記第２ボンディング部と電気的に連結された第２導電層とを含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体とを含む、請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記接着剤は、前記パッケージ胴体の上面および前記発光素子の下面に直接接触して提供され、前記第１および第２ボンディング部の周りを囲んで密封させる、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第１および第２ボンディング部は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇ  ａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第１および第２導電層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含む、請求項９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記第１導電体は、前記第１開口部内に配置され、
前記第２導電体は、前記第２開口部内に配置された、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記第１導電体は、前記第１ボンディング部と垂直方向で互いに重なって配置され、
前記第２導電体は、前記第２ボンディング部と前記垂直方向で互いに重なって配置された、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は、半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの化合物を含む半導体素子は、広くて調整の容易なバンドギャップエネルギーを有するなどの多くの長所を有するので、発光素子、受光素子および各種のダイオードなどに多様に使用することができる。
【０００３】
特に、ＩＩＩ族−Ｖ族またはＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）のような発光素子は、薄膜成長技術および素子材料の開発によって、赤色、緑色、青色および紫外線などの多様な波長帯域の光を実現することができるという長所がある。また、ＩＩＩ族−Ｖ族またはＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体物質を用いた発光ダイオードやレーザーダイオードのような発光素子は、蛍光物質を用いるか色を組み合わせることによって効率の良い白色光源も実現可能である。このような発光素子は、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べ、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所を有する。
【０００４】
さらに、光検出器や太陽電池のような受光素子もＩＩＩ族−Ｖ族またはＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体物質を用いて製作する場合、素子材料の開発により多様な波長領域の光を吸収して光電流を生成することによってガンマ線からラジオ波長領域まで多様な波長領域の光を利用することができる。また、このような受光素子は、速い応答速度、安全性、環境親和性および素子材料の容易な調節などの長所を有するので、電力制御または、超高周波回路や通信用モジュールにも容易に用いられる。
【０００５】
したがって、半導体素子は、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極管（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ  Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  Ｌａｍｐ）を代替する発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替することができる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッドライトおよび信号灯およびガス（Ｇａｓ）や火災を感知するセンサーなどにまで応用が広がっている。また、半導体素子は、高周波応用回路や他の電力制御装置、通信用モジュールにまで応用が拡大できる。
【０００６】
発光素子（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ）は、例として周期律表上でＩＩＩ族−Ｖ族元素またはＩＩ族−ＶＩ族元素を用いて電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ−ｎ接合ダイオードとして提供され、化合物半導体の組成比を調節することによって多様な波長の具現が可能である。
【０００７】
例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって光素子および高出力電子素子の開発分野で大きいな関心を集めている。特に、窒化物半導体を用いた青色（Ｂｌｕｅ）発光素子、緑色（Ｇｒｅｅｎ）発光素子、紫外線（ＵＶ）発光素子、赤色（ＲＥＤ）発光素子などは商用化されて広く使用されている。
【０００８】
例えば、紫外線発光素子の場合、２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長帯に分布している光を発生する発光ダイオードとして、前記波長帯域で、短波長の場合、殺菌、浄化などに使用され、長波長の場合、露光機または硬化器などに使用され得る。
【０００９】
紫外線は、波長が長い順にＵＶ−Ａ（３１５ｎｍ〜４００ｎｍ）、ＵＶ−Ｂ（２８０ｎｍ〜３１５ｎｍ）、ＵＶ−Ｃ（２００ｎｍ〜２８０ｎｍ）の三種類に分けられる。ＵＶ−Ａ（３１５ｎｍ〜４００ｎｍ）領域は、産業用ＵＶ硬化、印刷インク硬化、露光機、偽札鑑別、光触媒殺菌、特殊照明水族館/農業用など）等の多様な分野に応用され、ＵＶ−Ｂ（２８０ｎｍ〜３１５ｎｍ）領域は医療用として使用され、ＵＶ−Ｃ（２００ｎｍ〜２８０ｎｍ）領域は空気浄化、浄水、殺菌製品などに適用されている。
【００１０】
一方、高出力が提供できる半導体素子が要請されることにより、高電源を印加して出力を高めることができる半導体素子について研究が進められている。
【００１１】
また、半導体素子パッケージにおいて、半導体素子の光抽出効率を向上させ、パッケージ段における光度を向上させることができる方案について研究が進められている。また、半導体素子パッケージにおいて、パッケージ電極と半導体素子との間のボンディング結合力を向上させることができる方案について研究が進められている。
【００１２】
また、半導体素子パッケージにおいて、工程効率向上および構造変更を通じて製造単価を減らし製造収率を向上させることができる方案について研究が進められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
実施例は、光抽出効率および電気的特性を向上させることができる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置を提供することができる。
【００１４】
実施例は、工程効率を向上させて新しいパッケージ構造を提示して製造単価を減らし製造収率を向上させることができる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法、光源装置を提供することができる。
【００１５】
実施例は、半導体素子パッケージが基板などに再ボンディングされる過程で半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生することを防止できる半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体；前記パッケージ胴体の上に配置された発光素子；および前記パッケージ胴体と前記発光素子との間に配置された接着剤； を含み、前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体を貫通する第１および第２開口部と、前記パッケージ胴体の上面から前記パッケージ胴体の下面方向に凹なリセスとを含み、前記発光素子は、前記第１開口部の上に配置された第１ボンディング部と前記第２開口部の上に配置された第２ボンディング部とを含み、前記リセスに前記接着剤が提供され得る。
【００１７】
実施例によると、前記リセスは、前記第１および第２開口部の周りに閉ループ形状で提供され得る。
【００１８】
実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子のサイズが前記リセスによって提供された閉ループの内部面積に比べてより大きく提供され得る。
【００１９】
実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線内に前記リセスによって提供された閉ループが配置され得る。
【００２０】
実施例によると、前記発光素子の上部方向から見たとき、前記発光素子の四側面を連結する外枠線が前記リセスの上に重なって提供され得る。
【００２１】
実施例によると、前記パッケージ胴体は、第１フレーム、第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体を含み、前記第１開口部は前記第１フレームに提供され、前記第２開口部は前記第２フレームに提供され、前記リセスは前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供され得る。
【００２２】
実施例による発光素子パッケージは、前記パッケージ胴体の上面から下面方向に凹な上部リセスをさらに含み、前記上部リセスは前記第１開口部と前記第２開口部との間に提供され得る。
【００２３】
実施例によると、前記接着剤は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との周りに配置され得る。
【００２４】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１開口部に配置されて前記第１ボンディング部と電気的に連結された第１導電層と、前記第２開口部に配置されて前記第２ボンディング部と電気的に連結された第２導電層とを含むことができる。
【００２５】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体とを含むことができる。
【００２６】
実施例によると、前記接着剤は、前記パッケージ胴体の上面および前記発光素子の下面に直接接触して提供され、前記第１および第２ボンディング部の周りを囲んで密封させることができる。
【００２７】
実施例によると、前記第１および第２ボンディング部は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇ  ａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。
【００２８】
実施例によると、前記第１および第２導電層は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕ、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。
【００２９】
実施例によると、前記第１導電体は、前記第１開口部内に配置され、前記第２導電体は、前記第２開口部内に配置され得る。
【００３０】
実施例によると、前記第１導電体は、前記第１ボンディング部と垂直方向で互いに重なって配置され、前記第２導電体は、前記第２ボンディング部と前記垂直方向で互いに重なって配置され得る。
【００３１】
実施例による発光素子パッケージは、第１開口部を含む第１フレーム、第２開口部を含む第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された胴体を含むパッケージ胴体；前記パッケージ胴体の上に配置され、第１ボンディング部と第２ボンディング部とを含む発光素子；前記パッケージ胴体の上面と前記発光素子の下面との間に配置された接着剤；を含み、前記パッケージ胴体は、前記パッケージ胴体の前記上面から下面方向に凹むように提供されたリセスを含み、前記リセスは、前記第１および第２開口部の周りに閉ループ形状に配置され得る。
【００３２】
実施例によると、前記リセスは、前記第１フレームの上面、前記胴体の上面、前記第２フレームの上面に連結されて提供され得る。
【００３３】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１開口部に配置されて前記第１ボンディング部と電気的に連結された第１導電層と、前記第２開口部に配置されて前記第２ボンディング部と電気的に連結された第２導電層とを含むことができる。
【００３４】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１開口部内に配置されて前記第１ボンディング部と前記第１導電層との間に配置された第１導電体と、前記第２開口部内に配置されて前記第２ボンディング部と前記第２導電層との間に配置された第２導電体とを含むことができる。
【００３５】
実施例によると、前記第１導電層は、前記第１ボンディング部の下面と前記第１導電体の側面とに直接接触して配置され、前記第２導電層は、前記第２ボンディング部の下面と前記第２導電体の側面とに直接接触して配置され得る。
【００３６】
実施例による発光素子パッケージは、胴体；前記胴体に互いに離隔して配置される第１および第２フレーム；発光構造物、前記発光構造物の下に配置される第１ボンディング部、および前記発光構造物の下に前記第１ボンディング部と離隔して配置される第２ボンディング部を含む発光素子；前記発光素子を囲むモールディング部材；および前記第１および第２フレームの間に配置される放熱部材；を含み、前記胴体の下面は前記第１および第２フレームの下面と同一平面をなし、前記第１ボンディング部は前記第２ボンディング部に近い第１側面、および前記第１側面と向かい合う第２側面を含み、前記第２ボンディング部は前記第１ボンディング部に近い第３側面、および前記第３側面と向かい合う第４側面を含み、前記第１側面および前記第３側面は前記放熱部材と接触し、前記第２側面および前記第４側面は前記モールディング部材と接触し、前記放熱部材の上面は前記発光素子と接触して第１方向に延び、前記第１方向は前記発光素子の上面から前記胴体の下面に向かう方向であり、前記発光素子の上面から前記第１フレームの下面までの第１距離が前記発光素子の上面から前記放熱部材の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【００３７】
実施例によると、前記胴体は、前記第１方向に前記胴体の上面から前記胴体の下面を貫通する開口部を含み、前記放熱部材は、前記開口部に提供され得る。
【００３８】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１フレームとの間に配置された第１導電層；前記第２ボンディング部と前記第２フレームとの間に配置された第２導電層；をさらに含むことができる。
【００３９】
実施例によると、前記モールディング部材は、前記発光素子の下に配置された反射性樹脂部と前記発光素子の周りに配置されたモールディング部を含むことができる。
【００４０】
実施例によると、前記第１ボンディング部の下面の面積または前記第２ボンディング部の下面の面積が前記開口部の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【００４１】
実施例によると、前記放熱部材は、エポキシ系またはシリコーン系の樹脂を含み、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮを含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【００４２】
実施例によると、前記放熱部材は、絶縁性接着剤で提供されて前記第１および第２導電層は、導電性接着剤で提供され得る。
【００４３】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１ボンディング部と前記第１導電層と間に配置された第１導電体；前記第２ボンディング部と前記第２導電層と間に配置された第２導電体；をさらに含むことができる。
【００４４】
実施例による発光素子パッケージ製造方法は、第１フレーム、第２フレーム、前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置されて上面と下面を貫通する開口部を含む胴体を含むパッケージ胴体が提供される段階；下面に配置された第１ボンディング部と第２ボンディング部とを含む発光素子が前記パッケージ胴体の上に提供され、前記第１ボンディング部は前記第１フレームの上に配置され、前記第２ボンディング部は前記第２フレームの上に配置される段階；前記開口部を通じて提供された放熱部材が前記発光素子の下面に直接接触して配置される段階；を含むことができる。
【００４５】
実施例によると、前記発光素子の周りにモールディング部材が提供される段階をさらに含むことができる。
【００４６】
実施例によると、前記モールディング部材が提供される段階は、前記発光素子の下に反射性樹脂部が提供される段階と、前記発光素子の周りにモールディング部が提供される段階とを含むことができる。
【００４７】
実施例によると、前記放熱部材が提供される段階において、前記放熱部材は、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部とに直接接触して配置され得る。
【発明の効果】
【００４８】
実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法によると、光抽出効率および電気的特性と信頼性を向上させることができるという長所がある。
【００４９】
実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法によると、工程効率を向上させて新しいパッケージ構造を提示して製造単価を減らし製造収率を向上させることができるという長所がある。
【００５０】
実施例による半導体素子パッケージは、反射率が高い胴体を提供することで、反射体が変色しないように防止できて半導体素子パッケージの信頼性が改善できるという長所がある。
【００５１】
実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子製造方法によると、半導体素子パッケージが基板などに再ボンディングされる過程で半導体素子パッケージのボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生することが防止できるという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施例による発光素子パッケージの平面図である。
【図２】図１に示された発光素子パッケージの底面図である。
【図３】図１に示された発光素子パッケージのＤ−Ｄ線による断面図である。
【図４】本発明の実施例による発光素子パッケージに適用された第１フレーム、第２フレーム、胴体の配置関係を説明する図である。
【図５ａ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する図である。
【図５ｂ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する図である。
【図６ａ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する図である。
【図６ｂ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する図である。
【図７ａ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって開口部に放熱部材が提供された状態を説明する図である。
【図７ｂ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって開口部に放熱部材が提供された状態を説明する図である。
【図８ａ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する図である。
【図８ｂ】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する図である。
【図９】本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例を示す図である。
【図１０】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１１】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１２】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１３】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１４】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１５】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図１６】図本発明の実施例による発光素子パッケージを説明する分解斜視図である。
【図１７】本発明の実施例による発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部の配置関係を説明する図である。
【図１８】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。
【図１９】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。
【図２０】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。
【図２１】本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法を説明する図である。
【図２２】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図２３】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図２４】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図２５】図２４に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部、上部リセスの配置関係を説明する図である。
【図２６】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図２７】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図２８】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す平面図である。
【図２９】図２８に示された発光素子パッケージの底面図である。
【図３０】図２９に示された発光素子パッケージのＦ−Ｆ線による断面図である。
【図３１】図２８に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部の配置関係を説明する図である。
【図３２】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図３３】図３２に示された発光素子パッケージのパッケージ胴体、リセス、開口部、上部リセスの配置関係を説明する図である。
【図３４】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図３５】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図３６】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【図３７】本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
以下、実施例を添付された図面を参照して説明する。実施例の説明において、各層（膜）、領域、パターンまたは構造物が基板、各層（膜）、領域、パッドまたは、パターンの「上／うえ（ｏｎ）」に、または「下／した（ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものと記載される場合において、「上／うえ（ｏｎ）」と「下／した（ｕｎｄｅｒ）」は「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」または「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものをすべて含む。また、各層の上／うえまたは、下／したに対する基準は、図面を基準として説明するが実施例がこれに対し限定されるものではない。
【００５４】
以下、添付された図面を参照して、本発明の実施例による半導体素子パッケージおよび半導体素子パッケージ製造方法について詳細に説明する。以下では、半導体素子の例として発光素子が適用された場合に基づいて説明する。
【００５５】
先ず、図１ないし図４を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明する。
【００５６】
実施例による発光素子パッケージ１００は、図１ないし図４に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【００５７】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【００５８】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【００５９】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【００６０】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【００６１】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【００６２】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【００６３】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【００６４】
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。
【００６５】
実施例によると、図２ないし図４に示されたように、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。
【００６６】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【００６７】
前記発光素子１２０は、図３に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【００６８】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。
【００６９】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【００７０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【００７１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【００７２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【００７３】
前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇ  ａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ/ＩｒＯｘ/Ａｕ/ＩＴＯを含むグループから選択された一つ以上の物質または、合金を用いて単層または多層で形成され得る。
【００７４】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【００７５】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【００７６】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【００７７】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【００７８】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【００７９】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【００８０】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペーストソルダーペースト（（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ））、シルバーペースト（（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ））などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【００８１】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２を電気的に連結させることができる。
【００８２】
前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２との間の幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２との間の幅Ｗ３は、実施例による発光素子パッケージ１００が後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。
【００８３】
実施例による発光素子パッケージ１００は、放熱部材１３３を含むことができる。
【００８４】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【００８５】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【００８６】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【００８７】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか。または大きく提供され得る。
【００８８】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１ないし図４に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。
【００８９】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【００９０】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【００９１】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【００９２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【００９３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【００９４】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【００９５】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【００９６】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【００９７】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【００９８】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【００９９】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定されるようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０１００】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供することができ、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０１０１】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０１０２】
前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル（Ｕｎｄｅｒ  ｆｉｌｌ）工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。ここで、前記アンダ−フィル（Ｕｎｄｅｒ  ｆｉｌｌ）工程は、発光素子１２０をパッケージ胴体１１０に実装した後、前記放熱部材１３３を前記発光素子１２０の下部に配置する工程であり得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記放熱部材１３３が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。
【０１０３】
前記開口部ＴＨ１の深さと幅Ｗ４は、前記放熱部材１３３の形成位置および固定力に影響を及ぼすことがある。前記開口部ＴＨ１の深さと幅Ｗ４は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記放熱部材１３３によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【０１０４】
例として、前記開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１または前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１または前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０１０５】
また、開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０１０６】
例として、前記開口部ＴＨ１の深くは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【０１０７】
また、前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。ここで、前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、前記発光素子１２０の長軸方向に提供され得る。
【０１０８】
前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間の間隔に比べて狭く提供され得る。前記開口部ＴＨ１の幅Ｗ４は、１４０マイクロメートルないし４００マイクロメートルで提供され得る。
【０１０９】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０１１０】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０１１１】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域の面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０１１２】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０１１３】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１および図３に示されたようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０１１４】
実施例によるモールディング部材は、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０のうちの少なくとも一つを含むことができる。先ず、以下の実施例においては、前記モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。
【０１１５】
しかし、他の実施例によると、前記モールディング部材は、前記樹脂部１３５のみ含むこともあり、前記モールディング部１４０のみ含むこともできる。
【０１１６】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０１１７】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０１１８】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０１１９】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０１２０】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０１２１】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２の周囲とを密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０１２２】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０１２３】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０１２４】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１および図３に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０１２５】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０１２６】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０１２７】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０１２８】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０１２９】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０１３０】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０１３１】
一方、上述したように、本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例によると、前記樹脂部１３５が別に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２とに直接接触するように配置されることもある。また、前記モールディング部１４０が別に提供されず、前記樹脂部１３５が前記発光素子１２０の周りおよび上部に両方とも提供されることもある。
【０１３２】
また、実施例によると、前記発光構造物１２３は、化合物半導体で提供され得る。前記発光構造物１２３は、例としてＩＩ族−ＶＩ族またはＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体で提供され得る。例として、前記発光構造物１２３は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、窒素（Ｎ）から選択された少なくとも二個以上の元素を含んで提供され得る。
【０１３３】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。
【０１３４】
前記第１および第２導電型半導体層は、ＩＩＩ族−Ｖ族またはＩＩ族−ＶＩ族の化合物半導体のうちの少なくとも一つで具現され得る。前記第１および第２導電型半導体層は、例えばＩｎｘＡｌｙＧＡ１−ｘ−ｙＮ  ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１の組成式を有する半導体材料で形成され得る。例えば、前記第１および第２導電型半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。前記第１導電型半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのｎ型ドーパントがドーピングされたｎ型半導体層であり得る。前記第２導電型半導体層は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのｐ型ドーパントがドーピングされたｐ型半導体層であり得る。
【０１３５】
前記活性層は、化合物半導体で具現され得る。前記活性層は、例としてＩＩＩ族−Ｖ族またはＩＩ族−ＶＩ族の化合物半導体のうちの少なくとも一つで具現され得る。前記活性層が多重井戸構造で具現された場合、前記活性層は、交互に配置された複数の井戸層と複数の障壁層をと含むことができ、ＩｎｘＡｌｙＧＡ１−ｘ−ｙＮ  ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１の組成式を有する半導体材料で配置され得る。例えば、前記活性層は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ／ＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＰ、ＩｎＰ／ＧａＡｓを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０１３６】
実施例による発光素子パッケージ１００は、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０１３７】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動できるようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供できるようになる。
【０１３８】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０１３９】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装される際にリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程において、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が弱化され得る。
【０１４０】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。また、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０１４１】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０１４２】
また、実施例による発光素子パッケージ１００および発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０１４３】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得る。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０１４４】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０１４５】
すると、添付された図面を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明する。
【０１４６】
添付された図面を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明することにおいて、図１ないし図４を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０１４７】
先ず、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図５ａおよび図５ｂに示されたように、パッケージ胴体１１０が提供され得る。
【０１４８】
図５ａおよび図５ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってパッケージ胴体が提供された状態を説明する平面図および断面図である。
【０１４９】
図５ａおよび図５ｂに示されたように、前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は互いに離隔して配置され得る。
【０１５０】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０１５１】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０１５２】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【０１５３】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０１５４】
前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【０１５５】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０１５６】
次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図６ａおよび図６ｂに示されたように、前記パッケージ胴体１１０の上に発光素子１２０が提供され得る。
【０１５７】
図６ａおよび図６ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によって発光素子が提供された状態を説明する平面図および断面図である。
【０１５８】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０１５９】
前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０１６０】
例として、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、第１および第２導電層３２１、３２２によって前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上に固定され得る。
【０１６１】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【０１６２】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【０１６３】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【０１６４】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【０１６５】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０１６６】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０１６７】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０１６８】
実施例によると、前記発光素子１２０が前記開口部ＴＨ１の上に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記前記胴体１１３の下面から上面に向かう方向に前記発光構造物１２３の下面と重なって配置され得る。
【０１６９】
例として、前記第１および第２導電層３２１、３２２に対する硬化工程が行われ得る。 硬化工程によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上に安定して固定され得る。
【０１７０】
次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図７ａおよび図７ｂに示されたように、前記開口部ＴＨ１に放熱部材１３３が提供され得る。
【０１７１】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０１７２】
前記放熱部材は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０１７３】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０１７４】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０１７５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０１７６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０１７７】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０１７８】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０１７９】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０１８０】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０１８１】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０１８２】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０１８３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０１８４】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０１８５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０１８６】
例として、前記放熱部材１３３に対する硬化工程が行われ得る。前記硬化工程によって前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に前記放熱部材１３３が安定して固定され得るようになる。
【０１８７】
そして、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図８ａおよび図８ｂに示されたように、モールディング部材が形成され得る。
【０１８８】
図８ａおよび図８ｂは、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によってモールディング部材が提供された状態を説明する平面図および断面図である。
【０１８９】
図１ないし図４を参照して説明されたように、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０のうちの少なくとも一つを含むことができる。ここでは、モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。
【０１９０】
実施例によると、前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０１９１】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０１９２】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０１９３】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０１９４】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０１９５】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０１９６】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できるので実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０１９７】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０１９８】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０１９９】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０２００】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０２０１】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０２０２】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０２０３】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０２０４】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０２０５】
一方、上述したように、本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例によると、前記樹脂部１３５が別に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２とに直接接触するように配置されることもある。また、前記モールディング部１４０が別に提供されず、前記樹脂部１３５が前記発光素子１２０の周りおよび上部に両方とも提供されることもある。
【０２０６】
このように、実施例に他の発光素子パッケージ製造方法によると、前記放熱部材１３３と前記モールディング部材１３５、１４０によって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周囲が安定して密封され得るようになる。
【０２０７】
したがって、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の下面から側面方向に拡散することが防止され得、前記発光素子１２０の短絡による不良が防止されて発光素子パッケージの信頼性が向上され得る。
【０２０８】
一方、以上の説明においては、図７ａおよび図７ｂに示すように前記放熱部材１３３が先に形成され、図８ａおよび図８ｂに示すように前記モールディング部材１３５、１４０が形成される場合を基準として説明された。
【０２０９】
しかし、実施例による発光素子パッケージ製造方法の他の例によると、前記モールディング部材１３５、１４０が先に形成され、前記放熱部材１３３が後に形成されることもある。
【０２１０】
また、実施例による発光素子パッケージ製造方法のまた他の例によると、前記樹脂部１３５が形成されず、前記パッケージ胴体１１０のキャビティ内に前記モールディング部１４０のみ形成されることもある。
【０２１１】
実施例による発光素子パッケージ１００は、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０２１２】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０２１３】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０２１４】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができ、これによって、前記発光素子の位置が変わることができ、前記発光素子パッケージの光学的、電気的特性および信頼性が低下することができる。
【０２１５】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１ボンディング部と第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０２１６】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０２１７】
また、実施例による発光素子パッケージ１００および発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０２１８】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０２１９】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０２２０】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０２２１】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０２２２】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０２２３】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０２２４】
次に、図９を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。
【０２２５】
図９を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、以上で添付された図面を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０２２６】
実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０２２７】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０２２８】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。
【０２２９】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０２３０】
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。
【０２３１】
実施例によると、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。
【０２３２】
また、実施例によると、前記第１フレーム１１１の上面と前記第２フレーム１１２の上面とに段差した階段形状が提供され得る。例として、前記胴体１１３の上面は、平坦な形状で提供され、前記第１フレーム１１１の上面は、高さの差がある段差した階段形状で提供され、前記第２フレーム１１２の上面は、高さの差がある段差した階段形状で提供され得る。
【０２３３】
実施例によると、前記胴体１１３の平坦な上面、前記第１フレーム１１１の段差した階段形状の上面、前記第２フレーム１１２の段差した階段形状の上面によって前記パッケージ胴体１１０の上面から下面に凹なリセス構造が提供され得る。
【０２３４】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０２３５】
前記発光素子１２０は、図９に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０２３６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０２３７】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０２３８】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０２３９】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０２４０】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【０２４１】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【０２４２】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【０２４３】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【０２４４】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０２４５】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０２４６】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０２４７】
実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。
【０２４８】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０２４９】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置された段差した階段形状のリセス構造に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の平坦面の上に配置され得る。
【０２５０】
このように、実施例によると、前記第１フレーム１１１の上面、前記胴体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面によって提供される広いリセス領域に前記放熱部材１３３が提供され得るようになることによって、実施例による発光素子パッケージの放熱特性がさらに向上され得るようになる。
【０２５１】
また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０２５２】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０２５３】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０２５４】
また、実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０２５５】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０２５６】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０２５７】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０２５８】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０２５９】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０２６０】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０２６１】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０２６２】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０２６３】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０２６４】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０２６５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０２６６】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０２６７】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０２６８】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０２６９】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０２７０】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０２７１】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０２７２】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図９に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０２７３】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０２７４】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０２７５】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０２７６】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０２７７】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０２７８】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０２７９】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０２８０】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０２８１】
また、実施例による発光素子パッケージは、図９に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０２８２】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０２８３】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０２８４】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０２８５】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０２８６】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０２８７】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０２８８】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０２８９】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０２９０】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０２９１】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【０２９２】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０２９３】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０２９４】
また、実施例による発光素子パッケージ１００および発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０２９５】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０２９６】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、 ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０２９７】
次に、図１０を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０２９８】
図１０を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図９を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０２９９】
実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【０３００】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０３０１】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。
【０３０２】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０３０３】
実施例によると、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。
【０３０４】
図１０に示された実施例による発光素子パッケージは、図３を参照して説明された発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２とをさらに含むことができる。
【０３０５】
前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。
【０３０６】
前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第２上部リセスＲ４は、前記開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。
【０３０７】
実施例によると、前記第１リセスＲ１に前記第１導電層３２１が提供され得る。そして、前記第１リセスＲ１領域に前記第１ボンディング部１２１が提供され得る。また、前記第２リセスＲ２に前記第２導電層３２２が提供され得る。そして、前記第２リセスＲ２領域に前記第２ボンディング部１２２が提供され得る。前記第１および第２リセスＲ１、Ｒ２は、前記第１および第２導電層３２１、３２２が提供され得る十分な空間を提供することができる。
【０３０８】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【０３０９】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【０３１０】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【０３１１】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【０３１２】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０３１３】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０３１４】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０３１５】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０３１６】
前記発光素子１２０は、図１０に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０３１７】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０３１８】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０３１９】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０３２０】
実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。
【０３２１】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０３２２】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１の上面、前記胴体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。
【０３２３】
また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０３２４】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０３２５】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０３２６】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、前記開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０３２７】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０３２８】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０３２９】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０３３０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０３３１】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０３３２】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０３３３】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０３３４】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０３３５】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０３３６】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０３３７】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０３３８】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージの光抽出効率を改善することができる。
【０３３９】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０３４０】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０３４１】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０３４２】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０３４３】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０３４４】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０３４５】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０３４６】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０３４７】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０３４８】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０３４９】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０３５０】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０３５１】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０３５２】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０３５３】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１０に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０３５４】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０３５５】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０３５６】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０３５７】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０３５８】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０３５９】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０３６０】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０３６１】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０３６２】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０３６３】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【０３６４】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０３６５】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０３６６】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０３６７】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０３６８】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０３６９】
次に、図１１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０３７０】
図１１を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１０を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０３７１】
実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【０３７２】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０３７３】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。
【０３７４】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０３７５】
実施例によると、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。
【０３７６】
図１１に示された実施例による発光素子パッケージは、図９を参照して説明された発光素子パッケージに比べて、第１リセスＲ１と第２リセスＲ２をさらに含むことができる。
【０３７７】
前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面に提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第１リセスＲ１は、前記リセスＲから離隔して配置され得る。
【０３７８】
前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第２上部リセスＲ４は、前記リセスＲから離隔して配置され得る。
【０３７９】
前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面に提供され得る。前記第２リセスＲ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記第２上部リセスＲ４は、前記開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。
【０３８０】
実施例によると、前記第１リセスＲ１に前記第１導電層３２１が提供され得る。そして、前記第１リセスＲ１領域に前記第１ボンディング部１２１が提供され得る。また、前記第２リセスＲ２に前記第２導電層３２２が提供され得る。そして、前記第２リセスＲ２領域に前記第２ボンディング部１２２が提供され得る。前記第１および第２リセスＲ１、Ｒ２は、前記第１および第２導電層３２１、３２２が提供され得る十分な空間を提供することができる。
【０３８１】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【０３８２】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【０３８３】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【０３８４】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【０３８５】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０３８６】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０３８７】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０３８８】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０３８９】
前記発光素子１２０は、図１１に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０３９０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０３９１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０３９２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０３９３】
実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、放熱部材１３３を含むことができる。
【０３９４】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０３９５】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置された段差した階段形状のリセス構造に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の平坦面上に配置され得る。
【０３９６】
このように、実施例によると、前記第１フレーム１１１の上面、前記胴体１１３の上面、前記第２フレーム１１２の上面によって提供される広いリセス領域に前記放熱部材１３３が提供され得るようになることによって、実施例による発光素子パッケージの放熱特性がさらに向上され得るようになる。
【０３９７】
また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０３９８】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０３９９】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０４００】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、前記開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０４０１】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０４０２】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０４０３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０４０４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０４０５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０４０６】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０４０７】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０４０８】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０４０９】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０４１０】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０４１１】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０４１２】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０４１３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０４１４】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０４１５】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０４１６】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０４１７】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０４１８】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０４１９】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０４２０】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０４２１】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０４２２】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０４２３】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０４２４】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０４２５】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０４２６】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０４２７】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１１に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０４２８】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０４２９】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０４３０】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０４３１】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０４３２】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０４３３】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０４３４】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０４３５】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０４３６】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０４３７】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【０４３８】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０４３９】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージ１００は、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０４４０】
また、実施例による発光素子パッケージ１００および発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０４４１】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０４４２】
例えば、前記胴体１１３はＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０４４３】
一方、図１ないし図１１を参照して説明された実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０４４４】
すると、図１２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０４４５】
図１２に示された本発明の実施例による発光素子パッケージ３００は、図１ないし図１１を参照して説明された発光素子パッケージが回路基板３１０に実装されて供給される例を示すものである。
【０４４６】
図１２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ３００を説明することにおいて、図１ないし図１１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０４４７】
実施例による発光素子パッケージ３００は、図１２に示されたように、回路基板３１０、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０４４８】
前記回路基板３１０は、第１パッド３１１、第２パッド３１２、支持基板３１３を含むことができる。前記支持基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供され得る。
【０４４９】
前記パッケージ胴体１１０は、前記回路基板３１０の上に配置され得る。前記第１パッド３１１と前記第１ボンディング部１２１とが電気的に連結され得る。前記第２パッド３１２と前記第２ボンディング部１２２とが電気的に連結され得る。
【０４５０】
前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、単層または多層で提供され得る。
【０４５１】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０４５２】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【０４５３】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０４５４】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０４５５】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【０４５６】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０４５７】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【０４５８】
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。
【０４５９】
実施例によると、図１２に示されたように、前記胴体１１３は、開口部ＴＨ１を含むことができる。前記開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に提供され得る。
【０４６０】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０４６１】
前記発光素子１２０は、図１２に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記パッケージ胴体１１０との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０４６２】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。
【０４６３】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【０４６４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０４６５】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０４６６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０４６７】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０４６８】
前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。
【０４６９】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とを固定させる機能を提供することができる。
【０４７０】
前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。
【０４７１】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とを固定させる機能を提供することができる。
【０４７２】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０４７３】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０４７４】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０４７５】
実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。
【０４７６】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０４７７】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０４７８】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０４７９】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０４８０】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０４８１】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０４８２】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０４８３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０４８４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０４８５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０４８６】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０４８７】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０４８８】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０４８９】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０４９０】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０４９１】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０４９２】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面に光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージの光抽出効率を改善することができる。
【０４９３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０４９４】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０４９５】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０４９６】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４を参照して説明されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０４９７】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０４９８】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示すようにモールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０４９９】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０５００】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０５０１】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０５０２】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０５０３】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０５０４】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０５０５】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０５０６】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０５０７】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１２に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０５０８】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０５０９】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０５１０】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０５１１】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０５１２】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０５１３】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０５１４】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０５１５】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０５１６】
実施例によると、前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１とが電気的に連結され得る。また、前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２とが電気的に連結され得る。
【０５１７】
一方、実施例によると、前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１との間に別途のボンディング層が追加で提供されることもある。また、前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２との間に別途のボンディング層が追加で提供されることもある。
【０５１８】
また、他の実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ユーテクティックボンディングによって前記回路基板３１０に実装されることもある。
【０５１９】
上述したように、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０５２０】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０５２１】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０５２２】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０５２３】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０５２４】
また、上述した実施例による発光素子パッケージによると、パッケージ胴体１１０は、上面が平坦な支持部材１１３のみを含み、傾斜するように配置された反射部を含まないように提供されることもある。
【０５２５】
他の表現として、実施例による発光素子パッケージによると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣを提供する構造で提供されることもある。また、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣの提供なしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０５２６】
図１ないし図１２を参照して説明されたように、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に放出される光が前記胴体１１３領域に配置された前記放熱部材１３３に入射し得る。前記発光素子の下部方向に放出された光が前記放熱部材１３３によって光拡散され得、光抽出効率が向上され得るようになる。
【０５２７】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０５２８】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０５２９】
例として、前記第１ボンディング部１２１の前記発光素子の長軸方向による幅は、数十マイクロメートルで提供され得る。前記第１ボンディング部１２１の幅は、例として７０マイクロメートルないし９０マイクロメートルで提供され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の面積は、数千自乗マイクロメートルで提供され得る。
【０５３０】
また、前記第２ボンディング部１２２の前記発光素子の長軸方向による幅は、数十マイクロメートルで提供され得る。前記第２ボンディング部１２２の幅は、例として７０マイクロメートルないし９０マイクロメートルで提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、数千自乗マイクロメートルで提供され得る。
【０５３１】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には、放熱特性および反射特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０５３２】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が前記第１および第２導電層３２１、３２２と直接接触する場合に基づいて説明された。
【０５３３】
しかし、実施例による発光素子パッケージのまた他の例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間に別途の導電性構成要素がさらに配置されることもある。
【０５３４】
次に、図１３を参照して、実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０５３５】
図１３を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１２を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０５３６】
実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０５３７】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０５３８】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【０５３９】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０５４０】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０５４１】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【０５４２】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０５４３】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【０５４４】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０５４５】
前記発光素子１２０は、図１３に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０５４６】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。
【０５４７】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【０５４８】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０５４９】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０５５０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０５５１】
実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０５５２】
前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向で重なって配置され得る。
【０５５３】
前記第１導電体２２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。
【０５５４】
また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向で重なって配置され得る。
【０５５５】
前記第２導電体２２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。
【０５５６】
実施例によると、前記第１導電体２２１の下面および側面に前記第１導電層３２１が配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【０５５７】
このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電層３２１と前記第１導電体２２１との間の接触面積が増加することによって、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【０５５８】
また、実施例によると、前記第２導電体２２２の下面および側面に前記第２導電層３２２が配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【０５５９】
このように実施例による発光素子パッケージ２００によると、前記第２導電層３２２と前記第２導電体２２２との間の接触面積が増加することによって、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【０５６０】
例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２にそれぞれ別途のボンディング物質を通じて安定にボンディングされ得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２の側面および下面が前記第１および第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触することができる。
【０５６１】
したがって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなり得ることになる。
【０５６２】
これによって、前記第１および第２導電体２２１、２２２を通じて前記第１および第２導電層３２１、３２２から前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定に供給され得るようになる。
【０５６３】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０５６４】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。
【０５６５】
また、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１および第２導電体２２１、２２２で伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０５６６】
また、実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。
【０５６７】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０５６８】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０５６９】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０５７０】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０５７１】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１３に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０５７２】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０５７３】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０５７４】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０５７５】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０５７６】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに接触することができる。例として、前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１の第１側面と前記第２ボンディング部１２２の第３側面とに直接接触して配置され得る。
【０５７７】
また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間に提供され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。
【０５７８】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０５７９】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０５８０】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０５８１】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０５８２】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０５８３】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面で光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０５８４】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０５８５】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０５８６】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０５８７】
また、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１および第２導電体２２２が安定して配置されるように前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０５８８】
例として、前記第１ボンディング部１２１の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。また、前記第２ボンディング部１２２の面積は、図４に示されたように、前記開口部ＴＨ１の上部領域面積に比べてさらに小さく提供され得る。
【０５８９】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０５９０】
また、実施例による発光素子パッケージ２００は、図１３に示されたように、モールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０５９１】
実施例によるモールディング部材は、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０の中で少なくとも一つを含むことができる。先ず、以下の実施例では前記モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。
【０５９２】
しかし、他の実施例によると、前記モールディング部材は、前記樹脂部１３５のみ含むこともでき、前記モールディング部１４０のみ含むこともできる。
【０５９３】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０５９４】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０５９５】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。
【０５９６】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０５９７】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０５９８】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０５９９】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０６００】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０６０１】
また、実施例による発光素子パッケージ１００は、図１３に示されたように、前記モールディング部１４０を含むことができる。
【０６０２】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０６０３】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０６０４】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。例として、前記モールディング部１４０は、波長変換モールディング部材と指称され得る。
【０６０５】
また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０６０６】
実施例によると、上述したように、前記第１ボンディング部１２１は、前記第２ボンディング部１１２に近い第１側面と前記第１側面と向かい合う第２側面とを含むことができる。前記第２ボンディング部１２２は、前記第１ボンディング部１１１に近い第３側面と前記第３側面と向かい合う第４側面とを含むことができる。
【０６０７】
例として、前記第１ボンディング部１２１の第１側面および前記第２ボンディング部１２２の第３側面は、前記放熱部材１３３と接触して配置され得る。また、前記第１ボンディング部１２１の第２側面と前記第２ボンディング部１２２の第４側面は、前記モールディング部材１３５、１４０と接触して配置され得る。
【０６０８】
一方、上述したように、本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例によると、前記樹脂部１３５が別に提供されず、前記モールディング部１４０が前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２とに直接接触するように配置されることもある。また、前記モールディング部１４０が別に提供されず、前記樹脂部１３５が前記発光素子１２０の周りおよび上部に両方とも提供されることもある。
【０６０９】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０６１０】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０６１１】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０６１２】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【０６１３】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０６１４】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０６１５】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０６１６】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０６１７】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０６１８】
次に、図１４を参照して実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。
【０６１９】
図１４を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図１３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０６２０】
実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【０６２１】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０６２２】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【０６２３】
例として、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３に互いに離隔して配置され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記胴体１１３を間に置いて互いに離隔して配置され得る。
【０６２４】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０６２５】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【０６２６】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０６２７】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【０６２８】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０６２９】
前記発光素子１２０は、図１４に示されたように、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【０６３０】
実施例による発光素子パッケージは、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０６３１】
前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向で重なって配置され得る。
【０６３２】
前記第１導電体２２１は、前記第１フレーム１１１の上に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。
【０６３３】
また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向で重なって配置され得る。
【０６３４】
前記第２導電体２２２は、前記第２フレーム１１２の上に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。
【０６３５】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０６３６】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むグループから少なくとも一つが選択され得る。
【０６３７】
実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性接着剤と指称され得る。前記第１および第２導電層３２１、３２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２を前記第１および第２フレーム１１１、１１２に固定させることができる。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２は前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２と前記第１および第２フレーム１１１、１１２とを電気的に連結させることができる。
【０６３８】
また、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１および第２導電体２２１、２２２で伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０６３９】
実施例によると、前記第１および第２導電体２２１、２２２の下面の面積が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の下面の面積に比べてより大きく提供され得る。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に直接接触する面積に比べて前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２０に直接接触する面積がより大きく提供され得る。したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電体２２１、２２２が提供されることによって、前記第１および第２フレーム１１１、１１２から前記発光素子１２０に供給される電源がさらに安定して提供され得るようになる。
【０６４０】
また、実施例による発光素子パッケージは、放熱部材１３３を含むことができる。
【０６４１】
前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記パッケージ胴体１１０の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０６４２】
前記放熱部材１３３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。また、前記胴体１１３の下面は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の下面と同一平面に配置され得る。
【０６４３】
前記放熱部材１３３の上面は、前記発光素子１２０と接触して第１方向に延びて配置され得る。前記第１方向は、前記発光素子１２０の上面から前記胴体１１３の下面に向かう方向と定義することができる。
【０６４４】
実施例によると、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０６４５】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、開口部ＴＨ１を含むことができる。
【０６４６】
前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０と前記第１方向で重なって提供され得る。
【０６４７】
例として、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３によって囲まれて提供され得る。前記開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の中央領域に配置され得る。
【０６４８】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記放熱部材１３３は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に配置され得る。例として、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下で樹脂部１３５によって囲まれて提供され得る
【０６４９】
前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記パッケージ胴体１１０との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記放熱部材１３３は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０６５０】
実施例によると、上述したように、前記発光素子１２０の上面から前記第１フレーム１１１の下面までの第１距離が、前記発光素子１２０の上面から前記放熱部材１３３の下面までの第２距離より同じであるか、または大きく提供され得る。
【０６５１】
例として、前記放熱部材１３３は、前記開口部ＴＨ１の下面から上部方向に一定距離離隔して配置されることもある。前記開口部ＴＨ１の上部領域には、前記放熱部材１３３が満たされた形態で提供され、前記開口部ＴＨ１の下部領域は、前記放熱部材１３３が満たされていない空いた空間で提供されることもある。
【０６５２】
例として、前記放熱部材１３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、例として、前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３はホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。また、前記放熱部材１３３は熱伝導性の良いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮなどを含むグループから選択された物質を含むこともできる。
【０６５３】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、熱伝導性の良い物質を含む場合、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させるのみならず、前記発光素子１２０で生成される熱を効果的に放出させることができる。これによって、前記発光素子１２０が前記パッケージ胴体１１０に安定して固定され得るようになり、効果的に熱放出が行われ得るので、前記発光素子１２０の光抽出効率が向上され得るようになる。
【０６５４】
また、前記放熱部材１３３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間の安定した固定力を提供でき、反射物質を含む場合、前記発光素子１２０の下面に放出される光に対し、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間で光拡散機能を提供することができる。前記発光素子１２０から前記発光素子１２０の下面で光が放出されるとき、前記放熱部材１３３は、光拡散機能を提供することによって前記発光素子パッケージ１００の光抽出効率を改善することができる。
【０６５５】
実施例によると、前記放熱部材１３３は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記放熱部材１３３が反射機能を含む場合、前記放熱部材１３３は、ＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０６５６】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【０６５７】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で設定され得る。
【０６５８】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性および放熱特性の良い前記放熱部材１３３が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は、前記放熱部材１３３で反射して発光素子パッケージ１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【０６５９】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、モールディング部材を含むことができる。例として、実施例によるモールディング部材は、樹脂部１３５とモールディング部１４０とを含むことができる。
【０６６０】
実施例によるモールディング部材は、前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０のうちの少なくとも一つを含むことができる。先ず、以下の実施例においては、前記モールディング部材が前記樹脂部１３５と前記モールディング部１４０を両方とも含む場合を基準として説明する。
【０６６１】
しかし、他の実施例によると、前記モールディング部材は、前記樹脂部１３５のみ含むこともでき、前記モールディング部１４０のみ含むこともできる。
【０６６２】
前記樹脂部１３５は、前記第１フレーム１１１と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記第２フレーム１１２と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記パッケージ胴体１１０に提供されたキャビティＣの底面に提供され得る。
【０６６３】
例として、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、反射性樹脂部と指称され得る。また、前記樹脂部１３５は、反射性モールディング部材と指称され得る。
【０６６４】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１の側面に配置され得る。また、前記樹脂部１３５は、前記第２ボンディング部１２２の側面に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光構造物１２３の下に配置され得る。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下で前記放熱部材１３３の周りに配置され得る。
【０６６５】
例として、前記樹脂部１３５は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から放出される光を反射する反射部であり得、例としてＴｉＯ２などの反射物質を含む樹脂であり得、またはホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。
【０６６６】
前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０の下に配置されてシーリング（ｓｅａｌｉｎｇ）機能を行うことができる。また、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第１フレーム１１１との間の接着力を向上させることができる。前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０と前記第２フレーム１１２との間の接着力を向上させることができる。
【０６６７】
前記樹脂部１３５は、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との周囲を密封させることができる。前記樹脂部１３５は、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが前記第１ボンディング部１２１の下部領域と前記第２ボンディング部１２２の下部領域とを外れて前記発光素子１２０方向に拡散して移動することを防止することができる。
【０６６８】
前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側面方向に拡散して移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の活性層と接することがあって短絡による不良を誘発し得る。したがって、前記樹脂部１３５が配置される場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２と活性層による短絡を防止できて実施例による発光素子パッケージの信頼性を向上させることができる。
【０６６９】
また、前記樹脂部１３５がホワイトシリコーンのような反射特性がある物質を含む場合、前記樹脂部１３５は、前記発光素子１２０から提供される光を前記パッケージ胴体１１０の上部方向に反射させて発光素子パッケージ１００の光抽出効率を向上させることができる。
【０６７０】
また、実施例による発光素子パッケージは、図１４に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
【０６７１】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０６７２】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つを含むことができる。
【０６７３】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の周りに配置され得る。また、実施例によると、前記モールディング部１４０は、前記樹脂部１３５の上に配置され得る。
【０６７４】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０６７５】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０から発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０６７６】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０６７７】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【０６７８】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の第１および第２ボンディング部は第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、第１および第２フレームに配置された第１および第２導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【０６７９】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【０６８０】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【０６８１】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３はセラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【０６８２】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【０６８３】
次に、図１５ないし図１７を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明する。実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【０６８４】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７を含むことができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面周りに配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の上にキャビティＣを提供することができる。
【０６８５】
他の表現として、前記胴体１１３は下部胴体、前記反射部１１７は上部胴体と指称され得る。また、実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティを提供する反射部１１７を含まず、平坦な上面を提供する前記胴体１１３のみを含むこともできる。
【０６８６】
前記反射部１１７は、前記発光素子１２０から放出される光を上部方向に反射させることができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面に対し傾斜するように配置され得る。
【０６８７】
前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣを含むことができる。前記キャビティは、底面と、前記底面で前記パッケージ胴体１１０との上面に傾斜した側面を含むことができる。
【０６８８】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０６８９】
例として、前記パッケージ胴体１１０は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【０６９０】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０６９１】
前記発光素子１２０は、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に配置された活性層を含むことができる。前記第１ボンディング部１２１は、前記第１導電型半導体層と電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング部１２２は、前記第２導電型半導体層と電気的に連結され得る。
【０６９２】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記反射部１１７により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【０６９３】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０６９４】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。
【０６９５】
前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｇ、Ａｇ  ａｌｌｏｙ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、ＺｎＯ、ＩｒＯｘ、ＲｕＯｘ、ＮｉＯ、ＲｕＯｘ／ＩＴＯ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ、Ｎｉ／ＩｒＯｘ／Ａｕ／ＩＴＯを含むグループから選択された一つ以上の物質または、合金を用いて単層または、多層で形成され得る。
【０６９６】
一方、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。
【０６９７】
前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【０６９８】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。
【０６９９】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【０７００】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面と下面とを第１方向に貫通して提供され得る。
【０７０１】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【０７０２】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。
【０７０３】
実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【０７０４】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【０７０５】
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。
【０７０６】
但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は、曲率を有して配置され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。
【０７０７】
前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージ１１００が後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、ボンディング部間の短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。
【０７０８】
実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５ないし図１７に示されたように、リセスＲを含むことができる。前記リセスＲは、前記キャビティＣの底面から前記パッケージ胴体１１０の下面に凹むように提供され得る。
【０７０９】
前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７との間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【０７１０】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記第１開口部ＴＨ１に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記第２開口部ＴＨ２に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。
【０７１１】
前記リセスＲは、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周りに閉ループ形状で提供され得る。
【０７１２】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０のサイズが前記リセスＲによって提供された閉ループ面積に比べてより大きく提供され得る。
【０７１３】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の四側面を連結する外枠線内に前記リセスＲによって形成された閉ループが提供され得る。
【０７１４】
実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。
【０７１５】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０７１６】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０７１７】
例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０７１８】
実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは、前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。
【０７１９】
前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。
【０７２０】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。
【０７２１】
前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【０７２２】
例として、前記リセスＲの深さは、数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。
【０７２３】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。
【０７２４】
前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図１６および図１７に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または、楕円形状の閉ループで提供されることもある。
【０７２５】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０７２６】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【０７２７】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上で選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋ  ｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。
【０７２８】
実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対して２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。
【０７２９】
また、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
【０７３０】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記反射部１１７によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０７３１】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むことができる。
【０７３２】
また、実施例によると、前記発光構造物１２３は、化合物半導体で提供され得る。前記発光構造物１２３は、例としてＩＩ族−ＶＩ族またはＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体で提供され得る。例として、前記発光構造物１２３は、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、窒素（Ｎ）から選択された少なくとも二個以上の元素を含んで提供され得る。
【０７３３】
前記発光構造物１２３は、第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を含むことができる。
【０７３４】
また、実施例による発光素子パッケージ１１００は、図１５に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０７３５】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０７３６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０７３７】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０７３８】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０７３９】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０７４０】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０７４１】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０７４２】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２はＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【０７４３】
実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。
【０７４４】
一方、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図１５ないし図１７に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。
【０７４５】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【０７４６】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【０７４７】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【０７４８】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【０７４９】
したがって、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【０７５０】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【０７５１】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【０７５２】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０７５３】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０７５４】
すると、図１８ないし図２１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明する。
【０７５５】
図１８ないし図２１を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法について説明することにおいて、図１ないし図１７を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０７５６】
先ず、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図１８に示されたように、パッケージ胴体１１０が提供され得る。
【０７５７】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。前記パッケージ胴体１１０は、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。また、前記パッケージ胴体１１０は、リセスＲを含むことができる。
【０７５８】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【０７５９】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【０７６０】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。
【０７６１】
前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７との間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【０７６２】
前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。
【０７６３】
次に、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図１９に示されたように、前記リセスＲに接着剤１３０が提供され得る。
【０７６４】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲ領域にドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）方式などを通して提供され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記リセスＲが形成された領域に一定量が提供され得、前記リセスＲをあふれるように提供され得る。
【０７６５】
そして、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図２０に示されたように、前記胴体１１３の上に発光素子１２０が提供され得る。
【０７６６】
実施例によると、前記発光素子１２０が前記胴体１１３の上に配置される過程で前記リセスＲは、一種の整列キー（ａｌｉｇｎ  ｋｅｙ）の役割をするように活用されることもある。
【０７６７】
前記発光素子１２０は、前記接着剤１３０によって前記胴体１１３に固定され得る。前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０の一部は、前記第１ボンディング部１２１と第２ボンディング部１２２方向に移動して硬化することができる。これによって、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間の広い領域に前記接着剤１３０が提供され得、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の固定力が向上され得るようになる。
【０７６８】
実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【０７６９】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【０７７０】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【０７７１】
次いで、実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、図２１に示されたように、前記発光素子１２０の上にモールディング部１４０が提供され、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に第１および第２導電層３２１、３２２が提供され得る。
【０７７２】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０７７３】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０７７４】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０７７５】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０７７６】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０７７７】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０７７８】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０７７９】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【０７８０】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【０７８１】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【０７８２】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【０７８３】
したがって、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【０７８４】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【０７８５】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【０７８６】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０７８７】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０７８８】
一方、実施例によると、前記モールディング部１４０が形成された後に前記第１および第２導電層３２１、３２２が形成され得る。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が形成された後に前記モールディング部１４０が形成されることもある。
【０７８９】
実施例による発光素子パッケージ１１００は、前記パッケージ胴体１１０が形成されることにおいて、従来のリードフレームが適用されない。
【０７９０】
従来のリードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、工程時間が短縮されるだけでなく材料も節減され得るという長所がある。
【０７９１】
また、従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀などのメッキ工程が追加されるべきであるが、本発明の実施例に他の発光素子パッケージ製造方法によると、リードフレームが必要でないので、銀メッキなどの追加工程がなくてもよい。このように、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、製造原価を削減して製造収率を向上させることができるという長所がある。
【０７９２】
実施例による発光素子パッケージ１１００は、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１を通じて前記第１ボンディング部１２１に電源が連結され、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２を通じて前記第２ボンディング部１２２に電源が連結され得る。
【０７９３】
これによって、前記第１ボンディング部１２１および前記第２ボンディング部１２２を通じて供給される駆動電源によって前記発光素子１２０が駆動され得るようになる。そして、前記発光素子１２０で発光された光は、前記パッケージ胴体１１０の上部方向に提供され得るようになる。
【０７９４】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージ１１００は、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【０７９５】
次に、図２２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージの他の例について説明する。
【０７９６】
図２２に示された本発明の実施例による発光素子パッケージは、図１５ないし図２１を参照して説明された発光素子パッケージ１１００が回路基板３１０に実装されて供給される例を示すものである。例として、前記回路基板３１０に実装される発光素子パッケージ１１００は、照明装置に使用され得る。
【０７９７】
図２２を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０７９８】
実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、回路基板３１０、パッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０７９９】
前記回路基板３１０は、第１パッド３１１、第２パッド３１２、支持基板３１３を含むことができる。前記支持基板３１３に前記発光素子１２０の駆動を制御する電源供給回路が提供され得る。
【０８００】
前記パッケージ胴体１１０は、前記回路基板３１０の上に配置され得る。前記第１パッド３１１と前記第１ボンディング部１２１とが電気的に連結され得る。前記第２パッド３１２と前記第２ボンディング部１２２とが電気的に連結され得る。
【０８０１】
前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、導電性物質を含むことができる。例えば、前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌを含むグループから選択された少なくとも一つの物質またはその合金を含むことができる。前記第１パッド３１１と前記第２パッド３１２は、単層または多層で提供され得る。
【０８０２】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。
【０８０３】
前記パッケージ胴体１１０は、上面から下面まで第１方向に貫通する第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面まで第１方向に貫通して提供され得る。
【０８０４】
前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３を含むことができる。
【０８０５】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記反射部１１７により提供されるキャビティＣ内に配置され得る。
【０８０６】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０８０７】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。
【０８０８】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【０８０９】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１パッド３１１と重なって提供され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第１パッド３１１は、垂直方向で互いに重なって提供され得る。
【０８１０】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【０８１１】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２パッド３１２と重なって提供され得る。前記第２ボンディング部１２２と前記第２パッド３１２は、垂直方向で互いに重なって提供され得る。
【０８１２】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。
【０８１３】
実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。
【０８１４】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面に直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と垂直方向で互いに重なって提供され得る。
【０８１５】
前記第１導電層３２１の上面は、前記胴体１１３の上面と同一平面に配置され得る。前記第１導電層３２１の下面は、前記胴体１１３の下面と同一平面に提供され得る。
【０８１６】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面に直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と垂直方向で互いに重なって提供され得る。
【０８１７】
前記第２導電層３２２の上面は、前記胴体１１３の上面と同一平面に配置され得る。前記第２導電層３２２の下面は、前記胴体１１３の下面と同一平面に提供され得る。
【０８１８】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。
【０８１９】
実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、第１ボンディング層４２１と第２ボンディング層４２２とを含むことができる。
【０８２０】
前記第１ボンディング層４２１は、前記パッケージ胴体１１０が前記回路基板３１０に実装される工程で前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第２ボンディング層４２２は、前記パッケージ胴体１１０が前記回路基板３１０に実装される工程で前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。
【０８２１】
前記第１ボンディング層４２１と前記第２ボンディング層４２２は、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、キン（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、 タンタルム （Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、リン（Ｐ）を含むグループから選択された少なくとも一つの物質または選択的合金で形成され得る。
【０８２２】
実施例によると、前記第１ボンディング層４２１によって前記回路基板３１０の前記第１パッド３１１と前記第１導電層３２１とが電気的に連結され得る。また、前記第２ボンディング層４２２によって前記回路基板３１０の前記第２パッド３１２と前記第２導電層３２２とが電気的に連結され得る。
【０８２３】
一方、実施例によると、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ユーテクティックボンディングによって前記回路基板３１０に実装されることもある。また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング層４２１、４２２が提供されず、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２パッド３１１、３１２にそれぞれ電気的に連結されることもある。
【０８２４】
また、実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、リセスＲを含むことができる。
【０８２５】
前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７のと間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【０８２６】
前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。
【０８２７】
実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、接着剤１３０を含むことができる。
【０８２８】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０８２９】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０８３０】
例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０８３１】
実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは、前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。
【０８３２】
前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。
【０８３３】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。
【０８３４】
前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【０８３５】
例として、前記リセスＲの深さは、数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。
【０８３６】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。
【０８３７】
前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図１６および図１７に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または、楕円形状の閉ループで提供されることもある。
【０８３８】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０８３９】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【０８４０】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋ  ｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。
【０８４１】
実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対する比の２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。
【０８４２】
また、実施例による発光素子パッケージは、図２２に示されたように、モールディング部１４０を含むことができる。
【０８４３】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記反射部１１７によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０８４４】
実施例による発光素子パッケージは、図２２を参照して説明されたように、前記パッケージ胴体１１０が形成されることにおいて、従来リードフレームが適用されない。
【０８４５】
従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームを形成する工程が追加で必要であるが、本発明の実施例による発光素子パッケージによると、リードフレームを形成する工程を必要としない。これによって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、工程時間が短縮されるだけでなく材料も節減され得るという長所がある。
【０８４６】
また、従来リードフレームが適用される発光素子パッケージの場合、リードフレームの劣化防止のために銀などのメッキ工程が追加されるべきであるが、本発明の実施例に他の発光素子パッケージによると、リードフレームが必要でないので、銀メッキなどの追加工程を省略することができる。したがって、前記発光素子パッケージの実施例は、銀メッキなどの物質が変色するという問題点を解決でき、工程を省略できるという長所で製造原価を節減することができる。したがって、本発明の実施例による発光素子パッケージ製造方法によると、製造原価を削減して製造収率および製品の信頼性を向上させることができるという長所がある。
【０８４７】
一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。
【０８４８】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【０８４９】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【０８５０】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【０８５１】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【０８５２】
したがって、実施例による発光素子パッケージ１１００によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【０８５３】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【０８５４】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【０８５５】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０８５６】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０８５７】
一方、図２３は、本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例を示す図である。実施例による発光素子パッケージは、図２３に示されたように、図１５ないし図２２を参照して説明された発光素子パッケージに備えて金属層４３０をさらに含むことができる。
【０８５８】
前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２とに提供され得る。前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記パッケージ胴体１１０の側壁と前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記パッケージ胴体１１０の側壁とに提供され得る。
【０８５９】
前記金属層４３０は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記パッケージ胴体１１０と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。また、前記金属層４３０は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記パッケージ胴体１１０と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。
【０８６０】
また、実施例によると、前記金属層４３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２と隣接した前記パッケージ胴体１１０の下面にも提供され得る。
【０８６１】
前記金属層４３０は、前記パッケージ胴体１１０と接着力の良い物性を有する物質で形成され得る。また、前記金属層４３０は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力の良い物性を有する物質で形成され得る。
【０８６２】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に安定して提供され得るようになる。実施例によると、前記第１および第２導電層３２１、３２２と前記パッケージ胴体１１０との接着力が良くない場合にも、前記金属層４３０によって前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に安定して提供され得るようになる。
【０８６３】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージの場合、各ボンディング部下に一つの開口部が提供された場合を基準として説明された。
【０８６４】
しかし、他の実施例による発光素子パッケージによると、各開口部の下に複数の開口部が提供されることもある。また、複数の開口部は、互いに異なる幅を有する開口部で提供されることもある。
【０８６５】
また、実施例による開口部の形状は、多様な形状で提供されることもある。
【０８６６】
例えば、実施例による開口部は、上部領域から下部領域まで同じ幅で提供されることもある。
【０８６７】
また、実施例による開口部は、多端構造の形状で提供されることもある。例として、開口部は、２段構造の互いに異なる傾斜角を有する形状で提供されることもある。また、開口部は、３段以上の互いに異なる傾斜角を有する形状で提供されることもある。
【０８６８】
また、開口部は、上部領域で下部領域に向かって幅が変わる形状で提供されることもある。例として、開口部は、上部領域から下部領域に向かって曲率を有する形状で提供されることもある。
【０８６９】
また、実施例による発光素子パッケージによると、パッケージ胴体１１０は、上面が平坦な胴体１１３のみを含み、胴体１１３の上に配置された反射部１１７を含まないように提供されることもある。
【０８７０】
次に、図２４および図２５を参照して本発明の実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０８７１】
図２４および図２５を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０８７２】
実施例による半導体素子パッケージは、図２４および図２５に示されたように、図１５ないし図２３を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。
【０８７３】
前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。
【０８７４】
前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。
【０８７５】
図１５ないし図２３を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０８７６】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０８７７】
また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。
【０８７８】
前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。
【０８７９】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が安定的で確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０８８０】
次に、図２６を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０８８１】
図２６を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２５を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０８８２】
実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、図１５ないし図２５を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて発光素子１２０のサイズが小さく提供され得る。
【０８８３】
図１５ないし図２５を参照して説明されたように、前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面とが連結されて密封され得るようになる。
【０８８４】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、図１５ないし図２５を参照して説明された発光素子パッケージでは、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。
【０８８５】
しかし、実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。
【０８８６】
このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面とが固定されて密封され得るようになる。
【０８８７】
また、実施例による発光素子パッケージは、図２６に示されたように、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０８８８】
前記第１導電層３２１は前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０８８９】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０８９０】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０８９１】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０８９２】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０８９３】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【０８９４】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２でと伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０８９５】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【０８９６】
実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。
【０８９７】
一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図２６に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の四側面を連結する外枠線が前記リセスＲの上に重なって提供され得る。
【０８９８】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【０８９９】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【０９００】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層が電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【０９０１】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【０９０２】
したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【０９０３】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【０９０４】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【０９０５】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０９０６】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２との物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０９０７】
次に、図２７を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０９０８】
図２７を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２６を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０９０９】
実施例による半導体素子パッケージは、図２７に示されたように、図２６を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。
【０９１０】
前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。
【０９１１】
前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。
【０９１２】
図１５ないし図２３、図２６を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【０９１３】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２との物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が電気的に短絡されることが防止され得る。
【０９１４】
また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。
【０９１５】
前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。
【０９１６】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【０９１７】
次に、図２８ないし図３１を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【０９１８】
図２８ないし図３１を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図２７を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【０９１９】
実施例による発光素子パッケージはパッケージ胴体１１０、発光素子１２０を含むことができる。
【０９２０】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０９２１】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【０９２２】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０９２３】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【０９２４】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【０９２５】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【０９２６】
前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、絶縁性フレームで提供され得る。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができる。
【０９２７】
また、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、導電性フレームで提供されることもある。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、前記パッケージ胴体１１０の構造的な強度を安定して提供することができ、前記発光素子１２０に電気的に連結され得る。
【０９２８】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【０９２９】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【０９３０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【０９３１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【０９３２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【０９３３】
一方、実施例による発光素子パッケージは、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【０９３４】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【０９３５】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【０９３６】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る
【０９３７】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【０９３８】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。
【０９３９】
実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【０９４０】
したがって、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と前記第１フレーム１１１とがさらに堅固に付着することができる。また、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と前記第２フレーム１１２とがさらに堅固に付着することができる。
【０９４１】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【０９４２】
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。
【０９４３】
但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は、曲率を有して配置され得る。
【０９４４】
前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、例として１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。
【０９４５】
前記第１フレーム１１１および前記第２フレーム１１２の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージが後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。
【０９４６】
実施例による発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
【０９４７】
前記接着剤１３０は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【０９４８】
また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。
【０９４９】
前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７との間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【０９５０】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記第１開口部ＴＨ１に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記第２開口部ＴＨ２に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。
【０９５１】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【０９５２】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【０９５３】
例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【０９５４】
実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。
【０９５５】
前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージにクラックが発生しないように決定され得る。
【０９５６】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。
【０９５７】
前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【０９５８】
例として、前記リセスＲの深さは数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。
【０９５９】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。
【０９６０】
前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図３０および図３１に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。
【０９６１】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記第１フレーム１１１の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０９６２】
前記第２開口部ＴＨ２の深さは、前記第２フレーム１１２の厚さに対応して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２の深さは、前記第２フレーム１１２の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【０９６３】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【０９６４】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋ  ｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。
【０９６５】
実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対して２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。
【０９６６】
また、実施例による発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
【０９６７】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記パッケージ胴体１１０によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【０９６８】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むグループから選択された少なくとも一つができる。
【０９６９】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【０９７０】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０９７１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０９７２】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１フレーム１１１によって囲まれるように配置され得る。
【０９７３】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてさらに小さく提供され得る。
【０９７４】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに大きく提供され得る。
【０９７５】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２フレーム１１２によって囲まれるように配置され得る。
【０９７６】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【０９７７】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【０９７８】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１下部リセスＲ１１と第２下部リセスＲ１２とを含むことができる。前記第１下部リセスＲ１１と前記第２下部リセスＲ１２は、互いに離隔して配置され得る。
【０９７９】
前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面に提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面で上面方向で凹むように提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。
【０９８０】
前記第１下部リセスＲ１１は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に樹脂部が提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。
【０９８１】
但し、これに限定されず、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。
【０９８２】
例として、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。
【０９８３】
前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置され得る。
【０９８４】
例として、図１５に示されたように、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部と前記胴体１１３によって周辺の前記第１フレーム１１１からアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）され得る。
【０９８５】
したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れ、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。
【０９８６】
これは、前記第１導電層３２１と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたことである。すなわち、前記第１導電層３２１をなす物質が前記第１フレーム１１１と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第１導電層３２１をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。
【０９８７】
これによって、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供された領域に安定して配置され得るようになる。
【０９８８】
したがって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１があふれる場合、前記樹脂部または、前記胴体１１３が提供された第１下部リセスＲ１１の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張されることを防止することができる。
【０９８９】
また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１ボンディング部１２１の下面に安定して連結され得るようになる。したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２とが互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得るなり得る。
【０９９０】
また、前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面に提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面から上面方向に凹むように提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置され得る。
【０９９１】
前記第２下部リセスＲ１２は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に樹脂部が提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。
【０９９２】
但し、これに限定されず、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。
【０９９３】
例として、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。
【０９９４】
前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置され得る。
【０９９５】
例として、図２９に示されたように、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部と前記胴体１１３によって周辺の前記第２フレーム１１２からアイソレーション（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）され得る。
【０９９６】
したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れ、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。
【０９９７】
これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたことである。すなわち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。
【０９９８】
これによって、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供された領域に安定して配置され得るようになる。
【０９９９】
したがって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第２下部リセスＲ１２の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張されることを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２ボンディング部１２２の下面に安定して連結され得るようになる。
【１０００】
したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２とが互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得る。
【１００１】
実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。
【１００２】
一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、図２８ないし図３１に示されたように、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。
【１００３】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【１００４】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【１００５】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【１００６】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【１００７】
したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【１００８】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【１００９】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【１０１０】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１０１１】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性を選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２が電気的に短絡されることが防止され得る。
【１０１２】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【１０１３】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）または熱処理工程などの高温工程が適用され得る。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子との間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【１０１４】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の電極部は、開口部に配置された導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【１０１５】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので、電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【１０１６】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【１０１７】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【１０１８】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（Ｓｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【１０１９】
次に、図３２および図３３を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【１０２０】
図３２および図３３を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３１を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【１０２１】
実施例による半導体素子パッケージは、図３２および図３３に示されたように、図２８ないし図３１を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。
【１０２２】
前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。
【１０２３】
前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。
【１０２４】
図２８ないし図３１を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１０２５】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１０２６】
また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。
【１０２７】
前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。
【１０２８】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が安定的で確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１０２９】
一方、図２８ないし図３３を参照して説明された発光素子パッケージでは、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。
【１０３０】
しかし、他の実施例による発光素子パッケージは、図２６を参照して説明された発光素子パッケージと似ているように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。
【１０３１】
このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面とが固定されて密封され得るようになる。
【１０３２】
次に、図３４を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【１０３３】
図３４を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３３を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【１０３４】
実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【１０３５】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３と反射部１１７とを含むことができる。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の周りに配置され得る。前記反射部１１７は、前記胴体１１３の上面の上にキャビティＣを提供することができる。
【１０３６】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【１０３７】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【１０３８】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【１０３９】
前記発光素子１２０は、前記基板１２４の下に配置された前記発光構造物１２３を含むことができる。前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２とが配置され得る。
【１０４０】
前記発光素子１２０は、前記パッケージ胴体１１０の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記発光素子１２０は、前記反射部１１７により提供される前記キャビティＣ内に配置され得る。
【１０４１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【１０４２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記胴体１１３との間に配置され得る。
【１０４３】
一方、実施例による発光素子パッケージは、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。
【１０４４】
前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記パッケージ胴体１１０は、前記キャビティＣの底面で前記パッケージ胴体１１０の下面を貫通する前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【１０４５】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【１０４６】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【１０４７】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【１０４８】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。
【１０４９】
実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１０５０】
実施例によると、前記第１ボンディング部１２１の下部領域が前記第１開口部ＴＨ１の上部領域内に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１の底面が前記胴体１１３の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１０５１】
また、前記第２ボンディング部１２２の下部領域が前記第２開口部ＴＨ２の上部領域内に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２の底面が前記胴体１１３の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１０５２】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅Ｗ２に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【１０５３】
前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域で上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。
【１０５４】
但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は曲率を有して配置され得る。
【１０５５】
前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、例として１００マイクロメートルないし１５０マイクロメートルで提供され得る。
【１０５６】
前記胴体１１３の下面領域で前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２との間の幅は、実施例による発光素子パッケージが後に回路基板、サブマウントなどに実装される場合に、パッド間の電気的な短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生することを防止するために一定距離以上で提供されるように選択され得る。
【１０５７】
また、実施例による発光素子パッケージは、接着剤１３０を含むことができる。
【１０５８】
前記接着剤１３０は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記胴体１１３の上面と前記発光素子１２０の下面との間に配置され得る。
【１０５９】
また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。
【１０６０】
前記リセスＲは、前記胴体１１３に提供され得る。前記リセスＲは、前記第１開口部ＴＨ１と前記反射部１１７との間に提供され得る。また、前記リセスＲは、前記第２開口部ＴＨ２と前記反射部１１７との間に提供され得る。前記リセスＲは、前記胴体１１３の上面から下面方向に凹むように提供され得る。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に配置され得る。例として、前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【１０６１】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第１ボンディング部１２１と前記第１開口部ＴＨ１に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記リセスＲは、前記第２ボンディング部１２２と前記第２開口部ＴＨ２に隣接するように配置された前記反射部１１７との間に配置され得る。
【１０６２】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【１０６３】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【１０６４】
例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【１０６５】
実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。
【１０６６】
前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。
【１０６７】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面との間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。
【１０６８】
前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【１０６９】
例として、前記リセスＲの深さは、数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。
【１０７０】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。
【１０７１】
前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。
【１０７２】
例として、前記接着剤１３０は図１６および図１７を参照して説明されたことと似ているように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。
【１０７３】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【１０７４】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【１０７５】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは、少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋ  ｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。
【１０７６】
実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対して２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。
【１０７７】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【１０７８】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上と設定され得る。
【１０７９】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性の良い前記接着剤１３０が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は前記接着剤１３０で反射して発光素子パッケージの上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【１０８０】
また、実施例による発光素子パッケージはモールディング部１４０を含むことができる。
【１０８１】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記反射部１１７によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【１０８２】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むことができる。
【１０８３】
実施例による発光素子パッケージは、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【１０８４】
前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向で重なって配置され得る。
【１０８５】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。
【１０８６】
前記第１導電体２２１の下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第１導電体２２１の下面は、前記第１導電層３２１の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１０８７】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１上に配置され得る。また、前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１で前記第１開口部ＴＨ１内部までに延びて配置され得る。
【１０８８】
また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向で重なって配置され得る。
【１０８９】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。
【１０９０】
前記第２導電体２２２の下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第２導電体２２２の下面は、前記第２導電層３２２の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１０９１】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２上に配置され得る。また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２で前記第２開口部ＴＨ２内部までに延びて配置され得る。
【１０９２】
実施例によると、前記第１導電体２２１の下面および側面に前記第１導電層３２１が配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【１０９３】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１０９４】
このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【１０９５】
また、実施例によると、前記第２導電体２２２の下面および側面に前記第２導電層３２２が配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【１０９６】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１０９７】
このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【１０９８】
例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２にそれぞれ別途のボンディング物質を通じて安定にボンディングされ得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２の側面および下面が前記第１および第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触することができる。したがって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなり得ることになる。これによって、前記第１および第２導電体２２１、２２２を通じて前記第１および第２導電層３２１、３２２から前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定に供給され得るようになる。
【１０９９】
例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金で提供され得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、単層または多層で提供され得る。
【１１００】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１開口部ＴＨ１が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第１ボンディング部１２１の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の前記第２方向の幅よりさらに小さく提供され得る。
【１１０１】
前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下面と直接接触して配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１と電気的に連結され得る。前記第１導電層３２１は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【１１０２】
前記第１開口部ＴＨ１の上部領域で、前記第１導電層３２１の上部の部分は、前記第１ボンディング部１２１の下部の部分の周りに配置され得る。前記第１導電層３２１の上面は、前記第１ボンディング部１２１の下面に比べてさらに高く配置され得る。
【１１０３】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１１０４】
前記第２ボンディング部１２２は、前記第２開口部ＴＨ２が形成された第１方向と垂直となる第２方向の幅を有することができる。前記第２ボンディング部１２２の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の前記第２方向の幅よりさらに小さく提供され得る。
【１１０５】
前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下面と直接接触して配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２と電気的に連結され得る。前記第２導電層３２２は、前記胴体１１３によって囲まれるように配置され得る。
【１１０６】
前記第２開口部ＴＨ２の上部領域で、前記第２導電層３２２の上部の部分は、前記第２ボンディング部１２２の下部の部分の周りに配置され得る。前記第２導電層３２２の上面は、前記第２ボンディング部１２２の下面に比べてさらに高く配置され得る。
【１１０７】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質またはその合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【１１０８】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【１１０９】
実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。
【１１１０】
一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面の間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。
【１１１１】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【１１１２】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【１１１３】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【１１１４】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【１１１５】
したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【１１１６】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【１１１７】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【１１１８】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１１１９】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１１２０】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【１１２１】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）または熱処理工程などの高温工程が適用され得る。このとき、リフローまたは熱処理工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【１１２２】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子の電極部は、開口部に配置された導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【１１２３】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【１１２４】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【１１２５】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【１１２６】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【１１２７】
次に、図３５を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【１１２８】
図３５を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３４を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【１１２９】
実施例による半導体素子パッケージは、図３５に示されたように、図３４を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。
【１１３０】
前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。
【１１３１】
前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。
【１１３２】
図３４を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１１３３】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１１３４】
また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。
【１１３５】
前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは、表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。
【１１３６】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が安定的で確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１１３７】
一方、図３４および図３５を参照して説明された発光素子パッケージおいては、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。
【１１３８】
しかし、他の実施例による発光素子パッケージは、図２６を参照して説明された発光素子パッケージと似ているように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。
【１１３９】
このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面が固定されて密封され得るようになる。
【１１４０】
次に、図３６を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【１１４１】
図３６を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３５を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【１１４２】
実施例による発光素子パッケージは,パッケージ胴体１１０と、発光素子１２０とを含むことができる。
【１１４３】
前記パッケージ胴体１１０は、第１フレーム１１１と第２フレーム１１２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２は、互いに離隔して配置され得る。
【１１４４】
前記パッケージ胴体１１０は、胴体１１３を含むことができる。前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。前記胴体１１３は、一種の電極分離線の機能を行うことができる。前記胴体１１３は、絶縁部材と指称され得る。
【１１４５】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。また、前記胴体１１３は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【１１４６】
前記胴体１１３は、前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上に配置された傾斜面を提供することができる。前記胴体１１３の傾斜面によって前記第１フレーム１１１と前記第２フレーム１１２との上にキャビティＣが提供され得る。
【１１４７】
実施例によると、前記パッケージ胴体１１０は、キャビティＣがある構造で提供されることもあり、キャビティＣなしに上面が平坦な構造で提供されることもある。
【１１４８】
例として、前記胴体１１３は、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）、ＰＣＴ（Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏ  Ｔｒｉ  ｐｈｅｎｙｌ）、ＬＣＰ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＡ９Ｔ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ９Ｔ）、シリコーン、エポキシモルディングコンパウンド（ＥＭＣ：（ｅｐｏｘｙ）  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、シリコーンモルディングコンパウンド（ＳＭＣ）、セラミック、ＰＳＧ（ｐｈｏｔｏ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｇｌａｓｓ）、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）などを含むグループから選択された少なくとも一つで形成され得る。また、前記胴体１１３は、ＴｉＯ２とＳｉＯ２のような高屈折フィラーを含むことができる。
【１１４９】
実施例によると、前記発光素子１２０は、第１ボンディング部１２１、第２ボンディング部１２２、発光構造物１２３、基板１２４を含むことができる。
【１１５０】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面に配置され得る。前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２は、前記発光素子１２０の下面で互いに離隔して配置され得る。
【１１５１】
前記第１ボンディング部１２１は、前記第１フレーム１１１の上に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記第２フレーム１１２の上に配置され得る。
【１１５２】
前記第１ボンディング部１２１は、前記発光構造物１２３と前記第１フレーム１１１との間に配置され得る。前記第２ボンディング部１２２は、前記発光構造物１２３と前記第２フレーム１１２との間に配置され得る。
【１１５３】
一方、実施例による発光素子パッケージは、第１開口部ＴＨ１と第２開口部ＴＨ２とを含むことができる。前記第１フレーム１１１は、前記第１開口部ＴＨ１を含むことができる。前記第２フレーム１１２は、前記第２開口部ＴＨ２を含むことができる。
【１１５４】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１に提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１を貫通して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【１１５５】
前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、前記第１フレーム１１１の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第１ボンディング部１２１と重なって提供され得る。
【１１５６】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２に提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２を貫通して提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面と下面を第１方向に貫通して提供され得る。
【１１５７】
前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、前記第２フレーム１１２の上面から下面に向かう第１方向で前記発光素子１２０の前記第２ボンディング部１２２と重なって提供され得る。
【１１５８】
前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、互いに離隔して配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１と前記第２開口部ＴＨ２は、前記発光素子１２０の下面の下で互いに離隔して配置され得る。
【１１５９】
実施例によると、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅Ｗ１が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１１６０】
実施例による発光素子パッケージは、第１導電体２２１と第２導電体２２２とを含むことができる。また、実施例による発光素子パッケージは、第１導電層３２１と第２導電層３２２とを含むことができる。前記第１導電層３２１は、前記第２導電層３２２と離隔して配置され得る。
【１１６１】
前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１方向で重なって配置され得る。
【１１６２】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１と前記第１導電層３２１との間に配置され得る。前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１および前記第１導電層３２１と電気的に連結され得る。
【１１６３】
前記第１導電体２２１の下面は、前記第１開口部ＴＨ１の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第１導電体２２１の下面は、前記第１導電層３２１の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１１６４】
前記第１導電体２２１は、前記第１開口部ＴＨ１上に配置され得る。また、前記第１導電体２２１は、前記第１ボンディング部１２１から前記第１開口部ＴＨ１内部までに延びて配置され得る。
【１１６５】
また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第１方向で重なって配置され得る。
【１１６６】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２と前記第２導電層３２２との間に配置され得る。前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２および前記第２導電層３２２と電気的に連結され得る。
【１１６７】
前記第２導電体２２２の下面は、前記第２開口部ＴＨ２の上面に比べてさらに低く配置され得る。前記第２導電体２２２の下面は、前記第２導電層３２２の上面に比べてさらに低く配置され得る。
【１１６８】
前記第２導電体２２２は、前記第２開口部ＴＨ２上に配置され得る。また、前記第２導電体２２２は、前記第２ボンディング部１２２から前記第２開口部ＴＨ２内部までに延びて配置され得る。
【１１６９】
実施例によると、前記第１導電体２２１の下面および側面に前記第１導電層３２１が配置され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１導電体２２１の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【１１７０】
前記第１導電層３２１は、前記第１開口部ＴＨ１に提供され得る。前記第１導電層３２１は、前記第１ボンディング部１２１の下に配置され得る。前記第１導電層３２１の幅は、前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１１７１】
このように実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１によって前記第１導電層３２１と前記第１ボンディング部１２１との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【１１７２】
また、実施例によると、前記第２導電体２２２の下面および側面に前記第２導電層３２２が配置され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２導電体２２２の下面および側面に直接接触して配置され得る。
【１１７３】
前記第２導電層３２２は、前記第２開口部ＴＨ２に提供され得る。前記第２導電層３２２は、前記第２ボンディング部１２２の下に配置され得る。前記第２導電層３２２の幅は、前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きく提供され得る。
【１１７４】
このように実施例による発光素子パッケージ２００によると、前記第２導電体２２２によって前記第２導電層３２２と前記第２ボンディング部１２２との間に電気的結合がさらに安定して提供され得る。
【１１７５】
例として、前記第１および第２導電体２２１、２２２は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２にそれぞれ別途のボンディング物質を通じて安定にボンディングされ得る。また、前記第１および第２導電体２２１、２２２の側面および下面が前記第１および第２導電層３２１、３２２にそれぞれ接触することができる。したがって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２下面にそれぞれ直接的に接触する場合に比べて、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記第１および第２導電体２２１、２２２とそれぞれ接触する面積がより大きくなり得ることになる。これによって、前記第１および第２導電体２２１、２２２を通じて前記第１および第２導電層３２１、３２２から前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２に電源がそれぞれ安定に供給され得るようになる。
【１１７６】
前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｃｕなどを含むグループから選択された一つの物質または、その合金を含むことができる。但し、これに限定されず、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とで伝導性機能を確保することができる物質が使用され得る。
【１１７７】
例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、導電性ペーストを用いて形成され得る。前記導電性ペーストは、ソルダーペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）、シルバーペースト（ｓｉｌｖｅｒ  ｐａｓｔｅ）などを含むことができ、互いに異なる物質で構成される多層または、合金で構成された多層または、単層で構成され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２は、ＳＡＣ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）物質を含むことができる。
【１１７８】
また、実施例による発光素子パッケージは、リセスＲを含むことができる。
【１１７９】
前記接着剤１３０は、前記リセスＲに配置され得る。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１と前記反射部１１７との間に配置され得る。前記接着剤１３０は、前記第２ボンディング部１２２と前記反射部１１７との間に配置され得る。例として、前記接着剤１３０は、前記第１ボンディング部１２１の側面と前記第２ボンディング部１２２の側面とに接触して配置され得る。
【１１８０】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０と前記胴体１１３との間の安定した固定力を提供することができる。前記接着剤１３０は、例として前記胴体１１３の上面に直接接触して配置され得る。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に直接接触して配置され得る。
【１１８１】
例として、前記接着剤１３０は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系の物質、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）系の物質、エポキシ系の物質とシリコーン系の物質とを含むハイブリッド（ｈｙｂｒｉｄ）物質のうちの少なくとも一つを含むことができる。また、前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０から放出する光を反射することができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤は、ホワイトシリコーン（ｗｈｉｔｅ  ｓｉｌｉｃｏｎｅ）を含むことができる。前記接着剤１３０が反射機能を含む場合、前記接着剤１３０は、例としてＴｉＯ２、Ｓｉｌｉｃｏｎｅなどを含む物質で構成され得る。
【１１８２】
実施例によると、前記リセスＲの深さは、前記第１開口部ＴＨ１の深さまたは前記第２開口部ＴＨ２の深さに比べて小さく提供され得る。
【１１８３】
前記リセスＲの深さは、前記接着剤１３０の接着力を考慮して決定され得る。また、前記リセスＲが深さＴ１は、前記胴体１１３の安定した強度を考慮したりおよび/または、前記発光素子１２０から放出される熱によって前記発光素子パッケージ１１００にクラックが発生しないように決定され得る。
【１１８４】
前記リセスＲは、前記発光素子１２０下部に一種のアンダ−フィル工程が行われ得る適正な空間を提供することができる。前記リセスＲは、前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３の上面の間に前記接着剤１３０が十分に提供されるように第１深さ以上で提供され得る。また、前記リセスＲは、前記胴体１１３の安定した強度を提供するために第２深さ以下で提供され得る。
【１１８５】
前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記接着剤１３０の形成位置および固定力に影響を及ぼすことができる。前記リセスＲの深さと幅Ｗ３は、前記胴体１１３と前記発光素子１２０との間に配置される前記接着剤１３０によって十分な固定力が提供されるように決定され得る。
【１１８６】
例として、前記リセスＲの深さは、数十マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの深さは、４０マイクロメートルないし６０マイクロメートルで提供され得る。
【１１８７】
また、前記リセスＲの幅Ｗ３は、数百マイクロメートルで提供され得る。前記リセスＲの幅Ｗ３は、１４０マイクロメートルないし１６０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記リセスＲの幅Ｗ３は、１５０マイクロメートルで提供され得る。
【１１８８】
前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２が外部から密封され得るようになる。前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下に閉ループ形状で提供され得る。前記接着剤１３０は、図１６および図１７に示されたように、前記リセスＲの形状に沿って閉ループ形状で提供され得る。前記リセスＲは、四角形状の閉ループで提供されることもでき、円形または楕円形状の閉ループで提供されることもある。
【１１８９】
前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の厚さに対応して提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、前記胴体１１３の安定した強度を維持できる厚さで提供され得る。
【１１９０】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、数百マイクロメートルで提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１の深さは、１８０マイクロメートルないし２２０マイクロメートルで提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さは、２００マイクロメートルで提供され得る。
【１１９１】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さから前記リセスＲの深さを引いた厚さは少なくとも１００マイクロメートル以上に選択され得る。これは、前記胴体１１３のクラックフリー（ｃｒａｃｋ  ｆｒｅｅ）を提供できる射出工程厚さが考慮されたことである。
【１１９２】
実施例によると、第１開口部ＴＨ１の深さは、前記リセスＲの深さに対して２倍ないし１０倍で提供され得る。例として、前記第１開口部ＴＨ１の深さが２００マイクロメートルで提供される場合、前記リセスＲの深さは、２０マイクロメートルないし１００マイクロメートルで提供され得る。
【１１９３】
また、実施例による発光素子パッケージは、モールディング部１４０を含むことができる。
【１１９４】
前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０の上に提供され得る。前記モールディング部１４０は、前記胴体１１３の上に配置され得る。前記モールディング部１４０は、前記反射部１１７によって提供されたキャビティＣに配置され得る。
【１１９５】
前記モールディング部１４０は、絶縁物質を含むことができる。また、前記モールディング部１４０は、前記発光素子１２０から放出される光が入射し、波長変換された光を提供する波長変換手段を含むことができる。例として、前記モールディング部１４０は、蛍光体、陽子点などを含むことができる。
【１１９６】
また、実施例による発光素子パッケージは、第１下部リセスＲ１１と第２下部リセスＲ１２とを含むことができる。前記第１下部リセスＲ１１と前記第２下部リセスＲ１２は、互いに離隔して配置され得る。
【１１９７】
前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面に提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１フレーム１１１の下面で上面方向で凹むように提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１は、前記第１開口部ＴＨ１から離隔して配置され得る。
【１１９８】
前記第１下部リセスＲ１１は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に樹脂部が提供され得る。前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。
【１１９９】
但し、これに限定されず、前記樹脂部は前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。
【１２００】
例として、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。
【１２０１】
前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部は、前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域の周囲に配置され得る。前記第１開口部ＴＨ１を提供する前記第１フレーム１１１の下面領域は、一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第１フレーム１１１をなす下面から分離して配置され得る。
【１２０２】
したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第１開口部ＴＨ１に提供された前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から外れて、前記第１下部リセスＲ１１に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。
【１２０３】
これは、前記第１導電層３２１と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたことである。すなわち、前記第１導電層３２１をなす物質が前記第１フレーム１１１と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第１導電層３２１をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。
【１２０４】
これによって、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１が提供された領域に安定して配置され得るようになる。したがって、前記第１開口部ＴＨ１に配置される第１導電層３２１があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第１下部リセスＲ１１の外側領域に前記第１導電層３２１が拡張されることを防止することができる。また、前記第１導電層３２１が前記第１開口部ＴＨ１内で前記第１ボンディング部１２１の下面に安定して連結され得るようになる。
【１２０５】
したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２とが互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得る。
【１２０６】
また、前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面に提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２フレーム１１２の下面で上面方向で凹むように提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２は、前記第２開口部ＴＨ２から離隔して配置され得る。
【１２０７】
前記第２下部リセスＲ１２は、数マイクロメートルないし数十マイクロメートルの幅で提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に樹脂部が提供され得る。前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、例として前記胴体１１３と同一物質で提供され得る。
【１２０８】
但し、これに限定されず、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質の中から選択されて提供され得る。または、前記樹脂部は、前記第１および第２導電層３２１、３２２との表面張力が低い物質の中から選択されて提供され得る。
【１２０９】
例として、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は前記第１フレーム１１１、前記第２フレーム１１２、前記胴体１１３が射出工程などを通して形成される過程で提供され得る。
【１２１０】
前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部は、前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域の周囲に配置され得る。前記第２開口部ＴＨ２を提供する前記第２フレーム１１２の下面領域は一種のアイランド（ｉｓｌａｎｄ）形状で周囲の前記第２フレーム１１２をなす下面から分離して配置され得る。
【１２１１】
したがって、前記樹脂部が前記第１および第２導電層３２１、３２２と接着力、濡れ性が良くない物質または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の表面張力が低い物質に配置される場合、前記第２開口部ＴＨ２に提供された前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から外れて、前記第２下部リセスＲ１２に満たされた樹脂部または前記胴体１１３を越えて拡散されることが防止され得る。
【１２１２】
これは、前記第２導電層３２２と前記樹脂部および前記胴体１１３との接着関係または、前記樹脂部と前記第１および第２導電層３２１、３２２との間の濡れ性、表面張力などが良くない点を用いたのである。すなわち、前記第２導電層３２２をなす物質が前記第２フレーム１１２と良い接着特性を有するように選択され得る。そして、前記第２導電層３２２をなす物質が前記樹脂部および前記胴体１１３と良くない接着特性を有するように選択され得る。
【１２１３】
これによって、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２から前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域方向にあふれて、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された領域外部にあふれたり拡散されることが防止され、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２が提供された領域に安定して配置され得るようになる。したがって、前記第２開口部ＴＨ２に配置される第２導電層３２２があふれる場合、前記樹脂部または前記胴体１１３が提供された第２下部リセスＲ１２の外側領域に前記第２導電層３２２が拡張されることを防止することができる。また、前記第２導電層３２２が前記第２開口部ＴＨ２内で前記第２ボンディング部１２２の下面に安定して連結され得るようになる。
【１２１４】
したがって、前記発光素子パッケージが回路基板に実装される場合、第１導電層３２１と第２導電層３２２が互いに接触して短絡される問題を防止でき、前記第１および第２導電層３２１、３２２を配置する工程において、前記第１および第２導電層３２１、３２２の量を制御することが非常に容易になり得る。
【１２１５】
一方、図３６に示された発光素子パッケージは、第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を形成する工程で、第１および第２リードフレーム１１１、１１２の上面方向と下面方向でエッチングがそれぞれ行われた場合を示すものである。
【１２１６】
前記第１および第２リードフレーム１１１、１１２の上面方向と下面方向でそれぞれエッチングが行われることにより、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の形状が一種の雪だるま形状で提供され得る。
【１２１７】
前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２は、下部領域から中間領域に向かって幅が徐々に増加して再び減少することができる。また、幅が減少した中間領域から再び上部領域に向かって幅が徐々に増加して再び減少することができる。
【１２１８】
前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２は、前記第１および第２フレーム１１１、１１２それぞれの上面に配置された第１領域、前記第１および第２フレーム１１１、１１２それぞれの下面に配置された第２領域を含むことができる。前記第１領域の上面の幅は、前記第２領域の下面の幅より小さく提供され得る。
【１２１９】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供される第１領域と、下部領域に向かって傾斜した形状で提供される第２領域を含むことができる。また、前記第１領域と前記第２領域は、側面が曲率を有する円形形状で構成され得、前記第１領域上面の幅は、前記第２領域下面の幅より狭いこともある。また、前記第１領域と前記第２領域とが接する部分は、折曲部を有することができる。
【１２２０】
また、実施例によると、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２を形成するエッチング工程が完了した後、前記第１および第２フレーム１１１、１１２に対するメッキ工程が行われ得る。これによって、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の表面に第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａが形成され得る。
【１２２１】
前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａは、前記第１および第２フレーム１１１、１１２の上面および下面に提供され得る。また、前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａは、前記第１および第２犬夫婦ＴＨ１、ＴＨ２と接する境界領域に提供され得る。
【１２２２】
例として、前記第１および第２フレーム１１１、１１２は、基本支持部材としてＣｕ層で提供され得る。また、前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａはＮｉ層、Ａｇ層などで少なくとも一つを含むことができる。
【１２２３】
前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａがＮｉ層を含む場合、Ｎｉ層は、熱膨張に対する変化が小さいので、パッケージ胴体が熱膨張によってそのサイズまたは配置位置が変化する場合にも、前記Ｎｉ層によって上部に配置された発光素子の位置が安定して固定され得るようになる。前記第１および第２メッキ層１１１ａ、１１２ａがＡｇ層を含む場合、Ａｇ層は、上部に配置された発光素子から発光される光を効率的に反射させて光度を向上させることができる。
【１２２４】
実施例によると、前記光抽出効率を改善するために発光素子１２０の第１および第２ボンディング部１２１、１２２のサイズを小さく配置する場合、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１ボンディング部１２１の幅に比べてより大きいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２ボンディング部１２２の幅に比べてより大きいか、または同じに提供され得る。
【１２２５】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅が前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅が前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅に比べて小さいか、または同じに提供され得る。
【１２２６】
例として、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。また、前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅は、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルより大きく提供され得る。
【１２２７】
また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅は、数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルで提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅は、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅に比べて数十マイクロメートルないし数百マイクロメートルより大きく提供され得る。
【１２２８】
また、前記第１開口部ＴＨ１の上部領域の幅に比べて前記第１開口部ＴＨ１の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第１開口部ＴＨ１は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供されて、下部領域に向かって傾斜した形状で提供され得る。
【１２２９】
また、前記第２開口部ＴＨ２の上部領域の幅に比べて前記第２開口部ＴＨ２の下部領域の幅がさらに広く提供され得る。前記第２開口部ＴＨ２は、上部領域で所定の深さだけ一定の幅で提供されて、下部領域に向かって傾斜した形状で提供され得る。
【１２３０】
例として、前記第１開口部ＴＨ１は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。また、前記第２開口部ＴＨ２は、下部領域から上部領域に向かって幅が徐々に小さくなる傾斜した形状で提供され得る。
【１２３１】
但し、これに限定されず、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の上部領域と下部領域との間の傾斜面は、勾配が互いに異なる複数の傾斜面を有することができ、前記傾斜面は、曲率を有して配置され得る。
【１２３２】
実施例による発光素子パッケージは、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さい場合、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２内に配置され得る。
【１２３３】
このとき、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さいので、前記第１および第２導電層３２１、３２２と前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２との間の接着力が確保されにくいこともある。したがって、実施例による発光素子パッケージは、第１および第２導電層３２１、３２２と前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２との間の接触面積をさらに確保するために第１導電体２２１と第２導電体２２２を含むことができる。
【１２３４】
実施例によると、前記第１導電層３２１が前記第１ボンディング部１２１に電気的に連結され得、前記第２導電層３２２が前記第２ボンディング部１２２に電気的に連結され得る。例として、前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とに外部電源が供給され得、これによって、前記発光素子１２０が駆動され得る。
【１２３５】
一方、実施例による発光素子パッケージによると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０が、前記発光素子１２０の下面と前記パッケージ胴体１１０の上面との間に提供され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。また、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２の周辺に閉ループ形状で提供され得る。
【１２３６】
前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０を前記パッケージ胴体１１０に安定して固定させる機能を行うことができる。また、前記接着剤１３０は、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の側面に接触して前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の周りに配置され得る。前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記接着剤１３０は、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記モールディング部１４０が提供された外側領域からアイソレーションされるように配置され得る。
【１２３７】
前記接着剤１３０によって、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲの閉ループを外れて前記発光素子１２０の外側方向に流れることが防止され得る。
【１２３８】
前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の外側方向に移動する場合、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に沿って拡散されることもある。このように、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の第１導電型半導体層と第２導電型半導体層とが電気的に短絡されることもある。また、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動する場合、前記発光素子１２０の光抽出効率が低下することもできる。
【１２３９】
しかし、実施例によると、前記接着剤１３０によって前記リセスＲが提供された領域を基準として、内部と外部が隔離され得るので、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記リセスＲが提供された領域を外れて外部方向に移動することが防止され得る。
【１２４０】
したがって、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記発光素子１２０の側面に移動することが防止され得、前記発光素子１２０が電気的に短絡されることが防止されて光抽出効率が向上され得る。
【１２４１】
また、実施例によると、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０は、前記発光素子１２０の下面に沿って前記発光素子１２０の下に位置した第１領域Ａ１に移動して提供され得、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の４個の側面に接触して配置されることもある。これによって、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２は、前記接着剤１３０によって囲まれるように配置され得、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得る。
【１２４２】
このように、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２が前記接着剤１３０によって密封され得るので、前記第１および第２開口部ＴＨ１、ＴＨ２に提供された前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面の上に移動することが防止され得る。
【１２４３】
一方、前記接着剤１３０の量が十分に提供されない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１２４４】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１２４５】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、発光素子から放出される発光面積を確保して光抽出効率を上げるために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として１０％以下で設定され得る。
【１２４６】
また、実施例によると、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上で提供され得る。実施例による発光素子パッケージによると、実装される発光素子に安定したボンディング力を提供するために前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上と設定され得る。
【１２４７】
また、実施例による発光素子パッケージによると、前記第１導電体２２１および第２導電体２２２が安定して配置されるように前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積の合計は、前記基板１２４の上面の面積を基準として０．７％以上と設定され得る。
【１２４８】
このように、前記第１および第２ボンディング部１２１、１２２の面積が小さく提供されることによって、前記発光素子１２０の下面に透過する光の量が増大することができる。また、前記発光素子１２０の下には反射特性の良い前記接着剤１３０が提供され得る。したがって、前記発光素子１２０の下部方向に放出された光は前記接着剤１３０で反射して発光素子パッケージ１１００の上部方向に効果的に放出されて光抽出効率が向上され得るようになる。
【１２４９】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージは、サブマウントまたは回路基板などに実装されて供給されることもある。
【１２５０】
しかし、従来発光素子パッケージがサブマウントまたは回路基板などに実装されることにおいて、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）などの高温工程が適用され得る。このとき、リフロー工程で、発光素子パッケージに提供されたリードフレームと発光素子間のボンディング領域で再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生して電気的連結および物理的結合の安定性が低下することができるようになる。
【１２５１】
しかし、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、実施例による発光素子のボンディング部は、開口部に配置された導電層を通じて駆動電源の提供を受けることができる。そして、開口部に配置された導電層の溶融点が一般的なボンディング物質の溶融点に比べてより高い値を有するように選択され得る。
【１２５２】
したがって、実施例による発光素子素子パッケージは、メイン基板などにリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程を通じてボンディングされる場合にも再溶解（ｒｅ−ｍｅｌｔｉｎｇ）現象が発生しないので電気的連結および物理的ボンディング力が劣化しないという長所がある。
【１２５３】
また、実施例による発光素子パッケージおよび発光素子パッケージ製造方法によると、発光素子パッケージを製造する工程でパッケージ胴体１１０が高温に露出する必要がなくなる。したがって、実施例によると、パッケージ胴体１１０が高温に露出して損傷したり変色が発生することを防止することができる。
【１２５４】
これによって、胴体１１３を構成する物質に対する選択の幅が広くなり得るようになる。実施例によると、前記胴体１１３は、セラミックなどの高価の物質だけでなく、相対的に低価格の樹脂物質を用いて提供されることもある。
【１２５５】
例えば、前記胴体１１３は、ＰＰＡ（ＰｏｌｙＰｈｔａｌＡｍｉｄｅ）樹脂、ＰＣＴ（ＰｏｌｙＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅｄｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、ＥＭＣ（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂、ＳＭＣ（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）樹脂を含むグループから選択された少なくとも一つの物質を含むことができる。
【１２５６】
次に、図３７を参照して実施例による発光素子パッケージのまた他の例について説明する。
【１２５７】
図３７を参照して実施例による発光素子パッケージについて説明することにおいて、図１ないし図３６を参照して説明された内容と重複する事項については説明が省略され得る。
【１２５８】
実施例による半導体素子パッケージは、図３７に示されたように、図３６を参照して説明された半導体素子パッケージに比べて上部リセスＲ１０をさらに含むことができる。
【１２５９】
前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下面の下に位置した前記第１領域Ａ１に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記胴体１１３の上面から下面に向かう第１方向に凹むように提供され得る。
【１２６０】
前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０の下に提供され得、前記第１ボンディング部１２１と前記第２ボンディング部１２２との間に提供され得る。前記上部リセスＲ１０は、前記発光素子１２０に下に前記発光素子１２０の短縮方向に延びて提供され得る。
【１２６１】
図３６を参照して説明されたように、前記リセスＲに提供される前記接着剤１３０の量が十分でない場合、前記発光素子１２０の下に位置した前記第１領域Ａ１は、前記接着剤１３０によって満たされず、一部領域が空いた空間で提供されることもある。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記接着剤１３０の空の隙間を通じて前記第１領域Ａ１の空いた空間に拡散して移動することもできる。
【１２６２】
しかし、実施例による胴体１１３の物性と前記第１および第２導電層３２１、３２２の物性とを選択することにおいて、互いに接着性が良くない物性を選択することによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から拡散する距離を制限することができる。これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が制御できるので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１２６３】
また、実施例による発光素子パッケージが前記上部リセスＲ１０を含む場合、前記上部リセスＲ１０は、前記第１領域Ａ１で前記第１および第２導電層３２１、３２２が拡散されて移動することをさらに制限する機能を提供することができる。
【１２６４】
前記上部リセスＲ１０が提供されることによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２の一部が前記胴体１１３の上部に広がる場合にも前記上部リセスＲ１０で一種のトラップ（ｔｒａｐ）効果が発生して前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限される。前記第１開口部ＴＨ１を通じて拡散されると、前記第１導電層３２１は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。また、前記第２開口部ＴＨ２を通じて拡散されると、前記第２導電層３２２は、前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面から前記上部リセスＲ１０の下部方向に移動することができない現象が発生する。これは表面張力などの影響によって前記上部リセスＲ１０の凹な領域境界面で前記第１および第２導電層３２１、３２２の流れが制限されると解釈される。
【１２６５】
これによって、前記第１および第２導電層３２１、３２２が前記胴体１１３の上面から移動する距離が安定的で確実に制御され得るので、前記第１領域Ａ１で前記第１導電層３２１と前記第２導電層３２２とが電気的に短絡されることが防止され得る。
【１２６６】
一方、図３６を参照して説明された発光素子パッケージにおいては、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０が前記リセスＲの外側境界面によって形成される面積に比べてより大きく提供された場合を基準として説明された。
【１２６７】
しかし、他の実施例による発光素子パッケージは、図２６を参照して説明された発光素子パッケージと似ているように、前記発光素子１２０の上部方向から見たとき、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲと重なるように提供され得る。
【１２６８】
このように、前記発光素子１２０の外側面が前記リセスＲ領域の上に配置されるようにすることによって、前記リセスＲに提供された前記接着剤１３０によって前記発光素子１２０の下面と前記胴体１１３との上面が固定されて密封され得るようになる。
【１２６９】
一方、上述した実施例による発光素子パッケージにおいて、前記接着層１３０が前記発光素子１２０の側面に隣接するように提供される場合、前記接着層１３０が前記発光素子１２０の側面に沿って一部領域まで拡散されることもある。
【１２７０】
また、上述した実施例による発光素子パッケージは、パッケージ胴体に形成されたリセスＲが閉ループで提供される場合を基準として説明されたが、リセスＲが必ず閉ループで形成されないこともある。リセスＲが閉ループで形成されず、日程距離をおいて互いに離隔した形状で提供される場合に、リセスＲに提供された接着層が互いに連結されるほどリセスＲが小さい距離で離隔していると、接着剤によって発光素子とパッケージ胴体とが安定して密封されることがあるので望む効果を十分に実現することができることになる。また、接着剤が拡散性を有しているので、互いに離隔したリセスＲに配置された接着層が発光素子の下面とパッケージ胴体の上面とで拡散され得、これによって、発光素子の下面とパッケージ胴体の上面との間が効果的に密封され得るようになる。
【１２７１】
一方、上述した発光素子パッケージには、例としてフリップチップ発光素子が提供され得る。
【１２７２】
例として、フリップチップ発光素子は、６面方向に光が放出される透過型フリップチップ発光素子で提供され得、５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子で提供されることもある。
【１２７３】
前記５面方向に光が放出される反射型フリップチップ発光素子は、前記パッケージ胴体１１０に近い方向に反射層が配置された構造を有することができる。例えば、前記反射型フリップチップ発光素子は、第１および第２ボンディング部と発光構造物との間に絶縁性反射層（例えば、Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、Ｏｍｎｉ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒなど）および/または、伝導性反射層（例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ａｕなど）を含むことができる。
【１２７４】
また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、第１導電型半導体層と電気的に連結される第１ボンディング部、第２導電型半導体層と電気的に連結される第２ボンディング部を有し、前記第１ボンディング部と前記第２ボンディング部との間で光が放出される一般的な水平型発光素子で提供され得る。
【１２７５】
また、前記６面方向に光が放出されるフリップチップ発光素子は、前記第１および第２ボンディング部との間に反射層が配置された反射領域と光が放出される透過領域を両方とも含む透過型フリップチップ発光素子で提供され得る。
【１２７６】
ここで、透過型フリップチップ発光素子は、上面、４個の側面、下面の６面で光が放出される素子を意味する。また、反射型フリップチップ発光素子は、上面、４個の側面の５面で光が放出される素子を意味する。
【１２７７】
一方、図１ないし図３７を参照して説明された実施例による発光素子パッケージは光源装置に適用され得る。
【１２７８】
また、光源装置は、産業分野により表示装置、照明装置、ヘッドランプなどを含むことができる。
【１２７９】
光源装置の例において、表示装置は、ボトムカバーと、ボトムカバーの上に配置される反射版と、光を放出して発光素子を含む発光モジュールと、反射版の前方に配置されて発光モジュールで発散される光を前方に案内する導光板と、導光板の前方に配置されるプリズムシートを含む光学シートと、光学シートの前方に配置されるディスプレイパネルと、ディスプレイパネルと連結されてディスプレイパネルに画像信号を供給する画像信号出力回路と、ディスプレイパネルの前方に配置されるカラーフィルターを含むことができる。ここでボトムカバー、反射版、発光モジュール、導光板、および光学シートは、バックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  Ｕｎｉｔ）をなすことができる。また、表示装置は、カラーフィルターを含まず、赤色（Ｒｅｄ）、緑色（Ｇｒｅｅｎ）、青色（Ｂｌｕｅ）光を放出する発光素子がそれぞれ配置される構造をなすこともできる。
【１２８０】
光源装置のまた他の例において、ヘッドランプは、基板上に配置される発光素子パッケージを含む発光モジュール、発光モジュールから照射される光を一定方向、例えば、前方に反射させるリフレクター（ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）、リフレクターによって反射する光を前方で屈折させるレンズ、およびリフレクターによって反射してレンズに向かう光の一部分を遮断または反射して、設計者が希望する背光パターンをなすようにするシェード（ｓｈａｄｅ）を含むことができる。
【１２８１】
光源装置の他の例の照明装置は、カバー、光源モジュール、放熱体、電源提供部、内部ケース、ソケットを含むことができる。また、実施例による光源装置は、部材とホルダーのうちいずれか一つ以上をさらに含むことができる。前記光源モジュールは、実施例による発光素子パッケージを含むことができる。
【１２８２】
以上、実施例に説明された特徴、構造、効果などは、少なくとも一つの実施例に含まれ、必ずしも一つの実施例にのみ限定されるものではない。さらに、各実施例において例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野の通常の知識を有する者によって他の実施例に対しても組合せまたは変形されて実施可能である。したがって、このような組合せと変形に係る内容は、実施例の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【１２８３】
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示に過ぎず、実施例 を限定するものではなく、実施例が属する分野の通常の知識を有した者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、本発明の実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求範囲で規定する本実施例 の範囲に含まれるものと解釈されるべきである 。
【符号の説明】
【１２８４】
１１０パッケージ胴体              １１１第１フレーム
１１２第２フレーム                １１３胴体
１２０発光素子                    １２１第１ボンディング部
１２２第２ボンディング部          １２３発光構造物
１２４基板                        １３０接着剤
１３３放熱部材                    １３５樹脂部
１４０モールディング部            ２１０臨とき基板
２２１第１導電体                  ２２２第２導電体
３１０回路基板                    ３１１第１パッド
３１２第２パッド                  ３１３支持基板
３２１第１導電層                  ３２２第２導電層
４２１第１ボンディング層          ４２２第２ボンディング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2019029673.tif 000005
【図５ａ】
2019029673.tif 000006
【図５ｂ】
2019029673.tif 000007
【図６ａ】
2019029673.tif 000008
【図６ｂ】
2019029673.tif 000009
【図７ａ】
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【図７ｂ】
2019029673.tif 000011
【図８ａ】
2019029673.tif 000012
【図８ｂ】
2019029673.tif 000013
【図９】
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【図１０】
2019029673.tif 000015
【図１１】
2019029673.tif 000016
【図１２】
2019029673.tif 000017
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2019029673.tif 000021
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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