(57)【要約】【課題】無機配向膜の密着性を向上させた液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、素子基板１０の画素電極１５および対向基板２０の対向電極２３と、画素電極１５、対向電極２３を被覆する非酸化物を含む無機配向膜１８，２４と、素子基板１０および対向基板２０の間に挟持された液晶層５０と、を備え、素子基板１０、対向基板２０は、無機配向膜１８，２４と画素電極１５、対向電極２３との間に中間層１８ａ，２４ａを有し、中間層１８ａ，２４ａは、非酸化物と無機配向膜１８，２４に含まれる元素の酸化物とを含み、画素電極１５側、対向電極２３側から対応する無機配向膜１８，２４側に向かって酸化物の濃度が小さくなることを特徴とする。【選択図】図６
2019191353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板に形成された電極と、
前記電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、
前記第１基板および前記第２基板の間に、前記無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記無機配向膜と前記電極との間に中間層を有し、
前記中間層は、前記非酸化物と前記無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、前記電極側から前記無機配向膜側に向かって前記酸化物の濃度が小さくなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
対向配置された第１基板および第２基板と、
前記第１基板および前記第２基板に形成された電極と、
前記電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、
前記第１基板および前記第２基板の間に、前記無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記無機配向膜と前記電極との間に中間層を有し、
前記中間層は、前記非酸化物と前記無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、前記電極側の前記酸化物の濃度より、前記無機配向膜側の前記酸化物の濃度が小さいことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記中間層の膜厚は、前記無機配向膜の膜厚より小さいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記無機配向膜に含まれる元素は、ＭｇまたはＳｉであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記中間層は、前記非酸化物としてフッ化マグネシウムと、前記酸化物として酸化マグネシウムとを含み、前記電極側から前記無機配向膜側に向かってフッ化マグネシウムの濃度が大きくなることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方の基板の前記電極は、酸化物を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２基板は、前記電極として対向電極と、マイクロレンズと、を備え、
少なくとも前記第２基板の前記対向電極と前記無機配向膜との間に、前記中間層を有することを特徴とする請求項１から請求項６いずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項８】
対向配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に、非酸化物を含む無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板および前記第２基板のうちの少なくとも一方の基板に対して、
電極を形成する工程と、
前記電極を被覆して、前記非酸化物と前記無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、前記電極側から前記無機配向膜側に向かって酸化物の濃度が小さくなる中間層を形成する工程と、
前記中間層を被覆して、前記非酸化物を前記基板の法線方向と交差する方向から付与して前記無機配向膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記中間層を形成する工程は、
前記酸化物の被膜を形成する工程と、
前記被膜と前記無機配向膜に含まれる元素を含む化合物とを反応させて前記中間層を形成する工程と、を備えることを特徴する請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層を形成する工程は、
前記酸化物の被膜を形成する工程と、
前記酸化物の被膜を被覆して、前記非酸化物の被膜を形成する工程と、
前記酸化物の被膜および前記非酸化物の被膜に加熱処理を施して前記中間層を形成する工程と、を備えることを特徴する請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記中間層を形成する工程は、前記酸化物および前記非酸化物の２つの蒸着源を用いて、前記基板の法線方向と交差する方向から、前記非酸化物に対する前記酸化物の濃度を変化させながら蒸着して前記中間層を形成することを特徴する請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記中間層を形成する工程は、前記非酸化物の蒸着源を用いて、前記基板の法線方向と交差する方向から、酸素濃度およびイオン加速電圧を変化させながら蒸着して前記中間層を形成することを特徴する請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記中間層を形成する工程は、前記無機配向膜の膜厚よりも小さな膜厚を有する前記中間層を形成することを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記中間層を形成する工程は、前記酸化物として酸化マグネシウムまたは酸化ケイ素を用いることを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１５】
前記中間層を形成する工程は、前記酸化物として酸化マグネシウムと、前記非酸化物としてフッ化マグネシウムと、を含む前記中間層を形成することを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、投射型表示装置の液晶ライトバルブとして、無機配向膜を用いた液晶装置が知られていた。投射型表示装置の用途においては、直視型の液晶装置と比べて、液晶装置への入射光が増大する。そのため、無機配向膜として酸化ケイ素などの酸化物を用いると、入射光によって液晶分子と酸化物表面の水酸基とが反応して液晶分子が劣化することがあった。そこで、無機配向膜として、フッ化マグネシウムなどの非酸化物を無機配向膜に用いる技術が検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、フッ化マグネシウムなどの疎水性の無機材料からなる配向膜と、該配向膜と基板との間に設けられた、二酸化珪素などの親水性の無機材料からなる吸着層と、を備えた液晶パネルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７４６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶パネルでは、酸化物の吸着層と非酸化物の無機配向膜との密着性を確保しにくいという課題があった。詳しくは、二酸化珪素の吸着層とフッ化マグネシウムの無機配向膜との間の界面では相互作用が働きにくい。これは、該界面が、酸化物と非酸化物との間の界面であることに加えて、酸化物が親水性であり、非酸化物が疎水性であることにも由来する。吸着層と無機配向膜との間の密着性が確保されないと、無機配向膜に剥離が生じやすくなり、液晶パネルの表示品質が低下するおそれがあった。すなわち、無機配向膜の密着性を向上させた液晶装置が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の液晶装置は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板に形成された電極と、電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、第１基板および第２基板の間に、無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、無機配向膜と電極との間に中間層を有し、中間層は、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側から無機配向膜側に向かって酸化物の濃度が小さくなることを特徴とする。
【０００７】
本願の液晶装置は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板に形成された電極と、電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、第１基板および第２基板の間に、無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、無機配向膜と電極との間に中間層を有し、中間層は、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側の酸化物の濃度より、無機配向膜側の酸化物の濃度が小さいことを特徴とする。
【０００８】
上記の液晶装置において、中間層の膜厚は、無機配向膜の膜厚より小さいことが好ましい。
【０００９】
上記の液晶装置において、無機配向膜に含まれる元素は、ＭｇまたはＳｉであることが好ましい。
【００１０】
上記の液晶装置において、中間層は、非酸化物としてフッ化マグネシウムと、酸化物として酸化マグネシウムとを含み、電極側から無機配向膜側に向かってフッ化マグネシウムの濃度が大きくなることが好ましい。
【００１１】
上記の液晶装置において、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板の電極は、酸化物を含むことが好ましい。
【００１２】
上記の液晶装置において、第２基板は、電極として対向電極と、マイクロレンズと、を備え、少なくとも第２基板の対向電極と無機配向膜との間に、中間層を有することが好ましい。
【００１３】
本願の液晶装置の製造方法は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に、非酸化物を含む無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板に対して、電極を形成する工程と、電極を被覆して、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側から無機配向膜側に向かって酸化物の濃度が小さくなる中間層を形成する工程と、中間層を被覆して、非酸化物を基板の法線方向と交差する方向から付与して無機配向膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物の被膜を形成する工程と、被膜と無機配向膜に含まれる元素を含む化合物とを反応させて中間層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
【００１５】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物の被膜を形成する工程と、酸化物の被膜を被覆して、非酸化物の被膜を形成する工程と、酸化物の被膜および非酸化物の被膜に加熱処理を施して中間層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
【００１６】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物および非酸化物の２つの蒸着源を用いて、基板の法線方向と交差する方向から、非酸化物に対する酸化物の濃度を変化させながら蒸着して中間層を形成することが好ましい。
【００１７】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、非酸化物の蒸着源を用いて、基板の法線方向と交差する方向から、酸素濃度およびイオン加速電圧を変化させながら蒸着して中間層を形成することが好ましい。
【００１８】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、無機配向膜の膜厚よりも小さな膜厚を有する中間層を形成することが好ましい。
【００１９】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物として酸化マグネシウムまたは酸化ケイ素を用いることが好ましい。
【００２０】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物として酸化マグネシウムと、非酸化物としてフッ化マグネシウムと、を含む中間層を形成することが好ましい。
【００２１】
本願の電子機器は、上記の液晶装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】素子基板の構造を示す模式断面図。
【図５】図１のＩ−Ｉ’線に沿った対向基板の構造を示す模式断面図。
【図６】液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図。
【図８】実施形態２に係る液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図。
【図９】液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図。
【図１０】実施形態４に係る液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図。
【図１１】液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図。
【図１２】実施形態５に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も、本発明に含まれる。
【００２４】
なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。また、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
【００２５】
（実施形態１）
本実施形態では、液晶装置として、画素ごとにスイッチング素子としての薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：以降、「ＴＦＴ」と略す。）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の液晶ライトバルブ（光変調素子）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
＜液晶装置の構成＞
まず、本実施形態の液晶装置の構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２７】
図１および図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、第１基板としての素子基板１０、第２基板としての対向基板２０、電極としての画素電極１５および対向電極２３、無機配向膜１８，２４、液晶層５０を備えている。素子基板１０と対向基板２０とは対向配置されている。素子基板１０には、画素電極１５と、画素電極１５を被覆する非酸化物を含む無機配向膜１８とが形成されている。対向基板２０には、対向電極２３と、対向電極２３を被覆する非酸化物を含む無機配向膜２４と、後述するマイクロレンズと、が形成されている。素子基板１０および対向基板２０の間に、無機配向膜１８，２４を介して液晶層５０が挟持されている。
【００２８】
素子基板１０の基板１０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの基板が用いられる。対向基板２０の基板２０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。
【００２９】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。素子基板１０と対向基板２０と（以降、「一対の基板」ということもある。）は、シール材４０を介して接着されている。一対の基板の隙間に液晶が封入されて、液晶層５０が形成されている。液晶装置１００では、液晶として負の誘電異方性を有するネマティック液晶を用いている。なお、液晶の誘電異方性は負に限定されず、正の誘電異方性を有する液晶を用いてもよい。
【００３０】
シール材４０には、例えば、熱硬化性または電子線硬化性のエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの接着剤が採用される。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）が混入されている。
【００３１】
シール材４０の内側には、マトリクス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。
【００３２】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１辺部とシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。
【００３３】
第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。また、第２辺部のシール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材４０と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３５】
ここで、本明細書では、第１辺部に沿った方向をＸ方向とし、第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿った方向をＹ方向とする。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交する、素子基板１０および対向基板２０の法線方向をＺ方向とし、Ｚ方向から見ることを「平面視」あるいは「平面的」という。さらに、該法線方向において、対向基板２０から遠ざかる方向を上方、上方と逆の方向を下方という。
【００３６】
シール材４０と表示領域Ｅとの間には、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。見切り部２１の形成材料としては、例えば、遮光性の金属または合金、金属酸化物などの金属化合物が用いられる。
【００３７】
そのため、見切り部２１は、対向基板２０側から走査線駆動回路１０２などの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路の光による誤動作を抑制する機能を有している。また、見切り部２１は、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示におけるコントラストを確保している。
【００３８】
図２に示すように、基板１０ｓの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５およびＴＦＴ３０と、信号配線（図示せず）と、これらを被覆する無機配向膜１８とが形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極１５の制御駆動に係るトランジスターとしてのスイッチング素子である。無機配向膜１８と画素電極１５との間には、中間層１８ａが形成されている。すなわち、素子基板１０は、画素電極１５と無機配向膜１８との間に中間層１８ａを有している。
【００３９】
また、素子基板１０には、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基板１０ｓと、基板１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、中間層１８ａ、無機配向膜１８を含むものである。
【００４０】
基板２０ｓの液晶層５０側の表面には、見切り部２１と、これを覆うように成膜された絶縁層２２と、絶縁層２２上層の対向電極２３と、対向電極２３を被覆する中間層２４ａと、無機配向膜２４とが形成されている。換言すれば、無機配向膜２４と対向電極２３との間には、中間層２４ａが形成されている。すなわち、対向基板２０は、中間層２４ａを有している。対向基板２０は、少なくとも見切り部２１、対向電極２３、中間層２４ａ、無機配向膜２４を含むものである。また、基板２０ｓは、後述するマイクロレンズを備えている。
【００４１】
絶縁層２２は、見切り部２１を覆うように設けられている。絶縁層２２の形成材料としては、例えば、光透過性を有する酸化ケイ素などの無機材料が挙げられる。このような絶縁層２２の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４２】
対向電極２３は、絶縁層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。対向電極２３の形成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの酸化物を含む透明導電膜が挙げられる。本実施形態では、対向電極２３の形成材料としてＩＴＯを用いている。
【００４３】
画素電極１５を被覆する中間層１８ａ、無機配向膜１８、および対向電極２３を被覆する中間層２４ａ、無機配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。本実施形態の無機配向膜１８，２４は、負の誘電異方性を有する液晶分子を、膜面に対して略垂直配向させるものである。中間層１８ａ，２４ａおよび無機配向膜１８，２４の詳細は後述する。
【００４４】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０において、光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されている。
【００４５】
本実施形態では、以降、無機配向膜１８，２４と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００４６】
なお、本実施形態では、素子基板１０および対向基板２０の両基板において、それぞれ中間層１８ａ，２４ａが形成された形態を示したが、これに限定されない。素子基板１０および対向基板２０のうちの少なくとも一方の基板に、対応する中間層１８ａ，２４ａのいずれかが形成されていればよい。特に、少なくとも対向基板２０には、中間層２４ａが形成されていることが好ましい。中間層２４ａによって無機配向膜２４の密着性が向上するため、無機配向膜２４の形成を２５０℃以上の比較的高温で行わずに済み、マイクロレンズにかかる熱的なストレスを低減することができる。
【００４７】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有している。走査線３ａが延在する方向はＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向はＹ方向である。
【００４８】
走査線３ａ、データ線６ａ、および容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、画素電極１５のスイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４９】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極１５は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００５０】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００５１】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、この順番に線順次にて供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次にて供給する。
【００５２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、画素電極１５と、液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００５３】
保持された画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有している。
【００５４】
＜素子基板の構造＞
次に、素子基板１０における画素電極１５とＴＦＴ３０との電気的な接続に係る断面構造について、図４を参照して説明する。図４は、素子基板の構造を示す模式断面図である。ここで、図４では、図２における素子基板１０の画素電極１５を含む領域を拡大して示し、中間層１８ａおよび無機配向膜１８は図示を省略している。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５５】
図４に示すように、素子基板１０の基板１０ｓ上には、走査線３ａが形成されている。走査線３ａの形成材料としては、遮光性を有する、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの１つ以上を含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものが挙げられる。
【００５６】
走査線３ａを被覆して、例えば酸化ケイ素などからなる第１絶縁膜（下地絶縁膜）１１ａが形成され、さらに第１絶縁膜１１ａを被覆して半導体層３０ａが形成されている。半導体層３０ａは、第１絶縁膜１１ａ上にあって、島状に配置されている。半導体層３０ａは、例えば多結晶シリコン膜から成り、不純物イオンが注入されて、データ線側ソースドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、画素電極側ソースドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
【００５７】
半導体層３０ａを被覆して、第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成されている。さらに、半導体層３０ａのチャネル領域と対向する位置に、第２絶縁膜１１ｂを介してゲート電極３０ｇが形成されている。
【００５８】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを被覆して、第３絶縁膜１１ｃが形成されている。半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成されている。
【００５９】
コンタクトホールＣＮＴ１を介して、第３絶縁膜１１ｃの一部を被覆する、ソース電極３１およびデータ線６ａが形成されている。ソース電極３１およびデータ線６ａは、データ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。ソース電極３１およびデータ線６ａは、Ａｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性の導電材料を用いて導電膜を成膜した後、該導電膜をパターニングして形成される。また、コンタクトホールＣＮＴ２を介して、画素電極側ソースドレイン領域に繋がるドレイン電極３２（第１中継電極６ｂ）が形成されている。
【００６０】
データ線６ａおよび第１中継電極６ｂ、第３絶縁膜１１ｃを被覆して、第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２は、例えば、ケイ素の酸化物や窒化物から成る。第１層間絶縁膜１２には、下層のＴＦＴ３０によって生じた表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施されている。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６１】
第１中継電極６ｂと重なる位置に、第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成されている。コンタクトホールＣＮＴ３と、第１層間絶縁膜１２の一部とを被覆して、配線７ａと第２中継電極７ｂとが形成されている。第２中継電極７ｂは、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂと電気的に接続されている。配線７ａおよび第２中継電極７ｂは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性を有する金属の導電膜を成膜した後、該導電膜をパターニングして形成される。
【００６２】
配線７ａは、平面視でＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成されている。配線７ａには固定電位が与えられるため、シールド層として機能する。
【００６３】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを被覆して、第２層間絶縁膜１３ａが形成されている。第２層間絶縁膜１３ａの形成材料としては、例えば、Ｓｉ（ケイ素）の酸化物や窒化物あるいは酸窒化物が挙げられる。第２層間絶縁膜１３ａには、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されている。
【００６４】
第２層間絶縁膜１３ａの第２中継電極７ｂと重なる位置には、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。コンタクトホールＣＮＴ４と、第２層間絶縁膜１３ａの一部を被覆して、第１容量電極１６ａと第３中継電極１６ｄとが形成されている。第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄは、例えば、Ａｌ（アルミニウム）やその合金などの遮光性を有する金属の導電膜を成膜した後、該導電膜をパターニングして形成される。
【００６５】
第１容量電極１６ａは、後で形成される誘電体層１６ｂを介して第２容量電極１６ｃと平面視で重なる（対向する）。この重なる部分の、第１容量電極１６ａの外縁を被覆して、絶縁膜１３ｂがパターニング形成されている。また、絶縁膜１３ｂは、第３中継電極１６ｄの外縁を被覆して、パターニング形成されている。
【００６６】
絶縁膜１３ｂと第１容量電極１６ａとを被覆して、誘電体層１６ｂが成膜されている。誘電体層１６ｂの形成材料としては、Ｓｉ（ケイ素）窒化膜、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、あるいはこれらの単層膜のうちの２種類以上の単層膜を積層した多層膜が挙げられる。平面視で第３中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体層１６ｂは、エッチング処理などによって除かれている。
【００６７】
誘電体層１６ｂを介して第１容量電極１６ａと一部が対向するように、第２容量電極１６ｃが形成されている。第２容量電極１６ｃは、誘電体層１６ｂがエッチング処理などで除かれた部分において、第３中継電極１６ｄと電気的に接続されている。第２容量電極１６ｃは、例えば、ＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜を成膜した後に、該導電膜をパターニングして形成される。誘電体層１６ｂと、誘電体層１６ｂを介して対向配置された第１容量電極１６ａと、第２容量電極１６ｃとにより容量素子１６が構成される。
【００６８】
第２容量電極１６ｃと誘電体層１６ｂとを被覆して、第３層間絶縁膜１４が形成されている。第３層間絶縁膜１４の形成材料としては、例えば、Ｓｉ（ケイ素）の酸化物や窒化物などが挙げられる。本実施形態では、第３層間絶縁膜１４の形成材料として、酸化ケイ素を用いている。第３層間絶縁膜１４には、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されている。また、第３層間絶縁膜１４を貫通して、コンタクトホールＣＮＴ５が形成されている。
【００６９】
コンタクトホールＣＮＴ５に電気的に接続し、第３層間絶縁膜１４の一部を被覆して、画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの金属酸化物から成る透明導電膜を成膜した後、該透明導電膜をパターニングして形成される。これにより、画素電極１５は、コンタクトホールＣＮＴ５を介して、第２容量電極１６ｃおよび第３中継電極１６ｄと電気的に接続される。本実施形態では、画素電極１５の形成材料としてＩＴＯを用いている。
【００７０】
ここで、本実施形態では、画素電極１５および対向電極２３の形成材料として金属酸化物（ＩＴＯ）を採用しているが、これに限定されない。画素電極１５および対向電極２３のうち、少なくとも一方には金属酸化物から成る透明導電膜を用い、他方にはＡｌ（アルミニウム）やその合金などの光反射性を有する金属の導電膜を用いてもよい。これにより、液晶装置１００を反射型の液晶装置としてもよい。
【００７１】
第２容量電極１６ｃは、第３中継電極１６ｄ、コンタクトホールＣＮＴ４、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続されている。また、第２容量電極１６ｃは、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１５と電気的に接続されている。
【００７２】
第１容量電極１６ａは、複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線３ｂとして機能する。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。そのため、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとの間において保持することができる。
【００７３】
上述したように、素子基板１０の基板１０ｓ上には、複数の配線が形成されているため、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線層を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第３絶縁膜１１ｃを総称して配線層１１と呼ぶ。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。
【００７４】
また、第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、誘電体層１６ｂを総称して配線層１３と呼ぶ。配線層１３の代表的な配線は、配線７ａ、第１容量電極１６ａ（容量線３ｂ）である。
【００７５】
＜マイクロレンズ＞
次に、対向基板２０におけるマイクロレンズに係る断面構造について、図５を参照して説明する。図５は、図１のＩ−Ｉ’線に沿った対向基板の構造を示す模式断面図である。なお、図５では、上述した素子基板１０における詳細な構成の図示を省略している。また、図５は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００７６】
図５に示すように、対向基板２０は、マイクロレンズアレイ基板としての基板２０ｓ、見切り部２１、光路長調整層（パス層）でもある絶縁層２２、対向電極２３、中間層２４ａ、配向膜２４などを備えている。基板２０ｓは、基板本体２５と、マイクロレンズＭＬを含むレンズ層２６と、を有している。マイクロレンズＭＬは、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して設けられ、マイクロレンズアレイが形成されている。
【００７７】
基板本体２５は、表面２５ｂとはＺ方向において反対側の液晶層５０側の表面２５ａに、複数の凹部２７を有している。各凹部２７は、各画素Ｐに対応して設けられている。凹部２７は、上方に向かって先細りとなる曲面状に形成され、マイクロレンズＭＬにおける凸状のレンズ面を成している。したがって、以降、凹部２７を「レンズ面２７」ともいう。基板本体２５には、上述したように、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。
【００７８】
レンズ層２６には、光透過性を有し、基板本体２５よりも屈折率が高い無機のレンズ材料を採用している。例えば、基板本体２５の形成材料に石英基板（屈折率：約１．４６）を用いる場合には、レンズ層２６の形成材料としては、酸窒化ケイ素（屈折率：１．５５〜１．６４）、酸化アルミニウム（屈折率：約１．７６）などが挙げられる。なお、屈折率は、基板本体２５やレンズ層２６を透過する光の波長に依存する。
【００７９】
見切り部２１およびレンズ層２６を被覆して絶縁層２２が設けられている。絶縁層２２には、光透過性を有し、例えば、基板本体２５とほぼ同じ屈折率を有する無機材料が採用される。絶縁層２２は、基板２０ｓの液晶層５０側の面を平坦化すると共に、マイクロレンズＭＬの焦点距離を所望の値に調節する機能を有している。したがって、絶縁層２２の層厚は、光の波長に応じたマイクロレンズＭＬの焦点距離などの光学設計に基づいて適宜設定される。
【００８０】
液晶装置１００では、光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板２０（基板本体２５の表面２５ｂ）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって画素Ｐごとに集光される。例えば、基板本体２５の表面２５ｂ側から凸状のマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの平均的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのままＺ方向に直進し、液晶層５０を通過して素子基板１０側に出射される。
【００８１】
入射光Ｌ１よりも外側でマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、基板本体２５とレンズ層２６との屈折率の差により、画素Ｐの平均的な中心側へ屈折する。入射光Ｌ２が、仮にそのまま直進すると、液晶層５０や素子基板１０を通過することで、わずかに屈折して迷光となったり、素子基板１０に設けられた遮光性の配線などに入射したりして、有効に活用できなくなる場合がある。すなわち、液晶装置１００では、マイクロレンズＭＬの集光作用により、入射光Ｌ２も有効に活用して、素子基板１０から出射される光の量を増やすことが可能となる。これにより、素子基板１０側から出射される光の量が増加され、光の利用効率を向上させることができる。
【００８２】
なお、本実施形態の液晶装置１００では、マイクロレンズを採用した構成を例示したが、これに限定されない。液晶装置は、マイクロレンズを省略した構成であってもよい。
【００８３】
＜無機配向膜および中間層＞
次に、液晶装置１００における無機配向膜１８，２４および中間層１８ａ，２４ａの構成について、図６を参照して説明する。図６は、液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図である。なお、図６においては、画素電極１５、対向電極２３、無機配向膜１８，２４、中間層１８ａ，２４ａ、基板１０ｓ，２０ｓを図示し、素子基板１０および対向基板２０における他の構成の図示を省略している。
【００８４】
図６に示すように、液晶パネル１１０（液晶装置１００）は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０、素子基板１０に形成された画素電極１５、対向基板２０に形成された対向電極２３、無機配向膜１８，２４、素子基板１０および対向基板２０の間に、無機配向膜１８，２４を介して挟持された、液晶（液晶分子ＬＣ）を含む液晶層５０と、を備えている。
【００８５】
素子基板１０の画素電極１５と液晶層５０との間には、中間層１８ａおよび無機配向膜１８が形成されている。換言すれば、画素電極１５を被覆して中間層１８ａが形成され、さらに中間層１８ａを被覆して無機配向膜１８が形成されている。素子基板１０と同様にして、対向基板２０においては、対向電極２３を被覆して中間層２４ａが形成され、さらに中間層２４ａを被覆して無機配向膜２４が形成されている。
【００８６】
なお、図示を省略するが、中間層１８ａは、素子基板１０において画素電極１５が形成されていない領域では、第３層間絶縁膜１４（図４参照）と接して形成されている。また、中間層２４ａは、対向基板２０において対向電極２３が形成されていない領域（例えば平面視で見切り部２１と重なる領域）では、絶縁層２２（図２参照）と接して形成されている。
【００８７】
本実施形態では、中間層１８ａ，２４ａは、それぞれ基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜め方向から形成材料を蒸着する、斜方蒸着法によって形成される。そのため、中間層１８ａ，２４ａは、形成材料の蒸着分子が斜めに堆積した柱状体（カラム）の集合体である。
【００８８】
無機配向膜１８，２４も中間層１８ａ，２４ａと同様にして、それぞれ基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜め方向から形成材料を蒸着する、斜方蒸着法によって形成される。無機配向膜１８，２４も、形成材料の蒸着分子が斜めに堆積した柱状体（カラム）の集合体である。
【００８９】
無機配向膜１８，２４は非酸化物を含む。該非酸化物に含まれる元素としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｉ（ケイ素）、ランタノイド元素が挙げられる。無機配向膜１８，２４に含まれる非酸化物としては、例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、ランタノイド元素のフッ化物などが挙げられる。無機配向膜１８と無機配向膜２４とには、同じ形成材料を採用することが好ましい。本実施形態では、無機配向膜１８，２４に含まれる非酸化物として、フッ化マグネシウムを用いている。
【００９０】
中間層１８ａ，２４ａは、無機配向膜１８，２４に含まれる非酸化物と無機配向膜１８，２４に含まれる元素の酸化物とを含む。すなわち、中間層１８ａ，２４ａは、無機配向膜１８，２４に含まれる上述した非酸化物と、該非酸化物に含まれる元素である、マグネシウム（Ｍｇ）、ケイ素（Ｓｉ）、ランタノイド元素の酸化物のいずれかを含んでいる。本実施形態では、無機配向膜１８，２４にフッ化マグネシウムを用いることから、中間層１８ａ，２４ａが含む酸化物は、酸化マグネシウムとなる。無機配向膜１８，２４に窒化ケイ素を用いる場合には、上記酸化物は酸化ケイ素となる。
【００９１】
中間層１８ａは、画素電極１５または第３層間絶縁膜１４と接する画素電極１５側から、液晶層５０に近い無機配向膜１８側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。詳しくは、画素電極１５または第３層間絶縁膜１４と接する、中間層１８ａの界面には、酸化マグネシウムが多く含まれている。上記界面から、無機配向膜１８側に向かうに連れて、次第に酸化マグネシウムの濃度が小さくなると共に、フッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。中間層１８ａにおいては、画素電極１５側の酸化マグネシウムの濃度より、無機配向膜１８側の酸化マグネシウムの濃度が小さい。無機配向膜１８と接する、中間層１８ａの界面には、フッ化マグネシウムが多く含まれている。
【００９２】
中間層２４ａは、中間層１８ａと同様に、対向電極２３または絶縁層２２と接する対向電極２３側から液晶層５０に近い無機配向膜２４側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。具体的には、対向電極２３側から無機配向膜２４側に向かうにつれて、次第に酸化マグネシウムの濃度が小さくなると共に、フッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。中間層２４ａにおいては、対向電極２３側の酸化マグネシウムの濃度より、無機配向膜２４側の酸化マグネシウムの濃度が小さい。無機配向膜２４と接する、中間層２４ａの界面には、フッ化マグネシウムが多く含まれている。
【００９３】
中間層１８ａ，２４ａにおいて、無機配向膜１８，２４とそれぞれ接する界面の酸化物の濃度は、２０％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、０％または測定の検出限界以下であることがさらにより好ましい。酸化物の濃度を上記の数値とすることにより、中間層１８ａ，２４ａと、対応する無機配向膜１８，２４との密着性をより向上させることができる。本実施形態では、上記界面の酸化物（酸化マグネシウム）の濃度を、以下に述べる方法の検出下限以下としている。
【００９４】
中間層１８ａ，２４ａにおいて、画素電極１５および第３層間絶縁膜１４、対向電極２３および絶縁層２２とそれぞれ接する界面の酸化物の濃度は、８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましく、１００％であることがさらにより好ましい。酸化物の濃度を上記の数値とすることにより、中間層１８ａ，２４ａと、対応する画素電極１５、対向電極２３などとの密着性をより向上させることができる。
【００９５】
以上により、中間層１８ａ，２４ａは、基板１０ｓ，２０ｓ側から、対応する無機配向膜１８，２４側に向かって、酸化物（酸化マグネシウム）の濃度が漸減する濃度変化（濃度勾配）と、これに対応して、非酸化物（フッ化マグネシウム）の濃度が漸増する濃度変化（濃度勾配）とを有している。基板１０ｓ，２０ｓ側から、対応する無機配向膜１８，２４側に向かう方向とは、中間層１８ａ，２４ａの厚さ方向（Ｚ方向）である。したがって、換言すれば、中間層１８ａ，２４ａは、厚さ方向（Ｚ方向）において上記濃度勾配を有し、酸化物と非酸化物との濃度比が変化している。
【００９６】
ここで、中間層１８ａ，２４ａにおける酸化物および非酸化物の濃度変化は、連続的な変化であることに限定されない。すなわち、基板１０ｓ，２０ｓ側から無機配向膜１８，２４側に向かって酸化物の濃度が小さくなり、非酸化物の濃度が大きくなればよく、酸化物および非酸化物の濃度が段階的に変化していてもよい。なお、中間層１８ａ，２４ａの製造方法については後述する。
【００９７】
中間層１８ａ，２４ａにおける非酸化物と酸化物との濃度、および濃度変化は、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）を用いた二次イオンの深さ方向（Ｚ方向）分析によって確認することができる。したがって、上述した酸化物および非酸化物の濃度（％）は、ＳＩＭＳ分析などで測定された数値を濃度換算して知ることが可能である。
【００９８】
中間層１８ａ，２４ａの膜厚は、無機配向膜１８，２４の膜厚より小さいことが好ましい。無機配向膜１８，２４の膜厚は、液晶分子ＬＣにアンカリング効果を発現させる観点から、３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下とすることが好ましい。これに対して、中間層１８ａ，２４ａの膜厚は、対応する、画素電極１５、対向電極２３、無機配向膜１８，２４との密着性が確保されれば小さい方が好ましく、中間層１８ａ，２４ａの製造に要する時間を短縮することができる。また、中間層１８ａ，２４ａおよび無機配向膜１８，２４の合計の膜厚を小さくして、液晶分子ＬＣに印加される電界の強度を確保することが好ましい。特に限定されないが、本実施形態では、中間層１８ａ，２４ａの膜厚を約２５ｎｍとし、無機配向膜１８，２４の膜厚を約５５ｎｍとしている。
【００９９】
本実施形態では、上述したように、無機配向膜１８，２４はフッ化マグネシウムを含み、中間層１８ａ，２４ａは酸化マグネシウム（酸化物）とフッ化マグネシウム（非酸化物）とを含む。中間層１８ａ，２４ａは上述したように、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムとの濃度勾配を有し、画素電極１５、対向電極２３側から無機配向膜１８，２４側に向かってフッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。そのため、中間層１８ａ，２４ａにおいて、それぞれが接する画素電極１５、対向電極２３との界面の屈折率は、酸化マグネシウムの屈折率（１．７）に近くなる。これに対して、中間層１８ａ，２４ａにおいて、それぞれが接する無機配向膜１８，２４との界面における屈折率は、フッ化マグネシウムの屈折率（１．３）に近くなる。画素電極１５、対向電極２３は、ＩＴＯであることから、約１．９の屈折率を有している。
【０１００】
すなわち、上述した濃度勾配によって、中間層１８ａ，２４ａでは、基板１０ｓ，２０ｓ側から無機配向膜１８，２４側に向かって屈折率が漸減する。そのため、液晶装置１００を液晶ライトバルブとして用いる場合に、中間層１８ａ，２４ａ中、中間層１８ａと画素電極１５との界面、中間層２４ａと対向電極２３との界面における不要な反射などが抑えられて、透過光の減衰を抑えることができる。このような中間層１８ａ，２４ａにおける屈折率の変化は、形成材料と上述したＳＩＭＳを用いた二次イオン分析の結果とから知ることが可能である。
【０１０１】
液晶層５０には、液晶分子ＬＣを含む液晶が充填されている。液晶分子ＬＣは、無機配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有している。液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向（Ｚ方向）に対して、無機配向膜１８，２４のカラムの傾斜方向に３°から５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１５と対向電極２３との間に、交流電圧（駆動信号、交流信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって、液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶として、Ｔｎｉ（ネマティック−等方相転移温度）が１１０℃のネマティック液晶を用いている。
【０１０２】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、液晶装置１００の製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図である。図７を用いた以下の説明では、図６も参照することとする。なお、図７に示した工程フローは一例であって、これに限定されるものではない。
【０１０３】
本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、中間層１８ａ，２４ａの製造方法を含み、中間層１８ａ，２４ａの製造工程および付帯する工程以外には、公知の技術が採用可能である。そのため、以下の説明では、中間層１８ａ，２４ａの製造工程および付帯する工程についてのみ述べることとする。
【０１０４】
本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、素子基板１０および対向基板２０の間に、フッ化マグネシウムを含む無機配向膜１８，２４を介して挟持された液晶層５０と、を備えた液晶装置の製造方法であって、図７に示すように、工程Ｓ１から工程Ｓ３を備えている。工程Ｓ１では、素子基板１０に画素電極１５を、対向基板２０に対向電極２３を形成する。工程Ｓ２では、画素電極１５を被覆して中間層１８ａを、対向電極２３を被覆して中間層２４ａを形成する。工程Ｓ３では、中間層１８ａ，２４ａを被覆して、フッ化マグネシウムを基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜めの方向から付与して無機配向膜１８，２４を形成する。
【０１０５】
ここで、中間層１８ａ，２４ａは、無機配向膜１８，２４に含まれるフッ化マグネシウム（非酸化物）および酸化マグネシウム（酸化物）を含む。中間層１８ａ，２４ａは、Ｚ方向において、上述した通りフッ化マグネシウムおよび酸化マグネシウムの濃度勾配を有している。そのため、中間層１８ａは、画素電極１５側から無機配向膜１８側に向かって酸化物（酸化マグネシウム）の濃度が小さくなる。中間層２４ａも中間層１８ａと同様に、対向電極２３側から無機配向膜２４側に向かって酸化物の濃度が小さくなる。
【０１０６】
工程Ｓ１（電極形成）では、基板１０ｓに対して、画素電極１５やＴＦＴ３０などを、公知の技術を採用して形成する。また、基板２０ｓに対して、絶縁層２２、対向電極２３などを、公知の技術を採用して形成する。そして、工程Ｓ２へ進む。
【０１０７】
工程Ｓ２（中間層形成）では、酸化物および非酸化物の２つの蒸着源を用いて、基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜め方向から、非酸化物に対する酸化物の濃度を変化させながら蒸着する。これにより、酸化物と非酸化物とを含む中間層１８ａ，２４ａが形成される。また、上述したように、工程Ｓ２では、無機配向膜１８，２４の膜厚を中間層１８ａ，２４ａの膜厚よりも小さく形成する。
【０１０８】
工程Ｓ２では、例えば、気相成長法のうちの蒸着法を適用する。具体的には、蒸着源を２つ以上装備可能な真空蒸着装置を用いる。本実施形態では、酸化物として酸化マグネシウムを用いるため、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムとを蒸着源とする。まず、工程Ｓ１を経た基板１０ｓ，２０ｓ（加工対象）を該装置に投入する。次いで、蒸着チャンバー内における、フッ化マグネシウムに対する酸化マグネシウムの濃度を、無限大（フッ化マグネシウム無し）から、時間軸に対して徐々に小さくなるように変化させて、酸化マグネシウムが含まれない、フッ化マグネシウムのみとなるように操作する。これにより、中間層１８ａ，２４ａでは、基板１０ｓ，２０ｓ側から対応する無機配向膜１８，２４側に向かって、酸化マグネシウムの濃度が小さくなると共に、フッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。また、上記蒸着法における諸条件（例えば、仰角、到達真空度、蒸着レート、基板温度など）は、公知の条件が適用可能である。なお、蒸着時の仰角は、斜めに限定されず、０度（基板法線方向）であってもよい。
【０１０９】
以上により、酸化物（酸化マグネシウム）および非酸化物（フッ化マグネシウム）の濃度勾配を有する中間層１８ａ，２４ａが形成される。なお、本実施形態では、後工程Ｓ３においてフッ化マグネシウムを用いた斜方蒸着法を適用するため、工程Ｓ２においても斜方蒸着法を用いる。これによれば、工程Ｓ２と工程Ｓ３とを同一の真空蒸着装置で行うことが可能となり、加工対象の移し替えの操作が不要となる。そのため、製造時間の短縮、中間層１８ａ，２４ａ表面への汚染物の付着防止が可能となる。
【０１１０】
工程Ｓ３（無機配向膜形成）では、上記真空蒸着装置を用いて、フッ化マグネシウムのみを蒸着源とし、斜方蒸着法にて中間層１８ａ，２４ａを被覆する。これにより、フッ化マグネシウムの無機配向膜１８，２４が形成される。このとき、工程Ｓ２と工程Ｓ３とは連続的に行ってもよい。すなわち、工程Ｓ２において、中間層１８ａ，２４ａを形成した後、引き続きフッ化マグネシウムのみでの蒸着操作を行う。これによれば、中間層１８ａ，２４ａと、対応する無機配向膜１８，２４との明確な界面が生じず、中間層１８ａ，２４ａと対応する無機配向膜１８，２４との密着性がさらに向上する。
【０１１１】
また、中間層１８ａ，２４ａによって無機配向膜１８，２４の密着性が向上することから、該密着性を確保するために、例えば、２５０℃以上の比較的高温で無機配向膜２４を成膜しなくてもよくなる。これにより、対向基板２０のマイクロレンズアレイＭＬにかかる熱的なストレスを低減することができる。
【０１１２】
工程Ｓ３以降の製造工程には、上述したように公知の製造方法が採用可能である。以上のようにして、本実施形態の液晶装置１００が製造される。
【０１１３】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置１００、および液晶装置１００の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
【０１１４】
液晶装置１００における無機配向膜１８，２４の密着性を向上させることができる。詳しくは、中間層１８ａ，２４ａでは、基板１０ｓ，２０ｓ側から無機配向膜１８，２４側に向かう厚さ方向において、フッ化マグネシウムの濃度と酸化マグネシウムの濃度とが、それぞれ緩やかに変化する。そして、中間層１８ａ，２４ａにおけるフッ化マグネシウムの濃度は、基板１０ｓ，２０ｓ側と比べて無機配向膜１８，２４側で大きくなる。換言すれば、中間層１８ａ，２４ａでは、無機配向膜１８，２４側においてフッ化マグネシウムが多く含まれている。そのため、中間層１８ａ，２４ａと無機配向膜１８，２４との間には、界面の相互作用が働きやすくなり、中間層１８ａ，２４ａと、対応する無機配向膜１８，２４との密着性を向上させることができる。
【０１１５】
中間層１８ａ，２４ａは、基板１０ｓ，２０ｓ側において酸化マグネシウムが多く含まれている。そのため、画素電極１５、対向電極２３の形成材料として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などを用いる場合に、中間層１８ａ，２４ａと、対応する画素電極１５、対向電極２３との間で界面の相互作用が働きやすくなる。これにより、中間層１８ａ，２４ａと上記電極との密着性を向上させることができる。また、上記電極にＡｌ（アルミニウム）などの、表面に自然酸化膜が生じやすい金属材料（形成材料）を用いる場合にも、界面の相互作用が働きやすく、中間層１８ａ，２４ａの密着性を向上させることができる。
【０１１６】
また、中間層１８ａ，２４ａにおけるフッ化マグネシウムと酸化マグネシウムとの濃度は、中間層１８ａ，２４ａの厚さ方向において徐々に変化する。そのため、中間層１８ａ，２４ａでは、濃度の急激な変化に由来する、接着層で云うところの凝集破壊が生じにくくなる。これにより、上記の濃度が急激に変化する場合と比べて、中間層１８ａ，２４ａの物理的な強度が向上する。したがって、無機配向膜１８，２４および中間層１８ａ，２４ａが、中間層１８ａ，２４ａを起点に剥離することが抑えられて、無機配向膜１８，２４の密着性をより向上させることができる。以上により、無機配向膜１８，２４の密着性を向上させた液晶装置１００、および液晶装置１００の製造方法を提供することができる。
【０１１７】
中間層１８ａ，２４ａの膜厚は、無機配向膜１８，２４の膜厚より小さいことから、中間層１８ａ，２４ａの製造に要する時間を短縮することができる。また、中間層１８ａ，２４ａと無機配向膜１８，２４との合計の膜厚を小さくして、液晶分子ＬＣに印加される電界の強度を確保することができる。
【０１１８】
非酸化物としてフッ化マグネシウムを用いて無機配向膜１８，２４を形成し、中間層１８ａ，２４ａには、酸化マグネシウムを用いていることから、中間層１８ａ，２４ａにおける画素電極１５、対向電極２３との界面の屈折率は、酸化マグネシウムの屈折率に近くなる。これに対して、中間層１８ａ，２４ａにおける無機配向膜１８，２４との界面における屈折率は、フッ化マグネシウムの屈折率に近くなる。そのため、液晶装置１００を液晶ライトバルブとして用いる場合に、中間層１８ａ，２４ａにおける不要な反射などが低減されて、透過光の減衰を抑えることができる。
【０１１９】
画素電極１５および対向電極２３の形成材料として、金属酸化物のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いることから、中間層１８ａ，２４ａとＩＴＯとの界面の相互作用が働きやすくなる。これにより、中間層１８ａ，２４ａと対応する画素電極１５、対向電極２３との密着性を向上させることができる。
【０１２０】
対向基板２０に中間層２４ａを形成することから、無機配向膜２４を形成する際に、２５０℃以上の比較的高温で成膜しなくても、中間層２４ａによって無機配向膜２４の密着性が確保される。そのため、製造工程でマイクロレンズアレイＭＬにかかる熱的なストレスを低減することができる。
【０１２１】
２つの蒸着源を用いることから、工程Ｓ２（中間層形成）と工程Ｓ３（無機配向膜形成）とを同一の真空蒸着装置で行うことが可能となり、加工対象の移し替えの操作が不要となる。そのため、液晶装置１００の製造時間の短縮、中間層１８ａ，２４ａ表面への汚染物の付着防止が可能となる。また、工程Ｓ２と工程Ｓ３とを連続的に行うことが可能となるため、中間層１８ａ，２４ａと、対応する無機配向膜１８，２４との間に明確な界面が生じず、無機配向膜１８，２４の密着性をさらに向上させることができる。さらに、中間層１８ａ，２４ａの厚さ方向における酸化マグネシウムおよびフッ化マグネシウムの濃度変化の傾きを、容易に変更することができる。
【０１２２】
（実施形態２）
＜無機配向膜および中間層＞
本実施形態に係る液晶装置の無機配向膜および中間層の構成について、図８を参照して説明する。図８は、実施形態２に係る液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図である。なお、実施形態２の液晶装置は、実施形態１の液晶装置１００に対して、中間層の製造方法を変更したものである。したがって、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【０１２３】
図８に示すように、本実施形態の液晶装置２００（液晶パネル２１１）は、対向配置された第１基板としての素子基板２１０および第２基板としての対向基板２２０、素子基板２１０に形成された画素電極１５、対向基板２２０に形成された対向電極２３、無機配向膜１８，２４、素子基板２１０および対向基板２２０の間に、無機配向膜１８，２４を介して挟持された、液晶（液晶分子ＬＣ）を含む液晶層５０と、を備えている。
【０１２４】
素子基板２１０の画素電極１５と液晶層５０との間には、中間層２１８ａおよび無機配向膜１８が形成されている。換言すれば、画素電極１５を被覆して中間層２１８ａが形成され、さらに中間層２１８ａを被覆して無機配向膜１８が形成されている。素子基板１０と同様にして、対向基板２２０においては、対向電極２３を被覆して中間層２２４ａが形成され、さらに中間層２２４ａを被覆して無機配向膜２４が形成されている。ここで、図８においては、画素電極１５、対向電極２３、無機配向膜１８，２４、中間層２１８ａ，２２４ａ、基板１０ｓ，２０ｓを図示し、素子基板２１０および対向基板２２０における他の構成の図示を省略している。
【０１２５】
なお、図示を省略するが、中間層２１８ａは、素子基板２１０において画素電極１５が形成されていない領域では、上記実施形態１の液晶装置１００と同様に、画素電極１５の下層の層間絶縁膜と接して形成されている。また、中間層２２４ａは、対向基板２２０において対向電極２３が形成されていない領域では、対向電極２３の下層の絶縁層と接して形成されている。
【０１２６】
無機配向膜１８，２４は、それぞれ基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜め方向から形成材料を蒸着する、斜方蒸着法によって形成される。これに対して、中間層２１８ａ，２２４ａは、スパッタリング法によって形成される。そのため、中間層２１８ａ，２２４ａは、柱状体ではなく、微視的にも被膜として形成されている。この点が、実施形態１とは異なっている。
【０１２７】
中間層２１８ａ，２２４ａには、上述した形成材料が採用可能である。中間層２１８ａ，２２４ａは、無機配向膜１８，２４に含まれる非酸化物と無機配向膜１８，２４に含まれる元素の酸化物とを含む。本実施形態では、上記非酸化物としてフッ化マグネシウムを、上記酸化物として酸化マグネシウムを、それぞれ採用している。
【０１２８】
中間層２１８ａは、画素電極１５または層間絶縁膜と接する画素電極１５側から、液晶層５０に近い無機配向膜１８側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。また、中間層２１８ａにおいては、画素電極１５側の酸化マグネシウムの濃度より、無機配向膜１８側の酸化マグネシウムの濃度が小さい。詳しくは、中間層１８ａには、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムとが混在して形成されている。画素電極１５または層間絶縁膜と接する、中間層２１８ａの界面には、酸化マグネシウムが多く含まれている。上記界面から、無機配向膜１８側に向かうに連れて、次第に酸化マグネシウムの濃度が小さくなると共に、フッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。無機配向膜１８と接する、中間層２１８ａの界面には、フッ化マグネシウムが多く含まれている。本実施形態では、無機配向膜１８と接する、上記界面の酸化物（酸化マグネシウム）の濃度を、ＳＩＭＳの検出下限（ｐｐｍオーダー）以下としている。
【０１２９】
中間層２２４ａは、中間層２１８ａと同様に、対向電極２３または絶縁層と接する対向電極２３側から、液晶層５０に近い無機配向膜２４側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。また、中間層２２４ａにおいては、対向電極２３側の酸化マグネシウムの濃度より、無機配向膜２４側の酸化マグネシウムの濃度が小さい。具体的には、対向電極２３側から無機配向膜２４側に向かうにつれて、次第に酸化マグネシウムの濃度が小さくなると共に、フッ化マグネシウムの濃度が大きくなる。無機配向膜２４と接する、中間層２２４ａの界面には、フッ化マグネシウムが多く含まれている。本実施形態では、無機配向膜２４と接する、上記界面の酸化物（酸化マグネシウム）の濃度を、ＳＩＭＳの検出下限（ｐｐｍオーダー）以下としている。
【０１３０】
以上により、中間層２１８ａ，２２４ａは、厚さ方向（Ｚ方向）において酸化物と非酸化物との濃度勾配を有し、酸化物と非酸化物との濃度比が変化している。中間層２１８ａ，２２４ａにおける酸化物および非酸化物の濃度勾配（濃度変化）は、連続的な変化であることに限定されない。Ｚ方向において、酸化物および非酸化物の濃度が段階的に変化していてもよい。
【０１３１】
中間層２１８ａ，２２４ａの膜厚は、無機配向膜１８，２４の膜厚より小さい。本実施形態では、無機配向膜１８，２４の膜厚を約５５ｎｍとし、中間層２１８ａ，２２４ａの膜厚を約２５ｎｍとしている。
【０１３２】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、液晶装置２００の製造方法について、図９を参照して説明する。図９は、液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図である。図９を用いた以下の説明では、図８も参照することとする。なお、図９に示した工程フローは一例であって、これに限定されるものではない。
【０１３３】
本実施形態の液晶装置２００の製造方法は、中間層２１８ａ，２２４ａの製造方法を含み、中間層２１８ａ，２２４ａの製造工程および付帯する工程以外には、公知の技術が採用可能である。そのため、以下の説明では、中間層２１８ａ，２２４ａの製造工程および付帯する工程についてのみ述べることとする。
【０１３４】
本実施形態の液晶装置２００の製造方法は、対向配置された素子基板２１０および対向基板２２０と、素子基板２１０および対向基板２２０の間に、フッ化マグネシウムを含む無機配向膜２１８，２２４を介して挟持された液晶層５０と、を備えた液晶装置の製造方法であって、図９に示すように、工程Ｓ２１から工程Ｓ２５を備えている。工程Ｓ２１では、素子基板２１０に画素電極１５を、対向基板２２０に対向電極２３を形成する。工程Ｓ２２では、画素電極１５および対向電極２３などを被覆して酸化物の被膜を形成する。工程Ｓ２３では、酸化物の被膜を被覆して、非酸化物の被膜を形成する。工程Ｓ２４では、酸化物の被膜および非酸化物の被膜に加熱処理を施して中間層２１８ａ，２２４ａを形成する。工程Ｓ２５では、中間層２１８ａ，２２４ａを被覆して、フッ化マグネシウムを基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜めの方向から付与して無機配向膜１８，２４を形成する。上記の工程Ｓ２２から工程Ｓ２４が、中間層２１８ａ，２２４ａを形成する工程に該当する。
【０１３５】
工程Ｓ２１（電極形成）では、基板１０ｓに対して、画素電極１５やＴＦＴ３０（図示せず）などを、公知の技術を採用して形成する。また、基板２０ｓに対して、対向電極２３や絶縁層２２（図示せず）などを、公知の技術を採用して形成する。そして、工程Ｓ２２へ進む。
【０１３６】
工程Ｓ２２（酸化物の被膜形成）では、例えば、気相成長法のうちのスパッタリング法を適用し、ターゲット材として酸化マグネシウムを用いる。スパッタリング法における諸条件、例えば、不活性ガス種、酸素などの反応性ガス種、仰角（通常は０度）、到達真空度、スパッタレート、基板温度などは、公知の条件が適用可能である。このとき、酸化マグネシウムの被膜は、膜厚が約１２ｎｍとなるように形成する。これにより、基板１０ｓ，２０ｓの画素電極１５、対向電極２３などを被覆して、酸化マグネシウムの被膜を形成する。そして、工程Ｓ２３へ進む。
【０１３７】
工程Ｓ２３（非酸化物の被膜形成）では、工程Ｓ２２と同様にスパッタリング法を適用し、ターゲット材としてフッ化マグネシウムを用いる。工程Ｓ２２と同様に、スパッタリング法における諸条件は、公知の条件が適用可能である。このとき、フッ化マグネシウムの被膜は、膜厚が約１３ｎｍとなるように形成する。これにより、基板１０ｓ，２０ｓそれぞれにおいて、酸化物の被膜を被覆して、フッ化マグネシウムの被膜を形成する。なお、工程Ｓ２２および工程Ｓ２３は、同じスパッタリング装置を用いて行うことが好ましい。また、工程Ｓ２２および工程Ｓ２３における各被膜の形成方法は、スパッタリング法に限定されず、蒸着法を用いてもよい。そして、工程Ｓ２４へ進む。
【０１３８】
工程Ｓ２４（加熱処理）では、基板１０ｓ，２０ｓにそれぞれ形成した、酸化マグネシウムおよびフッ化マグネシウムの被膜に加熱処理を施す。加熱処理によって、酸化マグネシウムの被膜とフッ化マグネシウムの被膜との間で熱拡散が進行する。上記２つの被膜の成分が互いに熱拡散し合うことによって、上記被膜の界面が曖昧になる。これに加えて、上述した、Ｚ方向における、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムとの濃度勾配が生じる。これにより、中間層２１８ａ，２２４ａが形成される。
【０１３９】
加熱処理における加熱温度は、特に限定されないが、例えば、２００℃以上、２４０℃以下である。加熱温度を、上記範囲とすることにより、熱拡散を進行させると共に、基板２０ｓのマイクロレンズＭＬにかかる熱的なストレスを抑制することができる。加熱処理における加熱時間は、特に限定されないが、例えば、１時間以上、３０時間以下である。加熱温度を上記範囲とすることにより、熱拡散を進行させると共に、基板２０ｓのマイクロレンズＭＬにかかる熱的なストレスを抑制することができる。本実施形態では、加熱処理を、２２０℃にて５時間行う。
【０１４０】
加熱処理における加熱装置としては、特に限定されないが、不活性ガスなどの雰囲気下で加熱が可能な電気炉などを用いることが好ましい。そして、工程Ｓ２５に進む。
【０１４１】
工程Ｓ２５（無機配向膜形成）では、真空蒸着装置を用いて、フッ化マグネシウムのみを蒸着源とし、斜方蒸着法にて中間層２１８ａ，２２４ａを被覆する。これにより、フッ化マグネシウムの無機配向膜１８，２４が形成される。
【０１４２】
工程Ｓ２５以降の製造工程には、上述したように公知の製造方法が採用可能である。以上のようにして、本実施形態の液晶装置２００が製造される。
【０１４３】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置２００、および液晶装置２００の製造方法によれば、実施形態１の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
【０１４４】
酸化マグネシウムの被膜とフッ化マグネシウムの被膜との間で、互いに熱拡散して中間層２１８ａ，２２４ａが形成される。そのため、酸化マグネシウムおよびフッ化マグネシウムの濃度変化が緩やかな中間層２１８ａ，２２４ａを形成することができる。また、工程Ｓ２２および工程Ｓ２３でスパッタリング法を用いることから、蒸着法と比べて、被膜の膜厚の制御が容易になる。
【０１４５】
（実施形態３）
＜液晶装置の製造方法＞
本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、実施形態１の説明で用いた図７を参照して説明する。なお、実施形態３の液晶装置の製造方法は、実施形態１に対して、中間層の製造方法を変更したものである。したがって、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【０１４６】
図７に示すように、本実施形態の液晶装置の製造方法は、工程Ｓ１から工程Ｓ３を備えている。本実施形態における工程Ｓ２（中間層形成）は、非酸化物の蒸着源を用いて、基板１０ｓ，２０ｓの法線方向と交差する斜めの方向から、酸素濃度およびイオン加速電圧を変化させながら蒸着して中間層１８ａ，２４ａを形成する。すなわち、蒸着源として非酸化物を単独で用い、酸素雰囲気下で蒸着を行うことにより、酸化物および非酸化物の濃度勾配を有する中間層１８ａ，２４ａを形成する。この点が、２つの蒸着源を用いた実施形態１とは異なっている。
【０１４７】
工程Ｓ２では、中間層１８ａ，２４ａの形成材料には、非酸化物としてフッ化マグネシウムを用い、真空蒸着装置にて酸素イオンアシスト蒸着を行う。具体的には、当初、酸素ガス濃度とイオン加速電圧とを高く維持して、酸化マグネシウムが蒸着されるように操作する。次いで、徐々に酸素ガス濃度とイオン加速電圧とを低くして、蒸着される酸化マグネシウムの濃度を減らすと共に、蒸着されるフッ化マグネシウムの濃度を増やしていく。そして、最終的には酸素ガス濃度とイオン加速電圧とを絞って、ほぼフッ化マグネシウムのみを蒸着する。上記操作における諸条件（例えば、仰角、到達真空度、蒸着レート、基板温度など）は、公知の条件が適用可能である。これにより、Ｚ方向において酸化マグネシウムおよびフッ化マグネシウムの濃度勾配を有した中間層１８ａ，２４ａが形成される。
【０１４８】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置の製造方法によれば、実施形態１と同様な効果を得ることができる。
【０１４９】
（実施形態４）
＜無機配向膜および中間層＞
本実施形態に係る液晶装置の無機配向膜および中間層の構成について、図１０を参照して説明する。図１０、実施形態４に係る液晶パネルの画素における中間層および無機配向膜の構成を示す模式断面図である。なお、実施形態４の液晶装置は、実施形態１の液晶装置１００に対して、中間層に含まれる非酸化物および酸化物と、中間層の製造方法とを変更したものである。したがって、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【０１５０】
図１０に示すように、本実施形態の液晶装置３００（液晶パネル３１１）は、対向配置された第１基板としての素子基板３１０および第２基板としての対向基板３２０、素子基板３１０に形成された画素電極１５、対向基板３２０に形成された対向電極２３、無機配向膜３１８，３２４、素子基板３１０および対向基板３２０の間に、無機配向膜３１８，３２４を介して挟持された、液晶（液晶分子ＬＣ）を含む液晶層５０と、を備えている。
【０１５１】
素子基板３１０の画素電極１５と液晶層５０との間には、中間層３１８ａおよび無機配向膜３１８が形成されている。換言すれば、画素電極１５を被覆して中間層３１８ａが形成され、さらに中間層３１８ａを被覆して無機配向膜３１８が形成されている。素子基板３１０と同様にして、対向基板３２０においては、対向電極２３を被覆して中間層３２４ａが形成され、さらに中間層３２４ａを被覆して無機配向膜３２４が形成されている。ここで、図１０においては、画素電極１５、対向電極２３、無機配向膜３１８，３２４、中間層３１８ａ，３２４ａ、基板１０ｓ，２０ｓを図示し、素子基板３１０および対向基板３２０における他の構成の図示を省略している。
【０１５２】
なお、図示を省略するが、中間層３１８ａは、素子基板３１０において画素電極１５が形成されていない領域では、上記実施形態１の液晶装置１００と同様に、画素電極１５の下層の層間絶縁膜と接して形成されている。また、中間層３２４ａは、対向基板３２０において対向電極２３が形成されていない領域では、対向電極２３の下層の絶縁層と接して形成されている。
【０１５３】
無機配向膜３１８，３２４は、それぞれ基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜め方向から形成材料を蒸着する、斜方蒸着法によって形成される。これに対して、中間層３１８ａ，３２４ａは、スパッタリング法によって形成される。そのため、中間層３１８ａ，３２４ａは、柱状体ではなく、微視的にも被膜として形成されている。この点が、実施形態１とは異なっている。
【０１５４】
中間層３１８ａ，３２４ａには、上述した形成材料が採用可能である。中間層３１８ａ，３２４ａは、無機配向膜３１８，３２４に含まれる非酸化物と無機配向膜３１８，３２４に含まれる元素の酸化物とを含む。本実施形態では、上記非酸化物として窒化ケイ素を、上記酸化物として酸化ケイ素を、それぞれ採用している。
【０１５５】
中間層３１８ａは、画素電極１５または層間絶縁膜と接する画素電極１５側から、液晶層５０に近い無機配向膜３１８側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。また、中間層３１８ａにおいては、画素電極１５側の酸化ケイ素の濃度より、無機配向膜３１８側の酸化ケイ素の濃度が小さい。詳しくは、中間層３１８ａには、酸化ケイ素と窒化ケイ素とが混在して形成されている。画素電極１５または層間絶縁膜と接する、中間層３１８ａの界面には、酸化ケイ素が多く含まれている。上記界面から、無機配向膜３１８側に向かうに連れて、次第に酸化ケイ素の濃度が小さくなると共に、窒化ケイ素の濃度が大きくなる。無機配向膜３１８と接する、中間層３１８ａの界面には、窒化ケイ素が多く含まれている。本実施形態では、無機配向膜３１８と接する、上記界面の酸化物（酸化ケイ素）の濃度を、ＳＩＭＳの検出下限（ｐｐｍオーダー）以下としている。
【０１５６】
中間層３２４ａは、中間層３１８ａと同様に、対向電極２３または絶縁層と接する対向電極２３側から、液晶層５０に近い無機配向膜３２４側に向かって、酸化物の濃度が小さくなる。また、中間層３２４ａにおいては、対向電極２３側の酸化ケイ素の濃度より、無機配向膜３２４側の酸化ケイ素の濃度が小さい。具体的には、対向電極２３側から無機配向膜３２４側に向かうにつれて、次第に酸化ケイ素の濃度が小さくなると共に、窒化ケイ素の濃度が大きくなる。無機配向膜３２４と接する、中間層３２４ａの界面には、窒化ケイ素が多く含まれている。本実施形態では、無機配向膜３２４と接する、上記界面の酸化物（酸化ケイ素）の濃度を、ＳＩＭＳの検出下限（ｐｐｍオーダー）以下としている。
【０１５７】
以上により、中間層３１８ａ，３２４ａは、厚さ方向（Ｚ方向）において酸化物と非酸化物との濃度勾配を有し、酸化物と非酸化物との濃度比が変化している。中間層３１８ａ，３２４ａにおける酸化物および非酸化物の濃度勾配（濃度変化）は、連続的な変化であることに限定されない。Ｚ方向において、酸化物および非酸化物の濃度が段階的に変化していてもよい。
【０１５８】
中間層３１８ａ，３２４ａの膜厚は、無機配向膜３１８，３２４の膜厚より小さい。本実施形態では、無機配向膜３１８，３２４の膜厚を約５５ｎｍとし、中間層３１８ａ，３２４ａの膜厚を約２５ｎｍとしている。
【０１５９】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、液晶装置３００の製造方法について、図１１を参照して説明する。図１１は、液晶装置の製造方法のうち、中間層などの製造方法を示す工程フロー図である。図１１を用いた以下の説明では、図１０も参照することとする。なお、図１１に示した工程フローは一例であって、これに限定されるものではない。
【０１６０】
本実施形態の液晶装置３００の製造方法は、中間層３１８ａ，３２４ａの製造方法を含み、中間層３１８ａ，３２４ａの製造工程および付帯する工程以外には、公知の技術が採用可能である。そのため、以下の説明では、中間層３１８ａ，３２４ａの製造工程および付帯する工程についてのみ述べることとする。
【０１６１】
本実施形態の液晶装置３００の製造方法は、対向配置された素子基板３１０および対向基板３２０と、素子基板３１０および対向基板３２０の間に、窒化ケイ素を含む無機配向膜３１８，３２４を介して挟持された液晶層５０と、を備えた液晶装置の製造方法であって、図１１に示すように、工程Ｓ４１から工程Ｓ４４を備えている。工程Ｓ４１では、素子基板３１０に画素電極１５を、対向基板３２０に対向電極２３を、それぞれ形成する。工程Ｓ４２では、酸化ケイ素を用いて、画素電極１５および対向電極２３などを被覆して酸化物（酸化ケイ素）の被膜を形成する。工程Ｓ４３では、酸化物の被膜と無機配向膜に含まれる元素を含む化合物とを反応させて中間層３１８ａ，３２４ａを形成する。工程Ｓ４４では、中間層３１８ａ，３２４ａを被覆して、窒化ケイ素を基板１０ｓ，２０ｓの法線方向（Ｚ方向）と交差する斜めの方向から蒸着して無機配向膜３１８，３２４を形成する。上記の工程Ｓ４２および工程Ｓ４３が、中間層３１８ａ，３２４ａを形成する工程に該当する。
【０１６２】
工程Ｓ４１（電極形成）では、基板１０ｓに対して、画素電極１５やＴＦＴ３０（図示せず）などを、公知の技術を採用して形成する。また、基板２０ｓに対して、対向電極２３や絶縁層２２（図示せず）などを、公知の技術を採用して形成する。そして、工程Ｓ４２へ進む。
【０１６３】
工程Ｓ４２（酸化物の被膜形成）では、例えば、気相成長法のうちのスパッタリング法を適用する。ターゲット材として酸化ケイ素を用いる。スパッタリング法における諸条件、例えば、不活性ガス種、酸素などの反応性ガス種、仰角（通常は０度）、到達真空度、スパッタレート、基板温度などは、公知の条件が適用可能である。このとき、酸化ケイ素の被膜は、膜厚が約２５ｎｍとなるように形成する。これにより、基板１０ｓ，２０ｓの画素電極１５、対向電極２３などを被覆して、酸化ケイ素の被膜を形成する。本実施形態では、酸化物の被膜形成にスパッタリング法を用いたが、これに限定されない。上述した蒸着法を用いて酸化物の被膜を形成してもよい。そして、工程Ｓ４３へ進む。
【０１６４】
工程Ｓ４３（被膜と化合物との反応）では、酸化ケイ素の被膜と、無機配向膜３１８，３２４に含まれる元素を含む化合物とを反応させて、酸化ケイ素の被膜中に、窒化ケイ素を生成させる。上記化合物としては、Ｎ（窒素）を含む含窒素化合物を用い、具体的には、例えば、亜酸化窒素、アンモニアなどが挙げられる。本実施形態では、上記化合物として亜酸化窒素を用いる。
【０１６５】
処理方法は、亜酸化窒素によって酸化ケイ素の被膜中に窒化ケイ素が生成されれば、特に限定されない。例えば、具体的には、プラズマ処理装置を用い、酸化ケイ素の被膜を形成した基板１０ｓ，２０ｓに対して、亜酸化窒素ガス雰囲気下でプラズマを照射する。これによって、酸化ケイ素の被膜の表面から深さ方向（Ｚ方向）に向かって、該被膜の窒化が進行する。すなわち、酸化ケイ素の被膜表面から深さ方向に向かって、濃度勾配を有する窒化ケイ素が生成される。以上により、上述した、酸化ケイ素および窒化ケイ素の濃度勾配を有する中間層３１８ａ，３２４ａが形成される。なお、プラズマ照射に用いるプラズマ処理装置としては、既存の装置が適用可能である。そして、工程Ｓ４４に進む。
【０１６６】
工程Ｓ４４（無機配向膜形成）では、真空蒸着装置を用いて、窒化ケイ素を蒸着源とする斜方蒸着法にて中間層３１８ａ，３２４ａを被覆する。これにより、窒化ケイ素の無機配向膜３１８，３２４が形成される。
【０１６７】
工程Ｓ４４以降の製造工程には、上述したように公知の製造方法が採用可能である。以上のようにして、本実施形態の液晶装置３００が製造される。
【０１６８】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置３００、および液晶装置３００の製造方法によれば、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１６９】
（実施形態５）
＜電子機器＞
本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１２を参照して説明する。図１２は、実施形態５に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１７０】
本実施形態の投射型表示装置１０００には、上記実施形態の電気光学装置としての液晶装置が搭載されている。
【０１７１】
図１２に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１７２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源から成る光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１７３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１７４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とから成る導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１７５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１７６】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１７７】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００（図１参照）が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と出射側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１７８】
このような投射型表示装置１０００によれば、上記実施形態１の液晶装置１００が用いられているため、液晶装置１００において、無機配向膜の密着性が向上する。これにより、無機配向膜の剥がれなどに起因する表示不良が低減されて、表示品質が向上した投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、液晶装置１００に替えて、上述した実施形態２から実施形態４の液晶装置を採用しても同様な効果が得られる。
【０１７９】
なお、液晶装置１００は、投射型表示装置１０００の他に、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などの各種電子機器に搭載されてもよい。
【０１８０】
（変形例１）
本変形例に係る液晶装置および液晶装置の製造方法では、上記実施形態４に対して、酸化物として酸化マグネシウムを、無機配向膜に含まれる非酸化物としてフッ化マグネシウムを、用いる。また、無機配向膜に含まれる元素を含む化合物として、Ｆ（フッ素）を含むフロン類などのフッ素系ガスを用いる。これによって、酸化マグネシウムの被膜をフッ化して、該被膜中にフッ化マグネシウムが生成され、酸化マグネシウムおよびフッ化マグネシウムの濃度勾配を有する中間層が形成される。本変形例の液晶装置および液晶装置の製造方法によれば、実施形態４と同様な効果が得られる。
【０１８１】
（変形例２）
本発明の電子機器（投射型表示装置）に用いられる電子光学装置としての液晶装置は、透過型であることに限定されず、反射型の液晶装置であってもよい。すなわち、反射型の液晶装置を用いた投射型表示装置であってもよい。例えば、具体的には、上記実施形態１の液晶装置１００（図２参照）において、素子基板１０の画素電極１５を、Ａｌ（アルミニウム）またはその合金などの光反射性を有する金属の導電膜を用いて形成してもよい。
【０１８２】
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
【０１８３】
本願の液晶装置は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板に形成された電極と、電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、第１基板および第２基板の間に、無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、無機配向膜と電極との間に中間層を有し、中間層は、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側から無機配向膜側に向かって酸化物の濃度が小さくなることを特徴とする。
【０１８４】
この構成によれば、液晶装置における無機配向膜の密着性を向上させることができる。詳しくは、中間層では、電極側から無機配向膜側に向かう厚さ方向において、非酸化物の濃度と酸化物の濃度とが、それぞれ変化する。そして、中間層における非酸化物の濃度は、電極側と比べて無機配向膜側で大きくなる。換言すれば、中間層では、無機配向膜側において無機配向膜に含まれる非酸化物が多く含まれている。そのため、中間層の無機配向膜側と無機配向膜との間には、界面の相互作用が働きやすくなり、中間層と無機配向膜との密着性を向上させることができる。
【０１８５】
中間層は、電極側において酸化物が多く含まれている。そのため、電極の形成材料として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの金属酸化物を用いる場合に、中間層の電極側と電極との間で界面の相互作用が働きやすくなる。これにより、中間層と電極との密着性を向上させることができる。また、電極にＡｌ（アルミニウム）などの、表面に自然酸化膜を生じやすい金属材料（形成材料）を用いる場合にも、界面の相互作用が働きやすくなり、上記密着性を向上させることができる。以上により、無機配向膜の密着性を向上させた液晶装置を提供することができる。
【０１８６】
本願の液晶装置は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板に形成された電極と、電極を被覆する非酸化物を含む無機配向膜と、第１基板および第２基板の間に、無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備え、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板は、無機配向膜と電極との間に中間層を有し、中間層は、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側の酸化物の濃度より、無機配向膜側の酸化物の濃度が小さいことを特徴とする。
【０１８７】
この構成によれば、液晶装置における無機配向膜の密着性を向上させることができる。詳しくは、中間層における非酸化物の濃度は、電極側と比べて無機配向膜側で大きくなる。換言すれば、中間層では、無機配向膜側において無機配向膜に含まれる非酸化物が多く含まれている。そのため、中間層の無機配向膜側と無機配向膜との間には、界面の相互作用が働きやすくなり、中間層と無機配向膜との密着性を向上させることができる。
【０１８８】
中間層は、電極側において酸化物が多く含まれている。そのため、電極の形成材料として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの金属酸化物を用いる場合に、中間層の電極側と電極との間で界面の相互作用が働きやすくなる。これにより、中間層と電極との密着性を向上させることができる。また、電極にＡｌ（アルミニウム）などの、表面に自然酸化膜を生じやすい金属材料（形成材料）を用いる場合にも、界面の相互作用が働きやすくなり、上記密着性を向上させることができる。以上により、無機配向膜の密着性を向上させた液晶装置を提供することができる。
【０１８９】
上記の液晶装置において、中間層の膜厚は、無機配向膜の膜厚より小さいことが好ましい。
【０１９０】
この構成によれば、中間層の製造に要する時間を短縮することができる。また、中間層と無機配向膜との合計の膜厚を小さくして、液晶分子に印加される電界の強度を確保することができる。
【０１９１】
上記の液晶装置において、無機配向膜に含まれる元素は、ＭｇまたはＳｉであることが好ましい。
【０１９２】
この構成によれば、非酸化物として、例えばフッ化マグネシウムまたは窒化シリコンを用いて無機配向膜を形成し、中間層には、該非酸化物に対応させて、例えば酸化マグネシウムまたは酸化ケイ素を用いることができる。
【０１９３】
上記の液晶装置において、中間層は、非酸化物としてフッ化マグネシウムと、酸化物として酸化マグネシウムとを含み、電極側から無機配向膜側に向かってフッ化マグネシウムの濃度が大きくなることが好ましい。
【０１９４】
この構成によれば、中間層における電極との界面の屈折率は、酸化マグネシウムの屈折率に近くなる。これに対して、中間層における無機配向膜との界面における屈折率は、フッ化マグネシウムの屈折率に近くなる。そのため、液晶装置を、例えば液晶ライトバルブとして用いる場合に、中間層と無機配向膜との界面、および中間層と電極との界面における不要な反射などが低減されて、透過光の減衰を抑えることができる。
【０１９５】
上記の液晶装置において、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板の電極は、酸化物を含むことが好ましい。
【０１９６】
この構成によれば、電極の形成材料として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの金属酸化物を用いて、中間層と電極との密着性を向上させることができる。
【０１９７】
上記の液晶装置において、第２基板は、電極として対向電極と、マイクロレンズと、を備え、少なくとも第２基板の対向電極と無機配向膜との間に、中間層を有することが好ましい。
【０１９８】
この構成によれば、第２基板に無機配向膜を形成する際に、２５０℃以上の比較的高温で成膜しなくても、中間層によって無機配向膜の密着性が確保される。そのため、第２基板にマイクロレンズを付設する際に、製造工程でマイクロレンズにかかる熱的なストレスを低減することができる。
【０１９９】
液晶装置の製造方法は、対向配置された第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に、非酸化物を含む無機配向膜を介して挟持された液晶層と、を備えた液晶装置の製造方法であって、第１基板および第２基板のうちの少なくとも一方の基板に対して、電極を形成する工程と、電極を被覆して、非酸化物と無機配向膜に含まれる元素の酸化物とを含み、電極側から無機配向膜側に向かって酸化物の濃度が小さくなる中間層を形成する工程と、中間層を被覆して、非酸化物を基板の法線方向と交差する方向から付与して無機配向膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【０２００】
この構成によれば、無機配向膜の密着性が向上する液晶装置を製造することができる。詳しくは、中間層を形成する工程では、電極側から無機配向膜側に向かう厚さ方向において、非酸化物の濃度と酸化物の濃度とが、それぞれ緩やかに変化するように中間層が形成される。そして、中間層における非酸化物の濃度は、電極側と比べて無機配向膜側で大きくなる。換言すれば、中間層では、無機配向膜側において無機配向膜に含まれる非酸化物が多く含まれている。そのため、中間層の無機配向膜側と無機配向膜との間には、界面の相互作用が働きやすくなり、中間層と無機配向膜との密着性を向上させることができる。
【０２０１】
中間層は、電極側において酸化物が多く含まれている。そのため、電極の形成材料として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの金属酸化物を用いる場合に、中間層の電極側と電極との間で界面の相互作用が働きやすくなる。これにより、中間層と電極との密着性を向上させることができる。また、電極にＡｌ（アルミニウム）などの、表面に自然酸化膜を生じやすい金属材料（形成材料）を用いる場合にも、界面の相互作用が働きやすく、上記密着性を向上させることができる。以上により、無機配向膜の密着性を向上させる液晶装置の製造方法を提供することができる。
【０２０２】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物の被膜を形成する工程と、被膜と無機配向膜に含まれる元素を含む化合物とを反応させて中間層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
【０２０３】
この構成によれば、中間層の厚さ方向において、酸化物の濃度変化、すなわち濃度勾配を容易に形成することができる。
【０２０４】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物の被膜を形成する工程と、酸化物の被膜を被覆して、非酸化物の被膜を形成する工程と、酸化物の被膜および非酸化物の被膜に加熱処理を施して中間層を形成する工程と、を備えることが好ましい。
【０２０５】
この構成によれば、酸化物の被膜と非酸化物の被膜との間で、酸化物と非酸化物とが相互に熱拡散して中間層が形成される。そのため、酸化物および非酸化物の濃度変化が緩やかな中間層を形成することができる。
【０２０６】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物および非酸化物の２つの蒸着源を用いて、基板の法線方向と交差する方向から、非酸化物に対する酸化物の濃度を変化させながら蒸着して中間層を形成することが好ましい。
【０２０７】
この構成によれば、中間層を形成する工程と無機配向膜を形成する工程とを同一の装置で行うことが可能となり、加工対象の移し替えの操作が不要となる。そのため、製造時間の短縮、中間層表面への汚染物の付着防止が可能となる。また、中間層の形成と無機配向膜の形成とを連続的に行うことが可能となるため、中間層と無機配向膜との間に明確な界面が生じず、中間層と無機配向膜との密着性をさらに向上させることができる。さらに、中間層の厚さ方向における酸化物および非酸化物の濃度変化の傾きを、容易に変更することができる。
【０２０８】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、非酸化物の蒸着源を用いて、基板の法線方向と交差する方向から、酸素濃度およびイオン加速電圧を変化させながら蒸着して中間層を形成することが好ましい。
【０２０９】
この構成によれば、中間層の厚さ方向における酸化物および非酸化物の濃度変化の傾きを、容易に変更することができる。
【０２１０】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、無機配向膜の膜厚よりも小さな膜厚を有する中間層を形成することが好ましい。
【０２１１】
この構成によれば、液晶層に含まれる液晶分子にアンカリング効果を発現させると共に、中間層を形成する工程の所要時間を短縮することができる。また、中間層と無機配向膜との合計の膜厚を小さくして、液晶分子に印加される電界の強度を確保することができる。
【０２１２】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物として酸化マグネシウムまたは酸化ケイ素を用いることが好ましい。
【０２１３】
この構成によれば、非酸化物としてフッ化マグネシウムまたは窒化シリコンを用いて無機配向膜を形成し、中間層を形成する工程では、該非酸化物に対応させて、酸化マグネシウムまたは酸化ケイ素を用いることができる。
【０２１４】
上記の液晶装置の製造方法において、中間層を形成する工程は、酸化物として酸化マグネシウムと、非酸化物としてフッ化マグネシウムと、を含む中間層を形成することが好ましい。
【０２１５】
この構成によれば、中間層における電極との界面の屈折率は、酸化マグネシウムの屈折率に近くなる。これに対して、中間層における無機配向膜との界面における屈折率は、フッ化マグネシウムの屈折率に近くなる。そのため、液晶装置を液晶ライトバルブとして用いる場合に、中間層中、および中間層と無機配向膜との界面における不要な反射などが低減される。これにより、透過光の減衰を抑える液晶装置の製造方法を提供することができる。
【０２１６】
電子機器は、上記の液晶装置を備えることを特徴とする。
【０２１７】
この構成によれば、液晶装置において、無機配向膜の密着性が向上する。これにより、無機配向膜の剥がれなどに起因する表示不良が低減されて、表示品質が向上した電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【０２１８】
１０，２１０，３１０…第１基板としての素子基板、１０ｓ，２０ｓ…基板、１５…電極としての画素電極、１８，２４，２１８，２２４，３１８，３２４…無機配向膜、１８ａ，２４ａ，２１８ａ，２２４ａ，３１８ａ，３２４ａ…中間層、２０，２２０，３２０…第２基板としての対向基板、２３…電極としての対向電極、３０…トランジスターとしてのＴＦＴ、５０…液晶層、１００，２００，３００…液晶装置、１１０，２１１，３１１…液晶パネル、１０００…電子機器としての投射型表示装置、ＭＬ…マイクロレンズ。
【図１】
2019191353.tif 000003
【図２】
2019191353.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019191353.tif 000009
【図８】
2019191353.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2019191353.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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