(57)【要約】【課題】飛躍的な感度向上を図る。【解決手段】光電変換素子２０は、光電変換層２２を備える。光電変換層２２は、光Ｌを電荷に変換する。光電変換層２２は、オリゴチオフェンと、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類と、を含有し、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で５００：１〜５：１である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する光電変換層を備え、
前記光電変換層は、
オリゴチオフェンと、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類と、を含有し、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で５００：１〜５：１である、
光電変換素子。
【請求項２】
前記光電変換層は、
前記オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で５００：１〜１０：１である、
請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記フラーレン類は、フラーレンＣ６０である、請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記オリゴチオフェンは、α−オリゴチオフェンの６量体である、請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記光電変換層は、蒸着法によって成膜された、請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の光電変換素子を備えた光検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、光電変換素子および光検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を電荷に変換する光電変換層を備えた光電変換素子が知られている。また、ポリチオフェンとフラーレン系材料とを、１００：１〜１００：１５の比率で混合した光電変換層を備えた光電変換素子が知られている。
【０００３】
しかし、従来の光電変換層では、光電変換効率の飛躍的な向上を図ることは出来ず、飛躍的な感度向上を図ることは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｓｃｉｅｎｔｉｃ  Ｒｅｐｏｒｔｓ  ５，  ９１８１（２０１５）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、飛躍的な感度向上を図ることができる、光電変換素子および光検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の光電変換素子は、光電変換層を備える。光電変換層は、光を電荷に変換する。光電変換層は、オリゴチオフェンと、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択されるフラーレン類と、を含有し、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で５００：１〜５：１である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】光検出器の模式図。
【図２】光電変換素子の作用の説明図。
【図３】光検出器の模式図。
【図４】光検出器の模式図。
【図５】印加電圧に対する光電変換効率の関係を示す線図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、本実施の形態の詳細を説明する。
【０００９】
（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態の光検出器１０Ａの一例を示す模式図である。光検出器１０Ａは、光検出器１０の一例である。
【００１０】
光検出器１０Ａは、光電変換素子２０を備える。本実施の形態では、光検出器１０Ａは、基板２６と、光電変換素子２０と、の積層体である。
【００１１】
基板２６は、光電変換素子２０を支持する。基板２６は、光検出器１０に入射する光Ｌを透過する。光Ｌは、光電変換素子２０で検出する対象の波長を含む。光Ｌは、例えば、放射線や可視光などである。
【００１２】
基板２６は、例えば、ガラス、合成樹脂などから構成される、透明基板である。
【００１３】
光電変換素子２０は、光電変換層２２と、電極層２４と、の積層体である。
【００１４】
光電変換層２２は、光Ｌを電荷に変換する。
【００１５】
本実施の形態では、光電変換層２２は、オリゴチオフェンと、フラーレン類と、を含有する。
【００１６】
光電変換層２２における、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比は、重量比で、５００：１〜５：１である。なお、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比は、重量比で、５００：１〜１０：１の範囲であることが好ましく、１００：１〜１０：１の範囲であることが特に好ましい。
【００１７】
フラーレン類とは、フラーレンおよびその誘導体からなる群より選択される材料である。フラーレン類は、有機ｎ型化合物（ｎ型有機半導体）であり、電子受容性化合物である。言い換えると、フラーレン類は、光Ｌを吸収した際に、電子供与性化合物から電子を受容する化合物である。本実施の形態では、光電変換層２２に含まれるフラーレン類は、光Ｌを吸収した際に、該光電変換層２２に含まれるオリゴチオフェンから電子を受容する。
【００１８】
フラーレンは、２０個以上５９個以下の炭素原子で構成される低次フラーレンや、炭素原子数６０個以上の炭素原子で構成される高次フラーレン、である。なお、フラーレンには、カーボンナノチューブは含まれない。
【００１９】
フラーレンは、高次フラーレンであることが好ましい。高次フラーレンは、例えば、フラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ７６、フラーレンＣ７８、フラーレンＣ８０、フラーレンＣ８２、フラーレンＣ８４、フラーレンＣ９０、フラーレンＣ９６、フラーレンＣ２４０、フラーレンＣ５４０、ミックスドフラーレンなどである。なお、Ｃに下付きで付された数字は、炭素原子数を表す。
【００２０】
フラーレン誘導体は、これらのフラーレンに置換基が付加された化合物を表す。置換基としては、アルキル基、アリール基、または複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、例えば、特開２００７−１２３７０７号公報に記載の化合物が好ましい。
【００２１】
なお、フラーレンに付加された置換基の炭素数は、１以上３０以下であることが好ましく、１以上１０以下であることが更に好ましい。なお、フラーレンが置換基を有する場合、置換基の数は限定されない。例えば、フラーレンの置換基の数は、１以上６０以下であることが好ましく、１以上１０以下であることが更に好ましい。
【００２２】
光電変換層２２に含まれるフラーレン類としては、材料の純度の理由から、フラーレンＣ６０、Ｃ７０、Ｃ８４、Ｃ９０等が好ましい。これらの内、下記式（１）に示すフラーレンＣ６０が特に好ましい。
【００２３】
【化１】
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【００２４】
一方、オリゴチオフェンは、有機ｐ型化合物（ｐ型有機半導体）であり、電子供与性化合物である。言い換えると、オリゴチオフェンは、光Ｌを吸収した際に、電子受容性化合物であるフラーレン類へ、電子を供与する化合物である。
【００２５】
オリゴチオフェンは、チオフェンのオリゴマーである。オリゴチオフェンは、無置換のオリゴチオフェンであってもよいし、置換基を有するオリゴチオフェンであってもよい。
【００２６】
無置換のオリゴチオフェンとしては、チオフェンがα位で連結された、無置換α−オリゴチオフェンが好ましい。無置換α−オリゴチオフェンの、チオフェン単位の繰返し数は限定されない。例えば、無置換α−オリゴチオフェンは、２量体以上であることが好ましく、６量体以上であることが更に好ましく、６量体であることが特に好ましい（下記式（２）に示す無置換α−オリゴチオフェンの６量体参照）。
【００２７】
【化２】
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【００２８】
なお、オリゴチオフェンが置換基を有する場合、この置換基は限定されない。例えば、オリゴチオフェンの置換基は、アルキル基、アリール基、または複素環基が好ましい。また、オリゴチオフェンに付加された置換基の炭素数は、１以上３０以下であることが好ましく、１以上１０以下であることが更に好ましい。
【００２９】
また、オリゴチオフェンが置換基を有する場合、置換基の数は限定されない。例えば、オリゴチオフェンの置換基の数は、１以上３０以下であることが好ましく、１以上１２以下であることが更に好ましい。
【００３０】
光電変換素子２０に含まれるオリゴチオフェンの種類の数、およびフラーレン類の種類の数は、限定されない。すなわち、光電変換素子２０は、１または複数種類のオリゴチオフェンと、１または複数種類のフラーレン類と、を含有してもよい。
【００３１】
光電変換素子２０が、複数種類のオリゴチオフェン、および、複数種類のフラーレン類を含む場合、含有量の比は、光電変換素子２０に含まれる複数種類のオリゴチオフェンの総重量と、複数種類のフラーレン類の総重量と、の重量比が、上記重量比を満たせばよい。
【００３２】
また、光電変換層２２に含まれる、オリゴチオフェンとフラーレン類との組合せは、限定されない。例えば、光電変換素子２０に含まれるオリゴチオフェンとフラーレン類との組合せは、無置換α−オリゴチオフェンと、フラーレンＣ６０と、の組合せが好ましい。なお、他の組合せとしては、α−オリゴチオフェンとフラーレンＣ７０との組合せや、α−オリゴチオフェンとフラーレンＣ８４の組合せや、β−オリゴチオフェンとフラーレンＣ７０の組合せが挙げられる。
【００３３】
なお、光電変換層２２は、オリゴチオフェンとフラーレン類とによって構成されてなることが好ましい。すなわち、光電変換層２２は、混入物（コンタミ）が含まれないことが好ましい。本実施の形態では、混入物とは、光電変換層２２に含まれる、オリゴチオフェンおよびフラーレン類以外の成分を示す。混入物は、例えば、作製時に用いた溶媒などであるが、これに限定されない。
【００３４】
具体的には、光電変換層２２に含まれる混入物の量は、光電変換層２２の全量１００重量％に対して、０．１重量％以下であることが好ましく、０．０１重量％以下であることが更に好ましく、０．００１重量％以下であることが特に好ましい。
【００３５】
なお、光電変換層２２は、蒸着法によって成膜された層であることが好ましい。また、更に好ましくは、光電変換層２２は、真空蒸着法により成膜された層であることが好ましい。なお、蒸着法により光電変換層２２を成膜する場合、成膜条件には、公知の方法を用いればよい。
【００３６】
光電変換層２２として、蒸着法によって成膜された層を用いることで、塗布法を用いて成膜した場合に比べて、光電変換層２２に含まれる混入物の量の削減を図ることができる。
【００３７】
光電変換層２２の厚みは限定されない。光電変換層２２の厚みは、例えば、１０ｎｍ以上１００μｍ以下が好ましく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。
【００３８】
次に、電極層２４について説明する。
【００３９】
本実施の形態では、電極層２４は、電極層２４Ａと、電極層２４Ｂと、を含む。なお、電極層２４Ａおよび電極層２４Ｂを総称して説明する場合には、単に、電極層２４と称して説明する。
【００４０】
光電変換層２２は、これらの一対の電極層２４（電極層２４Ａ、電極層２４Ｂ）の間に配置されている。電極層２４Ａおよび電極層２４Ｂの少なくとも一方は、光電変換層２２に接して配置されていてもよい。
【００４１】
電極層２４は、導電性を有し、且つ、電極層２４に入射する光を透過する。透過する、とは、入射した光の８０％以上を透過することを意味する。電極層２４に入射する光は、放射線およびシンチレーション光である。
【００４２】
電極層２４は、導電性を有する材料で構成される。電極層２４は、例えば、金属酸化物、金属、または合金で構成する。金属酸化物膜は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びこれらの複合体である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等である。金属は、例えば、アルミニウム、金、などである。
【００４３】
電極層２４の厚みは限定されない。電極層２４の厚みは、例えば、３５ｎｍである。
【００４４】
本実施の形態では、電極層２４Ｂは、基板２６と光電変換層２２との間に配置されている。電極層２４Ｂは、光電変換層２２から、電荷として正孔（ホール）を受け取る。電極層２４Ｂは、例えば、金属酸化物で構成する。
【００４５】
なお、電極層２４Ｂと光電変換層２２との間には、平坦化層を配置してもよい。この場合、電極層２４Ｂは、平坦化層を介して光電変換層２２から、正孔を受け取ればよい。
【００４６】
平坦化層は、例えば、電極層２４Ｂおよび光電変換層２２の少なくとも一方に接触配置されている。平坦化層は、下層側の層の表面を平坦化し、上に積層される上層側の層の平坦性を図るための層である。
【００４７】
平坦化層は、例えば、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）とポリ（スチレンスルホン酸）との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を含んでいてもよい。また、平坦化層は、例えば、ポリチオフェン系ポリマーや導電性インクを含んでいてもよい。
【００４８】
一方、電極層２４Ａは、光電変換層２２における、電極層２４Ｂの反対側に設けられている。電極層２４Ａは、光電変換層２２から、電荷として電子を受け取る。電極層２４Ｂは、例えば、金属酸化物、金属、合金などで構成すればよい。
【００４９】
次に、光電変換素子２０の作用を説明する。
【００５０】
図２は、光電変換素子２０の作用の説明図である。図２（Ａ）に示すように、光Ｌが照射されていないとき、すなわち暗時には、光電変換層２２では電荷が発生しない。一方、図２（Ｂ）に示すように、光電変換層２２に光Ｌが入射すると、光電変換層２２では電荷が発生する。
【００５１】
ここで、上述したように、光電変換層２２には、フラーレン類に対して、重量比で５倍以上５００倍以下の過剰なオリゴチオフェンが含まれる。言い換えると、光電変換層２２には、オリゴチオフェンに対して、重量比で、１／５００以上１／５以下の非常に少量のフラーレン類が含まれる。
【００５２】
このように、光電変換層２２は、オリゴチオフェンに対するフラーレン類の量が極端に少ない。このため、光電変換層２２に光Ｌが入射することによって発生した電子Ｅは、フラーレン類にトラップされると考えられる。そして、トラップされた電子Ｅは、熱励起によって電極層２４Ａ側に到達して溜まる。電極層２４Ａ側に溜まった電子Ｅは、電極層２４Ａから正孔Ｐが注入されることで、光電変換層２２に過剰に含まれるオリゴチオフェンによって、一気に電極層２４Ｂ側へと流れると考えられる。
【００５３】
ここで、オリゴチオフェンは、ポリチオフェンに比べて、電子Ｅの移動度を大きくすることができると考えられる。このため、オリゴチオフェンによって、電極層２４Ａ側に溜まった電子Ｅは、オリゴチオフェンを用いない場合に比べて、大きな移動度で電極層２４Ｂ側へと流れると考えられる。
【００５４】
このため、本実施の形態の光電変換素子２０の光電変換層２２は、顕著な増倍率を実現することができ、１０００％以上の光電変換効率を実現することができると考えられる。
【００５５】
なお、光電変換効率とは、光電変換素子２０に光Ｌを照射したときに出力される出力信号の量を示す。光電変換効率１００％は、光電変換素子２０で変換された光子１つに対して、１つの電荷に応じた出力信号が得られることを示す。一方、光電変換効率１０００％は、光電変換素子２０で変換された光子１つに対して、１０倍の数の電荷に応じた出力信号が得られることを示す。
【００５６】
このように、本実施の形態の光電変換素子２０は、光電変換効率の飛躍的な向上を図ることができる。すなわち、本実施の形態の光電変換素子２０は、より小さい印加電圧で、より高い光電変換効率を実現することができる。また、光電変換素子２０は、より小さい印加電圧で、光電変換による所望の強度の出力信号を得ることができる。
【００５７】
従って、本実施の形態の光電変換素子２０は、飛躍的な感度向上を図ることができる。
【００５８】
また、上述したように、光電変換層２２は、蒸着法によって成膜された層であることが好ましい。蒸着法を用いて光電変換層２２を成膜することで、塗布法を用いて成膜した場合に比べて、光電変換層２２に含まれる混入物の量の削減を図ることができる。このため、光電変換素子２０の更なる光電変換効率の向上を図ることができる。
【００５９】
（第２の実施の形態）
なお、光検出器１０の構成は、第１の実施の形態の光検出器１０Ａ（図１参照）に限定されない。例えば、光検出器１０は、シンチレータを更に積層した、間接変換型の光検出器１０であってもよい。
【００６０】
図３は、本実施の形態の光検出器１０Ｂの一例を示す模式図である。光検出器１０Ｂは、光検出器１０の一例である。なお、上記実施の形態と同じ機能および構成には、同じ符号を付与し、詳細な説明を省略する。
【００６１】
光検出器１０Ｂは、第１の実施の形態の光検出器１０Ａと、シンチレータ３０と、の積層体である。光検出器１０Ａの構成は、第１の実施の形態と同じである。
【００６２】
シンチレータ３０は、入射した光Ｌをシンチレーション光に変換する。
【００６３】
シンチレータ３０は、シンチレータ材料で構成されている。シンチレータ材料は、放射線の入射によりシンチレーション光（蛍光）を発する。シンチレータ材料は、例えば、Ｌｕ２ＳｉＯ５：（Ｃｅ）、ＬａＢｒ３：（Ｃｅ）、ＹＡＰ（イットリウム・アルミニウム・ペロブスカイト）：Ｃｅ、Ｌｕ（Ｙ）ＡＰ：Ｃｅ、ＮａＩ（ヨウ化ナトリウム）、硫化亜鉛、アントラセン、スチルベン、ナフタレン、ジフェニルオキサゾール（ＰＰＯ）、プラスチック、ＧＳＯ−ケイ酸ガドリニウム（Ｃｅ添加Ｇｄ２ＳｉＯ５）、ＣｓＩ、ＣｓＩ（Ｔｌ）、ＣｓＩ（Ｎａ）、Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２、Ｃｅ添加Ｌｕ２ＳｉＯ５、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＣｅＦ３、ＰｂＷＯ４、ＢａＦ２、ＰｂＦ２、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＬＹＳＯ−Ｌｕ２（１−ｘ）Ｙ２ｘＳｉＯ５：Ｃｅ、ＬＧＳＯ（Ｌｕ，Ｇｄ）２ＳｉＯ５、Ａｌ２Ｏ３等である。
【００６４】
シンチレータ３０の厚みは限定されない。例えば、シンチレータ３０の厚みは、１００μｍ以上１０ｍｍ以下である。
【００６５】
なお、光検出器１０Ｂにおける光電変換層２２は、第１の実施の形態で説明したように、光電変換層２２における、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で、５００：１〜５：１である。
【００６６】
このため、シンチレータ３０を更に備えた構成である場合も、光検出器１０Ｂは、第１の実施の形態と同様に、飛躍的な感度向上を図ることができる。
【００６７】
（第３の実施の形態）
なお、光検出器１０は、光電変換層２２中に、シンチレータ材料の分散された構成であってもよい。
【００６８】
図４は、本実施の形態の光検出器１０Ｃの一例を示す模式図である。なお、上記実施の形態と同じ機能および構成には、同じ符号を付与し、詳細な説明を省略する。
【００６９】
光検出器１０Ｃは、基板２６と、光電変換素子２０’と、の積層体である。本実施の形態では、光電変換素子２０’は、混合層２３を含む。混合層２３は、電極層２４Ａと電極層２４Ｂとの間に配置されている。
【００７０】
混合層２３は、光電変換層２２内に、シンチレータ材料３０Ａの分散された層である。シンチレータ材料３０Ａは、第２の実施の形態で挙げた、シンチレータ材料の群から選択される、１または複数種類の材料から構成すればよい。
【００７１】
なお、光検出器１０Ｃにおける光電変換層２２は、第１の実施の形態で説明したように、光電変換層２２における、オリゴチオフェンとフラーレン類との含有量の比が、重量比で、５００：１〜５：１である。
【００７２】
このため、一対の電極層２４（電極層２４Ａ、電極層２４Ｂ）の間に、光電変換層２２にシンチレータ材料３０Ａの分散された混合層２３を配置した場合についても、光検出器１０Ｃは、第１の実施の形態と同様に、飛躍的な感度向上を図ることができる。
【実施例】
【００７３】
（実施例１）
図１に示す構成の光検出器１０Ａを作製した。まず、基板２６として、厚み０．７ｍｍのガラス基板を用意した。この基板２６上に、厚み５０ｎｍのＩＴＯ電極を、スパッタリング法を用いて形成することで、電極層２４Ｂを形成した。この電極層２４Ｂ上に、平坦化材料をスピンコート法により３０ｎｍの厚みで形成した。
【００７４】
そして、更に、この平坦化層上に、蒸着法によって、α−オリゴチオフェンの６量体とフラーレンＣ６０との含有量の比が重量比で１００：１の光電変換層２２を成膜した。その後、光電変換層２２上に蒸着法によりアルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成することで、電極層２４Ｂを成膜した。これにより、実施例１の光検出器１０Ａを作製した。
【００７５】
作製した光検出器１０Ａについて、４５０ｎｍの光Ｌの照射と、電極層２４Ａと電極層２４Ｂへの電圧印加と、を行い、光電変換効率を測定したところ、図５の線図４０Ａに示す結果が得られた。なお、図５は、光電変換層２２への印加電圧に対する光電変換効率の関係を示す線図４０である。
【００７６】
また、作製した光検出器１０Ａについて、光電変換層２２における正孔の移動度と、電子の移動と、を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）法の測定条件で測定した。その結果、光電変換層２２における正孔の移動度は１０−２〜１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。また、光電変換層２２における電子の移動度は、２．５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。
【００７７】
（比較例１）
平坦化層上に、塗布法によって、ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）とフラーレン誘導体（ＰＣ７１ＢＭ）との含有量の比が、重量比で１００：１の比較光電変換層を作製した。そして、光電変換層２２に代えて、この比較光電変換層を塗布法によって成膜した以外は、実施例１と同様にして、比較光検出器Ａを作製した。
【００７８】
作製した比較光検出器Ａについて、５３０ｎｍの光Ｌの照射と、電極層２４Ａと電極層２４Ｂへの電圧印加と、を行い、光電変換効率を測定したところ、図５の線図４０Ｂに示す結果が得られた。
【００７９】
また、作製した比較光検出器Ａについて、比較光電変換層における正孔の移動度と、電子の移動と、を飛行時間測定（ＴＯＦ）法で測定した。その結果、比較光電変換層における正孔の移動度は１０−２〜１０−３ｃｍ２／Ｖｓであった。一方、比較光電変換層における電子の移動度は、１．５×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであった。このように、比較光電変換層における電子の移動度は、実施例１で作製した光検出器１０Ａの光電変換層２２の電子の移動度より小さい値であった。
【００８０】
（比較例２）
実施例１で作製した光検出器１０Ａについて、光電変換層２２に代えて、α−オリゴチオフェンの６量体とフラーレンＣ６０との含有量の比が重量比で０．６：１の比較光電変換層を成膜した。この点以外は、実施例１と同様にして、比較光検出器Ｂを作製した。
【００８１】
作製した比較光検出器Ｂについて、４８８ｎｍの光Ｌの照射と、電極層２４Ａと電極層２４Ｂへの電圧印加と、を行い、光電変換効率を測定したところ、−１４Ｖの電圧印加時の光電変換効率は、５０％であった。
【００８２】
（評価）
実施例１および比較例１に示すように、実施例１で作製した光検出器１０Ａの光電変換効率は、比較例１で作製した比較光検出器Ａの光電変換効率に比べて、−１５Ｖの電圧印加時の光電変換効率が１０００倍以上であった（図５の矢印Ｘ参照）。また、実施例１および比較例２に示すように、実施例１で作製した光検出器１０Ａの光電変換効率は、比較例２で作製した比較光検出器Ｂの光電変換効率に比べて、−１４Ｖの電圧印加時の光電変換効率が５０００倍以上であった。
【００８３】
このため、実施例１で作成した光検出器１０Ａは、飛躍的な感度向上を図ることができた。
【００８４】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８５】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  光検出器
２０  光電変換素子
２２  光電変換層
２４、２４Ａ、２４Ｂ  電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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