(57)【要約】【課題】本発明の一実施形態は、基本波および高調波のいずれかしか周波数拡散効果を得られない場合に対応するための送電装置および電力伝送システムを提供する。【解決手段】本発明の一態様としての送電装置は、磁界を発生させる送電部と、記憶部と、送電制御部と、を備える。記憶部は、第１周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第１パラメータセットと、第２周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第２パラメータセットと、を記憶する。送電制御部は、記憶部から取得されたパラメータセットに基づく周波数ホッピングが行われるように、送電部を制御する。第１周波数帯域は、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅に対応する帯域である。第２周波数帯域は、規格に基づく、第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅に対応する帯域である。【選択図】図１
2019161866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁界を発生させる送電部と、
第１周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第１パラメータセットと、第２周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第２パラメータセットと、を記憶する記憶部と、
前記記憶部から、前記第１パラメータセットおよび前記第２パラメータセットのいずれかを取得し、取得されたパラメータセットに基づく周波数ホッピングが行われるように、前記送電部を制御する送電制御部と、
を備え、
前記第１周波数帯域が、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅に対応する帯域であり、
前記第２周波数帯域が、前記規格に基づく、前記第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅に対応する帯域である
送電装置。
【請求項２】
前記送電制御部が、外部入力に応じて、取得するパラメータセットを切り替える
請求項１に記載の送電装置。
【請求項３】
前記記憶部が、前記第１パラメータセットを記憶する第１記憶部と、前記第２パラメータセットを記憶する第２記憶部と、を含み、
前記送電制御部、前記第１記憶部、および前記第２記憶部に、接続されたスイッチをさらに備え、
前記スイッチが、前記送電制御部を、前記第１記憶部および前記第２記憶部のいずれかと電気的に接続し、
前記前記送電制御部が、電気的に接続された前記第１記憶部または前記第２記憶部が記憶するパラメータセットを取得する
請求項１または２に記載の送電装置。
【請求項４】
磁界を発生させる送電部と、
第３パラメータセットに基づき、周波数ホッピングが行われるように、前記送電部を制御する送電制御部と、
を備え、
前記周波数ホッピングによる周波数の遷移が、第１周期で遷移する第１成分と、第２周期で遷移する第２成分と、を含み、
前記第１周期が、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致し、
前記第２周期が、前記規格に基づく、前記第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致する
送電装置。
【請求項５】
前記磁界の基本波が前記第１通過帯域幅に対応し、前記磁界のｎ（ｎは２以上の整数）次高調波が前記第２通過帯域幅に対応する場合に、
基本波およびｎ次高調波の両方において、周波数拡散効果が得られる
請求項４に記載の送電装置。
【請求項６】
前記第１通過帯域幅に対応する第１周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第１パラメータセットと、前記第２通過帯域幅に対応する第２周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第２パラメータセットと、を記憶する記憶部と、
前記第１パラメータセットおよび前記第２パラメータセットに基づき、前記第３パラメータセットを生成するパラメータセット生成部と、
をさらに備える
請求項４または５に記載の送電装置。
【請求項７】
前記第３パラメータセットに基づく周波数ホッピングにおける周波数の遷移値が、指定された拡散帯域幅に含まれる
請求項４ないし６のいずれか一項に記載の送電装置。
【請求項８】
前記第１成分における拡散帯域幅が、前記第２成分における拡散帯域幅よりも小さい
請求項４ないし７のいずれか一項に記載の送電装置。
【請求項９】
前記第１成分における周波数の遷移幅が、前記第２成分における周波数の遷移幅よりも小さい
請求項４ないし８のいずれか一項に記載の送電装置。
【請求項１０】
前記第１周期が、前記第１通過帯域幅の参照帯域の逆数の４分の１倍から、前記第１通過帯域幅の参照帯域の逆数の２倍までの範囲に含まれ、
前記第２周期が、前記第２通過帯域幅の参照帯域の逆数の４分の１倍から、前記第２通過帯域幅の参照帯域の逆数の２倍までの範囲に含まれる
請求項４ないし９のいずれか一項に記載の送電装置。
【請求項１１】
前記第１成分における周波数の遷移のグラフが三角波状または正弦波状である
請求項４ないし１０のいずれか一項に記載の送電装置。
【請求項１２】
送電装置と、受電装置と、を備え、非接触にて電力を伝送する電力伝送システムであって、
前記送電装置は、
磁界を発生させる送電部と、
第１周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第１パラメータセットと、第２周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第２パラメータセットと、を記憶する記憶部と、
前記記憶部から、前記第１パラメータセットおよび前記第２パラメータセットのいずれかを取得し、取得されたパラメータセットに基づく周波数ホッピングが行われるように、前記送電部を制御する送電制御部と、
を備え、
前記受電装置は、
前記磁界により、高周波電流を生成する受電部と、
を備え、
前記第１周波数帯域が、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅に対応する帯域であり、
前記第２周波数帯域が、前記規格に基づく、前記第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅に対応する帯域である
電力伝送システム。
【請求項１３】
送電装置と、受電装置と、を備え、非接触にて電力を伝送する電力伝送システムであって、
前記送電装置は、
磁界を発生させる送電部と、
第３パラメータセットに基づき、周波数ホッピングが行われるように、前記送電部を制御する送電制御部と、
を備え、
前記受電装置は、
前記磁界により、高周波電流を生成する受電部
を備え、
前記周波数ホッピングによる周波数の遷移が、第１周期で遷移する第１成分と、第２周期で遷移する第２成分と、を含み、
前記第１周期が、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致し、
前記第２周期が、前記規格に基づく、前記第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致する
電力伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、送電装置および電力伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
送電装置から受電装置への非接触での電力伝送（非接触給電）が普及しつつある。非接触給電では、送電装置により生成された磁界を介して、電力が伝送される。しかし、外部に漏れた磁界（漏洩磁界）が、放送、無線通信などを妨害する懸念がある。
【０００３】
漏洩磁界の対策として、磁界の周波数を遷移させる周波数ホッピングが提案されている。例えば、当該周波数を周期的に遷移させることにより、漏洩磁界の低減を実現した報告がなされている。また、当該周波数の遷移の周期を、漏洩磁界を測定する測定器の通過帯域幅（分解能帯域幅ＲＢＷ）に基づき定めることにより、漏洩磁界の低減を実現したという報告もなされている。
【０００４】
しかし、高周波帯域で周波数ホッピングを行うと、想定の効果が得られないことが判明した。例えば、非接触給電の利用が見込まれる電気乗用車において、規格化が検討されている周波数帯域は８５ｋＨｚ帯である。この８５ｋＨｚ帯において、周期的な周波数ホッピングを行うと、基本波の漏洩磁界は低減できるが、高調波の漏洩磁界は低減することができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９３５９８号公報
【特許文献２】特開２０１５−３３３１６号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】H. Kim, el al., “EMI Reduction in Wireless Power Transfer System Using Spread Spectrum Frequency Dithering”, IEEE Wireless Power Transfer Conference 2016
【非特許文献２】J. Balcell, el al., “EMI Reduction in Switched Power Converters Using Frequency Modulation Techniques”, IEEE Trans. on Electromagnetic compatibility, 2005, Vol.47, No.3, PP569-576.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一実施形態は、基本波および高調波のいずれかしか周波数拡散効果を得られない場合に対応するための送電装置および電力伝送システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様としての送電装置は、磁界を発生させる送電部と、記憶部と、送電制御部と、を備える。記憶部は、第１周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第１パラメータセットと、第２周波数帯域に対する周波数ホッピングに係る第２パラメータセットと、を記憶する。送電制御部は、記憶部から取得されたパラメータセットに基づく周波数ホッピングが行われるように、送電部を制御する。第１周波数帯域は、漏洩磁界を測定するための所定の規格に基づく第１通過帯域幅に対応する帯域である。第２周波数帯域は、規格に基づく、第１通過帯域幅よりも高帯域を対象とした第２通過帯域幅に対応する帯域である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図。
【図２】周波数ホッピングを説明する図。
【図３】周波数ホッピングによる周波数の遷移の一例を示す図。
【図４】周波数ホッピングによる周波数の遷移の他の一例を示す図。
【図５】第２パラメータセットを説明する図。
【図６】周期と漏洩磁界低減効果の関係を示す図。
【図７】周波数ホッピングによる漏洩磁界低減効果の低下を示す図。
【図８】高周波電流生成部の内部構成の一例を示す図。
【図９】整流部の内部構成の一例を示す図。
【図１０】第２の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図。
【図１１】第３の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図。
【図１２】第３パラメータセットについて説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、図面の符号の添え字のアルファベットは、同じ符号の各個体の区別のために付されている。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図である。第１の実施形態に係る電力伝送システムは、送電装置１と、受電装置２と、を備える。
【００１２】
送電装置１は、ＡＣ電源１１と、ＡＣ−ＤＣコンバータ１２と、記憶部１３と、送電制御部１４と、送電部１５とを備える。送電部１５は、高周波電流生成部１５１と、送電コイル１５２と、を備える。
【００１３】
受電装置２は、受電部２１を備える。受電部２１は、受電コイル２１１と、整流部２１２と、を備える。
【００１４】
本実施形態の電力伝送システムでは、磁界を利用して、送電装置１から受電装置２に対し電力が伝送される。つまり、本実施形態の電力伝送システムでは、非接触にて受電装置２が給電される。
【００１５】
送電装置で生成された磁界の一部は、漏洩磁界として、周りの機器へ干渉する恐れがある。この漏洩磁界の強度は、法令などにより規定された許容範囲に抑えなければならない。そこで、本実施形態では、周波数ホッピングを行い、電力を周波数ホッピングの各周波数に拡散させることにより、漏洩磁界の強度を許容範囲に抑える。
【００１６】
図２は、周波数ホッピングを説明する図である。図２（Ａ）は、周波数ホッピングを行わない場合、つまり１つの周波数のみにて電力伝送を行う場合での、周波数と磁界強度との関係を示す図である。図２（Ａ）の例では、８５ｋＨｚだけで電力伝送が行われているとする。ゆえに、８５ｋＨｚの地点にて、一つのピークを有する（磁界強度の大きい）グラフが示されている。
【００１７】
図２（Ｂ）は、周波数ホッピングを行う場合、つまり、複数の周波数にて電力伝送を行う場合での、周波数と磁界強度との関係を示す図である。図２（Ｂ）の例では、８５ｋＨｚを中心とした２０個の周波数にて電力伝送が行われているとする。ゆえに、２０個のピークを有する（磁界強度の大きい）グラフが示されている。
【００１８】
以降、周波数ホッピングを行う場合に、周波数が遷移する値を、単に遷移値と記載する。また、遷移値の小さいほうから順に番号を付与し、i（iは１以上の整数）番目の遷移値をｆiと表すものとする。つまり、１番目の遷移値ｆ１が最小の遷移値であり、遷移値ｆiはi番目に大きい遷移値であり、ｆi＋１＞ｆiが成り立つ。また、遷移値の数を遷移数と記載する。図２（Ｂ）の例では、遷移数は２０である。
【００１９】
周波数ホッピングでは、あるタイミングにおいて、周波数が、遷移値のいずれかから、それとは別の遷移値のいずれかに遷移する。当該遷移が何度も行われることにより、周波数が拡散し、漏洩磁界の強度が低下する。図２の例では、最小の遷移値ｆ１から最大の遷移値ｆ２０までは８ｋＨｚほどであるため、周波数が８ｋＨｚほど拡散していると言える。この、最小の遷移値から最大の遷移値までを、拡散帯域幅と記載する。また、周波数の変更１回あたりの周波数の差分、つまり、変更後の周波数と、変更前の周波数との差分（ｆi＋１−ｆi）を、遷移幅と記載する。
【００２０】
本実施形態では、昇順（最小の遷移値から最大の遷移値に向かう順）および降順（最大の遷移値から最小の遷移値に向かう順）の遷移を周期的に繰り返して遷移させるものとする。また、遷移幅は一定であることを想定する。
【００２１】
図３は、周波数ホッピングによる周波数の遷移の一例を示す図である。図３において、横軸は時間を表し、縦軸は遷移値の番号を示す。図２（Ｂ）の例と同じく、ｆ１からｆ２０までの遷移値が存在する。そして、図３の例では、周波数がまず昇順（ｆ１から順にｆ２０に向かう）で遷移し、次に降順（ｆ２０から順にｆ１に向かう）で遷移する。
【００２２】
なお、周波数ホッピングの開始時の遷移値はいずれの遷移値でもよく、また、遷移の順番も降順を先にしてもよいし、昇順を先にしてもよい。例えば、周波数ホッピングが遷移値ｆ５から開始され、次にｆ６に遷移してもよいし、次にｆ４に遷移してもよい。
【００２３】
このように、降順および昇順の遷移は、グラフの形状が三角形になることから、このような遷移状況を「三角波状の遷移」と定義する。なお、遷移の形状は、三角波状に限られるわけではない。
【００２４】
図４は、周波数ホッピングによる周波数の遷移の他の一例を示す図である。図４では、擬似的に生成した正弦波状のグラフが示されている。降順および昇順の遷移において、特定の遷移値における維持時間を、他の遷移値の維持時間よりも長くすると、このような正弦波状の遷移となる。あるいは、遷移の順番を定めている遷移規則に基づき周波数ホッピングが行われている場合に、特定の遷移値が連続して定められていると、このような正弦波状に似た遷移となる。例えば、遷移規則において、遷移の順番がｆ１９、ｆ２０、ｆ２０、ｆ１９と定められている場合に、ｆ２０が他よりも２倍長く維持される。このようにして、擬似的な正弦波状の遷移としてもよい。
【００２５】
なお、図３および４のような周期的な遷移における周期は、遷移値ｆｉ＋１またはｆｉ−１から周波数が遷移値ｆｉに遷移した時点から、再び同じ遷移値ｆｉ＋１またはｆｉ−１から遷移値ｆｉに遷移した時点までが、１周期となる。例えば、遷移値ｆ１１から遷移値ｆ１２に遷移した時点から、再び遷移値ｆ１１から遷移値ｆ１２に遷移した時点までが１周期である。以降、当該周期を、周波数ホッピングの周期と記載する。
【００２６】
このような周波数ホッピングを行った場合の電力は、周波数ホッピングを行わない場合の電力と、長期的には同一である。ゆえに、周波数あたりの電力（電力密度）は、周波数ホッピングを行った場合のほうが、周波数ホッピングを行わない場合よりも小さくなる。周波数ホッピングを行うことにより、電力エネルギーを複数の周波数にて拡散し、漏洩磁界として測定される電力密度を低減する。周波数ホッピングにより、漏洩磁界が低減するという効果（漏洩磁界低減効果）を、周波数拡散効果と記載する。図３および図４のような周期的な遷移の周波数ホッピングによる周波数拡散効果は、コンピュータ用のデジタルクロックの高調波漏えい電磁界を抑圧する技術として、非特許文献２に開示されており、周波数遷移の最適な周期は漏えい電磁界の測定に用いられる測定器の通過帯域幅（分解能帯域幅ＲＢＷ）により決定することが記載されている。その最適周期は概ね １／ＲＢＷとなる。
【００２７】
高周波帯域で周波数ホッピングを行うと、想定の周波数拡散効果が得られないことが有り得る。例えば、図２（Ｂ）の例の８５ｋＨｚ帯において、周期的な周波数ホッピングを行うと、基本波の漏洩磁界は低減できるが、高調波の漏洩磁界は低減することができないことが判明した。
【００２８】
漏洩磁界は、スペクトラムアナライザなど、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）の規格を準拠する、漏洩磁界を測定可能な装置により測定される。以降、当該装置を、単に測定装置と記載する。当該測定装置の設定は、利用する周波数帯域により変更される。ＣＩＳＰＲ規格では、測定に係る周波数帯域が９ｋＨｚから１５０ｋＨｚまでの帯域Ａである場合、測定器に設定される通過帯域幅は１００から３００Ｈｚと定められている。また当該通過帯域幅に係る参照帯域は２００Ｈｚと定められている。また、測定に係る周波数帯域が１５０ｋＨｚから３０ＭＨｚまでの帯域Ｂである場合は、通過帯域幅は８ｋＨｚから１０ｋＨｚと定められている。また当該通過帯域幅に係る参照帯域は、９ｋＨｚと定められている。なお、上記の通過帯域幅は、ＣＩＳＰＲにて定義された、いわゆる６ｄＢ低下点に基づく帯域幅である。
【００２９】
基本波および高周波の周波数帯域の両方ともが、帯域Ａまたは帯域Ｂに含まれる場合は、基本波および高周波の両方とも、周波数拡散効果が得られる。しかし、基本波および高周波の周波数帯域の一方が帯域Ａであり、他方が帯域Ｂの場合、対応する通過帯域幅が異なるため、周波数拡散効果の得られる最適周期も異なり、どちらかに周期を合わせると、他方は最適周期を逸脱するため、高い周波数拡散効果は基本波もしくは高調波の片方しか得られない。
【００３０】
例えば、基本波が８５ｋＨｚ帯である場合、３次高調波は２５５ｋＨｚ帯、５次高調波は４２５ｋＨｚ帯となる。ゆえに、基本波に対応する通過帯域幅は約２００Ｈｚ程度であり、３次高調波および５次高調波に対応する通過帯域幅は約９ｋＨｚ程度であり、両者は１桁以上も乖離している。ゆえに、最適周期も１桁以上乖離することとなり、同じ遷移周期では基本波および高調波のいずれかしか、高い周波数拡散効果が得られないこととなる。
【００３１】
このように、基本波と高周波とでは、いずれか一方しか周波数拡散効果を得られないことがあり得る。そこで、本実施形態では、基本波および高周波のいずれを対象にするかを受け付けて、対象とされた方に適した周波数ホッピングを行う。これにより、対象とされた方の周波数拡散効果を得ることができる。
【００３２】
送電装置１の内部構成について説明する。
【００３３】
ＡＣ電源１１は、交流電流をＡＣ−ＤＣコンバータ１２に供給する。ＡＣ電源１１は、三相電源でも単相電源でもよい。また、ＡＣ電源１１には、力率改善回路、整流器などが接続されていてもよい。ＡＣ−ＤＣコンバータ１２は、供給された交流電流を直流電流に変換する。そして、ＡＣ−ＤＣコンバータ１２から直流電流が送電部１５に送られる。
【００３４】
記憶部１３は、周波数ホッピングに係る、一つ以上の設定値を記憶する。以降、当該一つ以上の設定値をパラメータセットと記載する。パラメータセットは、周波数ホッピングの実施に必要とされるものであれば、特に限られるものではない。例えば、遷移値、遷移規則（遷移パターン）、および、遷移してから次に遷移するまでの維持時間がパラメータセットに含まれていれば、維持時間の経過の度に、遷移規則に基づき判明した次の遷移値に遷移するように、周波数を制御することができる。また、遷移幅、遷移数、拡散帯域幅、周波数ホッピングの周期などが記憶されており、これらの設定値から、送電制御部１４が遷移値を決定してもよい。
【００３５】
なお、周波数ホッピングの実施に必要とされる設定値であっても固定であるものは、パラメータセットに含まれていなくともよい。例えば、遷移パターンが三角波状で固定されていて、外部からの変更を受け付けない場合には、遷移パターンがパラメータセットに含まれていなくともよい。
【００３６】
なお、記憶部１３に記憶されたパラメータセットは、書き換え可能であってもよい。電力伝送の実行時において、計測された漏洩磁界の強度に基づき、パラメータセットの値を変更したい場合もある。そのような場合に、即座に書き換えを行うことができる。
【００３７】
パラメータセットは、分類帯域（前述の帯域Ａおよび帯域Ｂ）により分類されているとする。つまり、記憶部１３は、帯域Ａに対するパラメータセットと、帯域Ｂに対するパラメータセットと、を記憶する。言い換えると、約２００Ｈｚの通過帯域幅に対応する周波数帯域に対するパラメータセットと、約９ｋＨｚの通過帯域幅に対応する周波数帯域に対するパラメータセットと、を記憶する。以降、約２００Ｈｚの通過帯域幅に対応する周波数帯域に対するパラメータセットを第１パラメータセットと記載し、約９ｋＨｚの通過帯域幅に対応する周波数帯域に対するパラメータセットを第２パラメータセットと記載する。
【００３８】
なお、通過帯域幅をより細かく分類することにより、パラメータセットを三つ以上にしてもよい。
【００３９】
図５は、第２パラメータセットを説明する図である。図５（Ａ）は、第２パラメータセットに係る遷移値などが示されている。図５（Ｂ）は、第２パラメータセットにおける周波数ホッピングによる周波数の遷移が示されている。なお、第１パラメータセットに係る遷移値は図２（Ａ）に、第１パラメータセットにおける周波数ホッピングによる周波数の遷移は図２（Ｂ）に既に示されている。
【００４０】
図５（Ａ）に示すように、第２パラメータセットにおける拡散帯域幅は、第１パラメータセットのものよりも広くする必要がある。また、第２パラメータセットにおける遷移数は、第１パラメータセットのものよりも少なくする必要がある。したがって、遷移幅が一定である場合、第２パラメータセットの遷移幅は、第１パラメータセットのものよりも大きくする必要がある。
【００４１】
例えば、電気乗用車において規格化が検討されている周波数帯域は、現状７９ｋＨｚから９０ｋＨｚまでである。この場合、基本波に対しては第１パラメータセットを用い、高調波に対しては第２パラメータセットを用いる。この約１０ｋＨｚ程の拡散帯域幅を用いて、周波数ホッピングを行ったとしても、３次高調波ではその３倍の３０ｋＨｚ、５次高調波では５倍の５０ｋＨｚ幅の拡散しか行えない。前述の通り、ＣＩＳＰＲ規格では、当該周波数帯域の高調波は約９ｋＨｚの通過帯域幅にて測定されるため、３次高調波では高々３倍、５次高調波では約５倍の拡散としかならない。
【００４２】
上記のように、ｎ（ｎは正の整数）次の高周波に対してｋ（ｋは正の数）倍の拡散を行おうとする場合は、（対応する通過帯域幅の参照帯域）×ｋ／ｎ以上の周波数帯域幅が必要である。第２パラメータセットに対応する通過帯域幅のほうが、第１パラメータセットに対応する通過帯域幅よりも大きいため、第２パラメータセットにおける拡散帯域幅は、第１パラメータセットのものよりも大きくする必要がある。
【００４３】
また、第２パラメータセットにおける遷移数は、第１パラメータセットのものよりも多くすることは困難である。三角波状に周波数を遷移させた場合、１周期において同一の遷移値が２回現れるため、半周期にて全ての遷移値が用いられる。ゆえに、半周期は、全ての遷移値に対する維持時間と同じである。１つの周波数に対する最小の維持時間は、拡散帯域幅の中心の周波数である中心周波数ｆｃの１周期（１／ｆｃ）と考えられる。ゆえに、遷移数をＮｕｍ、遷移値の周期を１／ＲＢＷとした場合、（１／２）×（１／ＲＢＷ）≧（１／ｆｃ）×Ｎｕｍが成り立ち、遷移数は、ｆｃ／（２×ＲＢＷ）よりも小さくする必要がある。したがって、ＲＢＷの値が大きい第２パラメータセットのほうが、前記第１パラメータよりも遷移数が小さくなる。
【００４４】
例えば、図５（Ａ）の例のように中心周波数ｆｃが８５ｋＨｚであり、高周波のＲＢＷが９ｋＨｚである場合、遷移数は、８５／（２×９）よりも小さい整数、つまり４以下となる。したがって、８５ｋＨｚ帯を四つの遷移値で拡散することになるため、周波数間隔を広くとる必要がある。
【００４５】
こうして、第２パラメータセットは、図５（Ａ）に示すように、例えば、遷移幅が２．４ｋＨｚ、遷移数が４、遷移パターンが三角波状、維持時間が１２．１３μｓｅｃ、周期が９７μｓｅｃといったように記憶部１３に記憶される。
【００４６】
なお、周波数ホッピングの周期は、対応する通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致するように、定めたほうが好ましい。図６は、周期と漏洩磁界低減効果の関係を示す図である。横軸が、約２００Ｈｚの通過帯域幅に対応する周波数を対象に、遷移幅が４００Ｈｚで一定の１２個の遷移値を用いて行われた周波数ホッピングの周期を示す。縦軸が、当該周期における漏洩磁界低減効果の値を示す。周波数ホッピングの周期が５ｍｓｅｃのあたりにおいて、グラフが最小となり、漏洩磁界低減効果が最も得られていることが分かる。このことから、周波数ホッピングの周期を、対象の周波数に対応する通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致させると、良好な低減効果を得られることが分かる。
【００４７】
ゆえに、第１パラメータセットに含まれる周期は、約５ｍｓｅｃ（１／２００Ｈｚ）が好ましく、第２パラメータセットに含まれる周期は、約１１１μｓｅｃ（１／９ｋＨｚ）が好ましい。図５（Ａ）では、一つの周波数の維持時間を１２．１３μｓｅｃに設定することにより、遷移値の周期は９７μｓｅｃとなっている。ゆえに、遷移値の周期が、前述の好ましい周期と概ね一致する。
【００４８】
また、漏洩磁界低減効果が最大値よりも３ｄＢ程度小さいあたりまでを有効な範囲（図６では、漏洩磁界低減効果が−７ｄＢよりも下の範囲）と定めた場合は、周期が、参照帯域の逆数の４分の１倍から、前記第１通過帯域幅の参照帯域の逆数の２倍までの範囲（１／（４ＲＢＷ）から２／ＲＢＷまで）に含まれるようにする。
【００４９】
図７は、周波数ホッピングによる漏洩磁界低減効果の低下を示す図である。横軸が周波数を示し、縦軸が漏洩磁界低減効果を示す。漏洩磁界低減効果は、負の値が大きい程（下に行く程）、効果が大きく、漏洩磁界が低減されていることを示す。点線のグラフは、遷移幅が４００ｋＨｚで一定の六つの遷移値を用いた場合の漏洩磁界低減効果を示す。この場合の拡散帯域幅は２．４ＧＨｚである。実線のグラフは、遷移幅が８００ｋＨｚで一定の六つの遷移値を用いた場合の漏洩磁界低減効果を示す。この場合の拡散帯域幅は４．８ＧＨｚであり、実線のグラフに係る周波数帯域の２倍である。
【００５０】
図７に示すように、周波数帯域４．８ＧＨｚでの漏洩磁界低減効果は、周波数帯域２．４ＧＨｚでの漏洩磁界低減効果よりも概ね３ｄＢ程度高い。漏洩電磁界低減効果が最大値よりも３ｄＢ程度小さいあたりまでを有効な範囲としたが、これはその低下を３ｄＢ以内に抑えれば、拡散帯域幅の半分以上の効果は得られているからである。したがって、周期を、対応する通過帯域幅の参照帯域の逆数の４分の１倍から、参照帯域の逆数の２倍までの範囲にしてもよい。
【００５１】
送電制御部１４は、記憶部１３から、第１パラメータセットまたは第２パラメータセットを取得する。取得するパラメータセットの指定方法は、適宜定めてよい。例えば、当該取得を判断するための指標に基づき、指定してもよい。例えば、指標の値が０のときは、第１パラメータセットを取得し、指標の値が１のときは、第２パラメータセットを取得するとしてもよい。あるいは、指標の値として周波数帯域が示されており、送電制御部１４が、当該周波数帯域が帯域ＡおよびＢのいずれに該当するかを判定し、該当すると判定された分類帯域に係るパラメータセットを取得してもよい。基本波および高周波に対応する通過帯域幅が異なるという前提である場合には、指標の値として、基本波または高周波が示されていてもよい。こうして、測定に係る通過帯域幅が基本波と高周波とで異なる場合においても、適切な周波数ホッピングを行うことができる。
【００５２】
当該指標は、ユーザからの入力を受け付けて、書き換えられるようにする。基本波および高調波のいずれか一方が周波数拡散効果を得られなかった場合に、ユーザが当該指標を書き換えることにより、当該一方を対象として周波数ホッピングが行われる。このように、基本波および高調波のいずれかにおいて、周波数拡散効果が得られない場合でも、周波数拡散効果が得られない方に対象を切り替えることにより、対象の周波数拡散効果を得ることができる。
【００５３】
当該指標は記憶部１３に記憶されていて、送電制御部１４は、まず当該指標を記憶部１３から取得し、その後、当該指標に対応するパラメータセットを取得してもよい。
【００５４】
送電制御部１４は、取得したパラメータセットに基づく周波数ホッピングが行われるように送電部１５を制御する。制御の仕方は、適宜定めてよい。例えば、送電制御部１４は、クロック信号をそのまま送電部１５に送信することにより、遷移のタイミングを指定してもよい。あるいは、クロック信号を分周して、後述する送電部１５内のインバータ１５１２を動作させる周期の信号を生成し送信することにより、指定されてもよい。遷移値は、予め送電部１５に送信しておいてもよいし、遷移させる度に送信してもよい。
【００５５】
送電部１５は、送電制御部１４の制御により、所望の周波数の磁界を生成する。具体的には、高周波電流生成部１５１が、指定された周波数にて高周波信号を生成する。そして、送電コイル１５２が、高周波電流が流れることにより、磁界を発生させる。つまり、高周波電流の周波数は、磁界の周波数と同一である。
【００５６】
高周波電流生成部１５１は、回路にて実現してもよい。例えば、高周波電流生成部１５１は、インバータ、整流器、力率改善回路（ＰＦＣ）、電圧変換回路などを含んでいてもよい。図８は、高周波電流生成部の内部構成の一例を示す図である。図８における高周波電流生成部１５１は、ＤＣ−ＤＣコンバータ１５１１と、インバータ１５１２と、フィルタ１５１３と、補償回路１５１４と、を備える。なお、高周波電流生成部１５１の構成は、図８の例に限られるわけではない。
【００５７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ１５１１は、入力される直流電流を所望の電圧に制御（昇圧または降圧）する。このように、電圧値を制御することにより、受電装置２に電力伝送される電力量を調整する。
【００５８】
インバータ１５１２は、入力される直流電流を、指定された周波数の交流電流に、指定されたタイミングで変換する。これにより、高周波電流の生成および周波数ホッピングが行われる。
【００５９】
フィルタ１５１３はインバータ１５１２から出力された高周波電流の不要高調波を抑圧する。なお、フィルタ１５１３により、不要な高調波を抑圧しても、漏洩磁界の強度を低下させることができる。しかし、高調波は、伝送電力の増大に伴い大きくなる。非接触電力伝送は、電気乗用車の充電に用いられており、今後も伝送電力の増大化が見込まれる。ゆえに、伝送電力の増大化に伴い高性能なフィルタが求められ、フィルタの大型化、装置コストの増加といった問題が生じることが見込まれる。ゆえに、漏洩磁界の強度の調整を、全てフィルタ１５１３により賄うのではなく、本実施形態のように周波数ホッピングを行った方が好ましい。
【００６０】
補償回路１５１４は、高周波電流が送電コイル１５２に送られる前の力率改善、高周波電流と電圧の位相差軽減などを目的に、高周波電流を補償する。補償回路１５１４は例えばキャパシタなどから構成される。キャパシタは、送電コイル１５２に直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。このようにして、生成および調整された高周波電流が、送電コイル１５２に送られる。
【００６１】
送電コイル１５２は、高周波電流が流れることにより磁界を発生させる。送電コイル１５２から発生した磁界が、受電コイル２１１に到達すると、送電コイル１５２と受電コイル２１１との間で相互結合が生じる。これにより、受電コイル２１１は、送電コイル１５２からの電力を受け取る。このようにして、非接触で電力が伝送される。
【００６２】
なお、コイルの種類は、巻線とフェライトコアの配置などから、ソレノイド型と、スパライラル型があるが、いずれの型でもよい。
【００６３】
以上のようにして、送電装置１は、周波数ホッピングの対象とする周波数に応じたパラメータセットを用いて周波数ホッピングを行いつつ、受電装置２に対し送電を行うことができる。
【００６４】
受電装置２は、相互誘導により受電コイル２１１に生じた電力を受け取る。受電コイル２１１の種類は、送電コイル１５２同様、いずれの型でもよい。
【００６５】
整流部２１２は、受電コイル２１１からの高周波電流を整流し、バッテリー、他の装置などに流すためのものである。図９は、整流部の内部構成の一例を示す図である。整流部２１２は、補償回路２１２１と、フィルタ２１２２と、整流回路（リップ除去回路）２１２３と、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２４と、を備える。なお、整流部２１２の構成は、高周波電流を整流することができればよく、図９の例に限られるわけではない。
【００６６】
受電コイル２１１からの高周波電流は、補償回路２１２１およびフィルタ２１２２を介して、整流器２１２３へ伝送される。補償回路２１２１もキャパシタなどにより構成されていてもよく、当該キャパシタは、受電コイル２１１に直列に接続されていても、並列に接続されていてもよい。フィルタ２１２２も、キャパシタ、インダクタ、またはこれらの組み合わせから構成されていてもよい。また、電磁妨害に対する磁界強度が許容値に対して十分に低い場合は、フィルタ２１２２はなくてもよい。
【００６７】
整流器２１２３は、例えば、フルブリッジのダイオードなどにより構成されていてもよい。整流後の電流は、リップル成分を多く含む。ゆえに、整流器２１２３は、リップルを除去するために、キャパシタ、インダクタ、またはこれらの組み合わせからなるリップル除去回路を含んでいてもよい。ＤＣ−ＤＣコンバータ２１２４は、整流器２１２３の整流後に電圧変換を行う。そして、整流、変圧等が整流部２１２により行われた電流が、他の構成要素、例えばバッテリー等に送られる。以上のようにして、受電装置２は受電を行うことができる。
【００６８】
以上のように、本実施形態によれば、基本波および高調波のいずれかにおいて、周波数拡散効果が得られない場合でも、周波数拡散効果が得られない方に対象を切り替えることにより、対象の周波数拡散効果を得ることができる。
【００６９】
非接触電力伝送システムの漏洩磁界は、シールドルーム等の実験室内で許容値を満たしているかの検証や最終設置場所での測定が必要となる。シールドルームや設置場所にて許容値を満たしていないことが判明した場合、その場で対策を行い、許容値以下とすることも必要となってくる。
【００７０】
漏洩磁界低減の対象は基本波および高調波であり、シールドルームや設置場所の環境でどちらに周波数拡散による低減を適用するか、測定を実施しながら調整することも必要となる。本実施形態によれば、そのような事態に対しても、即座に対応可能なように、対象を基本波から高周波に、または、高周波から基本波に切り替えることができる。
【００７１】
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図である。第２の実施形態は、第１の実施形態の記憶部１３が複数に分けられている点と、スイッチ１６およびスイッチ制御部を新たに備えている点が第１の実施形態とは異なる。第１の実施形態と同様な点は、説明を省略する。
【００７２】
第１実施形態の記憶部１３は、通過帯域幅ごとに分けられおり、それぞれ対応する通過帯域幅において用いられるパラメータセットを記憶している。図２の例では、第１パラメータセットを記憶する第１記憶部１３Ａと、第２パラメータセットを記憶する第２記憶部１３Ｂと、が示されている。
【００７３】
スイッチ１６は、複数の記憶部１３と、送電制御部１４と、に接続されており、スイッチングにより、複数の記憶部１３のいずれかと、送電制御部１４と、を電気的に接続する。スイッチ制御部１７は、外部からの入力を受け付けて、送電制御部１４が当該入力に対応する記憶部１３と接続されるように、スイッチ１６を制御する。例えば、電気信号を受け付けて、スイッチ１６を切り替えるようにしてもよい。あるいは、スイッチ制御部は、単なるスイッチレバーであってもよい。その場合、ユーザは、スイッチレバーを切り替えるだけで、使用するパラメータセットを切り替えることができる。
【００７４】
あるいは、スイッチ制御部に対して、通過帯域幅、周波数ホッピングの対象とする周波数などの情報が入力されて、スイッチ制御部が入力された情報から接続すべき記憶部１３を判断してもよい。
【００７５】
送電制御部１４は、１つの記憶部１３としか電気的に接続されておらず、その電気的に接続された記憶部１３が記憶するパラメータセットを取得する。ゆえに、本実施形態では、送電制御部１４は、いずれのパラメータセットを取得するかを判断せず、前述の指標は省略されてよい。送電制御部１４が、取得したパラメータセットに基づき、送電部を制御する点は、第１の実施形態と同様である。
【００７６】
以上のように、第２の実施形態によれば、スイッチにより送電制御部１４の接続先を切り替えることにより、使用するパラメータセットを容易に切り替えることができる。
【００７７】
（第３の実施形態）
これまでの実施形態では、基本波および高調波の対応する通過帯域幅が異なる場合、基本波および高調波のいずれかにおいて周波数拡散効果が得られないため、周波数拡散効果を得たい方に、周波数ホッピングの対象を切り替えた。一方、本実施形態では、基本波および高調波の対応する通過帯域幅が異なる場合でも、基本波と高調波の両方に対して周波数拡散効果が得られるような周波数ホッピングを実行する。
【００７８】
図１１は、第３の実施形態に係る電力伝送システムの一例を示すブロック図である。第３の実施形態は、送電装置がパラメータセット生成部１８をさらに備える点が、第１の実施形態とは異なる。第１の実施形態と同様な点は、説明を省略する。
【００７９】
パラメータセット生成部１８は、基本波および高周波の双方で周波数拡散効果が得られるパラメータセットを算出する。当該パラメータセットを第３パラメータセットと記載し、第３パラメータセットによる周波数ホッピングを混合拡散と記載する。
【００８０】
前述の通り、周波数ホッピングの周期は、通過帯域幅の参照帯域の逆数と概ね一致することが好ましい。ゆえに、第１パラメータによる周波数ホッピングの周期は約５ｍｓｅｃ（１／２００Ｈｚ）程度が適しており、第２パラメータによる周波数ホッピングの周期は約０．１ｍｓｅｃ（１／９ｋＨｚ）程度が適しており、適する周期が１桁以上異なる。ゆえに、遷移値が、約０．１ｍｓｅｃの周期で遷移しつつ、約５ｍｓｅｃの周期でも遷移しているような、周波数ホッピングを行えば、基本波および高調波の対応する通過帯域幅が異なる場合でも、基本波と高調波の両方に対して周波数拡散効果が得られる。
【００８１】
図１２は、第３パラメータセットについて説明する図である。図１２（Ａ）は、第１パラメータによる周波数ホッピングにおける周波数の遷移（長周期の周波数遷移）を示す図である。図１２（Ｂ）は、第２パラメータによる周波数ホッピングにおける周波数の遷移（短周期の周波数遷移）を示す図である。図１２（Ａ）の長周期の周波数ホッピングでは、遷移幅が３００Ｈｚで一定のｆＮ１からｆＮ８までの遷移値が用いられている。長周期の周波数ホッピングの周期は、約５ｍｓｅｃ（５０００μｓｅｃ）である。図１２（Ｂ）の短周期の周波数ホッピングでは、遷移幅が１２００Ｈｚで一定のｆＨ１からｆＨ４までの遷移値を用いて行われている。長周期の周波数ホッピングの周期は、約０.１ｍｓｅｃ（１００μｓｅｃ）である。なお、ここでは、ｆＮ１とｆＨ１は同じ値としている。また、遷移幅がちょうど４倍であるから、ｆＨ１＝ｆＮ１、ｆＨ２＝ｆＮ６、ｆＨ３＝ｆＮ１１、ｆＨ４＝ｆＮ１６である。
【００８２】
図１２（Ｃ）は、混合拡散における周波数の遷移を示す図である。図１２（Ａ）のような長周期の周波数遷移と、図１２（Ｂ）に示すような短周期の周波数遷移と、を合成すると、短周期の周波数遷移に、長周期の周波数遷移がオフセットとして載っているような図１２（Ｃ）のような周波数遷移を行うことができる。図１２（Ｃ）に示すように、混合拡散における遷移値はｆＡ１からｆＡ２３までとなっている。
【００８３】
図１２（Ｄ）は、図１２（Ｃ）の点線枠で囲まれた部分を示したものである。図１２（Ｄ）に示すように、周波数は、当初、｛ｆＡ１、ｆＡ６、ｆＡ１１、ｆＡ１６、ｆＡ１６、ｆＡ１１、ｆＡ６、ｆＡ１｝の組み合わせにおいて、当該組み合わせ内で周期的に遷移している。この遷移は、短周期の遷移と同じであり、当該周期は、約１００μｓｅｃ（０．１ｍｓｅｃ）であり、１回あたりの遷移幅は１２００Ｈｚである。
【００８４】
その後、一定時間経過した時点で、｛ｆＡ２、ｆＡ７、ｆＡ１２、ｆＡ１７、ｆＡ１７、ｆＡ１２、ｆＡ７、ｆＡ２｝の組み合わせにおいて、当該組み合わせ内で周期的に遷移している。その後、再び一定時間経過して時点で、｛ｆＡ３、ｆＡ８、ｆＡ１３、ｆＡ１８、ｆＡ１８、ｆＡ１３、ｆＡ８、ｆＡ３｝の組み合わせにおいて、当該組み合わせ内で周期的に遷移している。このように、一定時間経過する度に、組み合わせの構成要素、つまり用いられる遷移値の番号が一つ増加している。整数iを用いると、i番目の組み合わせＦＡiはＦＡi＝｛ｆＡｉ、ｆＡｉ＋５、ｆＡｉ＋１０、ｆＡｉ＋１５、ｆＡｉ＋１５、ｆＡｉ＋１０、ｆＡｉ＋５、ｆＡｉ｝と表すことができる。そして、８番目の組み合わせＦＡ８｛ｆＡ８、ｆＡ１３、ｆＡ１８、ｆＡ２３、ｆＡ２３、ｆＡ１８、ｆＡ１３、ｆＡ８｝まで増加し、８番目の組み合わせＦ８以降は、降順にて組み合わせが遷移する。こうして、組み合わせＦＡiの遷移が周期的に繰り返されている。この組み合わせの遷移は、長周期の遷移と同じであり、当該周期は、約５０００μｓｅｃ（５ｍｓｅｃ）、組み合わせの１回あたりの遷移幅は３００Ｈｚである。
【００８５】
このように、図１２（Ｃ）および１０（Ｄ）に示した周波数遷移は、約０．１ｍｓｅｃの短周期にて遷移する成分（組合せＦＡi内の構成要素）と、約５ｍｓｅｃの長周期にて遷移する成分（組合せＦＡi）を有している。ゆえに、基本波および高調波の対応する通過帯域幅が異なる場合でも、約０．１ｍｓｅｃの短周期により、高周波に対する周波数拡散効果が得られ、約５ｍｓｅｃの長周期により、基本波に対する周波数拡散効果が得られる。ゆえに、このような短周期と長周期の双方を有する第３パラメータセットを用いることにより、基本波および高周波の双方で周波数拡散効果が得られる。
【００８６】
パラメータセット生成部１８は、第１パラメータセットと、第２パラメータと、に基づき、図１２（Ｃ）のように周波数が遷移するような周波数ホッピングを行うための第３パラメータセットを決定する。第１パラメータセットによる周波数遷移と、第２パラメータセットによる周波数遷移と、による合成波を生成した上で、当該合成波から、第３パラメータセットを導出すればよい。しかし、単なる合成波では、不具合が生じることもあるため、次の条件を満たすようにする。
【００８７】
第１の条件は、これまでの実施形態と同様、短周期の拡散帯域幅が、長周期の拡散帯域幅よりも広くなるようにすることである。短周期の拡散帯域幅は、同じ組み合わせ内の最小遷移値と最大遷移値までの間隔であり、ｆＡｉからｆＡｉ＋１５までである。長周期の拡散帯域幅は、１番目の組み合わせのｊ（ｊは1以上の整数）番目の遷移値と、周波数が最も増加した組み合わせのｊ番目の遷移値までの間隔である。つまり、図１２の例では、ｆＡ１からｆＡ８、ｆＡ６からｆＡ１３、ｆＡ１１からｆＡ１８、ｆＡ１６からｆＡ２３のいずれかを意味する。
【００８８】
第２の条件は、これまでの実施形態と同様、短周期の遷移幅が、長周期の遷移幅よりも小さくなるようにすることである。図１２の例では、短周期の遷移幅は１２００Ｈｚであり、長周期の遷移幅は３００Ｈｚであったため、図１２の例では、第１パラメータセットおよび第２パラメータセットに含まれる遷移値をそのまま用いればよい。
【００８９】
第３の条件は、混合拡散による拡散帯域幅が、許容可能な帯域幅に含まれるようにすることである。短周期の拡散帯域幅と、長周期の拡散帯域幅とが、許容可能な帯域幅に含まれていたとしても、混合拡散による拡散帯域幅が許容可能な帯域幅に含まれるとは限らないためである。例えば、混合拡散における最大の遷移値は、８番目の組み合わせＦＡ８の最大値であるｆＡ２３である。このｆＡ２３は、長周期に対する周波数ホッピングの最大の遷移値ｆＮ８に対して、短周期に対する周波数ホッピングの最大の遷移値と最小の遷移値との差分ｆＨ４−ｆＨ１（ｆＮ16−ｆＮ１）が合算された値である。ゆえに、ｆＡ２３＝ｆＮ８＋ｆＨ４−ｆＨ１（ｆＮ８＋ｆＮ１６−ｆＮ１）が成り立つ。ゆえに、長周期に対する周波数ホッピングの最大の遷移値と、短周期に対する周波数ホッピングの最大の遷移値と最小の遷移値との差分との総和が、混合拡散に利用可能な帯域幅の上限値を超えないようにする必要がある。
【００９０】
なお、高調波の周波数帯域の両端に、遷移幅の半分程度の帯域を、マージン（使用しない帯域）として設けてもよい。高調波に対する周波数ホッピングにおける想定される遷移幅（例えば２ｋＨｚ程度）では、周波数の遷移に伴い、周波数スペクトルのサイドローブの広がりが生じる。ゆえに、マージンを設けることにより、サイドローブの影響を受けないようにしてもよい。その場合、高調波の周波数帯域の上限値からマージンを引いた値が、混合拡散における最大の遷移値に対する上限値となる。
【００９１】
パラメータセット生成部１８は、合成波が上記の条件を満たさない場合は、上記の条件を満たすように、合成波のパラメータを変更すればよい。変更方法は、任意に定めてよい。
【００９２】
パラメータセット生成部１８は、生成された第３パラメータセットを記憶部１３に送信する。これにより、記憶部１３は、第３パラメータセットも記憶する。なお、直接、第３パラメータセットが、パラメータセット生成部１８から送電制御部１４に直接送られてもよい。
【００９３】
送電制御部１４は、第３パラメータセットを使用するように入力された場合、記憶部１３から第３パラメータセットを取得し、第３パラメータセットに基づく周波数ホッピングを行うように、送電部１５を制御する。第３パラメータセットの指定は、第１の実施形態で示された指標を用いてもよいし、第２の実施形態で示されたように、第３パラメータセットのみを記憶する記憶部と送電制御部１４とをスイッチ１６で接続してもよい。これにより、基本波および高調波の対応する通過帯域幅が異なる場合でも、基本波と高調波の両方に対して周波数拡散効果が得られるような周波数ホッピングを実行することができる。
【００９４】
なお、上記では、パラメータセット生成部１８が第３パラメータセットを生成するとした。しかし、第３パラメータセットを外部で生成する場合も想定される。当該想定においては、パラメータセット生成部１８は省略されてもよく、また、記憶部１３は、第３パラメータだけを記憶していてもよい。
【００９５】
以上のように、第３の実施形態によれば、基本波および高周波の双方で周波数拡散効果が得られる第３パラメータセットが生成される。そして、第３パラメータセットによる周波数ホッピングが行われることにより、基本波および高調波の双方で周波数拡散の効果を得ることができる。
【００９６】
また、記憶部１３に第１から第３までのパラメータセットが記憶されている場合、電力伝送を実行するユーザは、基本波に対する周波数ホッピングと、高調波に対する周波数ホッピングと、基本波および高調波の双方に対する周波数ホッピングと、の三つの選択肢から、実行する周波数ホッピングを選択することができる。これにより、テスト環境、設置現場などの状況に応じた調整を、より容易に行うことが可能となる。
【００９７】
なお、本実施形態の各処理は専用の回路で実現されることを想定しているが、周波数を変更するタイミングの指定など、回路の制御に関する処理は、ＣＰＵがメモリに格納されたプログラムを実行することにより実現されてもよい。
【００９８】
上記に、本発明の一実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９９】
１  送電装置
１１  ＡＣ電源
１２  ＡＣ−ＤＣコンバータ
１３  記憶部
１３Ａ  第１記憶部
１３Ｂ  第２記憶部
１４  送電制御部
１５  送電部
１５１  高周波電流生成部
１５１１  高周波電流生成部のＤＣ−ＤＣコンバータ
１５１２  インバータ
１５１３  高周波電流生成部のフィルタ
１５１４  高周波電流生成部の補償回路
１５２  送電コイル
１６  スイッチ１６
１７  スイッチ制御部
１８  パラメータセット生成部
２  受電装置
２１  受電部
２１１  受電コイル
２１２  整流部
２１２１  整流部の補償回路
２１２２  整流部のフィルタ
２１２３  整流器
２１２４  整流部のＤＣ−ＤＣコンバータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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