(57)【要約】【課題】環状の砥石の側面の摩耗と強度の低下を抑制する。【解決手段】ニッケルを含む結合材で砥粒を固定した砥石部を備え、中央に貫通孔を有する環状の砥石であって、該砥石部は、第１の層と、多孔質構造を有する第２の層と、が該貫通孔の貫通方向に沿って交互に積層され、外部に露出する両最外層が該第１の層である計３層以上の積層構造を含む。該環状の砥石は、基台を陰極とし、ニッケル電極を陽極としてめっき液に直流電流を流すことで該基台の表面に該砥粒を含むめっき層を堆積させて砥石部を形成し、該基台の全部又は一部を除去して該砥石部の該基台で覆われていた領域の全部又は一部を露出させることで製造できる。めっき層を堆積させる際は、直流電流の電流密度を所定値以下の電流密度と、該所定値以上の電流密度と、に交互に変えることで、前記第１の層と、前記第２の層と、を交互に積層させる。【選択図】図２
2019130649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケルを含む結合材で砥粒を固定した砥石部を備え、中央に貫通孔を有する環状の砥石であって、
該砥石部は、第１の層と、多孔質構造を有する第２の層と、が該貫通孔の貫通方向に沿って交互に積層され、外部に露出する両最外層が該第１の層である計３層以上の積層構造を含むことを特徴とする環状の砥石。
【請求項２】
前記第１の層は、前記第２の層が有する多孔質構造に含まれる孔の径よりも小さな径の孔を含む多孔質構造を有することを特徴とする請求項１に記載の環状の砥石。
【請求項３】
前記第１の層は、多孔質構造を有さないことを特徴とする請求項１に記載の環状の砥石。
【請求項４】
前記砥石部のみからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の環状の砥石。
【請求項５】
環状基台をさらに備え、
前記砥石部は、該環状基台の外周縁に配設されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の環状の砥石。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の環状の砥石の製造方法であって、
前記砥粒が混入されたニッケルめっき液と、多孔質構造の形成に寄与する添加剤と、が収容されためっき浴槽を準備するめっき浴槽準備工程と、
基台と、ニッケル電極と、を該めっき浴槽に浸漬する浸漬工程と、
該基台を陰極とし、該ニッケル電極を陽極として該めっき液に直流電流を流すことで、該基台の表面に該砥粒を含むめっき層を堆積させて前記砥石部を形成する砥石部形成工程と、
該基台の全部又は一部を除去して前記砥石部の該基台で覆われていた領域の全部又は一部を露出させる基台除去工程と、を備え、
該砥石部形成工程では、該直流電流の電流密度を所定値以下の電流密度と、該所定値以上の電流密度と、に交互に変えることで、前記第１の層と、前記第２の層と、を交互に積層させて該砥石部を形成することを特徴とする環状の砥石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削装置に装着される環状の砥石、及び該環状の砥石の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスチップは、例えば、半導体を含む円板状のウェーハが切断されることで形成される。例えば、交差する複数の分割予定ラインをウェーハの表面に設定し、分割予定ラインで区画された各領域に該半導体を含むＩＣ(Integrated Circuit)等のデバイスを形成する。そして、ウェーハを該分割予定ラインに沿って分割すると個々のデバイスチップが形成される。
【０００３】
近年、電子機器の小型化・薄型化に伴い、該電子機器に搭載されるデバイスチップに対しても小型化・薄型化への要求が高まっている。薄型のデバイスチップを形成するには、例えば、ウェーハの表面に複数のデバイスを形成した後、ウェーハの裏面を研削して該ウェーハを所定の厚みに薄化し、その後、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割する。
【０００４】
ウェーハの分割には、環状の砥石（切削ブレード）を備えた切削装置が使用される。切削装置では、ウェーハ等の被加工物に垂直な面内に環状の砥石を回転させながら該被加工物に切り込ませる。該環状の砥石は、砥粒と、該砥粒が分散された結合材と、を有し、結合材から適度に露出した砥粒が被加工物に接触することで被加工物が切削される（特許文献１参照）。
【０００５】
被加工物の切削加工を進めると砥粒が結合材から脱落するが、刃先が消耗して次々に該結合材から新たな砥粒が露出される。この作用は自生発刃と呼ばれており、該自生発刃の作用により該環状の砥石の切削能力は一定以上に保たれる。
【０００６】
ところで、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)等の光デバイスでは、機械的・熱的特性が優れ、化学的にも安定なサファイア基板が使用される。サファイア基板に複数の光デバイスを形成し、該光デバイス毎にサファイア基板を分割すると、光デバイスチップを形成できる。しかし、サファイア基板は硬度が非常に高い難削材と呼ばれる素材である。
【０００７】
難削材の切削には、例えば、環状基台の外周縁に電解めっき等の方法で砥石部が電着されたハブタイプと呼ばれる環状の砥石が使用される。より具体的には、該環状の砥石は、例えば、ダイヤモンド粒等の砥粒を分散させたニッケル層等の結合材をアルミニウム基台に電着して形成された環状の砥石である。なお、電解めっきで形成される環状の砥石は、電着砥石とも呼ばれる。
【０００８】
ニッケル層を結合材とする電着砥石では結合材に砥粒が強く固定されるため、該電着砥石では自生発刃が生じにくく、砥石の切削能力を十分に維持できないとの問題があった。そこで、自生発刃の作用を容易に発現させるために、多孔質構造の結合材を備える環状の砥石が開発された（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−８７２８２号公報
【特許文献２】特開２０１６−１６８６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
結合材が多孔質構造である環状の砥石で被加工物を切削すると、結合材が消耗して自生発刃が適度に生じ、該環状の砥石の切削能力が一定以上に保たれる。しかし、該環状の砥石の側面も摩耗し易いため、該環状の砥石の強度は低い。
【００１１】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、多孔質構造を含み自生発刃が生じ易い環状の砥石の側面の摩耗を抑制でき、強度の低下が抑制された環状の砥石、及び該環状の砥石の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によれば、ニッケルを含む結合材で砥粒を固定した砥石部を備え、中央に貫通孔を有する環状の砥石であって、該砥石部は、第１の層と、多孔質構造を有する第２の層と、が該貫通孔の貫通方向に沿って交互に積層され、外部に露出する両最外層が該第１の層である計３層以上の積層構造を含むことを特徴とする環状の砥石が提供される。
【００１３】
該環状の砥石は、好ましくは、前記第１の層は、前記第２の層が有する多孔質構造に含まれる孔の径よりも小さな径の孔を含む多孔質構造を有する。または、前記第１の層は、多孔質構造を有さない。
【００１４】
また、該環状の砥石は、好ましくは、前記砥石部のみからなる。または、環状基台をさらに備え、該砥石部は、該環状基台の外周縁に配設されている。
【００１５】
本発明の他の一態様によれば、前記環状の砥石の製造方法であって、前記砥粒が混入されたニッケルめっき液と、多孔質構造の形成に寄与する添加剤と、が収容されためっき浴槽を準備するめっき浴槽準備工程と、基台と、ニッケル電極と、を該めっき浴槽に浸漬する浸漬工程と、該基台を陰極とし、該ニッケル電極を陽極として該めっき液に直流電流を流すことで、該基台の表面に該砥粒を含むめっき層を堆積させて前記砥石部を形成する砥石部形成工程と、該基台の全部又は一部を除去して前記砥石部の該基台で覆われていた領域の全部又は一部を露出させる基台除去工程と、を備え、該砥石部形成工程では、該直流電流の電流密度を所定値以下の電流密度と、該所定値以上の電流密度と、に交互に変えることで、前記第１の層と、前記第２の層と、を交互に積層させて該砥石部を形成することを特徴とする環状の砥石の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様に係る環状の砥石は、第１の層と、多孔質構造を有する第２の層と、が貫通孔の貫通方向に交互に並ぶ計３層以上の積層構造を含む砥石部を備えている。そして、外部に露出する該積層構造の両最外層は第１の層である。
【００１７】
該環状の砥石は多孔質構造を有する第２の層を含むため、該多孔質構造を有する第２の層を全く含まない環状の砥石と比較して砥石部が消耗しやすく、消耗による自生発刃が生じ易い。その一方で、第１の層も含むため、多孔質構造を有する第２の層のみで砥石部が形成された環状の砥石と比較して強度が高い。さらに、積層構造の最外層は第１の層であるため、該環状の砥石の側面が摩耗しにくい。
【００１８】
したがって、本発明の一態様により、多孔質構造を含む自生発刃が生じ易い環状の砥石の側面の摩耗を抑制でき、強度の低下が抑制された環状の砥石、及び該環状の砥石の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（Ａ）は、砥石部からなる環状の砥石を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、環状基台及び砥石部を備える環状の砥石を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、砥石部を模式的に示す断面図であり、図２（Ｂ）は、砥石部の一例の断面写真である。
【図３】砥石部からなる環状の砥石の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、砥石部形成工程を模式的に示す断面図であり、図４（Ｂ）は、基台除去工程を模式的に示す断面図である。
【図５】砥石部及び環状基台を備える環状の砥石の製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、砥石部形成工程を模式的に示す断面図であり、図６（Ｂ）は、基台除去工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態に係る環状の砥石（切削ブレード）の一例として、砥石部からなる環状の砥石を模式的に示す斜視図である。図１（Ａ）に示す環状の砥石１ａは、ワッシャータイプと呼ばれる環状の砥石である。
【００２１】
該環状の砥石１ａは、中央に貫通孔を有する円環状の砥石部３ａからなる。該環状の砥石１ａは切削装置の切削ユニットに装着される。該貫通孔にはスピンドルが通され、該スピンドルが回転することで該環状の砥石１ａが該貫通孔の伸長方向に垂直な面内に回転される。そして、回転する環状の砥石１ａの砥石部３ａを被加工物に接触させると、被加工物が切削される。
【００２２】
なお、本実施形態に係る環状の砥石はこれに限定されない。図１（Ｂ）は、環状基台及び砥石部を備える環状の砥石を模式的に示す斜視図である。図１（Ｂ）に示す環状の砥石１ｂは、環状基台５の外周縁に砥石部３ｂが配設されたハブタイプと呼ばれる砥石である。該環状基台５は、該環状の砥石１ｂを切削装置の切削ユニットに着脱する際に切削装置の使用者（オペレータ）が持つ把持部５ａを有する。
【００２３】
該砥石部３ａ，３ｂは、例えば、ダイヤモンド砥粒等の砥粒を分散させたニッケル層等の結合材を基台に電着して形成される。なお、電解めっき等の方法で形成される環状の砥石１ａ，１ｂは、電着砥石とも呼ばれる。
【００２４】
環状の砥石１ａ，１ｂの該砥石部３ａ，３ｂは、結合材と、該結合材中に分散され固定された砥粒と、を含む。結合材から適度に露出した砥粒が被加工物に接触することで被加工物が切削される。被加工物の切削を進めると砥粒が結合材から脱落するが、刃先が消耗して次々に該結合材から新たな砥粒が露出される。この作用は自生発刃と呼ばれており、該自生発刃の作用により該環状の砥石１ａ，１ｂの切削能力は一定以上に保たれる。
【００２５】
該被加工物は、例えば、シリコン、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。例えば、被加工物の表面は格子状に配列された複数の分割予定ラインで区画されており、区画された各領域にはＩＣ（Integrated Circuit）やＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイスが形成されている。最終的に、被加工物が分割予定ラインに沿って分割されることで、個々のデバイスチップが形成される。
【００２６】
なお、ニッケル層を結合材とする電着砥石では結合材に砥粒が強く固定されるため、該電着砥石では自生発刃が生じにくく、砥石の切削能力を十分に維持しにくい。これに対して、自生発刃の作用が容易に発現する多孔質構造の結合材を備える砥石で被加工物を切削すると、該砥石の側面が摩耗し易く該砥石の強度が低下してしまう。
【００２７】
そこで、互いに構造の異なる第１の層と、第２の層と、が交互に積層された砥石部３ａ，３ｂを備えた本実施形態に係る環状の砥石１ａ，１ｂを使用する。以下、砥石部の構造についてワッシャータイプの環状の砥石１ａを例に説明する。
【００２８】
図２（Ａ）は、砥石部３ａを模式的に示す断面図である。図２（Ｂ）は、実際に作製した環状の砥石１ａの砥石部３ａの断面写真である。なお、該断面写真は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ；Scanning Electron Microscope）により撮影された写真である。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す通り、砥石部３ａの結合材では、第１の層７と、第２の層９と、が交互に並ぶ計３層以上の積層構造を含み、外部に露出する該積層構造の両最外層は第１の層７である。
【００２９】
ここで、第１の層７は、第２の層９が有する多孔質構造に含まれる孔の径よりも小さな径の孔を含む多孔質構造を有する。または、第１の層７は、多孔質構造を有さない。このような構造を有する第１の層７は、第２の層９と比較して、強度が高く消耗しにくい層となる。
【００３０】
なお、第１の層７が多孔質構造を有する場合、第１の層７が有する多孔質構造に含まれる孔と、第２の層９が有する多孔質構造に含まれる孔と、の径の大小関係は、それぞれの多孔質構造に含まれる複数の孔の平均径を比較することで評価できる。または、ＳＥＭにより撮影された写真から導出できる。さらに、他の方法で評価されてもよい。
【００３１】
該環状の砥石１ａは、多孔質構造を有する第２の層９を含むため、該多孔質構造を有する第２の層９を全く含まない環状の砥石と比較して、消耗による自生発刃が生じ易い。砥石部３ａを構成する結合材中には砥粒１１が分散されている。環状の砥石１ａで難削材を切削する場合でも、該砥石部３ａが適度に消耗して次々と新しい砥粒１１が露出するため、該環状の砥石１ａの切削能力は十分に維持される。
【００３２】
その一方で、該環状の砥石１ａは第１の層７を含むため、第２の層９のみからなる砥石部を備える環状の砥石と比較して強度が高くなる。さらに、砥石部３ａの最外層は強度の高い該第１の層７であるため、該環状の砥石１ａの側面が摩耗しにくい。
【００３３】
次に、図１（Ａ）に示すワッシャータイプの環状の砥石１ａの製造方法について説明する。図３は、砥石部のみからなる環状の砥石１ａの製造工程を模式的に示す断面図である。環状の砥石１ａは、例えば、電解めっき等の方法で形成される。該製造方法では、まず、砥粒が混入されたニッケルめっき液１６と、多孔質構造を有する層を含むめっき層の形成に寄与する添加剤１８と、が収容されためっき浴槽２を準備するめっき浴槽準備工程を実施する。
【００３４】
ニッケルめっき液１６は、硫酸ニッケルや硝酸ニッケル等のニッケル（イオン）を含む電解液であり、ダイヤモンド等の砥粒が混入されている。なお、本実施形態では、硫酸ニッケルを２７０ｇ／Ｌ、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌ、ホウ酸を４０ｇ／Ｌ含むニッケルめっき液１６（ワット浴）を６Ｌ使用している。ただし、ニッケルめっき液１６の構成や使用量は任意に設定できる。
【００３５】
このニッケルめっき液１６には、図３に示すように、多孔質化を促進するための添加剤１８がさらに添加される。添加剤１８としては、アルキル基、アリール基、アラルキル基等の疎水性基を有する水溶性のアンモニウム化合物を含むもの用いることが好ましい。
【００３６】
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル等の直鎖又は分枝を有する炭素数が１〜２０のアルキル基を挙げることができる。
【００３７】
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。また、アリール基には、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子、メチル、エチル等のアルキル基、トリフルオロメチル等のハロアルキル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、フェニル等のアリール基等の置換基が結合していてもよい。
【００３８】
アラルキル基としては、例えば、２−フェニルエチル、ベンジル、１−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル等の炭素数が７〜１０のアラルキル基等を挙げることができる。アラルキル基には、アリール基と同様の置換基が結合していても良い。
【００３９】
アンモニウム化合物としては、ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、テトラデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、オクタデシルトリメチルアンモニウムクロライド、フェニルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロライド、ベンジルトリブチルアンモニウムクロライド、ジデシルジメチルアンモニウムクロライド、ドデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、オクタデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド、ドデシルピリジニウムクロライド、ベンジルピリジニウムクロライド、これらの臭化物、硫酸塩等を挙げることができる。なお、これらのアンモニウム化合物は、単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いても良い。
【００４０】
本実施形態では、添加剤１８として奥野製薬工業株式会社製の「トップポーラスニッケルＲＳＮ」を用い、ニッケルめっき液１６に対して１ｍＬ/Ｌ以上１０ｍＬ/Ｌ以下となるように添加する。
【００４１】
めっき浴槽準備工程を実施した後には、電着により砥石部３ａが形成される基台２０ａと、ニッケル電極６と、をめっき浴槽２内のニッケルめっき液１６に浸漬する浸漬工程を実施する。基台２０ａは、例えば、ステンレスやアルミニウム等の金属材料で円盤状に形成されており、その表面には、所望の砥石部３ａの形状に対応したマスク２２ａが形成されている。なお、本実施形態では、円環状の砥石１ａを形成できるようなマスク２２ａが形成される。
【００４２】
基台２０ａは、スイッチ８を介して直流電源１０のマイナス端子（負極）に接続される。一方、ニッケル電極６は、直流電源１０のプラス端子（正極）に接続される。ただし、スイッチ８は、ニッケル電極６と直流電源１０との間に配置されても良い。
【００４３】
浸漬工程を実施した後には、基台２０ａを陰極、ニッケル電極６を陽極としてニッケルめっき液１６に直流電流を流し、マスク２２ａで覆われていない基台２０ａの表面に砥粒及びめっき層を堆積させて砥石部３ａを形成する砥石部形成工程を実施する。図４（Ａ）は、砥石部形成工程を模式的に示す断面図である。
【００４４】
具体的には、図３に示すように、モータ等の回転駆動源１２でファン１４を回転させてニッケルめっき液１６を攪拌しながら、基台２０ａと直流電源１０との間に配置されたスイッチ８を短絡させる。これによって、図４（Ａ）に示すように、ニッケルを含むめっき層中に砥粒が概ね均等に分散された砥石部３ａを形成できる。所望の厚さの砥石部３ａが得られると、砥石部形成工程は終了する。
【００４５】
なお、該砥石部形成工程では、直流電源１０の電流密度を所定値以下の電流密度と、該所定値以上の電流密度と、に交互に変える。ここで、電流密度とは、単位面積当たりの電流値であり、より詳細にはめっき層を形成する面積（マスク２２ａで露出される基台２０ａの面積）に対する該直流電流の電流値である。
【００４６】
ニッケルを含むめっき層を形成する際、比較的高い電流密度で直流電流を流すと孔の径の大きい多孔質構造を有する層が形成されやすい。そして、形成されるめっき層中の多孔質構造の孔の径は電流密度が低くなるほど小さくなる傾向にあり、さらに低い電流密度で直流電流を流すと多孔質構造と認められない構造となる。
【００４７】
そこで、砥石部形成工程では、所定値以下の電流密度と、該所定値以上の電流密度と、に交互に代えて直流電流を流すことにより、強度の高い第１の層７と、多孔質構造を有する第２の層９と、を交互に積層する。ここで、電流密度の該所定値とは、ニッケルめっき液１６の各成分の混合割合や、形成予定の砥石部３ａの構造等により適宜設定される値である。
【００４８】
なお、環状の砥石１ａの外側に露出する積層構造の両最外層を強度の高い第１の層７とするために、直流電流をめっき浴槽２に流し始めるとき及び流し終わるときには該直流電流が該所定値未満の電流密度となるように直流電源１０を制御する。
【００４９】
次に、該基台２０ａの全部又は一部を除去して該砥石部３ａの該基台２０ａで覆われていた領域の全部又は一部を露出させる基台除去工程を実施する。図４（Ｂ）は、基台除去工程を模式的に示す断面図である。図４（Ｂ）に示す例では、基台２０ａから砥石部３ａを剥離させることで基台２０ａの全部を砥石部３ａから除去する。これにより、ワッシャータイプの環状の砥石１ａが完成する。図２（Ｂ）に示す断面写真は、本製造方法で製造した環状の砥石１ａの砥石部３ａの断面を撮影したＳＥＭ像である。
【００５０】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ワッシャータイプの環状の砥石１ａの製造方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。該製造方法によると、例えば、図１（Ｂ）に示すハブタイプの環状の砥石１ｂも製造できる。
【００５１】
ここで、ハブタイプの環状の砥石１ｂの製造方法について説明する。図５は、砥石部及び環状基台を備える環状の砥石１ｂの製造工程を模式的に示す断面図である。環状の砥石１ｂは、環状の砥石１ａと同様に、例えば、めっき浴槽２における電解めっき等の方法で形成される。該製造方法では、環状の砥石１ａの製造方法と同様に、めっき浴槽準備工程を実施する。
【００５２】
めっき浴槽２、ニッケルめっき液１６、及び添加剤１８の構成は、上述の環状の砥石１ａの製造方法と同様であるため説明を省略する。ただし、直流電源１０の負極に接続される基台２０ｂの一部は環状の砥石１ｂの砥石部３ｂを支持する環状基台５となるため、基台２０ｂの形状は、該環状基台５に対応した形状とする。また、基台２０ｂの表面には砥石部３ｂの形状に対応した形状のマスク２２ｂを形成する。そして、上述の環状の砥石１ａの製造方法と同様に、浸漬工程と、砥石部形成工程と、を実施する。
【００５３】
次に、該基台２０ｂの一部を除去して該砥石部３ｂの該基台２０ｂで覆われていた領域の一部を露出させる基台除去工程を実施する。なお、図６（Ａ）に示す通り、基台除去工程を実施する前に予めマスク２２ｂを基台２０ｂから除去しておく。
【００５４】
そして、図６（Ｂ）に示すように、基台２０ｂにおいて砥石部３ｂが形成されていない側の外周領域を部分的にエッチングして、基台２０ｂに覆われていた砥石部３ｂの一部を露出させる。これにより、環状基台５の外周領域に砥石部３ｂが固定されたハブタイプの環状の砥石１ｂが完成する。なお、把持部５ａは該エッチングにより環状基台５に形成してもよく、基台２０ｂに予め形成してもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、該直流電流の電流密度を所定値以下にして強度の高い第１の層７を形成し、電流密度を所定値以上にして多孔質構造を有する第２の層９を形成する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。ニッケルめっき液１６の各成分の混合割合や、形成予定の砥石部３ａの構造等によっては、該直流電流の電流密度を所定値以上にして強度の高い第１の層７を形成し、電流密度を所定値以上にして多孔質構造を有する第２の層９を形成してもよい。
【００５６】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００５７】
１ａ，１ｂ  環状の砥石
３ａ，３ｂ  砥石部
５  環状基台
５ａ  把持部
７  第１の層
９  第２の層
１１  砥粒
２  めっき浴槽
６  ニッケル電極
８  スイッチ
１０  直流電源
１２  回転駆動源
１４  ファン
１６  ニッケルめっき液
１８  添加剤
２０ａ，２０ｂ  基台
２２ａ，２２ｂ  マスク
２４ａ，２４ｂ  めっき層
【図１】
2019130649.tif 000003
【図２】
2019130649.tif 000004
【図３】
2019130649.tif 000005
【図４】
2019130649.tif 000006
【図５】
2019130649.tif 000007
【図６】
2019130649.tif 000008