(57)【要約】【課題】誘電体導波路と導波管とを導電性接合層により接合した伝送線路において、導電性接合層の接触状態のばらつきを抑制すること。【解決手段】伝送線路（１）は、誘電体導波路（ポスト壁導波路１１）と導波管（２１）と導電性接合層（銀ペースト３１）とを備え、導電性接合層（銀ペースト３１）は、第３の導体層（ショート壁２３）と第１の導体層（導体層１３）との間に介在する主領域（３２）と、第３の導体層（ショート壁２３）と一対の副部（基板１２）との間に介在し、第１の導体層（導体層１３）及び第２の導体層（導体層１４）の何れとも重畳しない副領域（３３）とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）第１の開口が設けられた第１の導体層、及び、当該第１の導体層に対向して配置された第２の導体層からなる一対の広壁と、（２）一対の側壁と、（３）前記一対の広壁及び前記一対の側壁により四方を取り囲まれた主部、及び、当該主部を前記一対の側壁の外側から挟み込む一対の副部を含む誘電体製の基板とを備えた誘電体導波路と、一方の端面が前記第１の導体層に対して導電性接合層を用いて接合された導波管とを備え、
前記一方の端面は、前記第１の開口に対応する領域に第２の開口が設けられた第３の導体層により構成され、
前記導電性接合層は、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に介在する主領域と、前記第３の導体層と前記一対の副部との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている副領域とを含む、
ことを特徴とする伝送線路。
【請求項２】
前記誘電体導波路は、ポスト壁からなる前記一対の側壁を含むポスト壁導波路である、
ことを特徴とする請求項１に記載の伝送線路。
【請求項３】
前記基板は、可視光を透過する誘電体製である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の伝送線路。
【請求項４】
前記基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面のうち前記副領域に対応する領域には、前記第１の導体層と同じ材料からなる導体層が形成された導体領域と、当該導体領域によって囲まれるように設けられた、導体層が形成されていない空乏領域とを含む導体パターンが形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の伝送線路。
【請求項５】
前記導体パターンは、複数あり、
前記複数の導体パターンの各々に対応する前記副領域には貫通孔が形成された、
ことを特徴とする請求項４に記載の伝送線路。
【請求項６】
前記第３の導体層の表面のうち、前記貫通孔が形成される領域の少なくとも１つには、アライメントパターンが形成されている、
ことを特徴とする請求項５に記載の伝送線路。
【請求項７】
（１）第１の開口が設けられた第１の導体層、及び、当該第１の導体層に対向して配置された第２の導体層からなる一対の広壁と、（２）一対の側壁と、（３）前記一対の広壁及び前記一対の側壁により四方を取り囲まれた主部、及び、当該主部を前記一対の側壁の外側から挟み込む一対の副部を含む誘電体製の基板とを備えた誘電体導波路と、一方の端面が前記第１の導体層に対して導電性接合層を用いて接合された導波管とを備えた伝送線路の製造方法であって、
前記一方の端面を構成する第３の導体層の表面に、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に介在する主領域と、前記第３の導体層と前記一対の副部との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている副領域とを含む前記導電性接合層を形成する形成工程と、
前記導電性接合層を用いて、前記第１の導体層及び前記一対の副部の各々と前記第３の導体層とを接合する接合工程とを含む、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項８】
前記誘電体導波路は、ポスト壁からなる前記一対の側壁を含むポスト壁導波路である、
ことを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記接合工程は、前記副領域が前記基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを観察する第１の観察工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記接合工程の後に、前記副領域が前記基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを観察する第２の観察工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体導波路と導波管とを接合した伝送線路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯あるいはミリ波帯の電磁波を導波する導波路として、中空導波路と誘電体導波路とが知られている。
【０００３】
中空導波路は、金属製のチューブ、又は、内部に筒状の空間を設けた金属製のブロックにより構成されている。金属製のチューブにより構成された中空導波路は、導波管とも呼ばれる。
【０００４】
誘電体導波路は、その表面に導体膜が形成された柱状の四角柱状の誘電体、又は、誘電体基板の両面に形成された一対の導体層と、この誘電体基板の内部に複数の導体ポストが柵状に配置されたポスト壁とを含むポスト壁導波路（Post-Wall Waveguide, ＰＷＷ）により構成されている。
【０００５】
特許文献１には、表面に導体膜が形成された誘電体からなる誘電体導波路と、導体板に貫通孔を設けることによって得られた中空導波路とを備えた伝送線路（特許文献１では誘電体導波管アンテナと記載）が記載されている。特許文献１の図１及び図２に記載されているように、誘電体導波路の表面に形成された導体膜の一部には開口（特許文献１ではスロットと記載）が設けられている。導体板は、その貫通孔が誘電体導波路の開口と連通するように、誘電体導波路の導体膜に対して半田を用いて接合されている。半田は、導電性接合層の一例である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３４１４８８号公報（２００５年１２月８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載されているような、誘電体導波路と中空導波路とを接合した伝送線路においては、その接合部における反射損失を抑制するためには、誘電体導波路と中空導波路とにおけるインピーダンスを整合させることが求められる。そのためには、誘電体導波路と中空導波路とを接合する導電性接合層が均一な状態で誘電体導波路及び中空導波路の各々に接触していることが求められる。換言すれば、誘電体導波路と中空導波路との接合界面を構成する導電性接合層は、均一に分布していることが求められる。
【０００８】
また、このような伝送線路を製造する場合には、製造した複数の伝送線路における反射損失を所定の範囲内に収めるために、個々の伝送線路における導電性接合層と誘電体導波路及び中空導波路の各々との接触状態のばらつきを抑制することが求められる。
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載された伝送線路において、誘電体導波路と中空導波路とを接合する導電性接合層を、簡易な手法（例えば光学顕微鏡）を用いて観察することはできない。なぜなら、接合界面は、誘電体導波路の導体膜あるいは導体層と、中空導波管の金属部材（チューブあるいはブロック）とにより挟まれているためである。そのため、従来の伝送線路では、導電性接合層の接触状態を管理できなかった。換言すれば、従来の伝送線路は、導電性接合層の接触状態に起因する反射損失の大小を管理できなかった。
【００１０】
なお、上述した接合界面の様子を観察する手法としては、Ｘ線コンピュータ断層撮影法（Ｘ線ＣＴ（Computed Tomography））が挙げられる。Ｘ線ＣＴを用いることによって、接合界面における導電性接合層の分布を観察（断面観察）することができる。しかしながら、Ｘ線ＣＴを用いた断面観察には多くの手間とコストとが掛かる。そのため、上述した伝送線路を製造する場合の検査として、Ｘ線ＣＴを用いた接合界面の断面観察を実施することは、現実的ではない。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、その目的は、誘電体導波路と導波管とを導電性接合層により接合した伝送線路において、導電性接合層の接触状態のばらつきを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る伝送線路は、（１）第１の開口が設けられた第１の導体層、及び、当該第１の導体層に対向して配置された第２の導体層からなる一対の広壁と、（２）一対の側壁と、（３）前記一対の広壁及び前記一対の側壁により四方を取り囲まれた主部、及び、当該主部を前記一対の側壁の外側から挟み込む一対の副部を含む誘電体製の基板とを備えた誘電体導波路と、一方の端面が前記第１の導体層に対して導電性接合層を用いて接合された導波管とを備え、前記一方の端面は、前記第１の開口に対応する領域に第２の開口が設けられた第３の導体層により構成され、前記導電性接合層は、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に介在する主領域と、前記第３の導体層と前記一対の副部との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている副領域とを含む、ことを特徴とする。
【００１３】
伝送線路がこのように構成されていることにより、伝送線路の製造工程のうち、導電性接合層を用いて誘電体導波路と導波管とを接合する工程の実施中及び実施後の少なくとも何れかの段階において、導電性接合層の副領域が一対の副部の表面に接触しているか否かを、一対の副部を透過する電磁波を用いた顕微鏡により観察することができる。
【００１４】
副領域が一対の副部の表面に接触している場合、導電性接合層の主領域は、誘電体導波路の第１の導体層に接触していると見做せる。換言すれば、この場合、第１の導体層と第３の導体層との接合状態は、良好であると見做せる。
【００１５】
このように、本伝送線路は、その製造工程において、第１の導体層と第３の導体層との接合状態の良否を、従来の伝送線路と比較して簡易に評価することができる。したがって、複数の伝送線路を製造した場合に生じ得る、上述した接合状態のばらつきを抑制することができる。
【００１６】
本発明の一態様に係る伝送線路において、前記誘電体導波路は、ポスト壁からなる前記一対の側壁を含むポスト壁導波路である、ことが好ましい。
【００１７】
上述した誘電体導波路としては、ポスト壁導波路を好適に採用することができる。伝送線路がこのように構成されていることにより、伝送線路の製造工程のうち、導電性接合層を用いてポスト壁導波路と導波管とを接合する工程の実施中及び実施後の少なくとも何れかの段階において、導電性接合層の副領域が基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを、基板を透過する電磁波を用いた顕微鏡により観察することができる。
【００１８】
副領域が基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触している場合、導電性接合層の主領域は、ポスト壁導波路の第１の導体層に接触していると見做せる。換言すれば、この場合、第１の導体層と第３の導体層との接合状態は、良好であると見做せる。
【００１９】
このように、本伝送線路は、その製造工程において、第１の導体層と第３の導体層との接合状態の良否を、従来の伝送線路と比較して簡易に評価することができる。したがって、複数の伝送線路を製造した場合に生じ得る、上述した接合状態のばらつきを抑制することができる。
【００２０】
本発明の一態様に係る伝送線路において、前記基板は、可視光を透過する誘電体製である、ことが好ましい。
【００２１】
上記の構成によれば、基板は、電磁波の一態様である可視光を透過する。したがって、導電性接合層の副領域が基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを観察する顕微鏡として、可視光を用いた光学顕微鏡を用いることができる。したがって、本伝送線路は、第１の導体層と第３の導体層との接合状態の良否を、従来の伝送線路と比較して更に簡易に評価することができる。
【００２２】
本発明の一態様に係る伝送線路において、基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面のうち前記副領域に対応する領域には、前記第１の導体層と同じ材料からなる導体層が形成された導体領域と、当該導体領域によって囲まれるように設けられた、導体層が形成されていない空乏領域とを含む導体パターンが形成されている、ことが好ましい。
【００２３】
基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面にこのような導体パターンが形成された場合、導体領域によって囲まれるように設けられた空乏領域を通して、導電性接合層の副領域が基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面にどの程度濡れ拡がっているかを観察することができる。基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面への濡れ拡がり具合から、前記主領域が第１の導体層にどの程度濡れ拡がっているか推定することができる。
【００２４】
この導体パターンの導体領域は、第１の導体層と同じ材料により構成されている。したがって、本伝送線路は、導体パターンを備えていない伝送線路と比較して、前記第１の開口と前記第２の開口とに前記主領域が濡れ拡がっていないかどうかを高い精度で評価することができる。
【００２５】
本発明の一態様に係る伝送線路において、前記導体パターンは、複数あり、前記複数の導体パターンの各々に対応する前記副領域には貫通孔が形成された、ことが好ましい。
【００２６】
上記の構成によれば、例えば前記導体パターンが２つの場合、伝送線路の製造工程のうち、導電性接合層を用いて誘電体導波路と導波管とを接合する工程において、例えば第１の副領域に形成された貫通孔と第１の導体パターンとを重ね合わせ、第２の副領域に形成された貫通孔と第２の導体パターンとを重ね合わせることによって、誘電体導波路に対する導波管の相対位置が正しい状態で誘電体導波路と導波管とを接合することができる。したがって、誘電体導波路と導波管との接合部における反射損失を抑制することができる。
【００２７】
本発明の一態様に係る伝送線路において、前記第３の導体層の表面のうち、前記貫通孔が形成される領域の少なくとも１つには、アライメントパターンが形成されている、ことが好ましい。
【００２８】
上記の構成によれば、伝送線路の製造工程のうち、第３の導体層の表面上に導電性接合層を形成する工程において、アライメントパターンを基準位置として用いることができる。したがって、第３の導体層の表面上に精度良く導電性接合層を形成することができる。また、複数のアライメントパターンを基準位置として用いることで、さらに精度よく導電性接合層を形成することができる。
【００２９】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る製造方法は、（１）第１の開口が設けられた第１の導体層、及び、当該第１の導体層に対向して配置された第２の導体層からなる一対の広壁と、（２）一対の側壁と、（３）前記一対の広壁及び前記一対の側壁により四方を取り囲まれた主部、及び、当該主部を前記一対の側壁の外側から挟み込む一対の副部を含む誘電体製の基板とを備えた誘電体導波路と、一方の端面が前記第１の導体層に対して導電性接合層を用いて接合された導波管とを備えた伝送線路の製造方法であって、前記一方の端面を構成する第３の導体層の表面に、前記第３の導体層と前記第１の導体層との間に介在する主領域と、前記第３の導体層と前記一対の副部との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている副領域とを含む前記導電性接合層を形成する形成工程と、  前記導電性接合層を用いて、前記第１の導体層及び前記一対の副部の各々と前記第３の導体層とを接合する接合工程とを含む、ことを特徴とする。
【００３０】
本発明の一態様に係る製造方法は、本発明の一態様に係る伝送線路と同様の効果を奏する。
【００３１】
本発明の一態様に係る製造方法において、前記誘電体導波路は、ポスト壁からなる前記一対の側壁を含むポスト壁導波路である、ことが好ましい。
【００３２】
上述した誘電体導波路としては、ポスト壁導波路を好適に採用することができる。誘電体導波路としてポスト壁導波路を採用した場合であっても、本発明の一態様に係る製造方法は、本発明の一態様に係る伝送線路と同様の効果を奏する。
【００３３】
本発明の一態様に係る製造方法において、前記接合工程は、前記副領域が前記基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを観察する第１の観察工程を更に含む、ことが好ましい。
【００３４】
上記の構成によれば、接合工程において、第１の導体層と第３の導体層との接合状態が良好となるように導波管に対する誘電体導波路の位置を調整することができる。そのため、伝送線路の製造時に生じ得る不良品の発生量を低減することができる。
【００３５】
本発明の一態様に係る製造方法は、前記接合工程の後に、前記副領域が前記基板の表面のうち前記第１の導体層が形成されている表面に接触しているか否かを観察する第２の観察工程を更に含む、ことが好ましい。
【００３６】
上記の構成によれば、伝送線路が完成した後に、複数の伝送線路についてハイスループットで第１の導体層と第３の導体層との接合状態を検査することができる。そのため、検査コストを削減することができ、また、不良品の流出を簡便に低減することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の一態様によれば、誘電体導波路と導波管とを導電性接合層により接合した伝送線路において、導電性接合層の接触状態のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る伝送線路の分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示した伝送線路の平面図である。（ｂ）は、図１に示した伝送線路の断面図である。
【図３】図１に示した伝送線路の製造方法のフローチャートである。
【図４】（ａ）は、図３に示した製造方法に含まれる形成工程後のショート壁の平面図である。（ｂ）は、上記製造方法に含まれる溶接工程後の導波管の断面図である。（ｃ）は、上記製造方法に含まれる接合工程中のポスト壁導波路及び導波管の断面図である。（ｄ）は、完成した伝送線路の断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路が備えているポスト壁導波路の平面図である。（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路（ポスト壁導波路と導波管とを接合する前の状態）の断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路の拡大断面図である。（ｂ）は、（ａ）に示した伝送線路が備えている基板に形成された導体パターンの平面図である。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は、図５の（ａ）に示した導体パターンの変形例の平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、図５及び図６に示した伝送線路が備えている導波管のショート壁の平面図である。より詳しくは、（ａ）及び（ｂ）は、その表面上にアライメントパターンが形成された状態におけるショート壁の平面図である。（ｃ）及び（ｄ）の各々は、その表面上に銀ペーストが形成された状態におけるショート壁の平面図である。（ｅ）及び（ｆ）は、接合工程において導波管に対するポスト壁導波路のアライメントを調整しているときの銀ペースト及び導体パターンの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
〔第１の実施形態〕
（伝送線路１）
本発明の第１の実施形態に係る伝送線路について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る伝送線路１の分解斜視図である。図２の（ａ）は、伝送線路１の平面図である。図２の（ｂ）は、伝送線路１の断面図であり、図２の（ａ）に示した直線Ａ−Ａ’に沿った断面における断面図である。直線Ａ−Ａ’は、後述する２つの副領域３３ａ，３３ｂの各々の中心を通る直線である。
る。
【００４０】
図１に示すように、伝送線路１は、ポスト壁導波路１１と導波管２１とを備えており、ポスト壁導波路１１と導波管２１とを電磁気的に結合させた伝送線路である。なお、以下において、ポスト壁導波路のことをＰＷＷ（Post-wall waveguide）と称する。本実施形態において、伝送線路１は、Ｅバンドに含まれる所定の周波数帯域（例えば７１ＧＨｚ以上２５２ＧＨｚ以下）に属する電磁波を伝送することを想定して設計されている。ただし、伝送線路１が伝送する電磁波が属する周波数帯域は、Ｅバンドに含まれる周波数帯域に限定されるものではない。
【００４１】
なお、図１及び図２に示した直交座標系は、ｙ軸がＰＷＷ１１の内部（後述する伝搬領域１８）における電磁波の伝搬方向に沿うように設定されており、ｚ軸がＰＷＷ１１が備えている基板１２の表面１２ａ，１２ｂの法線方向に沿うように設定されており、ｘ軸は、上述したｙ軸及びｚ軸の各々と共に右手系の直交座標系を形成するように設定されている。この座標系において、伝搬領域１８における電磁波の伝搬方向に沿う方向のうち、ＰＷＷ１１の開放されている側の端部からショート壁１７に向かう方向をｙ軸正方向に設定し、基板１２の法線に沿う方向のうち、第２の主面１２ｂから第１の主面１２ａに向かう方向をｚ軸正方向に設定し、上述したｙ軸正方向及びｚ軸正方向と共に右手系の直交座標系を形成する方向をｘ軸正方向に設定している。
【００４２】
（ポスト壁導波路１１）
ＰＷＷ１１は、誘電体製である基板１２の両面に、それぞれ、導体層（第１の導体層）１３と導体層（第２の導体層）１４とが形成された積層基板である。より具体的には、基板１２のおもて面（第１の導体層が形成されている表面）１２ａに導体層１３が形成され、基板１２のうら面１２ｂに導体層１４が形成されている。ここで、基板１２のおもて面１２ａは、全体に導体層１３が積層されているわけではなく、導体層１３が積層されていない領域を有している。同様に、基板１２のうら面１２ｂは、全体に導体層１４が積層されているわけではなく、導体層１４が積層されていない領域を有している。そして、これらの両面の積層されていない領域の少なくとも一部は、ｚ軸方向において重畳している。本実施形態では、図２の（ａ）に示されるように、導体層１３及び導体層１４は、同じ大きさであり、ｚ軸方向において全体が重畳する位置に配置されている。
【００４３】
基板１２は、誘電体製であればよく、基板１２を構成する誘電体は、比誘電率や加工性などを考慮して適宜選択すればよい。基板１２は、ガラス（例えば、石英ガラス等）、サファイア等の可視光を透過する誘電体製であることが好ましい。本実施形態においては、基板１２は石英ガラス製である。基板１２が可視光を透過する誘電体製であることにより、後述するように可視光を用いた顕微鏡（いわゆる光学顕微鏡）を用いて銀ペースト３１が基板１２のおもて面１２ａに接触しているか否かを観察することができる。
【００４４】
基板１２の内部には、複数の導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋ（ｉ，ｊ，ｋは、任意の正の整数）を柵状に配列することによって得られるポスト壁が形成されている（図１参照）。
【００４５】
複数の導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋは、基板１２のおもて面１２ａからうら面１２ｂまで貫通したビアを基板１２に形成したうえで、金属などの導電体をそのビア内部に充填あるいはそのビア内面に堆積することによって得られる。複数の導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋは、何れも、導体層１３と導体層１４とを導通している。なお、導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋの直径は動作帯域に応じて適宜設定すればよい。本実施形態においては、その直径は、１００μｍである。また、隣接する導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋ同士の間隔は、直径と同じく１００μｍである。
【００４６】
複数の導体ポスト１５ｉを所定の周期で柵状に配列することによって得られたポスト壁である側壁１５は、その周期に対応する帯域の電磁波を反射する一種の導体壁として機能する。同様に、複数の導体ポスト１６ｊによって得られたポスト壁は、側壁１６を構成し、複数の導体ポスト１７ｋによって得られたポスト壁は、ショート壁１７を構成する。図１に示した仮想線（二点鎖線）により表される平面の各々は、複数の導体ポスト１５ｉ，１６ｊ，１７ｋの中心軸を含む仮想的な平面であり、側壁１５，１６及びショート壁１７の各々によって仮想的に実現される導体壁を模式的に表す平面である。以上のように、側壁１５，１６及びショート壁１７は、ＰＷＷ１１の狭壁を構成する。ＰＷＷ１１は、誘電体導波路の一態様である。
【００４７】
なお、図１においては、後述するＰＷＷ−導波管の構成を見やすくするために、導体ポスト１５ｉ，１６ｊの一部を省略して図示している。
【００４８】
図１に示されるように、側壁１５，１６は、ｙｚ平面に沿って配置されており、形状が直方体である領域をｘ軸方向から挟み込む。また、一対の広壁である導体層１３及び導体層１４は、ｘｙ平面に沿って配置されており、上述した形状が直方体である領域をｚ軸方向から挟み込む。また、ショート壁１７は、ｚｘ平面に沿って配置されており、上述した形状が直方体である領域のｙ軸正方向側の端部を封じる。なお、本実施形態において、上述した形状が直方体である領域のｙ軸負方向側の端部は、開放されている。電磁波は、この形状が直方体である領域を伝搬領域１８として、伝搬領域１８内をｙ軸方向に向かって伝搬する。
【００４９】
導体層１３には、開口（第１の開口）１３ａが設けられている。開口１３ａは、ＰＷＷ１１に導波管２１を接続するための開口としては唯一の（単一の）開口である。開口１３ａは、ＰＷＷ１１を上面視したときに、伝搬領域１８の一方の端部側に配置されている。開口１３ａの形状は、長方形であり、開口１３ａの向きは、その長辺が伝搬領域１８の長手方向（図１におけるｙ軸方向）と直交する向きである。
【００５０】
なお、基板１２を構成する材料は、可視光を透過する誘電体に限定されるものではなく、なんらかの光（例えば軟Ｘ線）を透過する誘電体（例えば、ガラスエポキシ樹脂に代表される樹脂など）であってもよい。基板１２を構成する材料が軟Ｘ線を透過する誘電体である場合、可視光の代わりに軟Ｘ線を用いた顕微鏡を用いて銀ペースト３１が基板１２のおもて面１２ａに接触しているか否かを観察することができる。
【００５１】
（導波管２１）
導波管２１は、導体製（本実施形態では銅製）である。図１に示されるように、導波管２１は、断面が長方形である管壁２２と、管壁２２の端部（ｚ軸負方向側の端部）を封じるショート壁（第３の導体層）２３とにより構成されている。すなわち、導波管２１は、矩形導波管である。管壁２２は、一対の広壁である広壁２２ａ及び広壁２２ｂと、一対の狭壁である狭壁２２ｃ及び狭壁２２ｄとからなる。電磁波は、管壁２２とショート壁２３とに囲まれる領域を伝搬領域２４として、伝搬領域２４内をｚ軸方向に向かって伝搬する。
【００５２】
ショート壁２３には、開口１３ａと同じ形状の開口２３ａが設けられている。図２の（ａ），（ｂ）に示されるように、ＰＷＷ１１を平面視した場合に、開口２３ａと開口１３ａとが一致するように、導波管２１は、ＰＷＷ１１に対して配置されている。
【００５３】
（銀ペースト３１）
銀ペースト３１は、導電性ペーストあるいは導電性接着剤の一態様である。導電性ペーストあるいは導電性接着剤は、母材となるペースト状の樹脂に対して導電体製のフィラーや微粉末などを混入することによって得られる。フィラーや微粉末を構成する導電体としては、銀や、金や、カーボンブラックなどを採用することができる。
【００５４】
銀ペースト３１は、未硬化の状態では粘性を有するペーストであるため、任意のパターンに形成可能である。ＰＷＷ１１と導波管２１との間に介在する銀ペースト３１は、硬化することによって、粘性を有するペーストから粘性を有さない固体へ変化する。硬化後の銀ペースト３１は、導電性を有する樹脂体を形成し、ＰＷＷ１１と導波管２１とを接合する。より具体的には、銀ペースト３１は、導波管２１のショート壁２３と、ＰＷＷ１１の導体層１３及び基板１２とを接合する。本実施形態では、銀ペースト３１として熱硬化型の銀ペーストを採用している。銀ペースト３１は、請求の範囲に記載の導電性接合層の一例である。
【００５５】
図１及び図２に示すように、銀ペースト３１は、主領域３２と、副領域３３とを含む。副領域３３は、２つの副領域３３ａ，３３ｂにより構成されている。主領域３２は、ショート壁２３と導体層１３との間に介在し、ショート壁２３と導体層１３とを接合する（図２の（ｂ）参照）。２つの副領域３３ａ，３３ｂは、ショート壁２３と基板１２との間に介在し、ショート壁２３と基板１２とを接合する（図２の（ｂ）参照）。副領域３３は、基板１２を平面視した場合に、導体層１３及び導体層１４の何れとも重畳しない領域に配置されている。したがって、基板１２をうら面１２ｂの側から（ｚ軸負方向側から）平面視した場合に、副領域３３は、基板１２を通して観察可能である（図２の（ａ）参照）。それに対して、主領域３２は、導体層１３，１４に遮蔽されるため、基板１２を通して観察不可能である。
【００５６】
本実施形態では、２つの副領域３３ａ，３３ｂは、主領域３２から離間して配置されている。また、副領域３３ａと副領域３３ｂとは、主領域３２を二等分するｙ軸方向に沿った直線を対称軸として、線対称となる位置に配置されている。
【００５７】
主領域３２は、平面視した場合に、導体層１３及びショート壁２３の何れにも包含される領域に配置されている。また、主領域３２は、平面視した場合に、導体層１３の開口１３ａ及びショート壁２３の開口２３ａの各々を取り囲むように配置されている。すなわち、主領域３２には、開口１３ａ及び開口２３ａと連通する開口３２ａが設けられている。また、本実施形態において、主領域３２の外縁は、長方形となるように形成されている。このように、主領域３２が開口１３ａ及び開口２３ａを取り囲むように配置されていることによって、ＰＷＷ１１と導波管２１とを接合した接合部において電磁波が伝送線路１の外部に漏洩することを抑制することができる。
【００５８】
また、伝送線路１において（ＰＷＷ１１と導波管２１とを接合した状態において）、開口３２ａの形状は、開口１３ａ及び開口２３ａの形状と一致していることが好ましい。開口１３ａ、開口２３ａ、及び開口３２ａの各々が同一形状であることによって、上記接合部における反射損失を抑制することができる。
【００５９】
図１に示すように、副領域３３ａ，３３ｂは、およそ円筒形の形状を有する。言い換えれば、副領域３３ａ，３３ｂは、２つの同心円により構成されたドーナツ形状の領域を底面とした柱状部材である。ただし、副領域３３ａ，３３ｂの高さ（ｚ軸方向に沿った長さ）は、副領域３３ａ，３３ｂの外縁の直径よりも小さい。
【００６０】
図２の（ｂ）に示すように、伝送線路１において、副領域３３ａ，３３ｂの基板１２側の端部（図２の（ｂ）においてｚ軸負方向側の端部）は、基板１２のおもて面１２ａと接触している。
【００６１】
上述したように、副領域３３ａ，３３ｂは、基板１２を通してうら面１２ｂの側から観察することができる。副領域３３ａ，３３ｂがおもて面１２ａに接触している場合、主領域３２は、ＰＷＷ１１の導体層１３に接触していると見做せる。換言すれば、この場合、導体層１３とショート壁２３との接合状態は、良好であると見做せる。
【００６２】
なお、本実施形態では、図２の（ａ）及び（ｂ）に示したように副領域３３ａと副領域３３ｂとが線対称となるように配置している。しかし、副領域３３ａ及び副領域３３ｂを形成する位置は、本実施形態の位置に限定されるものではない。副領域３３ａ及び副領域３３ｂの各々は、ＰＷＷ１１を平面視した場合に、基板１２及びショート壁２３の各々に重畳し、且つ、導体層１３，１４の各々に重畳しない領域の任意の位置に形成することができる。
【００６３】
また、本実施形態では、図２の（ａ）及び（ｂ）に示したように副領域３３ａ，３３ｂの形状としておよそ円筒形の形状を採用している。しかし、副領域３３ａ及び副領域３３ｂの形状は、本実施形態の形状に限定されるものではなく、任意の形状を採用することができる。
【００６４】
また、本実施形態では、導電性接合層を形成する導電性ペーストあるいは導電性接着剤として銀ペースト３１を採用している。しかし、導電性接合層を形成する導電性ペーストあるいは導電性接着剤は、銀ペーストに限定されるものではない。導電性接合層を形成する導電性ペーストあるいは導電性接着剤としては、市場で入手可能な導電性ペーストあるいは導電性接着剤の何れを採用してもよい。
【００６５】
また、上述したように、本実施形態では誘電体導波路の一態様としてＰＷＷ１１を採用している。ＰＷＷ１１において、基板１２のうち伝搬領域１８（導体層１３，１４と、側壁１５，１６とにより四方を取り囲まれた領域）は、特許請求の範囲に記載の主部である。ＰＷＷ１１において、伝搬領域１８のｙ軸正方向側の端部は、ショート壁１７により塞がれている。また、基板１２において、伝搬領域１８を取り囲む領域のうち、伝搬領域１８を側壁１５，１６の外側から挟み込む領域は、特許請求の範囲に記載の一対の副部である。
【００６６】
なお、本実施形態では、開口１３ａの近傍にショート壁１７が設けられている。しかし、ＰＷＷ１１は、ショート壁１７を省略したうえで、基板１２、導体層１３，１４、及び側壁１５，１６をｙ軸正方向側へ向かって更に延伸した構成であってもよい。すなわち、伝搬領域１８は、開口１３ａの近傍からｙ軸負方向のみならず、ｙ軸正方向へ向かって更に延伸されていてもよい。このように構成されたＰＷＷ１１を備えた伝送線路１は、導波管２１内のモードをＰＷＷ１１内の２つのモードに変換するＴ型分岐として機能する。
【００６７】
なお、本発明の一態様において、誘電体導波路は、ＰＷＷ１１のようなポスト壁導波路に限定されるものではない。ポスト壁導波路以外の誘電体導波路の例として、誘電体製の柱状部材である主部と、前記柱状部材の外壁面を覆うように形成された導体層と、誘電体製の一対の柱状部材である一対の副部とを備えた誘電体導波路が挙げられる。
【００６８】
当該誘電体導波路において、前記主部の断面形状及び前記一対の副部の断面形状は、例えば長方形である。また、前記導体層は、第１の開口が設けられた第１の導体層、及び、当該第１の導体層に対向して配置された第２の導体層からなる一対の広壁と、一対の側壁と、前記主部の端面を覆うように形成されたショート壁とからなる。前記一対の副部は、前記主部を前記一対の側壁の外側から挟み込むように、前記主部に対して固定されている。なお、前記一対の副部を前記主部に固定するための固定手段は、特に限定されるものではなく、既存の固定手段のなかから適宜選択することができる。
【００６９】
ＰＷＷ１１の代わりに前記誘電体導波路を採用した場合であっても、図１に示した銀ペースト３１を用いることによって、当該誘電体導波路の第１の開口に対して、図１に示した導波管２１を接合することができる。このとき、主領域３２は、前記第１の導体層とショート壁２３との間に介在している。また、副領域３３ａは、一対の副部のうち一方の副部とショート壁２３との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている。一方、副領域３３ｂは、一対の副部のうち他方の副部とショート壁２３との間に介在し、前記第１の導体層及び前記第２の導体層の何れとも重畳しない領域に配置されている。前記一対の副部が可視光や軟Ｘ線などの光を透過する誘電体製であることによって、可視光や軟Ｘ線などを用いた顕微鏡を用いて銀ペースト３１が前記一対の副部の表面に接触しているか否かを観察することができる。
【００７０】
（伝送線路１の製造方法）
本実施形態の伝送線路１の製造方法の一例を、図３及び４を参照して説明する。図３は、図１に示した伝送線路１の製造方法Ｓ１のフローチャートである。図４の（ａ）は、図３に示した製造方法に含まれる形成工程後のショート壁２３の平面図である。図４の（ｂ）は、上記製造方法に含まれる溶接工程後の導波管２１の断面図である。図４の（ｃ）は、上記製造方法に含まれる接合工程中のＰＷＷ１１及び導波管２１の断面図である。図４の（ｄ）は、完成した伝送線路１の断面図である。
【００７１】
なお、管壁２２及びＰＷＷ１１は、公知の製造方法等に従って製造したものを用いることができる。
【００７２】
まず、図４の（ａ）に示されるように、管壁２２と接合していないショート壁２３の表面に銀ペースト３１を形成する（形成工程；図３のステップＳ１１）。具体的には、主領域３２を、開口２３ａの外周に、開口２３ａから一定の距離を空けて形成する。また、主領域３２の外縁は導体層１３の外縁よりも内側になるように形成する。また、２つの副領域３３ａ，３３ｂを、主領域３２から離間する位置に形成する。このとき、２つの副領域３３ａ，３３ｂは、ＰＷＷ１１と導波管２１とを接合した状態の伝送線路１を平面視した場合に、基板１２及びショート壁２３の各々に重畳し、且つ、導体層１３，１４の各々に重畳しない領域に形成する。
【００７３】
主領域３２及び２つの副領域３３ａ，３３ｂは、ｚ軸方向において同じ厚みとなるように形成することが好ましい。銀ペースト３１の形成方法としては、例えば、ディスペンス、転写、印刷等の公知の方法を用いることができる。主領域３２の厚みと副領域３３ａ，３３ｂの厚みとが同じ厚みであることによって、製造された伝送線路１において副領域３３ａ，３３ｂがおもて面１２ａに接触している場合、主領域３２は、ＰＷＷ１１の導体層１３に接触していると確実に見做せる。後述するステップＳ１３において、主領域３２は、副領域３３ａ，３３ｂと比較して、導体層１３の厚み分だけより圧縮されるためである。
【００７４】
また、主領域３２は、ステップＳ１３において圧縮されることによってその形成されている領域が拡大する。主領域３２を形成する領域は、この圧縮による拡大を見込んで定められていることが好ましい。特に、完成した伝送線路１において、開口３２ａが開口１３ａ及び開口２３ａと一致するように、主領域３２が形成される領域は、定められていることが好ましい。
【００７５】
次いで、図４の（ｂ）に示されるように、銀ペースト３１が形成されたショート壁２３を管壁２２に対して溶接する（溶接工程；図３のステップＳ１２）。溶接は、例えば、公知の方法で行えばよい。
【００７６】
次いで、図４の（ｃ）に示されるように、ＰＷＷ１１と導波管２１とを銀ペースト３１を用いて接合する（接合工程；図３のステップＳ１３）。より具体的には、導体層１３とショート壁２３とを主領域３２を用いて接合し、且つ、基板１２とショート壁２３とを副領域３３ａ，３３ｂを用いて接合する。そのためにまず、導体層１３の開口１３ａとショート壁２３の開口２３ａとがｚ軸方向において重畳するように、ＰＷＷ１１と導波管２１とを所定の位置で重ね合わせる。次いで、ＰＷＷ１１と導波管２１とを互いに密着させるように、ｚ軸方向に沿った力をＰＷＷ１１及び導波管２１の各々に作用させる。本実施形態では、導波管２１を固定しておき、ＰＷＷ１１に対してｚ軸正方向の力を作用させる。
【００７７】
この工程により、まず主領域３２と導体層１３とが接触し（図４の（ｃ）に示した状態）、更にｚ軸正方向の力を作用させることによって、主領域３２が押し潰され、さらには、副領域３３ａ，３３ｂと基板１２とが接触する。ステップＳ１３を経ることにより、主領域３２は、ｚ軸方向に沿って押し潰される。そのため、主領域３２が形成されている領域は、ｘ軸方向及びｙ軸方向におよそ等方的に広がる。すなわち、銀ペースト３１が導体層１３及びショート壁２３に濡れ広がる。ステップＳ１３において、副領域３３ａ，３３ｂと基板１２とが接触した際に、開口３２ａが開口１３ａ及び開口２３ａと一致することが好ましい。
【００７８】
本実施形態の製造方法Ｓ１では、上述したステップＳ１３において、副領域３３ａ，３３ｂをうら面１２ｂ側から光学顕微鏡を用いて観察しながら上述したｚ軸方向に沿った力の大きさを増大させていく。そのため、副領域３３ａ，３３ｂと基板１２とを接触させるために必要且つ十分な力を適切に作用させることができる。この観察工程は、請求の範囲に記載の第１の観察工程である。
【００７９】
ｚ軸方向に沿った力が小さすぎる場合、主領域３２を構成する銀ペーストが十分に導体層１３と接触しない可能性がある。したがって、導体層１３とショート壁２３とが均一に接合されない可能性がある。また、ｚ軸方向に沿った力が大きすぎる場合、主領域３２を構成する銀ペーストが広がりすぎ、結果として、開口１３ａ及び開口２３ａの内部に侵入する可能性がある。副領域３３ａ，３３ｂを観察しながらｚ軸方向に沿った力の大きさを調整することにより、主領域３２の銀ペーストが開口１３ａ及び開口２３ａの内部に侵入することなく、導体層１３とショート壁２３とを均一に接合することができる。
【００８０】
なお、本実施形態では、銀ペースト３１として熱硬化型の銀ペーストを採用している。したがって、適切なｚ軸方向に沿った力を加えたのちに銀ペースト３１を加熱硬化させる。銀ペースト３１を加熱硬化させるための加熱手段としては、オーブンやホットプレートなどの既存の加熱手段を用いることができる。銀ペースト３１が加熱硬化することによって、銀ペースト３１を用いてＰＷＷ１１と導波管２１とが接合された伝送線路１は、完成する（図４の（ｄ）参照）。
【００８１】
製造方法Ｓ１は、完成した伝送線路１において、副領域３３ａ，３３ｂが基板１２のおもて面１２ａに接触している否かを、光学顕微鏡を用いて観察する（第２の観察工程；図３のステップＳ１４）。具体的には、基板１２のうら面１２ｂ側から副領域３３ａ，３３ｂを観察する。２つの副領域３３ａ，３３ｂが基板１２のおもて面１２ａに接触していれば、主領域３２はＰＷＷ１１の導体層１３に接触していると見做すことができる。
【００８２】
製造方法Ｓ１では、第１の観察工程と第２の観察工程の両方を実施している。しかし、本発明の一態様に係る製造方法では、第１の観察工程及び第２の観察工程のうち少なくとも何れか一方を実施することが好ましい。また、第１の観察工程及び第２の観察工程の両方を行うことがより好ましい。
【００８３】
このように、製造方法Ｓ１では、導体層１３とショート壁２３との接合状態の良否を、従来の伝送線路と比較して簡易に評価することができる。したがって、複数の伝送線路１を製造した場合に生じ得る、上述した接合状態のばらつきを抑制することができる。
【００８４】
特に、第１の観察工程を行うことにより、接合時において、導体層１３とショート壁２３との接合状態が良好となるようにＰＷＷ１１と導波管２１とのｚ軸方向における相対位置を調整することができる。そのため、伝送線路１の不良品の発生量を低減することができる。一方、第２の観察工程を行うことにより、接合後において、複数の伝送線路１についてハイスループットで導体層１３とショート壁２３との接合状態を検査することができる。そのため、検査コストを削減することができ、また、不良品の流出を簡便に低減することができる。
【００８５】
また、副領域３３ａ，３３ｂが主領域３２から離間していることにより、副領域３３ａ，３３ｂの上面（図４に示したｚ軸負方向側の端面）が基板１２のおもて面１２ａと接触している状態に加えて、副領域３３ａ，３３ｂの下面（図４に示したｚ軸正方向側の端面）が導波管２１のショート壁２３と接触している状態を、光学顕微鏡を用いて観察することができる。したがって、伝送線路１は、導体層１３と銀ペースト３１とが接触している状態に加えて、ショート壁２３と銀ペースト３１とが接触している状態を、従来の伝送線路と比較してより簡易に評価することができる。
【００８６】
なお、基板１２が可視光を透過しないが他の電磁波（例えば軟Ｘ線）を透過する誘電体で構成されている場合には、その誘電体を透過する電磁波を用いた顕微鏡（例えば軟Ｘ線透過型顕微鏡）を用いて副領域３３ａ，３３ｂを観察すればよい。
【００８７】
また、副領域３３の個数は、２つに限定されず、１つでもよいし、３つ以上でもよい。また、基板１２のおもて面１２ａにおける副領域３３の位置は、導体層１３及び導体層１４の何れとも重畳しない領域に配置されている限り特に限定されない。例えば、副領域３３ａ，３３ｂは、図４の（ａ）に示した主領域の対角線の延長上に配置されていてもよい。
【００８８】
ここでは、誘電体導波路の一例としてＰＷＷ１１を用い、ＰＷＷ１１の製造方法について説明をした。しかし、本発明の一態様に係る製造方法において用いる誘電体導波路は、ＰＷＷに限定されるものではない。本発明の一態様に係る製造方法において用いる誘電体導波路は、誘電体製の柱状部材である主部と、前記柱状部材の外壁面を覆うように形成された導体層と、誘電体製の一対の柱状部材である一対の副部とを備えた誘電体導波路であってもよい。
【００８９】
〔第２の実施形態〕
（伝送線路１０１）
本発明の第２の実施形態に係る伝送線路について、図５〜図８を参照して説明する。図５の（ａ）は、本実施形態に係る伝送線路１０１が備えているポスト壁導波路（ＰＷＷ）１１１の平面図である。なお、図５、図６、及び図８に図示した座標軸は、図１に図示した座標軸と同様に定めてある。
【００９０】
図５の（ａ）は、基板１１２のおもて面側（ｚ軸正方向側）からＰＷＷ１１１を平面視した状態のＰＷＷ１１１を示している。図５の（ｂ）は、伝送線路１０１の断面図であり、図５の（ａ）に示した直線Ｂ−Ｂ’に沿った断面における断面図である。直線Ｂ−Ｂ’は、後述する第１の導体パターン１１９ａ及び第２の導体パターン１１９ｂの各々の中心を通る直線である。なお、図５の（ｂ）は、ＰＷＷ１１１と導波管１２１とを接合する前の状態の伝送線路１０１を示している。
【００９１】
図６の（ａ）は、伝送線路１０１の拡大断面図である。図６の（ｂ）は、図６の（ａ）に示した伝送線路１０１が備えている基板１１２に形成された導体パターン１１９の平面図である。なお、図６の（ａ）及び（ｂ）においては、導体パターン１１９を構成する一方の導体パターンである第２の導体パターン１１９ｂと、副領域１３３を構成する一方の副領域１３３ｂとを拡大して示している。
【００９２】
図７の（ａ）〜（ｅ）は、図５の（ａ）に示した導体パターン１１９の変形例の平面図である。
【００９３】
図８の（ａ）〜（ｄ）は、図５及び図６に示した伝送線路１０１が備えている導波管１２１のショート壁１２３の平面図である。より詳しくは、図８の（ａ）及び（ｂ）は、その表面上にアライメントパターンが形成された状態におけるショート壁１２３の平面図である。図８の（ｃ）及び（ｄ）の各々は、その表面上に銀ペースト１３１（副領域１３３）が形成された状態におけるショート壁１２３の平面図である。図８の（ｅ）及び（ｆ）は、接合工程において導波管１２１に対するポスト壁導波路１１１のアライメントを調整しているときの銀ペースト１３１及び導体パターン１１９の平面図である。なお、図８の（ｅ）及び（ｆ）においては、基板１１２を仮想的に二点鎖線にて示し、基板１１２を透過して観察される導体パターン３１９ｂ，６１９ｂを実線にて示している。
【００９４】
（ポスト壁導波路１１１）
ＰＷＷ１１１は、図１及び図２に示したＰＷＷ１１を変形することによって得られる。具体的には、ＰＷＷ１１１は、ＰＷＷ１１に対して導体パターン１１９を追加することによって得られる。この点を除いてＰＷＷ１１１は、ＰＷＷ１１と同様に構成されている。また、ＰＷＷ１１１の導体パターン１１９以外の部材に対して付す部材番号は、ＰＷＷ１１の対応する部材に対して付す部材番号を１００番台に変更することによって得られる。したがって、本実施形態では、ＰＷＷ１１１について、導体パターン１１９に関する説明のみを記載し、それ以外の部材に関する説明は、省略する。
【００９５】
導体パターン１１９は、基板１１２のおもて面１１２ａの上に形成された、導体膜である。図５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、導体パターン１１９は、第１の導体パターン１１９ａと第２の導体パターン１１９ｂとからなる。第１の導体パターン１１９ａは、導体領域１１９ａ１と、空乏領域１１９ａ２とからなる。導体領域１１９ａ１は、外縁及び内縁の各々を構成する２つの同心円により挟まれた導体膜が形成された領域である。空乏領域１１９ａ２は、導体領域１１９ａ１の内縁に囲まれた領域であって、導体膜が形成されていない領域である。言い換えれば、空乏領域１１９ａ２は、第１の導体パターン１１９ａに設けられた貫通孔である。
【００９６】
第２の導体パターン１１９ｂは、第１の導体パターン１１９ａと同様に構成されている。すなわち、第２の導体パターン１１９ｂは、導体領域１１９ｂ１と、空乏領域１１９ｂ２とからなる。空乏領域１１９ｂ２は、第２の導体パターン１１９ｂに設けられた貫通孔である。
【００９７】
本実施形態において、導体パターン１１９は、基板１１２のおもて面１１２ａに形成された導体層１１３と同じ材料により構成されている。これは、おもて面１１２ａの全面に形成されていた導体層をパターニングすることによって導体層１１３と導体パターン１１９とを得ているためである。
【００９８】
導体パターン１１９は、ＰＷＷ１１１の開口１１３ａと、後述する導波管１２１の開口１２３ａとが一致するように、ＰＷＷ１１１と導波管１２１とを配置した場合に、第１の導体パターン１１９ａが銀ペースト１３１の副領域１３３ａに対応し、第２の導体パターン１１９ｂが副領域１３３ｂに対応する領域に形成されている。
【００９９】
したがって、銀ペースト１３１を用いてＰＷＷ１１１と導波管１２１とを接合する工程（接合工程）において、導体パターン１１９と副領域１３３とを用いることによって、開口１２３ａと開口１１３ａとを平面視した状態において一致させることができる。具体的には、導体パターン１１９ａの外縁を副領域１３３ａの外縁と一致させ、且つ、導体パターン１１９ｂの外縁を副領域１３３ｂの外縁と一致させるように、導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の位置を調整することによって、開口１２３ａと開口１１３ａとを平面視した状態において一致させることができる。導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の位置は、図５の（ｂ）に示した矢印のようにｘ軸方向に沿って調整することもできるし、ｙ軸方向に沿って調整することもできる。
【０１００】
以上のように、ＰＷＷ１１１に導体パターン１１９が形成されていることによって、導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の位置を所定の位置に容易に調整することができる。
【０１０１】
（導波管１２１）
導波管１２１は、図１及び図２に示した導波管２１と同様に構成されている。したがって、本実施形態では、その説明を省略する。導波管１２１を構成する各部材に付した部材番号は、導波管２１を構成する各部材に付した部材番号を１００番台に変更することによって得られる。
【０１０２】
（銀ペースト１３１）
銀ペースト１３１は、図１及び図２に示した銀ペースト３１と同様に構成されている。したがって、本実施形態では、その説明を省略する。銀ペースト１３１を構成する各部材に付した部材番号は、銀ペースト３１を構成する各部材に付した部材番号を１００番台に変更することによって得られる。
【０１０３】
（伝送線路１０１の製造方法）
伝送線路１０１は、図３にフローチャートを示した製造方法Ｓ１を用いて製造することができる。ただし、伝送線路１０１においては、伝送線路１のＰＷＷ１１には形成されていなかった導体パターン１１９がＰＷＷ１１１に形成されている。そのため、伝送線路１０１の場合には、製造方法Ｓ１に含まれる第１の観察工程及び第２の観察工程において観察される副領域１３３の見え方が、伝送線路１の場合とは異なる。本実施形態においては、その点について説明する。
【０１０４】
製造方法Ｓ１に含まれる接合工程において、導体パターン１１９の外縁と、副領域１３３の外縁とが一致するように導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の位置を調整したうえで、ＰＷＷ１１１に対してｚ軸正方向の力を作用させると、基板１１２とショート壁１２３との間に介在する副領域１３３ｂは、図６の（ａ）及び（ｂ）に示した状態になる。
【０１０５】
より詳しくは、副領域１３３ｂの上端部（図６においてｚ軸負方向側の端部）を形成していた銀ペーストは、第２の導体パターン１１９ｂにより押し潰される。その結果、副領域１３３ｂの上端部を形成していた銀ペーストの一部は、導体パターン１１９ｂの空乏領域に濡れ広がり、副領域１３３ｂの上端部を形成していた銀ペーストの別の一部は、導体パターン１１９ｂの外縁の外側に濡れ広がる。以下では、副領域１３３ｂの上端部を形成していた銀ペーストのうち、空乏領域に濡れ広がった銀ペーストのことを内側銀ペースト１３３ｂｉと呼び、導体パターン１１９ｂの外縁の外側に濡れ広がった銀ペーストのことを外側銀ペースト１３３ｂｏと呼ぶ。
【０１０６】
図６の（ａ）に示した状態において、副領域１３３ｂと第２の導体パターン１１９ｂとを観察した場合、図６の（ｂ）に示すような平面図が得られる。図６の（ｂ）に示した平面図において、副領域１３３ｂと第２の導体パターン１１９ｂとが直接接触している部分を観察することはできないものの、（１）第２の導体パターン１１９ｂの空乏領域に濡れ広がった内側銀ペースト１３３ｂｉと、基板１１２のおもて面１１２ａとが接触している様子、及び、（２）第２の導体パターン１１９ｂの外縁の外側に濡れ広がった外側銀ペースト１３３ｂｏと、おもて面１１２ａとが接触している様子を観察することができる。図６の（ｂ）に示したように、空乏領域に内側銀ペースト１３３ｂｉが濡れ広がり、外縁の外側に外側銀ペースト１３３ｂｏが濡れ広がっている場合、副領域１３３ｂと第２の導体パターン１１９ｂとは、確実に接触していると見做すことができる。
【０１０７】
さらに、上述したように第１及び第２の導体パターン１１９ａ１，１１９ｂ１は、導体層１１３と同じ材料からなる。そのため、銀ペースト１３１の主領域１３２と導体層１１３との接触状態は、副領域１３３ａ，１３３ｂの各々と第１及び第２の導体パターン１１９ａ１，１１９ｂ１との接触状態と同等と見做せる。したがって、本実施形態では、第１の実施形態と比較して、導体層１１３とショート壁２３との接合状態の良否を高い精度で評価することができる。
【０１０８】
また、伝送線路１０１は、２つの副領域１３３ａ，１３３ｂ、及び、２つの副領域１３３ａ，１３３ｂに対応する導体パターン１１９ａ，１１９ｂを有している。そのため、導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の位置を調整する場合に、ＰＷＷ１１１が所定の位置にくるように容易に調整することができる。したがって、開口１１３ａと開口１２３ａとを平面視した場合に容易に一致させることができる。換言すれば、ＰＷＷ１１１と導波管１２１との接合部における反射損失を容易に抑制することができる。
【０１０９】
（導体パターンの変形例）
導体パターン１１９を構成する第１及び第２の導体パターン１１９ａ，１１９ｂの形状は、図５の（ａ）に示す形状に限定されない。導体パターン１１９の変形例を図７の（ａ）〜（ｅ）に示す。なお、変形例においても第１の導体パターンと第２の導体パターンとは、同一の形状を有する。したがって、図７には、第１の導体パターンの形状のみを示す。図７の（ａ）は、第１の変形例である第１の導体パターン２１９ａの平面図であり、図７の（ｂ）は、第２の変形例である第１の導体パターン３１９ａの平面図であり、図７の（ｃ）は、第３の変形例である第１の導体パターン４１９ａの平面図であり、図７の（ｄ）は、第４の変形例である第１の導体パターン５１９ａの平面図であり、図７の（ｅ）は、第５の変形例である第１の導体パターン６１９ａの平面図である。
【０１１０】
第１の導体パターン２１９ａは、同心円状に配置された２つの環状パターンと、中心から外縁に向かう方向に沿って配置された８本の放射状パターンとを組み合わせることにより構成されている。
【０１１１】
第１の導体パターン３１９ａは、同心円状に配置された４つの環状パターンにより構成されている。
【０１１２】
第１の導体パターン４１９ａは、４つの環状パターンと、８本の放射状パターンとを組み合わせることにより構成されている。
【０１１３】
第１の導体パターン５１９ａは、２つの環状パターンと、８本の放射状パターンとを組み合わせることにより構成されている。なお、第１の導体パターン５１９ａにおける放射状パターンは、２つの点状パターンにより構成されている。
【０１１４】
第１の導体パターン６１９ａは、第１の導体パターン４１９ａ、すなわち、４つの環状パターン及び８本の放射状パターンに対して、十字パターンを更に組み合わせることによって構成されている。十字パターンは、第１の導体パターン６１９ａの中央に配置されている。
【０１１５】
以上のように、導体パターンの形状としては、様々な形状が考えられる。なお、本発明の第２の実施形態及び各変形例では、第１の導体パターン１１９ａ，２１９ａ，３１９ａ，４１９ａ，５１９ａ，６１９ａ及び第２の導体パターン１１９ｂ，２１９ｂ，３１９ｂ，４１９ｂ，５１９ｂ，６１９ｂが同一の形状を有するものとして説明した。しかし、第１の導体パターン１１９ａ，２１９ａ，３１９ａ，４１９ａ，５１９ａ，６１９ａ及び第２の導体パターン１１９ｂ，２１９ｂ，３１９ｂ，４１９ｂ，５１９ｂ，６１９ｂの形状は、同一でなくてもよく、互いに任意の形状を採用することができる。
【０１１６】
（アライメントパターン）
ショート壁１２３の表面のうち、副領域１３３ａが形成される領域には、第１のアライメントパターンが形成されており、副領域１３３ｂが形成される領域には、第２のアライメントパターンが形成されていることが好ましい。これらのアライメントパターンは、ショート壁１２３の表面に凹部又は凸部を形成することによって実現することができる。アライメントパターンを凹部により形成する場合、その形成手法としてレーザ加工を用いることができる。アライメントパターンを凸部により形成する場合、その形成手法として印刷及び導体膜のパターニング技術を用いることができる。
【０１１７】
アライメントパターンの一例を、図８の（ａ）に示す。図８の（ａ）には、第１のアライメントパターン及び第２のアライメントパターンのうち第２のアライメントパターン１２５ｂのみを示している。第１のアライメントパターン及び第２のアライメントパターンの各々は、同一形状を有し、第２のアライメントパターン１２５ｂは、円形である。
【０１１８】
また、第２のアライメントパターン１２５ｂの変形例を図８の（ｂ）に示す。変形例である第２のアライメントパターン２２５ｂは、十字形状を有する。
【０１１９】
このように、ショート壁１２３の表面にアライメントパターンを形成しておくことによって、銀ペースト１３１を形成する形成工程（図３参照）において、アライメントパターンを基準位置として用いることができる。したがって、ショート壁１２３の表面上に精度良く銀ペースト１３１を形成することができる。
【０１２０】
形成工程を経て、第２のアライメントパターン１２５ｂが形成された位置に形成された副領域１３３ｂの平面図を図８の（ｃ）に示す。また、第２のアライメントパターン２２５ｂが形成された位置に形成された副領域１３３ｂの平面図を図８の（ｃ）に示す。
【０１２１】
第２のアライメントパターン１２５ｂ及び副領域１３３ｂが形成されたショート壁１２３を含む導波管１２１に対して、ＰＷＷ１１１を接合する接合工程における平面図を図８の（ｅ）に示す。また、第２のアライメントパターン２２５ｂ及び副領域１３３ｂが形成されたショート壁１２３を含む導波管１２１に対して、ＰＷＷ１１１を接合する接合工程における平面図を図８の（ｆ）に示す。言い換えれば、図８の（ｅ）及び（ｆ）は、図３に示した接合工程に含まれる第１の観察工程において観察された平面図である。
【０１２２】
図８の（ｅ）に示すように、第２のアライメントパターン１２５ｂを有する導波管１２１と、第２の導体パターン３１９ｂを有するＰＷＷ１１１とを接合する場合、第２の導体パターン３１９ｂの空乏領域に第２のアライメントパターン１２５ｂが収まるように、好ましくは、第２の導体パターン３１９ｂの空乏領域の中心と、第２のアライメントパターン１２５ｂの中心とが一致するように、光学顕微鏡を用いてＰＷＷ１１１の位置をｘｙ平面上で調整する。これにより、導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の相対位置が正しい状態でＰＷＷ１１１と導波管１２１とを接合することができる。したがって、ＰＷＷ１１１と導波管１２１との接合部における反射損失をより抑制することができる。なお、図８の（ｅ）に示した第２の導体パターン３１９ｂは、図７の（ｂ）に示す第１の導体パターン３１９ａと同一の形状を有する。
【０１２３】
また、図８の（ｆ）に示すように、第２のアライメントパターン２２５ｂを有する導波管１２１と、図７の（ｅ）に示される中央に十字パターンを含む第２の導体パターン６１９ｂを有するＰＷＷ１１１とを接合する場合、第２の導体パターン６１９ｂの十字パターンと第２のアライメントパターン２２５ｂとが重なるように、光学顕微鏡を用いてＰＷＷ１１１の位置をｘｙ平面上で調整する。これにより、導波管１２１に対するＰＷＷ１１１の相対位置が正しい状態でＰＷＷ１１１と導波管１２１とを接合することができる。したがって、ＰＷＷ１１１と導波管１２１との接合部における反射損失をより抑制することができる。
【０１２４】
また、第２のアライメントパターン２２５ｂのようにアライメントパターンが十字形の場合、円形の場合と比較して、ＰＷＷ１１１の位置をｘｙ平面上で調整する際に、ｘｙ平面における回転方向における角度も調整することができる。したがって、より容易にＰＷＷ１１１と導波管１２１との相対位置を正しい状態にすることができる。
【０１２５】
なお、本実施形態では、第１のアライメントパターンの形状と第２のアライメントパターンの形状とが同一であるものとして説明した。しかし、第１のアライメントパターンの形状と第２のアライメントパターンの形状とは、同一でなくてもよく、互いに任意の形状を採用することができる。
【０１２６】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２７】
１，１０１  伝送線路
１１，１１１  ポスト壁導波路（ＰＷＷ）
１２，１１２  基板
１２ａ，１１２ａ  おもて面（第１の導体層が形成されている表面）
１２ｂ，１１２ｂ  うら面
１３，１１３  導体層（第１の導体層）
１３ａ，１１３ａ  開口（第１の開口）
１４，１１４  導体層（第２の導体層）
１５，１６，１１５，１１６  側壁
１７，１１７  ショート壁
１５ｉ，１６ｊ，１７ｋ  導体ポスト
１８，１１８  伝搬領域（主部）
２１，１２１  導波管
２２，１２２  管壁
２２ａ，２２ｂ  広壁
２２ｃ，２２ｄ，１２２ｃ，１２２ｄ  狭壁
２３，１２３  ショート壁（第３の導体層）
２３ａ，１２３ａ  開口（第２の開口）
２４，１２４  伝搬領域
３１，１３１  銀ペースト（導電性接合層）
３２，１３２  主領域
３２ａ，１３２ａ  開口
３３ａ，３３ｂ，１３３ａ，１３３ｂ，１３３ｂｉ，１３３ｂｏ  副領域
１１９  導体パターン
１１９ａ  第１の導体パターン
１１９ｂ，２１９ｂ，３１９ｂ，４１９ｂ，５１９ｂ，６１９ｂ  第２の導体パターン
１１９ａ１，１１９ｂ１  導体領域
１１９ａ２，１１９ｂ２  空乏領域
１２５ｂ，２２５ｂ  アライメントパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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