(57)【要約】【課題】電子パッケージの製造において、生産性を高めることを目的とする。【解決手段】電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、この仮接着フィルムの表面には、接着力の強い領域Ａと、領域Ａより接着力の弱い領域Ｂとが存在し、この仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した複合膜における、領域Ａの部分での銅箔の引きはがし強さをｘＡ［ｋＮ／ｍ］、領域Ｂの部分での銅箔の引きはがし強さをｘＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５の関係が成り立つ仮接着フィルム。また、この仮接着フィルムと、第１の基板とを備える電子パッケージ製造用サポート基板。また、この仮接着フィルムまたはサポート基板を用いた電子パッケージの製造方法。【選択図】図２
2019172918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムの表面には、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂとが存在し、
当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した複合膜における、前記領域Ａの部分での前記銅箔の引きはがし強さをｘＡ［ｋＮ／ｍ］、前記領域Ｂの部分での前記銅箔の引きはがし強さをｘＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５の関係が成り立つ仮接着フィルム。
【請求項２】
請求項１に記載の仮接着フィルムであって、
前記ｘＢが０．０１〜０．３［ｋＮ／ｍ］である仮接着フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の仮接着フィルムであって、
前記領域Ａの部分が熱硬化性樹脂組成物で構成され、
前記領域Ｂの部分が熱硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂のフィルムで構成されている仮接着フィルム。
【請求項４】
請求項３に記載の仮接着フィルムであって、
前記領域Ａの部分および／または前記領域Ｂの部分を構成する熱硬化性樹脂組成物が、エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物を含む仮接着フィルム。
【請求項５】
請求項１または２に記載の仮接着フィルムであって、
前記領域Ａの部分が光硬化性樹脂組成物で構成され、
前記領域Ｂの部分が当該光硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されている仮接着フィルム。
【請求項６】
請求項５に記載の仮接着フィルムであって、
前記光硬化性樹脂組成物が、エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物と、光重合開始剤と、を含む仮接着フィルム。
【請求項７】
請求項５または６に記載の仮接着フィルムであって、
前記光硬化性樹脂組成物が、充填材を含む仮接着フィルム。
【請求項８】
請求項７に記載の仮接着フィルムであって、
前記充填材が無機充填材を含む仮接着フィルム。
【請求項９】
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた請求項１〜８のいずれか１項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
【請求項１０】
請求項９に記載のサポート基板が有する仮接着フィルムと、第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板を備えた面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、当該封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子パッケージの製造方法であって、
前記封止基板の、前記封止用組成物の硬化物を備えた面を上面として前記封止基板を上面視したとき、前記切削工程は、前記領域Ｂに相当する部分を切削する工程である電子パッケージの製造方法。
【請求項１２】
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下する性質を有し、
未露光の当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第１複合膜における前記銅箔の引きはがし強さをｙＡ［ｋＮ／ｍ］とし、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第２複合膜における前記銅箔の引きはがし強さをｙＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｙＢ／ｙＡ）≦０．５の関係が成り立つ仮接着フィルム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の仮接着フィルムであって、
ｙＢが０．０１〜０．３［ｋＮ／ｍ］である仮接着フィルム。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の仮接着フィルムであって、
５００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第３複合膜における前記銅箔の引きはがし強さをｙｃ［ｋＮ／ｍ］としたとき、ｙＢ＜ｙｃ＜ｙＡの関係が成り立ち、かつ、０．２≦（ｙｃ／ｙＡ）≦０．７の関係を満たす仮接着フィルム。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物と、光重合開始剤とを含む仮接着フィルム。
【請求項１６】
請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の仮接着フィルムであって、
充填材を含む仮接着フィルム。
【請求項１７】
請求項１６に記載の仮接着フィルムであって、
前記充填材が無機充填材を含む仮接着フィルム。
【請求項１８】
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板。
【請求項１９】
請求項１８に記載のサポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板を備えた面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子パッケージの製造方法であって、
前記封止基板の、前記封止用組成物の硬化物を備えた面を上面として前記封止基板を上面視したとき、前記切削工程は、前記領域Ｂに相当する部分を切削する工程である電子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、電子パッケージ製造用サポート基板および電子パッケージの製造方法に関する。
より具体的には、電子装置の製造に用いられる仮接着フィルム、その仮接着フィルムを備える電子パッケージ製造用サポート基板、および、そのサポート基板を用いた電子パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子パッケージの製造に際して、基板や素子を一時的に固定または接着しておくプロセス（仮接着、仮固定などとしばしば呼ばれる）が行われる場合がある。また、仮接着や仮固定のための材料、プロセスなどが盛んに検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、「ウエハとサポート基板の容易な仮接着」などの課題を解決するものとして、ポリイミド樹脂の樹脂膜からなる第一仮接着材層と、硬化性シリコーン樹脂を含む接着剤組成物の硬化膜からなる第二仮接着材層とを有する、ウエハ加工用積層体が記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、仮固定のプロセスを含み、半導体パッケージの薄型化と低反り化とを両立し、薄型の半導体装置を高い歩留まりで提供することができる技術が開示されている。具体的には、まず封止材により封止された半導体パッケージを作製した後に、その半導体パッケージの表面に反り矯正基板を仮固定する工程、リフローする工程、リフロー後に半導体パッケージから反り矯正基板を除去する工程などを含む半導体装置の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−８６１５８号公報
【特許文献２】特開２０１６−０７２２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体技術の進展に伴い、電子パッケージの生産性の更なる向上が求められている。
本発明者らの知見によれば、従来の電子パッケージの製造技術には、少なくとも生産性の点でなお改善の余地がある。
よって、本発明は、電子パッケージの製造において、生産性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、電子パッケージの生産性向上という点で、仮接着の技術を応用できないかと考え、様々に検討を行った。その結果、新規な仮接着フィルムを用いて新規な方法により電子パッケージを製造すれば、電子パッケージの生産性を向上できることを着想し、そして以下に示される発明を完成させた。
【０００８】
本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムの表面には、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂとが存在し、
当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した複合膜における、前記領域Ａの部分での前記銅箔の引きはがし強さをｘＡ［ｋＮ／ｍ］、前記領域Ｂの部分での前記銅箔の引きはがし強さをｘＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５の関係が成り立つ仮接着フィルム
が提供される。
なお、この発明を「第１発明」とも表記する。
【０００９】
また、本発明によれば、
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた、上記の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。
なお、この発明を「第２発明」とも表記する。
【００１０】
また、本発明によれば、
上記のサポート基板が有する仮接着フィルムと、第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板を備えた面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、当該封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と、
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。
なお、この発明を「第３発明」とも表記する。
【００１１】
また、本発明によれば、
電子装置の製造に用いられる仮接着フィルムであって、
当該仮接着フィルムは、露光により接着力が低下する性質を有し、
未露光の当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第１複合膜における前記銅箔の引きはがし強さをｙＡ［ｋＮ／ｍ］とし、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した当該仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第２複合膜における前記銅箔の引きはがし強さをｙＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｙＢ／ｙＡ）≦０．５の関係が成り立つ仮接着フィルム
が提供される。
なお、この発明を「第４発明」とも表記する。
【００１２】
また、本発明によれば、
第１の基板と、
当該第１の基板の片面に設けられた、上記の仮接着フィルムと
を備える電子パッケージ製造用サポート基板
が提供される。
なお、この発明を「第５発明」とも表記する。
【００１３】
また、本発明によれば、
上記のサポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Ａと、前記領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設ける露光工程と、
前記露光工程で露光された仮接着フィルムと第２の基板とを仮接着し、複合基板を得る仮接着工程と、
前記第２の基板を備えた面を上面として前記複合基板を上面視したとき、前記複合基板における前記第２の基板の上に、前記領域Ｂと重なるようにして電子素子を配置する配置工程と、
前記配置工程で配置された前記電子素子に対して封止用組成物を適用し、前記封止用組成物の硬化物で前記電子素子が封止された封止基板を得る封止工程と
前記封止基板の少なくとも一部を切削する切削工程と、
前記サポート基板と、前記第２の基板とを分離する分離工程と、
を含む電子パッケージの製造方法
が提供される。
なお、この発明を「第６発明」とも表記する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子パッケージの製造において、生産性を高めることができる。
この「生産性を高めることができる」ことについてごく簡単に説明しておくと、例えば、複数個の電子素子を一括して封止するプロセスにおいて、封止された電子素子を取り出しやすくなる。詳しくは、本発明の実施形態において述べる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図２】電子パッケージの製造工程などを模式的に示す図である。
【図３】仮接着フィルムにおける「領域Ａ」と「領域Ｂ」の設け方の例を模式的に示す図である。
【図４】引きはがし強さの測定方法を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明する。
すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、（ｉ）同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その１つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合や、（ｉｉ）特に図２以降において、図１と同様の構成要素に改めては符号を付さない場合がある。
すべての図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応するものではない。
【００１７】
本明細書中、「略」という用語は、特に明示的な説明の無い限りは、製造上の公差や組立て上のばらつき等を考慮した範囲を含むことを表す。
本明細書中、数値範囲の説明における「ａ〜ｂ」との表記は、特に断らない限り、ａ以上ｂ以下のことを表す。例えば、「１〜５質量％」とは「１質量％以上５質量％以下」の意である。
【００１８】
本明細書における基（原子団）の表記において、置換か無置換かを記していない表記は、置換基を有しないものと置換基を有するものの両方を包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本明細書における「（メタ）アクリル」との表記は、アクリルとメタクリルの両方を包含する概念を表す。「（メタ）アクリレート」等の類似の表記についても同様である。
本明細書において「電子パッケージ」とは、電子素子（典型的には半導体チップ）が、何らかの形で封止材により封止されたもののことをいう。
【００１９】
以下では、第１発明、第２発明および第３発明の実施の形態を「第１実施形態」として説明する。また、第４発明、第５発明および第６発明の実施の形態を「第２実施形態」として説明する。
【００２０】
＜第１実施形態＞
［仮接着フィルム］
第１実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられる。
この仮接着フィルムの表面には、接着力の強い領域Ａと、領域Ａより接着力の弱い領域Ｂとが存在する。
また、この仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した複合膜における、領域Ａの部分での銅箔の引きはがし強さをｘＡ［ｋＮ／ｍ］、領域Ｂの部分での銅箔の引きはがし強さをｘＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５の関係が成り立つ。
【００２１】
ｘＢ／ｘＡの値は、０．１〜０．５であればよいが、好ましくは０．１２〜０．４、より好ましくは０．１４〜０．３である。
ｘＢの値は特に限定されないが、好ましくは０．０１〜０．３［ｋＮ／ｍ］、より好ましくは０．０５〜０．２５［ｋＮ／ｍ］、さらに好ましくは０．１〜０．２［ｋＮ／ｍ］である。
これら値を適切に調整することで、後述の電子パッケージ製造の生産性を一層高めることができる。
【００２２】
なお、ｘＡおよびｘＢの測定については、後述の実施例に記載の方法で行うことができるが、このような引きはがし強さの測定については、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１の、特に５．７項などの記載を参照することができる。
また、測定で用いられる「算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔」としては、例えば、三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み１２μｍ）の光沢面を用いることができる。ここで、「算術平均表面粗さ」は、具体的には、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３でＲａとして規定されているものである。
【００２３】
第１実施形態の仮接着フィルムにより、電子パッケージの生産性を向上できる理由については、後述の［電子パッケージの製造方法］の項で具体的に説明する。
【００２４】
ｘＡとｘＢが上記の関係を満たす領域ＡとＢを設ける方法は特に限定されないが、例えば、
（Ｉ）領域Ａの部分を熱硬化性樹脂組成物で構成し、領域Ｂの部分を熱硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂のフィルムで構成する、
（ＩＩ）光硬化性樹脂組成物で膜を形成し、その膜の一部に光照射することで、領域Ａと領域Ｂを設ける（光照射された部分が領域Ｂに、光照射されなかった部分が領域Ａになる）、
などの方法が適用可能である。
【００２５】
上記（Ｉ）における熱硬化性樹脂組成物ないし上記（ＩＩ）における光硬化性樹脂組成物の構成成分やその量を適切に調整すること、また、（ＩＩ）の場合には光照射のドーズを適切に調整すること等により、ｘＡおよびｘＢが所定の関係を満たす仮接着フィルムを製造することができる。
特に、熱硬化性樹脂組成物または光硬化性樹脂組成物中の、後述の充填材（具体的には無機充填材）の量を適切に調整することや、接着性を示す成分（エポキシ樹脂や重合性（メタ）アクリレート化合物など）の量を適切に調整することなどにより、接着力ないし引きはがし強さを適切に調整しやすくなる。
【００２６】
上記（Ｉ）の、領域Ａの部分を熱硬化性樹脂組成物で構成し、領域Ｂの部分を熱硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂のフィルムで構成する場合について説明する。
【００２７】
このような仮接着フィルムは、例えば、未硬化または半硬化状態の熱硬化性樹脂組成物で形成された膜（膜１）の表面に、別の熱硬化性樹脂組成物で形成された膜または熱可塑性樹脂フィルムの膜（膜２）を、付着させるまたは貼り付けることで得ることができる。
【００２８】
なお、通常、膜２の大きさは、膜１の大きさよりも小さい。
また、膜２として膜１とは別の熱硬化性樹脂組成物で形成された膜を用いる場合、典型的には、膜２の接着力の強さは膜１の接着力の強さよりも弱い（具体的には、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５の関係が成り立つような接着力の熱硬化性樹脂組成物が選択される）。このように接着力の強さを調整する方法としては、膜２を形成する熱硬化性樹脂組成物中に、後述の充填材（具体的には無機充填材）を適量含める、組成物中の接着性を示す成分（エポキシ樹脂や重合性（メタ）アクリレート化合物など）の量を適切に調整する、などの方法がある。
【００２９】
膜１の表面に膜２を付着させるまたは貼り付ける方法については、公知のラミネート技術（例えば真空ラミネート技術）などを適用することができる。
このようにして得られた仮接着フィルムは、通常、膜１に対応する部分が領域Ａ、膜２に対応する部分が領域Ｂとなる。
【００３０】
領域Ａを構成する熱硬化性樹脂組成物としては、前述の引きはがし強さ等を満たす限り任意のものを用いることができるが、エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物を含むものであることが好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物を用いることで、高温条件下において接着力の低下を抑えやすい。このことは、後述の電子パッケージの製造において、種々の加熱に対して耐性がある（加熱による剥がれ等が発生しにくい）ことを意味する。
【００３１】
エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物の具体例、組成物中の含有量などは、後述の光硬化性樹脂組成物の構成成分として説明されているエポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物と同様である。
また、熱硬化性樹脂組成物は、たとえば  後述の光硬化性樹脂組成物の構成成分として説明されている熱硬化触媒、充填材、溶剤など（光重合開始剤以外の成分）を含むことができる。
特に、熱硬化性樹脂組成物が充填材を含むことで、接着力ないし引きはがし強さを所望の値に調整しやすい。
【００３２】
領域Ｂが熱硬化性樹脂組成物から構成される場合、その熱硬化性樹脂組成物としては、例えば、上記の領域Ａを構成する熱硬化性樹脂組成物と同様の素材を用いつつも、接着力が低減された（０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５を満たすように調整された）組成物を用いることができる。
なお、接着力を適切に低減する方法としては、上記と同様、熱硬化性樹脂組成物中に、後述の充填材（具体的には無機充填材）を適量含める、組成物中の接着性を示す成分（エポキシ樹脂や重合性（メタ）アクリレート化合物など）の量を適切に調整する、などの方法がある。
【００３３】
領域Ｂが熱可塑性樹脂フィルムから構成される場合、その熱可塑性樹脂フィルムは特に限定されない。
例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４−メチル−１−ペンテン）、ポリ（１−ブテン）等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ナイロン−６、ナイロン−６６、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド；ポリ塩化ビニル；ポリ塩化ビニリデン；エチレン・酢酸ビニル共重合体；ポリビニルアルコール；ポリカーボネート；ポリスチレン；アイオノマー；等から選択される一種または二種以上の素材の熱可塑性樹脂フィルムを挙げることができる。
熱可塑性樹脂フィルムは、市販品を用いてもよいし、熱可塑性樹脂を含むワニス溶液を適当な基材に塗布し、溶剤を乾燥させることで得てもよい。後者の場合の「適当な基材」としては、ＰＥＴフィルムなどを挙げることができる。また、塗布にはコンマコーター等を用いることができる。
熱可塑性樹脂フィルムは、延伸されているものでも未延伸のものでもよい。
【００３４】
熱可塑性樹脂フィルムは、適度な柔軟性や軟化性などの観点から、ポリビニルアルコールフィルムまたはポリプロピレンフィルムが好ましい。
１５０℃前後に加熱されたときに適度に軟化／溶融するなどして、銅箔と弱く接着する（領域Ａの接着力よりは弱いが、ある程度の力で接着する）熱可塑性樹脂フィルムを適用することで、後述する電子パッケージの製造において、他の基板との密着性向上などのメリットが得られると考えられる。
【００３５】
次に、上記（ＩＩ）の、光硬化性樹脂組成物で膜を形成し、その膜の一部に光照射することで、領域ＡとＢを設ける場合について説明する。
一態様として、第１実施形態の仮接着フィルムの領域Ａの部分は、光硬化性樹脂組成物で構成されていることが好ましい。また、第１実施形態の仮接着フィルムの領域Ｂの部分は、その光重合性樹脂組成物の硬化物で構成されていることが好ましい。
【００３６】
この仮接着フィルムは、例えば、（ｉ）接着性を有し、かつ、その接着性が光照射により低下または喪失する光硬化性樹脂組成物により膜を形成し、そして、（ｉｉ）その膜の一部領域に光照射を行うことで、得ることができる（光照射された領域が領域Ｂとなり、光照射されなかった領域が領域Ａになる）。
【００３７】
照射光は、光硬化性樹脂組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能であるが、例えば波長１００〜１０００ｎｍの光、より具体的にはｇ線、ｉ線などが適用される。照射量（ドーズ）も、組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能である。例えば、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２である。光照射の方法としては、密着露光法、投影露光法、コンタクト・プロキシミティ露光法などが適宜適用可能である。
これら光照射の条件は、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５となるように適宜調整することができる。
【００３８】
領域ＡおよびＢを構成する光硬化性樹脂組成物としては、前述の引きはがし強さ等を満たす限り任意のものを用いることができるが、エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物と、光重合開始剤とを含むものであることが好ましい。
【００３９】
以下、光硬化性樹脂組成物が含みうる成分や、組成物の性状などについて説明する。
なお、前述したように、以下成分のうち、光重合開始剤以外の成分は、前述の熱硬化性樹脂組成物の構成成分としても好ましく用いられるものである。
【００４０】
（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂が挙げられる。
【００４１】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば１００以上であり、１５０〜５０００が好ましく、１５０〜１０００がより好ましく、１５０〜５００がさらに好ましい。
エポキシ樹脂は、多官能エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、芳香環構造（ベンゼン環構造など）および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂は、典型的には、多官能（２官能以上）である。
【００４２】
一態様として、エポキシ樹脂は、フェノキシ樹脂を含むことが好ましい。
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
【００４３】
これらの中でも、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールアセトフェノン骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、上記のうち複数の骨格を有するフェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００４４】
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０３以上８．０×１０４以下が好ましい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。
また、フェノキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば１０００〜３００００、より好ましくは５０００〜２００００である。
【００４５】
一態様として、フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂とが併用されることが好ましい。これにより、硬化速度を速めることができる。これにより、後述の電子パッケージの製造において、プロセスのスループットを高める効果が期待できる。
フェノキシ樹脂ではないエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂との量比は、特に限定されないが、例えば９：１〜５：５、好ましくは９：１〜６：４（質量比）である。
【００４６】
組成物中のエポキシ樹脂の含有量（複数種のエポキシ樹脂を併用する場合は、その合計量）は、組成物中の不揮発成分の全量を基準として、例えば２０〜９８質量％、好ましくは３０〜９６質量％、より好ましくは３５〜９０質量％、さらに好ましくは５５〜９０質量％である。
【００４７】
エポキシ樹脂（フェノキシ樹脂を含む）は、公知のものや市販のものを適宜用いることができる。市販品は、例えば、三菱ケミカル株式会社、日本化薬株式会社、新日鉄住金化学株式会社等から入手可能である。
【００４８】
（重合性（メタ）アクリレート化合物）
重合性（メタ）アクリレート化合物とは、光、熱、その他外部刺激により重合反応可能な（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。重合性（メタ）アクリレート化合物は、２官能以上である（１分子中に２以上の（メタ）アクリロイル基を有する）ことが好ましく、２〜６官能であることがより好ましい。
【００４９】
重合性（メタ）アクリレート化合物として具体的には、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート等の、（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステル（メタ）アクリレートオリゴマー；２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物；トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル） ２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物；市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００５０】
重合性（メタ）アクリレート化合物は、一態様として、ウレタン（メタ）アクリレートであることが好ましい。この態様として具体的には、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたもの、等が挙げられる。
【００５１】
重合性（メタ）アクリレート化合物は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
組成物中の硬化性（メタ）アクリレート化合物の含有量（複数種を併用する場合は、その合計量）は、組成物中の不揮発成分の全量を基準として、例えば１０〜８５質量％、好ましくは２０〜８０質量％、より好ましくは２５〜７５質量％である。
【００５２】
（光重合開始剤）
光硬化性樹脂組成物が光重合開始剤を含むことで、領域Ａと領域Ｂの引きはがし強さを最適化できること、露光量を少なくできることによる生産性のアップ、等が期待できる。
光重合開始剤は、公知の光ラジカル重合開始剤や光カチオン重合開始剤を、前述の露光工程における露光波長等に基づき適宜選択可能である。
【００５３】
光ラジカル重合開始剤として具体的には、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４´−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４´−ジクロロベンゾフェノン、３，３´−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００５４】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、オニウム塩構造のものが挙げられる。より具体的には、ジアゾニウム塩のようなルイス酸発生型のものや、ヨードニウム塩、スルホニウム塩のようなブレンステッド酸発生型のもの等が挙げられる。
光カチオン重合開始剤は、特に、エポキシ樹脂が有するエポキシ基に対して作用し、硬化反応を進行させる。
【００５５】
光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、オニウムカチオンの構造として具体的には、ジフェニルヨードニウム、４−メトキシジフェニルヨードニウム、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウム、トリフェニルスルホニウム、ジフェニル−４−チオフェノキシフェニルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルフォニオ）−フェニル］スルフィド、ビス［４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエチル）フェニル）スルホニオ）―フェニル］スルフィド、η５−２，４−（シクロペンタジエニル）［１，２，３，４，５，６−η−（メチルエチル）ベンゼン］−鉄（１＋）等が挙げられる。
【００５６】
また、光カチオン重合開始剤が、オニウム塩構造のものである場合、そのアニオンとしては、ボレート、ホスフェート、アンチモネート、スルホン酸アニオン等が挙げられる。より具体的なアニオンとしては、例えば以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）などが挙げられる。
【００５７】
（ｉ）ハロゲン化錯体：例えば、テトラフルオロボレート等のボレート、ヘキサフルオロホスフェート等のホスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサクロロアンチモネート等のアンチモネート。
（ｉｉ）有機酸アニオン：例えば、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン、トリニトロトルエンスルホン酸イオン等。
（ｉｉｉ）芳香族陰イオン：具体例には、テトラ（フルオロフェニル）ボレート、テトラ（ジフルオロフェニル）ボレート、テトラ（トリフルオロフェニル）ボレート、テトラ（テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラ（パーフルオロフェニル）ボレート、テトラ（トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラ（ジ（トリフルオロメチル）フェニル）ボレート等。
【００５８】
好ましい光カチオン重合開始剤としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、２，４，６−トリフェニルチオピリリウムヘキサフルオロホスフェート、４−イソブチルフェニル（４−メチルフェニル）ヨードニウム・ヘキサフルオロホスファート）等が挙げられる。
【００５９】
光重合開始剤は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、光ラジカル重合開始剤と光カチオン重合開始剤とを併用してもよい。もちろん、２種以上の光ラジカル重合開始剤を用いてもよいし、２種以上の光カチオン重合開始剤を用いてもよい。
組成物中の光重合開始剤の含有量（複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量）は、組成物の不揮発成分の全量を基準として、例えば０．１〜１５質量％、好ましくは０．３〜１０質量％、より好ましくは０．５〜８質量％である。
【００６０】
（熱硬化触媒）
熱硬化触媒を用いることで、後述する電子パッケージの製造において、時間短縮によるスループットの向上や、他の部材との密着性向上等の効果が期待できる。
熱硬化触媒としては、好ましくはイミダゾール類が用いられる。具体的には、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
また、熱硬化触媒としては、オニウム塩化合物も好ましい。使用可能なオニウム塩化合物は特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４−メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ−ＭＫ）、テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン−２，３−ジオキシ）フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物等が挙げられる。
【００６１】
熱硬化触媒は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
組成物中の熱硬化触媒の含有量（複数種を組み合わせて用いた場合は、その合計量）は、組成物中の不揮発成分の全量を基準として、例えば０．１〜１５質量％、好ましくは０．３〜１０質量％、より好ましくは０．５〜８質量％である。
熱硬化触媒は、市販品を用いてもよい。例えば、四国化成工業株式会社の「キュアゾール」シリーズ等を用いることができる。
【００６２】
（充填材）
光硬化性樹脂組成物は、好ましくは、充填材（フィラー）を含む。
充填材は、任意の充填材であってよく、有機充填材や無機充填材であってよい。半導体プロセスにおける耐熱性などの観点などからは、有機充填材よりも無機充填材が好ましく用いられる。
【００６３】
充填材により、領域Ａおよび／または領域Ｂの接着力を適切に調整する（典型的には弱くする）ことができる、領域Ａと領域Ｂの接着力の比率を適切にすることができる、等の効果が期待できる。つまり、充填材を用いることで、接着力ないし引きはがし強さを所望の値に調整・最適化しやすくなる。
【００６４】
充填材は特に限定されないが、たとえば、溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、硫酸バリウム、タルク、窒化ホウ素および窒化アルミからなる群から選択される１種類または２種類以上の無機充填材を含むことができる。これらの中でも、シリカおよびアルミナが、入手性や、上記の接着力の調整効果の点で好ましい。
【００６５】
充填材の平均粒径は、特に限定されないが、例えば、レーザー回折式粒度分布計による測定値において、好ましくは０．２〜２．０μｍ、より好ましくは０．２〜１．０μｍある。また、充填材の形状は、略真円状であることが好ましい。
【００６６】
充填材を用いる場合、その使用量は特に限定されないが、例えば、組成物中の不揮発成分の全量に対し、例えば１０〜８０質量％、好ましくは２０〜７０質量％、より好ましくは２０〜６０質量％である。
【００６７】
（組成物の性状、溶剤など）
仮接着フィルムとする前の光硬化性樹脂組成物の性状は、特に限定されず、例えば液状やフィルム状であってよい。
光硬化性樹脂組成物が液状である場合、その光硬化性樹脂組成物は、典型的には溶剤を含む。
溶剤は、領域Ａや領域Ｂを形成する前段階として、光硬化性樹脂組成物を適当な基材の上に塗布して膜状にする際に必要となる。なお、ここでの「適当な基材」としては、例えば、後掲の［サポート基板］の項で説明される第１の基板１０などがある。
また、塗布ではなくラミネート法により仮接着フィルムを形成する場合であっても、まず、上記のエポキシ樹脂等の各成分を溶剤に溶解させて液状の組成物を調製し、その後、その組成物を基材の上に均一に塗布する際、溶剤は必要と考えられる。
【００６８】
溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
溶剤を用いる場合、その使用量は特に限定されないが、例えば、組成物の不揮発成分の全量を基準としたときの濃度が３０〜８０質量％、好ましくは４０〜７０質量％となるように使用される。
【００６９】
第１実施形態の仮接着フィルムの厚みは、特に限定されないが、例えば１〜１００μｍ、好ましくは３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍである。仮接着フィルムの厚みの調整は、熱硬化性樹脂組成物または光硬化性樹脂組成物の濃度を調整する、塗布方法／塗布量を調整する、熱可塑性樹脂フィルムの厚みを調製する、等により行うことができる。
【００７０】
第１実施形態の仮接着フィルムの大きさや形状は特に限定されないが、例えば縦５０〜１０００ｍｍ、横５０〜１０００ｍｍの略長方形状または略正方形状である。また、直径５０〜１０００ｍｍの略円形状などであってもよい。
【００７１】
第１実施形態の仮接着フィルムにおいて、領域Ａと領域Ｂをどこに設けるかは、特に限定されない。例えば、図３（ｉ）のように、長方形状の仮接着フィルムにおいて、中心部の領域Ｂ（長方形状）の周りに領域Ａを設けることができる。その他、領域Ａと領域Ｂは、図３（ｉｉ）〜（ｖ）のいずれかのように設けてもよい。もちろん、領域Ａと領域Ｂの設け方は、これらに該当しないものであってもよい。
後述の［電子パッケージの製造方法］における切削工程のやりやすさや、その後の電子パッケージの取り出しやすさの点からは、領域Ａと領域Ｂの境界部は直線状である（曲線状でない）ことが好ましい。
（なお、図３において、仮接着フィルム１２は、後述する第１の基板１０の上に設けられた態様として示されている。）
【００７２】
［サポート基板］
第１実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板（単に「サポート基板」とも記載する）は、第１の基板と、その第１の基板の片面に設けられた仮接着フィルム（上記で［仮接着フィルム］として説明したもの）とを備える。
このサポート基板の一例を、模式的に図１（ｉ）に示す。
【００７３】
図１（ｉ）において、サポート基板３は、第１の基板１０と、その片面に設けられた仮接着フィルム１２とを備える。仮接着フィルム１２には、前述のように、領域ＡとＢが存在する。
【００７４】
第１の基板１０の材質、厚み、大きさ、形状等は、特に限定されないが、好ましくは以下に説明されるものである。
第１の基板１０の材質としては、例えば、金属や合成樹脂等が挙げられる。後述する種々のプロセス（加熱などを含む）を考慮すると、ある程度の高温に耐えられる材質であることが好ましい。この点では、第１の基板１０は金属製であることが好ましい。より好ましくは、鉄、ステンレス鋼材、銅などである。これらの中でも、ステンレスが好ましい。
また、第１の基板１０の材質を合成樹脂とする場合は、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。例えば、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。また、第１の基板１０の材質が合成樹脂である場合、フィラーや繊維等の成分が含まれていてもよい。これら成分により強度の向上が期待できる。
【００７５】
第１の基板１０の厚みは、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは４０μｍ以上、さらに好ましくは５０μｍ以上である。厚みを一定の値以上とすることで、第１の基板１０が十分な強度・剛性を有することとなるため、後の工程で第１の基板１０の変形が抑えられる。つまり、安定的に電子パッケージを製造することができる。
また、第１の基板１０の厚みは、例えば１０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。厚みを一定の値以下とすることで、第１の基板１０の重量の増加が抑えられるため、ハンドリング性が向上する。
【００７６】
第１の基板１０の大きさや形状は、例えば縦５０〜１０００ｍｍ、横５０〜１０００ｍｍの略長方形状または略正方形状である。また、直径５０〜１０００ｍｍの略円形状などであってもよい。
第１の基板１０は、少なくともその片面（仮接着フィルム１２が形成される面）が、略平坦であることが好ましい。
【００７７】
第１の基板１０の片面に、仮接着フィルム１２を設ける方法は、前述のとおり、塗布やラミネートによる方法が挙げられる。仮接着フィルム１２に領域ＡとＢを設ける方法も前述のとおりである。
仮接着フィルム１２の厚みについても、前述のとおりである。つまり、例えば１〜１００μｍ、好ましくは３〜８０μｍ、より好ましくは５〜５０μｍである。
【００７８】
［電子パッケージの製造方法］
第１実施形態の電子パッケージの製造方法では、上記の仮接着フィルムないしサポート基板を用いて、電子パッケージを製造することができる。
この製造方法は、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。これら各工程について、図を参照しつつ説明する。
【００７９】
・仮接着工程（図１（ｉｉ））
仮接着工程では、上述のサポート基板３が有する仮接着フィルム１２（領域ＡおよびＢを備える）と、第２の基板１４とを密着させて、第１の基板１０、仮接着フィルム１２および第２の基板１４の少なくとも３層を備える複合基板を得る。
【００８０】
第２の基板１４として具体的には、半導体ウェハ（シリコンウェハ等）、有機基板、インターポーザー基板に代表される各種パッケージ用基板などが挙げられる。第１実施形態においては、インターポーザー基板を好ましく適用することができる。
インターポーザー基板とは、典型的には、電子パッケージ内で異なる電子素子の間を電気的に接続するためのものである。このため、インターポーザー基板には、典型的には銅配線などが含まれる。
【００８１】
近年、電子装置（パッケージ）の一層の薄型化が要求されている。そのため、インターポーザー基板についても薄型化が要求されている。インターポーザーの材質として剛性が大きいものを用いることにより、インターポーザー基板のたわみや割れを抑えることも可能であるが、近年の薄膜化の要求に対しては材質の選択・改良のみでは不十分な場合もあると考えられる。
第１実施形態の電子パッケージの製造方法によれば、第１の基板１０の剛性により、第２の基板１４（具体的にはインターポーザー基板）のたわみや割れが抑えられる。
また、インターポーザー基板の材質として剛性が大きいものを用いる場合、より一層インターポーザー基板を薄く設計することができる。
【００８２】
第２の基板１４（インターポーザー基板等）は、位置合わせのためのアラインメントマーク（図示せず）を有することが好ましい。これにより、第１の基板１０と第２の基板１４との位置合わせがしやすくなる、後述する配置工程において電子素子１６を適切な位置に配置しやすくなる、後述する切削工程において適切な位置を切削しやすくなる、などの効果がある。
【００８３】
仮接着工程の具体的方法は、特に限定されないが、例えばラミネート法を用いることができる。具体的には、第２の基板１４と、仮接着フィルム１２とを密着させたうえで、３０〜１００℃、０．１〜１ＭＰａの条件での真空ラミネートにより接着することができる。
また、例えばラミネート工程の後に、第１の基板１０、仮接着フィルム１２および第２の基板１４の全体を、オーブンに投入するなどして、１００〜２００℃で１０〜１２０分加熱してもよい。これにより、接着性が確実となる等の効果が期待できる。  
【００８４】
・配置工程（図１（ｉｉｉ））
配置工程では、仮接着工程で得た複合基板の、第２の基板１４を備えた面を上面視したときに、領域Ｂと重なるようにして、複合基板における第２の基板１４の上に電子素子１６を配置する。
このように配置することで、後述する切削工程、分離工程等を経て切り出される電子パッケージの底面が、接着力が比較的弱い領域Ｂと接することとなる。よって、切削工程後に、電子パッケージを第１の基板１０から分離することが容易となる。つまり、電子パッケージ製造の生産性を高めることができる（このことは、後述の切削工程および分離工程でより詳しく説明する）。
【００８５】
配置工程では、複数の電子素子１６を配置することが好ましい。そうすることで、電子パッケージの生産性の一層の向上が期待できる。第１実施形態の電子パッケージの製造方法において、一度に配置される電子素子１６の個数は、例えば、２〜２０００個、好ましくは４〜１０００個である。また、複数の電子素子１６の相対的な配置位置は、特に限定はされないが、典型的には略等間隔に配置される。
【００８６】
配置される電子素子１６は、装置・電子回路などの構成要素となる個々の部品で、独立した固有の機能をもっているものであれば、特に限定されない。電子素子１６の例としては、半導体チップなどがある。
【００８７】
配置される電子素子１６は、後の封止工程において配置位置がずれないようにするため、またはその他の目的のため、追加の適当なプロセスにより、固定や仮止め等がされてもよい。
【００８８】
例えば、第２の基板１４がインターポーザー基板である場合には、そのインターポーザー基板と電子素子１６とを接続するプロセスを含むことが好ましい。具体的には、いわゆるリフロー工程を行う、すなわち、第２の基板１４および／または電子素子１６にあらかじめ付けておいた半田を、適当な手段で（例えば基板全体を加熱することで）溶かし、第２の基板１４と電子素子１６とを接続する工程を行ってもよい。リフロー工程の条件は、例えば、温度２５０〜３００℃で１〜１０分である。
ここでの固定や仮止めには、リフロー工程以外に、公知のバンプ形成技術、チップ接続技術等を適用してもよい。
【００８９】
・封止工程（図１（ｉｖ））
封止工程では、配置工程で配置された電子素子１６に対して封止用組成物を適用し、封止用組成物の硬化物（硬化物１８）で電子素子１６が封止された封止基板２０を得る。
【００９０】
封止用組成物は、電子素子１６を封止可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂等を含むものが好ましく挙げられる。
封止用組成物としては、公知のものを適宜適用することができる。
封止用組成物は、一態様として、以下に説明する熱硬化性樹脂（Ａ）を好ましく含有する。また、その他、硬化剤（Ｂ）、硬化触媒（Ｃ）、無機充填材（Ｄ）等の成分を含有してもよい。以下、これら成分について説明しておく。
【００９１】
（熱硬化性樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂（Ａ）は、たとえばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、オキセタン樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、およびマレイミド樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性、保存性、耐熱性、耐湿性、および耐薬品性を向上させる観点から、エポキシ樹脂を含むことができる。
【００９２】
熱硬化性樹脂（Ａ）に含まれるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
【００９３】
エポキシ樹脂は、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等に例示されるトリスフェノール型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のフェノールアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらのうち、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことが、充填性、耐熱性、耐湿性等の諸特性のバランスを向上させる観点から好ましい。
【００９４】
熱硬化性樹脂（Ａ）の含有量は、封止用組成物の全体に対して好ましくは２〜５０質量％、より好ましくは３〜３０質量％、更に好ましくは４〜１５質量％である。適切な含有量とすることで、充填性や成形安定性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。
【００９５】
（硬化剤（Ｂ））
封止用組成物は、硬化剤（Ｂ）を含むことが好ましい。硬化剤（Ｂ）は、例えば、重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、および縮合型の硬化剤の３タイプに大別することができる。
【００９６】
重付加型の硬化剤は、たとえばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、ポリビニルフェノール、アラルキル型フェノール樹脂などのフェノール樹脂系硬化剤；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００９７】
触媒型の硬化剤は、たとえばベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００９８】
縮合型の硬化剤は、たとえばレゾール型フェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂などの尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂などのメラミン樹脂からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。
【００９９】
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、および保存安定性等についてのバランスを向上させる観点から、フェノール樹脂系硬化剤を含むことがより好ましい。フェノール樹脂系硬化剤としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量、分子構造は特に限定されない。
【０１００】
硬化剤（Ｂ）として用いられるフェノール樹脂系硬化剤は、たとえばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック等のノボラック型フェノール樹脂；ポリビニルフェノール；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル型フェノール樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物からなる群から選択される一種類または二種類以上を含む。これらの中でも、封止用組成物の硬化性を向上させる観点からは、ノボラック型フェノール樹脂、およびフェノールアラルキル型フェノール樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましい。
【０１０１】
硬化剤（Ｂ）の含有量は、封止用組成物全体に対して１〜４０質量％であることが好ましく、２〜２５質量％であることがより好ましく、３〜１０質量％であることが更に好ましい。硬化剤（Ｂ）の含有量を適切に調整することで、充填性や成形性の向上、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上などが期待できる。
【０１０２】
（硬化触媒（Ｃ））
封止用組成物は、硬化触媒（Ｃ）をさらに含んでもよい。硬化触媒（Ｃ）は、熱硬化性樹脂（Ａ）（たとえば、エポキシ樹脂のエポキシ基）と、硬化剤（Ｂ）（たとえば、フェノール樹脂系硬化剤のフェノール性水酸基）と、の架橋反応を促進させるものであればよく、公知の封止用組成物に使用するものを用いることができる。
【０１０３】
硬化触媒（Ｃ）は、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、イミダゾール化合物、トリアジン系化合物のイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン等のアミン系硬化促進剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、バリの抑制や充填性、硬化性のバランスを向上させる観点からは、リン原子含有化合物およびイミダゾール化合物から選択される一種または二種以上を含むことがより好ましい。また、硬化性を向上させる観点からはリン原子含有化合物を含むことがより好ましい。
【０１０４】
硬化触媒（Ｃ）の含有量は、封止用組成物全体に対して０．０５〜２．０質量％であることが好ましく、０．１〜１．０質量％であることがより好ましく、０．１５〜０．５質量％であることが更に好ましい。硬化触媒（Ｃ）の含有量を適切に調整することで、硬化性の向上や、流動性の向上による充填性の向上などが期待できる。
【０１０５】
（無機充填材（Ｄ））
封止用組成物は、無機充填材（Ｄ）（フィラー）を含んでもよい。無機充填材（Ｄ）は、たとえば溶融シリカ、結晶シリカ等のシリカ、アルミナ、水酸化アルミニウム、窒化珪素、および窒化アルミからなる群から選択される一種類または二種類以上を含むことができる。これらの中でも、汎用性の観点から、シリカを含むことが好ましく、溶融シリカを含むことがより好ましい。また、封止用組成物を用いて形成される封止樹脂の難燃性を向上させる観点からは、水酸化アルミニウムを含むことがより好ましい。とりわけシリカと水酸化アルミニウムをともに含む場合を、好ましい例として挙げることができる。
【０１０６】
無機充填材（Ｄ）の含有量は、封止用組成物全体に対して６０〜９０質量％であることが好ましく、７０〜８５質量％であることがより好ましい。含有量を適切に調整することにより、耐湿信頼性や耐リフロー性の向上、充填性の向上などが期待できる。
【０１０７】
（その他の成分）
封止用組成物は、必要に応じて、たとえばカップリング剤、離型性付与剤、着色剤、イオン捕捉剤、オイル、低応力剤、難燃剤および酸化防止剤等の各種添加剤のうち１種以上を適宜配合することができる。
【０１０８】
カップリング剤は、たとえば各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を含んでもよい。これらの中でも、エポキシシランまたはアミノシランがより好ましく、２級アミノシランが更に好ましい。
離型性付与剤は、たとえばカルナバワックス等の天然ワックス、モンタン酸エステルワックスや酸化ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸およびその金属塩類、ならびにパラフィンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
着色剤は、たとえばカーボンブラックおよび黒色酸化チタンのうちのいずれか一方または双方を含んでもよい。
イオン捕捉剤は、たとえばハイドロタルサイトを含んでもよい。
オイルは、たとえばシリコーンオイルを含んでもよい。
低応力剤は、たとえばシリコーンゴムを含んでもよい。
難燃剤は、たとえば水酸化マグネシウム、ホウ酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、およびホスファゼンから選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
酸化防止剤は、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤およびチオエーテル系酸化防止剤から選択される一種類または二種類以上を含んでもよい。
【０１０９】
（封止用組成物の性状）
封止用組成物の性状は、顆粒状、液体状、フィルム状（適当な支持体の上に膜状に形成されたもの）等であってよい。封止用組成物は、典型的には顆粒状である。
【０１１０】
封止工程は、例えば以下のように行うことができる。
まず、封止用組成物（典型的には、上記に説明した成分を含む顆粒状の封止用組成物）を、配置された電子素子１６が十分に埋もれる程度の量、第２の基板１４の上、すなわち配置された電子素子１６の上面および側面に適用する。この際、配置された電子素子１６の位置がずれないように留意する。
次に、圧縮成形等の方法により、封止成形を行う。これにより、硬化物１８により電子素子１６が封止された封止基板２０が得られる。圧縮成形は、たとえば１２０〜１８０℃の温度で行うことができる。
また、封止用組成物を確実に硬化させるため、圧縮成形の後、更に加熱工程を行うことが好ましい。この加熱は、例えば、オーブンを用いて、温度１２０〜２５０℃で、１〜１０時間程度とすることができる。
もちろん、封止工程は、上記以外のやり方により行ってもよい。例えば、封止用組成物として、顆粒状のものではなく、流動性のあるペースト状のものを用いるなどしてもよい。
【０１１１】
・切削工程および分離工程（図２）
上述の封止基板２０の少なくとも一部を切削する切削工程と、サポート基板３と第２の基板１４とを分離する分離工程とにより、電子素子１６が硬化物１８で封止された構造物（電子パッケージ）を得ることができる。
【０１１２】
切削の一例として、封止基板２０における硬化物１８がある面を上面として、電子素子１６が存在する部分を切り出す（図２（ｖ−１））。これにより、封止基板２０から、電子パッケージを分離することができる。
ここでの切削は、例えば、少なくとも硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分までの深さで行う（図２（ｖ−１）は、このように切削した場合を模式的に示している）。もちろん、切削の深さは「硬化物１８の上面から第２の基板１４の部分まで」に限定されるものではない。硬化物１８の上面から第１の基板１０まで（上から下まで）を切削してもよい。
【０１１３】
封止基板２０の切削位置（ブレードを入れる位置）は、特に限定されず、電子パッケージを得られる限りにおいて任意の位置であってよい。ただし、好ましくは、封止基板２０における硬化物１８がある面を上面として、封止基板２０を上面視したときに領域Ｂに相当する部分（特に、領域Ｂにおける、領域Ａとの境界に近い部分）を切削する。このようにすることで、切削工程後に分離する電子パッケージの底面（第２の基板１４の、仮接着フィルム１２と接している部分）が、接着力が比較的小さい領域Ｂにのみ接することとなる。つまり、電子パッケージの分離がより容易となるというメリットがある。
【０１１４】
一方で、切削後電子パッケージがある程度強く仮接着された状態を所望する場合には、必ずしも上記のように切削する必要は無い。念のために述べておくが、第１実施形態において、領域Ａに相当する部分を切削してはいけないということはない。
なお、切削は、通常は電子素子１６を傷つけないように行われる。
【０１１５】
切削および分離に際し、領域Ｂの接着力が領域Ａの接着力よりも小さい（具体的には、０．１≦（ｘＢ／ｘＡ）≦０．５である）ことにより、電子パッケージの分離が容易であるというメリットがある。
また、ｘＢがゼロではない（領域Ｂは、領域Ａよりは弱いものの、ある程度の接着力を有する）ことにより、切り出された電子パッケージが、切削力により意図しない方向に「飛んでいく」などの不具合が起こりにくい。
【０１１６】
さらに、第２の基板に仮接着フィルムの残渣が付着しにくいという追加的なメリットも考えられる。このことは、電子パッケージの歩留まり向上などの点で重要と考えられる。
特に、第１実施形態では、領域Ｂの、銅箔に対する接着力が比較的弱い。このことにより、第２の基板１４としてインターポーザー基板（典型的には銅配線などの銅部材を含む）を用いた場合であっても、仮接着フィルムの残渣が付着しにくい傾向にある。この効果は、特に、ｘＢが０．０１〜０．３［ｋＮ／ｍ］であるときに顕著であると考えられる。
【０１１７】
一方、領域Ａの部分の接着力は比較的大きいことにより、切削工程や前述の各工程において、サポート基板３が剥がれる等の不具合が起こりにくい。
特に、領域Ａは、加熱後でもある程度大きな接着力を有するから、前述のリフロー工程などを行ったとしても、第１の基板１０と第２の基板１４との接着を維持することができると考えられる。
【０１１８】
また、上記の一連の工程により、複数の電子素子１６に一括して第２の基板１４（インターポーザー基板等）を接合させることができたり、複数の電子素子１６を一括して封止したりすることができる。
さらに、切削において、第１の基板１０があることにより、封止基板２０全体が安定する。
【０１１９】
つまり、第１実施形態の仮接着フィルムないしサポート基板を用いて、上記の工程により電子パッケージを製造することで、電子パッケージの製造を効率化することができる。
【０１２０】
上記とは別の切削の例として、封止基板２０における、第１の基板１０の面を上面として、その上面側から切削し、その後、封止基板２０の一部である、第１の基板１０および仮接着フィルム１２（サポート基板３の一部）を分離してもよい（図２（ｖ−２））。
この切削は、例えば、少なくとも第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分の深さまで行う。もちろん、切削の深さは「第１の基板１０の上面から仮接着フィルム１２の部分まで」に限定されるものではない。第１の基板１０の上面から硬化物１８まで（上から下まで）を切削するようにしてもよい。
【０１２１】
この場合も、封止基板２０の切削位置（ブレードを入れる位置）は、特に限定されず、電子パッケージを得られる限りにおいて任意の位置であってよい。ただし、好ましくは、封止基板２０における第１の基板１０がある面を上面として、封止基板２０を上面視したときに領域Ｂに相当する部分（特に、領域Ｂにおける、領域Ａとの境界に近い部分）を切削する。このようにすることで、切削工程後に分離するサポート基板３の、第２の基板１４と接する部分が、接着力が比較的小さい領域Ｂにのみとなる。つまり、電子パッケージとサポート基板との分離がより容易となるというメリットがある。
【０１２２】
一方で、切削後電子パッケージがある程度強く仮接着された状態を所望する場合には、必ずしも上記のように切削する必要は無い。念のために述べておくが、第１実施形態において、領域Ａに相当する部分を切削してはいけないということはない。
なお、切削は、通常は電子素子１６を傷つけないように行われる。
【０１２３】
図２（ｖ−２）のように切削する場合も、領域Ａと領域Ｂがあることにより、分離が容易である、各工程でサポート基板３が剥がれにくい、複数の電子素子１６に一括して第２の基板１４（インターポーザー基板等）を接合できる、複数の電子素子１６を一括して封止できる、等のメリットが得られる。
【０１２４】
切削には、公知の切削技術を適宜適用できる。具体的には、公知のダイシングソーを用いた切削、すなわち、ダイシングブレード（ダイヤモンド製の円形回転刃が慣用される）を高速回転させ、純水等で冷却・切削屑の洗い流しを行いながら切断する方法、レーザーダイシングによる方法、これら方法の組み合わせ、等の方法を適用できる。
【０１２５】
切削により分離された電子パッケージ（複数の電子素子１６を含む）を、さらに切削するなどすれば、１つ１つの電子素子１６が封止された電子パッケージが得られる。
【０１２６】
なお、上記では、複数個の電子素子１６を含む電子パッケージを切り出す例（２例）について説明したが、当然、１つ１つの電子素子１６が切り出されるように切削する態様も、切削工程に含まれる。
【０１２７】
繰返しとなるが、第１実施形態は、１つ１つの電子パッケージそれぞれを封止用組成物で覆い、加熱して封止するという煩雑な工程ではなく、それより単純な工程により最終的な電子パッケージを得られるなどの点で、生産性向上のメリットがある。
【０１２８】
＜第２実施形態＞
［仮接着フィルム］
第２実施形態の仮接着フィルムは、電子装置の製造に用いられる。
この仮接着フィルムは、露光により接着力が低下する性質を有する。
また、未露光の仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第１複合膜における銅箔の引きはがし強さをｙＡ［ｋＮ／ｍ］とし、
２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第２複合膜における銅箔の引きはがし強さをｙＢ［ｋＮ／ｍ］としたとき、
０．１≦（ｙＢ／ｙＡ）≦０．５の関係が成り立つ。
【０１２９】
なお、ｙＢ／ｙＡの値は、０．１〜０．５であればよいが、好ましくは０．１５〜０．４５、より好ましくは０．２〜０．４である。
また、ｙＢの値は特に限定されないが、好ましくは０．０１〜０．３［ｋＮ／ｍ］、より好ましくは０．０５〜０．２７［ｋＮ／ｍ］、さらに好ましくは０．１５〜０．２５［ｋＮ／ｍ］である。
ｙＡおよびｙＢの測定の具体的方法は、第１実施形態におけるｘＡおよびｘＢの測定の具体的方法と同様である。詳細は後述の実施例を参照されたい。
【０１３０】
第２実施形態の仮接着フィルムは、上述の第１実施形態の（ＩＩ）のような、光硬化性樹脂組成物で膜を形成し、その膜の一部に光照射することで領域Ａと領域Ｂを設けた仮接着フィルムの、「前段階」のフィルムであると言える。
つまり、第２実施形態の仮接着フィルムの一部に、２０００ｍＪ／ｃｍ２程度のｉ線を照射するなどして、照射部分の接着力を低下させ、第１実施形態における「領域Ａ」と「領域Ｂ」を設けることができる。
【０１３１】
このような、「領域Ａ」と「領域Ｂ」が設けられた仮接着フィルムの利点（得られる効果）については、第１実施形態で説明済である。よって、改めての説明は省略する。
【０１３２】
また、第２実施形態の仮接着フィルムの原材料については、第１実施形態の仮接着フィルムにおいて説明した光硬化性樹脂組成物と同様のものを挙げることができる。
つまり、第２実施形態の仮接着フィルムは、好ましくは、エポキシ化合物および重合性（メタ）アクリレート化合物からなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物と、光重合開始剤と、場合によりその他任意成分（例えば充填材、好ましくは無機充填材）とを含む光硬化性樹脂組成物を用いて得ることができる。
光硬化性樹脂組成物の詳細についても、改めての説明は省略する。
【０１３３】
第２実施形態の仮接着フィルム特有のメリットとして、接着力を「調整可能」であるという点がある。
第１実施形態の仮接着フィルムにおいては、ｘＢ／ｘＡは基本的に一定値である。一方、第２実施形態の仮接着フィルムにおいては、領域Ｂを設ける際の露光量を調整することで、接着力を調整することができる。このことは、例えば、１種の仮接着フィルムを、多種多様な電子パッケージの製造に適用しうること（電子パッケージの変更に伴って、新たな仮接着フィルムを一から準備しなくてもよいこと）を意味する。
【０１３４】
具体的には、５００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線で露光した第２実施形態の仮接着フィルムと、算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔とを、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着後、１５０℃で１時間加熱して接着した第３複合膜における銅箔の引きはがし強さをｙｃ［ｋＮ／ｍ］としたとき、ｙＢ＜ｙｃ＜ｙＡの関係が成り立ち、かつ、０．２≦（ｙｃ／ｙＡ）≦０．７の関係が成り立つことが好ましい。
【０１３５】
また、第２実施形態の仮接着フィルム特有の更なるメリットとして、領域ＡおよびＢを自由に設けることができるという点がある。これについても、１種の仮接着フィルムを、多種多様な電子パッケージの製造に適用しうるということを意味する。
【０１３６】
［サポート基板］
第２実施形態の電子パッケージ製造用サポート基板（単に「サポート基板」とも記載する）は、第１の基板と、その第１の基板の片面に設けられた仮接着フィルム（上記で［仮接着フィルム］として説明したもの）とを備える。
このサポート基板の具体的態様、用途等については、第１実施形態のサポート基板と同様である。よって、改めての説明は省略する（ただし、仮接着フィルムについては、第２実施形態のものである）。
【０１３７】
［電子パッケージの製造方法］
第２実施形態の電子パッケージの製造方法は、露光工程、仮接着工程、配置工程、封止工程、切削工程および分離工程を含むことができる。
このうち、露光工程以外の工程については、第１実施形態の電子パッケージの製造方法と同様であるよって、改めての説明は省略する。
【０１３８】
上記の露光工程について説明する。
露光工程においては、上述のサポート基板が有する仮接着フィルムを露光し、接着力の強い領域Ａと、領域Ａより接着力の弱い領域Ｂと設けることができる。
露光する光は、光硬化性樹脂組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能であるが、例えば波長１００〜１０００ｎｍの光、より具体的にはｇ線、ｉ線などが適用される。露光量（ドーズ）も、組成物の感光特性などに基づき適宜設定可能である。例えば、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２である。露光の方法としては、密着露光法、投影露光法、コンタクト・プロキシミティ露光法などが適宜適用可能である。露光条件は、例えば、未露光部を基準としたときの露光部の引きはがし強さ（ｙＡやｙＢなどと同様にして測定される）が、０．１〜０．５倍となるように適宜調整される。
【０１３９】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
【実施例】
【０１４０】
本発明の実施態様を、実施例および比較例に基づき詳細に説明する。なお、本発明は実施例に限定されるものではない。
【０１４１】
Ｉ．仮接着フィルムを、熱硬化性樹脂組成物および／または熱可塑性樹脂のフィルムから作製した例
【０１４２】
１．実施例１および比較例１の仮接着フィルム／サポート基板の作製
以下の工程により、図１（ｉ）に示されるような、中心部の領域Ｂ（長方形状）の周りに領域Ａが設けられた、長方形状の仮接着フィルムを得た。また、その仮接着フィルムを片面に備えたサポート基板を得た。
【０１４３】
（１）市販の熱可塑性樹脂製フィルム（後掲の表に記載）を準備し、適当な大きさにカットした。（これを、領域Ｂの素となる熱可塑性樹脂のフィルムとした。）
（２）後掲の表の「領域Ａ組成」の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度６０質量％の塗布液を調製した。
（３）上記の塗布液を、コンマコーターを用いて、第１のＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗布し、溶媒を乾燥させた。このときの膜厚は２０μｍとした。（こうして形成した膜を領域Ａの素となる熱硬化性樹脂組成物とした。）
（４）上記（３）で形成された膜の塗布面に、上記（１）で準備したフィルムを置いた。また、その上に更に第２のＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））を置いた。これらを一括して真空ラミネーターでラミネートした。ラミネートの条件は、６０℃／０．３ＭＰａ／３０ｓｅｃとした。
（５）上記（４）で得られたラミネート構造における第１のＰＥＴフィルムを剥がし、ステンレス製の第１の基板（厚さ１００μｍ、縦７０ｍｍ×横２００ｍｍ）と密着させた。その後、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、５０℃、０．３ＭＰａの条件で真空ラミネートを行った。これにより、ステンレス製の第１の基板の片面に、領域Ａと領域Ｂを有する仮接着フィルムが設けられたサポート基板を得た。
なお、第１のＰＥＴフィルムは、下記３．の測定の直前、または、下記４．（２）の工程の直前に剥離した。
【０１４４】
２．実施例２〜６および比較例２の仮接着フィルム／サポート基板の作製
上記１．において、市販の熱可塑性樹脂製フィルム（領域Ｂの素となる部分）の代わりに、以下のようにして準備したフィルムを用いた以外は同様にして、仮接着フィルムおよびサポート基板を得た。ここでの仮接着フィルムも、中心部の領域Ｂ（長方形状）の周りに、領域Ａが設けられた、長方形状のものである。
【０１４５】
後掲の表の「領域Ｂ組成」の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度６０質量％の塗布液を調製した。この塗布液を、コンマコーターを用いて、ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗布し、溶媒を乾燥させた。このときの膜厚は１０μｍとした。
こうして形成した膜を、領域Ｂの素とした。
【０１４６】
３．ｘＡおよびｘＢの測定
算術平均表面粗さが０．２μｍの銅箔として、三井金属鉱山社製の銅箔（品番：３ＥＣ−Ｍ３−ＶＬＰ、厚み：１２μｍ）を、幅２５ｍｍの短冊状に切ったものを準備した。
仮接着フィルムの領域Ａの部分および領域Ｂの部分にまたがるように銅箔を置き、銅箔の光沢面（算術平均表面粗さ：０．２μｍ）を、仮接着フィルムの領域Ａ、Ｂ両方に接触させた。これを温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着（真空ラミネート）し、さらに、オーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。その後、室温で放冷した。
【０１４７】
上記で仮接着フィルムに接着された銅箔を、５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で、図４に示されるように垂直方向に引きはがした。このときの引きはがし強さ（単位：ｋＮ）を、銅箔の幅０．０２５ｍで割り、領域Ａの部分での引きはがし強さｘＡおよび領域Ｂの部分での引きはがし強さｘＢを求めた。
一定速度での引きはがしおよび引きはがし強さの測定には、島津製作所社製の精密万能試験機（オートグラフ  ＡＧ−Ｘ  ｐｌｕｓ）を用いた。また、ここに明記のない測定条件等については、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１の特に５．７項に準拠した。
【０１４８】
４．電子パッケージの製造
（１）サポート基板の作製
上記１．および２．に記載のようにして、ステンレス製の第１の基板の上に、領域Ａと領域Ｂを有する仮接着フィルムが設けられたサポート基板を準備した。  
【０１４９】
（２）仮接着工程
サポート基板が有する仮接着フィルムと、あらかじめ準備しておいた第２の基板（アラインメントマーク付きのインターポーザー基板）とを、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、６０℃、０．３ＭＰａの条件で真空ラミネートを行うことで、接着した。
用いたインターポーザー基板は、厚み８０μｍであり、縦横の大きさが第１の基板と略同じであった。また、このインターポーザー基板は、主としてエポキシ樹脂により構成され、略等間隔にユニット構造（インターポーザーの上下を電気的に接続する銅配線や、半田バンプ構造等を含む）が設けられ、また、ユニット構造が設けられていない部分は略平坦だった。
真空ラミネートによる接着後、接着性を確実にするため、オーブンを用いて、１５０℃で１時間加熱処理を行い、その後、放冷した。
以上により、第１の基板−仮接着フィルム−第２の基板（インターポーザー基板）の３層構成の複合基板を得た。
【０１５０】
（３）配置工程（リフロー工程を含む）
上記（２）で得られた複合基板のインターポーザー基板のユニット構造部分に、複数個の電子素子を配置した。なお、本実施例および比較例では、電子素子の配置位置は、複合基板を上面視したときに、全ての電子素子が領域Ｂと重なるようにした。
その後、電子素子を配置した複合基板をリフロー炉（株式会社大和製作所製  ＮＲＹ−３２５−５Ｚ）に投入し、リフロー処理（炉内雰囲気温度２６０℃、投入時間５分）を行った。これにより、インターポーザー基板と電子素子とを接続した。
【０１５１】
（４）封止工程
まず、上記の配置工程を行った後の基板の上面（電子素子が配置されている面）に、電子素子が十分隠れる量の封止用組成物を適用した。封止用組成物としては、公知の顆粒状の封止用組成物（エポキシ樹脂、シリカ粒子、硬化剤等を含有）を用いた。
その後、温度１７５℃、圧力１０ＭＰａ、時間１２０秒の条件で封止用組成物を封止し、そして、オーブンで温度１７５℃、時間５時間の条件で硬化させ、封止基板を得た。
【０１５２】
（５）切削工程
上記で得られた封止基板における、封止物と第２の基板（インターポーザー基板）とを適切に切削することで、複数個の電子素子が封止された電子パッケージを切り出した。
切削装置としては、株式会社ディスコ製のダイシング装置  ＤＡＤ３２４０を使用した。また、ダイシングブレードとして、型番ＺＨ０５−ＳＤ２０００のものを使用した。
切削の「位置」については、封止基板を上面視したときの、領域Ｂに相当する部分の周縁部を長方形状に切削した。
【０１５３】
５．評価
（１）基板接着性
上記４．（３）の配置工程（リフロー工程を含む）において、リフロー処理後に、基板の剥がれ等が発生していないかを確認した。基板（第１の基板および／または第２の基板）の剥がれや膨れが発生しなかった場合を○（良い）、剥がれまたは膨れが発生した場合を×（悪い）とした。
【０１５４】
（２）電子パッケージ分離性
上記４．（５）の切削工程にて切り出された電子パッケージについて、以下基準で評価した。
○（良い）：切削終了時には、電子パッケージは仮接着フィルムと接着していたが、容易に剥離でき、電子パッケージを分離することができた。
△（やや良い）：切削終了時に、既に電子パッケージは仮接着フィルムから剥離していた。
×（悪い）：電子パッケージを仮接着フィルムから容易に剥離することができなかった、または、電子パッケージを仮接着フィルムから剥離した際、第２の基板に損傷が認められた。
【０１５５】
（３）残渣の付着有無
上記４．（５）の切削工程の後、電子パッケージを第１の基板から分離して、その底面（第２の基板）を金属顕微鏡で観察した。仮接着フィルムの残渣が底面に付着していなければ〇（良い）、仮接着フィルムの残渣が底面に付着していれば×（悪い）とした。
【０１５６】
表１に、領域ＡおよびＢの構成または組成、上記３．のｘＡおよびｘＢの測定結果、上記５．の評価結果についてまとめて示す。
表１において、各成分の量は、質量部である。
【０１５７】
【表１】
2019172918.tif 000003
【０１５８】
表１（および後掲の表２）に記載されたものの入手先などは以下の通りである。
・エポキシ樹脂１：ＹＸ６９５４ＢＨ３０（フェノキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂２：１２５６Ｂ４０（フェノキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂３：ＹＬ６８１０（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）  三菱ケミカル社製
・エポキシ樹脂４：ＮＣ３０００（ＢＡ型エポキシ樹脂）  日本化薬社製
・アクリレート１：ＮＫオリゴＵＡ−１２２Ｐ（ウレタンアクリレート系化合物）  新中村化学社製
・アクリレート２：ＮＫオリゴＵＡ−１６０ＴＭ （ウレタンアクリレート系化合物）  新中村化学社製
・光重合開始剤１：Ｉｒｇａｃｕｒｅ  ６５１（光ラジカル重合開始剤、化合物名：２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン）  ＢＡＳＦ社製
・熱硬化触媒：２ＰＺ−ＰＷ（イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤）  四国化成社製
・無機充填材：ＳＯ−Ｃ２（平均粒径０．５μｍの溶融シリカ）  アドマテックス社製
・熱可塑フィルム１：ＶＦ−Ｊ１００（ポリビニルアルコールフィルム、厚み１８μｍ）  クラレ社製
・熱可塑フィルム２：延伸ポリプロピレンフィルム
【０１５９】
表１に示されるとおり、ｘＢ／ｘＡの値が０．１〜０．５である仮接着フィルムを用いて電子パッケージの製造を行った実施例１〜６では、基板接着性、電子パッケージ分離性および残渣の付着有無について、良好な結果が得られた。そして、複数個の電子素子を一括して封止するプロセスにより、電子パッケージの製造の生産性を高められることが示された。
一方、ｘＢが「ゼロ」である（領域Ｂに全く接着性が無い）比較例１は、電子パッケージ分離性において劣る結果であった。また、ｘＢ／ｘＡの値が０．５を超える（領域Ｂの接着性が強すぎる）比較例２は、電子パッケージ分離性および残渣の付着有無において劣る結果であった。
【０１６０】
ＩＩ．仮接着フィルムを、光硬化性樹脂組成物から作製した例
【０１６１】
１．仮接着フィルム／サポート基板の作製
後掲の表２に記載の成分をメチルエチルケトンに溶解させて、濃度６０質量％の塗布液（光硬化性樹脂組成物）を調製した。この塗布液を、コンマコーターを用いて、ＰＥＴフィルム（ユニチカ社製  ＴＲ１（膜厚３８μｍ））に塗布し、溶媒を乾燥させた。塗布量については、乾燥後の膜厚が１０μｍ程度となるように適宜調整した。
【０１６２】
上記１．で得られたＰＥＴフィルム上の塗布膜を、ステンレス製の第１の基板（厚さ１００μｍ、縦７０ｍｍ×横２００ｍｍ）と密着させた。その後、真空ラミネーター装置（株式会社名機製作所製  ＭＶＬＰ−５００／６００ＩＩＡ）を用い、５０℃、０．３ＭＰａの条件で真空ラミネートを行った。これにより、ステンレス製の第１の基板の片面に仮接着フィルムが設けられたサポート基板を準備した。
なお、ＰＥＴフィルムは、下記２．の測定の直前、または、下記３．（２）の工程の直前に剥離した。
【０１６３】
２．ｙＡ、ｙＢおよびｙＣの測定
銅箔としては、上記Ｉ．３．と同様のものを準備した。
まず、上記１．で得られたサポート基板上の仮接着フィルム（未露光）の一部に、２０００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を照射し、領域Ａと領域Ｂに相当する部分を設けた。露光は、オーク社製の高圧水銀ランプ（ｉ線露光機）ＥＸＭ−１２０１により行った。
これら２つの領域にまたがるように銅箔を置いて、銅箔の光沢面を、仮接着フィルムに接触させた。これを温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着（真空ラミネート）し、さらに、オーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。その後、室温で放冷した。
その後、上記Ｉ．３．と同様にして、銅箔を引き剥がし、そしてｙＡおよびｙＢを求めた。
【０１６４】
また、同じ組成の仮接着フィルムを別途準備し、これに５００ｍＪ／ｃｍ２のｉ線を照射した。そして、これの露光部に銅箔を置いて、銅箔の光沢面を、仮接着フィルムに接触させた。これを温度６０℃、圧力０．３ＭＰａ、時間３０秒の条件で熱圧着（真空ラミネート）し、さらに、オーブンを用いて１５０℃で１時間加熱した。その後、室温で放冷した。
その後、上記Ｉ．３．と同様にして銅箔を引き剥がし、ｙＣを求めた。
【０１６５】
３．電子パッケージの製造
（１）サポート基板の作成
上記１．に記載のようにして、ステンレス製の第１の基板の上に、感光性の仮接着フィルムが設けられたサポート基板を準備した。
【０１６６】
（２）露光工程による領域ＡおよびＢの形成
上記のサポート基板上の仮接着フィルムに対し、パターン露光を行った。これにより、露光部分の接着力を低下させて領域Ｂを設けた。
露光は、オーク社製の高圧水銀ランプ（ｉ線露光機）ＥＸＭ−１２０１により行った。
露光パターンについては、図１（ｉ）のように、仮接着フィルムの中心部に長方形状の領域Ｂが設けられ、それを領域Ａが囲うようにした。
露光量は、露光領域（領域Ｂ）について、２０００ｍＪ／ｃｍ２とした。
【０１６７】
（３）仮接着工程
上記Ｉ．４．（２）と同様にして行った。
【０１６８】
（４）配置工程（リフロー工程を含む）
上記Ｉ．４．（３）と同様にして行った。
【０１６９】
（５）封止工程
上記Ｉ．４．（４）と同様にして行った。
【０１７０】
（６）切削工程
上記Ｉ．４．（５）と同様にして行った。
【０１７１】
４．評価
基板接着性、電子パッケージ分離性および残渣の付着有無について、上記Ｉ．５．と同様にして評価した。
【０１７２】
表２に、上記１．で用いた塗布液（光硬化性樹脂組成物）の組成、上記２．のｙＡ、ｙＢおよびｙＣの測定結果、上記４．の評価結果についてまとめて示す。
表２の各成分の量は、質量部である。
表２に記載された各成分の入手先などは、表１と同様である。
【０１７３】
【表２】
2019172918.tif 000004
【０１７４】
表２に示されるとおり、ｙＢ／ｙＡの値が０．１〜０．５である仮接着フィルムを用いて電子パッケージの製造を行った実施例２−１〜２−８では、基板接着性、電子パッケージ分離性および残渣の付着有無について、良好な結果が得られた。
（実施例２−７については、残渣の付着有無の評価が悪いが、これは、無機充填材を使用していないこと等により、露光部（領域Ｂ）の接着強度が他の実施例ほどは低下しなかったことが原因と推定される。ただし、基板接着性および電子パッケージ分離性は良好であるし、電子素子を一括して封止し取り出せるという効果はあるから、残渣の付着有無が問題にならない用途であれば、実用に供せる。）
【０１７５】
一方、ｙＢ／ｙＡが０．１より小さい比較例２−１は、そもそも基板の接着性自体が悪かった。また、ｙＢ／ｙＡが０．５より大きい比較例２−２は、電子パッケージ分離性よび残渣の付着有無について悪い結果であった。比較例２−３（仮接着フィルムに感光剤が含まれておらず、露光部で接着力が低下していない）も同様である。
【符号の説明】
【０１７６】
３  サポート基板
１０  第１の基板
１２  仮接着フィルム
１４  第２の基板
１６  電子素子
１８  硬化物
２０  封止基板
【図１】
2019172918.tif 000005
【図２】
2019172918.tif 000006
【図３】
2019172918.tif 000007
【図４】
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