(57)【要約】【課題】蒸着マスクに対して適切な値の張力を付与することができ、めっき処理を効率的に、高精度に、かつ安定的に生産実施することができる基板付蒸着マスク装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板付蒸着マスク装置の製造方法は、ガラス製基板１上にめっき処理用のレジストパターン３であって、複数の蒸着マスクに対応する多面付けされた単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を形成する工程と、ガラス製基板１を複数段、複数列の単位レジストパターン３Ｂに切断する工程と、単位レジストパターン３Ｂをマスクとしてめっき処理により蒸着マスク２を形成する工程とを備える。【選択図】図５
2019173181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス製基板と、
基板上にめっき処理されて形成され、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有するめっき層からなる複数の蒸着マスクとを備え、
複数の蒸着マスクは複数段、複数列毎に配置されていることを特徴とする基板付蒸着マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着マスクに対して適切な値の張力を付与することができる基板付蒸着マスクを製造する方法および基板付蒸着マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで薄膜を形成する方法が知られている。そして、昨今においては、例えば有機ＥＬ表示装置の製造時において有機材料を製品上に蒸着する場合等、極めて高価な材料を成膜する際に蒸着が用いられることがある。なお、蒸着マスクは、一般的に、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成することにより、製造され得る（例えば、特許文献１）。しかしながら、金属板にエッチングを施すことにより、薄膜をもつマスクを得ることは難しい。このため、めっきによりマスクを得ることが考えられているが、めっきマスクを単体でハンドリングすると変形のリスクがある。このような場合、基板上にめっきマスクを形成することにより基板付蒸着マスクを作成し、この基板付蒸着マスクに対して張力を付与することが考えられている。さらにまた、超高精細ディスプレイに適した基板付蒸着マスクが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３９３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構成からなる蒸着マスクは、金属材料等からなるフレームに接着され、このようにして蒸着マスクとフレームとからなる蒸着マスク装置が得られる。ところで、フレームに対して蒸着マスクを接着させる際、フレーム上で蒸着マスクを位置決めし、物理的に蒸着マスクに対して張力を付与した上で接着している。
【０００５】
他方、蒸着マスクをめっき処理により作製することも考えられているが、この場合もフレームに蒸着マスクを接着する際蒸着マスクに張力を均一に付与する作業は容易ではない。
【０００６】
まためっきマスクは、箔単独にした場合、めっき内部応力のばらつきによりトータルピッチが大きく変動し、大型ディスプレイや小型高精細ディスプレイに対して、架張時の孔位置合わせに時間がかかったり、あるいは位置合わせ自体が困難な状況になることがあった。
【０００７】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、蒸着マスクをめっき処理により形成することができ、かつ蒸着マスクに対して容易かつ確実に適切な値の張力を付与することができ、さらにめっき処理を効率的に実施することができ、超高精細ディスプレイに適した基板付蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクの製造方法および基板付蒸着マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
ガラス製基板上にめっき処理用のレジストパターンであって、複数の蒸着マスクに対応する多段、多列に配置され多面付けされた複数の単位レジストパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
ガラス製基板を複数段、複数列の配列で配置された複数の単位レジストパターン毎に切断する工程と、
複数段、複数列の単位レジストパターンに切断され単位レジストパターンが形成された基板上に、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有する蒸着マスクを、単位レジストパターンをマスクとしてめっき処理により形成する工程とを備えたことを特徴とする基板付蒸着マスクの製造方法である。
【０００９】
本発明は、
ガラス製基板上にめっき処理用のレジストパターンであって、複数の蒸着マスクに対応する多面付けされた複数の単位レジストパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
ガラス製基板を個々の単位レジストパターン毎に切断する工程と、
個々の単位レジストパターン毎に切断され単位レジストパターンが形成された基板上に、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有する蒸着マスクを、単位レジストパターンをマスクとしてめっき処理により形成する工程とを備えたことを特徴とする基板付蒸着マスクの製造方法である。
【００１０】
本発明は、
ガラス製基板上にめっき処理用のレジストパターンであって、複数の蒸着マスクに対応する多面付けされた複数の単位レジストパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
ガラス製基板を切断する工程と、
切断され単位レジストパターンが形成された基板上に、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有する蒸着マスクを、単位レジストパターンをマスクとしてめっき処理により形成する工程と、
ガラス製基板を蒸着マスクから剥離する工程とを備えたことを特徴とする蒸着マスクの製造方法である。
【００１１】
本発明による蒸着マスクの製造方法は、
複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
絶縁性を有する基板上における多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域に、所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、
前記基板上および前記第１金属層上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、
前記基板を切断する工程と、
前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させるめっき処理工程と、
前記第１金属層及び前記第２金属層を含む蒸着マスクから前記ガラス製基板を剥離させる剥離工程と、を備え、
前記レジスト形成工程は、前記第１金属層の前記第１開口部が前記レジストパターンによって覆われるとともに、前記レジストパターンの前記隙間が前記第１金属層上に位置するように実施される。
以上の蒸着マスクの製造方法の基板を切断する工程において、複数段且つ複数列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、一段且つ複数列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、複数段且つ一列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、又は、一つの蒸着マスクのみを含むようになる領域毎に、前記基板を切断してもよい。
【００１２】
本発明による蒸着マスクの製造方法は、
複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
絶縁性を有する基板上における多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域に、所定のパターンで第１開口部が設けられた導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された前記基板を切断する工程と、切断された基板の前記導電性パターンの上に第１金属層を析出させる第１めっき処理層と、からなる第１成膜工程と、
切断された基板の前記第１金属層上に、前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を形成する第２成膜工程と、
前記第１金属層および前記第２金属層の組み合わせ体を前記基板から剥離させる剥離工程と、を備え、
前記第２成膜工程は、前記基板上および前記第１金属層上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含み、
前記レジスト形成工程は、前記第１金属層の前記第１開口部が前記レジストパターンによって覆われるとともに、前記レジストパターンの前記隙間が前記第１金属層上に位置するように実施される。
以上の蒸着マスクの製造方法の基板を切断する工程において、複数段且つ複数列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、一段且つ複数列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、複数段且つ一列での配置により多面付けされた複数の蒸着マスクを含むようになる領域毎に、又は、一つの蒸着マスクのみを含むようになる領域毎に、前記基板を切断してもよい。
【００１３】
本発明は、切断されたガラス製基板上の隣り合う単位レジストパターンは、間隔を置くことなく互いに連続していることを特徴とする基板付蒸着マスクの製造方法である。
【００１４】
本発明は、切断されたガラス製基板上の隣り合う単位レジストパターンは、間隔をおいて配置されていることを特徴とする基板付蒸着マスクの製造方法である。
【００１５】
本発明は、切断されたガラス製基板上の隣り合う単位レジストパターンは、間隔を置くことなく互いに連続していることを特徴とする蒸着マスクの製造方法である。
【００１６】
本発明は、切断されたガラス製基板上の隣り合う単位レジストパターンは、間隔をおいて配置されていることを特徴とする蒸着マスクの製造方法である。
【００１７】
本発明は、ガラス製基板と、基板上にめっき処理されて形成され、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有するめっき層からなる複数の蒸着マスクとを備え、複数の蒸着マスクは複数段、複数列毎に配置されていることを特徴とする基板付蒸着マスクである。
【００１８】
本発明は、ガラス製基板と、基板上にめっき処理されて形成され、有孔領域と、この有孔領域を囲む無孔領域とを有するめっき層からなる個片化された蒸着マスクとを備えたことを特徴とする基板付蒸着マスクである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、蒸着マスクをめっき処理により形成することができ、かつ蒸着マスクに対して適切な値の張力を確実に付与することができ、さらにめっき処理を効率的かつ高精細に、また生産上も安定して実施することができ、超高精細ディスプレイに適した基板付蒸着マスクおよび蒸着マスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明の実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の製造方法を示す概略斜視図である。
【図２】図２は、蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、基板付蒸着マスクの製造方法を示す図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、基板付蒸着マスクの製造方法を示す図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｅ）は、基板付蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、基板付蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は、基板上に形成されたレジストパターンを示す断面図である。
【図８】図８（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、基板上に形成された比較例としてのレジストパターンを示す断面図である。
【図９】図９（ａ）（ｂ）は、基板の特性に基づくレジストパターンの断面形状を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）（ｂ）は、プロキシミティ露光を示す作用図である。
【図１１】図１１は、個片化された基板付蒸着マスクを示す平面図。
【図１２】図１２は、本発明の変形例を示すレジストパターン付基板の平面図。
【図１３】図１３は、本発明の変形例を示す基板付蒸着マスクの平面図。
【図１４】図１４は、本発明の変形例を示す固着箇所を含む基板付蒸着マスクを示す平面図。
【図１５】図１５（ａ）（ｂ）は、本発明の変形例を示す基板付蒸着マスクの平面図。
【図１６】図１６（ａ）（ｂ）は、本発明の変形例を示す基板付蒸着マスクの平面図。
【図１７】図１７（ａ）（ｂ）は、本発明の変形例を示す基板付蒸着マスクの平面図。
【図１８】図１８は、基板上に形成された導電性パターンを含むパターン基板を示す断面図。
【図１９】図１９（ａ）は、導電性パターン上に第１金属層を析出させる第１めっき処理工程を示す断面図、図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の第１金属層を示す平面図。
【図２０】図２０（ａ）は、パターン基板上および第１金属層上にレジストパターンを形成するレジスト形成工程を示す断面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のレジストパターンを示す平面図。
【図２１】図２１は、第１金属層上に第２金属層を析出させる第２めっき処理工程を示す断面図。
【図２２】図２２は、レジストパターンを除去する除去工程を示す図。
【図２３】図２３（ａ）は、第１金属層および第２金属層の組み合わせ体をパターン基板から分離させる分離工程を示す図、図２３（ｂ）は、図２３（ａ）の蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜本発明の第１の実施の形態＞
以下、図面を参照して本発明の第１の実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２２】
図１〜図１７は本発明による第１の実施の形態およびその変形例を説明するための図である。
【００２３】
以下の第１の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬディスプレイ装置を製造する際に有機発光材料を所望のパターンでガラス基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスク装置の製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスク装置および蒸着マスク装置の製造方法に対し、本発明を適用することができる。
【００２４】
なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、したがって、「金属板」は、「金属シート」や「金属フィルム」と呼ばれる部材と呼称の違いのみにおいて区別され得ない。
【００２５】
また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。
【００２６】
さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００２７】
まず、本実施の形態による蒸着マスクの製造方法により製造され得る蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、主に図１（ａ）（ｂ）（ｃ）および図２を参照して説明する。ここで、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置およびその製造方法を示す斜視図である。
【００２８】
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示された蒸着マスク装置１０は、矩形状の金属板からなる複数の蒸着マスク２０と、各蒸着マスク２０が接着され、この蒸着マスク２０が保持されるフレーム１５と、を備えている（図１（ｃ）参照）。各蒸着マスク２０は、第１面２１ａおよび第１面２１ａとは反対側の第２面２１ｂを有する金属板２１を備え、この金属板２１には、第１面２１ａと第２面２１ｂとの間を延びる複数の貫通孔２５が形成されている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０がガラス製品９２に対面するようにして、蒸着装置９０内に支持される。そして、不図示の磁石によって、蒸着マスク２０とガラス製品９２とが密着するように付勢される。
【００２９】
蒸着装置９０内には、この蒸着マスク装置１０を挟んだガラス基板９２の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華してガラス製品９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介してガラス製品９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８がガラス製品９２の表面に成膜される。
【００３０】
図１（ｃ）に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、めっき処理により形成された金属膜（金属板）２１からなり、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０の金属板２１は、貫通孔２５が形成された有孔領域２２と、貫通孔２５が形成されておらず、有孔領域２２の周囲を取り囲む領域を占める無孔領域２３と、を有している。図１に示すように、各有孔領域２２は、貫通孔２５が形成された領域であり、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお、有孔領域は、平面視において、ストライプ状（短冊状）、五角形状、六角形状、又は、円形状を有していてもよい。
【００３１】
図示された例において、複数の有孔領域２２は、蒸着マスク２０の一辺と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて配置されている。図示された例では、一つの有孔領域２２が一つの有機ＥＬディスプレイ装置に対応するようになっている。さらに、一つの有孔領域２２が、一つの蒸着マスク２０及び後述する一つの単位レジストパターン３Ｂに対応するようにしてもよい。すなわち、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。
【００３２】
また、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、各有孔領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有孔領域２２において、等しい間隔をあけて並べて配置されている。
【００３３】
上述のように、蒸着マスク装置１０は、複数の蒸着マスク２０と、各蒸着マスク２０が接着されてこの蒸着マスク２０を保持するフレーム１５とを有し、フレーム１５には各蒸着マスク２０の有孔領域２２に対応する開口１６が形成されている。
【００３４】
なお、フレーム１５の裏面には、複数の反り防止板を取付けてもよい。フレーム１５の表面に保持された各蒸着マスク２０は、連続して配置された複数の有孔領域２２を有する帯状形状をもち、反り防止板は蒸着マスク２０と同様に帯状形状をもち、蒸着マスク２０の長手方向と同一方向に配置されている。
【００３５】
ところで後述のように、蒸着マスク２０はガラス製の基板本体１ａと、基板本体１ａ上に形成されたＩＴＯ膜１ｂとを有する基板１上にめっき処理を施すことにより形成される（図３（ａ）（ｂ）（ｃ）〜図７（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。
【００３６】
この場合、蒸着マスク２０とガラス製基板１とにより基板付蒸着マスク２０Ａが形成される。そして基板付蒸着マスク２０Ａから基板１を除去することにより、本実施の形態による蒸着マスク２０が得られる。
【００３７】
なお、フレーム１５の表面に配置された蒸着マスク２０の数は特に制限はない。
【００３８】
フレーム１５の表面に単一の蒸着マスク２０を配置してもよく、フレーム１５上に２個、３個、あるいは４個以上の蒸着マスク２０を配置してもよい。
【００３９】
また蒸着マスク２０および反り防止板はフレーム１５に対して溶着または接着剤により固着される。
【００４０】
またフレーム１５の裏面に取付けられた反り防止板の数も特に限定されるものではない。反り防止板は蒸着マスク２０と同一の熱膨張係数をもつ材料、好ましくは同一の材料からなっている。後述のように熱膨張を利用してフレーム１５の表面に配置された蒸着マスク２０に対して張力を付与する場合、同様にフレームの裏面に配置された反り防止板にも熱膨張を利用して張力を付与する。このことにより、蒸着マスク装置１０全体として反りが生じないようになっている。
【００４１】
なお、フレーム１５が十分な剛性をもつ場合、フレーム１５裏面に反り防止板を設ける必要はない。
【００４２】
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まず基板付蒸着マスク２０Ａの製造方法について、主に図３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）〜図６（ａ）（ｂ）（ｃ）を用いて説明する。
【００４３】
まず図３（ａ）および図５（ａ）に示すように、ガラス製の基板本体１ａを準備する。
【００４４】
この場合、基板本体１ａとしては、０．７ｍｍ厚の無アルカリガラスまたはソーダガラスを用いることができ、その熱膨張係数は３〜９ｐｐｍ／℃となっている。
【００４５】
次に図３（ｂ）および図５（ｂ）に示すように基板本体１ａ上に、ＩＴＯ膜１ｂをスパッタリングにより形成する。この場合、ＩＴＯ膜１ｂの膜厚は、例えば１５００Åとなっており、ＩＴＯ膜１ｂを厚くすることにより、ＩＴＯ膜１ｂの抵抗値を下げることができ、めっき処理を容易に行なうことができる。なお、ＩＴＯ膜を例示したが、ＩＴＯに限られることなく、他の導電性を有する材料からなる膜を、ＩＴＯ膜に代えて用いることも可能である。例えば、クロムや銅からなる膜をＩＴＯ膜に代えて用いることができる。
【００４６】
このようにして基板本体１ａとＩＴＯ膜１ｂとからガラス製の基板１が得られる。
【００４７】
次に図３（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、ガラス製の基板１のＩＴＯ膜１ｂ上にネガ型レジスト膜３Ａを形成する。この場合、ネガ型レジスト液を基板１上に塗布し、その後、ネガ型レジスト液を焼成することにより、基板１上にネガ型レジスト膜３Ａを形成することができる。ネガ型レジスト膜３Ａの膜厚としては、孔ピッチ、開口径、蒸着角度等から定めることが好ましく、例えば７〜１８μｍ程度となっている。
【００４８】
次に図３（ｄ）および図５（ｄ）（ｅ）に示すように、ネガ型レジスト膜３Ａに対して石英ガラス基板５ａと、石英ガラス基板５ａ上の遮光パターン５ｂとを有する露光マスク（フォトマスク）５を用いてＵＶ光によるプロキシミティ露光を施して焼成する。その後、露光マスク５を基板１から取外し、ネガ型レジスト膜３Ａを現像液で現像することにより、基板１上に多段、多列に配置され多面付けされた複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を形成することができる（図４（ａ）および図６（ａ）参照）。
【００４９】
基板１上に形成されたレジストパターン３の各単位レジストパターン３Ｂは、基板１に向って先細となるテーパ形状の断面をもつ。このため後述のように、レジストパターン３の単位レジストパターン３Ｂ間の空間にめっき処理によりめっき層２を形成した場合、このめっき層２は基板１に向って拡張する断面形状をもつ。
【００５０】
次に基板１上にレジストパターン３を形成する工程について、図１０（ａ）（ｂ）により更に述べる。
【００５１】
図１０（ａ）に示すように、ネガ型レジスト膜３Ａに対して、石英ガラス基板５ａと、石英ガラス基板５ａ上の遮光パターン５ｂとを有する露光マスク（フォトマスク）５を用いてプロキシミティ露光を施した場合、ネガ型レジスト膜３Ａと露光マスク５との間の間隙ｇを広くとることができる。この場合、露光マスク５を通過するＵＶ光Ｌは拡張しながらネガ型レジスト膜３Ａに達するため、ネガ型レジスト膜３Ａ表面での光強度分布は穏やかな山形状をなす。このためネガ型レジスト膜３Ａ内において、テーパ角が大きな断面をもつ露光部３ａが形成される。レジスト膜３Ａのうち露光部３ａ以外の部分は未露光部３ｂとなる。
【００５２】
このため、露光後にネガレジスト膜３Ａを現像して焼成することにより、基板１に向って先細となるテーパ形状の断面をもつ複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を確実に形成することができる（図１０（ａ））。
【００５３】
これに対して、図１０（ｂ）に示すように、ネガ型レジスト膜３Ａと露光マスク５との間の間隙ｇを小さくすると、ネガ型レジスト膜３Ａ表面での光強度分布は急な山形状をなす。このためネガ型レジスト膜３Ａ内において、テーパ角が大きな断面をもつ露光部３ａが形成される。レジスト膜３Ａのうち露光部３ａ以外の部分は未露光部３ｂとなる。
【００５４】
この場合、露光後にネガレジスト膜３Ａを現像して焼成した場合、レジストパターン３の各単位レジストパターン３Ｂの断面は、矩形状またはテーパ角が立つテーパ形状をもつ。このためレジストパターン３の断面を確実にテーパ形状とすることはむずかしい。
【００５５】
以上のような工程を経て基板１上に、基板１に向って先細となるテーパ形状をもつレジストパターン３を形成することができる（図４（ａ）および図６（ａ）参照）。
【００５６】
この場合、基板１とレジストパターン３とにより、レジストパターン付基板１Ａが構成される。
【００５７】
このようにして得られたレジストパターン付基板１Ａは、多段多列の蒸着マスク２用の複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有する。
【００５８】
図４（ａ）において、レジストパターン付基板１Ａのレジストパターン３は、３段×３列の多面付けされた蒸着マスク２用の９個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３となっているが、レジストパターン３の形状は、３段×３列に限られることはなく、レジストパターン３は更に多くの数の多段、多列の複数の単位レジストパターン３Ｂを含んでいてもよい。
【００５９】
このような大型サイズのレジストパターン付基板１Ａに対してめっき処理を施した場合、めっき処理装置を大型化する必要があり、このため製造コストが増加してしまう。また大型のレジストパターン付基板１Ａに対してめっき処理を施した場合、めっき処理により形成されるめっき層２の膜厚に大きなばらつきが生じてしまい、結果として架張時にシワが入る・トータルピッチがばらつくなどの問題が生じる。
【００６０】
そこで本実施の形態においては、３段×３列の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断して、３段×１列の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａとする（図４（ｂ）参照）。
【００６１】
次にレジストパターン付基板１Ａにめっき処理を施すことにより、レジストパターン３の単位レジストパターン３Ｂを含む間にめっき層２を形成することができる（図４（ｃ）および図６（ｂ）参照）。この場合、めっき層２の厚み（高さ）は、レジストパターン３の高さより低くなっている。
【００６２】
次に図４（ｄ）および図６（ｃ）に示すように、基板１からレジストパターン３を除去し、基板１上にめっき層２を残す。このことにより基板１上にめっき層２からなる蒸着マスク２０を形成することができる。この場合、めっき層２からなる蒸着マスク２０はレジストパターン３に対応する貫通孔２５を有する有孔領域２２と、有孔領域２２を囲む無孔領域２３とを有する。
【００６３】
このようにして、基板１と、基板１上にめっき処理により形成されためっき層２からなる蒸着マスク２０とにより基板付蒸着マスク２０Ａが得られる。
【００６４】
この場合、蒸着マスク２０としては、レジスト膜３Ａより薄い厚みをもつＮｉ製めっき層あるいはＮｉ合金製めっき層２を含む。
【００６５】
上述のように基板付蒸着マスク２０Ａの蒸着マスク２０を構成するめっき層２は、基板１に向って拡張するテーパ形状をもった断面を有する。
【００６６】
次に図１１乃至図１４により、レジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断する作用について、更に説明する。
【００６７】
上述のように、レジストパターン付基板１Ａのレジストパターン３の形状は、３段×３列の単位レジストパターン３Ｂを有するものに限られることはなく、更に多くの多段多列の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を形成してもよい。
【００６８】
このように多段多列に配置された複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３が形成されたレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断することにより、例えば６段×１列の６個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａを作製することができる。そして、この６段×１列の６個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａにめっき処理を施すことにより、レジストパターン３間にめっき層２を形成して６段×１列の蒸着マスク２０を有する基板付蒸着マスク２０Ａが得られる（図１１参照）。
【００６９】
図１１に示す基板付蒸着マスク２０Ａは、６段×１列の蒸着マスク２０を有している。
【００７０】
また、図１１に示すように、細長方向に隣り合う基板付蒸着マスク２０Ａの蒸着マスク２０、およびこの基板付蒸着マスク２０Ａに対応するレジストパターン付基板１Ａのレジストパターン３は、いずれも間隔を置くことなく互いに連続している。
【００７１】
このように細長方向に隣り合う基板付蒸着マスク２０Ａの蒸着マスク２０を互いに連続して配置することにより、ガラス製基板１を有効に活用することができる。
【００７２】
また、多段多列の複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３が形成されたレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断することにより、例えば６段×１列の６個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａを作製することができるため、めっき処理装置を小型化することができ、めっき処理を効率的に実施することができる。またレジストパターン付基板１Ａのサイズを小型化して、めっき処理により形成されるめっき層２の膜厚のばらつきを抑えることができる。
【００７３】
なお、図１２に示すように、レジストパターン付基板１Ａはガラス製基板１と、ガラス製基板１上に設けられた多段多列の複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３とを有しているが、レジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断した場合に、細長方向に隣り合う単位レジストパターン３Ｂは間隔Ｇをおいて配置されていてもよい。
【００７４】
図１３に示すように、細長状に切断されたレジストパターン付基板１Ａを用いて細長状の基板付蒸着マスク２０Ａを作製した場合、細長方向に隣り合う蒸着マスク２０は、細長方向に隣り合う単位レジストパターン３Ｂと同様、間隔Ｇを置いて配置されている。
【００７５】
このように細長状の基板付蒸着マスク２０Ａにおいて、細長方向に隣り合う蒸着マスク２０が間隔Ｇを置いて配置されている場合、めっき処理時において、めっき層２の膜厚のばらつきをより確実に抑えることができる。また、基板付蒸着マスク２０Ａから基板１を剥離する際の蒸着マスク２０のピッチ変動を抑えることができる。
【００７６】
さらにまた、基板付蒸着マスク２０Ａの細長方向に隣り合う蒸着マスク２０が間隔Ｇを置いて配置されることにより、基板付蒸着マスク２０Ａをフレーム１５に固着箇所６５を介して固着した場合、蒸着マスク２０のピッチ変動を各蒸着マスク２０内で収めることができる（図１４参照）。
【００７７】
ところで、上記実施の形態において、多段、多列の複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を細長状に切断することにより例えば６段×１列の６個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａを作製する例を示したが（図１２参照）、これに限らず複数、例えば２個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン体基板１Ａのガラス製基板１を中央部で切断線Ｌに沿って個々の単位レジストパターン３Ｂ毎に切断してもよい（図１５（ａ）参照）。この場合、ガラス製基板１上に個片化された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００７８】
あるいは４個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を十字状の切断線Ｌに沿って個々の単位レジストパターン３Ｂ毎に切断してもよい（図１５（ｂ）参照）。この場合、ガラス基板１上に個片化された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００７９】
あるいは４段×８列の合計３２個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を中央部で切断線Ｌに沿って２分割し、複数段、複数列、例えば４段×４列の単位レジストパターン３Ｂに切断してもよい（図１６（ａ）参照）。この場合、ガラス製基板１上に、４段×４列に配置された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００８０】
あるいは８段×８列の合計３２個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を中央部で切断線Ｌに沿って２分割し、複数段、複数列、例えば８段×４列の単位レストパターン３Ｂに切断してもよい（図１６（ｂ）参照）。この場合、ガラス製基板１上に８段×４列に配置された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００８１】
あるいは４段×６列の合計２４個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を切断線Ｌに沿って３つに分割し、複数段、複数列、例えば４段×２列の単位レジストパターン３Ｂに切断してもよい（図１７（ａ）参照）。この場合、ガラス製基板１上に、４段×２列に配置された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００８２】
あるいは８段×６列の合計４８個の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン付基板１Ａのガラス製基板１を切断線Ｌに沿って６分割し、複数段、複数列、例えば８段×２列の単位レストパターン３Ｂに切断してもよい（図１７（ｂ）参照）。この場合、ガラス製基板１上に４段×２列に配置された蒸着マスク２０を形成することができる。
【００８３】
次に図７乃至図９により、基板１に向って拡張するテーパ形状をもった断面を有するめっき層２の特性について述べる。
【００８４】
図７に示すように、基板付蒸着マスク２０Ａを構成するめっき層２の断面は、基板１に向って拡張するテーパ形状をもつ。この場合、めっき層２のテーパ形状は、図２に示す蒸着装置９０内における蒸着材料９８の蒸着角度αに略一致するテーパ角度βをもつことが好ましい。
【００８５】
ここで蒸着材料９８の蒸着角度αとは、蒸着装置９０内において蒸着材料９８が蒸着マスク２０側へ接近してくる際の角度範囲をいう。
【００８６】
このように、めっき層２のテーパ形状のテーパ角度β（例えば４５°）を蒸着角度α（例えば４５°）に略一致させることにより、蒸着マスク２のシャドウを略０とすることができる。
【００８７】
ここで図８（ａ）（ｂ）（ｃ）に比較例としての基板付蒸着マスク２０Ａを示す。
【００８８】
図８（ａ）に示すように、基板付蒸着マスク２０Ａのレジストパターン３の単位レジストパターン３Ｂおよびめっき層２はその配置ピッチが大きくなっており、めっき層２の断面が略矩形状となっている。
【００８９】
この場合、めっき層２の断面が略矩形状となっていても、配置ピッチが大きいためシャドウの影響は小さい。
【００９０】
これに対して図８（ｂ）（ｃ）に示すように、高精細ディスプレイを作製する場合、基板付蒸着マスク２０Ａのレジストパターン３およびめっき層２の配置ピッチが小さくなる。この場合、めっき層２の断面が矩形状となっていると、蒸着角度αが４５°とすると、蒸着マスク２０のシャドウが大きくなる。
【００９１】
図８（ｂ）（ｃ）において、シャドウの影響を考慮して、めっき層２の膜厚を更に小さくすることも考えられるが、この場合、蒸着マスク２０の強度が低下する。
【００９２】
これに対して本実施の形態によれば、めっき層２の断面を基板１に向って拡張するテーパ形状とし、テーパ形状のテーパ角度βを蒸着角度αに略一致させることにより、めっき層２の膜厚を小さくすることなく、蒸着マスク２０のシャドウを略０とすることができる。
【００９３】
なお、上述のように基板１をガラス製の基板本体１ａとＩＴＯ膜１ｂとから構成することにより、ネガ型レジスト膜３Ａに対して露光する際、ＵＶ光が基板１上で反射することなく基板１を透過する。このためネガ型レジスト膜３ＡにＵＶ光による露光部分３ａを精度良く形成してレジストパターン３を精度良く作製することができる（図９（ａ）参照）。
【００９４】
これに対して、基板１として反射材料からなるものを用いた場合、ネガ型レジスト膜３Ａに対して露光する際、ＵＶ光が基板１から一部反射することが考えられ、この反射光によりレジストパターン３に露光部分３ａの突起部８が形成されてしまう（図９（ｂ）参照）。
【００９５】
このように、本実施の形態によれば、ガラス製基板１を用いることにより、ＵＶ光による露光部分３ａおよびレジストパターン３を精度良く形成することができる。
【００９６】
次にこのようにして得られた基板付蒸着マスク２０Ａを用いて蒸着マスク装置１０を製造する。
【００９７】
まず図１（ａ）に示すように、上述した基板付蒸着マスク２０Ａを複数準備する。この場合、各基板付蒸着マスク２０Ａの蒸着マスク２０は有孔領域２２と、有孔領域２２を囲む無孔領域２３とを有し、蒸着マスク２０の有孔領域２２は複数連続して配置され、各蒸着マスク２０は帯状形状をもつ。なお、蒸着マスク２０はＮｉ製めっき層またはＮｉ合金製めっき層からなり、その熱膨張係数は、例えば蒸着マスク２０がＮｉ製めっき層からなる場合、１２．８ｐｐｍ／℃となる。また基板付蒸着マスク２０Ａの基板１は、熱膨張係数が３〜９ｐｐｍ／℃のガラス製となっている。
【００９８】
同様に開口１６を有し、３〜数十ｍｍ厚のフレーム１５を準備し、このフレーム１５を熱制御盤７０上に置く。この場合、フレーム１５は熱膨張率が１ｐｐｍ／℃前後の３６Ｎｉインバー材からなる。このため、フレーム１５は、基板付蒸着マスク２０Ａの基板１および蒸着マスク２０の双方の熱膨張率より小さな熱膨張率をもつ。
【００９９】
次に図１（ａ）に示すように、各基板付蒸着マスク２０Ａを開口１６を有するフレーム１５上に載置する。この場合、フレーム１５表面には位置決めマークが設けられ、各基板付蒸着マスク２０Ａにもフレーム１５の位置決めマークに対応する位置決めマークが設けられ、これらの位置決めマークを用いてフレーム１５上で基板付蒸着マスク２０Ａを精度良く位置決めすることができる。
【０１００】
このようにして熱制御盤７０上に上から順に基板付蒸着マスク２０Ａと、フレーム１５を積層し、基板付蒸着マスク２０Ａと、フレーム１５とからなる積層体１０Ａを作製する。
【０１０１】
なお、熱制御盤７０は、積層体１０Ａを加熱するホットプレート、あるいは積層体１０Ａを冷却するコールドプレートとしての機能をもつ。
【０１０２】
次に図１（ｂ）において、熱制御盤７０上で積層体１０Ａを例えば２０℃の室温から５０℃まで加熱する。
【０１０３】
このとき、熱制御盤７０上において、積層体２０Ａが全体として５０℃まで加熱され、積層体２０Ａのうち３６Ｎｉインバー材製のフレーム１５は大きく熱膨張することはないが、各基板付蒸着マスク２０Ａが各々固有の熱膨張係数に基づいて熱膨張する。この状態でフレーム１５上の基板付蒸着マスク２０Ａの無孔領域２３に対してガラス製の基板１側からレーザ光を照射し、フレーム１５に対して基板付蒸着マスク２０Ａの無孔領域２３を溶着させる。このようにしてフレーム１５に対して基板付蒸着マスク２０Ａを固着箇所６５を介して固着させる（図１（ｂ）参照）。
【０１０４】
その後、積層体１０Ａを熱制御盤７０から降ろし、室温まで冷却して戻す。この場合、３６Ｎｉインバー材からなるフレーム１５の形状はほとんど変化することはないが、基板付蒸着マスク２０Ａは室温まで冷却されて熱収縮する。基板付蒸着マスク２０Ａはフレーム１５に対して固着されているため、熱収縮作用に伴なって基板付蒸着マスク２０Ａに対して適切な張力を付与することができる。
【０１０５】
その後、フレーム１５上の各基板付蒸着マスク２０Ａについて、その基板１が積層体１０Ａから剥離される（図１（ｃ）参照）。
【０１０６】
このようにして積層体１０Ａから基板付蒸着マスク２０Ａの基板１が剥離されて、フレーム１５上に固着された蒸着マスク２０が得られる。
【０１０７】
以上のように本実施の形態によれば、基板付蒸着マスク２０Ａと、フレーム１５とからなる積層体１０Ａを熱制御盤７０上で加熱し、この状態で基板付蒸着マスク２０Ａと反り防止板６０をフレーム１５に対して固着および接着し、その後積層体１０Ａを室温まで冷却する。
【０１０８】
このことにより、基板付蒸着マスク２０Ａおよび蒸着マスク２０に対して適度な張力を付与することができる。また基板付蒸着マスク２０Ａを物理的に引張って、この基板付蒸着マスク２０Ａをフレーム１５に固着する場合に比べて、熱制御盤７０による加熱温度を所望の値に定めることにより、基板付蒸着マスク２０Ａおよび蒸着マスク２０に対して適切な値の張力を常にフレーム１５内に均一に付与することができる。
【０１０９】
また、基板付蒸着マスク２０Ａの無孔領域２３を固着箇所６５を介してフレーム１５上に接着し、この固着箇所６５を各有孔領域２２の左右に基板付蒸着マスク２０Ａの幅方向に沿って連続して設けることにより（図１（ｃ）参照）、基板付蒸着マスク２０Ａの各有孔領域２２において、蒸着マスク２０の長手方向および幅方向の双方の方向に対して張力を付与することができる。
【０１１０】
さらにまた、蒸着マスク２０のめっき層２の断面をテーパ形状とすることができ、テーパ形状のテーパ角度βを蒸着角度αに略一致させることができる。このためめっき層２の膜厚を小さくすることなく、蒸着マスク２０のシャドウを略０とすることができる。このことによりシャドウを略０とすることができ、かつ適度の強度をもった蒸着マスク２０を得ることができる。
【０１１１】
また多段多列に配置された複数の単位レジストパターン３Ｂを含むレジストパターン３を有するレジストパターン付基板１Ａを細長状に切断して、例えば６段×１列の単位レジストパターン３Ｂを有するレジストパターン付基板１Ａを作製することができるため、めっき処理装置を小型化することができ、めっき処理を効率的に実施することができる。またレジストパターン付基板１Ａのサイズを小型化して、めっき処理により形成されるめっき層２の膜厚変動を抑えることができる。
【０１１２】
また、めっき層２の膜厚分布/内部応力のばらつきを低減することができる。このため、トータルピッチ変動が低減され、このことによって超高精細ディスプレイを提供することができ、製品の良品率を向上することができる。
【０１１３】
また、レジストパターン付基板１Ａのサイズを小型化することができるため、一のレジストパターン付基板１Ａにめっき処理によって不良が発生しても、この不良のレジストパターン付基板１Ａのみを廃棄すればよく、他のレジストパターン付基板１Ａに影響を与えることはない。
【０１１４】
＜本発明の第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について、図１８〜図２３を参照して説明する。図１８〜図２３に示す第２の実施の形態は、蒸着マスク２０の製造方法が異なるのみであり、他の構成は図１〜図１７に示す第１の実施の形態と同様である。
【０１１５】
（第１成膜工程）
はじめに、絶縁性を有する基板５１上に所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を形成する第１成膜工程について説明する。まず図１８に示すように、絶縁性を有する基板５１と、基板５１上に形成された導電性パターン５２と、を有するパターン基板５０を準備する。導電性パターン５２は、第１金属層３２に対応するパターンを有している。絶縁性および適切な強度を有する限りにおいて基板５１を構成する材料や基板５１の厚みが特に限られることはない。例えば基板５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。
【０１１６】
導電性パターン５２を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性材料等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばＩＴＯやクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン５５に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン５５が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。
【０１１７】
後述するように、導電性パターン５２の上には、導電性パターン５２を覆うように第１金属層３２が形成され、この第１金属層３２はその後の工程で導電性パターン５２から分離される。このため、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面の上には、通常、導電性パターン５２の厚みに対応する窪みが形成される。この点を考慮すると、電解めっき処理に必要な導電性を導電性パターン５２が有する限りにおいて、導電性パターン５２の厚みは小さい方が好ましい。例えば導電性パターン５２の厚みは、５００〜５０００Åの範囲内になっている。
【０１１８】
次に、絶縁性を有する基板５１を有孔領域２２を含む領域毎に切断する。このとき、第１の実施の形態と同様に、複数段、複数列の有孔領域２２を含む領域毎に切断してもよいし、あるいは、個々の有孔領域２２を含む領域毎に切断してもよいし、あるいは、細長状となる領域（一段且つ複数列の有孔領域２２を含む領域、又は、複数段且つ一列の有孔領域２２を含む領域）毎に切断してもよい。この段階で基板５１を切断しておくことにより、後述する第１金属層３２及び第２金属層３７を形成するためのめっき処理装置を小型化することができ、かつ第１金属層３２及び第２金属層３７の膜厚のばらつきを抑えることができる。
【０１１９】
次に、導電性パターン５２（単位導電性パターン）が形成された基板５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基板５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１９（ａ）に示すように、パターン基板５０上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。図１９（ｂ）は、基板５１上に形成された第１金属層３２を示す平面図である。
【０１２０】
なおめっき処理の特性上、図１９（ａ）に示すように、第１金属層３２は、基板５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端部５３と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。この結果、図１９（ａ）に示すように、第１金属層３２の端部３３は、基板５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。一方、金属の析出が厚み方向でなく基板５１の板面方向に進んだ分だけ、端部３３における第１金属層３２の厚みは、中央部における厚みに比べて小さくなる。例えば図１９（ａ）に示すように、第１金属層３２の中央部から端部３３に向かうにつれて第１金属層３２の厚みが少なくとも部分的に減少する。
【０１２１】
図１９（ａ）において、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と重ならない部分の幅が符号ｗで表されている。幅ｗは、例えば０．５〜５．０μｍの範囲内になる。導電性パターン５２の寸法は、この幅ｗを考慮して設定される。
【０１２２】
導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
【０１２３】
用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第１金属層３２が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。
【０１２４】
（第２成膜工程）
次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施する。まず、パターン基板５０の基板５１上および第１金属層３２上に、所定の隙間５６を空けてレジストパターン５５を形成するレジスト形成工程を実施する。図２０（ａ）（ｂ）は、基板５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図および平面図である。図２０（ａ）（ｂ）に示すように、レジスト形成工程は、第１金属層３２の第１開口部３０がレジストパターン５５によって覆われるとともに、レジストパターン５５の隙間５６が第１金属層３２上に位置するように実施される。
【０１２５】
以下、レジスト形成工程の一例について説明する。はじめに、パターン基板５０の基板５１上および第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。次に、レジスト膜のうち隙間５６となるべき領域に光を透過させないようにした露光マスクを準備し、露光マスクをレジスト膜上に配置する。その後、真空密着によって露光マスクをレジスト膜に十分に密着させる。なおレジスト膜として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。
【０１２６】
その後、レジスト膜を露光マスク越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜に像を形成するためにレジスト膜を現像する。以上のようにして、図２０（ａ）（ｂ）に示すように、第１金属層３２上に位置する隙間５６が設けられるとともに第１金属層３２の第１開口部３０を覆うレジストパターン５５を形成することができる。なお、レジストパターン５５を基板５１および第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
【０１２７】
次に絶縁性を有する基板５１が未だ切断されていない場合、この絶縁性を有する基板５１を、第１の実施の形態と同様に、複数段、複数列の単位レジストパターンに、あるいは個々の単位レジストパターン毎に、あるいは細長状となる領域（一段且つ複数列の単位レジストパターンを含む領域、又は、複数段且つ一列の単位レジストパターンを含む領域）毎に切断してもよい。そして、この段階で基板５１を切断しておくことにより、後述する第２金属層３７を形成するためのめっき処理装置を小型化することができ、かつ第２金属層３７の膜厚のばらつきを抑えることができる。
【０１２８】
次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基板５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図２１に示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。
【０１２９】
第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。
【０１３０】
第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。
【０１３１】
なお図２１においては、レジストパターン５５の上面と第２金属層３７の上面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の上面がレジストパターン５５の上面よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。
【０１３２】
（除去工程）
その後、図２２に示すように、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。
例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基板５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。
【０１３３】
（剥離工程）
次に、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体をパターン基板５０の基板５１から剥離させる分離工程を実施する。これによって、図２３（ａ）に示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。図２３（ｂ）は、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。
【０１３４】
以下、剥離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基板５１上に形成された第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基板５１から引き離し、これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体をパターン基板５０の基板５１から剥離させる。その後、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす。
その他にも、剥離工程においては、はじめに、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体と基板５１との間に、剥離のきっかけとなる間隙を形成し、次に、この間隙にエアを吹き付け、これによって剥離工程を促進してもよい。
【０１３５】
なお粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を基板５１から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。
【０１３６】
本実施の形態によれば、上述のように、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることによって、蒸着マスク２０が作製される。このため、蒸着マスク２０の貫通孔２５に、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方を付与することができる。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を精密に形成することができる。
【０１３７】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【０１３８】
１  基板
１ａ  基板本体
１ｂ  ＩＴＯ膜
２  めっき層
３  レジストパターン
３Ａ  ネガ型レジスト膜
３Ｂ  単位レジストパターン
５  露光マスク
１０  蒸着マスク装置
１０Ａ  積層体
１５  フレーム
１６  開口
２０  蒸着マスク
２０Ａ  基板付蒸着マスク
２１  金属板
２１ａ  第１面
２１ｂ  第２面
２２  有孔領域
２３  無孔領域
２５  貫通孔
３０  第１開口部
３１  壁面
３２  第１金属層
３３  端部
３５  第２開口部
３６  壁面
３７  第２金属層
３８  端部
４１  接続部
５０  パターン基板
５１  基板
５２  導電性パターン
５３  端部
５５  レジストパターン
５６  隙間
６５  固着箇所
７０  熱制御盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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