(57)【要約】【課題】表面処理を行う際、研磨済研磨対象物に備えられたタングステンを含む層の溶解を抑制することができる手段を提供する。【解決手段】タングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物の表面を処理するために用いられ、ｐＨが７未満である表面処理組成物であって、前記表面処理組成物は、タングステンエッチング抑制剤と、水と、を含み、前記タングステンエッチング抑制剤は、２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物であって、前記置換基は少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む、表面処理組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物の表面を処理するために用いられ、ｐＨが７未満である表面処理組成物であって、
前記表面処理組成物は、タングステンエッチング抑制剤と、水と、を含み、
前記タングステンエッチング抑制剤は、２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物であって、前記置換基は少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む、表面処理組成物。
【請求項２】
前記芳香族炭化水素環はベンゼン環またはナフタレン環である、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項３】
前記窒素含有基は、アミノ基またはニトロ基である、請求項１または２に記載の表面処理組成物。
【請求項４】
前記アニオン性基は、カルボン酸（塩）基である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面処理組成物。
【請求項５】
前記タングステンエッチング抑制剤は、３−アミノ−４−メチル安息香酸、５−アミノイソフタル酸水和物、３，４−ジアミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸ナトリウム、および３−ニトロ安息香酸からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表面処理組成物。
【請求項６】
水溶性高分子をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表面処理組成物。
【請求項７】
前記水溶性高分子は、スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物である、請求項６に記載の表面処理組成物。
【請求項８】
ｐＨが４以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表面処理組成物。
【請求項９】
砥粒を実質的に含有しない、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表面処理組成物。
【請求項１０】
前記タングステンエッチング抑制剤と、前記水と、を混合することを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表面処理組成物の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の表面処理組成物を用いてタングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物を表面処理することを含む、表面処理方法。
【請求項１２】
前記表面処理は、リンス研磨または洗浄によって行われる、請求項１１に記載の表面処理方法。
【請求項１３】
研磨済研磨対象物がタングステンを含む層を有する研磨済半導体基板であり、
請求項１１または１２に記載の表面処理方法によって、前記研磨済半導体基板を表面処理する表面処理工程を含む、半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法、および半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板表面の多層配線化に伴い、デバイスを製造する際に、物理的に半導体基板を研磨して平坦化する、いわゆる、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）技術が利用されている。ＣＭＰは、シリカやアルミナ、セリア等の砥粒、防食剤、界面活性剤などを含む研磨用組成物（スラリー）を用いて、半導体基板等の研磨対象物（被研磨物）の表面を平坦化する方法であり、研磨対象物（被研磨物）は、シリコン、ポリシリコン、酸化珪素、窒化珪素や、金属等からなる配線、プラグなどである。
【０００３】
ＣＭＰ工程後の半導体基板表面には、欠陥（異物）が多量に残留している。欠陥（異物）としては、ＣＭＰで使用された研磨用組成物由来の砥粒、金属、防食剤、界面活性剤等の有機物、研磨対象物であるシリコン含有材料、金属配線やプラグ等を研磨することによって生じたシリコン含有材料や金属、更には各種パッド等から生じるパッド屑等の有機物などが含まれる。
【０００４】
半導体基板表面がこれらの欠陥（異物）により汚染されると、半導体の電気特性に悪影響を与え、デバイスの信頼性が低下する可能性がある。したがって、ＣＭＰ工程後に洗浄工程を導入し、半導体基板表面からこれらの欠陥（異物）を除去することが望ましい。
【０００５】
かような洗浄工程に用いられる洗浄剤（洗浄用組成物）として、例えば、特許文献１には、ホスホン酸系キレート剤、特定のモノアミンおよび水を含有し、ｐＨが６を超え７未満である、半導体基板用の洗浄用組成物が提案されている。さらに、特許文献１には、上記洗浄用組成物によれば、基板表面（タングステン配線やタングステン合金配線）を腐食することなく、異物（研磨微粒子）を除去しうることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１３／１６２０２０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、本発明者らが検討を行ったところ、上記特許文献１に開示された洗浄剤を用い、タングステンを含む層（タングステン層）をその表面に有する研磨済研磨対象物を洗浄した際、タングステン層の腐食（溶解）抑制効果が十分でないという問題点があることを新たに見出した。
【０００８】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、表面処理を行う際、研磨済研磨対象物に備えられたタングステンを含む層の溶解を抑制することができる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題に鑑み、鋭意検討を進めた。その結果、特定の構造を有するタングステンエッチング抑制剤、および水を含み、ｐＨが特定の範囲である表面処理組成物を使用することにより、上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、タングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物の表面を処理するために用いられ、ｐＨが７未満である表面処理組成物であって、前記表面処理組成物は、タングステンエッチング抑制剤と、水と、を含み、前記タングステンエッチング抑制剤は、２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物であって、前記置換基は少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む、表面処理組成物である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、表面処理を行う際、研磨済研磨対象物に備えられたタングステンを含む層の溶解を抑制することができる手段が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、タングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物の表面を処理するために用いられる。なお、本明細書において、「表面処理」とは、以下で詳説するように、例えば、研磨済研磨対象物の洗浄およびリンス研磨を含む概念である。したがって、本発明の一形態に係る表面処理組成物は、洗浄用組成物やリンス研磨用組成物として用いられる。
【００１３】
なお、本明細書において、「タングステンを含む層」を、単に「タングステン層」または「Ｗ層」と、「タングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物」を、単に「研磨済研磨対象物」と、「本発明の一形態に係る表面処理組成物」を、単に「表面処理組成物」とも称することがある。
【００１４】
化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程後に行われる洗浄工程は、半導体基板（研磨済研磨対象物）の表面に残留する欠陥（パーティクル、金属汚染、有機物残渣、パッド屑などの異物）を除去することを目的として行われる。この際、例えば、特許文献１に開示された洗浄剤を用いて洗浄することで、これら異物が除去されうる。しかし、本発明者らは、かような洗浄剤を用いてタングステン層を有する研磨済研磨対象物を洗浄する際、タングステン層の溶解を抑制する効果が十分でないことを見出した。そして、鋭意検討した結果、本発明の一形態に係る表面処理組成物により表面処理を行う際、研磨済研磨対象物の表面に備えられたタングステン層の溶解が効果的に抑制されることを見出した。
【００１５】
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、タングステンエッチング抑制剤と、水と、を含み、前記タングステンエッチング抑制剤は、２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物であって、前記置換基は少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含み、ｐＨが７未満である。
【００１６】
本発明者らは、本発明によって上記課題が解決されるメカニズムを以下のように推定している。
【００１７】
上記タングステン層の溶解は、研磨済研磨対象物の表面に形成されたタングステン層が、洗浄剤（洗浄に用いる組成物）中に含まれる水と水和物（ＷＸＯＹＡ−）を形成して、溶解しやすくなっていることに起因すると考えられる。このようなタングステン層の溶解は、ｐＨが高いとき（すなわち、アルカリ性であるとき）や、研磨済研磨対象物の電位が高いときに、より顕著となる。
【００１８】
これに対し、本発明の表面処理組成物は、少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物（タングステンエッチング抑制剤）を含む。当該タングステンエッチング抑制剤は、アニオン性基を含むため水に溶けやすくなっており、また当該タングステンエッチング抑制剤は、タングステン層に吸着して、当該層の表面を覆う保護膜を形成すると考えられる。具体的には、当該タングステンエッチング抑制剤は、窒素含有基によってタングステン層の表面に配位する。また、該タングステンエッチング抑制剤は、芳香族炭化水素環を有することから配向しやすく、タングステン層の表面により緻密な膜（防食膜）を作りやすい。よって、タングステン層表面に緻密な保護膜が形成される結果、タングステン層の水和を抑制し、タングステンエッチング抑制剤が、タングステン層の溶解を抑制するインヒビター（溶解抑制剤）として機能すると推測される。
【００１９】
また、本発明の表面処理組成物は、ｐＨが７未満（酸性）であるため、ｐＨが高い時に顕著となるタングステン層の溶解を抑制することができると考えられる。
【００２０】
このように、本発明の表面処理組成物を用いることにより、タングステン層の溶解を抑制することができる。なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。
【００２１】
以下、本発明を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件で行う。
【００２２】
＜表面処理組成物＞
［タングステンエッチング抑制剤］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、タングステンエッチング抑制剤を含む。当該タングステンエッチング抑制剤は、上述のように、タングステン層の溶解の抑制に寄与する。
【００２３】
また、タングステンエッチング抑制剤は、表面処理を行う際、研磨済研磨対象物（具体的には、タングステン層）の表面粗さの増大（平均表面粗さＲａの値の増大）の抑制にも寄与しうる。タングステン層の表面粗さの増大は、粒界腐食に起因すると考えられる。これに対し、上述のように、タングステンエッチング抑制剤としての効果により、タングステン層の溶解が抑制されることで、同時にタングステン層の粒界における溶解が抑制される。その結果、タングステン層表面の平滑性が良好に維持されると考えられる。
【００２４】
本発明に係るタングステンエッチング抑制剤は、２つ以上の置換基を有する単環または縮合多環の芳香族炭化水素環を含有する化合物であり、前記置換基は少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む。
【００２５】
単環の芳香族炭化水素環の例としては、ベンゼン環が挙げられる。縮合多環の芳香族炭化水素環の例としては、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオランテン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これら芳香族単価水素環は、１種でもまたは２種以上であってもよい。
【００２６】
これらの中でも、タングステン層表面の防食膜の緻密性の観点から、ベンゼン環またはナフタレン環が好ましい。
【００２７】
該芳香族炭化水素環は、少なくとも窒素含有基およびアニオン性基を含む２つ以上の置換基を有する。窒素含有基の例としては、１級アミノ基（−ＮＨ２）、２級アミノ基（−ＮＨＲ）、３級アミノ基（−ＮＲＲ’）等のアミノ基；ニトロ基（−ＮＯ２）；シアノ基（−ＣＮ）；等が挙げられる。これら窒素含有基は、１種でもまたは２種以上であってもよい。また、窒素含有基の数は、１つでも２つ以上であってもよい。
【００２８】
これらの中でも、研磨用組成物中でカチオン電荷を帯びることから、アミノ基またはニトロ基が好ましい。
【００２９】
アニオン性基の例としては、リン酸基（−ＯＰＯ３Ｈ２）またはその塩の基（リン酸（塩）基）、ホスホン酸基（−ＰＯ３Ｈ２）またはその塩の基（ホスホン酸（塩）基）、ホスフィン酸基（＝ＰＯ２Ｈ）またはその塩の基（ホスフィン酸（塩）基）、硫酸基（−ＯＳＯ３Ｈ）またはその塩の基（硫酸（塩）基）、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ）またはその塩の基（スルホン酸（塩）基）、スルフィン酸基（−ＳＯ２Ｈ）またはその塩の基（スルフィン酸（塩）基）、カルボン酸基（−ＣＯＯＨ）またはその塩の基（カルボン酸（塩）基）等を挙げることができる。これらアニオン性基は、１種でもまたは２種以上あってもよい。また、アニオン性基の数は、１つでも２つ以上であってもよい。
【００３０】
これらの中でも、酸性環境下での溶解性の観点から、カルボン酸（塩）基、スルホン酸（塩）基、ホスホン酸（塩）基、リン酸（塩）基が好ましく、カルボン酸（塩）基がより好ましい。
【００３１】
また、該芳香族炭化水素環は、上記の窒素含有基およびアニオン性基以外の他の置換基を有していてもよい。そのような他の置換基の例としては、炭素数１以上１０以下の直鎖状または分枝状のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基等）；炭素数１以上１０以下の直鎖状または分枝状のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）；炭素数６以上３０以下のアリール基（例えば、フェニル基、ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等）；炭素数３以上２０以下のシクロアルキル基（例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等）；チオール基（−ＳＨ）；ヒドロキシ基（−ＯＨ）；フッ素原子（Ｆ）；塩素原子（Ｃｌ）；臭素原子（Ｂｒ）；ヨウ素原子（Ｉ）等が挙げられる。これら他の置換基は、１種でもまたは２種以上であってもよい。
【００３２】
本発明の一形態に係る表面処理組成物において、好適に用いられるタングステンエッチング抑制剤のより具体的な例としては、ｍ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、３，４−ジアミノ安息香酸、ｐ−アミノサリチル酸、３−アミノ−４−メチル安息香酸、２−アミノ−４−メチル安息香酸、２−アミノ−６−メチル安息香酸、２−アミノ−３−メチル安息香酸、２−アミノ−５−メチル安息香酸、４−アミノ−２−メチル安息香酸、４−アミノ−３−メチル安息香酸、２−アミノ−３−メトキシ安息香酸、３−アミノ−４−メトキシ安息香酸、４−アミノ−２−メトキシ安息香酸、４−アミノ−３−メトキシ安息香酸、２−アミノ−４，５−ジメトキシ安息香酸、２−アミノ−１−ナフトエ酸、３−アミノ−１−ナフトエ酸、４−アミノ−１−ナフトエ酸、５−アミノ−１−ナフトエ酸、６−アミノ−１−ナフトエ酸、７−アミノ−１−ナフトエ酸、８−アミノ−１−ナフトエ酸、１−アミノ−２−ナフトエ酸、３−アミノ−２−ナフトエ酸、４−アミノ−２−ナフトエ酸、５−アミノ−２−ナフトエ酸、６−アミノ−２−ナフトエ酸、７−アミノ−２−ナフトエ酸、８−アミノ−２−ナフトエ酸、２−アミノテレフタル酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、５−アミノイソフタル酸水和物、２−アミノ安息香酸ナトリウム、３−アミノ安息香酸ナトリウム、４−アミノ安息香酸ナトリウム、３，５−ジアミノ安息香酸ナトリウム、４−アミノサリチル酸ナトリウム、２−アミノ安息香酸カリウム、３−アミノ安息香酸カリウム、４−アミノ安息香酸カリウム、３，５−ジアミノ安息香酸カリウム、４−アミノサリチル酸カリウム、２−ニトロ安息香酸、３−ニトロ安息香酸、４−ニトロ安息香酸、３−メチル−４−ニトロ安息香酸、２−メチル−３−ニトロ安息香酸、４−メチル−３−ニトロ安息香酸、２−メチル−６−ニトロ安息香酸、３−メチル−２−ニトロ安息香酸、２−メチル−５−ニトロ安息香酸、５−メチル−２−ニトロ安息香酸、２−シアノ安息香酸、３−シアノ安息香酸、４−シアノ安息香酸、４−ヒドロキシ−３−ニトロ安息香酸、５−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸、３−ヒドロキシ−４−ニトロ安息香酸、３−ヒドロキシ−２−ニトロ安息香酸、２−ヒドロキシ−４−ニトロ安息香酸、２−ヒドロキシ−５−ニトロ安息香酸、４−アミノ−ベンゼンスルホン酸、８−アミノナフタレン−２−スルホン酸、８−ヒドロキシナフタレン−１−スルホン酸、４−アミノ−５−ヒドロキシナフタレン−２，７−ジスルホン酸、７−アミノナフタレン−１，３，６−トリスルホン酸、４−アミノフェニルリン酸、４−アミノフェニルホスホン酸、４−アミノフェニルホスフィン酸、２−アミノフェニルリン酸、２−アミノフェニルホスホン酸、２−アミノフェニルホスフィン酸、２，６−ジアミノフェニルリン酸、２，６−ジアミノフェニルホスホン酸、２，６−ジアミノフェニルホスフィン酸、２−アミノ−４−ヒドロキシフェニルリン酸、２−アミノ−４−ヒドロキシフェニルホスホン酸、２−アミノ−４−ヒドロキシフェニルホスフィン酸、２−アミノ−１−ナフチルリン酸、２−アミノ−１−ナフチルホスホン酸、２−アミノ−１−ナフチルホスフィン酸、４−アミノ−１−ナフチルリン酸、４−アミノ−１−ナフチルホスホン酸、４−アミノ−１−ナフチルホスフィン酸、５−アミノ−２−ナフチルリン酸、５−アミノ−２−ナフチルホスホン酸、５−アミノ−２−ナフチルホスフィン酸、４−アミノ−３−ヒドロキシ−１−ナフチルリン酸、４−アミノ−３−ヒドロキシ−１−ナフチルホスホン酸、４−アミノ−５−ヒドロキシ−１−ナフチルリン酸、４−アミノ−５−ヒドロキシ−１−ナフチルホスホン酸、７−アミノ−３−ヒドロキシ−２−ナフチルリン酸、７−アミノ−３−ヒドロキシ−２−ナフチルホスホン酸、５−ジメチルアミノ−ナフチルリン酸、５−ジメチルアミノ−２−ナフチルホスホン酸等が挙げられる。
【００３３】
また、同じく欠陥低減の観点から、タングステンエッチング抑制剤は、一分子中にアミノ基またはカルボン酸基を複数有するものが好ましい。
【００３４】
一分子中にアミノ基を複数有する化合物の具体例としては、例えば、３，４−ジアミノ安息香酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、３，５−ジアミノ安息香酸カリウム、２，６−ジアミノフェニルリン酸、２，６−ジアミノフェニルホスホン酸、２，６−ジアミノフェニルホスフィン酸等が挙げられる。
【００３５】
一分子中にカルボン酸基を複数有する化合物の具体例としては、例えば、２−アミノテレフタル酸、２，５−ジアミノテレフタル酸、５−アミノイソフタル酸水和物等が挙げられる。
【００３６】
なかでも、タングステン層の溶解等を抑制する効果や、入手容易性等を考慮すると、タングステンエッチング抑制剤は、３−アミノ−４−メチル安息香酸、５−アミノイソフタル酸水和物、３，４−ジアミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸ナトリウム、および３−ニトロ安息香酸からなる群より選択される少なくとも１種を含むことがより好ましい。
【００３７】
なお、タングステンエッチング抑制剤は、１種でもまたは２種以上であってもよい。
【００３８】
タングステンエッチング抑制剤の含有量（濃度）（２種以上の場合はその合計量）は、特に制限されないが、表面処理組成物の総量に対して、０．０１ｇ／ｋｇ以上であることが好ましい。タングステンエッチング抑制剤の含有量（濃度）が０．０１ｇ／ｋｇ以上であると、タングステン層の溶解等を抑制する効果が向上する。
【００３９】
同様の観点から、タングステンエッチング抑制剤の含有量（濃度）は、表面処理組成物の総量に対して、０．０２ｇ／ｋｇ以上であることが好ましく、０．０５ｇ／ｋｇ以上であることがさらに好ましく、０．０６ｇ／ｋｇ以上であることがさらにより好ましく、０．０８ｇ／ｋｇ以上であることが特に好ましい。また、タングステンエッチング抑制剤の含有量（濃度）は、表面処理組成物の総量に対して、１５ｇ／ｋｇ以下であることが好ましい。タングステンエッチング抑制剤の含有量（濃度）が１５ｇ／ｋｇ以下であると、表面処理後のタングステンエッチング抑制剤自体の除去が容易となる。同様の観点から、タングステンエッチング抑制剤の含有量は、表面処理組成物の総量に対して、１２ｇ／ｋｇ以下であることがより好ましく、８ｇ／ｋｇ以下であることがさらに好ましく、５ｇ／ｋｇ以下であることがよりさらに好ましく、３ｇ／ｋｇ以下であることが特に好ましく、２ｇ／ｋｇ以下であることが最も好ましい。
【００４０】
タングステンエッチング抑制剤は、その分子量が１，０００未満であると好ましい。分子量が１，０００未満であると、研磨済研磨対象物を表面処理した後、タングステンエッチング抑制剤を除去する過程において、除去が容易となるため、好ましい。同様の観点から、タングステンエッチング抑制剤の分子量は、８００以下であるとより好ましく、６００以下であると特に好ましい。一方、タングステンエッチング抑制剤の分子量の下限値は特に制限されないが、１２０以上であると好ましい。なお、タングステンエッチング抑制剤の分子量は、ガスクロマトグラフィー−質量分析（ＧＣ−ＭＳ）法、ＨＰＬＣ−タンデム四重極質量分析法などの質量分析（ＭＳ）法；高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）法等により測定することができる。
【００４１】
［ｐＨ］
本発明の一形態に係る表面処理組成物のｐＨは、７未満である。ｐＨが７未満であると、タングステン水和物の形成が抑制され、タングステン層の溶解をより抑制することができる。一方、ｐＨが７以上であると、タングステン水和物が形成されやすくなり、タングステン層が溶解する。また、タングステン層の溶解をより抑制するという観点から、ｐＨが４以下であることがより好ましく、４未満であることがさらに好ましく、３以下であることがさらにより好ましく、３未満であることが特に好ましく、２．５以下であることが最も好ましい。また、ｐＨは、１以上であることが好ましい。ｐＨが１以上であると、低ｐＨに調整するための酸の添加量を低減でき、コストを削減するという観点から好ましい。
【００４２】
また、以下で詳説するように、表面処理組成物のｐＨを７未満とする（すなわち、酸性とする）ことにより、研磨済研磨対象物の表面または異物の表面を正電荷で帯電させることができ、静電的な反発により、十分な異物の除去効果が得られうる。なお、表面処理組成物のｐＨは、ｐＨメータ（株式会社堀場製作所製  製品名：ＬＡＱＵＡ（登録商標））により確認することができる。
【００４３】
ｐＨを調整する際、本発明の一形態に係る表面処理組成物の必須成分以外の成分は、異物の原因となりうるため、できる限り添加しないことが望ましい。よって、表面処理組成物は、上記タングステンエッチング抑制剤、水、および必要に応じて添加されるスルホン酸（塩）基を有する高分子化合物、酸のみで調製することが好ましい。しかしながら、これらのみによって所望のｐＨを得ることが困難である場合は、本発明の効果を阻害しない範囲内において、任意に添加されうるアルカリ等の他の添加剤を用いて調整してもよい。
【００４４】
［分散媒］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、分散媒（溶媒）として水を必須に含む。分散媒は、各成分を分散または溶解させる機能を有する。分散媒は、水のみであることが好ましいが、各成分の分散または溶解のために、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。この場合、用いられる有機溶媒としては、水と混和する有機溶媒であるアセトン、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。また、これらの有機溶媒を水と混合せずに用いて、各成分を分散または溶解した後に、水と混合してもよい。これら有機溶媒は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【００４５】
水は、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）の汚染や他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましい。例えば、遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下である水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、水としては、例えば、脱イオン水（イオン交換水）、純水、超純水、蒸留水などを用いることが好ましい。
【００４６】
［水溶性高分子］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、水溶性高分子をさらに含むことが好ましい。水溶性高分子は、表面処理組成物による異物の除去に寄与する。よって、水溶性高分子を含む表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面処理（洗浄等）において、研磨済研磨対象物の表面に残留する欠陥（異物）を十分に除去することができる。
【００４７】
水溶性高分子の例としては、スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物；リン酸（塩）基を有する高分子化合物；ホスホン酸（塩）基を有する高分子化合物；カルボン酸（塩）基を有する高分子化合物；ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリビニルイミダゾール（ＰＶＩ）、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルカプロラクタム、ポリビニルピペリジン、ポリアクリロイルモルホリン（ＰＡＣＭＯ）等の窒素原子を含む水溶性高分子；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）等が挙げられる。
【００４８】
これらの中でも、スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物が好ましい。以下、スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物について説明する。
【００４９】
＜スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物＞
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、上記水溶性高分子がスルホン酸（塩）基を有する高分子化合物であると好ましい。スルホン酸（塩）基を有する高分子化合物（本明細書中、単に「スルホン酸基含有高分子」とも称する）は、表面処理組成物による異物の除去により寄与しやすい。よって、上記スルホン酸基含有高分子を含む表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面処理（洗浄等）において、研磨済研磨対象物の表面に残留する欠陥（異物）をより除去しやすいという効果を有する。
【００５０】
当該スルホン酸基含有高分子は、スルホン酸（塩）基以外の部分（すなわち、スルホン酸基含有高分子のポリマー鎖部分）と、異物（特に疎水性成分）との親和性により、ミセルを形成しうる。よって、このミセルが表面処理組成物中に溶解または分散することにより、疎水性成分である異物もまた効果的に除去されると考えられる。
【００５１】
また、酸性条件下において、研磨済研磨対象物の表面がカチオン性である場合、スルホン酸基がアニオン化することにより、当該研磨済研磨対象物の表面に吸着しやすくなる。その結果、研磨済研磨対象物の表面には、上記スルホン酸基含有高分子が被覆した状態となると考えられる。他方、残留した異物（特にカチオン性を帯びやすいもの）には、スルホン酸基含有高分子のスルホン酸基が吸着しやすいため、異物の表面がアニオン性を帯びることとなる。よって、その表面がアニオン性となった異物と、研磨済研磨対象物の表面に吸着したスルホン酸基含有高分子のアニオン化したスルホン酸基とが、静電的に反発する。また、異物がアニオン性である場合は、異物自体と、研磨済研磨対象物上に存在するアニオン化したスルホン酸基とが静電的に反発する。したがって、このような静電的な反発を利用することで、異物を効果的に除去することができると考えられる。
【００５２】
さらに、研磨済研磨対象物が電荷を帯びにくい場合には、上記とは異なるメカニズムによって異物が除去されると推測される。まず、疎水性である研磨済研磨対象物に対し、異物（特に疎水性成分）は疎水性相互作用によって付着しやすい状態にあると考えられる。ここで、スルホン酸基含有高分子のポリマー鎖部分（疎水性構造部位）は、その疎水性に起因して、研磨済研磨対象物の表面側に向き、他方、親水性構造部位であるアニオン化したスルホン酸基等は、研磨済研磨対象物表面側とは反対側に向く。これにより、研磨済研磨対象物の表面は、アニオン化したスルホン酸基に覆われた状態となり、親水性となると推測される。その結果、異物（特に疎水性成分）と、上記研磨済研磨対象物との間に疎水性相互作用が生じにくくなり、異物の付着が抑制されると考えられる。
【００５３】
そして、研磨済研磨対象物の表面に吸着したタングステンエッチング抑制剤およびスルホン酸基含有高分子は、さらに水洗等を行うことにより、容易に除去される。
【００５４】
なお、本明細書において、「スルホン酸（塩）基」とは、スルホン酸基（−ＳＯ３Ｈ））またはその塩の基（−ＳＯ３Ｍ２；ここで、Ｍ２は、有機または無機の陽イオンである）を表す。
【００５５】
スルホン酸基含有高分子は、スルホン酸（塩）基を複数有するものであれば特に制限されず、公知の化合物を用いることができる。スルホン酸基含有高分子の例としては、ベースとなる高分子化合物をスルホン化して得られる高分子化合物や、スルホン酸（塩）基を有する単量体を（共）重合して得られる高分子化合物等が挙げられる。
【００５６】
より具体的には、スルホン酸（塩）基含有ポリビニルアルコール（スルホン酸変性ポリビニルアルコール）、ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム等のスルホン酸（塩）基含有ポリスチレン、スルホン酸（塩）基含有ポリ酢酸ビニル（スルホン酸変性ポリ酢酸ビニル）、スルホン酸（塩）基含有ポリエステル、（メタ）アクリル酸−スルホン酸（塩）基含有モノマーの共重合体等の（メタ）アクリル基含有モノマー−スルホン酸（塩）基含有モノマーの共重合体等が挙げられる。なお、本明細書において、化合物の具体名における表記「（メタ）アクリル」は「アクリル」および「メタクリル」を、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」および「メタクリレート」を表すものとする。上記スルホン酸基含有高分子は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。これら高分子が有するスルホン酸基の少なくとも一部は、塩の形態であってもよい。塩の例としては、ナトリウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩などの第２族元素の塩、アミン塩、アンモニウム塩等が挙げられる。特に、研磨済研磨対象物がＣＭＰ工程後の半導体基板である場合には、基板表面の金属を極力除去するという観点から、アンモニウム塩であると好ましい。
【００５７】
また、スルホン酸基含有高分子がスルホン酸基含有ポリビニルアルコールである場合は、溶解性の観点から、鹸化度が８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることが好ましい（上限１００％）。
【００５８】
本発明において、スルホン酸基含有高分子の重量平均分子量は、１，０００以上であることが好ましい。重量平均分子量が１，０００以上であると、異物の除去効果がさらに高まる。かかる理由は、研磨済研磨対象物や異物を覆う際の被覆性がより良好となり、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）表面からの異物の除去作用または研磨済研磨対象物表面への有機物残渣の再付着抑止作用がより向上するからであると推測される。同様の観点から、重量平均分子量は、２，０００以上であることがより好ましく、８，０００以上であることがさらに好ましい。
【００５９】
また、スルホン酸基含有高分子の重量平均分子量は、１００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量が１００，０００以下であると、異物の除去効果がさらに高まる。かかる理由は、洗浄工程後のスルホン酸基含有高分子の除去性がより良好となるからであると推測される。同様の観点から、重量平均分子量は、５０，０００以下であることがより好ましく、４０，０００以下であることがさらに好ましい。
【００６０】
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定することができ、具体的には実施例に記載の方法により測定することができる。
【００６１】
スルホン酸基含有高分子の含有量（濃度）は、表面処理組成物の総量に対して、０．０１ｇ／ｋｇ以上であることが好ましい。スルホン酸基含有高分子の含有量（濃度）が０．０１ｇ／ｋｇ以上であると、異物の除去効果がより向上する。かかる理由は、スルホン酸基含有高分子が、研磨済研磨対象物および異物を被覆する際に、より多くの面積で被覆がなされるからであると推測される。これにより、特に異物がミセルを形成しやすくなるため、当該ミセルの溶解・分散による異物の除去効果が向上する。また、スルホン酸（塩）基の数が増加することで、静電的な吸着または反発効果をより強く発現させることができるからであると推測される。同様の観点から、スルホン酸基含有高分子の含有量（濃度）は、表面処理組成物の総量に対して、０．０３ｇ／ｋｇ以上であることが好ましく、０．０５ｇ／ｋｇ以上であることがさらに好ましい。また、スルホン酸基含有高分子の含有量は、表面処理組成物の総量に対して、５ｇ／ｋｇ以下であることが好ましい。スルホン酸基含有高分子の含有量が５ｇ／ｋｇ以下であると、異物の除去効果がさらに高まる。かかる理由は、洗浄工程後のスルホン酸基含有高分子自体の除去性が良好となるからであると推測される。同様の観点から、スルホン酸基含有高分子の含有量は、表面処理組成物の総量に対して、３ｇ／ｋｇ以下であることがより好ましく、２ｇ／ｋｇ以下であることがさらに好ましく、１ｇ／ｋｇ以下であることが特に好ましい。
【００６２】
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、水溶性高分子以外の高分子化合物を含んでいてもよい。この際、スルホン酸基含有高分子の含有量は、表面処理組成物に含まれる高分子化合物の総質量に対して８０質量％超であることが好ましい（上限１００質量％）。スルホン酸基含有高分子の含有量が、表面処理組成物に含まれる高分子化合物の総質量に対して８０質量％超であると、異物の除去効果がより向上する。かかる理由は、洗浄工程後における異物の原因となりうるスルホン酸基含有高分子以外の高分子化合物の量を低減できるからである。また、スルホン酸基含有高分子が研磨済研磨対象物および異物を被覆する際に、スルホン酸基含有高分子以外の高分子化合物によって被覆が妨げられることが抑制されるからであると推測される。同様の観点から、スルホン酸基含有高分子の含有量は、表面処理組成物に含まれる高分子化合物の総質量に対して９５質量％超であることがより好ましい。かような場合、異物の除去効果は著しく向上する。
【００６３】
なお、本明細書において、「高分子化合物」は、その重量平均分子量が１，０００以上である化合物をいう。
【００６４】
さらに、スルホン酸基含有高分子の含有量は、表面処理組成物に含まれる高分子化合物の総質量に対して１００質量％であると特に好ましい。すなわち、表面処理組成物に含まれる高分子化合物は、スルホン酸基含有高分子のみであることが特に好ましい。
【００６５】
［酸］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、さらに酸を含むことが好ましい。なお、本明細書において、上記スルホン酸基含有高分子はここで述べる添加剤としての酸とは異なるものとして取り扱う。酸は、主として表面処理組成物のｐＨを調整する目的で添加される。上述のように、表面処理組成物のｐＨを７未満とする（酸性とする）ことにより、タングステンの溶解等を抑制することができる。また、酸は、研磨済研磨対象物が窒化珪素、酸化珪素またはポリシリコンを含む場合、当該研磨済研磨対象物の表面や、異物の表面を正電荷で帯電させる役割を担うと推測される。したがって、酸を添加することにより、静電的な反発効果がより促進され、表面処理組成物による異物の除去効果がより向上する。
【００６６】
酸としては、無機酸または有機酸のいずれを用いてもよい。無機酸としては、特に制限されないが、例えば、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸等が挙げられる。有機酸としては、特に制限されないが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸および乳酸などのカルボン酸、ならびにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸等が挙げられる。
【００６７】
これらの中でも、研磨済研磨対象物の表面および異物の表面を正電荷で帯電させる効果がより良好となり、異物の除去性を高めるという観点から、マレイン酸または硝酸であることがより好ましく、マレイン酸であることがさらに好ましい。
【００６８】
なお、酸は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【００６９】
酸の含有量は、表面処理組成物のｐＨが上記範囲となる量であれば特に制限されないが、一例を挙げれば、表面処理組成物の総質量に対して、０．０１質量％以上であることが好ましい。酸の含有量が０．０１質量％以上であると、異物の除去効果がより向上する。かかる理由は、研磨済研磨対象物の表面および異物の表面を正電荷で帯電させる効果がより良好となるからであると推測される。同様の観点から、酸の含有量は、表面処理組成物の総質量に対して、０．０２質量％以上であることが好ましく、０．０３質量％以上であることがさらに好ましい。また、酸の含有量は、表面処理組成物の総質量に対して、５質量％以下であることが好ましい。酸の含有量が５質量％以下であると、コストを削減するという観点から好ましい。同様の観点から、酸の含有量は、表面処理組成物の総質量に対して、３質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
【００７０】
［他の添加剤］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲内において、必要に応じて、他の添加剤を任意の割合で含有していてもよい。ただし、本発明の一形態に係る表面処理組成物の必須成分以外の成分は、異物の原因となりうるため、できる限り添加しないことが望ましい。よって、必須成分以外の成分は、その添加量はできる限り少ないことが好ましく、含まないことがより好ましい。他の添加剤としては、例えば、砥粒、アルカリ、防腐剤、溶存ガス、還元剤、酸化剤およびアルカノールアミン類等が挙げられる。なかでも、異物除去効果のさらなる向上のため、表面処理組成物は、砥粒を実質的に含有しないことが好ましい。ここで、「砥粒を実質的に含有しない」とは、表面処理組成物全体に対する砥粒の含量が０．０１質量％以下である場合をいう。
【００７１】
［タングステン層の溶解抑制効果］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、研磨済研磨対象物のタングステン層の溶解を抑制する効果が高いほど好ましい。加えて、本発明の一形態に係る表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面粗さの増大を抑制する効果が高いほど好ましい。
【００７２】
タングステン層の溶解を抑制する効果について、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面処理を行った際、タングステン層のエッチング速度が小さいほど好ましい。具体的には、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物を表面処理した際、３０分当たりの溶解膜厚が５０Å以下であると好ましく、４５Å以下であるとより好ましく、４０Å以下であると特に好ましい。一方、上記エッチング速度は小さいほど好ましいため、その下限は特に制限されないが、実質的には、３０分当たりの溶解膜厚が０．１Åである。
【００７３】
また、タングステン層の表面粗さの増大を抑制する効果について、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面処理を行った後、研磨済研磨対象物の平均表面粗さ（Ｒａ）が小さいほど好ましい。具体的には、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物を表面処理した後の平均表面粗さが１２．５Å以下であると好ましく、１０Å以下であるとより好ましく、５Å以下であると特に好ましい。一方、平均表面粗さは小さいほど好ましいため、その下限は特に制限されないが、実質的には、０．１Åである。
【００７４】
なお、上記エッチング速度および上記平均表面粗さの値は、実施例に記載の方法により表面処理を行った後、実施例に記載の方法により測定された値を採用する。
【００７５】
［異物除去効果］
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面上の異物を除去する効果が高いほど好ましい。すなわち、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面処理を行った際、表面に残存する異物の数が少ないほど好ましい。具体的には、表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物を表面処理した際、異物の数が６０００個以下であると好ましく、３０００個以下であるとより好ましく、２０００個以下であるとさらにより好ましく、１５００個以下であると特に好ましい。一方、上記異物の数は少ないほど好ましいため、その下限は特に制限されないが、実質的には、１００個である。
【００７６】
なお、上記異物の数は、実施例に記載の方法により表面処理を行った後、実施例に記載の方法により測定された値を採用する。
【００７７】
＜表面処理組成物の製造方法＞
上記表面処理組成物の製造方法は特に制限されない。例えば、タングステンエッチング抑制剤および水を混合することにより製造できる。すなわち、本発明の他の形態によれば、タングステンエッチング抑制剤と、水とを混合することを含む、上記表面処理組成物の製造方法もまた提供される。上記のタングステンエッチング抑制剤の種類、添加量等は、前述の通りである。さらに、本発明の一形態に係る表面処理組成物の製造方法においては、必要に応じて、上記水溶性高分子、酸、他の添加剤、水以外の分散媒等をさらに混合してもよい。これらの種類、添加量等は、前述の通りである。
【００７８】
上記各成分の添加順、添加方法は特に制限されない。上記各材料を、一括してもしくは別々に、段階的にもしくは連続して加えてもよい。また、混合方法も特に制限されず、公知の方法を用いることができる。好ましくは、上記表面処理組成物の製造方法は、タングステンエッチング抑制剤と、水と、必要に応じて添加されるスルホン酸（塩）基を有する高分子化合物と、を順次添加し、水中で攪拌することを含む。加えて、上記表面処理組成物の製造方法は、ｐＨが７未満となるように、表面処理組成物のｐＨを測定し、調整することをさらに含んでいてもよい。
【００７９】
＜研磨済研磨対象物＞
本発明において、研磨済研磨対象物（本明細書中、「洗浄対象物」とも称することがある）は、タングステンを含む層を有する。ここで、「研磨済研磨対象物がタングステンを含む層を有する」とは、研磨対象となる面がタングステンを含む形態であれば、いかなる態様であってもよい。このため、研磨済研磨対象物は、タングステンから構成される基板、タングステンを含む層またはタングステンから構成される層を有する基板（例えば、高分子もしくは他の金属の基板上にタングステンを含む層またはタングステンから構成される層が配置されてなる基板）であってもよい。好ましくは、研磨済研磨対象物は、タングステンから構成される層を有する研磨済研磨対象物（例えば、基板）である。すなわち、本発明の表面処理組成物は、タングステンから構成される層を有する研磨済研磨対象物の表面処理（洗浄等）に使用されると好ましい。
【００８０】
また、本明細書において、研磨済研磨対象物とは、研磨工程において研磨された後の研磨対象物を意味する。研磨工程としては、特に制限されないが、ＣＭＰ工程であることが好ましい。
【００８１】
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、上記タングステンを含む層と共に、窒化珪素、酸化珪素またはポリシリコンを含む研磨済研磨対象物の表面に残留する異物を効果的に低減することができる。酸化珪素を含む研磨済研磨対象物としては、例えばオルトケイ酸テトラエチルを前駆体として使用して生成されるＴＥＯＳタイプ酸化ケイ素面（以下、単に「ＴＥＯＳ」とも称する）や、ＨＤＰ膜、ＵＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＲＴＯ膜等を有する研磨済研磨対象物が挙げられる。
【００８２】
研磨済研磨対象物は、研磨済半導体基板であることが好ましく、ＣＭＰ後の半導体基板であることがより好ましい。ここで、異物や表面の粗さは半導体デバイスの性能低下の原因となりうる。したがって、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板である場合は、半導体基板の洗浄工程において、異物や表面の粗さをできる限り低減することが望まれる。本発明の表面処理組成物は、異物を除去する効果を十分に有するため、かような研磨済半導体基板の表面処理（洗浄等）に好適に用いることができる。
【００８３】
かかる研磨済研磨対象物の具体例としては、タングステン上に窒化珪素膜または酸化珪素膜が形成された構造を有する研磨済半導体基板や、タングステン部分と、窒化珪素膜と、酸化珪素膜とが全て露出した構造を有する研磨済半導体基板等が挙げられる。
【００８４】
ここで、本発明の奏する効果の観点から、本発明の一形態に係る表面処理組成物は、タングステンを含む層と、窒化珪素、酸化珪素またはポリシリコンとを含む研磨済研磨対象物の表面処理に好適に用いられる。窒化珪素、酸化珪素またはポリシリコンを含む研磨済研磨対象物は、半導体デバイスの製造において、厳密な異物の除去が要求されるが、本発明の一形態に係る表面処理組成物は、十分な異物の除去能を有するため、このような要請にも十分適応可能である。
【００８５】
＜表面処理方法＞
本発明の他の一形態は、上記表面処理組成物を用いてタングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物を表面処理することを含む、表面処理方法である。本明細書において、表面処理方法とは、研磨済研磨対象物の表面における異物を低減する方法をいい、広義の洗浄を行う方法である。
【００８６】
本発明の一形態に係る表面処理方法によれば、タングステンを含む層の溶解を抑制しつつ、残留する異物を十分に除去することができる。すなわち、本発明の他の一形態によれば、上記表面処理組成物を用いてタングステンを含む層を有する研磨済研磨対象物を表面処理する、研磨済研磨対象物の表面における異物低減方法が提供される。
【００８７】
本発明の一形態に係る表面処理方法は、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させる方法により行われる。
【００８８】
表面処理方法としては、主として、（Ｉ）リンス研磨処理による方法、（ＩＩ）洗浄処理による方法が挙げられる。すなわち、本発明の一形態に係る表面処理は、リンス研磨または洗浄によって行われると好ましい。リンス研磨処理および洗浄処理は、研磨済研磨対象物の表面上の異物（パーティクル、金属汚染、有機物残渣、パッド屑など）を除去し、清浄な表面を得るために実施される。上記（Ｉ）および（ＩＩ）について、以下、説明する。
【００８９】
（Ｉ）リンス研磨処理
本発明に係る表面処理組成物は、リンス研磨処理において好適に用いられる。リンス研磨処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行った後、研磨対象物の表面上の異物の除去を目的として、研磨パッドが取り付けられた研磨定盤（プラテン）上で行われる。このとき、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させることにより、リンス研磨処理が行われる。その結果、研磨済研磨対象物表面の異物は、研磨パッドによる摩擦力（物理的作用）および表面処理組成物による化学的作用によって除去される。異物のなかでも、特にパーティクルや有機物残渣は、物理的な作用により除去されやすい。したがって、リンス研磨処理では、研磨定盤（プラテン）上で研磨パッドとの摩擦を利用することで、パーティクルや有機物残渣を効果的に除去することができる。
【００９０】
具体的には、リンス研磨処理は、研磨工程後の研磨済研磨対象物表面を研磨装置の研磨定盤（プラテン）に設置し、研磨パッドと研磨済半導体基板とを接触させて、その接触部分に表面処理組成物（リンス研磨用組成物）を供給しながら研磨済研磨対象物と研磨パッドとを相対摺動させることにより行うことができる。
【００９１】
リンス研磨処理は、片面研磨装置、両面研磨装置のいずれを用いても行うことができる。また、上記研磨装置は、研磨用組成物の吐出ノズルに加え、リンス研磨用組成物の吐出ノズルを備えていると好ましい。研磨装置のリンス研磨処理時の稼働条件は特に制限されず、当業者であれば適宜設定可能である。
【００９２】
（ＩＩ）洗浄処理
本発明に係る表面処理組成物は、洗浄処理において好適に用いられる。洗浄処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行った後、または、上記リンス研磨処理を行った後、研磨対象物の表面上の異物の除去を目的として行われる。なお、洗浄処理と、上記リンス研磨処理とは、これらの処理を行う場所によって分類され、洗浄処理は、研磨済研磨対象物を研磨定盤（プラテン）上から取り外した後に行われる表面処理である。洗浄処理においても、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させて、当該対象物の表面上の異物を除去することができる。
【００９３】
洗浄処理を行う方法の一例として、（ｉ）研磨済研磨対象物を保持した状態で、洗浄ブラシを研磨済研磨対象物の片面または両面とを接触させて、その接触部分に表面処理組成物を供給しながら研磨済研磨対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法、（ｉｉ）研磨済研磨対象物を表面処理組成物中に浸漬させ、超音波処理や攪拌を行う方法（ディップ式）等が挙げられる。かかる方法において、研磨済研磨対象物表面の異物は、洗浄ブラシによる摩擦力または超音波処理や攪拌によって発生する機械的力、および表面処理組成物による化学的作用によって除去される。
【００９４】
上記（ｉ）の方法において、表面処理組成物（洗浄用組成物）の研磨済研磨対象物への接触方法としては、特に限定されないが、ノズルから研磨済研磨対象物上に表面処理組成物を流しながら研磨済研磨対象物を高速回転させるスピン式、研磨済研磨対象物に表面処理組成物を噴霧して洗浄するスプレー式などが挙げられる。
【００９５】
短時間でより効率的な汚染除去ができる点からは、洗浄処理は、スピン式やスプレー式を採用することが好ましく、スピン式であることがさらに好ましい。
【００９６】
このような洗浄処理を行うための装置としては、カセットに収容された複数枚の研磨済研磨対象物を同時に表面処理するバッチ式洗浄装置、１枚の研磨済研磨対象物をホルダーに装着して表面処理する枚葉式洗浄装置などがある。洗浄時間の短縮等の観点からは、枚葉式洗浄装置を用いる方法が好ましい。
【００９７】
さらに、洗浄処理を行うための装置として、研磨定盤（プラテン）から研磨済研磨対象物を取り外した後、当該研磨済研磨対象物を洗浄ブラシで擦る洗浄用設備を備えている研磨装置が挙げられる。このような研磨装置を用いることにより、研磨済研磨対象物の洗浄処理を、より効率よく行うことができる。
【００９８】
かような研磨装置としては、研磨済研磨対象物を保持するホルダー、回転数を変更可能なモータ、洗浄ブラシ等を有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、片面研磨装置または両面研磨装置のいずれを用いてもよい。なお、ＣＭＰ工程の後、リンス研磨工程を行う場合、当該洗浄処理は、リンス研磨工程にて用いた研磨装置と同様の装置を用いて行うことが、より効率的であり好ましい。
【００９９】
洗浄ブラシとしては、特に制限されないが、好ましくは、樹脂製ブラシを使用する。樹脂製ブラシの材質は、特に制限されないが、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を使用するのが好ましい。そして、洗浄ブラシとしては、ＰＶＡ製スポンジを用いることが特に好ましい。
【０１００】
洗浄条件にも特に制限はなく、洗浄対象物の種類、ならびに除去対象とする有機物残渣の種類および量に応じて、適宜設定することができる。例えば、洗浄ブラシの回転数は１０ｒｐｍ以上２００ｒｐｍ以下、洗浄対象物の回転数は、１０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下、洗浄対象物にかける圧力（研磨圧力）は、０．５ｐｓｉ以上１０ｐｓｉ以下がそれぞれ好ましい。洗浄ブラシに表面処理組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法（掛け流し）が採用される。この供給量に制限はないが、洗浄ブラシおよび洗浄対象物の表面が常に表面処理組成物で覆われていることが好ましく、１０ｍＬ／分以上５０００ｍＬ／分以下であることが好ましい。洗浄時間も特に制限されないが、本発明の一形態に係る表面処理組成物を用いる工程については５秒間以上１８０秒間以下であることが好ましい。このような範囲であれば、異物をより効果的に除去することが可能である。
【０１０１】
洗浄の際の表面処理組成物の温度は、特に制限されず、通常は室温（２５℃）でよいが、性能を損なわない範囲で、４０℃以上７０℃以下程度に加温してもよい。
【０１０２】
上記（ｉｉ）の方法において、浸漬による洗浄方法の条件については、特に制限されず、公知の手法を用いることができる。
【０１０３】
上記（ｉ）、（ｉｉ）の方法による洗浄処理を行う前、後またはその両方において、水による洗浄を行ってもよい。
【０１０４】
また、洗浄後の研磨済研磨対象物（洗浄対象物）は、スピンドライヤ等により表面に付着した水滴を払い落として乾燥させることが好ましい。また、エアブロー乾燥により研磨済研磨対象物（洗浄対象物）の表面を乾燥させてもよい。
【０１０５】
＜半導体基板の製造方法＞
本発明の一形態に係る表面処理方法は、研磨済研磨対象物がタングステンを含む層を有する研磨済半導体基板であるとき、好適に適用可能である。すなわち、本発明の他の一形態によれば、研磨済研磨対象物がタングステンを含む層を有する研磨済半導体基板であり、当該研磨済半導体基板を、上記表面処理組成物を用いて表面処理することを含む、半導体基板の製造方法もまた提供される。
【０１０６】
かかる製造方法が適用される半導体基板の詳細については、上記表面処理組成物によって表面処理される研磨済研磨対象物の説明の通りである。
【０１０７】
また、半導体基板の製造方法としては、タングステン層を有する研磨済半導体基板の表面を、本発明の一形態に係る表面処理組成物を用いて表面処理する工程（表面処理工程）を含むものであれば特に制限されない。かかる製造方法として、例えば、タングステン層を有する研磨済半導体基板を形成するための研磨工程および洗浄工程を有する方法が挙げられる。また、他の一例としては、研磨工程および洗浄工程に加え、研磨工程および洗浄工程の間に、リンス研磨工程を有する方法が挙げられる。以下、これらの各工程について説明する。
【０１０８】
［研磨工程］
半導体基板の製造方法に含まれうる研磨工程は、半導体基板を研磨して、研磨済半導体基板を形成する工程である。
【０１０９】
研磨工程は、半導体基板を研磨する工程であれば特に制限されないが、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）工程であることが好ましい。また、研磨工程は、単一の工程からなる研磨工程であっても複数の工程からなる研磨工程であってもよい。複数の工程からなる研磨工程としては、例えば、予備研磨工程（粗研磨工程）の後に仕上げ研磨工程を行う工程や、１次研磨工程の後に１回または２回以上の２次研磨工程を行い、その後に仕上げ研磨工程を行う工程等が挙げられる。本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理工程は、上記仕上げ研磨工程後に行われると好ましい。
【０１１０】
研磨用組成物としては、半導体基板の特性に応じて、公知の研磨用組成物を適宜使用することができる。研磨用組成物としては、特に制限されないが、例えば、砥粒、酸塩、分散媒、および酸を含むもの等を好ましく用いることができる。かかる研磨用組成物の具体例としては、スルホン酸修飾コロイダルシリカ、硫酸アンモニウム、水およびマレイン酸を含む研磨用組成物等が挙げられる。
【０１１１】
研磨装置としては、研磨対象物を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、片面研磨装置または両面研磨装置のいずれを用いてもよい。
【０１１２】
研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
【０１１３】
研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転数、ヘッド（キャリア）回転数は、１０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下が好ましく、研磨対象物にかける圧力（研磨圧力）は、０．５ｐｓｉ以上１０ｐｓｉ以下が好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法（掛け流し）が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨用組成物で覆われていることが好ましく、１０ｍＬ／分以上５０００ｍＬ／分以下であることが好ましい。研磨時間も特に制限されないが、研磨用組成物を用いる工程については５秒間以上１８０秒間以下であることが好ましい。
【０１１４】
［表面処理工程］
表面処理工程とは、本発明に係る表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面における異物を低減する工程をいう。半導体基板の製造方法において、リンス研磨工程の後、表面処理工程としての洗浄工程が行われてもよいし、リンス研磨工程のみ、または洗浄工程のみが行われてもよい。
【０１１５】
（リンス研磨工程）
リンス研磨工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程および洗浄工程の間に設けられてもよい。リンス研磨工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（リンス研磨処理方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
【０１１６】
研磨装置および研磨パッド等の装置、ならびに研磨条件については、研磨用組成物を供給する代わりに本発明に係る表面処理組成物を供給する以外は、上記研磨工程と同様の装置および条件を適用することができる。
【０１１７】
リンス研磨工程で用いられるリンス研磨方法の詳細は、上記リンス研磨処理に係る説明に記載の通りである。
【０１１８】
（洗浄工程）
洗浄工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程の後に設けられてもよいし、リンス研磨工程の後に設けられてもよい。洗浄工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（洗浄方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
【０１１９】
洗浄工程で用いられる洗浄方法の詳細は、上記洗浄方法に係る説明に記載の通りである。
【実施例】
【０１２０】
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２０〜２５℃）／相対湿度４０〜５０％ＲＨの条件下で行われた。
【０１２１】
表面処理組成物（液温：２５℃）のｐＨは、ｐＨメータ（株式会社堀場製作所製  製品名：ＬＡＱＵＡ（登録商標））により確認した。
【０１２２】
（水溶性高分子の分子量）
水溶性高分子の重量平均分子量は、以下の測定条件で測定した：
ＧＰＣ装置：株式会社島津製作所製
型式：Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ  ＋  ＥＬＳＤ検出器（ＥＬＳＤ−ＬＴＩＩ）
カラム：ＶＰ−ＯＤＳ（株式会社島津製作所製）
移動相    Ａ：ＭｅＯＨ
Ｂ：酢酸１％水溶液
流量：１ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＥＬＳＤ  ｔｅｍｐ．４０℃、Ｇａｉｎ  ８、Ｎ２ＧＡＳ  ３５０ｋＰａ
オーブン温度：４０℃
注入量：４０μｌ。
【０１２３】
＜表面処理組成物の調製＞
［実施例１：表面処理組成物Ａ−１の調製］
タングステンエッチング抑制剤である３−アミノ−４−メチル安息香酸を１ｇ／ｋｇの濃度となるように、水（脱イオン水）と混合し（混合温度：２５℃）、さらにｐＨ調整剤であるマレイン酸を加え、ｐＨが２．０〜２．３の間となるように調整することにより、表面処理組成物Ａ−１を調製した。
【０１２４】
［実施例２〜５：表面処理組成物Ａ−２〜Ａ−５の調製］
タングステンエッチング抑制剤を下記表１に記載の化合物に変更したことを除いては、実施例１と同様にして、表面処理組成物Ａ−２〜Ａ−５を調製した。
【０１２５】
［実施例６：表面処理組成物Ａ−６の調製］
タングステンエッチング抑制剤である３−アミノ−４−メチル安息香酸を１ｇ／ｋｇの濃度となるように、水溶性高分子であるポリスチレンスルホン酸（重量平均分子量：１００００〜２００００）を１ｇ／ｋｇの濃度となるように、それぞれ水（脱イオン水）と混合し、さらにｐＨ調整剤としてマレイン酸を加え、ｐＨが２．０〜２．３の間となるように調整することにより、表面処理組成物Ａ−６を調製した。
【０１２６】
［実施例７〜１０：表面処理組成物Ａ−７〜Ａ−１０の調製］
タングステンエッチング抑制剤を下記表１に記載の化合物に変更したことを除いては、実施例６と同様にして、表面処理組成物Ａ−７〜Ａ−１０を調製した。
【０１２７】
［比較例１：表面処理組成物Ｃ−１の調製］
３−アミノ−４−メチル安息香酸を用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして、表面処理組成物Ｃ−１を調製した。
【０１２８】
［比較例２：表面処理組成物Ｃ−２の調製］
３−アミノ−４−メチル安息香酸を用いなかったこと以外は、実施例６と同様にして、表面処理組成物Ｃ−２を調製した。
【０１２９】
［比較例３〜９：表面処理組成物Ｃ−３〜Ｃ−９の調製］
タングステンエッチング抑制剤を下記表１に記載の化合物に変更したことを除いては、実施例１と同様にして、表面処理組成物Ｃ−３〜Ｃ−９を調製した。
【０１３０】
＜評価＞
［欠陥数（異物数）の評価］
（研磨済研磨対象物（洗浄対象物）の準備）
下記化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって研磨された後の、研磨済窒化珪素基板を研磨済研磨対象物（洗浄対象物、研磨済基板とも称する）として準備した。
【０１３１】
≪ＣＭＰ工程≫
半導体基板である窒化珪素基板について、研磨用組成物Ｍ（組成；スルホン酸修飾コロイダルシリカ（“Ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ−ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ  ｓｉｌｉｃａ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｉｏｌ  ｇｒｏｕｐｓ”，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２４６−２４７（２００３）に記載の方法で作製、一次粒子径３０ｎｍ、二次粒子径６０ｎｍ）４質量％、硫酸アンモニウム１質量％、濃度３０質量％のマレイン酸水溶液０．０１８質量％、溶媒：水）を使用し、それぞれ下記の条件にて研磨を行った。ここで、窒化珪素基板は、３００ｍｍウェハを使用した。
【０１３２】
−研磨装置および研磨条件−
研磨装置：荏原製作所社製  ＦＲＥＸ３００Ｅ
研磨パッド：ニッタ・ハース株式会社製  硬質ポリウレタンパッド  ＩＣ１０１０
研磨圧力：２．０ｐｓｉ（１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａ、以下同様）
研磨定盤回転数：６０ｒｐｍ
ヘッド回転数：６０ｒｐｍ
研磨用組成物の供給：掛け流し
研磨用組成物供給量：３００ｍＬ／分
研磨時間：６０秒間。
【０１３３】
≪洗浄工程≫
上記ＣＭＰ工程にてウェハ表面を研磨した後、当該ウェハを研磨定盤（プラテン）上から取り外した。続いて、同じ研磨装置内で、前記調製した各表面処理組成物（洗浄用組成物）を用いて、洗浄ブラシであるポリビニルアルコール（ＰＶＡ）製スポンジで上下からウェハを挟み、圧力をかけながら下記条件で各研磨済基板をこする洗浄方法によって、各研磨済基板を洗浄した。
【０１３４】
−洗浄装置および洗浄条件−
装置：荏原製作所社製  ＦＲＥＸ３００Ｅ
洗浄ブラシ回転数：１００ｒｐｍ
洗浄対象物（研磨済基板）回転数：５０ｒｐｍ
洗浄液の流量：１０００ｍＬ／分
洗浄時間：６０秒間。
【０１３５】
≪欠陥数（異物数）の測定≫
上記洗浄工程によって洗浄された後の各洗浄済基板について、以下の手順によって欠陥数（異物数）を測定した。評価結果を表１に示す。
【０１３６】
各表面処理組成物を用いて、上記に示す洗浄条件で研磨済窒化珪素基板を洗浄した後の、０．０９μｍ以上の異物数を測定した。異物数の測定にはＫＬＡ  ＴＥＮＣＯＲ社製ＳＰ−２を使用した。測定は、洗浄済基板の片面の外周端部から幅５ｍｍの部分を除外した残りの部分について測定を行った。なお、表中の「−」は、測定を行わなかったことを示す。
【０１３７】
［タングステンエッチング速度（Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｒａｔｅ）の測定］
タングステン層の溶解抑制効果の指標として、下記操作によりエッチング試験を行った。すなわち、各表面処理組成物３００ｍＬを３００ｒｐｍで攪拌したサンプル容器に、タングステンウェハ（大きさ：３２ｍｍ×３２ｍｍ）を６０℃で１０分間浸漬することで行なった。浸漬後、タングステンウェハを純水で３０秒洗浄し、エアーガンによるエアブロー乾燥で乾燥させた。エッチング試験前後のタングステンウェハの厚み（膜厚）を、手動シート抵抗器（ＶＲ−１２０、株式会社日立国際電気製）によって測定した。下記（エッチング速度の算出方法）により、エッチング試験前後のタングステンウェハの厚み（膜厚）の差をエッチング試験時間で除することによって、エッチング速度（Ｅｔｃｈｉｎｇ  Ｒａｔｅ）（Å／分）を求めた。なお、表中には、３０分当たりに換算したエッチング速度（Å／３０分）を示す。
【０１３８】
（エッチング速度の算出方法）
エッチング速度（エッチングレート）（Å／分）は、下記数式（１）により計算した。
【０１３９】
【数１】
2019057524.tif 000002
【０１４０】
【表１】
2019057524.tif 000003
【０１４１】
上記表１から明らかなように、実施例の表面処理組成物は、表面処理を行った際、比較例の表面処理組成物に比べて、欠陥の除去性能に優れ、タングステン層の溶解を有意に抑制できることが分かった。