(57)【要約】【目的】描画装置の精度確認パターンの描画データを描画装置内で自動生成することが可能な装置を提供する。【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、描画装置の装置精度を評価するための装置精度確認パターンの形状を特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて装置精度確認パターンの描画データを生成するデータ生成部１２と、試料に描画される実チップパターンの描画データを入力し、実チップパターンの描画データと装置精度確認パターンの描画データとをパターン同士が互いに重ならないように合成する合成部１６と、合成された描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、試料に実チップパターンと装置精度確認パターンとを描画する描画機構１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2019021765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画装置の装置精度を評価するための装置精度確認パターンを特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、前記文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて前記装置精度確認パターンの描画データを生成する描画データ生成部と、
試料に描画される実チップパターンの描画データを入力し、前記実チップパターンの描画データと前記装置精度確認パターンの描画データとをパターン同士が互いに重ならないように合成する合成部と、
合成された描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、前記試料に前記実チップパターンと前記装置精度確認パターンとを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記描画部は、可変成形ビーム若しくはマルチビームを用いて前記試料に前記実チップパターンと前記装置精度確認パターンとを描画することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記実チップパターンと前記装置精度確認パターンとが互いに重なる場合に、前記装置精度確認パターンの描画位置を修正する修正部をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
前記実チップパターンを描画するための描画パラメータとは独立して、前記装置精度確認パターンを描画するための描画パラメータを設定する設定部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項５】
描画装置の装置精度を評価するための装置精度確認パターンを特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、前記文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて前記装置精度確認パターンの描画データを生成する工程と、
試料に描画される実チップパターンの描画データを入力し、前記実チップパターンの描画データと前記装置精度確認パターンの描画データとをパターン同士が互いに重ならないように合成する工程と、
合成された描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、前記試料に前記実チップパターンと前記装置精度確認パターンとを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項６】
描画装置の装置精度を評価するための複数の装置精度確認パターンを特定させる文字情報のうち他とは異なる１つが定義された複数の装置精度確認パターン情報ファイルを記憶する記憶装置と、
前記複数の装置精度確認パターン情報ファイルのうちから任意の装置精度確認パターン情報ファイルを識別する識別情報と当該任意の装置精度確認パターン情報ファイルに対応する装置精度確認パターンの配置レイアウトを特定させるレイアウト情報を入力可能な入力部と、
前記任意の装置精度確認パターン情報ファイルに定義される前記文字情報と前記レイアウト情報とを解釈する解釈部と、
解釈された結果に基づいて、実チップパターン用の描画領域内に前記配置レイアウトにて配置されるように、前記装置精度確認パターンの描画データを生成するデータ生成部と、
前記描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、実チップパターンを描画することなく、試料の実チップパターン用の描画領域内に前記装置精度確認パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、マルチビーム描画装置の精度確認パターンの描画データを装置内で自動生成する描画装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、マスクブランクスへ電子線を使ってマスクパターンを描画することが行われている。
【０００３】
例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、マスク像が縮小されて、偏向器で偏向され試料上の所望の位置へと照射される。
【０００４】
電子ビーム描画装置にとって、描画中の装置状態の変化は描画精度に影響を与えるため、できるだけ把握することが望まれる。特に、ビームキャリブレーション等の光学系の較正動作等で捉えることができずに漏れてしまった変化は実際の描画処理の結果で把握する必要がある。そのため、実際の半導体製造用のチップのパターンレイアウトに合わせて、ユーザによって、描画装置の装置精度を確認するためのＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｃｈｅｃｋ）パターンが設計され、チップのパターンレイアウトのデータと合わせて、描画装置に入力可能なフォーマットで生成された描画データとして描画装置側に提供されてきた。描画装置では、描画されるチップのパターンレイアウトに合わせて外部で予め設定されたＱＣパターンを含む描画データを入力し、かかる描画データに沿って、基板にパターンを描画していた。
【０００５】
しかしながら、装置精度を確認するといっても、ユーザが求めるチップパターンレイアウトには、多種多様なレイアウトが用いられる。ユーザにとって、１回限りのレイアウトである場合も多く、かかるチップパターンレイアウトに対して、その都度、ユーザが評価したい装置精度を得るために必要なＱＣパターンを設計し、チップパターンレイアウトに、ユーザがその都度、設計されたＱＣパターンを組み込むとなると、組み込みが完了するまでに大変な手間と時間が必要になってしまうといった問題があった。さらに、ＱＣパターンを描画する際、マスクや評価項目毎に、チップパターンを描画する場合とは異なる描画パラメータを設定する必要がある場合も起こり得る。かかる場合に、その都度、ユーザがマスクや評価項目のための描画パラメータを検討していたのでは、設定ミスを引き起こしやすいといった問題があった。
【０００６】
ここで、ＱＣパターンの組み込みではないが、描画装置内で、試料が描画された際の描画情報を示す、例えば、バーコードパターン等の図形コードの描画データを生成して、マスクの本来の半導体製造用のチップパターンの描画データと合成した上で、図形コードをチップ領域の外側に描画することが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−２５３１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の一態様は、描画装置の精度確認パターンの描画データを描画装置内で自動生成することが可能な装置及び方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画装置の装置精度を評価するための装置精度確認パターンの形状を特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて装置精度確認パターンの描画データを生成する生成部と、
試料に描画される実チップパターンの描画データを入力し、実チップパターンの描画データと装置精度確認パターンの描画データとをパターン同士が互いに重ならないように合成する合成部と、
合成された描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、試料に実チップパターンと装置精度確認パターンとを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、描画部は、可変成形ビーム若しくはマルチビームを用いて試料に実チップパターンと装置精度確認パターンとを描画すると好適である。
【００１１】
また、実チップパターンと装置精度確認パターンとが互いに重なる場合に、装置精度確認パターンの描画位置を修正する修正部をさらに備えると好適である。
【００１２】
また、実チップパターンを描画するための描画パラメータとは独立して、装置精度確認パターンを描画するための描画パラメータを設定する設定部をさらに備えると好適である。
【００１３】
本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
描画装置の装置精度を評価するための装置精度確認パターンの形状を特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて装置精度確認パターンの描画データを生成する工程と、
試料に描画される実チップパターンの描画データを入力し、実チップパターンの描画データと装置精度確認パターンの描画データとをパターン同士が互いに重ならないように合成する工程と、
合成された描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、試料に前記実チップパターンと前記装置精度確認パターンとを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
描画装置の装置精度を評価するための複数の装置精度確認パターンを特定させる文字情報のうち他とは異なる１つが定義された複数の装置精度確認パターン情報ファイルを記憶する記憶装置と、
複数の装置精度確認パターン情報ファイルのうちから任意の装置精度確認パターン情報ファイルを識別する識別情報と当該任意の装置精度確認パターン情報ファイルに対応する装置精度確認パターンの配置レイアウトを特定させるレイアウト情報を入力可能な入力部と、
任意の装置精度確認パターン情報ファイルに定義される文字情報とレイアウト情報とを解釈する解釈部と、
解釈された結果に基づいて、実チップパターン用の描画領域内に配置レイアウトにて配置されるように、装置精度確認パターンの描画データを生成するデータ生成部と、
描画データを基に、荷電粒子ビームを用いて、実チップパターンを描画することなく、試料の実チップパターン用の描画領域内に前記装置精度確認パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、描画装置の精度確認パターンの描画データを描画装置内で自動生成できる。さらに、実チップパターンと装置精度確認パターンとが互いに重ならないように描画できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。
【図３】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。
【図５】実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。
【図６】実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。
【図７】実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。
【図８】実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。
【図９】実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。
【図１０】実施の形態１における入力インターフェース画面の一例を示す図である。
【図１１】実施の形態１におけるＱＣ情報ファイルの一例を示す図である。
【図１２】実施の形態１におけるＱＣパターンの一例を示す図である。
【図１３】実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。
【図１４】実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。
【図１５】実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。
【図１６】実施の形態１におけるＱＣパターン領域とＩＤパターン領域との一例を示す図である。
【図１７】実施の形態１におけるＱＣパターン領域とＩＤパターン領域との他の一例を示す図である。
【図１８】実施の形態１における検証内容を説明するための概念図である。
【図１９】実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。
【図２０】実施の形態２における可変成形の動作を説明するための図である。
【図２１】実施の形態２におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。
【図２２】実施の形態３における入力インターフェース画面の一例を示す図である。
【図２３】実施の形態３におけるＱＣパターンのパターンレイアウトの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１８】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画機構１５０と制御系回路１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画機構１５０は、電子鏡筒１０２（マルチ電子ビームカラム）と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０８、及び偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるレジストが塗布されたマスクブランクス等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。
【００１９】
制御系回路１６０は、制御計算機１１０、制御計算機１２０、キーボード（Ｋ／Ｂ）１２２、モニタ１２４、データ入力インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１２５、メモリ１２６、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１２８、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット１３２，１３４、ステージ制御回路１３８、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、制御計算機１２０、Ｋ／Ｂ１２２、モニタ１２４、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５、メモリ１２６、外部Ｉ／Ｆ回路１２８、偏向制御回路１３０、ステージ制御回路１３８、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【００２０】
偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４及びブランキングアパーチャアレイ機構２０４が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２の出力は、偏向器２０９に接続される。ＤＡＣアンプユニット１３４の出力は、偏向器２０８に接続される。ステージ位置検出器１３９は、レーザ光をＸＹステージ１０５上のミラー２１０に照射し、ミラー２１０からの反射光を受光する。そして、かかる反射光の情報を使ったレーザ干渉の原理を利用してＸＹステージ１０５の位置を測定する。測定された位置情報は、制御計算機１１０及び偏向制御回路１３０に出力される。
【００２１】
制御計算機１１０内には、描画データ処理部７０及び描画制御部７２が配置される。描画データ処理部７０及び描画制御部７２といった各「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「〜部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。描画データ処理部７０及び描画制御部７２に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。
【００２２】
制御計算機１２０内には、ＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｃｈｅｃｋ）情報ファイル抽出部１０、ＱＣ情報ファイル解釈部１１、ＱＣパターンデータ生成部１２、ＩＤ情報ファイル解釈部１３、ＩＤパターンデータ生成部１４、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５、描画データ合成部１６、検証部１７、座標／サイズ修正部１８、及び設定部１９が配置されている。ＱＣ情報ファイル抽出部１０、ＱＣ情報ファイル解釈部１１、ＱＣパターンデータ生成部１２、ＩＤ情報ファイル解釈部１３、ＩＤパターンデータ生成部１４、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５、描画データ合成部１６、検証部１７、座標／サイズ修正部１８、及び設定部１９といった各「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「〜部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。ＱＣ情報ファイル抽出部１０、ＱＣ情報ファイル解釈部１１、ＱＣパターンデータ生成部１２、ＩＤ情報ファイル解釈部１３、ＩＤパターンデータ生成部１４、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５、描画データ合成部１６、検証部１７、座標／サイズ修正部１８、及び設定部１９に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１２６にその都度格納される。
【００２３】
電子ビーム描画を行なうにあたり、まず、半導体集積回路のレイアウトが設計され、１チップ分のパターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ（設計データ）が生成される。そして、外部の変換装置でかかるレイアウトデータが変換され、描画装置１００に入力可能なチップパターンの描画データ（チップ描画データ）が生成される。チップ描画データには、通常、当該チップを構成する複数の図形パターンの情報が定義される。具体的には、図形パターン毎に、図形コード、及び各頂点の座標等が定義される。そして、試料に所定のパターンを描画するためのチップ描画データは、描画装置１００の外部から外部Ｉ／Ｆ回路１２８を介して入力され、磁気ディスク装置１４０に格納される。
【００２４】
また、描画処理を行なうにあたって、今回描画する試料（マスク）を識別するための識別情報が文字情報（ＩＤ文字情報）として定義されたＩＤ情報ファイルが作成される。そして、ＩＤ情報ファイルは、描画装置１００の外部から外部Ｉ／Ｆ回路１２８を介して入力され、磁気ディスク装置１４４に格納される。或いは、オペレータが入力手段となるＫ／Ｂ１２２からファイル内容を入力して、そして作成されたファイルを磁気ディスク装置１４４に格納してもよい。また、ＩＤ情報ファイルの内容は、モニタ１２４に表示することができ、オペレータが入力手段となるＫ／Ｂ１２２から情報の入力、削除或いは修正等を行なうことができる。また、ＩＤ情報ファイルには、チップ描画データを描画するチップ枠の情報（サイズ、位置）も定義されると好適である。
【００２５】
また、後述するように複数のＱＣ情報ファイルが、例えば描画装置１００の外部から外部Ｉ／Ｆ回路１２８を介して入力され、磁気ディスク装置１４２に格納される。
【００２６】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２７】
図２は、実施の形態１における成形アパーチャアレイ基板の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、縦（ｙ方向）ｐ列×横（ｘ方向）ｑ列（ｐ，ｑ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２では、例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）に５１２×５１２列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ直径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されると共に所望の形状に各ビームが成形されることになる。また、穴２２の配列の仕方は、図２のように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。例えば、縦方向（ｙ方向）ｋ段目の列と、ｋ＋１段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）ｋ＋１段目の列と、ｋ＋２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。
【００２８】
図３は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構の構成を示す断面図である。
図４は、実施の形態１におけるブランキングアパーチャアレイ機構のメンブレン領域内の構成の一部を示す上面概念図である。なお、図３と図４において、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とパッド４３の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４は、支持台３３上にシリコン等からなる半導体基板３１が配置される。基板３１の中央部は、例えば裏面側から薄く削られ、薄い膜厚ｈのメンブレン領域３３０（第１の領域）に加工されている。メンブレン領域３３０を取り囲む周囲は、厚い膜厚Ｈの外周領域３３２（第２の領域）となる。メンブレン領域３３０の上面と外周領域３３２の上面とは、同じ高さ位置、或いは、実質的に高さ位置になるように形成される。基板３１は、外周領域３３２の裏面で支持台３３上に保持される。支持台３３の中央部は開口しており、メンブレン領域３３０の位置は、支持台３３の開口した領域に位置している。
【００２９】
ブランキングアパーチャアレイ機構２０４の基板３１のメンブレン領域３３０には、図２に示した成形アパーチャアレイ基板３３１に形成された各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれのビームの通過用の通過孔２５（開口部）が開口される。言い換えれば、基板３１のメンブレン領域３３０には、電子線を用いたマルチビームのそれぞれ対応するビームが通過する複数の通過孔２５がアレイ状に形成される。そして、基板３１のメンブレン領域３３０上であって、複数の通過孔２５のうち対応する通過孔２５を挟んで対向する位置に２つの電極を有する複数の電極対がそれぞれ配置される。具体的には、メンブレン領域３３０上に、図３及び図４に示すように、各通過孔２５の近傍位置に該当する通過孔２５を挟んでブランキング偏向用の制御電極２４と対向電極２６の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、基板３１内部であってメンブレン領域３３０上の各通過孔２５の近傍には、各通過孔２５用の制御電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各ビーム用の対向電極２６は、グランド接続される。
【００３０】
また、図４に示すように、各制御回路４１は、制御信号用のｎビット（例えば１０ビット）のパラレル配線が接続される。各制御回路４１は、制御信号用のｎビットのパラレル配線の他、クロック信号線、読み込み（ｒｅａｄ）信号、ショット（ｓｈｏｔ）信号および電源用の配線等が接続される。クロック信号線、読み込み（ｒｅａｄ）信号、ショット（ｓｈｏｔ）信号および電源用の配線等はパラレル配線の一部の配線を流用しても構わない。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とによる個別ブランキング機構４７が構成される。また、図３の例では、制御電極２４と対向電極２６と制御回路４１とが基板３１の膜厚が薄いメンブレン領域３３０に配置される。但し、これに限るものではない。また、メンブレン領域３３０にアレイ状に形成された複数の制御回路４１は、例えば、同じ行或いは同じ列によってグループ化され、グループ内の制御回路４１群は、図４に示すように、直列に接続される。そして、グループ毎に配置されたパッド４３からの信号がグループ内の制御回路４１に伝達される。具体的には、各制御回路４１内に、図示しないシフトレジスタが配置され、例えば、ｐ×ｑ本のマルチビームのうち例えば同じ行のビームの制御回路４１内のシフトレジスタが直列に接続される。そして、例えば、ｐ×ｑ本のマルチビームの同じ行のビームの制御信号がシリーズで送信され、例えば、ｐ回のクロック信号によって各ビームの制御信号が対応する制御回路４１に格納される。
【００３１】
図５は、実施の形態１の個別ブランキング機構の一例を示す図である。図５において、制御回路４１内には、アンプ４６（スイッチング回路の一例）が配置される。図５の例では、アンプ４６の一例として、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ）インバータ回路が配置される。そして、ＣＭＯＳインバータ回路は正の電位（Ｖｄｄ：ブランキング電位：第１の電位）（例えば、５Ｖ）（第１の電位）とグランド電位（ＧＮＤ：第２の電位）に接続される。ＣＭＯＳインバータ回路の出力線（ＯＵＴ）は制御電極２４に接続される。一方、対向電極２６は、グランド電位が印加される。そして、ブランキング電位とグランド電位とが切り替え可能に印加される複数の制御電極２４が、基板３１上であって、複数の通過孔２５のそれぞれ対応する通過孔２５を挟んで複数の対向電極２６のそれぞれ対応する対向電極２６と対向する位置に配置される。
【００３２】
ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）には、閾値電圧よりも低くなるＬ（ｌｏｗ）電位（例えばグランド電位）と、閾値電圧以上となるＨ（ｈｉｇｈ）電位（例えば、１．５Ｖ）とのいずれかが制御信号として印加される。実施の形態１では、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＬ電位が印加される状態では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）は正電位（Ｖｄｄ）となり、対向電極２６のグランド電位との電位差による電界により対応ビーム２０を偏向し、制限アパーチャ基板２０６で遮蔽することでビームＯＦＦになるように制御する。一方、ＣＭＯＳインバータ回路の入力（ＩＮ）にＨ電位が印加される状態（アクティブ状態）では、ＣＭＯＳインバータ回路の出力（ＯＵＴ）はグランド電位となり、対向電極２６のグランド電位との電位差が無くなり対応ビーム２０を偏向しないので制限アパーチャ基板２０６を通過することでビームＯＮになるように制御する。
【００３３】
各通過孔を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立に対となる２つの制御電極２４と対向電極２６に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。具体的には、制御電極２４と対向電極２６の組は、それぞれ対応するスイッチング回路となるＣＭＯＳインバータ回路によって切り替えられる電位によってマルチビームの対応ビームをそれぞれ個別にブランキング偏向する。このように、複数のブランカーが、成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。
【００３４】
図６は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。図６に示すように、試料１０１のチップ領域３０（描画領域）は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０のショットで照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は例えば等速で連続移動させる。第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向に向かって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域３２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、成形アパーチャアレイ基板２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で成形アパーチャアレイ基板２０３に形成された複数の穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。
【００３５】
図７は、実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。図７において、ストライプ領域３２には、例えば、試料１０１面上におけるマルチビーム２０のビームサイズピッチで格子状に配列される複数の制御グリッド２７（設計グリッド）が設定される。例えば、１０ｎｍ程度の配列ピッチにすると好適である。かかる複数の制御グリッド２７が、マルチビーム２０の設計上の照射位置となる。制御グリッド２７の配列ピッチはビームサイズに限定されるものではなく、ビームサイズとは関係なく偏向器２０９の偏向位置として制御可能な任意の大きさで構成されるものでも構わない。そして、各制御グリッド２７を中心とした、制御グリッド２７の配列ピッチと同サイズでメッシュ状に仮想分割された複数の画素３６が設定される。各画素３６は、マルチビームの１つのビームあたりの照射単位領域となる。図７の例では、試料１０１の描画領域が、例えばｙ方向に、１回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４（描画フィールド）のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域３２に分割された場合を示している。照射領域３４のｘ方向サイズは、マルチビーム２０のｘ方向のビーム間ピッチにｘ方向のビーム数を乗じた値で定義できる。照射領域３４のｙ方向サイズは、マルチビーム２０のｙ方向のビーム間ピッチにｙ方向のビーム数を乗じた値で定義できる。なお、ストライプ領域３２の幅は、これに限るものではない。照射領域３４のｎ倍（ｎは１以上の整数）のサイズであると好適である。図７の例では、例えば５１２×５１２列のマルチビームの図示を８×８列のマルチビームに省略して示している。そして、照射領域３４内に、１回のマルチビーム２０のショットで照射可能な複数の画素２８（ビームの描画位置）が示されている。言い換えれば、隣り合う画素２８間のピッチが設計上のマルチビームの各ビーム間のピッチとなる。図７の例では、隣り合う４つの画素２８で囲まれると共に、４つの画素２８のうちの１つの画素２８を含む正方形の領域で１つのサブ照射領域２９を構成する。図７の例では、各サブ照射領域２９は、４×４画素で構成される場合を示している。
【００３６】
図８は、実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。図８では、図７で示したストライプ領域３２を描画するマルチビームのうち、ｙ方向３段目の座標（１，３），（２，３），（３，３），・・・，（５１２，３）の各ビームで描画するサブ照射領域２９の一部を示している。図８の例では、例えば、ＸＹステージ１０５が８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示している。かかる４つの画素を描画（露光）する間、照射領域３４がＸＹステージ１０５の移動によって試料１０１との相対位置がずれないように、偏向器２０８によってマルチビーム２０全体を一括偏向することによって、照射領域３４をＸＹステージ１０５の移動に追従させる。言い換えれば、トラッキング制御が行われる。図９の例では、８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）することで１回のトラッキングサイクルを実施する場合を示している。
【００３７】
具体的には、ステージ位置検出器１３９が、ミラー２１０にレーザを照射して、ミラー２１０から反射光を受光することでＸＹステージ１０５の位置を測長する。測長されたＸＹステージ１０５の位置は、制御計算機１１０に出力される。制御計算機１１０内では、描画制御部７２がかかるＸＹステージ１０５の位置情報を偏向制御回路１３０に出力する。偏向制御回路１３０内では、ＸＹステージ１０５の移動に合わせて、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向するための偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプ１３４に出力され、ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として偏向器２０８に印加する。
【００３８】
そして、描画機構１５０は、当該ショットにおけるマルチビームの各ビームのそれぞれの照射時間のうちの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれの制御グリッド２７に対応する描画時間（照射時間、或いは露光時間）、各制御グリッド２７にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。
【００３９】
図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に１ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。時刻ｔ＝０からｔ＝Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。
【００４０】
当該ショットのビーム照射開始から当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒが経過後、偏向器２０８によってトラッキング制御のためのビーム偏向を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（前回の描画位置）を次の各ビームの描画位置（今回の描画位置）にシフトする。図８の例では、時刻ｔ＝Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の最下段右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から下から２段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７へと描画対象制御グリッド２７をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。
【００４１】
そして、トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置に当該ショットの最大描画時間Ｔｔｒ内のそれぞれ対応する描画時間、マルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から２段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔｔｒからｔ＝２Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。
【００４２】
図８の例では、時刻ｔ＝２Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から２段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７へと偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象制御グリッド２７をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に３ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。
【００４３】
時刻ｔ＝２Ｔｔｒからｔ＝３Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。時刻ｔ＝３Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９の下から３段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７から下から４段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７へと偏向器２０９によるマルチビームの一括偏向により描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は移動しているのでトラッキング動作は継続している。
【００４４】
そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間に注目サブ照射領域２９の例えば下から４段目かつ右から１番目の画素３６の制御グリッド２７に４ショット目のビームの照射が行われる。これにより、当該画素３６の制御グリッド２７は、所望の照射時間のビームの照射を受けたことになる。
【００４５】
時刻ｔ＝３Ｔｔｒからｔ＝４Ｔｔｒまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に移動する。その間、トラッキング動作は継続している。以上により、注目サブ照射領域２９の右から１番目の画素列の描画が終了する。
【００４６】
図８の例では初回位置から３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプユニット１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。言い換えれば、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す。図８の例では、時刻ｔ＝４Ｔｔｒになった時点で、注目サブ照射領域２９のトランキングを解除して、ｘ方向に８ビームピッチ分ずれた注目サブ照射領域２９にビームを振り戻す。なお、図８の例では、座標（１，３）のビーム（１）について説明したが、その他の座標のビームについてもそれぞれの対応するサブ照射領域２９に対して同様に描画が行われる。すなわち、座標（ｎ，ｍ）のビームは、ｔ＝４Ｔｔｒの時点で対応するサブ照射領域２９に対して右から１番目の画素列の描画が終了する。例えば、座標（２，３）のビーム（２）は、図９のビーム（１）用の注目サブ照射領域２９の−ｘ方向に隣り合うサブ照射領域２９に対して右から１番目の画素列の描画が終了する。
【００４７】
なお、各サブ照射領域２９の右から１番目の画素列の描画は終了しているので、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおいてまず偏向器２０９は、各サブ照射領域２９の下から１段目かつ右から２番目の画素の制御グリッド２７にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。
【００４８】
以上のように同じトラッキングサイクル中は偏向器２０８によって照射領域３４を試料１０１に対して相対位置が同じ位置になるように制御された状態で、偏向器２０９によって１制御グリッド２７（画素３６）ずつシフトさせながら各ショットを行う。そして、トラッキングサイクルが１サイクル終了後、照射領域３４のトラッキング位置を戻してから、図６の下段に示すように、例えば１制御グリッド（１画素）ずれた位置に１回目のショット位置を合わせ、次のトラッキング制御を行いながら偏向器２０９によって１制御グリッド（１画素）ずつシフトさせながら各ショットを行う。ストライプ領域３２の描画中、かかる動作を繰り返すことで、照射領域３４ａ〜３４ｏといった具合に順次照射領域３４の位置が移動していき、当該ストライプ領域の描画を行っていく。
【００４９】
マルチビーム２０で試料１０１を描画する際、上述したように、偏向器２０８によるトラッキング動作中にＸＹステージ１０５の移動に追従しながらショットビームとなるマルチビーム２０を偏向器２０９によるビーム偏向位置の移動によって１制御グリッド（１画素）ずつ順に連続して照射していく。そして、試料１０１上のどの制御グリッド２７（画素３６）をマルチビームのどのビームが照射するのかは描画シーケンスによって決まる。そして、マルチビームのｘ，ｙ方向にそれぞれ隣り合うビーム間のビームピッチを用いて、試料１０１面上におけるｘ，ｙ方向にそれぞれ隣り合うビーム間のビームピッチ（ｘ方向）×ビームピッチ（ｙ方向）の領域はｎ×ｎ画素の領域（サブ照射領域２９）で構成される。例えば、１回のトラッキング動作で、ＸＹステージ１０５が−ｘ方向に８ビームピッチ（ｘ方向）だけ移動する場合、上述したようにｙ方向に１つのビームによって照射位置をシフトしながらｎ制御グリッド（ｎ画素）が描画される。或いは、ｘ方向或いは斜め方向に１つのビームによって照射位置をシフトしながらｎ制御グリッド（ｎ画素）が描画されてもよい。同じｎ×ｎ画素の領域内の他のｎ画素が次回のトラッキング動作で上述したビームとは異なるビームによって同様にｎ画素が描画される。このようにｎ回のトラッキング動作でそれぞれ異なるビームによってｎ画素ずつ描画されることにより、１つのｎ×ｎ画素の領域内のすべての画素が描画される。マルチビームの照射領域内の他のｎ×ｎ画素の領域についても同時期に同様の動作が実施され、同様に描画される。
【００５０】
次に描画装置１００における描画機構１５０の動作について説明する。電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、矩形の複数の穴（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴が含まれる領域を照明する。複数の穴の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。かかるマルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のそれぞれ対応するブランカー（第１の偏向器：個別ブランキング機構）内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム２０を偏向する（ブランキング偏向を行う）。
【００５１】
ブランキングアパーチャアレイ機構２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向された電子ビーム２０ａは、制限アパーチャ基板２０６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ基板２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーによって偏向されなかった電子ビーム２０ｂ〜２０ｅは、図１に示すように制限アパーチャ基板２０６の中心の穴を通過する。かかる個別ブランキング機構のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ基板２０６は、個別ブランキング機構４７によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビーム毎に、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２０８，２０９によって、制限アパーチャ基板２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向に一括して偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。
【００５２】
ここで、描画装置１００にとって、上述したように、描画中の装置状態の変化は描画精度に影響を与えるため、できるだけ把握することが望まれる。特に、ビームキャリブレーション等の光学系の較正動作等で捉えることができずに漏れてしまった変化は実際の描画処理の結果で把握する必要がある。そのため、上述したように、従来、実際の半導体製造用のチップのパターンレイアウトに合わせて、ユーザによって、描画装置１００の装置精度を確認するためのＱＣ（Ｑｕａｌｉｔｙ  ｃｈｅｃｋ）パターン（装置精度確認パターン）が設計されてきた。また、ＱＣパターンを描画する際、使用するレジスト種や評価項目毎に、チップパターンを描画する場合とは異なる描画パラメータを設定する必要がある場合も起こり得る。そこで、実施の形態１では、ＱＣパターンの種別毎、かつ使用するレジスト種や評価項目毎に、ＱＣパターンの種別、配置レイアウト、および描画条件等を文字情報で定義したＱＣ情報ファイルを作成する。そして、様々な条件を想定した複数のＱＣ情報ファイルを予め描画装置１００の外部から外部Ｉ／Ｆ回路１２８を介して入力し、磁気ディスク装置１４２に格納しておく。或いは、オペレータが入力手段となるＫ／Ｂ１２２等からファイル内容を入力して、そして作成されたファイルを磁気ディスク装置１４２に格納してもよい。言い換えれば、描画装置１００に、複数のＱＣ情報ファイルを登録し、予め、ＱＣ情報ファイルのデータベースを構築しておく。また、ＱＣ情報ファイルの内容は、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５及び／或いはモニタ１２４に表示することができ、オペレータが入力手段となるデータ入力Ｉ／Ｆ回路１２５及び／或いはＫ／Ｂ１２２から情報の入力、削除或いは修正等を行なうことができる。データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５として、例えば、グラフィカルユーザインタフェース（ＧＵＩ：Ｇｒａｐｈｉｃａｌ  Ｕｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）やタッチパネル等を用いると好適である。よって、ユーザは、後述するように登録された複数のＱＣ情報ファイルの中から任意に選択し、必要に応じて内容を修正した上でかかるＱＣ情報ファイルをセットすれば、後は描画装置１００が自動で描画データの生成と、描画処理を実行してくれることになる。以下、具体的に説明する。
【００５３】
図９は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図９において、実施の形態１における描画方法は、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）と、ＱＣ情報ファイル抽出工程（Ｓ１０４）と、ＱＣ情報解釈工程（Ｓ１０６）と、ＱＣパターンデータ生成工程（Ｓ１０８）と、ＩＤ情報解釈工程（Ｓ１１０）と、ＩＤパターンデータ生成工程（Ｓ１１２）と、ＱＣパターン割当処理工程（Ｓ１１６）と、ＱＣ／ＩＤパターン合成工程（Ｓ１１８）と、描画データ合成工程（Ｓ１２０）と、検証工程（Ｓ１２２）と、座標／サイズ修正工程（Ｓ１２４）と、描画データ処理工程（Ｓ１３０）と、描画工程（Ｓ１３２）と、いう一連の工程を実施する。
【００５４】
ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）として、ユーザは、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５を使って、ＱＣ情報ファイルを選択する。具体的には、ユーザは、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５を使って、描画装置１００の装置精度を評価するためのＱＣパターン（装置精度確認パターン）を特定させる文字情報を入力する、若しくは項目を選択する。
【００５５】
図１０は、実施の形態１における入力インターフェース画面の一例を示す図である。図１０の例では、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面に表示される入力項目の一例を示している。図１０において、まずは、ＩＤ描画の有無を選択する「ＯＮ」、「ＯＦＦ」の入力ボックスアイコンが示される。磁気ディスク装置１４４に格納されるＩＤ情報ファイルに定義されたＩＤ情報の内容を描画する場合には、図示しないマウス等を用いて「ＯＮ」の入力ボックスアイコンをクリックすることで、「ＯＮ」の入力ボックスにチェックを入れる。ＩＤ情報の内容を描画しない場合には、「ＯＦＦ」の入力ボックスアイコンをクリックすることで、「ＯＦＦ」の入力ボックスにチェックを入れる。次に、ＱＣパターン描画の有無を選択する「描画する」、「描画しない」の入力ボックスアイコンが示される。何らかのＱＣパターンを描画する場合には、「描画する」の入力ボックスアイコンをクリックすることで、「描画する」の入力ボックスにチェックを入れる。ＱＣパターンを描画しない場合には、「描画しない」の入力ボックスアイコンをクリックすることで、「描画しない」の入力ボックスにチェックを入れる。次に、何らかのＱＣパターンを描画する場合には、登録されている複数のＱＣ情報ファイルの中から１つを選択する選択ボックスが示される。図１０の例では、「▼」で示されるアイコンをクリックし、リストアップされた複数のＱＣ情報ファイルのファイル名（識別情報）の中から１つをクリックすることで選択できる。図１０の例では、ファイル名「ベタ」のＱＣ情報ファイルを選択した場合を示している。そして、入力及び選択された内容に間違いが無ければ、「描画登録」ボタンをクリックして、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）での入力が完了する。
【００５６】
ＱＣ情報ファイル抽出工程（Ｓ１０４）として、ＱＣ情報ファイル抽出部１０は、ＱＣパターンを「描画する」の入力ボックスにチェックが入れられた場合に、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面で選択されたＱＣ情報ファイルのファイル名（識別情報）を入力し、記憶装置１４２に格納された複数のＱＣ情報ファイルの中から該当するＱＣ情報ファイルを抽出する。抽出されたＱＣ情報ファイルの内容は、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面上に上述した入力項目画面から切り替わって表示される。
【００５７】
図１１は、実施の形態１におけるＱＣ情報ファイルの一例を示す図である。ＱＣ情報ファイル（装置精度確認パターン情報ファイル）には、描画装置１００の装置精度を評価するためのＱＣパターンの形状および配置レイアウトを特定させる書き換え可能な文字情報が定義される。図１１の例では、例えば、ファイル名「ベタ」のＱＣ情報ファイルとして、１３個のパラメータと各パラメータの設定状態の一例を示している。パラメータ１となる「ＩＤとの合成有無」では、ＱＣパターンとＩＤ情報を示すＩＤパターンとを合成するか否かを設定する。図１１の例では、ＱＣパターンとＩＤ情報を示すＩＤパターンとを合成する「ｏｎ」に設定される場合を示している。合成しない場合にはＫ／Ｂ１２２等を使って「ｏｆｆ」に書き換えられればよい。例えば、ＱＣパターンをチップ領域内に描画する場合にはＩＤパターンを描画するチップ領域外ではないので合成しない。かかる場合には「ｏｆｆ」を入力すればよい。このように、ＱＣパターンの描画位置は、チップ領域内外の任意の位置に設定できる。
【００５８】
パラメータ２となる「基準座標Ｘ」では、ＱＣパターンの基準位置（例えば左下角）のｘ方向の座標を設定する。図１１の例では、ｘ方向の座標「Ｘ１」に設定される場合を示している。他の座標値が好ましい場合には座標「Ｘ１」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい座標値に書き換えられればよい。
【００５９】
パラメータ３となる「基準座標Ｙ」では、ＱＣパターンの基準位置（例えば左下角）のｙ方向の座標を設定する。図１１の例では、ｙ方向の座標「Ｙ１」に設定される場合を示している。他の座標値が好ましい場合には座標「Ｙ１」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい座標値に書き換えられればよい。
【００６０】
パラメータ４となる「使用ビーム領域左下」では、マルチビームのうちＱＣパターンを描画するために使用するビーム群の左下に相当するビーム識別座標を設定する。図１１の例では、識別座標「１，１」に設定される場合を示している。他の識別座標が好ましい場合には識別座標「１，１」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい座標値に書き換えられればよい。
【００６１】
パラメータ５となる「使用ビーム領域右上」では、マルチビームのうちＱＣパターンを描画するために使用するビーム群の右上に相当するビーム識別座標を設定する。図１１の例では、識別座標「ｍ，ｎ」に設定される場合を示している。他の識別座標が好ましい場合には識別座標「ｍ，ｎ」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい座標値に書き換えられればよい。使用するビーム群の左下が識別座標「１，１」で右上が識別座標「ｍ，ｎ」に設定される場合、ｍ×ｎ本のマルチビーム全体が使用されることを意味する。
【００６２】
パラメータ６となる「描画タイミング」では、ＱＣパターンを描画する時期的タイミングを設定する。図１１の例では、時期的タイミング「前：〇，中：〇，後：〇」に設定される場合を示している。他の時期的タイミングが好ましい場合には「前：〇，中：〇，後：〇」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい時期に書き換えられればよい。時期的タイミング「前：〇，中：〇，後：〇」に設定される場合、描画開始前、途中のストライプ領域描画後、及びチップパターンの描画終了後がＱＣパターンを描画する時期的タイミングであることを示している。このように、ＱＣパターンを描画する時期的タイミングを任意に設定できる。
【００６３】
パラメータ７となる「描画間隔」では、複数のＱＣパターンを描画する場合に、ＱＣパターン間の配置ピッチを示している。図１１の例では、配置ピッチ「ｐ×ｎ」に設定される場合を示している。他の配置ピッチが好ましい場合には「ｐ×ｎ」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい配置ピッチに書き換えられればよい。配置ピッチ「ｐ×ｎ」に設定される場合、ＱＣパターン間の配置ピッチが、マルチビームのビーム間ピッチｐにマルチビームのｙ方向のビーム数ｎを乗じた値であることを示している。このように、ＱＣパターンを描画する描画間隔を任意に設定できる。
【００６４】
パラメータ８となる「描画パターン数Ｘ」では、複数のＱＣパターンを描画する場合に、ＱＣパターンのｘ方向へと配列されるパターン数を示している。図１１の例では、ｘ方向へと配列されるパターン数「３」に設定される場合を示している。他のｘ方向パターン数が好ましい場合には「３」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましいｘ方向パターン数に書き換えられればよい。
【００６５】
パラメータ９となる「描画パターン数Ｙ」では、複数のＱＣパターンを描画する場合に、ＱＣパターンのｙ方向へと配列されるパターン数を示している。図１１の例では、ｙ方向へと配列されるパターン数「３」に設定される場合を示している。他のｙ方向パターン数が好ましい場合には「３」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましいｙ方向パターン数に書き換えられればよい。ｘ方向へと配列されるパターン数が「３」、及びｙ方向へと配列されるパターン数が「３」の場合、３×３（＝９）のアレイ配置で複数のＱＣパターンが描画されることになる。このように、ＱＣパターンを描画する個数を任意に設定できる。
【００６６】
パラメータ１０となる「基準Ｄｏｓｅ」では、チップパターンとは別に、ＱＣパターンを描画するための描画条件の一例となる基準Ｄｏｓｅを示している。図１１の例では、基準Ｄｏｓｅ「ｄ１」に設定される場合を示している。基板やレジスト種等の条件の違いに基づいて他の基準Ｄｏｓｅが好ましい場合には「ｄ１」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい基準Ｄｏｓｅに書き換えられればよい。
【００６７】
パラメータ１１となる「後方散乱係数」では、チップパターンとは別に、ＱＣパターンを描画するための描画条件の一例となる後方散乱係数ηを示している。図１１の例では、後方散乱係数「η１」に設定される場合を示している。基板やレジスト種等の条件の違いに基づいて他の後方散乱係数が好ましい場合には「η１」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましい後方散乱係数に書き換えられればよい。
【００６８】
パラメータ１２となる「近接効果補正有無」では、チップパターンとは別に、ＱＣパターンを描画するための描画条件の一例となる近接効果補正を行うかどうかを示している。図１１の例では、近接効果補正「ｏｎ」に設定される場合を示している。基板やレジスト種等の条件の違いに基づいて近接効果補正を行わない場合には近接効果補正「ｏｎ」をＫ／Ｂ１２２等を使って「ｏｆｆ」に書き換えられればよい。
【００６９】
パラメータ１３となる「描画パターン種」では、ＱＣパターンを構成する図形パターンの種類を示している。図１１の例では、描画パターン種が「ベタ」に設定される場合を示している。他のパターン種が好ましい場合には「ベタ」をＫ／Ｂ１２２等を使って好ましいパターン種に書き換えられればよい。
【００７０】
以上のように、実施の形態１では、既に登録されている複数のＱＣ情報ファイルの中から任意に１つのＱＣ情報ファイルを選択できると共に、ファイル内容となる、ＱＣパターンの配置レイアウト、描画位置、描画時期、及び描画条件等を任意に修正することができる。そして、これらの選択と修正は、描画データを生成することなく、文字情報で実施できる。
【００７１】
図１１の例では、ＱＣ情報ファイルのフォーマットが表形式になっているが、これに限るものではない。例えば、単に、文字情報を羅列する形式であっても構わない。
【００７２】
そして、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面上の図示しない登録ボタンをＫ／Ｂ１２２のカーソルキーでカーソルを合わせて実行するか、或いは図示しないマウス等を用いてクリックすることで、ＱＣ情報ファイルの内容が確定及び登録される。
【００７３】
そして、設定部１９は、チップ描画データに定義される実チップパターンを描画するための描画パラメータ（描画時期、及び描画条件等）とは独立して、確定及び登録されたＱＣ情報ファイルに定義された、上述したパラメータ４〜６，１０〜１２といったＱＣパターンを描画するための描画パラメータ（描画時期、及び描画条件等）を設定する。
【００７４】
図１２は、実施の形態１におけるＱＣパターンの一例を示す図である。図１２の例では、描画パターン種が「ベタ」に設定されるＱＣパターンを示している。マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、すべてのビームが正常に照射可能であることが挙げられる。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーのアンプ４６の故障や電極間ショート等の動作不良等によって、常時ビームＯＦＦになるビームが生じてしまう場合がある。そこで、照射領域３４内の各サブ照射領域２９内をそれぞれ担当するビームの照射によって埋め尽くすことで、ベタパターンを描画する。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、描画されなかったサブ照射領域２９の有無を確認すればよい。これにより、描画されなかったサブ照射領域２９（Ａ）が存在する場合、かかるサブ照射領域２９を担当するビームが常時ビームＯＦＦとなる欠陥ビームであることがわかる。
【００７５】
図１３は、実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。図１３の例では、描画パターン種が「逆ベタ」に設定されるＱＣパターンを示している。マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、すべてのビームが正常に照射可能であることが挙げられる。ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーのアンプ４６の故障等の動作不良等によって、常時ビームＯＮになるビームが生じてしまう場合がある。そこで、照射領域３４内の各サブ照射領域２９内をそれぞれ担当するビームの照射時間ゼロの空照射によって埋め尽くすことで、逆ベタパターンを描画する。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、描画されたサブ照射領域２９の有無を確認すればよい。これにより、描画されたサブ照射領域２９（Ｂ）が存在する場合、かかるサブ照射領域２９を担当するビームが常時ビームＯＮとなる欠陥ビームであることがわかる。
【００７６】
図１４は、実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）の例では、描画パターン種が「コンタクトパターン」に設定されるＱＣパターンを示している。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）の例では、４×４本のマルチビーム２０で描画する場合を示している。図１４（ａ）〜図１４（ｃ）の例では、各ビームが、照射領域３４内の担当するサブ照射領域２０のうち、ｘ，ｙ方向にそれぞれビーム間ピッチの１／２ずつの領域を描画することで、各ビームによる矩形パターン（コンタクトパターン）を描画する。各ビームのビームサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、ビーム間ピッチの例えば１／２ずつの領域を描画することで、位置計測器の測定限界以上のサイズのコンタクトパターンを描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【００７７】
ここで、マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、各ビームの照射位置が位置ずれしないことが挙げられる。これに対して、図１４（ａ）に示すように、測定された４×４個のコンタクトパターンのうち、一部のコンタクトパターン（Ｃ）の位置がずれている場合、かかるコンタクトパターン（Ｃ）を描画したビームの照射位置に位置ずれが生じていることがわかる。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存した位置ずれ量を取得することができる。
【００７８】
また、マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、各ビームのショットサイズが一定であることが挙げられる。これに対して、図１４（ｂ）に示すように、測定された４×４個のコンタクトパターンのうち、一部のコンタクトパターン（Ｄ）のパターンサイズがずれている場合、かかるコンタクトパターン（Ｄ）を描画したビームのショットサイズに誤差が生じていることがわかる。原因として、例えば、成形アパーチャアレイ基板２０３の穴２２のサイズに誤差が生じている場合がある。或いは、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーの制御回路４１の故障で照射時間制御が不良になっている場合がある。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存したサイズ異常量を取得することができる。
【００７９】
また、マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、マルチビームのローカル位置が位置ずれしないことが挙げられる。これに対して、図１４（ｃ）に示すように、測定された４×４個のコンタクトパターンが、全体的に位置ずれを起こしている場合、かかる４×４個のコンタクトパターン（Ｅ）を描画した各ビームの照射位置にローカルな位置ずれが生じていることがわかる。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存したローカルな位置ずれ量を取得することができる。
【００８０】
図１５は、実施の形態１におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。図１５（ａ）〜図１５（ｂ）の例では、描画パターン種が「ラインアンドスペースパターン」に設定されるＱＣパターンを示している。図１５（ａ）〜図１５（ｂ）の例では、例えば４×４本のマルチビーム２０で描画する場合を示している。図１５（ａ）の例では、各ビームが、照射領域３４内の担当するサブ照射領域２０のうち、ｘ方向にビーム間ピッチの１／２及びｙ方向にビーム間ピッチの領域を描画することで、ｘ方向に繰り返すラインアンドスペースパターンを描画する。各ビームのビームサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、ｘ方向にビーム間ピッチの例えば１／２の領域を描画することで、位置計測器の測定限界以上の幅サイズのラインパターン（及びスペースパターン）を描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【００８１】
同様に、図１５（ｂ）の例では、各ビームが、照射領域３４内の担当するサブ照射領域２０のうち、ｙ方向にビーム間ピッチの１／２及びｘ方向にビーム間ピッチの領域を描画することで、ｙ方向に繰り返すラインアンドスペースパターンを描画する。各ビームのビームサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、ｙ方向にビーム間ピッチの例えば１／２の領域を描画することで、位置計測器の測定限界以上の幅サイズのラインパターン（及びスペースパターン）を描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【００８２】
ここで、マルチビーム描画装置における装置精度を評価する項目として、ＣＤ寸法の安定性が挙げられる。ラインパターン（及びスペースパターン）のＣＤ寸法（幅寸法）が、ビーム間ピッチサイズの１／２からずれている場合、ローカルなＣＤ寸法変動が生じている場合がある。或いは、プロセス依存のＣＤ寸法変動が生じている場合がある。或いは、成形アパーチャアレイ基板２０３の穴２２のサイズに誤差が生じている場合がある。或いは、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４のブランカーの制御回路４１の故障で照射時間制御が不良になっている場合がある。或いは、フォーカス位置がずれている場合がある。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存したＣＤ寸法変動量を取得することができる。さらに、上述したラインパターンよりも十分細いラインパターンを同時に描画してもよい。幅寸法の異なる複数の細いラインパターンを描画して、描画される細いラインパターンの線幅を確認することで、描画装置１００の解像性を確認できる。
【００８３】
ここで、上述した文字情報により定義されるＱＣ情報ファイルのままでは、以上のような様々なＱＣパターンを描画することができない。そこで、描画装置１００では、以下のように、文字情報のＱＣ情報ファイルの内容から描画データを生成する。
【００８４】
ＱＣ情報解釈工程（Ｓ１０６）として、ＱＣ情報ファイル解釈部１１は、抽出されたＱＣ情報ファイル、或いは抽出後に修正されたＱＣ情報ファイルに定義された文字情報の内容を解釈する。
【００８５】
ＱＣパターンデータ生成工程（Ｓ１０８）として、ＱＣパターンデータ生成部１２（描画データ生成部）は、描画装置１００の装置精度を評価するためのＱＣパターン（装置精度確認パターン）を特定させる文字情報若しくは選択された項目の情報を入力し、文字情報若しくは選択された項目の情報に基づいて解釈された内容で、ＱＣパターンの描画データを生成する。ＱＣパターンの描画データは、チップ描画データと同じフォーマットで生成される。
【００８６】
また、ＩＤ情報解釈工程（Ｓ１１０）として、ＩＤ情報ファイル解釈部１３は、ＩＤ描画「ＯＮ」の入力ボックスにチェックが入れられた場合、記憶装置１４４からＩＤ情報ファイルを読み出し、ＩＤ情報ファイルに定義された文字情報の内容を解釈する。ＩＤ情報ファイルに定義されるＩＤ文字情報として、例えば、試料１０１自体を識別する情報が定義される。試料１０１自体を識別する情報は、例えば、シリアル番号が用いられ、例えば、「１２３４５６」で表示される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、描画データを描画装置１００に入力した日時が定義されると好適である。入力日時は、例えば「ＩＮＰＵＴＤＡＴＥ」で表示される。入力日時は、描画装置１００内の制御系回路１６０が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがＫ／Ｂ１２２から入力日時を打ち込んでも構わない。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、入力した描画装置１００のシリアル番号とマスク基板の種類と描画後のプロセスとして使用するＰＥＢ装置のシリアル番号と現像装置のシリアル番号が定義されると好適である。描画装置１００のシリアル番号（識別情報）は、例えば「ＷＲＩＴＥＲ＿１２３」で表示される。マスク基板の種類は、例えば「ＥＵＶＰＬＡＴＥ」で表示される。ＰＥＢ装置のシリアル番号は、例えば「ＰＥＢ＿３３」で表示される。現像装置のシリアル番号は、例えば「ＤＺＶ＿１１」で表示される。さらに、ＩＤ文字情報として、レイアウト名（描画データの名称）が定義されると好適である。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、実際に描画処理を開始した描画日時が定義される。描画日時は、例えば「ＷＲＩＴＥＤＡＴＥ」で表示される。描画日時は、描画装置１００内の制御系回路１６０が搭載している時計機能から自動入力されると好適である。もちろん、オペレータがＫ／Ｂ１２２から入力日時を打ち込んでも構わない。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、対象マスクを描画する描画装置１００のオペレータ名が定義されると好適である。オペレータ名は、例えば「ＯＰＥＲＡＴＥＲ」で表示される。オペレータ名は、例えば、オペレータがＫ／Ｂ１２２から打ち込めばよい。もちろん事前にわかっていれば予め定義しておいても構わない。さらに、マスクサイズが定義されると好適である。マスクサイズは、例えば「６」と入力される。さらに、チップパターンを描画する際に照射するドーズ量が定義されると好適である。ドーズ量は、例えば「１０」と入力される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、ＩＤパターンのサイズが定義されると好適である。ＩＤパターンのサイズは、例えば「２５」で表示される。さらに、ＩＤ文字情報として、ＩＤパターンの基準位置のＸ座標が定義されると好適である。ＩＤパターンの基準位置のＸ座標は、例えば「−７００００」で表示される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、ＩＤパターンの基準位置のＹ座標が定義されると好適である。ＩＤパターンの基準位置のＹ座標は、例えば「−７００００」で表示される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、描画されるチップパターンのサイズ（チップ枠サイズ）が定義されると好適である。チップ枠サイズは、例えば「１００００」で表示される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、描画されるチップパターンの基準位置（チップ枠の基準位置）のＸ座標が定義されると好適である。チップパターンの基準位置のＸ座標は、例えば「−５００００」で表示される。その他に、ＩＤ文字情報として、例えば、描画されるチップパターンの基準位置のＹ座標が定義されると好適である。チップパターンの基準位置のＹ座標は、例えば「−５００００」で表示される。
【００８７】
ＩＤパターンデータ生成工程（Ｓ１１２）として、ＩＤパターンデータ生成部１４は、ＩＤ情報ファイルの文字情報を入力し、文字情報に基づいて解釈された内容で、ＩＤパターンの描画データを生成する。ＩＤパターンの描画データは、チップ描画データと同じフォーマットで生成される。ＩＤパターンは、上述した文字情報のうち、座標及びサイズ以外の情報の少なくとも一部について、数字、アルファベット等の文字、或いはＱＲコード（登録商標）やバーコード等の図形として形成されると好適である。
【００８８】
ＱＣパターン割当処理工程（Ｓ１１６）として、ＱＣ情報ファイルにおいて「ＩＤとの合成有無」が「ｏｎ」と定義される場合、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５は、ＩＤパターンにＱＣパターンを割当てる。ＱＣパターンの割り当て位置は、ＱＣ情報ファイルに定義された「基準座標Ｘ」と「基準座標Ｙ」の値に従う。ＱＣ情報ファイルにおいて「ＩＤとの合成有無」が「ｏｆｆ」と定義される場合、描画データ合成工程（Ｓ１２０）に進む。
【００８９】
ＱＣ／ＩＤパターン合成工程（Ｓ１１８）として、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５は、ＩＤパターンの描画データとＱＣパターンの描画データとを合成する。
【００９０】
図１６は、実施の形態１におけるＱＣパターン領域とＩＤパターン領域との一例を示す図である。図１６の例では、ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４とが重なっていない場合を示している。ＩＤパターンの描画データとＱＣパターンの描画データとを合成することによって、合成後のＱＣ／ＩＤパターンの描画データが定義する描画領域は、ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４とを合成したＱＣ／ＩＤパターン領域４０となる。図１６の例では、ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４とが隣接していますが、これに限るものではなく、領域同士が離れている場合であっても構わない。また、領域同士が重なっている場合であっても構わない。
【００９１】
図１７は、実施の形態１におけるＱＣパターン領域とＩＤパターン領域との他の一例を示す図である。図１７の例では、ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４とが重なっている場合を示している。特に、図１７の例では、ＩＤパターン内にＱＣパターンが割り当てられた場合の一例を示している。図１７（ａ）では、ＩＤパターンとして、「２０１７」の数字パターンのゼロ「０」の中に、ＱＣ情報ファイルに定義された３×３のＱＣパターンを配置する場合を示している。ＱＣパターンの配置位置近傍の拡大図を図１７（ｂ）に示す。ＩＤパターンは、例えばｙ方向に複数のストライプ領域３２に分割される。上述した例えばベタパターンで構成される１つのＱＣパターンのサイズは、照射領域３４と同じサイズに設定されている。そして、図１７（ｂ）の例では、ストライプ領域３２の幅サイズが照射領域３４のサイズと同じサイズに設定されている。ここで、各ＱＣパターンは、ストライプ領域３２の境界を跨がないように配置されると好適である。そのために、ＱＣ情報ファイルに定義された「基準座標Ｙ」は、ストライプ領域３２の境界に合わせて設定すると良い。ストライプ領域３２の幅サイズが照射領域３４のサイズと同じサイズに設定されている場合、例えば、複数のストライプ領域３２に分割するための原点となるＱＣ／ＩＤパターン領域４０（ここではＩＤパターン領域４４）の左下原点から照射領域３４のサイズの整数倍の位置に「基準座標Ｙ」を設定すればよい。同時に、ＱＣパターン間の配置ピッチを示す「描画間隔」は、ストライプ領域３２の幅サイズの整数倍に設定すると良い。図１１の例では、配置ピッチ「ｐ×ｎ」に設定されるので、ストライプ領域３２の幅サイズと同じ配置ピッチになっている。なお、ＱＣ情報ファイルに、ＱＣパターンの周囲に位置するＱＣパターン以外のパターン端部からの最小距離のパラメータをさらに追加設定しておいても良い。これにより、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５が、ＩＤパターン内にＱＣパターンを割り当てる場合に、「基準座標Ｘ」及び「基準座標Ｙ」でＱＣパターンを配置すると、周囲のパターン端（ここでは、「０」パターン内周の左端と右端）からの距離が、設定された最小距離未満になってしまう場合に、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５が、最小距離以上に位置を自動修正するように構成しても好適である。同様に、「基準座標Ｘ」及び「基準座標Ｙ」でＱＣパターンを配置すると、ＱＣパターンがストライプ領域３２の境界を跨ぐ場合には、ＱＣ／ＩＤパターン合成部１５が、ストライプ領域３２の境界に合わせて「基準座標Ｙ」を自動修正するように構成しても好適である。但し、これに限るものではなく、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面に戻って、ＱＣ情報ファイルのパラメータをＫ／Ｂ１２２等を使って書き換えても構わないことは言うまでもない。マルチビーム描画において、ステージの等速移動による描画を行う場合、ＩＤパターンの描画データとＱＣパターンの描画データとを合成することにより、本来、ＩＤパターンを描画する時間の中で、ＱＣパターンの描画も一緒に行うことができる。言い換えれば、ＩＤパターンの描画処理とＱＣパターンの描画処理とを別々に実施する場合に比べて、ＱＣパターンを描画��る時間を削減でき、全体の描画時間を短縮できる。
【００９２】
描画データ合成工程（Ｓ１２０）として、描画データ合成部１６（合成部）は、記憶装置１４０から試料１０１に描画される実チップパターンの描画データ（チップ描画データ）を入力し、チップ描画データとＱＣパターンの描画データ（ここではＱＣ／ＩＤパターンの描画データ）とを合成する。
【００９３】
検証工程（Ｓ１２２）として、検証部１７は、チップ描画データが示すチップパターンとＱＣパターンの描画データ（ここではＱＣ／ＩＤパターンの描画データ）が示すＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）とが重なるかどうかを検証する。
【００９４】
図１８は、実施の形態１における検証内容を説明するための概念図である。
図１８（ａ）では、試料１０１のチップ領域３０にＱＣ／ＩＤパターン４０（ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４）が重なっている状態を示している。この場合には、検証部１７は、検証結果としてＮＧと判定する。そして、座標／サイズ修正工程（Ｓ１２４）へと進む。他方、図１８（ｂ）では、試料１０１のチップ領域３０にＱＣ／ＩＤパターン４０（ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４）が重なっていない状態を示している。この場合には、検証部１７は、検証結果としてＯＫと判定する。そして、描画データ処理工程（Ｓ１３０）へと進む。この重なり検証は、合成した描画データに基づいて行なえばよい。
【００９５】
座標／サイズ修正工程（Ｓ１２４）として、座標／サイズ修正部１８（修正部）は、実チップパターンとＱＣパターンとが互いに重なる場合に、ＱＣパターンの描画位置を修正する。具体的には、座標／サイズ修正部１８は、チップ領域３０にＱＣ／ＩＤパターン領域４０（ＱＣパターン領域４２とＩＤパターン領域４４）が重なっている場合に、ＱＣ情報ファイルに定義されたＱＣパターンの「基準座標Ｘ」及び「基準座標Ｙ」或いは「描画間隔」を修正する。さらに、ＩＤ情報ファイルに定義されたＩＤパターンの基準位置或いはＩＤパターンのサイズを修正する。或いは、ＱＣ／ＩＤパターン領域４０の基準位置を修正する。
【００９６】
そして、データの修正後は、描画データ合成工程（Ｓ１２０）に戻る。そして、検証工程（Ｓ１２２）において、チップパターンとＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）とが重なっていない状態になるまで、描画データ合成工程（Ｓ１２０）から座標／サイズ修正工程（Ｓ１２４）までの各工程を繰り返す。以上のようにして、描画データ合成部１６（合成部）は、チップ描画データとＱＣパターンの描画データ（ここではＱＣ／ＩＤパターンの描画データ）とをパターン同士が互いに重ならないように合成する。
【００９７】
上述した例では、チップ領域３０の枠外にＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）に配置する場合について説明したが、これに限るものではない。チップ領域３０内にＱＣパターンを配置する場合にも、同様に、描画データ合成部１６（合成部）は、パターン同士が互いに重ならないように両描画データを合成する。
【００９８】
以上のように、描画装置１００のＱＣパターンの描画データを描画装置１００内で自動生成できる。さらに、実チップパターンとＱＣパターンとが互いに重ならないように描画データを生成できる。さらに、チップパターンレイアウトに対して、その都度、ユーザが評価したい装置精度を得るために必要なＱＣパターンを設計し、チップパターンレイアウトに、ユーザがその都度、設計されたＱＣパターンを組み込むといった作業を軽減できる。また、予めＱＣ情報ファイルにデフォルトとして、描画パラメータを設定しているので、その都度、ユーザがマスクや評価項目のための描画パラメータを検討する作業を軽減できると共に、設定ミスの可能性を大幅に低減できる。
【００９９】
描画データ処理工程（Ｓ１３０）として、描画データ処理部７０は、チップパターンとＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）が互いに重ならないように合成された描画データに対して、複数段のデータ処理を行って、ショットデータ（各画素の照射時間データ）を生成する。具体的には、以下のように動作する。
【０１００】
まず、描画データ処理部７０は、ラスタライズ工程として、合成された描画データを読み出し、画素３６毎に、当該画素３６内のパターン面積密度ρ’を演算する。かかる処理は、例えば、ストライプ領域３２毎に実行する。
【０１０１】
そして、描画データ処理部７０は、照射量演算工程として、まず、描画領域（ここでは、例えばストライプ領域３２）を所定のサイズでメッシュ状に複数の近接メッシュ領域（近接効果補正計算用メッシュ領域）に仮想分割する。近接メッシュ領域のサイズは、近接効果の影響範囲の１／１０程度、例えば、１μｍ程度に設定すると好適である。そして、描画データ処理部７０は、近接メッシュ領域毎に、当該近接メッシュ領域内に配置されるパターンのパターン面積密度ρを演算する。
【０１０２】
次に、描画データ処理部７０は、近接メッシュ領域毎に、近接効果を補正するための近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）（補正照射量）を演算する。未知の近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）は、後方散乱係数η、しきい値モデルの照射量閾値Ｄｔｈ、パターン面積密度ρ、及び分布関数ｇ（ｘ）を用いた、従来手法と同様の近接効果補正用のしきい値モデルによって定義できる。なお、ＱＣ情報ファイルにおいて、近接効果補正が「ｏｆｆ」に定義される場合には、ＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）の領域については、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）＝１として、かかる演算を省略できる。
【０１０３】
次に、描画データ処理部７０は、画素３６毎に、当該画素３６に照射するための入射照射量Ｄ（ｘ）（ドーズ量）を演算する。入射照射量Ｄ（ｘ）は、例えば、予め設定された基準ドーズに近接効果補正照射係数Ｄｐとパターン面積密度ρ’とを乗じた値として演算すればよい。基準ドーズは、例えば、Ｄｔｈ／（１／２＋η）で定義できる。以上により、近接効果が補正された本来の所望する入射照射量Ｄ（ｘ）を得ることができる。なお、ＱＣ情報ファイルにおいて、基準ドーズが別途定義されている場合には、ＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）の領域については、ＱＣ情報ファイルに定義された基準ドーズを使って入射照射量Ｄ（ｘ）が演算される。
【０１０４】
そして、描画データ処理部７０は、画素３６毎の入射照射量Ｄ（ｘ）を所定の量子化単位Δで階調化された照射時間ｔに変換した、画素３６毎の照射時間を定義した照射時間データマップ（１）を作成する。
【０１０５】
そして、描画データ処理部７０は、照射時間データ加工工程として、照射時間データマップ（１）を読み出し、実施の形態１における描画シーケンスに沿ってショット順に並び替える。そして、描画制御部７２は、ショット順に照射時間ｔデータを偏向制御回路１３０に転送する。
【０１０６】
描画工程（Ｓ１３２）として、偏向制御回路１３０は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４にショット順にブランキング制御信号を出力すると共に、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４にショット順に偏向制御信号を出力する。そして、描画機構１５０は、合成された描画データを基に、電子ビーム（マルチビーム２０）を用いて、試料１０１に実チップパターンとＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）とを描画する。
【０１０７】
以上のように、実施の形態１によれば、マルチビーム方式の描画装置１００のＱＣパターンの描画データを描画装置１００内で自動生成できる。さらに、実チップパターンとＱＣパターンとが互いに重ならないように描画できる。
【０１０８】
実施の形態２．
実施の形態１では、マルチビーム２０を用いて実チップパターンとＱＣパターンとを描画する場合について説明したが、これに限るものではない。実施の形態２では、シングルビームを用いて実チップパターンとＱＣパターンとを描画する場合について説明する。
【０１０９】
図１９は、実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。図１９において、描画装置３００は、描画機構３５０と制御系回路３６０を備えている。描画装置３００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画機構３５０は、電子鏡筒３０２と描画室３０３を備えている。電子鏡筒３０２内には、電子銃４０１、照明レンズ４０２、ブランキング偏向器（ブランカー）４１２、第１の成形アパーチャ基板４０３、投影レンズ４０４、偏向器４０５、第２の成形アパーチャ基板４０６、対物レンズ４０７、主偏向器４０８、及び副偏向器４０９が配置されている。描画室３０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ３０５が配置される。ＸＹステージ３０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１（基板）が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。また、ＸＹステージ３０５上には、さらに、ＸＹステージ３０５の位置測定用のミラー４１０が配置される。
【０１１０】
制御系回路３６０は、制御計算機１１０、制御計算機１２０、キーボード（Ｋ／Ｂ）１２２、モニタ１２４、データ入力インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１２５、メモリ１２６、外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）回路１２８、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット３３２，３３４、ステージ制御回路１３８、ステージ位置検出器１３９及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、制御計算機１２０、Ｋ／Ｂ１２２、モニタ１２４、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５、メモリ１２６、外部Ｉ／Ｆ回路１２８、偏向制御回路１３０、ステージ制御回路１３８、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。
【０１１１】
偏向制御回路１３０には、ＤＡＣアンプユニット３３３，３３４が接続されている。ＤＡＣアンプユニット３３３の出力は、副偏向器４０９に接続される。ＤＡＣアンプユニット３３４の出力は、主偏向器４０８に接続される。ステージ位置検出器１３９は、レーザ光をＸＹステージ３０５上のミラー４１０に照射し、ミラー４１０からの反射光を受光する。そして、かかる反射光の情報を使ったレーザ干渉の原理を利用してＸＹステージ３０５の位置を測定する。測定された位置情報は、制御計算機１１０及び偏向制御回路１３０に出力される。制御計算機１１０内の構成、及び制御計算機１２０内の構成は、図１と同様である。
【０１１２】
ここで、図１９では、実施の形態２を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置３００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。また、実施の形態２における描画方法の要部工程は、図９と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態１と同様である。
【０１１３】
図９のＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）から座標／サイズ修正工程（Ｓ１２４）までの各工程の内容は、実施の形態１と同様である。よって、実施の形態２においても、実施の形態１と同様、描画装置３００のＱＣパターンの描画データを描画装置３００内で自動生成できる。さらに、実チップパターンとＱＣパターンとが互いに重ならないように描画データを生成できる。さらに、チップパターンレイアウトに対して、その都度、ユーザが評価したい装置精度を得るために必要なＱＣパターンを設計し、チップパターンレイアウトに、ユーザがその都度、設計されたＱＣパターンを組み込むといった作業を軽減できる。また、予めＱＣ情報ファイルにデフォルトとして、描画パラメータを設定しているので、その都度、ユーザがマスクや評価項目のための描画パラメータを検討する作業を軽減できると共に、設定ミスの可能性を大幅に低減できる。
【０１１４】
描画データ処理工程（Ｓ１３０）として、描画データ処理部７０は、チップパターンとＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）が互いに重ならないように合成された描画データに対して、複数段のデータ処理を行って、描画装置固有のショットデータを生成する。描画データ処理部７０は、合成された描画データに定義された図形パターン毎に、電子ビーム４００による１回のショットで照射可能なサイズで図形パターンを複数のショット図形に分割する。そして、ショット図形毎にショットデータを生成する。ショットデータには、ショット図形の図形種、座標、及び図形サイズ等が定義される。また、描画データ処理部７０は、別途、チップ領域３０を上述した複数の近接メッシュ領域に分割し、近接メッシュ領域毎の入射照射量Ｄ（ｘ）が定義された照射量マップを作成する。入射照射量Ｄ（ｘ）は、上述した近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）に基準ドーズを乗じた値で定義することができる。なお、ＱＣ情報ファイルにおいて、近接効果補正が「ｏｆｆ」に定義される場合には、ＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）の領域については、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）＝１として、かかる演算を省略できる。また、ＱＣ情報ファイルにおいて、「基準Ｄｏｓｅ」が別途定義される場合には、ＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）の領域については、ＱＣ情報ファイルに定義された「基準Ｄｏｓｅ」の値が入射照射量Ｄ（ｘ）を計算する場合の基準ドーズとして適用される。
【０１１５】
描画工程（Ｓ１３２）として、描画制御部７２は、偏向制御回路１３０及び描画機構３５０を制御して、描画処理を実行させる。そして、描画機構１５０は、電子ビーム４００を用いて、試料１０１に実チップパターンとＱＣパターン（ここではＱＣ／ＩＤパターン）とを描画する。
【０１１６】
ここで、可変成形方式の描画装置３００では、図６に示した試料１０１に描画されるチップ領域３０が、主偏向器４０８（第１の偏向器）の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域３２に仮想分割される。そして、ストライプ領域３２のうち、ｘ，ｙ方向に共に主偏向器４０８（第１の偏向器）の偏向可能幅で囲まれる領域が主偏向器４０８（第１の偏向器）の偏向領域２２（主偏向領域）となる。主偏向領域は、ストライプ領域３２上の固定位置に作成されるのではなく電子鏡筒３０２側からの電子ビームの偏向可能範囲となる。よって、ＸＹステージ３０５の移動に伴って、主偏向領域は描画対象ストライプ領域３２上を相対的に移動することになる。各ストライプ領域３２は、副偏向器４０９（第２の偏向器）の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）（副偏向領域）（図示せず）に仮想分割される。そして、各ＳＦの各ショット位置にショット図形がそれぞれ描画される。このように、電子ビーム４００を偏向する２段の偏向器によって、多段偏向器が構成され、各偏向領域は、それぞれ偏向される領域サイズの異なる大きい方から順に主偏向領域、ＳＦとなる。
【０１１７】
偏向制御回路１３０から図示しないアンプに対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。そして、図示しないアンプでは、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム４００が偏向させられ、各ショットのビームが形成される。
【０１１８】
偏向制御回路１３０から図示しないＤＡＣアンプに対して、成形偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、図示しないＤＡＣアンプでは、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、偏向器４０５に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム４００が成形偏向させられ、各ショットのビームが所望の形状及びサイズに可変成形される。
【０１１９】
偏向制御回路１３０からＤＡＣアンプ３３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプ３３４では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器４０８に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム４００が偏向させられ、各ショットのビームがメッシュ状に仮想分割された所定のサブフィールド（ＳＦ）の基準位置（例えば、該当するＳＦの中心位置Ａ等）に偏向される。また、ＸＹステージ３０５が連続移動しながら描画する場合には、かかる偏向電圧には、ステージ移動に追従するトラッキング用の偏向電圧も含まれる。
【０１２０】
偏向制御回路１３０からＤＡＣアンプユニット３３３に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット３３３では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器４０９に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム４００が偏向させられ、各ショットのビームがＳＦ内の各ショット位置に偏向される。
【０１２１】
描画機構１５０は、具体的には、以下のように動作する。
【０１２２】
電子銃４０１（放出部）から放出された電子ビーム４００は、ブランキング偏向器４１２内を通過する際にブランキング偏向器４１２によって、例えば、ビームＯＮの状態では、第１の成形アパーチャ基板４０３の開口部を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体が第１の成形アパーチャ基板４０３で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでに第１の成形アパーチャ基板４０３を通過した電子ビーム４００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器４１２は、通過する電子ビーム４００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器４１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料１０１に照射される電子ビーム４００のショットあたりの照射量が調整されることになる。
【０１２３】
図２０は、実施の形態２における可変成形の動作を説明するための図である。上述したように、ビームＯＮの状態に制御される電子ビーム４００は、照明レンズ４０２により矩形の穴４２０を持つ第１の成形アパーチャ基板４０３全体を照明する。ここで、電子ビーム４００をまず矩形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ基板４０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム４００は、投影レンズ４０４により第２の成形アパーチャ基板４０６上に投影される。その際、第１のアパーチャ像は、偏向器４０５により偏向され、第２の成形アパーチャ基板４０６の可変成形開口４２１の一部を通過して、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。すなわち、第１の成形アパーチャ基板４０３の開口４２０と第２の成形アパーチャ基板４０６の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状と寸法が、試料１０１上に照射されるビームの形状と寸法となる。このように、第１の成形アパーチャ基板４０３の開口４２０と第２の成形アパーチャ基板４０６の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ基板４０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム４００（可変成形ビーム）は、対物レンズ４０７により焦点を合わせ、主偏向器４０８、及び副偏向器４０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ３０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム４００の複数のショットが順に基板となる試料１０１上へと偏向される。
【０１２４】
描画装置３００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域３２毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器４０８、及び副偏向器４０９といった２段偏向器が用いられる。ＸＹステージ３０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域３２についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域３２の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域３２の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域３２の描画を進めていく。そして、主偏向器４０８（第１の偏向器）が、ＸＹステージ３０５の移動に追従するように、ＳＦの基準位置に電子ビーム４００を順に偏向する。また、副偏向器４０９（第２の偏向器）が、各ＳＦの基準位置から、当該ＳＦ内に照射されるビームのショット位置に電子ビーム４００を偏向する。このように、主偏向器４０８、及び副偏向器４０９は、サイズの異なる偏向領域をもつ。
【０１２５】
図２１は、実施の形態２におけるＱＣパターンの他の一例を示す図である。図２１（ａ）〜図２１（ｂ）の例では、描画パターン種が「ラインアンドスペースパターン」に設定されるＱＣパターンを示している。図２１（ｃ）の例では、描画パターン種が「コンタクトパターン」に設定されるＱＣパターンを示している。シングルビームであるＶＳＢ方式の電子ビーム描画では、マルチビーム２０のように一部のビームだけが常時ビームＯＮ或いは常時ビームＯＦＦになるといった故障は生じない。そのため、図１２に示したベタパターンや図１３に示した逆ベタパターンによって、故障ビームの位置を確認する必要はない。しかし、可変成形する上で、ショットサイズ誤差やショット位置誤差は確認する必要がある。そこで、図２１（ａ）の例では、所定の幅寸法のｘ方向に繰り返すラインアンドスペースパターンを描画する。各ビームのショットサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、ラインパターン及びスペースパターンの幅サイズを複数のショットを繋げたサイズに設定することで、位置計測器の測定限界以上の幅サイズのラインパターン（及びスペースパターン）を描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【０１２６】
同様に、図２１（ｂ）の例では、所定の幅寸法のｙ方向に繰り返すラインアンドスペースパターンを描画する。各ビームのショットサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、ラインパターン及びスペースパターンの幅サイズを複数のショットを繋げたサイズに設定することで、位置計測器の測定限界以上の幅サイズのラインパターン（及びスペースパターン）を描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【０１２７】
ここで、ＶＳＢ方式の描画装置３００における装置精度を評価する項目として、ＣＤ寸法の安定性が挙げられる。ラインパターン（及びスペースパターン）のＣＤ寸法（幅寸法）が、設計寸法からずれている場合、ローカルなＣＤ寸法変動が生じている場合がある。或いは、プロセス依存のＣＤ寸法変動が生じている場合がある。或いは、フォーカス位置がずれている場合がある。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存したＣＤ寸法変動量を取得することができる。さらに、上述したラインパターンよりも十分細いラインパターンを同時に描画してもよい。幅寸法の異なる複数の細いラインパターンを描画して、描画される細いラインパターンの線幅を確認することで、描画装置３００の解像性を確認できる。
【０１２８】
図２１（ｃ）の例では、位置計測器の測定限界以上の幅サイズの矩形パターン（コンタクトパターン）を描画する。ショットサイズが位置計測器の測定限界よりも小さいサイズである場合でも、各矩形パターンを例えば２×２のショット図形を繋げて描画することで位置計測器の測定限界以上のサイズのコンタクトパターンを描画すればよい。そして、試料１０１を現像し、アッシングすることにより、形成されたレジストパターンのエッジ位置を位置計測器で測定すればよい。
【０１２９】
ここで、ＶＳＢ方式の描画装置３００における装置精度を評価する項目として、可変成形ビームのローカル位置が位置ずれしないことが挙げられる。これに対して、図２１（ｃ）に示すように、例えば４×４個のコンタクトパターンが、全体的に位置ずれを起こしている場合、かかる４×４個のコンタクトパターンを描画した照射位置にローカルな位置ずれが生じていることがわかる。また、複数のＱＣパターンを描画タイミングに沿って時間差をもって描画すれば、時間依存したローカルな位置ずれ量を取得することができる。
【０１３０】
また、同じＳＦ内に、複数のＱＣパターンを描画する場合には、副偏向領域内のローカルな位置ずれを確認できる。また、異なるＳＦにそれぞれＱＣパターンを描画する場合には、主偏向領域内のローカルな位置ずれを確認できる。図１９の例では、主副２段の２段偏向が用いられているが、例えば、さらに偏向領域が小さいＴＦ（副副偏向領域）を設定し、副副偏向器を配置する場合には、副副偏向内のローカルな位置ずれを確認できる。
【０１３１】
また、ＤＡＣアンプユニット３３３，３３４の駆動には、それぞれの対応する偏向器の偏向振り幅に依存した整定時間（セトリング時間）が必要である。例えば４×４個のコンタクトパターンが、全体的に位置ずれを起こしている場合、副偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニット３３３のセトリング時間が不足している可能性がある。よって、コンタクトパターンの位置ずれを確認することで、かかるセトリング時間の不足有無を確認しても良い。
【０１３２】
以上のように、実施の形態２によれば、シングルビーム方式（可変成形ビーム方式）の描画装置３００のＱＣパターンの描画データを描画装置３００内で自動生成できる。さらに、実チップパターンとＱＣパターンとが互いに重ならないように描画できる。
【０１３３】
実施の形態３．
上述した各実施の形態では、実チップパターンを描画することを前提としている場合について説明した。そして、上述した各実施の形態では、描画装置のＱＣパターンを配置可能なシステム構成がＱＣパターンをチップ領域３０の内外に自由に設定可能な構成であることを説明した。しかし、ＱＣパターンが必要となる状況はこれに限るものではない。例えば、チップパターンを描画する前に、描画装置の精度を確認しておく場合がある。そこで、実施の形態３では、描画装置のＱＣパターンを配置可能なシステム構成がＱＣパターンをチップ領域３０の内外に自由に設定可能な構成であることを利用して、実チップパターンを描画しない状況下において、ＱＣパターンを描画する場合について説明する。実施の形態３における描画装置の構成は、実施の形態１の描画装置１００の構成を示す図１若しくは実施の形態２の描画装置３００の構成を示す図１９と同様である。以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態１若しくは実施の形態２と同様である。
【０１３４】
実施の形態３では、図９に示した描画方法の要部工程のうち、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）と、ＱＣ情報ファイル抽出工程（Ｓ１０４）と、ＱＣ情報解釈工程（Ｓ１０６）と、ＱＣパターンデータ生成工程（Ｓ１０８）と、描画データ処理工程（Ｓ１３０）と、描画工程（Ｓ１３２）と、いう一連の工程を実施する。
【０１３５】
実施の形態３において、実施の形態１，２と同様、記憶装置１４２には、描画装置の装置精度を評価するための複数のＱＣパターンを特定させる文字情報のうち他とは異なる１つが定義された複数のＱＣ情報ファイル（装置精度確認パターン情報ファイル）が登録／記憶されている。
【０１３６】
ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）として、ユーザは、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５を使って、ＱＣ情報ファイルを選択する。
【０１３７】
図２２は、実施の形態３における入力インターフェース画面の一例を示す図である。図２２の例では、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面を図示しないアイコン等により切り替えることによって表示される、実チップパターンを描画せずにＱＣパターンを描画する場合のＱＣレイアウト作成画面の一例を示している。図２２の例では、描画装置１００（若しくは３００）における装置精度を評価する項目として、試料１０１面上の広域なグローバルな位置ずれ評価と狭く限られた領域内のローカルな位置ずれ評価とを行う場合を示している。データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５（入力部）のＱＣレイアウト作成画面は、複数のＱＣ情報ファイルのうちから任意のＱＣ情報ファイルを識別するファイル名（識別情報）と当該任意のＱＣ情報ファイルに対応するＱＣパターンの配置レイアウトを特定させるレイアウト情報を入力可能に構成される。
【０１３８】
図２２において、登録されている複数のＱＣ情報ファイルの中からグローバル評価用のＱＣ情報ファイルを選択する選択ボックスが示される。図２２の例では、「▼」で示されるアイコンをクリックし、リストアップされた複数のＱＣ情報ファイルのファイル名（識別情報）の中から１つをクリックすることで選択できる。図２２の例では、ファイル名「Ｇｌｏｂａｌ  ＣＤ  （ＬＳパターン）」のＱＣ情報ファイルを選択した場合を示している。次に、グローバル評価用のＱＣパターンの配置数を決める入力ボックスアイコンが示される。図２２の例では、「▼」で示されるアイコンをクリックし、リストアップされた配置例の中から１つをクリックすることで選択できる。図２２の例では、「３×３」の配置例を選択した場合を示している。次に、グローバル評価用のｘ方向のＱＣパターンの配置ピッチ（レイアウト情報）を決める入力ボックスアイコンとｙ方向のＱＣパターンの配置ピッチ（レイアウト情報）を決める入力ボックスアイコンとが示される。図２２の例では、ｘ方向のＱＣパターンの配置ピッチが「Ｘ２」、ｙ方向のＱＣパターンの配置ピッチが「Ｙ２」とＫ／Ｂ１２２等を使って入力された場合を示している。次に、グローバル評価用のＱＣパターンの照射量を決める入力ボックスアイコンが示される。図２２の例では、グローバル評価用のＱＣパターンの照射量が「ｄ２」とＫ／Ｂ１２２等を使って入力された場合を示している。
【０１３９】
次に、図２２において、登録されている複数のＱＣ情報ファイルの中からローカル評価用のＱＣ情報ファイルを選択する選択ボックスが示される。図２２の例では、「▼」で示されるアイコンをクリックし、リストアップされた複数のＱＣ情報ファイルのファイル名（識別情報）の中から１つをクリックすることで選択できる。図２２の例では、ファイル名「Ｌｏｃａｌ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ  （コンタクト）」のＱＣ情報ファイルを選択した場合を示している。次に、ローカル評価用のｘ方向のＱＣパターンの配置座標を決める入力ボックスアイコンとｙ方向のＱＣパターンの配置座標（レイアウト情報）を決める入力ボックスアイコンとが示される。図２２の例では、ｘ方向のＱＣパターンの配置座標が「Ｘ３」、ｙ方向のＱＣパターンの配置座標（レイアウト情報）が「Ｙ３」とＫ／Ｂ１２２等を使って入力された場合を示している。次に、ローカル評価用のＱＣパターンの照射量を決める入力ボックスアイコンが示される。図２２の例では、ローカル評価用のＱＣパターンの照射量が「ｄ３」とＫ／Ｂ１２２等を使って入力された場合を示している。そして、入力及び選択された内容に間違いが無ければ、図示しない「描画登録」ボタンをクリックして、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）での入力が完了する。
【０１４０】
ＱＣ情報ファイル抽出工程（Ｓ１０４）として、ＱＣ情報ファイル抽出部１０は、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５の画面で選択されたＱＣ情報ファイルのファイル名（識別情報）を入力し、記憶装置１４２に格納された複数のＱＣ情報ファイルの中から該当するＱＣ情報ファイルを抽出する。
【０１４１】
ＱＣ情報解釈工程（Ｓ１０６）として、ＱＣ情報ファイル解釈部１１は、抽出された任意のＱＣ情報ファイルに定義される文字情報と、レイアウト情報とを解釈する。具体的には、抽出されたＱＣ情報ファイルに定義された文字情報のうち、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）において入力されたレイアウト情報と同様の情報については、ＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）において入力されたレイアウト情報を優先して、ＱＣ情報ファイルに定義された文字情報の内容を解釈する。
【０１４２】
図２３は、実施の形態３におけるＱＣパターンのパターンレイアウトの一例を示す図である。図２２の入力画面において、グローバル評価用のＱＣパターン４２ａの配置数が「３×３」に設定され、かつ、ｘ方向のＱＣパターンの配置ピッチが「Ｘ２」、ｙ方向のＱＣパターンの配置ピッチが「Ｙ２」に設定されているので、実チップパターン用の描画領域３７内に、かかる配置ピッチで３×３のＱＣパターン４２ａが配置される。３×３のＱＣパターン４２ａのアレイの中心が、実チップパターン用の描画領域３７の中心付近に位置するように、グローバル評価用の３×３のＱＣパターン４２ａが自動配置される。ここで、チップ領域３０は、個々のチップによってその位置及びサイズが異なるが、平均的なチップ領域３０を予め設定しておき、実チップパターン用の描画領域３７は、かかる平均的なチップ領域３０に合わせればよい。或いは、実際に描画対象となるチップパターンが既に記憶装置１４０に格納され、かかるチップパターンを描画する前に、評価用にＱＣパターンを評価基板に描画する場合には、実際に描画対象となるチップパターンの領域内にＱＣパターンを自動配置しても良い。
【０１４３】
同様に、図２２の入力画面において、ローカル評価用のＱＣパターン４２ｂが、領域３１内の座標（Ｘ３，Ｙ３）と配置される。
【０１４４】
以上のように、ＱＣパターン種、レイアウト情報等をボタン選択及びＫ／Ｂ１２２等を使った文字情報入力によって、簡単にグローバル評価用の３×３のＱＣパターン４２ａが実チップパターン用の描画領域３７内に自動配置される。同様に、ローカル評価用のＱＣパターン４２ｂが、実チップパターン用の描画領域３７内に自動配置される。
【０１４５】
ＱＣパターンデータ生成工程（Ｓ１０８）として、ＱＣパターンデータ生成部１２（描画データ生成部）は、解釈された結果に基づいて、実チップパターンの描画領域内にＱＣ情報入力工程（Ｓ１０２）において入力されたレイアウト情報に沿った配置レイアウトにて配置されるように、ＱＣパターンの描画データを生成する。ＱＣパターンの描画データは、実施の形態３では使用されないチップ描画データと同じフォーマットで生成される。
【０１４６】
なお、ＩＤパターンを合わせて描画する場合には、図２３に示すように、ＩＤパターン領域４４にＩＤパターンを配置するための描画データを生成すればよい。
【０１４７】
描画データ処理工程（Ｓ１３０）として、描画データ処理部７０は、ＱＣパターンが定義された描画データに対して、複数段のデータ処理を行って、ショットデータ（各画素の照射時間データ）を生成する。ショットデータの生成の仕方は、実施の形態１若しくは実施の形態２と同様である。
【０１４８】
そして、描画データ処理部７０は、画素３６毎の入射照射量Ｄ（ｘ）を所定の量子化単位Δで階調化された照射時間ｔに変換した、画素３６毎の照射時間を定義した照射時間データマップ（１）を作成する。
【０１４９】
そして、描画データ処理部７０は、照射時間データ加工工程として、照射時間データマップ（１）を読み出し、実施の形態１における描画シーケンスに沿ってショット順に並び替える。そして、描画制御部７２は、ショット順に照射時間ｔデータを偏向制御回路１３０に転送する。
【０１５０】
描画工程（Ｓ１３２）として、偏向制御回路１３０は、ブランキングアパーチャアレイ機構２０４にショット順にブランキング制御信号を出力すると共に、ＤＡＣアンプユニット１３２，１３４にショット順に偏向制御信号を出力する。そして、描画機構１５０は、描画データを基に、電子ビームを用いて、実チップパターンを描画することなく、試料１０１の実チップパターンを描画するための領域３７内にＱＣ認パターンを描画する。
【０１５１】
以上のように、実施の形態３によれば、試料１０１にチップパターンを描画しない場合でも、マルチビーム方式の描画装置１００（或いは／及び可変成形ビームの描画装置３００）のＱＣパターンの描画データを描画装置１００（描画装置３００）内で自動生成できる。さらに、実施の形態３では、データ入力Ｉ／Ｆ回路１２５から配置ピッチ、配置座標等を入力すれば、記憶装置１４２に登録された膨大なＱＣ情報ファイルの中から、簡易に抽出できる。
【０１５２】
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
【０１５３】
また、上述した例では、各制御回路４１の制御用に１０ビットの制御信号が入力される場合を示したが、ビット数は、適宜設定すればよい。例えば、２ビット、或いは３ビット〜９ビットの制御信号を用いてもよい。なお、１１ビット以上の制御信号を用いてもよい。
【０１５４】
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。
【０１５５】
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１５６】
１０  ＱＣ情報ファイル抽出部
１１  ＱＣ情報ファイル解釈部
１２  ＱＣパターンデータ生成部
１３  ＩＤ情報ファイル解釈部
１４  ＩＤパターンデータ生成部
１５  ＱＣ／ＩＤパターン合成部
１６  描画データ合成部
１７  検証部
１８  座標／サイズ修正部
１９  設定部
２０  マルチビーム
２２  穴
２４  制御電極
２５  通過孔
２６  対向電極
２７  制御グリッド
２８  画素
２９  サブ照射領域
３０  チップ領域
３１  基板
３２  ストライプ領域
３３  支持台
３４  照射領域
３６  画素
３７  領域
４０  ＱＣ／ＩＤパターン領域
４１  制御回路
４２  ＱＣパターン領域
４４  ＩＤパターン領域
４６  アンプ
４７  個別ブランキング機構
７０  描画データ処理部
７２  描画制御部
１０１  試料
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１２０  制御計算機
１２２  Ｋ／Ｂ
１２４  モニタ
１２５  データ入力Ｉ／Ｆ回路
１２６  メモリ
１２８  外部Ｉ／Ｆ回路
１３０  偏向制御回路
１３２，１３４  ＤＡＣアンプユニット
１３８  ステージ制御回路
１３９  ステージ位置検出器
１４０，１４２，１４４  記憶装置
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  成形アパーチャアレイ基板
２０４  ブランキングアパーチャアレイ機構
２０５  縮小レンズ
２０６  制限アパーチャ基板
２０７  対物レンズ
２０８  偏向器
２０９  偏向器
２１０  ミラー
３００  描画装置
３０２  電子鏡筒
３０３  描画室
３０５  ＸＹステージ
３３０  メンブレン領域
３３２  外周領域
３３３，３３４  ＤＡＣアンプユニット
３５０  描画機構
３６０  制御系回路
４０１  電子銃
４０２  照明レンズ
４１２  ブランキング偏向器
４０３  第１の成形アパーチャ基板
４０４  投影レンズ
４０５  偏向器
４０６  第２の成形アパーチャ基板
４０７  対物レンズ
４０８  主偏向器
４０９  副偏向器
４１０  ミラー
【図１】
2019021765.tif 000003
【図２】
2019021765.tif 000004
【図３】
2019021765.tif 000005
【図４】
2019021765.tif 000006
【図５】
2019021765.tif 000007
【図６】
2019021765.tif 000008
【図７】
2019021765.tif 000009
【図８】
2019021765.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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