(57)【要約】【課題】スループットの点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】型Ｍを用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置１００であって、型Ｍを保持して移動する型保持部１２１と、基板Ｗを保持する基板保持部１１１と、基板Ｗを基板保持部１１１に向かって押し付ける第１方向に移動する押圧部１１３と、を有し、押圧部１１３は、インプリント材から型Ｍを引き離す第２方向に型保持部１２１が移動する前に、第１方向に移動して基板Ｗを基板保持部１１１に向かって押し付け、型保持部１２１が第２方向に移動した後に、基板Ｗから離れる方向に移動する。【選択図】図３
2019021797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板を前記基板保持部に向かって押し付ける第１方向に移動する押圧部と、を有し、
前記押圧部は、前記インプリント材から前記型を引き離す第２方向に前記型保持部が移動する前に、前記第１方向に移動して前記基板を前記基板保持部に向かって押し付け、前記型保持部が前記第２方向に移動した後に、前記基板から離れる方向に移動する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型保持部が前記第２方向に移動している間、前記基板を前記基板保持部に向かって押し付ける方向の力の大きさが、前記基板が前記基板保持部から離れる方向の力の大きさよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記押圧部は、前記型保持部を囲うように前記型保持部の周囲に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記押圧部は、前記基板の前記インプリント材がある側の面のうち、前記パターンが形成される領域とは異なる領域を押圧することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記押圧部は、前記面と面接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記押圧部は、前記未硬化のインプリント材を硬化させる光を遮断することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記押圧部は、前記面と点接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記押圧部は、前記点接触する複数の棒状の接触部と、前記複数の棒状の接触部間を塞ぐ部材と、を有することを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記接触部および前記部材は、前記未硬化のインプリント材を硬化させる光を遮断することを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記押圧部により囲われた空間に所定の気体を供給する気体供給機構を有し、
前記押圧部は、前記所定の気体が通る開口部を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記押圧部は、前記硬化したインプリント材を介して前記面を前記基板保持部に向かって押圧することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
基板保持部に保持された基板の上の未硬化のインプリント材を型が接触した状態で硬化させて、硬化した前記インプリント材から前記型を引き離すことで、前記基板の上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型を前記未硬化のインプリント材に接触させ、
前記接触した状態で、前記基板の前記インプリント材がある側の面を前記基板保持部に向かって押圧する押圧部を移動させて、前記面を前記基板保持部に向かって押圧させ、
前記接触および前記押圧した状態で前記未硬化のインプリント材を硬化させ、
前記硬化の後、前記型を前記硬化したインプリント材から引き離し、
前記引き離した後、前記押圧部を前記面から引き離す、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板上に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造するリソグラフィ装置の一つとしてインプリント装置がある。インプリント装置は、基板上の未硬化のインプリント材を型が接触させた状態で硬化させて、硬化後のインプリント材から型を引き離す（離型）ことで基板上に微細パターンの形成を行う。インプリント装置のスループットを向上させるため、複数のインプリンティングモジュールを個別に制御して、対象物に形成するパターンの面積を広くする技術がある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４５２７７３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術は、製品不良を減らすために、対象物の表面状態に応じた制御およびインプリンティングの順番の制御を行っている。形成するパターンの面積が広くなればなるほど、特許文献１の技術は、制御対象が増加して制御負荷が増大するため、例えば、スループットの点で不利となりる。
【０００５】
本発明は、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、型を保持して移動する型保持部と、基板を保持する基板保持部と、基板を基板保持部に向かって押し付ける第１方向に移動する押圧部と、を有し、押圧部は、インプリント材から型を引き離す第２方向に型保持部が移動する前に、第１方向に移動して基板を基板保持部に向かって押し付け、型保持部が第２方向に移動した後に、基板から離れる方向に移動する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】型保持機構および押圧部を含む押印離型機構を説明する図である。
【図３】図２をＹ方向から見た断面図である。
【図４】図２の押印離型機構を用いて基板に対してインプリント処理を行う様子を説明する図である。
【図５】図２の押印離型機構を用いて基板に対してインプリント処理を行う様子を時系列順に説明する図である。
【図６】押印離型機構の駆動機構部分を−Ｚ方向から見た全体平面図である。
【図７】図６の駆動機構部分の側面図である。
【図８】図６のＡ−Ａ´断面図である。
【図９】第２実施形態に係る押圧部の構成および基板における押圧箇所を示す図である。
【図１０】第３実施形態に係る押圧部の構成および基板における押圧箇所を示す図である。
【図１１】第３実施形態に係る押圧部およびパターン形成ユニットの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。なお、各図面において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
〔第１実施形態〕
【００１０】
図１は本実施形態に係るインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板Ｗ上に型Ｍを用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理とは、基板Ｗ上に供給されるインプリント材と型Ｍとを接触させ（押印）、接触状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型Ｍを剥離（離型）することで型Ｍに形成されたパターンを基板Ｗ上に転写する処理である。
【００１１】
本実施形態では、紫外光の照射によって基板Ｗ上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外光硬化型のインプリント方法を適用したインプリント装置１００を使用する。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法を用いてもよい。また、以下の図においては、基板Ｗ上のインプリント材に対して照射される紫外光の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。
【００１２】
型（モールド）Ｍは、例えば、外周部が矩形であり、基板Ｗに対向する面において、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部Ｐを含む。また、型Ｍの材質は、紫外光を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。
【００１３】
また、基板Ｗは、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、被処理面には、紫外光硬化樹脂であり、型Ｍに形成されたパターン部により成形されるインプリント材が供給される。
【００１４】
（インプリント装置）
インプリント装置１００は、基板保持機構１１０、型保持機構１２０、アライメント計測部１３０、照明部１４０、ディスペンサ１５０、気体供給機構１６０、定盤１７０、ブリッジ支柱１８０および制御部１９０を有する。
【００１５】
基板保持機構１１０は、基板Ｗを保持し、インプリント時に基板Ｗと型Ｍの並進シフトの補正（位置合わせ）をする機構である。基板保持機構１１０は、基板保持部１１１、基板ステージ１１２および押圧部１１３を含む。基板保持部１１１は、基板Ｗを不図示の真空吸着パッドなどの機械的保持部により保持する。
【００１６】
基板ステージ１１２は、基板保持部１１１を不図示の真空吸着パッドなどの機械的保持部により保持する。基板ステージ１１２は、基板Ｗと型Ｍの並進シフトの補正（位置合わせ）をするためのＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する駆動系である。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板Ｗのθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、基板Ｗの傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。押圧部１１３は、基板Ｗのインプリント材がある側の面を基板保持部１１１に向かって押圧する−Ｚ方向（第１方向）に移動する。詳細は後述する。
【００１７】
型保持機構１２０は、型Ｍを保持し、基板Ｗに型Ｍの凹凸パターンが転写されたインプリント材を形成する機構である。型保持機構１２０は、型保持部１２１および型ステージ１２２を含む。型保持部１２１は、型Ｍを機械的保持手段で保持してＺ方向に移動する。本実施形態では、複数の型Ｍを保持しており、型保持部１２１は、各型を個別に上下駆動しうる（詳細は図２を用いて後述する。）。型保持部１２１は、図示しない機械的保持手段によって型ステージ１２２に保持される。
【００１８】
型ステージ１２２は、基板Ｗと型Ｍの間隔の位置決めするための駆動系であり、Ｚ軸方向に駆動する。また、凹凸パターン転写時には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていても良い。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、型Ｍの傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。
【００１９】
アライメント計測部１３０は、基板Ｗ、及び、型Ｍに形成されたアライメントマークを用いて、基板パターン（不図示）とモールドパターン（不図示）のＸ軸方向及びＹ軸方向への位置ずれと、形状差を計測するための計測ユニットである。
【００２０】
照明部１４０は、インプリントの際に、型Ｍに対して紫外線を照射する照明手段である。照明部１４０は、光源１４１、光源１４１から照射された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学系１４２および、紫外線が基板Ｗ表面を走査するための走査手段１４３を含む。照明部１４０は、アライメント補正用のレーザ光を含みうる。アライメント補正を行う際に、ピエゾ素子などを使用して型Ｍに力を加えて変形させる方法以外に、レーザなどを照射して熱変形させる方法がある。レーザ照射をする際は、照明部１４０にその機構も加える。
【００２１】
ディスペンサ１５０は、基板Ｗにインプリント材を塗布する。ディスペンサ１５０は、吐出ノズル（不図示）を有しており、吐出ノズルから基板Ｗにインプリント材を供給する。なお、インプリント材は、紫外線を照射することによって硬化する性質を持つ樹脂を利用する。また、供給するインプリント材の量は、必要となるインプリント材の厚さや転写するパターン密度などによって決めれば良い。
【００２２】
気体供給機構１６０は、供給部１６１、供給ノズル１６２、回収ノズル１６３、供給配管１６４および排気配管１６５を有する。気体供給機構１６０は、不図示の流量調整器やバルブなども含みうる。制御部１９０からの制御信号によって各部を制御し、外部から供給される所定の気体を供給配管１６４経由で装置内に導入すると共に、装置内で使用した気体を排気配管１６５経由で装置外に排出する。
【００２３】
供給ノズル１６２から気体を供給して、ディスペンサ１５０から基板Ｗ上に供給したインプリント材と、型Ｍとの間の狭ギャップ空間Ｓ２の大気を気体で置換する。同時に、気体供給機構１６０は、回収ノズル１６３を制御して、供給ノズル１６２から供給した気体の回収を行い、気体が装置内に漏洩するのを防止する。所定の気体としては、拡散性の高いヘリウムガスなどを用いることが出来る。
【００２４】
制御部１９０は、インプリント装置１００の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段であり、例えば、基板保持部１１１、基板ステージ１１２、型保持部１２１、型ステージ１２２などの制御を行う。
【００２５】
インプリント装置１００は、クリーンチャンバ１０に収められる。クリーンチャンバ１０は、送風機（不図示）、ケミカルフィルタ（不図示）やパーティクルフィルタ（不図示）を構成する。送風機によりクリーンチャンバ１０が設置される雰囲気の大気を取り込み、取り込んだ大気に僅かに含まれる化学物質や塵をケミカルフィルタやパーティクルフィルタで取り除き、送風口１１からブース空間Ｓ１へ清浄な大気を供給する。排気口１２からはインプリント装置１００から発生した熱や塵などを排気する。
【００２６】
ブース空間Ｓ１の圧力は、クリーンチャンバ１０が設置される雰囲気よりも僅かに高く調整し、クリーンチャンバ１０の隙間からケミカルフィルタやパーティクルフィルタを通過していない大気が入り込むことを防ぐ。ブース空間Ｓ１と雰囲気の圧力差は、０．３Ｐａ以上５．０Ｐａ以下が好ましい。
【００２７】
その他、インプリント装置１００は、基板Ｗを基板保持機構１１０へ搬送するための基板搬送ユニット（不図示）、型Ｍを型保持機構１２０へ搬送するためのモールド搬送ユニット（不図示）を有する。定盤１７０は、型保持機構１２０を保持するためのブリッジ定盤１７１および、基板保持機構１１０を保持するためのベース定盤１７２を含む。ブリッジ支柱１８０は、ブリッジ定盤１７１を支える。また、基板保持部１１１は、型Ｍをアライメントする際に利用する基準マーク（不図示）を有している。
【００２８】
（押印および離型機構）
図２は、押圧部１１３を含む押印離型機構を説明する図である。図３は、図２をＹ方向から見た断面図である。本実施形態では、型Ｍを４つ用いてパターン形成する。型Ｍは、空洞部２０１およびメサ部２０２を有する。空洞部２０１は、不図示の空気源と接続され、押印または離型時にその容積を変化させることでパターンの転写精度を向上させるために設けられる。メサ部２０２は、インプリント材に転写するパターンが形成されている。メサ部２０２は、ピエゾ素子（不図示）などで型Ｍの外周部に力を加えることで、その形状が補正されうる。
【００２９】
型保持部１２１は、型駆動部２２１および連結部２２２を含む。本実施形態では、４つの型Ｍそれぞれに型駆動部２２１および連結部２２２が設けられる。型駆動部２２１は、不図示の駆動源によりそれぞれ独立してＺ方向に駆動可能である。連結部２２２は、型Ｍを吸着または機械的に保持し、型Ｍを離型する際の離型力では外れない。型Ｍは、連結部２２２に対して脱着可能に保持される。型駆動部２２１および連結部２２２は、型Ｍまで紫外光ＵＶが透過するように石英等の材料で作製されるか、中空構造を有する。
【００３０】
型Ｍ、型駆動部２２１および連結部２２２のセットをパターン形成ユニット２００という。本実施形態では、パターン形成ユニット２００を４つ有する。パターン形成ユニット２００は、例えば、基板Ｗ上の複数のショット領域のそれぞれに対応してパターンを形成する。押圧部１１３は、パターン形成ユニット２００を囲うようにパターン形成ユニット２００の周囲に配置される。押圧部１１３は、不図示の制御機構により、型駆動部２２１などから独立してＺ方向に駆動可能である。図３における矢印は、型駆動部２２１および押圧部１１３の移動方向を示している。
【００３１】
押圧部１１３は、型駆動部２２１が＋Ｚ方向に移動して離型する前に、−Ｚ方向に移動して基板Ｗと面接触して基板保持部１１１に向かって押圧する。このとき、押圧部１１３は、あらかじめ硬化させたインプリント材を介して基板Ｗの面を押圧してもよい。そして、押圧部１１３は、型駆動部２２１が＋Ｚ方向に移動して離型した後に、基板Ｗの面から離れる方向（＋Ｚ方向）に移動して押圧を止める。詳細は、後述する。
【００３２】
本実施形態では、パターン形成ユニット２００をショット毎に構成したが、パターン形成ユニット２００を１つとしてもよい。また、押圧部１１３をパターン形成ユニット２００ごとに設けてもよい。また、ショットひとつひとつにパターンを形成してもよいし、複数ショットにまとめてパターンを形成してもよい。
【００３３】
形成するパターンの面積を広くすると、離型時に基板Ｗのインプリント材が供給された面について、−Ｚ方向へ向かう方向の力（基板保持力）の大きさが＋Ｚ方向へ向かう方向の力（離型力）よりも小さくなりうる。この場合、離型時に基板Ｗが基板保持部１１１から剥がれてしまう（以下、基板剥がれという。）。押圧部１１３は、離型時において、基板Ｗのインプリント材が供給された面に対して基板保持力を加える。これによって、基板剥がれが防止される。
【００３４】
押圧部１１３を用いない場合は、パターン形成ユニット２００ごとに離型して基板剥がれを防止する方法も考えられる。しかしながら、この方法は、本実施形態の押圧部１１３を用いる場合と比べて次のような問題が起こりうる。押圧部１１３を備えることで、これら問題を解決しうる。
【００３５】
１．型Ｍのメサ部２０２で基板保持力を基板Ｗに加える必要があるため、メサ部２０２に直接力が加わってしまい、力の大きさによっては破壊されうる。２．離型が済んでいない型Ｍが少なくなってきた場合、基板保持力を基板Ｗに加える型Ｍと離型する型Ｍとの位置関係が制約を受けうる。例えば、基板Ｗの外周部にて離型する場合、基板保持力を基板Ｗに加える型Ｍを離型する型Ｍの近くに配置する必要がある。さらに、離型力によっては、最後のモールドで外周部を離型出来ない可能性もある。したがって、型Ｍを離型する際の順番、相対位置、形状などの制約を常に考慮する必要があり、制御が複雑になりうる。
【００３６】
３．離型力は基板保持部１１１に直接作用するため、基板Ｗの保持力によって型Ｍの離型力は直接的に制限されてしまう。基板Ｗを真空吸着力のみで保持する構造の場合、１ショットの離型でも基板剥れを発生することがあり、複数ショットの同時離型は困難である。
【００３７】
図４は、図２の押印離型機構を用いて基板Ｗに対してインプリント処理を行う様子を説明する図である。斜線で示す部分は、パターン形成ユニット２００である。基板保持部１１１を、例えば、矢印方向に移動させることで、パターン形成ユニット２００によりパターンを形成する位置を変更することができる。
【００３８】
図５は、図２の押印離型機構を用いて基板Ｗに対してインプリント処理を行う様子を時系列順に説明する図である。図５の（ａ）は、押印前の待機状態を示す図である。パターン形成ユニット２００および押圧部１１３は、基板Ｗと接触しない位置で待機している。図５の（ｂ）は、押印している状態を示す図である。パターン形成ユニット２００および押圧部１１３が基板Ｗの上のインプリント材（不図示）に接触する。この時、パターン形成ユニット２００と押圧部１１３の動作の順番は、どちらが先でも構わない。同時でもよい。
【００３９】
図５の（ｂ）の状態でインプリント材を硬化させた後、図５の（ｃ）で示すようにパターン形成ユニット２００を＋Ｚ方向に移動させて離型する。この時、押圧部１１３は、基板Ｗのインプリント材がある面を−Ｚ方向に押圧する。その後、図５の（ｄ）で示すように押圧部１１３も＋Ｚ方向に移動させて基板Ｗのインプリント材がある面から引き離す。
【００４０】
図５の（ｃ）において、基板Ｗのインプリント材がある面について、常に、離型力≦基板保持力となるようにパターン形成ユニット２００および押圧部１１３が制御される。この関係を維持することにより、パターン形成ユニット２００の離型力が基板保持力に直接作用しないため、基板剥れを起こさずに離型動作を行うことが出来る。
【００４１】
（駆動機構）
型駆動部２２１および押圧部１１３の駆動機構の一例について説明する。型駆動部２２１および押圧部１１３の駆動機構としては、ボイスコイルモータを使用した機構を用いうる。図６は、押印離型機構の駆動機構部分を−Ｚ方向から見た全体平面図である。図７は、図６の駆動機構部分のを−Ｙ方向から見た側面図であり、図８は、図６のＡ−Ａ´断面図である。本実施形態では、型Ｍの駆動はボイスコイルモータ３つで押圧部１１３の駆動はボイスコイルモータ４つで行っているが、これに限るものではない。
【００４２】
まず、図６および図７を用いて説明する。図６に示すように、型Ｍは、モールドチャック２に保持され、モールドチャック２の角近傍のそれぞれに配置された３個のボイスコイルモータ１によって駆動される。ボイスコイルモータ１は、本体固定部７と板ばね９とで挟まれて保持されている。
【００４３】
ボイスコイルモータ１に対して、不図示のコントローラで駆動電流を制御し、電流値により本体固定部７とモールドチャック２の距離を制御している。この電流値を全て同じにすれば平行上下移動になるが、意図的に各位置での値を変えることで移動距離が変わり、傾き制御を行うことも出来る。
【００４４】
押圧部１１３は、取付板６に固定されている。この取付板６は、４隅のボイスコイルモータ１および接続部８を介して本体固定部７に接続されている。モールドチャック２と同様に、取付板６もボイスコイルモータ１への電流値を制御することで上下駆動が可能である。
【００４５】
接続部８が上下動作をするため、本実施形態では４つの接続部用開口部３を設けている。しかし、取付板６の形状を大きくするなどしてモールドチャック２と重ならないようにすれば、必ずしもモールドチャック２に開口部を設ける必要はない。ボイスコイルモータ１で上下駆動する際には、不図示の高精度リニアエンコーダを用いてフィードバック制御を行う。
【００４６】
次に、図８でボイスコイルモータの機構を説明する。図８は、一例として、本体固定部７と板ばね９とで挟まれて、モールドチャック２に保持されたボイスコイルモータを示す。ボイスコイルモータ１は、磁石１Ａと可動コイル１Ｂで構成されていて、不図示のコントローラから制御電流を流すことにより可動コイル１Ｂに推力を与える。コイルと磁石はどちらが動いても良いので、コイルが１Ａで可動磁石を１Ｂとしても良い。
【００４７】
自重補償用ばね１３は、制御電流が流れない場合にモールドチャック２および取付板６が自重で落下するのを防止する目的で構成している。板ばね９は本体固定部７に固定されていて、上下方向は駆動可能だが、水平方向の動きを拘束する目的で構成している。
【００４８】
本実施形態では、ボイスコイルモータ１を用いる例を示したが、推力と精度の仕様を満たすことが出来れば、ピエゾ素子などを使用しても良い。さらに、不図示のコントローラでボイスコイルモータ１を制御する際は、モールドチャック２の駆動力よりも取付板６の駆動力の方を大きくする必要がある。
【００４９】
以上のように、本実施形態によれば、離型力と基板保持力とを各別に制御することで基板剥がれを防止することができる。例えば、パターン形成面積を大きくしたとしても、基板剥がれを防止することができるため、スループットの点で有利である。
〔第２実施形態〕
【００５０】
図９は、第２実施形態に係る押圧部９００の構成および基板Ｗにおける押圧箇所を示す図である。基板Ｗの面のうち、点線部分をパターンが形成される領域、白抜き部分をパターンが形成される領域とは異なる領域（非転写領域）Ｒとする。押圧部９００は、基板Ｗと接触する接触部９１０を４隅に備える。接触部９１０は、基板Ｗの面のうち、非転写領域Ｒと接触し、押圧する。
【００５１】
非転写領域Ｒを押圧することで、パターン欠陥の発生を抑制しうる。したがって、第１実施形態の図３において、押圧部１１３と基板Ｗとが接触する領域を非転写領域Ｒとしても同様の効果が得られる。
【００５２】
また、接触部９１０は、基板Ｗの面と点接触する棒状の部材である。棒状の接触部９１０を用いることで、押圧部を面接触させる場合と比べて、基板Ｗとの接触面積が小さくなり、離型力を小さくすることができる。また、生産に使用出来る基板Ｗの面積も大きくなる。
【００５３】
本実施形態では、複数の押圧部９００のそれぞれが基板Ｗのショット領域のひとつをカバーするサイズであり、また、複数の押圧部９００のそれぞれを複数のショット領域に同時に位置合わせできるようになっている。これにより、例えば、基板Ｗを移動させる回数を減らして、スループットを向上させうる。
【００５４】
複数の押圧部９００が接続する中心部分において、接触部９１０は必ずしも必須ではない。しかしながら、中心部分にも接触部９１０を設けると、より大きな離型力に対抗できる基板保持力を得ることができる。
【００５５】
また、図９の押圧部９００およびパターン形成ユニット２００を１セットとする４つのセットについて、順次離型を進めると、生産性の低下を抑制しながら一度に発生する離型力を減らすことが出来る。
【００５６】
なお、接触部９１０と基板Ｗとが直接接触することにより、基板Ｗに傷が付くことなどが懸念される場合は、接触部９１０と基板Ｗとの間にクッション材を設けることが有効である。
〔第３実施形態〕
【００５７】
図１０は、第３実施形態に係る押圧部１０００の構成および基板Ｗにおける押圧箇所を示す図である。本実施形態の押圧部１０００は、複数のパターン形成ユニット２００を囲って、型Ｍとインプリント材との接触が行われる領域を密閉空間とする。密閉空間の側面は押圧部１０００で囲われ、上面は型保持部１２１、下面は基板Ｗで囲われる。本実施形態のインプリント装置は、密閉空間内を所定の気体（Ｈｅなど）で置換する気体供給機構を有する。
【００５８】
図１０に示すように、押圧部１０００の基板Ｗとの接触領域を領域Ｒとし、基板Ｗのショット領域のひとつに対しパターンを形成する。基板Ｗの中心において、Ｚ軸を中心に回転するガス配管４００が設けられる。押圧部１０００は、ガス配管４００と連結して所定の気体が通過する開口部を有する。また、押圧部１０００は、密閉空間内の気体を外部へ排出する開口部も有する。図中の矢印は気流を示している。
【００５９】
本実施形態では、パターン形成の際に、押圧部１０００で囲まれた密閉空間のみを所定の気体で置換すればよいため、基板Ｗの全面とパターン形成ユニット２００との間の空間を所定の気体で置換する場合と比べて必要な所定の気体の量が少なくなる。
【００６０】
図１１は、図１０の押圧部１０００およびパターン形成ユニット２００の側面図である。ガス配管４００はＺ軸を中心に回転して、ガスノズル４０１が押圧部１０００の開口部４０２に接続される。開口部４０２から所定の気体を導入すると、排出口４０３に向けて所定の気体が流れていく。これによって、ガス置換が行われる。特に開口部４０２と排出口４０３とは互いに対向する位置に設けることが望ましい。なお、密閉空間において、型保持部１２１のうち、パターン形成ユニット２００が駆動する部分だけ切り欠いてあり、側面部は全て塞がれているので、排出口４０３以外でのガス漏れは抑制される。
【００６１】
図１０で示した領域でのパターン形成が終わると、基板Ｗにおける他の象限においてパターン形成を行う。例えば、右下象限でパターンを形成する場合には、ガス配管４００を回転させて、押圧部１０００のいずれかの開口部をガスノズル４０１と接続させる。
【００６２】
（押圧部の材質）
上記第１〜第３実施形態において、基板Ｗと接触する押圧部または接触部の材質は、硬さ、強度、発塵、加工容易性などを総合的に考慮して選択され、例えば、エンジニアリングプラスチックが適切である。
【００６３】
（硬化光遮断）
上記第１〜第３実施形態において、パターン形成ユニット２００を囲う押圧部は、インプリント材を硬化させる光を遮断してもよい。この場合、複数のパターン形成ユニット２００を個別に押圧部で囲い、それぞれで囲われた空間で個別にインプリント材を硬化できる。また、第２実施形態のように、棒状の接触部９１０を用いる場合は、接触部９１０間を塞ぎ、かつ、インプリント材を硬化させる光を遮断する部材を用いうる。この場合、接触部９１０と当該部材によって、第３実施形態のような密閉空間を形成することもできる。
【００６４】
［物品製造方法に係る実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターン形成をする工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６５】
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００６６】
１００  インプリント装置
１１０  基板保持機構
１１１  基板保持部
１１３  押圧部
１２０  型保持機構
１２１  型保持部
Ｗ  基板
Ｍ  型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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