(57)【要約】【課題】表示装置１００の長寿命化を実現することを目的とする。【解決手段】画素Ｐに設けられる発光素子６に対して供給する電流値を補正する補正システム２００であって、画素Ｐのうち欠陥のある部分の位置情報を取得する点灯検査装置８１と、その位置情報に基づいて、欠陥のある部分を加工するリペア装置８２と、リペア装置８２により加工された部分の面積に関する情報に基づいて発光素子６に供給する電流値を補正する第１補正情報を取得し、第１補正情報に基づいて発光素子６に対して供給する電流値を補正する演算部８５と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素に設けられる発光素子に対して供給する電流値を補正する補正システムであって、
前記画素のうち欠陥のある部分の位置情報を取得する位置情報取得手段と、
前記位置情報に基づいて、前記欠陥のある部分を加工する加工手段と、
前記加工手段により加工された部分に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第１補正情報を取得し、前記第１補正情報に基づいて前記発光素子に対して供給する電流値を補正する演算手段と、
を含む補正システム。
【請求項２】
前記画素の輝度に関する情報を取得する輝度取得手段をさらに含み、
前記演算手段は、前記輝度に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第２補正情報を取得し、前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づいて前記発光素子に対して供給する電流値を補正する請求項１に記載の補正システム。
【請求項３】
前記輝度に関する情報は、複数の前記画素が形成される表示領域における輝度の濃淡に関する情報である請求項２に記載の補正システム。
【請求項４】
前記加工された部分に関する情報は、前記加工された部分の面積に関する情報を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の補正システム。
【請求項５】
前記加工手段はレーザ光を出射するレーザ発振器である請求項１〜４のいずれか１項に記載の補正システム。
【請求項６】
前記発光素子は、少なくとも、下部電極と、前記下部電極上に設けられる有機層と、前記有機層上に設けられる上部電極とで構成され、
前記加工手段は、前記欠陥のある部分における前記上部電極を除去する請求項１〜５のいずれか１項に記載の補正システム。
【請求項７】
電流が供給されることにより発光する発光素子が設けられる画素を含む表示装置の製造方法であって、
前記画素のうち欠陥のある部分の位置情報を取得する工程と、
前記位置情報に基づいて、前記欠陥のある部分を加工する工程と、
前記加工する工程により加工された部分に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第１補正情報を取得する工程と、
前記第１補正情報に基づいて前記発光素子に対して供給する電流値を補正する工程と、
を含む表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素の輝度に関する情報を取得する工程と、
前記輝度に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第２補正情報を取得する工程と、
をさらに含み、
前記補正する工程において、前記第１補正情報及び前記第２補正情報に基づいて、前記発光素子に対して供給する電流値を補正する請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記輝度に関する情報は、複数の前記画素が形成される表示領域における輝度の濃淡に関する情報である請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記加工された部分に関する情報は、前記加工された部分の面積に関する情報を含む請求項７〜９のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記加工する工程において、レーザ発振器を用いて、レーザ光を前記欠陥のある部分に照射する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記発光素子は、少なくとも、下部電極と、前記下部電極上に設けられる有機層と、前記有機層上に設けられる上部電極とで構成され、
前記加工する工程において、前記欠陥のある部分における前記上部電極を除去する請求項７〜１１のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
電流が供給されることにより発光する発光素子が設けられる画素を有し、
前記画素は、欠陥のある部分が加工された加工部を有し、
前記発光素子は、前記加工部に関する情報に基づいて補正された電流値の電流が供給されることにより発光する表示装置。
【請求項１４】
前記発光素子は、前記加工部に関する情報、及び前記画素の輝度に関する情報に基づいて補正された電流値の電流が供給されることにより発光する請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記輝度に関する情報は、複数の前記画素が形成される表示領域における輝度の濃淡に関する情報である請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記加工部に関する情報は、前記加工部の面積に関する情報を含む請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記発光素子は、少なくとも、下部電極と、前記下部電極上に設けられる有機層と、前記有機層上に設けられる上部電極とで構成され、
前記加工部において前記上部電極が除去されている請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、補正システム、表示装置の製造方法、及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１のように、発光素子を有する表示装置において、発光素子内に混入した異物に対応する部分にレーザ光を照射することにより、表示装置の積層構造の一部を除去し、異物の混入に起因した短絡の発生を抑制する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１２４１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、上記特許文献１のように、短絡を解消するために、レーザ光を照射することにより積層構造の一部を場合、除去された部分を含む画素における電流密度が上昇し、表示装置の寿命が短くなってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、表示装置の長寿命化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の補正システムは、画素に設けられる発光素子に対して供給する電流値を補正する補正システムであって、前記画素のうち欠陥のある部分の位置情報を取得する位置情報取得手段と、前記位置情報に基づいて、前記欠陥のある部分を加工する加工手段と、前記加工手段により加工された部分に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第１補正情報を取得し、前記第１補正情報に基づいて前記発光素子に対して供給する電流値を補正する演算手段と、を含む。
【０００７】
本発明の他の態様の表示装置の製造方法は、電流が供給されることにより発光する発光素子が設けられる画素を含む表示装置の製造方法であって、前記画素のうち欠陥のある部分の位置情報を取得する工程と、前記位置情報に基づいて、前記欠陥のある部分を加工する工程と、前記加工する工程により加工された部分に関する情報に基づいて前記発光素子に供給する電流値を補正する第１補正情報を取得する工程と、前記第１補正情報に基づいて前記発光素子に対して供給する電流値を補正する工程と、を含む。
【０００８】
本発明の他の態様の表示装置は、電流が供給されることにより発光する発光素子が設けられる画素を有し、前記画素は、欠陥のある部分が加工された加工部を有し、前記発光素子は、前記加工部に関する情報に基づいて補正された電流値の電流が供給されることにより発光する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る表示装置の回路構成を模式的に示す図である。
【図２】本実施形態に係る表示装置の断面の一部を模式的に示す図である。
【図３】混入した異物に対応する部分における上部電極が除去された状態を示す図である。
【図４】リペア部が形成された画素を示す平面図である。
【図５】本実施形態における補正システムを説明する図である。
【図６】大きさの異なる複数のリペア部が形成された画素を示す平面図である。
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
さらに、各実施形態において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１３】
図１は、本実施形態に係る表示装置の回路構成を模式的に示す図である。本実施形態においては、表示装置１００として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げて説明するが、これに限られるものではなく、液晶表示装置等であってもよい。表示装置１００は、画像を表示する画素アレイ部４を備える。画素アレイ部４には、複数の画素Ｐがマトリクス状に配置されている。複数の画素Ｐはそれぞれ、発光素子６および画素回路８を含む。画素回路８は、点灯ＴＦＴ（Thin Film Transistor）１０及び駆動ＴＦＴ１２を含む複数のＴＦＴやキャパシタ１４を有する。なお、図１においては、１の画素Ｐについてのみ符号を付して示すが、画素Ｐは画素アレイ部４の略全体に複数設けられている。
【００１４】
画素アレイ部４は駆動部により駆動される。駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４を含む。駆動部は、コントローラ２６によって制御され、画素回路８を駆動し発光素子６を発光させる。
【００１５】
走査線駆動回路２０は、画素Ｐ毎に設けられる複数の走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、コントローラ２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオン状態とする電流を出力する。
【００１６】
映像線駆動回路２２は、走査信号線２８に交差する方向に延び、画素Ｐ毎に設けられる複数の映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２には、コントローラ２６から映像信号が入力される。映像線駆動回路２２は、映像信号に応じた電流を各映像信号線３０に出力する。映像信号に応じた電流は、点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、映像信号に応じた電流を発光素子６に供給する。
【００１７】
駆動電源回路２４は、画素Ｐ毎に設けられる複数の駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および駆動ＴＦＴ１２を介して発光素子６に電流を供給する。
【００１８】
図２を参照して、本実施形態に係る表示装置の積層構造の概要について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置の断面の一部を模式的に示す図である。
【００１９】
表示装置１００は、図１で示した発光素子６を構成する発光素子層５０を有する。発光素子層５０は、下部電極５１と、下部電極５１上に設けられる有機層５２と、有機層５２上に設けられる上部電極５３とを有する。図２においては、簡略化して図示するが、下部電極５１は画素Ｐ毎に設けられ、上部電極５３は複数の画素Ｐを跨って共通に設けられる。
【００２０】
有機層５２は、少なくとも発光層を含み、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、及び電子注入層等を含んでも良い。下部電極５１、有機層５２及び上部電極５３により、図１で示した発光素子６の少なくとも一部が構成される
【００２１】
有機層５２は、下部電極５１及び上部電極５３に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。下部電極５１は、図１で示した駆動ＴＦＴ１２に接続される。下部電極５１は高電位が入力されるアノードであり、上部電極５３は低電位が入力されるカソードであるとよい。ただし、これに限られるものではなく、下部電極５１がカソードであり、上部電極５３がアノードであってもよい。
【００２２】
発光素子層５０上には、発光素子６を水分から遮断するための封止膜６０が設けられる。封止膜６０はＳｉＮ、ＳｉＯｘ等からなる無機膜６１、アクリル樹脂等からなる有機膜６２、ＳｉＮ、ＳｉＯｘ等からなる無機膜６３が積層してなる。なお、封止膜６０の構造はこれに限らず、単一の無機膜でもよく、また、図２に示す積層順や積層数以外の二層以上からなる構造でもよい。
【００２３】
ここで、表示装置１００の製造過程において、図２に示すように、有機層５２内に何らかの異物８０が混入してしまう場合がある。このような異物８０の混入により、下部電極５１と上部電極５３間が短絡してしまう場合がある。下部電極５１と上部電極５３間が短絡すると、その画素Ｐは、発光素子６が発光しない滅点画素となってしまう。
【００２４】
この問題に対して、図３に示すように、混入した異物８０に対応する部分（欠陥のある部分）における上部電極５３に対してレーザ光Ｌを照射することにより、レーザ光Ｌのエネルギーにより上部電極５３を気化させることで上部電極５３を除去し、下部電極５１と上部電極５３間の短絡を解消する方法が知られている。図３は、混入した異物に対応する部分における上部電極が除去された状態を示す図である。なお、レーザ光Ｌの照射は、表示装置１００を構成する層のうち上部電極５３のみが除去されるようにレーザ光Ｌの波長を調整して行うとよい。なお、短絡を解消する方法は、レーザ光Ｌの照射に限られるものではなく、上部電極５３の一部を除去することに限られるものでもない。すなわち、異物８０を介した上部電極５３と下部電極５１との電気的接続状態を切断することにより短絡を解消するものであれば、他の方法により上部電極５３を加工するものでもよい。
【００２５】
以下、短絡を解消するために上部電極５３を加工することをリペアと呼び、リペアされた領域をリペア部（加工部）Ｂと呼ぶ。画素Ｐのうちリペア部Ｂは発光せず、画素Ｐのうちリペア部Ｂ以外の領域は正常に発光（点灯）がなされる。図４は、リペア部が形成された画素を示す平面図である。
【００２６】
ここで、リペア前の画素Ｐのうち表示に有効な領域の面積である有効面積をＳとし、リペア部Ｂの面積をΔＳとすると、リペア後の画素Ｐの有効面積はＳ−ΔＳとなる。リペア前後で同じ電流Ｉが流れるとすると、リペア前の画素Ｐにおける電流密度はＩ／Ｓであるのに対して、リペア後の画素Ｐにおける電流密度はＩ／（Ｓ−ΔＳ）となる。すなわち、リペアを行うことにより、画素Ｐにおける電流密度が高くなる。電流密度が高くなると、表示装置１００の寿命が短くなってしまう。
【００２７】
以下、図５を参照して、本実施形態における補正システム２００、及びその補正システム２００を用いた表示装置１００の製造方法について説明する。図５は、本実施形態における補正システムを説明する図である。
【００２８】
従来、画素アレイ部４における輝度ムラ（輝度の濃淡）を補正するため、画素Ｐ毎に輝度を測定して、測定した輝度に関する情報に基づく補正情報をコントローラ２６に入力して、その補正情報に基づいて補正された映像信号を、コントローラ２６から映像線駆動回路２２に出力する輝度ムラ補正システムが実用されていた。しかしながら、リペア部Ｂが形成される画素Ｐにおいては、輝度自体は変わらないため、従来実用されていた輝度ムラ補正システムにおいては、リペアが行われたことに起因する電流密度の増加、及び電流密度の増加による表示装置１００の寿命の低下に対しては何ら対処がされていなかった。
【００２９】
本実施形態に係る補正システム２００は、コントローラ２６、表示装置１００、点灯検査装置（位置情報取得手段）８１、リペア装置（加工手段）８２、輝度計（輝度取得手段）８３、メモリ８４、演算部８５を少なくとも含む。なお、コントローラ２６、演算部８５、メモリ８４は、表示装置１００が備えるフレキシブルプリント基板（不図示）等に含まれているとよい。なお、図５においては補正システム２００の各動作を説明するために、表示装置１００を複数図示しているが、図５内に図示される表示装置１００は全て同一のものである。
【００３０】
点灯検査装置８１としては、ＣＣＤカメラ等を用いるとよい。リペア装置８２としては、レーザ光Ｌを出射するレーザ発振器等を用いるとよい。メモリ８４としては、不揮発性のフラッシュメモリ等を用いるとよい。
【００３１】
まず、点灯検査装置８１により、表示装置１００の画素アレイ部４において正常に点灯（発光）が行われるか否かの検査を行う。具体的には、画素アレイ部４に対して電流を供給し、発光素子６が正常に発光するか否かの検査を行う。そして、異物の混入等を原因とする滅点が生じている部分、すなわち発光（点灯）しない部分の位置情報を取得する。そして、その位置情報に基づいて、リペア装置８２により、滅点が生じている部分に対してレーザ光Ｌを照射し、上述のリペア部Ｂを形成する。また、リペア部Ｂの位置情報と、リペア部Ｂの面積に関する情報をメモリ８４に入力する。リペア部Ｂの面積に関する情報としては、照射されたレーザ光Ｌのスポット径に関する情報等を用いるとよい。
【００３２】
また、輝度計８３により、画素アレイ部４に設けられる複数の画素Ｐの輝度をそれぞれ測定し、輝度に関する情報を取得する。また、取得した輝度に関する情報をメモリ８４に入力する。なお、輝度に関する情報は、例えば、複数の画素Ｐが形成される画素アレイ部４（表示領域）における輝度の濃淡に関する情報であるとよい。
【００３３】
演算部８５は、メモリ８４に記憶された、リペア部Ｂの位置情報とリペア部Ｂの面積に関する情報に基づいて、リペア部Ｂが形成される画素Ｐに供給される電流値を補正する第１補正情報を取得する。演算部８５は、メモリ８４に記憶される輝度に関する情報に基づいて、画素アレイ部４において輝度ムラが生じないように電流値を補正する第２補正情報を取得する。
【００３４】
さらに、演算部８５は、第１補正情報及び第２補正情報に基づいて、重畳補正情報を算出する。重畳補正情報は、例えば、第１補正情報と第２補正情報とを乗算して生成されるとよい。なお、第１補正情報は、電流値を小さくするように補正する情報であり、０よりも大きく１よりも小さい値であるとよい。この値は、例えば、レーザ光Ｌのスポット径に応じてテーブル化して、演算部８５等に記憶させておくとよい。
【００３５】
そして、コントローラ２６が重畳補正情報に基づいて補正された電流値に応じた映像信号を映像線駆動回路２２へ出力し、映像線駆動回路２２がその映像信号を各映像信号線３０に出力する。
【００３６】
以上説明した補正システム２００を用いることにより、輝度ムラ及び滅点の発生を抑制し、かつ表示装置１００の長寿命化を実現することができる。なお、本実施形態においては、リペア部Ｂが形成される画素Ｐに供給される電流値を補正する第１補正情報と、画素アレイ部４において輝度ムラが生じないように電流値を補正する第２補正情報とに基づいて電流値を補正する例について説明したが、これに限られるものではなく、少なくとも第１補正情報を用いて電流値を補正するものであればよい。
【００３７】
なお、１の画素Ｐ中に複数の異物が混入する場合がある。そのような場合、混入した各異物に対応する部分の位置情報を取得し、その位置情報に基づいて上部電極５３にレーザ光Ｌを照射することにより、上部電極５３を除去し、下部電極５１と上部電極５３間の短絡を解消するとよい。この際、リペアを行った各部にリペア部Ｂが形成されることとなる。
【００３８】
図６は、大きさの異なる複数のリペア部が形成された画素を示す平面図である。具体的には、図６においては、１の画素Ｐ中にリペア部Ｂ１〜Ｂ３が形成された様子を示している。ここで、リペア前の画素Ｐのうち表示に有効な領域の面積である有効面積をＳとし、リペア部Ｂ１〜Ｂ３の面積をそれぞれΔＳ１〜ΔＳ３とすると、リペア後の画素Ｐの有効面積はＳ−（ΔＳ１＋ΔＳ２＋Δ３）となる。リペア前後で同じ電流Ｉが流れるとすると、リペア前の画素Ｐにおける電流密度はＩ／Ｓであるのに対して、リペア後の画素Ｐにおける電流密度はＩ／（Ｓ−（ΔＳ１＋ΔＳ２＋Δ３））となる。図６に示した例においては、リペア部Ｂの総面積が大きくなる分、図４に示した例よりも、画素Ｐにおける電流密度は高くなる。リペア部Ｂ１〜Ｂ３の面積に関する情報等を上述のメモリ８４に記憶し、それら情報に基づいて、リペア部Ｂ１〜Ｂ３が形成される画素Ｐに供給される電流値を補正する第１補正情報を生成するとよい。なお、リペア部Ｂの平面視における面積は、混入した異物の大きさに応じて変えるとよい。リペア部Ｂの面積は、例えば、レーザ光Ｌのスポット径を変更することにより調整することが可能である。
【００３９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４０】
４  画素アレイ部、６  発光素子、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  コントローラ、２８  走査線信号、３０  映像線信号、３２  駆動電源線、５０  発光素子層、５１  下部電極、５２  有機層、５３  上部電極、６０  封止膜、６１  無機膜、６２  有機膜、６３  無機膜、８０  異物、８１  点灯検査装置、８２  リペア装置、８３  輝度計、８４  メモリ、８５  演算部、１００  表示装置、２００  補正システム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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