(57)【要約】【課題】基板の搬送方向に直交する幅方向において浮上部よりも狭い基板を安定的に浮上搬送しつつ当該基板に処理液を供給する。【解決手段】浮上部に対して幅方向の第１方向側に設けられた第１保持部により基板の一方端部を片持ち状態で保持しながら浮上部により浮上させる第１浮上工程と、浮上部により浮上された基板に対して幅方向の第１方向側と反対の第２方向側にダミー板を配置して浮上部のうち基板により覆われない露出領域を覆う遮断工程と、第１浮上工程と遮断工程とを実行しながら基板を片持ち状態で保持する第１保持部を搬送方向に移動させて基板を搬送する第１搬送工程とを有している。【選択図】図７
2019130499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幅方向において第１幅を有する浮上部により浮上された基板を前記幅方向と直交する搬送方向に搬送しつつ、前記基板の上面に処理液を供給する基板処理方法であって、
前記幅方向において前記第１幅よりも狭い第２幅を有する前記基板に前記処理液を供給する第１基板処理工程を備え、
前記第１基板処理工程は、
前記浮上部に対して前記幅方向の第１方向側に設けられた第１保持部により前記基板の一方端部を片持ち状態で保持しながら前記浮上部により浮上させる第１浮上工程と、
前記浮上部により浮上された前記基板に対して前記幅方向の前記第１方向側と反対の第２方向側にダミー板を配置して前記浮上部のうち前記基板により覆われない露出領域を覆って周辺雰囲気から遮断する遮断工程と、
前記第１浮上工程と前記遮断工程とを実行しながら前記基板を片持ち状態で保持する前記第１保持部を前記搬送方向に移動させて前記基板を搬送する第１搬送工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記遮断工程は、前記ダミー板の一方端部を前記基板に隣接させつつ、前記浮上部に対して前記幅方向の前記第２方向側に設けられた第２保持部により前記ダミー板の他方端部を片持ち状態で保持する工程を含む基板処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記第１搬送工程は、前記第１保持部による前記基板の移動と並行して前記第２保持部により前記ダミー板を前記搬送方向に移動させる工程を含む基板処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理方法であって、
前記第１基板処理工程は、前記基板に対する前記第１基板処理工程が完了した後に、前記ダミー板を片持ち状態で保持したまま前記第２保持部を前記搬送方向の上流側に移動させるとともに基板を保持しない空状態で前記第１保持部を前記搬送方向の上流側に移動させて次の基板を保持するための準備を行う準備工程をさらに有する基板処理方法。
【請求項５】
請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記第１搬送工程は、前記ダミー板を片持ち状態で保持している前記第２保持部の移動を規制したまま、前記基板を片持ち状態で保持している前記第１保持部を前記搬送方向に移動させる工程を含む基板処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法であって、
前記第１基板処理工程は、前記基板に対する前記第１基板処理工程が完了した後に、前記ダミー板を片持ち状態で保持している前記第２保持部の移動を規制したまま、基板を保持しない空状態で前記第１保持部を前記搬送方向の上流側に移動させて次の基板を保持するための準備を行う準備工程をさらに有する基板処理方法。
【請求項７】
請求項２ないし６のいずれか一項に記載の基板処理方法であって、
前記幅方向において前記第１幅よりも広い第３幅を有する前記基板に前記処理液を供給する第２基板処理工程をさらに備え、
前記第２基板処理工程は、
前記第１保持部により前記基板の一方端部を保持するとともに前記第２保持部により前記基板の他方端部を保持しながら前記浮上部により浮上させる第２浮上工程と、
前記第２浮上工程を実行しながら前記基板を両持ち状態で保持する前記第１保持部および前記第２保持部を前記搬送方向に移動させて前記基板を搬送する第２搬送工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
基板を搬送方向に移動しつつ前記基板の上面にノズルから処理液を供給する基板処理装置であって、
前記搬送方向と直交する幅方向において第１幅にわたって浮力を与える浮上部と、
前記浮上部に対して前記幅方向の第１方向側に設けられる第１保持部と、
前記第１保持部を前記搬送方向に移動させる移動部とを備え、
前記幅方向において前記第１幅よりも狭い第２幅を有する小型基板を前記基板とするとき、
前記小型基板の一方端部を前記第１保持部により保持することで前記小型基板を片持ち状態で保持するとともに前記浮上部により浮上しつつ前記第１保持部の前記搬送方向への移動によって前記小型基板を搬送するのと並行して、
前記小型基板に対して前記幅方向の前記第１方向側と反対の第２方向側に配置されるダミー板によって前記浮上部のうち前記小型基板により覆われない露出領域を覆って周辺雰囲気から遮断する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記浮上部に対して前記幅方向の第２方向側に設けられる第２保持部をさらに備え、
前記第２保持部は前記小型基板に対して前記第２方向側で前記浮上部により浮上されるダミー板の一方端部を隣接させつつ前記ダミー板の他方端部を片持ち状態で保持して前記露出領域を覆う基板処理装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記浮上部に対して前記幅方向の第２方向側に設けられる第２保持部をさらに備え、
前記移動部は前記第１保持部の移動と並行して前記第２保持部を前記搬送方向に移動可能となっており、
前記幅方向において前記第１幅よりも広い第３幅を有する大型基板を前記基板とするとき、
前記大型基板の一方端部を前記第１保持部により保持する一方で他方端部を前記第２保持部により保持することで前記大型基板を両持ち状態で保持するとともに前記浮上部により浮上しつつ前記第１保持部および前記第２保持部を前記搬送方向に移動させることで前記大型基板を搬送する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、浮上部により浮上された基板を搬送しつつ、当該基板の上面に処理液を供給する基板処理方法および装置に関するものである。なお、上記基板には、半導体基板、フォトマスク用基板、液晶表示用基板、有機ＥＬ表示用基板、プラズマ表示用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の上面に塗布液を処理液として供給することで塗布膜を基板に形成する基板処理装置が用いられている。例えば特許文献１に記載の基板処理装置は基板浮上搬送装置を装備し、基板を搬送しつつ塗布液を供給する。この基板浮上搬送装置では、浮上ステージ（本発明の「浮上部」に相当）の基板浮上面上に浮上した基板を保持した状態で基板保持部が搬送方向に移動する。これによって、基板が浮上搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−３４１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１にも記載されているように、近年、基板の多種多様化に伴い互いに異なるサイズの基板に対して処理液を供給する装置が要望されている。そこで、特許文献１に記載の装置では、基準サイズの基板については基板浮上面から噴出されるエアにより基板を浮上させる。一方、基準サイズの基板よりも搬送方向と直交する川幅方向寸法が大きい幅広基板を搬送する場合に、浮上ステージと基板保持部との間に設けた補助浮上支持部からもエアが噴出される。このエア噴出によって、基板浮上面から川幅方向にはみ出す幅広基板のはみ出し領域が浮上される。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の装置では、浮上ステージの川幅方向寸法よりも大きな基板しか搬送することができず、浮上ステージの川幅方向寸法よりも短い川幅方向寸法を有する基板に対して処理液を高精度に供給することが困難であった。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の搬送方向に直交する幅方向において浮上部よりも狭い基板を安定的に浮上搬送しつつ当該基板に処理液を供給することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、幅方向において第１幅を有する浮上部により浮上された基板を幅方向と直交する搬送方向に搬送しつつ、基板の上面に処理液を供給する基板処理方法であって、幅方向において第１幅よりも狭い第２幅を有する基板に処理液を供給する第１基板処理工程を備え、第１基板処理工程は、浮上部に対して幅方向の第１方向側に設けられた第１保持部により基板の一方端部を片持ち状態で保持しながら浮上部により浮上させる第１浮上工程と、浮上部により浮上された基板に対して幅方向の第１方向側と反対の第２方向側にダミー板を配置して浮上部のうち基板により覆われない露出領域を覆って周辺雰囲気から遮断する遮断工程と、第１浮上工程と遮断工程とを実行しながら基板を片持ち状態で保持する第１保持部を搬送方向に移動させて基板を搬送する第１搬送工程とを有することを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の他の態様は、基板を搬送方向に移動しつつ基板の上面にノズルから処理液を供給する基板処理装置であって、搬送方向と直交する幅方向において第１幅にわたって浮上力を与える浮上部と、浮上部に対して幅方向の第１方向側に設けられる第１保持部と、第１保持部を搬送方向に移動させる移動部とを備え、幅方向において第１幅よりも狭い第２幅を有する小型基板を基板とするとき、小型基板の一方端部を第１保持部により保持することで小型基板を片持ち状態で保持するとともに浮上部により浮上しつつ第１保持部の搬送方向への移動によって小型基板を搬送するのと並行して、小型基板に対して幅方向の第１方向側と反対の第２方向側に配置されるダミー板によって浮上部のうち小型基板により覆われない露出領域を覆って周辺雰囲気から遮断することを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明では、幅方向において第１幅よりも狭い第２幅を有する（小型）基板の一方端部が第１保持部により保持され、いわゆる片持ち状態で当該基板が支持される。この「片持ち状態」とは、第１保持部から基板が浮上部の上方に延びた状態を意味しており、基板のうち第１保持部で保持された一方端部以外の部位については、第１保持部の移動に伴って浮上部を覆うように浮上部の上方で搬送される。
【００１０】
ここで、浮上部のうち上記基板により覆われる基板搬送領域以外の領域、つまり露出領域をそのまま放置した状態で基板搬送を行うと、基板搬送領域と露出領域とで雰囲気が大きく相違してしまう。このため、基板を安定して浮上搬送することができず、処理液の供給を高精度に行うことができない。しかしながら、本発明では、露出領域がダミー板により覆われて周辺雰囲気から遮断され、基板により覆われて周辺雰囲気から遮断された基板搬送領域と同等となる。その結果、基板搬送領域と露出領域との間での雰囲気の相違が抑制され、基板が安定的に搬送される。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、幅方向において第１幅よりも狭い第２幅を有する基板に処理液を供給するとき、基板を片持ち状態で搬送するとともに、露出領域をダミー板により覆って周辺雰囲気から遮断しているため、基板を安定的に浮上搬送しつつ当該基板に処理液を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の一実施形態の全体構成を模式的に示す図である。
【図２】基板処理装置を鉛直上方から見た平面図である。
【図３】図２から塗布機構を取り外した平面図である。
【図４】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】基板搬送部の構成を示す図である。
【図６】図１に示す基板処理装置により実行される第１基板処理工程の主要部分を模式的に示す平面図である。
【図７】第１基板処理工程および第２基板処理工程における浮上搬送動作を模式的に示す断面図である。
【図８】図１に示す基板処理装置により実行される第２基板処理工程の主要部分を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明にかかる基板処理装置の他の実施形態を示す図である。
【図１０】本発明にかかる基板処理装置の別の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は本発明にかかる基板処理装置の一実施形態の全体構成を模式的に示す図である。この基板処理装置１は、図１の左手側から右手側に向けて水平姿勢で搬送される基板Ｗの上面Ｗｆに塗布液を処理液として供給して塗布するスリットコータである。なお、以下の各図において装置各部の配置関係を明確にするために、基板Ｗの搬送方向を「Ｘ方向」とし、図１の左手側から右手側に向かう水平方向を「＋Ｘ方向」と称し、逆方向を「−Ｘ方向」と称する。また、Ｘ方向と直交する水平方向Ｙのうち、装置の正面側を「−Ｙ方向」と称するとともに、装置の背面側を「＋Ｙ方向」と称する。さらに、鉛直方向Ｚにおける上方向および下方向をそれぞれ「＋Ｚ方向」および「−Ｚ方向」と称する。
【００１４】
まず図１を用いてこの基板処理装置１の構成および動作の概要を説明し、その後で各部のより詳細な構造について説明する。なお、基板処理装置１の基本的な構成や動作原理は、本願出願人が先に開示した特許第５３４６６４３号に記載されたものと共通している。そこで、本明細書では、基板処理装置１の各構成のうちこれらの公知文献に記載のものと同様の構成を適用可能なもの、およびこれらの文献の記載から構造を容易に理解することのできるものについては詳しい説明を省略し、本実施形態の特徴的な部分を主に説明することとする。
【００１５】
基板処理装置１では、基板Ｗの搬送方向Ｄｔ（＋Ｘ方向）に沿って、入力コンベア１００、入力移載部２、浮上ステージ部３、出力移載部４、出力コンベア１１０がこの順に近接して配置されており、以下に詳述するように、これらにより略水平方向に延びる基板Ｗの搬送経路が形成されている。なお、以下の説明において基板Ｗの搬送方向Ｄｔと関連付けて位置関係を示すとき、「基板Ｗの搬送方向Ｄｔにおける上流側」を単に「上流側」と、また「基板Ｗの搬送方向Ｄｔにおける下流側」を単に「下流側」と略することがある。この例では、ある基準位置から見て相対的に（−Ｘ）側が「上流側」、（＋Ｘ）側が「下流側」に相当する。
【００１６】
処理対象である基板Ｗは図１の左手側から入力コンベア１００に搬入される。入力コンベア１００は、コロコンベア１０１と、これを回転駆動する回転駆動機構１０２とを備えており、コロコンベア１０１の回転により基板Ｗは水平姿勢で下流側、つまり（＋Ｘ）方向に搬送される。入力移載部２は、コロコンベア２１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構２２とを備えている。コロコンベア２１が回転することで、基板Ｗはさらに（＋Ｘ）方向に搬送される。また、コロコンベア２１が昇降することで基板Ｗの鉛直方向位置が変更される。このように構成された入力移載部２により、基板Ｗは入力コンベア１００から浮上ステージ部３に移載される。
【００１７】
浮上ステージ部３は、基板の搬送方向Ｄｔに沿って３分割された平板状のステージを備える。すなわち、浮上ステージ部３は入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３を備えており、これらの各ステージの上面は互いに同一平面の一部をなしている。入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３のそれぞれの上面には浮上制御機構３５から供給される圧縮空気を噴出する噴出孔がマトリクス状に多数設けられており、噴出される気流から付与される浮力により基板Ｗが浮上する。こうして基板Ｗの下面がステージ上面から離間した状態で水平姿勢に支持される。基板Ｗの下面とステージ上面との距離、つまり浮上量は、例えば１０マイクロメートルないし５００マイクロメートルとすることができる。
【００１８】
一方、塗布ステージ３２の上面では、圧縮空気を噴出する噴出孔（後で説明する図６中の符号３２１）と、基板Ｗの下面とステージ上面との間の空気を吸引する吸引孔（後で説明する図６中の符号３２２）とが交互に配置されている。浮上制御機構３５が噴出孔からの圧縮空気の噴出量と吸引孔からの吸引量とを制御することにより、基板Ｗの下面と塗布ステージ３２の上面との距離が精密に制御される。これにより、塗布ステージ３２の上方を通過する基板Ｗの上面Ｗｆの鉛直方向位置が規定値に制御される。浮上ステージ部３の具体的構成としては、例えば特許第５３４６６４３号に記載のものを適用可能である。
【００１９】
なお、入口浮上ステージ３１には、図には現れていないリフトピンが配設されており、浮上ステージ部３にはこのリフトピンを昇降させるリフトピン駆動機構３４が設けられている。
【００２０】
入力移載部２を介して浮上ステージ部３に搬入される基板Ｗは、コロコンベア２１の回転により（＋Ｘ）方向への推進力を付与されて、入口浮上ステージ３１上に搬送される。入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３は基板Ｗを浮上状態に支持するが、基板Ｗを水平方向に移動させる機能を有していない。浮上ステージ部３における基板Ｗの搬送は、入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３の下方に配置された基板搬送部５により行われる。
【００２１】
基板搬送部５は、基板Ｗの下面周縁部に部分的に当接することで基板Ｗを下方から支持するチャック機構５１と、チャック機構５１上端の吸着部材（後の図３、図４、図５中の符号５１３）に設けられた吸着パッドおよび吸着溝（後の図５中の符号５１４、５１５）に負圧を与えて基板Ｗや後で詳述するダミー板（図６や図７等を参照）を吸着保持させる機能およびチャック機構５１をＸ方向に往復走行させる機能を有する吸着・走行制御機構５２とを備えている。チャック機構５１が基板Ｗやダミー板を保持した状態では、基板Ｗの下面やダミー板の下面は浮上ステージ部３の各ステージの上面よりも高い位置に位置している。したがって、基板Ｗやダミー板は、チャック機構５１により周縁部を吸着保持されつつ、浮上ステージ部３から付与される浮力により全体として水平姿勢を維持する。なお、基板搬送部５の構成および動作については後で詳述する。
【００２２】
入力移載部２から浮上ステージ部３に搬入された基板Ｗをチャック機構５１が保持し、この状態でチャック機構５１が（＋Ｘ）方向に移動することで、基板Ｗが入口浮上ステージ３１の上方から塗布ステージ３２の上方を経由して出口浮上ステージ３３の上方へ搬送される。搬送された基板Ｗは、出口浮上ステージ３３の（＋Ｘ）側に配置された出力移載部４に受け渡される。
【００２３】
出力移載部４は、コロコンベア４１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構４２とを備えている。コロコンベア４１が回転することで、基板Ｗに（＋Ｘ）方向への推進力が付与され、基板Ｗは搬送方向Ｄｔに沿ってさらに搬送される。また、コロコンベア４１が昇降することで基板Ｗの鉛直方向位置が変更される。そして、出力移載部４により、基板Ｗは出口浮上ステージ３３の上方から出力コンベア１１０に移載される。
【００２４】
出力コンベア１１０は、コロコンベア１１１と、これを回転駆動する回転駆動機構１１２とを備えており、コロコンベア１１１の回転により基板Ｗはさらに（＋Ｘ）方向に搬送され、最終的に基板処理装置１外へと払い出される。なお、入力コンベア１００および出力コンベア１１０は基板処理装置１の構成の一部として設けられてもよいが、基板処理装置１とは別体のものであってもよい。また例えば、基板処理装置１の上流側に設けられる別ユニットの基板払い出し機構が入力コンベア１００として用いられてもよい。また、基板処理装置１の下流側に設けられる別ユニットの基板受け入れ機構が出力コンベア１１０として用いられてもよい。
【００２５】
このようにして搬送される基板Ｗの搬送経路上に、基板Ｗの上面Ｗｆに塗布液を塗布するための塗布機構７が配置される。塗布機構７は、スリットノズルであるノズル７１と、ノズル７１に対しメンテナンスを行うためのメンテナンスユニット７５とを備えている。ノズル７１には、図示しない塗布液供給部から塗布液が供給され、ノズル下部に下向きに開口する吐出口から塗布液が吐出される。
【００２６】
ノズル７１は、位置決め機構７３によりＸ方向およびＺ方向に移動位置決め可能となっている。位置決め機構７３により、ノズル７１が塗布ステージ３２の上方の塗布位置（点線で示される位置）に位置決めされる。塗布位置に位置決めされたノズルから塗布液が吐出されて、塗布ステージ３２との間を搬送されてくる基板Ｗに塗布される。こうして基板Ｗへの塗布液の塗布が行われる。
【００２７】
メンテナンスユニット７５は、ノズル７１を洗浄するための洗浄液を貯留するバット７５１と、予備吐出ローラ７５２と、ノズルクリーナ７５３と、予備吐出ローラ７５２およびノズルクリーナ７５３の動作を制御するメンテナンス制御機構７５４とを備えている。メンテナンスユニット７５の具体的構成としては、例えば特開２０１０−２４０５５０号公報に記載された構成を適用することが可能である。
【００２８】
ノズル７１が予備吐出ローラ７５２の上方で吐出口が予備吐出ローラ７５２の上面に対向する位置（予備吐出位置）では、ノズル７１の吐出口から予備吐出ローラ７５２の上面に対して塗布液が吐出される。ノズル７１は、塗布位置へ位置決めされるのに先立って予備吐出位置に位置決めされ、吐出口から所定量の塗布液を吐出して予備吐出処理を実行する。このように塗布位置へ移動させる前のノズル７１に予備吐出処理を行わせることにより、塗布位置での塗布液の吐出をその初期段階から安定させることができる。
【００２９】
メンテナンス制御機構７５４が予備吐出ローラ７５２を回転させることで、吐出された塗布液はバット７５１に貯留された洗浄液に混合されて回収される。また、ノズル７１がノズルクリーナ７５３の上方位置（第１洗浄位置）にある状態では、ノズルクリーナ７５３が洗浄液を吐出しながらＹ方向に移動することにより、ノズル７１の吐出口およびその周囲に付着した塗布液が洗い流される。
【００３０】
また、位置決め機構７３は、ノズル７１を第１洗浄位置よりも下方でノズル下端がバット７５１内に収容される位置（待機位置）に位置決めすることが可能である。ノズル７１を用いた塗布処理が実行されないときには、ノズル７１はこの待機位置に位置決めされる。なお、図示を省略しているが、待機位置に位置決めされたノズル７１に対し吐出口における塗布液の乾燥を防止するための待機ポッドが配置されてもよい。
【００３１】
この他、基板処理装置１には、装置各部の動作を制御するための制御ユニット９が設けられている。制御ユニット９は所定の制御プログラムや各種データを記憶する記憶手段、この制御プログラムを実行することで装置各部に所定の動作を実行させるＣＰＵなどの演算手段、ユーザや外部装置との情報交換を担うインターフェース手段などを備えている。
【００３２】
図２は基板処理装置を鉛直上方から見た平面図である。また、図３は図２から塗布機構を取り外した平面図である。また、図４は図２のＡ−Ａ線断面図である。さらに、図５は基板搬送部の構成を示す図である。以下、これらの図を参照しながら基板処理装置１の具体的な機械的構成を説明する。幾つかの機構については特許第５３４６６４３号の記載を参照することでより詳細な構造を理解することが可能である。なお、図２および図３においては入力コンベア１００等が有するコロの記載が省略されている。また、図５の（ｂ）および（ｃ）欄は吸着部材の近傍領域Ｒの拡大斜視図である。
【００３３】
塗布機構７のノズルユニット７０は、図２および図４に示すように架橋構造を有している。具体的には、ノズルユニット７０は、浮上ステージ部３の上方でＹ方向に延びる梁部材７３１のＹ方向両端部を、基台１０から上方に立設された１対の柱部材７３２，７３３で支持した構造を有している。柱部材７３２には例えばボールねじ機構により構成された昇降機構７３４が取り付けられており、昇降機構７３４により梁部材７３１の（＋Ｙ）側端部が昇降自在に支持されている。また、柱部材７３３には例えばボールねじ機構により構成された昇降機構７３５が取り付けられており、昇降機構７３５により梁部材７３１の（−Ｙ）側端部が昇降自在に支持されている。制御ユニット９からの制御指令に応じて昇降機構７３４，７３５が連動することにより、梁部材７３１が水平姿勢のまま鉛直方向（Ｚ方向）に移動する。
【００３４】
梁部材７３１の中央下部には、ノズル７１が吐出口７１１を下向きにして取り付けられている。したがって、昇降機構７３４，７３５が作動することで、ノズル７１のＺ方向への移動が実現される。なお本実施形態では、後で詳述するように互いに異なる幅サイズを有する基板Ｗに対して塗布液を供給するために、上記ノズル７１として２種類のノズル７１Ｓ、７１Ｌが交換可能となっている。ノズル７１Ｓは幅方向Ｙにおける塗布ステージ３２の幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２を有する小型基板（図６、７中の符号ＷＳ）に塗布液を供給するためのノズルである。一方、ノズル７１Ｌは塗布ステージ３２の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ３を有する大型基板（図７、８中の符号ＷＬ）に塗布液を供給するためのノズルである。
【００３５】
柱部材７３２，７３３は基台１０上においてＸ方向に移動可能に構成されている。具体的には、基台１０の（＋Ｙ）側および（−Ｙ）側端部上面のそれぞれに、Ｘ方向に延設された１対の走行ガイド８１Ｌ，８１Ｒが取り付けられており、柱部材７３２はその下部に取り付けられたスライダ７３６を介して（＋Ｙ）側の走行ガイド８１Ｌに係合される。スライダ７３６は走行ガイド８１Ｌに沿ってＸ方向に移動自在となっている。同様に、柱部材７３３はその下部に取り付けられたスライダ７３７を介して（−Ｙ）側の走行ガイド８１Ｒに係合され、Ｘ方向に移動自在となっている。
【００３６】
また、柱部材７３２，７３３はリニアモータ８２Ｌ，８２ＲによりＸ方向に移動される。具体的には、リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒのマグネットモジュールが固定子として基台１０にＸ方向に沿って延設され、コイルモジュールが移動子として柱部材７３２，７３３それぞれの下部に取り付けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８２Ｌ，８２Ｒが作動することで、ノズルユニット７０全体がＸ方向に沿って移動する。これにより、ノズル７１のＸ方向への移動が実現される。柱部材７３２，７３３のＸ方向位置については、スライダ７３６，７３７の近傍に設けられたリニアスケール８３Ｌ，８３Ｒにより検出可能である。
【００３７】
このように、昇降機構７３４，７３５が動作することによりノズル７１がＺ方向に移動し、リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒが動作することによりノズル７１がＸ方向に移動する。すなわち、制御ユニット９がこれらの機構を制御することにより、ノズル７１の各停止位置（塗布位置、予備吐出位置等）への位置決めが実現される。したがって、昇降機構７３４，７３５、リニアモータ８２Ｌ，８２Ｒおよびこれらを制御する制御ユニット９等が一体として、図１の位置決め機構７３として機能している。
【００３８】
メンテナンスユニット７５は、バット７５１に予備吐出ローラ７５２およびノズルクリーナ７５３が収容された構造を有している。また、図示を省略しているが、メンテナンスユニット７５には予備吐出ローラ７５２およびノズルクリーナ７５３を駆動するためのメンテナンス制御機構７５４が設けられている。バット７５１はＹ方向に延設された梁部材７６１により支持され、梁部材７６１の両端部が１対の柱部材７６２，７６３により支持されている。１対の柱部材７６２，７６３はＹ方向に延びるプレート７６４のＹ方向両端部に取り付けられている。
【００３９】
プレート７６４のＹ方向両端部の下方には、基台１０上に１対の走行ガイド８４Ｌ，８４ＲがＸ方向に延設されている。プレート７６４のＹ方向両端部は、スライダ７６６，７６７を介して走行ガイド８４Ｌ，８４Ｒに係合されている。このため、メンテナンスユニット７５が走行ガイド８４Ｌ，８４Ｒに沿ってＸ方向に移動可能となっている。プレート７６４の（−Ｙ）方向端部の下方には、リニアモータ８５が設けられている。リニアモータ８５はプレート７６４の（＋Ｙ）方向端部の下方に設けられてもよく、Ｙ方向両端部の下方にそれぞれ設けられてもよい。
【００４０】
リニアモータ８５では、マグネットモジュールが固定子として基台１０にＸ方向に沿って延設され、コイルモジュールが移動子としてメンテナンスユニット７５に取り付けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８５が作動することで、メンテナンスユニット７５全体がＸ方向に沿って移動する。メンテナンスユニット７５のＸ方向位置については、スライダ７６６，７６７の近傍に設けられたリニアスケール８６により検出可能である。
【００４１】
次に基板搬送部５の構成および動作について図３、図４および図５を参照して説明する。基板搬送部５のチャック機構５１は、ＸＺ平面に関して互いに対称な形状を有しＹ方向に離隔配置された１対のチャック５１Ｌ，５１Ｒを備える。これらのうち（＋Ｙ）側に配置されたチャック５１Ｌは、基台１０にＸ方向に延設された走行ガイド８７ＬによりＸ方向に走行可能に支持されている。具体的には、チャック５１Ｌは、Ｘ方向に位置を異ならせて設けられた２つの水平なプレート部位と、これらのプレート部位を接続する接続部位とを有するベース部５１２を備えている。ベース部５１２の２つのプレート部位の下部にはそれぞれスライダ５１１が設けられ、スライダ５１１が走行ガイド８７Ｌに係合されることで、ベース部５１２は走行ガイド８７Ｌに沿ってＸ方向に走行可能になっている。
【００４２】
ベース部５１２の２つのプレート部位の上部には、上方に延びてその上端部に吸着部材５１３，５１３が設けられている。ベース部５１２が走行ガイド８７Ｌに沿ってＸ方向に移動すると、これと一体的に２つの吸着部材５１３，５１３がＸ方向に移動する。なお、ベース部５１２の２つのプレート部位は互いに分離され、これらのプレート部位がＸ方向に一定の距離を保ちながら移動することで見かけ上一体のベース部として機能する構造であってもよい。このＸ方向距離を基板や後で説明するダミー板の長さに応じて設定すれば、種々のＸ方向長さの基板に対応することが可能となる。
【００４３】
チャック５１Ｌは、リニアモータ８８ＬによりＸ方向に移動可能となっている。すなわち、リニアモータ８８Ｌのマグネットモジュールが固定子として基台１０にＸ方向に延設され、コイルモジュールが移動子としてチャック５１Ｌの下部に取り付けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８８Ｌが作動することで、チャック５１ＬがＸ方向に沿って移動する。チャック５１ＬのＸ方向位置についてはリニアスケール８９Ｌにより検出可能である。
【００４４】
（−Ｙ）側に設けられたチャック５１Ｒも同様に、２つのプレート部位および接続部位を有するベース部５１２と、吸着部材５１３，５１３とを備えている。ただし、その形状は、ＸＺ平面に関してチャック５１Ｌとは対称なものとなっている。各プレート部位はそれぞれスライダ５１１により走行ガイド８７Ｒに係合される。また、チャック５１Ｒは、リニアモータ８８ＲによりＸ方向に移動可能となっている。すなわち、リニアモータ８８Ｒのマグネットモジュールが固定子として基台１０にＸ方向に延設され、コイルモジュールが移動子としてチャック５１Ｒの下部に取り付けられている。制御ユニット９からの制御指令に応じてリニアモータ８８Ｒが作動することで、チャック５１ＲがＸ方向に沿って移動する。チャック５１ＲのＸ方向位置についてはリニアスケール８９Ｒにより検出可能である。
【００４５】
制御ユニット９は、チャック５１Ｌ，５１ＲがＸ方向において常に同一位置となるように、これらの位置制御を行う。これにより、１対のチャック５１Ｌ，５１Ｒが見かけ上一体のチャック機構５１として移動することになる。チャック５１Ｌ，５１Ｒを機械的に結合する場合に比べ、チャック機構５１と浮上ステージ部３との干渉を容易に回避することが可能となる。
【００４６】
図３に示すように、４つの吸着部材５１３はそれぞれ、保持される基板Ｗの四隅に対応して配置される。すなわち、チャック５１Ｌの２つの吸着部材５１３，５１３は、基板Ｗの（＋Ｙ）側周縁部であって搬送方向Ｄｔにおける上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。一方、チャック５１Ｒの２つの吸着部材５１３，５１３は、基板Ｗの（−Ｙ）側周縁部であって搬送方向Ｄｔにおける上流側端部と下流側端部とをそれぞれ保持する。具体的には、吸着部材５１３および吸着・走行制御機構５２は以下のように構成されている。
【００４７】
各吸着部材５１３の上面は基板Ｗの下面に対して部分的に当接する当接面５１３ａとして機能する。この当接面５１３ａの中央部には、図５の（ｂ）欄および（ｃ）欄に示すように、２つの開口が互いに離間して設けられている。各開口は吸着パッド５１４を埋設するための凹部５１３ｂの開口であり、当該開口を介して吸着パッド５１４の上端部が鉛直方向Ｚに進退自在となっている。すなわち、各吸着パッド５１４はゴム等の弾性素材で形成された筒状の部材であり、側部がいわゆる蛇腹状に仕上げられ、鉛直方向Ｚに伸縮自在となっている。また、当接面５１３ａのうち上記開口を除く領域に複数個（本実施形態では６個）の吸着溝５１５が設けられている。
【００４８】
これらの吸着パッド５１４および吸着溝５１５は吸着・走行制御機構５２に接続されており、制御ユニット９からの吸着指令に応じて基板Ｗを吸着して保持し、吸着解除指令に応じて基板Ｗの吸着を解除する。より詳しくは、吸着・走行制御機構５２は、基板処理装置１を設置する工場に装備された負圧供給源から提供される負圧を吸着パッド５１４および吸着溝５１５に供給する機能を有している。なお負圧供給源の代わりに、基板処理装置１に吸引ポンプを設け、これにより負圧供給を行うように構成してもよい。また、吸着パッド５１４および吸着溝５１５の個数や配置などについても任意である。また、基板Ｗの保持方式は吸着に限定されるものでなく、他の方式であってもよい。
【００４９】
負圧供給源に対しては２つの負圧供給系統（図示省略）が接続されている。そのうちの一方の負圧供給系統は（＋Ｙ）側に配置されたチャック５１Ｌに設けられた吸着パッド５１４および吸着溝５１５に負圧を供給するためのものであり、他方の負圧供給系統は（−Ｙ）側に配置されたチャック５１Ｒに設けられた吸着パッド５１４および吸着溝５１５に負圧を供給するためのものである。各負圧供給系統では、制御ユニット９からの指令にしたがって作動して吸着パッド５１４および吸着溝５１５を介した吸引は停止されており、吸着パッド５１４は、図５の（ｂ）欄に示すように上端部に吸着口が当接面５１３ａよりも上方に突出した状態となっている。また、同図の（ｃ）欄に示すように、基板Ｗの下面の一部が吸着パッド５１４の上端部に支持された状態で、制御ユニット９からの指令にしたがって吸着パッド５１４が吸引され、基板Ｗの下面が部分的に吸着されるとともに吸着パッド５１４が基板Ｗを吸着したまま鉛直方向Ｚに収縮して吸着パッド５１４の上端部が凹部５１３ｂ内に後退する。これによって、基板Ｗの下面は吸着パッド５１４に吸着されたまま当接面５１３ａに当接する。また、吸着パッド５１４の引き込みによって、吸着溝５１５の開口が確実に塞がれて吸着溝５１５による基板吸着が加わる。
【００５０】
ここでは、基板Ｗの吸着保持について説明したが、後で説明するようにダミー板（図６中の符号ＤＰ）の下面の一部が吸着パッド５１４の上端部に支持された状態で、制御ユニット９からの指令にしたがって吸着パッド５１４が吸引されることで、ダミー板がチャック５１Ｌ、５１Ｒにより吸着保持可能となっている。さらに、チャック５１Ｌ、５１Ｒのうちの一方で基板Ｗを吸着保持するとともに他方でダミー板を吸着保持することも可能となっている。
【００５１】
このように本実施形態では、チャック機構５１は種々の態様、例えば
・チャック５１Ｒにより大型基板Ｗの（−Ｙ）側端部を吸着するとともにチャック５１Ｌにより大型基板Ｗの（＋Ｙ）側端部を吸着することで大型基板Ｗを両持ち状態で保持する態様、
・チャック５１Ｒにより小型基板Ｗの（−Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持するとともに、チャック５１Ｌによりダミー板の（＋Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持する態様、
・チャック５１Ｌにより小型基板Ｗの（＋Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持するとともに、チャック５１Ｒによりダミー板の（−Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持する態様、
・チャック５１Ｒにより小型基板Ｗの（−Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持するとともに、チャック５１Ｌにより小型基板Ｗの（＋Ｙ）側端部を吸着して片持ち状態で保持する態様、
などで基板Ｗやダミー板を保持可能となっている。
【００５２】
チャック機構５１は、浮上ステージ部３の各ステージ、すなわち入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３の上面よりも上方に基板Ｗやダミー板を保持した状態で基板Ｗを搬送する。チャック機構５１は、基板Ｗやダミー板のうち各ステージ３１，３２，３３と対向する中央部分よりもＹ方向において外側の周縁部の一部を保持するのみであるため、両持ち状態の基板Ｗでは中央部位が、片持ち状態の基板Ｗやダミー板では保持された部位から延びる延設部位がチャック機構５１で保持された保持部位に対し下方に撓むことになる。浮上ステージ部３は、このような中央部位や延設部位に浮力を与えることで基板Ｗやダミー板の鉛直方向位置を制御して水平姿勢に維持する機能を有する。
【００５３】
浮上ステージ部３の各ステージのうち出口浮上ステージ３３については、その上面位置がチャック機構５１の上面位置よりも低くなる下部位置と、上面位置がチャック機構５１の上面位置よりも高くなる上部位置との間で昇降可能となっている。この目的のために、出口浮上ステージ３３は昇降駆動機構３６によって支持されている。
【００５４】
上記したように本実施形態では、種々の態様で基板Ｗやダミー板を保持しながら搬送方向Ｄｔに搬送可能となっており、記憶手段に予め記憶されている制御プログラムにしたがって演算手段が装置各部を制御することで幅方向Ｙにおいて幅の異なる２種類の基板、つまり小型基板Ｗ（ＷＳ）や大型基板Ｗ（ＷＬ）を浮上搬送しつつ基板Ｗの上面に塗布液を供給する。以下においては、小型基板Ｗ（ＷＳ）の上面に塗布液を供給して塗布する第１基板処理工程と、大型基板Ｗ（ＷＬ）の上面に塗布液を供給して塗布する第２基板処理工程とについて、それぞれ図６および図７を参照しつつ説明する。
【００５５】
図６は図１に示す基板処理装置により実行される第１基板処理工程の主要部分を模式的に示す平面図である。また、図７は第１基板処理工程および第２基板処理工程における浮上搬送動作を模式的に示す断面図であり、同図中の「第１基板処理工程」の欄は図６のＢ−Ｂ線断面図であり、「第２基板処理工程」の欄は後で説明する図８のＣ−Ｃ線断面図である。両図においては、発明内容の理解のために主要構成である小型基板ＷＳ、ダミー板ＤＰ、チャック機構５１（チャック５１Ｌ、５１Ｒ）、塗布ステージ３２およびノズル７１（７１Ｓ、７１Ｌ）のみを図示している。また、図６中の符号Ｐ１、Ｐ２はそれぞれチャック機構５１の上流停止位置および下流停止位置を示しており、チャック機構５１は上流停止位置Ｐ１および下流停止位置Ｐ２の間を往復移動する。この点に関しては、後で説明する図８〜図１０においても同様である。
【００５６】
第１基板処理工程を実行するにあたって、図６の上段（ａ）に示すように、事前にユーザにより小型基板用のノズル７１Ｓが装着される。また、チャック機構５１が上流停止位置Ｐ１に戻され、当該上流停止位置Ｐ１でチャック５１Ｌの吸着部材５１３によりダミー板ＤＰの（＋Ｙ）側端部が吸着保持されるとともに、ダミー板ＤＰの下面に対して入口浮上ステージ３１（図３）から圧縮空気が噴出されてダミー板ＤＰは片持ち状態で水平保持されている。なお、ダミー板ＤＰとして、次に説明するように小型基板ＷＳと一緒に浮上ステージ部３から噴出される圧縮空気を受けて浮上搬送されることから、小型基板ＷＳに近似した重量密度、より好ましくは同一の重量密度を有する板状部材を用いるのが望ましい。また、以下に説明するようにダミー板ＤＰを繰り返して使用することを考慮すると、割れにくい材質でダミー板ＤＰを構成するのが望ましい。
【００５７】
上記した準備工程が完了した状態で、制御ユニット９に対して塗布指令が与えられると、入力移載部２により小型基板ＷＳが入力コンベア１００から浮上ステージ部３に移載される。つまり、小型基板ＷＳはダミー板ＤＰの（−Ｙ）側に隣接するように上流停止位置Ｐ１に送り込まれ、小型基板ＷＳの（−Ｙ）側端部がチャック５１Ｒの吸着部材５１３により吸着保持される。また、小型基板ＷＳの下面に対して入口浮上ステージ３１から圧縮空気が噴出されて小型基板ＷＳは片持ち状態で水平保持される（第１浮上工程）。こうして小型基板ＷＳの（＋Ｙ）側端部がダミー板ＤＰの（−Ｙ）側端部に隣接した状態で小型基板ＷＳおよびダミー板ＤＰが一体的にチャック機構５１に保持される。このときの小型基板ＷＳの（＋Ｙ）側端部とダミー板ＤＰの（−Ｙ）側端部との隙間ｃ（図７参照）が塗布ステージ３２の噴出孔３２１と吸引孔３２２との間隔ｄよりも小さくなるように設定するのが望ましい。一方、上記隙間ｃを極端に狭めると、小型基板ＷＳとダミー板ＤＰとの接触が問題となるため、当該接触を考慮して隙間ｃの下限値を設定するのが望ましく、例えば１ｍｍ程度に設定することができる。つまり、上記隙間ｃが１ｍｍ以上でかつ間隔ｄ未満となるように小型基板ＷＳおよびダミー板ＤＰを隣接して保持するのが好適である。また、図７の上段に示すように、小型基板ＷＳの（＋Ｙ）側端面およびダミー板ＤＰの（−Ｙ）側端面のいずれもが噴出孔３２１と吸引孔３２２の直上に位置しないように配置するのが望ましい。
【００５８】
このように小型基板ＷＳおよびダミー板ＤＰを互いに隣接してチャック機構５１により保持した後で吸着・走行制御機構５２によりチャック機構５１が小型基板ＷＳおよびダミー板ＤＰをともに片持ち状態で保持したまま搬送方向Ｄｔに移動させる。これにより小型基板ＷＳおよびダミー板ＤＰが一体的に塗布ステージ３２の上方を搬送される（第１搬送工程）。このとき、浮上ステージ部３の上方領域の一部が基板ＷＳにより覆われる基板搬送領域ＡＷとなり、残りが基板ＷＳにより覆われない露出領域ＡＥとなるが、露出領域ＡＥはダミー板ＤＰにより覆われ、周辺雰囲気から遮断される（遮断工程）。このため、次のような作用効果が得られる。
【００５９】
仮に、小型基板ＷＳを単独で搬送方向Ｄｔに搬送すると、基板搬送領域ＡＷと露出領域ＡＥとで雰囲気が大きく異なってしまい、小型基板ＷＳの浮上条件が予め設定したものと相違してしまうことがある。例えば、基板搬送領域ＡＷと露出領域ＡＥとを同時に吸引するために、大気開放されている露出領域ＡＥでより多くの吸引が行われてしまい、基板搬送領域ＡＷに対する吸引が低下して小型基板ＷＳの浮上量が変動してしまうことがある。これに対し、露出領域ＡＥをダミー板ＤＰにより覆うことによって露出領域ＡＥが小型基板ＷＳで周辺雰囲気と遮断されている基板搬送領域ＡＷと同様にダミー板ＤＰで周辺雰囲気と遮断される。その結果、基板搬送領域ＡＷと露出領域ＡＥの間において雰囲気が相違するのを抑制することができ、小型基板ＷＳを所望の浮上量で安定して搬送することができる。
【００６０】
このように小型基板ＷＳの浮上とダミー板ＤＰによる露出領域ＡＥの遮断とを行いつつ小型基板ＷＳを搬送しながらノズル７１Ｓから塗布液が小型基板ＷＳの上面に供給されて同図の中段（ｂ）に示すように、小型基板ＷＳの上面に塗布層ＣＬが形成される。そして、チャック機構５１が下流停止位置Ｐ２まで移動して塗布層ＣＬの形成が完了すると、同図の下段（ｃ）に示すように塗布層ＣＬを有する小型基板ＷＳが出力移載部４により出力コンベア１１０に移載される。
【００６１】
こうして小型基板ＷＳのチャック機構５１からの搬出が完了すると、チャック機構５１では、チャック５１Ｌはダミー板ＤＰを片持ち状態で保持した状態を維持する一方、チャック５１Ｒは小型基板ＷＳを保持しない、いわゆる空状態となる。そして、チャック機構５１はダミー板ＤＰを片持ち状態で保持したまま吸着・走行制御機構５２により上流停止位置Ｐ１に向けて移動し、次の小型基板ＷＳが移載されるのを待つ（準備工程）。このような一連の動作を繰り返すことで小型基板ＷＳへの塗布液の供給（第１基板処理工程）を連続的に行うことができる。
【００６２】
図８は図１に示す基板処理装置により実行される第２基板処理工程の主要部分を模式的に示す平面図である。塗布対象が小型基板ＷＳから大型基板ＷＬ（幅方向Ｙにおいて塗布ステージ３２の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ３を有する基板）に変更される場合、図８の上段（ａ）に示すように、事前にユーザにより小型基板用のノズル７１Ｓから大型基板用のノズル７１Ｌに取り換えられる。また、チャック機構５１からダミー板ＤＰが取り除かれる。そして、基本的には特許文献１に記載の装置における基準サイズの基板に対する塗布処理と同様にして塗布液が塗布される。
【００６３】
チャック５１Ｌ、５１Ｒがともに空状態で上流停止位置Ｐ１に向けて移動される。こうしてチャック機構５１が上流停止位置Ｐ１に停止している状態で、制御ユニット９に対して塗布指令が与えられると、入力移載部２により大型基板ＷＬが入力コンベア１００から浮上ステージ部３に移載される。つまり、大型基板ＷＬは上流停止位置Ｐ１に送り込まれ、大型基板ＷＬの（＋Ｙ）側端部および（−Ｙ）側端部がそれぞれチャック５１Ｌ、５１Ｒの吸着部材５１３により吸着保持される。また、大型基板ＷＬの下面に対して入口浮上ステージ３１から圧縮空気が噴出されて大型基板ＷＬはいわゆる両持ち状態で水平保持される（第２浮上工程）。
【００６４】
大型基板ＷＬをチャック機構５１により保持した後で吸着・走行制御機構５２によりチャック機構５１が大型基板ＷＬを両持ち状態で保持したまま搬送方向Ｄｔに移動させる。これにより大型基板ＷＬが塗布ステージ３２の上方を搬送される（第２搬送工程）。そして、搬送方向Ｄｔに搬送されている大型基板ＷＬの上面に対し、ノズル７１Ｌから塗布液が供給されて同図の中段（ｂ）に示すように、大型基板ＷＬの上面に塗布層ＣＬが形成される。そして、チャック機構５１が下流停止位置Ｐ２まで移動して塗布層ＣＬの形成が完了すると、同図の下段（ｃ）に示すように塗布層ＣＬを有する大型基板ＷＬが出力移載部４により出力コンベア１１０に移載される。
【００６５】
こうして大型基板ＷＬのチャック機構５１からの搬出が完了すると、チャック機構５１では、チャック５１Ｌ、５１Ｒが大型基板ＷＬを保持しない、いわゆる空状態となっている。そして、チャック機構５１は吸着・走行制御機構５２により上流停止位置Ｐ１に向けて移動され、次の大型基板ＷＬが移載されるのを待つ（準備工程）。このような一連の動作を繰り返すことで大型基板ＷＬへの塗布液の供給（第２基板処理工程）を連続的に行うことができる。
【００６６】
以上のように、本実施形態によれば、塗布ステージ３２の幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２の小型基板ＷＳに対して塗布液を供給する第１基板処理工程においては、小型基板ＷＳの（−Ｙ）側端部を保持しながら小型基板ＷＳの下面に圧縮空気を吹き付けて浮上搬送している。また、これと並行して塗布ステージ３２の露出領域ＡＥをダミー板ＤＰにより覆っている。このため、基板搬送領域ＡＷと露出領域ＡＥの間における雰囲気の相違を抑制することができ、小型基板ＷＳを安定的に浮上搬送することができる。そして、このような安定搬送下で小型基板ＷＳの上面に塗布液を供給しているため、小型基板ＷＳに対して塗布層ＣＬを高精度に形成することができる。
【００６７】
また、塗布ステージ３２の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ３の大型基板ＷＬに対して塗布液を供給する第２基板処理工程においては、幅方向Ｙにおける大型基板ＷＬの両端部をチャック機構５１で保持した、いわゆる両持ち状態で大型基板ＷＬを搬送しているため、従来装置と同様に、大型基板ＷＬを安定して搬送することができ、塗布層ＣＬを高精度に形成することができる。
【００６８】
このように本実施形態では、ノズル７１の交換およびダミー板ＤＰの使用／不使用の切替によって、小型基板ＷＳおよび大型基板ＷＬのいずれにも対応することができる。つまり、互いに異なる複数の基板Ｗを安定して浮上搬送しつつ塗布液を高精度に供給することができ、高い汎用性が得られる。特に多品種の基板について塗布液の塗布が必要となる製造ラインを、例えば特許第５３４６６４３号に記載の装置のように単一サイズの基板Ｗに対して塗布液を塗布する装置のみで構成しようとすると、製造ラインを構成する装置台数は多くなってしまう。これに対し、本実施形態にかかる基板処理装置１を用いることで装置台数を減らすことができ、環境保全の観点からも有利である。
【００６９】
また、本実施形態では、第１基板処理工程において、小型基板ＷＳとダミー板ＤＰとの隙間ｃは１ｍｍ以上で、かつ塗布ステージ３２の噴出孔３２１と吸引孔３２２との間隔ｄ（図７参照）よりも小さくなるように設定されている。このため、上記隙間ｃを介して基板搬送領域ＡＷや露出領域ＡＥから圧縮空気が大量に流出したり、逆に上記隙間ｃを介して基板搬送領域ＡＷや露出領域ＡＥに周辺空気が大量に流入するのを確実に防止することができる。その結果、小型基板ＷＳの搬送を行っている間に、基板搬送領域ＡＷおよび露出領域ＡＥの雰囲気が変動するのを抑制し、小型基板ＷＳを安定して搬送することができる。
【００７０】
このように本実施形態では、塗布ステージ３２が本発明の「浮上部」の一例に相当している。また、第１基板処理工程において、小型基板ＷＳを保持するチャック５１Ｒが本発明の「第１保持部」の一例に相当する一方、ダミー板ＤＰを保持するチャック５１Ｌが本発明の「第２保持部」の一例に相当している。また、吸着・走行制御機構５２が本発明の「移動部」として機能している。また、Ｙ方向における（−Ｙ）側および（＋Ｙ）側がそれぞれ本発明の「第1方向側」および「第２方向側」に相当している。
【００７１】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、図６に示すようにチャック５１Ｌ、５１Ｒを一体的に移動させることでダミー板ＤＰを小型基板ＷＳと並列しながら搬送方向Ｄｔに搬送している。このようにダミー板ＤＰを移動させることは必須要件ではなく、例えば図９に示すようにダミー板ＤＰが露出領域ＡＥを覆って周辺雰囲気から遮断する遮断位置Ｐ３にチャック５１Ｌ、５１Ｌを位置決めした後でチャック５１Ｌ、５１Ｌの移動を規制し、第１基板処理工程中、ダミー板ＤＰを遮断位置Ｐ３に固定してもよい。また、チャック５１Ｌ、５１Ｌ以外の固定部材（図示省略）によって遮断位置Ｐ３でダミー板ＤＰを固定してもよい。
【００７２】
また、上記実施形態では、図６や図９に示すようにチャック５１Ｒ、５１Ｒにより小型基板ＷＳを片持ち状態で保持しているが、チャック５１Ｌ、５１Ｌにより小型基板ＷＳを保持してもよい。この場合、チャック５１Ｌ、５１Ｌが本発明の「第１保持部」として機能し、チャック５１Ｒ、５１Ｒが本発明の「第２保持部」として機能する。Ｙ方向における（−Ｙ）側および（＋Ｙ）側がそれぞれ本発明の「第２方向側」および「第１方向側」に相当する。
【００７３】
また、図１０に示すようにチャック５１Ｒ、５１Ｒにより小型基板ＷＳ１を片持ち状態で保持するとともにチャック５１Ｌ、５１Ｌにより小型基板ＷＳ２を片持ち状態で保持し、幅方向Ｙにおいて上記小型基板ＷＳ１、ＷＳ２の間に挟まれるようにダミー板ＤＰを固定配置してもよい。この場合、ダミー板ＤＰが露出領域ＡＥを覆って周辺雰囲気から遮断するため、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００７４】
なお、ダミー板ＤＰを用いて露出領域ＡＥと基板搬送領域ＡＷとの雰囲気の相違を抑えて小型基板ＷＳ、ＷＳ１、ＷＳ２の安定搬送を図っているが、このような基板搬送技術の適用対象は基板処理装置に限定されるものではない。つまり、幅方向において浮上部の幅よりも狭小な幅を有する小型基板を浮上搬送する基板搬送技術全般に対しても上記実施形態を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
この発明は、浮上部により浮上された基板を搬送しつつ、当該基板の上面に処理液を供給する基板処理技術全般に適用することができる。
【符号の説明】
【００７６】
１…基板処理装置
３２…塗布ステージ（浮上部）
５１…チャック機構
５１Ｌ…チャック（第２保持部）
５１Ｒ…チャック（第１保持部）
５２…吸着・走行制御機構（移動部）
７１，７１Ｌ，７１Ｓ…ノズル
ＡＥ…露出領域
ＡＷ…基板搬送領域
ＤＰ…ダミー板
Ｄｔ…搬送方向
Ｗ…基板
ＷＬ…大型基板
ＷＳ，ＷＳ１，ＷＳ２…小型基板
Ｙ…幅方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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