(57)【要約】【課題】損失低減及び小型化を図る。【解決手段】主面２Ａを有する基板２と、基板２の主面２Ａ側に設けられたカバー層２０と、基板２とカバー層２０との間に設けられた電子素子４０と、基板２の主面２Ａとカバー層２０との間に内部空間ＨＢを形成するように基板２の主面２Ａに設けられた支持層１６と、内部空間ＨＢに設けられた柱部１８と、柱部１８に巻回されたコイル６０からなり電子素子４０に電気的に接続されたインダクタ素子Ｌ１１〜Ｌ１４，Ｌ２１〜２７とを備えている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
前記基板の前記主面側に設けられたカバー層と、
前記基板と前記カバー層との間に設けられた電子素子と、
前記基板の前記主面と前記カバー層との間に内部空間を形成するように前記基板の前記主面に設けられた支持層と、
前記内部空間に設けられた柱部と、
前記柱部に巻回されたコイルからなり前記電子素子に電気的に接続されたインダクタ素子と
を備えている、電子装置。
【請求項２】
前記電子素子は、弾性波素子である、
請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記基板は、圧電基板であり、
前記電子素子は、前記基板の前記主面に形成された櫛歯状の電極を有している、
請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記電子素子は、
前記基板と前記カバー層との間に設けられた圧電薄膜と、
前記圧電薄膜の前記基板側に設けられた下部電極と、
前記圧電薄膜の前記カバー層側に設けられ前記下部電極と対向する上部電極と、
を備えている、
請求項２に記載の電子装置。
【請求項５】
前記インダクタ素子は、前記電子素子に直列に接続されている、
請求項１から４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記電子装置は、デュプレクサであり、
前記インダクタ素子は、前記デュプレクサの整合回路である、
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項７】
前記基板の前記主面の上に設けられ、前記電子素子と前記インダクタ素子とを電気的に接続する配線と、
前記支持層及び前記カバー層を貫通するように設けられ、前記配線に電気的に接続されたビア電極と、
を備えている、
請求項１から６のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項８】
前記柱部には、貫通孔が形成されている、
請求項１から７のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項９】
前記貫通孔には、コアが挿通されている、
請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記コアは、空気よりも透磁率が大きい材料によって設けられている、
請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
それぞれが電子装置となる複数の部分を有し、それぞれの部分に固有の識別情報が割り当てられる集合電子装置であって、
第１電子装置となる部分に含まれる第１領域と、第２電子装置となる部分に含まれる第２領域とを有する集合基板と、
前記第１領域に設けられた第１柱部と、
前記第２領域に設けられた第２柱部と、
前記第１柱部に巻回された第１コイルと、
前記第２柱部に巻回された第２コイルと、
を備え、
前記第１領域に設けられた前記第１コイルの電気的応答は、前記第２領域に設けられた前記第２コイルの電気的応答と異なっている、集合電子装置。
【請求項１２】
前記第１コイルのインダクタンスの値は、前記第２コイルのインダクタンスの値と異なっている、
請求項１１に記載の集合電子装置。
【請求項１３】
前記第１領域には前記第１柱部及び前記第１コイルがそれぞれ複数設けられ、
前記第２領域には前記第２柱部及び前記第２コイルがそれぞれ複数設けられ、
前記第１領域に設けられた前記複数の第１コイルの電気的応答は、前記第２領域に設けられた前記複数の第２コイルの電気的応答と異なっている、
請求項１１に記載の集合電子装置。
【請求項１４】
前記複数の第１柱部のいずれか１つに巻回されたコイルのインダクタンスの値は、前記複数の第１柱部の他の１つに巻回されたコイルのインダクタンスの値と異なっている、
請求項１３に記載の集合電子装置。
【請求項１５】
前記第１コイルと前記第２コイルは、巻き数、直径、ピッチ、及び軌道形状のうち少なくとも１つが異なっている、
請求項１２に記載の集合電子装置。
【請求項１６】
前記複数の第１柱部のいずれか１つに巻回されたコイルと他の１つに巻回されたコイルは、巻き数、直径、ピッチ、及び軌道形状のうち少なくとも１つが異なっている、
請求項１４に記載の集合電子装置。
【請求項１７】
前記第１柱部と前記第２柱部は、直径の異なる貫通孔及び透磁率の異なるコアの少なくとも一方が設けられている、
請求項１２又は１５に記載の集合電子装置。
【請求項１８】
前記複数の第１柱部のうちいずれか１つの柱部と他の１つの柱部は、直径の異なる貫通孔及び透磁率の異なるコアの少なくとも一方が設けられている、
請求項１４又は１６に記載の集合電子装置。
【請求項１９】
前記第１領域に設けられ、前記第１コイルに電気的に接続された第１電子素子と、
前記第２領域に設けられ、前記第２コイルに電気的に接続された第２電子素子と、
前記第１領域に設けられ、前記第１柱部と同じ材料で設けられた第１支持層と、
前記第２領域に設けられ、前記第２柱部と同じ材料で設けられた第２支持層と、
前記第１支持層及び前記第２支持層を挟んで前記集合基板に対向する集合カバー層と、
をさらに備えている、
請求項１１から１８のいずれか１項に記載の集合電子装置。
【請求項２０】
前記第１コイルは、前記第１支持層によって前記集合基板と前記集合カバー層との間に形成される内部空間に収容され、
前記第２コイルは、前記第２支持層によって前記集合基板と前記集合カバー層との間に形成される内部空間に収容されている、
請求項１９に記載の集合電子装置。
【請求項２１】
前記集合カバー層は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する、
請求項２０に記載の集合電子装置。
【請求項２２】
前記第１コイルを固定する第１モールド部材と、
前記第２コイルを固定する第２モールド部材と、
をさらに備えている、
請求項１１から２１のいずれか１項に記載の集合電子装置。
【請求項２３】
前記第１モールド部材及び前記第２モールド部材は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する、
請求項２２に記載の集合電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ素子を内蔵した電子装置及び集合電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化・需要拡大に伴い、電子装置は、一層の小型化や生産性の向上が求められている。例えば、携帯電話機等のモバイル通信機器においては、帯域通過フィルタやデュプレクサを構成するために複数の弾性波素子が電気的に接続してフィルタ回路を形成することが多い。このようなフィルタ回路は、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）によって製造することで、小型化・高機能化することができる。例えば特許文献１及び２には、１枚の圧電基板上に設けられた少なくとも１つのＩＤＴ電極を有する複数の弾性波素子と、弾性波素子が設けられている部分に中空部を構成する支持層及びカバー層と、を備えている弾性波装置が開示されている。
【０００３】
上記の弾性波装置には、アンテナと弾性波素子の接続においてインピーダンスを合わせるための整合回路が必要とされる。整合回路は、典型的には、アンテナや弾性波素子に並列接続されたインダクタ素子を利用する。
【０００４】
また、特許文献３及び４並びに非特許文献１のように、ワイヤボンディング技術を用いてワイヤをコイル状に形成することでインダクタ素子を形成することが知られている。具体的には、非特許文献１には、ワイヤボンド技術を用いて、柱部にワイヤを巻きつけたマイクロコイルの形成技術が開示されている。また、特許文献３及び４には、弾性波素子と外部基板とを電気的に接続するワイヤボンディング時にボンディングワイヤをコイル状に形成することでＱ値の良好なインダクタ素子とし利用する方法が開示されている。特許文献３及び４では、弾性波装置は、素子電極とパッケージ電極とを繋ぐボンディングワイヤをコイル状に形成し、弾性波装置毎に、基板及びキャップによって弾性波素子及びボンディングワイヤを封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／１１６２２２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／０２２８５６号公報
【特許文献３】特許第３２１８７９７号公報
【特許文献４】特開平７−２０１９３４号公報
【特許文献５】特開２０１７−１３０８７８号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】K Kratt et al. , "A fully MEMS-compatible process for 3D high aspect ratio micro coils obtained with an automatic wire bonder", 2010 J. Micromech. Microeng. 20 015021, Published 2 December 2009.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来、特許文献１及び２で示されるようなウェハレベルパッケージなどを用いた構造においては、インダクタ素子は、弾性波装置を構成する基板や弾性波装置が実装される実装基板の表面又は層間に配線によって形成される平面コイルが用いられることが一般的であったため、平面コイルのＱ値の小ささや、弾性波装置の実装に必要な実装領域の面積効率の悪さが課題となる場合があった。他方で、特許文献３及び４のようにワイヤを空芯コイル状に形成する態様においては、中空にコイルを形成しているため、装置を低背化しにくい等の小型化を図ることが難しい場合があった。
【０００８】
ところで、特許文献５には、電極用インク、絶縁体インク、及び半導体インク等の機能性インクのばらつきにより、特定の入力に対する電気的応答に、物理的に複製不能で、しかも高度なランダム性、ユニーク性、再現性を発現させ、固有の値として識別情報を出力させることができる電子装置が開示されている。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、損失低減及び小型化を図ることができる電子装置及び集合電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様に係る電子装置は、主面を有する基板と、基板の主面側に設けられたカバー層と、基板とカバー層との間に設けられた電子素子と、基板の主面とカバー層との間に内部空間を形成するように基板の主面に設けられた支持層と、内部空間に設けられた柱部と、柱部に巻回されたコイルからなり電子素子に電気的に接続されたインダクタ素子とを備えている。
【００１１】
本発明の他の一態様に係る集合電子装置は、それぞれが電子装置となる複数の部分を有し、それぞれの部分に固有の識別情報が割り当てられる集合電子装置であって、第１電子装置となる部分に含まれる第１領域と、第２電子装置となる部分に含まれる第２領域とを有する集合基板と、第１領域に設けられた第１柱部と、第２領域に設けられた第２柱部と、第１柱部に巻回された第１コイルと、第２柱部に巻回された第２コイルと、を備え、第１領域に設けられた第１コイルの電気的応答は、第２領域に設けられた第２コイルの電気的応答と異なっている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、損失低減及び小型化を図ることができる電子装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、第１実施形態に係る弾性波装置であってカバー層を除いた状態の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る弾性波装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、表面弾性波素子の電極構成の一例を示す平面図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る弾性波装置の電気的な接続関係を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、第１実施形態に係る弾性波装置の回路構成を示す図である。
【図６】図６は、第２実施形態に係る弾性波装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図７】図７は、図６に示したバルク弾性波素子の構成の一例を示す断面図である。
【図８】図８は、第３実施形態に係る弾性波装置に備えられるバルク弾性波素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【図９】図９は、第４実施形態に係る電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、第５実施形態に係る集合電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、第５実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１２】図１２は、第５実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第３コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１３】図１３は、第６実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１４】図１４は、第７実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１５】図１５は、第８実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１６】図１６は、第９実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１７】図１７は、第１０実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【図１８】図１８は、第１１実施形態に係る集合電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図１９】図１９は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における柱部及び支持層を設ける工程を概略的に示す断面図である。
【図２１】図２１は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法におけるコイルを設ける工程を概略的に示す断面図である。
【図２２】図２２は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における集合電子装置を個片化する工程を概略的に示す断面図である。
【図２３】図２３は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における電子装置の電気的応答を測定する工程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。但し、第２実施形態以降において、第１実施形態と同一又は類似の構成要素は、第１実施形態と同一又は類似の符号で表し、詳細な説明を適宜省略する。また、第２実施形態以降の実施形態において得られる効果について、第１実施形態と同様のものについては説明を適宜省略する。各実施形態の図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本願発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
【００１５】
＜第１実施形態＞
まず、図１〜図３を参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る弾性波装置１００の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る弾性波装置であってカバー層を除いた状態の構成を概略的に示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る弾性波装置の構成を概略的に示す断面図である。図３は、表面弾性波素子の電極構成の一例を示す平面図である。
【００１６】
弾性波装置１００は、表面弾性波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｆｉｌｔｅｒ）と呼ぶ。）を利用したデュプレクサである。また、弾性波装置１００は、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）によって構成される電子装置に相当する。弾性波装置１００は、基板２、支持層１６、柱部１８、カバー層２０、弾性波素子４０、及びコイル６０を備えている。
【００１７】
図２に示した構成例において、基板２は、互いに対向する主面２Ａ，２Ｂを有する矩形板状の圧電体である。基板２は、ＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3や水晶等のような圧電単結晶基板、又は圧電セラミック板により形成される。
【００１８】
支持層１６は、基板２の一方の主面２Ａの上に設けられている。支持層１６は、基板２の主面２Ａの法線方向から平面視したときに少なくとも基板２の外縁部に沿って設けられている。また、支持層１６の端面は、基板２の端面と連続して繋がるように形成されている。基板２の主面２Ａの法線方向から平面視したとき、支持層１６は、複数の内部空間ＨＡ及び複数の内部空間ＨＢを避けて設けられている。また、支持層１６には、基板２の主面２Ａの法線方向に沿って支持層１６を貫通するように複数のコンタクトホールＣＨが形成されている。つまり、支持層１６は、複数の中空部を有している。内部空間ＨＡ及び内部空間ＨＢやコンタクトホールＣＨは、例えば、塗布プロセスによって一様に成膜した支持層１６を、フォトリソグラフィ法によってエッチングすることで形成される。複数の内部空間ＨＡ及び複数の内部空間ＨＢは、互いに支持層１６によって隔てられてもよく、そのうちの幾つかが連結していてもよい。
【００１９】
支持層１６は、適宜の絶縁性材料によって設けることができる。軽量化及び低コスト化、並びに製造性向上の観点から、支持層１６は、好ましくは合成樹脂によって設けられる。これによって、支持層１６を弾性波素子４０よりも厚く設けることが容易となる。また、より好ましくは、感光性樹脂によって設けられる。支持層１６は、感光性樹脂を用いることにより、フォトリソグラフィ法などにより容易にパターニングすることができる。それによって、内部空間ＨＡ及び内部空間ＨＢを容易に設けることができる。
【００２０】
上記感光性樹脂としては、従来より周知の適宜の感光性樹脂を用いることができる。このような感光性樹脂としては、感光性ポリイミド、感光性エポキシ樹脂、感光性シリコーン樹脂などを使用できる。支持層１６は、好ましくは感光性ポリイミドによって設けられる。感光性ポリイミドは、適度な剛性及び弾力性を有し、高精度のパターニングを実施することができる。
【００２１】
柱部１８は、基板２の主面２Ａに設けられている。柱部１８は、例えば円柱状であるが、楕円柱状や多角柱状、又はこれらの組み合わせであってもよい。基板２の主面２Ａの法線方向から平面視したとき、柱部１８は、内部空間ＨＢにおいて支持層１６に間隔を空けて囲まれている。つまり、柱部１８は、内部空間ＨＢに囲まれている。例えば、柱部１８の高さは、支持層１６の高さと同等であり、柱部１８もカバー層２０と接触している。但し、柱部１８の高さは、支持層１６の高さよりも小さくてもよく、柱部１８がカバー層２０から離れていてもよい。
【００２２】
柱部１８は、例えば、支持層１６を形成する工程におけるパターニングによって、支持層１６と同時に形成される。これによれば、製造工程を削減し、製造コストを低減することができる。なお、支持層１６及び柱部１８は、１つの樹脂層に２回のパターニングを実施して形成されてもよく、それぞれ個別の樹脂層成膜工程及びパターニング工程によって形成されてもよい。柱部１８は、適宜の絶縁性材料によって設けることができるが、支持層１６と同じ絶縁性材料によって設けることが好ましい。これによれば、支持層１６及び柱部１８を同一プロセスによって設けることができ、製造コストを低減することができる。
【００２３】
カバー層２０は、基板２の主面２Ａの全面を覆うように設けられている。カバー層２０は、支持層１６に接合され、内部空間ＨＡ及び内部空間ＨＢを封止している。カバー層２０の接合は、例えば、ローラーを用いてシート状であるカバー層２０の一方側から他方側に向かって、支持層１６上にローラー圧着することで接合する工程などを用いて行われる。カバー層２０は、適宜の絶縁性材料によって設けることができる。支持層１６は、好ましくは合成樹脂によって設けられる。これによれば、弾性波装置１００の軽量化及び低コスト化、並びに製造工程を簡略化することができる。また、カバー層２０が支持層１６と同種の樹脂によって設けられることで、カバー層２０の支持層１６に対する接合性を向上させることができる。
【００２４】
カバー層２０を構成する合成樹脂としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂やポリイミドなどを用いることができる。エポキシ樹脂を用いた場合、例えば１７０℃〜２２０℃程度の温度で硬化させることができる。従って、比較的低温の硬化プロセスにより、カバー層２０を熱硬化により形成するとともに、支持層１６に接合することができ、内部空間ＨＡ及び内部空間ＨＢを封止することができる。
【００２５】
弾性波素子４０は、表面弾性波を利用して特定周波数の電気信号を送信又は受信する１ポート型弾性波共振子である。弾性波素子４０は、電子素子に相当する。この弾性波素子４０が、図１に示した直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１４，Ｓ２１〜Ｓ２３、及び並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１〜Ｐ２４のそれぞれを構成している。
【００２６】
弾性波素子４０は、基板２の主面２Ａの上に設けられた電極群３１を有する。図３に示すように、電極群３１は、櫛歯状のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１１と、周期的な電極からなる反射器１２及び反射器１３とを備えている。反射器１２及び反射器１３は、ＩＤＴ電極１１の弾性波伝搬方向両側に配置されている。ＩＤＴ電極１１の数は弾性波素子４０のポートの数に応じて変化する。図３に示した例では弾性波素子４０が１ポート型弾性波共振子であるためＩＤＴ電極１１が１つであったが、これに限定されるものではない。例えば、２ポート型の弾性波共振子の場合にはＩＤＴ電極１１が弾性波伝搬方向に２つ並び、３ポート型の弾性波共振子の場合にはＩＤＴ電極１１が弾性波伝搬方向に３つ並ぶ。
【００２７】
弾性波共振子は、機械的共振を介した電気的共振を検出する素子である。具体的には、一方のＩＤＴ電極１１に交番電圧を印加すると、基板２の主面２Ａに周期的な歪みが励振され、この周期的な歪みがＳＡＷとして基板２の主面２Ａを伝搬する。他方のＩＤＴ電極１１が到来したＳＡＷに共振し、ＳＡＷを電圧の変化に変換する。反射器１２及び反射器１３は、例えばＳＡＷの半波長のピッチで電極を並べることで、ＳＡＷをブラッグ反射して共振特性を向上させる。
【００２８】
以上のように、弾性波素子４０は基板２の歪みを利用する素子であるため、歪みを阻害しないように内部空間ＨＡの中に設けられる。なお、電子素子は表面弾性波素子に限定されるものではなく、バルク弾性波素子でもよい。電子素子は、バルク弾性波素子である場合でも、表面弾性波素子である場合と同様に内部空間ＨＡの中に設けられる。また、電子素子は、コイル６０に電気的に接続されるものであれば、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やコンデンサ等の電子素子であってもよい。このような内部空間を必要としない電子素子の場合、電子素子は、支持層１６に接触するように覆われていてもよい。
【００２９】
コイル６０は、柱部１８に巻回されたワイヤからなり、弾性波素子４０に電気的に接続されている。コイル６０は、柱部１８にワイヤボンド装置を用いてワイヤを巻きつけて形成されており、例えば螺旋状に巻回されたソレノイドコイルである。柱部１８の直径は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、コイル６０に必要なインダクタンス値によって選定される。コイル６０を構成するワイヤは、例えば、２５μｍ以上１００μｍ以下の線幅を有し、０．１μｍ以上の厚さの絶縁膜でコーティングされている。コイル６０は、例えば、このようなコーティングワイヤを用いて隣り合うワイヤが接触するように巻回される、いわゆるマイクロコイルである。
【００３０】
柱部１８には例えば、貫通孔１９が形成されている。コイル６０の高周波でのコア損失を低減する観点から、柱部１８の貫通孔１９は、例えば中空となっている。柱部１８の機械的強度を向上させる観点から、貫通孔１９に柱部１８を構成する樹脂材料よりも剛性が大きいコアが挿通されていてもよい。例えば、コアが空気よりも透磁率が大きい材料によって設けられていれば、コイル６０のインダクタンスを増大させることができる。また、コアがフェライトによって設けられていれば、コイル６０における過電流の発生を防止し、ヒステリシス損失を低減することができる。また、コアが非磁性体材料によって設けられていれば、コイル６０における高周波でのコア損失を低減することができる。なお、貫通孔１９は省略されてもよい。
【００３１】
なお図２に示すように、基板２の主面２Ａの上には、電極群３１と同様に、配線３３及び電極パッド３６が設けられている。配線３３は、各弾性波素子４０を互いに電気的に接続し、また、弾性波素子４０とコイル６０とを電気的に接続している。電極パッド３６は、配線３３と連続するように設けられている。電極群３１、配線３３、及び電極パッド３６は、適宜の導電性材料によって設けられる。このような導電性材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｃ等の金属もしくはこれらの合金を挙げることができる。但し、導電性材料は金属に限定されるものではなく、例えば導電性樹脂であってもよい。また、電極群３１、配線３３、及び電極パッド３６は、例えばこれらの導電性材料を積層してなる多層膜であってもよい。
【００３２】
また、コンタクトホールＣＨの内部には、ビア電極Ｖが設けられている。コンタクトホールＣＨは支持層１６及びカバー層２０に連続して形成されており、ビア電極Ｖは、カバー層２０の上面側（基板２とは反対側）まで設けられている。カバー層２０の上面側において、ビア電極Ｖは端子電極Ｔに電気的に接続されている。端子電極Ｔは、弾性波装置１００を外部基板に実装するための接点であり、例えば半田からなる金属バンプである。
【００３３】
次に、図４及び図５を参照しつつ、弾性波装置１００の回路構成について説明する。図４は、第１実施形態に係る弾性波装置の電気的な接続関係を概略的に示す平面図である。図５は、第１実施形態に係る弾性波装置の回路構成を示す図である。なお、インダクタ素子Ｌ１１〜Ｌ１４及びインダクタ素子Ｌ２１〜Ｌ２７は、それぞれ、コイル６０によって構成されている。
【００３４】
弾性波装置１００は、送信フィルタ７、受信フィルタ８、及び整合回路９を備えている。また、弾性波装置１００は、送信端子５、受信端子６、アンテナ端子３、及び接地端子４を備えている。送信端子５は、送信フィルタ７の一端に設けられ、例えば、外部基板に備えられた電力増幅器（ＰＡ：Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）に電気的に接続されている。受信端子６は、受信フィルタ８の一端に設けられ、例えば、外部基板に備えられた低雑音増幅器（ＬＮＡ：Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）に電気的に接続されている。アンテナ端子３は、送信フィルタ７及び受信フィルタ８のそれぞれの他端が合流するように設けられ、例えば、外部基板に設けられたアンテナ（ＡＮＴ：Ａｎｔｅｎｎａ）に電気的に接続されている。接地端子４は、並列接続されたインダクタ素子に電気的に接続され、接地電位を供給している。
【００３５】
送信フィルタ７は、例えば、ＰＡが発生する熱雑音等がアンテナ端子３や受信端子６へ回り込むのを抑制し、ＡＮＴからの不要な電波の放射やＬＮＡへのノイズの混入を抑制するフィルタ回路である。送信フィルタ７は、ラダー型回路構成を有する。すなわち、それぞれが弾性波素子４０からなる直列腕共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，及びＳ１４と、並列腕共振子Ｐ１１及びＰ１２と、を有する。直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１４は、互いに直列接続されており、並列腕共振子Ｐ１１及びＰ１２は、直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１４に並列接続されている。また、送信フィルタ７は、コイル６０からなるインダクタ素子Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ１３，及びＬ１４を有する。
【００３６】
インダクタ素子Ｌ１１は、直列腕共振子Ｓ１１とアンテナ端子３との間に直列接続されている。並列腕共振子Ｐ１１は、直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２の間の配線３３に接続されている。インダクタ素子Ｌ１２は、並列腕共振子Ｐ１１に直列接続され、接地電位に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２は、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４の間の配線３３に接続されている。インダクタ素子Ｌ１３は、並列腕共振子Ｐ１２に直列接続され、接地電位に接続されている。インダクタ素子Ｌ１４は、直列腕共振子Ｓ１４と送信端子５との間に直列接続されている。
【００３７】
受信フィルタ８は、例えば、ＰＡで増幅された信号がＬＮＡへ回り込むことによる、ＬＮＡの飽和に起因した受信感度の低下を抑制するフィルタ回路である。受信フィルタ８は、ラダー型回路構成を有する。すなわち、それぞれが弾性波素子４０からなる直列腕共振子Ｓ２１，Ｓ２２，及びＳ２３と、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３，及びＰ２４と、を有する。直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３は、互いに直列接続されており、並列腕共振子Ｐ２１〜Ｐ２４は、直列腕共振子Ｓ２１〜Ｓ２３に並列接続されている。また、受信フィルタ８は、コイル６０からなるインダクタ素子Ｌ２２，Ｌ２３，Ｌ２４，Ｌ２５，Ｌ２６，及びＬ２７を有する。
【００３８】
インダクタ素子Ｌ２２は、直列腕共振子Ｓ２１と整合回路９との間に直列接続されている。並列腕共振子Ｐ２１は、インダクタ素子Ｌ２２及び直列腕共振子Ｓ２１の間の配線３３に接続されている。インダクタ素子Ｌ２３は、並列腕共振子Ｐ２１に直列接続され、接地電位に接続されている。並列腕共振子Ｐ２２及びインダクタ素子Ｌ２４も同様に、直列腕共振子Ｓ２１及び直列腕共振子Ｓ２２の間の配線３３に接続されている。並列腕共振子Ｐ２３及びインダクタ素子Ｌ２５も同様に、直列腕共振子Ｓ２２及び直列腕共振子Ｓ２３の間の配線３３に接続されている。並列腕共振子Ｐ２４及びインダクタ素子Ｌ２６も同様に、直列腕共振子Ｓ２３及びインダクタ素子Ｌ２７の間の配線３３に接続されている。インダクタ素子Ｌ２７は、直列腕共振子Ｓ２３と受信端子６との間に直列接続されている。
【００３９】
整合回路９は、例えば、ＡＮＴからの出力インピーダンスと受信フィルタ８への入力インピーダンスを合わせるための回路である。整合回路は、アンテナ端子３と受信フィルタ８との間に並列接続され、接地電位に接続されたインダクタ素子Ｌ２１からなる回路構成を有する。
【００４０】
なお、弾性波装置１００の回路構成は上記に限定されるものではない。例えば、受信フィルタ８が、縦結合共振子型弾性波フィルタを備えていてもよい。
【００４１】
このように、ウェハレベルパッケージによって弾性波装置１００を製造する際に支持層１６と同じ層にコイル６０のコアとなる柱部１８を形成することで、弾性波装置１００の内部にＱ値が良好でコンパクトなインダクタ素子を形成することができる。このため、弾性波装置１００に内蔵される回路のインピーダンス不整合を解消することができる。また、弾性波装置１００に組み込むインダクタ素子を増加させることができる。
【００４２】
次に、他の実施形態について説明する。以下のそれぞれの実施形態では、上記の第１実施形態と共通の事柄については記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。第１実施形態と同様の符号が付された構成は、第１実施形態における構成と同様の構成及び機能を有するものとし、詳細な説明を省略する。同様の構成による同様の作用効果については言及しない。
【００４３】
＜第２実施形態＞
図６及び図７を参照しつつ、第２実施形態に係る弾性波装置２００の構成について説明する。図６は、第２実施形態に係る弾性波装置の構成を概略的に示す断面図である。図７は、図６に示したバルク弾性波素子の構成の一例を示す断面図である。
【００４４】
第２実施形態に係る弾性波装置２００は、弾性波素子２４０においてバルク弾性波（ＢＡＷ：Ｂａｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を利用するＢＡＷフィルタの一種であるという点で、第１実施形態に係る弾性波装置１００と相違している。また、基板２０２は圧電体である必要はなく、例えばシリコン基板やガラス基板からなる。このようなＢＡＷフィルタであっても、ＳＡＷフィルタと同様に、デュプレクサとして機能する弾性波装置２００を構成することができる。
【００４５】
弾性波素子２４０は、圧電薄膜の厚さ方向に伝搬するＢＡＷを利用するエアギャップ型バルク波共振子（ＦＢＡＲ：Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）である。弾性波素子２４０は、基板２０２の上に、バンク２４１、下部保護膜２４４、下部電極２４５、圧電薄膜２４６、上部電極２４７、及び上部保護膜２４８を備えている。
【００４６】
バンク２４１は、基板２０２と下部保護膜２４４との間に空隙Ａを形成している。下部電極２４５は下部保護膜２４４の上に設けられている。圧電薄膜２４６が、下部電極２４５の上に設けられている。上部電極２４７は、圧電薄膜２４６の上に設けられている。また、上部電極２４７は、基板２０２の主面２０２Ａの法線方向から平面視したとき、空隙Ａと重なる領域において、圧電薄膜２４６と介して下部電極２４５と対向している。上部保護膜２４８は、上部電極２４７を覆っている。空隙Ａの上方において下部電極２４５と上部電極２４７とが対向している部分が励振部を構成している。つまり交番電圧が印加された際に、この励振部においてＢＡＷが発生し、圧電薄膜２４６の厚さに応じた周波数で共振する。空隙Ａは、ＢＡＷの基板２０２側への漏れを抑制している。なお、空隙Ａは特に限定されるものではなく、バンク２４１に依らずに、基板２０２をエッチングして形成してもよい。
【００４７】
下部保護膜２４４及び上部保護膜２４８は、適宜の絶縁性材料によって設けられる。このような絶縁性材料としては、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、等のシリコン化合物が挙げられる。絶縁性材料は、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、等の不純物濃度の低い高抵抗シリコンであってもよい。また、絶縁性材料は、窒化アルミニウム、スカンジウム窒化アルミニウム、等のシリコンを含有しない無機物であってもよく、ポリイミド等の有機物であってもよい。
【００４８】
下部電極２４５及び上部電極２４７は、適宜の導電性材料によって設けられる。このような導電性材料としては、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｓｃ等の金属もしくはこれらの合金を挙げることができる。但し、導電性材料は金属に限定されるものではなく、例えば導電性樹脂であってもよい。また、電極群３１、配線３３、及び電極パッド３６は、例えばこれらの導電性材料を積層してなる多層膜であってもよい。
【００４９】
圧電薄膜２４６は、適宜の圧電特性を示す圧電体によって設けられる。このような圧電体としては、例えばチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、タングステン酸ナトリウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、スカンジウム窒化アルミニウム、水晶、等が挙げられる。
【００５０】
＜第３実施形態＞
図８を参照しつつ、第３実施形態に係る弾性波装置３００の構成について説明する。図８は、第３実施形態に係る弾性波装置に備えられるバルク弾性波素子の構成の一例を概略的に示す断面図である。
【００５１】
第３実施形態に係る弾性波装置３００は、弾性波素子３４０が音響反射型バルク波共振子（ＳＭＲ：Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）である点で、第２実施形態に係る弾性波装置２００と相違している。弾性波素子３４０は、空隙Ａの代わりに音響インピーダンスが異なる約λ／４厚の薄膜を交互に積層してなる音響反射層３４２を利用している点で弾性波素子２４０と相違している。つまり、弾性波素子３４０においては、音響反射層３４２がＢＡＷの振動エネルギーの基板への漏れを抑制している。なお、λは、弾性波の波長を示すものである。つまり、音響反射層３４２の薄膜の厚さ（λ／４）を調整することで、特定の波長の弾性波のみを音響反射層３４２で反射し、不要な波長の弾性波を漏出させることができる。
【００５２】
具体的には、基板３０２と下部電極３４５との間に音響反射層３４２が設けられている。音響反射層３４２は、相対的に高い音響インピーダンス層３４２ａ，３４２ｃと、相対的に低い音響インピーダンス層３４２ｂ，３４２ｄとを交互に積層した構造を有する。音響反射層３４２は、下部保護膜の機能を兼ねている。なお、下部電極３４５、圧電薄膜３４６、上部電極３４７、及び上部保護膜３４８は、第２実施形態に係る弾性波素子２４０と同様の構成であってもよい。
【００５３】
＜第４実施形態＞
図９を参照しつつ、第４実施形態に係る弾性波装置４００の構成について説明する。図９は、第４実施形態に係る電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００５４】
第４実施形態に係る電子装置４００は、電子素子４４０が支持層４１６に埋没している点で、第１実施形態１００に係る弾性波装置１００と相違している。電子素子４４０は、振動等の機械的な変形を伴わず、周囲に内部空間を必要としない素子であり、例えば、ＴＦＴやコンデンサ等である。電子素子４４０は、支持層４１６に覆われている。つまり、電子素子４４０は、支持層４１６を介して、基板４０２及びカバー層４２０によって固定されている。また、配線４３３は、コイル４６０近傍の内部空間ＨＢを除き、支持層４１６に覆われている。つまり、第４実施形態に係る配線４３３の支持層４１６による被覆率は、第１実施形態に係る配線３３の支持層１６による被覆率よりも大きい。これによって、電子装置４００は、落下等の衝撃による電子素子４４０の脱落や配線４３３の断線等といった不具合の発生率を抑制することができる。
【００５５】
＜第５実施形態＞
図１０〜１２を参照しつつ、第５実施形態に係る集合電子装置５００の構成について説明する。図１０は、第５実施形態に係る集合電子装置の構成を概略的に示す断面図である。図１１は、第５実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。図１２は、第５実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第３コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【００５６】
集合電子装置とは、電子装置の製造工程において形成される部材である。集合電子装置は、それぞれが電子装置となる複数の部分が一体的・連続的に形成された集合物である。集合電子装置を個片化することによって、複数の電子装置が形成される。電子装置となるそれぞれの部分には、固有の識別情報が割り当てられる。電子装置に割り当てられた固有の識別情報は、真正品の電子装置同士を区別するのに利用可能である。また、固有の識別情報は、偽造された電子装置の判別に利用可能である。
【００５７】
集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐを有している。第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐは、それぞれ電子装置となる部分である。第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐは隣り合って並んでいる。但し、集合電子装置が有する電子装置となる部分の数は２つに限定されるものではない。集合電子装置は、それぞれが電子装置となる３つ以上の部分を有してもよい。また、それぞれが電子装置となる部分は、一列に並んで形成されるものに限定されず、格子状や千鳥状など２次元に並んで形成されてもよい。
【００５８】
集合電子装置５００は、集合基板５１０、集合カバー層５２０、複数の配線５３１，５３２，５３３，５３４、第１電子素子５４１、第２電子素子５４２、複数の電極パッド対５５１ａ，５５１ｂ，５５２ａ，５５２ｂ，５５３ａ，５５３ｂ，５５４ａ，５５４ｂ、複数のコイル５６１，５６２，５６３，５６４、複数の柱部５７１，５７２，５７３，５７４、第１支持層５８１、及び第２支持層５８２を備えている。
【００５９】
複数の配線５３１，５３２は、それぞれ、第１部分５０１ｐの第１配線に相当する。複数の配線５３３，５３４は、それぞれ、第２部分５０２ｐの第２配線に相当する。複数の電極パッド対５５１ａ，５５１ｂ，５５２ａ，５５２ｂは、それぞれ、第１部分５０１ｐの第１電極パッド対に相当する。複数の電極パッド対５５３ａ，５５３ｂ，５５４ａ，５５４ｂは、それぞれ、第２部分５０２ｐの第２電極パッド対に相当する。複数のコイル５６１，５６２は、それぞれ、第１部分５０１ｐの第１コイルに相当する。複数のコイル５６３，５６４は、それぞれ、第２部分５０２ｐの第２コイルに相当する。複数の柱部５７１，５７２は、それぞれ、第１部分５０１ｐの第１柱部に相当する。複数の柱部５７３，５７４は、それぞれ、第２部分５０２ｐの第２柱部に相当する。
【００６０】
なお、第１部分５０１ｐに形成された、第１電子素子５４１、複数の配線５３１，５３２、複数の電極パッド対５５１ａ，５５１ｂ，５５２ａ，５５２ｂ、及び複数のコイル５６１，５６２は、互いに電気的に接続されており、第１部分５０１ｐの電気回路を形成している。また、第２部分５０２ｐに形成された、第２電子素子５４２、複数の配線５３３，５３４、複数の電極パッド対５５３ａ，５５３ｂ，５５４ａ，５５４ｂ、及び複数のコイル５６３，５６４は、互いに電気的に接続されており、第２部分５０２ｐの電気回路を形成している。
【００６１】
集合基板５１０は、互いに対向する主面５１０Ａ，５１０Ｂを有する平板状の基板である。集合基板５１０は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐに亘り延在している。主面５１０Ａは、第１部分５０１ｐに第１領域５１１Ａを有し、第２部分５０２ｐに第２領域５１２Ａを有している。第１領域５１１Ａと第２領域５１２Ａは、第１部分５０１ｐと第２部分５０２ｐとの境界において、連続的に繋がっている。集合基板５１０は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する材料によって形成されている。
【００６２】
集合カバー層５２０は、集合基板５１０の主面５１０Ａ側に設けられている。集合カバー層５２０は、第１支持層５８１及び第２支持層５８２を挟んで集合基板５１０に対向している。集合カバー層５２０は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐに亘り延在している。集合カバー層５２０は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する材料によって形成されている。
【００６３】
配線５３１及び配線５３２は、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられている。配線５３１と配線５３２とは、第１電子素子５４１を通して互いに電気的に接続されている。配線５３３及び配線５３４は、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられている。配線５３３と配線５３４とは、第２電子素子５４２を通して互いに電気的に接続されている。
【００６４】
第１電子素子５４１は、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられ、複数のコイル５６１，５６２と電気的に接続されている。第２電子素子５４２は、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられ、複数のコイル５６３，５６４と電気的に接続されている。
【００６５】
電極パッド対５５１ａ，５５１ｂ及び電極パッド対５５２ａ，５５２ｂは、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられている。電極パッド５５１ａは、配線５３１を通して第１電子素子５４１と電気的に接続されている。電極パッド５５２ａは、配線５３２を通して第１電子素子５４１と電気的に接続されている。
【００６６】
電極パッド対５５３ａ，５５３ｂ及び電極パッド対５５４ａ，５５４ｂは、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられている。電極パッド５５３ａは、配線５３３を通して第２電子素子５４２と電気的に接続されている。電極パッド５５４ａは、配線５３４を通して第２電子素子５４２と電気的に接続されている。
【００６７】
コイル５６１及びコイル５６２は、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられている。コイル５６１は、柱部５７１に巻回されている。コイル５６１は、一対の電極パッド５５１ａ及び電極パッド５５１ｂを互いに電気的に接続するボンディングワイヤによって形成されている。つまり、コイル５６１の一端は電極パッド５５１ａに接合され、コイル５６１の他端は電極パッド５５１ｂに接合されている。コイル５６２は、柱部５７２に巻回されている。コイル５６２は、一対の電極パッド５５２ａ及び電極パッド５５２ｂを互いに電気的に接続するボンディングワイヤによって形成されている。つまり、コイル５６２の一端は電極パッド５５２ａに接合され、コイル５６２の他端は電極パッド５５２ｂに接合されている。
【００６８】
コイル５６３及びコイル５６４は、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられている。コイル５６３は、柱部５７３に巻回されている。コイル５６３は、一対の電極パッド５５３ａ及び電極パッド５５３ｂを互いに電気的に接続するボンディングワイヤによって形成されている。つまり、コイル５６３の一端は電極パッド５５３ａに接合され、コイル５６３の他端は電極パッド５５３ｂに接合されている。コイル５６４は、柱部５７４に巻回されている。コイル５６４は、一対の電極パッド５５４ａ及び電極パッド５５４ｂを互いに電気的に接続するボンディングワイヤによって形成されている。つまり、コイル５６４の一端は電極パッド５５４ａに接合され、コイル５６４の他端は電極パッド５５４ｂに接合されている。なお、ボンディングワイヤは、コイルの短絡を防止する観点から、例えば絶縁膜で被覆されている。
【００６９】
コイル５６１のインダクタンスの値は、コイル５６３のインダクタンスの値と異なっている。コイル５６１のインダクタンスの値は、コイル５６２のインダクタンスの値と異なっている。コイル５６３のインダクタンスの値は、コイル５６４のインダクタンスの値と略同じである。具体的には、図１１及び図１２に示すように、コイル５６１の巻き数は、コイル５６２の巻き数と異なり、コイル５６３の巻き数と異なっている。例えば、コイル５６１の巻き数は、コイル５６２の巻き数よりも多く、コイル５６３の巻き数よりも多い。コイル５６３の巻き数は、コイル５６４の巻き数と同じである。したがって、第１領域５１１Ａに設けられたコイル５６１の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられたコイル５６３の電気的応答と異なっている。第１領域５１１Ａに設けられた複数のコイル５６１，５６２の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられた複数のコイル５６３，５６４の電気的応答と異なっている。以上のことから、第１部分５０１ｐの電気回路の電気的応答は、第２部分５０２ｐの電気回路の電気的応答と異なっている。なお、ここで述べた電気的応答は、特定の入力に対する電磁的な出力特性に相当し、例えば、インピーダンス、共振周波数、起電力、などである。
【００７０】
柱部５７１及び柱部５７２は、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられている。柱部５７１は、直径ＯＤ５１の円柱状である。図１１及び図１２に示すように、柱部５７１には、直径ＩＤ５１の貫通孔が形成されている。図１２に示すように、柱部５７２は、直径ＯＤ５２の円柱状である。柱部５７２には、直径ＩＤ５２の貫通孔が形成されている。
【００７１】
柱部５７３及び柱部５７３は、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられている。図１１に示すように、柱部５７３は、直径ＯＤ５３の円柱状である。柱部５７３には、直径ＩＤ５３の貫通孔５７３ｈが形成されている。同様に、柱部５７４も円柱状であり、貫通孔５７４ｈが形成されている。なお、柱部５７１、柱部５７２、柱部５７３及び柱部５７３の形状は、上記に限定されるものではなく、多角柱状、楕円柱状、及びこれらの組み合わせであってもよい。
【００７２】
第１支持層５８１は、集合基板５１０の第１領域５１１Ａに設けられている。第２支持層５８２は、集合基板５１０の第２領域５１２Ａに設けられている。第１支持層５８１及び第２支持層５８２は、集合基板５１０と集合カバー層５２０とを接合している。第１支持層５８１及び第２支持層５８２は、柱部５７１，５７２，５７３，５７４と同じ材料によって設けられている。
【００７３】
第１支持層５８１は、集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に内部空間ＨＡ５１，ＨＢ５１，ＨＢ５２を形成している。内部空間ＨＡ５１には、第１電子素子５４１が収容されている。内部空間ＨＢ５１にはコイル５６１が収容され、内部空間ＨＢ５２にはコイル５６２が収容されている。言い換えると、第１支持層５８１は、集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に、第１電子素子５４１、コイル５６１、及びコイル５６２を封止している。同様に、第２支持層５８２は、集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に内部空間ＨＡ５２，ＨＢ５３，ＨＢ５４を形成している。内部空間ＨＡ５２には第２電子素子５４２が収容され、内部空間ＨＢ５３にはコイル５６３が収容され、内部空間ＨＢ５４にはコイル５６４が収容されている。集合電子装置５００は、内部空間ＨＡ５１，ＨＢ５１，ＨＢ５２，ＨＡ５２，ＨＢ５３，ＨＢ５４の気密性が良好であることが望ましい。内部空間ＨＡ５１，ＨＢ５１，ＨＢ５２，ＨＡ５２，ＨＢ５３，ＨＢ５４は、大気圧に比べて減圧されていることが望ましく、真空状態であることがさらに望ましい。
【００７４】
以下に、第５実施形態に係る集合電子装置５００の特徴の一部を纏める。
第１領域５１１Ａに設けられた第１コイル５６１の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられた第２コイル５６３の電気的応答と異なっている。これにより、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれに固有の電気的応答を有することができる。集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれの電気的応答を、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれに割り当てられる識別情報として利用することができる。第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐの識別情報は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれから製造される電子装置の識別情報となる。コイルの電気的応答はランダム性、ユニーク性が高いことから、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれから製造される電子装置に、偽造の困難な識別情報を割り当てることができる。すなわち、集合電子装置５００は、偽造品の判別や流通ルートの照会などの精度を向上させることが可能な、セキュリティ性能の高い電子装置を提供可能である。
【００７５】
第１コイル５６１のインダクタンスの値は、第２コイル５６３のインダクタンスの値と異なっている。これによれば、第１コイル５６１と第２コイル５６３との間で電気的応答を異ならせる要素として、インダクタンスの値を利用することができる。
【００７６】
第１領域５１１Ａに設けられた複数の第１コイル５６１，５６２の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられた複数の第２コイル５６３，５６４の電気的応答と異なっている。第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれの電気回路に複数のコイルが含まれることにより、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれの電気回路の固有の電気的応答をより複雑にすることができる。すなわち、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐに割り当てられる識別情報のランダム性、ユニーク性を向上させることができる。これによれば、集合電子装置５００は、よりセキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。
【００７７】
複数の第１柱部５７１，５７２のいずれか１つに巻回されたコイル５６１のインダクタンスの値は、複数の第１柱部５７１，５７２の他の１つに巻回されたコイル５６２のインダクタンスの値と異なっている。これにより、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐそれぞれから製造される電子装置の識別情報を複雑化し、電子装置の偽造のための識別情報の解析を困難にすることができる。
【００７８】
第１コイル５６１と第２コイル５６３は、巻き数が異なっている。これによれば、集合電子装置５００は、コイルの巻き数をパラメータとすることによって、第１コイル５６１と第２コイル５６３の電気的応答を事前に設計することができる。したがって、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐの電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略可能である。そして、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐに事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を割り当てることができる。つまり、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐへの識別情報の割り当てを簡略化することができる。
【００７９】
複数の第１柱部５７１，５７２のいずれか１つに巻回されたコイル５６１と他の１つに巻回されたコイル５６２は、巻き数が異なっている。これによれば、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐの電気的応答を事前に設計することができる。したがって、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐの電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略して、第１部分５０１ｐに事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を割り当てることができる。つまり、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐへの識別情報の割り当てを簡略化しつつ、第１部分５０１ｐへ割り当てられる識別情報を複雑化させることができる。
【００８０】
集合電子装置５００は、第１柱部５７１，５７２と同じ材料で設けられた第１支持層５８１と、第２柱部５７３，５７４と同じ材料で設けられた第２支持層５８２と、第１支持層５８１及び第２支持層５８２を挟んで集合基板５１０に対向する集合カバー層５２０と、を備えている。すなわち、集合電子装置５００の第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐは、電子装置のＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）に相当する。集合電子装置５００は、ＷＬＰのパッケージング工程の一部である第１支持層５８１及び第２支持層５８２の形成工程を利用して、第１柱部５７１，５７２及び第２柱部５７３，５７４を形成することができる。
【００８１】
第１コイル５６１，５６２は、第１支持層５８１によって集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に形成される内部空間ＨＢ５１，ＨＢ５２に収容され、第２コイル５６３，５６４は、第２支持層５８２によって集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に形成される内部空間ＨＢ５３，ＨＢ５４に収容されている。これによれば、集合電子装置５００は、酸化、拡散などによるボンディングワイヤの変性に起因した第１コイル５６１，５６２及び第２コイル５６３，５６４の電気的応答の変化を抑制することができる。つまり、集合電子装置５００は、時間経過による識別情報の変化を抑制し、識別能力の喪失を抑制可能な電子装置を提供することができる。なお、酸化、拡散などによるボンディングワイヤの変性を抑制する観点から、内部空間ＨＢ５１，ＨＢ５２，ＨＢ５３，ＨＢ５４は減圧されていることが望ましく、真空状態であることがさらに望ましい。
【００８２】
集合カバー層５２０は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する。これによれば、集合電子装置５００は、第１部分５０１ｐ及び第２部分５０２ｐの電気的応答の外部からの測定を阻害することができる。つまり、集合電子装置５００は、識別情報の読み取りが困難な電子装置を提供することができる。
【００８３】
＜第６実施形態＞
図１３を参照しつつ、第６実施形態に係る集合電子装置６００の構成について説明する。図１３は、第６実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【００８４】
第６実施形態に係る集合電子装置６００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板６１０及び集合カバー層６２０を備えている。第１部分６０１ｐには、配線６３１、電極パッド対６５１ａ，６５１ｂ、コイル６６１、柱部６７１、第１支持層６８１が設けられている。第２部分６０２ｐには、配線６３３、電極パッド対６５３ａ，６５３ｂ、コイル６６３、柱部６７３、第２支持層６８２が設けられている。
【００８５】
第６実施形態に係る集合電子装置６００は、柱部６７１の直径ＯＤ６１が柱部６７３の直径ＯＤ６３と異なる点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。言い換えると、コイル６６１とコイル６６３は、直径が異なっている。また、コイル６６１とコイル６６３との巻き数が同じである点でも相違している。なお、柱部６７１に形成された貫通孔６７１ｈの直径ＩＤ６１は、柱部６７３に形成された貫通孔６７３ｈの直径ＩＤ６３と同じである。柱部６７１の直径ＯＤ６１は、例えば、柱部６７３の直径ＯＤ６３よりも小さい。
【００８６】
これにより、集合電子装置６００は、コイル６６１とコイル６６３のインダクタンスの値を異ならせることができる。すなわち、集合電子装置６００は、コイル６６１とコイル６６３の電気的応答を異ならせることができ、第１部分６０１ｐと第２部分６０２ｐの電気的応答を異ならせることができる。また、集合電子装置６００は、コイルの直径をパラメータとすることによって、コイル６６１とコイル６６３の電気的応答を事前に設計することができる。集合電子装置６００は、電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略し、事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を第１部分６０１ｐ及び第２部分６０２ｐに割り当てることができる。なお、集合電子装置は、第１部分の複数の第１コイルのうち２つのコイルの直径を異ならせてもよい。これによれば、第１部分の電気的応答をより複雑にすることができる。
【００８７】
＜第７実施形態＞
図１４を参照しつつ、第７実施形態に係る集合電子装置７００の構成について説明する。図１４は、第７実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【００８８】
第７実施形態に係る集合電子装置７００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板７１０及び集合カバー層７２０を備えている。第１部分７０１ｐには、配線７３１、電極パッド対７５１ａ，７５１ｂ、コイル７６１、柱部７７１、第１支持層７８１が設けられている。第２部分７０２ｐには、配線７３３、電極パッド対７５３ａ，７５３ｂ、コイル７６３、柱部７７３、第２支持層７８２が設けられている。
【００８９】
第７実施形態に係る集合電子装置７００は、コイル７６１のピッチＰＴ１がコイル７６３のピッチＰＴ３と異なる点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。また、コイル７６１とコイル７６３との巻き数が同じである点でも相違している。コイル７６１のピッチＰＴ１は、例えば、コイル７６３のピッチＰＴ３よりも大きい。
【００９０】
これにより、集合電子装置７００は、コイル７６１とコイル７６３のインダクタンスの値を異ならせることができる。すなわち、集合電子装置７００は、コイル７６１とコイル７６３の電気的応答を異ならせることができ、第１部分７０１ｐと第２部分７０２ｐの電気的応答を異ならせることができる。なお、コイルのピッチは制御の難易度が高い。したがって、コイル７６１のピッチＰＴ１とコイル７６３のピッチＰＴ３の設計値からの制御困難な変動に起因して、第１部分７０１ｐ及び第２部分７０２ｐは、ランダム性、ユニーク性の高い電気的特性を有することとなる。これによれば、集合電子装置７００は、第１部分７０１ｐ及び第２部分７０２ｐにランダム性、ユニーク性の高い識別情報を割り当てることができ、セキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。なお、集合電子装置は、第１部分の複数の第１コイルのうち２つのコイルのピッチを異ならせてもよい。これによれば、第１部分の電気的応答をより複雑にすることができる。
【００９１】
＜第８実施形態＞
図１５を参照しつつ、第８実施形態に係る集合電子装置８００の構成について説明する。図１５は、第８実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【００９２】
第８実施形態に係る集合電子装置８００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板８１０及び集合カバー層８２０を備えている。第１部分８０１ｐには、配線８３１、電極パッド対８５１ａ，８５１ｂ、コイル８６１、柱部８７１、第１支持層８８１が設けられている。第２部分８０２ｐには、配線８３３、電極パッド対８５３ａ，８５３ｂ、コイル８６３、柱部８７３、第２支持層８８２が設けられている。
【００９３】
第８実施形態に係る集合電子装置８００は、コイル８６１の軌道形状がコイル８６３の軌道形状と異なる点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。また、コイル８６１とコイル８６３との巻き数が同じである点でも相違している。例えば、コイル８６１は、集合基板８１０との距離と集合カバー層８２０との距離を比較したとき、集合カバー層８２０の近くに巻回されている。また、コイル８６３は、集合基板８１０との距離と集合カバー層８２０との距離を比較したとき、集合基板８１０の近くに巻回されている。
【００９４】
これにより、集合電子装置８００は、コイル８６１とコイル８６３のインダクタンスの値を異ならせることができる。すなわち、集合電子装置８００は、コイル８６１とコイル８６３の電気的応答を異ならせることができ、第１部分８０１ｐと第２部分８０２ｐの電気的応答を異ならせることができる。なお、コイルの軌道形状は制御の難易度が高い。したがって、コイル８６１とコイル８６３の軌道形状の制御困難な変動に起因して、コイル８６１とコイル８６３は、ランダム性、ユニーク性の高いインダクタンスを有することとなる。これによれば、集合電子装置８００は、第１部分８０１ｐ及び第２部分８０２ｐにランダム性、ユニーク性の高い識別情報を割り当てることができ、セキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。なお、集合電子装置は、第１部分の複数の第１コイルのうち２つのコイルのピッチを異ならせてもよい。これによれば、第１部分の電気的応答をより複雑にすることができる。
【００９５】
＜第９実施形態＞
図１６を参照しつつ、第９実施形態に係る集合電子装置９００の構成について説明する。図１６は、第９実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【００９６】
第９実施形態に係る集合電子装置９００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板９１０及び集合カバー層９２０を備えている。第１部分９０１ｐには、配線９３１、電極パッド対９５１ａ，９５１ｂ、コイル９６１、柱部９７１、第１支持層９８１が設けられている。柱部９７１には、貫通孔９７１ｈが形成されている。第２部分９０２ｐには、配線９３３、電極パッド対９５３ａ，９５３ｂ、コイル９６３、柱部９７３、第２支持層９８２が設けられている。柱部９７３には、貫通孔９７３ｈが形成されている。
【００９７】
第９実施形態に係る集合電子装置９００は、貫通孔９７１ｈの直径ＩＤ９１が貫通孔９７３ｈの直径ＩＤ９３と異なる点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。貫通孔９７１ｈの直径ＩＤ９１は、例えば、貫通孔９７３ｈの直径ＩＤ９３よりも大きい。また、コイル９６１とコイル９６３との巻き数が同じである点でも相違している。なお、柱部９７１の直径ＯＤ９１は、柱部９７３の直径ＯＤ９３と同じである。
【００９８】
これにより、集合電子装置９００は、コイル９６１とコイル９６３のインダクタンスの値を異ならせることができる。すなわち、集合電子装置９００は、コイル９６１とコイル９６３の電気的応答を異ならせることができ、第１部分９０１ｐと第２部分９０２ｐの電気的応答を異ならせることができる。また、集合電子装置９００は、コイルに形成される貫通孔の直径をパラメータとすることによって、コイル９６１とコイル９６３の電気的応答を事前に設計することができる。集合電子装置９００は、電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略し、事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を第１部分９０１ｐ及び第２部分９０２ｐに割り当てることができる。貫通孔９７１ｈの直径ＩＤ９１と貫通孔９７３ｈの直径ＩＤ９３のうち一方の大きさがゼロであってもよい。つまり、集合電子装置９００は、第１柱部及び第２柱部の一方には貫通孔が形成され、他方には貫通孔の形成が省略されてもよい。なお、集合電子装置は、第１部分の複数の第１コイルのうち２つのコイルの直径を異ならせてもよい。これによれば、第１部分の電気的応答をより複雑にすることができる。
【００９９】
＜第１０実施形態＞
図１７を参照しつつ、第１０実施形態に係る集合電子装置Ａ００の構成について説明する。図１７は、第１０実施形態に係る集合電子装置の第１コイル及び第２コイルを中心とした構成を概略的に示す拡大断面図である。
【０１００】
第１０実施形態に係る集合電子装置Ａ００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板Ａ１０及び集合カバー層Ａ２０を備えている。第１部分Ａ０１ｐには、配線Ａ３１、電極パッド対Ａ５１ａ，Ａ５１ｂ、コイルＡ６１、柱部Ａ７１、第１支持層Ａ８１が設けられている。柱部Ａ７１には、貫通孔Ａ７１ｈが形成されている。第２部分Ａ０２ｐには、配線Ａ３３、電極パッド対Ａ５３ａ，Ａ５３ｂ、コイルＡ６３、柱部Ａ７３、第２支持層Ａ８２が設けられている。柱部Ａ７３には、貫通孔Ａ７３ｈが形成されている。
【０１０１】
第１０実施形態に係る集合電子装置Ａ００は、貫通孔Ａ７１ｈにコアＡ７１ｃが挿通され、貫通孔Ａ７３ｈにコアＡ７３ｃが挿通されている点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。また、コイルＡ６１とコイルＡ６３との巻き数が同じである点でも相違している。コアＡ７１ｃの透磁率は、柱部Ａ７１の透磁率と異なっている。コアＡ７３ｃの透磁率は、柱部Ａ７３の透磁率と異なっている。コアＡ７１ｃの透磁率は、コアＡ７３ｃの透磁率と異なっている。
【０１０２】
これにより、集合電子装置Ａ００は、コイルＡ６１とコイルＡ６３のインダクタンスの値を異ならせることができる。すなわち、集合電子装置Ａ００は、コイルＡ６１とコイルＡ６３の電気的応答を異ならせることができ、第１部分Ａ０１ｐと第２部分Ａ０２ｐの電気的応答を異ならせることができる。なお、コアＡ７１ｃは貫通孔Ａ７１ｈの一部にのみ形成されてもよく、コアＡ７３ｃは貫通孔Ａ７３ｈの一部にのみ形成されてもよい。集合電子装置は、第１柱部及び第２柱部のいずれか一方にのみコアが挿通されてもよい。このとき、他方の柱部には貫通孔が形成されてなくてもよい。
【０１０３】
＜第１１実施形態＞
図１８を参照しつつ、第１１実施形態に係る集合電子装置Ｂ００の構成について説明する。図１８は、第１１実施形態に係る集合電子装置の構成を概略的に示す断面図である。
【０１０４】
第１１実施形態に係る集合電子装置Ｂ００は、第５実施形態に係る集合電子装置５００と同様に、集合基板Ｂ１０を備えている。第１部分Ｂ０１ｐには、配線Ｂ３１，Ｂ３２、第１電子素子Ｂ４１、電極パッド対Ｂ５１ａ，Ｂ５１ｂ，Ｂ５２ａ，Ｂ５２ｂ、コイルＢ６１，Ｂ６２、柱部Ｂ７１，Ｂ７２、第１支持層Ｂ８１が設けられている。第２部分Ｂ０２ｐには、配線Ｂ３３，Ｂ３４、第２電子素子Ｂ４２、電極パッド対Ｂ５３ａ，Ｂ５３ｂ，Ｂ５４ａ，Ｂ５４ｂ、コイルＢ６３，Ｂ６４、柱部Ｂ７３，Ｂ７４、第２支持層Ｂ８２が設けられている。
【０１０５】
第１１実施形態に係る集合電子装置Ｂ００は、集合カバー層を省略され且つモールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４を備えている点で、第５実施形態に係る集合電子装置５００と相違している。モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２は第１部分Ｂ０１ｐに設けられる第１モールド部材に相当し、モールド部材Ｂ９３，Ｂ９４は第２部分Ｂ０２ｐに設けられる第２モールド部材に相当する。
【０１０６】
モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２は、集合基板Ｂ１０の第１領域Ｂ１１Ａに設けられている。モールド部材Ｂ９１は、コイルＢ６１及び柱部Ｂ７１を覆い、コイルＢ６１を固定している。モールド部材Ｂ９２は、コイルＢ６２及び柱部Ｂ７２を覆い、コイルＢ６２を固定している。モールド部材Ｂ９３，Ｂ９４は、集合基板Ｂ１０の第２領域Ｂ１２Ａに設けられている。モールド部材Ｂ９３は、コイルＢ６３及び柱部Ｂ７３を覆い、コイルＢ６３を固定している。モールド部材Ｂ９４は、コイルＢ６４及び柱部Ｂ７４を覆い、コイルＢ６４を固定している。これによれば、集合電子装置Ｂ００は、酸化、拡散などによるボンディングワイヤの変性に起因したコイルＢ６１，Ｂ６２，Ｂ６３，Ｂ６４の電気的応答の変化を抑制することができる。また、集合電子装置Ｂ００は、振動や落下衝撃などによるコイルの軌道形状などの変化を阻害することができる。したがって、集合電子装置Ｂ００は、第１部分Ｂ０１ｐ及び第２部分Ｂ０２ｐの電気的応答の安定性を向上させることができる。つまり、集合電子装置Ｂ００は、識別情報の経時劣化が少なく安定性の良好な電子装置を提供することができる。
【０１０７】
モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収する材料によって設けられている。これによれば、集合電子装置Ｂ００は、第１部分Ｂ０１ｐ及び第２部分Ｂ０２ｐの電気的応答の外部からの測定を阻害することができる。つまり、集合電子装置Ｂ００は、識別情報の読み取りが困難な電子装置を提供することができる。
【０１０８】
モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４は、例えば、インクジェット法、グラビアロール印刷法、スクリーン印刷法、などの各種ウェットプロセスによって設けられる。このとき、第１支持層Ｂ８１及び第２支持層Ｂ８２は、ペースト状のモールド部材の前駆体が過剰に濡れ広がるのを塞き止めるバンクとして機能することができる。したがって、集合電子装置Ｂ００は、モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４を所望の形状とすることができる。例えば、集合電子装置Ｂ００において、モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２は、第１電子素子Ｂ４１を避けて設けることができ、モールド部材Ｂ９３，Ｂ９４は、第２電子素子Ｂ４２を避けて設けることができる。また、集合電子装置Ｂ００は、モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４が集合基板Ｂ１０の外側に延在するのを防ぐことができる。なお、モールド部材Ｂ９１及びモールド部材Ｂ９２の少なくとも一方が、第１電子素子Ｂ４１を覆ってもよい。また、モールド部材Ｂ９１及びモールド部材Ｂ９２の少なくとも一方が、第２電子素子Ｂ４２を覆ってもよい。モールド部材Ｂ９１，Ｂ９２，Ｂ９３，Ｂ９４は、連続した一体の部材であってもよい。
【０１０９】
＜第１２実施形態＞
図１９〜２３を参照しつつ、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。図１９は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法を概略的に示すフローチャートである。図２０は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における柱部及び支持層を設ける工程を概略的に示す断面図である。図２１は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法におけるコイルを設ける工程を概略的に示す断面図である。図２２は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における集合電子装置を個片化する工程を概略的に示す断面図である。図２３は、第１２実施形態に係る電子装置の製造方法における電子装置の電気的応答を測定する工程を概略的に示す断面図である。
【０１１０】
まず、集合基板を準備する（Ｓ１１）。
図２０に示すように、互いに対向する一対の主面Ｚ１０Ａ，Ｚ１０Ｂを有する平板状の集合基板Ｚ１０を準備する。集合基板Ｚ１０は、例えば、人工水晶のインゴットから切り出し、化学機械研磨やエッチングによって厚みや表面形状を整えることによって形成される。
【０１１１】
次に、電子素子、配線、及び電極パッドを設ける（Ｓ１２）。
最初に、集合基板Ｚ１０の主面Ｚ１０Ａにスパッタリング法によって金属膜を形成する。次いで、フォトリソグラフィ法を利用して当該金属膜をエッチングすることによって、配線Ｚ３１，Ｚ３２、Ｚ３３，Ｚ３４及び電極パッド対Ｚ５１ａ，Ｚ５１ｂ，Ｚ５２ａ，Ｚ５２ｂ，Ｚ５３ａ，Ｚ５３ｂ，Ｚ５４ａ，Ｚ５４ｂへと当該金属膜をパターン加工する。このとき、第１電子素子Ｚ４１及び第２電子素子Ｚ４２の一部又は全部もパターン加工することができる。
【０１１２】
次に、柱部及び支持層を設ける（Ｓ１３）。
最初に、集合基板Ｚ１０の主面Ｚ１０Ａに樹脂組成物を含むペーストを塗工し、乾燥させて樹脂層を形成する。次いで、フォトリソグラフィ法を利用して当該樹脂層をエッチングすることによって、柱部Ｚ７１，Ｚ７２，Ｚ７３，Ｚ７４、第１支持層Ｚ８１、及び第２支持層Ｚ８２へと当該樹脂層をパターン加工する。このとき、貫通孔Ｚ７１ｈ，Ｚ７２ｈ，Ｚ７３ｈ，Ｚ７４ｈが、それぞれ柱部Ｚ７１，Ｚ７２，Ｚ７３，Ｚ７４に形成される。
【０１１３】
次に、コイルを設ける（Ｓ１４）。
図２１に示すように、コイルは、電極パッド対をボンディングワイヤＢＷによって電気的に接続するときに、ボンディングワイヤＢＷを柱部に巻回することによって形成される。電極パッド対Ｚ５１ａ，Ｚ５２ｂを例に挙げると、最初に、ボンディングツールＢＴによって電極パッドＺ５１ａにボンディングワイヤＢＷを接合する。次いで、ボンディングツールＢＴを回転させながら引き上げ、ボンディングワイヤＢＷを柱部Ｚ７１に巻き付ける。最後に、ボンディングツールＢＴによって電極パッドＺ５１ｂにボンディングワイヤＢＷを接合する。同様に、柱部Ｚ７２，Ｚ７３，Ｚ７４にもボンディングワイヤＢＷを巻き付ける。
【０１１４】
次に、集合カバー層を設ける（Ｓ１５）。
最初に、減圧環境下において、集合カバー層Ｚ２０を集合基板Ｚ１０の主面Ｚ１０Ａ側に被せる。次いで、減圧環境下において、集合カバー層Ｚ２０と集合基板Ｚ１０とを、第１支持層Ｚ８１及び第２支持層Ｚ８２によって接合する。これにより、減圧された内部空間ＨＡＺ１，ＨＡＺ２，ＨＢＺ１，ＨＢＺ２，ＨＢＺ３，ＨＢＺ４を集合電子装置Ｚ００に形成する。このとき、内部空間ＨＡＺ１には第１電子素子Ｚ４１を封止し、内部空間ＨＡＺ２には第２電子素子Ｚ４２を封止する。同様に、内部空間ＨＢＺ１にはコイルＺ６１を封止し、内部空間ＨＢＺ２にはコイルＺ６２を封止し、内部空間ＨＢＺ３はコイルＺ６３を封止し、内部空間ＨＢＺ４にはコイルＺ６４を封止する。
【０１１５】
次に、集合電子装置を個片化する（Ｓ１６）。
図２２に示すように、ダイシングブレードＤＢによって、集合電子装置Ｚ００の第１部分Ｚ０１ｐと第２部分Ｚ０２ｐとの境界を切断する。これによって集合電子装置Ｚ００を、電子装置Ｚ０１と電子装置Ｚ０２とに個片化する。なお、集合電子装置Ｚ００の個片化手段はダイシングブレードＤＢによる切断に限定されるものではなく、レーザーカットなどによって行われてもよい。
【０１１６】
次に、電子装置の電気的応答を測定する（Ｓ１７）。
電子装置Ｚ０１にインピーダンスアナライザＡＮＺを接続し、電子装置Ｚ０１の電気回路のインピーダンスを測定する。電子装置Ｚ０１の電気回路のインピーダンスを、電子装置Ｚ０１の識別情報として記録し、データベースに保管する。同様に、電子装置Ｚ０２の電気回路のインピーダンスを識別情報として記録し、データベースに保管する。なお、識別情報として利用する電気的応答は、インピーダンスに限定されるものではなく、共振周波数、起電力の電位や周波数、などであってもよい。電気的応答の測定手段は、ＬＣＲメータ、ネットワークアナライザ、など任意の装置を利用可能である。また、電気的応答の測定手段は有線接続に限定されず、無線接続によるものであってもよい。例えば電子装置Ｚ０１の電気的応答を測定するとき、第１電子素子Ｚ４１から発せられる電波の周波数と強度との関係を、受信機によって読み取るものであってもよい。
【０１１７】
以上のように、本発明の一態様によれば、主面２Ａを有する基板２と、基板２の主面２Ａ側に設けられたカバー層２０と、基板２とカバー層２０との間に設けられた電子素子４０と、基板２の主面２Ａとカバー層２０との間に内部空間ＨＢを形成するように基板２の主面２Ａに設けられた支持層１６と、内部空間ＨＢに設けられた柱部１８と、柱部１８に巻回されたコイル６０からなり電子素子４０に電気的に接続されたインダクタ素子Ｌ１１〜Ｌ１４，Ｌ２１〜２７とを備えている電子装置１００、が提供される。
【０１１８】
上記態様によれば、ウェハレベルパッケージによって構成される電子装置の内部に、Ｑ値が良好でコンパクトなインダクタ素子を設けることができる。このため、平面コイルによって構成されるインダクタ素子を設ける構成と比較して、電子装置に内蔵される回路のインピーダンス整合を改善し、回路間での信号の損失を低減することができる。また、インダクタ素子の小型化に伴い、電子装置を小型化することができる。この電子装置においては、寸法を大きくすることなく内蔵するインダクタ素子の数を増やすことができる。すなわち、電子装置の大きさを犠牲にすることなく、回路設計の自由度を向上させることができる。
【０１１９】
電子素子４０は弾性波素子であってもよい。これによれば、電子装置として整合回路を備えるフィルタ回路を実現することができる。このようなフィルタ回路によれば、受信信号又は送信信号の損失を低減し、高品質の通信が可能となる。
【０１２０】
基板２は、圧電基板であり、電子素子４０は、基板２の主面２Ａに形成された櫛歯状の電極１１を有していてもよい。これによれば、電子素子は、ＳＡＷを利用した表面弾性波素子を構成することができる。このため、電子素子を低背化することができ、これに伴って電子装置も低背化することができる。
【０１２１】
電子素子は、基板２０２とカバー層２２０との間に設けられた圧電薄膜２４６と、圧電薄膜２４６の基板２０２側に設けられた下部電極２４５と、圧電薄膜２４６のカバー層２２０側に設けられ下部電極２４５と対向する上部電極２４７と、を備えていてもよい。これによれば、電子素子は、ＢＡＷを利用したバルク弾性波素子を構成することができる。このため、電子素子は、高周波帯域において、表面弾性波素子よりも良好な耐電力性や静電耐圧を得ることができる。また、表面弾性波素子よりも高さ方向の寸法が大きくなるため、柱部も高く設けることができ、コイルの巻き数を増加させることができる。つまり、インダクタ素子のＱ値を改善することができる。
【０１２２】
柱部１８は、ポリイミド、エポキシ、シリコーンのうち少なくともいずれか１つを含む樹脂材料によって設けられてもよい。これによれば、フォトリソグラフィ法などを利用したパターニングによって、柱部を容易に精度よく形成することができる。
【０１２３】
例えば、インダクタ素子は、電子素子４０に直列に接続されていてもよい。
【０１２４】
電子装置１００は、デュプレクサであり、インダクタ素子Ｌ２１は、デュプレクサの整合回路であってもよい。これによれば、電子装置は、小型のデュプレクサを実現することができる。また、当該デュプレクサにおいて分離される受信信号と送信信号の品質を向上させることができる。
【０１２５】
基板２の主面２Ａの上に設けられ、電子素子４０とインダクタ素子とを電気的に接続する配線３３と、支持層１６及びカバー層２０を貫通するように設けられ、配線３３に電気的に接続されたビア電極Ｖと、を備えていてもよい。これによれば、インダクタ素子を構成するコイルが空芯である場合と比較して、基板に固定された柱部が芯となるコイルがインダクタ素子を構成するため、インダクタ素子の位置や姿勢が安定化する。また、電子素子がワイヤボンディングによって電極パッドやビア電極等の導電体に接続される場合と比較して、インダクタ素子と導電体との干渉、接触等を抑制することができる。つまり、電子装置の動作を安定化することができる。
【０１２６】
柱部１８には、貫通孔１９が形成されていてもよい。これによれば、柱部が空気よりも透磁率の低い材料で設けられている場合、インダクタ素子のインダクタンスを低減し、コア損失を低減することができる。
【０１２７】
貫通孔１９には、コアが挿通されていてもよい。これによれば、柱部の機械的強度を向上させ、インダクタ素子の位置や姿勢を安定化させることができる。
【０１２８】
コアは、空気よりも透磁率が大きい材料によって設けられていてもよい。これによれば、インダクタ素子のインダクタンスを増大させることができる。
【０１２９】
コアは、フェライトによって設けられていてもよい。これによれば、インダクタ素子における渦電流の発生を防止し、保磁力が低くヒステリシス損失が小さいインダクタ素子を提供することができる。
【０１３０】
コアは、非磁性体材料によって設けられていてもよい。これによれば、高周波帯域でのコア損失が小さいインダクタ素子を提供することができる。
【０１３１】
本発明の他の一態様によれば、それぞれが電子装置となる複数の部分を有し、それぞれの部分に固有の識別情報が割り当てられる集合電子装置であって、第１電子装置となる部分５０１ｐに含まれる第１領域５１１Ａと、第２電子装置となる部分５０２ｐに含まれる第２領域５１２Ａとを有する集合基板５１０と、第１領域５１１Ａに設けられた第１柱部５７１と、第２領域５１２Ａに設けられた第２柱部５７３と、第１柱部５７１に巻回された第１コイル５６１と、第２柱部５７３に巻回された第２コイル５６３と、を備え、第１領域５１１Ａに設けられた第１コイル５６１の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられた第２コイル５６３の電気的応答と異なっている、集合電子装置が提供される。
【０１３２】
上記態様によれば、集合電子装置は、第１部分及び第２部分それぞれに固有の電気的応答を有することができる。集合電子装置は、第１部分及び第２部分それぞれの電気的応答を、第１部分及び第２部分それぞれに割り当てられる識別情報として利用することができる。第１部分及び第２部分の識別情報は、第１部分及び第２部分それぞれから製造される電子装置の識別情報となる。コイルの電気的応答はランダム性、ユニーク性が高いことから、集合電子装置は、第１部分及び第２部分それぞれから製造される電子装置に、偽造の困難な識別情報を割り当てることができる。すなわち、集合電子装置は、偽造品の判別や流通ルートの照会などの精度を向上させることが可能な、セキュリティ性能の高い電子装置を提供可能である。
【０１３３】
第１コイル５６１のインダクタンスの値は、第２コイル５６３のインダクタンスの値と異なっていてもよい。これによれば、第１コイルと第２コイルとの間で電気的応答を異ならせる要素として、インダクタンスの値を利用することができる。
【０１３４】
第１領域５１１Ａには第１柱部５７１，５７２及び第１コイル５６１，５６２がそれぞれ複数設けられ、第２領域５１２Ａには第２柱部５７３，５７４及び第２コイル５６３，５６４がそれぞれ複数設けられ、第１領域５１１Ａに設けられた複数の第１コイル５６１，５６２の電気的応答は、第２領域５１２Ａに設けられた複数の第２コイル５６３，５６４の電気的応答と異なっていてもよい。第１部分及び第２部分それぞれの電気回路に複数のコイルが含まれることにより、集合電子装置は、第１部分及び第２部分それぞれの電気回路の固有の電気的応答をより複雑にすることができる。すなわち、集合電子装置は、第１部分及び第２部分に割り当てられる識別情報のランダム性、ユニーク性を向上させることができる。これによれば、集合電子装置は、よりセキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。
【０１３５】
複数の第１柱部５７１，５７２のいずれか１つに巻回されたコイル５６１のインダクタンスの値は、複数の第１柱部５７１，５７２の他の１つに巻回されたコイル５６２のインダクタンスの値と異なっていてもよい。これによれば、集合電子装置は、第１部分及び第２部分それぞれから製造される電子装置の識別情報を複雑化し、電子装置の偽造のための識別情報の解析を困難にすることができる。
【０１３６】
第１コイル５６１と第２コイル５６３は、巻き数、直径、ピッチ、及び軌道形状のうち少なくとも１つが異なっていてもよい。これによれば、集合電子装置は、第１コイルと第２コイルの電気的応答を異ならせることができ、第１部分と第２部分の電気的応答を異ならせることができる。集合電子装置は、コイルの巻き数、直径、ピッチ、及び軌道形状をパラメータとすることによって、第１コイルと第２コイルの電気的応答を事前に設計することができる。巻き数や直径によってコイルの電気的応答を事前に設計する場合、集合電子装置は、第１部分及び第２部分の電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略可能である。そして、集合電子装置は、第１部分及び第２部分に事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を割り当てることができる。つまり、集合電子装置は、第１部分及び第２部分への識別情報の割り当てを簡略化することができる。ピッチや軌道形状によってコイルの電気的応答を変化させる場合、第１コイルと第２コイルの事前に設計したピッチや軌道形状からの変動に起因して、第１部分及び第２部分は、ランダム性、ユニーク性の高い電気的特性を有することとなる。これによれば、集合電子装置は、第１部分及び第２部分にランダム性、ユニーク性の高い識別情報を割り当てることができ、セキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。
【０１３７】
複数の第１柱部５７１，５７２のいずれか１つに巻回されたコイル５６１と他の１つに巻回されたコイル５６２は、巻き数、直径、ピッチ、及び軌道形状のうち少なくとも１つが異なっていてもよい。集合電子装置は、第１部分の電気的応答を事前に設計することができる。巻き数や直径によってコイルの電気的応答を事前に設計する場合、集合電子装置は、第１部分の電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略して、第１部分に事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を割り当てることができる。つまり、集合電子装置は、第１部分への識別情報の割り当てを簡略化しつつ、第１部分へ割り当てられる識別情報を複雑化させることができる。ピッチや軌道形状によってコイルの電気的応答を変化させる場合、複数の第１コイルの事前に設計したピッチや軌道形状からの変動に起因して、第１部分は、ランダム性、ユニーク性の高い電気的特性を有することとなる。これによれば、集合電子装置は、第１部分にランダム性、ユニーク性の高い識別情報を割り当てることができ、セキュリティ性能の高い電子装置を提供することができる。
【０１３８】
第１柱部５７１と第２柱部５７３は、直径の異なる貫通孔及び透磁率の異なるコアの少なくとも一方が設けられていてもよい。これによれば、集合電子装置は、第１コイルと第２コイルの電気的応答を異ならせることができ、第１部分と第２部分の電気的応答を異ならせることができる。また、集合電子装置は、コイルに形成される貫通孔の有無や直径、及びコアの有無や透磁率をパラメータとすることによって、第１コイルと第２コイルの電気的応答を事前に設計することができる。集合電子装置は、電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略し、事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を第１部分及び第２部分に割り当てることができる。
【０１３９】
複数の第１柱部５７１，５７２のうちいずれか１つの柱部５７１と他の１つの柱部５７２は、直径の異なる貫通孔及び透磁率の異なるコアの少なくとも一方が設けられていてもよい。これによれば、集合電子装置は、第１部分の電気的応答を複雑化することができる。集合電子装置は、コイルに形成される貫通孔の有無や直径、及びコアの有無や透磁率をパラメータとすることによって、第１部分の電気的応答を測定するための高精度な検査工程を省略して、第１部分に事前に設計された電気的応答に由来した識別情報を割り当てることができる。つまり、集合電子装置は、第１部分への識別情報の割り当てを簡略化しつつ、第１部分へ割り当てられる識別情報を複雑化させることができる。
【０１４０】
第１領域５１１Ａに設けられ、第１コイル５６１に電気的に接続された第１電子素子５４１と、第２領域５１２Ａに設けられ、第２コイル５６３に電気的に接続された第２電子素子５４２と、第１領域５１１Ａに設けられ、第１柱部５７１と同じ材料で設けられた第１支持層５８１と、第２領域５１２Ａに設けられ、第２柱部５７３と同じ材料で設けられた第２支持層５８２と、第１支持層５８１及び第２支持層５８２を挟んで集合基板５１０に対向する集合カバー層５２０と、をさらに備えていてもよい。これによれば、集合電子装置は、ＷＬＰのパッケージング工程の一部である第１支持層及び第２支持層の形成工程を利用して、第１柱部及び第２柱部を形成することができる。
【０１４１】
第１コイル５６１は、第１支持層５８１によって集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に形成される内部空間ＨＢ５１に収容され、第２コイル５６３は、第２支持層５８２によって集合基板５１０と集合カバー層５２０との間に形成される内部空間ＨＢ５３に収容されていてもよい。これによれば、集合電子装置は、酸化、拡散などによるボンディングワイヤの変性に起因した第１コイル及び第２コイルの電気的応答の変化を抑制することができる。つまり、集合電子装置は、時間経過による識別情報の変化を抑制し、識別能力の喪失を抑制可能な電子装置を提供することができる。
【０１４２】
集合カバー層５２０は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収してもよい。これによれば、集合電子装置は、第１部分及び第２部分の電気的応答の外部からの測定を阻害することができる。つまり、集合電子装置は、識別情報の読み取りが困難な電子装置を提供することができる。
【０１４３】
第１コイルＢ６１を固定する第１モールド部材Ｂ９１と、第２コイルＢ６３を固定する第２モールド部材Ｂ９３と、をさらに備えていてもよい。これによれば、集合電子装置は、酸化、拡散などによるボンディングワイヤの変性に起因した第１コイル及び第２コイルの電気的応答の変化を抑制することができる。また、集合電子装置は、振動や落下衝撃などによるコイルの軌道形状などの変化を阻害することができる。したがって、集合電子装置は、第１部分及び第２部分の電気的応答の安定性を向上させることができる。つまり、集合電子装置は、識別情報の経時劣化が少なく安定性の良好な電子装置を提供することができる。
【０１４４】
第１モールド部材Ｂ９１及び第２モールド部材Ｂ９３は、１ｍｍ以下の波長の電磁波を反射又は吸収してもよい。これによれば、集合電子装置は、第１部分及び第２部分の電気的応答の外部からの測定を阻害することができる。つまり、集合電子装置は、識別情報の読み取りが困難な電子装置を提供することができる。
【０１４５】
本発明の他の一態様によれば、それぞれに固有の識別情報が割り当てられる複数の電子装置の製造方法であって、第１領域Ｚ１１Ａと第２領域Ｚ１２Ａとを有する集合基板を準備する工程と、第１領域Ｚ１１Ａに第１柱部Ｚ７１を設け、且つ第２領域Ｚ１２Ａに第２柱部Ｚ７３を設ける工程と、第１柱部Ｚ７１にボンディングワイヤＢＷを巻回して第１コイルＺ６１を設ける工程と、第２柱部Ｚ７３にボンディングワイヤＢＷを巻回して第２コイルＺ６３を設ける工程と、第１領域Ｚ１１Ａを含む第１電子装置Ｚ０１及び第２領域Ｚ１２Ａを含む第２電子装置Ｚ０２に集合電子装置を個片化する工程と、を備え、第１コイルＺ６１の電気的応答は、第２コイルＺ６３の電気的応答と異なっている、電子装置Ｚ０１，Ｚ０２の製造方法が提供される。
【０１４６】
第１コイルＺ６１のインダクタンスの値は、第２コイルＺ６３のインダクタンスの値と異なっていてもよい。
【０１４７】
第１領域Ｚ１１Ａには第１柱部Ｚ７１、Ｚ７２及び第１コイルＺ６１，Ｚ６２がそれぞれ複数設けられ、第２領域Ｚ１２Ａには第２柱部Ｚ７３，Ｚ７４及び第２コイルＺ６３，Ｚ６４がそれぞれ複数設けられ、第１領域Ｚ１１Ａに設けられた複数の第１コイルＺ６１，Ｚ６２の電気的応答は、第２領域Ｚ１２Ａに設けられた複数の第２コイルＺ６３，Ｚ６４の電気的応答と異なっていてもよい。
【０１４８】
複数の第１柱部Ｚ７１，Ｚ７２のいずれか１つに巻回されたコイルＺ６１のインダクタンスの値は、複数の第１柱部Ｚ７１，Ｚ７２の他の１つに巻回されたコイルＺ６２のインダクタンスの値と異なっていてもよい。
【０１４９】
第１柱部Ｚ７１及び第２柱部Ｚ７３を設ける工程において、第１領域Ｚ１１Ａに第１支持層Ｚ８１を同時に設け、且つ第２領域Ｚ１２Ａに第２支持層Ｚ８２を同時に設けてもよい。
【０１５０】
第１領域Ｚ１１Ａに第１電子素子Ｚ４１を設ける工程と、第２領域Ｚ１２Ａに第２電子素子Ｚ４２を設ける工程と、第１支持層Ｚ８１に囲まれ第１コイルＺ６１を収容する内部空間ＨＢＺ１と、第２支持層Ｚ８２に囲まれ第２コイルＺ６３を収容する内部空間ＨＢＺ３と、を集合基板Ｚ１０との間に形成する集合カバー層Ｚ２０を設ける工程と、をさらに備えていてもよい。
【０１５１】
第１コイルＺ６１を固定する第１モールド部材と、第２コイルＺ６３を固定する第２モールド部材と、を設ける工程をさらに備えていてもよい。
【０１５２】
以上説明したように、本発明の一態様によれば、損失低減及び小型化を図ることができる電子装置を提供することが可能となる。
【０１５３】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１５４】
１００…電子装置
２…基板
３…アンテナ端子
４…接地端子
５…送信端子
６…受信端子
７…送信フィルタ
８…受信フィルタ
９…整合回路
２Ａ，２Ｂ…主面
１６…支持層
１８…柱部
１９…貫通孔
２０…カバー層
４０…電子素子
６０…コイル
３１…電極群
３３…配線
３６…電極パッド
ＣＨ…コンタクトホール
Ｖ…ビア電極
Ｔ…端子電極
ＨＡ，ＨＢ…内部空間
Ｓ１１〜Ｓ１４，Ｓ２１〜Ｓ２３…直列腕共振子
Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１〜Ｐ２４…並列腕共振子
Ｌ１１〜Ｌ１４，Ｌ２１〜Ｌ２７…インダクタ素子
５００…集合電子装置
５０１ｐ…第１部分  ５０２ｐ…第２部分
５１０…集合基板  ５２０…集合カバー層
５１０Ａ，５１０Ｂ…主面
５１１Ａ…第１領域  ５１２Ａ…第２領域
５３１，５３２…配線（第１配線）  ５３３，５３４…配線（第２配線）
５４１…第１電子素子  ５４２…第２電子素子
５６１，５６２…コイル（第１コイル）  ５６３，５６４…コイル（第２コイル）
５７１，５７２…柱部（第１柱部）  ５７３，５７４…柱部（第２柱部）
５８１…第１支持層  ５８２…第２支持層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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