(57)【要約】【課題】第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板を有するチップ部品において、特に、第２面と第３面との角部の絶縁性を向上させることができるチップ部品およびその製造方法を提供する。【解決手段】第１面３、その反対側の第２面４、および第１面３と第２面４とを接続する第３面５を有する基板２と、基板２の第１面３に形成された機能素子９と、基板２の第１面３上に形成され、機能素子９に電気的に接続された外部電極１５，１７と、基板２の第２面４および第３面５を一体的に覆うように形成された感光性樹脂からなる樹脂膜１９とを含む、チップ部品１を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板と、
前記基板の前記第１面に形成された機能素子と、
前記基板の前記第１面上に形成され、前記機能素子に電気的に接続された外部電極と、
前記基板の前記第２面および前記第３面を一体的に覆うように形成された感光性樹脂からなる樹脂膜とを含む、チップ部品。
【請求項２】
前記樹脂膜は、前記第２面上の第１部分と、前記第３面上の第２部分とを含み、
前記樹脂膜の前記第２部分は、前記樹脂膜の前記第２部分よりも大きい厚さを有している、請求項１に記載のチップ部品。
【請求項３】
前記基板の前記第１面上に形成され、前記外部電極が選択的に露出している絶縁層を含み、
前記樹脂膜は、前記基板の前記第３面に沿って延び、前記絶縁層と面一に形成された端部を有している、請求項１または２に記載のチップ部品。
【請求項４】
前記基板の前記第１面上に形成され、前記外部電極が選択的に露出している絶縁層を含み、
前記樹脂膜は、前記基板の前記第３面に沿って延び、前記絶縁層に対して突出した端部を有している、請求項１または２に記載のチップ部品。
【請求項５】
第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板と、
前記基板の前記第１面に形成された機能素子と、
前記基板の前記第１面上に形成され、前記機能素子に電気的に接続された電極と、
前記外部電極を選択的に露出させる開口を有し、前記基板の前記第１面および前記第３面を一体的に覆うように形成された感光性樹脂からなる第１樹脂膜と、
前記基板の前記第２面を覆うように形成された第２樹脂膜とを含む、チップ部品。
【請求項６】
前記第１樹脂膜および前記第２樹脂膜は、互いに異なる樹脂材料からなる、請求項５に記載のチップ部品。
【請求項７】
前記感光性樹脂は、感光性エポキシ樹脂を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項８】
前記電極は全体的に、前記基板の前記第１面の周縁で区画される領域の内側に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項９】
前記基板の前記第２面は、研削面または研磨面である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１０】
前記機能素子は、抵抗、コンデンサ、コイルまたはダイオードのうちの少なくとも一種を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１１】
前記基板は、シリコン基板を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１２】
配線が形成された実装面を有する実装基板と、
前記外部電極が前記配線に電気的に接続されるように、前記基板の前記第１面を前記実装基板の前記実装面に対向させた状態で前記実装基板の前記実装面に配置された、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のチップ部品とを含む、回路モジュール。
【請求項１３】
機能素子が形成された第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有し、前記機能素子に電気的に接続された外部電極を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１面を下方に向けた状態で、前記基板の前記第２面側から感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂を選択的に露光し、現像することによってすることによって、前記基板の前記第２面および前記第３面を一体的に覆う前記感光性樹脂からなる樹脂膜を形成する工程とを含む、チップ部品の製造方法。
【請求項１４】
前記基板を準備する工程は、
複数の部品形成領域が形成された前記第１面およびその反対側の前記第２面を有するベース基板の各前記部品形成領域に機能素子を形成する工程と、
各前記機能素子に電気的に接続されるように前記外部電極を形成する工程と、
各前記部品形成領域の周縁に沿って、前記第１面から前記第２面に向かって前記ベース基板を選択的に除去することによって、内面として前記第３面を有し、各前記部品形成領域を区画する溝を形成する工程と、
前記複数の部品形成領域を一体的に覆うように、前記ベース基板の前記第１面に支持部材を付着させる工程と、
前記支持部材で前記ベース基板を支持した状態で、前記溝に連通するまで前記ベース基板を前記第２面側から除去することによって、前記ベース基板を複数の前記基板に分割する工程とを含み、
前記感光性樹脂を塗布する工程は、前記複数の前記基板が前記支持部材で支持された状態で、前記基板の前記第２面側から感光性樹脂を塗布する工程を含む、請求項１３に記載のチップ部品の製造方法。
【請求項１５】
機能素子が形成された第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有し、前記機能素子に電気的に接続された外部電極を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第２面を下方に向けた状態で、前記基板の前記第１面側から感光性樹脂を塗布する工程と、
前記感光性樹脂を選択的に露光し、現像することによってすることによって、前記基板の前記第１面および前記第３面を一体的に覆い、前記外部電極を選択的に露出させる開口を有する前記感光性樹脂からなる第１樹脂膜を形成する工程と、
前記基板の前記第２面を覆うように第２樹脂膜を形成する工程とを含む、チップ部品の製造方法。
【請求項１６】
複数の部品形成領域が形成された前記第１面およびその反対側の前記第２面を有するベース基板の各前記部品形成領域に機能素子を形成する工程と、
各前記機能素子に電気的に接続されるように前記外部電極を形成する工程と、
前記第２樹脂膜の材料からなる樹脂膜を表面に有する支持部材を、前記ベース基板の前記第２面が前記樹脂膜で覆われるように、前記ベース基板の前記第２面に付着させる工程と、
各前記部品形成領域の周縁に沿って、前記第１面から前記第２面に向かって前記ベース基板を除去し、前記支持部材の前記樹脂膜を除去することによって、前記ベース基板を複数の前記基板に分割すると共に、各前記基板の前記第２面に前記樹脂膜からなる前記第２樹脂膜を形成する工程とを実行することによって、前記基板を準備する工程と前記第２樹脂膜を形成する工程とが並行して行われ、
前記感光性樹脂を塗布する工程は、前記複数の前記基板が前記支持部材で支持された状態で、前記基板の前記第１面側から感光性樹脂を塗布する工程を含む、請求項１５に記載のチップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、セラミック積層素子を開示している。当該セラミック積層素子は、一対の外部電極が形成される領域の少なくとも一部に、凹部と凸部の段差が５μｍ〜２５μｍの凹凸を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９７５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板を有するチップ部品において、特に、第２面と第３面との角部の絶縁性を向上させることができるチップ部品およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係るチップ部品は、第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板と、前記基板の前記第１面に形成された機能素子と、前記基板の前記第１面上に形成され、前記機能素子に電気的に接続された外部電極と、前記基板の前記第２面および前記第３面を一体的に覆うように形成された感光性樹脂からなる樹脂膜とを含む。
【０００６】
この構成によれば、基板の第２面と第３面との角部が樹脂膜で一体的に覆われるため、当該角部の絶縁性を向上させることができる。その結果、複数のチップ部品を並べてフリップチップ実装したときに、隣り合うチップ部品の角部同士が接触して短絡することを防止することができる。また、絶縁性を付与するための膜が樹脂膜であるため、高い機械的強度を確保することができる。
【０００７】
本発明の一実施形態に係るチップ部品では、前記樹脂膜は、前記第２面上の第１部分と、前記第３面上の第２部分とを含み、前記樹脂膜の前記第２部分は、前記樹脂膜の前記第２部分よりも大きい厚さを有していてもよい。
本発明の一実施形態に係るチップ部品では、前記基板の前記第１面上に形成され、前記外部電極が選択的に露出している絶縁層を含み、前記樹脂膜は、前記基板の前記第３面に沿って延び、前記絶縁層と面一に形成された端部を有していてもよい。
【０００８】
本発明の一実施形態に係るチップ部品では、前記基板の前記第１面上に形成され、前記外部電極が選択的に露出している絶縁層を含み、前記樹脂膜は、前記基板の前記第３面に沿って延び、前記絶縁層に対して突出した端部を有していてもよい。
本発明の他の実施形態に係るチップ部品は、第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有する基板と、前記基板の前記第１面に形成された機能素子と、前記基板の前記第１面上に形成され、前記機能素子に電気的に接続された電極と、前記外部電極を選択的に露出させる開口を有し、前記基板の前記第１面および前記第３面を一体的に覆うように形成された感光性樹脂からなる第１樹脂膜と、前記基板の前記第２面を覆うように形成された第２樹脂膜とを含む。
【０００９】
この構成によれば、基板の第２面と第３面との角部が第１樹脂膜および第２樹脂膜で覆われるため、当該角部の絶縁性を向上させることができる。その結果、複数のチップ部品を並べてフリップチップ実装したときに、隣り合うチップ部品の角部同士が接触して短絡することを防止することができる。また、絶縁性を付与するための膜が樹脂膜であるため、高い機械的強度を確保することができる。
【００１０】
本発明の他の実施形態に係るチップ部品では、前記第１樹脂膜および前記第２樹脂膜は、互いに異なる樹脂材料からなっていてもよい。
本発明の一実施形態および他の実施形態に係るチップ部品では、前記感光性樹脂は、感光性エポキシ樹脂を含んでいてもよい。
本発明の一実施形態および他の実施形態に係るチップ部品では、前記電極は全体的に、前記基板の前記第１面の周縁で区画される領域の内側に形成されていてもよい。
【００１１】
本発明の一実施形態および他の実施形態に係るチップ部品では、前記基板の前記第２面は、研削面または研磨面であってもよい。
本発明の一実施形態および他の実施形態に係るチップ部品では、前記機能素子は、抵抗、コンデンサ、コイルまたはダイオードのうちの少なくとも一種を含んでいてもよい。
本発明の一実施形態および他の実施形態に係るチップ部品では、前記基板は、シリコン基板を含んでいてもよい。
【００１２】
本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、配線が形成された実装面を有する実装基板と、前記外部電極が前記配線に電気的に接続されるように、前記基板の前記第１面を前記実装基板の前記実装面に対向させた状態で前記実装基板の前記実装面に配置された、前記チップ部品とを含む。
本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法は、機能素子が形成された第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有し、前記機能素子に電気的に接続された外部電極を有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第１面を下方に向けた状態で、前記基板の前記第２面側から感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂を選択的に露光し、現像することによってすることによって、前記基板の前記第２面および前記第３面を一体的に覆う前記感光性樹脂からなる樹脂膜を形成する工程とを含む。
【００１３】
この方法によって、本発明の一実施形態に係るチップ部品を製造することができる。
本発明の一実施形態に係るチップ部品の製造方法では、前記基板を準備する工程は、複数の部品形成領域が形成された前記第１面およびその反対側の前記第２面を有するベース基板の各前記部品形成領域に機能素子を形成する工程と、各前記機能素子に電気的に接続されるように前記外部電極を形成する工程と、各前記部品形成領域の周縁に沿って、前記第１面から前記第２面に向かって前記ベース基板を選択的に除去することによって、内面として前記第３面を有し、各前記部品形成領域を区画する溝を形成する工程と、前記複数の部品形成領域を一体的に覆うように、前記ベース基板の前記第１面に支持部材を付着させる工程と、前記支持部材で前記ベース基板を支持した状態で、前記溝に連通するまで前記ベース基板を前記第２面側から除去することによって、前記ベース基板を複数の前記基板に分割する工程とを含み、前記感光性樹脂を塗布する工程は、前記複数の前記基板が前記支持部材で支持された状態で、前記基板の前記第２面側から感光性樹脂を塗布する工程を含んでいてもよい。
【００１４】
本発明の他の実施形態に係るチップ部品の製造方法は、機能素子が形成された第１面、その反対側の第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する第３面を有し、前記機能素子に電気的に接続された外部電極を有する基板を準備する工程と、前記基板の前記第２面を下方に向けた状態で、前記基板の前記第１面側から感光性樹脂を塗布する工程と、前記感光性樹脂を選択的に露光し、現像することによってすることによって、前記基板の前記第１面および前記第３面を一体的に覆い、前記外部電極を選択的に露出させる開口を有する前記感光性樹脂からなる第１樹脂膜を形成する工程と、前記基板の前記第２面を覆うように第２樹脂膜を形成する工程とを含む。
【００１５】
この方法によって、本発明の他の実施形態に係るチップ部品を製造することができる。
本発明の他の実施形態に係るチップ部品の製造方法では、複数の部品形成領域が形成された前記第１面およびその反対側の前記第２面を有するベース基板の各前記部品形成領域に機能素子を形成する工程と、各前記機能素子に電気的に接続されるように前記外部電極を形成する工程と、前記第２樹脂膜の材料からなる樹脂膜を表面に有する支持部材を、前記ベース基板の前記第２面が前記樹脂膜で覆われるように、前記ベース基板の前記第２面に付着させる工程と、各前記部品形成領域の周縁に沿って、前記第１面から前記第２面に向かって前記ベース基板を除去し、前記支持部材の前記樹脂膜を除去することによって、前記ベース基板を複数の前記基板に分割すると共に、各前記基板の前記第２面に前記樹脂膜からなる前記第２樹脂膜を形成する工程とを実行することによって、前記基板を準備する工程と前記第２樹脂膜を形成する工程とが並行して行われ、前記感光性樹脂を塗布する工程は、前記複数の前記基板が前記支持部材で支持された状態で、前記基板の前記第１面側から感光性樹脂を塗布する工程を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一実施形態（第１形態）に係るチップ部品の模式的な斜視図（第１面側）である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態（第１形態）に係るチップ部品の模式的な斜視図（第２面側）である。
【図３】図３は、図１および図２のチップ部品の断面図である。
【図４】図４は、前記チップ部品を含む回路モジュールの一部の領域を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図１および図２のチップ部品の製造工程の一部を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの次の工程を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ｂの次の工程を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ｃの次の工程を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、図５Ｄの次の工程を示す図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、図５Ｅの次の工程を示す図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、図５Ｆの次の工程を示す図である。
【図５Ｈ】図５Ｈは、図５Ｇの次の工程を示す図である。
【図５Ｉ】図５Ｉは、図５Ｈの次の工程を示す図である。
【図５Ｊ】図５Ｊは、図５Ｉの次の工程を示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態（第２形態）に係るチップ部品の模式的な斜視図（第１面側）である。
【図７】図７は、図６のチップ部品の断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、図６のチップ部品の製造工程の一部を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａの次の工程を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８Ｂの次の工程を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、図８Ｃの次の工程を示す図である。
【図９】図９は、本発明の他の実施形態に係るチップ部品の模式的な断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図９のチップ部品の製造工程の一部を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａの次の工程を示す図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図１０Ｂの次の工程を示す図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図１０Ｃの次の工程を示す図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、図１０Ｄの次の工程を示す図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、図１０Ｅの次の工程を示す図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、図１０Ｆの次の工程を示す図である。
【図１０Ｈ】図１０Ｈは、図１０Ｇの次の工程を示す図である。
【図１０Ｉ】図１０Ｉは、図１０Ｈの次の工程を示す図である。
【図１１】図１１は、図１および図２のチップ部品の内部構造を示す平面図であって、機能素子の第１形態例を説明するための図である。
【図１２】図１２は、図１１のXII−XII断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品を示す図である。
【図１３】図１３は、図１および図２のチップ部品の内部構造を示す平面図であって、機能素子の第２形態例を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図１３のXIV−XIV断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品を示す図である。
【図１５】図１５は、図１および図２のチップ部品の内部構造を示す平面図であって、機能素子の第３形態例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、図１５のXVI−XVI断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品を示す図である。
【図１７】図１７は、図１および図２のチップ部品の内部構造を示す平面図であって、機能素子の第４形態例を説明するための図である。
【図１８】図１８は、図１７のXVIII−XVIII断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１形態）に係るチップ部品１の模式的な斜視図（第１面３側）である。図２は、本発明の一実施形態（第１形態）に係るチップ部品１の模式的な斜視図（第２面４側）である。図３は、図２のIII-III断面を示す断面図である。
チップ部品１は、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称される小型の電子部品である。
【００１８】
チップ部品１は、略直方体形状の基板２を含む。基板２は、第１面３と、その反対側に位置する第２面４と、第１面３および第２面４を接続する第３面５とを有している。基板２の第１面３および第２面４は、それらの法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において長方形状に形成されている。基板２の第１面３、第２面４および第３面５は、それぞれ、基板２の表面、裏面および側面と称されてもよい。また、第３面５は、この実施形態では、基板２が平面視長方形状に形成されている関係上、基板２の長手方向に対向する１対の面と、基板２の短手方向に対向する１対の面との合計４つの面に区画されている。一方で、第３面５は、たとえば、基板２が平面視円形、平面視楕円形、または平面視長方形であっても各角部が面取りされている場合には、図１および図２とは異なり、明確に複数の面に区画されていなくてもよい。また、基板２は、たとえば、１００μｍ〜３００μｍの厚さを有していてもよい。
【００１９】
基板２の第１面３には、表面絶縁膜６が形成されている。表面絶縁膜６は、基板２の第１面３のほぼ全域を被覆している。したがって、表面絶縁膜６は、平面視において基板２の第１面３に整合する四角形状に形成されている。表面絶縁膜６は、酸化膜（ＳｉＯ２膜）および窒化膜（ＳｉＮ膜）のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。また、表面絶縁膜６は、たとえば、０．１μｍ〜２μｍの厚さを有していてもよい。
【００２０】
図３を参照して、表面絶縁膜６の上には、第１電極膜７および第２電極膜８が互いに間隔を空けて形成されている。第１電極膜７は、基板２の長手方向の一端部側に形成されている。第２電極膜８は、基板２の長手方向の他端部側に形成されている。第１電極膜７および第２電極膜８は、それぞれ、基板２の短手方向に沿って延びる長方形状に形成されていてもよい。また、第１電極膜７および第２電極膜８は、それぞれ、全体的に、基板２の第１面３の周縁（たとえば、第１面３と第３面５との交線）で区画される領域の内側に形成されていてもよい。つまり、第１電極膜７および第２電極膜８は、第１面３からはみ出ないように、全体が基板２の第１面３に形成されていてもよい。
【００２１】
基板２の第１面３側には、機能素子９が形成されている。機能素子９は、第１電極膜７および第２電極膜８に電気的に接続されている。図３では、機能素子９をクロスハッチングによって簡略化して示している。
機能素子９は、基板２の第１面３の表層部を利用して形成された機能素子、基板２の第１面３の上に形成された機能素子、および／または、基板２の第１面３よりも上方の領域を利用して形成された機能素子を含んでいてもよい。
【００２２】
図３では、表面絶縁膜６の上において、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域に機能素子９が形成された例を示している。機能素子９の具体的な形態例については、後述する。
表面絶縁膜６の上には、絶縁層１０が形成されている。絶縁層１０は、第１電極膜７、第２電極膜８および機能素子９を被覆している。絶縁層１０は、表面絶縁膜６側からこの順に積層された第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２を含む。第１絶縁膜１１は、たとえば、酸化膜（ＳｉＯ２膜）および窒化膜（ＳｉＮ膜）のいずれか一方または双方を含んでいてもよい。第２絶縁膜１２は、たとえば、ポリイミド等の絶縁性樹脂を含んでいてもよい。また、絶縁層１０は、たとえば、２μｍ〜５２μｍの厚さを有していてもよい。この実施形態では、たとえば、第１絶縁膜１１の厚さが０．５μｍ〜２μｍであり、第２絶縁膜１２の厚さが１．５μｍ〜５０μｍであってもよい。
【００２３】
絶縁層１０には、第１開口１３および第２開口１４が形成されている。第１開口１３は、第１電極膜７の縁部を除く領域をパッドとして露出させている。第２開口１４は、第２電極膜８の縁部を除く領域をパッドとして露出させている。
第１開口１３内には、本発明の外部電極の一例としての第１外部電極１５が形成されている。第１外部電極１５は、第１開口１３内において第１電極膜７に電気的に接続されている。これにより、第１外部電極１５は、第１電極膜７を介して機能素子９と電気的に接続されている。また、第１外部電極１５は、チップ部品１をフリップチップ実装するときの端子として機能するので、第１外部端子と称されてもよい。
【００２４】
第１外部電極１５は、絶縁層１０から突出するように形成されている。より具体的には、第１外部電極１５は、絶縁層１０から突出し、第１開口１３を区画する絶縁層１０の縁部を被覆する被覆部１６を有している。被覆部１６は、図３を参照して、基板２の第１面３に沿う方向において、第１電極膜７の外縁部よりも外側まで延びていてもよい。また、第１外部電極１５は、全体的に、基板２の第１面３の周縁（たとえば、第１面３と第３面５との交線）で区画される領域の内側に形成されていてもよい。つまり、第１外部電極１５は、第１面３からはみ出ないように、全体が基板２の第１面３に形成されていてもよい。また、第１外部電極１５は、複数の金属膜が積層された積層構造を有していてもよい。複数の金属膜は、第１電極膜７側からこの順に積層されたＮｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜を含んでいてもよい。
【００２５】
第２開口１４内には、本発明の外部電極の一例としての第２外部電極１７が形成されている。第２外部電極１７は、第２開口１４内において第２電極膜８に電気的に接続されている。これにより、第２外部電極１７は、第２電極膜８を介して機能素子９に電気的に接続されている。また、第２外部電極１７は、チップ部品１をフリップチップ実装するときの端子として機能するので、第２外部端子と称されてもよい。
【００２６】
第２外部電極１７は、絶縁層１０から突出するように形成されている。より具体的には、第２外部電極１７は、絶縁層１０から突出し、第２開口１４を区画する絶縁層１０の縁部を被覆する被覆部１８を有している。被覆部１８は、図３を参照して、基板２の第１面３に沿う方向において、第２電極膜８の外縁部よりも外側まで延びていてもよい。また、第２外部電極１７は、全体的に、基板２の第１面３の周縁（たとえば、第１面３と第３面５との交線）で区画される領域の内側に形成されていてもよい。つまり、第２外部電極１７は、第１面３からはみ出ないように、全体が基板２の第１面３に形成されていてもよい。また、第２外部電極１７は、複数の金属膜が積層された積層構造を有していてもよい。複数の金属膜は、第２電極膜８側からこの順に積層されたＮｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜を含んでいてもよい。
【００２７】
図１〜図３を参照して、基板２の第２面４および第３面５には、樹脂膜１９が形成されている。樹脂膜１９は、基板２の第２面４および第３面５の全域を一体的に被覆している。
樹脂膜１９は、第２面４上の第１部分２０と、第３面５上の第２部分２１とを含む。第１部分２０と第２部分２１とは、基板２の第２面４側の角部２２（たとえば、第２面４と第３面５との交線付近の部分）で一体的に交わっている。ここで、「一体的に交わっている」という語は、互いに異なる面の境界において、膜の第１部分と第２部分との継ぎ目が形成されていないことを意味していてもよい。したがって、この実施形態では、基板２の角部２２において樹脂膜１９の第１部分２０と第２部分２１との継ぎ目がなく、角部２２は、樹脂膜１９の継ぎ目がない部分で覆われることとなる。
【００２８】
樹脂膜１９の第１部分２０は、基板２の第２面４の全域を被覆している。樹脂膜１９の第１部分２０は、樹脂膜１９の第２部分２１よりも大きい厚さを有している。たとえば、樹脂膜１９の第１部分２０の厚さが１０μｍ〜３０μｍであり、樹脂膜１９の第２部分２１の厚さが２μｍ〜１０μｍであってもよい。
樹脂膜１９の第２部分２１は、基板２の第３面５の全域を被覆している。図３を参照して、樹脂膜１９の第２部分２１は、基板２の第３面５に沿って第１面３から突出するように延び、絶縁層１０と面一に形成された端部２３を有している。樹脂膜１９の端部２３は、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との境界に跨るように形成され、絶縁層１０の端面２４を覆っている。また、樹脂膜１９の端部２３は、基板２の第１面３側（実装面側）において、第１外部電極１５および第２外部電極１７を一括して取り囲むように、絶縁層１０（この実施形態では、第２絶縁膜１２）の周囲に環状に露出している。
【００２９】
また、樹脂膜１９は、第１部分２０および第２部分２１共に同一の樹脂材料からなり、具体的には、感光性樹脂からなる。感光性樹脂としては、たとえば、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂等の公知の感光性樹脂を適用することができ、この実施形態では、感光性エポキシ樹脂が使用されている。また、樹脂膜１９は、透明であることが好ましい。樹脂膜１９が透明であれば、基板２の第２面４に表印（たとえば、品番等）が形成されている場合、フリップチップ実装後においても、透明な樹脂膜１９を通して当該表印を視認することができる。なお、この実施形態では、樹脂膜１９は、単層の膜で構成されているが、感光性樹脂を複数積層することによって複数層の膜で構成されていてもよい。
【００３０】
図４は、図１〜図３のチップ部品１を含む回路モジュール２５の一部の領域を示す断面図である。
回路モジュール２５は、実装面を有する実装基板２６と、実装基板２６の実装面に実装されたチップ部品１とを含む。
実装基板２６の実装面（主面）には、配線２７が形成されている。配線２７は、第１パッド２８および第２パッド２９を含む。配線２７の第１パッド２８は、チップ部品１の第１外部電極１５に接続される。配線２７の第２パッド２９は、チップ部品１の第２外部電極１７に接続される。
【００３１】
チップ部品１は、基板２の第１面３を実装基板２６の実装面に対向させた姿勢で、実装基板２６の実装面にフリップチップ実装されている。チップ部品１の第１外部電極１５は、第１接合材３０を介して配線２７の第１パッド２８に接合されている。チップ部品１の第２外部電極１７は、第２接合材３１を介して配線２７の第２パッド２９に接合されている。第１接合材３０および第２接合材３１は、いずれも半田等の導電性接合材を含んでいてもよい。
【００３２】
図５Ａ〜図５Ｊは、図１〜図３に示すチップ部品１の製造工程の一部を工程順に示す図である。この製造方法では、複数のチップ部品１が同時に形成されるが、図５Ａ〜図５Ｊでは、便宜上、２個のチップ部品１が形成される領域だけが示されている。
まず、図５Ａを参照して、ベース基板３２が準備される。ベース基板３２は、基板２の第１面３および第２面４に対応する第１面３３および第２面３４を有している。ベース基板３２の第１面３３に、複数の部品形成領域３５が設定される。
【００３３】
複数の部品形成領域３５は、それぞれ、チップ部品１に対応した領域であり、境界領域３６によって区画される。ベース基板３２に対して所定の処理を実行した後、部品形成領域３５の周縁（つまり、境界領域３６）に沿ってベース基板３２が切断される。
ベース基板３２の準備後、表面絶縁膜６が、ベース基板３２の第１面３３の上に形成される。表面絶縁膜６は、熱酸化処理またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法によって形成されてもよい。熱酸化処理では、ベース基板３２の第１面３３が酸化される。ＣＶＤ法では、ベース基板３２の第１面３３の上に絶縁材料が堆積される。
【００３４】
次に、図５Ｂを参照して、機能素子９が、複数の部品形成領域３５にそれぞれ形成される。本実施形態では、機能素子９が表面絶縁膜６の上に形成された例が示されている。図５Ｂでは、機能素子９を、クロスハッチングによって省略して示している。
また、第１電極膜７および第２電極膜８が、表面絶縁膜６の上に形成される。第１電極膜７および第２電極膜８は、機能素子９に電気的に接続されるように、複数の部品形成領域３５にそれぞれ形成される。
【００３５】
この工程では、まず、第１電極膜７および第２電極膜８の基礎となるベース電極膜が表面絶縁膜６の上に形成される。ベース電極膜は、スパッタ法によって形成されてもよい。次に、マスクを介するエッチングによって、ベース電極膜の不要な部分が除去される。これにより、第１電極膜７および第２電極膜８が形成される。
次に、図５Ｃを参照して、第１絶縁膜１１が、表面絶縁膜６の上に形成される。第１絶縁膜１１は、第１電極膜７、第２電極膜８および機能素子９を被覆するように形成される。第１絶縁膜１１は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。
【００３６】
次に、第２絶縁膜１２が、第１絶縁膜１１の上に形成される。第２絶縁膜１２は、たとえば、感光性ポリイミド樹脂を第１絶縁膜１１に塗布することによって形成されてもよい。これにより、第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２を含む絶縁層１０が形成される。
次に、複数の開口３７，３８，３９が、第２絶縁膜１２に形成される。複数の開口３７，３８，３９は、第２絶縁膜１２を選択的に露光・現像することによって形成される。開口３７は、境界領域３６に対応する開口を有している。開口３８は、第１開口１３に対応する開口を有している。開口３９は、第２開口１４に対応する開口を有している。
【００３７】
次に、図５Ｄを参照して、第１絶縁膜１１の不要な部分が除去される。第１絶縁膜１１の不要な部分は、第２絶縁膜１２をマスクとするエッチングによって除去される。これにより、境界領域３６を露出させる開口４０、第１開口１３および第２開口１４が絶縁層１０に形成される。
次に、図５Ｅを参照して、第１外部電極１５および第２外部電極１７が形成される。この工程では、第１開口１３から露出する第１電極膜７の上にＮｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜が順に形成される。また、第２開口１４から露出する第２電極膜８の上にＮｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜が順に形成される。Ｎｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜は、電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
【００３８】
次に、図５Ｅを参照して、所定パターンを有するマスク４２が、ベース基板３２の第１面３３の上に形成される。マスク４２は、境界領域３６を露出させる開口４１を選択的に有している。
次に、ベース基板３２の不要な部分が除去される。ベース基板３２の不要な部分は、マスク４２を介するエッチングによって除去される。エッチングは、異方性エッチング（たとえば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）であってもよい。これにより、複数の部品形成領域３５をそれぞれ区画する溝４３が、ベース基板３２に形成される。溝４３は、内面の一部として、基板２の第３面５に対応する第３面４４を有している。
【００３９】
その後、図５Ｆを参照して、マスク４２が除去される。
次に、図５Ｇを参照して、ベース基板３２を支持するための本発明の支持部材の一例としての支持テープ４５が、複数の部品形成領域３５を一体的に覆うようにベース基板３２の第１面３３側に貼着される。支持テープ４５は、たとえば、樹脂製の基材４６と、基材４６上の粘着剤４７とを含んでいてもよい。この工程では、所定の温度環境下、支持テープ４５をベース基板３２に押し付ける方向に、支持テープ４５に圧力が加えられる。これにより、ベース基板３２の第１外部電極１５および第２外部電極１７が粘着剤４７内に埋め込まれ、粘着剤４７の表面と絶縁層１０の表面とが接することとなる。
【００４０】
そして、この状態から、ベース基板３２の第２面３４が、溝４３に連通するまで研削される。ベース基板３２の研削は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法によって実施されてもよい。これにより、溝４３に沿ってベース基板３２が切断されて、複数の基板２の個片が切り出される。ベース基板３２において、第１面３３および第２面３４は、基板２の第１面３および第２面４となる。ベース基板３２において、溝４３の側壁（第３面４４）は、基板２の第３面５となる。また、基板２の第２面４は、ベース基板３２の研削（ＣＭＰ等）によって現れる面であるため、研削面または研磨面として形成される。
【００４１】
次に、図５Ｈを参照して、基板２が、支持板４８の主面の上に配置される。基板２は、第１面３が支持板４８の主面に対向した姿勢で、支持板４８の主面の上に配置される。図５Ｈに示されるように、支持テープ４５に貼着された状態で、複数の基板２が支持板４８の主面の上に一括して配置されてもよい。支持板４８と支持テープ４５との接着は、たとえば、耐熱性を有する接着剤を介して行われる。
【００４２】
次に、図５Ｉを参照して、基板２の第２面４側から感光性樹脂４９が塗布される。感光性樹脂４９は、支持テープ４５から露出している基板２の第２面４および第３面５を覆う一方、基板２の第１面３は、支持テープ４５に接しているため保護される。また、支持テープ４５の粘着剤４７と絶縁層１０とが接していることから、感光性樹脂４９の下端部（樹脂膜１９の端部２３に対応する部分）は、絶縁層１０と面一となる。なお、感光性樹脂４９としては、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、また、液状感光性樹脂であってもよいし、フィルム状感光性樹脂（たとえば、ドライフィルムレジスト等）であってもよい。
【００４３】
次に、図５Ｊを参照して、感光性樹脂４９が選択的に露光・現像されることによって、感光性樹脂４９の残存部分が樹脂膜１９として形成される。その後、基板２と支持テープ４５とが分離（たとえば、冷凍分離）されることによって、各チップ部品１が得られる。
以上、この実施形態に係るチップ部品１によれば、基板２の第２面４と第３面５との角部２２が樹脂膜１９で一体的に覆われるため、当該角部２２の絶縁性を向上させることができる。その結果、複数のチップ部品１を並べてフリップチップ実装したときに、隣り合うチップ部品１の角部２２同士が接触して短絡することを防止することができる。また、絶縁性を付与するための膜が樹脂膜であるため、高い機械的強度を確保することができる。
【００４４】
また、図５Ｉを参照して、感光性樹脂４９の塗布によって、基板２の第２面４および第３面５を同時に樹脂で覆うことができるため、工程が複雑化しなくて済む。さらに、複数の基板２の間（隙間）を埋め尽くすように感光性樹脂４９が塗布された後、パターニングによって樹脂膜１９が形成される。そのため、ＣＶＤ等の通常の製膜技術では、製膜できても比較的薄くなりがちな基板２の角部２２においても、十分な厚さの樹脂膜１９を形成することができる。
【００４５】
図６は、本発明の一実施形態（第２形態）に係るチップ部品５１の模式的な斜視図（第１面側）である。図７は、図６のチップ部品５１の断面図である。図６および図７において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
前述のチップ部品１では、樹脂膜１９（第２部分２１）は、基板２の第３面５に沿って第１面３から突出するように延び、絶縁層１０と面一に形成された端部２３を有している。これに対し、チップ部品５１では、樹脂膜１９の第２部分２１は、基板２の第３面５に沿って第１面３から突出するように延び、絶縁層１０の端面２４を覆い、さらに、絶縁層１０に対して突出した端部５２を有している。これにより、基板２の第１面３上の第１外部電極１５および第２外部電極１７は、図６を参照して、突出した環状の樹脂壁（端部５２）によって取り囲まれることとなる。
【００４６】
図８Ａ〜図８Ｄは、図６および図７に示すチップ部品５１の製造工程の一部を工程順に示す図である。
チップ部品５１を製造するには、まず、前述の図５Ａ〜図５Ｆに従って、ベース基板３２上に機能素子９、絶縁層１０、第１外部電極１５、第２外部電極１７等が形成され、境界領域３６に沿って溝４３が形成される。
【００４７】
次に、図８Ａを参照して、ベース基板３２を支持するための支持テープ４５が、複数の部品形成領域３５を一体的に覆うようにベース基板３２の第１面３３側に貼着される。この工程では、図５Ｇで説明した温度条件、加圧条件とは異なる条件によって、支持テープ４５がベース基板３２に貼着される。これにより、ベース基板３２の第１外部電極１５および第２外部電極１７が粘着剤４７に対して当接し、粘着剤４７の表面と絶縁層１０の表面との間には、隙間５３が形成されることとなる。
【００４８】
そして、この状態から、ベース基板３２の第２面３４が、溝４３に連通するまで研削される。ベース基板３２の研削は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法によって実施されてもよい。これにより、溝４３に沿ってベース基板３２が切断されて、複数の基板２の個片が切り出される。ベース基板３２において、第１面３３および第２面３４は、基板２の第１面３および第２面４となる。ベース基板３２において、溝４３の側壁（第３面４４）は、基板２の第３面５となる。また、基板２の第２面４は、ベース基板３２の研削（ＣＭＰ等）によって現れる面であるため、研削面または研磨面として形成される。
【００４９】
次に、図８Ｂを参照して、基板２が、支持板４８の主面の上に配置される。基板２は、第１面３が支持板４８の主面に対向した姿勢で、支持板４８の主面の上に配置される。図８Ｂに示されるように、支持テープ４５に貼着された状態で、複数の基板２が支持板４８の主面の上に一括して配置されてもよい。支持板４８と支持テープ４５との接着は、たとえば、耐熱性を有する接着剤を介して行われる。
【００５０】
次に、図８Ｃを参照して、基板２の第２面４側から感光性樹脂４９が塗布される。感光性樹脂４９は、支持テープ４５から露出している基板２の第２面４および第３面５を覆うと共に、絶縁層１０と支持テープ４５との間の隙間５３に入り込む。感光性樹脂４９の下端部（樹脂膜１９の端部５２に対応する部分）は、隙間５３の高さに応じて絶縁層１０から突出する。
【００５１】
次に、図８Ｄを参照して、感光性樹脂４９が選択的に露光・現像されることによって、感光性樹脂４９の残存部分が樹脂膜１９として形成される。その後、基板２と支持テープ４５とが分離（たとえば、冷凍分離）されることによって、各チップ部品５１が得られる。このとき、隙間５３内の感光性樹脂４９を現像後に残さないために、感光性樹脂４９としてネガ型の感光性樹脂を使用することが好ましい。隙間５３内の感光性樹脂４９は、露光の際、基板２がバリアとなって露光されない。そのため、この感光性樹脂４９がネガ型であれば、隙間５３内の感光性樹脂４９の現像液に対する溶解性が維持され、現像の際に簡単に除去することができる。
【００５２】
以上、このチップ部品５１によっても、前述のチップ部品１と同様の作用効果を発現することができる。
図９は、本発明の他の実施形態に係るチップ部品６１の模式的な断面図である。図９において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５３】
前述のチップ部品１では、樹脂膜１９が、基板２の第２面４および第３面５の全域を一体的に被覆している。これに対し、チップ部品６１では、基板２の第１面３および第３面５の全域を一体的に被覆する第１樹脂膜６２が形成されている。より具体的には、第１樹脂膜６２は、絶縁層１０上の第１部分６３と、第３面５上の第２部分６４とを含む。
第１樹脂膜６２の第１部分６３は、絶縁層１０の全域を被覆しており、選択的に、第１外部電極１５および第２外部電極１７をそれぞれ露出させる第１開口６５および第２開口６６を有している。
【００５４】
第１樹脂膜６２の第２部分６４は、基板２の第３面５の全域を被覆している。第１樹脂膜６２の第２部分６４は、基板２の第３面５に沿って第１面３から突出するように延び、第１絶縁膜１１と第２絶縁膜１２との境界に跨るように形成された端部６７を有している。端部６７は、絶縁層１０の端面２４を覆っている。また、第１樹脂膜６２の第２部分６４は、基板２の第２面４側において、第２面４から突出するように延び、後述する第２樹脂膜６９の端面７０を覆う端部６８を有している。
【００５５】
また、第１樹脂膜６２は、第１部分６３および第２部分６４共に同一の樹脂材料からなり、具体的には、感光性樹脂からなる。感光性樹脂としては、たとえば、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリル樹脂、感光性ポリイミド樹脂等の公知の感光性樹脂を適用することができ、この実施形態では、感光性エポキシ樹脂が使用されている。なお、この実施形態では、第１樹脂膜６２は、単層の膜で構成されているが、感光性樹脂を複数積層することによって複数層の膜で構成されていてもよい。
【００５６】
一方、基板２の第２面４には、第２樹脂膜６９が形成されている。第２樹脂膜６９は、基板２の第２面４の全域を覆い、基板２の第３面５と面一な端面７０を有している。第２樹脂膜６９の端面７０は、第１樹脂膜６２に覆われている。また、第２樹脂膜６９は、第１樹脂膜６２とは異なる材料からなり、具体的には、エポキシ樹脂（フィラー入り）、ポリイミド等からなる。
【００５７】
図１０Ａ〜図１０Ｉは、図９に示すチップ部品６１の製造工程の一部を工程順に示す図である。この製造方法では、複数のチップ部品６１が同時に形成されるが、図１０Ａ〜図１０Ｉでは、便宜上、２個のチップ部品６１が形成される領域だけが示されている。
まず、図１０Ａを参照して、ベース基板３２が準備される。ベース基板３２は、基板２の第１面３および第２面４に対応する第１面３３および第２面３４を有している。ベース基板３２の第１面３３に、複数の部品形成領域３５が設定される。
【００５８】
複数の部品形成領域３５は、それぞれ、チップ部品６１に対応した領域であり、境界領域３６によって区画される。ベース基板３２に対して所定の処理を実行した後、部品形成領域３５の周縁（つまり、境界領域３６）に沿ってベース基板３２が切断される。
ベース基板３２の準備後、表面絶縁膜６が、ベース基板３２の第１面３３の上に形成される。表面絶縁膜６は、熱酸化処理またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法によって形成されてもよい。熱酸化処理では、ベース基板３２の第１面３３が酸化される。ＣＶＤ法では、ベース基板３２の第１面３３の上に絶縁材料が堆積される。
【００５９】
次に、図１０Ｂを参照して、機能素子９が、複数の部品形成領域３５にそれぞれ形成される。本実施形態では、機能素子９が表面絶縁膜６の上に形成された例が示されている。図１０Ｂでは、機能素子９を、クロスハッチングによって省略して示している。
また、第１電極膜７および第２電極膜８が、表面絶縁膜６の上に形成される。第１電極膜７および第２電極膜８は、機能素子９に電気的に接続されるように、複数の部品形成領域３５にそれぞれ形成される。
【００６０】
この工程では、まず、第１電極膜７および第２電極膜８の基礎となるベース電極膜が表面絶縁膜６の上に形成される。ベース電極膜は、スパッタ法によって形成されてもよい。次に、マスクを介するエッチングによって、ベース電極膜の不要な部分が除去される。これにより、第１電極膜７および第２電極膜８が形成される。
次に、図１０Ｃを参照して、第１絶縁膜１１が、表面絶縁膜６の上に形成される。第１絶縁膜１１は、第１電極膜７、第２電極膜８および機能素子９を被覆するように形成される。第１絶縁膜１１は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。
【００６１】
次に、第２絶縁膜１２が、第１絶縁膜１１の上に形成される。第２絶縁膜１２は、たとえば、感光性ポリイミド樹脂を第１絶縁膜１１に塗布することによって形成されてもよい。これにより、第１絶縁膜１１および第２絶縁膜１２を含む絶縁層１０が形成される。
次に、複数の開口３７，３８，３９が、第２絶縁膜１２に形成される。複数の開口３７，３８，３９は、第２絶縁膜１２を選択的に露光・現像することによって形成される。開口３７は、境界領域３６に対応する開口を有している。開口３８は、第１開口１３に対応する開口を有している。開口３９は、第２開口１４に対応する開口を有している。
【００６２】
次に、図１０Ｄを参照して、第１絶縁膜１１の不要な部分が除去される。第１絶縁膜１１の不要な部分は、第２絶縁膜１２をマスクとするエッチングによって除去される。これにより、境界領域３６を露出させる開口４０、第１開口１３および第２開口１４が絶縁層１０に形成される。
次に、図１０Ｅを参照して、第１外部電極１５および第２外部電極１７が形成される。この工程では、第１開口１３から露出する第１電極膜７の上にＮｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜が順に形成される。また、第２開口１４から露出する第２電極膜８の上にＮｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜が順に形成される。Ｎｉ膜、Ｐｄ膜およびＡｕ膜は、電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
【００６３】
次に、図１０Ｆを参照して、ベース基板３２を支持するための本発明の支持部材の一例としての支持テープ７１が、複数の部品形成領域３５を一体的に覆うようにベース基板３２の第１面３３側に貼着される。支持テープ７１は、たとえば、ポリオレフィン製の基材７２と、基材７２上に形成され、第２樹脂膜６９の材料からなる樹脂膜７３とを含んでいてもよい。樹脂膜７３は、粘着性を有していてもよい。
【００６４】
次に、図１０Ｇを参照して、ベース基板３２の不要な部分が除去される。より具体的には、境界領域３６上のベース基板３２の不要な部分が、エッチングによって選択的に除去される。エッチングは、異方性エッチング（たとえば、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）であってもよい。そして、ベース基板３２の不要な部分の除去後、さらに、エッチングによって、境界領域３６上の樹脂膜７３が選択的に除去される。
これにより、境界領域３６に沿ってベース基板３２が切断されて、複数の基板２の個片が切り出される。ベース基板３２において、第１面３３および第２面３４は、基板２の第１面３および第２面４となる。また、樹脂膜７３のベース基板３２の第２面４上の部分は、第２樹脂膜６９となる。この際、切り出された複数の基板２の整列状態は、各基板２が第２樹脂膜６９を介して基材７２に接着していることによって維持され、隣り合う基板２の間に溝７４が形成される。
【００６５】
次に、図１０Ｈを参照して、基板２の第１面３側から感光性樹脂７５が塗布される。感光性樹脂７５は、基板２の第１面３側および溝７４の内面（基板２の第３面５および境界領域３６における基材７２の表面）を覆う。なお、感光性樹脂７５としては、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、また、液状感光性樹脂であってもよいし、フィルム状感光性樹脂（たとえば、ドライフィルムレジスト等）であってもよい。
【００６６】
次に、図１０Ｉを参照して、感光性樹脂７５が選択的に露光・現像されることによって、感光性樹脂７５に第１開口６５および第２開口６６が形成される。
その後は、たとえば、溝７４に沿ってダイシングブレードが挿入されることによって、境界領域３６上の感光性樹脂７５が切断されて、第１樹脂膜６２が形成される。そして、基板２と支持テープ７１とが分離（たとえば、冷凍分離）されることによって、各チップ部品６１が得られる。
【００６７】
以上、この実施形態に係るチップ部品６１によれば、基板２の第２面４と第３面５との角部２２が第１樹脂膜６２および第２樹脂膜６９で覆われるため、当該角部２２の絶縁性を向上させることができる。その結果、複数のチップ部品６１を並べてフリップチップ実装したときに、隣り合うチップ部品６１の角部２２同士が接触して短絡することを防止することができる。また、絶縁性を付与するための膜が樹脂膜であるため、高い機械的強度を確保することができる。
【００６８】
また、第２樹脂膜６９は、図１０Ｇを参照して、支持テープ７１の粘着剤（樹脂膜）を利用して形成され、第１樹脂膜６２は、図１０Ｈを参照して、感光性樹脂７５の塗布によって形成される。このような簡単な工程で第１樹脂膜６２および第２樹脂膜６９を形成できるため、工程が複雑化しなくて済む。
次に、機能素子９の具体的な形態例について説明する。チップ部品１において、前述の機能素子９は、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、コイルＬまたはダイオードＤのうちの少なくとも１種を含むことができる。
【００６９】
以下、機能素子９が抵抗Ｒを含む第１形態例、機能素子９がコンデンサＣを含む第２形態例、機能素子９がコイルＬを含む第３形態例、および、機能素子９がダイオードＤを含む第４形態例について順に説明する。
図１１は、図１および図２のチップ部品１の内部構造を示す平面図であって、機能素子９の第１形態例を説明するための図である。図１２は、図１１のXII-XII断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品１を示す図である。本形態例において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７０】
図１１および図１２を参照して、チップ部品１は、抵抗Ｒを機能素子９として含む。抵抗Ｒは、表面絶縁膜６の上に形成されている。抵抗Ｒは、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域に形成されている。
抵抗Ｒは、第１電極膜７および第２電極膜８に電気的に接続されている。より具体的には、抵抗Ｒは、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域に形成された抵抗導電体膜７６を含む。
【００７１】
図１１では、帯状に延びる抵抗導電体膜７６が、葛折り状に引き回されている例が示されている。抵抗導電体膜７６は、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域を、直線状に延びていてもよい。
抵抗導電体膜７６は、銅の抵抗率よりも高い抵抗率を有する金属材料によって形成されていることが好ましい。抵抗導電体膜７６は、Ｔｉ膜またはＴｉＮ膜によって形成されていてもよい。抵抗導電体膜７６は、Ｔｉ膜およびＴｉ膜の上に形成されたＴｉＮ膜を含む積層構造を有していてもよい。
【００７２】
図１３は、図１および図２のチップ部品１の内部構造を示す平面図であって、機能素子９の第２形態例を説明するための図である。図１４は、図１３のXIV-XIV断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品１を示す図である。本形態例において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７３】
図１３および図１４を参照して、チップ部品１は、コンデンサＣを機能素子９として含む。コンデンサＣは、表面絶縁膜６の上に形成されている。コンデンサＣは、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域に形成されている。コンデンサＣは、第１電極膜７および第２電極膜８に電気的に接続されている。
コンデンサＣは、より具体的には、第１電極膜７７、誘電体膜７８および第２電極膜７９が、表面絶縁膜６側からこの順に積層された積層構造を有している。
【００７４】
第１電極膜７７は、表面絶縁膜６の上に形成されている。第１電極膜７７は、第１電極膜７に電気的に接続されている。より具体的には、第１電極膜７７は、第１電極膜７から第２電極膜８側に向けて引き出された引き出し電極膜として、第１電極膜７と一体的に形成されている。
誘電体膜７８は、第１電極膜７７の上に形成されている。誘電体膜７８は、表面絶縁膜６も被覆している。
【００７５】
第２電極膜７９は、誘電体膜７８の上に形成されている。第２電極膜７９は、第２電極膜８に電気的に接続されている。より具体的には、第２電極膜８は、第２電極膜７９と共に誘電体膜７８の上に形成されている。第２電極膜７９は、第２電極膜８から第１電極膜７側に向けて引き出された引き出し電極膜として、第２電極膜８と一体的に形成されている。
【００７６】
図１５は、図１および図２のチップ部品１の内部構造を示す平面図であって、機能素子９の第３形態例を説明するための図である。図１６は、図１５のXVI-XVI断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品１を示す図である。本形態例において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７７】
図１５および図１６を参照して、チップ部品１は、機能素子９としてコイルＬを含む。コイルＬは、表面絶縁膜６の上に形成されている。コイルＬは、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域に形成されている。コイルＬは、第１電極膜７および第２電極膜８に電気的に接続されている。
コイルＬは、より具体的には、平面視螺旋状のコイル導電体膜８０を含む。コイル導電体膜８０は、外側コイルエンド８１、および、内側コイルエンド８２を含む。外側コイルエンド８１は、螺旋の最外周に位置している。内側コイルエンド８２は、螺旋の中心部に位置している。
【００７８】
表面絶縁膜６の上には、第１接続電極膜８３が形成されている。第１接続電極膜８３は、第１電極膜７および外側コイルエンド８１に接続されている。
表面絶縁膜６の上には、コイル用絶縁膜８４が形成されている。コイル用絶縁膜８４は、第１電極膜７、コイル導電体膜８０および第１接続電極膜８３を被覆している。コイル用絶縁膜８４には、コンタクト孔８５が形成されている。コンタクト孔８５は、コイル導電体膜８０の内側コイルエンド８２を露出させている。
【００７９】
第２電極膜８は、コイル用絶縁膜８４の上に形成されている。第２電極膜８は、第２接続電極膜８６を介して、コイル導電体膜８０の内側コイルエンド８２に接続されている。
第２接続電極膜８６は、第２電極膜８からコンタクト孔８５に向けて引き出されている。第２接続電極膜８６は、コイル用絶縁膜８４の上からコンタクト孔８５に入り込んでいる。第２接続電極膜８６は、コンタクト孔８５内において、コイル導電体膜８０の内側コイルエンド８２に電気的に接続されている。
【００８０】
図１７は、図１および図１のチップ部品１の内部構造を示す平面図であって、機能素子９の第４形態例を説明するための図である。図１８は、図１７に示すXVIII-XVIII断面を示す断面図であって、フェイスダウン姿勢のチップ部品１を示す図である。本形態例において、前述の実施形態と同一または類似の要素には、前述の実施形態と同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００８１】
図１７および図１８を参照して、チップ部品１は、ダイオードＤを機能素子９として含む。図１７および図１８では、ダイオードＤが、双方向ツェナーダイオードである例が示されている。
チップ部品１は、シリコン基板である基板２を含む。チップ部品１は、ｐ型の第１不純物領域８７および複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂを含む。第１不純物領域８７は、基板２の第１面３の表層部に形成されている。複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、第１不純物領域８７の表層部に形成されている。
【００８２】
ｐ型の第１不純物領域８７は、より具体的には、基板２の第１面３の表層部から基板２の第２面４の表層部に亘って一様に形成されている。これにより、ｐ型の導電型が、基板２の全域に対して付与されている。
複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、第１電極膜７および第２電極膜８が対向する対向領域において、中央部に形成されている。複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、第１電極膜７および第２電極膜８が対向する対向方向の直交方向（つまり、基板２の短手方向）に沿って互いに間隔を空けて形成されている。
【００８３】
複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、第１電極膜７に電気的に接続された第２不純物領域８８Ａと、第２電極膜８に電気的に接続された第２不純物領域８８Ｂとを含む。複数の第２不純物領域８８Ａおよび複数の第２不純物領域８８Ｂは、前記直交方向に沿って交互に配列されている。
複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、いずれも、平面視において前記対向方向に沿って延びる長方形状に形成されている。複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂは、ほぼ同一の深さおよびほぼ同一の不純物濃度でそれぞれ形成されている。
【００８４】
表面絶縁膜６は、複数の第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂを被覆している。表面絶縁膜６には、複数の第１コンタクト孔８９および複数の第２コンタクト孔９０が形成されている。複数の第１コンタクト孔８９は、第２不純物領域８８Ａをそれぞれ露出させている。複数の第２コンタクト孔９０は、第２不純物領域８８Ｂをそれぞれ露出させている。
表面絶縁膜６の上には、複数の第１引き出し電極膜９１および複数の第２引き出し電極膜９２が形成されている。複数の第１引き出し電極膜９１および複数の第２引き出し電極膜９２は、互いに噛合う櫛歯形状に形成されている。
【００８５】
複数の第１引き出し電極膜９１は、一対一対応の関係で複数の第２不純物領域８８Ａに電気的に接続されている。より具体的には、各第１引き出し電極膜９１は、一対一対応の関係で各第２不純物領域８８Ａを被覆するように、第１電極膜７から第２電極膜８に向けて引き出されている。各第１引き出し電極膜９１は、平面視において帯状に形成されている。
【００８６】
各第１引き出し電極膜９１は、表面絶縁膜６の上から第１コンタクト孔８９に入り込んでいる。各第１引き出し電極膜９１は、第１コンタクト孔８９内において、第２不純物領域８８Ａに電気的に接続されている。
複数の第２引き出し電極膜９２は、一対一対応の関係で複数の第２不純物領域８８Ｂに電気的に接続されている。より具体的には、複数の第２引き出し電極膜９２は、それぞれ、一対一対応の関係で複数の第２不純物領域８８Ｂを被覆するように、第２電極膜８から第１電極膜７に向けて帯状に引き出されている。
【００８７】
各第２引き出し電極膜９２は、表面絶縁膜６の上から第２コンタクト孔９０に入り込んでいる。各第２引き出し電極膜９２は、第２コンタクト孔９０内において、第２不純物領域８８Ａに電気的に接続されている。
ダイオードＤは、第１不純物領域８７（基板２）および第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂの間の領域に形成されたｐｎ接合部を含む。つまり、ダイオードＤは、第１不純物領域８７をアノードとし、第２不純物領域８８Ａ，８８Ｂをカソードとする複数の双方向ツェナーダイオード要素Ｄｅｌを含む。
【００８８】
複数の双方向ツェナーダイオード要素Ｄｅｌは、より具体的には、基板２の短手方向に互いに隣り合って形成された第１ツェナーダイオードＤＺ１および第２ツェナーダイオードＤＺ２を含む。
第１ツェナーダイオードＤＺ１は、第１不純物領域８７（基板２）および第２不純物領域８８Ａのｐｎ接合部によって形成されている。第２ツェナーダイオードＤＺ２は、第１不純物領域８７（基板２）および第２不純物領域８８Ｂのｐｎ接合部によって形成されている。第１ツェナーダイオードＤＺ１および第２ツェナーダイオードＤＺ２は、第１不純物領域８７（基板２）を介して電気的に接続されている。
【００８９】
これら複数の双方向ツェナーダイオード要素Ｄｅｌによって構成された１つの双方向ツェナーダイオードによって、ダイオードＤが形成されている。
以上、機能素子９の具体的な構造を、第１形態例〜第４形態例を用いて説明したが、機能素子９は、第１形態例〜第４形態の各構造が任意に組み合わされた複合型の構造を有し得る。
【００９０】
たとえば、複数の機能素子９が、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域において、基板２の第１面３に平行な方向に沿って互いに隣り合って形成されていてもよい。また、複数の機能素子９が、第１電極膜７および第２電極膜８の間の領域において、基板２の第１面３の法線方向に積層配置されていてもよい。
複数の機能素子９は、抵抗Ｒ、コンデンサＣ、コイルＬまたはダイオードＤのうちの少なくとも１種を、それぞれ含んでいてもよい。複数の機能素子９は、互いに共通の機能素子を含んでいてもよいし、互いに異なる機能素子を含んでいてもよい。
【００９１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の実施形態において、基板２は、半導体基板であってもよい。半導体基板は、シリコン基板であってもよい。基板２が半導体基板（シリコン基板）からなる場合、シリコン酸化膜によって前述の表面絶縁膜６を形成できる。
【００９２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１  チップ部品
２  基板
３  第１面
４  第２面
５  第３面
９  機能素子
１０  絶縁層
１５  第１外部電極
１７  第２外部電極
１９  樹脂膜
２０  第１部分
２１  第２部分
２２  角部
２３  端部
２５  回路モジュール
２６  実装基板
２７  配線
３２  ベース基板
３３  第１面
３４  第２面
３５  部品形成領域
４３  溝
４４  第３面
４５  支持テープ
４９  感光性樹脂
５１  チップ部品
５２  端部
６１  チップ部品
６２  第１樹脂膜
６５  第１開口
６６  第２開口
６９  第２樹脂膜
７１  支持テープ
７３  樹脂膜
７５  感光性樹脂
Ｒ  抵抗
Ｃ  コンデンサ
Ｌ  コイル
Ｄ  ダイオード
【図１】
2019161170.tif 000003
【図２】
2019161170.tif 000004
【図３】
2019161170.tif 000005
【図４】
2019161170.tif 000006
【図５Ａ】
2019161170.tif 000007
【図５Ｂ】
2019161170.tif 000008
【図５Ｃ】
2019161170.tif 000009
【図５Ｄ】
2019161170.tif 000010
【図５Ｅ】
2019161170.tif 000011
【図５Ｆ】
2019161170.tif 000012
【図５Ｇ】
2019161170.tif 000013
【図５Ｈ】
2019161170.tif 000014
【図５Ｉ】
2019161170.tif 000015
【図５Ｊ】
2019161170.tif 000016
【図６】
2019161170.tif 000017
【図７】
2019161170.tif 000018
【図８Ａ】
2019161170.tif 000019
【図８Ｂ】
2019161170.tif 000020
【図８Ｃ】
2019161170.tif 000021
【図８Ｄ】
2019161170.tif 000022
【図９】
2019161170.tif 000023
【図１０Ａ】
2019161170.tif 000024
【図１０Ｂ】
2019161170.tif 000025
【図１０Ｃ】
2019161170.tif 000026
【図１０Ｄ】
2019161170.tif 000027
【図１０Ｅ】
2019161170.tif 000028
【図１０Ｆ】
2019161170.tif 000029
【図１０Ｇ】
2019161170.tif 000030
【図１０Ｈ】
2019161170.tif 000031
【図１０Ｉ】
2019161170.tif 000032
【図１１】
2019161170.tif 000033
【図１２】
2019161170.tif 000034
【図１３】
2019161170.tif 000035
【図１４】
2019161170.tif 000036
【図１５】
2019161170.tif 000037
【図１６】
2019161170.tif 000038
【図１７】
2019161170.tif 000039
【図１８】
2019161170.tif 000040