(57)【要約】【課題】シリコンウェーハ上に樹脂層が形成された板状ワークを短時間で分割すること。【解決手段】シリコンウェーハ（１６）上のデバイス（Ｄ）を樹脂層（１５）で封止した板状ワーク（Ｗ）の分割方法であって、シリコンウェーハ上の樹脂層を切削ブレード（４２）で切削して切削溝（１７）を形成し、溝底面（１８）にシリコンウェーハの上面を露出させる工程と、切削後の板状ワークを減圧室（５２）に投入して、プラズマ化させたエッチングガスで樹脂層から露出したシリコンウェーハを深さ方向にエッチングして分割する工程とを実施する構成にした。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面にデバイスを形成するシリコンウェーハの上面に樹脂層を形成した板状ワークを、デバイス毎に分割する板状ワークの分割方法であって、
シリコンウェーハを保持テーブルで保持する保持工程と、
該保持工程で保持したシリコンウェーハの該樹脂層を切削ブレードで切削して溝を形成し、溝底面にシリコンウェーハを露出させる切削工程と、
該切削工程後の板状ワークを減圧室に投入し、プラズマ化させたエッチングガスで、該樹脂層をマスクとして利用し該溝の深さを延長させるようにシリコンウェーハをエッチングしてシリコンウェーハを分割加工するプラズマエッチング工程と、を備えた板状ワークの分割方法。
【請求項２】
該切削工程の開始後と該プラズマエッチング工程の開始前との間に、該溝底面に露出したシリコンウェーハの上面を洗浄する洗浄工程を含んだ請求項１記載の板状ワークの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状ワークをデバイス毎に分割する板状ワークの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ上にデバイスが形成され、デバイスを樹脂封止した板状ワークの分割方法として、ブレード幅の異なる一対の切削ブレードを用いてステップカットする方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の分割方法では、樹脂用の幅広ブレードで樹脂層を分割予定ラインに沿ってハーフカットした後に、基板用の幅狭ブレードでシリコンウェーハをフルカットしている。樹脂層の切削時に切削ブレードの先端をシリコンウェーハの上面に切り込ませることで、樹脂用の幅広ブレードの切れ味を維持させながら切削している。
【０００３】
また、板状ワークの分割方法として、アブレーション加工によって分割する方法が考えられている。この分割方法では、樹脂に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射して樹脂をハーフカットした後に、さらにシリコンに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射してシリコンウェーハをフルカットしている。通常、これらの板状ワークの分割方法では、切削ブレードを用いた切削加工時やレーザビームによるアブレーション加工時に、シリコンウェーハに残ったダメージ層を除去するためにドライエッチングが実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１２８７９６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の切削加工による分割方法やアブレーション加工による他の分割方法では、板状ワークの分割後にドライエッチングしているため、加工工数が増加するという問題があった。また、アブレーション加工を用いた他の分割方法では、樹脂の厚みが大きいと、板状ワークに対して何往復も加工を繰り返さなければならなかった。さらに、アブレーション加工時に板状ワークに対するデブリの付着を防止するために、板状ワークの表面に保護膜を形成しなければならなかった。このように、上記の各分割方法では、板状ワークを分割する際に加工時間が長くなってしまっていた。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、シリコンウェーハ上に樹脂層が形成された板状ワークを短時間で分割することができる板状ワークの分割方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の板状ワークの分割方法は、上面にデバイスを形成するシリコンウェーハの上面に樹脂層を形成した板状ワークを、デバイス毎に分割する板状ワークの分割方法であって、シリコンウェーハを保持テーブルで保持する保持工程と、該保持工程で保持したシリコンウェーハの該樹脂層を切削ブレードで切削して溝を形成し、溝底面にシリコンウェーハを露出させる切削工程と、該切削工程後の板状ワークを減圧室に投入し、プラズマ化させたエッチングガスで、該樹脂層をマスクとして利用し該溝の深さを延長させるようにシリコンウェーハをエッチングしてシリコンウェーハを分割加工するプラズマエッチング工程と、を備えている。
【０００８】
この構成によれば、切削によって板状ワークの樹脂層からシリコンウェーハを露出させ、樹脂層をマスクにしてシリコンウェーハをエッチングすることで板状ワークがデバイス毎に分割される。切削ブレードによって樹脂層が切削されるため、樹脂層の厚みが大きくても加工パス数を増やすことなく樹脂層からシリコンウェーハを露出させることができる。また、エッチングによってシリコンウェーハが分割されるため、分割後のシリコンウェーハからダメージ層を除去するために改めてエッチングを施す必要がない。したがって、切削時には加工パス数の増加を抑え、分割後にはダメージ層の除去のためのエッチングを省略して加工時間を短縮することができる。
【０００９】
本発明の一態様の板状ワークの分割方法は、該切削工程の開始後と該プラズマエッチング工程の開始前との間に、該溝底面に露出したシリコンウェーハの上面を洗浄する洗浄工程を含んでいる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、板状ワークの樹脂層をマスクとして、樹脂層から露出したシリコンウェーハをプラズマエッチングすることで、加工工数を増やすことなく短時間で個々のデバイスに分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態の板状ワークの断面模式図である。
【図２】比較例の板状ワークの分割方法である。
【図３】本実施の形態の切削装置の斜視図である。
【図４】本実施の形態のエッチング装置の断面模式図である。
【図５】本実施の形態の板状ワークの分割方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の板状ワークの分割方法について説明する。図１は、本実施の形態の板状ワークの断面模式図である。図２は、比較例の板状ワークの分割方法である。なお、図１の板状ワークは一例を示すものであり、シリコンウェーハ上に樹脂層を積層して形成されたものであれば、どのように構成されてもよい。
【００１３】
図１に示すように、板状ワークＷは、例えば、複数のデバイスＤをパッケージングしたＷＬＣＳＰ（Wafer  Level  Chip  Size  Package）基板であり、樹脂層１５によって衝撃や異物等の外部環境からデバイスＤを保護している。板状ワークＷは格子状の分割予定ラインで区画されており、分割予定ラインで区画された各領域にデバイスＤが形成されている。シリコンウェーハ１６の上面のデバイスＤが樹脂層１５で封止されることで、板状ワークＷが樹脂層１５とシリコンウェーハ１６の二層構造で形成される。板状ワークＷは、粘着テープＴを介してリングフレームＦに支持された状態で搬送される。
【００１４】
ところで通常は、この種の二層構造の板状ワークＷに対して樹脂層１５とシリコンウェーハ１６に分けて段階的に加工される。例えば、図２Ａに示す切削加工では、樹脂用の切削ブレード１０１とシリコン用の切削ブレード１０２によって板状ワークＷに対してステップカットが実施されるが、シリコンウェーハ１６の切削時のダメージによってチッピングが生じるおそれがある。図２Ｂに示すアブレーション加工によってシリコンウェーハ１６に対するチッピングを抑えることができるが、チッピングの代わりに分割後のデバイスチップに熱ダメージが生じるおそれがある。
【００１５】
また、アブレーション加工は厚みが小さな樹脂層１５には有効であるが、厚みが大きな樹脂層１５を貫通させるためには加工パス数を増やさなければならない。レーザの出力を高めて加工パス数を減らすことができるが、板状ワークＷに対する熱ダメージが大きくなってしまう。さらに、アブレーション加工では、板状ワークＷの表面にデブリの付着を防止するための保護膜１０３を形成しなければならない。このように、二層構造の板状ワークＷの分割時には、分割後のデバイスチップにダメージ層が残ると共に、加工工数が増加してしまっていた。
【００１６】
これらの分割用法であっても、分割後のデバイスチップにエッチングを施すことでダメージ層を除去することができる。加工工数が増加しても、加工ライン数が少なければ全体として加工時間が長くなり過ぎることはない。しかしながら、ＷＬＣＳＰのようにデバイスＤが小さく加工ライン数が多い板状ワークＷの場合には、分割に要する時間が長くなるのに加え、分割後のデバイスチップにエッチングを実施しなければならない。このため、分割後のデバイスチップにダメージを残さずに、短時間で板状ワークＷを分割することができる分割方法が求められている。
【００１７】
そこで、本件発明者は、板状ワークＷの樹脂層１５がプラズマエッチング時のマスクとして利用できる点に着目し、樹脂層１５を切削ブレード４２（図３参照）で切削した後に、樹脂層１５から露出したシリコンウェーハ１６をプラズマエッチングで分割している。これにより、シリコンウェーハ１６の分割時にデバイスチップにダメージ層が残ることがなく、改めてデバイスチップをプラズマエッジングする必要もない。また、プラズマエッチングでシリコンウェーハ１６が分割されるため、ＷＬＣＳＰ基板のように加工ライン数が多い板状ワークＷを短時間で分割することができる。
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の板状ワークの分割方法に使用される切削装置及びエッチング装置について説明する。図３は、本実施の形態の切削装置の斜視図である。図４は、本実施の形態のエッチング装置の断面模式図である。なお、切削装置及びエッチング装置は、図３及び図４に示す例に限定されない。切削装置は板状ワークを切削可能な構成であればよく、エッチング装置は板状ワークをエッチング可能な構成であればよい。
【００１９】
図３に示すように、切削装置１０は、保持テーブル２５上の板状ワークＷの樹脂層１５（図１参照）を切削ブレード４２によって切削するように構成されている。切削装置１０の基台１１上には、保持テーブル２５をＸ軸方向に切削送りする切削送り手段２０が設けられている。切削送り手段２０は、基台１１上に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール２１と、一対のガイドレール２１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル２２とを有している。Ｘ軸テーブル２２の背面側には不図示のナット部が形成され、このナット部にボールネジ２３が螺合されている。ボールネジ２３の一端部に連結された駆動モータ２４が回転駆動されることで、保持テーブル２５が一対のガイドレール２１に沿ってＸ軸方向に動かされる。
【００２０】
Ｘ軸テーブル２２上には、板状ワークＷを保持する保持テーブル２５がＺ軸回りに回転可能に設けられている。保持テーブル２５の上面には吸引源（不図示）に接続された保持面２６が形成されており、保持面２６に生じる負圧によって板状ワークＷが吸引保持される。保持テーブル２５の周囲には、エア駆動式の４つのクランプ部２７が設けられ、各クランプ部２７によって板状ワークＷの周囲のリングフレームＦが四方から挟持固定される。また、基台１１の上面には、保持テーブル２５の移動経路を跨ぐように立設した門型の立壁部１２が設けられている。
【００２１】
立壁部１２には、切削手段４０をＹ軸方向にインデックス送りするインデックス送り手段３０と、切削手段４０をＺ軸方向に切込み送りする切り込み送り手段３５とが設けられている。インデックス送り手段３０は、立壁部１２の前面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に設置されたＹ軸テーブル３２とを有している。切り込み送り手段３５は、Ｙ軸テーブル３２上に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール３６と、一対のガイドレール３６にスライド可能に設置されたＺ軸テーブル３７とを有している。
【００２２】
Ｚ軸テーブル３７の下部には、切削ブレード４２で板状ワークＷを切り込む切削手段４０が設けられている。Ｙ軸テーブル３２及びＺ軸テーブル３７の背面側には、それぞれナット部が形成され、これらナット部にボールネジ３３、３８が螺合されている。Ｙ軸テーブル３２用のボールネジ３３、Ｚ軸テーブル３７用のボールネジ３８の一端部には、それぞれ駆動モータ３４、３９が連結されている。駆動モータ３４、３９により、それぞれのボールネジ３３、３８が回転駆動されることで、切削手段４０がガイドレール３１に沿ってＹ軸方向に移動されると共に、ガイドレール３６に沿ってＺ軸方向に動かされる。
【００２３】
切削手段４０は、ハウジング４１から突出したスピンドル（不図示）の先端に切削ブレード４２を回転可能に装着して構成される。切削ブレード４２は、ダイヤモンド等の砥粒をボンド剤で結合して円板状に形成されている。このように構成された切削装置１０では、板状ワークＷの分割予定ラインに切削ブレード４２が位置合わせされ、板状ワークＷの外側で切削ブレード４２が降ろされて高さ位置が調整される。そして、切削ブレード４２が回転された状態で、切削ブレード４２に対して板状ワークＷが相対的に切削送りされる。これにより、板状ワークＷの樹脂層１５が切削されてシリコンウェーハ１６が部分的に露出される（図５Ｃ参照）。
【００２４】
図４に示すように、エッチング装置５０は、チャンバ５１の減圧室５２に板状ワークＷを搬入し、エッチングガスをプラズマ化させて、樹脂層１５から露出したシリコンウェーハ１６をエッチングで分割するように構成されている。チャンバ５１の側壁５３には、板状ワークＷの搬入及び搬出する搬入出口５６が形成されている。側壁５３の外壁面には、搬入出口５６を開閉する開閉機構５７が取り付けられている。開閉機構５７は、シリンダ５８の上端に開閉扉５９が連結されており、シリンダ５８によって開閉扉５９が外壁面に沿って昇降されることで搬入出口５６が開閉される。
【００２５】
減圧室５２には、電界を形成する下部電極ユニット６０と上部電極ユニット７０とが上下方向で所定の間隔を空けて対向して配設されている。下部電極ユニット６０は、チャンバ５１の底壁５４を貫通する導電性の支柱部６１と、支柱部６１の上端に設けられている導電性の保持テーブル６２とから構成されている。保持テーブル６２の上面には、真空チャックによって板状ワークＷを仮止めする保持面６３が形成されている。保持面６３には、吸引源８１に連なる多数の吸引口６４が形成されており、多数の吸引口６４に生じる負圧によって板状ワークＷが仮止めされる。
【００２６】
また、保持テーブル６２内には、静電チャックによって板状ワークＷを本止めする保持電極６５が埋設されている。保持電極６５は直流電源８２に接続されており、保持面６３に生じる静電気によって板状ワークＷが本止めされる。なお、真空チャック又は静電チャックのいずれか一方で、保持面６３に板状ワークＷが保持されてもよい。また、下部電極ユニット６０内には、冷媒供給手段８３から送り出された冷媒が通る冷却路６６が形成されている。エッチング時には、保持テーブル６２に発生する熱が冷媒に伝達されて異常な温度上昇が抑えられている。
【００２７】
上部電極ユニット７０は、チャンバ５１の上壁５５を貫通する導電性の支柱部７１と、支柱部７１の下端に設けられている噴射テーブル７３とから構成されている。噴射テーブル７３の下面には、減圧室５２にエッチングガス又は不活性ガスを噴射する噴射面７４が形成されている。噴射面７４には多数の噴射口７５が形成されており、噴射口７５には噴射テーブル７３及び支柱部７１内の流路７６を通じてエッチングガス供給源８５及び不活性ガス供給源８６が接続されている。エッチングガス供給源８５及び不活性ガス供給源８６の管路の途中には切換バルブ８７、８８が設けられ、切換バルブ８７、８８によってガスの供給元が切換可能になっている。
【００２８】
なお、エッチングガスとしては、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、四フッ化メタン（ＣＦ４）、三フッ化窒素（ＮＦ３）等のフッ素を含むフッ素系安定ガスが用いられる。また、不活性ガスとしては、例えば、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）が用いられる。なお、不活性ガスは、減圧室５２内への板状ワークＷの搬入出時に減圧室内を乾燥状態に維持するために使用される。減圧室５２に不活性ガスを供給し続けながら板状ワークＷを搬入出させることで、減圧室５２内の湿度の上昇を抑えて減圧室５２の減圧時間を短縮させている。
【００２９】
上部電極ユニット７０の支柱部７１の上端側は、チャンバ５１から上方に突出しており、チャンバ５１の上壁５５に設けられたボールネジ式の昇降機構９１に連結されている。この昇降機構９１が駆動されることで、上部電極ユニット７０が下部電極ユニット６０に対して離反又は接近され、保持テーブル６２上の板状ワークＷに対して噴射テーブル７３の高さが適切な位置に調整される。下部電極ユニット６０は高周波電源９２に接続され、上部電極ユニット７０は接地されている。下部電極ユニット６０及び上部電極ユニット７０の間で高周波電圧が印加されることでエッチングガスがプラズマ化される。
【００３０】
チャンバ５１には保持テーブル６２の下方に排気口９３が形成されており、排気口９３には排気バルブ９４を介して減圧手段９５が接続されている。減圧手段９５はいわゆるターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）であり、減圧手段９５によって減圧室５２からエッチングガスや不活性ガスが排気されることで減圧室５２が減圧される。また、チャンバ５１には、圧力ゲージとして陽圧ゲージ９６と陰圧ゲージ９７が設けられている。陽圧ゲージ９６は板状ワークＷの搬入及び搬出時の減圧室５２の陽圧状態を検出し、陰圧ゲージ９７はプラズマエッチング時の減圧室５２の減圧状態を検出している。
【００３１】
このように構成されたエッチング装置５０では、チャンバ５１が減圧された状態で、上部電極ユニット７０から板状ワークＷに向けてエッチングガスが噴射される。この状態で、上部電極ユニット７０及び下部電極ユニット６０間に高周波電圧が印加されることで、エッチングガスがプラズマ化されて板状ワークＷが異方性エッチングされる。板状ワークＷの樹脂層１５から部分的にシリコンウェーハ１６が露出しているため、樹脂層１５をマスクとしてシリコンウェーハ１６だけがエッチングされる。よって、シリコンウェーハ１６の露出部分が深さ方向に除去されて板状ワークＷが個々のデバイスチップに分割される。
【００３２】
以下、図５を参照して、本実施の形態の板状ワークの分割方法について説明する。図５は、本実施の形態の板状ワークの分割方法の説明図である。図５Ａは保持工程、図５Ｂ及び図５Ｃは切削工程、図５Ｄ及び図５Ｅはプラズマエッチング工程のそれぞれ一例を示す図である。なお、図５に示す各ステップは、一例を示すものであり、この構成に限定されない。
【００３３】
図５Ａに示すように、先ず保持工程が実施される。保持工程では、切削装置１０（図３参照）に板状ワークＷが搬入されると、保持テーブル２５の中央に板状ワークＷが位置付けられるように粘着テープＴを介して板状ワークＷが載置される。そして、保持テーブル２５の保持面２６に生じる負圧によって粘着テープＴを介してシリコンウェーハ１６が吸引保持され、板状ワークＷの周囲のリングフレームＦ（図３参照）が複数のクランプ部２７（図３参照）によって挟持固定される。
【００３４】
図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、保持工程が実施された後に切削工程が実施される。切削工程では、切削ブレード４２が板状ワークＷの分割予定ラインに位置合わせされ、板状ワークＷの径方向外側で板状ワークＷの樹脂層１５を切断可能な深さまで降ろされる。切削ブレード４２に対して板状ワークＷが水平方向に切削送りされることで、切削ブレード４２で樹脂層１５が切削されて板状ワークＷに分割予定ラインに沿った切削溝１７が形成され、樹脂層１５の溝底面１８にシリコンウェーハ１６が露出される。１本の分割予定ラインに沿って切削溝１７が形成されると、隣接する分割予定ラインに沿って再び切削溝１７が形成される。
【００３５】
板状ワークＷの一方向の全ての分割予定ラインに沿って切削溝１７が形成されると、保持テーブル２５が９０度回転して、再び切削ブレード４２に対して保持テーブル２５が切削送りされることで切削溝１７が形成される。このとき、切削ブレード４２によってシリコンウェーハ１６の上面が僅かに切り込まれており、切削ブレード４２の切れ味を維持しながら樹脂層１５が切削されている。このようにして、板状ワークＷの全ての分割予定ラインに沿って切削溝１７が格子状に形成され、板状ワークＷの樹脂層１５にエッチング時のマスクパターンが形成される。
【００３６】
また、切削工程中には洗浄工程が実施されている。洗浄工程では、板状ワークＷの切削溝１７に洗浄ノズル４５（図５Ｃ参照）が位置付けられ、洗浄ノズル４５から切削溝１７に対して洗浄水が噴き付けられる。これにより、切削溝１７内に残った切削屑が洗浄水に洗い流されて、切削溝１７の溝底面１８に露出したシリコンウェーハ１６の上面が洗浄される。なお、洗浄工程では、例えば、洗浄水と気体を混合した混合流体による２流体洗浄、高圧の洗浄水による高圧洗浄が実施される。また、洗浄工程は、切削工程の開始後からプラズマエッチング工程の開始前までの間に実施されればよく、例えば、切削工程の終了後に実施されてもよい。
【００３７】
図５Ｄに示すように、切削工程が実施された後にプラズマエッチング工程が実施される。プラズマエッチング工程では、エッチング装置５０（図４参照）の減圧室５２に板状ワークＷが投入されると、保持テーブル６２に粘着テープＴを介して板状ワークＷが載置される。そして、保持テーブル６２に吸引チャックで板状ワークＷが仮止めされた後に、静電チャックで板状ワークＷが本止めされる。保持テーブル６２に板状ワークＷが保持されると、噴射テーブル７３（上部電極）が保持テーブル６２（下部電極）に近づけられて電極間距離が調整され、減圧室５２が減圧状態になるまで真空排気される。
【００３８】
この減圧状態で噴射テーブル７３からエッチングガスが噴射され、噴射テーブル７３と保持テーブル６２の間で高周波電圧が印加されてエッチングガスがプラズマ化される。プラズマ化させたエッチングガスによって、樹脂層１５から露出したシリコンウェーハ１６の上面がエッチング（異方性エッチング）される。このとき、樹脂層１５がマスクとして機能するため、切削溝１７の深さを延長させるように溝底面１８のシリコンウェーハ１６の上面だけが深さ方向にエッチングされる。これにより、板状ワークＷの切削溝１７に沿ってシリコンウェーハ１６が分割加工される。
【００３９】
図５Ｅに示すように、エッチングによってシリコンウェーハ１６が完全に切断されると、板状ワークＷが個々のデバイスチップＣに分割される。このとき、エッチングガスとシリコンウェーハ１６を反応させながらエッチングしているため、シリコンウェーハ１６の分割面にダメージ層が残ることがない。また、板状ワークＷの樹脂層１５がエッチング時のマスクとして利用されるため、エッチング開始前に板状ワークＷにマスクを形成する工程や、エッチング終了後にデバイスチップＣからマスクを剥がす工程を省略して加工工数が低減されている。
【００４０】
なお、エッチング工程では、例えば、以下の加工条件で板状ワークＷのプラズマエッチングが実施される。加工条件は下記の内容に限定されるものではなく、装置性能、エッチング対象、ガス種に応じて適宜変更される。このような加工条件により、プラズマエッチングであっても短時間でシリコンウェーハ１６を分割することが可能になっている。
エッチングガス種：ＳＦ６
エッチングガス流量：１５０ｓｃｃｍ
高周波周波数：１３．５６ＭＨｚ
高周波電力出力：３ｋＷ
チャンバ内圧力：１０−１５Ｐａ（絶対圧表記）
処理時間：４分から５分
【００４１】
以上のように、本実施の形態の板状ワークの分割方法では、切削によって板状ワークＷの樹脂層１５からシリコンウェーハ１６を露出させ、樹脂層１５をマスクにしてシリコンウェーハ１６をエッチングすることで板状ワークＷがデバイスＤ毎に分割される。切削ブレード４２によって樹脂層１５が切削されるため、樹脂層１５の厚みが大きくても加工パス数を増やすことなく樹脂層１５からシリコンウェーハ１６を露出させることができる。また、エッチングによってシリコンウェーハ１６が分割されるため、分割後のシリコンウェーハ１６からダメージ層を除去するために改めてエッチングを施す必要がない。したがって、切削時には加工パス数の増加を抑え、分割後にはダメージ層の除去のためのエッチングを省略して加工時間を短縮することができる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、切削工程中に洗浄工程を実施する構成にしたが、この構成に限定されない。洗浄工程は必ずしも実施される必要はなく、洗浄工程が省略されていてもよい。
【００４３】
また、以下の加工条件に示すように、上記の噴射テーブル７３からエッチングガスに加えエッチング支援ガスとしてアルゴンを噴出させてもよい（図４参照）。さらに、下部電極ユニット６０にバイアス電源９２ａを配設させエッチング支援ガスに対してバイアス電源９２ａを作用させる。
プラズマ支援ガス種：Ａｒ、Ｈｅ
プラズマ支援ガス流量：１０００ｓｃｃｍ
バイアス電力周波数：２ＭＨｚ
バイアス電力出力：３００Ｗ
バイアス電力によってプラズマエッチングによるシリコンウェーハの深掘りが速くなる。
【００４４】
また、本実施の形態では、切削ブレードは、ハブ基台に切削砥石を固定したハブブレードでもよいし、ハブレスタイプのワッシャーブレードでもよい。
【００４５】
また、本実施の形態では、粘着テープは、テープ基材に粘着層が塗布された通常の粘着テープの他、テープ基材にＤＡＦが貼着されたＤＡＦ（Dai  Attach  Film）テープでもよい。
【００４６】
また、本実施の形態では、板状ワークとして、ＷＬＣＳＰ基板を例示して説明したが、板状ワークはシリコンウェーハ上に樹脂層が形成されたワークであればよく、通常のＣＳＰ基板でもよい。
【００４７】
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４８】
また、本発明の実施の形態及び変形例は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００４９】
また、本実施の形態では、本発明をシリコンウェーハに樹脂層を積層した板状ワークに適用した構成について説明したが、切削加工とプラズマエッチングを用いて分割可能な他の板状ワークの分割方法に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上説明したように、本発明は、シリコンウェーハ上に樹脂層が形成された板状ワークを短時間で分割することができるという効果を有し、特に、ＷＬＣＳＰ基板を個々のデバイスチップに分割する分割方法に有用である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  切削装置
１５  樹脂層
１６  シリコンウェーハ
１７  切削溝（溝）
１８  溝底面
２５  保持テーブル
４２  切削ブレード
４５  洗浄ノズル
５０  エッチング装置
５２  減圧室
Ｄ  デバイス
Ｗ  板状ワーク
【図１】
2019029571.tif 000003
【図２】
2019029571.tif 000004
【図３】
2019029571.tif 000005
【図４】
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【図５】
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