(57)【要約】【課題】従来よりもウェーハ外周部の平坦度を高めることができるレーザマークの印字方法を提案する。【解決手段】シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法において、上記複数のドットの各々を、レーザ光を第１のビーム径で上記シリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する第１工程（ステップＳ１）と、レーザ光を上記第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径で上記所定の位置に照射する第２工程（ステップＳ２）とにより形成することを特徴とする。【選択図】図１
2019000888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法において、
前記複数のドットの各々を、
レーザ光を第１のビーム径で前記シリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する第１工程と、
レーザ光を前記第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径で前記所定の位置に照射する第２工程と、
により形成することを特徴とするレーザマークの印字方法。
【請求項２】
前記第１のビーム径は前記第２のビーム径の１００％越え１２０％以下である、請求項１に記載のレーザマークの印字方法。
【請求項３】
前記第１工程は複数回のレーザ光の照射により行う、請求項１または２に記載のレーザマークの印字方法。
【請求項４】
前記第２工程は複数回のレーザ光の照射により行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレーザマークの印字方法。
【請求項５】
所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザマークの印字方法によりレーザマークを印字するレーザマーク印字工程と、
前記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記エッチング工程後の前記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程と、
を含むことを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
エッジ除外領域の幅を１ｍｍとして測定したＥＳＦＱＤの値が１００ｎｍ以下であることを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザマークの印字方法、レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法およびレーザマーク付きシリコンウェーハに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイスの基板として、シリコンウェーハが広く使用されている。このシリコンウェーハは、以下のように得られる。すなわちまず、チョクラルスキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ、ＣＺ）法等により育成した単結晶シリコンインゴットをブロックに切断し、ブロックの外周部を研削した後、スライスする。
【０００３】
スライスにより得られたシリコンウェーハに対して面取り処理、平坦化（ラップ）処理を施す。ラップ処理が施されたシリコンウェーハのおもて面または裏面の外周部には、レーザ光の照射によりウェーハ管理や識別のための識別符号（マーク）を印字する場合がある。レーザ光により印字されたマーク（以下、「レーザマーク」と言う。）は、複数の凹部（ドット）の集合からなる文字や記号で構成され、目視またはカメラ等により識別可能な大きさを有している。
【０００４】
上記レーザ光の照射により、ドットの周縁には環状の隆起部が形成される。そのため、上記レーザマークが印字されたシリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域（以下、「レーザマーク領域」とも言う。）に対して、エッチング処理を施して上記隆起部を除去した後、シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す（例えば、特許文献１参照）。続いて研磨処理が施されたシリコンウェーハに対して最終洗浄を施し、各種検査を行って所定の品質基準を満たすものが製品として出荷される。
【０００５】
近年、半導体デバイスの微細化・高集積化が益々進行し、シリコンウェーハには極めて高い平坦性が要求されている。また、デバイス形成領域についてもウェーハ径方向外側に年々拡大しており、ウェーハ外周部に対しても高い平坦性が要求されている。
【０００６】
ウェーハ外周部の平坦性の指標の１つに、ＥＳＦＱＤ（Edge Site Front least sQuares site Deviation, SEMI M67-1109）がある。ＥＳＦＱＤとは、シリコンウェーハの外周部に扇形のセクターを作成し、当該セクター内での高さデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準面とし、この平面からの符号を含まない最大変位量を意味しており、ＥＳＦＱＤは各サイトに１つの値を持つ。ただし表示は符号を含む。
【０００７】
上記ＥＳＦＱＤの値の測定は、デバイスが形成されないエッジ除外領域（Edge Exclusion、ＥＥ）は測定対象外としており、現状では、ＥＥは、ウェーハ最外周から２ｍｍの領域（以下、「ＥＥ＝２ｍｍ」とも表記する。）に設定される場合が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−２９３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のように、現状ではＥＥ＝２ｍｍとされる場合が多いが、より多くの素子を形成するために、ＥＥ＝１ｍｍへの縮小化が要求されつつある。しかしながら、本発明者による検討の結果、現状のＥＥ＝２ｍｍの条件下でＥＳＦＱＤを測定した場合にはウェーハ外周部の高い平坦性が実現できているシリコンウェーハについて、ＥＥ＝１ｍｍの条件下でＥＳＦＱＤを測定した場合には、ウェーハ外周部の平坦度が大きく悪化することが判明した。
【００１０】
上記ウェーハ外周部の平坦度の悪化について、ＥＥの変更により、ＥＳＦＱＤの測定領域に含まれるレーザマーク領域の大きさが異なる。そこで、上記ＥＥの変更によるＥＳＦＱＤの値の悪化は、レーザマーク領域の平坦度に起因していることが予想される。
【００１１】
そこで本発明の目的は、従来よりもウェーハ外周部の平坦度を高めることができるレーザマークの印字方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法において、
前記複数のドットの各々を、
レーザ光を第１のビーム径で前記シリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する第１工程と、
レーザ光を前記第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径で前記所定の位置に照射する第２工程と、
により形成することを特徴とするレーザマークの印字方法。
【００１３】
（２）前記第１のビーム径は前記第２のビーム径の１００％越え１２０％以下である、前記（１）に記載のレーザマークの印字方法。
【００１４】
（３）前記第２工程を複数回行う、前記（１）または（２）に記載のレーザマークの印字方法。
【００１５】
（４）前記第１工程を複数回行う、前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載のレーザマークの印字方法。
【００１６】
（５）所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、前記（１）〜（４）のいずれかに記載のレーザマークの印字方法によりレーザマークを印字するレーザマーク印字工程と、
前記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程と、
前記エッチング工程後の前記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程と、
を含むことを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法。
【００１７】
（６）エッジ除外領域の幅を１ｍｍとして測定したＥＳＦＱＤの値が１００ｎｍ以下であることを特徴とするレーザマーク付きシリコンウェーハ。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、従来よりもウェーハ外周部の平坦度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明によるレーザマークの印字方法において各ドットを形成する方法のフローチャートである。
【図２】本発明によりウェーハ外周部の平坦度が向上するメカニズムを説明する図である。
【図３】本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法のフローチャートである。
【図４】最終製品でのドット径に対するエッチング処理後のドットの径と、研磨処理工程後のドット周縁の隆起部の高さとの関係を示している。
【図５】発明例１および比較例に対するＥＳＦＱＤの値を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（レーザマークの印字方法）
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明によるレーザマークの印字方法は、シリコンウェーハに複数のドットを有するレーザマークを印字する方法である。図１に示すように、本発明によるレーザマークの印字方法において、複数のドットの各々を、レーザ光を第１のビーム径でシリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する第１工程（ステップＳ１）と、レーザ光を第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径で上記所定の位置に照射する第２工程（ステップＳ２）とにより形成することを特徴とする。
【００２１】
上述のように、ＥＥ＝２ｍｍの条件下でのＥＳＦＱＤの評価結果が良好なシリコンウェーハに対して、ＥＥ＝２ｍｍの条件下でＥＳＦＱＤを評価すると、ＥＥ＝１ｍｍの場合に比べて評価結果が大きく悪化することが判明した。
【００２２】
ＥＥの変更により、ＥＳＦＱＤの測定領域に含まれるレーザマーク領域の大きさが異なるため、上記ＥＳＦＱＤの悪化は、レーザマーク領域の平坦度が関与している可能性が高いと考えられる。そこで本発明者らは、レーザマーク領域の構造を詳細に調査した。その結果、レーザマークを構成するドットの周縁に隆起部が形成されていることが判明した。
【００２３】
上述のように、従来、シリコンウェーハの外周部にレーザマークを印字した後に、ドットの周縁に溶融したシリコンが隆起した隆起部が形成されるが、この隆起部はエッチング処理により除去し、その後シリコンウェーハの表面を研磨している。にもかかわらず、研磨処理後に、ドットの周縁に隆起部が形成されることが分かったのである。
【００２４】
本発明者らは、上記研磨処理後にドット周縁に隆起部が形成される原因について鋭意検討した。その結果、研磨処理中にドット周縁にて作用する砥粒が不足しているのではないかと考えた。すなわち、本発明者らは、図２（ａ）に示すように、研磨パッドＰとシリコンウェーハＷとの間に研磨スラリーを供給してシリコンウェーハＷの表面を研磨すると、研磨スラリーに含まれる砥粒ＧがドットＤ内に落下し、その結果ドットＤの周縁での砥粒の量が不足し、その結果、ドットＤ周縁での研磨量が他の部分の研磨量に比べて減り、図２（ｂ）に示すように、ドットＤ周縁に隆起部Ｂが形成されたのではないかと推測した。
【００２５】
そこで、本発明者らは、上記推測に基づいて、ドットＤの周縁に形成された隆起部Ｂの形成を抑制する方途について鋭意検討した。その結果、複数のドットＤの各々を、レーザ光を第１のビーム径で前記シリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する第１工程と、レーザ光を前記第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径で上記所定の位置に照射する第２工程とにより形成することが極めて有効であることを見出したのである。
【００２６】
上記複数のドットの各々を複数段階のレーザ光照射で形成することにより、隆起部Ｂの形成が抑制されるメカニズムは必ずしも明らかではないが、上述のようなレーザ光照射により、ドットＤを区画する壁面にテラスＴが形成され、このテラスＴにより砥粒ＧがドットＤの深い位置に落下するのが抑制され、ドットＤの周縁に滞留する砥粒Ｇが増加したためと考えられる。以下、複数のドットＤの各々を形成する工程について説明する。
【００２７】
まず、ステップＳ１において、レーザ光を第１のビーム径Ｄ１でシリコンウェーハの外周部の所定の位置に照射する（第１工程）。この第１工程において、シリコンウェーハの外周部の所定の位置に、第１の径Ｄ１および第１の深さｄ１を有する孔を形成する。なお、上記孔は、ウェーハのおもて面および裏面のいずれに形成してもよい。また、孔の第１の径Ｄ１とは、ウェーハ最表面での径を意味している。さらに、第１の深さｄ１は、ウェーハ表面から孔の最深部までの深さを意味している。
【００２８】
上記シリコンウェーハは、ＣＺ法や浮遊帯域溶融法（Floating Zone）法により育成された単結晶シリコンインゴットに対して、公知の外周研削、スライス、ラッピング処理を施して得られた、所定の厚みを有するものを用いることができる。
【００２９】
上記単結晶シリコンインゴットの育成は、育成したシリコンインゴットから採取されたシリコンウェーハが所望の特性を有するように、酸素濃度や炭素濃度、窒素濃度等を適切に調整することができる。また、導電型についても、適切なドーパントを添加してｎ型またはｐ型とすることができる。
【００３０】
レーザ光源としては、例えば赤外線レーザやＣＯ2レーザ、ＹＬＦレーザ（固体レーザ）を用いることができる。このうち、熱損傷を低く抑えることができることから、ＹＬＦレーザを用いることが好ましい。
【００３１】
シリコンウェーハに照射するレーザ光のビーム径は、レーザ光の出力で制御することができ、レーザ光の出力を大きくすることによりビーム径を大きくすることができる。本第１工程においては、後述する第２工程の第２のビーム径よりも大きな第１のビーム径で、レーザ光を照射することにより、シリコンウェーハの外周部の所定の位置に、第１の径Ｄ１および第１の深さｄ１の孔を形成する。
【００３２】
１回のレーザ光の照射により形成される孔の深さは、レーザ光の出力に依存せず、装置にもよるが、例えば約４μｍである。１回のレーザ光の照射により上記第１の深さｄ１の孔が得られない場合には、第１工程においてレーザ光照射を複数回行うことにより、上記第１の深さｄ１の孔を形成することができる。
【００３３】
なお、上記第１の深さｄ１は、後の研磨処理後に第１工程で設けられた孔が全て除去される深さとする。また、第１の深さｄ１は、後述する第２工程後の孔の第２の深さｄ２に対して５％以上５０％以下とすることが好ましい。これにより、研磨処理後のシリコンウェーハについて、ドット周縁の隆起部の形成を防止することができる。ここで、第２の深さｄ２は、第２工程によって、第１の工程で形成された孔の中にさらに形成された穴の部分の深さであり、ウェーハ表面からの深さではない。
【００３４】
次に、ステップＳ２において、レーザ光を第１のビーム径よりも小さな第２のビーム径Ｄ２で上記所定の位置、すなわち、第１工程でレーザ光を照射した位置に照射する（第２工程）。これにより、第１工程において形成された、第１の径Ｄ１および第１の深さｄ２の孔の中に、第１の径Ｄ１よりも小さな第２の径Ｄ２および第２の深さｄ２の孔を形成して、孔を区画する壁面にテラスを形成することができる。
【００３５】
第２のビーム径に対する第１のビーム径の割合（Ｄ１／Ｄ２）は１００％越え１２０％以下とすることが好ましい。より好ましくは、１０５％以上１２０％以下とする。これにより、後の研磨工程後に形成される隆起部の形成を防止することができる。
【００３６】
このように、所定の位置に、第１の直径Ｄ１および第１の深さｄ１と第２の深さｄ２との和の深さを有する孔を形成することができる。本明細書では、このように形成された孔をドットと呼ぶ。上記第１工程および第２工程を別の位置において繰り返し行って複数のドットを形成することにより、レーザマークを印字することができる。
【００３７】
なお、上述の説明では、第１工程および第２工程を行って１つのドットを形成した後、別のドットを形成しているが、まず全てのドット形成位置に対して第１工程を行った後に、第２工程を行うようにしてもよい。
【００３８】
また、上述の説明では、第１工程を行った後に第２工程を行っているが、第２工程を行った後に第１工程を行うこともできる。この場合、第２工程では、第１の深さｄ１と第２の深さｄ２との和の深さの孔を形成し、第１工程では、第２の直径Ｄ２、深さｄ１＋ｄ２の孔の中に第２の直径Ｄ２よりも大きな第１の直径Ｄ１、第１の深さｄ１の孔を形成するようにする。
【００３９】
上述のようにレーザマークが印字されたシリコンウェーハは、その後エッチング工程および研磨工程に供される。これらエッチング工程および研磨工程により、レーザマークを構成するドットの内部を含めたシリコンウェーハの表面部分が除去される。つまり、エッチング処理により、各ドットの径および深さが大きくなり、また少なくとも第１工程で形成された孔の部分は完全に除去される。よって、上記第１工程および第２工程では、研磨工程後のシリコンウェーハについて、最終製品での直径および最終製品での深さを有する複数のドットを有するレーザマークが得られるよう、各工程でのビーム径や設ける孔の深さを適切に設定するようにする。
【００４０】
（レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法）
次に、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法について説明する。図３、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法のフローチャートを示している。この図に示すように、本発明は、所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに、上述の本発明によるレーザマークの印字方法によりレーザマークを印字するレーザマーク印字工程（ステップＳ１１）と、上記シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施すエッチング工程（ステップＳ１２）と、該エッチング工程後の上記シリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す研磨工程（ステップＳ１３）とを含むことを特徴とする。
【００４１】
ステップＳ１１のレーザマーク印字工程は、上述の本発明によるレーザマークの印字方法で行う工程と同一であるため、説明は割愛するが、上記レーザマーク印字工程により、後述するステップＳ１２のエッチング工程におけるエッチング代が少ない場合でも、ステップＳ１３の研磨工程後にドット周縁に隆起部が形成されるのを抑制することができる。
【００４２】
上記レーザマーク印字工程の後、ステップＳ１２において、シリコンウェーハの少なくともレーザマークが印字された領域に対してエッチング処理を施す（エッチング工程）。このエッチング工程は、ステップＳ１１におけるレーザ光の照射により、ドットの周縁に形成された隆起部を除去する。また本エッチング工程により、ラップ処理によりシリコンウェーハに生じた歪みを除去することもできる。
【００４３】
上記エッチング工程の一例として、レーザマーク印字後のシリコンウェーハを、エッチング槽に充填されたエッチング液に浸して保持し、ウェーハを回転させながらエッチングする方法を挙げることができる。
【００４４】
エッチング液としては、アルカリ性のエッチング液を用いることが好ましく、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム水溶液からなるエッチング液を用いることが更に好ましい。このエッチング工程により、レーザマークを構成するドット部周縁の隆起部を除去するとともに、ラップ処理によりシリコンウェーハに生じた歪みを除去することもできる。
【００４５】
上記エッチング工程の後、ステップＳ１３において、エッチング工程後のシリコンウェーハの表面に対して研磨処理を施す（研磨工程）。本研磨工程においては、砥粒を有する研磨スラリーを用いてエッチング後のウェーハの両面を研磨する。
【００４６】
本研磨工程は、キャリアにシリコンウェーハを嵌め込み、ウェーハを、研磨布を貼りつけた上定盤および下定盤で挟み、上下定盤とウェーハとの間に、例えばコロイダルシリカ等のスラリーを流し込み、上下定盤およびキャリアを互いに反対方向に回転させて、シリコンウェーハの両面に対して鏡面研磨処理を施す。これにより、ウェーハ表面の凹凸を低減して平坦度の高いウェーハを得ることができる。
【００４７】
具体的には、研磨スラリーとしては、研磨砥粒としてコロイダルシリカを含むアルカリ性のスラリーを用いる。
【００４８】
上記研磨工程の後、シリコンウェーハの少なくとも片面を片面ずつ仕上げ研磨する片面仕上げ研磨する。この仕上げ研磨においては、片面のみの研磨および両面の研磨の両者を含む。両面を研磨する場合には、一方の表面の研磨を行った後他方の表面の研磨を行う。
【００４９】
その後、仕上げ研磨処理の後、研磨処理が施されたシリコンウェーハに対して洗浄する。具体的には、例えばアンモニア水、過酸化水素水および水の混合物であるＳＣ−１洗浄液や、塩酸、過酸化水素水および水の混合物であるＳＣ−２洗浄液を用いて、ウェーハ表面のパーティクルや有機物、金属等を除去する。
【００５０】
最後に、洗浄されたシリコンウェーハの平坦度、ウェーハ表面のＬＰＤの数、ダメージ、ウェーハ表面の汚染等を検査する。この検査において所定の品質を満足するシリコンウェーハのみが製品として出荷される。
【００５１】
こうして、従来よりも外周部の平坦度が高いレーザマーク付きシリコンウェーハを製造することができる。
【００５２】
（レーザマーク付きシリコンウェーハ）
続いて本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハについて説明する。本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハは、上述のレーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法により製造されたレーザマーク付きシリコンウェーハである。
【００５３】
上述のように、レーザマーク印字工程１１において、レーザマークを構成するドット周縁での隆起部の形成を抑制することができる。その結果、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハ従来よりも外周部の平坦度が高いものである。具体的には、ＥＥ＝１ｍｍの条件下で測定したＥＳＦＱＤの値が１００ｎｍ以下のシリコンウェーハである。
【実施例】
【００５４】
以下、具体的な実施例および比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
（発明例１）
図３に示したフローチャートに従って、径が１００μｍ、深さが５５μｍの複数のドットからなるレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。具体的には、ＣＺ法により育成された直径３００ｍｍの単結晶シリコンインゴットをブロックに切断し、外周研削した後、スライスしてシリコンウェーハとした。得られたシリコンウェーハの裏面外周部にレーザマークを印字した。具体的には、レーザ光源としてＹＦＬレーザを用い、第１工程として、レーザ光を出力３５００μＪで７回照射した後、第２工程として、レーザ光を出力１５００μＪで７回照射した。上記第１工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第１の径）は１１５μｍ、深さは４μｍとし、第２工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第２の径）は８８μｍ、深さは４μｍとした。これは、後の研磨処理後にドットの径が１００ｎｍとなる条件である。
【００５６】
続いて、レーザマークが印字されたシリコンウェーハに対してエッチング処理を施した。具体的には、エッチング液としては水酸化カリウム水溶液を用い、取り代は片面で約２．５μｍとした。
【００５７】
その後、エッチング処理が施されたシリコンウェーハに対して、両面研磨処理を施した。具体的には、キャリアにエッチング処理が施されたシリコンウェーハを嵌め込み、ウェーハを、研磨布を貼りつけた上定盤および下定盤で挟み、上下定盤とウェーハとの間に、コロイダルシリカを含むアルカリ性の研磨スラリーを流し込み、上下定盤およびキャリアを互いに反対方向に回転させて、シリコンウェーハの両面に対して鏡面研磨処理を施した。この両面研磨処理での取り代は、片面で約５μｍとした。
【００５８】
続いて、上記研磨処理が施されたシリコンウェーハに対して仕上げ研磨した後、洗浄して、本発明によるレーザマーク付きシリコンウェーハを得た。同条件で５枚のレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。
【００５９】
（比較例）
発明例１と同様にレーザマーク付きシリコンウェーハを得た。ただし、レーザマークを構成する複数のドットの各々は、レーザ光を出力１５００μＪで１４回照射して形成した。その際、各レーザ光照射により形成される孔の径は８８μｍ、深さは４μｍとした。これは、後の研磨処理後にドットの径が１００μｍとなる条件である。同条件で５枚のレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。
【００６０】
（発明例２）
発明例１と同様にレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマーク印字工程において、第１工程ではレーザ光の出力を２７００μＪで行い、第２工程ではレーザ光の出力を１５００μＪで行った。その他の条件は発明例１と同じであるが、作製したウェーハは１枚である。上記第１工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第１の径）は１０７μｍ、深さは４μｍとし、第２工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第２の径）は８８μｍ、深さは４μｍとした。これは、後の研磨処理後にドットの径が１００ｎｍとなる条件である。
【００６１】
（発明例３）
発明例１と同様にレーザマーク付きシリコンウェーハを作製した。ただし、レーザマーク印字工程において、第１工程ではレーザ光の出力を３９００μＪで行い、第２工程ではレーザ光の出力を１５００μＪで行った。その他の条件は発明例１と同じであるが、上記第１工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第１の径）は１２６μｍ、深さは４μｍとし、第２工程の各レーザ照射により形成される孔の径（第２の径）は８８μｍ、深さは４μｍとした。これは、後の後の研磨処理後にドットの径が１００ｎｍとなる条件である。
【００６２】
＜隆起部の高さの測定＞
上記発明例および比較例により得られたレーザマーク付きシリコンウェーハについて、レーザマークを構成するドット周縁に形成された隆起部の高さを測定した。具体的には、測定装置（KLA-Tencor社製、WaferSight2）を用いて全てのドットの周縁部の高さを測定し、その平均値を求めた。
【００６３】
図４は、最終製品でのドット径、つまり１００μｍに対する、エッチング処理後のドットの径（つまり、エッチング処理により拡大された第１の径）と、研磨処理工程後のドット周縁の隆起部の高さとの関係を示している。なお、比較例については、１４回のレーザ光照射を２工程に分けて行い、両工程でビーム径が同じ（つまり、Ｄ１＝Ｄ２）であるとの考えに基づいてデータを示している。図４から、比較例では、ドットの周縁に６０ｎｍを超える高さの隆起部が形成されているのに対して、発明例１〜４により得られたウェーハの全てについて、隆起部の形成を防止できていることが分かる。なお、発明例２および３では隆起部の高さはゼロであるのに対して、発明例１については隆起部の高さは−２０ｎｍ以下となっており、ドット周縁が凹んでいるが、後述するように、ＥＳＦＱＲの値は、発明例１についても１００ｎｍ以下となっており、ウェーハ外周部の平坦性については問題ない。
【００６４】
＜ＥＳＦＱＤの測定＞
上記発明例１および比較例により得られたレーザマーク付きシリコンウェーハのＥＳＦＱＤを測定した。具体的には、測定装置（KLA-Tencor社製、WaferSight2）を用いて、セクター数：２０、セクター長：１０ｍｍ、エッジ除外領域：１ｍｍで測定した。
【００６５】
図５は、発明例１および比較例により得られたレーザマーク付きシリコンウェーハのＥＳＦＱＤの値を示している。参考のために、比較例についてＥＥ＝２ｍｍでＥＳＦＱＤを測定した参考例も示している。なお、図５における値は、レーザマークが形成されたセクターに関する値を示している。この図から分かるように、発明例１のウェーハについては、ＥＳＦＱＤの値は１００ｎｍを大きく下回っているのに対して、比較例のウェーハについては、ＥＳＦＱＤの値は参考例の値よりも大きく、１００ｎｍを超えていることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明によれば、従来よりも外周部の平坦度が高いレーザマーク付きシリコンウェーハを得ることができるため、半導体産業において有用である。
【符号の説明】
【００６７】
Ｂ  隆起部
Ｄ  ドット（凹部）
Ｇ  砥粒
Ｐ  研磨パッド
Ｗ  シリコンウェーハ
【図１】
2019000888.tif 000003
【図２】
2019000888.tif 000004
【図３】
2019000888.tif 000005
【図４】
2019000888.tif 000006
【図５】
2019000888.tif 000007