(57)【要約】【課題】電解コンデンサの静電容量を増加させる陽極箔を提供すること。【解決手段】電解コンデンサ１０用の陽極箔２は、金属箔２２と、金属箔２２を覆う誘電体膜２４と、を備え、複数の孔Ｐが陽極箔２の表面に形成されており、孔Ｐの開口面積の標準偏差がσＡであり、孔Ｐの開口面積の平均値がａであり、σＡ／ａと定義される分散度が、０以上０．７４未満である。【選択図】図２
2019133983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と、前記金属箔を覆う誘電体膜と、を備える陽極箔であって、
複数の孔が前記陽極箔の表面に形成されており、
前記孔の開口面積の標準偏差がσＡであり、
前記孔の開口面積の平均値がａであり、
σＡ／ａと定義される分散度が、０以上０．７４未満である、
電解コンデンサ用の陽極箔。
【請求項２】
前記孔の深さの標準偏差σＤが、０μｍ以上７．８μｍ未満である、
請求項１に記載の陽極箔。
【請求項３】
前記孔の深さの平均値ｄが、５０μｍ以上前記陽極箔の厚さの１／２未満である、
請求項１又は２に記載の陽極箔。
【請求項４】
アルミニウムを含有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の陽極箔。
【請求項５】
前記陽極箔の表面が、前記アルミニウムの結晶構造の（１００）面に平行である、
請求項４に記載の陽極箔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の陽極箔と、
前記陽極箔に重なる陰極箔と、
前記陽極箔と前記陰極箔との間に介在する電解質と、
を含む、
電解コンデンサ。
【請求項７】
前記陰極箔がアルミニウムを含有する、
請求項６に記載の電解コンデンサ。
【請求項８】
前記電解質を含む電解液が、前記陽極箔と前記陰極箔との間に介在する、
請求項６又は７に記載の電解コンデンサ。
【請求項９】
前記電解液が含浸された電解紙が、前記陽極箔と前記陰極箔との間に介在する、
請求項８に記載の電解コンデンサ。
【請求項１０】
エッチング液中に配置された金属箔と対極との間に電圧を印加して、前記金属箔の表面に複数の孔を形成するエッチング工程と、
前記エッチング工程後に前記金属箔の表面を酸化して、前記金属箔を覆う誘電体膜を形成する酸化工程と、を備え、
前記エッチング工程は、前記金属箔における直流電流の電流密度を第一速度で減少させる第一サブステップと、前記第一サブステップに続いて前記電流密度を第二速度で減少させる第二サブステップと、を有し、
前記第二速度の絶対値が前記第一速度の絶対値よりも小さい、
電解コンデンサ用の陽極箔の製造方法。
【請求項１１】
前記電流密度の経時的な変化を示すグラフが、前記第一サブステップと前記第二サブステップとを分ける変曲点を有する、
請求項１０に記載の陽極箔の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング工程において、前記第一サブステップと前記第二サブステップとを交互に繰り返す、
請求項１０又は１１に記載の陽極箔の製造方法。
【請求項１３】
前記金属箔がアルミニウムを含有する、
請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の陽極箔の製造方法。
【請求項１４】
前記金属箔の表面が、前記アルミニウムの結晶構造の（１００）面に平行である、
請求項１３に記載の陽極箔の製造方法。
【請求項１５】
前記エッチング液が、塩素イオン、フッ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、シュウ酸イオン、リン酸イオン、炭酸イオン、及び水酸化物イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する、
請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の陽極箔の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の陽極箔の製造方法を含む、
電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極箔、電解コンデンサ、陽極箔の製造方法、及び電解コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電解コンデンサは金属箔の表面の酸化によって形成される皮膜が誘電体膜として機能するコンデンサである。電解コンデンサは、比較的大きい静電容量を有しているので、電源の平滑化又は電源のデカップリング等の目的のために電源回路に多用されてきた。近年では、カーエレクトロニクス分野においても電解コンデンサの需要が増加しつつある。
【０００３】
下記特許文献１に記載されているように、電解コンデンサの静電容量を増加させるために、無数の細孔（エッチングピット）を陽極箔の表面に形成することが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７０８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の陽極箔の製造では、エッチング液中における金属箔の電気化学的なエッチングによって、無数の細孔が陽極箔の表面に形成される。本発明者らは、従来のエッチングでは、陽極箔の表面に形成される細孔の大きさ（開口面積）がばらつき易いため、電解コンデンサの十分な静電容量を達成し難いという問題を見出した。
【０００６】
本発明は、電解コンデンサの静電容量を増加させる陽極箔、当該陽極箔を備える電解コンデンサ、陽極箔の製造方法、及び電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る電解コンデンサ用の陽極箔は、金属箔と、金属箔を覆う誘電体膜と、を備える陽極箔であって、複数の孔が陽極箔の表面に形成されており、孔の開口面積の標準偏差がσＡであり、孔の開口面積の平均値がａであり、σＡ／ａと定義される分散度が、０以上０．７４未満である。
【０００８】
孔の深さの標準偏差σＤが、０μｍ以上７．８μｍ未満であってよい。
【０００９】
孔の深さの平均値ｄが、５０μｍ以上陽極箔の厚さの１／２未満であってよい。
【００１０】
陽極箔がアルミニウムを含有してよい。
【００１１】
陽極箔の表面が、アルミニウムの結晶構造の（１００）面に平行であってよい。
【００１２】
本発明の一側面に係る電解コンデンサは、上記の陽極箔と、陽極箔に重なる陰極箔と、陽極箔と陰極箔との間に介在する電解質と、を含む。
【００１３】
陰極箔が、アルミニウムを含有してよい。
【００１４】
電解質を含む電解液が、陽極箔と陰極箔との間に介在してよい。
【００１５】
電解液が含浸された電解紙が、陽極箔と陰極箔との間に介在してよい。
【００１６】
本発明の一側面に係る電解コンデンサ用の陽極箔の製造方法は、エッチング液中に配置された金属箔と対極との間に電圧を印加して、金属箔の表面に複数の孔を形成するエッチング工程と、エッチング工程後に金属箔の表面を酸化して、金属箔を覆う誘電体膜を形成する酸化工程と、を備え、エッチング工程は、金属箔における直流電流の電流密度を第一速度で減少させる第一サブステップと、第一サブステップに続いて電流密度を第二速度で減少させる第二サブステップと、を有し、第二速度の絶対値が第一速度の絶対値よりも小さい。
【００１７】
電流密度の経時的な変化を示すグラフが、第一サブステップと第二サブステップとを分ける変曲点を有してよい。
【００１８】
エッチング工程において、第一サブステップと第二サブステップとを交互に繰り返してよい。
【００１９】
金属箔がアルミニウムを含有してよい。
【００２０】
金属箔の表面が、アルミニウムの結晶構造の（１００）面に平行であってよい。
【００２１】
エッチング液が、塩素イオン、フッ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、シュウ酸イオン、リン酸イオン、炭酸イオン、及び水酸化物イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。
【００２２】
本発明の一側面に係る電解コンデンサの製造方法は、上記の陽極箔の製造方法を含む。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、電解コンデンサの静電容量を増加させる陽極箔、当該陽極箔を備える電解コンデンサ、陽極箔の製造方法、及び電解コンデンサの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る電解コンデンサの断面（陽極箔の表面に対して垂直な断面）の模式図である。
【図２】図２は、図１に示される陽極箔の表面の一部（領域ＩＩ）の拡大図である。
【図３】図３は、図１及び図２に示される陽極箔の表面の一部の拡大図（正面図）である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る陽極の製造方法が備えるエッチング工程の概要を示す模式図（金属箔の表面に垂直な断面）である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るエッチング工程が有する第一サブステップ及び第二ステップを示す模式図であり、金属箔における直流電流の電流密度の経時的な変化を示すグラフである。
【図６】図６中の（ａ）は、本発明の実施例１のエッチング工程が有する第一サブステップ及び第二ステップを示す模式図であり、図６中の（ｂ）は、本発明の実施例２のエッチング工程が有する第一サブステップ及び第二ステップを示す模式図である。
【図７】図７中の（ａ）は、本発明の実施例３のエッチング工程が有する第一サブステップ及び第二ステップを示す模式図であり、図７中の（ｂ）は、比較例１のエッチング工程において金属箔に流れる直流電流の電流密度を示すグラフである。
【図８】図８中の（ａ）は、本発明の実施例１の陽極箔の表面、及び当該表面に形成された孔の開口部を示す写真であり、図８中の（ｂ）は、本発明の実施例２の陽極箔の表面、及び当該表面に形成された孔の開口部を示す写真である。
【図９】図９中の（ａ）は、本発明の実施例３の陽極箔の表面、及び当該表面に形成された孔の開口部を示す写真であり、図９中の（ｂ）は、比較例１の陽極箔の表面、及び当該表面に形成された孔の開口部を示す写真である。
【図１０】図１０中の（ａ）は、本発明の実施例１の陽極箔に形成された無数の孔の断面（陽極箔の表面に垂直な断面）の形状を示す写真であり、図１０中の（ｂ）は、比較例１の陽極箔に形成された無数の孔の断面（陽極箔の表面に垂直な断面）の形状を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明する。図面において、同等の構成要素には同等の符号を付す。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。各図に示されるＸ，Ｙ及びＺは、互いに直交する３つの座標軸を意味する。各図中のＸＹＺ座標軸其々が示す方向は、各図に共通する。
【００２６】
図１に示されるように、本実施形態に係る電解コンデンサ１０は、陽極箔２と、陽極箔２に重なる陰極箔４と、陽極箔２と陰極箔４との間に介在する電解液６及び電解紙８と、を含む。電解液６は電解質を含有し、電解紙８に含浸されている。
【００２７】
図２に示されるように、陽極箔２は、金属箔２２と、金属箔２２を覆う誘電体膜２４と、を備える。誘電体膜２４は、金属箔２２の表面の少なくとも一部（好ましくは全体）を覆っている。図２及び図３に示されるように、複数（多数）の孔Ｐ（細孔）が、陽極箔２の表面に形成されている。孔Ｐは、ピットと言い換えられてよい。金属箔２２の両方の表面が誘電体膜２４で覆われていてよく、孔Ｐが陽極箔２の両方の表面に形成されていてよい。複数（多数）の孔Ｐは、陽極箔２の表面において分散していてよい。各孔Ｐの内壁の少なくとも一部（好ましくは全体）は、誘電体膜２４で覆われている。電解液６は各孔Ｐの内側に充填されている。各孔Ｐ内に充填された電解液６は、延長された陰極箔４として機能する。
【００２８】
孔Ｐの開口面積の標準偏差は、σＡと表される。開口面積の標準偏差σＡは下記数式１で定義される。
【００２９】
【数１】
2019133983.tif 000003
【００３０】
数式１中、Ａｉは、陽極箔２の表面における各孔Ｐの開口面積である。ａは、孔Ｐの開口面積の平均値である。開口面積の平均値ａは、下記数式２で定義される。ｎは、ａの算出の前提となる孔Ｐの数（自然数）である。ｎは、走査型電子顕微鏡の視野内で計測される孔Ｐの数であってよく、例えば、約１５００以上３５００以下であってよい。
【００３１】
【数２】
2019133983.tif 000004
【００３２】
σＡ／ａと定義される分散度は、０以上０．７４未満である。分散度σＡ／ａは、孔Ｐの開口面積の変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）と言い換えられてよい。
【００３３】
大きい分散度σＡ／ａは、陽極箔２の表面における各孔Ｐの開口面積Ａｉがばらついていることを意味する。換言すれば、分散度σＡ／ａが大きいほど、陽極箔２の表面に形成された全ての孔Ｐのうち開口面積Ａｉが平均値ａに比べて著しく大きい孔の数が多い傾向がある。仮に孔Ｐが、内径が２Ｒであって深さ（高さ）がＤである円筒状の穴で近似される場合、孔Ｐの開口面積及び底面積の其々は、πＲ２で表され、孔Ｐの比表面積（単位容積あたりの表面積）は、（πＲ２＋２πＲ・Ｄ）／（πＲ２・Ｄ）＝（１／Ｄ）＋（２／Ｒ）で表される。この式は、開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）の増加に伴って孔Ｐの比表面積が減少することを示している。したがって、分散度σＡ／ａが大きいほど、開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）が大きく且つ比表面積が小さい孔の数が多く、結果として陽極箔２全体の表面積も小さい。開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）が大きい孔の数が多いほど、陽極箔２の表面の単位面積内に形成可能な孔Ｐの数は少ない。陽極箔２の表面の単位面積内に形成される孔Ｐの数が少ないほど、陽極箔２全体の表面積は小さい。
【００３４】
以上のように、分散度σＡ／ａが大きいほど、開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）が大きく比表面積が小さい孔の数が多く、陽極箔２の表面の単位面積内に形成される孔Ｐの数が少なく、結果として、陽極箔２全体の表面積は小さい。
【００３５】
対照的に、小さい分散度σＡ／ａは、陽極箔２の表面における各孔Ｐの開口面積Ａｉが揃っている（均一である）ことを意味する。そして本実施形態によれば、分散度σＡ／ａが０．７４未満に低減されているため、陽極箔２の表面に形成された全ての孔Ｐのうち、開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）が過度に大きく比表面積が過度に小さい孔の数が低減される。つまり分散度σＡ／ａが０．７４未満であることにより、孔Ｐの開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）及び比表面積が略均一になり易い。孔Ｐの開口面積Ａｉ（又は内径２Ｒ）が略均一であることにより、金属箔の表面において多数の孔Ｐを緻密に（狭い間隔で）形成することが可能であり、陽極箔２の表面の単位面積内に形成される孔Ｐの数を増加させることが可能である。これらの理由から、本実施形態に係る陽極箔２全体の表面積は、分散度σＡ／ａが大きい従来の陽極箔に比べて大きい。したがって、本実施形態に係る電解コンデンサ１０の静電容量は従来の電解コンデンサに比べて大きい。０．７４未満という分散度σＡ／ａの上限値は、本発明者らが行った実験に基づいてはじめて特定された値である。電解コンデンサ１０の静電容量を増加させる観点において、分散度σＡ／ａは、０以上０．７０以下、０以上０．６５以下、０以上０．６２以下、０以上０．６０以下、又は０．６０以上０．６５以下であってよい。
【００３６】
孔Ｐの開口面積の標準偏差σＡは、例えば、０μｍ２以上２．５μｍ２以下であってよい。孔Ｐの開口面積の平均値ａは、例えば、１．２μｍ２以上３．４μｍ２以下、又は１．２μｍ２以上３．０μｍ２以下であってよい。
【００３７】
各孔Ｐの開口面積Ａｉは、例えば、誘電体膜２４が形成される前の金属箔２２の表面において測定されてよい。例えば、誘電体膜２４を形成する前の金属箔２２の研磨された表面の画像を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影し、この画像を画像解析ソフトで解析することにより、開口面積Ａｉ、平均値ａ、標準偏差σＡ及び分散度σＡ／ａが測定又は算出されてよい。ただし、誘電体膜２４が形成される前の金属箔２２の表面における各孔の開口面積は、誘電体膜２４が形成された後の金属箔２２の表面における各孔Ｐの開口面積と略同じである。換言すれば、誘電体膜２４が形成される前の金属箔２２の表面における各孔の開口面積は、誘電体膜２４を研磨により陽極箔２の表面から除去した後の金属箔２２の表面における各孔Ｐの開口面積と略同じである。
【００３８】
孔Ｐの深さＤ（長さ）の標準偏差σＤは、例えば、０μｍ以上７．８μｍ未満であってよい。標準偏差σＤは、孔Ｐの深さＤのばらつきの程度を示す指標である。孔Ｐの深さＤ（長さ）の標準偏差σＤが７．８μｍ未満である場合、深さＤが著しく小さく且つ表面積が著しく小さい孔の数が少ない。つまり、孔Ｐの深さＤ（長さ）の標準偏差σＤが７．８μｍ未満である場合、孔Ｐの深さＤのばらつきが十分に抑制され、深さＤが十分に大きく且つ深さＤが略均一である多数の孔Ｐが陽極箔２の表面に形成され易い。その結果、陽極箔２全体の表面積が増加し易く、電解コンデンサ１０の静電容量も増加し易い。同様の理由から、孔Ｐの深さＤ（長さ）の標準偏差σＤは、０μｍ以上７．５μｍ以下、０μｍ以上７．０μｍ以下、０μｍ以上６．５μｍ以下、０μｍ以上６．０μｍ以下、０μｍ以上５．５μｍ以下、又は０μｍ以上４．５μｍ以下であってよい。
【００３９】
孔Ｐの深さＤの平均値ｄは、例えば、５０μｍ以上陽極箔２の厚さの１／２未満、又は４０μｍ以上８０μｍ以下であってよい。孔Ｐの深さＤの平均値ｄが大きいほど、孔Ｐの表面積が大きく、陽極箔２全体の表面積が大きく、電解コンデンサ１０の静電容量が大きい。孔Ｐの深さＤの平均値ｄが陽極箔２の厚さの１／２以上である場合、陽極箔２全体の機械的強度が低下し易い。その結果、陽極箔２の加工（例えば、巻回）の際に陽極箔２が破損し易い。ただし、一部の孔Ｐの深さＤは、陽極箔２の厚さの１／２以上であってよい。一部の孔Ｐが陽極箔２を貫通していてもよい。
【００４０】
各孔Ｐは、陽極箔２の表面に対して略垂直な方向において略直線的に延びていてよい。換言すれば、各孔Ｐは、陽極箔２の厚み方向に沿って略直線的に延びていてよい。孔Ｐ（特に孔Ｐの先端）は、棒状（円筒状）であってよい。つまり、孔Ｐ（特に孔Ｐの先端）の内径は略一定であってよい。孔Ｐが直線的に延びており、孔Ｐが棒状である場合、隣り合う孔Ｐ同士が連通し難く、各孔Ｐの比表面積が増加し易い。
【００４１】
陽極箔２が有する金属箔２２は、アルミニウム、タンタル及びニオブからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を含んでよい。金属箔２２は、アルミニウム、タンタル及びニオブからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む合金であってもよい。金属箔２２は、アルミニウム、タンタル及びニオブからなる群より選ばれる一種のみからなる金属単体であってもよい。金属箔２２は、上記の元素に加えて、珪素、鉄、銅、マグネシウム、マンガン、チタン、クロム、亜鉛、ガリウム、バナジウム、ニッケル、鉛及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を更に含んでもよい。
【００４２】
金属箔２２を覆う誘電体膜２４は、金属箔２２の酸化物（例えば、酸化アルミニウム、酸化タンタル、又は酸化ニオブ）を含んでよい。金属箔２２を覆う誘電体膜２４は、金属箔２２の酸化物のみからなっていてもよい。
【００４３】
陰極箔４は、アルミニウム、タンタル、ニオブ、珪素、鉄、銅、マグネシウム、マンガン、チタン、クロム、亜鉛、ガリウム、バナジウム、ニッケル、鉛及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも一種を含んでよい。陰極箔４の組成は、陽極箔２が有する金属箔２２の組成と同じであってよい。
【００４４】
電解コンデンサ１０がアルミニウム電解コンデンサである場合、金属箔２２はアルミニウムを含有してよく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなっていてよい。電解コンデンサ１０がアルミニウム電解コンデンサである場合、陰極箔４もアルミニウムを含有してよく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなっていてよい。金属箔２２がアルミニウムを含有する場合、陽極箔２の表面は、金属箔２２に含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行であってよい。陽極箔２の表面が、金属箔２２に含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行である場合、各孔Ｐは、アルミニウムの結晶構造の（１００）面に垂直な方向において直線的に延び易く、各孔Ｐの表面積が増加し易い。換言すれば、陽極箔２の表面が、金属箔２２に含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行である場合、各孔Ｐは、陽極箔２の表面に垂直な方向において直線的に延び易く、各孔Ｐの表面積が増加し易い。
【００４５】
電解紙８は、セルロースを含む繊維であってよい。例えば、電解紙８は、木質繊維及び麻繊維のうち少なくともいずれかを含んでよい。電解紙８は、例えば、クラフト紙及びマニラ紙のうち少なくともいずれかを含んでよい。電解紙８は、多孔質のセパレータと言い換えられてよい。
【００４６】
電解液６に含まれる溶媒は、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、１，３‐ブタンジオール、１，４‐ブタンジオール、ヘキシレングリコール、グリセリン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、水、γ‐ブチロラクトン及びＮ‐メチルホルムアミドからなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。
【００４７】
電解液６に含まれる電解質は、例えば、ホウ酸、アジピン酸、マレイン酸、安息香酸、フタル酸、サリチル酸、アンモニア、トリエチルアミン、テトラメチルイミダゾリニウム、及び水酸化テトラメチルアンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種又はその塩であってよい。耐電圧性に優れ、且つ陽極箔２の耐腐食性を向上させる観点において、電解質は、２‐メチルノナン二酸、５‐メチルデカン二酸、６‐メチルウンデカン二酸、６‐メチルドデカン二酸、７‐メチルトリデカン二酸、８‐メチルペンタデカン二酸、８‐メチルヘキサデカン二酸、９‐メチルヘプタデカン二酸、９‐メチルオクタデカン二酸、１０‐メチルノナデカン二酸、１０‐メチルエイコサン二酸、２，２，４‐トリメチルヘキサン二酸、２，８‐ジメチルノナン二酸、２，４‐ジメチル‐４‐メトキシカルボニルウンデカン二酸、２，４，６‐トリメチル‐４，６‐ジメトキシカルボニルトリデカン二酸、８，９‐ジメチル‐８，９‐ジメトキシカルボニルヘキサデカン二酸、１，６‐デカンジカルボン酸、５，６‐デカンジカルボン酸、及び２，３‐ジブチルブタンジオン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種又はその塩であってよい。
【００４８】
電解液６の代わりに固体電解質が陽極箔２と陰極箔４との間に介在していてもよい。固体電解質の一部が、陽極箔２の表面に形成され各孔Ｐの内側に充填されていてよい。固体電解質は、例えば、二酸化マンガン等の固体酸化物であってよい。固体電解質は、導電性高分子であってもよい。例えば、固体電解質は、テトラシアノキノジメタン、ポリピロール、ポリチオフェン及びポリエチレンジオキシチオフェンからなる群より選ばれる少なくとも一種であってよい。
【００４９】
陽極箔２全体の厚みｔ２は、例えば、１０μｍ以下２００μｍ以下、又は１００μｍ以上１５０μｍ以下であってよい。金属箔２２を覆う誘電体膜２４の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上１．５μｍ以下であってよい。陰極箔４の厚みｔ４は、例えば、１０μｍ以下１５０μｍ以下、又は１０μｍ以上１００μｍ以下であってよい。陽極箔２と陰極箔４との間隔は、例えば、２０μｍ以下２００μｍ以下であってよい。電解液６が含浸された電解紙８の厚みｔ８は、陽極箔２と陰極箔４との間隔と略同じであってよい。陽極箔２が四角形である場合、陽極箔２の縦幅（箔幅）は、例えば、１０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であってよく、陽極箔２の横幅（箔長さ）は、例えば、１００ｍｍ以上５０ｍ以下であってよい。陰極箔４及び電解紙８其々の寸法（縦幅及び横幅）は、陽極箔２の寸法と同じであってよい。陰極箔４及び電解紙８其々の寸法（縦幅及び横幅）は、陽極箔２の寸法と異なっていてもよい。
【００５０】
本実施形態に係る電解コンデンサ１０の製造方法は、電解コンデンサ用の陽極箔２の製造方法を含む。図４に示されるように、本実施形態に係る電解コンデンサ用の陽極箔の製造方法は、エッチング液４４中に配置された金属箔２Ａと対極４２との間に電圧を印加して、金属箔２Ａの表面に複数の孔Ｐを形成するエッチング工程を備える。図４中の金属箔２Ａは、図１及び図２中に示される陽極箔２（金属箔２２）に対応する。また本実施形態に係る電解コンデンサ用の陽極箔２の製造方法は、エッチング工程後に金属箔２Ａの表面を酸化して、金属箔２Ａを覆う誘電体膜２４を形成する酸化工程を備える。
【００５１】
エッチング工程では、金属箔２Ａの電位は、対極４２の電位よりも高い値に調整される。図５に示されるように、エッチング工程は、金属箔２Ａにおける直流電流の電流密度Ｉを第一速度Ｖ１で減少させる第一サブステップＳ１と、第一サブステップＳ１に続いて（又は連続して）電流密度を第二速度Ｖ２で減少させる第二サブステップＳ２と、を有する。第二速度Ｖ２の絶対値は、第一速度Ｖ１の絶対値よりも小さい。つまり、Ｖ１，Ｖ２それぞれは負の値であり、Ｖ２がＶ１よりも大きい。上記のエッチング工程の特徴は、図５に示されるグラフの形状に基づいて、次のように言い換えられる。つまり、電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフは、第一サブステップＳ１と第二サブステップＳ２とを分ける変曲点ｉｐを有している。換言すれば、電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフは、変曲点ｉｐにおいて、凹状に屈曲している。更に言い換えれば、電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフの変曲点ｉｐ以降の傾きは、変曲点ｉｐ以前の傾きよりも緩い。
【００５２】
図５に示されるＩ１は、第一サブステップＳ１の開始時点（ゼロ秒）における電流密度である。Ｔ１は、第一サブステップＳ１の終了時点であり、第一サブステップＳ１の継続時間であり、変曲点ｉｐの時点であり、第二サブステップＳ２の開始時点である。Ｉ２は、第一サブステップＳ１の終了時点における電流密度であり、変曲点ｉｐの電流密度であり、第二サブステップＳ２の開始時点における電流密度である。Ｔ２は、第二サブステップＳ２の終了時点である。第二サブステップＳ２の終了時点Ｔ２における電流密度は、ゼロである。第二サブステップＳ２の継続時間は、Ｔ２−Ｔ１である。第一速度Ｖ１は、例えば、（Ｉ２−Ｉ１）／Ｔ１と表されてよい。第二速度Ｖ２は、例えば、（０−Ｉ２）／（Ｔ２−Ｔ１）と表されてよい。第一速度Ｖ１は一定であってよく、第一サブステップＳ１中に第一速度Ｖ１が変動してもよい。第二速度Ｖ２は一定であってよく、第二サブステップＳ２中に第二速度Ｖ２が変動してもよい。
【００５３】
本実施形態に係るエッチング工程によれば、複数の孔Ｐが金属箔２Ａの表面に形成される過程において、孔Ｐ同士の連通及び一体化が抑制される。換言すれば、開口面積Ａｉが過度に大きく比表面積が過度に小さい孔の形成が抑制される。したがって、本実施形態に係るエッチング工程によれば、分散度σＡ／ａが０．７４未満である無数の孔Ｐを金属箔２Ａの表面に形成することができる。また本実施形態に係るエッチング工程によれば、深さＤの標準偏差σＤが小さい無数の孔Ｐを金属箔２Ａの表面に形成することができる。さらに本実施形態に係るエッチング工程によれば、金属箔２Ａの表面に対して略垂直な方向において直線的に延び、且つ先端が棒状である無数の孔Ｐを形成することができる。対照的に、従来の金属箔のエッチング工程では、金属箔における電流密度が一定であるため、複数の孔が金属箔の表面に形成される過程において、各孔が金属箔の表面に平行な方向へ向かって屈曲し易く、隣り合う複数の孔が互いに連通又は一体化し易く、開口面積が著しく大きく比表面積が著しく小さい孔が形成され易い。
【００５４】
仮に第二速度Ｖ２の絶対値が第一速度Ｖ１の絶対値よりも大きい場合（つまり、電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフが変曲点ｉｐにおいて凸状に屈曲する場合）、分散度σＡ／ａが０．７４未満であり、深さＤの標準偏差σＤが小さく、直線的に延びる棒状の孔Ｐを金属箔２Ａの表面に形成することは困難である。
【００５５】
Ｉ１は、例えば、１Ａ／ｃｍ２以上５Ａ／ｃｍ２以下であってよい。Ｔ１は、例えば、５秒以上６０秒以下であってよい。Ｉ２は、例えば、０．１Ａ／ｃｍ２以上３Ａ／ｃｍ２以下であってよい。Ｔ２は、例えば、１０秒以上１２０秒以下であってよい。Ｉ１及びＴ１の調整により、金属箔２Ａの表面に形成される孔Ｐの数を制御することが可能であり、Ｉ２及びＴ２の調整により、各孔Ｐの深さＤを制御することが可能である。Ｉ１及びＩ２は、金属箔２Ａ及び対極４２が接続される電源の出力、金属箔２Ａと対極４２との距離、及びエッチング液の組成（エッチング液の電気伝導度）の調整によって制御されてよい。またエッチング工程では、エッチング液４４の温度の調整によって、金属箔２Ａのエッチング（金属箔２Ａの溶出）を促進又は抑制してよい。エッチング液４４の温度は、例えば、６０℃以上９０℃以下であってよい。
【００５６】
図５に示されるように、エッチング工程において、第一サブステップＳ１と第二サブステップＳ２とを交互に繰り返してよい。第一サブステップＳ１及び第二サブステップＳ２の繰り返しの回数は、例えば、２回以上１５回以下であってよい。繰り返される第一サブステップＳ１の第一速度Ｖ１は、一定であってよい。第一サブステップＳ１の繰り返しに伴って、第一速度Ｖ１が変動してもよい。例えば、図５において、二回目の第一サブステップＳ１の継続時間（Ｔ１’−Ｔ２）は、最初の第一サブステップＳ１の継続時間Ｔ１と同じであってよい。（Ｔ１’−Ｔ２）はＴ１と異なっていてもよい。二回目の第二サブステップＳ２の継続時間（Ｔ２’−Ｔ１’）は、最初の第二サブステップＳ２の継続時間（Ｔ２−Ｔ１）と同じであってよい（Ｔ２’−Ｔ１’）は（Ｔ２−Ｔ１）と異なっていてもよい。
【００５７】
アルミニウム電解コンデンサを製造する場合、金属箔２Ａはアルミニウムを含有してよく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなっていてよい。金属箔２Ａがアルミニウムを含有する場合、対極４２に面する金属箔２Ａの表面は、金属箔２Ａに含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行であってよい。対極４２に面する金属箔２Ａの表面が、金属箔２Ａに含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行である場合、各孔Ｐは、アルミニウムの結晶構造の（１００）面に垂直な方向において直線的に成長し易く、各孔Ｐの表面積が増加し易い。換言すれば、対極４２に面する金属箔２Ａの表面が、金属箔２Ａに含まれるアルミニウムの結晶構造の（１００）面に略平行である場合、各孔Ｐは、対極４２に面する金属箔２Ａの表面に垂直な方向において直線的に成長し易く、各孔Ｐの表面積が増加し易い。
【００５８】
図４に示されるように、金属箔２Ａが一対の対極４２の間に配置されてよく、金属箔２Ａの表面に複数の孔Ｐが形成されてよい。
【００５９】
エッチング液４４は、例えば、塩素イオン、フッ素イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、シュウ酸イオン、リン酸イオン、炭酸イオン、及び水酸化物イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してよい。エッチング液４４は、例えば、塩酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸、シュウ酸、リン酸及び炭酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸若しくはその塩、又は水酸化ナトリウムを含有してよい。エッチング液４４に含まれる溶媒は、例えば水であってよい。エッチング液４４は、酸性又はアルカリ性であってよい。金属箔２Ａがアルミニウムを含有する場合、塩化物イオンによる孔食反応によって孔Ｐが金属箔２Ａの表面に形成され易い。したがって、金属箔２Ａがアルミニウムを含有する場合、エッチング液４４は、例えば、塩素イオンを含むことが好ましい。塩素イオンを含むエッチング液４４は、例えば、塩酸の水溶液であってよい。
【００６０】
以上のエッチング工程を、以下では、「ピット形成工程」と表記する場合がある。
【００６１】
陽極箔２の製造方法は、金属箔２Ａ（例えばアルミニウム箔）の表面に元々形成されていた自然酸化膜の一部又は全部を化学的なエッチングによって除去する前処理工程を更に備えてよい。つまり、前処理工程後に、上記のピット形成工程を実施してよい。前処理工程で用いるエッチング液は、例えば、塩酸、硫酸及びフッ化水素酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸又はその塩を含む酸性溶液（例えば水溶液）であってよい。前処理工程で用いるエッチング液は、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び水酸化バリウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有するアルカリ性溶液（例えば水溶液）であってもよい。
【００６２】
陽極箔２の製造方法は、ピット形成工程後に、金属箔２Ａの化学的又は電気化学的なエッチングにより、各孔Ｐの孔径（内径）を拡大させるピット径拡大工程を実施してもよい。ピット径拡大工程で用いるエッチング液は、例えば、塩酸、硫酸及びフッ化水素酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の酸又はその塩を含む酸性溶液（例えば水溶液）であってよい。
【００６３】
ピット形成工程後の酸化工程（化成工程）では、金属箔２Ａの表面を酸化して、金属箔２Ａを覆う誘電体膜２４を形成する。ピット径拡大工程を行う場合、ピット径拡大工程後に酸化工程（化成工程）が実施される。酸化工程（化成工程）の前には、金属箔２Ａの洗浄より、塩化物イオンを金属箔２Ａから除去したほうがよい。酸化工程では、例えば、酸化工程用の電解液中に配置された金属箔２Ａと対極との間に電圧を印加する。金属箔２Ａの電位は対極の電位よりも高い値に調整される。その結果、金属箔２Ａの表層が酸化され、誘電体膜２４になる。酸化工程では、孔Ｐの内壁を含む金属箔２Ａの表面の少なくとも一部（好ましくは全体）が誘電体膜２４で覆われる。酸化工程用の電解液は、例えば、ホウ酸、リン酸、硫酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸、フタル酸、及びこれらの塩（例えば、アンモニウム塩又はナトリウム塩）からなる群より選ばれる一種を含有する溶液（例えば水溶液）であってよい。
【００６４】
以上の工程を得て、陽極箔２が完成する。陽極箔２には、陽極端子（引き出し電極）が接続される。陰極箔４には、陰極端子（引き出し電極）が接続される。陽極箔２、陰極箔４、及び電解液６が含浸された電解紙８を含む積層体の全体が、ケースの開口部を通じて、ケース内に配置される。ケースは、例えば金属製のケースであってよい。ケースの開口部は、封口部（蓋）で封止される。ケースとケース内の積層体との間には、セパレータ（例えば電解紙）が介在する。陽極端子及び陰極端子其々は、封口部を介して、ケースの表面に設置された一対の外部端子と電気的に接続される。
【００６５】
以上の工程を得て、電解コンデンサ１０が完成する。
【００６６】
電解コンデンサは、巻回型のコンデンサであってよく、平板型のコンデンサであってもよい。電解コンデンサは、電解質を介して交互に積層された複数の陽極箔及び陰極箔を備えてよい。例えば、電解コンデンサが備える複数の陽極箔が並列に接続されていてよく、電解コンデンサが備える複数の陰極箔が並列に接続されていてよい。
【実施例】
【００６７】
以下では実施例及び比較例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
【００６８】
（実施例１）
以下の前処理工程、ピット形成工程、ピット径拡大工程及び酸化工程により、アルミニウムからなる金属箔と、金属箔の全体を覆う誘電体膜（酸化アルミニウム）と、からなる陽極箔を作製した。
【００６９】
前処理工程では、化学的なエッチングにより、金属箔の表面から自然酸化膜を除去した。前処理工程用のエッチング液としては、塩酸及び硫酸を含む水溶液を用いた。
【００７０】
続くエッチング工程（ピット形成工程）では、図４に示されるように、エッチング液４４中に配置された金属箔２Ａと一対の対極４２との間に電圧を印加して、金属箔２Ａの両方の表面に無数の孔を形成した。対極４２に面する金属箔２Ａの表面は、アルミニウムの結晶構造の（１００）面に平行であった。ピット形成工程では、エッチング液として、塩酸及び硫酸の混合液を用いた。ピット形成工程におけるエッチング液の温度は７２℃であった。図６中の（ａ）に示されるように、実施例１のエッチング工程（ピット形成工程）は、金属箔２Ａにおける直流電流の電流密度Ｉを第一速度Ｖ１で減少させる第一サブステップＳ１と、第一サブステップＳ１に連続して電流密度を第二速度Ｖ２で減少させる第二サブステップＳ２と、を有していた。第二速度Ｖ２の絶対値は、第一速度Ｖ１の絶対値よりも小さかった。実施例１の電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフは、第一サブステップＳ１と第二サブステップＳ２とを分ける変曲点ｉｐを有していた。
【００７１】
ピット形成工程に続くピット径拡大工程では、金属箔をエッチング液へ浸漬させることにより、金属箔の表面に形成されている各孔Ｐの孔径（内径）を拡大させた。ピット径拡大工程で用いたエッチング液は、塩酸を含む水溶液であった。ピット径拡大工程におけるエッチング液の温度は、８５℃であった。
【００７２】
ピット径拡大工程直後（化成工程前）の金属箔の表面を研磨した。研磨された金属箔の表面を走査型電子顕微鏡で観察した。走査型電子顕微鏡によって撮影された実施例１の金属箔の表面の画像は、図８中の（ａ）に示される。図８中の（ａ）に示されるように、無数の孔が陽極箔の表面に形成されていた。走査型電子顕微鏡によって撮影された実施例１の陽極箔の表面の画像を画像解析ソフトで解析した。解析された陽極箔の表面の面積（孔の数及び開口面積が計測された面積）は、１２０００μｍ２であった。この解析に基づいて、孔の開口面積の分散度σＡ／ａを算出した。画像解析ソフトとしては、旭化成エンジニアリング株式会社製の「Ａ像くん」を用いた。実施例１の分散度σＡ／ａは、下記表１に示される。
【００７３】
ピット径拡大工程後、金属箔の洗浄により、塩化物イオンを金属箔から除去した。洗浄に続く酸化工程では、酸化工程用の電解液中に配置された金属箔と対極との間に電圧を印加して、金属箔の表層を酸化した。対極に対する金属箔の電位（化成電圧）は、３５０Ｖであった。酸化工程用の電解液としては、ホウ酸及びホウ酸アンモニウムを含む水溶液を用いた。
【００７４】
以上の工程により、実施例１の陽極箔を得た。実施例１の陽極箔は、アルミニウムからなる金属箔と、金属箔の全体を覆う誘電体膜（酸化アルミニウム）と、を備えていた。酸化工程後の陽極箔の表面を、走査型電子顕微鏡を用いた観察した。観察の結果、酸化工程後の陽極箔の表面に形成されている孔の形状、寸法（開口面積）及び数は、酸化工程前（ピット径拡大工程直後）の金属箔の表面に形成されていた孔の形状、寸法及び数と同様であることが確認された。
【００７５】
以下のレプリカ法により、陽極箔の表面に対して垂直な陽極箔の断面を観察した。
【００７６】
未硬化のエポキシ樹脂を含む溶液を陽極箔の表面全体に塗布して、樹脂の溶液を、陽極箔の表面に形成された各孔内へ充填した。溶液を乾燥して樹脂を加熱により硬化した後、陽極箔の表面に対して垂直な方向に陽極箔を切断した。（なお、加熱無しで硬化する樹脂を用いてもよい。）切断された陽極箔のうちアルミニウムの部分のみを過塩素酸を含むエタノール溶液で溶解して除去した。（なお、アルミニウムの溶解には、水酸化ナトリウムを用いてもよい。）アルミニウムが除去された陽極箔の切断面を走査型電子顕微鏡で観察した。走査型電子顕微鏡によって撮影された陽極箔の切断面の画像は、図１０中の（ａ）に示される。図１０中の（ａ）に示される無数の直線状（棒状）の構造物は、陽極箔の表面に形成されていた無数の孔内に充填された樹脂の硬化物である。つまり、図１０中の（ａ）に示される直線状の構造物の形状及び寸法は、陽極箔の表面に形成されていた孔の形状及び寸法に相当する。３０本の直線状の構造物を無作為に選んで、直線状の構造物の長さの平均値及び標準偏差を算出した。直線状の構造物の長さの平均値は、孔の深さの平均値ｄに相当する。直線状の構造物の長さの標準偏差は、孔Ｐの深さの標準偏差σＤに相当する。実施例１の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤは、下記表１に示される。
【００７７】
実施例１の陽極箔と、陽極箔の表面全体に重なる陰極箔（アルミニウム箔）と、陽極箔と陰極箔との間に介在する電解紙と、電解液に含浸された電解液と、を備える実施例１のアルミニウム電解コンデンサ（巻回型コンデンサ）を作製した。電解液に含まれる電解質としては、アジピン酸二アンモニウムを用いた。電解液の溶媒としては、エチレングリコールを用いた。陽極箔の縦幅（箔幅）は３５ｍｍであり、陽極箔の横幅（箔長さ）は２０００ｍｍであった。陰極箔及び電解紙其々の縦幅及び横幅は、陽極箔と同じであった。陽極箔全体の厚みは、１２０μｍであった。陰極箔の厚みは、５０μｍであった。陽極箔と陰極箔との間隔（電解液を含む電解紙の厚み）は、５０μｍであった。実施例１のアルミニウム電解コンデンサの静電容量を測定した。静電容量の測定装置としては、株式会社エヌエフ回路設計ブロック製のＬＣＲメーターを用いた。実施例１のアルミニウム電解コンデンサの静電容量は、下記表１に示される。下記表１に示される静電容量は、陽極箔の単位面積当たりの静電容量である。
【００７８】
（実施例２）
図６中の（ｂ）は、実施例２のエッチング工程（ピット形成工程）における電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフである。図６中の（ａ）及び（ｂ）の比較から明らかなように、実施例２の第一サブステップＳ１の継続時間Ｔ１は、実施例１のＴ１よりも長かった。また実施例２の第一サブステップＳ１の終了時点における電流密度Ｉ２は、実施例１のＩ２よりも小さかった。これらの事項を除いて実施例１と同様の方法で、実施例２の陽極箔及びアルミニウム電解コンデンサを作製した。
【００７９】
実施例１と同様の方法で実施例２の陽極箔の表面及び断面を観察した。走査型電子顕微鏡によって撮影された実施例２の金属箔の表面の画像は、図８中の（ｂ）に示される。観察の結果、実施例１と同様に、実施例２の陽極箔は、金属箔と、金属箔の全体を覆う誘電体膜と、を備え、直線状の無数の孔が陽極箔の表面に形成されていることが確認された。実施例１と同様の方法で、実施例２の分散度σＡ／ａを算出した。実施例２の分散度σＡ／ａは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、実施例２の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤを算出した。実施例２の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、実施例２のアルミニウム電解コンデンサの静電容量を測定した。実施例２のアルミニウム電解コンデンサの静電容量は、下記表１に示される。
【００８０】
（実施例３）
図７中の（ａ）は、実施例３のエッチング工程（ピット形成工程）における電流密度Ｉの経時的な変化を示すグラフである。図６中の（ｂ）及び図７中の（ａ）の比較から明らかなように、実施例３の第一サブステップＳ１の継続時間Ｔ１は、実施例２のＴ１よりも長かった。また実施例３の第一サブステップＳ１の終了時点における電流密度Ｉ２は、実施例２のＩ２よりも小さかった。これらの事項を除いて実施例１と同様の方法で、実施例３の陽極箔及びアルミニウム電解コンデンサを作製した。
【００８１】
実施例１と同様の方法で実施例３の陽極箔の表面及び断面を観察した。走査型電子顕微鏡によって撮影された実施例３の金属箔の表面の画像は、図９中の（ａ）に示される。観察の結果、実施例１と同様に、実施例３の陽極箔は、金属箔と、金属箔の全体を覆う誘電体膜と、を備え、直線状の無数の孔が陽極箔の表面に形成されていることが確認された。実施例１と同様の方法で、実施例３の分散度σＡ／ａを算出した。実施例３の分散度σＡ／ａは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、実施例３の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤを算出した。実施例３の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、実施例３のアルミニウム電解コンデンサの静電容量を測定した。実施例３のアルミニウム電解コンデンサの静電容量は、下記表１に示される。
【００８２】
（比較例１）
図７中の（ｂ）は、比較例１のエッチング工程（ピット形成工程）における電流密度Ｉを示すグラフである。図７中の（ｂ）の比較から明らかなように、比較例１のエッチング工程（ピット形成工程）は、第一サブステップＳ１及び第二サブステップＳ２のいずれも有していなかった。つまり、比較例１の電流密度Ｉのグラフは、変曲点ｉｐを有していなかった。比較例１のエッチング工程（ピット形成工程）における電流密度は、０．５Ａ／ｃｍ２で一定であり、金属箔に電圧を印加する時間は７０秒であった。これらの事項を除いて実施例１と同様の方法で、比較例１の陽極箔及びアルミ電解コンデンサを作製した。
【００８３】
実施例１と同様の方法で比較例１の金属箔の表面及び陽極箔の断面を観察した。走査型電子顕微鏡によって撮影された比較例１の金属箔の表面の画像は、図９中の（ｂ）に示される。比較例１の陽極箔の切断面の画像は、図１０中の（ｂ）に示される。比較例１の陽極箔は、金属箔と、金属箔の全体を覆う誘電体膜と、を備え、無数の孔が陽極箔の表面に形成されていることが確認された。しかし、図１０中の（ｂ）に示されるように、比較例１の陽極箔の表面には、先端が屈曲した孔、及び先端が球状である孔が形成されていた。実施例１と同様の方法で、比較例１の分散度σＡ／ａを算出した。比較例１の分散度σＡ／ａは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、比較例１の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤを算出した。比較例１の孔の深さの平均値ｄ及び標準偏差σＤは、下記表１に示される。実施例１と同様の方法で、比較例１のアルミニウム電解コンデンサの静電容量を測定した。比較例１のアルミニウム電解コンデンサの静電容量は、下記表１に示される。
【００８４】
【表１】
2019133983.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明によれば、静電容量が大きい電解コンデンサが提供される。
【符号の説明】
【００８６】
２…陽極箔、２Ａ…金属箔、４…陰極箔、６…電解液、８…電解紙、１０…電解コンデンサ、２２…金属箔、２４…誘電体膜、４２…対極、４４…エッチング液、ｉｐ…変曲点、Ｐ…孔、Ｓ１…第一サブステップ、Ｓ２…第二サブステップ。
【図１】
2019133983.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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