(57)【要約】      （修正有）【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示領域ＤＡ内部に、複数の画素領域ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３及び非画素領域ＮＰＡを具備した基板１００と、複数の画素領域ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３それぞれに対応する複数の画素電極２１１，２１２，２１３と、複数の画素電極２１１，２１２，２１３のエッジを覆うカバー部１２０Ｃ、及び複数の画素電極２１１，２１２，２１３の中央部を露出させる開口ＯＰ１を含む画素定義膜１２０と、カバー部１２０Ｃ上面の少なくとも一部に対応するように配置された補助電極１３０と、開口ＯＰ１内に配置された中間層２２１，２２２，２２３及び相対電極２３１，２３２，２３３と、を含み、補助電極１３０は、相対電極２３１，２３２，２３３と連結され、カバー部１２０Ｃ上面の少なくとも一部は、補助電極１３０に対して入り込んでいるアンダーカット構造を具備する有機発光表示装置。【選択図】図３
2019133921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域内部に、複数の画素領域及び非画素領域を具備した基板と、
前記複数の画素領域それぞれに対応する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極のエッジを覆うカバー部、及び前記複数の画素電極の中央部を露出させる開口を含む画素定義膜と、
前記カバー部上面の少なくとも一部に対応するように配置された補助電極と、
前記開口内に配置された中間層及び相対電極と、を含み、
前記補助電極は、前記相対電極と連結され、
前記カバー部上面の少なくとも一部は、前記補助電極に対して入り込んでいるアンダーカット構造を具備する有機発光表示装置。
【請求項２】
前記中間層は、発光層、前記発光層下部に配置された下部機能層、及び前記発光層上部に配置された上部機能層を含み、
前記中間層の少なくとも一部は、前記補助電極の上部に配置され、前記補助電極上部に配置された下部機能層の少なくとも一部は、前記開口内に配置された下部機能層と離隔されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記下部機能層は、ホール注入層及びホール輸送層のうち少なくとも１層を含むことを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記中間層は、有機発光層、前記有機発光層下部に配置された下部機能層、及び前記有機発光層上部に配置された上部機能層を含み、
前記補助電極の厚みは、前記下部機能層の厚みより厚いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記画素定義膜の開口に対応する貫通ホールを具備するメッシュ構造に具備されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記相対電極の幅は、前記中間層の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記相対電極の端部は、前記補助電極に向けて延長され、前記補助電極と接触することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記補助電極は、Ｍｏ、Ｔｉのうち少なくとも一つを含み、
前記相対電極は、Ｙｂ／Ａｇ：Ｍｇ／ＩＴＯで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記基板上には、前記複数の画素電極と電気的に連結された複数の薄膜トランジスタが具備されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記表示領域に配置され、少なくとも１層の無機膜と、少なくとも１層の有機膜とを含む薄膜封止層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光型表示装置である有機発光表示装置は、別途の光源が不要であるので、低電圧で駆動が可能であり、軽量薄型に構成することができ、広視野角、高コントラスト（ｃｏｎｔｒａｓｔ）、及び迅速な応答速度のような高品位特性により、次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
該有機発光表示装置は、ディスプレイ領域に有機発光素子を具備するディスプレイ装置であり、該有機発光素子は、相互対向された画素電極及び対向電極と、画素電極と対向電極との間に介在され、発光層を含む中間層と、を具備する。
【０００４】
そのような有機発光ディスプレイ装置を製造するとき、各画素領域ごとに互いに異なる色の光が放出され、各画素の発光層、及び複数の画素において、一体に形成される相対電極は、蒸着マスクを利用しても形成される。該有機発光表示装置がだんだんと高解像度化されるにつれ、蒸着工程時に使用されるマスクのオープンスリット（ｏｐｅｎ  ｓｌｉｔ）の幅がだんだんと細くなり、その散布も、だんだんとさらに低減されることが要求されている。また、高解像度有機発光表示装置を製作するためには、シャドー現象（ｓｈａｄｏｗ  ｅｆｆｅｃｔ）を減らしたりなくしたりすることが必要である。それにより、犠牲層をパターニングし、マスクとして使用する蒸着工程に係わる研究が進められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、有機発光素子の不良発生率を低下させることができる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されるものではなく、言及されていない他の課題は、本発明の記載から、当該分野で当業者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態は、表示領域内部に、複数の画素領域及び非画素領域を具備した基板と、前記複数の画素領域それぞれに対応する複数の画素電極と、前記複数の画素電極のエッジを覆うカバー部、及び前記複数の画素電極の中央部を露出させる開口を含む画素定義膜と、前記カバー部上面の少なくとも一部に対応するように配置された補助電極と、前記開口内に配置された中間層及び相対電極と、を含み、前記補助電極は、前記相対電極と連結され、前記カバー部上面の少なくとも一部は、前記補助電極に対して入り込んでいるアンダーカット（ｕｎｄｅｒ−ｃｕｔ）構造を具備する有機発光表示装置を開示する。
【０００８】
一実施形態において、前記中間層は、発光層、前記発光層下部に配置された下部機能層、及び前記発光層上部に配置された上部機能層を含み、前記中間層の少なくとも一部は、前記補助電極の上部に配置され、前記補助電極上部に配置された下部機能層は、前記開口内に配置された下部機能層と離隔されてもよい。
【０００９】
一実施形態において、前記下部機能層は、ホール注入層及びホール輸送層のうち少なくとも１層を含んでもよい。
【００１０】
一実施形態において、前記中間層は、有機発光層、前記有機発光層下部に配置された下部機能層、及び前記有機発光層上部に配置された上部機能層を含み、前記補助電極の厚みは、前記下部機能層の厚みより厚くてもよい。
【００１１】
一実施形態において、前記補助電極は、前記画素定義膜の開口に対応する貫通ホールを具備するメッシュ構造にも具備されてもよい。
【００１２】
一実施形態において、前記相対電極の幅は、前記中間層の幅より広くてもよい。
【００１３】
一実施形態において、前記相対電極の端部は、前記補助電極に向けて延長され、前記補助電極と接触してもよい。
【００１４】
一実施形態において、前記補助電極は、Ｍｏ、Ｔｉのうち少なくとも一つを含み、前記相対電極は、Ｙｂ／Ａｇ：Ｍｇ／ＩＴＯによっても構成されてもよい。
【００１５】
一実施形態において、前記基板上には、前記複数の画素電極と電気的に連結された複数の薄膜トランジスタが具備されてもよい。
【００１６】
一実施形態において、前記表示領域に配置され、少なくとも１層の無機膜と、少なくとも１層の有機膜とを含む薄膜封止層をさらに含んでもよい。
【００１７】
本発明の他の実施形態は、複数の画素電極が形成された基板を準備する段階と、前記複数の画素電極のうち隣接した画素電極のエッジを覆うカバー部、及び前記複数の画素電極の中央部を露出させる開口が定義された画素定義膜を形成する段階と、前記カバー部の上面の少なくとも一部に対応するように補助電極を形成する段階と、前記カバー部の側面をエッチングし、前記カバー部上面の少なくとも一部が、前記補助電極に対して入り込んでいるアンダーカット（ｕｎｄｅｒ−ｃｕｔ）構造を形成する段階と、前記複数の画素電極のうち第１画素電極を露出させるように第１マスキング層を形成した後、前記第１画素電極上に、第１中間層及び第１相対電極を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法を開示する。
【００１８】
一実施形態において、前記補助電極を形成する段階、及び前記アンダーカット構造を形成する段階は、同一フォトレジストパターンを利用しても遂行されてもよい。
【００１９】
一実施形態において、前記画素定義膜は、有機物質を含み、前記カバー部の側面をエッチングする段階は、酸素プラズマを利用した乾式エッチングによっても遂行されてもよい。
【００２０】
一実施形態において、前記画素定義膜は、無機物質を含み、前記カバー部の側面をエッチングする段階は、ＳＦ６ガスを利用した乾式エッチングによっても遂行されてもよい。
【００２１】
一実施形態において、第１中間層は、発光層、前記発光層下部に配置された下部機能層、及び前記発光層上部に配置された上部機能層を含み、前記補助電極の厚みは、前記下部機能層の厚みより厚くてもよい。
【００２２】
一実施形態において、前記第１中間層は、発光層、前記発光層下部に配置された下部機能層、及び前記発光層上部に配置された上部機能層を含み、前記第１中間層の少なくとも一部は、前記補助電極の上部に配置され、前記補助電極上部に配置された下部機能層は、前記開口内に配置された下部機能層と離隔されもする。
一実施形態において、前記下部機能層は、ホール注入層及びホール輸送層のうち少なくとも１層を含んでもよい。
【００２３】
一実施形態において、前記第１相対電極の端部は、前記補助電極に向けて延長され、前記補助電極と接触してもよい。
【００２４】
一実施形態において、前記第１マスキング層をリフトオフ工程を介して除去し、前記複数の画素電極のうち第２画素電極を露出させるように、第２マスキング層を形成した後、前記第２画素電極上に、第２中間層及び第２相対電極を形成する段階と、前記第２マスキング層をリフトオフ工程を介して除去し、前記複数の画素電極のうち第３画素電極を露出させるように、第３マスキング層を形成した後、前記第３画素電極上に、第３中間層及び第３相対電極を形成する段階と、をさらに含んでもよい。
【００２５】
一実施形態において、前記基板上には、前記複数の画素電極と電気的に連結された複数の薄膜トランジスタが形成されてもよい。
【００２６】
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点は、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、当該有機発光表示装置は、画素定義膜の上部が補助電極に対してアンダーカット構造を具備しており、相対電極と画素電極との間に、リーク電流形成を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による画素の等価回路図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による画素の等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一例を概略的に図示した断面図である。
【図４】図３のＩ部分の拡大断面図である。
【図５】図３のディスプレイ装置を上方向から見た平面図である。
【図６】図５の変形例である。
【図７Ａ】本発明の実施形態によるディスプレイ装置の回路素子層の断面図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態によるディスプレイ装置の回路素子層の断面図である。
【図８】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図９】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１０】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１１】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１２】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１３】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１４】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１５】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１６】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１７】図３の有機発光表示装置の製造方法の一例を概略的に図示した断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一例を概略的に図示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態にも具現されるのである。
【００３０】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用された。
【００３１】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【００３２】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００３３】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００３４】
図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されており、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
【００３５】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるように遂行されもする。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に遂行されもするし、説明される順序と反対の順序にも進められる。
【００３６】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付す。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示した平面図である。
【００３８】
図１を参照すれば、有機発光表示装置１は、表示領域ＤＡ、及び非表示領域である周辺領域ＰＡを含む。表示領域ＤＡには、有機発光素子（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）を具備した画素Ｐが配置され、所定のイメージを提供する。周辺領域ＰＡは、イメージを提供しない領域であり、表示領域ＤＡの画素Ｐに印加する電気的信号を提供するスキャンドライバ及びデータドライバ、並びに駆動電圧及び共通電圧のような電源を提供する電源線を含む。
【００３９】
図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の実施形態による画素の等価回路図である。
【００４０】
図２Ａを参照すれば、各画素Ｐは、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結された画素回路ＰＣ、並びに画素回路ＰＣに連結された有機発光素子ＯＬＥＤを含む。
【００４１】
画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬ及びデータ線ＤＬに連結され、スキャン線ＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データ線ＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
【００４２】
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに連結され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される駆動電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。
【００４３】
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光素子ＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御することができる。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動電流により、所定の輝度を有する光を放出することができる。
【００４４】
図２Ａでは、画素Ｐが２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージ薄膜トランジスタを含む場合について説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。
【００４５】
図２Ｂを参照すれば、画素回路ＰＣは、駆動数膜トランジスタＴ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６、並びに第２初期化薄膜トランジスタＴ７を含んでもよい。
【００４６】
駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由して有機発光素子ＯＬＥＤと電気的に連結される。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作により、データ信号Ｄｍを伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。
【００４７】
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極は、第１スキャン線ＳＬと連結され、ソース電極は、データ線ＤＬと連結される。スイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極と連結されており、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５を経由して駆動電圧線ＰＬとも連結される。
【００４８】
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、第１スキャン線ＳＬｎを介して伝達された第１スキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データ線ＤＬから伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極に伝達するスイッチング動作を遂行する。
【００４９】
補償薄膜トランジスタＴ３のゲート電極は、第１スキャン線ＳＬｎにも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極と連結されており、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極とも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極、及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と共にも連結される。補償薄膜トランジスタＴ３は、第１スキャン線ＳＬｎを介して伝達された第１スキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極とドレイン電極とを互いに連結し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード連結（ｄｉｏｄｅ−ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）させる。
【００５０】
第１初期化薄膜トランジスタＴ４のゲート電極は、第２スキャン線ＳＬｎ−１とも連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬとも連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極は、ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極、及び駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極と共にも連結される。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、第２スキャン線ＳＬｎ−１を介して伝達された第２スキャン信号Ｓｎ−１によってターンオンされ、初期化電圧ＶＩＮＴを駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極の電圧を初期化させる初期化動作を遂行することができる。
【００５１】
第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のゲート電極は、発光制御線ＥＬとも連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のソース電極は、駆動電圧線ＰＬとも連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５のドレイン電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極と連結されている。
【００５２】
第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のゲート電極は、発光制御線ＥＬとも連結される。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のソース電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極、及び補償薄膜トランジスタＴ３のソース電極とも連結される。第２発光制御薄膜トランジスタＴ６のドレイン電極は、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と電気的に連結される。第１発光制御薄膜トランジスタＴ５及び第２発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流が流れる。
【００５３】
第２初期化薄膜トランジスタＴ７のゲート電極は、第３スキャン線ＳＬｎ＋１にも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のソース電極は、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極とも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７のドレイン電極は、初期化電圧線ＶＬとも連結される。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第３スキャン線ＳＬｎ＋１を介して伝達された第３スキャン信号Ｓｎ＋１によってターンオンされ、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極を初期化させることができる。
【００５４】
ストレージキャパシタＣｓｔの他の１つの電極は、駆動電圧線ＰＬとも連結される。ストレージキャパシタＣｓｔのいずれか１つの電極は、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極、補償薄膜トランジスタＴ３のドレイン電極、及び第１初期化薄膜トランジスタＴ４のソース電極に共にも連結される。
【００５５】
有機発光素子ＯＬＥＤの相対電極は、共通電源電圧ＥＬＶＳＳを提供される。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流を伝達されて発光する。
【００５６】
画素回路ＰＣは、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明した薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタの個数、並びに回路デザインに限定されるものではなく、その個数及び回路デザインは、多様に変更可能である。
【００５７】
図３は、本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の断面図であり、図４は、図３のＩ部分の拡大断面図である。
【００５８】
図３を参照すれば、表示領域ＤＡは、画素、例えば、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３が配置される第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３を含み、隣接する画素領域間の非画素領域ＮＰＡを含む。本明細書において、画素領域というのは、実際光が放出される領域、すなわち、発光領域に対応する。
【００５９】
第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３は、互いに異なる色相を具現することができる。例えば、第１画素Ｐ１は、赤色を具現し、第２画素Ｐ２は、緑色を具現し、第３画素Ｐ３は、青色を具現することができる。他の実施形態において、表示領域ＤＡは、白色を具現する第４画素（図示せず）をさらに含んでもよい。
【００６０】
基板１００は、ガラス材、またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）・ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）・ポリイミドのようなプラスチック材のような多様な材料を含んでもよい。基板１００がプラスチック材によって形成された場合には、ガラス材によって形成された場合より、可撓性を向上させることができる。
【００６１】
基板１００上には、画素回路ＰＣを含む回路素子層１１０が具備される。画素回路ＰＣは、先に、図２Ａ及び図２Ｂを参照して説明したような薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを含む。薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタをなす層、例えば、半導体層及び電極層は、絶縁層を挟んでも配置される。画素回路ＰＣは、第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３ごとに配置される。
【００６２】
第１画素Ｐ１、第２画素Ｐ２及び第３画素Ｐ３のそれぞれは、画素回路ＰＣに電気的に連結された第１有機発光素子ＯＬＥＤ１、第２有機発光素子ＯＬＥＤ２及び第３有機発光素子ＯＬＥＤ３を含む。第１有機発光素子ＯＬＥＤ１、第２有機発光素子ＯＬＥＤ２及び第３有機発光素子ＯＬＥＤ３は、それぞれ、画素電極、発光層を含む中間層、及び相対電極を含む。
【００６３】
第１有機発光素子ＯＬＥＤ１は、第１画素電極２１１、第１中間層２２１及び第１相対電極２３１を含む。第２有機発光素子ＯＬＥＤ２は、第２画素電極２１２、第２中間層２２２及び第２相対電極２３２を含む。第３有機発光素子ＯＬＥＤ３は、第３画素電極２１３、第３中間層２２３及び第３相対電極２３３を含む。
【００６４】
第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の端部は、それぞれ画素定義膜１２０で覆われており、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の中央部は、画素定義膜１２０の開口ＯＰ１を介して露出され、開口ＯＰ１を介して、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３と接触する。
【００６５】
すなわち、画素定義膜１２０は、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の端部を覆うカバー部１２０ｃ、並びに第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の中央部を露出させる開口ＯＰ１を含む。
【００６６】
画素定義膜１２０により、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３が露出された領域には、それぞれ発光層を含む第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３が配置され、前記第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３の上部には、それぞれ第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３が配置され、該画素電極と該相対電極との間の中間層で光が発生するが、前記画素定義膜１２０によって画素領域が定義されると言える。
【００６７】
画素定義膜１２０は、有機物または無機物によって具備されてもよい。画素定義膜１２０が有機物によって具備される場合、画素定義膜１２０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂層、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂層からなる群のうちから選択される１以上の有機絶縁物質によって具備されてもよい。画素定義膜１２０が無機物によって具備される場合、画素定義膜１２０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／または酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）を含んだ単一層または多層によっても形成される。
【００６８】
画素定義膜１２０のカバー部１２０ｃ上には、補助電極１３０が配置される。言い換えれば、補助電極１３０は、複数の画素領域ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３間の非画素領域ＮＰＡに対応して配置される。補助電極１３０は、共通電源線と連結され、共通電圧ＥＬＶＳＳを各画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３に伝達する役割を行うことができる。
【００６９】
補助電極１３０は、導電性物質、例えば、金属または透明導電性酸化物（ＴＣＯ：ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｏｘｉｄｅ）などを含み、単一層または多層でもある。一部実施形態において、補助電極１３０は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のような金属を含んでもよい。
【００７０】
本実施形態において、補助電極１３０が配置された画素定義膜１２０の上部は、補助電極１３０に対して入り込んでいるアンダーカット（ｕｎｄｅｒ−ｃｕｔ）構造を具備する。すなわち、画素定義膜１２０のカバー部１２０ｃ上面の少なくとも一部は、補助電極１３０に対してアンダーカット構造を具備する。そのような構造は、有機発光素子ＯＬＥＤ１、有機発光素子ＯＬＥＤ２、および有機発光素子ＯＬＥＤ３の不良を最小化させるためのものであり、それについては、後述する。
【００７１】
第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３にそれぞれ対応するように配置されたアイランド型であり、回路素子層１１０上に相互離隔されるように配置される。
【００７２】
第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、反射電極あるいは透光性電極でもある。
【００７３】
反射電極である場合、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、またはそれらの化合物などによって形成された反射漠を含んでもよい。または、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、前述の反射漠、及び前述の反射漠の上または／及び下の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）膜を含んでもよい。一実施形態において、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの３層でもある。
【００７４】
透光性電極である場合、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層でもある。または、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、銀（Ａｇ）、または銀（Ａｇ）合金を含む金属薄膜であるか、あるいは前述の金属薄膜上に形成された透明導電性酸化物層の多層でもある。
【００７５】
第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３は、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３にそれぞれ対応するように配置されたアイランド型であり、相互離隔されるように配置される。第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３は、画素定義膜１２０の開口ＯＰ１を介して、それぞれ第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の上に配置される。一方、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３の少なくとも一部は、画素定義膜１２０の開口ＯＰ１の側面に沿って延長され、補助電極１３０の上部にも配置される。
【００７６】
図３及び図４を参照すれば、第１中間層２２１は、発光層２２１ｂを含む。発光層２２１ｂは、例えば、赤色光を放出する有機発光層でもある。第１中間層２２１は、発光層２２１ｂの下部に配置された下部機能層２２１ａ、及び／または発光層２２１ｂの上部に配置された上部機能層２２１ｃをさらに含んでもよい。下部機能層２２１ａは、ホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）及び／またはホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。上部機能層２２１ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）及び／または電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を含んでもよい。そのような下部機能層２２１ａ及び／または上部機能層２２１ｃは、発光層のエネルギー準位を画素電極または相対電極に合わせ、発光層で効率的な発光が発生するように一助となる役割を行うことができる。
【００７７】
該発光層は、公知された多様な発光物質を利用して形成することができるが、公知のホスト及びドーパントを利用して形成することができる。前記ドーパントの場合、公知の蛍光ドーパント、及び公知のリン光ドーパントをいずれも使用することができる。
【００７８】
例えば、該ホストとしては、Ａｌｑ３Ｃ  ＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）またはジスチリルアリーレン（ＤＳＡ）などを使用することができるが、それらに限定されるものではない。
【００７９】
該ホール注入層物質としては、公知のホール注入材料を使用することができるが、例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ］、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ'−di（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ））、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／カンファースルホン酸（Ｐａｎｉ／ＣＳＡ）またはポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）などを使用することができるが、それらに限定されるものではない。
【００８０】
該ホール輸送層物質は、公知のホール輸送層物質を利用することができるが、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール・ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体；ＮＰＢ、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有するアミン誘導体、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）などを使用することができる。そのうち、例えば、ＴＣＴＡの場合、ホール輸送の役割以外にも、発光層から励起子が拡散することを防止する役割も遂行することができる。
【００８１】
該電子輸送層物質は、公知の電子輸送層形成材料のうちから任意に選択される。例えば、その例としては、キノリン誘導体、特に、トリス（８−キノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような公知の材料を使用することもできるが、それらに限定されるものではない。
【００８２】
該電子注入層物質としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌＣ  ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯのような電子注入層形成材料であり、公知の任意の物質を利用することができる。
下部機能層２２１ａ及び上部機能層２２１ｃは、それぞれ単層構造または多層構造に形成され、下部機能層２２１ａ及び／または上部機能層２２１ｃは、省略されもする。
【００８３】
一方、図４においては、補助電極１３０上部に配置された下部機能層２２１ａ、発光層２２１ｂ及び上部機能層２２１ｃの側面が、一定角度を有して順テーパ形状に配置されるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、上部機能層２２１ｃは、発光層２２１ｂの側面、または下部機能層２２１ａの側面に沿って下降するように蒸着されもする。または、発光層２２１ｂは、下部機能層２２１ａの側面に沿って下降するようにも蒸着されるというように、多様な変形が可能である。
【００８４】
前述のように、補助電極１３０が配置された画素定義膜１２０の上部は、補助電極１３０に対して入り込んでいるアンダーカット構造を具備する。そのような構造により、発光層２２１ｂ下部に配置された下部機能層２２１ａ及び発光層２２１ｂの一部は、補助電極１３０上部に配置される領域と、開口ＯＰ１内部に配置される領域とが分離されて形成されてもよい。
【００８５】
もし補助電極１３０と画素定義膜１２０とがアンダーカット構造を具備しないのであれば、下部機能層２２１ａは、開口ＯＰ１内部において、補助電極１３０上部まで連結されて具備される。その場合、相対電極２３１が下部機能層２２１ａと連結され、相対電極を介して注入された電子が下部機能層２２１ａに沿って画素電極２１１に流れ、ｌａｔｅｒａｌ  ｌｅａｋａｇｅを誘発してしまう。
【００８６】
しかし、本実施形態としては、補助電極１３０に対して画素定義膜１２０がアンダーカット構造を具備しており、補助電極１３０上部に配置された下部機能層２２１ａと、開口ＯＰ１内部に配置された下部機能層２２１ａとが分離、離隔して配置されており、ｌａｔｅｒａｌ  ｌｅａｋａｇｅが生じない。
【００８７】
本実施形態において、補助電極１３０の厚みｔ１は、下部機能層２２１ａの厚みｔ２に比べ、厚く形成されてもよい（ｔ１＞ｔ２）。補助電極１３０の厚みｔ１が下部機能層２２１ａの厚みｔ２に比べて厚く形成されることにより、補助電極１３０上部に配置された下部機能層２２１ａと、開口ＯＰ１内部に配置された下部機能層２２１ａとが蒸着によって連結されない条件を確保することができる。本実施形態において、画素定義膜１２０のカバー部１２０ｃが補助電極１３０の端部に入り込んでいる距離ｄは、下部機能層２２１ａの厚みｔ２に比べて厚く具備されてもよい。それにより、補助電極１３０上部に配置された下部機能層２２１ａと、開口ＯＰ１内部に配置された下部機能層２２１ａとが蒸着によって連結されない条件を確保することができる。
【００８８】
一方、本実施形態において、発光層２２１ｂ及び／または上部機能層２２１ｃの少なくとも一部も、補助電極１３０上部に配置された領域と、開口ＯＰ１内に配置された領域とが互いに分離されるように形成されてもよい。それは、補助電極１３０の厚み、及びカバー部１２０ｃが補助電極１３０端部から入り込んでいる程度により、多様に変形されもする。
【００８９】
再び図３を参照すれば、第２中間層２２２は、緑色光を放出する有機発光層である発光層を含むことができ、第３中間層２２３は、青色光を放出する有機発光層である発光層を含んでもよい。第２中間層２２２及び第３中間層２２３は、発光層の下部に配置された下部機能層、及び／または発光層の上部に配置された上部機能層をさらに含んでもよい。該下部機能層は、ホール注入層及び／またはホール輸送層でもあり、該上部機能層は、電子輸送層及び／または電子注入層でもある。第２中間層２２２及び第３中間層２２３の場合にも、補助電極１３０上部に配置された下部機能層と、開口ＯＰ１内部に配置された下部機能層は、互いに分離されるようにも配置され、補助電極１３０の厚みは、下部機能層の厚みより厚く形成されてもよい。
【００９０】
第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３の厚みは、互いに異なってもよい。第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３は、後述する工程を介して、互いに独立的に／個別的にパターニングされるので、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３の機能層の物質、厚みなどは互いに異なってもよい。
【００９１】
第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３にそれぞれ対応するように配置されたアイランド型であり、相互離隔されるように配置される。第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、それぞれ第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３の上に配置される。
【００９２】
第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３それぞれの幅ｗ２１，ｗ２２，ｗ２３は、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３それぞれの幅ｗ１１，ｗ１２，ｗ１３より広くなってもよい。第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３それぞれの端部は、第１中間層２２１、第２中間層２２２及び第３中間層２２３それぞれより、補助電極１３０に向けてさらに延長され、配線層１３０と接触する。
【００９３】
第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、透光性電極または反射電極でもある。第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、Ｌｉ及びＡｕのうち少なくともいずれか１以上の物質を含んでもよい。例えば、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｙｂ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｕのうち少なくともいずれか一つを含む単層または多層でもある。一部実施形態において、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）膜を含んでもよい。一実施形態において、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、Ａｇ及びＭｇを含む金属薄膜を含み、ＡｇがＭｇよりさらに多く含有されもする。他の実施形態において、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、Ｙｂ／Ａｇ：Ｍｇ／ＩＴＯの多層構造によっても具備される。
【００９４】
本発明の非制限的な実施形態において、前述の物質を含む第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、厚みを薄くし、光透過性電極として形成するか、あるいは厚みを厚くし、反射電極としても形成することができる。例えば、Ａｇ及びＭｇを含む金属を、約１ｎｍないし１．５ｎｍの厚みに形成し、光透過性を有する電極として使用するか、あるいは厚みを約５０ｎｍ以上の厚みに形成し、反射電極として使用することができる。
【００９５】
第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、それぞれ製造工程において、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３、並びにその下の層が損傷されることを防止するパッシベーション層（図示せず）で覆われもする。該パッシベーション層は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／または酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）のような無機絶縁物を含み、単一層または多層によっても形成される。
【００９６】
相互離隔されたアイランド型の第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３は、補助電極１３０を介して互いに電気的に連結され、共通電源線と連結され、共通電圧ＥＬＶＳＳを提供されもする。
【００９７】
図５は、図３の有機発光表示装置を上方向から見た平面図であり、図６は、図５の変形例である。図５及び図６は、説明の便宜のために、図３の有機発光表示装置のうち、画素定義膜、補助電極、並びに第１相対電極、第２相対電極及び第３相対電極のみを抜粋して図示する。
【００９８】
図５を参照すれば、一部実施形態において、補助電極１３０は、画素定義膜１２０の開口ＯＰ１に対応する貫通ホールｈ１を具備し、画素定義膜１２０のカバー部１２０ｃを覆うようにも配置される。すなわち、補助電極１３０は、複数の貫通ホールｈ１を有するメッシュ状にも配置される。
【００９９】
補助電極１３０は、非画素領域ＮＰＡの画素定義膜１２０上に配置されるが、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３それぞれに配置された第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３と一部重畳しながら直接接触することができる。
【０１００】
図６を参照すれば、他の実施形態において、補助電極１３０は、非画素領域ＮＰＡ上において、ストライプ形態を有するようにも配置される。ストライプ状の補助電極１３０は、非画素領域ＮＰＡの画素定義膜１２０上にも配置される。各補助電極１３０は、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３それぞれに配置された第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３と一部重畳しながら直接接触することができる。
【０１０１】
補助電極１３０は、非画素領域ＮＰＡにおいて、画素定義膜１２０上に配置され、第１相対電極２３１、第２相対電極２３２及び第３相対電極２３３と一部重畳しながら直接接触すればよく、補助電極１３０のパターンは、図５及び図６に図示されているように、メッシュ状またはストライプ状以外に、多様な形態にもパターニングされる。
【０１０２】
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の実施形態による有機発光表示装置の回路素子層の断面図である。
【０１０３】
図７Ａを参照すれば、駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動半導体層Ａ１、駆動ゲート電極Ｇ１、駆動ソース電極Ｓ１及び駆動ドレイン電極Ｄ１）を含み、スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング半導体層Ａ２、スイッチングゲート電極Ｇ２、スイッチングソース電極Ｓ２及びスイッチングドレイン電極Ｄ２を含み、ストレージキャパシタＣｓｔは、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１及び第２ストレージ蓄電板ＣＥ２を含んでもよい。
【０１０４】
駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２と駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２との間には、ゲート絶縁層１０３が介在され、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１及び第２ストレージ蓄電板ＣＥ２の間には、誘電体層１０５が介在され、駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２と駆動ソース／ドレイン電極Ｓ１，Ｄ１及びスイッチングソース／ドレイン電極Ｓ２，Ｄ２との間には、層間絶縁層１０７が介在され、駆動ソース／ドレイン電極Ｓ１，Ｄ１及びスイッチングソース／ドレイン電極Ｓ２，Ｄ２の上には、平坦化絶縁層１０９が配置される。
【０１０５】
ゲート絶縁層１０３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような無機物を含む単層または多層でもある。誘電体層１０５及び層間絶縁層１０７は、前述の酸化ケイ素、窒化ケイ素及び／または酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のような無機物を含む多層または多層でもある。平坦化絶縁層１０９は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含む有機物を含んでもよいが、本発明は、それらに限定されるものではない。図７Ａには、ストレージキャパシタＣｓｔが、駆動数膜トランジスタＴ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２と重畳するように配置され、駆動ゲート電極Ｇ１が第１ストレージ蓄電板ＣＥ１である場合を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
【０１０６】
図７Ｂを参照すれば、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳されないようにも配置される。例えば、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１と駆動ゲート電極Ｇ１とが同一物質を含み、第２ストレージ蓄電板ＣＥ２は、駆動ソース電極Ｓ１及び駆動ドレイン電極Ｄ１と同一物質を含み、第１ストレージ蓄電板ＣＥ１及び第２ストレージ蓄電板ＣＥ２の間には、層間絶縁層１０７が介在される。
【０１０７】
図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明した実施形態によれば、駆動数膜トランジスタＴ１及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２の駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２が、駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２の上に配置される場合について説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２は、それぞれ駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２の下にも配置される。駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２の位置により、一部実施形態においては、駆動半導体層Ａ１及びスイッチング半導体層Ａ２が無機バッファ層１０１の真上にも配置され、他の実施形態においては、駆動ゲート電極Ｇ１及びスイッチングゲート電極Ｇ２が無機バッファ層１０１の真上にも配置される。
【０１０８】
図８ないし図１７は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造工程による断面図である。
【０１０９】
図８を参照すれば、基板１００上に、画素回路ＰＣを含む回路素子層１１０を形成し、回路素子層１１０上に、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３を形成する。第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３は、第１画素領域ＰＡ１、第２画素領域ＰＡ２及び第３画素領域ＰＡ３にそれぞれ対応するように形成される。例えば、回路素子層１１０上に、予備画素電極層（図示せず）を形成した後、それをパターニングし、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３を形成することができる。基板１００の物質、並びに第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の物質は、先に図３を参照して説明したので、重複説明は、省略する。
【０１１０】
その後、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の上に絶縁物質層（図示せず）を形成した後、それをパターニングし、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３それぞれを露出させる開口ＯＰ１を有する画素定義膜１２０を形成する。
【０１１１】
画素定義膜１２０は、有機物または無機物によって具備されてもよい。画素定義膜１２０が有機物によって具備される場合、画素定義膜１２０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂層、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂層からなる群のうちから選択される１以上の有機絶縁物質によって具備されてもよい。画素定義膜１２０が無機物によって具備される場合、画素定義膜１２０は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／または酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）を含んだ単一層または多層によっても形成される。
【０１１２】
図９を参照すれば、非画素領域ＮＰＡまたは画素定義膜１２０のカバー部１２０ｃ上部に、補助電極１３０を形成する。補助電極１３０は、導電性物質、例えば、金属または透明導電性酸化物（ＴＣＯ）などを含み、単一層または多層でもある。一部実施形態において、補助電極１３０は、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のような金属を含んでもよい。
【０１１３】
補助電極１３０は、導電物質層（図示せず）を基板１００全面に形成した後、その上部にフォトレジストパターン（ＰＲ）を形成した後、エッチング工程を遂行することによっても形成される。エッチング工程は、湿式エッチング、乾式エッチング、またはそれらの組み合わせによっても形成される。一部実施形態において、補助電極１３０は、精密なパターニングのために、乾式エッチング工程によっても形成される。その場合、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３が損傷されることを防止するように、補助電極１３０をなす導電性物質は、第１画素電極２１１、第２画素電極２１２及び第３画素電極２１３の物質とエッチング選択比が異なる物質を含むことが望ましい。
【０１１４】
図１０を参照すれば、補助電極１３０に対応する画素定義膜１２０の上部が、補助電極１３０に対してアンダーカット構造を有するように、開口ＯＰ１の側面をエッチングする。
【０１１５】
前記アンダーカット構造のためのエッチングは、乾式エッチングによっても遂行される。その場合、補助電極１３０を形成するためのフォトレジストパターンＰＲを除去しないことにより、補助電極１３０の形状を維持させ、画素定義膜１２０の開口ＯＰ１の側面が補助電極１３０端の内側までエッチングされる。前記乾式エッチングのためのガスは、酸素プラズマ、ＳＦ６、ＣＨＦｘ、Ｃｌ系ガスを利用することができる。例えば、画素定義膜１２０が有機物質である場合、乾式エッチングは、酸素プラズマを利用しても行われる。画素定義膜１３０が無機物質である場合、乾式エッチングは、ＳＦ６を利用しても行われる。
【０１１６】
補助電極１３０の形成、及び画素定義膜１２０のアンダーカット構造の形成は、同一フォトレジストパターンを利用し、同一チャンバ内部でエッチング条件のみを変更し、順次に行われる。
【０１１７】
次に、図１１を参照すれば、画素定義膜１２０のアンダーカット構造を形成した後、フォトレジストパターンＰＲを除去する。
【０１１８】
図１２を参照すれば、第１画素領域ＰＡ１に対応する部分が開放された第１マスキング層１０１０を形成する。第１マスキング層１０１０は、第１感光パターン層１２１０及び第１感光パターン層１２１０と、画素定義膜１２０との間の第１補助層１１１０を含んでもよい。
【０１１９】
一部実施形態において、第１マスキング層１０１０は、下記の工程によっても形成される。
【０１２０】
補助電極１３０が形成された基板１００上に、非感光性有機物層（図示せず）を形成し、その上に、フォトレジスト層（図示せず）を形成する。該非感光性有機物層は、一例として、フッ素系物質を含んでもよいが、本発明は、それに制限されるものではない。該フォトレジスト層は、ポジティブ感光物質を含んでもよい。
【０１２１】
その後、フォトレジスト層のうち、第１画素領域ＰＡ１と対応する一部領域を露光して現像し、第１開口領域ＯＲ１を有する第１感光パターン層１２１０を形成する。次に、第１開口領域ＯＲ１を介して露出された非感光性有機物層をエッチングし、第１補助開口領域ＡＯＲ１を形成する。エッチングを介して、第１補助層１１１０の第１補助開口領域ＡＯＲ１は、第１開口領域ＯＲ１より大きく形成される。
【０１２２】
第１補助層１１１０は、補助電極１３０上に配置されるが、補助電極１３０の端部（例えば、第１画素電極２１１と隣接した端部）が露出されるように、補助電極１３０の端部を覆わない。
【０１２３】
図１３を参照すれば、第１マスキング層１０１０が形成された基板１００上に、順次に、第１中間層２２１、第１相対電極２３１を形成する。第１相対電極２３１上には、パッシベーション層（図示せず）がさらに形成されてもよい。第１中間層２２１及び第１相対電極２３１の物質は、先に図３を参照して説明したので、重複説明は、省略し、以下では、工程を中心に説明する。
【０１２４】
第１中間層２２１と第１相対電極２３１は、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法によっても形成される。第１中間層２２１と第１相対電極２３１とを形成するための蒸着物質は、基板１００に垂直である方向、及び斜め方向に沿って、基板１００に向けて移動することができる。従って、第１中間層２２１の端部、及び第１相対電極２３１の端部は、第１補助層１１１０と接触せずに、第１感光パターン層１２１０下の空間に延長されもする。蒸着物質が斜め方向に蒸着されながら、第１中間層２２１及び第１相対電極２３１の端部は、順方向テーパ形状（ｆｏｒｗａｒｄ  ｔａｐｅｒ  ｓｈａｐｅ）を有することができ、第１中間層２２１の幅よりさらに広幅を有するように、第１相対電極２３１の端部は、第１中間層２２１の端部よりさらに延長され、配線層１３０と接触する。第１相対電極２３１は、配線層１３０の上面と直接接触し、電気的に直接連結されもする。
【０１２５】
図１３の拡大図を参照すれば、第１中間層２２１は、下部機能層２２１ａ、発光層２２１ｂ及び上部機能層２２１ｃを含み、下部機能層２２１ａ、発光層２２１ｂ及び上部機能層２２１ｃは、順次蒸着されもする。画素定義膜１２０の上部は、補助電極１３０に対してアンダーカット構造を具備しており、補助電極１３０上部に蒸着される下部機能層２２１ａと、開口ＯＰ１に蒸着される下部機能層２２１ａは、互いに分離、離隔されても形成される。
【０１２６】
画素定義膜１２０の上部がアンダーカットされた大きさ、及び補助電極１３０の厚みなどにより、発光層２２１ｂ及び／または上部機能層２２１ｃの一部も、分離形成される。
【０１２７】
図１４を参照すれば、その後、リフトオフ工程を介して、第１マスキング層１０１０を除去する。一実施形態において、第１補助層１１１０がフッ素系物質である場合、フッ素系溶媒を利用し、第１補助層１１１０を除去することができる。第１補助層１１１０が除去されながら、第１補助層１１１０上の第１感光パターン層１２１０、第１感光パターン層１２１０上に積層された物質層が共に除去される。そして、第１画素領域ＰＡ１には、アイランド型の第１中間層２２１及び第１相対電極２３１が残る。
【０１２８】
図１５を参照すれば、第２画素領域ＰＡ２に対応する部分が開放された第２マスキング層１０２０を形成する。第２マスキング層１０２０は、第２感光パターン層１２２０及び第２感光パターン層１２２０と、画素定義膜１２０との間の第２補助層１１２０を含んでもよい。第２補助層１１２０及び第２感光パターン層１２２０は、それぞれすでに説明した第１補助層１１１０及び第１感光パターン層１２１０と同一物質を含み、同一工程によっても形成される。
【０１２９】
次に、第２マスキング層１０２０が形成された基板１００上に、順次に、第２中間層２２２及び第２相対電極２３２を形成する。第２相対電極２３２上部には、パッシベーション層がさらに形成されてもよい。第２中間層２２２及び第２相対電極２３２の物質は、先に図３を参照して説明したので、重複説明は、省略する。第２中間層２２２と第２相対電極２３２は、熱蒸着法によっても形成され、該パッシベーション層は、化学気相蒸着法によっても形成される。
【０１３０】
第２中間層２２２、第２相対電極２３２、パッシベーション層をなす蒸着物質は、基板１００に垂直である方向、及び斜め方向に沿って、基板１００に向けて移動することができる。従って、第２中間層２２２、第２相対電極２３２、該パッシベーション層それぞれの端部は、第２補助層１１２０と接触せずに、順方向テーパ形状を有することができる。
【０１３１】
第２相対電極２３２は、第２中間層２２２の幅よりさらに広幅を有するように、端部が第２中間層２２２の端部より延長され、配線層１３０と接触する。第２相対電極２３２は、配線層１３０の上面と直接接触し、電気的に直接連結されもする。
【０１３２】
その後、リフトオフ工程を介して、第２マスキング層１０２０を除去する。例えば、フッ素系溶媒を利用し、第２補助層１１２０を除去することにより、第２補助層１１２０上の第２感光パターン層１２２０、第２中間層２２２、第２相対電極２３２及び第２パッシベーション層２４２が共に除去されもする。そして、第２画素領域ＰＡ２には、アイランド型の第２中間層２２２、第２相対電極２３２及び第２パッシベーション層２４２が残る。
【０１３３】
図１６を参照すれば、第３画素領域ＰＡ３に対応する部分が開放された第３マスキング層１０３０を形成する。第３マスキング層１０３０は、第３感光パターン層１２３０、及び第３感光パターン層１２３０と画素定義膜１２０と間の第３補助層１１３０を含んでもよい。第３補助層１１３０及び第３感光パターン層１２３０は、それぞれ前述の第１補助層１１１０及び第１感光パターン層１２１０と同一物質を含み、同一工程によっても形成される。
【０１３４】
次に、第３マスキング層１０３０が形成された基板１００上に、順次に、第３中間層２２３及び第３相対電極２３３を形成する。第３相対電極２３３上部には、パッシベーション層が追加して形成されてもよい。第３中間層２２３、第３相対電極２３３及び該パッシベーション層の物質は、先に図３を参照して説明したので、重複説明は、省略する。
【０１３５】
第３中間層２２３と第３相対電極２３３は、熱蒸着法によっても形成され、該パッシベーション層は、化学気相蒸着法によっても形成される。
【０１３６】
第３中間層２２３、第３相対電極２３３、該パッシベーション層をなす蒸着物質は、基板１００に垂直である方向、及び斜め方向に沿って、基板１００に向けて移動することができる。従って、第３中間層２２３、第３相対電極２３３、パッシベーション層それぞれの端部は、第３補助層１１３０と接触せずに、順方向テーパ形状を有することができる。
【０１３７】
第３相対電極２３３は、第３中間層２２３の幅よりさらに広幅を有するように、端部が第３中間層２２３の端部より延長され、配線層１３０と接触する。第３相対電極２３３は、配線層１３０の上面と直接接触し、電気的に直接連結されもする。
【０１３８】
図１７を参照すれば、リフトオフ工程を介して、第３マスキング層１０３０を除去する。例えば、フッ素系溶媒を利用し、第３補助層１１３０を除去することにより、第３補助層１１３０上の第３感光パターン層１２３０及び物質層が共に除去される。そして、第３画素領域ＰＡ３には、アイランド型の第３中間層２２３及び第３相対電極２３３が残る。
【０１３９】
図１８は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の断面図を示す。図１８において、図３と同一参照符号は、同一部材を示すが、それらの重複説明は、省略する。
【０１４０】
本実施形態において、該有機発光表示装置は、表示領域ＤＡを密封し、外部の酸素及び水分などが表示領域ＤＡに浸透することを防止することができる薄膜封止層３００が形成されてもよい。
【０１４１】
薄膜封止層３００は、少なくとも１層の無機膜（第１無機膜３１０または第２無機膜３３０）と、少なくとも１層の有機膜３２０を含んでもよい。一例として、薄膜封止層３００は、図１８に図示されているように、順次に積層された第１無機膜３１０、有機膜３２０、及び第２無機膜３３０を含んでもよいが、それらに限られるものではなく、多様な構成を有することができる。
【０１４２】
第１無機膜３１０と第２無機膜３３０は、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物、スズ酸化物、セリウム酸化物及びシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）からなる群から選択された１以上の物質を含んで形成されてもよい。
【０１４３】
有機膜３２０は、アクリル系樹脂層、メタクリル系樹脂層、ポリイソプレン、ビニル系樹脂層、エポキシ系樹脂層、ウレタン系樹脂層、セルロース系樹脂層及びペリレン系樹脂層からなる群から選択された１以上の物質を含んで形成されてもよい。
【０１４４】
一方、図１８においては、複数の有機発光素子ＯＬＥＤ１、有機発光素子ＯＬＥＤ２、および有機発光素子ＯＬＥＤ３の上に、薄膜封止層３００が形成された例を図示しているが、本発明は、それに限られるものではない。すなわち、有機発光表示装置は、薄膜封止層３００の代わりに、密封基板（図示せず）を具備することができる。密封基板（図示せず）は、シーリングガラスフリット（ｓｅａｌｉｎｇ  ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ）のような密封部材によって基板１００と合着され、外部の水分、空気などを遮断することができる。
【０１４５】
本実施形態において、薄膜封止層３００または密封基板の上部には、偏光層、カラーフィルタ層、タッチスクリーン層など多様な機能層がさらに配置されもする。
【０１４６】
以上においては、図面に図示された実施形態を参照して説明されたが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるのである。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明の、有機発光表示装置及びその製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１４８】
１００：基板
１１０：回路素子層
１２０：画素定義膜
１３０：補助電極
２１１，２１２，２１３：画素電極
２２１，２２２，２２３：中間層
２３１，２３２，２３３：相対電極
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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