(57)【要約】      （修正有）【課題】輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えた表示装置とその製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、第１の透光性基板ＳＵＢ１と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板ＳＵＢ２と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部１３３と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部１と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、前記第１の減光部の周辺に配置され、可視光の透過量を減少させる第２の減光部１１と、を含み、前記第１の減光部は、前記表示面に略平行であり、前記第２の減光部は、前記表示面に対して傾斜している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透光性基板と、
前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、
前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部と、
前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、前記第１の減光部の周辺に配置され、可視光の透過量を減少させる第２の減光部と、
を含み、
前記第１の減光部は、前記表示面に略平行であり、前記第２の減光部は、前記表示面に対して傾斜している、
表示装置。
【請求項２】
前記第２の減光部の少なくとも一部が、前記第１の減光部に接する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の減光部が、第１の光吸収部と、第１の光散乱部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の光吸収部は、前記第２の光散乱部よりも表示面側に配置された、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の減光部が、第２の光吸収部と、第２の光散乱部と、を含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の光吸収部は、前記第２の光散乱部よりも表示面側に配置された、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の減光部が、前記第２の透光性基板の内部に設けられ、
前記第２の透光性基板の内部において、前記第１の減光部よりも背面側に設けられた第３の減光部を更に含み、
平面視で、前記第３の減光部が、前記第１の減光部の少なくとも一部と重畳する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３の減光部が、第３の光吸収部と、第３の光散乱部と、を含み、
前記第３の光散乱部が、前記第３の光吸収部よりも表示面側に配置された、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、を含む表示装置の製造方法であって、
前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検出工程と、
前記表示面に垂直な方向から、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶエネルギービームを照射して、第１の減光部を形成する第１の照射工程と、
前記表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向から、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部における第２の照射位置に焦点を結ぶエネルギービームを照射して、第２の減光部を形成する第２の照射工程と、を含む、
表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の照射位置と前記第２の照射位置の少なくとも一部が接する、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の照射工程において、第１の光吸収部と、第１の光散乱部と、を含む前記第１の減光部を形成する、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の照射工程において、第２の光吸収部と、第２の光散乱部と、を含む前記第２の減光部を形成する、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の照射工程において、前記第２の透光性基板の内部に焦点を結ぶよう前記エネルギービームを照射し、
前記第２の透光性基板の内部において、前記第１の減光部よりも背面側に焦点を結ぶよう前記エネルギービームを照射する第３の照射工程を更に含み、
平面視で、前記第１の照射工程における前記エネルギービームの照射位置が、前記第３の照射工程における前記エネルギービームの照射位置の少なくとも一部と重畳する、
請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に位置する第２の透光性基板と、を備える表示装置の製造装置であって、
前記表示装置を載置する載置面を有するステージと、
前記表示装置の点灯検査を行って、画素の輝点欠陥部を検出する検査光学系と、
前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部に焦点の位置を調整して、前記表示装置の表示面側からエネルギービームを照射する照射光学系と、
を含み、
前記ステージの前記載置面に垂直な軸方向に対して、前記照射光学系の光軸方向を傾けることが可能な、
表示装置の製造装置。
【請求項１５】
前記載置面が固定された状態において、前記照射光学系の前記光軸方向、及び前記検査光学系の前記光軸方向の少なくとも一方が可変状態にある、
請求項１４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項１６】
前記照射光学系の前記光軸方向、及び前記検査光学系の前記光軸方向の少なくとも一方が固定された状態において、前記載置面に垂直な前記軸が可変状態にある、
請求項１４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項１７】
前記照射光学系の前記光軸方向と、前記載置面に垂直な前記軸方向と、の双方が可変状態にある、
請求項１４に記載の表示装置の製造装置。
【請求項１８】
前記検査光学系の前記光軸方向と、前記載置面に垂直な前記軸方向と、の双方が可変状態にある、
請求項１４に記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置とその製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種表示装置のうち、例えば液晶表示装置は、画素電極と共通電極との間に発生する電界を、一対の基板に挟持される液晶層に印加して液晶を駆動させることにより、画素電極と共通電極との間の領域を透過する光の量を調整して画像表示を行う。
【０００３】
従来、例えば液晶表示装置において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる、所謂、輝点欠陥（画素欠陥ともいう。）の問題が知られている。輝点欠陥は、例えば、液晶表示装置の製造工程において一対の基板間に異物が混入し、この異物によって、液晶の配向が乱されたり、画素電極と共通電極とが短絡したりすることにより生じる。
【０００４】
前記輝点欠陥を修正する方法が、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１の方法では、ガラス基板内部にレーザ光を照射して、平面的に見て、輝点欠陥が生じる領域を覆うように着色層を形成し、光の透過量を減少させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１５１４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のような着色層では、輝点欠陥から表示面に対して斜め方向に放出された光については、その透過量を効率的に減少させることができず、輝点欠陥の不良が十分に修正されていないことがあった。
【０００７】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたものであり、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えた表示装置とその製造方法及び製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示に係る表示装置は、第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、平面視で、輝点欠陥部と重畳し、可視光の透過量を減少させる第１の減光部と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部において、前記第１の減光部の周辺に配置され、可視光の透過量を減少させる第２の減光部と、を含み、前記第１の減光部は、前記表示面に略平行であり、前記第２の減光部は、前記表示面に対して傾斜している。
【０００９】
本開示に係る表示装置の製造方法は、第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に配置された第２の透光性基板と、を含む表示装置の製造方法であって、前記表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥部を検出する検出工程と、前記表示面に垂直な方向から、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶエネルギービームを照射して、第１の減光部を形成する第１の照射工程と、前記表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向から、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部における第２の照射位置に焦点を結ぶエネルギービームを照射して、第２の減光部を形成する第２の照射工程と、を含む。
【００１０】
本開示に係る表示装置の製造装置は、第１の透光性基板と、前記第１の透光性基板と対向して表示面側に位置する第２の透光性基板と、を備える表示装置の製造装置であって、前記表示装置を載置する載置面を有するステージと、前記表示装置の点灯検査を行って、画素の輝点欠陥部を検出する検査光学系と、前記第１の透光性基板及び前記第２の透光性基板の少なくとも一方の内部に焦点の位置を調整して、前記表示装置の表示面側からエネルギービームを照射する照射光学系と、を含み、前記ステージの前記載置面に垂直な軸方向に対して、前記照射光学系の光軸方向を傾けることが可能である。
【発明の効果】
【００１１】
本開示に係る表示装置によれば、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の全体構成を示す図である。
【図２】図２は図１の液晶表示装置の表示パネルの一部の構成を示す平面図である。
【図３】図３は図２のＡ１−Ａ２線で切断した切断部の端面図である。
【図４】図４は図１の液晶表示装置での輝点欠陥の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は第１の実施形態に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の構成を示す断面図である。
【図６】図６はガラス基板内部における非架橋酸素ホールセンタ形成の模式図である。
【図７】図７は多光子吸収の模式図である。
【図８】図８は図１の液晶表示装置での減光部の加工原理を示す模式図である。
【図９】図９は加工後のレーザ光がボイドにより散乱される様子の模式図である。
【図１０】図１０は第１の実施形態の第１変形例に係る液晶表示装置において、減光部を有する画素の他の構成を示す断面図である。
【図１１】図１１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における、輝点欠陥の修正方法を示すフロー図である。
【図１２】図１２は輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置のブロック図である。
【図１３】図１３は液晶表示装置の製造方法の変形例における、輝点欠陥の修正方法を示すフロー図である。
【図１４】図１４は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法において使用可能な製造装置の構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下の実施形態では、液晶表示装置を例に挙げるが、本発明に係る表示装置は、液晶表示装置に限定されるものではなく、例えば有機ＥＬ表示装置又はプラズマディスプレイパネル等であってもよい。
【００１４】
［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態について、図面を用いて説明する。
【００１５】
［液晶表示装置］
図１は、本開示の第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤの全体構成を示す平面図である。液晶表示装置ＬＣＤは、画像を表示する表示パネルＤＰと、表示パネルＤＰを駆動する表示パネル用駆動回路（データ線駆動回路３０、ゲート線駆動回路３１）と、表示パネル用駆動回路を制御する制御回路（図示せず）と、表示パネルＤＰに背面側から光を照射するバックライト光を照射するバックライト１３４（図３等参照）とを含んでいる。
【００１６】
図２は、表示パネルＤＰの一部の構成を示す平面図である。図３は、図２のＡ１−Ａ２線で切断した切断部の端面図である。なお、図２及び図３では、１つの画素Ｐを示している。
【００１７】
表示パネルＤＰは、背面側に配置される薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１（以下、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１という。）と、表示面側に配置され、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１に対向するカラーフィルタ基板ＳＵＢ２（以下、ＣＦ基板ＳＵＢ２という。）と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の間に挟持される液晶層ＬＣと、を含んでいる。
【００１８】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、列方向に延在する複数のデータ線ＤＬと、行方向に延在する複数のゲート線ＧＬとが形成され、複数のデータ線ＤＬと複数のゲート線ＧＬとのそれぞれの交差部近傍に薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。また、隣り合う２本のデータ線ＤＬと隣り合う２本のゲート線ＧＬとにより囲まれる矩形領域が、１つの画素Ｐとして規定される。画素Ｐは、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、マトリクス状に複数配置されている。
【００１９】
画素Ｐには、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明（透光性）導電膜からなる画素電極ＰＩＴ（表示用電極）が形成されている。図２に示すように、画素電極ＰＩＴは、開口部３２（例えばスリット）を有し、ストライプ状に形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート絶縁膜ＧＳＮ（図３参照）上に、非晶質シリコン（ａ-Ｓｉ）からなる半導体層ＳＥＭが形成され、半導体層ＳＥＭ上にドレイン電極ＤＭ及びソース電極ＳＭが形成されている（図２参照）。ドレイン電極ＤＭは、データ線ＤＬに電気的に接続されている。ソース電極ＳＭと画素電極ＰＩＴとは、コンタクトホールＣＯＮＴを介して互いに電気的に接続されている。
【００２０】
画素Ｐを構成する各部の積層構造は、図３の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。例えば図３に示す構成では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１において、第１のガラス基板ＧＢ１（第１の透光性基板）上にゲート線ＧＬ（図２参照）が形成され、ゲート線ＧＬを覆うようにゲート絶縁膜ＧＳＮが形成されている。また、ゲート絶縁膜ＧＳＮ上にデータ線ＤＬが形成され、データ線ＤＬを覆うように絶縁膜ＰＡＳが形成されている。また、絶縁膜ＰＡＳ上に共通電極ＣＩＴ（表示用電極）が形成され、共通電極ＣＩＴを覆うように上層絶縁膜ＵＰＡＳが形成されている。さらに、上層絶縁膜ＵＰＡＳ上に画素電極ＰＩＴが形成され、画素電極ＰＩＴを覆うように配向膜ＡＦが形成されている。第１のガラス基板ＧＢ１の背面側には、第１の偏光板ＰＯＬ１が形成されている。
【００２１】
また、図３に示すＣＦ基板ＳＵＢ２において、第２のガラス基板ＧＢ２（第２の透光性基板）の下面側にブラックマトリクスＢＭ（遮光部）及びカラーフィルタＣＦ（例えば、赤色部、緑色部、青色部）（光透過部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層ＯＣが形成されている。第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側には、第２の偏光板ＰＯＬ２が形成されている。よって、第２のガラス基板ＧＢ２は、第１のガラス基板ＧＢ１と対向して表示面側に位置しているとともに、液晶層ＬＣは、第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２との間に配置されている。
【００２２】
図３に示す構成によれば、液晶表示装置ＬＣＤは、いわゆるＩＰＳ(In Plane Switching)方式の構成を有しているが、第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤはこれに限定されるものではなく、例えば垂直電界方式の液晶表示装置等であってもよい。
【００２３】
次に、液晶表示装置ＬＣＤの駆動方法を簡単に説明する。ゲート線駆動回路３１から出力された走査用のゲート電圧がゲート線ＧＬに供給され、データ線駆動回路３０から出力された映像用のデータ電圧がデータ線ＤＬに供給される。ゲート線ＧＬにゲートオン電圧が供給されると、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＥＭが低抵抗となり、データ線ＤＬに供給されたデータ電圧が、ソース電極ＳＭを介して画素電極ＰＩＴに供給される。また、共通電極駆動回路（図示せず）から出力された共通電圧が、共通電極ＣＩＴに供給される。これにより、画素電極ＰＩＴと共通電極ＣＩＴとの間に電界（駆動用電界）が発生し、該電界により液晶層ＬＣが駆動され、画像が表示される。
【００２４】
ここで、液晶表示装置ＬＣＤは、その製造工程において、画素の表示輝度が所望の輝度よりも高くなる輝点欠陥（画素欠陥）が生じる場合がある。図４には、画素Ｐが輝点欠陥部１３３となる場合の一例を示している。図４では、液晶表示装置ＬＣＤの製造工程において、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に有機物や又は金属等の異物３３が混入した場合を例示している。図４に示す画素Ｐでは、異物（混入物）３３によって液晶の配向が乱されることにより、バックライト光３４の光漏れが生じて輝点欠陥がある輝点欠陥部１３３となる。
【００２５】
第１の実施形態に係る液晶表示装置ＬＣＤでは、前記輝点欠陥を抑えるための構成を有している。具体的には、図５に示すように、ＣＦ基板ＳＵＢ２の第２のガラス基板ＧＢ２の内部に、バックライト光３４における可視光の透過量を減少させる第１の減光部１と第２の減光部１１とが形成されている。
【００２６】
第１の減光部１は、平面視で輝点欠陥部１３３と重畳しており、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面に対して略平行に配置されている。本実施形態においては、第１の減光部１が、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側から見た際に、異物３３による輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。すなわち、第１の減光部１は、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う。本実施形態においては、第１の減光部１は、透過率が高い第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２とは異なり、透過率が低い第１の光吸収部２と、第１の光吸収部２の下に位置し、複数のすなわち多数のボイドが形成された第１の光散乱部３とを含む。第１の光吸収部２は、非架橋酸素ホールセンタからなる。
【００２７】
第２の減光部１１は、第１の減光部１の周辺に配置されており、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面に対して傾斜して配置されている。本実施形態においては、第２の減光部１１が、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面に対して傾斜した形成平面を有し、当該形成平面側からみて輝点欠陥部１３３を覆い隠すように形成されている。即ち、第１の減光部１が、例えば第２のガラス基板ＧＢ２の表示面に略平行に形成されているのに対し、第２の減光部１１は、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面、及び第１の減光部１の形成平面に対して傾きを持って配置されている。また、本実施形態においては、第２の減光部１１は、第１の減光部１と少なくともその一部が接するように配置されている。本実施形態においては、第２の減光部１１は、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２のそれぞれと色が異なる第２の光吸収部１２と、第２の光吸収部１２の下の複数のすなわち多数のボイドが形成された第２の光散乱部１３とを含む。第２の光吸収部１２は、非架橋酸素ホールセンタからなる。
【００２８】
図６は、第２のガラス基板ＧＢ２の内部における非架橋酸素ホールセンタ形成の模式図である。図７は、多光子吸収の模式図である。図８は第１の減光部１、及び第２の減光部１１の加工原理を示す模式図である。図９は、加工後のレーザ光がボイドにより散乱される様子を示す集光点近傍の拡大図である。
【００２９】
図６に示すように、ガラス基板ＧＢの内部にある非架橋酸素に紫外線又はガンマ線１００を照射すると、電子が１個放出され、非架橋酸素ホールセンタを形成する。この非架橋酸素ホールセンタは、紫外域から可視域に吸収を持ち、赤茶色を呈する。通常、この非架橋酸素ホールセンタは、紫外線や又はガンマ線等の短波長の光線を照射することで形成されるが、多光子吸収と呼ばれる現象を利用することで、より長い波長の光線照射でも形成可能である。図７の（ａ）に示すように、短波長の光線の持つエネルギは大きく、光子１個の吸収で非架橋酸素は電子を１個放出して、非架橋酸素ホールセンタを形成する。一方、長い波長の光線の持つエネルギは小さく、光子１個では電子を放出するのに十分なエネルギを与えることはできない。しかし、フェムト秒レーザ光のような超短パルスレーザ光の場合、電場強度が非常に強いため、集光領域において、複数の光子が同時に吸収されることがある。これを多光子吸収と呼び（図７の（ｂ）参照）、多光子吸収によって非架橋酸素は電子を放出するのに十分なエネルギ（基底状態から励起状態に至るまでのエネルギ）を得ることができて、非架橋酸素ホールセンタを形成する。集光領域のエネルギ密度を空間的にさらに大きくすると、屈折率変化、又は空孔形成、又はクラック形成といった現象を起こすことができる。超短パルスレーザ光４をガラス基板ＧＢの内部に高集光レンズを使用して集光させるとき、超短パルスレーザ光４のパルスエネルギを適当な値にすると、焦点Ｆにおいて直径１ｎｍ以上５０μｍ以下の微小な空孔形成が起きる。
【００３０】
超短パルスレーザ光４は、ガラス基板ＧＢの内部で多光子吸収を起こすことができるようなパルス幅、波長、及びパルスエネルギである必要があり、波長が１００ｎｍ以上１００００ｎｍ以下、パルス幅が１ｆｓ以上〜１００ｐｓ以下、パルスエネルギが０．１μＪ以上２０μＪ以下であることが好ましい。また、高集光レンズはＮＡ（開口数）が０．３以上０．９以下であることが好ましく、収差補正機能を持ったものであれば尚よい。この条件の超短パルスレーザ光４をガラス基板ＧＢに照射することで、焦点Ｆの位置で図８のような多数の空孔を含む第１の光散乱部３、第２の光散乱部１３が形成され、焦点Ｆの位置よりもガラス基板ＧＢの表面に近い位置に第１の光吸収部２、第２の光吸収部１２が形成される。
【００３１】
超短パルスレーザ光４とガラス基板ＧＢとの位置をガラス基板ＧＢの面方向に相対的に移動させることで、図８に示すように、ガラス基板ＧＢの内部で面方向に焦点Ｆが移動しながら超短パルスレーザ光４がガラス基板ＧＢに照射されるので、直径１ｎｍ以上５０μｍ以下の微小な空孔が面方向に多数形成されて、第１の光散乱部３、第２の光散乱部１３が形成される。この時、ガラス基板ＧＢの、焦点Ｆよりも表面に近いところでは、空孔が形成されるほどエネルギ密度は高くないが、非架橋酸素ホールセンタが形成されるには十分なエネルギを持つ領域が存在する。超短パルスレーザ光４とガラス基板ＧＢとの位置を面方向に相対的に移動させることで、この領域がガラス基板ＧＢの内部で面方向に広がって、第１の光吸収部２、第２の光吸収部１２が形成される。
【００３２】
図５に示したように、第１の光吸収部２と第１の光散乱部３とで構成される第１の減光部１、及び第２の光吸収部１２と第２の光散乱部１３とで構成される第２の減光部１１に対して、ガラス基板ＧＢの裏面から照射したバックライト光３４は、まず、第１の光散乱部３、第２の光散乱部１３によって細かく散乱される。そして、散乱されながら透過してきた光を第１の光吸収部２、第２の光吸収部１２が吸収することで減光されて、減光された光がガラス基板ＧＢの表面に出てくるので、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を抑えることができる。
【００３３】
本実施形態によれば、液晶表示装置ＬＣＤが、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部において、表示面側から見て輝点欠陥部１３３を覆う第１の減光部１を有し、表示面に対して傾斜した平面側からみて輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部１１を有する。このような構成とすることにより、輝点欠陥部１３３から表示面側に放出された光の透過量を減少させるのみならず、表示面に対して斜め方向に放出された光の透過量についても、効率的に減少させることができる。
【００３４】
さらに、第２の減光部１１が、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面、及び第１の減光部１の形成平面に対して傾きを持って配置されているため、第２の減光部１１に含まれる第２の光吸収部１２が、第１の散乱部３によって散乱された光についても効率よく吸収することができるため、表示品質の低下の更なる抑制を図ることが可能となる。即ち、第１の散乱部３によって散乱された光は、第１の減光部１の外周方向に散乱される可能性があるが、第２の光吸収部１２が、第１の減光部１の形成平面に対して傾きを持って配置されているため、第１の散乱部３によって散乱された光を効率よく吸収することができるのである。
【００３５】
なお、超短パルスレーザ光４とガラス基板ＧＢとの位置を面方向に相対的に移動させる際、超短パルスレーザ光４は、焦点Ｆで集光後、加工に使われなかった光が拡がりながらガラス基板ＧＢを通過し、その先にあるカラーフィルタＣＦ、又は、液晶層ＬＣに照射される。焦点Ｆからガラス基板ＧＢの裏面までの距離が短いとき、光が十分に拡がりエネルギ密度が下がる前にカラーフィルタＣＦ又は液晶層ＬＣに照射されることになり、カラーフィルタＣＦ又は液晶層ＬＣにダメージを与える恐れがある。しかしながら、それまでの照射で形成された第１の光散乱部３、第２の光散乱部１３によって、図９に示されるように、加工に使われなかった光は、細かく散乱され、エネルギ密度を下げる。これにより、ガラス基板ＧＢを通過した光がカラーフィルタＣＦ又は液晶層ＬＣに照射されても、カラーフィルタＣＦ又は液晶層ＬＣに与えるダメージは小さい。
【００３６】
[第１変形例]
図１０は、本実施形態の第１変形例に係る液晶表示装置ＬＣＤにおいて、前記輝点欠陥を抑えるための他の構成を示す。
【００３７】
第１変形例においては、第１の減光部１を形成する際の焦点Ｆ（即ち第１の光散乱部３が形成される位置）よりも深い位置（背面側）に第３の減光部２１を形成する。第３の減光部２１は、第３の光吸収部２２と第３の光散乱部２３とを有し、第３の光吸収部２２は、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２のそれぞれと色が異なっている。このように形成された第３の光吸収部２２により、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑えることができる。
【００３８】
第３の減光部２１は、第１の減光部１を形成する前に、第１の減光部１を形成する位置よりも深い位置に超短パルスレーザ光４の焦点位置を制御することにより形成してもよく、第１の減光部１を形成するのと同時に第３の減光部２１を形成してもよい。後者の場合、第１の減光部１を形成する際の超短パルスレーザ光４の照射エネルギ密度を十分に大きくしておくことにより、焦点Ｆで第１の光散乱部３を形成した後の透過光のエネルギ密度を十分に大きくすることができ、第１の光散乱部３よりも背面側に非架橋酸素ホールセンタ形成による着色を起こす結果として、第３の光吸収部２２を形成することができる。ただし、第３の光吸収部２２の着色濃度はエネルギ密度に依存するため、焦点Ｆで第１の光散乱部３を形成した後の透過光を用いて第３の減光部２１を形成する場合、この透過光によって形成された第３の光吸収部２２は、入射光によって形成された第１の光吸収部２よりも、着色濃度が低い。
【００３９】
更に、高集光レンズの収差を調整することにより、図１０に示すように、第３の減光部２１を形成する際に、第３の光吸収部２２よりも表示面側に位置する第３の光散乱部２３を形成してもよい。第３の光散乱部２３によって、輝点欠陥から生じた光が細かく散乱され、エネルギ密度を下げることができる。これにより、第１の減光部１、第２の減光部１１に入射する光のエネルギ密度を下げることができ、第１の減光部１、及び第２の減光部１１における減光能力をより効果的に発揮することができ、輝点欠陥に起因した表示品質の低下を更に抑えることができる。
【００４０】
[その他の変形例]
第１の減光部１、第２の減光部１１は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の第１のガラス基板ＧＢ１に形成されていてもよい。また、第１の減光部１、第２の減光部１１は、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の両方に形成されていてもよい。すなわち、第１の減光部１、第２の減光部１１は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の第１のガラス基板ＧＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２の第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも何れか一方に形成されていればよい。
【００４１】
第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２との両方に第１の減光部１、第２の減光部１１を形成すると、減光能力を向上させることができる。第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２の両方に第１の減光部１、第２の減光部１１を形成する場合、それぞれの第１の減光部１、第２の減光部１１の減光量は、いずれか一方のガラス基板ＧＢのみに形成させる場合よりも、小さくてもよい。そのため、各ガラス基板に照射する超短パルスレーザ光４の出力を下げることができ、透過光による下層へのダメージがつきにくくなる。
【００４２】
また、第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２との両方のうちのいずれか一方のガラス基板ＧＢにのみ第１の減光部１を形成する場合、第２のガラス基板ＧＢ２に第１の減光部１、第２の減光部１１を形成するほうが好ましい。異物３３による輝点欠陥より照射される光は、異物３３よりも表示画素側で遮断するほうが、表示品質を、より向上できるからである。特に、表示装置が、第１のガラス基板ＧＢ１と第２のガラス基板ＧＢ２との間に位置する液晶層ＬＣを有し、この液晶層ＬＣ内に異物３３による輝点欠陥部１３３が含まれる場合において、第２のガラス基板ＧＢ２側に第１の減光部１、第２の減光部１１を形成するのがよい。異物３３により生じた液晶分子の配列乱れに起因する光を遮断するためである。
【００４３】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、液晶表示装置ＬＣＤの製造方法について説明する。当該製造方法は、第１のガラス基板ＧＢ１（第１の透光性基板）と、前記第１のガラス基板ＧＢ１と対向して表示面側に位置する第２のガラス基板ＧＢ２（第２の透光性基板）と、を備える表示装置の製造方法について説明する。この表示装置の製造方法は、前記表示装置の点灯検査を行って前記画素の輝点欠陥を検出する検出工程と、前記第１のガラス基板ＧＢ１又は第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４（エネルギービーム）を照射する第１の照射工程、第２の照射工程と、を含む。
【００４４】
第１の照射工程においては、表示面に垂直な方向から、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶ超短パルスレーザ光４を照射して、平面視で輝点欠陥部１３３と重畳する第１の減光部１を形成する。また、第２の照射工程においては、表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向から、第１のガラス基板ＧＢ１及び第２のガラス基板ＧＢ２の少なくとも一方の内部における第１の照射位置に焦点を結ぶエネルギービームを照射して、上記傾斜した方向からみて輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部１１を形成する。
【００４５】
本実施形態においては、第１の照射工程において、第１の光吸収部２及び第１の光散乱部３を形成し、第２の照射工程において、第２の光吸収部１２及び第２の光散乱部１３を形成する。第１の照射工程、第２の照射工程で照射される超短パルスレーザ光４は、波長が１００ｎｍ以上かつ１００００ｎｍ以下、パルス幅が１フェムト秒以上１００ピコ秒以下、パルスエネルギが０．１μＪ以上２０μＪ以下であり、かつ、ＮＡが０．３以上０．９以下のレンズで集光される。
【００４６】
本実施形態における表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程と、ＣＦ基板ＳＵＢ２を準備する工程と、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２を貼り合わせる工程と、液晶注入工程と、表示パネルＤＰの点灯検査工程と、輝点欠陥修正工程とを含んでいる。
【００４７】
前記各工程のうち、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程、ＣＦ基板ＳＵＢ２を準備する工程、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２を貼り合わせる工程、液晶注入工程、及び点灯検査工程は、周知の方法を適用することができる。
【００４８】
例えば、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１を準備する工程は、第１のガラス基板ＧＢ１上に、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、画素電極ＰＩＴ、共通電極ＣＩＴ、各種絶縁膜、及び第１の偏光板ＰＯＬ１を形成する工程を含む。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１で規定される画素Ｐは、赤色に対応する赤色画素Ｐｒ、緑色に対応する緑色画素Ｐｇ、及び青色に対応する青色画素Ｐｂを含んでもよい。また、ＣＦ基板ＳＵＢ２の製造工程は、第２のガラス基板ＧＢ２上に、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、及び第２の偏光板ＰＯＬ２を形成する工程を含む。
【００４９】
以下では、本実施形態における表示装置の製造方法のうちの点灯検査工程及び輝点欠陥修正工程について説明する。
【００５０】
図１１は、輝点欠陥の修正方法のフロー図を示す。図１２は、輝点欠陥の修正方法を実施できる表示装置の製造装置９５のブロック図を示す。
【００５１】
表示装置の製造装置９５は、少なくとも、表示装置の点灯検査を行って画素の輝点欠陥を検出する検査装置に含まれる検査装置９０と、輝点欠陥修正装置６とを備えている。製造装置９５は、さらに、制御装置９３と演算部９１とを備えていても良い。制御装置９３は、検査装置９０と演算部９１と輝点欠陥修正装置６とをそれぞれ動作制御する。演算部９１は、後述するように所定の演算を行う。検査装置９０は、顕微鏡などからなる検査光学系を含む。
【００５２】
先ず、点灯検査工程では、検査装置９０により、輝点欠陥を検出する。例えば、検査装置９０は、表示パネルＤＰを全点灯又は１ラインごとに点灯させて、各画素の輝度を測定する（ステップＳ００１）。あるいは、表示パネルＤＰを黒表示状態とし、表示パネルＤＰの背面側からバックライト光３４を照射して、各画素の輝度を測定する方法としてもよい。
【００５３】
次に、検査装置９０は、閾値を超える輝度が測定された画素を輝点欠陥部１３３（画素欠陥部）として検出する（ステップＳ００２）。検査装置９０は、輝点欠陥部１３３として検出した画素の位置情報を、後述の輝点欠陥修正装置６に出力する。輝点欠陥部１３３の検出は、作業者による目視で行ってもよい。
【００５４】
上述したステップＳ００２にて輝点欠陥部１３３が検出された場合、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）に移行する。輝点欠陥部１３３が検出されないときは、このフローを終了する。
【００５５】
図１４には、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）を行うための輝点欠陥修正装置６の概略構成を示している。輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ発振機構７と、高集光レンズ８などを含む照射光学系５２と、表示パネルＤＰを載置する載置面を有するステージ５１と、を含んでいる。図１４に示す例においては、照射光学系５２が、移動装置９２に回動可能な状態に取り付けられており、表示パネルＤＰに対する照射角度を変化させることが可能である。即ち、ステージ５１の載置面に垂直な軸方向に対して、照射光学系５２の光軸方向を傾けることが可能な構成としている。
【００５６】
なお、図１４に示す例においては、照射光学系５２が、移動装置９２に回動可能な状態に取り付けられている例を示したが、輝点欠陥修正装置６は、照射光学系５２に照射方向が固定された状態で、ステージ５１の載置面に垂直な軸方向を変化させる構成としてもよい。あるいは、ステージ５１の載置面に垂直な軸方向、及び照射光学系５２の光軸方向の双方を変化させる構成としてもよい。
【００５７】
なお、ステージ５１として、載置面に垂直な軸方向を変化させることができるものを用いた場合、上述したステップＳ００２において、検査装置９０に含まれる検査光学系の光軸方向に対して、載置面に垂直ではない角度に軸方向を傾けることが可能となる。このような構成とすることにより、上述したステップＳ００２において、表示パネルＤＰの表示面に対して垂直な方向のみならず、表示面に対して斜め方向からの輝点欠陥部１３３の検出も可能となる。なお、表示面に対して斜め方向からの検出を行う上では、ステージ５１を固定した状態で、検査光学系の光軸を変化させる構成としてもよく、ステージ５１の載置面に垂直な軸方向と、検査装置９０の光軸の双方を変化させる構成としてもよい。
【００５８】
輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）において、本実施形態では、一例として、超短パルスレーザ発振機構７として、１５５２ｎｍのレーザ光の波長及びパルス幅８００ｆｓのレーザ光を用いている。
【００５９】
輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）は、ステップＳ００３〜ステップＳ００６の工程を含む。
【００６０】
輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）では、先ず、輝点欠陥修正装置６が、検査装置９０から、輝点欠陥の画素の位置情報及び形状情報（例えば、位置、大きさ、形状）を取得する（ステップＳ００３）。
【００６１】
次に、取得した形状情報より、演算部９１において、超短パルスレーザ光４を照射して形成する第１の減光部１、及び第２の減光部１１の形状及び位置情報（例えば、位置、大きさ、形状）を演算する（ステップＳ００４）。
【００６２】
次に、制御装置９３での制御の下に、演算部９１で演算して取得した第１の減光部１、及び第２の減光部１１の位置情報に基づいて、輝点欠陥修正装置６の高集光レンズ８などの光学系を位置合わせする。
【００６３】
次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ光４の焦点Ｆの位置が、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Ｆの位置は、例えば、輝点欠陥の原因となる異物の大きさ、又は、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図１４に示すように、第２のガラス基板ＧＢ２の内部において、異物３３の近傍側に超短パルスレーザ光４の焦点Ｆが合うように調整する。
【００６４】
次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ発振機構７から超短パルスレーザ光４を出射させる。これにより、超短パルスレーザ発振機構７から出射された超短パルスレーザ光４は、高集光レンズ８により、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の焦点Ｆに集光されて照射される。
【００６５】
次に、制御装置９３での制御の下に、超短パルスレーザ光４の照射位置（第１の照射位置）を、移動装置９２により移動させつつ、超短パルスレーザ光４を連続的に照射する（第１の照射工程）ことにより、第１の減光部１を形成（ステップＳ００５）する。
【００６６】
更に、このステップＳ００５において、制御装置９３の制御の下に、第１の減光部１に接して配置される第２の減光部１１を形成する。その際、表示パネルＤＰを載置する図１４を用いて上述したステージ５１の載置面に垂直な軸方向に対して、照射光学系５２の光軸方向を傾けることにより、表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向から、超短パルスレーザ光４を連続的に照射する（第２の照射工程）。これにより、表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向からみて、輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部１１を形成（ステップＳ００５）する。なお、本実施形態には、第２の照射工程において、第１の照射工程における第１の照射位置の少なくとも一部に接する第２の照射位置に、超短パルスレーザ光４を照射する。
【００６７】
なお、このステップＳ００５において、第１の照射工程と第２の照射工程の前後関係は問わない。即ち、上述した第２の照射工程を行った後に、第２の照射位置に接するよう第１の照射位置において第１の照射工程を行ってもよい。このステップＳ００５を経て、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０）を完了する（ステップＳ００６）。
【００６８】
前記実施形態にかかる製造方法又は製造装置によれば、欠陥が有ったものだけ修正工程に流すので、全体の工程タクトに影響を与えないといった利点がある。
【００６９】
[変形例]
図１３は、液晶表示装置の製造方法の変形例として、輝点欠陥の他の修正方法のフロー図を示す。
【００７０】
先ず、検査装置９０において、表示パネルＤＰを点灯させ（ステップＳ００７）、輝点欠陥を検出する（ステップＳ００８）。なお、ステップＳ００７は、表示パネルＤＰを黒表示状態とし、表示パネルＤＰの背面側からバックライト光３４を照射して、各画素の輝度を測定する工程を含んでもよい。
【００７１】
検査装置９０は、ステップＳ００２と同様に、閾値を超える輝度が測定された画素を輝点欠陥部１３３（画素欠陥部）として検出する。検査装置９０は、輝点欠陥部１３３として検出した画素の位置情報を輝点欠陥修正装置６に出力する。輝点欠陥部１３３の検出は、作業者による目視で行ってもよい。
【００７２】
上述したステップＳ００８にて輝点欠陥部１３３が検出された場合、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０４０）に移行する。輝点欠陥部１３３が検出されないときは、このフローを終了する。
【００７３】
輝点欠陥修正工程（ステップＳ０４０）は、ステップＳ００９〜ステップＳ０１３を含む。
【００７４】
輝点欠陥修正工程（ステップＳ０４０）では、まず、輝点欠陥修正装置６が、検査装置９０から、輝点欠陥の画素の位置情報及び形状情報（例えば、位置、大きさ、形状）を取得する（ステップＳ００９）。
【００７５】
次に、取得した形状情報より、演算部９１において、超短パルスレーザ光４を照射して形成する第１の減光部１、第２の減光部１１の形状及び位置情報（例えば、位置、大きさ、形状）を演算する（ステップＳ０１０）。
【００７６】
次に、制御装置９３での制御の下に、演算部９１で演算して取得した第１の減光部１、第２の減光部１１の位置情報に基づいて、輝点欠陥修正装置６の高集光レンズ８などの光学系を位置合わせする。
【００７７】
次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ光４の焦点Ｆの位置が、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の所望の位置に合うように調整する。焦点Ｆの位置は、例えば、輝点欠陥の原因となる異物の大きさ、又は、測定された輝度値に基づいて調整される。例えば、図１４に示すように、第２のガラス基板ＧＢ２の内部において、異物３３の近傍側に高エネルギービームである超短パルスレーザ光４の焦点Ｆが合うように調整する。
【００７８】
次に、制御装置９３での制御の下に、輝点欠陥修正装置６は、超短パルスレーザ発振機構７から超短パルスレーザ光４を出射させる。これにより、超短パルスレーザ発振機構７から出射された超短パルスレーザ光４は、高集光レンズ８により、第２のガラス基板ＧＢ２の内部の焦点Ｆに集光されて照射される。
【００７９】
次に、制御装置９３での制御の下に、超短パルスレーザ光４の照射位置（第１の照射位置）を、移動装置９２により移動させつつ、超短パルスレーザ光４を連続的に照射することにより、第１の減光部１を形成する（ステップＳ０１１）。
【００８０】
更に、このステップＳ０１１において、制御装置９３の制御の下に、第１の減光部１の外周に接して配置される第２の減光部１１を形成する。その際、表示パネルＤＰを載置する図１４を用いて上述したステージ５１の載置面に垂直な軸方向に対して、照射光学系５２の光軸方向を傾けることにより、表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向から、超短パルスレーザ光４を連続的に照射する（第２の照射工程）。これにより、表示面に垂直な軸に対して傾斜した方向からみて、輝点欠陥部１３３を覆う第２の減光部１１を形成（ステップＳ０１１）する。なお、本実施形態には、第２の照射工程において、第１の照射工程における第１の照射位置の少なくとも一部に接する第２の照射位置に、超短パルスレーザ光４を照射する。
【００８１】
なお、このステップＳ０１１において、第１の照射工程と第２の照射工程の前後関係は問わない。即ち、上述した第２の照射工程を行った後に、第２の照射位置に接するよう第１の照射位置において第１の照射工程を行ってもよい。
【００８２】
第１の減光部１、第２の減光部１１を形成した後に、制御装置９３での制御の下に、再度、点灯検査を行い（ステップＳ０１２）、輝点欠陥が消失していることを確認して、輝点欠陥修正工程（ステップＳ０４０）を完了する（ステップＳ０１３）。
【００８３】
制御装置９３での制御の下に、２回目以降の点灯検査工程において輝点欠陥が検出された場合には、ステップＳ００９に戻って、再度、輝点欠陥修正を行う（ステップＳ００９からステップＳ０１１）。２回目以降の輝点欠陥修正において、１回目に形成した第１の減光部１、第２の減光部１１と形状又は大きさが違っていてもよい。
【００８４】
このように、本開示における液晶表示装置の製造方法の輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０又はＳ０４０）では、ガラス基板ＧＢに焦点を合わせて高エネルギービームを照射することにより、ガラス材料を着色させているため、ガラス基板自体の形状変化は起こらない。例えば、ガラス基板ＧＢの内部又は表面が破壊されて外形が変化することはない。そのため、例えばＴＦＴ基板ＳＵＢ１及びＣＦ基板ＳＵＢ２に第１の偏光板ＰＯＬ１、第２の偏光板ＰＯＬ２を形成した状態で、すなわち、表示パネルＤＰの完成後に、前記輝点欠陥修正工程（ステップＳ０３０又はＳ０４０）を実行することができる。また、第１の減光部１、第２の減光部１１は、ガラス基板ＧＢと同一材料からなるため、屈折率が変化することもない。
【００８５】
この変形例によれば、修正後に再度検査することで、修正が十分なされているか、着色により黒点不良化していないか、を確認することができる。
【００８６】
前記の説明では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に異物３３が混入した場合の輝点欠陥を示しているが、輝点欠陥の原因はこれに限定されない。例えば、薄膜トランジスタＴＦＴの不具合による光漏れ、又は、基板間に配置されるスペーサに起因した光漏れ等が起こり得る。本開示における液晶表示装置の製造方法に係る輝点欠陥修正方法は、これらの輝点欠陥にも適用することができる。
【００８７】
また、輝点欠陥が生じ得る異物３３の混入位置は、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２との間に限定されない。例えば、第１のガラス基板ＧＢ１と第１の偏光板ＰＯＬ１との間に異物が混入した場合も輝点欠陥が生じ得る。この場合は、第１の減光部１、第２の減光部１１が、第１のガラス基板ＧＢ１の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。また、第２のガラス基板ＧＢ２と第２の偏光板ＰＯＬ２との間に異物が混入した場合も輝点欠陥が生じ得る。この場合は第１の減光部１、第２の減光部１１が、第２のガラス基板ＧＢ２の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。このように、異物は、表示パネルＤＰの不特定の位置に混入し得る。そのため、１枚の表示パネルＤＰにおいて、輝点欠陥を生じさせる異物が、第１のガラス基板ＧＢ１及び第１の偏光板ＰＯＬ１の間（第１位置）と、第２のガラス基板ＧＢ２及び第２の偏光板ＰＯＬ２の間（第２位置）とに混入した場合、第１第１の減光部１、第２の減光部１１が、第１位置の異物に対応して、第１のガラス基板ＧＢ１の内部における異物の近傍に形成され、第３の減光部２１が、第２位置の異物に対応して、第２のガラス基板ＧＢ２の内部における異物の近傍に形成されていてもよい。なお、この場合に、輝点欠陥修正工程の作業効率を考慮して、第１の減光部１、第２の減光部１１及び第３の減光部２１が、第２のガラス基板ＧＢ２の表示面側に形成されていてもよい。また、第１の減光部１、第２の減光部１１、及び第３の減光部２１は、それぞれ透過率が異なるように形成されていてもよい。
【００８８】
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で前記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００８９】
また、前記様々な実施形態又は変形例のうちの任意の実施形態又は変形例を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。また、実施形態同士の組み合わせ又は実施例同士の組み合わせ又は実施形態と実施例との組み合わせが可能であると共に、異なる実施形態又は実施例の中の特徴同士の組み合わせも可能である。
【符号の説明】
【００９０】
ＡＦ  配向膜、ＢＭ  ブラックマトリクス、ＣＦ  カラーフィルタ、ＣＩＴ  共通電極、ＣＯＮＴ  コンタクトホール、ＤＬ  データ線、ＤＭ  ドレイン電極、ＤＰ  表示パネル、ＧＢ  ガラス基板、ＧＢ１  第１のガラス基板、ＧＢ２  第２のガラス基板、ＧＳＮ  ゲート絶縁膜、ＧＬ  ゲート線、ＬＣ  液晶層、ＬＣＤ  液晶表示装置、ＯＣ  オーバコート層、ＰＡＳ  絶縁膜、ＰＩＴ  画素電極、ＰＯＬ１  第１の偏光板、ＰＯＬ２  第２の偏光板、ＳＥＭ  半導体層、ＳＭ  ソース電極、ＳＵＢ１  ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２  ＣＦ基板、ＵＰＡＳ  上層絶縁膜、１  第１の減光部、２  第１の光吸収部、３  第１の光散乱部、４  超短パルスレーザ光、６  輝点欠陥修正装置、７  超短パルスレーザ発振機構、８  高集光レンズ、１１  第２の減光部、１２  第２の光吸収部、１３  第２の光散乱部、２１  第３の減光部、２２  第３の光吸収部、２３  第３の光散乱部、３０  データ線駆動回路、３１  ゲート線駆動回路、３２  開口部、３３  異物、３４  バックライト光、５１  ステージ、５２  照射光学系、９０  検査装置、９１  演算部、９２  移動装置、９３  制御装置、９５  製造装置、１００  紫外線又はガンマ線、１３３  輝点欠陥部、１３４  バックライト、Ｆ  焦点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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