(57)【要約】【課題】小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】半導体レーザモジュール１は、光ファイバ４４と、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを備える。半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅのそれぞれは、半導体チップ３１と、電極パッド３２，３３と、マウント３４とを含んでいる。半導体レーザモジュール１は、マウント３４が実装される実装面２１Ａ〜２１Ｅが階段状に形成された実装部２０と、レーザ光を光ファイバ４４の入射端面４４Ａに結合させる光学系とをさらに備える。半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅは、Ｚ方向に隣接する上側半導体レーザ素子３０Ｃ及び下側半導体レーザ素子３０Ｂを含んでいる。そして、上側半導体レーザ素子３０Ｃの一部が、実装面２１Ｃから下側半導体レーザ素子３０Ｂ側にはみ出している。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を外部に出力する光ファイバと、
それぞれが、前記レーザ光を出射する出射部と、前記出射部に電力を供給する導電部と、前記出射部及び前記導電部が載置されるマウントとを含む複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれの前記マウントが実装される複数の実装面が階段状に形成された実装部と、
前記出射部からの前記レーザ光を前記光ファイバの入射端面に結合させる光学系と
を備え、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記実装部の段差方向において互いに隣接する上側半導体レーザ素子及び下側半導体レーザ素子を含み、
前記上側半導体レーザ素子の一部が、前記実装面から前記下側半導体レーザ素子側にはみ出している、半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記上側半導体レーザ素子の前記一部の下に、前記実装部と前記下側半導体レーザ素子の前記導電部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されている、請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記抑制空間における前記実装部から前記下側半導体レーザ素子の前記導電部までの最短離間距離が、該導電部と前記実装部との間で絶縁破壊が生じることが抑制される抑制距離以上となるように前記抑制空間が形成される、請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記抑制距離Ｌc（ｍｍ）は、前記半導体レーザモジュールの要求耐電圧をＰ（ｋＶ）、前記抑制空間の絶縁抵抗値をＲ（ｋＶ／ｍｍ）とすると、
Ｌc≧Ｐ／Ｒ
の式から算出される、請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記抑制空間は空気から形成されており、
前記抑制距離Ｌcは、
Ｌc≧Ｐ／３
の式から算出される、請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記実装部の前記実装面は、該実装面に実装されている半導体レーザ素子の前記出射部の直下まで少なくとも延びている、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記実装部は、前記抑制空間が形成されるように前記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造をさらに備える、請求項２から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記位置決め構造には、前記マウントが当接するように前記実装面から上方に突出する突出部が含まれる、請求項７に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
前記実装部は、前記実装面から斜め上方に延びる傾斜面を有し、
前記位置決め構造には、前記実装面と前記傾斜面との境界部が含まれる、請求項７又は８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
段差方向に隣接する上側実装面及び下側実装面を含む複数の実装面が階段状に形成された実装部を用意し、
前記上側実装面に実装される上側半導体レーザ素子と、前記下側実装面に実装される下側半導体レーザ素子とを用意し、
前記実装部と前記下側半導体レーザ素子の導電部との間に該導電部と前記実装部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されるように、前記下側半導体レーザ素子を前記下側実装面に載置して固定し、
前記上側半導体レーザ素子の一部が前記上側実装面から前記下側半導体レーザ素子側にはみ出すように前記上側半導体レーザ素子を前記上側実装面に載置して固定する、半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記複数の実装面には、前記抑制空間が形成されるように前記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造が設けられている、請求項１０に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記上側半導体レーザ素子を前記上側実装面に載置し、前記下側半導体レーザ素子を前記下側実装面に載置した後、前記実装部を傾斜させることにより、前記上側半導体レーザ素子及び前記下側半導体レーザ素子が前記位置決め構造に当接した状態にし、
前記状態を維持しつつ前記上側半導体レーザ素子及び前記下側半導体レーザ素子を前記複数の実装面に固定する、請求項１１に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュール及び半導体レーザモジュールの製造方法に係り、特に複数の半導体レーザ素子を備える半導体レーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、このような半導体レーザモジュールとして、複数の半導体レーザ素子が段差を付けて実装されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば図１に示すように、このような半導体レーザモジュール９００は、複数の半導体レーザ素子９１０と、これら半導体レーザ素子９１０を実装する階段状の実装部９０１とを備えている。ここで、半導体レーザ素子９１０のそれぞれは、レーザ光を出射する半導体チップ９１１と、半導体チップ９１１に電力を供給する電極パッド９１２とを含んでいる。また、実装部９０１は、複数の半導体レーザ素子９１０を実装するために階段状に配置された実装面９０４と、隣接する実装面９０４を連結する段差面９０５とを含んでいる。このような構成によれば、複数のレーザ光を段差をつけて出射することができ、これら複数のレーザ光を集光することによって高出力化を実現し得る。
【０００３】
しかしながら、このような構成の半導体レーザモジュール９００において、電極パッド９１２と段差面９０５との間隔Ｇが短いと、半導体レーザモジュール９００に電圧を印加した際に電極パッド９１２と段差面９０５との間で絶縁破壊が起こる場合がある。そのため、このような半導体レーザモジュール９００においては、上記絶縁破壊を防止するために間隔Ｇを一定の程度長くする必要がある。しかしながら、このように間隔Ｇを長くすることにより、実装部９０１の幅Ｌ９が大きくなってモジュールの大型化を招く問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２３５９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールを提供することを第１の目的とする。
【０００６】
また、本発明は、絶縁破壊の発生を抑制しつつ小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールを製造することのできる半導体レーザモジュールの製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、レーザ光を外部に出力する光ファイバと、複数の半導体レーザ素子とを備えている。これら複数の半導体レーザ素子のそれぞれは、上記レーザ光を出射する出射部と、上記出射部に電力を供給する導電部と、上記出射部及び上記導電部が載置されるマウントとを含んでいる。また、この半導体レーザモジュールは、上記複数の半導体レーザ素子のそれぞれの上記マウントが実装される複数の実装面が階段状に形成された実装部と、上記出射部からの上記レーザ光を上記光ファイバの入射端面に結合させる光学系とをさらに備えている。ここで、上記複数の半導体レーザ素子は、上記実装部の段差方向において互いに隣接する上側半導体レーザ素子及び下側半導体レーザ素子を含んでいる。そして、上記上側半導体レーザ素子の一部が、上記実装面から上記下側半導体レーザ素子側にはみ出している。
【０００８】
このような半導体レーザモジュールによれば、上側半導体レーザ素子の一部が、実装面から下側半導体レーザ素子側にはみ出しているため、下側半導体レーザ素子と上側半導体レーザ素子との間の距離が縮まり、その結果、実装部の小型化、すなわち、半導体レーザモジュールの小型化が実現される。
【０００９】
そして、本発明によれば、このように半導体レーザモジュールが小型化されるため、光ファイバの入射端面までの距離が最も大きい半導体レーザ素子からのレーザ光の光路長（すなわち、最大光路長）が小さくなる。
【００１０】
ところで、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光は、コリメートレンズによりコリメートされるが、実際には、コリメートレンズを透過したレーザ光は完全な平行光にはなっておらず、収差などにより若干の広がり角を有する。したがって、上記最大光路長が大きい場合、集光前において、複数の半導体レーザ素子のそれぞれのレーザ光からなるレーザ光の束（全体レーザ光）の「全体ビーム径」が大きくなってしまう。そして、これにより、集光後の全体レーザ光の全体ビーム径（スポット径）も大きくなってしまうため、全体レーザ光のうち一部のレーザ成分が光ファイバのコア外に漏れ、結合損失が生じる。一方、このような問題に対処するために、集光レンズの曲率を小さくして上記スポット径を小さくすることが考えられるが、この場合、集光レンズの集光角度が大きくなるため、光ファイバの受光可能な開口数（ＮＡ）を超えたレーザ成分によって結合損失が生じてしまう。以上のように、上記最大光路長が長くなればなる程、光ファイバに対するレーザ光の結合損失が大きくなってしまう。
【００１１】
しかしながら、本発明における半導体レーザモジュールによれば、上述のように最大光路長が小さくなるため、光ファイバに対するレーザ光の結合効率が向上する。
【００１２】
ここで、上記上側半導体レーザ素子の上記一部の下に、上記実装部と上記下側半導体レーザ素子の上記導電部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されていることが好ましい。そして、上記抑制空間は、該抑制空間における上記実装部から上記下側半導体レーザ素子の上記導電部までの最短離間距離が、該導電部と上記実装部との間で絶縁破壊が生じることが抑制される抑制距離以上になるように形成されてもよい。
【００１３】
この場合において、上記抑制距離Ｌc（ｍｍ）を、上記半導体レーザモジュールの要求耐電圧をＰ（ｋＶ）、上記抑制空間の絶縁抵抗値をＲ（ｋＶ／ｍｍ）として、
Ｌc≧Ｐ／Ｒ
の式から算出してもよい。
また、上記抑制空間が空気から形成されている場合には、上記抑制距離Ｌcを、
Ｌc≧Ｐ／３
の式から算出してもよい。
【００１４】
このような構成により、半導体レーザモジュールの小型化及び小型化による結合効率の向上と、モジュール内の絶縁破壊の抑制とを両立することが可能となる。
【００１５】
ここで、上記実装部の上記実装面は、該実装面に実装されている半導体レーザ素子の上記出射部の直下まで少なくとも延びていることが好ましい。このような構成により、出射部で生じた熱が実装面を介して実装部に放熱され、半導体レーザモジュールの熱引き効率が増大する。
【００１６】
ところで、上記実装部は、上記抑制空間が形成されるように上記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造をさらに備えることが好ましい。これにより、上記抑制空間を形成することが容易になる。このような位置決め構造には、例えば、上記マウントが当接するように上記実装面から上方に突出する突出部が含まれる。また、上記実装部に上記実装面から斜め上方に延びる傾斜面を形成し、上記実装面と上記傾斜面との境界部を上記位置決め構造としてもよい。
【００１７】
本発明の第２の態様によれば、絶縁破壊の発生を抑制しつつ小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールの製造方法が提供される。この製造方法では、まず、段差方向に隣接する上側実装面及び下側実装面を含む複数の実装面が階段状に形成された実装部を用意する。また、上記上側実装面に実装される上側半導体レーザ素子と、上記下側実装面に実装される下側半導体レーザ素子とを用意する。その後、上記実装部と上記下側半導体レーザ素子の導電部との間に該導電部と上記実装部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されるように、上記下側半導体レーザ素子を上記下側実装面に載置して固定する。また、上記上側半導体レーザ素子の一部が上記上側実装面から上記下側半導体レーザ素子側にはみ出すように上記上側半導体レーザ素子を上記上側実装面に載置して固定する。
【００１８】
なお、上記製造方法において、上記複数の実装面には、上記抑制空間が形成されるように上記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造が設けられてもよい。これにより、位置決め構造に半導体レーザ素子を突き当てることができるため、抑制空間を形成することが容易になる。
【００１９】
また、上記上側半導体レーザ素子を上記上側実装面に載置し、上記下側半導体レーザ素子を上記下側実装面に載置した後、上記実装部を傾斜させることにより、上記上側半導体レーザ素子及び上記下側半導体レーザ素子が上記位置決め構造に当接した状態にし、この状態を維持しつつ上記上側半導体レーザ素子及び上記下側半導体レーザ素子を上記複数の実装面に固定してもよい。これにより、複数の半導体レーザ素子を一度に位置決めすることができるとともに、複数の半導体レーザ素子を一度に実装部に固定することができるため、絶縁破壊の発生を抑制しつつ小型化を実現することのできる半導体レーザモジュールの製造がさらに容易になる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、上側半導体レーザ素子の一部が実装面から下側半導体レーザ素子側にはみ出しているため、上側半導体レーザ素子と下側半導体レーザ素子との距離が縮まり、半導体レーザモジュールの小型化が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、従来の半導体レーザモジュールを示す部分断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールを示す部分断面平面図である。
【図３】図３は、図２に示される半導体レーザモジュールの実装部近傍のみを示す図２の部分Ａ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、図３に示される実装部の一部を拡大して示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュールを示す図であり、図３に対応する断面図である。
【図６】図６は、図５に示される半導体レーザモジュールの実装部の一部を拡大して示す図である。
【図７】図７は、図２に示される半導体レーザモジュールの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、図２に示される半導体レーザモジュールの製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの実施形態について図２から図８を参照して詳細に説明する。なお、図２から図８において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図２から図８においては、各構成要素の縮尺や寸法が誇張されて示されている場合や一部の構成要素が省略されている場合がある。
【００２３】
図２は本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュール１を示す部分断面平面図、図３は半導体レーザモジュール１の実装部２０の近傍のみを示す図２の部分Ａ−Ａ線断面図である。
【００２４】
図２及び図３に示すように、半導体レーザモジュール１は、複数の（本実施形態の例では５つの）半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅと、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅのそれぞれに対応して設けられるファースト軸コリメートレンズ４０及びスロー軸コリメートレンズ４１と、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅからのレーザ光を反射する反射ミラー４２と、反射ミラー４２で反射した複数のレーザ光を集光する集光レンズ４３と、集光レンズ４３で集光されたレーザ光を半導体レーザモジュール１の外部に出力する光ファイバ４４と、上記半導体レーザ素子、レンズ、及びミラーなどを内部に収容する筐体１０とを備えている。なお、図３においては、理解を容易にするために、スロー軸コリメートレンズ４１や反射ミラー４２などの図示が省略されている。
【００２５】
図２及び図３に示すように、筐体１０は、Ｘ方向を長手方向とする略矩形の底板１２と、該底板１２の外縁部に固定される枠体１１と、枠体１１の＋Ｚ方向側の面に固定される蓋体１６とを含んでいる。本実施形態の例では、底板１２は熱伝導性に優れた金属（例えば、銅）から構成されており、枠体１１と蓋体１６とは一体的に形成されて蓋部材１５を構成している。
【００２６】
なお、以下、＋Ｚ方向側、すなわち、底板１２から相対的に遠い側を「上」、「上方」、又は「上側」と言うことがあり、−Ｚ方向側、すなわち、底板１２に相対的に近い側を「下」、「下方」、又は「下側」と言うことがある。
【００２７】
図２に示すように、光ファイバ４４は、底板１２の−Ｘ方向側かつ＋Ｙ方向側の端部近傍に設けられている。この光ファイバ４４は、底板１２に実装されたファイバマウント４５に例えば半田４６によって固定されており、筐体１０の枠体１１のうち−Ｘ方向側の壁部１１Ａを貫通して半導体レーザモジュール１の外部に導出される。
【００２８】
図２及び図３に示すように、底板１２の略右半分（＋Ｘ方向側）には、＋Ｘ方向に行くに従って階段状に高くなる実装部２０が形成されている。この実装部２０は、ＸＹ平面をなす５段の実装面２１Ａ〜２１Ｅを含んでいる。より具体的には、図３に示すように、底板１２からのＺ方向（段差方向）の高さが最も低い実装面２１Ａと、実装面２１Ａの１段上方に位置する実装面２１Ｂと、実装面２１Ｂの１段上方に位置する実装面２１Ｃと、実装面２１Ｃの１段上方に位置する実装面２１Ｄと、実装面２１Ｄの１段上方に位置する実装面２１Ｅとを含んでいる。
【００２９】
なお、以下、＋Ｘ方向側を「右」又は「右側」と言うことがあり、−Ｘ方向側を「左」又は「左側」と言うことがある。
【００３０】
図２に示すように、これらの実装面２１Ａ〜２１Ｅのそれぞれに対して、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に向かって、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅのうちの１つ（例えば、実装面２１Ａには半導体レーザ素子３０Ａ、実装面２１Ｃには半導体レーザ素子３０Ｃ）と、ファースト軸コリメートレンズ４０と、スロー軸コリメートレンズ４１と、反射ミラー４２とが固定される。
【００３１】
図３に示すように、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅのそれぞれは、レーザ光を出射する半導体チップ３１（出射部）と、半導体チップ３１に電力を供給する１対の電極パッド（すなわち、半導体チップ３１の左側に位置する左側電極パッド３２（導電部）及び右側に位置する右側電極パッド３３（導電部））と、半導体チップ３１及び電極パッド３２，３３が実装されるマウント３４とを含んでいる。このマウント３４は、絶縁性に優れた材料から構成され、本実施形態の例では窒化アルミニウムから構成される。
【００３２】
ここで、半導体レーザ素子のｐｎ接合に垂直な方向はファースト軸と呼ばれ、ｐｎ接合に平行な方向はスロー軸と呼ばれるが、半導体レーザ素子のファースト軸方向の光の広がり度合いはスロー軸方向の広がり度合いに比べてはるかに大きい。このため、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅから出射されるレーザ光は、ファースト軸方向に大きな広がりを有することとなる。本実施形態においては、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅから出射されるレーザ光のファースト軸方向は図３のＺ方向であり、スロー軸方向はＸ方向である。したがって、図２に示すように、ファースト軸コリメートレンズ４０は、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅに隣接して設けられており、隣接する半導体レーザ素子から出射されファースト軸方向（Ｚ方向）に広がるレーザ光をコリメートする。一方、スロー軸コリメートレンズ４１は、レーザ出射方向（Ｙ方向）においてファースト軸コリメートレンズ４０と反射ミラー４２との間に設けられており、ファースト軸方向にコリメートされたレーザ光をさらにスロー軸方向（Ｘ方向）にコリメートする。
【００３３】
図２に示すように、５つの反射ミラー４２は、スロー軸コリメートレンズ４１よりも＋Ｙ方向側に、Ｘ方向に沿って一直線上に配置されている。また、これらの反射ミラー４２は、＋Ｙ方向に伝搬するレーザ光を９０°方向転換させるように配置されている。したがって、半導体チップ３１から出射され、コリメートレンズ４０，４１でコリメートされたレーザ光のそれぞれは、前方に位置する反射ミラー４２で反射して−Ｘ方向に方向転換し、Ｚ方向の位置が異なる複数のレーザ光として集光レンズ４３に入射する。
【００３４】
集光レンズ４３は、レーザ光をＹ方向及びＺ方向に集光するものであり、Ｘ方向に沿った光軸を有している。また、この集光レンズ４３は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に関して調心され、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に対して高精度に位置決めされている。したがって、集光レンズ４３を通過した複数のレーザ光は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に高精度に位置決めされることにより、光ファイバ４４の＋Ｘ方向側の端面４４Ａ（入射端面４４Ａ）に向かって集光される。その結果、光ファイバ４４の入射端面４４Ａに向かって集光された複数のレーザ光が光ファイバ４４の入射端面４４Ａと光学的に結合し、光ファイバ４４を伝搬して半導体レーザモジュール１の外部に出力される。
【００３５】
以上のように、この半導体レーザモジュール１によれば、コリメートレンズ４０，４１、反射ミラー４２、及び集光レンズ４３を含む光学系を介して、複数の半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅからのレーザ光を光ファイバ４４の入射端面４４Ａに集光することができ、高出力化が実現される。しかしながら、半導体チップ３１から入射端面４４Ａまでの光路長が長いと、入射端面４４Ａにおいて結合損失が生じ、出力に悪影響を及ぼす。本発明は、半導体レーザモジュールを小型化してこのような問題を効果的に解決するものである。以下、この点について詳細に説明する。
【００３６】
図３に示すように、複数の（５つの）半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを実装する実装部２０は、半導体レーザ素子３０が載置される５段の実装面２１Ａ〜２１Ｅと、実装面２１Ａ〜２１Ｅのそれぞれの右側端部から上方に突出する突出部２２Ａ〜２２Ｅとを有している。
【００３７】
図３に示すように、突出部２２Ａの右側端部からは段差面２３Ａが上方に延びており、下から２段目の実装面２１Ｂに接続している。同様に、突出部２２Ｂの右側端部からは段差面２３Ｂが上方に延びて３段目の実装面２１Ｃに接続しており、突出部２２Ｃの右側端部からは段差面２３Ｃが上方に延びて４段目の実装面２１Ｄに接続しており、突出部２２Ｄの右側端部からは段差面２３Ｄが上方に延びて５段目の実装面２１Ｅに接続している。また、突出部２２Ｅの右側端部は、実装部２０の右側端部の一部をなして筐体１０の枠体１１に当接している。
【００３８】
ここで、図４は、Ｚ方向に隣接する半導体レーザ素子３０Ｂ，３０Ｃの近傍を拡大して示す断面図である。図４に示すように、下から２段目の実装面２１Ｂに実装された半導体レーザ素子３０Ｂと、実装面２１Ｂの１段上方に位置する実装面２１Ｃに実装された半導体レーザ素子３０Ｃとは、Ｚ方向（段差方向）において互いに隣接している。すなわち、半導体レーザ素子３０Ｂは、Ｚ方向に隣接する半導体レーザ素子３０Ｂ，３０Ｃからなる半導体レーザ素子対３０Ｂ，３０Ｃのうち下側に位置する半導体レーザ素子、すなわち、下側半導体レーザ素子であり、半導体レーザ素子３０Ｃは、半導体レーザ素子対３０Ｂ，３０Ｃのうち上側に位置する半導体レーザ素子、すなわち、上側半導体レーザ素子である。
【００３９】
なお、Ｚ方向に隣接する１対の半導体レーザ素子からなる他の半導体レーザ素子対に着目したとき、例えば、半導体レーザ素子対３０Ｃ，３０Ｄに着目したときは、図３に示すように、半導体レーザ素子３０Ｃが下側半導体レーザ素子となり、半導体レーザ素子３０Ｄが上側半導体レーザ素子となる。
【００４０】
図４に示すように、上記突出部２２Ｂは、ＹＺ平面をなして下側半導体レーザ素子３０Ｂのマウント３４Ｂに当接する側面２６Ｂと、ＸＹ平面をなして側面２６Ｂと段差面２３Ｂとを連結する上面２５Ｂとを有している。同様に、突出部２２Ｃは、ＹＺ平面をなして上側半導体レーザ素子３０Ｃのマウント３４Ｃに当接する側面２６Ｃと、ＸＹ平面をなして側面２６Ｃと段差面２３Ｃ（図３参照）とを連結する上面２５Ｃとを有している。
【００４１】
図４に示すように、上側半導体レーザ素子３０Ｃのマウント３４Ｃは、突出部２２Ｃの側面２６Ｃに当接してＸ方向に位置決めされている。ここで、実装面２１ＣのＸ方向の長さ、すなわち、突出部２２Ｃの側面２６Ｃから段差面２３ＢまでのＸ方向の長さは、上側半導体レーザ素子３０Ｃのマウント３４ＣのＸ方向の長さよりも短くなっている。したがって、マウント３４Ｃの左側部分３５Ｃが一定距離にわたって実装面２１Ｃからはみ出した状態になっている。このように、突出部２２Ｃは、上側半導体レーザ素子３０Ｃが実装面２１Ｃからはみ出すように位置決めする位置決め構造として作用する。
【００４２】
また、図４に示すように、下側半導体レーザ素子３０Ｂのマウント３４Ｂは突出部２２Ｂの側面２６Ｂに当接しており、これにより、下側半導体レーザ素子３０ＢがＸ方向に位置決めされている。より具体的には、下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂの右側面３８Ｂが段差面２３ＢからＸ方向に距離Ｌ２だけ離間するように、かつ、右側面３８Ｂの底部３９Ｂが突出部２２Ｂの上面２５ＢからＺ方向に距離Ｌ３だけ離間するように、下側半導体レーザ素子３０Ｂが位置決めされる。すなわち、突出部２２Ｂは、上記のように下側半導体レーザ素子３０Ｂを位置決めする位置決め構造として作用する。
【００４３】
ここで、図４に示すように、上記距離Ｌ２は、下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂから段差面２３Ｂ（実装部２０）までの最短離間距離であり、上記距離Ｌ３は、右側電極パッド３３Ｂから突出部２２Ｂの上面２５Ｂ（実装部２０）までの最短離間距離である。
【００４４】
以上の構成により、図４に示すように、上側半導体レーザ素子３０Ｃ（マウント３４Ｃの左側部分３５Ｃ）の直下に、左側部分３５Ｃの底面３６Ｃと、段差面２３Ｂと、突出部２２Ｂの上面２５Ｂと、下側半導体レーザ素子３０Ｂのマウント３４Ｂの右側面３７Ｂと、下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂの右側面３８Ｂとによって規定される空間ＳＢが形成される。そして、この空間ＳＢ上に上側半導体レーザ素子３０Ｃのマウント３４Ｃのうち左側部分３５Ｃがはみ出している。すなわち、上側半導体レーザ素子３０Ｃの一部である左側部分３５Ｃが実装面２１Ｃから下側半導体レーザ素子３０Ｂ側にはみ出している。
【００４５】
図３に示すように、他の半導体レーザ素子対を構成する上側半導体レーザ素子の直下にも空間ＳＡ，ＳＣ，ＳＤが形成されており、これらの空間ＳＡ，ＳＣ，ＳＤ上に、半導体レーザ素子３０Ｂ，３０Ｄ，３０Ｅの一部がはみ出している。
【００４６】
以上のように、複数の上側半導体レーザ素子のそれぞれの一部が空間ＳＡ〜ＳＤ上にはみ出すことで（すなわち、下側半導体レーザ素子側にはみ出すことで）、図３に示すように、上側半導体レーザ素子と下側半導体レーザ素子とのＸ方向における離間距離が、従来の半導体レーザモジュール９００（図１参照）と比較して縮まっている。すなわち、本実施形態によれば、実装部２０の幅Ｌ１（図３参照）が、従来の半導体レーザモジュール９００の実装部９０１の幅Ｌ９（図１参照）に比べて短くなるため、半導体レーザモジュールが小型化される。
【００４７】
そして、半導体レーザモジュールが小型化されることにより、図２に示すように、入射端面４４Ａから最も遠い半導体レーザ素子３０Ｅからのレーザ光の光路長（最大光路長）が従来の半導体レーザモジュール（図１参照）に比べて小さくなるため、光ファイバに対するレーザ光の結合効率が向上し、半導体レーザモジュールの高出力化が効果的に実現される。
【００４８】
ところで、再び図４を参照すると、段差面２３Ｂと下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂとの距離がある程度確保されていない場合、右側電極パッド３３Ｂと実装部２０の段差面２３Ｂとの間で絶縁破壊が生じるおそれがある。したがって、本実施形態において、右側電極パッド３３Ｂと段差面２３Ｂとの間の最短離間距離Ｌ２は、電極パッド３２Ｂと段差面２３Ｂとの間で絶縁破壊が生じることが抑制される抑制距離以上に設定される。
【００４９】
同様に、突出部２２Ｂの上面２５Ｂと右側電極パッド３３Ｂとの距離がある程度確保されていない場合、右側電極パッド３３Ｂと実装部２０の上面２５Ｂとの間で絶縁破壊が生じるおそれがある。したがって、本実施形態において、右側電極パッド３３Ｂと上面２５Ｂとの間の最短離間距離Ｌ３は、電極パッド３２Ｂと上面２５Ｂとの間で絶縁破壊が生じることが抑制される抑制距離以上に設定される。
【００５０】
ここで、このような抑制距離Ｌcは、例えば以下の式に基づいて算出することができる。すなわち、半導体レーザモジュール１の要求耐電圧をＰ（ｋＶ）、空間ＳＢの絶縁抵抗値（絶縁破壊が生じる電圧）をＲ（ｋＶ／ｍｍ）とすると、抑制距離Ｌc（ｍｍ）は、
Ｌc≧Ｐ／Ｒ・・・式（１）
によって算出することができる。
ここで、空間ＳＢが空気から形成される場合、空気の絶縁抵抗値は３ｋＶ／ｍｍであるため、
Ｌc≧Ｐ／３・・・式（２）
によって算出することができる。
なお、他の式によって抑制距離を算出してもよいことは言うまでもない。
【００５１】
本実施形態の例では、上記距離Ｌ２，Ｌ３は同一であり、上記式（１）又は（２）から算出される抑制距離Ｌc以上の長さとなっている。したがって、空間ＳＢは、右側電極パッド３３Ｂと段差面２３Ｂとの間に絶縁破壊が生じることを抑制し、かつ、右側電極パッド３３Ｂと突出部２２Ｂの上面２５Ｂとの間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間として作用する。すなわち、空間ＳＢは、右側電極パッド３３Ｂと実装部２０との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間として作用する。
【００５２】
図３に示すように、他の半導体レーザ素子対を構成する上側半導体レーザ素子の直下に位置する空間ＳＡ，ＳＣ，ＳＤも、空間ＳＢと同様の構成により抑制空間として作用する。また、最上段に位置する半導体レーザ素子３０Ｅは突出部２２ＥによってＸ方向に位置決めされ、これにより、半導体レーザ素子３０Ｅと枠体１１との間の空間ＳＥが抑制空間として作用する。
【００５３】
以上のように、本実施形態における半導体レーザモジュール１によれば、下側半導体レーザ素子と、該下側半導体レーザ素子と＋Ｘ方向側で隣接する段差面（実装部）との間に抑制空間ＳＡ〜ＳＤが形成されているため、実装部と電極パッドとの間に絶縁破壊が生じることが抑制される（図３参照）。
【００５４】
このように、本実施形態における半導体レーザモジュール１によれば、実装部と半導体レーザ素子との間で絶縁破壊が発生することを抑制しつつ、半導体レーザモジュールを小型化かつ高出力化することができる。
【００５５】
なお、図４に示すように、上側半導体レーザ素子３０Ｃを実装する実装面２１Ｃは、上側半導体レーザ素子３０Ｃの半導体チップ３１Ｃの少なくとも直下まで延びていることが好ましい。このような構成により、半導体チップ３１Ｃで生じた熱が、半導体チップ３１Ｃの直下に位置する実装面２１Ｃを介して実装部２０（銅）に逃げるため、半導体レーザモジュール１の熱引きを効果的に行うことができる。実装面２１Ｂ，２１Ｄ，２１Ｅについても同様である。
【００５６】
また、上記位置決め構造は、第１の実施形態で説明した突出部に限られるものではなく、例えば、以下に説明する第２の実施形態により構成してもよい。ここで、図５は、本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュール１００を示す図３に対応する断面図である。
【００５７】
図５に示すように、半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅと、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅなどを内部に収容する筐体１１０とを備えている。筐体１１０は、Ｘ方向を長手方向とする略矩形の底板１１２と、該底板１１２の外縁部に固定される蓋部材１５とを含んでいる。底板１１２は、第１の実施形態と同様に、銅から構成される。
【００５８】
底板１１２の略右半分には、＋Ｘ方向に行くに従って階段状に高くなる実装部１２０が形成されている。この実装部１２０は、ＸＹ平面をなす５段の実装面２１Ａ〜２１Ｅを含んでいる。これらの実装面２１Ａ〜２１Ｅのそれぞれには、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅの１つと、ファースト軸コリメートレンズ４０と、スロー軸コリメートレンズ４１と、反射ミラー４２とが固定される（図２参照）。
【００５９】
図５に示すように、実装部１２０は、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅが載置される５段の実装面２１Ａ〜２１Ｅと、実装面２１Ａ〜２１Ｅのそれぞれの右側端部１２２Ａ〜１２２Ｅから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ａ〜１２３Ｅを有している。より具体的には、実装部１２０は、実装面２１Ａの右側端部１２２Ａから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ａと、実装面２１Ｂの右側端部１２２Ｂから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ｂと、実装面２１Ｃの右側端部１２２Ｃから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ｃと、実装面２１Ｄの右側端部１２２Ｄから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ｄと、実装面２１Ｅの右側端部１２２Ｅから右斜め上方に延びる傾斜面１２３Ｅとを含んでいる。
【００６０】
そして、傾斜面１２３Ａは下から２段目の実装面２１Ｂの左側端部に接続しており、傾斜面１２３Ｂは下から３段目の実装面２１Ｃの左側端部に接続しており、傾斜面１２３Ｃは下から４段目の実装面２１Ｄの左側端部に接続しており、傾斜面１２３Ｄは最上段の実装面２１Ｅの左側端部に接続しており、また、傾斜面１２３Ｅは隣接する枠体１１まで延びている。
【００６１】
ここで、図６は、下から２段目の実装面２１Ｂに実装された半導体レーザ素子３０Ｂ（下側半導体レーザ素子）と、実装面２１Ｂの１段上方に位置する実装面２１Ｃに実装された半導体レーザ素子３０Ｃ（上側半導体レーザ素子）との近傍を拡大して示す図である。
【００６２】
図６に示すように、上側半導体レーザ素子３０Ｃのマウント３４Ｃは、実装面２１Ｃの右側端部１２２Ｃ（すなわち、実装面２１Ｃと傾斜面１２３Ｃとの境界部１２２Ｃ）でＸ方向に位置決めされている。ここで、実装面２１ＣのＸ方向の長さ、すなわち、境界部１２２Ｃから左側端部１２８Ｃまでの長さは、マウント３４ＣのＸ方向の長さよりも短くなっている。そのため、マウント３４Ｃの左側部分３５Ｃが一定距離にわたって実装面２１Ｃからはみ出している。このように、境界部１２２Ｃは、上側半導体レーザ素子３０Ｃの一部（左側部分３５Ｃ）が実装面２１Ｃからはみ出すように位置決めする位置決め構造として作用する。
【００６３】
また、図６に示すように、下側半導体レーザ素子３０Ｂ（マウント３４Ｂ）は、実装面２１Ｂの右側端部１２２Ｂ（すなわち、実装面２１Ｂと傾斜面１２３Ｂとの境界部１２２Ｂ）でＸ方向に位置決めされている。より具体的には、右側電極パッド３３Ｂの右側面３８Ｂの底部３９Ｂが傾斜面１２３Ｂへの垂線方向に沿って傾斜面１２３Ｂから距離Ｌ４だけ離間するように、かつ、底部３９Ｂが境界部１２２ＢからＺ方向に距離Ｌ５だけ離間するように、下側半導体レーザ素子３０Ｂが位置決めされる。すなわち、境界部１２２Ｂは、下側半導体レーザ素子３０Ｂを上記のように位置決めする位置決め構造として作用する。
【００６４】
ここで、図６に示すように、上記距離Ｌ４は、下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂから傾斜面１２３Ｂまでの最短離間距離であり、上記距離Ｌ５は、右側電極パッド３３Ｂから境界部１２２Ｂまでの最短離間距離である。
【００６５】
以上の構成により、図６に示すように、上側半導体レーザ素子３０Ｃ（マウント３４Ｃの左側部分３５Ｃ）の直下に、左側部分３５Ｃの底面３６Ｃと、傾斜面１２３Ｂと、下側半導体レーザ素子３０Ｂのマウント３４Ｂの右側面３７Ｂと、下側半導体レーザ素子３０Ｂの右側電極パッド３３Ｂの右側面３８Ｂとによって規定される空間ＳＢが形成される。
【００６６】
本実施形態において、上記最短離間距離Ｌ４は、右側電極パッド３３Ｂと傾斜面１２３Ｂとの間で絶縁破壊が生じることが抑制される長さ、すなわち、上述の式（１）又は（２）から算出される抑制距離Ｌc以上に設定されている。また、図６に示すように、上記最短離間距離Ｌ５は、最短離間距離Ｌ４よりも長くなっている。
【００６７】
したがって、空間ＳＢは、右側電極パッド３３Ｂと傾斜面１２３Ｂとの間に生じる絶縁破壊を抑制し、かつ、右側電極パッド３３Ｂと境界部１２２Ｂとの間に生じる絶縁破壊を抑制する抑制空間として作用する。図６に示すように、本実施形態によれば、このような抑制空間ＳＢが上側半導体レーザ素子３０Ｃの直下に形成される。
【００６８】
図５に示すように、空間ＳＡ，ＳＣ，ＳＤも空間ＳＢと同様に抑制空間として作用しており、これら空間はそれぞれ上側半導体レーザ素子の直下に形成されている。そして、これにより、上側半導体レーザ素子の一部が空間ＳＡ，ＳＣ，ＳＤ上にはみ出した状態になっている。また、半導体レーザ素子３０Ｅは境界部１２２Ｅによって位置決めされ、半導体レーザ素子３０Ｅの右側電極パッド３３と枠体１１との間の空間ＳＥが抑制空間として作用する。
【００６９】
以上のような構成によっても、上述の第１の実施形態と同様に、実装部１２０の幅Ｌ６（図５参照）を半導体レーザモジュール９００の実装部９０１の幅Ｌ９（図１参照）に比べて短くすることができ、半導体レーザモジュールを小型化することができる。すなわち、本発明の第２の実施形態によっても、小型で高出力、かつ、絶縁破壊が生じにくい半導体レーザモジュールを構成することができる。
【００７０】
なお、上述の第１及び第２の実施形態で説明した位置決め構造を併用してもよく、或いは、その他の位置決め構造を適用してもよい。また、必ずしもこのような位置決め構造を実装部に設ける必要もない。ただし、位置決め構造を設けることで、小型化と絶縁破壊の抑制とを両立できる半導体レーザモジュールを容易に製造することが可能となる。以下、この点について半導体レーザモジュール１を製造する場合を例として説明する。
【００７１】
半導体レーザモジュール１を製造するために、まず、図７に示すように、実装部２０が形成された底板１２を用意する。この実装部２０には、上述のように位置決め構造としての突出部２２Ａ〜２２Ｅが形成されている。そして、図７に示すように、実装面２１Ａのうち突出部２２Ａに近接する部分に、一定の範囲にわたって半田シート７０を形成する。より具体的には、半導体レーザ素子３０Ａのマウント３４を実装面２１Ａに接合するのに十分な範囲にわたって半田シート７０を形成する。実装面２１Ｂ〜２１Ｅについても、実装面２１Ａと同様に半田シート７０を形成する。その後、図７に示すように、半田シート７０が形成された実装面２１Ａ〜２１Ｅに、それぞれ半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを載置する。
【００７２】
半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを載置した後、図８に示すように、底板１２を右斜め下方に傾斜させる。これにより、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅは、傾いた実装面２１Ａ〜２１Ｅ上を右斜め下方に移動し、各マウント３４が突出部２２Ａ〜２２Ｅの左側側面に当接する。これにより、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅが一括して位置決めされる。そして、図８に示すように、この状態を維持しつつ、底板１２を加熱して半田シート７０を溶融させる。これにより、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅが一括して実装部２０に半田接合される。最後に、蓋部材１５（図２及び図３参照）を底板１２の縁部に固定することにより、半導体レーザモジュール１が完成する。
【００７３】
以上のように、本実施形態における製造方法によれば、実装部２０に突出部２２Ａ〜２２Ｅを設けたことにより、実装部２０を傾けるだけで半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを一度に位置決めすることができる。そして、この状態で底板１２を加熱することで、半導体レーザ素子３０Ａ〜３０Ｅを実装部２０に一度に接合することができる。したがって、本製造方法によれば、小型で高出力、かつ、絶縁破壊が生じにくい半導体レーザモジュールを容易に製造することができる。
【００７４】
なお、上記製造方法において必ずしも底板（実装部）を傾ける必要はない。すなわち、位置決め構造（突出部）を設けることで、実装部を傾けない場合でも、位置決め構造に半導体レーザ素子を突き当てて半導体レーザ素子を位置決めできるため、抑制空間を形成することが容易になる。
【００７５】
また、小型で高出力、かつ、絶縁破壊が生じにくい半導体レーザモジュールを製造する観点からは、必ずしも位置決め構造を実装部に設ける必要もない。この場合には、実装部と下側半導体レーザ素子の導電部との間に抑制空間が形成されるように、下側半導体レーザ素子を、該下側半導体レーザ素子が実装される実装面（下側実装面）に載置して固定（半田接合）する。また、上側半導体レーザ素子を実装する実装面（上側実装面）から該上側半導体レーザ素子の一部が下側半導体レーザ素子側にはみ出すように上側半導体レーザ素子を上側実装面に固定（半田接合）する。
【００７６】
なお、上記製造方法は、半導体レーザモジュール１００やその他の位置決め構造を備える半導体レーザモジュールに対しても適用できることは言うまでもない。
【００７７】
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
【００７８】
なお、本明細書において使用した用語「下」、「上」、「底」、「上方」、「下方」、「上側」、「下側」その他の位置関係を示す用語は、図示した実施形態との関連において使用されているのであり、装置の相対的な位置関係によって変化するものである。
【符号の説明】
【００７９】
１，１００        半導体レーザモジュール
１０，１１０        筐体
１１        枠体
１２，１１２        底板
１５        蓋部材
１６        蓋体
２０，１２０        実装部
２１Ａ〜２１Ｅ        実装面
２２Ａ〜２２Ｅ        突出部（位置決め構造）
２３Ｂ〜２３Ｅ        段差面
３０Ａ〜３０Ｅ        半導体レーザ素子
３１        半導体チップ（出射部）
３２        左側電極パッド（導電部）
３３        右側電極パッド（導電部）
３４        マウント
４０        ファースト軸コリメートレンズ（光学系）
４１        スロー軸コリメートレンズ（光学系）
４２        反射ミラー（光学系）
４３        集光レンズ（光学系）
４４        光ファイバ
４４Ａ      入射端面
４５        ファイバマウント
４６        半田
７０        半田シート
１２２Ｂ，１２２Ｃ        境界部（位置決め構造）
１２３Ａ〜１２３Ｅ        傾斜面
ＳＡ〜ＳＥ        抑制空間
【図１】
2019121672.tif 000003
【図２】
2019121672.tif 000004
【図３】
2019121672.tif 000005
【図４】
2019121672.tif 000006
【図５】
2019121672.tif 000007
【図６】
2019121672.tif 000008
【図７】
2019121672.tif 000009
【図８】
2019121672.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月15日(2019.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を外部に出力する光ファイバと、
それぞれが、前記レーザ光を出射する出射部と、前記出射部に電力を供給する導電部と、前記出射部及び前記導電部が載置されるマウントとを含む複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれの前記マウントが実装される複数の実装面が階段状に形成された実装部と、
前記出射部からの前記レーザ光を前記光ファイバの入射端面に結合させる光学系と
を備え、
前記複数の半導体レーザ素子は、前記実装部の段差方向において互いに隣接する上側半導体レーザ素子及び下側半導体レーザ素子を含み、
前記上側半導体レーザ素子の一部が、前記実装面から前記下側半導体レーザ素子側にはみ出している、半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記上側半導体レーザ素子の前記一部の下に、前記実装部と前記下側半導体レーザ素子の前記導電部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されている、請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記抑制空間における前記実装部から前記下側半導体レーザ素子の前記導電部までの最短離間距離が、該導電部と前記実装部との間で絶縁破壊が生じることが抑制される抑制距離以上となるように前記抑制空間が形成される、請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記抑制距離Ｌc（ｍｍ）は、前記半導体レーザモジュールの要求耐電圧をＰ（ｋＶ）、前記抑制空間の絶縁抵抗値をＲ（ｋＶ／ｍｍ）とすると、
Ｌc≧Ｐ／Ｒ
の式から算出される、請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記抑制空間は空気から形成されており、
前記抑制距離Ｌcは、
Ｌc≧Ｐ／３
の式から算出される、
請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記実装部は、前記抑制空間が形成されるように前記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造をさらに備える、請求項２から５のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記位置決め構造には、前記マウントが当接するように前記実装面から上方に突出する突出部が含まれる、請求項６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記実装部は、前記実装面から斜め上方に延びる傾斜面を有し、
前記位置決め構造には、前記実装面と前記傾斜面との境界部が含まれる、
請求項６又は７に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
前記実装部の前記実装面は、該実装面に実装されている半導体レーザ素子の前記出射部の直下まで少なくとも延びている、請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
段差方向に隣接する上側実装面及び下側実装面を含む複数の実装面が階段状に形成された実装部を用意し、
前記上側実装面に実装される上側半導体レーザ素子と、前記下側実装面に実装される下側半導体レーザ素子とを用意し、
前記実装部と前記下側半導体レーザ素子の導電部との間に該導電部と前記実装部との間で絶縁破壊が生じることを抑制する抑制空間が形成されるように、前記下側半導体レーザ素子を前記下側実装面に載置して固定し、
前記上側半導体レーザ素子の一部が前記上側実装面から前記下側半導体レーザ素子側にはみ出すように前記上側半導体レーザ素子を前記上側実装面に載置して固定する、
半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記複数の実装面には、前記抑制空間が形成されるように前記複数の半導体レーザ素子を位置決めする位置決め構造が設けられている、請求項１０に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記上側半導体レーザ素子を前記上側実装面に載置し、前記下側半導体レーザ素子を前記下側実装面に載置した後、前記実装部を傾斜させることにより、前記上側半導体レーザ素子及び前記下側半導体レーザ素子が前記位置決め構造に当接した状態にし、
前記状態を維持しつつ前記上側半導体レーザ素子及び前記下側半導体レーザ素子を前記複数の実装面に固定する、
請求項１１に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。