(57)【要約】【課題】ＯＬＥＤ表示装置の製造におけるメタルマスクの変形を抑制する。【解決手段】各画素行は、第１色、第２色及び第３色の順で配列された画素からなる。画素は、同一の形状であって、重心位置を通る任意の線において対称な多角形状を有する。複数の画素行それぞれの画素の重心位置を通過する線の間の距離は、一定である。隣接画素行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の第１色の画素それぞれの第１方向における位置は、他方の画素行の第１色の隣接画素間の中央に位置する。第１画素の外周と、第１画素が含まれる画素行に隣接する画素行において第１画素と同色で第１画素に最も近い第２画素の外周と、の間の最短距離は、第１画素と第２画素の重心を結ぶ重心結合線と、第１画素と第２画素の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離である。これら対向する辺は、それぞれ、重心結合線に垂直である。【選択図】図７
2019079759.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１色の画素と、
複数の第２色の画素と、
複数の第３色の画素と、
を含み、
前記複数の第１色の画素、前記複数の第２色の画素、及び、前記複数の第３色の画素は、複数の画素行を構成し、
前記複数の画素行の各画素行は、一定の間隔で、循環的に、前記第１色、前記第２色及び前記第３色の順で配列された画素からなり、
前記複数の第１色の画素、前記複数の第２色の画素、及び、前記複数の第３色の画素は、同一の形状であって、重心位置を通る任意の線において対称な多角形状を有し、
前記複数の画素行の各画素行の画素の重心位置は、第１方向に延びる線上に位置し、
前記複数の画素行それぞれの画素の重心位置を通過する線の間の距離は、一定であり、
前記複数の画素行の隣接画素行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の前記第１色の画素それぞれの前記第１方向における位置は、他方の画素行の前記第１色の隣接画素間の中央に位置し、
前記第１色、前記第２色及び前記第３色の各色の第１画素の外周と、前記第１画素が含まれる画素行に隣接する画素行において前記第１画素と同色で前記第１画素に最も近い第２画素の外周と、の間の最短距離は、前記第１画素の重心と前記第２画素の重心とを結ぶ重心結合線と、前記第１画素と前記第２画素の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｂ１であり、
前記第１画素と前記第２画素との互いに対向する前記辺は、それぞれ、前記重心結合線に垂直である、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記第１方向と、前記互いに対向する辺それぞれとの間の角度は、６３．４度、５３．１度、又は７１．６度のいずれか一つである、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記多角形状は、前記第１方向に平行な２辺を含む八角形又は六角形である、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の画素行の各画素の下部電極の形状は、前記多角形状よりも大きく、かつ、前記多角形状と相似であり、
前記複数の画素行の各画素の重心と各画素の前記下部電極の重心とは、積層方向において見て一致している、
ＯＬＥＤ表示装置。
【請求項５】
ＯＬＥＤ表示装置の製造において、基板に対する有機発光材料の蒸着において使用されるマスクであって、
複数の開口を含み、
前記複数の開口は、複数の行を構成し、
前記複数の行の各行は、一定の間隔で配列された開口で構成されており、
前記複数の開口の外形は、同一の、重心位置を通る任意の線において対称な多角形状を有し、
前記複数の行の各行の開口の重心位置は、第１方向に延びる線上に位置し、
前記複数の行それぞれの開口の重心位置を通過する線の間の距離は、一定であり、
前記複数の行の隣接行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の開口それぞれの前記第１方向における位置は、他方の行の開口間の中央に位置し、
前記複数の行の第１開口の外周と、前記第１開口が含まれる行に隣接する行において前記第１開口に最も近い第２開口の外周と、の間の距離は、前記第１開口の重心と前記第２開口の重心とを結ぶ重心結合線と、前記第１開口と前記第２開口の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｂ２であり、
前記第１方向と、前記互いに対向する辺それぞれとの間の角度は、６３．４度又は５３．１度である、
マスク。
【請求項６】
請求項５に記載のマスクであって、
前記多角形状は、前記第１方向に平行な２辺を含む八角形及び六角形の一方である、
マスク。
【請求項７】
請求項５に記載のマスクであって、
前記距離Ｂ２は、前記第１開口の最小幅以上である、
マスク。
【請求項８】
請求項７に記載のマスクであって、
前記第１開口の外周と、前記第１方向と垂直な第２方向において、前記第１開口と隣接する第３開口の外周と、の間の最短距離は、前記第１開口の重心と前記第３開口の重心とを結ぶ線と、前記第１開口と前記第３開口の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｃ２であり、
前記距離Ｃ２は、前記第１開口の前記最小幅以上である、
マスク。
【請求項９】
請求項７に記載のマスクであって、
前記マスクは、前記蒸着において、前記第１方向に引っ張られた状態で前記基板に対して位置決めされる、
マスク。
【請求項１０】
ＯＬＥＤ表示装置の製造方法であって、
基板上に、マスクを介して、有機発光材料を蒸着するステップを含み、
前記マスクは、
複数の開口を含み、
前記複数の開口は、複数の行を構成し、
前記複数の行の各行は、一定の間隔で配列された開口で構成されており、
前記複数の開口の外形は、同一の、重心位置を通る任意の線において対称な多角形状を有し、
前記複数の行の各行の開口の重心位置は、第１方向に延びる線上に位置し、
前記複数の行それぞれの開口の重心位置を通過する線の間の距離は、一定であり、
前記複数の行の隣接行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の開口それぞれの前記第１方向における位置は、他方の行の開口間の中央に位置し、
前記複数の行の第１開口の外周と、前記第１開口が含まれる行に隣接する行において前記第１開口に最も近い第２開口の外周と、の間の距離は、前記第１開口の重心と前記第２開口の重心とを結ぶ重心結合線と、前記第１開口と前記第２開口の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｂ２であり、
前記第１方向と、前記互いに対向する辺それぞれとの間の角度は、６３．４度、５３．１度、又は７１．６度のいずれか一つである、
方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記多角形状は、前記第１方向に平行な２辺を含む八角形及び六角形の一方である、
方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記距離Ｂ２は、前記第１開口の最小幅以上である、
方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記第１開口の外周と、前記第１方向と垂直な第２方向において、前記第１開口と隣接する第３開口の外周と、の間の最短距離は、前記第１開口の重心と前記第３開口の重心とを結ぶ線と、前記第１開口と前記第３開口の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｃ２であり、
前記距離Ｃ２は、前記第１開口の前記最小幅以上である、
方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記マスクは、前記蒸着において、前記第１方向に引っ張られた状態で前記基板に対して位置決めされる、
方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＯＬＥＤ表示装置、マスク及びＯＬＥＤ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に替わり、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）表示装置が提案されている。  ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイの開発において期待されている。
【０００３】
アクティブマトリックス型のカラーＯＬＥＤ表示装置の表示領域は、基板上に配列されたＲ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）の画素で構成されている。ＯＬＥＤ表示装置及びその製造方法の特性から、例えば特許文献１又は特許文献２に開示されるように、様々な画素レイアウトが提案されている。
【０００４】
ＯＬＥＤ表示装置の画素を製造する場合、主に二つの方式が存在する。一つは、白色のＯＬＥＤ素子を基準に、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色をカラーフィルタにより作り出すカラーフィルタ方式である。他の一つは、ＲＧＢ３色の有機発光材料を個別に塗り分ける塗り分け方式である。カラーフィルタ方式は、カラーフィルタが光を吸収するために光利用率が落ち、消費電力が上がる欠点がある。一方、塗り分け方式では、高い色純度により広色域化が簡単で、カラーフィルタが無いために光利用率が高くなることから、塗り分け方式は、広く利用されている。
【０００５】
塗り分け方式は、各色の有機発光材料を個別に塗り分けるために、薄板状のメタルマスク（ＦＭＭ：Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋと呼ばれる。）が用いられる。有機発光材料が、メタルマスクに形成された開口を通して成膜（蒸着）される。メタルマスクは構造上変形しやすい。
【０００６】
一方、フルＨＤフォーマットに代表されるように、映像（画像）フォーマットの高精細化に伴い、ＯＬＥＤ表示装置の高精細化が要求されている。ＯＬＥＤ表示装置の高精細化及び大画面化に伴って薄くかつ大きくなることによって更に変形しやすくなってきており、高精度に有機発光材料を塗り分けることが困難であるという問題が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１９７３８５号
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１５／００９１７８５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、ＯＬＥＤ表示装置の製造におけるメタルマスクの変形を抑制することができる技術が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示一態様のＯＬＥＤ表示装置は、複数の第１色の画素と、複数の第２色の画素と、複数の第３色の画素と、を含み、前記複数の第１色の画素、前記複数の第２色の画素、及び、前記複数の第３色の画素は、複数の画素行を構成し、前記複数の画素行の各画素行は、一定の間隔で、循環的に、前記第１色、前記第２色及び前記第３色の順で配列された画素からなり、前記複数の第１色の画素、前記複数の第２色の画素、及び、前記複数の第３色の画素は、同一の形状であって、重心位置を通る任意の線において対称な多角形状を有し、前記複数の画素行の各画素行の画素の重心位置は、第１方向に延びる線上に位置し、前記複数の画素行それぞれの画素の重心位置を通過する線の間の距離は、一定であり、前記複数の画素行の隣接画素行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の前記第１色の画素それぞれの前記第１方向における位置は、他方の画素行の前記第１色の隣接画素間の中央に位置し、前記第１色、前記第２色及び前記第３色の各色の第１画素の外周と、前記第１画素が含まれる画素行に隣接する画素行において前記第１画素と同色で前記第１画素に最も近い第２画素の外周と、の間の最短距離は、前記第１画素の重心と前記第２画素の重心とを結ぶ重心結合線と、前記第１画素と前記第２画素の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｂ１であり、前記第１画素と前記第２画素との互いに対向する前記辺は、それぞれ、前記重心結合線に垂直である。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一態様によれば、ＯＬＥＤ表示装置の製造におけるメタルマスクの変形を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ＯＬＥＤ表示装置の構成例を模式的に示す。
【図２】ＯＬＥＤ表示装置の断面構造の一部を模式的に示す。
【図３Ａ】有機発光層の蒸着に使用されるＦＭＭモジュール及びリニアソースの構成例を模式的に示す。
【図３Ｂ】ファインメタルマスク（ＦＭＭ）の構成例を模式的に示す。
【図４】画素レイアウトの例を示す。
【図５】リアル解像度のデルタナブラ配列の画素の色パターンを示す。
【図６】図４に示す八角形画素の画素レイアウトにおける、行方向表示画素ピッチＤＰｘ、列方向行方向表示画素ピッチＤＰｙ、行方向画素ピッチＰｘ、及び列方向画素ピッチＰｙの関係を示す。
【図７】赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。
【図８】画素又はＦＭＭ開口の形状の例を示す。
【図９】図４と同一の画素レイアウトにおける、画素（アノード電極）及び配線のレイアウト並びに画素（アノード電極）と配線との接続関係の例を模式的に示す。
【図１０】図９に示す画素レイアウトにおける、画素の駆動のタイミングチャートを示す。
【図１１】赤、緑、又は青の任意色のＦＭＭのＦＭＭ開口レイアウトを示す。
【図１２】赤、緑、又は青の任意色のＦＭＭのＦＭＭ開口レイアウトの他の例を示す。
【図１３】レンダリングにより画像を表示するデルタナブラ配列の、画素レイアウトを示す。
【図１４】デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングの、画素の色パターンを示す。
【図１５】デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングに対応する、赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。
【図１６】レンダリングにより画像を表示するデルタナブラ配列の、画素レイアウトを示す。
【図１７】デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングの、画素の色パターンを示す。
【図１８】デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングに対応する、赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は本発明を実現するための一例に過ぎず、本発明の技術的範囲を限定するものではないことに注意すべきである。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。
【００１３】
［表示装置の構成］
図１及び図２を参照して、本実施形態に係る、表示装置１０の全体構成を説明する。なお、説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）表示装置１０の構成例を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、発光素子が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１００と、ＯＬＥＤ素子を封止する封止基板２００と、ＴＦＴ基板１００と封止基板２００とを接合する接合部（ガラスフリットシール部）３００を含んで構成されている。ＴＦＴ基板１００と封止基板２００との間には、例えば、乾燥空気が封入されており、接合部３００により封止されている。
【００１５】
ＴＦＴ基板１００の表示領域１２５の外側のカソード電極形成領域１１４の周囲に、走査ドライバ１３１、エミッションドライバ１３２、保護回路１３３、及びドライバＩＣ１３４が配置されている。これらは、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１３５を介して外部の機器と接続される。
【００１６】
走査ドライバ１３１はＴＦＴ基板１００の走査線を駆動する。エミッションドライバ１３２は、エミッション制御線を駆動して、各副画素の発光期間を制御する。保護回路１３３は素子を静電気放電から保護する。ドライバＩＣ１３４は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を用いて実装される。
【００１７】
ドライバＩＣ１３４は、走査ドライバ１３１及びエミッションドライバ１３２に電源及びタイミング信号（制御信号）を与え、さらに、データ線に映像データに対応するデータ電圧を与える。すなわち、ドライバＩＣ１３４は、表示制御機能を有する。
【００１８】
次に、ＯＬＥＤ表示装置１０の詳細構造について説明する。図２は、ＯＬＥＤ表示装置１０の断面構造の一部を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００と、ＴＦＴ基板１００に対向する封止基板（透明基板）２００とを含む。また、以下の説明において、上下は、図面における上下を示す。
【００１９】
図２に示すように、ＯＬＥＤ表示装置１０は、絶縁基板１５１と、絶縁基板１５１と対向する封止構造部とを含む。ここで、封止構造部の一例は、可撓性又は不撓性の封止基板２００である。封止構造部は、例えば、薄膜封止（ＴＦＥ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）構造であってもよい。
【００２０】
ＯＬＥＤ表示装置１０は、絶縁基板１５１と封止構造部との間に配置された、複数の下部電極（例えば、アノード電極１６２）と、１つの上部電極（例えば、カソード電極１６６）と、複数の有機発光層１６５とを含む。なお、カソード電極１６６は、有機発光層１６５（有機発光膜１６５とも記す）からの光を封止構造部に向けて透過させる透明電極である。
【００２１】
１つのカソード電極１６６と１つのアノード電極１６２との間に、１つの有機発光層１６５が配置されている。複数のアノード電極１６２は、同一面上（例えば、平坦化膜１６１の上）に配置され、１つのアノード電極１６２の上に１つの有機発光層１６５が配置されている。
【００２２】
ＯＬＥＤ表示装置１０は、封止構造部に向かって立ち上がる複数のスペーサ１６４と、それぞれが複数のスイッチを含む複数の回路とを有する。複数の回路の各々は、絶縁基板１５１とアノード電極１６２との間に形成され、複数のアノード電極１６２の各々に供給する電流を制御する。
【００２３】
図２は、トップエミッション型の画素構造の例を示す。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、複数の画素に共通のカソード電極１６６が配置される。カソード電極１６６は、表示領域１２５の全面を完全に覆う形状を有する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造を有するＯＬＥＤ表示装置にも適用できる。ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、ＴＦＴ基板１００を介して外部に光を出射する。
【００２４】
以下、ＯＬＥＤ表示装置１０についてより詳しく説明する。ＴＦＴ基板１００は、表示領域内に配列された画素（副画素とも呼ぶ）、及び、表示領域の周囲の配線領域に形成された配線を含む。配線は、画素回路と、配線領域に配置された制御回路（１３１、１３２、１３４）とを接続する。
【００２５】
画素は、赤、緑、又は青のいずれかの色を表示する発光領域である。発光領域は、ＯＬＥＤ素子に含まれる。ＯＬＥＤ素子は、下部電極であるアノード電極、有機発光層、及び上部電極であるカソード電極を含んで構成される。すなわち、複数のＯＬＥＤ素子は、１つのカソード電極１６６と、複数のアノード電極１６２と、複数の有機発光層１６５により形成されている。
【００２６】
絶縁基板１５１は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。なお、以下の説明において、絶縁基板１５１に近い側を下側、遠い側を上側と記す。ゲート絶縁膜１５６を介して、ゲート電極１５７が形成されている。ゲート電極１５７の層上に層間絶縁膜１５８が形成されている。
【００２７】
表示領域１２５内において、層間絶縁膜１５８上にソース電極１５９、ドレイン電極１６０が形成されている。ソース電極１５９、ドレイン電極１６０は、例えば、高融点金属又はその合金で形成される。ソース電極１５９、ドレイン電極１６０は、層間絶縁膜１５８のコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６８、１６９によって、チャネル部１５５に接続されている。
【００２８】
ソース電極１５９、ドレイン電極１６０の上に、絶縁性の平坦化膜１６１が形成される。絶縁性の平坦化膜１６１の上に、アノード電極１６２が形成されている。アノード電極１６２は、平坦化膜１６１のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によってドレイン電極１６０に接続されている。画素回路（ＴＦＴｓ）は、アノード電極１６２の下側に形成されている。
【００２９】
アノード電極１６２の上に、ＯＬＥＤ素子を分離する絶縁性の画素定義層（Ｐｉｘｅｌ  Ｄｅｆｉｎｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＰＤＬ）１６３が形成されている。ＯＬＥＤ素子は、積層された、アノード電極１６２、有機発光層１６５、及びカソード電極１６６（の部分）で構成される。発光領域ＯＬＥＤ素子は、画素定義層１６３の開口１６７に形成されている。
【００３０】
絶縁性のスペーサ１６４は、２つのアノード電極１６２の間における、画素定義層１６３の面上に形成されている。スペーサ１６４の頂面は画素定義層１６３の上面よりも高い（封止基板２００に近い）位置にあり、封止基板２００が変形した場合に、封止基板２００を支持して、ＯＬＥＤ素子と封止基板２００との間隔を維持する。
【００３１】
アノード電極１６２の上に、有機発光層１６５が形成されている。有機発光層１６５は、画素定義層１６３の開口１６７及びその周囲において、画素定義層１６３に付着している。有機発光層１６５の上にカソード電極１６６が形成されている。カソード電極１６６は、透明電極である。カソード電極１６６は、有機発光層１６５からの可視光の全て又は一部を透過させる。
【００３２】
画素定義層１６３の開口１６７に形成された、アノード電極１６２、有機発光層１６５及びカソード電極１６６の積層膜が、ＯＬＥＤ素子を構成する。電流は画素定義層１６３の開口１６７のみに流れので、開口１６７において露出している有機発光層１６５の領域が、ＯＬＥＤ素子の発光領域（画素）である。カソード電極１６６は、分離して形成されているアノード電極１６２及び有機発光層１６５（ＯＬＥＤ素子）に共通である。なお、カソード電極１６６の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。
【００３３】
封止基板２００は、透明な絶縁基板であって、例えばガラス基板である。封止基板２００の光出射面（前面）に、λ／４位相差板２０１と偏光板２０２とが配置され、外部から入射した光の反射を抑制する。
【００３４】
［製造方法］
ＯＬＥＤ表示装置１０の製造方法の一例を説明する。以下の説明において、同一工程で（同時に）形成される要素は、同一層の要素である。ＯＬＥＤ表示装置１０の製造は、まず、絶縁基板１５１上に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって例えばシリコン窒化物を堆積して、第１絶縁膜１５２を形成する。
【００３５】
次に、公知の低温ポリシリコンＴＦＴ製造技術を用いて、チャネル部１５５を含む層（ポリシシリコン層）を形成する。例えば、ＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを堆積し、ＥＬＡ（Ｅｘｃｉｍｅｒ  Ｌａｓｅｒ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）により結晶化してポリシリコン層を形成できる。ポリシリコン層は、表示領域１２５内において要素間の接続にも利用される。
【００３６】
次に、チャネル部１５５を含むポリシリコン層上に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜を付着してゲート絶縁膜１５６を形成する。更に、スパッタ法等により金属材料を堆積し、パターニングを行って、ゲート電極１５７を含む金属層を形成する。
【００３７】
金属層は、ゲート電極１５７の他、例えば、保持容量電極、走査線、エミッション制御線、電力供給線を含む。金属層として、例えばＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ＭｏＷ、ＭｏＮｂ、Ａｌ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金からなる群より選択される一つの物質で単一層を形成する、又は、配線抵抗を減少させるために低抵抗物質であるＭｏ、Ｃｕ、ＡｌまたはＡｇの２層構造またはそれ以上の多重膜構造からなる群より選択される一つの積層を形成してもよい。
【００３８】
次に、ゲート電極１５７の形成前に高濃度不純物をドーピングしておいたチャネル部１５５に、ゲート電極１５７をマスクとして追加不純物ドーピングを施して低濃度不純物層を形成することにより、ＴＦＴにＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を形成する。次に、ＣＶＤ法等によって、例えばシリコン酸化膜等を堆積して層間絶縁膜１５８を形成する。
【００３９】
層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６、に異方性エッチングを行い、コンタクトホールを開口する。ソース電極１５９、ドレイン電極１６０とチャネル部１５５とを接続するコンタクト部１６８、１６９のためのコンタクトホールが、層間絶縁膜１５８及びゲート絶縁膜１５６に形成される。
【００４０】
次に、スパッタ法等によって、例えば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ等のアルミ合金を堆積し、パターニングを行って、金属層を形成する。金属層は、ソース電極１５９、ドレイン電極１６０及びコンタクト部１６８、１６９を含む。この他、データ線や電力供給線等も形成される。
【００４１】
次に、感光性の有機材料を堆積し、平坦化膜１６１を形成する。ＴＦＴのソース電極１５９、ドレイン電極１６０に接続するためのコンタクトホールを開口する。コンタクトホールを形成した平坦化膜１６１上に、アノード電極１６２を形成する。アノード電極１６２は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等の透明膜、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ又はこれらの化合物金属の反射膜、前記した透明膜の３層を含む。なお、アノード電極１６２の３層構成は、一例であり２層でもよい。アノード電極１６２は、コンタクト部を介して、ドレイン電極１６０と接続される。
【００４２】
次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層１６３を形成する。パターニングにより画素定義層１６３には孔が形成され、各画素のアノード電極１６２が形成された孔の底で露出する。画素定義層１６３により、各画素の発光領域が分離される。さらに、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って、画素定義層１６３上にスペーサ１６４を形成する。
【００４３】
次に、画素定義層１６３を形成した絶縁基板１５１に対して有機発光材料を付着して有機発光層１６５を成膜する。ＲＧＢの色毎に、有機発光材料を成膜して、アノード電極１６２上に、有機発光層１６５を形成する。有機発光層１６５の成膜は、ファインメタルマスク（ＦＭＭ）を使用する。ＦＭＭは単にメタルマスクとも呼ばれる。
【００４４】
異なる色の画素パターンそれぞれにＦＭＭが用意される。ＴＦＴ基板１００の表面にＦＭＭを位置合わせして配置し、ＦＭＭをＴＦＴ基板１００に固定する。ＦＭＭの開口を介して、ＴＦＴ基板１００の画素に対応する位置に有機発光材料を蒸着させる。ＦＭＭ及びＦＭＭを介した蒸着については後に詳述する。
【００４５】
次に、画素定義層１６３、スペーサ１６４及び有機発光層１６５（画素定義層１６３の開口における）が露出した、ＴＦＴ基板１００に対して、カソード電極１６６のための金属材料を付着する。金属材料は、画素定義層１６３、スペーサ１６４及び有機発光層１６５上に付着する。一つの画素の有機発光層１６５上に付着した金属材料部は、当該画素のカソード電極１６６として機能する。
【００４６】
透明カソード電極１６６の層は、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ又はこれらの合金を蒸着して、形成する。カソード電極１６６の膜厚は、光取り出し効率を向上させ良好な視野角依存性を確保するため最適化される。カソード電極１６６の抵抗が高く発光輝度の均一性が損なわれる場合には、さらに、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の材料で補助電極層を追加する。カソード電極１６６の形成後、光取り出し効率向上のため、ガラスより屈折率の高い絶縁膜を堆積させキャップ層を形成してもよい。
【００４７】
以上により、ＲＧＢの各画素に対応するＯＬＥＤ素子が形成され、アノード電極１６２と有機発光層１６５とが接触した部分（画素定義層１６３の開口内）が各々、Ｒ発光領域（Ｒ画素）、Ｇ発光領域（Ｇ画素）、Ｂ発光領域（Ｂ画素）となる。
【００４８】
次に、ＴＦＴ基板１００の外周にガラスフリットを塗設し、その上に封止基板２００を載置し、ガラスフリット部をレーザ光により加熱し、溶融させＴＦＴ基板１００と封止基板２００を密封する。その後、封止基板２００の光出射側にλ／４位相差板２０１、偏光板２０２を形成し、ＯＬＥＤ表示装置１０が完成する。
【００４９】
以下において、有機発光層の蒸着の詳細を説明する。ＯＬＥＤ表示装置１０の製造システムは、メタルマスクを用いて有機発光材料を選択的に蒸着させる。製造システムは、発光領域よりやや大きめの開口部を有するメタルマスクを、順次、ＴＦＴ基板１００にアライメントしてセットし、選択的に各色の有機発光材料を蒸着させる。実際に電流が流れるのは画素定義層１６３の開口部のみであり、この部分が発光領域（画素）となる。
【００５０】
図３Ａは、有機発光層の蒸着に使用されるＦＭＭモジュール５００及びリニアソース４００の構成例を模式的に示す。ＦＭＭモジュール５００は、複数のＯＬＥＤ表示装置のパネル部を含むマザー基板に対する、有機発光材料の蒸着に使用される。各ＯＬＥＤ表示装置のパネルは、マザー基板から切り出される。
【００５１】
ＦＭＭモジュール５００は、フレーム５０１及び複数の短冊状のＦＭＭ５０３を含む。例えば、フレーム５０１は矩形であって、中央開口を囲む四辺の部分で構成される。フレーム５０１は、ＦＭＭ５０３を引張された状態で、高精度に支持できるように、十分な剛性と小さい熱変形を有するように構成される。熱による変形を低減するため、フレーム５０１は、例えば、インバー合金で形成される。フレーム５０１の形状及び材料は、設計により変化し得る。
【００５２】
図３Ａにおいて、複数のＦＭＭ５０３それぞれは、長手方向（Ｘ軸方向）に引張された状態においてフレーム５０１に固定されている。各ＦＭＭ５０３は、四隅の固定点５０５において、フレーム５０１に固定されている。各ＦＭＭ５０３は、フレーム５０１に固定される時、長手方向（Ｘ軸方向）に引張されながら、固定される。引張により、メタルマスク５０３の変形を抑制する。ＦＭＭ５０３は、例えば、ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−コバルト合金で形成される。メタルマスク５０３の材料は設計により変化し得る。
【００５３】
複数のＦＭＭ５０３、図３Ａにおいて四つのＦＭＭ５０３が、引張方向（Ｘ軸方向）と垂直な方向（Ｙ軸方向）に、配列されている。なお、ＦＭＭ５０３の数は１以上の任意である。
【００５４】
各ＦＭＭ５０３は、複数のマスクパターン部５３２を有する。図３Ａの例において、各ＦＭＭ５０３は、長手方向（Ｘ軸方向）に配列された三つのマスクパターン部５３２を有する。一つのマスクパターン部５３２は、一つのＯＬＥＤ表示装置１０のアクティブエリアにおける、一つの色の画素パターンに対応する。なお、一つのＦＭＭ５０３におけるマスクパターン部５３２の数は、１以上の任意である。
【００５５】
リニアソース４００は、長手方向（Ｘ軸方向）に一列に配列された複数のノズル４０１を有する。リニアソース４００は、ノズル４０１の配列方向と垂直な方向（Ｙ軸方向）においてメタルマスクモジュール５００上を往復し、ノズル４０１から有機発光材料をマザー基板上に蒸着させる。
【００５６】
リニアソース４００の移動方向（Ｙ軸方向）は、ＦＭＭ５０３の引張方向（Ｘ軸方向）と垂直である。ＦＭＭ５０３のアライメントは、引張方向（Ｘ軸方向）において誤差が大きく、それに垂直な方向（Ｙ軸方向）においてより高精度である。したがって、リニアソースは引張方向に垂直な方向（Ｙ軸方向）において移動する。各ＦＭＭ５０３の全マスクパターン部５３２は、Ｘ軸方向において、両端のノズル４０１の間に位置する。リニアソース４００のＹ軸方向における移動により、全てのマスクパターン部５３２を介して、マザー基板に有機発光材料が蒸着される。
【００５７】
図３Ｂは、ＦＭＭ５０３の構成例を模式的に示す。図３ＢにおけるＸ軸方向及びＹ軸方向は、図３Ａと同様である。ＦＭＭ５０３は、略長方形の外形を有し、長手方向（Ｘ軸方向）に引張されてフレーム５０１に固定される。ＦＭＭ５０３は、基材本体部５３１と、長手方向（Ｘ軸方向）に配列された複数のマスクパターン部５３２を含む。図３Ｂの例において、三つのマスクパターン部５３２が形成されている。
【００５８】
マスクパターン部５３２は、開口パターンであって、一つのＯＬＥＤ表示装置１０のアクティブエリアに対応する。マスクパターン部５３２は、このアクティブエリアにおけるＲ、Ｇ又はＢの画素パターンに対応する。マスクパターン部５３２は、画素配列に対応して配列された開口と、開口の間の遮蔽部とで構成されている。各開口が各画素に対応し、開口を通過した有機発光材料が、対応する画素のアノード電極１６２上に付着される。
【００５９】
ＦＭＭ５０３は、さらに、複数のダミーパターン部５３３及び複数のハーフエッチ部５３４を含む。図３Ｂにおいては、六つのダミーパターン部の内の二つのみが、例として、符号５３３で指示されている。ダミーパターン部５３３の三つペアが、それぞれ、Ｙ軸方向においてマスクパターン部５３２を挟むように形成されている。
【００６０】
図３Ｂにおいて、四つのハーフエッチ部うちの二つのみが、例として、符号５３４で指示されている。ハーフエッチ部５３４は、Ｘ軸方向においてマスクパターン部５３２を挟むように形成されている。二つのハーフエッチ部５３４が一方側、他の二つのハーフエッチ部５３４が他方側に形成されている。ダミーパターン部５３３及びハーフエッチ部５３４は、メタルマスク５０３が引張に対して均一に伸長するように形成される。ダミーパターン部５３３及びハーフエッチ部５３４の有無、数、位置及び形状は設計に依存して任意である。
【００６１】
領域５３７は、マスクパターン部５３２の一部の拡大図を示す。画素配列に対応して、ＦＭＭ開口５４１が規則的配置で形成されている。ＦＭＭ開口５４１から、画素のアノード電極１６２が露出している。有機発光材料は、ＦＭＭ開口５４１を通過して、画素定義層１６３の開口１６７内でアノード電極１６２に付着する。アノード電極１６２上の有機発光材料の領域が発行領域、つまり、画素２５１である。
【００６２】
［画素及びＦＭＭ開口のレイアウト］
図４は、本開示の画素レイアウトの例を示す。図４は、画素（発光領域）のレイアウト、アノード電極１６２のレイアウト、及び有機発光層１６５の蒸着に使用する三つのＦＭＭの開口のレイアウトの関係を示す。上述のように、Ｒ、Ｇ、及びＢの色毎にＦＭＭが用意され、ＦＭＭの開口を介した蒸着により、基板上に各色の有機発光層のパターンが形成される。図４は、三つのＦＭＭの開口パターンを示す。なお、本開示の概念は、Ｒ、Ｇ、及びＢの色群と異なる色群の画素に適用できる。
【００６３】
図４は、四つの画素行を、例として示す。各画素行は、図４においてＸ軸方向（第１方向）に配列された画素で構成されている。画素行を構成する画素が配列されている方向を行方向とも呼ぶ。複数の画素行は、行方向と垂直な方向である列方向（第２方向）に、配列されている。図４において、Ｙ軸方向が列方向である。
【００６４】
各画素行は、複数のＲ画素２５１Ｒ、複数のＧ画素２５１Ｇ、及び複数のＢ画素２５１Ｂで構成されている。図４においては、一つのＲ画素２５１Ｒ、一つのＧ画素２５１Ｇ、及び一つのＢ画素２５１が、例として符号で示されている。
【００６５】
各画素行において、３色の画素が、一定間隔（ピッチ）Ｐｘで、循環的に配列されている。図４の例において、画素行を構成する画素は、Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ、及びＢ画素２５１Ｂ順で、循環的に配列されている。循環的配列において、同一色の画素の両隣の画素の色は、共通であり、同一色の隣接画素の間隔は一定の３Ｐｘである。同一色の隣接画素の間隔は、３色の画素の間で共通である。色順序は全ての画素行の共通である。
【００６６】
図４の例において、Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ、及びＢ画素２５１Ｂは、同一の形状を有する。具体的には、各画素は、行方向に平行な２辺を含む、重心位置を通る任意の線において対称な八角形を有する。画素行を構成する画素の重心位置は、行方向に延びる直線上に位置する。画素行のおける画素の間隔Ｐｘは、隣接する画素の重心間の距離である。
【００６７】
複数の画素行は、列方向において、一定間隔（ピッチ）Ｐｙで配列されている。間隔Ｐｙは、隣接画素行それぞれの画素の重心を通る線の間の距離である。画素レイアウトは、千鳥配列である。奇数画素行の行方向における画素の位置及び色は、同一である。同様に、偶数画素行の行方向における画素の位置及び色は、同一である。
【００６８】
各画素行は、隣接画素行に対して、（３／２）Ｐｘだけずれている。画素は、行方向において、隣接画素行それぞれの、当該画素と同一色の隣接画素間の中央に位置する。具体的には、画素の重心は、隣接画素行それぞれの、当該画素と同一色の隣接画素の重心間の中央に位置する。
【００６９】
例えば、一つのＲ画素２５１Ｒは、隣接画素行において隣接する二つのＲ画素２５１Ｒの間の中央に位置する。同様に、一つのＧ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂは、隣接画素行において隣接する二つのＧ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂの間の中央に位置する。
【００７０】
図４は、リアル解像度の画素レイアウトを示す。表示画像の画素（表示画素又は主画素とも呼ぶ）は、隣接するＲ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ、及びＢ画素２５１で構成される。図４において、二つの表示画素２５５Ａ、２５５Ｂが、例として符号で示されている。
【００７１】
表示画素２５５Ａは、デルタ形状（三角形）を有する。具体的には、表示画素２５５Ａは、ｋ行（ｋは自然数）のＧ画素２５１Ｇ並びにｋ＋１行のＲ画素２５１Ｒ及びＢ画素２５１Ｂで構成されている。表示画素２５５Ｂは、ナブラ形状（逆三角形）を有する。具体的には、表示画素２５５Ｂは、ｋ行（ｋは自然数）のＲ画素２５１Ｒ及びＢ画素２５１Ｂ並びにｋ＋１行のＧ画素２５１Ｇで構成されている。図４は、表示画素のいわゆるデルタナブラ配列を示す。デルタナブラ配列はデルタ形状の表示画素２５５Ａとナブラ形状の表示画素２５５Ｂとを交互に配列する構成を有する。
【００７２】
画素のアノード電極１６２は、当該画素（画素定義層の開口１６７）よりも大きく、当該画素と相似形状（相似外形）を有する。具体的には、Ｒ画素２５１Ｒのアノード電極１６２Ｒは、当該Ｒ画素２５１Ｒよりも大きく、当該Ｒ画素２５１Ｒと相似な八角形を有する。同様に、Ｇ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂのアノード電極１６２Ｇ又は１６２Ｂは、当該Ｇ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂよりも大きく、当該Ｇ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂと相似な八角形を有する。画素と対応するアノード電極との間の比は、全画素に対して共通である。
【００７３】
画素と対応するアノード電極の重心位置は積層方向において見て一致している。つまり、Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂの重心位置と、アノード電極１６２Ｒ、１６２Ｇ又は１６２Ｂの重心位置とは、積層方向において見て一致している。画素とアノード電極との関係についての上記説明から理解されるように、画素と画素及び画素行についての上記説明は、アノード電極及びアノード電極の行に対して適用できる。
【００７４】
画素の有機発光材料を付着するためのＦＭＭの開口は、当該画素（画素定義層の開口１６７）及びアノード電極よりも大きく、当該画素と相似形状（相似外形）を有する。具体的には、Ｒ画素２５１ＲのＦＭＭ開口５４１Ｒは、当該Ｒ画素２５１Ｒ及びアノード電極１６２Ｒよりも大きく、当該Ｒ画素２５１Ｒと相似な八角形を有する。
【００７５】
同様に、Ｇ画素２５１ＧのＦＭＭ開口５４１Ｇは、当該Ｇ画素２５１Ｇ及びそのアノード電極１６２Ｇよりも大きく、当該Ｇ画素２５１Ｇと相似な八角形を有する。さらに、Ｂ画素２５１ＢのＦＭＭ開口５４１Ｂは、当該Ｂ画素２５１Ｂ及びそのアノード電極１６２Ｂよりも大きく、当該Ｂ画素２５１Ｂと相似な八角形を有する。画素と対応するＦＭＭ開口との間の比は、全画素に対して共通である。
【００７６】
図４は、画素の重心位置と、画素に対応するＦＭＭ開口の重心位置とが積層方向において見て一致するように配置した、画素レイアウトとＦＭＭ開口レイアウトとを示す。図４は、Ｒ画素用ＦＭＭ、Ｇ画素用ＦＭＭ、及びＢ画素用ＦＭＭの三つのＦＭＭの開口レイアウトを示す。Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ又はＢ画素２５１Ｂの重心位置と、ＦＭＭ開口５４１Ｒ、５４１Ｇ又は５４１Ｂの重心位置とは、積層方向において見て一致している。
【００７７】
画素とＦＭＭ開口との関係についての上記説明から理解されるように、画素及び画素行についての上記説明は、ＦＭＭ開口及びＦＭＭ開口の行に対して適用できる。各ＦＭＭ、例えば、ＲのＦＭＭに、複数のＦＭＭ開口５４１Ｒが形成されており、複数のＦＭＭ開口５４１Ｒは、複数の行を構成する。ＦＭＭ開口５４１の行方向は、Ｘ軸方向である。
【００７８】
ＦＭＭ開口５４１Ｒの各行は、一定の間隔で配列されたＦＭＭ開口５４１Ｒで構成されている。ＦＭＭ開口５４１Ｒの間隔は、行において隣接するＦＭＭ開口５４１Ｒの重心間の距離であり、３Ｐｘである。各ＦＭＭ開口５４１Ｒは、重心位置を通る任意の線において対称な八角形を有し、全てのＦＭＭ開口５４１Ｒが同一形状を有する。行を構成するＦＭＭ開口５４１Ｒの重心位置は、Ｘ軸方向に延びる線上に位置する。
【００７９】
各ＦＭＭ、例えば、ＲのＦＭＭにおいて、ＦＭＭ開口５４１Ｒの行は、一定間隔Ｐｙで列方向（Ｙ軸方向）に配列されている。つまり、ＦＭＭ開口５４１Ｒの行それぞれのＦＭＭ開口重心位置を通過する線の間の距離は、一定のＰｙである。ＦＭＭ開口５４１Ｒのレイアウトは、千鳥配列である。
【００８０】
各行は、隣接行に対して、（３／２）Ｐｘだけずれている。ＦＭＭ開口５４１Ｒは、行方向において、隣接行それぞれの、隣接ＦＭＭ開口５４１Ｒ間の中央に位置する。具体的には、ＦＭＭ開口５４１Ｒの重心は、隣接行それぞれの、隣接するＦＭＭ開口５４１Ｒの重心間の中央に位置する。
【００８１】
なお、ＦＭＭ開口は、当該画素のアノード電極よりも小さくてもよい。実際の製造において、有機発光材料の蒸着のために基板１５１に対して位置決めされたＦＭＭ開口の重心位置は、画素の重心位置と必ずしも一致しない。画素とＦＭＭ開口との間の比は、製造プロセスで要求されるマージンにより規定される。
【００８２】
図５は、リアル解像度のデルタナブラ配列の画素の色パターンを示す。デルタ表示画素２５５Ａは、三角形（デルタ形状）を形成し、Ｇ画素２５１Ｇを中心とする、Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ及びＢ画素２５１Ｂで構成される。ナブラ表示画素２５５Ｂは、逆三角形（ナブラ形状）を形成し、Ｇ画素２５１Ｇを中心とする、Ｒ画素２５１Ｒ、Ｇ画素２５１Ｇ及びＢ画素２５１Ｂで構成される。
【００８３】
行方向の表示画素ピッチＤＰｘと、列方向の表示画素ピッチＤＰｙとは、同一である。したがって、破線の正方形２５７が示すように、Ｒ、Ｇ、及びＢの色バランスは、正方形で取れる。
【００８４】
図６は、図４に示す八角形画素の画素レイアウトにおける、行方向表示画素ピッチＤＰｘ、列方向行方向表示画素ピッチＤＰｙ、行方向画素ピッチＰｘ、及び列方向画素ピッチＰｙの関係を示す。行方向画素ピッチＰｘは、行方向表示画素ピッチＤＰｘの２／３である。
【００８５】
列方向画素ピッチＰｙは、列方向表示画素ピッチＤＰｙ（ＤＰｘ）の１／２である。行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比は、（４／３）対１である。図６の例において、ＦＭＭ開口の行方向の長さＷｘは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。また、ＦＭＭ開口の列方向の長さＷｙは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。行方向に隣接する画素の重心間の中央及び列方向において隣接する画素の重心間の中央は、ＦＭＭ開口の外周上に位置する。
【００８６】
図７は、赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。以下の説明は、赤、緑、及びＢの全ての色の画素パターンに適用される。図７は、４組の画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口を例として示す。画素２５１Ｋは、画素２５１Ｊの隣接画素行において、画素２５１Ｊに隣接する同色画素である。画素２５１Ｋは、画素２５１Ｊの隣接画素行に含まれ、当該隣接画素行において画素２５１Ｊに最も近い同色画素である。
【００８７】
画素２５１Ｊと隣接する画素行に含まれ、画素２５１Ｊに隣接する四つの同色画素が存在する。四つの同色画素の一つが画素２５１Ｋであり、以下に説明する画素２５１Ｊと画素２５１Ｋとの関係は、他の三つの同色画素と画素２５１Ｊとの関係にも適用される。
【００８８】
画素２５１Ｊと画素２５１Ｋとの距離は、これらの重心間の距離である。画素２５１Ｊは、画素２５１Ｋに対向する辺６１１Ｊを含む。画素２５１Ｋは、画素２５１Ｊに対向する辺６１１Ｋを含む。画素２５１Ｊ、２５１Ｋの互いに対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋは、画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）と交差する。
【００８９】
画素２５１Ｊの外周と、画素２５１Ｋの外周との間の距離は、互いに対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋの間の距離である。図７において、対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋ間の距離はＢ１で表わされる。図７は、説明のため、画素２５１Ｌと画素２５１Ｍとの間において距離Ｂ１を示す。画素２５１Ｌと画素２５１Ｍとの関係は、画素２５１Ｊと画素２５１Ｋとの間の関係と同様である。
【００９０】
画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。したがって、重心結合線と辺６１１Ｊ、６１１Ｋそれぞれとが交差する点の距離が、辺６１１Ｊ、６１１Ｋ間の距離Ｂ１である。
【００９１】
画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心との行方向（Ｘ軸方向）における距離は、１.５Ｐｘである。画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心との列方向（Ｙ軸方向）における距離は、Ｐｙである。上述のように、リアル解像度において、ＰｘとＰｙの比は、４対３である。辺６１１Ｊと画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）との間の角度は９０．０度である。したがって、辺６１１Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ１は、６３．４度である。辺６１１Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ１＝６３．４度である。
【００９２】
同様の説明が、アノード電極１６２Ｊ、１６２Ｋ及びＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｋに適用できる。ＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｋについて具体的に説明する。ＦＭＭ開口５４１Ｋは、ＦＭＭ開口５４１Ｊの隣接行において、ＦＭＭ開口５４１Ｊに隣接するＦＭＭ開口である。ＦＭＭ開口５４１Ｋは、ＦＭＭ開口５４１Ｊの隣接行に含まれ、当該隣接行においてＦＭＭ開口５４１Ｊに最も近いＦＭＭ開口である。
【００９３】
ＦＭＭ開口５４１Ｊと隣接する行に含まれ、ＦＭＭ開口５４１Ｊに隣接する四つのＦＭＭ開口が存在する。四つのＦＭＭ開口の一つがＦＭＭ開口５４１Ｋであり、以下に説明するＦＭＭ開口５４１ＪとＦＭＭ開口５４１Ｋとの関係は、他の三つのＦＭＭ開口とＦＭＭ開口５４１Ｊとの関係にも適用される。
【００９４】
ＦＭＭ開口５４１ＪとＦＭＭ開口５４１Ｋとの距離は、これらの重心間の距離である。ＦＭＭ開口５４１Ｊは、ＦＭＭ開口５４１Ｋに対向する辺６１３Ｊを含む。ＦＭＭ開口５４１Ｋは、ＦＭＭ開口５４１Ｊに対向する辺６１３Ｋを含む。ＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｋの互いに対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋは、ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）と交差する。
【００９５】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの外周と、ＦＭＭ開口５４１Ｋの外周との間の距離は、互いに対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋの間の距離である。図７において、対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋ間の距離はＢ２で表わされる。図７は、説明のため、ＦＭＭ開口５４１ＬとＦＭＭ開口５４１Ｍとの間において距離Ｂ２を示す。ＦＭＭ開口５４１ＬとＦＭＭ開口５４１Ｍとの関係は、ＦＭＭ開口５４１ＪとＦＭＭ開口５４１Ｋとの間の関係と同様である。
【００９６】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。したがって、重心結合線と辺６１３Ｊ、６１３Ｋそれぞれとが交差する点の距離が、辺６１３Ｊ、６１３Ｋ間の距離Ｂ２である。
【００９７】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との行方向（Ｘ軸方向）における距離は、１.５Ｐｘである。ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との列方向（Ｙ軸方向）における距離は、Ｐｙである。辺６１３ＪとＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）との間の角度は９０．０度である。したがって、辺６１３Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ２は、６３．４度である。辺６１３Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ２＝６３．４度である。
【００９８】
次に、画素２５１Ｊと画素２５１Ｌとの関係を説明する。画素２５１Ｌは、列方向において画素２５１Ｊと隣接する同色画素である。画素２５１Ｌは、画素２５１Ｊが含まれる画素行の二つ隣の画素行において、画素２５１Ｊに最も近い同色画素である。画素２５１Ｊと列方向において隣接する二つの同色画素が存在する。二つの同色画素の一つが画素２５１Ｌであり、以下に説明する画素２５１Ｊと画素２５１Ｌとの関係は、他の一つの画素と画素２５１Ｊとの関係にも適用される。
【００９９】
画素２５１Ｊと画素２５１Ｌとの距離は、これらの重心間の距離である。画素２５１Ｊは、画素２５１Ｌに対向する辺６１５Ｊを含む。画素２５１Ｌは、画素２５１Ｊに対向する辺６１５Ｌを含む。画素２５１Ｊ、２５１Ｌの互いに対向する辺６１５Ｊ、６１５Ｌは、画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｌの重心とを結ぶ線（重心結合線）と交差する。辺６１５Ｊ、６１５Ｌは、行方向（Ｘ軸方向）に平行である。
【０１００】
画素２５１Ｊの外周と、画素２５１Ｌの外周との間の距離は、互いに対向する辺６１５Ｊ、６１５Ｌの間の距離である。図７において、対向する辺６１５Ｊ、６１５Ｌ間の距離はＣ１で表わされる。画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、列方向（Ｙ軸方向）に平行である。したがって、重心結合線は、対向する辺６１５Ｊ、６１５Ｌそれぞれと垂直（９０．０度）である。重心結合線と辺６１５Ｊ、６１５Ｌそれぞれとが交差する点の距離が、辺６１５Ｊ、６１５Ｌ間の距離Ｃ１である。
【０１０１】
同様の説明が、アノード電極１６２Ｊ、１６２Ｌ及びＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｌに適用できる。ＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｌについて具体的に説明する。ＦＭＭ開口５４１Ｌは、列方向においてＦＭＭ開口５４１Ｊと隣接するＦＭＭ開口である。ＦＭＭ開口５４１Ｌは、ＦＭＭ開口５４１Ｊが含まれる行の二つ隣の行において、ＦＭＭ開口５４１Ｊに最も近いＦＭＭ開口である。ＦＭＭ開口５４１Ｊと列方向において隣接する二つのＦＭＭ開口が存在する。二つのＦＭＭ開口の一つがＦＭＭ開口５４１Ｌであり、以下に説明するＦＭＭ開口５４１ＪとＦＭＭ開口５４１Ｌとの関係は、他の一つのＦＭＭ開口とＦＭＭ開口５４１Ｊとの関係にも適用される。
【０１０２】
ＦＭＭ開口５４１ＪとＦＭＭ開口５４１Ｌとの距離は、これらの重心間の距離である。ＦＭＭ開口５４１Ｊは、ＦＭＭ開口５４１Ｌに対向する辺６１７Ｊを含む。ＦＭＭ開口５４１Ｌは、ＦＭＭ開口５４１Ｊに対向する辺６１７Ｌを含む。ＦＭＭ開口５４１Ｊ、５４１Ｌの互いに対向する辺６１７Ｊ、６１７Ｌは、ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｌの重心とを結ぶ線（重心結合線）と交差する。辺６１７Ｊ、６１７Ｌは、行方向（Ｘ軸方向）に平行である。
【０１０３】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの外周と、ＦＭＭ開口５４１Ｌの外周との間の距離は、互いに対向する辺６１７Ｊ、６１７Ｌの間の距離である。図７において、対向する辺６１７Ｊ、６１７Ｌ間の距離はＣ２で表わされる。ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｌの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、列方向（Ｙ軸方向）に平行である。したがって、重心結合線は、対向する辺６１７Ｊ、６１７Ｌそれぞれと垂直（９０．０度）である。重心結合線と辺６１７Ｊ、６１７Ｌそれぞれとが交差する点の距離が、辺６１７Ｊ、６１７Ｌ間の距離Ｃ２である。
【０１０４】
人の目の特性として、多角形（円を含む）で発光する３原色の画素が近い距離で隣接している場合、隣接する画素の３原色を混色させた一つのフルカラー画素を認識する。３色の画素の理想的な混色（画素が目立たない自然な画像の実現）を行うためには、同色の画素（発光領域）の分布が、それぞれの重心に対して対称であり、かつ、画素面積が大きいことが好ましい。したがって、画素形状は、重心を通過する任意の線について対称であり、かつ、重心から画素端までの距離が大きいことが重要である。
【０１０５】
一方、ＦＭＭを使用した有機発光材料の高精度の蒸着のためには、蒸着時のＦＭＭの変形を小さくすることが必要である。ＦＭＭの変形を小さくするためには、ＦＭＭのブリッジ幅を大きくすることが重要である。ブリッジ幅は、隣接ＦＭＭ開口の外周間の距離である。図７に示す例において、距離Ｂ２は、斜め方向におけるブリッジ幅であり、距離Ｃ２は列方向（Ｙ軸方向）におけるブリッジ幅である。斜め方向は、行方向（Ｘ軸方向）と列方向（Ｙ軸方向）との間の方向である。
【０１０６】
隣接する同色画素の対向辺が隣接する同色画素の重心を結ぶ線の垂線であり、また、隣接するＦＭＭ開口の対向辺がＦＭＭ開口の重心を結ぶ線の垂線である場合、所望のブリッジ幅を確保しながら、画素の重心から画素端（外周）までの距離を最大化することができる。
【０１０７】
図７に示すように、デルタナブラ配列の画素レイアウトにおいて、各画素に隣接する同色画素のうち、距離が近い画素は、列方向の二つの画素及び斜め方向の四つの画素である。図７の例において、画素２５１Ｌは画素２５１Ｊの列方向において隣接する画素であり、画素２５１Ｋ、２５１Ｍは、画素２５１Ｊの斜め方向において隣接する画素である。行方向において隣接する画素間の距離は、列方向における画素間距離及び斜め方向における画素間距離よりも大きい。
【０１０８】
したがって、図７に示す画素配列において、上記条件を満たし、画素面積を大きくするためには、画素形状は、六角形又は八角形であって、その列方向及び斜め方向に隣接する同色画素と対向する辺が、それぞれ、隣接同色画素の重心結合線に垂直である。図７に示す八角形の画素形状は、この条件を満たす。上記条件を満たす六角形は、重心を通過する行方向に延びる線上に二つの角を有する。
【０１０９】
同様に、上記条件を満たすＦＭＭ開口の形状は六角形又は八角形であって、列方向及び斜め方向に隣接するＦＭＭ開口と対向する辺が、それぞれ、隣接ＦＭＭ開口の重心結合線に垂直である。図７に示す八角形の開口形状は、この条件を満たす。上記条件を満たす六角形は、重心を通過する行方向に延びる線上に二つの角を有する。
【０１１０】
上述のように、図７を参照して説明した画素形状及び画素レイアウト、並びに、ＦＭＭ開口形状及びＦＭＭ開口レイアウトは、重心に対して対称であり大きな面積の画素形状と、より広いブリッジ幅とを実現することができる。
【０１１１】
図８は、画素又はＦＭＭ開口の形状の例を示す。形状８０１は、曲線コーナの八角形を示す。形状８０３は、曲線コーナの六角形を示す。画素又はＦＭＭ開口の形状は、これらのように、曲線コーナの六角形又は八角形でもよい。同様の説明が、アノード電極１６２の形状に適用できる。
【０１１２】
［画素制御］
図９は、図４と同一の画素レイアウトにおける、画素（アノード電極）及び配線のレイアウト並びに画素（アノード電極）と配線との接続関係の例を模式的に示す。図９は、一例を示すものであって、他の任意の接続関係を上記画素レイアウトに適用することができる。
【０１１３】
図９は、１２の画素、３本のデータ線Ｘａｍ、Ｘｂｍ、Ｘｃｍ、４本の走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２、Ｙｎ＋３、及び、３本の電力供給線８１１を示す。表示領域１２５における他の領域も、図９と同様の構成を有する。
【０１１４】
走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２、Ｙｎ＋３は、それぞれ、ｎ番目、ｎ＋１番目、ｎ＋２番目、ｎ＋３番目の画素行に接続されている。走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２、Ｙｎ＋３は、順次、接続されている画素行に走査信号を供給する。走査線から供給される走査信号により、接続されている画素行の全画素が選択される。
【０１１５】
データ線Ｘａｍは、Ｒ画素とＧ画素が交互に配列されている画素列に接続されている。データ線Ｘｂｍは、Ｇ画素とＢ画素が交互に配列されている画素列に接続されている。データ線Ｘｃｍは、Ｂ画素とＲ画素が交互に配列されている画素列に接続されている。データ線Ｘａｍは、Ｒ画素への出力及びＧ画素への出力を交互に繰り返す。データ線Ｘｂｍは、Ｇ画素への出力及びＢ画素への出力を交互に繰り返す。データ線Ｘｃｍは、Ｂ画素への出力及びＲ画素への出力を交互に繰り返す。
【０１１６】
データ線Ｘａｍ、Ｘｂｍ、Ｘｃｍと電力供給線８１１とは、交互に配置されている。図９の例において、各電力供給線８１１は、隣接する１本のデータ線（例えば左側のデータ線）に接続される駆動トランジスタを介して電力を画素に供給する。表示領域１２５における他の領域において、データ線Ｘａｍ、Ｘｂｍ、Ｘｃｍと画素との接続関係と同様の接続関係が繰り返される。
【０１１７】
図１０は、図９に示す画素レイアウトにおける、画素の駆動のタイミングチャートを示す。図１０は、データ線Ｘａｍ、データ線Ｘｂｍ及びデータ線Ｘｃｍからのデータ信号（以下、信号と記す）の波形、並びに、走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２及びＹｎ＋３からの選択パルスの波形を示す。走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２及びＹｎ＋３は、異なるタイミングで、順次選択パルスを出力する。なお、走査ドライバ回路１３１が、走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２及びＹｎ＋３に選択パルスを出力する。また、ドライバＩＣ１３４が、データ線Ｘａｍ、データ線Ｘｂｍ及びデータ線Ｘｃｍにデータ信号を出力する。
【０１１８】
走査線Ｙｎが選択パルスを出力している間、データ線Ｘａｍは、ｎ番目の画素行のＲ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎが選択パルスを出力している間、データ線Ｘｂｍは、ｎ番目の画素行のＧ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎが選択パルスを出力している間、データ線Ｘｃｍは、ｎ番目の画素行のＢ画素に信号を出力する。
【０１１９】
走査線Ｙｎ＋１が選択パルスを出力している間、データ線Ｘａｍは、ｎ＋１番目の画素行のＧ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋１が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｂｍは、ｎ＋１番目の画素行のＢ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋１が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｃｍは、ｎ＋１番目の画素行のＲ画素に信号を出力する。
【０１２０】
走査線Ｙｎ＋２が選択パルスを出力している間、データ線Ｘａｍは、ｎ＋２番目の画素行のＲ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋２が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｂｍは、ｎ＋２番目の画素行のＧ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋２が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｃｍは、ｎ＋２番目の画素行のＢ画素に信号を出力する。
【０１２１】
走査線Ｙｎ＋３が選択パルスを出力している間、データ線Ｘａｍは、ｎ＋３番目の画素行のＧ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋３が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｂｍは、ｎ＋３番目の画素行のＢ画素に信号を出力する。走査線Ｙｎ＋３が選択パルスを出力している間、データ線Ｘｃｍは、ｎ＋３番目の画素行のＲ画素に信号を出力する。
【０１２２】
走査線Ｙｎ及びＹｎ＋１は、１水平期間（１Ｈ）において、順次選択パルスを出力する。走査線Ｙｎ＋２及びＹｎ＋３は、次の１水平期間（１Ｈ）において、順次選択パルスを出力する。選択パルス幅は共通であり、走査線Ｙｎ、Ｙｎ＋１、Ｙｎ＋２及びＹｎ＋３は、それぞれ、略１／２水平期間の間、選択パルスを出力する。
【０１２３】
［ＦＭＭ開口レイアウト］
以下において、ＦＭＭにおける開口幅とブリッジ幅との関係を説明する。図１１は、赤、緑、又は青の任意色のＦＭＭのＦＭＭ開口レイアウトを示す。以下の説明は、赤、緑、及びＢの全ての色のＦＭＭに適用される。図７を参照した説明が、図１１に対しても適用される。
【０１２４】
ＦＭＭ開口の列方向における幅は、２ｒ１で表わされる。ＦＭＭ開口の斜め方向における幅は、２ｒ２で表わされる。斜め方向は、隣接行の隣接ＦＭＭ開口間の重心を結ぶ方向である。
【０１２５】
ＦＭＭの変形を小さくするためには、ブリッジ幅Ｂ２が、ＦＭＭ開口の最小幅Ａ以上であることが好ましい。さらに、ブリッジ幅Ｃ２が、ＦＭＭ開口の最小幅Ａ以上であることが好ましい。図１１の例において、ＦＭＭ開口の最小幅Ａは、２ｒ１である。ＦＭＭは、本例の蒸着工程において、行方向に引っ張られた状態で、位置決めされる。引張方向成分を含むブリッジ幅Ｂ２とＦＭＭ開口の最小幅Ａとの関係がより重要である。
【０１２６】
図１１に示すＦＭＭ開口レイアウトにおいて、列方向のブリッジ幅Ｃ２は、（２Ｐｙ−２ｒ１）である。Ｐｙは列方向におけるＦＭＭ開口ピッチ（画素ピッチ）である。斜め方向のブリッジ幅Ｂ２は、（Ｐｙ√５−２ｒ２）である。
【０１２７】
ＦＭＭの変形を抑制するために、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（Ｐｙ√５−２ｒ２）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ１）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
【０１２８】
図１２は、赤、緑、又は青の任意色のＦＭＭのＦＭＭ開口レイアウトの他の例を示す。以下の説明は、赤、緑、及びＢの全ての色のＦＭＭに適用される。ＦＭＭ開口は真円である。ＦＭＭ開口の重心（真円の中心）の配列は、図１１に示すレイアウトと同様である。
【０１２９】
真円のＦＭＭ開口の半径はｒで表わされている。図１１を参照して説明したように、ＦＭＭの変形を抑制するために、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（Ｐｙ√５−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
【０１３０】
上記説明は、同色画素のレイアウト及び同色画素のアノード電極のレイアウトにも適用できる。上述のように、同色画素の重心配列は、ＦＭＭ開口の重心配列と同一であり、画素形状は、ＦＭＭ開口形状より小さく、相似である。したがって、斜め方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｂ１又は列方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｃ１は、画素幅の最小値以上であることが好ましい。アノード電極について同様である。
【０１３１】
［画素及びＦＭＭ開口の他のレイアウト］
図１３は、レンダリングにより画像を表示するデルタナブラ配列の、画素レイアウトを示す。具体的には、デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングの画素レイアウトを示す。画素列（データ線）の数はリアル解像度と同様であり、画素行（走査線）の数はリアル解像度の２／３である。この構成はＴＦＴ回路の設計を容易にすることができる。この構成によれば、走査ドライバ１３１やエミッションドライバ１３２の出力数を減らすことができるので、ＴＦＴ回路の設計が容易となりドライバの占有面積も縮小できる。
【０１３２】
図４と同様に、図１３は、画素、アノード電極及び三つのＦＭＭのＦＭＭ開口のレイアウトを示す。以下において、図４〜６を参照して説明したリアル解像度デルタナブラ配列との相違点を、主に説明する。
【０１３３】
図４に示すリアル解像度のレイアウトと比較して、行方向の画素ピッチＰｘと列方向の画素ピッチＰｙとの比が異なる。さらに、画素、アノード電極及びＦＭＭ開口それぞれの縦横比が異なる。縦方向は列方向であり、横方向は行方向である。
【０１３４】
図１４は、デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングの、画素の色パターンを示す。破線の長方形２５８が示すように、Ｒ、Ｇ、及びＢの色バランスは、縦横比が３対２の長方形で取れる。レンダリングによる表示画素の定義は、リアル解像度の表示画素と異なり、あいまいである。
【０１３５】
行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比は、８対９である。リアル解像度と同様に、ＦＭＭ開口の行方向の長さＷｘは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。また、ＦＭＭ開口の列方向の長さＷｙは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。
【０１３６】
図１５は、デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングに対応する、赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。以下の説明は、赤、緑、及びＢの全ての色の画素パターンに適用される。以下においては、図７を参照して説明したリアル解像度のレイアウトとの相違点を主に説明する。
【０１３７】
リアル解像度と同様に、画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。上述のように、行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比が、リアル解像度のレイアウトと異なり、行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比は、８対９である。したがって、辺６１１Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ１は、５３．１度である。辺６１１Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ１＝５３．１度である。
【０１３８】
リアル解像度と同様に、ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。
【０１３９】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との行方向（Ｘ軸方向）における距離は、１.５Ｐｘである。ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との列方向（Ｙ軸方向）における距離は、Ｐｙである。
【０１４０】
さらに、辺６１３ＪとＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）との間の角度は９０．０度である。したがって、辺６１３Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ２は、５３．１度である。辺６１３Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ２＝５３．１度である。
【０１４１】
図１１又は図１２を参照した説明を、デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングのＦＭＭ開口レイアウトにも適用することができる。デルタナブラ縦方向２／３画素レンダリングのＦＭＭ開口レイアウトにおいて、列方向のブリッジ幅Ｃ２は、（２Ｐｙ−２ｒ１）である。また、斜め方向のブリッジ幅Ｂ２は、（５Ｐｙ／３−２ｒ２）である。なお、図１５に示すように、２つの画素の重心結合線を斜辺とする直角三角形において、底辺と短辺（高さ）と斜辺と比は4(図15では”２”と図示):3(図15では”1.5”と図示):５であり、この重心結合線に沿った方向における開口幅の半分がｒ２（図１１参照）なので、斜め方向のブリッジ幅Ｂ２は、上記した式で示すことができる。
【０１４２】
したがって、ＦＭＭの変形を抑制するために、六角形又は八角形のＦＭＭ開口のレイアウトは、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（５Ｐｙ／３−２ｒ２）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ１）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
【０１４３】
また、真円のＦＭＭ開口のレイアウトは、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（５Ｐｙ／３−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
【０１４４】
上記説明は、同色画素のレイアウト及び同色画素のアノード電極のレイアウトにも適用できる。上述のように、同色画素の重心配列は、ＦＭＭ開口の重心配列と同一であり、画素形状は、ＦＭＭ開口形状より小さく、相似である。したがって、斜め方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｂ１又は列方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｃ１は、画素幅の最小値以上であることが好ましい。アノード電極について同様である。
【０１４５】
［画素及びＦＭＭ開口の他のレイアウト］
図１６は、レンダリングにより画像を表示するデルタナブラ配列の、画素レイアウトを示す。具体的には、デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングの画素レイアウトを示す。画素行（走査線）の数はリアル解像度と同様であり、画素列（データ線）の数はリアル解像度の２／３である。この構成はデータドライバＩＣの出力ピン数を低減できる。
【０１４６】
図４と同様に、図１６は、画素、アノード電極及び三つのＦＭＭのＦＭＭ開口のレイアウトを示す。以下において、図４〜６を参照して説明したリアル解像度デルタナブラ配列との相違点を、主に説明する。
【０１４７】
図４に示すリアル解像度のレイアウトと比較して、行方向の画素ピッチＰｘと列方向の画素ピッチＰｙとの比が異なる。さらに、画素、アノード電極及びＦＭＭ開口それぞれの縦横比が異なる。縦方向は列方向であり、横方向は行方向である。
【０１４８】
図１７は、デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングの、画素の色パターンを示す。破線の長方形２５９が示すように、Ｒ、Ｇ、及びＢの色バランスは、縦横比が２対３の長方形で取れる。レンダリングによる表示画素の定義は、リアル解像度の表示画素と異なり、あいまいである。
【０１４９】
行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比は、２対１である。リアル解像度と同様に、ＦＭＭ開口の行方向の長さＷｘは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。また、ＦＭＭ開口の列方向の長さＷｙは、行方向画素ピッチＰｘと一致している。
【０１５０】
図１８は、デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングに対応する、赤、緑、又は青の任意色の、画素、アノード電極、及び、ＦＭＭ開口のレイアウトを示す。以下の説明は、赤、緑、及びＢの全ての色の画素パターンに適用される。以下においては、図７を参照して説明したリアル解像度のレイアウトとの相違点を主に説明する。
【０１５１】
リアル解像度と同様に、画素２５１Ｊの重心と画素２５１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１１Ｊ、６１１Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。上述のように、行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比が、リアル解像度のレイアウトと異なり、行方向画素ピッチＰｘと列方向画素ピッチＰｙの比は、２対１である。したがって、辺６１１Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ１は、７１．６度である。辺６１１Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ１＝７１．６度である。
【０１５２】
リアル解像度と同様に、ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）は、対向する辺６１３Ｊ、６１３Ｋそれぞれと垂直（９０．０度）である。
【０１５３】
ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との行方向（Ｘ軸方向）における距離は、１.５Ｐｘである。ＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心との列方向（Ｙ軸方向）における距離は、Ｐｙである。
【０１５４】
さらに、辺６１３ＪとＦＭＭ開口５４１Ｊの重心とＦＭＭ開口５４１Ｋの重心とを結ぶ線（重心結合線）との間の角度は９０．０度である。したがって、辺６１３Ｋと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度θ２は、７１．６度である。辺６１３Ｊと行方向（Ｘ軸方向）とがなす角度も、θ２＝７１．６度である。
【０１５５】
図１１又は図１２を参照した説明を、デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングのＦＭＭ開口レイアウトにも適用することができる。デルタナブラ横方向２／３画素レンダリングのＦＭＭ開口レイアウトにおいて、列方向のブリッジ幅Ｃ２は、（２Ｐｙ−２ｒ１）である。また、斜め方向のブリッジ幅Ｂ２は、（Ｐｙ√１０−２ｒ２）である。なお、図１8に示すように、２つの画素の重心結合線を斜辺とする直角三角形において、底辺と短辺（高さ）と斜辺と比は3(図18では”3”と図示):1(図18では”1”と図示): √１０であり、この重心結合線に沿った方向における開口幅の半分がｒ２（図１１参照）なので、斜め方向のブリッジ幅Ｂ２は、上記した式で示すことができる。
【０１５６】
したがって、ＦＭＭの変形を抑制するために、六角形又は八角形のＦＭＭ開口のレイアウトは、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（Ｐｙ√１０−２ｒ２）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ１）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ１
【０１５７】
また、真円のＦＭＭ開口のレイアウトは、以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｂ２＝（Ｐｙ√１０−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
ＦＭＭの変形を抑制するために、さらに以下の条件を満たすことが好ましい。
ブリッジ幅Ｃ２＝（２Ｐｙ−２ｒ）≧ＦＭＭ開口最小幅Ａ＝２ｒ
【０１５８】
上記説明は、同色画素のレイアウト及び同色画素のアノード電極のレイアウトにも適用できる。上述のように、同色画素の重心配列は、ＦＭＭ開口の重心配列と同一であり、画素形状は、ＦＭＭ開口形状より小さく、相似である。したがって、斜め方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｂ１又は列方向に隣接する同色画素の外形間の距離Ｃ１は、画素幅の最小値以上であることが好ましい。アノード電極について同様である。
【０１５９】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。なお、角度θについて、６３．４度、５３．１度、及び７１．６度を例示したが、この角度は、製造工程、製造条件に起因してある程度の幅を有することがある。
【０１６０】
［付記］
補足として、以下に本開示のいくつかの特徴を記す。
（１）
基板に対する有機発光材料の蒸着において使用されるマスクであって、
複数の開口を含み、
前記複数の開口は、複数の行を構成し、
前記複数の行の各行は、一定の間隔で配列された開口で構成されており、
前記複数の開口の外形は、同一の、重心位置を通る任意の線において対称な形状を有し、
前記複数の行の各行の開口の重心位置は、第１方向に延びる線上に位置し、
前記複数の行それぞれの開口の重心位置を通過する線の間の距離は、一定であり、
前記複数の行の隣接行からなる各ペアにおいて、一方の画素行の開口それぞれの前記第１方向における位置は、他方の行の開口間の中央に位置し、
前記複数の行の第１開口の外周と、前記第１開口が含まれる行に隣接する行において前記第１開口に最も近い第２開口の外周と、の間の最短距離は、前記第１開口の重心と前記第２開口の重心とを結ぶ重心結合線と、前記第１開口と前記第２開口の外周と、が交差する点の間の距離Ｂ２であり、
前記距離Ｂ２は、前記第１開口の最小幅以上である、
マスク。
（２）
（１）に記載のマスクであって、
前記第１開口の外周と、前記第１方向と垂直な第２方向において、前記第１開口と隣接する第３開口の外周と、の間の最短距離は、前記第１開口の重心と前記第３開口の重心とを結ぶ線と、前記第１開口と前記第３開口の互いに対向する辺と、が交差する点の間の距離Ｃ２であり、
前記距離Ｃ２は、前記第１開口の前記最小幅以上である、
マスク。
（３）
（１）に記載のマスクであって、
前記開口の外形は真円であり、
以下の関係式が満たされる、
４ｒ≦ｐ√５
ｒ：前記真円の半径
ｐ：開口の行の間の距離かつ行内の開口間距離の１／４
マスク。
（４）
（３）に記載のマスクであって、
さらに以下の関係式が満たされる、
２ｒ≦ｐ
マスク。
（５）
（１）に記載のマスクであって、
前記開口の外形は前記第１方向に平行な２辺を含む八角形又は六角形であり、
以下の関係式が満たされる、
２（ｒ１＋ｒ２）≦ｐ√５
ｒ１：前記第２方向における開口幅の半分
ｒ２：前記重心結合線に沿った方向における開口幅の半分
ｐ：開口の行の間の距離かつ行内の開口間距離の１／４
マスク。
（６）
（５）に記載のマスクであって、
さらに以下の関係式が満たされる、
２ｒ１≦ｐ
マスク。
（７）
（１）に記載のマスクであって、
前記開口の外形は真円であり、
以下の関係式が満たされる、
４ｒ≦５ｐ／２
ｒ：前記真円の半径
ｐ：開口の行の間の距離かつ行内の開口間距離の３／８
マスク。
（８）
（７）に記載のマスクであって、
さらに以下の関係式が満たされる、
４ｒ≦３ｐ
マスク。
（９）
（１）に記載のマスクであって、
前記開口の外形は前記第１方向に平行な２辺を含む八角形又は六角形であり、
以下の関係式が満たされる、
２（ｒ１＋ｒ２）≦５ｐ／２
ｒ２＞ｒ１
ｒ１：前記第２方向における開口幅の半分
ｒ２：前記重心結合線に沿った方向における開口幅の半分
ｐ：開口の行の間の距離かつ行内の開口間距離の３／８
マスク。
（１０）
（９）に記載のマスクであって、
さらに以下の関係式が満たされる、
４ｒ１≦３ｐ
マスク。
【符号の説明】
【０１６１】
１０  表示装置、１００  ＴＦＴ基板、１１４  カソード電極形成領域、１２５  表示領域、１３１  走査ドライバ、１３１  走査ドライバ回路、１３２  エミッションドライバ、１３３  保護回路、１５１  絶縁基板、１５２  絶縁膜、１５５  チャネル部、１５６  ゲート絶縁膜、１５７  ゲート電極、１５８  層間絶縁膜、１５９  ソース電極、１６０  ドレイン電極、１６１  平坦化膜、１６２  アノード電極、１６３  画素定義層、１６４  スペーサ、１６５  有機発光層、１６６  カソード電極、１６６  透明カソード電極、１６６  カソード電極、１６６  アノード電極、１６７  開口、１６８  コンタクト部、２００  封止基板、２０１  位相差板、２０２  偏光板、２５１  画素、２５５Ａ  デルタ表示画素、２５５Ｂ  ナブラ表示画素、２５７  正方形、２５８  長方形、３００  接合部、４００  リニアソース、４０１  ノズル、５００  メタルマスクモジュール、５０１  フレーム、５０３  メタルマスク、５０５  固定点、５３１  基材本体部、５３２  マスクパターン部、５３３  ダミーパターン部、５３４  ハーフエッチ部、５３７  領域、５４１  ＦＭＭ開口、６１１、６１３、６１５、６１７  辺
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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