(57)【要約】【課題】計測条件のロバスト性を評価するために有利な技術を提供する。【解決手段】基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法は、前記計測条件で前記マークからの反射光を検出し、前記反射光の強度分布を示すマーク信号を取得する第１工程と、前記第１工程で取得された前記マーク信号の低周波成分を変化させた複数の信号を生成する第２工程と、前記第２工程で生成された前記複数の信号から前記マークの位置をそれぞれ推定し、前記マークの推定位置のばらつきを前記計測条件の評価指標として求める第３工程と、を含む。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法であって、
前記計測条件で前記マークからの反射光を検出し、前記反射光の強度分布を示すマーク信号を取得する第１工程と、
前記第１工程で取得された前記マーク信号の低周波成分を変化させた複数の信号を生成する第２工程と、
前記第２工程で生成された前記複数の信号から前記マークの位置をそれぞれ推定し、前記マークの推定位置のばらつきを前記計測条件の評価指標として求める第３工程と、
を含むことを特徴とする評価方法。
【請求項２】
前記第２工程では、ローパスフィルタによって前記マーク信号から抽出された低周波成分を変化させて、該低周波成分の抽出後の前記マーク信号と合成させることにより前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】
前記マークは、複数のライン要素で構成されたラインアンドスペースパターンを含み、
前記マーク信号の低周波成分は、前記複数のライン要素の各々からの反射光の強度差に起因して生じるノイズ成分を含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の評価方法。
【請求項４】
前記第２工程では、前記マーク信号の低周波成分の位相を変化させて前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項５】
前記第２工程では、さらに前記マーク信号における高周波成分を変化させて前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項６】
前記第２工程では、ハイパスフィルタによって前記マーク信号から抽出された高周波成分を変化させて、該高周波成分の抽出後の前記マーク信号と合成させることにより前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項５に記載の評価方法。
【請求項７】
前記第２工程では、前記マーク信号の高周波成分としてホワイトノイズ成分を変化させて前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項５又は６に記載の評価方法。
【請求項８】
前記第２工程では、前記マーク信号の高周波成分を、振幅が変わらないように変化させて前記複数の信号を生成する、ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項９】
基板に形成されたマークの位置の計測条件を決定する決定方法であって、
前記計測条件についての複数の候補条件を設定する工程と
前記複数の候補条件の各々について、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の評価方法により前記評価指標を求める工程と、
前記複数の候補条件の各々について求められた前記評価指標に基づいて、前記計測条件を決定する工程と、
を含むことを特徴とする決定方法。
【請求項１０】
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板に形成されたマークの位置を計測する計測部と、
請求項９に記載の決定方法により、前記計測部による前記マークの位置の計測条件を決定する処理部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の評価方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項９に記載の決定方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法、決定方法、リソグラフィ装置、およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造に用いられるリソグラフィ装置では、回路パターンの微細化および高密度化に伴い、基板に形成されたマークの位置の計測結果に基づいて、基板を高精度に位置決めすることが求められている。しかしながら、基板のマークの位置の計測結果には、例えば基板上に塗布されたレジストの厚さむらなど、基板の製造プロセスに起因する計測誤差（ＷＩＳ（Wafer Induced Shift）と呼ばれることがある）が生じることがある。そのため、露光装置では、このような計測誤差が低減されるような計測条件で、基板のマークの位置を計測することが好ましい。特許文献１には、複数の計測条件の各々について、基板のマークからの反射光の強度分布を示すマーク信号の特徴量（非対称性やコントラストなど）と計測誤差との相関関係を生成し、当該相関関係に基づいて実計測時の計測条件を決定する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１６６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の製造プロセスに起因する計測誤差は、基板に形成された複数のマーク間で互いに異なることがあり、当該複数のマークの各々に対し、特許文献１に記載された方法を用いて計測条件を逐次決定することは煩雑である。そのため、複数のマークに対して共通に使用することができるように、即ち、高いロバスト性を有するように計測条件を決定することが好ましく、計測条件のロバスト性を評価する方法が求められている。
【０００５】
そこで、本発明は、計測条件のロバスト性を評価するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての評価方法は、基板に形成されたマークの位置の計測条件を評価する評価方法であって、前記計測条件で前記マークからの反射光を検出し、前記反射光の強度分布を示すマーク信号を取得する第１工程と、前記第１工程で取得された前記マーク信号の低周波成分を変化させた複数の信号を生成する第２工程と、前記第２工程で生成された前記複数の信号から前記マークの位置をそれぞれ推定し、前記マークの推定位置のばらつきを前記計測条件の評価指標として求める第３工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、計測条件のロバスト性を評価するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】計測部（スコープ）の構成を示す概略図である。
【図３】サンプルショット領域の配置の一例を示す図である。
【図４】基板に形成されたマークの一例を示す図である。
【図５】理想的なマーク信号を示す図である。
【図６】実際に取得されるマーク信号を示す図である。
【図７】計測条件の決定方法を示すフローチャートである。
【図８】マーク信号を取得する処理を示すフローチャートである。
【図９】対象候補条件の評価指標を求める処理を示すフローチャートである。
【図１０】マーク信号の低周波成分を変化させて複数の評価用信号を生成する処理を説明するための図である。
【図１１】マーク信号の高周波成分を変化させて複数の評価用信号を生成する処理を説明するための図である。
【図１２】複数の候補条件の評価指標を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても本発明を適用することができる。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１０について説明する。図１は、露光装置１０の構成を示す概略図である。露光装置１０は、照明光学系１と、マスクステージ３と、投影光学系４と、基板ステージ６と、計測部７と、制御部８とを含みうる。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリ（記憶部）などを有するコンピュータを含み、露光装置１０における露光処理を制御する（露光装置１０の各部を制御する）。
【００１２】
照明光学系１は、光源（不図示）から射出された光を整形し、マスクステージ３により保持されたマスク２を照明する。投影光学系４は、所定の投影倍率を有し、照明光学系１により照明されたマスク２の回路パターンを基板５に投影する。基板ステージ６は、基板５を保持して移動可能に構成される。具体的には、基板ステージ６は、前工程で下地パターンおよびマーク１２（アライメントマーク）が形成された基板５を保持するチャック６ａと、チャック６ａを機械的に保持して基板５をチャック６ａとともに駆動する駆動部６ｂとを含みうる。計測部７は、基板５に形成されたマーク１２からの反射光を検出するスコープ（検出部）を含み、該検出部で検出された反射光の強度分布を示すマーク信号（マーク１２のイメージ信号）に基づいて当該マーク１２の位置を計測する。本実施形態の計測部７は、スコープとして、投影光学系４を介さずに基板５のマーク１２を検出するオフアクシススコープが用いられている。
【００１３】
次に、計測部７（スコープ）の具体的な構成について説明する。図２は、計測部７（スコープ）の構成を示す概略図である。光源７１からの照明光は、ビームスプリッタ７２で反射され、レンズ７３を通って基板５のマーク１２を照明する。マーク１２からの反射光は、レンズ７３、ビームスプリッタ７２、レンズ７４を通ってビームスプリッタ７５で分割され、イメージセンサ７６、７７で受光される。イメージセンサとは撮像素子（例えばＣＭＯＳやＣＣＤ）を有するセンサである。マーク１２の像は、レンズ７３、７４により分解能が計測精度を満たすことができる倍率で拡大され、イメージセンサ７６、７７の受光面に結像される。イメージセンサ７６、７７はそれぞれ、Ｘ方向におけるマーク１２の位置の計測用、Ｙ方向におけるマーク１２の位置の計測用であり、光軸に対して９０度回転して配置されている。
【００１４】
図３は、基板における複数のショット領域１１の配置を示す図である。各ショット領域１１には、Ｘ方向の位置の計測用マークと、Ｙ方向の位置の計測用マークとが設けられうるが、それらのマークの形状は同じで角度が９０度異なるだけであるため、図３ではＸ方向の位置の計測用マーク１２のみが示されている。露光装置１０では、複数のショット領域１１のうち幾つかのショット領域（サンプルショット領域１１ａ）においてマークの位置の計測を行う。そして、サンプルショット領域１１ａにおけるマーク１２の位置の計測結果を統計処理することにより、基板５における複数のショット領域１１の配列情報を得ることができる（いわゆる、グローバルアライメント）。配列情報は、目標配列からのずれ量の情報を含みうる。
【００１５】
図４は、基板５（各ショット領域１１）に形成されたマーク１２の一例を示す図である。また、図４（ａ）はマーク１２を上（Ｚ方向）から見た図であり、図４（ｂ）はマーク１２のＸＺ断面図である。マーク１２は、例えば、図４に示すように、計測方向（Ｘ方向）を短辺Ｓ、非計測方向（Ｙ方向）を長辺Ｔとした複数（４本）のライン要素１２ａ〜１２ｄをＸ方向に等間隔に並べたラインアンドスペースパターンを含みうる。各ライン要素１２ａ〜１２ｄは、エッチング加工などによって凹形状に形成されており、各ライン要素１２ａ〜１２ｄの底面には、基板５の表面とは光の反射率が異なるクロムなどの材料が設けられうる。また、図４（ｂ）に示す例では、基板５のマーク１２（複数のライン要素１２ａ〜１２ｄ）の上にレジスト１３が塗布されている。
【００１６】
図５は、図４に示すように構成されたマーク１２（図５（ａ））からの反射光をイメージセンサ７６によって検出（受光）し、検出した反射光の強度を電気信号に変換することにより得られた理想的なマーク信号１４の例（図５（ｂ））を示す。基板５のマーク１２を照明すると、基板５の表面と各ライン要素１２ａ〜１２ｄの底面との光の反射率の差により、基板５の表面と各ライン要素１２ａ〜１２ｄとの反射光の強度に差が生じる。そのため、マーク１２からの反射光の強度分布を示すマーク信号１４では、図５に示すように、各ライン要素１２ａ〜１２ｄに対応する位置に信号強度の変化部分（谷部）１４ａ〜１４ｄが見られる。このような信号強度の変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク位置をそれぞれ求めれば、その各変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク位置に基づいてマーク１２の位置（座標）を計測（算出）することができる。
【００１７】
しかしながら、図５に示すマーク信号１４は理想的な例であり、実際には、基板５の製造プロセス（例えばレジスト１３の厚さむら等）に起因して各ライン要素１２ａ〜１２ｄからの反射光に強度差が生じうる。その結果、図６に示すように各変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク値に差が生じうる。図６（ａ）は、マーク１２の断面図を示す、図６（ｂ）は、実際に取得されうるマーク信号の例を示す。このようにマーク信号１４における各変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク値に差が生じていると、各変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク位置を正確に求めることが困難となり、マーク１２の位置の計測結果に誤差が生じうる。そのため、露光装置１０では、このような計測誤差が低減されるような計測条件で、基板５のマーク１２の位置を計測することが好ましい。また、このような計測誤差は、基板５に形成された複数のマーク１２間で互いに異なりうるため、当該複数のマーク１２の各々に対して共通に使用することができるように、即ち、高いロバスト性を有するように計測条件を決定することが好ましい。
【００１８】
［計測条件の決定方法］
以下に、本実施形態に係る計測条件の決定方法について、図７を参照しながら説明する。図７は、本実施形態に係る計測条件の決定方法を示すフローチャートである。図７に示すフローチャートの各工程は、制御部８によって行われうる。ここで、本実施形態では、計測条件を決定する処理（Ｓ１２〜Ｓ１６）を行う処理部として制御部８が機能する例について説明するが、当該処理部は制御部８と別体で設けられてもよい。
【００１９】
Ｓ１１では、制御部８は、不図示の基板搬送機構を制御して、基板５を基板ステージ６（チャック６ａ）の上に搬送する。Ｓ１２では、制御部８は、基板５に形成されたマーク１２の位置を計測するための計測条件に関する複数の候補条件を設定する。計測条件（候補条件）は、例えば、マーク１２を計測する際の照明条件、計測するマーク１２の数および配置、サンプルショット領域１１ａの数および配置、マーク信号１４からマーク１２の位置を求めるための信号処理アルゴリズムなどを含みうる。そして、Ｓ１２で設定される複数の候補条件は、上記の例のうち少なくとも１つが互いに異なりうる。なお、計測条件としては上記の例に限られるものではない。
【００２０】
Ｓ１３では、制御部８は、複数の候補条件のうちの１つ（対象候補条件）でマーク１２からの反射光を計測部７に検出させ、当該反射光の強度分布を示すマーク信号１４を計測部７から取得する。Ｓ１４では、制御部８は、対象候補条件を評価するための評価指標を求める。Ｓ１５では、制御部８は、対象候補条件を変更するか否か、即ち、評価指標を求めていない候補条件があるか否かを判定する。対象候補条件を変更すると判定した場合には、複数の候補条件のうち評価指標を求めていない候補条件を対象候補条件としてＳ１３およびＳ１４を行う。一方、対象候補条件を変更しないと判定した場合にはＳ１６に進む。Ｓ１６では、制御部８は、複数の候補条件の各々について求められた評価指標に基づいて、基板５のマーク１２の位置を計測する際（即ち、実計測の際）に用いる計測条件を決定する。以下に、Ｓ１３、Ｓ１４およびＳ１６の各工程の詳細について説明する。
【００２１】
［マーク信号の取得（Ｓ１３）］
まず、対象候補条件でマーク信号１４を取得する処理（Ｓ１３）の詳細について、図８を参照しながら説明する。図８は、マーク信号を取得する処理を示すフローチャートである。
【００２２】
Ｓ１３−１では、制御部８は、対象候補条件に設定されたサンプルショット領域１１ａのマーク１２が計測部７のスコープの視野内に入るように、基板ステージ６を位置決めする。Ｓ１３−２では、制御部８は、対象候補条件に設定された照明条件でマーク１２を照明し、マーク１２からの反射光を検出するように、計測部７（スコープ）を制御する。Ｓ１３−３では、制御部８は、計測部７（スコープ）によって検出されたマーク１２からの反射光の強度分布を示すマーク信号１４を取得する。Ｓ１３で得られたマーク信号１４では、図６を用いて上述したように、基板５の製造プロセスに起因して各変化部分１４ａ〜１４ｄのピーク値に差が生じうる。ピーク値の差は、各ライン要素１２ａ〜１２ｄの間隔を周期の１／４とする低周波のノイズ成分（低周波成分１５）として検出され、該低周波成分１５は、信号レベル、周期および位相をパラメータとする関数（例えば三角関数）によって近似することができる。また、基板５における複数のマーク１２の各々で取得されたマーク信号１４の低周波成分１５では、波形は変わらずに、位相が変化することが知られている。
【００２３】
［評価指標の算出（Ｓ１４）］
次に、対象候補条件を評価するための評価指標を求める処理（Ｓ１４）の詳細について、図９を参照しながら説明する。図９は、対象候補条件の評価指標を求める処理を示すフローチャートである。
【００２４】
Ｓ１４−１では、制御部８は、Ｓ１３で取得したマーク信号１４の低周波成分１５を変化させて、対象候補条件を評価するための複数の評価用信号を生成する。例えば、制御部８は、図１０に示すように、Ｓ１３で取得したマーク信号１４をローパスフィルタに通すことにより該マーク信号１４の低周波成分１５を抽出し、抽出した低周波成分１５の位相を変化させた（−Ｘ方向にシフトさせた）擬似成分１５ａを作成する。この擬似成分１５ａは、他のマークで取得されたマーク信号に含まれると推定される低周波成分を擬似的に作り出したものである。そして、作成した擬似成分１５ａを、低周波成分１５の抽出後（除去後）のマーク信号１４と合成させる（即ち、マーク信号１４の低周波成分１５を擬似成分１５ａに変更する）ことにより、図１０に示すような評価用信号１６を生成することができる。このような処理を、抽出した低周波成分１５の位相の変化量を互いに異ならせて繰り返し行うことで複数の評価用信号が生成されうる。本実施形態では、抽出した低周波成分１５の位相を変化させて複数の評価用信号を生成する例について説明したが、それに限られるものではなく、該低周波成分１５の他のパラメータを変化させて複数の評価用信号を生成してもよい。また、Ｓ１４−１で生成する評価用信号の数は、後述するＳ１４−３において候補条件の評価指標として求められるマーク１２の推定位置のばらつきを算出するために十分な数に設定されうる。
【００２５】
ここで、マーク信号１４は、基板５のマーク１２の検出タイミングに応じて、高周波のノイズ成分（高周波成分１７）が変化することがある。マーク信号１４の高周波成分１７とは、例えば、図１１の領域Ａで示される電気ノイズなどの環境ノイズ（例えばホワイトノイズ成分）を含みうる。そして、このようなマーク信号１４の高周波成分１７の変化によっても、マーク１２の位置の計測誤差が生じてしまうことがある。そのため、制御部８は、マーク信号１４の高周波成分１７を変化させて複数の評価用信号を生成してもよい。
【００２６】
例えば、制御部８は、Ｓ１３で取得したマーク信号１４をハイパスフィルタに通すことにより該マーク信号１４の高周波成分１７を抽出し、抽出した高周波成分１７を変化させた擬似成分を作成する。当該擬似成分は、抽出した高周波成分の振幅（例えば、極小値１７ａおよび極大値１７ｂ）を変えない一様乱数として作成されうる。そして、作成した擬似成分を、高周波成分１７の抽出後のマーク信号１４と合成させる（即ち、マーク信号１４の高周波成分１７を擬似成分に変更する）ことにより評価用信号を生成することができる。このような処理を繰り返し行うことで複数の評価用信号が生成される。本実施形態では、マーク信号１４の高周波成分に関する擬似成分を一様乱数として作成したが、それに限られるものではない。例えば、Ｓ１３で取得されたマーク信号から、極小値１７ａと極大値１７ｂとの間における検出点のヒストグラムを示す分布を求め、求めた分布に基づいて擬似成分を作成してもよい。
【００２７】
Ｓ１４−２では、制御部８は、Ｓ１４−１で生成した複数の評価用信号からマーク１２の位置をそれぞれ推定する。つまり、制御部８は、対象候補条件に設定された信号処理アルゴリズムを用いて、Ｓ１４−１で生成した複数の評価用信号の各々についてマーク１２の位置を推定し、マーク１２に関する複数の（評価用信号の数と同じ数の）推定位置を得る。
【００２８】
Ｓ１４−３では、制御部８は、Ｓ１４−２で得られた複数のマーク１２の推定位置のばらつきを対象候補条件の評価指標として求める。本実施形態では、複数のマーク１２の推定位置のばらつき（評価指標）として、標準偏差σを用いる例について説明するが、該ばらつきを表すことができれば標準偏差σ以外のものであってもよい。例えば、ｎ個の評価用信号を用いる場合、その評価用信号から求められたマークの推定位置ｘｎの標準偏差σは、式（１）によって表わすことができ、この標準偏差σが対象候補条件の評価指標として用いられうる。式（１）において、ｘaveは、ｘｎの平均値である。このようにマーク１２の推定位置のばらつきを評価指標とすることにより、候補条件（計測条件）のロバスト性を評価することが可能となる。
【００２９】
【数１】
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【００３０】
［計測条件の決定（Ｓ１６）］
次に、複数の候補条件の各々について求められた評価指標に基づいて、基板５のマーク１２の位置を計測する際に用いる計測条件を決定する処理（Ｓ１６）について説明する。Ｓ１６において、制御部８は、複数の候補条件の各々のうち、例えば評価指標（標準偏差σ）が最も小さくなる候補条件を当該計測条件として決定することができる。
【００３１】
図１２は、位置の計測が行われるマーク１２の数や配置が互いに異なる複数の条件Ｍ１〜Ｍ４の各々に対し、信号処理アルゴリズムＡと信号処理アルゴリズムＢとをそれぞれ用いた計８種類の候補条件の評価指標（標準偏差σ）を示す図である。図１２（ａ）は、上述した本実施形態の方法を用いて各候補条件の評価指標（標準偏差σ）を求めた例である。一方、図１２（ｂ）は、各候補条件で実際にマスク２の回路パターンを基板上に実際に転写した結果から各候補条件の評価指標を求める従来の例である。具体的には、図１２（ｂ）は、各候補条件で計測されたマーク１２の位置に基づいたアライメントを行ってマスク２の回路パターンを基板上に実際に転写し、転写パターンと下地パターンとの重ね合わせ誤差の計測値のばらつきを評価指標として求めたものである。
【００３２】
本実施形態の方法では、図１２（ａ）に示すように、８種類の候補条件のうち、条件Ｍ４と信号処理アルゴリズムＡとを組み合わせた候補条件のときに標準偏差σが最も小さくなることが分かる。このような各候補条件の標準偏差σの傾向は、図１２（ｂ）に示すように重ね合わせ誤差を実際に計測した結果から得られた傾向と同様となる。つまり、本実施形態の方法では、上述したようにマーク信号１４に基づいて複数の評価用信号を生成して各候補条件を評価するだけで、重ね合わせ誤差の計測を行わなくてよいため、計測条件を迅速に且つ容易に決定することができる。
【００３３】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態は、第１実施形態と比較して、図９のフローチャートのＳ１４−１の工程が異なる。第１実施形態では、Ｓ１４−１の工程において、Ｓ１３で取得したマーク信号１４に基づいて複数の評価用信号を生成した。一方、第２実施形態では、Ｓ１３で取得したマーク信号１４ではなく、事前に取得したマーク信号に基づいて生成された複数の評価用信号が用いられうる。
【００３４】
具体的には、事前に取得されたマーク信号の低周波成分を上述の方法のように変化させることにより複数の評価用信号を生成する。このように生成された複数の評価用信号は、露光装置１０に設けられたコンソール９を介して入力される。この場合、制御部８は、Ｓ１４−１において、コンソール９を介して入力された複数の評価用信号を取得することとなる。また、マーク信号の高周波成分についても同様である。高周波成分の場合、マーク信号から取得することに限られず、基板５の表面からの反射光を検出して得られた信号（変化部分１４ａ〜１４ｄのない信号）から取得してもよい。ここで、複数の評価用信号の生成は、露光装置１０の制御部８によって行われてもよいし、装置の外部コンピュータ等で行われてもよい。
【００３５】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記の方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３６】
＜その他の実施例＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１：照明光学系、２：マスク、３：マスクステージ、４：投影光学系、５：基板、６：基板ステージ、７：計測部、８：制御部、９：コンソール、１０：露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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