(57)【要約】【課題】駆動電圧が低い発光素子を提供すること。【解決手段】陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層とを有する発光素子であり、第１の有機層が第１の高分子化合物を含有する層であり、第２の有機層が第２の高分子化合物を含有する層であり、第１の高分子化合物中の式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び第２の高分子化合物中の式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ及びＸＢとし、第１の高分子化合物中の式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び第２の高分子化合物中の式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＺＡ及びＺＢとするとき、式（ｉ）ＸＢ＞ＸＡ、式（ｉｉ）ＺＢ＞ＺＡ、式（ｉｉｉ）ＸＢ＋ＺＢ＞ＸＡ＋ＺＡ    の少なくとも１つを満たす。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層と、を有する発光素子であり、
前記第１の有機層が、第１の末端基と、前記第１の末端基に結合するブロックと、前記第１の末端基に結合しないブロックとを含む第１のブロック共重合体、及び、前記第１のブロック共重合体の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する層であり、
前記第２の有機層が、第２の末端基と、前記第２の末端基に結合するブロックと、前記第２の末端基に結合しないブロックとを含む第２のブロック共重合体、及び、前記第２のブロック共重合体の架橋体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する層であり、
前記第１のブロック共重合体が、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位、式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第２のブロック共重合体が、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第１のブロック共重合体中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記第２のブロック共重合体中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ及びＸＢとし、前記第１のブロック共重合体中の前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記第２のブロック共重合体中の前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＺＡ及びＺＢとするとき、下記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たす、前記発光素子。
ＸＢ＞ＸＡ                （ｉ）
ＺＢ＞ＺＡ                （ｉｉ）
ＸＢ＋ＺＢ＞ＸＡ＋ＺＡ    （ｉｉｉ）
【化１】
2019195057.tif 000117
［式中、
ａＸ１及びａＸ２は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＸ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。ＡｒＸ４が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＸ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。ＲＸ３が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
【化２】
2019195057.tif 000118
［式中、ＡｒＹ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
【化３】
2019195057.tif 000119
［式中、ＡｒＺは、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項２】
前記第２のブロック共重合体が架橋性基を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２のブロック共重合体が、前記架橋性基を有する構成単位として、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、請求項２に記載の発光素子。
【化４】
2019195057.tif 000120
［式中、
ｎＡは０以上５以下の整数を表し、ｎは１以上５以下の整数を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ３は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬＡは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋性基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
【化５】
2019195057.tif 000121
［式中、
ｍＡは０以上５以下の整数を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ５は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素基と少なくとも１種の複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ４及びＡｒ６は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ４、Ａｒ５及びＡｒ６はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接又は酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
ＫＡは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＫＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋性基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋性基である。］
【請求項４】
前記架橋性基が、炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結合、オキシラン、オキセタン、アジリジン、アゼチジン、アジド、ベンゾシクロブテン及びナフトシクロブテンからなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を含む、請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記架橋性基が、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
（Ａ群）
【化６】
2019195057.tif 000122
［式中、
ＲＸＬは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。ＲＸＬが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
ｎＸＬは、０以上５以下の整数を表す。複数存在するｎＸＬは、同一であってもよく異なっていてもよい。
波線は、該波線を有する基が、複数存在する幾何異性体のいずれか１種であるか、又は複数の幾何異性体を含むことを表す。
＊１は、結合位置を表す。
Ａ群中の架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項６】
前記架橋性基が、下記式（ＸＬ−１）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１６）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１８）で表される架橋性基及び下記式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、請求項２〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【化７】
2019195057.tif 000123
［式中、
＊１は、結合位置を表す。
式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−１６）、式（ＸＬ−１７）、式（ＸＬ−１８）及び式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項７】
前記第１の末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第１の末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ−Ｉ及びＺＡ−Ｉとし、前記第１の末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ−ＩＩ及びＺＡ−ＩＩとするとき、下記式（ｉｖ）〜（ｖｉ）の少なくとも１つを満たす、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
ＸＡ−Ｉ＞ＸＡ−ＩＩ                    （ｉｖ）
ＺＡ−Ｉ＞ＺＡ−ＩＩ                    （ｖ）
ＸＡ−Ｉ＋ＺＡ−Ｉ＞ＸＡ−ＩＩ＋ＺＡ−ＩＩ    （ｖｉ）
【請求項８】
前記第２の末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第２の末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＢ−Ｉ及びＺＢ−Ｉとし、前記第２の末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＢ−ＩＩ及びＺＢ−ＩＩとするとき、下記式（ｖｉｉ）〜（ｉｘ）の少なくとも１つを満たす、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子。
ＸＢ−Ｉ＞ＸＢ−ＩＩ                    （ｖｉｉ）
ＺＢ−Ｉ＞ＺＢ−ＩＩ                    （ｖｉｉｉ）
ＸＢ−Ｉ＋ＺＢ−Ｉ＞ＸＢ−ＩＩ＋ＺＢ−ＩＩ    （ｉｘ）
【請求項９】
前記第１の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まないか、又は前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位若しくは前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まない、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第２の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まないか、又は前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位若しくは前記式（Ｚ）で表される構成単位を含まない、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１の有機層が、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料をさらに含有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１の有機層と、前記第２の有機層とが、隣接している、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に好適に使用することが可能であり、研究開発が行われている。例えば、特許文献１には、２種のブロックを含む高分子化合物を含有する正孔輸送層と、ブロックを含まない高分子化合物を含有する発光層とを有する発光素子が開示されている。特許文献２には、ブロックを含まない高分子化合物を含有する正孔輸送層と、２種のブロックを含む高分子化合物を含有する発光層とを有する発光素子が開示されている。特許文献３には、ブロックを含まない高分子化合物を含有する正孔輸送層と、ブロックを含まない高分子化合物を含有する発光層とを有する発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４４７２２号公報
【特許文献２】特開２０１２−１３１９９５号公報
【特許文献３】国際公開第２０１５／１８６５３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述した発光素子は、駆動電圧が必ずしも十分に低くなかった。
そこで、本発明は、駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の［１］〜［１３］を提供する。
【０００６】
［１］  陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の有機層と、前記陽極及び前記第１の有機層の間に設けられた第２の有機層と、を有する発光素子であり、
前記第１の有機層が、第１の末端基と、前記第１の末端基に結合するブロックと、前記第１の末端基に結合しないブロックとを含む第１のブロック共重合体、及び、前記第１のブロック共重合体の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する層であり、
前記第２の有機層が、第２の末端基と、前記第２の末端基に結合するブロックと、前記第２の末端基に結合しないブロックとを含む第２のブロック共重合体、及び、前記第２のブロック共重合体の架橋体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する層であり、
前記第１のブロック共重合体が、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位、式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第２のブロック共重合体が、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第１のブロック共重合体中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記第２のブロック共重合体中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ及びＸＢとし、前記第１のブロック共重合体中の前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記第２のブロック共重合体中の前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＺＡ及びＺＢとするとき、下記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たす、前記発光素子。
ＸＢ＞ＸＡ                （ｉ）
ＺＢ＞ＺＡ                （ｉｉ）
ＸＢ＋ＺＢ＞ＸＡ＋ＺＡ    （ｉｉｉ）
【化１】
2019195057.tif 000002
［式中、
ａＸ１及びａＸ２は、それぞれ独立に、０以上１０以下の整数を表す。
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＸ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。ＡｒＸ４が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＸ２が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。ＲＸ３が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
【化２】
2019195057.tif 000003
［式中、ＡｒＹ１は、置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］
【化３】
2019195057.tif 000004
［式中、ＡｒＺは、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］  前記第２のブロック共重合体が架橋性基を含む、［１］に記載の発光素子。
［３］  前記第２のブロック共重合体が、前記架橋性基を有する構成単位として、下記式（２）で表される構成単位及び下記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む、［２］に記載の発光素子。
【化４】
2019195057.tif 000005
［式中、
ｎＡは０以上５以下の整数を表し、ｎは１以上５以下の整数を表す。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ３は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬＡは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋性基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。］
【化５】
2019195057.tif 000006
［式中、
ｍＡは０以上５以下の整数を表し、ｍは１以上５以下の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ａｒ５は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、少なくとも１種の芳香族炭化水素基と少なくとも１種の複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ４及びＡｒ６は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ４、Ａｒ５及びＡｒ６はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接又は酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
ＫＡは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＫＡが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋性基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋性基である。］
［４］  前記架橋性基が、炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結合、オキシラン、オキセタン、アジリジン、アゼチジン、アジド、ベンゾシクロブテン及びナフトシクロブテンからなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を含む、［２］又は［３］に記載の発光素子。
［５］  前記架橋性基が、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
（Ａ群）
【化６】
2019195057.tif 000007
［式中、
ＲＸＬは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。ＲＸＬが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
ｎＸＬは、０以上５以下の整数を表す。複数存在するｎＸＬは、同一であってもよく異なっていてもよい。
波線は、該波線を有する基が、複数存在する幾何異性体のいずれか１種であるか、又は複数の幾何異性体を含むことを表す。
＊１は、結合位置を表す。
Ａ群中の架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
［６］  前記架橋性基が、下記式（ＸＬ−１）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１６）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基、下記式（ＸＬ−１８）で表される架橋性基及び下記式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基を含む、［２］〜［５］のいずれかに記載の発光素子。
【化７】
2019195057.tif 000008
［式中、
＊１は、結合位置を表す。
式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−１６）、式（ＸＬ−１７）、式（ＸＬ−１８）及び式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基は置換基を有していてもよく、該置換基が複数存在する場合、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
［７］  前記第１の末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第１の末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ−Ｉ及びＺＡ−Ｉとし、前記第１の末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位の合計個数をそれぞれＸＡ−ＩＩ及びＺＡ−ＩＩとするとき、下記式（ｉｖ）〜（ｖｉ）の少なくとも１つを満たす、［１］〜［６］のいずれかに記載の発光素子。
ＸＡ−Ｉ＞ＸＡ−ＩＩ                    （ｉｖ）
ＺＡ−Ｉ＞ＺＡ−ＩＩ                    （ｖ）
ＸＡ−Ｉ＋ＺＡ−Ｉ＞ＸＡ−ＩＩ＋ＺＡ−ＩＩ    （ｖｉ）
［８］  前記第２の末端基に結合しないブロックが、前記式（Ｘ）で表される構成単位及び前記式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、
前記第２の末端基に結合しないブロック中の前記式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数をそれぞれＸＢ−Ｉ及びＺＢ−Ｉとし、前記第２の末端基に結合するブロック中の前記式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数及び前記式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数をそれぞれＸＢ−ＩＩ及びＺＢ−ＩＩとするとき、下記式（ｖｉｉ）〜（ｉｘ）の少なくとも１つを満たす、［１］〜［７］のいずれかに記載の発光素子。
ＸＢ−Ｉ＞ＸＢ−ＩＩ                    （ｖｉｉ）
ＺＢ−Ｉ＞ＺＢ−ＩＩ                    （ｖｉｉｉ）
ＸＢ−Ｉ＋ＺＢ−Ｉ＞ＸＢ−ＩＩ＋ＺＢ−ＩＩ    （ｉｘ）
［９］  前記第１の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位を含む、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子。
［１０］  前記第１の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まないか、又は前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位若しくは前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まない、［１］〜［９］のいずれかに記載の発光素子。
［１１］  前記第２の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｙ）で表される構成単位を含む、［１］〜［１０］のいずれかに記載の発光素子。
［１２］  前記第２の末端基に結合するブロックが、前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び前記式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位を含まないか、又は前記式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位若しくは前記式（Ｚ）で表される構成単位を含まない、［１］〜［１１］のいずれかに記載の発光素子。
［１３］  前記第１の有機層が、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料をさらに含有する、［１］〜［１２］のいずれかに記載の発光素子。
［１４］  前記第１の有機層と、前記第２の有機層とが、隣接している、［１］〜［１３］のいずれかに記載の発光素子。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、駆動電圧が低い発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る発光素子の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
＜共通する用語の説明＞
本明細書において共通して用いられる用語について、必要に応じて具体例を挙げて説明すると、特記しない限り以下のとおりである。
【００１１】
「Ｍｅ」はメチル基、「Ｅｔ」はエチル基、「ｉ−Ｐｒ」はイソプロピル基、「ｔ−Ｂｕ」はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体及び燐光発光性化合物を表す式中、金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。
【００１２】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０３以上１×１０８以下である重合体を意味する。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０４以下である化合物を意味する。
【００１３】
「構成単位」とは、高分子化合物の分子鎖に１個以上存在する単位を意味する。なお、高分子化合物の分子鎖に２個以上存在する構成単位を、特に「繰り返し単位」と言う。
「ブロック」とは、ブロック共重合体である高分子化合物の分子鎖を構成するブロックを指しており、１種又は２種以上の構成単位から構成される分子鎖部分（ブロック）である。
「ブロック共重合体」とは、２種以上のブロックを含む高分子化合物を意味する。ブロック共重合体において、互いに隣接するブロックは構成が異なっていることが好ましい。
「互いに隣接するブロックは構成が異なっていること」とは、例えば、互いに隣接するブロックに含まれる構成単位は同一であるが、その組成及び／又は連鎖分布が異なること、並びに、互いに隣接するブロックのうち、一方に含まれる少なくとも１種の構成単位と、他方に含まれる少なくとも１種の構成単位とが異なることが挙げられる。互いに隣接するブロックは、例えば、一方のブロック（以下、「１つ目のブロック」ともいう。）を重合により形成した後、１つ目のブロック存在下、他方のブロックを重合により形成するとともに１つ目のブロックに結合させる方法、及び、互いに隣接するブロックをそれぞれ独立に形成した後、これらのブロックを結合させる方法等により、製造することができる。
【００１４】
「架橋性基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋性基は、高分子化合物の架橋性が優れることから、好ましくは、炭素−炭素二重結合、炭素−炭素三重結合、オキシラン、オキセタン、アジリジン、アゼチジン、アジド、ベンゾシクロブテン及びナフトシクロブテンからなる群より選ばれる少なくとも１種の構造を架橋性部位として含む。
上記構造を含む架橋性基としては、上記のＡ群、すなわち、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基が挙げられる。
【００１５】
構成単位が「非架橋性」であるとは、その構成単位が架橋性基を有しないことを意味する。
【００１６】
「アルキル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上５０以下であり、好ましくは１以上２０以下である。分岐状アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上５０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基）等が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上５０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
「アリール基」は、芳香族炭化水素から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上２０以下であり、より好ましくは６以上１０以下である。アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００１７】
「アルコキシ基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上４０以下であり、好ましくは１以上１０以下である。分岐状アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上４０以下であり、好ましくは３以上１０以下である。アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上４０以下であり、好ましくは４以上１０以下である。シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上２０以下である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００１８】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物が挙げられる。
【００１９】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００２０】
「ハロゲン原子」としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２１】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。置換アミノ基としては、より具体的には、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
【００２２】
「アルケニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上３０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。分岐状アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２３】
「アルキニル基」は、直鎖状及び分岐状のいずれでもよい。直鎖状アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２以上２０以下であり、好ましくは３以上２０以下である。分岐状アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４以上３０以下であり、好ましくは４以上２０以下である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２４】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上３０以下であり、より好ましくは６以上１８以下である。アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、ジベンゾシクロへプタンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、下記の式（Ａ−１）〜式（Ａ−２３）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基であってもよい。
【００２５】
【化８】
2019195057.tif 000009
【００２６】
【化９】
2019195057.tif 000010
【００２７】
【化１０】
2019195057.tif 000011
【００２８】
【化１１】
2019195057.tif 000012
【００２９】
【化１２】
2019195057.tif 000013
［式中、Ｒ及びＲａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲａはそれぞれ、同一であってもよく異なっていてもよく、Ｒａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【００３０】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは３以上２０以下であり、より好ましくは４以上１５以下である。２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、下記の式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基であってもよい。
【００３１】
【化１３】
2019195057.tif 000014
【００３２】
【化１４】
2019195057.tif 000015
【００３３】
【化１５】
2019195057.tif 000016
【００３４】
【化１６】
2019195057.tif 000017
【００３５】
【化１７】
2019195057.tif 000018
【００３６】
【化１８】
2019195057.tif 000019
【００３７】
【化１９】
2019195057.tif 000020
［式中、Ｒ及びＲａは、前記と同じ意味を表す。］
【００３８】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋性基であってもよい。
【００３９】
＜式（Ｘ）で表される構成単位の説明＞
式（Ｘ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
式（Ｘ）で表される構成単位は、電荷輸送性向上（とりわけ正孔輸送性向上）に有利な構成単位である。
上記式（Ｘ）におけるａＸ１は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは０以上５以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１である。
ａＸ２は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは０以上５以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０である。
【００４０】
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３は、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３におけるアリール基は、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ナフタセン環、フルオレン環、ピレン環、ぺリレン環又はクリセン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はフルオレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、さらに好ましくは、フェニル基又はフルオレニル基であり、特に好ましくはフェニル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３における１価の複素環基は、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環又はジヒドロアクリジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子１個を除いた基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００４１】
ＡｒＸ１、ＡｒＸ２、ＡｒＸ３及びＡｒＸ４におけるアリーレン基は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基又はジベンゾシクロへプタンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基又はフルオレンジイル基であり、さらに好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＸ１、ＡｒＸ２、ＡｒＸ３及びＡｒＸ４における２価の複素環基は、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環又はジヒドロアクリジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、さらに好ましくは、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００４２】
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表されるアリーレン基は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がさらに低くなるので、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）〜式（Ａ−２１）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）又は式（Ａ−９）で表される基であり、さらに好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）で表される基であり、特に好ましくは式（Ａ−１）で表される基である。
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表される２価の複素環基は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がさらに低くなるので、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−１５）又は式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２２）で表される基であり、より好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−６）又は式（ＡＡ−１０）〜式（ＡＡ−１５）で表される基である。
ＡｒＸ１及びＡｒＸ３は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【００４３】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表されるアリーレン基としては、本発明に係る発光素子の駆動電圧がさらに低くなるので、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１４）又は式（Ａ−１９）〜式（Ａ−２３）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−１０）又は式（Ａ−１９）〜式（Ａ−２１）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）〜式（Ａ−２１）で表される基であり、特に好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）又は式（Ａ−９）で表される基であり、とりわけ好ましくは式（Ａ−１）又は式（Ａ−９）で表される基である。
【００４４】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表される２価の複素環基の好ましい例は、ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表される２価の複素環基の好ましい例と同様である。
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基の好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表されるアリーレン基及び２価の複素環基の好ましい例と同様である。
【００４５】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【００４６】
【化２０】
2019195057.tif 000021
［式中、ＲＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【００４７】
ＲＸＸは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００４８】
ＡｒＸ２及びＡｒＸ４は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【００４９】
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基としては、好ましくはフッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
【００５０】
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＲＸ１〜ＲＸ３におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有してもよい置換基における置換アミノ基において、アミノ基が有する置換基としては、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましく、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。アミノ基が有する置換基におけるアリール基の例及び好ましい例は、ＲＸ１、ＲＸ２及びＲＸ３におけるアリール基の例及び好ましい例と同様である。アミノ基が有する置換基における１価の複素環基の例及び好ましい例は、ＲＸ１〜ＲＸ３における１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基としては、好ましくはフッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよいが、更に置換基を有さないことが好ましい。
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
【００５１】
式（Ｘ）で表される構成単位は、好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）で表される構成単位である。
【００５２】
【化２１】
2019195057.tif 000022
【００５３】
【化２２】
2019195057.tif 000023
【００５４】
【化２３】
2019195057.tif 000024
【００５５】
【化２４】
2019195057.tif 000025
［式中、Ｒｘ４及びＲｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基、シアノ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲｘ５は、同一でも異なっていてもよく、Ｒｘ５同士（好ましくは隣接するＲｘ５同士）は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【００５６】
Ｒｘ４及びＲｘ５は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒｘ４及びＲｘ５におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ｒｘ４及びＲｘ５で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００５７】
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（Ｘ１−１）〜（Ｘ１−１９）で表される構成単位が挙げられる。
【００５８】
【化２５】
2019195057.tif 000026
【００５９】
【化２６】
2019195057.tif 000027
【００６０】
【化２７】
2019195057.tif 000028
【００６１】
【化２８】
2019195057.tif 000029
【００６２】
【化２９】
2019195057.tif 000030
【００６３】
【化３０】
2019195057.tif 000031
【００６４】
【化３１】
2019195057.tif 000032
【００６５】
【化３２】
2019195057.tif 000033
【００６６】
＜式（Ｚ）で表される構成単位の説明＞
式（Ｚ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
ＡｒＺで表される２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２以上６０以下であり、好ましくは２以上３０以下であり、より好ましくは３以上１５以下である。
ＡｒＺで表される２価の複素環基のヘテロ原子の数は、置換基のヘテロ原子数を含めないで、通常、１以上３０以下であり、好ましくは１以上１０以下であり、より好ましくは１以上５以下であり、さらに好ましくは、１以上３以下である。
ＡｒＺで表される２価の複素環基は、環構成原子として、ホウ素原子、窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、硫黄原子及びセレン原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であることが好ましく、環構成原子として、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群より選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であることがより好ましく、環構成原子として、窒素原子を含む複素環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基（以下、「２価の含窒素複素環基」ともいう。）であることがさらに好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００６７】
ＡｒＺで表される２価の複素環基において、２価の含窒素複素環基以外の２価の複素環基としては、例えば、ボロール環、フラン環、シロール環、ホスホール環、チオフェン環、セレノフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾボロール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾチオフェン環又はジベンゾセレノフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは式（ＡＡ−１２）〜式（ＡＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００６８】
ＡｒＺで表される２価の複素環基において、２価の含窒素複素環基は、電荷輸送性向上（とりわけ正孔輸送性向上）の観点から、環構成原子として二重結合を有さない窒素原子を含み、且つ、環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含まない、２価の含窒素複素環基（以下、「二重結合を有さない窒素原子を含む２価の含窒素複素環基」ともいう。）が好ましく、この基は置換基を有していてもよい。また、ＡｒＺで表される２価の含窒素複素環基において、２価の含窒素複素環基は、電荷輸送性向上（とりわけ電子輸送性向上）の観点から、環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含む、２価の含窒素複素環基（以下、「二重結合を有する窒素原子を含む２価の含窒素複素環基」ともいう。）が好ましく、この基は置換基を有していてもよい。
【００６９】
「二重結合を有さない窒素原子」とは、窒素原子と、その窒素原子と結合するすべての原子との間に単結合のみを有する窒素原子を意味する。
「環構成原子に二重結合を有さない窒素原子を含む」とは、−Ｎ（−ＲＮ）−（式中、ＲＮは水素原子又は置換基を表す。）又は下記式で表される基を環内に含むことを意味する。
【００７０】
【化３３】
2019195057.tif 000034
【００７１】
二重結合を有さない窒素原子を含む２価の含窒素複素環基としては、例えば、ピロール環、インドール環、イソインドール環、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０−ジヒドロフェナジン環、アクリドン環、キナクリドン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、インドロカルバゾール環又はインデノカルバゾール環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなり、且つ、本発明に係る発光素子の電荷輸送性（とりわけ正孔輸送性）がより優れるので、好ましくは、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０−ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、インドロカルバゾール環又はインデノカルバゾール環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、カルバゾール環、ジヒドロアクリジン環、５，１０−ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、さらに好ましくは、カルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、特に好ましくは、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１１）、式（ＡＡ−１８）〜式（ＡＡ−２１）で表される基であり、とりわけ好ましくは、式（ＡＡ−１８）又は式（ＡＡ−１９）で表される基である。
【００７２】
「二重結合を有する窒素原子」とは、窒素原子と、その窒素原子と結合する原子との間に二重結合を有する窒素原子を意味する。
「環構成原子として二重結合を有する窒素原子を含む」とは、−Ｎ＝で表される基を環内に含むことを意味する。
【００７３】
二重結合を有する窒素原子を含む２価の含窒素複素環基としては、ジアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チアゾール環、オキサゾール環、ベンゾジアゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、トリアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、トリアザアントラセン環、アザフェナントレン環、ジアザフェナントレン環又はトリアザフェナントレン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子２個を除いた基が挙げられ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなり、且つ、本発明に係る発光素子の電荷輸送性（とりわけ電子輸送性）がより優れるので、好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、アザアントラセン環、ジアザアントラセン環、アザフェナントレン環又はジアザフェナントレン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環又はトリアジン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた基であり、さらに好ましくは、式（ＡＡ−１）−式（ＡＡ−４）で表される基であり、特に好ましくは、式（ＡＡ−４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００７４】
ＡｒＺにおいて、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１及びＡｒＸ３で表されるアリーレン基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＺにおいて、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、２価の複素環基の例及び好ましい例は、ＡｒＺで表される２価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＺにおける少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例としては、例えば、ＡｒＸ２及びＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例が挙げられる。
【００７５】
ＡｒＺで表される基が有していてもよい置換基としては、好ましくはフッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
ＡｒＺで表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
【００７６】
ＡｒＺで表される基が有していてもよい置換基が有してもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００７７】
式（Ｚ）で表される構成単位は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなり、且つ、本発明に係る発光素子の電荷輸送性（とりわけ電子輸送性）がより優れるので、好ましくは式（Ｚ−１）−式（Ｚ−４）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｚ−１）又は式（Ｚ−３）で表される構成単位であり、さらに好ましくは式（Ｚ−１）で表される構成単位である。
また、式（Ｚ）で表される構成単位は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなり、且つ、本発明に係る発光素子の電荷輸送性（とりわけ正孔輸送性）がより優れるので、好ましくは式（Ｚ−５）−式（Ｚ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｚ−５）で表される構成単位である。
【００７８】
【化３４】
2019195057.tif 000035
【００７９】
【化３５】
2019195057.tif 000036
［式中、ＲＹ１及びＲＹ３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ１は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【００８０】
ＲＹ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子又はアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＹ３は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくは、アリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＹ１及びＲＹ３で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有してもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
ＲＹ１及びＲＹ３が有してもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有してもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００８１】
式（Ｚ−１）で表される構成単位は、式（Ｚ−１’）で表される構成単位であることが好ましい。また、式（Ｚ−３）で表される構成単位は、式（Ｚ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。
【００８２】
【化３６】
2019195057.tif 000037
［式中、ＲＹ１及びＲＹ３は前記と同じ意味を表す。］
【００８３】
【化３７】
2019195057.tif 000038
［式中、ＲＹ１は前記を同じ意味を表す。ＲＹ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【００８４】
ＲＹ４は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、さらに好ましくは、アリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＹ４で表される基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
ＲＹ４が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００８５】
式（Ｚ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｚ−２０１）−式（Ｚ−２１５）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｚ−３０１）−式（Ｚ−３１０）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【００８６】
【化３８】
2019195057.tif 000039
【００８７】
【化３９】
2019195057.tif 000040
【００８８】
【化４０】
2019195057.tif 000041
【００８９】
【化４１】
2019195057.tif 000042
【００９０】
【化４２】
2019195057.tif 000043
【００９１】
【化４３】
2019195057.tif 000044
［式中、
ＺＡは、−Ｏ−で表される基又は−Ｓ−で表される基を表す。ＺＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＺＢは、−ＣＨ＝で表される基又は−Ｎ＝で表される基を表す。ＺＢが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００９２】
ＺＡは、好ましくは−Ｏ−で表される基である。ＺＢは、好ましくは−Ｎ＝で表される基である。
【００９３】
＜式（Ｙ）で表される構成単位の説明＞
式（Ｙ）で表される構成単位は、非架橋性の構成単位である。
ＡｒＹ１で表される基は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ピレンジイル基、フルオレンジイル基又はジベンゾシクロへプタンジイル基であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基又はフルオレンジイル基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、アントラセンジイル基又はフルオレンジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９４】
ＡｒＹ１で表される基が有していてもよい置換基は、好ましくは、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
【００９５】
ＡｒＹ１で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＹ１で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００９６】
本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましい式（Ｙ）で表される構成単位の例としては、下記の式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｙ−１）、式（Ｙ−２）又は式（Ｙ−４）で表される構成単位であり、さらに好ましくは、式（Ｙ−１）又は式（Ｙ−２）で表される構成単位である。
【００９７】
【化４４】
2019195057.tif 000045
［式中、
ＲＹ１は前記と同じ意味を表す。
ＸＹ１は、−Ｃ（ＲＹ２）２−、−Ｃ（ＲＹ２）＝Ｃ（ＲＹ２）−又は−Ｃ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基を表す。ＲＹ２は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ２は、同一であってもよく異なっていてもよく、ＲＹ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【００９８】
ＲＹ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＹ２で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
ＲＹ２が有していてもよい置換基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００９９】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、さらに好ましくは一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
２個存在するＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）−（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１００】
【化４５】
2019195057.tif 000046
【０１０１】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）＝Ｃ（ＲＹ２）−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０２】
ＸＹ１において、−Ｃ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基中の４個のＲＹ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいシクロアルキル基である。
複数あるＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ（ＲＹ２）２−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基は、好ましくは下記の式（Ｙ−Ｂ１）−（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０３】
【化４６】
2019195057.tif 000047
［式中、ＲＹ２は前記と同じ意味を表す。］
【０１０４】
ＸＹ１は、好ましくは、−Ｃ（ＲＹ２）２−で表される基である。
【０１０５】
式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。式（Ｙ−２）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ−２’）で表される構成単位である。式（Ｙ−３）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ−３’）で表される構成単位である。式（Ｙ−４）で表される構成単位は、好ましくは下記の式（Ｙ−４’）で表される構成単位である。
【０１０６】
【化４７】
2019195057.tif 000048
［式中、ＲＹ１及びＸＹ１は前記と同じ意味を表す。
ＲＹ１１は、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ１１は、同一であってもよく異なっていてもよい。］
【０１０７】
ＲＹ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲＹ１１で表される基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
ＲＹ１１が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１０８】
式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば式（Ｙ−１１）〜（Ｙ−４９）で表される構成単位が挙げられる。
【０１０９】
【化４８】
2019195057.tif 000049
【０１１０】
【化４９】
2019195057.tif 000050
【０１１１】
【化５０】
2019195057.tif 000051
【０１１２】
【化５１】
2019195057.tif 000052
【０１１３】
【化５２】
2019195057.tif 000053
【０１１４】
【化５３】
2019195057.tif 000054
【０１１５】
【化５４】
2019195057.tif 000055
【０１１６】
【化５５】
2019195057.tif 000056
【０１１７】
【化５６】
2019195057.tif 000057
【０１１８】
【化５７】
2019195057.tif 000058
【０１１９】
【化５８】
2019195057.tif 000059
【０１２０】
〔架橋性基〕
第１及び第２のブロック共重合体は、架橋性基を含み得る。
第１及び第２のブロック共重合体が架橋性基を含む場合、架橋性基は、第１及び第２のブロック共重合体の架橋性が優れることから、好ましくは、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−７）〜式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１４）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、より好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−９）、式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、さらに好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基であり、とりわけ好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基である。
第１及び第２のブロック共重合体において、架橋性基は１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
上記Ａ群中の架橋性基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２１】
第１及び第２のブロック共重合体が架橋性基を含む場合、第１及び第２のブロック共重合体は、架橋性基を、架橋性基を有する構成単位として含むことが好ましく、架橋性基を、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の架橋性基を有する構成単位として含むことがより好ましい。
すなわち、架橋性基を有する構成単位は、式（２）で表される構成単位又は上記式（２’）で表される構成単位であることが好ましい。このことにより、第１及び第２のブロック共重合体の架橋性が優れる傾向にある。
【０１２２】
〔式（２）で表される構成単位〕
ｎＡは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上３以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１である。
ｎは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは１以上３以下の整数であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは２である。
【０１２３】
上記式（２）においてＡｒ３は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ３は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ３における芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６以上６０以下であり、好ましくは６以上３０以下であり、より好ましくは６以上１８以下である。
Ａｒ３における芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分の例及び好ましい範囲は、ＡｒＹ１で表される基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ３における芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）〜式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）又は式（Ａ−２０）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）又は式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２４】
Ａｒ３における複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２以上６０以下であり、好ましくは３以上３０以下であり、より好ましくは４以上１８以下である。
Ａｒ３における複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例及び好ましい範囲は、ＡｒＺで表される基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ３における複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。
【０１２５】
Ａｒ３における芳香族炭化水素基及び複素環基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２６】
ＬＡにおけるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１以上２０以下であり、好ましくは１以上１５以下であり、より好ましくは１以上１０以下である。ＬＡにおけるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３以上２０以下である。
アルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよい。アルキレン基及びシクロアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
ＬＡにおけるアルキレン基及びシクロアルキレン基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
ＬＡにおけるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。ＬＡにおけるアリーレン基の例及び好ましい範囲は、ＡｒＹ１で表される基の例及び好ましい例と同様であるが、好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基であり、より好ましくは、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、フルオレン−２，７−ジイル基、フルオレン−９，９−ジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬＡにおけるアリーレン基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基又は架橋性基（好ましくは、上記Ａ群から選ばれる架橋性基）であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
ＬＡにおける２価の複素環基の例及び好ましい範囲は、ＡｒＺで表される基の例及び好ましい例と同様である。
ＬＡにおける２価の複素環基は、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。
【０１２７】
ＬＡは、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、より好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はアルキレン基であり、さらに好ましくは、アルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬＡで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、Ａｒ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２８】
Ｒ’は、好ましくは、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ’で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２９】
上記式（２）においてＸは、架橋性基を表し、好ましくは上記Ａ群より選ばれる架橋性基である。Ｘが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
Ｘにおける架橋性基は、ブロック共重合体の架橋性が優れることから、好ましくは、式（ＸＬ−１）〜式（ＸＬ−４）、式（ＸＬ−７）〜式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１４）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、より好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−９）、式（ＸＬ−１０）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、さらに好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１６）〜式（ＸＬ−１９）で表される架橋性基であり、特に好ましくは、式（ＸＬ−１）又は式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基であり、とりわけ好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋性基である。
【０１３０】
〔式（２’）で表される構成単位〕
ｍＡは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上３以下の整数であり、より好ましくは０以上２以下の整数であり、さらに好ましくは０又は１であり、特に好ましくは０である。
ｍは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは１以上３以下の整数であり、より好ましくは１又は２であり、さらに好ましくは２である。
ｃは、ブロック共重合体の製造容易性の観点及び本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０である。
【０１３１】
Ａｒ５は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
Ａｒ５における芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒＸ２で表されるアリーレン基の定義及び例と同様である。
Ａｒ５における複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒＸ２で表される２価の複素環基部分の定義及び例と同様である。
Ａｒ５における少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒＸ２で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義及び例と同様である。
【０１３２】
Ａｒ４及びＡｒ６は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ４及びＡｒ６におけるアリーレン基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒＸ１及びＡｒＸ３におけるアリーレン基の定義及び例と同様である。
Ａｒ４及びＡｒ６における２価の複素環基の定義及び例は、前述の式（Ｘ）におけるＡｒＸ１及びＡｒＸ３における２価の複素環基の定義及び例と同様である。
Ａｒ４、Ａｒ５及びＡｒ６が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であり、さらに好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、特に好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
Ａｒ４〜Ａｒ６で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基、１価の複素環基及び置換アミノ基の例及び好ましい例と同様である。
Ａｒ４〜Ａｒ６で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基がさらに有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１３３】
ＫＡにおけるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例は、それぞれ、前述の式（２）のＬＡにおけるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義及び例と同様である。
ＫＡの例及び好ましい例は、ＬＡの例及び好ましい例と同様であるが、ＫＡは、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは、フェニレン基又はメチレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＫＡで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＬＡで表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１３４】
Ｒ’’の例及び好ましい例は、Ｒ’の例及び好ましい例と同様である。
【０１３５】
Ｘ’は、好ましくは、架橋性基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、架橋性基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ’におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
Ｘ’で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４及びＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
上記式（２’）において、少なくとも１つのＸ’は、架橋性基であり、好ましくは上記Ａ群より選ばれる架橋性基である。
Ｘ’における架橋性基の定義及び例は、前述の式（２）のＸにおける架橋性基の定義及び例と同様である。
【０１３６】
〔式（２）又は（２’）で表される構成単位の具体例〕
式（２）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（２−１）〜式（２−３０）で表される構成単位が挙げられ、式（２’）で表される構成単位としては、例えば、下記の式（２’−１）〜式（２’−９）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、架橋性基を有する構成単位は、ブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは、式（２−１）〜式（２−３０）で表される構成単位であり、より好ましくは、式（２−１）〜式（２−１５）、式（２−１９）、式（２−２０）、式（２−２３）、式（２−２５）又は式（２−３０）で表される構成単位であり、さらに好ましくは、式（２−１）〜式（２−９）又は式（２−３０）で表される構成単位である。
【０１３７】
【化５９】
2019195057.tif 000060
【０１３８】
【化６０】
2019195057.tif 000061
【０１３９】
【化６１】
2019195057.tif 000062
【０１４０】
【化６２】
2019195057.tif 000063
【０１４１】
〔架橋性基を有するその他の構成単位〕
第１及び第２のブロック共重合体が架橋性基を含む場合、第１及び第２のブロック共重合体は、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の構成単位を含むことによって架橋性基を含んでもよい。
すなわち、架橋性基を有する構成単位は、上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の架橋性基を有する構成単位であってもよい。上記式（２）で表される構成単位及び上記式（２’）で表される構成単位以外の架橋性基を有する構成単位としては、例えば、下記式で表される構成単位が挙げられる。
【０１４２】
【化６３】
2019195057.tif 000064
【０１４３】
＜発光素子＞
本発明に係る発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極及び第１の有機層の間に設けられた第２の有機層と、を有する発光素子であり、第１の有機層が、第１のブロック共重合体、及び第１のブロック共重合体の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する層であり、第２の有機層が、第２のブロック共重合体、及び、第２のブロック共重合体の架橋体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する層であり、上記式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たす、前記発光素子である。
【０１４４】
本発明に係る発光素子は、式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくとも１つを満たすことにより、駆動電圧の低い発光素子を得ることができる。本発明に係る発光素子は、駆動電圧が低くなる観点から、式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の少なくとも２つを満たすことが好ましい。
本発明に係る発光素子は、駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは、式（ｉ）または式（ｉｉｉ）を満たし、より好ましくは式（ｉ）を満たし、さらに好ましくは式（ｉ）及び式（ｉｉｉ）を満たす。
【０１４５】
第１の有機層及び第２の有機層はそれぞれ、例えば、後述する第１の組成物及び第２の組成物から形成することができる。
第１の有機層及び第２の有機層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法等の乾式法、並びに、スピンコート法及びインクジェット印刷法等の湿式法が挙げられ、湿式法が好ましい。
第１の有機層を湿式法により形成する場合、後述する第１のインク又は第１’のインクを用いることが好ましく、第１のインクを用いることがより好ましい。
第２の有機層を湿式法により形成する場合、後述する第２のインク又は第２’のインクを用いることが好ましく、第２’のインクを用いることが好ましい。
【０１４６】
第１及び／又は第２のブロック共重合体が架橋性基を有する場合、有機層を形成後、加熱又は光照射すること（好ましくは、加熱すること）で、有機層に含有される架橋性基を有するブロック共重合体を架橋させることができる。この有機層には、架橋性基を有する第１又は第２のブロック共重合体が架橋した状態（架橋性基を有する第１又は第２のブロック共重合体の架橋体）で含有されているため、有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、このような有機層は、発光素子の製造において、層の積層化に好適に使用することができる。
【０１４７】
架橋させるための加熱の温度は、通常、２５℃以上３００℃以下であり、好ましくは５０℃以上２６０℃以下であり、より好ましくは１３０℃以上２３０℃以下であり、さらに好ましくは１８０℃以上２１０℃以下である。
加熱の時間は、通常、０．１分以上１０００分以下であり、好ましくは０．５分以上５００分以下であり、より好ましくは１分以上１２０分以下であり、さらに好ましくは１０分以上６０分以下である。
【０１４８】
光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
【０１４９】
第１の有機層又は第２の有機層に含有される成分の分析方法としては、例えば、抽出等の化学的分離分析法、赤外分光法（ＩＲ）、核磁気共鳴分光法（ＮＭＲ）、質量分析法（ＭＳ）等の機器分析法、並びに、化学的分離分析法及び機器分析法を組み合わせた分析法が挙げられる。
【０１５０】
第１の有機層又は第２の有機層に対して、トルエン、キシレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン等の有機溶媒を用いた固液抽出を行うことで、有機溶媒に対して実質的に不溶な成分（不溶成分）と、有機溶媒に対して溶解する成分（溶解成分）とに分離することが可能である。不溶成分は赤外分光法又は核磁気共鳴分光法により分析することが可能であり、溶解成分は核磁気共鳴分光法又は質量分析法により分析することが可能である。
【０１５１】
〔第１の有機層〕
第１の有機層には、第１のブロック共重合体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。第１の有機層には、第１のブロック共重合体の架橋体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
第１の有機層における第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計の含有量は、第１の有機層としての機能が奏される範囲であればよい。例えば、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計の含有量は、第１の有機層の全量基準で０．１質量％以上１００質量％以下であってよく、１０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、５０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５２】
〔第１のブロック共重合体〕
第１のブロック共重合体は、第１の末端基と、前記第１の末端基に結合したブロック（以下、「第１の末端ブロック」という。）と、前記第１の末端基に結合しないブロック（以下、「第１の非末端ブロック」という。）とを含むブロック共重合体である。すなわち、第１のブロック共重合体は、第１の末端基、第１の末端ブロック及び第１の非末端ブロックをこの順に含むブロック共重合体である。
第１のブロック共重合体は、好ましくは、第１の末端基と、第１の末端ブロックと、第１の非末端ブロックと、第１の末端ブロックと、第１の末端基と、をこの順に含む。このブロック共重合体において、上記２つの第１の末端基は、同一であってもよく異なっていてもよいが、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。また、このブロック共重合体において、上記２つの第１の末端ブロックは、同一であってもよく異なっていてもよいが、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
【０１５３】
第１のブロック共重合体は、第１の末端基、第１の末端ブロック及び第１の非末端ブロック以外の構成単位を含んでいてもよいが、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、第１のブロック共重合体は、第１の末端基、第１の末端ブロック及び第１の非末端ブロックのみからなることが好ましい。
第１の末端基、第１の末端ブロック及び第１の非末端ブロック以外の構成単位としては、例えば、接合単位及び分岐単位が挙げられる。
第１のブロック共重合体は、架橋性基を含んでもよいし、架橋性基を含まなくてもよい。
【０１５４】
第１のブロック共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば２×１０３以上５×１０６以下であり、好ましくは３×１０３以上１×１０６以下であり、より好ましくは５×１０３以上５×１０５以下であり、さらに好ましくは７×１０３以上２×１０５以下である。
第１のブロック共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば３×１０３以上１×１０７以下であり、好ましくは５×１０３以上５×１０６以下であり、より好ましくは１×１０４以上１×１０６以下であり、さらに好ましくは２×１０４以上５×１０５以下である。
【０１５５】
〔第１の末端基〕
「第１の末端基」とは、第１のブロック共重合体の末端に配置されるとともに、第１の末端ブロックに直接結合する基である。第１の末端基は、好ましくは、第１のブロック共重合体に末端基を導入する際に用いる試剤（末端封止剤）における該試剤導入後の残基としての原子団である。
第１のブロック共重合体の安定性の観点から、第１の末端基は、好ましくは、第１のブロック共重合体のすべての末端に配置される。第１の末端基が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
第１のブロック共重合体の安定性の観点から、第１の末端基は、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基である。第１の末端基において、アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、好ましくは、置換基を有しない。
第１のブロック共重合体の架橋性を高めるために、第１の末端基は、架橋性基を含むことが好ましく、架橋性基であることがより好ましい。架橋性基の例及び好ましい例は、上述の架橋性基についての説明において述べた例及び好ましい例が当てはまる。
【０１５６】
第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＲＸ１〜ＲＸ３におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は架橋性基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、さらに好ましくはアルキル基であり、これらの基はさらに置換基を有していてもよいが、さらに置換基を有さないことが特に好ましい。
第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、それぞれ、ＲＸ１〜ＲＸ３におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基における架橋性基の例及び好ましい例は、上述の架橋性基についての説明において述べた例及び好ましい例と同様である。
【０１５７】
〔第１の非末端ブロック〕
「第１の非末端ブロック」は、第１の末端基に直接結合しないブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。第１の非末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、第１のブロック共重合体の合成が容易になる観点から、好ましくは１種以上８種以下であり、より好ましくは２種以上６種以下であり、さらに好ましくは２種以上５種以下である。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。第１のブロック共重合体に含まれる第１の非末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種又は２種であり、特に好ましくは１種である。
第１の非末端ブロックの種類が異なる場合としては、例えば、ブロックを構成する構成単位の種類が異なる場合、並びに、各構成単位の含有率及び連鎖分布が異なる場合が挙げられる。第１の非末端ブロックが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよい。
第１の非末端ブロックの少なくとも１つは、第１のブロック共重合体の製造において、第１の末端ブロックを形成する前に形成されるブロックであることが好ましい。
【０１５８】
第１の非末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位を含むこと、又は、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがさらに好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位とを含むことが特に好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位と式（Ｚ）で表される構成単位とを含むことがとりわけ好ましい。第１の非末端ブロックにおいて、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第１のブロック共重合体の架橋性を高めるために、第１の非末端ブロックは、架橋性基を含むことができ、架橋性基を有する構成単位として架橋性基を含むことが好ましい。第１の非末端ブロックにおいて、架橋性基及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
【０１５９】
第１のブロック共重合体に含まれる第１の非末端ブロックのポリスチレン換算の数平均分子量は、例えば１×１０３以上１×１０６以下であり、好ましくは２×１０３以上５×１０５以下であり、より好ましくは３×１０３以上１×１０５以下であり、さらに好ましくは５×１０３以上５×１０４以下である。
第１のブロック共重合体に含まれる第１の非末端ブロックのポリスチレン換算の重量平均分子量は、例えば２×１０３以上２×１０６以下であり、好ましくは３×１０３以上１×１０６以下であり、より好ましくは５×１０３以上５×１０５以下であり、さらに好ましくは７×１０３以上２×１０５以下である。
【０１６０】
〔第１の末端ブロック〕
「第１の末端ブロック」は、第１の末端基に直接結合するブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。第１の末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点及び発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは１種以上７種以下であり、より好ましくは２種以上５種以下であり、さらに好ましくは２種以上４種以下であり、特に好ましくは２種又は３種である。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。第１のブロック共重合体に含まれる第１の末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、第１のブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種である。
第１の末端ブロックの種類が異なる場合の例としては、第１の非末端ブロックの種類が異なる場合の例と同様である。第１の末端ブロックが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
第１の末端ブロックは、第１のブロック共重合体の製造において、第１の末端基を形成する前（好ましくは末端封止剤と反応させる前）に形成されるブロックであることが好ましい。
【０１６１】
第１の末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことがさらに好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位のみからなることが特に好ましい。
第１の末端ブロックにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第１の末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｘ）で表される構成単位又は式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことがより好ましい。
【０１６２】
第１のブロック共重合体の架橋性を高めるために、第１の末端ブロックは、架橋性基を含むことができ、架橋性基を有する構成単位として架橋性基を含むことが好ましい。この場合、第１の末端ブロックは、式（Ｙ）で表される構成単位と架橋性基とを含むことが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位と架橋性基を有する構成単位とを含むことがより好ましい。
第１の末端ブロックにおいて、架橋性基及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
【０１６３】
本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第１の非末端ブロックに含まれないこと、及び／又は、第１の非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第１の末端ブロックに含まれないことが好ましく、第１の末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第１の非末端ブロックに含まれないこと、及び、第１の非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第１の末端ブロックに含まれないことがより好ましい。
【０１６４】
第１のブロック共重合体は、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位、式（Ｙ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む。
第１のブロック共重合体は、第１のブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる２種以上１５種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが好ましく、２種以上１０種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがより好ましい。３種以上７種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがさらに好ましく、４種以上７種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが特に好ましい。
第１のブロック共重合体には、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位が、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第１のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧の観点から、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。また、第１のブロック共重合体は、電荷輸送性の観点から、式（Ｚ）で表される構成単位を含むことが好ましい。また、第１のブロック共重合体は、正孔輸送性の観点から、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
第１のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｙ）で表される構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる１種以上の構成単位とを含むブロック共重合体であることが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位と式（Ｚ）で表される構成単位とを含むブロック共重合体であることがより好ましい。
第１のブロック共重合体において、末端ブロック及び非末端ブロックは、それぞれ独立に、単独重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体及びグラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、共重合体であることが好ましい。
第１のブロック共重合体に含まれる構成単位の種類の合計は、ブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、好ましくは２種以上２０種以下であり、より好ましくは２種以上１５種以下であり、さらに好ましくは２種以上１０種以下であり、特に好ましくは３種以上７種以下である。
【０１６５】
〔第１のブロック共重合体の架橋体〕
第１の有機層が第１のブロック共重合体の架橋体を含む場合、本発明に係る発光素子を湿式法で形成でき、かつ、発光素子の製造において、層の積層化が容易となる。第１のブロック共重合体の架橋体は、架橋性基をさらに含む第１のブロック共重合体の架橋体であり、好ましくは、架橋性基を有する構成単位をさらに含む第１のブロック共重合体の架橋体である。
第１のブロック共重合体が架橋性基を含む場合、第１のブロック共重合体は、第１の非末端ブロック、第１の末端ブロック又は第１の末端基に架橋性基を含むことが好ましく、架橋性基を第１の非末端ブロック又は第１の末端ブロックに含むことがより好ましく、架橋性基を有する構成単位を第１の非末端ブロック又は第１の末端ブロックに含むことがさらに好ましい。このことにより、架橋性基の導入量を高めやすくなるため、ブロック共重合体の架橋性を十分な程度まで高めやすくなる。
第１のブロック共重合体において、架橋性基及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
第１のブロック共重合体の架橋体における第１のブロック共重合体の例及び好ましい範囲等は、第１のブロック共重合体の項で説明した例及び好ましい範囲等と同様である。
【０１６６】
〔構成単位の合計個数〕
本明細書において、第１のブロック共重合体に含まれる各構成単位の合計個数は、第１のブロック共重合体の分子量１０００あたりの構成単位の平均数を意味する。また、第１のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、第１のブロック共重合体の分子量１０００あたりの架橋性基の平均数を意味する。
第１のブロック共重合体に含まれる各構成単位及び架橋基の合計個数は、例えば、以下の方法で求めることができる。
第１のブロック共重合体を構成する各構成単位について、末端基を除く全構成単位の総モルに対するその構成単位のモル比とその構成単位の分子量とを乗じた値の総和をＤ１とし、各構成単位について求めたモル比の総和をＥ１とし、モル比とその構成単位が有する架橋性基の数とを乗じた値の総和をＥ２とすると、第１のブロック共重合体に含まれる各構成単位の合計個数は、（Ｅ１×１０００）／Ｄ１となり、第１のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、（Ｅ２×１０００）／Ｄ１となる。
高分子化合物を構成する各構成単位の分子量は、例えば、ＣｈｅｍＤｒａｗ（ヒューリンクス社製）のＭｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｗｅｉｇｈｔの値を用いて、算出することができる。
【０１６７】
具体的な各構成単位の合計個数及び架橋性基の合計個数の算出方法は、後述する第２のブロック共重合体の構成単位の合計個数の項において説明する算出方法と同様である。
【０１６８】
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｙ）で表される構成単位が第１の非末端ブロックに含まれる場合、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上２０以下であり、より好ましくは０．０１以上１０以下であり、さらに好ましくは０．０５以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．１以上２以下であり、とりわけより好ましくは０．３以上２以下である。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ−Ｉ）は、通常０以上２０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下である。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＡ−Ｉ）は、通常０以上２０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｚ）で表される構成単位が第１の非末端ブロックに含まれる場合、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．００５以上５以下であり、さらに好ましくは０．０１以上１以下であり、特に好ましくは０．０２以上０．５以下であり、０．０５以上０．５以下であってもよい。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ−Ｉ＋ＺＡ−Ｉ）は、通常０以上２０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｘ）で表される構成単位及び／又は式（Ｚ）で表される構成単位が第１の非末端ブロックに含まれる場合、第１の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００５以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０１以上１以下であり、特に好ましくは０．０２以上０．５以下であり、０．０５以上１以下であってもよく、０．１以上０．５以下であってもよい。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第１のブロック共重合体において、第１の非末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｙ）で表される構成単位が第１の末端ブロックに含まれる場合、第１の末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上２０以下であり、より好ましくは０．０１以上１０以下であり、さらに好ましくは０．０５以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上３以下である。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０５以下であり、とりわけより好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけさらに好ましくは０である。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＡ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０５以下であり、０以上０．０１以下であってもよく、０であってもよい。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ−ＩＩ＋ＺＡ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．２以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけより好ましくは０以上０．０５以下であり、０以上０．０１以下であってもよく、０であってもよい。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点及びブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第１のブロック共重合体において、第１の末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点及びブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｙ）で表される構成単位が第１のブロック共重合体に含まれる場合、第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．１以上１５以下であり、さらに好ましくは０．５以上１０以下であり、特に好ましくは１以上５以下である。
第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ）は、通常０以上２０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下である。
第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＡ）は、通常０以上２０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｚ）で表される構成単位が第１のブロック共重合体に含まれる場合、第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．００５以上５以下であり、さらに好ましくは０．０１以上１以下であり、特に好ましくは０．０２以上０．５以下であり、０．０５以上０．５以下であってもよい。
第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＡ＋ＺＡ）は、通常０以上５０以下である。第１のブロック共重合体において、式（Ｘ）で表される構成単位及び／又は式（Ｚ）で表される構成単位が第１のブロック共重合体に含まれる場合、第１のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、通常０．００１以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００５以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上１以下であり、特に好ましくは０．１以上０．５以下である。
第１のブロック共重合体に含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第１のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
【０１６９】
第１のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（ｉｖ）〜（ｖｉ）の少なくとも１つを満たすことが好ましく、式（ｉｖ）〜（ｖｉ）の少なくとも２つを満たすことがより好ましい。
本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、第１のブロック共重合体は、式（ｖ）又は式（ｖｉ）を満たすことが好ましく、式（ｖｉ）を満たすことがより好ましく、式（ｉｖ）及び式（ｖｉ）、又は、式（ｖ）及び式（ｖｉ）を満たすことがさらに好ましい。
また、第１のブロック共重合体は、式（ｖ）を満たしていてもよく、式（ｉｖ）及び式（ｖ）、又は、式（ｖ）及び式（ｖｉ）を満たしていてもよく、式（ｖ）及び式（ｖｉ）を満たしていてもよい。
また、第１のブロック共重合体は、式（ｉｖ）を満たしていてもよく、式（ｉｖ）及び式（ｖ）、又は、式（ｉｖ）及び式（ｖｉ）を満たしていてもよく、式（ｉｖ）及び式（ｖｉ）を満たしていてもよい。
【０１７０】
〔第１の組成物〕
第１の有機層は、第１のブロック共重合体と、第１のブロック共重合体以外のその他の成分とを含む組成物（以下、「第１の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。
その他の成分は、好ましくは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分である。ここでいう、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料は、第１のブロック共重合体とは異なる。
第１の組成物において、第１のブロック共重合体は、１種のみ含まれていてもよいし２種以上含まれていてもよい。
【０１７１】
〔第１及び第１’のインク〕
第１のブロック共重合体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第１のインク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の湿式法（以下、単に「湿式法」ともいう。）により、第１の有機層を形成する場合、好適に使用することができる。
第１の有機層が第１のブロック共重合体の架橋体を含む場合、架橋性基を含む第１のブロック共重合体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第１’のインク」ともいう。）を用いて、上述の条件・方法等により、第１のブロック共重合体に含まれる架橋性基を架橋させることにより、第１のブロック共重合体の架橋体を含む第１の有機層を形成することができる。
【０１７２】
第１及び第１’のインクの粘度は、湿式法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらくなる観点から好ましくは２５℃において１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓで以下である。
【０１７３】
第１及び第１’のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７４】
第１のインクにおいて、溶媒の含有量は、第１のブロック共重合体を１００質量部とした場合、通常１０００質量部以上１０００００質量部以下であり、好ましくは２０００質量部以上２００００質量部以下である。第１’のインクにおいて、溶媒の含有量は、架橋性基を含む第１のブロック共重合体を１００質量部とした場合、通常１０００質量部以上１０００００質量部以下であり、好ましくは２０００質量部以上２００００質量部以下である。
【０１７５】
第１及び第１’のインクは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分をさらに含むことができる。
【０１７６】
〔正孔輸送材料〕
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、並びに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン及びトリニトロフルオレノン等の電子受容性部位が結合された化合物でもよい。
第１の組成物において、正孔輸送材料の含有量は、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常１質量部以上１０００質量部以下であり、好ましくは５質量部以上５００質量部以下である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７７】
〔電子輸送材料〕
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン及びジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
第１の組成物において、電子輸送材料の含有量は、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常１質量部以上１０００質量部以下であり、好ましくは５質量部以上５００質量部以下である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７８】
〔正孔注入材料及び電子注入材料〕
正孔注入材料及び電子注入材料は、それぞれ、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋性基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びにこれらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
第１の組成物において、正孔注入材料及び電子注入材料の含有量は、それぞれ、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常質量部以上１０００質量部以下であり、好ましくは５質量部以上５００質量部以下である。
正孔注入材料及び電子注入材料は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７９】
〔イオンドープ〕
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０−５Ｓ／ｃｍ以上１×１０３Ｓ／ｃｍ以下である。導電性高分子の電気伝導度を上記範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。
アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。
カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１８０】
〔発光材料〕
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋性基を有していてもよい。
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、アントラセンジイル基及びピレンジイル基等のアリーレン基；芳香族アミンから２個の水素原子を取り除いてなる基等の芳香族アミン残基；並びに、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基及びフェノチアジンジイル基等の２価の複素環基を含む高分子化合物が挙げられる。
発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体である。
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
【０１８１】
【化６４】
2019195057.tif 000065
【０１８２】
【化６５】
2019195057.tif 000066
【０１８３】
【化６６】
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【０１８４】
【化６７】
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【０１８５】
【化６８】
2019195057.tif 000069
【０１８６】
【化６９】
2019195057.tif 000070
【０１８７】
【化７０】
2019195057.tif 000071
【０１８８】
第１の組成物において、発光材料の含有量は、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常１質量部以上１０００質量部以下であり、好ましくは５質量部以上５００質量部以下である。
発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１８９】
〔酸化防止剤〕
酸化防止剤は、第１の組成物に含まれる溶媒に可溶であり、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
第１の組成物において、酸化防止剤の含有量は、第１のブロック共重合体及び第１のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常、０．００１質量部以上１０質量部以下である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１９０】
〔第２の有機層〕
第２の有機層には、第２のブロック共重合体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。第２の有機層には、第２のブロック共重合体の架橋体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
第２の有機層における第２のブロック共重合体及び第２のブロック共重合体の架橋体の合計の含有量は、第２の有機層としての機能が奏される範囲であればよい。例えば、第２のブロック共重合体及び第２のブロック共重合体の架橋体の合計の含有量は、第２の有機層の全量基準で０．１質量％以上１００質量％以下であってよく、１０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、５０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることが特に好ましい。
【０１９１】
〔第２のブロック共重合体〕
第２のブロック共重合体は、第２の末端基と、前記第２の末端基に結合したブロック（以下、「第２の末端ブロック」という。）と、前記第２の末端基に結合しないブロック（以下、「第２の非末端ブロック」という。）とを含むブロック共重合体である。すなわち、第２のブロック共重合体は、第２の末端基、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロックをこの順に含むブロック共重合体である。
第２のブロック共重合体は、好ましくは、第２の末端基と、第２の末端ブロックと、第２の非末端ブロックと、第２の末端ブロックと、第２の末端基と、をこの順に含む。このブロック共重合体において、上記２つの第２の末端基は、同一であってもよく異なっていてもよいが、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。また、このブロック共重合体において、上記２つの第２の末端ブロックは、同一であってもよく異なっていてもよいが、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
【０１９２】
第２のブロック共重合体は、第２の末端基、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロック以外の構成単位を含んでいてもよいが、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、第２のブロック共重合体は、第２の末端基、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロックのみからなることが好ましい。
第２の末端基、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロック以外の構成単位としては、例えば、接合単位及び分岐単位が挙げられる。
第２のブロック共重合体は、架橋性基を含んでもよいし、架橋性基を含まなくてもよいが、本発明に係る発光素子を湿式法で形成でき、かつ、発光素子の製造において、層の積層化が容易となるので、第２のブロック共重合体は、架橋性基を含むことが好ましい。
本発明に係る別の好ましい一態様では、本発明に係る発光素子の製造において、層の積層化が容易となり、かつ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、第１のブロック共重合体は架橋性基を含まず、第２のブロック共重合体は架橋性基を含むことが好ましい。
【０１９３】
第２のブロック共重合体のポリスチレン換算の数平均分子量は、例えば２×１０３以上５×１０６以下であり、好ましくは５×１０３以上１×１０６以下であり、より好ましくは１×１０４以上５×１０５以下であり、さらに好ましくは２×１０４以上１×１０５以下である。
第２のブロック共重合体のポリスチレン換算の重量平均分子量は、例えば５×１０３以上１×１０７以下であり、好ましくは１×１０４以上５×１０６以下であり、より好ましくは２×１０４以上１×１０６以下であり、さらに好ましくは５×１０４以上５×１０５以下であり、特に好ましくは１×１０５以上５×１０５以下である。
【０１９４】
〔第２の末端基〕
「第２の末端基」とは、第２のブロック共重合体の末端に配置されるとともに、第２の末端ブロックに直接結合する基である。第２の末端基は、好ましくは、第２のブロック共重合体に末端基を導入する際に用いる試剤（末端封止剤）における該試剤導入後の残基としての原子団である。
第２のブロック共重合体の安定性の観点から、第２の末端基は、好ましくは、第２のブロック共重合体のすべての末端に配置される。第２の末端基が複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
第２のブロック共重合体の安定性の観点から、第２の末端基は、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基である。第２の末端基において、アリール基及び１価の複素環基は置換基を有していてもよいが、好ましくは、置換基を有しない。
第２のブロック共重合体の架橋性を高めるために、第２の末端基は、架橋性基を含むことが好ましく、架橋性基であることがより好ましい。架橋性基の例及び好ましい例は、上述の架橋性基についての説明において述べた例及び好ましい例が当てはまる。
【０１９５】
第２の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
第２の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例は、第１の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１９６】
〔第２の非末端ブロック〕
「第２の非末端ブロック」は、第２の末端基に直接結合しないブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。第２の非末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、第２のブロック共重合体の合成が容易になる観点から、好ましくは１種以上８種以下であり、より好ましくは２種以上６種以下であり、さらに好ましくは２種以上４種以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。第２のブロック共重合体に含まれる第２の非末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種又は２種であり、特に好ましくは１種である。
第２の非末端ブロックの種類が異なる場合の例としては、第１の非末端ブロックの種類が異なる場合の例と同様である。
第２の非末端ブロックの少なくとも１つは、第２のブロック共重合体の製造において、第２の末端ブロックを形成する前に形成されるブロックであることが好ましい。
【０１９７】
第２の非末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｙ）で表される構成単位、架橋性基を有する構成単位、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことがさらに好ましい。第２の非末端ブロックにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第２の非末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位（好ましくは式（Ｘ）で表される構成単位）、並びに、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位（好ましくは式（Ｘ）で表される構成単位）、並びに、式（Ｙ）で表される構成単位を含むこと、又は、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位（好ましくは式（Ｘ）で表される構成単位）、式（Ｙ）で表される構成単位並びに架橋性基を有する構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位（好ましくは式（Ｘ）で表される構成単位）並びに式（Ｙ）で表される構成単位のみを含むこと、又は、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位（好ましくは式（Ｘ）で表される構成単位）、式（Ｙ）で表される構成単位並びに架橋性基を有する構成単位のみを含むことがさらに好ましい。非末端ブロックにおいて、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。
【０１９８】
本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第２の非末端ブロックに含まれないこと、及び／又は、第２の非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第２の末端ブロックに含まれないことが好ましく、第２の末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第２の非末端ブロックに含まれないこと、及び、第２の非末端ブロックに含まれる構成単位のうちの少なくとも１種が第２の末端ブロックに含まれないことがより好ましい。
【０１９９】
第２のブロック共重合体に含まれる第２の非末端ブロックのポリスチレン換算の数平均分子量は、例えば１×１０３以上１×１０６以下であり、好ましくは２×１０３以上５×１０５以下であり、より好ましくは３×１０３以上１×１０５以下であり、さらに好ましくは３×１０３以上５×１０４以下であり、特に好ましくは５×１０３以上５×１０４以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる第２の非末端ブロックのポリスチレン換算の重量平均分子量は、例えば２×１０３以上２×１０６以下であり、好ましくは３×１０３以上１×１０６以下であり、より好ましくは５×１０３以上５×１０５以下であり、さらに好ましくは５×１０３以上３×１０５以下であり、特に好ましくは１×１０４以上２×１０５以下である。
【０２００】
〔第２の末端ブロック〕
「第２の末端ブロック」は、第２の末端基に直接結合するブロックであって、１種以上の構成単位からなるブロックである。第２の末端ブロックに含まれる構成単位は、通常、１種以上１０種以下であり、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点及び発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは１種以上７種以下であり、より好ましくは２種以上５種以下であり、さらに好ましくは２種又は３種である。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックは１種のみ含まれていてもよいし、２種以上含まれていてもよい。第２のブロック共重合体に含まれる第２の末端ブロックは、通常、１種以上１０種以下であり、第２のブロック共重合体の製造容易性の観点から、好ましくは１種以上５種以下であり、より好ましくは１種以上３種以下であり、さらに好ましくは１種である。
第２の末端ブロックの種類が異なる場合の例としては、第１の末端ブロックの種類が異なる場合の例と同様である。第２の末端ブロックが複数存在する場合、それらは同一であってもよく異なっていてもよいが、ブロック共重合体の製造容易性の観点から、同一であることが好ましい。
第２の末端ブロックは、第２のブロック共重合体の製造において、第２の末端基を形成する前（好ましくは末端封止剤と反応させる前）に形成されるブロックであることが好ましい。
【０２０１】
第２の末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがより好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含むことがさらに好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位、又は、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位を含むことが特に好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位のみ、又は、式（Ｙ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位のみを含むことがとりわけ好ましい。
【０２０２】
第２の末端ブロックにおいて、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第２の末端ブロックは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、式（Ｘ）で表される構成単位又は式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことが好ましく、式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位を含まないことがさらに好ましい。
【０２０３】
第２のブロック共重合体は、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位及び式（Ｚ）で表される非架橋性の構成単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構成単位を含み、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｘ）で表される非架橋性の構成単位を含むことが好ましい。
第２のブロック共重合体は、第２のブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる２種以上１５種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが好ましく、２種以上１０種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがより好ましい。３種以上７種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることがさらに好ましく、４種以上６種以下の構成単位を含むブロック共重合体であることが特に好ましい。
第２のブロック共重合体には、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位が、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第２のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧の観点から、式（Ｙ）で表される構成単位をさらに含むことが好ましい。第２のブロック共重合体が式（Ｙ）で表される構成単位を含む場合、式（Ｙ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
第２のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（Ｙ）で表される構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる１種以上の構成単位とを含むブロック共重合体であることが好ましく、式（Ｙ）で表される構成単位と、式（Ｘ）で表される構成単位とを含むブロック共重合体であることがより好ましい。
第２のブロック共重合体において、末端ブロック及び非末端ブロックは、それぞれ独立に、単独重合体、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体及びグラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、共重合体であることが好ましい。
本発明に係るブロック共重合体に含まれる構成単位の種類の合計は、ブロック共重合体の製造が容易になり、且つ、本発明に係る発光素子の輝度寿命向上の観点から、好ましくは２種以上２０種以下であり、より好ましくは２種以上１５種以下であり、さらに好ましくは２種以上１０種以下であり、特に好ましくは３種以上７種以下であり、とりわけ好ましくは４種以上６種以下である。
【０２０４】
〔第２のブロック共重合体の架橋体〕
第２の有機層が、第２のブロック共重合体の架橋体を含む場合、本発明に係る発光素子を湿式法で形成でき、かつ、発光素子の製造において、層の積層化が容易となる。第２のブロック共重合体の架橋体は、架橋性基をさらに含む第２のブロック共重合体の架橋体である。
架橋性基をさらに含む第２のブロック共重合体である場合、第２のブロック共重合体は、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる１種以上の構成単位（好ましくは、式（Ｘ）で表される構成単位）と、架橋性基とを含むブロック共重合体であることが好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる１種以上の構成単位（好ましくは、式（Ｘ）で表される構成単位）と、架橋性基を有する構成単位とを含むブロック共重合体であることがより好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位からなる群より選ばれる１種以上の構成単位（好ましくは、式（Ｘ）で表される構成単位）と、架橋性基を有する構成単位と、式（Ｙ）で表される構成単位とを含むブロック共重合体であることがさらに好ましく、式（Ｘ）で表される構成単位と、架橋性基を有する構成単位と、式（Ｙ）で表される構成単位とを含むブロック共重合体であることが特に好ましい。
架橋性基をさらに含む第２のブロック共重合体において、式（Ｘ）で表される構成単位、式（Ｚ）で表される構成単位、式（Ｙ）で表される構成単位、架橋性基及び架橋性基を有する構成単位は、それぞれ、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２０５】
架橋性基をさらに含む第２のブロック共重合体である場合、第２の末端基、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロックからなる群より選ばれる少なくとも１つは架橋性基を含むことが好ましく、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロックからなる群より選ばれる少なくとも１つは架橋性基を含むことがより好ましく、第２の末端ブロック及び第２の非末端ブロックからなる群より選ばれる少なくとも１つは架橋性基を有する構成単位を含むことがさらに好ましい。このことにより、架橋性基の導入量を高めやすくなるため、第２のブロック共重合体の架橋性を十分な程度まで高めやすくなる。
第２のブロック共重合体の架橋体における第２のブロック共重合体の例及び好ましい範囲等は、第２のブロック共重合体の項で説明した例及び好ましい範囲等と同様である。
【０２０６】
〔構成単位の合計個数〕
本明細書において、第２のブロック共重合体に含まれる各構成単位の合計個数は、第２のブロック共重合体の分子量１０００あたりの構成単位の平均数を意味する。また、第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、第２のブロック共重合体の分子量１０００あたりの架橋性基の平均数を意味する。
第２のブロック共重合体に含まれる各構成単位及び架橋基の合計個数は、例えば、以下の方法で求めることができる。
第２のブロック共重合体を構成する各構成単位について、末端基を除く全構成単位の総モルに対するその構成単位のモル比とその構成単位の分子量とを乗じた値の総和をＤ２とし、各構成単位について求めたモル比の総和をＥ３とし、モル比とその構成単位が有する架橋性基の数とを乗じた値の総和をＥ４とすると、第２のブロック共重合体に含まれる各構成単位の合計個数は、（Ｅ３×１０００）／Ｄ２となり、第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、（Ｅ４×１０００）／Ｄ２となる。
【０２０７】
具体的な各構成単位の合計個数及び架橋性基の合計個数の算出方法を、実施例Ｄ１で作製した第２のブロック共重合体ＨＴＬ−１を例に挙げて詳細に説明する。
【０２０８】
第２のブロック共重合体ＨＴＬ−１は、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが４０：３０：２．５のモル比で構成される第２の非末端ブロック、及び、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが１０：１０：７．５のモル比で構成される第２の末端ブロックを有する。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位の分子量は６５３．０５、化合物Ｍ２から誘導される構成単位の分子量は７５１．１２、化合物Ｍ３から誘導される構成単位の分子量は３８８．６４、化合物Ｍ４から誘導される構成単位の分子量は１７６．２２、化合物Ｍ５から誘導される構成単位の分子量は３６８．４８である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ２から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ３から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ４から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は０、化合物Ｍ５から誘導される構成単位が有する架橋性基の数は２である。
化合物Ｍ１から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ２から誘導される構成単位は式（Ｘ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ３から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ４から誘導される構成単位は式（Ｙ）で表される構成単位であり、化合物Ｍ５から誘導される構成単位は架橋性基を有する構成単位である。
【０２０９】
Ｄ２は、以下のとおり求められる。
（６５３．０５×０．４０）＋（７５１．１２×０．３０）＋（３８８．６４×０．０２５）＋（６５３．０５×０．１０）＋（１７６．２２×０．１０）＋（３６８．４８×０．０７５）＝６０６．８３５
【０２１０】
第２のブロック共重合体ＨＴＬ−１において、各構成単位のＥ３は、以下のとおり求められる。
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位のＥ３）＝０．４０＋０．０２５＝０．４２５
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位のＥ３）＝０．３０
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０．３０＋０＝０．３０
（第２の非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位のＥ３）＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位のＥ３）＝０．１０＋０．１０＝０．２０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位のＥ３）＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０
（第２の末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位のＥ３）＝０．０７５
（第２のブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位のＥ３）＝０．４０＋０．０２５＋０．１０＋０．１０＝０．６２５
（第２のブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位のＥ３）＝０．３０
（第２のブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０
（ブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位のＥ３）＝０．３０＋０＝０．３０
（第２のブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位のＥ３）＝０．０７５
【０２１１】
Ｅ２は、以下のとおり求められる。
（第２の非末端ブロックにおけるＥ４）＝（０．４０×０）＋（０．３０×０）＋（０．０２５×０）＝０
（第２の末端ブロックにおけるＥ４）＝（０．１０×０）＋（０．１０×０）＋（０．０７５×２）＝０．１５
（第２のブロック共重合体におけるＥ４）＝（０．４０×０）＋（０．３０×０）＋（０．０２５×０）＋（０．１０×０）＋（０．１０×０）＋（０．０７５×２）＝０．１５
【０２１２】
第２のブロック共重合体ＨＴＬ−１において、各構成単位及び架橋性基の合計個数は、以下のとおり求められる。
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．４２５×１０００）／６０６．８３５＝０．７００
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ−Ｉ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＺＢ−Ｉ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の非末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ−Ｉ＋ＺＢ−Ｉ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（第２の非末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の非末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．２０×１０００）／６０６．８３５＝０．３３０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ−ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＺＢ−ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の末端ブロックにおける式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ−ＩＩ＋ＺＢ−ＩＩ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２の末端ブロックにおける架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０．０７５×１０００）／６０６．８３５＝０．１２４
（第２の末端ブロックにおける架橋性基の合計個数）＝（０．１５×１０００）／６０６．８３５＝０．２４７
（第２のブロック共重合体における式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数）＝（０．６２５×１０００）／６０６．８３５＝１．０３０
（第２のブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（第２のブロック共重合体における式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＺＢ＝（０×１０００）／６０６．８３５＝０
（第２のブロック共重合体における式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数）＝ＸＢ＋ＺＢ＝（０．３０×１０００）／６０６．８３５＝０．４９４
（第２のブロック共重合体における架橋性基を有する構成単位の合計個数）＝（０．０７５×１０００）／６０６．８３５＝０．１２４
（第２のブロック共重合体における架橋性基の合計個数）＝（０．１５×１０００）／６０６．８３５＝０．２４７
【０２１３】
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．１以上３以下であり、０．１以上２以下であってもよく、０．３以上２以下であってもよく、０．５以上３以下であってもよい。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ−Ｉ）は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに式（Ｘ）で表される構成単位が含まれる場合、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．２以上２以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＢ−Ｉ）は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上１以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけより好ましくは０である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ−Ｉ＋ＺＢ−Ｉ）は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、式（Ｘ）で表される構成単位及び／又は式（Ｚ）で表される構成単位が第２の非末端ブロックに含まれる場合、第２の非末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数は、通常０．００１以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．２以上２以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上２以下であり、特に好ましくは０以上０．３以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．２以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上２以下であり、特に好ましくは０以上０．５以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．３以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、第２の末端ブロックに含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００５以上２０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上１以下であり、特に好ましくは０．１以上１以下であり、０．１以上０．５以下であってもよい。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、０以上０．３以下であってもよく、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＢ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、特に好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけ好ましくは０である。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ−ＩＩ＋ＺＢ−ＩＩ）は、通常０以上１０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上５以下であり、より好ましくは０以上１以下であり、さらに好ましくは０以上０．５以下であり、０以上０．３以下であってもよく、０以上０．１以下であってもよく、０であってもよい。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上２以下であり、特に好ましくは０以上０．５以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上３以下であり、特に好ましくは０以上１以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロック及び第２の末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロック及び／又は第２の末端ブロックに架橋性基を有する構成単位が含まれる場合、第２の非末端ブロック及び第２の末端ブロックに含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上２以下であり、特に好ましくは０．１以上０．５以下である。
第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロック及び第２の末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２の非末端ブロック及び／又は第２の末端ブロックに架橋性基が含まれる場合、第２の非末端ブロック及び第２の末端ブロックに含まれる架橋性基の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上３以下であり、特に好ましくは０．１以上１以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体に式（Ｙ）で表される構成単位が含まれる場合、第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｙ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．５以上３以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ）は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体に式（Ｘ）で表される構成単位が含まれる場合、本第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＺＢ）は、通常０以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０以上１０以下であり、より好ましくは０以上５以下であり、さらに好ましくは０以上１以下であり、特に好ましくは０以上０．５以下であり、とりわけ好ましくは０以上０．１以下であり、とりわけより好ましくは０以上０．０１以下であり、とりわけさらに好ましくは０である。
第２のブロック共重合体に含まれる式（Ｘ）で表される構成単位及び式（Ｚ）で表される構成単位の合計個数（ＸＢ＋ＺＢ）は、通常０．００１以上５０以下であり、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、好ましくは０．０１以上２０以下であり、より好ましくは０．０５以上１０以下であり、さらに好ましくは０．１以上５以下であり、特に好ましくは０．２以上３以下であり、とりわけ好ましくは０．３以上２以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２のブロック共重合体に架橋性基を有する構成単位が含まれる場合、第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基を有する構成単位の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点及びブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上２以下であり、特に好ましくは０．１以上０．５以下である。
第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、通常０以上５０以下である。第２のブロック共重合体において、第２のブロック共重合体に架橋性基が含まれる場合、第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基の合計個数は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点及びブロック共重合体の架橋性向上の観点から、好ましくは０．００１以上１０以下であり、より好ましくは０．０１以上５以下であり、さらに好ましくは０．０５以上３以下であり、さらに好ましくは０．１以上１以下である。
【０２１４】
第２のブロック共重合体は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、式（ｖｉ）〜（ｖｉｉｉ）の少なくとも１つを満たすことが好ましく、式（ｉｖ）〜（ｖｉ）の少なくとも２つを満たすことがより好ましい。
【０２１５】
本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなる観点から、第２のブロック共重合体は、式（ｖｉｉ）又は式（ｉｘ）を満たすことが好ましく、式（ｖｉｉ）を満たすことがより好ましく、式（ｖｉｉ）及び式（ｉｘ）を満たすことが特に好ましい。
【０２１６】
〔第２の組成物〕
第２の有機層は、第２のブロック共重合体と、第２のブロック共重合体以外のその他の成分とを含む組成物（以下、「第２の組成物」ともいう。）を含有する層であってもよい。
その他の成分は、好ましくは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分である。ここでいう、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び発光材料は、第２ブロック共重合体とは異なる。
第２の組成物において、第２のブロック共重合体は、１種のみ含まれていてもよいし２種以上含まれていてもよい。
【０２１７】
第２の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい範囲は、第１の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の例及び好ましい例と同様である。
第２の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料及び発光材料の含有量は、各々、第２のブロック共重合体及び第２のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常、１〜１０００質量部であり、好ましくは５〜５００質量部である。
【０２１８】
第２の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい例は、第１の組成物に含有される酸化防止剤の例及び好ましい例と同様である。第２の組成物において、酸化防止剤の含有量は、第２のブロック共重合体及び第２のブロック共重合体の架橋体の合計を１００質量部とした場合、通常、０．００１質量部以上１０質量部以下である。
【０２１９】
〔第２のインク〕
第２のブロック共重合体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第２のインク」ともいう。）は、第１のインクの項で説明した湿式法に好適に使用することができる。第２のインクの粘度の好ましい例は、第１のインクの粘度の好ましい例と同様である。第２のインクに含有される溶媒の例及び好ましい例は、第１のインクに含有される溶媒の例及び好ましい例と同様である。
第２の有機層が第２のブロック共重合体の架橋体を含む場合、架橋性基を含む第２のブロック共重合体と、溶媒とを含有する組成物（以下、「第２’のインク」ともいう。）を用いて、上述の条件・方法等により、第２のブロック共重合体に含まれる架橋性基を架橋させることにより、第２のブロック共重合体の架橋体を含む第２の有機層を形成することができる。
【０２２０】
第２のインクにおいて、溶媒の含有量は、第２のブロック共重合体を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。第２’のインクにおいて、溶媒の含有量は、架橋性基を含む第２のブロック共重合体を１００質量部とした場合、通常、１０００〜１０００００質量部であり、好ましくは２０００〜２００００質量部である。
第２及び第２’のインクは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分をさらに含むことができる。
【０２２１】
〔第１及び第２のブロック共重合体の製造方法〕
第１及び第２のブロック共重合体は、下記の工程を含む方法によって好適に製造することができる。
〔ａ〕非末端ブロックを形成する１種又は２種以上の化合物（モノマー）を重合させて非末端ブロックを形成する工程、
〔ｂ〕非末端ブロックの存在下に、末端ブロックを形成する１種又は２種以上の化合物（モノマー）を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程、及び
〔ｃ〕末端基を導入するための試剤（末端封止剤）を末端ブロックと反応させて、末端ブロックに末端基を導入する工程。
【０２２２】
本明細書において、第１及び第２のブロック共重合体の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。
【０２２３】
上記の各工程において、原料モノマー、すなわち、非末端ブロックを形成する化合物、末端ブロックを形成する化合物及び末端封止剤は、それぞれ、上記〔第１のブロック共重合体〕及び〔第２のブロック共重合体〕の項の記載に照らして、各ブロックが所望の構成単位を含み、各末端基が所望の基で構成されるように選択することができる。
【０２２４】
第１及び第２のブロック共重合体の製造方法の一実施形態では、
上記工程〔ａ〕は、下記の式（Ｍ−４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ−５）で表される化合物及び／又は下記の式（Ｍ−１）で表される化合物とを重合させて第１又は第２の非末端ブロックを形成する工程であり、
上記工程〔ｂ〕は、非末端ブロックの存在下に、下記の式（Ｍ−４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ−２）で表される化合物及び／又は下記の式（Ｍ−３）で表される化合物を重合させて、非末端ブロックに末端ブロックを結合させる工程であり、
上記工程〔ｃ〕は、下記の式（Ｍ−６）で表される化合物（末端封止剤）を末端ブロックと反応させて、末端ブロックに末端基を導入する工程である。
第１又は第２の非末端ブロックが架橋性基を含む場合、上記一実施形態に係る製造方法における上記工程〔ａ〕において、下記の式（Ｍ−４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ−５）で表される化合物及び／又は下記の式（Ｍ−１）で表される化合物と、下記の式（Ｍ−２）で表される化合物及び／又は下記の式（Ｍ−３）で表される化合物とを重合させることにより、架橋性基を含む第１又は第２の非末端ブロックを形成することができる。第１又は第２の末端ブロックが架橋性基を含む場合、上記一実施形態に係る製造方法における上記工程〔ｂ〕において、下記の式（Ｍ−４）で表される化合物の１種以上と、下記の式（Ｍ−２）で表される化合物及び／又は下記の式（Ｍ−３）で表される化合物とを重合させることにより、架橋性基を含む第１又は第２の末端ブロックを形成することができる。第１又は第２の末端基が架橋性基を含む場合、上記一実施形態に係る製造方法における上記工程〔ｃ〕において、下記の式（Ｍ−６）中のＡｒＴが架橋性基である化合物を末端ブロックと反応させることにより、架橋性基を含む第１又は第２の末端基を形成することができる。
【０２２５】
【化７１】
2019195057.tif 000072
【０２２６】
【化７２】
2019195057.tif 000073
【０２２７】
【化７３】
2019195057.tif 000074
【０２２８】
【化７４】
2019195057.tif 000075
［式中、
ＡｒＺ、Ａｒ３、ＬＡ、ｎＡ、Ｘ、ｎ、Ａｒ４、Ａｒ５、Ａｒ６、ＫＡ、ｍＡ、Ｘ’、ｍ、ｃ、ＡｒＹ１、ＡｒＸ１、ＡｒＸ２、ＡｒＸ３、ＡｒＸ４、ＲＸ１、ＲＸ２、ＲＸ３、ａＸ１及びａＸ２は、前記と同じ意味を表す。
ＡｒＴは、アリール基、１価の複素環基又は架橋性基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＺＣ１〜ＺＣ１１は反応性基であり、それぞれ独立に、Ｂ群及びＣ群からなる群より選ばれる基を表す。］
【０２２９】
式（Ｍ−１）で表される化合物は、式（Ｚ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ−２）で表される化合物は、式（２）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ−３）で表される化合物は、式（２’）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ−４）で表される化合物は、式（Ｙ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ−５）で表される化合物は、式（Ｘ）で表される構成単位を形成できる化合物である。
式（Ｍ−６）で表される化合物は、末端基を形成できる化合物である。
【０２３０】
ＡｒＴは、ブロック共重合体の安定性の観点から、好ましくはアリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。また、ブロック共重合体の架橋性を高めることができるので、ＡｒＴは、架橋性基であることが好ましい。
ＡｒＴにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例は、上述した第２の末端基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい例と同様である。
ＡｒＴにおける架橋性基の例及び好ましい例は、末端基における架橋性基の例及び好ましい例と同様である。
【０２３１】
Ｂ群及びＣ群はそれぞれ次のとおりである。
（Ｂ群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ）２ＲＣ１（式中、ＲＣ１は、アル
キル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
（Ｃ群）
−Ｂ（ＯＲＣ２）２（式中、ＲＣ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＣ２は同一であってもよく異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ３Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ（ＲＣ３）３（式中、ＲＣ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＣ３は同一であってもよく異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
【０２３２】
−Ｂ（ＯＲＣ２）２で表される基としては、−Ｂ（ＯＨ）２のほか、下記式で表される基が例示される。
【０２３３】
【化７５】
2019195057.tif 000076
【０２３４】
各ブロックを形成するための原料モノマーは、前記式（Ｍ−１）〜（Ｍ−５）で表される化合物がそうであるように、Ｂ群又はＣ群から選ばれる反応性基を２個有することができる。各ブロックを形成するためのそれぞれの原料モノマーが有する２個の反応性基は、原料モノマーの製造が容易であるので、いずれもＢ群から選ばれるか、又はいずれもＣ群から選ばれることが好ましい。
【０２３５】
例えば、Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とＣ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により、Ｂ群から選ばれる基に結合する炭素原子とＣ群から選ばれる基に結合する炭素原子との間に結合が生じる。そのため、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物と、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物とを公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。
【０２３６】
上記縮合重合によって、非末端ブロックの形成、及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。
一例として上記一実施形態に係る製造方法を挙げれば、例えば、ＺＣ１、ＺＣ２、ＺＣ３、ＺＣ４、ＺＣ５、ＺＣ６、ＺＣ９及びＺＣ１０がＢ群から選ばれる基である場合、ＺＣ７及びＺＣ８としてＣ群から選ばれる基を選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成、及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。ＺＣ１、ＺＣ２、ＺＣ３、ＺＣ４、ＺＣ５、ＺＣ６、ＺＣ９及びＺＣ１０がＣ群から選ばれる基である場合、ＺＣ７及びＺＣ８としてＢ群から選ばれる基を選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成、及び非末端ブロックへの末端ブロックの結合（末端ブロックの形成）を行うことができる。
また、上記一実施形態に係る製造方法において、式（Ｍ−１）〜（Ｍ−５）で表される化合物を２種以上用いる一実施形態について、式（Ｍ−１）で表される化合物の２種以上を用いた場合を例に説明する。例えば、式（Ｍ−１）で表される化合物の２種以上を用いて、非末端ブロック又は末端ブロックの形成を行う場合、式（Ｍ−１）で表される化合物の少なくとも２種の一方の化合物のＺＣ１及びＺＣ２はＣ群から選ばれる基を選択し、他方の化合物のＺＣ１及びＺＣ２はＢ群から選ばれる基を選択すれば、縮合重合によって非末端ブロックの形成又は末端ブロックの形成を行うことができる。
【０２３７】
末端ブロックへの末端基の導入も同様の反応を利用して行うことができる。すなわち、末端ブロックの末端がＢ群から選ばれる基である場合、ＺＣ１１としてＣ群から選ばれる基を選択すれば、カップリング反応により末端基を導入することができる。末端ブロックの末端がＣ群から選ばれる基である場合、ＺＣ１１としてＢ群から選ばれる基を選択すれば、カップリング反応により末端基を導入することができる。
【０２３８】
Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物を原料モノマーとして非末端ブロック及び末端ブロックのそれぞれを形成する上記縮合重合によってブロック共重合体を製造する場合、非末端ブロックを形成する工程（上記工程〔ａ〕）及び末端ブロックを形成する工程（上記工程〔ｂ〕）のそれぞれにおいて、原料モノマーの使用量比を適切に制御することが好ましい。
すなわち、工程〔ａ〕において、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物のいずれか一方を、モル基準で過剰に使用することが好ましい。これにより、末端にＢ群から選ばれる基を有するか、又はＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックを確実に製造することができる。過剰に使用する化合物がＢ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＢ群から選ばれる基を有する非末端ブロックが製造され、過剰に使用する化合物がＣ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックが製造される。
続く工程〔ｂ〕では、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物及びＣ群から選ばれる基を２個有する化合物のうち、工程〔ａ〕において過剰に使用しなかった方の化合物を、モル基準で過剰に使用することが好ましい。これにより、非末端ブロックに結合し、末端にＣ群から選ばれる基を有するか、又はＢ群から選ばれる基を有する非末端ブロックを確実に製造することができる。過剰に使用する化合物がＢ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造され、過剰に使用する化合物がＣ群から選ばれる基を２個有する化合物である場合には、末端にＣ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される。
工程〔ｂ〕において、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される場合には、工程〔ｃ〕においてＣ群から選ばれる基を有する末端封止剤を使用する。工程〔ｂ〕において、末端にＣ群から選ばれる基を有する末端ブロックが製造される場合には、工程〔ｃ〕においてＢ群から選ばれる基を有する末端封止剤を使用する。
【０２３９】
第１及び第２のブロック共重合体の製造における原料モノマーの使用量比の制御を、実施例における合成例１で作製したブロック共重合体ＨＴＬ−１を例に挙げて詳細に説明する。
合成例１において、非末端ブロックの形成には混合物ＨＴＬ−１ａが用いられ、この混合物は、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ１と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ２と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ３とを４０：３０：２．５のモル比で含む。このように混合物ＨＴＬ−１ａは、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物がモル基準で過剰となるように使用量比が制御されている。したがって、形成される非末端ブロックは、末端にＣ群から選ばれる基を有する。
また、末端ブロックの形成には混合物ＨＴＬ−１ｂが用いられ、この混合物は、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ１と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ４と、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物である化合物Ｍ５とを１０：１０：７．５のモル比で含む。このように混合物ＨＴＬ−１ｂは、Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物がモル基準で過剰となるように使用量比が制御されている。これにより、末端にＣ群から選ばれる基を有する非末端ブロックに結合するとともに、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックが形成される。
合成例１において使用されている末端封止剤であるフェニルボロン酸は、Ｃ群から選ばれる基を２個有する化合物である。したがって、フェニルボロン酸は、末端にＢ群から選ばれる基を有する末端ブロックに結合してブロック共重合体の末端を封止するとともに、末端基であるフェニル基が形成される。
【０２４０】
上記縮合重合（カップリング反応）は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行われるが、必要に応じて、相間移動触媒をさらに共存させて行ってもよい。
【０２４１】
触媒としては、例えば、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム等のパラジウム錯体、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（１，４−シクロオクタジエン）ニッケル（０）等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、さらにトリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、 トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
【０２４２】
触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、０．００００１モル当量以上３モル当量以下である。
【０２４３】
塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
【０２４４】
塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常０．００１モル当量以上１００モル当量以下である。
【０２４５】
溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、１種のみを用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
【０２４６】
溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計１００質量部に対して、１０質量部以上１０００００質量部以下である。
【０２４７】
縮合重合の反応温度は、通常−１００℃以上２００℃以下である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。
【０２４８】
縮合重合反応（カップリング反応）の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行うことができる。
第１及び第２のブロック共重合体の純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０２４９】
〔発光素子の層構成〕
図１に本発明に係る一態様に係る発光素子の概略断面図を示す。発光素子１０は、陽極１１と、陰極１４と、前記陽極１１及び前記陰極１４の間に設けられた第１の有機層１３と、前記陽極１１及び前記第１の有機層１３の間に設けられた第２の有機層１２と、を有する。
【０２５０】
発光素子１０は、陽極１１、陰極１４、第１の有機層１３及び第２の有機層１２以外の層を有していてもよい。
発光素子１０において、第１の有機層１３は、通常、発光層（以下、「第１の発光層」と言う。）である。
発光素子１０において、第２の有機層１２は、通常、正孔輸送層又は第２の発光層であり、好ましくは正孔輸送層である。
【０２５１】
発光素子１０において、第１の有機層１３と第２の有機層１２とは、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、隣接していることが好ましい。
発光素子１０において、第２の有機層１２は、本発明に係る発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた正孔輸送層又は第２の発光層であることがより好ましく、陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた正孔輸送層であることがさらに好ましい。
【０２５２】
発光素子１０において、第２の有機層１２が陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた正孔輸送層である場合、発光素子１０の駆動電圧がより低くなるので、陽極１１と第２の有機層１２との間に、正孔注入層をさらに有することが好ましい。第２の有機層１２が陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた正孔輸送層である場合、発光素子１０の駆動電圧がより低くなるので、陰極１４と第１の有機層１３との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層をさらに有することが好ましい。
【０２５３】
発光素子１０において、第２の有機層１２が陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた第２の発光層である場合、発光素子１０の駆動電圧がより低くなるので、陽極１１と第２の有機層１２との間に、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも１つの層をさらに有することが好ましい。第２の有機層１２が陽極１１及び第１の有機層１３の間に設けられた第２の発光層である場合、発光素子の駆動電圧がより低くなるので、陰極１４と第１の有機層１３との間に、電子注入層及び電子輸送層のうちの少なくとも１つの層をさらに有することが好ましい。
【０２５４】
本発明に係る発光素子の具体的な層構成としては、例えば、（Ｄ１）〜（Ｄ１３）で表される層構成が挙げられる。本発明に係る発光素子は、通常、基板を有するが、基板上に陽極から積層されていてもよく、基板上に陰極から積層されていてもよい。
【０２５５】
（Ｄ１）陽極／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ２）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ３）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ４）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ５）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ６）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１０）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）／第２の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／第２の発光層／第１の発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０２５６】
（Ｄ１）〜（Ｄ１３）中、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを意味する。例えば「第２の発光層（第２の有機層）／第１の発光層（第１の有機層）」とは、第２の発光層（第２の有機層）と第１の発光層（第１の有機層）とが隣接して積層していることを意味する。
【０２５７】
本発明に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、（Ｄ３）〜（Ｄ１２）で表される層構成が好ましく、（Ｄ７）〜（Ｄ１０）で表される層構成がより好ましい。
【０２５８】
本発明に係る発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【０２５９】
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第１の発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、１ｎｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは２ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【０２６０】
本発明に係る発光素子において、積層する層の順番、数、及び厚さは、発光素子の発光効率、駆動電圧及び素子寿命を勘案して調整すればよい。
【０２６１】
〔第２の発光層〕
第２の発光層は、通常、第２の有機層又は発光材料を含有する層であり、好ましくは、発光材料を含有する層である。第２の発光層が発光材料を含有する層である場合、第２の発光層に含有される発光材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい発光材料が挙げられる。第２の発光層に含有される発光材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明に係る発光素子が第２の発光層を有し、且つ、後述の正孔輸送層が第２の有機層ではない場合、第２の発光層は第２の有機層であることが好ましい。
【０２６２】
〔正孔輸送層〕
正孔輸送層は、通常、第２の有機層又は正孔輸送材料を含有する層であり、好ましくは、第２の有機層である。正孔輸送層が正孔輸送材料を含有する層である場合、正孔輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送層に含有される正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
本発明に係る発光素子が正孔輸送層を有し、且つ、前述の第２の発光層が第２の有機層ではない場合、正孔輸送層は第２の有機層であることが好ましい。
【０２６３】
〔電子輸送層〕
電子輸送層は、電子輸送材料を含有する層である。電子輸送層が電子輸送材料を含有する層である場合、電子輸送層に含有される電子輸送材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。電子輸送層に含有される電子輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
【０２６４】
〔正孔注入層及び電子注入層〕
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入層に含有される正孔注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入層に含有される正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入層に含有される電子注入材料としては、例えば、前述の第１の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入層に含有される電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
【０２６５】
〔基板／電極〕
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板を使用する場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２６６】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
【０２６７】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。
合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
【０２６８】
陽極及び陰極は、それぞれ、２層以上の積層構造としてもよい。
【０２６９】
本発明に係る発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。
陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及びラミネート法が挙げられる。
【０２７０】
〔発光素子の製造方法〕
本発明に係る発光素子において、第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層は、第１のインク、第１’のインク、第２のインク、第２’のインク、並びに、上述した発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法等の塗布法により形成することができる。
【０２７１】
〔発光素子の用途〕
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。
パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。
上記いずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。
ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。
発光色の異なる複数種の高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。
ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。
面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源及び表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２７２】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０２７３】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及びポリスチレン換算の重量平均分子量は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。
測定する高分子化合物を約０．０５質量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。
本実施例において、高分子化合物中の構成単位の分子量は、ＣｈｅｍＤｒａｗ  Ｐｒｏ  １３．０（ヒューリンクス社製）のＭｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｗｅｉｇｈｔの値を用いて、算出した。
【０２７４】
＜合成例Ｍ１〜Ｍ２３＞  化合物Ｍ１〜Ｍ２３の合成及び入手
化合物Ｍ１及び化合物Ｍ１６は特開２０１１―１７４０６２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２は国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ３、化合物Ｍ７及び化合物Ｍ１３は国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ４及び化合物Ｍ１２は、市販品を用いた。
化合物Ｍ５は特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ６、化合物Ｍ１７、化合物Ｍ１９及び化合物Ｍ２０は特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ８は特開２０１０−２１５８８６号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ９及び化合物Ｍ２２は国際公開第２０１２／０８６６７１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１０は特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１１は特開２００４−１４３４１９号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１４は特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１５は国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ１８は、特開２０１０−０３１２５９号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２１は国際公開第２０１６／０４７５３６号に記載の方法に従って合成した。
化合物Ｍ２３は国際公開第２００４／０６０９７０号に記載の方法に準じて合成した。
【０２７５】
【化７６】
2019195057.tif 000077
【０２７６】
【化７７】
2019195057.tif 000078
【０２７７】
【化７８】
2019195057.tif 000079
【０２７８】
【化７９】
2019195057.tif 000080
【０２７９】
【化８０】
2019195057.tif 000081
【０２８０】
【化８１】
2019195057.tif 000082
【０２８１】
＜合成例Ｇ１、Ｒ１及びＲ２＞  燐光発光性化合物Ｇ１、Ｒ１及びＲ２の合成及び入手
燐光発光性化合物Ｇ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号に記載の方法に従って合成した。
燐光発光性化合物Ｒ１は、国際公開第２００６／０６２２２６号に記載の方法に準じて合成した。
燐光発光性化合物Ｒ２は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｒｐ．より購入した。
燐光発光性化合物Ｇ１、Ｒ１及びＲ２は、下記式で示される。
【０２８２】
【化８２】
2019195057.tif 000083
【０２８３】
＜合成例１＞  ブロック共重合体ＨＴＬ−１の合成
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１に示す混合物ＨＴＬ−１ａ〔化合物Ｍ１（２．３９ｇ）、化合物Ｍ２（１．８１ｇ）及び化合物Ｍ３（９１．４ｍｇ）〕並びにトルエン（２３ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．９ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは７．６×１０３であり、Ｍｗは１．７×１０４であった。
【０２８４】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液を室温にした後、そこへ、表１に示す混合物ＨＴＬ−１ｂ〔化合物Ｍ１（０．４５ｇ）化合物Ｍ４（０．２２ｇ）及び化合物Ｍ５（０．２６ｇ）〕、トルエン（２２ｍＬ）並びに２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１．０ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０２８５】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（１６０ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０２８６】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＴＬ−１（３．２ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＴＬ−１のＭｎは４．９×１０４であり、Ｍｗは１．４×１０５であった。
【０２８７】
【表１】
2019195057.tif 000084
【０２８８】
ブロック共重合体ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、４０：３０：２．５のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが、１０：１０：７．５のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＴＬ−１は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＴＬ−１は、上記式（ｖｉｉ）及び（ｉｘ）を満たす。
【０２８９】
＜合成例２＞  ブロック共重合体ＨＴＬ−２の合成
ブロック共重合体ＨＴＬ−２は、表２に示す混合物ＨＴＬ−２ａ（化合物Ｍ１、化合物Ｍ２、化合物Ｍ３及び化合物Ｍ５）、並びに、及び混合物ＨＴＬ−２ｂ（化合物Ｍ１及び化合物Ｍ４）を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
ブロック共重合体ＨＴＬ−２の合成において、非末端ブロックのＭｎは４．１×１０４であり、Ｍｗは１．２×１０５であった。ブロック共重合体ＨＴＬ−２のＭｎは５．４×１０４であり、Ｍｗは１．８×１０５であった。
【０２９０】
【表２】
2019195057.tif 000085
【０２９１】
ブロック共重合体ＨＴＬ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位とが、４０：３０：２．５：７．５のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とが、１０：１０のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＴＬ−２は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＴＬ−２は、上記式（ｖｉｉ）及び（ｉｘ）を満たす。
【０２９２】
＜合成例３＞  ブロック共重合体ＨＴＬ−３の合成
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表３に示す混合物ＨＴＬ−３ａ〔化合物Ｍ６（１．４６ｇ）及び化合物Ｍ７（１．２０ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２．３ｍｇ）及びトルエン（３０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、１６質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２０．６ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは８．４×１０３であり、Ｍｗは１．８×１０４であった。
【０２９３】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表３に示す混合物ＨＴＬ−３ｂ〔化合物Ｍ６（０．１４６ｇ）、化合物Ｍ５（０．１７４ｇ）及び化合物Ｍ８（０．１５０ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．５７ｍｇ）及びトルエン（１０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０２９４】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（１６０ｍｇ）及びビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（２．９ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０２９５】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＴＬ−３（０．８１ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＴＬ−３のＭｎは５．５×１０４であり、Ｍｗは３．７×１０５であった。
【０２９６】
【表３】
2019195057.tif 000086
【０２９７】
ブロック共重合体ＨＴＬ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位とが、４５：４０のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ８から誘導される構成単位とが、５：５：５のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＴＬ−３は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＴＬ−３は、上記式（ｖｉｉ）及び（ｉｘ）を満たす。
【０２９８】
＜合成例ＨＴＬ−４＞  ブロック共重合体ＨＴＬ−４の合成
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表４に示す混合物ＨＴＬ−４ａ〔化合物Ｍ１（２．０８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．７５ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１７ｍｇ）、並びに、トルエン（３５ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは７．４×１０３であり、Ｍｗは１．７×１０４であった。
【０２９９】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表４に示す混合物ＨＴＬ−４ｂ〔化合物Ｍ１（１．３５ｇ）、化合物Ｍ１５（０．３２８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．０５ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１７ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）、並びに、トルエン（４０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３００】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるＭ２１（３５２ｍｇ）及びビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１６ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３０１】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＴＬ−４（４．４７ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＴＬ−４のＭｎは３．３×１０４であり、Ｍｗは１．６×１０５であった。
【０３０２】
【表４】
2019195057.tif 000087
【０３０３】
ブロック共重合体ＨＴＬ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを３０：２５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを２０：１０：１５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基として、化合物Ｍ２１から誘導される架橋性基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＴＬ−４は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＴＬ−４は、上記式（ｖｉｉ）及び（ｉｘ）を満たす。
【０３０４】
＜合成例ＨＴＬ−５＞  ブロック共重合体ＨＴＬ−５の合成
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表５に示す混合物ＨＴＬ−５ａ〔化合物Ｍ１（０．６９４ｇ）及び化合物Ｍ２（１．０５ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．１０ｍｇ）、並びに、トルエン（３５ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２３．４ｇ）を加えた後、１００℃で２．５時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは３．２×１０３であり、Ｍｗは７．８×１０３であった。
【０３０５】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表５に示す混合物ＨＴＬ−５ｂ〔化合物Ｍ１（２．３８ｇ）、化合物Ｍ１５（０．３２８ｇ）及び化合物Ｍ２（１．７５ｇ）〕、ビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２４ｍｇ）、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２６．６ｇ）、並びに、トルエン（４０ｍＬ）を加え、１００℃で４．５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３０６】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるＭ２１（３５２ｍｇ）及びビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２４ｍｇ）を加えた後、１００℃に加熱し、還流下で１６時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３０７】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、１０質量％塩酸で１回、３質量％アンモニア水溶液で１回、イオン交換水で１回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＴＬ−５（４．５５ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＴＬ−５のＭｎは３．４×１０４であり、Ｍｗは１．３×１０５であった。
【０３０８】
【表５】
2019195057.tif 000088
【０３０９】
ブロック共重合体ＨＴＬ−５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを１０：１５のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２から誘導される構成単位とを４０：１０：２５のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基として、化合物Ｍ２１から誘導される架橋性基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＴＬ−５は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＴＬ−５は、上記式（ｖｉｉ）、（ｖｉｉ）及び（ｉｘ）を満たさない。
【０３１０】
＜合成例ＨＴＬ−Ｃ１＞  高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１の合成
高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１は、表６に示す混合物ＨＴＬ−Ｃ１ａ（化合物Ｍ１３、化合物Ｍ３、化合物Ｍ１４及び化合物Ｍ１５）を用いて、特開２０１３−１３１９９５号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１のＭｎは７．８×１０４であり、Ｍｗは２．６×１０５であった。
【０３１１】
【表６】
2019195057.tif 000089
【０３１２】
高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１４から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１５から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：３０：７．５のモル比で構成されたランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３１３】
＜合成例ＨＴＬ−Ｃ２＞  高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ２の合成
高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ２は、表７に示す混合物ＨＴＬ−Ｃ２ａ（化合物Ｍ６、化合物Ｍ７、化合物Ｍ５及び化合物Ｍ８）を用いて、特開２０１４−１３２７号公報に記載の方法に従って合成した。高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ２のＭｎは５．２×１０４であり、Ｍｗは２．５×１０５であった。
【０３１４】
【表７】
2019195057.tif 000090
【０３１５】
高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ７から誘導される構成単位と、化合物Ｍ５から誘導される構成単位と、化合物Ｍ８から誘導される構成単位とが、５０：４０：５：５のモル比で構成されたランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３１６】
＜合成例Ｐ−１＞  ブロック共重合体Ｐ−１の合成
ブロック共重合体Ｐ−１は、表８に示す混合物Ｐ−１ａ（化合物Ｍ１６、化合物Ｍ３、化合物Ｍ１０、化合物Ｍ１１及び化合物Ｍ１８）、並びに、混合物Ｐ−１ｂ（化合物Ｍ１及び化合物Ｍ４）を用いて、国際公開第２０１２／０８６６７０号に記載の方法に従って合成した。
ブロック共重合体Ｐ−１の合成において、非末端ブロックのＭｎは４．０×１０４であり、Ｍｗは１．４×１０５であった。
ブロック共重合体Ｐ−１のＭｎは９．７×１０４であり、Ｍｗは３．２×１０５であった。
【０３１７】
【表８】
2019195057.tif 000091
【０３１８】
ブロック共重合体Ｐ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１８から誘導される構成単位とが、４０：１０：２２：３：５のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とが、１０：１０のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体Ｐ−１は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体Ｐ−１は、上記式（ｉｖ）、（ｖ）及び（ｖｉ）を満たす。
【０３１９】
＜合成例Ｐ−Ｃ１＞  高分子化合物Ｐ−Ｃ１の合成
高分子化合物Ｐ−Ｃ１は、表９に示す混合物Ｐ−Ｃ１ａ（化合物Ｍ１６、化合物Ｍ１、化合物Ｍ１０、化合物Ｍ１１、化合物Ｍ１８及び化合物Ｍ４）を用いて、国際公開第２０１２／０８６６７０号に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物Ｐ−Ｃ１のＭｎは７．７×１０４であり、Ｍｗは２．３×１０５であった。
【０３２０】
【表９】
2019195057.tif 000092
【０３２１】
高分子化合物Ｐ−Ｃ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１８から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とが、４０：１０：３２：３：５：１０のモル比で構成されるランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３２２】
＜合成例Ｐ−Ｃ２：高分子化合物Ｐ−Ｃ２の合成＞
高分子化合物Ｐ−Ｃ２は、下記の表１０に示す混合物Ｐ−Ｃ２ａ（化合物Ｍ１及び化合物Ｍ４）を用いて、特開２０１２−１４４７２２号公報に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物Ｐ−Ｃ２のＭｎは８．７×１０４であり、Ｍｗは２．４×１０５であった。
【０３２３】
【表１０】
2019195057.tif 000093
【０３２４】
高分子化合物Ｐ−Ｃ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ４から誘導される構成単位とを５０：５０のモル比で含む交互共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３２５】
＜合成例ＨＰ−１＞  ブロック共重合体ＨＰ−１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、表１１に示す混合物ＨＰ−１ａ（化合物Ｍ６（１．０４ｇ）及び化合物Ｍ１７（２．１１ｇ））並びにトルエン（１７０ｇ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、酢酸パラジウム（０．７７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．７ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５８ｇ）を加え、還流下で３時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは６．５×１０３であり、Ｍｗは９．６×１０３であった。
得られた反応液を５５℃にした後、そこへ、表１１に示す混合物ＨＴＬ−１ｂ（化合物Ｍ６（７．００ｇ）及び化合物Ｍ９（８．５３ｇ））並びにトルエン（３９ｇ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、酢酸パラジウム（１．５ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（９．３ｍｇ）を加えた後、還流下で６時間攪拌することにより、末端ブロックを形成した。そこへ、末端封止剤であるフェニルボロン酸（０．８１ｇ）、酢酸パラジウム（１．９ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１２ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５８ｇ）を加えた後、還流下で１５時間攪拌することにより、末端基を形成した。
（工程２）得られた反応液を４０℃にした後、そこへ、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水層を除去した後、３．６質量％塩酸で２回、２．５質量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で２回洗浄した。得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＰ−１（８．４ｇ）を得た。ブロック共重合体ＨＰ−１のＭｎは４．４×１０４であり、Ｍｗは１．１×１０５であった。
【０３２６】
【表１１】
2019195057.tif 000094
【０３２７】
ブロック共重合体ＨＰ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１７から誘導される構成単位が、６．５：１０のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位とが、４３．５：４０のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−１は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−１は、上記式（ｖ）及び（ｖｉ）を満たす。
【０３２８】
＜合成例ＨＰ−Ｃ１＞  高分子化合物ＨＰ−Ｃ１の合成
高分子化合物ＨＰ−Ｃ１は、表１２に示す混合物ＨＰ−Ｃ１ａ（化合物Ｍ６、化合物Ｍ９及び化合物Ｍ１７）を用いて、特開２０１２−０３６３８８号公報に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物ＨＰ−Ｃ１のＭｎは９．６×１０４であり、Ｍｗは２．２×１０５であった。
【０３２９】
【表１２】
2019195057.tif 000095
【０３３０】
高分子化合物ＨＰ−Ｃ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ６から誘導される構成単位と、化合物Ｍ９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１７から誘導される構成単位とが、５０：４０：１０のモル比で構成されたランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３３１】
＜合成例ＨＰ−２＞  ブロック共重合体ＨＰ−２の合成
ブロック共重合体ＨＰ−２は、表１３に示す混合物ＨＰ−２ａ（化合物Ｍ１９、化合物Ｍ３及び化合物Ｍ１７）、並びに、混合物ＨＰ−２ｂ（化合物Ｍ１９、化合物Ｍ２０及び化合物Ｍ３）を用いて、特開２０１２−１３１９９５号公報に記載の方法に従って合成した。
ブロック共重合体ＨＰ−２の合成において、非末端ブロックのＭｎは６．９×１０３であり、Ｍｗは１．１×１０４であった。
ブロック共重合体ＨＰ−２のＭｎは９．０×１０３であり、Ｍｗは２．５×１０４であった。
【０３３２】
【表１３】
2019195057.tif 000096
【０３３３】
ブロック共重合体ＨＰ−２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１７から誘導される構成単位とが、２５：１０：１０のモル比で構成される非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位とが、１５：１０：３０のモル比で構成される末端ブロックを有し、且つ、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−２は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−２は、上記式（ｖ）及び（ｖｉ）を満たす。
【０３３４】
＜合成例ＨＰ−Ｃ２＞  高分子化合物ＨＰ−Ｃ２の合成
高分子化合物ＨＰ−Ｃ２は、表１４に示す混合物ＨＰ−Ｃ２ａ（化合物Ｍ１９、化合物Ｍ２０、化合物Ｍ３及び化合物Ｍ１７）を用いて、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物ＨＰ−Ｃ２のＭｎは９．２×１０４であり、Ｍｗは２．８×１０５であった。
【０３３５】
【表１４】
2019195057.tif 000097
【０３３６】
高分子化合物ＨＰ−Ｃ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１９から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ３から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１７から誘導される構成単位とが、４０：１０：４０：１０のモル比で構成されたランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３３７】
＜合成例ＨＰ−３：ブロック共重合体ＨＰ−３の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１５に示す混合物ＨＰ−３ａ〔化合物Ｍ２２（６．７６ｇ）、化合物Ｍ１０（４．３０ｇ）、化合物Ｍ１１（０．７５１ｇ）及び化合物Ｍ２３（０．１２０ｇ）〕並びにトルエン（１８０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１２．８ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．３ｇ）を加えた後、還流下で３時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは１．２×１０４であり、
Ｍｗは２．３×１０４であった。
【０３３８】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１５に示す混合物ＨＰ−３ｂ〔化合物Ｍ１２（２．２０ｇ）及び化合物Ｍ１０（３．０６ｇ）〕並びにトルエン（４０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（５．０ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５ｇ）を加えた後、還流下で４時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３３９】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（０．１５５ｇ）及びビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８．９ｍｇ）を加えた後、還流下で１５時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３４０】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却した後、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却し、水層を除去した後、得られた有機層を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄した。その後、得られた有機層をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＰ−３（９．３ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＰ−３のＭｎは７．９×１０４であり、Ｍｗは１．８×１０５であった。
【０３４１】
【表１５】
2019195057.tif 000098
【０３４２】
ブロック共重合体ＨＰ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ２２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２３から誘導される構成単位とを３６：３１：４：１のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位とを１４：１４のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−３は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−３は、上記式（ｉｖ）、（ｖ）及び（ｖｉ）を満たす。
【０３４３】
＜合成例ＨＰ−４：ブロック共重合体ＨＰ−４の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１６に示す混合物ＨＰ−４ａ〔化合物Ｍ１２（２．２８ｇ）、化合物Ｍ１０（１．８３ｇ）及び化合物Ｍ２３（０．１２０ｇ）〕並びにトルエン（１８０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（５．０ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５ｇ）を加えた後、還流下で３時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは１．０×１０４であり、
Ｍｗは２．１×１０４であった。
【０３４４】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１６に示す混合物ＨＰ−４ｂ〔化合物Ｍ２２（６．６７ｇ）、化合物Ｍ１０（５．５３ｇ）及び化合物Ｍ１１（０．７５１ｇ）〕並びにトルエン（４０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１２．８ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．３ｇ）を加えた後、還流下で４時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３４５】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（０．１５５ｇ）及びビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８．９ｍｇ）を加えた後、還流下で１５時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３４６】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却した後、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却し、水層を除去した後、得られた有機層を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄した。その後、得られた有機層をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＰ−４（１０．２ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＰ−４のＭｎは８．４×１０４であり、Ｍｗは２．０×１０５であった。
【０３４７】
【表１６】
2019195057.tif 000099
【０３４８】
ブロック共重合体ＨＰ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２３から誘導される構成単位とを１４：１３：１のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ２２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位とを３６：３２：４のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−４は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−４は、上記式（ｖ）を満たす。
【０３４９】
＜合成例ＨＰ−５：ブロック共重合体ＨＰ−５の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１７に示す混合物ＨＰ−５ａ〔化合物Ｍ１２（２．２８ｇ）、化合物Ｍ１０（１．３３ｇ）及び化合物Ｍ１１（０．７５１ｇ）〕並びにトルエン（１８０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（５．０ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５ｇ）を加えた後、還流下で３時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは９×１０３であり、Ｍｗは２．０×１０４であった。
【０３５０】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１７に示す混合物ＨＰ−５ｂ〔化合物Ｍ２２（６．７１ｇ）、化合物Ｍ１０（６．０２ｇ）及び化合物Ｍ２３（０．１２０ｇ）〕並びにトルエン（４０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１２．８ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．３ｇ）を加えた後、還流下で５時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３５１】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（０．１５５ｇ）及びビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８．９ｍｇ）を加えた後、還流下で１５時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３５２】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却した後、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却し、水層を除去した後、得られた有機層を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄した。その後、得られた有機層をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＰ−５（１０．０ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＰ−５のＭｎは６．２×１０４であり、Ｍｗは１．５×１０５であった。
【０３５３】
【表１７】
2019195057.tif 000100
【０３５４】
ブロック共重合体ＨＰ−５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位とを１４：１０：４のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ２２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２３から誘導される構成単位とを３６：３５：１のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−５は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−５は、上記式（ｉｖ）及び（ｖｉ）を満たす。
【０３５５】
＜合成例ＨＰ−６：ブロック共重合体ＨＰ−６の合成＞
（１）非末端ブロックの形成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、下記の表１８に示す混合物ＨＰ−６ａ〔化合物Ｍ２２（６．７６ｇ）及び化合物Ｍ１０（５．１２ｇ）〕並びにトルエン（１８０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１２．８ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（３２．３ｇ）を加えた後、還流下で３時間攪拌することにより、非末端ブロックを形成した。
反応液中に存在する高分子化合物（非末端ブロック）のＭｎは１．３×１０４であり、
Ｍｗは２．５×１０４であった。
【０３５６】
（２）末端ブロックの形成
上記（１）で得られた反応液に、下記の表１８に示す混合物ＨＰ−６ｂ〔化合物Ｍ１２（２．２０ｇ）、化合物Ｍ１０（２．２４ｇ）、化合物Ｍ１１（０．７５１ｇ）及び化合物Ｍ２３（０．１２０ｇ）〕並びにトルエン（４０ｍＬ）を加え、８０℃に加熱した。そこへ、ビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（５．０ｍｇ）及び２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５ｇ）を加えた後、還流下で４時間攪拌することにより、非末端ブロックに末端ブロックを結合させ、末端ブロックを形成した。
【０３５７】
（３）末端基の形成
上記（２）で得られた反応液に、末端封止剤であるフェニルボロン酸（０．１５５ｇ）及びビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８．９ｍｇ）を加えた後、還流下で１５時間攪拌することにより、末端ブロックに末端基を導入し、末端基を形成した。
【０３５８】
（４）後処理
上記（３）で得られた反応液を室温まで冷却した後、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却し、水層を除去した後、得られた有機層を、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄した。その後、得られた有機層をメタノールに滴下し、攪拌したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、ブロック共重合体ＨＰ−６（１０．０ｇ）を得た。
ブロック共重合体ＨＰ−６のＭｎは８．１×１０４であり、Ｍｗは２．１×１０５であった。
【０３５９】
【表１８】
2019195057.tif 000101
【０３６０】
ブロック共重合体ＨＰ−６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ２２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位とを３６：３６のモル比で含む非末端ブロックを有し、を３６：３１：４：１のモル比で含む非末端ブロックを有し、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２３から誘導される構成単位とを１４：９：４：１のモル比で含む末端ブロックを有し、末端基としてフェニル基を有するブロック共重合体である。
ブロック共重合体ＨＰ−６は、末端基と、末端ブロックと、非末端ブロックと、末端ブロックと、末端基と、をこの順に含む。ブロック共重合体ＨＰ−６は、上記式（ｉｖ）、（ｖ）及び（ｖｉ）を満たさない。
【０３６１】
＜合成例ＨＰ−Ｃ３：高分子化合物ＨＰ−Ｃ３の合成＞
高分子化合物ＨＰ−Ｃ３は、下記の表１９に示す混合物ＨＰ−Ｃ３ａ（化合物Ｍ２２、化合物Ｍ１２、化合物Ｍ１０、化合物Ｍ１１及び化合物Ｍ２３）を用いて、特開２０１５−３５６００号公報に記載の方法に従って合成した。
高分子化合物ＨＰ−Ｃ３のＭｎは１．０×１０５であり、Ｍｗは２．４×１０５であった。
【０３６２】
【表１９】
2019195057.tif 000102
【０３６３】
高分子化合物ＨＰ−Ｃ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ２２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１２から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１０から誘導される構成単位と、化合物Ｍ１１から誘導される構成単位と、化合物Ｍ２３から誘導される構成単位とを３６：１４：４５：４：１のモル比で含むランダム共重合体（末端ブロック及び非末端ブロックを有さない共重合体）であり、末端基としてフェニル基を有する。
【０３６４】
第２のブロック共重合体ＨＴＬ−１〜ＨＴＬ−５における各構成単位の合計個数の算出結果を表２０に示す。
第１のブロック共重合体Ｐ−１及びＨＰ−１〜ＨＰ−６における各構成単位の合計個数の算出結果を表２１に示す。
高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１〜ＨＴＬ−Ｃ２、Ｐ−Ｃ１〜Ｐ−Ｃ２、及びＨＰ−Ｃ１〜ＨＰ−Ｃ３における各構成単位の合計個数の算出結果を表２２に示す。
【０３６５】
【表２０】
2019195057.tif 000103
【０３６６】
【表２１】
2019195057.tif 000104
【０３６７】
【表２２】
2019195057.tif 000105
【０３６８】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により５０ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（第２の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＴＬ−１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。この加熱により、ブロック共重合体ＨＴＬ−１は、架橋体となった。
（第１の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体Ｐ−１を０．９質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（発光層）を形成した。
（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、陽極、正孔注入層、正孔輸送層（第２の有機層）、第１の発光層（第１の有機層）、陰極がこの順に積層された発光素子Ｄ１を作製した。発光素子Ｄ１は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．３［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１４）であった。得られた結果を表２３に示す。
【０３６９】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製と評価
実施例Ｄ１の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−２」を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。発光素子Ｄ２は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．１［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１４）であった。得られた結果を表２３に示す。
【０３７０】
＜比較例ＣＤ１＞  発光素子ＣＤ１の作製と評価
実施例Ｄ１の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−２」を用い、さらに、実施例Ｄ１の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体Ｐ−１」に代えて「高分子化合物Ｐ−Ｃ１」を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は７．７［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１４）であった。得られた結果を表２３に示す。
【０３７１】
【表２３】
2019195057.tif 000106
【０３７２】
＜実施例Ｄ３＞  発光素子Ｄ３の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６５ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（第２の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＴＬ−１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。
（第１の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＰ−１及び燐光発光性化合物Ｇ１（ブロック共重合体ＨＰ−１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０質量％／３０質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（発光層）を形成した。
（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、第１の有機層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、陽極、正孔注入層、正孔輸送層（第２の有機層）、第１の発光層（第１の有機層）、陰極がこの順に積層された発光素子Ｄ３を作製した。発光素子Ｄ３は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．４［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７３】
＜実施例Ｄ４＞  発光素子Ｄ４の作製と評価
実施例Ｄ３の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−２」を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。発光素子Ｄ４は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
発光素子Ｄ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．４［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７４】
＜実施例Ｄ５＞  発光素子Ｄ５の作製と評価
実施例Ｄ３の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−２」を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。発光素子Ｄ５は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
発光素子Ｄ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は７．１［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７５】
＜実施例Ｄ６＞  発光素子Ｄ６の作製と評価
実施例Ｄ３の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−２」を用い、さらに、実施例Ｄ３の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−２」を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。発光素子Ｄ６は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
発光素子Ｄ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は７．１［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７６】
＜比較例ＣＤ２＞  発光素子ＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ３の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−２」を用い、さらに、実施例Ｄ３の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−１」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ２」を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は８．６［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７７】
＜比較例ＣＤ３＞  発光素子ＣＤ３の作製と評価
実施例Ｄ３の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ１」を用い、さらに、実施例Ｄ３の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−２」を用いた以外は、実施例Ｄ３と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。発光素子ＣＤ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は８．８［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２４に示す。
【０３７８】
【表２４】
2019195057.tif 000107
【０３７９】
＜実施例Ｄ７＞  発光素子Ｄ７の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により５０ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（第２の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＴＬ−３を０．６質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。
（第１の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＰ−１及び燐光発光性化合物Ｇ１（ブロック共重合体ＨＰ−１／燐光発光性化合物Ｇ１＝７０質量％／３０質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により８０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（発光層）を形成した。
（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、第１の有機層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、陽極、正孔注入層、正孔輸送層（第２の有機層）、第１の発光層（第１の有機層）、陰極がこの順に積層された発光素子Ｄ７を作製した。発光素子Ｄ７は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．５［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２５に示す。
【０３８０】
＜実施例Ｄ８＞  発光素子Ｄ８の作製と評価
実施例Ｄ７の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−３」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」を用いた以外は、実施例Ｄ７と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。発光素子Ｄ８は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
発光素子Ｄ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は６．４［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２５に示す。
【０３８１】
＜比較例ＣＤ４＞  発光素子ＣＤ４の作製と評価
実施例Ｄ７の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−３」に代えて「高分子化合物ＨＴＬ−Ｃ２」を用い、さらに、実施例Ｄ７の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−１」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ１」を用いた以外は、実施例Ｄ７と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。発光素子ＣＤ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は８．２［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．６４）であった。得られた結果を表２５に示す。
【０３８２】
【表２５】
2019195057.tif 000108
【０３８３】
＜実施例Ｄ９＞  発光素子Ｄ９の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により５０ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（第２の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＴＬ−４を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の有機層（正孔輸送層）を形成した。この加熱により、ブロック共重合体ＨＴＬ−４は、架橋体となった。
（第１の有機層の形成）
キシレンに、ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ１（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９２．５質量％／７．５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、第２の有機層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１８０℃、１０分間加熱させることにより第１の有機層（発光層）を形成した。
（陰極の形成）
第１の有機層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、陽極、正孔注入層、正孔輸送層（第２の有機層）、第１の発光層（第１の有機層）、陰極がこの順に積層された発光素子Ｄ９を作製した。発光素子Ｄ９は、上記式（ｉ）及び（ｉｉｉ）を満たす。
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１４５００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は９．８［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２６に示す。
【０３８４】
＜比較例ＣＤ５＞  発光素子ＣＤ５の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ３」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製した。発光素子ＣＤ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１４５００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．６［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２６に示す。
【０３８５】
【表２６】
2019195057.tif 000109
【０３８６】
＜実施例Ｄ１０＞  発光素子Ｄ１０の作製と評価
実施例Ｄ９の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−５」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１０を作製した。発光素子Ｄ１０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１３０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は９．４［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２７に示す。
【０３８７】
＜比較例ＣＤ６＞  発光素子ＣＤ６の作製と評価
実施例Ｄ９の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−５」を用い、さらに、実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ３」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子ＣＤ６を作製した。発光素子ＣＤ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１３０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．０［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２７に示す。
【０３８８】
【表２７】
2019195057.tif 000110
【０３８９】
＜実施例Ｄ１１＞  発光素子Ｄ１１の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−６」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製した。発光素子Ｄ１１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１８５００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．０［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２８に示す。
【０３９０】
＜実施例Ｄ１２＞  発光素子Ｄ１２の作製と評価
実施例Ｄ９の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−５」を用い、さらに、実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−６」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１２を作製した。発光素子Ｄ１２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１８５００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．７［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６４，０．３２）であった。得られた結果を表２８に示す。
【０３９１】
【表２８】
2019195057.tif 000111
【０３９２】
＜実施例Ｄ１３＞  発光素子Ｄ１３の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ１（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９２．５質量％／７．５質量％）」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ２（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ２＝９２．５質量％／７．５質量％）」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１３を作製した。発光素子Ｄ１３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１６０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は９．１［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３２）であった。得られた結果を表２９に示す。
【０３９３】
＜比較例ＣＤ７＞  発光素子ＣＤ７の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ１（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９２．５質量％／７．５質量％）」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ３及び燐光発光性化合物Ｒ２（高分子化合物ＨＰ−Ｃ３／燐光発光性化合物Ｒ２＝９２．５質量％／７．５質量％）」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子ＣＤ７を作製した。発光素子ＣＤ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１６０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．７［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３２）であった。得られた結果を表２９に示す。
【０３９４】
【表２９】
2019195057.tif 000112
【０３９５】
＜実施例Ｄ１４＞  発光素子Ｄ１４の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ１（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９２．５質量％／７．５質量％）」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ２（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ２＝９２．５質量％／７．５質量％）」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１４を作製した。発光素子Ｄ１４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１０．８［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３３）であった。得られた結果を表３０に示す。
【０３９６】
＜実施例Ｄ１５＞  発光素子Ｄ１５の作製と評価
実施例Ｄ９の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−３及び燐光発光性化合物Ｒ１（ブロック共重合体ＨＰ−３／燐光発光性化合物Ｒ１＝９２．５質量％／７．５質量％）」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−６及び燐光発光性化合物Ｒ２（ブロック共重合体ＨＰ−６／燐光発光性化合物Ｒ２＝９２．５質量％／７．５質量％）」を用いた以外は、実施例Ｄ９と同様にして、発光素子Ｄ１５を作製した。発光素子Ｄ１５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．７［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３３）であった。得られた結果を表３０に示す。
【０３９７】
【表３０】
2019195057.tif 000113
【０３９８】
＜実施例Ｄ１６＞  発光素子Ｄ１６の作製と評価
実施例Ｄ１の（第２の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＴＬ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＴＬ−４」を用い、さらに、実施例Ｄ１の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体Ｐ−１」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−４及び高分子化合物Ｐ−Ｃ２（ブロック共重合体ＨＰ−４／高分子化合物Ｐ−Ｃ２＝９０質量％／１０質量％）」を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ１６を作製した。発光素子Ｄ１６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３６０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１０．２［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１７）であった。得られた結果を表３１に示す。
【０３９９】
＜実施例Ｄ１７＞  発光素子Ｄ１７の作製と評価
実施例Ｄ１６の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−５」を用いた以外は、実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子Ｄ１７を作製した。発光素子Ｄ１７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３６０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は８．９［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１８）であった。得られた結果を表３１に示す。
【０４００】
＜比較例ＣＤ８＞  発光素子ＣＤ８の作製と評価
実施例Ｄ１６の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−４」に代えて「高分子化合物ＨＰ−Ｃ３」を用いた以外は、実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子ＣＤ８を作製した。発光素子ＣＤ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３６０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１２．０［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１７）であった。得られた結果を表３１に示す。
【０４０１】
【表３１】
2019195057.tif 000114
【０４０２】
＜実施例Ｄ１８＞  発光素子Ｄ１８の作製と評価
実施例Ｄ１６の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−３」を用いた以外は、実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子Ｄ１８を作製した。発光素子Ｄ１８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は８．２［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１９）であった。得られた結果を表３２に示す。
【０４０３】
＜実施例Ｄ１９＞  発光素子Ｄ１９の作製と評価
実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子Ｄ１９を作製した。発光素子Ｄ１９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。３００００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は９．４［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１７）であった。得られた結果を表３２に示す。
【０４０４】
【表３２】
2019195057.tif 000115
【０４０５】
＜実施例Ｄ２０＞  発光素子Ｄ２０の作製と評価
実施例Ｄ１６の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−３」を用いた以外は、実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子Ｄ２０を作製した。発光素子Ｄ２０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。４８０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１０．６［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．１９）であった。得られた結果を表３３に示す。
【０４０６】
＜実施例Ｄ２１＞  発光素子Ｄ２１の作製と評価
実施例Ｄ１６の（第１の有機層の形成）における、「ブロック共重合体ＨＰ−４」に代えて「ブロック共重合体ＨＰ−６」を用いた以外は、実施例Ｄ１６と同様にして、発光素子Ｄ２１を作製した。発光素子Ｄ２１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。４８０００ｃｄ／ｍ２における駆動電圧は１１．７［Ｖ］、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．１６）であった。得られた結果を表３３に示す。
【０４０７】
【表３３】
2019195057.tif 000116
【符号の説明】
【０４０８】
１０  発光素子、１１  陽極、１２  第２の有機層、１３  第１の有機層、１４  陰極。 
【図１】
2019195057.tif 000124