(57)【要約】【課題】発光しないダミー画素が配される周辺領域の幅を狭くすることができる有機ＥＬ表示パネルを提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示パネル１０は、基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する。有機ＥＬ表示パネル１０は、基板１００ｘと、基板１００ｘと素子アレイとの間に、基板１００ｘを覆う状態で形成された層間絶縁層１１８と、素子アレイにおける発光領域に存在し、有機発光材料を含む複数の発光層１２３と、素子アレイにおける周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミーの発光層１２３Ｄとを備える。ダミーの発光層１２３Ｄとの下方の層間絶縁層１１８の一部分は凹入されていて、ダミーの発光層１２３Ｄの下部が凹入部内まで延在している。【選択図】図６
2019008962.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板と前記素子アレイとの間に、前記基板を覆う状態で形成された平坦化層と、
前記素子アレイにおける前記発光領域に存在し、有機発光材料を含む複数の発光層と、
前記素子アレイにおける前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層とを備え、
前記ダミー発光層の下方の平坦化層部分は凹入されていて、ダミー発光層の下部が前記凹入部内まで延在している
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
さらに、
各発光層を区画する第１隔壁と、
前記ダミー発光層を区画する第２隔壁とを備え、
前記第２隔壁の前記基板面からの高さは、前記第１隔壁の前記基板面からの高さより高い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層を、さらに、複数備え、
前記基板面において各ダミー発光層が占める面積は、各発光層が前記基板面において占める面積より大きい
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層を、さらに、複数備え、
各ダミー発光層は、所定数の発光層に対応する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記凹入部は、前記発光領域を囲繞するループ状の凹溝に形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備し、
前記基板と前記素子アレイとの間に、前記基板を覆う状態で平坦化層を形成し、
前記素子アレイにおける前記発光領域に有機発光材料を含む複数の発光層を形成し、
前記素子アレイにおける前記周辺領域において、前記平坦化層の一部分を凹入し、凹入部上方に、凹入部内まで延在する有機発光材料を含むダミー発光層を形成する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子を行列状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された構造を有している。一つの有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなる絶縁層で仕切られている。有機ＥＬ素子は、駆動時に、一対の電極対間に電圧が印加され、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
【０００３】
上述の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、特に、発光層等の作製においては、例えば、液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、有機発光材料のインク液を基板上に吐出、塗布し、乾燥させる。
このとき、基板上の塗布領域における周辺部（上端部、下端部、右端部、左端部）では、塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧が低いため、基板上の塗布領域の中央部と比較すると、速く乾きはじめる。このように基板上に塗布されたインク液の乾燥時間の差は、周辺部と中央部の画素間での発光層の膜厚ムラを引き起こし、周辺部と中央部の画素間での輝度ムラの原因となる場合がある（特許文献１）。
【０００４】
このような問題を解決するため、特許文献２によると、第１の表示パネルは、発光領域と、発光領域を取り囲むように配置されている第１周辺領域とから構成されている。発光領域では、基板上で行列状に配された複数の画素領域に、インク液が吐出、塗布される。また、第１周辺領域においても、ダミーとしての複数のダミー画素領域の各々に、インク液が吐出、塗布される。こうして、第１周辺領域に塗布されたインク液の蒸発が、発光領域の周辺部に塗布されたインク液の過剰な蒸発を抑制するので、発光領域の中央部と周辺部におけるインク液の乾燥時間の差が緩和され、発光層における膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０００５】
しかし、発光領域の周囲に多数のダミー画素を含む第１周辺領域を設けることにより、装置全体の大型化を招くという問題がある。
この問題を解決するため、特許文献２は、上記の第１周辺領域の幅を狭くする技術も開示している。この技術によると、第２の表示パネルは、上記の発光領域と、第１周辺領域より幅の狭い第２周辺領域を有する。第２周辺領域には、例えば第１周辺領域の行方向に配された複数のダミー画素領域に対してそれぞれ塗布されるインク液の合計量と同じ容量のインク液がまとめて吐出、塗布される。第２周辺領域には、第１周辺領域に塗布されるインク液の合計量と同じ容量のインク液が塗布されるので、第２の表示パネルにおいても、第１の表示パネルの場合と同等の効果が得られるとともに、第２周辺領域の幅を第１周辺領域の幅と比較して狭くすることができる。これにより、装置全体の大型化を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５９７１７号公報
【特許文献２】特開２００９−１２９６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、特許文献２により開示された技術によると、第１周辺領域よりも幅の狭い第２周辺領域に、第１周辺領域に塗布されるインク液の合計量と同じ容量のインク液をまとめて吐出、塗布することにより、第１の表示パネルの場合と同等の効果を得るとともに、第２周辺領域の幅を狭くして、装置全体の大型化を防止している。しかし、多量のインク液を第２周辺領域に塗布すると、塗布されたインク液が隣接する発光領域に流れ出す可能性があるので、狭くすることができる第２周辺領域の幅には、限界がある。
【０００８】
本開示は、発光に寄与する複数の画素が行列状に配された発光領域の中央部と周辺部におけるインク液の蒸発を均一化するため、発光に寄与しないダミー画素が配される周辺領域に、先行技術の場合と同等量のダミーとしてのインク液を、保持しつつ、周辺領域の幅をさらに狭くして、装置全体の大型化を防止することができる有機ＥＬ表示パネル及びこの有機ＥＬ表示パネルの製造に適した製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板と前記素子アレイとの間に、前記基板を覆う状態で形成された平坦化層と、前記素子アレイにおける前記発光領域に存在し、有機発光材料を含む複数の発光層と、前記素子アレイにおける前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層とを備え、前記ダミー発光層の下方の平坦化層部分は凹入されていて、ダミー発光層の下部が前記凹入部内まで延在している。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、発光領域の中央部と周辺部におけるインク液の蒸発を均一化するため、周辺領域にダミーとしてのインク液を保持しつつ、周辺領域の幅をさらに狭くして、装置全体の大型化を防止できるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示すブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０における発光領域１２及び周辺領域１１の配置を示す。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０における画素電極、列バンク及び行バンクの配列を示す。
【図４】有機ＥＬ表示パネル１０の一角を示す模式平面図である。
【図５】有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す回路図である。
【図６】図４におけるＡ１−Ａ１切断面の矢視断面図である。
【図７】図４におけるＡ２−Ａ２切断面の矢視断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１０】液滴吐出装置のインクジェットヘッド６５０によるインク液の吐出を示す。
【図１１】発光層１２３Ｄの乾燥工程におけるインク液面の変化を示す。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す。図４におけるＡ１−Ａ１切断面と同じ位置における断面図である。
【図１５】共通電極層１２５の製造に用いるスパッタ装置６００の構造を示す模式図である。
【図１６】変形例（１）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｈの切断面の断面図である。図４におけるＡ１−Ａ１切断面に相当する。
【図１７】変形例（２）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｉの切断面の断面図である。図４におけるＡ１−Ａ１切断面に相当する。
【図１８】変形例（３）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｊにおける発光領域１２ｊ及び周辺領域１１ｊの配置を示す。
【図１９】変形例（４）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｋにおける発光領域１２ｋ及び周辺領域１１ｋの配置を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１  本開示を実施するための形態の概要
本開示は、基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板と前記素子アレイとの間に、前記基板を覆う状態で形成された平坦化層と、前記素子アレイにおける前記発光領域に存在し、有機発光材料を含む複数の発光層と、前記素子アレイにおける前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層とを備え、前記ダミー発光層の下方の平坦化層部分は凹入されていて、ダミー発光層の下部が前記凹入部内まで延在している。
【００１３】
ここで、さらに、各発光層を区画する第１隔壁と、前記ダミー発光層を区画する第２隔壁とを備え、前記第２隔壁の前記基板面からの高さは、前記第１隔壁の前記基板面からの高さより高い、としてもよい。
ここで、前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層を、さらに、複数備え、前記基板面において各ダミー発光層が占める面積は、各発光層が前記基板面において占める面積より大きい、としてもよい。
【００１４】
ここで、前記周辺領域に存在し、有機発光材料を含むダミー発光層を、さらに、複数備え、各ダミー発光層は、所定数の発光層に対応する、としてもよい。
ここで、前記凹入部は、前記発光領域を囲繞するループ状の凹溝に形成されている、としてもよい。
また、本開示は、基板の上方に発光領域及び当該発光領域を囲繞する非発光の周辺領域からなる素子アレイを有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備し、前記基板と前記素子アレイとの間に、前記基板を覆う状態で平坦化層を形成し、前記素子アレイにおける前記発光領域に有機発光材料を含む複数の発光層を形成し、前記素子アレイにおける前記周辺領域において、前記平坦化層の一部分を凹入し、凹入部上方に、凹入部内まで延在する有機発光材料を含むダミー発光層を形成する。
【００１５】
これらの開示によると、発光に寄与する複数の画素が行列状に配された発光領域の中央部と周辺部におけるインク液の蒸発を均一化するため、発光に寄与しないダミー画素が配された周辺領域にダミーとしてのインク液を保持しつつ、周辺領域の幅をさらに狭くして、装置全体の大型化を防止できるという優れた効果を奏する。
２  実施の形態
２．１  有機ＥＬ表示装置１の回路構成
本開示の一つの実施の形態としての有機ＥＬ表示装置１の回路構成について説明する。
【００１６】
有機ＥＬ表示装置１は、図１に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０及びこれに接続された駆動制御回路部２０から構成されている。
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルであって、有機ＥＬ表示パネル１０においては、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、行列状に配列されている。また、駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
【００１７】
なお、有機ＥＬ表示装置１において、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の各回路の配置形態については、図１に示した形態には限定されない。
２．２  有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が形成された基板（ＴＦＴ基板）１００ｘに行列状に配された複数の有機ＥＬ素子１００が、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。
【００１８】
有機ＥＬ表示パネル１０は、図２に示すように、例えば、概矩形状の発光領域１２及び発光領域１２を囲繞する額縁状の周辺領域１１からなる素子アレイを有する。ここで、本明細書では、図２に示すＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ有機ＥＬ表示パネル１０における行方向、列方向、厚み方向とする。
発光領域１２においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素が配される領域を画素領域と呼ぶ。ここで、副画素１００ｓｅを色毎に区別する場合は、「青色副画素１００ｓｅＢ」、「緑色副画素１００ｓｅＧ」及び「赤色副画素１００ｓｅＲ」と呼ぶ。このように、発光領域１２には、発光に寄与する複数の副画素が行列状に配されている。また、発光領域１２には、有機化合物により、赤色に発光する自己発光領域１００ａＲ、緑色に発光する自己発光領域１００ａＧ、青色に発光する自己発光領域１００ａＢの３種類の自己発光領域１００ａが形成されている（図４）。ここで、自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「自己発光領域１００ａ」と略称する。行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となり、カラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００１９】
一方、周辺領域１１は、発光領域１２を取り囲むように配され、発光に寄与しない領域である。周辺領域１１は、周辺行領域１３、１４及び周辺列領域１５、１６から構成されている。周辺領域１１は、周辺行領域１３、１４及び周辺列領域１５、１６により、発光領域１２の四方の外縁を囲むように、額縁状に形成されている。周辺行領域１３、１４は、それぞれ、行方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２の行方向の外縁に接触するように配されている。また、周辺列領域１５、１６は、それぞれ、列方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２の列方向の外縁に接触するように配されている。
【００２０】
周辺行領域１３、１４においては、行方向に、複数のダミー画素１０１が一列に配されている。詳細には、周辺行領域１３、１４においては、行方向に、赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び青色副画素１００ｓｅＢに対応して、それぞれ、ダミー画素が配されている。また、青色副画素１００ｓｅＢと赤色副画素１００ｓｅＲとの間隙に対して、一つのダミー画素が配されている。
【００２１】
また、周辺列領域１５、１６においては、列方向に、複数のダミー画素１０１が一列に配されている。詳細には、周辺列領域１５、１６においては、列方向に、列方向に並ぶ複数の副画素に対応して、それぞれ、ダミー画素が配されている。
つまり、複数のダミー画素１０１が発光領域１２の四方の外縁の周囲に、配されている。ダミー画素が配される領域をダミー画素領域と呼ぶ。
【００２２】
ここで、行列状の複数の単位画素１００ｅ及び複数のダミー画素１０１は、素子アレイを形成している。
ダミー画素が配されるダミー画素領域のサイズは、副画素が配される画素領域のサイズより大きいことが好ましい。
ダミー画素１０１は、発光領域１２の中央部に配された副画素１００ｓｅと、発光領域１２の周辺部に配された副画素１００ｓｅとの間で、各副画素１００ｓｅの発光層に塗布されたインクの乾燥時間の差を縮め、副画素１００ｓｅと他の副画素１００ｓｅとの間での発光膜の厚さのムラを低減するために、用いられる。なお、ダミー画素１０１は、発光しない。
【００２３】
図３に、有機ＥＬ表示パネル１０における画素電極、列バンク及び行バンクの配列を示す。また、図４に、図３に示す有機ＥＬ表示パネル１０の一角を拡大して示す。
図３及び図４に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０の発光領域１２には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行方向及び列方向に行列状に配されている。また、有機ＥＬ表示パネル１０には、複数の補助電極層２００が基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。
【００２４】
また、有機ＥＬ表示パネル１０の周辺行領域１３、１４及び周辺列領域１５、１６には、これらの領域に配された複数のダミー画素１０１に対応して、複数のダミー画素電極１０２が配されている。つまり、周辺行領域１３、１４には、複数のダミー画素電極１０２が基板１００ｘ上に行方向に一列に配されている。また、周辺列領域１５、１６には、複数のダミー画素電極１０２が基板１００ｘ上に列方向に一列に配されている。なお、全てのダミー画素電極１０２は、他の配線とは、接続されておらず、電力が供給されることはない。
【００２５】
また、有機ＥＬ表示パネル１０上には、それぞれ列方向にライン状に延伸する列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８が並設されている。また、それぞれ行方向にライン状に延伸する行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４が並設されている。
有機ＥＬ表示パネル１０上において、列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８は、行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４と、直交している。
【００２６】
このように、列バンクと行バンクにより、画素領域及びダミー画素領域が規定されている。
なお、列バンク５２２Ｙと、これに隣接する列バンク５２２Ｙとの間を間隙５２２ｚと定義する。間隙５２２ｚには、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢ及び補助間隙５２２ｚＡが含まれる。赤色間隙５２２ｚＲには、自己発光領域１００ａＲが存在する。緑色間隙５２２ｚＧには、自己発光領域１００ａＧが存在する。青色間隙５２２ｚＢには、自己発光領域１００ａＢが存在する。また、列バンク１４５と列バンク１４６との間、及び、列バンク１４７と列バンク１４８との間をダミー間隙５２２ｚＤと定義する。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢ、補助間隙５２２ｚＡ、ダミー間隙５２２ｚＤを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」と称する。
【００２７】
２．３  副画素１００ｓｅの回路構成
各副画素１００ｓｅの回路構成について、図５を用いて説明する。
図５は、有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図５に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅは、二つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ 、一つのキャパシタＣ及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬから構成されている。トランジスタＴｒ１ は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ２ は、スイッチングトランジスタである。
【００２８】
スイッチングトランジスタＴｒ２ のゲートＧ２ は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２ は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ は、駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ１ のドレインＤ１ は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ１ は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極層（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【００２９】
キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ２ のドレインＤ２ 及び駆動トランジスタＴｒ１ のゲートＧ１ と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
各副画素１００ｓｅのゲートＧ２ からゲートラインが各々引き出され、有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ２ からソースラインが各々引き出され有機ＥＬ表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００３０】
また、各副画素ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、有機ＥＬ表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
２．４  有機ＥＬ表示パネル１０の各部構成
有機ＥＬ表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成を図４、図６、図７を用いて説明する。図６は、図４におけるＡ１−Ａ１切断面における矢視断面図である。図７は、図４におけるＡ２−Ａ２切断面における矢視断面図である。
【００３１】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）１００ｘ及び層間絶縁層１１８が構成され、その上に有機ＥＬ層１０５が構成されている。
２．４．１  基板１００ｘ及び層間絶縁層１１８
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とから構成されている。
【００３２】
基材は、有機ＥＬ表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線１１０（図７）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、有機ＥＬ表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。配線１１０は、ＴＦＴのソースＳ１ に接続されている。
【００３３】
（２）層間絶縁層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には、層間絶縁層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するものである。このため、層間絶縁層１１８は、平坦化層と定義することができる。また、層間絶縁層１１８は、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。さらに、層間絶縁層１１８は、基板１００ｘと素子アレイとの間で、基板１００ｘを覆う状態で形成されている。
【００３４】
層間絶縁層１１８は、図６及び図７に示すように、下層１１８Ａ及び上層１１８Ｂから形成されている。
発光領域１２内の下層１１８Ａの上面には、上層１１８Ｂが形成されるとともに、周辺領域１１内の下層１１８Ａの上方には、ダミー画素電極１０２の電極１０２ｂ、ホール注入層１２０の下部層１２０ＡＤ、上部層１２０ＢＤ、ホール輸送層１２１Ｄ及び発光層１２３Ｄ（ダミー発光層）が下方からこの順序で形成される。ホール注入層１２０の下部層１２０ＡＤ、上部層１２０ＢＤ、ホール輸送層１２１Ｄ及び発光層１２３Ｄについては、後述する。
【００３５】
また、層間絶縁層１１８には、図６に示すように、コンタクト孔１１８ｂが開設され、図７に示すように、配線１１０の上方の一部にコンタクト孔１１８ａが開設されている。また、層間絶縁層１１８には、図６に示すように、ダミー画素孔２２１が開設されている。ダミー画素孔２２１には、ダミー画素が形成される。
また、ダミー画素孔２２１の深さ（層間絶縁層１１８の下層１１８Ａの上面から、発光層１２３Ｄの上面までの距離）は、一例として、５〜８μｍであり、また、ダミー画素孔２２１の底面の行方向、及び、列方向の長さは、それぞれ、１００〜３００μｍ及び１００〜３００μｍである。
【００３６】
ここで、有機ＥＬ表示パネル１０を製造する場合、発光層等の作製の工程においては、例えば、インクジェット法を用いることにより、有機発光材料のインク液を基板上に吐出、塗布し、乾燥させる。このとき、インク液がダミー画素孔２２１に着弾した際に、発光に寄与する各副画素よりもダミー画素においてインク液をより高く盛るため、ダミー画素孔２２１の底面のサイズ（行方向及び列方向の長さ）は、各副画素の自己発光領域１００ａのサイズ（行方向及び列方向の長さ）より大きくすることが好ましい。また、ダミー画素孔２２１の内部の容積よりも、ダミー画素孔２２１の上部に盛られるインク液の容積の方が大きくなる。
【００３７】
層間絶縁層１１８の膜厚が１０μｍ以上の場合には、製造時の膜厚バラツキがより大きくなると共に、ボトム線幅の制御が困難となる。タクト増大による生産性低下の観点から、層間絶縁層１１８の膜厚は、７μｍ以下が望ましい。また、層間絶縁層１１８の膜厚が薄くなるとともに、膜厚とボトム線幅とを同程度にする必要があり、層間絶縁層１１８の膜厚が１μｍ以下の場合には、解像度の制約により所望のボトム線幅を得ることが困難となる。一般的なフラットパネルディスプレイ用露光機の場合には、層間絶縁層１１８の膜厚の下限は、２μｍとなる。したがって、層間絶縁層１１８の膜厚は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。層間絶縁層１１８の膜厚は、より好ましくは、２μｍ以上７μｍ以下である。
【００３８】
２．４．２  有機ＥＬ層１０５
（１）画素電極１１９及びダミー画素電極１０２
発光領域１２において、基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図６及び図７に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。つまり、層間絶縁層１１８上には、発光領域１２において、複数の副画素１００ｓｅに対応して、複数の画素電極１１９が行方向及び列方向に、それぞれ所定の距離だけ離れた状態で、行列状に配されている。画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば、陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は、光反射材料からなり、光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、平面視において、例えば、概矩形形状をした平板状である。
【００３９】
行方向に順に３つ並んだ画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する。ここで、３つの自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢに対応する画素電極１１９を、色毎に区別する場合には、画素電極１１９Ｒ、１１９Ｇ、１１９Ｂと呼ぶことにする。
画素電極１１９が配される領域は、行方向に外縁１１９ａ３及び外縁１１９ａ４により、列方向に外縁１１９ａ１及び外縁１１９ａ２により、規定されている（図４）。
【００４０】
画素電極１１９と、この画素電極１１９に行方向に隣接する画素電極１１９とは、所定の距離δＸだけ離れて、配されている（図６）。
また、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて、画素電極１１９と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９とは、所定の距離δＹだけ離れて、層間絶縁層１１８上に配されている（図４）。
【００４１】
また、層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ａ上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘの厚み方向に凹入した画素電極１１９の接続凹部１１９ｃが形成されており、接続凹部１１９ｃの底で画素電極１１９と配線１１０とが接続される（図７）。
また、上述したように、有機ＥＬ表示パネル１０の周辺行領域１３、１４及び周辺列領域１５、１６には、これらの領域に配された複数のダミー画素１０１に対応して、複数のダミー画素電極１０２が配されている（図２）。
【００４２】
ダミー画素電極１０２は、図４、図６及び図７に示すように、電極１０２ａと電極１０２ｂとから構成されている。電極１０２ａは、額縁形であり、電極１０２ｂは、例えば、概矩形である。電極１０２ａは、周辺領域１１において、層間絶縁層１１８の上層１１８Ｂの上面に配され、電極１０２ｂは、周辺領域１１において、層間絶縁層１１８の下層１１８Ａの上面に配されている。
【００４３】
画素電極１１９と、この画素電極１１９に行方向に隣接するダミー画素電極１０２の電極１０２ａとは、所定の距離δＸだけ離れて、配されている（図６）。
また、画素電極１１９と、この画素電極１１９に列方向に隣接するダミー画素電極１０２の電極１０２ａとは、所定の距離δＹだけ離れて、配されている（図４）。
画素電極１１９及びダミー画素電極１０２の厚みは、一例として、０．２μｍ程度である。
【００４４】
（２）補助電極層２００
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８上には、図４及び図６に示すように、複数の補助電極層２００が、単位画素１００ｅ間に、列方向にわたって連続して配されている。
補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ光反射材料からなる。
【００４５】
補助電極層２００が配される領域は、行方向に外縁２００ａ１及び外縁２００ａ２により規定されている（図４）。
補助電極層２００は、この補助電極層２００と行方向に隣接する画素電極１１９とは、所定の距離δｘだけ離れて、配されている（図６）。
補助電極層２００には、補助電極層２００と後述する共通電極層１２５とを接続する複数の接続凹部２００ｂが形成されている。接続凹部２００ｂは、層間絶縁層１１８のコンタクト孔１１８ｂに沿って、補助電極層２００の一部を基板１００ｘの厚み方向に凹入している。接続凹部２００ｂの内部には、コンタクト面２００ｃが内壁として形成されている。接続凹部２００ｂは、上面から見ると略円形をしており、その径ｒは、２μｍから１０μｍの範囲で形成されていることが好ましい。また、接続凹部２００ｂの深さｈは、１μｍから７μｍの範囲で形成されていることが好ましい。さらに、コンタクト面２００ｃは、基板１００ｘ上面に対する傾斜角θが７５度から１２０度の範囲で形成されていることが好ましい。
【００４６】
補助電極層２００の厚みは、一例として、０．２μｍ程度である。
（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９上には、図６、図７に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
【００４７】
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなる下部層１２０Ａと、少なくとも下部層１２０Ａ上に積層された有機物からなる上部層１２０Ｂとを含む。青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた下部層１２０Ａを、それぞれ下部層１２０ＡＢ、下部層１２０ＡＧ及び下部層１２０ＡＲとする。また、青色副画素、緑色副画素及び赤色副画素内に設けられた上部層１２０Ｂを、それぞれ上部層１２０ＢＢ、上部層１２０ＢＧ及び上部層１２０ＢＲとする。
【００４８】
さらに、周辺領域１１内に設けられた下部層１２０Ａを、下部層１２０ＡＤとし、周辺領域１１内に設けられた上部層１２０Ｂを、上部層１２０ＢＤとする。
本実施の形態では、後述する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢ内では、上部層１２０Ｂは、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、上部層１２０Ｂは、画素電極１１９上に形成された下部層１２０Ａ上にのみ形成され、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
【００４９】
（４）バンク１２２
（概要）
図６及び図７に示すように、画素電極１１９、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａ、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ及び補助電極層２００のそれぞれの端縁を被覆するように、絶縁物からなるバンク（隔壁）が形成されている。
【００５０】
上述したように、有機ＥＬ表示パネル１０上には、バンクとして、それぞれ列方向にライン状に延伸する列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８が並設されている。また、それぞれ行方向にライン状に延伸する行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４が並設されている。
有機ＥＬ表示パネル１０上において、列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８は、行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４と、直交する状態で設けられている。列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８と、行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４とは、格子状をなしている。
【００５１】
以後、列バンク１４５、１４６、複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４７、１４８、行バンク１４１、１４２、複数の行バンク１２２Ｘ、行バンク１４３、１４４を区別しない場合は、「バンク１２２」と呼ぶ。
自己発光領域１００ａは、列方向において、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間であって、行方向において、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間に位置する。こうして、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００５２】
なお、発光領域１２の端部に隣接する自己発光領域１００ａは、列方向において、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１４２の間であって、又は、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１４３の間であって、行方向において、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク１４６の間に、又は、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク１４７の間に位置する。こうして、行バンク１２２Ｘ、行バンク１４２、行バンク１４３と列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６、列バンク１４７とにより、発光領域１２の端部に隣接する自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００５３】
ダミー画素領域は、周辺行領域１３において、行バンク１４１と行バンク１４２の間であって、行方向において、列バンク１４６とこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク１４７の間に位置する。
また、ダミー画素領域は、周辺行領域１４において、行バンク１４３と行バンク１４４の間であって、行方向において、列バンク１４６とこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク５２２Ｙの間、列バンク５２２Ｙとこれに隣接する列バンク１４７の間に位置する。
【００５４】
また、ダミー画素領域は、周辺列領域１５において、列バンク１４５と列バンク１４６の間であって、列方向において、行バンク１４１と行バンク１４２の間、行バンク１４２とこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１４３の間、行バンク１４３と行バンク１４４の間に位置する。
【００５５】
また、ダミー画素領域は、周辺列領域１６において、列バンク１４７と列バンク１４８の間であって、列方向において、行バンク１４１と行バンク１４２の間、行バンク１４２とこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１２２Ｘの間、行バンク１２２Ｘとこれに隣接する行バンク１４３の間、行バンク１４３と行バンク１４４の間に位置する。
【００５６】
こうして、ダミー画素領域に対応する開口が形成されている。
（列バンク５２２Ｙの配置）
発光領域１２及び周辺領域１１において、補助電極層２００とこれに行方向に隣接する画素電極１１９との間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク５２２Ｙが、層間絶縁層１１８の上、補助電極層２００の外縁２００ａ２（又は２００ａ１）の上方及び画素電極１１９の外縁１１９ａ３（又は１１９ａ４）の上方に設けられている。補助電極層２００とこれに行方向に隣接する画素電極１１９とは、列バンク５２２Ｙにより、互いに絶縁されている。この列バンク５２２Ｙは、補助電極層２００と同じ列のダミー画素電極１０２と、画素電極１１９と同じ列のダミー画素電極１０２との間にも延伸している。
【００５７】
また、発光領域１２及び周辺領域１１において、画素電極１１９（第１画素電極）とこれに行方向に隣接する画素電極１１９（第２画素電極）との間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク５２２Ｙが、層間絶縁層１１８の上、第１画素電極の外縁１１９ａ４の上方及び第２画素電極の外縁１１９ａ３の上方に設けられている。第１画素電極とこれに行方向に隣接する第２画素電極とは、列バンク５２２Ｙにより、互いに絶縁されている。この列バンク５２２Ｙは、第１画素電極と同じ列のダミー画素電極１０２と、第２画素電極と同じ列のダミー画素電極１０２との間にも延伸している。
【００５８】
このように、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとからなる組が、複数個、行方向に並んで配されている。また、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢのそれぞれにおいて、自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとからなる組が、複数個、列方向に並んで配されている。
（列バンク１４５〜１４８の配置）
周辺列領域１５において、有機ＥＬ表示パネル１０の外縁１７ｂに沿って、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク１４５が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方に設けられている。
【００５９】
また、発光領域１２及び周辺領域１１において、周辺列領域１５内に一列に配されている複数のダミー画素電極１０２と、これらのダミー画素電極１０２に行方向に隣接するダミー画素電極１０２及び画素電極１１９との間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク１４６が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方及び画素電極１１９の外縁１１９ａ３の上方に設けられている。
【００６０】
また、周辺列領域１６において、有機ＥＬ表示パネル１０の外縁１７ｄに沿って、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク１４８が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方に設けられている。
また、発光領域１２及び周辺領域１１において、周辺列領域１６内に一列に配されている複数のダミー画素電極１０２と、これらのダミー画素電極１０２に行方向に隣接するダミー画素電極１０２及び画素電極１１９との間には、列方向にライン状に延伸する絶縁層形式の列バンク１４７が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方及び画素電極１１９の外縁１１９ａ４の上方に設けられている。
【００６１】
（列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８の構造）
列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８は、それぞれ、列方向に延伸する線状に形成されている。また、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８を行方向に平行に切った場合の断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。
（列バンク５２２Ｙと自己発光領域との関係）
列バンク５２２Ｙは、赤色副画素１００ｓｅＲの自己発光領域１００ａＲの行方向における外縁を規定し、緑色副画素１００ｓｅＧの自己発光領域１００ａＧの行方向における外縁を規定し、青色副画素１００ｓｅＢの自己発光領域１００ａＢの行方向における外縁を規定する。
【００６２】
また、列バンク１４６は、これに隣接する赤色副画素１００ｓｅＲの自己発光領域１００ａＲの行方向における外縁を規定し、列バンク１４７は、これに隣接する青色副画素１００ｓｅＢの自己発光領域１００ａＢの行方向における外縁を規定する。
このように、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６、列バンク１４７は、行方向における各画素の自己発光領域の外縁を規定している。
【００６３】
（列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８の機能）
列バンク５２２Ｙは、列バンク１４６、列バンク１４７は、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて、形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。
また、列バンク１４５〜１４８は、ダミー画素領域の発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて、形成されるダミー画素領域の行方向外縁を規定するものである。
【００６４】
列バンク１４５、１４６により、また、列バンク１４７、１４８により、ダミー画素領域に対応する開口が形成されている。
列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６、列バンク１４７により画素電極１１９は、露出することはなく、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６、列バンク１４７が存在する領域では発光せず、発光には寄与しない。
【００６５】
列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６、列バンク１４７は、画素電極１１９の行方向外縁１１９ａ３、ａ４を被覆している。これにより、画素電極１１９と、共通電極層１２５との間の電気的リークを防止している。
（行バンク１２２Ｘの配置）
発光領域１２及び周辺領域１１において、画素電極１１９（第３画素電極）とこれに列方向に隣接する画素電極１１９（第４画素電極）との間には、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１２２Ｘが、層間絶縁層１１８の上、第３画素電極の外縁１１９ａ２の上方及び第４画素電極の外縁１１９ａ１の上方に設けられている。第３画素電極とこれに行方向に隣接する第４画素電極とは、行バンク１２２Ｘにより、互いに絶縁されている。この行バンク１２２Ｘは、第３画素電極と同じ行のダミー画素電極１０２と、第４画素電極と同じ列のダミー画素電極１０２との間にも延伸している。
【００６６】
（行バンク１４１〜１４４の配置）
周辺行領域１３において、有機ＥＬ表示パネル１０の外縁１７ａに沿って、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１４１が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方に設けられている。
また、発光領域１２及び周辺領域１１において、周辺行領域１３内に一列に配されている複数のダミー画素電極１０２と、これらのダミー画素電極１０２に行方向に隣接するダミー画素電極１０２及び画素電極１１９との間には、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１４２が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方及び画素電極１１９の外縁１１９ａ１の上方に設けられている。
【００６７】
また、周辺行領域１４において、有機ＥＬ表示パネル１０の外縁１７ｃに沿って、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１４４が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方に設けられている。
また、発光領域１２及び周辺領域１１において、周辺行領域１４内に一列に配されている複数のダミー画素電極１０２と、これらのダミー画素電極１０２に行方向に隣接するダミー画素電極１０２及び画素電極１１９との間には、行方向にライン状に延伸する絶縁層形式の行バンク１４３が、層間絶縁層１１８の上、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａの外縁の上方及び画素電極１１９の外縁１１９ａ２の上方に設けられている。
【００６８】
（行バンク１２２Ｘ、行バンク１４１〜１４４の構造）
行バンク１２２Ｘ、行バンク１４１〜１４４は、それぞれ、行方向に延伸する線状に形成されている。行バンク１２２Ｘ、行バンク１４１〜１４４を列方向に平行に切った場合の断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘ、行バンク１４１〜１４４は、各列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５、１４６、１４７、１４８を貫通するようにして、列方向と直交する行方向に設けられている。
【００６９】
（バンクの高さ及び幅）
複数の列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８、行バンク１４１〜１４４の層間絶縁層１１８の上面からの高さ（Ｈ１）は、同一である。また、複数の行バンク１２２Ｘの層間絶縁層１１８の上面からの高さ（Ｈ２）は、同一である。
ここで、Ｈ１＞Ｈ２である。つまり、行バンク１２２Ｘの高さＨ２は、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８、行バンク１４１〜１４４の高さＨ１より低い。
【００７０】
これにより、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めるとともに、インクの列方向への流動を制御している。
ここで、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８、行バンク１４１〜１４４の層間絶縁層１１８の上面からの高さは、一例として、１μｍである。また、行バンク１２２Ｘの層間絶縁層１１８の上面からの高さは、一例として、０．５μｍである。
【００７１】
また、列バンク５２２Ｙ、行バンク１２２Ｘ、列バンク１４５〜１４８、行バンク１４１〜１４４の基部における幅は、一例として、１５〜２０μｍである。
（行バンク１２２Ｘと自己発光領域との関係）
行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００７２】
（行バンク１２２Ｘ、行バンク１４１〜１４４の機能）
画素電極１１９と、この画素電極１１９と列方向に隣接する画素電極１１９とは、行バンク１２２Ｘにより、互いに絶縁されている。
行バンク１２２Ｘは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を制御するためのものである。そのため、行バンク１２２Ｘにおいては、インクに対する親液性が所定の値以上であることが必要である。係る構成により、副画素間のインク塗布量の変動を抑制する。
【００７３】
また、行バンク１４１〜１４４は、ダミー画素領域の発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの列方向への流動を堰き止めて、形成されるダミー画素領域の列方向外縁を規定するものである。
行バンク１２２Ｘにより画素電極１１９は、露出することはなく、行バンク１２２Ｘが存在する領域では、発光せず発光には寄与しない。
【００７４】
行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂの列方向長さは、画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ１と、この画素電極１１９に列方向に隣接する画素電極１１９の列方向の外縁１１９ａ２の間の距離δＹより、所定長だけ、長くなるように、構成されている。このように、行バンク１２２Ｘにより、画素電極１１９の列方向外縁１１９ａ１、２を被覆することにより、画素電極１１９と共通電極層１２５との間の電気的リークを防止する。
【００７５】
また、行バンク１２２Ｘは、列方向における各副画素１００ｓｅの自己発光領域１００ａの外縁を規定する。
（電気的接続）
行バンク１２２Ｘが形成される非自己発光領域１００ｂには、図７に示すように、層間絶縁層１１８において、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ１ とを接続する接続凹部１１９ｃ（コンタクトホール）があり、画素電極１１９に対して電気接続するための画素電極１１９上のコンタクト領域１１９ｂ（コンタクトウインドウ）が設けられている。
【００７６】
（５）ホール輸送層１２１
図６、図７に示すように、行バンク１２２Ｘ上及び間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内に設けられたホール輸送層１２１を、それぞれホール輸送層１２１Ｒ、ホール輸送層１２１Ｇ及びホール輸送層１２１Ｂとする。
【００７７】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は上部層１２０Ｂ同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。しかしながら、ホール輸送層１２１は、間隙５２２ｚ内では列方向に断続して設けられている構成としてもよい。
（６）発光層１２３
発光領域１２においては、図６、図７に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙ及びこれに隣接する列バンク５２２Ｙ、列バンク１４６及びこれに隣接する列バンク５２２Ｙ、並びに、列バンク１４７及びこれに隣接する列バンク５２２Ｙにより規定された赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、発光層１２３が、列方向に延伸するように線状に形成されている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂの膜厚（乾燥後）は、一例として、０．２μｍ程度である。
【００７８】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００７９】
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面１２２Ｘｂ上方にある部分１１９ｂは発光せず、この部分は非自己発光領域１００ｂとなる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいてはホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。但し、非自己発光領域１００ｂでは、行バンク１２２Ｘによって、インクの流動が程良く抑制される。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく、画素毎の輝度むらが改善される。
【００８０】
周辺領域１１内においては、図６、図７に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。なお、周辺領域１１内に形成される発光層１２３を、発光領域１２内に形成される発光層１２３と区別する場合には、発光層１２３Ｄと称する。
発光層１２３Ｄの膜厚（乾燥後）は、一例として、０．４μｍ程度以上である。
上述したように、発光層１２３Ｄは、発光領域１２の中央部に配された副画素１００ｓｅと、発光領域１２の周辺部に配された副画素１００ｓｅとの間で、各副画素１００ｓｅの発光層に塗布されたインクの乾燥時間の差を縮め、副画素１００ｓｅと他の副画素１００ｓｅとの間での発光膜の厚さのムラを低減するために、用いられる。なお、発光層１２３Ｄは、発光には寄与しない。
【００８１】
発光層１２３Ｄの容量（乾燥後）は、例えば、発光領域１２内の各副画素１００ｓｅの発光層１２３の容量（乾燥後）の１０倍程度とする。
また、基板１００ｘの面においてダミー画素の発光層１２３Ｄが占める面積は、基板１００ｘの面において各副画素の発光層１２３が占める面積より大きいことが好ましい。
（７）電子輸送層１２４
図６、図７に示すように、列バンク５２２Ｙ、列バンク１４５〜１４８及びこれらの列バンクにより規定された間隙５２２ｚを被覆するように電子輸送層１２４が積層形成されている。電子輸送層１２４については、有機ＥＬ表示パネル１０の発光領域１２及び周辺領域１１の全体に連続した状態で形成されている。
【００８２】
電子輸送層１２４は、図６、図７に示すように、発光層１２３上に形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極層１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。
電子輸送層１２４は、図６に示すように、補助電極層２００の上にも形成される。電子輸送層１２４には、補助電極層２００の接続凹部２００ｂにおいて、欠落（図６の端部１２４ａ１、１２４ａ２間、または、端部１２４ａ３、１２４ａ４間）しており、欠落部分において補助電極層２００のコンタクト面２００ｃが露出している。
【００８３】
（８）共通電極層１２５
図６、図７に示すように、電子輸送層１２４上に共通電極層１２５が形成されている。共通電極層１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。
共通電極層１２５は、図６、図７に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作り、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。
【００８４】
共通電極層１２５は、図６に示すように、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４の欠落部分（端部１２４ａ１、１２４ａ２間、または端部１２４ａ３、１２４ａ４間）において露出しているコンタクト面２００ｃと、直接接触するように形成される。
（９）封止層１２６
共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極層１２５の上面を覆うように設けられている。
【００８５】
（１０）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００８６】
（１１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１２８が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、有機ＥＬ表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、有機ＥＬ表示パネル１０の剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００８７】
（１２）カラーフィルタ層１２８
上部基板１３０には画素の各色の自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１２８が形成されている。カラーフィルタ層１２８は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｇ、１２８Ｂが各々形成されている。
【００８８】
（１３）遮光層１２９
上部基板１３０には、各画素の自己発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１２９が形成されている。遮光層１２９は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
【００８９】
２．４．３  各部の構成材料
図４〜図７に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。ゲート電極としては、例えば、銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）との積層体を採用している。ゲート絶縁層としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）など、電気絶縁性を有する材料であれば、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。チャネル層としては、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）から選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体を採用することができる。チャネル保護層としては、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、あるいは酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）を用いることができる。ソース電極、ドレイン電極としては、例えば、銅マンガン（ＣｕＭｎ）と銅（Ｃｕ）とモリブデン（Ｍｏ）の積層体を採用することができる。
【００９０】
ＴＦＴ上部の絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ）や酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）を用いることもできる。ＴＦＴの接続電極層としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と銅（Ｃｕ）と銅マンガン（ＣｕＭｎ）との積層体を採用することができる。なお、接続電極層の構成に用いる材料としては、これに限定されるものではなく、導電性を有する材料から適宜選択することが可能である。
【００９１】
基板１００ｘの上面に位置する層間絶縁層１１８（下層１１８Ａ及び上層１１８Ｂ）の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
（２）画素電極１１９、補助電極層２００及びダミー画素電極１０２
画素電極１１９及びダミー画素電極１０２（電極１０２ａと電極１０２ｂ）は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、例えば、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。
【００９２】
補助電極層２００は、画素電極１１９と同じ材料により構成されている。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。下部層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。本実施の形態では、下部層１２０Ａは、タングステン（Ｗ）の酸化物を含む構成とした。このとき、タングステン（Ｗ）の酸化物は、５価タングステン原子の６価タングステン原子の比率（Ｗ5+／Ｗ6+）が大きいほど、有機ＥＬ素子の駆動電圧が低くなるため、５価タングステン原子を所定値以上多く含むことが好ましい。
【００９３】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００９４】
または、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００９５】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
【００９６】
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００９７】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。また、電子輸送層１２４は、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。また、電子輸送層１２４は、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。アルカリ金属は、具体的には、Ｌｉ（リチウム）、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）、Ｒｂ（ルビジウム）、Ｃｓ（セシウム）、Ｆｒ（フランシウム）である。また、アルカリ土類金属は、具体的には、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）、Ｒａ（ラジウム）である。
【００９８】
（８）共通電極層１２５
共通電極層１２５は、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。また、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用いてもよい。
（９）封止層１２６
封止層１２６は、発光層１２３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００９９】
封止層１２６は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１０）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【０１００】
（１１）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１２）カラーフィルタ層１２８
カラーフィルタ層１２８としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【０１０１】
（１３）遮光層１２９
遮光層１２９としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
【０１０２】
２．５  有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法
有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図８〜１５を用いて説明する。
（１）基板１００ｘの準備
配線１１０を含む複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図８（ａ））。
【０１０３】
（２）層間絶縁層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の層間絶縁層１１８の下層１１８Ａの構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１１８の下層１１８Ａを形成する（図８（ｂ））。
層間絶縁層１１８の下層１１８Ａを形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１１８の下層１１８Ａを露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する（図８（ｃ））。
【０１０４】
その後、現像によって、ダミー画素孔２２１、コンタクト孔１１８ａ（図８（ｄ）には図示していない。図７を参照）及びコンタクト孔１１８ｂ（図６を参照）をパターニングした層間絶縁層１１８の上層１１８Ｂを形成する（図８（ｄ））。ダミー画素孔２２１の底部において下層１１８Ａが露出する。また、コンタクト孔１１８ａの底部において配線１１０が露出し（図８（ｄ）には図示していない）、コンタクト孔１１８ｂの底部において基板１００ｘが露出する。
【０１０５】
本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８の下層１１８Ａ及び上層１１８Ｂを形成しているが、ネガ型のフォトレジストを用いて層間絶縁層１１８の下層１１８Ａ及び上層１１８Ｂを形成してもよい。
（３）画素電極１１９及び補助電極層２００の形成
ダミー画素孔２２１、コンタクト孔１１８ａ、１１８ｂを開設した層間絶縁層１１８が形成された後、ダミー画素電極１０２の電極１０２ａ及び電極１０２ｂ、画素電極１１９並びに補助電極層２００を形成する（図９（ａ））。
【０１０６】
電極１０２ａ、電極１０２ｂ、画素電極１１９及び補助電極層２００の形成は、スパッタリング法などを用い金属膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。このとき、コンタクト孔１１８ａの内壁に沿って金属膜を形成することにより画素電極１１９の接続凹部１１９ｃを形成する（図７を参照）。また、コンタクト孔１１８ｂの内壁に沿って金属膜を形成することによりコンタクト孔１１８ｂの内壁に沿ったコンタクト面２００ｃを有する補助電極層２００の接続凹部２００ｂを形成する（図９（ａ））。
【０１０７】
画素電極１１９は、コンタクト孔１１８ａの底部において露出した配線１１０と直接接触し、ＴＦＴの電極と電気的に接続された状態となる（図７を参照）。
（４）ホール注入層１２０の下部層１２０Ａの形成
電極１０２ａ、電極１０２ｂ、画素電極１１９及び補助電極層２００を形成した後、電極１０２ａ、電極１０２ｂ、画素電極１１９上に対して、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成する。電極１０２ａ上及び電極１０２ｂ上には、ホール注入層１２０の下部層１２０ＡＤを形成する（図９（ｂ））。
【０１０８】
下部層１２０Ａ及び下部層１２０ＡＤは、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い、それぞれ金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、焼成によって酸化させ、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングすることで形成される。
（５）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０の下部層１２０Ａを形成した後、下部層１２０Ａ及び補助電極層２００の縁部を覆うようにバンク１２２を形成する。
【０１０９】
バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘ、１４１〜１４４を形成し、その後、列バンク５２２Ｙ、１４５〜１４８を形成する（図９（ｃ））。
バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２の構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘ、１４１〜１４４、列バンク５２２Ｙ、１４５〜１４８を順に形成する。行バンク１２２Ｘ、１４１〜１４４、列バンク５２２Ｙ、１４５〜１４８のパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【０１１０】
具体的には、バンク１２２の形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、感光性樹脂を現像によってバンク１２２をパターニングした絶縁層を形成する。一般にはポジ型と呼ばれるフォトレジストが使用される。ポジ型は露光された部分が現像によって除去される。露光されないマスクパターンの部分は、現像されずに残存する。
【０１１１】
（６）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含み、列バンク５２２Ｙにより規定され、また、行バンク１４１〜１４４及び列バンク１４５〜１４８により規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０の下部層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図１２（ａ））。
【０１１２】
発光層１２３Ｄは、発光層１２３Ｒ、発光層１２３Ｇ及び発光層１２３Ｂと比較すると、膜厚となっている（図１２（ａ））。
上部層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１１３】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述した上部層１２０Ｂにおける方法と同じである。あるいは、スパッタリング法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を堆積し、焼成によって酸化して形成される。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１１４】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ、５２２ｚＤ内に塗布した後、焼成することによりなされる。
具体的には、この工程では、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢに、それぞれ、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩを充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。また、間隙５２２ｚＤに、インクジェット法によりインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩのいずれかを充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｄを形成する。
【０１１５】
発光層１２３を形成するための溶液の塗布について、以下に説明する。
間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ、５２２ｚＤにおけるインク液の塗布の工程では、液滴吐出装置（図示していない）を用いて、発光層１２３を形成するための溶液の塗布を行う。はじめに、基板１００ｘの列方向がＹ方向、基板１００ｘの行方向がＸ方向となるように、基板１００ｘを液滴吐出装置の作業テーブル上に載置する。
【０１１６】
図１０に示すように、液滴吐出装置のインクジェットヘッド６５０には、吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・がＹ方向に沿ってライン状に配置されている。
最初に、周辺列領域１５内のダミー間隙５２２ｚＤの列方向の中心線６６０上に、インクが塗布されるべき複数の着弾目標６６５ａ、６６５ｂ、６６５ｃ、・・・を設定する。次に、インクジェットヘッド６５０を、Ｘ方向に移動させる。インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・が、着弾目標６６５ａ、６６５ｂ、６６５ｃ、・・・に到達したときに、インクジェットヘッド６５０は、インク液の吐出を行う。
【０１１７】
次に、赤色間隙５２２ｚＲの列方向の中心線６６１上に、インクが塗布されるべき複数の着弾目標６６２ａ、６６２ｂ、６６２ｃ、・・・を設定する。次に、インクジェットヘッド６５０を、Ｘ方向に移動させる。インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・が、着弾目標６６２ａ、６６２ｂ、６６２ｃ、・・・に到達したときに、インクジェットヘッド６５０は、インク液の吐出を行う。
【０１１８】
インク液の吐出が終了すると、次の赤色間隙５２２ｚＲの列方向の中心線６６３上に、インクが塗布されるべき複数の着弾目標６６４ａ、６６４ｂ、６６４ｃ、・・・を設定し、インクジェットヘッド６５０を、Ｘ方向に移動させる。インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・が、着弾目標６６４ａ、６６４ｂ、６６４ｃ、・・・に到達したときに、インクジェットヘッド６５０は、インク液の吐出を行う。以下、同様にして、後続する複数の赤色間隙５２２ｚＲに対して、インクジェットヘッド６５０は、インク液の吐出を行う。
【０１１９】
全ての赤色間隙５２２ｚＲに対するインク液の吐出が終了すると、同様にして、全ての緑色間隙５２２ｚＧに対して、インク液の吐出を行う。全ての緑色間隙５２２ｚＧに対して、インク液の吐出が終了すると、同様にして、全ての青色間隙５２２ｚＢに対して、インク液の吐出を行う。最後に、周辺列領域１６内のダミー間隙５２２ｚＤに対して、インク液の吐出を行う。
【０１２０】
ここで、周辺領域１１内の一つのダミー間隙５２２ｚＤに対して、吐出を行うインク液の液滴量は、一例として、発光領域１２内の一つの副画素の間隙（間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢのうちのいずれか一つ）に対して、吐出を行うインク液の液滴量の１０倍の量である。
このように、基板１００ｘの発光領域１２内に対して赤色発光層を形成するためのインクの塗布をし、次に、基板１００ｘに対して緑色発光層を形成するためのインクの塗布をし、次に、基板１００ｘに青色発光層を形成するためのインクの塗布をする。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図４に示すように、行方向に繰り返し並んで形成される。また、周辺領域１１内のダミー画素の発光層を形成するためのインクの塗布を行う。
【０１２１】
ここで、周辺領域１１内に形成される全ての発光層１２３Ｄを形成するために、一つの色のインク液を用いるとしてもよい。また、周辺行領域１３、１４内に形成される各発光層１２３Ｄを形成するために、当該発光層１２３Ｄと同じ列に存在する発光層１２３と同色のインク液を用いるとしてもよい。また、周辺列領域１５内に形成される全ての発光層１２３Ｄを形成するために、例えば、青色のインク液を用いるとしてもよい。また、周辺列領域１６内に形成される全ての発光層１２３Ｄを形成するために、例えば、赤色のインク液を用いるとしてもよい。
【０１２２】
なお、上部層１２０Ｂ及びホール輸送層１２１におけるインクを塗布する方法の詳細は、発光層１２３における方法と同様である。
図１１は、ダミー画素のダミー間隙５２２ｚＤにおけるインク液面の変化を示す。
インク液が吐出された直後は、この図に示すように、液面は、液面６７１ａのように、基板１００ｘの厚み方向、上方に突出している。乾燥が進むにつれて、各インク液の液滴の体積が減少してゆく。ダミー間隙５２２ｚＤにおいて、この図に示すように、液面は、順に、液面６７１ａ、液面６７１ｂ、液面６７１ｃのように変化する。
【０１２３】
上述したように、周辺領域１１内のダミー画素の下方の層間絶縁層１１８の一部分にダミー画素孔２２１を開設している。このため、有機ＥＬ表示パネル１０を製造する際、基板１００ｘにインク液が塗布された直後において、周辺領域１１内の各ダミー画素におけるダミー間隙５２２ｚＤ内のダミー画素孔２２１によるインク液の保持量は、発光領域１２内の各副画素における赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢ（以下、色間隙）によるインク液の保持量より多い。
【０１２４】
このため、インク液が塗布された基板１００ｘを乾燥させると、乾燥中において、ダミー画素のダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒の量は、発光領域１２内の周辺部（発光領域１２の上端部、下端部、右端部、左端部）における各色間隙からから蒸発する溶媒の量と比較して、多くなる。つまり、ダミー画素のダミー間隙５２２ｚＤに塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧は、周辺部における各色間隙に塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧より高くなる。この結果、ダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒分子により、発光領域１２内の周辺部における各色間隙に塗布されたインク液の乾燥が抑制される。こうして、発光領域１２内の中央部における各色間隙の乾燥時間と、周辺部における各色間隙の乾燥時間との差が少なくなる。このため、発光領域１２内の中央部と周辺部の画素間で、発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０１２５】
ホール注入層１２０の上部層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は、これに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（７）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、有機ＥＬ表示パネル１０の発光領域１２及び周辺領域１１の全体にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図１２（ｂ））。電子輸送層１２４は、補助電極層２００の上にも形成される。
【０１２６】
（８）共通電極層１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極層１２５を、スパッタリング法などにより形成する（図１２（ｃ））。共通電極層１２５は、電子輸送層１２４上の補助電極層２００上方の領域にも形成される。
ここで、共通電極層１２５の形成方法について、さらに詳細に説明する。
【０１２７】
まず、図１５を用いて、スパッタ装置６００の概略構成について説明する。スパッタ装置６００は、基板受け渡し室６１０、成膜室６２０、ロードロック室６３０を有し、成膜室６２０内で、マグネトロンスパッタ法によりスパッタリングを行う。成膜室６２０には、スパッタリングガスが導入されている。スパッタリングガスには、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスが用いられる。本実施の形態においては、Ａｒが用いられる。
【０１２８】
スパッタ装置６００内のキャリア６２１には、成膜対象の基板６２２が設置される。基板６２２は、基板受け渡し室６１０において、基板突き上げ機構６１１によりキャリア６２１に装着される。基板６２２が装着されたキャリア６２１は、基板受け渡し室６１０から成膜室６２０を経由してロードロック室６３０まで、搬送路６０１上を一定の速度で直線移動する。本実施形態においては、キャリア６２１の移動速度は３０ｍｍ／ｓである。なお、基板６２２は加温されず、常温でスパッタリングが行われる。
【０１２９】
成膜室６２０内には、搬送路６０１に対して直交する方向に延びる、棒状のターゲット６２３が設置されている。本実施の形態においては、ターゲット６２３は、ＩＴＯである。なお、ターゲット６２３は、棒状である必要はなく、例えば、粉末状であってもよい。
電源６２４は、ターゲット６２３に対して電圧を印加する。なお、図１５では、電源６２４は、交流電源であるが、直流電源、又は、直流／交流のハイブリッド電源であってもよい。
【０１３０】
排気系６３１によりスパッタ装置６００内を排気し、ガス供給系６３２により成膜室６２０内にスパッタリングガスを導入する。電源６２４によりターゲット６２３に電圧を印加すると、スパッタリングガスのプラズマが発生し、ターゲット６２３の表面がスパッタされる。そして、スパッタされたターゲット６２３の原子を基板６２２上に堆積させることにより成膜する。
【０１３１】
なお、スパッタリングガスであるＡｒのガス圧は、例えば、０．６Ｐａであり、流量は１００ｓｃｃｍである。
（９）封止層１２６の形成
共通電極層１２５を形成した後、共通電極層１２５を被覆するように、封止層１２６を形成する（図１２（ｄ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【０１３２】
（１０）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層１２９の材料を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図１３（ａ））。
【０１３３】
塗布した遮光層１２９の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図１３（ｂ））。
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１２９を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１２９が完成する（図１３（ｃ））。
次に、遮光層１２９を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１２８（例えば、Ｇ）の材料１２８Ｇを塗布し（図１３（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図１３（ｅ））。
【０１３４】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化の材料１２８Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１２８Ｇが形成される（図１３（ｆ））。
この図１３（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１２８Ｒ、１２８Ｂを形成する（図１３（ｇ））。なお、カラーフィルタ材料を用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。
【０１３５】
以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
（１１）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１４（ａ））。
【０１３６】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、有機ＥＬ表示パネル１０が完成する（図１４（ｂ））。
２．６  まとめ
以上説明したように、有機ＥＬ表示パネル１０は、基板の上方に、例えば、概矩形状の発光領域１２及び額縁状の周辺領域１１からなる素子アレイを有する。発光領域１２には、複数の副画素が、行列状に配される。周辺領域１１は、発光領域１２を囲繞するように配され、発光に寄与しない領域である。周辺領域１１は、周辺行領域１３、１４及び周辺列領域１５、１６から構成されている。周辺行領域１３、１４には、行方向に、複数のダミー画素１０１が一列に配され、周辺列領域１５、１６には、列方向に、複数のダミー画素１０１が一列に配されている。
【０１３７】
基板１００ｘの上面には、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するための層間絶縁層１１８が設けられている。層間絶縁層１１８には、各ダミー画素１０１に対応して、ダミー画素孔２２１が開設されている。層間絶縁層１１８にダミー画素孔２２１を開設しているので、赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢに保持できるインク液の保持量と比較して、ダミー画素孔２２１を含むダミー間隙５２２ｚＤに保持できるインク液の保持量を多くすることができる。
【０１３８】
有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のうちのインク塗布工程において、各副画素に対応する画素領域に、各色のインク液が塗布されるとともに、各ダミー画素に対応するダミー画素孔２２１に対しても、インク液が塗布される。
基板１００ｘにインク液が塗布された直後において、周辺領域１１内のダミー画素におけるダミー間隙５２２ｚＤによるインク液の保持量は、発光領域１２内の赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢにおけるインク液の保持量より多い。
【０１３９】
このため、インク液が塗布された基板１００ｘを乾燥させると、乾燥中において、ダミー画素のダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒の量は、発光領域１２内の周辺部（発光領域１２の上端部、下端部、右端部、左端部）における各色間隙からから蒸発する溶媒の量と比較して、多くなる。つまり、ダミー画素のダミー間隙５２２ｚＤに塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧は、周辺部における各色間隙に塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧より高くなる。この結果、ダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒分子により、発光領域１２内の周辺部における各色間隙に塗布されたインク液の乾燥が抑制される。こうして、発光領域１２内の中央部における各色間隙の乾燥時間と、周辺部における各色間隙の乾燥時間との差が少なくなる。このため、発光領域１２内の中央部と周辺部の画素間で、発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０１４０】
このように、層間絶縁層１１８に、各ダミー画素１０１に対応して、層間絶縁層１１８にダミー画素孔２２１を開設して、ダミー間隙５２２ｚＤに保持できる単位面積あたりのインク液の保持量を多くしている。この結果、周辺領域１１の幅を狭くすることができる。こうして、装置全体の大型化を防止できるという優れた効果を奏する。
３  補足説明及び変形例
実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、有機ＥＬ表示パネル１０について補足説明をし、また、その変形例について説明する。
【０１４１】
（１）変形例（１）
上記の実施の形態の変形例（１）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｈについて、実施の形態の有機ＥＬ表示パネル１０との相違点を中心に、説明する。
図１６に有機ＥＬ表示パネル１０ｈの切断面の断面図を示す。図１６に示す切断面は、図４におけるＡ１−Ａ１切断面に相当する。
【０１４２】
有機ＥＬ表示パネル１０ｈにおいては、有機ＥＬ表示パネル１０の列バンク１４５、列バンク１４６、列バンク１４７、列バンク１４８に代えて、図１６に示すように、列バンク１４５ｈ、列バンク１４６ｈ、列バンク１４７ｈ（非図示）、列バンク１４８ｈ（非図示）が並設されている。
また、有機ＥＬ表示パネル１０ｈにおいては、有機ＥＬ表示パネル１０の行バンク１４１、行バンク１４２、行バンク１４３、行バンク１４４に代えて、それぞれ行方向にライン状に延伸する行バンク１４１ｈ、行バンク１４２ｈ、行バンク１４３ｈ、行バンク１４４ｈが並設されている（非図示）。
【０１４３】
ここで、列バンク１４５ｈ、列バンク１４６ｈ、列バンク１４７ｈ、列バンク１４８ｈの高さは、列バンク１４５、列バンク１４６、列バンク１４７、列バンク１４８の高さよりも高い。
また、行バンク１４１ｈ、行バンク１４２ｈ、行バンク１４３ｈ、行バンク１４４ｈの高さは、行バンク１４１、行バンク１４２、行バンク１４３、行バンク１４４の高さよりも高い。
【０１４４】
この構成によると、層間絶縁層１１８にダミー画素孔を開設するとともに、ダミー画素の発光層１２３Ｄを区画するバンクを、副画素の発光層１２３を区画する他の列バンク及び行バンクより、高くすることより、ダミー間隙５２２ｚＤに保持できるインク液の保持量を多くしている。この結果、実施の形態の場合と同様に、ダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒分子により、発光領域１２内の周辺部における各色間隙に塗布されたインク液の乾燥が抑制される。こうして、発光領域１２内の中央部における各色間隙の乾燥時間と、周辺部における各色間隙の乾燥時間との差が少なくなる。このため、発光領域１２内の中央部と周辺部の画素間で、発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０１４５】
このように、ダミー間隙５２２ｚＤに保持できる単位面積あたりのインク液の保持量を多くしているので、周辺領域１１の幅を狭くすることができる。こうして、装置全体の大型化を防止できるという優れた効果を奏する。
（２）変形例（２）
上記の実施の形態の変形例（２）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｉについて、実施の形態の有機ＥＬ表示パネル１０との相違点を中心に、説明する。
【０１４６】
図１７に有機ＥＬ表示パネル１０ｉの切断面の断面図を示す。図１７に示す切断面は、図４におけるＡ１−Ａ１切断面に相当する。
有機ＥＬ表示パネル１０ｉにおいては、図１７に示すように、層間絶縁層１１８上に、ダミー画素電極１０２ｉ及びホール注入層１２０の下部層１２０ＡＤｉが形成されている。
【０１４７】
また、有機ＥＬ表示パネル１０ｉにおいては、有機ＥＬ表示パネル１０の列バンク１４５、列バンク１４６、列バンク１４７、列バンク１４８に代えて、図１７に示すように、列バンク１４５ｉ、列バンク１４６ｉ、列バンク１４７ｉ（非図示）、列バンク１４８ｉ（非図示）が並設されている。
また、有機ＥＬ表示パネル１０ｉにおいては、有機ＥＬ表示パネル１０の行バンク１４１、行バンク１４２、行バンク１４３、行バンク１４４に代えて、それぞれ行方向にライン状に延伸する行バンク１４１ｉ、行バンク１４２ｉ、行バンク１４３ｉ、行バンク１４４ｉが並設されている（非図示）。
【０１４８】
ここで、列バンク１４５ｉ及び列バンク１４６ｉは、層間絶縁層１１８上方、ダミー画素電極１０２ｉの外縁上及びホール注入層１２０の下部層１２０ＡＤｉの外縁上に形成されている。列バンク１４７ｉ、列バンク１４８ｉ、行バンク１４１ｉ、行バンク１４２ｉ、行バンク１４３ｉ、行バンク１４４ｉについても、同様である。
列バンク１４５ｉ、列バンク１４６ｉ、列バンク１４７ｉ、列バンク１４８ｉの高さは、列バンク１４５、列バンク１４６、列バンク１４７、列バンク１４８の高さよりも高い。
【０１４９】
また、行バンク１４１ｉ、行バンク１４２ｉ、行バンク１４３ｉ、行バンク１４４ｉの高さは、行バンク１４１、行バンク１４２、行バンク１４３、行バンク１４４の高さよりも高い。
要するに、変形例（２）によると、有機ＥＬ表示パネル１０ｉは、各発光層を区画する第１隔壁と、ダミー発光層を区画する第２隔壁とを備えており、第２隔壁の基板面からの高さは、第１隔壁の基板面からの高さより高いことが特徴である。
【０１５０】
この構成によると、ダミー画素孔を区画するバンクを、他の列バンク及び行バンクより、高くすることより、ダミー間隙５２２ｚＤに保持できるインク液の保持量を多くしている。この結果、この結果、実施の形態の場合と同様に、ダミー間隙５２２ｚＤから蒸発する溶媒分子により、発光領域１２内の周辺部における各色間隙に塗布されたインク液の乾燥が抑制される。こうして、発光領域１２内の中央部における各色間隙の乾燥時間と、周辺部における各色間隙の乾燥時間との差が少なくなる。このため、発光領域１２内の中央部と周辺部の画素間で、発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０１５１】
このように、ダミー間隙５２２ｚＤに保持できる単位面積あたりのインク液の保持量を多くしているので、周辺領域１１の幅を狭くすることができる。こうして、装置全体の大型化を防止することができるという優れた効果を奏する。
（３）変形例（３）
上記の実施の形態の変形例（３）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｊについて説明する。上記の実施の形態においては、一つのダミー画素が配されるダミー画素領域のサイズは、一つの副画素が配される画素領域のサイズより大きいことが好ましいとしている。しかし、本開示は、これには限定されない。以下に説明するように、ダミー画素が配されるダミー画素領域のサイズは、所定数の副画素の組が配される画素領域を含む領域のサイズに等しいとしてもよい。また、一つのダミー画素が形成される一つのダミー画素孔は、所定数の画素に対応して開設されるとしてもよい。
【０１５２】
有機ＥＬ表示パネル１０ｊは、図１８に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０と同様に、例えば、概矩形状の発光領域１２ｊ及び額縁状の周辺領域１１ｊから構成されている。
発光領域１２ｊにおいては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されている。発光領域１２ｊは、上記の実施の形態の発光領域１２と同一である。
周辺領域１１ｊは、周辺行領域１３ｊ、１４ｊ及び周辺列領域１５ｊ、１６ｊから構成されている。周辺領域１１ｊは、周辺行領域１３ｊ、１４ｊ及び周辺列領域１５ｊ、１６ｊにより、発光領域１２ｊの四方の外縁を囲むように、額縁状に形成されている。周辺行領域１３ｊ、１４ｊは、それぞれ、行方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２ｊの行方向の外縁に接触するように配されている。また、周辺列領域１５ｊ、１６ｊは、それぞれ、列方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２ｊの列方向の外縁に接触するように配されている。
【０１５３】
周辺行領域１３ｊ、１４ｊにおいては、行方向に、複数のダミー画素１０１ｊが一列に配されている。詳細には、周辺行領域１３ｊ、１４ｊにおいては、行方向に、赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ及び青色副画素１００ｓｅＢの組に対応して、一つのダミー画素１０１ｊが配されている。
また、周辺列領域１５ｊ、１６ｊにおいては、列方向に、複数のダミー画素１０１ｊが一列に配されている。詳細には、周辺列領域１５ｊ、１６ｊにおいては、列方向に、列方向に並ぶ二つの副画素の組に対応して、ダミー画素１０１ｊが配されている。
【０１５４】
つまり、複数のダミー画素１０１ｊが発光領域１２の四方の外縁を囲むように、配されている。ダミー画素が配される領域をダミー画素領域と呼ぶ。
図１８に示すように、ダミー画素１０１ｊが配されるダミー画素領域のサイズは、所定数の副画素が配される画素領域を含む領域のサイズに等しい。
ダミー画素１０１ｊは、発光領域１２ｊの中央部に配された副画素１００ｓｅと、発光領域１２ｊの周辺部に配された副画素１００ｓｅとの間で、各副画素１００ｓｅの発光層に塗布されたインクの乾燥時間の差を縮め、副画素１００ｓｅと他の副画素１００ｓｅとの間での発光膜の厚さのムラを低減するために、用いられる。なお、ダミー画素１０１ｊは、発光しない。
【０１５５】
さらに、変形例（３）の場合には、実施の形態の場合と比較すると、図１８に示すように、ダミー画素１０１ｊとこれに隣接するダミー画素１０１ｊとの間隙の数が少なくなっている。このため、変形例（３）の場合のダミー画素の配されるダミー画素領域の面積の総合計は、実施の形態の場合のダミー画素の配されるダミー画素領域の面積の総合計より広く、ダミー画素孔を含むダミー間隙５２２ｚＤに保持することができるインク液の量が多くなり、実施の形態の場合と同様の効果を奏する。
【０１５６】
（４）変形例（４）
上記の実施の形態の変形例（４）としての有機ＥＬ表示パネル１０ｋについて説明する。上記の実施の形態においては、一つのダミー画素が配されるダミー画素領域のサイズは、一つの副画素が配される画素領域のサイズより大きいことが好ましいとしている。しかし、本開示は、これには限定されない。以下に説明するように、周辺領域には、ただ一つのダミー画素が形成され、ダミー画素が形成されるダミー画素孔は、発光領域を囲繞するループ状の凹溝に形成されているとしてもよい。
【０１５７】
有機ＥＬ表示パネル１０ｋは、図１９に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０と同様に、例えば、概矩形状の発光領域１２ｋ及び額縁状の周辺領域１１ｋから構成されている。
発光領域１２ｋにおいては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されている。発光領域１２ｋは、上記の実施の形態の発光領域１２と同一である。
周辺領域１１ｋは、周辺行領域１３ｋ、１４ｋ及び周辺列領域１５ｋ、１６ｋから構成されている。周辺領域１１ｋは、周辺行領域１３ｋ、１４ｋ及び周辺列領域１５ｋ、１６ｋにより、発光領域１２ｋの四方の外縁を囲むように、額縁状に形成されている。周辺行領域１３ｋ、１４ｋは、それぞれ、行方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２ｋの行方向の外縁に接触するように配されている。また、周辺列領域１５ｋ、１６ｋは、それぞれ、列方向に延伸する帯状に形成され、発光領域１２ｋの列方向の外縁に接触するように配されている。
【０１５８】
周辺行領域１３ｋ、１４ｋ及び周辺列領域１５ｋ、１６ｋから構成される周辺領域１１ｋには、発光領域１２ｋの四方の外縁を囲むように、ただ一つのダミー画素１０１ｋが形成されている。ダミー画素１０１ｋが形成されるダミー画素孔は、発光領域１２ｋを取り囲むループ状の凹溝に形成されている。ここで、ダミー画素１０１ｋが配される領域をダミー画素領域と呼ぶ。
【０１５９】
ダミー画素１０１ｋは、発光領域１２ｋの中央部に配された副画素１００ｓｅと、発光領域１２ｋの周辺部に配された副画素１００ｓｅとの間で、各副画素１００ｓｅの発光層に塗布されたインクの乾燥時間の差を縮め、副画素１００ｓｅと他の副画素１００ｓｅとの間での発光膜の厚さのムラを低減するために、用いられる。なお、ダミー画素１０１ｋは、発光しない。
【０１６０】
さらに、変形例（４）の場合には、実施の形態の場合と比較すると、図１９に示すように、ダミー画素１０１ｋが形成されるダミー画素孔は、発光領域１２ｋを取り囲むループ状の凹溝に形成されており、実施の形態の場合のように、ダミー画素と隣接するダミー画素との間隙は無い。このため、変形例（４）の場合のダミー画素の配されるダミー画素領域の面積の総合計は、実施の形態の場合のダミー画素の配されるダミー画素領域の面積の総合計より広く、ダミー画素孔を含むダミー間隙５２２ｚＤに保持することができるインク液の量が多くなり、実施の形態の場合と同様の効果を奏する。
【０１６１】
（５）実施の形態の場合において、行バンク１４２の基板面からの高さは、列バンク５２２Ｙの基板面からの高さと等しく、また、行バンク１４３の基板面からの高さは、列バンク５２２Ｙの基板面からの高さと等しいとしている。これにより、発光領域１２と周辺行領域１３との間でインク液の流動を規制し、また、発光領域１２と周辺行領域１４との間でインク液の流動を規制している。しかし、本開示は、これには限定されない。
【０１６２】
周辺行領域１３及び周辺行領域１４に配される各ダミー画素の発光層について、当該ダミー画素と同じ列に配される副画素の発光層に塗布されるインク液と同じ色のインク液を用いるとしてもよい。
この場合、行バンク１４２の基板面からの高さを、行バンク１２２Ｘの基板面からの高さと等しくしてもよい。また、行バンク１４３の基板面からの高さを、行バンク１２２Ｘの基板面からの高さと等しくしてもよい。これにより、発光領域１２と周辺行領域１３との間でインク液の流動を制御し、また、発光領域１２と周辺行領域１４との間でインク液の流動を制御することができる。
【０１６３】
周辺行領域１３及び周辺行領域１４に配される各ダミー画素の発光層について、当該ダミー画素と同じ列に配される副画素の発光層に塗布されるインク液と同じ色のインク液を用いるので、当該ダミー画素の発光層と、同じ列に配される副画素の発光層との間でインク液が混色しても問題はない。
（６）上記の実施の形態及び各変形例において、周辺列領域１５及び周辺列領域１６に列方向に一列に配されるダミー画素の発光層について、同一色のインク液を用いるとしてもよい。
【０１６４】
このようにすると、図１０に示す液滴吐出装置を用いる場合、インクジェットヘッド６５０の吐出口６５１ａ、６５１ｂ、６５１ｃ、・・・から吐出されるインク液滴により、周辺列領域１５（又は、周辺列領域１６）に列方向に一列に配されるダミー画素の発光層について、一度のインク液滴の吐出により、インク液の塗布が可能である。
（７）有機ＥＬ表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
【０１６５】
（８）有機ＥＬ表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成としている。
しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１６６】
（９）実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、副画素１００ｓｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本開示はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
（１０）上記実施の形態では、複数の単位画素１００ｅが、行列状に並んだ構成であるが、本開示は、これには限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１６７】
（１１）上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極層１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本開示はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極層１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１６８】
（１２）上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本開示はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１６９】
（１３）上記の形態では、有機ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、有機ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１７０】
（１４）上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ１ 、Ｔｒ２ が設けられてなる構成を採用したが、本開示はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
（１５）上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本開示はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１７１】
（１６）以上において説明した実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１７２】
また、上記の工程が実行される順序は、本開示を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、開示の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本開示は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１７３】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
本開示に係る有機ＥＬ表示パネル及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置及びその他表示パネルを有する様々な電子機器において広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１７５】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１０２  ダミー画素電極
１１８  層間絶縁層
１１９  画素電極
２００  補助電極層
１２０  ホール注入層
１２０Ａ  下部層
１２０Ｂ  上部層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ、１４１〜１４４  行バンク
５２２Ｙ、１４５〜１４８  列バンク
１２３  発光層
１２４  電子輸送層
１２５  共通電極層
１２６  封止層
１２７  接合層
１２８  カラーフィルタ層
１３０  上部基板
１３１  カラーフィルタ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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