(57)【要約】【課題】発光の均一性や視野角特性を改善することの可能な有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置、および有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態の有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備えている。第１電極の端部は、第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している。【選択図】図６
2019079640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備え、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第１電極は、Ａｌ合金で構成されており、
前記第１電極の端部の表面は、Ａｌ合金の酸化物で構成されている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第１電極の端部の膜厚が、前記第１電極の中央部分よりも厚くなっている
請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＷＯｘ層もしくはＩＴＯ層の積層体で構成されており、
前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層は、前記Ａｌ合金層の表面のうち、前記Ａｌ合金層の端部以外の表面に接して形成されており、
前記Ａｌ合金層の端部のうち、前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層によって被覆されていない箇所の表面は、Ａｌ合金の酸化物で構成されている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記Ａｌ合金層の端部のうち、前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層によって被覆されていない箇所の膜厚は、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記Ａｌ合金層の中央部分よりも厚くなっている
請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
画素ごとに有機電界発光素子を備え、
各前記有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に有し、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光パネル。
【請求項７】
画素ごとに有機電界発光素子を有する発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
各前記有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に有し、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光装置。
【請求項８】
第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備えた有機電界発光素子の製造方法であって、
前記第１電極の端部の表面を、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化することを含む
有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１電極は、Ａｌ合金で構成されており、
当該製造方法は、前記第１電極の端部に対して前記酸化処理を行うことにより、前記第１電極の端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることを含む
請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１電極の端部の膜厚を、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記第１電極の中央部分よりも厚くすることを含む
請求項９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＩＴＯ層の積層体で構成されており、
当該製造方法は、
前記第１電極の中央部分にレジスト層を選択的に形成した後、前記レジスト層をマスクとして前記ＩＴＯ層を選択的にエッチングすることにより、前記第１電極の端部に前記Ａｌ合金層を露出させることと、
前記レジスト層を残したままで、前記Ａｌ合金層に対して酸化処理を行うことにより、前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることと
を含む
請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＷ層の積層体で構成されており、
当該製造方法は、
前記第１電極の中央部分にレジスト層を選択的に形成した後、前記レジスト層をマスクとして前記Ｗ層を選択的にエッチングすることにより、前記第１電極の端部に前記Ａｌ合金層を露出させることと、
前記レジスト層を除去した上で、前記Ｗ層および前記Ａｌ合金層に対して酸化処理を行うことにより、前記Ｗ層をＷＯｘ層に変化させるとともに、前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることと
を含む
請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の膜厚を、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記Ａｌ合金層の中央部分よりも厚くする
請求項１１または請求項１２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置、および有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。この方法で、有機電界発光パネルを製造する際、インクを滴下するパネルには、各画素を区画するバンクが設けられている(例えば、特許文献１，２参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９１８４１号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、インクをパネルに滴下した際に、インクの一部がバンクの側面に濡れ広がり、インクの表面にメニスカスが形成されることがある。その場合、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりする。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することの可能な有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置、および有機電界発光素子の製造方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施形態の有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備えている。第１電極の端部は、第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している。
【０００６】
本開示の一実施形態の有機電界発光パネルは、画素ごとに有機電界発光素子を備えている。各有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に有している。第１電極の端部は、第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している。
【０００７】
本開示の一実施形態の有機電界発光装置は、画素ごとに有機電界発光素子を有する発光パネルと、発光パネルを駆動する駆動回路とを備えている。有機電界発光装置における発光パネルは、上記の有機電界発光パネルと同一の構成要素を有している。
【０００８】
本開示の一実施形態の有機電界発光素子の製造方法は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備えた有機電界発光素子の製造方法である。この製造方法は、第１電極の端部の表面を、第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化することを含んでいる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一実施形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置、および有機電界発光素子の製造方法によれば、第１電極の端部の表面を、第１電極に対する酸化処理によって高抵抗にしたので、有機層のうち、第１電極の端部と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。これにより、製造過程で有機層を塗布により形成したときに、第１電極の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成の一例を表す図である。
【図２】図１の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１の表示パネルの概略構成例を表す平面図である。
【図４】図３の表示パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図５】図３の表示パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。
【図６】図３の各画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を拡大して表す図である。
【図７】図６の陽極への高抵抗領域の製造手順の一例を表す図である。
【図８】図３の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図９】図８の陽極への高抵抗領域の製造手順の一例を表す図である。
【図１０】図３の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図１１】図１０の陽極への高抵抗領域の製造手順の一例を表す図である。
【図１２】図３の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図１３】図３の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図１４】図１３の陽極への高抵抗領域の製造手順の一例を表す図である。
【図１５】図３の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図１６】図３の表示パネルの概略構成の一例を表す平面図である。
【図１７】図３の表示パネルの概略構成の一例を表す平面図である。
【図１８】図３の表示パネルの概略構成の一例を表す平面図である。
【図１９】図３の表示パネルのＡ−Ａ線での断面構成の一変形例を表す図である。
【図２０】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。
【図２１】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置）
２．変形例（有機電界発光素子）
３．適用例（電子機器、照明装置）
【００１２】
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置１の概略構成の一例を表したものである。図２は、有機電界発光装置１に設けられた各画素１１の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば、有機電界発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、有機電界発光パネル１０の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、有機電界発光パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
【００１３】
（有機電界発光パネル１０）
有機電界発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
【００１４】
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
【００１５】
複数の画素１１は、例えば、赤色光を発する複数の画素１１、緑色光を発する複数の画素１１および青色光を発する複数の画素１１で構成されている。なお、複数の画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する複数の画素１１を含んで構成されていてもよい。
【００１６】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
【００１７】
各画素１１は、例えば、画素回路１１−１と、有機電界発光素子１１−２とを有している。有機電界発光素子１１−２の構成については、後に詳述する。
【００１８】
画素回路１１−１は、有機電界発光素子１１−２の発光・消光を制御する。画素回路１１−１は、後述の書込走査によって各画素１１に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１１−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００１９】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子２１−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子２１−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１１−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１１−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００２０】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路の出力端と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００２１】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子１１−２の陽極１１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子１１−２側の端子に接続されている。
【００２２】
（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１１を所定の単位ごとに走査する。
【００２３】
（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ４１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【００２４】
次に、図３、図４、図５を参照して、有機電界発光素子１１−２について説明する。図３は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。図４は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。
【００２５】
有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。複数の画素１１は、例えば、上述したように、赤色光を発する画素１１（１１Ｒ）、緑色光を発する画素１１（１１Ｇ）、および青色光を発する画素１１（１１Ｂ）を含んで構成されている。複数の画素１１において、例えば、画素１１Ｒ、画素１１Ｇおよび画素１１Ｂが、カラー表示における画素（カラー画素１２）を構成している。
【００２６】
画素１１Ｒは、赤色の光を発する有機電界発光素子１１−２（１１ｒ）を含んで構成されている。画素１１Ｇは、緑色の光を発する有機電界発光素子１１−２（１１ｇ）を含んで構成されている。画素１１Ｂは、青色の光を発する有機電界発光素子１１−２（１１ｂ）を含んで構成されている。画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素１１において、例えば、画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の画素１１が、行方向に一列に並んで配置されている。
【００２７】
有機電界発光パネル１０は、基板２１上に、行方向に延在する複数のラインバンク１３と、列方向に延在する複数のバンク１４とを有している。複数のラインバンク１３および複数のバンク１４は、有機電界発光パネル１０の画素領域を区画する。複数のラインバンク１３は、各カラー画素１２において、各画素１１を区画する。複数のバンク１４は、各画素行において、各画素１１を区画する。つまり、各画素１１は、複数のラインバンク１３および複数のバンク１４によって区画されている。各バンク１４は、列方向において互いに隣接する２つのラインバンク１３の間に設けられている。各バンク１４の両端部が、列方向において互いに隣接する２つのラインバンク１３に連結されている。
【００２８】
基板２１は、例えば、各有機電界発光素子１１−２や、各ラインバンク１３、各バンク１４などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板２１内の基材は、例えば、ガラス基板、またはフレキシブル基板などによって構成されている。基板２１内の配線層には、例えば、各画素１１の画素回路１１−１が形成されている。基板２１は、複数のバンク１４の底面に接するとともに複数のバンク１４を支持している。
【００２９】
ラインバンク１３およびバンク１４は、例えば、絶縁性の有機材料を含んで構成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク１３およびバンク１４は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク１３およびバンク１４は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク１３の断面形状は、例えば、図４に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。バンク１４の断面形状は、例えば、図５に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。
【００３０】
互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３および両端のバンク１４によって囲まれた領域が、溝部１５なっている。さらに、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３と、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのバンク１４によって囲まれた領域が、画素１１に相当する。つまり、各有機電界発光素子１１−２は、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３と、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのバンク１４によって囲まれた領域に１つずつ配置されている。
【００３１】
各有機電界発光素子１１−２は、例えば、発光層２５と、発光層２５を挟み込むように配置された、陽極２２および陰極２８を備えている。陽極２２は、本開示の「第１電極」の一具体例に相当する。陰極２８は、本開示の「第２電極」の一具体例に相当する。有機電界発光素子１１−２は、例えば、さらに、陽極２２と、発光層２５との間に、正孔注入層２３および正孔輸送層２４を陽極２２側からこの順に備えている。なお、正孔注入層２３および正孔輸送層２４のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１１−２は、例えば、さらに、発光層２５と、陰極２８との間に、電子輸送層２６および電子注入層２７を発光層２５側からこの順に備えている。なお、電子輸送層２６および電子注入層２７のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１１−２は、例えば、陽極２２、正孔注入層２３、正孔輸送層２４、発光層２５、電子輸送層２６、電子注入層２７および陰極２８を基板２１側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。有機電界発光素子１１−２において、さらに他の機能層が含まれていてもよい。
【００３２】
陽極２２は、例えば、基板２１の上に形成されている。陽極２２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムもしくは銀の合金等、または、反射性を有する反射電極である。なお、陽極２２は、反射電極に限るものではなく、例えば、透光性を有する透明電極であってもよい。透明電極の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料が挙げられる。陽極２２は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい
【００３３】
正孔注入層２３は、陽極２２から注入された正孔を正孔輸送層２４、発光層２５へ注入する機能を有する。正孔注入層２３は、例えば、陽極２２の表面に接して設けられている。正孔注入層２３は、正孔注入性を有する有機材料によって構成されている。正孔注入性を有する有機材料としては、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料などが挙げられる。正孔注入層２３は、例えば、有機材料の塗布膜で構成されている。正孔注入層２３は、例えば、有機材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。正孔注入層２３は、蒸着膜で構成されていてもよい。
【００３４】
正孔輸送層２４は、陽極２２から注入された正孔を発光層２５へ輸送する機能を有する。正孔輸送層２４は、例えば、陽極２２から注入された正孔を発光層２５へ輸送する機能を有する材料（正孔輸送性材料）によって構成されている。上記の正孔輸送性材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料が挙げられる。
【００３５】
発光層２５は、陽極２２から注入された正孔と、陰極２８から注入された電子とが、発光層２５内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。発光層２５は、例えば、有機発光材料によって構成されている。発光層２５は、例えば、塗布膜であり、例えば、有機発光材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。発光層２５は、蒸着膜で構成されていてもよい。
【００３６】
発光層２５の原料（材料）である有機発光材料は、例えば、ホスト材料とドーパント材料とが組み合わされた材料である。発光層２５の原料（材料）である有機発光材料は、ドーパント材料単独であってもよい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。
【００３７】
発光層２５のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００３８】
また、発光層２５のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層２５の蛍光ドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００３９】
電子輸送層２６は、陰極２８から注入された電子を発光層２５へ輸送する機能を有する。電子輸送層２６は、例えば、陰極２８から注入された電子を発光層２５へ輸送する機能を有する材料（電子輸送性材料）を含んで構成されている。電子輸送層２６は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜で構成されている。電子輸送層２６は、塗布膜で構成されていてもよい。電子輸送層２６は、発光層２５から陰極２８への電荷（本実施の形態では正孔）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、発光層２５の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。
【００４０】
上記の電子輸送性材料は、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。上記の電子輸送性材料には、電子輸送性を有する金属がドープされている場合がある。この場合、電子輸送層２６は、ドープ金属を含む有機電子輸送層である。電子輸送性を有する金属が電子輸送層２６に含まれていることで、電子輸送層２６の電子輸送性を向上できる。電子輸送層２６に含まれるドープ金属としては、例えば、Ｙｂ（イッテルビウム）などの遷移金属が挙げられる。
【００４１】
電子注入層２７は、陰極２８から注入された電子を電子輸送層２６、発光層２５へ注入する機能を有する。電子注入層２７は、例えば、陰極２８から電子輸送層２６、発光層２５への電子の注入を促進させる機能を有する材料（電子注入性材料）によって構成されている。上記の電子注入性材料は、例えば、電子注入性を有する有機材料に、電子注入性を有する金属がドープされたものであってもよい。電子注入層２７に含まれるドープ金属は、例えば、電子輸送層２６に含まれるドープ金属と同じ金属である。
【００４２】
陰極２８は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明電極である。なお、陰極２８は、透明電極に限るものではなく、光反射性を有する反射電極であってもよい。反射電極の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。本実施の形態において、基板２１及び陽極２２が反射性を有し、陰極２８が透光性を有している場合には、有機電界発光素子１１−２は、陰極２８側から光が放出するトップエミッション構造となっている。なお、本実施の形態において、基板２１及び陽極２２が透光性を有し、陰極２８が反射性を有している場合には、有機電界発光素子１１−２は、基板２１側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。
【００４３】
次に、図６を参照して、陽極２２について説明する。図６は、図３の各画素１１に含まれる有機電界発光素子１１−２の断面構成例を拡大して表したものである。
【００４４】
本実施の形態では、陽極２２の端部の表面（陰極２８側の表面であって、かつ陽極２２の端部に接する領域の表面）が、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化されている。陽極２２がＡｌ合金で構成されている場合、酸化処理としては、例えば、熱酸化処理、または、酸素プラズマ処理などが挙げられる。陽極２２は、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化された高抵抗領域２２Ａを、陽極２２の端部の表面に有している。陽極２２がＡｌ合金で構成されている場合、高抵抗領域２２Ａは、Ａｌ合金の酸化物で構成されている。陽極２２の表面において、高抵抗領域２２Ａ以外の領域は、高抵抗領域２２Ａのような酸化処理（もしくは高抵抗化処理）のなされていない領域、または、高抵抗領域２２Ａよりも程度の低い酸化処理（もしくは高抵抗化処理）しかなされていない領域を指している。また、陽極２２の表面において、高抵抗領域２２Ａは、それ以外の領域の平均抵抗値よりも高い平均抵抗値を有する領域を指している。
【００４５】
陽極２２の表面がラインバンク１３に接している場合には、高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の表面のうち、少なくともラインバンク１３に接する箇所に設けられている。陽極２２の表面がさらにバンク１４にも接している場合には、高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の表面のうち、少なくともラインバンク１３およびバンク１４に接する箇所に設けられている。高抵抗領域２２Ａは、例えば、陽極２２の表面のうち、外縁全体に設けられている。高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の端部の表面（陰極２８側の表面）だけでなく、陽極２２の端部の端面の全体または一部にも設けられていてもよい。
【００４６】
高抵抗領域２２Ａは、例えば、発光層２５における平坦領域αと非対向の領域全体に設けられている。高抵抗領域２２Ａは、さらに、例えば、平坦領域αと非対向の領域から、平坦領域αの外縁部分と対向する領域に渡って設けられていてもよい。ここで、平坦領域αとは、発光層２５の表面（陰極２８側の表面）の中央位置の高さ（陽極２２の表面からの高さ）を基準として、その基準となる高さから±１０％の範囲内の高さにある領域を指している。高抵抗領域２２Ａは、例えば、陽極２２の端部の表面のうち、ラインバンク１３やバンク１４と対向する領域にも形成されている。なお、高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の端部の表面のうち、ラインバンク１３やバンク１４と対向する領域での形成が省略されていてもよい。つまり、高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の端部の表面のうちラインバンク１３やバンク１４と接する領域に形成されている必要はない。
【００４７】
高抵抗領域２２Ａの厚さは、高抵抗領域２２Ａの厚さ方向の抵抗値が陽極２２の中央部分での抵抗値よりも十分に高くなる範囲内の値となっており、例えば、３ｎｍとなっている。高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の端部の表面（陰極２８側の表面）だけでなく、陽極２２の端部の端面にも設けられていてもよい。このとき、高抵抗領域２２Ａは、陽極２２の端部の端面のうち、少なくとも陽極２２の端部の表面（陰極２８側の表面）寄りの領域に設けられている。
【００４８】
次に、図７を参照して、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順について説明する。図７は、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順の一例を表したものである。
【００４９】
まず、陽極２２上の所定の箇所にレジスト層１１０を形成する（図７（Ａ））。「所定の箇所」とは、例えば、陽極２２の表面のうち、外縁を除いた領域を指している。次に、レジスト層１１０をマスクとして、陽極２２に対して酸化処理を行う（図７（Ｂ））。これにより、陽極２２の端部の表面を、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化する。ここで、陽極２２がＡｌ合金で構成されている場合には、陽極２２の端部に対して上記酸化処理を行うことにより、陽極２２の端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させる。その結果、陽極２２の端部の表面に高抵抗領域２２Ａが形成される。その後、レジスト層１１０を除去する（図７（Ｃ））。このようにして、陽極２２の端部の表面に高抵抗領域２２Ａを製造する。
【００５０】
[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光装置１の効果について説明する。
【００５１】
インクジェット装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。この方法で、有機電界発光パネルを製造する際、インクを滴下するパネルには、各画素を区画するバンクが設けられている。
【００５２】
ところで、インクをパネルに滴下した際に、インクの一部がバンクの側面に濡れ広がり、インクの表面にメニスカスが形成されることがある。その場合、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなり、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりする。
【００５３】
一方、本実施の形態では、陽極２２の端部の表面が、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化されている。これにより、発光層２５のうち、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。その結果、製造過程で発光層２５を塗布により形成したときに、陽極２２の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【００５４】
また、本実施の形態において、陽極２２がＡｌ合金で構成され、陽極２２の端部の表面（高抵抗領域２２Ａ）がＡｌ合金の酸化物で構成されている場合には、高抵抗領域２２Ａの抵抗値を十分に高くすることができる。これにより、発光層２５のうち、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。その結果、製造過程で発光層２５を塗布により形成したときに、陽極２２の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【００５５】
＜２．変形例＞
以下に、上記実施の形態の有機電界発光素子１１−１の変形例について説明する。
【００５６】
[変形例Ａ]
図８は、本変形例に係る有機電界発光素子１１−１の断面構成例を表したものである。本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。
【００５７】
次に、図９を参照して、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順について説明する。図９は、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順の一例を表したものである。
【００５８】
まず、陽極２２上の所定の箇所にレジスト層１１０を形成する（図９（Ａ））。「所定の箇所」とは、例えば、陽極２２の表面のうち、外縁を除いた領域を指している。次に、レジスト層１１０をマスクとして、陽極２２に対して酸化処理を行う（図９（Ｂ））。これにより、陽極２２の端部の表面を、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化する。このとき、陽極２２の端部の膜厚を、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くする。例えば、酸化処理に伴って陽極２２が体積膨張を起こす条件で、陽極２２に対して酸化処理を行う。ここで、陽極２２がＡｌ合金で構成されている場合には、陽極２２の端部に対して上記酸化処理を行うことにより、陽極２２の端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させるとともに、陽極２２の端部の膜厚を、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くする。その結果、陽極２２の端部の表面に高抵抗領域２２Ａが形成され、さらに、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなる。その後、レジスト層１１０を除去する（図９（Ｃ））。このようにして、陽極２２の端部の表面に高抵抗領域２２Ａを製造する。
【００５９】
本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。従って、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が厚くなった分だけ、メニスカスに溜まるインク量を減らすことができる。
【００６０】
[変形例Ｂ]
図１０は、本変形例に係る有機電界発光素子１１−１の断面構成例を表したものである。本変形例では、陽極２２が、Ａｌ合金層２２ａおよびＩＴＯ層２２ｂの積層体で構成されている。ＩＴＯ層２２ｂは、Ａｌ合金層２２ａの表面のうち、Ａｌ合金層２２ａの端部以外の表面に接して形成されており、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を避けて形成されている。Ａｌ合金層２２ａの端部のうち、ＩＴＯ層２２ｂによって被覆されていない箇所の表面は、Ａｌ合金の酸化物（高抵抗領域２２Ａ）で構成されている。
【００６１】
次に、図１１を参照して、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順について説明する。図１１は、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順の一例を表したものである。
【００６２】
まず、Ａｌ合金層２２ａの表面全体にＩＴＯ層２２ｂを形成する（図１１（Ａ））。次に、ＩＴＯ層２２ｂ上の所定の箇所にレジスト層１１０を形成する（図１１（Ｂ））。「所定の箇所」とは、例えば、ＩＴＯ層２２ｂの表面のうち、外縁を除いた領域を指している。次に、レジスト層１１０をマスクとして、ＩＴＯ層２２ｂを選択的にエッチングする（図１１（Ｃ））。これにより、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面が露出する。
【００６３】
続いて、レジスト層１１０を残したままで、Ａｌ合金層２２ａに対して酸化処理を行う（図１１（Ｄ））。これにより、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を、Ａｌ合金層２２ａに対する酸化処理によって高抵抗化する。これにより、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させる。その結果、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面に高抵抗領域２２Ａが形成される（図１１（Ｅ））。その後、レジスト層１１０を除去する（図１１（Ｆ））。このようにして、陽極２２の端部（Ａｌ合金層２２ａの端部）の表面に高抵抗領域２２Ａを製造する。
【００６４】
本変形例では、陽極２２の端部（Ａｌ合金層２２ａの端部）の表面が、陽極２２の端部に対する酸化処理によって高抵抗化されている。これにより、発光層２５のうち、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。その結果、製造過程で発光層２５を塗布により形成したときに、陽極２２の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【００６５】
[変形例Ｃ]
図１２は、本変形例に係る有機電界発光素子１１−１の断面構成例を表したものである。本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。例えば、製造過程において、陽極２２の端部の膜厚を、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くする。例えば、酸化処理に伴って陽極２２が体積膨張を起こす条件で、陽極２２に対して酸化処理を行う。
【００６６】
本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。従って、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が厚くなった分だけ、メニスカスに溜まるインク量を減らすことができる。
【００６７】
[変形例Ｄ]
図１３は、本変形例に係る有機電界発光素子１１−１の断面構成例を表したものである。本変形例では、陽極２２が、Ａｌ合金層２２ａおよびＷＯｘ層２２ｃの積層体で構成されている。ＷＯｘ層２２ｃは、Ａｌ合金層２２ａの表面に形成されており、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を避けて形成されている。Ａｌ合金層２２ａの端部のうち、ＷＯｘ層２２ｃによって被覆されていない箇所の表面は、Ａｌ合金の酸化物（高抵抗領域２２Ａ）で構成されている。
【００６８】
次に、図１４を参照して、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順について説明する。図１４は、陽極２２への高抵抗領域２２Ａの製造手順の一例を表したものである。
【００６９】
まず、Ａｌ合金層２２ａの表面全体にＷ層２２ｄを形成する（図１４（Ａ））。次に、Ｗ層２２ｄ上の所定の箇所にレジスト層１１０を形成する（図１４（Ｂ））。「所定の箇所」とは、例えば、Ｗ層２２ｄの表面のうち、外縁を除いた領域を指している。次に、レジスト層１１０をマスクとして、Ｗ層２２ｄを選択的にエッチングする（図１４（Ｃ））。これにより、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面が露出する。
【００７０】
続いて、レジスト層１１０を除去した上で、Ｗ層２２ｄおよびＡｌ合金層２２ａに対して酸化処理を行う（図１４（Ｄ））。これにより、Ｗ層２２ｄをＷＯｘ層２２ｃに変化させるとともに、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を、Ａｌ合金層２２ａに対する酸化処理によって高抵抗化する。これにより、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させる。その結果、Ａｌ合金層２２ａの端部の表面に高抵抗領域２２Ａが形成される（図１１（Ｅ））。このようにして、陽極２２の端部（Ａｌ合金層２２ａの端部）の表面に高抵抗領域２２Ａを製造する。
【００７１】
本変形例では、陽極２２の端部（Ａｌ合金層２２ａの端部）の表面が、陽極２２の端部に対する酸化処理によって高抵抗化されている。これにより、発光層２５のうち、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。その結果、製造過程で発光層２５を塗布により形成したときに、陽極２２の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【００７２】
[変形例Ｅ]
図１５は、本変形例に係る有機電界発光素子１１−１の断面構成例を表したものである。本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。例えば、製造過程において、陽極２２の端部の膜厚を、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くする。例えば、酸化処理に伴って陽極２２が体積膨張を起こす条件で、陽極２２に対して酸化処理を行う。
【００７３】
本変形例では、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が、酸化処理に伴う体積膨張によって、陽極２２の中央部分よりも厚くなっている。従って、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）の膜厚が厚くなった分だけ、メニスカスに溜まるインク量を減らすことができる。
【００７４】
[変形例Ｆ]
上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｅでは、陽極２２の端縁の表面（陰極２８側の表面）が、陽極２２に対する酸化処理によって高抵抗化されていた。しかし、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｆにおいて、陽極２２の端縁の表面（陰極２８側の表面）が、陽極２２に対する、酸化処理以外の処理によって高抵抗化されていてもよい。このようにした場合であっても、発光層２５のうち、陽極２２の端部（高抵抗領域２２Ａ）と対向する箇所で発光がほとんど起こらない。その結果、製造過程で発光層２５を塗布により形成したときに、陽極２２の端部と対向する箇所が極端に厚くなった場合であっても、発光の均一性が損なわれたり、視野角特性が悪化したりするおそれがない。従って、発光の均一性や視野角特性を改善することができる。
【００７５】
[変形例Ｇ]
また、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｆにおいて、陽極２２の端縁の表面（陰極２８側の表面）が均質となっていてもよいし、陽極２２の端縁の表面（陰極２８側の表面）の一部が不均質となっていてもよい。「不均質」とは、陽極２２の端縁の表面（陰極２８側の表面）内に、抵抗値の相対的に低い領域（例えば部分的に酸化されていない領域）があってもよいことを意味している。例えば、図１６に示したように、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｆにおいて、高抵抗領域２２Ａが、ラインバンク１３と接する箇所にだけ形成されていてもよい。また、例えば、図１７に示したように、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｆにおいて、高抵抗領域２２Ａが、ラインバンク１３と接する箇所の一部にだけ形成されていてもよい。また、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｆにおいて、例えば、図１８に示したように、電極２２がラインバンク１３だけでなくバンク１４にも接している場合に、高抵抗領域２２Ａが、ラインバンク１３およびバンク１４と接する箇所に形成されていてもよい。このようにした場合であっても、上記の実施の形態と同等の効果が得られる。
【００７６】
[変形例Ｈ]
上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｇにおいて、複数のラインバンク２３および複数のバンク２４の代わりに、例えば、図１９に示したようなピクセルバンク２６が発光パネル２０に設けられていてもよい。このようにした場合であっても、上記の実施の形態と同様、発光効率の高い有機電界発光装置１を実現することができる。
【００７７】
＜３．適用例＞
[適用例その１]
以下では、上記実施の形態で説明した有機電界発光装置１の適用例について説明する。有機電界発光装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７８】
図２０は、本適用例に係る電子機器２の外観を斜視的に表したものである。電子機器２は、例えば、筐体３１０の主面に表示面３２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器２は、電子機器２の表示面３２０に、有機電界発光装置１を備えている。有機電界発光装置１は、表示パネル２０が外側を向くように配置されている。本適用例では、有機電界発光装置１が表示面３２０に設けられているので、視野角特性に優れた電子機器２を実現することができる。
【００７９】
[適用例その２]
以下では、上記実施の形態で説明した有機電界発光素子１１−１の適用例について説明する。有機電界発光素子１１−１は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
【００８０】
図２１は、有機電界発光素子１が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、１または複数の有機電界発光素子１１−１を含んで構成された照明部４１０を有している。照明部４１０は、建造物の天井４２０に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４１０は、用途に応じて、天井４２０に限らず、壁４３０または床（図示せず）など任意の場所に設置することが可能である。
【００８１】
これらの照明装置では、有機電界発光素子１１−１からの光により、照明が行われる。これにより、発光効率の高い照明装置を実現することができる。
【００８２】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００８３】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備え、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光素子。
（２）
前記第１電極は、Ａｌ合金で構成されており、
前記第１電極の端部の表面は、Ａｌ合金の酸化物で構成されている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記第１電極の端部の膜厚が、前記第１電極の中央部分よりも厚くなっている
（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＷＯｘ層もしくはＩＴＯ層の積層体で構成されており、
前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層は、前記Ａｌ合金層の端部の表面のうち、前記Ａｌ合金層の端部以外の表面に接して形成されており、
前記Ａｌ合金層の端部のうち、前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層によって被覆されていない箇所の表面は、Ａｌ合金の酸化物で構成されている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（５）
前記Ａｌ合金層の端部のうち、前記ＷＯｘ層もしくは前記ＩＴＯ層によって被覆されていない箇所の膜厚は、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記Ａｌ合金層の中央部分よりも厚くなっている
（４）に記載の有機電界発光素子。
（６）
画素ごとに有機電界発光素子を備え、
各前記有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に有し、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光パネル。
（７）
画素ごとに有機電界発光素子を有する発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
各前記有機電界発光素子は、第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に有し、
前記第１電極の端部は、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化された表面を有している
有機電界発光装置。
（８）
第１電極、塗布膜で構成された有機層および第２電極をこの順に備えた有機電界発光素子の製造方法であって、
前記第１電極の端部の表面を、前記第１電極に対する酸化処理によって高抵抗化することを含む
有機電界発光素子の製造方法。
（９）
前記第１電極は、Ａｌ合金で構成されており、
当該製造方法は、前記第１電極の端部に対して前記酸化処理を行うことにより、前記第１電極の端部の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることを含む
（８）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（１０）
前記第１電極の端部の膜厚を、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記第１電極の中央部分よりも厚くすることを含む
（９）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（１１）
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＩＴＯ層の積層体で構成されており、
当該製造方法は、
前記第１電極の中央部分にレジスト層を選択的に形成した後、前記レジスト層をマスクとして前記ＩＴＯ層を選択的にエッチングすることにより、前記第１電極の端部に前記Ａｌ合金層を露出させることと、
前記レジスト層を残したままで、前記Ａｌ合金層に対して酸化処理を行うことにより、前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることと
を含む
（８）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（１２）
前記第１電極は、Ａｌ合金層およびＷ層の積層体で構成されており、
当該製造方法は、
前記第１電極の中央部分にレジスト層を選択的に形成した後、前記レジスト層をマスクとして前記Ｗ層を選択的にエッチングすることにより、前記第１電極の端部に前記Ａｌ合金層を露出させることと、
前記レジスト層を除去した上で、前記Ｗ層および前記Ａｌ合金層に対して酸化処理を行うことにより、前記Ｗ層をＷＯｘ層に変化させるとともに、前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の表面を、Ａｌ合金の酸化物に変化させることと
を含む
（８）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
（１３）
前記Ａｌ合金層のうち、前記第１電極の端部に露出した部分の膜厚を、前記酸化処理に伴う体積膨張によって、前記Ａｌ合金層の中央部分よりも厚くする
（１１）または（１２）に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【００８４】
１…有機電界発光装置、２…電子機器、１０…有機電界発光パネル、１１…画素、１１−１…画素回路、１１−２…有機電界発光素子、１２…カラー画素、１３…ラインバンク、１４…バンク、１５…溝部、１６…ピクセルバンク、２０…コントローラ、２１…基板、２２…陽極、２２Ａ…高抵抗領域、２２ａ…Ａｌ合金層、２２ｂ…ＩＴＯ層、２２ｃ…ＷＯｘ層、２２ｄ…Ｗ層、２３…正孔注入層、２４…正孔輸送層、２５…発光層、２６…電子輸送層、２７…電子注入層、２８…陰極、２９…封止層、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、１１０…レジスト層、３１０…筐体、３２０…表示面、４１０…照明部、４２０…天井、４３０…壁、Ｃｓ…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…走査線、α…平坦領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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