(57)【要約】【課題】ｐ側電極及びｎ側電極の表面を金属によって被覆しても発電効率の低下を抑制できる太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法を提供する。【解決手段】太陽電池セル１は、光電変換部２０と、ｐ側導電体５０ａと、ｎ側導電体４０ａと、ｐ型表面２０ｂｐとｐ側導電体５０ａとの間に形成された、ｐ側シード層５４と、ｎ型表面２０ｂｎとｎ側導電体４０ａとの間に形成された、ｎ側シード層４４と、ｐ側シード層５４を覆い、ｐ側シード層５４と異なる金属からなるｐ側金属層５７と、ｎ側シード層４４を覆い、ｎ側シード層４４と異なる金属からなるｎ側金属層４７とを備える。また、ｐ側金属層５７は、ｐ側シード層５４と異なる金属から形成される。さらに、ｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数よりも小さい。そして、ｎ側金属層４７に対する銅の拡散係数は、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数よりも小さい。【選択図】図４
2019133985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面にｐ型表面とｎ型表面とを有する光電変換部と、
前記ｐ型表面の上に設けられたｐ側導電体と、
前記ｐ側導電体の表面に設けられたｐ側導電体表面保護層と、
前記ｎ型表面の上に設けられたｎ側導電体と、
前記ｎ側導電体の表面に設けられたｎ側導電体表面保護層と、
前記ｐ型表面と前記ｐ側導電体との間に形成された、銅を含む金属からなるｐ側シード層と、
前記ｎ型表面と前記ｎ側導電体との間に形成された、銅を含む金属からなるｎ側シード層と、
前記ｐ側シード層を覆い、前記ｐ側シード層と異なる金属からなるｐ側金属層と、
前記ｎ側シード層を覆い、前記ｎ側シード層と異なる金属からなるｎ側金属層と、
を備え、
前記ｐ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｐ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さく、
前記ｎ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｎ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さい
太陽電池セル。
【請求項２】
当該太陽電池セルの温度が２５℃から２００℃までの状態での、前記ｐ側金属層及び前記ｎ側金属層に対する銅の拡散係数は、１．０×１０−１８（ｍ２／ｓ）以下である
請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記ｐ側導電体表面保護層と、前記ｎ側導電体表面保護層とがいずれも錫を含む金属層からなる
請求項１又は２に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記ｐ側金属層及び前記ｎ側金属層がニッケルとバナジウムとの合金からなる
請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項５】
主面にｐ型表面とｎ型表面とを形成する工程と、
前記ｐ型表面の上に設けられ、めっきによりｐ側導電体を形成する工程と、
前記ｐ側導電体の表面にｐ側導電体表面保護層を形成する工程と、
前記ｎ型表面の上に設けられ、めっきによりｎ側導電体を形成する工程と、
前記ｎ側導電体の表面にｎ側導電体表面保護層を形成する工程と、
前記ｐ型表面と前記ｐ側導電体との間に形成されたｐ側シード層を形成する工程と、
前記ｎ型表面と前記ｎ側導電体との間に形成されたｎ側シード層を形成する工程と、
前記ｐ側シード層を覆い、前記ｐ側シード層と異なる金属からなるｐ側金属層を形成する工程と、
前記ｎ側シード層を覆い、前記ｎ側シード層と異なる金属からなるｎ側金属層を形成する工程と、を含み、
前記ｐ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｐ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さく、
前記ｎ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｎ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さい
太陽電池セルの製造方法。
【請求項６】
前記ｐ側導電体表面保護層及び前記ｎ側導電体表面保護層がいずれも錫からなる
請求項５に記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来では、ｐ側電極及びｎ側電極から充填材に、ｐ側電極及びｎ側電極の材料の銅が拡散しないように、ｐ側電極及びｎ側電極の表面を別の金属で被覆する方法が行われてきている。例えば、一主面にｐ型表面とｎ型表面とを有する光電変換部と、ｐ型表面の上に設けられ、めっき膜から形成されたｐ側電極と、ｎ型表面の上に設けられ、めっき膜から形成されたｎ側電極と、ｐ型表面とｐ側電極との間に設けられたｐ側シード層と、ｎ型表面とｎ側電極との間に設けられたｎ側シード層とを備える太陽電池が開示されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／１１８７４０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来では、ｐ側電極及びｎ側電極の表面を被覆する金属の種類によっては、金属被覆を行うことで太陽電池セルの発電効率が低下しまうことがある。このため、ｐ側電極及びｎ側電極の表面を被覆することよる発電効率の低下を抑制する対策が求められている。
【０００５】
そこで、本開示は、ｐ側電極及びｎ側電極の表面を金属によって被覆しても発電効率の低下を抑制できる太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る太陽電池セルは、主面にｐ型表面とｎ型表面とを有する光電変換部と、前記ｐ型表面の上に設けられたｐ側導電体と、前記ｐ側導電体の表面に設けられたｐ側導電体表面保護層と、前記ｎ型表面の上に設けられたｎ側導電体と、前記ｎ側導電体の表面に設けられたｎ側導電体表面保護層と、前記ｐ型表面と前記ｐ側導電体との間に形成された、銅を含む金属からなるｐ側シード層と、前記ｎ型表面と前記ｎ側導電体との間に形成された、銅を含む金属からなるｎ側シード層と、前記ｐ側シード層を覆い、前記ｐ側シード層と異なる金属からなるｐ側金属層と、前記ｎ側シード層を覆い、前記ｎ側シード層と異なる金属からなるｎ側金属層と、を備え、前記ｐ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｐ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さく、前記ｎ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｎ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さい。
【０００７】
また、本開示の一態様に係る太陽電池セルの製造方法は、主面にｐ型表面とｎ型表面とを形成する工程と、前記ｐ型表面の上に設けられ、めっきによりｐ側導電体を形成する工程と、前記ｐ側導電体の表面にｐ側導電体表面保護層を形成する工程と、前記ｎ型表面の上に設けられ、めっきによりｎ側導電体を形成する工程と、前記ｎ側導電体の表面にｎ側導電体表面保護層を形成する工程と、前記ｐ型表面と前記ｐ側導電体との間に形成されたｐ側シード層を形成する工程と、前記ｎ型表面と前記ｎ側導電体との間に形成されたｎ側シード層を形成する工程と、前記ｐ側シード層を覆い、前記ｐ側シード層と異なる金属からなるｐ側金属層を形成する工程と、前記ｎ側シード層を覆い、前記ｎ側シード層と異なる金属からなるｎ側金属層を形成する工程と、を含み、前記ｐ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｐ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さく、前記ｎ側金属層に対する銅の拡散係数は、前記ｎ側導電体表面保護層に対する銅の拡散係数よりも小さい。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、ｐ側電極及びｎ側電極の表面を金属によって被覆しても発電効率の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施の形態に係る太陽電池セルを裏面側から見た平面図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線において太陽電池セルを切断した場合の断面を示す断面図である。
【図３】図３は、ｎ側金属層及びｐ側金属層に対する銅の拡散係数を示す図である。
【図４】図４は、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示すフロー図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示す断面図である。
【図６】図６は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セルの断面を示す断面図である。
【図７】図７は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示すフロー図である。
【図８】図８は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置、接続形態、工程、および、工程の順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１１】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化される場合がある。
【００１２】
また、「略＊＊」との記載は、実質的に＊＊と認められるものを含む意図であり、例えば「略直交」を例に挙げて説明すると、完全に直交はもとより、実質的に直交と認められるものを含む意図である。
【００１３】
以下、本開示の実施の形態に係る太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法について説明する。
【００１４】
（実施の形態）
［構成］
太陽電池セル１を平面視した場合に、太陽電池セル１に対して法線方向をＺ方向と規定し、Ｚ軸方向と直交する任意の方向をＸ軸方向と規定し、Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向と規定し、Ｘ、Ｙ、Ｚの各方向を表示する。図１に示す各方向は、図２に示す各方向に対応させて表示する。Ｘ、Ｙ、Ｚの各方向を表示していない図を除き、図２以降の図においても、同様である。
【００１５】
図１は、実施の形態に係る太陽電池セル１を示す平面図である。
【００１６】
図１に示すように、太陽電池セル１は、太陽光等の光を受光することで電気を発生させることができる光変換素子である。太陽電池セル１は、光電変換部２０と、ｎ側電極４０と、ｐ側電極５０とを備える。
【００１７】
光電変換部２０は、太陽光等の光を受光することで、電子及び正孔等のキャリアを生成する部材である。光電変換部２０は、受光面において受光した際にのみキャリアを生成させるものであってもよく、受光面のみならず、裏面において受光した際にもキャリアを生成させるものであってもよい。ここで、「裏面」とは、太陽電池の外部から光が入射する受光面と反対側の面を意昧し、Ｚ軸プラス方向側に面する。裏面は、主面の一例である。
【００１８】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線において太陽電池セル１を切断した場合の断面を示す断面図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、光電変換部２０の裏面は、ｐ型表面２０ｂｐと、ｎ型表面２０ｂｎとを有する。ｐ型表面２０ｂｐの上には、ｐ側電極５０が設けられている。ｎ型表面２０ｂｎの上には、ｎ側電極４０が設けられている。
【００２０】
ｐ側電極５０、及びｎ側電極４０は、それぞれ、櫛歯状に設けられていて、ｐ側電極５０とｎ側電極４０とが互いに入り込むように設けられている。具体的には、ｐ側電極５０、及びｎ側電極４０は、それぞれ、複数のフィンガー電極部４１、５１と、複数のフィンガー電極部４１、５１が電気的に接続されたバスバー電極部４２、５２とを有する。バスバー電極部４２、５２に、図示されない配線材が電気的に接続されて、太陽電池１０をモジュール化することができる。なお、フィンガー電極部４１、５１、及びバスバー電極部４２、５２といった電極の構成は、特に限定されない。このため、電極は、例えば、複数のフィンガー電極部４１、５１のみによって構成されていてもよい。
【００２１】
また、光電変換部２０は、結晶系半導体基板であるｎ型単結晶シリコン基板２１を有する。結晶系半導体基板は、ｎ型多結晶シリコン基板、ｐ型の単結晶又は多結晶シリコン基板であってもよい。本実施の形態では、結晶系半導体基板にｎ型単結晶シリコン基板２１を用いる。
【００２２】
ｎ型単結晶シリコン基板２１は、発電層として機能する。その厚みは、例えば、１００μｍ〜３００μｍ程度である。ｎ型単結晶シリコン基板２１の受光面には、テクスチャ構造を形成してもよい。ここで、「テクスチャ構造」とは、表面反射を抑制し、光電変換部２０の光吸収量を増大させた凹凸構造である。テクスチャ構造の具体例として（１００）面を有する受光面に異方性エッチングを施すことによって得られる、四角錐状又は四角錐台状の凹凸構造が例示できる。受光面側の反対側にあたる裏面側は、テクスチャを備えていてもよいし、備えていなくてもよい。
【００２３】
図２に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板２１の受光面側には、ｉ型非晶質シリコン層２２と、ｎ型非晶質シリコン層２３と、保護層２４とがこの順序で形成される。ｉ型非晶質シリコン層２２及びｎ型非晶質シリコン層２３は、パッシベーション層として機能する。保護層２４は、パッシベーション層を保護するとともに、反射防止機能を有する。
【００２４】
ｉ型非晶質シリコン層２２は、真性の非晶質シリコンの薄膜層であって、例えば、０．１ｎｍ〜２５ｎｍ程度の厚みを有する。一方、ｎ型非晶質シリコン層２３は、例えば、リン等がドープされた非晶質シリコンの薄膜層であって、２ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚みを有する。
【００２５】
保護層２４は、光透過性が高い材料から構成されていてもよい。このような材料としては、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、又は酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等が挙げられる。本実施の形態では、保護層２４として、ＳｉＮ層を形成している。保護層２４の厚みは、反射防止特性等を考慮して適宜変更できるが、例えば、８０ｎｍ〜１μｍ程度であってもよい。
【００２６】
光電変換部２０において、ｎ型単結晶シリコン基板２１の裏面側には、ｎ型領域を形成するＩＮ非晶質シリコン層３１（以下、ＩＮ層３１とする）と、ｐ型領域を形成するＩＰ非晶質シリコン層３４（以下、ＩＰ層３４とする）とがそれぞれ積層される。ＩＮ層３１の表面とＩＰ層３４とは、絶縁層６１によって絶縁される。ＩＮ層３１及びＩＰ層３４は、ｎ型単結晶シリコン基板２１の裏面上に直接積層される。一方、絶縁層６１は、ＩＮ層３１上の一部に積層される。
【００２７】
ＩＮ層３１は、ｎ型単結晶シリコン基板２１の裏面上に積層されるｉ型非晶質シリコン層３１ｉと、ｉ型非晶質シリコン層３１ｉ上に積層されるｎ型非晶質シリコン層３１ｎとを含む。ｉ型非晶質シリコン層３１ｉ及びｎ型非晶質シリコン層３１ｎは、それぞれ、ｉ型非晶質シリコン層２２及びｎ型非晶質シリコン層２３と同様の組成、同様の厚みで形成することができる。
【００２８】
ＩＰ層３４は、主にｎ型単結晶シリコン基板２１の裏面上に積層されるｉ型非晶質シリコン層３４ｉと、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉ上に積層されるｐ型非晶質シリコン層３４ｐとを含む。ｉ型非晶質シリコン層３４ｉは、例えば、ｉ型非晶質シリコン層２２、ｉ型非晶質シリコン層３１ｉと同様の組成、同様の厚みで形成できる。ｐ型非晶質シリコン層３４ｐは、ボ口ン（Ｂ）等がドープされた非晶質シリコンの薄膜層である。ｐ型非晶質シリコン層３４ｐの厚みは、例えば、２ｎｍ〜５０ｎｍ程度であってもよい。
【００２９】
ＩＮ層３１及びＩＰ層３４は、光電変換効率等の観点から、裏面に平行な一方向に沿って交互に形成されている。また、ＩＮ層３１及びＩＰ層３４は、ｎ型単結晶シリコン基板２１の裏面上の広範囲を覆うように形成される。このため、ＩＮ層３１の一部とＩＰ層３４の一部とが互いに重なり合うように、例えば、一方の層が他方の層にオーバーラップして隙間なく積層されてもよい。この場合、一方の層が他方の層にオーバーラップする部分に、一方の層と他方の層との間に絶縁層を配置してもよい。
【００３０】
以下では、ＩＰ層３４がＩＮ層３１上に重なって積層される形態を例示する。そして、ＩＮ層３１とＩＰ層３４とが重なり合う部分を「重なり部３４ａ」と称して説明する。
【００３１】
絶縁層６１は、重なり部３４ａにおいて、ＩＮ層３１の表面とＩＰ層３４との間の少なくとも一部に設けられる。絶縁層６１は、ＩＮ層３１とＩＰ層３４との間の絶縁性を高める機能を有する。絶縁層６１としては、例えば、保護層２４と同様の組成、同様の厚みで形成できる。絶縁層６１は、例えば、ＳｉＮである。
【００３２】
絶縁層６１は、ＩＮ層３１上において、ＩＰ層３４が積層される領域の全域、即ち重なり部３４ａに沿って形成される。ＩＮ層３１において、ＩＰ層３４が積層されない領域上には、絶縁層６１を積層しない。
【００３３】
ｎ側電極４０、は、光電変換部２０のＩＮ層３１からキャリア（電子）を収集する電極である。ｎ側電極４０は、ＩＮ層３１上に直接形成される。ｐ側電極５０は、光電変換部２０のＩＰ層３４からキャリア（正孔）を収集する電極である。ｐ側電極５０は、ＩＰ層３４上に直接形成される。本実施形態では、ＩＰ層３４の積層面積の方が、ＩＮ層３１の積層面積よりも広く、これに対応して、ｐ側電極５０の積層面積の方が、ｎ側電極４０の積層面積よりも広くなる。しかし必ずしもこれに限らず、ｐ側電極５０の積層面積と、ｎ側電極４０の積層面積と、が略等しくてもよいし、ｐ側電極５０の積層面積の方が、ｎ側電極４０の積層面積よりも狭くてもよい。
【００３４】
ｎ側電極４０とｐ側電極５０との間には、両電極を分離する分離溝７０が形成されている。分離溝７０は、ＩＮ層３１の上からＩＰ層３４の上に跨って形成されている。分離溝７０は、重なり部３４ａの上に形成することが好ましい。
【００３５】
ｎ側電極４０は、ＩＮ層３１上に積層されたｎ側下地層４３と、ｎ側下地層４３上に積層されたｎ側シード層４４と、ｎ側シード層４４上に積層されたｎ側金属層４７と、ｎ側金属層４７の上に形成されたｎ側導電層４５と、ｎ側導電層４５及びｎ側金属層４７の上に形成されたｎ側Ｓｎ層４６とを含む積層構造とする。ｎ側導電層４５及びｎ側Ｓｎ層４６は、ｎ側導電体４０ａを構成する。ｎ側Ｓｎ層４６は、ｎ側導電体表面保護層の一例である。ｎ側導電層４５のＹ軸方向の幅は、ｎ側電極４０におけるＹ軸方向の幅よりも小さい。
【００３６】
ｐ側電極５０は、ＩＰ層３４上に積層されたｐ側下地層５３と、ｐ側下地層５３上に積層されたｐ側シード層５４と、ｐ側シード層５４上に積層されたｐ側金属層５７と、ｐ側金属層５７の上に形成されたｐ側導電層５５と、ｐ側導電層５５及びｐ側金属層５７の上に形成されたｐ側Ｓｎ層５６とを含む積層構造とする。ｐ側導電層５５及びｐ側Ｓｎ層５６は、ｐ側導電体５０ａを構成する。ｐ側Ｓｎ層５６は、ｐ側導電体表面保護層の一例である。ｐ側導電層５５のＹ軸方向の幅は、ｐ側電極５０におけるＹ軸方向の幅よりも小さい。
【００３７】
ｎ側下地層４３及びｐ側下地層５３は、透明導電層（ＴＣＯ膜）とする。ｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等のいずれかの金属を含む層としてもよい。ｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５は、銅、銀、金等のいずれかの金属を含む層としてもよい。ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６は、錫を含む層とする。
【００３８】
透明導電層（ＴＣＯ膜）は、光電変換部２０とｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４との接触を防止し、ｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４と半導体との合金化を防いで入射光の反射率を高める機能を有する。透明導電層は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、及び酸化チタン（ＴｉＯ２）等の金属酸化物のうち少なくとも１種を含んで構成されていてもよい。また、これらの金属酸化物に、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、セリウム（Ｃｅ）、ガリウム（Ｇａ）などのドーパントがドープされていてもよい。本実施の形態では、透明導電層は、Ｉｎ２Ｏ３にＳｎがドープされたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）である。ドーパントの濃度は、０〜２０質量％とすることができる。透明導電層の厚みは、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００３９】
金属を含む層は、高い導電性を有し、かつ光の反射率が高い金属から構成される。また、電解めっきにより形成可能な金属を含む層としてもよい。具体的には、銅、錫、チタン、アルミニウム、ニッケル（Ｎｉ）、銀、金などの金属又はそれらの１種以上を含む合金が例示できる。
【００４０】
ｎ側シード層４４、ｐ側シード層５４、ｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５は、本実施の形態では、導電性や反射率、材料コスト等の観点から、Ｃｕ層としている。ｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５のＣｕ層の厚みは、例えば、１０μｍ〜５０μｍ程度であってもよい。
【００４１】
ｎ側シード層４４は、ｎ型表面２０ｂｎとｎ側電極４０との間に形成された、銅を含む金属からなる。ここで、「シード層」とは、めっき成長の際に電流を流す層を意昧する。ｎ側シード層４４は、透明導電層上に形成され、ｎ側導電層４５は、ｎ側シード層４４をシード層として電解めっきにより形成してもよく、スパッタリング、蒸着などの物理気相成長（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成してもよい。
【００４２】
ｐ側シード層５４は、ｐ型表面２０ｂｐとｐ側電極５０との間に形成された、銅を含む金属からなる。ｐ側シード層５４は、透明導電層上に形成され、ｐ側導電層５５は、ｐ側シード層５４をシード層として電解めっきにより形成してもよく、ＰＶＤにより形成してもよい。
【００４３】
ｎ側金属層４７は、Ｚ軸マイナス方向から見た場合に、ｎ側電極４０とｎ側シード層４４との間でｎ側シード層４４を覆う。ｎ側金属層４７は、スパッタリングやＰＶＤにより形成される。
【００４４】
また、ｎ側金属層４７は、ｎ側シード層４４と異なる金属から形成される。ｎ側金属層４７に対する銅の拡散係数は、ｎ側Ｓｎ層４６（ｎ側導電体表面保護層）に対する銅の拡散係数よりも小さい。これにより、銅を含む金属からなるｎ側シード層４４と、ｎ側Ｓｎ層４６とが合金化することを防ぐ。ｎ側シード層４４と、ｎ側Ｓｎ層４６と、が合金化すると、銅を含むｎ側シード層４４の性質が変化し入射光の反射率が低下する。上記構成にすることによって、太陽電池セル１の発電効率の低下を抑制することができる。
【００４５】
ｐ側金属層５７は、Ｚ軸マイナス方向から見た場合に、ｐ側電極５０とｐ側シード層５４との間でｐ側シード層５４を覆う。ｐ側金属層５７は、スパッタリングやＰＶＤにより形成される。
【００４６】
また、ｐ側金属層５７は、ｐ側シード層５４と異なる金属から形成される。ｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数よりも小さい。これにより、銅を含む金属からなるｐ側シード層５４と、ｐ側Ｓｎ層５６とが合金化することを防ぐ。ｐ側シード層５４と、ｐ側Ｓｎ層５６と、が合金化すると、銅を含むｐ側シード層の性質が変化し入射光の反射率が低下する。上記構成にすることによって、太陽電池セル１の発電効率の低下を抑制することができる。
【００４７】
ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７は、磁性体の金属元素を含む化合物であってもよい。具体的には、磁性体は、鉄、ニッケル、クロム、コバルトなどの磁性体又はそれらの１種以上を含む磁性体が例示できる。なお、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７は、磁性体に限定されず、磁性体を有していなくてもよい。この場合、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７は、チタンを含む金属であってもよい。ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７は、本実施の形態では、ニッケルとバナジウムの合金を用いている。ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７の厚みは、例えば、５０ｎｍ以下である。
【００４８】
ｎ側Ｓｎ層４６はｎ側導電層４５及びｎ側金属層４７の上に形成され、ｐ側Ｓｎ層５６はｐ側導電層５５及びｐ側金属層５７の上にそれぞれ形成される。例えば、ｎ側Ｓｎ層４６はＣｕ層であるｎ側導電層４５の酸化を防止して導電性の低下を防止する機能し、ｐ側Ｓｎ層５６はＣｕ層であるｐ側導電層５５の酸化を防止して導電性の低下を防止する機能を有する。ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６の厚みは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度であってもよい。
【００４９】
［拡散係数］
次に拡散係数について説明する。
【００５０】
拡散係数の算出方法は、振動数因子Ｄ０、拡散の活性化エネルギーＱ、気体定数Ｒ、絶対温度Ｔにより、下記の式（１）で表される。
【００５１】
Ｄ＝Ｄ０×ｅｘｐ（−Ｑ／ＲＴ）      （式１）
【００５２】
ここでは、錫（Ｓｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）のそれぞれに銅（Ｃｕ）を含んだ金属を用いる。ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数を図３で示す。
【００５３】
図３は、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数を示す図である。図３は、２５℃から２００℃の温度範囲における拡散係数である。図３より、拡散係数は、温度が高いほど金属中の銅が拡散し易いことが判る。
【００５４】
図３で示すように、錫に対する銅の拡散係数は、２．０×１０−９ｍ２／ｓ〜３．０×１０−１３  ｍ２／ｓであり、ニッケルに対する銅の拡散係数は５．０×１０−３３ｍ２／ｓ〜１．０×１０−４９ｍ２／ｓであり、銀に対する銅の拡散係数は３．０×１０−２４ｍ２／ｓ〜１．０×１０−３８ｍ２／ｓであり、アルミニウムに対する銅の拡散係数は７．０×１０−２０ｍ２／ｓ〜９．５×１０−２９ｍ２／ｓである。
【００５５】
これらのことから、錫に対する銅の拡散係数が大きいことが判る。温度が２５℃から２００℃までの状態での、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、１．０×１０−１８ｍ２／ｓ以下となることが好ましい。
【００５６】
［製造方法］
次に、太陽電池セル１の製造方法について、図４、図５Ａ及び図５Ｂを用いて説明する。
【００５７】
図４は、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示すフロー図である。図５Ａは、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示す断面図である。図５Ｂは、実施の形態に係る太陽電池セルの製造方法の工程を示す断面図である。
【００５８】
図４及び図５Ａに示すように、まず、ｎ型単結晶シリコン基板２１を真空チャンバ内に設置して、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスパッタリングにより、ｎ型単結晶シリコン基板２１にｉ型非晶質シリコン層、ｎ型非晶質シリコン層、及び絶縁層６１（保護層）を順に積層した積層体を用意する（Ｓ１：準備工程）。本実施形態では、ｎ型単結晶シリコン基板２１の受光面上に、ｉ型非晶質シリコン層２２、ｎ型非晶質シリコン層２３、及び保護層２４を順に積層し、裏面１２上に、ｉ型非晶質シリコン層３１ｉ、ｎ型非晶質シリコン層３１ｎ、及び絶縁層６１を順に積層する。
【００５９】
ＣＶＤによるｉ型非晶質シリコン層２２、３１ｉの積層工程では、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）を水素（Ｈ２）で希釈したものを原料ガスとして使用する。また、ｎ型非晶質シリコン層２３、３４ｉの積層工程では、例えば、シラン（ＳｉＨ４）にホスフィン（ＰＨ３）を添加し、水素（Ｈ２）で希釈したものを原料ガスとして使用する。
【００６０】
ｉ型非晶質シリコン層２２等をｎ型単結晶シリコン基板２１に積層する前において、ｎ型単結晶シリコン基板２１の受光面にテクスチャ構造を形成することが好ましい。テクスチャ構造は、例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いて、（１００）面を異方性エッチングすることで形成できる。
【００６１】
次に、裏面１２上に積層された各層をパターニングする。まず、絶縁層６１を部分的にエッチングして除去する（Ｓ２：第１のエッチング工程）。絶縁層６１のエッチング工程では、例えば、スクリーン印刷やインクジェットによる塗工プロセス、又はフォトリソプロセス等により形成されたレジスト膜７１をマスクとして使用する。絶縁層６１が、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、又は酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）である場合は、例えば、フッ化水素（ＨＦ）水溶液を用いてエッチングできる。
【００６２】
また、絶縁層６１のエッチング終了後、例えば、レジスト膜７１を除去し、パターニングされた絶縁層６１をマスクとして、露出しているＩＮ層３１をエッチングする（Ｓ２：第１のエッチング工程）。ＩＮ層３１のエッチング工程では、例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液（例えば、１質量％ＮａＯＨ水溶液）等のアルカリ性エッチング液を用いて行う。この工程により、裏面１２上にパターニングされたＩＮ層３１、絶縁層６１が形成される。
【００６３】
ＩＮ層３１、及び絶縁層６１のエッチングには、例えば、エッチングペーストや粘度が調整されたエッチングインクを用いることもできる。この場合には、スクリーン印刷やインクジェット等により、ＩＮ層３１等の除去した領域上にエッチングペーストを塗工する。なお、ＩＰ層３４のエッチングにおいても同様である。
【００６４】
次に、裏面１２上の端縁領域を除く全域にＩＰ層３４を積層する（Ｓ３：ＩＰ層積層工程）。つまり、パターニングしたＩＮ層３１上にも絶縁層６１を介してＩＰ層３４が積層される。ＩＰ層３４は、ＩＮ層３１と同様に、ＣＶＤによってｉ型非晶質シリコン層３４ｉ及びｐ型非晶質シリコン層３４ｐを順に成膜することで形成できる。ただし、ｐ型非晶質シリコン層３４ｐの積層工程では、例えば、ＰＨ３の代わりに、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）を原料ガスとして使用する。
【００６５】
次に、ＩＮ層３１上に積層されたＩＰ層３４をパターニングする。この工程では、まず、ＩＮ層３１上に積層されたＩＰ層３４を部分的にエッチングして除去する（Ｓ４：第２のエッチング工程）。除去するＩＰ層３４の領域は、後の工程でｎ側電極４０を形成するＩＮ層３１上の領域である。ＩＰ層３４のエッチング工程では、例えば、スクリーン印刷等によって形成されるレジスト膜７１をマスクとして使用し、ＮａＯＨ水溶液等のアルカリ性エッチング液を用いて行う。この工程では、ｎ型単結晶シリコン基板２１は、ＩＰ層３４の領域と、ＩＮ層３１の領域とが形成される。
【００６６】
なお、ＩＰ層３４は、通常、ＩＮ層３１よりもエッチングされ難いため、ＩＮ層３１のＮａＯＨ水溶液よりも高濃度のもの（例えば、１０質量％ＮａＯＨ水溶液）、又はフッ硝酸（ＨＦとＨＮＯ３の混合水溶液（例えば、各々３０質量％））を用いてもよい。或いは、ＮａＯＨ水溶液を７０〜９０℃程度に加熱（熱アルカリ処理）して用いてもよい。
【００６７】
また、ＩＰ層３４のエッチング終了後、レジスト膜７１を除去し、パターニングされたＩＰ層３４をマスクとして使用し、ＨＦ水溶液を用いて、露出している絶縁層６１をエッチングして除去する（Ｓ４：第２のエッチング工程）。そして、絶縁層６１の一部が除去されることで、ＩＮ層３１の一部が露出する。
【００６８】
次に、ＩＮ層３１上及びＩＰ層３４上に、下地層１３、導電層１４、及び金属層１７をこの順に下から形成する（Ｓ５：シード層形成工程）。つまり、下地層１３、導電層１４、及び金属層１７は、この順で下から、ＩＮ層３１上及びＩＰ層３４上の全域に積層される。シード層形成工程は、ｎ側シード層４４を形成する工程、ｐ側シード層５４を形成する工程に相当する。つまり、シード層形成工程では、ｎ側下地層４３及びｐ側下地層５３となる下地層１３を形成する工程、ｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４となる導電層１４を形成する工程、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７となる金属層１７を形成する工程がこの順で行われる。
【００６９】
下地層１３、導電層１４、及び金属層１７は、スパッタリングによって形成される。なお、下地層１３、導電層１４、及び金属層１７は、ＰＶＤ等の他の製膜方法で形成してもよい。
【００７０】
次に、金属層１７上において、分離溝７０に対応する領域上にレジスト膜７１を形成する（Ｓ６：レジスト膜形成工程）。レジスト膜７１は、重なり部３４ａに対応する金属層１７の領域上に沿って形成される。
【００７１】
レジスト膜７１の厚みは、後の工程で形成されるｎ側導電層４５及びｎ側Ｓｎ層４６の合計の厚み並びにｐ側導電層５５及びｐ側Ｓｎ層５６の合計の厚みに応じて調整される。例えば、ｎ側導電層４５及びｎ側Ｓｎ層４６の合計の厚み並びにｐ側導電層５５及びｐ側Ｓｎ層５６の合計の厚みより厚くレジスト膜７１を形成してもよい。具体的には、１μｍ〜２０μｍ程度が好ましい。レジスト膜７１の幅は、ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６同士が接触しない範囲で小さくてもよく、例えば、１０〜２００μｍ程度であってもよい。
【００７２】
次に、レジスト膜７１が形成された金属層１７をシード層として電解めっきにより、ｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５を形成する（Ｓ７：導電層形成工程）。ここで、めっき層が、レジスト膜７１により区分けされて形成されるため、めっき層が分離されてｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５が得られる。また、この工程では、金属層１７がパターニングされていないため、めっき処理時に流れる電流の面密度が等しくなり、ｎ側導電層４５の厚みとｐ側導電層５５の厚みは同程度となる。
【００７３】
次に、レジスト膜７１の一部をエッチングする（Ｓ８：第３のエッチング工程）。具体的には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ溶液によってレジスト膜７１の一部をエッチングする。レジスト膜７１を除去する部分は、ＩＰ層３４とＩＮ層３１とが重なり合っている重なり部３４ａ、つまり絶縁層６１の上側の部分をエッチングする。
【００７４】
レジスト膜７１の一部を除去することで、分離溝７０が得られる。ここで、分離溝７０とは、ｎ側導電層４５とｐ側導電層５５を分離する溝である。
【００７５】
また、レジスト膜７１をマスクとして、分離溝７０から露出した金属層１７、及び導電層１４のそれぞれの一部をエッチングする（Ｓ８：第３のエッチング工程）。これにより、分離溝７０の底において金属層１７、及び導電層１４が分断される。金属層１７が分断されることで、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７が形成される。また、導電層１４が分断されることで、ｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４が形成される。金属層１７及び導電層１４は、例えば、塩化鉄（ＩＩＩ）水溶液などを用いてエッチングできる。
【００７６】
図４及び図５Ｂに示すように、次に、残りのレジスト膜７１を除去する（Ｓ９：レジスト膜除去工程）。具体的には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ溶液によってレジスト膜７１の残りを除去する。
【００７７】
次に、ｎ側導電層４５の上にｎ側Ｓｎ層４６、ｐ側導電層５５の上にｐ側Ｓｎ層５６を電解めっきにより形成する（Ｓ１０：Ｓｎ層形成工程）。ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６は、銅を含む金属であるｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５の酸化を防止して導電性の低下を防止する保護層として機能する。Ｓｎ層形成工程は、ｐ側Ｓｎ層５６を形成する工程及びｎ側Ｓｎ層４６を形成する工程の一例である。
【００７８】
次に、分離溝７０から露出した下地層１３の一部をエッチングする（Ｓ１１：第４のエッチング工程）。これにより、分離溝７０の底において下地層１３が分断される。下地層１３が分断されることで、ｎ側下地層４３及びｐ側下地層５３が形成される。下地層１３は、例えば、塩化水素（ＨＣｌ）水溶液などを用いてエッチングできる。このようにして、太陽電池セル１が得られる。
【００７９】
［作用効果］
次に、本実施の形態における太陽電池セル１及び太陽電池セル１の製造方法の作用効果について説明する。
【００８０】
上述したように、本実施の形態に係る太陽電池セル１は、主面にｐ型表面２０ｂｐとｎ型表面２０ｂｎとを有する光電変換部２０と、ｐ型表面２０ｂｐの上に設けられたｐ側導電体５０ａと、ｐ側導電体５０ａの表面に設けられたｐ側Ｓｎ層５６と、ｎ型表面２０ｂｎの上に設けられたｎ側導電体４０ａと、ｎ側導電体４０ａの表面に設けられたｎ側Ｓｎ層４６と、ｐ型表面２０ｂｐとｐ側導電体５０ａとの間に形成された、銅を含む金属からなるｐ側シード層５４と、ｎ型表面２０ｂｎとｎ側導電体４０ａとの間に形成された、銅を含む金属からなるｎ側シード層４４と、ｐ側シード層５４を覆い、ｐ側シード層５４と異なる金属からなるｐ側金属層５７と、ｎ側シード層４４を覆い、ｎ側シード層４４と異なる金属からなるｎ側金属層４７とを備える。また、ｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数よりも小さい。また、ｎ側金属層４７は、ｎ側シード層４４と異なる金属から形成される。そして、ｎ側金属層４７に対する銅の拡散係数は、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数よりも小さい。
【００８１】
これによれば、ｐ側金属層５７がｐ側シード層５４を覆い、ｎ側金属層４７がｎ側シード層４４を覆う。また、ｐ側金属層５７は、ｐ側シード層５４と異なる金属から形成される。さらに、ｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数よりも小さい。また、ｎ側金属層４７は、ｎ側シード層４４と異なる金属から形成される。さらに、ｎ側金属層４７に対する銅の拡散係数は、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数よりも小さい。このように、ｐ側シード層５４とｐ側導電体５０ａとの間に、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数が小さいｐ側金属層５７を配置することによって、ｐ側シード層５４の上に形成されたｐ側導電体５０ａを構成する材料とｐ側シード層５４との合金化を抑制できる。また、ｎ側シード層４４とｎ側導電体４０ａとの間に、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数が小さいｎ側金属層４７を配置することによって、ｎ側シード層４４の上に形成されたｎ側導電体４０ａを構成する材料とｎ側シード層４４との合金化を抑制できる。このため、ｐ側導電体５０ａ及びｎ側導電体４０ａ等で構成されるｐ側電極５０及びｎ側電極４０の表面が、金属被覆がされたとしても、太陽電池セル１の発電効率は、金属の種類に関わらず低下し難くなる。
【００８２】
したがって、この太陽電池セル１では、ｐ側電極５０及びｎ側電極４０の表面を金属によって被覆しても発電効率の低下を抑制できる。
【００８３】
特に、太陽電池セル１において、ｐ側シード層５４及びｎ側シード層４４は、銅を含む金属を有する。銅は光の反射率が高いため、受光面から入射した光を確実に反射することができる。これにより、この太陽電池セル１では、太陽電池セル１の発電効率が向上する。
【００８４】
また、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７を形成しても、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７による抵抗損失を受けにくい。さらに、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７をｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４に形成することで、銅の拡散を抑制することができる。
【００８５】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１の製造方法は、主面にｐ型表面２０ｂｐとｎ型表面２０ｂｎとを形成する工程と、ｐ型表面２０ｂｐの上に設けられ、めっきによりｐ側導電体５０ａを形成する工程と、ｐ側導電体５０ａの表面に設けられたｐ側Ｓｎ層５６を形成する工程と、ｎ型表面２０ｂｎの上に設けられ、めっきによりｎ側導電体４０ａを形成する工程と、ｎ側導電体４０ａの表面に設けられたｎ側Ｓｎ層４６を形成する工程と、ｐ型表面２０ｂｐとｐ側導電体５０ａとの間に形成されたｐ側シード層５４を形成する工程と、ｎ型表面２０ｂｎとｎ側導電体４０ａとの間に形成されたｎ側シード層４４を形成する工程と、ｐ側シード層５４を覆い、ｐ側シード層５４と異なる金属からなるｐ側金属層５７を形成する工程と、ｎ側シード層４４を覆い、ｎ側シード層４４と異なる金属からなるｎ側金属層４７を形成する工程と、を含む。また、ｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数よりも小さい。そして、ｎ側金属層４７に対する銅の拡散係数は、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数よりも小さい。
【００８６】
太陽電池セル１の製造方法においても、上述と同様の作用効果を奏する。
【００８７】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１において、太陽電池セル１の温度が２５℃から２００℃までの状態での、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７に対する銅の拡散係数は、１．０×１０−１８（ｍ２／ｓ）以下である。
【００８８】
この構成によれば、ｐ側シード層５４及びｎ側シード層４４を構成する材料の拡散を抑制することができる。
【００８９】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１では、ｐ側Ｓｎ層５６とｎ側Ｓｎ層４６とがいずれも錫を含む金属層からなる。
【００９０】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１では、ｐ側金属層５７及びｎ側金属層４７がニッケルとバナジウムとの合金からなる。
【００９１】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１では、ｐ側Ｓｎ層５６及びｎ側Ｓｎ層４６がいずれも錫からなる。
【００９２】
これらの構成おいても、上述と同様の作用効果を奏する。
【００９３】
また、本実施の形態に係る太陽電池セル１において、ｐ側導電体５０ａは、ｐ側シード層５４の上に形成されたｐ側導電層５５と、ｐ側導電層５５の表面を被覆するｐ側Ｓｎ層５６とを有していてもよい。そして、ｎ側導電体４０ａは、ｎ側シード層４４の上に形成されたｎ側導電層４５と、ｎ側導電層４５の表面を被覆するｎ側Ｓｎ層４６とを有していてもよい。
【００９４】
この構成によれば、ｐ側シード層５４とｐ側導電体５０ａとの間に、ｐ側Ｓｎ層５６に対する銅の拡散係数が小さいｐ側金属層５７を配置することによって、ｐ側シード層５４の上に形成されたｐ側Ｓｎ層５６とｐ側シード層５４との合金化を抑制できる。また、ｎ側シード層４４とｎ側導電体４０ａとの間に、ｎ側Ｓｎ層４６に対する銅の拡散係数が小さいｎ側金属層４７を配置することによって、ｎ側シード層４４の上に形成されたｎ側Ｓｎ層４６する材料とｎ側シード層４４との合金化を抑制できる。このため、ｐ側導電体５０ａの表面がｐ側Ｓｎ層５６、及び、ｎ側導電体４０ａの表面がｎ側Ｓｎ層４６で被覆されていても、金属被覆を行うことによる太陽電池セル１の発電効率は、低下し難くなる。
【００９５】
（実施の形態の変形例）
本変形例に係る太陽電池セル１及び太陽電池セル１の製造方法について説明する。
【００９６】
図６は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セル１の断面を示す断面図である。
【００９７】
本変形例の太陽電池セル１は、ｎ側Ｓｎ層４６が及びｐ側Ｓｎ層５６がｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５に形成されている点で実施の形態と異なる。本変形例の太陽電池セル１の構成は実施の形態の太陽電池セル１の構成と同様であり、同一の構成については同一の符号を付して構成に関する詳細な説明を省略する。
【００９８】
［製造方法］
次に、太陽電池セル１の製造方法について、図７及び図８を用いて説明する。
【００９９】
図７は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セル１の製造方法の工程を示すフロー図である。図８は、実施の形態の変形例に係る太陽電池セル１の製造方法の工程を示す断面図である。
【０１００】
図７及び図８に示すように、ステップＳ１の準備工程、ステップＳ２の第１のエッチング工程、ステップＳ３のＩＰ層積層工程、ステップＳ４の第２のエッチング工程、ステップＳ５のシード層形成工程、ステップＳ６のレジスト膜形成工程を行う。
【０１０１】
次に、レジスト膜７１が形成された金属層１７をシード層として電解めっきにより、ｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５並びにｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６を形成する（Ｓ１７：電極形成工程）。ここで、めっき層が、レジスト膜７１により区分けされて形成されるため、めっき層が分離されてｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５並びにｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６が得られる。また、この工程では、金属層１７がパターニングされていないため、めっき処理時に流れる電流の面密度が等しくなり、ｎ側導電層４５及びｎ側Ｓｎ層４６の厚みとｐ側導電層５５及びｐ側Ｓｎ層５６の厚みは同程度となる。
【０１０２】
ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６は、銅を含む金属であるｎ側導電層４５及びｐ側導電層５５の酸化を防止して導電性の低下を防止する保護層として機能する。
【０１０３】
次に、レジスト膜７１の一部を除去する（Ｓ１８：第５のエッチング工程）。具体的には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ溶液によってレジスト膜７１の一部を除去する。レジスト膜７１を除去する部分は、ＩＰ層３４とＩＮ層３１とが重なり合っている重なり部３４ａ、つまり絶縁層６１の上側の部分を除去する。
【０１０４】
レジスト膜７１の一部を除去することで、分離溝７０が得られる。ここで、分離溝７０とは、ｎ側導電層４５とｐ側導電層５５、及びｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６をそれぞれ分離する溝である。
【０１０５】
また、レジスト膜７１をマスクとして、分離溝７０から露出した金属層１７、導電層１４、及び下地層１３のそれぞれの一部をエッチングする（Ｓ１８：第５のエッチング工程）。これにより、分離溝７０の底において金属層１７、導電層１４、及び下地層１３が分断される。金属層１７が分断されることで、ｎ側金属層４７及びｐ側金属層５７が形成される。また、導電層１４が分断されることで、ｎ側シード層４４及びｐ側シード層５４が形成される。さらに、下地層１３が分断されることで、ｎ側下地層４３及びｐ側下地層５３が形成される。金属層１７、導電層１４、及び下地層１３は、例えば、塩化鉄（ＩＩＩ）水溶液や硫酸水溶液と過酸化水素水の混合溶液と、塩化水素（ＨＣｌ）水溶液などを用いてエッチングできる。
【０１０６】
次に、残りのレジスト膜７１を除去する（Ｓ１９：第６のエッチング工程）。具体的には、ＮａＯＨ、ＫＯＨ等のアルカリ溶液によってレジスト膜７１の残りを除去する。なお、この工程により、ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６の表面酸化膜を除去することもできる。また、ｎ側Ｓｎ層４６及びｐ側Ｓｎ層５６の表面酸化膜は、ＳｎＯ２等の導電性を有する場合には、除去せずに残すこともできる。このようにして、太陽電池セル１が得られる。
【０１０７】
（その他の変形例等）
以上、本発明について、実施の形態及び実施の形態の変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態及び実施の形態の変形例に限定されるものではない。以降の説明において、上記実施の形態及び実施の形態の変形例と同一の部分においては、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１０８】
例えば、上記実施の形態及び実施の形態の変形例における太陽電池セル１の製造方法において、準備工程におけるＩＮ層３１の形成は、ｉ型非晶質シリコン層３１ｉ、ｎ型非晶質シリコン層３１ｎを同時に形成してもよく、別々に、ｉ型非晶質シリコン層３１ｉを形成した後にｎ型非晶質シリコン層３１ｎを形成してもよい。また、ＩＰ層積層工程におけるＩＰ層３４の形成は、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉ、ｐ型非晶質シリコン層３４ｐを同時に形成してもよく、別々に、ｉ型非晶質シリコン層３４ｉを形成した後にｐ型非晶質シリコン層３４ｐを形成してもよい。
【０１０９】
また、上記実施の形態における太陽電池セル１及び太陽電池セル１の製造方法において、ｎ側Ｓｎ層４６がｎ側金属層に相当してもよく、ｐ側Ｓｎ層５６がｐ側金属層に相当してもよい。
【０１１０】
その他、実施の形態及び実施の形態の変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態及び実施の形態の変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  太陽電池セル
２０  光電変換部
２０ｂｐ  ｐ型表面
２０ｂｎ  ｎ型表面
４０ａ  ｐ側導電体
４４  ｎ側シード層
４５  ｎ側導電層
４６  ｎ側Ｓｎ層（ｎ側導電体表面保護層）
４７  ｎ側金属層
５０ａ  ｎ側導電体
５４  ｐ側シード層
５５  ｐ側導電層
５６  ｐ側Ｓｎ層（ｐ側導電体表面保護層）
５７  ｐ側金属層
【図１】
2019133985.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
2019133985.tif 000009
【図７】
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【図８】
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