(57)【要約】【課題】厚みが均一なパッケージ基板を製造することができるパッケージ基板の製造方法を提供する。【解決手段】パッケージ基板の製造方法は、複数のデバイス８が配設された配線基板２をモールド金型１２で囲繞しモールド樹脂２２を供給するモールド樹脂供給工程と、モールド樹脂２２を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成する仮焼成工程と、モールド金型１２から配線基板２を外すモールド金型外し工程と、第一の平坦面２６ａを備えた第一の基台２６に配線基板２を載置し、第一の平坦面２６ａと平行な第二の平坦面２８ａを備えた第二の基台２８で配線基板２を押圧すると共に本焼成の温度で加熱し、仮焼成されたモールド樹脂２２の厚みを均一にして本焼成する本焼成工程と、から少なくとも構成される。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスに対応した配線パターンが分割予定ラインによって区画されて複数形成された配線基板に複数のデバイスが配設されモールド樹脂で封止されたパッケージ基板の製造方法であって、
複数のデバイスが配設された配線基板をモールド金型で囲繞しモールド樹脂を供給するモールド樹脂供給工程と、
モールド樹脂を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成する仮焼成工程と、
該モールド金型から配線基板を外すモールド金型外し工程と、
第一の平坦面を備えた第一の基台に配線基板を載置し、該第一の平坦面と平行な第二の平坦面を備えた第二の基台で配線基板を押圧すると共に本焼成の温度で加熱し、仮焼成されたモールド樹脂の厚みを均一にして本焼成する本焼成工程と、
から少なくとも構成されるパッケージ基板の製造方法。
【請求項２】
配線基板は、２以上のグループに分けて配線パターンが形成されている請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
該モールド樹脂は液状エポキシ樹脂であり、仮焼成の温度は１６０〜１８０℃であり、本焼成の温度は２５０〜２７０℃である請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスに対応した配線パターンが分割予定ラインによって区画されて複数形成された配線基板に複数のデバイスが配設されモールド樹脂で封止されたパッケージ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハはダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。また、デバイスはモールド樹脂で封止されたＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と称される形態で使用される（たとえば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、配線基板をモールド金型で囲繞しモールド樹脂を供給して複数のデバイスをパッケージして形成されるパッケージ基板の厚みは、必ずしも均一ではなく品質の安定が図れないという問題がある。
【０００５】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、厚みが均一なパッケージ基板を製造することができるパッケージ基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のパッケージ基板の製造方法である。すなわち、デバイスに対応した配線パターンが分割予定ラインによって区画されて複数形成された配線基板に複数のデバイスが配設されモールド樹脂で封止されたパッケージ基板の製造方法であって、複数のデバイスが配設された配線基板をモールド金型で囲繞しモールド樹脂を供給するモールド樹脂供給工程と、モールド樹脂を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成する仮焼成工程と、該モールド金型から配線基板を外すモールド金型外し工程と、第一の平坦面を備えた第一の基台に配線基板を載置し、該第一の平坦面と平行な第二の平坦面を備えた第二の基台で配線基板を押圧すると共に本焼成の温度で加熱し、仮焼成されたモールド樹脂の厚みを均一にして本焼成する本焼成工程と、から少なくとも構成されるパッケージ基板の製造方法である。
【０００７】
好ましくは、配線基板は、２以上のグループに分けて配線パターンが形成されている。該モールド樹脂は液状エポキシ樹脂であり、仮焼成の温度は１６０〜１８０℃であり、本焼成の温度は２５０〜２７０℃であるのが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明が提供するパッケージ基板の製造方法は、複数のデバイスが配設された配線基板をモールド金型で囲繞しモールド樹脂を供給するモールド樹脂供給工程と、モールド樹脂を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成する仮焼成工程と、該モールド金型から配線基板を外すモールド金型外し工程と、第一の平坦面を備えた第一の基台に配線基板を載置し、該第一の平坦面と平行な第二の平坦面を備えた第二の基台で配線基板を押圧すると共に本焼成の温度で加熱し、仮焼成されたモールド樹脂の厚みを均一にして本焼成する本焼成工程と、から少なくとも構成されているので、厚みが均一なパッケージ基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】複数のデバイスが配線基板に配設される状態を示す斜視図。
【図２】複数のデバイスが配設された配線基板の正面図。
【図３】デバイスが２段積層された場合の配線基板の一部拡大正面図。
【図４】複数のデバイスが配設された配線基板およびモールド金型の斜視図。
【図５】（ａ）モールド樹脂供給工程が実施されている状態を示す斜視図、（ｂ）モールド樹脂供給工程が実施された状態を示す配線基板の断面図。
【図６】仮焼成される際の配線基板の状態を示す斜視図。
【図７】モールド金型から配線基板が外された状態を示す斜視図。
【図８】本焼成工程が実施される状態を示す斜視図。
【図９】パッケージ基板の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明のパッケージ基板の製造方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
図１に示す配線基板２は、格子状の分割予定ライン４によって複数の矩形領域６に区画され、複数の矩形領域６のそれぞれにはデバイス８に対応した配線パターン（図示していない。）が形成されている。図示の実施形態における配線基板２は、第一のグループＧａおよび第二のグループＧｂの２つのグループに分けて複数の配線パターンが形成されているが、配線基板２に形成される配線パターンのグループは単一であってもよく、あるいは３以上であってもよい。図１および図２に示すとおり、各矩形領域６にはデバイス８が配設され、各デバイス８の接続端子（図示していない。）と各矩形領域６に形成された配線パターンの電極（図示していない。）とがワイヤー１０によって接続される。また、図３に示すとおり、デバイス８ａ、８ｂが２段積層される場合もあり、この場合にはデバイス８ａ、８ｂの接続端子と配線パターンの電極とがそれぞれワイヤー１０ａ、１０ｂによって接続される。デバイスは３段以上積層される場合もある。なお、ボール電極（図示していない。）を介してデバイス８の接続端子と配線パターンの電極とが接続されていてもよい。
【００１２】
図示の実施形態では、まず、複数のデバイス８が配設された配線基板２をモールド金型で囲繞しモールド樹脂を供給するモールド樹脂供給工程を実施する。図示の実施形態では図４に示すとおり、モールド金型１２は、矩形状の上壁１４と、上壁１４の周縁から垂下する４枚の側壁１６とを備え、下端側が開放されている。また上壁１４には、モールド樹脂を供給するための供給開口１８と、供給開口１８から供給されたモールド樹脂の余剰分を排出するための排出開口２０とが形成されている。モールド樹脂供給工程では、まず、図４および図５（ａ）に示すとおり、配線基板２のデバイス８側の面にモールド金型１２を被せ、複数のデバイス８が配設された配線基板２をモールド金型１２で囲繞する。次いで、モールド金型１２の内面と配線基板２のデバイス８側の面との間に液状エポキシ樹脂等のモールド樹脂２２を供給開口１８から供給して充填すると共に、供給開口１８から供給したモールド樹脂２２の余剰分を排出開口２０から排出する。これによって図５（ｂ）に示すとおり、配線基板２に配設された複数のデバイス８をモールド樹脂２２で封止することができる。なお、モールド樹脂２２には、剛性や熱伝導性等の向上のためにシリカ等により構成される粒径数十μｍ程度のフィラーが混入されていてもよい。
【００１３】
モールド樹脂供給工程を実施した後、モールド樹脂２２を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成する仮焼成工程を実施する。仮焼成工程は、仮焼成中におけるモールド樹脂２２の変形を防止するため、図６に示すとおり配線基板２にモールド金型１２を被せた状態で実施する。たとえば、モールド樹脂供給工程において供給したモールド樹脂２２が液状エポキシ樹脂である場合には、１６０〜１８０℃程度の温度で１５〜２０分程度の時間をかけて仮焼成工程を実施する。このように、モールド樹脂２２を本焼成の温度に至らない比較的低い温度で仮焼成することにより、モールド樹脂２２は、完全には硬化せず変形する余地があるものの、モールド金型１２から配線基板２を外してもモールド金型１２の形状が保持される程度に硬化する。
【００１４】
仮焼成工程を実施した後、図７に示すとおり、モールド金型１２から配線基板２を外すモールド金型外し工程を実施する。
【００１５】
モールド金型外し工程を実施した後、第一の平坦面を備えた第一の基台に配線基板２を載置し、第一の平坦面と平行な第二の平坦面を備えた第二の基台で配線基板２を押圧すると共に本焼成の温度で加熱し、仮焼成されたモールド樹脂２２の厚みを均一にして本焼成する本焼成工程を実施する。本焼成工程は、たとえば図８に一部を示すプレス装置２４を用いて実施することができる。プレス装置２４は、第一の平坦面２６ａを上端に備えた円柱状の第一の基台２６と、第一の平坦面２６ａと平行な第二の平坦面２８ａを下端に備えた円柱状の第二の基台２８とを含む。第一の基台２６は床に固定されている。一方、第二の基台２８は、昇降自在に構成されており、油圧シリンダ等から構成され得る適宜の昇降手段（図示していない。）により昇降される。この第二の基台２８には第二の平坦面２８ａを加熱するヒーター（図示していない。）が内蔵されており、第二の平坦面２８ａはアルミニウム合金や銅合金等の熱伝導率の比較的高い適宜の金属材料から形成されている。
【００１６】
図８を参照して説明を続けると、本焼成工程では、まず、モールド樹脂２２を上に向けて配線基板２を第一の平坦面２６ａに載置する。次いで、昇降手段で第二の基台２８を下降させ、第二の平坦面２８ａでモールド樹脂２２を押圧する。また、ヒーターを作動させ、仮焼成の温度よりも高い本焼成の温度で、かつ仮焼成の時間よりも長い時間をかけてモールド樹脂２２を加熱する。たとえば、モールド樹脂供給工程において供給したモールド樹脂２２が液状エポキシ樹脂である場合には、２５０〜２７０℃程度の温度で２０〜２５分程度の時間をかけて本焼成工程を実施する。また、第二の平坦面２８ａでモールド樹脂２２を押圧する際の押圧力は０．５〜１．０Ｎ／ｃｍ２程度でよい。これによって、モールド樹脂２２を完全に硬化させると共にモールド樹脂２２の厚みを均一にすることができ、図９に示すとおりの厚みが均一なパッケージ基板３０を製造することができる。
【符号の説明】
【００１７】
２：配線基板
８：デバイス
１２：モールド金型
２２：モールド樹脂
２６：第一の基台
２６ａ：第一の平坦面
２８：第二の基台
２８ａ：第二の平坦面
３０：パッケージ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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