(57)【要約】【課題】液処理中における基板への薬液の跳ね返りを抑制し、ガードの洗浄時にガードの内周面のうち洗浄可能な領域を増やす。【解決手段】基板処理装置は、ノズルと、第１ガードと、第１ガードの下方に設けられた第２ガードと、昇降機構とを備え、第１ガードは、環状の第１張出部と、第１張出部から下方に突出する筒形状の垂下部とを含み、第２ガードは、環状の第２張出部を含み、第２張出部の内周縁部は、斜め上方を向く環状面を含み、第１張出部と垂下部とに挟まれた収容空間に第２張出部の内周縁部が収容され得るように、第２張出部が形成されており、環状面が垂下部の下端よりも下方に位置する第２高さ位置に第２ガードが配置された状態において、環状面は、垂下部の外周面に対向するとともに、保持部材の径方向外側に向かって洗浄液が飛散する飛散液を受けて垂下部の外周面に向けて跳ね返す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持可能な保持部材と、
前記保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、
前記保持部材の上方から前記保持部材に向けて洗浄液を吐出可能なノズルと、
前記保持部材を取り囲み、上端が開放された筒形状の第１ガードと、
前記保持部材を取り囲むとともに、前記第１ガードの下方に設けられ、上端が開放された筒形状の第２ガードと、
前記第２ガードを前記第１ガードに対して昇降可能な昇降機構と、
を備え、
前記第１ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第１張出部と、前記第１張出部の内周縁部から下方に突出する筒形状の垂下部と、を上端部分に含み、
前記第２ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第２張出部を上端部分に含み、
前記第２張出部の内周縁部は、前記回転軸を取り囲むとともに、前記回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する環状面を含み、
前記昇降機構は、前記環状面が前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも上方に位置する第１高さ位置と、前記環状面が前記垂下部の下端よりも下方に位置する第２高さ位置とに前記第２ガードを前記第１ガードに対して配置可能であり、
前記第２ガードが前記第１高さ位置に配置された状態において前記第１ガードの前記第１張出部と前記垂下部とに挟まれた収容空間に前記第２張出部の内周縁部が収容されるように、前記第２張出部が形成されており、
前記第２ガードが前記第２高さ位置に配置された状態において、前記環状面は、前記垂下部よりも前記回転軸の径方向外側に位置して前記垂下部の外周面に面する、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記第１ガードの前記第１張出部の下面と、前記第２ガードの前記第２張出部の上面とは、互いに重なり得るように形成されており、
前記昇降機構が前記第２ガードを前記第１高さ位置に配置した状態で、前記第１張出部の下面と、前記第２張出部の上面とが互いに重なる、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記保持部材は、基板を保持し、
前記昇降機構は、前記第２ガードを前記第２高さ位置に配置しており、
前記ノズルは、前記保持部材に保持された前記基板の上面に洗浄液を吐出する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記基板は洗浄用基板であり、その中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片を上面に含む、基板処理装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記昇降機構は、前記第２ガードを前記第２高さ位置に配置しており、
前記保持部材が基板を保持していない状態で、前記ノズルが前記保持部材の上面に洗浄液を吐出する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記保持部材は、
その上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持するために立設された保持ピンを含む、基板処理装置。
【請求項７】
基板処理装置における基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
基板を保持可能であって回転軸を中心に回転する保持部材と、
前記保持部材を取り囲み、上端が開放された筒形状の第１ガードと、
前記保持部材を取り囲むとともに、前記第１ガードの下方に設けられ、上端が開放された筒形状の第２ガードと、
前記保持部材の上方から前記保持部材に向けて洗浄液を吐出可能なノズルと、
を備え、
前記第１ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第１張出部と、前記第１張出部の内周縁部から下方に突出する筒形状の垂下部と、を上端部分に含み、
前記第２ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第２張出部を上端部分に含み、
前記第２張出部の内周縁部は、前記回転軸を取り囲むとともに、前記回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する環状面を含み、
前記第２ガードが第１高さ位置に配置された状態において前記第１ガードの前記第１張出部と前記垂下部とに挟まれた収容空間に前記第２張出部の内周縁部が収容されるように、前記第２張出部が形成されており、
前記第２ガードが前記第２高さ位置に配置された状態において、前記環状面は、前記垂下部よりも前記回転軸の径方向外側に位置して前記垂下部の外周面に面し、
当該基板処理方法は、
前記第２ガードを前記第１ガードに対して第１高さ位置に配置した状態で、前記基板の表面に処理液を吐出して基板を処理する基板処理工程と、
前記第２ガードを前記第１ガードに対して第２高さ位置に配置した状態で、前記ノズルから前記洗浄液を吐出し、当該洗浄液が前記保持部材の径方向外側に向かって飛散する飛散液を前記環状面から前記垂下部の外周面に向けて跳ね返させることにより前記第１ガードを洗浄するガード洗浄工程と、
を備え、
前記第１高さ位置は、前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも、前記第２ガードの前記環状面が上方に位置する位置であり、
前記第２高さ位置は、前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも、前記第２ガードの前記環状面が下方に位置する位置である、基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記第１ガードの前記第１張出部の下面と、前記第２ガードの前記第２張出部の上面とは、互いに重なり得るように形成されており、
前記第１高さ位置は、前記第１張出部の下面と、前記第２張出部の上面とが互いに重なるように、前記第２ガードが前記第１ガードに対して配置される位置である、基板処理方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記ガード洗浄工程は、
前記保持部材が基板を保持した状態で、前記ノズルから前記基板の上面に洗浄液を吐出して前記飛散液を前記基板からその径方向外側に向けて飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である、基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法であって、
前記基板は洗浄用基板であり、その中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片を上面に含み、
前記ガード洗浄工程は、
前記洗浄液を前記案内片の前記傾斜面に沿って前記基板からその径方向外側に向けて斜め上方に飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である、基板処理方法。
【請求項１１】
請求項７または請求項８に記載の基板処理方法であって、
前記ガード洗浄工程は、
前記保持部材が前記基板を保持していない状態で、前記ノズルから前記保持部材の上面に洗浄液を吐出して前記洗浄液を前記保持部材からその径方向外側に向けて飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である、基板処理方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板処理方法であって、
前記保持部材は、
その上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持するために立設された保持ピンを含み、
前記ガード洗浄工程は、
前記洗浄液を前記保持部材の上面に沿ってその周縁部に拡がらせて前記保持ピンに当てることによって前記飛散液を前記保持ピンから前記保持部材の径方向外側に向けて斜め上方に飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に液処理を行う基板処理装置の洗浄技術に関する。処理対象になる基板には、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ガードによって周縁を囲まれた基板を回転させつつ、基板に薬液を供給して基板に液処理を行う基板処理装置が知られている。図１７には、従来技術に係る基板処理装置１０００が示されている。基板処理装置１０００は、スピンベース２１０に基板Ｗ１００を保持してスピンベース２１０を回転させつつ、ノズル５１０から基板Ｗ１００に薬液を供給して基板Ｗ１００を処理する。基板処理装置１０００は、基板Ｗ１００の周縁から飛散する薬液をガード３１００で受ける。ガード３１００は、受けた薬液が基板Ｗ１００に跳ね返らないように、先端から下方に突出する筒状の垂下部３１３０を備える。ガード３１００の内周面に薬液が蓄積すると、基板処理装置１０００では、基板Ｗ１００が洗浄用基板ＣＷ１００に交換され、ノズル５１０から回転している洗浄用基板ＣＷ１００に洗浄液を吐出して洗浄用基板ＣＷ１００の周縁から飛散する洗浄液によって、ガード３１００の内周面の洗浄を行う。しかし、当該内周面のうち領域３１５０は、垂下部３１３０によってチャックピン２５０の周縁から見えないように遮蔽されている。このため、洗浄液は、領域３１５０に十分に供給されず、領域３１５０の洗浄が不十分になる。そして、領域３１５０に蓄積した薬液がパーティクルとなって基板Ｗ１００に付着するといった問題が生ずる。基板のエッジ洗浄に用いるガードの多くは、垂下部を有するため、この問題が特に顕著となる。
【０００３】
この問題を解決するために、特許文献１には、ガード３１０２の先端に垂下部３１３２を備える基板処理装置１００２が示されている（図１８参照）。基板処理装置１００２は、垂下部３１３２をガード３１０２の先端に備えている。垂下部３１３２の下側面は、ガード３１０２の内周面のうち上方の傾斜面から滑らかに連続する丸みを帯びた断面形状を有している。これにより、垂下部３１３２は、スピンベース２１２から飛散する洗浄液を遮りにくく、ガード３１０２の内周面の洗浄が容易となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３９２８２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、垂下部３１３２の下側面は、ガード３１０２の内周面のうち上方の傾斜面から滑らかに連続する丸みを帯びた断面形状を有していため、基板の液処理中にガード３１０２から跳ね返って基板に向かう処理液が、垂下部３１３２の下側面に沿って垂下部３１３２を越えて基板に達するといった問題がある。
【０００６】
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、基板の液処理中におけるガードから基板への薬液の跳ね返りを抑制できるとともに、ガードの洗浄時には、ガードの内周面のうち洗浄可能な領域を増やすことができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、第１の態様に係る基板処理装置は、基板を保持可能な保持部材と、前記保持部材を、回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記保持部材の上方から前記保持部材に向けて洗浄液を吐出可能なノズルと、前記保持部材を取り囲み、上端が開放された筒形状の第１ガードと、前記保持部材を取り囲むとともに、前記第１ガードの下方に設けられ、上端が開放された筒形状の第２ガードと、前記第２ガードを前記第１ガードに対して昇降可能な昇降機構と、を備え、前記第１ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第１張出部と、前記第１張出部の内周縁部から下方に突出する筒形状の垂下部と、を上端部分に含み、前記第２ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第２張出部を上端部分に含み、前記第２張出部の内周縁部は、前記回転軸を取り囲むとともに、前記回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する環状面を含み、前記昇降機構は、前記環状面が前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも上方に位置する第１高さ位置と、前記環状面が前記垂下部の下端よりも下方に位置する第２高さ位置とに前記第２ガードを前記第１ガードに対して配置可能であり、前記第２ガードが前記第１高さ位置に配置された状態において前記第１ガードの前記第１張出部と前記垂下部とに挟まれた収容空間に前記第２張出部の内周縁部が収容されるように、前記第２張出部が形成されており、前記第２ガードが前記第２高さ位置に配置された状態において、前記環状面は、前記垂下部よりも前記回転軸の径方向外側に位置して前記垂下部の外周面に面する。
【０００８】
第２の態様に係る基板処理装置は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記第１ガードの前記第１張出部の下面と、前記第２ガードの前記第２張出部の上面とは、互いに重なり得るように形成されており、前記昇降機構が前記第２ガードを前記第１高さ位置に配置した状態で、前記第１張出部の下面と、前記第２張出部の上面とが互いに重なる。
【０００９】
第３の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記保持部材は、基板を保持し、前記昇降機構は、前記第２ガードを前記第２高さ位置に配置しており、前記ノズルは、前記保持部材に保持された前記基板の上面に洗浄液を吐出する。
【００１０】
第４の態様に係る基板処理装置は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記基板は洗浄用基板であり、その中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片を上面に含む。
【００１１】
第５の態様に係る基板処理装置は、第１または第２の態様に係る基板処理装置であって、前記昇降機構は、前記第２ガードを前記第２高さ位置に配置しており、前記保持部材が基板を保持していない状態で、前記ノズルが前記保持部材の上面に洗浄液を吐出する。
【００１２】
第６の態様に係る基板処理装置は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記保持部材は、その上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持するために立設された保持ピンを含む。
【００１３】
第７の態様に係る基板処理方法は、基板処理装置における基板処理方法であって、前記基板処理装置は、基板を保持可能であって回転軸を中心に回転する保持部材と、前記保持部材を取り囲み、上端が開放された筒形状の第１ガードと、前記保持部材を取り囲むとともに、前記第１ガードの下方に設けられ、上端が開放された筒形状の第２ガードと、前記保持部材の上方から前記保持部材に向けて洗浄液を吐出可能なノズルと、を備え、前記第１ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第１張出部と、前記第１張出部の内周縁部から下方に突出する筒形状の垂下部と、を上端部分に含み、前記第２ガードは、前記回転軸に向かって張り出した環状の第２張出部を上端部分に含み、前記第２張出部の内周縁部は、前記回転軸を取り囲むとともに、前記回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する環状面を含み、前記第２ガードが第１高さ位置に配置された状態において前記第１ガードの前記第１張出部と前記垂下部とに挟まれた収容空間に前記第２張出部の内周縁部が収容されるように、前記第２張出部が形成されており、前記第２ガードが前記第２高さ位置に配置された状態において、前記環状面は、前記垂下部よりも前記回転軸の径方向外側に位置して前記垂下部の外周面に面し、当該基板処理方法は、前記第２ガードを前記第１ガードに対して第１高さ位置に配置した状態で、前記基板の表面に処理液を吐出して基板を処理する基板処理工程と、前記第２ガードを前記第１ガードに対して第２高さ位置に配置した状態で、前記ノズルから前記洗浄液を吐出し、当該洗浄液が前記保持部材の径方向外側に向かって飛散する飛散液を前記環状面から前記垂下部の外周面に向けて跳ね返させることにより前記第１ガードを洗浄するガード洗浄工程と、を備え、前記第１高さ位置は、前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも、前記第２ガードの前記環状面が上方に位置する位置であり、前記第２高さ位置は、前記第１ガードの前記垂下部の下端よりも、前記第２ガードの前記環状面が下方に位置する位置である。
【００１４】
第８の態様に係る基板処理方法は、第７の態様に係る基板処理方法であって、前記第１ガードの前記第１張出部の下面と、前記第２ガードの前記第２張出部の上面とは、互いに重なり得るように形成されており、前記第１高さ位置は、前記第１張出部の下面と、前記第２張出部の上面とが互いに重なるように、前記第２ガードが前記第１ガードに対して配置される位置である。
【００１５】
第９の態様に係る基板処理方法は、第７または第８の態様に係る基板処理方法であって、前記ガード洗浄工程は、前記保持部材が基板を保持した状態で、前記ノズルから前記基板の上面に洗浄液を吐出して前記飛散液を前記基板からその径方向外側に向けて飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である。
【００１６】
第１０の態様に係る基板処理方法は、第９の態様に係る基板処理方法であって、前記基板は洗浄用基板であり、その中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片を上面に含み、前記ガード洗浄工程は、前記洗浄液を前記案内片の前記傾斜面に沿って前記基板からその径方向外側に向けて斜め上方に飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である。
【００１７】
第１１の態様に係る基板処理方法は、第７または第８の態様に係る基板処理方法であって、前記ガード洗浄工程は、前記保持部材が前記基板を保持していない状態で、前記ノズルから前記保持部材の上面に洗浄液を吐出して前記洗浄液を前記保持部材からその径方向外側に向けて飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である。
【００１８】
第１２の態様に係る基板処理方法は、第１１の態様に係る基板処理方法であって、前記保持部材は、その上面から隙間を隔てた基板の周縁部を保持するために立設された保持ピンを含み、前記ガード洗浄工程は、前記洗浄液を前記保持部材の上面に沿ってその周縁部に拡がらせて前記保持ピンに当てることによって前記飛散液を前記保持ピンから前記保持部材の径方向外側に向けて斜め上方に飛散させ、当該飛散液を前記環状面によって前記垂下部の外周面に向けて跳ね返らせることによって前記第１ガードを洗浄する工程である。
【発明の効果】
【００１９】
第１の態様に係る発明によれば、第２ガードが第１高さ位置に配置された状態で、第１ガードの第１張出部と、第１張出部から下方に突出する垂下部とに挟まれた収容空間に第２ガードの内周縁部が収容される。この状態で、基板処理装置が基板に対する液処理を行うことによって、第２ガードから基板への処理液の跳ね返りを垂下部によって抑制できる。また、第２ガードが前記第２高さ位置に配置された状態で、環状面は、垂下部よりも回転軸の径方向外側に位置して垂下部の外周面に面する。また、環状面は、回転軸を取り囲むとともに、回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する。この状態において、基板処理装置が、洗浄液の飛散液によるガードの洗浄を行えば、環状面が飛散液を垂下部の外周面に向けて跳ね返すので、第１ガードの内周面のうち洗浄可能な領域を増やすことができる。
【００２０】
第２の態様に係る発明によれば、第１ガードの第１張出部の下面と、第２ガードの第２張出部の上面とが互いに重なるように、第２ガードを第１ガードに対して配置することができる。従って、第１張出部の下面が処理液により汚れることを抑制できる。
【００２１】
第３の態様に係る発明によれば、基板からその径方向外側に向かう洗浄液の飛散液を第２ガードの環状面で跳ね返らせて第１ガードの垂下部の外周面を洗浄することができる。
【００２２】
第４の態様に係る発明によれば、洗浄用基板は、中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片を上面に含むので、洗浄液の飛散液を傾斜面に沿って飛散させて環状面から効率良く垂下部の外周面に向けて跳ね返すことができる。
【００２３】
第５の態様に係る発明によれば、保持部材からその径方向外側に向かう洗浄液の飛散液を第２ガードの環状面で跳ね返らせて第１ガードの垂下部の外周面を洗浄することができる。
【００２４】
第６の態様に係る発明によれば、保持ピンに当たった洗浄液の飛散液を保持部材の径方向外側へ向けて斜め上向きに飛散させることができるので、飛散液を環状面から効率良く垂下部の外周面に向けて跳ね返すことができる。
【００２５】
第７の態様に係る発明によれば、基板処理工程において、第２ガードが第１ガードに対して第１高さ位置に配置されて第１ガードの垂下部の下端よりも、第２ガードの環状面が上方に位置する状態で、基板の表面に処理液が吐出される。従って、第２ガードから基板への処理液の跳ね返りを垂下部によって抑制できる。ガード洗浄工程では、第２ガードが第１ガードに対して第２高さ位置に配置されて第１ガードの垂下部の下端よりも、第２ガードの環状面が下方に位置し、環状面は、垂下部よりも回転軸の径方向外側に位置して垂下部の外周面に面する。そして、環状面は、回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する。従って、この状態で、飛散液が環状面に当たり、環状面から垂下部の外周面に向けて跳ね返さされることにより第１ガードが洗浄される。従って、垂下部の外周面に向けて環状面が飛散液を跳ね返すので、第１ガードの内周面のうち洗浄可能な領域を増やすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態に係る基板処理装置の構成例を説明するための側面模式図である。
【図２】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図４】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】図１の基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図７】基板処理工程を説明するための側面模式図である。
【図８】基板処理工程を説明するための側面模式図である。
【図９】図５のガード洗浄工程を説明するための側面模式図である。
【図１０】図９の下ガードの内周縁部の側面模式図である。
【図１１】他の実施形態に係る下ガードの内周縁部の側面模式図である。
【図１２】スピンベースに装着された洗浄用基板を示す平面図である。
【図１３】図１２のＡ１−Ａ１切断面における断面図である。
【図１４】図６のガード洗浄工程を説明するための側面模式図である。
【図１５】図６のガード洗浄工程を説明するための側面模式図である。
【図１６】他の実施形態に係るスプラッシュガードの示す側面模式図である。
【図１７】従来技術に係る基板処理装置を示す側面模式図である。
【図１８】従来技術に係る基板処理装置を示す側面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンチャックに対して基板側が上である。
【００２８】
＜実施形態について＞
＜１．基板処理装置１の全体構成＞
基板処理装置１の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明するための図である。図１は、基板処理装置１の側面模式図である。
【００２９】
図１では、ノズル５１が基板Ｗの中心ｃ１の上方に配置された状態で、基板Ｗがスピンチャック２によって回転軸ａ１周りに所定の回転方向（矢印ＡＲ１の方向）に回転している状態が示されている。
【００３０】
基板Ｗの基板処理装置１への搬入搬出は、ノズル５１、スプラッシュガード３０等が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置１に搬入された基板Ｗは、スピンベース２１により着脱自在に保持される。
【００３１】
基板処理装置１は、スピンチャック２、飛散防止部３、処理部５、ノズル移動機構６、および制御部１３０を備える。これら各部２〜３、５〜６は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０からの指示に応じて動作する。制御部１３０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１３０は、例えば、各種演算処理を行うＣＰＵ（不図示）、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ（不図示）、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ（不図示）、制御用のプログラムＰＧ１やデータなどを記憶しておく磁気ディスク（不図示）、等を備えている。制御部１３０においては、プログラムＰＧ１に記述された手順に従って主制御部としてのＣＰＵが演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。
【００３２】
＜２．基板Ｗ＞
基板処理装置１にて処理対象とされる基板Ｗの表面形状は略円形である。基板Ｗの半径は、例えば、１５０ｍｍである。図１の例では、基板処理装置１における所定の処理が終了して、基板Ｗは、基板処理装置１から既に搬出されている。この基板処理装置１は、基板Ｗを保持していないスピンベース２１に洗浄液を吐出してスピンベース２１の周縁から飛散させてスプラッシュガード３０を洗浄している。
【００３３】
＜３．基板処理装置１の各部の構成＞
＜スピンチャック２＞
スピンチャック（「回転保持機構」）２は、基板Ｗを、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。スピンチャック２は、基板Ｗを、主面の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に回転させる。スピンチャック２は、制御部１３０の制御に従って、基板Ｗに施される処理に応じた回転速度で回転する。
【００３４】
スピンチャック２は、基板Ｗより若干大きい円板状の部材であるスピンベース（「保持部材」、「基板保持部」）２１を備える。スピンベース２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が回転軸ａ１に一致するように設けられている。スピンベース２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。回転軸部２２の軸線は、回転軸ａ１と一致する。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、サーボモータ）２３が接続される。回転駆動部２３は、回転軸部２２をその軸線まわりに回転駆動する。従って、スピンベース２１は、回転軸部２２とともに回転軸ａ１を中心に回転可能である。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンベース２１を、回転軸ａ１を中心に回転させる回転機構２３１である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。
【００３５】
スピンベース２１の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個（例えば６個）のチャックピン２５が設けられている。複数のチャックピン２５は、基板Ｗの周縁（外周端）を把持することによって基板Ｗをスピンベース２１に保持することができる。
【００３６】
チャックピン２５は、基板Ｗの端面と当接して基板Ｗの水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース２１の上面より僅かに高い位置で（すなわち、スピンベース２１の上面から定められた間隔を隔てて）、基板Ｗを略水平姿勢で着脱可能に保持する。すなわち、チャックピン２５は、スピンベース２１の上面から隙間を隔てた基板Ｗの周縁部を保持する。これにより、スピンベース２１は、チャックピン２５を介して基板Ｗを下方から略水平に保持する。スピンベース２１の上面は、基板Ｗの下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。
【００３７】
この構成において、スピンベース２１が基板Ｗを保持した状態で、回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンベース２１が鉛直方向に沿った軸線周りで回転される。これによって、スピンベース２１上に保持された基板Ｗが、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な回転軸ａ１を中心に矢印ＡＲ１方向に回転される。
【００３８】
なお、スピンチャック２としては、挟持式のものに限らず、例えば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平姿勢で保持する真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
【００３９】
＜飛散防止部３＞
飛散防止部３は、スピンベース２１に保持されて回転される基板Ｗから飛散する処理液等を受け止める。
【００４０】
飛散防止部３は、スプラッシュガード３０を備える。スプラッシュガード３０は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンベース２１を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード３０は、例えば、カップ（「内側カップ」）３３、カップ（「外側カップ」）３４、上ガード（「第１ガード」、「上側ガード」とも称される）３１、および下ガード（「第２ガード」、「下側ガード」とも称される）３２の４個の部材を含んで構成されている。なお、スプラッシュガード３０の外側に、スピンチャック２を取り囲むようにガードとカップがさらに設けられてもよい。
【００４１】
カップ３３は、スピンチャック２の周囲を取り囲んで環状に延在する樋状の部材である。カップ３３は、環状（好ましくは、円環状）の底壁部３３１と、底壁部３３１の内側縁部から上方に延びる筒状（好ましくは、円筒状）の内壁部３３２と、底壁部３３１の外側縁部から上方に延びる筒状（好ましくは、円筒状）の外壁部３３３と、を備える。内壁部３３２の少なくとも先端付近は、スピンベース２１のケーシング２４に設けられた鍔状部材２４１の内側空間に収容される。
【００４２】
底壁部３３１には、内壁部３３２と外壁部３３３との間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。内壁部３３２と外壁部３３３との間の空間は、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。
【００４３】
カップ３４は、カップ３３の周囲を取り囲んで環状に延在する樋状の部材である。カップ３４は、環状（好ましくは、円環状）の底壁部３４１と、底壁部３４１の内側縁部から上方に延びる筒状（好ましくは、円筒状）の内壁部３４２と、底壁部３４１の外側縁部から上方に延びる筒状（好ましくは、円筒状）の外壁部３４３と、を備える。カップ３３の外壁部３３３と、カップ３４の内壁部３４２との間には、隙間が設けられている。
【００４４】
底壁部３４１には、内壁部３４２と外壁部３４３との間の空間と連通する排液溝（図示省略）が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。内壁部３４２と外壁部３４３との間の空間は、基板Ｗの処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。
【００４５】
下ガード３２は、上端が開放された筒形状の部材である。下ガード３２は、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿ってスピンベース２１の周囲を取り囲んでいる。すなわち、下ガード３２は、スピンベース２１に保持された基板Ｗの端縁に沿って基板Ｗを取り囲んでいる。下ガード３２は、その上部（「上端側部分」、「上端部分」）を成している環状の張出部（「第２張出部」、「上壁部」）３２２と、張出部３２２の外周縁部から下方に延設された筒形状の側壁部３２１とを含んでいる。
【００４６】
張出部３２２は、回転軸ａ１を取り囲んで、回転軸ａ１に向かって張り出している。より詳細には、張出部３２２は、下ガード３２の内側上方に向かって延びている。すなわち、張出部３２２は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。張出部３２２の内周縁部には、跳ね返し部（「反射部」）３２４が設けられている。また、側壁部３２１は、スピンベース２１の側面（端縁）に沿ってスピンベース２１の周囲を取り囲んでいる。
【００４７】
側壁部３２１は、下ガード３２の下部である。側壁部３２１は、その下部に、筒状（好ましくは、円筒状）の内周壁部３２１１と筒状（好ましくは、円筒状）の外周壁部３２１２とを含んでいる。内周壁部３２１１は、スピンベース２１に対向して下方に延びている。外周壁部３２１２は、内周壁部３２１１の外側に内周壁部３２１１から隙間を隔てて設けられ、内周壁部３２１１に沿って下方に延びている。カップ３３の外壁部３３３と、カップ３４の内壁部３４２とは、内周壁部３２１１と外周壁部３２１２との間の空間に収容される。
【００４８】
上ガード３１は、スピンベース２１を取り囲み、上端が開放された筒形状の部材であり、下ガード３２の外側（上側）に設けられている。すなわち、下ガード３２は、上ガード３１の下方に設けられている。上ガード３１は、回転軸ａ１を中心とする周方向に沿って下ガード３２の周囲、すなわちスピンベース２１の周囲を、スピンベース２１の側面（端縁）に沿って取り囲んでいる。すなわち、上ガード３１は、スピンベース２１に保持された基板Ｗの端縁に沿って基板Ｗを取り囲んでいる。
【００４９】
上ガード３１は、その上部（「上端側部分」、「上端部分」）を成す環状の張出部（「第１張出部」、「上壁部」）３１２と、張出部３１２の外周縁部から下方に延設された筒形状の側壁部３１１とを含む。張出部３１２は、回転軸ａ１を取り囲み、回転軸ａ１に向かって張り出している。より詳細には、張出部３１２は、上ガード３１の内側上方に向かって延びている。すなわち、張出部３１２は、回転軸ａ１に向かって斜め上方に延びている。また、側壁部３１１は、スピンベース２１の周囲を取り囲んでいる。
【００５０】
上ガード３１は、内部材３１２の内周縁部から下方に突出する筒形状の垂下部３１３をさらに含んでいる。基板処理装置１が基板Ｗの処理を行う際に、垂下部３１３は、基板Ｗからその径方向外側に飛散した処理液が、スプラッシュガード３０に到達してスプラッシュガード３０から基板Ｗ側に向けて飛散することを抑制する。
【００５１】
側壁部３１１は、上ガード３１の下部である。側壁部３１１は、その下部に、筒状（好ましくは、円筒状）の内周壁部３１１１と筒状（好ましくは、円筒状）の外周壁部３１１２とを含んでいる。内周壁部３１１１は、下ガード３２の外周壁部３２１２に対向して外周壁部３２１２に沿って下方に延びている。外周壁部３１１２は、内周壁部３１１１の外側に内周壁部３１１１から隙間を隔てて設けられ、内周壁部３１１１に沿って下方に延びている。カップ３４の外壁部３４３は、内周壁部３１１１と外周壁部３１１２との間の空間に収容される。
【００５２】
スプラッシュガード３０には、これを昇降移動させるスプラッシュガード駆動機構３５が配設されている。スプラッシュガード駆動機構３５は、例えば、ステッピングモータと、その出力軸に連結されたボールねじを有するボールねじ機構とを備えて構成される。この実施の形態では、スプラッシュガード駆動機構３５は、スプラッシュガード３０が備える上ガード３１と下ガード３２とを、独立して昇降させる。
【００５３】
スプラッシュガード駆動機構３５は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード３０の位置（具体的には、上ガード３１、下ガード３２の位置）は、制御部１３０によって制御される。
【００５４】
基板Ｗの交換が行われるときには、上ガード３１、下ガード３２は、これらの上端がスピンベース２１の上面よりも下方に位置する退避位置に位置決めされる。
【００５５】
下ガード３２の跳ね返し部３２４は、張出部３２２の内周縁部に含まれている。跳ね返し部３２４は、回転軸ａ１を取り囲んで環状に形成されている。当該内周縁部は、上ガード３１の張出部３１２と垂下部３１３とに挟まれた収容空間３１９に収容され得るように形成されている。具体的には、後述する環状面３２５の鉛直方向の長さは、垂下部３１３の鉛直方向の長さよりも短い。また、スピンベース２１の径方向において、張出部３２２の長さは、張出部３１２の長さよりも短い。
【００５６】
下ガード３２が、上ガード３１に対して相対的に所定の第１高さ位置に配置されると、跳ね返し部３２４を含む張出部３２２の内周縁部は、収容空間３１９に収容される。また、跳ね返し部３２４を含む張出部３２２の全体も、上ガード３１の張出部３１２と垂下部３１３とに挟まれた空間に収容される。スピンベース２１に保持された基板Ｗの処理を行うときには、基板処理装置１（スプラッシュガード駆動機構３５）は、下ガード３２を上ガード３１に対して第１高さ位置に配置する。
【００５７】
下ガード３２が第１高さ位置に配置されて張出部３１２の内周縁部が収容空間３１９に収容された状態で、基板処理装置１は、後述するノズル５１から処理液を基板Ｗに吐出する。当該処理液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの周縁から下ガード３２の内側面（「内周面」、「内壁面」）に向けて飛散する。当該処理液の一部が張出部３１２の下面に沿って基板Ｗ側に向かう場合においても、基板Ｗ側に向かった処理液は、垂下部３１３によって遮られ、基板Ｗへ到達することを抑制される。
【００５８】
後述するノズル５１は、処理済みの基板Ｗが基板処理装置１から搬出された後に、スプラッシュガード３０を洗浄するための洗浄液を、回転しているスピンベース２１等（スピンベース２１、または後述する洗浄用基板ＣＷ）に吐出する。当該洗浄液は、スピンベース２１等の回転による遠心力でスピンベース２１等の周縁部に流れ、当該周縁部からスピンベース２１の径方向外側に向かって飛散する。
【００５９】
基板処理装置１は、スピンベース２１の径方向外側に向かって飛散する当該洗浄液（「洗浄液の飛散液」、若しくは単に、「飛散液」とも称される）を用いて上ガード３１、下ガード３２を洗浄する。飛散液は、ノズル５１から吐出されてスピンベース２１の回転によって発生する遠心力によってスピンベース２１の径方向外側に向かって飛散する洗浄液である。
【００６０】
下ガード３２の跳ね返し部３２４は、洗浄液の飛散液を上ガード３１の垂下部３１３に向けて跳ね返すために設けられている。跳ね返し部３２４は、回転軸ａ１を取り囲む環状の環状面（「反射面」）３２５を有している。環状面３２５は、回転軸ａ１を取り囲むとともに、回転軸ａ１に向かって斜め上方を向いている。張出部３２２の内周縁部のうち環状面３２５が設けられていない部分の厚みよりも、下ガード３２の縦断面における環状面３２５の長さの方が長くなるように、跳ね返し部３２４が下ガード３２に設けられることが好ましい。
【００６１】
下ガード３２が、上ガード３１に対して相対的に所定の第２高さ位置（「下側の洗浄位置」）に配置されると、跳ね返し部３２４は、上ガード３１の垂下部３１３の下方に位置する。跳ね返し部３２４の環状面３２５は、上ガード３１の垂下部３１３の外周面３１４に対向する。下ガード３２が上ガード３１に対して第２高さ位置に配置された状態において、跳ね返し部３２４は、環状面３２５によって洗浄液の飛散液を受けて、環状面３２５から垂下部３１３の外周面３１４に向けて飛散液を跳ね返す。より詳細には、環状面３２５は、飛散液を受けて、外周面３１４に向けて跳ね返して飛散させる。さらに換言すれば、環状面３２５は、飛散液を受けて、飛散液が外周面３１４に向けて方向転換するように跳ね返す。
【００６２】
環状面３２５から跳ね返された飛散液は、上ガード３１の内側面のうち、垂下部３１３によってスピンベース２１等の周縁部から遮蔽された領域３１５に到達し、領域３１５を洗浄する。
【００６３】
下ガード３２が上ガード３１に対して第２高さ位置に配置された状態で、スピンベース２１等から飛散する洗浄液が下ガード３２の張出部３２２の内側面に当たり難い場合には、洗浄液の飛散液が張出部３２２の内側面に当たる易くなるように、下ガード３２を第２高さ位置よりも上方の位置（「上側の洗浄位置」）に配置することが好ましい。
【００６４】
＜処理部５＞
処理部（「処理液供給機構」）５は、スピンベース２１上に保持された基板Ｗに対する薬液処理およびリンス処理と、スプラッシュガード３０の洗浄処理とを含む処理を行う。図１の例では、処理部５は、スピンベース２１、スピンベース２１に保持された基板、または洗浄用基板ＣＷに処理液として、薬液、リンス液、洗浄液を選択的に供給する。本発明において、「処理液」の概念には、「薬液」、「リンス液」、および「洗浄液」が含まれる。リンス液は、基板Ｗの洗浄に用いられる処理液であり、洗浄液は、スプラッシュガード３０の洗浄に用いられる処理液である。
【００６５】
処理部５は、処理液を供給する処理液供給部５２と、処理液供給部５２から処理液を供給され、当該処理液を吐出するノズル５１とを備える。ノズル５１は、ノズル移動機構６が備える長尺のアーム６３の先端に、吐出口が下方を向くように取り付けられている。
【００６６】
処理液供給部５２は、薬液供給源５３と、リンス液供給源５４と、洗浄液供給源５５とを備える。これらの各供給源は、ポンプ等を備えて、薬液等の処理液を供給可能に構成されている。
【００６７】
ノズル５１と、処理液供給部５２とは、配管５７によって連通接続されている。配管５７の一端は、ノズル５１に接続している。配管５７は、ノズル５１から処理液供給部５２へ向かう経路途中で、複数（図１の例では、３本）に分岐して、複数の枝配管となり、各枝配管が、処理液供給部５２の各供給源にそれぞれ接続している。各枝配管の経路途中には、開閉弁が設けられている。
【００６８】
各開閉弁は、制御部１３０と電気的に接続されている図示省略のバルブ開閉機構によって、制御部１３０の制御下で開閉される。つまり、ノズル５１からの処理液の吐出態様（具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等）は、制御部１３０によって制御される。処理液供給部５２からノズル５１に処理液を供給する際には、制御部１３０は、供給対象の処理液の供給源に接続する１つの開閉弁を開き、他の開閉弁を閉じる。
【００６９】
薬液としては、例えば、フッ酸、ＳＣ―１（アンモニアと過酸化水素水との混合液）、ＳＣ−２（塩酸と過酸化水素水との混合液）などを用いることができる。フッ酸は、例えば、基板Ｗに成膜された金属膜のエッチング処理に用いられる。ＳＣ―１は、例えば、パーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去する洗浄処理に用いられる。ＳＣ−２は、例えば、パーティクルや各種金属不純物などの不要物を除去する洗浄処理またはエッチング処理に用いられる。
【００７０】
リンス液は、基板Ｗ上に残留している薬液等を洗浄するために用いられる。リンス液としては、例えば、二酸化炭素（ＣＯ２）が溶融した純水（炭酸水）純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、各種の有機溶剤（イオン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水、等が採用される。
【００７１】
また、薬液として、基板Ｗの乾燥処理に用いられるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの有機溶剤と、ポリマー等の充填剤を溶質とし、有機溶剤などを溶媒とする充填剤溶液も用いられる。
【００７２】
有機溶剤としてＩＰＡ以外に、例えば、ケトン類（アセトン、ジエチルケトン等）、エーテル類（メチルエーテル、エチルエーテル等）、多価アルコール（エチレングリコール等）が採用されてもよい。有機溶剤の用途は、乾燥に限定されない。
【００７３】
充填剤溶液は、基板Ｗに形成されるパターンの微細化に伴って、パターンの倒壊を抑制するために基板Ｗの乾燥処理に用いられるようになっている。当該乾燥処理では、基板Ｗ上に残留するリンス液が、有機溶剤に置換される。充填材溶液は、基板Ｗ上に残留する有機溶剤の液膜の上に供給されて、基板Ｗ上に形成されたパターンの間に充填される。
【００７４】
有機溶剤は、充填剤溶液を基板Ｗの周縁部から除去することによって、基板Ｗを搬送するロボットのハンドの汚染を防止するリンス液としても用いられる。例えば、図１の基板処理装置１では、パターン間に充填材溶液を充填された基板Ｗは、リンス液としての有機溶剤によって周縁部の充填材溶液を除去された後、ロボットによって、基板処理装置１から、例えば、他の熱処理装置に搬入される。
【００７５】
なお、当該熱処理装置は、例えば、基板Ｗを加熱して充填材溶液中の溶媒を蒸発させて充填材を固化する。基板Ｗ上で固化した充填材は、当該熱処理装置が行う熱処理により昇華されたり、他のプラズマ処理装置が行うプラズマ処理等によって基板Ｗから除去される。これにより、基板Ｗに形成された微細なパターンの倒壊が抑制される。
【００７６】
基板処理装置１が薬液を基板Ｗに供給して基板Ｗの処理をする際には、基板Ｗの回転による遠心力により薬液が基板Ｗから飛散してスプラッシュガード３０に付着する。そこで、基板処理装置１は、スプラッシュガード３０に残留している薬液を除去するために洗浄液（「除去液」とも称される）を用いる。例えば、フッ酸、有機溶剤などの水によって除去可能な薬液に対しては、例えば、水（純水）などが洗浄液として用いられる。
【００７７】
例えば、基板処理装置１がノズル５１から充填材溶液を吐出して基板Ｗに形成されたパターン間に充填する際には、基板処理装置１は、飛散する充填剤溶液を下ガード３２によって受ける。充填剤溶液は、付着力が強いため、下ガード３２の内側面や、上ガード３１の垂下部３１３の外周面３１４には、基板処理装置１が各基板Ｗを処理する毎に充填剤が残留して蓄積する。
【００７８】
そこで、基板処理装置１は、付着力が強く、水による除去が困難な充填剤に対しては、当該充填剤の溶媒として用いられる有機溶剤などを洗浄液として用いる。すなわち、有機溶剤は、充填剤が付着したスプラッシュガード３０から充填剤を除去する洗浄液としても用いられる。
【００７９】
基板処理装置１は、スプラッシュガード３０に残留した充填剤を除去するために、上ガード３１に対して相対的に下ガード３２を第２処理位置などに配置する。基板処理装置１は、充填剤の溶媒として作用するＩＰＡなどの有機溶剤を、洗浄洗として、スピンベース２１若しくは後述する洗浄用基板ＣＷに吐出する。スピンベース２１等から飛散した洗浄液が、下ガード３２の内側面に直接当たることや、下ガード３２の跳ね返し部３２４から跳ね返されて垂下部３１３の外周面３１４等に当たることによりスプラッシュガード３０が洗浄される。
【００８０】
＜ノズル移動機構６＞
ノズル移動機構６は、ノズル５１を、その処理位置と退避位置との間で移動させる機構である。ノズル移動機構６は、水平に延在するアーム６３、ノズル基台６６、昇降駆動部６８、回転駆動部６９を備える。
【００８１】
アーム６３の基端部は、ノズル基台６６の上端部分に連結されている。ノズル基台６６は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢でケーシング２４の外側に配置されている。ノズル基台６６は、その軸線に沿って鉛直方向に延在し、軸線周りに回転可能な回転軸を備えている。ノズル基台６６の軸線と回転軸の軸線とは一致する。回転軸の上端には、ノズル基台６６の上端部分が取り付けられている。回転軸が回転することにより、ノズル基台６６の上端部分は回転軸の軸線、すなわちノズル基台６６の軸線を中心に回転する。ノズル基台６６には、その回転軸を当該軸線を中心に回転させる回転駆動部６９が設けられている。回転駆動部６９は、例えば、サーボモータなどを備えて構成される。
【００８２】
また、ノズル基台６６には、昇降駆動部６８が設けられている。昇降駆動部６８は、例えば、サーボモータなどを備えて構成される。昇降駆動部６８は、その出力軸に連結されたボールねじを有するボールねじ機構などを介して、ノズル基台６６の回転軸をその軸線に沿って昇降させる。
【００８３】
回転駆動部６９は、ノズル基台６６の回転軸を介してノズル基台６６の上端部分を回転させる。当該上端部分の回転に伴って、ノズル５１もノズル基台６６の軸線周りに回転する。これにより、回転駆動部６９は、ノズル５１が基板Ｗに対して処理液を吐出する際には、制御部１３０による制御に応じて、基板Ｗの周縁部の上方と、中心ｃ１の上方との２点間の任意の位置にノズル５１を停止できるとともに、当該２点間でノズル５１を走査させることもできる。
【００８４】
昇降駆動部６８は、ノズル基台６６の回転軸をその軸線に沿って昇降させることによって、ノズル５１を昇降させる。昇降駆動部６８と回転駆動部６９とは、協働して、スピンベース２１に保持された基板Ｗの近傍の処理位置と、例えば、処理位置から基板Ｗの径方向に沿って外側、かつ、上方の待避位置との間で、ノズル５１を移動させる。
【００８５】
ノズル５１のそれぞれの待避位置は、ノズル５１が基板Ｗの搬送経路と干渉しない位置である。当該退避位置は、例えば、スプラッシュガード３０の外側、かつ、上方の位置である。
【００８６】
駆動部６８、６９は、制御部１３０と電気的に接続されており、制御部１３０の制御下で動作する。つまり、ノズル５１の位置は、制御部１３０によって制御される。
【００８７】
＜４．基板処理装置１の動作＞
図２〜図６は、基板処理装置１の動作の一例を示すフローチャートである。当該フローチャートは、予め、デバイス面である上面にレジストを塗布された後、露光、現像処理を経て基板処理装置１に搬入された基板Ｗに対して、基板処理装置１が薬液処理（エッチング処理）、リンス処理等の基板処理を行い、基板Ｗが搬出された後に、基板処理装置１がスプラッシュガード３０の洗浄処理を行うものである。
【００８８】
図２は、当該動作フローの全体を示すフローチャートである。基板処理装置１は、図２のステップＳ１０では、基板処理工程を行い、ステップＳ２０Ａ（２０Ｂ）では、スピンベース２１（洗浄用基板ＣＷ）を用いたガード洗浄工程を行う。
【００８９】
＜４−１．基板処理工程＞
図３、図４は、図２の基板処理工程における動作を説明するフローチャートである。図７、図８は、図３、図４の基板処理工程を説明するための側面模式図である。
【００９０】
ステップＳ１０が実行されると、処理は，図３のステップＳ１１０に移される。
【００９１】
ステップＳ１１０の処理の開始に先立って、スプラッシュガード３０およびノズル５１は、退避位置に配置されている。
【００９２】
ステップＳ１１０（図３、図７）では、予め、レジストコーティング、露光、現像処理を施された基板Ｗが、ロボット等によって基板処理装置１に搬入され、スピンベース２１に載置されて保持される。
【００９３】
ステップＳ１２０（図３、図７）では、基板処理装置１は上ガード３１を処理位置に配置する。
【００９４】
ステップＳ１３０（図３、図７）では、基板処理装置１は、回転機構２３１によって、所定の回転数でスピンベース２１の回転を開始する。
【００９５】
ステップＳ１４０（図３、図７）では、基板処理装置１は、ノズル５１を基板Ｗの上方の処理位置に配置し、ノズル５１からフッ酸などの薬液を基板Ｗに吐出する。これにより、基板処理装置１は、基板Ｗの処理（エッチング処理）を行う。
【００９６】
ステップＳ１５０（図３、図７）では、基板処理装置１は、ノズル５１から純水等のリンス液を基板Ｗに吐出し、基板Ｗのリンス処理を行う。
【００９７】
ステップＳ１６０（図３、図７）では、基板処理装置１は、ノズル５１からＩＰＡ等の有機溶剤を基板Ｗに吐出し、リンス液を有機溶剤に置換する。
【００９８】
ステップＳ１７０（図４、図７）では、基板処理装置１は、スプラッシュガード駆動機構３５によって、下ガード３２を処理位置（第１高さ位置）に配置する。第１高さ位置は、上ガード３１の垂下部３１３の下端よりも、下ガード３２の環状面３２５が上方に位置する位置（高さ位置）である。下ガード３２の内周縁部は、上ガード３１の収容空間３１９（図１）に収容される。上ガード３１の張出部３１２の下面と、下ガード３２の張出部３２２の上面とは、同一形状に形成された部分を互いに含んで、互いに重なり得るように形成されていることが好ましく、スプラッシュガード駆動機構３５は、張出部３１２の下面と、張出部３２２の上面とが互いに重なるように、下ガード３２を上ガード３１に対して配置することが好ましい。
【００９９】
ステップＳ１８０（図４、図７）では、基板処理装置１は、ノズル５１からポリマー溶液などの充填剤溶液を基板Ｗに付与する。付与された充填剤溶液は、基板Ｗから飛散して下ガード３２の内周面にも付着する。充填剤溶液は、付着力が強いが、ステップＳ１７０で説明したように、張出部３１２の下面と、張出部３２２の上面とが互いに重なっていれば、上ガード３１の張出部３１２の下面のうち、張出部３２２の上面と重なっている部分は、充填剤溶液が付着することを抑制される。充填剤溶液は、垂下部３１３の外周面には、充填剤溶液が付着する。
【０１００】
ステップＳ１９０（図４、図８）では、基板処理装置１は、ノズル５１を基板Ｗの周縁部の上方に移動し、周縁部にＩＰＡ等の有機溶剤を吐出して基板Ｗの周縁部を洗浄し、周縁部から充填剤溶液を除去する。
【０１０１】
ステップＳ２００（図４、図８）では、基板処理装置１は、スピンベース２１に回転を停止する。
【０１０２】
ステップＳ２１０（図４、図８）では、基板処理装置１は、上ガード３１、下ガード３２、およびノズル５１を退避位置に配置する。
【０１０３】
ステップＳ２２０（図４、図８）では、ロボットが基板Ｗを基板処理装置１から搬出する。この際、ロボットのハンドが汚染されることが、ステップＳ１９０の処理によって、抑制される。
【０１０４】
ステップＳ２３０（図４、図８）では、基板処理装置１（制御部１３０）は、ロットの全て基板Ｗの処理が終了したか否かを判定する。ステップＳ２３０の判定の結果、終了していなければ、図３のステップＳ１１０以下の処理が新たな基板Ｗに行われ、再び、ステップＳ２３０の判定が行われる。
【０１０５】
ステップＳ２３０の判定の結果、ロットの全ての基板処理が終了していれば、図２のステップＳ１０の基板処理工程が終了し、処理は、図２のステップＳ２０Ａに移される。なお、ステップＳ２３０の判定を、例えば、前回のスプラッシュガード３０の洗浄処理から所定の期間が経過したか否かに基づいて判定してもよい。この場合、所定の期間が経過していなければ、図３のステップＳ１１０以下の処理が繰り返され、所定の期間が経過していれば、処理はステップＳ２０Ａに移される。
【０１０６】
＜４−２．ガード洗浄工程＞
＜４−２−１．スピンベース２１を用いるガード洗浄工程＞
図５は、スピンベースを用いる図２のガード洗浄工程における動作を示すフローチャートである。図９は、図５のガード洗浄工程を説明するための側面模式図である。図１０は、図２のガード洗浄工程において、下ガード３２が第２高さ位置に配置されたときの上ガード３１、下ガード３２の内周縁部を示す側面模式図である。図１１は、図２のガード洗浄工程において、他の実施形態に係る下ガード３２Ａが第２高さ位置に配置されたときの上ガード３１、下ガード３２Ａの内周縁部を示す側面模式図である。
【０１０７】
処理が図２のステップＳ２０Ａに戻されると、処理は、図５のステップＳ３１０に移される。
【０１０８】
ステップＳ３１０（図５、図９）では、基板処理装置１は、上ガード３１を処理位置に配置する。
【０１０９】
ステップＳ３２０（図５、図９）では、基板処理装置１は、下ガード３２を上側の洗浄位置に配置する。上側の洗浄位置は、下ガード３２の第２高さ位置（下側の洗浄位置）よりも上方の位置であり、下ガード３２の張出部３２２の下側面の洗浄が容易となる。
【０１１０】
ステップＳ３３０（図５、図９）では、基板処理装置１は、スピンベース２１の回転を開始する。
【０１１１】
ステップＳ３４０（図５、図９）では、基板処理装置１は、ノズル５１からＩＰＡ等の有機溶剤を洗浄液として、スピンベース２１の上面に向けて吐出する。スピンベース２１自体は、スピンベース２１と一体的に回転するとともに、ノズル５１が吐出する洗浄液の供給対象（「吐出対象」）である。ノズル５１が吐出した洗浄液は、スピンベース２１の上面に当たった後、スピンベース２１の回転による遠心力によって、スピンベース２１の周縁から排出される。洗浄液の一部は、チャックピン２５に当たって、スピンベース２１の径方向外側へ向けて斜め上方に飛散する。この飛散液によって、下ガード３２の内側面が洗浄される。
【０１１２】
この際、例えば、スピンベース２１の回転数の調整や、洗浄液の流量の調整による飛散液の速度調整、および所定範囲におけるスピンベース２１の上下動等によって、下ガード３２の内側面を広く洗浄できるようにすることが好ましい。複数の高さ位置に下ガード３２を固定した状態で洗浄処理が行われてもよい。後述するステップＳ３６０に際しても同様である。
【０１１３】
ステップＳ３５０（図５、図９）では、基板処理装置１のスプラッシュガード駆動機構３５は、下ガード３２を下側の洗浄位置（第２高さ位置）に配置する。これにより、下ガード３２の跳ね返し部３２４は、上ガード３１の垂下部３１３よりも下方に配置される。第２高さ位置は、環状面３２５が垂下部３１３の下端よりも下方に位置する位置（高さ位置）である。スプラッシュガード駆動機構３５は、第１高さ位置と、第２高さ位置とを含む複数の高さ位置に、下ガード３２を上ガード３１に対して配置可能である。また、下ガード３２が下側の洗浄位置に配置されると環状面３２５（３２５Ａ）は、垂下部３１３よりも回転軸ａ１（回転軸部２２）の径方向外側に位置して垂下部３１３の外周面３１４に面する。
【０１１４】
ステップＳ３６０（図５、図９）では、基板処理装置１は、飛散液を下ガード３２の跳ね返し部３２４（環状面３２５）で、垂下部３１３の外周面３１４側へ跳ね返らせる。跳ね返った飛散液は、垂下部３１３の外周面３１４に到達し、外周面３１４が洗浄される。
【０１１５】
図１０に示されるように、跳ね返し部３２４は、例えば、垂下部３１３の外周面３１４から離れる方向に凹んでいてもよいし、図１１に示されるように、下ガード３２Ａの跳ね返し部３２４が平坦な環状面（「反射面」）３２５Ａを有していてもよい。環状面３２５Ａは、回転軸ａ１を取り囲むとともに、回転軸ａ１に向かって斜め上方を向いている。環状面３２５Ａは、張出部３２２の内周縁側から外周縁側に向かって斜め上方に延びる傾斜面でもある。
【０１１６】
飛散液が、水平面から上方に角度θ１で飛散し、跳ね返し部３２４の下面が水平面と角度θ２をなし、環状面３２５Ａが水平面と角度θ３をなす場合、θ２よりもθ１が大きく、θ１よりもθ３が大きく、θ３が９０度よりも小さければ、飛散液は、跳ね返し部３２４の下面に当たると共に、環状面３２５Ａから垂下部３１３の外周面３１４側へと方向転換して跳ね返り得る。
【０１１７】
ステップＳ３７０（図５、図９）では、基板処理装置１は、ノズル５１からの洗浄液の吐出を停止する。
【０１１８】
ステップＳ３８０（図５、図９）では、基板処理装置１は、スピンベース２１の回転を停止する。
【０１１９】
ステップＳ３９０（図５、図９）では、基板処理装置１は、上ガード３１、下ガード３、およびノズル５１を退避位置に配置し、図２のステップＳ２０Ａのガード洗浄工程を終了する。
【０１２０】
＜４−２−２．洗浄用基板ＣＷを用いるガード洗浄工程＞
図１２は、スピンベース２１に装着された洗浄用基板ＣＷを示す平面図である。また、図１３は、図１２のＡ１−Ａ１切断面における断面図である。基板処理装置１においては、スピンベース２１に通常の処理対象となる基板Ｗに代えて洗浄用基板ＣＷを装着してスプラッシュガード３０（上ガード３１、下ガード３２）の洗浄処理を行うことができる。洗浄用基板ＣＷは、スプラッシュガード３０を洗浄するために用いられる専用の基板である。
【０１２１】
洗浄用基板ＣＷは、円板形状の本体部７１を有する。本体部７１は、処理対象となる基板Ｗと同一の形状を有している。本体部７１の材質は、特に限定されるものではなく、半導体用途の装置の汚染源とならないものであれば良く、例えば基板Ｗを同様のシリコンとすれば良い。従って、洗浄用基板ＣＷは、処理対象となる基板Ｗと同様に、複数のチャックピン２５が本体部７１の外周端を把持することによってスピンベース２１に保持可能である。
【０１２２】
本体部７１の上面には、１以上（好ましくは、複数（図１２の例では４個））の案内片７２が設けられている。すなわち、洗浄用基板ＣＷは、案内片７２を上面に含む。複数の案内片７２が設けられる場合は、洗浄用基板ＣＷの周方向に沿って、好ましくは等間隔に設けられる。案内片７２は、その先端側の案内片本体７２ａと基端側の接続部７２ｂとを含む。案内片本体７２ａは矩形形状を有しており、接続部７２ｂを介して本体部７１の上面に取り付けられている。図１２の例では、複数の案内片７２が全て同一形状を有している。案内片７２は、その矩形形状の長手方向が洗浄用基板ＣＷの径方向と一致するように基端部を洗浄用基板ＣＷの中心に向けて取り付けられている。
【０１２３】
案内片本体７２ａは、洗浄用基板ＣＷ（本体部７１）の中心からその径方向外周に向かって上方に傾斜するように（次第に高さが高くなるように）設けられる。すなわち、案内片７２は、洗浄用基板ＣＷの中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する。案内片本体７２ａの基端部は、接続部７２ｂを介して本体部７１の上面に取り付けられている。
【０１２４】
基板処理装置１は、スピンベース２１によって洗浄用基板ＣＷを保持し、上ガード３１の垂下部３１３の下端よりも下ガード３２の跳ね返し部３２４が下方に位置するように下ガード３２を配置した状態で、ノズル５１から、当該洗浄用基板ＣＷの上面に洗浄液を吐出する。すなわち、洗浄用基板ＣＷは、スピンベース２１と一体的に回転するとともに、ノズル５１が吐出する洗浄液の吐出対象（「供給対象」）である。基板処理装置１は、ノズル５１からスピンベース２１の上面に向けて洗浄液を吐出し、吐出された洗浄液は、ノズル５１とスピンベース２１との間においてスピンベース２１に保持された当該洗浄用基板ＣＷの上面に当たる。洗浄液は、本体部７１の上面に沿って、その周縁側に流れ、案内片７２の上端部、および本体部７１の周縁から、すなわち洗浄用基板ＣＷからその径方向外側に向けて飛散する。なお、案内片７２から飛散する飛散液は、案内片７２の傾斜面に沿って洗浄用基板ＣＷからその径方向外側に向けて斜め上方に飛散する。
【０１２５】
案内片７２は、洗浄用基板ＣＷの回転による遠心力によって、傾斜面の角度が変化しないように、剛性の強い素材によって形成されてもよいし、傾斜面の角度変化を利用して、広範な角度範囲に飛散液が向かうように、弾性体によって形成されてもよい。また、複数の案内片７２が、２以上の傾斜角度で本体部７１に設けられてもよい。案内片本体７２ａおよび接続部７２ｂの材質は、例えば、本体部７１と同じもの（例えば、シリコン）とされる。なお、基板処理装置１は、案内片７２を有していない洗浄用基板ＣＷをスピンベース２１が保持した状態で当該洗浄用基板ＣＷに洗浄液を吐出することによってプラッシュガード３０の洗浄処理を行ってもよいし、スピンベース２１が基板Ｗ（好ましくは、ダミーの基板Ｗ）を保持した状態で同様に当該洗浄処理を行ってもよい。すなわち、基板処理装置１は、スピンベース２１が基板を保持した状態で、ノズル５１から当該基板の上面に洗浄液を吐出することによって当該洗浄処理を行う。
【０１２６】
図６は、洗浄用基板ＣＷを用いる図２のガード洗浄工程における動作を示すフローチャートである。図１４、図１５は、図６のガード洗浄工程を説明するための側面模式図である。
【０１２７】
スピンベース２１から洗浄液を飛散させるステップＳ２０Ａのガード洗浄工程と、スピンベース２１に保持された洗浄用基板ＣＷから洗浄液を飛散させるステップＳ２０Ｂのガード洗浄工程との違いは、ステップＳ２０Ｂが、ステップＳ３０２、Ｓ３９２を新たに備えるとともに、ステップＳ２０ＡのステップＳ３４０に代えて、ステップＳ３４２を有することである。つまり、ステップＳ２０Ｂの処理は、処理の冒頭で、基板処理装置１に洗浄用基板ＣＷを搬入し、処理の最後に、基板処理装置１から洗浄用基板ＣＷを搬出することと、スピンベース２１上ではなく、スピンベース２１に保持された洗浄用基板ＣＷに洗浄液を吐出して洗浄用基板ＣＷからの飛散液でガードを洗浄することとを除いて、ステップＳ２０Ａと同様の処理を行う。他のステップの説明は省略する。
【０１２８】
＜５．スプラッシュガードの他の実施形態＞
図１６は、他の実施形態に係るスプラッシュガード３０Ａの構成例を示す側面模式図である。
【０１２９】
スプラッシュガード３０Ａは、スプラッシュガード３０と同様に、上ガード３１、下ガード３２、カップ３３、３４を備えている。スプラッシュガード３０Ａは、さらにこれらの外側に、スピンベース２１側から順に、カップ３３Ａ、３４Ａ、３３Ｂ、３４Ｂを備えると共に、下ガード３２Ａ、上ガード３１Ａ、下ガード３２Ｂ、上ガード３１Ｂを備えている。
【０１３０】
上ガード３１Ａ、３１Ｂは、上ガード３１と同様の構成を備えて同様の機能を果たし、下ガード３２Ａ、３２Ｂは、下ガード３２と同様の構成を備えて同様の機能を果たす。図１６では、下ガード３２Ａ（３２Ｂ）がその第１高さ位置に配置されて、下ガード３２Ａ（３２Ｂ）の内側周縁部が上ガード３１Ａ（３１Ｂ）の垂下部３１３と張出部３１２との間の収容空間に収容されている。すなわち、スプラッシュガード３０Ａは、スプラッシュガード３０の上ガード３１、下ガード３２に相当する組を３組備えている。
【０１３１】
従って、スプラッシュガード３０Ａによれば、例えば、酸とアルカリなどの各処理液を分離回収できるとともに、各処理液による処理時には、各上側ガードの垂下部３１３によって、処理液の基板Ｗ側への飛散を抑制できると共に、ガード洗浄時には、各下ガードの跳ね返し部３２４の環状面３２５を利用して、各上ガードの垂下部の外周面を効率良く洗浄できる。
【０１３２】
以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置によれば、下ガード３２が第１高さ位置に配置された状態で、上ガード３１の張出部３１２と、張出部３１２から下方に突出する垂下部３１３とに挟まれた収容空間に下ガード３２の内周縁部が収容される。この状態で、基板処理装置が基板に対する液処理を行うことによって、下ガード３２から基板への処理液の跳ね返りを垂下部３１３によって抑制できる。また、跳ね返し部３２４の環状面３２５（３２５Ａ）が垂下部３１３の下方に位置するように下ガード３２が第２高さ位置に配置された状態において、環状面３２５（３２５Ａ）は、垂下部３１３よりも回転軸の径方向外側に位置して垂下部３１３の外周面３１４に面する。また、環状面３２５（３２５Ａ）は、回転軸を取り囲むとともに、回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する。この状態において、基板処理装置が、洗浄液の飛散液によるガードの洗浄を行えば、垂下部３１３の外周面３１４に向けて環状面３２５（３２５Ａ）が飛散液を跳ね返すので、上ガード３１の内周面のうち洗浄可能な領域を増やすことができる。
【０１３３】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、上ガード３１の張出部３１２の下面と、下ガード３２の張出部３２２の上面とが互いに重なるように、下ガード３２を上ガード３１に対して配置することができる。従って、張出部３１２の下面が処理液により汚れることを抑制できる。
【０１３４】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、基板からその径方向外側に向かう洗浄液の飛散液を下ガード３２の跳ね返し部３２４の環状面３２５（３２５Ａ）で跳ね返らせて上ガード３１の垂下部３１３の外周面３１４を洗浄することができる。
【０１３５】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、洗浄用基板ＣＷは、その中心から外周に向けて上方に傾斜する傾斜面を有する案内片７２を上面に含むので、洗浄液の飛散液を傾斜面に沿って飛散させて環状面３２５（３２５Ａ）から効率良く垂下部３１３の外周面３１４に向けて跳ね返すことができる。
【０１３６】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、スピンベース２１からその径方向外側に向かう洗浄液の飛散液を下ガード３２の跳ね返し部３２４の環状面３２５（３２５Ａ）で跳ね返らせて上ガード３１の垂下部３１３の外周面３１４を洗浄することができる。
【０１３７】
また、本実施形態に係る基板処理装置によれば、チャックピン２５に当たった洗浄液の飛散液をスピンベース２１の径方向外側へ向けて斜め上向きに飛散させることができるので、飛散液を環状面３２５（３２５Ａ）から効率良く垂下部３１３の外周面３１４に向けて跳ね返すことができる。
【０１３８】
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法によれば、基板処理工程において、下ガード３２が上ガード３１に対して第１高さ位置に配置されて上ガード３１の垂下部３１３の下端よりも、下ガード３２の跳ね返し部３２４の環状面３２５（３２５Ａ）が上方に位置する状態で、基板の表面に処理液が吐出される。従って、下ガード３２から基板への処理液の跳ね返りを垂下部３１３によって抑制できる。ガード洗浄工程では、下ガード３２が上ガード３１に対して第２高さ位置に配置されて上ガード３１の垂下部３１３の下端よりも、下ガード３２の跳ね返し部３２４の環状面３２５（３２５Ａ）が下方に位置し、環状面３２５（３２５Ａ）は、垂下部３１３よりも回転軸の径方向外側に位置して垂下部３１３の外周面３１４に面する。そして、環状面３２５（３２５Ａ）は、回転軸に向かって斜め上方を向く面を有する。従って、この状態で、飛散液が環状面３２５（３２５Ａ）に当たり、環状面３２５（３２５Ａ）から垂下部３１３の外周面３１４に向けて跳ね返さされることにより上ガード３１が洗浄される。従って、垂下部３１３の外周面３１４に向けて環状面３２５（３２５Ａ）が飛散液を跳ね返すので、上ガード３１の内周面のうち洗浄可能な領域を増やすことができる。
【０１３９】
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【０１４０】
１  基板処理装置
２１  スピンベース（保持部材）
２５  チャックピン（保持ピン）
２３１  回転機構
５１  ノズル
３１  上ガード（第１ガード）
３２  下ガード（第２ガード）
３５  スプラッシュガード駆動機構（昇降機構）
３１２  張出部（第１張出部）
３２２  張出部（第２張出部）
３１３  垂下部
３２４  跳ね返し部
３２５、３２５Ａ  環状面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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