(57)【要約】【課題】電磁波保護層を有する電子装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一観点による電子装置は、電子部品と、該電子部品の少なくとも一部上に形成された電磁波保護層と、を含む。該電磁波保護層は、表面に導電性被膜が形成された電磁波吸収のための磁性粒子と、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、該磁性粒子の該導電性被膜上に焼結されて形成された導電部と、を含む。【選択図】図１
2019121788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、
前記電子部品の少なくとも一部上に形成された電磁波保護層と、を含み、
前記電磁波保護層は、
表面に導電性被膜が形成された電磁波吸収のための磁性粒子と、
電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、前記磁性粒子の前記導電性被膜上に焼結されて形成された導電部と、を含む、
電子装置。
【請求項２】
前記電磁波保護層は、前記導電性金属粒子及び前記導電性被膜が形成された前記磁性粒子を含むペーストを、前記電子部品上にスプレー塗布した後、熱処理して形成された、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記ペーストで、前記導電性金属粒子は、有機金属粒子であり、前記磁性粒子は、フレーク状を有する、請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記有機金属粒子は、有機銀粒子を含む、請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記ペーストは、スプレー工程時に前記電子部品の側面部でその流動性を制御するように、沸点が互いに異なる少なくとも２種の溶剤をさらに含む、請求項２に記載の電子装置。
【請求項６】
前記電磁波保護層は、導電性を有するように、前記導電性金属粒子が全体として互いに連結されるように、前記導電性被膜が形成された前記磁性粒子の表面に焼結された構造を有する、請求項１に記載の電子装置。
【請求項７】
前記導電性被膜は、導電性物質を前記磁性粒子上にメッキして形成され、
前記導電性物質は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）または黒鉛（Ｃ）を含む、請求項２に記載の電子装置。
【請求項８】
前記電子部品は、
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子を保護するためのモールディング部材と、を含む半導体パッケージであり、
前記電磁波保護層は、前記半導体パッケージの上面部及び側面部上に形成された、請求項１に記載の電子装置。
【請求項９】
電子部品を提供する段階と、
前記電子部品の少なくとも一部上に電磁波保護層を形成する段階と、を含み、
前記電磁波保護層は、
表面に導電性被膜が形成された電磁波吸収のための磁性粒子と、
電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、前記磁性粒子の前記導電性被膜上に焼結されて形成された導電部と、を含む、
電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電磁波保護層を形成する段階は、
前記導電性金属粒子及び前記導電性被膜が形成された磁性粒子を含むペーストを、前記電子部品の少なくとも一部上にスプレー塗布する段階と、
塗布された前記ペーストを熱処理する段階と、を含む、
請求項９に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スプレー塗布する段階で、前記ペーストは、前記電子部品の側面部でその流動性を制御するように、沸点が互いに異なる少なくとも２種の溶剤をさらに含む、請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
電子部品と、
前記電子部品の少なくとも一部上に、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、電磁波吸収のための磁性粒子の表面に焼結されて導電性層で形成された電磁波保護層と、を含む、
電子装置。
【請求項１３】
前記電磁波保護層は、前記導電性金属粒子及び前記磁性粒子を含むペーストを、前記電子部品上にスプレー塗布した後、熱処理して形成された、請求項１２に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記ペーストは、スプレー工程時に前記電子部品の側面部でその流動性を制御するように、沸点が互いに異なる少なくとも２種の溶剤をさらに含む、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記電磁波保護層は、導電性を有するように、前記導電性金属粒子が全体として互いに連結されるように、前記磁性粒子の表面に焼結された構造を有する、請求項１２に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に係り、より具体的には、電磁波保護層を有する電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電気電子産業と情報通信技術との発展につれて、生活家電、産業機器、情報通信機器など多様な電子装置が使われている。このような電子装置から発生した電磁波（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、ＥＭＩ）は、機器間に干渉を起こすか、人体にも有害であって、このような電磁波を遮断する技術が開発されている。
【０００３】
一方、最近、電子装置が携帯化されながら、小型化、薄型化、軽量化されており、このような小型電子装置内の電子部品に電磁波を遮断するために、遮蔽層をコーティングする技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】大韓民国公開特許公報１０−２０１７−０１１９４２１（２０１７．１０．２７）
【特許文献２】大韓民国公開特許公報１０−２０１６−００６７３３５（２０１６．０６．１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した電磁波遮断において、低周波数帯域の電磁波の場合、伝導性遮蔽材のみでは、効果的に電磁波を遮断しにくくて、遮蔽層と吸収層との二重構造が必要であり、この場合、生産性が落ちて、製造コストが上がるという問題がある。同時に、電磁波遮断のためのコーティング層が、電子製品の上端部と側面部とで不均一に形成されるという問題がある。
【０００６】
本発明は、前記問題点を含む多様な問題点を解決するためのものであって、低周波数帯域の電磁波を効果的に遮断するための電磁波遮断構造を有する電子装置及びその製造方法を提供することを目的とする。しかし、このような課題は、例示的なものであって、これにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点による電子装置は、電子部品と、前記電子部品の少なくとも一部上に形成された電磁波保護層と、を含む。前記電磁波保護層は、表面に導電性被膜が形成された電磁波吸収のための磁性粒子と、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、前記磁性粒子の前記導電性被膜上に焼結されて形成された導電部と、を含む。
【０００８】
前記電子装置において、前記電磁波保護層は、前記導電性金属粒子及び前記導電性被膜が形成された前記磁性粒子を含むペーストを、前記電子部品上にスプレー塗布した後、熱処理して形成されうる。
【０００９】
前記電子装置において、前記ペーストで、前記金属粒子は、有機金属粒子であり、前記磁性粒子は、フレーク（ｆｌａｋｅ）状を有しうる。さらに、前記有機金属粒子は、有機銀（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｉｌｖｅｒ）粒子を含みうる。
【００１０】
前記電子装置において、前記ペーストは、スプレー工程時に、前記電子部品の側面部でその流動性を制御するように、沸点が互いに異なる少なくとも２種の溶剤をさらに含みうる。
【００１１】
前記電子装置において、前記電磁波保護層は、導電性を有するように、前記金属粒子が全体として互いに連結されるように、前記導電性被膜が形成された前記磁性粒子の表面に焼結された構造を有しうる。
【００１２】
前記電子装置において、前記導電性被膜は、導電性物質を前記磁性粒子上にメッキして形成され、前記導電性物質は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）または黒鉛（Ｃ）を含みうる。
【００１３】
前記電子装置において、前記電子部品は、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に実装された半導体素子と、前記半導体素子を保護するためのモールディング部材と、を含む半導体パッケージであり、前記電磁波保護層は、前記半導体パッケージの上面部及び側面部上に形成されうる。
【００１４】
本発明の他の観点による電子装置の製造方法は、電子部品を提供する段階と、前記電子部品の少なくとも一部上に電磁波保護層を形成する段階と、を含み、前記電磁波保護層は、表面に導電性被膜が形成された電磁波吸収のための磁性粒子と、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、前記磁性粒子の前記導電性被膜上に焼結されて形成された導電部と、を含みうる。
【００１５】
前記電子装置の製造方法において、前記電磁波保護層を形成する段階は、前記導電性金属粒子及び前記導電性被膜が形成された磁性粒子を含むペーストを、前記電子部品の少なくとも一部上にスプレー塗布する段階と、塗布された前記ペーストを熱処理する段階と、を含みうる。
【００１６】
本発明のさらに他の観点による電子装置は、電子部品と、前記電子部品の少なくとも一部上に、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子が、電磁波吸収のための磁性粒子の表面に焼結されて導電性層で形成された電磁波保護層と、を含みうる。
【発明の効果】
【００１７】
前記のようになされた本発明の実施形態によれば、電磁波遮蔽材と電磁波吸収材とを含む電磁波保護層を経済的に製造することができる。さらに、導電性被膜を用いて磁性粒子の表面上で金属粒子の接触角を増加させて、接着性、熱伝導性及び電気伝導性を向上させうる。もちろん、このような効果によって、本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態による電子装置を示す概略的な断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による電子装置の製造方法を示す概略的な断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による電子装置に使われるペーストを示す概略図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による電子装置に使われるペーストを示す概略図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による電磁波保護層を示す概略図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による電磁波保護層を示す概略図である。
【図５】本発明の一実験例による電子装置に形成された電磁波保護層の表面を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図６】図３における導電性被膜の存否による金属粒子の接触特性を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい多様な実施形態を詳しく説明する。
【００２０】
本発明の実施形態は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施形態は、さまざまな他の形態に変形され、本発明の範囲は、下記の実施形態に限定されるものではない。むしろ、これらの実施形態は、本開示を、さらに充実かつ完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。また、図面において、各層の厚さやサイズは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたものである。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態による電子装置１５０を示す概略的な断面図である。
【００２２】
図１を参照すれば、電子装置１５０は、電子部品１００と、電子部品１００の少なくとも一部上に形成された電磁波保護層１３０と、を含みうる。
【００２３】
電子部品１００は、電磁波に露出されて電磁波遮断が必要な製品の何れか１つであり得る。例えば、電子部品１００は、モバイル携帯装置、例えば、携帯電話、スマートフォン、タブレット装置などに使われる部品であって、アプリケーションプロセッサチップ、メモリチップ、通信チップ、モデムチップ、ＵＳＩＭ（ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ  ｍｏｄｕｌｅ）チップなどを含みうる。
【００２４】
より具体的に見れば、電子部品１００は、半導体パッケージを含みうる。例えば、このような半導体パッケージは、フリップチップパッケージ（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ）、チップスケールパッケージ（ｃｈｉｐ  ｓｃａｌｅ  ｐａｃｋａｇｅ、ＣＳＰ）、パッケージ・オン・パッケージ（ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  ｐａｃｋａｇｅ、ＰＯＰ）、マルチチップパッケージ（ｍｕｌｔｉ  ｃｈｉｐ  ｐａｃｋａｇｅ、ＭＣＰ）、マルチスタックパッケージ（ｍｕｌｔｉ  ｓｔａｃｋ  ｐａｃｋａｇｅ、ＭＳＰ）、システム・イン・パッケージ（ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  ｐａｃｋａｇｅ、ＳＩＰ）、ウェーハレベルパッケージ（ｗａｆｅｒ  ｌｅｖｅｌ  ｐａｃｋａｇｅ、ＷＬＰ）、ファンアウトウェーハレベルパッケージ（ｆａｎ−ｏｕｔ  ＷＬＰ）などの多様な構造を含みうる。
【００２５】
例えば、図１に示したように、このような半導体パッケージ１５０は、パッケージ基板１０５と、パッケージ基板１０５上に実装された半導体素子１２０と、半導体素子１２０を保護するためのモールディング部材１２５と、を含みうる。例えば、パッケージ基板１０５は、その一面上に回路配線が形成され、他面上にこのような回路配線と電気的に連結された外部端子１１０が形成された印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）であり得る。他の例として、パッケージ基板１０５は、リードフレーム（ｌｅａｄ  ｆｒａｍｅ）などで構成することもできる。
【００２６】
半導体素子１２０は、接着部材１１５を用いてパッケージ基板１０５上に実装されうる。例えば、半導体素子１２０は、フリップチップ形態でひっくり返されて導電性接着部材１１５を用いてパッケージ基板１０５上のパッド上に接着されうる。他の例として、半導体素子１２０は、絶縁性接着部材１１５を用いてパッケージ基板１０５上に実装され、ポンディングワイヤが、半導体素子１２０のパッドとパッケージ基板１０５のパッドとを互いに電気的に連結することができる。
【００２７】
モールディング部材１２５は、パッケージ基板１０５上に半導体素子１２０を覆うように形成されうる。例えば、モールディング部材１２５は、エポキシモールディングコンパウンド（ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）のような樹脂を含みうる。
【００２８】
電磁波保護層１３０は、電子部品１００の少なくとも一部、例えば、電磁波に露出される上面部及び側面部上に電子部品１００を電磁波から保護するように形成されうる。一部の実施形態において、電磁波保護層１３０は、電磁波が接地部に抜け出るように電子部品１００の接地部に接続されうる。
【００２９】
電磁波保護層１３０は、コーティング方法を用いて形成され、例えば、電磁波保護材が含まれたペーストを電子部品１００上に塗布した後、硬化または熱処理して形成されうる。ペーストの塗布としては、さまざまな方法が考慮されるが、そのうち、ノズルを利用したスプレー法を利用すれば、簡単かつ経済的に塗布が可能である。
【００３０】
電磁波保護層１３０は、低周波帯域の電磁波を効果的に遮断するために、電磁波遮蔽材と電磁波吸収材とをいずれも含みうる。例えば、電磁波保護層１３０は、電磁波吸収のための磁性粒子５５と、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子５０が焼結されて形成された導電部（図４の５０ａ、ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｐｏｒｔｉｏｎ）と、を含みうる。
【００３１】
図３Ａに示したように、電磁波保護層１３０を形成するためのペーストは、低周波帯域の電磁波を効果的に遮断するために、電磁波遮蔽のための導電性金属粒子５０及び電磁波吸収のための磁性粒子５５を含みうる。さらに、図３Ｂに示したように、磁性粒子５５の表面には、金属粒子５０の接触特性を改善するために、導電性被膜５７が形成されうる。
【００３２】
金属粒子５０は、多様な金属の粒子、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、炭素（Ｃ）などの１種、その複合材、またはその混合された粒子を含みうる。一部の実施形態において、金属粒子５０は、製造便宜性と焼結製造のために、有機銀で構成することができる。
【００３３】
例えば、磁性粒子５５は、ペースト内に２〜３０重量％、より具体的には、１５〜３０重量％含有されうる。ペースト内の磁性粒子５５は、広い表面積を有しながら、よく混合されるようにフレーク状に提供されうる。磁性粒子５５は、多様な磁性体の粒子で構成され、例えば、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）を含む鉄ニッケル合金、スチール（ｓｔｅｅｌ）、ステンレススチール、鉄シリコン系合金、コバルト（Ｃｏ）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４）、酸化クロム、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）、ＦｅＭｎ系フェライト、ＦｅＺｎ系フェライト、センダスト（ｓｅｎｄｕｓｔ）などから選択された１種またはその混合粒子を含みうる。例えば、センダスト粒子は、鉄にアルミニウム、ケイ素などが添加された合金のパウダーの形態であり得る。このような磁性粒子５５は、非晶質磁性粉末、ナノ結晶粒磁性粉末を含む軟磁性粉末などの形態で提供されうる。
【００３４】
導電性被膜５７は、導電性物質を磁性粒子５５上にメッキするか、またはコーティングして形成されうる。このような導電性物質としては、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）または黒鉛（Ｃ）などが含まれうる。
【００３５】
例えば、電磁波保護層１３０は、図３Ａに示したような金属粒子５０及び磁性粒子５５を含むペーストを電子部品１００上にスプレー塗布した後、熱処理して形成されうる。これにより、図４Ａに示したように、ペースト内の金属粒子５０は、全体として互いに連結されるように、磁性粒子５５の表面に焼結されて導電部５０ａを形成しうる。
【００３６】
他の例として、電磁波保護層１３０は、図３Ｂに示したような金属粒子５０及び導電性被膜５７が形成された磁性粒子５５を含むペーストを電子部品１００上にスプレー塗布した後、熱処理して形成されうる。これにより、図４Ｂに示したように、ペースト内の金属粒子５０は、全体として互いに連結されるように、導電性被膜５７の表面に焼結されて導電部５０ａを形成しうる。
【００３７】
したがって、電磁波保護層１３０は、全体として導電性を有して、電磁波を遮蔽し、さらに磁性粒子５５を通じて低周波帯域を効果的に吸収して、電磁波を全体として遮断しうる。
【００３８】
図６に示したように、磁性粒子５５上に導電性被膜５７がない（ａ）の場合に比べて、導電性被膜５７がある（ｂ）の場合に、磁性粒子５５上で金属粒子５０の接触角（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｎｇｌｅ）がさらに大きくなって、焼結時に、金属粒子５０の磁性粒子５５への接着力が向上し、その結果、電磁波保護層１３０の熱伝導性及び電気伝導性が向上する。
【００３９】
一方、ペーストには、その流れ特性を制御するための溶剤がさらに含まれうる。例えば、ペーストは、スプレー工程時に、電子部品１００の側面部でその流動性を制御するように、沸点が互いに異なる少なくとも２種の溶剤をさらに含みうる。
【００４０】
スプレー工程時に、ペーストは、電子部品１００の上面部で塗布されて側面部に流れ出すことができる。この場合、経時的にペースト内の溶剤が一部揮発されて、電子部品１００の側面部上でペーストの流動性が低くなる。しかし、ペースト内で沸点が低い低沸点溶剤と、これよりも沸点が高沸点溶剤と、が混ざっていれば、一部の低沸点溶剤が揮発されても、高沸点溶剤はほとんど揮発されないために、ある程度の流動性が維持されうる。このような流動性をさらに精密に制御するために、溶剤は、沸点が異なる３種以上の溶剤で構成することもできる。
【００４１】
例えば、低沸点溶剤は、３−メトキシブチルアセテート（３−ＭＥＴＨＯＸＹ  ＢＵＴＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、シクロヘキシルアセテート（ＣＹＣＬＯ  ＨＥＸＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、２−エトキシエチルアセテート（２−Ｅｔｈｏｘｙｅｔｈｙｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、シェルゾール７１（ＳＨＥＬＬＳＯＬ７１）、Ｔｅｒｔ−ブチルセロソルブ（ＴＥＲＴ−ＢＵＴＹＬ  ＣＥＬＬＯＳＯＬＶＥ）、ジイソブチルケトン（ＤＩ  ＩＳＯ  ＢＵＴＹＬ  ＫＥＴＯＮＥ）、ココゾル１００（ＫＯＣＯＳＯＬ１００）、シクロヘキサノン（ＣＹＣＬＯＨＥＸＡＮＯＮＥ）、エチルセロソルブ（ＥＴＨＹＬ  ＣＥＬＬＯＳＯＬＶＥ）、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート（２−ＭＥＴＨＯＸＹ−１−ＭＥＴＨＹＬＥＴＨＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、メチルイソブチルカルビノール（ＭＥＴＨＹ  ＩＳＯ  ＢＵＴＹＬ  ＣＡＲＢＩＮＯＬ）、２−ニトロプロパン（２−ＮＩＴＲＯ  ＰＲＯＰＡＮＥ）、ソルベントＶ−１（ＳＯＬＶＥＮＴ  Ｖ−１）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、テレピン油（ＴＵＲＰＥＮＴＩＬＥ  ＯＩＬ）、Ｎ−ブチルアルコール（Ｎ−ＢＹＴＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、イソブチルアルコール（ＩＳＯ  ＢＵＴＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、キシレン（ＸＹＬＥＮＥ）、イソアミルアセテート（ＩＳＯ  ＡＭＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、Ｎ−アミルアセテート（Ｎ−ＡＭＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、Ｎ−ブチルアセテート（Ｎ−ＢＵＴＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、イソブチルアセテート（ＩＳＯ  ＢＵＴＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、メチルイソブチルケトン（ＭＥＴＨＹＬ  ＩＳＯ  ＢＵＴＹＬ  ＥＴＯＮＥ）、エチルアルコール（ＥＴＨＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、イソプロピルアルコール（ＩＳＯ  ＰＲＯＰＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、メチルアルコール（ＭＥＴＨＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、トルエン（ＴＯＬＵＥＮＥ）のうちから選択された少なくとも１種を含みうる。
【００４２】
高沸点溶剤は、ＴＥＸＡＮＯＬ（ＥＳＴＥＲ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、ブチルカルビトールアセテート（ＢＵＴＹＬ  ＣＡＲＢＩＴＯＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、エチレングリコール（ＥＴＨＹＬＥＮＥ  ＧＬＹＣＯＬ）、２−エチルヘキシルグリコール（２−ＥＴＨＹＬ  ＨＥＸＹＬ  ＧＬＹＣＯＬ）、カルビトールアセテート（ＣＡＲＢＩＴＯＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、二塩基酸エステル（ＤＩ  ＢＡＳＩＣ  ＥＳＴＥＲ）、プロピレングリコール（ＰＲＯＰＹＬＥＮＥ  ＧＬＹＣＯＬ）、イソホロン（ＩＳＯＰＨＯＲＯＮＥ）、ベンジルアルコール（ＢＥＮＺＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、メチルカルビトール（ＭＥＴＨＹＬ  ＣＡＲＢＩＴＯＬ）、２−エチルヘキシルアセテート（２−ＥＴＨＹＬ  ＨＥＸＹＬ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（Ｎ−ＭＥＴＨＹＬ−２−ＰＹＲＲＯＬＩＤＯＮＥ）、ジプロピレングリコールメチルエステル（ＤＩＰＲＯＰＹＬＥＮＥ  ＧＬＹＣＯＬ  ＭＥＴＨＹＬ  ＥＳＴＥＲ）、エチルカルビトール（ＥＴＨＹＬ  ＣＡＲＢＩＴＯＬ）、ヘキシルセロソルブ（ＨＥＸＹＬ  ＣＥＬＬＯＳＯＬＶＥ）、ココゾル＃１８０（ＫＯＣＯＳＯＬ＃１８０）、ブチルカルビトール（ＢＵＴＹＬ  ＣＡＲＢＩＴＯＬ）、２−エチルヘキシルアルコール（２−ＥＴＨＹＬ  ＨＥＸＹＬ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、メチルヘキシルケトン（ＭＥＴＨＹＬ  ＨＥＸＹＬ  ＫＥＴＯＮＥ）、ブチルセロソルブアセテート（ＢＵＴＹＬ  ＣＥＬＬＯＳＯＬＶＥ  ＡＣＥＴＡＴＥ）、３−メチル−３−メトキシブタノール（３−ＭＥＴＨＹＬ−３−ＭＥＴＨＯＸＹ  ＢＵＴＡＮＯＬ）、ココゾル＃１５０（ＫＯＣＯＳＯＬ＃１５０）、ブチルセロソルブ（ＢＵＴＹＬ  ＣＥＬＬＯＳＯＬＶＥ）、ジアセトンアルコール（ＤＩ  ＡＣＥＴＯＮＥ  ＡＬＣＯＨＯＬ）、３−メトキシブチルアセテートのうちから選択された少なくとも１種を含みうる。
【００４３】
このような、電子装置１５０によれば、低周波帯域の電磁波を単一電磁波保護層１３０で効果的に遮断し、溶剤の沸点調整を通じて電磁波保護層１３０が側面にも均一に形成されうる。
【００４４】
以下、前述した電子装置１５０の製造方法について説明する。
【００４５】
本発明の一実施形態による電子装置１５０の製造方法は、電子部品１００を提供する段階と、電子部品１００の少なくとも一部上に電磁波保護層を形成する段階と、を含みうる。
【００４６】
このような電磁波保護層１３０を形成する段階は、図２に示したように、金属粒子５０及び磁性粒子５５を含むペーストを電子部品１００の少なくとも一部上にスプレーノズル１４０を用いてスプレー塗布する段階と、塗布されたペーストを熱処理する段階と、を含みうる。
【００４７】
ペーストは、図３Ａに示したように、金属粒子５０及び磁性粒子５５を含むか、または図３Ｂに示したように、金属粒子５０及び導電性被膜５７が形成された磁性粒子５５を含みうる。
【００４８】
熱処理は、金属粒子５０が磁性粒子５５の表面で互いに融着されて焼結されるか、または金属粒子５０が導電性被膜５７が形成された磁性粒子５５の表面で互いに融着されて焼結されるように、適切に設定され、例えば、１５０〜３００℃の範囲で行われ、具体的に、金属粒子５０が有機銀粒子である場合、約１５０〜２６０℃の範囲で選択されうる。例えば、熱処理段階は、ペーストを１５０〜２００℃の範囲で硬化する段階と、引き続き、２３０〜２６０℃の範囲でリフローする段階と、を含みうる。
【００４９】
図５は、本発明の一実験例による電子装置に形成された電磁波保護層の表面を示す走査電子顕微鏡写真である。
【００５０】
図５を参照すれば、磁性粒子５５に金属粒子５０が焼結されて導電部５０ａを形成したことが分かる。
【００５１】
このような電子装置１５０の製造方法によれば、電磁波遮蔽材と吸収材とを別途の層で形成する必要なく、焼結工程を通じて単一層として経済的に形成させうる。
【００５２】
本発明を、図面に示された実施形態を参考にして説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、電磁波保護層を有する電子装置及びその製造方法関連の分野に適用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
５０：    金属粒子
５０ａ：  導電部
５５：    磁性粒子
５７：    導電性被膜
１００：  電子部品
１０５：  パッケージ基板
１１０：  外部端子
１１５：  接着部材
１２０：  半導体素子
１２５：  モールディング部材
１３０：  電磁波保護層
１４０：  スプレーノズル
１５０：  電子装置
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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