(57)【要約】【課題】正孔注入性を改善することの可能な有機電界発光素子、ならびに、それを備えた有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態の有機電界発光素子は、陽極と、正孔注入層と、発光層と、陰極とをこの順に備えている。正孔注入層は、無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、第１正孔注入層の、陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層とを含んでいる。第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている。【選択図】図１
2019079871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、正孔注入層と、発光層と、陰極とをこの順に備え、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光素子。
【請求項２】
前記第２正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍ未満となっている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記第２正孔注入層の厚さが１０ｎｍ以上となっている
請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、５ｎｍよりも小さくなっている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記第１正孔注入層は、ＭｏＯｘまたはＷＯｘで構成されている
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
複数の画素を備え、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素において、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光パネル。
【請求項７】
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
前記発光パネルは、複数の画素を有し、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素において、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光装置。
【請求項８】
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を有し、
前記発光パネルは、複数の画素を有し、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素おいて、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置（有機電界発光ディスプレイ）として、種々のものが提案されている。有機電界発光素子は、陰極および陽極から注入された電子および正孔が発光層で再結合することにより励起子が発生し、その励起子が低エネルギー準位又は基底状態に戻る際に光を放出する素子である。従って、有機電界発光素子では、効果的にキャリアを注入することが必要である。
【０００３】
ここで、キャリア注入のうち、正孔注入に着目すると、発光層に正孔を注入する正孔注入層の正孔注入性を改善する発明が、例えば、下記の特許文献１などで提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１３／１５７０５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機電界発光素子では、正孔注入性の更なる改善が求められている。従って、正孔注入性を改善することの可能な有機電界発光素子、ならびに、それを備えた有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態の有機電界発光素子は、陽極と、正孔注入層と、発光層と、陰極とをこの順に備えている。正孔注入層は、無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、第１正孔注入層の、陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層とを含んでいる。第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている。
【０００７】
本開示の一実施形態の有機電界発光パネルは、赤色画素、緑色画素および青色画素を備えている。赤色画素、緑色画素および青色画素は、それぞれ、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有している。赤色画素において、正孔注入層は、無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、第１正孔注入層の、陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層とを含んでいる。第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている。
【０００８】
本開示の一実施形態の有機電界発光装置は、発光パネルと、発光パネルを駆動する駆動回路とを備えている。有機電界発光装置における発光パネルは、上記の有機電界発光パネルと同一の構成要素を有している。
【０００９】
本開示の一実施形態の電子機器は、有機電界発光装置を備えている。電子機器における有機電界発光装置は、上記の有機電界発光装置と同一の構成要素を有している。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一実施形態の有機電界発光素子、有機電界発光パネル、有機電界発光装置および電子機器によれば、第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなるようにしたので、例えば、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍを下回る鏡面状の表面を有する正孔注入層を設けた場合と比べて、正孔注入性を改善することができる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。
【図２】本開示の第２の実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成の一例を表す図である。
【図３】図２の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図４】図２の表示パネルの概略構成例を表す図である。
【図５】図４の表示パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図６】図２の表示パネルの概略構成の一変形例を表す図である。
【図７】図２の特定の画素に含まれる有機電界発光素子の断面構成の一例を表す図である。
【図８】本開示の第２の実施の形態に係る有機電界発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。
【図９】本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子を備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（有機電界発光素子）
２．第２の実施の形態（有機電界発光パネル、有機電界発光装置）
３．変形例
４．適用例（電子機器、照明装置）
【００１３】
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る有機電界発光素子１の断面構成の一例を表したものである。有機電界発光素子１は、例えば、基板１０上に設けられたものである。有機電界発光素子１は、例えば、発光層１４と、発光層１４を挟み込むように配置された、陽極１１および陰極１７を備えている。有機電界発光素子１は、例えば、さらに、陽極１１と、発光層１４との間に、正孔注入層１２および正孔輸送層１３を陽極１１側からこの順に備えている。なお、正孔輸送層１３が省略されていてもよい。有機電界発光素子１は、例えば、さらに、発光層１４と、陰極１７との間に、電子輸送層１５および電子注入層１６を発光層１４側からこの順に備えている。なお、電子輸送層１５および電子注入層１６のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１は、例えば、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６および陰極１７を基板１０側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。有機電界発光素子１において、さらに他の機能層が含まれていてもよい。
【００１４】
基板１０は、例えば、透明基板等の光透過性を有する透光基板であり、例えば、ガラス材からなるガラス基板である。なお、基板１０は、ガラス基板に限るものではなく、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる透光性樹脂基板や、有機ＥＬ表示装置のバックプレーンであるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板であってもよい。
【００１５】
陽極１１は、例えば、基板１０の上に形成されている。陽極１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、アルミニウムもしくは銀の合金等、または、反射性を有する反射電極である。なお、陽極１１は、反射電極に限るものではなく、例えば、透光性を有する透明電極であってもよい。透明電極の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料が挙げられる。陽極１１は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。
【００１６】
正孔注入層１２は、陽極１１から注入された正孔を正孔輸送層１３、発光層１４へ注入する機能を有する。正孔注入層１２は、第１正孔注入層１２Ａと、第２正孔注入層１２Ｂとを含んでいる。
【００１７】
第１正孔注入層１２Ａは、陽極１１寄りの位置に設けられており、例えば、陽極１１の表面に接して設けられている。第１正孔注入層１２Ａは、正孔注入性を有する無機材料によって構成されている。正孔注入性を有する無機材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物（無機酸化物）などが挙げられる。第１正孔注入層１２Ａの正孔注入性を高める優れた無機酸化物としては、例えば、ＭｏＯｘやＷＯｘなどの金属酸化物が挙げられる。従って、第１正孔注入層１２Ａは、そのような金属酸化物で構成されていることが好ましい。第１正孔注入層１２Ａは、無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成されている。第１正孔注入層１２Ａは、無機酸化物を用いた蒸着法もしくはスパッタ法によって形成されている。
【００１８】
第２正孔注入層１２Ｂは、第１正孔注入層１２Ａの、陰極１７側の面に接して設けられている。第２正孔注入層１２Ｂは、正孔注入性を有する有機材料によって構成されている。正孔注入性を有する有機材料としては、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料などが挙げられる。第２正孔注入層１２Ｂは、有機材料の塗布膜で構成されている。第２正孔注入層１２Ｂは、有機材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。なお、第２正孔注入層１２Ｂが、有機材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
【００１９】
正孔輸送層１３は、陽極１１から注入された正孔を発光層１４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１３は、例えば、陽極１１から注入された正孔を発光層１４へ輸送する機能を有する材料（正孔輸送性材料）によって構成されている。上記の正孔輸送性材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料が挙げられる。
【００２０】
正孔注入層１２と正孔輸送層１３の各材料のＨＯＭＯ(最高被占軌道，Highest occupied molecular orbital)レベルの差異は、ホール注入性を考慮すると、０．５ｅＶ以下となっていることが好ましい。
【００２１】
発光層１４は、陽極１１から注入された正孔と、陰極１７から注入された電子とが、発光層１４内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。発光層１４は、例えば、有機発光材料によって構成されている。発光層１４は、例えば、塗布膜であり、例えば、有機発光材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。発光層１４は、蒸着膜で構成されていてもよい。
【００２２】
発光層１４の原料（材料）である有機発光材料は、例えば、ホスト材料とドーパント材料とが組み合わされた材料である。発光層１４の原料（材料）である有機発光材料は、ドーパント材料単独であってもよい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。
【００２３】
発光層１４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００２４】
また、発光層１４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層１４の蛍光ドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００２５】
電子輸送層１５は、陰極１７から注入された電子を発光層１４へ輸送する機能を有する。電子輸送層１５は、例えば、陰極１７から注入された電子を発光層１４へ輸送する機能を有する材料（電子輸送性材料）を含んで構成されている。電子輸送層１５は、例えば、蒸着膜またはスパッタ膜で構成されている。電子輸送層１５は、発光層１４から陰極１７への電荷（本実施の形態では正孔）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、発光層１４の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。
【００２６】
上記の電子輸送性材料は、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。上記の電子輸送性材料には、電子輸送性を有する金属がドープされている場合がある。この場合、電子輸送層１５は、ドープ金属を含む有機電子輸送層である。電子輸送性を有する金属が電子輸送層１５に含まれていることで、電子輸送層１５の電子輸送性を向上できる。電子輸送層１５に含まれるドープ金属としては、例えば、Ｙｂ（イッテルビウム）などの遷移金属が挙げられる。
【００２７】
電子注入層１６は、陰極１７から注入された電子を電子輸送層１５、発光層１４へ注入する機能を有する。電子注入層１６は、例えば、陰極１７から電子輸送層１５、発光層１４への電子の注入を促進させる機能を有する材料（電子注入性材料）によって構成されている。上記の電子注入性材料は、例えば、電子注入性を有する有機材料に、電子注入性を有する金属がドープされたものであってもよい。電子注入層１６に含まれるドープ金属は、例えば、電子輸送層１５に含まれるドープ金属と同じ金属である。
【００２８】
陰極１７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明電極である。なお、陰極１７は、透明電極に限るものではなく、光反射性を有する反射電極であってもよい。反射電極の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が反射性を有し、陰極１７が透光性を有している場合には、有機電界発光素子１は、陰極１７側から光が放出するトップエミッション構造となっている。なお、本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が透光性を有し、陰極１７が反射性を有している場合には、有機電界発光素子１は、基板１０側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。
【００２９】
次に、第１正孔注入層１２Ａおよび第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）について説明する。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）などを用いることによって計測可能である。
【００３０】
第１正孔注入層１２Ａの表面（陰極１７側の表面）には凹凸が形成されており、第１正孔注入層１２Ａの裏面（陽極１１側の表面）は平坦面となっている。第１正孔注入層１２Ａの凹凸は、無機酸化物の蒸着もしくはスパッタによって形成されたものである。第１正孔注入層１２Ａの凹凸の大きさは、無機酸化物の材料や、無機酸化物の蒸着もしくはスパッタの条件を変えることによって調整することが可能である。なお、第１正孔注入層１２Ａの凹凸の大きさは、第１正孔注入層１２Ａの表面をウエットエッチングすることによっても調整することが可能である。第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍよりも大きくなっている。第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、５ｎｍよりも小さくなっている。
【００３１】
一般的に、有機材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥により塗布膜を形成した場合、その塗布膜の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ未満となっており、例えば、０．８２ｎｍ程度となる。一方、無機酸化物の蒸着もしくはスパッタによって無機酸化膜を形成した場合、その無機酸化物の材料や、その無機酸化物の蒸着もしくはスパッタの条件を変えることによって、その無機酸化膜の表面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍよりも大きくすることができる。例えば、無機酸化物として、ＭｏＯｘやＷＯｘなどの金属酸化物を適用した場合、金属参加物の蒸着膜もしくはスパッタ膜の表面粗さ（Ｒａ）を、例えば、１．６３ｎｍ程度とすることができる。なお、上述の金属酸化物を用いることによって、無機酸化膜の表面粗さ（Ｒａ）を１０ｎｍ程度にまで大きくすることもできる。しかし、それほどまでに表面を粗くした場合には、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３をかなり厚く形成する必要があり、また、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３の厚さが十分でない場合には、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３において局所的に電流密度が高くなり過ぎて、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３が短絡してしまうおそれがある。そのため、第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（Ｒａ）は、５ｎｍよりも小さくなっていることが好ましい。
【００３２】
第２正孔注入層１２Ｂの表面（陰極１７側の表面）は、平坦面となっている。第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ未満となっている。第２正孔注入層１２Ｂの厚さは、第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ未満となる範囲内の値となっている。第２正孔注入層１２Ｂの厚さは、例えば、１０ｎｍ以上となっている。
【００３３】
[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光素子１の効果について説明する。
【００３４】
有機電界発光素子を用いた有機電界発光装置として、種々のものが提案されている。有機電界発光素子は、陰極および陽極から注入された電子および正孔が発光層で再結合することにより励起子が発生し、その励起子が低エネルギー準位又は基底状態に戻る際に光を放出する素子である。従って、有機電界発光素子では、効果的にキャリアを注入することが必要である。
【００３５】
ここで、キャリア注入のうち、正孔注入に着目すると、発光層に正孔を注入する正孔注入層の正孔注入性を改善する発明が、例えば、上記の特許文献１などで提案されている。しかし、有機電界発光素子では、正孔注入性の更なる改善が求められている。
【００３６】
一方、本実施の形態では、第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている。これにより、例えば、表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍを下回る鏡面状の表面を有する正孔注入層を設けた場合と比べて、正孔注入層１２の正孔注入性を改善することができる。
【００３７】
また、本実施の形態では、第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍ未満となっている。例えば、第２正孔注入層１２Ｂの厚さを１０ｎｍ以上とすることによって、第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を１ｎｍ未満にすることができる。これにより、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、例えば、製造過程において、発光層１４の形成面の平坦性が損なわれることがない。従って、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、発光層１４の発光品質が損なわれるおそれをなくしつつ、正孔注入層１２の正孔注入性を改善することができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が５ｎｍよりも小さくなっている。これにより、正孔輸送層１３の厚さが十分でない場合に、正孔注入層１２において局所的に電流密度が高くなり過ぎて、正孔注入層１２が短絡してしまうおそれを低減することができる。従って、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、正孔注入層１２に短絡が生じるおそれを低減しつつ、正孔注入層１２の正孔注入性を改善することができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、第１正孔注入層１２ＡがＭｏＯｘまたはＷＯｘで構成されている。これにより、第１正孔注入層１２Ａの正孔注入性を高くすることができるので、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸と相まって、正孔注入層１２の正孔注入性をより一層改善することができる。
【００４０】
＜２．第２の実施の形態＞
[構成]
図２は、本開示の第２の実施の形態に係る有機電界発光装置２の概略構成の一例を表したものである。図３は、有機電界発光装置２に設けられた各画素２１の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置２は、例えば、表示パネル２０、コントローラ３０およびドライバ４０を備えている。表示パネル２０は、本開示の「有機電界発光パネル」の一具体例に相当する。ドライバ４０は、表示パネル２０の外縁部分に実装されている。表示パネル２０は、行列状に配置された複数の画素２１を有している。コントローラ３０およびドライバ４０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、表示パネル２０（複数の画素２１）を駆動する。
【００４１】
（表示パネル２０）
表示パネル２０は、コントローラ３０およびドライバ４０によって各画素２１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。表示パネル２０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素２１とを有している。表示パネル２０は、例えば、各画素２１を支持する基板を有している。各画素２１を支持する基板としては、例えば、ガラス基板、または、フレキシブル基板などが挙げられる。
【００４２】
走査線ＷＳＬは、各画素２１の選択に用いられるものであり、各画素２１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素２１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素２１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素２１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素２１に電力を供給するものである。
【００４３】
複数の画素２１は、例えば、赤色光を発する複数の画素２１、緑色光を発する複数の画素２１および青色光を発する複数の画素２１で構成されている。なお、複数の画素２１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する複数の画素２１を含んで構成されていてもよい。
【００４４】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ４１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ４２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
【００４５】
各画素２１は、例えば、画素回路２１−１と、有機電界発光素子２１−２とを有している。有機電界発光素子２１−２は、例えば、上記実施の形態の有機電界発光素子１である。
【００４６】
画素回路２１−１は、有機電界発光素子２１−２の発光・消光を制御する。画素回路２１−１は、後述の書込走査によって各画素２１に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路２１−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００４７】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子２１−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子２１−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子２１−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路２１−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００４８】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ４１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ４２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路３３の出力端と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００４９】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子２１−２の陽極１１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子２１−２側の端子に接続されている。
【００５０】
（ドライバ４０）
ドライバ４０は、例えば、水平セレクタ４１およびライトスキャナ４２を有している。水平セレクタ４１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ３０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ４２は、複数の画素２１を所定の単位ごとに走査する。
【００５１】
（コントローラ３０）
次に、コントローラ３０について説明する。コントローラ３０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ３０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ４１に出力する。コントローラ３０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ４０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【００５２】
次に、図４、図５を参照して、有機電界発光素子１２−２について説明する。図４は、発光パネル２０の概略構成例を表したものである。図５は、図４の発光パネル２０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。
【００５３】
発光パネル２０は、行列状に配置された複数の画素２１を有している。複数の画素２１は、例えば、上述したように、赤色光を発する画素２１（２１Ｒ）、緑色光を発する画素２１（２１Ｇ）、および青色光を発する画素２１（２１Ｂ）を含んで構成されている。複数の画素２１において、例えば、画素２１Ｒ、画素２１Ｇおよび画素２１Ｂが、カラー表示における画素（カラー画素２２）を構成している。
【００５４】
画素２１Ｒは、赤色の光を発する有機電界発光素子２１−２（２１ｒ）を含んで構成されている。画素１２Ｇは、緑色の光を発する有機電界発光素子２１−２（２１ｇ）を含んで構成されている。画素２１Ｂは、青色の光を発する有機電界発光素子２１−２（２１ｂ）を含んで構成されている。画素２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素２１において、例えば、画素２１Ｒ，２１Ｇ，２１Ｂが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の画素２１が、行方向に一列に並んで配置されている。
【００５５】
発光パネル２０は、基板１０上に、行方向に延在する複数のラインバンク２３と、列方向に延在する複数のバンク２４とを有している。複数のラインバンク２３および複数のバンク２４は、表示パネル２０の画素領域を区画する。複数のラインバンク２３は、各カラー画素２２において、各画素１２を区画する。複数のバンク２４は、各画素行において、各画素２１を区画する。つまり、各画素１２は、複数のラインバンク２３および複数のバンク２４によって区画されている。各バンク２４は、列方向において互いに隣接する２つのラインバンク２３の間に設けられている。各バンク２４の両端部が、列方向において互いに隣接する２つのラインバンク２３に連結されている。
【００５６】
基板１０は、例えば、各有機電界発光素子１２−２や、各ラインバンク２３、各バンク２４などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板１０内の基材は、例えば、ガラス基板、またはフレキシブル基板などによって構成されている。基板１０内の配線層には、例えば、各画素２１の画素回路１２−１が形成されている。基板１０は、複数のバンク２４の底面に接するとともに複数のバンク２４を支持している。
【００５７】
ラインバンク２３およびバンク２４は、例えば、絶縁性の有機材料を含んで構成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などが挙げられる。ラインバンク２３およびバンク２４は、例えば、耐熱性、溶媒に対する耐性を持つ絶縁性樹脂によって形成されていることが好ましい。ラインバンク２３およびバンク２４は、例えば、絶縁性樹脂をフォトリソグラフィおよび現像によって所望のパターンに加工することによって形成される。ラインバンク２３の断面形状は、例えば、図５に示したような順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。バンク２４の断面形状は、例えば、順テーパ型であってもよく、裾が狭くなった逆テーパ型であってもよい。
【００５８】
互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク２３および両端のバンク２４によって囲まれた領域が、溝部２５なっている。さらに、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク２３と、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのバンク２４によって囲まれた領域が、画素１２に相当する。つまり、各有機電界発光素子１２−２は、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク２３と、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのバンク２４によって囲まれた領域に１つずつ配置されている。
【００５９】
[効果]
本実施の形態では、表示パネル２０に含まれる各有機電界発光素子２１−２は、上記実施の形態の有機電界発光素子１で構成されている。従って、発光効率の高い有機電界発光装置２を実現することができる。
【００６０】
また、本実施の形態では、第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍ未満となっている。例えば、第２正孔注入層１２Ｂの厚さを１０ｎｍ以上とすることによって、第２正孔注入層１２Ｂの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を１ｎｍ未満にすることができる。これにより、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、例えば、製造過程において、発光層１４の形成面の平坦性が損なわれることがない。従って、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、発光層１４の発光品質が損なわれるおそれをなくしつつ、正孔注入層１２の正孔注入性を改善することができる。
【００６１】
また、本実施の形態では、各画素２１に含まれる第１正孔注入層１２Ａの表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、５ｎｍよりも小さくなっている。これにより、第２正孔注入層１２Ｂの厚さが十分でない場合に、第２正孔注入層１２Ｂにおいて局所的に電流密度が高くなり過ぎて、第２正孔注入層１２Ｂが短絡してしまうおそれを低減することができる。従って、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸によって、第２正孔注入層１２Ｂに短絡が生じるおそれを低減しつつ、正孔注入層１２の正孔注入性を改善することができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、第１正孔注入層１２ＡがＭｏＯｘまたはＷＯｘで構成されている。これにより、第１正孔注入層１２Ａの正孔注入性を高くすることができるので、第１正孔注入層１２Ａの表面に形成された凹凸と相まって、正孔注入層１２の正孔注入性をより一層改善することができる。
【００６３】
＜３．変形例＞
[変形例その１]
上記実施の形態において、複数のラインバンク２３および複数のバンク２４の代わりに、例えば、図６に示したようなピクセルバンク２６が発光パネル２０に設けられていてもよい。このようにした場合であっても、上記の実施の形態と同様、発光効率の高い有機電界発光装置２を実現することができる。
【００６４】
[変形例その２]
上記第２の実施の形態において、表示パネル２０に含まれる複数の画素２１のうち、赤色光を発する各画素２１以外の各画素２１が、例えば、図７に記載の有機電界発光素子１Ａを有していてもよい。例えば、上記第２の実施の形態において、緑色光を発する各画素２１および青色光を発する各画素２１が、例えば、図７に記載の有機電界発光素子１Ａを有していてもよい。
【００６５】
有機電界発光素子１Ａは、有機電界発光素子１において正孔注入層１２の代わりに、単層の正孔注入層１９が設けられたものに相当する。正孔注入層１９は、陽極１１と正孔輸送層１３との間に形成されている。正孔注入層１９は、正孔輸送層１３に接して設けられている。正孔注入層１９は、陽極１１から注入された正孔を正孔輸送層１３、発光層１４へ注入する機能を有する。正孔注入層１９は、正孔注入層１２Ａと共通の材料によって構成されている。正孔注入層１９は、製造工程において、正孔注入層１２Ａと共通のプロセスで形成されたものである。従って、正孔注入層１９は、正孔注入層１２Ａと共通の膜で構成されている。具体的には、正孔注入層１９は、上述の無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成されており、上述の無機酸化物を用いた蒸着法もしくはスパッタ法によって形成されている。
【００６６】
正孔注入層１９の表面（陰極１７側の表面）には、第１正孔注入層１２Ａの表面（陰極１７側の表面）に形成されている凹凸と共通の凹凸が形成されている。従って、正孔注入層１９の凹凸は、正孔輸送層１３に接している。正孔注入層１９の裏面（陽極１１側の表面）は平坦面となっている。正孔注入層１９の凹凸は、無機酸化物の蒸着もしくはスパッタによって形成されたものである。正孔注入層１９の凹凸の大きさは、無機酸化物の材料や、無機酸化物の蒸着もしくはスパッタの条件を変えることによって調整することが可能である。正孔注入層１９の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍよりも大きくなっている。
【００６７】
なお、正孔輸送層１３の厚さが十分でない場合には、正孔輸送層１３において局所的に電流密度が高くなり過ぎて、正孔輸送層１３が短絡してしまうおそれがある。そのため、正孔注入層１９の表面粗さ（Ｒａ）は、５ｎｍよりも小さくなっていることが好ましい。正孔注入層１９が正孔注入層１２Ａと共通の膜で構成されている場合には、正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面粗さ（Ｒａ）は、５ｎｍよりも小さくなっていることが好ましい。
【００６８】
正孔輸送層１３の表面（陰極１７側の表面）は、平坦面となっている。正孔輸送層１３の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ未満となっている。正孔輸送層１３の厚さは、正孔輸送層１３の表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ未満となる範囲内の値となっている。正孔輸送層１３の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上となっている。また、正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面粗さ（Ｒａ）は、正孔輸送層１３の厚さが１０ｎｍとなっているときに正孔輸送層１３の表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ未満となる範囲内の値となっていてもよい。
【００６９】
本変形例では、赤色の各画素２１に含まれる第２正孔注入層１２Ｂ、ならびに緑色の各画素２１および青色の各画素２１に含まれる正孔輸送層１３の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍ未満となっている。例えば、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３の厚さを１０ｎｍ以上とすることによって、第２正孔注入層１２Ｂおよび正孔輸送層１３の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を１ｎｍ未満にすることができる。これにより、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面に形成された凹凸によって、例えば、製造過程において、発光層１４の形成面の平坦性が損なわれることがない。従って、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面に形成された凹凸によって、発光層１４の発光品質が損なわれるおそれをなくしつつ、正孔注入層１２および正孔注入層１９の正孔注入性を改善することができる。
【００７０】
また、本変形例では、緑色の画素２１および青色の画素２１に含まれる正孔注入層１９は、赤色の画素２１に含まれる第１正孔注入層１２Ａと共通の膜で構成されている。これにより、製造工程において、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９を一括して形成することができるので、簡易な方法で、正孔注入層１２および正孔注入層１９の正孔注入性を改善することができる。
【００７１】
また、本変形例では、赤色の画素２１に含まれる第１正孔注入層１２Ａ、ならびに緑色の画素２１および青色の画素２１に含まれる正孔注入層１９の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、５ｎｍよりも小さくなっている。これにより、第２正孔注入層１２Ｂや、正孔注入層１９に接する正孔輸送層１３の厚さが十分でない場合に、第２正孔注入層１２Ｂや、正孔注入層１９に接する正孔輸送層１３において局所的に電流密度が高くなり過ぎて第２正孔注入層１２Ｂや、正孔注入層１９に接する正孔輸送層１３が短絡してしまうおそれを低減することができる。従って、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面に形成された凹凸によって、第２正孔注入層１２Ｂや、正孔注入層１９に接する正孔輸送層１３に短絡が生じるおそれを低減しつつ、正孔注入層１２および正孔注入層１９の正孔注入性を改善することができる。
【００７２】
また、本変形例では、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９がＭｏＯｘまたはＷＯｘで構成されている。これにより、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の正孔注入性を高くすることができるので、第１正孔注入層１２Ａおよび正孔注入層１９の表面に形成された凹凸と相まって、正孔注入層１２の正孔注入性をより一層改善することができる。
【００７３】
＜４．適用例＞
[適用例その１]
以下では、上記第２の実施の形態で説明した有機電界発光装置２の適用例について説明する。有機電界発光装置２は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７４】
図８は、本適用例に係る電子機器３の外観を斜視的に表したものである。電子機器３は、例えば、筐体３１０の主面に表示面３２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器３は、電子機器３の表示面３２０に、有機電界発光装置２を備えている。有機電界発光装置２は、表示パネル２０が外側を向くように配置されている。本適用例では、有機電界発光装置２が表示面３２０に設けられているので、発光効率の高い電子機器３を実現することができる。
【００７５】
[適用例その２]
以下では、上記第１の実施の形態で説明した有機電界発光素子１の適用例について説明する。有機電界発光素子１は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
【００７６】
図９は、有機電界発光素子１が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、１または複数の有機電界発光素子１を含んで構成された照明部４１０を有している。照明部４１０は、建造物の天井４２０に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４１０は、用途に応じて、天井４２０に限らず、壁４３０または床（図示せず）など任意の場所に設置することが可能である。
【００７７】
これらの照明装置では、有機電界発光素子１からの光により、照明が行われる。これにより、発光効率の高い照明装置を実現することができる。
【００７８】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００７９】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
陽極と、正孔注入層と、発光層と、陰極とをこの順に備え、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光素子。
（２）
前記第２正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍ未満となっている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記第２正孔注入層の厚さが１０ｎｍ以上となっている
（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）は、５ｎｍよりも小さくなっている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（５）
前記第１正孔注入層は、ＭｏＯｘまたはＷＯｘで構成されている
（１）から（４）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（６）
複数の画素を備え、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素において、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光パネル。
（７）
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を備え、
前記発光パネルは、複数の画素を有し、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素において、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
有機電界発光装置。
（８）
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動回路と
を有し、
前記発光パネルは、複数の画素を有し、
各前記画素は、陽極、正孔注入層、発光層および陰極をこの順に有する有機電界発光素子を有し、
各前記画素において、
前記正孔注入層は、
無機酸化物の蒸着膜もしくはスパッタ膜で構成された第１正孔注入層と、
前記第１正孔注入層の、前記陰極側の面に接して設けられ、塗布膜で構成された第２正孔注入層と
を含み、
前記第１正孔注入層の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）が１ｎｍよりも大きくなっている
電子機器。  
【符号の説明】
【００８０】
１…有機電界発光素子、２…有機電界発光装置、３…電子機器、１０…基板、１１…陽極、１２…正孔注入層、１２Ａ…第１正孔注入層、１２Ｂ…第２正孔注入層、１３…正孔輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電子注入層、１７…陰極、１８…封止層、２０…表示パネル、２１…画素、２１−１…画素回路、２１−２…有機電界発光素子、２２…カラー画素、２３…ラインバンク、２４…バンク、２５…溝部、３０…コントローラ、４０…ドライバ、４１…水平セレクタ、４２…ライトスキャナ、３１０…筐体、３２０…表示面、４１０…照明部、４２０…天井、４３０…壁、Ｃｓ…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…走査線。
【図１】
2019079871.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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