(57)【要約】【課題】ガラス板の端面に形成される切欠き部を好適に検査する。【解決手段】ガラス板の検査方法は、ガラス板Ｇの第一主面Ｇａ及び第二主面Ｇｂの少なくとも一方からガラス板Ｇの内部に光源３からの第一の光ＬＩを入射させ、この第一の光ＬＩを切欠き部Ｎから出射させる第一照射工程と、切欠き部Ｎから出射する光ＬＯを受光装置４により受光する受光工程と、受光装置４の受光結果に基づいて切欠き部Ｎの良否を判定する判定工程と、を備える。【選択図】図３
2019074352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏の関係にある第一主面及び第二主面と、切欠き部が形成されてなる端面と、を有するガラス板を検査する方法において、
光源からの第一の光を前記第一主面及び前記第二主面の少なくとも一方から前記ガラス板の内部に入射させ、前記内部に入射させた前記第一の光を前記切欠き部から出射させる第一照射工程と、
前記切欠き部から出射する前記第一の光を受光装置により受ける受光工程と、
前記受光装置の受光結果に基づいて前記切欠き部の良否を判定する判定工程と、を備えることを特徴とする、ガラス板の検査方法。
【請求項２】
前記切欠き部が形成される前記端面の位置とは反対の位置で、前記光源からの第二の光を前記端面から前記ガラス板の内部に入射させ、前記内部に入射させた前記第二の光を前記切欠き部から出射させる第二照射工程をさらに含む、請求項１に記載のガラス板の検査方法。
【請求項３】
前記第一照射工程と前記第二照射工程とが同時に実行される、請求項２に記載のガラス板の検査方法。
【請求項４】
前記光源は、前記ガラス板の最大幅寸法の８０％以上の長さを有する、ライン光源又は面光源である、請求項１から３のいずれか一項に記載のガラス板の検査方法。
【請求項５】
前記ガラス板は、半導体ウェハを支持する円盤状ガラス基板であり、前記切欠き部は、前記半導体ウェハを位置決めするノッチである、請求項１から４のいずれか一項に記載のガラス板の検査方法。
【請求項６】
前記光源は、前記ガラス板の円周方向に沿う湾曲形状を有する、請求項５に記載のガラス板の検査方法。
【請求項７】
受光装置は、前記第一主面又は第二主面と平行な方向において、前記切欠き部と対向するように配置される、請求項１から６のいずれか一項に記載のガラス板の検査方法。
【請求項８】
前記受光装置は、撮像装置であり、前記受光結果は、前記撮像装置により取得される撮像画像である、請求項１から７のいずれか一項に記載のガラス板の検査方法。
【請求項９】
前記ガラス板をその中心まわりに回転させる工程をさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のガラス板の検査方法。
【請求項１０】
ガラス板の端面に切欠き部を形成する加工工程と、
請求項１から７のいずれか一項に記載の検査方法により、前記切欠き部を検査する検査工程と、を備えることを特徴とする、ガラス板の製造方法。
【請求項１１】
表裏の関係にある第一主面及び第二主面と、切欠き部が形成されてなる端面とを有するガラス板を検査する検査装置において、
前記第一主面及び前記第二主面の少なくとも一方から前記ガラス板の内部に光を入射させ、前記光を前記切欠き部から出射させる光源と、
前記切欠き部から出射される前記光を受光する受光装置と、
前記受光装置の受光結果に基づいて前記切欠き部の良否を判定する分析装置と、を備えることを特徴とする、検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端面に切欠き部を有するガラス板を検査する方法及び装置並びに当該ガラス板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハには、半導体の製造工程においてウェハの向き合わせや位置決めを行うためにノッチと呼ばれる切欠き部が設けられており、この切欠き部に対して研磨加工が施されるのが一般的である。
【０００３】
例えば特許文献１には、半導体ウェハの切欠き部に対して研磨加工を施すための方法が開示されている。この研磨方法は、不織布等で形成された円板状の研磨工具を回転させながら、研磨対象となる半導体ウェハの切欠き部に押し当てることで、当該切欠き部を研磨工具の凸状外周部に対応する形状に研磨するものである（段落００２７、図２〜図４参照）。
【０００４】
近年は、半導体の小型化（薄化）のために、薄肉の半導体ウェハを円盤状のガラス板に載置した状態で従来の半導体製造工程を流動させる技術が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１１８９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体製造工程において半導体ウェハの支持にガラス板を用いる場合、当該ガラス板にも位置合わせ用の切欠き部を設ける必要がある。ここで、切欠き部の表面状態が悪い場合、半導体製造工程において切欠き部と位置決めピン等の製造設備が接触した際に、当該ガラス板が切欠き部から破損するおそれがある。そのため、ガラス板の強度を向上するために、予め当該ガラス板の切欠き部に対して研磨加工やエッチング処理を施し、所定の面状態に加工することが考えられる。この場合において、加工後の切欠き部の表面状態が、所望の状態となっているか否かを検査する工程が必要となる。
【０００７】
しかしながら、ガラス板は一般的に透明であり、且つ切欠き部の面はガラス板の外周面に対して奥まった位置に存在するために、検査時に照射される照明光が変則的に散乱および透過し易く、安定して切欠き部の面を検査することが困難であった。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたものであり、ガラス板の端面に形成される切欠き部を好適に検査することが可能な検査方法及び検査装置並びにガラス板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、表裏の関係にある第一主面及び第二主面と、切欠き部が形成されてなる端面と、を有するガラス板を検査する方法において、光源からの第一の光を前記第一主面及び前記第二主面の少なくとも一方から前記ガラス板の内部に入射させ、前記内部に入射させた前記第一の光を前記切欠き部から出射させる第一照射工程と、前記切欠き部から出射する前記第一の光を受光装置により受ける受光工程と、前記受光装置の受光結果に基づいて前記切欠き部の良否を判定する判定工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
かかる構成によれば、第一の光をガラス板の少なくとも一方の主面から内部に入射させることで、当該第一の光を切欠き部から好適に出射させることができる。切欠き部から出射した光を受光装置で受光することにより、その受光結果に基づいて当該切欠き部の面性状の良否を判定できる。
【００１１】
本発明に係るガラス板の製造方法は、前記切欠き部が形成される前記端面の位置とは反対の位置で、前記光源からの第二の光を前記端面から前記ガラス板の内部に入射させ、前記内部に入射させた前記第二の光を前記切欠き部から出射させる第二照射工程をさらに含むことが望ましい。
【００１２】
このように、上記の第一の光に加え、第二の光をガラス板の端面からガラス板の内部に入射させ、第一の光とともに第二の光を切欠き部から出射させることで、受光装置は、切欠き部の判定を行うために十分な光を受光できる。この場合において、第一照射工程と第二照射工程とが同時に実行されることが望ましい。
【００１３】
また、前記光源は、前記ガラス板の最大幅寸法の８０％以上の長さを有する、ライン光源又は面光源であることが望ましい。これにより、切欠き部の面性状を検査するために十分な光を切欠き部から出射させることができる。
【００１４】
本発明の望ましい実施形態によれば、前記ガラス板は、半導体ウェハを支持する円盤状ガラス基板であり、前記切欠き部は、前記半導体ウェハを位置決めするノッチである。また、前記光源は、前記ガラス板の円周方向に沿う湾曲形状を有していてもよい。
【００１５】
また、受光装置は、前記第一主面又は第二主面と平行な方向において、前記切欠き部と対向するように配置されることが望ましい。これにより、受光装置は切欠き部が出射した光を確実に受光できる。
【００１６】
本発明の望ましい実施形態によれば、前記受光装置は、撮像装置であり、前記受光結果は、前記撮像装置により取得される撮像画像である。
【００１７】
また、本発明にガラス板の検査方法は、前記ガラス板をその中心まわりに回転させる工程をさらに備えることが望ましい。これにより、切欠き部のみならず、ガラス板の端面全周を検査できる。
【００１８】
本発明に係るガラス板の製造方法は、上記の課題を解決するためのものであり、前記ガラス板の端面に切欠き部を形成する加工工程と、上記いずれかの検査方法により、前記切欠き部を検査する検査工程と、を備えることを特徴とする。かかる構成によれば、不良な切欠き部を検出することで、そのガラス板を不良品として製品から確実に排除できる。
【００１９】
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、表裏の関係にある第一主面及び第二主面と、切欠き部が形成されてなる端面とを有するガラス板を検査する検査装置において、前記第一主面及び前記第二主面の少なくとも一方から前記ガラス板の内部に光を入射させ、前記光を前記切欠き部から出射させる光源と、前記切欠き部から出射される前記光を受光する受光装置と、前記受光装置の受光結果に基づいて前記切欠き部の良否を判定する分析装置と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
かかる構成によれば、光源の光をガラス板の主面から内部に入射させることで、この光を切欠き部から好適に出射させることができる。切欠き部から出射した光を受光装置に受光することで、その受光結果に基づいて当該切欠き部の面性状の良否を判定できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ガラス板の端面に形成される切欠き部を好適に検査することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】ガラス板の斜視図である。
【図２】切欠き部の拡大図である。
【図３】第一実施形態に係る検査装置の平面図である。
【図４】図３に係る検査装置の側面図である。
【図５】ガラス板の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】第二実施形態に係る検査装置の平面図である。
【図７】図６に係る検査装置の側面図である。
【図８】第三実施形態に係る検査装置の平面図である。
【図９】第四実施形態に係る検査装置の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図５は、本発明に係るガラス板の検査方法及び検査装置並びにガラス板の製造方法の第一一実施形態を示す。
【００２４】
図１は、ガラス板の斜視図を示し、図２は、ガラス板の要部拡大平面図を示す。本実施形態に係るガラス板Ｇは、例えば半導体ウェハ支持用の円盤状ガラス基板である。ガラス板Ｇの厚みは、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下とされるが、この範囲に限定されるものではない。ガラス板Ｇの直径は、１００ｍｍ以上５００ｍｍ以下とされるが、この範囲に限定されない。
【００２５】
ガラス板Ｇは、表裏の関係を有する第一主面Ｇａ及び第二主面Ｇｂと、第一主面Ｇａの周縁部と第二主面Ｇｂの周縁部とを繋ぐ端面Ｇｃとを有する。ガラス板Ｇの端面Ｇｃには、半導体ウェハの位置決め用の切欠き部（ノッチ）Ｎが形成されている。本実施形態において、切欠き部Ｎは、端面Ｇｃからガラス板Ｇの半径方向内方（中心側）に凹む凹部である。
【００２６】
切欠き部Ｎは、図２に示すように、凹部の底部に相当する第一円弧面Ｎ１と、端面Ｇｃの他の部分（凹部以外の部分）に繋がる一対の第二円弧面Ｎ２と、第一円弧面Ｎ１と第二円弧面Ｎ２との間に形成される一対のテーパ面Ｎ３とを有する。第一円弧面Ｎ１の曲率半径は、第二円弧面Ｎ２の曲率半径よりも大きい。第一円弧面Ｎ１の曲率半径は、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下とされるが、この範囲に限定されるものではない。第二円弧面Ｎ２の曲率半径は、０．３ｍｍ以上１．８ｍｍ以下とされるが、この範囲に限定されない。本実施形態において、一対のテーパ面Ｎ３が為す角度（平面視においてテーパ面Ｎ３の延長線がなす交差角度）は、９０°に設定されているが、この角度に限定されない。
【００２７】
ガラス板Ｇの３０℃〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を０×１０−７／℃以上、且つ５０×１０−７／℃未満に規制したい場合、ガラス板Ｇは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２：５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：１５〜３０％、Ｌｉ２Ｏ：０．１〜６％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ（Ｎａ２ＯとＫ２Ｏの合量）：０〜８％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量）：０〜１０％を含有することが好ましく、或いは、ＳｉＯ２：５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：１０〜３０％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量）：０〜０．３％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ：５〜２０％を含有することも好ましい。
【００２８】
また、ガラス板Ｇの３０℃〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を５０×１０−７／℃以上、且つ７０×１０−７／℃未満に規制したい場合、当該ガラス板Ｇは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２：５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：３〜１５％、Ｂ２Ｏ３：５〜２０％、ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜１０％、ＳｒＯ：０〜５％、ＢａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５％、Ｎａ２Ｏ：５〜１５％、Ｋ２Ｏ：０〜１０％を含有することが好ましく、ＳｉＯ２：６４〜７１％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１０％、Ｂ２Ｏ３：８〜１５％、ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜６％、ＳｒＯ：０〜３％、ＢａＯ：０〜３％、ＺｎＯ：０〜３％、Ｎａ２Ｏ：５〜１５％、Ｋ２Ｏ：０〜５％を含有することがより好ましい。
【００２９】
さらに、ガラス板Ｇの３０℃〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を７０×１０−７／℃以上、且つ８５×１０−７／℃以下に規制したい場合、当該ガラス板Ｇは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２：６０〜７５％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１５％、Ｂ２Ｏ３：５〜２０％、ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜１０％、ＳｒＯ：０〜５％、ＢａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５％、Ｎａ２Ｏ：７〜１６％、Ｋ２Ｏ：０〜８％を含有することが好ましく、ＳｉＯ２：６０〜６８％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１５％、Ｂ２Ｏ３：５〜２０％、ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜１０％、ＳｒＯ：０〜３％、ＢａＯ：０〜３％、ＺｎＯ：０〜３％、Ｎａ２Ｏ：８〜１６％、Ｋ２Ｏ：０〜３％を含有することがより好ましい。
【００３０】
加えて、ガラス板Ｇの３０℃〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を８５×１０−７／℃超、且つ１２０×１０−７／℃以下に規制したい場合、当該ガラス板Ｇは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２：５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３：３〜１３％、Ｂ２Ｏ３：２〜８％、ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜１０％、ＳｒＯ：０〜５％、ＢａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５％、Ｎａ２Ｏ：１０〜２１％、Ｋ２Ｏ：０〜５％を含有することが好ましい。
【００３１】
また、ガラス板Ｇの３０℃〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数を１２０×１０−７／℃超、且つ１６５×１０−７／℃以下に規制したい場合、当該ガラス板Ｇは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２：５３〜６５％、Ａｌ２Ｏ３：３〜１３％、Ｂ２Ｏ３：０〜５％、ＭｇＯ：０．１〜６％、ＣａＯ：０〜１０％、ＳｒＯ：０〜５％、ＢａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５％、Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ：２０〜４０％、Ｎａ２Ｏ：１２〜２１％、Ｋ２Ｏ：７〜２１％を含有することが好ましい。
【００３２】
図３及び図４は、ガラス板Ｇの検査装置を示す。図３は、検査装置の平面図であり、図４は、検査装置の側面図である。
【００３３】
検査装置１は、ガラス板Ｇが載置される支持台２と、ガラス板Ｇに光ＬＩを照射する光源３と、ガラス板Ｇの端面Ｇｃから出射される光ＬＯを受光する装置（受光装置）４と、受光装置４の受光結果を分析する装置（分析装置）５とを備える。
【００３４】
支持台２は、ガラス板Ｇが固定される定盤２ａと、定盤２ａを回転させる駆動装置２ｂとを備える。定盤２ａは、平面視において円形状に構成されるが、この構成に限定されない。定盤２ａの直径は、ガラス板Ｇの直径よりも小さい。定盤２ａは、ガラス板Ｇを吸着する孔を有する。ガラス板Ｇは、この孔が第二主面Ｇｂを吸引することで、定盤２ａの上面に固定される。定盤２ａは、駆動装置２ｂにより、その中心まわりに回転駆動される。
【００３５】
光源３は、例えばＬＥＤ、有機ＥＬ等による面光源によって構成される。これに限らず、光源３はライン光源により構成されてもよい。光源３は、支持台２を挟んで受光装置４と対向するように配置される。光源３は、所定の長さＬ及び幅Ｗを有する矩形の発光部３ａを有する。発光部３ａの長さＬは、ガラス板Ｇの最大幅寸法の８０％以上１２０％以下に設定されることが望ましい。本実施形態において、ガラス板Ｇの最大幅寸法は、ガラス板Ｇの直径に等しい。ガラス板Ｇが半導体ウェアの支持以外の用途に使用される場合、すなわち、例えばガラス板Ｇが長方形状に構成される場合、ガラス板Ｇの最大幅寸法は、その長辺の長さに相当する。発光部３ａの幅Ｗ（図４参照）は、２０ｍｍ以上２００ｍｍ以下に設定されることが望ましい。
【００３６】
図４に示すように、光源３は、ガラス板Ｇの第一主面Ｇａよりも上方に突出する上部３ｂと、ガラス板Ｇの第二主面Ｇｂよりも下方に突出する下部３ｃとを有する。光源３の上部３ｂにおける第一主面Ｇａからの突出長さＷＵは、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とされることが望ましい。光源３の下部３ｃにおける第二主面Ｇｂからの突出長さＷＤは、１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とされることが望ましい。本実施形態において、上部３ｂの突出長さＷＵと下部３ｃの突出長さＷＤとは同一に設定されている。これに限らず、上部３ｂの突出長さＷＵと下部３ｃの突出長さＷＤとが異なっていてもよく、上部３ｂの突出長さＷＵが下部３ｃの突出長さＷＤよりも長いことが望ましい。なお、光源３から放射される光ＬＩの波長は、３５０ｎｍ以上９５０ｎｍ以下である。
【００３７】
受光装置４は、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像装置により構成される。本実施形態に係る受光装置４は、エリアイメージセンサにより構成されるが、これに限らず、ラインイメージセンサにより構成されてもよい。受光装置４は、分析装置５に接続されており、取得した画像データを分析装置５に送信する。受光装置４は、支持台２に載置されたガラス板Ｇの各主面Ｇａ，Ｇｂの一方又は両方に平行な方向（水平方向）に沿って配置される。受光装置４の受光部４ａは、ガラス板Ｇと同じ高さ位置で、ガラス板Ｇの端面Ｇｃ（切欠き部Ｎ）に対向するように配置される。
【００３８】
分析装置５は、例えば、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤを内蔵する他、ディスプレイ５ａ、入力インターフェース５ｂ等のハードウェアを実装するコンピュータ（ＰＣ）である。分析装置５は、受光装置４から送信される画像データをディスプレイ５ａに表示させる。分析装置５は、演算処理部と、記憶部とを備える。演算処理部は、記憶部に保存される解析プログラムに基づいて、受光装置４から送信される画像データの解析処理を実行する。記憶部は、解析処理を実行する解析プログラムの他、受光装置４から送信される画像データ（受光結果）及びその解析結果（判定結果）を保存する。分析装置５は、切欠き部Ｎを含むガラス板Ｇの端面Ｇｃ全体について、不良部位の有無を判定する。例えば分析装置５は、画像データを量子化（例えば、二値化）するとともに、画像中に所定色（例えば、黒色）に表示される部位を不良部位として検出する。
【００３９】
以下、ガラス板Ｇの製造方法について説明する。図５は、本方法のフローチャートを示す。図５に示すように、ガラス板Ｇの製造方法は、成形工程Ｓ１と、切断工程Ｓ２と、切欠き部形成工程Ｓ３と、端面処理工程Ｓ４と、洗浄工程Ｓ５と、検査工程Ｓ６とを備える。
【００４０】
成形工程Ｓ１では、例えばオーバーフローダウンドロー法により帯状の母材ガラス板を連続成形する。オーバーフローダウンドロー法は、断面が略くさび形の成形体の上部に設けられたオーバーフロー溝に溶融ガラスを流し込み、このオーバーフロー溝から両側に溢れ出た溶融ガラスを成形体の両側の側壁部に沿って流下させながら、成形体の下端部で融合一体化し、一枚の母材ガラス板を連続成形するというものである。成形工程Ｓ１では、オーバーフローダウンドロー法に限定されず、他の方法、例えば、スロットダウンドロー法、ロールアウト法又はフロート法、アップドロー法、リドロー法等により、ガラス板Ｇを成形し得る。
【００４１】
切断工程Ｓ２では、成形工程Ｓ１において成形された母材ガラス板を矩形に切断した後、当該矩形のガラス板を円盤状に切削加工する。その後、切欠き部形成工程Ｓ３において、所定の加工具により、円形のガラス板の端面に切欠き部Ｎを形成する。これにより、端面Ｇｃに切欠き部Ｎを有するガラス板Ｇが形成される。
【００４２】
端面処理工程Ｓ４では、研削砥石及び研磨砥石により、ガラス板Ｇの端面Ｇｃ全体（切欠き部Ｎを含む）を加工する。切欠き部Ｎは、研磨砥石に代えて研磨テープにより加工されてもよい。これに限らず、端面処理工程Ｓ４では、エッチング処理によりガラス板Ｇの端面Ｇｃを加工してもよい。なお、第一主面Ｇａ及び第二主面Ｇｂは、端面処理工程Ｓ４の前後で研磨されても良く、端面Ｇｃと同時にエッチング処理されてもよい。
【００４３】
洗浄工程Ｓ５では、端面処理工程Ｓ４後のガラス板Ｇが洗浄液（例えば純水）によって洗浄される。これにより、ガラス板Ｇの端面Ｇｃに付着する加工粉（研磨粉）又はエッチング液が除去される。洗浄工程Ｓ５では、端面Ｇｃに限らず、第一主面Ｇａ及び第二主面Ｇｂを洗浄してもよい。
【００４４】
検査工程Ｓ６では、洗浄工程Ｓ５を経たガラス板Ｇが支持台２に固定される。その後、ガラス板Ｇに光源３から光ＬＩが照射される（照射工程）。同時に、支持台２は、駆動装置２ｂにより定盤２ａを駆動して、保持しているガラス板Ｇをその中心まわりに回転させる（回転工程）。
【００４５】
照射工程は、光源３の上部３ｂから放射される第一の光ＬＩ１がガラス板Ｇの第一主面Ｇａから当該ガラス板Ｇの内部に入射する第一照射工程と、光源３の中途部から放射される第二の光ＬＩ２がガラス板Ｇの端面Ｇｃから当該ガラス板Ｇの内部に入射する第二照射工程と、光源３の下部３ｃから放射される第三の光ＬＩ３がガラス板Ｇの第二主面Ｇｂから当該ガラス板Ｇの内部に入射する第三照射工程とを含む。本実施形態では、第一照射工程と、第二照射工程と、第三照射工程とが同時に実行される。
【００４６】
ガラス板Ｇの内部に入射した光ＬＩ１〜ＬＩ３のうち、各主面Ｇａ，Ｇｂと平行な成分が端面Ｇｃから受光装置４に向かって出射する。端面Ｇｃから出射する光ＬＯは、受光装置４の受光部４ａに到達する。受光装置４は、ガラス板Ｇが少なくとも一回転することによって、当該ガラス板Ｇの端面Ｇｃを全周にわたって撮像する（受光工程）。受光装置４は、ガラス板Ｇの切欠き部Ｎが受光部４ａと対向する位置に達したときに当該切欠き部Ｎを撮像する。すなわち、受光装置４が切欠き部Ｎと対向するとき、第二照射工程では、ガラス板Ｇの端面Ｇｃにおいて切欠き部Ｎが形成された位置とは反対の位置から当該端面Ｇｃに向かって第二の光ＬＩ２が照射される（図４参照）。
【００４７】
受光装置４は、取得した複数の画像データを分析装置５に送信する。分析装置５は、画像データに対して二値化処理を施すとともに、画像データに不良部位の有無を判定する（判定工程）。ここで、端面Ｇｃ（切欠き部Ｎ）の「不良部位」とは、端面処理工程Ｓ４において所期の面性状に加工されていない部位をいう。分析装置５の演算処理部は、二値化処理されてなる白黒画像において、黒色に表示される部分を不良部位として検出する。端面Ｇｃにおける不良部位を検出すると、分析装置５は、ガラス板Ｇの加工状態（研磨の状態又はエッチング処理状態）が不良であると判定し、判定結果をディスプレイ５ａに表示させる。分析装置５は、ガラス板Ｇの端面Ｇｃに不良部位を検出しない場合に、当該ガラス板Ｇを良品と判定し、判定結果をディスプレイ５ａに表示させる。
【００４８】
以上説明した本実施形態によれば、検査工程Ｓ６において、光源３からの光ＬＩ（ＬＩ１〜ＬＩ３）をガラス板Ｇの内部に入射し、端面Ｇｃに形成される切欠き部Ｎから出射させることにより、当該切欠き部Ｎを鮮明に撮像できる。これにより、分析装置５によるガラス板Ｇの端面Ｇｃ（切欠き部Ｎ）の検査を確実に行うことができる。
【００４９】
図６及び図７は、第二実施形態に係る検査装置を示す。図６及び図７に示すように、本実施形態に係る検査装置１の光源３は、支持台２の上方位置に配置される面光源である。図６に示すように、光源３は、平面視において定盤２ａと重なるように配置される。図７に示すように、光源３は、水平方向に対して所定の角度で傾斜している。水平方向に対する光源３の傾斜角度は、５〜３０°に設定されることが望ましい。光源３からの光ＬＩ（第一の光）は、ガラス板Ｇの第一主面Ｇａからガラス板Ｇの内部に斜めに入射するとともに、回転するガラス板Ｇの端面Ｇｃから出射する。回転するガラス板Ｇの切欠き部Ｎが受光装置４の対向位置に達した場合に、切欠き部Ｎから出射される光ＬＯを当該受光装置４が受光する。
【００５０】
図８は、第三実施形態に係る検査装置を示す平面図である。図８に示すように、検査装置１は、面光源からなる複数の光源３Ａ〜３Ｃを備える。詳細には、光源３Ａ〜３Ｃは、第一光源３Ａと、第二光源３Ｂと、第三光源３Ｃとを含む。各光源３Ａ〜３Ｃは、ガラス板Ｇの円形状に沿うように、平面視において湾曲状に並設される。
【００５１】
すなわち、第一光源３Ａは、平面視においてガラス板Ｇを挟んで受光装置４を対向する位置に設けられる。第二光源３Ｂは、第一光源３Ａの長さ方向（長さＬＡに沿う方向）における一方の端部の近傍位置に配される。第二光源３Ｂの発光部３ａは、第一光源３Ａの発光部３ａに対して所定の角度を為すように傾斜している。また、第三光源３Ｃは、第一光源３Ａの長さ方向における他方の端部の近傍位置に配される。第三光源３Ｃの発光部３ａは、第一光源３Ａの発光部３ａに対して所定の角度で傾斜している。各光源３Ａ〜３Ｃは、支持台２の定盤２ａに固定されるガラス板Ｇの第一主面Ｇａから上方に突出する上部と、第二主面Ｇｂから下方に突出する下部とを備える。各光源３Ａ〜３Ｃの長さの和（ＬＡ＋ＬＢ＋ＬＣ）は、ガラス板Ｇの最大幅寸法の８０％以上１２０％以下であることが望ましい。
【００５２】
図９は、第四実施形態に係る検査装置を示す側面図である。図９に示すように、検査装置１は、上下方向に湾曲状に並設される第一光源３Ａ、第二光源３Ｂ及び第三光源３Ｃを有する。
【００５３】
第一光源３Ａは、ガラス板Ｇの第一主面Ｇａよりも上方に位置する。第一光源３Ａの発光部３ａは、水平方向に対して所定の角度で傾斜するように配置される。これにより、第一光源３Ａは、第一の光ＬＩ１をガラス板Ｇの第一主面Ｇａに対して照射する。第二光源３Ｂは、第一光源３Ａの下方に配置される。第二光源３Ｂは、その発光部３ａが水平方向と直交するように（ガラス板Ｇの端面Ｇｃと対向するように）配置される。これにより、第二光源３Ｂは、第二の光ＬＩ２をガラス板Ｇの端面Ｇｃに照射する。第三光源３Ｃは、第二光源３Ｂの下方に配置され、かつガラス板Ｇの第二主面Ｇｂよりも下方に位置する。第二光源３Ｂの発光部３ａは、水平方向に対して所定の角度で傾斜するように配置される。これにより、第三光源３Ｃは、第三の光ＬＩ３をガラス板Ｇの第二主面Ｇｂに照射する。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００５５】
上記の実施形態では、端面Ｇｃに切欠き部Ｎとしてノッチが形成されてなるガラス板Ｇを例示したが、この構成に限定されない。本発明は、端面にオリエンタルフラットと呼ばれる切欠き部が形成されてなるガラス板を検査及び製造する場合にも適用できる。ガラス板Ｇは、円形に限らず、四角形その他の種々の形状に構成されてもよい。本発明は、半導体ウェア支持用のガラス板Ｇに限らず、他の用途に使用されるものにも適用できる。
【００５６】
上記の実施形態では、円形のガラス板Ｇを回転させながらその端面を検査する例を示したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明では、ガラス板Ｇを停止させた状態で切欠き部Ｎを検査してもよい。また、光源３及び受光装置４を、ガラス板Ｇの周囲を移動させながら当該ガラス板Ｇの検査を行ってもよい。
【００５７】
上記の実施形態では、分析装置５の演算処理部により自動的に切欠き部Ｎの良否判定を行う例を示したが、これに限定されず、分析装置５のディスプレイ５ａに表示される切欠き部Ｎの画像データをオペレータが目視してその良否を判定してもよい。
【００５８】
上記の第三実施形態及び第四実施形態では、複数の光源３Ａ〜３Ｃを湾曲状に配置した例を示したが、本発明はこの構成に限定されない。例えば有機ＥＬ照明等の可撓性を有する一個の光源３の発光部３ａを湾曲形状に構成してもよい。本発明に係る「湾曲形状」の用語は、複数の光源を湾曲状に配置する場合、及び発光部３ａ（発光面）を湾曲面に構成する場合を含む。
【００５９】
光源３の形状及び配置は、上記の実施形態に限定されない。例えば、第二実施形態では、定盤２ａに固定されたガラス板Ｇの上方に光源３を配置した検査装置１を例示したが、この構成に限らず、ガラス板Ｇの下方に配置される光源３からガラス板Ｇの第二主面Ｇｂに光ＬＩを照射し（第一照射工程）、この光ＬＩを切欠き部Ｎから出射させてもよい。また、ガラス板Ｇの上方又は下方に位置する光源３に加えて、ガラス板Ｇの側方に配置される他の光源３（第四実施形態の第二光源３Ｂに相当）からガラス板Ｇの端面Ｇｃに光ＬＩを照射してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１          検査装置
３          光源
４          受光装置
５          分析装置
Ｇ          ガラス板
Ｇａ        ガラス板の第一主面
Ｇｂ        ガラス板の第二主面
Ｇｃ        ガラス板の端面
Ｎ          切欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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