(57)【要約】【課題】はんだ接合の信頼性を確保し且つ、高周波での交流抵抗の低減が図れる高周波コイル用電線及びその高周波コイル用電線を用いた電子部品を提供する。【解決手段】銅導体１と該銅導体１の外周に設けられた強磁性層４とを有する芯線１０と、その芯線１０上に設けられた絶縁被覆層４とで少なくとも構成され、その強磁性層４が径方向Ｘの隙間Ｇを有する高周波コイル用電線２０によって上記課題を解決した。強磁性層４は、鉄層１と、鉄層２の外周に設けられたニッケル層３とで構成されていることが好ましく、隙間Ｇの数は、芯線１０の表面に見える数であって、芯線１０の直径Ｄと同じ長さの軸方向仮想線と径方向仮想線とで形成した正方形の中に見える数が、２以上、３０以下の範囲内であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅導体と該銅導体の外周に設けられた強磁性層とを有する芯線と、該芯線上に設けられた絶縁被覆層とで少なくとも構成された高周波コイル用電線であって、前記強磁性層は、径方向の隙間を有する、ことを特徴とする高周波コイル用電線。
【請求項２】
前記強磁性層が、鉄層と、該鉄層の外周に設けられたニッケル層とを有する、請求項１に記載の高周波コイル用電線。
【請求項３】
前記隙間の数は、前記芯線の表面に見える数であって、前記芯線の直径Ｄと同じ長さの軸方向仮想線と径方向仮想線とで形成した正方形の中に見える数が、２以上、３０以下の範囲内である、請求項１又は２に記載の高周波コイル用電線。
【請求項４】
前記隙間は、幅が０．５μｍ以上、５μｍ以下の範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波コイル用電線。
【請求項５】
前記銅導体が、タフピッチ銅、無酸素銅、銅−錫合金、銅−銀合金、銅−ニッケル合金、銅クラッドアルミニウム、銅クラッドマグネシウムから選ばれる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高周波コイル用電線。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波コイル用電線を用いて構成されていることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波コイル用電線及び電子部品に関し、さらに詳しくは、各種の高周波コイル等の電子部品に用いられて高周波での交流抵抗を低減できる高周波コイル用電線及びその高周波コイル用電線を用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、銅線上に純鉄等の強磁性体めっきを施した導体を芯線としたエナメル絶縁電線が提案され、高周波利得Ｑを数１０％向上させることが記載されている。この特性向上は、高周波での交流抵抗の低減に基づいていると考えられており、導体の外周に強磁性層を施すことによって、外部磁界を遮蔽するとともに、遮蔽しきれずに内部に侵入した外部磁界による渦電流を低減し、近接効果による損失を抑制することによって、交流抵抗の増大を抑制しているものと考えられている。また、特許文献１には、はんだ付け特性の向上のためには、強磁性層上に設けるめっき層として、銅めっき層よりもニッケルめっき層が好ましいことも記載されている。
【０００３】
また、特許文献２には、はんだ付け性を向上させることを目的として、導体の外周に鉄めっき層を設け、はんだ付け性を確保するために厚さ０．０３〜０．１μｍのニッケルめっき層を設け、鉄めっき層が酸化する前にポリウレタン絶縁塗料からなるエナメル絶縁樹脂層を塗布焼付する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実公昭４２−１３３９号公報
【特許文献２】特開昭６２−１５１５９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
コイル部品に用いられる絶縁被覆電線では、エナメル絶縁層としてポリウレタン被覆層が一般的に適用されている。しかし、コイル部品等の電子機器部品の動作環境はより高温側に移行しており、絶縁被覆電線を構成するエナメル絶縁層も耐熱性の要求が増してきた。絶縁被覆層を構成する絶縁性樹脂の耐熱性は、Ａ種、Ｅ種、Ｂ種、Ｆ種、Ｈ種等の耐熱クラスと許容最高温度で表示され、上記ポリウレタン被覆層を形成するポリウレタンは、温度指数Ｅ種１２０℃に相当する。最近では、温度指数Ｆ種１５５℃の変性ポリウレタンやポリエステル、更には、温度指数Ｈ種１８０℃のポリエステルイミド等の高耐熱性樹脂を用いることについての要求があり、３６０℃以下で作業していたはんだ付け温度が、Ｆ種クラスでは４２０℃、Ｈ種クラスでは４６０℃と高くなっている。
【０００６】
はんだ付け温度が高くなるにしたがい、導線（銅導体等）のはんだ溶食による断面減少等が起こり易く、接続強度の信頼性が問題となるため、極めて短時間で導線がはんだ付け処理されることが望ましい。すなわち、濡れ応力が高く、且つゼロクロスタイムが短いほど、はんだ接続の信頼性が担保できる。
【０００７】
また、コイル部品の小型化、高周波化等に伴い、絶縁被覆電線は多数本撚り化、細線化が進んでいる。特に導線は、細線化するほどはんだ溶食等の問題が起こり易い。
【０００８】
特許文献２に記載のエナメル電線のはんだ付けでは、はんだ付け温度が高い環境ではニッケルめっき層とはんだ中の錫とが瞬時に反応して拡散し、実際には下地の鉄めっき層とはんだ材料との接合になっている。しかしながら、鉄と錫の金属間化合物は形成され難いことから、濡れ応力（すなわち接合強度）が低く、接続信頼性に劣ってしまう。必要以上にニッケルを厚くすることは、強磁性体である鉄の効果が薄れ、近接効果による高周波損失の抑制には至らない。
【０００９】
本発明の目的は、はんだ接合の信頼性を確保し且つ、高周波での交流抵抗の低減が図れる高周波コイル用電線及びその高周波コイル用電線を用いた電子部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る高周波コイル用電線は、銅導体と該銅導体の外周に設けられた強磁性層とを有する芯線と、該芯線上に設けられた絶縁被覆層とで少なくとも構成された高周波コイル用電線であって、前記強磁性層は、径方向の隙間を有することを特徴とする。この発明によれば、強磁性層が径方向の隙間を有するので、はんだ付け時のはんだ中の錫が銅導体に到達し易い。その結果、銅とはんだ中の錫とが金属間結合することによって、濡れ応力が高くなり、強固なはんだ接合が得られる。
【００１１】
本発明に係る高周波コイル用電線において、前記強磁性層が、鉄層と、該鉄層の外周に設けられたニッケル層とを有することが好ましい。
【００１２】
本発明に係る高周波コイル用電線において、前記隙間の数は、前記芯線の表面に見える数であって、前記芯線の直径Ｄと同じ長さの軸方向仮想線と径方向仮想線とで形成した正方形の中に見える数が、２以上、３０以下の範囲内であることが好ましい。この発明によれば、正方形の中に見える隙間の数が上記範囲内であるので、はんだ付け時のはんだが銅導体に到達し易い。
【００１３】
本発明に係る高周波コイル用電線において、前記隙間は、幅が０．３μｍ以上、５μｍ以下の範囲内でコイルあることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る高周波コイル用電線において、前記銅導体が、タフピッチ銅、無酸素銅、銅−錫合金、銅−銀合金、銅−ニッケル合金、銅クラッドアルミニウム、銅クラッドマグネシウムから選ばれることが好ましい。この発明によれば、上記銅導体は導電率６０％ＩＡＣＳ以上の低抵抗な良導電性であるので、導体径を細くした場合であっても、銅を主体とする金属が最外層にあるので酸化され難く、はんだ付け接合の信頼性を高めることができる。
【００１５】
（２）本発明に係る電子部品は、上記本発明に係る高周波コイル用電線を用いて構成されていることを特徴とする。電子部品としては、高周波コイル等の巻線部品、高周波コイル等の巻線部品を備えた回路基板等を挙げることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、はんだ付け接合の信頼性を確保し且つ、高周波での交流抵抗の低減が図れる高周波コイル用電線を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る高周波コイル用電線を構成する芯線の一例を示す断面図である。
【図２】本発明に係る高周波コイル用電線の一例を示す断面図である。
【図３】実施例で得られた芯線の強磁性層の表面の電子顕微鏡写真であり、（Ａ）は隙間を有する場合であり、（Ｂ）は隙間が少ない場合であり、（Ｃ）は隙間がほとんどない場合である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る高周波コイル用電線及び電子部品の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態及び図面に記載した形態と同じ技術的思想の発明を含むものであり、本発明の技術的範囲は実施形態の記載や図面の記載のみに限定されるものでない。
【００１９】
本発明に係る高周波コイル用電線２０は、図１及び図２に示すように、銅導体１とその銅導体１の外周に設けられた強磁性層４とを有する芯線１０と、その芯線１０上に設けられた絶縁被覆層５とで少なくとも構成されている。そして、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、強磁性層４が、径方向Ｘの隙間Ｇを有することに特徴がある。強磁性層４は、鉄層２と、鉄層２の外周に設けられたニッケル層３とからなることが好ましい。
【００２０】
この高周波コイル用電線２０では、芯線１０を構成する強磁性層４が径方向Ｘの隙間Ｇを有するので、はんだ付け時のはんだが銅導体１に到達し易い。その結果、銅とはんだ中の錫とが金属間結合することによって、濡れ応力が高くなり、強固なはんだ接合が得られる。なお、隙間Ｇは、強磁性層４（例えばニッケル層３及び鉄層２）が貫抜かれている形態になっている。隙間Ｇがない場合は、はんだ中の錫がニッケルと結合することになるが、ニッケル層の厚さが極めて薄い場合にはハンダ中にニッケルが瞬時に拡散されてしまう。その結果、実際には鉄との接合となるため、濡れ応力が低く、良好な接合強度が得られ難い。
【００２１】
以下、高周波コイル用電線の構成要素を説明する。
【００２２】
＜芯線＞
芯線１０は、銅導体１と、銅導体１の外周に設けられた強磁性層４とを有している。高周波コイル用電線２０は、芯線１０と、芯線１０上に設けられた絶縁被覆層５とで少なくとも構成されている。
【００２３】
（銅導体）
銅導体１は、銅又は銅合金を主な構成金属として含むものであり、本願では、タフピッチ銅、無酸素銅、銅−錫合金、銅−銀合金、銅−ニッケル合金、銅クラッドアルミニウム、銅クラッドマグネシウム等から選ばれる。これらの導体は、導電率６０％ＩＡＣＳ以上の低抵抗な良導電性であるので、導体径を細くした場合であっても、銅を主体とする金属が最外層にあるので酸化され難く、はんだ付け接合の信頼性を高めることができる。なお、銅−錫合金、銅−銀合金、銅−ニッケル合金、銅クラッドアルミニウム、銅クラッドマグネシウム等においては、高周波コイル用電線２０として好ましい上記導電率（６０％ＩＡＣＳ以上）となるように、銅合金の場合はその合金組成が調整されていることが好ましく、クラッドの場合はコア材の材質やクラッド材とコア材との比が調整されていることが好ましい。
【００２４】
銅導体１の直径は特に限定されないが、はんだ付け温度が高い環境での接続強度の信頼性が問題になる細さであることが好ましく、例えば０．０２〜０．４０ｍｍ程度の範囲内である。
【００２５】
（強磁性層）
強磁性層４は、銅導体１上に設けられており、得られた芯線１０で高周波コイル用電線２０として高周波コイルに用いた場合、交流抵抗を低減して高周波特性が向上するように作用する。強磁性層４の構成材料は特に限定されないが、例えば、鉄、コバルト、ニッケル、パーマロイ（Ｎｉ７８−Ｆｅ２２）、パーマロイ（Ｎｉ４５−Ｆｅ５５）、スーパーマロイ（Ｎｉ７５−Ｃｕ５−Ｆｅ２０）、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ（Ｃｏ２０−Ｎｉ４０−Ｆｅ４０）等を挙げることができる。強磁性層４の形成方法は特に限定されないが、銅導体１上に形成する方法としては電気めっき法が好ましいが、前記した各組成のものはいずれも電気めっきで成膜できるので好ましく用いることができる。本発明に係る高周波コイル用電線２０では、この強磁性層４に後述する隙間Ｇが形成されていることに特徴がある。
【００２６】
以下では、強磁性層４として鉄層２とニッケル層３とからなるものを例にして説明する。鉄層２とニッケル層３以外のもので構成された強磁性層４は、その組成によって高周波特性がやや異なるものの、隙間Ｇの作用、厚さ、はんだ付け等に関しては同様である。
【００２７】
（鉄層）
鉄層２は、銅導体１上に設けられており、ニッケル層３とともに強磁性層４を構成する。この鉄層２の厚さは、０．２μｍ以上３．０μｍ以下の範囲内で設けられていることが好ましく、高周波コイル等に使用される場合に交流抵抗を低減して高周波特性が向上する。特に純鉄めっきは強磁性であるので好ましく採用される。なお、交流抵抗を低減する等の効果を阻害しない範囲であれば、鉄層２に他の元素（例えばニッケル、コバルト、リン、ホウ素等）が含まれていてもよい。
【００２８】
鉄層２は、高周波特性の向上させることができるとともに、はんだ付けの際にはんだ溶食を防止する効果もある。しかし、銅導体１上に形成された鉄層２ではんだ溶食が防止されるということは、はんだ中の錫と鉄との金属間化合物が形成され難いことを意味するものである。そうした金属間化合物の形成のし難さは、銅とはんだ中の錫との化合を阻害するものであり、濡れ応力（すなわち接合強度）が低く、接続信頼性に劣ってしまい、短時間でのはんだ付け性の要請に対応できない場合がある。
【００２９】
本発明では、鉄層２及びニッケル層３からなる強磁性層４が、径方向Ｘの隙間Ｇを有することに特徴がある。こうした隙間Ｇを有することにより、はんだ付け時のはんだ中の錫が銅導体１に到達し易い。その結果、銅とはんだ中の錫とが金属間結合することによって、濡れ応力が高くなり、強固なはんだ接合が得られる。隙間Ｇは、ニッケル層３から鉄層２に貫抜かれている一体的な形態になっている
【００３０】
隙間Ｇの数は、芯線１０の表面に見える数であって、芯線１０の直径Ｄと同じ長さの軸方向仮想線Ｙ１と径方向仮想線Ｘ１とで形成した正方形（Ｙ１×Ｘ１）の中に見える数である。その隙間Ｇの数は、２以上、３０以下の範囲内であることが好ましい。こうした範囲内とすることにより、はんだ付け時のはんだが銅導体に到達し易く、その結果、銅とはんだ中の錫とが金属間結合することによって、良好な濡れ応力が得られ、強固なはんだ接合が得られる。隙間Ｇの数が２未満の場合、はんだ中の錫と鉄との接合が主になるため、濡れ応力が低く、良好な接合強度が得られ難いことがある。一方、隙間Ｇの数が３０を超えると、はんだ中の錫と銅とが瞬時に接合し、はんだ溶食が進行して導体断面積が減少し易いため、接合強度が低下してしまうことがある。隙間Ｇの幅は０．３μｍ以上、５μｍ以下の範囲内が好ましく、０．５μｍ以上、２．０μｍ以下の範囲内がより好ましい。この隙間Ｇにより、はんだ付け時のはんだが銅導体に到達し易く、その結果、銅とはんだ中の錫とが金属間結合することによって、良好な濡れ応力が得られ、強固なはんだ接合が得られる。なお、隙間Ｇの幅が５μｍを超えるとピンホールになり易いことがある。
【００３１】
隙間Ｇは、後述の実施例に示すように、銅導体１の機械的特性（引張強度、伸び）や滑車の大きさと角度を制御して形成することができる。また、鉄めっき液に添加剤を加えたりめっき条件を制御して、鉄層２の硬さをビッカース硬度で２００ＨＶ以上に増すことにより、隙間Ｇを形成することできる。
【００３２】
添加剤としては、例えば、チオ尿素、サッカリン、ベンゾチアゾール、ＪＧＢ（ヤーナスグリーンＢ）、ベンサルアセトン、ゼラチン、ポリエチレングリコール、ブチンジオール、クマリン等を挙げることができ、これらを数十ｐｐｍ添加することにより、分子又はイオンが析出サイトに単独で吸着して析出できる。また、これらの添加剤で鉄錯体を形成させ、その錯体が析出サイトに吸着して析出できる。添加剤の効果により、微細で硬い結晶粒を得ることができ、ビッカース硬度２５０ＨＶ程度の鉄層２を形成することができる。こうした鉄層２の厚さを０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上とすることにより、電着応力が増し、鉄層２に隙間Ｇが存在していた。
【００３３】
めっき条件としては、例えば、めっき液の温度を３０℃から２０℃に下げたり、ｐＨを３から２に下げたりすることにより、微細で硬い結晶粒を得ることができ、ビッカース硬度３００ＨＶ程度の鉄層２を形成することができる。こうした鉄層２の厚さを０．５μｍ以上、好ましくは１μｍ以上とすることにより、電着応力が増し、鉄層２に隙間Ｇが存在していた。
【００３４】
鉄層２は、電気めっきで成膜されることが好ましく、鉄電解液中で銅導体１に給電して形成することができる。めっき液としては、通常、鉄の無機塩と、支持電解質とを少なくとも有するめっき液であれば特に限定されないが、例えば硫酸鉄めっき液や塩化鉄めっき液等を適用することができる。めっき液には、本発明の効果を阻害しない範囲内で、必要に応じて、界面活性剤、光沢剤等の各種の添加剤を含有してもよい。
【００３５】
（ニッケル層）
ニッケル層３は、鉄層２上に設けられており、鉄層２とともに強磁性層４を構成する。このニッケル層３の厚さは、０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の範囲内で設けられていることが好ましく、はんだ付け性を向上させるとともに、鉄層２とともに高周波コイル等に使用される場合に交流抵抗を低減して高周波特性を向上させることができる。ニッケル層３が厚すぎると、強磁性体である鉄の効果が薄れ、近接効果による高周波損失の抑制には至らない。一方、ニッケル層３が薄すぎると、はんだ付け温度が高い環境ではニッケル層３とはんだ中の錫とが瞬時に反応して拡散し、実際には下地の鉄層２とはんだ材料との接合になるため、濡れ応力が低く、良好な接合強度が得られ難い。
【００３６】
ニッケル層３は鉄層２とともに強磁性層４を構成し、この強磁性層４は、上述したように径方向Ｘの隙間Ｇを有する。なお、隙間Ｇについては既に説明したのでここではその説明を省略する。
【００３７】
ニッケル層３は、電気めっきで成膜されることが好ましく、ニッケル電解液中で鉄層２が設けられた銅導体１に給電して形成することができる。めっき液としては、通常、ニッケルの無機塩と、支持電解質とを少なくとも有するめっき液であれば特に限定されないが、例えば硫酸ニッケルめっき液や塩化ニッケルめっき液等を適用することができる。めっき液には、本発明の効果を阻害しない範囲内で、必要に応じて、界面活性剤、光沢剤等の各種の添加剤を含有してもよい。
【００３８】
＜絶縁被覆層＞
絶縁被覆層５は、図２に示すように、強磁性層４上に設けられている。絶縁被覆層５を設けることにより、高周波コイル用電線２０を、各種高周波コイル、高周コイル用の電線（撚り線、集合させた素線の外周を絶縁被覆により一体化した絶縁電線等）として有用に利用できる。絶縁被覆層５としては、強磁性層４を形成した後の芯線１０の外周に、はんだ付け可能な絶縁エナメル被膜、又は、はんだ付け可能な絶縁エナメル被膜と融着エナメル被膜が塗布焼付して形成される。はんだ付け可能な絶縁エナメル被膜は、例えば汎用ポリウレタン、変性ポリウレタン、ポリエステルイミド等のはんだ付け可能なエナメル塗料を塗布焼付けして形成できる。また、更にその外周に形成する融着エナメル被膜は、例えばナイロンやエポキシ等の融着エナメル塗料を塗布焼付けして形成できる。これらの被膜は、通常のエナメル線の製造装置を用いて製造できる。なお、はんだ付けできない絶縁被覆層５（ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル等）を設けた場合には、絶縁被覆層５を機械的及び／又は化学的に剥離することで良好にはんだ付けできる。
【００３９】
絶縁被覆層５が設けられた本発明に係る高周波コイル用電線２０は、高周波コイル用以外であっても、リッツ線の構成線材や、三層絶縁電線の構成線材等に用いることもできる。また、これらの他に、絶縁被覆層５を設ける前の芯線１０、或いはその芯線１０の表面にイミダゾール錯体膜等の保護膜を備えたものを用い、それを撚り合わせて撚り線とし又は集合させた集合線とし、その撚り線又は集合線の外周を、押出し、テープ巻き、焼付け等で一体化した高周波用の絶縁電線等としてもよい。
【００４０】
＜電子部品＞
本発明に係る電子部品は、上記した本発明に係る高周波コイル用電線２０を用いて構成されている。電子部品としては、高周波コイル等の巻線部品、高周波コイル等の巻線部品を備えた回路基板等を挙げることができる。
【実施例】
【００４１】
以下に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
［実施例１］
直径０．１ｍｍの硬銅線（ＨＣＷ）を３６０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．１ｍｍの焼鈍材（ＡＣＷ、引張強度：２４０ＭＰａ、伸び：２７％）を銅導体１として用い、表面脱脂、酸活性処理した後、電気めっき法で厚さ１μｍの鉄層２を形成し、続いて、電気めっき法で厚さ０．０３μｍのニッケル層３を形成し、強磁性層４（鉄層２とニッケル層３）を備えた芯線１０を得た。鉄めっきは、硫酸鉄めっき液（硫酸第一鉄２５０ｇ／Ｌ、塩化鉄５０ｇ／Ｌ、塩化アンモニウム３０ｇ／Ｌ）を用い、ニッケルめっきは、硫酸ニッケルめっき液（硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル３０ｇ／Ｌ、ホウ酸１５ｇ／Ｌ）を用いた。得られた芯線１０を、直径の３５０倍の滑車に１２０°の角度で接触させながら巻き取り、強磁性層４の径方向Ｘに隙間Ｇを設けた。こうして隙間Ｇを備えた芯線１０を得た。
【００４３】
［実施例２］
鉄層２の厚さを２μｍとした他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４４】
［実施例３］
鉄層２の厚さを３μｍとした他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４５】
［実施例４］
銅導体１として、直径０．１ｍｍの硬銅銀合金線（ＨＣＡＷ）を６５０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．１ｍｍの焼鈍材（ＡＣＡＷ、引張強度：３３０ＭＰａ、伸び：２４％）を用いた他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４６】
［実施例５］
銅導体１として、直径０．１ｍｍの硬銅錫合金線（ＨＣＳＷ）を６００℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．１ｍｍの焼鈍材（ＡＣＳＷ、引張強度：３００ＭＰａ、伸び：２５％）を用いた他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４７】
［実施例６］
直径の３００倍の滑車を用いた他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４８】
［実施例７］
直径の２００倍の滑車を用いた他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００４９】
［実施例８］
直径の１００倍の滑車を用いた他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５０】
［実施例９］
３００℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。焼鈍材（ＡＣＷ）は、引張強度：２８０ＭＰａ、伸び：１５％であった。
【００５１】
［実施例１０］
２８０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。焼鈍材（ＡＣＷ）は、引張強度：３００ＭＰａ、伸び：５％であった。
【００５２】
［実施例１１］
滑車に９０°の角度で接触させながら巻き取った。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５３】
［実施例１２］
直径の１００倍の滑車を用い且つ滑車に９０°の角度で接触させながら巻き取った。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５４】
［実施例１３］
直径０．０５ｍｍの硬銅線（ＨＣＷ）を３６０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．０５ｍｍの焼鈍材（ＡＣＷ、引張強度：２８０ＭＰａ、伸び：１８％）を銅導体１とした他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５５】
［実施例１４］
直径０．０８ｍｍの硬銅線（ＨＣＷ）を３６０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．０８ｍｍの焼鈍材（ＡＣＷ、引張強度：２６０ＭＰａ、伸び：２２％）を銅導体１とした他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５６】
［実施例１５］
直径０．１２ｍｍの硬銅線（ＨＣＷ）を３６０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．１２ｍｍの焼鈍材（ＡＣＷ、引張強度：２４０ＭＰａ、伸び：２８％）を銅導体１とした他は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５７】
［比較例１］
不活性ガス雰囲気で焼鈍しなかった。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。焼鈍しなかった硬銅線（ＨＣＷ）は、引張強度：４００ＭＰａ、伸び：２％であった。
【００５８】
［比較例２］
鉄層２の厚さを２μｍとした他は、比較例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００５９】
［比較例３］
鉄層２の厚さを３μｍとした他は、比較例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００６０】
［比較例４］
２８０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍し、且つ直径の４００倍の滑車を用いた。それ以外は、実施例１と同様にして、高周波コイル用電線を得た。焼鈍材（ＡＣＷ）は、引張強度：３００ＭＰａ、伸び：５％であった。
【００６１】
［比較例５］
２８０℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍し、且つ直径の４００倍の滑車に９０°の角度で接触させながら巻き取った。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。焼鈍材（ＡＣＷ）は、引張強度：３００ＭＰａ、伸び：５％であった。
【００６２】
［比較例６］
銅導体１として、直径０．１ｍｍの硬銅錫合金線（ＨＣＳＷ）を６００℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍した直径０．１ｍｍの焼鈍材（ＡＣＳＷ、引張強度：３００ＭＰａ、伸び：２５％）を用いた。さらに、直径の４００倍の滑車に１２０°の角度で接触させながら巻き取った。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。
【００６３】
［比較例７］
３００℃の不活性ガス雰囲気で焼鈍し、且つ直径の３５０倍の滑車に１６０°の角度で接触させながら巻き取った。それ以外は、実施例１と同様にして、芯線１０を得た。焼鈍材（ＡＣＷ）は、引張強度：２４０ＭＰａ、伸び：１５％であった。
【００６４】
［測定と結果］
（隙間とはんだ付け特性）
表１に実施例と比較例で得た芯線１０の要素を示した。各芯線１０の隙間Ｇは、顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＸ６００型、５００倍）で測定した。測定は、軸方向仮想線Ｙ１と径方向仮想線Ｘ１とで形成した正方形（０．１ｍｍ角）の中に見える隙間Ｇの数を測定するとともに、その隙間Ｇの平均幅を測定した。隙間Ｇの数の測定は、径方向仮想線Ｘ１（＝芯線の直径）の１／４の長さ以上のものをカウントした。隙間Ｇが連続又は非連続で枝分かれしているものと認識できる場合は、関連する同一（１つ）の隙間Ｇと見なした。その結果を表２に示した。
【００６５】
はんだ付け時の濡れ応力（ｍＮ）とゼロクロスタイム（秒）を、動的濡れ性試験機（株式会社レスカ製、ＷＥＴ−６１００型）で測定した。はんだは、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（千住金属工業株式会社製）を用い、３８０℃の温度で試験した。その結果を表２に示した。
【００６６】
【表１】
2019008994.tif 000003
【００６７】
【表２】
2019008994.tif 000004
【００６８】
表１及び表２の結果より、濡れ応力が３．４ｍＮ以上でゼロクロスタイムが０．４秒以下の場合には、隙間Ｇの数が６以上で、隙間Ｇの数と幅の積が６以上の場合であった。特に好ましいものとして、濡れ応力が３．７ｍＮ以上でゼロクロスタイムが０．２秒以下の場合は、隙間Ｇの数が１２以上で、隙間の数と幅の積が１２以上の場合であった。こうした結果は、主に隙間Ｇの数と幅の積が１２以上の場合に実現できていた。こうした隙間Ｇは、表１に示す製造条件で形成することができた。
【００６９】
銅導体１の直径の異なる実施例１３〜１５の芯線１０について、実施例１と同様の測定（濡れ応力、ゼロクロスタイム、隙間の数）を行った、実施例１３（導体径：０．０５ｍｍ）では、濡れ応力：１．８ｍＮ、ゼロクロスタイム：０．２秒、隙間Ｇの数：２５、隙間Ｇの幅：１．５ｍｍ、数と幅との積：３７．５であった。実施例１４（導体径：０．０８ｍｍ）では、濡れ応力：２．９ｍＮ、ゼロクロスタイム：０．２秒、隙間Ｇの数：１９、隙間Ｇの幅：１．０ｍｍ、数と幅との積：１９であった。実施例１５（導体径：０．１２ｍｍ）では、濡れ応力：４．３ｍＮ、ゼロクロスタイム：０．２秒、隙間Ｇの数：１２、隙間Ｇの幅：１．０ｍｍ、数と幅との積：１２であった。これらの結果より、濡れ応力（ｍＮ）については、単位表面積あたりで割って比較した結果、実施例１（導体径：０．１０ｍｍ）、実施例１３（導体径：０．０５ｍｍ）、実施例１４（導体径：０．０８ｍｍ）、実施例１５（導体径：０．１２ｍｍ）は、いずれも５．７ｍＮ／ｍｍ２付近であった。
【００７０】
（高周波特性）
高周波特性をＬＣＲメーター（プレシジョンＬＣＲメーター、４２８４Ａ、２０Ｈｚ〜１ＭＨｚ、Ａｇｉｌｅｎｔ社製）で測定した。測定は、試料長：１．５０ｍ、専用ボビン：内径φ６７ｍｍ、ターン数：５ターンとし、端末は両端半田付けしてテクスチャーと接続して測定した。２種ウレタンを絶縁被覆層５として設けた下記の試料１〜３（高周波コイル用電線２０）を用い、周波数を１ｋＨｚ〜１ＭＨｚまで変化させて測定した。
【００７１】
試料１：２種ウレタン被覆エナメル銅撚り線（２１本／φ０．１０ｍｍ）
試料２：２種ウレタン被覆エナメル鉄めっき撚り線（２１本／φ０．１０ｍｍ）、隙間Ｇ：なし、鉄めっき液（実施例１と同じ鉄めっき液、添加剤なし）、ニッケルめっき液（実施例１と同じニッケルめっき液）、Ｆｅ層の厚さ：０．８μｍ、Ｎｉ層の厚さ：０．０５μｍ
試料３：２種ウレタン被覆エナメル鉄めっき撚り線（２１本／φ０．１０ｍｍ）、隙間Ｇ：あり、鉄めっき液（実施例１と同じ鉄めっき液、添加剤：サッカリン２ｍ／Ｌ）、ニッケルめっき液（実施例１と同じニッケルめっき液）、Ｆｅ層の厚さ：０．８μｍ、Ｎｉ層の厚さ：０．０５μｍ
【００７２】
図３（Ａ）は試料３の種ウレタン被覆エナメル磁性めっき撚り線の表面写真であり、図３（Ｂ）は試料２の２種ウレタン被覆エナメル磁性めっき撚り線の表面写真であり、図３（Ｃ）は試料１の２種ウレタン被覆エナメル銅撚り線の表面写真である。
【００７３】
表３は、インピーダンス結果であり、表４は抵抗損失の結果である。表３及び表４からわかるように、強磁性層４が設けられている場合には、隙間Ｇの有無にかかわらず、同じ高周波特性を示しており、隙間Ｇの存在が高周波特性を低下させることはないことが確認された。
【００７４】
【表３】
2019008994.tif 000005
【００７５】
【表４】
2019008994.tif 000006
【符号の説明】
【００７６】
１  銅導体
２  鉄層
３  ニッケル層
４  強磁性層
５  絶縁被覆層
１０  芯線
２０  高周波コイル用電線
１１  正方形
１２  円
Ｇ  隙間
Ｗ  隙間の幅
Ｘ  径方向
Ｘ１  径方向仮想線
Ｙ  軸方向
Ｙ１  軸方向仮想線
【図１】
2019008994.tif 000007
【図２】
2019008994.tif 000008
【図３】
2019008994.tif 000009