(57)【要約】【課題】電子部品を有する積層体の反りを抑制すること。【解決手段】積層体の製造方法は、モールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅを有する基板５と、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体２とを、所定の処理により変質する分離層３を介して積層することを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールド材でモールドされた電子部品を有する基板と、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体とを、所定の処理により変質する分離層を介して積層することを含む、積層体の製造方法。
【請求項２】
前記支持体と、前記分離層と、接着層と、前記基板とを、この順番で積層すること、を含む請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
前記接着層は、熱可塑性の材料により構成される、請求項２に記載の積層体の製造方法。
【請求項４】
前記接着層は、モジュラスが０．０５ＭＰａ以上５．００ＭＰａ以下である、請求項２又は請求項３に記載の積層体の製造方法。
【請求項５】
前記支持体の熱膨張係数と前記基板の熱膨張係数との関係が、
０．５≦（支持体の熱膨張係数／基板の熱膨張係数）≦１．２
の関係を満たす、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項６】
前記基板の厚さは、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、
前記支持体の厚さは、４００μｍ以上１２００μｍ以下であり、且つ前記基板の厚さよりも厚い、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項７】
前記支持体は、光が透過する材料で形成され、
前記分離層は、光の吸収により変質する、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項８】
前記支持体はガラスである、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項９】
前記基板は、前記電子部品と、前記電子部品と接続される再配線層とを備え、
前記電子部品をモールド材でモールドすることと、
前記再配線層を形成することと、を含む、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【請求項１０】
熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体と、所定の処理により変質する分離層と、接着層と、基板とが、この順番で積層された積層体。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の積層体の製造方法により積層体を製造することと、
前記分離層を変質させて、前記積層体から前記支持体を分離することと、
前記基板から前記接着層及び前記分離層を除去して、前記電子部品を含む電子装置を得ることと、を含む、電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の製造方法、積層体、及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体分野では、近年、ウエハレベル、パネルレベルで電子部品を埋め込むパッケージが用いられている。例えば、ファンアウト型パッケージは、半導体チップ（チップ）上に形成された再配線がチップの外形より外側に拡張されて形成されている構造のパッケージであり、パッケージの小型化、あるいは配線の高密度化を実現できるため、注目されている。このようなファンアウト型パッケージによる半導体の製造方法として、複数の電子部品を支持体に搭載してモールド材で封止し、配線構造（再配線）を形成した後、積層体から支持体を除去し、固片化する方法が知られる（例えば、下記の特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３０６０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、特許文献１のような電子部品を備える積層体は、反りが発生する場合がある。積層体に反りが発生すると、位置ずれ等が生じ電子部品に不良が発生しやすくなり、歩留まりが低くなってしまう。特に、パッケージの小型化、配線の高密度化をする場合、電子部品の不良が発生しやすくなる。そこで、本願発明者は、上記のような積層体における各部の材料等について検討を行った結果、所定の熱膨張係数の支持体を用いることにより、積層体の反りを抑制することができることを見出して、本発明を完成させた。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明は、電子部品を有する積層体の反りを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、モールド材でモールドされた電子部品を有する基板と、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体とを、所定の処理により変質する分離層を介して積層することを含む、積層体の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体と、所定の処理により変質する分離層と、接着層と、基板とが、この順番で積層された積層体が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、上記の積層体の製造方法により積層体を製造することと、分離層を変質させて、積層体から支持体を分離することと、基板から接着層及び分離層を除去して、電子部品を含む電子装置を得ることと、を含む、電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の積層体の製造方法は、反りを抑制した積層体を製造することができる。また、本発明の積層体は、反りが抑制される。また、本発明の電子装置の製造方法は、反りが抑制された積層体を用いるので、製造する電子部品の歩留まりを高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る積層体を示す図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、実施形態に係る積層体の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図２に続いて、積層体の製造方法を示すフローチャートである。
【図４】（Ａ）から（Ｃ）は、積層体の製造方法の説明図である。
【図５】図４に続いて、（Ａ）から（Ｃ）は、積層体の製造方法の説明図である。
【図６】図５に続いて、（Ａ）及び（Ｂ）は、積層体の製造方法の説明図である。
【図７】実施形態に係る電子装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、電子装置の製造方法の説明図である。
【図９】図８に続いて、（Ａ）及び（Ｂ）は、電子装置の製造方法の説明図である。
【図１０】実施例１〜６の積層体の反り量を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［実施形態］
実施形態について説明する。以下の説明において、適宜、図１などに示すＸＹＺ直交座標系を参照する。このＸＹＺ直交座標系は、Ｘ方向およびＹ方向が水平方向（横方向）であり、Ｚ方向が鉛直方向である。また、各方向において、適宜、矢印の先端と同じ側を＋側（例、＋Ｚ側）、矢印の先端と反対側を−側（例、−Ｚ側）と称す。例えば、鉛直方向（Ｚ方向）において、上方が＋Ｚ側であり、下方が−Ｚ側である。なお、図面においては、実施形態を説明するため、一部または全部を模式的に記載するとともに、一部分を大きくまたは強調して記載する等適宜縮尺を変更して表現した部分を含む。
【００１２】
[積層体]
本実施形態の積層体について説明する。図１は、本実施形態に係る積層体を示す−Ｙ側から見た断面図である。積層体１は、図１に示すように、支持体２、分離層３、接着層４、及び電子部品Ｅを有する基板５を備えている。積層体１では、支持体２と、分離層３と、接着層４と、電子部品Ｅを有する基板５とが、この順番で積層されている。積層体１は、電子部品Ｅを備える電子装置１０（図９（Ｂ）参照）の製造に用いられる。積層体１は、電子部品Ｅ上に形成された再配線層Ｒが電子部品Ｅの外形より外側に拡張されて形成されている構造であるいわゆるファンアウト型パッケージの構造を含む。なお、本実施形態では、積層体１を、いわゆるファンアウト型パネルレベルパッケージの構造を含むものとして説明するが、他の態様でもよい。
【００１３】
（支持体）
支持体２は、分離層３、接着層４及び基板５を支持する。支持体２の一方の面（図１では＋Ｚ側の面）には、分離層３が積層される。支持体２の大きさ、厚さ、及び形状は、それぞれ、任意に設定可能である。例えば、支持体２は、一辺あるいは直径等の外形の大きさを１０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下程度とすることができる。また、例えば、支持体２の厚さは、積層体１の反りを抑制する観点から、４００μｍ以上１２００μｍ以下であるのが好ましい。また、支持体２の厚さは、積層体１の反りを抑制する観点から、後に説明する基板５の厚さよりも厚いのが好ましい。また、例えば、支持体２の形状は、その外形が矩形状、円形状などの板状等の形状とすることができる。
【００１４】
支持体２は、熱膨張係数（coefficient of thermal expansion, CTE）が、３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下であり、４ｐｐｍ／Ｋ以上９ｐｐｍ／Ｋ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上８ｐｐｍ／Ｋ以下であるのがより好ましい。支持体２の熱膨張係数が上記範囲である場合、積層体１の反りを抑制することができる。これは、支持体２の熱膨張係数が上記の範囲である場合、基板５の熱膨張係数にマッチするためであると考えられる。中でも、支持体２の熱膨張係数と基板５の熱膨張係数とは、（支持体２の熱膨張係数／基板５の熱膨張係数）をＸとしたときに、Ｘは、０．５≦Ｘ≦１．２を満たすのが好ましく、０．８≦Ｘ≦１．０を満たすのがより好ましい。なお、基板５の熱膨張係数は、４ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であるのがより好ましい。なお、支持体２及び基板５の熱膨張係数は、それぞれ、公知の熱膨張率測定装置等により求めることができる。
また、本発明において、支持体２上に設けられるモールド材Ｍの膨張収縮挙動が、積層体１の反りに対して支配的である場合がある。その場合、基板５の熱膨張係数は、モールド材Ｍの熱膨張係数と同等であるとみなすことができる。
このような観点で、モールド材Ｍの熱膨張係数は、４ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であるのがより好ましい。
なお、このモールド材Ｍの熱膨張係数は、別途、封止用に用いられる組成物について硬化させることにより試験片を得、この試験片について熱膨張率測定装置により分析し、求めることができる。
【００１５】
支持体２の形成材料は、特に限定されず任意であるが、後に説明する分離層３が、光により変質する場合、分離層３を変質させる波長の光が透過する材料で形成されるのが好ましい。この場合、分離層３を変質させる光を、支持体２を通して分離層３に照射することができるので、分離層３を変質させる処理（図８（Ｂ）参照）を簡単に施すことができる。
【００１６】
上記のような支持体２の形成材料は、例えば、ガラス、セラミックス、単結晶材料等である。中でも、支持体２の形成材料は、材料のコスト、材料の入手容易性等の観点から、ガラスであるのが好ましい。なお、支持体２の形成材料がガラスである場合、ガラスの組成は特に限定されず任意である。このようなガラスは、公知のものを用いることができる。
【００１７】
（分離層）
分離層３は、支持体２上に形成される。分離層３は、積層体１において、支持体２と接着層４（基板５）との間に形成される。分離層３は、所定の処理により変質する。これにより、積層体１は、分離層３を変質させることで、支持体２と基板５とを分離させることができる。例えば、分離層３は、光の吸収、加熱、分離層３を変質（例、分解、溶解）させる化合物との作用により変質するもの（材料）を用いることができる。分離層３が光の吸収により変質する場合、分離層３を特異的に変質させる処理を簡単に施すことができる。
【００１８】
なお、本明細書において、分離層３が「変質する」とは、分離層３と接する層との接着力が低下した状態に変化することを意味する。分離層３は、分離層３がわずかな外力を受けて破壊される状態に変質するのが好ましい。分離層３は、変質の結果として、変質する前の強度又は接着性を失う。例えば、分離層３は、変質することにより脆くなる。分離層３の変質は、上記した所定の処理の結果として生じ、制御可能である。本実施形態では、分離層３は、所定の処理により、支持体２を分離層３に対して移動させることで分離層３が破壊される程度に変質するよう設定されている。これにより、積層体１は、基板５を支持体２から容易に分離させることができる。
【００１９】
分離層３の形成材料は、特に限定されず任意である。分離層３の形成材料は、光の吸収により変質する材料である場合、国際公開第２０１３／００８５４０号に記載される材料であるフルオロカーボン、光吸収性を有している構造をその繰返し単位に含んでいる重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物などを用いることができる。分離層３の形成材料が上記の材料である場合、光を吸収することにより変質して、光を吸収する前の強度または接着性を失い、わずかな外力を加える（例えば、支持体２を分離層３に対して移動させるなど）ことによって破壊することができ、支持体２と基板５とを分離しやすくすることができる。なお、分離層３の形成材料は、光の吸収により変質する材料である場合、光の吸収率が８０％以上であることが好ましい。また、分離層３が光の吸収により変質する材料である場合、変質を生じさせる光の波長は任意である。分離層３が光の吸収により変質する材料である場合、分離層３は、例えば、レーザから照射される光を吸収することによって変質する。
【００２０】
また、分離層３の形成材料は、加熱により変質する材料である場合、例えば、所定の温度で変質する公知の熱分解性樹脂を用いることができる。この場合、分離層３が変質する所定の温度は、積層体１の製造方法により適宜設定され、熱分解性樹脂の材料により調整することができる。
【００２１】
また、分離層３は、基板５から除去しやすいように、所定の溶剤により溶解する材料であるのが好ましい。分離層３を溶解する溶剤は、特に限定されず任意であるが、例えば、分離層３が上記した光を吸収して変質する材料である場合、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン、脂環式アミン、芳香族アミン、複素環式アミン等のアミン化合物などを含む溶剤を用いることができる。
【００２２】
分離層３の厚さは、特に限定されないが、例えば、０．０５μｍ以上５０μｍ以下の範囲であることが好ましい。分離層３の厚さが、上記範囲の場合、簡単な処理（例、短時間の光の照射および低エネルギーの光の照射等）により、分離層３をより確実に変質させることができる。
【００２３】
（接着層）
接着層４は、分離層３上に形成される。接着層４は、積層体１において、分離層３と基板５との間に形成される。接着層４は、分離層３と基板５との接着に用いられる。
【００２４】
接着層４は、熱可塑性の材料で構成されることが好ましい。接着層４が熱可塑性の材料で構成される場合、熱により溶解させて冷却することで硬化できるので、製造時のハンドリング、制御が容易である。接着層４は、モジュラス（引張り応力）が０．０５ＭＰａ以上５．００ＭＰａ以下であるのが好ましく、０．１ＭＰａ以上３．００ＭＰａ以下であるのがより好ましい。接着層４のモジュラスが上記範囲である場合、接着層４による積層体１の変形を抑制することができる。
【００２５】
接着層４の形成材料は、特に限定されず、任意である。例えば、接着層４の形成材料は、接着性を有する樹脂であり、中でも、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサル系樹脂のいずれか又はこれらを組み合わせた樹脂であるのが好ましい。接着層４は、基板５から除去しやすいように、所定の溶剤により溶解する材料であるのが好ましい。接着層４を溶解する溶剤は、特に限定されず任意であるが、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の管状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン等とすることができる。このような接着層４は、例えば、東京応化工業株式会社製、ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７、Ａ３００７等を用いて形成することができる。
【００２６】
接着層４の厚さは、特に限定されないが、例えば、接着性、接着層４の除去のしやすさの観点から、１０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましい。
【００２７】
なお、接着層４は、上記した分離層３の特性である所定の処理により変質する特性を有していてもよい。すなわち、分離層３が接着層４を兼ねていてもよい。この場合、積層体１は、接着層４を備えなくてもよい。このような分離層３の形成材料は、例えば、接着性を有する樹脂に光を吸収する材料が配合された材料などであり、例えば、アクリル系紫外線硬化樹脂にカーボンブラック等を配合された材料、粘着性樹脂にグラスバブルスの赤外線吸収材料等が配合された材料などである。
【００２８】
（基板）
基板５は、接着層４上に形成される。基板５は、モールド材Ｍでモールド（封止）された複数の電子部品Ｅ、再配線層Ｒ（ＲＤＬ（Redistribution Layer））、及びバンプＢを有する。本実施形態の基板５は、ファンアウト型パッケージ構造を有する封止体基板である。基板５は、固片化（ダイシング）され、複数の電子装置１０となる（図９（Ｂ）参照）。
ここで、接着層４は、この基板５の中に備えられるモールド材Ｍと電子部品はＥとの組合せにより断続的に構成される部材で、その大部分が被覆されることとなる。
【００２９】
各電子部品Ｅは、モールド材Ｍでモールドされる。モールド材Ｍは、電子部品Ｅを覆うようにモールドする。モールド材Ｍは、各電子部品Ｅにおいて、接着層４に対して反対の面（＋Ｚ側の面）及び側面（±Ｘ側の面および±Ｙ側の面）をモールドする。モールド材Ｍの厚さは、特に限定されず任意である。モールド材Ｍの形成材料は、特に限定されず任意である。モールド材Ｍの形成材料は、例えば、エポキシ系の樹脂、シリコン系の樹脂などである。また、電子部品Ｅは、特に限定されず任意である。例えば、電子部品Ｅは、半導体チップ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、トランジスタ、コンデンサ、抵抗等である。なお、複数の電子部品Ｅは、同一の種類でもよいし、異なっていてもよい。このようなモールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅは、例えば、モールド材Ｍでモールドされた複数の電子部品Ｅ（モールドウエハ）でもよいし、モールド材Ｍでモールドされた個々の電子部品Ｅでもよい。また、モールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅは、単層でもよいし、多層でもよい。
【００３０】
再配線層Ｒは、電子部品Ｅの端子Ｔ等に接続する配線を構成する薄膜の配線体である。再配線層Ｒは、誘電体Ｒａに、導電体Ｒｂによって配線が形成されたものである。再配線層Ｒの配線構造は、任意に設定可能である。例えば、再配線層Ｒは、単層でもよいし、複数層の構造でもよい。誘電体Ｒａ及び導電体Ｒｂの材料は、それぞれ、特に限定されず任意である。誘電体Ｒａの材料は、例えば、ポリイミド系樹脂、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂等である。導電体Ｒｂの材料は、例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金等の金属等である。再配線層Ｒの厚さは、特に限定されず任意であり、例えば、安定性、基板５の薄膜化の観点から、数μｍ以上数１０μｍ程度に設定される。
【００３１】
バンプＢは、再配線層Ｒに接続されて形成され、他の電子部品との接続などに用いられる電極である。バンプＢの形状、大きさ、種類は、それぞれ、特に限定されず任意である。バンプＢの形成材料は、特に限定されず任意であり、例えば、金、銀、銅、錫及び半田材料などを用いることができる。
【００３２】
基板５は、上記したように、その熱膨張係数が、支持体２の熱膨張係数と所定の関係を満たすのが好ましい。また、基板５の厚さは、特に限定されないが、積層体１の反りを抑制する観点から、１００μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３３】
なお、上記の基板５は一例であって、他の形態でもよい。例えば、基板５は、少なくとも電子部品Ｅを備えていればよく、例えば、再配線層Ｒ、及びバンプＢの少なくとも１つは備えなくてもよい。また、基板５の形状は任意であり、層状、板状でなくてもよい。
【００３４】
（積層体の反り）
積層体１は、単位長さあたりの反り量が、１０μｍ／ｍｍ以下であり、好ましくは５．０μｍ／ｍｍ以下、より好ましくは３．０μｍ／ｍｍ以下である。なお、「単位長さあたりの反り量」とは、支持体２の分離層３を積層しない側の面の所定の断面における最大高低差をＤとし、所定の断面の長さ（両端の距離）をＬとしたときのＤ／Ｌで表される量である。この最大高低差Ｄは、レーザ変位計等で測定可能である。このように本実施形態の積層体１は、反りが抑制されたものである。これにより、積層体１は、位置ずれなどが抑制され、製造する電子部品Ｅ（電子装置１０）の歩留まりを高くすることができる。このため、積層体１は、後に説明する電子装置１０の製造などに好適に用いることができる。
【００３５】
［積層体の製造方法］
次に、本実施形態に係る積層体の製造方法を説明する。本積層体の製造方法は、上記した本実施形態の積層体１を製造する方法である。図２及び図３は、本実施形態の積層体の製造方法を示すフローチャートである。図４から図６は、本実施形態の積層体の製造方法を説明する図である。なお、本積層体の製造方法において、積層体１の各部（分離層３、接着層４、基板５）の特性などの上記した本実施形態の積層体１と同様の部分については、説明を適宜省略する。
【００３６】
積層体の製造方法は、図２（Ａ）のステップＳ１に示すように、モールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅを有する基板５と、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上１４ｐｐｍ／Ｋ以下である支持体２とを、所定の処理により変質する分離層３を介して積層することを含む。
【００３７】
例えば、ステップＳ１は、図２（Ｂ）に示すステップＳ２に示すように、上記した支持体２と、分離層３と、接着層４と、基板５とを、この順番で積層することを含む。ステップＳ２は、例えば、図２（Ｂ）に示すステップＳ３からステップＳ５により行う。
【００３８】
ステップＳ３では、支持体２に分離層３を積層する。ステップＳ３では、まず、上記した支持体２を準備する（図４（Ａ）参照）。この際、上記したように、支持体２は、（支持体２の熱膨張係数／基板５の熱膨張係数）をＸとしたとき、Ｘは０．５≦Ｘ≦１．２を満たすのが好ましい。
【００３９】
また、支持体２の熱膨張係数は、複数の異なる熱膨張係数の支持体２を用いて製造した積層体１の反り量に基づいて設定されるのが好ましい。これは、積層体１の反りは、積層体１を構成する材料、大きさ、厚み、製造方法（処理方法）等の複数の要因により変化しうるからである。本願発明者は、後に参考例として説明するように、積層体１において、支持体２以外の構成及び製造方法が同じ場合、積層体１の反り量は、支持体２の熱膨張係数と相関することを見出している。例えば、熱膨張係数がＡ１の支持体２を用いて製造した積層体の反り量がＷ１であり、熱膨張係数がＡ２の支持体２を用いて製造した積層体の反り量がＷ２であった場合、上記熱膨張係数（Ａ１、Ａ２）と反り量（Ｗ１、Ｗ２）とが相関関係を有する。これにより、用いる支持体２の熱膨張係数は、上記の相関関係に基づいて、積層体１の反り量が少なくなる支持体２の熱膨張係数を予測し設定することができる。この場合、積層体１の反りを、確実に抑制することができる。
【００４０】
次に、準備した支持体２に分離層３を積層する。例えば、上記した分離層３の形成材料を溶剤で溶解させた分離層３を形成する液を、支持体２の一方の面に塗布し、乾燥させて溶剤を蒸発させることにより、図４（Ｂ）に示すように、支持体２上に分離層３を積層する。塗布の方法は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法を用いることができる。
【００４１】
続いて、ステップＳ４において、分離層３に接着層４を積層する。例えば、上記した接着層４の形成材料を溶剤で溶解させた接着層４を形成する液を、分離層３上に塗布し、乾燥させて溶剤を蒸発させることにより、図４（Ｃ）に示すように、分離層３に接着層４を積層する。塗布の方法は、ステップＳ３と同様である。なお、上記のように分離層３が接着層４を兼ねている場合、ステップＳ４を行わなくてもよい。
【００４２】
続いて、ステップＳ５において、接着層４に、モールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅを有する基板５を積層する。本実施形態の積層体の製造方法では、ステップＳ５は、ファンアウト型パッケージの製造方法の中で、いわゆるチップファースト（ＲＤＬラスト）と呼ばれる電子部品Ｅに対して再配線層Ｒを形成する方法を説明するが、他の態様でもよい。例えば、接着層４に上記基板５を積層する方法としては、いわゆるＲＤＬファーストと呼ばれる再配線層Ｒを形成した後に、再配線層Ｒに対して電子部品Ｅを積層する方法を用いてもよいし、予めモールド材Ｍでモールドされた複数の電子部品Ｅ（モールドウエハ）を接着層４に積層してもよいし、予めモールド材Ｍでモールドされた個々の電子部品Ｅを複数、接着層４に積層してもよい。
【００４３】
例えば、ステップＳ５は、図３に示すステップＳ６からステップＳ１０により行う。例えば、ステップＳ６において、接着層４に電子部品Ｅを積層する。図５（Ａ）に示すように、接着層４には、複数の電子部品Ｅが所定の配列で配列される。例えば、接着層４への電子部品Ｅの積層は、予め複数の電子部品Ｅを所定の配列で接着性の支持体等に配列し、これを接着層４に転写することにより行われる。なお、接着層４への電子部品Ｅを積層する方法は、上記の方法に限定されず任意である。
【００４４】
続いて、図３のステップＳ７において、電子部品Ｅをモールド材Ｍでモールドする。例えば、上記したモールド材Ｍの形成材料を、溶剤で溶解させたモールド材料を、塗布装置により電子部品Ｅを覆うように塗布し、乾燥させ溶剤を蒸発させることにより、図５（Ｂ）に示すように、電子部品Ｅ全体をモールド材Ｍでモールドする。モールド材Ｍの熱膨張係数は、４ｐｐｍ／Ｋ以上１２ｐｐｍ／Ｋ以下であるのが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上１０ｐｐｍ／Ｋ以下であるのがより好ましい。なお、接着層４への電子部品Ｅの積層は、上記の方法に限定されず他の方法でもよい。例えば、接着層４への電子部品Ｅの積層は、複数の電子部品Ｅが所定の配列で配列された状態で、封止材シート等のモールド材Ｍでモールドされた電子部品Ｅの層を予め作成し、この層を接着層４に積層してもよい。
【００４５】
続いて、図３のステップＳ８において、電子部品Ｅの端子Ｔをモールド材Ｍから露出させる。例えば、図５（Ｃ）に示すように、モールド材Ｍの表面（＋Ｚ側の面）に対して、研削、研磨、切削などの処理を施すことにより、電子部品Ｅの端子をモールド材Ｍから露出させる。
【００４６】
続いて、図３のステップＳ９において、電子部品Ｅの端子Ｔを露出させたモールド材Ｍに再配線層Ｒを形成する。再配線層Ｒの形成方法は、特に限定されず、任意である。例えば、本実施形態では、まず、電子部品Ｅの端子Ｔを露出させたモールド材Ｍ上に、サブトラクト法、アディティブ法等により、導電体Ｒｂの層を形成し、導電体Ｒｂの層上に所定のパターンのレジストを形成し、不要な導電体Ｒｂをエッチングした後、レジストを剥離して所定の配線パターンを形成する。そして、配線パターン上に誘電体Ｒａの保護層を形成して、図６（Ａ）に示すような、誘電体Ｒａに導電体Ｒｂの配線パターンを形成した再配線層Ｒを形成する。なお、再配線層Ｒの形成方法は、上記の方法に限定されず、任意の方法を用いることができる。
【００４７】
続いて、図３のステップＳ１０において、再配線層ＲにバンプＢを形成する。例えば、バンプＢは、誘電体Ｒａの層の所定の部分を除去して再配線層Ｒを露出させ、露出させた部分にバンプＢの材料を供給することにより、図６（Ｂ）に示すように、再配線層ＲにバンプＢを形成する。以上のステップにより、図１に示す、上記した本実施形態の積層体１を製造することができる。なお、バンプＢを形成するか否かは任意である。
【００４８】
［電子装置の製造方法］
次に、本実施形態の電子装置の製造方法を説明する。本電子装置の製造方法は、上記した本実施形態の積層体１を用いて電子装置１０を製造する方法である。図７は、本実施形態の電子装置の製造方法を示すフローチャートである。図８及び図９は、本実施形態の電子装置の製造方法を説明する図である。なお、本明細書において、「電子装置」とは、電子部品Ｅを備える装置、素子、部品を意味する、
【００４９】
電子装置の製造方法は、上記した積層体の製造方法により積層体を製造することと、分離層３を変質させて、積層体１から支持体２を分離することと、基板５から接着層４及び分離層３を除去して、電子部品Ｅを含む電子装置１０を得ることと、を含む。電子装置の製造方法は、例えば、図７に示すステップＳ１１からステップＳ１５により行うことができる。
【００５０】
例えば、ステップＳ１１において、上記した基板５を支持部材８で支持する。例えば、支持部材８は、粘着性を有するテープ（シート）などの基板５を支持し且つ基板５から取り外し可能な部材を用いることができる。
【００５１】
続いて、ステップＳ１２において、分離層３を所定の処理により変質させる。この所定の処理は、分離層３の性質に基づいて決定される。例えば、この所定の処理は、分離層３が光を吸収して変質する場合、分離層３に光を吸収させる処理であり、分離層３が加熱により変質する場合、分離層３を加熱する処理であり、分離層３が化合物により変質する処理の場合、分離層３に化合物を作用させる（接触させる）処理である。中でも、電子装置の製造方法では、支持体２は光が透過する材料で形成され、且つ分離層３は光を吸収して変質する材料で形成され、所定の処理は支持体２を通して光を照射することにより分離層３に光を吸収させる処理であるのが好ましい。この場合、分離層３を特異的に簡単な処理で変質させることができる。例えば、図８（Ｂ）に示すように、分離層３を変質させる波長の光を発生させるレーザ等により、支持体２を通して分離層３に光を照射する。分離層３は、わずかな外力を受けて破壊される状態に変質するのが好ましい。なお、図８（Ｂ）において、符号「３ａ」は、変質した状態を示している。
【００５２】
続いて、ステップＳ１３において、積層体１から支持体２を分離する。本実施形態では、分離層３は、わずかな外力を受けて破壊される状態に変質しており、例えば、図８（Ｃ）に示すように、支持体２を分離層３に対して移動させることで、分離層３が破壊され、基板５を支持体２から容易に分離させることができる。
【００５３】
続いて、ステップＳ１４において、分離層３及び接着層４を基板５から除去する。本実施形態では、上記したように、分離層３及び接着層４は、所定の溶剤により溶解するように設定され、図９（Ａ）に示すように、所定の溶剤により処理を行うことにより分離層３及び接着層４を基板５から除去する。分離層３及び接着層４を除去した後、溶剤を洗浄し、乾燥させる。
【００５４】
続いて、ステップＳ１５において、基板５をダイシングする。例えば、ステップＳ１５において、図９（Ｂ）に示すように、基板５を所定の単位で、ダイシングする。ダイシングの方法は、特に限定されず任意である。例えば、このダイシングは、ブレードダイシング、レーザダイシング等により行うことができる。これにより、積層体１の基板５を固片化した電子装置１０が製造される。本実施形態では、反りが抑制された積層体１を用いるので、製造する電子部品の歩留まりを高くすることができる。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態の積層体の製造方法は、反りを抑制した積層体を製造することができる。また、本発明の積層体は、反りが抑制される。また、本実施形態の電子装置の製造方法は、反りが抑制された積層体を用いるので、製造する電子部品の歩留まりを高くすることができる。
【実施例】
【００５６】
以下に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
【００５７】
［実施例１〜６］
実施例１〜６では、熱膨張係数が異なる複数の支持体を用いて、図１に示す積層体１を製造し、積層体１の反りを評価した。
【００５８】
（積層体の製造）
実施例１〜６の積層体１は、以下のように、上記本実施形態の積層体の製造方法を用いて製造した。各実施例の積層体は、以下の材料を用いて製造した。各実施例において、支持体２は、直径が２００ｍｍ、厚さが７００μｍ、熱膨張係数が３．２〜１０．５ｐｐｍ／Ｋ（図１０に示す）、円板状のガラスとした。分離層３は、形成材料をフルオロカーボン系分離層とし、厚さを０．４μｍとした。接着層４は、東京応化工業株式会社製、ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７（モジュラス０．２７ＭＰａ）を用いて、厚さ３０μｍで形成した。基板５は、複数の電子部品Ｅがモールド材Ｍでモールドされたものである。基板５の厚さは、各実施例において３００μｍ及び４９０μｍとした。なお、実施例１〜６において、基板５の熱膨張係数は８〜１０ｐｐｍ／Ｋの範囲であった。分離層３、及び接着層４は、材料を溶解させた材料液を塗布装置により塗布した後、加熱することにより形成した。また、基板５と接着層４との積層は、モールド材Ｍでモールドした複数の電子部品Ｅ（モールドウエハ）を有する基板５を、積層体１に積層することにより行った。
【００５９】
（反りの測定）
製造した積層体１を定盤上に載置し、積層体１の所定の断面における最大高低差Ｄをレーザ変位計により測定した。なお、所定の断面は、円板状の積層体１の直径方向とした。各実施例における積層体１の反りを図１０に示す。なお、図１０において、積層体１の反りの「＋」の符号は、図１に示す積層体１が上方に向いて突出する方向の反りを示し（スマイル）、積層体１の反りの「−」の符号は、図１に示す積層体１が下方に向いて突出する方向の反り（クライ）を示している。
【００６０】
なお、接着層４に積層する前の状態における基板５の反りもレーザ変位計で計測した。その結果、厚さが３００μｍの基板５は、下方に向いて中央が突出する方向（−方向）に沿っており、最大高低差が２０２２μｍ（単位長さあたりの反り量が１０．１μｍ／ｍｍ）であり、厚さが４９０μｍの基板は、上方に向いて中央が突出する方向（＋方向）に沿っており、最大高低差が３４２９μｍ（単位長さあたりの反り量が１７．１μｍ／ｍｍ）であった。
【００６１】
また、実施例１〜６において、積層体１の単位長さあたりの反り量を下記の式により求めた。
式：「積層体１の単位長さあたりの反り量」＝「積層体１の反り量の絶対値（μｍ）」／支持体の直径（２００ｍｍ）
その結果を以下に示す。また、反りの方向も示す。
実施例１：
３００μｍ厚の基板：１５４４μｍ／２００ｍｍ＝７．７２０μｍ／ｍｍ（＋方向）
４９０μｍ厚の基板：１９８９μｍ／２００ｍｍ＝９．９４５μｍ／ｍｍ（＋方向）
実施例２：
３００μｍ厚の基板：１６６５μｍ／２００ｍｍ＝８．３２５μｍ／ｍｍ（＋方向）
４９０μｍ厚の基板：１６０２μｍ／２００ｍｍ＝８．０１０μｍ／ｍｍ（＋方向）
実施例３：
３００μｍ厚の基板：９７２μｍ／２００ｍｍ＝４．８６μｍ／ｍｍ（＋方向）
４９０μｍ厚の基板：１０６３μｍ／２００ｍｍ＝５．３１５μｍ／ｍｍ（＋方向）
実施例４：
３００μｍ厚の基板：６６０μｍ／２００ｍｍ＝３．３μｍ／ｍｍ（＋方向）
４９０μｍ厚の基板：６５８μｍ／２００ｍｍ＝３．２９μｍ／ｍｍ（＋方向）
実施例５：
３００μｍ厚の基板：８１０μｍ／２００ｍｍ＝４．０５μｍ／ｍｍ（−方向）
４９０μｍ厚の基板：２２２μｍ／２００ｍｍ＝１．１１μｍ／ｍｍ（−方向）
実施例６：
３００μｍ厚の基板：２０１２μｍ／２００ｍｍ＝１０．０６μｍ／ｍｍ（−方向）
４９０μｍ厚の基板：１８４２μｍ／２００ｍｍ＝９．２１μｍ／ｍｍ（−方向）
【００６２】
（結果）
本実施形態の積層体１は、図１０に示すように、反りが抑制されていることが確認される。また、実施例１〜６の結果から、積層体１の反りは、支持体２の熱膨張係数に依存して、反りの方向が連続的に変化することが確認された。また、実施例１〜６で行った複数の異なる熱膨張係数の支持体２を用いて製造した積層体１の反り量は、支持体２の熱膨張係数と相関があることが確認され、積層体１の反り量は支持体２の熱膨張係数が６．５程度でゼロに近くなると予測される。
【００６３】
なお、本発明の技術範囲は、上述の実施形態などで説明した態様に限定されるものではない。上述の実施形態などで説明した要件の１つ以上は、省略されることがある。また、上述の実施形態などで説明した要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態などで引用した全ての文献の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・積層体
２・・・支持体
３・・・分離層
４・・・接着層
５・・・基板
８・・・支持部材
１０・・・電子装置
Ｂ・・・バンプ
Ｅ・・・電子部品
Ｍ・・・モールド材
Ｒ・・・再配線層
Ｒａ・・・誘電体
Ｒｂ・・・導電体
Ｔ・・・端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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