(57)【要約】【課題】二次電池を所望の性能とするため技術を提供すること。【解決手段】本発明にかかる二次電池の製造方法は、第１電極の上にｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有する充電層１３を積層する積層工程、及び、充電層１３の上に複数のブロックに分割された第２電極１７を形成する形成工程により、複数のブロック３２に分割された積層体を製造する製造工程と、ブロック３２毎に、充電層１４の性能を評価する評価工程と、充電層１５の性能の評価結果に基づいて複数のブロック３２の中から任意の選択ブロック３４を選択する選択工程と、選択工程により選択された選択ブロック３４を、導電体４１で接続する接続工程と、を備えたものである。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極の上にｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有する充電層を積層する積層工程、及び、前記充電層の上に複数のブロックに分割された第２電極を形成する形成工程により、複数のブロックに分割された積層体を製造する製造工程と、
ブロック毎に、前記充電層の性能を評価する評価工程と、
前記充電層の性能の評価結果に基づいて前記複数のブロックの中から任意のブロックを選択する選択工程と、
前記選択工程により選択されたブロックを、導電体で接続する接続工程と、を備えた二次電池の製造方法。
【請求項２】
前記接続工程では、
前記導電体を形成する前に、前記選択されたブロックにおいて、隣接するブロックの間を跨ぐように、前記隣接するブロックの前記第２電極の上に絶縁体を形成し、
前記隣接するブロックの前記第２電極同士を接続するように、前記絶縁体の両端のエッジを乗り越える前記導電体を前記絶縁体の上から形成する請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項３】
前記接続工程では、
前記導電体を形成する前に、前記選択されたブロックにおいて、前記選択されたブロック間を跨ぐように、前記選択されたブロックの第２電極の上、及び、前記選択されたブロックの間に配置されているブロックの第２電極の上に絶縁体を形成し、
前記選択されたブロックの前記第２電極同士を接続するように、前記絶縁体の両端のエッジを乗り越える前記導電体を前記絶縁体の上から形成する請求項１に記載の二次電池の製造方法。
【請求項４】
前記評価工程では、
前記充電層の性能の測定結果に応じて、前記複数のブロックを２以上のグループにグループ分けして、
前記選択工程では
前記グループ分けの結果に基づいて、前記複数のブロックから任意のブロックを選択する請求項１〜３のいずれか１項に記載の二次電池の製造方法。
【請求項５】
前記形成工程は、
前記充電層の上に、前記第２電極を一体的に形成する工程と、
前記充電層の上に一体的に形成された前記第２電極にレーザ光を照射して、前記複数のブロックに分割する工程と、を含んでいる請求項１〜４のいずれか１項に記載の二次電池の製造方法。
【請求項６】
前記形成工程では、前記レーザ光が前記充電層に照射されることで、前記充電層が前記複数のブロックに分割される請求項５に記載の二次電池の製造方法。
【請求項７】
前記形成工程では、
前記複数のブロックを形成するための格子状のマスクを用いて、前記第２電極が前記充電層の上に分割して形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記ブロック毎の前記充電層の性能が、充電電流量、充電電力量、放電電流量、エネルギー密度、充放電効率のうちの１つ以上の測定データに基づいて評価される請求項１〜７のいずれか１項に記載の二次電池の製造方法。
【請求項９】
前記第１電極と前記充電層の間に、ｎ型酸化物半導体層が配置され、
前記第２電極と前記充電層の間に、ｐ型酸化物半導体層が配置される請求項１〜８のいずれか１項に記載の二次電池の製造方法。
【請求項１０】
一体的に形成された第１電極と、
ｎ型金属酸化物材料及び絶縁性材料を含み、前記第１電極の上に配置された充電層と、
前記充電層の上に配置された複数の第２電極と、
隣接する前記第２電極間の分割線を跨ぐように、隣接する前記第２電極の上に配置された絶縁体と、
前記絶縁体の両端のエッジを乗り換えるように前記絶縁体の上に配置され、隣接する前記第２電極同士を接続する導電体と、を備えた二次電池。
【請求項１１】
前記充電層が前記複数の第２の電極に基づいて、分割される請求項１０に記載の二次電池。
【請求項１２】
前記第１電極の上に、前記充電層が一体的に形成される請求項１０に記載の二次電池。
【請求項１３】
前記第１電極と前記充電層の間に、ｎ型酸化物半導体層が配置され、
前記第２電極と前記充電層の間に、ｐ型酸化物半導体層が配置される請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の二次電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二次電池を所望の性能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数のセルを備えたバッテリの充電状態を推定する方法が開示されている。特許文献１の方法は、バッテリの各々のセルの充電状態を決定するステップを有している。この方法では、最も多く充電されているセルの充電状態と、最も少なく充電されているセルの充電状態との乖離に基づいて、バッテリ使用範囲が決定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１４−５２０２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、シート状の二次電池では、製造工程中に異物やゴミなどが付着してしまい、欠陥が発生してしまうことがある。このような欠陥は、目視やカメラなどで検出が困難である。特に、充電層中に欠陥が内包されている場合、検出が困難である。このような欠陥が発生すると充電層がショートしてしまい所望の性能を得ることが困難になるという問題点がある。
【０００５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、二次電池を所望の性能とするための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態の一態様に係る二次電池の製造方法は、第１電極の上にｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有する充電層を積層する積層工程、及び、前記充電層の上に複数のブロックに分割された第２電極を形成する形成工程により、複数のブロックに分割された積層体を製造する製造工程と、ブロック毎に、前記充電層の性能を評価する評価工程と、前記充電層の性能の評価結果に基づいて前記複数のブロックの中から任意のブロックを選択する選択工程と、前記選択工程により選択されたブロックを、導電体で接続する接続工程と、を備えたものである。
【０００７】
上記の製造方法において、前記接続工程では、前記導電体を形成する前に、前記選択されたブロックにおいて、隣接するブロックの間を跨ぐように、前記第２電極の上に絶縁体を形成し、前記隣接するブロックの前記第２電極同士を接続するように、前記絶縁体の両端のエッジを乗り越える前記導電体を前記絶縁体の上から形成するにしてもよい。
【０００８】
上記の製造方法において、前記接続工程では、前記導電体を形成する前に、前記選択されたブロックにおいて、前記選択されたブロック間を跨ぐように、前記選択されたブロックの第２電極の上、及び、前記選択されたブロックの間に配置されているブロックの第２電極の上に絶縁体を形成し、前記選択されたブロックの前記第２電極同士を接続するように、前記絶縁体の両端のエッジを乗り越える前記導電体を前記絶縁体の上から形成する用にしてもよい。
【０００９】
上記の製造方法において、前記評価工程では、前記充電層の性能の測定結果に応じて、前記複数のブロックを２以上のグループにグループ分けして、前記選択工程では前記グループ分けの結果に基づいて、前記複数のブロックから任意のブロックを選択するようにしてもよい。
【００１０】
上記の製造方法において、前記形成工程は、前記充電層の上に、前記第２電極を一体的に形成する工程と、前記充電層の上に一体的に形成された前記第２電極にレーザ光を照射して、前記複数のブロックに分割する工程と、を含んでいてもよい。
【００１１】
上記の製造方法において、前記レーザ光が前記充電層に照射されることで、前記充電層が前記複数のブロックに分割されていてもよい。
【００１２】
上記の製造方法において、前記形成工程では、前記複数のブロックを形成するための格子状のマスクを用いて、前記第２電極が前記充電層の上に分割して形成されていてもよい。
【００１３】
上記の製造方法において、前記ブロック毎の前記充電層の性能が、充電電流量、充電電力量、放電電流量、エネルギー密度、充放電効率のうちの１つ以上の測定データに基づいて評価されていてもよい。
【００１４】
上記の製造方法において、前記第１電極と前記充電層の間に、ｎ型酸化物半導体層が配置され、前記第２電極と前記充電層の間に、ｐ型酸化物半導体層が配置されていてもよい。
【００１５】
本実施形態にかかる二次電池は、一体的に形成された第１電極と、ｎ型金属酸化物材料及び絶縁性材料を含み、前記第１電極の上に配置された充電層と、前記充電層の上に配置された複数の第２電極と、隣接する前記第２電極間の分割線を跨ぐように、隣接する前記第２電極の上に配置された絶縁体と、前記絶縁体の両端のエッジを乗り換えるように前記絶縁体の上に配置され、隣接する前記第２電極同士を接続する導電体と、を備えたものである。
【００１６】
上記の二次電池において、前記充電層が前記複数の第２の電極に基づいて、分割されていてもよい。
【００１７】
上記の二次電池において、前記第１電極の上に、前記充電層が一体的に形成されていてもよい。
【００１８】
上記の二次電池において、前記第１電極と前記充電層の間に、ｎ型酸化物半導体層が配置され、前記第２電極と前記充電層の間に、ｐ型酸化物半導体層が配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、二次電池を所望の性能とするための技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】二次電池の構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる二次電池の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】二次電池の欠陥を説明するための図である。
【図４】欠陥の有無による電池性能の違いを示すグラフである。
【図５】ブロック分割後の二次電池の構成を示す断面図である。
【図６】ブロック分割後の二次電池の構成を模式的に示す図である。
【図７】ブロック毎の性能評価結果を示すテーブルである。
【図８】選択ブロックとＮＧブロックを模式的に示す図である。
【図９】ブロック接続後の二次電池の構成を模式的に示す図である。
【図１０】ブロック接続後の二次電池の構成を示す断面図である。
【図１１】非均一なブロックで分割した例を示す図である。
【図１２】図１１に示されたブロックの性能の評価結果を示す表である。
【図１３】性能のランクに応じて、ブロックを選択する処理を示すフローチャートである。
【図１４】図１３のフローで用いられるデータテーブルの一例を示す図である。
【図１５】評価の同じブロック同士を接続した例を示す図である。
【図１６】実施の形態２にかかる二次電池の製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】マスクを用いて第２電極の形成工程を説明するための断面図である。
【図１８】ブロック接続後の二次電池の構成を示す断面図である。
【図１９】ブロックをグループ分けした結果を模式的に示す図である。
【図２０】グループ分けされたブロックの接続例１を示す図である。
【図２１】グループ分けされたブロックの接続例２を示す図である。
【図２２】グループ分けされたブロックの接続例３を示す図である。
【図２３】ブロックの接続例４を示す図である。
【図２４】２つの選択ブロックの間にＮＧブロックが配置されている場合の接続構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態の一例について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施形態を示すものであって、本発明の技術的範囲が以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
（二次電池の積層構造）
以下、本実施の形態にかかる二次電池の基本的な構成について、図１を用いて説明する。図１は、二次電池の基本的な積層構造を示す断面図である。なお、説明の明確化のため、以下の図には適宜、ＸＹＺ３次元直交座標系が示されている。Ｚ方向は、シート状の二次電池の厚さ方向（積層方向）となり、ＸＹ平面はシート状の二次電池と平行な平面となる。また、ＸＹ平面において、二次電池は矩形状であり、Ｘ方向、及びＹ方向は、二次電池の端辺に平行な方向となっている。
【００２３】
図１において、シート状電池１０は、基材１１上に、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６、及び第２電極１７がこの順序で積層された積層構造を有している。この積層構造を積層体２０とする。すなわち、積層体２０は、基材１１、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６、及び第２電極１７を有している。
【００２４】
基材１１は金属などの導電性物質などにより形成され、第１電極として機能する。本実施形態では、基材１１が負極となっている。基材１１としては、例えば、ＳＵＳシートやアルミニウムシートなどの金属箔シートを用いることができる。
【００２５】
絶縁材料からなる基材１１を用意して、基材１１上に第１電極を形成することもできる。すなわち、基材１１は第１電極を含む構成であればよい。基材１１の上に、第１電極を形成する場合、第１電極の材料として、クロム（Ｃｒ）又はチタン（Ｔｉ）等の金属材料を用いることができる。第１電極の材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）等を含む合金膜を用いてもよい。第１電極を基材１１上に形成する場合、後述する第２電極１７と同様に形成することができる。
【００２６】
基材１１の上には、ｎ型酸化物半導体層１３が形成されている。ｎ型酸化物半導体層１３はｎ型酸化物半導体材料（第２のｎ型酸化物半導体材料）を含んで構成される。ｎ型酸化物半導体層１３としては、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等を使用することが可能である。例えば、ｎ型酸化物半導体層１３は、スパッタリング又は蒸着により、基材１１上に成膜することができる。ｎ型酸化物半導体層１３の材料として、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いることが好ましい。
【００２７】
ｎ型酸化物半導体層１３の上には、充電層１４が形成されている。充電層１４は、絶縁材料とｎ型酸化物半導体材料とを混合した混合物により形成されている。例えば、充電層１４のｎ型酸化物半導体材料（第１のｎ型酸化物半導体材料）として、微粒子のｎ型酸化物半導体を使用することが可能である。ｎ型酸化物半導体は、紫外線照射により光励起構造変化して、充電機能を備えた層となる。充電層１４の絶縁材料としては、シリコーン樹脂を用いることができる。例えば、絶縁材料としては、シリコン酸化物などのシロキサン結合による主骨格を持つシリコン化合物（シリコーン）を使用することが好ましい。
【００２８】
例えば、充電層１４は、第１のｎ型酸化物半導体材料を二酸化チタンとして、酸化シリコンと二酸化チタンとによって形成される。この他に、充電層１４で使用可能なｎ型酸化物半導体材料としては、酸化スズ（ＳｎＯ２）、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）が好適である。二酸化チタン、酸化スズ、及び酸化亜鉛の２つ又は全てを組み合わせた材料を使用することも可能である。
【００２９】
充電層１４の製造工程について説明する。まず、酸化チタン、酸化スズ、又は酸化亜鉛の前駆体と、シリコーンオイルとの混合物に溶媒を混合した塗布液を用意する。脂肪酸チタンとシリコーンオイルを溶媒に混合した塗布液を用意する。そして、スピン塗布法、スリットコート法などにより、塗布液がｎ型酸化物半導体層１３上に塗布される。塗布膜に対して、乾燥、及び焼成を行うことで、ｎ型酸化物半導体層１３上に充電層１４を形成することができる。なお、前駆体の一例として、例えば酸化チタンの前駆体であるチタニウムステアレートが使用できる。酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛は、金属酸化物の前駆体である脂肪族酸塩から分解して形成される。乾燥、及び焼成した後の、充電層１４に対して、紫外線照射を行いＵＶ硬化させてもよい。
【００３０】
なお、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛などについては、前駆体を用いずに、酸化物半導体の微細な粒子を用いることも可能である。酸化チタン、又は酸化亜鉛のナノ粒子をシリコーンオイルと混合することで、混合液が生成される。さらに、混合液に溶媒を混合することで、塗布液が生成される。スピン塗布法、スリットコート法などにより、塗布液がｎ型酸化物半導体層１３上に塗布される。塗布膜に対して、乾燥、焼成、及びＵＶ照射を行うことで、充電層１４を形成することができる。
【００３１】
充電層１４に含まれる第１のｎ型酸化物半導体材料と、ｎ型酸化物半導体層１３に含まれる第２のｎ型酸化物半導体材料とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。例えば、ｎ型酸化物半導体層１３に含まれるｎ型酸化物半導体材料が酸化スズである場合、充電層１４のｎ型酸化物半導体材料は酸化スズであってもよいし、酸化スズ以外のｎ型酸化物半導体材料であってもよい。
【００３２】
充電層１４の上には、ｐ型酸化物半導体層１６が形成されている。ｐ型酸化物半導体層１６は、ｐ型酸化物半導体材料を含んで構成される。ｐ型酸化物半導体層１６の材料としては、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、及び銅アルミ酸化物（ＣｕＡｌＯ２）等を使用することが可能である。例えば、ｐ型酸化物半導体層１６は、厚さ４００ｎｍの酸化ニッケル膜となっている。ｐ型酸化物半導体層１６は、蒸着又はスパッタリング等の成膜方法によって、充電層１４の上に成膜されている。
【００３３】
第２電極１７は、導電膜によって形成されていればよい。また、第２電極１７の材料としては、クロム（Ｃｒ）又は銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。他の金属材料として、アルミニウム（Ａｌ）を含む銀（Ａｇ）合金等がある。その形成方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、真空蒸着、化学蒸着等の気相成膜法を挙げることができる。また、金属電極は電解メッキ法、無電解メッキ法等により形成することができる。メッキに使用される金属としては、一般に銅、銅合金、ニッケル、アルミ、銀、金、亜鉛又はスズ等を使用することが可能である。例えば、第２電極１７は、厚さ３００ｎｍのＡｌ膜となっている。
【００３４】
このように、積層体２０は、基材１１、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６、第２電極１７を有している。したがって、シート状電池１０の最表面には、第２電極１７が配置される。基材（第１電極）１１、及びｎ型酸化物半導体層１３が負極層２１を構成している。ｐ型酸化物半導体層１６、第２電極１７が正極層２２を構成している。
【００３５】
上記の説明では、充電層１４の下にｎ型酸化物半導体層１３が配置され、充電層１４の上にｐ型酸化物半導体層１６が配置されている構成としたが、ｎ型酸化物半導体層１３とｐ型酸化物半導体層１６とは反対の配置になっていてもよい。すなわち、充電層１４の上にｎ型酸化物半導体層１３が配置され、下にｐ型酸化物半導体層１６が配置されている構成であってもよい。この場合、基材１１が正極、第２電極１７が負極となる。すなわち、充電層１４がｎ型酸化物半導体層１３とｐ型酸化物半導体層１６に挟まれている構成であれば、充電層１４の上にｎ型酸化物半導体層１３が配置されていても、ｐ型酸化物半導体層１６が配置されていてもよい。換言すると、シート状電池１０は、第１電極（基材１１）、第１導電型酸化物半導体層（ｎ型酸化物半導体層１３、又はｐ型酸化物半導体層１６）、充電層１４、第２導電型半導体層（ｐ型酸化物半導体層１６、又はｎ型酸化物半導体層１３）、第２電極１７の順番で積層されている構成であればよい。
【００３６】
さらに、シート状電池１０は第１電極（基材１１）、第１導電型酸化物半導体層（ｎ型酸化物半導体層１３、又はｐ型酸化物半導体層１６）、充電層１４、第２導電型半導体層（ｐ型酸化物半導体層１６、又はｎ型酸化物半導体層１３）、第２電極１７以外の層を含む構成であってもよい。
【００３７】
基材１１、及びｎ型酸化物半導体層１３を負極層２１とする。ｐ型酸化物半導体層１６、第２電極１７を正極層２２とする。図１に示す積層体２０において、一部の層が省略されていてもよく、あるいは、他の層が追加されていてもよい。具体的には、少なくとも正極と負極と充電層とを備えている構成であればよい。従って、負極層２１は、基材１１のみであってもよく、それ以外の層を有していてもよい。また、正極層２２は、第２電極１７のみであってもよくそれ以外の層を有していてもよい。
【００３８】
なお、シート状の二次電池１０は、ＸＹ平面において、矩形状になっている。ここでは、二次電池１０は、３００ｍｍ×３００ｍｍの正方形となっている。もちろん、二次電池１０の平面形状は特に限定されるものではない。
【００３９】
実施の形態１．
以下、本実施の形態にかかる二次電池１０の製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、二次電池１０の製造方法を示すフローチャートである。
【００４０】
図１に示す積層構造の積層体２０を製造する（Ｓ１０）。すなわち、基材１１の上に、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６、第２電極１７を順番に形成していく。これにより、二次電池１０となる積層体２０が用意される。Ｓ１０は、第１電極の上にｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有する充電層を積層する積層工程である。
【００４１】
次に、二次電池１０の性能評価を行う（Ｓ１１）。性能評価としては、例えば、二次電池１０の充放電特性を測定し、この測定結果に基づいて、二次電池１０の充放電性能を評価する。ここで、図３に示すように、二次電池の欠陥３１が存在していると、放電特性が劣化してしまう。欠陥３１により第１電極である基材１１と第２電極１７とがショートしてしまうと、充放電を適切に行えなくなるおそれがある。
以下、欠陥３１がある二次電池１０を「サンプルＡ」とし、欠陥３１が無いある二次電池１０を「サンプルＢ」として説明する。また、図４以下の図面において「サンプルＡ」を「Ａ」と略記し、「サンプルＢ」を「Ｂ」と略記している。
図４は、欠陥の有無による電池性能の違いを示すグラフである。具体的に図４は、二次電池を定電流で放電した時の電圧の時間変化を示す。図４では、サンプルＡの時間変化のグラフとサンプルＢの時間変化のグラフが示されている。サンプルＡでは、サンプルＢよりも、早く電圧が降下している。よって、サンプルＡは、放電容量が少なくなっている。
【００４２】
次に、二次電池１０の性能（放電容量）が、基準値以上であるか、基準値未満であるかを判定する（Ｓ１２）。ここでは、ブロックへの分割が必要か否か、あるいは、容量調整が必要か否かを判定している。二次電池１０の性能が基準値以上である場合（Ｓ１２：ＮＯ）、終了する。すなわち、二次電池の性能が基準値以上である場合、二次電池の性能に問題がないと判断できるため、そのまま処理を終了する。したがって、判定後のシート状の二次電池１０がそのまま使用される。
【００４３】
性能が基準値未満である場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、二次電池１０をｎ個のブロックに分割する（Ｓ１３）。二次電池の性能が基準値以下である場合、二次電池１０に欠陥３１があることが想定される。その場合、レーザスクライブ装置等のレーザ加工装置により、レーザ光を二次電池１０に照射する。これにより、図５、及び図６に示すように、基材１１上には複数の分割線３３により分割された、複数のブロック３２が形成される。なお、図５は、複数のブロック３２に分割された二次電池１０の構成を示す断面図であり、図６は図５の上面図である。
【００４４】
具体的には、第２電極１７、ｐ型酸化物半導体層１６、及び充電層１４が分割線３３によって、複数のブロックに分割される。図６に示すように、分割線３３は、レーザ光により格子状に形成されている。Ｘ方向、及びＹ方向に沿った分割線３３によって、第２電極１７、ｐ型酸化物半導体層１６、及び充電層１４が格子状に分割される。複数のブロック３２が、Ｘ方向、及びＹ方向に並んで配列されている。ここでは、Ｘ方向に６個、Ｙ方向に５個のブロック３２が並んでいる。すなわち、二次電池１０には、３０個のブロック３２が形成される。ここでは、同じサイズのブロック３２が形成されている。分割線３３は、レーザスクラブ装置により形成されたスクライブラインとなる。
【００４５】
例えば、１つのブロック３２は、１辺の大きさが５０ｍｍ〜６０ｍｍの矩形状となっている。なお、隣接する２つのブロック３２の間の分割線３３は、例えば、幅４０μｍ〜１５０μｍとすることができる。すなわち、隣接する２つのブロック３２は、４０μｍ〜１５０μｍだけ離れている。もちろん、分割線３３の方向、分割線３３の幅、ブロックのサイズ、及びブロック数は上記の構成に限られるものではない。
【００４６】
なお、ブロック３２は、分割線３３をＺ方向に延長した面（ＸＺ平面及びＹＺ平面）で区切られる二次電池１０の一定の領域に対応する。例えば、ＸＹ平面視において、ブロック３２は矩形状である場合、ブロック３２は、直方体となる立体的な領域となる。図１に示した積層構造では、ブロック２０は、第１電極１１、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６、及び第２電極１７を含んでいる。
【００４７】
ここで、分割線３３を形成するためのレーザ加工のプロセス条件の一例を以下に示すが、以下のプロセス条件に限定されるものではない。
レーザパワ：０．２３６Ｗ（サンプル照射実測値）
レーザスポット径：２０μｍ
走査速度：約１０００ｍｍ／ｓｅｃ
【００４８】
積層体２０は、少なくとも基材１１、充電層１４、及び第２電極１７を備えていればよい。Ｓ１３の工程により、第２電極１７は、充電層１４の上に配置され、複数のブロック３２に分割される。なお、充電層１４は、基材（第１電極）１１の上に配置され、ｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有している。Ｓ１３は、充電層１４上に複数のブロックに分割された第２電極１７を形成する形成工程である。Ｓ１０の積層工程と、Ｓ１３の形成工程とが、複数のブロックに分割された積層体を製造する製造工程を構成する。
【００４９】
次に、ａ＝１として、処理工程を初期化する（Ｓ１４）。なお、“ａ”はブロックを識別するためのブロックＮｏ．である。そして、ブロックＮｏ．ａの性能評価を行う（Ｓ１５）。ここでは、ブロックＮｏ．ａのブロック３２に充放電装置を接続して、充放電試験を行う。例えば、第１電極である基材１１とＮｏ．ａのブロック３２の第２電極１７とが充放電装置に接続される。そして、ブロック３２の充電層１４を定電流で放電したときの電圧特性を充放電装置が測定する。
【００５０】
なお、ブロックの性能評価では、充電電流量、充電電力量、放電電力量、エネルギー効率、及び充放電効率の少なくとも１つのデータが測定される。そして、測定されたデータに基づいて、ブロック３２毎に充電層１４の性能（以下、ブロック性能）を評価する。
【００５１】
そして、全てのブロック３２のブロック性能の評価が終了したか否かが判定される（Ｓ１６）。評価が終了していない場合（Ｓ１６：ＮＯ）、ａを「１」分だけインクリメントして（Ｓ１７）、次のブロック３２に対して、ブロック性能の評価が行われる（Ｓ１５）。
【００５２】
図５では、３０個のブロック分割されているため、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．３０の３０個のブロック３２に対して順番にブロック性能の評価が行われていく。ここで、全てのブロック３２に対してブロック性能を評価することで、図７に示すようなテーブルが作成される。図７のテーブルでは、ブロックＮｏ．毎に、充電電流量、充電電力量、放電電流量、エネルギー密度、充放電効率の測定データが対応付けられて保持されている。もちろん、テーブルには、充電電流量、充電電力量、放電電流量、エネルギー密度、充放電効率のうちの１つ以上の測定データが格納されていればよい。なお、テーブルはシート状の二次電池１０毎に作成される。
【００５３】
全てのブロックの評価が終了したら（Ｓ１６：ＹＥＳ）、評価結果に応じて、必要なブロックが選択される（Ｓ１８）。例えば、図５では３０個のブロック３２に分割されているため、３０個の全てのブロック３２に対する評価が終了したら、３０個のブロック３２の中から一部のブロック３２を抽出する。Ｓ１８において選択されたブロックを選択ブロックとする。
【００５４】
具体的には、図８に示すように、ブロック３２の評価結果が低いブロック３２をＮＧ（不良）ブロック３５として、それ以外のブロック３２を選択ブロック３４とする。すなわち、ブロック性能が所定の条件を満足するブロック３２を選択ブロック３４として、所定の条件を満足しないブロック３２をＮＧブロック３５とする。なお、ブロック性能の評価は、ユーザが行ってもよく、コンピュータプログラムなどにより、自動で行われてもよい。
【００５５】
次に、選択ブロック３４の接続が行われる（Ｓ１９）。具体的には、図９に示すように、隣接する選択ブロック３４同士が、導電体４１により接続される。導電体４１は、分割線３３を跨ぐように第２電極１７の上に形成される。分割線３３で分割された２つのブロック３２の第２電極１７が導電体４１により接続される。導電体４１は、Ｘ方向において隣接する２つの選択ブロック３４の第２電極１７同士、又はＹ方向において隣接する２つの選択ブロック３４の第２電極１７同士を接続する。図９では、隣接する２つの選択ブロック３４の第２電極１７が導電体４１によって接続されているが、ＮＧブロック３５を挟むように配置された２つの選択ブロック３４を導電体４１によって接続してもよい。なお、導電体４１は、ＮＧブロック３５には接続されていない。
【００５６】
ここで、図１０を用いて、導電体４１により選択ブロック３４の第２電極１７を接続するための構成の一例に説明する。図１０は、導電体４１を設けた二次電池１０の構成を模式的に示す断面図である。図１０では、導電体４１と第２電極１７との間には、絶縁体４２が配置されている。
【００５７】
まず、導電体４１を形成する前に、第２電極１７上に絶縁体４２形成する。絶縁体４２は、選択ブロック３４間に渡って配置される。すなわち、絶縁体４２は、分割線３３を跨ぐように配置される。絶縁体４２には、例えば、絶縁性の樹脂フィルム、樹脂ペーストを用いることができる。もちろん、絶縁体４２は、絶縁性を有する樹脂等の材料であれば、特に限定されるものではない。
【００５８】
そして、絶縁体４２の上に、導電体４１を形成する。導電体４１は、絶縁体４２の外側まではみ出すように（つまり、絶縁体４２を覆うように）形成される。すなわち、導電体４１は、隣接する選択ブロック３４の第２電極１７同士を接続するように形成される。導電体４１の一端は、選択ブロック３４の第２電極１７に接触し、他端は、その隣の選択ブロック３４の第２電極１７に接触する。
【００５９】
具体的には、導電体４１の接続方向における絶縁体４２の両端から導電体４１が第２電極１７の上まで、はみ出している。したがって、導電体４１は、絶縁体４２の両端において、導電体４１は絶縁体４２のエッジを乗り越えて、第２電極１７の上まで延在している。なお、分割線３３の上では、導電体４１が絶縁体４２からはみ出していない。
【００６０】
導電体４１には、金属、導電性ペースト、導電性フィルム、導電性樹脂を用いることができる。このようにすることで、分割線３３の位置において、導電体４１がｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６等を接触するのを防ぐことができる。よって、第２電極１７がｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４等と導通するのを防ぐことができる。全ての選択ブロック３４に導電体４１を接続すると、全ての選択ブロック３４が並列に接続された状態となる。
【００６１】
本実施の形態の構成、及び製造方法によれば、欠陥が発生するＮＧブロック３５を除外することができる。ＮＧブロック３５を除外することにより、例えば、欠陥によってショートした箇所をブロックごと取り除くことができるため、電池容量の向上を図ることができる。よって、二次電池１０の所望の性能とすることができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、充電層１４の上にｐ型酸化物半導体層１６、及び第２電極１７を一体的に形成した後、レーザ加工により、ｐ型酸化物半導体層１６、及び負極層２１をブロックに分割している。すなわち、第２電極１７、ｐ型酸化物半導体層１６、及び充電層１４がレーザ加工されている。正極層２２だけでなく、充電層１４を分割することができる。よって、図５に示すように、一体的にｎ型酸化物半導体層１３の上には、複数の充電層１４のパターンが形成される。充電層１４を分割することにより、欠陥によりショートした箇所の影響をより確実に除去することができる。
【００６３】
また、レーザ加工時には、充電層１４を分割しなくてもよい。すなわち、ｐ型酸化物半導体層１６、及び第２電極１７だけブロックに分割するようにしてもよい。この場合、一体的に形成された充電層１４の上に、複数のｐ型酸化物半導体層１６のパターンが形成される。あるいは、第２電極１７だけをブロック３２に分割するようにしてもよい。この場合、一体的に形成されたｐ型酸化物半導体層１６の上に、複数の第２電極１７のパターンが形成される。レーザの照射強度などは、切断する層の材料及び厚さに応じて決定すればよい。さらには、レーザ加工以外の方法で、第２電極１７を分割するようにしてもよい。
【００６４】
（変形例）
上記の説明では、Ｓ１３において、二次電池１０が均一なブロック３２に分割されているが、不均一なブロック３２に分割されていてもよい。例えば、図１１に示すように、二次電池１０Ｇが異なる大きさのブロック３２に分割されてもよい。図１１では２４個のブロック３２に分割されている例が示されており、各ブロックにブロック番号（ブロックＮｏ．）が付されている。ブロック番号１０のブロック３２は他のブロックよりも大きくなっている。
【００６５】
さらに、上記の説明では、Ｓ１５の性能評価において、ＮＧとＯＫの２段階に分けて評価したが、３段階以上に分けて評価しても良い。図１２は、図１１で示すブロック３２に対して、性能評価を行った結果を示す表である。図１２では、ブロック性能をＩ〜ＩＩＩの３ランクに分けて評価した結果が示されている。Ｓ１４〜Ｓ１７のステップによって、図１２の表の右側のランクの欄が埋められていく。多段階の性能評価を行う場合、測定データに２つのしきい値を設定して性能評価を行ってもよく、２種類以上の測定データを組み合わせて性能評価を行ってもよい。
【００６６】
さらに、ランク毎にブロック３２を接続することもできる。例えば、図１２の表において、ランクＩとなっているブロックＮｏ．２、８、１６、２２、２４のブロック３２同士を接続することが可能である。この場合、ランクＩのブロック３２が選択ブロックとなる。同様に、ランクＩＩのブロック３２同士を接続することもでき、ランクＩＩＩのブロック３２同士を接続することできる。
【００６７】
図１３、及び図１４を用いて、同じランクのブロック３２同士を接続するための方法について説明する。図１３は、同じランクのブロック同士を接続するための方法を示すフローチャートである。図１４は、図１３のフローに用いられるデータテーブルを示す図である。
【００６８】
まず、基準ブロックのブロックＮｏ．ａ＝１と設定する（Ｓ３０）。次に、検索ブロックのブロックＮｏ．ｂ＝ａ＋１と設定する（Ｓ３１）。そして、ブロックＮｏ．ａの基準ブロックとブロックＮｏ．ｂの検索ブロックのランクが一致するか否かを判定する（Ｓ３２）。ランクが一致する場合（Ｓ３２：ＹＥＳ）、図１４に示すデータテーブルの基準ブロックＮｏ．の「接続先」の欄に検索ブロックＮｏ．を追加する（Ｓ３３）。
【００６９】
ランクが一致しない場合（Ｓ３２：ＮＯ）、検索ブロックのブロックＮｏ．ｂがブロックの最大数ｎに達したか否かを判定する（Ｓ３４）。検索ブロックのブロックＮｏ．ｂがブロックの最大数ｎ（図１４のデータテーブルではｎ＝２４）に達していない場合（Ｓ３４：ＮＯ）、検索ブロックのブロックＮｏ．ｂをインクリメントし（Ｓ３５）、Ｓ３２に戻る。そして、Ｓ３２からの処理を繰り返すことで、基準ブロックの接続先のブロックを決定することができる。
【００７０】
Ｓ３３で接続先ブロックを追加した場合（Ｓ３３）、あるいは、検索ブロックのブロックＮｏ．ｂがブロックの最大数ｎに達している場合（Ｓ３４のＹＥＳ），基準ブロックのブロックＮｏ．ａがブロックの最大数ｎに達したか否かを判定する（Ｓ３６）。基準ブロックのブロックＮｏ．ａがブロックの最大数ｎに達していない場合（Ｓ３６：ＮＯ）、基準ブロックのブロックＮｏ．ａをインクリメントし（Ｓ３５）、Ｓ３１に戻る。Ｓ３１からの処理を繰り返すことで、全てのブロックの接続先を決定することができる。基準ブロックのブロックＮｏ．ａがブロックの最大数ｎに達した場合（Ｓ３６：ＹＥＳ）、処理が終了する。
【００７１】
このようにすることで、ブロックＮｏ．の小さい順に、接続先のブロックが決定されていく。例えば、ランクＩのブロック同士を接続する場合、図１４に示すように、ブロックＮｏ．２の接続先には、ブロックＮｏ．８が設定される。ブロックＮｏ．８の接続先には、ブロックＮｏ．１６が設定される。ブロックＮｏ．１６の接続先には、ブロックＮｏ．２２が設定される。ブロックＮｏ．２２の接続先には、ブロックＮｏ．２４が設定される。
【００７２】
図１５は、図１４のデータテーブルにしたがって、ランクＩ同士のブロック３２を接続した構成を示す。図１３の処理を実行することで、各ブロックの接続先を設定することができる。すなわち、図１４のデータテーブルの接続先の欄を埋めていくことが可能になる。よって、評価結果に応じた接続先を決定することが可能になる。
【００７３】
実施の形態２．
実施の形態１では、一体的に形成した正極層２２をレーザ加工によりブロック３２に分割したが、本実施の形態では、レーザ加工を行わずに、ブロック毎に分割された第２電極１７を形成している。具体的には、第２電極１７の成膜時にマスクを用いて、ブロック３２に分割された第２電極１７を形成している。以下、図面を参照して、本実施の形態にかかる二次電池の構成、及び製造方法について説明する。なお、二次電池１０の基本的構成等については、上記の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００７４】
実施の形態２にかかる二次電池の製造方法について図１６を用いて説明する。図１６は、二次電池の製造方法を示すフローチャートである。まず、基材１１の上に、ｎ型酸化物半導体層１３、充電層１４、及びｐ型酸化物半導体層１６を形成する（Ｓ２０）。次に、ｎ型酸化物半導体層１３の上に、充電層１４を形成する。そして、充電層１４の上に、ｐ型酸化物半導体層１６を形成する。Ｓ２０は、第１電極の上にｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有する充電層を積層する積層工程である。
【００７５】
次に、複数のブロックを形成するためのマスクを用いて、ｐ型酸化物半導体層１６の上に、第２電極１７を形成する（Ｓ２１）。Ｓ２１は、充電層１４上に複数のブロックに分割された第２電極１７を形成する形成工程である。Ｓ２０の積層工程と、Ｓ２１の形成工程とが、複数のブロックに分割された積層体を製造する製造工程を構成する。図１７は、本実施の形態にかかる二次電池１０Ａにおける第２電極１７の形成工程を示す断面図である。図１７に示すように、ｐ型酸化物半導体層１６の上にマスク４５を配置した状態で、蒸着又はスパッタリングなどにより第２電極１７を成膜する。マスク４５は、図６で示した分割線３３に対応するよう格子状になっている。従って、マスク４５の開口部４５ａを通過した金属材料がｐ型酸化物半導体層１６の上に堆積して、複数個の第２電極１７となる。
【００７６】
これにより、図６と同様な平面形状のブロック３２、及び分割線３３を形成することができる。Ｓ２１では、少なくとも基材１１、充電層１４、及び第２電極１７を備えた積層体２０Ａが製造される。第２電極１７は、充電層１４の上に配置され、複数のブロック３２に分割されている。充電層１４は、第１電極となる基材１１の上に配置され、ｎ型金属酸化物材料及び絶縁材料を有している。
【００７７】
なお、実施の形態１では、充電層１４、ｐ型酸化物半導体層１６がブロック３２に分割されていたが、本実施の形態では、図１７に示すように、充電層１４、及びｐ型酸化物半導体層１６が分割されていない構成となる。すなわち、マスク４５は、第２電極１７の成膜工程にしか用いられていないため、充電層１４、及びｐ型酸化物半導体層１６は一体的に形成される。よって、一体的に形成されたｐ型酸化物半導体層１６の上には、複数の第２電極１７のパターンが形成されている。また、一体的に形成された充電層１４の上には、一体化したｐ型酸化物半導体層１６が形成されている。
【００７８】
次に、ａ＝１と処理工程を初期化して（Ｓ２２）、二次電池の性能評価を行う（Ｓ２２）。なお、Ｓ２２〜Ｓ２７の構成は、実施の形態１のＳ１４〜Ｓ１９と同様であるため、説明を省略する。図１８に、選択ブロック３４同士が接続された断面構成を示す。
【００７９】
図１８に示すように、隣接する選択ブロック３４間が導電体４１によって接続されている。すなわち、隣接する２つの選択ブロック３４の第２電極１７が、導電体４１を介して導通している。さらに、Ｚ方向において、導電体４１と第２電極１７との間には、絶縁体４２が設けられている。これにより、導電体４１が分割線３３において露出しているｐ型酸化物半導体層１６に接触するのを防ぐことができる。
【００８０】
本実施形態では、マスクを用いて第２電極１７を成膜している。すなわち、マスク成膜によって、第２電極１７をブロック分割しているため、製造工程数の増加を抑制することができる。具体的には、実施の形態１のようなレーザ加工工程が不要となる。
【００８１】
また、ｐ型酸化物半導体層１６についてもマスク４５を用いて形成してもよい。すなわち、第２電極１７だけでなく、ｐ型酸化物半導体層１６をブロック３２に分割するようにしてもよい。この場合、一体的に形成された充電層１４の上に、複数のｐ型酸化物半導体層１６のパターンが形成される。
【００８２】
実施の形態３．
本実施の形態では、ブロックの性能評価に基づいて、ブロックがグループ分けされている。そして、グループ分けの結果に基づいて、選択ブロックが選択されている。例えば、ブロック３２をグループＡ〜Ｃの３つにグループ分けした場合を図１９に示す。図１９では、グループＡに属するブロック３２をブロック３２ａとし、グループＢに属するブロック３２をブロック３２ｂとし、グループＣに属するブロック３２をブロック３２ｃとして示している。図１９では、二次電池１０Ｂが、４個のブロック３２ａと、８個のブロック３２ｂと、１８個のブロック３２ｃと、を備えている。
【００８３】
例えば、グループＡのブロック３２ａは最も優れたブロック性能を有しており、グループＣのブロック３２ｃは最も低いブロック性能を有している。グループＢのブロック３２ｂは、ブロック３２ａとブロック３２ｃとの間のブロック性能を有している。このように、ブロック性能に応じて３段階にグループ分けが行われている。グループ分けは、図７に示したテーブル、すなわち、充電電流量、充電電力量、放電電流量、エネルギー密度、充放電効率の内の１つ以上の測定データに基づいて、行われる。なお、グループ分けは、ユーザが行ってもよく、コンピュータプログラムなどにより、自動で行われてもよい。
【００８４】
本実施の形態によれば、必要な電池容量に応じて、選択ブロック３４を選択することができる。換言すると、選択ブロック３４の数に応じて、二次電池１０Ｂの容量を調整することができる。このようにすることで、所望の電池性能を得ることができるとともに、電池性能を一定にすることができる。
【００８５】
さらに、本実施の形態にかかる二次電池は、複数のシート状の二次電池を積層した積層電池に好適である。例えば、単位電池となるシート状の二次電池１０Ｂを積層した積層電池を製造する場合、電池性能が一定の二次電池１０Ｂを用いることができる。容量やエネルギー密度が同等のブロックのみを用いることができる。選択ブロック３４のグループ、及び数を同じすることで、ほぼ同じ性能の二次電池１０Ｂを複数組み合わせることできる。これにより、二次電池１０Ｂを積層した積層電池の性能の均一化を図ることができる。
【００８６】
（接続例１）
図２０に、選択ブロック３４の接続例１を示す。図２０では、ブロック３２ａを選択ブロック３４とする二次電池１０Ｃを模式的に示している。すなわち、ブロック３２ｂ、及びブロック３２ｃが非選択ブロック３６となっている。そして、選択ブロック３４のみが、導電体４１によって接続されている。
【００８７】
（接続例２）
図２１に、選択ブロック３４の接続例２を示す。図２１では、ブロック３２ｂを選択ブロック３４とする二次電池１０Ｄを模式的に示している。すなわち、ブロック３２ａ、及びブロック３２ｃが非選択ブロック３６となっている。そして、選択ブロック３４のみが、導電体４１によって接続されている。
【００８８】
（接続例３）
図２２に、選択ブロック３４の接続例３を示す。図２２では、ブロック３２ａの一部と、ブロック３２ｂの全部を選択ブロック３４とする二次電池１０Ｅを模式的に示している。すなわち、４つのブロック３２ａのうちの２つが選択ブロック３４となり、残りの２つが非選択ブロックとなる。また、８個のブロック３２ｂの全てが選択ブロック３３となっている。ブロック３２ｃの全てが非選択ブロック３６となっている。そして、選択ブロック３４のみが、導電体４１によって接続されている。
【００８９】
上記の接続例において、グループの数、及び選択ブロックの数は、適宜変更することができる。例えば、ブロック３２をグループ分けするグループ数は２以上に有ればよい。また、二次電池の基本的な構成、及び製造方法は、実施の形態１、２と同様である。もちろん、ブロック３２に分割する工程は、実施の形態１で示したようなレーザ加工でもよく、実施の形態２で示したようなマスク成膜であってもよい。
【００９０】
（接続例４）
図２３に、選択ブロック３４の接続例４を示す。図２３の二次電池１０Ｆでは、図１９〜図２２に示す二次電池（１０Ｂ〜１０Ｄ）のように均等の大きさでは無く異なる大きさのブロック３２に分割されている。例えば、ブロックＮｏ．１〜５のブロック３２は最も小さいサイズとなっている。ブロックＮｏ．７、９のブロック３２は最も大きいサイズとなっている。ブロックＮｏ．６、８のブロック３２は中間サイズとなっている。
【００９１】
例えば、欠陥３１の発生しやすい箇所の周辺では、ブロック３２のサイズを小さくするようにしてもよい。また、欠陥３１が頻繁に発生する箇所の周辺では、ブロック３２のサイズを小さくして、欠陥３１があまり発生しない箇所の周辺では、ブロック３２の大きくするようにしてもよい。このようにすることで、ブロック３２を有効に利用することができる。よって、欠陥３１の影響を抑制することができる。
【００９２】
また、欠陥３１の発生しやすい箇所の周辺では、ブロック３２のサイズを大きくするようにしてもよい。すなわち、欠陥３１が頻繁に発生する箇所の周辺では、ブロック３２のサイズを大きくして、欠陥３１があまり発生しない箇所の周辺では、ブロック３２の小さくするようにしてもよい。このようにすることで、ブロック３２を有効に利用することができる。よって、欠陥３１の影響を抑制することができる。
【００９３】
以上、欠陥３１の発生する位置及びその頻度に応じて、ブロック３２のサイズを最適化することができる。よって、ブロック３２を有効に活用することができ、電池性能を向上することができる。よって、所望の性能を得ることができる。
【００９４】
なお、ブロック３２のサイズ、及び数は適宜変更することができる。実施の形態１では、レーザ加工時の照射位置を変えることで、ブロック３２のサイズ、及び数を任意に変更することができる。また、実施の形態２では、異なる形状のマスク４５を用いることで、ブロック３２のサイズ、及び数を任意に変更することができる。
【００９５】
（接続構成）
２つの選択ブロック３４の間に、非選択ブロック３６又はＮＧブロック３５が配置されている場合の接続構成について説明する。この場合、非選択ブロック３６又はＮＧブロック３５を跨ぐように導電体４１及び絶縁体４２が形成されることで、２つの選択ブロック３４が接続される。図２４は、２つの選択ブロック３４を接続する構成を示す。具体的には、図２４は、２つの選択ブロック３４の間に非選択ブロック３６が配置されている場合の接続構成を示す断面図である。
【００９６】
図２４では、２つの選択ブロック３４の間に２つの非選択ブロック３６が配置されている。導電体４１を形成する前に、選択ブロック３４において、選択ブロック３４間を跨ぐように、選択ブロック３４の第２電極１７の上、及び、選択ブロック３４の間に配置されている非選択ブロック３６の第２電極１７の上に絶縁体４２が形成される。絶縁体４２を形成した後、選択ブロック３４の第２電極１７同士を接続するように、絶縁体４２の両端のエッジを乗り越える導電体４１が絶縁体４２の上から形成される。このようにすることで、隣接していない２つの選択ブロック３４を接続することが可能である。
【００９７】
なお、２つの選択ブロック３４の間に、非選択ブロック３６ではなく、ＮＧブロック３５が配置されている構成でも、図２４と同様の構成の導電体４１、及び絶縁体４２により、選択ブロック３４を接続することが可能である。また、図１８に示したように、充電層１４、及びｐ型酸化物半導体層１６が分割線３３で分割されていない構成についても、同様の接続構成を用いることができる。さらに、二次電池１０における選択ブロック３４の接続構成の全てが図２４に示すような構成となっていなくてもよい。例えば、二次電池１０において、選択ブロック３４を接続する接続箇所が複数ある場合、一部の接続箇所については、図１０、又は図１８のように隣接する２つの選択ブロック３４が接続され、他の接続箇所については、図２４のように隣接しない２つの選択ブロック３４が接続されていてもよい。
【００９８】
以上、本発明の実施形態の一例を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態による限定は受けない。
【符号の説明】
【００９９】
１０  二次電池
１１  第１電極
１３  ｎ型酸化物半導体層
１４  充電層
１６  ｐ型酸化物半導体層
１７  第２電極
２１  負極層
２２  正極層
３１  欠陥
３２  ブロック
３３  分割線
３４  選択ブロック
３５  ＮＧブロック
３６  非選択ブロック
４１  導電体
４２  絶縁体
４５  マスク
４５ａ  開口部
【図１】
2019008869.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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