(57)【要約】      （修正有）【課題】比較的狭い分割予定ラインの内部に集光点を位置づけてレーザー光線を照射して改質層を形成しても、デバイスを損傷させることがないレーザー加工装置を提供する。【解決手段】レーザー光線照射手段６は、ウエーハ７２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器３０と、発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢを保持手段に保持されたウエーハ７２に集光する集光器３２と、発振器３０と集光器３２との間に配設され発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢを分岐してＸ軸方向に少なくとも２個の集光スポットを生成する分岐部３４と、発振器３０と集光器３２との間に配設され発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢの集光スポットをＹ軸方向に縮小し分割予定ラインの幅に納めるマスク部３６とから少なくとも構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置であって、
ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにパルスレーザー光線を照射しウエーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に交差するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み、
該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を該保持手段に保持されたウエーハに集光する集光器と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線を分岐してＸ軸方向に少なくとも２個の集光スポットを生成する分岐部と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線の集光スポットをＹ軸方向に縮小し該分割予定ラインの幅に納めるマスク部と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置。
【請求項２】
少なくとも２個に分岐される集光スポットの間隔は、隣接する改質層のＸ軸方向に伸展するクラックが連結する間隔に設定される請求項１記載のレーザー加工装置。
【請求項３】
分岐前のパルスレーザー光線のパルスエネルギーは１２〜１５μＪであり、パルスレーザー光線は該分岐部によって２個の集光スポットに分岐される請求項２記載のレーザー加工装置。
【請求項４】
２個の集光スポットの間隔は５〜６μｍであり、該Ｘ軸送り手段による相対的な加工送り速度をＶ（ｍｍ／ｓ）とし、繰り返し周波数をＲ（ｋＨｚ）とすると、
集光スポットの間隔×１．４≦Ｖ／Ｒ≦集光スポットの間隔×２
である請求項３記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、分割予定ラインの内部にレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をウエーハに照射し、分割予定ラインに沿って改質層を内部に形成してウエーハを個々のデバイスに分割する技術が提案されている（たとえば特許文献１参照。）。前記した技術は、分割予定ラインの幅をたとえば５０μｍから１０μｍへと狭くして１枚のウエーハから多くのデバイスを生産できるメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウエーハの表面からレーザー光線を照射して内部に集光点を形成すると、表面に照射されるレーザー光線のスポットが分割予定ラインの幅を超えて位置づけられ分割予定ラインに隣接するデバイスを損傷させるという問題がある。
【０００６】
また、ウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域にレーザー光線の集光点を内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射すると、改質層を形成した後の漏れ光が表面に形成されたデバイスを損傷させるという問題がある。
【０００７】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、比較的狭い分割予定ラインの内部に集光点を位置づけてレーザー光線を照射して改質層を形成しても、デバイスを損傷させることがないレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のレーザー加工装置である。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの内部に改質層を形成するレーザー加工装置であって、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにパルスレーザー光線を照射しウエーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に交差するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み、該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を該保持手段に保持されたウエーハに集光する集光器と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線を分岐してＸ軸方向に少なくとも２個の集光スポットを生成する分岐部と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線の集光スポットをＹ軸方向に縮小し該分割予定ラインの幅に納めるマスク部と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置である。
【０００９】
好ましくは、少なくとも２個に分岐される集光スポットの間隔は、隣接する改質層のＸ軸方向に伸展するクラックが連結する間隔に設定される。分岐前のパルスレーザー光線のパルスエネルギーは１２〜１５μＪであり、パルスレーザー光線は該分岐部によって２個の集光スポットに分岐されるのが好適である。２個の集光スポットの間隔は５〜６μｍであり、該Ｘ軸送り手段による相対的な加工送り速度をＶ（ｍｍ／ｓ）とし、繰り返し周波数をＲ（ｋＨｚ）とすると、集光スポットの間隔×１．４≦Ｖ／Ｒ≦集光スポットの間隔×２であるのが好都合である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明が提供するレーザー加工装置は、ウエーハを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたウエーハにパルスレーザー光線を照射しウエーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にＸ軸方向に交差するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段と、を含み、該レーザー光線照射手段は、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザー光線を該保持手段に保持されたウエーハに集光する集光器と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線を分岐してＸ軸方向に少なくとも２個の集光スポットを生成する分岐部と、該発振器と該集光器との間に配設され該発振器が発振したパルスレーザー光線の集光スポットをＹ軸方向に縮小し該分割予定ラインの幅に納めるマスク部と、から少なくとも構成されているので、比較的狭い分割予定ラインの内部に集光点を位置づけてレーザー光線を照射して改質層を形成しても、デバイスを損傷させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー光線照射手段のブロック図。
【図３】図２に示すマスク部の平面図。
【図４】ウエーハの斜視図。
【図５】ウエーハ表面の分割予定ライン上におけるパルスレーザー光線の集光スポットの模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１に示すレーザー加工装置２は、ウエーハを保持する保持手段４と、保持手段４に保持されたウエーハにパルスレーザー光線を照射しウエーハの内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段６と、保持手段４とレーザー光線照射手段６とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段８と、保持手段４とレーザー光線照射手段６とを相対的にＸ軸方向に交差するＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸送り手段１０とを含む。なお、Ｘ軸方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ軸方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ軸方向に直交する方向である。また、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定するＸＹ平面は実質上水平である。
【００１４】
図１に示すとおり、保持手段４は、Ｘ軸方向に移動自在に基台１２に搭載されたＸ軸方向可動板１４と、Ｙ軸方向に移動自在にＸ軸方向可動板１４に搭載されたＹ軸方向可動板１６と、Ｙ軸方向可動板１６の上面に固定された支柱１８と、支柱１８の上端に固定されたカバー板２０とを含む。カバー板２０にはＹ軸方向に延びる長穴２０ａが形成され、長穴２０ａを通って上方に延びるチャックテーブル２２が支柱１８の上端に回転自在に搭載されている。チャックテーブル２２は、支柱１８に内蔵されたチャックテーブル用モータ（図示していない。）によって回転される。チャックテーブル２２の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック２４が配置され、チャックテーブル２２においては、吸引手段で吸着チャック２４の上面に吸引力を生成し、上面に載せられたウエーハを吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル２２の周縁には、周方向に間隔をおいて複数のクランプ２６が配置されている。
【００１５】
図１および図２を参照してレーザー光線照射手段６について説明する。図１に示すとおり、レーザー光線照射手段６は、基台１２の上面から上方に延び次いで実質上水平に延びる枠体２８を含む。この枠体２８には、図２に示すとおり、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器３０と、発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢを保持手段４に保持されたウエーハに集光する集光器３２と、発振器３０と集光器３２との間に配設され発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢを分岐してＸ軸方向に少なくとも２個の集光スポットを生成する分岐部３４と、発振器３０（図示の実施形態では分岐部３４）と集光器３２との間に配設され発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢの集光スポットをＹ軸方向に縮小し分割予定ラインの幅に納めるマスク部３６と、が少なくとも備えられている。
【００１６】
図示の実施形態では図２に示すとおり、レーザー光線照射手段６は、更に、発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整するアッテネーター３８と、アッテネーター３８によって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢを反射して分岐部３４に導く第一のミラー４０と、第一のミラー４０と分岐部３４との間に配置された１／２波長板４２と、パルスレーザー光線ＬＢの集光点の上下方向位置を調整する集光点位置調整手段（図示していない。）とを備える。
【００１７】
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態の分岐部３４は、１／２波長板４２を透過したパルスレーザー光線ＬＢを分岐して第一の光路４４に第一のパルスレーザー光線ＬＢ１を導くと共に第二の光路４６に第二のパルスレーザー光線ＬＢ２を導く第一のビームスプリッター４８と、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１と第二のパルスレーザー光線ＬＢ２とをＸ軸方向に間隔をおいて集光器３２に導く第二のビームスプリッター５０と、第二のビームスプリッター５０をＸ軸方向に移動させ第一のパルスレーザー光線ＬＢ１と第二のパルスレーザー光線ＬＢ２とのＸ軸方向の分岐間隔を調整する分岐間隔調整手段５２と、第二の光路４６に導かれた第二のパルスレーザー光線ＬＢ２を反射して第二のビームスプリッター５０に導く第二のミラー５４および第三のミラー５６とを含む。
【００１８】
発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢは、適宜の出力（たとえば、パルスエネルギーが１２〜１５μＪ）にアッテネーター３８によって調整され、第一のミラー４０で反射して１／２波長板４２に入射する。１／２波長板４２に入射したパルスレーザー光線ＬＢは、第一のビームスプリッター４８に対して偏光面がＰ偏光であるＰ偏光成分の光量と、第一のビームスプリッター４８に対して偏光面がＳ偏光であるＳ偏光成分の光量とが１／２波長板４２により適宜（たとえば均等に）調整され、分岐部３４の第一のビームスプリッター４８に入射する。
【００１９】
そして、第一のビームスプリッター４８に入射したパルスレーザー光線ＬＢのうち、Ｐ偏光成分が透過して第一のパルスレーザー光線ＬＢ１として第一の光路４４に導かれ、かつＳ偏光成分が反射して第二のパルスレーザー光線ＬＢ２として第二の光路４６に導かれる。第一の光路４４に導かれた第一のパルスレーザー光線ＬＢ１は直進して第二のビームスプリッター５０に入射し、第二の光路４６に導かれた第二のパルスレーザー光線ＬＢ２は、第二のミラー５４および第三のミラー５６で反射して第二のビームスプリッター５０に入射する。
【００２０】
第二のビームスプリッター５０に対しても偏光面がＰ偏光である第一のパルスレーザー光線ＬＢ１は、第二のビームスプリッター５０を透過して集光器３２に導かれる。また、第二のビームスプリッター５０に対しても偏光面がＳ偏光である第二のパルスレーザー光線ＬＢ２は、第二のビームスプリッター５０で反射して集光器３２に導かれる。図２に示すとおり、第二のビームスプリッター５０のＸ軸方向位置と第一のビームスプリッター４８のＸ軸方向位置とは僅かに異なるように、電動シリンダ等から構成され得る分岐間隔調整手段５２によって第二のビームスプリッター５０の位置が調整されている。これによって、第二のビームスプリッター５０に入射した第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２は、互いにＸ軸方向に間隔をおいて集光器３２に導かれるようになっている。このように図示の実施形態の分岐部３４は、発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢを第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２に分岐して、Ｘ軸方向に間隔をおいて２個の集光スポットを生成する。
【００２１】
図２および図３を参照して、レーザー光線照射手段６のマスク部３６について説明する。図２に示すとおり、マスク部３６は、分岐部３４の第二のビームスプリッター５０と集光器３２との間に配設されている。なお、マスク部３６は、発振器３０と集光器３２との間に配設されていればよく、分岐部３４よりも上流側に配設されていてもよい。図３に示すとおり、マスク部３６は、互いにＹ軸方向に間隔をおいて配置された一対のマスク片５８と、一対のマスク片５８をＹ軸方向に移動させる一対の隙間調整手段６０（図２では記載を省略している。）とを含む。そして、マスク部３６においては、電動シリンダ等から構成され得る各隙間調整手段６０でマスク片５８間の隙間を調整することによって、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２のそれぞれの集光スポットをＹ軸方向に縮小し、ウエーハの分割予定ラインの幅に納めるようになっている。
【００２２】
図１を参照してＸ軸送り手段８について説明する。Ｘ軸送り手段８は、Ｘ軸方向可動板１４に連結されＸ軸方向に延びるボールねじ６２と、ボールねじ６２を回転させるモータ６４とを有する。そして、そしてＸ軸送り手段８は、ボールねじ６２によりモータ６４の回転運動を直線運動に変換してＸ軸方向可動板１４に伝達し、基台１２上の案内レール１２ａに沿ってＸ軸方向可動板１４をレーザー光線照射手段６に対して相対的にＸ軸方向に加工送りする。
【００２３】
Ｙ軸送り手段１０は、Ｙ軸方向可動板１６に連結されＹ軸方向に延びるボールねじ６６と、ボールねじ６６を回転させるモータ６８とを有する。そして、そしてＹ軸送り手段１０は、ボールねじ６６によりモータ６８の回転運動を直線運動に変換してＹ軸方向可動板１６に伝達し、Ｘ軸方向可動板１４上の案内レール１４ａに沿ってＹ軸方向可動板１６をレーザー光線照射手段６に対して相対的にＹ軸方向に割り出し送りする。
【００２４】
また、図１に示すとおり、枠体２８の先端下面には、上記集光器３２が装着されていると共に、チャックテーブル２２に保持されたウエーハを撮像してレーザー加工すべき領域を検出するための撮像手段７０が集光器３２（便宜的に図２において集光器３２を集光レンズで表現している。）とＸ軸方向に間隔をおいて装着されている。
【００２５】
図４には、上述したとおりのレーザー加工装置２によって内部に改質層が形成される円盤状のウエーハ７２が示されている。シリコン等を素材とするウエーハ７２の表面７２ａは、比較的幅の狭い（たとえば１０μｍ程度）の格子状の分割予定ライン７４によって複数の矩形領域に区画されている。これら複数の矩形領域のそれぞれには、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス７６が形成されている。また、図示の実施形態では、周縁が環状フレーム７８に固定された粘着テープ８０にウエーハ７２の裏面７２ｂが貼り付けられている。なお、図面はあくまで模式図であり、分割予定ライン７４の幅等の各部の寸法は、便宜上、誇張して表現している。
【００２６】
上述のレーザー加工装置２を用いて、分割予定ライン７４に沿ってウエーハ７２の内部に改質層を形成する際は、まず、ウエーハ７２の表面７２ａを上に向けて、チャックテーブル２２の上面でウエーハ７２を吸引保持する。また、複数のクランプ２６で環状フレーム７８を固定する。次いで、撮像手段７０で上方からウエーハ７２を撮像し、撮像手段７０で撮像したウエーハ７２の画像に基づいて、レーザー加工すべき領域である格子状の分割予定ライン７４の配置や幅等を検出する。次いで、Ｘ軸送り手段８、Ｙ軸送り手段１０およびチャックテーブル用モータを適宜作動して、分割予定ライン７４をＸ軸方向に整合させると共に、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７４を集光器３２の下方に位置づける。次いで、集光点位置調整手段で集光器３２を昇降させ、分割予定ライン７４に対応するウエーハ７２の内部に集光点を位置づける。
【００２７】
次いで、検出した分割予定ライン７４の幅に基づいて、マスク部３６の隙間調整手段６０によりマスク片５８間の隙間を調整し、図５に示すとおり、ウエーハ７２の表面７２ａにおける第一のパルスレーザー光線ＬＢ１の集光スポットＳ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２の集光スポットＳ２をＹ軸方向に縮小し、分割予定ライン７４の幅に納める。たとえば、分割予定ライン７４の幅が１０μｍ程度である場合には、集光スポットＳ１およびＳ２のＹ軸方向の幅を７〜８μｍ程度に縮小する。このため、発振器３０が発振するパルスレーザー光線ＬＢの断面は円形状であるが、集光スポットＳ１およびＳ２は、それぞれＹ軸方向の幅が縮小され、Ｘ軸方向寸法よりもＹ軸方向寸法が小さい楕円のような形状となる。
【００２８】
また、分岐部３４の分岐間隔調整手段５２により第二のビームスプリッター５０の位置を調整して、集光スポットＳ１の中心Ｃ１と集光スポットＳ２の中心Ｃ２とのＸ軸方向の間隔を、隣接する改質層のＸ軸方向に伸展するクラックが連結する間隔に設定するのが好適である。このように設定することで、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１によって形成される改質層と、第二のパルスレーザー光線ＬＢ２によって形成される改質層とが、それぞれの改質層から伸展するクラックを介して連結されるため、ウエーハ７２を個々のデバイス７６に分割するのが一層容易になる。図示の実施形態では図５に示すとおり、２個の集光スポットＳ１およびＳ２の中心間隔は５〜６μｍ程度に設定されており、集光スポットＳ１およびＳ２はＸ軸方向において部分的に重なっている。
【００２９】
上記のとおり、マスク片５８間の隙間を調整すると共に第二のビームスプリッター５０の位置を調整した後、集光器３２に対してチャックテーブル２２を相対的に適宜の加工送り速度でＸ軸方向に加工送りしながら、ウエーハ７２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを適宜の繰り返し周波数で発振器３０から発振する。そうすると、発振器３０が発振したパルスレーザー光線ＬＢは、分岐部３４において、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１と第二のパルスレーザー光線ＬＢ２とにＸ軸方向に間隔をおいて分岐され、次いで、マスク部３６において、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１の集光スポットＳ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２の集光スポットＳ２がＹ軸方向に縮小され、そして集光器３２からウエーハ７２に照射される。ウエーハ７２の表面７２ａにおける集光スポットＳ１およびＳ２のＹ軸方向の幅は分割予定ライン７４の幅よりも狭いので、ウエーハ７２の表面７２ａに形成されたデバイス７６に第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２が照射されることがなく、デバイス７６を損傷させることがない。このようにして、第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２を分割予定ライン７４に沿ってウエーハ７２に照射して、強度が低下した改質層（図示していない。）を分割予定ライン７４に沿ってウエーハ７２の内部に形成する共に改質層からクラックを伸展させる改質層形成加工を施す。
【００３０】
改質層形成加工を施す際には、２個の集光スポットＳ１およびＳ２の間隔が５〜６μｍ程度であり、Ｘ軸送り手段８による相対的な加工送り速度をＶ（ｍｍ／ｓ）とし、繰り返し周波数をＲ（ｋＨｚ）とすると、
集光スポットの間隔×１．４≦Ｖ／Ｒ≦集光スポットの間隔×２
であるのが好都合である（たとえば、集光スポットＳ１およびＳ２の間隔を５μｍ、繰り返し周波数を６０ｋＨｚとすると、加工送り速度Ｖは４２０〜６００ｍｍ／ｓである。）。これによって、最初の第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２によって形成される改質層およびクラックと、次の第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２によって形成される改質層およびクラックとが連結する。したがって、分割予定ライン７４に沿ってウエーハ７２の内部に形成される改質層およびクラックが、分割予定ライン７４の一端部から他端部まで連結することになるので、ウエーハ７２を個々のデバイス７６に分割するのが一層容易になる。
【００３１】
そして、分割予定ライン７４のＹ軸方向の間隔の分だけ、集光器３２に対してチャックテーブル２２を相対的にＹ軸方向に割り出し送りしながら、改質層形成加工を繰り返すことにより、Ｘ軸方向に整合させた分割予定ライン７４のすべてに沿ってウエーハ７２の内部に改質層を形成する。また、チャックテーブル２２を９０度回転させた上で、改質層形成加工と割り出し送りとを交互に繰り返すことにより、先に改質層を形成した分割予定ライン７４と直交する分割予定ライン７４のすべてに沿ってウエーハ７２の内部に改質層を形成する。
【００３２】
以上のとおり図示の実施形態では、ウエーハ７２の表面７２ａにおける集光スポットＳ１およびＳ２のＹ軸方向の幅が分割予定ライン７４の幅よりも狭いので、ウエーハ７２の表面７２ａに形成されたデバイス７６に第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２が照射されることがなく、１０μｍ程度の比較的狭い幅の分割予定ライン７４の内部に集光点を位置づけて第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２を照射して改質層を形成しても、デバイス７６を損傷させることがない。
【００３３】
なお、図示の実施形態では、パルスレーザー光線ＬＢを第一のパルスレーザー光線ＬＢ１および第二のパルスレーザー光線ＬＢ２に分岐して２個の集光スポットＳ１およびＳ２を生成する例を説明したが、分岐部３４を複数設けること等により、３個以上の集光スポット生成するようにしてもよい。
【００３４】
ここで、上述のレーザー加工装置を用いてウエーハの内部に改質層を形成する場合の好適な加工条件について説明する。本発明者は、下記実験条件の範囲でウエーハの内部に改質層を形成する実験を複数回行い、良好な改質層が形成される下記の好適な加工条件を見出した。下記の好適な加工条件の範囲においては、ウエーハの内部に良好な改質層が形成されるので、分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスに適正に分割することができる。
［実験条件］
パルスレーザー光線の波長                      ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数Ｒ                              ：６０ｋＨｚ
平均出力                                      ：０〜１Ｗ
分岐前のパルスレーザー光線のパルスエネルギー  ：０〜１６．７μＪ
第一のパルスレーザー光線のパルスエネルギー    ：０〜８．３μＪ
第二のパルスレーザー光線のパルスエネルギー    ：０〜８．３μＪ
加工送り速度Ｖ                                ：０〜１０００ｍｍ／ｓ
Ｖ／Ｒ                                        ：０〜１６．７μｍ
［好適な加工条件］
パルスレーザー光線の波長                      ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数Ｒ                              ：６０ｋＨｚ
平均出力                                      ：０．７２〜０．９Ｗ
分岐前のパルスレーザー光線のパルスエネルギー  ：１２〜１５μＪ
第一のパルスレーザー光線のパルスエネルギー    ：６〜７．５μＪ
第二のパルスレーザー光線のパルスエネルギー    ：６〜７．５μＪ
加工送り速度Ｖ                                ：４２０〜７２０ｍｍ／ｓ
Ｖ／Ｒ                                        ：７〜１２μｍ
【符号の説明】
【００３５】
２：レーザー加工装置
４：保持手段
６：レーザー光線照射手段
８：Ｘ軸送り手段
１０：Ｙ軸送り手段
３０：発振器
３２：集光器
３４：分岐部
３６：マスク部
７２：ウエーハ
７２ａ：ウエーハの表面
７２ｂ：ウエーハの裏面
７４：分割予定ライン
７６：デバイス
【図１】
2019217527.tif 000003
【図２】
2019217527.tif 000004
【図３】
2019217527.tif 000005
【図４】
2019217527.tif 000006
【図５】
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