(57)【要約】      （修正有）【課題】ＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）上面のデバイス間に延在する隙間を有する被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを効率よく分割する加工装置を提供する。【解決手段】加工装置１は、第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら、第一の保持手段３Ａに保持された被加工物Ｗにレーザー光線を照射して、第一及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第二の座標記録手段を作動して第二の保持手段３Ｂに保持された被加工物の第一及び第二の方向に延在する隙間の補正値を記録する。その補正値を参照しながら第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して、第一及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第一の座標記録手段を作動して第一の保持手段に保持された被加工物の第一及び第二の方向に延在する隙間の補正値を記録する。【選択図】図１
2019121624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び該第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置であって、
被加工物を保持する第一の保持手段と、該第一の保持手段に隣接して配設され被加工物を保持する第二の保持手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、
該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段と、
該第一の保持手段に保持された被加工物を撮像する第一の撮像手段と、
該第二の保持手段に保持された被加工物を撮像する第二の撮像手段と、
該第一の保持手段に保持された被加工物を該第一の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第一の座標記録手段と、
該第二の保持手段に保持された被加工物を該第二の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第二の座標記録手段と、
を備え、
該第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第二の座標記録手段を作動して該第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、該第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第一の座標記録手段を作動して該第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、
から少なくとも構成される加工装置。
【請求項２】
該加工送り手段は、
該第一の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第一のＸ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第二のＸ軸送り手段と、から構成され、
該補正送り手段は、
該第一の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第一のＹ軸送り手段と、
該第二の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第二のＹ軸送り手段と、
から構成される請求項１に記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）の上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、個々のデバイスに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
一般的に、デバイスの裏面には、配線フレームにボンディングするためのＤＡＦと称されるボンド層が配設される。ＤＡＦは、ウエーハを個々のデバイスに分割する前にウエーハの裏面に配設され、ウエーハと共に個々のデバイスに対応して分割される。
【０００４】
ところで、ウエーハの分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、ウエーハの表面に保護部材を配設して裏面を研削し、分割溝をウエーハの裏面に表出させてウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献１を参照。）、及びウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する内部にレーザー光線の集光点を位置付けて照射し、分割予定ラインに沿って改質層を形成し、その後、外力を付与してウエーハを個々のデバイスに分割する技術（例えば、特許文献２を参照。）においては、上記した一般的な方法のように、ウエーハを個々のデバイスに分割する前にウエーハの裏面にＤＡＦを配設し、ウエーハと共にＤＡＦを分割することができない。よって、このような場合は、個々のデバイスに分割された後のウエーハの裏面に対してＤＡＦを配設し、ウエーハを分割した際に形成される隙間に沿ってレーザー光線を照射して個々のデバイスに対応してＤＡＦを切断している（例えば、特許文献３を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１１３４４６号公報
【特許文献２】特開２００２−１９２３７０号公報
【特許文献３】特開２００２−１１８０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献３に記載された技術によれば、個々のデバイスに分割した後にＤＡＦを裏面に配設したウエーハを、個々のデバイスに対応して分割することができる。しかし、個々のデバイスに分割した後のウエーハをＤＡＦの上面に配設した場合、分割予定ラインに沿って分割された分割溝からなる隙間が蛇行した状態で個々のデバイスがＤＡＦに保持されることになる。したがって、個々のデバイスに対応してＤＡＦを正確に分割するためには、蛇行する隙間を撮像手段（カメラ）で撮像して、全ての隙間における切断すべき中心位置を示す座標を検出して記録し、その記録した座標情報に基づいてレーザー光線の照射位置を制御してＤＡＦを切断することになる。しかし、蛇行する隙間の全ての座標情報を取得するためには、相応の時間が必要となることから、加工装置の保持手段にウエーハを保持してから実際にレーザー加工を施すまでに相当な時間が掛かり、生産性が悪いという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを効率よく分割することができる加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び該第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された被加工物を個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する加工装置であって、被加工物を保持する第一の保持手段と、該第一の保持手段に隣接して配設され被加工物を保持する第二の保持手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該第一の保持手段、及び該第二の保持手段に対して該集光器をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段と、該第一の保持手段に保持された被加工物を撮像する第一の撮像手段と、該第二の保持手段に保持された被加工物を撮像する第二の撮像手段と、該第一の保持手段に保持された被加工物を該第一の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第一の座標記録手段と、該第二の保持手段に保持された被加工物を該第二の撮像手段によって撮像することにより該第一の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録すると共に、該第二の方向に延在する隙間をＸ軸方向に位置付けて検出し、Ｘ軸方向のＸ座標におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として記録する第二の座標記録手段と、を備え、該第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第二の座標記録手段を作動して該第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、該第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら該第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、該第一の座標記録手段を作動して該第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、から少なくとも構成される加工装置が提供される。
【０００９】
さらに、好ましくは、該加工送り手段は、該第一の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第一のＸ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向に加工送りする第二のＸ軸送り手段と、から構成され、該補正送り手段は、該第一の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第一のＹ軸送り手段と、該第二の保持手段をＸ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする第二のＹ軸送り手段と、から構成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の加工装置によれば、第一の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら第一の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第二の座標記録手段を作動して第二の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録し、さらに、第二の座標記録手段に記録された補正値を参照しながら第二の保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して第一の方向、及び第二の方向に延在する隙間のＤＡＦを切断している最中に、第一の座標記録手段を作動して第一の保持手段に保持された被加工物の第一の方向に延在する隙間の補正値と、第二の方向に延在する隙間の補正値とを記録する制御手段と、から少なくとも構成されることにより、第一の保持手段に保持された被加工物の隙間からＤＡＦにレーザー光線を照射している最中に、第二の保持手段に保持された被加工物の隙間を検出することで補正値を記録することが可能になり、さらに、第二の保持手段に保持された被加工物の隙間からＤＡＦにレーザー光線を照射している最中に、第一の保持手段に保持された被加工物の隙間を検出することで補正値を記録することが可能になり第二の保持手段に保持された被加工物を加工した後、直ぐに第一の保持手段に保持された被加工物に対する加工を実施することができる。その結果、実質的に隙間を検出する時間が無くなり、被加工物を加工する加工装置の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る加工装置の全体斜視図である。
【図２】図１に示す加工装置の要部を示す斜視図である。
【図３】図１に示す加工装置のレーザー光線照射手段の光学系の概略を示すブロック図である。
【図４】図１に示す加工装置のカセット載置機構の斜視図である。
【図５】図１に示す加工装置の第一、第二の仮置手段の斜視図である。
【図６】図１に示す加工装置の第一、第二の搬送手段の斜視図である。
【図７】図１に示す加工装置の第一、第二の搬入手段の斜視図である。
【図８】図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一のカセットから引き出す位置に第一の搬送手段を位置付けた状態を示す図である。
【図９】図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一の仮置手段上に搬送し仮置きした状態を示す図である。
【図１０】図１に示す加工装置において、第一の仮置手段上に仮置きされた半導体ウエーハを第一の搬入手段で保持した状態を示す図である。
【図１１】図１に示す加工装置において、半導体ウエーハを第一の搬入手段により、チャックテーブル上に搬入した状態を示す図。
【図１２】図１に示す加工装置において、第一のレーザー加工装置と第二のレーザー加工装置とが協働してレーザー加工を実施する状態を示す図である。
【図１３】図１に示す加工装置において、補正値記録手段に記録される半導体ウエーハの蛇行、及び補正値を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る加工装置について添付図面を参照して、詳細に説明する。
【００１３】
図１には、本発明による加工装置１の全体斜視図が示されている。図１に示す加工装置１は、静止基台２と、第一のレーザー加工装置１Ａと、第二のレーザー加工装置１Ｂと、レーザー光線照射ユニット４と、を備えている。
【００１４】
第一のレーザー加工装置１Ａは、図中矢印Ｘで示すＸ軸方向に移動可能に配設された第一の保持手段３Ａと、第一のカセットテーブル７Ａと、第一の仮置手段８Ａと、第一の搬送手段９Ａと、第一の搬入手段１０Ａとを備えている。
【００１５】
また、第二のレーザー加工装置１Ｂは、Ｘ軸方向に移動可能に配設された第二の保持手段３Ｂと、第二のカセットテーブル７Ｂと、第二の仮置手段８Ｂと、第二の搬送手段９Ｂと、第二の搬入手段１０Ｂとを備えている。第二の保持手段３Ｂは、レーザー光線照射ユニット４を挟み、第一の保持手段３Ａと隣接するように配設される。
【００１６】
図１に示す本実施形態の加工装置１の構造を詳細に説明するため、図１に示す第一のカセットテーブル７Ａ、第二のカセットテーブル７Ｂ、第一の仮置手段８Ａ、第二の仮置手段８Ｂ、第一の搬送手段９Ａ、第二の搬送手段９Ｂ、第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂを静止基台２上から取り外した状態の加工装置１を図２に示す。
【００１７】
図２に示すように、第一のレーザー加工装置１Ａは、静止基台２の略中央に配設されるレーザー光線照射ユニット４の手前側の領域に設置されている。第一の保持手段３Ａは、Ｘ軸方向に移動可能に配設された一対の案内レール上に摺動可能に配設された移動基台３１Ａと、Ｘ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向に移動可能に配設された滑動ブロック３２Ａと、滑動ブロック３２Ａ上に円筒部材３３Ａによって支持されたカバーテーブル３４Ａと、被加工物を保持する第一のチャックテーブル３５Ａを備えている。この第一のチャックテーブル３５Ａは、多孔質材料から形成された吸着チャック３６Ａを備えており、吸着チャック３６Ａの上面である保持面上で図示しない吸引手段を作動することによって被加工物を保持する。このように構成された第一のチャックテーブル３５Ａは、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転することが可能である。なお、第一のチャックテーブル３５Ａには、被加工物を保護テープＴを介して支持する環状のフレームＦを固定するためのクランプが配設されている。
【００１８】
移動基台３１Ａは、下面に上記一対の案内レールと嵌合する一対の被案内溝が設けられているとともに、上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レールが設けられている。このように構成された移動基台３１Ａは、被案内溝が一対の案内レールに嵌合することにより、一対の案内レールに沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の第一のレーザー加工装置１Ａは、移動基台３１Ａを一対の案内レールに沿ってＸ軸方向に加工送りする加工送り手段としての第一のＸ軸送り手段６１Ａを備えている。第一のＸ軸送り手段６１Ａは、静止基台２上の一対の案内レールの間に平行に配設された例えば雄ネジロッド６１１Ａと、雄ネジロッド６１１Ａを回転駆動する駆動源としてのパルスモータ６１２Ａを含んでいる。なお、雄ネジロッド６１１Ａは、移動基台３１Ａの中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。したがって、パルスモータ６１２Ａによって雄ネジロッド６１１Ａを正転、および逆転駆動することにより、移動基台３１Ａは案内レールに沿ってＸ軸方向に移動させられる。なお、図示の第一のＸ軸送り手段６１Ａを、雄ネジロッド６１１Ａ、及びパルスモータ６１２Ａから形成される例を示したが、これに限定されず、周知のリニアモータ等の構成によって実現してもよい。
【００１９】
図示の第一の保持手段３Ａには、上記した第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出するためのＸ軸方向位置検出手段が設けられている（図示は省略する。）。当該Ｘ軸方向位置検出手段は、例えば、１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そしてこの制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出する。なお、第一のＸ軸送り手段６１Ａの駆動源としてパルスモータを用いた場合には、パルスモータの駆動信号を出力する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出することもできる。また、上記Ｘ軸送り手段６１Ａの駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段に送り、該制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向位置を検出することもできる。
【００２０】
上記滑動ブロック３２Ａの下面には、上記移動基台３１Ａの上面に設けられた一対の案内レールと嵌合する一対の被案内溝が設けられており、この被案内溝を移動基台３１Ａ上においてＹ軸方向に配設された一対の案内レールに嵌合することにより、Ｙ軸方向に移動可能に構成される。図示の第一の保持手段３Ａは、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向に補正送りする補正送り手段として第一のＹ軸送り手段６２Ａを備えている。第一のＹ軸送り手段６２Ａは、上記Ｙ軸方向に配設された一対の案内レールの間に平行に配設された雄ネジロッド６２１Ａと、雄ネジロッド６２１Ａを回転駆動する駆動源としてのパルスモータ６２２Ａを含んでいる。雄ネジロッド６２１Ａは、滑動ブロック３２Ａに設けられた貫通雌ネジ穴に螺合されている。したがって、パルスモータ６２２Ａによって雄ネジロッド６２１Ａを正転および逆転駆動することにより、滑動ブロック３２Ａは、案内レールに沿ってＹ軸方向に移動させられる。
【００２１】
図示の第一の保持手段３Ａには、Ｘ軸方向と同様に、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出するためのＹ軸方向位置検出手段が設けられている（図示は省略する。）。当該Ｙ軸方向位置検出手段は、例えば、１μｍ毎に１パルスのパルス信号を上記制御手段に送る。そして制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＹ軸方向位置を検出する。なお、第一のＹ軸送り手段６２Ａの駆動源としてパルスモータ６２２Ａを用いた場合には、パルスモータ６２２Ａの駆動信号を出力する該制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出することができる。また、第一のＹ軸送り手段３５Ａの駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向位置を検出することもできる。
【００２２】
さらに、図２に示すように、本実施形態の加工装置１においては、静止基台２の上面に配置されたレーザー光線照射ユニット４を挟んで、第一のレーザー加工装置１Ａの反対側の領域に、第二のレーザー加工装置１Ｂが備えられている。
【００２３】
第二のレーザー加工装置１Ｂの一部を構成する第二の保持手段３Ｂは、上記した第一の保持手段３Ａと同様に、被加工物を保持する第二のチャックテーブル３５Ｂと、第二のチャックテーブル３５ＢをＸ軸方向に加工送りする加工送り手段としての第二のＸ軸送り手段６１Ｂと、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に補正送りする補正送り手段としての第二のＹ軸送り手段６２Ｂとを有している。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおける移動基台３１Ｂ、滑動ブロック３２Ｂ、円筒部材３３Ｂ、カバーテーブル３４Ｂ、第二のチャックテーブル３５Ｂ、吸着チャック３６Ｂ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂを構成する雄ネジロッド６１１Ｂ、パルスモータ６１２Ｂ、第二のＹ軸送り手段６２Ｂを構成する雄ネジロッド６２１Ｂ、及びパルスモータ６２２Ｂは、第一のレーザー加工装置１Ａの移動基台３１Ａ、滑動ブロック３２Ａ、円筒部材３３Ａ、カバーテーブル３４Ａ、第一のチャックテーブル３５Ａ、吸着チャック３６Ａ、第一のＸ軸送り手段６１Ａを構成する雄ネジロッド６１１Ａ、パルスモータ６１２Ａ、第一のＹ軸送り手段６２Ａを構成する雄ネジロッド６２１Ａ、パルスモータ６２２Ａと同様の作用を奏するものであることから、詳細な説明については省略する。
【００２４】
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記静止基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１に支持されたケーシング４２を備えており、ケーシング４２は、上記第一の保持手段３Ａ側、第二の保持手段３Ｂ側のそれぞれに水平に延出する延出部４２Ａ、４２Ｂを備え、平面視で略Ｔ字形状である。ケーシング４２には、後述するレーザー光線照射手段５の光学系が収納されている。レーザー光線照射手段５を収納している延出部４２Ａ、４２Ｂの下面には、レーザー光線照射手段５の一部を構成する第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂと、レーザー加工すべき加工領域を検出するための第一の撮像手段６Ａ、及び第二の撮像手段６Ｂとが配設されている。なお、第一の撮像手段６Ａ、第二の撮像手段６Ｂは、被加工物を照らす照明手段と、照明手段によって照らされた領域を捕える光学系と、該光学系によって捕えられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備えている（いずれも図示は省略する。）。
【００２５】
ケーシング４２に収納されたレーザー光線照射手段５の光学系の概略について、図３を参照しながら説明する。レーザー光線照射手段５は、レーザー光線発振手段５２、アッテネータ５３、光路切換用の移動ミラー５４、反射ミラー５５、分岐後の光路上に配置される第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ等を備えている。移動ミラー５４は、図示しない駆動手段によりその位置が制御され、実線で示す位置から、点線で示す位置（移動ミラー５４’で示す。）に切り替えることができる。
【００２６】
レーザー光線発振手段５２は、図示しないレーザー光線発振器と繰り返し周波数設定手段から構成され、例えば、波長が３５５ｎｍ、繰り返し周波数が５０ｋＨｚに設定されたレーザー光線ＬＢを発振する。レーザー発振手段５２にて発振されたレーザー光線ＬＢは、アッテネータ５３によって所望の出力に調整される。アッテネータ５３によって出力が調整されたレーザー光線ＬＢは、移動ミラー５４が実線で示す位置にある場合は、そのまま直進し、レーザー光線ＬＢ１が第一の集光器５１Ａに導かれる。また、移動ミラー５４が、点線で示す移動ミラー５４’の位置にある場合は、移動ミラー５４’によって反射されたレーザー光線ＬＢ２が反射ミラー５５側に導かれ、反射ミラー５５で反射されて第二の集光器５１Ｂに導かれる。レーザー光線ＬＢ１、及びＬＢ２は、それぞれの光路の終端に設けられた第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに入射され、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに備えられた図示しない集光レンズにより、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂ上に保持される被加工物に集光される。
【００２７】
図１に戻り説明を続けると、上記静止基台２上には、複数の被加工物（半導体ウエーハＷ１）を収容する第一のカセット７０Ａが載置される第一のカセット載置機構７Ａと、複数の被加工物（半導体ウエーハＷ２）を収容する第二のカセット７０Ｂが載置される第二のカセット載置機構７Ｂと、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂから取り出した被加工物を一時的に載置する第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂと、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂから被加工物を取り出し、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂに被加工物を収容するための第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂと、第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂ上に仮置きされた被加工物を第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂの上面に搬入し、加工後の被加工物を、上記第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂ上に載置するための第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂと、が備えられている。本実施形態では、第一のカセット７０Ａに、ＤＡＦの上面に複数のデバイスが第一の方向、及び第一の方向に直交する第二の方向に延在する隙間を有して配設された半導体ウエーハＷ１が複数収容され、第二のカセット７０Ｂにも、上記半導体ウエーハＷ１と同様の構成を備えた半導体ウエーハＷ２が複数収容されている。
【００２８】
以下に、静止基台２上に配設される上記した第一のカセット載置機構７Ａ、第二のカセット載置機構７Ｂ、第一の仮置手段８Ａ、第二の仮置手段８Ｂ、第一の搬送手段９Ａ、第二の搬送手段９Ｂ、第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂの作動について、より具体的に説明する。
【００２９】
図１、図４に示す第一のカセット載置機構７Ａ、第二のカセット載置機構７Ｂは、上記第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂに対して被加工物を着脱する着脱領域のＸ軸方向に隣接して設けられており、図示しない昇降手段により昇降させられる第一のカセットテーブル７１Ａ、及び第二のカセットテーブル７１Ｂの上に複数の被加工物を収容する第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂが載置される。
【００３０】
第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂについて、図１、図５を参照して説明する。第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂは、上記第一のカセット載置機構７Ａ、及び第二のカセット載置機構７ＢのＸ軸方向に隣接して設けられるものであり、第一のチャックテーブル３５Ａ、及び第二のチャックテーブル３５Ｂに対して被加工物を着脱する着脱領域の直上に配設される。この第一の仮置手段８Ａ、及び第二の仮置手段８Ｂは、断面Ｌ字状で長尺に形成された支持レール８３Ａ、８３Ａ、８３Ｂ、及び８３Ｂと、支持レール８３Ａ、８３Ａ、８３Ｂ、及び８３Ｂの端部を支持し、かつ支持レール８３Ａ、及び８３Ａ、並びに、８３Ｂ、及び８３Ｂの間隔を狭めたり広げたりすることができるようにＹ軸方向に移動可能に構成された支持レール移動手段８２Ａ、及び８２Ｂを備えている。当該支持レール８３Ａ、及び８３Ａ、並びに８３Ｂ、及び８３Ｂにより形成される間隔は、狭めたときに、被加工物を、保護テープＴを介して支持する環状のフレームＦの外径を保持することができる寸法とし、広げたときには、両者の間隔がフレームＦの外径よりも広くなる寸法に設定される。
【００３１】
上記第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂについて、図１、６を参照して説明する。第一の搬送手段９Ａ、及び第二の搬送手段９Ｂは、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１Ｂと、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１Ｂの先端部で、第一のカセット載置機構７Ａ、及び第二のカセット載置機構７Ｂが配設された方向に設けられ、第一のカセット７０Ａ、及び第二のカセット７０Ｂに収容された被加工物を支持するフレームＦを把持するための第一の把持部材９２Ａ、及び第二の把持部材９２Ｂと、第一の搬送アーム９１Ａ、及び第二の搬送アーム９１ＢをＸ軸方向に沿って移動可能に支持する第一の搬送アーム移動手段９３Ａ、及び第二の搬送アーム移動手段９３Ｂと、を備えている。該第一の把持部材９２Ａ、及び第二の把持部材９２Ｂは、図示しないエアシリンダから供給されるエア圧力により駆動され該フレームＦを把持するように構成されている。
【００３２】
第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂについて、図１、図７を参照して説明する。第一の搬入手段１０Ａ、及び第二の搬入手段１０Ｂは、被加工物である半導体ウエーハＷ１、Ｗ２を支持するフレームＦを上方から吸引保持するための吸引パッド１１Ａ、及び１１Ｂを先端下面側に備えた第一の搬入アーム１２Ａ、及び第二の搬入アーム１２Ｂと、第一の搬入アーム１２Ａ、及び第二の搬入アーム１２Ｂを昇降させる第一の作動ロッド１３Ａ、及び第二の作動ロッド１３Ｂと、第一の作動ロッド１３Ａ、及び第二の作動ロッド１３Ｂを昇降させる第一の昇降手段１４Ａ、及び第二の昇降手段１４Ｂとから構成されている。第一の昇降手段１４Ａ、及び第二の昇降手段１４Ｂは、例えば、エアピストン等から構成される。第一の搬入アーム１２Ａには、吸引パッド１１Ａが４つ、第二の搬入アーム１２Ｂにも吸引パッド１１Ｂが４つ備えられており、吸引パッド１１Ａ、及び１１Ｂは、それぞれ図示しないコイルばね等により下方に押圧すべく付勢されると共に、図示しない吸引手段に連結されたバキューム分配器にフレキシブルパイプ等で連通されている。
【００３３】
本実施形態の加工装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、第一のレーザー加工装置１Ａの具体的な作用について以下に説明する。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂの具体的な作用については、第一のレーザー加工装置１Ａと同様の作用を奏するものであるため、その詳細な説明は省略する。
【００３４】
図１、８に示すように、第一のチャックテーブル３５ＡのＸ軸方向に隣接して、第一のカセット載置機構７Ａが配設されている。第一のチャックテーブル３５Ａに対して被加工物を着脱する位置である着脱領域の直上には、第一の仮置手段８Ａが配設されている。また、第一のチャックテーブル３５Ａの着脱領域、すなわち第一の仮置手段８Ａの側方には、第一の搬出手段９Ａが配設され、さらに第一のチャックテーブル３５Ａを挟んで、第一の搬出手段９Ａと対向する位置に、第一の搬入手段１０Ａが配設されている。
【００３５】
ここで、第一のカセット７０Ａから、被加工物である半導体ウエーハＷ１を第一の保持手段３Ａに対して搬出、搬入する工程について説明する。まず、図８に示すように、第一の仮置手段８Ａは、支持レール移動手段８２Ａを作動させることにより、二つの支持レール８３Ａを、第一のカセット７０Ａに収容されている半導体ウエーハＷ１を支持するフレームＦの外径幅に合わせて狭めた状態とする。次いで、第一のカセットテーブル７１Ａを適宜昇降させて、取り出される半導体ウエーハＷ１の高さ位置を調整し、把持部材９２Ａの高さ位置に一致させる。
【００３６】
第一のカセット７０Ａに収容された半導体ウエーハＷ１の高さ位置を、把持部材９２Ａの高さ位置に一致させた後、搬送アーム９１Ａを第一のカセット７０Ａ側に移動させて、第一のカセット７０Ａに収納されている半導体ウエーハＷ１の環状フレームＦに把持部材９２Ａを係合させる（図６も併せて参照。）。そして、図示しないエアシリンダにより供給されるエア圧によって、把持部材９２Ａが駆動されて半導体ウエーハＷ１を保持している環状フレームＦを把持する。環状フレームＦを把持したならば、搬送アーム移動手段９３Ａを作動して搬送アーム９１Ａを第一のカセット載置機構７Ａから引き出し、図９に示すように半導体ウエーハＷ１を第一の仮置機構８Ａの支持レール８３Ａ、８３Ａ上に搬送し、把持部材９２Ａの把持状態を解除して、半導体ウエーハＷ１を二つの支持レール８３Ａ上に仮置きする（搬送工程）。
【００３７】
第一の仮置手段８Ａの二つの支持レール８３Ａ上に半導体ウエーハＷ１を仮置きしたならば、図１０に示すように（説明の都合上、図１０では搬送アーム９１Ａを省略している。）、第一の搬入手段１０Ａの昇降手段１４Ａを作動して、作動ロッド１３Ａを下降させる。作動ロッド１３Ａの上端には先端部に吸引パッド１１Ａが配設された搬入アーム１２Ａが連結されており、作動ロッド１３Ａの下降により、搬入アーム１２Ａの先端部に設けられている吸引パッド１１Ａが、第一の仮置手段８Ａ上に仮置きされている半導体ウエーハＷ１を支持する環状フレームＦに当接する。吸引パッド１１Ａは、上記したように、図示しないコイルスプリングにより下方に向けて付勢されており、環状フレームＦに当接することにより搬入アーム１２Ａに対して上方に若干相対移動する。そして、吸引パッド１１Ａが環状フレームＦに当接することにより作動ロッド１３Ａの下降が停止させられると共に、吸引パッド１１Ａに連結された図示しないバキューム分配器を介して負圧が供給され、吸引パッド１１ＡにフレームＦを介して半導体ウエーハＷ１が吸引固定される。
【００３８】
吸引パッド１１Ａに対して半導体ウエーハＷ１が吸引固定されたならば、図１１に示すように、第一の仮置手段８Ａの移動手段８２Ａを作動させて、二つの支持レール８３Ａの間隔を環状フレームＦの外径幅よりも広げる。そして、作動ロッド１３Ａをさらに下降させて、着脱領域に位置付けられている第一のチャックテーブル３５Ａの上面に吸引パッド１１Ａに保持された半導体ウエーハＷ１を載置し、吸引パッド１１Ａに供給していた負圧の供給を遮断すると共に、作動ロッド１３Ａを図９に示す待機位置まで上昇させる。このようにして半導体ウエーハＷ１を第一のチャックテーブル３５Ａ上に載置したならば、図示しない吸引手段を作動することにより、第一のチャックテーブル３５Ａの上面に保護テープＴを介して半導体ウエーハＷを吸引保持する。そして、第一のチャックテーブル３５Ａの上面に半導体ウエーハＷ１を吸引保持したならば、クランプを作動して、第一のチャックテーブル３５Ａに対して環状フレームＦを固定する（搬入工程）。
【００３９】
ここまで、第一のレーザー加工装置１Ａの搬送工程、搬入工程について説明したが、上記したように、第二のレーザー加工装置１Ｂは第一のレーザー加工装置１Ａと同様の構成を備えており、第二のレーザー加工装置１Ｂの搬送、搬入工程も、第一のレーザー加工装置１Ａと同様に実施されるものであるため、その説明については、省略する。
【００４０】
次に、図１２、図１３を参照しながら、第一のレーザー加工装置１Ａ、及び第二のレーザー加工装置１Ｂが協働することによって、被加工物（半導体ウエーハＷ１、Ｗ２）上の個々のデバイス１００に対応してＤＡＦを分割する構成について説明する。
【００４１】
第一のレーザー加工装置１Ａの搬送工程、搬入工程が完了し、第一のチャックテーブル３５Ａに半導体ウエーハＷ１を固定したならば、第一の保持手段３Ａを構成する第一のＸ軸送り手段６１Ａを作動して、第一のチャックテーブル３５Ａをレーザー光線照射手段５の第一の集光器５１Ａ、及び第一の撮像手段６Ａが上方に配設された加工領域に移動させる。図１２に示すように、制御装置２０は、制御手段２１、及び補正値記録手段２２を備え、第一のレーザー加工装置１Ａ，及び第二のレーザー加工装置１Ｂを制御する。制御手段２１は、レーザー光線照射手段５、及び第一のＸ軸送り手段６１Ａ、第一のＹ軸送り手段６２Ａ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂ、及び第二のＹ軸送り手段６２Ｂの作動を制御する。補正値記録手段２２は、第一の座標記録手段２２Ａと、第二の座標記録手段２２Ｂを備える。そして、制御手段２１は、第一の座標記録手段２２Ａ、及び第二の座標記録手段２２Ｂに記録された補正値を参照してＤＡＦを分割するように構成されている。
【００４２】
第一の座標記録手段２２Ａ、及び第二の座標記録手段２２Ｂの作用についてより具体的に説明する。
【００４３】
図１３は、補正値記録手段２２に記憶される半導体ウエーハＷ１、Ｗ２の補正値について説明するための概念図である。半導体ウエーハＷ１、Ｗ２に形成されたデバイス１００は、予め個々に分割されており、デバイス１００の間には、隙間１１０が形成されている。ＤＡＦの上面に半導体ウエーハＷ１、Ｗ２が配設されていることから、図１３の右上方に半導体ウエーハＷ１、Ｗ２の一部を拡大して示すように、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線（拡大部分において一点鎖線Ｌ１〜Ｌ４で示す。）が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行している。また、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２においても、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０と同様に第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０も蛇行している。この半導体ウエーハＷ１、Ｗ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０の中心を結ぶ線を、Ｘ軸方向に位置付けて検出することにより、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行をＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。この補正値は、半導体ウエーハＷ１、Ｗ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行しないと想定した場合の設計上の隙間の中心線の座標位置に対するずれ量である。
【００４４】
半導体ウエーハＷ１には、図１３に示すように、半導体ウエーハＷ１の方向を規定するためのノッチＮが形成されており、ノッチＮを基準として、第一の方向Ｄ１と、第一の方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２が規定される。第一のチャックテーブル３５Ａに保持された半導体ウエーハＷ１は、第一のＸ軸移動手段６１Ａにより第一の撮像手段６Ａの下方に移動させられた後、第一のチャックテーブル３５Ａを適宜回転させることにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第一の撮像手段６Ａによって半導体ウエーハＷ１を撮像することにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０を検出する。
【００４５】
第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として算出したならば、第一のチャックテーブル３５Ａを図中矢印Ｒで示す方向に９０度回転し、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第一の撮像手段６Ａにより第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を検出し、第一の方向Ｄ１と同様に、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行を、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関するＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。このようにして、半導体ウエーハＷ１について、第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の全てについてのＹ軸方向における補正値を算出する。これら補正値は、半導体ウエーハＷ１に関する補正値として、第一の座標記録手段２２Ａを構成するメモリに記録される。
【００４６】
半導体ウエーハＷ１について検出された補正値が、第一の座標記録手段２２Ａに記録されたならば、個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割するレーザー加工を実施する。なお、一般的なレーザー加工においては、レーザー光線の照射を実施する前に、半導体ウエーハＷ１のレーザー加工すべき位置と、レーザー光線照射手段５の第一の集光器５１Ａとの位置合わせをすべくアライメント工程を遂行するが、本実施形態では、半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在している隙間１１０の蛇行を検出し、補正値として第一の座標記録手段２２Ａに記録していることから、ここでは、アライメント工程は省略することができる。
【００４７】
以上のようにして、第一のチャックテーブル３５Ａ上に保持された半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在している隙間１１０の蛇行を検出し、その補正値を第一の座標記録手段２２Ａに記録したならば、第一のＸ軸移動手段６１Ａ、及び第一のＹ軸移動手段６２Ａを作動して、半導体ウエーハＷ１のＸ軸方向に延在する所定の隙間１１０の一端を第一の集光器５１Ａの直下に位置付ける。ここで、第一のチャックテーブル３５Ａ上に保持された半導体ウエーハＷ１に対してレーザー加工を実施すべく、図３に示すレーザー光線照射手段５の光学系において、光路切換用の移動ミラー５４を実線で示す位置に設定する。これにより、レーザー光線発振手段５２において発振されたレーザー光線ＬＢ１が第一の集光器５１Ａ側に導かれる。
【００４８】
第一の集光器５１Ａに導かれたレーザー光線ＬＢ１は、第一の集光器５１Ａの図示しない集光レンズによって集光され、レーザー光線ＬＢ１の集光スポットは、半導体ウエーハＷ１の裏面に配設されたＤＡＦに合わせられる。次いで、制御手段２１の作用により、第一の集光器５１ＡからＤＡＦを分割する波長のレーザー光線ＬＢ１を照射しつつ、第一のＸ軸送り手段６１Ａを作動して第一のチャックテーブル３５Ａを図１２におけるＸ軸方向に所定の速度で移動させる。このとき、制御手段２１は、現在加工している隙間１１０の蛇行状態を補正値として記録している第一の座標記録手段２２Ａを参照する。そして、第一のチャックテーブル３５ＡをＸ軸方向に移動させつつ、レーザー光線ＬＢ１の照射位置が、レーザー加工中の隙間１１０の中心を通るように、補正送り手段として機能する第一のＹ軸送り手段６２Ａに対して制御信号を出力し、第一のチャックテーブル３５ＡのＹ軸方向のＹ座標位置を補正する補正送りを実施する。
【００４９】
第一のチャックテーブル３５ＡのＹ座標位置を補正する補正送りを実施しながら、レーザー光線照射手段５によってレーザー光線ＬＢ１を照射し、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の他端が第一の集光器５１Ａの直下位置に達したならば、レーザー光線ＬＢ１の照射を停止するとともに、第一のチャックテーブル３５Ａの移動を停止する。この結果、半導体ウエーハＷ１の裏面に配節されたＤＡＦが、レーザー光線ＬＢ１が照射された隙間１１０の中心に沿って分割される。一つの隙間１１０に対してこのようなレーザー加工を実施したならば、第一のＹ軸送り手段６２Ａにより第一のチャックテーブル３５ＡをＹ軸方向に対して割り出し送りし、隣接する未加工の隙間１１０に対して、さらに第一の方向Ｄ１に沿ったレーザー加工を実施する。このような加工を第一の方向Ｄ１に沿って繰り返すことにより、半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１における全ての隙間１１０に対してレーザー加工を実施する。第一の方向Ｄ１における全ての隙間１１０に対してレーザー加工を実施したならば、第一のチャックテーブル３５Ａを９０度回転させて、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を、Ｘ軸方向に位置付ける。そして、第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０に対して、上記した第一の方向Ｄ１において実施したレーザー加工と同様の加工を実施する。これにより、すべての隙間１１０に対するレーザー加工が実施され、半導体ウエーハＷ１の裏面に配設されたＤＡＦが、個々のデバイス１００に対応して分割される（第一のレーザー加工工程）。
【００５０】
上記した第一のレーザー加工工程は、例えば、以下の加工条件で実施することができる。
レーザー光線の波長                  ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数                      ：５０ｋＨｚ
平均出力                            ：３．０Ｗ
加工送り速度                        ：２５０ｍｍ／秒
【００５１】
上記した第一のレーザー加工工程、すなわち、第一の座標記録手段２２Ａに記録された補正値を参照しながら、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１にレーザー光線ＬＢ１を照射して第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０のＤＡＦを切断する加工を実施している最中に、第二の座標記録手段２２Ｂを作動して、第二の保持手段３Ｂに保持される半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０に関する補正値と、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関する補正値を記録する。より具体的には、まず、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて、上記した第一のレーザー加工装置１Ａにおいて実施した搬送、搬入工程と同様の工程を実施する。これにより、半導体ウエーハＷ２が保持された第二のチャックテーブル３５Ｂが第二のレーザー加工装置１Ｂにおける第二の撮像手段６Ｂの下方に位置付けられる。半導体ウエーハＷ２には、半導体ウエーハＷ１と同様に、半導体ウエーハＷ２の方向を規定するためのノッチＮが形成されており、ノッチＮを基準として、半導体ウエーハＷ２上における第一の方向Ｄ１と、第一の方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２が規定される。第二のチャックテーブル３５Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２が第二の撮像手段６Ｂの下方に移動させられた後、第二のチャックテーブル３５Ｂを適宜回転させることにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０がＸ軸方向に位置付けられる。そして、第二の撮像手段６Ｂによって半導体ウエーハＷ２を撮像することにより、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０を検出する。
【００５２】
半導体ウエーハＷ２に形成されたデバイスは、予め個々に分割された後、裏面側にＤＡＦが配設されていることから、図１３の右上方に半導体ウエーハＷ２の一部を拡大して示すように、第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線（拡大部分において一点鎖線Ｌ１〜Ｌ４で示す。）が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行している。これは、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２についても同様であり、第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０も蛇行している。この半導体ウエーハＷ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する全ての隙間１１０を、Ｘ軸方向に位置付けて検出することにより、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）における隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。この補正値は、半導体ウエーハＷ２上の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中心を結ぶ線が、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）においてＹ軸方向に対して蛇行しないと想定した場合の設計上の隙間の中心線の座標に対する補正値として検出することができる。
【００５３】
半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１に延在する隙間１１０のＹ軸方向の蛇行をＹ座標の補正値として算出したならば、第二のチャックテーブル３５Ｂを図中矢印Ｒで示す方向に９０度回転し、第一の方向Ｄ１と直交する第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０をＸ軸方向に位置付ける。そして、第二の撮像手段６Ｂにより第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０を検出し、第一の方向Ｄ１と同様に、Ｘ軸方向のＸ座標（Ｘ１〜Ｘｎ）におけるＹ軸方向の蛇行を第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０に関するＹ座標（Ｙ１〜Ｙｍ）の補正値として算出する。このようにして、半導体ウエーハＷ２の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてのＹ軸方向における補正値を算出したならば、第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録される。
【００５４】
上記したように、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１にレーザー光線ＬＢ１を照射して第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０のＤＡＦを切断している最中に、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２における隙間１１０の蛇行を検出し、レーザー加工時に必要となるＹ座標の補正値が第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録される。これにより、第一のレーザー加工工程が完了した後、直ぐに第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて、半導体ウエーハＷ２に対するレーザー加工（第二のレーザー加工工程）を開始することができる。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおけるレーザー加工が実施される際には、図３に示すレーザー光線照射手段５において、移動ミラー５４が点線で示す位置（移動ミラー５４’で示す。）に移動させられる。これにより、第二の座標記録手段２２Ｂに記録されたＹ座標の補正値を参照しながら、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２にレーザー光線ＬＢ２を照射することが可能になり、第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在する隙間１１０の中央を通る線上でＤＡＦを切断することができる。なお、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて半導体ウエーハＷ２を、個々のデバイスに対応してＤＡＦを分割する第二のレーザー加工工程は、上記した第一のレーザー加工工程と同様の手順により実施されるものであるため、ここでは、その詳細については省略する。
【００５５】
第一のレーザー加工装置１Ａにおいて、半導体ウエーハＷ１の個々のデバイスに対応してＤＡＦが分割され、次いで、第二のレーザー加工装置１Ｂにおいて半導体ウエーハＷ２に対する第二のレーザー加工工程が開始されたならば、上記した第一のレーザー加工装置１Ａの搬送、搬入工程の逆動作を行うことにより、加工済みの半導体ウエーハＷ１が第一のカセット７０Ａの所定の位置に収容される。それに続き、第一のカセット７０Ａに収容されている他の未加工の半導体ウエーハＷ１に対して加工を行うべく、上記した搬送、搬入工程を実施する。そして、上記した第二のレーザー加工工程を実施している最中に、新たな半導体ウエーハＷ１の第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてＹ座標の補正値を算出し、これら補正値を、半導体ウエーハＷ１に関する補正値として、第一の座標記録手段２２Ａを構成するメモリに記録する。これにより、第二のレーザー加工装置１Ｂによって第二のレーザー加工工程が実施され、半導体ウエーハＷ２に対するレーザー加工が完了したならば、直ぐに第一のレーザー加工装置１Ａにおいて、新たな半導体ウエーハＷ１に対するレーザー加工が実施される。
【００５６】
上記した実施形態によれば、第一のレーザー加工装置１Ａ、及び第二のレーザー加工装置１Ｂのいずれか一方のレーザー加工装置においてレーザー加工が実施されている最中に、他方のレーザー加工装置において、未加工の新たな半導体ウエーハの第一の方向Ｄ１、及び第二の方向Ｄ２に延在するすべての隙間１１０についてのＹ軸方向における補正値が算出され、この補正値を第一の座標記録手段２２Ａ、第二の座標記録手段２２Ｂを構成するメモリに記録することができる。これにより、いずれか一方のレーザー加工装置によるレーザー加工が完了した後に、他方のレーザー加工装置におけるレーザー加工をすぐに開始することができ、生産効率が極めて良好である。
【００５７】
上記した実施形態の加工装置１においては、レーザー光線照射手段５に備えられた１つのレーザー光線発振手段５２によって発振されるレーザー光線ＬＢを、移動ミラー５４の移動により第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂのいずれかに分岐してレーザー光線ＬＢ１、ＬＢ２を照射するように構成されていることから、高額なレーザー光線発振手段５２を複数備えることなく、連続的にレーザー加工の実施が可能な、生産効率の高い加工装置を提供することができる。
【００５８】
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に含まれる範囲で種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して第一の集光器５１Ａ、第二の集光器５１ＢをＸ軸方向に相対的に加工送りする加工送り手段として、第一のＸ軸送り手段６１Ａ、第二のＸ軸送り手段６１Ｂを配設したが、これに限定されず、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ側に、加工送り手段を配設し、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂを加工送りするように構成してもよい。これと同様に、第一の保持手段３Ａ、及び第二の保持手段３Ｂに対して第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１ＢをＸ軸方向に直交するＹ軸方向に相対的に補正送りする補正送り手段を、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂ側に配設することもできる。
【００５９】
また、上記実施形態に係る加工装置１に配設されたレーザー光線照射手段５では、出力を調整するためのアッテネータ５３を、移動ミラー５４の上流側に配設したが、これに限定されず、例えば、移動ミラー５４で反射せずに直進した後のレーザー光線ＬＢ１の光路上、及び移動ミラー５４’にて反射した後のレーザー光線ＬＢ２の光路上のそれぞれに、アッテネータを配設し、第一の集光器５１Ａ、及び第二の集光器５１Ｂに導かれるレーザー光線ＬＢ１、及びＬＢ２を、異なる出力になるように調整することもできる。これにより、第一の保持手段３Ａに保持された半導体ウエーハＷ１と、第二の保持手段３Ｂに保持された半導体ウエーハＷ２とに対して、異なるレーザー加工条件による加工を施すことも可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１：加工装置
１Ａ：第一のレーザー加工装置
１Ｂ：第二のレーザー加工装置
２：静止基台
３Ａ：第一の保持手段
３Ｂ：第二の保持手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
７Ａ：第一のカセットテーブル
７Ｂ：第二のカセットテーブル
８Ａ：第一の仮置手段
８Ｂ：第二の仮置手段
９Ａ：第一の搬送手段
９Ｂ：第二の搬送手段
１０Ａ：第一の搬入手段
１０Ｂ：第二の搬入手段
２０：制御装置
２１：制御手段
２２：補正値記録手段
２２Ａ：第一の座標記録手段
２２Ｂ：第二の座標記録手段
３１Ａ、３１Ｂ：移動基台
３２Ａ、３２Ｂ：滑動ブロック
３３Ａ、３３Ｂ：円筒部材
３４Ａ、３４Ｂ：カバーテーブル
３５Ａ：第一のチャックテーブル
３５Ｂ：第二のチャックテーブル
３６Ａ、３６Ｂ：吸着チャック
５１Ａ：第一の集光器
５１Ｂ：第二の集光器
５２：レーザー光線発振手段
５４、５４’：移動ミラー
６１Ａ：第一のＸ軸送り手段
６１Ｂ：第二のＸ軸送り手段
６２Ａ：第一のＹ軸送り手段
６２Ｂ：第二のＹ軸送り手段
７０Ａ：第一のカセット
７０Ｂ：第二のカセット
１００：デバイス
１１０：隙間
Ｗ１、Ｗ２：半導体ウエーハ
【図１】
2019121624.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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