(57)【要約】【課題】補助電極の形成において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極への影響を低減する。【解決手段】基板１００ｘの上方に形成された画素電極の間隙の上方に、列方向に延在する列バンク５２２Ｙを形成する工程と、複数の画素電極上方に発光層１２３を形成する工程と、発光層の上方に平面方向に連続して共通電極１２５を形成する工程と、発光層の上方に平面方向に連続して、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層１２８を形成する工程と、保護層の上面に平面方向に連続して、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜１２９’を形成する工程と、補助電極膜の、少なくとも列バンクの上方において列方向に延伸する領域を残すように、補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行い補助電極１２９を形成する工程とを有する。【選択図】図４
2019133835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記画素電極の少なくとも間隙の上方に、列方向に延在する列バンクを形成する工程と、
前記複数の画素電極上方に複数の有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、
前記複数の発光層の上方において、前記基板の平面方向に連続して共通電極を形成する工程と、
前記複数の発光層の上方において、前記平面方向に連続して、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層を形成する工程と、
前記保護層の上面において、前記平面方向に連続して、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜を形成する工程と、
前記補助電極膜の、少なくとも前記列バンクの上方において列方向に延伸する領域を残すように、前記補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うことにより補助電極を形成する工程と、を有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記レーザは、前記第１の導電性材料よりも前記第２の導電性材料に対して高い吸収率を呈する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記保護層は、前記共通電極を形成する工程より後に、前記共通電極の上面に形成される
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記共通電極は、前記補助電極を形成する工程より後に、前記保護層及び前記補助電極の上面に形成される
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記発光層を形成する工程では、隣接する前記列バンクの間の少なくとも前記画素電極上方に前記有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することにより前記発光層を形成する
請求項１から４の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記補助電極を形成する工程では、前記補助電極膜の前記補助電極を形成すべき領域以外の部分にレーザを照射して、当該部分の前記補助電極膜を除去することによりパターニングを行う
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
さらに、前記画素電極の間隙の上方において、行方向に延在する行バンクを形成する工程を備え、
前記補助電極を形成する工程では、前記補助電極膜を、前記列バンク及び前記行バンクの上方において、それぞれ前記列バンク及び前記行バンクに沿って延伸する部分以外を除去する
請求項１〜３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記補助電極を形成する工程では、前記画素電極の間隙の上方に存在する全ての前記列バンクの上方に前記補助電極を形成する
請求項１〜７の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、
基板と、
前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、
前記画素電極の少なくとも間隙の上方に配され、列方向に延在する列バンクと、
前記複数の画素電極上方に配された複数の発光層と、
前記複数の発光層の上方において、前記基板の平面方向に連続して配された共通電極と、
前記複数の発光層の上方において、前記平面方向に連続して配され、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む導電性材料からなる保護層と、
前記列バンクの上方の前記保護層の上面において、前記共通電極と電気的に接続された状態で、列方向に延伸して配されたアルミニウムを主成分として含む導電性材料からなる補助電極とを備えた
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記保護層は、前記共通電極の上面に配されている
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記共通電極は、前記保護層及び前記補助電極の上面に、前記保護層及び前記補助電極を覆うように配されている
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
さらに、前記画素電極の間隙上方において、行方向に延在する行バンクを備え、
前記補助電極は、さらに、前記行バンクの上方において、前記補助電極の上面に行方向に延伸して配されている
請求項９〜１１の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記補助電極は、前記画素電極の間隙の上方に存在する全ての前記列バンクの上方に存在する
請求項９〜１２の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子をマトリックス状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
有機ＥＬ表示パネルでは、一般に各有機ＥＬ素子の発光層と、隣接する有機ＥＬ素子とは絶縁材料からなる絶縁層で仕切られており、カラー表示用の有機ＥＬ表示パネルにおいては、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色に発光する副画素を形成し、隣り合うＲＧＢの副画素が組合わさってカラー表示における単位画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板上に画素電極、有機層（発光層を含む）、及び共通電極が順に設けられた素子構造を有する。発光層からの光は、光反射性材料からなる画素電極にて反射されるとともに、光透光性材料からなる共通電極から上方に出射される。共通電極は、基板上の表示画素部全面にわたって成膜することが多い。テレビ等大画面表示装置への利用に向けた有機ＥＬ表示パネルが大型化に伴い、共通電極の電気抵抗が増加し、給電部から遠い部分では電圧降下により電流が十分に供給されずに発光効率が低下し、これに起因して輝度ムラが発生することが懸念される。
【０００４】
これに対し、例えば、特許文献１では、基板上の画素電極と対向する共通電極（上部電極）の上又は下に共通電極と重畳させた状態で補助電極を長尺状に延伸させて配置し、共通電極との電気的な接続を図ることにより、共通電極の電気抵抗を低減する技術が開示されている。また、補助電極の形成方法については、例えば、特許文献２には、パターンが形成されたシャドーマスク法を用いて真空蒸着を行うことにより補助電極を形成する方法が開示されており、また、例えば、特許文献３には、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極のパターニングを行う補助電極を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３００８６号公報
【特許文献２】特開２００６−３１８９１０号公報
【特許文献３】特開２００５−１９２１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、従来の形成方法により補助電極を製造した場合には、補助電極より前に形成された有機ＥＬ素子の構成要素の特性に影響が及ぶ場合があり、製造された有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光効率や寿命が低下するという課題があった。
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、補助電極の形成工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極に及ぼす影響を低減する有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及び当該製造方法により製造可能な有機ＥＬ表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記画素電極の少なくとも間隙の上方に、列方向に延在する列バンクを形成する工程と、前記複数の画素電極上方に複数の有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、前記複数の発光層の上方において、前記基板の平面方向に連続して共通電極を形成する工程と、前記複数の発光層の上方において、前記平面方向に連続して、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層を形成する工程と、前記保護層の上面において、前記平面方向に連続して、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜を形成する工程と、前記補助電極膜の、少なくとも前記列バンクの上方において列方向に延伸する領域を残すように、前記補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うことにより補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、補助電極の形成工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極に及ぼす影響を低減することができる。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、補助電極の形成工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極に及ぼす影響を低減することができる表示パネル１０を提供することができる。その結果、基板面内での電圧効果に伴う輝度ムラを低減するとともに、従来に比べて、発光効率を改善する有機ＥＬ表示パネルを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置１に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【図３】有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
【図４】図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの一部を示す模式平面図である。
【図１２】変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａにおける図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１３】変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪発明を実施するための形態に至った経緯≫
有機ＥＬパネルでは、基板面内において給電部から遠い部分での電圧降下を低減して発光効率が低下や、これに起因する輝度ムラを抑制するために、基板上の画素電極と対向する共通電極に共通電極と重畳させた状態で補助電極を長尺状に延伸させて配置し、共通電極との電気的な接続を図ることにより、共通電極の電気抵抗を低減することが行われている。
【００１１】
従来、補助電極は、発光素子において、発光層の下方において画素電極と同じレイヤーに配されている場合が多く、画素電極と補助電極とを同一平面内に配置する必要があるため、高精細化に伴い基板に占める画素面積の比率が低下し、十分な光取り出し効率が確保できないということが懸念される。
そこで、補助電極を発光層よりも後工程で形成することにより、例えば、補助電極を発光層の上方に配置して、画素電極の一部と補助電極とを厚み方向に重ねた状態で配置する構造を採ることが有効となる。しかしながら、従来の製造方法により発光層の上方に補助電極を形成する場合には、補助電極より前工程において形成された有機ＥＬ素子の各構成要素の特性に影響を及ぼす場合があり、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光効率や寿命が低下するということが懸念された。
【００１２】
具体的には、例えば、補助電極の上面に共通電極を形成する構成では、補助電極形成後に共通電極の形成工程までの間に補助電極表面の酸化により機能層が形成されることがあり、重畳して形成された共通電極との間で接続抵抗が増加する場合がある。この機能層を、例えば、レーザ加工を用いて除去する場合には、画素電極と共通電極との間に異物が残り欠陥の原因になることがある。
【００１３】
また、共通電極の上面に補助電極を形成する構成では、例えば、特許文献２に記載されるように、長尺状のパターンが形成されたシャドーマスク法を用いて真空蒸着を行うことにより補助電極を形成する方法補助電極のパターニングを行う場合には、補助電極の材料ロスが大きく大型基板化や高精細化に際しコスト増加の要因となる。
また、インクジェット法により補助電極を印刷により形成する場合、金属材料を有機溶媒等に混合したインク(ペースト)を塗布したのち乾燥して補助電極を形成するので、補助電極中に残存する有機成分に起因して補助電極の電気抵抗が増加する傾向がある。仮に、焼成により有機成分を除去する場合には、前工程で形成された有機機能層等の特性に影響を及ぼし発光特性等が変化することが懸念される。
【００１４】
また、例えば、特許文献３に記載されるように、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極のパターニングを行う場合には、気相成長法により補助電極のベタ膜（補助電極膜）を成膜したのち、フォトリソグラフィ法によりパターニングしたレジストをマスクした状態で補助電極膜をエッチングしてパターニングして補助電極を形成する。この場合、レジストパターンを介して補助電極膜にウエットエッチングを施すこととなり、前工程で形成されている有機機能層がエッチング液等に曝され、発光特性や信頼性が低下することが懸念される。
【００１５】
さらに、レーザ加工により補助電極のパターニングを行う場合には、除去される補助電極膜の下層に当たる部分へレーザが照射されて損傷が入る可能性があり、前工程で形成されている共通電極や有機機能層の劣化が懸念される。
さらに、例えば、特開２００６−２６１０５８号公報では、無機層を挟んで共通電極と積層された補助電極層を設け、無機層に設けられたコンタクトホールを介して補助電極層と共通電極との電気的な接続を図る技術が提案されている。この場合、フォトリソグラフィ法を用いて補助電極をパターニングした場合でも、無機層を挟んで共通電極をパターニングすることにより、前工程で形成されている有機機能層がエッチング液等に曝されること防止できる。しかしながら、コンタクトホール形成のための工程数が増加しコスト増加の要因となる。
【００１６】
そこで、発明者らは、補助電極を発光層の上方に形成する製造プロセスにおいて、前工程において形成された有機ＥＬ素子の構成要素の特性に与える影響を低減できる補助電極の形成方法と、当該有機ＥＬ表示パネルの製造方法により製造することができる有機ＥＬ表示パネルの構成について鋭意検討を行い、以下の実施の形態に至ったものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板の上方に行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記画素電極の少なくとも間隙の上方に、列方向に延在する列バンクを形成する工程と、前記複数の画素電極上方に複数の有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、前記複数の発光層の上方において、前記基板の平面方向に連続して共通電極を形成する工程と、前記複数の発光層の上方において、前記平面方向に連続して、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層を形成する工程と、前記保護層の上面において、前記平面方向に連続して、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜を形成する工程と、前記補助電極膜の、少なくとも前記列バンクの上方において列方向に延伸する領域を残すように、前記補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うことにより補助電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１７】
係る構成により、補助電極の形成工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極に及ぼす影響を低減することができ、レーザの照射エネルギーを従来に比べて増加することができ、高速なパターニングを実現できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記レーザは、前記第１の導電性材料よりも前記第２の導電性材料に対して高い吸収率を呈する構成としてもよい。
【００１８】
係る構成により、第２の導電性材料からなる補助電極の形成工程において、補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うときに、補助電極直下の第１の導電性材料からなる保護層に損傷を及ぼすことを防止できる。
また、別の態様では、前記保護層は、前記共通電極を形成する工程より後に、前記共通電極の上面に形成される上記の何れかの態様において、構成としてもよい。
【００１９】
係る構成により、保護層の下地層である共通電極をレーザの照射から保護することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記共通電極は、前記補助電極を形成する工程より後に、前記保護層及び前記補助電極の上面に形成される構成としてもよい。
【００２０】
係る構成により、保護層の下地層である発光層を含む機能層をレーザの照射から保護することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記発光層を形成する工程では、隣接する前記列バンクの間の少なくとも前記画素電極上方に前記有機発光材料を含むインクを塗布して乾燥することにより前記発光層を形成する構成としてもよい。
【００２１】
係る構成により、発光層を形成のための製造コストを低減できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記補助電極を形成する工程では、前記補助電極膜の前記補助電極を形成すべき領域以外の部分にレーザを照射して、当該部分の前記補助電極膜を除去することによりパターニングを行う構成としてもよい。
係る構成により、第２の導電性材料からなる補助電極のパターニングにおいて、補助電極を形成すべき領域以外の部分にレーザを照射して、当該部分の前記補助電極膜を除去するときに、補助電極直下の保護層に損傷を及ぼすことを防止できる。
【００２２】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記画素電極の間隙上方において、行方向に延在する行バンクを形成する工程を備え、前記補助電極を形成する工程では、前記補助電極膜を、前記列バンク及び前記行バンクの上方において、それぞれ前記列バンク及び前記行バンクに沿って延伸する部分以外を除去する構成としてもよい。
係る構成により、補助電極の行方向の断面積を拡大するとともに、保護層を介して共通電極との電気的な接続部分の面積の拡大を図ることにより、共通電極の電気抵抗をさらに低減することができる。そのため、基板における行方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースの中で、共通電極の電気抵抗を低減できる。
【００２３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記補助電極を形成する工程では、前記画素電極の間隙の上方に存在する全ての前記列バンクの上方に前記補助電極を形成する構成としてもよい。
係る構成により、補助電極の行方向の断面積を拡大するとともに、保護層を介して共通電極との電気的な接続部分の面積の拡大を図ることにより、共通電極の電気抵抗をさらに低減できる有機ＥＬパネルを製造できる。
【００２４】
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板上に複数の画素電極が行列状に配され、各画素電極上に有機発光材料を含む発光層が配されてなる有機ＥＬ表示パネルであって、基板と、前記基板の上方に行列状に配された複数の画素電極と、前記画素電極の少なくとも間隙の上方に配され、列方向に延在する列バンクと、前記複数の画素電極上方に配された複数の発光層と、前記複数の発光層の上方において、前記基板の平面方向に連続して配された共通電極と、前記複数の発光層の上方において、前記平面方向に連続して配され、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む導電性材料からなる保護層と、前記列バンクの上方の前記保護層の上面において、前記共通電極と電気的に接続された状態で、列方向に延伸して配されたアルミニウムを主成分として含む導電性材料からなる補助電極とを備えたことを特徴とする。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記保護層は、前記共通電極の上面に配されている構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記共通電極は、前記保護層及び前記補助電極の上面に、前記保護層及び前記補助電極を覆うように配されている構成としてもよい。また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記画素電極の間隙上方において、行方向に延在する行バンクを備え、前記補助電極は、さらに、前記行バンクの上方において、前記補助電極の上面に行方向に延伸して配されている構成としてもよい。
【００２５】
係る構成により、補助電極の形成する工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子の機能層又は電極に及ぼす影響を低減することができる表示パネルの構成を提供することができ、基板面内での電圧効果に伴う輝度ムラを低減するとともに、従来に比べて、発光効率を改善する有機ＥＬ表示パネルを実現できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記補助電極は、前記画素電極の間隙の上方に存在する全ての前記列バンクの上方に存在する構成としてもよい。
【００２６】
係る構成により、補助電極の行方向の断面積を拡大するとともに、保護層を介して共通電極との電気的な接続部分の面積の拡大を図ることにより、共通電極の電気抵抗をさらに低減することができる。そのため、基板における行方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースの中で、共通電極の電気抵抗を低減できる。
≪実施の形態１≫
１  表示装置１の回路構成
以下では、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１（以後、「表示装置１」と称する）の回路構成について、図１を用い説明する。
【００２７】
図１に示すように、表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。
表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルであって、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【００２８】
２  表示パネル１０の回路構成
表示パネル１０においては、複数の単位画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各単位画素１００ｅは、３個の有機ＥＬ素子、つまり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について、図２を用い説明する。
【００２９】
図２は、表示装置１に用いる表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。
図２に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と一つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
【００３０】
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ2 は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2 のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1 は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部ＥＬにおける共通電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【００３１】
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
表示パネル１０においては、隣接する複数の副画素１００ｓｅ（例えば、赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の発光色の３つの副画素１００ｓｅ）を組み合せて１つの単位画素１００ｅを構成し、各単位画素１００ｅが分布するように配されて画素領域を構成している。そして、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【００３２】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
３．表示パネル１０の全体構成
本実施の形態に係る表示パネル１０について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００３３】
図３は、有機ＥＬ表示パネル１０の一部を示す模式平面図である。
表示パネル１０は、有機化合物の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が行列状に配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。ここで、本明細書では、図３におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。
【００３４】
図３に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上をマトリックス状に区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとが配された区画領域１０ｅから構成されている。本明細書では、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとを総称して「絶縁層１２２」とする。区画領域１０ｅは、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘにより規制される各区画に有機ＥＬ素子１００が形成されている領域である。
【００３５】
表示パネル１０の区画領域１０ｅ（以後、「領域１０ｅ」とする）には、有機ＥＬ素子１００に対応する単位画素１００ｅが行列状に配されている。各単位画素１００ｅには、有機化合物により光を発する領域である、赤色に発光する１００ａＲ、緑色に発光する１００ａＧ、青色に発光する１００ａＢ（以後、１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢを区別しない場合は、「１００ａ」と略称する）の３種類の自己発光領域１００ａが形成されている。すなわち、図３に示すように行方向に並んだ自己発光領域１００ａＲ、１００ａＧ、１００ａＢのそれぞれに対応する３つの副画素１００ｓｅが１組となりカラー表示における単位画素１００ｅを構成している。
【００３６】
また、図３に示すように、表示パネル１０には、複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態で行列状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなる。行列状に配された画素電極１１９は、行方向に順に並んだ３つの自己発光領域１００ａＲ、Ｇ、Ｂに対応する。
【００３７】
表示パネル１０では、絶縁層１２２の形状は、いわゆるライン状の絶縁層形式を採用し、行方向に隣接する２つの画素電極１１９の行方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が列方向（図３のＹ方向）に延伸する列バンク５２２Ｙが複数行方向に並設されている。そのため、自己発光領域１００ａの行方向外縁は、列バンク５２２Ｙの行方向外縁により規定される。
【００３８】
一方、列方向に隣接する２つの画素電極１１９の列方向外縁及び外縁間に位置する基板１００ｘ上の領域上方には、各条が行方向（図３のＸ方向）に延伸する行バンク１２２Ｘが複数列方向に並設されている。行バンク１２２Ｘが形成される領域は、画素電極１１９上方の発光層１２３において有機電界発光が生じないために非自己発光領域１００ｂとなる。そのため、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００３９】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義したとき、間隙５２２ｚには、自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢ（以後、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢを区別しない場合は、「間隙５２２ｚ」とする）が存在し、表示パネル１０は、列バンク５２２Ｙと間隙５２２ｚとが交互に多数並んだ構成を採る。
【００４０】
また、図３に示すように、表示パネル１０では、複数の自己発光領域１００ａと非自己発光領域１００ｂとが、間隙５２２ｚに沿って列方向に交互に並んで配されている。非自己発光領域１００ｂには、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部（コンタクトホール、不図示）が設けられている。
図３に示すように、１つの副画素１００ｓｅにおいて、列方向に設けられた列バンク５２２Ｙと行方向に設けられた行バンク１２２Ｘとは直交し、自己発光領域１００ａは列方向において行バンク１２２Ｘと行バンク１２２Ｘの間に位置している。
【００４１】
また、図３に示すように、表示パネル１０には、列バンク５２２Ｙの上方に、複数の補助電極１２９Ｙが基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている。補助電極１２９Ｙは金属材料からなる。また、行バンク１２２Ｘの上方に、複数の補助電極１２９Ｘが基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間にわたって隣接する補助電極１２９Ｙの間に行方向に延伸して配されている。本明細書では、補助電極１２９Ｙと補助電極１２９Ｘとを総称して「補助電極１２９」とする。補助電極１２９は金属材料から構成されている。
【００４２】
４  表示パネル１０の各部構成
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３におけるＡ１−Ａ１で切断した模式断面図である。
本実施の形態に係る表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部が構成されている。
【００４３】
４．１  有機ＥＬ素子１００の各部構成
（１）基板１００ｘ
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成された薄膜トランジスタ層（不図示）とを有する。
基材は、表示パネル１０の支持部材であり、平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、ガラス材料、樹脂材料、半導体材料、絶縁層をコーティングした金属材料などを用いることができる。
【００４４】
ＴＦＴ層は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線（ＴＦＴのソースＳ1 と、対応する画素電極１１９を接続する）を含む複数の配線からなる。ＴＦＴは、表示パネル１０の外部回路からの駆動信号に応じ、対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極１１９、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
【００４５】
（２）平坦化層１１８
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層によって凹凸が存在する基板１００ｘの上面を平坦化するとともに、配線及びＴＦＴの間を埋め、配線及びＴＦＴの間を電気的に絶縁している。
【００４６】
平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とを接続するために、画素電極１１９に対応して、当該配線の上方の一部にコンタクト孔（不図示）が開設されている。
４．２  有機ＥＬ素子部
（１）画素電極１１９
基板１００ｘにおける領域１０ｅ上面に位置する平坦化層１１８上には、図４に示すように、副画素１００ｓｅ単位で画素電極１１９が設けられている。
【００４７】
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。また、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、画素電極１１９は光反射性を有する。画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクト孔（不図示）上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続凹部（コンタクト孔；不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とが接続される。
【００４８】
（３）ホール注入層１２０
画素電極１１９及上には、図４に示すように、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
ホール注入層１２０は、基板１００ｘ側から順に、画素電極１１９上に形成された金属酸化物からなるホール注入層１２０Ａと、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内のホール注入層１２０Ａ上それぞれに積層された有機物からなるホール注入層１２０Ｂとを含む。
【００４９】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、ホール注入層１２０Ｂは列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
（４）バンク１２２
図４に示すように、画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。バンクには、列方向に延伸して行方向に複数並設されている列バンク５２２Ｙと、行方向に延伸して列方向に複数並設されている行バンク１２２Ｘとがある。図３に示すように、列バンク５２２Ｙは、行バンク１２２Ｘと直交する行方向に沿った状態で設けられており、列バンク５２２Ｙと行バンク１２２Ｘとで格子状をなしている（以後、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙを区別しない場合は「バンク１２２」と称する）。
【００５０】
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて形成される発光層１２３の行方向外縁を規定するものである。列バンク５２２Ｙは、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００５１】
行バンク１２２Ｘの形状は、行方向に延伸する線状であり、列方向に平行に切った断面は上方を先細りとする順テーパー台形状である。行バンク１２２Ｘは、各列バンク５２２Ｙを貫通するようにして、列方向と直交する行方向に沿った状態で設けられており、各々が列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂよりも低い位置に上面を有する。そのため、行バンク１２２Ｘと列バンク５２２Ｙとにより、自己発光領域１００ａに対応する開口が形成されている。
【００５２】
（５）ホール輸送層１２１
図４に示すように、間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内におけるホール注入層１２０上には、ホール輸送層１２１が積層される。また、行バンク１２２Ｘにおけるホール注入層１２０上にも、ホール輸送層１２１が積層される（不図示）。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂに接触している。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。
【００５３】
本実施の形態では、後述する間隙５２２ｚ内では、ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０Ｂと同様、列方向に延伸するように線状に設けられている構成を採る。
（６）発光層１２３
図４に示すように、ホール輸送層１２１上には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、内部でホールと電子が再結合することで光を発する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色副画素１００ｓｅＲ内の自己発光領域１００ａＲに対応する赤色間隙５２２ｚＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ内の自己発光領域１００ａＧに対応する緑色間隙５２２ｚＧ、青色副画素１００ｓｅＢ内の自己発光領域１００ａＢに対応する青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。
【００５４】
各色の副画素１００ｓｅにおいて、画素電極１１９と共通電極１２５との間に各色の発光層１２３が存在し、発光層１２３からの光を共振させて共通電極１２５側から出射させる光共振器構造が形成され、赤色副画素１００ｓｅＲ、緑色副画素１００ｓｅＧ、青色副画素１００ｓｅＢでは、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂそれぞれから出射させる光の波長に応じて、発光層１２３上面と画素電極１１９上面との間の光学距離が設定され、各色に対応する光成分が強め合うように光共振器構造が形成されている。
【００５５】
発光層１２３は、画素電極１１９からキャリアが供給される部分のみが発光するので、層間に絶縁物である行バンク１２２Ｘが存在する範囲では、有機化合物の電界発光現象が生じない。そのため、発光層１２３は、行バンク１２２Ｘがない部分のみが発光して、この部分が自己発光領域１００ａとなり、自己発光領域１００ａの列方向における外縁は、行バンク１２２Ｘの列方向外縁により規定される。
【００５６】
発光層１２３のうち行バンク１２２Ｘの側面及び上面の上方にある部分は発光せず、この部分は非自己発光領域となる。発光層１２３は、自己発光領域１００ａにおいては、ホール輸送層１２１の上面に位置し、非自己発光領域１００ｂにおいては行バンク１２２Ｘの上面及び側面上のホール輸送層１２１上面に位置する（不図示）。
なお、発光層１２３は、自己発光領域１００ａだけでなく、列方向に隣接する非自己発光領域１００ｂまで連続して延伸されている。このようにすると、発光層１２３の形成時に、自己発光領域１００ａに塗布されたインクが、非自己発光領域１００ｂに塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。
【００５７】
（７）電子輸送層１２４
図４に示すように、列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４については、表示パネル１０の少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。電子輸送層１２４は、共通電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。電子輸送層１２４は、基板１００ｘ側から順に金属酸化物又はフッ化物等からなる電子輸送層１２４Ａと、電子輸送層１２４Ａ上に積層された有機物を主成分とする電子輸送層１２４Ｂとを含む（以後において、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂを総称する場合は「電子輸送層１２４」と表記する）。
【００５８】
（８）共通電極１２５
図４に示すように、電子輸送層１２４上に、共通電極１２５が形成されている。共通電極１２５は、各発光層１２３に共通の電極となっている。共通電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする共通電極１２５Ａと、共通電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる共通電極１２５Ｂとを含む（以後において、共通電極１２５Ａ、１２５Ｂを総称する場合は「共通電極１２５」と表記する）。
【００５９】
共通電極１２５は、図４に示すように、電子輸送層１２４上の画素電極１１９上方の領域にも形成される。共通電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給するものであり、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。また、共通電極１２５Ａは、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。
なお、共通電極１２５Ａ、１２５Ｂの積層順については、光学調整のために１２５Ａと１２５Ｂの順番を入れ替える構成としてもよい。また、その場合において、１２５Ａと保護層１２８を共用化して１２５Ａを省略してもよい。
【００６０】
（９）保護層１２８
保護層１２８は、複数の単位画素１００ｅに渡って下地となる層を被覆する連続膜であり、保護層１２８の上に形成される補助電極１２９へのレーザパターニングの際に、共通電極１２５がレーザ照射により損傷を受けることから保護するための層である。保護層１２８は、共通電極１２５を下地とする場合には、共通電極１２５と上面に形成される補助電極１２９との間の電気的な接続を確保するために電気抵抗率が小さいことが必要であり、また、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有することが必要である。
【００６１】
そのために、保護層１２８は、銀、銅、又は金などの金属を主成分とすることが好ましく、また、保護層１２８の厚みは、レーザ照射に対する耐加工性を得るために５ｎｍ以上であることが好ましく、透光性を確保するために、５０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下が好ましい。
なお、保護層１２８の膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、レーザ照射に対する耐加工性と光学的な光取り出し性、導電性として最も有利となる適切な膜厚としてもよい。
【００６２】
（１０）補助電極１２９
補助電極１２９は、列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂの上方において保護層１２８の上面に重畳して列方向に延伸し配され、保護層１２８を介して共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。さらに、行バンク１２２Ｘの上面の上方において保護層１２８の上面に重畳して隣接する補助電極１２９Ｙの間に行方向に延伸して配されている。
【００６３】
ここで、補助電極１２９の厚みは、ディスプレイとしての光学的な光取り出し性を確保するとともに給電を補助するための十分な断面積を得るために、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。本実施の形態では、補助電極１２９の厚みは、例えば、４００ｎｍとした。
（１１）封止層１２６
共通電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、発光層１２３が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、共通電極１２５の上面を覆うように設けられている。
【００６４】
（１２）接合層１２７
封止層１２６のＺ軸方向上方には、上部基板１３０のＺ軸方向下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルとカラーフィルタ基板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。
【００６５】
４．３  ＣＦ基板の各部構成
（１）上部基板１３０
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成されたカラーフィルタ基板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００６６】
（２）カラーフィルタ層１３２
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、赤色間隙５２２ｚＲ内の自己発光領域１００ａＲ、緑色間隙５２２ｚＧ内の自己発光領域１００ａＧ、青色間隙５２２ｚＢ内の自己発光領域１００ａＢの上方に、赤色、緑色、青色のフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。
【００６７】
（３）遮光層１３３
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。
【００６８】
４．４  各部の構成材料
図３、図４に示す各部の構成材料について、一例を示す。
（１）基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）
基材１００ｐとしては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
【００６９】
ＴＦＴ層は、基材１００ｐに形成されたＴＦＴ回路と、ＴＦＴ回路上に形成された無機絶縁層（不図示）、平坦化層１１８とを有する。ＴＦＴ回路は、基材上面に形成された複数のＴＦＴ及び配線からなる。ＴＦＴは、有機ＥＬ素子１００の外部回路からの駆動信号に応じ、自身に対応する画素電極１１９と外部電源とを電気的に接続するものであり、電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。配線は、ＴＦＴ、画素電極、外部電源、外部回路などを電気的に接続している。
【００７０】
ＴＦＴを構成するゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル層、チャネル保護層、ソース電極、ドレイン電極などには公知の材料を用いることができる。
基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂などの有機化合物を用いることができる。
【００７１】
（２）画素電極１１９
画素電極１１９は、金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る表示パネル１０の場合には、厚みを最適に設定して光共振器構造を採用することにより出射される光の色度を調整し輝度を高めているため、画素電極１１９の表面部が高い反射性を有することが必要である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、画素電極１１９は、金属層、合金層、透明導電膜の中から選択される複数の膜を積層させた構造であってもよい。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、反射率が８０〜９５％と高く、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０  ｎΩｍ）と小さく、画素電極１１９の材料として好適である。
【００７２】
アルミニウム合金などの金属層の他、高反射率の観点から、例えば、銀や銀を含む合金等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。
（３）ホール注入層１２０
ホール注入層１２０Ａは、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物からなる層である。ホール注入層１２０Ａを遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
【００７３】
ホール注入層１２０Ｂは、上述のとおり、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料の有機高分子溶液からなる塗布膜を用いることができる。
（４）バンク１２２
バンク１２２は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１２２の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１２２は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。より好ましくは、アクリル系樹脂を用いることが望ましい。屈折率が低くリフレクターとして好適であるからである。
【００７４】
又は、バンク１２２は、無機材料を用いる場合には、屈折率の観点から、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）を用いることが好ましい。あるいは、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料を用い形成される。
さらに、バンク１２２は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【００７５】
また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。また、バンク１２２の形成にフッ素を含有した材料を用いてもよい。また、バンク１２２の表面に撥水性を低くするために、バンク１２２に紫外線照射を行う、低温でベーク処理を行ってもよい。
（５）ホール輸送層１２１
ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ａｌｔ−（１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−（（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｉｍｉｎｏ）−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））などを用いることができる。
【００７６】
（６）発光層１２３
発光層１２３は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２３の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７７】
（７）電子輸送層１２４
電子輸送層１２４には、電子輸送性が高い有機材料が用いられる。電子輸送層１２４Ａは、フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。電子輸送層１２４Ｂに用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
【００７８】
また、電子輸送層１２４Ｂは、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
（８）共通電極１２５
共通電極１２５Ａは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。
【００７９】
共通電極１２５Ｂは、光透過性を有する導電材料が用いられる。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用い形成される。
（９）補助電極１２９
補助電極１２９は、保護層１２８を介して共通電極１２５との電気的な接続を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗を低減するための補助的な電極層である。そのため、補助電極１２９は、シート抵抗が小さい材料として、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として含む金属層、合金層から構成することができる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）合金では、電気抵抗率が、２．８２×１０-8（１０ｎΩｍ）と小さく、さらに、コスト面から補助電極１２９の材料として好適である。その他に、アルミニウム合金などの金属層の他、第２の候補として、ニッケル、鉄を主成分として含む金属層、合金層から構成してもよい。さらに、第３の候補として、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む金属層、合金層から構成してもよい。補助電極１２９は、基板上の画素電極１１９と同時に同層に形成されないために、画素電極１１９とは独立に材料を選択することができる。
【００８０】
（１０）保護層１２８
保護層１２８は、補助電極１２９へのレーザパターニングの際に、下地層がレーザ照射により損傷を受けることから保護するための層である。そのため、上面に形成される補助電極１２９よりもレーザ照射に対する耐加工性が高いことが必要である。
レーザ加工は、被削材料はレーザ光の照射を受けた部分の温度が上昇して、その部分が固相から液相さらには気相に変化することにより除去される加工である。そのため、保護層１２８が、レーザ照射に対する高い耐加工性を得るためには、照射されるレーザ光の波長に対して加工対象材料よりも光吸収率が低いことが必要であり、保護層１２８には補助電極１２９に用いる材料と比較において、照射されるレーザ光の波長に対して光吸収率が低い材料を用いることが必要となる。
【００８１】
そのために、例えば、補助電極１２９にアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層から構成する場合には、保護層１２８は、銀、銅、又は金などの金属を主成分とすることが好ましい。
また、例えば、補助電極１２９に銅を主成分として含む金属層、合金層から構成する場合には、保護層１２８は、銀、又は金などの金属を主成分とすることが好ましい。
【００８２】
また、例えば、補助電極１２９に銀を主成分として含む金属層、合金層から構成する場合には、保護層１２８は、金などの金属を主成分とすることが好ましい。
また、例えば、補助電極１２９にニッケル、鉄を主成分として含む金属層、合金層から構成する場合には、保護層１２８は、アルミニウム、銀、銅、又は金などの金属を主成分とすることが好ましい。
【００８３】
また、例えば、補助電極１２９に鉄を主成分として含む金属層、合金層から構成する場合には、保護層１２８は、ニッケル、アルミニウム、銀、銅、又は金などの金属を主成分とすることが好ましい。
一方、共通電極１２５を下地とする場合には、共通電極１２５と上面に形成される補助電極１２９との間の電気的な接続を確保するために電気抵抗率が小さいことが必要である。
【００８４】
そのため、本実施の形態では、保護層１２８は、銀、銅、又は金などの金属を主成分とし、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の気相成長法により成膜される構成とした。
（１１）封止層１２６
封止層１２６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００８５】
封止層１２６は、トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
（１２）接合層１２７
接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなる。接合層１２７は、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００８６】
（１３）上部基板１３０
上部基板１３０としては、例えば、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板等に透光性材料を採用することができる。
（１４）カラーフィルタ層１３２
カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００８７】
（１５）遮光層１３３
遮光層１３３としては、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。黒色顔料としては、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料を採用することができる。
【００８８】
５  表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図５〜１０を用いて説明する。図５〜１０における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
（１）基板１００ｘの準備
複数のＴＦＴや配線が形成された基板１００ｘを準備する。基板１００ｘは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる（図５（ａ））。
【００８９】
（２）平坦化層１１８の形成
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図５（ｂ））。
（３）、画素電極１１９、ホール注入層１２０Ａの形成
スパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法を用い金属膜を積層して形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いパターニングすることでなされる。
【００９０】
具体的には、先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い製膜前洗浄を行う。
次に、平坦化層１１８の表面に製膜前洗浄を行った後、画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９Ｘを気相成長法により平坦化層１１８の表面に製膜する（図５（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
【００９１】
さらに、金属膜１１９Ｘの表面に製膜前洗浄を行った後、ホール注入層１２０Ａを形成するためのホール注入層１２０Ａ用の金属層１２０Ａ’を気相成長法により金属層１１９Ｘの表面に製膜する（図５（ｃ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により製膜する。
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図５（ｄ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
【００９２】
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、金属層１２０Ａ’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０Ａを形成する。
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０Ａを介して、金属層１１９Ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。
【００９３】
ホール注入層１２０Ａの形成において、ドライエッチング処理を行う理由は、例えば、酸化タングステン膜からなる金属層１２０Ａ’と、例えば、アルミ系合金からなる金属層１１９Ｘとはウェットエッチングレートに大きな差があるため一括に処理することが困難であるため、酸化タングステンはアルゴンガス等でのドライエッチングを使用し、アルミ合金はウェットエッチングを本実施の形態では使用したがその限りではない。
【００９４】
本実施の形態では、ホール注入層１２０Ａを所定条件で製膜及び焼成することにより、酸素欠陥構造を持つ酸化タングステンを含む酸化タングステン膜からなるホール注入層１２０を成膜して上述の占有準位を形成する構成としている。
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０Ａの積層体を形成する（図６（ａ））。
【００９５】
（４）バンク１２２の形成
ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ａを形成した後、ホール注入層１２０Ａを覆うようにバンク１２２を形成する。バンク１２２の形成では、先ず行バンク１２２Ｘを形成し、その後、間隙５２２ｚを形成するように列バンク５２２Ｙを形成する（図６（ｂ））。
【００９６】
先ず、行バンク１２２の形成は、先ず、ホール注入層１２０Ａ上に、スピンコート法などを用い、バンク１２２Ｘの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜をパターニングして行バンク１２２Ｘを形成する。
行バンク１２２Ｘのパターニングは、樹脂膜の上方にフォトマスクを利用し露光を行い、現像工程、焼成工程（約２３０℃、約６０分）をすることによりなされる。
【００９７】
次に、列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０Ａ上及び行バンク１２２Ｘ上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、間隙５２２ｚの形成は、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する。
【００９８】
具体的には、列バンク５２２Ｙの形成工程では、先ず、有機系の感光性樹脂材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等からなる感光性樹脂膜を形成した後、乾燥し、溶媒をある程度揮発させてから、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い感光性樹脂等からなるフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。
【００９９】
次に、感光性樹脂を現像、によって列バンク５２２Ｙをパターニングした絶縁層を、焼成（約２３０℃、約６０分）することにより形成する。
ここで、ホール注入層１２０Ａは、上述のとおり、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などの気相成長法を用い金属（例えば、タングステン）からなる膜を形成した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用い各画素単位にパターニングされるが、行バンク１２２Ｘ、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０Ａとして完成する。
【０１００】
（５）有機機能層の形成
行バンク１２２Ｘ上を含む列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に形成されたホール注入層１２０Ａ上に対して、ホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する（図６（ｃ））。
ホール注入層１２０Ｂは、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる。あるいは、焼成することによりなされる。その後、フォトリソグラフィー法およびエッチング法を用い各画素単位にパターニングしてもよい。
【０１０１】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図７（ａ））。ホール輸送層１２１のインクを間隙５２２ｚ内に塗布する方法は、上述したホール注入層１２０Ｂにおける方法と同じである。
【０１０２】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される間隙５２２ｚ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図７（ａ））。具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の間隙５２２ｚ内に設定された着弾目標を狙ってインクの液滴１８を着弾させることによって行う。
【０１０３】
また、この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚに、インクジェット法によりＲ、Ｇ、Ｂいずれかの有機発光層の材料を含むインク１２３ＲＩ、１２３ＧＩ、１２３ＢＩをそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂを形成する。このとき、発光層１２３のインクの塗布では、先ず、液滴吐出装置を用いて発光層１２３の形成するための溶液の塗布を行う。
【０１０４】
基板１００ｘに対して赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、次に、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。これにより、基板１００ｘ上には、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【０１０５】
なお、ホール注入層１２０のホール注入層１２０Ｂ、ホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布しても良い。
（６）電子輸送層１２４の形成
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア（表示領域）全面にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図７（ｂ））。真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４Ａは、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。電子輸送層１２４Ａの上に、有機材料と金属材料との共蒸着法により、電子輸送層１２４Ｂを、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の膜厚で成膜する。なお、電子輸送層１２４Ａ、１２４Ｂの膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【０１０６】
（７）共通電極１２５の形成
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、共通電極１２５を形成する。共通電極１２５は、基板１００ｘ側から順に金属を主成分とする共通電極１２５Ａと、共通電極１２５Ａ上に積層された金属酸化物からなる共通電極１２５Ｂとを含む。
【０１０７】
このうち、先ず、共通電極１２５Ａは、電子輸送層１２４を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する（図７（ｃ））。本例では、共通電極１２５Ａを真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。
次に、共通電極１２５Ｂは、共通電極１２５Ａ上にスパッタリング法などにより形成する（図７（ｃ））。本例では、共通電極１２５Ｂはスパッタリング法を用いてＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電層を形成する構成としている。
【０１０８】
（８）保護層１２８の形成
共通電極１２５を形成した後、共通電極１２５を被覆するように、保護層１２８共を形成する。保護層１２８は、共通電極１２５を被覆するように、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の気相成長法により形成する（図７（ｄ））。保護層１２８は、銀、銅、又は金などの金属を主成分とし、本例では、保護層１２８を真空蒸着法により銀を堆積することにより形成する構成としている。保護層１２８は、例えば、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の膜厚で成膜することが好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚で成膜することがさらに好ましい。なお、保護層１２８の膜厚は、一例であり、上記数値に限られるものではなく、保護効果、光取り出し性、導電性の観点から適宜変更し、適切な膜厚とすることができる。
【０１０９】
（９）補助電極１２９の形成
保護層１２８の表面に製膜前洗浄を行った後、補助電極１２９を形成するための補助電極膜１２９’を気相成長法により保護層１２８の表面に製膜する（図８（ａ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
【０１１０】
その後、補助電極膜１２９’の補助電極１２９を形成すべき領域以外の部分にレーザＬＤを照射して、当該部分の補助電極膜１２９’を除去することにより、少なくとも列バンク５２２Ｙの上方において列方向に延伸する領域を残すようにパターニングを行うことにより補助電極１２９Ｙを形成して補助電極１２９を構成する（図８（ｂ））。補助電極１２９へのレーザパターニングでは、補助電極膜１２９’の補助電極１２９を形成すべき領域以外の部分にレーザＬＤを照射して、当該部分の補助電極膜１２９’を除去することによりパターニングを行う。
【０１１１】
あるいは、列バンク５２２Ｙの上方において列方向に延伸する領域に加えて、行バンク１２２Ｘの上方において行方向に延伸する領域を残すようパターニングを行うことにより補助電極１２９Ｙと補助電極１２９Ｘとを形成して補助電極１２９を構成してもよい。
このとき、レーザ加工機には公知の固体式レーザ加工機などを用いることができる。レーザ光には、例えば、波長３７５ｎｍから２０００ｎｍまでの範囲から選択される半導体レーザとして、ＹＡＧレーザ、可視光レーザ、ＵＶレーザなどを用いることができる。そして、上述のとおり、保護層１２８の材料に、照射されるレーザ光の波長に対して補助電極１２９よりも光吸収率が低い材料を選択することにより、保護層１２８にレーザ照射に対する高い耐加工性を持たせ、補助電極１２９へのレーザパターニングの際に下地層である共通電極１２５がレーザ照射により損傷を受けることを防止できる。そのため、補助電極膜１２９’にレーザを照射してパターニングを行うときに、レーザの照射エネルギーを従来に比べて増加することができ、数メートル／秒程度の高速なパターニングを行うことができる。
【０１１２】
（１０）封止層１２６の形成
保護層１２８及び補助電極１２９を被覆するように、封止層１２６を形成する（図８（ｃ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
（１１）カラーフィルタ基板１３１の形成
次に、カラーフィルタ基板１３１の製造工程を例示する。
【０１１３】
透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０の一方の面に塗布する（図９（ａ））。
塗布した遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、その上から紫外線照射を行う（図９（ｂ））。
【０１１４】
その後、パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像し、キュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図９（ｃ））。
次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図９（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し、紫外線照射を行う（図９（ｅ））。
【０１１５】
その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図９（ｆ））。
この図９（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の工程を各色のカラーフィルタ材料について同様に繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図９（ｇ））。なお、ペースト１３２Ｒを用いる代わりに市販されているカラーフィルタ製品を利用してもよい。以上でカラーフィルタ基板１３１が形成される。
【０１１６】
（１２）カラーフィルタ基板１３１と背面パネルとの貼り合わせ
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１０（ａ））。
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルとカラーフィルタ基板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。このとき、両者の間にガスが入らないように注意する。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図１０（ｂ））。
【０１１７】
７．効  果
（１）表示パネル１０の製造方法、表示パネル１０による効果
以上、説明したように、実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、基板１０１の上方に行列状に複数の画素電極１１９を形成する工程と、画素電極１１９の間隙上方に、列方向に延在する列バンク５２２Ｙを形成する工程と、複数の画素電極１１９上方に複数の有機発光材料を含む発光層１２３を形成する工程と、複数の発光層の上方において、基板１０１の平面方向に連続して共通電極１２５を形成する工程とを有する。
【０１１８】
さらに、複数の発光層１２３の上方において、平面方向に連続して、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層１２８を形成する工程を有する。
さらに、保護層１２８の上面において、平面方向に連続して、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜１２９’を形成する工程と、補助電極膜１２９’の、少なくとも列バンク５２２Ｙの上方において列方向に延伸する領域を残すように、補助電極膜１２９’の補助電極を形成すべき領域以外の部分にレーザを照射して、当該部分の補助電極膜１２９’を除去することによりにパターニングを行い、補助電極１２９を形成する工程を有する。
【０１１９】
ここで、保護層１２８は、共通電極１２５を形成する工程より後に、共通電極１２５の上面に形成される構成としてもよい。
また、補助電極膜１２９’に照射されるレーザは、第１の導電性材料よりも第２の導電性材料に対して高い吸収率を呈する材料構成としている。これにより、第２の導電性材料からなる補助電極の形成工程において、補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うときに、補助電極直下の第１の導電性材料からなる保護層に損傷を及ぼすことを防止できる。さらには、保護層の下地層である共通電極をレーザの照射から保護することができる。そのため、レーザの照射エネルギーを従来に比べて増加することができ、数メートル／秒程度の高速なパターニングを実現できる。その結果、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子１２３の共通電極１２５に及ぼす影響を低減することができる。その結果、面内での電圧効果に伴う輝度ムラを低減するとともに、従来に比べて、発光効率を改善する有機ＥＬ表示パネル１０を製造できる。
【０１２０】
また、実施の形態に係る表示パネル１０は、基板１０１上に複数の画素電極１１９が行列状に配され、各画素電極１１９上に有機発光材料を含む発光層１２３が配されてなる有機ＥＬ表示パネル１０であって、基板１０１と、基板１０１の上方に行列状に配された複数の画素電極１１９と、画素電極１１９の間隙上方に配され、列方向に延在する列バンク５２２Ｙと、複数の画素電極１１９上方に配された複数の発光層１２３と、複数の発光層１２３の上方において、基板の平面方向に連続して配された共通電極１２５と、複数の発光層１２３の上方において、平面方向に連続して配され、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む導電性材料からなる保護層１２８と、列バンク５２２Ｙの上方の保護層１２８の上面において、共通電極１２５と電気的に接続された状態で、列方向に延伸して配されたアルミニウムを主成分として含む導電性材料からなる補助電極１２９とを備えたことを特徴とする。また、別の態様では、保護層１２８は、共通電極１２５の上面に配されている構成としてもよい。
【０１２１】
係る構成により、補助電極１２９の形成する工程において、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子１００の機能層又は電極に及ぼす影響を低減することができる表示パネル１０の構成を提供することができる。その結果、基板面内での電圧効果に伴う輝度ムラを低減するとともに、従来に比べて、発光効率を改善する有機ＥＬ表示パネル１０を実現できる。
（２）従来工法に対する優位性
従来、補助電極は、上述のとおり発光素子において、発光層の下方において画素電極と同じレイヤーに配されていたが、高精細化に伴い画素電極と補助電極とを同一平面内に配置する構成では、基板に占める画素面積の比率が低下し、十分な光取り出し効率が確保できないという課題あった。
【０１２２】
これに対し、補助電極を発光層よりも後工程で形成することにより、例えば、補助電極を発光層の上方に配置して、画素電極の一部と補助電極とを厚み方向に重ねた状態で配置する構造を採る場合に、従来の製造法方法により発光層の上方に補助電極を形成する場合には、シャドーマスク法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法、レーザパターニング等、何れの工法を用いた場合でも、補助電極より前工程において形成された有機ＥＬ素子の各構成要素の特性に影響がおよぶ場合があり、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて、発光効率や寿命が低下するという課題があった。
【０１２３】
これに対し、実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法は、発光層１２３の上方に保護層１２８を形成し、さらに、保護層１２８の上面に、補助電極１２９を形成する工程を有する。すなわち、補助電極１２９を発光層１２３の後工程にて形成する製造方法により、発光層１２３の上方に補助電極１２９を形成する構成である。実施の形態に係る製造方法において、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む第１の導電性材料からなる保護層１２８を形成する工程と、その後に、保護層１２８上面に、アルミニウムを主成分として含む第２の導電性材料からなる補助電極膜１２９’を形成してレーザーパターニングを行うことにより補助電極１２９を形成する工程を有している点に特徴がある。あるいは、補助電極膜１２９’に照射されるレーザは、第１の導電性材料よりも第２の導電性材料に対して高い吸収率を呈する材料構成としている点に特徴がある。
【０１２４】
係る構成により、第２の導電性材料からなる補助電極の形成工程において、従来の工法による課題を解決して、前工程にて形成されている有機ＥＬ素子１２３の共通電極１２５に及ぼす影響を低減することができ、面内での電圧効果に伴う輝度ムラを低減するとともに、従来に比べて、発光効率を改善する高精細な有機ＥＬ表示パネル１０を製造できる。
８．変形例
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
【０１２５】
（１）変形例１
変形例１に係る表示パネル１０Ａについて説明する。図１１は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの一部を示す模式平面図である。図１２は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａにおける図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。実施の形態に係る表示パネル１０では、図３に示すように、複数の補助電極１２９Ｙが、列バンク５２２Ｙの上方において基板１００ｘ上の単位画素１００ｅ間に列方向にわたって連続して配されている構成としている。これに対し、変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、図１１、１２に示すように、単位画素１００ｅ間に配された複数の補助電極１２９Ｙに加えて、さらに、列バンク５２２Ｙの上面５２２Ｙｂの上方において副画素１００ｓｅ間に列方向にわたって連続して配された複数の補助電極１２９ＹＡを備えた点で表示パネル１０と相違し、それ以外の構成で表示パネル１０と共通する。
【０１２６】
係る表示パネル１０Ａでは、補助電極１２９Ｙに加えて補助電極１２９Ｙと同一材料からなる補助電極１２９ＹＡを、保護層１２８の上面に重畳して列方向に延伸して設けることで、補助電極１２９ＹＡの行方向の断面積を拡大するとともに、保護層１２８を介して共通電極１２５との電気的な接続部分の面積の拡大を図ることにより、共通電極１２５の電気抵抗をさらに低減することができる。そのため、表示パネル１０に比べて基板１００ｘにおける行方向の長さが小さい場合においても、限られたスペースの中で、共通電極１２５の電気抵抗を低減できる。
【０１２７】
（２）変形例２
変形例２に係る表示パネル１０Ｂについて説明する。図１３は、変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける図３におけるＡ１−Ａ１と同じ位置で切断した模式断面図である。実施の形態に係る表示パネル１０では、図４に示すように、保護層１２８は共通電極１２５の上面に配され、補助電極１２９が保護層１２８の上面に配されている構成としている。しかしながら、補助電極１２９は、保護層１２８の上面において共通電極１２５と電気的に接続された状態で延伸して配されていればよく、共通電極１２５と補助電極１２９又は保護層１２８との上下関係については、適宜変更してもよい。
【０１２８】
変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、図１３に示すように、銀、銅、金の少なくとも１以上を主成分として含む導電性材料からなる保護層１２８Ｂは電子輸送層１２４の上面に配されており、さらに、アルミニウムを主成分として含む導電性材料からなる補助電極１２９ＹＢが保護層１２８Ｂの上面に配され、金属酸化物からなる共通電極１２５Ｂは保護層１２８Ｂ及び補助電極１２９ＹＢのそれぞれ上面に、保護層１２８Ｂ及び補助電極１２９ＹＢを覆うように配されていることを特徴とする。
【０１２９】
係る表示パネル１０Ｂでは、共通電極１２５Ｂが補助電極１２９ＹＢの上面に補助電極１２９ＹＢを覆うように配されているので、補助電極１２９ＹＢと共通電極１２５とを直接接触させて補助電極１２９ＹＢと共通電極１２５との電気的な接続を図ることができ、共通電極１２５の電気抵抗を低減することができる。
また、実施の形態と同様に、補助電極の形成工程において、補助電極膜にレーザを照射してパターニングを行うときに、補助電極直下の第１の導電性材料からなる保護層に損傷を及ぼすことを防止でき、保護層の下地層である電子輸送層１２４がレーザの照射により損傷を受けることを防止できる。そのため、レーザの照射エネルギーを従来に比べえ増加することができ、高速なパターニングを実現できる。
【０１３０】
その結果、さらに、共通電極の下層である共通電極１２５Ａと保護層１２８Ｂとを共用化して共通電極１２５Ａを削減し、共通電極１２５Ａの形成工程を省略することができる。
（３）その他の変形例
実施の形態に係る表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する行バンク１２２Ｘ間の間隙に配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１３１】
表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、白色などに発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、単位画素１００ｅが、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【０１３２】
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と共通電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と共通電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１３３】
また、上記実施の形態では、発光層１２３の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【０１３４】
また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極１１９が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線１１０に画素電極１１９を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
【０１３５】
また、上記実施の形態では、一つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
【０１３６】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１３７】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１３８】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１４０】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  有機ＥＬ表示パネル
１０ｅ  区画領域（表示用領域）
１００  有機ＥＬ素子
１００ｅ  単位画素
１００ｓｅ  副画素
１００ａ  自己発光領域
１００ｂ  非自己発光領域
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  層間絶縁層
１１９  画素電極
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
１２２  バンク
１２２Ｘ  行バンク（行絶縁層）
５２２Ｙ  列バンク（列絶縁層）
５２２ｚ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ）  間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）  発光層
１２４、１２４Ａ、１２４Ｂ  電子輸送層
１２５、１２５Ａ、１２５Ｂ  共通電極
１２８  保護層
１２９  補助電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１３０  上部基板
１３１  カラーフィルタ基板
１３２  カラーフィルタ層
１３３  遮光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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