(57)【要約】【課題】発光装置、特に端子へのダメージを可能な限り抑えるようにして、被覆層の一部を除去して端子を露出させる。【解決手段】基板１００の第１面１０２上にリフトオフ（ＬＯ）層３００を形成して端子１１２及び端子部１６２をＬＯ層３００で覆う。次いで、基板１００の第１面１０２上に被覆層２００を形成して端子１１２及び端子部１６２を被覆層２００で覆う。次いで、ＬＯ層３００に光Ｌを照射する。光Ｌによって生じる熱によってＬＯ層３００は蒸発する。したがって、光Ｌが照射されたＬＯ層３００上の被覆層２００を除去して、端子１１２及び端子部１６２を露出させることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に端子を形成する工程と、
前記端子に接続し、有機層を含む発光素子を前記基板上に形成する工程と、
前記端子をリフトオフ層で覆う工程と、
前記発光素子及び前記リフトオフ層を覆う被覆層を形成する工程と、
前記被覆層を形成した後、前記リフトオフ層にレーザ光を照射する工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記被覆層は、ＡＬＤ膜である、発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
前記リフトオフ層は、前記発光素子を形成する工程内において形成される、発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記リフトオフ層は、前記有機層のうちの少なくとも一部である、発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記レーザ光が照射された前記リフトオフ層上の前記被覆層をブラストによって除去する工程を含む、発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記被覆層を形成する前に、前記リフトオフ層を前記リフトオフ層のガラス転移点以上の温度で加熱する工程を含む、発光装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記端子は、第１端部と、前記第１端部の反対側の第２端部と、を有し、
前記リフトオフ層に前記レーザ光を照射する工程において、前記リフトオフ層は、前記第１端部側から前記第２端部側に向かう方向に走査されるレーザ光に照射され、かつ前記第２端部側から前記第１端部側に向かう方向に走査されるレーザ光に照射される、発光装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置の製造方法において、
前記第１端部側から前記第２端部側に向かう方向に走査される前記レーザ光は、前記端子の前記第１端部を覆う前記リフトオフ層を前記端子の前記第１端部の斜め外側から照射し、
前記第２端部側から前記第１端部側に向かう方向に走査される前記レーザ光は、前記端子の前記第２端部を覆う前記リフトオフ層を前記端子の前記第２端部の斜め外側から照射する、発光装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記リフトオフ層に照射される前記レーザ光によって前記基板をスクライブする工程を含む、発光装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に端子を形成する工程と、
前記端子に接続し、有機層を含む発光素子を前記基板上に形成する工程と、
前記端子をリフトオフ層で覆う工程と、
前記発光素子及び前記リフトオフ層を覆う被覆層を形成する工程と、
前記被覆層を形成した後、前記リフトオフ層に光を照射する工程と、
前記光が照射された前記リフトオフ層上の前記被覆層を除去する工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光装置として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発する有機層を有している。有機層は、一部の物質、特に水分又は酸素によって劣化することがある。有機層の劣化を防ぐため、ＯＬＥＤでは、有機層を被覆層によって封止することがある。被覆層は、堆積、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタによって、ＯＬＥＤの基板のほぼ全面に亘って堆積される。したがって、被覆層は、ＯＬＥＤの電極の端子（ＯＬＥＤの外部から電力を供給される部分）までも覆うことがある。この場合、端子を露出するように被覆層の一部を除去する必要がある。
【０００３】
特許文献１には、端子を露出するように被覆層の一部を除去する方法について記載されている。この方法では、被覆層を形成する前に、端子に導電性接着テープを圧着する。導電性接着テープは保護膜で覆われている。被覆層を形成した後、導電性接着テープから保護膜を剥がすことで、保護膜とともに被覆層の一部が除去されて端子が露出するようになる。
【０００４】
さらに、近年、発光装置として、無機エレクトロルミネッセンスを利用した無機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が開発されている。無機ＥＬ素子は、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び第２電極を有している。
【０００５】
特許文献２には、第１電極の一部を第１絶縁層、発光層及び第２絶縁層から露出させる方法について記載されている。この方法では、第１絶縁層、発光層及び第２絶縁層の一部にレーザ光を照射することで、第１電極の一部が露出するように第１絶縁層、発光層及び第２絶縁層を除去している。第１電極のこの一部は、端子として機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２０８９７５号公報
【特許文献２】特開２００６−１５５９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明者は、特許文献１に記載されているように、端子を露出するように被覆層の一部を除去する方法について検討した。特に、本発明者は、発光装置、特に端子へのダメージを可能な限り抑えるようにして、被覆層の一部を除去して端子を露出させる方法について検討した。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置、特に端子へのダメージを可能な限り抑えるようにして、被覆層の一部を除去して端子を露出させることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、
基板上に端子を形成する工程と、
前記端子に接続し、有機層を含む発光素子を前記基板上に形成する工程と、
前記端子をリフトオフ層で覆う工程と、
前記発光素子及び前記リフトオフ層を覆う被覆層を形成する工程と、
前記被覆層を形成した後、前記リフトオフ層にレーザ光を照射する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。
【００１０】
請求項１０に記載の発明は、
基板上に端子を形成する工程と、
前記端子に接続し、有機層を含む発光素子を前記基板上に形成する工程と、
前記端子をリフトオフ層で覆う工程と、
前記発光素子及び前記リフトオフ層を覆う被覆層を形成する工程と、
前記被覆層を形成した後、前記リフトオフ層に光を照射する工程と、
前記光が照射された前記リフトオフ層上の前記被覆層を除去する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る発光装置を説明するための平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】図１から図３に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図５】図１から図３に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図６】図１から図３に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図７】実施例１に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図８】実施例１に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図９】実施例２に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１０】実施例２に係る発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る発光装置１０を説明するための平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図３は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【００１４】
図１を用いて、発光装置１０の平面レイアウトについて説明する。
【００１５】
発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、第２電極１３０、絶縁層１５０、導電部１６０及び被覆層２００を備えている。
【００１６】
第１電極１１０は、端子１１２を有している。図１に示す例では、端子１１２は、第１電極１１０の端部であり、被覆層２００から露出している。第１電極１１０は、発光装置１０の外部から端子１１２を介して電位を供給されることができる。
【００１７】
第２電極１３０は、端子１３２を有している。図１に示す例では、端子１３２は、第２電極１３０の端部であり、被覆層２００から露出しており、第１電極１１０の端子１１２の反対側にある。第２電極１３０は、発光装置１０の外部から端子１３２を介して電位を供給されることができる。
【００１８】
図１に示す例では、第１電極１１０及び第２電極１３０は、一方向に沿って延伸しており、互いに重なっている。他の例において、第１電極１１０及び第２電極１３０の形状は、図１に示す例の形状と異なっていてもよい。
【００１９】
絶縁層１５０は、開口１５２を有している。開口１５２は、第１電極１１０及び第２電極１３０と重なっており、発光部１４２を画定している。
【００２０】
導電部１６０は、端子部１６２、電極部１６４及び電極部１６６を有している。端子部１６２は、第１電極１１０の端子１１２と重なっている。電極部１６４は、発光部１４２（開口１５２）の一方の側において発光部１４２（開口１５２）に沿って延伸している。電極部１６６は、発光部１４２（開口１５２）のもう一方の側において発光部１４２（開口１５２）に沿って延伸している。
【００２１】
被覆層２００は、基板１００のほぼ全面を覆っている。ただし、上述のとおり、第１電極１１０の端子１１２及び第２電極１３０の端子１３２は、被覆層２００から露出している。したがって、第１電極１１０の端子１１２及び第２電極１３０の端子１３２は、発光装置１０の外部から電位を供給されることができる。
【００２２】
図２を用いて、発光装置１０の断面構造について説明する。
【００２３】
発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、導電部１６０及び被覆層２００を備えている。
【００２４】
基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、導電部１６０及び被覆層２００は、基板１００の第１面１０２側に位置している。基板１００の第２面１０４は、基板１００の第１面１０２の反対側にある。
【００２５】
基板１００の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、ガラス又は樹脂とすることができる。特に、基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は有していなくてもよい。
【００２６】
発光部１４２は、積層された第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を含んでいる。有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間の電圧によって有機ＥＬにより光を発することができる。発光装置１０は、ボトムエミッションであってもよいし、又はトップエミッションであってもよい。発光装置１０がボトムエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して発光装置１０の外部へ出射される。発光装置１０がトップエミッションである場合、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０及び被覆層２００を透過して発光装置１０の外部へ出射される。
【００２７】
発光装置１０がボトムエミッションである場合、第１電極１１０は、透光性を有する必要がある。例として、第１電極１１０は透明導電材料を含んでいる。また、別の例として、第１電極１１０は金属を含む薄膜であってもよい。例えば第１電極１１０は、ＭｇＡｇ合金を含む薄膜であってもよい。このとき、第１電極１１０の厚さは相当に薄く、例えば１５ｎｍ以下である。第２電極１３０は、透光性を有する必要がなく、したがって、透明導電材料を含んでいてもよいし、又は透明導電材料以外の導電材料を含んでいてもよい。
【００２８】
発光装置１０がトップエミッションである場合、第１電極１１０は、透光性を有する必要がなく、したがって、透明導電材料を含んでいてもよいし、又は透明導電材料以外の導電材料を含んでいてもよい。第２電極１３０は、透光性を有する必要がある。例として、第２電極１３０は透明導電材料を含んでいる。また、別の例として、第２電極１３０は金属を含む薄膜であってもよい。例えば、第２電極１３０はＭｇＡｇ合金を含む薄膜であってもよい。このとき、第２電極１３０の厚さは相当に薄く、例えば１５ｎｍ以下である。
【００２９】
透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ））、カーボンナノチューブ又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとすることができる。
【００３０】
透明導電材料以外の導電材料は、例えば、金属、特に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。
【００３１】
有機層１２０は、例えば、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含むようにすることができる。この例では、ＨＩＬ及びＨＴＬを介してＥＭＬに注入された正孔とＥＩＬ及びＥＴＬを介してＥＭＬに注入された電子がＥＭＬにおいて再結合して光が発せられる。
【００３２】
絶縁層１５０は、有機絶縁材料を含んでいてもよいし、又は無機絶縁材料を含んでいてもよい。有機絶縁材料は、例えば、ポリイミドにすることができる。無機絶縁材料は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ又はＳｉＮにすることができる。
【００３３】
導電部１６０は、第１電極１１０の補助電極として機能している。具体的には、導電部１６０は、第１電極１１０に含まれる材料よりも高い導電率を有する材料を含んでいる。一例において、導電部１６０は、ＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜）にすることができる。したがって、第１電極１１０による電圧降下を抑えることができる。
【００３４】
図２に示す例では、導電部１６０は、電極部１６４及び電極部１６６を含んでいる。電極部１６４は、第１電極１１０の一方の端部を覆う絶縁層１５０によって覆われており、電極部１６６は、第１電極１１０のもう一方の端部を覆う絶縁層１５０によって覆われている。
【００３５】
被覆層２００は、発光部１４２、特に、有機層１２０を封止している。具体的には、被覆層２００は、有機層１２０を劣化させ得る物質、例えば水分又は酸素を遮断するバリア層として機能している。
【００３６】
図２に示す例では、被覆層２００は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜であり、一又は複数の無機層を含んでいる。ＡＬＤによって堆積された膜は、段差被覆性に優れる。したがって、被覆層２００は、基板１００の第１面１０２上の凹凸、例えば、第２電極１３０又は絶縁層１５０の形状に沿って形成されている。他の例において、被覆層２００は、ＡＬＤとは異なる堆積方法、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はスパッタによって形成されていてもよい。
【００３７】
図３を用いて、発光装置１０の断面構造について説明する。
【００３８】
第１電極１１０の一部、すなわち、端子１１２及び導電部１６０の一部、すなわち、端子部１６２が基板１００の第１面１０２から順に積層されている。図１を用いて説明したように、端子１１２及び端子部１６２は、被覆層２００から露出している。
【００３９】
図４から図６の各図は、図１から図３に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、発光装置１０は、以下のようにして製造される。
【００４０】
まず、基板１００の第１面１０２上に第１電極１１０（端子１１２）及び導電部１６０（端子部１６２、電極部１６４及び電極部１６６）を形成する。一例において、第１電極１１０及び導電部１６０は、導電層をパターニングすることによって形成することができる。
【００４１】
次いで、基板１００の第１面１０２上に絶縁層１５０を形成する。
【００４２】
次いで、基板１００の第１面１０２上に有機層１２０及び第２電極１３０（端子１３２）を順に形成する。このようにして、発光素子（発光部１４２）が形成される。発光素子（発光部１４２）は、端子１１２及び端子１３２に接続し、有機層１２０を含んでいる。一例において、有機層１２０及び第２電極１３０は、マスクを用いて蒸着によって形成することができる。
【００４３】
次いで、基板１００の第１面１０２上に被覆層２００を形成する。本実施形態において、被覆層２００は、ＡＬＤによって形成される。他の例において、被覆層２００は、ＡＬＤとは異なる堆積方法、例えば、ＣＶＤ又はスパッタによって形成されてもよい。被覆層２００は、基板１００の第１面１０２のほぼ全体に亘って堆積される（図５を用いて詳細を後述する）。結果、第１電極１１０の端子１１２及び第２電極１３０の端子１３２までも被覆層２００によって覆われる。
【００４４】
図４から図６を用いて第１電極１１０の端子１１２を被覆層２００から露出させる方法について説明する。なお、第２電極１３０の端子１３２も、図４から図６に示す方法と同様の方法によって、被覆層２００から露出させることができる。
【００４５】
図４に示すように、基板１００の第１面１０２上にリフトオフ（ＬＯ）層３００を形成して端子１１２及び端子部１６２をＬＯ層３００で覆う。ＬＯ層３００は、図６を用いて後述する光Ｌによって蒸発し、ＬＯ層３００上の被覆層２００とともに除去される。
【００４６】
ＬＯ層３００は、図６を用いて後述する光Ｌのピーク波長（例えば、エキシマレーザの２４８ｎｍ若しくは３０８ｎｍ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの１０６４ｎｍ又はＣＯ２レーザの１０．６μｍ）に高い吸収率を有する材料を含むことが好ましい。ＬＯ層３００は、例えば、カーボンブラック粒子を含んでいてもよい。ＬＯ層３００が当該ピーク波長に高い吸収率を有することによって、ＬＯ層３００を効率的に蒸発させることができるとともに、光Ｌによる発光装置１０へのダメージ、特に、基板１００、端子１１２及び端子部１６２へのダメージを抑えることができる。
【００４７】
光Ｌの光源は、特に、大面積照射が可能なエキシマレーザにすることができる。この場合、１回の照射で大面積の照射が可能となり、光Ｌの照射プロセスの時間を短くすることができる。さらに、衝撃波によりＬＯ層３００と被覆層２００の界面剥離が生じ、被覆層２００を効率的に除去することができる。
【００４８】
ＬＯ層３００の厚さは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上である。ＬＯ層３００の除去にともなって被覆層２００の一部を除去するためには、ＬＯ層３００の厚さはある程度厚い必要がある。したがって、ＬＯ層３００の厚さは、上述の値以上であることが好ましい。
【００４９】
なお、ＬＯ層３００が光Ｌのピーク波長に低い吸収率を有する材料を含む場合は、ＬＯ層３００の厚さを厚くすることが好ましい。
【００５０】
ＬＯ層３００は、一層のみであってもよいし、又は複数の層を含んでいてもよい。特に、ＬＯ層３００は、熱によって蒸発しやすい有機層及び光Ｌを吸収しやすい金属層の２層を含んでいてもよい。
【００５１】
ＬＯ層３００は、有機層１２０（図２）のうちの少なくとも一部であってもよい。つまり、ＬＯ層３００は、発光部１４２（発光素子）を形成する工程内、特に、発光部１４２の有機層１２０を形成する工程内で形成させてもよい。この場合、有機層１２０のうちの少なくとも一層（例えば、ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ及びＥＩＬのうちの少なくとも一つ）が発光部１４２（例えば、図１）から端子１１２にかけて形成される。
【００５２】
ＬＯ層３００が発光部１４２を形成する工程内で形成されることで、ＬＯ層３００を発光部１４２（発光素子）と同時に形成することができる。したがって、発光装置１０の製造プロセスを短くすることができる。
【００５３】
ＬＯ層３００が発光部１４２を形成する工程内で形成されることで、ＬＯ層３００を形成するために有機層１２０を大気に暴露する必要がなくなる。仮に、有機層１２０を形成した後にＬＯ層３００を形成すると、有機層１２０を形成するためのチャンバーとＬＯ層３００を形成するためのチャンバーが互いに異なるとき、有機層１２０を大気に暴露する必要が生じるようになる。これに対して、ＬＯ層３００が発光部１４２を形成する工程内で形成される場合は、有機層１２０及びＬＯ層３００を同一チャンバー内で形成することができ、有機層１２０を大気に暴露する必要がなくなる。
【００５４】
次いで、図５に示すように、基板１００の第１面１０２上に被覆層２００を形成して端子１１２及び端子部１６２を被覆層２００で覆う。上述のように、被覆層２００は、基板１００の第１面１０２のほぼ全面に亘って堆積される。したがって、被覆層２００は、発光部１４２（例えば、図２）だけでなく、端子１１２及び端子部１６２も覆う。
【００５５】
被覆層２００は、図６を用いて後述する光Ｌのピーク波長（例えば、エキシマレーザの２４８ｎｍ若しくは３０８ｎｍ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの１０６４ｎｍ又はＣＯ２レーザの１０．６μｍ）に高い透過率を有する材料を含むことが好ましい。当該ピーク波長について、被覆層２００の透過率は、ＬＯ層３００の透過率よりも高いことが好ましい。被覆層２００が当該ピーク波長に高い透過率を有することによって、ＬＯ層３００を効率的に蒸発させることができる。
【００５６】
次いで、図６に示すように、ＬＯ層３００に光Ｌを照射する。特に図６に示す例では、端子１１２と交差する方向（図中、白矢印の方向）に光Ｌを走査しており、光Ｌは、基板１００の第１面１０２に垂直な方向に照射されている。光Ｌは、高エネルギーをＬＯ層３００に与える観点から、レーザ光であることが好ましい。光Ｌによって生じる熱によってＬＯ層３００は蒸発する。したがって、光Ｌが照射されたＬＯ層３００上の被覆層２００を除去して、端子１１２及び端子部１６２を露出させることができる。
【００５７】
本実施形態においては、光Ｌによる発光装置１０へのダメージ、特に、基板１００、端子１１２及び端子部１６２へのダメージを抑えることができる。具体的には、本実施形態においては、ＬＯ層３００が光Ｌのエネルギーを吸収する。したがって、光Ｌの過剰なエネルギーが発光装置１０、特に、基板１００、端子１１２及び端子部１６２に伝搬することを防ぐことができる。したがって、光Ｌによる発光装置１０へのダメージ、特に、基板１００、端子１１２及び端子部１６２へのダメージを抑えることができる。
【００５８】
さらに、本実施形態においては、光Ｌの照射プロセスを簡易なものにすることができる。具体的には、本実施形態においては、ＬＯ層３００の材料を適宜選択することによって、低エネルギーの光、特に被覆層２００を光で直接蒸発させるためのエネルギーよりも低いエネルギーの光でＬＯ層３００を蒸発させることができる。したがって、発光装置１０へのダメージを抑えるための複雑な照射方法（例えば、パルス照射）を用いることなく光Ｌを照射することができる。したがって、光Ｌの照射プロセスを簡易なものにすることができる。
【００５９】
一例において、光Ｌが照射されたＬＯ層３００上の被覆層２００は、ブラストによって除去することができる。ブラストの第１例において、被覆層２００をエアーブラストによって除去することができる。ブラストの第２例において、被覆層２００をドライアイスブラストによって除去することができる。ブラストの第３例において、被覆層２００を吸引ブラストによって除去することができる。
【００６０】
光Ｌによって基板１００をスクライブしてもよい。光Ｌによって基板１００をスクライブすることで、基板１００のスクライブとＬＯ層３００への光Ｌの照射を同一の工程で行うことができ、発光装置１０の製造プロセスを短くすることができる。基板１００をスクライブするための光は、例えば、エキシマレーザ（波長：２４８ｎｍ又は３０８ｎｍ）、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）又はＣＯ２レーザ（波長：１０．６μｍ）である。
【００６１】
以上、本実施形態によれば、発光装置１０、特に端子１１２（端子１３２）へのダメージを可能な限り抑えるようにして、被覆層２００の一部を除去して端子１１２（端子１３２）を露出させることができる。
【実施例】
【００６２】
（実施例１）
図７及び図８の各図は、実施例１に係る発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。本実施例においては、以下の点を除いて、図４から図６に示した方法と同様にして、第１電極１１０の端子１１２を被覆層２００から露出させることができる。
【００６３】
まず、実施形態と同様にして、図４に示すように、基板１００の第１面１０２上にＬＯ層３００を形成して端子１１２及び端子部１６２をＬＯ層３００で覆う。
【００６４】
次いで、被覆層２００を形成する前に、ＬＯ層３００をＬＯ層３００のガラス転移点以上の温度で加熱する。加熱によって、ＬＯ層３００は変形する。ＬＯ層３００の変形によって、図７に示すように、ＬＯ層３００のうち端子１１２及び端子部１６２の端部を覆う部分（図中、部分Ｐ１及び部分Ｐ２）に傾斜が形成される。
【００６５】
次いで、図８に示すように、被覆層２００を形成する。被覆層２００は段差被覆性に優れているため、ＬＯ層３００の部分Ｐ１上及び部分Ｐ２上において被覆層２００にも傾斜が形成される。
【００６６】
次いで、図６に示した例と同様にして、ＬＯ層３００に光Ｌを照射する。図６に示した例と同様にして、光Ｌは、基板１００の第１面１０２に垂直な方向に照射される。
【００６７】
図８に示すように、ＬＯ層３００の部分Ｐ１に傾斜が形成されていると、ＬＯ層３００の部分Ｐ１を効率的に蒸発させることができる。仮に、ＬＯ層３００の部分Ｐ１に傾斜が形成されておらず部分Ｐ１の表面が基板１００の第１面１０２に垂直な方向に沿う（例えば、ＬＯ層３００が図６に示した形状を有する）と、部分Ｐ１の幅が狭いために、部分Ｐ１のうちの深い部分（基板１００の第１面１０２に近い部分）を十分に加熱させることができず、部分Ｐ１の一部が残ることがある。これに対して、図８に示す例では、ＬＯ層３００の部分Ｐ１は、傾斜によって十分に広い幅を有しており、部分Ｐ１のうちの深い部分（基板１００の第１面１０２に近い部分）を十分に加熱させることができる。したがって、ＬＯ層３００の部分Ｐ１を効率的に蒸発させることができる。
【００６８】
同様の理由によって、ＬＯ層３００の部分Ｐ２も効率的に蒸発させることができる。
【００６９】
（実施例２）
図９及び図１０の各図は、実施例２に係る発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。本実施例においては、以下の点を除いて、図４から図６に示した方法と同様にして、第１電極１１０の端子１１２を被覆層２００から露出させることができる。
【００７０】
まず、実施形態と同様にして、図４及び図５に示すように、基板１００の第１面１０２上に、第１電極１１０（端子１１２）、導電部１６０（端子部１６２）、ＬＯ層３００及び被覆層２００を形成する。図９を用いて後述するように、端子１１２は、第１端部１１２ａ及び第２端部１１２ｂを有している。第２端部１１２ｂは、第１端部１１２ａの反対側にある。
【００７１】
次いで、図９に示すように、ＬＯ層３００に光Ｌを照射する。ＬＯ層３００は、端子１１２の第１端部１１２ａ側から第２端部１１２ｂ側に向かう方向（図中、白矢印の方向）に走査される光Ｌに照射されている。さらに、光Ｌは、第１端部１１２ａを覆うＬＯ層３００（図中、部分Ｐ１）を端子１１２の第１端部１１２ａの斜め外側から照射している。したがって、光Ｌを基板１００の第１面１０２に垂直な方向に照射する場合よりも、光Ｌを部分Ｐ１に効率的に照射することができる。したがって、部分Ｐ１を効率的に蒸発させることができる。
【００７２】
次いで、図１０に示すように、ＬＯ層３００に光Ｌを照射する。ＬＯ層３００は、端子１１２の第２端部１１２ｂ側から第１端部１１２ａ側に向かう方向（図中、白矢印の方向）、つまり、図９の走査方向とは逆方向に走査される光Ｌに照射されている。さらに、光Ｌは、第２端部１１２ｂを覆うＬＯ層３００（図中、部分Ｐ２）を端子１１２の第２端部１１２ｂの斜め外側から照射している。したがって、光Ｌを基板１００の第１面１０２に垂直な方向に照射する場合よりも、光Ｌを部分Ｐ２に効率的に照射することができる。したがって、部分Ｐ２を効率的に蒸発させることができる。
【００７３】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００７４】
１０  発光装置
１００  基板
１０２  第１面
１０４  第２面
１１０  第１電極
１１２  端子
１１２ａ  第１端部
１１２ｂ  第２端部
１２０  有機層
１３０  第２電極
１３２  端子
１４２  発光部
１５０  絶縁層
１５２  開口
１６０  導電部
１６２  端子部
１６４  電極部
１６６  電極部
２００  被覆層
３００  ＬＯ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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