(57)【要約】【課題】光送信器のバイアス制御において、光変調器の出力パワー特性の歪みを最小にしながら最適なバイアス電圧を設定する。【解決手段】光送信器は、第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器と、前記光変調器に光を入射する光源と、前記光変調器にデータ信号が入力されない状態で、前記光変調器の出力光から光パワー特性の歪みを検出し、前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する電圧制御部と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器と、
前記光変調器に光を入射する光源と、
前記光変調器にデータ信号が入力されない状態で、前記光変調器の出力光から光パワー特性の歪みを検出し、前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する電圧制御部と、
を有する光送信器。
【請求項２】
前記電圧制御部は、
前記第１変調器に印加される第１バイアス電圧をスイープして前記第１変調器に設定される最適バイアス電圧を決定する電圧スイープ部と、
前記最適バイアス電圧を決定する動作の中で前記光パワー特性の歪みを検出する歪み検出部と、
前記歪みが検出されたときに、前記第２変調器または前記位相器に与えられる第２バイアス電圧を調整して前記歪みを補正する歪み補正部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の光送信器。
【請求項３】
前記第１バイアス電圧に重畳されるパイロット信号を生成するパイロット信号生成器と、
前記光変調器の出力光をモニタして前記出力光に含まれるパイロット成分のパワーと位相を検出するモニタ回路と、
をさらに有し、
前記歪み検出部は、前記パイロット成分が検出されたときの前記第１バイアス電圧の第１電圧値での第１パワー値と、前記第１電圧値から前記光パワー特性の周期の整数倍離れた第２電圧値で検出される前記パイロット成分の第２パワー値とを比較して前記歪みを検出することを特徴とする請求項２に記載の光送信器。
【請求項４】
前記歪み検出部は、前記第１パワー値と前記第２パワー値の差分が第１閾値よりも小さいときに、前記第１電圧値に所定値を加算した第３電圧値での第３パワー値と、前記第１電圧値から前記所定値を減算した第４電圧値での第４パワー値とを比較して、前記歪みを検出することを特徴とする請求項３に記載の光送信器。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光送信器が複数設置され、
複数の前記光送信器から出力される異なる波長の光信号を多重するマルチプレクサ、
を有することを特徴とする光伝送装置。
【請求項６】
第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器に、データ信号が入力されない状態で光源からの光を入射し、
前記光変調器の出力光をモニタして光パワー特性の歪みを検出し、
前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する、
ことを特徴とする光送信器の制御方法。
【請求項７】
前記第１変調器に印加される第１バイアス電圧をスイープして前記第１変調器に設定される最適バイアス電圧を決定し、
前記最適バイアス電圧の決定プロセスの中で前記光パワー特性の歪みを検出し、
前記歪みが検出されたときに、前記第２変調器または前記位相器に与えられる第２バイアス電圧を調整して前記歪みを補正する、
ことを特徴とする請求項６に記載の光送信器の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光送信器、光伝送装置、及び光送信器の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
長距離かつ高速の光伝送システムでは、ＬｉＮｂＯ3などの誘電体の電気光学効果を利用した光変調器（以下、「ＬＮ変調器」と称する）が用いられている。ＬＮ変調器に外部からコヒーレントな光を入力し、高速に変化する電気信号で光位相（以下、単に「位相」とする）を変化させて変調をかける。変調をかける際には、位相基準を作るために光変調器にＤＣバイアスを印加するが、ＬＮ変調器には、位相基準点（すなわちバイアス電圧の最適値）が時間とともに変化してしまうバイアスシフト現象がある。この現象は「ＤＣドリフト」とも呼ばれている。ＤＣドリフトに追随するために、自動バイアス制御（ＡＢＣ：Automatic Bias Control）が行われている。ＡＢＣは、昨今の主流である光ディジタルコヒーレント方式の通信でも採用されている。
【０００３】
位相が互いに９０°オフセットした信号成分を扱うＩ／Ｑ変調器では、Ｉ（in-phase：同相）チャネル、Ｑ（quadrature：直交）チャネル、及びＩ−Ｑ間の直交性を調整する位相器のそれぞれで、個別にバイアス制御が行われる。Ｉチャネル、Ｑチャネル、及び位相器のバイアス電圧制御を時分割で行う場合、一般に、あるブランチ（たとえばＩチャネル）のバイアス電圧制御が行われている間、他の２つのブランチのバイアス電圧は固定されている。
【０００４】
バイアス電圧のドリフト制御には、一般に低周波のパイロット信号が用いられる。光変調器に印加されるバイアス電圧にパイロット信号が重畳され、変調器の出力光に含まれるパイロット信号の位相を検出してバイアス電圧を最適な動作点に制御する。図１は、バイアス電圧制御における重畳パイロット信号と観測パイロット信号の模式図である。重畳されるパイロット信号は、周波数ｆ0［Ｈｚ］の正弦波形の１周期分として描かれている。観測されるパイロット信号は、印加されるバイアス電圧のずれ方向（光パワーの傾き）に応じて波形が変わる。光パワー特性の傾きが負となるバイアス電圧Ａでは、重畳パイロット信号と同じ周波数ｆ0で位相が反転した信号が観測される。光パワー特性の傾きがゼロになるバイアス電圧Ｂでは、２倍の周波数（２ｆ0）の信号が検出され、重畳されたパイロット信号は観測されない。光パワー特性の傾きが正となるバイアス電圧Ｃでは、重畳されたパイロット信号と同じ周波数ｆ0、かつ同じ位相の信号が観察される。観測されたパイロット信号の周波数と位相から、バイアス電圧の制御方向（スイープ方向）を決定し、光パワー特性カーブの傾きがゼロとなる位置（光パワー特性カーブの谷または山）へバイアス電圧をスイープさせる。
【０００５】
２つの変調器のそれぞれに印加するバイアス電圧の初期値を短時間で決定する手法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１１４４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１の光パワー特性は、理想的なコサインカーブとして描かれている。しかし、ＬＮ変調器の出力光パワー特性は、Ｉチャネル、Ｑチャネル、及び位相器のバイアス電圧値や、高速データ信号疎通時の信号振幅によっては、理想的なコサインカーブから大きくずれることがある。
【０００８】
図２は、バイアス電圧に対する光パワー特性（以下、単に「光パワー特性」と称する）の歪みを示す図である。この図は、データ信号の入力がない起動時のＡＢＣ処理（ＩチャネルとＱチャネルの発光／消光基準位相の検出、及びＩ−Ｑ間の直交位相の設定）におけるＩチャネルバイアス電圧制御時の光パワー特性をプロットしたものである。Ｉチャネルのバイアス電圧は、０Ｖで発光、１Ｖで消光となるように（Ｖπ＝１Ｖ）正規化されている。図２（Ａ）は、理想的な形である。このときＱチャネルバイアス電圧は１Ｖ、位相器（φ）バイアス電圧は１Ｖである。図２（Ｂ）と図２（Ｃ）では歪みがみられる。図２（Ｂ）で、Ｑチャネルのバイアス電圧は０．８Ｖ、位相器のバイアス電圧（φ）は１Ｖである。図２（Ｃ）で、Ｑチャネルのバイアス電圧は０．６Ｖ、位相器のバイアス電圧（φ）は１Ｖである。図２（Ｂ）と図２（Ｃ）では、光パワーが最小となるバイアス電圧が１Ｖの地点からずれており、かつ光パワーが最小となるバイアス電圧を中心にして左右非対称となる。このような位相方向の歪みは、ＬＮ変調器の発光／消光が正常に行われないことを意味する。
【０００９】
Ｉチャネル、Ｑチャネル、及び位相器の個々のバイアス電圧をスイープさせるたびに光パワー特性カーブの形が変わる。光パワー特性の歪みは、バイアス電圧のスイープによって小さくなるとは限らず、カーブの形状を変えながら最後まで残る可能性がある。
【００１０】
本発明の一つの側面では、光送信器のバイアス制御において、光変調器の出力パワー特性の歪みを最小にしながら最適なバイアス電圧を設定することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一つの態様では、光送信器は、
第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器と、
前記光変調器に光を入射する光源と、
前記光変調器にデータ信号が入力されない状態で、前記光変調器の出力光から光パワー特性の歪みを検出し、前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する電圧制御部と、
を有する。
【発明の効果】
【００１２】
光送信器のバイアス制御において光変調器の出力パワー特性の歪みを最小にしながら最適なバイアス電圧を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】バイアス電圧制御における重畳パイロット信号と観測パイロット信号の模式図である。
【図２】光パワー特性の歪みを説明する図である。
【図３】本発明の基本原理を説明する図であり、実施形態の光送信器で用いられる光変調器の模式図である。
【図４】実施形態の光送信器の概略図である。
【図５】Ｉチャネル制御時のバイアス電圧及び光パワー歪みの制御フローである。
【図６】Ｑチャネル制御時のバイアス電圧及び光パワー歪みの制御フローである。
【図７】歪み検出のフローチャートである。
【図８】光パワー特性における歪みの有無を視覚的に説明する図である。
【図９】光パワー特性における歪みの有無を視覚的に説明する図である。
【図１０】光パワー特性における歪みの有無を視覚的に説明する図である。
【図１１】歪み補正方向の判定を説明する図である。
【図１２】歪み補正方向の判定フローの一例を示す図である。
【図１３】歪み補正方向の判定フローの別の例を示す図である。
【図１４】歪み補正方向の判定フローのさらに別の例を示す図である。
【図１５】歪み補正のフローチャートである。
【図１６】実施形態の光送信器が適用される光伝送装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施形態では、光送信器の起動時に、パイロット信号を用いた最適バイアスの設定処理の中で、光パワー特性の歪みの検出とその補正を実施することで、光パワー特性の歪みを最小にして、バイアス制御の性能を向上する。
【００１５】
図３は、本発明の基本原理を説明する図であり、実施形態の光送信器で用いられる光変調器１０を模式的に示す。光変調器１０は、並列接続された第１変調器１１及び第２変調器１２と、第１変調器１１と第２変調器の間の位相の直交性を調整する位相器１５を有する。第１変調器１１と第２変調器１２のそれぞれは、一対の光導波路を有するマッハツェンダ（ＭＺ：Mach-Zehnder）干渉計で形成されている。
【００１６】
２つの変調器の一方、たとえば第１変調器１１は、搬送波と同相（In-phase）の信号成分を扱う（Ｉチャネル）。他方の変調器、たとえば第２変調器１２は、搬送波と位相が直交（quadrature）する信号成分を扱う（Ｑチャネル）。Ｉチャネルのバイアス電圧とＱチャネルのバイアス電圧を制御することで、Ｉチャネルの光強度とＱチャネルの光強度がそれぞれ調整される。位相器１５のバイアス電圧を制御することで、ＩチャネルとＱチャネルの間の角度（直交性）が調整される。
【００１７】
第１変調器１１と第２変調器には、個別のデータ信号が入力される。より具体的には、データ信号から生成された高速の駆動信号が第１変調器１１と第２変調器１２にそれぞれ入力される。第１変調器１１に入力される高速の駆動信号をRF-I、第２変調器１２に入力される高速の駆動信号をRF-Qとする。駆動信号RF-Iは、I_in/2と-I_in/2で表される差動信号として第１変調器１１の一対の光導波路に入力される。駆動信号RF-2は、Q_in/2と-Q_in/2で表される差動信号として第２変調器１２の一対の光導波路に入力される。
【００１８】
第１変調器１１に印加されるＤＣバイアスをvdcIとすると、第１変調器１１の各光導波路に印加されるバイアス電圧は、それぞれvdcI/2となる。第２変調器１２に印加されるＤＣバイアスをvdcQとすると、第２変調器１２の各光導波路に印加されるバイアス電圧は、それぞれvdcQ/2となる。
【００１９】
位相器１５において、Ｉ−Ｑ間に直交性を与える位相調整用のバイアス電圧（φ）をvdcPとする。ＩチャネルとＱチャネルの両方で直交性のための位相調整を行う場合、簡単化のためにＩチャネルとＱチャネルのそれぞれに印加されるバイアス電圧をvdcP/2とおく。
【００２０】
Ｉチャネルでバイアス電圧（Bias I）印加後の信号をＥMZM_I、Ｑチャネルでバイアス電圧（Bias Q）印加後の信号をＥMZM_Q、光変調器１０の出力をＥOUTとすると、光変調器１０の光学特性は、式（１）で表される。
【００２１】
【数１】
2019074612.tif 000003
【００２２】
ここで、φuIは第1変調器１１の上アームを通る光の位相、φdIは第1変調器１１の下アームを通る光の位相、φuQは第２変調器１２の上アームを通る光の位相、φdQは第２変調器１２の下アームを通る光の位相である。ここでは、１Ｖで位相πとなるように（Ｖπ＝１Ｖ)、正規化されている。また、簡単化のため、振幅の要素は省略されている。
【００２３】
起動時にＲＦ信号の入力がないものとして（I_in=0, Q_in=0)、光パワー|ＥOUT|2を算出する。三角関数の各公式を用いると、式（１）は式（２）のように整理できる。途中計算は省略する。
【００２４】
【数２】
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【００２５】
式（２）をvdcIの関数として考えると、cos(π・vdcI)が周期２Ｖπ[V]の歪みのない光パワー特性のコサインカーブの成分であり、周期４Ｖπ[V]のcos(π・vdcI/2)が歪み成分として付加されると見積ることができる。歪みの影響量は、cos(π・vdcQ/2)とcos(π・vdcP)に依存している。式（２）をvdcQの関数として考えた場合も同様である。
【００２６】
本発明はこの知見を基にしており、光送信器の起動時にＩチャネルのバイアス電圧を最適な動作点に制御する際に、Ｑチャネルのバイアス電圧と位相器１５のバイアス電圧の少なくとも一方を調整することで、電圧対光パワー特性の歪みの影響を最小にする。同様に、Ｑチャネルのバイアス電圧を最適な動作点に制御するときに、Ｉチャネルのバイアス電圧と位相器１５のバイアス電圧の少なくとも一方を調整することで、光パワー特性の歪みを最小にする。起動時の最適バイアス値への引き込み時に光パワー特性の歪みを補正することで、バイアス電圧制御の性能を高めることができる。
【００２７】
図４は実施形態の光送信器１の概略図である。光送信器１は、レーザ２１と、光変調器１０と、光変調器１０を駆動するドライバ２２と、光変調器１０の出力をモニタするモニタ回路２３と、パイロット信号生成器２４と、電圧制御部３０を有する。
【００２８】
光源であるレーザ２１は、波長多重（ＷＤＭ：Wavelength Division Multiplex）伝送システムに対応できるように波長可変機能を有していてもよい。光変調器１０はＩ／Ｑ変調器であり、第１変調器１１と第２変調器１２と位相器１５を有する。この例では、第1変調器１１はＩチャネルで用いられ、第２変調器１２はＱチャネルで用いられる。光変調器１０は、ＱＰＳＫ、１６-ＱＡＭ、６４ＱＡＭなど、４値以上の多値変調に用いられる。
【００２９】
第１変調器１１には、駆動信号ＲＦＩが入力される電極１３Ｉと、バイアス電圧（Bias I）が印加される電極１４Ｉが設けられている。第２変調器１２は、駆動信号ＲＦ２が入力される電極１３Ｑと、バイアス電圧（Bias Q）が印加される電極１４Ｑが設けられている。模式的に電極１３Ｉと電極１４Ｉは別々の電極として描かれ、電極１３Ｑと電極１４Ｑは別々の電極として描かれているが、それぞれ連続する電極として形成されていてもよい。電極の位置、種類、構造、パターン等は適宜設計される。
【００３０】
ドライバ２２は送信信号（クライアント信号またはデータ信号）から高速の駆動信号を生成し、第1データの論理値とその反転信号を第1変調器１１に、第２データの論理値とその反転信号を第２変調器１２に入力する。これらの駆動信号は、増幅された後に第１変調器１１と第2変調器１２に入力されてもよい。レーザ２１から光変調器１０に入力された光は２つに分岐され、それぞれの光波が第１変調器１１と第２変調器１２を伝搬して高速駆動信号で変調される。位相器１５によって、第１変調器１１を伝搬する光と第２変調器１２を通過する光に９０°の位相差が与えられ、合波された光信号が光変調器１０から出力される。
【００３１】
電圧制御部３０は、プロセッサ３１とメモリ３２を有する。プロセッサ３１は、バイアス電圧制御部３１１として動作する機能ブロックと、駆動電圧制御部３１２として動作する機能ブロックを有する。バイアス電圧制御部３１１は、歪み検出部３１３、歪み補正方向判定部３１４、歪み補正部３１５、及び電圧スイープ部３１６を有し、光変調器１０に印加されるバイアス電圧を制御するとともに、光パワー特性の歪みを補正する。駆動電圧制御部３１２は、ドライバ２２で生成される高速駆動信号の振幅中心の電位とピーク電圧を制御する。
【００３２】
バイアス電圧制御部３１１は、パイロット信号生成器２４で生成されるパイロット信号を用いて、第1変調器１１に印加されるバイアス電圧、第2変調器１２に印加されるバイアス電圧、及び位相器１５に印加されるバイアス電圧（φ）を、最適な動作点に制御する。バイアス電源の図示は省略されている。パイロット信号は、駆動信号と比較して十分に速度の小さい信号である。第１変調器１１、第２変調器１２、及び位相器１５に印加されるバイアス電圧にパイロット信号を重畳することで、図１に示したように、バイアス電圧のずれ方向に応じて、重畳されたパイロット信号と同相または逆相の成分が光変調器１０の出力光から検出される。
【００３３】
モニタ回路２３は、フォトダイオード（ＰＤ）２３１と、バンドパスフィルタ（ＢＰＦ）２３２と、位相／パワー検出器２３３を有し、光変調器１０の出力光をモニタする。光変調器１０の出力光をＰＤ２３１と図示しない電流電圧変換回路で電気信号に変換し、ＢＰＦ２３２でパイロット信号と同じ周波数の成分を抽出する。位相／パワー検出器２３３は、検出された低周波成分のパワーを検出するとともに、パイロット信号生成器２４から入力される重畳パイロット信号を用いて同期検波を行い、低周波成分の位相を検出する。検出された低周波信号の位相とパワーの情報は、バイアス電圧制御部３１１に供給される。
【００３４】
バイアス電圧制御部３１１の電圧スイープ部３１６は、検出されたパイロット成分の位相に応じて、バイアス電圧を最適動作点に制御する。最適動作点が光パワー特性の谷に設定されている場合、重畳されるパイロット信号の位相と検出された低周波成分の位相が同じ場合は、バイアス電圧を下げる方向に制御する。重畳されるパイロット信号の位相と検出された低周波成分の位相が逆相の場合は、バイアス電圧を上げる方向に制御する。バイアス電圧が最適な動作点に設定されたときに、光変調器１０の出力光に含まれる低周波成分はゼロまたは最小になる。
【００３５】
バイアス電圧制御部３１１は、低周波成分のパワー情報を用いて、光パワー特性の歪みの有無と補正方向を判定し、バイアス電圧の設定制御の中で光パワー特性の歪みを補正する。光変調器１０に印加されるバイアス電圧のドリフト制御は、光送信器１の運用中も行われるが、光パワー特性の歪み制御は、起動時の最適動作点へのバイアス電圧の引き込みと合わせて行われる。歪み検出部３１３による歪みの検出、歪み補正方向判定部３１４による補正方向の判定、及び歪み補正部３１５による歪み補正について、以下で説明する。
【００３６】
図５は、光変調器１０のＩチャネル制御時に行われるバイアス電圧と光パワー歪みの制御フローである。光送信器１が起動されると、バイアス電圧制御部３１１は、Ｉチャネルのバイアス電圧制御（Ｓ１１）と、Ｑチャネルのバイアス電圧制御（Ｓ１２）と、位相器１５のバイアス電圧制御（Ｓ１３）を順次実施し、Ｓ１１〜Ｓ１３の一連の動作をｎ回繰り返す。Ｓ１１〜Ｓ１３の各ステップは、ｍ回の電圧スイープで実施される。制御の順序と回数は図５の例に限定されず、Ｓ１１〜Ｓ１３をどの順序で行ってもよい。各ステップの制御（電圧スイープ）回数と、全体のループ回数は、光送信器１の仕様によって適宜設定される。起動時のバイアス設定制御では、ドライバ２２はオフにされており、光変調器１０への高速駆動信号の入力はない。
【００３７】
Ｉチャネルのバイアス電圧制御（Ｓ１１）は、光パワー特性の歪み検出（Ｓ１１５）、Ｉチャネルバイアス電圧以外のバイアス電圧（たとえばＱチャネルのバイアス電圧）を用いた歪み補正方向の判定（Ｓ１１６）、及び歪み補正（Ｓ１１７）に特徴を有する。
【００３８】
Ｉチャネルのバイアス電圧制御（Ｓ１１）が開始されると、オフセット加算または減算が行われる（Ｓ１１１）。オフセット加算（または減算）は、制御対象のチャネル以外のバイアス電圧を少しずらすことで、Ｉチャネル、Ｑチャネル、及び位相器１５のバイアス電圧の組み合わせを増やして、光パワー特性の形が歪んだまま固定化（誤収束）することを防止する。また、ＩチャネルとＱチャネルのバイアス電圧の初期値がともに消光点にあり、位相器１５のバイアス電圧がＩ−Ｑ間に位相差を与えない状態にある場合、光変調器１０から光出力を得ることができない。制御対象以外のバイアス電圧（この例ではＱチャネルまたは位相器１５のバイアス電圧）にオフセット電圧を加算（または減算）することで、制御開始時に確実に光出力を得るという効果もある。このオフセット加算（または減算）は、光パワー特性の歪み補正とは別の処理である。
【００３９】
次に、Ｉチャネルのバイアス電圧の初期値（たとえば１Ｖ）にパイロット信号を重畳し（Ｓ１１２）、光変調器１０の出力光からパイロット成分のパワーと位相を検出する（Ｓ１１３）。この出力光は変調データを含んでいないが、バイアス電圧の印加による出力パワーの変化を受けている。検出されたパイロット成分のパワー値と位相は、メモリ３２に記録されてもよい。パイロット成分の位相に応じて、Ｉチャネルのバイアス電圧のスイープ方向が判定される（Ｓ１１４）。
【００４０】
バイアス電圧制御部３１１は、パイロット成分のパワー情報に基づいて、光パワー特性に歪みがあるか否かを判断する（Ｓ１１５）。歪みの有無の判定の具体的な手法については後述する。光パワー特性に歪みが生じている場合は（Ｓ１１５でｙｅｓ）、歪み補正の方向を判定する（Ｓ１１６）。歪み補正の方向は、光パワー特性の歪みを小さくする方向へのＱチャネルバイアス電圧の調整方向である。歪み補正の方向にしたがって、Ｑチャネルのバイアス電圧を調整して歪みを補正する（Ｓ１１７）。その後、Ｉチャネルのバイアス電圧を、ステップＳ１１４で判定された方向に所定のステップサイズでスイープする（Ｓ１１８）。ステップＳ１１２に戻って、Ｓ１１２〜Ｓ１１８のループを所定の回数（ｍ回）繰り返す。毎回の電圧スイープで光パワー特性の歪みが補正されるので、歪みの残存と固定化を防止することができる。
【００４１】
Ｉチャネルのバイアス電圧が最適な動作点に設定され、かつ光パワー特性の歪み補正が完了したら、Ｑチャネルまたは位相器１５のオフセット電圧をもとに戻して（Ｓ１１９）、次のブランチのバイアス制御に移行する。
【００４２】
図６は、光変調器１０のＱチャネル制御時に行われるバイアス電圧と光パワー歪みの制御フローである。Ｉチャネルのバイアス電圧と光パワー歪みの制御が終了すると、Ｑチャネルの制御が開始される（Ｓ１２）。Ｑチャネルのバイアス制御では、Ｉチャネルまたは位相器１５のバイアス電圧にオフセット電圧が加算（または減算）される（Ｓ１２１）。Ｉチャネルで得られた最適動作点でのバイアス電圧をリセットせずにそのまま維持する場合は、ステップ１２１を省略してもよい。
【００４３】
Ｑチャネルのバイアス電圧（初期値）にパイロット信号を重畳し（Ｓ１２２）、光変調器１０の出力光からパイロット成分のパワー及び位相を検出する（Ｓ１２３）。この出力光は変調データを含んでいないが、バイアス電圧の印加による出力パワーの変化を受けている。検出されたパイロット成分のパワー値は、メモリ３２に記録されてもよい。パイロット成分の位相に応じて、Ｑチャネルのバイアス電圧のスイープ方向が判定される（Ｓ１２４）。
【００４４】
バイアス電圧制御部３１１は、パイロット成分のパワー情報に基づいて、光パワー特性に歪みがあるか否かを判断する（Ｓ１２５）。光パワー特性に歪みが生じている場合は（Ｓ１２５でｙｅｓ）、歪み補正の方向を判定し（Ｓ１２６）、位相器１５またはＩチャネルのバイアス電圧を歪み補正の方向に調整する（Ｓ１２７）。その後、Ｑチャネルのバイアス電圧を、ステップＳ１２４で判定された方向に所定のステップサイズでスイープする（Ｓ１２８）。ステップＳ１２２〜Ｓ１２８のループを所定の回数（ｍ回）繰り返してＱチャネルのバイアス電圧を最適な初期動作点に設定し、かつ光パワー特性の歪み補正を完了したら、必要に応じてオフセット電圧をもとに戻して（Ｓ１２９）、位相器１５のバイアス制御に移行する。位相器１５のバイアス制御も同様に行われる。これにより、光パワー特性の歪みを最小にして、Ｉチャネル、Ｑチャネル、及び位相器１５の初期バイアス電圧が設定される。光変調器１０の運用中は、温度変動や経年変化により、最適な動作点がドリフトするが、パイロット信号を用いた自動バイアス制御により、ドリフトに追従したバイアス制御が行われる。
【００４５】
図７は、歪検出のステップ（図５のＳ１１５，及び図６のＳ１２５）の処理フローである。歪み検出は、バイアス電圧制御部３１１の歪み検出部３１３によって行われる。簡単化のため、Ｉチャネルのバイアス制御に着目した歪み検出を説明する。まず、現在のバイアス電圧で光変調器１０から出力される光パワー（ａ）を記録しておく（Ｓ２１）。光パワー（ａ）は、図５のパイロット成分の位相及びパワー検出のステップ（Ｓ１１３）で取得されている。光変調器１０の出力光は、ＰＤ２３１で二乗検波されているので、ＢＰＦ２３で取り出された低周波成分の振幅（電圧）値が光パワーとなる。
【００４６】
次に、Ｉチャネルのバイアス電圧を、現在のバイアス電圧に２Ｖπ（Ｖ）加算した電圧に設定し、このときの光パワー（ｂ）を取得してメモリ３２に記録する（Ｓ２２）。さらに、現在のバイアス電圧にＶπ（Ｖ）加算した電圧での光パワー（ｃ）と、現在のバイアス電圧からＶπ（Ｖ）減算した電圧での光パワー（ｄ）をそれぞれ取得し、記録する（Ｓ２３及びＳ２４）。
【００４７】
次に、光パワー（ａ）と光パワー（ｂ）の差分の絶対値が所定の閾値Δ１より小さいか否かが判断される（Ｓ２５）。光パワー（ａ）と光パワー（ｂ）の差分の大きさが閾値Δ以上の場合は（Ｓ２５でｎｏ）、１周期（２Ｖπ）離れた地点での光パワー特性が許容誤差以上に乖離して非対称となっており、歪ありと判断される（Ｓ２９）。このときの歪み量は|(a)-(b)|である。
【００４８】
光パワー（ａ）と光パワー（ｂ）の差分の絶対値が閾値Δ１の範囲内にあるときは（Ｓ２５でｙｅｓ）、ステップＳ２６へ進んで、光パワー（ｃ）と光パワー（ｄ）の差の絶対値が閾値Δ２よりも小さいか否かが判断される。閾値Δ１と閾値Δ２は同じであってもよいし、異なっていてもよい。光パワー（ｃ）と光パワー（ｄ）の差分の大きさが閾値Δ２以上の場合は（Ｓ２６でｎｏ）、現在のバイアス電圧から正、負の両方向に半周期ずつ離れたバイアス位置で光パワーがの許容誤差以上に乖離しており、歪みありと判断される（Ｓ２８）。このときの歪み量は、|(c)-(d)|である。光パワー（ｃ）と光パワー（ｄ）の差分の絶対値が閾値Δ２の範囲内にあるときは（Ｓ２６でｙｅｓ）、光パワー特性のプロファイルが許容誤差内に維持されており、歪なしと判定される（Ｓ２７）。Ｓ２７〜Ｓ２９のいずれかの判定がなされることで、歪み検出ステップ（Ｓ１１５）は終了する。
【００４９】
図８〜図１０は、光パワー特性における歪みの有無を視覚的に説明する図である。図８〜図１０で、Ｖπは１Ｖに正規化されている。図８は図７のステップＳ２７で「歪みなし」と判定されたときの光パワー特性である。Ｉチャネルの現在のバイアス電圧が消光点（たとえば１Ｖ）にあるとする。この場合の光パワー（ａ）はゼロの近傍にある。現在のバイアス電圧から２Ｖπだけプラス側にシフトした電圧（たとえば３Ｖ）での光パワー（ｂ）も、ゼロの近傍にある。この場合の光パワー（ａ）と光パワー（ｂ）の差分は許容範囲内であり、（ａ）＝（ｂ）と判断される。
【００５０】
現在のバイアス電圧から＋Ｖπの電圧（たとえば２Ｖ）での光パワー（ｃ）と、−Ｖπの電圧（たとえば０Ｖ）での光パワー（ｄ）は、ともに光パワー特性の最大近傍にあり、２つのパワーの差分は許容範囲内である。
【００５１】
図２（Ａ）と式（２）からわかるように、歪みのない光パワー特性は、２Ｖπ［Ｖ］の周期をもつので、歪みを生じさせないバイアス電圧の組み合わせでは、互いに２Ｖπ離れた任意のバイアス電圧で光パワーは等しくなる。ただし、歪みが生じるバイアス電圧の組み合わせでも、歪み成分が２Ｖπ［Ｖ］周期でゼロになる特異点がある。そのため、現在のバイアス電圧から正方向と負方向に対称にＶπずつ離れた点での光パワー（ｃ）と光パワー（ｄ）も比較することで、光パワー特性の歪みの有無を判断する。図８では、光パワー（ａ）と光パワー（ｂ）が等しく、かつ光パワー（ｃ）と光パワー（ｄ）が等しいため、歪みなしと判定される。なお光パワーが「等しい」とは、「光パワーの差分の絶対値が閾値よりも小さい」と同義である。
【００５２】
図９は、図７のステップＳ２９で「歪あり」（（ａ）≠（ｂ））と判定されたときの光パワー特性である。現在のバイアス電圧（たとえば１．５Ｖ）での光パワー（ａ）と、１周期（２Ｖπ）離れたバイアス電圧（３．５Ｖ）での光パワー（ｂ）の値は、許容範囲を超えて離れており、コサインカーブが歪んでいる。
【００５３】
図１０は、図７のステップＳ２８で「歪みあり」（（ａ）＝（ｂ）だが、（ｃ）≠（ｄ））と判定されたときの光パワー特性である。現在のバイアス電圧（１Ｖ）での光パワー（ａ）と１周期（２Ｖπ）離れたバイアス電圧（３Ｖ）での光パワー（ｂ）の値はほぼ等しい。しかし、現在のバイアス電圧からプラス方向に半周期（＋Ｖπ）ずれたバイアス電圧と、マイナス方向に半周期（−Ｖπ）ずれたバイアス電圧での光パワーの値は異なり、光パワー特性に歪みが生じている。
【００５４】
このように、着目しているチャネルのバイアス電圧制御のプロセスで光変調器１０の出力から低周波成分が検出されたときに、そのチャネルのバイアス電圧値を現在のバイアス電圧値から＋２Ｖπ、＋Ｖπ、及び−Ｖπに振って、光パワーを測定する。２組のバイアス電圧値で光パワーを比較して、光パワー特性の歪みの有無を判定する。
【００５５】
図１１は、歪み補正方向の判定（図５のＳ１１６及び図６のＳ１２６）を説明する図である。Ｉチャネルのバイアス電圧の制御に着目しており、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、ともにＩチャネルの光パワー特性を示している。このうち、図１１（Ｂ）は、図５のステップＳ１１５で歪ありと判定された時点で、Ｑチャネルのバイアス電圧を動かしていない状態での光パワー特性である。図１１（Ｂ）の状態から、Ｑチャネルのバイアス電圧を−Ｖπ／２（マイナス側に１／４周期）ずらした状態での光パワー特性が図１１（Ａ）、＋Ｖπ／２（プラス側に１／４周期）ずらした状態での光パワー特性が図１１（Ｃ）である。
【００５６】
制御対象（Ｉチャネル）となっているバイアス電圧以外のバイアス電圧（Ｑチャネルまたは位相器１５のバイアス電圧）を変化させたときの歪み量の増減により、歪みが小さくなる補正方向を判定する。図１１の例では、Ｑチャネルのバイアス電圧を＋Ｖπ／２変化させることで（図１１（Ｃ））、光パワー特性の歪みが小さくなっている。したがって、Ｑチャネルのバイアス電圧をプラス方向に調整して、正しいコサインカーブに近づける。
【００５７】
図１１の例では、歪み変化をわかりやすく示すためにＱチャネルのバイアス電圧を現状から±Ｖπ／２に変化させているが、実際の歪み補正方向の判定処理では、制御対象となっているバイアス電圧以外のバイアス電圧をたとえば、±Ｖπ／８から±Ｖπ／４の範囲で変化させて、補正の方向を判定してもよい。
【００５８】
図１２は、歪み補正方向の判定フローの一例である。バイアス電圧の制御対象はＩチャネルである。光パワー特性に歪が検出された場合（図５のＳ１１５でＹＥＳ）、Ｉチャネルのバイアス電圧以外のバイアス電圧、たとえばＱチャネルのバイアス電圧を＋δｑずらしたときの歪み量（ｅ）と−δｑずらしたときの歪み量（ｆ）を取得する（Ｓ３１）。歪み量（ｅ）と歪み量（ｆ）は、Ｑチャネルのバイアス電圧をプラス及びマイナス方向にδｑすらした状態で、図７のようにＩチャネルのバイアス電圧を＋２Ｖπ振ったときの光パワーと、±Ｖπ振ったときの光パワーを測定して算出される。得られた光パワー差分の絶対値を「歪み量」とする。
【００５９】
歪み量（ｅ）と歪み量（ｆ）の大小を比較する（Ｓ３２）。歪み量（ｅ）の方が歪み量（ｆ）よりも小さくなった場合は（Ｓ３２でｙｅｓ）、プラス方向へのＱチャネルバイアス電圧の変更が求める歪み補正の方向である（Ｓ３３）。歪み量（ｆ）が歪み量（ｅ）以下の場合は（Ｓ３２でｎｏ）、マイナス方向をＱチャネルの歪み補正の方向とする（Ｓ３４）。これにより、歪み補正の方向が決まる。
【００６０】
図１３は、歪み補正方向の判定フローの別の例を示す。バイアス電圧の制御対象はＩチャネルである。光パワー特性に歪が検出された場合（図５のＳ１１５でＹＥＳ）、現在のバイアス電圧での歪み量（ｈ）を取得する（Ｓ４１）。歪み量（ｈ）は、図７の歪み検出プロセスの中で取得される（Ｓ２８またはＳ２９）。次に、Ｉチャネルのバイアス電圧以外のバイアス電圧、たとえばＱチャネルのバイアス電圧を＋δｑずらしたときの歪み量（ｅ）を取得する（Ｓ４２）。歪み量（ｅ）と歪み量（ｈ）の大小を比較する（Ｓ４３）。歪み量（ｅ）の方が歪み量（ｈ）よりも小さくなった場合は（Ｓ４３でｙｅｓ）、プラス方向がＱチャネルの歪み補正の方向である（Ｓ４４）。歪み量（ｈ）が歪み量（ｅ）以下の場合は（Ｓ４３でｎｏ）、マイナス方向をＱチャネルの歪み補正の方向とする（Ｓ４５）。これにより、歪み補正の方向が決まる。
【００６１】
図１４は、歪み補正方向の判定フローのさらに別の例を示す。バイアス電圧の制御対象はＩチャネルである。光パワー特性に歪が検出された場合（図５のＳ１１５でＹＥＳ）、現在のバイアス電圧での歪み量（ｈ）を取得する（Ｓ５１）。歪み量（ｈ）は、図７の歪み検出プロセスの中で取得される（Ｓ２８またはＳ２９）。次に、Ｉチャネルのバイアス電圧以外のバイアス電圧、たとえばＱチャネルのバイアス電圧を−δｑずらしたときの歪み量（ｆ）を取得する（Ｓ５２）。歪み量（ｆ）と歪み量（ｈ）の大小を比較する（Ｓ５３）。歪み量（ｆ）の方が歪み量（ｈ）よりも大きくなった場合は（Ｓ５３でｙｅｓ）、逆方向、すなわちプラス方向がＱチャネルの歪み補正の方向である（Ｓ５４）。歪み量（ｆ）が歪み量（ｈ）以下の場合は（Ｓ５３でｎｏ）、マイナス方向をＱチャネルの歪み補正の方向とする（Ｓ５５）。これにより、歪み補正の方向が決まる。
【００６２】
図１５は、歪み補正のフローチャートである。図１２〜図１４のいずれかの方法で歪み補正の方向が判定されると、判定結果に基づいてＱチャネルのバイアス電圧が補正される。繰り返すが、このＱチャネルのバイアス電圧の補正は、Ｉチャネルのバイアス電圧の設定制御の中で光パワー特性の歪みを補正するために行われるＱチャネル（または位相器１５）のバイアス電圧の微調整である。たとえば、Ｑチャネルでの歪み補正方向がプラス方向かマイナス方向かが判定される（Ｓ６１）。補正方向がプラスの場合（Ｓ６１でｙｅｓ）、Ｑチャネルのバイアス電圧を所定のステップサイズでプラス方向にスイープする（Ｓ６２）。このステップサイズは、着目しているＩチャネルのバイアス制御の電圧スイープのステップサイズと同じであっても、異なっていてもよい。補正方向がマイナスの場合（Ｓ６１でｎｏ）、Ｑチャネルのバイアス電圧をマイナス方向に所定のステップサイズでスイープする（Ｓ６３）。これにより光パワー特性の歪みが補正される。
【００６３】
図１６は、実施形態の光送信器１が適用される光伝送装置１００の概略図である。光伝送装置１００は、一例として、光ネットワーク（光伝送システム）で用いられる光分岐挿入装置（ＲＯＡＤＭ：reconfigurable optical add-drop multiplexer）である。光伝送装置１００は、光増幅器（「ＡＭＰ」と表記）１０１及び１０７、波長選択スイッチ（「ＷＳＳ」と表記）１０２及び１０５、マルチプレクサ（「ＭＵＸ」と表記）１０６、ＭＵＸ１０６に接続される複数の光送信器（「Ｔｘ」と表記）１、デマルチプレクサ（「ＤＭＵＸ」と表記）１０３、ＤＭＵＸ１０３に接続される複数の光受信器（「Ｒｘ」と表記）２を有する。一般的には、光送信器１と光受信器２は、光トランスポンダ１０４としてひとつのブレードまたはユニットに配置されていてもよい。光伝送装置１００に、ＲＯＡＤＭ全体の動作を制御する制御装置が備えられていてよい。
【００６４】
受信側のＡＭＰ１０１は入力光伝送路を伝送されてくる光（ＷＤＭ光）を受信して増幅し、増幅された光信号をＷＳＳ１０２に出力する。送信側のＡＭＰ１０７は、ＷＳＳ１０５から入力される送信光（ＷＤＭ光）を増幅して出力光伝送路へ送信する。
【００６５】
光伝送装置１００は、ＷＤＭ光に含まれるいずれかの波長の光をドロップ、アド及びスルーする機能を有する。例えば、ＡＭＰ１０１から入力された受信ＷＤＭ光を、このＷＤＭ光に含まれる光の波長単位で、他の方路（Degree）の光伝送路へ送信し、宛先ポートの光受信器２に分岐（ドロップ）し、ＡＭＰ１０７の方向へスルーする。また、ＡＭＰ１０１の方向から入力された受信ＷＤＭ光に、他の方路の光伝送路から受信したＷＤＭ光や光送信器１からの送信光を波長単位で挿入（アド）する。
【００６６】
ＷＳＳ１０２は、入力されたＷＤＭ光を分岐し、分岐光をＤＭＵＸ１０３とＷＳＳ１０５に出力する。分岐光の出力先には他の方路の光伝送路が含まれることもある。ＤＭＵＸ１０３に出力される分岐光は、「ドロップ光」と呼ばれ、ＷＳＳ１０５に出力される分岐光は、「スルー光」と呼ばれる。
【００６７】
ＷＳＳ１０５は、ＷＳＳ１０２から入力されるスルー光、及び、ＭＵＸ１０６から入力されるアド光を、波長単位で選択し出力する。ＷＳＳ１０５での波長選択対象には、他の方路の光伝送路から入力されるＷＤＭ光に含まれるいずれかの波長が含まれてよい。
【００６８】
ＤＭＵＸ１０３は、ＷＳＳ１０２から入力されるドロップ光を波長分離して光受信器２へ出力する。光受信器２がコヒーレント受信器のときは、光受信器２は異なる複数波長の光が入力されても目的の受信波長の光を選択受信する。したがって、ＤＭＵＸ１０３は、入力ドロップ光を光受信器２に分岐する光カプラに代替されてもよい。
【００６９】
ＭＵＸ１０６は、光送信器１から入力されるアド光を波長多重してＷＳＳへ出力する。なお、ＤＭＵＸ１０３及びＭＵＸの一方又は双方は、ＷＳＳ等の透過帯域可変のフィルタや、光カプラ等を用いて構成してよい。ＭＵＸ１０６は、光送信器１から入力されるアド光を波長多重してＷＳＳ１０５へ出力する。
【００７０】
光送信器１では、起動時に最適なバイアス電圧への引き込みと光パワー特性の歪み補正が行われている。光パワー特性の歪みを低減させながら最適なバイアス電圧が決定されるため、最適動作点（バイアス電圧の収束点）への制御性能が高い。従来の自動バイアス制御と異なり、制御中に刻々と変化する光パワー特性の歪みにより最適バイアス点への収束性能が低下することを防止できる。本発明の構成と手法は、光トランスポンダ１０４の新規設置や交換時に特に有効である。
【００７１】
以上、特定の実施例に基づいて発明を説明したが、本発明は上述した構成例に限定されない。光変調器１０は、ＭＺ型のＬＮ変調器を並列に配置した構成に限定されず、経年変化により最適なバイアス点がドリフトする任意の光変調器の制御に適用できる。光変調器に半導体変調器を用いる場合にも本発明は適用される。半導体変調器は、一般的にＬＮ変調器と比較してバイアスドリフトは少ないが、立ち上げ時にＤＣバイアス電圧を最適動作点へと迅速に収束させる要請はＬＮ変調器と同じである。また電圧スイープ等に伴う光パワー特性の歪み発生の可能性も半導体変調器でも起こり得る。
【００７２】
Ｉ／Ｑ変調器で用いられる位相器１５は、第１変調器１１と第２変調器１２のいずれか一方にだけ接続されていてもよい。光パワー特性における歪みの有無の判断は、(i)現バイアス電圧の光パワーと、現バイアス電圧＋２Ｖπ[V]の光パワーの比較と、(ii)現バイアス電圧＋１Ｖπ[V]の光パワーと、現バイアス電圧−１Ｖπ[V]の光パワーの比較に限定されない。光パワー特性の周期の整数倍離れた２つのバイアス点での光パワーの比較と、消光点から±Ｖπ／２〜±２Ｖπの範囲でプラス方向とマイナス方向に同じだけ離れた２点での光パワーの比較を組み合わせてもよい。
【００７３】
以上の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器と、
前記光変調器に光を入射する光源と、
前記光変調器にデータ信号が入力されない状態で、前記光変調器の出力光から光パワー特性の歪みを検出し、前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する電圧制御部と、
を有する光送信器。
（付記２）
前記電圧制御部は、
前記第１変調器に印加される第１バイアス電圧をスイープして前記第１変調器に設定される最適バイアス電圧を決定する電圧スイープ部と、
前記最適バイアス電圧を決定する動作の中で前記光パワー特性の歪みを検出する歪み検出部と、
前記歪みが検出されたときに、前記第２変調器または前記位相器に与えられる第２バイアス電圧を調整して前記歪みを補正する歪み補正部と、
を有することを特徴とする付記１に記載の光送信器。
（付記３）
前記第１バイアス電圧に重畳されるパイロット信号を生成するパイロット信号生成器と、
前記光変調器の出力光をモニタして前記出力光に含まれるパイロット成分のパワーと位相を検出するモニタ回路と、
をさらに有し、
前記歪み検出部は、前記パイロット成分が検出されたときの前記第１バイアス電圧の第１電圧値での第１パワー値と、前記第１電圧値から前記光パワー特性の周期の整数倍離れた第２電圧値で検出される前記パイロット成分の第２パワー値とを比較して前記歪みを検出することを特徴とする付記２に記載の光送信器。
（付記４）
前記歪み検出部は、前記第１パワー値と前記第２パワー値の差分が第１閾値よりも小さいときに、前記第１電圧値に所定値を加算した第３電圧値での第３パワー値と、前記第１電圧値から前記所定値を減算した第４電圧値での第４パワー値とを比較して、前記歪みを検出することを特徴とする付記３に記載の光送信器。
（付記５）
前記歪み検出部は、前記第１パワー値と前記第２パワー値との差分が第１閾値以上のときに、前記差分を歪み量として検出することを特徴とする付記３に記載の光送信器。
（付記６）
前記歪み検出部は、前記第３パワー値と前記第４パワー値の差分が第２閾値以上のときに、前記差分を歪み量として検出することを特徴とする付記４に記載の光送信器。
（付記７）
前記電圧制御部は、前記歪みが検出されたときに前記第２バイアス電圧を調整する補正方向を判定する判定部をさらに有し、
前記歪み補正部は、前記補正方向にしたがって前記第２バイアス電圧を調整することを特徴とする付記２〜６のいずれかに記載の光送信器。
（付記８）
前記判定部は、前記第２バイアス電圧を正方向に所定量シフトさせた第５電圧値での前記パイロット成分の第５パワー値と、前記第２バイアス電圧を負方向に前記所定量シフトさせた第６電圧値での前記パイロット成分の第６パワー値とを比較して、パワー値が小さくなる方向を前記補正方向に決定することを特徴とする付記７に記載の光送信器。
（付記９）
前記判定部は、前記パイロット成分が検出されたときの前記第１バイアス電圧の第１電圧値での第１パワー値と、前記第２バイアス電圧を正方向に所定量シフトさせた第５電圧値での前記パイロット成分の第５パワー値とを比較して、パワー値が小さくなる方向を前記補正方向に決定することを特徴とする付記７に記載の光送信器。
（付記１０）
前記判定部は、前記パイロット成分が検出されたときの前記第１バイアス電圧の第１電圧値での第１パワー値と、前記第２バイアス電圧を負方向に所定量シフトさせた第６電圧値での前記パイロット成分の第６パワー値とを比較して、パワー値が小さくなる方向を前記補正方向に決定することを特徴とする付記７に記載の光送信器。
（付記１１）
付記１〜１０のいずれかに記載の光送信器が複数設置され、
複数の前記光送信器から出力される異なる波長の光信号を多重するマルチプレクサ、
を有することを特徴とする光伝送装置。
（付記１２）
第１変調器、第２変調器、及び前記第１変調器と前記第２変調器の間に所定の光位相差を与える位相器を有する光変調器に、データ信号が入力されない状態で光源からの光を入射し、
前記光変調器の出力光をモニタして光パワー特性の歪みを検出し、
前記歪みを低減しながら前記光変調器に設定されるバイアス電圧を決定する、
ことを特徴とする光送信器の制御方法。
（付記１３）
前記第１変調器に印加される第１バイアス電圧をスイープして前記第１変調器に設定される最適バイアス電圧を決定し、
前記最適バイアス電圧の決定プロセスの中で前記光パワー特性の歪みを検出し、
前記歪みが検出されたときに、前記第２変調器または前記位相器に与えられる第２バイアス電圧を調整して前記歪みを補正する、
ことを特徴とする付記１２に記載の光送信器の制御方法。
（付記１４）
前記第１バイアス電圧にパイロット信号を重畳し、
前記光変調器の出力光に含まれるパイロット成分のパワーと位相を検出し、
前記パイロット成分が検出されたときの前記第１バイアス電圧の第１電圧値での第１パワー値と、前記第１電圧値から前記光パワー特性の周期の整数倍離れた第２電圧値で検出される前記パイロット成分の第２パワー値とを比較して前記歪みを検出する、
ことを特徴とする付記１３に記載の光送信器の制御方法。
（付記１５）
前記第１パワー値と前記第２パワー値の差分が第１閾値よりも小さいときに、前記第１電圧値に所定値を加算した第３電圧値での第３パワー値と、前記第１電圧値から前記所定値を減算した第４電圧値での第４パワー値とを比較して、前記歪みを検出することを特徴とする付記１４に記載の光送信器の制御方法。
（付記１６）
前記第１パワー値と前記第２パワー値との差分が第１閾値以上のときに、前記差分を歪み量として検出することを特徴とする付記１４に記載の光送信器の制御方法。
（付記１７）
前記第３パワー値と前記第４パワー値の差分が第２閾値以上のときに、前記差分を歪み量として検出することを特徴とする付記１５に記載の光送信器の制御方法。
（付記１８）
前記歪みが検出されたときに前記第２バイアス電圧を調整する補正方向を判定し、
前記補正方向にしたがって前記第２バイアス電圧を調整することを特徴とする付記１３〜１７のいずれかに記載の光送信器の制御方法。
【符号の説明】
【００７４】
１  光送信器
２  光受信器
１０  光変調器
１１  第１変調器
１２  第２変調器
１５  位相器
２１  レーザ（光源）
２２  ドライバ
２３  モニタ回路
２３１  フォトダイオード
２３２  バンドパスフィルタ
２３３  位相／パワー検出器
２４  パイロット信号生成器
３０  電圧制御部
３１  プロセッサ
３１１  バイアス電圧制御部
３１２  駆動電圧制御部
３１３  歪み検出部
３１４  歪み補正方向判定部
３１５  歪み補正部
３１６  電圧スイープ部
３２  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2019074612.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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