(57)【要約】【課題】ソリッドステートドライブ装置及びそれを有するデータ保存システムを提供する。【解決手段】本発明のソリッドステートドライブ装置は、内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジング、並びに内部空間に収容され、パッケージベース基板及びパッケージベース基板に実装された複数の半導体チップを有するパッケージ基板モジュールを備え、複数の通気孔のそれぞれは、ハウジングの外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベルが変化しながら延長される。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジングと、
前記内部空間に収容され、パッケージベース基板及び前記パッケージベース基板に実装された複数の半導体チップを有するパッケージ基板モジュールと、を備え、
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベル（ハウジングの下側からの垂直方向の位置）が変化しながら延長されることを特徴とするソリッドステートドライブ装置。
【請求項２】
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの上側表面及び前記第１側壁の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されることを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項３】
前記ハウジングは、前記複数の通気孔のそれぞれの一側及び他側に、外側部及び内側部を有し、
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記外側部から前記内側部に向けて垂直レベルが上昇しながら延長されることを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項４】
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記外側部から前記内側部に向けて上下方向の幅が減少しながら延長されることを特徴とする請求項３に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項５】
前記外側部の上端の垂直レベルである第１レベルは、前記内側部の下端の垂直レベルである第２レベルと同じであるか又はそれよりも低い垂直レベルを有することを特徴とする請求項３に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項６】
前記外側部の上端の垂直レベルである第１レベルは、前記内側部の下端の垂直レベルである第２レベルよりも高い垂直レベルを有し、
前記第２レベルは、前記パッケージベース基板の上面よりも低く下面よりも高い垂直レベルであることを特徴とする請求項３に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項７】
前記外側部の上端の垂直レベルである第１レベルは、前記内側部の下端の垂直レベルである第２レベルよりも高い垂直レベルを有し、
前記複数の通気孔のうちの一部における前記第２レベルは前記パッケージベース基板の上面よりも低く下面よりも高い垂直レベルであり、残りにおける前記第２レベルの前記複数の半導体チップの上面よりも高い垂直レベルであることを特徴とする請求項３に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項８】
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けてＶ字形状を有しながら延長されることを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項９】
前記複数の通気孔のそれぞれは、全体として異なる垂直レベルを有し、前記ハウジングの内側及び外側から内部に向けて水平方向に延長されて互いに連通する内部通気孔と外部通気孔とからなることを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項１０】
前記複数の通気孔のそれぞれは、全体として異なる垂直レベルを有し、前記ハウジングの内側及び外側から内部に向けて水平方向に延長されて互いに連通する内部通気孔と外部通気孔とからなり、
前記内部通気孔の上端が前記外部通気孔の上端よりも高く前記内部通気孔の下端が前記外部通気孔の下端よりも高い垂直レベルを有するか、又は前記内部通気孔の上端が前記外部通気孔の上端よりも低く前記内部通気孔の下端が前記外部通気孔の下端よりも低い垂直レベルを有することを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項１１】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の通気孔のそれぞれの内部面のみが観察されることを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項１２】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の通気孔のうちの一部を介して前記パッケージベース基板の側面が観察され、前記複数の半導体チップが観察されないことを特徴とする請求項１に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項１３】
メインボードと、
内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジング、並びに前記内部空間に収容され、パッケージベース基板及び前記パッケージベース基板に実装された複数の半導体チップを有するパッケージ基板モジュールをそれぞれ含み、前記第２側壁が前記メインボードに向けて前記メインボードに連結される複数のソリッドステートドライブ装置と、
前記複数のソリッドステートドライブ装置の第１側壁に隣接するように配置された少なくとも１つの冷却ファンと、を備え、
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベルが変化しながら延長されることを特徴とするデータ保存システム。
【請求項１４】
前記ハウジングは、前記第１側壁に、前記第１側壁を貫通して前記複数の通気孔のそれぞれから離隔されるテスト溝を更に有し、
前記ハウジングの第１側壁上に、前記テスト溝を完全に覆うラベル紙を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載のデータ保存システム。
【請求項１５】
前記ラベル紙は、ボイドラベル（開封防止シール）であることを特徴とする請求項１４に記載のデータ保存システム。
【請求項１６】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の半導体チップが観察されないことを特徴とする請求項１３に記載のデータ保存システム。
【請求項１７】
内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジングと、
前記内部空間に収容され、第１パッケージベース基板並びに前記第１パッケージベース基板に実装された複数の第１メモリ半導体チップ及び少なくとも１つのコントローラチップを有する第１パッケージ基板モジュールと、
前記内部空間に収容され、第２パッケージベース基板及び前記第２パッケージベース基板に実装された複数の第２メモリ半導体チップを有する第２パッケージ基板モジュールと、を備え、
前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、垂直レベルが上昇しながら延長されることを特徴とするソリッドステートドライブ装置。
【請求項１８】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の通気孔のそれぞれの内部面のみが観察されることを特徴とする請求項１７に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項１９】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の通気孔のうちの一部を介して前記第１パッケージベース基板の側面が観察され、残りを介して前記第２パッケージベース基板の側面が観察されることを特徴とする請求項１７に記載のソリッドステートドライブ装置。
【請求項２０】
前記ハウジングの外部から水平方向に前記複数の通気孔を見た場合、前記複数の第１メモリ半導体チップ、前記複数の第２メモリ半導体チップ、及び前記少なくとも１つのコントローラチップが観察されないことを特徴とする請求項１７に記載のソリッドステートドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソリッドステートドライブ装置及びそれを有するデータ保存システムに関し、より詳細には、通気孔を有するハウジングを含むソリッドステートドライブ装置及びそれを有するデータ保存システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のハードディスクドライブを代替する次世代保存装置として、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ：ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｄｒｉｖｅ）装置が注目されている。ソリッドステートドライブ装置は、不揮発性メモリに基づく保存装置であり、消費電力が少なく保存密度が高い。また、ソリッドステートドライブ装置を保存装置として利用すると、迅速に大容量のデータの入出力が可能であることから、需要増大が期待されている。
【０００３】
従って、ソリッドステートドライブ装置を有するデータ保存システムも開発されている。一方、ソリッドステートドライブ装置が高容量化するにつれて発熱増大の問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１３０１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、放熱を最大化させて信頼性を向上させたソリッドステートドライブ装置及びそれを有するデータ保存システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるソリッドステートドライブ装置は、内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジングと、前記内部空間に収容され、パッケージベース基板及び前記パッケージベース基板に実装された複数の半導体チップを有するパッケージ基板モジュールと、を備え、前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベル（ハウジングの下部からの垂直方向の位置）が変化しながら延長される。
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様によるソリッドステートドライブ装置は、内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジングと、前記内部空間に収容され、第１パッケージベース基板並びに前記第１パッケージベース基板に実装された複数の第１メモリ半導体チップ及び少なくとも１つのコントローラチップを有する第１パッケージ基板モジュールと、前記内部空間に収容され、第２パッケージベース基板及び前記第２パッケージベース基板に実装された複数の第２メモリ半導体チップを有する第２パッケージ基板モジュールと、を備え、前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、垂直レベルが上昇しながら延長される。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるソリッドステートドライブ装置を有するデータ保存システムは、メインボードと、内部空間を有し、一側の第１側壁を貫通する複数の通気孔及び前記第１側壁の他側の第２側壁を貫通するコネクタ溝を有するハウジング、並びに前記内部空間に収容され、パッケージベース基板及び前記パッケージベース基板に実装された複数の半導体チップを有するパッケージ基板モジュールをそれぞれ含み、前記第２側壁が前記メインボードに向けて前記メインボードに連結される複数のソリッドステートドライブ装置と、前記複数のソリッドステートドライブ装置の第１側壁に隣接するように配置された少なくとも１つの冷却ファンと、を備え、前記複数の通気孔のそれぞれは、前記ハウジングの外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベルが変化しながら延長される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によるソリッドステートドライブ装置は、ソリッドステートドライブ装置の外部から観察者が半導体チップを観察することができない。具体的に、本発明によるソリッドステートドライブ装置は、互いに反対側に位置する第１側壁及び第２側壁にそれぞれ含まれる通気孔及びコネクタ溝を介して空気が流れてソリッドステートドライブ装置内で発生する熱を容易に放出しながらも、同時にソリッドステートドライブ装置の外部から通気孔にプローブが挿入されてソリッドステートドライブ装置内の情報が抜き取られることを防止することができるセキュリティ効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の一方向から示した斜視図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の他方向から示した斜視図である。
【図１Ｃ】図１Ａ及び図１ＢのＩＣ−ＩＣ’線に沿って切断した断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｃに示すソリッドステートドライブ装置の一側面図である。
【図２Ａ】図１ＣのＡ部分の第１例の部分断面拡大図である。
【図２Ｂ】図１ＤのＢ部分の部分側面拡大図である。
【図２Ｃ】図２Ａの通気孔のＣ部分の断面拡大図である。
【図３Ａ】図１ＣのＡ部分に対応する部分の第２例の部分断面拡大図である。
【図３Ｂ】図１ＤのＢ部分に対応する部分の部分側面拡大図である。
【図４Ａ】図１ＣのＡ部分に対応する部分の第３例の部分断面拡大図である。
【図４Ｂ】図１ＤのＢ部分に対応する部分の部分側面拡大図である。
【図５Ａ】図１ＣのＡ部分に対応する部分の第４例の部分断面拡大図である。
【図５Ｂ】図１ＤのＢ部分に対応する部分の部分側面拡大図である。
【図６Ａ】図１ＣのＡ部分に対応する部分の第５例の部分断面拡大図である。
【図６Ｂ】図１ＤのＢ部分に対応する部分の部分側面拡大図である。
【図７】本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の一側面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置を切断して示した他の例の断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示すソリッドステートドライブ装置の一側面図である。
【図９】本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の更に他の例の一側面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態によるソリッドステートドライブ装置を切断して示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態によるシステムを示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ：ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｄｒｉｖｅ）装置を異なる方向から示した斜視図であり、図１Ｃは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置を切断して示した断面図であり、図１Ｄは、図１Ｃに示すソリッドステートドライブ装置の一側面図である。具体的に、図１Ｃは、図１Ａ及び図１ＢのＩＣ−ＩＣ’線に沿って切断した断面図である。
【００１３】
図１Ａ〜図１Ｄを共に参照すると、ソリッドステートドライブ装置１は、ハウジング１００、及びハウジング１００の内部に実装されたパッケージ基板モジュール４００を含む。
【００１４】
ハウジング１００は、単一の物質からなり、熱伝逹特性を考慮して異なる物質を組み合わせたものである。ハウジング１００は、金属、炭素系素材、ポリマー素材、又はそれらの組み合わせからなるが、それらに限定されるものではない。ハウジング１００は、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、ステンレススチール、又はそれらを含むクラッド金属（ｃｌａｄ  ｍｅｔａｌ）からなる。或いは、ハウジング１００は、例えばグラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）、グラフェン（ｇｒａｐｈｅｎｅ）、炭素ファイバ、炭素ナノチューブ複合素材（ＣＮＴ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）などからなる。或いは、ハウジング１００は、例えばエポキシ樹脂、ポルリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ：ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ：ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレン（ＰＥ：ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ＰＰ：ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）のようなポリマー素材からなる。
【００１５】
ハウジング１００は、上部カバー１０２、及び上部カバー１０２に結合される下部カバー１０４を含む。ハウジング１００は、その内部に、上部カバー１０２と下部カバー１０４とによって包囲されてパッケージ基板モジュール４００を収容する内部空間１０８を有する。内部空間１０８は、内部キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）とも称される。
【００１６】
ハウジング１００は、互いに反対側に位置する第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２を有する。本明細書では、第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２の殆どが上部カバー１０２の一部分であるように図示しているが、それに限定されるものではなく、本発明が属する技術分野において当業者によって、ハウジング１００の第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２の殆どが下部カバー１０４の一部分になるように変形されるか、或いはハウジング１００の第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２のそれぞれが上部カバー１０２の一部分と下部カバー１０４の一部分とのそれぞれというような、多様な形態によって構成されるように変形される。但し、本明細書においては、説明の便宜のために、第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２の殆どが上部カバー１０２の一部分である場合を例として説明する。
【００１７】
ハウジング１００は、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔（ｖｅｎｔ  ｈｏｌｅ）１１０を有する。通気孔１１０は、通気チャンネル（ｖｅｎｔ  ｃｈａｎｎｅｌ）とも称される。複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の外部と内部空間１０８とを連通するように第１側壁ＳＷ１を貫通する。複数の通気孔１１０は、例えば上部カバー１０２を貫通するように形成される。複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されるように形成される。複数の通気孔１１０のそれぞれの垂直断面は、例えば、バー形状であるが、それに限定されるものではない。例えば、複数の通気孔１１０のそれぞれの垂直断面は、円形、楕円形、長方形などの多様な形状を有する。
【００１８】
複数の通気孔１１０については、図２Ａ〜図２Ｃを参照して詳細に説明する。
【００１９】
ハウジング１００は、第２側壁ＳＷ２にコネクタ溝１２０を有する。コネクタ溝１２０は、ハウジング１００の外部と内部空間１０８とを連通するように第２側壁ＳＷ２を貫通する。コネクタ溝１２０は、例えば上部カバー１０２を貫通するように形成される。コネクタ溝１２０には、パッケージ基板モジュール４００に連結される外部コネクタ２００が配置される。
【００２０】
外部コネクタ２００は、パッケージ基板モジュール４００に電気的に連結される端子部２１０、及び端子部２１０を支持するコネクタ本体部２２０を含む。外部コネクタ２００は、ソリッドステートドライブ装置１を外部ホストに連結して信号を送受信し、且つ／又は電源が供給される。外部コネクタ２００は、例えばＰＡＴＡ（ｐａｒａｌｌｅｌ  ａｄｖａｎｃｅｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）標準、ＳＡＴＡ（ｓｅｒｉａｌ  ａｄｖａｎｃｅｄ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）標準、ＳＣＳＩ標準、又はＰＣＩｅ（ＰＣＩ  Ｅｘｐｒｅｓｓ）標準による方式で外部装置に連結されるコネクタである。ここで、ＳＡＴＡ標準は、ＳＡＴＡ−１だけではなく、ＳＡＴＡ−２、ＳＡＴＡ−３、ｅ−ＳＡＴＡ（ｅｘｔｅｒｎａｌ  ＳＡＴＡ）のような全てのＳＡＴＡ系標準を包括する。ＰＣＩｅ標準は、ＰＣＩｅ１．０だけではなく、ＰＣＩｅ２．０、ＰＣＩｅ２．１、ＰＣＩｅ３．０、ＰＣＩｅ４．０のような全てのＰＣＩｅ系標準を包括する。ＳＣＳＩ標準は、並列ＳＣＳＩ、シリアル結合ＳＡ−ＳＣＳＩ（ＳＡＳ）、ｉＳＣＳＩのような全てのＳＣＳＩ系標準を包括する。一実施形態において、外部コネクタ２００は、Ｍ２インターフェース、ｍＳＡＴＡインターフェース、又は２．５”インターフェースを支援するコネクタである。
【００２１】
パッケージ基板モジュール４００は、パッケージベース基板４１０及びパッケージベース基板４１０に実装された複数の半導体チップ４２０を含む。パッケージ基板モジュール４００は、例えば複数の半導体チップ４２０がパッケージベース基板４１０の上面に実装されたＳＩＭＭ（ｓｉｎｇｌｅ  ｉｎ−ｌｉｎｅｄ  ｍｅｍｏｒｙ  ｍｏｄｕｌｅ）であるが、それに限定されるものではない。例えば、パッケージ基板モジュール４００は、複数の半導体チップ４２０がパッケージベース基板４１０の上面及び下面のそれぞれに実装されたＤＩＭＭ（ｄｕａｌ  ｉｎ−ｌｉｎｅｄ  ｍｅｍｏｒｙ  ｍｏｄｕｌｅ）である。
【００２２】
複数の半導体チップ４２０がパッケージベース基板４１０に実装される方式は、ＢＧＡ（ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）方式、ＰＧＡ（ｐｉｎ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）方式、ＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）方式、ＣＯＢ（ｃｈｉｐ−ｏｎ−ｂｏａｒｄ）方式、ＱＦＮ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）方式、ＱＦＰ（ｑｕａｄ  ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ）方式などであるが、それらに限定されるものではない。
【００２３】
一実施形態において、パッケージベース基板４１０は、印刷回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）である。例えば、パッケージベース基板４１０は、両面印刷回路基板（ｄｏｕｂｌｅ−ｓｉｄｅｄ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）又はマルチレイヤ印刷回路基板（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）である。パッケージベース基板４１０は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドのうちから選択される少なくとも１つの物質からなる基板ベースを含む。基板ベースは、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドのうちから選択される少なくとも１つの物質からなる。基板ベースは、例えばＦＲ４（Ｆｒａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  ４）、四官能性エポキシ（ｔｅｔｒａｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  ｅｐｏｘｙ）、ポリフェニレンエーテル（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）、エポキシ／ポリフェニレンオキシド（ｅｐｏｘｙ／ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｏｘｉｄｅ）、ＢＴ（ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  ｔｒｉａｚｉｎｅ）、サーマウント（Ｔｈｅｒｍｏｕｎｔ）、シアネートエステル（ｃｙａｎａｔｅ  ｅｓｔｅｒ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、及び液晶高分子（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）のうちから選択される少なくとも１つの物質を含む。
【００２４】
パッケージベース基板４１０は、基板ベースの上面及び下面に形成された配線パターンを有する。一実施形態において、基板ベースが複層からなる場合、配線パターンは基板ベースがなす複層のそれぞれの間に形成される。パッケージベース基板４１０は、基板ベース内に配線パターンを連結する導電ビアが形成される。導電ビアは、基板ベースの全部又は一部を貫通して配線パターンを電気的に連結する。配線パターン及び／又は導電ビアは、銅、ニッケル、ステンレススチール、又はベリリウム銅（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ  ｃｏｐｐｅｒ）からなる。
【００２５】
パッケージベース基板４１０の上面及び下面には、基板ベースの上面及び下面に配置された配線パターンの少なくとも一部分を覆うソルダレジスト層が形成される。基板ベースの上面及び下面に配置された配線パターンにおいて、ソルダレジスト層に覆われない部分は、パッケージベース基板４１０の上面及び／又は下面に付着される複数の半導体チップ４２０、能動素子、又は受動素子に電気的に連結されるパッドとして使用される。
【００２６】
複数の半導体チップ４２０は、複数のメモリ半導体チップ４２２、及び少なくとも１つのコントローラチップ４２４を含む。
【００２７】
複数のメモリ半導体チップ４２２、及びコントローラチップ４２４は、それぞれ半導体基板を含む。半導体基板は、例えばシリコン（Ｓｉ）を含む。或いは、半導体基板は、ゲルマニウム（Ｇｅ）のような半導体元素、又はＳｉＣ（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ）、ＧａＡｓ（ｇａｌｌｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）、ＩｎＡｓ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｒｓｅｎｉｄｅ）、及びＩｎＰ（ｉｎｄｉｕｍ  ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）のような化合物半導体を含む。半導体基板は、活性面と、活性面に対して反対側の非活性面とを有する。複数のメモリ半導体チップ４２２及びコントローラチップ４２４のそれぞれは、活性面に多様な種類の複数の個別素子（ｉｎｄｉｖｉｄｕａｌ  ｄｅｖｉｃｅｓ）を含む半導体素子が形成される。
【００２８】
複数のメモリ半導体チップ４２２は、不揮発性メモリ装置である。不揮発性メモリ装置は、例えばフラッシュメモリ、相変化メモリ（ＰＲＡＭ：ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ  ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ））、抵抗メモリ（ＲＲＡＭ（登録商標）：ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  ＲＡＭ）、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ：ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）、固体磁気メモリ（ＭＲＡＭ：ｍａｇｎｅｔｉｃ  ＲＡＭ）などであるが、それらに限定されるものではない。フラッシュメモリは、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリである。フラッシュメモリは、例えばＶ−ＮＡＮＤフラッシュメモリである。不揮発性メモリ装置は、１つの半導体ダイからなり、いくつかの半導体ダイが積層されたものである。
【００２９】
一実施形態において、複数のメモリ半導体チップ４２２のうちの一部は、揮発性メモリ装置である。揮発性メモリ装置は、例えばＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（ｓｔａｔｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＤＲＡＭ（ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ  ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＤＲ（ｄｏｕｂｌｅ  ｄａｔａ  ｒａｔｅ）ＲＡＭ  、ＲＤＲＡＭ（Ｒａｍｂｕｓ  ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）などであるが、それらに限定されるものではない。揮発性メモリ装置は、外部ホストがソリッドステートドライブ装置１にアクセスするときに頻繁に使用されるデータを保存するキャッシュ（ｃａｃｈｅ）機能を提供し、ソリッドステートドライブ装置１に連結される外部ホストのプロセス性能に合うように、アクセス時間（ａｃｃｅｓｓ−ｔｉｍｅ）とデータ伝送能力（ｄａｔａ−ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ）とを調整（ｓｃａｌｅ）する。
【００３０】
コントローラチップ４２４は、複数のメモリ半導体チップ４２２を制御する。コントローラチップ４２４の内部には、制御部が内蔵される。制御部は、不揮発性メモリ装置に保存されたデータに対するアクセスを制御する。即ち、制御部は、外部ホストの制御命令により、不揮発性メモリ装置、例えばフラッシュメモリなどの書き込み／読み取り動作を制御する。制御部は、注文型半導体（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）のような別途の制御半導体チップで構成される。制御部は、例えばソリッドステートドライブ装置１が外部ホストに連結されると、外部ホストの運営システム（ＯＳ）によって自動的に実行されるように設計される。制御部は、ＰＡＴＡ、ＳＡＴＡ、ＳＣＳＩ、又はＰＣＩｅのような標準プロトコルを提供する。また、制御部は、不揮発性メモリ装置のために、ウェアレベリング（ｗｅａｒ  ｌｅｖｅｌｉｎｇ）、ガベージコレクション（ｇａｒｂａｇｅ  ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）、不良ブロック管理（ｂａｄ  ｂｌｏｃｋ  ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ）、及びエラー訂正符号（ＥＣＣ：ｅｒｒｏｒ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ  ｃｏｄｅ）を用いたエラー訂正機能を遂行する。この場合、制御部は、自動実行のためのスクリプトと、外部ホストで実行される応用プログラムとを含む。
【００３１】
別途に図示していないが、パッケージ基板モジュール４００は、パッケージベース基板４１０に実装されたチップ抵抗、チップキャパシタ、インダクタンス、スイッチ、温度センサ、ＤＣ・ＤＣコンバータ、クロック発生のためのクォーツ（ｑｕａｒｔｚ）、及び電圧レギュレータのような能動素子又は受動素子を更に含む。
【００３２】
ハウジング１００は、第１側壁ＳＷ１に、テスト溝１３０を有する。テスト溝１３０は、ハウジング１００の外部と内部空間１０８とを連通するように、第１側壁ＳＷ１を貫通する。テスト溝１３０は、例えば上部カバー１０２を貫通するように形成される。テスト溝１３０は、複数の通気孔１１０のそれぞれから離隔される。
【００３３】
パッケージベース基板４１０には、テスト溝１３０に対応するテストコネクタ３００が実装される。ソリッドステートドライブ装置１が外部コネクタ２００を介して外部ホストに連結された状態でも、テストコネクタ３００を介してソリッドステートドライブ装置１をテストすることができる。
【００３４】
テストについて、図１及び図１１を共に参照して簡略に説明すると、ソリッドステートドライブ装置１がメインボード７００に連結された状態で、テストコネクタ３００は、メインボード７００に対向する第２側壁ＳＷ２に対して反対側に位置する第１側壁ＳＷ１に含まれるテスト溝１３０に対応する。ソリッドステートドライブ装置１をメインボード７００から分離せずに、テストコネクタ３００を介してソリッドステートドライブ装置１に対するテストを遂行することができる。
【００３５】
図２Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の第１例の部分断面拡大図であり、図２Ｂは、図２Ａに示すソリッドステートドライブ装置の部分側面拡大図であり、図２Ｃは、ソリッドステートドライブ装置の通気孔の断面拡大図である。具体的に、図２Ａは、図１ＣのＡ部分の拡大図であり、図２Ｂは、図１ＤのＢ部分の拡大図である。また、図２Ｃは、図２ＡのＣ部分の拡大図を別途に図示したものである。
【００３６】
図２Ａ〜図２Ｃを共に参照すると、ハウジング１００は、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０を有する。複数の通気孔１１０は、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００の外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０は、例えば上部カバー１０２を貫通するように形成される。複数の通気孔１１０は、第１側壁ＳＷ１の内側表面１１５と第１側壁ＳＷ１の外側表面１１７との間に延びる。複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面（例えば、第１側壁ＳＷ１の内側表面１１５又は外側表面１１７）のそれぞれに対して斜線方向に延長するように形成される。複数の通気孔１１０のそれぞれは、ハウジング１００の外側から内側に向けて、少なくとも一部分における垂直レベル（ハウジングの下側からの垂直方向の位置。以下単に「レベル」と称する）が変化しながら延長される。本実施形態において、複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の外側から内側に向けて、レベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成されるが、それに限定されるものではない。別途に図示していないが、例えば複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の外側から内側に向けて、レベルが下降する斜線方向に延長されるように形成される。
【００３７】
例えば、第１側壁ＳＷ１の厚み方向に対する通気孔１１０の延長方向のハウジング１００の勾配θは、ａｒｃｓｉｎ（ＨＲ／ＣＴ）±５゜の値を有する。ここで、ＣＴはハウジング１００の第１側壁ＳＷ１の厚みであり、ＨＲは通気孔１１０の延長方向に直交する上下方向の幅である（図２Ｃ参照）。
【００３８】
複数の通気孔１１０のそれぞれの一側及び他側には、それぞれ外側部１１２と内側部１１４とが形成される。外側部１１２及び内側部１１４は、通気孔１１０を定義する通気孔１１０に隣接するハウジング１００の一部分である。外側部１１２はハウジング１００の外部側で通気孔１１０を定義するハウジング１００の一部分であり、内側部１１４はハウジング１００の内部空間１０８側で通気孔１１０を定義するハウジング１００の一部分である。本実施形態において、複数の通気孔１１０のそれぞれの内側部１１４は、外側部１１２よりも全体として高いレベルに位置するが、それに限定されるものではない。別途に図示していないが、例えば複数の通気孔１１０のそれぞれの内側部１１４は、外側部１１２よりも全体として低いレベルに位置する。ここで、内側部１１４が外側部１１２よりも全体として高いレベルに位置するということは、内側部１１４の上端が外側部１１２の上端よりも高いレベルを有し、内側部１１４の下端も外側部１１２の下端よりも高いレベルを有するということを意味する。同様に、内側部１１４が外側部１１２よりも全体的に低いレベルに位置するということは、内側部１１４の上端が外側部１１２の上端よりも低いレベルを有し、内側部１１４の下端も外側部１１２の下端よりも低いレベルを有するということを意味する。
【００３９】
本実施形態において、外側部１１２の上端のレベルである第１レベルＬ１は、内側部１１４の下端のレベルである第２レベルＬ２と同じであるか又はそれよりも低いレベルを有する。その場合、通気孔１１０の延長方向の勾配θは、ａｒｃｓｉｎ（ＨＲ／ＣＴ）〜ａｒｃｓｉｎ（ＨＲ／ＣＴ）＋５゜の値を有する。本実施形態において、複数の通気孔１１０のうちの一部における第２レベルＬ２は、パッケージベース基板４１０の上面よりも低く下面よりも高いレベルである。複数の通気孔１１０のうちの残りにおける第２レベルＬ２は、半導体チップ４２０の上面よりも高いレベルである。
【００４０】
ハウジング１００の外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００の外部から通気孔１１０を見た観察者は、外側部１１２を介して通気孔１１０の内部面のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０を介してハウジング１００の内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００４１】
図３Ａ〜図６Ｂは、図１Ａ〜図２Ｃで説明したソリッドステートドライブ装置１の変形実施例であり、図１Ａ〜図２Ｃの部材番号を共に参照する。
【００４２】
図３Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の第２例の部分断面拡大図であり、図３Ｂは、図３Ａに示すソリッドステートドライブ装置の部分側面拡大図である。具体的には、図３Ａは、図１ＣのＡ部分に対応する部分の拡大図であり、図３Ｂは図１ＤのＢ部分に対応する部分の拡大図である。
【００４３】
図３Ａ及び図３Ｂを共に参照すると、ハウジング１００ａは、上部カバー１０２ａ、及び上部カバー１０２ａに結合される下部カバー１０４ａを含む。ハウジング１００ａは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０ａを有する。複数の通気孔１１０ａは、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００ａの外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０ａは、例えば上部カバー１０２ａを貫通するように形成される。複数の通気孔１１０ａのそれぞれは、ハウジング１００ａの外側から内側に向けて、少なくとも一部分におけるレベルが変化しながら延長される。例えば、複数の通気孔１１０ａは、ハウジング１００ａの上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されるように形成される。本実施形態において、複数の通気孔１１０ａは、ハウジング１００ａの外側から内側に向けて、レベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成される。
【００４４】
複数の通気孔１１０ａのそれぞれの一側及び他側には、それぞれ外側部１１２ａ及び内側部１１４ａが形成される。外側部１１２ａ及び内側部１１４ａは、通気孔１１０ａを定義する通気孔１１０ａに隣接するハウジング１００ａの一部分である。外側部１１２ａはハウジング１００ａの外部側で通気孔１１０ａを定義するハウジング１００ａの一部分であり、内側部１１４ａはハウジング１００ａの内部空間１０８側で通気孔１１０ａを定義するハウジング１００ａの一部分である。
【００４５】
本実施形態において、複数の通気孔１１０ａのそれぞれの内側部１１４ａは、外側部１１２ａよりも全体として高いレベルに位置するが、それに限定されるものではない。別途に図示していないが、例えば複数の通気孔１１０ａのそれぞれの内側部１１４ａは、外側部１１２ａよりも全体として低いレベルに位置する。ここで、内側部１１４ａが外側部１１２ａよりも全体として高いレベルに位置するということは、内側部１１４ａの上端が外側部１１２ａの上端よりも高いレベルを有し、内側部１１４ａの下端も外側部１１２ａの下端よりも高いレベルを有するということを意味する。同様に、内側部１１４ａが外側部１１２ａよりも全体的に低いレベルに位置するということは、内側部１１４ａの上端が外側部１１２ａの上端よりも低いレベルを有し、内側部１１４ａの下端も外側部１１２ａの下端よりも低いレベルを有するということを意味する。
【００４６】
本実施形態において、外側部１１２ａの上端のレベルである第１レベルＬ１ａは、内側部１１４ａの下端のレベルである第２レベルＬ２ａよりも高いレベルを有する。その場合、通気孔１１０の延長方向の勾配θ（図２Ｃ参照）は、ａｒｃｓｉｎ（ＨＲ／ＣＴ）〜ａｒｃｓｉｎ（ＨＲ／ＣＴ）−５゜の値を有する。ここで、ＣＴ（図２Ｃ）は、ハウジング１００ａの第１側壁ＳＷ１の厚みであり、ＨＲ（図２Ｃ参照）は、通気孔１１０ａの延長方向に直交する上下方向の幅である。本実施形態において、複数の通気孔１１０ａのうちの一部における第２レベルＬ２ａは、パッケージベース基板４１０の上面よりも低く、下面よりも高いレベルである。複数の通気孔１１０ａのうちの残りにおける第２レベルＬ２ａは、半導体チップ４２０の上面よりも高いレベルである。
【００４７】
ハウジング１００ａの外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ａの外部から通気孔１１０ａを見た観察者は、外側部１１２ａを介してハウジング１００ａの内部のうち、パッケージベース基板４１０の側面、又はハウジング１００ａの内部空間１０８のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ａを介してハウジング１００ａの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００４８】
図４Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の第３例の部分断面拡大図であり、図４Ｂは、図４Ａに示すソリッドステートドライブ装置の部分側面拡大図である。具体的には、図４Ａは、図１ＣのＡ部分に対応する部分の拡大図であり、図４Ｂは、図１ＤのＢ部分に対応する部分の拡大図である。
【００４９】
図４Ａ及び図４Ｂを共に参照すると、ハウジング１００ｂは、上部カバー１０２ｂ、及び上部カバー１０２ｂに結合される下部カバー１０４ｂを含む。ハウジング１００ｂは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０ｂを有する。複数の通気孔１１０ｂは、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００ｂの外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０ｂは、例えば上部カバー１０２ｂを貫通するように形成される。複数の通気孔１１０ｂのそれぞれは、ハウジング１００ｂの外側から内側に向けて、少なくとも一部分におけるレベルが変化しながら延長される。複数の通気孔１１０ｂのそれぞれは、互いに連通する内部通気孔１１０ｂ−Ｉ及び外部通気孔１１０ｂ−Ｏからなる。内部通気孔１１０ｂ−Ｉはハウジング１００ｂの内部空間１０８側からハウジング１００ｂの第１側壁ＳＷ１の内部に向けて水平方向に延長され、外部通気孔１１０ｂ−Ｏはハウジング１００ｂの外部側からハウジング１００ｂの第１側壁ＳＷ１の内部に向けて水平方向に延長され、内部通気孔１１０ｂ−Ｉ及び外部通気孔１１０ｂ−Ｏが互いに連通するように形成される。複数の通気孔１１０ｂのそれぞれの内部通気孔１１０ｂ−Ｉ及び外部通気孔１１０ｂ−Ｏは、全体として異なるレベルを有し、ハウジング１００ｂの内側及び外側から内部に向けて水平方向に延長される。
【００５０】
複数の通気孔１１０ｂのそれぞれの一側及び他側には、それぞれ外側部１１２ｂと内側部１１４ｂとが形成される。外側部１１２ｂ及び内側部１１４ｂは、通気孔１１０ｂを定義する通気孔１１０ｂに隣接するハウジング１００ｂの一部分である。外側部１１２ｂは、ハウジング１００ｂの外部側で通気孔１１０ｂ、即ち外部通気孔１１０ｂ−Ｏを定義するハウジング１００ｂの一部分であり、内側部１１４ｂは、ハウジング１００ｂの内部空間１０８側で通気孔１１０ｂ、即ち内部通気孔１１０ｂ−Ｉを定義するハウジング１００ｂの一部分である。
【００５１】
本実施形態において、複数の通気孔１１０ｂのそれぞれの内側部１１４ｂは、外側部１１２ｂよりも全体として低いレベルに位置するが、それに限定されるものではない。別途に図示していないが、例えば複数の通気孔１１０ｂのそれぞれの内側部１１４ｂは、外側部１１２ｂよりも全体として高いレベルに位置する。ここで、内側部１１４ｂが外側部１１２ｂよりも全体として高いレベルに位置するということは、内側部１１４ｂの上端が外側部１１２ｂの上端よりも高いレベルを有し、内側部１１４ｂの下端も外側部１１２ｂの下端よりも高いレベルを有するということを意味する。同様に、内側部１１４ｂが外側部１１２ｂよりも全体として低いレベルに位置するということは、内側部１１４ｂの上端が外側部１１２ｂの上端よりも低いレベルを有し、内側部１１４ｂの下端も外側部１１２ｂの下端よりも低いレベルを有するということを意味する。
【００５２】
本実施形態において、外側部１１２ｂの下端のレベルである第１レベルＬ１ｂと、内側部１１４ｂ上端のレベルである第２レベルＬ２ｂとは、互いに実質的に同一レベルを有する。ハウジング１００ｂの外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ｂの外部から通気孔１１０ｂを見た観察者は、外側部１１２ｂを介して外部通気孔１１０ｂ−Ｏ内のハウジング１００ｂの部分のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ｂを介してハウジング１００ｂの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００５３】
複数の通気孔１１０ｂのうちの一部における第１レベルＬ１ｂ及び第２レベルＬ２ｂは、パッケージベース基板４１０の上面よりも低く、下面よりも高いレベルである。複数の通気孔１１０ｂのうちの残りにおける第１レベルＬ１ｂ及び第２レベルＬ２ｂは、半導体チップ４２０の上面よりも高いレベルである。
【００５４】
他の実施形態において、外側部１１２ｂの下端のレベルである第１レベルＬ１ｂは、内側部１１４ｂの上端のレベルである第２レベルＬ２ｂよりも低いレベルを有する。ハウジング１００ｂの外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ｂの外部から通気孔１１０ｂを見た観察者は、外側部１１２ｂを介してハウジング１００ｂの内部のうちのパッケージベース基板４１０の側面又はハウジング１００ｂの内部空間１０８のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ｂを介してハウジング１００ｂの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００５５】
図５Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の第４例の部分断面拡大図であり、図５Ｂは、図５Ａに示すソリッドステートドライブ装置の部分側面拡大図である。具体的には、図５Ａは、図１ＣのＡ部分に対応する部分の拡大図であり、図５Ｂは、図１ＤのＢ部分に対応する部分の拡大図である。
【００５６】
図５Ａ及び図５Ｂを共に参照すると、ハウジング１００ｃは、上部カバー１０２ｃ、及び上部カバー１０２ｃに結合される下部カバー１０４ｃを含む。ハウジング１００ｃは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０ｃを有する。複数の通気孔１１０ｃは、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００ｃの外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０ｃは、例えば上部カバー１０２ｃを貫通するように形成される。複数の通気孔１１０ｃのそれぞれは、ハウジング１００ｃの外側から内側に向けて、少なくとも一部分におけるレベルが変化しながら延長される。複数の通気孔１１０ｃのそれぞれは、互いに連通する内部通気孔１１０ｃ−Ｉ及び外部通気孔１１０ｃ−Ｏからなる。内部通気孔１１０ｃ−Ｉはハウジング１００ｃの内部空間１０８側からハウジング１００ｃの第１側壁ＳＷ１の内部に向けて斜線方向に延長され、外部通気孔１１０ｃ−Ｏはハウジング１００ｃの外部側からハウジング１００ｃの第１側壁ＳＷ１の内部に向けて斜線方向に延長され、内部通気孔１１０ｃ−Ｉと外部通気孔１１０ｃ−Ｏとが互いに連通するように形成される。
【００５７】
本実施形態において、複数の通気孔１１０ｃは、内部通気孔１１０ｃ−Ｉがハウジング１００の内側から内部に向けてレベルが下降する斜線方向に延長されるように形成され、外部通気孔１１０ｃ−Ｏがハウジング１００の外側から内部に向けてレベルが下降する斜線方向に延長されるように形成され、ハウジング１００ｃの外側から内側に向けて、Ｖ字形状を有しながら延長される。
【００５８】
別途に図示していないが、他の実施形態において、複数の通気孔１１０ｃは、内部通気孔１１０ｃ−Ｉがハウジング１００の内側から内部に向けてレベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成され、外部通気孔１１０ｃ−Ｏがハウジング１００の外側から内部に向けてレベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成されて、逆Ｖ形状を有する。
【００５９】
複数の通気孔１１０ｃのそれぞれの一側及び他側には、それぞれ外側部１１２ｃ及び内側部１１４ｃが形成される。外側部１１２ｃ及び内側部１１４ｃは、通気孔１１０ｃを定義する通気孔１１０ｃに隣接するハウジング１００ｃの一部分である。外側部１１２ｃは、ハウジング１００ｃの外部側で通気孔１１０ｃ、即ち外部通気孔１１０ｃ−Ｏを定義するハウジング１００ｃの一部分であり、内側部１１４ｃは、ハウジング１００ｃの内部空間１０８側で通気孔１１０ｃ、即ち内部通気孔１１０ｃ−Ｉを定義するハウジング１００ｃの一部分である。
【００６０】
一実施形態において、複数の通気孔１１０ｃのそれぞれの内側部１１４ｃは、外側部１１２ｃよりも全体的に高いレベルに位置するか、同一レベルに位置するか、又は低いレベルに位置する。
【００６１】
本実施形態において、外側部１１２ｃの下端のレベルである第１レベルＬ１ｃは、外部通気孔１１０ｃ−Ｏと内部通気孔１１０ｃ−Ｉとが出合う通気孔１１０ｃの部分の上端のレベルである第３レベルＬ３ｃよりも低いレベルを有し、第３レベルＬ３ｃは、内側部１１４ｃの下端のレベルである第２レベルＬ２ｃよりも高いレベルを有する。
【００６２】
ハウジング１００ｃの外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ｃの外部から通気孔１１０ｃを見た観察者は、外側部１１２ｃを介してハウジング１００ｃの内部のうちのパッケージベース基板４１０の側面又はハウジング１００ｃの内部空間１０８のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ｃを介してハウジング１００ｃの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００６３】
別途に図示していないが、他の実施形態において、第１レベルＬ１ｃが第３レベルＬ３ｃと同じであるか、それよりも高いレベルを有するか、又は第２レベルＬ２ｃが第３ラベルＬ３ｃと同じであるか若しくはそれよりも高いレベルを有する場合、ハウジング１００ｃの外部から水平方向に通気孔１１０ｃを見た観察者は、外側部１１２ｃを介して外部通気孔１１０ｃ−Ｏ内のハウジング１００ｃの部分又は内部通気孔１１０ｃ−Ｉ内のハウジング１００ｃの部分のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ｃを介して、ハウジング１００ｂの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００６４】
図６Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の第５例の部分断面拡大図であり、図６Ｂは、図６Ａに示すソリッドステートドライブ装置の部分側面拡大図である。具体的には、図６Ａは図１ＣのＡ部分に対応する部分の拡大図であり、図６Ｂは、図１ＤのＢ部分に対応する部分の拡大図である。
【００６５】
図６Ａ及び図６Ｂを共に参照すると、ハウジング１００ｄは、上部カバー１０２ｄ、及び上部カバー１０２ｄに結合される下部カバー１０４ｄを含む。ハウジング１００ｄは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０ｄを有する。複数の通気孔１１０ｄは、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００ｄの外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０ｄは、例えば上部カバー１０２ｄを貫通するように形成される。複数の通気孔１１０ｄのそれぞれは、ハウジング１００ｄの外側から内側に向けて、少なくとも一部分におけるレベルが変化しながら延長される。複数の通気孔１１０ｄは、ハウジング１００ｄの上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されるように形成される。一実施形態において、複数の通気孔１１０ｄは、ハウジング１００ｄの外側から内側に向けて、レベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成される。
【００６６】
複数の通気孔１１０ｄのそれぞれの一側及び他側には、それぞれ外側部１１２ｄと内側部１１４ｄとが形成される。外側部１１２ｄ及び内側部１１４ｄは、通気孔１１０ｄを定義する通気孔１１０ｄに隣接するハウジング１００ｄの一部分である。外側部１１２ｄはハウジング１００ｄの外部側で通気孔１１０ｄを定義するハウジング１００ｄの一部分であり、内側部１１４ｄはハウジング１００ｄの内部空間１０８側で通気孔１１０ｄを定義するハウジング１００ｄの一部分である。
【００６７】
本実施形態において、複数の通気孔１１０ｄのそれぞれの外側部１１２ｄの部分の延長方向に直交する上下方向の幅である第１幅ＨＲａは、内側部１１４ｄの部分の上下方向の幅である第２幅ＨＲｂよりも大きい値を有する。本実施形態において、通気孔１１０ｄは、ハウジング１００ｄの外側から内側に向けて上下方向の幅が減少しながら延長される。
【００６８】
通気孔１１０ｄの内側の上下方向の幅である第２幅ＨＲｂが外側の上下方向の幅である第１幅ＨＲａよりも小さいため、ハウジング１００ｄの外部から水平方向に第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ｄの外部から通気孔１１０ｄを見た観察者は、外側部１１２ｄを介して通気孔１１０ｄの内部面のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０ｄを介してハウジング１００ｄの内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００６９】
図１Ａ〜図６Ｂを共に参照すると、本実施形態によるソリッドステートドライブ装置１は、ソリッドステートドライブ装置１の外部から、観察者が半導体チップ４２０を観察することができない。具体的には、本実施形態によるソリッドステートドライブ装置１は、互いに反対側に位置する第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２にそれぞれ含まれる通気孔（１１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ）及びコネクタ溝１２０を介して空気が通じ、ソリッドステートドライブ装置１内で発生する熱を容易に放出しながらも、ソリッドステートドライブ装置の１外部から通気孔（１１０、１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ）にプローブ（ｐｒｏｂｅ）が挿入されてソリッドステートドライブ装置１内の情報が抜き取られることを防止することができるセキュリティ効果を有する。
【００７０】
図７は、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の一側面図である。
【００７１】
図７を参照すると、ソリッドステートドライブ装置１ａは、ハウジング１００の第１側壁ＳＷ１上に、テスト溝１３０を完全に覆うラベル紙１５０が付着される。本実施形態において、ラベル紙１５０は、ハウジング１００の第１側壁ＳＷ１上から下面まで延長されるように付着される。ラベル紙１５０は、例えば接着剤が塗布されたステッカである。
【００７２】
ラベル紙１５０がテスト溝１３０を完全に覆うため、テストコネクタ３００は外部に露出されない。従って、ソリッドステートドライブ装置１ａの外部から、テストコネクタ３００を介してソリッドステートドライブ装置１ａ内の情報が抜き取られることを防止することができる。
【００７３】
一実施形態において、ラベル紙１５０は、ボイドラベル（ｖｏｉｄ  ｌａｂｅｌ）（開封防止シール）である。従って、ラベル紙１５０を除去した後、ソリッドステートドライブ装置１ａの外部から、テストコネクタ３００を介してソリッドステートドライブ装置１ａ内の情報が抜き取られるような場合、ラベル紙１５０の一部分がボイドマーキング（ｖｏｉｄ  ｍａｒｋｉｎｇ）としてハウジング１００の表面に残留して情報流出可能性を確認することができる。
【００７４】
図８Ａは、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置を切断して示した他の例の断面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示すソリッドステートドライブ装置の一側面図である。
【００７５】
図８Ａ及び図８Ｂを共に参照すると、ソリッドステートドライブ装置２は、ハウジング１００、ハウジング１００の内部に実装された第１パッケージ基板モジュール４００ａ及び第２パッケージ基板モジュール５００を含む。
【００７６】
第１パッケージ基板モジュール４００ａは、第１パッケージベース基板４１０ａ、及び第１パッケージベース基板４１０ａに実装された複数の第１半導体チップ４２０ａを含む。
【００７７】
複数の第１半導体チップ４２０ａは、複数の第１メモリ半導体チップ４２２ａ及び少なくとも１つのコントローラチップ４２４ａを含む。第１パッケージ基板モジュール４００ａ、第１パッケージベース基板４１０ａ、第１メモリ半導体チップ４２２ａ、及びコントローラチップ４２４ａは、図１Ａ〜図１Ｄで説明したパッケージ基板モジュール４００、パッケージベース基板４１０、メモリ半導体チップ４２２、及びコントローラチップ４２４と類似しており、詳細な説明は省略する。
【００７８】
第１パッケージ基板モジュール４００ａの複数の第１半導体チップ４２０ａの実装位置は、図１Ｃに図示したパッケージ基板モジュール４００の複数の半導体チップ４２０の実装位置と異なるように図示しているが、それはそれぞれ例示的なものであり、本発明の技術的思想はそれに限定されるものではない。例えば、複数の第１メモリ半導体チップ４２２ａは、第１パッケージベース基板４１０ａの上面にのみ実装されるか、下面にのみ実装されるか、又は上面及び下面にそれぞれ一部ずつ実装される。また、例えば少なくとも１つのコントローラチップ４２４ａは、第１パッケージベース基板４１０ａの上面にのみ実装されるか又は下面にのみ実装される。
【００７９】
第２パッケージ基板モジュール５００は、第２パッケージベース基板５１０、及び第２パッケージベース基板５１０に実装された複数の第２メモリ半導体チップ５２０を含む。第２パッケージベース基板５１０及び第２メモリ半導体チップ５２０のそれぞれは、図１Ａ〜図１Ｄで説明した第１パッケージベース基板４１０及びメモリ半導体チップ４２２と類似しており、詳細な説明は省略する。
【００８０】
第２パッケージ基板モジュール５００は、例えば複数の第２メモリ半導体チップ５２０が第２パッケージベース基板５１０の上面及び下面のそれぞれに実装されたＤＩＭＭであるが、それに限定されるものではない。例えば、第２パッケージ基板モジュール５００は、複数の第２メモリ半導体チップ５２０が第２パッケージベース基板５１０の上面又は下面のうちのいずれか１つの面に実装されたＳＩＭＭである。
【００８１】
ハウジング１００は、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０を有する。複数の通気孔１１０は、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００の外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０は、例えば上部カバー１０２を貫通するように形成される。複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されるように形成される。一実施形態において、複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の外側から内側に向けてレベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成されるが、それに限定されるものではない。別途に図示していないが、例えば複数の通気孔１１０は、ハウジング１００の外側から内側に向けて、レベルが下降する斜線方向に延長されるように形成される。
【００８２】
ハウジング１００の外部から第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００の外部から通気孔１１０を見た観察者は、外側部１１２を介して通気孔１１０の内部面のみを観察することができる。従って、観察者は、通気孔１１０を介してハウジング１００の内部空間１０８に位置する半導体チップ４２０を観察することができない。
【００８３】
図９は、本発明の一実施形態によるソリッドステートドライブ装置の更に他の例の一側面図である。
【００８４】
図９を参照すると、ソリッドステートドライブ装置２ａは、ハウジング１００ａを含む。ソリッドステートドライブ装置２ａは、図８Ａに示したソリッドステートドライブ装置２と類似し、ハウジング１００ａの内部に実装された第１パッケージ基板モジュール４００及び第２パッケージ基板モジュール５００を含む。
【００８５】
ハウジング１００ａは、上部カバー１０２ａ、及び上部カバー１０２ａに結合される下部カバー１０４ａを含む。ハウジング１００ａは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０ａを有する。複数の通気孔１１０ａは、第１側壁ＳＷ１を貫通してハウジング１００ａの外部と内部空間１０８とを連通する。複数の通気孔１１０ａは、例えば上部カバー１０２ａを貫通するように形成される。複数の通気孔１１０ａは、ハウジング１００ａの上側表面及び第１側壁ＳＷ１の表面のそれぞれに対して斜線方向に延長されるように形成される。一実施形態において、複数の通気孔１１０ａは、ハウジング１００ａの外側から内側に向けてレベルが上昇する斜線方向に延長されるように形成される。
【００８６】
ハウジング１００ａの外部から第１側壁ＳＷ１を見た場合、ハウジング１００ａの外部から通気孔１１０ａを見た観察者は、通気孔１１０ａを介して、第１パッケージベース基板４１０の側面、及び第２パッケージベース基板５１０の側面を観察することができる。具体的に、観察者は、複数の通気孔１１０ａのうちの一部を介して第１パッケージベース基板４１０の側面を観察することができ、残りを介して第２パッケージベース基板５１０の側面を貫通することができる。
【００８７】
従って、観察者は、通気孔１１０ａを介して、ハウジング１００ａの内部空間１０８（図８Ｂ）に位置する第１半導体チップ４２０及び第２メモリ半導体チップ５２０を観察することができない。
【００８８】
図１０は、本発明の他の実施形態によるソリッドステートドライブ装置を切断して示した断面図である。
【００８９】
図１０を参照すると、ソリッドステートドライブ装置３は、ハウジング１００ｅ、及びハウジング１００ｅの内部に実装されたパッケージ基板モジュール４００を含む。ハウジング１００ｅは、上部カバー１０２ｅ、及び上部カバー１０２ｅに結合される下部カバー１０４ｅを含む。
【００９０】
ソリッドステートドライブ装置３は、ハウジング１００ｅを除いては、図１Ａ〜図１Ｄで説明したソリッドステートドライブ装置１と類似しており、下部カバー１０４ｅは、図１Ａ〜図１Ｄで説明した下部カバー１０４と類似しているため、詳細な説明は省略する。
【００９１】
ハウジング１００ｅは、互いに反対側に位置する第１側壁ＳＷ１及び第２側壁ＳＷ２を有する。ハウジング１００ｅは、第１側壁ＳＷ１に複数の通気孔１１０を有する。複数の通気孔１１０は、例えば上部カバー１０２ｅを貫通するように形成される。ハウジング１００ｅは、第２側壁ＳＷ２にコネクタ溝１２０を有する。コネクタ溝１２０は、例えば上部カバー１０２ｅを貫通するように形成される。
【００９２】
上部カバー１０２ｅは、少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐを有する。少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐは、上部カバー１０２ｅの内部空間１０８に向かう側にも配置される。具体的に、上部カバー１０２ｅは上側外部に向かう表面が平らな（ｆｌａｔ）形状を有し、内部空間１０８に向かう表面は、少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐが他の部分からパッケージ基板モジュール４００に向けて突出する形状を有する。少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐは、複数の半導体チップ４２０に対応するように配置される。
【００９３】
少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐと複数の半導体チップ４２０との間には、熱伝導物質（ＴＩＭ）１６０が配置される。少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐと複数の半導体チップ４２０とは、熱伝導物質１６０を介して上部カバー１０２ｅと熱的に接触する。熱伝導物質１６０は、例えばグリース（ｇｒｅａｓｅ）、熱伝導性接着剤、ミネラルオイル（ｍｉｎｅｒａｌ  ｏｉｌ）、ギャップフィラパティ（ｇａｐ  ｆｉｌｌｅｒ  ｐｕｔｔｙ）、相変化物質（ｐｈａｓｅ  ｃｈａｎｇｅ）からなるゲル（ｇｅｌ）やパッド（ｐａｄ）、又は粉末充填エポキシ（ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｆｉｌｌｅｄ  ｅｐｏｘｙ）である。例えば、商用で入手可能なグリースとしては、ＳｈｉｎＥｔｓｕ  Ｇ７５０、ＳｈｉｎＥｔｓｕ  Ｇ７５１、ＳｈｉｎＥｔｓｕ  Ｇ７６５、Ｂｅｒｑｕｉｓｔ  ＴＩＣ−７５００、相変化物質としては、Ｔｈｅｒｍａｘ  ＨＦ６０１１０−ＢＴ、Ｃｈｒｏｍｅｒｉｃｓ  Ｔ７２５、Ｃｈｒｏｍｅｒｉｃｓ  Ｔ４４３、Ｃｈｒｏｍｅｒｉｃｓ  Ｔ４５４、Ｔｈｅｒｍａｇｏｎ  Ｔ−ｐｃｍ  ９０５ｃ、Ｂｅｒｑｕｉｓｔ  ２００Ｕ、Ｂｅｒｑｕｉｓｔ  ＨｉＦｌｏｗ  ２２５−Ｕ、Ｂｅｒｑｕｉｓｔ  ＨｉＦｌｏｗ  ２２５−ＵＴ、熱伝導性接着剤としては、Ｃｈｒｏｍｅｒｉｃｓ  ｔｈｅｒｍ−Ａ−ｆｏｒｍ  Ｔ６４２などがあるが、そのような材料に限定されるものではない。
【００９４】
少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐは、複数のメモリチップ４２２に対応する第１突出部１０２ｅ−Ｐ１と、少なくとも１つのコントローラチップ４２４に対応する第２突出部１０２ｅ−Ｐ２とからなり、その場合、熱伝導物質１６０は、第１突出部１０２ｅ−Ｐ１と複数のメモリチップ４２２との間に配置された第１熱伝導物質１６２、及び第２突出部１０２ｅ−Ｐ２と少なくとも１つのコントローラチップ４２４との間に配置された第２熱伝導物質１６４からなる。
【００９５】
少なくとも１つの突出部１０２ｅ−Ｐの個数は、複数の半導体チップ４２０のそれぞれの上面面積及び配置を考慮して多様に構成される。一実施形態において、上部カバー１０２ｅは、複数の半導体チップ４２０に共に対応する１つの突出部１０２ｅ−Ｐを有する。一実施形態において、第１突出部１０２ｅ−Ｐ１の個数は、複数のメモリチップ４２２のそれぞれに対応する複数個である。
【００９６】
図１１は、本発明の一実施形態によるシステムを示す構成図である。
【００９７】
図１１を参照すると、システム１０００は、メインボード７００に連結される複数のソリッドステートドライブ装置１、及び少なくとも１つの冷却ファン８００を含む。システム１０００は、例えばＮＡＳ（ｎｅｔｗｏｒｋ−ａｔｔａｃｈｅｄ  ｓｔｏｒａｇｅ）のようなデータ保存システムである。別途に図示していないが、システム１０００は、複数のソリッドステートドライブ装置１が設置されるラック、複数のソリッドステートドライブ装置１、及び少なくとも１つの冷却ファン８００を取り囲むケース、並びに電源を供給する電源供給部を更に含む。
【００９８】
複数のソリッドステートドライブ装置１のそれぞれは、外部コネクタ２００に締結される信号伝達媒体７５０を介してメインボード７００に電気的に連結される。システム１０００内において、複数のソリッドステートドライブ装置１のそれぞれは、第２側壁ＳＷ２がメインボード７００に対向する。信号伝達媒体７５０は、例えばフィルムケーブル、ＢｔｏＢ（ｂｏａｒｄ−ｔｏ−ｂｏａｒｄ）コネクタ、ＦＦＣ（ｆｌａｔ  ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｃａｂｌｅ）コネクタ、又はＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）コネクタである。
【００９９】
少なくとも１つの冷却ファン８００は、複数のソリッドステートドライブ装置１の第１側壁ＳＷ１に隣接するように配置される。少なくとも１つの冷却ファン８００は、システム１０００内において、強制対流環境を形成する。少なくとも１つの冷却ファン８００によりシステム１０００内に形成された空気流は、ソリッドステートドライブ装置１の第１側壁ＳＷ１に含まれる複数の通気孔１１０を介してソリッドステートドライブ装置１内に伝達された後、第２側壁ＳＷ２に含まれるコネクタ溝１２０を介して、ソリッドステートドライブ装置１の外部に伝達される。
【０１００】
従って、ソリッドステートドライブ装置１は、第１側壁ＳＷ１に含まれる複数の通気孔１１０を介して内部に伝達された後、第２側壁ＳＷ２に含まれるコネクタ溝１２０を介して外部に伝達される空気流によって冷却される。
【０１０１】
このとき、ソリッドステートドライブ装置１の外部から観察者が複数の通気孔１１０を介して半導体チップ４２０を観察することはできない。従って、ソリッドステートドライブ装置１の外部から通気孔１１０にプローブが挿入されてソリッドステートドライブ装置１内の情報が抜き取られることを防止することができるセキュリティ効果を有する。
【０１０２】
システム１０００は、図１Ａ〜図２Ｃに示したソリッドステートドライブ装置１を有するように図示しているが、それらに限定されるものではなく、例えばシステム１００は、図７Ａ〜図１０に示したソリッドステートドライブ装置（１ａ、２、２ａ、３）のうちの少なくとも一つを有する。また、システム１０００に含まれるソリッドステートドライブ装置１は、図１Ａ〜図２Ｃに示した複数の通気孔１１０を有するように図示しているが、それらに限定されるものではなく、図３Ａ〜図６Ｂに示した複数の通気孔（１１０ａ、１０１ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ）のうちのいずれか一つを有する。
【０１０３】
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１０４】
本発明のソリッドステートドライブ装置及びそれを有するデータ保存システムは、例えばデータ保存関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１０５】
１、１ａ、２、２ａ、３    ソリッドステートドライブ装置
３    
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ    ハウジング
１０２、１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ、１０２ｄ    上部カバー
１０２ｅ−Ｐ１    第１突出部
１０４、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ    下部カバー
１０８    内部空間
１１０、１１０ａ、１０１ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ    通気孔
１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ    外側部
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１１４ｃ、１１４ｄ    内側部
１１５    内側表面
１１７    外側表面
１２０    コネクタ溝
１３０    テスト溝
１５０    ラベル紙
１６０    熱伝導物質（ＴＩＭ）
１６２、１６４    第１、第２熱伝導物質
２００    外部コネクタ
２１０    端子部
２２０    本体部
３００    テストコネクタ
４００、４００ａ    （第１）パッケージ基板モジュール
４１０、４１０ａ    （第１）パッケージベース基板
４２０、４２０ａ    （第１）半導体チップ
４２２、４２２ａ    （第１）メモリ半導体チップ
４２４、４２４ａ    コントローラチップ
５００    第２パッケージ基板モジュール
５１０    第２パッケージベース基板
５２０    第２メモリ半導体チップ
７００    メインボード
７５０    信号伝達媒体
８００    冷却ファン
１０００    システム
【図１Ａ】
2019121789.tif 000003
【図１Ｂ】
2019121789.tif 000004
【図１Ｃ】
2019121789.tif 000005
【図１Ｄ】
2019121789.tif 000006
【図２Ａ】
2019121789.tif 000007
【図２Ｂ】
2019121789.tif 000008
【図２Ｃ】
2019121789.tif 000009
【図３Ａ】
2019121789.tif 000010
【図３Ｂ】
2019121789.tif 000011
【図４Ａ】
2019121789.tif 000012
【図４Ｂ】
2019121789.tif 000013
【図５Ａ】
2019121789.tif 000014
【図５Ｂ】
2019121789.tif 000015
【図６Ａ】
2019121789.tif 000016
【図６Ｂ】
2019121789.tif 000017
【図７】
2019121789.tif 000018
【図８Ａ】
2019121789.tif 000019
【図８Ｂ】
2019121789.tif 000020
【図９】
2019121789.tif 000021
【図１０】
2019121789.tif 000022
【図１１】
2019121789.tif 000023