(57)【要約】      （修正有）【課題】印刷配線板においてキャビティ内の電子部品とキャビティ外側の回路との接続を容易にする。【解決手段】本発明の印刷配線板の製造方法は、シード層１２が内部に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板の上層部分の一部領域をドリル加工して基板内部のシード層１２上の近傍位置まで絶縁樹脂を除去してキャビティ２０を形成する工程と、シード層１２をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２０に残した絶縁樹脂の残部をレーザ加工により除去し、シード層１２をキャビティ２０の底部に露出させる工程とを有する。【選択図】図９
2019121626.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シード層が内部に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板の一部領域を上方からドリル加工して前記シード層上の近傍位置まで絶縁樹脂を除去してキャビティを形成する工程と、
前記シード層をレーザ光の遮蔽部材にして、前記キャビティに残る前記絶縁樹脂の残部をレーザ加工により除去し、前記シード層を前記キャビティの底部に露出させる工程と
を有することを特徴とする印刷配線板の製造方法。
【請求項２】
絶縁樹脂の基板の面に形成された前記シード層のエリア内のキャビティ形成予定領域にドライフィルムを貼り付け、前記ドライフィルム外の前記シード層をフラッシュエッチングにより除去し、前記ドライフィルムを剥離する工程と、
前記キャビティ形成予定領域に前記シード層を残したまま前記基板に上部構造体を形成することで、前記シード層が内部に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項３】
前記シード層の厚みを１μｍ以上５μｍ以下としたことを特徴とする請求項１または請求項２いずれか記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁樹脂基板の前記キャビティ外の領域に前記キャビティに収容される電子部品をワイヤーボンディングにより接続するための接続パッドを形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか１項に記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項５】
前記キャビティの底部の端の領域を残してザグリ加工して、前記底部よりも下層に形成された第２シード層がキャビティ底部に露出するように第２キャビティを形成する工程を有することを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第２キャビティの形成の際に残した前記キャビティの端の領域に、前記第２キャビティに収容される電子部品をワイヤーボンディングにより接続するための接続パッドを形成する工程を有することを特徴とする請求項５記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項７】
露出した前記シード層の上に接着層を介して電子部品を接着する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項８】
前記多層の絶縁樹脂基板の各層に設けられる導体を層毎に貫通して接続するビアを前記多層の絶縁樹脂基板の各層に形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか１項に記載の印刷配線板の製造方法。
【請求項９】
前記多層の絶縁樹脂基板の各層に設けられる導体を基板積層方向に貫通して接続するスルーホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７いずれか１項に記載の印刷配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティを有する印刷配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板や配線の高集積化および高密度化に伴い、多層基板にキャビティと呼ばれる凹部を設けて、そこに電子部品を実装するケースがあるが、キャビティに電子部品を実装する上では、キャビティ底部を平坦にして電子部品の接着力を強化することが望まれる。
【０００３】
従来の印刷配線板において、例えばレーザアブレーションのザグリ加工でキャビティを形成する場合、キャビティ底部にレーザ受け用の銅ベタパターンを形成し、その銅ベタパターンをエッチングして下地の樹脂を露出させる。その樹脂を選択的にレーザで除去することで、下層のＢＧＡボールパッドを露出させ、キャビティ底部に電子部品接続用のパッドを形成している。
【０００４】
ところで、このようなキャビティ構造の印刷配線板では、レーザ加工で樹脂を除去してＢＧＡボールパッドを露出させることから、レーザ加工の精度によって隣接パッドどうしの間隔が決まる。このため、パッド間隔をより狭くして多くの配線を形成する、いわゆる微細化の面で限界があるといえる。
【０００５】
また、キャビティの底になる樹脂層を除去して下層のＢＧＡボールパッドを露出させるため、ＢＧＡボールパッドと同じ面にはキャビティの底面から外側へは導体層を形成できない。このため、キャビティに収容した電子部品と基板の回路とを接続するには、基板にビアを設けて回路を上層または下層に落とし込んで配線するなど、配線を引き回す必要がある。
【０００６】
また、電子部品と基板の回路との接続をワイヤーボンディング接続などの手法を用いて上部で行う場合、電子部品キャビティ内に実装する電子部品の固定はキャビティ底の樹脂面かその樹脂面に形成した銅ベタパターンになるが、樹脂は接着剤が浸透して厚みが管理できず、銅ベタパターンは銅箔と銅めっきの積層構造で厚く形成するため、いずれにしても厚みがばらつき接着強度の面で難がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６‐１２２７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、キャビティに電子部品を収容して回路を接続する場合、キャビティ底部での接続では、キャビティ内の電子部品とキャビティの外側の回路との接続に、ビアを設けて配線を下層または上層に引き回す必要がある。
また、キャビティに収容した電子部品と上部で接続する場合は、キャビティ底面を構成する層の厚みがばらつき、電子部品を固定する力が弱いという問題があった。
【０００９】
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、キャビティ内の電子部品とキャビティ外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ底部での電子部品の固定力を高めることができる印刷配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の印刷配線板の製造方法は、シード層が内部に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板の上層部分の一部領域をドリル加工して基板内部の前記シード層上の近傍位置まで絶縁樹脂を除去してキャビティを形成する工程と、前記シード層をレーザ光の遮蔽部材にして、前記キャビティに残した絶縁樹脂の残部をレーザ加工により除去し、前記シード層を前記キャビティの底部に露出させる工程とを有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、キャビティ内の電子部品とキャビティ外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ底部での電子部品の固定力を高めることができる印刷配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図５】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図６】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図７】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図８】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図９】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２４】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２５】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図２９】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３０】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３１】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３２】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３３】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３４】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３５】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３６】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【図３７】第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明に係るいくつかの実施の形態を説明する。  
（第１実施形態）
図１２は本発明に係る第１実施形態の印刷配線板の構成を示す図である。
【００１４】
図１２に示すように、第１実施形態の印刷配線板は、多層基板５４の各層に設けられる導体（導体層１６、１７、６９）を層間接続するビア１５と、多層基板５４の所定の層の一部の領域（コア基板５１表面のシード層１２の領域の一部）が露出するようにキャビティ底部を形成したキャビティ２０と、このキャビティ２０の底部に形成された薄く平坦な第１導体層としてのシード層１２と、キャビティ２２内に収容され、キャビティ２０の底部のシード層１２の上にめっき層８１および接着層８２を介して固定された電子部品８４と、多層基板５４の上に形成された接続パッド８３と、この接続パッド８３と電子部品８４の上部電極８５とを接続するボンディングワイヤー８９とを有する。
【００１５】
なお、電子部品８４を固定するには、めっき層８１は必須要素ではなく、電子部品８４を接着層８２を介してシード層１２の上に接着してもよい。接着層８２には、熱伝導率のよい素材を利用するとなおよい。
【００１６】
多層基板５４は、コア基板５１の上層にビルドアップ層６１、コア基板５１の下層にビルドアップ層６２をそれぞれ形成した多層の基板構造体であり、導体層６３ａを形成した絶縁樹脂層６１ｂと、この絶縁樹脂層６１ｂよりも下に形成され、上面にシード層１２を形成したコア基板５１とを有する。
【００１７】
キャビティ２０は、多層基板５４の所定の層の一部の領域（コア基板５４上に形成されたシード層１２の領域内のキャビティ２０の形成予定の領域６５）を所定の深さ（ビルドアップ層６１の絶縁樹脂層６１ａ上面位置の近傍位置）までドリル加工および／またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去して底部を形成した凹状部である。
【００１８】
すなわち、キャビティ２０は、領域６５を電子部品８４が収容可能な幅でザグリ加工してキャビティ底部（底面）を形成した凹状の溝部であり、コア基板５１の上面に形成したシード層１２が露出するようにキャビティ底部（底面）を形成したものである。
【００１９】
電子部品８４は、例えばベアチップ（パッケージ化されていない端子なしのＩＣ）などであり、ワイヤーボンディング接続用の上部電極８５を有する。電子部品８４は、キャビティ２０の底部に露出したシード層１２の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層８１および接着層８２を介して接着され、固定されている。
【００２０】
導体層６３ａは、この多層基板５４（コア基板５１とその上下のビルドアップ層６１、６２）に形成される回路の一部として設けられている。導体層６３ａは、銅ベタパターンであり、例えば銅箔（厚み９μｍ程度）に銅めっき（厚み１５μｍ程度）を施して形成したものである。
【００２１】
導体層６３ａの延伸先（面に沿う方向）にはビア１５が接続されている。ビア１５は、多層基板５４の各層に設けられる導体（導体層１６、６３ａ、７０など）を層間接続する。
【００２２】
接続パッド８３は、ニッケルめっきの上に金めっきを施した金属めっき層であり、導体層６３ａの上に形成される。接続パッド８３は、電子部品８４の上部電極８５とボンディングワイヤー８９を介して接続することで、電子部品８４とこの多層基板５４のキャビティ外側の回路とを接続する。つまり接続パッド８３は、キャビティ２０（電子部品８４）との間をワイヤーボンディングにより接続するためのパッドである。
【００２３】
つまりこの印刷配線板は、コア基板５１にビルドアップ層６１、６２を形成した多層基板５４の一部の領域６５をザグリ加工して形成したキャビティ２０と、このキャビティ２０に収容され、キャビティ底部に固定される電子部品８４とを有するものである。
【００２４】
キャビティ２０の底は、ビルドアップ層６１の内層のコアを構成するコア基板５１の上面に形成したシード層１２を露出させたものである。
【００２５】
キャビティ２２の底面は、コア基板５１の素材である絶縁樹脂層１１（以下「基板１１」と称す）（図５参照）の上面に導電層（シード層１２および／または導体層１６）を形成したものである。
【００２６】
基板１１を形成する絶縁樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フェノール樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ケイ素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は２種以上を混合してもよい。
【００２７】
基板１１の上面には、ビアホール下穴１４（ビア１５）（図１、図２参照）の周囲に配置したシード層１２が設けられ、さらにシード層１２とビアホール下穴１４を含んでめっき処理して導体層１６およびビア１５が形成されている。
【００２８】
ビア１５は、めっき処理によりビアホール下穴１４に金属めっきが充填されたものである。導体層１６とその下のシード層１２およびビア１５などを回路部と称す。ビア１５は、多層基板５４の各層（内層、外層を含む）に設けられる導体（導体層６３ａ、７０、１６など）を層間接続するものである。この例の断面図では、導体層６３ａはビア１５を通じて導体層７０に接続されていることがわかる。
【００２９】
シード層１２は、例えば１μｍ〜５μｍ（１μｍ以上５μｍ以下）の厚みの銅であり、一部が導体層１６の下に残った状態で配置されている。シード層１２としては、電気的に接続されるならば特に制限されないが、例えば薄銅箔または無電解銅めっきなどを用いる。
【００３０】
コア基板５１は、基板１１の上面をモデファイド・セミアディティブ・プロセス（ＭＳＡＰ）またはセミアディティブプロセス（ＳＡＰ）などの手法で回路形成し、一部のシード層１２とその一部領域に設けた接続パッドや回路配線となる導体層１６とを、エッチングレジストでフラッシュエッチングから保護し、露出させて上面部分（図５参照）を形成したものである。
【００３１】
導体層１６は、キャビティ２０の底面に配置する電子部品８４と電気的接続をする回路または同層の回路とビア１５との接続を行う導電層である。導体層１６の下にはシード層１２の一部が残ったままである。換言すると、シード層１２の一部領域の上にパターンめっきを施して導体層１６を形成している。
【００３２】
以下、図１乃至図１２を参照して第１実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。  
（絶縁層加工工程）
図１に示すように、絶縁樹脂からなる基板１１の上面および下面にシード層１２（例えば薄銅箔などの導電性金属箔）を積層形成する。またはシード層１２を形成済みの基板１１を準備する。シード層１２は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の厚みで基板１１に形成する。シード層１２が形成された基板１１にレーザ加工にてビアホール下穴１４を形成する。
【００３３】
レーザ加工によってビアホール下穴１４を形成すると、ビアホール下穴１４の底部に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する。
【００３４】
この他、例えば研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。さらに、めっき処理のためにビアホール下穴１４の内壁面を粗面化処理してもよい。粗面化処理としては、例えば、酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）によるウェットプロセス、プラズマ処理やアッシング処理などのドライプロセスなどが挙げられる。
【００３５】
続いて、シード層１２上にドライフィルム１３を貼り付け、露光および現像して上面の導体層１６、ビア１５などの回路部および下面の導電回路である導体層１７を形成したい箇所のドライフィルム１３を除去する。
【００３６】
（パターンめっき処理工程）
図２に示すように、ドライフィルム１３の一部を除去した上記積層板の回路部形成用のビアホール下穴１４とその周囲のシード層１２にパターンめっき処理を施して基板１１上面の導体層１６と基板１１内部のビア１５および基板１１下面の導電層（シード層１２、導体層１７を含む）を形成する。
【００３７】
（ドライフィルム剥離工程）
パターンめっき処理の後、残ったドライフィルム１３を剥離して、図３に示すように、シード層１２を露出させる。
【００３８】
（キャビティ形成予定領域の加工工程）
図４に示すように、ドライフィルム１８（感光性エッチングレジスト）をラミネート加工で基板１１の上面に貼り付けた後、露光および現像し、キャビティ形成予定領域以外のドライフィルム１８を除去する。露出させたシード層１２のうちドライフィルム１８外の導電回路として不要な箇所をフラッシュエッチングにより除去し、最後にドライフィルム１８を剥離する。
【００３９】
すなわち、基板１１の面に形成されたシード層１２のエリア内のキャビティ形成予定領域にドライフィルム１８を貼り付け、ドライフィルム１８外のシード層１２をフラッシュエッチングにより除去し、その後、シード層１２の上のドライフィルム１８を剥離する。
【００４０】
このようにして、図５に示すようなコア基板５１が完成する。このコア基板５１の基板１１の上面には、ビア１５に接続される回路の一部としての導体層１６の他、キャビティ形成予定領域にシード層１２が形成される。シード層１２のうちキャビティ形成予定領域の部分は、後述するレーザ加工の際のレーザの受け（遮蔽部材）となる。また基板１１の下面には、導電回路としての導体層１７が形成される。この例では、ＭＳＡＰを例にして回路を形成したが、無電解銅めっきをシード層に用いるＳＡＰでも回路形成は可能である。
【００４１】
（ビルドアップ層形成工程）
次に、図６に示すように、コア基板５１の上層および／または下層に、任意回数のビルドアップを行ない、多層基板５４を作製する。つまりこの工程では、キャビティ形成予定領域にシード層１２を残したまま、コア基板５１にビルドアップ層６１、６２を形成することで、シード層１２が内部のコア基板５１（絶縁樹脂基板）とビルドアップ層６１（上部構造体）との間に埋め込まれた多層の絶縁樹脂基板５４（以下「多層基板５４」と称す）を作製（形成）する。
【００４２】
ビルドアップ層６１、６２の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板５１の場合と同様に、ＭＳＡＰ、ＳＡＰなどが適用できる。ビルドアップ層６１、６２の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。
【００４３】
なお、コア基板５１の上層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層６１とし、コア基板５１の下層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層６２とする。
【００４４】
この例では、上のビルドアップ層６１は、２つの絶縁樹脂層６１ａ、６１ｂで構成されている。最も上の層（表層）の絶縁樹脂層６１ｂの上面には、ビア１５と接続される導体層６３が一面に形成される。また、コア基板５１の下のビルドアップ層６２（最下層）には導体層６４が形成される。この導体層６４は、必要に応じて形成するものとする。
【００４５】
（ウィンドウ形成工程）
この工程では、多層基板５４の最上層（絶縁樹脂層６１ｂ）の上面に形成した導体層６３のうち、図７に示すように、キャビティ形成予定領域の真上の領域６５を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。
【００４６】
（キャビティ形成工程）
１．ドリル加工
この工程では、多層基板５４の上方から、ビルドアップ層６１のうち、キャビティ形成予定領域の上の絶縁樹脂層６１ｂ、６１ａをドリル加工して、コア基板５１の上面のシード層１２近傍まで絶縁樹脂層６１ｂ、６１ａの絶縁樹脂を除去してキャビティ２０を形成する。
【００４７】
具体的には、図８に示すように、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域６５の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル６６を配置し、コア基板５１の表面のシード層１２の手前の位置（キャビティ２０の底部に至る手前の位置）まで削り込み、ドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてザグリ加工を実施する。
【００４８】
なお、この例では、キャビティ２０の底部の上にプリプレグ樹脂層６８の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層１２の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。
【００４９】
ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、シード層１２を使うからである。
【００５０】
シード層１２は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体（厚み２０μｍ以上）に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層１２を貫通しないようにすることがよい。
【００５１】
２．レーザ加工
この工程では、図９に示すように、キャビティ２０の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図８で底部に露出した、１．のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層６８の一部（上層部分の残部）をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層１２をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２０の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、シード層１２をキャビティ２０の底部に露出させる。
【００５２】
レーザ加工によってキャビティ２０の底部のプリプレグ樹脂層６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。
【００５３】
レーザ光の受け導体（レーザ光の遮蔽部材）であるシード層１２の幅を、キャビティ２０よりも広く形成しておくことで、キャビティ２０の底面の延長線上のキャビティ２０の隣のビルドアップ層６１（絶縁樹脂層）にシード層１２が入り込んだ形で残るため、シード層１２を回路の一部として後述する電子部品８４との接続に利用することが可能である。
また、薄い導体層（金属箔）であるシード層１２は、ヒートシンクの役割を果たすため、上部に電子部品８４を実装したときの放熱の面でも良好な放熱効果が得られる。
【００５４】
（外層回路形成工程）
この工程では、図９に示した基板下部のビルドアップ層６２の導体層６４に対して、図１０に示すように、回路として導体層７０を形成する。また基板上部のビルドアップ層６１の導体層６３に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して、図１０に示すように、回路としての導体層６３ａを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用する。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。
【００５５】
（ソルダーレジスト工程）
この工程では、図１０に示したビルドアップ層６１、６２に対して導体層６３ａ、７０の一部を含めて絶縁被膜し、図１１に示すように、ソルダーレジスト７１、７２を形成する。
【００５６】
（電子部品装着場所形成工程）
この工程では、図１２に示すように、キャビティ２０の底部に露出したシード層１２の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層８１を形成し、その上に接着材を塗布して接着層８２を形成する。また、ビルドアップ層６１の導体層６３ａの上に、電子部品８４との接続のための接続パッド８３を形成する。
【００５７】
（電子部品実装工程）
この工程では、図１２に示すように、キャビティ２０の底部の接着層８２の上に電子部品８４を載置し、接着および固定する。なお、ここでは電子部品８４を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。
【００５８】
（電子部品接続工程）
この工程では、接続パッド８３とキャビティ２０間を、ボンディングワイヤー８９を介してワイヤーボンディング接続する。
具体的には、電子部品８４の上部電極８５とビルドアップ層６１の導体層６３ａの上の接続パッド８３とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品８４と多層基板５４のキャビティ２０の外側の回路を接続する。このようにして電子部品８４をキャビティ２０に収容した印刷配線板を作製することができる。
【００５９】
このようにこの第１実施形態の印刷配線板によれば、多層基板５４を表層からザグリ加工して、多層基板５４の内層のコア層５１のシード層１２の一部領域が露出するようにキャビティ２０の底部を形成し、このキャビティ２０に電子部品８４を実装（キャビティ２０底部に固定）し、電子部品８４の上部電極８５とビルドアップ層６１の導体層６３ａの上の接続パッド８３とをボンディングワイヤー８９により接続するキャビティ構造とすることで、以下のような効果がある。
【００６０】
キャビティ２０内に収容した電子部品８４の上部で基板側の回路と接続することで、互いの間の回路接続を容易にすることができる。また、キャビティ２０の底部に平坦に露出したシード層１２に電子部品８４を接着し固定することで、キャビティ２０底部での電子部品８４の固定力を高めることができる。
【００６１】
シード層１２の表面の平均粗さＲａを、例えば０．３μｍ以上０．６μｍ以下とすることで、シード層１２表面に他の部材（樹脂や金属）を接着するのに程よい粗さ（平均粗さＲａが０．２μｍ以下または０．７μｍ以上では接着力が低下する）となるので、シード層１２の表面の平均粗さＲａは０．３μｍ以上０．６μｍ以下の範囲にすることが好ましい。
【００６２】
すなわち、キャビティ２０内の電子部品８４とキャビティ２０外側の回路との接続を容易にしつつキャビティ２０底部での電子部品８４の固定力を高めることができる。
【００６３】
以下、図１３乃至図２３を参照して第２実施形態を説明する。なお、この第２実施形態を説明するにあたり、第１実施形態と同じ構成には同一の符号を付しその説明は省略する。
【００６４】
図２３に示すように、第２実施形態の印刷配線板は、多層基板５５の各層に設けられる導体（導体層１６、１７、６３ａ、７０）を層間接続するビア１５と、第１キャビティとしてのキャビティ２１と、このキャビティ２１の内側に凹形状（キャビティ底部が平坦な溝形状）に形成された第２キャビティとしてのキャビティ２２と、このキャビティ２２の底部に平坦な面を露出させて形成されたシード層１２と、キャビティ２２内に収容され、キャビティ２２の底部に接着して固定された電子部品８４と、キャビティ２１（段部７５）に形成された導体層７３と、導体層７３に上に形成された接続パッド８３と、この接続パッド８３と電子部品８４の上部電極８５とを接続するボンディングワイヤー８９とを有する。
【００６５】
キャビティ２１は、多層基板５５の所定の層の一部の領域（ビルドアップ層６１の絶縁樹脂層６１ｂ上面のキャビティ２１の形成予定の領域６５）を所定の深さ（ビルドアップ層６１の絶縁樹脂層６１ａ上面位置の近傍位置）までドリル加工および／またはレーザ加工でザグリ加工し、この加工で残った残部をレーザ加工で除去して底部を形成した凹状部であり、後にキャビティ２２の形成のため中央部分がザグリ加工されたためキャビティ底部（底面）が段部７５として残っている。
【００６６】
換言すると、キャビティ２１（段部７５）は、多層基板５５の絶縁樹脂層６１ｂの一部領域６５をザグリ加工して、絶縁樹脂層６１ａの上面の導体層７３が露出するようにキャビティ２１の底部を形成し、このキャビティ２１の底部の壁面から一定距離の端の領域（段部７５）を残すように絶縁樹脂層６１ａの一部領域６９をザグリ加工して形成したものである。
【００６７】
キャビティ２２は、キャビティ２１の底部の端の領域（段部７５）を残して絶縁樹脂層６１ａをザグリ加工して、コア基板５１の上面のシード層１２の一部の領域が露出するようにキャビティ底部を形成したものである。
【００６８】
以下、第２実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。
第２実施形態では、図１３に示すように、図５に示したコア基板５１の上層および／または下層に、任意回数のビルドアップを行ない、多層基板５５を作製する。つまりこの工程では、キャビティ形成予定領域にシード層１２を残したまま、コア基板５１にビルドアップ層６１、６２を形成することで、多層基板５５を作製する。
【００６９】
ビルドアップ層６１、６２の回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板５１の場合と同様に、ＭＳＡＰ、ＳＡＰなどが適用できる。ビルドアップ層６１、６２の積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。
【００７０】
なお、コア基板５１の上層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層６１とし、コア基板５１の下層にビルドアップして形成した層をビルドアップ層６２とする。
【００７１】
この例では、上のビルドアップ層６１は、２つの絶縁樹脂層６１ａ、６１ｂで構成されている。最も上の層（表層）の絶縁樹脂層６１ｂの上面には、ビア１５と接続される導体層６３が一面に形成される。また、ビルドアップ層６１の内層のうち下の層の絶縁樹脂層６１ａには、ビア１５と接続される導体層７３と、導体層７３間に形成されるシード層７４とが形成される。また、コア基板５１の下のビルドアップ層６２（最下層）には、導体層６４が形成される。この導体層６４は、必要に応じて形成するものとする。
【００７２】
（ウィンドウ形成工程）
この工程では、多層基板５４の最上層（絶縁樹脂層６１ｂ）の上面に形成した導体層６３のうち、図１４に示すように、キャビティ形成予定領域の真上の領域６５を除去しておく。これは後述のキャビティ形成工程でのザグリ加工をし易くするためである。
【００７３】
（第１キャビティ形成工程）
１．ドリル加工
この工程では、ビルドアップ層６１のうち、キャビティ形成予定領域の上の絶縁樹脂層６１ｂの部分をドリル加工して、その下の絶縁樹脂層６１ａの導体層７３およびシード層７４近傍まで除去してキャビティ２１を形成する。
【００７４】
具体的には、図１５に示すように、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域６５の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル６６を配置し、コア基板５１の表面の導体層７３およびシード層７４の手前の位置（キャビティ２１の底部に至る手前の位置）まで削り込み、ドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてザグリ加工を実施する。
【００７５】
なお、この例では、キャビティ２１の底部の上にプリプレグ樹脂層６８の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、導体層７３の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。
【００７６】
ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、導体層７３およびシード層７４を使うからである。
【００７７】
シード層７４は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層７４を貫通しないようにすることがよい。
【００７８】
２．レーザ加工
この工程では、図１６に示すように、キャビティ２１の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図１５の処理で底部に露出した、１．のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層６８の一部をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層７４をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２１の底部に残した上層部分の残部をレーザ加工により除去し、導体層７３とその内側のシード層７４とをキャビティ２０の底部に露出させる。
【００７９】
レーザ加工によってキャビティ２１の底部のプリプレグ樹脂層６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。
【００８０】
３．シード層除去
この工程では、図１７に示すように、キャビティ２１の底部に露出した導体層７３の第１領域（段部７５）を残すようにその内側のシード層７４の部分６９をフラッシュエッチングにより除去する。換言すると、フラッシュエッチングにより、キャビティ２１の底部の導体層７３の内側のシード層７４（導電性金属箔）を除去する。フラッシュエッチングには、例えば硫酸過水系のエッチング液を用いる。
【００８１】
（第２キャビティ形成工程）
１．ドリル加工
この工程では、キャビティ２１の底部の端の領域を残してドリル加工して、キャビティ２１の底部よりも下層に形成されたシード層１２（第２シード層）がキャビティ底部に露出するようにキャビティ２２（第２キャビティ）を形成する。
このドリル加工では、初めに、ビルドアップ層６１のうち、第２キャビティ底面形成予定領域の上の絶縁樹脂の部分をドリル加工してコア層５１の上面のシード層１２近傍まで除去してキャビティ２２を形成する。
【００８２】
具体的には、図１７に示した領域６９の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル６６を配置し、絶縁樹脂層６１ａの上面からシード層１２の手前の位置（キャビティ２２の底部に至る手前の位置）まで下方向へ削り込む。この例では、導体層７３の部分を削らないように、露出した導体層７３の幅よりも少し広い領域（段部７５）を残し、その領域（段部７５）をキャビティ２１の底面（底部）とする。
【００８３】
その後、図１８に示すように、シード層１２の手前の位置（キャビティ２２の底部に至る手前の位置）にあるドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてザグリ加工を実施することで、キャビティ２２を形成する。
【００８４】
なお、この例では、キャビティ２２の底面となるシード層１２の上にプリプレグ樹脂層６８を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層１２の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。
【００８５】
ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、シード層１２を使うからである。シード層１２は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層１２を貫通しないようにすることがよい。
【００８６】
２．レーザ加工
この工程では、図１９に示すように、キャビティ２２の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図１８で底部に露出した、１．のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層６８をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層１２をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２２の底部に残した上層部分の残部（プリプレグ樹脂層６８）をレーザ加工して除去することで、図２０に示すように、シード層１２の一部をキャビティ２２の底部に露出させる。
【００８７】
レーザ加工によってキャビティ２２の底部のプリプレグ樹脂層６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、上記同様にデスミア処理が行われる。
【００８８】
レーザ光の受け導体（レーザ光の遮蔽部材）であるシード層１２の幅を、キャビティ２２よりも広く形成しておくことで、キャビティ２２の底面の延長線上のキャビティ２２の隣のビルドアップ層６１（絶縁樹脂層）にシード層１２が入り込んだ形で残るため、シード層１２を回路の一部として後述する電子部品８６との接続に利用することも可能である。
【００８９】
（外層回路形成工程）
この工程では、図１９に示した基板下部のビルドアップ層６２の導体層６４に対して、図２０に示すように、回路として導体層７０を形成する。また図１９に示した基板上部のビルドアップ層６１の導体層６３に対してエッチングを行うことで一部領域を除去して、図２０に示すように、回路としての導体層６３ａを形成する。なお、外層回路の形成は、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法を適用する。なお電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストである。
【００９０】
（ソルダーレジスト工程）
この工程では、図２０に示したビルドアップ層６１、６２に対して導体層６３ａ、７０の一部を含めて絶縁被膜し、図２１に示すように、ソルダーレジスト７１、７２を形成する。
【００９１】
（電子部品装着場所形成工程）
この工程では、図２２に示すように、キャビティ２２の底部に露出したシード層１２の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層８１を形成し、その上に接着材を塗布して接着層８２を形成する。また、キャビティ２１の底部（段部７５）の導体層７３の上に、電子部品８６との接続のための接続パッド８３を形成する。
【００９２】
（電子部品実装工程）
この工程では、図２３に示すように、キャビティ２２の底部の接着層８２の上に電子部品８６を載置し、接着および固定する。なお、ここでは電子部品８６を実装せず、他で実装する場合は電子部品実装工程以下の工程は不要である。
【００９３】
（電子部品接続工程）
この工程では、接続パッド８３とキャビティ２２間を、ボンディングワイヤー８９を介してワイヤーボンディング接続する。
具体的には、電子部品８６の上部電極８５とキャビティ２２の底部の導体層７３の上の接続パッド８３とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品８６と多層基板５５のキャビティ外側の回路を接続する。このようにして電子部品８６をキャビティ２２に収容した印刷配線板を作製することができる。
【００９４】
このようにこの第２実施形態の印刷配線板によれば、多層基板５５を表層からザグリ加工して、多層基板５５の絶縁樹脂層６１ａの一部領域６５が露出するようにキャビティ２１の底部を形成し、このキャビティ２１の底部の壁面から一定距離の領域（段部７５）を残すように絶縁樹脂層６１ａの一部領域６９をザグリ加工して電子部品８６が収容可能な幅でキャビティ２２を形成し、このキャビティ２２に電子部品８６を実装（固定）し、電子部品８６の上部電極８５とキャビティ２１の段部７５に形成した接続パッド８３とをボンディングワイヤー８９により接続する２段キャビティ構造とすることで、以下のような効果がある。
【００９５】
キャビティ２２に実装した電子部品８６の上部で段状に形成したキャビティ２１の接続パッド８３とワイヤーボンディングにより接続することで、従来のように多層基板５５の内層で回路を引き回す必要がなくなり、キャビティ２２内の電子部品８６と外側の回路との接続を容易にすることができる。
【００９６】
また、ワイヤーボンディング接続では、レーザ加工などが不要なため電子部品８６の上部電極８５の電極間隔や接続パッド８３のパッド間隔を狭く（狭ピッチ化）できるので、今後さらなる微細化が可能である。
【００９７】
さらに、キャビティ２２の底部に露出させた薄いシード層１２の上に電子部品８４を固定するので、従来のＢＧＡボールのような高さが不要になり、キャビティ２２のスペースを有効に利用することができる。
【００９８】
また、多層基板５４の内層中段に設けたキャビティ２１に接続パッド８３を設けたため、多層基板５４の最上面よりもボンディングワイヤー８９の高さが低くなり（高くなることがなくなり）、最上面に蓋をするなどして、電子部品８６を実装した多層基板５５を平坦に加工することが可能になる。
【００９９】
この結果、第１実施形態と同様の効果に加えて、キャビティ２２内の電子部品８６とキャビティ外側の回路との接続を容易にすると共に、今後さらなる微細化が可能であり、さらにキャビティ２１、２２のスペースを有効に利用することができる。
【０１００】
（第３実施形態）
次に、図２４乃至図３７を参照して本発明に係る第３実施形態の印刷配線板について説明する。図３７は本発明に係る第３実施形態の印刷配線板の構成を示す図である。なお、この第３実施形態を説明するにあたり、第１実施形態および第２実施形態と同じ構成には同一の符号を付しその説明は省略する。
【０１０１】
図３７に示すように、第３実施形態の印刷配線板は、多層基板９６（多層基板９１とその上のビルドアップ層９３、９４、９５など）の各層に設けられる導体（導体層１７、９７、９８、１０２など）を上下（基板積層方向）に貫通して接続するスルーホール１００と、多層基板９６を最上層の上面からザグリ加工して多層基板９６の内層の一部領域に設けた第１キャビティとしてのキャビティ２１と、このキャビティ２１の内側に凹形状に形成された第２キャビティとしてのキャビティ２２と、キャビティ２２に収容および固定（固着）された電子部品８８と、キャビティ２１の底部（段部７５）に形成された導体層９７と、この導体層９７の上に形成された接続パッド８３と、この接続パッド８３と電子部品８６の上部電極８５とを接続するボンティングワイヤー８９とを有する。
【０１０２】
導体層９７は、絶縁樹脂基板９５の内層に形成されるものであり、スルーホール１００に接続されている。導体層９８は、多層基板の最上層の表面に形成されるダミーパターンである。
【０１０３】
導体層１０２は、多層基板９６の最上層および／または最下層の表面にソルダーレジスト７２で絶縁被膜して回路パターンとして機能するように形成される。
【０１０４】
スルーホール１００は、多層基板９６のキャビティ２１の領域外の部分に多層基板９６を上下（基板積層方向）に貫通して設けられている。
【０１０５】
すなわち、この第３実施形態の印刷配線板は、スルーホール１００を設けた多層基板９６を２段キャビティ構造とした例である。
【０１０６】
以下、図２４乃至図３７を参照して第３実施形態の印刷配線板の製造方法を説明する。この第３実施形態では、図３１に示すように、多層基板９６のキャビティ形成予定領域Ｃの下の層にはビア１５を形成して回路を層間接続し、キャビティ形成予定領域Ｃ以外のエリア（場所）にスルーホール１００を形成し各層に設けられる導体層１７、９７を基板積層方向に貫通接続するものとする。なお、多層基板９６の基礎部分となるコア基板９１の詳細な形成手順については、第１実施形態のコア基板５１の形成手順で説明したため、ここでは説明を簡略して説明する。
【０１０７】
（コア基板形成工程）
１．絶縁層加工工程
この工程では、図２４に示すように、基板１１の上面および下面にシード層１２（例えば薄銅箔などの導電性金属箔）を積層形成した基板１１のキャビティ形成予定領域にレーザ加工にてビアホール下穴１４を形成する。
【０１０８】
続いて、基板１１の上面の導体層１６、１７、ビア１５などの回路部および下面の導電回路となる導体層１７の形成予定箇所（導電層１６、１７形成予定領域）を除いて、シード層１２上にドライフィルム１３を貼り付けた後、上下の各面を露光および現像する。
【０１０９】
２．パターンめっき処理工程
この工程では、図２５に示すように、基板１１の回路部形成用のビアホール下穴１４とその周囲のシード層１２にパターンめっき処理を施して基板１１の上面および下面の導体層１６、１７を形成する。
【０１１０】
３．ドライフィルム剥離工程
パターンめっき処理の後、ドライフィルム１３を剥離して、図２６に示すように、基板１１の表面にシード層１２および導体層１６、１７を露出させる。露出させたシード層１２のうち導電回路として不要な箇所をフラッシュエッチングにより除去する。これにより、図２７に示すように、キャビティ形成予定領域にビア１５を設け、キャビティ形成予定領域以外の領域（キャビティ形成予定領域の外側）に導体層１７を設けたコア基板９０が完成する。
【０１１１】
（ビルドアップ層形成工程）
次に、図２８に示すように、コア基板９０の上層および／または下層にビルドアップを行ない、多層基板９１（この例では４層構造の多層基板９１）を作製する。この工程では、コア基板９０の上にビルドアップ層９１ａを形成し、コア基板９０の下にビルドアップ層９１ｂを形成した４層構造の多層基板９１を形成する。
【０１１２】
ビルドアップ層９１ａ、９１ｂの回路形成には、例えば回路として不要な導体をエッチングで除去するサブトラクティブ法のみならず、コア基板９０（図２８参照）の形成方法と同様に、ＭＳＡＰ、ＳＡＰなどが適用できる。ビルドアップ層９１ａ、９１ｂの積層には、多段プレスまたは樹脂ラミネートなどの技術が利用される。
【０１１３】
この例では、後にスルーホール１００を形成するため、ビルドアップ層９１ａ、９１ｂの各層には、コア基板９０の導体層１７と上下（基板積層方向）に重なるように導体層１７が形成される。また、ビルドアップ層９１ｂの下面には、ビア１５と接続される導体層９２が一面に形成される。この導体層９２は、貼り合わせ後の回路形成のため、めっき処理後、そのままにしておくものとする。
【０１１４】
（片面ビルドアップ工程）
この工程では、図２９に示すように、４層構造の多層基板９１の片面（この例では基板上面）に対して、片面ビルドアップでビルドアップ層９３を形成する。この際、ビルドアップ層９３の上面のキャビティ形成予定領域にシード層１２を形成する。
【０１１５】
また、ビルドアップ層９３を積層した４層構造の多層基板９１に、これとは独立して製造した多層基板９４を、プリプレグ樹脂９５を介して積層し貼り合わせることで、図２９に示すようなスルーホール形成元となる多層基板９６を作製する。この場合の積層加工には、例えば多段プレスなどを用いるものとする。
【０１１６】
なお、多層基板９４の最上層には、銅ベタパターンなどの導体層９８を一面に形成する。また、多層基板９４の内層には、第１キャビティの形成予定領域に予めシード層７４を形成し、その外側のスルーホール形成予定領域に導体層９７を形成しておくものとする。
【０１１７】
（スルーホール形成工程）
この工程では、図３０に示すように、多層基板９６に対して、導体層１７、９７を上下（基板積層方向）に貫通するようにドリル（図示せず）でスルーホール下孔９９を形成する。
【０１１８】
次に、多層基板９６に対して、スルーホール下孔９９の壁面に導体層を形成するのを主目的にして電解めっき処理を行い、図３１に示すように、導体層１００を形成する。
【０１１９】
そして、多層基板９６の上面の導体層９８（銅ベタパターン）を加工して外層回路を形成する。この際、第１キャビティの形成予定領域の真上の領域Ｃの導体層（導体層９８の一部、ダミーパターンともいう）を除去し、導体層９８の下の樹脂部分を露出させておくものとする。これは、次の工程でのドリル加工（ザグリ加工）を行い易くするためである。
【０１２０】
（第１キャビティ形成工程）
１．ドリル加工
この工程では、図３１に示した多層基板９６の、最上層の樹脂層が露出した領域Ｃ（第１キャビティ形成予定領域の真上の領域）を下方にドリル加工して内層の導体層９７およびシード層７４近傍付近まで樹脂層を除去してキャビティ２１（図３２参照）を形成する。
【０１２１】
具体的には、図３１に示した、キャビティ形成予定領域の真上のパターンを除去した領域Ｃの端に、ドリル６６（図３２参照）を配置し、多層基板９６の導体層９７およびシード層７４の手前の位置（キャビティ２１の底部に至る手前の位置）まで削り込み、その後、図３２に示すように、ドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてザグリ加工を実施する。
【０１２２】
なお、この例では、キャビティ２１の底部の上にプリプレグ樹脂層６８の一部を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、導体層９７の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。
【０１２３】
ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、導体層９７およびシード層７４を使うからである。シード層７４は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体（導体層９７）に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層７４を貫通しないようにすることがよい。
【０１２４】
２．レーザ加工
この工程では、図３３に示すように、キャビティ２１の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図３２で底部に露出した、１．のドリル加工で残したプリプレグ樹脂層６８の一部をレーザ加工により除去する。レーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このように導体層９７およびシード層７４をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２１の底部に残した上層の樹脂の残部をレーザ加工により除去することで、シード層７４と導体層９７をキャビティ２１の底部に露出させる。
【０１２５】
レーザ加工によってキャビティ２１の底部のプリプレグ樹脂層６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合がある。この場合、デスミア処理が行われる。デスミア処理は、強アルカリによって樹脂を膨潤させ、次いで酸化剤（例えば、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液など）を用いて樹脂を分解除去する。あるいは、研磨材によるウェットブラスト処理やプラズマ処理によって、樹脂膜を除去してもよい。
【０１２６】
３．シード層除去
この工程では、キャビティ２１の底部に露出した導体層９７を残すようにシード層７４の部分をフラッシュエッチングにより除去する。換言すると、フラッシュエッチングにより、キャビティ２１の底部の導体層９７の内側のシード層７４（導電性金属箔）を除去する。フラッシュエッチングには、例えば硫酸過水系のエッチング液を用いる。
【０１２７】
（第２キャビティ形成工程）
１．ドリル加工
この工程では、多層基板９４のうち、キャビティ２２（第２キャビティ）の底面となるシード層１２の上の樹脂の部分をドリル加工して多層基板９４の内層の樹脂層をシード層１２近傍まで除去してキャビティ２２の外壁を形成する。
【０１２８】
具体的には、図３４に示すように、第２キャビティ形成予定領域である領域６９の一端に、ビット先端にセンサーを有するドリル６６を配置し、多層基板９４の上からシード層１２の上の近傍位置（キャビティ２２の底部に至る手前の位置）まで削り込む。この例では、導体層９７の端の部分を削らないように、導体層９７の幅よりも少し広い領域（段部７５）を残してキャビティ２１の側壁（壁面）とする。
【０１２９】
その後、図３４に示すように、ドリル６６をその位置から横方向Ａへ移動させてザグリ加工を実施することで、キャビティ２２を形成する。
【０１３０】
なお、この例では、キャビティ２２の底面となるシード層１２の上にプリプレグ樹脂層６８を残しているが、ドリル加工精度が高い場合は、シード層１２の面ぎりぎりまで削り込んでもよい。
【０１３１】
ザグリ加工を後述するレーザ加工のみではなく、ドリル加工を加えた２段階にしている理由は、後述するレーザ加工のレーザの受け導体（遮蔽部材）として、シード層１２を使うからである。シード層１２は、例えば１μｍ〜５μｍ程度の導体であり、通常のパターンめっきの導体に比べて薄いので、レーザ加工のみのザグリ加工で厚い樹脂を除去するときのようにレーザの出力を上げずに、レーザの出力を絞ってシード層１２を貫通しないようにすることがよい。
【０１３２】
２．レーザ加工
この工程では、図３５に示すように、キャビティ２２の開口上方から矢印Ｂ方向にレーザ光を照射して、図３４でキャビティ２２の底部に露出したプリプレグ樹脂層６８を除去する（レーザ加工）。このレーザ加工には、例えば炭酸ガスレーザ（ＣＯ２レーザ）やＹＡＧレーザなどの加工用レーザが適用可能である。このようにシード層１２をレーザ光の遮蔽部材にして、キャビティ２２の底部に残した上層部分の残部（プリプレグ樹脂層６８）をレーザ光の照射により除去することで、図３６に示すように、シード層１２の一部を露出したキャビティ２２の底部を形成する。
【０１３３】
レーザ加工によってキャビティ２２の底部のプリプレグ樹脂層６８を加工すると、その部分に薄い樹脂膜が残存する場合があるため、この場合は上記第１キャビティ形成時と同様にデスミア処理が行われる。
【０１３４】
この例のようにレーザ光の受け導体（レーザ光の遮蔽部材）であるシード層１２の幅を、キャビティ２２の幅よりも広く形成しておくことで、キャビティ２２の底面の延長線上のキャビティ２２の隣の多層基板９６の内層にシード層１２が入り込んだ形で残るため、シード層１２を回路の一部として後述する電子部品８４との接続に利用することも可能である。
【０１３５】
（外層回路形成工程）
この工程では、図３６に示した多層基板９６の最下層の導体層９２に対して電着レジスト工法などで、図３７に示すように、回路として導体層１０２を形成する。回路形成には、凹みや貫通孔の壁面への追従性が優れた電着レジストをエッチングレジストに用いたサブトラクティブ法が適している。なお、電着レジストは、電着塗装の性質を応用したエッチングレジストの一つである。また、最上層の導体層９８に対しても同様に回路として導体層１０２を形成する。
【０１３６】
（ソルダーレジスト工程）
この工程では、図３７に示すように、上下の導体層１０２の一部を含めて絶縁被膜し、ソルダーレジスト７２を形成する。
【０１３７】
（電子部品装着場所形成工程）
この工程では、図３７に示すように、キャビティ２２の底部に露出したシード層１２の上にニッケルめっきおよび金めっきなどの金属めっき層８１を形成し、その上に接着材を塗布して接着層８２を形成する。また、キャビティ２１の底部の導体層９７（段部）の上に、電子部品８８との接続のための接続パッド８３を、ニッケルめっきおよび金めっきなどのめっき処理により形成する。
【０１３８】
（電子部品実装工程）
この工程では、図３７に示すように、キャビティ２２の底部の接着層８２の上に電子部品８８を載置し接着および固定する。電子部品８８は、第２実施形態の電子部品８６（図２３参照）に比べてより厚みのあるものである。
【０１３９】
続いて、電子部品８８の上部電極８５とキャビティ２１の底部（段部７５）の接続パッド８３とをワイヤーボンディングにより接続することで、電子部品８６と多層基板９６のキャビティ外側の回路（導体層９７やこの導体層９７に接続されたスルーホール１００など）とを接続する。このようにして第１実施形態よりも厚みのある電子部品８６をキャビティ２２に収容した印刷配線板を作製することができる。
【０１４０】
上記各実施形態における印刷配線板の製造手順の例は一例であり、各処理工程を入れ替え、また新たな処理工程を追加し、一部の処理工程を削除することで、処理工程をさまざまに変えることも可能である。
【０１４１】
このようにこの第３実施形態の印刷配線板によれば、多層基板９１に多層基板９６を貼りあわせた厚みのある多層基板９６を２段キャビティ構造とし、多層基板９６に各層の回路（導体層１７、９７、１０２など）をスルーホール１００で貫通接続することで、第１実施形態と同様にキャビティ２２内の電子部品８８とキャビティ２１の外側の回路との接続を容易にすると共に、今後さらなる微細化が可能であり、さらにキャビティ２２のスペースを有効に利用することができる、といった効果が得られる他、厚みのある電子部品８８を多層基板９６の上面からはみ出さないように実装できるので、さらにビルドアップ基板を積層形成するなど、さらなる多層化が可能になる。
【０１４２】
本発明の実施の形態を説明したが、この実施の形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【０１４３】
１１…絶縁樹脂層（基板）
１２、７４…シード層
１３…ドライフィルム
１４…ビアホール下穴
１５…ビア
１６、１７、６３、６４、６９、７０、７３、９２、１０２…導体層
１８…ドライフィルム
２１、２２…キャビティ
５１、９０…コア基板
５４、９１、９４、９６…多層基板
６１（６１ａ、６１ｂ）、６２…ビルドアップ層
６５、６９…領域
６６…ドリル
６８…プリプレグ樹脂層
７２…ソルダーレジスト
８４、８６、８８…電子部品
８５…上部電極
８９…ボンディングワイヤー
９９…スルーホール下孔
１００…スルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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