(57)【要約】【課題】ＯＬＥＤの特性を考慮し、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制できる導電性パターン付き表示装置を提供する。【解決手段】導電性パターン付き表示装置は、複数の画素Ｐを有する表示装置と、複数の画素Ｐの少なくとも一部を覆うように配置される導電性パターン７０を有する導電性パターン基板とを備える。各画素Ｐは複数のサブピクセルを含み、各サブピクセルの各々はＯＬＥＤを含む。複数の導電性細線７１は複数のサブピクセルの少なくとも一部と重なる。第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線は一定の細線ピッチで配置され、第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線は一定の細線ピッチで配置される。細線ピッチは、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、画素ピッチのＱ倍（ただしＱは１以上の整数）の大きさを有する。【選択図】図１３
2019008541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置と、
前記複数の画素の少なくとも一部を覆うように配置される導電性パターンを有する導電性パターン基板と、を備える導電性パターン付き表示装置であって、
前記複数の画素の各々は、複数のサブピクセルを含み、
前記複数のサブピクセルの各々は、有機発光ダイオードを含み、
前記導電性パターンは、前記複数のサブピクセルの少なくとも一部と重なる複数の導電性細線を含み、
前記複数の導電性細線は、第１延在方向へ延在する複数の導電性細線と、第２延在方向へ延在する複数の導電性細線とを含み、
前記第１延在方向へ延在する複数の導電性細線は、第１画素方向及び第２画素方向の各々に関し、一定の細線ピッチで配置され、
前記第２延在方向へ延在する複数の導電性細線は、前記第１画素方向及び前記第２画素方向の各々に関し、一定の細線ピッチで配置され、
前記複数の画素は、前記第１画素方向及び前記第２画素方向の各々に関し、一定の画素ピッチで配置され、
前記細線ピッチは、前記第１画素方向及び前記第２画素方向の各々に関し、前記画素ピッチのＱ倍（ただしＱは１以上の整数）の大きさを有する導電性パターン付き表示装置。
【請求項２】
前記Ｑは、２以上の整数である請求項１に記載の導電性パターン付き表示装置。
【請求項３】
前記第１画素方向に並んで配置される前記複数の画素においてＫ個（ただしＫは１以上の整数）にＬ個（ただしＬは１以上且つＫ以下の整数）の割合で、前記複数の導電性細線のいずれかと重なる前記サブピクセルが存在し、
前記第２画素方向に並んで配置される前記複数の画素においてＭ個（ただしＭは１以上の整数）にＮ個（ただしＮは１以上且つＭ以下の整数）の割合で、前記複数の導電性細線のいずれかと重なる前記サブピクセルが存在する請求項１又は２に記載の導電性パターン付き表示装置。
【請求項４】
前記第１延在方向は、前記複数の画素の各々の２つの対角線のうちの一方の方向と一致し、
前記第２延在方向は、前記複数の画素の各々の２つの対角線のうちの他方の方向と一致する請求項２又は３に記載の導電性パターン付き表示装置。
【請求項５】
前記複数の導電性細線の各々は、重なる前記サブピクセルが含まれる前記画素の対角線上に延在する請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電性パターン付き表示装置。
【請求項６】
前記複数の導電性細線のいずれかと重なる前記サブピクセルが含まれる前記画素は、２本の導電性細線と重なる請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電性パターン付き表示装置。
【請求項７】
前記複数の導電性細線のいずれかと重なる前記サブピクセルが含まれる前記画素に含まれる全ての前記サブピクセルが、前記複数の導電性細線の少なくともいずれかと重なる請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電性パターン付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオードを具備する表示装置に対して導電性を有するパターンが設けられた導電性パターン付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置に重ね合わせられるように設けられるタッチパネルとして、様々な方式が提案されている。例えば近年注目を浴びている投影型の静電容量式のタッチパネルとして、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）を利用したタッチパネルや、金属線から成る網目状メッシュパターンを利用したタッチパネルが広く知られている。
【０００３】
特許文献１は、ＩＴＯなどによって構成される透明導電体を備えるタッチパネルを開示する。一方、特許文献２は、高導電率の金属材料の細導線によって形成される導電性メッシュを検出電極として用いるタッチパネルを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８２６９７０号公報
【特許文献２】特許第５２２４２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１が開示するタッチパネルのように電極層としてＩＴＯなどの透明金属酸化物を用いるタッチパネルでは、電極層の抵抗が大きく、また透明金属酸化物が脆性材料であるため折り曲げに弱いという課題がある。そのようなタッチパネルは、大型化に限界があるとともに、衝撃や変形によって電気的な断線が生じやすい。一方、特許文献２が開示するタッチパネルのように金属メッシュ構造の導電性パターンを電極層として用いるタッチパネルでは、電極層の抵抗が小さく、また電極層が延性材料によって構成されるため、大型化が容易であり、衝撃や変形による電気的な断線が生じにくい。
【０００６】
そのため最近では、抵抗値が小さく加工性に優れている特許文献２に開示されるようなメッシュ方式のタッチパネルが特に注目されている。
【０００７】
一方、上述のようなタッチパネルと組み合わされる表示装置としては、従来よりＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：液晶表示装置）が広く知られており、ＬＣＤによる画像表示機能とタッチパネルによる入力機能とを併せ持つ装置（すなわちタッチ位置検出機能付き表示装置）は様々な用途で使われている。しかしながらＬＣＤは、構造によっては応答速度が低く、またカラーフィルタを介して光源（すなわちバックライト）からの光を出射させる構成を採用するため光の利用効率が問題になることがある。またＬＣＤでは、例えば２枚のガラス基板によって液晶層を挟みこんで支持する必要があり、またバックライトの設置も必要になるため、薄型化には構造上限界がある。
【０００８】
このような構造上の不利益を伴うＬＣＤとは別の構造を持つ表示装置として、近年、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：有機発光ダイオード）を具備する表示装置が注目を集めている。ＯＬＥＤは自発光するため、ＯＬＥＤを利用した表示装置は、光の利用効率及び応答速度のいずれの点に関しても、ＬＣＤより優れている。またＯＬＥＤは、基本的に１枚の基板上に薄膜状の有機層が設けられる構成を採用しており、バックライトも不要であるため、ＯＬＥＤを利用した表示装置は薄型化の点でもＬＣＤより優れている。
【０００９】
ただしＯＬＥＤを利用した表示装置では、その特有の回路構成のために、ＬＣＤに比べて発光部の面積が小さくなる傾向がある。そのためＯＬＥＤを利用した表示装置に対して、ＬＣＤに最適化されたメッシュ方式のタッチパネルをそのまま適用すると、画素とメッシュ（すなわち導電性細線）との間で干渉が生じて画質が悪化することが、本件発明者の研究の結果判明した。特に、画素とメッシュとの間の干渉はモアレと呼ばれる濃淡ムラをもたらし、観察画像の視認不良を引き起こす懸念がある。なお、このような事象及び懸念は、メッシュ方式のタッチパネルをＯＬＥＤ表示装置に適用した場合には限定されず、メッシュ状の導電性パターンをＯＬＥＤ表示装置と組み合わせた各種の装置全般において生じうる。
【００１０】
本発明は上述の事情に鑑みてなされたものであり、ＯＬＥＤを具備する表示装置と導電性パターンとを備える導電性パターン付き表示装置において、ＯＬＥＤの特性を考慮し、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制できる構成及び手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、複数の画素を有する表示装置と、複数の画素の少なくとも一部を覆うように配置される導電性パターンを有する導電性パターン基板と、を備える導電性パターン付き表示装置であって、複数の画素の各々は、複数のサブピクセルを含み、複数のサブピクセルの各々は、有機発光ダイオードを含み、導電性パターンは、複数のサブピクセルの少なくとも一部と重なる複数の導電性細線を含み、複数の導電性細線は、第１延在方向へ延在する複数の導電性細線と、第２延在方向へ延在する複数の導電性細線とを含み、第１延在方向へ延在する複数の導電性細線は、第１画素方向及び第２画素方向の各々に関し、一定の細線ピッチで配置され、第２延在方向へ延在する複数の導電性細線は、第１画素方向及び第２画素方向の各々に関し、一定の細線ピッチで配置され、複数の画素は、第１画素方向及び第２画素方向の各々に関し、一定の画素ピッチで配置され、細線ピッチは、第１画素方向及び第２画素方向の各々に関し、画素ピッチのＱ倍（ただしＱは１以上の整数）の大きさを有する導電性パターン付き表示装置に関する。
【００１２】
Ｑは、２以上の整数であってもよい。
【００１３】
第１画素方向に並んで配置される複数の画素においてＫ個（ただしＫは１以上の整数）にＬ個（ただしＬは１以上且つＫ以下の整数）の割合で、複数の導電性細線のいずれかと重なるサブピクセルが存在し、第２画素方向に並んで配置される複数の画素においてＭ個（ただしＭは１以上の整数）にＮ個（ただしＮは１以上且つＭ以下の整数）の割合で、複数の導電性細線のいずれかと重なるサブピクセルが存在してもよい。
【００１４】
第１延在方向は、複数の画素の各々の２つの対角線のうちの一方の方向と一致し、第２延在方向は、複数の画素の各々の２つの対角線のうちの他方の方向と一致してもよい。
【００１５】
複数の導電性細線の各々は、重なるサブピクセルが含まれる画素の対角線上に延在してもよい。
【００１６】
複数の導電性細線のいずれかと重なるサブピクセルが含まれる画素は、２本の導電性細線と重なってもよい。
【００１７】
複数の導電性細線のいずれかと重なるサブピクセルが含まれる画素に含まれる全てのサブピクセルが、複数の導電性細線の少なくともいずれかと重なってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、細線ピッチが画素ピッチのＱ倍（ただしＱは１以上の整数）の大きさを有するように、複数の画素及び複数の導電性細線が配置される。このようにＯＬＥＤの特性を考慮し、画素の配置周期と導電性細線の配置周期との間で干渉が生じないように画素と導電性パターンの配置が調整されることで、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、タッチ位置検出機能付き表示装置を構成するタッチパネル装置及び表示装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】図２は、タッチパネル装置に含まれるタッチパネル基板を示す平面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、タッチパネル基板の層構成の一例を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、タッチパネル基板の層構成の一例を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、タッチパネル基板の層構成の他の例を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、タッチパネル基板の層構成の他の例を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、タッチパネル基板の層構成の他の例を示す図である。
【図５】図５は、第１電極及び第１ダミー部を拡大して示す平面図である。
【図６】図６は、第２電極及び第２ダミー部を拡大して示す平面図である。
【図７】図７は、第１パターン導電体及び第２パターン導電体の拡大平面図である。
【図８】図８は、表示装置の画素及びサブピクセルの配置構成の一例を示す平面図である。
【図９】図９は、表示装置の画素及びサブピクセルの配置構成の他の例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、表示装置の画素及びサブピクセルの配置構成の他の例を示す平面図である。
【図１１】図１１は、第１実施形態に係る画素及び導電性パターンの配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【図１２】図１２は、１つの画素に含まれるサブピクセルと導電性細線との配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態に係る画素及び導電性パターンの配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【図１４】図１４は、第２実施形態の一変形例に係る画素及び導電性パターンの配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【図１５】図１５は、第２実施形態の他の変形例に係る画素及び導電性パターンの配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図面中には、図示と理解のしやすさの便宜上、縮尺及び寸法比等を、実物のそれらから適宜変更又は誇張されている部分がある。また本明細書において、「基板」、「基材」及び「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。なお、以下に説明する本発明に係る「有機発光ダイオードを具備する導電性パターン付き表示装置」は、後述のように、比較的な柔軟な素材である樹脂フィルムを基材とする場合だけでなく、比較的剛性の高いガラスを基材とする場合にも好適である。さらに、本明細書において用いる、形状、幾何学的条件及びそれらの程度を特定する用語や値等（例えば「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等）については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００２１】
以下では、導電性パターンを有する導電性パターン基板が、外部導体の接近を検出するタッチパネル基板として機能する例について説明する。具体的には、導電性パターン基板によって構成されるタッチパネル装置と表示装置とが組み合わされて構成されるタッチ位置検出機能付き表示装置を、導電性パターン付き表示装置の一例として説明する。
【００２２】
図１は、タッチ位置検出機能付き表示装置１０を構成するタッチパネル装置１５及び表示装置１２の外観を概略的に示す斜視図である。図２は、タッチパネル装置１５に含まれるタッチパネル基板２０を示す平面図である。図３Ａ〜図３Ｂ及び図４Ａ〜図４Ｃの各々は、タッチパネル基板２０の層構成を例示する図である。
【００２３】
図１に示すように、タッチ位置検出機能付き表示装置１０は、ＯＬＥＤよって構成される表示装置１２と、表示装置１２の表示面１２ａを覆うように配置されるタッチパネル装置１５と、を備える。
【００２４】
表示装置１２は、画像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（「額縁領域」とも呼ばれる）Ａ２と、を含む。タッチパネル装置１５は、表示装置１２の表示面１２ａに対面するように配置されるタッチパネル基板２０（図２参照）と、タッチパネル基板２０に接続された図示しない回路と、を含む。このタッチパネル装置１５は、表示装置１２の表示面１２ａに、例えば接着層（図示せず）を介して接着される。
【００２５】
ここでは、タッチパネル装置１５のタッチパネル基板２０が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネル装置として構成される例について説明する。「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本明細書では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として扱われる。典型的な静電容量結合方式のタッチパネル装置は、透光性且つ導電性のパターンを有する。外部導体（典型的には人間の指）がタッチパネル装置に接近すると、外部導体とタッチパネル装置の導電性パターンとの間でコンデンサ（すなわち静電容量）が形成される。このコンデンサの形成に伴う電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル装置上において外部導体が接近している位置又は接触している位置の位置座標が特定される。なお本実施形態のタッチ位置検出機能付き表示装置１０において採用されている後述の技術的思想は、自己容量方式タッチパネル装置及び相互容量方式のタッチパネル装置のいずれに対しても応用可能である。
【００２６】
タッチパネル基板２０は、図３Ａ〜図３Ｂ及び図４Ａ〜図４Ｃに示すように、位置検出に利用されるパターン導電体３０、５０が設けられるタッチパネルセンサ２１、２２、２３と、タッチパネルセンサ２１、２２、２３よりも観察者側に配置される透明カバー２４と、を含む。透明カバー２４は、接合層（図示せず）等を介して最も観察者側に配置されるタッチパネルセンサ（図３Ａ〜図３Ｂの各々に示す例では第１タッチパネルセンサ２１、図４Ａ〜図４Ｃの各々に示す例ではタッチパネルセンサ２３）に接合され、タッチパネル装置１５によって外部導体の接触位置又は接近位置を検出する際のタッチ面が形成される。
【００２７】
投影型容量結合方式のタッチパネル基板２０は、例えば図３Ａ〜図３Ｂの各々に示すように、２つのタッチパネルセンサ（すなわち第１タッチパネルセンサ２１及び第２タッチパネルセンサ２２）を含んでいてもよい。この場合、それぞれのタッチパネルセンサがパターン導電体（すなわち第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０）を有する。すなわち図３Ａ〜図３Ｂの各々に示すタッチパネル基板２０は、第１基材２６及び当該第１基材２６上に設けられる第１パターン導電体３０を有する第１タッチパネルセンサ２１と、第２基材２７及び当該第２基材２７上に設けられる第２パターン導電体５０を有する第２タッチパネルセンサ２２と、を含む。なお第１パターン導電体３０は、第１基材２６のうち透明カバー２４側の面上に設けられてもよいし（図３Ａ参照）、第１基材２６のうち表示装置１２側（すなわち第２タッチパネルセンサ２２側）の面上に設けられてもよい（図３Ｂ参照）。同様に第２パターン導電体５０は、第２基材２７のうち透明カバー２４側（すなわち第１タッチパネルセンサ２１側）の面上に設けられてもよいし（図３Ａ参照）、第２基材２７のうち表示装置１２側の面上に設けられてもよい（図３Ｂ参照）。
【００２８】
別の例として、投影型容量結合方式のタッチパネル基板２０は、図４Ａ〜図４Ｃの各々に示すように、単一のタッチパネルセンサ２３のみを有していてもよい。例えば図４Ａに示すタッチパネルセンサ２３は、基材２８と、基材２８の一方の側の面上に設けられる第１パターン導電体３０と、基材２８の他方の側の面上に設けられる第２パターン導電体５０と、を有する。一方、図４Ｂ〜図４Ｃに示すタッチパネルセンサ２３は、基材２８と、基材２８の一方の側の面上に設けられる第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０と、を有する。この場合、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０は、基材２８のうち透明カバー２４側の面上に設けられてもよいし（図４Ｂ参照）、基材２８のうち表示装置１２側の面上に設けられてもよい（図４Ｃ参照）。
【００２９】
図３Ａ〜図３Ｂ及び図４Ａ〜図４Ｃの各々に示すようなタッチパネル基板２０において、基材２６、２７、２８は、パターン導電体３０、５０を支持する支持材として機能するとともに、誘電体としても機能する。なお表示装置１２からの画像を観察者がタッチパネル基板２０を介して観察できるように、タッチパネル基板２０に含まれる基材２６、２７、２８は、透明又は半透明となっている。一般に、基材２６、２７、２８は、可視光領域における光透過率が８０％以上であることが好ましく、８４％以上であることがより好ましい。基材２６、２７、２８の可視光透過率は、例えば、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳＫ０１１５準拠品）を用いて３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの波長域の光を測定した場合に得られる各波長における光透過率の平均値として特定可能である。
【００３０】
このような特性を有する基材２６、２７、２８は、例えば、誘電体として機能し得るガラスや樹脂フィルムによって構成可能である。基材２６、２７、２８を構成可能な樹脂フィルムとしては、光学部材の基材として使用されている種々の樹脂フィルムを好適に用いることができる。一例として、複屈折性を有さない光学等方性のフィルム、典型的には、トリアセチルセルロースに代表されるセルロースエステルからなるフィルムを、基材２６、２７、２８として用いることができる。他の例として、複屈折性を有する光学等方性のフィルムも、基材２６、２７、２８として用いることができる。例えば、安価で安定性に優れたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルムを、基材２６、２７、２８として用いることができる。ポリエステルフィルムは、吸湿性が低く、高温多湿の環境化においても変形等が生じ難い。なお後述の第１電極３１、第２電極５１、第１ダミー部３４及び第２ダミー部５４を適切に保持することができる限りにおいて、基材２６、２７、２８の具体的な構成が特に限られることはない。例えば、ＰＥＴ層などの表面に設けられたハードコート層がさらに基材２６、２７、２８に含まれていてもよい。本実施形態において、基材２６、２７、２８は、何らかの具体的な構造や材料を意味するものではなく、タッチパネル基板２０を構成する第１電極３１や第２電極５１などのパターンの下地となるものを意味するにすぎない。
【００３１】
このような基材２６、２７、２８によって支持される第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０によって、図２に示す複数の第１電極３１及び複数の第２電極５１が形成される。第１電極３１及び第２電極５１は、基材２６、２７、２８の法線方向（すなわち第１電極方向Ｄ１及び第２電極方向Ｄ２の各々に垂直な方向）に関して相互に離間して配置され、各第１電極３１は第１電極方向Ｄ１に延在し、各第２電極５１は第２電極方向Ｄ２に延在する。図示の例では、第１電極方向Ｄ１及び第２電極方向Ｄ２は直交し、各第１電極３１と各第２電極５１とは相互に垂直を成す方向に延在する。なお図２においては図示を省略しているが、タッチパネル基板２０は、タッチパネル基板２０の一方の側において第１電極３１の間に設けられた複数の第１ダミー部３４（図５参照）と、タッチパネル基板２０の他方の側において第２電極５１の間に設けられた複数の第２ダミー部５４（図６参照）と、を更に備えることができる。第１電極３１、第１ダミー部３４、第２電極５１及び第２ダミー部５４はいずれも、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０を形成する金属材料を含む導線（すなわち金属細線）によって構成されている。このように、第１電極３１及び第１ダミー部３４は一方側（観察者側）に設けられ、第２電極５１及び第２ダミー部５４は他方側（表示装置１２側）に設けられる。なお図２において、基材の一方側（観察者側）に設けられている構成要素が実線で表され、基材の他方側（表示装置１２側）に設けられている構成要素が点線で表されている。
【００３２】
第１電極３１は、図２に示すように、第１電極方向Ｄ１へ並べられた複数の第１膨出部３２と、隣接する２つの第１膨出部３２を接続するよう第１電極方向Ｄ１に延びる第１線状部３３と、を含む。第１膨出部３２は、第１電極方向Ｄ１と交差する第２電極方向Ｄ２に関する幅が、第１線状部３３の幅よりも大きい。また第２電極５１は、第２電極方向Ｄ２へ並べられた複数の第２膨出部５２と、隣接する２つの第２膨出部５２を接続するよう第２電極方向Ｄ２に延びる第２線状部５３と、を含む。第２膨出部５２は、第２電極方向Ｄ２と交差する第１電極方向Ｄ１に関する幅が、第２線状部５３の幅よりも大きい。
【００３３】
図２に示すように、タッチパネル基板２０は、タッチ位置を検出可能な領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１の周辺に位置する矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含む。アクティブエリアＡａ１及び非アクティブエリアＡａ２はそれぞれ、表示装置１２の表示領域Ａ１及び非表示領域Ａ２に対応するように区画される。矩形状のアクティブエリアＡａ１の輪郭は、図１に示すように、第１電極方向Ｄ１に延びる長辺１６ａと、第２電極方向Ｄ２に延びる短辺１６ｂと、を含む。第１電極方向Ｄ１及び第２電極方向Ｄ２は、アクティブエリアＡａ１の輪郭を構成する長辺１６ａ及び短辺１６ｂに基づいて定められる。アクティブエリアＡａ１の輪郭が、表示装置１２において一般的に採用される矩形状である場合、長辺１６ａの延在方向と一致する第１電極方向Ｄ１と、短辺１６ｂの延在方向と一致する第２電極方向Ｄ２とが直交する。
【００３４】
上述の第１電極３１、第１ダミー部３４、第２電極５１及び第２ダミー部５４は、アクティブエリアＡａ１内に配置される。一方、非アクティブエリアＡａ２には、図２に示すように、それぞれの第１電極３１に電気的に接続される複数の第１配線部３８及び第１端子部３９と、それぞれの第２電極５１に電気的に接続される複数の第２配線部５８及び第２端子部５９とが、設けられる。第１配線部３８及び第１端子部３９は、例えば図３Ａ〜図３Ｂの各々に示す例では第１パターン導電体３０と同様にして第１基材２６上に設けられ、また図４Ａ〜図４Ｃの各々に示す例では第１パターン導電体３０と同様にして基材２８の面上に設けられる。また、第２配線部５８及び第２端子部５９は、例えば図３Ａ〜図３Ｂの各々に示す例では第２パターン導電体５０と同様にして第２基材２７上に設けられ、また図４Ａ〜図４Ｃの各々に示す例では第２パターン導電体５０と同様にして基材２８の他方の面上に設けられる。なお図４Ａに示す例では、第１配線部３８及び第１端子部３９が第１パターン導電体３０と同様に基材２８の一方の面上に設けられ、第２配線部５８及び第２端子部５９が第２パターン導電体５０と同様に基材２８の他方の面上に設けられる。それに対し、図４Ｂ及び図４Ｃの各々に示す例では、第１配線部３８、第１端子部３９、第２配線部５８及び第２端子部５９が、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０と同様に基材２８の一方の面上に設けられる。第１端子部３９及び第２端子部５９は、基材２６、２７、２８の外縁近傍に配置され、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）等の外部導電体と電気的に接続される。
【００３５】
信号を適切に伝達することができる限りにおいて、第１配線部３８及び第１端子部３９並びに第２配線部５８及び第２端子部５９の具体的な構成は特に限られることはない。例えば第１配線部３８及び第１端子部３９は、第１パターン導電体３０と同一の層構成で第１パターン導電体３０と同時に形成されてもよい。同様に、第２配線部５８及び第２端子部５９は、第２パターン導電体５０と同一の層構成で第２パターン導電体５０と同時に形成されてもよい。
【００３６】
次に、第１電極３１及び第１ダミー部３４を形成する第１パターン導電体３０について説明する。
【００３７】
図５は、第１電極３１及び第１ダミー部３４を拡大して示す平面図である。第１パターン導電体３０は、メッシュパターン（網目状パターン）で配列された第１線状導電体４０を有する。図５において符号Ｐ１は、第１方向Ｍ１に直交する第１配列方向ＭＡ１に沿った第１線状導電体４０の配列ピッチを表し、符号Ｐ２は、第２方向Ｍ２に直交する第２配列方向ＭＡ２に沿った第１線状導電体４０の配列ピッチを表す。符号θｘ１は第１開口領域４３が成す菱形の鋭角を示し、符号４４は第１開口領域４３が成す菱形の長対角線を示し、符号４５は第１開口領域４３が成す菱形の短対角線を示す。
【００３８】
第１線状導電体４０には、各第１電極３１の輪郭に対応するようにして、第１分断部３５が設けられている。したがって、第１電極３１と第１ダミー部３４との間の境界部の形状、すなわち第１電極３１の輪郭は、第１電極３１と第１ダミー部３４との間の第１分断部３５の配置に応じて画定される。図５では、第１電極３１の輪郭が、符号Ｂ１が付された一点鎖線によって示されている。アクティブエリアＡａ１内に設けられた複数の第１電極３１と複数の第１ダミー部３４とは、第１分断部３５によって、互いから分離されて絶縁されている。すなわち複数の第１電極３１及び複数の第１ダミー部３４は、アクティブエリアＡａ１の全域に広がる導電性細線である第１線状導電体４０を第１分断部３５により断線することによって区画される複数の区分にそれぞれ対応する。
【００３９】
図示された例において、メッシュパターンで配列された第１線状導電体４０は、多数の第１開口領域４３を画成する。すなわち図５に示すように、第１線状導電体４０は、２つの第１分岐点４２の間において延在する第１接続要素４１を多数含み、これらの第１接続要素４１によって菱形の各第１開口領域４３が画成される。
【００４０】
図５に示された例において、第１パターン導電体３０は、第１方向Ｍ１に延び、第１方向Ｍ１に交差する方向へ等間隔に規則的に並べられた第１線状導電体４０と、第１方向Ｍ１に交差する第２方向Ｍ２に延び、第２方向Ｍ２に交差する方向へ等間隔に規則的に並べられた第１線状導電体４０と、を含む。本実施形態の第１開口領域４３が鋭角を持つ菱形を成すことから、第１方向Ｍ１及び第２方向Ｍ２は、直交しておらず、互いに対して傾斜する。図５に示された例では、同一形状の第１開口領域４３が、互いに同一の向きを向くようにして配列されている。このように本実施形態の第１パターン導電体３０を成す第１線状導電体４０は、規則的に配列された菱形の第１開口領域４３を画成するメッシュパターンで配列されている。
【００４１】
第１パターン導電体３０によって形成される第１電極３１は、外部導体がタッチパネル基板２０に接触又は接近した際に生じる電磁的な変化又は静電容量の変化を検知するために設けられる。そのため第１電極３１を成す第１線状導電体４０には、電磁的な変化又は静電容量の変化に起因する電流を検知可能なレベルで流すことができる程度の導電性が求められる。このような導電性を有する第１線状導電体４０の構成材料としては、優れた導電性を有する金属材料が好ましく用いられる。例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、及びこれらの合金のうちの一以上を、第１線状導電体４０を構成する材料として用いることができる。
【００４２】
一方、これらの金属材料は、可視光に対して遮光性を有する。表示装置１２によって表示される画像を十分に視認可能とする観点からは、第１パターン導電体３０を成す第１線状導電体４０の線幅は、１０μｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは７μｍ以下とすることができる。また表示装置１２によって表示される画像を十分に視認可能とする観点からは、第１パターン導電体３０の開口率は、８０％以上とすることが好ましく、より好ましくは９０％以上とすることができる。これらの設計によって、観察者が視認する画像に対して第１線状導電体４０が及ぼす影響を、無視可能な程度にまで低くすることも可能である。
【００４３】
次に、第２電極５１及び第２ダミー部５４を形成する第２パターン導電体５０について説明する。
【００４４】
図６は、第２電極５１及び第２ダミー部５４を拡大して示す平面図である。第２パターン導電体５０は、第１パターン導電体３０と同様に、メッシュパターンで配列された第２線状導電体６０を有する。図６において符号Ｐ３は、第３方向Ｍ３に直交する第３配列方向ＭＡ３に沿った第２線状導電体６０の配列ピッチを表し、符号Ｐ４は、第４方向Ｍ４に直交する第４配列方向ＭＡ４に沿った第２線状導電体６０の配列ピッチを表す。
【００４５】
第２線状導電体６０には、各第２電極５１の輪郭に対応するようにして、第２分断部５５が設けられている。したがって、第２電極５１と第２ダミー部５４との間の境界部の形状、すなわち第２電極５１の輪郭は、第２電極５１と第２ダミー部５４との間の第２分断部５５の配置に応じて画定される。図６では、第２電極５１の輪郭が、符号Ｂ２が付された一点鎖線によって示されている。アクティブエリアＡａ１内に設けられた複数の第２電極５１と複数の第２ダミー部５４とは、第２分断部５５によって、互いから分離されて絶縁されている。すなわち複数の第２電極５１及び複数の第２ダミー部５４は、アクティブエリアＡａ１の全域に広がる導電性細線である第２線状導電体６０を第２分断部５５により断線することによって区画される複数の区分にそれぞれ対応する。
【００４６】
図示された例において、メッシュパターンで配列された第２パターン導電体５０は、多数の第２開口領域６３を画成する。すなわち図６に示すように、第２線状導電体６０は、２つの第２分岐点６２の間において延在する第２接続要素６１を多数含み、これらの第２接続要素６１によって菱形の各第２開口領域６３が画成される。
【００４７】
図６に示された例において、第２パターン導電体５０は、第３方向Ｍ３に延び、第３方向Ｍ３に交差する方向へ等間隔に規則的に並べられた第２線状導電体６０と、第３方向Ｍ３に交差する第４方向Ｍ４に延び、第４方向Ｍ４に交差する方向へ等間隔に規則的に並べられた第２線状導電体６０と、を含む。本実施形態の第２開口領域６３が鋭角を持つ菱形を成すことから、第３方向Ｍ３及び第４方向Ｍ４は、直交しておらず、互いに対して傾斜する。図６に示された例では、同一形状の第２開口領域６３が、互いに同一の向きを向くようにして敷き詰められている。このように本実施形態の第２パターン導電体５０を成す第２線状導電体６０は、規則的に配列された菱形の第２開口領域６３を画成するメッシュパターンで配列されている。
【００４８】
第２線状導電体６０は、上述の第１線状導電体４０と同様の材料を用いて作られ得る。また、第２線状導電体６０の線幅は、上述の第１線状導電体４０の線幅と同様に設定することができ、第２パターン導電体５０の開口率は、上述の第１パターン導電体３０の開口率と同様に設定することができる。
【００４９】
図７は、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０の拡大平面図である。図７には第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０の一部が抜粋されて図示されており、第１電極３１、第１ダミー部３４、第２電極５１、第２ダミー部５４、第１分断部３５及び第２分断部５５等の図示は省略されている。また図７において、タッチパネル基板２０のうちの一方側に設けられる第１パターン導電体３０は、他方側に設けられる第２パターン導電体５０よりも太い線で表されている。図７に示す例では、第１パターン導電体３０の第１分岐点４２と第２パターン導電体５０の第２分岐点６２とが互いに重ならないように、第１パターン導電体３０の第１接続要素４１及び第２パターン導電体５０の第２接続要素６１が配置されている。より具体的には、第１開口領域４３及び第２開口領域６３はほぼ同じ平面形状を有し、第１パターン導電体３０の各第１分岐点４２が第２パターン導電体５０の各第２開口領域６３の中央に配置され、第２パターン導電体５０の各第２分岐点６２が第１パターン導電体３０の各第１開口領域４３の中央に配置される。そのため、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０の両者の平面視に関し、各第１開口領域４３は第２パターン導電体５０（すなわち第２接続要素６１）によって４つの菱形の開口領域に区分され、また各第２開口領域６３は第１パターン導電体３０（すなわち第１接続要素４１）によって４つの菱形の開口領域に区分される。
【００５０】
なお上述のタッチパネル基板２０（図２参照）は、一例として、次のようにして製造することができる。図３Ａ〜図３Ｂの各々に示す例では、まず、例えば樹脂フィルムからなる第１基材２６上に、後に第１パターン導電体３０を形成するようになる金属膜を積層する。この金属膜は、金属箔の転写或いは蒸着による成膜等の既知の任意の方法に基づいて形成及び積層可能である。次に、フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングにより、金属膜から第１パターン導電体３０を形成する。また、第１基材２６上に第１配線部３８及び第１端子部３９を形成する。第１配線部３８及び第１端子部３９は、第１パターン導電体３０と同様に金属膜をパターニングすることで作製してもよいし、第１パターン導電体３０とは別途にスクリーン印刷等によって作製してもよい。以上により、第１基材２６及び第１パターン導電体３０を具備する第１タッチパネルセンサ２１が得られる。また、第１タッチパネルセンサ２１と同様にして、第２タッチパネルセンサ２２を作製する。その後、作製された第１タッチパネルセンサ２１及び第２タッチパネルセンサ２２を位置決めして貼合することにより、図３Ａ〜図３Ｂの各々に示すようなタッチパネル基板２０が得られる。一方、図４Ａ〜図４Ｃの各々に示されたタッチパネル基板２０は、基材２８の両面又は片面に金属膜を形成し、その金属膜をパターニングすることにより、得られる。
【００５１】
次に、表示装置１２の画素配列の一例について説明する。
【００５２】
図８は、表示装置１２の画素Ｐ及びサブピクセルＳの配置構成の一例を示す平面図である。なお図８において「Ｒ」の表示が付されたサブピクセルＳは赤色光を発するサブピクセルＳを示し、「Ｇ」の表示が付されたサブピクセルＳは緑色光を発するサブピクセルＳを示し、「Ｂ」の表示が付されたサブピクセルＳは青色光を発するサブピクセルＳを示す。また「Ｄｐ１」は、複数画素Ｐによって構成される画素列の方向（すなわち第１画素方向Ｄｐ１（第１の方向））を示し、「Ｄｐ２」は、複数画素Ｐによって構成される画素行の方向（すなわち第２画素方向Ｄｐ２（第２の方向））を示す。図８に示す例では、第１画素方向Ｄｐ１は第１電極方向Ｄ１と一致し、第２画素方向Ｄｐ２は第２電極方向Ｄ２と一致し、第１画素方向Ｄｐ１は第２画素方向Ｄｐ２と直交する。
【００５３】
表示装置１２は、規則的に配置された複数の画素Ｐを有する。一般的な表示装置１２では、その表示面１２ａが成す矩形状の長辺及び短辺にそれぞれ平行な２方向（すなわち第１電極方向Ｄ１及び第２電極方向Ｄ２）へ、一定のピッチで等間隔に複数の画素Ｐが配列される。すなわち表示装置１２が有する複数の画素Ｐは、第１画素方向Ｄｐ１へ並んで配置される複数画素Ｐによって構成される画素列を複数形成するとともに、第２電極方向Ｄ２へ並んで配置される複数画素Ｐによって構成される画素行を複数形成する。
【００５４】
各画素Ｐは複数のサブピクセルＳを含み、各サブピクセルＳは対応の色を発光可能なＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）を含む。図８に示す例では、３種類の色（すなわち赤色、緑色及び青色）を発光可能なサブピクセルＳを含む。各画素Ｐに含まれるサブピクセルＳは、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の両方向に並べられている。図８に示す例では、青色サブピクセルＳは赤色サブピクセルＳ及び緑色サブピクセルＳの各々と第２電極方向Ｄ２へ離間して並べられており、緑色サブピクセルＳは赤色サブピクセルＳと第１電極方向Ｄ１へ離間して並べられている。なお、各画素Ｐに含まれるサブピクセルＳの種類（すなわち発光色）及び数は特に限定されず、例えば２種類又は４種類以上の色を発光可能なサブピクセルＳが各画素Ｐに含まれていてもよい。また各画素Ｐ内におけるサブピクセルＳ間の相対的な位置関係も特に限定されず、例えば第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２のうちのいずれか一方にのみサブピクセルが並ぶように配置されてもよいし、各画素Ｐ内のサブピクセルＳ同士が近接して或いは密着して配置されてもよい。
【００５５】
このように各サブピクセルＳが個々の発光素子を構成し、各画素Ｐは、繰り返し単位を構成する複数のサブピクセルの集合によって構成される。表示装置１２が有する画素Ｐ及びサブピクセルＳの配置は図８に示す例に限定されず、任意の形態で配置可能である。例えば図８に示す例では、正方形状の各画素Ｐの範囲内に各色（すなわち赤、緑及び青の各々）のサブピクセルＳが一つずつ含まれているが、各画素Ｐの形状は必ずしも正方形状には限定されず、また各画素Ｐに各色のサブピクセルＳが複数個含まれていてもよい。
【００５６】
図９は、表示装置１２の画素Ｐ及びサブピクセルＳの配置構成の他の例を示す平面図である。図９に示す例では、２個の赤色サブピクセルＳ、４個の緑色サブピクセルＳ及び２個の青色サブピクセルＳが各画素Ｐに含まれている。各画素Ｐでは、「青色サブピクセルＳ、緑色サブピクセルＳ、赤色サブピクセルＳ及び緑色サブピクセルＳ」が第２画素方向Ｄｐ２に並ぶ第１サブピクセル行と、「赤色サブピクセルＳ、緑色サブピクセルＳ、青色サブピクセルＳ及び緑色サブピクセルＳ」が第２画素方向Ｄｐ２に並ぶ第２サブピクセル行とが、第１画素方向Ｄｐ１に並べられている。
【００５７】
図９に示すように、各画素Ｐに含まれるサブピクセルＳは、色毎に複数個設けられていてもよい。なお図８及び図９に示す例において表示装置１２が有する複数の画素Ｐの配列方向（すなわち第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２）は、各第１電極３１が延在する方向（すなわち第１電極方向Ｄ１）及び各第２電極５１が延在する方向（すなわち第２電極方向Ｄ２）と一致していたが、必ずしも一致している必要はない。
【００５８】
図１０は、表示装置１２の画素Ｐ及びサブピクセルＳの配置構成の他の例を示す平面図である。図１０に示す例では、表示装置１２が有する複数の画素Ｐは、第１電極方向Ｄ１及び第２電極方向Ｄ２とは異なる方向（すなわち第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２）へ並んで配置される。具体的には、複数の画素Ｐは、「第１電極方向Ｄ１に対して４５°を成す第１画素方向Ｄｐ１」へ並んで配置される複数画素Ｐによって構成される画素列を複数形成するとともに、「第２電極方向Ｄ２に対して４５°を成す第２画素方向（第２方向）Ｄｐ２」へ並んで配置される複数画素Ｐによって構成される画素行を複数形成する。なお第１画素方向Ｄｐ１は、第２画素方向Ｄｐ２と直交する。図１０に示す例において各画素Ｐは、１個の赤色サブピクセルＳと、２個の緑色サブピクセルＳと、１個の青色サブピクセルＳとを含み、各画素Ｐの一方の対角線上に２個の緑色サブピクセルＳが配置され、他方の対角線上に赤色サブピクセルＳ及び青色サブピクセルＳが配置されている。
【００５９】
＜導電性パターン及び画素の配置関係 ＞
上述のように、本実施形態のタッチ位置検出機能付き表示装置１０は、複数の画素Ｐを有する表示装置１２（図８〜１０参照）と、表示装置１２が有する複数の画素Ｐの少なくとも一部（図１に示す例では全部）を覆うように配置される導電性パターン（すなわち第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０）を有する導電性パターン基板（すなわちタッチパネル基板２０）と、を備える。
【００６０】
本件発明者は、ＯＬＥＤの特性を考慮し、そのようなタッチ位置検出機能付き表示装置１０によって提供される観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制するのに有効な「導電性パターン（すなわち第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０）と画素Ｐ及びサブピクセルＳとの間の具体的な配置関係」を新たに見出した。以下、そのような具体的な配置関係について説明する。
【００６１】
なお、表示装置１２の画素Ｐを覆うように配置される導電性パターンには、上述のように第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０が含まれる。そのため以下の説明では、第１パターン導電体３０及び第２パターン導電体５０を集合的に「導電性パターン７０」と呼ぶ。また第１パターン導電体３０は複数の第１線状導電体４０が結合して構成され、第２パターン導電体５０は複数の第２線状導電体６０が結合して構成される。そのため以下の説明では、導電性パターン７０を構成するこれらの第１線状導電体４０及び第２線状導電体６０を集合的に「導電性細線７１」と呼ぶ。したがって導電性パターン７０は、複数の導電性細線７１によって構成される。
【００６２】
本件発明者は、鋭意研究の結果、導電性パターン７０を構成する複数の導電性細線７１は、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関して一定のピッチ（以下、「細線ピッチ」とも称する）で配置され、この細線ピッチが、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、画素ピッチのＱ倍（ただしＱは１以上の整数）の大きさを有する場合に、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制できることを新たに見出すに至った。この場合、「第１画素方向Ｄｐ１に並んで配置される複数画素ＰにおいてＫ個（ただしＫは１以上の整数）にＬ個（ただしＬは１以上且つＫ以下の整数）の割合で、複数の導電性細線７１のいずれかと重なるサブピクセルＳが存在し」且つ「第２画素方向Ｄｐ２に並んで配置される複数画素ＰにおいてＭ個（ただしＭは１以上の整数）にＮ個（ただしＮは１以上且つＭ以下の整数）の割合で、複数の導電性細線７１のいずれかと重なるサブピクセルＳが存在する」ことが好ましい。なお各導電性細線７１における分断部（すなわち第１分断部３５及び第２分断部５５）の有無は問わず、分断部を有する導電性細線７１は、分断部を有さない導電性細線７１と仮定されて扱われてもよい。すなわち細線ピッチに関し、分断部を有する導電性細線７１と分断部を有さない導電性細線７１とを同等に取り扱うことが可能である。また画素Ｐ及びサブピクセルＳとの重なりの有無に関し、「分断部を有する導電性細線７１」を「分断部を有さない導電性細線７１」として扱うことも可能である。
【００６３】
上記の「Ｋ」、「Ｌ」、「Ｍ」、「Ｎ」及び「Ｑ」として具体的な数値が採用される具体的な実施形態に関し、以下に説明する。
【００６４】
＜第１実施形態＞
図１１は、第１実施形態に係る画素Ｐ及び導電性パターン７０の配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【００６５】
上述のように表示装置１２が有する複数の画素Ｐは、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し一定のピッチ（以下、「画素ピッチ」とも称する）で配置されている。また複数の導電性細線７１は、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、一定のピッチ（すなわち細線ピッチ）で配置されており、各導電性細線７１は、「自らが重なるサブピクセルＳ」が含まれる画素Ｐの対角線上に延在する。
【００６６】
導電性パターン７０を構成する複数の導電性細線７１は、第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線７１ａと、第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線７１ｂとを含む。ここでいう第１延在方向Ｄｒ１は、複数の画素Ｐの各々における２つの対角線のうちの一方の方向と一致し、第２延在方向Ｄｒ２は、当該対角線のうちの他方の方向と一致する。第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線７１ａは、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、一定のピッチ（すなわち細線ピッチ）で配置される。同様に、第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線７１ｂは、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、一定のピッチ（すなわち細線ピッチ）で配置される。
【００６７】
図１１に示す例では、全ての画素Ｐの対角線上に導電性細線７１が延在するように、画素Ｐに対する導電性細線７１（導電性パターン７０）の配置が調整されている。すなわち全ての画素Ｐの各々には、第１延在方向Ｄｒ１へ延在する１本の導電性細線７１ａ及び第２延在方向Ｄｒ２へ延在する１本の導電性細線７１ｂが重なっており、これらの導電性細線７１ａ、７１ｂが各画素Ｐの対角線上に配置される。このように「複数の導電性細線７１のいずれかと重なるサブピクセルＳが含まれる画素Ｐ（本例では全画素Ｐ）」は、自らの２本の対角線上に延在する２本の導電性細線７１と重なるように設けられる。
【００６８】
この場合、上記の「Ｋ」は「１」となり、「Ｌ」は「１」となり、「Ｍ」は「１」となり、「Ｎ」は「１」となり、「Ｑ」は「１」となる。すなわち、「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線７１ａの細線ピッチ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線７１ｂの細線ピッチ」の各々は、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、画素ピッチの「１倍」の大きさを有しており、各細線ピッチは画素ピッチと等しい。そして、第１画素方向Ｄｐ１に並んで配置される複数画素Ｐにおいて「１個中１個の割合」で、複数の導電性細線７１のいずれか（本実施形態では第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ及び第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ）と重なるサブピクセルＳが存在する。また第２画素方向Ｄｐ２に並んで配置される複数画素Ｐにおいて「１個中１個の割合」で、複数の導電性細線７１のいずれか（本実施形態では第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ及び第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ）と重なるサブピクセルＳが存在する。
【００６９】
図１２は、１つの画素Ｐに含まれるサブピクセルＳと導電性細線７１との配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【００７０】
上述のように、図１１に示す例では全ての画素Ｐに関し、各画素Ｐに含まれる複数のサブピクセルＳのいずれかが導電性細線７１と重なるが、とりわけサブピクセルＳが図１２に示すように配置される場合には、各画素Ｐに含まれる全てのサブピクセルＳ（すなわち赤色サブピクセルＳ、緑色サブピクセルＳ及び青色サブピクセルＳの全て）が導電性細線７１と重なる。このように「複数の導電性細線７１のいずれかと重なるサブピクセルＳが含まれる画素（図１１に示す例では全画素）」に含まれる全てのサブピクセルＳが、複数の導電性細線７１の少なくともいずれかと重なることで、導電性細線７１による遮光割合のサブピクセルＳ間での偏りを効果的に低減することができる。これにより、例えば観察画像において色間で明るさに偏りが生じることを効果的に防げる。
【００７１】
なお図１２に示す例のサブピクセルＳは、図８に示すサブピクセルＳと同様の配置形態を有するが、他の配置形態を有していてもよい。また各画素Ｐに含まれるサブピクセルＳの全てが導電性細線７１と重なっている必要はなく、導電性パターン７０を構成する複数の導電性細線７１は複数のサブピクセルＳの少なくとも一部と重なっていればよく、各画素Ｐに含まれるサブピクセルＳの一部のみが導電性細線７１と重なっていてもよい。
【００７２】
以上説明したように本実施形態によれば、全画素Ｐと規則的に重なるように導電性細線７１（すなわち第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ及び第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ）が配置されることで、画素Ｐの配置周期と導電性細線７１の配置周期との間で干渉が生じず、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制することができる。
【００７３】
＜第２実施形態＞
図１３は、第２実施形態に係る画素Ｐ及び導電性パターン７０の配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。
【００７４】
本実施形態において、上述の第１実施形態と同一又は類似の要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００７５】
本実施形態のタッチ位置検出機能付き表示装置１０では、導電性細線７１の細線ピッチ（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線７１ａの細線ピッチ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線７１ｂの細線ピッチ」の各々）は、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、画素ピッチのＱ倍（ただしＱは２以上の整数）の大きさを有する。図１３に示す例では、「Ｑ」は「２」に設定され、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、特定の方向に延在する導電性細線７１（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」の各々）が２つの画素Ｐに対して１本の割合で存在する。
【００７６】
また各導電性細線７１は「重なるサブピクセルＳが含まれる画素Ｐ」の対角線上に延在し、「複数の導電性細線７１のいずれかと重なるサブピクセルＳが含まれる画素Ｐ」は自らの両対角線のそれぞれの上に延在する２本の導電性細線７１（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」）と重なる。
【００７７】
したがって図１３に示す例では、「導電性細線７１と重なる画素」と「導電性細線７１と重ならない画素」とが、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関して交互に存在し、「導電性細線７１と重なる画素」及び「導電性細線７１と重ならない画素」が市松模様状に配列される。すなわち第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、２つの画素のうち１つの割合で「導電性細線７１と重なる画素」が存在し、また２つの画素のうち１つの割合で「導電性細線７１と重ならない画素」が存在する。したがって本実施形態では、上記の「Ｋ」は「２」となり、「Ｌ」は「１」となり、「Ｍ」は「２」となり、「Ｎ」は「１」となる。
【００７８】
他の構成は、上述の第１実施形態とほぼ同じである。
【００７９】
本実施形態においても画素Ｐと規則的に重なるように導電性細線７１（導電性パターン７０）が配置されるため、画素Ｐの配置周期と導電性細線７１の配置周期との間で干渉が生じず、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制することができる。
【００８０】
特に本実施形態によれば、「導電性細線７１と重ならない画素Ｐ」からの光は導電性細線７１によって阻害されることなく出射する。そのため、観察画像の明るさ（輝度）の損失を抑えて、鮮明な観察画像を提供することが可能である。
【００８１】
なお本実施形態に係るタッチ位置検出機能付き表示装置１０は、図１３に示す例に限定されない。
【００８２】
図１４は、第２実施形態の一変形例に係る画素Ｐ及び導電性パターン７０の配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。本変形例でも上記の「Ｑ」は「２」に設定され、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、特定の方向に延在する導電性細線７１（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」の各々）が２つの画素Ｐに対して１本の割合で存在する。
【００８３】
ただし図１４に示す変形例では、全画素Ｐがいずれかの導電性細線７１と重なり、各画素Ｐは１本の導電性細線７１（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」又は「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」）のみと重なる。すなわち、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関して隣り合う画素Ｐ間において、重畳的に配置される導電性細線７１の延在方向は相互に異なっている。隣り合う２つの画素Ｐ間において、一方の画素Ｐには「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」のうちの一方が重なり、他方の画素Ｐには「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」のうちの他方が重なる。したがって本変形例では、上記の「Ｋ」は「１」となり、「Ｌ」は「１」となり、「Ｍ」は「１」となり、「Ｎ」は「１」となる。
【００８４】
本変形例においても画素Ｐと規則的に重なるように導電性細線７１（導電性パターン７０）が配置されるため、画素Ｐの配置周期と導電性細線７１の配置周期との間で干渉が生じにくく、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制することができる。また図１４に示す本変形例における「導電性細線７１による、全画素Ｐ（すなわち全サブピクセルＳ）からの光の遮光割合」は、図１３に示す例における「導電性細線７１による、全画素Ｐ（すなわち全サブピクセルＳ）からの光の遮光割合」と実質的に同じになる。したがって本変形例に係る画素Ｐ及び導電性細線７１（導電性パターン７０）の配置によっても、観察画像の明るさ（輝度）の損失を抑えて、鮮明な観察画像を提供することが可能である。
【００８５】
また特に、本変形例では全ての画素Ｐにおいて「各画素Ｐに対する導電性細線７１の被覆率」が同じであり、また第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、第１延在方向Ｄｒ１に延在する導電性細線７１ａと第２延在方向Ｄｒ２に延在する導電性細線７１ｂとが交互に配置される構成が採用されている。したがって、全画素Ｐにわたって「導電性細線７１による、画素Ｐ（サブピクセルＳ）からの光の遮光割合」が効果的に均等化され、観察画像の全体における局所的な明るさ（輝度）のムラを低減することができる。
【００８６】
なお上述の第２実施形態（図１３参照）及びその変形例（図１４参照）では、画素ピッチに対する細線ピッチの割合を定める上記の「Ｑ」が「２」に設定される例について説明したが、「Ｑ」は３以上の整数に設定されてもよい。
【００８７】
図１５は、第２実施形態の他の変形例に係る画素Ｐ及び導電性パターン７０の配置関係例の概略を説明するための拡大平面図である。本変形例では上記の「Ｑ」が「３」に設定され、導電性細線７１の細線ピッチ（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する複数の導電性細線７１ａの細線ピッチ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する複数の導電性細線７１ｂの細線ピッチ」の各々）は、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、画素ピッチの「３倍」の大きさを有する。したがって図１５に示す例では、第１画素方向Ｄｐ１及び第２画素方向Ｄｐ２の各々に関し、特定の方向に延在する導電性細線７１（すなわち「第１延在方向Ｄｒ１へ延在する導電性細線７１ａ」及び「第２延在方向Ｄｒ２へ延在する導電性細線７１ｂ」の各々）が３つの画素Ｐに対して１本の割合で存在する。
【００８８】
そのため、第１画素方向Ｄｐ１に３画素且つ第２画素方向Ｄｐ２に３画素の正方配列の範囲（すなわち合計９画素の範囲）には、両対角線上に延在する２本の導電性細線７１と重なる１つの画素Ｐと、両対角線のうちのいずかの上に延在する１本の導電性細線７１と重なる４つの画素Ｐと、導電性細線７１と重ならない４つの画素Ｐとが存在する。
【００８９】
本変形例においても画素Ｐと規則的に重なるように導電性細線７１（導電性パターン７０）が配置されるため、画素Ｐの配置周期と導電性細線７１の配置周期との間で干渉が生じにくく、観察画像におけるモアレの発生を効果的に抑制することができる。また図１５に示す本変形例における「導電性細線７１による、全画素Ｐ（すなわち全サブピクセルＳ）からの光の遮光割合」は、図１３に示す例における「導電性細線７１による、全画素Ｐ（すなわち全サブピクセルＳ）からの光の遮光割合」よりも小さい。したがって本変形例に係る画素Ｐ及び導電性細線７１（導電性パターン７０）の配置によれば、観察画像の明るさ（輝度）の損失をより効果的に抑えて、より一層明るい観察画像を提供することが可能である。
【００９０】
本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本発明によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本発明の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【００９１】
例えば、上述の実施形態及び変形例では図２に示すように第１電極３１及び第２電極５１の各々が膨出部（すなわち第１膨出部３２及び第２膨出部５２）及び線状部（すなわち第１線状部３３及び第２線状部５３）を含むいわゆるダイヤモンドパターンを有するが、第１電極３１及び第２電極５１は他のパターン形状を有していてもよい。例えば、第１電極３１及び第２電極５１はストライプパターンを有していてもよい。この場合、例えば第１電極３１及び第１ダミー部３４の各々は、長辺方向が第１電極方向Ｄ１と一致し且つ短辺方向が第２電極方向Ｄ２と一致するようなストライプ状の平面形状を有することができる。また第２電極５１及び第２ダミー部５４の各々は、長辺方向が第２電極方向Ｄ２と一致し且つ短辺方向が第１電極方向Ｄ１と一致するようなストライプ状の平面形状を有することができる。
【００９２】
また上述の実施形態の導電性パターン７０（導電性細線７１）は、開口領域（すなわち第１開口領域４３、第２開口領域６３、及び第１接続要素４１と第２接続要素６１とによって第１開口領域４３及び第２開口領域６３が区分されることで形成される開口領域（図７参照））がそれぞれ菱形形状を有するように配置されているが、各開口領域が他の形状を形成するように配置されてもよい。例えば図５〜図７に示す例では、各開口領域が鋭角を持つ菱形形状を形成するが、４つの内角が全て等しい正方形状を各開口領域が形成するように、導電性パターン７０（導電性細線７１）が配置されてもよい。また各開口領域が長辺及び短辺を持つ矩形状を形成するように、導電性パターン７０（導電性細線７１）が配置されてもよい。
【００９３】
また上述の実施形態では、本発明に係る導電性パターン付き表示装置をタッチ位置検出機能付き表示装置１０に応用した例について説明したが、タッチパネル以外の機能を発揮することが期待された導電性パターン基板と表示装置とを備える他の装置に対しても本発明を適宜応用することが可能である。そのような導電性パターン付き表示装置の応用例として、例えば、電磁波の影響（ＥＭＩ：Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）を低減するための導電性パターンを有する導電性パターン基板と表示装置とが組み合わされて構成される電磁シールド付き表示装置が挙げられる。
【符号の説明】
【００９４】
１０  タッチ位置検出機能付き表示装置
１２  表示装置
１２ａ  表示面
１５  タッチパネル装置
１６ａ  長辺
１６ｂ  短辺
２０  タッチパネル基板
２１  第１タッチパネルセンサ
２２  第２タッチパネルセンサ
２３  タッチパネルセンサ
２４  透明カバー
２６  第１基材
２７  第２基材
２８  基材
３０  第１パターン導電体
３１  第１電極
３２  第１膨出部
３３  第１線状部
３４  第１ダミー部
３５  第１分断部
３８  第１配線部
３９  第１端子部
４０  第１線状導電体
４１  第１接続要素
４２  第１分岐点
４３  第１開口領域
５０  第２パターン導電体
５１  第２電極
５２  第２膨出部
５３  第２線状部
５４  第２ダミー部
５５  第２分断部
５８  第２配線部
５９  第２端子部
６０  第２線状導電体
６１  第２接続要素
６２  第２分岐点
６３  第２開口領域
７０  導電性パターン
７１  導電性細線
Ｄ１  第１電極方向
Ｄｐ１  第１画素方向
Ｄｒ１  第１延在方向
Ｄ２  第２電極方向
Ｄｐ２  第２画素方向
Ｄｒ２  第２延在方向
Ｐ  画素
Ｓ  サブピクセル
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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