(57)【要約】【課題】一態様において、ウェーハ表面上の残留物を低減できるシリコンウェーハの製造方法の提供。【解決手段】本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法に関する。（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、非イオン性界面活性剤ｂ１を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。  ただし、非イオン性界面活性剤ｂ１の表面張力は、４３Ｎ／ｍ以下であり、  研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まない。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、非イオン性界面活性剤ｂ１を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、非イオン性界面活性剤ｂ１の表面張力は、４３Ｎ／ｍ以下であり、
研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まない。
【請求項２】
工程（２）において、シリコンウェーハの液体組成物Ｂへの浸漬時間が、１２０分以下である、請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
液体組成物Ｂが、特定化学物質の環境への排出量の把握等及び管理の改善の促進に関する法律において指定される第1種指定化合物を実質的に含まない、請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
非イオン性界面活性剤ｂ１の疎水基が、分岐アルキル基、不飽和アルキル基、ナフチル基、スチレン化フェノール基、及びベンジル化フェノール基から選ばれる少なくとも１種である、請求項１から３のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
非イオン性界面活性剤ｂ１の親水基が、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基とのブロック構造である、請求項１から４のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
非イオン性界面活性剤ｂ１の親水基は、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基とのブロック構造であり、末端がプロピレンオキシド基である、請求項１から５のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
液体組成物Ｂ中の非イオン性界面活性剤ｂ１の配合量が、臨界ミセル濃度以上かつ０．００８質量％以上である、請求項１から６のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
液体組成物Ｂは、消泡剤ｂ２をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項９】
液体組成物ＢのｐＨが、３以上１１以下である、請求項１から８のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１０】
研磨液組成物Ａが、砥粒、及び、非イオン性界面活性剤ｂ１以外の水溶性高分子を含む、請求項１から９のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１１】
洗浄剤組成物Ｃは、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤である、請求項１から１０のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１２】
臨界ミセル濃度以上での表面張力が４３Ｎ／ｍ以下である非イオン性界面活性剤ｂ１を含む、シリコンウェーハ保管用液体組成物。
【請求項１３】
ｐＨが３以上１１以下である、請求項１２に記載の液体組成物。
【請求項１４】
非イオン性界面活性剤ｂ１の疎水基が、分岐アルキル基、不飽和アルキル基、ナフチル基、スチレン化フェノール基、及びベンジル化フェノール基から選ばれる少なくとも１種である、請求項１２又は１３に記載の液体組成物。
【請求項１５】
非イオン性界面活性剤ｂ１の親水基が、エチレンオキシドとプロピレンオキシドのブロック構造である、請求項１２から１４のいずれかに記載の液体組成物。
【請求項１６】
非イオン性界面活性剤ｂ１の親水基は、エチレンオキシドとプロピレンオキシドのブロック構造であり、末端がプロピレンオキシドである、請求項１２から１５のいずれかに記載の液体組成物。
【請求項１７】
非イオン性界面活性剤ｂ1の含有量が、臨界ミセル濃度以上かつ０．００８質量%以上である、請求項１２から１６のいずれかに記載の液体組成物。
【請求項１８】
請求項１から１１のいずれかに記載のシリコンウェーハの製造方法における工程（２）に用いるための、請求項１２から１７のいずれかに記載の液体組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、シリコンウェーハ製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコンウェーハ（ベアウェーハ）の表面欠陥（ＬＰＤ：Ｌｉｇｈｔ  ｐｏｉｎｔ  ｄｅｆｅｃｔｓ）や表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。
【０００３】
シリコンウェーハの品質を向上する目的で、シリコンウェーハの研磨は多段階で行われている。研磨後のシリコンウェーハ表面に研磨くずや砥粒等由来のパーティクルが残留していると、表面欠陥発生の原因となる。通常、研磨後のシリコンウェーハは、ウェーハ表面に残留するパーティクルを除去するため洗浄工程へと運ばれるが、洗浄工程に運ばれるまでの間、水中で保管されている。これは、シリコンウェーハを大気中で保管すると、パーティクルがウェーハ表面に固着してしまい、洗浄工程での除去が難しくなるからである。
【０００４】
研磨後のウェーハ表面に残留するパーティクルを除去する方法としては、例えば、特許文献１には、アニオン性界面活性剤、有機溶剤及びアルカリ成分を含む洗浄剤を用いて洗浄する方法が開示されている。
特許文献２には、Ｃｕ濃度が０．０１ｐｐｂ以下の保管用水に研磨後のシリコンウェーハを保管する方法が開示されている。
特許文献３には、鏡面研磨後のリンス処理を経たシリコンウェーハの鏡面を親水化処理する方法が開示されている。
特許文献４には、液温が０〜１８℃の保管用水に研磨後のシリコンウェーハを保管する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２０６４８１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１５４３号公報
【特許文献３】特開２００７−２３５０３６号公報
【特許文献４】ＷＯ２００２／０７５７９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ウェーハ表面に残留するパーティクルがより微細化してきており、今まで以上にウェーハ表面に付着しやすく、ウェーハ表面に残留するパーティクルをより効果的に除去する方法が求められている。
【０００７】
そこで、本開示は、一態様において、ウェーハ表面上の残留物を低減できるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハの製造方法に関する。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、非イオン性界面活性剤ｂ１を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、非イオン性界面活性剤ｂ１の表面張力は、４３Ｎ／ｍ以下であり、
研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まない。
【０００９】
本開示は、その他の態様において、臨界ミセル濃度以上での表面張力が４３Ｎ／ｍ以下である非イオン性界面活性剤ｂ１を含む、シリコンウェーハ保管用液体組成物に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、一態様において、ウェーハ表面上の残留物を低減できるシリコンウェーハの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示は、研磨後のシリコンウェーハを、所定の非イオン性界面活性剤を含む液体組成物に浸漬することで、表面欠陥の発生原因となるウェーハ表面上の残留物を低減できるという知見に基づく。
【００１２】
すなわち、本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含む、シリコンウェーハ製造方法（以下、「本開示の製造方法」ともいう）に関する。
（１）被研磨シリコンウェーハの表面を、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程。
（２）工程（１）で得られたシリコンウェーハを、非イオン性界面活性剤ｂ１を含む液体組成物Ｂに浸漬する工程。
（３）工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程。
ただし、非イオン性界面活性剤ｂ１の表面張力は、４３Ｎ／ｍ以下であり、
研磨液組成物Ａ及び洗浄剤組成物Ｃは、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まない。
【００１３】
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
一般的に、シリコンウェーハの製造において、研磨機と洗浄機は一体型ではないため、研磨機から洗浄機まで搬送する必要がある。洗浄機でウェーハ表面に付着したパーティクルを効率よく除去するためには、洗浄する前に、ウェーハ表面に付着している残留物の量を減らすことや、残留物がウェーハ表面から剥がれやすくしておくことが考えられる。
そこで、本開示では、研磨工程と洗浄工程との間に、研磨されたシリコンウェーハを、所定の非イオン性界面活性剤ｂ１を含む液体組成物Ｂ中に浸漬させる工程を設けた。これにより、液体組成物Ｂ中の所定の非イオン性界面活性剤ｂ１の疎水基が、シリコンウェーハ表面に吸着し、シリコンウェーハ表面に付着しているパーティクルが剥がれやすくなると考えられる。そして、所定の非イオン性界面活性剤ｂ１の親水基の反発力により、砥粒粒子のウェーハ表面への再付着を抑制できると考えられる。このようにして、表面欠陥の原因となるパーティクルがウェーハ表面から除去されると考えられる。
ただし、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１４】
以下、上記工程（１）〜（３）の詳細を説明する。
【００１５】
［工程（１）：研磨工程］
本開示の製造方法における工程（１）は、被研磨シリコンウェーハを、研磨液組成物Ａを用いて研磨する工程（研磨工程）である。工程（１）は、一又は複数の実施形態において、最終の研磨工程及び／又は仕上げ研磨工程であることが好ましい。
【００１６】
［研磨液組成物Ａ］
工程（１）で使用する研磨液組成物Ａは、一又は複数の実施形態において、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まない研磨液組成物である。ここで、研磨液組成物Ａが成分ｂ１を実質的に含まないとは、研磨液組成物Ａ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。研磨液組成物Ａとしては、一又は複数の実施形態において、砥粒（以下、「成分ａ１」ともいう）、非イオン性界面活性剤ｂ１以外の水溶性高分子（以下、「成分ａ２」ともいう）、及び水系媒体を含有するものが挙げられる。
【００１７】
＜砥粒（成分ａ１）＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる砥粒（成分ａ１）としては、例えば、シリカ粒子、酸化セリウム（以下、「セリア」ともいう）粒子等が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分ａ１は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１８】
成分ａ１の使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示の研磨液組成物Ａに含まれる成分ａ１がコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコンウェーハの汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、例えば、従来から公知の方法によって作製できる。
【００１９】
成分ａ１の平均一次粒子径は、研磨速度の確保の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、研磨速度の確保及びヘイズ低減の観点から、４０ｎｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましい。特に、成分ａ１としてコロイダルシリカを用いた場合、成分ａ１の平均一次粒子径は、研磨速度の確保の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０ｎｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましい。
さらに、成分ａ１の平均一次粒子径は、研磨速度の確保及びヘイズ低減の観点から、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以上３５ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が更に好ましい。
本開示において、成分ａ１の平均一次粒子径は、窒素吸着（ＢＥＴ）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ2／ｇ）を用いて算出できる。
【００２０】
成分ａ１の平均二次粒子径は、研磨速度の確保及びウェーハ表面上の残留物低減の観点から、１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましい。成分ａ１がシリカ粒子である場合、成分ａ１の平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上７５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましい。成分ａ１がセリア粒子である場合、成分ａ１の平均二次粒子径は、１０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が好ましく、１３ｎｍ以上２００ｎｍ以下がより好ましく、１５ｎｍ以上１７０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、例えば、実施例に記載の装置を用いて測定できる。
【００２１】
本開示の研磨液組成物Ａ中の成分ａ１の含有量は、研磨速度確保の観点から、０．０４質量％以上が好ましく、０．０９質量％以上がより好ましく、０．１３質量％以上が更に好ましく、そして、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．５質量％以下が好ましく、０．４質量％以下がより好ましく、０．３質量％以下が更に好ましい。さらに、研磨液組成物Ａ中の成分ａ１の含有量は、研磨速度確保及びウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．０４質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．０９質量％以上０．４質量％以下がより好ましく、０．１３質量％以上０．３質量％以下が更に好ましい。成分ａ１が２種以上の砥粒からなる場合、成分ａ１の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００２２】
＜水溶性高分子（成分ａ２）＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる水溶性高分子（成分ａ２）は、非イオン性界面活性剤ｂ１以外の水溶性高分子である。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。成分ａ２は、１種単独でも用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２３】
成分ａ２としては、例えば、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール系重合体、ポリビニルリン誘導体、ポリビニルアルキルエーテル誘導体、ポリグリセリン誘導体、エチレンオキシド基を有する水溶性高分子、アミド基を有する水溶性高分子等が例示できる。
【００２４】
成分ａ２のセルロース誘導体としては、例えば、カルボキシメチルセルロ−ス、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース等が挙げられる。
【００２５】
成分ａ２のポリビニルアルコール系重合体としては、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、アルキレンオキサイド変性ＰＶＡ、カチオン変性ＰＶＡ、アニオン変性ＰＶＡ、アルキル変性ＰＶＡ、ヒドロキシアルキル変性ＰＶＡ等が挙げられる。
【００２６】
成分ａ２のポリビニルリン誘導体としては、例えば、ポリジメチルビニルホスホナート、ポリジエチルビニルホスホナート、ポリジイソプロピルホスホナート、ポリ１−（ジメトキシホスフィニル）−１−メチルエテン、１−（ジメトキシホスフィニル）１−１フェニルエテン、ポリ１−（ジメトキシホスフィニル）−２−フェニルエテン、ポリジメチル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジメチル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジイソプロピル−ｐ−ビニルベンジルホスホナート、ポリジフェニルビニルホスホナート、ポリ２−（ジメトキシホスフィニル）−１−オクテン、ポリビニルリン酸等が挙げられる。
【００２７】
成分ａ２のポリビニルアルキルエーテル誘導体としては、例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル等が挙げられる。
【００２８】
成分ａ２のポリグリセリン誘導体としては、例えば、ポリグリセリンアルキルエーテル、ポリグリセリンアルケニルエーテル、ポリグリセリンフェニルエーテル、ポリグリセリンアルキルフェニルエーテル、ポリグリセリンアルキルエステル、ポリグリセリンアルケニルエステル、ポリグリセリンフェニルエステル、ポリグリセリンアルキルフェニルエステル等が挙げられる。
【００２９】
成分ａ２のエチレンオキシド基を有する水溶性高分子としては、例えば、モノメトキシポリエチレングリコールモノメタクリレート（ＰＥＧＭＡ）の単独重合体、メタクリル酸とＰＥＧＭＡとの共重合体、プルロニック型高分子（ＥＯ・ＰＯブロックポリマー）等が挙げられる。
【００３０】
成分ａ２のアミド基を有する水溶性高分子としては、例えば、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリメチルアクリルアミド、ポリジエチルアクリルアミド、ポリＮ−イソプロピルアクリルアミド、ポリＮ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、ポリＮ−ヒドロキシメチルアクリルアミド、ポリｔ−ブチルアクリルアミド、ポリｎ−ブチルアクリルアミポリビニルピロリドン、ポリオキサゾリン、ポリアクロイルモルホリン等が挙げられる。
【００３１】
成分ａ２の重量平均分子量は、研磨速度確保の観点から、０．１万以上が好ましく、１万以上がより好ましく、５万以上が更に好ましく、２０万以上が更に好ましく、そして、シリカ粒子の凝集抑制の観点から、１５０万以下が好ましく、１１０万以下がより好ましく、９０万以下が更に好ましく、３０万以下が更に好ましい。成分ａ２の重量平均分子量は、研磨速度確保及びシリカ粒子の凝集抑制の観点から、０．１万以上１５０万以下が好ましく、１万以上１１０万以下がより好ましく、５万以上９０万以下が更に好ましく、２０万以上３０万以下が更に好ましい。
【００３２】
本開示において重量平均分子量は、液体クロマトグラフィー（株式会社日立製作所製、Ｌ−６０００型高速液体クロマトグラフィー）を使用し、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定できる。
【００３３】
本開示の研磨液組成物Ａ中の成分ａ２の含有量は、研磨速度確保の観点から、０．０００５質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が更に好ましく、０．０５質量％以下が更により好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａ中の成分ａ２の含有量は、０．０００５質量％以上１質量％以下が好ましく、０．００１質量％以上０．５質量％以下が好ましく、０．００５質量％以上０．１質量％以下がより好ましく、０．０１質量％以上０．０５質量％以下が更に好ましい。成分ａ２が２種以上の水溶性高分子からなる場合、成分ａ２の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００３４】
＜水系媒体＞
本開示の研磨液組成物Ａに含まれうる水系媒体としては、例えば、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が好ましい。本開示の研磨液組成物Ａ中の水系媒体の含有量は、成分ａ１、成分ａ２及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００３５】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物Ａは、本開示の効果が妨げられない範囲で、更に、ｐＨ調整剤、塩基性化合物、防腐剤、アルコール類、キレート剤、成分ｂ１以外の界面活性剤から選ばれる少なくとも１種のその他の成分が含まれてもよい。前記その他の成分は、本開示の効果を損なわない範囲で、研磨液組成物中に含有されることが好ましく、研磨液組成物Ａ中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。
【００３６】
ｐＨ調整剤としては、例えば、酸性化合物及びアルカリ化合物が挙げられる。酸性化合物としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、リン酸等の無機酸；及び、酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸、安息香酸等の有機酸；から選ばれる１種以上が挙げられる。アルカリ化合物としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム等の無機アルカリ化合物；及び、アルキルアミン、アルカノールアミン等の有機アルカリ化合物；から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００３７】
本開示の研磨液組成物Ａは、例えば、成分ａ１、成分ａ２及び水系媒体、並びに所望により上述したその他の成分を公知の方法で配合することにより製造できる。本開示において「配合する」とは、成分ａ１、成分ａ２、及び水系媒体、並びに必要に応じて上述したその他の成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示において、研磨液組成物Ａの製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示の研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量と同じとすることができる。
【００３８】
本開示において、「研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量」は、研磨液組成物Ａの使用時、すなわち、研磨液組成物Ａの研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。
【００３９】
本開示の研磨液組成物Ａの２５℃におけるｐＨは、研磨速度確保の観点から、９以上が好ましく、９．５以上がより好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１２以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１以下が更に好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａの２５℃におけるｐＨは、９以上１２以下が好ましく、９．５以上１１．５以下がより好ましく、１０以上１１以下が更に好ましい。ｐＨの調整は、後述するｐＨ調整剤を適宜添加して行うことができる。ここで、２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して１分後の数値とすることができる。
【００４０】
［被研磨シリコンウェーハ］
本開示の研磨液組成物Ａの研磨対象である被研磨シリコンウェーハとしては、例えば、単結晶１００面シリコンウェーハ、１１１面シリコンウェーハ、１１０面シリコンウェーハ等が挙げられる。シリコンウェーハの抵抗率としては、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上、更により好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上であり、そして、好ましくは１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは２０Ω・ｃｍ以下である。同様の観点から、シリコンウェーハの抵抗率は、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下であり、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上２０Ω・ｃｍ以下である。
【００４１】
工程（１）は、例えば、単結晶シリコンインゴットを薄円板状にスライスすることにより得られた単結晶シリコンウェーハを平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピングされた単結晶シリコンウェーハをエッチングした後、単結晶シリコンウェーハ表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とを含むことができる。本開示の研磨液組成物Ａは、ヘイズ低減の観点から、仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。
【００４２】
工程（１）では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨シリコンウェーハを挟み込み、３〜２０ｋＰａの研磨圧力で被研磨シリコンウェーハを研磨することができる。
【００４３】
上記研磨圧力とは、研磨時に被研磨シリコンウェーハの被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。研磨圧力は、研磨速度を向上させ経済的に研磨を行う観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、４ｋＰａ以上がより好ましく、５ｋＰａ以上が更に好ましく、５．５ｋＰａ以上が更により好ましい。そして、表面品質を向上させ、且つ研磨されたシリコンウェーハにおける残留応力を緩和する観点から、研磨圧力は、３０ｋPa以下が好ましく、２０ｋＰａ以下がより好ましく、１５ｋＰａ以下が更に好ましい。より具体的には、研磨圧力は、３ｋＰａ以上３０ｋＰａ以下が好ましく、４ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下がより好ましく、５ｋＰａ以上１５ｋＰａ以下が更に好ましく、５．５ｋＰａ以上１５ｋＰａ以下が更により好ましい。
【００４４】
工程（１）では、例えば、研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨シリコンウェーハを挟み込み、１５℃以上４０℃以下の研磨液組成物Ａ及び研磨パッド表面温度で被研磨シリコンウェーハを研磨することができる。研磨液組成物Ａの温度及び研磨パッド表面温度としては、表面欠陥低減の観点から、１５℃以上が好ましく、２０℃以上がより好ましく、そして、ヘイズ低減の観点から、４０℃以下が好ましく、３５℃以下がより好ましく、３０℃以下が更に好ましい。同様の観点から、研磨液組成物Ａの温度及び研磨パッド表面温度は、１５℃以上４０℃以下が好ましく、２０℃以上３５℃以下がより好ましく、２０℃以上３０℃以下が更に好ましい。
【００４５】
工程（１）は、一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ａを用いて研磨されたシリコンウェーハを、非イオン性界面活性剤ｂ１を実質的に含まないリンス剤組成物Ｄを用いてリンスし、シリコンウェーハ表面を親水化する工程をさらに含むことができる。ここで、リンス剤組成物Ｄが成分ｂ１を実質的に含まないとは、リンス剤組成物Ｄ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。リンスする方法としては、例えば、研磨されたシリコンウェーハをリンス剤組成物Ｄとの接触下に、研磨パッド上で押圧しながら回転させる方法が挙げられる。リンス剤組成物Ｄとしては、一又は複数の実施形態において、非イオン性界面活性剤ｂ１以外の水溶性高分子を含むリンス剤組成物が挙げられる。リンス剤組成物Ｄに含まれる水溶性高分子としては、例えば、上述した成分ａ２と同じものを用いることができる。
【００４６】
［工程（２）：浸漬工程］
工程（２）は、工程（１）で得られたシリコンウェーハを液体組成物Ｂに浸漬する工程（浸漬工程）である。工程（２）は、一又は複数の実施形態において、工程（１）で得られたシリコンウェーハを液体組成物Ｂに浸漬し、工程（３）に運ばれるまで保管する工程であってもよい。
【００４７】
［液体組成物Ｂ］
＜非イオン性界面活性剤（成分ｂ１）＞
工程（２）で使用する液体組成物Ｂは、非イオン性界面活性剤ｂ１（成分ｂ１）を含むものである。成分ｂ１は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４８】
成分ｂ１の表面張力は、４３Ｎ／ｍ以下であって、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、４２Ｎ／ｍ以下が好ましく、３５Ｎ／ｍ以下がより好ましく、３３Ｎ／ｍ以下が更に好ましい。本開示において、成分ｂ１の表面張力は、実施例に記載の方法により算出できる。表面張力は、成分ｂ１の濃度が増加するに従って低下する傾向にあるが、臨界ミセル濃度（ｃｍｃ）を超えると一定になる。よって、成分ｂ１の表面張力は、一又は複数の実施形態において、臨界ミセル濃度（ｃｍｃ）以上での値とすることができる。成分ｂ１の表面張力は、一又は複数の実施形態において、ｃｍｃ以上で上述した範囲内であることが好ましい。よって、本開示は、その他の態様において、臨界ミセル濃度以上での表面張力が４３Ｎ／ｍ以下である非イオン性界面活性剤ｂ１を含む、シリコンウェーハ保管用液体組成物（以下、「本開示のシリコンウェーハ保管用液体組成物」ともいう）に関する。本開示のシリコンウェーハ保管用液体組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨されたシリコンウェーハの保管に用いることができる。本開示のシリコンウェーハ保管用液体組成物は、一又は複数の実施形態において、本開示の製造方法の工程（２）に用いるための液体組成物である。
【００４９】
成分ｂ１の疎水基としては、例えば、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基が挙げられる。
脂肪族炭化水素基は、直鎖状又は分岐状であってもよし、飽和又は不飽和であってもよい。脂肪族炭化水素基としては、例えば、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、及び不飽和アルキル基から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、これらの中でも、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基から選ばれる少なくとも１種が好ましく、分岐アルキル基がより好ましい。
芳香族炭化水素基としては、例えば、ナフチル基、スチレン化フェノール基、及びベンジル化フェノール基から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、スチレン化フェノール基及びベンジル化フェノール基がより好ましく、スチレン化フェノール基及びトリベンジル化フェノール基がさらに好ましい。
【００５０】
成分ｂ１の親水基としては、例えば、オキシアルキレン基（ＡＯ）が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、一実施形態において、エチレンオキシ基（ＥＯ）とプロピレンオキシ基（ＰＯ）とのブロック構造であることが好ましく、その他の実施形態において、ＥＯとＰＯとのブロック構造であり、末端がＰＯであることが好ましい。特にＥＯ−ＰＯ−ＥＯ等のトリブロック構造、又は、ＥＯ−ＰＯ等の末端がＰＯである構造が好ましい。
【００５１】
成分ｂ１としては、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、例えば、下記式（Ｉ）で表される化合物、アルキル（ポリ）グルコシド、アルキル（ポリ）ガラクトシド、及び、アルキル（ポリ）グリセリンから選ばれる少なくとも１種が好ましい。
Ｒ−Ｏ−（ＡＯ）ｎ−Ｈ      （Ｉ）
【００５２】
式（Ｉ）中、Ｒは、炭素数８以上２２以下の炭化水素基を示す。ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、Ｒは、一実施形態において、炭素数８以上２２以下の直鎖又は分岐鎖の脂肪族炭化水素基が挙げられ、その他の実施形態において、炭素数８以上２２以下の芳香族炭化水素基が挙げられる。Ｒが脂肪族炭化水素基である場合、脂肪族炭化水素基としては、飽和（アルキル基）でもよいし、不飽和（アルケニル基）でもよい。
Ｒが脂肪族炭化水素基である場合、Ｒの一実施形態としては、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、及び不飽和アルキル基から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、直鎖アルキル基及び分岐アルキル基から選ばれる少なくとも１種が好ましく、分岐アルキル基がより好ましい。
Ｒが芳香族炭化水素基である場合、Ｒの一実施形態としては、ナフチル基、スチレン化フェノール基、及びベンジル化フェノール基から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、スチレン化フェノール基及びベンジル化フェノール基がより好ましく、スチレン化フェノール基及びトリベンジル化フェノール基がさらに好ましい。
Ｒの炭素数は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、８以上が好ましく、１２以上がより好ましく、そして、同様の観点から、２２以下が好ましく、１８以下がより好ましい。より具体的には、Ｒの炭素数は、８以上２２以下が好ましく、１２以上１８以下がより好ましい。
【００５３】
式（Ｉ）中のＡＯは、エチレンオキシ基（ＥＯ）、プロピレンオキシ基（ＰＯ）、及び、エチレンオキシ基（ＥＯ）とプロピレンオキシ基（ＰＯ）との組合せから選ばれる少なくとも１種のアルキレンオキシ基を示す。ｎは、ＡＯの平均付加モル数であって、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、２以上２０以下が好ましく、３以上１９以下がより好ましく、６以上１３以下が更に好ましい。ＡＯは、ＥＯ及びＰＯのいずれか一方のみであってもよいし、ＥＯとＰＯの組合せであってもよい。ＡＯが、ＥＯとＰＯの組合せである場合、ＥＯとＰＯの配列は、ブロックでもランダムでもよい。ウェーハ表面上の残留物低減の観点からは、（ＡＯ）ｎにおけるＥＯ基の占める割合は、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上が更に好ましい。
【００５４】
式（Ｉ）中のＡＯがＥＯとＰＯとの組合せである場合、式（Ｉ）で表される化合物としては、例えば、下記式（ＩＩ）で表される化合物、式（ＩＩＩ）で表される化合物等が挙げられる。
Ｒ−Ｏ−（ＥＯ）ｑ（ＰＯ）ｒ（ＥＯ）ｓ−Ｈ      （ＩＩ）
Ｒ−Ｏ−（ＥＯ）ｔ（ＰＯ）ｕ−Ｈ      （ＩＩＩ）
式（ＩＩ）及び式（ＩＩＩ）中のｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕはそれぞれ、平均付加モル数を示す。ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、ｑは、２以上５以下が好ましく、３以上５以下がより好ましく、３以上４以下が更に好ましい。同様の観点から、ｒは、０．１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１以上２以下が更に好ましい。同様の観点から、ｓは、２以上５以下が好ましく、３以上５以下がより好ましく、４以上５以下が更に好ましい。同様の観点から、ｔは、５以上２０以下が好ましく、７以上１８以下がより好ましく、９以上１４以下が更に好ましい。同様の観点から、ｕは、１以上１６以下が好ましく、３以上１０以下がより好ましく、４以上６以下が更に好ましい。ただし、ＥＯとＰＯの組み合わせによって表面張力は変化するため、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕは上記の範囲に限らず、表面張力が４３Ｎ／ｍ以下であればよい。
【００５５】
成分ｂ１がアルキル（ポリ）グルコシド、及び、アルキル（ポリ）ガラクトシドである場合、成分ｂ１のアルキル基の炭素数は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、８以上が好ましく、１０以上がより好ましく、そして、同様の観点から、１６以下が好ましく、１４以下がより好ましい。より具体的には、成分ｂ１のアルキル基の炭素数は、８以上１６以下が好ましく、１０以上１４以下がより好ましい。成分ｂ１の具体例としては、例えば、炭素数１０〜１６のアルキル基を有するポリグルコシド、ラウリルグルコシド、アルキル基を有するポリガラクトシド、ラウリルガラクトシド等が挙げられる。
【００５６】
成分ｂ１がアルキル（ポリ）グリセリンである場合、成分ｂ１のアルキル基の炭素数は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、８以上が好ましく、１２以上がより好ましく、そして、同様の観点から、２２以下が好ましく、１８以下がより好ましい。より具体的には、成分ｂ１のアルキル基の炭素数は、８以上２２以下が好ましく、１２以上１８以下がより好ましい。成分ｂ１の具体例としては、例えば、炭素数１２のアルキル基を有するラウリル（ポリ）グリセリン等が挙げられる。
【００５７】
液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の含有量は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、臨界ミセル濃度（ｃｍｃ）以上かつ０．００８質量％以上が好ましく、０．０１５質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、０．０４質量％以上が更に好ましく、そして、コストや泡立ち抑制の観点から、３質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下が更に好ましく、０．３質量％以下が更に好ましく、０．１２質量％以下が更に好ましく、０．０８質量％以下が更に好ましく、０．０６質量％以下が更に好ましい。同様の観点から、液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の含有量は、０．００８質量％以上３質量％以下が好ましく、０．０１５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０４質量％以上０．５質量％以下が更に好ましい。更には、ウェーハ表面上の残留物低減を最適化する観点から、臨界ミセル濃度（ｃｍｃ）以上過剰に含まないことが好ましく、液体組成物Ｂ中の成分ｂ１の含有量は、０．０２質量％以上０．０８質量％以下が好ましく、０．０４質量％以上０．０８質量％以下がより好ましく、０．０４質量％以上０．０６質量％以下が更に好ましい。
成分ｂ１が２種以上の非イオン性界面活性剤からなる場合、成分ｂ１の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００５８】
＜水＞
液体組成物Ｂは、媒体として水を含有する。水としては、イオン交換水、蒸留水、超純水等が挙げられる。液体組成物Ｂ中の水の含有量は、成分ｂ１及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００５９】
＜消泡剤（成分ｂ２）＞
液体組成物Ｂは、消泡剤ｂ２（以下、「成分ｂ２」ともいう）をさらに含むことができる。成分ｂ２としては、消泡性の観点から、シリコーン消泡剤、アルキレンオキサイド消泡剤、アルコールアルコキシレート消泡剤、ポリプロピレングリコール消泡剤、及びリン酸エステル消泡剤から選ばれる少なくとも１種が好ましく、シリコーン消泡剤がより好ましい。成分ｂ２は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
液体組成物Ｂ中の成分ｂ２の含有量は、消泡性の観点から、１０ｐｐｍ以上が好ましく、３０ｐｐｍ以上がより好ましく、５０ｐｐｍ以上が更に好ましく、１００ｐｐｍ以上が更に好ましく、そして、欠陥増加抑制の観点から、５０００ｐｐｍ以下が好ましく、３０００ｐｐｍ以下がより好ましく、２０００ｐｐｍ以下が更に好ましく、１０００ｐｐｍ以下が更に好ましい。より具体的には、液体組成物Ｂ中の成分ｂ２の含有量は、１０ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下が好ましく、３０ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下が更に好ましく、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍが更に好ましい。成分ｂ２が２種以上の消泡剤からなる場合、成分ｂ２の含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００６１】
液体組成物Ｂは、本開示の効果が妨げられない範囲で、成分ｂ１、成分ｂ２及び水以外のその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、ｐＨ調整剤、キレート剤が挙げられる。ｐＨ調整剤としては、上述した研磨液組成物ＡのｐＨ調整剤と同じものが挙げられる。
【００６２】
液体組成物Ｂは、一又は複数の実施形態において、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、特定化学物質の環境への排出量の把握等及び管理の改善の促進に関する法律（ＰＲＴＲ法）において指定される第1種指定化合物を実質的に含まないことが好ましい。ここで、ＰＲＴＲ法において指定される第１種指定化合物を実質的に含まないとは、液体組成物Ｂ中の前記第１種指定化合物の含有量が１質量％未満、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは実質的に０質量％であることをいう。
【００６３】
液体組成物Ｂは、一又は複数の実施形態において、塩基性の窒素含有有機化合物を実質的に含まないものであってもよい。ここで、液体組成物Ｂが前記窒素含有有機化合物を実質的に含まないとは、液体組成物Ｂ中の前記窒素含有有機化合物の含有量が０．０１質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。
【００６４】
本開示における液体組成物Ｂは、成分ｂ１、水、及び、所望により上述した任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、液体組成物Ｂは、少なくとも成分ｂ１及び水を配合してなるものとすることができる。成分ｂ１が複数種類の非イオン性界面活性剤の組合せである場合、成分ｂ１は、複数種類の非イオン性界面活性剤をそれぞれ配合することにより得ることができる。ここで、「配合する」とは、成分ｂ１及び水、並びに必要に応じて上述した任意成分を同時に又は順に混合することを含む。混合する順序は特に限定されない。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示において、液体組成物Ｂの製造方法における各成分の配合量は、上述した本開示における液体組成物Ｂ中の各成分の含有量と同じとすることができる。
【００６５】
本開示において、「液体組成物Ｂ中の各成分の含有量」は、液体組成物Ｂの使用時、すなわち、液体組成物Ｂをシリコンウェーハの浸漬に使用する時点における前記各成分の含有量をいう。
【００６６】
本開示において、液体組成物Ｂは、濃縮物として製造され、使用時に、必要に応じて希釈して使用してもよい。液体組成物Ｂの濃縮物は、使用時に各成分の含有量が上述した含有量となるように水で希釈して使用することができる。本開示において液体組成物の濃縮物の「使用時」とは、一又は複数の実施形態において、液体組成物Ｂの濃縮物が希釈された状態をいう。
【００６７】
液体組成物ＢのｐＨは、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、３以上が好ましく、４以上がより好ましく、そして、Haze悪化抑制観点から、１１以下が好ましく、１０以下がより好ましく、９以下が更に好ましい。より具体的には、液体組成物ＢのｐＨは、３以上１１以下が好ましく、３以上１０以下がより好ましく、３以上９以下が更に好ましく、４以上９以下が更に好ましい。本開示において、液体組成物ＢのｐＨは、２５℃における値であって、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
【００６８】
液体組成物Ｂの温度は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、１０℃以上が好ましく、１３℃以上がより好ましく、１５℃以上が更に好ましく、１８℃超が更に好ましく、そして、同様の観点から、４０℃以下が好ましく、３０℃以下がより好ましく、２５℃以下が更に好ましい。同様の観点から、液体組成物Ｂの温度は、１０℃以上４０℃以下が好ましく、１３℃以上４０℃以下が好ましく、１５℃以上４０℃以下が更に好ましく、１８℃超４０℃以下が更に好ましく、１８℃超３０℃以下が更に好ましく、１８℃超２５℃以下が更に好ましい。
【００６９】
工程（２）において、工程（１）で得られたシリコンウェーハの液体組成物Ｂへの浸漬時間は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、1分以上が好ましく、５分以上がより好ましく、１０分以上が更に好ましい、そして、同様の観点から、１２０分以下が好ましく、９０分以下がより好ましく、６０分以下が好ましく、４５分以下が更に好ましい。同様の観点から、浸漬時間は、１分以上１２０分以下が好ましく、５分以上９０分以下がより好ましく、１０分以上６０分以下が更に好ましく、１０分以上４５分以下が更に好ましい。
【００７０】
工程（２）において、シリコンウェーハの表面の面積（ｍ2）と液体組成物Ｂの量（Ｌ）の比（面積／液体組成物Ｂの量）は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、０．０１以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０３以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．１以下が好ましく、０．０８以下がより好ましく、０．０６以下が更に好ましい。同様の観点から、シリコンウェーハの表面の面積（ｍ2）と液体組成物Ｂの量（Ｌ）の比は、０．０１以上０．１以下が好ましく、０．０２以上０．０８以下がより好ましく、０．０３以上０．０６以下が更に好ましい。
【００７１】
［工程（３）：洗浄工程］
工程（３）は、工程（２）で得られたシリコンウェーハを、洗浄剤組成物Ｃを用いて洗浄する工程（洗浄工程）である。洗浄剤組成物Ｃは、一又は複数の実施形態において、成分ｂ１を実質的に含まない洗浄剤組成物であり、ここで、洗浄剤組成物Ｃが成分ｂ１を実質的に含まないとは、洗浄剤組成物Ｃ中の成分ｂ１の含有量が０．００８質量％未満であること、好ましくは実質的に０質量％であることをいう。洗浄剤組成物Ｃは、一又は複数の実施形態において、洗浄性向上の観点から、有機化合物を実質的に含まないことが好ましい。ここで、洗浄剤組成物Ｃが有機化合物を実質的に含まないとは、洗浄剤組成物Ｃ中の有機化合物の含有量が０．１質量％以下、好ましくは０．０５質量％以下、より好ましくは実質的に０質量％であることをいう。洗浄剤組成物Ｃの一実施形態としては、例えば、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤が挙げられる。
【００７２】
工程（３）の洗浄は、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、無機物洗浄が好ましく、例えば、一般的に用いられているＲＣＡ洗浄やＳＣＲＯＤ洗浄を用いることができる。
【００７３】
ＲＣＡ洗浄とは、基本的には、ウェーハ表面に付着したパーティクルの除去に使用されるＳＣ１洗浄、及び、ウェーハ表面に付着した重金属の除去に使用されるＳＣ２洗浄を含み、必要に応じて、ウェーハ表面に付着した有機物の除去に使用されるＳＰＭ洗浄、及び、ウェーハ表面の不要な酸化膜の除去に使用されるＤＨＦ洗浄を含むものである。ＳＣＲＯＤ洗浄は、パーティクルの除去や重金属の除去に使用されるものである。ＲＣＡ洗浄及びＳＣＲＯＤ洗浄の洗浄方法としては、例えば、浸漬洗浄法や枚葉洗浄法が挙げられる。
ＳＣ１洗浄では、例えば、アンモニアと過酸化水素と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣ２洗浄では、例えば、塩酸と過酸化水素水と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＰＭ洗浄では、例えば、硫酸と過酸化水素水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＤＨＦ洗浄では、例えば、フッ酸と水とからなる洗浄剤組成物が用いられる。ＳＣＲＯＤ洗浄では、オゾン水やフッ酸が用いられる。
上述した洗浄の各洗浄工程の後に、水でリンスし、乾燥する工程が含まれていてもよい。
【実施例】
【００７４】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【００７５】
１．液体組成物Ｂの調製
表１及び２に示す成分ｂ１（非イオン性界面活性剤）又は非成分ｂ１を水に配合して混合し、各実施例１〜２８及び比較例１〜８の液体組成物Ｂを調製した。ｐＨ調製には、クエン酸、アンモニアを用いた。
【００７６】
表１及び２に示す実施例１〜２８及び比較例１〜８の液体組成物Ｂの調製において、成分ｂ１及び非成分ｂ１には下記のものを使用した。なお、以下の説明において、（  ）内の数値は平均付加モル数を表わす。
（成分ｂ１）
実施例１：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２、エチレンオキシド；平均付加モル数６］
実施例２、２１〜２３：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２、エチレンオキシド；平均付加モル数９］
実施例３：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２、エチレンオキシド；平均付加モル数１２］
実施例４：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１８、エチレンオキシド；平均付加モル数１３］
実施例５：ポリオキシエチレンアルケニルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１８、不飽和結合を１つ含む、エチレンオキシド；平均付加モル数９］
実施例６：ポリオキシエチレンアルケニルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１８、不飽和結合を１つ含む、エチレンオキシド；平均付加モル数１３］
実施例７、１９、２０：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［分岐アルキル基の炭素数１２−１４、エチレンオキシド；平均付加モル数７］
実施例８：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［分岐アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド平均付加モル数１２］
実施例９：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド（４）プロピレンオキシド（０．２）エチレンオキシド（４）；ブロック型］
実施例１０：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド（９）プロピレンオキシド（２）エチレンオキシド（９）；ブロック型］
実施例１１：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド（４）プロピレンオキシド（２）エチレンオキシド（４）；ブロック型］
実施例１２、２４〜２６：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド（３）プロピレンオキシド（１．５）エチレンオキシド（３）；ブロック型］
実施例１３：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンアルキルエーテル［分岐アルキル基；炭素数１２−１４、エチレンオキシド（５）プロピレンオキシド（２）エチレンオキシド（５）；ブロック型］
実施例１４：アルキルポリグルコシド［直鎖アルキル基；炭素数１０−１６］
実施例１５：アルキルポリグリセリンエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２］
実施例１６：ポリオキシエチレンスチレン化フェノール［エチレンオキシド平均付加モル数１３］
実施例１７：ポリオキシエチレントリベンジル化フェノール［エチレンオキシド平均付加モル数１４］
実施例１８、２７、２８：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル［分岐アルキル基；炭素数８、２エチルヘキシル基、エチレンオキシド平均付加モル数９、プロピレンオキシド平均付加モル数５、ブロック型、末端ＰＯ］
（非成分ｂ１）
比較例１：水
比較例２：クエン酸
比較例３：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１２、エチレンオキシド；平均付加モル数４７］
比較例４：ポリオキシエチレンアルキルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１８、エチレンオキシド；平均付加モル数５０］
比較例５：ポリオキシエチレンアルケニルエーテル［直鎖アルキル基；炭素数１８、不飽和結合を１つ含む、エチレンオキシド；平均付加モル数３０］
比較例６：ポリオキシエチレンノニル化フェノール［エチレンオキシド；平均付加モル数２９］
比較例７：ポリオキシエチレントリベンジル化フェノール［エチレンオキシド平均付加モル数３０］
比較例８：ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン−ポリオキシエチレンブロックポリマー［旭電化社製、プルロニックＦ１０８］
【００７７】
２．各種パラメータの測定方法
（１）成分ｂ１（非イオン性界面活性剤）及び非成分ｂ１の表面張力
成分ｂ１又は非成分ｂ１の水溶液（固形分が表１及び表２に記載の量となるように成分ｂ１又は非成分ｂ１を純水で希釈したもの）のｐＨを４、７、９および１１に調整した。ｐＨ調整には、必要に応じてクエン酸やアンモニアを用いた。そして、ｐＨ調整後の水溶液（２５℃）をシャーレに入れ、ウィルヘルミ法（白金プレートを浸漬し、一定速度で引き上げる方法）により表面張力計（協和界面化学社製「ＣＢＶＰ−Ｚ」）を用いて表面張力を測定した。測定結果を表１及び表２に示した。
【００７８】
（２）研磨液組成物Ａ及び液体組成物ＢのｐＨ
研磨液組成物Ａ及び液体組成物ＢのｐＨ２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜電波工業社製、「ＨＭ−３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を研磨液組成物Ａ又は液体組成物Ｂへ浸漬して１分後の数値である。
【００７９】
（３）砥粒（シリカ粒子）の平均二次粒子径
シリカ粒子の平均二次粒子径（ｎｍ）は、シリカ粒子の濃度が０．１５質量％となるようにイオン交換水で希釈した後、得られた水溶液を、Ｄｉｓｐｏｓａｂｌｅ  Ｓｉｚｉｎｇ  Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製、１０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：ゼータサイザーＮａｎｏ  ＺＳ、シスメックス社製）を用いて２５℃、積算１０回、平衡時間０分の条件で測定した。粒子パラメータとして水の屈折率１．３３３、吸収係数０を用い、Ｚ平均値を平均二次粒子径とした。
【００８０】
３．評価
［除去性］
ウェーハ表面の残留物の除去性の評価を以下のようにして行った。評価結果を表1及び表２に示した。
（１）４ｃｍ×４ｃｍにカットしたシリコンウェーハ（結晶面１００、抵抗率１〜１００Ω・ｃｍ）を、１質量％フッ酸水溶液でシリコン撥水処理した。
（２）シリカ粒子（コロイダルシリカ、平均二次粒子径７０ｎｍ、扶桑化学社製の「PL-3」）、ＨＥＣ（重量平均分子量８０万、住友精化社製の「CF-V」）、アンモニア及び超純水を混合して研磨液組成物Ａを調製した。研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．３質量％、ＨＥＣが０．０１５質量％、アンモニアが０．０１５質量％であり、その残余が超純水である。研磨液組成物ＡのｐＨは、１０．７であった。
（３）調製した研磨液組成物Ａ（温度２５℃）１００ｍＬにシリコン撥水処理したシリコンウェーハを１分間浸漬した。
（４）研磨液組成物Ａ中からシリコンウェーハを引き上げ、流水で５秒間水洗いした。
（５）水洗いしたシリコンウェーハ（表面積０．００１６ｍ2）を、調製した各液体組成物Ｂ（温度２５℃）０．１Ｌに浸漬した。浸漬時間は、表１及び２に示す。
（６）液体組成物Ｂからシリコンウェーハを静かに取り出し、液体組成物Ｂ中のＳｉ濃度（ｐｐｂ）を、核誘導結合プラズマ質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ、アジレント製、７７００Ｓ）を用いて測定した。測定結果を表１及び２に示す。液体組成物Ｂ中のＳｉ濃度が高いほど、ウェーハ表面から残留物が除去され、ウェーハ表面上の残留物が低減されたと判断できる。
【００８１】
【表１】
2019121795.tif 000002
【００８２】
【表２】
2019121795.tif 000003
【００８３】
表１及び２に示されるように、所定の非イオン性界面活性剤（成分ｂ１）を含む液体組成物を用いた実施例１〜２８では、比較例１〜８に比べて、研磨されたシリコンウェーハ表面上の残留物の除去性が向上していた。
【００８４】
［泡立ち性］
実施例７の液体組成物Ｂに、表３に示す成分ｂ２（消泡剤、配合量１０００ｐｐｍ）をさらに配合し、泡立ち性を評価した。
具体的には、表３に示す成分ｂ１（非イオン性界面活性剤）及び成分ｂ２（消泡剤）を含む水溶液を調製し、該水溶液３０ｇを５０ｍｌのスクリュー管へ投入した。蓋を閉め、２０秒間スクリュー管を上下に振った。静置後、スクリュー管底部から泡立ちした液上部までの距離を測定した。スクリュー管を振る前の液面からの距離との差分を泡立ち性とした。
【００８５】
表３に示す成分ｂ２には下記のものを使用した。
（成分ｂ２：消泡剤）
実施例２９：アルキレンオキサイド消泡剤［BASF社製、Pluronic PE10100］
実施例３０：アルキレンオキサイド消泡剤［BASF社製、Pluronic PE6100、平均分子量２，０００］
実施例３１：アルキレンオキサイド消泡剤［BASF社製、Pluronic PE10400］
実施例３２：アルコールアルコキシレート消泡剤［BASF社製、Plurafac LF300］
実施例３３：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon LS24］
実施例３４：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon LS36、構造（略式）：R-(EO)3(PO)6］
実施例３５：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon LS45］
実施例３６：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon LT54、構造（略式）：R-(EO)5(PO)4］
実施例３７：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon 104L］
実施例３８：アルキレンオキサイド消泡剤［Cognis社製、Dehypon supra］
実施例３９：リン酸エステル消泡剤［BASF社製、Degressal SD20］
実施例４０：リン酸エステル消泡剤［BASF社製、Degressal SD21］
実施例４１：ポリプロピレングリコール消泡剤［旭硝子社製、エクセノール3030、平均分子量３，０００］
実施例４２：ポリプロピレングリコール消泡剤［旭硝子社製、エクセノール3020、平均分子量３，２００］
実施例４３：ポリプロピレングリコール消泡剤［旭硝子社製、エクセノールS4011、平均分子量１０，０００］
実施例４４：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、FSアンチフォーム25］
実施例４５：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、FSアンチフォーム80］
実施例４６：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、FSアンチフォーム92］
実施例４７：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、FSアンチフォーム544］
実施例４８：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、DK Q1-71］
実施例４９：シリコーン消泡剤［東レ・ダウコーニング社製、DK Q1-1247］
【００８６】
【表３】
2019121795.tif 000004
【００８７】
表３に示されるように、所定の非イオン性界面活性剤（成分ｂ１）及び消泡剤（成分ｂ２）を含む実施例２９〜４９では、消泡剤を含まない実施例７に比べて、泡立ち性が抑制されていた。実施例２９〜４３と実施例４４〜４９との比較から、泡立ち性の点からは、シリコーン消泡剤が好ましいことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本開示によれば、研磨されたシリコンウェーハ表面上の残留物を低減できるため、表面欠陥が低減されたシリコンウェーハを製造でき、半導体基板の量産において有用である。