(57)【要約】【課題】表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、該表示装置は、発光領域と、発光領域周辺の非発光領域とを含む基板と、基板の発光領域に配置された表示素子と、基板の非発光領域に、第１幅を有する下部と、第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有するホールを具備した絶縁層と、表示素子及び絶縁層を覆い、ホール内部を充填する封止部材と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域と、前記発光領域の周辺の非発光領域とを含む基板と、
前記基板の前記発光領域に配置された表示素子と、
前記基板の前記非発光領域に、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有するホールを具備した絶縁層と、
前記表示素子及び前記絶縁層を覆い、前記ホールの内部を充填する封止部材と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ホールの下部高は、前記絶縁層の厚みより小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記表示素子は、
第１電極と、
前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間の発光層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記第１電極のエッジを覆い、
前記第２電極が前記絶縁層の上部に延長されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁層の前記ホールの内に、前記第２電極と同一物質の導電物質が具備されたことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
基板と、
前記基板上の第１電極と、
前記第１電極のエッジを覆い、前記第１電極の一部を露出させる開口、及び前記第１電極の周辺にホールを具備した第１絶縁層と、
前記第１電極上に配置され、発光層を含む中間層と、
前記中間層及び前記第１絶縁層を覆い、前記ホールの内に一部が配置された第２電極と、
前記第２電極を覆い、前記ホールの内部を充填する封止部材と、を含み、
前記ホールは、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記ホールの中心から全方向に、前記ホールの中心から前記ホールの下部側面までの距離が、前記ホールの中心から前記ホールの上部の側面までの距離より長いことを特徴とする請求項１又は６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ホールの下部側面から前記ホールの上部の側面までの距離が、１，５００Å以下であることを特徴とする請求項１又は６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ホールの下部高は、前記第１絶縁層の厚みより小さいことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記封止部材は、無機膜を含むことを特徴とする請求項１又は６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記封止部材は、無機膜及び有機膜が相互に積層された多層膜を含むことを特徴とする請求項１又は６に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極と電気的に連結された画素回路と、
前記第１電極と前記画素回路との間の第２絶縁層と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１３】
発光領域と、前記発光領域の周辺の非発光領域とを含む基板を提供する段階と、
前記基板の前記非発光領域に犠牲層を形成する段階と、
前記基板の前記発光領域に第１電極を形成する段階と、
前記犠牲層及び第１電極を覆う第１絶縁層を形成する段階と、
前記第１絶縁層に、前記第１電極の一部を露出させる第１開口、及び前記犠牲層の一部を露出させる第２開口を形成する段階と、
前記犠牲層を除去し、前記第１絶縁層の前記第２開口が形成された領域にホールを形成する段階と、
前記第１開口に発光層を形成する段階と、
前記発光層及び前記第１絶縁層の上部に第２電極を形成する段階と、
前記第２電極上部に封止部材を形成する段階と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ホールは、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ホールの中心から全方向に、前記ホールの中心から前記ホールの下部側面までの距離が、前記ホールの中心から前記ホールの上部の側面までの距離より長いことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ホールの下部側面から前記ホールの上部の側面までの距離が、１，５００Å以下であることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、より詳しくは、封止部材の剥離を防止する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、正孔注入電極及び、電子注入電極、並びにそれらの間に形成されている有機発光層を含む有機発光素子を具備し、該正孔注入電極で注入される正孔と、該電子注入電極で注入される電子とが有機発光層で結合して生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が、励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ  ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ  ｓｔａｔｅ）に低下しつつ光を発生させる自発光型表示装置である。
【０００３】
該自発光型表示装置である有機発光表示装置は、別途の光源が不要であるので、低電圧で駆動が可能であり、軽量薄型に構成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１６５６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、封止部材と表示部との界面で発生する封止部材の剥離を防止する表示装置を提供することを目的にする。しかしながら、そのような課題は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による表示装置は、発光領域と、前記発光領域の周辺の非発光領域とを含む基板と、前記基板の前記発光領域に配置された表示素子と、前記基板の前記非発光領域に、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有するホールを具備した絶縁層と、前記表示素子及び前記絶縁層を覆い、前記ホールの内部を充填する封止部材と、を含む。
【０００７】
一実施形態において、前記ホールの中心から全方向に、前記ホールの中心から前記ホールの下部側面までの距離が、前記ホールの中心から前記ホールの上部の側面までの距離よりも長い。
【０００８】
一実施形態において、前記ホールの下部側面から前記ホールの上部の側面までの距離が１，５００Å以下である。
【０００９】
一実施形態において、前記ホールの下部高は、前記絶縁層の厚みよりも小さい。
【００１０】
一実施形態において、前記表示素子は、第１電極と、前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の発光層と、を含む。
【００１１】
一実施形態において、前記絶縁層は、前記第１電極のエッジを覆い、前記第２電極が前記絶縁層の上部に延長される。
【００１２】
一実施形態において、前記絶縁層のホールの内に、前記第２電極と同一物質の導電物質が具備される。
【００１３】
一実施形態において、前記封止部材は、無機膜を含んでもよい。
【００１４】
一実施形態において、前記封止部材は、無機膜及び有機膜が相互に積層された多層膜を含んでもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上の第１電極と、前記第１電極のエッジを覆い、前記第１電極の一部を露出させる開口、及び前記第１電極周辺にホールを具備した第１絶縁層と、前記第１電極上に配置され、発光層を含む中間層と、前記中間層及び前記第１絶縁層を覆い、前記ホール内に一部が配置された第２電極と、前記第２電極を覆い、前記ホールの内部を充填する封止部材と、を含み、前記ホールは、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有する。
【００１６】
一実施形態において、前記ホールの中心から全方向に、前記ホールの中心から前記ホールの下部側面までの距離が、前記ホールの中心から前記ホールの上部の側面までの距離よりも長い。
【００１７】
一実施形態において、前記ホールの下部側面から前記ホールの上部の側面までの距離が１，５００Å以下でもある。
【００１８】
一実施形態において、前記ホールの下部高は、前記第１絶縁層の厚みよりも小さい。
【００１９】
一実施形態において、前記封止部材は、無機膜を含んでもよい。
【００２０】
一実施形態において、前記封止部材は、無機膜及び有機膜が相互に積層された多層膜を含んでもよい。
【００２１】
一実施形態において、前記表示装置は、前記第１電極と電気的に連結された画素回路と、前記第１電極と前記画素回路との間の第２絶縁層と、をさらに含んでもよい。
【００２２】
本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、発光領域と、前記発光領域周辺の非発光領域とを含む基板を提供する段階と、前記基板の非発光領域に犠牲層を形成する段階と、前記基板の発光領域に第１電極を形成する段階と、前記犠牲層及び第１電極を覆う第１絶縁層を形成する段階と、前記第１絶縁層に、前記第１電極の一部を露出させる第１開口、及び前記犠牲層の一部を露出させる第２開口を形成する段階と、前記犠牲層を除去し、前記第１絶縁層の前記第２開口が形成された領域にホールを形成する段階と、前記第１開口に発光層を形成する段階と、前記発光層及び前記第１絶縁層の上部に第２電極を形成する段階と、前記第２電極上部に封止部材を形成する段階と、を含む。
【００２３】
一実施形態において、前記ホールは、第１幅を有する下部と、前記第１幅より狭い第２幅を有する上部との構造を有する。
【００２４】
一実施形態において、前記ホールの中心から全方向に、前記ホールの中心から前記ホールの下部側面までの距離が、前記ホールの中心から前記ホールの上部の側面までの距離よりも長い。
【００２５】
一実施形態において、前記ホールの下部側面から前記ホールの上部の側面までの距離が１，５００Å以下である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の実施形態による表示装置は、封止部材と表示部との界面で発生する封止部材の剥離を防止し、製品収率を高めることができる。
ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図である。
【図４】図１に図示した表示装置のＩ−Ｉ’に沿って切り取った部分断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態による表示装置の剥離力テスト結果を示したグラフである。
【図１７】本発明の一実施形態による剥離障害構造が適用された表示装置の他の例である。
【図１８】本発明の一実施形態による剥離障害構造が適用された表示装置の他の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有するが、特定実施形態を図面に例示し、詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現される。
【００２９】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用する。
【００３０】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって表現しない限り、複数の表現を含む。
【００３１】
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載した特徴または構成要素が存在することを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
【００３２】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
【００３３】
図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさを誇張していたり縮小していたりする。例えば、図面に示した各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために、任意に示しており、本発明は、必ずしも図示しているところに限定されるものではない。
【００３４】
ある実施形態が異なる順序で具現可能である場合、特定の工程順序は、説明すれる順序と異なっても遂行される。例えば、連続して説明する２つの工程が、実質的に同時にも遂行され、説明する順序と反対の順序に進められもする。
【００３５】
本明細書において、「対応する」または「対応して」という用語は、文脈により、同一の列または行に配置されたり連結されたりすることを意味する。例えば、第１部材が、複数の第２部材において、「対応する」第２部材に連結されるということは、第１部材と同一列または同一行に配置された第２部材に連結されることを意味する。
【００３６】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素には、同一図面符号を付し、それに関する重複説明は、省略する。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図であり、図２及び図３は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した平面図であり、図４は、図１に図示した表示装置のＩ−Ｉ’に沿って切り取った部分断面図である。
【００３８】
図１ないし図３を共に参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置１０は、第３方向に順に積層された基板１００、基板１００上の表示部２００、及び表示部２００を覆う封止部材３００を含む。
表示装置１０は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ）またはエレクトロウェティング表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌ）などでもある。以下では、有機発光表示装置を例として説明する。
【００３９】
基板１００は、発光領域Ｒ１、及び発光領域Ｒ１周辺の非発光領域Ｒ２を含む。
【００４０】
表示部２００には、複数の画素が、第１方向（行方向）及び第２方向（列方向）にも配置される。例えば、表示部２００には、複数の第１画素ＰＸ１、複数の第２画素ＰＸ２、及び複数の第３画素ＰＸ３が、第１方向及び第２方向に、所定パターンによって反復配置される。
【００４１】
該画素は、表示素子、及び表示素子に電気的に連結された画素回路を含む。該画素回路は、少なくとも１つの薄膜トランジスタ、及び少なくとも１つのキャパシタを含む。該表示素子は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）である。
【００４２】
該表示素子は、発光領域Ｒ１に配置され、該画素回路は、発光領域Ｒ１、及び／または発光領域Ｒ１周辺の非発光領域Ｒ２にも配置される。発光領域Ｒ１は、表示素子の第１電極または発光層が配置された領域とも定義される。
【００４３】
封止部材３００は、表示部２００上に積層された１つ以上の薄膜を含む。一実施形態において、封止部材３００は、複数の薄膜を含み、外部からの水分及び／または空気が表示部２００に侵透することを防止する。
【００４４】
封止部材３００は、表示部２００を覆い、表示部２００外側にまで延長される。封止部材３００は、少なくとも１つの無機物によって具備された無機層、及び少なくとも１つの有機物により具備された有機層を含んでもよい。一部実施形態において、封止部材３００は、第１無機層／有機層／第２無機層が積層された構造に具備される。
【００４５】
図示していないが、封止部材３００上部には、外光反射を減らすための偏光層、ブラックマットリックス、カラーフィルタ、及び／またはタッチ電極を具備したタッチスクリーン層など多様な機能層が具備される。また、封止部材３００上部には、ＰＳＡ（ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）により、ウィンドウ（ｗｉｎｄｏｗ）が結合される。
【００４６】
図２の実施形態において、発光領域Ｒ１は、第１方向及び第２方向にストライプ状に一列に配列される。各行には、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３が、第１方向に沿って発光領域Ｒ１に相互に配置される。第１列には、第１画素ＰＸ１が第２方向に沿って配置され、第１列に隣接した第２列には、第２画素ＰＸ２が第２方向に沿って配置され、第２列に隣接した第３列には、第３画素ＰＸ３が第２方向に沿って配置される。
【００４７】
図３の実施形態において、発光領域Ｒ１は、第１方向に、ジグザグ状に配列され、第２方向に、ストライプ状に一列に配列される。各行には、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２及び第３画素ＰＸ３が、第１方向に沿ってジグザグに発光領域Ｒ１に相互に配置される。第１列には、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２が、第２方向に沿って相互に配置され、第１列に隣接した第２列には、第３画素ＰＸ３が第２方向に沿って配置され、第２列に隣接した第３列には、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２が第２方向に沿って相互に配置される。第１列の第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２の配置と、第３列の第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２の配置は、反対でもある。
【００４８】
図２及び図３の実施形態において、発光領域Ｒ１が四角形である例を図示しているが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではなく、発光領域Ｒ１は、多角形、長方形、円形、円錐型、楕円形、三角形など多様な形状を有する。
【００４９】
非発光領域Ｒ２には、発光領域Ｒ１を取り囲み、画素定義膜として機能する絶縁層が配置され、絶縁層には、一定間隔でホールＡＨが具備される。
【００５０】
図４を参照すれば、表示装置１０は、基板１００上部と、画素が配置された表示部２００と、表示部２００上部の封止部材３００と、を含む。
【００５１】
該画素は、発光領域Ｒ１に配置された表示素子１３０を含む。基板１００と表示素子１３０との間には、少なくとも１層の絶縁層ＩＬが配置される。
【００５２】
表示素子１３０は、第１電極１３１、第１電極に対向する第２電極１３３、及び第１電極１３１と第２電極１３３との間の中間層１３２を含む。図示していないが、第１電極１３１は、下部の画素回路と電気的に連結される。
【００５３】
非発光領域Ｒ２には、ホールＡＨを具備する画素定義膜ＰＤＬが配置される。
【００５４】
画素定義膜ＰＤＬのホールＡＨは、表示素子１３０周辺に位置し、第１幅Ｗ１を有する下部ＡＨＤと、第１幅Ｗ１より狭い第２幅Ｗ２を有する上部ＡＨＵとの構造を有する。ホールＡＨの中心Ｐからホール下部ＡＨＤの側面までの距離Ｄ１は、ホールＡＨの中心Ｐからホール上部ＡＨＵの側面までの距離Ｄ２より長い。すなわち、ホールＡＨは、下部断面が上部断面より大きく広い状態に形成される。
【００５５】
すなわち、画素定義膜ＰＤＬに形成されたホールＡＨのパターンは、画素定義膜ＰＤＬの下部が上部よりさらに多く除去されることにより、平面上、ホールの中心Ｐから全方向に、画素定義膜ＰＤＬの上部と絶縁層ＩＬ側との間にギャップＧＡＰが形成されるアンダーカット（ＵＣ：ｕｎｄｅｒｃｕｔ）構造を有する。
【００５６】
ここで、「アンダーカット」は、層をエッチングするとき、層の横面が過度にエッチングされ、層の上部面積より層の下部面積が細くなった形態を意味する。
【００５７】
ホールＡＨ内には、表示素子１３０の第２電極１３３と同一物質の導電物質１３５が配置される。導電物質１３５は、表示素子１３０の第２電極１３３が、画素定義膜ＰＤＬの上部面に延長されながら、ホールＡＨ内部に残存した第２電極１３３の一部でもある。
【００５８】
封止部材３００は、第２電極１３３の上部、及びホールＡＨを覆うように配置される。それにより、封止部材３００は、ホールＡＨ内部を充填する。封止部材３００は、ホールＡＨ内部の導電物質１３５を覆う。
【００５９】
前述の実施形態において、ホールＡＨが円形に図示しているが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではなく、ホールＡＨの形態は、多角形、四角形、楕円形、三角形など多様な形状を有する。
【００６０】
図５ないし図１５は、本発明の一実施形態による表示装置を製造する工程を概略的に図示した断面図である。
【００６１】
図５を参照すれば、基板１００上に、バッファ層１１１が配置され、バッファ層１１１上に、半導体層を形成した後、該半導体層をパターニングし、薄膜トランジスタ１２０の活性層１２１を形成する。
【００６２】
基板１００は、ガラス材、セラミックス材、金属材、プラスチック材、またはフレキシブル特性またはベンダブル特性を有する物質を含む。例えば、基板１００は、耐熱性及び耐久性にすぐれ、曲面具現が可能な特性を有したポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン及びポリイミドなどの物質を含む。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、可撓性ある多様な素材が使用される。
【００６３】
基板１００は、前記物質の単層構造または多層構造を有し、多層構造の場合、無機層をさらに含んでもよい。一部実施形態において、基板１００は、有機物／無機物／有機物の構造を有する。
【００６４】
バッファ層１１１は、無機膜及び有機膜のうち少なくとも１枚の膜によって形成される。例えば、バッファ層１１１は、基板１００を介して不純元素の侵透を遮断し、表面を平坦化させる機能を遂行し、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような無機物で、単層または複層に形成される。バッファ層１１１は、省略されてもよい。
【００６５】
該半導体層は、多様な物質を含む。例えば、該半導体層は、非晶質シリコンまたは結晶質シリコンのような無機半導体物質を含む。他の例として、該半導体層は、酸化物半導体を含むか、あるいは有機半導体物質を含む。
【００６６】
活性層１２１上に、第１絶縁層１１２を形成し、第１絶縁層１１２上に、第１導電層を形成した後でパターニングし、ゲート電極１２２を形成する。
【００６７】
第１絶縁層１１２は、無機絶縁膜である。第１絶縁層１１２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴのうちから選択された１以上の絶縁膜が、単層または複層に形成される。
【００６８】
第１導電層は、多様な導電性物質で形成できる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうち１以上の物質により、単層または多層に形成される。
【００６９】
ゲート電極１２２上に、第２絶縁層１１３を形成し、第２絶縁層１１３をパターニングし、活性層１２１のソース領域及びドレイン領域の一部を露出させるコンタクトホール１２５を形成する。
【００７０】
第２絶縁層１１３は、無機絶縁膜である。第２絶縁層１１３は、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴのうちから選択された１以上の絶縁膜が、単層または複層に形成される。他の実施形態において、第２絶縁層１１３は、有機絶縁膜でもある。
【００７１】
第２絶縁層１１３上に第２導電層を形成した後でパターニングし、活性層１２１のソース領域及びドレイン領域にそれぞれコンタクトするソース電極１２３及びドレイン電極１２４を形成する。
【００７２】
第２導電層は、第１導電層と同一物質で、単層または複層に形成される。
【００７３】
図６を参照すれば、ソース電極１２３上及びドレイン電極１２４上に、第３絶縁層１１４を形成し、第３絶縁層１１４をパターニングし、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４のうち一つ（図６では、ドレイン電極１２４）の一部を露出させるビアホールＶＩＡを形成する。
【００７４】
第３絶縁層１１４は、有機絶縁膜が、単層または複層に形成される。第３絶縁層１１４は、一般汎用ポリマー（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有するポリマー誘導体、アクリル系ポリマー、イミド系ポリマー、アリールエーテル系ポリマー、アミド系ポリマー、フッ素系ポリマー、ｐ−キシレン系ポリマー、ビニルアルコール系ポリマー、及びそれらの組合せなどを含む。例えば、第３絶縁層１１４は、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂などを含む。
【００７５】
図７を参照すれば、第３絶縁層１１４が形成された基板１００上部に、犠牲層１４０’を形成する。
【００７６】
一実施形態において、犠牲層１４０’は、追って形成される第１電極１３１を構成する物質と選択エッチングされる金属により、単層または複層に形成される。
【００７７】
他の実施形態において、犠牲層１４０’は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）及び／またはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような無機物により、単層または複層に形成される。
【００７８】
図８を参照すれば、犠牲層１４０’をパターニングし、非発光領域Ｒ２の第３絶縁層１１４上部に、犠牲パターン１４０を形成する。
【００７９】
犠牲層１４０’上に、フォトレジストを形成した後、マスクを利用し、露光工程及び現像工程を遂行することにより、非発光領域Ｒ２にフォトレジストパターンを形成する。該フォトレジストパターンをマスクにし、犠牲層１４０’をエッチングすることにより、非発光領域Ｒ２の第３絶縁層１１４上に、犠牲パターン１４０が形成される。
【００８０】
犠牲パターン１４０の厚みは、後述する第４絶縁層１１５の厚み以下である。
【００８１】
図９を参照すれば、犠牲パターン１４０が形成された基板１００上部に、第３導電層１３１’を形成する。第３導電層１３１’は、第３絶縁層１１４及び犠牲パターン１４０の上部面を覆う。
【００８２】
第３導電層１３１’は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などを含む反射層と、反射層上に形成された透明または半透明の電極層と、を含む。
【００８３】
図１０を参照すれば、第３導電層１３１’をパターニングし、第１電極１３１が形成され、第１電極１３１は、ビアホールＶＩＡを介して、ソース電極１２３及びドレイン電極１２４のうち１つの電極（図１０では、ドレイン電極１２４）に電気的に連結される。
【００８４】
本発明の実施形態は、犠牲パターン１４０の形成後、第１電極１３１を形成する例を図示している。しかし、本発明の実施形態は、第１電極１３１をまず形成した後、犠牲パターン１４０を形成できる。犠牲パターン１４０をまず形成した後、第１電極１３１を形成する場合、犠牲パターン１４０の形成工程による第１電極１３１の損傷を防止できる。
【００８５】
図１１を参照すれば、第１電極１３１が形成された基板１００上部に、第４絶縁層１１５を形成する。
【００８６】
第４絶縁層１１５は、前述の無機絶縁膜または有機絶縁膜により、単層または複層に形成される。
【００８７】
図１２を参照すれば、第４絶縁層１１５をパターニングし、第１電極１３１の少なくとも一部を露出させる第１開口ＯＰ１、及び犠牲パターン１４０の少なくとも一部を露出させる第２開口ＯＰ２を形成する。
【００８８】
第４絶縁層１１５は、第１電極１３１のエッジ、及び犠牲パターン１４０のエッジを覆うように配置されてもよい。
【００８９】
図１３を参照すれば、第４絶縁層１１５に挿入された犠牲パターン１４０を除去し、第４絶縁層１１５にホールＡＨを形成する。
【００９０】
犠牲パターン１４０は、エッチングによって除去される。該エッチング方式は、エッチング液を使用する湿式エッチング、またはプラズマやレーザを利用する乾式エッチングであるが、それらに限定されるものではない。該エッチング液は、第１電極１３１に損傷を与えない物質を使用することにより、素子特性に影響を与えないようにする。
【００９１】
等方性エッチングにより、第４絶縁層１１５の下部にアンダーカット（ＵＣ：ｕｎｄｅｒｃｕｔ）が形成されることが望ましい。すなわち、等方性エッチングにより、全方向に、ホールＡＨの下部が、第４絶縁層１１５側に凸状となる構造を有させる。それにより、ホールＡＨは、第４絶縁層１１５の下部に形成された第１幅Ｗ１の下部ＡＨＤと、第４絶縁層１１５の上部に形成された第２幅Ｗ２の上部ＡＨＵとの構造を有する。第４絶縁層１１５の上部と、第３絶縁層１１４との間には、ホールの下部ＡＨＤによるギャップＧＡＰが形成される。
【００９２】
第４絶縁層１１５の下部に形成されたアンダーカット（ＵＣ）の長さは、表示素子１３０と封止部材３００との界面剥離力を大きくしながら、ホールの下部ＡＨＤの上部に位置した第４絶縁層１１５が壊れない長さに制限される。例えば、アンダーカット（ＵＣ）の長さは、ほぼ１５，０００Å以下である。一実施形態において、該アンダーカット（ＵＣ）の長さは、３，０００ないし１５，０００Åである。
【００９３】
図１４を参照すれば、第１電極１３１が露出された第１開口ＯＰ１には、中間層１３２が形成され、中間層１３２上に、第１電極１３１に対向する第２電極１３３が形成される。
【００９４】
中間層１３２は、少なくとも発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）を含み、それ以外に、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）のうちいずれか１層以上の機能層を追加して含んでもよい。
【００９５】
該発光層は、赤色発光層、緑色発光層または青色発光層である。または、該発光層は、白色光を放出するように、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層された多層構造を有するか、あるいは赤色発光物質、緑色発光物質及び青色発光物質を含んだ単一層構造を有する。
【００９６】
図１４においては、中間層１３２が第１電極１３１にだけ対応するようにパターニングされているように図示しているが、それは、便宜上、そのように図示したものであり、中間層１３２は、隣接した発光領域Ｒ１の表示素子１３０の中間層１３２と一体にも形成されることは言うまでもない。また、中間層１３２のうち一部の層は、発光領域Ｒ１別に形成され、他層は、隣接した発光領域Ｒ１の中間層１３２と一体に形成されるというように、多様な変形が可能である。
【００９７】
第２電極１３３は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、及びそれらの化合物からなる層、その層上に、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３のような透明電極形成用物質から形成された補助電極やバス電極ラインを具備する。
【００９８】
第２電極１３３は、基板１００の発光領域Ｒ１及び非発光領域Ｒ２を含み、基板１００全面に形成される。第２電極１３３は、ホールＡＨのアンダーカット構造により、ホールＡＨ内で切断される。ホールＡＨによって切断された第２電極１３３の一部である導電物質１３５は、ホールＡＨの底に残存する（Ｓ１参照）。すなわち、導電物質１３５は、ホールＡＨ内において、第３絶縁層１１４の上部面と接触する。
【００９９】
他の実施形態において、第２電極１３３は、ホールＡＨによって切断されず、ホールＡＨの側面に沿って連続配置される（Ｓ２参照）。
【０１００】
図１５を参照すれば、第２電極１３３が形成された基板１００上部に、封止部材３００を形成する。
封止部材３００は、第１バリア層３１０、有機物層３２０及び第２バリア層３３０を含む。
【０１０１】
第１バリア層３１０は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、金属、またはＡｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２のような金属酸化膜のうちいずれか一つ、またはそれらのうち２個以上の組み合わせからなる単層または多層である。
【０１０２】
有機物層３２０は、一般汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの組合せなどが含まれた有機膜が、単層または多層に形成される。
【０１０３】
第２バリア層３３０は、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、金属、またはＡｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２のような金属酸化膜のうちいずれか一つ、またはそれらのうち２個以上の組み合わせからなる単層または多層である。
【０１０４】
第１バリア層３１０、有機物層３２０及び第２バリア層３３０は、スパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｏｒ）、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＩＢＡＤ（ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のうちから選択された１つの工法によって形成される。
【０１０５】
封止部材３００は、表示素子１３０周辺のほぼ平坦な面と接着力が弱く、剥離が容易である。例えば、封止部材３００の形成後、カッティング工程進行のために、封止部材３００上部に保護フィルムが付着され、カッティング工程後、保護フィルムが除去される過程において、封止部材３００と表示部２００との界面において、封止部材３００の剥離が発生する。膜剥離が進めば、表示装置の寿命に影響を与える。
【０１０６】
また、ローラブル表示装置のようなフレキシブル表示装置の折り畳み過程において、封止部材３００と表示部２００との界面において、封止部材３００の膜剥離が発生する。
【０１０７】
本発明の実施形態は、封止部材３００と表示素子１３０との界面で発生する剥離を最小化させるために、表示部の非発光領域に、剥離経路を増大させる剥離障害構造を形成する。本発明の実施形態は、表示部の最上絶縁層である画素定義膜に、アンダーカット構造のホールパターンである剥離障害構造を形成することにより、剥離力を向上できる。
【０１０８】
図１６は、本発明の一実施形態による表示装置の剥離力テスト結果を示したグラフである。
図１６は、剥離障害構造がない比較例と、アンダーカット長が６，０００Åである第１実施形態と、アンダーカット長が９，０００Åである第２実施形態との剥離長当たり剥離力テストの結果である。
【０１０９】
図１６を参照すれば、比較例の剥離力（５ｇｆ／ｉｎｃｈ）に比べ、第１実施形態及び第２実施形態の剥離力（２０乃至５０ｇｆ／ｉｎｃｈ）が増大したことが分かる。
【０１１０】
図１７及び図１８は、本発明の一実施形態による剥離障害構造が適用された表示装置の他の例である。
図１７に図示した表示装置２０、及び図１８に図示した円形表示装置３０に、溝のようなカッティング領域ＣＡが具備された場合、カッティング領域ＣＡ周辺において、剥離確率が高い。従って、本発明の剥離障害構造を、カッティング領域ＣＡに隣接した周辺領域Ｘ，Ｙの非発光領域に配置された画素定義膜に、一定間隔で形成することにより、剥離確率を低減できる。
【０１１１】
本発明の実施形態による剥離障害構造は、表示装置の形状に関係なく、表示部の非発光領域に配置された絶縁層（例えば、画素定義膜）に形成することにより、保護フィルムの除去時、またはフレキシブル表示装置の折り畳み時に発生する薄膜封止部材の膜分離現象を最小化させることにより、封止部材の接着力を高め、製品収率を高めることができる。
【０１１２】
以上のように、本発明は、図面に図示した一実施形態を参照にして説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野で当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能である点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の、表示装置及びその製造方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１１４】
１０、２０  表示装置
１００  基板
１１１  バッファ層
１１２  第１絶縁層
１１３  第２絶縁層
１１４  第３絶縁層
１１５  第４絶縁層
１２０  薄膜トランジスタ
１２１  活性層
１２２  ゲート電極
１２３  ソース電極
１２４  ドレイン電極
１２５  コンタクトホール
１３０  表示素子
１３１  第１電極
１３１’  第３導電層
１３２  中間層
１３３  第２電極
１３５  導電物質
１４０  犠牲パターン
１４０’  犠牲層
２００  表示部
３００  封止部材
３１０  第１バリア層
３２０  有機物層
３３０  第２バリア層
【図１】
2019133926.tif 000003
【図２】
2019133926.tif 000004
【図３】
2019133926.tif 000005
【図４】
2019133926.tif 000006
【図５】
2019133926.tif 000007
【図６】
2019133926.tif 000008
【図７】
2019133926.tif 000009
【図８】
2019133926.tif 000010
【図９】
2019133926.tif 000011
【図１０】
2019133926.tif 000012
【図１１】
2019133926.tif 000013
【図１２】
2019133926.tif 000014
【図１３】
2019133926.tif 000015
【図１４】
2019133926.tif 000016
【図１５】
2019133926.tif 000017
【図１６】
2019133926.tif 000018
【図１７】
2019133926.tif 000019
【図１８】
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