(57)【要約】【課題】被加工物を分割する際にクラックが発生するおそれを防止する。【解決手段】被加工物の加工方法は、デバイスＤが形成されたデバイス領域Ｗ１を研削用保護部材７で覆う表面保護ステップと、研削砥石１６で被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削して仕上がり厚さに薄化する研削ステップと、被加工物Ｗの裏面Ｗｂに切削用保護部材９を貼着し、被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着された研削用保護部材７を剥離する保護部材貼り替えステップと、保護部材貼り替えステップを実施した後切削ブレード２３で外周余剰領域Ｗ２を円形に切削して外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とを分離する第１切削ステップと、切削ブレード２３により被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する第２切削ステップとを備えたため、被加工物Ｗの外周部Ｗｃに内包されたひずみがデバイス領域Ｗ１へ伸展するのを抑制でき、デバイス領域Ｗ１においてクラックが発生するおそれを防止できる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
研削された被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ該外周余剰領域を円形に切削し、該外周余剰領域と該デバイス領域とを分離する第１切削ステップと、
回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、
被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、
被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、
切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域と該デバイス領域とを分離する第１切削ステップと、
該第１切削ステップ後の被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、
回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハなどの被加工物を個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスチップの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなる被加工物の表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画される各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらの被加工物は裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、分割予定ラインに沿って切削装置によって分割されることで個々の半導体デバイスチップが製造される。
【０００３】
近年、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level‐Chip Size Package）という技術が半導体デバイスの分野で盛んに用いられている。ＷＬ−ＣＳＰとは、被加工物の状態で再配線層や電極（金属ポスト）を形成後、被加工物の表面を樹脂で封止し、切削ブレード等で各パッケージに分割する技術であり、被加工物を個片化したパッケージの大きさが半導体デバイスチップの大きさになるため、小型化及び軽量化の観点からも広く採用されている（例えば、下記の特許文献１及び２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−８８９８号公報
【特許文献２】特開２０１５−２３０７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、被加工物の外周部に大きな段差のあるデバイスが形成された被加工物では、被加工物の裏面研削時に外周部にひずみが内包される。その後、分割予定ラインに沿って切削し被加工物を個々のデバイスに分割すると、外周部のひずみが伸展しデバイス領域におけるクラック発生の原因となってしまう。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、被加工物を分割するときに、クラックが発生するおそれを防止しうる被加工物の加工方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、研削された被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ該外周余剰領域を円形に切削し、該外周余剰領域と該デバイス領域とを分離する第１切削ステップと、回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップと、を備える。
【０００８】
また、本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を、個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法であって、被加工物の表面の該デバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の該研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、該保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域と該デバイス領域とを分離する第１切削ステップと、該第１切削ステップ後の被加工物の該裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の該表面に貼着された該研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、回転する切削ブレードによって該分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップと、を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物の表面のデバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、研削された被加工物の裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の表面に貼着された研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、保護部材貼り替えステップを実施した後、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域とデバイス領域とを分離する第１切削ステップと、回転する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップとを備えたため、研削ステップで被加工物の外周部にひずみが生じたとしても、被加工物を個々のデバイスに分割する際に、被加工物の外周部に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域においてクラックが発生するおそれを防止することができる。
【００１０】
また、本発明に係る被加工物の加工方法は、被加工物の表面のデバイスが形成されたデバイス領域を研削用保護部材で覆う表面保護ステップと、被加工物の研削用保護部材側をチャックテーブルの保持面で保持し、保持面と直交する回転軸で回転する研削砥石で被加工物の裏面を研削し、被加工物を仕上がり厚さに相当する厚さまで薄化する研削ステップと、切削装置のチャックテーブルに保持された被加工物の外周余剰領域に、回転する切削ブレードを所定量切り込ませた状態で被加工物を回転させ外周余剰領域を円形に切削し、外周余剰領域とデバイス領域とを分離する第１切削ステップと、第１切削ステップ後の被加工物の裏面に切削用保護部材を貼着し、被加工物の表面に貼着された研削用保護部材を剥離する保護部材貼り替えステップと、回転する切削ブレードによって分割予定ラインに沿って切削し、被加工物を個々のデバイスに分割する第２切削ステップとを備え、上記同様に、被加工物を個々のデバイスに分割する前に被加工物の外周余剰領域とデバイス領域とを分離することから、被加工物を個々のデバイスに分割する際に、被加工物の外周部に内包されたひずみがデバイス領域へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域においてクラックが発生するおそれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】被加工物の一例の構成を示す斜視図である。
【図２】被加工物の一例の構成を示す部分拡大断面図である。
【図３】表面保護ステップを示す斜視図である。
【図４】研削ステップを示す斜視図である。
【図５】保護部材貼り替えステップを示す斜視図である。
【図６】（ａ）は、第１切削ステップを示す斜視図である。（ｂ）は、第１切削ステップを示す断面図である。
【図７】（ａ）は、第２切削ステップを示す斜視図である。（ｂ）は、第２切削ステップを示す断面図である。
【図８】被加工物の加工方法の第２例における保護部材貼り替えステップを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１  被加工物
図１に示す被加工物Ｗは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、例えば、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level‐Chip Size Package）ウェーハである。被加工物Ｗの表面Ｗａには、格子状に形成された複数の分割予定ラインＳによって区画された領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。各デバイスＤには、部分拡大図に示すように、ボール状のバンプ１が複数形成されている。バンプ１は、実装基板に接続される突起電極である。被加工物Ｗの表面Ｗａと反対側の面は、例えば研削砥石によって研削が施され薄化される裏面Ｗｂとなっている。また、本実施形態に示す被加工物Ｗは、中央側に複数のデバイスＤが形成されたデバイス領域Ｗ１と、デバイス領域Ｗ１を囲繞する外周余剰領域Ｗ２とを有している。
【００１３】
図２に示すように、被加工物Ｗの表面Ｗａ上には、再配線層２が形成されており、再配線層２には、デバイスＤ中の電極３に接続される導電ポスト４が複数配設されている。導電ポスト４の突端には、バンプ１が形成されている。被加工物Ｗの表面Ｗａには、導電ポスト４が埋設された封止樹脂６によって封止されている。バンプ１は、封止樹脂６の表面から突出した状態となっている。
【００１４】
２  被加工物の加工方法の第１例
次に、被加工物Ｗを個々のデバイスに分割する被加工物の加工方法の第１例について説明する。
【００１５】
（１）表面保護ステップ
図３に示すように、被加工物Ｗの表面ＷａのデバイスＤが形成されたデバイス領域Ｗ１を研削用保護部材７で覆う。図示の例に示す研削用保護部材７は、被加工物Ｗと略同径に形成されている。研削用保護部材７は、例えば、ポリオレフィンやポリ塩化ビニル等なる基材に糊層（粘着層）が積層された粘着テープである。研削用保護部材７を被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着して、少なくともデバイス領域Ｗ１の全域を覆うことにより、被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削するときに各デバイスＤが保護される。
【００１６】
（２）研削ステップ
図４に示すように、例えば、研削装置１０のチャックテーブル１１で被加工物Ｗを保持し、チャックテーブル１１の上方側に配設された研削手段１２を用いて被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削する。チャックテーブル１１の上面は、被加工物Ｗを吸引保持する保持面１１ａとなっており、保持面１１ａには吸引源が接続されている。研削手段１２は、保持面１１ａと直交する鉛直方向の軸心を有する回転軸１３と、回転軸１３の下端にマウント１４を介して装着された研削ホイール１５と、研削ホイール１５の下部に円環状に固着された研削砥石１６とを備えている。研削手段１２には、図示しない昇降手段が接続されており、昇降手段によって研削ホイール１５を回転させながら研削手段１２の全体を昇降させることができる。
【００１７】
被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削する際には、被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着された研削用保護部材７側をチャックテーブル１１の保持面１１ａで吸引保持して、被加工物Ｗの裏面Ｗｂを上向きに露出させ、チャックテーブル１１を例えば矢印Ａ方向に回転させる。次いで、研削手段１２は、研削ホイール１５を例えば矢印Ａ方向に回転させながら、所定の研削送り速度で下降させ、回転する研削砥石１６で被加工物Ｗの裏面Ｗｂを押圧しながら仕上がり厚さに相当する厚さに至るまで研削して薄化する。なお、被加工物Ｗの仕上がり厚さは、特に限定されるものではない。
【００１８】
（３）保護部材貼り替えステップ
研削済みの被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割するために、図５に示すように、研削された被加工物Ｗの裏面Ｗｂに切削用保護部材９を貼着し、被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着された研削用保護部材７を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材９は、例えばダイシングテープにより構成される。保護部材の貼り替え動作としては、例えば、中央に開口を有するリングフレーム８の下部に切削用保護部材９を貼着してから、該中央から露出した切削用保護部材９に被加工物Ｗの裏面Ｗｂ側から貼着する。続いて、上向きに露出した被加工物Ｗの表面Ｗａから研削用保護部材７を剥離する。研削用保護部材７の剥離動作としては、例えば、研削用保護部材７の外周縁に、研削用保護部材７よりも粘着力の高い剥離テープを貼着し、剥離テープを引き上げることによって被加工物Ｗの表面Ｗａから研削用保護部材７の全てを剥がせばよい。このようにして、被加工物Ｗは、切削用保護部材９を介してリングフレーム８と一体となって支持された状態となる。
【００１９】
（４）第１切削ステップ
保護部材貼り替えステップを実施した後、研削装置１０から例えば図６に示す切削装置２０に被加工物Ｗを搬送する。切削装置２０は、被加工物Ｗを保持する図示しないチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物Ｗに切削を施す切削手段２１とを備えている。切削手段２１は、水平方向（図示の例ではＹ軸方向）の軸心を有するスピンドル２２と、スピンドル２２の先端に装着された切削ブレード２３とを少なくとも備え、スピンドル２２の回転によって切削ブレード２３も回転する構成となっている。切削手段２１には、切削手段２１を切削送り方向（図示の例ではＸ軸方向）と直交するインデックス送り方向（Ｙ軸方向）に移動させる図示しない移動手段と、切削手段２１を鉛直方向に昇降させる昇降手段とが接続されている。
【００２０】
被加工物Ｗの裏面Ｗｂに貼着された切削用保護部材９側を図示しないチャックテーブルで被加工物Ｗを吸引保持したら、図６（ａ）に示すように、切削手段２１は、スピンドル２２を回転させ、切削ブレード２３をＹ軸方向の軸心を中心として例えば矢印Ｂ方向に回転させる。続いて、切削ブレード２３を被加工物Ｗの表面Ｗａに接近する方向に下降させることにより、被加工物Ｗの外周余剰領域Ｗ２に、回転する切削ブレード２３を所定量の切り込み深さに至るまで切り込ませる。この状態において、被加工物Ｗを少なくとも１回転させることで、被加工物Ｗの外周余剰領域Ｗ２を円形に切削する。これにより、被加工物Ｗのデバイス領域Ｗ１の外側を囲むリング状の溝Ｇ１が形成される。図６（ｂ）に示すように、溝Ｇ１は、被加工物Ｗの表裏面（表面Ｗａ及び裏面Ｗｂ）を完全切断した深さとなっている。かかる溝Ｇ１が境界となって外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とが完全に分離される。
【００２１】
（５）第２切削ステップ
次いで、図７（ａ）に示すように、切削手段２１は、被加工物Ｗの分割予定ラインＳに沿って切削を施し、個々のデバイスＤに分割する。具体的には、切削手段２１は、スピンドル２２を回転させることにより切削ブレード２３をＹ軸方向の軸心を中心として例えば矢印Ｂ方向に回転させながら、切削ブレード２３の刃先を被加工物Ｗの表面Ｗａ側から切削用保護部材９に至るまで切り込ませる。切削ブレード２３と被加工物Ｗとを相対的にＸ軸方向に移動させながら、回転する切削ブレード２３をＸ軸方向に向く一列分の分割予定ラインＳに沿って切削し、図７（ｂ）に示すように、被加工物Ｗの表裏面を完全切断した溝Ｇ２を形成する。
【００２２】
Ｘ軸方向に向く一列分の分割予定ラインＳに沿って溝Ｇ２を形成したら、切削手段２１をＹ軸方向にインデックス送りしながら、２列目、３列目…の分割予定ラインＳに沿って順次切削を行って溝Ｇ２を形成していく。Ｘ軸方向に向く全ての分割予定ラインＳに対して上記の切削を繰り返し行って溝Ｇ２を形成したら、被加工物Ｗを９０°回転させ、Ｙ軸方向に向いている分割予定ラインＳをＸ軸方向に向かせて上記同様の切削を繰り返し行い、全ての分割予定ラインＳに沿って切削することで溝Ｇ２を形成して、被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する。このとき、上記研削ステップ後の被加工物Ｗの外周部Ｗｃにひずみが内包されている場合であっても、デバイス領域Ｗ１の周囲を囲む溝Ｇ１によってひずみがデバイス領域Ｗ１に向けて伸展することが止められる。その結果、被加工物Ｗから高品質な複数のデバイスＤを取得することができる。なお、被加工物Ｗの裏面Ｗｂには切削用保護部材９が貼着されているため、被加工物Ｗを完全に切断した後も各デバイスＤがばらばらになることはなく、被加工物Ｗの形状が維持されている。
【００２３】
このように、本発明に係る被加工物の加工方法の第１例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施して被加工物Ｗを薄化した後、保護部材貼り替えステップと第１切削ステップとを順次実施することにより、被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する第２切削ステップを実施する前に被加工物Ｗの外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とを分離しておくことができる。したがって、研削ステップで被加工物Ｗの外周部Ｗｃにひずみが生じたとしても、本発明によれば、被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する際に、外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とが溝Ｇ１によって分離されているため、被加工物Ｗの外周部Ｗｃに内包されたひずみがデバイス領域Ｗ１へ伸展するのを抑制することができ、デバイス領域Ｗ１においてクラックが発生するおそれを防止できる。
【００２４】
３  被加工物の加工方法の第２例
上記の被加工物の加工方法の第１例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施した後第１研削ステップを実施する前に保護部材貼り替えステップを実施したが、保護部材貼り替えステップを実施する順番は、第１例の構成に限定されない。以下では、第１例と同様の被加工物Ｗに対し、上記研削装置１０及び上記切削装置２０を用いて個々のデバイスＤに分割する被加工物の加工方法の第２例について説明する。
【００２５】
（１）  表面保護ステップ
第１例と同様に、被加工物Ｗの表面ＷａのデバイスＤが形成されたデバイス領域Ｗ１を研削用保護部材７で覆う。これにより、被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削するときに各デバイスＤが保護される。
【００２６】
（２）  研削ステップ
第１例と同様に、被加工物Ｗの研削用保護部材７側をチャックテーブル１１の保持面１１ａで保持し、保持面１１ａと直交する回転軸１３で回転する研削砥石１６で被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削し、被加工物Ｗを仕上がり厚さに相当する厚さに達するまで薄化する。
【００２７】
（３）  第１切削ステップ
第１例と同様に、切削装置２０のチャックテーブルに保持された被加工物Ｗの外周余剰領域Ｗ２に回転する切削ブレード２３を所定量切り込ませた状態で被加工物Ｗを回転させることで外周余剰領域Ｗ２を円形に切削し、外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とを分離する。
【００２８】
（４）  保護部材貼り替えステップ
第２例では、第１切削ステップを実施した後第２切削ステップを実施する前に、保護部材貼り替えステップを実施する。具体的には、図８に示すように、第１切削ステップ後の被加工物Ｗの裏面Ｗｂに切削用保護部材９を貼着し、被加工物Ｗの表面Ｗａに貼着された研削用保護部材７を剥離することにより保護部材を貼り替える。切削用保護部材９の貼着動作及び研削用保護部材７の剥離動作は、第１例と同様である。このようにして、溝Ｇ１が形成された被加工物Ｗは、切削用保護部材９を介してリングフレーム８と一体となって支持された状態となる。
【００２９】
（５）  第２切削ステップ
第１例と同様に、回転する切削ブレード２３によって全ての分割予定ラインＳに沿って切削し、溝Ｇ２を形成して被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する。このとき、薄化後の被加工物Ｗの外周部Ｗｃにひずみが内包されていても、デバイス領域Ｗ１の周囲を囲む溝Ｇ１によってひずみがデバイス領域Ｗ１に向けて伸展することが止められる。
【００３０】
このように、本発明に係る被加工物の加工方法の第２例では、表面保護ステップ及び研削ステップを実施して被加工物Ｗを薄化した後、第１切削ステップを実施してから保護部材貼り替えステップを実施するように構成したが、この場合であっても、被加工物Ｗを個々のデバイスＤに分割する第２切削ステップを実施する前に被加工物Ｗの外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とを分離しておくことができる。したがって、第１例と同様に、被加工物Ｗを個々のデバイスに分割する際に、外周余剰領域Ｗ２とデバイス領域Ｗ１とが溝Ｇ１によって分離されているため、被加工物Ｗの外周部Ｗｃに内包されたひずみがデバイス領域Ｗ１へ伸展するのを抑制でき、デバイス領域Ｗ１においてクラックが発生するおそれを防止できる。
【００３１】
本実施形態に示した被加工物の加工方法の第１例及び第２例では、第１切削ステップと第２切削ステップとを実施する際に、同じ切削装置２０で実施した場合を説明したが、この場合に限られず、第１切削ステップと第２切削ステップとを別々の切削装置でそれぞれ実施してもよい。
【符号の説明】
【００３２】
１：バンプ  ２：再配線層  ３：電極  ５：導電ポスト  ６：封止樹脂
７：研削用保護部材  ８：リングフレーム  ９：切削用保護部材
１０：研削装置  １１：チャックテーブル  １２：研削手段  １３：回転軸
１４：マウント  １５：研削ホイール  １６：研削砥石
２０：切削装置  ２１：切削手段  ２２：スピンドル  ２３：切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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