(57)【要約】【課題】所定の帯域の波長を有する光を照射する発光素子を用いた場合でも、被検出物に関する情報を高い精度で検出できる光センサを提供すること。【解決手段】光センサ（１）が、被検出物に光を照射する発光素子（２０）と、発光素子（２０）から照射された光を受光する受光面（４０ａ）を有する受光素子（４０）と、を備えている。発光素子（４０）から照射された光が受光面（４０ａ）に向かう経路上に、受光面（４０ａ）を覆う入射光規制部（６０）が設けられており、この入射光制御部（６０）は、受光素子（４０）に入射する光のうち、入射角度が所定値未満である光を透過させ、入射角度が所定値以上である光を遮断する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出物に光を照射する発光素子と、
上記発光素子から照射された光を受光する受光面を有する受光素子と、
を備え、
上記発光素子から照射された光が上記受光面に向かう経路上に、上記受光面を覆う入射光規制部が設けられており、
上記入射光制御部は、上記受光素子に入射する光のうち、上記入射角度が所定値未満の光を透過させ、上記入射角度が所定値以上の光を遮断することを特徴とする光センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の光センサにおいて、
上記入射光規制部が、エタロンフィルタであることを特徴とする光センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の光センサにおいて、
上記入射光規制部が、複数の誘電体膜を積層させた誘電体多層膜であることを特徴とする光センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の光センサにおいて、
上記発光素子が、レーザーであることを特徴とする光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン、あるいは、タブレット等の電子機器には、例えば、使用者の顔の接近を検出して自動でディスプレイの電源をオフするために使用される近接センサが設けられている。また、カメラのオートフォーカス、あるいは、ロボット掃除機等の自動ロボットには、距離あるいは位置検出のために使用される測距センサが設けられている。
【０００３】
近距離センサは、近距離の被検出物を検出するための光センサであり、一般に、光を受けて発生する光電流で検出判断を行うフォトダイオードが受光素子として用いられる。また、測距センサは、近接センサより遠い距離の被検出物を検出するための光センサでは、一般に、ＳＰＡＤが用いられる。ＳＰＡＤは、耐圧以上の電圧を印加してアバランシェ降伏が発生する状態で使用する一種のフォトダイオードであり、入射した光キャリアに対して１０,０００〜１,０００,０００倍もの高い増幅率を有し、単一光子を検出できる程の高感度であることが特徴である。このため、発光素子の光が遠距離の被検出物に反射して帰ってくる微小な光検出が可能であり、１m以上離れた被検出物の検出が可能となる。これらのデバイスに共通するのは、発光素子および受光素子を有し、被検出物からの反射光を検出して被検出物の有無、あるいは、距離を検出する点である。
【０００４】
このような光センサとしては、特許文献１に記載されたものがある。この特許文献１の光センサは、発光素子と受光素子とを備え、発光素子から照射され、透光板に反射されて受光素子へと向かう光の経路上に回析格子を設けて、発光素子から照射された光のうちの被検出物で反射しないで受光素子に向かう光の強度を低減させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１-４９４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記光センサでは、回析格子の設計が特定の波長の光に対して行われているので、例えば、発光素子が所定の帯域の波長の光を照射する場合、設計された特定の波長とは異なる波長の光に対しては、その強度を適切に低減させることができない場合があった。このため、発光素子から照射され、被検出物で反射しないで受光素子に向かう光の強度を低減させることができず、検出精度を十分に高めることができない場合があった。
【０００７】
そこで、本発明は、所定の帯域の波長を有する光を照射する発光素子を用いた場合でも、被検出物に関する情報を高い精度で検出できる光センサを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決すべく、本発明の光センサは、
被検出物に光を照射する発光素子と、
上記発光素子から照射された光を受光する受光面を有する受光素子と、
を備え、
上記発光素子から照射された光が上記受光面に向かう経路上に、上記受光面を覆う入射光規制部が設けられており、
上記入射光制御部は、上記受光素子に入射する光のうち、上記入射角度が所定値未満である光を透過させ、上記入射角度が所定値以上である光を遮断することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光センサによれば、発光素子から照射され、受光素子に入射する光のうち、入射角度が所定値未満の光が入射光制御部を透過して受光素子の受光面に入射し、入射角度が所定値以上の光が入射光制御部で遮断される。このため、例えば、所定の帯域の波長を有する光を照射する発光素子を用いた場合でも、被検出物で反射しないで受光素子に向かう発光素子から照射された全ての帯域の波長の光の強度を低減することができる。その結果、被検出物に関する情報を高い精度で検出できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態の光センサの上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図２の受光素子部分の拡大図である。
【図４】図１の光センサのエタロンフィルタへの光の入射角度とその透過率との関係を説明するための図である。
【図５】図１の光センサを備えた電子機器の一例を示す断面模式図である。
【図６】図１の光センサを備えた電子機器の他の例を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第２実施形態の光センサの受光素子部分の拡大図である。
【図８】図７の光センサの誘電体多層膜の光への入射角度とその透過率との関係を説明するための図である。
【図９】本発明の第４実施形態の光センサの受光素子部分の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態を添付図面に従って説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向あるいは位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」を含む用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物、あるいは、その用途を制限することを意図するものではない。さらに、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは必ずしも合致していない。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の光センサ１は、図１に示すように、センサ基板１０と、このセンサ基板１０上に互いに間隔を空けて配置された発光素子２０と受光ユニット３０とを備えている。この光センサ１では、発光素子２０および受光素子４０が透光樹脂５１で封止されている。また、発光素子２０および受光素子４０の周囲の領域は、遮光樹脂５２で封止されている。
【００１３】
センサ基板１０は、例えば、セラミックスであり、その底面に端子１１が設けられている。セラミックスは、樹脂基板に比べて熱膨張係数が小さく、反りにくいという性質を持っている。後述する受光素子４０のエタロンフィルタ６０は、大きな応力が加わると反りによって割れることがある。このため、センサ基板１０を熱膨張係数が小さく反りにくいセラミックにすることより、エタロンフィルタ６０が割れるのを防いでいる。
【００１４】
発光素子２０は、例えば、８５０ｎｍをピークとした波長域ＷＲを有するＬＥＤまたはレーザーであり、ワイヤーボンドによりセンサ基板１０に接続されている。
【００１５】
受光ユニット３０は、受光素子４０が内蔵されたＬＳＩチップであり、ワイヤーボンドによりセンサ基板１０に接続されている。
【００１６】
受光素子４０は、図３に示すように、半導体基板４１と、半導体基板４１上に設けられたＮ型半導体層４２およびＰ型半導体層４３と、Ｎ型半導体層４２およびＰ型半導体層４３上に設けられたアノード拡散となるＰ＋拡散層４４およびカソード拡散となるＮ＋拡散層４５と、Ｐ＋拡散層４４およびＮ＋拡散層４５上に設けられた第１〜第３導電膜４６〜４８と、第３導電膜４８上に設けられたパッシベーション膜４９と、で構成されている。
【００１７】
半導体基板４１は、例えば、抵抗率が１０Ω・ｃｍのＰ型（１００）シリコン基板である。
【００１８】
Ｎ型半導体層４２は、１.０Ｅ＋１３ｃｍ−３程度の３１Ｐ＋(リン)を１５０ｋｅＶでイオン注入し、９００℃のアニール等で熱処理することによって形成される。また、Ｐ型半導体層４３は、１.０Ｅ＋１３ｃｍ−３程度の１１Ｂ＋(ボロン)を２５０ｋｅＶでイオン注入し、同様に９００℃のアニール等で熱処理することによって形成される。なお、Ｐ型半導体層４３は、Ｎ型半導体層４２を挟むように配置されている。
【００１９】
Ｐ＋拡散層４４は、２.０Ｅ＋１５ｃｍ−３程度の１１Ｂ＋(ボロン)を３０ｋｅＶでイオン注入し、１０００℃で３０秒のＲＴＡ(Rapid Thermal Anneal：高速アニール)を行うことによって形成される。また、Ｎ＋拡散層４５は、１.０Ｅ＋１５ｃｍ−３程度の３１Ｐ＋(リン)を５０ｋｅＶでイオン注入し、同様に１０００℃で３０秒のＲＴＡを行うことによって形成される。これにより、Ｐ＋拡散層４４とＮ型半導体層４２との間にＰＮ接合が形成され、フォトダイオードとして機能する。このフォトダイオードとして機能する領域が受光面４０ａとなっている。
【００２０】
なお、Ｐ＋拡散層４４およびＮ＋拡散層４５と、Ｎ型半導体層４２およびＰ型半導体層４３との間には、熱酸化等の方法で形成されたシリコン酸化膜（図示せず）が設けられている。また、Ｐ＋拡散層４４およびＮ＋拡散層４５上には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition：化学気相成長法）およびＣＭＰ（chemical mechanical polishing：化学機械研磨)等によって、フィールド膜となるシリコン酸化膜が形成されている。
【００２１】
第１導電膜４６は、厚さ５０ｎｍのＡlＣuからなり、Ｐ＋拡散層４４およびＮ＋拡散層４５上のシリコン酸化膜上に設けられ、アノード配線、および、カソード配線となっている。この第１導電膜４６上には、ＣＶＤおよびＣＭＰ等によって、厚さ１０００ｎｍ程度の絶縁膜となるシリコン酸化膜が形成されている。
【００２２】
第２導電膜４７は、厚さ５００ｎｍ程度のＡlＣuからなり、第１導電膜４６上のシリコン酸化膜上に設けられている。この第２導電膜４７上には、ＣＶＤおよびＣＭＰ等によって、厚さ１０００ｎｍ程度の絶縁膜となるシリコン酸化膜が形成されている。
【００２３】
第３導電膜４８は、厚さ２μｍ程度のＡlＣuからなり、第２導電膜４７上のシリコン酸化膜上に設けられている。この第３導電膜４８は、遮光膜として機能し、受光素子４０の受光面４０ａに対向する領域以外の領域に光を入射させないように配置されている。
【００２４】
パッシベーション膜４９は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４からなり、第２導電膜４７上のシリコン酸化膜上、および、第３導電膜４８上に設けられている。このパッシベーション膜４９の受光面４０ａに対向する領域には、開口が設けられている。Ｓｉ３Ｎ４の屈折率（２）はＳｉＯ２（１．４６）に比べて高いため、受光面４０ａに対向する領域に開口を設けることによって反射率バラツキを低減することができる。
【００２５】
また、受光素子４０は、入射光規制部の一例のエタロンフィルタ６０を有している。このエタロンフィルタ６０は、第２導電膜４７上のシリコン酸化膜上の受光面４０ａに対向する領域に設けられ、その上面６０ａが受光面４０ａに対して平行に、かつ、受光面４０ａを覆うように配置されている。
【００２６】
エタロンフィルタ６０は、３０ｎｍの金属膜（Ａｇ）と、この金属膜の間に挟まれた厚さ１６０ｎｍの誘電体膜（Ｓｉ３Ｎ４）とで構成されている。このエタロンフィルタ６０は、受光面４０ａに対向する領域以外の領域にリフトオフレジストを形成し、スパッタ法あるいは蒸着法によりＡｇ／Ｓｉ３Ｎ４／Ａｇ膜を形成した後、レジスト剥離液に浸漬してレジストを除去することにより、形成される。
【００２７】
すなわち、エタロンフィルタ６０は、二つの対向する反射面の多重干渉を利用した波長フィルタである。エタロンフィルタに入射した光は、入射角度θ（図５に示す）により誘電体における光路長が異なるため、入射角度θに応じて透過率が変動する。
【００２８】
例えば、図４に示すように、発光素子として、８５０ｎｍをピークとする波長域ＷＲを有するレーザーを用いた場合、入射角θが０度（エタロンフィルタ６０の上面６０ａに対して垂直な方向）の場合、８５０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、その透過率は、約４０％である。入射角度θが１５度の場合、約８７５ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約１６％である。入射角度θが３０度の場合、約９５０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約２％である。また、入射角度θが４５度の場合、約１１５０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、ほぼゼロ％である。
【００２９】
なお、エタロンフィルタ６０の透過率が２％以下であれば、エタロンフィルタ６０を透過する光の強度を十分に低減でき、仮に受光面４０ａに入射したとしても、受光素子が誤作動する可能性は殆どない。すなわち、第１実施形態の光センサ１では、受光素子４０に入射する光を遮断できる入射角度θ（以下、規制角度θ０という）が、４５度である（θ＜θ０…光透過、θ≧θ０…光遮断）。
【００３０】
また、第３導電膜４８が受光面４０ａに対向する領域から一定以上離れていない状態でエタロンフィルタ６０を設けると、エタロンフィルタ６０に歪みが生じてしまう。このため、第３導電膜４８は、受光面４０ａに対向する領域の境界から、少なくとも干渉膜の厚み分だけ離して配置するのが好ましい。
【００３１】
ところで、図５に示すように、スマートフォン等の電子機器では、光センサ１は、電子機器の筐体７０の内側に、発光素子２０と受光素子４０とが透明の筺体窓７１に対向するように配置される。
【００３２】
光センサ１の発光素子２０から照射され、被検出物で反射された光は、受光素子４０の受光面４０ａに対して略９０度の角度（θ≒０）を成して、受光素子４０に入射する。しかし、発光素子２０の側方から発射された光は、その一部が被検出物ではなく筐体７０に当たって反射して、受光素子４０に向かって進む。
【００３３】
このような光の受光素子４０への入射を防ぐためには、例えば、図６に示すように、発光素子２０と受光素子４０との間に光センサ１の上面と筺体７０との間の隙間を塞ぐラバーキャップ８０を設ける方法が考えられる。
【００３４】
しかし、この場合、光センサ１と筺体７０との間の距離が電子機器の種類に応じて異なるため、搭載機種毎にラバーキャップ８０を設計しなければならず、また、ラバーキャップ８０を設けるための設備および工程が必要になるため、製造コストが高くなる。
【００３５】
また、図６に示すように、発光素子２０から照射された光のうちの一部は、筺体窓７１の内部に侵入して多重反射した後、受光素子４０に向かうため、被検出物で反射しないで受光素子に向かう光に起因する誤検出を避けることができない。
【００３６】
第１実施形態の光センサ１では、受光素子４０に入射する発光素子２０から照射された光のうち、入射角度θが規制角度θ０以下の光がエタロンフィルタ６０を透過し、規制角度θ０以上の光がエタロンフィルタ６０で遮断される。
【００３７】
例えば、被検出物で反射した光は、入射角度θ＝ほぼゼロ度で受光素子４０に入射する。この場合、図４に示すように、レーザーのピーク波長である８５０ｎｍでは、透過率が約４０％になっており、被検出物で反射した光は、エタロンフィルタ６０を透過して受光面４０ａに入射する。また、被検出物よりも近い距離の筐体７０で反射した光は、入射角度θ＝約４５度で受光素子４０に入射する。この場合、図４に示すように、レーザーの全ての帯域の波長（約８２０〜８８０ｎｍ）で透過率が５％を大きく下回り、特に、レーザーのピーク波長である８５０ｎｍでは、ほぼ透過率がゼロとなっている。このため、筺体７０で反射した全ての帯域の波長の光は、エタロンフィルタ６０で遮断され、その強度が低減される。
【００３８】
すなわち、上記光センサ１では、レーザー等の所定の帯域の波長を有する光を照射する発光素子２０を用いた場合でも、被検出物で反射しないで受光素子４０に向かう発光素子２０から照射された全ての帯域の波長の光の強度を低減することができる。その結果、被検出物に関する情報を高い精度で検出できる。
【００３９】
また、入射光規制部としてエタロンフィルタ６０を用いている。これにより、入射光規制部を薄くして、反り等の問題を無くすことができると共に、コストを抑えることが可能になる。
【００４０】
また、発光素子２０として、レーザーを用いている。レーザーは、一次反射光が最も強度が高くなるため、被検出物で反射しないで受光素子に向かう一次反射光を遮断できるようにエタロンフィルタ６０の設計を行うことで、効率よく検出精度を高めることができる。
【００４１】
なお、図５に示す上記光センサ１を備えた電子機器では、規制角度θ０は次の式で算出される。ここで、Ａは受光素子４０および筺体７０の表面間距離、Ｂは発光素子２０および受光素子４０の中心間距離である。
θ０＝tan−１（Ｂ／Ａ）
【００４２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態の光センサ１は、図７に示すように、入射光規制部として複数の誘電体膜を積層させた誘電体多層膜６１を設けた点で、第１実施形態の光センサ１と異なっている。
【００４３】
誘電体多層膜６１は、４０層の誘電体膜（Ｎｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２）で構成されている。この誘電体多層膜６１は、受光面４０ａに対向する領域以外の領域にリフトオフレジストを形成し、スパッタ法あるいは蒸着法により誘電体膜を形成した後、レジスト剥離液に浸漬してレジストを除去することにより、形成される。４０層の誘電体膜は、それぞれ膜厚が異なっており、８５０ｎｍに透過域を持つように設計されている。
【００４４】
すなわち、誘電体多層膜６１は、金属酸化膜等の誘電体膜を複数層重ねることで、特定の帯域の光のみを透過させるバンドパスフィルタである。誘電体多層膜６１に入射した光は、入射角度θにより各誘電体における光路長が異なるため、入射角度θに応じて、透過率が変動する。
【００４５】
例えば、図８に示すように、発光素子として、８５０ｎｍをピークとする波長域ＷＲを有するレーザーを用いた場合、入射角θが０度（誘電体多層膜６１の上面６１ａ（図７に示す）に垂直な方向）の場合、約８８０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約９５％である。入射角度θが１５度の場合、約８７０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約９７％である。入射角度θが３０度の場合、約８２０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約９５％である。また、入射角度θが４５度の場合、約７８０ｎｍの波長の光が入射したときに透過率が最も高くなり、８５０ｎｍの波長の光の透過率は、約１０％である。
【００４６】
なお、誘電体多層膜６１の透過率が２％以下であれば、誘電体多層膜６１を透過する光の強度を十分に低減でき、仮に受光面４０ａに入射したとしても、受光素子が誤作動する可能性は殆どない。すなわち、第２実施形態の光センサ１では、規制角度θ０が、４５度である（θ＜θ０…光透過、θ≧θ０…光遮断）。
【００４７】
このように、入射光規制部として誘電体多層膜６１を用いることで、遮断波形を急峻に設計することができ、遮断波長と透過波長を明瞭に区別できることからセンサのS/N比を向上できる。
【００４８】
なお、誘電体多層膜６１の誘電体膜は、Ｎｂ２Ｏ３／ＳｉＯ２に限らず、透過域の設計に応じて、ＴｉＯ２、あるいは、Ｓｉ３Ｎ４等、適宜選択することができる。
【００４９】
（第３実施形態）
受光素子４０としてアバランシェフォトダイオードを用いてもよい。受光素子４０として、受光感度の高いアバランシェフォトダイオードを用いることで、検出精度を高めることができる。
【００５０】
（第４実施形態）
上記光センサ１は、「入射角度θの小さい光を透過させ、入射角度θの大きい光を遮断する入射光規制部を備える」点で特徴あるものであり、本技術思想を含む構成であれば良いことは言うまでもない。
【００５１】
例えば、図９に示すように、入射光規制部として、側面に所定の入射角度θ以上の光を導く光ポケットが設けられた誘電体膜９０と、この誘電体膜９０の上下面を覆う金属膜９１とで構成されたフィルタを用いてもよい。このフィルタは、所定の入射角度θで入射した光が金属膜９１間に入り込み、戻ってこないように構成されている。これにより、光センサ１を、所定の入射角度θよりも大きい光を遮断して光感度として考慮しない構造とすることができる。
【００５２】
（第５実施形態）
上記第１〜第４実施形態の光センサ１は、レーザーを用いたＴＯＦセンサ、ＬＥＤを用いた近接センサ/フォトインタラプタ/原稿サイズセンサなどの対象物との間に、ガラスやフィルムが配置される反射型光センサに適用可能であることは、言うまでもない。
【００５３】
本発明および実施形態をまとめると、次のようになる。
【００５４】
本発明の光センサ１は、
被検出物に光を照射する発光素子２０と、
上記発光素子２０から照射された光を受光する受光面４０ａを有する受光素子４０と、
を備え、
上記発光素子２０から照射された光が上記受光面４０ａに向かう経路上に、上記受光面４０ａを覆う入射光規制部６０，６１が設けられており、
上記入射光制御部６０，６１は、上記受光素子２０に入射する光のうち、上記入射角度θが所定値未満である光を透過させ、上記入射角度θが所定値以上である光を遮断することを特徴としている。
【００５５】
上記構成によれば、受光素子４０に入射する発光素子２０から照射された光の入射角度θに応じて、受光面４０ａでの受光が規制されるので、例えば、所定の帯域の波長を有する光を照射する発光素子２０を用いた場合でも、発光素子２０から照射され、被検出物で反射しないで受光面４０ａに向かう光の強度を低減することができる。その結果、被検出物に関する情報を高い精度で検出できる。
【００５６】
また、一実施形態の光センサ１では、
上記入射光規制部が、エタロンフィルタ６０である。
【００５７】
上記実施形態によれば、入射規制部を薄くして、反り等の問題を無くすことができると共に、コストを抑えることが可能になる。
【００５８】
また、一実施形態の光センサ１では、
上記入射光規制部が、複数の誘電体膜を積層させた誘電体多層膜６１である。
【００５９】
上記実施形態によれば、遮断波形を急峻に設計することができ、遮断波長と透過波長を明瞭に区別できることからセンサのS/N比を向上できる。
【００６０】
また、一実施形態の光センサ１では、
上記発光素子２０が、レーザーである。
【００６１】
上記実施形態によれば、被検出物で反射しないで受光素子４０に向かう一次反射光を遮断できるように入射光規制部６０，６１の設計を行うことで、効率よく検出精度を高めることができる。
【００６２】
上記第１〜第５実施形態で述べた構成要素は、適宜、組み合わせてもよく、また、適宜、選択、置換、あるいは、削除してもよいことは、勿論である。
【符号の説明】
【００６３】
１  光センサ
１０  センサ基板
１１  端子
２０  発光素子
３０  受光ユニット
４０  受光素子
４０ａ  受光面
４１  半導体基板
４２  Ｎ型半導体層
４３  Ｐ型半導体層
４４  Ｐ＋拡散層
４５  Ｎ＋拡散層
４６  第１導電層
４７  第２導電層
４８  第３導電層
４９  パッシベーション膜
５１  透光樹脂
５２  遮光樹脂
６０  エタロンフィルタ（入射光規制部）
６１  誘電体多層膜（入射光規制部）
７０  筺体
７１  筺体窓
８０  ラバーキャップ
９０  誘電体膜
９１  金属膜
θ  入射角度
θ０  規制角度
Ａ  受光素子および筺体の表面間距離
Ｂ  発光素子および受光素子の中心間距離
ＷＲ  波長域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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