(57)【要約】【課題】開口率を上げながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動を可能みする。【解決手段】各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピクセル内の２種類のスキャントランジスタのオン−オフを個別的に制御することができるサブピクセル構造とゲートライン連結構造を有し、これを通じて、開口率を高めながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動を可能にする有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を得る。【選択図】図１
2019074764.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配
列された有機発光表示パネルと、
前記複数のデータラインを駆動するデータドライバと、
前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、
前記データドライバ及び前記ゲートドライバを制御するコントローラとを含み、
前記各サブピクセルは、
有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、
ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前記駆動トランジスタの第１
ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、
ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記駆動トランジスタと第
２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、
前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレー
ジキャパシタとを含み、
前記複数のゲートラインの各々は、１つのサブピクセルライン毎に配置され、
前記複数のゲートラインのうちのｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番
目ゲートラインは、前記ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内の
スイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各
サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結されることを特徴
とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジ
スタのゲートノードは、前記ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートライン
を通じて出力されるｎ番目スキャン信号の印加を受け、
前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジス
タのゲートノードは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートライ
ンを通じて出力されるｎ＋１番目スキャン信号をｎ番目センシング信号として印加を受け
ることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する映像駆動モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信
号のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳されることを特徴とする、請求項２に記載
の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する残像補償モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、前記ｎ＋１番目ス
キャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧に変わっ
て出力され、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、前記ｎ＋
１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されることを特徴とする、請求項２
に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタのしきい電圧補償モードにおいて
、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信
号のターン−オンレベル電圧区間とは重畳されることを特徴とする、請求項２に記載の有
機発光表示装置。
【請求項６】
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタの移動度補償モードにおいて、
前記ｎ＋１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベ
ル電圧で出力されることを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
データ電圧を供給する複数のデータラインと、
ゲート信号を供給する複数のゲートラインと、
マトリックス状に配列された複数のサブピクセルとを含み、
前記各サブピクセルには、
有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと
、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前記駆動トランジスタの第１
ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲート
ノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記駆動トランジスタと第２ノード
と基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトランジスタと、前記駆動トラ
ンジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結されたストレージキャパシタが
配置され、
前記複数のゲートラインの各々は１つのサブピクセルライン毎に配置され、
前記複数のゲートラインのうち、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番
目ゲートラインは、
前記ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトラ
ンジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内の
センシングトランジスタのゲートノードに共通に連結されることを特徴とする、有機発光
表示パネル。
【請求項８】
前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジ
スタのゲートノードは、前記ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートライン
を通じて出力されるｎ番目スキャン信号の印加を受け、
前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジス
タのゲートノードは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートライ
ンを通じて出力されるｎ＋１番目スキャン信号をｎ番目センシング信号として印加を受け
ることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示パネル。
【請求項９】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する映像駆動モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信
号のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳されることを特徴とする、請求項８に記載
の有機発光表示パネル。
【請求項１０】
前記ｎ番目サブピクセルラインに対する残像補償モードにおいて、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、前記ｎ＋１番目ス
キャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベル電圧に変わっ
て出力され、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、前記ｎ＋
１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されることを特徴とする、請求項８
に記載の有機発光表示パネル。
【請求項１１】
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタのしきい電圧補償モードにおいて
、
前記ｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧区間と、前記ｎ＋１番目スキャン信
号のターン−オンレベル電圧区間とは重畳されることを特徴とする、請求項８に記載の有
機発光表示パネル。
【請求項１２】
前記ｎ番目サブピクセルラインでの駆動トランジスタの移動度補償モードにおいて、
前記ｎ＋１番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力される間、
前記ｎ番目スキャン信号がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−オフレベ
ル電圧で出力されることを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示パネル。
【請求項１３】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配
列され、各サブピクセルには有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードを駆動する
ための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、前
記駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチン
グトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記駆動
トランジスタと第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングトラ
ンジスタと、前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結され
たストレージキャパシタが配置された表示パネルと、前記複数のデータラインを駆動する
データドライバと、前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表
示装置の映像駆動方法において、
ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャ
ン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サ
ブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋
１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配
列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
前記ｎ番目ゲートラインで出力された前記ｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電
圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングト
ランジスタをターン−オフさせるステップと、
を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の映像駆動方法。
【請求項１４】
複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピクセルが配
列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、前記有機発光ダイオードを駆動す
るための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信号により制御され、
前記駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結されたスイッチ
ングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制御され、前記駆
動トランジスタと第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセンシングト
ランジスタと、前記駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に連結さ
れたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、前記複数のデータラインを駆動す
るデータドライバと、前記複数のゲートラインを駆動するゲートドライバとを含む有機発
光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法において、
前記ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目ス
キャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列された
サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせ、ｎ＋１番目サブピクセ
ルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のタ
ーン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内
のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
前記ｎ＋１番目ゲートラインで出力された前記ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オフ
レベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシン
グトランジスタをターン−オフさせるステップと、
前記ｎ番目ゲートラインで出力された前記ｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電
圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトラ
ンジスタをターン−オフさせ、前記ｎ＋１番目ゲートラインで出力された前記ｎ＋１番目
スキャン信号のターン−オンレベル電圧により前記ｎ番目サブピクセルラインに配列され
たサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方
法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法
、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法に関するもので
ある。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置として脚光を浴びている有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダ
イオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を用いることによって、応答速度
が速く、発光効率、輝度、及び視野角などが大きいという長所がある。
【０００３】
このような有機発光表示装置は、有機発光ダイオードとこれを駆動するための駆動トラ
ンジスタが含まれたサブピクセルをマトリックス状に配列し、スキャン信号により選択さ
れたサブピクセルの明るさをデータの階調によって制御する。
【０００４】
有機発光表示パネルにおける各サブピクセル内の有機発光ダイオード及び駆動トランジ
スタなどの回路素子は、各々固有の特性値を有している。
【０００５】
例えば、有機発光ダイオードはしきい電圧を特性値として有しており、駆動トランジス
タはしきい電圧及び移動度などの特性値を有することができる。
【０００６】
このような各サブピクセル内の回路素子は、駆動時間によって劣化が進行して特性値が
変わることがある。各サブピクセル内の回路素子毎に劣化度合いが異なるので、回路素子
間の特性値の偏差が発生することがある。
【０００７】
サブピクセル内の回路素子間の特性値の偏差は、有機発光表示パネルの輝度不均一を引
き起こして画像品質を低下させることがある。
【０００８】
したがって、有機発光表示パネルにおける駆動トランジスタのしきい電圧及び移動度を
センシングして補償してやるための補償技術と、有機発光ダイオードの劣化をセンシング
して補償してやるための補償技術などが開発されている。
【０００９】
しかしながら、有機発光表示パネルでの駆動トランジスタのしきい電圧及び移動度をセ
ンシングして補償し、有機発光ダイオードの劣化をセンシングして補償してやるためには
、サブピクセルはそれに合う構造で設計されなければならない。
【００１０】
特に、有機発光ダイオードの劣化をセンシングするためには、駆動トランジスタのゲー
トノードとソースノード（または、ドレインノード）の各々の電圧状態を別途に制御する
ための２つのトランジスタに対する個別的なオン−オフ制御が必要である。
【００１１】
このような場合、各サブピクセルライン毎に２つ以上のゲートラインが必要となって、
有機発光表示パネルの開口率が落ちる問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
発明の目的は、開口率を上げながらも映像駆動及び多様な種類のセンシング駆動が可能
なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネ
ル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣
化センシング駆動方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブ
ピクセル内の２種類のスキャントランジスタのオン−オフを個別的に制御できるゲートラ
イン連結構造、及びサブピクセル構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネル、
有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣化セ
ンシング駆動方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の更に他の目的は、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各
サブピクセル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有
機発光表示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発
光表示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
、本発明は、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される複数のサブピ
クセルが配列された有機発光表示パネルと、複数のデータラインを駆動するデータドライ
バと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバと、データドライバ及びゲートドラ
イバを制御するコントローラを含む有機発光表示装置を提供することができる。
【００１６】
このような有機発光表示装置において、各サブピクセルは、有機発光ダイオードと、有
機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキ
ャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的
に連結されたスイチントランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により
制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結された
センシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的
に連結されたストレージキャパシタを含むことができる。
【００１７】
このような有機発光表示装置において、複数のゲートラインの各々は１つのサブピクセ
ルライン毎に配置され、複数のゲートラインのうちのｎ＋１番目サブピクセルラインに配
置されたｎ＋１番目ゲートラインは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配列された各サブ
ピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインに
配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに共通に連結でき
る。
【００１８】
他の発明において、データ電圧を供給する複数のデータラインと、ゲート信号を供給す
る複数のゲートラインと、マトリックス状に配列された複数のサブピクセルを含む有機発
光表示パネルを提供することができる。
【００１９】
このような有機発光表示パネルにおいて、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと
、有機発光ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加される
スキャン信号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電
気的に連結されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信
号により制御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連
結されたセンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間
に電気的に連結されたストレージキャパシタとが配置できる。
【００２０】
また、有機発光表示パネルにおいて、複数のゲートラインの各々は１つのサブピクセル
ライン毎に配置できる。
【００２１】
また、有機発光表示パネルにおいて、複数のゲートラインのうちのｎ＋１番目サブピク
セルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインは、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配
列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタのゲートノードと、ｎ番目サブピ
クセルラインに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタのゲートノードに
共通に連結できる。
【００２２】
更に他の発明において、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される
複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、有機発光
ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信
号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結
されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制
御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセ
ンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に
連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、複数のデータラインを駆動
するデータドライバと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表
示装置の映像駆動方法を提供することができる。
【００２３】
このような映像駆動方法は、ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目ゲートライ
ンで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセル
ラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オンさせる
ステップと、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力
されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルライ
ンに配列された各サブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステッ
プと、ｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧に
よりｎ番目サブピクセルラインに配列された各サブピクセル内のスイッチングトランジス
タをターン−オフさせるステップを含むことができる。
【００２４】
更に他の発明において、複数のデータライン及び複数のゲートラインにより定義される
複数のサブピクセルが配列され、各サブピクセルには、有機発光ダイオードと、有機発光
ダイオードを駆動するための駆動トランジスタと、ゲートノードに印加されるスキャン信
号により制御され、駆動トランジスタの第１ノードとデータラインとの間に電気的に連結
されたスイッチングトランジスタと、ゲートノードに印加されるセンシング信号により制
御され、駆動トランジスタの第２ノードと基準電圧ラインとの間に電気的に連結されたセ
ンシングトランジスタと、駆動トランジスタの第１ノードと第２ノードとの間に電気的に
連結されたストレージキャパシタが配置された表示パネルと、複数のデータラインを駆動
するデータドライバと、複数のゲートラインを駆動するゲートドライバを含む有機発光表
示装置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２５】
このような劣化センシング駆動方法は、ｎ番目サブピクセルラインに配置されたｎ番目
ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サ
ブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のスイッチングトランジスタをターン−オ
ンさせ、ｎ＋１番目サブピクセルラインに配置されたｎ＋１番目ゲートラインで出力され
たｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに
配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップと、
ｎ＋１番目ゲートラインで出力されたｎ＋１番目スキャン信号のターン−オフレベル電圧
によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタ
をターン−オフさせるステップと、ｎ番目ゲートラインで出力されたｎ番目スキャン信号
のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配列されたサブピクセル内
のスイッチングトランジスタをターン−オフさせ、ｎ＋１番目ゲートラインで出力された
ｎ＋１番目スキャン信号のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインに配
列されたサブピクセル内のセンシングトランジスタをターン−オンさせるステップを含む
ことができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上、説明したような発明によれば、開口率を上げながらも映像駆動及び多様な種類の
センシング駆動可能なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表示装置
、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有
機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２７】
本発明によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピク
セル内の２種類のスキャントランジスタのオン−オフを個別的に制御することができるゲ
ートライン連結構造及びサブピクセル構造を有する有機発光表示装置、有機発光表示パネ
ル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装置の有機発光ダイオード劣
化センシング駆動方法を提供することができる。
【００２８】
発明態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブピク
セル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有機発光表
示装置、有機発光表示パネル、有機発光表示装置の映像駆動方法、並びに有機発光表示装
置の有機発光ダイオード劣化センシング駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置のシステム構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルのサブピクセル構造の例示図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルのサブピクセルの１スキャン構造と２スキャン構造を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の補償回路の例示図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の駆動トランジスタに対するしきい電圧センシング駆動方式を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の駆動トランジスタに対する移動度センシング駆動方式を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の有機発光ダイオードに対する劣化センシング駆動方式を説明するための図である。
【図８】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造である。
【図９】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造である。
【図１０】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造における４種類の駆動モードに従うスキャン信号タイミング図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、映像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、残像補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタのしきい電圧補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る有機発光表示パネルの改善構造下で、駆動トランジスタの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の一部の実施形態を例示的な図面を通じて詳細に説明する。各図面の構成
要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対しては、たとえ他の図面上に
表示されてもできる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当
たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にする
ことがあると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。
【００３１】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）
などの用語を使用することができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区
別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質や順番、順序、または個数
などが限定されるものではない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、ま
たは“接続”されると記載された場合、その構成要素はその他の構成要素に直接的に連結
、または接続できるが、各構成要素の間に他の構成要素が介されるか、または各構成要素
が他の構成要素を通じて“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解
されるべきである。
【００３２】
図１は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００のシステム構成図である。
【００３３】
図１を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、複数のデータライン
ＤＬ及び複数のゲートラインＧＬが配置され、複数のサブピクセル（ＳＰ：Sub Pixel）
が配置された有機発光表示パネル１１０と、複数のデータラインＤＬを駆動するデータド
ライバ１２０と、複数のゲートラインＧＬを駆動するゲートドライバ１３０と、データド
ライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御するコントローラ１４０などを含む。
【００３４】
コントローラ１４０は、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０に各種制御信
号を供給して、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御する。
【００３５】
このようなコントローラ１４０は、各フレームで具現するタイミングによってスキャン
を始めて、外部から入力される入力映像データをデータドライバ１２０で使用するデータ
信号形式に合うように転換して、転換された映像データを出力し、スキャンに合せて適宜
な時間にデータ駆動を統制する。
【００３６】
このようなコントローラ１４０は、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコ
ントローラ（Timing Controller）、またはタイミングコントローラ（Timing Controller
）を含んで他の制御機能もさらに遂行する制御装置でありうる。
【００３７】
データドライバ１２０は、複数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することによっ
て、複数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、データドライバ１２０は‘ソースドラ
イバ’ともいう。
【００３８】
このようなデータドライバ１２０は、少なくとも１つのソースドライバ集積回路（ＳＤ
ＩＣ：Source Driver Integrated Circuit）を含んで複数のデータラインを駆動すること
ができる。
【００３９】
ゲートドライバ１３０は、複数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次供給すること
によって、複数のゲートラインＧＬを順次駆動する。ここで、ゲートドライバ１３０は‘
スキャンドライバ’ともいう。
【００４０】
このようなゲートドライバ１３０は、少なくとも１つのゲートドライバ集積回路（ＧＤ
ＩＣ：Gate Driver Integrated Circuit）を含むことができる。
【００４１】
ゲートドライバ１３０は、コントローラ１４０の制御によって、オン（On）電圧または
オフ（Off）電圧のスキャン信号を複数のゲートラインＧＬに順次供給する。
【００４２】
データドライバ１２０は、ゲートドライバ１３０により特定ゲートラインが開けば、コ
ントローラ１４０から受信した映像データをアナログ形態のデータ電圧に変換して複数の
データラインＤＬに供給する。
【００４３】
データドライバ１２０は、図１では有機発光表示パネル１１０の一側（例：上側または
下側）のみに位置しているが、駆動方式、パネル設計方式などに従って、有機発光表示パ
ネル１１０の両側（例：上側と下側）に全て位置することもできる。
【００４４】
ゲートドライバ１３０は、図１では有機発光表示パネル１１０の一側（例：左側または
右側）のみに位置しているが、駆動方式、パネル設計方式などに従って、有機発光表示パ
ネル１１０の両側（例：左側と右側）に全て位置することもできる。
【００４５】
前述したコントローラ１４０は、入力映像データと共に、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）
、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、入力データイネーブル（ＤＥ：Data Enable）信号、ク
ロック信号（ＣＬＫ）などを含む各種のタイミング信号を外部（例：ホストシステム）か
ら受信する。
【００４６】
コントローラ１４０は、データドライバ１２０及びゲートドライバ１３０を制御するた
めに、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、入力ＤＥ信号、クロ
ック信号などのタイミング信号の入力を受けて、各種の制御信号を生成してデータドライ
バ１２０及びゲートドライバ１３０に出力する。
【００４７】
例えば、コントローラ１４０は、ゲートドライバ１３０を制御するために、ゲートスタ
ートパルス（ＧＳＰ：Gate Start Pulse）、ゲートシフトクロック（ＧＳＣ：Gate Shift
Clock）、ゲート出力イネーブル信号（ＧＯＥ：Gate Output Enable）などを含む各種の
ゲート制御信号（ＧＣＳ：Gate Control Signal）を出力する。
【００４８】
また、コントローラ１４０は、データドライバ１２０を制御するために、ソーススター
トパルス（ＳＳＰ：Source Start Pulse）、ソースサンプリングクロック（ＳＳＣ：Sour
ce Sampling Clock）、ソース出力イネーブル信号（ＳＯＥ：Source Output Enable）な
どを含む各種のデータ制御信号（ＤＣＳ：Data Control Signal）を出力する。
【００４９】
データドライバ１２０に含まれた各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、テープオート
メーテッドボンディング（ＴＡＢ：Tape Automated Bonding）方式、またはチップオンガ
ラス（ＣＯＧ：Chip On Glass）方式により有機発光表示パネル１１０のボンディングパ
ッド（Bonding Pad）に連結されるか、または有機発光表示パネル１１０に直接配置され
ることもでき、場合によって、有機発光表示パネル１１０に集積化されて配置されること
もできる。また、各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、有機発光表示パネル１１０に連
結されたフィルム上に実装されるチップオンフィルム（ＣＯＦ：Chip On Film）方式によ
り具現されることもできる。
【００５０】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、ラッチ回
路（Latch Circuit）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Conve
rter）、出力バッファ（Output Buffer）などを含むことができる。
【００５１】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、場合によって、アナログデジタルコンバータ（
ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）をさらに含むことができる。
【００５２】
ゲートドライバ１３０に含まれた各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは、テープオート
メーテッドボンディング（ＴＡＢ）方式またはチップオンガラス（ＣＯＧ）方式により有
機発光表示パネル１１０のボンディングパッド（Bonding Pad）に連結されるか、または
ＧＩＰ（Gate In Panel）タイプで具現されて有機発光表示パネル１１０に直接配置され
ることもでき、場合によって、有機発光表示パネル１１０に集積化されて配置されること
もできる。また、各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは有機発光表示パネル１１０と連結
されたフィルム上に実装されるチップオンフィルム（ＣＯＦ）方式により具現されること
もできる。
【００５３】
各ゲートドライバ集積回路ＧＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、レベルシ
フター（Level Shifter）などを含むことができる。
【００５４】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、少なくとも１つのソースドライバ集積回
路ＳＤＩＣに対する回路的な連結のために必要な少なくとも１つのソース印刷回路基板（
Ｓ−ＰＣＢ：Source Printed Circuit Board）、制御部品、及び各種の電気装置を実装す
るためのコントロール印刷回路基板（Ｃ−ＰＣＢ：Control Printed Circuit Board）を
含むことができる。
【００５５】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢには、少なくとも１つのソースドライ
バ集積回路ＳＤＩＣが実装されるか、または少なくとも１つのソースドライバ集積回路Ｓ
ＤＩＣが実装されたフィルムが連結できる。
【００５６】
コントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣＢには、データドライバ１２０及びゲートドライバ
１３０などの動作を制御するコントローラ１４０と、有機発光表示パネル１１０、データ
ドライバ１２０、及びゲートドライバ１３０などに各種の電圧または電流を供給するか、
または供給する各種の電圧または電流を制御する電源コントローラなどが実装できる。
【００５７】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢとコントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣ
Ｂは、少なくとも１つの連結部材を通じて回路的に連結できる。
【００５８】
ここで、連結部材は可撓性印刷回路（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）、可撓性フ
ラットケーブル（ＦＦＣ：Flexible Flat Cable）などでありうる。
【００５９】
少なくとも１つのソース印刷回路基板Ｓ−ＰＣＢとコントロール印刷回路基板Ｃ−ＰＣ
Ｂは、１つの印刷回路基板に統合されて具現されることもできる。
【００６０】
有機発光表示パネル１１０に配置される各サブピクセルＳＰは、トランジスタなどの回
路素子を含んで構成できる。
【００６１】
一例に、各サブピクセルＳＰは有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitti
ng Diode）と、これを駆動するための駆動トランジスタ（Driving Transistor）などの回
路素子で構成されている。
【００６２】
各サブピクセルＳＰを構成する回路素子の種類及び個数は、提供機能及び設計方式など
によって多様に定まることができる。
【００６３】
図２は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０のサブピクセル構造の例示図であ
る。
【００６４】
図２を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００において、各サブピクセ
ルは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と、有機発光ダ
イオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタ（ＤＲＴ：Driving Transistor）と、駆動
トランジスタＤＲＴのゲートノードに該当する第１ノードＮ１にデータ電圧を伝達するた
めのスイッチングトランジスタ（ＳＷＴ：Switching Transistor）と、駆動トランジスタ
ＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧（Ｖｒｅｆ：Reference Voltage）を供給する基準電
圧ライン（ＲＶＬ：Reference Voltage Line）との間に電気的に連結されるセンシングト
ランジスタ（ＳＥＮＴ：Sensing Transistor）と、映像信号電圧に該当するデータ電圧ま
たはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持するストレージキャパシタ（Ｃｓｔｇ
：Storage Capacitor）を含んで構成できる。
【００６５】
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電極（例：アノード電極）、有機層及び第２電極
（例：カソード電極）などからなることができる。
【００６６】
駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給することに
よって、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する。
【００６７】
このような駆動トランジスタＤＲＴにおいて、第１ノードＮ１は、スイッチングトラン
ジスタＳＷＴのソースノードまたはドレインノードと電気的に連結されることができ、ゲ
ートノードでありうる。第２ノードＮ２は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極と電
気的に連結されることができ、ソースノードまたはドレインノードでありうる。第３ノー
ドＮ３は、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ライン（ＤＶＬ：Driving Voltage 
Line）と電気的に連結されることができ、ドレインノードまたはソースノードでありうる
。
【００６８】
スイッチングトランジスタＳＷＴは、データラインＤＬと駆動トランジスタＤＲＴの第
１ノードＮ１との間に電気的に連結され、スキャン信号（ＳＣＡＮ）をゲートノードに印
加を受けて制御できる。
【００６９】
このようなスイッチングトランジスタＳＷＴは、スキャン信号（ＳＣＡＮ）によりター
ン−オンされてデータラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トラン
ジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達することができる。
【００７０】
センシングトランジスタＳＥＮＴは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準
電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結され、ゲートノードにスキャン信号の一種である
センシング信号（ＳＥＮＳＥ）の印加を受けて制御できる。
【００７１】
このようなセンシングトランジスタＳＥＮＴはセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）によりタ
ーン−オンされ、基準電圧ラインＲＶＬを通じて供給される基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動
トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に印加するか、または駆動トランジスタＤＲＴの第
２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。
【００７２】
ストレージキャパシタＣｓｔｇは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と第１ノ
ードＮ１との間に電気的に連結できる。
【００７３】
このようなストレージキャパシタＣｓｔｇは、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ
２と第１ノードＮ１との間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生
キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設
計した外部キャパシタ（External Capacitor）である。
【００７４】
駆動トランジスタＤＲＴ、スイッチングトランジスタＳＷＴ、及びセンシングトランジ
スタＳＥＮＴは、ｎタイプで具現されることも、ｐタイプでも具現されることもできる。
【００７５】
図３は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０のサブピクセルの１スキャン構造
と２スキャン構造を示す図である。
【００７６】
図３を参照すると、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノード及びセンシングト
ランジスタＳＥＮＴのゲートノードは互いに異なるゲートラインＧＬ１、ＧＬ２に連結で
きる。このようなゲートライン構造を“２スキャン構造”という。
【００７７】
２スキャン構造で、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードに印加されるスキ
ャン信号（ＳＣＡＮ）と、センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加される
センシング信号（ＳＥＮＳＥ）は別個のゲート信号でありうる。
【００７８】
したがって、スイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対
する個別的なオン−オフ制御が可能である。
【００７９】
図３を参照すると、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノード及びセンシングト
ランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、同一なゲートラインＧＬに連結できる。このよう
なゲートライン構造を“１スキャン構造”という。
【００８０】
１スキャン構造で、スイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードに印加されるスキ
ャン信号（ＳＣＡＮ）と、センシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに印加される
センシング信号（ＳＥＮＳＥ）は同一なゲート信号でありうる。
【００８１】
したがって、スイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴに対
する個別的なオン−オフ制御が不可能である。
【００８２】
前述した２スキャン構造はスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタ
ＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が可能であるが、開口率が落ちる短所がある。
【００８３】
代わりに、１スキャン構造はスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジス
タＳＥＮＴに対する個別的なオン−オフ制御が不可能であるが、開口率が高まる長所があ
る。
【００８４】
一方、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の場合、各サブピクセルＳＰの駆動時
間が長くなるにつれて、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、駆動トランジスタＤＲＴなどの回
路素子に対する劣化（Degradation）が進行することがある。
【００８５】
これによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、駆動トランジスタＤＲＴなどの回路素子
が有する固有の特性値（例：しきい電圧、移動度など）が変わることがある。
【００８６】
このような回路素子の特性値の変化は該当サブピクセルの輝度変化を引き起こす。
【００８７】
また、このような回路素子間の特性値の変化の程度は、各回路素子の劣化度合いの差に
よって互いに異なることがある。
【００８８】
このような回路素子間の特性値の変化の程度の差による回路素子間の特性値の偏差はサ
ブピクセル間の輝度偏差を引き起こして、サブピクセルの輝度表現力に対する正確度を落
とすか、または輝度不均一などの画面異常現象を起こすなどの問題を発生させることがあ
る。
【００８９】
ここで、回路素子の特性値（以下、“サブピクセル特性値”ともいう）は、一例に、駆
動トランジスタＤＲＴのしきい電圧及び移動度などを含むことができ、場合によって、有
機発光ダイオードＯＬＥＤのしきい電圧を含むこともできる。
【００９０】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、回路素子の特性値またはその変化をセン
シング（測定）するセンシング機能と、センシング結果を用いてサブピクセル回路素子間
の特性値の偏差を補償してやる補償機能を提供することができる。
【００９１】
図４は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の補償回路の例示図である。
【００９２】
図４を参照すると、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、回路素子の特性値（
駆動トランジスタの特性値、有機発光ダイオードの特性値）、またはその変化をセンシン
グしてセンシングデータを出力するセンシング部４１０と、センシングデータを格納する
メモリ４２０と、センシングデータを用いて回路素子間の特性値の偏差を補償してやる補
償プロセスを遂行する補償部４３０などを含むことができる。
【００９３】
センシング部４１０は、少なくとも１つのアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Anal
og to Digital Converter）を含んで具現できる。
【００９４】
各アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）は、ソース
ドライバ集積回路ＳＤＩＣの内部に含まれることができ、場合によっては、ソースドライ
バ集積回路ＳＤＩＣの外部に含まれることもできる。
【００９５】
補償部４３０はコントローラ１４０の内部に含まれることができ、場合によっては、コ
ントローラ１４０の外部に含まれることもできる。
【００９６】
本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、センシング駆動を制御するために、即ち
、サブピクセルＳＰ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧印加状態をサブ
ピクセル特性値のセンシングに必要な状態に制御するために、初期化スイッチＳＰＲＥと
サンプリングスイッチＳＡＭをさらに含むことができる。
【００９７】
初期化スイッチＳＰＲＥを通じて、基準電圧ラインＲＶＬへの基準電圧（Ｖｒｅｆ）の
供給如何が制御できる。
【００９８】
初期化スイッチＳＰＲＥがターン−オンされれば、基準電圧（Ｖｒｅｆ）が基準電圧ラ
インＲＶＬに供給され、ターン−オンされているセンシングトランジスタＳＥＮＴを通じ
て駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に印加できる。
【００９９】
一方、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が回路素子の特性値またはその
変化を反映する電圧状態になれば、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と等電位で
ありうる基準電圧ラインＲＶＬの電圧も回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧
状態になることができる。この際、基準電圧ラインＲＶＬ上に形成されたラインキャパシ
タに回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧が充電できる。
【０１００】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が回路素子の特性値またはその変化を
反映する電圧状態になれば、サンプリングスイッチＳＡＭがターン−オンされて、センシ
ング部４１０と基準電圧ラインＲＶＬとが連結できる。
【０１０１】
これによって、センシング部４１０は回路素子の特性値またはその変化を反映する電圧
状態である基準電圧ラインＲＶＬの電圧（即ち、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ
２の電圧）をセンシングする。
【０１０２】
センシング部４１０は、センシングされた電圧をデジタル値に該当するセンシング値に
変換し、センシング値を含むセンシングデータを転送する。
【０１０３】
センシング部４１０により転送されたセンシングデータはメモリ４２０に格納される。
【０１０４】
補償部４３０は、メモリ４２０に格納されたセンシングデータを用いて各回路素子間の
偏差を補償するための補償プロセスを遂行することができる。
【０１０５】
以下では、駆動トランジスタＤＲＴに対するしきい電圧センシング駆動及び移動度セン
シング駆動について簡略に説明する。
【０１０６】
図５は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の駆動トランジスタＤＲＴに対する
しきい電圧センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１０７】
駆動トランジスタＤＲＴに対するしきい電圧センシング駆動時、駆動トランジスタＤＲ
Ｔの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２の各々は、しきい電圧センシング駆動用データ電圧
（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化される。
【０１０８】
以後、初期化スイッチＳＰＲＥがオフされて駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２
がフローティング（Floating）される。
【０１０９】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇する。
【０１１０】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧は上昇がなされてから上昇幅が徐々に
減って飽和するようになる。
【０１１１】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の飽和された電圧は、データ電圧（Ｖｄａｔ
ａ）としきい電圧（Ｖｔｈ）の差、またはデータ電圧（Ｖｄａｔａ）としきい電圧偏差（
ΔＶｔｈ）の差に該当できる。
【０１１２】
センシング部４１０は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が飽和されれば
、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の飽和された電圧をセンシングする。
【０１１３】
センシング部４１０によりセンシングされた電圧（Ｖｓｅｎ）は、データ電圧（Ｖｄａ
ｔａ）からしきい電圧（Ｖｔｈ）を引いた電圧（Ｖｄａｔａ−Ｖｔｈ）、またはデータ電
圧（Ｖｄａｔａ）からしきい電圧偏差（ΔＶｔｈ）を引いた電圧（Ｖｄａｔａ−ΔＶｔｈ
）でありうる。
【０１１４】
図６は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の駆動トランジスタＤＲＴに対する
移動度センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１１５】
移動度センシング駆動時、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２
の各々は移動度センシング駆動用データ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初
期化される。
【０１１６】
以後、スイッチングトランジスタＳＷＴがターン−オフされ、初期化スイッチＳＰＲＥ
がオフされて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２がフローティ
ングされる。
【０１１７】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が上昇し始める。
【０１１８】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧上昇速度（時間に対する電圧上昇値の
変化量（ΔＶ））は、駆動トランジスタＤＲＴの電流能力、即ち移動度によって変わる。
【０１１９】
即ち、電流能力（移動度）が大きい駆動トランジスタＤＲＴであるほど、駆動トランジ
スタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧がさらに急激に上昇する。
【０１２０】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が予め定まった一定時間の間上昇がな
された以後、センシング部４１０は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の上昇され
た電圧（即ち、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧上昇によって共に電圧上
昇がなされた基準電圧ラインＲＶＬの電圧）をセンシングする。
【０１２１】
前述したしきい電圧または移動度センシング駆動によってセンシング部４１０はしきい
電圧センシングまたは移動度センシングのためにセンシングされた電圧（Ｖｓｅｎ）をデ
ジタル値に変換し、変換されたデジタル値（センシング値）を含むセンシングデータを生
成して出力する。
【０１２２】
センシング部４１０で出力されたセンシングデータは、メモリ４２０に格納されるか、
または補償部４３０に提供できる。
【０１２３】
補償部４３０はメモリ４２０に格納されるか、またはセンシング部４１０で提供された
センシングデータに基づいて該当サブピクセル内の駆動トランジスタＤＲＴの特性値（例
：しきい電圧、移動度）、または駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化（例：しきい電
圧変化、移動度の変化）を把握し、特性値補償プロセスを遂行することができる。
【０１２４】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化は以前センシングデータを基準に現在
センシングデータが変化されたことを意味するか、または基準センシングデータを基準に
現在センシングデータが変化されたことを意味することもできる。
【０１２５】
ここで、駆動トランジスタＤＲＴ間の特性値または特性値の変化を比較して見ると、駆
動トランジスタＤＲＴ間の特性値の偏差を把握することができる。駆動トランジスタＤＲ
Ｔの特性値の変化が基準センシングデータを基準に現在センシングデータが変化されたこ
とを意味する場合、駆動トランジスタＤＲＴの特性値の変化から駆動トランジスタＤＲＴ
間の特性値の偏差（即ち、サブピクセル輝度偏差）を把握することもできる。
【０１２６】
特性値補償プロセスは、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧を補償するしきい電圧補
償処理と、駆動トランジスタＤＲＴの移動度を補償する移動度補償処理を含むこともでき
る。
【０１２７】
しきい電圧補償処理は、しきい電圧またはしきい電圧偏差（しきい電圧の変化）を補償
するための補償値を演算し、演算された補償値をメモリ４２０に格納するか、または演算
された補償値に該当映像データ（Data）を変更する処理を含むことができる。
【０１２８】
移動度補償処理は移動度または移動度の偏差（移動度の変化）を補償するための補償値
を演算し、演算された補償値をメモリ４２０に格納するか、または演算された補償値に該
当映像データ（Data）を変更する処理を含むことができる。
【０１２９】
補償部４３０はしきい電圧補償処理または移動度補償処理により映像データ（Data）を
変更して、変更されたデータをデータドライバ１２０内の該当ソースドライバ集積回路Ｓ
ＤＩＣに供給することができる。
【０１３０】
これによって、該当ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、補償部４３０で変更されたデ
ータをデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）を通じて
データ電圧に変換して該当サブピクセルに供給することによって、サブピクセル特性値補
償（しきい電圧補償、移動度補償）が実際になされるようになる。
【０１３１】
このようなサブピクセル特性値補償がなされるにつれて、サブピクセル間の輝度偏差を
減らすか、または防止することによって、画像品質を向上させることができる。
【０１３２】
図７は、本実施形態に係る有機発光表示装置１００の有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣
化センシング駆動方式を説明するための図である。
【０１３３】
図７を参照すると、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化をセンシングする駆動は、駆動
トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を初期化する初期化ステップ（Ｓ
７１０）、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化をトラッキングするＯＬＥＤ劣化トラッキ
ングステップ（Ｓ７２０）、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いを示す電圧を
センシングするＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｓ７３０）に進行できる。
【０１３４】
初期化ステップ（Ｓ７１０）で、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトラ
ンジスタＳＥＮＴを全てターン−オンさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１
と第２ノードＮ２を有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング用データ電圧（Ｖｄａ
ｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化させる。
【０１３５】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｓ７２０）では、センシングトランジスタＳＥＮ
Ｔのみをターン−オフさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティン
グさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を変化させる。
【０１３６】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｓ７２０）で、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノ
ードＮ２の電圧が上昇してから、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。
【０１３７】
有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する時の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２
の電圧は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いによって変わる。
【０１３８】
したがって、ＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｓ７３０）では、スイッチングトラン
ジスタＳＷＴはターン−オフさせ、センシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オンさせ
て、アナログデジタルコンバータＡＤＣでありうるセンシング部４１０を通じて、駆動ト
ランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を検出して、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣
化度合いをセンシングすることができる。
【０１３９】
前述したように、本実施形態に係る有機発光表示装置１００は、一般的な映像を表示す
るための映像駆動モードと、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧をセンシングして補償
してやる駆動トランジスタしきい電圧補償モードと、駆動トランジスタＤＲＴの移動度を
センシングして補償してやる駆動トランジスタ移動度補償モードと、有機発光ダイオード
ＯＬＥＤの劣化（しきい電圧）をセンシングして補償してやる残像補償モードなどを提供
することができる。
【０１４０】
映像駆動モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、及び駆動トランジスタ移動
度補償モードは、サブピクセルが１スキャン構造の場合と２スキャン構造の場合に全て可
能である。
【０１４１】
しかしながら、残像補償モードは、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングト
ランジスタＳＥＮＴの各々のオン−オフが別途に制御されなければならないので、１スキ
ャン構造でも適用し難く、２スキャン構造のみで適用することができる。
【０１４２】
しかしながら、２スキャン構造でサブピクセルを設計する場合、開口率の減少が不回避
である。
【０１４３】
ここに、以下の本実施形態は、残像補償モードに適用できる１スキャン構造を開示する
。
【０１４４】
図８及び図９は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造である。
【０１４５】
前述したように、各サブピクセルは、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤを駆動するための駆動トランジスタＤＲＴと、ゲートノードに印加されるス
キャン信号（ＳＣＡＮ）により制御され、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１とデ
ータラインＤＬとの間に電気的に連結されたスイッチングトランジスタＳＷＴと、ゲート
ノードに印加されるセンシング信号（ＳＥＮＳＥ）により制御され、駆動トランジスタＤ
ＲＴと第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結されたセンシングト
ランジスタＳＥＮＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との
間に電気的に連結されたストレージキャパシタＣｓｔｇとを含む。
【０１４６】
図８及び図９を参照すると、有機発光表示パネル１１０には複数のサブピクセルライン
（・・・，ＳＰＬｎ−１、ＳＰＬｎ，ＳＰＬｎ＋１，・・・）が配列され、複数のゲート
ライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）が配置される。
【０１４７】
図８及び図９を参照すると、複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬ
ｎ＋１，・・・）の各々は１つのサブピクセルライン毎に配置される。
【０１４８】
図８及び図９を参照すると、複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬ
ｎ＋１，・・・）のうちのｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲート
ラインＧＬｎは、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ
内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードと、ｎ−１番目サブピクセルライン
ＳＰＬｎ−１に配列された各サブピクセルＳＰｎ−１内のセンシングトランジスタＳＥＮ
Ｔのゲートノードに共通に連結できる。
【０１４９】
複数のゲートライン（・・・，ＧＬｎ−１，ＧＬｎ，ＧＬｎ＋１，・・・）のうちのｎ
＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋
１は、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配列された各サブピクセルＳＰｎ＋
１内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードと、ｎ番目サブピクセルラインＳ
ＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲート
ノードに共通に連結できる。
【０１５０】
前述したゲートライン連結構造を活用すれば、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセ
ンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御可能な１スキャン構造を作るこ
とができる。
【０１５１】
このような１スキャン構造を通じて開口率を高めながらも、スイッチングトランジスタ
ＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御が必要な各種駆動
モード（例：残像補償モード）を可能にすることができる。
【０１５２】
前述したゲートライン構造によれば、各サブピクセル内のスイッチングトランジスタＳ
ＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの各々のゲートノードは、次のような方式によ
り印加できる。
【０１５３】
図８及び図９を参照すると、ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配列された
各サブピクセルＳＰｎ−１内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードは、ｎ−
１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配置されたｎ−１番目ゲートラインＧＬｎ−１
を通じて出力されるｎ−１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ−１）の印加を受ける。
【０１５４】
ｎ−１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ−１に配列された各サブピクセルＳＰｎ−１内
のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬ
ｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎを通じて出力されるｎ番目スキャン信号（ＳＣ
ＡＮｎ）をｎ−１番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ−１）として印加を受ける。
【０１５５】
図８及び図９を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピ
クセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴのゲートノードは、ｎ番目サブピクセ
ルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎを通じて出力されるｎ番目スキ
ャン信号（ＳＣＡＮｎ）の印加を受ける。
【０１５６】
ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシング
トランジスタＳＥＮＴのゲートノードは、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に
配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１を通じて出力されるｎ＋１番目スキャン信
号（ＳＣＡＮｎ＋１）をｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）として印加を受ける。
【０１５７】
前述した方式に従って、各サブピクセル内のスイッチングトランジスタＳＷＴ及びセン
シングトランジスタＳＥＮＴの各々にゲート信号（ＳＣＡＮ、ＳＥＮＳＥ）を個別的に伝
達することによって、各サブピクセルライン毎に配置された１つのゲートラインだけでも
、即ち１スキャン構造だけでも、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトラン
ジスタＳＥＮＴのオン−オフを個別的に制御することができる。
【０１５８】
これによって、１スキャン構造を通じて開口率を高めながらも、スイッチングトランジ
スタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴの個別的なオン−オフ制御が必要な駆動
モード（例：残像補償モード）を可能にすることができる。
【０１５９】
以下、前述したゲートライン構造に従う４種類の駆動モード（映像駆動モード、残像補
償モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、駆動トランジスタ移動度補償モード
）について説明する。
【０１６０】
図１０は本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造における４種類の駆動
モード（映像駆動モード、残像補償モード、駆動トランジスタしきい電圧補償モード、駆
動トランジスタ移動度補償モード）に従うスキャン信号タイミング図である。但し、９の
スキャン信号タイミング図は、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎを基準としたものであ
る。
【０１６１】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、
ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャ
ン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳できる。
【０１６２】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する残像補償モードで、
ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力される間、ｎ＋１番
目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力されてからターン−
オフレベル電圧に変わって出力され、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オン
レベル電圧からターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、ｎ＋１番目スキャン信
号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力できる。
【０１６３】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴ
のしきい電圧補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電
圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間と
は重畳できる。
【０１６４】
図１０を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴ
の移動度補償モードで、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベ
ル電圧で出力される間、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で
出力されてからターン−オフレベル電圧で出力できる。
【０１６５】
スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴがｎタイプのト
ランジスタの場合、ターン−オンレベル電圧はハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）で、ター
ン−オフレベル電圧はローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）でありうる。
【０１６６】
スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮＴがｐタイプのト
ランジスタの場合、ターン−オンレベル電圧はローレベルゲート電圧（ＶＧＬ）で、ター
ン−オフレベル電圧はハイレベルゲート電圧（ＶＧＨ）でありうる。
【０１６７】
図１１から図１４は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、映
像駆動モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である。
【０１６８】
図１１を参照すると、映像駆動のための各スキャン信号は２Ｈ長さのターン−オンレベ
ル電圧区間を有する。
【０１６９】
図１１を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モード区間
は、タイミングマージン確保区間（Ａ）と充電区間（Ｂ）からなる。
【０１７０】
図１１及び図１２を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動
モードで、タイミングマージン確保区間（Ａ）の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬに
配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）の
ターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピ
クセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴとセンシングトランジスタＳＥＮＴの
うち、スイッチングトランジスタＳＷＴのみターン−オンされる。
【０１７１】
これによって、映像駆動用データ電圧が駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に印
加される。
【０１７２】
ここで、タイミングマージン確保区間（Ａ）は、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに
配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴのゲートノードに
印加されるｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）がｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰ
Ｌｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャ
ン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）であるため、必要なタイミング区間である。
【０１７３】
図１１及び図１３を参照すると、充電区間（Ｂ）の間、ｎ番目センシング信号（ＳＥＮ
ＳＥｎ）の役割をするｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル
電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセ
ンシングトランジスタＳＥＮＴもさらにターン−オンされる。
【０１７４】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２には映像駆
動用データ電圧と基準電圧が印加されて、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第
２ノードＮ２の電位差に該当する電圧がストレージキャパシタＣｓｔｇに充電される。
【０１７５】
以後、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブ
ピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジス
タＳＷＴがターン−オフされ、ｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）の役割をするｎ＋
１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブピク
セルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥ
ＮＴがターン−オフされることによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第
２ノードＮ２が全てフローティングされれば、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２
の電圧が上昇しながら有機発光ダイオードＯＬＥＤに電流が供給されて、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤが発光する。
【０１７６】
一方、図１１及び図１４を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映
像駆動モードで、充電区間（Ｂ）の以後、Ａ’区間では、ｎ番目ゲートラインＧＬｎで出
力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サブ
ピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジス
タＳＷＴをターン−オフさせる。Ａ’区間でｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列さ
れた各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オン状態に維
持される。このようなＡ’区間はｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に対する映
像駆動モードのためのタイミングマージン確保区間に該当することができる。
【０１７７】
前述したように、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、ｎ番
目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間と、ｎ＋１番目スキャン信
号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは一部重畳できる。
【０１７８】
即ち、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する映像駆動モードで、ｎ番目スキャン
信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区間の後半部区間が、ｎ＋１番目スキャン
信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間の前半部区間と重畳できる。
【０１７９】
これを通じて、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲ
ートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）をｎ番目
サブピクセルラインＳＰＬｎに配列された各サブピクセルＳＰｎ内のセンシングトランジ
スタＳＥＮＴのゲートノードに印加されるｎ番目センシング信号（ＳＥＮＳＥｎ）に活用
しても、正常な映像駆動を可能にすることができる。
【０１８０】
図１５から図１７は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、残
像補償モード（ＯＬＥＤ劣化センシングを通じてのＯＬＥＤ劣化補償モード）に従うサブ
ピクセルの駆動を説明するための図である。
【０１８１】
図１５から図１７を参照すると、残像補償モードは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノ
ードＮ１と第２ノードＮ２を初期化する初期化ステップ（Ｄ）、有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤの劣化をトラッキングするＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）と、有機発光ダ
イオードＯＬＥＤの劣化度合いを示した電圧をセンシングするＯＬＥＤ劣化センシングス
テップ（Ｆ）に進行できる。
【０１８２】
図１５を参照すると、初期化ステップ（Ｄ）で、スイッチングトランジスタＳＷＴ及び
センシングトランジスタＳＥＮＴを全てターン−オンさせて、駆動トランジスタＤＲＴの
第１ノードＮ１と第２ノードＮ２を有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング用デー
タ電圧（Ｖｄａｔａ）と基準電圧（Ｖｒｅｆ）に初期化させる。
【０１８３】
この際、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで
出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サ
ブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジス
タＳＷＴをターン−オンさせる。
【０１８４】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラ
インＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オン
レベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内
のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１８５】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）では、センシングトランジスタＳＥＮＴのみ
をターン−オフさせて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティングさせ
て、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を変化させる。
【０１８６】
この際、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラ
インＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オフ
レベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内
のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オフさせる。
【０１８７】
ＯＬＥＤ劣化トラッキングステップ（Ｅ）で、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ
２の電圧が上昇してから、有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する。
【０１８８】
有機発光ダイオードＯＬＥＤが発光する時の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２
の電圧は有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合いによって変わる。
【０１８９】
したがって、ＯＬＥＤ劣化センシングステップ（Ｆ）では、スイッチングトランジスタ
ＳＷＴはターン−オフさせ、センシングトランジスタＳＥＮＴはターン−オンさせて、ア
ナログデジタルコンバータＡＤＣでありうるセンシング部４１０を通じて、駆動トランジ
スタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を検出して、有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化度合
いをセンシングすることができる。
【０１９０】
この際、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで
出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ番目サ
ブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジス
タＳＷＴをターン−オフさせる。
【０１９１】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番目ゲートラ
インＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オン
レベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内
のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１９２】
図１５から図１７を参照すると、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに対する残像補償
モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧で出力される間
（Ｄ、Ｅ）、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がＤステップでターン−オンレ
ベル電圧で出力されてからＥステップでターン−オフレベル電圧に変わって出力される。
【０１９３】
そして、図１５から図１７を参照すると、Ｆステップで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡ
Ｎｎ）がターン−オフレベル電圧に変わって出力されれば、ｎ＋１番目スキャン信号（Ｓ
ＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレベル電圧で出力される。
【０１９４】
前述したように、スイッチングトランジスタＳＷＴ及びセンシングトランジスタＳＥＮ
Ｔの個別的なオン−オフ制御可能な１スキャン構造を通じて、残像補償のための有機発光
ダイオードＯＬＥＤの劣化センシング駆動を可能にすることができる。
【０１９５】
図１８は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、駆動トランジ
スタＤＲＴのしきい電圧補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図である
。
【０１９６】
図１８を参照すると、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧センシングを通じてしきい
電圧を補償するための駆動トランジスタしきい電圧補償モードのためのＧ区間の間、ｎ番
目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎで出力されたｎ番
目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルライ
ンＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジスタＳＷＴをター
ン−オンさせる。
【０１９７】
そして、Ｇ区間の間、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１
番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）の
ターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピク
セルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０１９８】
これによって、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２がしきい
電圧センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される。
【０１９９】
Ｇ区間の以後、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧ
Ｌｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によりｎ
番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトラ
ンジスタＳＷＴをターン−オフさせる。
【０２００】
そして、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１番  目ゲート
ラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オ
フレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ
内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オフさせる。
【０２０１】
このようなＧ区間は、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２が
しきい電圧センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される初期化ステップの以後、図
４の初期化スイッチＳＰＲＥをオフさせてｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列され
たサブピクセルＳＰｎ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２をフローティングさ
せて駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を上昇させるステップと、駆動トラ
ンジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧が飽和されれば、サンプリングスイッチＳＡＭが
ターン−オンされて、センシング部４１０が駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の
飽和された電圧が基準電圧ラインＲＶＬを通じてセンシングするステップを含むことがで
きる。
【０２０２】
前述したように、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲＴのし
きい電圧補償モードで、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧区
間と、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）のターン−オンレベル電圧区間とは重
畳される。
【０２０３】
このような駆動方式によれば、本実施形態に係る特異なゲートライン連結構造下でも、
駆動トランジスタしきい電圧補償を同一な方式により提供することができる。
【０２０４】
図１９及び図２０は、本実施形態に係る有機発光表示パネル１１０の改善構造下で、駆
動トランジスタＤＲＴの移動度補償モードに従うサブピクセルの駆動を説明するための図
である。
【０２０５】
図１９を参照すると、駆動トランジスタＤＲＴの移動度センシングを通じてしきい電圧
を補償するための駆動トランジスタ移動度補償モードのための初期化ステップに該当する
Ｈ区間の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートラインＧＬｎ
で出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オンレベル電圧によりｎ番目
サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチングトランジ
スタＳＷＴをターン−オンさせる。
【０２０６】
そして、Ｈ区間の間、ｎ＋１番目サブピクセルラインＳＰＬｎ＋１に配置されたｎ＋１
番目ゲートラインＧＬｎ＋１で出力されたｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）の
ターン−オンレベル電圧によりｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピク
セルＳＰｎ内のセンシングトランジスタＳＥＮＴをターン−オンさせる。
【０２０７】
このような初期化ステップに該当するＨ区間の間、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノー
ドＮ１及び第２ノードＮ２が移動度センシング用データ電圧と基準電圧に初期化される。
【０２０８】
以後、Ｉ区間の間、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配置されたｎ番目ゲートライ
ンＧＬｎで出力されたｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）のターン−オフレベル電圧によ
りｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内のスイッチング
トランジスタＳＷＴをターン−オフさせる。
【０２０９】
これによって、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内
の駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１がフローティングされる。
【０２１０】
また、Ｉ区間の間、図４の初期化スイッチＳＰＲＥをオフさせてｎ番目サブピクセルラ
インＳＰＬｎに配列されたサブピクセルＳＰｎ内の駆動トランジスタＤＲＴの第２ノード
Ｎ２がフローティングされる。
【０２１１】
また、Ｉ区間の間、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２がフ
ローティングされて駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１及び第２ノードＮ２の各々
の電圧が上昇すれば、一定時間の以後、サンプリングスイッチＳＡＭがターン−オンされ
て、センシング部４１０が駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラ
インＲＶＬを通じてセンシングする。
【０２１２】
前述したものによれば、ｎ番目サブピクセルラインＳＰＬｎでの駆動トランジスタＤＲ
Ｔの移動度補償モードで、ｎ＋１番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ＋１）がターン−オンレ
ベル電圧で出力される間、ｎ番目スキャン信号（ＳＣＡＮｎ）がターン−オンレベル電圧
で出力されてからターン−オフレベル電圧で出力できる。
【０２１３】
このような駆動方式によれば、本実施形態に係る特異なゲートライン構造下でも、駆動
トランジスタ移動度補償を同一な方式により提供することができる。
【０２１４】
以上、説明したような本実施形態によれば、開口率を高めながらも映像駆動及び多様な
種類のセンシング駆動可能なサブピクセル構造及びゲートライン構造を有する有機発光表
示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法を提
供することができる。
【０２１５】
本実施形態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブ
ピクセル内の２種類のスキャントランジスタ（ＳＷＴ、ＳＥＮＴ）のオン−オフを個別的
に制御することができるゲートライン連結構造、及びサブピクセル構造を有する有機発光
表示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法を
提供することができる。
【０２１６】
本実施形態によれば、各サブピクセルライン毎に１つのゲートラインだけでも、各サブ
ピクセル内の有機発光ダイオードの劣化をセンシングするための駆動を可能にする有機発
光表示パネル１１０及び有機発光表示装置１００と、有機発光表示装置１００の駆動方法
を提供することができる。
【０２１７】
以上の説明及び添付した図面は、本発明の技術思想を例示的に示したものに過ぎないも
のであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的
な特性から逸脱しない範囲で構成の結合、分離、置換、及び変更などの多様な修正及び変
形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定す
るためのものではなく、説明するためのものであり、このような実施形態により本発明の
技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解析され
なければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれ
るものと解析されるべきである。
【符号の説明】
【０２１８】
１００    有機発光表示装置
１１０    有機発光表示パネル
１２０    データドライバ
１３０    スキャンドライバ
１４０    コントローラ
【図１】
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【図２】
2019074764.tif 000004
【図３】
2019074764.tif 000005
【図４】
2019074764.tif 000006
【図５】
2019074764.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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