(57)【要約】【課題】入射光の波長による輝度むらが生じ難い電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、透光性の基材１０ｓと、基材１０ｓに画素ごとに設けられた透光性の画素電極１６と、画素電極１６のスイッチング素子であるトランジスターとしてのＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に接続された蓄積容量３１と、を備え、蓄積容量３１は、誘電体層１４を介して画素電極１６に対向配置された透光性の容量電極１５を含み、画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とにおける屈折率が略等しく、それぞれの膜厚の合計値ｄは、以下の数式（１）を満たす。  ｄ＝λ／２ｎ  ・・・（１）  λは光の波長、ｎは画素電極１６の屈折率である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基材と、
前記基材に画素ごとに設けられた透光性の画素電極と、
前記画素電極のスイッチング素子であるトランジスターと、
前記トランジスターに接続された蓄積容量と、を備え、
前記蓄積容量は、誘電体層を介して前記画素電極に対向配置された透光性の容量電極を含み、
前記画素電極と前記誘電体層と前記容量電極とにおける屈折率が略等しく、それぞれの膜厚の合計値ｄは、以下の数式（１）を満たす、電気光学装置。
ｄ＝λ／２ｎ  ・・・（１）
λは光の波長、ｎは画素電極の屈折率である。
【請求項２】
前記基材上において、前記トランジスターと前記蓄積容量との間に設けられた層間絶縁膜と、前記蓄積容量の上側と下側とのうち少なくとも一方に設けられ、前記容量電極の屈折率と前記層間絶縁膜の屈折率との間の屈折率を有する透光性の絶縁膜と、を備えた、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記蓄積容量の上側に設けられている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記蓄積容量の上側と下側とに設けられている、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記容量電極に接する前記絶縁膜の表面が粗面化されている、請求項２または４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
電気光学素子としての液晶層と、
前記液晶層の液晶分子の配向を制御する配向膜と、
前記画素電極に対して前記液晶層を挟んで配置される透光性の対向電極と、
前記対向電極の前記液晶層側と、前記対向電極の前記液晶層側と反対側とのうち少なくとも一方に設けられ、前記配向膜の屈折率と前記対向電極の屈折率との間の屈折率を有する透光性の他の絶縁膜と、を備えた、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。アクティブ駆動型の液晶装置は、画素電極に供給された画像信号の電位を保持するための蓄積容量を備えている。高精細な表示を可能とするために画素数を増やす一方で画素の大きさを小さくすると、スイッチング素子の配置だけでなく蓄積容量の配置にも影響を及ぼすことになる。蓄積容量の電気容量は、誘電体層を挟んで配置される一対の電極の面積と、一対の電極間の距離と、誘電体層の誘電率とによって決まる。画素の大きさに比例して蓄積容量の大きさが小さくなると電気容量が減少して、画像信号の電位の保持が困難になるおそれがある。スイッチング素子によって画素の表示がＯＮ状態とされる期間に画像信号の電位が保持されていないと、フリッカーなどの表示むらが生ずる。
【０００３】
このような蓄積容量に纏わる不具合を改善する手段として、例えば、特許文献１には、画素ごとに設けられた画素電極と、スイッチング素子としてのトランジスターと、酸化ハフニウム膜と酸化アルミニウム膜とが交互に積層された誘電体層を有する蓄積容量と、を備えた電気光学装置が開示されている。また、蓄積容量の第１電極の側及び第２電極の側に配置された誘電体層の膜は、酸化ハフニウム膜であるとしている。誘電率が大きい酸化ハフニウム膜と、リーク電流が小さい酸化アルミニウム膜とを積層することで、大容量で低リーク電流の蓄積容量を実現できるとしている。さらに、誘電体層を挟む第１電極及び第２電極を透光性導電材料であるインジウム酸化物で構成し、蓄積容量を開口領域に配置する例が示されている。これにより、非開口領域の面積を小さくし、開口領域の面積を大きくして、光の利用効率をさらに向上させることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１４２４８５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、電気光学装置を投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として用いた例が示されている。しかしながら、上述したように透光性を有する蓄積容量を開口領域に設け、投射型表示装置の光源として、単色性が高い例えばレーザー光源やＬＥＤなどの固体光源を用いた場合、蓄積容量の誘電体層は屈折率が異なる誘電体膜が積層された状態であるため、開口領域に配置された蓄積容量を透過する光の干渉によって輝度むらが生ずるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例］本適用例に係る電気光学装置は、透光性の基材と、前記基材に画素ごとに設けられた、透光性の画素電極と、前記画素電極のスイッチング素子であるトランジスターと、前記トランジスターに接続された蓄積容量と、を備え、前記蓄積容量は、誘電体層を介して前記画素電極に対向配置された透光性の容量電極を含み、前記画素電極と前記誘電体層と前記容量電極とにおける屈折率が略等しく、それぞれの膜厚の合計値ｄは、以下の数式（１）を満たす、電気光学装置。
ｄ＝λ／２ｎ  ・・・（１）
λは光の波長、ｎは画素電極の屈折率である。
【０００８】
本適用例によれば、透光性の蓄積容量を光が透過しても干渉が生じ難いことから、当該光の干渉に起因する輝度むらが目立ち難く、優れた表示品質を有する電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記基材上において、前記トランジスターと前記蓄積容量との間に設けられた層間絶縁膜と、前記蓄積容量の上側と下側とのうち少なくとも一方に設けられ、前記容量電極の屈折率と前記層間絶縁膜の屈折率との間の屈折率を有する透光性の絶縁膜と、を備えることが好ましい。
この構成によれば、容量電極と層間絶縁膜との屈折率差、あるいは画素電極と画素電極上に配置される電気光学素子との屈折率差によって生ずる光の反射を抑え、より輝度むらが目立ち難くなる。
【００１０】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記絶縁膜は、前記蓄積容量の上側に設けられているとしてもよい。
この構成によれば、画素電極と画素電極上に配置される電気光学素子との屈折率差によって生ずる光の反射を抑えることができる。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記絶縁膜は、前記蓄積容量の上側と下側とに設けられていることが好ましい。
この構成によれば、容量電極と層間絶縁膜との屈折率差及び画素電極と画素電極上に配置される電気光学素子との屈折率差によって生ずる光の反射を抑え、より輝度むらが目立ち難くなる。
【００１２】
上記適用例に記載の電気光学装置において、前記容量電極に接する前記絶縁膜の表面が粗面化されていることが好ましい。
この構成によれば、容量電極に接する絶縁膜の表面積を増やすことができることから、絶縁膜に対する容量電極の密着性を物理的に改善することができる。言い換えれば、容量電極に対する密着性が低い材料であっても光学的あるいは信頼性的に好適な材料を選択する自由度が向上する。
【００１３】
上記適用例に記載の電気光学装置において、電気光学素子としての液晶層と、前記液晶層の液晶分子の配向を制御する配向膜と、前記画素電極に対して前記液晶層を挟んで配置される透光性の対向電極と、前記対向電極の前記液晶層側と、前記対向電極の前記液晶層側と反対側とのうち少なくとも一方に設けられ、前記配向膜の屈折率と前記対向電極の屈折率との間の屈折率を有する透光性の他の絶縁膜と、を備えることが好ましい。
配向膜の屈折率と対向電極の屈折率とが異なる場合、対向電極を透過する光が対向電極の光の入射側あるいは射出側において反射するおそれがある。
この構成によれば、対向電極の光の入射側あるいは射出側に、配向膜の屈折率と対向電極の屈折率との間の屈折率を有する透光性の他の絶縁膜が設けられることから、上記反射を抑制して、液晶層に入射する光の利用効率を改善できる。
【００１４】
［適用例］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、画素電極が設けられた開口領域に入射する光の干渉や反射が抑制され、優れた表示品質が得られる電気光学装置を備えているため、見栄えの良い表示が可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】第１実施形態の液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】画素の配置を示す概略平面図。
【図５】薄膜トランジスターの配置を示す概略平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図７】図４のＢ−Ｂ’線に沿った素子基板の構造を示す概略断面図。
【図８】液晶パネルの画素を透過する光の状態を示す模式断面図。
【図９】第２実施形態の液晶装置における画素の構造を示す模式断面図。
【図１０】比較例と実施例とにおける画素の光学的な構成例を示す表。
【図１１】比較例の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１２】実施例１の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１３】実施例２の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１４】実施例３の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１５】実施例４の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１６】実施例５の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１７】実施例６の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１８】実施例７の画素を透過する光の分光特性を示すグラフ。
【図１９】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１７】
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００１８】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１に示すＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図、図３は第１実施形態の液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された電気光学素子としての液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２０】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。シール部４０において途切れた部分が注入口４１となっており、真空注入法により注入口４１から上記間隔に正又は負の誘電異方性を有する液晶が注入され、封止剤４２を用いて注入口４１が封入されている。なお、上記間隔に液晶を封入する方法は、真空注入法に限定されるものではなく、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）法を採用してもよい。
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２１】
シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む画素領域Ｅが設けられている。また、シール部４０と画素領域Ｅとの間の領域に画素領域Ｅを取り囲んで遮光層として機能する見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅには、表示に寄与する画素Ｐの他に、画素領域Ｅの外縁に沿って配置された複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２２】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２３】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００２４】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１６及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１６、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。なお、本実施形態における「透光性」とは、可視光波長範囲において少なくとも８５％以上の透過率を有する性質を言う。
【００２５】
素子基板１０に液晶層５０を介して配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、少なくとも画素領域Ｅに亘って設けられ、共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００２６】
見切り部２１は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２７】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２８】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の下方側の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００２９】
画素電極１６を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３０】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３１】
次に、図３を参照して、液晶装置１００における液晶パネル１１０の電気的な構成について説明する。液晶パネル１１０は、画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線７ａとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００３２】
走査線３ａ、データ線６ａ及び容量線７ａと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１６と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量３１とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３３】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１６はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３４】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される表示信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００３５】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される表示信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３６】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される表示信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１６に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１６を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの表示信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１６と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。表示信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００３７】
保持された表示信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１６と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３１が接続されている。本実施形態における蓄積容量３１は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７ａとの間に設けられており、誘電体層を介して画素電極１６に対向配置された透光性の容量電極を含んで構成されている。蓄積容量３１の詳しい構成については後述する。
【００３８】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記表示信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００３９】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、表示信号Ｄ１〜Ｄｎをサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を表示信号Ｄ１〜Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４０】
次に、図４を参照して画素Ｐの配置について説明する。図４は画素の配置を示す概略平面図である。図４に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００４１】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図３に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００４２】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図３に示したデータ線６ａや容量線７ａが設けられている。データ線６ａや容量線７ａも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００４３】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜によっても構成されるとしてもよい。
【００４４】
非開口領域の交差部付近には、図３に示したＴＦＴ３０が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４５】
次に、図５〜図７を参照して画素Ｐの画素回路における薄膜トランジスターなどの各構成要素について説明する。図５は薄膜トランジスターの配置を示す概略平面図、図６は図５のＡ−Ａ’線に沿った素子基板の構造を示す概略断面図、図７は図４のＢ−Ｂ’線に沿った素子基板の構造を示す概略断面図である。
【００４６】
図５に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線６ａに接続される第１ソース・ドレイン領域３０ｓと、チャネル領域３０ｃと、画素電極１６に接続される第２ソース・ドレイン領域３０ｄと、第１ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと第２ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００４７】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、本線部からＸ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に、Ｘ方向とＹ方向とに延在するように折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００４８】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在する部分を有している。ゲート電極３０ｇのうち半導体層３０ａに沿ってＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって、走査線３ａと電気的に接続している。
【００４９】
コンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００５０】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく四角形の拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した突出部６ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によって第１ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極となっている。一方、第２ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極となっている。
【００５１】
なお、図５には図示していないが、図３に示した容量線７ａは、データ線６ａと平面視で重なるようにしてＹ方向に延在している。また、容量線７ａは、データ線６ａと同様に、走査線３ａとの交差部において拡張部が設けられている。
【００５２】
走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）において、コンタクトホールＣＮＴ２に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ７が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ５とは島状に設けられた第１中継電極６ｂを介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ５とコンタクトホールＣＮＴ７とは同じく島状に設けられた第２中継電極７ｂを介して電気的に接続されている。
【００５３】
画素電極１６は、前述した開口領域（図４参照）と平面的に重なると共に外縁部が非開口領域（図４参照）に掛かるように配置されている。また、画素電極１６はコンタクトホールＣＮＴ７を介して第２中継電極７ｂに電気的に接続されている。
【００５４】
図６に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００５５】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜９が形成され、下地絶縁膜９上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述した第１ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、第２ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００５６】
半導体層３０ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１１ａが形成される。さらにゲート絶縁膜１１ａを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは例えば多結晶シリコン膜を用いて形成することができ、同時に下地絶縁膜９とゲート絶縁膜１１ａとを貫通して走査線３ａ（拡張部）とゲート電極３０ｇとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４（図５参照）も形成される。
【００５７】
ゲート電極３０ｇとゲート絶縁膜１１ａとを覆うようにして例えば酸化シリコンなどからなる第１層間絶縁膜１１ｂが形成される。半導体層３０ａの第１ソース・ドレイン領域３０ｓに重なるゲート絶縁膜１１ａと第１層間絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。同じく、半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域３０ｄに重なるゲート絶縁膜１１ａと第１層間絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。続いて、第１層間絶縁膜１１ｂを覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、第１ソース・ドレイン領域３０ｓにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されるデータ線６ａが形成される。同時に、第２ソース・ドレイン領域３０ｄにコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続される第１中継電極６ｂが形成される。
【００５８】
続いて、データ線６ａおよび第１中継電極６ｂを覆うように第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やエッチング処理などが挙げられる。
【００５９】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆すると共に第２層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、容量線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。容量線７ａは、前述したように平面的にデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられる。
【００６０】
容量線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第３層間絶縁膜１３ａが形成される。第３層間絶縁膜１３ａも、例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第３層間絶縁膜１３ａは本発明における層間絶縁膜の一例である。
【００６１】
次に、第３層間絶縁膜１３ａを覆うように第１絶縁膜１３ｂが形成される。第１絶縁膜１３ｂは、この後に形成される透光性の容量電極１５の屈折率と第３層間絶縁膜１３ａの屈折率との間の屈折率を有しており、本実施形態では、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜が用いられている。
【００６２】
次に、第１絶縁膜１３ｂを覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、容量電極１５が形成される。図６には図示していないが、容量電極１５は、第１絶縁膜１３ｂ及び第３層間絶縁膜１３ａを貫通するコンタクトホールを介して容量線７ａと電気的に接続されている。
【００６３】
次に、容量電極１５の外縁を覆うように第２絶縁膜１３ｃが形成される。具体的には、容量電極１５を覆うように例えばシリコンの酸化物からなる絶縁膜を形成し、当該絶縁膜をパターニングして、容量電極１５と重なる部分に開口を形成することにより第２絶縁膜１３ｃを形成する。次に、容量電極１５及び第２絶縁膜１３ｃを覆うように誘電体層１４が成膜される。誘電体層１４の屈折率は、容量電極１５の屈折率や、この後に形成される画素電極１６の屈折率と同じになるように材料が選択されて形成される。本実施形態では、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）を用いて形成されている。
【００６４】
誘電体層１４の膜厚は、蓄積容量３１の電気容量と可視光波長範囲における光の透過率とを考慮して決められているが、例えば、２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００６５】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置において、誘電体層１４、第２絶縁膜１３ｃ、第１絶縁膜１３ｂ、第３層間絶縁膜１３ａを貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。そして、コンタクトホールＣＮＴ７を被覆すると共に、誘電体層１４を覆う例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ７を介して第２中継電極７ｂに電気的に接続される画素電極１６が形成される。
画素電極１６は容量電極１５と平面的に重なり、画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とによって、透光性の蓄積容量３１が画素Ｐごとに形成される。
なお、前述したように、誘電体層１４は薄膜であることから容量電極１５の外縁を被覆する部分で膜厚がさらに薄くなると、容量電極１５と画素電極１６とが短絡するおそれがある。この短絡を防ぐために、容量電極１５の外縁を覆う第２絶縁膜１３ｃが設けられている。
【００６６】
画素電極１６と誘電体層１４とを覆うように第３絶縁膜１７が形成される。第３絶縁膜１７は、この後に形成される配向膜１８の屈折率と画素電極１６の屈折率との間の屈折率を有しており、本実施形態では、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜が用いられている。
【００６７】
第３絶縁膜１７を覆うように配向膜１８が形成される。配向膜１８は、表示領域Ｅの全域を覆い、上述した酸化シリコンなどの無機配向膜で構成されている。
【００６８】
このような素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域３０ｄ（ドレイン電極）は、コンタクトホールＣＮＴ２、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ７を介して画素電極１６と電気的に接続される。
【００６９】
図７に示すように、素子基板１０において、画素Ｐの開口領域には、基材１０ｓ上に、下地絶縁膜９と、ゲート絶縁膜１１ａと、第１層間絶縁膜１１ｂと、第２層間絶縁膜１２と、第３層間絶縁膜１３ａと、第１絶縁膜１３ｂと、容量電極１５と、誘電体層１４と、画素電極１６と、第３絶縁膜１７と、配向膜１８と、が順に積層されている。これらの膜や電極などはいずれも透光性を有するものである。容量電極１５と、誘電体層１４と、画素電極１６とにより蓄積容量３１が構成されている。
【００７０】
下地絶縁膜９、ゲート絶縁膜１１ａ、第１層間絶縁膜１１ｂ、第２層間絶縁膜１２、第３層間絶縁膜１３ａは、前述したように例えばシリコンの酸化物（酸化シリコン）からなり、基材１０ｓの構成材料の例えば石英とほぼ同じ屈折率（可視光波長範囲（４００ｎｍ〜７５０ｎｍ）で１．４〜１．５）を有している。屈折率がほぼ同じであるため、これらの膜を透過する可視光は、膜の界面で反射したり、屈折したりすることがほとんどないので、その光の強度（透過率）が減衰し難い。
【００７１】
これに対して、第３層間絶縁膜１３ａから上の部分（蓄積容量３１が形成された部分）では、第１絶縁膜１３ｂ（可視光波長範囲で屈折率が１．６〜１．７（酸化アルミニウム））と、容量電極１５（ＩＴＯならば可視光波長範囲で屈折率が１．９〜２．０）と、誘電体層１４（可視光波長範囲で屈折率が１．９〜２．０（酸化ハフニウム））と、画素電極１６（ＩＴＯならば可視光波長範囲で屈折率が１．９〜２．０）と、第３絶縁膜１７（可視光波長範囲で屈折率が１．６〜１．７（酸化アルミニウム））と、配向膜１８（可視光波長範囲で屈折率が１．４〜１．５（酸化シリコン）と、が積層された構造を有している。このため、素子基板１０の中を透過する可視光の一部は、これら屈折率の異なる膜の界面で反射される。また、これら屈折率の異なる膜の界面での光の反射（多重反射）が生じ、該反射光と蓄積容量３１を透過する光との間で光の干渉が生ずる。また、画素電極１６及び容量電極１５を透過することで光の干渉（多重干渉）や吸収が生ずる。したがって、これらの膜の屈折率と膜厚とに応じて、これらの膜を透過する光の透過率が変化する。
【００７２】
例えば、蓄積容量３１を透過する光の波長によっては、光の干渉によって光の強度が減衰し、蓄積容量３１を透過する光の透過率が低下する場合がある。また、蓄積容量３１を透過する光の波長によっては、光の干渉によって光の強度が増幅され、蓄積容量３１を透過する光の透過率が増加する場合がある。とりわけ、液晶装置１００を後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段（ライトバルブ）として用いる場合、波長が異なる赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色光のそれぞれに対して光変調手段が配置されることから、光の波長による透過率の増減は、輝度むらを生じさせる。
【００７３】
本実施形態の液晶装置１００では、蓄積容量３１は、誘電体層１４を介して画素電極１６に対向配置された透光性の容量電極１５を含み、画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とにおける屈折率が略等しく、それぞれの膜厚の合計値ｄは、以下の数式（１）を満たす。
ｄ＝λ／２ｎ  ・・・（１）
λは光の波長、ｎは画素電極１６（または容量電極１５）の屈折率である。
【００７４】
上記数式（１）を満たすことは、蓄積容量３１を構成する容量電極１５及び画素電極１６並びに誘電体層１４のそれぞれの膜厚の合計値ｄの値が、光の波長λの値を屈折率ｎの２倍で除した値となり、光の干渉が起き難い条件となる。
【００７５】
詳しくは、蓄積容量３１を構成する、画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とにおける屈折率が略等しいことから、画素電極１６の屈折率をｎとすると、透光性の蓄積容量３１の屈折率もまたｎとなる。透光性の蓄積容量３１の光学的な距離Ｌｃは、屈折率と膜厚の積で表すことができる。つまり、Ｌｃ＝ｎ×ｄである。したがって、光学的な距離Ｌｃの値が波長λの整数倍であるときには、蓄積容量３１の上側と下側とに位置する異なる屈折率の層との界面で入射した光が反射した反射光により共振が生ずることになる。一方で、光学的な距離Ｌｃが波長λの１／２である場合には、上記反射光の位相が半周期ずれることから共振が生ぜずに上記反射光が最も減衰した状態となる。よって、以下の数式（２）から上記数式（１）が導かれる。
ｎ×ｄ＝λ／２  ・・・（２）
【００７６】
図８は液晶パネルの画素を透過する光の状態を示す模式断面図である。本実施形態では、液晶パネル１１０に対して、対向基板２０側から光Ｌ１が入射することを例に挙げて説明する。
【００７７】
図８に示すように、対向基板２０側から入射した光Ｌ１は、対向基板２０と液晶層５０とを透過して素子基板１０に入射する。素子基板１０における蓄積容量３１は、画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とにおける屈折率が略等しく、それぞれの膜厚の合計値ｄ（以降、蓄積容量３１の総膜厚ｄと呼ぶ）は、上記数式（１）を満たしていることから、蓄積容量３１を透過する光の干渉が生じ難い条件となる。したがって、素子基板１０に入射する光Ｌ１に対して素子基板１０を透過して射出される光をＬ２とし、蓄積容量３１における光の干渉で生ずる光（反射光）をＬ３とすると、反射光Ｌ３が抑えられるため、光Ｌ１の強度に対する光Ｌ２の強度の割合、すなわち透過率が改善される。
【００７８】
また、屈折率が異なる第３層間絶縁膜１３ａと容量電極１５との間に、これらの膜の屈折率に対して中間的な屈折率の第１絶縁膜１３ｂが設けられている。これにより、第１絶縁膜１３ｂを介して配置された屈折率が異なる第３層間絶縁膜１３ａと容量電極１５との界面での光の反射が抑制される。同様に、屈折率が異なる画素電極１６と配向膜１８との間に、これらの膜の屈折率に対して中間的な屈折率の第３絶縁膜１７が設けられている。これにより、第３絶縁膜１７を介して配置された屈折率が異なる画素電極１６と配向膜１８との界面での光の反射が抑制される。なお、液晶層５０における液晶分子を所定の状態に配向させる配向膜１８，２４は、液晶パネル１１０にとって必須の構成である。また、液晶層５０の屈折率は、ＩＴＯなどの透明導電膜が用いられる画素電極１６の屈折率よりも小さく、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成される配向膜１８の屈折率よりも大きい、もしくは同等である。よって、第３絶縁膜１７は、画素電極１６の屈折率と電気光学素子としての液晶層５０の屈折率との間の屈折率を有する。
【００７９】
上記第１実施形態の液晶装置１００によれば、以下の効果が得られる。
（１）素子基板１０の蓄積容量３１を構成する容量電極１５、誘電体層１４、画素電極１６のそれぞれは透光性であって、蓄積容量３１は、画素Ｐの開口領域に配置されている。画素電極１６と誘電体層１４と容量電極１５とにおける屈折率が略等しく、蓄積容量３１の総膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎの数式（１）を満たす。これにより、透光性の蓄積容量３１を光が透過しても干渉が生じ難いことから、当該光の干渉に起因する輝度むらが目立ち難く、優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供することができる。
【００８０】
（２）基材１０ｓ上において、蓄積容量３１の下側に設けられ、容量電極１５の屈折率と第３層間絶縁膜１３ａの屈折率との間の屈折率を有する透光性の第１絶縁膜１３ｂと、蓄積容量３１の上側に設けられ、配向膜１８の屈折率と画素電極１６の屈折率との間の屈折率を有する透光性の第３絶縁膜１７と、を備えている。したがって、第１絶縁膜１３ｂが設けられていない場合に比べて、これらの屈折率が異なる膜の界面における光の反射が抑制される。つまり、素子基板１０の開口領域における光の透過率がさらに改善される。
【００８１】
（３）基材１０ｓ上において、蓄積容量３１の下側に設けられた第１絶縁膜１３ｂと、蓄積容量３１の上側に設けられた第３絶縁膜１７は、いずれも酸化アルミニウムを用いて形成されていることから、酸化シリコンに比べて透湿性が低い。したがって、液晶パネル１１０に水分が浸入したとしても、素子基板１０側に設けられた電気的な回路構成が、水分の影響を受け難くなるため、高い信頼性を有する液晶装置１００を実現できる。
【００８２】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置として第１実施形態と同じく液晶装置を例に挙げて図９を参照して説明する。図９は第２実施形態の液晶装置における画素の構造を示す模式断面図である。第２実施形態の液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００と基本的に同じ構成を有するものであって、一部の構造を異ならせたものである。したがって、上記液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。なお、図９は、上記第１実施形態の説明に用いた図８に対応する模式断面図であり、画素Ｐの開口領域に配置される蓄積容量３１とこれに纏わる構成について図示している。
【００８３】
図９に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、素子基板１０Ｂと対向基板２０との間に液晶層５０が挟持された液晶パネル２１０を備えている。上記第１実施形態の液晶装置１００における液晶パネル１１０に対して、本実施形態の液晶パネル２１０は、対向基板２０の構成と構造は同じであって、素子基板１０Ｂの構造が異なっている。
【００８４】
具体的には、素子基板１０Ｂは、透光性の基材１０ｓ上に配置された、第３層間絶縁膜１３ａ、第１絶縁膜１３ｂ、容量電極１５、誘電体層１４、画素電極１６、第３絶縁膜１７、配向膜１８を有している。第１絶縁膜１３ｂは前述したように例えば酸化アルミニウムを用いて形成される。容量電極１５は例えばＩＴＯを用いて形成される。酸化アルミニウム膜とＩＴＯ膜の密着性は、酸化シリコン膜とＩＴＯ膜との密着性に比べて弱い。
【００８５】
本実施形態では、第３層間絶縁膜１３ａの第１絶縁膜１３ｂ側の表面１３ｄは粗面化されている。したがって、表面１３ｄを覆うように形成される第１絶縁膜１３ｂの表面１３ｅもまた粗面化される。これによって、第１絶縁膜１３ｂの実質的な表面積が増えて、材料構成が異なる第１絶縁膜１３ｂと容量電極１５との間の密着性が向上する。第３層間絶縁膜１３ａの表面１３ｄを粗面化する方法としては、研磨やエッチングなどの方法が挙げられる。粗面化の程度は、例えば、算術平均粗さＲａで数ｎｍ〜１０ｎｍ程度であることが好ましい。これ以上に粗くなると、第３層間絶縁膜１３ａと第１絶縁膜１３ｂとの間の界面や、第１絶縁膜１３ｂと容量電極１５との界面で光の乱反射が生じ易くなる。第１絶縁膜１３ｂの膜厚は、光学的な条件の制約から第３層間絶縁膜１３ａの膜厚に比べて薄い。それゆえに、第１絶縁膜１３ｂ自体を粗面化することは技術的に難しい。第３層間絶縁膜１３ａの表面１３ｄを粗面化することで、間接的に第１絶縁膜１３ｂの表面１３ｅの粗面化を行うほうが容易である。
【００８６】
上記第２実施形態の液晶装置２００によれば、第３層間絶縁膜１３ａの表面１３ｄを粗面化することで、間接的に第１絶縁膜１３ｂの表面１３ｅが粗面化され、異なる材料構成からなる第１絶縁膜１３ｂと容量電極１５との密着性が向上する。これによって、第３層間絶縁膜１３ａに対して、第１絶縁膜１３ｂ及び容量電極１５が剥がれ難くなる。加えて、第１絶縁膜１３ｂを酸化アルミニウム膜で構成した場合には、さらに耐湿性能を向上させることができる。つまり、上記第１実施形態の液晶装置１００と同様に、透光性の蓄積容量３１を光が透過しても干渉が生じ難いことから、当該光の干渉に起因する輝度むらが目立ち難く、優れた表示品質を有すると共に、上記第１実施形態の液晶装置１００に比べて、耐湿信頼性が向上した液晶装置２００を提供することができる。
【００８７】
次に、画素Ｐの開口領域における透光性の蓄積容量３１を含めた本発明の光学的な構成について、より具体的な実施例と比較例とを挙げて、その効果について図１０〜図１８を参照して説明する。図１０は比較例と実施例とにおける画素の光学的な構成例を示す表、図１１〜図１８は比較例と実施例１〜実施例７の画素を透過する光の分光特性を示すグラフである。
【００８８】
まず、図１０を参照して、比較例と、実施例１〜実施例７における液晶パネルの画素Ｐにおける光学的な構成について説明する。
【００８９】
図１０に示すように、比較例と、実施例１〜実施例７とにおける液晶パネルの共通する光学的な構成としては、素子基板１０の基材１０ｓ、対向基板２０の基材２０ｓが共に石英（屈折率が１．４７）からなる。液晶層５０を構成するのは、負の誘電異方性を有するネマチック液晶（屈折率が１．５５）であって、その層厚は２４００ｎｍ（２．４μｍ）である。液晶層５０を挟む素子基板１０の配向膜１８及び対向基板２０の配向膜２４はいずれも酸化シリコン（ＳｉＯ2；屈折率が１．４２）からなる無機配向膜であり、膜厚はいずれも７５ｎｍである。容量電極１５及び画素電極１６並びに対向電極２３はいずれもＩＴＯ（屈折率が２．００）からなり、膜厚は必ずしも一定ではなく比較例、実施例１〜実施例７の各光学条件によって異なる。
【００９０】
（比較例）
比較例の液晶パネルにおける、透光性の蓄積容量は、膜厚が２０ｎｍの容量電極１５と、膜厚が８０ｎｍの画素電極１６との間に、膜厚がいずれも３ｎｍの酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ2；屈折率が２．００）と酸化アルミニウム膜（Ａｌ2Ｏ3；屈折率が１．７０）とが交互に５層、積層された誘電体層を含むものである。なお、対向電極２３の膜厚は１１３ｎｍである。
【００９１】
（実施例１）
実施例１の液晶パネルにおける、透光性の蓄積容量３１は、比較例に対して蓄積容量３１の構成を異ならせたものであって、膜厚が２０ｎｍの容量電極１５と、膜厚が６５ｎｍの画素電極１６との間に、膜厚が２８ｎｍの酸化ハフニウム膜からなる誘電体層１４を備えたものである。容量電極１５、誘電体層１４、画素電極１６の屈折率はいずれも２．００であって、蓄積容量３１の総膜厚ｄは１１３ｎｍである。したがって、波長λを例えば青色の４５２ｎｍとすると、実施例１は、上記数式（１）を満たすことになる。なお、対向電極２３の膜厚は比較例と同じで１１３ｎｍである。他の構成は比較例と同じである。
【００９２】
（実施例２）
実施例２の液晶パネルは、実施例１に対して第３層間絶縁膜１３ａと容量電極１５との間に、第３層間絶縁膜１３ａの屈折率と容量電極１５の屈折率との間の屈折率を有する酸化アルミニウム膜からなる膜厚が６７ｎｍの第１絶縁膜１３ｂが設けられている。また、画素電極１６と配向膜１８との間に、配向膜１８の屈折率と画素電極１６の屈折率との間の屈折率を有する酸化アルミニウム膜からなる膜厚が同じく６７ｎｍの第３絶縁膜１７が設けられている。蓄積容量３１における光学的な構成は実施例１と同じであることから、やはり上記数式（１）を満たす。なお、対向電極２３の膜厚は、比較例と同じで１１３ｎｍである。
【００９３】
（実施例３）
実施例３の液晶パネルは、実施例２に対して対向基板２０の対向電極２３の上側（基材２０ｓ側）と下側（配向膜２４側）とにそれぞれ、配向膜２４の屈折率と対向電極２３の屈折率の間の屈折率を有する酸化アルミニウム膜からなる膜厚が６７ｎｍの絶縁膜を設けたものである。蓄積容量３１における光学的な構成は実施例１と同じであることから、やはり上記数式（１）を満たす。なお、対向電極２３の膜厚は比較例と同じで１１３ｎｍである。
【００９４】
（実施例４）
実施例４の液晶パネルは、実施例３に対して、第３層間絶縁膜１３ａと容量電極１５との間の膜厚が６７ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる第１絶縁膜１３ｂを除くと共に、対向基板２０の対向電極２３の上側（基材２０ｓ側）の膜厚が６７ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜を除いたものである。言い換えれば、実施例１に対して、画素電極１６と配向膜１８との間に、配向膜１８の屈折率と画素電極１６の屈折率との間の屈折率を有する酸化アルミニウム膜からなる膜厚が６７ｎｍの第３絶縁膜１７を設け、対向電極２３と配向膜２４との間に同じく膜厚が６７ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜を設けたものである。蓄積容量３１における光学的な構成は実施例１と同じであることから、やはり上記数式（１）を満たす。なお、対向電極２３の膜厚は、比較例と同じで１１３ｎｍである。
【００９５】
（実施例５）
実施例５の液晶パネルは、実施例３に対して、画素電極１６と配向膜１８との間の酸化アルミニウム膜からなる第３絶縁膜１７を除くと共に、対向電極２３と配向膜２４との間の酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜を除いたものである。言い換えれば、実施例１に対して、第３層間絶縁膜１３ａと容量電極１５との間に膜厚が６７ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる第１絶縁膜１３ｂを設け、対向電極２３の上側（基材２０ｓ側）に同じく膜厚が６７ｎｍの酸化アルミニウム膜からなる絶縁膜を設けたものである。蓄積容量３１における光学的な構成は実施例１と同じであることから、やはり上記数式（１）を満たす。なお、対向電極２３の膜厚は比較例と同じで１１３ｎｍである。
【００９６】
（実施例６）
実施例６の液晶パネルは、実施例３に対して、酸化アルミニウム膜の膜厚を６７ｎｍから８３ｎｍに変更し、蓄積容量３１における画素電極１６の膜厚を６５ｎｍから９０ｎｍに変更したものである。これにより、蓄積容量３１の総膜厚ｄは１３８ｎｍとなる。蓄積容量３１に入射する光の波長λを、緑色の５５２ｎｍとすると、蓄積容量３１の屈折率は２．００であるため、実施例６の蓄積容量３１の光学的な構成は、上記数式（１）を満たす。つまり、実施例１〜実施例５における蓄積容量３１の光学的な構成は、青色光に対して上記数式（１）を満たすものであったが、実施例６は緑色光に対して上記数式（１）を満たすものである。なお、対向電極２３の膜厚は１３８ｎｍである。
【００９７】
（実施例７）
実施例７の液晶パネルは、実施例３に対して、酸化アルミニウム膜の膜厚を６７ｎｍから１００ｎｍに変更し、蓄積容量３１における画素電極１６の膜厚を６５ｎｍから１１５ｎｍに変更したものである。これにより、蓄積容量３１の総膜厚ｄは１６３ｎｍとなる。蓄積容量３１に入射する光の波長λを、赤色の６５２ｎｍとすると、蓄積容量３１の屈折率は２．００であるため、実施例７の蓄積容量３１の光学的な構成は、上記数式（１）を満たす。つまり、実施例１〜実施例５における蓄積容量３１の光学的な構成は、青色光に対して上記数式（１）を満たすものであったが、実施例７は赤色光に対して上記数式（１）を満たすものである。なお、対向電極２３の膜厚は１６３ｎｍである。
【００９８】
図１１〜図１８に示す比較例と実施例１〜実施例７の画素を透過する光の分光特性は、上述した比較例と実施例１〜実施例７の液晶パネルにおける光学的な構成を前提として、光学シミュレーションを用いて画素Ｐを透過する光の透過率を求めたものである。具体的には、比較例及び実施例１〜実施例７では、偏光を入射させ、透光性の基材を透過したときの透過率を１．００（つまり１００％）として、液晶パネルの画素Ｐを透過させたときの透過率を求めている。
【００９９】
図１１に示すように、比較例の液晶パネルにおける分光特性は、可視光波長範囲（４３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）において周期的に透過率が変動している。また、波長が長くなるほど、透過率の変動幅が大きくなり、変動の周期も長くなっている。これは、比較例の蓄積容量は、屈折率が異なる２種の誘電体膜を交互に積層した誘電体層を用いているため、蓄積容量における光の多重反射の程度が入射する光の波長によって変動することに起因するものである。比較例の液晶パネルに青色光の偏光を入射させた場合には、蓄積容量による色光の減衰は少ないものの、緑色光や赤色光の偏光を入射させた場合には、色光の減衰の程度が大きくなって暗くなることを示している。
【０１００】
図１２に示すように、実施例１の液晶パネルにおける分光特性は、比較例と同様に、可視光波長範囲（４３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）において、周期的に透過率が変動しているが、比較例に比べて変動幅は小さくなっている。特に青色光の波長範囲では透過率はほとんど減衰していない。言い換えれば、青色光の波長範囲では透過率が比較例に比べて改善されている。
【０１０１】
図１３に示すように、実施例２の液晶パネルにおける分光特性は、実施例１と同様に、周期的に透過率が変動しているが、実施例１に比べて透過率の変動幅がさらに小さくなっている。つまり、蓄積容量３１の上側と下側とに酸化アルミニウムからなる絶縁膜を設けることで、蓄積容量３１と絶縁膜との界面における反射が抑制され、多重反射が起こり難くなって透過率が改善されたと考えられる。
【０１０２】
図１４に示すように、実施例３の液晶パネルにおける分光特性は、光の波長に依存した透過率の周期的な変動が実施例２に比べてさらに小さくなっており、可視光波長範囲において、おおよそ０．９８（９８％）以上の透過率が実現されている。これは、対向電極２３の上側と下側とに酸化アルミニウムからなる絶縁膜を設けることにより、対向電極２３と絶縁膜との界面における反射が抑制され、画素Ｐを透過する光の透過率がさらに改善されたと考えられる。
【０１０３】
図１５に示すように、実施例４の液晶パネルにおける分光特性は、実施例１と同様に、周期的に透過率が変動しているが、実施例１に比べて透過率の変動幅が青色光の波長範囲で大きくなり、青色光よりも波長が長い、緑色光や赤色光の波長範囲で小さくなっている。可視光波長範囲における透過率は、ほぼ０．９（９０％）以上を確保している。
【０１０４】
図１６に示すように、実施例５の液晶パネルにおける分光特性は、実施例１と同様に、周期的に透過率が変動しているが、実施例１に比べて透過率の変動幅が青色光の波長範囲で大きくなり、青色光よりも波長が長い、緑色光や赤色光の波長範囲で小さくなっている。可視光波長範囲における透過率は、実施例４と同様にほぼ０．９（９０％）以上を確保している。実施例４及び実施例５の分光特性から分かるように、蓄積容量３１の上側または下側のいずれか一方に屈折率が１．７０の酸化アルミニウムからなる絶縁膜を配置することで、蓄積容量３１と当該絶縁膜との界面における反射が抑制され、多重反射が起こり難くなって透過率が改善されたと考えられる。
【０１０５】
図１７に示すように、実施例６の液晶パネルにおける分光特性は、実施例３とほぼ同様な透過率の状態が得られているが、青色光と赤色光の波長範囲で透過率がやや変動している。一方で緑色光の波長範囲では透過率の変動が抑えられ、１．００（１００％）に近い値が示されている。つまり、実施例６の液晶パネルは、緑色光の入射に適した光学的な構成となっている。
【０１０６】
図１８に示すように、実施例７の液晶パネルにおける分光特性は、実施例３とほぼ同様な透過率の状態が得られているが、青色光と緑色光の波長範囲で透過率がやや変動している。一方で赤色光の波長範囲では透過率の変動が抑えられ、１．００（１００％）に近い値が示されている。つまり、実施例７の液晶パネルは、赤色光の入射に適した光学的な構成となっている。
【０１０７】
上述した、比較例及び実施例１〜実施例７では、液晶層５０の層厚を２４００ｎｍ（２．４μｍ）として一定としたが、実際には液晶パネル１１０の製造過程で層厚がばらつくことがある。液晶層５０の層厚（セル厚とも言う）のばらつきは、画素Ｐにおける光学的な構成である、層間絶縁膜、絶縁膜、透光性の蓄積容量３１（容量電極１５、誘電体層１４、画素電極１６）、配向膜、対向電極２３の膜厚ばらつきに比べて大きいので、分光特性に与える影響も大きくなる。したがって、分光特性がよりフラットである実施例３、実施例６、実施例７の液晶パネル１１０とすることが好ましい。つまり、蓄積容量３１の上側及び下側だけでなく、対向電極２３の上側及び下側に酸化アルミニウムから成る絶縁膜を配置することが好ましい。
【０１０８】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げ図１９を参照して説明する。図１９は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す図である。
【０１０９】
図１９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１１０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１１１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１１２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１１３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（表示データ）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【０１１４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構を有する上記第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１１５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、画素Ｐの開口領域に透光性の蓄積容量３１を設けることに起因する輝度むらが抑制される。該輝度むらを抑制する一方で画像信号の保持に必要な電気容量を容易に確保することができるため、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、前述した第２実施形態の液晶装置２００を用いても同様な効果が得られる。
【０１１６】
本実施形態の投射型表示装置１０００では、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応した例えばレーザー光源やＬＥＤなどの固体光源を設けてもよい。白色光源から発した光をダイクロイックミラーにより分光して色光とする場合に比べて、レーザー光源やＬＥＤから発せられる単色光の波長範囲は狭い。このような単色光が上述した液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射したとしても、上記液晶装置１００が用いられているので、輝度むらが生じ難い。とりわけ、液晶装置１００の液晶パネル１１０として上述した実施例３、実施例６、実施例７に示した光学的な構成とすれば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の各単色光に対して優れた分光特性（透過率特性）を有していることから、輝度むらがなく明るい表示が可能となる。
【０１１７】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１１８】
（変形例１）上記実施形態では、透光性の蓄積容量３１を構成する誘電体層１４を酸化ハフニウムからなる単層構造としたが、光学的な屈折率が容量電極１５や画素電極１６と略等しければ、必ずしも単層であることに限定されない。例えば、酸化ハフニウムなどからなる高屈折率層の間に、当該高屈折率層よりも膜厚が例えば一桁薄い酸化アルミニウムなどからなる低屈折率層を挟む構成としてもよい。
【０１１９】
（変形例２）素子基板１０の基材１０ｓ上におけるＴＦＴ３０やＴＦＴ３０に係る各種の配線や電極などの配置は、これに限定されるものではない。例えば、容量電極１５を少なくとも表示領域Ｅに亘って配置して容量線７ａの機能を有する構造としてもよい。
【０１２０】
（変形例３）上記第２実施形態の液晶装置２００（液晶パネル２１０）では、容量電極１５に接する第１絶縁膜１３ｂの表面１３ｅを粗面化したが、第３絶縁膜１７に接する画素電極１６の表面も粗面化することで、画素電極１６と第３絶縁膜１７との密着性を改善することができる。
【０１２１】
（変形例４）上記第１実施形態の液晶装置１００あるいは上記第２実施形態の液晶装置２００が適用される電子機器は、上記第３実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１２２】
１０…素子基板、１０ｓ…基材、１３ａ…層間絶縁膜としての第３層間絶縁膜、１３ｂ…透光性の絶縁膜としての第１絶縁膜、１３ｅ…絶縁膜の表面、１４…誘電体層、１５…容量電極、１６…画素電極、１７…透光性の絶縁膜としての第３絶縁膜、２３…対向電極、３０…トランジスターとしての薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３１…蓄積容量、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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