(57)【要約】      （修正有）【課題】炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライス可能であり、かつ、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制可能な炭化珪素基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素単結晶からなるインゴット２を準備する工程と、表面に砥粒が固定されたワイヤ１４により、インゴット２の中心軸に沿う第１方向に直交する面に沿ってインゴット２をスライスする工程と、ワイヤ１４のたわみ量を変位センサ１５により非接触で測定する工程と、たわみ量に応じてスライスする工程をフィードバック制御する工程とを備える。スライスする工程は、第１方向に直交する面内で揺動しながらワイヤ１４の延在方向に沿って往復運動しているワイヤに向かって、第１方向に直交する第２方向Ｄ２に沿ってインゴット２を相対的に移動させることにより行われる。【選択図】図２
2019188510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素単結晶からなるインゴットを準備する工程と、
表面に砥粒が固定されたワイヤにより、前記インゴットの中心軸に沿う第１方向に直交する面に沿って前記インゴットをスライスする工程と、
前記ワイヤのたわみ量を変位センサにより非接触で測定する工程と、
前記たわみ量に応じて前記スライスする工程をフィードバック制御する工程とを備え、
前記スライスする工程は、前記第１方向に直交する面内で揺動しながら前記ワイヤの延在方向に沿って往復運動している前記ワイヤに向かって、前記第１方向に直交する第２方向に沿って前記インゴットを相対的に移動させることにより行われる、炭化珪素基板の製造方法。
【請求項２】
前記たわみ量の測定は、揺動角が０°となるときに行われる、請求項１に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項３】
前記フィードバック制御する工程において、前記第２方向における前記インゴットの前記ワイヤに対する相対的な移動速度は、前記たわみ量に応じて変化するように制御される、請求項２に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項４】
閾値を設定する工程をさらに備え、
前記フィードバック制御する工程において、
前記たわみ量が前記閾値よりも小さい場合、前記相対的な移動速度は、大きくなるように制御され、
前記たわみ量が前記閾値よりも大きい場合、前記相対的な移動速度は、小さくなるように制御される、請求項３に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項５】
前記フィードバック制御する工程は、スライス位置が第１の値以上第２の値以下のときに行われ、前記スライス位置が前記第１の値未満及び前記第２の値を超えるときには行われない、請求項４に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項６】
前記砥粒は、ダイヤモンド砥粒である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項７】
前記変位センサは、渦電流式の変位センサである、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、特許文献１（特開２０１５−４７６７３号公報）に記載の炭化珪素単結晶基板のスライス方法が知られている。特許文献１に記載のスライス方法においては、中心軸がＹ方向に沿う炭化珪素単結晶のインゴットを、Ｙ方向に直交するＸ方向に延在し、かつ、Ｘ方向に沿って往復運動する固定砥粒ワイヤに向かってＸ方向及びＹ方向に直交するＺ方向に沿って移動させることにより、スライスする。特許文献１に記載のスライス方法においては、デジタルカメラにより測定される固定砥粒ワイヤのＺ方向におけるたわみ量に応じて、上記のスライスが制御される。
【０００３】
その他のスライス方法として、特許文献２（特開２００７−３２６１６７号公報）に記載のスライス方法が知られている。なお、特許文献２に記載のスライス方法は、シリコン（Ｓｉ）単結晶基板のスライス方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４７６７３号公報
【特許文献２】特開２００７−３２６１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の炭化珪素単結晶基板のスライス方法においては、固定砥粒ワイヤがＸ方向及びＺ方向を含む面内において揺動しないため、硬度の高い炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることは困難である。また、特許文献１に記載の炭化珪素単結晶基板のスライス方法においては、デジタルカメラのレンズがスライスの際に供給されるクーラントにより汚染されてしまい、スライス途中でたわみ量の測定が困難となるおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものである。より具体的には、本発明は、炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライス可能であり、かつ、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制可能な炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素単結晶からなるインゴットを準備する工程と、表面に砥粒が固定されたワイヤによりインゴットの中心軸に沿う第１方向に直交する面に沿ってインゴットをスライスする工程と、ワイヤのたわみ量を変位センサにより非接触で測定する工程と、たわみ量に応じてスライスする工程をフィードバック制御する工程とを備える。スライスする工程は、第１方向に直交する面内で揺動しながらワイヤの延在方向に沿って往復運動しているワイヤに向かって、第１方向に直交する第２方向に沿ってインゴットを相対的に移動させることにより行われる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る炭化珪素基板の製造方法によると、炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることができるとともに、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】スライス装置１の上面図である。
【図２】スライス装置１の正面図である。
【図３】ワイヤ１４の揺動動作を示す模式図である。
【図４】ワイヤ１４の断面図である。
【図５】ワイヤ１４のたわみ量δｙを説明するための模式図である。
【図６】実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法を示す工程図である。
【図７】閾値設定工程Ｓ２において設定される閾値とスライス後における炭化珪素基板の反りとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本発明の実施形態の説明］
まず、本発明の実施態様を列記する。
【００１１】
（１）本発明の一態様に係る炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素単結晶からなるインゴットを準備する工程と、表面に砥粒が固定されたワイヤにより、インゴットの中心軸に沿う第１方向に直交する面に沿ってインゴットをスライスする工程と、ワイヤのたわみ量を変位センサにより非接触で測定する工程と、たわみ量に応じてスライスする工程をフィードバック制御する工程とを備える。スライスする工程は、第１方向に直交する面内で揺動しながらワイヤの延在方向に沿って往復運動しているワイヤに向かって、第１方向に直交する第２方向に沿ってインゴットを相対的に移動させることにより行われる。
【００１２】
上記（１）の炭化珪素基板の製造方法によると、炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることができるとともに、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制することができる。
【００１３】
（２）上記（１）の炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量の測定は、揺動角が０°となるときに行われてもよい。
【００１４】
上記（２）の炭化珪素基板の製造方法によると、たわみ量をより確実に測定することができる。
【００１５】
（３）上記（２）の炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量に応じて、第２方向におけるインゴットのワイヤに対する相対的な移動速度を変化させてもよい。
【００１６】
上記（３）の炭化珪素基板の製造方法によると、スライス装置の構成を複雑化させることなく、炭化珪素基板の反りを改善することができる。
【００１７】
（４）上記（３）の炭化珪素基板の製造方法は、閾値を設定する工程をさらに備えていてもよい。インゴットの相対的な移動速度は、フィードバック制御する工程において、たわみ量が閾値よりも小さいときに大きくなるように制御されるとともに、たわみ量が閾値よりも大きいときに相対的な移動速度が小さくなるように制御されてもよい。
【００１８】
上記（４）の炭化珪素基板の製造方法によると、効率的なスライスを行いつつ炭化珪素基板の反りを改善することができる。
【００１９】
（５）上記（４）の炭化珪素基板の製造方法において、フィードバック制御する工程は、スライス位置が第１の値以上第２の値以下のときに行われ、スライス位置が第１の値未満及び第２の値を超えるときには行われなくてもよい。
【００２０】
上記（５）の炭化珪素基板の製造方法によると、効率的なスライスを行いつつ炭化珪素基板の反りを改善することができる。
【００２１】
（６）上記（１）〜（５）の炭化珪素基板の製造方法において、砥粒は、ダイヤモンド砥粒であってもよい。
【００２２】
上記（６）の炭化珪素基板の製造方法によると、炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることができるとともに、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制することができる。
【００２３】
（７）上記（１）〜（６）の炭化珪素基板の製造方法において、変位センサは渦電流式の変位センサであってもよい。
【００２４】
上記（７）の炭化珪素基板の製造方法によると、炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることができるとともに、スライス途中でのたわみ量の検知不能の発生を抑制することができる。
【００２５】
［本発明の実施形態の詳細］
次に、本発明の実施形態の詳細を、図面を参照して説明する。なお、以下の図面においては、同一又は相当する部分に同一の符号を付し、重複する説明は繰り返さない。本明細書の結晶学的記載においては、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示す。結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に「−」（バー）を付すことによって表現される。しかしながら、本明細書においては、数字の前に負の符号を付すことによって、結晶学上の負の指数を表現する。
【００２６】
（実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法に用いられるスライス装置）
以下に、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法に用いられるスライス装置１の構成を説明する。
【００２７】
図１は、スライス装置１の上面図である。図２は、スライス装置１の正面図である。図１及び２に示すように、スライス装置１は、インゴット固定台１１と、第１ガイドローラ１２と、第２ガイドローラ１３と、ワイヤ１４と、変位センサ１５とを有している。
【００２８】
インゴット固定台１１は、インゴット２を保持する部分である。インゴット２は、例えば、接着剤で接着されることにより、インゴット固定台１１に取り付けられている。インゴット２は、円柱形状を有している。以下においては、インゴット２の中心軸２ａに沿う方向を、第１方向Ｄ１という。インゴット固定台１１は、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って相対的に移動可能に構成されている。
【００２９】
第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３は、第１方向Ｄ１に沿って延在する円柱形状を有している。第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３は、第３方向Ｄ３において互いに離間して配置されている。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に直交している。
【００３０】
第１ガイドローラ１２は、中心軸１２ａ周りに回転可能に構成されている。第１ガイドローラ１２は、外周面１２ｂを有している。第２ガイドローラ１３は、中心軸１３ａ周りに回転可能に構成されている。第２ガイドローラ１３は、外周面１３ｂを有している。外周面１２ｂ及び外周面１３ｂには、中心軸１２ａ及び中心軸１３ａに交差する方向に沿って、溝（図示せず）が形成されている。
【００３１】
ワイヤ１４は、外周面１２ｂ及び外周面１３ｂに形成された溝に沿って巻き回されることにより、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３の間に張られている。ワイヤ１４は、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３を中心軸１２ａ及び中心軸１３ａ周りに正回転・反回転させることにより、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３の間でワイヤ１４の延在方向に沿って往復運動する。
【００３２】
なお、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３を中心軸１２ａ及び中心軸１３ａ周りの１サイクルあたりの正回転量が、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３を中心軸１２ａ及び中心軸１３ａ周りの１サイクルあたりの反回転量よりも多く設定されることにより、インゴット２との接触部位には、インゴット２との摩擦を経ていないワイヤ１４の部分が順次供給される。以下においては、１サイクルあたりのインゴット２との摩擦を経ていないワイヤ１４の供給量を、「新線供給量」ということがある。
【００３３】
第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３は、中心軸１２ａ及び中心軸１３ａが第１方向Ｄ１に直交する面内（第２方向Ｄ２及び第３方向Ｄ３を含む面内）において円弧を描くように揺動可能に構成されている。
【００３４】
図３は、ワイヤ１４の揺動動作を示す模式図である。図３に示すように、ワイヤ１４は、中心軸１２ａ及び中心軸１３ａが第１方向Ｄ１に直交する面内において円弧を描くように揺動することにより揺動する。第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３の各々の中心を結んだ直線と第３方向Ｄ３とがなす角度を、揺動角θとする。ワイヤ１４は、例えば、揺動角θが−１０°から＋１０°の範囲となるように揺動される。
【００３５】
図４は、ワイヤ１４の断面図である。図４に示すように、ワイヤ１４は、固定砥粒ワイヤである。より具体的には、ワイヤ１４は、芯線１４ａと、表面層１４ｂと、砥粒１４ｃとを有している。
【００３６】
芯線１４ａは、線状の部材である。芯線１４ａは、例えばピアノ線により形成されている。砥粒１４ｃは、その一部が芯線１４ａの外周面を被覆している表面層１４ｂに埋没されることにより固定されている。表面層１４ｂは、例えばＮｉ（ニッケル）めっき層である。砥粒１４ｃは、例えばダイヤモンド砥粒である。
【００３７】
変位センサ１５は、ワイヤ１４のたわみ量δｙを測定する。変位センサ１５によるたわみ量δｙの測定は、非接触で行われる。図５は、ワイヤ１４のたわみ量δｙを説明するための模式図である。たわみ量δｙは、インゴット２が接触していない状態におけるワイヤ１４の位置（図５中において点線で示されている）とインゴット２が接触している状態におけるワイヤ１４の位置との間の距離の最大値である。変位センサ１５には、例えば、渦電流式の変位センサが用いられる。変位センサ１５の数は、複数であってもよい。変位センサ１５は、例えば、インゴット２の側方に配置される。変位センサ１５の数が複数である場合には、変位センサ１５は、インゴット２の両側方に配置されていてもよい。
【００３８】
（実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法）
以下に、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法を説明する。
【００３９】
図６は、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法を示す工程図である。図６に示すように、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法は、準備工程Ｓ１と、閾値設定工程Ｓ２と、スライス工程Ｓ３と、たわみ量測定工程Ｓ４と、フィードバック制御工程Ｓ５とを有している。
【００４０】
準備工程Ｓ１においては、インゴット２の準備が行われる。インゴット２は、炭化珪素単結晶により構成されている。インゴット２の準備は、炭化珪素単結晶により構成されている種結晶の上に、例えば昇華法により炭化珪素単結晶をエピタキシャル成長させることにより行われる。
【００４１】
インゴット２の直径は、例えば１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。インゴット２の中心軸２ａに直交する面は、インゴット２を構成する炭化珪素単結晶の（０００１）面と平行であってもよい。インゴット２の中心軸２ａに直交する面は、インゴット２を構成する炭化珪素単結晶の（０００１）面に対して傾斜していてもよい。この場合の傾斜角は、例えば４°である。
【００４２】
閾値設定工程Ｓ２においては、閾値の設定が行われる。この閾値は、後述するように、たわみ量δｙに関係している。
【００４３】
スライス工程Ｓ３においては、インゴット２のスライスが行われる。スライス工程Ｓ３においては、ワイヤ１４によりインゴット２がスライスされる。より具体的には、このスライスは、第１方向Ｄ１に直交する面内において揺動しながらワイヤ１４の延在方向に沿って往復運動をしているワイヤ１４に対して、インゴット２を第２方向Ｄ２に沿って相対的に移動させることにより行われる。
【００４４】
たわみ量測定工程Ｓ４においては、たわみ量δｙの測定が行われる。たわみ量δｙの測定は、揺動角θが０°であるときに行われることが好ましい。たわみ量δｙは、ワイヤ１４の揺動の１サイクルの間の平均値とされてもよい。たわみ量δｙの測定は、ワイヤ１４の揺動の１サイクル毎に行われることが好ましい。フィードバック制御工程Ｓ５においては、測定されたたわみ量δｙに基づいて、スライス工程Ｓ３の制御が行われる。
【００４５】
フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙに応じて、スライス工程Ｓ３のフィードバック制御が行われる。例えば、フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙに応じて、第２方向Ｄ２におけるインゴット２の移動速度（以下においては、「送り速度」ということがある）が制御される。
【００４６】
より具体的には、フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙが予め定められた閾値よりも小さい場合、インゴット２の送り速度が増加するように制御され、たわみ量δｙが当該閾値よりも大きい場合、インゴット２の送り速度が減少するように制御される。すなわち、フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙが当該閾値よりも小さい場合、たわみ量δｙが測定された時点におけるインゴット２の送り速度よりも制御後のインゴット２の送り速度が大きくなるように制御され、たわみ量δｙが当該閾値よりも大きい場合、たわみ量δｙが測定された時点におけるインゴット２の送り速度よりも制御後のインゴット２の送り速度が小さくなるように制御される。
【００４７】
但し、フィードバック制御工程Ｓ５においては、インゴット２の送り速度以外のパラメータが、たわみ量δｙに応じて制御されてもよい。例えば、フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙに応じて、新線供給量が制御されてもよい。フィードバック制御工程Ｓ５においては、たわみ量δｙに応じて、インゴット２の第１方向Ｄ１に沿った移動が制御されてもよい。
【００４８】
スライス工程Ｓ３は、第１期と、第２期と、第３期とにより区分されていてもよい。第２期は、第１期の後に行われる。第３期は、第２期の後に行われる。たわみ量測定工程Ｓ４及びフィードバック制御工程Ｓ５は、スライス工程Ｓ３が第２期にあるときには行われるが、スライス工程Ｓ３が第１期及び第３期にあるときには行われなくてもよい。
【００４９】
第１期は、スライス開始後からスライス位置が第１の値となるまでの区間である。第２期は、スライス位置が第１の値以上第２の値未満となる区間である。第３期は、スライス位置が第２の値となった後であって、インゴット２のスライスが完了するまでの区間である。第１の値は、例えば５ｍｍである。第２の値は、例えばインゴット２の直径から５ｍｍを除した値である。なお、スライス位置とは、ワイヤ１４によるインゴット２のスライスが開始される位置からワイヤ１４によるインゴット２のスライスが行われている位置までの距離である。
【００５０】
（実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法の効果）
以下に、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法の効果を説明する。
【００５１】
実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法においては、インゴット２のスライスは、第１方向Ｄ１に直交する面内において揺動しながらワイヤ１４の延在方向に沿って往復運動をしているワイヤ１４に対して、インゴット２を第２方向Ｄ２に沿って相対的に移動させることにより行われる。そのため、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法によると、ワイヤ１４とインゴット２とが接触している部分に集中的に荷重を印加することができる。したがって、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法によると、硬度の高い炭化珪素単結晶のインゴットを効率的にスライスすることができる。
【００５２】
実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量δｙの測定は、変位センサ１５により非接触で行われる。そのため、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法によると、スライスの際に供給されるクーラントの影響等によるスライス途中でのたわみ量δｙの測定不能が生じにくい。
【００５３】
実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法においては、ワイヤ１４は、第１方向Ｄ１に直交する面内において揺動しているため、たわみ量δｙの値は時々刻々と変化する。そのため、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、揺動角θが０°となるときにたわみ量δｙの測定が行われる場合、たわみ量δｙの測定をより確実に行うことができる。
【００５４】
炭化珪素基板の反り量は、たわみ量δｙに比例する。たわみ量δｙは、ワイヤ１４に対するインゴット２の相対的な移動速度に比例する。すなわち、炭化珪素基板の反り量は、インゴット２の送り速度に比例する。したがって、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量δｙに応じてインゴット２の送り速度が変化するようにフィードバック制御される場合、炭化珪素基板の反りを低減することができる。
【００５５】
炭化珪素基板の反りは、たわみ量δｙに応じてインゴット２を第１方向Ｄ１に沿って移動させることによっても低減可能であるが、インゴット２を第１方向Ｄ１に沿って移動させるための構成が必要となる。他方で、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量δｙに応じてインゴット２の送り速度が変化するようにフィードバック制御される場合、追加的な構成を付加することなく炭化珪素基板の反りを低減することができる。
【００５６】
たわみ量δｙが大きくなるほど、ワイヤ１４がインゴット２に強く押し付けられているため、加工速度が速くなる。他方で、上記のとおり、たわみ量δｙが大きくなるほど、炭化珪素基板の反りが大きくなる。そのため、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、たわみ量δｙが予め定められた閾値よりも大きいときにインゴット２の送り速度が小さくなるように制御されるとともに、たわみ量δｙが当該閾値よりも小さいときにインゴット２の送り速度が大きくなるように制御される場合、炭化珪素基板の生産性向上と反り低減とを両立することができる。
【００５７】
スライス工程Ｓ３の第１期及び第３期においては、炭化珪素基板の周縁部のスライスが進行している。炭化珪素基板の周縁部においては、炭化珪素基板の中心部と比較して、反りに対する要求は緩やかである。そのため、実施形態に係る炭化珪素基板の製造方法において、スライス位置が第１の値以上第２の値未満であるときには、フィードバック制御工程Ｓ５を行わずとも、炭化珪素基板の反りに関する要求水準を満たしやすい。
【実施例】
【００５８】
以下に、実施形態に係る炭化珪素基板の実施例を説明する。
表１に、実施例に用いられたインゴット２の仕様を示す。表１に示すように、実施例においては、インゴット２として、直径１００ｍｍ、厚み１０ｍｍのものが用いられた。なお、第１方向Ｄ１に直交する面は、インゴット２を構成する炭化珪素単結晶の（０００１）面に対して、４°傾斜している。また、インゴット２を構成する炭化珪素単結晶のポリタイプは、４Ｈである。
【００５９】
【表１】
2019188510.tif 000003
【００６０】
表２に、スライス条件を示す。表２に示すように、実施例においては、ワイヤ１４の走行速度は１５００ｍ／ｍｉｎ、ワイヤ１４の張力は４５Ｎとされた。実施例においては、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３の正転方向における一定速時間は６０秒とされ、第１ガイドローラ１２及び第２ガイドローラ１３の反転方向における一定速時間は５０秒〜６０秒とされた。実施例においては、スライス厚は、５００μｍとされた。実施例においては、ワイヤ１４の直径は２４０μｍ〜２５０μｍとされた。なお、このワイヤ１４において、芯線１４ａの直径は１８０μｍであり、表面層１４ｂは電着ニッケル層であり、砥粒１４ｃは粒径３０μｍ〜４０μｍのダイヤモンド砥粒であった。
【００６１】
なお、実施例においては、閾値設定工程Ｓ２において設定された閾値よりもたわみ量δｙが小さいときにインゴット２の送り速度が大きくなるとともに、当該閾値よりもたわみ量δｙが大きいときにインゴット２の送り速度が小さくなるように制御が行われた。
【００６２】
【表２】
2019188510.tif 000004
【００６３】
図７は、閾値設定工程Ｓ２において設定される閾値とスライス後における炭化珪素基板の反りとの関係を示すグラフである。図７中において、横軸は閾値設定工程Ｓ２において設定されるたわみ量δｙに関する閾値（単位：ｍｍ）であり、縦軸はスライス後における炭化珪素基板の反り（単位：μｍ）である。
【００６４】
図７に示されるように、閾値設定工程Ｓ２において設定される閾値を小さくすることにより、スライス後における炭化珪素基板の反りの値が減少していた。また、閾値設定工程Ｓ２において設定される閾値を大きくすることにより、平均加工速度が大きくなっていた。このように、閾値設定工程Ｓ２において設定される閾値を、要求される炭化珪素基板の反りを超えないように適宜調整することで、加工速度が改善可能であることが実験的に確認された。
【００６５】
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６６】
１  スライス装置
１１  インゴット固定台
１２  第１ガイドローラ
１２ａ  中心軸
１２ｂ  外周面
１３  第２ガイドローラ
１３ａ  中心軸
１３ｂ  外周面
１４  ワイヤ
１４ａ  芯線
１４ｂ  表面層
１４ｃ  砥粒
１５  変位センサ
２  インゴット
２ａ  中心軸
Ｄ１  第１方向
Ｄ２  第２方向
Ｄ３  第３方向
Ｓ１  準備工程
Ｓ２  閾値設定工程
Ｓ３  スライス工程
Ｓ４  たわみ量測定工程
Ｓ５  フィードバック制御工程
θ  揺動角
δｙ  たわみ量
【図１】
2019188510.tif 000005
【図２】
2019188510.tif 000006
【図３】
2019188510.tif 000007
【図４】
2019188510.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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