(57)【要約】【課題】ワークが変形した場合にワークに電圧を印加してプラズマ処理を行うと、ワークへの電圧印加が不安定になる。【解決手段】  プラズマ処理装置は、ワークの上面側の処理対象部分が配置される第１窪み部と、第１周縁部と、を備える第１の型と、第１の型に対向して配置され、下面側の処理対象部分が配置される第２窪み部と、第２周縁部と、を備える第２の型と、を有する真空容器と、処理対象部分において開口する開口部と、開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が第１周縁部と第２周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触してワークを支持する支持部材と、支持部材と真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備える。支持部材の平面部には、第１窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。【選択図】図１
2019119896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する板状のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって、
真空容器であって、
前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第１窪み部と、前記第１窪み部の外側に前記第１窪み部から連続的に設けられた第１周縁部と、を備える第１の型と、
前記第１の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第２窪み部と、前記第２窪み部の外側に前記第２窪み部から連続的に設けられた第２周縁部と、を備える第２の型と、を有する真空容器と、
前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第１周縁部と前記第２周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と、
前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え、
前記平面部には、前記第１窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている、
プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワークにプラズマ処理を行う装置として、特許文献１には、上下に２分割されるチャンバによってワークを挟み、チャンバ内にプラズマを発生させて成膜を行う装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６２５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者らは、プラズマ処理において、チャンバ内に配置されたワークの中央部分と、ワークの外周部分との温度差により、ワークが変形する場合があることを見出した。このような場合にワークに電圧を印加してプラズマ処理を行うと、ワークへの電圧印加が不安定になってワークの成膜密度やエッチング密度が低下するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００６】
本開示の一形態によれば、導電性を有する平板状のワークにプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が提供される。このプラズマ処理装置は；真空容器であって；前記ワークの上面側の処理対象部分が配置される第１窪み部と、前記第１窪み部の外側に前記第１窪み部から連続的に設けられた第１周縁部と、を備える第１の型と；前記第１の型に対向して配置され、前記ワークの下面側の前記処理対象部分が配置される第２窪み部と、前記第２窪み部の外側に前記第２窪み部から連続的に設けられた第２周縁部と、を備える第２の型と、を有する真空容器と；前記処理対象部分において開口する開口部と、前記開口部を画定する平面部と、を有し、少なくとも一部が前記第１周縁部と前記第２周縁部との間に配置される導電性の支持部材であって、前記ワークの前記処理対象部分の外周に位置する非処理対象部分に接触して前記ワークを支持する、支持部材と；前記支持部材と前記真空容器との間に電圧を印加する電圧印加部と、を備え；前記平面部には、前記第１窪み部側を向いた傾斜面を有する凸部が設けられている。
この形態によれば、プラズマ処理時にワークが面方向に伸びて変形した場合であっても、支持部材の傾斜面においてワークと支持部材とが接触するため、支持部材を介してワークに電圧を印加することができる。その結果、ワークが変形した場合における成膜密度又はエッチング密度の低下を抑制することができる。
【０００７】
本開示は、上述したプラズマ処理装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、ワークにプラズマ処理を行う方法等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】プラズマ処理装置の構成を示す概略断面図。
【図２】プラズマ処理装置の分解斜視図。
【図３】マスキング部材の拡大断面図。
【図４】マスキング部材にワークが支持された様子を示す上面図。
【図５】プラズマ処理装置によるワークのプラズマ処理方法について示す工程図。
【図６】本実施形態のマスキング部材によりワークを支持してプラズマ処理を行う様子を説明するための図。
【図７】真空容器内に発生したプラズマの様子を説明するための概念図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
Ａ．実施形態
Ａ１．装置構成
図１は、プラズマ処理装置２００の構成を示す概略断面図である。図２は、プラズマ処理装置２００の分解斜視図である。図１及び図２には、相互に略直交するＸＹＺ軸が図示されている。なお、略直交とは、９０°±２０°の範囲を含む。本実施形態では、Ｙ方向は略鉛直方向であり、Ｘ方向は略水平方向である。Ｚ方向は略鉛直方向及び略水平方向に垂直な方向である。このことは、以降の図においても同様である。
【００１０】
プラズマ処理装置２００は、導電性を有する平板状のワーク１０に成膜又はエッチングを行う装置である。ワーク１０は、本実施形態では、燃料電池のセパレータの基材として用いられる平板状の金属である。ワーク１０は、例えば、チタンやチタン合金をプレス加工することにより、図２に示す形状に成形される。ワーク１０は、燃料電池の発電に寄与する処理対象部分１０Ａと、処理対象部分１０Ａの外周に配置された非処理対象部分１０Ｂとを備える。非処理対象部分１０Ｂには、反応ガスまたは冷却水が流通するマニホールド孔ｈが形成されている。プラズマ処理装置２００は、処理対象部分１０Ａに、例えばプラズマＣＶＤ法により導電性の炭素系薄膜を形成する。
【００１１】
プラズマ処理装置２００は、真空容器（チャンバ）１００と、マスキング部材２１、２２と、電圧印加部７０と、を備える。プラズマ処理装置２００は、さらに、絶縁部材３０と、磁場形成部４１、４２と、パレット１３０と、シール部材６１、６２と、開閉装置５０と、搬送装置５５と、ガス供給装置８０と、排気装置９０と、制御部９５と、を備える。なお、図２では、開閉装置５０と、搬送装置５５と、電圧印加部７０及びその導入部７１と、ガス供給装置８０及び供給口８１と、排気装置９０及び排気口９１と、制御部９５と、は図示を省略している。
【００１２】
真空容器１００は、対向配置される第１の型１１０及び第２の型１２０を備える導電性の容器である。本実施形態では、真空容器１００は、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に分割される。真空容器１００は、例えば、ステンレス、アルミニウム、チタン等の金属により形成される。
【００１３】
第１の型１１０は、ワーク１０の上面側の処理対象部分１０Ａが配置される第１窪み部１１４と、第１窪み部１１４の外側に第１窪み部１１４から連続的に設けられた第１周縁部１１１と、を備える。真空容器１００内にワーク１０が配置された状態において、第１窪み部１１４はワーク１０から離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワーク１０の上面側の処理対象部分１０Ａから見て上方（＋Ｙ方向）に窪んでいる。また、第１窪み部１１４は、底部１１３と、底部１１３と第１周縁部１１１とを接続する側部１１２と、を備える。第１周縁部１１１は、非処理対象部分１０Ｂを覆うマスキング部材２１、２２と、離間した状態で対向する。
【００１４】
第２の型１２０は、ワーク１０の下面側の処理対象部分１０Ａが配置される第２窪み部１２４と、第２窪み部１２４の外側に第２窪み部１２４から連続的に設けられた第２周縁部１２１と、を備える。真空容器１００内にワーク１０が配置された状態において、第２窪み部１２４は、ワーク１０の下面側の処理対象部分１０Ａから見て下方（−Ｙ方向）に窪んでいる。第２窪み部１２４は、底部１２３と、底部１２３と第２周縁部１２１とを接続する側部１２２と、を備える。第２周縁部１２１は、非処理対象部分１０Ｂを覆うマスキング部材２２と、離間した状態で対向する。第２周縁部１２１は、第１の型１１０の第１周縁部１１１と対応する部分に配置されている。本実施形態において、第１周縁部１１１及び第２周縁部１２１は、ＸＺ平面と平行である。
【００１５】
第１の型１１０及び第２の型１２０は、真空容器１００内にガス供給装置８０からガスを供給するための供給口８１と、真空容器１００内を排気装置９０によって排気するための排気口９１と、を備える。供給口８１及び排気口９１には、開閉可能な弁が設けられている。また、第２の型１２０は、マスキング部材２２を介してワーク１０と真空容器１００との間に電圧を印加するための導入部７１を備える。第２の型１２０と導入部７１との間は、絶縁部材３５によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、真空容器１００は、アース電位を有している。なお、導入部７１、絶縁部材３５は第１の型１１０に設けられていてもよい。この場合には、導入部７１はマスキング部材２１を介してワーク１０と真空容器１００との間に電圧を印加してもよい。
【００１６】
磁場形成部４１は第１窪み部１１４内に磁場を形成するための装置である。磁場形成部４２は第２窪み部１２４内に磁場を形成するための装置である。本実施形態では、磁場形成部４１、４２は、永久磁石により構成されており、例えば、ネオジウム磁石が用いられる。磁場形成部４１は、第１の型１１０において、第１周縁部１１１から離間して第１窪み部１１４に配置されている。本実施形態では、磁場形成部４１は、＋Ｘ方向の側部１１２及び−Ｘ方向の側部１１２にそれぞれ配置されている。磁場形成部４２は、第２の型１２０において、第２周縁部１２１から離間して第２窪み部１２４に配置されている。本実施形態では、磁場形成部４２は、＋Ｘ方向の側部１２２及び−Ｘ方向の側部１２２にそれぞれ配置されている。
【００１７】
絶縁部材３０は、第１周縁部１１１と第２周縁部１２１との間に配置され、マスキング部材２２に接触してマスキング部材２２を支持する。絶縁部材３０は、例えば、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又はこれらを２つ以上用いたもの等で形成されている。
【００１８】
パレット１３０は、導電性の板状部材である。パレット１３０は、ワーク１０及びマスキング部材２１、２２を真空容器１００内に搬送する部材でもある。パレット１３０は、第１周縁部１１１と第２周縁部１２１との間に配置される。本実施形態では、パレット１３０には、絶縁部材３０、マスキング部材２２、ワーク１０及びマスキング部材２１が、この順に＋Ｙ方向に積載されており、パレット１３０は、絶縁部材３０を介してマスキング部材２２を保持する。本実施形態では、パレット１３０は、真空容器１００が閉じられた状態において真空容器１００外に露出する縁部１３０ｔを有する。縁部１３０ｔは、後述する搬送装置５５がパレット１３０を搬送する際に、パレット１３０に接触する部分である。本実施形態において、パレット１３０は、アース電位を有している。パレット１３０は、例えば、アルミニウム、ステンレスやチタン等により構成される。
【００１９】
シール部材６１、６２は、第１周縁部１１１と第２周縁部１２１との間に配置され、パレット１３０に接触する。シール部材６１、６２は、真空容器１００内の気密を保つための部材である。シール部材６１、６２は、絶縁性の部材であり、本実施形態ではゴム製の環状部材である。本実施形態では、シール部材６１、６２は、オーリングを用いている。本実施形態では、シール部材６１は第１の型１１０に設けられた溝部に嵌め込まれている。シール部材６２は、第２の型１２０に設けられた溝部に嵌め込まれている。シール部材６１、６２、パレット１３０は、第１周縁部１１１及び第２周縁部１２１に対してワーク１０及びマスキング部材２１，２２を離間しかつ絶縁して保持する離間部材でもある。
【００２０】
開閉装置５０は、真空容器１００を開閉するための装置である。本実施形態では、開閉装置５０は、第１の型１１０を＋Ｙ方向に移動させて真空容器１００を開き、第１の型１１０を−Ｙ方向に移動させて真空容器１００を閉じる。
【００２１】
搬送装置５５は、パレット１３０を真空容器１００内へ搬送し、パレット１３０を真空容器１００外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の縁部１３０ｔに接触して、真空容器１００が開いた状態において、パレット１３０及びパレット１３０に積載された絶縁部材３０、マスキング部材２１、２２、ワーク１０を真空容器１００内に搬送する。また、搬送装置５５は、搬送したパレット１３０を下方に移動させることによってパレット１３０をシール部材６２を介して第２の型１２０上に設置する。また、搬送装置５５は、上方に移動させたパレット１３０をＸＺ平面に沿って移動させて真空容器１００外へ搬送することも可能である。
【００２２】
マスキング部材２１、２２は、ワーク１０の処理対象部分１０Ａにおいて開口する開口部２１ｃ、２２ｃを備え、開口部２１ｃ、２２ｃを画定する平面部２１ｂ、２２ｂにおいて非処理対象部分１０Ｂを覆う部材である。マスキング部材２１は、ワーク１０の第１の型１１０側に配置され、マスキング部材２２は、ワーク１０の第２の型１２０側に配置されている。マスキング部材２１、２２は、開口部２１ｃ、２２ｃを含む一部が第１窪み部１１４内及び第２窪み部１２４内に配置され、他の部分が第１周縁部１１１と第２周縁部１２１の間に配置されている。マスキング部材２２は、ワーク１０の非処理対象部分１０Ｂに接触してワーク１０を支持する。マスキング部材２２を、「支持部材」とも呼ぶ。マスキング部材２１、２２は、導電性を有する材料、例えば、チタンやチタン合金、ステンレス、アルミニウム等により形成されている。マスキング部材２１、２２は、ワーク１０と同じ材料によって形成されていてもよい。
【００２３】
図３は、マスキング部材２１、２２の拡大断面図である。図３には、例として、図１に示すＸ１部分が拡大して示されている。図４は、マスキング部材２２にワーク１０が支持された様子を示す上面概念図である。図４は、図３の４−４上面図であり、マスキング部材２１は示されていない。支持部材としてのマスキング部材２２は、開口部２２ｃと、開口部２２ｃを画定するＸＺ平面に沿った面である平面部２２ｂと、平面部２２ｂに設けられた凸部２２ａと、を備える。凸部２２ａは、ワーク１０のマニホールド孔ｈに挿入可能な大きさに形成されている。凸部２２ａは第１窪み部１１４側に向いた傾斜面２２ｓを備える。図３及び図４に示すワーク１０は、傾斜面２２ｓと接触することでマスキング部材２２に支持されている。平面部２２ｂと傾斜面２２ｓとのなす角は、鋭角であり、例えば、２０°〜７０°の範囲の角度である。本実施形態では、なす角は、３０°である。本実施形態では、マスキング部材２１、２２は、ワーク１０からＹ方向に距離Ａ２だけ離間して、の非処理対象部分１０Ｂを覆う（図３）。距離Ａ２は、ワーク１０のプレス加工時に生じる反り量よりも大きい。反り量は、例えば、３〜１５ｍｍの範囲の値や、５〜１０ｍｍの範囲の値である。本実施形態では、距離Ａ２は、凸部２２ａのＹ方向の高さＡ１よりも大きい。他の実施形態では、距離Ａ１と距離Ａ２は等しくてもよい。また、凸部２２ａは、ワーク１０の＋Ｘ方向に位置するマニホールド孔ｈのいずれか１つ、及び、ワーク１０の−Ｘ方向に位置するマニホールド孔ｈのいずれか１つに対応して設けられていればよい。例えば、凸部２２ａは、ワーク１０の全てのマニホールド孔ｈに対応して設けられていてもよい。
【００２４】
Ａ２．プラズマ処理方法
図５は、プラズマ処理装置２００によるワーク１０のプラズマ処理方法について示す工程図である。以下では、プラズマ処理装置２００によりワーク１０の処理対象部分１０Ａに成膜を行う方法を例に挙げて説明する。プラズマ処理装置２００による成膜では、まず、ワーク１０が真空容器１００内に搬送される搬送工程が行われる（ステップＳ１０）。本実施形態では、パレット１３０上に、絶縁部材３０、マスキング部材２２、ワーク１０が積載され、さらに、ワーク１０の上にマスキング部材２１が積載される。本実施形態では、ワーク１０は、マニホールド孔ｈにマスキング部材２２の凸部２２ａが挿入されるように、マスキング部材２２の上に積載される。その後、真空容器１００の第１の型１１０が開閉装置５０によって＋Ｙ方向に移動され、絶縁部材３０、マスキング部材２１、２２及びワーク１０が積載されたパレット１３０が、搬送装置５５によって真空容器１００内に搬送される。搬送されたパレット１３０は、シール部材６２を介して第２の型１２０上に配置される。搬送工程では、パレット１３０が第２の型１２０上に配置されると、真空容器１００が閉じられる。本実施形態では、開閉装置５０によって第１の型１１０が−Ｙ方向に移動される。真空容器１００が閉じられると、シール部材６１、シール部材６２がパレット１３０に接触し、マスキング部材２１，２２と第１周縁部１１１及び第２周縁部１２１が離間され、マスキング部材２１、２２と第１周縁部１１１及び第２周縁部１２１との間に図１に示すような隙間が形成される。隙間のＹ方向に沿った距離は、例えば、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲の値である。
【００２５】
次に、真空容器１００内のガスが排気される排気工程が行われる（ステップＳ２０）。本実施形態では、プラズマ処理装置２００は、例えば、窒素ガス雰囲気に設置されている。排気工程では、排気装置９０によって排気口９１を介して真空容器１００内の窒素ガスが排気され、真空容器１００内が真空化される。
【００２６】
次に、電圧印加工程が行われる（ステップＳ３０）。電圧印加工程では、ガス供給装置８０により供給口８１を介して真空容器１００の内部にガスが供給されるとともに、電圧印加部７０によりマスキング部材２２を介してワーク１０と真空容器１００との間に電圧が印加されて、第１窪み部１１４内及び第２窪み部１２４内にプラズマが発生する。電圧印加工程では、真空容器１００内が高温化する。
【００２７】
本実施形態では、電圧印加工程は、昇温・エッチング工程と、第１層形成工程と、堆積工程と、を含む。昇温・エッチング工程は、ワーク１０を昇温させるとともに、ワーク１０に付着した水分等を除去する工程である。第１層形成工程は、昇温・エッチング工程の後に、成膜速度が比較的遅くなるように、電圧印加部７０、ガス供給装置８０を制御してワーク１０に緻密な層を形成するための工程である。堆積工程は、第１層の上に、第１層の形成よりも早い成膜速度で膜を堆積させる工程である。例えば、昇温・エッチング工程では、アルゴンガスが供給される。第１層形成工程及び堆積工程では、キャリアガスとして、例えば、水素ガス及びアルゴンガスが供給され、原料ガスとして、窒素ガス及びピリジンガスが供給されて、ワーク１０の処理対象部分１０Ａに薄膜が形成される。電圧印加工程が終了すると、ガスの供給と電圧の印加とが停止される。
【００２８】
次に、真空容器１００内の圧力が調整される復圧工程が行われる（ステップＳ４０）。本実施形態では、真空容器１００内の圧力を、開閉装置５０によって真空容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、ガス供給装置８０によって真空容器１００内に窒素ガスが供給される。なお、真空容器１００内の圧力が調整されると、第１の型１１０が開閉装置５０によって＋Ｙ方向に移動され、搬送装置５５によって絶縁部材３０、マスキング部材２１、２２及びワーク１０が積載されたパレット１３０が、真空容器１００から搬出される。以上のようにしてプラズマ処理装置２００による一連のプラズマ処理が終了する。
【００２９】
Ａ３．効果
Ａ３−１．効果１
ワーク１０の加工時の応力により、ワーク１０の外周部分である非処理対象部分１０Ｂは、処理対象部分１０Ａに対して、反りを有する場合がある。さらに、プラズマ処理時には、プラズマが発生する第１窪み部１１４、第２窪み部１２４の中央部分に位置する処理対象部分１０Ａに対し、処理対象部分１０Ａの外周に位置する非処理対象部分１０Ｂは温度が低い。そのため、この温度差によって、ワーク１０が、ワーク１０の面方向に伸びて変形する場合がある。このようなワーク１０の変形により、ワーク１０を支持するマスキング部材とワーク１０との接触が不安定になり、ワーク１０の成膜密度やエッチング密度が低下するおそれがある。
【００３０】
図６は、本実施形態のマスキング部材２２によりワーク１０を支持してプラズマ処理を行う様子を説明するための図である。マスキング部材２２は、傾斜面２２ｓを備える凸部２２ａを有する。そのため、プラズマ処理時にワーク１０が面方向に伸びた場合であっても、図７に示す（１）から（２）のように接触領域Ｐを傾斜面２２ｓのいずれかの箇所において確保することができるので、マスキング部材２２を介してワーク１０に電圧を印加することができる。その結果、ワーク１０が変形した場合におけるワーク１０の成膜密度又はエッチング密度の低下を抑制することができる。
【００３１】
Ａ３−２．効果２
図７は、真空容器１００内に発生したプラズマの様子を説明するための概念図である。図７には、磁場形成部４１、４２によって形成される磁場が、実線矢印で示されている。プラズマは、マイナス電荷を持った電子とプラス電荷を持ったイオン（正イオン）とが全体として同数存在するものである。電圧印加工程においてプラズマが発生すると、第１窪み部１１４内の電子は磁場形成部４１が形成する磁場に引き寄せられる。また、第１窪み部１１４内の正イオンも、電子とともに磁場形成部４１が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第１窪み部１１４内のプラズマ密度は、磁場形成部４１が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第１周縁部１１１付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。同様に、第２窪み部１２４内の電子は磁場形成部４２が形成する磁場に引き寄せられる。また、第２窪み部１２４内の正イオンも電子とともに磁場形成部４２が形成する磁場に引き寄せられる。そのため、第２窪み部１２４内のプラズマ密度は、磁場形成部４２が形成する磁場及びその付近で高くなる。一方、磁場から離れた位置、例えば、第２周縁部１２１付近のプラズマ密度は相対的に低くなる。なお、磁場に引き寄せられた正イオンは、図７に破線矢印で示すように陰極であるワーク１０に向かい、ワーク１０が成膜又はエッチングされる。
【００３２】
本実施形態のプラズマ処理装置２００によれば、磁場形成部４１によって第１周縁部１１１から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第１周縁部１１１付近ではプラズマ密度が相対的に低くなる。同様に、磁場形成部４２によって第２周縁部１２１から離間した位置に形成される磁場ではプラズマ密度が高くなり、第２周縁部１２１、付近ではプラズマ密度が相対的に低くなる。その結果、プラズマ処理装置が磁場形成部４１、４２を備えない場合と比較して、第１周縁部１１１とマスキング部材２１との間及び第２周縁部１２１とマスキング部材２２との間から、マスキング部材２１、２２と絶縁部材３０とが接触する箇所にプラズマが侵入することが抑制されるので、電圧が印加されるマスキング部材２１、２２と、絶縁部材３０と、の接触箇所にプラズマが侵入することによる異常放電の発生を抑制することができる。
【００３３】
また、ワーク１０の非処理対象部分１０Ｂ全面がマスキング部材２１、２２に接触する場合には、プラズマ処理時のワーク１０の伸びが阻害されて、処理対象部分１０Ａにうねり等の変形が生じるおそれがある。本実施形態によれば、磁場形成部４１、４２を備えるため、第１周縁部１１１、第２周縁部１２１付近でのプラズマ密度が相対的に低くなるので、ワーク１０の非処理対象部分１０Ｂとマスキング部材２１、２２との間に空間を設けつつ、当該空間にプラズマが侵入することによって非処理対象部分１０Ｂがプラズマ処理されることを抑制することができる。そのため、処理対象部分１０Ａにうねり等の変形が生じることを抑制しつつ、非処理対象部分１０Ｂがプラズマ処理されることを抑制することができる。
【００３４】
Ｂ．他の実施形態
Ｂ１．他の実施形態１
上記実施形態において、プラズマ処理装置２００は、マスキング部材２１を備えていなくともよく、ワーク１０の上面をプラズマ処理してもよい。
【００３５】
Ｂ２．他の実施形態２
上記実施形態において、ワーク１０は、マニホールド孔ｈを備えていなくともよい。この場合には、マスキング部材２２は、図１に示すワーク１０の＋Ｘ方向端部、−Ｘ方向端部に対応する箇所に、傾斜面２２ｓを備える凸部２２ａを有していればよい。この形態によっても、ワーク１０が面方向に沿って延びた場合にワーク１０とマスキング部材２２との接触領域Ｐを傾斜面２２ｓのいずれかの箇所において確保することができる。
【００３６】
Ｂ３．他の実施形態３
上記形態において、凸部２２ａは導電性を有し、凸部２２ａと接触するワーク１０と真空容器１００との間に電圧を印加できる材料により構成されていればよく、平面部２２ｂと異なる材料により形成されていてもよい。
【００３７】
Ｂ４．他の実施形態４
上記形態において、プラズマ処理装置２００は磁場形成部４１、４２を備えていなくともよい。
【００３８】
本開示は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０…ワーク
１０Ａ…処理対象部分
１０Ｂ…非処理対象部分
２１、２２…マスキング部材
２２ａ…凸部
２１ｂ、２２ｂ…平面部
２１ｃ、２２ｃ…開口部
２２ｓ…傾斜面
３０、３５…絶縁部材
４１、４２…磁場形成部
５０…開閉装置
５５…搬送装置
６１、６２…シール部材
７０…電圧印加部
７１…導入部
８０…ガス供給装置
８１…供給口
９０…排気装置
９１…排気口
９５…制御部
１００…真空容器
１１０…第１の型
１１１…第１周縁部
１１２…側部
１１３…底部
１１４…第１窪み部
１２０…第２の型
１２１…第２周縁部
１２２…側部
１２３…底部
１２４…第２窪み部
１３０…パレット
１３０ｔ…縁部
２００…プラズマ処理装置
Ｐ…接触領域
ｈ…マニホールド孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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