(57)【要約】【課題】生産性を向上可能なパターン形成方法及びパターン形成材料を提供する。【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法及び接触工程を含む。前記膜形成工程では、パターン形成材料を含むパターン形成材料膜を基体に形成する。前記パターン形成材料は、第１部分及び第２部分を含む。前記第１部分は、アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む。前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む。前接触工程では、前記パターン形成材料膜を、金属元素を含む金属化合物に接触させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む第１部分と、第２部分であって、前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む前記第２部分と、を含むパターン形成材料を含むパターン形成材料膜を基体に形成する膜形成工程と、
前記パターン形成材料膜を、金属元素を含む金属化合物に接触させる接触工程と、
を備えた、パターン形成方法。
【請求項２】
前記膜形成工程は、
前記基体に前記パターン形成材料を含む膜を形成する工程と、
前記膜の第１領域に電磁波を照射する工程と、
前記膜の前記第１領域を除去する工程と、
を含み、
前記膜の残った領域から前記パターン形成材料膜が得られる、請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記電磁波のピーク波長は、１９４ｎｍ未満である、請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記接触工程は、前記パターン形成材料膜中に前記金属化合物を導入することを含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記接触工程は、前記パターン形成材料膜を、前記金属化合物を含む液体及び前記金属化合物を含む気体の少なくともいずれかに接触させることを含む、請求項１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記接触工程の後に、前記パターン形成材料膜を、水、酸素及びオゾンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む雰囲気中で処理する処理工程をさらに備えた、請求項１〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記処理工程の後に、前記パターン形成材料膜は、前記金属元素を含む酸化物を含む、請求項６記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記処理工程の後に、前記基体の前記パターン形成材料膜に覆われていない領域の少なくとも一部を除去する除去工程をさらに備えた、請求項１〜７のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項９】
前記金属化合物は、有機金属化合物を含む、請求項１〜８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記金属化合物は、Ｔｉ、Ｖ、及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つと、塩素と、を含む、請求項１〜９のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む第１部分と、
第２部分であって、前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む前記第２部分と、
を備えたパターン形成材料であって、
前記パターン形成材料を含む膜が、金属元素を含む金属化合物に接触させられる工程を含むパターン形成方法に用いられる、パターン形成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン形成材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、紫外線などの照射によって溶解性を制御するレジスト材料などのパターン形成材料がある。このようなパターン形成材料を用いたパターン形成方法があるパターン形成方法及びパターン形成材料において、生産性の向上が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３１１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、生産性を向上可能なパターン形成方法及びパターン形成材料を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、パターン形成方法及び接触工程を含む。前記膜形成工程では、パターン形成材料を含むパターン形成材料膜を基体に形成する。前記パターン形成材料は、第１部分及び第２部分を含む。前記第１部分は、アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む。前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む。前接触工程では、前記パターン形成材料膜を、金属元素を含む金属化合物に接触させる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法に用いられるパターン形成材料を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｆ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、パターン形成方法における状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）  
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法に用いられるパターン形成材料を例示する模式図である。  
図１（ａ）に示すように、パターン形成材料１１０及び１１１は、第１部分１０及び第２部分２０を含む。
【０００９】
図１（ａ）に示す例においては、第１部分１０は、メタクリレートを含む。図１（ｂ）に示す例においては、第１部分１０は、アクリレートを含む。実施形態において、第１部分１０は、アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む。
【００１０】
第２部分２０は、脂肪族環状化合物２１及びカルボニル基２２を含む。脂肪族環状化合物２１は、第１部分２０のアクリレート及びメタクリレートの上記の少なくともいずれかと、エステル結合する。例えば、脂肪族環状化合物２１は、上記のアクリレート及び上記のメタクリレートの上記の少なくともいずれかと、直接、または炭素数１から３のアルカンを介して、エステル結合する。カルボニル基２２は、脂肪族環状化合物２１と結合する。
【００１１】
脂肪族環状化合物２１は、例えば、互いに結合した複数の環状炭化水素を含んでも良い。例えば、脂肪族環状化合物２１は、アダマンタン、トリシクロデカン、イソボルナン、ノルボルナン及びシクロヘキサンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００１２】
第１部分１０は、側鎖を含んでも良い。例えば、第１部分１０の側鎖は、カルボニル基１５を含んでも良い。カルボニル基１５は、エステル基結合に含まれても良い。
【００１３】
第１部分１０及び第２部分２０を含むモノマーは、例えば、他のアクリル化合物と共重合させることで、レジスト材料として供与される。
【００１４】
例えば、パターン形成材料の膜が、金属元素を含む金属化合物に接触させられる工程に用いられる場合がある。上記の材料（パターン形成材料１１０及び１１１など）を用いることで、パターン形成材料の膜が金属化合物に接触させられる工程に用いられる場合において、その膜に金属化合物を効果的に導入することができる。これにより、後述するように、生産性を向上することができる。
【００１５】
実施形態に係るパターン形成材料は、例えば、以下の化学式で表される組成物を含む。
【化１】
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【００１６】
上記の化学式において、「Ｒ１」は、水素またはメチル基である。「Ｒ２」は、脂肪族環状化合物（例えば、脂環化合物）である。この脂肪族環状化合物は、アダマンタン環、トリシクロデカン環、イソボルナン環、ノルボルナン環、テトラシクロドデカン環及びシクロヘキサン環よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。脂肪族環状化合物が用いられることにより、例えば、良好なドライエッチング耐性が得られる。「Ｒ２」には、アルキル基、ヒドロキシル基、アミノ基及びカルボキシル基よりなる群から選択された少なくとも１つが付加してもよい。
【００１７】
以下、このような材料（パターン形成材料１１０及び１１１など）を用いたパターン形成方法の例について説明する。以下では、パターン形成材料１１０を用いる例について説明する。パターン形成材料１１１を用いる場合にも、以下に説明する方法が適用される。
【００１８】
図２（ａ）〜図２（ｆ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。  
図２（ａ）に示すように、基体６０の表面に、パターン形成材料１１０を含むパターン形成材料１１０を含む膜５０Ｆを形成する。この膜５０Ｆの形成には、スピンナ法、またはインクジェット法などの任意の方法が適用される。
【００１９】
図２（ａ）に示すように、膜５０Ｆの一部（第１領域Ｒ１）に、電磁波４５を照射する。例えば、マスクＭ１の開口部から電磁波４５が、膜５０Ｆの一部（第１領域Ｒ１）に照射される。電磁波４５の照射は、電磁波４５のビームの走査を含んでも良い。
【００２０】
この後、例えば、現像を行う。
【００２１】
これにより、図２（ｂ）に示すように、電磁波４５が照射された第１領域Ｒ１が除去される。これにより、膜５０Ｆの第２領域Ｒ２が残る。膜５０Ｆの第２領域Ｒ２が、パターン形成材料膜５０となる。
【００２２】
このように、実施形態に係るパターン形成方法は、パターン形成材料１１０を含むパターン形成材料膜５０を基体６０に形成する膜形成工程を含む。膜形成工程は、例えば、基体６０にパターン形成材料１１０を含む膜５０Ｆを形成する工程（図２（ａ）参照）を含む。膜形成工程は、例えば、その膜５０Ｆの第１領域Ｒ１に電磁波４５を照射する工程（図２（ａ）参照）を含む。
【００２３】
実施形態において、電磁波４５のピーク波長は、例えば、１９３ｎｍ以上１９４ｎｍ未満である。例えば、電磁波４５は、ＡｒＦエキシマレーザから出射される。
【００２４】
膜形成工程は、さらに、膜５０Ｆの第１領域Ｒ１を除去する工程（図２（ｂ）参照）を含む。膜５０Ｆの残った領域（第２領域Ｒ２）から、パターン形成材料膜５０（図２（ｂ）参照）が得られる。
【００２５】
例えば、膜５０Ｆの第１領域Ｒ１を除去する工程（例えば、現像）においては、例えば、アルカリ現像液を用いた処理が行われる。アルカリ現像液は、例えばＴＭＡＨ（Tetramethylammonium hydroxide）などを含む。
【００２６】
図２（ｃ）に示すように、パターン形成材料膜５０を、金属元素３１を含む金属化合物３０に接触させる。
【００２７】
金属化合物３０は、例えば、有機金属化合物を含む。金属化合物３０は、例えば、トリメチルアルミニウムを含む。金属化合物３０は、例えば、Ｔｉ、Ｖ、及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つと、塩素と、を含んでも良い。金属化合物３０は、例えば、ＴｉＣｌ４、ＶＣｌ４、及び、ＷＣｌ６よりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。
【００２８】
金属化合物３０は、例えば、液体または気体である。
【００２９】
このように、接触工程においては、パターン形成材料膜５０を、金属元素３１を含む金属化合物３０に接触させることが実施される。接触工程において、例えば、金属化合物３０が、パターン形成材料膜５０中に、例えば、含浸する。このように、接触工程は、パターン形成材料膜５０中に金属化合物３０を導入することを含む。
【００３０】
例えば、接触工程は、パターン形成材料膜５０を、金属化合物３０を含む液体、及び、金属化合物３０を含む気体の少なくともいずれかに接触させることを含む。これにより、例えば、金属化合物３０に含まれる金属元素３１が、パターン形成材料膜５０に含まれる材料に吸着する。この吸着については、後述する。
【００３１】
図２（ｄ）に示すように、上記の接触工程の後に、パターン形成材料膜５０を、水、酸素及びオゾンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む雰囲気６２中で処理する。この処理は、加熱を含む。加熱の温度は、例えば５０℃以上１８０℃以下である。この処理工程において、例えば、酸化が行われる。
【００３２】
図２（ｅ）に示すように、この処理工程の後において、パターン形成材料膜５０は、例えば、金属元素３１を含む酸化物３２を含む。例えば、金属化合物３０がトリメチルアルミニウムを含む場合、アルミニウムを含む酸化物３２が形成される。例えば、金属化合物３０がＴｉＣｌ４を含む場合には、チタンを含む酸化物３２が形成される。例えば、金属化合物３０がＶＣｌ４を含む場合には、バナジウムを含む酸化物３２が形成される。例えば、金属化合物３０がＷＣｌ６を含む場合には、タングステンを含む酸化物３２が形成される。例えば、「メタライズ」が行われる。
【００３３】
パターン形成材料膜５０において、酸化物３２が形成されると、パターン形成材料膜５０のエッチング耐性が向上する。例えば、塩素を含むガスを用いたドライエッチングにおけるエッチングレートが低くなる。
【００３４】
図２（ｆ）に示すように、上記の処理工程（酸化処理工程）の後に、基体６０の、パターン形成材料膜５０に覆われていない領域の少なくとも一部を除去する。例えば、パターン形成材料膜５０をマスクとして用いたエッチングが行われる。この除去工程において、例えば、上記の覆われていない領域を、フッ素及び炭素を含むガスに接触させることを含む。エッチングは、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）である。
【００３５】
実施形態においては、上記のように、パターン形成材料膜５０において酸化物３２が形成される。このため、マスクとして用いるパターン形成材料膜５０のエッチング耐性が向上する。これにより、パターン形成材料膜５０をマスクとして用いたエッチング（上記の除去工程）において、良好な加工性が得られる。高い精度の加工が実施できる。
【００３６】
実施形態によれば、生産性を向上可能なパターン形成方法が提供できる。
【００３７】
例えば、エッチングの加工において、線幅が１００ｎｍ以下の加工においても良好な加工性が得られる。例えば、パターン形成材料膜５０に覆われていない上記の領域の少なくとも一部の幅Ｗ１は、１００ｎｍ以下である。この幅Ｗ１は、基体６０に沿う１つの方向（第１方向）に沿う幅である。
【００３８】
以下、金属化合物３０に含まれる金属元素３１と、パターン形成材料膜５０に含まれる材料と、の間の結合の例について、説明する。
【００３９】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、パターン形成方法における状態を示す模式図である。  
これらの図は、パターン形成材料１１０の第１部分１０がメタクリレートを含む場合を例示している。そして、金属化合物３０はトリメチルアルミニウムであり、金属元素３１はアルミニウムである。
【００４０】
図３（ａ）に示す第１状態においては、金属元素３１（アルミニウム）は、脂肪族環状化合物２１のカルボニル基２２に吸着（または結合）する。
【００４１】
一方、図３（ｂ）に示す第２状態においては、金属元素３１（アルミニウム）は、アクリレートの側鎖のカルボニル基１５に吸着（または結合）する。
【００４２】
これらの状態について、安定化エネルギーΔＥが第１原理を用いた分子軌道計算（ＧＡＵＳＳＩＵＮ等）に基づいて計算される。その結果、第１状態における安定化エネルギーΔＥは、−１８．２８ｋｃａｌ／ｍｏｌである。一方、第２状態における安定化エネルギーΔＥは、−１４．７３ｋｃａｌ／ｍｏｌである。このように、この計算により、第２状態に比べて、第１状態の方が安定であることが分かった。
【００４３】
図３（ｃ）に示す第３状態においては、金属元素３１（アルミニウム）は、脂肪族環状化合物２１のカルボニル基２２と、アクリレートのエステル部のカルボニル基１５と、の２か所に吸着（または結合）する。この第３状態における安定化エネルギーΔＥは、−３２．２１ｋｃａｌ／ｍｏｌである。この値は、第３状態の安定化エネルギーΔＥは、第１状態と第２状態の和と、ほぼ等しい。これは金属元素３１が第１状態や第２状態で吸着した後にも、もう１つの金属元素３１が、容易に吸着することを意味している。つまり、１セグメント当たりの金属元素３１の吸着能が単純に２倍になることを示している。
【００４４】
このことは、脂肪族環状化合物２１にカルボニル基２２を設けることで、より効率的に、金属元素３１（アルミニウム）をパターン形成材料膜５０のなかに取り入れることができることを意味する。
【００４５】
ここで述べた現象は、トリメチルアルミニウム以外の他の金属化合物においても同様に生じる。例えば、ＴｉＣｌ４、ＷＣｌ６、及びＶＣｌ４などでも同様のことが生じる。
【００４６】
例えば、脂肪族環状化合物２１のカルボニル基２２が設けられない参考例のパターン形成材料が考えられる。この場合には、上記の第２状態だけが形成される。
【００４７】
これに対して、実施形態においては、脂肪族環状化合物２１にカルボニル基２２が設けられる。これにより、上記の参考例と比べて、高い効率で、金属元素３１（アルミニウム）をパターン形成材料膜５０に取り入れることができる。これにより、上記の処理工程（例えば酸化工程）により、パターン形成材料膜５０中において、金属元素３１を含む酸化物の濃度をより高くすることができる。
【００４８】
このように、実施形態においては、接触工程の後に、金属元素３１は、脂肪族環状化合物２１と結合したカルボニル基２２に吸着する。例えば、上記の第１状態が形成される。
【００４９】
実施形態において、第１状態に加えて第２状態が形成されても良い。例えば、接触工程の後に、金属元素３１は、アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかに含まれるカルボニル基１５に吸着しても良い。
【００５０】
（第２実施形態）
第２実施形態は、パターン形成材料に係る。  
実施形態に係るパターン形成材料（パターン形成材料１１０または１１１）は、アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む第１部分１０と、第２部分２０と、を含む（図１（ａ）及び図１（ｂ）参照）。第２部分２０は、脂肪族環状化合物２１及びカルボニル基２２を含む。脂肪族環状化合物２１は、上記のアクリレート及び上記のメタクリレートの上記の少なくともいずれかとエステル結合している。カルボニル基２２は、脂肪族環状化合物２１と結合する。このパターン形成材料は、このパターン形成材料を含む膜（例えばパターン形成材料膜５０）が、金属元素３１を含む金属化合物３０に接触させられる工程を含むパターン形成方法に用いられる。
【００５１】
実施形態に係るパターン形成材料によれば、例えば、エッチング耐性の高いパターン形成材料が提供できる。例えば、生産性を向上可能なパターン形成材料が提供できる。
【００５２】
実施形態は、以下の構成（技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む第１部分と、第２部分であって、前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む前記第２部分と、を含むパターン形成材料を含むパターン形成材料膜を基体に形成する膜形成工程と、
前記パターン形成材料膜を、金属元素を含む金属化合物に接触させる接触工程と、
を備えた、パターン形成方法。
（構成２）  
前記膜形成工程は、
前記基体に前記パターン形成材料を含む膜を形成する工程と、
前記膜の第１領域に電磁波を照射する工程と、
前記膜の前記第１領域を除去する工程と、
を含み、
前記膜の残った領域から前記パターン形成材料膜が得られる、構成１記載のパターン形成方法。
（構成３）  
前記電磁波のピーク波長は、１９４ｎｍ未満である、構成２記載のパターン形成方法。
（構成４）  
前記電磁波は、ＡｒＦエキシマレーザから出射される、構成２または３に記載のパターン形成方法。
（構成５）  
前記接触工程は、前記パターン形成材料膜中に前記金属化合物を導入することを含む、構成１〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成６）  
前記接触工程は、前記パターン形成材料膜を、前記金属化合物を含む液体及び前記金属化合物を含む気体の少なくともいずれかに接触させることを含む、構成１〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成７）  
前記接触工程の後に、前記金属元素は、前記脂肪族環状化合物と結合した前記カルボニル基に吸着する、構成１〜６のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成８）  
前記接触工程の後に、前記金属元素は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかに含まれるカルボニル基に吸着する、構成１〜６のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成９）  
前記接触工程の後に、前記パターン形成材料膜を、水、酸素及びオゾンよりなる群から選択された少なくとも１つを含む雰囲気中で処理する処理工程をさらに備えた、構成１〜８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１０）  
前記処理工程の後に、前記パターン形成材料膜は、前記金属元素を含む酸化物を含む、構成９記載のパターン形成方法。
（構成１１）  
前記処理工程の後に、前記基体の前記パターン形成材料膜に覆われていない領域の少なくとも一部を除去する除去工程をさらに備えた、構成１〜１０のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１２）
前記除去工程は、前記覆われていない前記領域を、フッ素及び炭素を含むガスに接触させることを含む、構成１１記載のパターン形成方法。
（構成１３）  
前記基体に沿う第１方向に沿った、前記覆われていない前記領域の少なくとも一部の幅は、１００ｎｍ以下である、構成１１または１２に記載のパターン形成方法。
（構成１４）  
前記金属化合物は、有機金属化合物を含む、構成１〜１３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１５）
前記金属化合物は、トリメチルアルミニウムを含む、構成１〜１３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１６）  
前記金属化合物は、Ｔｉ、Ｖ、及びＷよりなる群から選択された少なくとも１つと、塩素と、を含む、構成１〜７のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１７）  
前記脂肪族環状化合物は、互いに結合した複数の環状炭化水素を含む、構成１〜１６のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１８）  
前記脂肪族環状化合物は、アダマンタン環、トリシクロデカン環、イソボルナン環、ノルボルナン環、テトラシクロドデカン環及びシクロヘキサン環よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜１７のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１９）  
前記第１部分は、側鎖を含み、
前記脂肪族環状化合物は、前記側鎖と結合した、構成１〜１８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成２０）  
アクリレート及びメタクリレートの少なくともいずれかを含む第１部分と、
第２部分であって、前記第２部分は、前記アクリレート及び前記メタクリレートの前記少なくともいずれかとエステル結合した脂肪族環状化合物と、前記脂肪族環状化合物と結合したカルボニル基と、を含む前記第２部分と、
を備えたパターン形成材料であって、
前記パターン形成材料を含む膜が、金属元素を含む金属化合物に接触させられる工程を含むパターン形成方法に用いられる、パターン形成材料。
【００５３】
実施形態によれば、生産性を向上可能なパターン形成方法及びパターン形成材料が提供できる。
【００５４】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、パターン形成方法で用いられるパターン形成材料、金属元素、及び金属化合物、並びに、パターン形成材料に含まれるアクリレート、メタクリレート及び脂肪族環状化合物などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００５５】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００５６】
その他、本発明の実施の形態として上述したパターン形成方法及びパターン形成材料を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのパターン形成方法及びパターン形成材料も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００５７】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
１０…第１部分、  １５…カルボニル基、  ２０…第２部分、  ２１…脂肪族環状化合物、  ２２…カルボニル基、  ３０…金属化合物、  ３１…金属元素、  ３２…酸化物、  ４５…電磁波、  ５０…パターン形成材料膜、  ５０Ｆ…膜、  ６０…基体、  ６２…雰囲気、  １１０、１１１…パターン形成材料、  Ｍ１…マスク、  Ｒ１…第１領域、  Ｒ２…第２領域、  Ｗ１…幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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