(57)【要約】【課題】位置に応じた低電位電圧偏差を最小化して、輝度ムラの問題を解消した有機発光表示装置を提供する。【解決手段】有機発光ダイオードが配置された第１基板、及び電源電圧が印加される電源配線が配置され、前記第１基板と対向する第２基板を含む。第１基板は、有機発光ダイオードのアノード、補助電極、隔壁、バンク層、有機発光ダイオードのカソード、コンタクト電極、及び保護膜を含む。隔壁は補助電極上に備えられる。バンク層は、アノード、補助電極、及び隔壁上に配置され、アノードの少なくとも一部を露出する第１開口部と、補助電極の少なくとも一部と隔壁の少なくとも一部を同時に露出する第２開口部を有する。カソードは、隔壁により分離され、分離された一端が補助電極に直接接触される。コンタクト電極はカソード上で、隔壁により分離され、分離された一端が補助電極またはカソードに直接接触される。保護膜は、カソードとコンタクト電極との間に介在される。コンタクト電極と電源配線は、直接接触される。【選択図】図４
2019101438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードが配置された第１基板と、
前記第１基板と対向し電源電圧が印加される電源配線が配置される第２基板とを含み、
前記第１基板は、
前記有機発光ダイオードのアノードと、
補助電極と、
前記補助電極上に備えられた隔壁と、
前記アノードの少なくとも一部を露出する第１開口部と、前記補助電極の少なくとも一部と前記隔壁の少なくとも一部を同時に露出する第２開口部とを有するバンク層と
前記隔壁により分離され、分離された一端が前記補助電極に直接接触する前記有機発光ダイオードのカソードと、
前記隔壁により分離され前記カソード上に配置されるコンタクト電極であって、前記隔壁により分離された一端が前記補助電極または前記カソードに直接接触するコンタクト電極と、
前記カソードとコンタクト電極との間に介在する保護膜を含み、
前記コンタクト電極と前記電源配線とが直接接触する、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記バンク層は、前記第１開口部を定義する第１部分と、前記第２開口部を定義する第２部分に区分され、
前記第１部分の高さは前記第２部分の高さより低い、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記バンク層は、前記第１開口部を定義する第１部分と、前記隔壁の少なくとも一部と重畳する第２部分に区分され、
前記第１部分の高さは、前記第２部分の高さより低い、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記保護膜は、前記カソード上で、前記カソードの一端の少なくとも一部を露出し、
前記コンタクト電極は、前記カソードの露出した一部と直接接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記カソードおよび前記コンタクト電極は、前記保護膜を間に置いて、物理的に分離された、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第２基板は、カラーフィルタを含み、
前記カラーフィルタは、前記電源配線によって区画される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１基板および前記第２基板のそれぞれは、前記有機発光ダイオードからの光を放出する発光領域と前記発光領域の外側の非発光領域とを含み、
前記電源配線は、前記非発光領域に配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１基板と前記第２基板との間に介在するフィラー層をさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記隔壁は、前記補助電極上で、複数の部分に分割される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記カソード、前記コンタクト電極、前記保護膜は、前記隔壁の形成領域のうちバンク層と重畳する部分で連続性を維持する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記補助電極は、前記アノードと同一物質で形成され、前記アノードと同一層に形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の短所である重さと体積を減らすことができる各種表示装置（ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が開発されている。このような表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）及び有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ；ＯＬＥＤ）などで実現されることができる。
【０００３】
より詳細には、有機発光表示装置は、有機化合物を励起させて発光させる自発光型表示装置であり、ＬＣＤで使用されるバックライトを必要とせず、したがって軽量薄型が可能となるだけでなく、製造工程を単純にすることができるという利点がある。また、有機電界発光表示装置は、低温での製造が可能であり、応答速度が１ｍｓ以下の高速の応答速度を有するだけでなく、低消費電力、広い視野角及び高コントラスト（Ｃｏｎｔｒａｓｔ）などの特性を有するという点で、広く使用されている。
【０００４】
有機発光表示装置は、電気エネルギーを光エネルギーに転換する有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を含む。有機発光ダイオードは、アノード、カソード、及びこれらの間に配置される有機化合物層を含む。有機発光表示装置は、アノード及びカソードからそれぞれ注入された正孔と電子が発光層内部で結合して励起子を形成し、形成された励起子が励起状態（excited state）から基底状態（ground state）に落ちて有機発光表示装置を発光させ、画像を表示するように構成されている。
【０００５】
しかしながら、大面積の有機発光表示装置の場合、入力映像が実現されるアクティブ領域の全面で均一な輝度を維持することができず位置によって輝度ムラが発生する。さらに詳細には、有機発光ダイオードを構成するカソードは、アクティブ領域の大部分を覆うように広く形成されるが、カソードに印加される電源電圧が全面に亘って均一な電圧値を有さない問題が発生する。例えば、カソードの抵抗により電源電圧が印加されるカソードの引込部での電圧値と、カソードの引込部から離隔された位置での電圧値の差が大きくなるにつれて、位置に応じた輝度ムラが大きくなる。
【０００６】
このような問題点は、上部発光型（Ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）表示装置でさらに問題になる。つまり、上部発光型表示装置においては、有機発光ダイオードの上層に位置するカソードの透過度を確保する必要があるので、カソードをＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電物質で形成するか、非常に薄い厚さの不透明導電物質で形成する。この場合、カソードの面抵抗が大きくなるので、これに対応して位置による輝度ムラもまた著しく大きくなる。
【０００７】
このような問題点を解決するために、低抵抗物質を含む低電位電源配線（Ｅｖｓｓ配線）を形成し、これをカソードに接続して、位置に応じた電圧降下を防止する方策が提案されている。このような、従来の構造においては、Ｅｖｓｓ配線が、トランジスタが備えた下部基板上に形成されるため、一つのピクセル（ｐｉｘｅｌ：画素）内に、薄膜トランジスタ領域及びストレージキャパシタ領域とは別に、Ｅｖｓｓ配線形成領域、及びＥｖｓｓ配線とカソード接続領域が割り当てられる必要がある。したがって、従来の構造を単一のピクセルサイズが小さい高解像度表示装置に適用することは難しかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１７−１２０７８４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、低電位電圧の位置に応じた変動を最小化することにより、均一な輝度を得ることができる有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、有機発光ダイオードが配置された第１基板、及び電源電圧が印加される電源配線が配置され、前記第１基板と対向する第２基板を含む。第１基板は、アノード、補助電極、隔壁、バンク層、カソード、コンタクト電極、及び保護膜を含む。隔壁は補助電極上に備えられる。バンク層は、アノード、補助電極、及び隔壁上に配置され、アノードの少なくとも一部を露出する第１開口部と、補助電極の少なくとも一部と隔壁の少なくとも一部を同時に露出する第２開口部を有する。カソードは、隔壁により分離され、分離された一端が補助電極に直接接触する。コンタクト電極はカソード上で、隔壁により分離され、分離された一端が補助電極またはカソードに直接接触する。保護膜は、カソードとコンタクト電極との間に介在する。コンタクト電極と電源配線は、直接接触する。
【００１１】
バンク層は、第１開口部を定義する第１部分と、第２開口部を定義する第２部分に区分される。第１部分の高さは、第２部分の高さより低い。
【００１２】
バンク層は、第１開口部を定義する第１部分と、隔壁と重畳される第２部分に区分される。第１部分の高さは、第２部分の高さより低い。
【００１３】
保護膜は、カソード上でカソードの一端の少なくとも一部を露出する。前記コンタクト電極は、カソードの露出された一部と直接接触する。
【００１４】
カソードとコンタクト電極は、保護膜を間に置いて、物理的に分離される。
【００１５】
第２基板は、カラーフィルタを含み、カラーフィルタは、電源配線によって区画される。
【００１６】
第１基板と第２基板は、前記有機発光ダイオードからの光が放出される発光領域と前記発光領域の外側の非発光領域を含み、電源配線は非発光領域に配置される。
【００１７】
有機発光表示装置は、第１基板と第２基板との間に介在するフィラー層を含む。
【００１８】
カソード、保護膜、及びコンタクト電極は、前記隔壁の形成領域のうちバンク層と重畳する部分で連続性を有する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、低抵抗の導電物質で形成されたＥｖｓｓ配線をカソードに接続することにより、位置に応じた電圧変動を低減できるので、輝度ムラ不良を最小化することができる。
【００２０】
また、本発明は、従来のように薄膜トランジスタ基板にＥｖｓｓ配線を形成するための領域、及びＥｖｓｓ配線とカソードを接続するための領域を別途に割り当てる必要がないため、十分な開口率を確保することができる。
【００２１】
また、本発明は、有機化合物層、カソード、及びコンタクト電極を一領域から分離させるための隔壁と、コンタクト電極とＥｖｓｓ配線との直接接触を誘導するためのバンク層を重畳配置することにより、これらが占めるスペースを最小化することができるから、対応する開口率を確保できる。したがって、本発明は、高いＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）を有する高解像度の表示装置に容易に適用することができ、設計自由度を顕著に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】有機発光表示装置を概略的に示すブロック図である。
【図２】図１に示されたピクセルの構成を概略的に示した構成図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図５】カソード、保護膜、コンタクト電極との間の位置関係との接続関係を説明する図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図８】本発明のバンク層の第２部分の配置例を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る好ましい実施形態を説明する。明細書の全体に亘って同一な参照番号は実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明において、本発明と関連した公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要するように曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。いろいろ実施形態を説明することにおいて、同一の構成要素については、冒頭で代表的に説明し、他の実施形態においては、省略することができる。
【００２４】
第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、前記構成要素は、前記用語によって限定されない。前記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別するためにのみ使用される。
【００２５】
図１は、有機発光表示装置を概略的に示すブロック図である。図２は図１に示されたピクセルを概略的に示した構成図である。
【００２６】
図１を参照すると、本発明に係る有機発光表示装置１０は、ディスプレイ駆動回路、表示パネル（ＤＩＳ）を含む。
【００２７】
ディスプレイ駆動回路は、データ駆動回路１２、ゲート駆動回路１４及びタイミングコントローラ１６を含み入力映像のビデオデータ電圧を表示パネル（ＤＩＳ）のピクセルに印加する。ディスプレイ駆動回路は、表示パネル（ＤＩＳ）の画素に入力映像の映像データ電圧を印加する。データ駆動回路１２は、タイミングコントローラ１６から入力されるデジタルビデオデータ（ＲＧＢ）をアナログガンマ補償電圧に変換して、データ電圧を発生する。データ駆動回路１２から出力されたデータ電圧は、データ配線（Ｄ１〜Ｄｍ）に供給される。ゲート駆動回路１４は、データ電圧に同期したゲート信号をゲート配線（Ｇ１〜Ｇｎ）に順次供給して、データ電圧が印加される表示パネル（ＤＩＳ）のピクセルを選択する。
【００２８】
タイミングコントローラ１６は、ホストシステム１９からの垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、データイネーブル信号（Ｄａｔａ Ｅｎａｂｌｅ、ＤＥ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）などのタイミング信号を受信する。データ駆動回路１２とゲート駆動回路１４の動作タイミングを同期させる。データ駆動回路１２を制御するためのデータタイミング制御信号は、ソースサンプリングクロック（Ｓｏｕｒｃｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ  Ｃｌｏｃｋ、ＳＳＣ）、ソース出力イネーブル信号（Ｓｏｕｒｃｅ  Ｏｕｔｐｕｔ  Ｅｎａｂｌｅ、ＳＯＥ）などを含む。ゲート駆動回路１４を制御するためのゲートタイミング制御信号は、ゲートスタートパルス（Ｇａｔｅ  Ｓｔａｒｔ  Ｐｕｌｓｅ、ＧＳＰ）、ゲートシフトクロック（Ｇａｔｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｃｌｏｃｋ、ＧＳＣ）、ゲート出力イネーブル信号（Ｇａｔｅ  Ｏｕｔｐｕｔ  Ｅｎａｂｌｅ、ＧＯＥ）などを含む。
【００２９】
ホストシステム１９は、テレビシステム、セットトップボックス、ナビゲーションシステム、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ホームシアターシステム、電話システム（Ｐｈｏｎｅ  ｓｙｓｔｅｍ）、及びディスプレイを含むか、またはディスプレイと関連して動作する他のシステムの内、いずれか１つで実現されることができる。ホストシステム１９は、スケーラー（ｓｃａｌｅｒ）を内蔵したＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  ｃｈｉｐ）を含み、入力映像のデジタルビデオデータ（ＲＧＢ）を表示パネル（ＤＩＳ）に表示するのに適合した形式に変換する。ホストシステム１９は、デジタルビデオデータと一緒にタイミング信号（Ｖｓｙｎｃ、Ｈｓｙｎｃ、ＤＥ、ＭＣＬＫ）をタイミングコントローラ１６に伝送する。
【００３０】
表示パネル（ＤＩＳ）は、ピクセルアレイを含む。ピクセルアレイは、データ配線（Ｄ１〜Ｄｍ、ｍは正の整数）とゲート配線（Ｇ１〜Ｇｎ、ｎは正の整数）により定義されたピクセルを含む。ピクセルの各々は、自発光素子である有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を含む。
【００３１】
図２をさらに参照すると、表示パネル（ＤＩＳ）には複数のデータ配線（Ｄ）と、複数のゲート配線（Ｇ）が交差され、この交差領域ごとにピクセルがマトリックス形態で配置される。ピクセルそれぞれは、有機発光ダイオード、有機発光ダイオードに流れる電流量を制御する駆動薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）（ＤＴ）、駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧を設定するためのプログラミング部（ＳＣ）を含む。
【００３２】
プログラミング部（ＳＣ）は、少なくとも一つ以上のスイッチ薄膜トランジスタと、少なくとも一つ以上のストレージキャパシタを含むことができる。スイッチ薄膜トランジスタは、ゲート配線（Ｇ）からのゲート信号に応答してターンオンされることにより、データ配線（Ｄ）からのデータ電圧をストレージキャパシタの一側電極に印加する。駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）は、ストレージキャパシタに充電された電圧の大きさに応じて、有機発光ダイオードに供給される電流量を制御して、有機発光ダイオードの発光量を調節する。有機発光ダイオードの発光量は、駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）から供給される電流量に比例する。このようなピクセルは、高電位電圧源（Ｅｖｄｄ）と低電位電圧源（Ｅｖｓｓ）に接続されて、電圧発生部（図示せず）からそれぞれ高電位電源電圧と低電位電源電圧の供給を受ける。ピクセルを構成する薄膜トランジスタは、ｐ型またはｎ型薄膜トランジスタとなり得る。また、ピクセルを構成する薄膜トランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンや、多結晶シリコンまたは、酸化物を含むことができる。以下においては、半導体層が酸化物を含む場合を例に挙げて説明する。有機発光ダイオードは、アノード（ＡＮＯ）、カソード（ＣＡＴ）、及びアノード（ＡＮＯ）とカソード（ＣＡＴ）の間に介在する有機化合物層を含む。アノード（ＡＮＯ）は駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）と接続される。
【００３３】
＜第１実施形態＞
図３は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。図４は、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図５は、カソード、保護膜、コンタクト電極の間の位置関係及び接続関係を説明するための図である。
【００３４】
図３及び図４を参照すると、本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置は、互に対向する第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）を有する表示パネルを含む。第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）との間には、フィラー層（ＦＬ）が介在し得る。
【００３５】
第１基板（ＳＵＢ１）は、薄膜トランジスタ（Ｔ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥ）が配置された薄膜トランジスタ・アレイ基板である。第２基板（ＳＵＢ２）は、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が配置された基板である。第２基板（ＳＵＢ２）は封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）基板として、機能することができる。第１基板（ＳＵＢ１）及び第２基板（ＳＵＢ２）はシーラント（ｓｅａｌａｎｔ、図示せず）を介して合着され得る。シーラントは、第１基板（ＳＵＢ１）及び第２基板（ＳＵＢ２）の端に配置され、所定の合着間隔を維持する。フィラー層（ＦＬ）はシーラントの内側に配置されても良い。
【００３６】
第１基板（ＳＵＢ１）は、ガラス（ｇｌａｓｓ）またはプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）材質からなることができる。例えば、第１基板（ＳＵＢ１）はＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）などのプラスチック材質で形成され、柔軟な（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）特性を有することができる。
【００３７】
第１基板（ＳＵＢ１）上には、薄膜トランジスタ（Ｔ）及び薄膜トランジスタ（Ｔ）と接続された有機発光ダイオード（ＯＬＥ）が形成される。第１基板（ＳＵＢ１）と薄膜トランジスタ（Ｔ）間には、光遮断層（図示せず）及びバッファ層（図示せず）が形成され得る。光遮断層は薄膜トランジスタ（Ｔ）の半導体層、特にチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）に重畳するように配置され、外部光から酸化物半導体素子を保護する役割をする。バッファ層は、第１基板（ＳＵＢ１）から拡散されるイオンや不純物を遮断し、外部の水分の浸透を遮断する役割をする。
【００３８】
薄膜トランジスタ（Ｔ）は、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）、トップゲート（ｔｏｐ  ｇａｔｅ）、ダブルゲート（ｄｏｕｂｌｅ  ｇａｔｅ）構造など、様々な方式の構造で実現されることができる。つまり、薄膜トランジスタ（Ｔ）は、半導体層、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を含むことができ、半導体層、ゲート電極、ソース／ドレイン電極は、少なくとも一つの絶縁層を挟んで互いに異なる層に配置されることができる。
【００３９】
薄膜トランジスタ（Ｔ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥ）の間には、少なくとも一つ以上絶縁膜（ＩＮ）が介在できる。前記絶縁膜（ＩＮ）はフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ  ａｃｒｙｌ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｒｅｓｉｎ）、アクリル酸系樹脂（ａｃｒｙｌａｔｅ）のような有機物質からなる平坦化膜を含むことができる。平坦化膜は薄膜トランジスタ（Ｔ）と、複数の信号配線が形成された第１基板（ＳＵＢ１）の表面を平坦化させることができる。図示しないが、絶縁膜（ＩＮ）は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの多層からなる保護膜をさらに含むことができ、保護膜は、平坦化膜と薄膜トランジスタ（Ｔ）との間に介在することができる。薄膜トランジスタ（Ｔ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥ）は、一つ以上の絶縁膜（ＩＮ）を貫通するピクセルコンタクトホール（ＰＨ）を介して電気的に接続することができる。
【００４０】
絶縁膜（ＩＮ）上に有機発光ダイオード（ＯＬＥ）と補助電極（ＡＥ）が位置する。有機発光ダイオード（ＯＬＥ）は、互いに対向するアノード（ＡＮＯ）、カソード（ＣＡＴ）、及びアノード（ＡＮＯ）とカソード（ＣＡＴ）の間に介在する有機化合物層（ＯＬ）を含む。
【００４１】
アノード（ＡＮＯ）は、単層または多層からなることができる。アノード（ＡＮＯ）は反射層を含み反射電極として機能することができる。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）またはこれらの合金からなることができる。例えば、反射層はＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなることができる。一例として、アノード（ＡＮＯ）はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯからなる三重層で形成されることができる。アノード（ＡＮＯ）は、各ピクセルに対応するように分割されて、各ピクセルごとに１つずつ割り当てることができる。アノード（ＡＮＯ）は絶縁膜（ＩＮ）を貫通するピクセルコンタクトホール（ＰＨ）を介して薄膜トランジスタ（Ｔ）に接続される。
【００４２】
補助電極（ＡＥ）は、アノード（ＡＮＯ）と同じ層に同一物質で形成されることができる。この場合、補助電極（ＡＥ）を形成するための別途の工程を実行する必要がないので、工程数を減らすことができ、製造時間と製造コストを削減することができ、製品の歩留まりを顕著に向上させることができる。
【００４３】
補助電極（ＡＥ）が形成された第１基板（ＳＵＢ１）上に隔壁（ＢＲ）が形成される。隔壁（ＢＲ）は、補助電極（ＡＥ）上に位置する。隔壁（ＢＲ）は、以後に形成される有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、保護膜（ＰＡＳ２）、コンタクト(ｃｏｎｔａｃｔ)電極 （ＴＥ）のそれぞれを物理的に分離する機能を有する。つまり、有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、保護膜（ＰＡＳ２）、コンタクト電極（ＴＥ）のそれぞれは、補助電極（ＡＥ）上に配置され、隔壁（ＢＲ）によって物理的に分離される。したがって、有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、保護膜（ＰＡＳ２）、コンタクト電極（ＴＥ）のそれぞれは、少なくとも一領域でその連続性が切れることがある。このため、隔壁（ＢＲ）のエッジは、軒（ｅａｖｅｓ）の形を有することができる。図４では、隔壁（ＢＲ）が、単層で構成された場合を例に示したが、これに限定されるものではない。隔壁（ＢＲ）は、前述した層を少なくとも一領域から分離させることができる形状であれば、二重層を含む複数の層など、多様に構成することができる。
【００４４】
図４では、隔壁（ＢＲ）が補助電極（ＡＥ）上で複数に分割された場合を例に示したが、別の例として、隔壁（ＢＲ）が補助電極（ＡＥ）上で一体的に形成されてもよい。これらに限定されるものではない。つまり、補助電極（ＡＥ）上に一つの隔壁（ＢＲ）を設けてもよい。また、図４では、隔壁（ＢＲ）の平面形状が略円形である場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、正方形、長方形、楕円形など、多様な平面形状を有することができる。
【００４５】
隔壁（ＢＲ）が形成された第１基板（ＳＵＢ１）上にバンク層（ＢＮ）が位置する。ピクセルはバンク層（ＢＮ）によって区画されることができる。バンク層（ＢＮ）は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ベンゾシクロブテン系樹脂（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ  ｓｅｒｉｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、アクリル酸（ａｃｒｙｌａｔｅ）などの有機物からなることができる。
【００４６】
バンク層（ＢＮ）は、開口部を含む。開口部は、アノード（ＡＮＯ）の少なくとも一部を露出する第１開口部と、補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部及び隔壁（ＢＲ）の少なくとも一部を同時に露出する第２開口部を含む。バンク層（ＢＮ）の第１開口部によって露出されたアノード（ＡＮＯ）の部分は、発光領域（ＥＡ）として定義することができる。露出されたアノード（ＡＮＯ）の部分は、十分な開口率を確保することができるように、できるだけ大きな面積を有するように設計することができる。例えば、バンク層（ＢＮ）は、アノード（ＡＮＯ）の中心部を露出し、アノード（ＡＮＯ）の端部を覆うように構成され得る。また、バンク層（ＢＮ）は、補助電極（ＡＥ）の中心部を露出し、補助電極（ＡＥ）の端部及び隔壁（ＢＲ）の一部を覆うように配置され得る。
【００４７】
バンク層（ＢＮ）が形成された第１基板（ＳＵＢ１）上に有機化合物層（ＯＬ）が位置する。有機化合物層（ＯＬ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の前面に広範囲で形成され得る。有機化合物層（ＯＬ）は、電子と正孔が結合して発光する層である。有機化合物層（ＯＬ）は、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）を含み、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）の内、一つまたは複数をさらに含むことができる。発光層（ＥＭＬ）は、白色光を発生する発光物質を含んでもよい。
【００４８】
白色光を発する有機化合物層（ＯＬ）は、例えば、ｎスタック（ｓｔａｃｋ）構造（ｎは１以上の整数）のような多重スタック構造を有することができる。一例として、２スタック構造は、アノード（ＡＮＯ）とカソード（ＣＡＴ）の間に配置された電荷生成層（Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ、ＣＧＬ）、及び電荷生成層の下部及び上部にそれぞれ配置された第１スタック及び第２スタックを含み得る。第１スタック及び第２スタックは、それぞれ発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を含む。また、少なくとも１つの共通の層（ｃｏｍｍｏｎ  ｌａｙｅｒ）をさらに含み得る。第１スタックの発光層と第２スタックの発光層は、それぞれ異なる色の発光物質を含んでもよい。
【００４９】
有機化合物層（ＯＬ）は、隔壁（ＢＲ）により、少なくとも一領域から物理的に分離される。有機化合物層（ＯＬ）は、隔壁（ＢＲ）によって分離されて、隔壁（ＢＲ）の周辺部で補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部を露出させる。隔壁（ＢＲ）が配置された領域の内、バンク層（ＢＮ）と重畳する領域では、バンク層（ＢＮ）は有機化合物層（ＯＬ）を分離せず、その連続性は維持される。
【００５０】
有機化合物層（ＯＬ）上にカソード（ＣＡＴ）が位置する。カソード（ＣＡＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広範囲に形成され得る。カソード（ＣＡＴ）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電物質で形成されることができ、光が透過することができる程度に薄い厚さを有するマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。
【００５１】
カソード（ＣＡＴ）は、隔壁（ＢＲ）により、少なくとも一領域から物理的に分離される。カソード（ＣＡＴ）は、隔壁（ＢＲ）によって分離されて、隔壁（ＢＲ）の周辺部で補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部を露出させる。隔壁（ＢＲ）が配置された領域の内、バンク層（ＢＮ）と重畳する領域では、バンク層（ＢＮ）はカソード（ＣＡＴ）を分離せず、その連続性は維持される。
【００５２】
カソード（ＣＡＴ）は、有機化合物層（ＯＬ）を覆い、その一端が補助電極（ＡＥ）と直接接触するように形成される。つまり、隔壁（ＢＲ）によって分離され露出されるカソード（ＣＡＴ）の一端は、補助電極（ＡＥ）の露出した上部表面と直接接触する。このような構造は、有機化合物層（ＯＬ）とカソード（ＣＡＴ）を構成する物質間のステップカバレッジの差により、実現され得る。例えば、カソード（ＣＡＴ）は、有機化合物層（ＯＬ）の構成物質よりステップカバレッジが高い物質である透明導電性物質で構成され得るから、補助電極（ＡＥ）と直接接触するように形成可能である。さらに、このような構造を実現するために、有機化合物層（ＯＬ）とカソード（ＣＡＴ）とを、異なる方法で形成可能である。例えば、有機化合物層（ＯＬ）を熱蒸着法を用いて形成し、カソード（ＣＡＴ）をスパッタリング法を用いて形成することができる。これにより、有機化合物層（ＯＬ）とカソード（ＣＡＴ）は、それぞれ、少なくとも一領域で隔壁（ＢＲ）により分離されるが、カソード（ＣＡＴ）は、前記有機化合物層（ＯＬ）よりさらに延長されて補助電極（ＡＥ）と直接接するように位置することができる。
【００５３】
カソード（ＣＡＴ）上に保護膜（ＰＡＳ２）が位置する。保護膜（ＰＡＳ２）は、第１基板（ＳＵＢ１）の、前面に広範囲に形成され得る。保護膜（ＰＡＳ２）は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）のような物質からなることができる。
【００５４】
保護膜（ＰＡＳ２）はカソード（ＣＡＴ）上に位置して有機発光ダイオード（ＯＬＥ）に流入することができる異物の流入を遮断することができる。例えば、透明導電性物質を含むカソード（ＣＡＴ）は、結晶性でイオン及び水分の浸透を効果的に遮断することができないので、外部の不純物がカソード（ＣＡＴ）を透過して有機化合物層（ＯＬ）に流入できてしまう。本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）上に保護膜（ＰＡＳ２）をさらに形成することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）に流入することができる異物を遮断することができるので、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）の寿命の低下及び輝度の低下を防止することができる利点を有する。
【００５５】
また、保護膜（ＰＡＳ２）はカソード（ＣＡＴ）上に位置して、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）の合着時にカソード（ＣＡＴ）に加わるストレス（ｓｔｒｅｓｓ）を緩衝（または、緩和）することができる。例えば、透明導電性物質を含むカソード（ＣＡＴ）は、ブリトル（ｂｒｉｔｔｌｅ）の性質を有するため、外力が加わることによって容易にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生してしまう。この実施の形態では、カソード（ＣＡＴ）上に保護膜（ＰＡＳ２）をさらに形成することにより、カソード（ＣＡＴ）にクラックが発生することを防止することができ、さらにクラックを介して酸素と水分が流入することを防止できる。
【００５６】
保護膜（ＰＡＳ２）は隔壁（ＢＲ）により、少なくとも一領域から物理的に分離される。保護膜（ＰＡＳ２）は隔壁（ＢＲ）によって分離されて、隔壁（ＢＲ）の周辺部で補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部を露出させる。隔壁（ＢＲ）が配置された領域の内、バンク層（ＢＮ）と重畳する領域では、バンク層（ＢＮ）は保護膜（ＰＡＳ２）を分離せず、その連続性は維持される。
【００５７】
保護膜（ＰＡＳ２）上に、コンタクト電極（ＴＥ）が位置する。コンタクト電極（ＴＥ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の前面に広く形成され得る。コンタクト電極（ＴＥ）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電物質で形成でき、光を透過することができる程度に薄い厚さを有するマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ） 、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金から形成できる。
【００５８】
コンタクト電極（ＴＥ）は補助電極（ＡＥ）上で隔壁（ＢＲ）により、少なくとも一領域から物理的に分離される。コンタクト電極（ＴＥ）は、隔壁（ＢＲ）によって分離されて、隔壁（ＢＲ）の周辺部で補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部を露出させる。隔壁（ＢＲ）が配置された領域の内、バンク層（ＢＮ）と重畳する領域では、バンク層（ＢＮ）がコンタクト電極（ＴＥ）を分離せず、その連続性は維持される。
【００５９】
コンタクト電極（ＴＥ）は、保護膜（ＰＡＳ２）を覆い、隔壁（ＢＲ）によって一端が分離されて露出され、補助電極（ＡＥ）と電気的に接続される。これにより、カソード（ＣＡＴ）、補助電極（ＡＥ）、コンタクト電極（ＴＥ）が電気的に接続される。
【００６０】
一例として、図５の（ａ）を参照すると、保護膜（ＰＡＳ２）はカソード（ＣＡＴ）上にカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一端を露出するように形成することができ、コンタクト電極（ＴＥ）は、少なくとも１つの領域ＣＮＴにおいて、露出されたカソード（ＣＡＴ）の一端と直接接触することができる。これにより、コンタクト電極（ＴＥ）は、カソード（ＣＡＴ）を介して補助電極（ＡＥ）に電気的に接続することができる。
【００６１】
他の例として、図５の（ｂ）を参照すると、コンタクト電極（ＴＥ）は、保護膜（ＰＡＳ２）より隔壁に向かってさらに突出して、補助電極（ＡＥ）と直接接触する。このとき、コンタクト電極（ＴＥ）の一端とカソード（ＣＡＴ）の一端は、直接接触することができる。つまり、保護膜（ＰＡＳ２）はカソード（ＣＡＴ）上に形成されるが、カソード（ＣＡＴ）の少なくとも一端を露出するように形成されることができ、保護膜（ＰＡＳ２）上に形成されるコンタクト電極（ＴＥ）は、少なくとも１つの領域ＣＮＴにおいて、露出されたカソード（ＣＡＴ）の一端と直接接触することができる。これにより、コンタクト電極（ＴＥ）は、補助電極（ＡＥ）及びカソード（ＣＡＴ）のそれぞれに直接接触することができる。
【００６２】
また他の例として、図５の（ｃ）を参照すると、保護膜（ＰＡＳ２）はカソード（ＣＡＴ）を完全に覆うように構成され得る。つまり、保護膜（ＰＡＳ２）は、その一端が補助電極（ＡＥ）に直接接触するよう備えられ、カソード（ＣＡＴ）を完全に覆うように配置され得る。カソード（ＣＡＴ）を完全にカバーするように保護膜（ＰＡＳ２）を形成することにより、有機発光ダイオード（ＯＬ）に流入することができる異物を効果的に遮断できる。この場合、カソード（ＣＡＴ）とコンタクト電極（ＴＥ）は、保護膜（ＰＡＳ２）を間に置いて、物理的に離隔される。
【００６３】
図５のような構造は、工程条件を適切に制御することにより、実現することができる。例えば、カソード（ＣＡＴ）とコンタクト電極（ＴＥ）は、同じ物質で同じ面積の開口部を有するマスクを用いて形成されてもよく、この時、電力、圧力などの工程パラメータを選択的に調節することにより、図５のような構造を選択的に実現することができる。
【００６４】
第１基板（ＳＵＢ１）と合着される第２基板（ＳＵＢ２）上には、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカラーフィルター（ＣＦ）が形成される。第２基板（ＳＵＢ２）上で、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカラーフィルター（ＣＦ）の積層順序は変更され得る。例えば、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が形成された後、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されてもよく、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成された後、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が形成されてもよい。しかしながら、後述する通り、いずれの場合でも、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は露出されてコンタクト電極（ＴＥ）と直接接触する。必要に応じて、カラーフィルタ（ＣＦ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上に形成され得る。
【００６５】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低抵抗導電性物質を含む。例えば、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれかまたはこれらの合金からなることができる。
【００６６】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低反射導電物質を含むことができる。例えば、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）を低反射導電物質で形成することにより、外光の反射によって視認性が低下する問題を防止することができる。したがって、本発明の好ましい実施形態に係る表示装置は、偏光フィルムのように、外部から入射する光を遮断（または、吸収）するための手段を別途備える必要がない。
【００６７】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）はブラックマトリクスとして機能することができる。したがって、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は隣接するピクセル間で混色不良が発生することを防止することができる。 Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は、少なくとも発光領域（ＥＡ）を露出することができるように、非発光領域に対応して配置される。また、本発明は、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）をブラックマトリックスとして利用できるので、ブラックマトリクスを形成するための別途工程を追加する必要がない。したがって、本発明は、従来の構造に比べ工程数を減らすことができ、製造時間とコストを削減することができ、製品の歩留まりを顕著に向上させることができる。
【００６８】
カラーフィルタ（ＣＦ）は、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）のカラーフィルタ（ＣＦ）を含むことができる。ピクセルは赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）を発光するサブピクセルを含むことができ、カラーフィルタ（ＣＦ）は、対応するサブピクセルのそれぞれに割り当てられ得る。赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）のカラーフィルタ（ＣＦ）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）によって区画され得る。
【００６９】
本発明に係る有機発光表示装置は、有機化合物層（ＯＬ）から放出された白色（Ｗ）光が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）画素（ＰＸＬ）に対応する領域にそれぞれ備えた赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ（ＣＦ）を通過することにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）を実現することができる。必要に応じて、ピクセルは白色（Ｗ）のサブピクセルをさらに含むことができる。
【００７０】
完成した第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）は、合着される。第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）間には、フィラー層（ＦＬ）が介在できる。合着時に、第１基板（ＳＵＢ１）上のコンタクト電極（ＴＥ）と第２基板（ＳＵＢ２）上のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が直接接触されるので、カソード（ＣＡＴ）、補助電極（ＡＥ）、コンタクト電極（ＴＥ）、低抵抗のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が電気的に接続される。これにより、カソード（ＣＡＴ）、補助電極（ＡＥ）、コンタクト電極（ＴＥ）、低抵抗のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低電位電源電圧が印加される電源経路を形成することができる。
【００７１】
本発明の第１実施形態は、低抵抗の導電物質で形成されたＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）をカソード（ＣＡＴ）に接続することにより、位置に応じた電圧変動（または電圧偏差）を減らすことができるので、輝度ムラ不良を最小化することができる。また、本発明の第１実施形態は、従来のように薄膜トランジスタ基板にＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）を形成するための領域、及びＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカソード（ＣＡＴ）を接続するための領域を別途に割り当てる必要がないため、対応する領域と同等の開口率を十分確保することができる。また、本発明の第１実施形態は、有機化合物層（ＯＬＥ）、カソード（ＣＡＴ）、及びコンタクト電極（ＴＥ）を一領域から分離させるための隔壁（ＢＲ）と、コンタクト電極（ＴＥ）とＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）の直接接触のためのバンク層（ＢＮ）を重畳配置することにより、これらが占めるスペースを最小化することができるので、対応する空間と同等の開口率を確保することができる。したがって、本発明の第１実施形態は、高ＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌ  Ｐｅｒ  Ｉｎｃｈ）を有する高解像度の表示装置に容易に適用することができ、設計自由度を大幅に向上することができる。
【００７２】
＜第２実施形態＞
図６は、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。図７は本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図８は、本発明のバンク層の第２部分の配置例を説明するための平面図である。第２実施形態を説明することにおいて、第１実施形態と実質的に同一の構成については、省略することにする。
【００７３】
本発明の第２実施形態は、第１実施形態とは異なり、バンク層（ＢＮ）が位置に応じて異なる高さを有するように設定することができる。すなわち、本発明の第２実施形態において、バンク層（ＢＮ）は、発光領域（ＥＡ）を定義する第１部分（ＰＮ１）と、隔壁（ＢＲ）の一部と重畳して、第２基板（ＳＵＢ２）上のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と、第１基板（ＳＵＢ１）上のコンタクト電極（ＴＥ）の直接接触を誘導する第２部分（ＰＮ２）に区分されることができ、第１部分（ＰＮ１）と第２部分（ＰＮ２）の高さ（Ｈ１、Ｈ２）は互いに異なるように設定できる。言い換えると、バンク層（ＢＮ）の第１部分は、アノード（ＡＮＯ）を露出する第１開口部を画定する部分と呼ぶことができ、バンク層（ＢＮ）の第２部分は、補助電極（ＡＥ）の少なくとも一部と隔壁（ＢＲ）の少なくとも一部を露出する第２開口部を画定する部分と呼ぶことができる。
【００７４】
さらに具体的に、バンク層（ＢＮ）は、所定のテーパを有するように形成されるので、バンク層（ＢＮ）の高さが高くなるほど、その下端部が占める面積が増加することになる。したがって、バンク層（ＢＮ）のテーパ制御が困難な場合、バンク層（ＢＮ）の高さの増加分と同等なだけ開口率が減少させられる。開口率の減少を解決するために、本発明の第２実施形態は、隔壁（ＢＲ）と重畳されＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とコンタクト電極（ＴＥ）の直接接触を誘導するために設けられたバンク層（ＢＮ）の第２部分（ＰＮ２）だけを所定の高さ（Ｈ２）に維持し、残りのバンク層（ＢＮ）の第１部分（ＰＮ１）は本来の機能を実行することができる最小の高さ（Ｈ１）を有するように設定することができる。本発明の第２実施形態は、バンク層（ＢＮ）の第１部分（ＰＮ１）の高さ（Ｈ１）をバンク層（ＢＮ）の第２部分（ＰＮ２）の高さ（Ｈ２）より低く設定することで、開口率を十分に確保することができる。
【００７５】
互いに別の高さ（Ｈ１、Ｈ２）を有するバンク層（ＢＮ）の第１部分（ＰＮ１）と第２部分（ＰＮ２）を形成するためには、ハーフ・トーンマスク（ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ  ｍａｓｋ）工程を利用することができる。つまり、バンク層（ＢＮ）の第１部分（ＰＮ１）と第２部分（ＰＮ２）は、ハーフ・トーンマスクを用いた単一のマスク工程を通じて同時に形成することができる。
【００７６】
図８をさらに参照すると、図６に示されたものとは違って、バンク層（ＢＮ）の第２部分（ＰＮ２）は平面上で眺めるとき、ドットの形で設けられ得る。図８では、第２部分（ＰＮ２）の平面形状が略正方形である場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、長方形、円形、楕円形など、多様な平面形状を有することができる。
【００７７】
バンク層（ＢＮ）の第２部分（ＰＮ２）は、有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、保護膜（ＰＡＳ２）、及びコンタクト電極（ＴＥ）のそれぞれが隔壁（ＢＲ）によって完全に分離されず、少なくとも一領域で連続性を維持するように構成されるので、隔壁（ＢＲ）と一部重畳するように配置されるには、十分である。このとき、バンク層（ＢＮ）と、重畳しないで露出した隔壁（ＢＲ）の一部は、有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、保護膜（ＰＡＳ２）、及びコンタクト電極（ＴＥ）のそれぞれを物理的に分離する機能を有する。隔壁（ＢＲ）が分離して露出したカソード（ＣＡＴ）（及び、コンタクト電極（ＴＥ））の一端は、補助電極（ＡＥ）に接続される。
【００７８】
以上説明した内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様に変更及び修正することができる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められなければならない。
【符号の説明】
【００７９】
ＳＵＢ１：第１基板            ＳＵＢ２：第２基板
Ｔ：薄膜トランジスタ          ＯＬＥ：有機発光ダイオード
ＣＡＴ：カソード              ＰＡＳ２：シールズ
ＴＥ：コンタクト電極          ＥＶＬ：Ｅｖｓｓ配線
ＡＥ：補助電極                ＢＲ：隔壁
ＢＮ：バンク層                ＰＮ１：バンク層の第１部分
ＰＮ２：バンク層の第２部分    ＦＬ：フィラー層
ＣＦ：カラーフィルタ          ＥＡ：発光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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