(57)【要約】【課題】複数のヒータと複数のコイルとの間の配線長を短くすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】一実施形態のプラズマ処理装置では、高周波電源が、支持台の下部電極に給電体を介して接続されている。給電体は、チャンバの外側において導体パイプによって囲まれている。支持台の静電チャックは、複数のヒータを内蔵する。複数のヒータとヒータコントローラの間にはフィルタ装置が設けられている。フィルタ装置は、各々が二つ以上のコイルを含む複数のコイル群を有する。各コイル群において、二つ以上のコイルは、それぞれの巻線部が中心軸線の周りで螺旋状に延在し、且つ、それぞれのターンが順に且つ繰り返し配列されるように、設けられている。複数のコイル群は、チャンバの直下で導体パイプを囲むように同軸に設けられている。【選択図】図２
2019176138.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバの内部空間の中で基板を支持するように構成された支持台であり、
下部電極と、
前記下部電極上に設けられており、その内部に設けられた複数のヒータを有する静電チャックと、
を有する該支持台と、
前記下部電極に電気的に接続され、前記下部電極の下側で下方に延在する給電体と、
前記チャンバの外側で前記給電体を囲むように延在し、接地された導体パイプと、
前記給電体に電気的に接続された高周波電源と、
前記複数のヒータからヒータコントローラに高周波が流入することを防止するように構成されたフィルタ装置と、
前記複数のヒータと前記フィルタ装置の複数のコイルとをそれぞれ電気的に接続する複数の配線と、
を備え、
前記フィルタ装置は、
前記複数のヒータに電気的に接続された前記複数のコイルと、
前記複数のコイルとグランドとの間にそれぞれ接続された複数のコンデンサと、
電気的に接地されており、前記複数のコイルをその中に収容したハウジングと、
を有し、
前記複数のコイルは、各々が二つ以上のコイルを含む複数のコイル群を構成し、
前記複数のコイル群の各々において、前記二つ以上のコイルは、それぞれの巻線部が中心軸線の周りで螺旋状に延在し、且つ、それぞれのターンが該中心軸線が延びる軸線方向に沿って順に且つ繰り返し配列されるように、設けられており、
前記複数のコイル群は、前記チャンバの直下で前記導体パイプを囲むように前記中心軸線に対して同軸に設けられている、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数の配線は、互いに実質的に同一の長さを有している、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記静電チャックの周縁部には、前記複数のヒータに電気的に接続された複数の端子が設けられており、
該プラズマ処理装置は、
前記複数のコイルそれぞれの複数の引出線が接続された回路基板と、
前記回路基板から上方に延びる複数の第１の電気コネクタと、
前記複数の第１の電気コネクタにそれぞれ結合された複数の第２の電気コネクタと、
前記複数の第２の電気コネクタから前記静電チャックの前記周縁部の下側まで延びる複数の可撓性回路基板と、
を更に備え、
前記複数の配線の各々は、前記回路基板、前記複数の第１の電気コネクタのうち対応の第１の電気コネクタ、前記複数の第２の電気コネクタのうち対応の第２の電気コネクタ、及び前記複数の可撓性回路基板のうち対応の可撓性回路基板の中で延びている、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記複数のコイルの下方に設けられた複数の別の回路基板を更に備え、
前記複数のコンデンサの各々は、前記複数の別の回路基板のうち対応の回路基板上に搭載されている、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記複数のコイルの各々は、その巻線部の一端に連続し、前記複数の配線のうち対応の配線に接続された引出線を有し、
前記複数のコイル群の各々において、前記二つのコイルの各々の前記引出線から１８ｍｍ以下の距離に該二つ以上のコイルのうち他のコイルの引出線が設けられている、
請求項１〜４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては、プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ、支持台、及び高周波電源を備えている。支持台は、チャンバの内部空間の中に設けられており、その上に載置される基板を支持するように構成されている。支持台は、下部電極及び静電チャックを含んでいる。下部電極には、高周波電源が接続されている。
【０００３】
プラズマ処理装置において実行されるプラズマ処理では、基板の面内における温度の分布を調整することが必要である。基板の面内における温度の分布を調整するために、複数のヒータが、静電チャックの中に設けられる。複数のヒータの各々は、複数の給電ラインを介してヒータコントローラに接続される。
【０００４】
支持台の下部電極には高周波電源から高周波が供給される。下部電極に供給された高周波は、複数の給電ラインに流入し得る。複数の給電ライン上で高周波を遮断するか又は減衰させるために、複数のフィルタがそれぞれ、複数の給電ライン上に設けられる。特許文献１に記載されているように、複数のフィルタの各々は、コイル及びコンデンサを含む。複数のフィルタはチャンバの外側に配置される。したがって、複数の給電ラインは、静電チャックの側からチャンバの外側まで延びる複数の配線をそれぞれ含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−９９５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
静電チャック内に設けられたヒータの個数が多くなると、複数のフィルタのコイル、即ち複数のコイルを配置するスペースをチャンバの周りに確保することが難しくなる。したがって、静電チャック内に設けられたヒータの個数が多くなると、静電チャックと複数のコイルの各々との間の距離が長くなり、複数の給電ラインをそれぞれ構成する複数の配線の長さが長くなる。複数の配線の長さが長くなると、それらの各々の寄生成分に起因して、複数のフィルタのインピーダンスの周波数特性が劣化する。したがって、静電チャック内に設けられた複数のヒータと複数のフィルタのコイルとを電気的に接続する複数の配線の長さを短くすることを可能とすることが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様においてはプラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、支持台、給電体、導体パイプ、高周波電源、フィルタ装置、及び複数の配線を備える。支持台は、チャンバの内部空間の中で基板を支持するように構成されている。支持台は、下部電極及び静電チャックを有する。静電チャックは、下部電極上に設けられている。静電チャックは、複数のヒータを有する。複数のヒータは、静電チャックの内部に設けられている。給電体は、下部電極に電気的に接続されている。給電体は、下部電極の下側で下方に延在している。導体パイプは、チャンバの外側で給電体を囲むように延在している。導体パイプは、接地されている。高周波電源は、給電体に電気的に接続されている。フィルタ装置は、複数のヒータからヒータコントローラに高周波が流入することを防止するように構成されている。複数の配線は、複数のヒータとフィルタ装置の複数のコイルとをそれぞれ電気的に接続する。
【０００８】
フィルタ装置は、上記複数のコイル、複数のコンデンサ、及びハウジングを有する。複数のコイルは、複数のヒータに電気的に接続されている。複数のコンデンサは、複数のコイルとグランドとの間にそれぞれ接続されている。ハウジングは、電気的に接地されており、複数のコイルをその中に収容している。複数のコイルは、複数のコイル群を構成する。複数のコイル群の各々は、二つ以上のコイルを含む。複数のコイル群の各々において、二つ以上のコイルは、それぞれの巻線部が中心軸線の周りで螺旋状に延在し、且つ、それぞれのターンが中心軸線が延びる軸線方向に沿って順に且つ繰り返し配列されるように、設けられている。複数のコイル群は、チャンバの直下で導体パイプを囲むように中心軸線に対して同軸に設けられている。
【０００９】
一態様に係るプラズマ処理装置では、各々が二つ以上のコイルを含む複数のコイル群が中心軸線を共有するように同軸に設けられている。したがって、複数のコイル群を構成する複数のコイルが占有するスペースは小さい。故に、複数のコイルを含むフィルタ装置をチャンバの直下に配置することが可能であり、静電チャック内に設けられた複数のヒータと複数のコイルとを電気的に接続する複数の配線の長さを短くすることが可能である。また、複数のコイル群は導体パイプを囲むように設けられているので、複数のコイルの各々の断面積は大きい。したがって、複数のコイルの各々のコイル長が短くても必要なインダクタンスが確保される。
【００１０】
一実施形態において、複数の配線は、互いに実質的に同一の長さを有している。
【００１１】
一実施形態において、静電チャックの周縁部には、複数のヒータに電気的に接続された複数の端子が設けられている。プラズマ処理装置は、回路基板、複数の第１の電気コネクタ、複数の第２の電気コネクタ、及び複数の可撓性回路基板を更に備える。回路基板には、複数のコイルの引出線が接続されている。複数の第１の電気コネクタは、回路基板から上方に延びている。複数の第２の電気コネクタは、複数の第１の電気コネクタにそれぞれ結合されている。複数の可撓性回路基板は、複数の第２の電気コネクタから静電チャックの周縁部の下側まで延びている。複数の配線の各々は、回路基板、複数の第１の電気コネクタのうち対応の第１の電気コネクタ、複数の第２の電気コネクタのうち対応の第２の電気コネクタ、及び複数の可撓性回路基板のうち対応の可撓性回路基板の中で延びている。この実施形態によれば、複数の配線を、それらの長さが実質的に同一となるように、回路基板及び複数の可撓性回路基板の中で延在させることが可能である。
【００１２】
一実施形態において、プラズマ処理装置は、複数の別の回路基板を更に備える。複数の別の回路基板は、複数のコイルの下方に設けられている。複数のコンデンサの各々は、複数の別の回路基板のうち対応の回路基板上に搭載されている。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、静電チャック内に設けられた複数のヒータと複数のフィルタとを電気的に接続する複数の配線の長さを短くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置の支持台の拡大断面図である。
【図３】図１に示すプラズマ処理装置の複数のフィルタの回路構成を、複数のヒータ及びヒータコントローラと共に示す図である。
【図４】一実施形態に係るフィルタ装置の複数のコイルの斜視図である。
【図５】図４に示す複数のコイルを破断して示す斜視図である。
【図６】図４に示す複数のコイルの一部を拡大して示す断面図である。
【図７】図１に示すプラズマ処理装置においてフィルタ装置の複数のコイルを静電チャックの複数の端子に電気的に接続する複数の配線を提供する複数の部材を概略的に示す図である。
【図８】図１に示すプラズマ処理装置の静電チャックの下面の平面図である。
【図９】図１に示すプラズマ処理装置の下部電極の下面の平面図である。
【図１０】図１に示すプラズマ処理装置においてフィルタ装置の複数のコイルを静電チャックの複数の端子に電気的に接続する複数の配線を提供する複数の部材を示す平面図である。
【図１１】別の実施形態に係るフィルタ装置の複数のコイルの斜視図である。
【図１２】図１２は、シミュレーションにおけるコイル群を示す斜視図である。
【図１３】図１３の（ａ）、図１３の（ｂ）、及び図１３の（ｃ）は、シミュレーション結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１６】
図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１においては、一実施形態に係るプラズマ処理装置が、その一部が破断された状態で示されている。図１に示すプラズマ処理装置１は、容量結合型プラズマ処理装置である。
【００１７】
プラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、内部空間１０ｓを提供している。チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の内側に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ本体１２は、接地されている。チャンバ本体１２の内壁面、即ち、内部空間１０ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
【００１８】
チャンバ本体１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、開口１２ｐを通過する。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能である。ゲートバルブ１２ｇは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。なお、基板Ｗは、例えばシリコンといった素材から形成された円盤形状の板である。
【００１９】
プラズマ処理装置１は、支持台１４を更に備えている。支持台１４は、内部空間１０ｓの中に設けられている。支持台１４上には、基板Ｗが載置される。支持台１４は、内部空間１０ｓの中で、基板Ｗを支持するように構成されている。支持台１４は、支持部１５上に搭載されており、支持部１５によって支持されている。支持部１５は、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。
【００２０】
支持台１４及び支持部１５の周囲には、部材１６、部材１７、及びバッフル板１８が設けられている。部材１６は、円筒形状を有しており、導体から形成されている。部材１６は、支持部１５の外周面に沿ってチャンバ本体１２の底部から上方に延在している。部材１７は、略環状板形状を有しており、石英といった絶縁体から形成されている。部材１７は、部材１６の上方に設けられている。部材１７上には、支持台１４上に載置された基板Ｗのエッジを囲むようにフォーカスリングＦＲが配置される。
【００２１】
バッフル板１８は、略環状板形状を有している。バッフル板１８は、例えば、アルミニウム製の母材に酸化イットリウム等のセラミックを被覆することにより構成される。バッフル板１８には、多数の貫通孔が形成されている。バッフル板１８の内縁部は、部材１６と部材１７との間に挟持されている。バッフル板１８は、その内縁部からチャンバ本体１２の側壁まで延在している。バッフル板１８の下方では、排気装置２０が、チャンバ本体１２の底部に接続されている。排気装置２０は、自動圧力制御弁といった圧力制御器及びターボ分子ポンプといった真空ポンプを有している。排気装置２０は、内部空間１０ｓを減圧することができる。
【００２２】
プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２と共にチャンバ本体１２の上部開口を閉じている。部材３２は、絶縁性を有している。上部電極３０は、部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に支持されている。なお、上部電極３０の電位は、後述する第１の高周波電源が支持台１４の下部電極に電気的に接続される場合には、接地電位に設定される。
【００２３】
上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含んでいる。天板３４の下面は、内部空間１０ｓを画成している。天板３４には、複数のガス吐出孔３４ａが設けられている。複数のガス吐出孔３４ａの各々は、天板３４を板厚方向（鉛直方向）に貫通している。この天板３４は、限定されるものではないが、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板３４は、アルミニウム製の母材の表面に耐プラズマ性を有する膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜、又は、酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。
【００２４】
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する部品である。支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成され得る。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、複数のガス孔３６ｂが下方に延びている。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに連通している。ガス導入口３６ｃには、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して、ガスソース群４０が接続されている。
【００２５】
ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数のバルブを含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応のバルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応のバルブを介して、ガス導入口３６ｃに接続されている。プラズマ処理装置１は、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一つ以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間１０ｓに供給することが可能である。
【００２６】
プラズマ処理装置１は、制御部ＭＣを更に備えている。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１の各部を制御する。具体的に、制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置１の各部を制御する。かかる制御部ＭＣによる制御によって、プラズマ処理装置１では、レシピデータによって指定されたプロセスが実行される。
【００２７】
以下、支持台１４、及び、支持台１４に関連するプラズマ処理装置１の構成要素について詳細に説明する。以下、図１と共に、図２を参照する。図２は、図１に示すプラズマ処理装置の支持台の拡大断面図である。図１及び図２に示すように、支持台１４は、下部電極５０及び静電チャック５２を有する。一実施形態において、支持台１４は、導電部材５４を更に有する。
【００２８】
下部電極５０は、略円盤形状を有しており、アルミニウムといった導体から形成されている。下部電極５０の内部には、流路５０ｆが形成されている。流路５０ｆには、チャンバ１０の外部に設けられたチラーユニットから熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路５０ｆに供給された熱交換媒体はチラーユニットに戻される。この下部電極５０は、導電部材５４上に設けられている。
【００２９】
導電部材５４は、導体、例えばアルミニウムから形成されている。導電部材５４は、下部電極５０に電気的に接続されている。導電部材５４は、略環状板形状を有しており、中空状に形成されている。導電部材５４、下部電極５０、及び静電チャック５２は、共通の中心軸線（以下、「軸線ＡＸ」という）を共有している。軸線ＡＸは、チャンバ１０の中心軸線でもある。
【００３０】
図１に示すように、一実施形態において、プラズマ処理装置１は、第１の高周波電源６１及び第２の高周波電源６２を更に備えている。第１の高周波電源６１及び第２の高周波電源６２は、チャンバ１０の外側に設けられている。第１の高周波電源６１及び第２の高周波電源６２は、給電体６５を介して下部電極５０に電気的に接続されている。給電体６５は、円柱形状又は円筒形状を有する。給電体６５は、下部電極５０の下側で下方に延在している。一実施形態では、給電体６５の一端は導電部材５４に結合されており、導電部材５４を介して下部電極５０に電気的に接続されている。
【００３１】
第１の高周波電源６１は、主としてプラズマの生成に寄与する第１の高周波を発生する。第１の高周波の周波数は、例えば４０．６８ＭＨｚ又は１００ＭＨｚである。第１の高周波電源６１は、整合器６３及び給電体６５を介して下部電極５０に電気的に接続されている。整合器６３は、第１の高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷側のインピーダンスを整合させるように構成された回路を有している。なお、第１の高周波電源６１は、整合器６３を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。
【００３２】
第２の高周波電源６２は、主として基板Ｗに対するイオンの引き込みに寄与する第２の高周波を出力する。第２の高周波の周波数は、第１の高周波の周波数よりも低く、例えば１３．５６ＭＨｚである。第２の高周波電源６２は、整合器６４及び給電体６５を介して下部電極５０に電気的に接続されている。整合器６４は、第２の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側のインピーダンスを整合させるように構成された回路を有している。
【００３３】
プラズマ処理装置１は、導体パイプ６６を更に備えている。導体パイプ６６は、アルミニウムといった導体から形成されており、略円筒形状を有している。導体パイプ６６は、チャンバ１０の外側で給電体６５を囲むように延在している。導体パイプ６６は、チャンバ本体１２の底部に結合されている。導体パイプ６６は、チャンバ本体１２に電気的に接続されている。したがって、導体パイプ６６は、接地されている。なお、給電体６５及び導体パイプ６６は、それらの中心軸線として軸線ＡＸを共有している。
【００３４】
図１及び図２に示すように、静電チャック５２は、下部電極５０上に設けられている。静電チャック５２は、その上に載置される基板Ｗを保持するように構成されている。静電チャック５２は、略円盤形状を有しており、セラミックスといった絶縁体から形成された層を有している。静電チャック５２は、絶縁体から形成された層の内層として、電極５２ａを更に有している。電極５２ａには、スイッチＳＷを介して電源ＤＣＳが接続されている（図１参照）。電源ＤＣＳからの電圧（例えば直流電圧）が電極５２ａに印加されると、静電チャック５２と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック５２に引き付けられて、静電チャック５２によって保持される。
【００３５】
図２に示すように、静電チャック５２は、中央部５２ｃ及び周縁部５２ｐを含んでいる。中央部５２ｃは、軸線ＡＸに交差する部分である。中央部５２ｃの上面の上には、基板Ｗが載置される。周縁部５２ｐは、中央部５２ｃの外側で周方向に延在している。一実施形態では、周縁部５２ｐの厚みは、中央部５２ｃの厚みよりも薄くなっており、周縁部５２ｐの上面は、中央部５２ｃの上面よりも低い位置で延在している。周縁部５２ｐ及び部材１７上には、基板Ｗのエッジを囲むように、フォーカスリングＦＲが配置される。
【００３６】
静電チャック５２内には、複数のヒータＨＴが設けられている。複数のヒータＨＴの各々は、抵抗発熱体から構成され得る。一例では、静電チャック５２は軸線ＡＸに対して同心の複数の領域を有している。静電チャック５２の当該複数の領域の各々の中には、一つ以上のヒータＨＴが設けられている。支持台１４上に載置される基板Ｗの温度は、複数のヒータＨＴ、及び／又は、流路５０ｆに供給される熱交換媒体によって調整される。なお、支持台１４には、基板Ｗと静電チャック５２との間にＨｅガスといった伝熱ガスを供給するガスラインが設けられていてもよい。
【００３７】
一実施形態において、周縁部５２ｐの下面には、複数の端子５２ｔが設けられている。複数の端子５２ｔの各々は、複数のヒータＨＴのうち対応のヒータに電気的に接続されている。複数の端子５２ｔの各々と対応のヒータとは、静電チャック５２内の内部配線を介して接続されている。
【００３８】
複数のヒータＨＴを駆動するための電力は、ヒータコントローラＨＣ（図１参照）から供給される。ヒータコントローラＨＣは、ヒータ電源を含んでおり、複数のヒータＨＴに個別に電力（交流出力）を供給するよう構成されている。ヒータコントローラＨＣからの電力を複数のヒータＨＴに供給するために、プラズマ処理装置１は、複数の給電ライン７０を備える。複数の給電ライン７０はそれぞれ、ヒータコントローラＨＣからの電力を複数のヒータＨＴに供給する。プラズマ処理装置１は、フィルタ装置ＦＤを更に備えている。フィルタ装置ＦＤは、複数の給電ライン７０を介してヒータコントローラＨＣに高周波が流入することを防止するよう構成されている。フィルタ装置ＦＤは、複数のフィルタＦＴを有している。
【００３９】
図３は、図１に示すプラズマ処理装置の複数のフィルタの回路構成を、複数のヒータ及びヒータコントローラと共に示す図である。以下、図１及び図２と共に、図３を参照する。複数のヒータＨＴは、上述したように複数の給電ライン７０を介してヒータコントローラＨＣに接続されている。複数の給電ライン７０は、複数の給電ライン対を含んでいる。図３に示すように、各給電ライン対は、給電ライン７０ａ及び給電ライン７０ｂを含んでいる。複数のヒータＨＴの各々とヒータコントローラＨＣは、一つの給電ライン対、即ち、給電ライン７０ａ及び給電ライン７０ｂを介して電気的に接続されている。
【００４０】
フィルタ装置ＦＤは、チャンバ１０の外側に設けられている。フィルタ装置ＦＤは、複数のフィルタＦＴを有している。また、フィルタ装置ＦＤは、複数のコイル８０及び複数のコンデンサ８２を有している。複数のコイル８０のうち一つのコイルと複数のコンデンサ８２のうち対応の一つのコンデンサは、一つのフィルタＦＴを構成している。複数のコイル８０の各々は、複数の給電ライン７０のうち対応の給電ラインの一部を構成している。
【００４１】
複数のコイル８０は、ハウジング８４内に収容されている。図１及び図２に示すように、ハウジング８４は、円筒形状を有する容器であり、導体から形成されている。ハウジング８４は、接地されている。ハウジング８４の上端は、チャンバ本体１２の底部に固定されている。したがって、フィルタ装置ＦＤは、チャンバ１０の直下に設けられている。一実施形態では、ハウジング８４は、本体８４ａ及び底蓋８４ｂを含んでいる。本体８４ａは、円筒形状を有している。底蓋８４ｂは、本体８４ａの下端に取り付けられており、本体８４ａの下端の開口を閉じている。
【００４２】
複数のコンデンサ８２は、ハウジング８４内において複数のコイル８０の下方に収容されている。複数のコンデンサ８２の各々の一端は、対応のコイル８０のヒータＨＴ側の一端とは反対側の他端に接続されている。複数のコンデンサ８２の各々の他端はグランドに接続されている。即ち、複数のコンデンサ８２の各々は、対応のコイル８０とグランドとの間に接続されている。
【００４３】
複数のフィルタＦＴの各々のコイル８０とハウジング８４は、分布定数線路を構成している。即ち、複数のフィルタＦＴの各々は、複数の共振周波数を含むインピーダンスの周波数特性を有している。
【００４４】
以下、複数のコイル８０について詳細に説明する。図４は、一実施形態に係るフィルタ装置の複数のコイルの斜視図である。図５は、図４に示す複数のコイルを破断して示す斜視図である。図６は、図４に示す複数のコイルの一部を拡大して示す断面図である。複数のコイル８０の各々は、空芯コイルであり得る。複数のコイル８０の各々は、導体と当該導体を覆う被膜から構成されている。被膜は、絶縁材料から形成されている。被膜は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）又はポリアミドイミドといった樹脂から形成され得る。一実施形態では、複数のコイル８０の各々の被膜は、０．１ｍｍ以下の厚みを有し得る。
【００４５】
複数のコイル８０の各々は、引出線８０ａ、引出線８０ｂ、及び、巻線部８０ｗを有している。巻線部８０ｗは、中心軸線ＡＸＣの周りで螺旋状に延在しており、複数のターンを有している。中心軸線ＡＸＣは、鉛直方向に延在している。引出線８０ａ及び引出線８０ａは、中心軸線ＡＸＣが延びる軸線方向Ｚに沿って延在している。引出線８０ａは、巻線部８０ｗの一端に連続しており、引出線８０ｂは巻線部８０ｗの他端に連続している。巻線部８０ｗの他端は、対応のコンデンサ８２側の巻線部８０ｗの端部である。
【００４６】
複数のコイル８０の集合体は、コイルアセンブリＣＡを構成している。コイルアセンブリＣＡは、複数のコイル群ＣＧを含んでいる。即ち、複数のコイル８０は、複数のコイル群ＣＧを構成している。複数のコイル群ＣＧの個数は、二つ以上の任意の個数であり得る。図４〜図６に示す例では、複数のコイル群ＣＧは、コイル群ＣＧ１、コイル群ＣＧ２、コイル群ＣＧ３、コイル群ＣＧ４、及びコイル群ＣＧ５を含んでいる。複数のコイル群ＣＧの各々は、二つ以上のコイル８０を含んでいる。複数のコイル群ＣＧの各々に含まれるコイル８０の個数は、二つ以上の任意の個数であり得る。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ１は８個のコイル８０を含んでおり、コイル群ＣＧ２は９個のコイル８０を含んでおり、コイル群ＣＧ３は９個のコイル８０を含んでおり、コイル群ＣＧ４は１０個のコイル８０を含んでおり、コイル群ＣＧ５は１１個のコイル８０を含んでいる。
【００４７】
複数のコイル群ＣＧの各々の二つ以上のコイル８０は、それぞれの巻線部８０ｗが中心軸線ＡＸＣの周りで螺旋状に延在し、且つ、軸線方向Ｚに沿って順に且つ繰り返し配列されるように、設けられている。即ち、複数のコイル群ＣＧの各々の二つ以上のコイル８０の巻線部８０ｗは、軸線方向Ｚに沿って多層状に並べられ、中心軸線ＡＸＣの周りに螺旋状に設けられている。一実施形態において、複数のコイル群ＣＧの各々では、軸線方向Ｚにおいて隣り合うターンの導体間の間隙の軸線方向Ｚにおける距離は、０．２ｍｍ以下であり得る。
【００４８】
複数のコイル群ＣＧの各々の二つ以上のコイル８０の巻線部８０ｗは、中心軸線ＡＸＣを共有しており、同一の内径及び互いに同一の外径を有している。複数のコイル８０の巻線部８０ｗの断面形状は、例えば平角形状である。
【００４９】
複数のコイル群ＣＧは、中心軸線ＡＸＣを共有するように同軸に設けられている。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ１〜ＣＧ５は、同軸に設けられている。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ１はコイル群ＣＧ２の内側に設けられており、コイル群ＣＧ２はコイル群ＣＧ３の内側に設けられており、コイル群ＣＧ３はコイル群ＣＧ４の内側に設けられており、コイル群ＣＧ４はコイル群ＣＧ５の内側に設けられている。
【００５０】
中心軸線ＡＸＣに対して放射方向において隣り合う二つのコイル群のうち一方のコイル群の巻線部８０ｗの外径は、他方のコイル群の巻線部８０ｗの内径よりも小さい。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ１に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの外径は、コイル群ＣＧ２に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの内径よりも小さい。コイル群ＣＧ２に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの外径は、コイル群ＣＧ３に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの内径よりも小さい。コイル群ＣＧ３に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの外径は、コイル群ＣＧ４に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの内径よりも小さい。コイル群ＣＧ４に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの外径は、コイル群ＣＧ５に含まれる二つ以上のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの内径よりも小さい。
【００５１】
複数のコイル群ＣＧのうち任意の一つのコイル群の二つ以上のコイル８０の各々のターン間のピッチは、複数のコイル群ＣＧのうち当該一つのコイル群よりも内側に設けられたコイル群の二つ以上のコイル８０の各々のターン間のピッチよりも、大きい。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ５のコイル８０のターン間のピッチは、コイル群ＣＧ４のコイル８０のターン間のピッチよりも大きい。コイル群ＣＧ４のコイル８０のターン間のピッチは、コイル群ＣＧ３のコイル８０のターン間のピッチよりも大きい。コイル群ＣＧ３のコイル８０のターン間のピッチは、コイル群ＣＧ２のコイル８０のターン間のピッチよりも大きい。コイル群ＣＧ２のコイル８０のターン間のピッチは、コイル群ＣＧ１のコイル８０のターン間のピッチよりも大きい。一実施形態において、複数のコイル８０のターン間のピッチは、当該複数のコイル８０のインダクタンスが互いに略同一となるように設定されている。
【００５２】
単純に複数のコイルが並列化されている場合には、複数のフィルタのインピーダンスは低下するが、フィルタ装置ＦＤでは、複数のコイル８０間の結合により、インピーダンスの低下が抑制される。さらに、外側のコイル群の二つ以上のコイルの各々のターン間のピッチは、それよりも内側に配置されたコイル群の二つ以上のコイルの各々のターン間のピッチよりも大きいので、複数のコイル８０のインダクタンスの差異が低減される。故に、複数のフィルタＦＴのインピーダンスの周波数特性の差異が低減される。
【００５３】
一実施形態において、複数のコイル８０は、略同一のコイル長を有する。コイル長は、複数のコイル８０の各々の巻線部８０ｗの一端と他端との間の軸線方向Ｚにおける長さである。一実施形態において、複数のコイル８０のうち最大のコイル長を有するコイルと最小のコイル長を有するコイルとの間のコイル長の差は、当該最小のコイル長の３％以下である。これらの実施形態によれば、複数のフィルタＦＴのインピーダンスの周波数特性の差異が更に低減される。
【００５４】
一実施形態において、複数のコイル８０の巻線部８０ｗの一端（コンデンサ８２側の端部とは反対側の端部）は、中心軸線ＡＸＣに直交する面に沿って設けられている。一実施形態において、複数のコイル群ＣＧの各々の二つ以上のコイル８０の引出線８０ａは、中心軸線ＡＸＣに対して周方向に、等間隔に設けられている。この実施形態によれば、複数のフィルタＦＴのインピーダンスの周波数特性の差異が更に低減される。
【００５５】
一実施形態において、複数のコイル群ＣＧのうち径方向、即ち、中心軸線ＡＸＣに対して放射方向において隣り合う任意の二つのコイル群の間の間隙の当該径方向における距離は、１．５ｍｍ以下である。この実施形態では、複数のフィルタＦＴのインピーダンスの周波数特性の差異が更に低減される。
【００５６】
一実施形態において、複数のコイル群ＣＧのうち最も外側に設けられたコイル群の二つ以上のコイル８０の内径は、複数のコイル群ＣＧのうち最も内側に設けられたコイル群の二つ以上のコイルの内径の１．８３倍以下である。図４〜図６に示す例では、コイル群ＣＧ５の二つ以上のコイル８０の各々の内径は、コイル群ＣＧ１の二つ以上のコイル８０の各々の内径の１．８３倍以下である。この実施形態によれば、複数のフィルタＦＴのインピーダンスの周波数特性の差異が更に低減される。
【００５７】
かかる複数のコイル８０を有するフィルタ装置ＦＤは、チャンバ１０の外側に設けられている。複数のコイル群ＣＧは、チャンバ１０の直下で導体パイプ６６を囲むように中心軸線ＡＸＣに対して同軸に設けられている。なお、チャンバ１０の直下に複数のコイル群ＣＧが配置された状態では、中心軸線ＡＸＣは軸線ＡＸに一致する。
【００５８】
図３に示すように、プラズマ処理装置１は、複数の配線７２を更に備えている。複数の配線７２はそれぞれ、複数の給電ライン７０を部分的に構成している。複数の配線７２は、チャンバ１０の外側に設けられた複数のコイル８０を静電チャック５２の複数の端子５２ｔに電気的に接続する。以下、図１及び図２に加えて、図７〜図１０を参照して、配線７２について説明する。図７は、図１に示すプラズマ処理装置においてフィルタ装置の複数のコイルを静電チャックの複数の端子に電気的に接続する複数の配線を提供する複数の部材を概略的に示す図である。図８は、図１に示すプラズマ処理装置の静電チャックの下面の平面図である。図９は、図１に示すプラズマ処理装置の下部電極の下面の平面図である。図１０は、図１に示すプラズマ処理装置においてフィルタ装置の複数のコイルを静電チャックの複数の端子に電気的に接続する複数の配線を提供する複数の部材を示す平面図である。
【００５９】
図８に示すように、一実施形態において、複数の端子５２ｔは、静電チャック５２の周縁部５２ｐに設けられている。複数の端子５２ｔは、周縁部５２ｐの下面に沿って設けられている。複数の端子５２ｔは、複数の端子群５２ｇを構成している。複数の端子群５２ｇの各々は、幾つかの端子５２ｔを含んでいる。複数の端子群５２ｇは、周縁部５２ｐの全周にわたって均等な間隔で配列されている。一例では、図８に示すように、複数の端子５２ｔは、１２個の端子群５２ｇを構成している。１２個の端子群５２ｇの各々は、四つの端子５２ｔを含んでいる。
【００６０】
図９に示すように、下部電極５０は、中央部５０ｃ及び周縁部５０ｐを有している。静電チャック５２の中央部５２ｃは、下部電極５０の中央部５０ｃ上に設けられている。静電チャック５２の周縁部５２ｐは、下部電極５０の周縁部５０ｐ上に設けられている。下部電極５０の周縁部５０ｐには、複数の貫通孔が形成されている。周縁部５０ｐの複数の貫通孔の上端は、複数の端子群５２ｇが形成された周縁部５２ｐ内の複数の領域に対面している。周縁部５０ｐの複数の貫通孔の中には、複数の電気コネクタ７３が設けられている。複数の電気コネクタ７３の各々は、対応の端子群５２ｇに含まれる端子５２ｔの個数と同数の端子を含んでいる。複数の電気コネクタ７３によって提供される複数の端子は、複数の端子５２ｔにそれぞれ接続されている。
【００６１】
図２に示すように、複数の電気コネクタ７３の直下、且つ、導電部材５４の内部には、複数の電気コネクタ７４が設けられている。複数の電気コネクタ７４は、対応の電気コネクタ７３に結合されている。複数の電気コネクタ７４の各々は、対応の電気コネクタ７３の端子の個数の同数の端子を含んでいる。複数の電気コネクタ７４によって提供される複数の端子はそれぞれ、複数の電気コネクタ７３によって提供される複数の端子を介して、複数の端子５２ｔに接続されている。
【００６２】
図２及び図７に示すように、複数のコイル８０の引出線８０ａは、回路基板８５に接続されている。回路基板８５は、複数のコイル８０の上方に設けられている。回路基板８５は、ハウジング８４内に設けられている。回路基板８５は、環状板形状を有し、軸線ＡＸ中心に延在している。回路基板８５には、複数の配線が形成されている。回路基板８５の複数の配線の各々は、複数の配線７２のうち対応の配線の一部を構成している。
【００６３】
回路基板８５には、複数の第１の電気コネクタ８６が接続されている。第１の電気コネクタ８６は、回路基板８５から上方に延在している。複数の第１の電気コネクタ８６は、ハウジング８４の内部からチャンバ本体１２の底部の上側まで延びている。複数の第１の電気コネクタ８６は、軸線ＡＸの周りで等間隔に配列されている。一例では、第１の電気コネクタ８６の個数は、六つである。複数の第１の電気コネクタ８６の各々は、幾つかの端子を有している。複数の第１の電気コネクタ８６によって提供される複数の端子には、回路基板８５の複数の配線が接続されている。即ち、複数の第１の電気コネクタ８６によって提供される複数の端子の各々は、複数の配線７２のうち対応の配線の一部を構成している。
【００６４】
複数の第１の電気コネクタ８６の直上には、複数の第２の電気コネクタ８７が設けられている。一例では、第２の電気コネクタ８７の個数は、六つである。複数の第２の電気コネクタ８７の各々は、対応の第１の電気コネクタ８６に結合されている。複数の第２の電気コネクタ８７によって提供される複数の端子は、複数の第１の電気コネクタ８６によって提供される複数の端子に接続されている。即ち、複数の第２の電気コネクタ８７によって提供される複数の端子の各々は、複数の配線７２のうち対応の配線の一部を構成している。
【００６５】
複数の第２の電気コネクタ８７はそれぞれ、複数の回路基板８８によって支持されている。複数の回路基板８８はそれぞれ、複数の第２の電気コネクタ８７の上方に設けられている。
【００６６】
複数の第２の電気コネクタ８７からは、複数の可撓性回路基板８９が、静電チャック５２の周縁部５２ｐの下側まで延在している。複数の可撓性回路基板８９の各々は、例えばフレキシブルプリント基板である。複数の可撓性回路基板８９の各々は、上述した複数の電気コネクタ７４のうち一つ以上の電気コネクタ７４を有している。一例では、複数の可撓性回路基板８９の各々は、二つの電気コネクタ７４を有している。複数の可撓性回路基板８９の各々は、幾つかの配線を提供している。複数の可撓性回路基板８９によって提供される複数の配線は、複数の第２の電気コネクタ８７によって提供される複数の端子と複数の電気コネクタ７４によって提供される複数の端子とを接続している。即ち、複数の可撓性回路基板８９によって提供される複数の配線の各々は、複数の配線７２のうち対応の配線の一部を構成している。
【００６７】
上述したように、複数の配線７２の各々は、回路基板８５、複数の第１の電気コネクタ８６のうち対応の第１の電気コネクタ、複数の第２の電気コネクタ８７のうち対応の第２の電気コネクタ８７、及び複数の可撓性回路基板８９のうち対応の可撓性回路基板の中で延びている。複数の配線７２は、互いに実質的に同一の長さを有している。
【００６８】
図２に戻り、プラズマ処理装置１は、複数の回路基板９０を更に備えている。複数の回路基板９０（別の回路基板）は、ハウジング８４の中、且つ、複数のコイル８０の下方に設けられている。複数の回路基板９０は、軸線方向Ｚに沿って配列されている。複数のコンデンサ８２の各々は、複数の回路基板９０のうち何れかの上に設けられている。複数の回路基板９０は、それらの上面及び下面の上に複数のコンデンサ８２を搭載している。複数の回路基板９０の各々には、対応のコイル８０と対応のコンデンサ８２とを接続する配線パターンが形成されている。複数の回路基板９０を用いることにより、多くのコンデンサ８２をハウジング８４内で支持することが可能である。
【００６９】
以上説明したプラズマ処理装置１では、各々が二つ以上のコイル８０を含む複数のコイル群ＣＧが中心軸線ＡＸＣを共有するように同軸に設けられている。したがって、複数のコイル群ＣＧを構成する複数のコイル８０が占有するスペースは小さい。故に、複数のコイル８０を含むフィルタ装置ＦＤをチャンバ１０の直下に配置することが可能であり、静電チャック５２内に設けられた複数のヒータＨＴと複数のコイル８０とを電気的に接続する複数の配線７２の長さを短くすることが可能である。また、複数のコイル群ＣＧは、導体パイプ６６を囲むように設けられているので、複数のコイル８０の各々の断面積は大きい。したがって、複数のコイル８０の各々のコイル長が短くても必要なインダクタンスが確保される。
【００７０】
一実施形態では、上述したように、複数の配線７２の各々は、回路基板８５、複数の第１の電気コネクタ８６のうち対応の第１の電気コネクタ、複数の第２の電気コネクタ８７のうち対応の第２の電気コネクタ８７、及び複数の可撓性回路基板８９のうち対応の可撓性回路基板の中で延びている。この実施形態では、複数の配線７２を、それらの長さが実質的に同一となるように、回路基板８５及び複数の可撓性回路基板８９の中で延在させることが可能である。即ち、回路基板８５及び複数の可撓性回路基板８９の中での配線パターンのレイアウトにより、複数の配線７２の長さを実質的に同一の長さに設定することが可能である。
【００７１】
以下、別の実施形態に係るフィルタ装置の複数のコイルについて説明する。図１１は、別の実施形態に係るフィルタ装置の複数のコイルの斜視図である。図１１に示す複数のコイル８０は、上述した実施形態のプラズマ処理装置のフィルタ装置の複数のコイルとして用いることができる。図１１に示す実施形態において、複数のコイル８０は、複数のコイル群ＣＧを構成している。図１１に示す実施形態において、コイル群ＣＧの個数は、二つであるが、これに限定されるものではない。複数のコイル群ＣＧの各々は、複数のコイル８０のうち二つ以上のコイル８０を含む。図１１に示す実施形態において、複数のコイル８０の各々は、上述した実施形態の複数のコイル８０の各々と同様に、巻線部８０ｗ、引出線８０ａ、及び引出線８０ｂを有している。引出線８０ａは周方向に配列されている。引出線８０ｂも周方向に配列されている。
【００７２】
図１１に示す実施形態においては、各コイル群ＣＧに含まれる二つ以上のコイル８０の引出線８０ａは、周方向における局所的な一つ以上の領域内に集められている。各コイル群ＣＧにおいて、二つのコイル８０の各々の引出線８０ａから１８ｍｍ以下の距離に、当該二つ以上のコイル８０のうち他のコイルの引出線８０ａが設けられている。各コイル群ＣＧに含まれる二つ以上のコイル８０の引出線８０ａが周方向における局所的な一つ以上の領域内に集められている場合には、各フィルタＦＴのインピーダンスの実数成分が低減される。その結果、各フィルタＦＴにおける高周波のパワーの損失が抑制される。
【００７３】
なお、各コイル群ＣＧに含まれる二つ以上のコイル８０の引出線８０ｂも、周方向における局所的な一つ以上の領域内に集められていてもよい。各コイル群ＣＧにおいて、二つ以上のコイル８０の各々の引出線８０ｂから１８ｍｍ以下の距離に、当該二つ以上のコイル８０のうち他のコイルの引出線８０ｂが設けられていてもよい。
【００７４】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、変形態様に係るプラズマ処理装置は、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置のように、任意のプラズマ源を有するプラズマ処理装置であってもよい。
【００７５】
以下、図１１に示した実施形態に関するシミュレーション結果について説明する。図１２は、シミュレーションにおけるコイル群を示す斜視図である。シミュレーションでは、それらのコイル８０が一つのコイル群ＣＧを構成する二つのフィルタのインピーダンス（合成されたインピーダンス）及びその実数成分の各々の周波数特性を計算した。シミュレーションでは、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々を、９ｍｍ、１８ｍｍ、８１ｍｍに設定した。シミュレーションにおけるその他の条件は、以下の通りである。
＜シミュレーションにおける条件＞
各コイル８０の断面形状：３ｍｍ×０．８ｍｍの平角形
各コイル８０のターン数：７ターン
各コイル８０のコイル長：２００ｍｍ
各コイルの内径（直径）：１３０ｍｍ
コンデンサ８２のキャパシタンス：２２００ｐＦ
【００７６】
図１３の（ａ）、図１３の（ｂ）、及び図１３の（ｃ）に、シミュレーション結果を示す。図１３の（ａ）には、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が９ｍｍの場合の、フィルタのインピーダンス及び実数成分の各々の周波数特性が示されている。図１３の（ｂ）には、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が１８ｍｍの場合の、フィルタのインピーダンス及び実数成分の各々の周波数特性が示されている。図１３の（ｃ）には、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が８１ｍｍの場合の、フィルタのインピーダンス及び実数成分の各々の周波数特性が示されている。
【００７７】
図１３の（ｃ）に示すように、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が８１ｍｍの場合には、実数成分の大きなピーク（図１３の（ｃ）で点線で囲まれたピーク）が発生していた。図１３の（ｂ）に示すように、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が１８ｍｍの場合には、実数成分のピーク（図１３の（ｂ）で点線で囲まれたピーク）は大きく抑制されていた。また、図１３の（ａ）に示すように、二つのコイル８０の引出線８０ａ間の間隔及び引出線８０ｂ間の間隔の各々が９ｍｍの場合には、実数成分のピークは略発生していなかった。したがって、各コイル群ＣＧの二つ以上のコイル８０の各々の引出線８０ａから１８ｍｍ以下の距離に、当該二つ以上のコイル８０のうち他のコイルの引出線８０ａを配置することにより、各フィルタＦＴのインピーダンスの実数成分が低減されることが確認された。
【符号の説明】
【００７８】
１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１０ｓ…内部空間、１４…支持台、５０…下部電極、５２…静電チャック、５２ｔ…端子、ＨＴ…ヒータ、ＨＣ…ヒータコントローラ、６１…第１の高周波電源、６２…第２の高周波電源、６５…給電体、６６…導体パイプ、７２…配線、ＦＤ…フィルタ装置、ＣＧ…コイル群、８０…コイル、８０ｗ…巻線部、８２…コンデンサ、８４…ハウジング、ＡＸ…軸線、ＡＸＣ…中心軸線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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