(57)【要約】      （修正有）【課題】スパッタリングターゲットがバッキングプレートから剥離や脱落しにくい構造のスパッタリングターゲット組立品を提供する。【解決手段】内底面１０１、内底面１０１から起立する内側面１０２、及び内側面１０２の上端形状によって画定される開口面１０３を有する充填部１０４を備えた容器型のバッキングプレート１００と、該充填部１０４内に充填された圧粉体のスパッタリングターゲットとを備え、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して測定したときの圧粉体のスパッタリングターゲットの３点曲げ強さが０．５ＭＰａ以上であるスパッタリングターゲット組立品。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内底面、内底面から起立する内側面、及び内側面の上端形状によって画定される開口面を有する充填部を備えた容器型のバッキングプレートと、該充填部内に充填された圧粉体のスパッタリングターゲットとを備え、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して測定したときの圧粉体のスパッタリングターゲットの３点曲げ強さが０．５ＭＰａ以上である、スパッタリングターゲット組立品。
【請求項２】
開口面の面積は内底面の面積よりも小さい請求項１に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項３】
充填部は内底面から開口面に向かってすぼんだ形状を有する請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項４】
圧粉体の相対密度が９０％以下である請求項１〜３の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項５】
圧粉体の抵抗率が１００ｋΩ・ｃｍ以下である請求項１〜４の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項６】
内側面は一つ又は複数の突起部を有する請求項１〜５の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項７】
内側面の上端は充填部の開口面の面積を小さくするように内側に向かって突出した返し部を有する請求項１〜６の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項８】
前記バッキングプレートが導電性である請求項１〜７の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項９】
圧粉体は導電性粉末と非導電性粉末の混合圧粉体である請求項１〜８の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品。
【請求項１０】
内底面、内底面から起立する内側面、及び内側面の上端形状によって画定される開口面を有する充填部を備えた容器型のバッキングプレートを用意する工程と、
該バッキングプレートの充填部内に原料粉末を充填し、原料粉末を２０ＭＰａ以上の面圧条件で冷間成形して圧粉体とする工程と、
を含む請求項１〜９の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット組立品の製造方法。
【請求項１１】
原料粉末を冷間成形する工程は、前記バッキングプレート上にその開口面の輪郭形状に対応する開口形状をもつ開口部を有する筒状のダイを設置し、パンチを該ダイの開口部に挿通して前記バッキングプレートの充填部内に充填されている原料粉末を押圧することにより実施することを含む請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
パンチによって原料粉末を押圧する際、原料粉末に接触するパンチの押圧面の輪郭と前記バッキングプレートの開口面の輪郭の間には０．１ｍｍ〜５ｍｍのクリアランスが存在する請求項１０又は１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
原料粉末を冷間成形して圧粉体とする工程が、一軸プレス法を用いて圧粉体とする工程と、その後に該圧粉体をＣＩＰ処理する工程とを含む請求項１０〜１２の何れか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスパッタリングターゲット組立品に関する。また、本発明はスパッタリングターゲット組立品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリングターゲットは、粉末焼結法で製造されることが多い。粉末焼結法では、原料粉末を混合後、成形・焼結して高密度の焼結体を作製し、切削加工してスパッタリングターゲットを作製する。得られたスパッタリングターゲットはバッキングプレートにろう材で接合されてスパッタリングターゲット組立品として提供される。
【０００３】
しかしながら、粉末焼結法では、焼結及び切削加工に多くのコストが発生する。また、原料によっては焼結すること自体が困難であったり、原料同士を反応させることが望ましくなかったりすることもある。焼結中に成分が揮発することによって組成が仕込み値とずれたりすることもある。更に、焼結体のスパッタリングターゲットは大型化することが難しいという問題もある。
【０００４】
このような背景の下、特開昭５８−１１９６０５号公報（特許文献１）では、タンタルと二酸化ケイ素を出発物質として、両者が焼結時に反応しないように、金属タンタル−二酸化ケイ素混合粉末層と冷却用治具を一体で冷間加圧成形してターゲットを製造することが提案されている。
【０００５】
特開昭６４−５２０６６号公報（特許文献２）では、多元系物質を含有する粉末原料材をペレットに入れプレスしたものをスパッタリングターゲットとして用いることが記載されている。
【０００６】
特公平３−０１７９０５号公報（特許文献３）では、溶解鋳造後に粉砕することで得られた原料粉末をゴムやウレタンなどの弾性物質の容器に詰めて真空密封した上で、冷間静水圧プレスすることで高密度均質圧粉体を成形し、この圧粉体をスパッタリング用ターゲット材に機械加工することが提案されている。
【０００７】
特開平４−３２３３６６号公報（特許文献４）では、高融点物質と低融点金属を含むターゲットを製造する際に、融点の違いによる組成変化や、低融点物質の融解による低融点物質の流出などの問題を解決するべく、高融点物質の粉末と低融点金属の粉末を混合し、加熱せずに加圧してターゲットを製造する方法が提案されている。加圧方法としては、一軸プレス法及びラバープレス法が開示されている。
【０００８】
特許第３８５６４９９号公報（特許文献５）には、転がり軸受を構成する部品の摩擦面に、分子式ＭｏＳx（式中、ｘは２．０〜２．７である。）で示される硫化モリブデン被膜をスパッタリングによって形成する際に、二硫化モリブデン粉末を圧縮成形した圧粉体からなるターゲットを用いることを特徴とする転がり軸受用部品の固体潤滑被膜の形成方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭５８−１１９６０５号公報
【特許文献２】特開昭６４−５２０６６号公報
【特許文献３】特公平３−０１７９０５号公報
【特許文献４】特開平４−３２３３６６号公報
【特許文献５】特許第３８５６４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、冷間加圧成形によりスパッタリングターゲットを製造する方法は、加熱を伴わないためにコスト面で粉末焼結法よりも有利であり、また、ターゲット組成が予期せず変化しないという利点も得られる。しかしながら、冷間加圧成形により製造されたスパッタリングターゲットは、粉末焼結法により製造されたスパッタリングターゲットに比べて相対密度が小さく、機械的強度も小さくなり易い。このため、冷間加圧成形により製造されたスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合してスパッタリングターゲット組立品を構成しても、バッキングプレートからスパッタリングターゲットが剥離や脱落しやすいという問題があり、実用性に改善の余地があった。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、スパッタリングターゲットがバッキングプレートから剥離や脱落しにくい構造のスパッタリングターゲット組立品を提供することを課題の一つとする。また、本発明はそのようなスパッタリングターゲット組立品の製造方法を提供することを別の課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、容器型のバッキングプレートを用意し、当該バッキングプレート内に原料粉末を充填し、その状態で原料粉末を冷間成形して圧粉体を成形すると、圧粉体が容器型のバッキングプレート内に充填固定された組立品が得られることを見出した。当該圧粉体をスパッタリングターゲットとして使用することで当該組立品はスパッタリングターゲット組立品として機能させることが可能である。そして、当該圧粉体はバッキングプレートによって底面及び側面が保護されているため外部からの変形応力が圧粉体に加わりにくく、また、圧粉体は、その全側面がバッキングプレートの内側面と高い圧力で押し合った状態でバッキングプレート内に充填固定されている。このため、当該圧粉体はバッキングプレートから剥離や脱落しにくくなる。本発明は上記知見に基づいて完成したものである。
【００１３】
従って、本発明は一側面において、内底面、内底面から起立する内側面、及び内側面の上端形状によって画定される開口面を有する充填部を備えた容器型のバッキングプレートと、該充填部内に充填された圧粉体のスパッタリングターゲットとを備え、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して測定したときの圧粉体のスパッタリングターゲットの３点曲げ強さが０．５ＭＰａ以上であるスパッタリングターゲット組立品である。
【００１４】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の一実施形態においては、開口面の面積は内底面の面積よりも小さい。
【００１５】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の別の一実施形態においては、充填部は内底面から開口面に向かってすぼんだ形状を有する。
【００１６】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、圧粉体の相対密度が９０％以下である。
【００１７】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、圧粉体の抵抗率が１００ｋΩ・ｃｍ以下である。
【００１８】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、内側面は一つ又は複数の突起部を有する。
【００１９】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、内側面の上端は充填部の開口面の面積を小さくするように内側に向かって突出した返し部を有する。
【００２０】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、前記バッキングプレートが導電性である。
【００２１】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の更に別の一実施形態においては、圧粉体は導電性粉末と非導電性粉末の混合圧粉体である。
【００２２】
本発明は別の一側面において、
内底面、内底面から起立する内側面、及び内側面の上端形状によって画定される開口面を有する充填部を備えた容器型のバッキングプレートを用意する工程と、
該バッキングプレートの充填部内に原料粉末を充填し、原料粉末を２０ＭＰａ以上の面圧条件で冷間成形して圧粉体とする工程と、
を含むスパッタリングターゲット組立品の製造方法である。
【００２３】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の製造方法は別の一実施形態において、原料粉末を冷間成形する工程は、前記バッキングプレート上にその開口面の輪郭形状に対応する開口形状をもつ開口部を有する筒状のダイを設置し、パンチを該ダイの開口部に挿通して前記バッキングプレートの充填部内に充填されている原料粉末を押圧することにより実施することを含む。
【００２４】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の製造方法は更に別の一実施形態において、パンチによって原料粉末を押圧する際、原料粉末に接触するパンチの押圧面の輪郭と前記バッキングプレートの開口面の輪郭の間には０．１ｍｍ〜５ｍｍのクリアランスが存在する。
【００２５】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の製造方法は更に別の一実施形態において、原料粉末を冷間成形して圧粉体とする工程が、一軸プレス法を用いて圧粉体とする工程と、その後に該圧粉体をＣＩＰ処理する工程とを含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、冷間加圧成形により製造されたスパッタリングターゲットがバッキングプレートから剥離や脱落しにくいスパッタリングターゲット組立品が得られる。このため、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品は、冷間加圧成形により得られたスパッタリングターゲットの利点である低コストや組成安定性といった利点を享受しながら、バッキングプレートからの剥離や脱落という問題を軽減することが可能となる。また、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品は切削加工を経ずに製造可能であるため、スパッタリングターゲット組立品の更なる生産性向上及びコストダウンにも寄与する。このように、本発明は冷間加圧成形により製造されたスパッタリングターゲットの実用性を顕著に向上させることのできる画期的な発明であるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の平面図の一例を示す。
【図２】本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の断面構造の例を示す。
【図３】原料粉を冷間成形する際に使用するパンチ及びダイの断面構造の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（１．スパッタリングターゲット組立品）
以下、図面を参照しながら本発明に係るスパッタリングターゲット組立品の各種実施形態について詳述する。
【００２９】
図１には、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品１０の平面図の一例が記載されている。図２には、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品１０の断面構造の例が幾つか記載されている。スパッタリングターゲット組立品１０は、内底面１０１、内底面１０１から起立する内側面１０２、及び内側面１０２の上端形状によって画定される開口面１０３を有する充填部１０４を備えた容器型のバッキングプレート１００と、該充填部１０４内に充填された圧粉体のスパッタリングターゲット２００とを備える。
【００３０】
スパッタリングターゲット組立品１０の平面形状は特に制限されるものではないが、多角形状（矩形状など）及び円形状（真円形状及び楕円形状など）などとすることができる。同様に、開口面１０３の平面形状は特に制限されるものではないが、多角形状（矩形状など）及び円形状（真円形状及び楕円形状など）などとすることができる。スパッタリングターゲット組立品１０の平面形状及び開口面１０３の平面形状は対応させる必要は特にないが、対応させるのが通常である。例えば、スパッタリングターゲット組立品１０の平面形状が矩形状であれば、開口面１０３の平面形状も矩形状であるが通常である。
【００３１】
スパッタリングターゲット２００は圧粉体で構成されており、焼結処理されていない。圧粉体の材料としては、特に制限はないが、金属（合金を含む）等の導電性材料を好適に使用することができる。また、絶縁性材料を使用することもでき、導電性材料と絶縁性材料を併用することもできる。従って、一実施形態においては、圧粉体は導電性粉末と非導電性粉末の混合圧粉体として提供することができる。導電性材料の具体例としては、Ｃｒ−Ｃｏ合金、Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｏ合金、Ｐｔ−Ｃｏ合金、Ｐｔ−Ｆｅ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などが挙げられる。絶縁性材料の具体例としては、酸化チタンや酸化シリコンなどの酸化物、窒化チタンや窒化アルミニウムなどの窒化物、炭化ホウ素や炭化チタンなどの炭化物等が挙げられる。
【００３２】
また、本発明によれば、難焼結材料、低融点材料、融点差が大きい異種材料、蒸気圧の高い材料など、これまでターゲット形状とすることが難しかった材料を用いてスパッタリングターゲットを製造することもできる。
【００３３】
難焼結材料の例としては以下が挙げられる。
・タングステン及びタンタルのような融点が２０００℃以上の高融点金属、および当該高融点金属の少なくとも一種を含む合金
・アルミニウムおよびアルミニウム合金
・チタンおよびチタン合金
・窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などの窒化物
・炭素、炭化物（炭化ケイ素、炭化チタンなど）
・ホウ素、ホウ化物（ホウ化チタン、ホウ化タンタルなど）
・シリコン、珪化物（珪化鉄、珪化タンタル、珪化タングステンなど）
【００３４】
低融点材料の例としては以下が挙げられる。
・酸化ホウ素（ホウ酸）
・酸化鉛
・酸化テルル
・酸化バナジウム
・Ｉｎ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｇｅ等の融点が１０００℃以下の低融点金属
【００３５】
昇華しやすい材料の例としては以下が挙げられる。
・酸化タングステン
・酸化亜鉛
・酸化スズ
・酸化リン
【００３６】
焼結温度で分解しやすい材料の例としては以下が挙げられる。
・亜酸化チタン、亜酸化スズ、亜酸化バナジウム等の亜酸化物
・硫化亜鉛、硫化マンガン等の硫化物
・窒化チタン等の窒化物
【００３７】
蒸気圧の高い材料の例としては以下が挙げられる。
・亜鉛合金
・マグネシウム合金
・マンガン合金
・テルル化物
・セレン化物
【００３８】
異種材料の組み合わせとしては以下が挙げられる。
・難焼結材料と、低融点金属、昇華しやすい材料、分解しやすい材料、又は蒸気圧の高い材料との組み合わせのように、焼結等の熱処理に置いて、適切な温度条件に大きな差の生じやすい組み合わせ
・金属と一種又は二種以上の金属化合物(酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物)の組み合わせを含む場合、また酸化物と亜酸化物を両方含む場合、など、複数の化学種の熱力学的安定性の関係で、酸素、窒素、炭素、ホウ素の金属元素との結合状態が熱履歴により変化してしまう可能性のある組み合わせ
【００３９】
スパッタリングターゲット２００を構成する圧粉体は、バッキングプレートからの剥離や脱落を防止するという観点から、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して測定したときの３点曲げ強さが０．５ＭＰａ以上であることが好ましく、１．０ＭＰａ以上であることが好ましく、１．５ＭＰａ以上であることがより好ましい。当該３点曲げ強さの上限は特に設定されないが、冷間加圧成形により製造するという制約上、当該３点曲げ強さは２０ＭＰａ以下であるのが一般的であり、１０ＭＰａ以下であるのが典型的である。
【００４０】
スパッタリングターゲット２００を構成する圧粉体の相対密度は一般には９０％以下であり、典型的には８０％以下であり、より典型的には７０％以下である。本発明に係る圧粉体のスパッタリングターゲットは焼結体のスパッタリングターゲットより相対密度が小さくなる傾向にあるが、すべてのスパッタリングターゲットが高い相対密度を要求されるわけではないので、用途によっては十分に実用性が見込める。
【００４１】
例えば、国際公開第２０１３／１３６９６２号において提案されるような、薄片や粉末を製造する技術に提供することが可能である。具体的には、本発明に係るスパッタリングターゲットを用いて基板上にスパッタ膜を形成し、スパッタ膜を基板から分離し、これを粉砕することで薄片や粉末とすることができる。この場合、本発明に係るスパッタリングターゲットは膜厚が均一、欠陥が少ないといった、一般的に高品質とされるスパッタ膜を形成することが目的ではなく、構成成分が微細に分散された薄片や粉末を作製することが目的であることから、高い相対密度は要求されない。  
【００４２】
このような低い相対密度のスパッタリングターゲットは原料粉を冷間加圧成形することで製造可能であるため、低コストで製造可能である。また、難焼結材料、低融点材料、融点差が大きい異種材料、蒸気圧の高い材料など、これまでターゲット形状とすることが難しかった材料からなるスパッタリングターゲットを製造することもできる。また、焼結工程や切削加工工程を経ないために途中工程での汚染は無くなり、より高純度なターゲットを製造可能となることから、スパッタ用途によりターゲットの高純度化が必要な場合などに本発明は好適できる。なお、相対密度は実測密度を理論密度で除した値を百分率で示した値である。実測密度は重量と寸法形状から求めた体積により算出する。理論密度はスパッタリングターゲットを構成する材料組成に応じて理論的に求められる。
【００４３】
ＤＣスパッタリング法を適用する上で、スパッタリングターゲット２００は、抵抗率が高すぎる場合にはターゲット表面にプラズマを発生させることができず、スパッタリングをおこなうことができない。また、ＲＦスパッタリング法において速い成膜速度を得ようとした場合にも、高電力を印加する際のカソードアノード間の電位差が小さくなることでアーキングの発生が抑制されてスパッタリングが安定するため、抵抗率が小さいほうが有利である。具体的には、スパッタリングターゲットの抵抗率は１００ｋΩ・ｃｍ以下であることが好ましく、５０ｋΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、２０ｋΩ・ｃｍ以下であることが更により好ましく、例示的には０．１〜１００ｋΩ・ｃｍとすることができ、典型的には１〜５０ｋΩ・ｃｍとすることができる。
【００４４】
本発明において、スパッタリングターゲットの抵抗率は、圧粉体表面より四探針法によりＪＩＳ  Ｋ  ７１９４：１９９４に準拠して測定したものを用いることとする。
【００４５】
なお、圧粉体のスパッタリングターゲット２００が絶縁性材料を含有する場合でも、導電性材料粉末同士の接触により電源部から、圧粉体表面までの導通を確保することにより、スパッタリングターゲット２００をカソード電極として利用してＤＣスパッタすることが可能である。
【００４６】
バッキングプレート１００の材料としては、特に限定されるものではないがバッキングプレート１００に電源を接続してスパッタ装置の構成を簡易にすべく、導電性を有することが好ましい。また、スパッタリングターゲットはバッキングプレート裏面または内部を流れる冷却水により冷却することが通常行われている。このため、スパッタリングターゲットを十分に冷却するために、バッキングプレートの材料は熱伝導性に優れることが好ましい。さらに、バッキングプレートに割れ等が生じると冷却水がスパッタチャンバー内に噴出する危険性があり、これを防ぐためには延性のある材料が好ましい。このような特性を満たす材料としては、例えば、導電性に優れた銅（高純度銅、無酸素銅など）、銅合金（脱リン酸銅、リン酸銅など）、チタン及びチタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金、鉄及び鉄合金（ステンレスなど）が挙げられる。
【００４７】
一般に、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートはインジウムや錫等の低融点金属を含有するろう材を介して接合されるが、本発明においてはろう材は不要である。このため、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品は一実施形態において、スパッタリングターゲットとバッキングプレートが直接接合している。
【００４８】
図２には本発明に係るスパッタリングターゲット組立品１０の断面構造の実施形態（ａ）〜（ｅ）が記載されている。何れの実施形態においても、スパッタリングターゲット２００の底面及び側面はバッキングプレート１００の内底面１０１及び内側面１０２によりそれぞれ保護されているため外部からの変形応力がスパッタリングターゲットに加わりにくい。また、スパッタリングターゲット１００は、その全側面がバッキングプレート１００の内側面１０２と高い圧力で押し合った状態でバッキングプレート内に充填固定されている。このため、圧粉体で構成されるスパッタリングターゲットがバッキングプレートから剥離及び脱落しにくくなる。
【００４９】
スパッタリングターゲットがバッキングプレートから剥離及び脱落しにくくする効果を高めるという観点からは、バッキングプレート１００は、開口面１０３の面積が内底面１０１の面積よりも小さいことが好ましい。また、バッキングプレート１００の内側面１０２に突起を形成することも好ましい。充填部１０４をこのような構成とすると、スパッタリングターゲット２００がバッキングプレートから剥離又は脱落する方向（図２中の上方向）の力を受けたとき、その力に対して抵抗する力（図２中の下方向）をスパッタリングターゲット２００に対してバッキングプレート１００が与えることができる。このため、スパッタリングターゲット２００が剥離及び脱落しにくくなる。
【００５０】
例えば、図２（ｂ）の実施形態では、充填部１０４は内底面１０１から開口面１０３に向かってすぼんだ形状を有しており、開口面１０３の面積が内底面１０１の面積よりも小さくなっている。また、図２（ｂ）の実施形態においては、充填部１０４の内側面１０２は開口面１０３が小さくなるように内側に傾斜していることが理解できる。図２（ｃ）の実施形態では、内側面１０２の上端が充填部１０４の開口面１０３の面積を小さくするように内側に向かって突出した返し部１０６を有する。返し部１０６が開口面１０３の面積を小さくするとともに、上方へ抜けようとする力がスパッタリングターゲットに加わったとしても、それに対抗する下方への力を与えることができるためスパッタリングターゲット２００の剥離及び脱落を抑止することができる。図２（ｄ）及び（ｅ）の実施形態では、内側面１０２が一つ又は複数の突起部１０８を有する。返し部１０６と同様に、突起部１０８が抵抗となってスパッタリングターゲット２００の剥離及び脱落を防止することができる。これらの実施形態に記載されている充填部１０４の内側面構造は適宜組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品を用いてスパッタ膜を形成する方法には特に制限されるものではないが、例えば、グロー放電スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法が挙げられる。スパッタリングを行う際には、スパッタリングターゲットの導電性の有無や組成や要求仕様に応じてＲＦ電源及びＤＣ電源を適宜選択すればよい。また、先述したように、本発明に係るスパッタリングターゲット組立品を用いて薄片や粉末の製造を目的とする場合は、高速成膜することが生産性の観点で好ましい。
【００５２】
（２．製法）
本発明に係るスパッタリングターゲット組立品は、先述した容器型のバッキングプレートを用意する工程と、前記バッキングプレートの充填部内に原料粉末を充填し、原料粉末を冷間成形して圧粉体とする工程とを実施することにより製造することが可能である。
【００５３】
原料粉末の仕様（組成、純度、粒径、混合状態等）は要求されるスパッタリングターゲットの特性に応じて用意すればよい。また、複数の原料粉を使用する場合、それらが十分混合されているほうが好ましく、それらの混合工程においては、粉末の特性に合わせて、手作業で混ぜてもよく、振動篩、各種ミキサー、自動乳鉢、ボールミル他の各種自動混合装置を用いてもよい。後工程の冷間成形において粉体を圧密化させるためには、混合後の原料粉の粒度分布のメジアン径が５００μｍ以下であることが好ましく、２００μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることが更により好ましい。また、微細化のためのコスト、手間及びそれにより得られる効果との兼ね合いを考慮すると、混合後の原料粉の粒度分布のメジアン径は、０．１μｍ以上であることが好ましく、０．２μｍ以上であることがより好ましく、０．５μｍ以上であることが更により好ましい。本発明において、粉末のメジアン径は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定し、体積基準でのＤ５０の値として定義される。混合の際に水、アルコール類などの粉砕助剤を加える場合には、製造されたスパッタリングターゲット組立品をスパッタ装置に取り付けた後の真空引きにおいて不具合（時間がかかる、到達圧力が高い、成分が装置内に飛散するなど）が生じる可能性があるため、成形後、スパッタ装置への取り付け前に乾燥を行ってそれらを揮発させておくことが望ましい。
【００５４】
原料粉末を冷間成形する際の圧力は要求されるスパッタリングターゲットの仕様に応じて適宜調整すればよいが、スパッタリングターゲットの導電性を高めるという観点からは、２０ＭＰａ以上の面圧条件で行うことが好ましく、５０ＭＰａ以上の面圧条件で行うことがより好ましく、１００ＭＰａ以上の面圧条件で行うことが更により好ましい。また、原料粉末を冷間成形する工程は、バッキングプレートの変形や破損を防ぐという観点から、１０００ＭＰａ以下の面圧条件で行うことが好ましく、５００ＭＰａ以下の面圧条件で行うことがより好ましく、２００ＭＰａ以下の面圧条件で行うことが更により好ましい。
【００５５】
冷間成形する方法には特に制限はないが、パンチとダイを組み合わせて油圧、電動機械などにより一軸方向に荷重をかけ、押圧する方法(一軸プレス法)を好適に使用可能である。図３に、原料粉を一軸プレスする際のパンチ及びダイの関係を提示する。バッキングプレート１００上にその開口面１０３の輪郭形状に対応する開口形状をもつ開口部３０４を有する筒状のダイ３０１を設置し、パンチ３０２を該ダイ３０１の開口部３０４に挿通してバッキングプレート１００の充填部内に充填されている原料粉末３０３を図３の矢印の方向に押圧することにより冷間成形することができる。
【００５６】
バッキングプレート１００の充填部内に充填する原料粉末の量については、一軸プレス後の圧粉体の充填高さがバッキングプレート上面の高さから＋２ｍｍ以下、好ましくは＋１ｍｍ以下、より好ましくは＋０ｍｍ以下となるように調整することが好ましい。粉体が多すぎる場合には、一軸プレス後にパンチとダイを脱離する際に圧粉体上部がパンチ３０２との摩擦により上方に引っ張られてターゲットが割れてしまうためである。なお圧粉体の充填高さが低すぎる場合にはターゲットとしての使用は可能であるものの、ターゲット寿命が短くなるという問題点が生じる。このことから、一軸プレス後の原料粉末の充填高さを、バッキングプレート上面の高さから−５ｍｍ以上、好ましくは−２ｍｍ以上、より好ましくは−１ｍｍ以上となるように調整することが好ましい。
【００５７】
前記パンチによって原料粉末を押圧する際、成形後にパンチとダイの脱離が容易となるように、原料粉末に接触するパンチの押圧面３０５の輪郭と前記バッキングプレートの開口面１０３の輪郭の間にクリアランスＣを設けることが好ましい。クリアランスＣはターゲット開口部とパンチの接触を防ぎ、荷重を確実に原料粉末に伝えるため、０．１ｍｍ以上であることが好ましく、０．５ｍｍ以上であることがより好ましく、１ｍｍ以上であることが更により好ましい。
【００５８】
図２（ｄ）のように充填部内部に突起が存在するケースでも、ターゲット開口部に対してクリアランスを設定すればよいが、突起下部の原料粉末に対して十分に成形圧を伝達して圧密化すること及び突起の破損防止を目的とし、内部の突起の下側に原料粉末が充填されるまで、内部の突起に対して上記と同様のクリアランスを設定したダイとパンチを用いて一軸プレスし、その後、バッキングプレート上面付近まで原料粉末を更に充填し、開口部に対してクリアランスを設定したダイとパンチを用いて一軸プレスするというような、段階的な成形法を採用することも有効である。
【００５９】
なおクリアランスＣが負、すなわちバッキングプレートの開口部よりもパンチの押圧面のほうが大きい場合には、パンチがバッキングプレート上面よりも下部に入ることができない。そのため、原料粉末に対して一軸プレスによる荷重を粉体に十分にかけることができなくなり、ターゲットが崩れる危険性が高くなる。
【００６０】
また、クリアランスＣは、スパッタリングターゲット１００の全側面がバッキングプレート１００の内側面１０２と高い圧力で押し合った状態でバッキングプレート内に充填固定されている状態を得るため、２０ｍｍ以下であることが好ましく、１０ｍｍ以下であることがより好ましく、５ｍｍ以下であることが更により好ましい。
【００６１】
原料粉末を一軸プレスにより圧粉体とする工程の後、更に圧密化するために、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）処理することも可能である。ＣＩＰ処理は、ダイとパンチをバッキングプレートに組み合わせたまま、圧力媒体(液体または気体)を通さないゴムやビニール等の材料で圧粉体表面を覆って又はバッキングプレートと圧粉体の一体品を封じて行ってもよく、一軸プレス法により得られた圧粉体がバッキングプレートに充填された状態でダイとパンチを離脱させた後、圧力媒体(液体または気体)を通さないゴムやビニール等の材料で圧粉体表面を覆って又はバッキングプレートと圧粉体の一体品を封じて実施してもよい。また、バッキングプレート内に原料粉末を充填した後、ダイとパンチを前記のように組み合わせた状態で、一軸プレスを経ずに、最初からＣＩＰ処理により押圧することも可能である。
【実施例】
【００６２】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００６３】
（実施例１）
原料粉末として、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ2粉末、ＳｉＯ2粉末及びＣｒ2Ｏ3粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、レーザー回折式粒度分布測定装置（堀場製作所製ＬＡ−９２０）により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。なお、ボールミルの回転数や運転時間は試験番号に応じて適宜変化させることで原料粉末混合物の粒度を調整した。図１に示す平面視矩形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面は内底面から直立しており、内側面には突起は設けなかった（図２（ａ）参照）。
また、容器型バッキングプレートの形状に対応する図３に示す断面構造のステンレス製のダイ及びパンチを用意した。パンチの押圧面の寸法はパンチの押圧面の輪郭とバッキングプレートの開口面の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定した。
【００６４】
バッキングプレート上にダイを設置した上で原料粉末混合物をバッキングプレート内に充填し、表１に記載のクリアランスＣとしてパンチをダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけ、バッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００６５】
得られた圧粉体の相対密度は５２％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約２０ｋΩ・ｃｍであった。
【００６６】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、１０ＰａのＡｒ雰囲気下で１５Ｗ／ｃｍ2の電力で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＣｏ−Ｃｒ−ＴｉＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3の膜を得ることができた。
【００６７】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品を直立させて１時間放置した場合と、上下反転させて１時間放置した場合に圧粉体が崩れるか否かを調査した（強度試験）。結果を表２に示す。
【００６８】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品から、長さ５０ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ３ｍｍのスパッタリングターゲットを板状に切り出し、ＪＩＳ  Ｒ１６０１：２００８に準拠して、３点曲げ強さを測定した。試験ジグは回転型とし、支点間距離は３０ｍｍとした。結果を表２に示す。なお、３点曲げ強さの測定において、その試験サンプルがターゲットから切り出し採取困難な場合は、圧粉体を作製したものと同原料、同圧力で新たに３点曲げ強さ測定用サンプルを作って評価することで強度値を代替しても良い。
【００６９】
（実施例２）
原料粉末として、Ｗ粉末及びＢ2Ｏ3粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、実施例１と同様の方法により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。
平面視円形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面は開口面が小さくなるように内側に傾斜した面とした（図２（ｂ）参照）。
また、容器型バッキングプレートの形状に対応する図３に示す断面構造のステンレス製のダイ及びパンチを用意した。パンチの押圧面の寸法はパンチの押圧面の輪郭とバッキングプレートの開口面の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定した。
【００７０】
バッキングプレート上にダイを設置した上で原料粉末混合物をバッキングプレート内に充填し、表１に記載のクリアランスＣとしてパンチをダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけ、バッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００７１】
得られた圧粉体の相対密度は５３％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約９ｋΩ・ｃｍであった。
【００７２】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＷ−Ｂ2Ｏ3の膜を得ることができた。
【００７３】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００７４】
（実施例３）
原料粉末として、Ｆｅ粉末、ＳｉＯ2粉末及びＢＮ粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、実施例１と同様の方法により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。
平面視円形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面の上端には充填部の開口面の面積を小さくするように内側に向かって突出した返し部を設けた（図２（ｃ）参照）。
また、容器型バッキングプレートの形状に対応する図３に示す断面構造のステンレス製のダイ及びパンチを用意した。パンチの押圧面の寸法はパンチの押圧面の輪郭とバッキングプレートの開口面の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定した。
【００７５】
バッキングプレート上にダイを設置した上で原料粉末混合物をバッキングプレート内に充填し、表１に記載のクリアランスＣとしてパンチをダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけ、バッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００７６】
得られた圧粉体の相対密度は５８％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約３３ｋΩ・ｃｍであった。
【００７７】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＦｅ−ＳｉＯ2−ＢＮの膜を得ることができた。
【００７８】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００７９】
（実施例４）
原料粉末として、Ａｌ粉末、Ｍｇ粉末及びＳｎＯ粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、実施例１と同様の方法により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。
平面視矩形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面の高さ方向中央部に内側面を一周する断面視矩形状突起部を一つ設けた（図２（ｄ）参照）。
また、容器型バッキングプレートの形状に対応する図３に示す断面構造のステンレス製のダイ及びパンチを用意した。パンチは、パンチの押圧面の輪郭と内側面に設けた前記突起部の平面視の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定したもの（第一パンチ）と、パンチの押圧面の輪郭とバッキングプレートの開口面の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定したもの（第二パンチ）の二つを用意し、また、パンチに応じてダイを二つ用意した（第一ダイ及び第二ダイ）。
【００８０】
バッキングプレート上に第一ダイを設置した上で、原料粉末混合物をバッキングプレート内側面の前記突起部の下側まで充填した後、表１に記載のクリアランスＣとして第一パンチを第一ダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけた。その後、バッキングプレート上に第一ダイに替えて第二ダイを設置した上で、更に原料粉末混合物をバッキングプレート内に充填した後、表１に記載のクリアランスＣとして第二パンチを第二ダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をバッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。
【００８１】
得られた圧粉体の相対密度は６２％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約５２ｋΩ・ｃｍであった。
【００８２】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＡｌ−Ｍｇ−ＳｎＯの膜を得ることができた。
【００８３】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００８４】
（実施例５）
原料粉末として、Ｔｉ粉末、Ｉｎ粉末及びＳｉＣ粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、実施例１と同様の方法により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。
平面視矩形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面に内側面を一周する断面視三角形状突起部を高さ方向に二つ設けた（図２（ｅ）参照）。
また、容器型バッキングプレートの形状に対応する図３に示す断面構造のステンレス製のダイ及びパンチを用意した。パンチは、パンチの押圧面の輪郭と内部の突起の平面視の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定したもの（第一パンチ）と、パンチの押圧面の輪郭とバッキングプレートの開口面の輪郭の間のクリアランスＣが表１の値となるように設定したもの（第二パンチ）の二つを用意し、また、パンチに応じてダイを二つ用意した（第一ダイ及び第二ダイ）。
【００８５】
原料粉末混合物を下段の突起の頂点部（開口面積が最も小さくなる高さ）まで充填した後、バッキングプレート上に第一ダイを設置し、表１に記載のクリアランスＣとして第一パンチを第一ダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけた。その後、更に原料粉末混合物を上段の突起の頂点部（開口面積が最も小さくなる高さ）まで充填した後、表１に記載のクリアランスＣとして第一パンチを第一ダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をかけた。その後、更に原料粉末混合物を充填した後バッキングプレート上に第二ダイを設置し、表１に記載のクリアランスＣとして第二パンチを第二ダイに挿通して、原料粉末混合物を表１に記載の面圧で１分間、油圧プレス装置を用いた一軸プレス法により荷重をバッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００８６】
得られた圧粉体の相対密度は５８％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約１ｋΩ・ｃｍであった。
【００８７】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＴｉ−Ｉｎ−ＳｉＣの膜を得ることができた。
【００８８】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００８９】
（実施例６）
原料粉末として、Ｍｏ粉末、Ｓｉ粉末、ＺｎＯ粉末及びＴｉＮ粉末を用意し、表１に記載の質量比でボールミルによって混合した。混合後、実施例１と同様の方法により原料粉末混合物の粒度分布を測定してメジアン径（体積基準でのＤ５０）を求めた。結果を表１に示す。
平面視矩形状（充填部寸法は表１参照）の銅製の容器型バッキングプレートを用意した。バッキングプレートの内側面は内底面から直立しており、内側面には突起は設けなかった（図２（ａ）参照）。
【００９０】
次いで、バッキングプレート上にダイを設置した上で原料粉末混合物をバッキングプレート内に充填し、表１に記載のクリアランスＣとしてパンチをダイに挿通した状態で、面圧４００ＭＰａでＣＩＰ処理した。これにより、バッキングプレート（ＢＰ）上面の高さを基準にして表１に示す充填高さを有するバッキングプレートと圧粉体（スパッタリングターゲット）の一体品からなるスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００９１】
得られた圧粉体の相対密度は６７％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約１３ｋΩ・ｃｍであった。
【００９２】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＭｏ−Ｓｉ−ＺｎＯ−ＴｉＮの膜を得ることができた。
【００９３】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００９４】
（実施例７）
一軸プレス法により荷重をかけるときの面圧を表１に記載の値に変更し、一軸プレス後の圧粉体の充填高さを表１に記載の値に変更した他は実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００９５】
得られた圧粉体の相対密度は４８％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約１２０ｋΩ・ｃｍであった。
【００９６】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＣｏ−Ｃｒ−ＴｉＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3の膜を得ることができた。
【００９７】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【００９８】
（実施例８）
クリアランスＣを表１に記載の値に変更し、一軸プレス後の圧粉体の充填高さを表１に記載の値に変更した他は実施例２と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【００９９】
得られた圧粉体の相対密度は４５％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約１５ｋΩ・ｃｍであった。
【０１００】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例２と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＷ−Ｂ2Ｏ3の膜を得ることができた。
【０１０１】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【０１０２】
（実施例９）
一軸プレス後の圧粉体の充填高さを表１に記載の値に変更した他は実施例３と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【０１０３】
得られた圧粉体の相対密度は５２％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約４１ｋΩ・ｃｍであった。
【０１０４】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例３と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＦｅ−ＳｉＯ2−ＢＮの膜を得ることができた。
【０１０５】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【０１０６】
（実施例１０）
一軸プレス法により荷重をかけるときの面圧を表１に記載の値に変更し、一軸プレス後の圧粉体の充填高さを表１に記載の値に変更した他は実施例４と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【０１０７】
得られた圧粉体の相対密度は５１％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約８９ｋΩ・ｃｍであった。
【０１０８】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例３と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＡｌ−Ｍｇ−ＳｎＯの膜を得ることができた。
【０１０９】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【０１１０】
（実施例１１）
原料混合粉のメジアン径（Ｄ５０）を表１に記載の値に変更し、一軸プレス後の圧粉体の充填高さを表１に記載の値に変更した他は実施例５と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【０１１１】
得られた圧粉体の相対密度は５５％であった。また、得られた圧粉体の抵抗率を先述した方法により測定したところ、約３ｋΩ・ｃｍであった。
【０１１２】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例５と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＴｉ−Ｉｎ−ＳｉＣの膜を得ることができた。
【０１１３】
また、上記と同様の方法で作製したスパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【０１１４】
（実施例１２〜１５）
バッキングプレートの内側面の形状を表１に示す態様に変化させた他は、実施例１と同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【０１１５】
このスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、３時間連続で放電することができ、基板上にＣｏ−Ｃｒ−ＴｉＯ2−ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3の膜を得ることができた。
【０１１６】
また、上記と同様の方法で作製した各スパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。
【０１１７】
（比較例１〜５）
比較例１〜５は、一軸プレス法により荷重をかけるときの面圧を表１に記載の値に変更した他は実施例１〜５のそれぞれと同様の方法でスパッタリングターゲット組立品を得た。結果を表２に示す。
【０１１８】
これらのスパッタリングターゲット組立品をＤＣスパッタリング装置にセットし、実施例１と同様の条件で基板上にスパッタしたところ、何れも放電が不安定でアーキングが多発した。基板上にスパッタ膜を得ることはできなかった。
【０１１９】
また、上記と同様の方法で作製した各スパッタリングターゲット組立品に対して実施例１と同様の強度試験及び３点曲げ強さの測定を行った。結果を表２に示す。形状保持力が小さく、スパッタリングターゲットがバッキングプレートから容易に脱落した。また、曲げ強さも小さかった。
【０１２０】
【表１】
2019056138.tif 000003
【０１２１】
【表２】
2019056138.tif 000004
【符号の説明】
【０１２２】
１０      スパッタリングターゲット組立品
１００    バッキングプレート
１０１    内底面
１０２    内側面
１０３    開口面
１０４    充填部
１０６    返し部
１０８    突起部
２００    圧粉体のスパッタリングターゲット
３０１    ダイ
３０２    パンチ
３０３    原料粉末
３０４    開口部
３０５    押圧面
【図１】
2019056138.tif 000005
【図２】
2019056138.tif 000006
【図３】
2019056138.tif 000007