(57)【要約】【課題】回路基板の剥がれを抑制することができる電極接続方法を提供する。【解決手段】電極接続方法では、互いに第１間隔ｃを空けて配列された複数の第１電極５３を有する第１回路基板５０、及び、熱膨張率が第１回路基板５０よりも小さく且つ互いに第２間隔ｄを空けて配列された複数の第２電極６２を有する第２回路基板６０について、第１間隔ｃと第２間隔ｄとの寸法差が所定の許容範囲に収まるように第１回路基板５０及び第２回路基板６０を作成し、第１間隔ｃを狭めるように第１回路基板５０を脱水し、第１回路基板５０と第２回路基板６０との間に熱硬化性接着剤７０を挟んで第１電極５３と第２電極６２とを対向させ、第１回路基板５０及び第２回路基板６０のうち少なくとも第１回路基板５０と熱硬化性接着剤７０とを加熱し、第１回路基板５０と第２回路基板６０とを圧着する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに第１間隔を空けて配列された複数の第１電極を有する第１回路基板、及び、熱膨張率が前記第１回路基板よりも小さく且つ互いに第２間隔を空けて配列された複数の第２電極を有する第２回路基板について、前記第１間隔と前記第２間隔との寸法差が所定の許容範囲に収まるように前記第１回路基板及び前記第２回路基板を作成し、
前記第１間隔を狭めるように前記第１回路基板を脱水し、
前記第１回路基板と前記第２回路基板との間に熱硬化性接着剤を挟んで前記第１電極と前記第２電極とを対向させ、
前記第１回路基板及び前記第２回路基板のうち少なくとも前記第１回路基板と前記熱硬化性接着剤とを加熱し、
前記第１回路基板と前記第２回路基板とを圧着する、電極接続方法。
【請求項２】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、加熱温度から常温への温度変化による前記第１回路基板の収縮量以上になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項３】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、加熱温度から常温への温度変化による前記第１回路基板の収縮量に等しくなるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項４】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、前記第２電極の幅の２倍以下になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項５】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、前記第２電極の幅以下になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項６】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、前記第２電極の幅の半分以上になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項７】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、前記第２間隔以下になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項８】
脱水による前記第１回路基板の収縮量が、前記第２間隔の１／３以下になるように前記第１回路基板を脱水させる、請求項１に記載の電極接続方法。
【請求項９】
前記第１回路基板の熱膨張率をａとし、前記第２回路基板の熱膨張率をｂとし、圧着時の前記第１回路基板の温度をＴｃとし、圧着時の前記第２回路基板の温度をＴｍとし、前記第２電極の幅をｗとし、前記第１回路基板と前記第２回路基板との接続寸法をｚとしたとき、ｗ／２＜（ａ×Ｔｃ−ｂ×Ｔｍ）×ｚ＜ｗの関係が成り立つ、請求項１〜８のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１０】
前記第１回路基板を加熱することにより脱水する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１１】
前記第１回路基板を１２０℃以上１７０℃以下の温度で、５分以上１５分以下の時間、加熱することにより、脱水する、請求項１０に記載の電極接続方法。
【請求項１２】
乾燥庫内で前記第１回路基板を脱水する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１３】
前記第１間隔は２１μｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１４】
前記第１回路基板の材料と前記第２回路基板の材料とは異なる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１５】
前記熱硬化性接着剤はＡＣＦである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【請求項１６】
脱水前の前記第１回路基板における隣接する前記第１電極の接点間隔とｍとし、脱水前の前記第２回路基板における隣接する前記第２電極の接点間隔をｎとし、前記第２電極の幅をｗとしたとき、ｎ−ｗ≦ｍ≦ｎ＋ｗである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の電極接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電極接続方法として、例えば、特許文献１の電極接続方法が知られている。この電極接続方法では、互いに平行に配列された複数の第１引き出し電極を第１回路基板に設け、第１引き出し電極のピッチを一定の状態に形成している。また、互いに平行に配列された複数の第２引き出し電極を第２回路基板に設け、第２引き出し電極のピッチを、一定でない状態に形成している。
【０００３】
そして、複数の第１引き出し電極の配列方向の中心位置と複数の第２引き出し電極の配列方向の中心位置とを一致して位置決めする。それから、第１引き出し電極のピッチと第２引き出し電極のピッチとが一致するように第１回路基板及び第２回路基板を加熱して、第１引き出し電極と第２引き出し電極とを接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３９０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の電極接続方法では、第１回路基板及び第２回路基板を加熱することにより、第１引き出し電極のピッチと第２引き出し電極のピッチとが一致するように調整している。このため、第１回路基板及び第２回路基板の温度が常温に低下すると、これに伴い各電極のピッチが加熱前の状態に戻ろうとする。しかしながら、加熱前の状態では第１引き出し電極のピッチが一定であるのに対し、第２引き出し電極のピッチが一定でないため、これらのピッチがずれる。これにより、ピッチのずれに起因する応力が各回路基板に発生し、各回路基板が剥がれてしまうおそれがある。
【０００６】
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、回路基板の剥がれを抑制することができる電極接続方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のある態様に係る電極接続方法は、互いに第１間隔を空けて配列された複数の第１電極を有する第１回路基板、及び、熱膨張率が前記第１回路基板よりも小さく且つ互いに第２間隔を空けて配列された複数の第２電極を有する第２回路基板について、前記第１間隔と前記第２間隔との寸法差が所定の許容範囲に収まるように前記第１回路基板及び前記第２回路基板を作成し、前記第１間隔を狭めるように前記第１回路基板を脱水し、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間に熱硬化性接着剤を挟んで前記第１電極と前記第２電極とを対向させ、前記第１回路基板及び前記第２回路基板のうち少なくとも前記第１回路基板と前記熱硬化性接着剤とを加熱し、前記第１回路基板と前記第２回路基板とを圧着する。
【０００８】
この構成によれば、脱水による第１回路基板の収縮によって第１間隔を縮めた上で、加熱による第１回路基板の膨張によって第１間隔を拡げている。これにより、第１回路基板が常温に戻る際に収縮し、第１間隔が狭まろうとするが、第１回路基板が吸湿によって膨張するため、第１間隔が拡がろうとする。このような第１回路基板の収縮及び膨張によって、第１間隔の変化が相殺される。よって、常温時には、元の状態、つまり、第１間隔と第２間隔との寸法差が所定の許容範囲に収まる状態に戻り、回路基板の剥がれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る電極接続方法が適用される液体吐出装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した部分の一部を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、作成処理における第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。図３（ｂ）は、脱水処理後の第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、対向処理における第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。図４（ｂ）は、圧着処理における第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）は、第１間隔の経時変化を示すグラフである。図５（ｂ）は、第１回路基板の含水量の経時変化を示すグラフである。図５（ｃ）は、第１回路基板の応力の経時変化を示すグラフである。
【図６】電極接続方法の実施例を示す表である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、本発明の実施の形態の変形例４に係る電極接続方法を説明するための第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例８に係る電極接続方法を説明するための第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態の変形例９に係る電極接続方法を説明するための第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下では全ての図面を通じて同一又は相当する要素には同一の参照符号を付して、その重複する説明を省略する。
【００１１】
（実施の形態１）
＜液体吐出装置＞
本発明の実施の形態１に係る電極接続方法が適用される液体吐出装置１０は、図１に示すように、例えば、ノズル１１を有するヘッド１２を備え、ノズル１１からインク等の液体を吐出することにより用紙等の記録媒体に印刷するプリンタである。なお、電極接続方法が適用される機器は、電極が接続される機器であれば、液体吐出装置１０に限定されない。
【００１２】
ヘッド１２は、流路基板２０、駆動ユニット３０、保護部材４０及び第１回路基板５０を備えている。流路基板２０には、ノズル１１、及び、ノズル１１に連通する圧力室２１が形成されている。駆動ユニット３０は振動板３１及び圧電素子３２を有し、圧電素子３２は圧力室２１に対応して振動板３１上に配置されている。この振動板３１上に圧電素子３２を保護するように保護部材４０が配置されている。また、圧電素子３２の電極には第２回路基板６０が電気的に接続し、第２回路基板６０は保護部材４０から外側へ延びて第１回路基板５０と電気的に接続している。なお、第２回路基板６０の詳細については後述する。
【００１３】
第１回路基板５０は、ドライバＩＣ５１を実装した回路基板であって、一端が第２回路基板６０と電気的に接続され、他端が制御部（図示せず）と電気的に接続されている。これにより、ドライバＩＣ５１は、制御部からの信号に基づいて圧電素子３２を駆動するための駆動信号を生成し、駆動信号を第２回路基板６０を介して圧電素子３２の電極に出力している。これにより、圧電素子３２が変形し、それに応じて振動板３１が変位すると、圧力室２１内の液体に圧力が付与されて、圧力室２１に連通するノズル１１から液体が吐出される。なお、第１回路基板５０の詳細については後述する。
【００１４】
＜第１回路基板及び第２回路基板＞
図１に示すように、第１回路基板５０は、例えば、フィルム状の回路基板のＣＯＦ（Chip on Film）であって、表面上の第１配線５２と電気的に接続したドライバＩＣ５１等の半導体チップを実装している。第１配線５２には、例えば、Ｓｎメッキにより被膜されたＣｕが用いられる。また、第２回路基板６０は、例えば、ＭＥＭＳ（Ｍicro Electro Ｍechanical Systems）であって、表面上に第２配線６１が形成されている。第２配線６１には、例えば、ＡｕとＡｌとの合金が用いられる。
【００１５】
第１回路基板５０と第２回路基板６０とは材料が互いに異なり、第１回路基板５０の熱膨張率ａと第２回路基板６０の熱膨張率ｂとは相違する。例えば、第１回路基板５０はポリイミド等の樹脂で形成され、第２回路基板６０はシリコン等の材料で形成されており、第１回路基板５０の熱膨張率ａは第２回路基板６０の熱膨張率ｂよりも大きい。また、第１回路基板５０は、脱水により収縮し、吸湿により膨張する性質を有している。
【００１６】
図２に示すように、第１回路基板５０は、互いに第１間隔ｃを空けて配列された複数の第１電極５３を有しており、第１電極５３は第１配線５２（図１）の先に設けられており、第２電極６２と接続する部分である。第１間隔ｃは、複数の第１電極５３が並ぶ方向（配列方向）において隣接する第１電極５３の中心間の寸法であって、例えば、２１μｍ（１２００ｄｐｉ）である。また、第２回路基板６０は、互いに第２間隔ｄを空けて配列された複数の第２電極６２を有しており、第２電極６２は第２配線６１（図１）の先に設けられており、第１電極５３と接続する部分である。第２間隔ｄは、配列方向において隣接する第２電極６２の中心間の寸法である。
【００１７】
第１回路基板５０と第２回路基板６０とは熱硬化性接着剤７０により接着されている。熱硬化性接着剤７０は、例えば、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Filｍ：ＡＣＦ）であって、熱硬化性樹脂７１中に導電性粒子７２を含んでいる。第１回路基板５０の第１電極５３と第２回路基板６０の第２電極６２とは、その間に導電性粒子７２が介在することにより電気的に接続する。
【００１８】
＜電極接続方法＞
まず、図３（ａ）に示す作成処理では、第１間隔ｃと第２間隔ｄとの寸法差が所定の許容範囲に収まるように第１回路基板５０及び第２回路基板６０を作成する。この所定の許容範囲は、第１電極５３と第２電極６２とが対向することが可能な範囲である。
【００１９】
続いて、図３（ｂ）に示す脱水処理では、第１回路基板５０を脱水する。これにより、第１回路基板５０が収縮し、第１間隔ｃが縮まる。例えば、脱水処理では、第１回路基板５０を、所定の加熱温度に保たれた加熱炉に所定の加熱時間、放置する。加熱温度は、例えば、１２０℃以上１７０℃以下であって、さらに好ましくは、１５０℃である。加熱時間は、例えば、５分以上１５分以下であって、さらに好ましくは１０分である。このように、第１回路基板５０を加熱することにより容易に脱水することができる。
【００２０】
そして、図４（ａ）に示す対向処理では、第１回路基板５０と第２回路基板６０との間に熱硬化性接着剤７０を挟んで第１電極５３と第２電極６２とを対向させる。このとき、第１回路基板５０の第１電極５３が配置された面（電極面）に熱硬化性接着剤７０を貼り付けた後、第１回路基板５０の電極面と第２回路基板６０の電極面との間に熱硬化性接着剤７０を挟むように第１回路基板５０を第２回路基板６０上に配置してもよい。
【００２１】
また、複数の第１電極５３が並ぶ範囲（第１電極５３の配列範囲）において配列方向における中央と、複数の第２電極６２が並ぶ範囲（第２電極６２の配列範囲）において配列方向における中央とが一致するようにする。そして、配列方向において第１電極５３と第２電極６２とが重なるように、第１電極５３と第２電極６２との位置を合わせて、第１電極５３と第２電極６２とを向い合せる。
【００２２】
その後、図４（ｂ）に示すように、加熱処理と共に圧着処理を行う。加熱処理では、第１回路基板５０及び第２回路基板６０のうち少なくとも第１回路基板５０と熱硬化性接着剤７０とを加熱する。この加熱処理を２段階（第１加熱処理、第２加熱処理）で行ってもよい。
【００２３】
第１加熱処理では、熱硬化性接着剤７０が熱により軟化する温度以上であって、硬化する温度未満の温度であって、例えば、７５℃に設定される。これにより、熱硬化性接着剤７０が粘着性を有する。ここで、例えば、第１回路基板５０上にクロス１３を配し、クロス１３上からプレス部材１４により第１回路基板５０を第２回路基板６０へ押し付ける。これにより、第１回路基板５０と第２回路基板６０とが圧着されて、第１回路基板５０と第２回路基板６０とが仮接着される。
【００２４】
そして、第２加熱処理では、第１加熱処理の温度よりも高い温度であって、熱硬化性接着剤７０が硬化する温度以上の温度であって、例えば、１８０℃に設定される。これにより、第１回路基板５０が熱膨張し、第１回路基板５０の第１間隔ｃが拡がる。この第１回路基板５０の熱膨張率ａは、第２回路基板６０の熱膨張率ｂよりも大きいため、第１間隔ｃは第２間隔ｄよりも大きく広がる。ここで、加熱処理前の脱水処理において、第１間隔ｃが予め縮められていたため、第１電極５３と第２電極６２とが対向する元の位置に戻るように第１間隔ｃが広がっていく。
【００２５】
ここで、例えば、第１回路基板５０をクロス１３を介してプレス部材１４により第２回路基板６０へ押し付けて、第１回路基板５０と第２回路基板６０とを圧着する。これにより、図２に示すように、導電性粒子７２を互いの間に挟んで第１電極５３と第２電極６２とが電気的に接続される。そして、硬化する熱硬化性接着剤７０によって第１回路基板５０と第２回路基板６０とが固定される。
【００２６】
その後、第１回路基板５０が常温常湿の環境に放置されると、第１回路基板５０は加熱温度から常温に冷却されるに伴って収縮する。これに対し、脱水状態よりも湿度の高い常湿状態において、第１回路基板５０は吸湿することにより膨張する。この収縮及び膨張によって第１間隔ｃの変化が低減されて、第１電極５３と第２電極６３とは対向する位置に維持される。このため、第１回路基板５０における応力が軽減され、応力による第１回路基板５０と第２回路基板６０との剥がれを抑制することができる。
【００２７】
上記電極接続方法のとおり、加熱処理前の脱水処理によって第１回路基板５０を収縮しておくことにより、第１回路基板５０の応力が低減される。このため、例えば、第１間隔ｃが２１μｍと非常に狭いことにより、第１回路基板５０と第２回路基板６０との接着力が非常に小さい場合であっても、応力による第１回路基板５０と第２回路基板６０との剥がれを抑制することができる。
【００２８】
また、第１回路基板５０と第２回路基板６０とが異なる材料であるため、これらの熱膨張率に差があり、加熱処理により第１回路基板５０に応力が発生し易い。このような場合であっても、加熱処理前の脱水処理によって第１回路基板５０を収縮しておくことによって、熱膨張の差を相殺し、熱膨張率の差による応力の軽減を図ることができる。
【００２９】
さらに、加熱処理前の脱水処理によって第１回路基板５０を収縮しておくことによって、圧着後の常温常湿時において第１電極５３と第２電極６２との位置ずれを低減することができる。このため、第１電極５３と第２電極６２との間に、熱硬化性接着剤７０（ＡＣＦ）に含まれる導電性粒子７２を介在させることができ、第１電極５３と第２電極６２との電気的な接続を維持することができる。
【００３０】
＜第１間隔、含水量、応力＞
上記電極接続方法における第１回路基板５０の第１間隔、含水量及び応力の変化を調べた。この結果、まず、図５（ａ）に示すように、時間ｔ０の作成処理において第１間隔ｃを第２間隔ｄに一致させておく。そして、時間ｔ０で脱水処理を開始すると、図５（ｂ）に示すように、脱水処理が進むにつれて含水量が低下していく。これに伴って、第１回路基板５０が収縮するため、図５（ａ）に示すように第１間隔ｃが減少していく。なお、図５（ｃ）に示すように、時間ｔ０〜ｔ１では、第１回路基板５０と第２回路基板６０とが接触していないため、第１間隔ｃが変化しても、第２回路基板６０に対して第１回路基板５０に応力が発生しない。
【００３１】
時間ｔ１で第１回路基板５０と第２回路基板６０との間に熱硬化性接着剤７０を挟んで第１電極５３と第２電極６２とを対向させた後、第１加熱処理を開始する。時間ｔ１〜ｔ２の第１加熱処理では、第１回路基板５０がわずかに吸湿することにより、図５（ｂ）に示すように含水量が少し増える。これと共に、図５（ａ）に示すように、第１回路基板５０の吸湿による膨張によって、第１間隔ｃが少し拡がる。また、図５（ｃ）に示すように、第１回路基板５０と第２回路基板６０とが熱硬化性接着剤７０を介して接着するため、第１回路基板５０の膨張に伴い応力が増える。
【００３２】
その後、時間ｔ２で第１回路基板５０と第２回路基板６０とを仮接着してから、第２加熱処理を開始する。時間ｔ２〜ｔ３の第２加熱処理では、仮接着された状態ではあるが、熱硬化性接着剤７０が硬化する前であるため、第１回路基板５０は第２回路基板６０に対して変位可能であり、図５（ａ）に示すように第１間隔ｃが拡大する。これに伴い、図５（ｃ）に示す第１回路基板５０の応力が大きくなる。また、第２加熱処理は第１加熱処理よりも高い温度であるため、図５（ｂ）に示すように含水量の上昇率が低下する。
【００３３】
時間ｔ３において、図５（ａ）の第１間隔ｃが第２間隔ｄに一致すると、第１回路基板５０と第２回路基板６０とを圧着して固定する。これにより、時間ｔ３以降、第１間隔ｃが一定になる。一方、図５（ｂ）の含水量の増加によって第１回路基板５０は膨張するが、第１回路基板５０は第２加熱処理による高温状態から常温状態へ冷却されるに伴い収縮する。この膨張及び収縮によって、図５（ｃ）の応力は減少していく。このため、応力による第１回路基板５０と第２回路基板６０との剥がれを抑制することができる。
【００３４】
＜実施例＞
図６の表に示す実施例、比較例１及び比較例２の条件によって第１電極５３との第２電極６２とを接続した。表に示す条件以外に関しては、実施例、比較例１及び比較例２のいずれも同じである。
【００３５】
実施例では、脱水処理による収縮によって第１回路基板５０の配列方向における寸法（幅）を３６ｍｍから７μｍ、縮め、第２回路基板６０の幅よりも短くした。そして、第１加熱処理及び第２加熱処理の熱膨張によって第１回路基板５０の幅が伸ばせて、第１回路基板５０と第２回路基板６０とを圧着した。このとき、第１回路基板５０と第２回路基板６０との幅は等しく、配列方向における第１電極５３と第２電極６２との位置が一致した。
【００３６】
これに対し、比較例１の方法では、脱水処理を実行しなかったため、加熱処理前の段階では、第１回路基板５０の幅と第２回路基板６０の幅とが等しかった。よって、第１加熱処理及び第２加熱処理後には、第１回路基板５０の幅が第２回路基板６０の幅よりも長くなり、第１電極５３と第２電極６２との位置がずれた。
【００３７】
また、比較例２の方法では、第１回路基板５０の熱膨張率ａが実施例の熱膨張率５ｐｐｍ／ｄｅｇよりも大きな１０ｐｐｍ／ｄｅｇの第１回路基板５０を用いた。このため、脱水処理による収縮によって第１回路基板５０の幅は縮んだが、その幅よりも長く第１加熱処理及び第２加熱処理の熱膨張によって幅が伸びた。このため、第１回路基板５０の幅が第２回路基板６０の幅よりも長くなり、第１電極５３と第２電極６２との位置がずれた。
【００３８】
＜変形例１＞
上記図３及び図４の電極接続方法において、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、加熱温度から常温への温度変化による第１回路基板５０の収縮量以上になるように第１回路基板５０を脱水させてもよい。図３（ｂ）に示すように、収縮量ｆは、第１回路基板５０において配列された複数の第１電極５３のうちの両端の第１電極５３ａ、５３ｂの接点間の寸法（第１電極５３の配列寸法）ｎが収縮した寸法であって、ｆ１＋ｆ２である。第１電極５３の接点は、例えば、配列方向における第１電極５３の中央に位置する。
【００３９】
このように、脱水処理において第１回路基板５０を大きく収縮しておくことにより、その後の加熱処理及び圧着処理後の常温常湿時に第１電極５３と第２電極６２との位置ずれが生じにくい。例えば、実験の結果、脱水処理後に、配列方向において第１電極５３の中央が、第２電極６２の中央よりも第１電極５３の配列範囲の中央側（内側）に配置されている場合は、内側の反対側（外側）に配置されている場合よりも、圧着処理後の常温常湿時における第１電極５３と第２電極６２との位置ずれが小さく、第１回路基板５０の応力を低減することができる。
【００４０】
＜変形例２＞
上記図３及び図４の電極接続方法において、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、加熱温度から常温への温度変化による第１回路基板５０の収縮量に等しくなるように第１回路基板５０を脱水させてもよい。このように脱水処理による収縮量ｆと冷却収縮による収縮量とを一致させることにより、圧着処理後の常温常湿時における第１電極５３と第２電極６２との位置ずれがさらに小さくなり、第１回路基板５０の応力を一層、低減することができる。
【００４１】
＜変形例３＞
上記図３及び図４の電極接続方法において、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、第２電極６２の幅ｗの２倍以下であってもよい。この幅ｗは、常温常湿状態における配列方向における第２電極６２の寸法である。この場合、図７（ａ）に示すように、脱水処理前では、配列されている複数の第１電極５３のうちの端に位置している第１電極５３（端の第１電極５３ａ、５３ｂ）が、第２電極６２の配列範囲のうちの端に位置している第２電極６２（端の第２電極６２ａ、６２ｂ）よりも第２電極６２の配列範囲の外側に位置している。第１電極５３が第２電極６２に対応するようにした範囲で第１電極５３の配列寸法ｍを最長とするには、一方の端の第１電極５３ａと一方の端の第２電極６２ａとの間隔、及び、他方の端の第１電極５３ｂと他方の端の第２電極６２ｂとの間隔は、それぞれｗ／２である。
【００４２】
この後の脱水処理により第１回路基板５０が収縮し、端の第１電極５３ａ、５３ｂが端の第２電極６２ａ、６２ｂよりも内側へ変位する。第１電極５３が第２電極６２に対応するようにした範囲で第１電極５３の配列寸法ｍを最短とするには、端の第１電極５３ａ、５３ｂと端の第２電極６２ａ、６２ｂとの間隔は、ｗ／２である。
【００４３】
このため、第１電極５３が第２電極６２に対応するようにした範囲で脱水処理によって最も大きく短縮する第１電極５３の配列寸法ｍの収縮量ｆは２ｗである。よって、収縮量ｆを２ｗ以下にすることにより、第１回路基板５０が収縮及び膨張する場合であっても、第１電極５３は第２電極６２上を変位する。このため、圧着処理後の常温常湿時における第１電極５３と第２電極６２との位置ずれが生じにくく、第１回路基板５０の応力を低減することができる。
【００４４】
なお、より好ましくは、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、第２電極６２の幅ｗ以下であってもよい。さらに好ましくは、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、第２電極６２の幅ｗの半分以上であってもよい。これにより、圧着処理後の常温常湿時における第１回路基板５０の応力を、一層、低減することができる。
【００４５】
＜変形例４＞
上記図３及び図４の電極接続方法において、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、第２間隔ｄ以下であってもよい。この第２間隔ｄは、常温常湿状態における隣接する第２電極６２の間の寸法である。このように、第１回路基板５０の収縮量ｆが大きいと、脱水処理により第１回路基板５０が収縮した際に第１電極５３が、隣接する第２電極６２の間に嵌ってしまうおそれがある。このため、第１回路基板５０の収縮量ｆを第２間隔ｄ以下にすることにより、互いに対向した状態で第１電極５３が第２電極６２上に位置するため、圧着処理後の常温常湿時における第１電極５３と第２電極６２との位置ずれが小さく、第１回路基板５０の応力を低減することができる。
【００４６】
＜変形例５＞
上記図３及び図４の電極接続方法において、脱水による第１回路基板５０の収縮量ｆが、第２間隔ｄの１／３以下であってもよい。この第２間隔ｄは、常温常湿状態における隣接する第２電極６２の間の寸法である。このように、第１回路基板５０の収縮量ｆが第２間隔ｄの１／３以下であれば、圧着処理後の常温常湿時における第１電極５３と第２電極６２との位置ずれがさらに小さく、第１回路基板５０の応力を一層、低減することができる。
【００４７】
＜変形例６＞
上記全ての電極接続方法において、ｗ／２＜（ａ×Ｔｃ−ｂ×Ｔｍ）×ｚ＜ｗの関係が成り立ってもよい。この場合、第１回路基板５０の熱膨張率をａとし、第２回路基板６０の熱膨張率をｂとし、圧着処理時の第１回路基板５０の温度をＴｃとし、圧着処理時の第２回路基板６０の温度をＴｍとし、第２電極６２の幅をｗとし、第１回路基板５０と第２回路基板６０との接続寸法をｚとする。この接続寸法ｚは、脱水処理及び加熱処理前の常温常湿状態における第１電極５３の配列寸法ｍと、配列された複数の第２電極６２のうちの両端の第２電極６２ａ、６２ｂの間の寸法（第２電極６２の配列寸法ｎ）とのうちの、短い方の寸法である。
【００４８】
この加熱処理による第１回路基板５０と第２回路基板６０との膨張量の差｛（ａ×Ｔｃ−ｂ×Ｔｍ）×ｚ｝と同じ寸法だけ、脱水処理により第１回路基板５０を収縮する。これにより、少なくとも第２電極６２の幅ｗの半分よりも大きく且つ幅ｗよりも小さく第１回路基板５０を収縮することにより、圧着処理後の常温常湿時における第１回路基板５０の応力を低減することができる。
【００４９】
＜変形例７＞
上記全ての電極接続方法では、第１回路基板５０を加熱することにより脱水したが、脱水方法はこれに限定されない。例えば、乾燥庫内で第１回路基板５０を脱水してもよい。この場合、乾燥庫は加熱されず、例えばシリカゲル等の乾燥剤を有している。
【００５０】
＜変形例８＞
上記全ての電極接続方法では、熱硬化性接着剤７０がＡＣＦであったが、熱硬化性接着剤７０はこれに限定されない。例えば、熱硬化性接着剤７３として、絶縁性樹脂接着フィルム(Non Conductive Film：ＮＣＦ)を用いてもよい。このＮＣＦは、導電性粒子７２を含まない。この場合、図８に示すように、第１電極５３と第２電極６２とは、導電性粒子７２を介さずに、直接、接触することによって電気的に接続する。
【００５１】
＜変形例９＞
上記全ての電極接続方法において、作成処理における所定の許容範囲がｎ−ｗ≦ｍ≦ｎ＋ｗに設定されていてもよい。ここで、図９（ａ）に示すように、ｍは、常温常湿状態における第１電極５３の配列寸法である。ｎは、常温常湿状態における第２電極６２の配列寸法である。ｗは、配列方向における第２電極６２の寸法（幅）である。常温とは、例えば、２０℃±１５℃であって、特に第１電極５３と第２電極６２との接続のために加熱及び冷却しない温度である。常湿とは、例えば、相対湿度４５％以上８５％以下であって、特に第１電極５３と第２電極６２との接続のために加湿及び除湿しない湿度である。
【００５２】
このように、常温常圧時の作成処理において、図９（ａ）に示すｍ＝ｎ−ｗから、図９（ｂ）に示すｍ＝ｎ＋ｗの範囲とすることにより、第１電極５３と第２電極６２とが対向して重なる。このため、圧着処理後の常温常圧時においても、第１電極５３と第２電極６２とが対向して重なるようになり、これらを電気的に接続することができる。
【００５３】
＜変形例１０＞
上記全ての電極接続方法において、作成処理における所定の許容範囲が、累積ピッチ補正率ｍ／ｎが１．０に設定されていてもよい。これにより、圧着処理後の常温常圧時においても、第１電極５３と第２電極６２とが対向して重なるようになり、これらを電気的に接続することができる。
【００５４】
なお、上記全実施の形態は、互いに相手を排除しない限り、互いに組み合わせてもよい。また、上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施の形態が明らかである。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更できる。
【符号の説明】
【００５５】
５０  ：第１回路基板
５３  ：第１電極
６０  ：第２回路基板
６２  ：第２電極
７０  ：熱硬化性接着剤（ＡＣＦ）
７３  ：熱硬化性接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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