(57)【要約】【課題】真空吸着保持した際の基板の平面度の向上を図ることができる基板保持部材および真空吸着方法を提供する。【解決手段】基板保持部材は、主面１０２を有する基体１と、主面１０２の外周部において主面１０２の周縁部に沿って連続的または断続的に設けられた第１環状凸部１１およびその内側の第２環状凸部１２と、を備えている。第１環状凸部１１の高さＨ１のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２よりも高い。第１主流路２１が、基体１の主面１０２において第１環状凸部１１と第２環状凸部１２との間の第１領域に開口する第１主開口部２１２を有し、真空吸引装置に接続されるように基体１に設けられている。第１副流路４１が、基体１の主面１０２において第２環状凸部１２の内側領域に開口する第１副開口部４１２を有し、大気に通じるように基体１に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基体と、
前記主面の外周部において前記主面の周縁部に沿って連続的または断続的に設けられた、互いに高さの異なる第１環状凸部およびその内側の第２環状凸部を有し、
前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さの高い方の環状凸部により基板が支持される基板保持部材であって、
前記主面において前記第１環状凸部と前記第２環状凸部との間の第１領域に開口する第１主開口部を有する第１主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第１主流路と、
前記主面において前記第２環状凸部の内側領域に開口する第１副開口部を有する第１副流路であって、大気に通じるようにまたは前記第１副流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されるように前記基体に設けられている第１副流路と、を備えることを特徴とする基板保持部材。
【請求項２】
前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが低い方の環状凸部の幅は、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項３】
前記第１環状凸部と前記第２環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持部材。
【請求項４】
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち、一方の環状凸部の高さは前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部の高さよりも低く、他方の環状凸部の高さは前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の高さと同じであり、
前記主面において前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の第３領域に開口する第２主開口部を有する第２主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第２主流路を有し、
前記第１副開口部は、前記主面において前記第４環状凸部の内側の第４領域に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項５】
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち高さが低い方の環状凸部の幅は、前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の基板保持部材。
【請求項６】
前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項４または５に記載の基板保持部材。
【請求項７】
前記主面の内側領域に連続的または断続的な環状に設けられた、第３環状凸部およびその内側の第４環状凸部を有し、
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部の高さは、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部の高さよりも低く
前記主面において前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の第３領域に開口する第２主開口部を有する第２主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第２主流路を有し、
前記第１副開口部は、前記主面において前記第４環状凸部の内側の第４領域に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項８】
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部の幅は、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項７に記載の基板保持部材。
【請求項９】
前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部と前記第３環状凸部との間の高さの差および前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部と前記第４環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項７または８に記載の基板保持部材。
【請求項１０】
前記主面において前記第２環状凸部および前記第３環状凸部の間の第２領域に開口する第２副開口部を有する第２副流路であって、大気に通じるように、または前記第２副流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されるように前記基体に設けられている第２副流路を備えることを特徴とする請求項４〜９のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項１１】
前記主面において前記第２環状凸部の内側の内側領域に、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部と同じ高さを有する凸部を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項１２】
前記第２環状凸部の方が前記第１環状凸部よりも高さが低いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項１３】
前記第１環状凸部の方が前記第２環状凸部よりも高さが低いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項１４】
主面を有する基体と、
前記主面の外周部において前記主面の周縁部に沿って連続的または断続的に設けられた、互いに高さの異なる外側環状凸部およびその内側にある内側環状凸部と、
前記主面において前記外側環状凸部と前記内側環状凸部との中間領域に開口する主開口部を有し、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている主流路と、
前記主面において前記内側環状凸部の内側領域に開口する副開口部を有し、大気に通じるようにまたは副流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されるように前記基体に設けられている副流路と、を備える基板保持部材を用いて基板を保持する方法であって、
前記基板を前記基体の主面側に載置する工程と、
前記真空吸引装置を作動させることにより、前記基板の裏面および前記基体の主面との間の空間を減圧することにより、前記外側環状凸部および前記内側環状凸部のうちの高さの高い方の環状凸部により前記基板を支持させる工程と、を含むことを特徴とする基板保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなど基板を真空吸着保持するために用いられる基板保持部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
リブ間排気孔、リブ間以外に大気孔および、圧力を調整する機構を有する真空チャックが提案されている（例えば、特許文献１参照）。基板の撓み量を抑制するために基板裏面の複数の部分領域を減圧できるようにその部分領域を囲んで閉じた形状の凸部を形成している。凹部には圧力調整手段が設けられている。
【０００３】
デバイスが形成されたシリコンウエハ（基板）同士の接合またはデバイスが形成されたシリコンウエハの加工をする工程においてはデバイスが形成されたデバイス形成領域を避けて基板を吸着支持する要求がある。当該工程ではデバイスは基板の略全面に形成されているためデバイス形成領域に真空チャックが接触しないように吸着支持する領域が基板の最外周（外縁部）の領域に限られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平０８−０３１５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウエハ（基板）中央部付近では基板の自重等の影響により基板が撓み、吸着時に高い平坦度が得られず所定の工程を行うことができない場合があった。そこで基板の最外周のみを保持してもなお基板の中央部付近のたわみが小さく抑制される真空チャックが要望されていた。また、デバイス形成領域をなるべく基板の全面にして基板１枚当たりのデバイスの製作数を増やすことへの要求から吸着支持する領域は最外周かつ最小な接触面積であることが必要であった。さらに一般の半導体製造プロセスにおいても基板との接触はパーティクル抑制の観点から最小限に抑える潜在的なニーズがある。
【０００６】
そこで、本発明は、真空吸着保持した際の基板の基体との接触面積の低減を図りながら、当該基板の平面度の向上を図ることができる基板保持部材および基板保持方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、主面を有する基体と、前記主面の外周部において前記主面の周縁部に沿って連続的または断続的に設けられた、互いに高さの異なる第１環状凸部およびその内側の第２環状凸部を有し、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さの高い方の環状凸部により基板が支持される基板保持部材に関する。
【０００８】
本発明の基板保持部材は、前記主面において前記第１環状凸部と前記第２環状凸部との間の第１領域に開口する第１主開口部を有する第１主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第１主流路と、前記主面において前記第２環状凸部の内側領域に開口する第１副開口部を有する第１副流路であって、大気に通じるようにまたは前記第１副流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されるように前記基体に設けられている第１副流路と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
当該構成の基板保持部材およびこれを用いた基板保持方法によれば、（１）第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部が第１環状凸部である場合、第１環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第１主開口部および第１主流路を通じて減圧される。これにより、第２環状凸部の内側から外側に気体が流れ、基板の裏面および第２環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００１０】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第１環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第２環状凸部（第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００１１】
さらに、第２環状凸部の内側領域において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部およびその内側領域に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００１２】
（２）当該一方の環状凸部が第２環状凸部である場合、第１環状凸部および第２環状凸部の間の中間領域（第１領域）において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第１主開口部および第１主流路を通じて減圧される。これにより、第１環状凸部の外側から内側に気体が流れ、基板の裏面および第１環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００１３】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第２環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第１環状凸部（第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００１４】
さらに、第２環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、第２環状凸部の内側領域に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００１５】
前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが低い方の環状凸部の幅は、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことが好ましい。
【００１６】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（１）の場合、基板の裏面と第１環状凸部の上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第２環状凸部の上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。また、前記（２）の場合、基板の裏面と第２環状凸部の上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第１環状凸部の上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００１７】
前記第１環状凸部と前記第２環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００１８】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面と第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部の上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００１９】
本発明の基板保持部材が、前記主面の内側領域に連続的または断続的な環状に設けられた、第３環状凸部およびその内側の第４環状凸部を有し、前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち、一方の環状凸部の高さは前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部の高さよりも低く、他方の環状凸部の高さは前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の高さと同じであり、前記主面において前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の第３領域に開口する第２主開口部を有する第２主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第２主流路を有し、前記第１副開口部は、前記主面において前記第４環状凸部の内側の第４領域に設けられることが好ましい。
【００２０】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（１）の場合（＝第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部が第１環状凸部である場合）、かつ、（３）第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部が第３環状凸部である場合、第３環状凸部の内側かつ第４環状凸部の外側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第４環状凸部の内側から外側に気体が流れ、基板の裏面および第４環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００２１】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第１環状凸部に加えて第３環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第４環状凸部（第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００２２】
さらに、第４環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部およびその内側領域に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００２３】
前記（１）の場合、かつ、（４）第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部が第４環状凸部である場合、第３環状凸部の内側かつ第４環状凸部の外側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第３環状凸部の外側から内側に気体が流れ、基板の裏面および第３環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００２４】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第１環状凸部に加えて第４環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第３環状凸部（第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００２５】
さらに、第４環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、第４環状凸部の内側領域（第４領域）に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００２６】
前記（２）の場合（＝第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部が第２環状凸部である場合）、かつ、前記（３）の場合、第３環状凸部の内側かつ第４環状凸部の外側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第４環状凸部の内側から外側に気体が流れ、基板の裏面および第４環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００２７】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第２環状凸部に加えて第３環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第４環状凸部（第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００２８】
さらに、第４環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第３環状凸部およびその内側領域に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００２９】
前記（２）の場合、かつ、前記（４）の場合、第３環状凸部の内側かつ第４環状凸部の外側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第３環状凸部の外側から内側に気体が流れ、基板の裏面および第３環状凸部の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００３０】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第２環状凸部に加えて第４環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第３環状凸部（第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部）に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。
【００３１】
さらに、第４環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部および第１副流路を通じて調節される。これにより、第４環状凸部およびその内側領域に対応する領域で基板が局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００３２】
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち高さが低い方の環状凸部の幅は、前記第３環状凸部および前記第４環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことが好ましい。
【００３３】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（１）の場合、かつ、前記（３）の場合、基板の裏面と第１環状凸部および第３環状凸部のそれぞれの上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第２環状凸部および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００３４】
また、前記（１）の場合、かつ、前記（４）の場合、基板の裏面と第１環状凸部および第４環状凸部のそれぞれの上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第２環状凸部および第３環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００３５】
さらに、前記（２）の場合、かつ、前記（３）の場合、基板の裏面と第２環状凸部および第３環状凸部のそれぞれの上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第１環状凸部および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００３６】
前記（２）の場合、かつ、前記（４）の場合、基板の裏面と第２環状凸部および第４環状凸部のそれぞれの上端面との接触面積の低減が図られ、かつ、基板の裏面と第１環状凸部および第３環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００３７】
前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００３８】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面と第１環状凸部および第２環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部の上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力に加えて、基板の裏面と第３環状凸部および第４環状凸部のうち相対的に高さが低い他方の環状凸部の上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００３９】
本発明の基板保持部材が、前記主面の内側領域に連続的または断続的な環状に設けられた、第３環状凸部およびその内側の第４環状凸部を有し、前記第３環状凸部および前記第４環状凸部の高さは、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部の高さよりも低く、前記主面において前記第３環状凸部と前記第４環状凸部との間の第３領域に開口する第２主開口部を有する第２主流路であって、真空吸引装置に接続されるように前記基体に設けられている第２主流路を有し、前記第１副開口部は、前記主面において前記第４環状凸部の内側の第４領域に設けられることが好ましい。
【００４０】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（１）の場合（前記（１）の場合、かつ、前記（３）または前記（４）の場合と区別するため「（５）の場合」という。）、第１環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第１主開口部および第１主流路に加えて、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第２環状凸部の内側から外側に気体が流れ、第３環状凸部の外側から内側に気体が流れ、かつ、第４環状凸部の内側から外側に気体が流れ、基板の裏面と第２、第３および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００４１】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第１環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第２、第３および第４環状凸部に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。さらに、第１副流路の気圧が調節されることにより、当該気体の速度の高低、ひいては当該ベルヌーイ力が調節されるので基板の平坦度の向上が図られる。
【００４２】
前記（２）の場合（前記（２）の場合、かつ、前記（３）または前記（４）の場合と区別するため「（６）の場合」という。）、第２環状凸部の内側において基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間が、第１主開口部および第１主流路に加えて、第２主開口部および第２主流路を通じて減圧される。これにより、第１環状凸部の外側から内側に気体が流れ、第３環状凸部の外側から内側に気体が流れ、かつ、第４環状凸部の内側から外側に気体が流れ、基板の裏面と第２、第３および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる。
【００４３】
基板が当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第１環状凸部の全部に対して当接する。この際、基板が第２、第３および第４環状凸部に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。さらに、第１副流路の気圧が調節されることにより、当該気体の速度の高低、ひいては当該ベルヌーイ力が調節されて基板の平坦度の向上が図られる。
【００４４】
前記第３環状凸部および前記第４環状凸部の幅は、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部の幅よりも大きいことが好ましい。
【００４５】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面と第３および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００４６】
前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部と前記第３環状凸部との間の高さの差および前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうち高さが高い方の環状凸部と前記第４環状凸部との間の高さの差が０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００４７】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面と第１または第２環状凸部に加えて、第３および第４環状凸部のそれぞれの上端面との間隙を流れる気体の局所的な速度上昇によるベルヌーイ力が、基板の平坦度を向上させる観点から適当に調節されうる。
【００４８】
本発明の基板保持部材が、前記主面において前記第２環状凸部および前記第３環状凸部の間の第２領域に開口する第２副開口部を有する第２副流路であって、大気に通じるように、または前記第２副流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されるように前記基体に設けられている第２副流路を備えることが好ましい。
【００４９】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面と基体の主面とにより挟まれた空間において第２環状凸部の内側領域の気圧が、当該基板の平坦度を向上させる観点から適当に制御されうる。前記（１）の場合、基板の裏面と第２環状凸部の上端面との間隙における気体の速度、ひいては当該間隙に対応する領域で基板に作用するベルヌーイ力が基板の平坦度を向上させる観点からより適当に制御される。前記（４）、（５）または（６）の場合、基板の裏面と第３環状凸部の上端面との間隙における気体の速度、ひいては当該間隙に対応する領域で基板に作用するベルヌーイ力が基板の平坦度を向上させる観点からより適当に制御される。
【００５０】
本発明の基板保持部材が、前記主面において前記第２環状凸部の内側の内側領域に、前記第１環状凸部および前記第２環状凸部のうちの高さが高い方の環状凸部と同じ高さを有する凸部を有することが好ましい。
【００５１】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間における気圧の制御に加えて、基板の裏面が、少なくとも第１環状凸部または第２環状凸部のうち相対的に高さが高い一方の環状凸部に加えて、複数の凸部により支持されることで、基板の平坦度の向上が図られる。
【００５２】
前記第２環状凸部の方が前記第１環状凸部よりも高さが低いことが好ましい。
【００５３】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（１）の場合について述べた態様で、基板および基体の接触面積の低減が図られながら当該基板の平坦度の向上が図られる。
【００５４】
前記第１環状凸部の方が前記第２環状凸部よりも高さが低いことが好ましい。
【００５５】
当該構成の基板保持部材によれば、前記（２）の場合について述べた態様で、基板および基体の接触面積の低減が図られながら当該基板の平坦度の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図２】本発明の第２実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図３】本発明の第３実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図４】本発明の第４実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図５】本発明の第５実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図６】本発明の第６実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図７】本発明の第７実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図８】本発明の第８実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図９】本発明の第９実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図１０】本発明の第１０実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図１１】本発明の第１１実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図１２】本発明の第１２実施形態としての基板保持部材の構成に関する説明図。
【図１３】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の上面図。
【図１４】本発明の第３実施形態としての基板保持部材の上面図。
【図１５】本発明の第９、第１０実施形態としての基板保持部材の上面図。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
（第１実施形態）
（構成）
図１および図１３に示されている本発明の第１実施形態としての基板保持部材は、平坦な主面１０２を有する基体１と、主面１０２の外周部において主面１０２の周縁部に沿って連続的または断続的に延在し、かつ、主面１０２よりも突出して設けられた第１環状凸部１１およびその内側の第２環状凸部１２と、を備えている。主面１０２は平面ではなく、凹曲面または凸曲面などの曲面であってもよい。
【００５８】
基体１は、例えば略平板状のＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックス焼結体からなる。第１環状凸部１１および第２環状凸部１２のそれぞれは、研削加工、ブラスト加工もしくはレーザー加工またはこれらの組み合わせにより形成される。
【００５９】
第１実施形態では、第１環状凸部１１の高さＨ１（基体１の主面１０２または主面１０２における基準点から第１環状凸部１１の上端部までの高さ方向（主面１０２が平面である場合には主面１０２の垂線方向）の間隔）のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２（基体１の主面１０２または主面１０２における基準点から第２環状凸部１２の上端部までの高さ方向の間隔）よりも高い。例えば、Ｈ１＝１００μｍであり、Ｈ２＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ１−Ｈ２は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第１環状凸部１１の幅Ｗ１は、第２環状凸部１２の幅Ｗ２よりも小さい。例えば、Ｗ１＝０．５ｍｍであり、Ｗ２＝３．０ｍｍである。
【００６０】
基板保持部材は、第１主流路２１と、第１副流路４１と、をさらに備えている。第１主流路２１は、基体１の主面１０２において第１環状凸部１１と第２環状凸部１２との間の第１領域に開口する第１主開口部２１２を有し、真空吸引装置（図示略）に接続されるように基体１に設けられている。第１副流路４１は、基体１の主面１０２において第２環状凸部１２の内側領域に開口する第１副開口部４１２を有し、大気に通じるようにまたは前記第１副流路４１内の気圧を調整する圧力調整装置（図示略）に接続されるように基体１に設けられている。
【００６１】
なお、図１では基板保持部材が概略的に表されており、当該基板保持部材の構成要素のアスペクト比、間隔、個数などは、原則的に実際の設計値とは異なっている。これは、すべての実施形態において同様である。
【００６２】
（機能）
本発明の第１実施形態としての基板保持部材によれば、前記（１）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図１／黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１／一点鎖線左矢印参照）。
【００６３】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第２環状凸部１２に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、基板Ｗから離間している第２環状凸部１２の幅Ｗ２よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００６４】
さらに、第２環状凸部１２の内側領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される（図１／白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部１２およびその内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００６５】
（第２実施形態）
（構成）
図２に示されている本発明の第２実施形態としての基板保持部材においては、第１環状凸部１１の高さＨ１のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２よりも低い。例えば、Ｈ１＝９７μｍであり、Ｈ２＝１００μｍである。当該高さの偏差Ｈ２−Ｈ１は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第２環状凸部１２の幅Ｗ２は、第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい。例えば、Ｗ１＝３．０ｍｍであり、Ｗ２＝０．５ｍｍである。これら以外の構成は、第１実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００６６】
（機能）
本発明の第２実施形態としての基板保持部材によれば、前記（２）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の間の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図２／黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図２／一点鎖線右矢印参照）。また、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の（第２環状凸部１２の表面粗さに由来する）微小な間隙を通じて第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、当該微小な間隙において気体の速度が局所的に高くなる可能性がある。
【００６７】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第１環状凸部１１に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第２環状凸部１２の幅Ｗ２が、基板Ｗから離間している第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００６８】
さらに、第２環状凸部１２の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される。これにより、第２環状凸部１２の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００６９】
（第３実施形態）
（構成）
図３および図１４に示されている本発明の第３実施形態としての基板保持部材は、基体１の主面１０２の内側領域に連続的または断続的な環状に設けられた、第３環状凸部１３およびその内側の第４環状凸部１４をさらに備えている。
【００７０】
第３実施形態では、第３環状凸部１３の高さＨ３（基体１の主面１０２または主面１０２の基準点から第３環状凸部１３の上端部までの高さ方向の間隔）のほうが、第４環状凸部１４の高さＨ４（基体１の主面１０２または主面１０２の基準点から第４環状凸部１４の上端部までの高さ方向の間隔）よりも高い。第３環状凸部１３の高さＨ３は、第１環状凸部１１の高さＨ１と同じである。第４環状凸部１４の高さＨ４は、第１環状凸部１１の高さＨ１よりも低い。例えば、Ｈ１＝Ｈ３＝１００μｍであり、Ｈ４（＜Ｈ１）＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ３−Ｈ４は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第３環状凸部１３の幅Ｗ３は、第４環状凸部１４の幅Ｗ４よりも小さい。例えば、Ｗ３＝０．５ｍｍであり、Ｗ４＝３．０ｍｍである。
【００７１】
基板保持部材は、第２主流路２２および第２副流路４２をさらに備えている。第２主流路２２は、基体１の主面１０２において第３環状凸部１３と第４環状凸部１４との間の第３領域に開口する第２主開口部２２２を有し、真空吸引装置（図示略）に接続されるように基体１に設けられている。第２副流路４２は、基体１の主面１０２において第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の間の第２領域に開口する第２副開口部４２２を有し、大気に通じるようにまたは第２副流路４２内の気圧を調整する圧力調整装置（図示略）に接続されるように基体１に設けられている。第１副流路４１の第１副開口部４１２は、基体１の主面１０２において第４環状凸部１４の内側の第４領域に開口している。
【００７２】
これら以外の構成は、第１実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００７３】
（機能）
本発明の第３実施形態としての基板保持部材によれば、前記（１）の場合、かつ、前記（３）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図３／左側の黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図３／一点鎖線左矢印参照）。
【００７４】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２１２を通じて減圧される（図３／右側の黒下矢印参照）。これにより、第４環状凸部１４の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第４環状凸部１４の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図３／二点鎖線左矢印参照）。
【００７５】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１に加えて第３環状凸部１３の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第２環状凸部１２に加えて、第４環状凸部１４に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、基板Ｗから離間している第２環状凸部１２の幅Ｗ２よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。基板Ｗを支持する第３環状凸部１３の幅Ｗ３が、基板Ｗから離間している第４環状凸部１４の幅Ｗ４よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００７６】
さらに、第１環状凸部１１および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される。第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部１２およびその内側領域、ならびに、第４環状凸部１４およびその内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００７７】
（第４実施形態）
（構成）
図４に示されている本発明の第４実施形態としての基板保持部材においては、第１環状凸部１１の高さＨ１のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２よりも低い。第２環状凸部１２の高さＨ２は、第３環状凸部１３の高さＨ３と同一である。例えば、Ｈ１＝９７μｍであり、Ｈ２＝Ｈ３＝１００μｍであり、Ｈ４（＜Ｈ２）＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ２−Ｈ１は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第２環状凸部１２の幅Ｗ２は、第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい。例えば、Ｗ１＝３．０ｍｍであり、Ｗ２＝０．５ｍｍである。これら以外の構成は、第３実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００７８】
（機能）
本発明の第４実施形態としての基板保持部材によれば、前記（２）の場合、かつ、前記（３）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図４／左側の黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図４／一点鎖線右矢印参照）。
【００７９】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図４／右側の黒下矢印参照）。これにより、第４環状凸部１４の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第４環状凸部１４の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図４／二点鎖線左矢印参照）。
【００８０】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体の主面に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２に加えて第３環状凸部１３の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第１環状凸部１１および第４環状凸部１４に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第２環状凸部１２の幅Ｗ２が、基板Ｗから離間している第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。基板Ｗを支持する第３環状凸部１３の幅Ｗ３が、基板Ｗから離間している第４環状凸部１４の幅Ｗ４よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００８１】
さらに、第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される（図４／右側の白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第３環状凸部１３およびその内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される。これにより、第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００８２】
（第５実施形態）
（構成）
図５に示されている本発明の第５実施形態としての基板保持部材においては、第３環状凸部１３の高さＨ３のほうが、第４環状凸部１４の高さＨ４よりも低い。第４環状凸部１４の高さＨ４は、第１環状凸部１１の高さＨ１と同じである。例えば、Ｈ１＝Ｈ４＝１００μｍであり、Ｈ３（＜Ｈ１）＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ４−Ｈ３は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第４環状凸部１４の幅Ｗ４は、第３環状凸部１３の幅Ｗ３よりも小さい。例えば、Ｗ３＝３．０ｍｍであり、Ｗ４＝０．５ｍｍである。
【００８３】
これら以外の構成は、第３実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００８４】
（機能）
本発明の第５実施形態としての基板保持部材によれば、前記（１）の場合、かつ、前記（４）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図５／左側の黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図５／一点鎖線左矢印参照）。
【００８５】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図５／右側の黒下矢印参照）。これにより、第３環状凸部１３の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図５／二点鎖線右矢印参照）。
【００８６】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１に加えて第４環状凸部１４の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第２環状凸部１２および第３環状凸部１３に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、基板Ｗから離間している第２環状凸部１２の幅Ｗ２よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。基板Ｗを支持する第４環状凸部１４の幅Ｗ４が、基板Ｗから離間している第３環状凸部１３の幅Ｗ３よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００８７】
さらに、第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される。これにより、第４環状凸部の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される（図５／白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第１環状凸部１１および第４環状凸部１４の中間領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００８８】
（第６実施形態）
（構成）
図６に示されている本発明の第６実施形態としての基板保持部材においては、第１環状凸部１１の高さＨ１のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２よりも低い。第２環状凸部１２の高さＨ２は、第４環状凸部１４の高さと同一である。例えば、Ｈ１＝９７μｍであり、Ｈ２＝Ｈ４＝１００μｍであり、Ｈ３（＜Ｈ２）＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ２−Ｈ１は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第２環状凸部１２の幅Ｗ２は、第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい。例えば、Ｗ１＝３．０ｍｍであり、Ｗ２＝０．５ｍｍである。これら以外の構成は、第５実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００８９】
（機能）
本発明の第６実施形態としての基板保持部材によれば、前記（２）の場合、かつ、前記（４）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図６／左側の黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図６／一点鎖線右矢印参照）。
【００９０】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図６／左側の黒下矢印参照）。これにより、第３環状凸部１３の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図６／二点鎖線右矢印参照）。
【００９１】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２に加えて第４環状凸部１４の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第１環状凸部１３および第３環状凸部１３に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第２環状凸部１２の幅Ｗ２が、基板Ｗから離間している第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。基板Ｗを支持する第４環状凸部１４の幅Ｗ４が、基板Ｗから離間している第３環状凸部１３の幅Ｗ３よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００９２】
さらに、第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される。これにより、第４環状凸部１４の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される（図６／白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部１２および第４環状凸部１４の中間領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００９３】
（第７実施形態）
（構成）
図７に示されている本発明の第７実施形態としての基板保持部材においては、第３環状凸部１３の高さＨ３および第４環状凸部１４の高さＨ４が、第１環状凸部１１の高さＨ１よりも低い。第１環状凸部１１の高さＨ１と第３環状凸部１３の高さＨ３の差Ｈ１−Ｈ３および第１環状凸部１１の高さＨ１と第４環状凸部１４の高さＨ４の差Ｈ１−Ｈ４は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第３環状凸部１３の高さＨ３および第４環状凸部１４の高さＨ４は同一であってもよく、異なっていてもよい。第３環状凸部１３の幅Ｗ３および第４環状凸部１４の幅Ｗ４は、第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも大きい。第３環状凸部１３の幅Ｗ３および第４環状凸部１４の幅Ｗ４は同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００９４】
これら以外の構成は、第５実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００９５】
（機能）
本発明の第７実施形態としての基板保持部材によれば、前記（５）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図７／左側の黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図７／一点鎖線左矢印参照）。
【００９６】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図７／右側の黒下矢印参照）。これにより、第３環状凸部１３の外側から内側に気体が流れ、かつ、第４環状凸部１４の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙、ならびに、基板Ｗの裏面および第４環状凸部１４の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図７／二点鎖線右矢印および二点鎖線左矢印参照）。
【００９７】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第２環状凸部１２、第３環状凸部１３および第４環状凸部１４に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、基板Ｗから離間している第２環状凸部１２の幅Ｗ２よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【００９８】
さらに、第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される（図７／右側の白上矢印参照）。第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される（図７／左側の白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第１環状凸部１１の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【００９９】
（第８実施形態）
（構成）
図８に示されている本発明の第８実施形態としての基板保持部材においては、第１環状凸部１１の高さＨ１のほうが、第２環状凸部１２の高さＨ２よりも低い。例えば、Ｈ１＝９７μｍであり、Ｈ２＝１００μｍであり、Ｈ３＝Ｈ４（＜Ｈ２）＝９７μｍである。当該高さの偏差Ｈ２−Ｈ１は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。第２環状凸部１２の幅Ｗ２は、第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい。例えば、Ｗ１＝３．０ｍｍであり、Ｗ２＝０．５ｍｍである。これら以外の構成は、第７実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【０１００】
（機能）
本発明の第８実施形態としての基板保持部材によれば、前記（６）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図８／左側の黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図８／一点鎖線右矢印参照）。
【０１０１】
また、第３環状凸部１３の内側かつ第４環状凸部１４の外側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図８／右側の黒下矢印参照）。これにより、第３環状凸部１３の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図８／二点鎖線右矢印参照）。また、第４環状凸部１４の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第４環状凸部１４の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図８／二点鎖線左矢印参照）。
【０１０２】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第１環状凸部１１、第３環状凸部１３および第４環状凸部１４に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。また、基板Ｗを支持する第２環状凸部１２の幅Ｗ２が、基板Ｗから離間している第１環状凸部１１の幅Ｗ１よりも小さい分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【０１０３】
さらに、第４環状凸部１４の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される（図８／右側の白上矢印参照）。また、第２環状凸部１２および第３環状凸部１３の中間において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第２副開口部４２２および第２副流路４２を通じて調節される（図８／左側の白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第２環状凸部１２の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【０１０４】
（第９実施形態）
（構成）
図９および図１５に示されている本発明の第９実施形態としての基板保持部材は、主面１０２において第２環状凸部１２の内側領域に離散的に配置されている複数の凸部１０をさらに備えている点において第１実施形態の基板保持部材と相違する。複数の凸部１０は、三角格子状、正方格子状など規則的に配置されている。複数の凸部１０のそれぞれは、柱状、錘台状、複数の柱または錘台が軸線方向に積み重ねられたような形状であり、研削加工、ブラスト加工もしくはレーザー加工またはこれらの組み合わせにより形成される。第１環状凸部１１の高さＨ１は、凸部１０の高さＨ０と同一である。
【０１０５】
これら以外の構成は、第１実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【０１０６】
（機能）
本発明の第９実施形態としての基板保持部材によれば、前記（１）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図９／黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図９／一点鎖線左矢印参照）。
【０１０７】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１および複数の凸部１０の全部により支持される。これにより、第２環状凸部１２およびその内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態がさらに確実に回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【０１０８】
（第１０実施形態）
（構成）
図１０および図１５に示されている本発明の第１０実施形態としての基板保持部材は、主面１０２において第２環状凸部１２の内側領域に離散的に配置されている複数の凸部１０をさらに備えている点において第２実施形態の基板保持部材と相違する。複数の凸部１０は、三角格子状、正方格子状など規則的に配置されている。複数の凸部１０のそれぞれは、柱状、錘台状、複数の柱または錘台が軸線方向に積み重ねられたような形状であり、研削加工、ブラスト加工もしくはレーザー加工またはこれらの組み合わせにより形成される。第２環状凸部１２の高さＨ２は、凸部１０の高さＨ０と同一である。
【０１０９】
これら以外の構成は、第２実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【０１１０】
（機能）
本発明の第１０実施形態としての基板保持部材によれば、前記（２）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図１０／黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１０／一点鎖線右矢印参照）。
【０１１１】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２および複数の凸部１０の全部に対して当接する。これにより、第２環状凸部１２の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態がさらに確実に回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【０１１２】
（第１１実施形態）
（構成）
図１１に示されている本発明の第１１実施形態としての基板保持部材は、基体１の主面１０２において、第２環状凸部１２の内側および第１副開口部４１２の外側の中間に、連続的または断続的な環状に延在する第３環状凸部１３が設けられている。第３環状凸部１３の高さＨ３は、第１環状凸部１１の高さＨ１よりも低い。これら以外の構成は、第１実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【０１１３】
第１１実施形態の基板保持部材は、第５または第７実施形態の基板保持部材において、第４環状凸部１４、第２主流路２２および第２副流路４２が省略された構成である。
【０１１４】
（機能）
本発明の第１１実施形態としての基板保持部材によれば、前記（１）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１の内側において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図１１／黒下矢印参照）。これにより、第２環状凸部１２の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第２環状凸部１２の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１１／一点鎖線左矢印参照）。また、第３環状凸部１３の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１１／二点鎖線左矢印参照）。
【０１１５】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第１環状凸部１１の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第２環状凸部１２および第３環状凸部１３に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【０１１６】
さらに、第２環状凸部１２の内側領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される（図１１／白上矢印参照）。これにより、当該ベルヌーイ力の強弱が調節され、第１環状凸部１１およびその内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【０１１７】
（第１２実施形態）
（構成）
図１２に示されている本発明の第１２実施形態としての基板保持部材は、基体１の主面１０２において、第２環状凸部１２の内側および第１副開口部４１２の外側の中間に、連続的または断続的な環状に延在する第４環状凸部１４が設けられている点において第１０実施形態の基板保持部材と相違する。第４環状凸部１４の高さＨ４は、第２環状凸部１２の高さＨ１および複数の凸部１０の高さＨ０よりも低い。基板保持部材は、第２主流路２２をさらに備えている。第２主流路２２は、基体１の主面１０２において第２環状凸部１２と第４環状凸部１４との中間領域に開口する第２主開口部２２２を有し、真空吸引装置（図示略）に接続されるように基体１に設けられている。
【０１１８】
これら以外の構成は、第２実施形態の基板保持部材と同様なので、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【０１１９】
（機能）
本発明の第１２実施形態としての基板保持部材によれば、前記（２）の場合と同様の機能が発揮される。すなわち、第１環状凸部１１および第２環状凸部１２の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第１主開口部２１２および第１主流路２１を通じて減圧される（図１２／左側の黒下矢印参照）。これにより、第１環状凸部２１の外側から内側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第１環状凸部１１の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１２／一点鎖線右矢印参照）。
【０１２０】
また、第２環状凸部１２および第４環状凸部１４の中間領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が、第２主開口部２２２および第２主流路２２を通じて減圧される（図１２／右側の黒下矢印参照）。これにより、第４環状凸部１４の内側から外側に気体が流れ、基板Ｗの裏面および第３環状凸部１３の上端面の間隙において当該気体の速度が局所的に高くなる（図１２／二点鎖線左矢印参照）。
【０１２１】
基板Ｗが当該減圧に由来する引力および当該間隙における気体の局所的な速度上昇に由来する引力またはベルヌーイ力により基体１の主面１０２に向かって引き寄せられ、第２環状凸部１２の全部に対して当接する。この際、基板Ｗが第１環状凸部１１および第４環状凸部１４に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる。
【０１２２】
さらに、第４環状凸部１４の内側領域において基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間の気圧が、第１副開口部４１２および第１副流路４１を通じて調節される。これにより、第２環状凸部１２の内側領域に対応する領域で基板Ｗが局所的に撓むような事態が回避されて基板Ｗの平坦度の向上が図られる。
【０１２３】
（本発明の他の実施形態）
第１、第３、第５、第７、第９および第１１実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、第２環状凸部１２の幅Ｗ２と同一であってもよく、第２環状凸部１２の幅Ｗ２より大きくてもよい。第２、第４、第６、第８、第１０および第１２実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第１環状凸部１１の幅Ｗ１が、第２環状凸部１２の幅Ｗ２と同一であってもよく、第２環状凸部１２の幅Ｗ２より小さくてもよい。
【０１２４】
第３および第４実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第３環状凸部１３の幅Ｗ３が、第４環状凸部１４の幅Ｗ４と同一であってもよく、第４環状凸部１４の幅Ｗ４より大きくてもよい。第５および第６実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第３環状凸部１３の幅Ｗ３が、第４環状凸部１４の幅Ｗ４と同一であってもよく、第４環状凸部１４の幅Ｗ４より小さくてもよい。第７および第８実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第３環状凸部１３の幅Ｗ３および第４環状凸部１４の幅Ｗ４のうち一方または両方が、第１環状凸部１１の幅Ｗ１と同一であってもよく、第１環状凸部１１の幅Ｗ１より小さくてもよい。
【０１２５】
第３〜第８および第１１実施形態のそれぞれの基板保持部材において、第９、第１０および第１２実施形態と同様に、複数の凸部１０が基体１に設けられてもよい。
【０１２６】
第３〜第８実施形態のそれぞれの基板保持部材において、基体１の第２主流路２２が省略されてもよい。第３〜第８実施形態のそれぞれの基板保持部材において、基体１の第２副流路４２が省略されてもよい。
【０１２７】
（実施例）
（実施例１）
第１実施形態にしたがって実施例１の基板保持部材が作製された（図１参照）。外径φ３００ｍｍ、厚み７ｍｍの略円盤状の炭化珪素（ＳｉＣ）セラミックス焼結体により基体１が作製された。基体１の主面１０２において、外径φ２９９ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ１００μｍの円環状の凸部が第１環状凸部１１として形成された。外径φ２９６ｍｍ、幅３ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸部が第２環状凸部１２として形成された。基体１において主面１０２の中心から２９７ｍｍの円環上に周方向に等間隔に配置された、φ０．８ｍｍの厚さ方向に貫通する３６個の貫通孔が第１主流路２１として形成された。基体１において主面１０２の中心に配置された、φ４ｍｍの厚さ方向に貫通する単一の貫通孔が第１副流路４１として形成された。
【０１２８】
第１主流路２１を真空吸引装置に接続し、第１副流路４１を大気に連通させた状態で、基体１の主面１０２側に基板Ｗ（シリコンウエハ）を載置した後、基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が第１主流路２１を通じて真空吸引装置により減圧された。その結果、空気が第１副流路４１から当該空間に流入し、第２環状凸部１２と基板Ｗとの間隙を通過して第１主流路２１を通じて当該空間から流出する（図１／白上矢印、一点鎖線左矢印および黒下矢印参照）。
【０１２９】
第２環状凸部１２と基板Ｗとの間隙の形状（高さＨ２および幅Ｗ２）および第２環状凸部１２の内側および外側の圧力差が調整されることにより、基板Ｗの平坦度の向上が図られる。圧力差は真空吸引装置までの真空配管を含めたコンダクタンスの調整のほか、第２環状凸部１２の内側に設けられた第１副流路４１の圧力を調節すればよい。例えば、第１副流路４１に圧力制御バルブまたは各種バルブにより構成される圧力調整装置によってコンダクタンスが調節されることが好ましい。
【０１３０】
（実施例２）
第２実施形態にしたがって実施例２の基板保持部材が作製された（図２参照）。外径φ３００ｍｍ、厚み７ｍｍの略円盤状の炭化珪素（ＳｉＣ）セラミックス焼結体により基体１が作製された。基体１の主面１０２において、外径φ２９９ｍｍ、幅３ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸部が第１環状凸部１１として形成された。外径φ２９６ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ１００μｍの円環状の凸部が第２環状凸部１２として形成された。基体１において主面１０２の中心から２９７ｍｍの円環上に周方向に等間隔に配置された、φ０．８ｍｍの厚さ方向に貫通する３６個の貫通孔が第１主流路２１として形成された。基体１において主面１０２の中心に配置された、φ４ｍｍの厚さ方向に貫通する単一の貫通孔が第１副流路４１として形成された。
【０１３１】
第１主流路２１を真空吸引装置に接続し、第１副流路４１を大気に連通させた状態で、基体１の主面１０２側に基板Ｗ（シリコンウエハ）を載置した後、基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が第１主流路２１を通じて真空吸引装置により減圧された。その結果、空気が外部から当該空間に流入し、第１環状凸部１１と基板Ｗとの間隙を通過して第１主流路２１を通じて当該空間から流出する（図２／一点鎖線右矢印および黒下矢印参照）。
【０１３２】
第１環状凸部１１と基板Ｗとの間隙の形状（高さＨ１および幅Ｗ１）が調整されることにより、基板Ｗの平坦度の向上が図られる。真空吸引装置までの真空配管を含めたコンダクタンスの調整のほか、第２環状凸部１２の内側に設けられた第１副流路４１の圧力が調節されてもよい。例えば、第１副流路４１に圧力制御バルブまたは各種バルブにより構成される圧力調整装置によってコンダクタンスが調節されることが好ましい。
【０１３３】
（実施例３）
第７実施形態にしたがって実施例３の基板保持部材が作製された（図７参照）。外径φ３００ｍｍ、厚み７ｍｍの略円盤状の炭化珪素（ＳｉＣ）セラミックス焼結体により基体１が作製された。基体１の主面１０２において、外径φ２９９ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ１００μｍの円環状の凸部が第１環状凸部１１として形成された。外径φ２９６ｍｍ、幅３ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸部が第２環状凸部１２として形成された。外径φ１５０ｍｍ、幅３ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸部が第３環状凸部１３として形成された。外径φ１４２ｍｍ、幅３ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸部が第４環状凸部１４として形成された。
【０１３４】
基体１において主面１０２の中心から２９７ｍｍの円環上に周方向に等間隔に配置された、φ０．８ｍｍの厚さ方向に貫通する３６個の貫通孔が第１主流路２１として形成された。基体１において主面１０２の中心から１４３ｍｍの円環上に周方向に等間隔に配置された、φ０．８ｍｍの厚さ方向に貫通する３６個の貫通孔が第２主流路２２として形成された。基体１において主面１０２の中心に配置された、φ４ｍｍの厚さ方向に貫通する単一の貫通孔が第１副流路４１として形成された。基体１において主面１０２の中心から２２０ｍｍの円環上に周方向に等間隔に配置された、φ４．０ｍｍの厚さ方向に貫通する４個の貫通孔が第２副流路４２として形成された。
【０１３５】
第１主流路２１および第２主流路２２を共通のまたは別個の真空吸引装置に接続し、第１副流路４１および第２副流路４２を大気に連通させた状態で、基体１の主面１０２側に基板Ｗ（シリコンウエハ）を載置した後、基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間が第１主流路２１および第２主流路２２を通じて真空吸引装置により減圧された。その結果、空気が第１副流路４１から当該空間に流入し、第２環状凸部１２と基板Ｗとの間隙を通過して第１主流路２１を通じて当該空間から流出する（図７／白上矢印、一点鎖線左矢印および黒下矢印参照）。空気が第１副流路４１および第２副流路４２から当該空間に流入し、第２環状凸部１２、第３環状凸部１３および第４環状部１４のそれぞれと基板Ｗとの間隙を通過して第１主流路２１および第２主流路２２を通じて当該空間から流出する（図７／白上矢印、一点鎖線左矢印、黒下矢印、二点鎖線右矢印および二点鎖線左矢印参照）。
【０１３６】
第２環状凸部１２と基板Ｗとの間隙の形状（高さＨ２および幅Ｗ２）および第２環状凸部１２の内側および外側の圧力差が調整されることにより、基板Ｗの平坦度の向上が図られる。第３環状凸部１３と基板Ｗとの間隙の形状（高さＨ３および幅Ｗ３）、第４環状凸部１４と基板Ｗとの間隙の形状（高さＨ４および幅Ｗ４）、第２環状凸部１２の内側および外側の圧力差、第３環状凸部１３の内側および外側の圧力差、ならびに、第４環状凸部１４の内側および外側の圧力差が調整されることにより、基板Ｗの平坦度の向上が図られる。圧力差は第１主流路２１および第２主流路２２のそれぞれから真空吸引装置までの真空配管を含めたコンダクタンスの調整のほか、第２環状凸部１２の内側に設けられた第１副流路４１および第２副流路４２のそれぞれの圧力を調節すればよい。例えば、第１副流路４１および第２副流路４２のそれぞれに圧力制御バルブまたは各種バルブにより構成される圧力調整装置によってコンダクタンスが調節されることが好ましい。
【０１３７】
（比較例１）
第２環状凸部１２が高さＨ２＝１００μｍになるように形成され、かつ、第１環状凸部１１の高さＨ１および第２環状凸部１２の高さＨ２が同じである点を除き、実施例１と同様の方法で比較例１の基板保持部材が作製された。
【０１３８】
（評価）
実施例１〜３および比較例１のそれぞれの基板保持部材によって保持された状態の基板Ｗの平坦度が、レーザー干渉計（ＺＹＧＯ社製  ＧＰＩ  Ｈｓ）を用いてＰＶ値として測定された。実施例１〜３および比較例１のそれぞれの基板保持部材によって保持された基板Ｗに付着したサイズ０．４μｍ以上のパーティクルの数が、パーティクルカウンタ（トプコン社製  ＷＡ−１０）を用いて測定された。表１にはこれらの測定結果がまとめて示されている。
【０１３９】
【表１】
2019062128.tif 000003
【０１４０】
表１から、実施例１〜３のそれぞれの基板保持部材によれば、比較例１の基板保持部材と比較して、吸着保持された状態の基板Ｗの平坦度が高く、かつ、基板Ｗに付着するパーティクルの数が少ないことがわかる。
【符号の説明】
【０１４１】
１‥基体、１０‥凸部、１１‥第１環状凸部、１２‥第２環状凸部、１３‥第３環状凸部、１４‥第４環状凸部、２１‥第１主流路、２２‥第２主流路、４１‥第１副流路、４２‥第２副流路、１０２‥主面、２１２‥第１主開口部、２２２‥第２主開口部、４１２‥第１副開口部、４２２‥第２副開口部、Ｗ‥基板（ウエハ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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