(57)【要約】【課題】基板の加熱処理において基板の温度分布の均一化を図ることができる技術を提供する。【解決手段】基板加熱装置１２０であって、基板を出し入れするための出入口１１０、１３０を有する加熱室１２と、加熱室１２の内部を移動可能な可動床１２２であって、出入口１１０、１３０から加熱室１２に基板を出し入れ可能にする第１位置と、載置された基板２の延びる方向が出入口１１０、１３０から外れる第２位置と、に移動可能な可動床１２２と、可動床１２２に載置された基板２の面と対向するように可動床１２２に設置されるヒータ１２１と、加熱室１２の内部に対向配置されるリフレクタ１２３ａ、１２３ｂであって、可動床１２２が第２位置にあるときに１２２可動床に載置された基板２の端部とそれぞれ対向するリフレクタ１２３ａ、１２３ｂと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記加熱室の内部を移動可能な可動床であって、前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能にする第１位置と、載置された基板の延びる方向が前記出入口から外れる第２位置と、に移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置されるリフレクタであって、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向するリフレクタと、
を備えることを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
前記可動床は、前記第１位置と前記第２位置との間を、前記リフレクタの対向方向と直交する方向に移動することを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記可動床は、前記第２位置にあるときに、前記ヒータに対向するように載置された基板とは別の基板を、前記出入口から前記加熱室に出し入れ可能にする第２の基板搬送経路を有することを特徴とする請求項１または２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記ヒータは、基板を前記出入口から前記加熱室に出し入れする際の前記可動床における基板搬送経路に沿って延びる発熱体を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記ヒータは、前記発熱体として、基板の被処理面と対向する第１発熱体と、基板の前記被処理面とは反対側の面と対向する第２発熱体と、を有する請求項４に記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記加熱室は、前記出入口として第１出入口と第２出入口とを有し、
前記リフレクタは、前記加熱室の内部において前記第１出入口と前記第２出入口とを結ぶ基板搬送経路から外れた位置で互いに対向することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項７】
前記第１出入口と前記第２出入口は、前記加熱室において互いに対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の基板加熱装置。
【請求項８】
前記リフレクタは、前記加熱室の内部において前記第１出入口と前記第２出入口の対向方向と平行な方向で互いに対向することを特徴とする請求項６または７に記載の基板加熱装置。
【請求項９】
前記リフレクタは、前記第１出入口と前記第２出入口の対向領域から外れた第１対向位置と、前記対向領域の内側の第２対向位置と、に移動可能に構成されており、前記第２対向位置において、前記第１位置にある前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向することが可能に構成されていることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項１０】
前記リフレクタは、前記加熱室の内壁に固定されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項１１】
基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
基板に成膜処理を行う成膜室と、
基板が収容されるストッカ室と、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板加熱装置であって、前記出入口として、前記成膜室との間で基板を出し入れする第１出入口と、前記ストッカ室との間で基板を出し入れする第２出入口と、を有する基板加熱装置と、
前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を、基板を支持して移動させる基板搬送手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
前記基板搬送手段は、基板の面の向きを変えずに、前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を移動することを特徴とする請求項１１に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板加熱装置及び成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに用いられる基板の成膜処理において、基板に対する薄膜の密着性の改善等を目的として、成膜処理前に基板を加熱する前処理が行われる（特許文献１）。基板を垂直に立てた状態（被処理面が垂直となる姿勢）で支持・搬送する方式の装置構成では、基板は基板の面に沿って直線的に延びる搬送経路上を辿って各室間を移動する。成膜処理室の手前の仕込み室において、基板搬送経路の脇にランプヒータ等のヒータを配置し、基板をヒータと対向する位置で停止させ、ヒータの輻射熱により基板を加熱する。すなわち、基板の搬送経路の一部に基板を加熱するための加熱ゾーンを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１４０７９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ヒータの構成の一例として、基板の搬送方向に延ばした棒状の発熱体を複数、縦に（搬送方向と直交する方向に）平行に並べ、発熱体の放射熱を反射するリフレクタを発熱体の裏側に配置したライン型のヒータが知られている。基板の温度分布は、ヒータの長さが基板サイズに対して十分に大きくない場合、基板における中央付近と端部とでヒータから基板への熱輻射の状態が異なるため、基板の搬送方向において、中央付近で温度が高く、端部では温度が低くなる分布となり易い。また、仕込み室の処理室側に対してストッカ室側は温度が低く、基板の温度分布の均一性に影響を及ぼす一因となる。したがって、例えば、基板よりも長尺のヒータを用いれば、基板の温度分布を良好にすることができるが、仕込み室を大型化する必要が生じるため、装置の大型化を招くことになり、フットプリントの拡大に至ってしまう。
【０００５】
基板の温度分布の不均一は、成膜処理に影響を及ぼすため、基板の温度分布の均一化のためにリフレクタを追加で配置することが考えられる。搬送方向における基板の端部に対してヒータの輻射熱を効果的に反射させるためには、搬送方向において基板を挟む位置に夫々リフレクタを配置する構成が好適である。しかしながら、基板の搬送経路を塞ぐ位置にリフレクタを配置することになるため、基板の搬送経路に対してリフレクタを進退可能に構成する必要がある。仕込み室と処理室との間に設けられたドアバルブは、基板搬送経路に対して進退可能にスライド移動するように設けられており、かつ、仕込み室内部に設置されるため、例えば、かかるドアバルブにリフレクタを取り付けることが考えられる。しかし、逆側の仕込み室とストッカ室との間に設けられたドアバルブは、ストッカ室内部側、すなわち、仕込み室の外側に配置されているため、リフレクタを取り付けることが難しい。温度分布均一化のためには、基板搬送方向の両側にリフレクタを配置することが必要である。したがって、例えば、一方のリフレクタを取り付けたドアバルブの開閉動作と連動して、逆側の他方のリフレクタが基板搬送経路に対して進退可能な構成を採用する場合、装置構成の複雑化、部材点数の増加を招き、コストアップにつながる懸念がある。
【０００６】
本発明は、基板の加熱処理において基板の温度分布の均一化を図ることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の基板加熱装置は、
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記加熱室の内部を移動可能な可動床であって、前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能にする第１位置と、載置された基板の延びる方向が前記出入口から外れる第２位置と、に移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置されるリフレクタであって、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向するリフレクタと、
を備えることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の成膜装置は、
基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
基板に成膜処理を行う成膜室と、
基板が収容されるストッカ室と、
上記基板加熱装置であって、前記出入口として、前記成膜室との間で基板を出し入れする第１出入口と、前記ストッカ室との間で基板を出し入れする第２出入口と、を有する基板加熱装置と、
前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を、基板を支持して移動させる基板搬送手段と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板の加熱処理において基板の温度分布の均一化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例１に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図２】本発明の実施例１に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図３】本発明の実施例１に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図４】本発明の実施例１に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図５】本発明の実施例に係る成膜装置の概略図
【図６】本発明の実施例における成膜処理のフローチャートの一例
【図７】本発明の実施例２に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図８】本発明の実施例２に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図９】本発明の実施例２に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図１０】本発明の実施例２に係る基板加熱装置の模式的断面図
【図１１】参考例における基板搬送機構の概略構成を示す模式図
【図１２】参考例における基板搬送機構の概略構成を示す模式的断面図
【図１３】参考例における基板搬送機構の制御を示す図
【図１４】参考例における基板搬送機構の制御フローの一例
【図１５】参考例の比較例における基板搬送機構の制御の様子を示す模式図
【図１６】参考例における基板搬送機構の制御の様子を示す模式図
【図１７】基板処理装置の概略図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のもので
はない。
【００１１】
（実施例１）
＜成膜装置の全体構成＞
図５は、本発明の実施例に係る成膜装置１の全体構成を概略的に示した模式図である。成膜装置１は、成膜処理される基板２が収容されるストッカ室１１と、基板２の加熱処理を行う加熱室（仕込み室）１２と、基板２の被処理面に成膜処理を行う成膜室１３と、を備える。成膜室１３には、成膜処理に先立って基板２の被処理面の洗浄等の前処理やエッチング処理を行うための基板処理装置１４と、基板２の被処理面に成膜処理を行う成膜処理部としてのスパッタリング装置１５と、を備える。本実施例の成膜装置１は、基板２を縦に立てた状態（被処理面が垂直となる姿勢）で基板ホルダ３０に保持され、基板ホルダ３０を支持する搬送手段としての基板ホルダ支持部４３が各室間を移動することで、基板２を各室に搬送する構成となっている（図３参照）。
【００１２】
図６は、本実施例における成膜処理のフローチャートの一例である。基板２は、ストッカ室１１から加熱室１２へ（Ｓ１０１）、加熱室１２から成膜室１３の基板処理装置１４へ（Ｓ１０３）、基板処理装置１４からスパッタリング装置１５へ（Ｓ１０５）、順次搬送され、成膜処理が施される。基板２は、加熱室１２でヒータ１２１により加熱処理された後（Ｓ１０２）、先ず、成膜室１３の基板処理装置１４による表面処理を施される（Ｓ１０４）。表面処理が施された基板２は、次に、スパッタリング装置１５による各種異なる材料からなるターゲット１５１、１５２を用いたスパッタリング処理が施され（Ｓ１０６）、成膜処理が終了する。なお、ここで示す成膜処理のフローはあくまで一例であり、ここで示す工程内容に限定されるものではない。
【００１３】
本実施例に係る成膜装置１は、例えば、前処理を伴う種々の電極形成に適用可能である。具体例としては、例えば、ＦＣ−ＢＧＡ（Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ  Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）実装基板向けのメッキシード膜や、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）デバイス向けのメタル積層膜の成膜が挙げられる。また、ＬＥＤのボンディング部における導電性硬質膜、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）の端子部膜の成膜なども挙げられる。その他、電子部品パッケージにおける電磁シールド膜やチップ抵抗器の端子部膜の成膜にも適用可能である。処理基板２のサイズは、縦横２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚み０．７〜６．０ｍｍのものが例示できる。基板２の材質としては、ガラス、アルミナ、セラミック、ＬＴＣＣ(Ｌｏｗ  
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ：低温同時焼成セラミックス)等が挙げられる。
【００１４】
＜基板搬送構成＞
図３に示すように、基板２は、上述したように、垂直に立てた状態で成膜装置１の各室間を搬送され、加熱室１２（チャンバ）内においても、被処理面２１が垂直となる（被処理面２１が水平方向に向いた）姿勢で設置される。基板２は、基板ホルダ３０により、被処理面２１及び裏面の両面が開放（露出）された状態で被処理領域外周の周縁部が挟持され保持される。基板２を保持する基板ホルダ３０は、基板ホルダ支持部４３により支持される。基板ホルダ支持部４３は、基板搬送手段としての車輪４３１を下方に備え、基板ホルダ４２を支持した状態で成膜装置１の各室内を各室の底面に敷設されたレール４３２に乗って移動可能に構成されている。なお、ここで言う垂直とは、各室の底面あるいはレール４３２上面（基板搬送面）に対して垂直であることであり、装置構成によっては、重力方向（鉛直方向）と一致しない場合がある。同様に、ここで言う水平方向も、重力方向と直交する方向と一致しない場合がある。すなわち、本実施例では、各室の内壁における基板ホルダ支持部４３の設置面が水平面であることを前提として上下左右の方向を規定した説明としているが、該設置面の方向が変われば、上下左右方向の規定もそれに合わせて変
化することは言うまでもない。
【００１５】
基板ホルダ３０は、上述したように、基板２の被処理領域（被処理面２１）を露出させて基板２を保持するものであり、概略、第１の枠体である基板押え３１と、第２の枠体である基板ホルダ本体３２と、で基板２の両面を挟持することで基板２を保持する。基板押え３１と基板ホルダ本体３２は、基板２を挟持した状態で、締結手段としてのねじ３３により、互いに締結固定される。基板押え３１と基板ホルダ本体３２は、複数のねじ３３により複数箇所で締め付けられる。本実施例の基板ホルダ３０は、２枚の基板２ａ、２ｂを基板搬送方向に並べて保持する構成となっている。
【００１６】
基板ホルダ本体３２の裏側には、基板処理装置１４の高周波（ＲＦ）電源と接続するためのＲＦ電極３４が設けられている。基板２に高周波逆スパッタリングを行う場合には、基板ホルダ３０を成膜室１３内の基板処理装置１４まで搬送し、ＲＦ電極３４と基板処理装置１４側のＲＦ給電部１４０と接触させ、基板処理装置１４の電源から基板ホルダ３０を介して基板２に電圧を印加する（図５参照）。
【００１７】
図５に示すように、レール４３２は、ストッカ室１１、加熱室１２、成膜室１３の各室にそれぞれ設けられており、ストッカ室１１から、加熱室１２、成膜室１３に渡って直線的に延びる基板２の搬送経路を形成している。ストッカ室１１は、成膜処理が施される前の基板２や、成膜処理が施された基板２が、一時的に待機する場所であり、ストッカ室１１内を基板搬送経路と直交する方向にスライド移動可能なテーブル１１１にそれぞれ載せられている。成膜処理が施される基板２は、先ずストッカ室１１に搬入され、加熱室１２、成膜室１３を経て成膜処理を施された後、加熱室１２、ストッカ室１１を経て搬出される。
【００１８】
ストッカ室１１において、テーブル１１１は、複数のレール対４３２が基板搬送経路と直交する方向に並べられており、基板ホルダ３０（基板ホルダ支持部４３）を複数載置可能に構成されている。基板２を加熱室１２へ送り出す際には、対象となる基板ホルダ３０が載置されたレール４３２が、ストッカ室１１と加熱室１２との間の連通口（出入口）１１０の正面となるように、テーブル１１１がレール１１３上をスライド移動する。また、成膜処理が終了した基板２を加熱室１２から搬出する際には、基板ホルダ３０が載置されていない空のレール対４３２が連通口１１０の正面となるように、テーブル１１１がレール１１３上をスライド移動する。
【００１９】
＜基板加熱装置＞
図１〜図４を参照して、本実施例に係る基板加熱装置１２０について説明する。図１は、本実施例に係る基板加熱装置１２０の構成を示す模式的断面図（図３のＡ矢視断面図）であり、基板加熱ゾーンが形成された状態を示している（可動床の第１位置）。図２は、本発明の実施例に係る基板加熱装置の模式的断面図（図３のＡ矢視断面）であり、加熱レーンを基板搬送経路に合せた状態を示している（可動床の第２位置）。図３は、本発明の実施例に係る基板加熱装置の模式的断面図（図１のＢ矢視断面）である。図４は、本発明の実施例に係る基板加熱装置の模式的断面図（図１のＣ矢視断面）である。
加熱室１２では、成膜室１３での成膜処理に先立って、基板２に対する薄膜の密着性を高める等を目的とした加熱処理が行われる。加熱室１２には、成膜室１３との間で基板ホルダ３０を出し入れするための連通口（出入口）１３０と、連通口１３０を開閉するドアバルブ１３２と、加熱室１２内部をスライド移動可能な可動床としてのテーブル１２２と、が設けられている。ストッカ室１１との間の連通口１１０は、ストッカ室１１側に設けられたドアバルブ１１２によって開閉される。加熱室１２は、排気装置１２４によって室内の圧力を調整可能に構成されている。なお、各ドアバルブの構成については図示を省略している。
【００２０】
加熱室１２に搬入された基板ホルダ支持部４３は、テーブル１２２上に載置され、基板２に対し加熱処理や成膜処理前の各種調整が施される。テーブル１２２は、基板ホルダ支持部４３の搬送レーンを２つ備えている。すなわち、テーブル１２２上には、２組のレール対４３２が基板搬送方向と直交する方向に並べて配置されており、第１の搬送レーン１２２ａ、第２の搬送レーン１２２ｂを形成している。連通口１１０と連通口１３０は加熱室１２において互いに対向する位置に設けられており、テーブル１２２は、連通口１１０と連通口１３０の対向方向と直交する方向にレール１２５上をスライド移動可能に構成されている。すなわち、連通口１１０と連通口１３０の間を２つの搬送レーン１２２ａ、１２２ｂのいずれかが橋渡す配置となるように、テーブル１２２は移動する。テーブル１２２をレール１２５上で往復スライド移動させるための構成としては、例えば、空圧式のシリンダ機構など従来既知の機構を適宜用いることができる。
【００２１】
テーブル１２２に設けられた２つの搬送レーン１２２ａ、１２２ｂのうちの搬送レーン１２２ａには、ランプヒータ（以下、ヒータ）１２１が設置されている。当該搬送レーン１２２ａは、加熱レーンとして、載置された基板ホルダ支持部４３に支持された基板２に対して加熱処理を施すことができるように構成されている。ヒータ１２１は、基板２の被処理面２１側を加熱するための第１ヒータユニット１２１ａと、基板２の裏面２２側を加熱するための第２ヒータユニット１２１ｂと、で構成される。各ヒータユニット１２１ａ、１２１ｂは、電源１２６から供給される電力を不図示の電源回路、制御回路により制御されることで、所望の基板加熱温度に温調される。
【００２２】
第１ヒータユニット１２１ａは、通電により発熱する棒状の発熱体１２１１ａを５つ備えたラインヒータであり、５つの発熱体１２１１ａを、それぞれ基板搬送方向に平行に延びる向きで、基板立設方向（縦方向、基板搬送方向と直交する方向）に等間隔に配置している。５つの発熱体１２１１ａの裏側には発熱体１２１１ａが放射する熱を基板２に向けて反射させるためのリフレクタ１２１２ａが配置されている。発熱体１２１１ａ及びリフレクタ１２１２ａは、テーブル１２２上に設置された支持枠体１２１３ａに支持されている。
第２ヒータユニット１２１ｂは、発熱体１２１１ｂを２つ備えており、２つの発熱体１２１１ｂを、それぞれ基板搬送方向に平行に延びる向きで、基板立設方向（縦方向）に並べて配置している。２つの発熱体１２１１ｂの裏側にはリフレクタ１２１２ｂが配置されている。発熱体１２１１ｂ及びリフレクタ１２１２ｂは、テーブル１２２上に設置された支持枠体１２１３ｂに支持されている。
第１ヒータユニット１２１ａ、第２ヒータユニット１２１ｂの上方には、基板２の上辺端部と対向するようにリフレクタ１２１４が配置されている。リフレクタ１２１４は、支持枠体１２１３ａ、１２１３ｂのそれぞれの上部で支持されており、各発熱体から上方に伝播してきた熱を基板２に向けて下方に反射させる。
【００２３】
加熱室１２の内壁には、一対のリフレクタ１２３ａ、１２３ｂが取り付けられている。このリフレクタ対１２３ａ、１２３ｂは、基板加熱時において基板２の基板搬送方向における両端部の加熱を助けるための構成である。リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは互いに対向する位置に配置されており、リフレクタ１２３ａは連通口１３０の横に、リフレクタ１２３ｂは連通口１１０の横に、それぞれ配置されている。リフレクタ１２３ａ、１２３ｂの対向方向は、連通口１１０、１３０の対向方向と平行であり、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、連通口１１０、１３０の対向領域、すなわち、連通口１１０、１３０を結ぶ基板搬送経路から外れた位置で互いに対向する。
リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、モリブデン、タングステン、ＳＵＳ（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ）等からなる板状部材であり、ヒータ１２１の熱を指向性をもって基板２に向けて反射させるように構成されている。図３に示すように基板搬送経路
に沿った方向に見たときに、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、その対向領域の内側に、基板ホルダ３０、各ヒータユニット１２１ａ、１２１ｂ、及びリフレクタ１２１４が収まるような大きさとなっている。なお、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂの形状、基板ホルダ３０に対する相対配置については、ここに示した構成に限定されるものではない。本実施例と同様に、基板端部に対する加熱効果、基板温度分布の均一化を図ることが可能であれば、本実施例とは異なる構成であってもよい。
【００２４】
基板加熱処理では、先ず、２つの搬送レーン１２２ａ、１２２ｂのうちヒータ１２１が設置された第１搬送レーン（加熱レーン）１２２ａの位置が連通口１１０と一致する位置（第１位置）ようにテーブル１２２を移動させ、基板ホルダ３０を搬入する（図２）。そして、第１搬送レーン１２２ａに載置された基板ホルダ３０がリフレクタ対１２３ａ、１２３ｂの間に位置（第１搬送レーン１２２ａがリフレクタ対１２３ａ、１２３ｂの対向領域内に位置）する位置（第２位置）へテーブル１２２をスライドさせる（図１）。これにより、基板２の基板搬送方向における両端部とそれぞれ対向する位置にリフレクタ１２３ａ、１２３ｂが配置された（加熱室１２内に基板加熱ゾーンが形成された）状態となる。この状態において、各連通口１１０、１３０をドアバルブ１１２、１３２で気密封止し、排気装置１２４によって所定の室内圧を形成し、ヒータ１２１に電力を供給して、各発熱体１２１１の熱を利用した基板２の加熱処理を行う。図３に示すように、第１搬送レーン１２２ａの基板ホルダ３０及びヒータ１２１がリフレクタ対１２３ａ、１２３ｂの対向領域に収まった状態において、基板ホルダ３０は、下方を除いた、前後左右及び上方にリフレクタが配置された状態となる。このように基板ホルダ３０が各種リフレクタに囲まれた基板加熱ゾーンが形成される。
【００２５】
上述したように、ライン型のヒータでは、基板の搬送方向に延びる発熱体の温度分布が、基板の搬送方向において、中央付近で温度が高く、端部では温度が低くなる分布となり易く、基板の端部の加熱が不十分になり易い。本実施例のように基板２を２枚並べて保持した場合、２枚の基板２のうち搬送方向上流側（ストッカ室１１側）の基板２ａの同上流側端部２３ａと、同下流側（成膜室１３側）の基板２ｂの同下流側端部２３ｂと、が従来の加熱機構では加熱不十分になりやすい。本実施例によれば、搬送方向上流側の基板２ａの端部２３ａには、リフレクタ１２３ａが対向配置され、同下流側の基板２ｂの端部２３ｂには、リフレクタ１２３ｂが対向配置される。このようにリフレクタ１２３ａ、１２３ｂが配置された構成においてヒータ加熱を行うことで、２つの基板２の各端部２３ａ、２３ｂも十分に加熱することができ、各基板２の温度分布の均一化を図ることができる。
【００２６】
テーブル１２２の２つの搬送レーン１２２ａ、１２２ｂのうちヒータ１２１が設置されていない第２搬送レーン１２２ｂは、基板加熱処理の間、連通口１１０と連通口１３０とをつなぐ第２の基板搬送路を形成する。すなわち、２つの搬送レーン１２２ａ、１２２ｂは、ヒータ１２１が設置された第１搬送レーン１２２ａがリフレクタ１２３ａ、１２３ｂの対向領域内に位置するときに、第２搬送レーン１２２ｂが連通口１１０、１３０の対向領域内に位置するように配置されている。これにより、第１搬送レーン１２２ａにおいて基板２に加熱処理を施している間に、例えば、先の成膜工程において成膜室１３で成膜処理が施された基板２を、第２搬送レーン１２２ｂを利用して、成膜室１３からストッカ室１１に回収することができ、複数の基板２に成膜処理を行う場合における工程時間の短縮を図ることができる。
【００２７】
（実施例２）
図７〜図１０を参照して、本発明の実施例２に係る基板加熱装置１２０ｂについて説明する。実施例２において実施例１と共通する構成については同じ符号を付し、再度の説明は省略する。実施例１では、基板端部の加熱効果を高めるためのリフレクタが加熱室の内壁に固定されて構成となっているのに対し、実施例２では、同リフレクタが可動式の構成
となっている。
【００２８】
本実施例において、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、伸縮動作が可能な伸縮部材としての伸縮アーム１２７を介して加熱室１２の内壁に固定されている。伸縮アーム１２７は、例えば、空圧シリンダを用いた機構により伸縮動作を制御可能な構成となっている。リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、それぞれ２本の伸縮アーム１２７によって支持されている（図１０参照）。この伸縮アーム１２７の伸縮動作により、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、加熱室１２内における対向位置を可変に構成されている。したがって、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂの位置とテーブル１２２の位置とを種々組み合わせることで、基板加熱ゾーンを加熱室１２内において種々の位置に配置することが可能となっている。なお、本実施例では、図１０に示すように、各リフレクタ１２３ａ、１２３ｂを、それぞれ上下に配置した２本の伸縮アーム１２７で支持する構成としているが、伸縮アーム１２７の本数や配置は、本実施例で示した構成に限定されるものではない。
【００２９】
図７は、基板加熱ゾーンを実施例１と同様の位置に配置（形成）する場合の、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂとテーブル１２２との相対配置の様子を示す図である。各伸縮アーム１２７はそれぞれ縮んだ伸縮状態となっており、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、連通口１１０、１３０から外れた位置、すなわち、基板の搬送経路から外れた位置で対向する配置となっている。テーブル１２２は、ヒータ１２１が配置された第１搬送レーン１２２ａが、連通口１１０、１３０の対向領域から外れた位置で対向するリフレクタ１２３ａ、１２３ｂの間に位置するように位置している。これにより、実施例１と同様、基板の搬送経路から外れた位置で基板加熱ゾーンが形成される。また、このとき第２搬送レーン１２２ｂは基板の搬送経路上に位置することになり、実施例１と同様、基板加熱処理を施している間に、別の基板ホルダを連通口１１０、１３０を介して加熱室１２を通過させることが可能となっている。
【００３０】
図８は、第１搬送レーン１２２ａに対して基板ホルダ３０の搬入・搬出を可能にする相対配置の様子を示す図である。各伸縮アーム１２７が縮んだ伸縮状態となっておりリフレクタ１２３ａ、１２３ｂが連通口１１０、１３０から外れた位置にあるのに対し、第２搬送レーン１２２ｂが基板搬送経路の一部を形成する位置にあり、第２搬送レーン１２３ｂに対して基板ホルダ３０を搬入・搬出することが可能となっている。
【００３１】
図９は、基板加熱ゾーンを図７に示す位置とは異なる位置に配置（形成）する場合の、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂとテーブル１２２との相対配置の様子を示す図である。各伸縮ロード１２７はそれぞれ伸びた伸縮状態となっており、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、連通口１１０、１３０の対向領域の内側で互いに対向する配置となっている。すなわち、リフレクタ１２３ａ、１２３ｂは、基板の搬送経路と一致する位置にある。テーブル１２２は、ヒータ１２１が配置された第１搬送レーン１２２ａが、連通口１１０、１３０の対向領域の内側であってリフレクタ１２３ａ、１２３ｂの対向領域の内側に位置するように位置する。これにより、基板加熱ゾーンが、図７（すなわち、実施例１）に示す位置とは異なる位置に形成される。
【００３２】
（参考例）
図１１〜図１７を参照して、参考例に係る成膜装置について説明する。図１１は、参考例における基板搬送機構の概略構成を示す模式図である。図１２は、参考例における基板搬送機構の概略構成を示す模式的断面図である。図１３は、参考例における基板搬送機構の制御の説明図である。図１４は、参考例における基板搬送機構の制御フローを示す図である。図１５は、参考例の比較例における基板搬送機構の制御の様子を示す模式図である。図１６は、参考例における基板搬送機構の制御の様子を示す模式図である。図１７は、基板処理装置の概略図である。なお、本参考例においてここで特に説明しない事項は、上
記実施例１、２と同様であり、再度の説明は省略する。
【００３３】
＜基板処理装置＞
図１７は、図５に示す基板処理装置１４の全体構成を概略的に示す模式図（基板処理装置１４の構成を基板２の搬送方向に見た図）である。基板処理装置１４は、成膜室１３を構成するチャンバ４１と、基板ホルダ３０と、基板ホルダ支持部４３と、電圧印加手段としてのマッチングボックス４４及び高周波電源４５と、圧力調整手段４６と、ガス供給手段４７と、を備える。
【００３４】
基板２は、上述したように、垂直に立てた状態で成膜装置の各室間を搬送され、チャンバ４１内においても、被処理面２１が垂直となる（被処理面２１が水平方向に向いた）姿勢で設置される。チャンバ４１の内壁のうち側壁面及び上面と、基板ホルダ支持部４３の外面は、防着板４８１（ＳＵＳ等の金属板）で覆われている。また、基板ホルダ３０の基板載置面側とは反対側にも防着板４８２が設けられている。防着板４８１、４８２は、チャンバ４１の内壁及び基板ホルダ支持部４３や基板ホルダ４２の外面に、成膜時に飛散する材料が付着することを防ぐ。防着板４８１、４８２を配置し、取り外し可能とすることで、洗浄や交換等のメンテナンスを容易に行うことができる。防着板４８１は、チャンバ４１あるいは基板ホルダ支持部４３に接続されており、それらはＧＮＤ電位（アノード）となっている。また、防着板４８２は、基板ホルダ３０と同様に電位がかけられ、カソードの一部となる。
【００３５】
＜逆スパッタ原理を用いた基板表面処理＞
チャンバ４１内に基板２が設置された状態において、ガス供給手段４７によりチャンバ４１内に放電ガスが供給されるとともに、真空ポンプ４６１等を備えた圧力調整手段４６により、チャンバ４１内の圧力が所定の圧力（例えば、０．３〜１．２Ｐａ）に維持される。放電ガスとしては、例えば、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ、ＣＦ３、ＮＦ３およびこれらの混合ガスや、大気などが挙げられる。基板ホルダ４２は、給電部４６を介してマッチングボックス４４及び高周波電源４５に接続されており、マッチングボックス４４によりインピーダンス整合された所定の高周波電圧（例えば、５０〜４００Ｗ、０．０７〜０．６０Ｗ／ｃｍ２（駆動パワー））が印加される。
【００３６】
上記電圧印加により、基板２の被処理面２１及び基板ホルダ３０近傍にプラズマＰが形成される。そして、プラズマＰ中のイオン又は電子が基板２の被処理面２１に照射・衝突し、その表面がエッチングされる。これにより、例えば、後の成膜処理（スパッタリング）の前処理として、被処理面２１上に形成された自然酸化膜や有機物等の汚れ等を除去することができ、クリーニング効果や基板表面活性効果が得られる。
【００３７】
＜基板搬送機構＞
本参考例に係る成膜装置１ｃの概略構成は、図５に示す実施例１、２と同様の構成となっている。本参考例に係る成膜装置１ｃは、基板ホルダ３０を基板処理装置１４に搬送する搬送機構において特徴を有するものとなっている。上述したように、基板２に高周波（ＲＦ）逆スパッタリングを行う場合には、基板ホルダ３０を成膜室１３内の基板処理装置１４まで搬送し、基板ホルダ本体３２裏側のＲＦ電極３４を、基板処理装置１４側のＲＦ給電部１４０と接触させる（図１５（ａ）、（ｂ））。
【００３８】
図１１及び図１２に示すように、本参考例に係る成膜装置１ｃでは、基板ホルダ３０を支持搬送する基板ホルダ支持部４３を搬送する動力を得るための機構として、ラックアンドピニオン機構を用いている。具体的には、基板ホルダ支持部４３下部に設けられたラック４３３と、基板搬送路５０に設けられたピニオン５１とが互いに噛み合っており、ピニオン５１の回転によりラック４３３で力を受けることで、基板ホルダ支持部４３が基板搬
送路５０上を移動する。４８１は、成膜時に飛散する材料が付着することを防ぐための防着板（ＳＵＳやアルミ等の金属板）である。なお、図１２には、ラック４３３のみを図示しており、基板ホルダ支持部４３等の上部構成は図示を省略している。また、本参考例の説明において、車輪４３１とレール４３２についての図示及び説明は省略している。また、搬送機構の具体的構成に関して、本参考例で示す構成はあくまで一例であり、他の構成を適宜採用してよい。
【００３９】
ピニオン５１を回転させるための駆動機構として、本参考例に係る成膜装置１ｃには、動力源となるサーボモータ５２と、モータ５２から延びる回転軸５２１と、傘歯車対５２２を介して回転軸５２１の回転力を受けて回転する第２の回転軸５２３と、を備える。回転軸５２１は、モータ５２から基板搬送路５０に沿って延びており、回転軸５２３は、回転軸５２１と直交する方向に延びている。回転軸５２３の外周には、プーリー５２４が配置されており、電磁クラッチ５３を介して回転軸５２３の回転力の伝達のＯＮ・ＯＦＦが制御されるように構成されている。電磁クラッチ５３は、電磁力の制御によって回転軸５２３に対して軸方向に移動可能な摺動体５３１を、プーリー５２４に接触させ制動トルクを付与することで、回転軸５２３の回転力をプーリー５２４に伝達する。一方、ピニオン５１は、基板搬送路５０における成膜室１３と外部とを隔てる隔壁５０１間に軸支された回転軸５１１に組み付けられている。回転軸５１１の一端は、磁性流体による磁気シールを用いて封止された軸受け５０２を介して隔壁５０１外部に配置されたプーリー５１２に連結されている。上述した電磁クラッチ５３のクラッチ動作によりプーリー５２４が回転すると、プーリー５２４の回転力がベルト５４を介してプーリー５１２に伝達され、回転軸１１１が回転し、ピニオン５１を回転させる。これにより基板ホルダ支持部４３が基板搬送路５０上を移動する。基板ホルダ支持部４３の搬送を停止する場合には、電磁クラッチ５３の電磁力の制御により摺動体５３１をプーリー５２４から離間させ、モータ５２の駆動力がプーリー５２４に伝達しないようにする。なお、基板ホルダ３０が搬送される基板搬送経路５０が形成される隔壁５０１の内側は真空圧雰囲気であり、隔壁５０１の外側は大気圧雰囲気である。
【００４０】
基板ホルダ支持部４３の搬送経路下方には、基板ホルダ支持部４３の位置を検知するためのセンサ（光学センサ）５５が、搬送経路に沿って複数配置されており、基板ホルダ支持部４３の搬送位置の制御に用いられる。センサ５５は、不図示の発光部と受光部とを有し、発光部の光が基板ホルダ支持部４３の下面に反射して受光部で受光されることで、センサ５５の上方における基板ホルダ支持部４３の有無を検知する。なお、位置検知センサとしては、ここに示す光学センサ５５に限らず、他のセンサを用いてよい。
【００４１】
縦型搬送の装置でＲＦ逆スパッタを行う場合、基板ホルダ３０の裏面にＲＦ電極３４を設け、装置側に設けてあるＲＦ給電部１４０と接触させ、ＲＦ逆スパッタ処理を行う方法の他に、搬送レール４３２から給電する方法などが用いられる場合もある。基板ホルダ３０の裏面にＲＦ電極３４を設ける方式では、処理を行う基板面の中央付近から給電することが出来るため、エッチング分布均一性が搬送レール４３２から給電を行う方式よりも良くなるという利点がある。しかし、基板ホルダ３０の裏面にＲＦ電極３４を設ける方式では、サーボモータ５２の位置制御のみだと基板ホルダ３０の公差によるばらつき等により接触しない場合がある（図１５（ｃ））。そのため、確実に接触させるためには位置センサや圧力センサなどを追加し、接触を確認するのが一般的である。
【００４２】
また、位置センサや圧力センサを用いない方法として、障害物との接触で発生するモータのトルク上昇を検知し、搬送を停止させる方法が特開２００４−１０４０１１号公報に開示されている。これは、正常搬送時のトルク値をあらかじめ設定しておき、その値に基づいた制限値を超えた場合にモータを停止する技術である。
【００４３】
しかしながら、この技術を本参考例に係る成膜装置１ｃに適用した場合、トルク上昇で停止した位置が必ずしも理想の位置、トルク値で停止しているかを判断する方法が無い。例えば、モータや搬送系の異常でトルクが上昇した場合、ＲＦ電極３４とＲＦ給電部１４０が接触していないにも関わらず停止して次のプロセスに移ろうとするため、ＲＦ電極３４とＲＦ給電部１４０との接触不良及び放電異常を起こす。また、ＲＦ給電部１４０の異常でトルクが上昇しない場合、基板ホルダ３０が停止するべき位置よりも多く移動してしまい、本来接触しない装置の箇所と接触して装置の他の箇所を破損させる恐れもある。
【００４４】
さらにＲＦ給電部１４０にはＲＦ電極３４との接触の衝撃を軽減するために弾性を持った構造を用いるが、接触後にＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４との間に発生する反発力により、モータ５２停止後でもトルク値が変化するときがある。トルク値が上昇する場合、ＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４との間の反発力が大きいときであり、結果として基板ホルダ３０の搬送ギアと装置側のギアのかみ合わせを乗り越えて押し戻される現象が起こっている。逆に、トルク値が低下する場合、ＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４からの反発力が小さいときであり、結果としてＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４との間の接触不良やＲＦ給電部１４０やＲＦ電極３４の劣化が疑われる。このような技術を用いた生産設備では、常時一定の位置やトルク値で停止させて運用し、異常時には直ちに装置を停止、もしくはオペレータに異常を知らせることが課題となる。
【００４５】
本参考例では、搬送用のサーボモータ５２のトルクを監視し、ＲＦ電極３４とＲＦ給電部１４０を確実に接触させると同時に、停止位置及び停止トルク値を監視し、異常時には装置の停止及び警報を発報する制御装置を提案する。具体的には、ＲＦ電極３４がＲＦ給電部１４０に接触する直前のセンサ５５を通過したら（図１６（ａ）），サーボモータ５２の回転数制御により減速させる（図１４、Ｓ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２０３）。ここで、本参考例では、通常回転時の速度設定を３０００ｍｍ／ｍｉｎ、低速回転時の速度設定を５０〜１００ｍｍ／ｍｉｎとしている。減速後、サーボモータ５２のトルクと基板ホルダ３０（ＲＦ電極３４）の位置を監視しながら基板ホルダ３０（基板ホルダ支持部４３）を移動させる（図１４、Ｓ２０４、Ｓ２０５）。本参考例では、モータ５２のトルクの負荷率の上限値を１７％、下限値を６％とし、基板ホルダ３０（ＲＦ電極３４）の位置範囲を４０ｍｍ〜５２ｍｍとしている（上記直前のセンサ５５を通過してからの移動距離）。トルク値の上限は、ＲＦ給電部１４０が塑性変形しない範囲とする。トルクの負荷率が所定の範囲内に収まった状態で、基板ホルダ３０（ＲＦ電極３４）の位置が所定の範囲内に到達したら（図１４、Ｓ２０５、ＹＥＳ）、でモータ５２を停止させる（図１４、Ｓ２０６、図１６（ｂ））。そして、停止位置及びトルク値を逆スパッタリング処理等における放電終了まで監視する。
【００４６】
一方、ＲＦ給電部１４０、ＲＦ電極３４等に異常がある場合、トルク値が増加せず、停止しないため、オーバーランした際には位置制御により基板ホルダ支持部４３の搬送を停止させる（図１４、Ｓ２０７、Ｓ２０８、図１６（ｃ））。また、モータ停止後にトルクの下限を下回った場合は、上記接触不良やＲＦ給電部１４０、ＲＦ電極３４の劣化を予測することが可能である。位置下限以下の場合は、ＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４の接触以外の要因での停止が推定できるため（Ｓ２０８）、ユーザにアラームで報知し、搬送系のトラブル解消に速やかに移行できる。さらには、モータ停止後にトルクの上限異常になった場合は、基板ホルダ３０が押し戻される可能性を予測できるため、ＲＦ給電部１４０とＲＦ電極３４の接触時の減速設定やモータ停止用のトルク制限値の変更へ速やかに移行できる。
【００４７】
より具体的には、図１３に示すように、Ｐ０から基板ホルダ３０の移動を開始し、Ｐ１を通過と同時に減速し、Ｐ２ａでバネ状のＲＦ給電部１４０に接触し始めるためトルクが急激に上昇し、トルクがＴ１に達した時点でモータ５２を停止させる。基板ホルダ３０が
停止した位置で、接触しているＲＦ給電部１４０からの反発力で最終安定トルク値が決まる。ＮＧ１は、位置下限異常でＲＦ電極３４とＲＦ給電部１４０との接触以外の要因でトルク上昇があった場合である。ＮＧ２は、ＲＦ給電部１４０接触後にＴ１に達するまでの移動距離が長く、ＲＦ給電部１４０の反発力が限りなく少なくなっている状況である。ＮＧ３は、ＲＦ給電部１４０からの反発力が十分残っている状態にもかかわらず押しすぎている場合であり、逆に基板ホルダ３０が押し返されて搬送ギアから外れることがある。ＮＧ４は、ＲＦ給電部１４０接触後にＴ１に達したものの、ＲＦ給電部１４０の反発力が弱くて反発が少ない状態を示す。ＮＧ２と類似の原因によるもので、ＮＧ２よりも先に起こる可能性がある。
【００４８】
以上説明したように、本参考例によれば、基板ホルダの搬送を適切に制御することができるとともに、異常状態を適切に検知することが可能となる。
【００４９】
＜その他＞
本実施例では、基板を縦にして搬送する装置構成について説明したが、基板を平置きにして搬送する装置構成に対しても本発明は適用可能である。
また、本実施例では、基板を搬送方向と直交する方向にスライドさせて加熱ゾーンを形成する構成としているが、かかる構成に限定されない。例えば、加熱室の可動床をスライド移動ではなく回転移動可能な構成とし、リフレクタに対して基板の端部が対向する回転位相に基板ホルダの向きを変えることで、加熱ゾーンを形成する構成としてもよい。
上記各実施例及び各参考例は、可能な限りそれぞれの構成を互いに組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１…成膜装置、２…基板、２１…被処理面、１２…加熱室、１２１…ヒータ、１２２…テーブル、１２３ａ、１２３ｂ…リフレクタ、３０…基板ホルダ、４３…基板ホルダ支持部。
【図１】
2019119903.tif 000003
【図２】
2019119903.tif 000004
【図３】
2019119903.tif 000005
【図４】
2019119903.tif 000006
【図５】
2019119903.tif 000007
【図６】
2019119903.tif 000008
【図７】
2019119903.tif 000009
【図８】
2019119903.tif 000010
【図９】
2019119903.tif 000011
【図１０】
2019119903.tif 000012
【図１１】
2019119903.tif 000013
【図１２】
2019119903.tif 000014
【図１３】
2019119903.tif 000015
【図１４】
2019119903.tif 000016
【図１５】
2019119903.tif 000017
【図１６】
2019119903.tif 000018
【図１７】
2019119903.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月25日(2019.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記基板を載置し搬送する第１の基板搬送レーンと第２の基板搬送レーンとを有し、前記加熱室の内部を第１位置と第２位置とに移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置される一対のリフレクタと、を備え、
前記第１の基板搬送レーンは、前記可動床が前記第１位置にあるときに前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板が前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能で、前記可動床が前記第２位置にあるときには前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板の延びる方向が前記出入口から外れる基板搬送レーンであり、
前記第２の基板搬送レーンは、前記可動床が前記第１位置にあるときには前記第２の基板搬送レーンに載置された前記基板の延びる方向が前記出入口から外れ、前記可動床が前記第２位置にあるときには前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板が前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能な基板搬送レーンであり、
前記一対のリフレクタは、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板の端部とそれぞれ対向し、
前記可動床が前記第２位置にあり、前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板を前記ヒータによって加熱しているときに、前記第２の基板搬送レーンにより前記出入口から前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板とは別の基板を搬入または搬出することを特徴とする基板加熱装置。
【請求項２】
前記可動床は、前記第１の基板搬送レーンと前記第２の基板搬送レーンとの間に第３のリフレクタを有することを特徴とする請求項１に記載の基板加熱装置。
【請求項３】
前記可動床は、前記第２の基板搬送レーンを挟んで前記第３のリフレクタと対向配置された第４のリフレクタを有することを特徴とする請求項２に記載の基板加熱装置。
【請求項４】
前記可動床は、前記第１位置と前記第２位置との間を、前記一対のリフレクタの対向方
向と直交する方向に移動することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項５】
前記ヒータは、基板を前記出入口から前記加熱室に出し入れする際の前記可動床における基板搬送経路に沿って延びる発熱体を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項６】
前記ヒータは、前記発熱体として、基板の被処理面と対向する第１発熱体と、基板の前記被処理面とは反対側の面と対向する第２発熱体と、を有する請求項５に記載の基板加熱装置。
【請求項７】
前記加熱室は、前記出入口として第１出入口と第２出入口とを有し、
前記一対のリフレクタは、前記加熱室の内部において前記第１出入口と前記第２出入口とを結ぶ基板搬送経路から外れた位置で互いに対向することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項８】
前記第１出入口と前記第２出入口は、前記加熱室において互いに対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の基板加熱装置。
【請求項９】
前記一対のリフレクタは、前記加熱室の内部において前記第１出入口と前記第２出入口の対向方向と平行な方向で互いに対向することを特徴とする請求項７または８に記載の基板加熱装置。
【請求項１０】
前記一対のリフレクタは、前記第１出入口と前記第２出入口の対向領域から外れた第１対向位置と、前記対向領域の内側の第２対向位置と、に移動可能に構成されており、前記第２対向位置において、前記第１位置にある前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向することが可能に構成されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項１１】
前記一対のリフレクタは、前記加熱室の内壁に固定されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項１２】
前記可動床が前記第２位置にあり、前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板を前記ヒータによって加熱しているときに、前記第２の基板搬送レーンにより前記第１出入口から前記別の基板を搬入し、前記前記第２の基板搬送レーンにより前記第２出入口から前記別の基板を搬出することを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の基板加熱装置。
【請求項１３】
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記加熱室の内部を移動可能な可動床であって、前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能にする第１位置と、載置された基板の延びる方向が前記出入口から外れる第２位置と、に移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置されるリフレクタであって、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向するリフレクタと、
を備え、
前記加熱室は、前記出入口として前記加熱室において互いに対向する位置に設けられた第１出入口と第２出入口とを有し、
前記リフレクタは、前記第１出入口と前記第２出入口の対向領域から外れた第１対向位
置と、前記対向領域の内側の第２対向位置と、に移動可能に構成されており、前記第２対向位置において、前記第１位置にある前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向することが可能に構成されていることを特徴とする基板加熱装置。
【請求項１４】
基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
基板に成膜処理を行う成膜室と、
基板が収容されるストッカ室と、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の基板加熱装置であって、前記出入口として、前記成膜室との間で基板を出し入れする第１出入口と、前記ストッカ室との間で基板を出し入れする第２出入口と、を有する基板加熱装置と、
前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を、基板を支持して移動させる基板搬送手段と、
を備えることを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
前記基板搬送手段は、基板の面の向きを変えずに、前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を移動することを特徴とする請求項１４に記載の成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の基板加熱装置は、
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記基板を載置し搬送する第１の基板搬送レーンと第２の基板搬送レーンとを有し、前記加熱室の内部を第１位置と第２位置とに移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置される一対のリフレクタと、を備え、
前記第１の基板搬送レーンは、前記可動床が前記第１位置にあるときに前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板が前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能で、前記可動床が前記第２位置にあるときには前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板の延びる方向が前記出入口から外れる基板搬送レーンであり、
前記第２の基板搬送レーンは、前記可動床が前記第１位置にあるときには前記第２の基板搬送レーンに載置された前記基板の延びる方向が前記出入口から外れ、前記可動床が前記第２位置にあるときには前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板が前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能な基板搬送レーンであり、
前記一対のリフレクタは、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板の端部とそれぞれ対向し、
前記可動床が前記第２位置にあり、前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板を前記ヒータによって加熱しているときに、前記第２の基板搬送レーンにより前記出入口から前記第１の基板搬送レーンに載置された前記基板とは別の基板を搬入または搬出することを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の基板加熱装置は、
基板加熱装置であって、
基板を出し入れするための出入口を有する加熱室と、
前記加熱室の内部を移動可能な可動床であって、前記出入口から前記加熱室に基板を出し入れ可能にする第１位置と、載置された基板の延びる方向が前記出入口から外れる第２
位置と、に移動可能な可動床と、
前記可動床に載置された基板の面と対向するように前記可動床に設置されるヒータと、
前記加熱室の内部に対向配置されるリフレクタであって、前記可動床が前記第２位置にあるときに前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向するリフレクタと、
を備え、
前記加熱室は、前記出入口として前記加熱室において互いに対向する位置に設けられた第１出入口と第２出入口とを有し、
前記リフレクタは、前記第１出入口と前記第２出入口の対向領域から外れた第１対向位置と、前記対向領域の内側の第２対向位置と、に移動可能に構成されており、前記第２対向位置において、前記第１位置にある前記可動床に載置された基板の端部とそれぞれ対向することが可能に構成されていることを特徴とする。
上記目的を達成するため、本発明の成膜装置は、
基板に成膜処理を行う成膜装置であって、
基板に成膜処理を行う成膜室と、
基板が収容されるストッカ室と、
上記基板加熱装置であって、前記出入口として、前記成膜室との間で基板を出し入れする第１出入口と、前記ストッカ室との間で基板を出し入れする第２出入口と、を有する基板加熱装置と、
前記成膜室、前記ストッカ室、前記加熱室の間を、基板を支持して移動させる基板搬送手段と、
を備えることを特徴とする。