(57)【要約】【課題】高温でのリフロー時においてリード端子から積層セラミックコンデンサが脱落しにくく、外力が与えられた場合でも接合部及び積層セラミックコンデンサにクラックが生じにくく、かつ、外部電極とリード端子との接合強度が十分である、電子部品等を提供する。【解決手段】電子部品１００は、外部電極６を有する積層セラミックコンデンサ１０と、リード端子８０と、外部電極６とリード端子８０とを接合する接合部６０と、を備える。外部電極６はＮｉを８０質量％以上含む。接合部６０は、２０〜８０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む、又は、２５〜９０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極を有する積層セラミックコンデンサと、
リード端子と、
前記外部電極と前記リード端子とを接合する接合部と、を備え、
前記外部電極はＮｉを８０質量％以上含み、
前記接合部は、２０〜８０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む、又は、２５〜９０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む、電子部品。
【請求項２】
前記接合部の５０質量％以上を、Ｓｎ−Ａｇ合金、または、Ｓｎ−Ｃｕ合金が占める請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
リード端子と積層セラミックコンデンサの外部電極とを接合する工程を備え、前記外部電極はＮｉを８０質量％以上含む、電子部品の製造方法であって、
前記外部電極と、前記リード端子との間に、前記外部電極側から順に、第１金属含有層、及び、第２金属含有層を配置するＡ工程、
前記第１金属含有層、及び、前記第２金属含有層を溶融して前記外部電極および前記リード端子間に接合部を形成するＢ工程と、を備え、次の（ａ）または（ｂ）のいずれかを満たす、電子部品の製造方法。
（ａ）前記第１金属含有層は、Ａｇ又はＣｕを含み、前記第２金属含有層はＳｎを含む。
（ｂ）前記第２金属含有層は、Ａｇ又はＣｕを含み、前記第１金属含有層はＳｎを含む。
【請求項４】
（ａ）を満たし、
前記Ａ工程は、
前記外部電極の表面にＡｇ又はＣｕを含むペーストを塗布し、その後、加熱して前記外部電極の表面に前記第１金属含有層を形成する工程、
前記第１金属含有層と前記リード端子との間にＳｎを含むペーストを供給して前記第２金属含有層を形成する工程と、を備える、請求項３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、外部電極を有する積層セラミックコンデンサと、外部電極に接続されるリード端子と、リード端子と外部電極とを接合する接合部を有する電子部品が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６９０６号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３７３２号公報
【特許文献３】ＷＯ２００６／１２６３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の電子部品では、高温でのリフロー時にリード端子から積層セラミックコンデンサが脱落すやすい、外力が与えられた場合に接合部および積層セラミックコンデンサ自体にクラックが発生しやすい、接合部による外部電極とリード端子との接合強度が十分でないという課題があった。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、高温でのリフロー時においてリード端子から積層セラミックコンデンサが脱落しにくく、外力が与えられた場合でも接合部及び積層セラミックコンデンサにクラックが生じにくく、かつ、外部電極とリード端子との接合強度が十分である、電子部品及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品は、外部電極を有する積層セラミックコンデンサと、リード端子と、前記外部電極と前記リード端子とを接合する接合部と、を備える。前記外部電極はＮｉを８０質量％以上含む。前記接合部は、２０〜８０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む、又は、２５〜９０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む。
前記接合部の５０質量％以上を、Ｓｎ−Ａｇ合金、または、Ｓｎ−Ｃｕ合金が占めることが好ましい。なお、本発明における合金は、固溶体合金と、金属間化合物を含む概念である。
【０００７】
また、前記接合部は、２５〜７０質量％のＡｇ、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含むことができる。また、接合部は、３５〜８０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含むことができる。この場合、接合部には、Ａｇの質量％の高いＳｎ−Ａｇ合金、又は、Ｃｕの質量％の高いＳｎ−Ｃｕ合金が広範に存在する。
【０００８】
また、前記リード端子は、前記接合部と接触する部分に表層を有することができる。
【０００９】
本発明に係る電子部品の製造方法は、リード端子と積層セラミックコンデンサの外部電極とを接合する工程を備え、前記外部電極はＮｉを８０質量％以上含む、電子部品の製造方法である。この方法は、前記外部電極と、前記リード端子との間に、前記外部電極側から順に、第１金属含有層、及び、第２金属含有層を配置するＡ工程、
前記第１金属含有層、及び、前記第２金属含有層を溶融して前記外部電極および前記リード端子間に接合部を形成するＢ工程と、を備え、次の（ａ）または（ｂ）のいずれかを満たす。
（ａ）前記第１金属含有層は、Ａｇ又はＣｕを含み、前記第２金属含有層はＳｎを含む。
（ｂ）前記第２金属含有層は、Ａｇ又はＣｕを含み、前記第１金属含有層はＳｎを含む。
【００１０】
ここで、上記方法が（ａ）を満たしている場合、前記Ａ工程は、
前記外部電極の表面にＡｇ又はＣｕを含むペーストを塗布し、その後、加熱して前記外部電極の表面に前記第１金属含有層を形成する工程、及び、
前記第１金属含有層と前記リード端子との間にＳｎを含むペーストを供給して前記第２金属含有層を形成する工程と、を備えることができる。
【００１１】
また、前記リード端子は、前記第２金属含有層と接触する部分に表層を有することができる。上記方法が（ｂ）を満たしている場合、前記リード端子の表層はＮｉを８０質量％以上含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高温でのリフロー時にリード端子から積層セラミックコンデンサが脱落しにくく、外力が与えられた場合に接合部及び積層セラミックコンデンサにクラックが発生しにくく、接合部による外部電極とリード端子との接合強度が確保される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施形態にかかる電子部品の断面図である。
【図２】図２は電子部品の製造方法を説明する図であり、（ａ）は積層セラミックコンデンサとリード端子との間に第１金属含有層及び第２金属含有層を配置した状態を示す断面図、（ｃ）は、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極６に第１金属含有層を形成した状態を示す断面図である。
【図３】図３は実施例３の接合部及びその近傍の断面のＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（電子部品）
図１を参照して、本発明の実施形態にかかる電子部品１００を説明する。
【００１５】
電子部品１００は、積層セラミックコンデンサ１０と、リード端子８０と、接合部６０と、を備える。
【００１６】
積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサチップ３及び、外部電極６を有する。コンデンサチップ３は、厚み方向に離間して配置された多数の内部電極１と、内部電極１間を絶縁するセラミック層２を有する。
内部電極１の材料は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属材料であることができる。
セラミック層２の材料は、チタン酸バリウム等のセラミックであることができる。
【００１７】
外部電極６は、コンデンサチップ３の両端にそれぞれ配置されている。一部の内部電極１は一方側の外部電極６に電気的に接続され、残りの内部電極１は他方側の外部電極６に電気的に接続されている。コンデンサチップ３内において、一方側の外部電極６に接続された内部電極１と、他方側の外部電極６に接続された内部電極１とが積層方向に交互に配置されている。
【００１８】
外部電極６はＮｉを８０質量％以上含有する導電材料の層である。Ｎｉの含有量は９０質量％以上とすることができる。
【００１９】
外部電極６は、コンデンサチップ３との接着性の観点から、Ｎｉおよびガラスフリットを含有することが好適である。ガラスフリットの量は３〜１０質量％とすることができる。ガラスフリットは、たとえばＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２ガラスのように、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｓｉ、ＢおよびＺｎから選ばれる少なくとも２種の酸化物を主成分とするものであることが好ましい。
【００２０】
外部電極６とコンデンサチップ３との間に外部電極６以外にＣｕ、Ａｇ、Ｐｄからなる群から選択される一種以上の金属を８０質量％以上含有する別の導電層を有していても良い。例えば、典型的な実施態様では、別の導電層はＣｕを８０質量％以上含有してもよい。また、別の導電層は、Ａｇ、又は、Ａｇ−Ｐｄを８０質量％以上含有してもよい。別の導電層がある場合には、外部電極６がガラスフリットを含有する必要は無く、別の導電層にガラスフリットを含有することが好適である。
【００２１】
リード端子８０は、本体部８１及び、本体部８１の表面に設けられた表層８２を有する。本実施形態のリード端子８０は、Ｌ字状をしており、一端が外部電極６と対向している。
【００２２】
本体部８１の材料は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属材料とすることができる。
【００２３】
前記本体部８１の表層８２の材料に特に限定はないが、典型的な実施形態として、Ａｇを８０質量％以上、或いは、９０質量％以上含有することができ、別の態様では、Ｎｉを８０質量％以上、或いは、９０質量％以上含有することができる。このような表層８２はめっきで形成することができる。
【００２４】
接合部６０は、リード端子８０の表層８２と外部電極６とにそれぞれ接合されており、これらを電気的に接続する。接合部６０の厚み（電流が流れる方向の長さ）は、特に制限がないが、例えば、５０〜５００μｍとすることができる。
【００２５】
接合部６０は、２０〜８０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む（第１の組成）、又は、２５〜９０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む（第２の組成）。接合部６０における不可避的不純物の例は、Ｎａ、Ｓ、Ｃｌ、Ｂｉである。
【００２６】
第１の組成の接合部６０において、Ａｇの質量％が２０％以上であることにより、融点の低い部分が少なくなり、接合部の耐熱性が良くなるため、積層セラミックコンデンサの脱落が発生しにくい。Ａｇの質量％が８０％以下であることにより、接合強度の低い部分が少なくなり、接合部の強度の高さを担保することができる。
第２の組成の接合部６０において、Ｃｕの質量％が２５％以上であることにより、融点の低い部分が少なくなり、接合部の耐熱性が良くなるため、積層セラミックコンデンサの脱落が発生しにくい。Ｃｕの質量％が９０％以下であることにより、接合強度の低い部分が少なくなり、接合部の強度の高さを担保することができる。
【００２７】
また、第１の組成の接合部６０は、２５〜７０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含むことが好ましい。この場合、接合部６０の中には、Ａｇの質量％の高いＳｎ−Ａｇ合金が広範に存在する。また、第２の組成の接合部６０は、３５〜８０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含むことが好ましい。この場合、接合部６０の中には、Ｃｕの質量％の高いＳｎ−Ｃｕ合金が広範に存在する。このような特徴を有する電子部品は、２５０℃の環境下では、接合部における液相量が少ないため、耐熱性を向上させることができ、積層セラミックコンデンサの脱落を防ぐことができる。
【００２８】
接合部６０において、Ｓｎは残部の９８質量％以上であることができる。
【００２９】
接合部６０が２０〜８０質量％のＡｇ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む場合、接合部６０の５０質量％以上（好ましくは７０質量％以上）を、Ｓｎ−Ａｇ合金が占めることが好適である。また、接合部６０が、２５〜９０質量％のＣｕ、及び、残部の９５質量％以上を占めるＳｎを含む場合、接合部６０の５０質量％以上（好ましくは７０質量％以上）をＳｎ−Ｃｕ合金が占めることが好適である。本明細書において合金とは、固溶体合金と、金属間化合物を含む概念である。
接合部６０におけるＳｎ−Ａｇ合金、または、Ｓｎ−Ｃｕ合金の質量％すなわち合金率が５０質量％以上であると、接合部６０において単一の金属の部分が殆ど存在せず、脆い部分が少ないため、よりクラックが発生しにくい。
【００３０】
本実施形態では、リード端子８０の使用により、積層セラミックコンデンサ１０に与えられる応力を緩和することができるため、積層セラミックコンデンサ１０自体に生じるクラックの発生を軽減することができる。なお、リード端子８０がＡｇを主成分とする表層８２を有している場合、配線回路との接合がより確実に行われるという効果がある。
【００３１】
（製造方法）
続いて、上述の電子部品の製造方法を図２の（ａ）〜（ｂ）を参照して説明する。
【００３２】
まず、積層セラミックコンデンサ１０、及び、リード端子８０を用意する。
【００３３】
次に、図２の（ａ）に示すように、外部電極６と、リード端子８０との間に、外部電極６側から順に、第１金属含有層２０、及び、第２金属含有層４０を配置する。
【００３４】
ここで、第１金属含有層２０は、外部電極６及び第２金属含有層４０と接触している。また、第２金属含有層４０は、第１金属含有層２０及びリード端子８０の表層８２と接触している。
【００３５】
ここで、第１金属含有層２０及び第２金属含有層４０は以下の（ａ）及び（ｂ）のいずれかを満たす。
【００３６】
（ａ）第１金属含有層２０は、Ａｇ又はＣｕを含有し、第２金属含有層４０は、Ｓｎを含有する。
（ｂ）第２金属含有層４０は、Ａｇ又はＣｕを含有し、第１金属含有層２０はＳｎを含有する。
【００３７】
（ａ）第１金属含有層２０は、金属成分としてＡｇ又はＣｕを９５質量％以上含有することができ、第２金属含有層４０は、金属成分としてＳｎを９５質量％以上含有することができる。
（ｂ）第２金属含有層４０は、金属成分としてＡｇ又はＣｕを９５質量％以上含有することができ、第１金属含有層２０は金属成分としてＳｎを９５質量％以上含有することができる。
【００３８】
各金属含有層がＡｇ又はＣｕを含む場合、各金属含有層は金属成分としてＡｇ又はＣｕを９９質量％以上含有することがより好適である。
各金属含有層がＳｎを含む場合、各金属含有層は金属成分としてＳｎを９９質量％以上含有することがより好適である。
このような金属含有層は、金属ペースト層であることができる。金属ペーストは、金属粉末などの金属成分と、非金属成分を含む。非金属成分は、樹脂成分、及び、溶媒を含む。金属粒子の例は、Ａｇ粒子、Ｃｕ粒子、Ｓｎ粒子である。
金属含有層は、金属ペースト層でもよいが、金属ペースト層を焼き付け（熱処理）して、ペースト中の樹脂成分、及び、溶媒を除去した、金属層であってもよい。
【００３９】
（ａ）及び（ｂ）の内、製造プロセスのコスト面の観点から、（ａ）の方が好適である。
【００４０】
（ａ）の場合には以下のようにすることが好適である。まず、外部電極６の表面にＡｇ又はＣｕを含有するペーストを塗布し、その後、ペーストを熱処理して、図２の（ｂ）に示すように、外部電極６の上にＡｇ又はＣｕを含有する第１金属含有層２０を形成する。その後、リード端子８０を、リード端子８０の表層８２と第１金属含有層２０との間に隙間ができるように配置し、当該隙間にＳｎを含有するペーストを供給して、金属成分としてＳｎを含有する第２金属含有層４０を形成する。
【００４１】
（ｂ）の場合には以下のようにすることが好適である。まず、リード端子８０の表層８２の表面にＡｇ又はＣｕを含有するペーストを塗布し、その後、ペーストを熱処理して、リード端子８０の上に、Ａｇ又はＣｕを含有する第２金属含有層４０を形成する。その後、積層セラミックコンデンサ１０を、外部電極６と第２金属含有層４０との間に隙間ができるように配置し、当該隙間にＳｎを含有するペーストを供給して、金属成分としてＳｎを含有する第１金属含有層２０を形成する。この場合、リード端子８０の表層８２は、Ｎｉを８０質量％以上含有することが好ましい。Ａｇ及びＣｕは、５００℃以下の条件でＮｉと反応しにくいので、Ｓｎと好適に合金を形成させやすい。
【００４２】
続いて、第１金属含有層２０及び第２金属含有層４０を熱処理して溶融させ、外部電極６とリード端子８０とを接合する合金を含む接合部６０を形成して、図１に示す電子部品１００を得る。従来では、前記の熱処理の温度が６００℃以上でなければ十分に溶融させることができなかったが、本実施形態により、熱処理の温度は、Ｓｎの融点以上であればよく、２３２〜５００℃であることができる。
【００４３】
このような方法によれば、ＡｇまたはＣｕは外部電極６のＮｉよりもＳｎと相互拡散するので、Ｓｎ−Ａｇ合金、および、Ｓｎ−Ｃｕ合金を含む接合部６０を形成しやすい。具体的には、接合部６０の中には、Ａｇの質量％濃度の高いＳｎ−Ａｇ合金、又は、Ｃｕの質量％濃度の高いＳｎ−Ｃｕ合金が広範に存在することができる。したがって、このような合金を含む接合部を有する電子部品は、２５０℃の環境下でも接合部における液相量が少ないため、耐熱性が向上する。
【００４４】
（作用）
本実施形態に係る電子部品１００によれば、Ｎｉを８０質量％以上含有する外部電極６、及び、上述の組成の接合部６０を有している。ＮｉとＡｇと、又は、ＮｉとＣｕとは互いに反応性に乏しい一方、ＡｇまたはＣｕは、熱処理によって溶融するＳｎ内に容易に拡散する。したがって、融点が高く接合強度の高いＳｎ−Ａｇ合金またはＳｎ−Ｃｕ合金が接合部に形成されやすくなる。さらに、リード端子８０の使用により、積層セラミックコンデンサ１０に与えられる応力を緩和することができる。これらにより、高温でのリフロー時においてリード端子８０から積層セラミックコンデンサ１０が脱落しにくく、電子部品１００に外力が与えられた場合でも接合部６０及び積層セラミックコンデンサ１０にクラックが生じにくく、かつ、外部電極６とリード端子８０との接合強度が十分となる。
【００４５】
本発明は上記実施形態に限定されず、様々な変形態様をとることができる。
【００４６】
リード端子８０の形状に特に限定はなく、積層セラミックコンデンサの形態及び電子部品が接続される場所等に応じて適宜変形することができる。
【００４７】
また、上記実施形態では、リード端子８０が表層８２を有していたが、表層８２を有していなくても実施は可能である。
【００４８】
なお、本明細書において、金属とは合金を含む概念である。
【実施例】
【００４９】
（実施例１〜５、比較例１、２）
積層セラミックコンデンサを用意した。このコンデンサは、両端部に、外部電極６を有している。外部電極６はガラスフリット及びＮｉを含む層である。ガラスフリットは、ＳｒＯ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２ガラスを主成分とした。外部電極６のＮｉ含有量は９０質量％である。
【００５０】
次に、Ａｇの金属粉末及びビヒクルを含むＡｇペーストを、外部電極６上に塗布してＡｇペースト層を形成し、Ａｇペースト層を５００℃のＮ２中で焼き付けて、外部電極６の上に第１金属含有層２０としてＡｇ層を形成した。
【００５１】
次に、Ｆｅ板の表面にメッキにより得られたＡｇ表層８２を有するＬ字形状のリード端子８０を用意した。リード端子８０のＡｇ表層８２と、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極６上に設けられた第１金属含有層（Ａｇ層）２０との間に一定の隙間が生じるように、リード端子８０及び積層セラミックコンデンサ１０とを配置し、Ａｇ表層とＡｇ層との隙間にＳｎ半田ペーストを注入してＳｎ半田ペースト層（第２金属含有層）を形成した。
【００５２】
第１金属含有層及び第２金属含有層に対して、３００℃で１０分熱処理を行い、これらの金属を合金化して接合部６０を形成させ、電子部品を得た。
【００５３】
第１金属含有層となるＡｇ層及び第２金属含有層となるＳｎ半田ペースト層の質量の調整により、接合部のＳｎ及びＡｇの組成の異なる実施例１〜５、比較例１、２を作成した。各実施例ではそれぞれサンプル１００個を作製した。条件及び結果を表１及び表２に示す。実施例３の接合部及びその近傍のＳＥＭ写真を図３に示す。
【００５４】
（実施例６）
実施例６は、以下のようにサンプルを作製した。
実施例１と同様の積層セラミックコンデンサ１０及びリード端子８０を用意した。次に、Ａｇの金属粉末及びビヒクルを含むＡｇペーストを、リード端子側におけるＡｇ表層８２上に塗布してＡｇペースト層を形成し、Ａｇペースト層を５００℃のＮ２中で焼き付けて、Ａｇ表層８２の上に第２金属含有層４０としてＡｇ層を形成した。
【００５５】
次に、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極６と第２金属含有層４０上との間に一定の隙間が生じるように、リード端子８０及び積層セラミックコンデンサ１０とを配置し、外部電極とＡｇ層との隙間にＳｎ半田ペーストを注入してＳｎ半田ペースト層（第１金属含有層）を形成した。
【００５６】
第１金属含有層及び第２金属含有層に対して、３００℃で１０分熱処理を行い、これらの金属を合金化して接合部６０を形成させ、電子部品を得た。接合部の組成は実施例３と同じとした。
【００５７】
（実施例７）
リード端子側の表層８２として、Ａｇ表層でなくＮｉ表層を用いた以外は、実施例６と同じにした。
【００５８】
（実施例８〜１１、比較例３，４）
Ａｇペーストに代えて、Ｃｕの金属粉末及びビヒクルを含むＣｕペーストを作製し、外部電極上に塗布してＣｕペースト層を形成し、Ｃｕペースト層を５００℃のＮ２中で焼き付けて、外部電極上に第１金属含有層としてＣｕ層を形成した。
【００５９】
これ以外は、実施例１と同様とし、Ｓｎ及びＣｕの組成の異なる実施例８〜１１及び比較例３，４の電子部品を得た。条件を表１に示す。
【００６０】
（比較例５）
比較例５は、第１金属含有層として、Ａｇペーストに代えて、Ｐｄペーストを用い、Ｐｄ層を形成し、接合部の金属組成を表１のようにする以外は、実施例１と同様とした。
【００６１】
（比較例６）
外部電極としてガラスフリット及びＮｉを含む層を有する積層セラミックコンデンサに代えて、外部電極として、コンデンサチップ側から順に、ガラスフリット及びＣｕを含む層、および、Ｎｉメッキ層を有する積層セラミックコンデンサを用意した。外部電極の最外のＮｉ層上に、第１金属含有層としてＳｎ層をメッキにより形成した。さらに、このＳｎ層と、リード端子のＡｇ層との隙間にＳｎ半田ペーストを注入してＳｎ半田ペースト層（第２金属含有層）を形成した。これ以降は実施例１と同様とした。
【００６２】
（比較例７）
外部電極として、ガラスフリット及びＮｉを含む層に代えて、ガラスフリット及びＣｕ（９０質量％）を含む層を有する積層セラミックコンデンサを用意した。次に、Ａｇの金属粉末及びビヒクルを含むＡｇペーストを、外部電極上に塗布してＡｇペースト層を形成し、Ａｇペースト層を５００℃のＮ２中で焼き付けて、外部電極上に第１金属含有層としてＡｇ層を形成した。さらに、このＡｇ層と、リード端子のＡｇ層との隙間にＳｎ半田ペーストを注入してＳｎ半田ペースト層（第２金属含有層）を形成した。これ以降は実施例１と同様とした。
【００６３】
（初期強度測定方法）
電子部品１００の二つのリード端子８０をそれぞれ治具に固定し、図１に示すように、一方の治具をＸ方向、他方の治具を−Ｘ方向に引っ張り、破断した時の張力値を強度とした。
【００６４】
（熱処理サイクル後の強度の測定方法）
Ａｇ系の導電性接着剤を用いてプリント基板と電子部品とを接合した。−５５℃と２５０℃との間の往復を１サイクルの熱処理とし、１サイクルの熱処理を１時間かけて行い、合計１０００サイクルの熱処理を行い、電子部品の破損状態を調べた。熱処理サイクル後の強度の測定は初期強度と同じ方法で行った。
【００６５】
（積層セラミックコンデンサ脱落率）
２５０℃の雰囲気下で電子部品１００の積層セラミックコンデンサ１０に図１の状態で上から下に向かって１０Ｎ（実害のないレベル）の荷重を負荷し、接合部６０の再溶融が生じて、リード端子８０から積層セラミックコンデンサ１０が脱落するか否かを調べた。１００個サンプルの中、コンデンサが脱落したサンプルの数／１００からなる数値（積層セラミックコンデンサ脱落率）を求めた。
【００６６】
（クラックの測定方法）
コンデンサ脱落試験の負荷印加後の、接合部６０、及び、積層セラミックコンデンサ１０自体におけるクラックの有無を調べた。１００個サンプルの中、クラックが発生したサンプルの数／１００からなる数値（クラック発生率）を求めた。クラックは、接合部６０及び積層セラミックコンデンサ１０の断面を研磨し、目視で確認した。
【００６７】
（接合部における金属の組成の測定方法）
接合部６０における金属の組成は、電子部品を研磨し、接合部断面をＥＤＸ（エネルギー分散型蛍光Ｘ線）で分析して求めた。１つの実施例に対して、その接合部断面の異なる部分に対して５回の分析を行い、平均値を求めた。
【００６８】
（接合部における合金の質量％（合金率）の測定方法）
積層セラミックコンデンサの外部電極とリード端子間に形成される接合部について、外部電極とリード端子とを結ぶ方向に平行な断面を形成し（図３参照）、接合部６０と外部電極６との境界から、接合部６０とリード端子８０との境界までＥＤＸで線分析を行い、線上の各点における各原子の濃度（組成）を分析した。２種類以上の金属が存在した場所を合金と判断した。同一断面内において異なる５か所の線分析を行い、線分析の合計長さに占める合金部分の長さの割合の平均より接合部の合金率（質量％）を求めた。
【表１】
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【表２】
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【００６９】
実施例では、高温でのリフロー時においてリード端子から積層セラミックコンデンサが脱落しにくく、外力が与えられた場合でも接合部及び積層セラミックコンデンサにクラックが生じにくく、かつ、外部電極とリード端子との接合強度が十分であった。比較例１では、実施例１〜５と比べて、積層セラミックコンデンサ脱落率が大きくなり、比較例２では実施例１〜５と比べて接合強度が低かった。比較例３では、実施例８〜１１と比べて、積層セラミックコンデンサ脱落率が大きくなり、比較例４では実施例８〜１１と比べて接合強度が低かった。比較例５では、接合部がＣｕおよびＡｇを含まないため、接合部が脆い材料となりクラックが生じやすかった。比較例６では、接合部がＳｎのみなので、高温環境に置かれる場合、Ｓｎの融点が低いため、積層セラミックコンデンサが脱落しやすくなった。比較例７では、外部電極がＮｉでなくＣｕを多量に含むため、ＣｕとＡｇの反応が進み、ＡｇのＳｎ中への拡散が十分ではないことから接合強度が低かった。
【符号の説明】
【００７０】
６…外部電極、１０…積層セラミックコンデンサ、２０…第１金属含有層、４０…第２金属含有層、６０…接合部、８０…リード端子、８２…表層、１００…電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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