(57)【要約】【課題】シンプルな構造でありながら、信頼性が高く、光の取り出しがよい発光装置を提供する。【解決手段】第１主面に配線層を有する基体と、前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する発光素子と、前記発光素子と前記基体の第１主面とを連続的に被覆する保護膜とを備え、前記保護膜は、原子堆積法により設けられており、前記発光素子と前記第１主面との間を被覆することを特徴とする発光装置。【選択図】図１Ｂ
2019176192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面に配線層を有する基体と、
前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する発光素子と、
前記発光素子と前記基体の第１主面とを連続的に被覆する保護膜とを備え、
前記保護膜は、原子堆積法により設けられており、前記発光素子と前記第１主面との間
を被覆することを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関し、より詳細には紫外線領域の波長の光を出射する発光素子を
備える発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光ダイオード又はレーザダイオード等の発光素子を基体上に備える発光装
置が提案されている。このような発光装置では、用途によって、紫外線領域の波長の光（
以下、紫外光と記載することがある）を出射する発光素子を備えることがある。また、こ
のような発光装置は、所望の特性を確保するために、発光素子の周囲を囲むリフレクタや
、発光装置を封止する透明ボードを有することがある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−７８５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
紫外光は、発光装置の構成部材を劣化させる、又はその材料を分解することがあり、こ
れに起因する発光装置の信頼性の低減を招くことがある。しかし、紫外光により劣化等し
ない材料や構成を用いると、発光装置の構造が複雑になったり、光の取り出しが低下した
りする恐れがある。
【０００５】
本発明の実施形態は、上記課題に鑑みなされたものであり、シンプルな構造でありなが
ら、信頼性が高く、光の取り出しがよい発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る発光装置は、第１主面に配線層を有する基体と、前記配線層にフリップ
チップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する発光素子と、前記発光素子と前記基体
の第１主面とを連続的に被覆する保護膜と、を備え、前記保護膜は、原子堆積法により設
けられており、前記発光素子と前記第１主面との間を被覆する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、シンプルな構造でありながら、信頼性が高く、光の取り出
しがよい発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本発明の一実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示される発光装置の上面図である。
【図２Ａ】本発明の別の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示される発光装置の上面図である。
【図３Ａ】本発明のさらに別の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示される発光装置の底面図である。
【図４】図３Ｂに示される発光装置の変形例である。なお、第１主面側に配置される発光素子の位置を点線で示す。
【図５Ａ】本発明のさらに別の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示される発光装置の上面図である。
【図６】本発明のさらに別の実施の形態に係る発光装置の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光
装置は、本開示の実施形態の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載が
ない限り、本開示の実施形態を以下のものに限定しない。また、一の実施の形態、実施例
において説明する内容は、他の実施の形態、実施例にも適用可能である。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していること
がある。
【００１０】
（実施形態）
本実施形態の発光装置は、基体と、基体にフリップチップ実装された発光素子と、原子
堆積法により形成され、基体と発光素子とを連続的に被覆する保護膜と、を備える。この
発光装置では、任意に、保護素子等の電子部品、電子部品を封止する被覆部材、保護膜に
被覆された発光素子（及び電子部品）をさらに封止する封止部材等を備えていてもよい。
【００１１】
〔基体〕
基体は、発光素子を実装する部材であり、板状であってもよいし、発光素子を収容する
凹部を有していてもよい。特に、平板状の基体を用いることが好ましい。平板状の基体を
用いることで、凹部を形成する壁による発光素子の光の吸収がないので、出力をより一層
向上させることができる。また、小型の発光装置を形成することができ、部材コストや製
造コストを削減することができる。さらに、気密性の低下を回避することができる。
【００１２】
基体は、通常、発光素子が載置される第１主面と、第１主面の反対側の面である第２主
面とを有する。基体は、少なくとも第１主面に、発光素子がフリップチップ実装可能な正
負の配線層を有する。
【００１３】
実施形態の基体は、平面視で略矩形状であるが、特に限定されない。平面視が略矩形状
の基体を用いると、平面視が略矩形状の発光素子を実装する場合、小型の発光装置を形成
することができる。
【００１４】
基体は、発光素子からの光を反射することができる材料で形成されていることが好まし
い。特に、発光素子からの光を６０％以上、７０％以上反射することが好ましい。また、
発光素子の光を吸収しにくい材料で形成されると好適である。例えば、ガラス、セラミッ
クス、樹脂、木材、パルプ等の絶縁材料、半導体、金属（例えば、銅、銀、金、アルミニ
ウム等）等の導電材料の単一材料及びこれらの複合材料によって形成することができる。
なかでも、金属、セラミックス、樹脂等が好ましく、無機材料であるセラミックスがより
好ましい。セラミックスとしては、特に放熱性の高い窒化アルミニウムが好ましい。
【００１５】
配線層は、発光素子と電気的に接続可能なものであれば、特に限定されるものではなく
、当該分野で公知の材料によって形成することができる。例えば、銅、アルミニウム、金
、銀等の金属を用いることができる。厚みは、数μｍ〜数百μｍとすることができる。配
線層は、めっき、スパッタ、その他の公知の方法で形成することができる。
【００１６】
〔発光素子〕
発光装置は、紫外光を出射する発光素子を備える。ここで、紫外光とは、例えば、２０
０〜４１０ｎｍの波長の光を指す。発光素子は単数でも複数でもよく、例えば、それぞれ
異なる光を発光する複数の発光素子であってもよい。また、紫外光を発光する発光素子に
加えて、可視波長の光及び／又は赤外光を出射する発光素子を備えていてもよい。
【００１７】
発光素子は、当該分野で一般的に用いられている発光ダイオード、レーザ等の発光素子
を用いることができる。例えば、窒化物系半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦
Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＺｎＳ
ｅ、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体を利用することができる。
【００１８】
発光素子は、少なくとも、発光層を含む半導体層と、正負の電極とを有する。本実施形
態では、発光素子は同一面側に正負の電極を有し、基体にフリップチップ実装される。こ
れにより、発光素子をワイヤ等によって基体の配線層と電気的に接続する場合に比べて、
発光素子の周辺にワイヤボンディングのための領域を設ける必要がないので、発光装置の
小型化を図ることができる。また、発光素子を複数搭載する場合には、発光素子を密に実
装することが可能となり、ピーク放射強度向上させることができる。さらに、ワイヤの材
料コストや、ワイヤボンディングの工程コストを削減することができる。
【００１９】
その他、発光素子は、半導体層を成長させるための基板を有していてもよい。基板とし
ては、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、ＳｉＣ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物半導体と格子接合するニオブ酸リチウ
ム、ガリウム酸ネオジム等の酸化物基板が挙げられる。特に、基板は透光性のものが好ま
しい。なお、基板はレーザリフトオフ法等を利用して除去されていてもよい。
【００２０】
発光素子は、例えば、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、Ａ
ｕとＳｎ、ＡｕとＳｉ、ＡｕとＧｅ、ＡｕとＣｕ、ＡｇとＣｕとをそれぞれ主成分とする
合金等の共晶合金、あるいは、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方
性導電材、低融点金属のろう材等の導電性の接合部材を介して、基体にフリップチップ実
装される。特に、紫外光によって劣化しにくい半田、合金等の共晶合金、バンプを用いる
ことが好ましい。
【００２１】
〔保護膜〕
保護膜は、発光素子が基体に実装された後に、原子堆積法（以下、「ＡＬＤ」（Atomic
Layer Deposition）ともいうことがある）によって形成され、発光素子と基体の第１主
面とを連続的に被覆する。連続的とは、発光素子から基体の第１主面にわたって、隙間が
ないことを意味する。保護膜は、発光素子と基体の第１主面との間（詳細には、発光素子
の電極の側面、電極形成面、及び電極形成面と対向する第１主面）にも設けられる。
このような保護膜は、発光装置の外表面を形成する（すなわち、それのみで発光素子を
完全に被覆する）ことができる。したがって、小型でシンプルな構造で、信頼性の高い発
光装置を形成することができる。また、発光素子が保護膜のみで被覆されているので、無
駄な光吸収が抑えられ、光の取り出しのよい発光装置とすることができる。特に、本実施
形態では、発光素子が基体にフリップチップ実装されるため、基体側に半導体層が配置さ
れる。これにより、基体側からの水分浸入による半導体層の劣化が問題となるが、保護膜
が発光素子の電極形成面側を連続的に被覆することで水分の浸入を阻止し、発光素子の光
出力の低下や、クラックの発生による不灯を効果的に阻止することができる。
後述の電子部品が第１主面に実装される場合、保護膜は、発光素子、電子部品、基体の
第１主面を連続的に被覆することが好ましい。また、保護膜は、基体の第２主面側に、発
光装置をさらに別の実装基板（例えば、回路基板等）に実装するための裏面電極を有する
場合、その裏面電極を露出させることが好ましい。
【００２２】
保護膜は、１つの材料による単層膜又は多層膜、２以上の異なる材料による多層膜でも
よい。多層膜にすると、発光素子の光の取り出しを向上させることが可能である。
保護膜は、例えば、約１ｎｍ〜１０μｍの厚みとすることが好ましい。このような範囲
とすると、発光素子を十分に保護しつつ、発光素子の光の吸収を低減させることができる
。
【００２３】
保護膜は、例えば、無機材料によって形成されることが好ましい。具体的には、酸化ア
ルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒
化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等が挙げられるが、特に酸化アルミニウムが好ましい。これにより
、発光素子の光の吸収を抑制しつつ、発光素子を水分等から保護できる緻密な保護膜を形
成することができる。
【００２４】
保護膜は、上述のように原子堆積法によって形成されており、その形態は、ＳＥＭ等に
よる断面観察によって識別することができる。つまり、原子層の単位で形成された膜とし
て識別することができる。具体的には、保護膜は、それを構成する原子どうしが、水分子
等を通過させるような隙間がないよう、互いに隣接して配置される。また、ＡＬＤ法は、
スパッタ、ＣＶＤ等と異なり、反応成分の直進性が低いので、凹凸等の障害物近傍であっ
ても、全反応成分が同等に成膜部位に供給され、原子層ごとに形成される。その結果、ど
の領域においても略均一な膜厚及び膜質の良質な保護膜が得られる。
【００２５】
保護膜は、例えば、以下の方法によって形成することができる。
まず、原子層堆積装置に、発光素子を実装した基体を導入する。なお、裏面電極は保護
膜から露出されるよう、マスク等を形成しておくことが好ましい。続いて、原子層堆積装
置内に、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）ガスを導入し、発光素子を実装した
基体表面のＯＨ基と、ＴＭＡとを反応させる。次に、余剰ガスを排気する。その後、Ｈ２
Ｏガスを導入して、先の反応でＯＨ基と結合したＴＭＡとＨ２Ｏとを反応させる。次に、
余剰ガスを排気する。
そして、ＴＭＡの反応、排気、ＯＨ基との反応及び排気を１サイクルとして繰り返すこ
とにより、所定の膜厚のＡｌ２Ｏ３の保護膜を形成することができる。
【００２６】
〔電子部品〕
電子部品は、発光素子の通電に関与するもの、発光素子の駆動に関連するもの等が包含
される。具体的には、コンデンサ、バリスタ、ツェナーダイオード、ブリッジダイオード
、チップ抵抗、メルフ抵抗、静電気保護素子等の保護素子、サーミスタ等の温度センサ、
温度補償用素子、各種トランジスタ、外部電源を供給するためのコネクタ等の表面実装型
の電子部品等が挙げられる。特に、電子部品としてツェナーダイオード等の保護素子を備
えると、通電及び駆動における信頼性を向上させた高性能の発光装置を提供することがで
きる。なお、電子部品は、基体にフリップチップ実装されていてもよいし、ワイヤ等で電
気的に接続されていてもかまわない。
【００２７】
電子部品は、例えば、発光素子が実装される基体の第１主面側に実装されていてもよい
し、第１主面とは反対側の第２主面側に配置されていてもよい。
電子部品が第１主面側に配置される場合、第１主面は、発光素子が実装される面と必ず
しも同一面に配置されていなくてもよい。例えば、電子部品を載置する領域を凹形状又は
凸形状とし、その凹部内又は凸部上に電子部品が配置されていてもよい。
【００２８】
電子部品が第２主面側に配置される場合、基体の第１主面において発光素子と電子部品
とを実装する面積を確保する必要がないため、さらに発光装置の小型化を図ることができ
る。第２主面は、平面状であってもよいし、凹部又は凸部を有していてもかまわない。
図３Ａに示されるように、第２主面側の凹部の底面に電子部品を配置すると、発光装置
をさらに別の実装基板（例えば、回路基板等）に実装する場合に、実装に用いられる半田
フラックス等による電子部品の汚染、短絡等を防止することができる。また、後述するよ
うに、電子部品を封止する樹脂等の被覆部材を設けやすい。
【００２９】
電子部品が、基体の第２主面側に配置される場合、基体の透視平面において、電子部品
の中心が、発光素子の中心と離間していることが好ましい。これにより、発光装置の放熱
性を向上させることができる。
【００３０】
〔被覆部材〕
前述のように、発光装置は、電子部品が第２主面側の凹部に収納される場合、電子部品
を封止する被覆部材を備えていてもよい。
【００３１】
被覆部材の材料としては、樹脂、ガラス等の無機材料などが挙げられる。
樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの変性樹脂又はこれらの樹脂を１
種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、変性エ
ポキシ樹脂組成物（シリコーン変性エポキシ樹脂等）、シリコーン樹脂組成物、変性シリ
コーン樹脂組成物（エポキシ変性シリコーン樹脂等）、ハイブリッドシリコーン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ポリアミド
樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリシクロ
ヘキサンテレフタレート樹脂、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポ
リフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノー
ル樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂、ユリア樹脂、ＢＴレジン、ポリウレタン樹脂等の樹
脂が挙げられる。
ガラスとしては、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、フッ化カルシウム
ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス、オキシナイトライドガラス、カルコゲナイドガラス等
が挙げられる。
【００３２】
〔封止部材〕
発光装置は、保護膜で被覆される発光素子をさらに封止する封止部材を有していてもよ
い。発光素子と電子部品とが基体の第１主面に配置される場合、封止部材は、発光素子だ
けでなく電子部品も封止してもよい。封止部材は、保護膜で被覆された発光素子及び／又
は保護素子を直接被覆していてもよいし、ガスや樹脂等を介していてもよい。封止部材は
、例えば窒化アルミ等で形成される基体に接合するよりも、前述の材料で形成される保護
膜と接合させる方が容易であり、保護膜上に接合部材等を介して接合することができる。
封止部材を有することで、所望の特性を有する発光装置を形成することができる。また
、発光素子をより確実に封止することができ、より信頼性の高い発光装置を得ることがで
きる。
【００３３】
封止部材は、前述の被覆部材と同様の材料を母材として用いることができ、例えば、板
状のガラス等を好適に用いることができる。封止部材は、光反射性物質又は光吸収剤を含
有していてもよい。これにより、耐光性を高めることができる。紫外線吸収剤としては、
ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン系、サリシレート系等、プラスチックにおいて通
常使用されるものが挙げられる。光吸収剤としては、例えば、紫外線吸収剤又は紫外線遮
蔽剤等が挙げられる。具体的には、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタン酸
カリウム、アルミナ、窒化ホウ素、ムライト、酸化マグネシウム、二酸化チタン、繊維状
フィラー（ガラス、ガラスファイバー、ワラストナイトなど）、無機フィラー（窒化アル
ミニウム、カーボン等）等が挙げられる。
光反射性物質又は光吸収剤は、例えば、母材の全重量に対して、１０〜９５重量％程度
含有させることが好ましい。
【００３４】
その他、封止部材は、発光素子の光の波長を変換する波長変換部材を含有していてもよ
い。これにより、所望の発光色の発光装置を形成することができる。
波長変換部材としては、例えば、当該分野で公知の蛍光体を用いることができる。具体
的には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍
光体、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット（ＬＡＧ）、ユウロ
ピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣａＯ−Ａｌ２
Ｏ３−ＳｉＯ２）系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート（（Ｓｒ，Ｂａ）２Ｓ
ｉＯ４）系蛍光体、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系又はＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物
系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体などが挙げられる。
波長変換部材は、例えば、いわゆるナノクリスタル、量子ドットと称される発光物質でも
よい。これらの材料としては、半導体材料を用いることができ、半導体材料としては、例
えばＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＶ−ＶＩ族半導体、具体的には、ＣｄＳｅ、コアシ
ェル型のＣｄＳｘＳｅ１−ｘ／ＺｎＳ、ＧａＰ等のナノサイズの高分散粒子が挙げられる
。
【００３５】
封止部材は、その表面において、反射防止等の目的で被覆膜が形成されていてもよい。
これによって、発光素子から出射された封止部材で反射させることなく、外部に効率的に
取り出すことができる。
封止部材の形状、厚み等は、意図する発光装置の大きさ等によって適宜調整することが
できる。
【００３６】
以下に、本発明に係る実施例について、図面に基づいて説明する。
【００３７】
（実施例１）
図１Ａは、本発明の実施例１に係る発光装置９の断面図である。図１Ｂは、本発明の実
施例１に係る発光装置の上面図である。なお、上面図とは、発光装置を基体の第１主面側
から見た図である。
実施例１の発光装置９は、基体１と、発光素子３と、保護膜４とを有する。
基体１は、例えば、窒化アルミニウムからなり、厚み約０．４ｍｍの平板状とすること
ができる。基体１は、上面視で略正方形（例えば、１．３７５ｍｍ×１．３７５ｍｍ）と
することができ、第１主面１ａに配線層２、第２主面１ｂに裏面電極２ａを有する。配線
層２及び裏面電極２ａは、例えば厚み約３０μｍの銅層であり、電気的に導通している。
【００３８】
発光素子３としては、例えば、窒化物系半導体からなる半導体層を有し、発光ピーク波
長約３７５ｎｍのものを用いることができる。本実施例の発光素子３は、平面視において
略正方形（例えば、１．１ｍｍ×１．１ｍｍ）である。発光素子３は、接合部材７である
Ａｕ−Ｓｎ等によって、基体１の第１主面１ａにフリップチップ実装される。
【００３９】
基体１に実装された発光素子３は、その全表面から基体１の第１主面１ａ上にわたって
連続的に、隙間及び切れ目なく、保護膜４によって被覆される。すなわち、保護膜４は、
発光素子３と基体１の第１主面１ａとの間（詳細には、発光素子３の電極形成面、電極の
側面、電極形成面と対向する第１主面上）にも設けられる。保護膜４は、発光装置９の外
表面を構成する。
保護膜４は、原子堆積法により形成されており、水分の浸入を略完全に阻止することが
できる程度に緻密である。例えば、保護膜４は、厚み約２０ｎｍの酸化アルミニウムによ
って構成することができる。
【００４０】
以上のように、実施例１では、平板状の基体１を用いるので、発光素子３の光の吸収を
抑制できる。さらに、小型の発光装置９とすることができる。また、発光素子３がフリッ
プチップ実装されるので、発光装置９のさらなる小型化を図ることができる。さらに、ワ
イヤボンディング工程を行わなくてもよく、ワイヤ等の材料を用いる必要がないため、コ
ストを削減することができる。
【００４１】
また、保護膜４が原子堆積法により形成され、発光素子３と基体の第１主面１ａとが隙
間なく連続的に被覆されるため、保護膜４が発光装置９の外表面を形成する（すなわち、
発光素子３を封止する部材が保護膜４のみである）小型でシンプルな構造ながら、信頼性
の高い発光装置９を形成することができる。
特に、本実施例では、発光素子３がフリップチップ実装されるので、発光素子３の半導
体層が基体１側に配置される。これにより、基体１側からの水分の浸入による発光素子３
の劣化が顕著となることがあるが、発光素子３と基体１の間にも緻密な保護膜４が設けら
れるため、発光素子３の劣化を効果的に防止することができる。
また、保護膜４を薄く均一な膜状とすることができるため、発光素子３に対する保護機
能を維持しながら、発光素子３の光の吸収を低減させることができる。
【００４２】
（実施例２）
図２Ａは、本発明の実施例２に係る発光装置１９の断面図である。図２Ｂは、本発明の
実施例２に係る発光装置１９の上面図である。
実施例２の発光装置１９は、基体１の第１主面１ａ側に、発光素子３に加えて電子部品
である保護素子８（例えば、平面視で０．２３ｍｍ×０．２３ｍｍ）が実装されている以
外は、実施例１の発光装置９と実質的に略同様の構成を有する。なお、本実施例の発光装
置１９の基体１は、上面視で略長方形（例えば、１．８ｍｍ×１．３７５ｍｍ）とするこ
とができる。
この発光装置１９では、保護膜４は、基体１の第１主面１ａから、発光素子３の表面、
さらに保護素子８の表面を連続的に被覆している。したがって、発光素子３と第１主面１
ａとの間、保護素子８と第１主面１ａとの間も、保護膜４で被覆される。
【００４３】
実施例１の発光装置１９においても、実施形態１の発光装置９と同様の効果を得ること
ができる。さらに、保護素子８を備えることにより、通電及び駆動における信頼性を向上
させた高性能の発光装置１９を得ることができる。
【００４４】
（実施例３）
図３Ａは、本発明の実施例３に係る発光装置２９の断面図である。図３Ｂは、本発明の
実施例３に係る発光装置２９の底面図である。なお、底面図とは、発光装置を基体の第２
主面側から見た図である。
実施例３では、上面視で略正方形（例えば、１．３７５ｍｍ×１．３７５ｍｍ）の基体
１０の第２主面１０ｂの略中央に凹部１０ｃを有しており、その凹部１０ｃの底面に一対
の配線層２が露出する。電子部品である保護素子８は、凹部１０ｃの底面に実装される。
より詳細には、保護素子８は、凹部１０ｃの底面の配線層２上に銀ペースト等の接合部材
によって実装することができる。また、保護素子８と配線層２とは、例えばＡｕ等のワイ
ヤ５によって電気的に接続されていてもよい。凹部１０ｃ内には、例えばシリコーン樹脂
からなる被覆部材６が充填されており、保護素子８が封止されている。裏面電極２ａは、
凹部以外の第２主面１０ｂ上に設けられる。本実施例の裏面電極２ａは、平面視で、例え
ば略Ｕ字形状に設けることができる。前述の構成以外は、実施例１の発光装置９と略同様
の構成を有する。
【００４５】
このような構成とすることで、保護素子８が第２主面１０ｂ側に実装されるため、発光
装置２９をより小型化することができる。
また、第２主面１０ｂが凹部１０ｃを有することで、凹部１０ｃに樹脂等の被覆部材６
を容易に充填することができる。また、凹部１０ｃ及び被覆部材６によって、発光装置２
９をさらに別の実装基板（例えば、回路基板等）に実装する場合に用いられる半田フラッ
クス等の浸入を防止し、保護素子８の短絡等を確実に防止することができる。
【００４６】
（実施例４）
図４は、本発明の実施例４に係る発光装置の底面図である。なお、第１主面側に配置さ
れる発光素子の位置を点線で示す。この発光装置は、基体１１の第２主面１１ｂの凹部１
１ｃが、実施例３で示した凹部１０ｃと比べて、基体の端部側に設けられる。すなわち、
基体１１の透視平面において、第２主面１１ｂの凹部１１ｃの底面に実装される保護素子
８の中心は、第１主面に実装される発光素子３の中心と離間する。また、本実施例の裏面
電極２ｂは、例えば、平面視で略Ｌ字形状に設けることができる。前述の構成以外は、実
施例３の発光装置２９と略同様の構成を有する。
このような構成とすることで、発光装置の放熱性を向上させることができる。
【００４７】
（実施例５）
図５Ａは、本発明の実施例５に係る発光装置３９の斜視図である。図５Ｂは、本発明の
実施例５に係る発光装置３９の上面図である。
実施例５の発光装置３９は、基体１２の第１主面に凹部１２ｃを備える。凹部１２ｃの
底面には配線層２が設けられ、発光素子３及び電子部品である保護素子８が実装される。
本実施例の基体１２は、例えば、上面視で略正方形（例えば、３．５ｍｍ×３．５ｍｍ）
とすることができる。
実施例５の保護膜４は、発光素子３、保護素子８、基体１２の第１主面を連続的に被覆
する。本実施形態では、基体１２の第１主面だけでなく、基体１２の凹部１２ｃを形成す
る側壁の側面及び上面に、保護膜４を設けてもよい。
【００４８】
このような構成とすることで、シンプルな構造で信頼性が高く、且つ光を上方に出射可
能な発光装置３９を形成することができる。
【００４９】
（実施例６）
図６は、本発明の実施例６に係る発光装置４９の斜視図である。
実施例６の発光装置４９は、封止部材１３を有すること以外は、実質的に実施例５の発
光装置３９と同様の構成を有する。
封止部材１３は、例えば、ヘリウムガス等を充填して発光素子３を封止するように、凹
部１２ｃの側壁の上面に設けられた保護膜４上に接合することができる。
【００５０】
これにより、発光装置４９を所望の配光とすることができる。さらに、発光素子３をよ
り確実に封止することができるので、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の実施形態に係る発光装置は、印刷用インク硬化用光源、樹脂硬化用光源、露光
装置用光源、プロジェクタ、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディ
スプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレタ
ーなど、種々の光源に使用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１、１０、１１、１２  基体
１ａ  第１主面
１ｂ、１０ｂ、１１ｂ  第２主面
１０ｃ、１１ｃ、１２ｃ  凹部
２  配線層
２ａ、２ｂ  裏面電極
３  発光素子
４  保護膜
５  ワイヤ
６  被覆部材
７  接合部材
８  保護素子
９、１９、２９、３９、４９  発光装置
１３  封止部材
【図１Ａ】
2019176192.tif 000003
【図１Ｂ】
2019176192.tif 000004
【図２Ａ】
2019176192.tif 000005
【図２Ｂ】
2019176192.tif 000006
【図３Ａ】
2019176192.tif 000007
【図３Ｂ】
2019176192.tif 000008
【図４】
2019176192.tif 000009
【図５Ａ】
2019176192.tif 000010
【図５Ｂ】
2019176192.tif 000011
【図６】
2019176192.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月7日(2019.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面に配線層を有する基体と、
前記配線層にフリップチップ実装され、紫外線領域の波長の光を出射する発光素子と、
前記発光素子と前記基体の第１主面とを連続的に被覆する保護膜とを備え、
前記保護膜は、無機材料からなり、前記発光素子と前記第１主面との間を被覆し、発光装置の外表面を形成していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記保護膜は、多層膜である請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記保護膜の厚みは、１ｎｍ〜１０μｍである請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記保護膜は、酸化アルミニウムからなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記保護膜は、前記発光素子と前記基体の配線層を連続的に被覆する請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記基体は、平板状である請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
前記基体の第１主面に、電子部品を備え、前記保護膜は、前記発光素子、前記電子部品および前記基体の第１主面を連続的に被覆する請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。