(57)【要約】      （修正有）【課題】表示領域内の自発光素子の高温による劣化の進行を防止した表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】複数の自発光素子が形成された表示領域ＤＰを備えた素子基板Ｂ１と、素子基板Ｂ１において、表示領域ＤＰの外側に配置されるドライバＩＣ２と、を有する表示装置１であって、素子基板Ｂ１の表示領域ＤＰとなる位置の裏側には、第１の金属層Ｍ１が配置され、素子基板Ｂ１のドライバＩＣ２が配置される位置の裏側には、第１の金属層Ｍ１との間にスペースを空けて第２の金属層Ｍ２が配置される、ことを特徴とする表示装置１。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の自発光素子が形成された表示領域を備えた素子基板と、
前記素子基板において、前記表示領域の外側に配置されるドライバＩＣと、を有する表示装置であって、
前記素子基板の前記表示領域となる位置の裏側には、第１の金属層が配置され、
前記素子基板の前記ドライバＩＣが配置される位置の裏側には、第２の金属層が配置され、
前記ドライバＩＣは、前記素子基板に対向して配置される対向基板から露出された領域にて配置され、
前記第２の金属層は、前記ドライバＩＣが配置される前記露出された領域の裏側にて延在しつつ折れ曲がって、前記複数の自発光素子が形成された前記表示領域よりも外側の前記対向基板と重複する領域の裏側に延在する、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記第１の金属層および前記第２の金属層は、絶縁層で形成された保護層に覆われる
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記第１の金属層と前記第２の金属層は、スペースにより分断されてそれぞれ島状に形成される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記第１の金属層と前記第２の金属層は、金属層で構成された架橋部によって電気的に接続されて、
前記第１の金属層と前記第２の金属層は、同電位に維持される、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記第１の金属層と前記第２金属層は、スパッタリングまたは蒸着により同一工程で積層された金属層である、
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子を画素回路内に備えた表示装置の１つとして、有機ＥＬ表示装置が知られている。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置の各画素では、上部電極および下部電極と、それら間に挟持される有機層を含んで構成される自発光素子が配置される。有機層では、上部電極および下部電極のそれぞれから注入されたホールと電子が再結合することで、発光するものとなっている。
【０００４】
なお、特許文献１には、基板の表面と裏面の双方に均熱手段が設けられた有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１４４２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような自発光素子は、高温で維持される期間が長くなることでその寿命が短くなる。
【０００７】
ここで、複数の自発光素子が配列された表示領域の外側には、表示領域内の各画素の表示制御を行なうドライバＩＣが配置されている。画像表示時においてはドライバＩＣが熱源となることから、ドライバＩＣに近い箇所に配列された自発光素子が高温状態に晒されやすくなり、その箇所における劣化が進行する恐れがある。
【０００８】
本発明は、上記のような課題に鑑みて、表示領域内の自発光素子の高温による劣化の進行を防止した表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明にかかる表示装置は、上記課題に鑑みて、複数の自発光素子が形成された表示領域を備えた素子基板と、前記素子基板において、前記表示領域の外側に配置されるドライバＩＣと、を有する表示装置であって前記素子基板の前記表示領域となる位置の裏側には、第１の金属層が配置され、前記素子基板の前記ドライバＩＣが配置される位置の裏側には、前記第１の金属層との間にスペースを空けて第２の金属層が配置される、ことを特徴とする。
【００１０】
（２）（１）において、前記第１の金属層および前記第２の金属層は、絶縁層で形成された保護層に覆われることを特徴としてもよい。
【００１１】
（３）（１）乃至（２）において、前記ドライバＩＣは、前記素子基板に対向して配置される対向基板から露出された領域にて配置され、前記第２の金属層は、前記ドライバＩＣが配置される前記露出された領域の裏側にて延在しつつ折れ曲がって、前記複数の自発光素子が形成された前記表示領域よりも外側の前記対向基板と重複する領域の裏側に延在する、ことを特徴としてもよい。
【００１２】
（４）（１）乃至（３）において、前記第１の金属層と前記第２の金属層は、前記スペースにより分断されてそれぞれ島状に形成される、ことを特徴としてもよい。
【００１３】
（５）（１）乃至（３）において、前記第１の金属層と前記第２の金属層は、金属層で構成された架橋部によって電気的に接続されて、前記第１の金属層と前記第２の金属層は、同電位に維持される、ことを特徴としてもよい。
【００１４】
（６）（１）乃至（５）において、前記第１の金属層と前記第２金属層は、スパッタリングまたは蒸着により同一工程で積層された金属層である、ことを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置の裏面の様子を示す概略的に示す平面図である。
【図３】第１の実施形態における有機ＥＬ表示装置における所定位置の断面の様子を示す図である。
【図４】第２の実施形態における有機ＥＬ表示装置の裏面の様子を示す図である。
【図５】第３の実施形態における有機ＥＬ表示装置の裏面の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の各実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の説明するための概略平面図である。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が配置された素子基板Ｂ１に対向基板Ｂ２が張り合わされて構成され、素子基板Ｂ１において対向基板Ｂ２が露出した領域（露出領域ＥＸ）には、有機ＥＬ表示装置１を駆動するためのドライバＩＣ２が配置される。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１の表示領域ＤＰでは、表示制御の対象となる複数の画素がマトリクス状に配列され、各画素には有機エレクトロルミネッセンス素子（自発光素子）が配置される。図１で示されるように、表示領域ＤＰの各画素には、第１走査線ＢＧと、第２走査線ＳＧと、リセット配線Ｖｒｓｔと、映像信号線Ｄａｔａとが接続される。第１走査線ＢＧ、第２走査線ＳＧ、リセット配線Ｖｒｓｔは、それぞれＸ方向に平行となるように敷設され、映像信号線Ｄａｔａは、Ｙ方向に平行となるように敷設される。また、図１では省略されているが、各自発光素子に電源を供給する複数の電源供給線がＹ方向に平行となるように敷設される。
【００１９】
本実施形態におけるドライバＩＣ２は、各映像信号線Ｄａｔａに映像信号を出力するための信号線駆動回路や、第１走査線ＢＧや第２走査線ＳＧ、リセット配線Ｖｒｓｔに各種の信号を出力するための走査線駆動回路を含んで構成される。ドライバＩＣ２からは、表示領域ＤＰの外周に位置する額縁領域ＦＲを経て配線が引き回され、第１走査線ＢＧ等のそれぞれに信号が供給される。なお、ドライバＩＣ２に含まれる走査線駆動回路や映像信号線駆動回路としては、額縁領域ＦＲにおいて周辺回路として構成されてもよい。
【００２０】
ドライバＩＣ２は、バンプおよび異方性導電膜を介して、有機ＥＬ表示装置１の露出領域において形成された複数端子と接続される。したがって、有機ＥＬ表示装置１の駆動に伴って生じたドライバＩＣ２の発熱は、素子基板Ｂ１上に形成された複数端子およびその周辺へと伝搬することとなる。
【００２１】
ここで特に、図２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の裏面の様子を概略的に示す図である。同図で示されるように、表示流域ＤＰの裏面に対応する位置には第１の金属層Ｍ１が配置され、ドライバＩＣ２の取り付け箇所の裏面に対応する位置には第２の金属層Ｍ２が配置される。すなわちこの第１の金属層Ｍ１および第２の金属層Ｍ２は、ガラス基板等によって構成される素子基板Ｂ１の自発光素子形成面の、反対側の面に配置される。
【００２２】
本実施形態では、第１の金属層Ｍ１が表示領域ＤＰと全体的に重複して、さらに表示領域ＤＰの外周に位置する額縁領域ＦＲと重複するように配置され、これにより、表示領域ＤＰにおける発熱の放熱や、分散・均熱化を促すものとなっている。また同様に第２の金属層Ｍ２は、ドライバＩＣ２の全体と重複しつつもドライバＩＣ２よりも長く延在するように配置され（ドライバＩＣ２の長手方向の長さよりも長く延在するように配置され）、これにより、露出領域ＥＸの裏面を有効に活用して、ドライバＩＣ２の面積よりも広い領域にて放熱・均熱化をするようになっている。
【００２３】
そしてさらに、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の間にスペースが存在しており、このスペースは、対向基板Ｂ２と露出領域ＥＸの境界の裏面となる位置に概ね対応している。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の間にこのようなスペースが存在していることで、発熱の大きいドライバＩＣ２の中央箇所からの表示領域ＤＰへの熱の伝播が防がれるようになっており、表示領域ＤＰのドライバＩＣ２側の端部中央箇所（破線枠Ｒ内）とその近傍への自発光素子の寿命への影響が抑えられるようになっている。
【００２４】
図３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の断面図を示す図である。本実施形態の第１の金属層Ｍ１および第２の金属層Ｍ２は、例えばＡｌやＣｕなどの熱伝導度の高い金属が、ラフマスクを用いて、蒸着やスパッタ等の方法で積層される。また同図で示されるように、第１の金属層Ｍ１および第２の金属層Ｍ２は、アクリル等の有機絶縁膜によって構成された保護層ＰＡに覆われる（この保護層ＰＡは図２において不図示となっている）。保護層ＰＡに覆われることで、後工程での第１の金属層Ｍ１等の剥がれや破損が防止され、さらに、剥がれ等に伴う異物の発生による後工程での悪影響を低減できる。また、第１の金属層Ｍ１等の腐食をも防止することができる。
【００２５】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明をする。図４は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の裏面の様子を概略的に示す図である。
【００２６】
同図で示されるように、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第２の金属層Ｍ２が折れ曲がって額縁領域ＦＲの裏面において直線状に延在している。本実施形態における額縁領域ＦＲは、対向基板Ｂ２と重複する領域であって表示領域ＤＰの外周を囲む領域となっており、第２の金属層Ｍ２は、素子基板Ｂ１の裏面において、表示領域ＤＰと重複する領域の外周に沿うようにして直線状に延在するものとなっている。
【００２７】
このように第２の金属層Ｍ２が、露出領域ＥＸの裏面から対向基板Ｂ２と重複する箇所に延在していることで、熱導電性材料の面積が広く確保され（熱導電性材料の熱容量が大きくなり）、ドライバＩＣ２からの発熱の均熱化がさらに促進される。また、対向基板Ｂ２と重複して延在する第２の金属層Ｍ２の部分についても、第１の金属層Ｍ１とスペースを空けて配置されるようになっているため、ドライバＩＣ２における発熱が表示領域ＤＰ（の裏面）に伝搬するのが防止される。
【００２８】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、上記のような点で第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と相違しているが、このような点を除き第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と略同様の構成となっているため、説明を適宜省略するものとする。
【００２９】
なお、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第２の金属層Ｍ２が額縁領域ＦＲの裏側の２箇所で延在するようになっているが、額縁領域ＦＲの裏側の１箇所で延在するようになっていてもよい。また第２の金属層Ｍ２は、額縁領域ＦＲの露出領域ＥＸ側の端部から開始して他方側の端部に向かって表示領域ＤＰに沿って延在するようになっている。
【００３０】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について説明をする。図５は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１の裏面の様子を概略的に示す図である。第１の実施形態および第２の実施形態では、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の２つの金属層が互いに独立して繋がっていない島状のパターンとなって分離されているのに対し、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、架橋部ＢＲにより接続されている点で相違している。
【００３１】
同図で示されるように、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第２の金属層Ｍ２と第１の金属層Ｍ１とが、架橋部ＢＲを介して接続されるようになっており、これにより２つの金属層を同電位にして素子基板Ｂ２の静電バリアとして機能させるようになっている。本実施形態における架橋部ＢＲは、第１の金属層Ｍ１等と同一の金属で構成されており、第１の金属層Ｍ１等は、所定の電位を提供する配線層とコンタクトホールを介して接続されていてもよいし、当該配線層には、ドライバＩＣ２が配置される露出領域ＥＸで接続されるフレキシブルプリント基板から所定の電位が提供されるのであってもよい。
【００３２】
また本実施形態のように架橋部ＢＲを設定する場合には、架橋部ＢＲと第２の金属層Ｍ２との接点が、ドライバＩＣ２からなるべく離れるようにしておくのが望ましい。図５において示されるように、露出領域ＥＸの長手方向とドライバＩＣ２の長手方向とがほぼ平行になるように配置され、架橋部ＢＲとしては、矩形状構造を有するドライバＩＣ２の２つの長手方向端部Ｅ１、Ｅ２の間を避けて形成されるがよく、長手方向端部Ｅ１、Ｅ２の間の領域において第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２間のスペースが確保されるのが望ましい。また架橋部ＢＲとしては、第２の金属層Ｍ２の額縁領域ＦＲにおいて延在する部分と、第１の金属層Ｍ１とを接続するものであってもよい。
【００３３】
なお、上記の各実施形態では、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２を覆う有機絶縁膜による保護層ＰＡが形成されているが、本発明はこのような態様に限定されず、無機絶縁膜（ＳｉＮｘ等）で保護層ＰＡが形成されてもよいし、保護層ＰＡが形成されなくてもよい。
【００３４】
なお、第１の金属層Ｍ１および第２の金属層Ｍ２としては、上記の各実施形態のように蒸着やスパッタ等の方法にて同一のプロセスで同時に形成されるのが望ましいが、本発明はこのような態様に限定されず、例えば、金属薄膜を粘着剤で貼り付けて第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２を個別に形成するのであってもよい。
【００３５】
なお、上記の各実施形態における表示装置は、有機ＥＬ表示装置１となっているが、本発明はこれに限定されず、例えば、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：quantum-dot light emitting diode）のような自発光素子を表示領域ＤＰの各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００３６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。また例えば、上記の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３７】
１  有機ＥＬ表示装置、２  ドライバＩＣ、ＢＧ  第１走査線、ＳＧ  第２走査線、Ｖｒｓｔ  リセット配線、Ｄａｔａ  映像信号線、ＤＰ  表示領域、Ｂ１  素子基板、Ｂ２
対向基板、ＦＲ  額縁領域、ＥＸ  露出領域、Ｍ１  第１の金属層、Ｍ２  第２の金属層、ＰＡ  保護層、ＢＲ  架橋部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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