(57)【要約】【課題】被処理基板上のＬｏｗ−ｋの誘電率をさらに低減する。【解決手段】本基板処理方法は、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウェハに所定の処理を行う方法であって、ＣＯＲ処理モジュール５においてフッ化水素ガスとアンモニアガスとを含有した混合ガスをＬｏｗ−ｋ膜に供給し、当該Ｌｏｗ−ｋ膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程と、ＰＨＴ処理モジュール４において、反応生成物を除去する除去工程と、反応生成物が除去されたＬｏｗ−ｋ膜上に、当該Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層を形成するマスク層形成工程と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された被処理基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有した混合ガスを前記Ｌｏｗ−ｋ膜に供給し、当該Ｌｏｗ−ｋ膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程と、
前記反応生成物を除去する除去工程と、
前記反応生成物が除去された前記Ｌｏｗ−ｋ膜上に、当該Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層を形成するマスク層形成工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項２】
前記変質工程における混合ガスの温度は７５℃以上１２０℃以下であることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記除去工程は、前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記変質工程における混合ガスの温度は、９０℃以上であり、
前記除去工程は、前記変質工程が行われる処理室内で行われることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記ハロゲン元素を含むガスは、フッ化水素ガスであり、
前記塩基性ガスは、アンモニアガスであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記Ｌｏｗ−ｋ膜は、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＯＣＮ膜であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された被処理基板に所定の処理を行う基板処理方法及びコンピュータ記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスでは、高速化・低消費電力化等の要求に応えるために、配線材料にアルミニウムよりも抵抗の低い銅が使用され、層間絶縁膜には配線間の容量を低減できるＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率膜）が使用されるようになってきている。
Ｌｏｗ−ｋ膜のパターニングの際には、ＴｉＮ等のハードマスクを用いて上記Ｌｏｗ−ｋ膜に対してプラズマエッチングが行われ、また、上記プラズマエッチング後に、ハードマスク上のレジスト膜に対してプラズマアッシング処理が行われる（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、上述のプラズマエッチング処理及びプラズマアッシング処理後に、両処理により損傷を受けたＬｏｗ−ｋ膜の表面層を除去する方法が開示されている。具体的には、特許文献１には、プラズマエッチング処理及びプラズマアッシング処理後に、上記損傷を受けたＬｏｗ−ｋ膜の表面層を化学的に変化させるために、ＨＦ等の処理ガスに上記表面層を暴露し、これにより化学的に変化した表面層を、熱処理して除去することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−５３１８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、最近の半導体デバイスには、さらなる高速化・低消費電力化が求められており、そのため、Ｌｏｗ−ｋ膜にはさらなる低誘電率化が求められている。
特許文献１はこの点に関し開示や示唆をするものではない。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板上のＬｏｗ−ｋの誘電率をさらに低減することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された被処理基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有した混合ガスを前記Ｌｏｗ−ｋ膜に供給し、当該Ｌｏｗ−ｋ膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程と、前記反応生成物を除去する除去工程と、前記反応生成物が除去された前記Ｌｏｗ−ｋ膜上に、当該Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層を形成するマスク層形成工程と、を有することを特徴としている。
【０００８】
本発明にかかる基板処理方法は、Ｌｏｗ−ｋ膜上にマスク層を形成する前に、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有した混合ガスをＬｏｗ−ｋ膜に供給し反応生成物を生成させ、その反応生成物を加熱して除去しているので、Ｌｏｗ−ｋ膜の厚さを小さくし、また、Ｌｏｗ−ｋ膜をポーラス化することができる。したがって、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減することができる。
【０００９】
前記変質工程における混合ガスの温度は７５℃以上１２０℃以下であるとよい。
【００１０】
前記除去工程は、前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程であってもよい。
【００１１】
前記変質工程における混合ガスの温度は、９０℃以上であり、前記除去工程は、前記変質工程が行われる反応室内で行われてもよい。
【００１２】
前記ハロゲン元素を含むガスは、フッ化水素ガスであり、前記塩基性ガスは、アンモニアガスであるとよい。
【００１３】
前記Ｌｏｗ−ｋ膜は、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＯＣＮ膜であるとよい。
【００１４】
また、別な観点による本発明によれば、前記基板処理方法を基板処理装置によって実行させるように、当該基板処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明者が行った確認試験の結果を示す図である。
【図２】本発明者が行った確認試験の他の結果を示す図である。
【図３】本発明者が行った確認試験のさらに他の結果を示す図である。
【図４】本発明者が行った確認試験のさらに他の結果を示す図である。
【図５】基板処理装置の概略平面図である。
【図６】ＰＨＴ処理モジュールの構成を示す説明図である。
【図７】ＣＯＲ処理モジュールの構成を示す説明図である。
【図８】ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度が高くなる原因を説明するための図である。
【図９】ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量及びポーラス化の度合いと、ＣＯＲ処理でのアンモニアガスの流量との関係を示す模式断面図である。
【図１０】別の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
前述したように、近年のＬｏｗ−ｋ膜にはさらなる低誘電率化が求められている。そこで、本発明者は、鋭意検討を重ねた結果、後述のＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理とＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を行うことにより、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減することが可能であることを見出した。そのため、Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層を当該Ｌｏｗ−ｋ膜上に形成する前に、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を当該Ｌｏｗ−ｋ膜に対して行うことに想到した。なお、ＣＯＲ処理とは、ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有した混合ガスをＬｏｗ−ｋ膜に供給し、Ｌｏｗ−ｋ膜を変質させて反応生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、上記反応生成物を加熱して除去する処理である。
【００１８】
（確認試験）
本発明者は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理のＬｏｗ−ｋ膜への影響について確認試験を行った。この確認試験においては、処理条件を異ならせて、Ｌｏｗ−ｋ膜に対しＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を交互に繰り返して行い、処理終了後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率等を測定した。確認試験における処理条件１では、ＣＯＲ処理における混合ガスの温度（具体的には処理対象の基板が載置されるステージの温度）は３５℃、ＣＯＲ処理におけるプロセス圧力は２０ｍＴｏｒｒ、１回のＣＯＲ処理の時間は７０秒、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を繰り返した回数（以下、サイクル数という）は３回である。確認試験における処理条件２では、ＣＯＲ処理における混合ガスの温度は７５℃、ＣＯＲ処理におけるプロセス圧力は６００ｍＴｏｒｒ、１回のＣＯＲ処理の時間は１２０秒、サイクル数は４回である。確認試験における処理条件３では、ＣＯＲ処理における混合ガスの温度は７５℃、ＣＯＲ処理におけるプロセス圧力は６００ｍＴｏｒｒ、１回のＣＯＲ処理の時間は７０秒、サイクル数は５回である。
なお、確認試験で用いた基板及びＬｏｗ−ｋ膜はシリコン（Ｓｉ）基板及び炭素添加酸化シリコン（ＳｉＯＣ）膜である。また、確認試験のＣＯＲ処理で用いた混合ガスは、フッ化水素ガスとアンモニアガスとの混合ガスである。
【００１９】
図１は、確認試験の結果を示す図であって、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を交互に繰り返して行った後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を示す図である。図１には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理のいずれもが行われていないＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を参考値Ｒ１として示されている。
図１に示すように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率は、処理条件１では、３．２５であり、処理条件２、３ではそれぞれ、２．９４、２．８９であり、処理条件１〜３のいずれであっても、上記誘電率は参考値Ｒ（３．２９）より小さかった。特に、処理条件２、３では、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率は参考値Ｒより１０％程度小さかった。
この結果からＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を行うことにより、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減することが可能であることが確認できる。
【００２０】
図２は、確認試験の他の結果についての表を示す図であって、上記表は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を交互に繰り返して行ったことによるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量を示している。図３は、確認試験のさらに他の結果を示す図であり、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が交互に繰り返して行われたＬｏｗ−ｋ膜の断面の走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope）による撮像結果を模式的に示すものである。図３（Ａ）には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理のいずれもが行われていないＬｏｗ−ｋ膜の断面が参考のために示されており、図３（Ｂ）〜図３（Ｄ）にはそれぞれ処理条件１〜３によるＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の断面が示されている。
【００２１】
図２に示すように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を交互に繰り返して行ったことによるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量は、処理条件１では２．６Åであり、処理条件２、３では１５０Å程度であった。
また、図３に示すように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を交互に繰り返して行った場合、処理条件１〜３のいずれにおいても、膜厚が減少するだけでなく、Ｌｏｗ−ｋ膜Ｆ内に孔Ｈが生じていた。特に、処理条件２、３では、処理条件１に比べ、多くの孔が生じ、すなわち多孔質（ポーラス）化がさらに進んでいた。
これらの結果から、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理によりＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減する理由として、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理によりＬｏｗ−ｋ膜の膜厚が減少すること、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理によりＬｏｗ−ｋ膜がポーラス化することの２つが考えられる。
【００２２】
図４は、確認試験のさらに他の結果を示す図であり、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が交互に繰り返して行われたＬｏｗ−ｋ膜をＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）で分析して得られた、当該Ｌｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度を示している。図４の横軸は、Ｌｏｗ−ｋ膜の最表面からの深さを示し、縦軸は、シリコンの二次イオン検出強度に基づいて炭素の検出強度を規格化して算出した炭素濃度を示す。なお、図４には、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理のいずれもが行われていないＬｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度も参考値Ｒ２として示されている。
図４に示すように、Ｌｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度は、処理条件２、３では参考値Ｒ２を上回っていた。
【００２３】
この結果から以下のことが推定される。すなわち、処理条件２、３の場合のように薄膜化及びポーラス化によりＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を大きく低減させた場合、上記薄膜化及びポーラス化により当該Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度が低減するおそれがあるが、少なくとも当該Ｌｏｗ−ｋ膜の表面付近において炭素の濃度が高いことから機械的強度の低下は抑制されるものと推定される。
【００２４】
上述の確認試験を踏まえ、以下に説明するように、本発明の実施形態にかかる基板処理方法では、Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層をＬｏｗ−ｋ膜上に形成する前に、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理をＬｏｗ−ｋ膜に対して行い、これにより、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率を低減する。
【００２５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２６】
まず、本実施形態にかかる、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の被処理基板に所定の処理を行う基板処理方法に用いられる基板処理装置について説明する。図５に示す基板処理装置１は、ウェハＷを基板処理装置１に対して搬入出させる搬入出部２、搬入出部２に隣接させて設けられた２つのロードロック室３、各ロードロック室３にそれぞれ隣接させて設けられ、加熱工程としてのＰＨＴ（Ｐｏｓｔ
Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理工程を行うＰＨＴ処理モジュール４、各ＰＨＴ処理モジュール４にそれぞれ隣接させて設けられ、変質工程としてのＣＯＲ処理工程を行うＣＯＲ処理モジュール５、処理装置１の各部に制御命令を与える制御コンピュータ８を有している。各ロードロック室３に対してそれぞれ連結されたＰＨＴ処理モジュール４、ＣＯＲ処理モジュール５は、ロードロック室３側からこの順に一直線上に並べて設けられている。
【００２７】
搬入出部２は、例えば略円盤形状をなすウェハＷを搬送する第一のウェハ搬送機構１１が内部に設けられた搬送室１２を有している。ウェハ搬送機構１１は、ウェハＷを略水平に保持する２つの搬送アーム１１ａ、１１ｂを有している。搬送室１２の側方には、ウェハＷを複数枚並べて収容可能なキャリア１３ａを載置する載置台１３が、例えば３つ備えられている。また、ウェハＷを回転させて偏心量を光学的に求めて位置合わせを行うオリエンタ１４が設置されている。
【００２８】
かかる搬入出部２において、ウェハＷは、搬送アーム１１ａ、１１ｂによって保持され、ウェハ搬送機構１１の駆動により略水平面内で回転及び直進移動、また昇降させられることにより、所望の位置に搬送させられる。そして、載置台１０上のキャリア１３ａ、オリエンタ１４、ロードロック室３に対してそれぞれ搬送アーム１１ａ、１１ｂが進退させられることにより、搬入出させられるようになっている。
【００２９】
各ロードロック室３は、搬送室１２との間にそれぞれゲートバルブ１６が備えられた状態で、搬送室１２にそれぞれ連結されている。各ロードロック室３内には、ウェハＷを搬送する第二のウェハ搬送機構１７が設けられている。ウェハ搬送機構１７は、ウェハＷを略水平に保持する搬送アーム１７ａを有している。また、ロードロック室３は真空引き可能になっている。
【００３０】
かかるロードロック室３において、ウェハＷは、搬送アーム１７ａによって保持され、ウェハ搬送機構１７の駆動により略水平面内で回転及び直進移動、また昇降させられることにより搬送させられる。そして、各ロードロック室３に対して縦列に連結されたＰＨＴ処理モジュール４に対して搬送アーム１７ａが進退させられることにより、ＰＨＴ処理モジュール４に対してウェハＷが搬入出させられる。さらに、各ＰＨＴ処理モジュール４を介してＣＯＲ処理モジュール５に対して、搬送アーム１７ａが進退させられることにより、ＣＯＲ処理モジュール５に対してウェハＷが搬入出させられるようになっている。
【００３１】
ＰＨＴ処理モジュール４は、ウェハＷを収納する密閉構造の処理室（処理空間）２１を備えている。また、図示はしないが、ウェハＷを処理室２１内に搬入出させるための搬入出口が設けられており、この搬入出口を開閉するゲートバルブ２２が設けられている。処理室２１は、ロードロック室３との間にそれぞれゲートバルブ２２が備えられた状態で、ロードロック室３に連結されている。
【００３２】
図６に示すように、ＰＨＴ処理モジュール４の処理室２１内には、ウェハＷを略水平にして載置させる載置台２３が設けられている。さらに、処理室２１に例えば窒素ガス（Ｎ２）などの不活性ガスを加熱して供給する供給路２５を備えた供給機構２６、処理室２１を排気する排気路２７を備えた排気機構２８が備えられている。供給路２５は窒素ガスの供給源３０に接続されている。また、供給路２５には、供給路２５の開閉動作及び窒素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁３１が介設されている。排気路２７には、開閉弁３２、強制排気を行うための排気ポンプ３３が介設されている。
【００３３】
なお、ＰＨＴ処理モジュール４のゲートバルブ２２、流量調整弁３１、開閉弁３２、排気ポンプ３３等の各部の動作は、制御コンピュータ８の制御命令によってそれぞれ制御されるようになっている。即ち、供給機構２６による窒素ガスの供給、排気機構２８による排気などは、制御コンピュータ８によって制御される。
【００３４】
図７に示すように、ＣＯＲ処理モジュール５は、密閉構造のチャンバー４０を備えており、チャンバー４０の内部は、ウェハＷを収納する処理室（処理空間）４１になっている。チャンバー４０の内部には、ウェハＷを略水平にした状態で載置させる載置台４２が設けられている。また、ＣＯＲ処理モジュール５には、処理室４１にガスを供給する供給機構４３、処理室４１内を排気する排気機構４４が設けられている。
【００３５】
チャンバー４０の側壁部には、ウェハＷを処理室４１内に搬入出させるための搬入出口５３が設けられており、この搬入出口５３を開閉するゲートバルブ５４が設けられている。処理室４１は、ＰＨＴ処理モジュール４の処理室２１との間にゲートバルブ５４が備えられた状態で、処理室２１に連結されている。チャンバー４０の天井部には、処理ガスを吐出させる複数の吐出口を有するシャワーヘッド５２が備えられている。
【００３６】
載置台４２は、平面視において略円形をなしており、チャンバー４０の底部に固定されている。載置台４２の内部には、載置台４２の温度を調節する温度調節器５５が設けられている。温度調節器５５は、例えば温調用の液体（例えば水など）が循環させられる管路を備えており、かかる管路内を流れる液体と熱交換が行われることにより、載置台４２の上面の温度が調節され、さらに、載置台４２と載置台４２上のウェハＷとの間で熱交換が行われることにより、ウェハＷの温度が調節されるようになっている。なお、温度調節器５５はかかるものに限定されず、例えば抵抗熱を利用して載置台４２及びウェハＷを加熱する電気ヒータ等であってもよい。
【００３７】
供給機構４３は、前述したシャワーヘッド５２、処理室４１にフッ化水素ガス（ＨＦ）を供給するフッ化水素ガス供給路６１、処理室４１にアンモニアガス（ＮＨ３）を供給するアンモニアガス供給路６２、処理室４１に不活性ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を供給するアルゴンガス供給路６３、処理室４１に不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）を供給する窒素ガス供給路６４を備えている。フッ化水素ガス供給路６１、アンモニアガス供給路６２、アルゴンガス供給路６３、窒素ガス供給路６４は、シャワーヘッド５２に接続されており、処理室４１には、シャワーヘッド５２を介してフッ化水素ガス、アンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガスが拡散されるように吐出されるようになっている。
【００３８】
フッ化水素ガス供給路６１は、フッ化水素ガスの供給源７１に接続されている。また、フッ化水素ガス供給路６１には、フッ化水素ガス供給路６１の開閉動作及びフッ化水素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７２が介設されている。アンモニアガス供給路６２はアンモニアガスの供給源７３に接続されている。また、アンモニアガス供給路６２には、アンモニアガス供給路６２の開閉動作及びアンモニアガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７４が介設されている。アルゴンガス供給路６３はアルゴンガスの供給源７５に接続されている。また、アルゴンガス供給路６３には、アルゴンガス供給路６３の開閉動作及びアルゴンガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７６が介設されている。窒素ガス供給路６４は窒素ガスの供給源７７に接続されている。また、窒素ガス供給路６４には、窒素ガス供給路６４の開閉動作及び窒素ガスの供給流量の調節が可能な流量調整弁７８が介設されている。
【００３９】
排気機構４４は、開閉弁８２、強制排気を行うための排気ポンプ８３が介設された排気路８５を備えている。排気路８５の端部開口は、チャンバー４０の底部に開口されている。
【００４０】
なお、ＣＯＲ処理モジュール５のゲートバルブ５４、温度調節器５５、流量調整弁７２、７４、７６、７８、開閉弁８２、排気ポンプ８３等の各部の動作は、制御コンピュータ８の制御命令によってそれぞれ制御されるようになっている。即ち、供給機構４３によるフッ化水素ガス、アンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガスの供給、排気機構４４による排気、温度調節器５５による温度調節などは、制御コンピュータ８によって制御される。
【００４１】
基板処理装置１の各機能要素は、基板処理装置１全体の動作を自動制御する制御コンピュータ８に、信号ラインを介して接続されている。ここで、機能要素とは、例えば前述したウェハ搬送機構１１、ウェハ搬送機構１７、ＰＨＴ処理モジュール４のゲートバルブ２２、流量調整弁３１、排気ポンプ３３、ＣＯＲ処理モジュール５のゲートバルブ５４、温度調節器５５、流量調整弁７２、７４、７６、７８、開閉弁８２、排気ポンプ８３等の、所定のプロセス条件を実現するために動作する総ての要素を意味している。制御コンピュータ８は、典型的には、実行するソフトウェアに依存して任意の機能を実現することができる汎用コンピュータである。
【００４２】
図５に示すように、制御コンピュータ８は、ＣＰＵ（中央演算装置）を備えた演算部８ａと、演算部８ａに接続された入出力部８ｂと、入出力部８ｂに挿着され制御ソフトウェアを格納した記録媒体８ｃと、を有する。この記録媒体８ｃには、制御コンピュータ８によって実行されることにより基板処理装置１に後述する所定の基板処理方法を行わせる制御ソフトウェア（プログラム）が記録されている。制御コンピュータ８は、該制御ソフトウェアを実行することにより、基板処理装置１の各機能要素を、所定のプロセスレシピにより定義された様々なプロセス条件（例えば、処理室４１の圧力等）が実現されるように制御する。即ち、後に詳細に説明するように、ＣＯＲ処理モジュール５におけるＣＯＲ処理工程と、ＰＨＴ処理モジュール４におけるＰＨＴ処理工程とをこの順番に行う処理方法を実現する制御命令を与える。
【００４３】
記録媒体８ｃは、制御コンピュータ８に固定的に設けられるもの、あるいは、制御コンピュータ８に設けられた図示しない読み取り装置に着脱自在に装着されて該読み取り装置により読み取り可能なものであってもよい。最も典型的な実施形態においては、記録媒体８ｃは、基板処理装置１のメーカーのサービスマンによって制御ソフトウェアがインストールされたハードディスクドライブである。他の実施形態においては、記録媒体８ｃは、制御ソフトウェアが書き込まれたＣＤ−ＲＯＭ又はＤＶＤ−ＲＯＭのような、リムーバブルディスクである。このようなリムーバブルディスクは、制御コンピュータ８に設けられた図示しない光学的読取装置により読み取られる。また、記録媒体８ｃは、ＲＡＭ（ｒａｎｄｏｍ
ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）又はＲＯＭ（ｒｅａｄ ｏｎｌｙ
ｍｅｍｏｒｙ）のいずれの形式のものであってもよい。さらに、記録媒体８ｃは、カセット式のＲＯＭのようなものであってもよい。要するに、コンピュータの技術分野において知られている任意のものを記録媒体８ｃとして用いることが可能である。なお、複数の基板処理装置１が配置される工場においては、各基板処理装置１の制御コンピュータ８を統括的に制御する管理コンピュータに、制御ソフトウェアが格納されていてもよい。この場合、各基板処理装置１は、通信回線を介して管理コンピュータにより操作され、所定のプロセスを実行する。
【００４４】
次に、以上のように構成された基板処理装置１を用いた本実施形態にかかるウェハＷの処理方法について説明する。先ず、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成されたウェハＷであってマスク層としてのメタルハードマスク層が上記Ｌｏｗ−ｋ膜上に形成される前のものが、キャリア１３ａ内に収納され、基板処理装置１に搬送される。なお、本例ではＬｏｗ−ｋ膜としてＳｉＯＣ膜がウェハＷ上に形成されているものとする。
【００４５】
基板処理装置１においては、複数枚のウェハＷが収納されたキャリア１３ａが載置台１３上に載置され、ウェハ搬送機構１１によってキャリア１３ａから一枚のウェハＷが取り出され、ロードロック室３に搬入される。ロードロック室３にウェハＷが搬入されると、ロードロック室３が密閉され、減圧される。その後、ゲートバルブ２２、５４が開かれ、ロードロック室３と、大気圧に対してそれぞれ減圧されたＰＨＴ処理モジュール４の処理室２１、ＣＯＲ処理モジュール５の処理室４１が、互いに連通させられる。ウェハＷは、ウェハ搬送機構１７によってロードロック室３から搬出され、処理室２１の搬入出口（図示せず）、処理室２１、搬入出口５３内をこの順に通過するように直進移動させられ、処理室４１に搬入される。
【００４６】
処理室４１において、ウェハＷは、Ｌｏｗ−ｋ膜が形成された面を上面とした状態で、ウェハ搬送機構１７の搬送アーム１７ａから載置台４２に受け渡される。ウェハＷが搬入されると搬送アーム１７ａが処理室４１から退出させられ、搬入出口５３が閉じられ、処理室４１が密閉される。そして、ＣＯＲ処理工程が開始される。
【００４７】
処理室４１が密閉された後、処理室４１には、アンモニアガス供給路６２、アルゴンガス供給路６３、窒素ガス供給路６４からそれぞれアンモニアガス、アルゴンガス、窒素ガスが供給される。また、処理室４１内の圧力は、大気圧よりも低圧状態にされる。さらに、載置台４２上のウェハＷの温度は、温度調節器５５によって所定の目標値（例えば約７５℃程度）に調節される。
【００４８】
その後、フッ化水素ガス供給路６１から処理室４１にフッ化水素ガスが供給される。ここで処理室４１には、予めアンモニアガスが供給されているので、フッ化水素ガスを供給することにより、処理室４１の雰囲気はフッ化水素ガスとアンモニアガスとを含む混合ガスからなる処理雰囲気にされる。こうして処理室４１内のウェハＷの表面全面に混合ガスが供給される。
【００４９】
処理室４１内の低圧状態の処理雰囲気によって、ウェハＷ上のＬｏｗ−ｋ膜は、混合ガス中のフッ化水素ガスの分子及びアンモニアガスの分子と化学反応して、反応生成物に変質させられる。反応生成物としては、アンモニウムフルオロシリケートや水分等が生成される。なお、この化学反応はＬｏｗ−ｋ膜の表面側から進行し、したがって、混合ガスの供給開始から所定時間経過後において、Ｌｏｗ−ｋ膜の表面から所定深さまでは反応生成物がウェハＷの全面にわたって生成され、上記所定深さより深い領域では反応生成物が点在するように生成される。
【００５０】
ＣＯＲ処理中は、混合ガス（処理雰囲気）の温度すなわちウェハＷが載置される載置台４２の温度は、７５℃以上、１２０℃以下となるように調節することが好ましい。また、ＣＯＲ処理中は、各処理ガスの供給流量、不活性ガスの供給流量、排気流量等を調節することにより、プロセス圧力すなわち混合ガス（処理雰囲気）の圧力が大気圧より減圧された３００ｍＴｏｒｒ〜２０００ｍＴｏｒｒ（約４０〜約２６７Ｐａ）に維持されるようにすることが好ましい。なお、混合ガスの温度に応じて、適切な混合ガスの圧力は異なり、混合ガスの温度が高いほど混合ガスの圧力は高いことが好ましい。また、混合ガス中のフッ化水素ガスの分圧とアンモニアガスの分圧の比は、３０：７０〜７０：３０が好ましく、より好ましくは１：１に近いこと、具体的には５５：４５〜４５：５５となるように調節することが好ましい。また、フッ化水素ガスの流量は、８０ｓｃｃｍ〜４８０ｓｃｃｍ以下にすることが好ましい。さらに、アンモニアガスの流量は１０ｓｃｃｍ〜１６０ｓｃｃｍであることが好ましい。また、ＣＯＲ処理の処理時間は、Ｌｏｗ−ｋ膜の目標の誘電率により適宜変更されるものであるが、生産性の観点から処理時間を長くすることは好ましくない。このため、一回のＣＯＲ処理の処理時間は、１５０秒以下にすることが好ましい。
【００５１】
このようにしてＣＯＲ処理を所定の時間行うことにより、Ｌｏｗ−ｋ膜が変質し、反応生成物が生成される。
【００５２】
ＣＯＲ処理が所定時間行われると、混合ガスの供給が停止され、処理室４１が強制排気されて減圧される。これにより、フッ化水素ガスやアンモニアガスが処理室４１から強制的に排出される。処理室４１の強制排気が終了すると、搬入出口５３が開口させられ、ウェハＷはウェハ搬送機構１７によって処理室４１から搬出され、ＰＨＴ処理モジュール４の処理室２１に搬入される。
【００５３】
ＰＨＴ処理モジュール４において、ウェハＷはＬｏｗ−ｋ膜が形成された面を上面とした状態で処理室２１内に載置される。ウェハＷが搬入されると搬送アーム１７ａが処理室２１から退出させられ、処理室２１が密閉され、ＰＨＴ処理が開始される。ＰＨＴ処理では、処理室２１内が排気されながら、高温の加熱ガスが処理室２１内に供給され、処理室２１内が昇温される。これにより、上記ＣＯＲ処理によって生じた反応生成物が加熱されて気化し、ウェハＷの外部に排出される。
【００５４】
なお、ＰＨＴ処理中は、ウェハＷの温度すなわちウェハＷが載置される載置台４２の温度は、１２０℃以上、１９０℃以下となるように調節することが好ましい。
【００５５】
上述のように、ＣＯＲ処理の後、ＰＨＴ処理を行うことにより、反応生成物が除去され、Ｌｏｗ−ｋ膜の膜厚を小さくすると共に当該Ｌｏｗ−ｋ膜をポーラス化させることができる。
ただし、ＣＯＲ処理における混合ガスの温度が９０℃を超える場合は、ＣＯＲ処理モジュール５の処理室４１内で反応生成物の除去が可能となるため、必ずしもＰＨＴ処理を行う必要はない。
【００５６】
ＰＨＴ処理が終了すると、加熱ガスの供給が停止され、処理室２１が強制排気されて減圧される。これにより、加熱ガスが処理室２１から強制的に排出される。処理室２１の強制排気が終了すると、ウェハＷはウェハ搬送機構１７によって処理室２１から搬出され、ＣＯＲ処理モジュール５の処理室４１に再度搬入される。
以後、上述のＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が、各処理の回数が所定回数となるまで、交互に繰り返される。
【００５７】
ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が所定回数繰り返し行われた後は、ＰＨＴ処理モジュール４の搬入出口が開かれ、ウェハＷは、ウェハ搬送機構１７によって、加熱ガスが強制的に排出された処理室２１から搬出され、ロードロック室３に戻される。
【００５８】
ウェハＷがロードロック室３に戻され、ロードロック室３が密閉された後、ロードロック室３と搬送室１２とが連通させられる。そして、ウェハ搬送機構１１によって、ウェハＷがロードロック室３から搬出され、載置台１３上のキャリア１３ａに戻される
【００５９】
その後、ウェハＷは、不図示の成膜モジュールに搬送され、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が行われたＬｏｗ−ｋ膜上にメタルハードマスク層が形成される。メタルハードマスク層は、Ｌｏｗ−ｋ膜に所定のパターンを形成するためのマスク層であり、例えば窒化チタンから構成される。
その後、メタルハードマスク層のパターニング等が行われる。
以上のようにして、本実施形態にかかる一連のウェハ処理が終了する。
【００６０】
本実施形態の基板処理方法は、上述のように、Ｌｏｗ−ｋ膜上にメタルハードマスク層を形成する工程の前に、フッ化水素ガスとアンモニアガスを含有した混合ガスをＬｏｗ−ｋ膜の全面に供給し、当該Ｌｏｗ−ｋ膜を変質させて反応生成物を生成する変質工程と、上記反応生成物を加熱して除去する加熱工程と、有している。言い換えると、本実施形態では、Ｌｏｗ−ｋ膜上にメタルハードマスク層を形成する前の当該Ｌｏｗ−ｋ膜に対して、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を行っている。そのため、本実施形態によれば、Ｌｏｗ−ｋ膜全体の膜厚を薄くすると共に当該Ｌｏｗ−ｋ膜全体をポーラス化することができるので、Ｌｏｗ−ｋ膜全体の誘電率を低減することができる。
【００６１】
また、本実施形態によれば、図４を用いて説明したように、上述のＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜において、その表面付近の炭素濃度が高く、すなわち、表面付近に炭素が多く残っている。そのため、誘電率を低減するためにＬｏｗ−ｋ膜が薄くなり且つポーラス化していても、当該Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を維持することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の表面付近において炭素濃度が高いので、疎水性が増加している。したがって、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜は、吸湿することがない。そのため、メタルハードマスク層を除去するためのウェット処理などの際に、吸湿による劣化が生じることがない。吸湿による劣化とは、例えば、メタルハードマスク除去後にＬｏｗ−ｋ膜上に形成される銅配線の、吸湿された水分による腐食や、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率の増加などである。
【００６３】
さらにまた、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の表面付近において炭素濃度が高いので、メタルハードマスク上に形成されるレジスト層を除去する時のプラズマアッシングにより、上記Ｌｏｗ−ｋ膜が損傷を受けるのを防ぐことができる。
【００６４】
なお、上述のようにＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度が高くなる原因としては以下のものが考えられる。図８は、上記原因を説明するための図であり、図８（Ａ）はＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理前のウェハＷ上のＬｏｗ−ｋ膜を示し、図８（Ｂ）は両処理後のウェハＷ上のＬｏｗ−ｋ膜を示す。
【００６５】
Ｌｏｗ−ｋ膜Ｆ内の炭素分子をＣＯＲ処理の混合ガス内のフッ化水素ガスと反応させるためには高温が必要であるが、ＣＯＲ処理は低温処理であり、ＣＯＲ処理における基板温度は高くても１２０℃である。そのため、図８に示すように、処理前のＬｏｗ−ｋ膜Ｆに存在していたシリコン分子や酸素分子は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理を繰り返したときに除去されるが、その除去されたシリコン分子や酸素分子の周囲の炭素（Ｃ）分子の多くは除去されずに残る。つまり、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理は、Ｌｏｗ−ｋ膜内の炭素分子を除去しにくい特性を有している。したがって、図８（Ｂ）に示すように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の表面付近の炭素濃度が高くなるものと考えられる。
【００６６】
ところで、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量は、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度に比例し、また、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率はＬｏｗ−ｋ膜の膜厚に反比例する。つまり、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率に反比例する。
【００６７】
したがって、本実施形態のようにＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を７５℃以上とすることで、図１に示した確認試験の結果からも明らかな通り、生産性を鑑みた所定時間より短い処理時間のＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理により、誘電率を１０％程度以上低減することができる。
【００６８】
また、本実施形態とは異なり、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を１２０℃より大きくすると、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によりＬｏｗ−ｋ膜内の炭素分子がシリコン分子や酸素分子と共に除去されてしまい、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜においてその機械的強度が低下してしまう。それに対し、本実施形態のようにＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を１２０℃以下とすることで、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によりＬｏｗ−ｋ膜内の炭素分子が除去されないため、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜における機械的強度の低下を確実に防ぐことができる。
【００６９】
前述のように、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率に反比例する。したがって、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を調節することにより、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を制御することができる。
【００７０】
また、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量は、ＣＯＲ処理の合計の長さに比例し、また、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率はＬｏｗ−ｋ膜の膜厚に反比例する。つまり、ＣＯＲ処理の処理時間の合計の長さは、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率に反比例する。
したがって、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理の処理時間の合計の長さを調節することにより、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を制御することができる。なお、図１に示した確認試験の結果からも明らかな通り、ＣＯＲ処理の処理時間の合計の長さを調節する方法としては、１回のＣＯＲ処理の処理時間の長さを大きくすることで上記合計の長さを調節する方法ではなく、ＣＯＲ処理を行う回数、すなわち、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を繰り返す回数を増やすことで上記合計の長さを調節する方法が好ましい。
【００７１】
また、図４からも明らかな通り、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度と、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜のポーラス化の度合いとの間に相関がある。そのため、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を調節することにより、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜のポーラス化の度合いを制御でき、すなわち、ＣＯＲ処理中の混合ガスの温度を調節することにより、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜における表面付近の炭素濃度を制御することができる。
【００７２】
本発明者のさらなる検討によれば、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量及びポーラス化の度合いは、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスでフッ化水素ガスと混合されるアンモニアガスの流量に比例する。
図９は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少量及びポーラス化の度合いと、上記アンモニアガスの流量との関係を示す模式断面図である。図９（Ａ）は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が行われていないＬｏｗ−ｋ膜、言い換えると未処理のＬｏｗ−ｋ膜を示している。図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理が行われた後のＬｏｗ−ｋ膜を示しており、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）のＬｏｗ−ｋ膜が得られたときの上記アンモニアガスの流量はそれぞれ１０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍである。なお、ＣＯＲ処理におけるアンモニアガスの流量以外の条件は、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）のそれぞれＬｏｗ−ｋ膜が得られたときで共通であり、例えば、混合ガスの温度は７５℃、プロセス圧力は６００ｍＴｏｒｒ、フッ化水素ガスの流量は１６０ｓｃｃｍ、１回のＣＯＲ処理の時間は９０秒、サイクル数は４回である。
【００７３】
図９に示すように、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスのアンモニアガスの流量を増加させると、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の膜厚は減少する。具体的には、未処理のＬｏｗ−ｋ膜の膜厚は３２０ｎｍであり、アンモニアガスの流量が１０ｓｃｃｍ、２０ｓｃｃｍ、３０ｓｃｃｍである場合のＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の膜厚はそれぞれ、２８０ｎｍ、２７０ｎｍ、２４０ｎｍである。
また、図に示すように、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスのアンモニアガスの流量を増加させると、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜のポーラス化の度合いは大きくなる。
【００７４】
ここで、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率はＬｏｗ−ｋ膜の膜厚及びＬｏｗ−ｋ膜内のポーラスの量に反比例する。
つまり、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスでフッ化水素ガスと混合されるアンモニアガスの流量は、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率に反比例する。
したがって、本実施形態によれば、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスのアンモニアガスの流量を調節することにより、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後のＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を制御することができる。
【００７５】
なお、ＣＯＲ処理におけるフッ化水素ガスとアンモニアガスの分圧比は１：１であることが好ましい。上記分圧比が１：１に近づくほど、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理によるＬｏｗ−ｋ膜の膜厚の減少速度が大きくなり、短時間でＬｏｗ−ｋ膜の誘電率を減少することができるからである。
【００７６】
フッ化水素ガスやアンモニアガスの他に処理室４１に供給されるガスの種類は、以上の実施形態に示した組み合わせには限定されない。例えば、処理室４１に供給される不活性ガスはアルゴンガスのみであってもよい。また、かかる不活性ガスは、その他の不活性ガス、例えば、ヘリウムガス（Ｈｅ）、キセノンガス（Ｘｅ）のいずれかであっても良く、または、アルゴンガス、窒素ガス、ヘリウムガス、キセノンガスのうち２種類以上のガスを混合したものであってもよい。
【００７７】
基板処理装置１の構造は、以上の実施形態に示したものには限定されない。例えば、ＣＯＲ処理モジュール、ＰＨＴ処理モジュールの他に、成膜モジュールを備えた基板処理装置であってもよい。例えば図１０に示す基板処理装置９０のように、ウェハ搬送機構９１を備えた共通搬送室９２を、搬送室１２に対してロードロック室９３を介して連結させ、この共通搬送室９２の周囲に、ＣＯＲ処理モジュール９５、ＰＨＴ処理モジュール９６、例えばＣＶＤ装置等の成膜モジュール９７を配設した構成にしてもよい。この基板処理装置９０においては、ウェハ搬送機構９１によって、ロードロック室９２、ＣＯＲ処理モジュール９５、ＰＨＴ処理モジュール９６、成膜モジュール９７に対してウェハＷをそれぞれ搬入出させるようになっている。共通搬送室９２内は真空引き可能になっている。即ち、共通搬送室９２内を真空状態にすることで、ＰＨＴ処理モジュール９６から搬出されたウェハＷを大気中の酸素に接触させずに、成膜モジュール９７に搬入できる。
【００７８】
以上の実施形態では、Ｌｏｗ−ｋ膜を有する基板として、半導体ウェハであるシリコンウェハを例示したが、基板はかかるものに限定されず、他の種類のもの、例えばＬＣＤ基板用ガラス、ＣＤ基板、プリント基板、セラミック基板などであってもよい。
【００７９】
また、Ｌｏｗ−ｋ膜は、ＳｉＯＣ膜には限定されず、例えば、シリコン酸窒化膜（ＳｉＣＮ膜）や炭素添加シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）であってもよい。この場合も、Ｌｏｗ−ｋ膜の種類に応じて、ＣＯＲ処理工程における混合ガスの温度等を調節することで、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理後の誘電率を制御することができる。
【００８０】
また、以上の実施形態では、ＣＯＲ処理で用いられる混合ガスでフッ化水素ガスと混合されるガスは、アンモニアガスであったが、フッ素ガスや三フッ化塩素ガスなどの塩基性ガスであってもよい。
【００８１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８２】
１、９０      基板処理装置
４、９６      ＰＨＴ処理モジュール
５、９５      ＣＯＲ処理モジュール
８      制御コンピュータ
４０    チャンバー
４１    処理室
６１    フッ化水素ガス供給路
６２    アンモニアガス供給路
８５    排気路
Ｗ      ウェハ
Ｆ      Ｌｏｗ−ｋ膜
Ｈ      孔
【図１】
2019062089.tif 000003
【図２】
2019062089.tif 000004
【図３】
2019062089.tif 000005
【図４】
2019062089.tif 000006
【図５】
2019062089.tif 000007
【図６】
2019062089.tif 000008
【図７】
2019062089.tif 000009
【図８】
2019062089.tif 000010
【図９】
2019062089.tif 000011
【図１０】
2019062089.tif 000012