(57)【要約】      （修正有）【課題】極紫外線リソグラフィに使用されるフォトレジスト及び他のコーティング組成物に有用であるテルル含有モノマー及びポリマーの提供。【解決手段】１つ以上のＴｅ原子及び１つ以上のエチレン性重合性基を含むモノマー、更にこれら１種以上の反応したモノマーを含むポリマー。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノマーであって、
（ａ）１つ以上のＴｅ原子、および
（ｂ）１つ以上のエチレン性重合性基、を含むモノマー。
【請求項２】
前記モノマーが、１つ以上の酸開裂性基、極性基および／または塩基反応性基をさらに含む、請求項１に記載のモノマー。
【請求項３】
前記モノマーが、１つ以上の置換基を有していてもよいアクリレート部分、置換基を有していてもよいアクリルアミド部分、置換基を有していてもよいビニルエーテル部分、または環状オレフィン部分を含む、請求項１または２に記載のモノマー。
【請求項４】
前記モノマーが、もう１つの置換基を有していてもよいメタクリレート、フルオロメタクリレート、シアノアクリレート、メチルアクリルアミド、ビニルエーテル、アクリル酸ノルボルニル部分、置換基を有していてもよいアクリルアミド部分、置換基を有していてもよいラクトン、置換基を有していてもよいビニルエーテル部分、または環状オレフィン部分を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のモノマー。
【請求項５】
前記モノマーが、１つ以上のアルキル、フルオロアルキル、炭素環式アリール、ヘテロアリール、スルホン酸エステル、またはスルホンアミドを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のモノマー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の１種以上の反応したモノマーを含むポリマー。
【請求項７】
１つ以上のＴｅ原子を含む付加重合体。
【請求項８】
１つ以上のペンダント部分が、１つ以上のＴｅ原子を含む、前記ポリマー主鎖への前記１つ以上のペンダント部分を含むポリマー。
【請求項９】
フォトレジスト組成物であって、
ａ）請求項６〜８のいずれか１項に記載の１種以上のポリマー、および
ｂ）１種以上の酸発生剤化合物、を含むフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
フォトレジストと共に使用する下層コーティング組成物であって、前記コーティング組成物が、請求項６〜８のいずれか１項に記載の１種以上のポリマーを含む、下層コーティング組成物。
【請求項１１】
フォトレジストレリーフ像を提供するための方法であって、
ａ）請求項９に記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を基板上に塗布することと、
ｂ）前記フォトレジスト組成物層を活性化放射線に露光し、前記露光されたフォトレジスト組成物層を現像することと、を含む方法。
【請求項１２】
フォトレジストレリーフ像を提供するための方法であって、
ａ）請求項１０に記載の下層コーティング組成物層を基板上に塗布することと、
ｂ）前記下層コーティング組成物層の上にフォトレジスト組成物層を塗布することと、
ｃ）前記フォトレジスト組成物層を活性化放射線に露光し、前記露光されたフォトレジスト組成物層を現像することと、を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つ以上のＴｅ原子を含む新規なモノマーおよびポリマー材料に関する。１つの好ましい態様において、極紫外線リソグラフィに使用されるフォトレジストおよび他のコーティング組成物に有用であるテルル含有モノマーおよびポリマーが提供される。
【背景技術】
【０００２】
極端紫外線リソグラフィ（「ＥＵＶＬ」）は、＜２０ｎｍのフィーチャサイズでの大量半導体製造のための光学リソグラフィに置き換わる最先端技術オプションの１つである。極めて短い波長（１３．４ｎｍ）は、複数の技術世代で要求される高解像度を可能にする鍵となる要因である。さらに、走査露光、投影光学系、マスクフォーマット、およびレジスト技術等のシステム全体のコンセプトは、現在の光学技術に使用されているものと非常に類似している。以前のリソグラフィ世代と同様に、ＥＵＶＬは、レジスト技術、露光ツール技術、およびマスク技術で構成される。重要な課題は、ＥＵＶ電源およびスループットである。ＥＵＶ電源のいかなる改善も、現在の厳しいレジスト感度仕様に直接影響する。実際に、ＥＵＶＬ像形成における主要な問題はレジスト感度であり、感度が低いほど、必要とされる光源出力が大きい、またはレジストを完全に露光するのに必要な露光時間が長いことである。出力レベルが低いほど、ノイズは印刷線のラインエッジラフネス（ＬＥＲ）に影響する。
【０００３】
ＥＵＶフォトレジスト組成物の構成を変更して機能特性の性能を改善するための様々な試みがなされている。とりわけ、様々なポリマー材料が報告されている。ＵＳ２００４／０２４１５７４および５，９８９，７７６を参照されたい。ＷＯ２０１７／０３３９４３Ａ１、ＷＯ２０１７／１８８４５０、ＷＯ２０１７／１８８４５１、Ｆｕｋｕｎａｇａ  ｅｔ．ａｌ．Ｊ．Ｐｈｏｔｏ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．，２０１７，３０，１０３−１０７、Ｋｕｄｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔｅｒｓ，２０１１，４０，７６２−７６４も参照されたい。
【０００４】
電子デバイスの製造業者は、パターン化されたフォトレジスト像の解像度を高めることを絶えず求めている。
【０００５】
ＥＵＶＬに有用な新規なフォトレジスト組成物を含む、向上した像形成能力を提供することができる新規なフォトレジスト組成物を有することが望ましい。
【発明の概要】
【０００６】
我々はそこで、１つ以上テルル（Ｔｅ）原子を含む新規なモノマーおよびポリマーを提供する。本発明者らはまた、本発明のモノマーまたはポリマーの１種以上を含むフォトレジスト組成物および（反射防止または平坦化組成物などの）下地コーティング組成物を含むリソグラフィ組成物も提供する。
【０００７】
１つの好ましい態様において、１つ以上のＴｅ原子を含む１種以上の繰り返し単位を含む付加型重合体が提供される。別の好ましい態様において、１つ以上のペンダント部分が、１つ以上のＴｅ原子を含む、ポリマー主鎖への１つ以上のペンダント部分を含むポリマーが提供される。本発明のポリマーにおいて、ポリマーの１つ以上のＴｅ原子は、好適には二価または四価のいずれかである。
【０００８】
好ましい態様において、（ａ）１つ以上のＴｅ原子、および（ｂ）１つ以上のエチレン性重合性基を含む１つ以上の不飽和重合性基、を含むモノマーが提供される。このようなモノマーの１つ以上のＴｅ原子は、好適には二価または四価のいずれかである。
【０００９】
好ましいモノマーは、１つ以上の酸開裂基、極性基および／または塩基反応性基をさらに含むことができる。
【００１０】
好適な酸開裂性基としては、リソグラフィ処理中に、フォトレジストまたは他の組成物層中に存在する光生成酸と反応することができるエステルおよびアセタール基が挙げられる。シアノ、ヒドロキシルまたはエポキシなどの１つ以上のヘテロ原子を含む１つ以上の部分で置換されたアルキルおよびアリール基を含む様々な極性基が好適である。好適な塩基反応性基または酸性基はまた、様々であり、例えば、ヘキサフルオロアルコール（ＨＦＡ）を含むハロゲン化ヒドロキシアルキル、カルボン酸、スルホン酸、スルホンアミド、ラクトン、またはフェノールなどの酸性または塩基反応性基が挙げられる。
【００１１】
１種以上の重合性基は、好適には、置換基を有していてもよいアクリレート、置換基を有していてもよいアクリルアミド、置換基を有していてもよいビニルエーテル部分、置換基を有していてもよい非環状ビニル基、または環状オレフィン部分などのエチレン性不飽和基であってもよい。
【００１２】
より具体的には、特定の態様において、好ましいモノマーは、アクリレート部分を含むことができる。好ましいアクリレートモノマーは、以下の式（Ｉ）
【００１３】
【化１】
2019119851.tif 000002
【００１４】
（式中、Ｒは、水素であるか、または置換基を有していてもよいメチルを含む置換基を有していてもよいＣ１−１６アルキルなどの非水素置換基であり、
Ｐは、１つ以上のＴｅ原子を含む。）に対応する構造を含むことができる。
【００１５】
特定の好ましい態様において、Ｐは、１つ以上の酸開裂基、極性基および／または塩基反応性基を含むことができる。
【００１６】
特定の態様において、好ましいアクリレートモノマーとしては、以下の式（ＩＡ）：
【００１７】
【化２】
2019119851.tif 000003
【００１８】
（式（ＩＡ）中、Ｒおよび各Ｐは、上記の式（Ｉ）で定義されたものと同じであり、Ｓは、示されたエステル結合に隣接する四級炭素原子を提供することを含めて置換基を有していてもよい、１〜２０またはそれ以上の炭素およびヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ）を有する化学結合または鎖などのリンカーであり、
各Ｒ１は、同一または異なる非水素置換基であり、１つ以上の酸開裂基、極性基または塩基反応性基を含むことができ、または任意選択で１つ以上のアルキル基を含むことができ、
ｍは、１〜Ｇによって許容される最大原子価に等しい整数であり、典型的には、ｍは、１、２、４、５、６、７または８の整数であり、
ｎは、０（Ｒ１基が存在しない）〜Ｇによって許容される最大原子価に等しい整数であり、典型的には、ｍは、０、１、２、３、４、５、６、７または８の整数であり、
【００１９】
【化３】
2019119851.tif 000004
【００２０】
は、単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ６−３０アリーレン基、または１つ以上のテルロフェンヘテロ環を含む基もしくは単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ３−３０ヘテロアリーレン基を表し、式中、「＊」は、隣接する基または原子への結合点を示す。）の構造を含むモノマーなどの、炭素もしくはヘテロ芳香族（炭素環式アリールもしくはヘテロアリール）または脂環式（炭素脂環式もしくはヘテロ脂環式）基を含むものが挙げられる。
【００２１】
特定の態様において、好ましいアクリレートモノマーは、フェニルまたはナフチル基などの１つ以上の炭素環式アリール基を含むことができる。このような好ましいモノマーとしては、以下の式（ＩＢ）：
【００２２】
【化４】
2019119851.tif 000005
【００２３】
（式（ＩＢ）中、
Ｒは上記式（Ｉ）で定義されたものと同じであり、
Ｓは、示されたエステル結合に隣接する四級炭素原子を提供することを含めて置換基を有していてもよい、１〜２０またはそれ以上の炭素およびヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ）を有する化学結合または鎖などのリンカーであり、
Ｐは、１つ以上のＴｅ原子を含み、任意選択で１つ以上の酸開裂基、極性基、または塩基反応性基をさらに含むことができ、
各Ｒ１は、同一または異なる非水素置換基であり、１つ以上の酸開裂基、極性基または塩基反応性基を含むことができ、または任意選択で１つ以上のアルキル基を含むことができ、
ｎは、０（Ｒ１基が存在しない）〜４の整数であり、ｍは、１〜４の整数である。）に対応する構造を含むものが挙げられる。
【００２４】
特定の好ましい態様において、Ｐまたは少なくとも１つのＲ１基は、任意選択で少なくとも１つの酸不安定性、極性または塩基反応性基を含む。
【００２５】
特定の態様において、好ましいアクリレートモノマーは、Ｔｅ原子が炭素環式アリール環に直接置換されている（Ｔｅと炭素環式アリール環原子との間に他の原子が介在していない）１つ以上の炭素環式アリール基を含むことができる。例えば、下記式（ＩＣ）：
【００２６】
【化５】
2019119851.tif 000006
【００２７】
（式（ＩＣ）中、
ＲおよびＳはそれぞれ、上記式（ＩＢ）で定義されたものと同じであり、
各Ｒ１は、同一または異なる非水素置換基であり、１つ以上の酸開裂基、極性基および／または塩基反応性基を含むことができ、
Ｒ２は、非水素置換基であり、任意選択で１つ以上の酸開裂基、極性基、および／または塩基反応性基を含むことができ、
ｎは、０（Ｒ１基が存在しない）〜４の整数である。）の構造を含むモノマーが好ましい。
【００２８】
式（ＩＣ）のモノマーの特定の好ましい実施形態において、少なくとも１つのＲ１基または１つのＲ２基は、少なくとも１つの酸不安定性、極性または塩基反応性基を含む。
【００２９】
特定の他の態様において、好ましいモノマーは、ビニルエーテル部分を含むことができる。好ましいビニルエーテルモノマーは、以下の式（ＩＩ）：
【００３０】
【化６】
2019119851.tif 000007
【００３１】
（式（ＩＩ）中、ＲおよびＰは、上記式（Ｉ）で定義されたものと同じである。）に対応する構造を含むことができる。
【００３２】
特定の態様において、好ましいビニルエーテルモノマーとしては、以下の式（ＩＩＡ）：
【００３３】
【化７】
2019119851.tif 000008
【００３４】
（式（ＩＩＡ）中、Ｒ、各Ｐ、Ｓ、各Ｒ１、ｍおよびｎは、上記式（ＩＡ）で定義されたものと同じであり、
【００３５】
【化８】
2019119851.tif 000009
【００３６】
は、単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ６−３０アリーレン基、または１つ以上のテルロフェンヘテロ環を含む基もしくは単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ３−３０ヘテロアリーレン基を表し、式中、「＊」は、隣接する基または原子への結合点を示す。）の構造を含むモノマーなどの、炭素もしくはヘテロ芳香族（炭素環式アリールもしくはヘテロアリール）または脂環式（炭素脂環式もしくはヘテロ脂環式）基を挙げることができる。
【００３７】
好ましいビニルエーテルモノマーは、フェニルまたはナフチル基などの１つ以上の炭素環式アリール基を含むことができる。このような好ましいモノマーとしては、以下の式（ＩＩＢ）：
【００３８】
【化９】
2019119851.tif 000010
【００３９】
（式（ＩＩＢ）中、Ｒ、Ｓ、Ｐ、Ｒ１およびｎは、上記式（ＩＢ）で定義されたものと同じである。）に対応する構造を含むものが挙げられる。
【００４０】
１つ以上の炭素環式アリール基を含む好ましいビニルエーテルモノマーとしては、Ｔｅ原子が炭素環式アリール環に直接置換されているものが挙げられる。例えば、下記式（ＩＩＣ）：
【００４１】
【化１０】
2019119851.tif 000011
【００４２】
（式（ＩＩＣ）中、Ｒ、Ｓ、Ｒ１、Ｒ２およびｎは、上記式（ＩＣ）で定義されたものと同じである。）の構造を含むモノマーが好ましい。
【００４３】
特定の他の態様において、好ましいモノマーは、ビニル部分を含むことができ、以下の式（ＩＩＩ）：
【００４４】
【化１１】
2019119851.tif 000012
【００４５】
（式（ＩＩＩ）中、ＲおよびＰは、上記式（Ｉ）で定義されたものと同じである。）に対応する構造を好適に含むことができる。
【００４６】
特定の態様において、好ましいビニルモノマーとしては、以下の式（ＩＩＩＡ）：
【００４７】
【化１２】
2019119851.tif 000013
【００４８】
（式（ＩＩＩＡ）中、Ｒ、各Ｐ、Ｓ、各Ｒ１、ｍおよびｎは、上記式（ＩＡ）で定義されたものと同じであり、
【００４９】
【化１３】
2019119851.tif 000014
【００５０】
は、単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ６−３０アリーレン基、または１つ以上のテルロフェンヘテロ環を含む基もしくは単環式もしくは多環式の非置換もしくは置換Ｃ３−３０ヘテロアリーレン基を表し、式中、「＊」は、隣接する基または原子への結合点を示す。）の構造を含むモノマーなどの、炭素もしくはヘテロ芳香族（炭素環式アリールもしくはヘテロアリール）または脂環式（炭素脂環式もしくはヘテロ脂環式）基を含むものが挙げられる。
【００５１】
特定の態様において、好ましいビニルモノマーは、フェニルまたはナフチル基などの１つ以上の炭素環式アリール基を含むことができる。このような好ましいモノマーとしては、以下の式（ＩＩＩＢ）：
【００５２】
【化１４】
2019119851.tif 000015
【００５３】
（式（ＩＩＩＡ）中、Ｒ、Ｐ、Ｒ１およびｎは、上記式（ＩＢ）で定義されたものと同じである。）に対応する構造を含むものが挙げられる。
【００５４】
１つ以上の炭素環式アリール基を含む好ましいビニルモノマーとしては、Ｔｅ原子が炭素環式アリール環に直接置換されているものが挙げられる。例えば、下記式（ＩＩＩＣ）：
【００５５】
【化１５】
2019119851.tif 000016
【００５６】
（式（ＩＩＩＣ）中、Ｒ、Ｓ、Ｒ１、Ｒ２およびｎは、上記式（ＩＣ）で定義されたものと同じである。）の構造を含むモノマーが好ましい。
【００５７】
さらに好ましくは、１つ以上のＴｅ原子を含む環状オレフィンモノマーが提供される。本明細書で言及されるように、環状オレフィンは、少なくとも１つの環内炭素−炭素の単一の環内多重結合を有する非芳香族環構造（特定の実施形態において、例えば５から約２０個の環原子、好ましくは５または６個の環原子）である。特定の態様において、好ましい環状オレフィンモノマーとしては、以下の式（ＩＶ）：
【００５８】
【化１６】
2019119851.tif 000017
【００５９】
（式（ＩＶ）中、
Ｐは、１つ以上のＴｅ原子を含み、
各Ｒ１は、同一または異なる非水素置換基であり、１つ以上の酸開裂基、極性基および／または塩基反応性基を含むことができ、または任意選択で１つ以上のアルキル基を含むことができ、
ｎは、０（Ｒ１基が存在しない）〜脂環式環によって許容される最大原子価に等しい整数であり、典型的には、ｎは、０、１、２、３、４、または５である。）の構造を有するものが挙げられる。上記の式（ＩＶ）中、示された環縫合は、単一の縮合環構造または連結環構造中に５〜約２０個の環原子を有することを含む様々な構造であってもよく、ある実施形態において、５または６個の環原子が好ましい場合がある。式（ＩＶ）中の示された炭素−炭素二重結合を含有する環は、非芳香族であるが、１つ以上の芳香族環は、脂環式（非芳香族）環に（縮合を含む）共有結合することができる。
【００６０】
さらにいっそう好ましい態様において、１つ以上のＴｅ原子および１つ以上のラクトン官能基を含むモノマーが提供される。例えば、上記式（Ｉ）、（ＩＡ）、（ＩＢ）、（ＩＣ）、（ＩＩ）、（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）、（ＩＩＣ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩＡ）、（ＩＩＩＢ）、（ＩＩＩＣ）および（ＩＶ）中の、任意のＰ、Ｒ１またはＲ２基は、以下の構造（波線は、モノマーへの共有結合を示す）のうちの１つの群などの、１つ以上のラクトン部分を含むことができる。
【００６１】
【化１７】
2019119851.tif 000018
【００６２】
本明細書に開示されるような上記式（Ｉ）、（ＩＡ）、（ＩＢ）、（ＩＣ）、（ＩＩ）、（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）、（ＩＩＣ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩＡ）、（ＩＩＩＢ）、（ＩＩＩＣ）または（ＩＶ）のいずれか１つのうちの、１種以上の反応したモノマーを含む、１種以上の反応したＴｅモノマーを含むポリマーもまた提供される。
【００６３】
本発明の好ましいフォトレジストは、１種以上の酸発生剤化合物、および本明細書に開示されるような１種以上のＴｅポリマーを含むポリマー成分を含みことができる。本発明のフォトレジストは、好適にはポジ型またはネガ型であってもよい。
【００６４】
ポジ型フォトレジストは、好適には、本明細書に開示されるような酸不安定基を含む成分を含むことができる。酸不安定基は、１つ以上のＴｅ原子を含有するポリマー（Ｔｅ−ポリマー）上に存在することができ、かつ／または酸不安定基は、Ｔｅ原子を含まない別のレジスト樹脂などの、別のフォトレジスト成分上に存在することができる。
【００６５】
ネガ型フォトレジストは、好適には、別個の組成物として、またはＴｅ−ポリマーなどのレジスト成分の共有結合部分としてのいずれかで、架橋剤成分を含むことができる。好適なフォトレジスト架橋剤としては、下層組成物のための架橋剤として以下に議論されるアミン系材料が挙げられる。
【００６６】
フォトレジストが下層組成物の層上にコーティングされる場合に利用することができる、下層組成物もまた提供される。本下層組成物は、本明細書に開示されるような１種以上のＴｅポリマーを含み、任意選択で１種以上の架橋剤および酸または酸発生剤化合物などの追加の成分を含むことができる。好ましくは、下層コーティング組成物は、架橋された有機膜であり得、好ましくは、実質的に減少した厚さを有し得る。特定の好ましい実施形態において、下層組成物膜層の乾燥厚さは、約２００Å以下、または約１００Å以下、または約９０Å以下、または約８０Å以下、または約７０Å以下、または約６０Å以下、または約５０Å以下である。
【００６７】
一態様において、開示されるような１種以上のＴｅポリマーを含む下層組成物の層を基板上に塗布することと、下層コーティング組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を塗布することと、を含む方法が提供される。
【００６８】
また、本発明のフォトレジスト組成物のレリーフ像（５０ｎｍ未満または２０ｎｍ未満の寸法を有するパターン化された線を含む）を形成するための方法も提供される。そのような方法は、例えば、ａ）本発明のフォトレジストのコーティング層を基板上に塗布することと；ｂ）フォトレジスト組成物層をＥＵＶを含む活性化放射線に露光することと；およびｃ）露光されたフォトレジスト組成物コーティング層を現像することと、を含むことができる。
【００６９】
また、本発明のフォトレジスト組成物がその上にコーティングされたマイクロエレクトロニクスウエハ等の基板も提供される。開示された方法によって形成された電子デバイスもまた提供される。
【００７０】
本発明の他の態様を以下で議論する。
【発明を実施するための形態】
【００７１】
Ｔｅポリマーという用語は、１つ以上のＴｅ原子を含む本明細書に開示されるようなポリマーを指す。
【００７２】
上述のように、１つの好ましい態様において、１つ以上のＴｅ原子を含む１種以上の繰り返し単位を含む付加型重合体が提供される。本明細書で言及されるような付加重合体は、フリーラジカル、カチオン、アニオンまたは配位重合などの付加重合によって形成される。本明細書で言及されるように、付加重合体は、反応によって小分子副生成物（例えば、Ｈ２ＯまたはＭｅＯＨ）が生成されない反応を介して形成することができ、縮合型重合反応とは区別される。上記の式（Ｉ）、（ＩＡ）、（ＩＢ）、（ＩＣ）、（ＩＩ）、（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）、（ＩＩＣ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩＡ）、（ＩＩＩＢ）、（ＩＩＩＣ）および（ＩＶ）の好ましいモノマーの重合は、付加重合体を提供することができる。特定の好ましい態様において、付加重合体は、フリーラジカル重合、ニトロキシド媒介重合（ＮＭＰ）、原子移動ラジカル重合（ＡＴＲＰ）、可逆的付加−フラグメンテーション連鎖移動（ＲＡＦＴ）重合、リビングアニオン重合（ＬＡＰ）および／または原子移動重合（ＡＴＰ）のいずれかによって形成することができる。
【００７３】
上述のように、別の好ましい態様において、１つ以上のペンダント部分が、１つ以上のＴｅ原子を含む、ポリマー主鎖への１つ以上のペンダント部分を含むポリマーが提供される。特に好ましいポリマーは、このようなペンダントＴｅ部分を含み得るが、ポリマー骨格に沿ったＴｅ原子を有さない。上記の式（Ｉ）、（ＩＡ）、（ＩＢ）、（ＩＣ）、（ＩＩ）、（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）、（ＩＩＣ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩＡ）、（ＩＩＩＢ）、（ＩＩＩＣ）および（ＩＶ）の好ましいモノマーの重合は、このようなペンダントＴｅ含有部分を提供することができる。
【００７４】
本明細書で言及されるように、Ｔｅ含有部分は、その部分の１つ以上のＴｅ原子が、例えばアルキル（アルキレン）を含む多数の基のいずれか、炭素原子を含む環基、および／または酸素または置換基を有していてもよい硫黄（例えば、Ｓ（Ｏ）、Ｓ（Ｏ）２）などのヘテロ原子によってポリマー骨格から離間している、１つ以上の原子（炭素原子を含む）、一般に１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の原子（炭素原子を含む）を含む鎖中の、ポリマー骨格と反応性窒素含有部分との間で介在する、ポリマー鎖へのペンダントである。
【００７５】
理解されるように、ポリマー骨格という用語は、一緒になってポリマーの連続的な直鎖を形成する一連の共有結合した原子を指す。ポリ（アクリレート）またはポリ（アルキルアクリレート）（ポリ（メタクリレート）樹脂など）において、ペンダントＴｅ原子は、重合されたアクリレートカルボキシ（−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＯＯ−）−）部分、またはアルキルアクリレートカルボキシ（−ＣＨ２−Ｃ（アルキル）（ＣＯＯ−）−）部分から、１つ以上の原子（炭素原子を含む）、一般に１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個の原子（炭素原子を含む）によって、離間することができる。
【００７６】
特定の好ましい態様において、１、２、３、４または５個の置換基を有していてもよい炭素原子（スペーサー基）は、重合したアクリレートまたは（メタクリレートなどの）アルキルアクリレートポリマー主鎖部分とペンダントＴｅ含有部分のＴｅ原子との間に介在することができる。
【００７７】
上記の式（Ｉ）、（ＩＡ）、（ＩＢ）、（ＩＣ）、（ＩＩ）、（ＩＩＡ）、（ＩＩＢ）、（ＩＩＣ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩＡ）、（ＩＩＩＢ）、（ＩＩＩＣ）および（ＩＶ）において、好適な非水素置換基は、例えば、ハロ（Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ）、シアノ、ニトロ、ヒドロキシ、置換基を有していてもよいＣ１−２０アルキル、置換基を有していてもよいＣ１−２０アルコキシ、例えば置換基を有していてもよいアルキル（例えば置換Ｃ１−１０アルキル）、好ましくは２〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいアルケニルまたはアルキニル、例えばアリルなど、好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいケトン、好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいアルキルチオ、好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいアルキルスルフィニル、好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいアルキルスルホニル、好ましくは１〜約２０個の炭素原子を有する置換基を有していてもよいカルボキシ（−ＣＯＯＲ’などの基を含み、Ｒ’はＨまたはＣ１−８アルキルであり、光酸と実質的に非反応性であるエステルを含む）、置換基を有していてもよいアルカリル、例えば置換基を有していてもよいベンジル、置換基を有していてもよい炭素環式アリール、例えば置換基を有していてもよいフェニル、ナフチル、アセナフチル、または置換基を有していてもよいヘテロ脂環式もしくはヘテロ芳香族基、例えばピリジル、フラニル、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、トリアゾール、フランザン、オキサジアゾール、チアジアゾール、ジチアゾール、テラゾール、ピラン、チオピラン、ジアジン、オキサジン、チアジン、ジオキシン、ジチン、およびトリアジン、ならびにこのような部分の１つ以上を含有するポリ芳香族基であってもよい。
【００７８】
本明細書で言及されるように、「アリーレン基」という用語は、芳香族環中の２個の水素を除去することによって得られる少なくとも２の原子価を有し、１つ以上の示されている置換基で置換されていてもよい、官能基を指すが、ただし、アリーレン基の原子価を超えないものとする。
【００７９】
本明細書で言及されるように、「ヘテロアリーレン基」という用語は、ヘテロ芳香族環中の２個の水素を除去することによって得られる少なくとも２の原子価を有し、１つ以上の示されている置換基で置換されていてもよい、官能基を指すが、ただし、ヘテロアリーレン基の原子価を超えないものとする。
【００８０】
上述のように、上記式の基は、１つ以上の酸不安定基によって、利用可能な位置で好適に置換することができる。好適な酸不安定基は、置換基を有していてもよいエチルシクロペンチルエステル、メチルアダマンチルエステル、エチルアダマンチルエステル、ｔ−ブチルエステル、フェニルエステル、ナフチルエステルなどの、酸不安定エステルおよびアセタールを含む、様々な部分であってもよい。特定の好ましい態様において、本発明のＴｅ−ポリマーは、１つまたは２つの共有結合した酸不安定基を含有する。本明細書で言及されるように、酸不安定性部分または基（酸不安定性エステルおよびアセタールを含む）は、任意の放射線露光後の熱暴露を含む、典型的なリソグラフィ処理の間、（レジスト中の酸発生剤から）生成された酸の存在下で反応を受ける。本明細書で言及される場合、酸不安定基はまた、光酸不安定基とも呼ぶことができる。
【００８１】
本発明のＴｅ含有モノマーおよびポリマーは、容易に調製することができる。例えば、以下の実施例に記載される合成を参照されたい。
【００８２】
具体的には、本発明のモノマー化合物は、以下の：
【００８３】
【化１８】
2019119851.tif 000019
【００８４】
を含む。
【００８５】
上述のように、例えば、ヘキサフルオロアルコール（ＨＦＡまたはヘキサフルオロ−２−プロピルアルコール）などのフッ素化アルコールなどのハロゲン化アルコール基を含むアルコール基、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、またはフェノール性基などの酸性基または塩基反応基を含むモノマーが好ましい。フェノール基を含む特に好ましいモノマーとしては、以下の：
【００８６】
【化１９】
2019119851.tif 000020
【００８７】
が挙げられる。
【００８８】
アルコール（ナフトールを含む）、カルボン酸、およびハロゲン化アルコール置換を含むさらに好ましいモノマーとしては、以下の：
【００８９】
【化２０】
2019119851.tif 000021
【００９０】
が挙げられる。
【００９１】
上述のように、１つ以上のラクトン基を含む化合物、例えば以下の：
【００９２】
【化２１】
2019119851.tif 000022
【００９３】
もまた好ましい場合がある。
【００９４】
１つ以上のエポキシ基を含む化合物もまた好ましい場合がある。
【００９５】
【化２２】
2019119851.tif 000023
【００９６】
好ましい環状オレフィンモノマーとしては、以下の：
【００９７】
【化２３】
2019119851.tif 000024
【００９８】
が挙げられる。
【００９９】
１つ以上の酸不安定基を含む好ましい化合物としては、以下の：
【０１００】
【化２４】
2019119851.tif 000025
【０１０１】
が挙げられる。
【０１０２】
好ましいポリマーとしては、以下の：
【０１０３】
【化２５】
2019119851.tif 000026
【０１０４】
が挙げられる。
【０１０５】
フォトレジスト組成物
上述のように、本明細書に開示されるポリマーは、ポジ型およびネガ型化学増幅型レジスト組成物の両方を含むフォトレジスト組成物において有用である。
【０１０６】
本発明のフォトレジストは、典型的には、本明細書に開示されるようなポリマーおよび１種以上の光酸発生剤化合物を含む。
【０１０７】
本発明のポリマーは、１つ以上のＴｅ原子を含んでいてもいなくてもよい種々な繰り返し単位を含むことができる。
【０１０８】
例えば、本ポリマーの形成に使用される好ましい追加のモノマーとしては、下記式（Ｖ）を有する酸不安定性モノマー、式（ＶＩ）のラクトン含有モノマー、アルカリ性現像剤への溶解速度を調節するための式（ＶＩＩ）の塩基可溶性モノマー、および式（ＶＩＩＩ）の光酸発生モノマー、または上記モノマーのうちの少なくとも１種を含む組み合わせが挙げられる。
【０１０９】
【化２６】
2019119851.tif 000027
【０１１０】
式中、各Ｒａは、独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルである。式（Ｖ）の酸脱保護可能なモノマーにおいて、Ｒｂは、独立して、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ３−２０シクロアルキル、Ｃ６−２０アリールまたはＣ７−２０アラルキルであり、各Ｒｂは、別個であるか、少なくとも１つのＲｂが隣接するＲｂに結合して環状構造を形成する。式（ＶＩ）のラクトン含有モノマーにおいて、Ｌは、単環式、多環式または縮合多環式Ｃ４−２０ラクトン含有基である。式（ＶＩＩ）の塩基可溶化モノマーにおいて、Ｗは、１２以下のｐＫａを有するハロゲン化または非ハロゲン化芳香族または非芳香族Ｃ２−５０ヒドロキシル含有有機基である。式（ＶＩＩＩ）の光酸発生モノマーにおいて、Ｑは、エステル含有または非エステル含有およびフッ素化または非フッ素化であり、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ３−２０シクロアルキル、Ｃ６−２０アリールまたはＣ７−２０アラルキルであり、Ａは、エステル含有または非エステル含有およびフッ素化または非フッ素化であり、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ３−２０シクロアルキル、Ｃ６−２０アリール、またはＣ７−２０アラルキルであり、Ｚ−は、カルボキシレート、スルホネート、スルホンアミドのアニオン、またはスルホンイミドのアニオンを含むアニオン性部分であり、Ｇ＋は、スルホニウムまたはヨードニウムカチオンである。
【０１１１】
例示的な酸不安定性モノマーは、これらに限定されないが、
【０１１２】
【化２７】
2019119851.tif 000028
【０１１３】
または上記の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、式中、Ｒａは、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキル、またはＣ１−６フルオロアルキルである。
【０１１４】
好適なラクトンモノマーは、下記式（ＩＸ）のモノマーであってもよい。
【０１１５】
【化２８】
2019119851.tif 000029
【０１１６】
式中、Ｒａは、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキル、またはＣ１−６フルオロアルキルであり、Ｒは、Ｃ１−１０アルキル、シクロアルキル、またはヘテロシクロアルキルであり、ｗは、０から５の整数である。式（ＩＸ）において、Ｒは、ラクトン環に直接結合しているか、またはラクトン環および／もしくは１つ以上のＲ基に共通して結合しており、エステル部分はラクトン環に直接またはＲを介して間接的に結合している。
【０１１７】
例示的なラクトン含有モノマーは、
【０１１８】
【化２９】
2019119851.tif 000030
【０１１９】
または上記モノマーの少なくとも１つを含む組み合わせを含み、式中、Ｒａは、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキル、またはＣ１−１０フルオロアルキルである。
【０１２０】
好適な塩基可溶性モノマーは、下記式（Ｘ）のモノマーであってもよい。
【０１２１】
【化３０】
2019119851.tif 000031
【０１２２】
式中、各Ｒａは、独立してＨ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−１０アルキルまたはＣ１−１０フルオロアルキルであり、Ａは、ヒドロキシル含有または非ヒドロキシル含有、エステル含有または非エステル含有、フッ素化または非フッ素化Ｃ１−２０アルキレン、Ｃ３−２０シクロアルキレン、Ｃ６−２０アリーレンまたはＣ７−２０アラルキレンであり、ｘは０から４の整数であり、ｘが０である場合、Ａはヒドロキシル含有Ｃ６−２０アリーレンである。
【０１２３】
例示的な塩基可溶性モノマーは、以下の構造：
【０１２４】
【化３１】
2019119851.tif 000032
【０１２５】
または上記の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、式中、Ｒａは、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキル、またはＣ１−６フルオロアルキルである。
【０１２６】
好ましい光酸発生モノマーは、式（ＸＩ）または（ＸＩＩ）のモノマーを含む。
【０１２７】
【化３２】
2019119851.tif 000033
【０１２８】
【化３３】
2019119851.tif 000034
【０１２９】
式中、各Ｒａは、独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキルまたはＣ１−６フルオロアルキルであり、Ａはフッ素置換Ｃ１−３０アルキレン基、フッ素置換Ｃ３−３０シクロアルキレン基、フッ素置換Ｃ６−３０アリーレン基、またはフッ素置換Ｃ７−３０アルキレン−アリーレン基であり、Ｇ＋は、スルホニウムまたはヨードニウムカチオンである。
【０１３０】
好ましくは、式（ＸＩ）および（ＸＩＩ）中、Ａは、−［（Ｃ（Ｒ１）２）ｘＣ（＝Ｏ）Ｏ］ｂ−Ｃ（（Ｒ２）２）ｙ（ＣＦ２）ｚ−基、またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−置換−Ｃ６Ｆ４−基であり、各Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６フルオロアルキル、またはＣ１−６アルキルであり、ｂは、０または１であり、ｘは、１から１０の整数であり、ｙおよびｚは、独立して、０から１０の整数であり、ｙ＋ｚの合計は、少なくとも１である。
【０１３１】
例示的な好ましい光酸発生モノマーは、
【０１３２】
【化３４】
2019119851.tif 000035
【０１３３】
または上記の少なくとも１つを含む組み合わせを含み、式中、各Ｒａは、独立して、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキル、またはＣ１−６フルオロアルキルであり、ｋは、好適には０から５の整数であり、Ｇ＋は、スルホニウムまたはヨードニウムカチオンである。
【０１３４】
好ましい光酸発生モノマーは、スルホニウムまたはヨードニウムカチオンを含み得る。好ましくは、式（ＩＶ）中、Ｇ＋は式（ＸＩＩＩ）のものである。
【０１３５】
【化３５】
2019119851.tif 000036
【０１３６】
式中、Ｘは、ＳまたはＩであり、各Ｒ０は、ハロゲン化または非ハロゲン化であり、独立して、Ｃ１−３０アルキル基；多環式もしくは単環式Ｃ３−３０シクロアルキル基；多環式もしくは単環式Ｃ４−３０アリール基；または上記の少なくとも１つを含む組み合わせであり、ＸがＳである場合、Ｒ０基の１つは、単結合によって１つの隣接するＲ０基に任意選択で結合し、ａは、２もしくは３であり、ＸがＩである場合、ａは２であり、または、ＸがＳである場合、ａは３である。
【０１３７】
例示的な酸生成モノマーは、以下の式を有するモノマーを含む。
【０１３８】
【化３６】
2019119851.tif 000037
【０１３９】
式中、Ｒａは、Ｈ、Ｆ、−ＣＮ、Ｃ１−６アルキル、またはＣ１−６フルオロアルキルである。
【０１４０】
本発明のポジ型化学増幅型フォトレジストにおいて使用するための酸不安定性脱保護基を有する特に好適なポリマーは、欧州特許出願第０８２９７６６Ａ２号（アセタールおよびケタールポリマーを有するポリマー）ならびに欧州特許出願第ＥＰ０７８３１３６Ａ２号１）スチレン；２）ヒドロキシスチレン；および３）酸不安定基、特にアルキルアクリレート酸不安定基の単位を含むターポリマーおよび他のコポリマー）において開示されている。
【０１４１】
本発明のフォトレジストおよび下層組成物において使用するためのＴｅ−ポリマーは、分子量および多分散性が広範囲に好適に変動し得る。好適なポリマーとしては、約３以下の分子量分布、より典型的には約２以下の分子量分布と共に、約５００または１，０００〜約５０，０００、より好ましくは約２，０００〜約３０，０００の重量平均Ｍｗを有するものが挙げられる。他の分子量および分子量分布のＴｅ−ポリマーもまた好適である。
【０１４２】
本発明のフォトレジストは他の物質を含んでいてもよい。例えば、他の任意選択の添加剤は、化学線および造影剤、条線防止剤、可塑剤、速度向上剤、増感剤、光分解性塩基等を含む。そのような任意選択の添加剤は、典型的には、フォトレジスト組成物中に低濃度で存在する。
【０１４３】
塩基性材料、好ましくは光分解性カチオンのカルボン酸塩またはスルホン酸塩を含むことにより、酸分解性基からの酸を中和するための機構がもたらされ、光生成酸の拡散が制限され、それによりフォトレジストのコントラストが改善される。
【０１４４】
光分解性塩基は、光分解性カチオンを含み、好ましくは、弱（ｐＫａ＞２）酸、例えばＣ１−２０カルボン酸等のアニオンと対になる酸発生化合物の調製にも有用であるものを含む。例示的なそのようなカルボン酸は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酒石酸、コハク酸、シクロヘキシルカルボン酸、安息香酸、サリチル酸および他のそのようなカルボン酸を含む。
【０１４５】
代替として、またはそれに加えて、他の添加剤は、例えば、水酸化物、カルボキシレート、アミン、イミン、およびアミドをベースとするもの等の非光分解性塩基である消光剤を含み得る。好ましくは、そのような消光剤は、Ｃ１−３０有機アミン、イミン、もしくはアミドを含むか、あるいは強塩基（例えば、水酸化物もしくはアルコキシド）または弱塩基（例えば、カルボキシレート）のＣ１−３０四級アンモニウム塩であってもよい。例示的な消光剤は、アミン、例えばトリプロピルアミン、ドデシルアミン、１，１’，１’’−ニトリロトリプロパン−２−オール、１，１’，１’’，１’’’−（エタン−１，２−ジイルビス（アザントリイル））テトラプロパン−２−オール；アリールアミン、例えばジフェニルアミン、トリフェニルアミン、アミノフェノール、および２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、トレーガー塩基、ヒンダードアミン、例えばジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）もしくはジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）、または四級アルキルアンモニウム塩、例えばテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）もしくはテトラブチルアンモニウムラクテートを含むイオン性消光剤を含む。
【０１４６】
界面活性剤は、フッ素化および非フッ素化界面活性剤を含み、好ましくは非イオン性である。例示的なフッ素化非イオン性界面活性剤は、３Ｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＦＣ−４４３０およびＦＣ−４４３２界面活性剤等のパーフルオロＣ４界面活性剤；ＯｍｎｏｖａからのＰＯＬＹＦＯＸ  ＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、およびＰＦ−６５２０フルオロ界面活性剤等のフルオロジオールを含む。
【０１４７】
フォトレジストは、フォトレジストに使用される成分を溶解、分配、およびコーティングするために一般的に好適な溶媒をさらに含む。例示的な溶剤としては、アニソール、乳酸エチル、１−メトキシ−２−プロパノールおよび１−エトキシ−２−プロパノールを含むアルコール、ｎ−ブチルアセテート、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、メトキシエトキシプロピオネート、エトキシエトキシプロピオネートを含むエステル、シクロヘキサノンおよび２−ヘプタノンを含むケトン、および前記溶剤の少なくとも１つを含む組み合わせが含まれる。
【０１４８】
そのようなフォトレジストは、固体の総重量を基準として５０〜９９重量％、具体的には５５〜９５重量％、より具体的には６０〜９０重量％、さらにより具体的には６５〜９０の量のコポリマーを含んでもよい。使用される場合、光分解性基剤は、固体の総重量を基準として０．０１〜５重量％、具体的には０．１〜４重量％、さらにより具体的には０．２〜３重量％の量でフォトレジスト中に存在してもよい。界面活性剤は、固体の総重量を基準として０．０１〜５重量％、具体的には０．１〜４重量％、さらにより具体的には０．２〜３重量％の量で含まれてもよい。消光剤は、例えば、固体の総重量を基準として０．０３〜５重量％の比較的少量で含まれてもよい。他の添加剤は、固体の総重量を基準として３０重量％以下、具体的には２０重量％以下、より具体的には１０重量％以下の量で含まれてもよい。フォトレジスト組成物の全固体含量は、固体および溶媒の総重量を基準として０．５〜５０重量％、具体的には１〜４５重量％、より具体的には２〜４０重量％、さらにより具体的には５〜３０重量％であってもよい。酸発生剤化合物は、レジストのコーティング層中に潜像を生成し得るために十分な量で存在すべきである。より具体的には、１種以上の酸発生剤化合物は、好適には、レジストの全固体の約１〜５０重量％の量で存在する。固体は、コポリマー、光分解性塩基、消光剤、界面活性剤、添加された任意のＰＡＧ、および溶媒を除くあらゆる任意選択的な添加剤を含むことが理解されるだろう。
【０１４９】
下層組成物
上述のように、本明細書に開示されるような１種以上のＴｅポリマーを含む下層コーティング組成物もまた提供される。
【０１５０】
特定の実施形態において、本発明の下層コーティング組成物はまた、Ｔｅポリマーに加えて、またはＴｅポリマーの成分として（すなわち共有結合された）架橋剤も含むこともできる。例えば、下層コーティング組成物は、Ｃｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓによって製造され、Ｃｙｍｅｌ  ３００、３０１、３０３、３５０、３７０、３８０、１１１６および１１３０の商品名で販売されているようなメラミン樹脂を含む、メラミン材料などのアミン系架橋剤、Ｃｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから入手可能である、これらのグリコールウリル（ｇｌｙｃｏｌｕｒｉｌｓ）を含むグリコールウリル、およびＣｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから、Ｃｙｍｅｌ  １１２３および１１２５の名称で入手可能なであるベンゾクアナミン樹脂などの樹脂を含むベンゾクアナミンおよび尿素系材料、およびＣｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓから、Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ  １１７４および１１９６の名称で入手可能である尿素樹脂を含むことができる。このようなアミン系樹脂は、市販されていることに加えて、例えばアクリルアミドまたはメタクリルアミドとホルムアルデヒドとのアルコール含有溶液中での反応によって、あるいはＮ−アルコキシメチルアクリルアミドまたはメタクリルアミドと他の好適なモノマーとの共重合によって調製することができる。
【０１５１】
特に反射制御用途のための、本発明のコーティング組成物は、また、オーバーコーティングされたフォトレジスト層を露光するために使用される放射線を吸収する追加の染料化合物を含有してもよい。
【０１５２】
本発明の下層コーティング組成物はまた、１種以上の熱酸発生剤および／または光酸発生剤を含む１種以上の酸発生剤化合物などの他の材料を含有し得る。下層コーティング組成物に使用するのに好適な光酸発生剤には、オーバーコーティングされたフォトレジスト組成物について本明細書に開示された光酸発生剤が含まれる。下地コーティング組成物における光酸発生剤のこのような使用についての議論については、米国特許第６，２６１，７４３号を参照されたい。
【０１５３】
液体下層コーティング組成物を作製するために、コーティング組成物の成分は、例えば、１種以上のオキシイソ酪酸エステル、特にメチル−２−ヒドロキシイソブチレート、乳酸エチル、または２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）、エチレングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテル等の１種以上のグリコールエーテル、メトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、およびエトキシプロパノール等のエーテルおよびヒドロキシ部分の両方を有する溶剤、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル、二塩基性エステル、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン等の他の溶剤、のような適切な溶剤に溶解される。
【０１５４】
溶媒中の乾燥成分（溶媒を除くすべてのコーティング組成物）の濃度は、塗布方法などのいくつかの要因次第である。一般に、下層コーティング組成物の固形分は、コーティング組成物の全重量の約０．１〜２０重量％で変動し、好ましくは、固形分はコーティング組成物の約０．１〜１０重量％で変動する。
【０１５５】
リソグラフィ処理
コーティングされた基材は、本明細書に開示されるような１種以上のＴｅ−ポリマーを含有するフォトレジストと、典型的には、レジストおよび酸発生剤化合物のコーティング層中に潜像を生成し得るために十分な量で存在すべき酸発生剤化合物とから形成することができる。そのようなコーティングされた基板は、（ａ）その表面にパターン化される１つ以上の層を有する基板と、（ｂ）パターン化される１つ以上の層の上に酸発生剤化合物を含むフォトレジスト組成物の層とを含む。ＥＵＶまたは電子ビーム像形成の場合、フォトレジストは、例えば１種以上の酸発生剤化合物がレジストの全固体の５〜１０から約６５重量％を構成する場合、比較的高い含有量の酸発生剤化合物を好適に有し得る。典型的には、より少量の光活性成分が、化学増幅型レジストに好適である。
【０１５６】
本発明のフォトレジストは、一般的に、本発明の１種以上のＴｅポリマーがフォトレジストに含まれ、ある特定の態様において、このようなフォトレジストの配合に使用される先の光活性化合物の代わりであることを除いて、既知の手順に従って調製される。本発明のフォトレジストは、既知の手順に従って使用することができる。
【０１５７】
基板は、任意の寸法および形状のものであってもよく、好ましくは、フォトリソグラフィに有用なもの、例えばシリコン、二酸化ケイ素、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、歪みシリコン、ヒ化ガリウム、窒化ケイ素でコーティングされたものを含むコーティングされた基板、オキシ窒化ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、超薄型ゲート酸化物、例えば酸化ハフニウム、チタン、タンタル、銅、アルミニウム、タングステン、それらの合金でコーティングされたものを含む金属または金属コーティング基板、およびそれらの組み合わせである。好ましくは、本明細書における基板の表面は、例えば、半導体製造のための基板上の１つ以上のゲートレベル層または他の限界寸法層を含む、パターン化される限界寸法層を含む。そのような基板は、好ましくは、例えば２０ｃｍ、３０ｃｍまたはそれ以上の直径等の寸法、またはウエハ製造生産に有用な他の寸法を有する円形ウエハとして形成されたシリコン、ＳＯＩ、歪みシリコンおよび他のそのような基板材料を含み得る。
【０１５８】
さらに、電子デバイスを形成する方法は、（ａ）基板の表面上を含むフォトレジスト組成物の層を塗布することと；（ｂ）フォトレジスト組成物層を活性化放射線にパターン状に露光することと；（ｃ）露光されたフォトレジスト組成物層を現像して、レジストレリーフ像を提供することとを含む。
【０１５９】
使用される場合、本発明の下層コーティング組成物は、スピンコーティングなどの様々な方法のいずれかによって基板にコーティング層として塗布される。一般的に、コーティング組成物は、０．００２〜０．０１μｍを含む、約０．００１〜０．５μｍの乾燥層厚で基板上に塗布される。基板は、フォトレジストを含むプロセスで使用される任意の基板であることが適切である。例えば、基板は、ケイ素、二酸化ケイ素、またはアルミニウム−酸化アルミニウムマイクロエレクトロニクスウエハであってもよい。ガリウム砒素、炭化珪素、セラミック、石英、または銅基板を使用することもできる。
【０１６０】
ＥＵＶ画像化を含む所定の態様において、下層コーティング組成物は、好適にはハードマスク層の上に塗布され得る。
【０１６１】
好ましくは、塗布された下層コーティング層は、フォトレジスト組成物が下層コーティング組成物上に塗布される前に、硬化される。硬化条件は、下層コーティング組成物の成分によって変化する。特に、硬化温度は、コーティング組成物に使用される特定の酸または酸（例えば、熱）発生剤に依存する。典型的な硬化条件は、約６０℃〜２２５℃で約０．５〜５分間である。硬化条件は、好ましくは、コーティング組成物のコーティング層を、フォトレジスト溶媒および使用される現像液に実質的に不溶性にする。
【０１６２】
このような硬化の後、フォトレジストが塗布されたコーティング組成物の表面上に塗布され得る。ボトムコーティング組成物層（複数可）の塗布と同様に、オーバーコーティングされたフォトレジストは、スピンニング、浸漬、メニスカス、またはローラーコーティングなどのいずれかの標準的な手段によって塗布することができる。塗布後、フォトレジストコーティング層は、典型的には、好ましくはレジスト層が不粘着性になるまで、加熱により乾燥されて溶剤を除去する。最適には、ボトム組成物層とオーバーコーティングされたフォトレジスト層の本質的に相互混合が起こるべきではない。
【０１６３】
次いで、レジスト層は、従来の方法でマスクを通して２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、またはＥＵＶ放射線のような活性化放射線で像形成される。露光エネルギーはレジストシステムの光活性成分を有効に活性化してレジストコーティング層にパターン化された像を生成するのに十分である。典型的には、露光エネルギーは、約３〜３００ｍＪ／ｃｍ２の範囲であり、露光ツールおよび使用される特定のレジストおよびレジスト処理に幾分依存する。露光されたレジスト層は、所望であれば露光後ベークに付されて、コーティング層の露光領域と未露光領域との間の溶解度差を作り出すか、または向上させることができる。例えば、ネガ型酸硬化性フォトレジストは、酸促進架橋反応を誘発するために典型的には露光後加熱を必要とし、多くの化学増幅ポジ型レジストは、酸促進脱保護反応を誘発するために露光後加熱を必要とする。典型的には、露光後ベーク条件は、約５０℃以上の温度、より特別には約５０℃〜約１６０℃の範囲の温度を含む。
【０１６４】
次いで、フィルムの露光部分を選択的に除去する（フォトレジストがポジ型である場合）か、またはフィルムの非露光部分を除去する（フォトレジストが露光された領域で架橋可能である、すなわちネガ型である場合）ことができる、好適な現像剤で処理することによって、露光されたフォトレジスト層の現像を達成することができる。好ましくは、フォトレジストは、酸感受性（脱保護性）基を有するポリマーをベースとするポジ型であり、現像剤は、好ましくは金属イオン不含水酸化テトラアルキルアンモニウム溶液、例えば０．２６Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液である。現像によってパターンが形成される。
【０１６５】
さらに、ポジ型レジストの場合、ネガ型現像用の好適な非極性溶媒による処理によって、非露光領域を選択的に除去することができる。ポジ型フォトレジストのネガ型現像のための好適な手順については、ＵＳ２０１１／０２９４０６９を参照されたい。ネガ型現像用の典型的な非極性溶媒は、有機現像剤、例えばケトン、エステル、炭化水素、およびそれらの混合物、例えばアセトン、２−ヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ブチル、およびテトラヒドロフランから選択される溶媒である。
【０１６６】
フォトレジストは、１つ以上のそのようなパターン形成プロセスで使用される場合、メモリデバイス、プロセッサチップ（ＣＰＵの）、グラフィックスチップ、および他のそのようなデバイス等の電子およびオプトエレクトロニクスデバイスを製造するために使用され得る。
【０１６７】
以下の非限定的な実施例は、本発明を例示するものである。
【０１６８】
実施例１−３：モノマー合成
実施例１：Ｍ１合成
モノマーＭ１の合成のための反応を以下のスキーム１に示す。テルロフェン誘導体１の合成は、Ａｈｍａｄ，Ｓｏｈａｉｌ  ｅｔ  ａｌ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，８０（８），３８８０−３８９０；２０１５、およびＡｈｍａｄ，Ｓｏｈａｉｌ  ｅｔ  ａｌ，ＲＳＣ  Ａｄｖａｎｃｅｓ，４（７），３１７１−３１８０；２０１４に記載されている。２，２’−（テルロフェン−２，５−ジイル）ビス（プロパン−２−オール）（化合物１、１５．０ｇ、５０．７ｍｍｏｌ）の塩化メチレン１５０ｍＬ溶液を、反応フラスコに充填する。溶液を０℃に冷却する。塩化メタクリロイル（３．５３ｇ、３３．８ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（３．５４ｇ、３５．０ｍｍｏｌ）を、反応フラスコに添加し、混合物を室温で１６時間撹拌する。有機相を水（３×１００ｍＬ）で洗浄し、溶媒を減圧下で完全に除去する。粗物質を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製する。生成物を含有する溶媒画分を回収し、溶媒を減圧下で完全に除去してモノマーＭ１を生成する。
【０１６９】
【化３７】
2019119851.tif 000038
【０１７０】
実施例２：Ｍ２合成
モノマー化合物Ｍ２の合成のための反応工程を以下のスキーム２に示す。ビス（４−ヒドロキシフェニル）テルル化物（２）の合成は、Ｓ．Ｚｈａｎｇ  ｅｔ  ａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，５４（２０），２４５２−２４５４；２０１３に記載されている。１−エチルシクロペンチルブロモアセテート（３）の合成は、ＵＳ２０１４／００８００６２（Ｔｈａｃｋｅｒａｙ，Ｊａｍｅｓ  Ｗ．ｅｔ  ａｌ）に記載されている。クロロ酢酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル（６．０ｇ、３１．５０ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム４．４０ｇを、化合物２（１０．０ｇ、３１．８０ｍｍｏｌ）のＮ−ジメチルホルムアミド７５ｍＬ溶液に添加する。混合物を、不活性雰囲気下８０℃で６時間撹拌し、室温に冷却し、水１５０ｍＬに注いで、所望の生成物４および他の有機成分の混合物を含む残渣を生成する。生成物４を、カラムクロマトグラフィーによって他の成分から分離する。次のステップにおいて、化合物４（１０．０ｇ、２１．３６ｍｍｏｌ）の塩化メチレン５０ｍＬ溶液を、反応フラスコに充填する。溶液を０℃に冷却する。塩化メタクリロイル（２．２３ｇ、２１．３６ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（２．５ｇ、２４．７ｍｍｏｌ）を、反応フラスコに添加し、混合物を室温で１６時間撹拌する。有機相を水（３×７５ｍＬ）で洗浄し、溶媒を減圧下で完全に除去する。粗物質を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製する。生成物を含有する溶媒画分を回収し、溶媒を減圧下で完全に除去してモノマーＭ２を生成する。
【０１７１】
【化３８】
2019119851.tif 000039
【０１７２】
実施例３：Ｍ３合成
モノマー化合物Ｍ３の合成のための反応工程を以下のスキーム３に示す。化合物２（１０．０ｇ、３１．８６ｍｍｏｌ）の塩化メチレン５０ｍＬ溶液を、反応フラスコに充填する。溶液を０℃に冷却した。塩化メタクリロイル（３．３２ｇ、３１．８６ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（２．５ｇ、２４．７ｍｍｏｌ）を、反応フラスコに添加し、混合物を室温で１６時間撹拌する。有機相を水（３×７５ｍＬ）で洗浄し、溶媒を減圧下で完全に除去する。粗物質を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによって精製する。生成物を含有する溶媒画分を回収し、溶媒を減圧下で完全に除去してモノマーＭ３を生成する。
【０１７３】
【化３９】
2019119851.tif 000040
【０１７４】
実施例４：ポリマー合成
この実施例は、本発明の合成および比較コポリマーの合成を説明する。各ポリマーの合成に使用されるモノマーのモル比を、以下の表１に記載する。モノマーの構造を以下のスキーム４に示す。以下の手順を、ポリマー１（Ｐ１）の合成のために使用する。プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）４８ｇ中の、モノマーＭＡＭＡ（１０．１６ｇ、０．０５８ｍｏｌ）、モノマーａＧＢＬＭＡ（８．３１ｇ、０．０６６ｍｏｌ）％、およびモノマーＨＡＭＡ（５．１７ｇ、０．０２２ｍｏｌ）の混合物、ならびに開始剤アゾ開始剤ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（２．５ｇ）を、窒素雰囲気下で８時間加熱する。反応物を室温に冷却し、メタノールに注いで、ポリマーＰ１を生成し、これを濾過し、乾燥させる。
【０１７５】
以下の表１に記載される追加のポリマー（Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５）を、表１に特定されるようなモノマー種類およびモル供給比を用いることを除いて、コポリマー１（Ｐ１）を作製するために使用される同様の手順を用いて調製する。
【０１７６】
【化４０】
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【０１７７】
【表１】
2019119851.tif 000042
【０１７８】
実施例５：フォトレジスト組成物の調製
ＰＴＤ（ポジ型現像）用途のためのフォトレジスト調製の一般的手順。ポリマー溶液（上記実施例４に記載されたＰ２、Ｐ３、Ｐ４またはＰ５などの１５％のポリマーのＰＧＭＥＡ溶液）３８．８５ｇ、トリフェニルスルホニウムトリフラート（ＴＰＳ  Ｔｆ）（２％メチル−２−ヒドロキシイソブチラート溶液）３１．０４ｇ、ｔｅｒｔ−ブチル（１，３−ジヒドロキシ−２−（ヒドロキシメチル）プロパ−２−イル）カルバメート溶液（１％メチル−２−ヒドロキシイソブチラート溶液）５．０３ｇを混合し、ナイロンフィルターで濾過して、フォトレジスト組成物を生成する。
【０１７９】
実施例６：下層組成物
上記実施例４に記載されたポリマーＰ１を０．１４ｇ、架橋剤としてテトラメトキシメチルグリコールウリル０．０１２ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸２，４，６−トリメチルピリジニウム塩０．００２ｇを、メチル−２−ヒドロキシイソブチラート溶媒８２ｇに溶解して、流体の下層コーティング組成物を得る。調製された流体の組成物を、ＰＴＦＥ分子量ポリエチレン膜フィルターを通して濾過する。濾過された下層コーティング組成物を、次にａを使用して１５００ｒｐｍでシリコンウエハ上にスピンコーティングし、このようにコーティングされたウエハを、ホットプレート上で２０５℃で１分間加熱する。
【０１８０】
実施例７：リソグラフィ処理
実施例５で調製されたフォトレジスト組成物を、３００ｍｍシリコンウエハ上に硬化した有機コーティング上にスピンコーティングし、続いて１００℃で６０秒間ソフトベークする。レジストコーティング層を、マスクを介してパターン化されたＥＵＶ放射に露光する。露光されたウエハを、１００℃で６０秒間ベークし、レジスト層を、２．３８％テトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）中で現像して、レリーフ像を形成する。
【０１８１】
実施例８：さらなるリソグラフィ処理
実施例５で調製されたフォトレジスト組成物を、実施例６で調製されたベーキングされたコーティング層上にスピンコーティングし、続いて１００℃で６０秒間ソフトベークする。レジストコーティング層を、マスクを介してパターン化されたＥＵＶ放射に露光する。露光されたウエハを、１００℃で６０秒間ベークし、レジスト層を、２．３８％テトラメチル水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）中で現像して、レリーフ像を形成する。
【０１８２】
実施例９：ＥＵＶ透過率の計算
以下の表２は、それぞれがポリマー、および２０重量％のトリフェニルスルホニウムトリフラート（ＴＰＳ  Ｔｆ）光酸発生剤を含む、比較の組成物および本発明の組成物の構成を示す。本発明の組成物Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４およびＣ５は、それぞれ本発明のポリマーＰ２、Ｐ３、Ｐ４およびＰ５を含む。実施例組成物から作製されたフィルムのＥＵＶ露光（１３．５ｎｍ）での透過率を、計算された組成物の分子式を入力し、１．２０ｇ／ｃｍ３のフィルム密度および６０ｎｍのフィルム厚さを仮定することによって、ローレンス・バークレー国立研究所のＸ線光学センターのウェブサイトから計算した。表２から分かるように、本発明の実施例を構成する配合物については、より低い透過率が得られる。これらのデータは、テルル含有ポリマーのＰＡＧ吸収において有意な増加を確認する。
【０１８３】
【表２】
2019119851.tif 000043
【外国語明細書】
2019119851000001.pdf