(57)【要約】【課題】搬送レーンの位置を調整する時間および手間を低減して、生産性を向上させる。【解決手段】複数の基板を、前記基板の搬送方向である第１方向と交差する第２方向に沿って並べて載置し得る基板載置部、および、前記第１方向に延在し、複数の前記基板の位置を決める複数のガイド部材を備える処理室と、前記処理室の外部に配置されており、前記基板を支持する支持部材を備えるとともに、前記第１方向に延在する複数の搬送レーンと、前記支持部材で支持された前記基板を前記搬送レーンに沿って移動させる搬送機構と、を備え、複数の前記ガイド部材および複数の前記搬送レーンが、前記第２方向に沿って並べて配置されており、少なくとも１つの前記ガイド部材が、前記第２方向に沿って可動であり、さらに、複数の前記ガイド部材のピッチＰ１に対応するように、複数の前記搬送レーンのピッチＰ２を、一括して変更する一括変更手段を備える、基板処理装置。【選択図】図３
2019062101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を、前記基板の搬送方向である第１方向と交差する第２方向に沿って並べて載置し得る基板載置部、および、前記第１方向に延在し、複数の前記基板の前記基板載置部上での位置を決める複数のガイド部材を備える処理室と、
前記処理室の外部に配置されており、前記基板を支持する支持部材を備えるとともに、前記基板載置部への前記基板の搬入および前記基板載置部からの前記基板の搬出の少なくとも一方に用いられ、前記第１方向に延在する複数の搬送レーンと、
前記支持部材で支持された前記基板を、前記搬送レーンに沿って移動させる搬送機構と、を備え、
複数の前記ガイド部材および複数の前記搬送レーンが、前記第２方向に沿って並べて配置されており、
少なくとも１つの前記ガイド部材が、前記第２方向に沿って可動であり、
さらに、複数の前記ガイド部材のピッチＰ１に対応するように、複数の前記搬送レーンのピッチＰ２を、一括して変更する一括変更手段を備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記支持部材が、前記基板の両端部を支持する一対のガイドレールであり、
前記一括変更手段が、前記一対のガイドレール間の距離を一括して変更する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記一括変更手段が、前記複数の搬送レーンの前記支持部材同士を連結する、パンタグラフ型の治具である、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理室内で処理する基板処理装置に関し、基板を処理室内に搬送する搬送レーンを備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の製造工程において、基板のクリーニング、エッチング、成膜、熱処理、露光等のために、プラズマ処理装置、薄膜形成装置（例えば、ＣＶＤ装置、スパッタ装置）などの基板処理装置が用いられる場合がある。例えば、プラズマ処理装置は、一般に、処理室と処理室内に設置された基板載置部とを備える。基板を基板載置部に載置した後、処理室内を密閉し、減圧下でプロセスガスを供給するとともに、基板載置部に高周波電力を印加する。これにより、処理室内にプラズマが発生し、基板はプラズマ処理される。
【０００３】
プラズマ処理の際、複数の基板が処理室内に収容され、同時に処理される場合がある。このとき、複数の基板を均等に処理するために、それぞれの基板を、基板載置部上の所定の位置に位置決めすることが必要である。基板の位置決めには、例えば、基板の両端部を支持する一対のガイド部材が用いられる。しかし、処理される基板の大きさは、用途等によって様々である。そこで、特許文献１は、上記のようなガイド部材を用いる場合、一対のガイド部材の一方を着脱式にして、当該ガイド部材のピッチを調整自在にすることを教示している。これにより、種々の大きさの基板を、処理室内の所定の位置に容易に位置決めすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２２８７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、プラズマ処理装置は、基板を処理室外から処理室内に搬送するための搬送レーンを備える場合がある。上記のように、複数の基板を同時にプラズマ処理する場合、搬送レーンは、ガイド部材に対応するように、複数が並べて設置される。各搬送レーンで搬送された基板は、処理室内のガイド部材に受け渡されて、基板載置部に載置される。
【０００６】
この場合、処理される基板の大きさが変わると、処理室内のガイド部材のピッチおよび搬送レーンのピッチの双方を変更する必要が生じる。そのため、位置調整作業に時間と手間がかかり、生産性が低下し易い。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面は、複数の基板を、前記基板の搬送方向である第１方向と交差する第２方向に沿って並べて載置し得る基板載置部、および、前記第１方向に延在し、複数の前記基板の前記基板載置部上での位置を決める複数のガイド部材を備える処理室と、前記処理室の外部に配置されており、前記基板を支持する支持部材を備えるとともに、前記基板載置部への前記基板の搬入および前記基板載置部からの前記基板の搬出の少なくとも一方に用いられ、前記第１方向に延在する複数の搬送レーンと、前記支持部材で支持された前記基板を、前記搬送レーンに沿って移動させる搬送機構と、を備え、複数の前記ガイド部材および複数の前記搬送レーンが、前記第２方向に沿って並べて配置されており、少なくとも１つの前記ガイド部材が、前記第２方向に沿って可動であり、さらに、複数の前記ガイド部材のピッチＰ１に対応するように、複数の前記搬送レーンのピッチＰ２を、一括して変更する一括変更手段を備える、基板処理装置に関する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、搬送レーンのピッチを一括して変更できる。よって、搬送レーンの位置を調整する時間および手間が低減されて、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の外観を模式的に示す斜視図である。
【図２】同基板処理装置の内部を模式的に示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る一括変更手段の外観を模式的に示す斜視図である。
【図４Ａ】一括変更手段の使用方法を説明するための基板処理装置の上面図である。
【図４Ｂ】一括変更手段の他の使用方法を説明するための基板処理装置の上面図である。
【図５】密閉空間が形成された状態の同基板処理装置を、図１のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の基板処理装置は、基板載置部および複数のガイド部材を備える処理室と、処理室の外部に配置されており、基板を支持する支持部材を備える搬送レーンと、支持部材で支持された基板を、搬送レーンに沿って移動させる搬送機構と、複数のガイド部材のピッチＰ１に対応するように、複数の搬送レーンのピッチＰ２を、一括して変更する一括変更手段と、を備える。
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について、プラズマ処理を行う基板処置装（以下、プラズマ処理装置と称す）を例に挙げてより詳細に説明する。しかし、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、これらの実施形態の変形および改変を含むことができる。図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の外観を模式的に示す斜視図である。図２は、同プラズマ処理装置の内部を模式的に示す斜視図である。図３は、本実施形態に係る一括変更手段の外観を模式的に示す斜視図である。
【００１２】
プラズマ処理装置１００は、処理室１３０と、基板３００を処理室１３０の外部から内部に搬送する複数の搬送レーン１４０と、を備える。
処理室１３０は、天井部および天井部の周囲から延出する側壁を有する箱型の蓋１２０と、基板載置部１１２および基板載置部１１２を支持する基体１１１（図５参照）を有するベース１１０と、を備えている。蓋１２０の側壁の端面とベース１１０の周縁とが密着することにより、密閉空間Ｓが形成される。
【００１３】
ベース１１０には、基板３００の基板載置部１１２上における位置を決める複数のガイド部材（以下、内部ガイド１１８）が配置されている。内部ガイド１１８は、基板載置部１１２上に配置されており、基板載置部１１２の上方を複数の領域に区画している。これにより、複数の基板３００は、処理室１３０内の所定位置に配置される。図２では、６本の内部ガイド１１８によって、基板載置部１１２の上方は３つの領域に区画されている。基板３００は、その両端部が一対の内部ガイド１１８によって挟まれることによって、位置決めされる。そのため、この場合、３枚の基板が同時にプラズマ処理され得る。また、基板３００は、一対の内部ガイド１１８にガイドされながら、基板載置部１１２上を移動する。
【００１４】
複数の内部ガイド１１８は、その長手方向Ｌ１が基板３００の搬送方向（以下、第１方向Ｄと称す。）に沿うように、第１方向Ｄと交差する方向（例えば、垂直な方向。以下、第２方向と称す。）に沿って配置されている。内部ガイド１１８は長尺体であるが、その長さは特に限定されない。内部ガイド１１８の長さは、第１方向Ｄに沿う方向の長さと同じであってもよいし、これより短くてもよい。一対の内部ガイド１１８の互いに対向する側面のそれぞれには、ガイド面が形成されている。基板３００の両端部は、一対の内部ガイド１１８のガイド面によって位置決めされる。
【００１５】
複数の内部ガイド１１８のピッチＰ１は、基板３００の幅（第２方向に沿った長さ）に応じて変更可能である。これにより、基板３００の幅が変更された場合にも、基板３００は、内部ガイド１１８によって位置決めされる。ピッチＰ１は、基板載置部１１２の主面の法線方向から内部ガイド１１８をみたとき、一対の内部ガイド１１８間の中心線と、これに隣接する一対の内部ガイド１１８間の中心線との最短距離である（図４Ａ参照）。
【００１６】
搬送レーン１４０は、処理室１３０の外部であって、その長手方向Ｌ２が内部ガイドの長手方向Ｌ１に沿うように、第２方向に沿って複数、配置される。搬送レーン１４０は、内部ガイド１１８に対応する位置に配置される。これにより、搬送レーン１４０に沿って処理室１３０内に移動した基板３００は、容易に一対の内部ガイド１１８間に収められて、基板載置部１１２の所定の位置に載置される。同様に、処理室１３０内の基板３００は、容易に内部ガイド１１８から搬送レーン１４０に受け渡されて、処理室１３０から搬出される。これらの動作は、複数の基板３００に対して同時に実行され得る。
【００１７】
搬送レーン１４０は、基板３００を支持する支持部材１４１を備える。基板３００は、支持部材１４１で支持されながら、図示しない搬送機構によって支持部材１４１に沿って摺動する。搬送機構は、例えば、ベース１１０に隣接して配置されており、搬送レーン１４０の長手方向Ｌ２に可動なエンドエフェクタを備えている。搬入工程において、エンドエフェクタは、支持部材１４１で支持されている基板３００の処理室１３０とは反対の端面を処理室１３０側に押して、基板３００を基板載置部１１２に載置する。搬出工程において、エンドエフェクタは、基板載置部１１２に載置された基板３００の同じ端面を押して、搬入側とは反対側に配置されている搬送レーン１４０に基板３００を移動させる。
【００１８】
支持部材１４１は、基板３００の両端部を支持する一対のガイドレール（１４１ａおよび１４１ｂ。以下、まとめて、外部ガイドレール１４１と称す場合がある。）である。一対のガイドレール１４１ａおよび１４１ｂの互いに対向する側面のそれぞれには、溝が形成されている。基板３００は、その両端部が外部ガイドレール１４１の当該溝に嵌め込まれることにより、支持される。ガイドレール１４１ａと、これに隣接する搬送レーン１４０を構成するガイドレール１４１ｂとは、一体化されていてもよい。
【００１９】
外部ガイドレール１４１の形状はこれに限定されない。例えば、外部ガイドレール１４１は溝を有さないシンプルな棒状であってもよいし、ガイドレール１４１ａおよび１４１ｂは、それぞれＬ字型の断面を有していてもよい。この場合、基板３００はＬ字の水平面で支持される。また、支持部材１４１は平板状であってもよい。この場合、支持部材１４１は、基板３００の一方の主面を支持する。なかでも、搬送レーン１４０のピッチＰ２を変更する場合にも、基板３００を安定して支持できる点で、支持部材１４１は、基板３００の両端部を支持する一対のガイドレールであることが好ましい。
【００２０】
また、内部ガイド１１８の形状も上記に限定されず、外部ガイドレール１４１と同様のバリエーションを有する。また、内部ガイド１１８は、基板載置部１１２を囲むように配置される枠状のレール保持体（図示せず）に一体に保持されていてもよい。この場合、レール保持体は、蓋１２０の昇降に連動して、蓋１２０とベース１１０との間で、基板載置部１１２に対して昇降可能となるような昇降機構を備えていてもよい。
【００２１】
プラズマ処理装置１００は、複数の搬送レーン１４０のピッチＰ２を、内部ガイド１１８のピッチＰ１に対応するように、一括して変更する一括変更手段１５０を備える。これにより、搬送レーン１４０の位置調整にかかる時間や手間が少なくなる。図示例では、ピッチＰ２がピッチＰ１と同じになるように、外部ガイドレール１４１を移動させている。
【００２２】
一括変更手段１５０は、例えば、図３に示すような、複数の搬送レーン１４０の支持部材１４１同士を連結する、パンタグラフ型の治具（以下、パンタグラフ型治具１５０と称す。）である。
【００２３】
パンタグラフとは、隣接する菱形Ｒが１つの頂点を共有しながら、一方向に連結した形状である。パンタグラフ型治具１５０は、例えば、菱形Ｒの約２辺分の長さの２本の棒状体を中心で交差させ、回転可能にビス止めしてクロス部材を得た後、複数のクロス部材の端部同士を回転可能に連結することにより得られる。パンタグラフ型治具１５０の一方の端部には、菱形Ｒの１つの頂点を共有する２辺がそれぞれ延長された２本の延出部１５１が延出している。２本の延出部１５１は、交差している。この２本の延出部１５１の成す角度θを変えるように２本の延出部１５１を動かすと、パンタグラフ型治具１５０の複数の菱形Ｒは、いずれも同じように変形（伸縮）する。例えば、角度θを小さくすると、複数の菱形Ｒは、パンタグラフ型治具１５０の長手方向に伸長し、角度θを大きくすると、複数の菱形Ｒは、パンタグラフ型治具１５０の長手方向に縮小する。パンタグラフ型治具１５０は長尺体であるが、その長手方向の最大の長さは、菱形Ｒの大きさと数により規定される。そのため、パンタグラフ型治具１５０は、所定の範囲内で長手方向に伸縮される。
【００２４】
本実施形態では、このような菱形Ｒの伸縮を利用して、複数の搬送レーン１４０のピッチＰ２を一括して変更する。このとき、パンタグラフ型治具１５０は、搬送レーン１４０の支持部材１４１に装着して用いられる。
【００２５】
この場合、ガイドレール１４１ａと、これに隣接する搬送レーンを構成するガイドレール１４１ｂとを一体化して、１つの外部ガイドレール１４１にする。さらに、一方の最端部にある外部ガイドレール１４１を固定し（以下、固定ガイドレール１４１Ｆと称す。）、他の外部ガイドレール１４１は可動にする（以下、可動ガイドレール１４１Ｍと称す。）ことが好ましい。このとき、ガイドレール１４１ａとこれに隣接する搬送レーン１４０を構成するガイドレール１４１ｂとが一体化された外部ガイドレール１４１は、可動ガイドレール１４１Ｍに該当する。固定ガイドレール１４１Ｆを基点として、可動ガイドレール１４１Ｍを移動させることにより、複数の内部ガイド１１８との位置合わせが容易となる。
【００２６】
また、この場合、２本の可動ガイドレール１４１Ｍが搬送レーン１４０として機能し得る。そのため、処理室１３０の外部における、基板載置部１１２の基板３００を載置する領域に対応する領域（載置領域Ａ１。図４参照）において、基板３００の搬送に使用されないデッドスペースが減少する。外部ガイドレール１４１の配置と内部ガイド１１８の配置とは対応するため、処理室１３０の外部の上記デッドスペースが減少すると、処理室１３０内部（すなわち、基板載置部１１２）のデッドスペースも減少する。よって、基板載置部１１２に効率的に基板３００を配置して処理することが可能になって、生産性がさらに向上する。
【００２７】
パンタグラフ型治具１５０は、常時、装着されていてもよい。パンタグラフ型治具１５０は処理室１３０の外部に配置されるため、装着されたままであっても、基板３００の処理には何ら問題は生じない。ただし、パンタグラフ型治具１５０は、着脱可能であってもよい。
【００２８】
パンタグラフ型治具１５０と各搬送レーン１４０の複数の支持部材１４１とは、上記ビス止めされた棒状体の各中心（以下、支点Ｆと称す）で、例えばビスによって、それぞれ連結される。このとき、１本の支持部材１４１には、１つの支点Ｆで、パンタグラフ型治具１５０を連結させる。ただし、パンタグラフ型治具１５０と支持部材１４１との連結に使用されない支点Ｆがあってもよい。いずれの支点Ｆで連結させるかは、基板３００の幅（第１方向に垂直な方向の長さ）と菱形Ｒの長さ（第１方向に垂直な方向の対角線の長さ）等を考慮して、適宜設定すればよい。例えば、菱形Ｒの最大の長さよりも基板３００の幅が十分に大きい場合、支点Ｆを１つおき（あるいは複数おき）に使用して、パンタグラフ型治具１５０と支持部材１４１とを連結させてもよい。
【００２９】
以下、支持部材１４１が、基板３００の両端部を支持する一対のガイドレールである場合を例に挙げ、搬送レーン１４０のピッチＰ２がパンタグラフ型治具１５０により一括変更される様子を、図４Ａおよび図４Ｂを参照しながら説明する。図４Ａおよび図４Ｂは、パンタグラフ型治具１５０（一括変更手段）の使用方法を説明するためのプラズマ処理装置１００の上面図である。なお、図４Ａおよび図４Ｂでは、便宜上、蓋１２０を省略し、かつ、基板３００にハッチングを付して示している。また、図４Ａおよび図４Ｂにおいて、複数の内部ガイド１１８のピッチＰ１は、すでに基板３００の幅に対応するように変更されている。
【００３０】
図４Ａのように、処理室１３０内に３枚の基板３００Ａが収容される場合、延出部１５１を動かして、搬送レーン１４０のピッチＰ２が内部ガイド１１８のピッチＰ１に対応し、かつ、ガイドレール１４１と内部ガイド１１８との配置が対応するように、菱形Ｒの形状を調整する。パンタグラフ型治具１５０とガイドレール１４１とは支点Ｆで連結されている。そのため、菱形Ｒの変形に対応して、可動ガイドレール（可動ガイドレール）１４１Ｍは、固定ガイドレール（固定ガイドレール）１４１Ｆを基点として、第１方向Ｄと交差する方向に移動する。これにより、一対のガイドレール間（１４１ａおよび１４１ｂ）の距離Ｄが一括して変更される。言い換えれば、すべての搬送レーン１４０のピッチＰ２が一括して変更される。距離Ｄは、ガイドレール１４１に支持される基板３００の主面の法線方向から搬送レーン１４０をみたとき、一対のガイドレール１４１ａおよび１４１ｂ間の最短距離として求められる。ピッチＰ２は、ガイドレール１４１に支持される基板３００の主面の法線方向から搬送レーン１４０をみたとき、一対のガイドレール１４１ａおよび１４１ｂ間の中心線と、これに隣接する一対のガイドレール１４１ａおよび１４１ｂ間の中心線との最短距離として求められる。
【００３１】
また、図４Ｂのように、処理室１３０内に幅の広い２枚の基板３００Ｂが収容される場合、搬送レーン１４０のピッチＰ２を広くする必要がある。そこで、図４Ａの場合よりも角度θが小さくなるように、延出部１５１を動かす。このとき、不要となるいくつかの可動ガイドレール１４１Ｍは、載置領域Ａ１を超えて、載置領域Ａ１以外の領域（退避領域Ａ２）に配置される。
このように、一括変更手段１５０を用いることにより、複数の搬送レーン１４０のピッチＰ２を、一括して変更することができる。
【００３２】
なお、内部ガイド１１８も、ピッチＰ１を一括して変更することのできる手段（内部一括変更手段）を備えていてもよい。内部一括変更手段としては、上記の搬送レーン１４０のピッチＰ２を一括して変更する一括変更手段と同様のもの（例えば、パンタグラフ型治具）が挙げられる。パンタグラフ型治具により、一対の内部ガイド１１８間のピッチＰ１を一括して変更する場合、内部ガイド１１８の構成を、外部ガイドレール１４１と同じようにすることが好ましい。なお、この場合、基板３００の処理精度の観点から、パンタグラフ型治具は着脱式であることが好ましい。
【００３３】
以下、図５を参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置１００について、具体的に説明する。図５は、密閉空間Ｓが形成された状態のプラズマ処理装置１００を、図１のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【００３４】
プラズマ処理装置１００は、ベース１１０および蓋１２０で構成される処理室１３０を備える。蓋１２０は、天井部および天井部の周囲から延出する側壁を有する箱型であり、蓋１２０の側壁の端面とベース１１０の基体１１１の周縁とが密着することにより、内部に箱型の密閉空間Ｓが形成される。
【００３５】
ベース１１０は、蓋１２０と対向する面に基板載置部１１２を備えている。基板載置部１１２は、基体１１１に支持される。基板載置部１１２は電源部４００と接続している一方、基体１１１とは絶縁している。プロセスガスの存在下で、電源部４００から基板載置部１１２に高周波電力を印加することにより、密閉空間Ｓ内にプラズマが発生する。蓋１２０は、基板載置部１１２の対極としての機能を有している。電源部４００は、例えば高周波電源４０１と、自動整合器４０２とで構成されている。自動整合器４０２は、基板載置部１１２と高周波電源４０１との間に流れる高周波の行進波と反射波との干渉を防止する作用を有する。
【００３６】
密閉空間Ｓ内は、密閉空間Ｓと連通する排気口１１７（図２参照）を介して、減圧雰囲気に維持可能である。排気口１１７は、図示しない真空吸引手段と連通している。真空吸引手段は、真空ポンプ、排気配管、圧力調整バルブなどで構成されている。基体１１１の周縁と蓋１２０の側壁の端面との間にはシール部材１１６が設けられ、密閉空間Ｓ内の密閉性が高められる。なお、図示しないが、プラズマ処理装置１００は、プラズマ原料となるプロセスガスを密閉空間Ｓ内に導入するためのガス供給手段を具備する。ガス供給手段は、アルゴン、酸素、窒素などのプロセスガスを供給するガスボンベ、密閉空間Ｓ内にプロセスガスを導入する配管などで構成されている。
【００３７】
基板３００の処理室１３０内への搬入時および処理室１３０の外への搬出時には、蓋１２０を上昇させて、ベース１１０から離間させる。一方、基板３００をプラズマ処理する際には、図５に示すように、蓋１２０を下降させて、蓋１２０の側壁の端面と基体１１１の周縁とを密着させる。蓋１２０の昇降は、図示しない所定の駆動源によって制御される。
【００３８】
基板載置部１１２は、第１絶縁部材１１４を介して、基体１１１に支持されている。基板載置部１１２は、プラズマ処理の際に基板３００に面する上部電極体１１２ａと、第１絶縁部材１１４を介して基体１１１に面する下部電極体１１２ｂとで構成されている。上部電極体１１２ａおよび下部電極体１１２ｂは、いずれも導電性材料（導体）で形成されている。基板載置部１１２の外縁部には、上部電極体１１２ａと下部電極体１１２ｂとの間に挟持されるように、枠状の第２絶縁部材１１５が装着されている。
【００３９】
基板載置部１１２上には、複数の内部ガイド１１８が配置されている。内部ガイド１１８は、処理室１３０内で基板３００を位置決めする。また、基板３００が処理室１３０に対して搬出入される際、基板３００は、内部ガイド１１８にガイドされながら基板載置部１１２上を移動する。
【００４０】
以下、プラズマ処理装置１００を用いて、基板３００をクリーニングする方法について説明する。  
まず、複数の内部ガイド１１８のピッチＰ１および配置に対応するように、複数の搬送レーン１４０のピッチＰ２および配置を調整する。搬送レーン１４０のピッチＰ２および配置は、例えば、パンタグラフ型治具１５０を用いて、一括して変更されることにより調整される。
【００４１】
続いて、複数の基板３００を、各搬送レーン１４０の支持部材１４１で支持させる。この基板３００の端面を、処理室１３０の方向に搬送機構のエンドエフェクタで押す。このとき、処理室１３０は開放された状態であり、処理室１３０内に進入した基板３００は、搬送レーン１４０から、一対の内部ガイド１１８間に収められる。基板３００は、内部ガイド１１８にガイドされながら、基板載置部１１２と対向する位置まで搬送され、基板載置部１１２に載置される。
【００４２】
次に、蓋１２０を下降させて処理室１３０を密閉し、密閉空間Ｓを形成する。その後、密閉空間Ｓ内の空気を吸引手段を用いて排気し、所定の減圧状態に至った時点で、例えばベース１１０の内部に装着されたガス供給手段から密閉空間Ｓ内にアルゴンなどのプロセスガスが導入される。密閉空間Ｓ内が所定の圧力に達した時点で、電源部４００により、基板載置部１１２と蓋１２０との間に、高周波電力が印加される。これにより、密閉空間Ｓ内のプロセスガスがプラズマ化される。その結果、基板３００の表面は、プラズマに暴露され、基板３００の表面が洗浄される。
【００４３】
プラズマによる基板３００の洗浄が終了すると、密閉空間Ｓ内が大気に開放され、減圧状態が解除される。次に、蓋１２０を上昇させて、内部ガイド１１８と搬送レーン１４０とを連結される。次いで、内部ガイド１１８にガイドされている基板３００の端面をエンドエフェクタで押して、搬入側とは反対側に配置されている搬送レーン１４０に基板３００を移動させて、処理室１３０の外に搬出する。
【００４４】
なお、上記実施形態では、プラズマ処理装置１００を用いて基板３００をプラズマによりクリーニングする場合を説明したが、基板３００に対して他の加工（例えば、エッチング、成膜、熱処理、露光等）あるいは検査、評価等を行う場合にも、上記方法に準じて行われる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明に係る基板処理装置は、複数の搬送レーンにより、複数の基板を処理室内に搬送する場合に適している。
【符号の説明】
【００４６】
１００：プラズマ処理装置（基板処理装置）
１１０：ベース
１１１：基体
１１２：基板載置部
１１２ａ：上部電極体
１１２ｂ：下部電極体
１１４：第１絶縁部材
１１５：第２絶縁部材
１１６：シール部材
１１７：排気口
１１８：ガイド部材（内部ガイド）
１２０：蓋
１３０：処理室
１４０：外部レール
１４１：支持部材（外部ガイドレール）
１４１ａ、１４１ｂ：ガイドレール
１４１Ｆ：固定ガイドレール
１４１Ｍ：可動ガイドレール
１５０：一括変更手段（パンタグラフ型治具）
３００：基板
４００：電源部
４０１：高周波電源
４０２：自動整合器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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