(57)【要約】      （修正有）【課題】真空吸着保持した際の基板の基体との接触面積の低減を図りながら、基板の平面度の向上させる基板保持部材および基板保持方法を提供する。【解決手段】基板Ｗが基体１に載置され、基板が複数の凸部１１のうち少なくとも一部により支持される。この状態で基板Ｗの裏面および基体の主面１０２により挟まれた空間から空気が第１開口部２１２を通じて第１流路２１に排出されることにより当該空間が減圧される。基板が当該減圧に由来する引力により、全体的に基体の主面に向かうように引き寄せられて、複数の凸部１１により支持される。基板が第２開口部２２２に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間に対しては、第２開口部を通じて第２流路２２から空気が導入されることにより、基板に基体の主面に向かう引力またはベルヌーイ力が作用する。【選択図】図４
2019062044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する板状の基体と、
前記基体の内部に設けられた１つ以上の第１流路と、
前記１つ以上の第１流路が前記主面に開口してなる複数の第１開口部と、
前記主面に立設されて基板を支持するための複数の凸部と、を備える基板保持部材であって、
前記基体の内部に設けられた１つ以上の第２流路と、
前記１つ以上の第２流路が前記主面に開口してなる複数の第２開口部と、を有し、
前記複数の凸部のうち少なくとも一部により支持される前記基板と前記主面との間の空間に存在する気体が前記第１開口部を経て前記第１流路に排出されたことに応じて、前記第２開口部を経て前記第２流路から前記空間に気体が導入されるように構成されていることを特徴とする基板保持部材。
【請求項２】
前記複数の第１開口部、前記複数の第２開口部および前記複数の凸部のそれぞれが、前記主面に規則的に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持部材。
【請求項３】
前記主面は、１つ以上の前記第１開口部、１つ以上の前記第２開口部、および１つ以上の前記凸部が所定の位置関係で配置された単位領域を有し、規則的に配置された複数の前記単位領域により前記主面の少なくとも一部が構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板保持部材。
【請求項４】
前記第１開口部と前記第２開口部との間の前記主面に前記凸部よりも低い高さで立設された凸状壁を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項５】
前記凸状壁は、前記第２開口部の周囲を囲うように設けられた環状壁であることを特徴とする請求項４に記載の基板保持部材。
【請求項６】
前記凸部の上端面と、前記上端面の次に低い面としての前記主面との間の高さの差が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項７】
前記凸部の上端面と、前記上端面の次に低い面としての前記凸状壁の上端面との間の高さの差が０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項４または５に記載の基板保持部材。
【請求項８】
前記第２流路は、大気に通じている、又は該第２流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の基板保持部材。
【請求項９】
主面を有する板状の基体と、
前記基体の内部に設けられた複数の流路と、
前記複数の流路のそれぞれが前記主面に開口してなる複数の開口部と、
前記主面に立設されて基板を支持するための複数の凸部と、を備える基板保持部材を用いて、基板を保持する方法であって、
前記基板を前記基体に載置することにより、前記基板を前記複数の凸部のうち少なくとも一部により支持させる工程と、
前記基板と前記基体の前記主面との間の空間に存在する気体を、前記複数の開口部のうち一部を構成する複数の第１開口部を経て前記複数の流路のうち一部を構成する第１流路に排出させ、かつ、前記複数の開口部のうち前記第１開口部とは別の複数の第２開口部を経て前記複数の流路のうち一部を構成する第２流路から前記空間に気体を導入する工程と、を含むことを特徴とする基板保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなど基板を保持するために用いられる基板保持部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置において、基板を保持するために、板状の基体から突出するように設けられた多数の突部（ピン）が間隔を小さくして配置された基板保持部材が提案されている。（特許文献１参照）。吸着時の基板の平坦度を抑制するために基板および基体により挟まれている狭小空間の圧力を調整し、当該狭小空間からのパーティクルの巻き上げによる基板へのパーティクル付着を抑制するために基体に大きな開口部を設ける技術が提案されている（特許文献２参照）。基板を局所的かつ散点的に真空吸着するため基板を支持するピンに吸引孔を設けた技術が開示されている（特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第２５７４８１８号公報
【特許文献２】特開２０１５−０５０３００号公報
【特許文献３】特開２００１−１２７１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、近年、半導体は微細化・高密度化が進んでいるため、基板を真空吸着して保持する際、基体と基板の間にパーティクルが介在すると、基板の局所的な盛り上がりが発生し、例えば露光などを行う場合に露光の焦点が合わなくなり、露光パターンがぼやけてしまい、基板に形成する回路パターンがぼやけてしまい、基板に形成する回路パターンが短絡するなどの不良が発生する。このような不良を軽減するために、基板と基体との接触面積を小さくする要求がある。
【０００５】
一般に接触面積を減らすため基板に接触する基板の直径に近い寸法の外周リブや基体全面に配置されるピンの数を減らすことが考えられている。
【０００６】
ピン自体に吸引孔を設けて散点状に基体全面に配置することで外周リブは省略可能であるがいくつかの問題がある。すなわち、基板の平坦度を維持するため、吸引孔付ピンは全面にかつ一定以下のピッチで相当数の配置が必要になり、基体と基板の接触面積を抑制できない。基板と基体の空間に圧力制御装置を接続して基板の平面度を維持する場合、基板と基体間の狭小空間に気流が発生し、パーティクルの巻き上げによる基板へのパーティクル付着が発生する。パーティクルの巻き上げ付着を抑制するために、基体に大きな開口部を設けた場合、巻きあげ付着は抑制されるが、開口部を大きくし過ぎると基板の撓みが許容できなくなる。
【０００７】
そこで、本発明は、真空吸着保持した際の基板の基体との接触面積の低減を図りながら、当該基板の平面度の向上を図ることができる基板保持部材および基板保持方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、主面を有する板状の基体と、前記基体の内部に設けられた１つ以上の第１流路と、前記１つ以上の第１流路が前記主面に開口してなる複数の第１開口部と、前記主面に立設されて基板を支持するための複数の凸部と、を備える基板保持部材に関する。
【０００９】
本発明は、主面を有する板状の基体と、前記基体の内部に設けられた複数の流路と、前記複数の流路のそれぞれが前記主面に開口してなる複数の開口部と、前記主面に立設されて基板を支持するための複数の凸部と、を備える基板保持部材を用いて、基板を保持する方法に関する。
【００１０】
本発明の基板保持部材は、前記基体の内部に設けられた１つ以上の第２流路と、前記１つ以上の第２流路が前記主面に開口してなる複数の第２開口部と、を有し、前記複数の凸部のうち少なくとも一部により支持される前記基板と前記主面との間の空間に存在する気体が前記第１開口部を経て前記第１流路に排出されたことに応じて、前記第２開口部を経て前記第２流路から前記空間に気体が導入されるように構成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の基板保持方法は、前記基板を前記基体に載置することにより、前記基板を前記複数の凸部のうち少なくとも一部により支持させる工程と、前記基板と前記基体の前記主面との間の空間に存在する気体を、前記複数の開口部のうち一部を構成する複数の第１開口部を経て前記複数の流路のうち一部を構成する第１流路に排出させ、かつ、前記複数の開口部のうち前記第１開口部とは別の複数の第２開口部を経て前記複数の流路のうち一部を構成する第２流路から前記空間に気体を導入する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明の基板保持部材および基板保持方法によれば、基板が基体に載置され、基板が複数の凸部のうち少なくとも一部により支持される。この状態で基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間から空気が第１開口部を通じて第１流路に排出されることにより当該空間が減圧される。基板が当該減圧に由来する引力により全体的に基体の主面に向かうように引き寄せられて複数の凸部により支持される。
【００１３】
この際、基板が第２開口部に対応する領域で基体と接触していない分だけ、基板と基体との接触面積の低減が図られる。その一方、基板の裏面および基体の主面により挟まれた空間に対して第２開口部を通じて第２流路から空気が導入され、基板の第２開口部に対応する領域で受ける引力が低減されるので、当該領域で局所的に撓むような事態が回避されて基板の平坦度が維持される。
【００１４】
前記複数の第１開口部、前記複数の第２開口部、および前記複数の凸部のそれぞれが、前記主面に規則的に配置されていることが好ましい。
【００１５】
当該構成の基板保持部材によれば、基板が第１開口部に対応する領域で受ける引力、凸部から受ける抗力、および、第２開口部に対応する領域で受ける緩和された引力の分布態様の規則性が確保されるので、当該基板の全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００１６】
前記主面は、１つ以上の前記第１開口部、１つ以上の前記第２開口部、および１つ以上の前記凸部が所定の位置関係で配置された単位領域を有し、規則的に配置された複数の前記単位領域により前記主面の少なくとも一部が構成されていることが好ましい。
【００１７】
当該構成の基板保持部材によれば、基板が第１開口部に対応する領域で受ける引力、凸部から受ける抗力、および、第２開口部に対応する領域で受ける緩和された引力の分布態様の平衡状態が規則的に確保されるので、当該基板の全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００１８】
本発明の基板保持部材が、前記第１開口部と前記第２開口部との間の前記主面に前記凸部よりも低い高さで立設された凸状壁を有することが好ましい。
【００１９】
当該構成の基板保持部材によれば、基体の主面および基板の裏面により挟まれた空間に、第２開口部を通じて第２流路から流入した気体が、第１開口部を通じて第１流路に流出する際、凸状壁と基板の裏面との間隙を流れることにより速度が局所的に上昇する。このため、基板の当該間隙に対応する領域に、基体に向かう引力またはベルヌーイ力が作用するので、これにより基板と基体との接触面積の低減を図りながら、基板の平坦度を維持した状態で当該基板が保持されうる。
【００２０】
前記凸状壁は、前記第２開口部の周囲を囲うように設けられた環状壁であることが好ましい。
【００２１】
当該構成の基板保持部材によれば、基板において第２開口部に対応する領域に対して作用する引力の均一化が図られるので、基板の全体的な平坦度の向上が図られる。
【００２２】
前記凸部の上端面と、前記上端面の次に低い面としての前記主面との間の高さの差が０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００２３】
当該構成の基板保持部材によれば、基板が第１開口部に対応する領域で受ける引力、凸部から受ける抗力、および、第２開口部に対応する領域で受ける緩和された引力の平衡状態が確保されるので、当該基板の全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００２４】
前記凸部の上端面と、前記上端面の次に低い面としての前記凸状壁の上端面との間の高さの差が０．５〜５μｍであることが好ましい。
【００２５】
当該構成の基板保持部材によれば、基板が第１開口部に対応する領域で受ける引力、凸部から受ける抗力、凸状壁に対応する領域で受ける引力、および、第２開口部に対応する領域で受ける緩和された引力の平衡状態が確保されるので、当該基板の全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００２６】
前記第２流路は、大気に通じている、又は該第２流路内の気圧を調整する圧力調整装置に接続されていることが好ましい。
【００２７】
当該構成の基板保持部材によれば、基板の第２開口部に対応する領域に作用する緩和された引力の強弱が、基板の平坦性を確保する観点から適当に制御されうる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の一部の破断斜視図。
【図２】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の一部の横断面図。
【図３】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の一部の上面図。
【図４】本発明の第１実施形態としての基板保持部材の機能に関する説明図。
【図５】本発明の第２実施形態としての基板保持部材の一部の上面図。
【図６】本発明の第２実施形態としての基板保持部材の機能に関する説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（第１実施形態）
（構成）
図１、図２および図３に部分的に示されている本発明の第１実施形態としての基板保持部材は、主面１０２を有する板状の基体１と、基体２の内部に設けられた１つ以上の第１流路２１と、第１流路２１が主面１０２に開口してなる複数の第１開口部２１２と、主面１０２に立設されて基板Ｗを支持するための複数の凸部１１と、基体１の内部に設けられた１つ以上の第２流路２２と、第２流路２２が主面１０２に開口してなる複数の第２開口部２２２と、を備えている。図２は図３のＡ−Ａ線に沿った基板保持部材の横断面図である。
【００３０】
基板１はＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3等のセラミックスの焼結体により構成されている。複数の凸部１１のそれぞれは、柱状、錘台状、複数の柱または錘台が軸線方向に積み重ねられたような形状であり、切削加工、ブラスト加工もしくはレーザー加工またはこれらの組み合わせにより形成される。
【００３１】
基板保持部材は、第１開口部２１２と第２開口部２２２との間の主面１０２に凸部１１よりも低い高さで立設された凸状壁１２をさらに備えている。凸状壁１２は、第２開口部２２２の周囲を囲うように設けられた環状壁である。なお、凸状壁１２は、第２開口部２２２の周囲を断続的に囲うように設けられていてもよい。凸部１１の上端面１１２と、当該上端面１１２の次に低い面としての凸状壁１２の上端面１２２との間の高さの差は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。
【００３２】
基板保持部材は、基体１の裏面に設けられた複数の穴２０を有する（図２参照）。当該穴２０は省略されてもよい。基板保持部材は、基体１の周縁に沿って環状に延在するように主面１０２に立設された環状凸部１４を備えている（図３参照）。環状凸部１４の上端面の高さは、複数の凸部１１の上端面１１２と同じ高さであってもよく、複数の凸部１１の上端面１１２よりも低くてもよい。環状凸部１４は省略されてもよい。
【００３３】
第１流路２１は真空ポンプなどの真空吸引装置に接続され、第２流路２２は大気または開度調整弁等を有する圧力調整装置に接続されている。複数の凸部１１により支持される基板Ｗと基体１の主面１０２との間の空間に存在する気体が第１開口部２１２を経て第１流路２１に排気されるとともに、第２開口部２２２を経て当該空間に第２流路２２から気体が導入される。
【００３４】
基体１の主面１０２において、複数の第１開口部２１２、複数の第２開口部２２２および複数の凸部１１のそれぞれが規則的に、具体的には正三角格子状に配置されている（図３参照）。例えば、複数の第１開口部２１２の配置態様を表わす正三角格子のピッチは、複数の第２開口部２２２の配置態様を表わす正三角格子のピッチよりも大きい。複数の第１開口部２１２の配置態様を表わす正三角格子のピッチは、複数の凸部１１の配置態様を表わす正三角格子のピッチと同一である。
【００３５】
本実施形態では、１つの第１開口部２１２、４つの第２開口部２２２および１つの凸部１１１を包含する平行四辺形状の複数の単位領域Ｓが、短辺および長辺のそれぞれが一致するように配置されることにより、主面１０２の（周辺部を除く）一部が構成されている。４つの第２開口部２２２のそれぞれは、単位領域Ｓと相似する平行四辺形の各頂点をなすように配置され、１つの第１開口部２１２は、右下隅の第２開口部２２２を除く３つの第２開口部２２２を各頂点とする三角形の重心に配置され、１つの凸部１１は、右下隅の第２開口部２２２の右下にあって単位領域Ｓの右下隅角付近に配置されている。
【００３６】
（機能）
前記構成の本発明の第１実施形態としての基板保持装置によれば、基板Ｗが基体１に載置され、基板Ｗが複数の凸部１１のうち少なくとも一部により支持される。この状態で基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間から空気が第１開口部２１２を通じて第１流路２１に排出されることにより当該空間が減圧される（図４／黒下矢印参照）。基板Ｗが当該減圧に由来する引力により全体的に基体１の主面１０２に向かうように引き寄せられて複数の凸部１１により支持される。
【００３７】
この際、基板Ｗが第２開口部２２２に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる（図２参照）。その一方、基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間に対して第２開口部２２２を通じて第２流路２２から空気が導入される（図４／黒上矢印参照）。
【００３８】
基体１の主面１０２および基板Ｗの裏面により挟まれた空間に、第２開口部２２２を通じて第２流路２２から流入した気体が、第１開口部２１２を通じて第１流路２１に流出する際、凸状壁１２と基板Ｗの裏面との間隙を流れることにより速度が局所的に上昇する。このため、基板Ｗの当該間隙に対応する領域に、基体１の主面１０２に向かう引力またはベルヌーイ力が作用する（図４／白下矢印参照）。ここで、基板Ｗに基体１の主面１０２に向かう引力またはベルヌーイ力が作用しない場合には、基板Ｗの第２開口部２２２に対応する領域において上方に突出する局所的な撓みが発生し基板Ｗの平坦度の低下を招くが、基板Ｗの上述した領域に当該引力またはベルヌーイ力が作用することにより基板Ｗと基体１との接触面積の低減を図りながら、基板Ｗの第２開口部２２２に対応する領域において局所的な撓みが発生することを抑制し、高い平坦度を維持した状態で当該基板Ｗが保持されうる。
【００３９】
複数の第１開口部２１２、複数の第２開口部２２２および複数の凸部１１のそれぞれが、基体１の主面１０２に規則的に配置されているので、基板Ｗが第１開口部２１２に対応する領域で受ける引力、凸部１１から受ける抗力、および、第２開口部２２２に対応する領域で受ける緩和された引力の分布態様の規則性が確保されるので、当該基板Ｗの全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００４０】
（実施例１）
第１実施形態にしたがって実施例１の基板保持装置が作製された。具体的には、板状のＳｉＣ焼結体が加工されることにより直径φ３００ｍｍ×厚さｔ６ｍｍの略円盤状の基体１が作製された。径φ５ｍｍの円形の複数の第１開口部２１２が、ピッチ４０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。径φ１３ｍｍの円形の複数の第２開口部２２２が、ピッチ２０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。径φ０．５ｍｍ×高さ１００μｍの略円柱状の複数の凸部１１が、ピッチ４０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。内径φ１４ｍｍ、幅２ｍｍ、高さ９７μｍの円環状の凸状壁１２が、第２開口部２２２の周囲に配置された。
【００４１】
基板Ｗとしてのシリコンウエハが基体１に載置された後、第２流路２２が大気に連通している状態で、第１流路２１を介して基板Ｗと基体１の主面１０２とにより挟まれた空間が減圧された。この状態で、基板Ｗの平坦度をレーザー干渉計（ＺＹＧＯ社製  ＧＰＩ  Ｈｓ）で測定された。測定結果は基板Ｗのうち１辺２０ｍｍの四角形の領域であって第２開口部２２２に対応する領域を含む領域のＰＶ値で０．１μｍであり、基板Ｗ全体のＰＶ値で０．５μｍであり、当該基板Ｗの十分な平坦度が実現されていることが確認された。
【００４２】
その後、基板Ｗの裏面に付着したパーティクルの数が、パーティクルカウンタ（トプコン社製  ＷＡ−１０）で測定された。サイズ０．４μｍ以上のパーティクル数は「２６」であった。これは、径φ０．５ｍｍ×高さ１００μｍの略円柱状の複数の凸部が、ピッチ３．５ｍｍの正三角格子状に配置されている比較例の基板保持装置のパーティクル数「４１２」と比較して極めて小さい値であることが確認された。
【００４３】
さらに、第２流路２２が圧力調整装置に接続された状態で同様の評価が行われたが、基板Ｗのうち１辺２０ｍｍの四角形の領域であって第２開口部２２２に対応する領域を含む領域のＰＶ値で０．０８μｍ、基板Ｗ全体のＰＶ値で０．４μｍになり、基板Ｗの平坦度がさらに改善されることが確認された。
【００４４】
（第２実施形態）
（構成）
図５に示されている本発明の第２実施形態としての基板保持装置は、凸状壁１２が省略されている。凸部１１の上端面１１２と、当該上端面１１２の次に低い面としての主面１０２との間の高さの差は、例えば０．５μｍ以上かつ５μｍ以下である。
【００４５】
複数の第１開口部２１２の配置態様を表わす正三角格子のピッチ、複数の第２開口部２２２の配置態様を表わす正三角格子のピッチ、および、複数の凸部１１の配置態様を表わす正三角格子のピッチは同一である。
【００４６】
本実施形態では、３つの第１開口部２１２、３つの第２開口部２２２および３つの凸部１１を包含する矩形状の複数の単位領域Ｓが、短辺および長辺のそれぞれが一致するように配置されることにより、主面１０２の（周辺部を除く）一部が構成されている。３つの第１開口部２１２のそれぞれは第１の正三角形の各頂点をなすように配置されている。３つの第２開口部２２２のそれぞれは第１の正三角形の１つの辺の垂線上に一の頂点を有し、かつ、当該垂線と同一直線上にある１つの辺の垂線を有する第２の正三角形の各頂点をなすように配置されている。３つの凸部１１は、第２の正三角形と重心を共通にする、第２の正三角形を逆さにした第３の正三角形の各頂点をなすように配置されている。
【００４７】
これら以外の構成は、本発明の第１実施形態としての基板保持部材とほぼ同様であるため、同一の符号を用いるとともに説明を省略する。
【００４８】
（機能）
前記構成の本発明の第２実施形態としての基板保持装置によれば、基板Ｗが基体１に載置され、基板Ｗが複数の凸部１１のうち少なくとも一部により支持される。この状態で基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間から空気が第１開口部２１２を通じて第１流路２１に排出されることにより当該空間が減圧される（図６／黒下矢印参照）。基板Ｗが当該減圧に由来する引力により全体的に基体１の主面１０２に向かうように引き寄せられて複数の凸部１１により支持される。図６は図５のＢ−Ｂ線に沿った基板保持部材の横断面図である。
【００４９】
この際、基板Ｗが第２開口部２２２に対応する領域で基体１と接触していない分だけ、基板Ｗと基体１との接触面積の低減が図られる（図６参照）。その一方、基板Ｗの裏面および基体１の主面１０２により挟まれた空間に対して第２開口部２２２を通じて第２流路２２から空気が導入される（図６／黒上矢印参照）。基体１の主面１０２および基板Ｗの裏面により挟まれた空間に、第２開口部２２２を通じて第２流路２２から流入した気体が、第１開口部２１２を通じて第１流路２１に流出する際に基板Ｗに基体１の主面に向かう引力またはベルヌーイ力が作用する（図６／白下矢印参照）。ここで、基板Ｗに引力またはベルヌーイ力が作用しない場合には、基板Ｗの第２開口部２２２に対応する領域において上方に突出する局所的な撓みが発生し、基板Ｗの平坦度の低下を招くが、基板Ｗに当該引力またはベルヌーイ力が作用することにより基板Ｗと気体１との接触面積の低減を図りながら、基板Ｗの第２開口部２２２に対応する領域において局所的な撓みが発生することを抑制し、高い平坦度を維持した状態で当該基板Ｗが保持されうる。
【００５０】
複数の第１開口部２１２、複数の第２開口部２２２および複数の凸部１１のそれぞれが、基体１の主面１０２に規則的に配置されているので、基板Ｗが第１開口部２１２に対応する領域で受ける引力、凸部１１から受ける抗力、および、第２開口部２２２に対応する領域で受ける引力またはベルヌーイ力の分布態様の規則性が確保されるので、当該基板Ｗの全体的に均一な平坦度が実現されうる。
【００５１】
（実施例２）
第２実施形態にしたがって実施例２の基板保持装置が作製された。具体的には、板状のＳｉＣ焼結体が加工されることにより直径φ３００ｍｍ×厚さｔ６ｍｍの略円盤状の基体１が作製された。径φ５ｍｍの円形の複数の第１開口部２１２が、ピッチ２０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。径φ１３ｍｍの円形の複数の第２開口部２２２が、ピッチ２０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。径φ０．５ｍｍ×高さ１００μｍの略円柱状の複数の凸部１１が、ピッチ２０ｍｍの正三角格子を構成するように配置された。
【００５２】
基板Ｗとしてのシリコンウエハが基体１に載置された後、第２流路２２が大気に連通している状態で、第１流路２１を介して基板Ｗと基体１の主面１０２とにより挟まれた空間が減圧された。この状態で、基板Ｗの平坦度がレーザー干渉計（ＺＹＧＯ社製  ＧＰＩ  Ｈｓ）で測定された。測定結果は基板Ｗのうち１辺２０ｍｍの四角形の領域であって第２開口部２２２に対応する領域を含む領域のＰＶ値で０．１μｍであり、基板Ｗ全体のＰＶ値で０．５μｍあり、当該基板Ｗの十分な平坦度が実現されていることが確認された。
【００５３】
その後、基板Ｗの裏面に付着したパーティクルの数が、パーティクルカウンタ（トプコン社製  ＷＡ−１０）で測定された。サイズ０．４μｍ以上のパーティクル数は「７２」であった。これは、前記した比較例の基板保持装置のパーティクル数「４１２」と比較して極めて小さい値であることが確認された。
【００５４】
さらに、第２流路２２が圧力調整装置に接続された状態で同様の評価が行われたが、基板Ｗのうち１辺２０ｍｍの四角形の領域であって第２開口部２２２に対応する領域を含む領域のＰＶ値で０．０９μｍであり、基板Ｗ全体のＰＶ値で０．４μｍになり、基板Ｗの平坦度がさらに改善されることが確認された。
【００５５】
（本発明の他の実施形態）
基体１の主面１０２において、複数の凸部１１、複数の第１開口部２１２および複数の第２開口部２２２のうち一部または全部が、不規則的に配置されていてもよい。
【００５６】
基体１の主面１０２における、複数の凸部１１、複数の第１開口部２１２および複数の第２開口部２２２の配置態様はさまざまに変更されてもよい。例えば、規則的な配置態様として正三角格子状のほか、正方格子状、斜方格子状、矩形格子状および平行体格子状のうちいずれかが採用されてもよい。また、規則的な配置態様として、並進対称性、回転対称性および鏡映対称性などの任意の対称性を有する配置態様が採用されてもよい。基体１の主面１０２の基準点（例えば中心点）から放射状に配置され、当該基準点から遠ざかるにつれて相互間隔またはピッチが徐々に変化するような配置態様が採用されてもよい。この場合、基体１の主面１０２の少なくとも一部を構成するように規則的に配置される単位領域Ｓが存在していなくてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１‥基体、１１‥凸部、１２‥凸状壁、１４‥環状凸部、２１‥第１流路、２２‥第２流路、１０２‥主面、２１２‥第１開口部、２２２‥第２開口部、Ｗ‥基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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