(57)【要約】【課題】多角形基板にめっきされる膜の面内均一性を向上させる。【解決手段】めっき装置は、アノードを保持するように構成されるアノードホルダと、多角形基板を保持するように構成される基板ホルダと、アノードホルダと基板ホルダとの間に設けられるレギュレーションプレートと、を備える。レギュレーションプレートは、多角形基板の外形に沿った第１の多角形開口を有する本体部と、第１の多角形開口の縁から基板ホルダ側に突出する壁部と、を有する。壁部は、第１の多角形開口の辺の中央部を含む第１領域では基板ホルダ側に第１距離にわたって突出しており、第１の多角形開口の角部を含む第２領域では切り欠かれている、または、基板ホルダ側に第１距離より小さい第２距離にわたって突出している。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードを保持するように構成されるアノードホルダと、
多角形基板を保持するように構成される基板ホルダと、
前記アノードホルダと前記基板ホルダとの間に設けられるレギュレーションプレートと、を備え、
前記レギュレーションプレートは、前記多角形基板の外形に沿った第１の多角形開口を有する本体部と、前記第１の多角形開口の縁から前記基板ホルダ側に突出する壁部と、を有し、
前記壁部は、前記第１の多角形開口の辺の中央部を含む第１領域では前記基板ホルダ側に第１距離にわたって突出しており、前記第１の多角形開口の角部を含む第２領域では切り欠かれている、または、前記基板ホルダ側に前記第１距離より小さい第２距離にわたって突出している、めっき装置。
【請求項２】
前記壁部の前記第１領域は、前記本体部の板面に垂直な方向から見て外側の辺が長い台形状である、請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記レギュレーションプレートの前記第１の多角形開口を閉塞するように配置され、金属イオンの透過を許容し添加剤の透過を妨げる隔膜を更に備える、請求項１または２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記多角形基板の外形に沿った第２の多角形開口を有するアノードマスク本体部と、前記第２の多角形開口の縁から前記基板ホルダ側に突出するアノードマスク壁部と、を有し、前記アノードホルダに取り付けられるアノードマスクを更に備え、
前記アノードマスク壁部は、前記第２の多角形開口の辺の中央部を含む第３領域では前記基板ホルダ側に第３距離にわたって突出しており、前記第２の多角形開口の角部を含む第４領域では切り欠かれている、または、前記基板ホルダ側に前記第３距離より小さい第４距離にわたって突出している、
請求項１から３の何れか１つに記載のめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の基板の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、基板の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られている。半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
【０００３】
電解めっき法で配線又はバンプを形成する場合、基板上の配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に設けられるバリアメタルの表面に電気抵抗の低いシード層（給電層）が形成される。このシード層の表面において、めっき膜が成長する。
【０００４】
一般的に、めっきされる基板は、その周縁部に電気接点を有する。すなわち、電流はめっきされる基板の中央から周縁部に向かって流れる。基板の中央から距離が離れるにつれ、シード層の電気抵抗分だけ電位は徐々に降下し、基板の中心部よりも基板の周縁部でより卑な電位が生じる。この、基板中心と周縁部での電位差により、基板の周縁部に金属イオンの還元電流、すなわちめっき電流が集中する現象はターミナルエフェクトと呼ばれる。
【０００５】
なお、電解めっき法でめっきされる基板の形状としては、円形の基板や、四角形の基板が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００６】
円形基板においては、円形基板の中央部から基板の周縁部までの距離と隣り合う電気接点間の距離が、基板の全周に渡って同一である。このため、円形基板にめっきするときのターミナルエフェクトは、基板の全周囲に渡ってほぼ同様に生じる。したがって、円形基板にめっきをした場合は、基板の中心部におけるめっき速度が低下し、基板の中心部におけるめっき膜の膜厚が基板の周縁部におけるめっき膜よりも薄くなる。従来は、ターミナルエフェクトによる膜厚の面内均一性の低下を抑制するために、円形基板の周縁部に均等に配置された電気接点に電流を供給しつつ、例えば特許文献３に開示されているようなレギュレーションプレートを用いて、円形基板に加わる電場、すなわち電気活性イオンの移流を調節することが行われていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０９−１２５２９４号公報
【特許文献２】特公平０３−０２９８７６号公報
【特許文献３】特開２００５−０２９８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、多角形基板において、多角形のすべての辺の周縁部に電気接点を配置した場合、隣接する電気接点間の距離が、位置によって異なる。即ち、多角形基板の頂点付近は、多角形基板の辺の中央部(頂点間の中央部)よりも、隣接する電気接点間の距離が短い。これにより、多角形基板の辺の中央部(頂点間の中央部)よりも電気量が増加すること
で、めっき初期に基板表面の電気活性イオンがより消耗し、濃度低下する。且つ、頂点付近は、電気接点をめっき液から保護するシールなどの基板ホルダの構成部品で囲われることで、電気活性イオンが基板表面に供給されにくい。このため、多角形基板では、中心部からの距離が比較的長い角部に近い領域で、最終的なめっき膜厚が小さくなる傾向がある。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、多角形基板にめっきされる膜の面内均一性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（形態１）形態１によれば、めっき装置が提供され、前記めっき装置は、アノードを保持するように構成されるアノードホルダと、多角形基板を保持するように構成される基板ホルダと、前記アノードホルダと前記基板ホルダとの間に設けられるレギュレーションプレートと、を備え、前記レギュレーションプレートは、前記多角形基板の外形に沿った第１の多角形開口を有する本体部と、前記第１の多角形開口の縁から前記基板ホルダ側に突出する壁部と、を有し、前記壁部は、前記第１の多角形開口の辺の中央部を含む第１領域では前記基板ホルダ側に第１距離にわたって突出しており、前記第１の多角形開口の角部を含む第２領域では切り欠かれている、または、前記基板ホルダ側に前記第１距離より小さい第２距離にわたって突出している。形態１によれば、多角形基板にめっきされる膜の面内均一性を向上させることができる。
【００１１】
（形態２）形態２によれば、形態１によるめっき装置において、前記壁部の前記第１領域は、前記本体部の板面に垂直な方向から見て外側の辺が長い台形状である。
【００１２】
（形態３）形態３によれば、形態１または２によるめっき装置において、前記レギュレーションプレートの前記第１の多角形開口を閉塞するように配置され、金属イオンの透過を許容し添加剤の透過を妨げる隔膜を更に備える。
【００１３】
（形態４）形態４によれば、形態１から３の何れか１つによるめっき装置において、前記多角形基板の外形に沿った第２の多角形開口を有するアノードマスク本体部と、前記第２の多角形開口の縁から前記基板ホルダ側に突出するアノードマスク壁部と、を有し、前記アノードホルダに取り付けられるアノードマスクを更に備え、前記アノードマスク壁部は、前記第２の多角形開口の辺の中央部を含む第３領域では前記基板ホルダ側に第３距離にわたって突出しており、前記第２の多角形開口の角部を含む第４領域では切り欠かれている、または、前記基板ホルダ側に前記第３距離より小さい第４距離にわたって突出している。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の電解めっき装置の全体配置図である。
【図２】めっき装置に備えられているめっきユニットの概略側断面図（縦断面図）である。
【図３Ａ】実施形態のレギュレーションプレートの一例を基板側から示す図である。
【図３Ｂ】実施形態のレギュレーションプレートの一例を示す斜視図である。
【図３Ｃ】一定の高さの壁部が形成されている比較例のレギュレーションプレートを用いて四角形基板にめっきをしたときのめっき膜厚を示す概略図である。
【図３Ｄ】図３Ａ及び図３Ｂに示す実施形態のレギュレーションプレート２０を用いて四角形基板にめっきをしたときのめっき膜厚を示す概略図である。
【図４】レギュレーションプレートの第１の別の一例を示す斜視図である。
【図５】レギュレーションプレートの第２の別の一例を示す斜視図である。
【図６】レギュレーションプレートの第３の別の一例を示す斜視図である。
【図７】めっきユニットで使用される基板ホルダの概略正面図である。
【図８】基板ホルダの概略側面図である。
【図９】フロントプレート本体の背面図である。
【図１０】コネクタに近い側のフェース部の角部近傍を拡大して示す背面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
【００１６】
図１は、実施形態におけるめっき装置の全体配置図を示す。図１に示すように、このめっき装置は、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット１００を搭載する２台のカセットテーブル１０２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１０４と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ１０６とを有する。スピンリンスドライヤ１０６の近くには、基板ホルダ３０を載置して基板の着脱を行う基板着脱部１２０が設けられている。これらのユニット１００，１０４，１０６，１２０の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置１２２が配置されている。
【００１７】
基板着脱部１２０、基板ホルダ３０の保管及び一時仮置きを行うストッカ１２４、基板を純水に浸漬させるプリウェット槽１２６、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜をエッチング除去するプリソーク槽１２８、プリソーク後の基板を基板ホルダ３０と共に洗浄液（純水等）で洗浄する第１洗浄槽１３０ａ、洗浄後の基板の液切りを行うブロー槽１３２、めっき後の基板を基板ホルダ３０と共に洗浄液で洗浄する第２洗浄槽１３０ｂ、及びめっきユニット１０は、この順に配置されている。
【００１８】
このめっきユニット１０は、オーバーフロー槽１３６の内部に複数のめっき槽１４を収納して構成されている。各めっき槽１４は、内部に１個の基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっきを施すようになっている。
【００１９】
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ３０を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置１４０を有する。この基板ホルダ搬送装置１４０は、基板着脱部１２０、ストッカ１２４、プリウェット槽１２６、プリソーク槽１２８、第１洗浄槽１３０ａ、及びブロー槽１３２との間で基板を搬送する第１トランスポータ１４２と、第１洗浄槽１３０ａ、第２洗浄槽１３０ｂ、ブロー槽１３２、及びめっきユニット１０との間で基板を搬送する第２トランスポータ１４４を有している。めっき装置は、第２トランスポータ１４４を備えることなく、第１トランスポータ１４２のみを備えるようにしてもよい。
【００２０】
この基板ホルダ搬送装置１４０のオーバーフロー槽１３６を挟んだ反対側には、各めっき槽１４の内部に位置してめっき槽１４内のめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドル１６（図２参照）を駆動するパドル駆動装置１４６が配置されている。
【００２１】
基板着脱部１２０は、レール１５０に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート１５２を備えている。２個の基板ホルダ３０は、この載置プレート１５２に水平状態で並列に載置され、一方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われた後、載置プレート１５２が横方向にスライドされ、他方の基板ホルダ３０と基板搬送装置１２２との間で基板の受渡しが行われる。
【００２２】
図２は、図１に示すめっき装置に備えられているめっきユニットの概略側断面図（縦断面図）である。図２に示すように、めっきユニット１０は、めっき液、基板ホルダ３０、
及びアノードホルダ１３を収容するように構成されためっき槽１４と、オーバーフロー槽（不図示）とを有する。基板ホルダ３０は、多角形の基板Ｗｆを保持するように構成され、アノードホルダ１３は、金属表面を有するアノード１２を保持するように構成される。多角形の基板Ｗｆとアノード１２は、めっき電源１５を介して電気的に接続され、基板Ｗｆとアノード１２との間に電流を流すことにより基板Ｗｆの表面にめっき膜が形成される。
【００２３】
アノードホルダ１３は、アノード１２と基板Ｗｆとの間の電界を調整するためのアノードマスク１８を有する。アノードマスク１８は、例えば誘電体材料からなる略板状の部材であり、アノードホルダ１３の前面に設けられる。ここで、アノードホルダ１３の前面とは、基板ホルダ３０に対向する側の面をいう。すなわち、アノードマスク１８は、アノード１２と基板ホルダ３０の間に配置される。アノードマスク１８は、アノード１２と基板Ｗｆとの間に流れる電流が通過する多角形開口（第２の多角形開口）１８ａを略中央部に有する。
【００２４】
めっきユニット１０は、基板Ｗｆとアノード１２との間の電場を調整するためのレギュレーションプレート（調整板）２０と、めっき液を撹拌するためのパドル１６と、を有する。レギュレーションプレート２０は、基板ホルダ３０とアノード１２との間に配置される。具体的には、レギュレーションプレート２０の下端部が、めっき槽１４の床面に設けられた一対の凸部材２８間に挿入されて、レギュレーションプレート２０がめっき槽１４に対して固定される。また、レギュレーションプレート２０は、上端付近で外側に突出するアーム（図示せず）を有し、図１に示したストッカ１２４内において、ストッカ１２４の周壁上面にアームを引っ掛けることで吊下げ支持されてもよい。パドル１６は、基板ホルダ３０とレギュレーションプレート２０との間に配置される。
【００２５】
図３Ａは、実施形態のレギュレーションプレート２０の一例を基板Ｗｆ側から示す図であり、図３Ｂは、レギュレーションプレート２０の一例を示す斜視図である。レギュレーションプレート２０は、例えば誘電体である塩化ビニルによって形成される。レギュレーションプレート２０は、略中央部に多角形開口（第１の多角形開口）２１を有する板状の本体部２２と、本体部２２から基板ホルダ３０側に突出する壁部２３と、を有する。多角形開口２１は、基板Ｗｆの外形に沿った形状、好ましくは基板Ｗｆの外形よりもやや小さい形状であり、図３Ａ，３Ｂに示す例では四角形である。壁部２３は、本体部２２における多角形開口２１の縁から、本体部２２の板面に対して垂直な方向（図２中、左右方向）に沿って突出する。図３Ａ、３Ｂに示す例では、壁部２３は、多角形開口２１の角部を含む領域（第２領域）では切り欠かれている。つまり、壁部２３は、多角形開口２１の辺の中央部を含む領域（第１領域）にだけ設けられ、角部近傍（第２領域）には設けられていない。ここで、第１領域および第２領域の区分けは、実験またはシミュレーション等によって定められればよく、一例として多角形開口２１の周囲における２％、３％、５％、７％、または、１０％の領域を第２領域とすることができる。また、図３Ａに特に示されるように、壁部２３は、基板ホルダ３０側から見て外側の辺が長い台形状であり、例えば壁部２３の端は、多角形開口２１の中央から放射状に延びる直線に沿って画定されてもよい。しかし、こうした例に限定されず、例えば、壁部２３の第１領域と第２領域との境界は、多角形開口２１の辺に沿って画定されてもよい。こうしたレギュレーションプレート２０は、アノード１２から基板ホルダ３０に向かって、見かけ上、多角形開口２１の辺の中央部を含む領域では比較的長い距離（本体部２２の厚さと壁部２３の高さとの和）にわたる長い開口を形成し、角付近では比較的短い距離（本体２２部の厚さ）にわたる短い開口を形成する。
【００２６】
レギュレーションプレート２０がめっき槽１４に収容された状態で、基板Ｗｆとアノード１２に電圧が印加されると、アノード１２からの電流が、多角形開口２１を通過して基
板Ｗｆに流れる。言い換えれば、レギュレーションプレート２０は、アノード１２と基板Ｗｆとの間に形成される電場の一部を遮蔽する。また、多角形開口２１を通過した電流は、壁部２３に案内されて基板Ｗｆの外側に広がることが抑制される。そして、実施形態のレギュレーションプレート２０は、多角形開口２１の辺の中央部を含む領域（第１領域）にだけ壁部２３が設けられているため、特に第１領域において基板Ｗｆの端部近傍に電流が流れることが抑制される。一方、レギュレーションプレート２０は、多角形開口２１の角部付近（第２領域）では壁部２３が切り欠かれているため、この第２領域においては第１領域に比べて電流の広がりが抑制されない。ここで、多角形の基板Ｗｆの角部付近には比較的電流が集中せず、基板Ｗｆの辺の中央部付近に比較的電流が集中する傾向がある。これに対して、実施形態のレギュレーションプレート２０を使用することにより、基板Ｗｆの辺に流れる電流が不均一となることを抑制でき、膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００２７】
図３Ｃは、一定の高さの壁部が形成されている比較例のレギュレーションプレートを用いて四角形基板にめっきをしたときのめっき膜厚を示す概略図であり、図３Ｄは、図３Ａ及び図３Ｂに示す実施形態のレギュレーションプレート２０を用いて四角形基板にめっきをしたときのめっき膜厚を示す概略図である。なお、図３Ｃ及び図３Ｄでは、四角形基板を４分割した右上領域のめっき膜厚を示しており、図中左下が四角形基板の中心部に当たり、図中右上が四角形基板の角部に当たる。図３Ｃ及び図３Ｃでは、色が薄い場所ほど膜厚が小さいことを示しており、色が濃い場所ほど膜厚が大きいことを示している。図３Ｃに示すように、角部を含めて一定の高さの壁部が形成されている比較例のレギュレーションプレートを用いた場合、基板の中心部Ｃｔｒからの距離が比較的長い角部Ｃｏｒ付近では、めっき膜厚が小さくなる。これに対して、角部付近の壁部２３が切り欠かれている実施形態のレギュレーションプレート２０を使用して四角形基板にめっきをすることにより、図３Ｄに示すように、角部付近でめっき膜厚が小さくなることを抑制することができる。また、膜厚の均一性（均一性：（最大膜厚−最大膜厚）/(2・平均膜厚)）は、図３Ｃに示す例に比して、図３Ｄに示す例では向上した。このように、角部付近の壁部２３が切り欠かれた実施形態のレギュレーションプレート２０を使用することにより、膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００２８】
図４は、レギュレーションプレート２０の第１の別の一例を示す図である。図４に示されるレギュレーションプレート２０では、図３Ｂに示されるレギュレーションプレート２０と壁部２３が異なり、その他の点は同一である。図４に示されるレギュレーションプレート２０では、角部付近を含めた多角形開口２１の縁全体に連続して壁部２３が設けられている。ただし、壁部２３は、多角形開口２１の辺の中央部を含む第１領域２３ａでは第１距離Ｌ１にわたって突出し、多角形開口２１の角部を含む第２領域２３ｂでは第１距離Ｌ１より小さい第２距離Ｌ２にわたって突出している。こうしたレギュレーションプレート２０を使用することによっても、基板Ｗｆの辺の中央部付近に流れる電流が不均一となることを抑制でき、膜厚の面内均一性を向上させることができる。ここで、第２領域２３ｂにおける壁部２３の高さ（第２距離Ｌ２）は、基板ホルダ３０の給電部材の配置などに基づいて、膜厚の面内均一性が向上するように定められればよい。また、第２領域２３ｂにおける壁部２３の高さ（第２距離Ｌ２）を値０としたものが、図３に示されるレギュレーションプレート２０に相当する。
【００２９】
図５は、レギュレーションプレート２０の第２の別の一例を示す図である。図５に示されるレギュレーションプレート２０では、第２領域２３ｂの壁部２３が傾斜して形成されている。第２領域２３ｂの壁部２３の傾斜角度は、実験またはシミュレーション等により適宜決定されればよい。図５に示される例では、第２領域２３ｂの壁部２３は、多角形開口２１の角に近づくほど低く、角から離れるほど高い傾斜となっている。しかし、第２領域２３ｂの壁部２３は、多角形開口２１の角に近づくほど高く、角から離れるほど低い傾
斜とされてもよい。また、図５に示される例では、第２領域２３ｂの壁部２３は、第１領域２３ａに向かって第１領域２３ａの壁部２３の高さと同じ高さまで傾斜している。しかし、こうした例に限定されず、壁部２３が第１領域２３ａと第２領域２３ｂとで段差を有するとともに、第２領域２３ｂで傾斜していてもよい。
【００３０】
図６は、レギュレーションプレート２０の第３の別の一例を示す図である。図６に示されるレギュレーションプレート２０では、壁部２３は、多角形開口２１の辺の中央部を含む第１領域２３ａと、多角形開口２１の角部を含む第２領域２３ｂと、第１領域２３ａと第２領域２３ｂとに挟まれる第３領域２３ｃとで、高さが異なっている。図６に示される例では、第３領域２３ｃの壁部２３は、第１領域２３ａの壁部２３、及び第２領域２３ｂの壁部２３の間の高さとしている。しかし、第３領域２３ｃの壁部２３は、第２領域２３ｂの壁部２３の高さより低くなるように設計されてもよい。
【００３１】
また、レギュレーションプレート２０の壁部２３は、第１領域２３ａと第２領域２３ｂとで曲線状または直線状で滑らかに接続されていてもよい。また、レギュレーションプレート２０は、第１領域２３ａまたは第２領域２３ｂにかかわらず、壁部２３の側面に孔が形成されていてもよい。
【００３２】
再び説明を図２へと戻す。レギュレーションプレート２０には、多角形開口２１を閉塞するように隔膜２４が取り付けられている。隔膜２４は、金属イオンを通して添加剤を通さないカチオン交換膜または多孔性膜から構成されている。このような多孔性膜の例として、（株）ユアサメンブレン製のユミクロン（商標名）が挙げられる。隔膜２４は、多角形開口２１に対応した開口を有する枠状の固定板２５によってレギュレーションプレート２０に固定されている。隔膜２４および固定板２５は、背面（アノード１２側の面）からレギュレーションプレート２０に対して取り付けられるとよい。また、レギュレーションプレート２０と隔膜２４および／または固定板２５との接触面には多角形開口２１の形状に応じた枠状のシール体が設けられるとよい。
【００３３】
なお、いまはレギュレーションプレート２０について説明した。しかし、レギュレーションプレート２０の壁部２３に代えて、又は加えて、アノードホルダ１３に取り付けられたアノードマスク１８について、レギュレーションプレート２０の壁部２３と同様の壁部を有していてもよい。つまり、アノードマスク１８は、多角形の基板Ｗｆの外形に沿った多角形開口（第２の多角形開口）１８ａを有するアノードマスク本体部と、アノードマスク本体部の多角形開口１８ａの縁から基板ホルダ３０側に突出するアノードマスク壁部とを有してもよい。そして、アノードマスク壁部は、多角形開口１８ａの辺の中央部を含む第３領域では基板ホルダ側に第３距離にわたって突出し、多角形開口１８ａの角部を含む第４領域では切り欠かれている、または、基板ホルダ３０側に第３距離より小さい第４距離にわたって突出していてもよい。アノードマスク１８における多角形開口１８ａ、及びアノードマスク壁部は、レギュレーションプレート２０における多角形開口２１、及び壁部２３と、同一の寸法であってもよいし、異なる寸法であってもよい。
【００３４】
続いて、基板ホルダ３０について説明する。図７は図２に示しためっきユニット１０で使用される基板ホルダ３０の概略正面図であり、図８は、基板ホルダ３０の概略側面図である。基板ホルダ３０は、フロントプレート３００とバックプレート４００とを備えている。これらのフロントプレート３００とバックプレート４００との間に基板Ｗｆが保持される。本実施例では、基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの片面を露出した状態で基板Ｗｆを保持する。
【００３５】
フロントプレート３００は、フロントプレート本体３１０と、アーム部３３０とを備えている。アーム部３３０は、一対の台座３３１を有し、図１に示した各処理槽の周壁上面
に台座３３１を設置することで、基板ホルダ３０が垂直に吊下げ支持される。また、アーム部３３０には、めっき槽１４の周壁上面に台座３３１を設置したときに、めっき槽１４に設けられた電気接点と接触するように構成されたコネクタ３３２が設けられる。これにより、基板ホルダ３０は外部電源と電気的に接続され、基板ホルダ３０に保持された多角形の基板Ｗｆに電圧・電流が印加される。
【００３６】
フロントプレート本体３１０は、概ね矩形状であり、配線バッファ部３１１とフェース部３１２とを有し、前面３０１と背面３０２とを有する。フロントプレート本体３１０は、取付部３２０によって２箇所でアーム部３３０に取り付けられている。フロントプレート本体３１０には、開口部３０３が設けられており、開口部３０３から基板Ｓの被めっき面が露出される。本実施形態では、開口部３０３は、多角形の基板Ｗｆの形状に対応した形状に形成されている。
【００３７】
バックプレート４００は、概ね矩形状であり、基板Ｗｆの背面を覆う。バックプレート４００は、基板Ｗｆをフロントプレート本体３１０（より詳細には、フェース部３１２）の背面３０２との間に挟んだ状態でクランプ３４０によって固定される。クランプ３４０は、フロントプレート本体３１０の面３０１，３０２に平行な回転軸３４１回りに回転するように構成される。ただし、クランプ３４０は、こうした例に限定されず、面３０１，３０２に垂直な方向に往復運動してバックプレート４００をクランプするように構成されるなどとしてもよい。
【００３８】
図９は、フロントプレート本体の背面図であり、図１０は、コネクタに近い側のフェース部の角部近傍を拡大して示す背面図である。フロントプレート本体３１０の背面３０２は、１８個のコンタクト領域Ｃ１−Ｃ１８を有する。コンタクト領域Ｃ１−Ｃ７、Ｃ１７、Ｃ１８は、フェース部３１２のうちコネクタ３３２側の半分の領域（近位領域、図１７の右側半分の領域）に配置されており、コンタクト領域Ｃ８−Ｃ１６は、フェース部３１２のうちコネクタ３３２から遠い側の半分の領域（遠位領域、図１７の左側半分の領域）に配置されている。以下の説明では、便宜上、遠位領域に配置されるケーブルを第１グループのケーブル、近位領域に配置されるケーブルを第２グループのケーブルと称す場合がある。
【００３９】
図１０に示すように、各コンタクト領域Ｃ１−Ｃ１８には、基板Ｗｆに給電するためのコンタクト(接点部材)３７０が含まれる。コンタクト３７０は、フロントパネル３００の開口部３０３の各辺に沿って配置されている。つまり、コンタクト３７０は、多角形の基板Ｗｆの各辺に沿って配置される。各コンタクト領域Ｃ１−Ｃ１８のコンタクト３７０には、それぞれ、ケーブルＬ１−Ｌ１８を介して、外部から給電される。なお、以下の説明では、各ケーブルを区別する必要がない場合には、ケーブルＬ１−Ｌ１８をまとめて、ケーブルＬと総称する場合がある。また、任意のケーブルをケーブルＬとして参照する場合もある。
【００４０】
ケーブルＬ１−Ｌ１８の第１端部は、アーム部３３０の一端に設けられたコネクタ３３２に接続されおり、より詳細には、コネクタ３３２において個別の接点または複数本ずつ共通の接点（図示省略）に電気的に接続されている。ケーブルＬ１−Ｌ１８は、コネクタ３３２の各接点を介して外部の電源（電源回路、電源装置等）に電気的に接続可能である。
【００４１】
ケーブルＬ１−Ｌ７は、同一平面内に並んでケーブル通路３６５内に導入され、開口部３０３のコネクタ３３２側の辺に沿って配置されている。ケーブル同士は、フェース部３１２の厚み方向に重ならない。したがって、フェース部３１２及びフロントパネル３００の厚みを抑制することができる。
【００４２】
各コンタクト領域におけるケーブルＬとコンタクト３７０との電気接続は、以下のように行われている。ケーブルＬ１を例に挙げると、ケーブルＬ１の先端部（第２端部）は、被覆６０２が除去されて、心線（導電線）６０１が露出している。ケーブルＬ１の先端部は、コンタクトＣ１の近傍においてシールホルダ３６３の配線溝内に導入され、コンタクト領域Ｃ１内で、４箇所のネジ（締結部材）５１１によってコンタクト３７０とともに押圧されている。つまり、ネジ（締結部材）５１１とシールホルダ３６３とが、ケーブルＬ１の心線６０１をコンタクト３７０とともに挟持している。この結果、ケーブルＬ１は、コンタクト３７０に電気的に接続される。基板ホルダ３０が基板Ｗｆを保持すると、コンタクト３７０が基板Ｗｆに接触して、外部の電源からケーブルＬ１、コンタクト３７０を介して基板Ｗｆに給電が行われる。他のコンタクト領域Ｃ２−Ｃ１８も同様に構成されており、１８箇所のコンタクト３７０から基板Ｗｆに給電が行われる。
【００４３】
以上で説明したように、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、多角形の基板Ｗｆの各辺にコンタクト３７０が設けられており、各辺に設けられたコンタクト３７０から基板Ｗｆに給電が行われる。これにより、基板Ｗｆの表面にめっき膜が形成される。
【００４４】
以上、四角形の基板Ｗｆにめっきをするプロセスについて説明したが、これに限らず、三角形、又は五角形以上の基板Ｗｆにも、同様のプロセスでめっきをすることができる。こうした場合においても、アノードマスク１８およびレギュレーションプレート２０には、基板Ｗｆの形状に沿った三角形、又は五角形以上の多角形開口が形成されればよく、多角形開口に連続する壁部の角部が切り欠かれる、または中央部より低い距離にわたって突出するものとされればよい。また、多角形基板の各辺に沿って複数の給電部材が配置されればよい。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  めっきユニット
１２  アノード
１３  アノードホルダ
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ  電源
１７  制御装置
１８  アノードマスク
１８ａ  多角形開口
２０  レギュレーションプレート
２１  多角形開口
２３  壁部
２３ａ  第１領域
２３ｂ  第２領域
３０  基板ホルダ
３４  保持面
Ｗｆ  多角形基板
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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