(57)【要約】【課題】Ｑ値をより確実に改善することができる、弾性波装置を提供する。【解決手段】弾性波装置１は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電体層５と、圧電体層５上に設けられたＩＤＴ電極７と、高音速部材と、高音速部材と圧電体層５との間に設けられた低音速膜４とを備える。ＩＤＴ電極７は、Ａｌ層と、Ａｌより密度が高い金属からなる金属層とを含む複数の金属層を有する。ＩＤＴ電極７の電極指ピッチにより規定される波長をλ、圧電体層５の膜厚が波長λにより規格化された規格化膜厚をＴＬＴ（％）、それぞれの前記金属層の密度と上記金属層の膜厚との積の合計の膜厚が波長λにより規格化されたＡｌ換算規格化膜厚をＴＥＬＥ（％）としたとき、以下の式１を満たす。  ３０１．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式１【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と、
前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、
前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速部材と、
前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており、かつ前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い低音速膜と、
を備え、
前記圧電体層がＬｉＴａＯ３からなり、
前記ＩＤＴ電極が、複数の金属層が積層された積層金属膜からなり、
前記複数の金属層が、Ａｌ層と、Ａｌより密度が高い金属からなる少なくとも１層の金属層と、を含み、
前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとし、前記圧電体層の膜厚が前記波長λにより規格化された規格化膜厚をＴＬＴ（％）とし、それぞれの前記金属層の密度と前記金属層の膜厚との積の合計をＡｌの密度により割った値を前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算膜厚とし、前記ＩＤＴ電極の前記Ａｌ換算膜厚が前記波長λにより規格化されたＡｌ換算規格化膜厚をＴＥＬＥ（％）としたときに、以下の式１
３０１．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式１
を満たす、弾性波装置。
【請求項２】
以下の式２
２３６．６０６６７７−１０．６９０７９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式２
を満たす、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥが１４％以上、３２％以下である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記高音速部材が支持基板である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
支持基板をさらに備え、
前記高音速部材が、前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
パワーアンプと、
を備える、高周波フロントエンド回路。
【請求項７】
請求項６に記載の高周波フロントエンド回路と、
ＲＦ信号処理回路と、
を備える、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、高音速支持基板、低音速膜及び圧電膜がこの順序で積層された構成を有する弾性波装置が開示されている。特許文献１においては、圧電膜の膜厚が３．５λ以下である場合に、Ｑ値が改善されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１７／０４３４２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本願発明者らの検討により、圧電膜の膜厚が３．５λ以下である場合においても、Ｑ値が劣化する場合があることが明らかとなった。
【０００５】
本発明の目的は、Ｑ値をより確実に改善することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置は、圧電体層と、前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速部材と、前記高音速部材と前記圧電体層との間に設けられており、かつ前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い低音速膜とを備え、前記圧電体層がＬｉＴａＯ３からなり、前記ＩＤＴ電極が、複数の金属層が積層された積層金属膜からなり、前記複数の金属層が、Ａｌ層と、Ａｌより密度が高い金属からなる少なくとも１層の金属層とを含み、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとし、前記圧電体層の膜厚が前記波長λにより規格化された規格化膜厚をＴＬＴ（％）とし、それぞれの前記金属層の密度と前記金属層の膜厚との積の合計をＡｌの密度により割った値を前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算膜厚とし、前記ＩＤＴ電極の前記Ａｌ換算膜厚が前記波長λにより規格化されたＡｌ換算規格化膜厚をＴＥＬＥ（％）としたときに、以下の式１を満たす。
【０００７】
３０１．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式１
【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、以下の式２を満たす。この場合には、Ｑ値をより確実に、かつより一層改善することができる。
【０００９】
２３６．６０６６７７−１０．６９０７９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式２
【００１０】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥが１４％以上、３２％以下である。この場合には、高周波化に容易に対応することができ、かつＱ値をより一層改善することができる。
【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材が支持基板である。
【００１２】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、支持基板がさらに備えられており、前記高音速部材が、前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜である。
【００１３】
本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従い構成された弾性波装置と、パワーアンプとを備える。
【００１４】
本発明に係る通信装置は、本発明に従い構成された高周波フロントエンド回路と、ＲＦ信号処理回路とを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｑ値をより確実に改善することができる、弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の正面断面図である。
【図４】圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴとＱ×Δｆとの関係を示す図である。
【図５】圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴとＱ×Δｆとの関係を示す図である。
【図６】ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥと音速との関係を示す図である。
【図７】ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥとＱ×Δｆとの関係を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【図９】高周波フロントエンド回路を有する通信装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００２０】
弾性波装置１は支持基板２を有する。支持基板２上には低音速膜４が設けられている。低音速膜４上には圧電体層５が設けられている。圧電体層５はＬｉＴａＯ３からなる。圧電体層５上にはＩＤＴ電極７が設けられている。
【００２１】
ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。ここで、低音速膜４は、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低い膜である。低音速膜４は酸化ケイ素からなる。酸化ケイ素はＳｉＯｘにより表される。本実施形態においては、低音速膜４はＳｉＯ２からなる。なお、低音速膜４は、ｘが２以外の整数である酸化ケイ素からなっていてもよい。あるいは、低音速膜４は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタルまたは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料などからなっていてもよい。低音速膜４の材料は、相対的に低音速な材料であればよい。
【００２２】
他方、本実施形態においては、支持基板２は、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高い高音速部材である。高音速部材は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベート、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、マグネシア、ＤＬＣ膜は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかからなる。なお、高音速部材の材料は、相対的に高音速な材料であればよい。
【００２３】
弾性波装置１は、高音速部材としての支持基板２、低音速膜４及び圧電体層５がこの順序で積層された積層体６を有する。それによって、Ｑ値を高めることができ、弾性波のエネルギーを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができる。
【００２４】
図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
【００２５】
ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側には、反射器１８及び反射器１９が設けられている。このように、本実施形態の弾性波装置１は１ポート型の弾性波共振子である。なお、弾性波装置１は弾性波共振子には限定されない。
【００２６】
ＩＤＴ電極７は、対向し合う第１のバスバー８ａ及び第２のバスバー９ａを有する。ＩＤＴ電極７は、第１のバスバー８ａに一端が接続された複数の第１の電極指８ｂを有する。さらに、ＩＤＴ電極７は、第２のバスバー９ａに一端が接続された複数の第２の電極指９ｂを有する。複数の第１の電極指８ｂと複数の第２の電極指９ｂとは、互いに間挿し合っている。
【００２７】
図３は、第１の実施形態におけるＩＤＴ電極の第１の電極指の正面断面図である。
【００２８】
ＩＤＴ電極７は、圧電体層５側から第１の金属層１７ａ、第２の金属層１７ｂ、第３の金属層１７ｃ、第４の金属層１７ｄ及び第５の金属層１７ｅがこの順序で積層された積層金属膜からなる。より具体的には、第１の金属層１７ａはＴｉ層であり、第２の金属層１７ｂはＰｔ層であり、第３の金属層１７ｃはＴｉ層であり、第４の金属層１７ｄはＡｌ層であり、第５の金属層１７ｅはＴｉ層である。ＩＤＴ電極７がＡｌ層を有するため、ＩＤＴ電極７の電気抵抗を低くすることができる。さらに、ＩＤＴ電極７が、Ａｌより密度が高い金属からなるＰｔ層を有するため、ＩＤＴ電極７の膜厚を過度に厚くすることなく質量を大きくすることができる。よって、Ｑ値を好適に改善することができる。
【００２９】
なお、ＩＤＴ電極７の複数の金属層は、Ａｌ層と、Ａｌより密度が高い金属からなる少なくとも１層の金属層とを含んでいればよい。ＩＤＴ電極７の平均密度が、Ａｌの密度よりも高ければよい。
【００３０】
本実施形態では、ＩＤＴ電極７の主電極層はＰｔ層である第２の金属層１７ｂ及びＡｌ層である第４の金属層１７ｄである。本明細書において、主電極層とは、弾性波の励振に支配的である金属層をいう。
【００３１】
ここで、第１の金属層１７ａの密度と第１の金属層１７ａの膜厚との積をＡｌの密度により割った値を第１の金属層１７ａのＡｌ換算膜厚とする。ＩＤＴ電極７のＡｌ換算膜厚は、第１の金属層１７ａ、第２の金属層１７ｂ、第３の金属層１７ｃ、第４の金属層１７ｄ及び第５の金属層１７ｅのそれぞれのＡｌ換算膜厚の合計である。他方、ＩＤＴ電極７の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。ＩＤＴ電極７のＡｌ換算膜厚が波長λにより規格化されたＡｌ換算規格化膜厚をＴＥＬＥ（％）とする。圧電体層５の膜厚が波長λにより規格化された膜厚を規格化膜厚ＴＬＴ（％）とする。
【００３２】
本実施形態の特徴は、上記積層体６が設けられており、ＩＤＴ電極７が、Ａｌ層である第４の金属層１７ｄと、Ａｌより密度が高い金属からなる複数の金属層とを有する積層金属膜からなることに加え、下記の式１を満たすことにある。それによって、Ｑ値をより確実に改善することができる。
【００３３】
３０１．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式１
【００３４】
以下において、式１を満たすことにより、Ｑ値をより確実に改善し得ることを説明する。
【００３５】
第１の実施形態の構成を有する弾性波装置を、Ｐｔ層である第２の金属層の膜厚を変化させて複数作製した。第２の金属層を各膜厚とした場合に、波長λの値を変化させた弾性波装置をさらに複数作製した。同様に、上記式１を満たさないこと以外においては、第１の実施形態と同様の構成を有する弾性波装置を複数作製した。第２の金属層の膜厚及び波長λを含め、弾性波装置の条件は、以下の通りとした。
【００３６】
圧電体層：材料ＬｉＴａＯ３、膜厚６００ｎｍ
低音速膜：材料ＳｉＯ２、膜厚６７３ｎｍ
ＩＤＴ電極の第１の金属層：材料Ｔｉ、膜厚１２ｎｍ
ＩＤＴ電極の第２の金属層：材料Ｐｔ、膜厚４０ｎｍ、８０ｎｍ、１２０ｎｍ、１６０ｎｍ、２００ｎｍ
ＩＤＴ電極の第３の金属層：材料Ｔｉ、膜厚６０ｎｍ
ＩＤＴ電極の第４の金属層：材料Ａｌ、膜厚１４５ｎｍ
ＩＤＴ電極の第５の金属層：材料Ｔｉ、膜厚４ｎｍ
波長λ：１．６μｍ、２μｍ、２．４μｍ、２．８μｍ、３．２μｍ、３．６μｍ、４μｍ
【００３７】
さらに、第２の金属層を有しない点以外においては上記弾性波装置と同様の弾性波装置を、波長λの値を上記と同様に変化させて複数作製した。なお、波長λが互いに異なる弾性波装置においては、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴは互いに異なることとなる。次に、作製した各弾性波装置のＱ×Δｆを測定した。ここで、Δｆは弾性波装置の比帯域を示す。この結果を下記の図４に示す。なお、図４に、従来例の結果も併せて示す。
【００３８】
図４は、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴとＱ×Δｆとの関係を示す図である。図４において、円形のプロットは上記の測定結果を示し、菱形のプロットは従来例の結果を示す。
【００３９】
図４に示すように、従来例では、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴが３５０％以下の場合においてＱ×Δｆが約５５以上となっており、Ｑ値が良好となる結果が示されている。しかしながら、上記測定の結果に示されているように、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴが３５０％以下であっても、Ｑ×Δｆが５５未満となる場合があることがわかる。
【００４０】
ここで、上記測定の結果に基づき、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴとＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥとにおいて、重回帰分析を行った。これにより下記の式を得た。
【００４１】
Ｑ×Δｆ＝３５６．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ
【００４２】
この式のＱ×Δｆが５５以上である場合には、Ｑ値をより確実に改善することができる。この条件を下記の式により表すことができる。
【００４３】
３５６．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧５５
【００４４】
この式から上記式１を求めることができる。
【００４５】
３０１．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式１
【００４６】
従って、式１を満たすことによって、より確実にＱ値を改善することができる。
【００４７】
ここで、下記の式２を満たすことが好ましい。それによって、Ｑ値をより確実に、かつより一層改善することができる。
【００４８】
２３６．６０６６７７−１０．６９０７９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式２
【００４９】
これを以下において説明する。
【００５０】
図５は、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴとＱ×Δｆとの関係を示す図である。図５において、円形のプロットは図４に示した上記測定の結果を示す。図５に示された破線は、図４に示した従来例の結果から求めた、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴ及びＱ×Δｆの関係式の直線を示す。
【００５１】
従来例の、圧電体層の規格化膜厚ＴＬＴが３５０％以下である場合の結果は、下記の式により表される。
【００５２】
Ｑ×Δｆ＝−０．１３９５×ＴＬＴ＋１２０．１４
上記重回帰分析を行ったことにより得たＱ×Δｆの値が従来例のＱ×Δｆの値以上である場合に、Ｑ値をより一層改善することができる。この条件を下記の式により表すことができる。
【００５３】
３５６．７４６６７−１０．８３０２９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧−０．１３９５×ＴＬＴ＋１２０．１４
【００５４】
この式から上記式２を求めることができる。
【００５５】
２３６．６０６６７７−１０．６９０７９×ＴＬＴ−３．５２１５５×ＴＥＬＥ＋０．１０７８８×ＴＬＴ２＋０．０１００３×ＴＥＬＥ２＋０．０３９８９×ＴＬＴ×ＴＥＬＥ≧０…式２
【００５６】
従って、式２を満たすことによって、Ｑ値をより確実に、かつより一層改善することができる。
【００５７】
ところで、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥは、１４％以上、３２％以下であることが好ましい。それによって、高周波化に容易に対応することができ、かつＱ値をより一層改善することができる。これを以下において説明する。
【００５８】
第１の実施形態と同様の構成を有する弾性波装置を、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥを変化させて複数作製した。次に、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥと、音速及びＱ×Δｆとの関係を求めた。この結果を下記の図６及び図７に示す。
【００５９】
図６は、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥと音速との関係を示す図である。図７は、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥとＱ×Δｆとの関係を示す図である。
【００６０】
図６に示すように、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥが薄くなるほど音速が高くなっていることがわかる。よって、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥが薄いほど、高周波化に容易に対応することができる。他方、図７に示すように、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥが１４％以上、３２％以下である場合には、Ｑ値をより一層改善することができている。従って、ＩＤＴ電極のＡｌ換算規格化膜厚ＴＥＬＥを１４％以上、３２％以下の範囲とすることにより、高周波化に容易に対応することができ、かつＱ値をより一層改善することができる。
【００６１】
図８は、第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００６２】
本実施形態は、支持基板２と低音速膜４との間に、高音速部材としての高音速膜２３が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。高音速膜２３には、第１の実施形態における高音速部材としての支持基板２と同様の材料を用いることができる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置２１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。なお、本実施形態においては、支持基板２は高音速部材に用いられる材料以外の適宜の材料からなっていてもよい。支持基板２は、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベート、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ダイヤモンド、マグネシア、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかからなる。
【００６３】
弾性波装置２１は、高音速膜２３、低音速膜４及び圧電体層５がこの順序で積層された積層体２６を有する。それによって、Ｑ値を高めることができ、弾性波のエネルギーを圧電体層５側に効果的に閉じ込めることができる。さらに、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に上記式１を満たすため、Ｑ値をより確実に改善することができる。
【００６４】
上記各実施形態の弾性波装置は、高周波フロントエンド回路のデュプレクサなどとして用いることができる。この例を下記において説明する。
【００６５】
図９は、通信装置及び高周波フロントエンド回路の構成図である。なお、同図には、高周波フロントエンド回路２３０と接続される各構成要素、例えば、アンテナ素子２０２やＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）２０３も併せて図示されている。高周波フロントエンド回路２３０及びＲＦ信号処理回路２０３は、通信装置２４０を構成している。なお、通信装置２４０は、電源、ＣＰＵやディスプレイを含んでいてもよい。
【００６６】
高周波フロントエンド回路２３０は、スイッチ２２５と、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと、フィルタ２３１，２３２と、ローノイズアンプ回路２１４，２２４と、パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂとを備える。なお、図９の高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０は、高周波フロントエンド回路及び通信装置の一例であって、この構成に限定されるものではない。
【００６７】
デュプレクサ２０１Ａは、フィルタ２１１，２１２を有する。デュプレクサ２０１Ｂは、フィルタ２２１，２２２を有する。デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂは、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。なお、上記弾性波装置は、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂであってもよいし、フィルタ２１１，２１２，２２１，２２２であってもよい。
【００６８】
さらに、上記弾性波装置は、例えば、３つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたトリプレクサや、６つのフィルタのアンテナ端子が共通化されたヘキサプレクサなど、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサについても適用することができる。
【００６９】
すなわち、上記弾性波装置は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサを含む。そして、該マルチプレクサは、送信フィルタ及び受信フィルタの双方を備える構成に限らず、送信フィルタのみ、または、受信フィルタのみを備える構成であってもかまわない。
【００７０】
スイッチ２２５は、制御部（図示せず）からの制御信号に従って、アンテナ素子２０２と所定のバンドに対応する信号経路とを接続し、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチによって構成される。なお、アンテナ素子２０２と接続される信号経路は１つに限らず、複数であってもよい。つまり、高周波フロントエンド回路２３０は、キャリアアグリゲーションに対応していてもよい。
【００７１】
ローノイズアンプ回路２１４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ａを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。ローノイズアンプ回路２２４は、アンテナ素子２０２、スイッチ２２５及びデュプレクサ２０１Ｂを経由した高周波信号（ここでは高周波受信信号）を増幅し、ＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信増幅回路である。
【００７２】
パワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ａ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。パワーアンプ回路２４４ａ，２４４ｂは、ＲＦ信号処理回路２０３から出力された高周波信号（ここでは高周波送信信号）を増幅し、デュプレクサ２０１Ｂ及びスイッチ２２５を経由してアンテナ素子２０２に出力する送信増幅回路である。
【００７３】
ＲＦ信号処理回路２０３は、アンテナ素子２０２から受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を出力する。また、ＲＦ信号処理回路２０３は、入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号をパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂへ出力する。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣである。なお、通信装置は、ＢＢ（ベースバンド）ＩＣを含んでいてもよい。この場合、ＢＢＩＣは、ＲＦＩＣで処理された受信信号を信号処理する。また、ＢＢＩＣは、送信信号を信号処理し、ＲＦＩＣに出力する。ＢＢＩＣで処理された受信信号や、ＢＢＩＣが信号処理する前の送信信号は、例えば、画像信号や音声信号等である。
【００７４】
なお、高周波フロントエンド回路２３０は、上記デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂに代わり、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂの変形例に係るデュプレクサを備えていてもよい。
【００７５】
他方、通信装置２４０におけるフィルタ２３１，２３２は、ローノイズアンプ回路２１４，２２４及びパワーアンプ回路２３４ａ，２３４ｂ，２４４ａ，２４４ｂを介さず、ＲＦ信号処理回路２０３とスイッチ２２５との間に接続されている。フィルタ２３１，２３２も、デュプレクサ２０１Ａ，２０１Ｂと同様に、スイッチ２２５を介してアンテナ素子２０２に接続される。
【００７６】
以上のように構成された高周波フロントエンド回路２３０及び通信装置２４０によれば、本発明の弾性波装置である、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、３以上のフィルタを備えるマルチプレクサなどを備えることにより、Ｑ値をより確実に改善することができる。
【００７７】
以上、本発明の実施形態に係る弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置について、実施形態及びその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施形態及び変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、上記実施形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路及び通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【００７８】
本発明は、弾性波共振子、フィルタ、デュプレクサ、マルチバンドシステムに適用できるマルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置として、携帯電話機などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【００７９】
１…弾性波装置
２…支持基板
４…低音速膜
５…圧電体層
６…積層体
７…ＩＤＴ電極
８ａ…第１のバスバー
８ｂ…第１の電極指
９ａ…第２のバスバー
９ｂ…第２の電極指
１７ａ〜１７ｅ…第１〜第５の金属層
１８，１９…反射器
２１…弾性波装置
２３…高音速膜
２６…積層体
２０１Ａ，２０１Ｂ…デュプレクサ
２０２…アンテナ素子
２０３…ＲＦ信号処理回路
２１１，２１２…フィルタ
２１４…ローノイズアンプ回路
２２１，２２２…フィルタ
２２４…ローノイズアンプ回路
２２５…スイッチ
２３０…高周波フロントエンド回路
２３１，２３２…フィルタ
２３４ａ，２３４ｂ…パワーアンプ回路
２４０…通信装置
２４４ａ，２４４ｂ…パワーアンプ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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