(57)【要約】      （修正有）【課題】温度むらに起因するマイクロレンズと発光素子の位置ずれを精度よく、かつ効率よく検出することができる光書き込み装置及び画像形成装置を提供する。【解決手段】点灯によって発熱する複数の発光素子を配設した光源基板と、発光素子の出射光を感光体表面上で結像させる複数の結像レンズからなる長尺の光学部材と有し、光源基板と光学部材とは長尺方向の一端で支持部材に固定されており、かつ互いに線膨張係数が異なっている光書き込み装置において、結像レンズ毎に、当該結像レンズに対応する発光素子の点灯状態から温度上昇量を推定し（ａ）、推定した温度上昇量を用いて線膨張量を求めることによって（ｂ）、結像レンズと発光素子との長尺方向における位置ずれ量を予測し（ｃ）、予測した位置ずれ量に応じて結像状態を補正する。【選択図】図１０
2019093587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子が上面に配設され、印刷ジョブに応じて当該複数の発光素子の出射光を変調する回路を内装した長尺の光源基板と、前記複数の発光素子の出射光を感光体の表面上に結像させる複数の結像レンズが配された長尺の光学部材と、前記長尺方向における一方の端部で前記光源基板と前記光学部材とに固定された支持部材とを有し、前記光源基板と前記光学部材とは線膨張係数が異なっている光書き込み装置であって、
前記結像レンズ毎に、当該結像レンズによって出射光を結像させる１以上の発光素子の発熱量の合計量を推定する発熱量推定手段と、
前記発熱量推定手段が推定した発熱量の合計量を用いて、前記光源基板と前記光学部材との線膨張量の差に起因する前記発光素子との前記長尺方向における位置ずれ量を予測する位置ずれ量予測手段と、
前記位置ずれ量予測手段が予測した位置ずれ量に応じて結像状態を補正する補正手段と、を備える
ことを特徴とする光書き込み装置。
【請求項２】
前記発熱量推定手段は、前記１以上の発光素子の前記印刷ジョブ開始時からの点灯時間の合計を用いて前記発熱量の合計量を推定する
ことを特徴とする請求項１に記載の光書き込み装置。
【請求項３】
前記発熱量推定手段は、前記１以上の発光素子の前記印刷ジョブ開始時からの消費電力の合計を用いて前記発熱量の合計量を推定する
ことを特徴とする請求項１に記載の光書き込み装置。
【請求項４】
前記結像レンズごとに、当該結像レンズが結像させる出射光の、当該出射光を出射した発光素子から前記感光体の表面に至る光路の変化を検出する光路変化検出手段と、
前記光路変化検出手段が検出した光路変化を用いて、当該光路変化に係る発光素子と当該発光素子の出射光を結像させる結像レンズとの位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出手段と、を備え、
前記位置ずれ量予測手段は、
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量を用いて、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズに係る位置ずれ量を予測する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光書き込み装置。
【請求項５】
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の平均値から当該合計量が所定の閾値以上異なる結像レンズである
ことを特徴とする請求項４に記載の光書き込み装置。
【請求項６】
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記長尺方向において隣り合う２つの結像レンズであって、かつ当該隣り合う２つの結像レンズどうしで前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の差が所定の閾値以上である
ことを特徴とする請求項４に記載の光書き込み装置。
【請求項７】
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記長尺方向において隣り合う２つの結像レンズであって、かつ当該隣り合う２つの結像レンズどうしで前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の和が所定の閾値以上である
ことを特徴とする請求項４に記載の光書き込み装置。
【請求項８】
前記位置ずれ量予測手段は、
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量を用いた線形補完によって、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズに係る位置ずれ量を予測する
ことを特徴とする請求項４から７の何れかに記載の光書き込み装置。
【請求項９】
前記位置ずれ量予測手段は、
前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量に加えて、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズについて前記発熱量推定手段が推定した発熱量の合計量を用いて、当該結像レンズに係る位置ずれ量を予測する
ことを特徴とする請求項４から７の何れかに記載の光書き込み装置。
【請求項１０】
請求項１から９の何れかに記載の光書き込み装置を備える
ことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光書き込み装置及び画像形成装置に関し、特に、ライン光学型の光書き込み装置において環境条件の変動に起因する光量変動を精度よく抑制する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式の画像形成装置に用いられる光書き込み装置として、ライン光学型の光書き込み装置が、機械的な動作を伴う光走査型の光書き込み装置よりも低騒音かつ小型化が容易であることから、広く普及している。
【０００３】
ライン光学型の光書き込み装置は、光源基板上でライン状に配列された発光素子の出射光を、レンズ径が数μｍから数ｍｍのマイクロレンズを２次元アレイ状に配置したマイクロレンズアレイ（MLA: Micro Lens Array）を用いて結像することによって、感光体表面上に静電潜像を形成する。
【０００４】
画像形成装置の機内温度が上昇すると、光源基板とマイクロレンズアレイもまた昇温して熱膨張する。この場合において、光源基板とマイクロレンズアレイとで線膨張係数が異なる場合には両者の間に線膨張差が発生する。光源基板とマイクロレンズアレイとは何れも主走査方向に長尺であるため、特に主走査方向において線膨張差が顕著になり、個々の発光素子とマイクロレンズとの位置関係に変化が生じる。
【０００５】
発光素子とマイクロレンズとの位置関係が変化すると、発光素子の出射光のマイクロレンズによる結像光量が変化したり、結像位置がずれたりして、画像品質が低下する。
【０００６】
このような問題に対して、例えば、マイクロレンズと発光素子との位置ずれ量と画像形成装置の機内温度との関係と、位置ずれ量と発光素子の光量補正値との関係を表すテーブルを用意しておき、検出温度に応じて発光素子の光量を補正する発光装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。このようにすれば、機内温度の変化によって生じるマイクロレンズと発光素子との位置ずれに起因する結像状態の変動を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１５５４５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、マイクロレンズアレイと光源基板とは、画像形成装置の機内温度以外の要因によっても熱膨張する。例えば、発光素子は点灯時に発熱するが、何れの発光素子が点灯されるかは画像データによって異なり、常にすべての発光素子が同時に点灯されるわけではない。このため、発光素子が点灯されている近辺では発光素子の発熱によってマイクロレンズアレイが昇温する一方、発光素子が消灯されている近辺ではマイクロレンズアレイはあまり昇温しない。
【０００９】
このようにマイクロレンズアレイは主走査方向における位置ごとに熱膨張の程度が異なると、発光素子ごとに位置ずれ量が異なり得るため、画像形成装置の機内温度しか参照しないのでは露光位置のずれを精度よく抑制することができない。
【００１０】
一方、画像形成時に、例えば紙間ごとに、すべてのマイクロレンズについてセンサーを用いて位置ずれ量を検出しようとすると、検出時間がマイクロレンズの個数分かかるため、検出時間分だけ紙間を開けざるを得なくなって、印字速度の低下を招く、という問題もある。
【００１１】
本発明は、上述のような問題に鑑みて為されたものであって、温度むらに起因するマイクロレンズと発光素子と位置ずれを精度よく、かつ効率よく検出することができる光書き込み装置及び画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る光書き込み装置は、複数の発光素子が上面に配設され、印刷ジョブに応じて当該複数の発光素子の出射光を変調する回路を内装した長尺の光源基板と、前記複数の発光素子の出射光を感光体の表面上に結像させる複数の結像レンズが配された長尺の光学部材と、前記長尺方向における一方の端部で前記光源基板と前記光学部材とに固定された支持部材とを有し、前記光源基板と前記光学部材とは線膨張係数が異なっている光書き込み装置であって、前記結像レンズ毎に、当該結像レンズによって出射光を結像させる１以上の発光素子の発熱量の合計量を推定する発熱量推定手段と、前記発熱量推定手段が推定した発熱量の合計量を用いて、前記光源基板と前記光学部材との線膨張量の差に起因する前記発光素子との前記長尺方向における位置ずれ量を予測する位置ずれ量予測手段と、前記位置ずれ量予測手段が予測した位置ずれ量に応じて結像状態を補正する補正手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
このようにすれば、対応する発光素子の発熱量の合計量を推定して、得られた発熱量の合計量を用いて、結像レンズと発光素子との位置ずれ量を予測するので、温度むらに起因するマイクロレンズと発光素子と位置ずれを精度よく、かつ効率よく検出することができる。
【００１４】
この場合において、前記発熱量推定手段は、前記１以上の発光素子の前記印刷ジョブ開始時からの点灯時間の合計を用いて前記発熱量の合計量を推定してもよいし、前記１以上の発光素子の前記印刷ジョブ開始時からの消費電力の合計を用いて前記発熱量の合計量を推定してもよい。
【００１５】
また、前記結像レンズごとに、当該結像レンズが結像させる出射光の、当該出射光を出射した発光素子から前記感光体の表面に至る光路の変化を検出する光路変化検出手段と、前記光路変化検出手段が検出した光路変化を用いて、当該光路変化に係る発光素子と当該発光素子の出射光を結像させる結像レンズとの位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出手段と、を備え、前記位置ずれ量予測手段は、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量を用いて、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズに係る位置ずれ量を予測してもよい。
【００１６】
また、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の平均値から当該合計量が所定の閾値以上異なる結像レンズであってもよい。
【００１７】
また、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記長尺方向において隣り合う２つの結像レンズであって、かつ当該隣り合う２つの結像レンズどうしで前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の差が所定の閾値以上であってもよい。
【００１８】
また、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズは、前記長尺方向において隣り合う２つの結像レンズであって、かつ当該隣り合う２つの結像レンズどうしで前記発熱量推定手段が推定した結像レンズ毎の合計量の和が所定の閾値以上であってもよい。
【００１９】
また、前記位置ずれ量予測手段は、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量を用いた線形補完によって、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズに係る位置ずれ量を予測してもよい。
【００２０】
また、前記位置ずれ量予測手段は、前記長尺方向において相異なる位置にある２つの結像レンズについて、前記位置ずれ量検出手段が検出した位置ずれ量に加えて、当該２つの結像レンズ以外の結像レンズについて前記発熱量推定手段が推定した発熱量の合計量を用いて、当該結像レンズに係る位置ずれ量を予測してもよい。
【００２１】
また、本発明に係る画像形成装置は本発明に係る光書き込み装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る画像形成装置の主要な構成を示す図である。
【図２】光源基板２００の主要な構成を示す平面図及び断面図である。
【図３】（ａ）はＴＦＴ回路２１４の主要な構成を示すブロック図であり、（ｂ）は選択回路３０１と発光ブロック３０２の構成を示す回路図である。
【図４】ドライバーＩＣ２１２の主要な構成を示すブロック図である。
【図５】（ａ）は副走査方向に垂直な断面における光書き込み装置１００の断面図であり、（ｂ）はＧ１レンズ５１０の平面図であり、（ｃ）は絞り５２０の平面図である。
【図６】光源基板２００及び発光素子群６００における発光素子３２０の配置を示す平面図である。
【図７】ドライバーＩＣ２１２による位置ずれ検出処理を表すフローチャートである。
【図８】（ａ）は温度上昇量テーブルを例示する表であり、（ｂ）は発光量補正テーブルを例示する表である。
【図９】主走査方向における本来の露光位置と実際の露光位置との位置関係を例示する図である。
【図１０】（ａ）はマイクロレンズ毎の温度上昇量を例示する棒グラフであり、（ｂ）はマイクロレンズ毎の線膨張量を例示する棒グラフであり、（ｃ）はマイクロレンズ毎の位置ずれ量を例示する棒グラフである。
【図１１】（ａ）は副走査方向に直交する断面におけるマイクロレンズアレイ２０１の断面図であり、（ｂ）は絞り５２０の平面図である。
【図１２】本発明の第３の実施の形態に係る位置ずれ量の検出処理を表すフローチャートである。
【図１３】マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフである。
【図１４】位置ずれ量テーブルを例示する表である。
【図１５】マイクロレンズ毎の位置ずれ量を例示するグラフである。
【図１６】本発明の第４の実施の形態に係る位置ずれ量の検出処理を表すフローチャートである。
【図１７】マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフである。
【図１８】マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフである。
【図１９】本発明の第５の実施の形態に係る位置ずれ量の検出処理を表すフローチャートである。
【図２０】（ａ）はマイクロレンズ毎の温度上昇量を例示する棒グラフであり、（ｂ）はマイクロレンズの位置ずれ量の実測値を例示する棒グラフであり、（ｃ）はマイクロレンズの位置ずれ量の実測値から算出される予測値を例示する棒グラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明に係る光書き込み装置及び画像形成装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］第１の実施の形態
本実施の形態に係る光書き込み装置及び画像形成装置は、印刷ジョブの実行中に発光素子ごとの点灯回数を計数し、計数した点灯回数を主走査方向における各発光素子の位置での温度情報として、マイクロレンズ毎の位置ずれ量を推定する。
（１−１）画像形成装置の構成
まず、本実施の形態に係る画像形成装置の構成について説明する。
【００２４】
図１に示すように、画像形成装置１は、所謂タンデム方式のカラープリンターであって、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）及びブラック（Ｋ）各色のトナー像を形成する画像形成ステーション１１０Ｙ、１１０Ｍ、１１０Ｃ及び１１０Ｋを備えている。画像形成ステーション１１０Ｙ、１１０Ｍ、１１０Ｃ及び１１０Ｋは、矢印Ａ方向に回転する感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋを有している。
【００２５】
感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋの周囲には外周面に沿って順に帯電装置１０２Ｙ、１０２Ｍ、１０２Ｃ及び１０２Ｋ、光書き込み装置１００Ｙ、１００Ｍ、１００Ｃ及び１００Ｋ、現像装置１０３Ｙ、１０３Ｍ、１０３Ｃ及び１０３Ｋ、１次転写チャージャー１０４Ｙ、１０４Ｍ、１０４Ｃ及び１０４Ｋ及びクリーニング装置１０５Ｙ、１０５Ｍ、１０５Ｃ及び１０５Ｋが配設されている。
【００２６】
帯電装置１０２Ｙ、１０２Ｍ、１０２Ｃ及び１０２Ｋは感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋの外周面を一様に帯電させる。光書き込み装置１００Ｙ、１００Ｍ、１００Ｃ及び１００Ｋは、感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋの外周面を露光して静電潜像を形成する。
【００２７】
現像装置１０３Ｙ、１０３Ｍ、１０３Ｃ及び１０３ＫはＹＭＣＫ各色のトナーを供給して静電潜像を現像し、ＹＭＣＫ各色のトナー像を形成する。１次転写チャージャー１０４Ｙ、１０４Ｍ、１０４Ｃ及び１０４Ｋは感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋが担持するトナー像を中間転写ベルト１０６へ静電転写する（１次転写）。
【００２８】
クリーニング装置１０５Ｙ、１０５Ｍ、１０５Ｃ及び１０５Ｋは、１次転写後に感光体ドラム１０１Ｙ、１０１Ｍ、１０１Ｃ及び１０１Ｋの外周面上に残留する電荷を除電すると共に残留トナーを除去する。なお、以下において、画像形成ステーション１１０Ｙ、１１０Ｍ、１１０Ｃ及び１１０Ｋに共通する構成について説明する際にはＹＭＣＫの文字を省略する。
【００２９】
中間転写ベルト１０６は、無端状のベルトであって、２次転写ローラー対１０７、従動ローラー１０８及びテンションローラー１０９に張架されており、矢印Ｂ方向に回転走行する。この回転走行にタイミングを合わせて１次転写することによって、ＹＭＣＫ各色のトナー像が互いに重ね合わされ、カラートナー像が形成される。中間転写ベルト１０６はカラートナー像を担持した状態で回転走行することによって、カラートナー像を２次転写ローラー対１０７の２次転写ニップまで搬送する。
【００３０】
２次転写ローラー対１０７を構成する２つのローラーは互いに圧接されることによって２次転写ニップを形成する。これらのローラー間には２次転写電圧が印加されている。中間転写ベルト１０６によるカラートナー像の搬送にタイミングを合わせて給紙トレイ１２０から記録シートＳが供給されると、２次転写ニップにおいてカラートナー像が記録シートＳに静電転写される（２次転写）。
【００３１】
記録シートＳは、カラートナー像を担持した状態で定着装置１３０まで搬送され、カラートナー像を熱定着された後、排紙トレイ１４０上へ排出される。
【００３２】
画像形成装置１は、更に制御部１５０を備えている。制御部１５０は、ＰＣ（Personal Computer）等の外部装置から印刷ジョブを受け付けると、画像形成装置１を制御して画像形成を実行させる。
【００３３】
制御部１５０は、画像形成を行っていないタイミングで、ブラック、シアン、マゼンタ、イエローの各画像形成ステーションにより転写ベルト１１２上にトナー像を形成し、レジストセンサー１６０により濃度および各色間の相対位置ずれ量を測定し、電子写真システムの各条件にフィードバックすることにより環境等により発生する画像の劣化を補正する。
【００３４】
また、制御部１５０は、不図示の温度センサーを備えており、画像形成装置１の装置内温度を検出して、光書き込み装置１００に通知する。
（１−２）光書き込み装置１００の構成
次に、光書き込み装置１００の構成について説明する。
【００３５】
光書き込み装置１００は、光源基板とマイクロレンズアレイとを支持部材で支持する構成になっており、光源基板の出射光Ｌをマイクロレンズアレイによって感光体ドラム１０１の外周面上に集光する。支持部材は、光源基板とマイクロレンズアレイとの何れにも主走査方向における一方の端部で固定されている。
なお、光書き込み装置１００と画像形成装置１の他の装置とを接続するためのケーブル等については図示を省略した。
【００３６】
光源基板２００は、図２に示すように、ガラス基板２１０、封止板２１１及びライバーＩＣ（Integrated Circuit）２１２等を備えている。ガラス基板２１０上にはＴＦＴ（Thin Film Transistor）回路２１４が形成されており、１５，０００個の発光素子（図示省略）が主走査方向に沿って２１．２μｍピッチ（１２００ｄｐｉ）で千鳥配列されている。
【００３７】
また、ガラス基板２１０の発光素子が配設された基板面は封止領域となっており、スペーサー枠体２１３を挟んで封止板２１１が取着されている。これによって、封止領域が、外気に触れないように乾燥窒素等を封入した状態で、封止される。なお、吸湿のため、封止領域内に吸湿剤を併せて封入しても良い。なお、封止板２１１は、例えば、封止ガラスであっても良いし、ガラス以外の材料からなっていても良い。
【００３８】
ガラス基板２１０の封止領域外にはドライバーＩＣ２１２が実装されている。制御部１５０はドライバーＩＣ２１２と接続して、光源基板２００を制御するためにＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）２２０を備えており、ＡＳＩＣ２２０はフレキシブルワイヤー２２１を経由してドライバーＩＣ２１２に画像データのデジタル輝度信号を入力する。ドライバーＩＣ２１２はデジタル輝度信号をアナログ輝度信号（以下、単に「輝度信号」という。）に変換して発光素子毎の駆動回路に入力する。駆動回路は輝度信号に応じて発光素子の駆動電流を生成する。なお、本実施の形態において、輝度信号は電圧信号である。
（１−３）ＴＦＴ回路２１４
次に、ＴＦＴ回路２１４の構成について説明する。
【００３９】
図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路２１４においては、１５，０００個の発光素子が１００個ずつ、１５０個の発光ブロック３０２に組分けられている。
【００４０】
ドライバーＩＣ２１２には１５０個の電流ＤＡＣ（Digital to Analogue Converter）３００が内蔵されている。電流ＤＡＣ３００はデジタル制御可能な可変電流源であって、それぞれ発光ブロック３０２と１対１に対応している。発光ブロック３０２は主走査方向に配列されている。マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズと発光ブロック３０２とは１対１に対応しており、１つの発光ブロック３０２に含まれる１００個の発光素子３２０の出射光は１つのマイクロレンズによって感光体ドラム１０１の外周面上に集光される。
【００４１】
電流ＤＡＣ３００から発光ブロック３０２に向かう各回路上には選択回路３０１が配設されている。更に、ドライバーＩＣ２１２から選択回路３０１へ向かう回路上にはリセット回路３０３が接続されている。各電流ＤＡＣ３００は、配下の１００個の発光素子３２０に対して、所謂ローリング駆動によって順次、輝度信号を出力する。１個の電流ＤＡＣ３００は、１対１に対応する発光ブロック３０２に含まれる１００個の発光素子３２０によって時間共有されている。
【００４２】
図３（ｂ）に示すように、発光ブロック３０２は１００個の発光画素回路からなっており、各発光画素回路は、キャパシター３２１、駆動ＴＦＴ３２２及び発光素子３２０を１つずつ有している。本実施の形態において、発光素子３２０がＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）である場合を例にとって説明するが、発光素子３２０は半導体ＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。
【００４３】
選択回路３０１はシフトレジスター３１１と１００個の選択ＴＦＴ３１２とを備えている。シフトレジスター３１１は、１００個の選択ＴＦＴ３１２それぞれのゲート端子に接続されており、選択ＴＦＴ３１２を順次オンする。選択ＴＦＴ３１２のソース端子は、書き込み配線３３０を介して、電流ＤＡＣ３００に接続されており、ドレイン端子はキャパシター３２１の第１の端子並びに駆動ＴＦＴ３２２のゲート端子に接続されている。
【００４４】
シフトレジスター３１１が選択ＴＦＴ３１２をオンすると、電流ＤＡＣ３００の出力電流がキャパシター３２１の第１の端子へ流れて、キャパシター３２１に電荷が蓄積される。キャパシター３２１に蓄積された電荷は、リセット回路３０３によってリセットされるまで保持される。リセット回路３０３は、リセットＴＦＴ３４０を備えている。
【００４５】
キャパシター３２１の第１の端子は、駆動ＴＦＴ３２２のゲート端子にも接続されており、キャパシター３２１の第２の端子は駆動ＴＦＴ３２２のソース端子並びに電源配線３３１に接続されている。駆動ＴＦＴ３２２のドレイン端子には発光素子３２０のアノード端子が接続されており、発光素子３２０のカソード端子は接地配線３３２に接続されている。接地配線３３２は接地端子ＧＮＤに接続されており、電源配線３３１は定電圧源Ｖｐｗｒに接続されている。
【００４６】
定電圧源Ｖｐｗｒは、発光素子３２０に供給される駆動電流の供給源となっている。駆動ＴＦＴ３２２は、キャパシター３２１の第１、第２の端子間に保持される輝度信号（電圧信号）をゲート−ソース電圧Ｖｇｓとして印加されることによって、輝度信号に応じた電流量の駆動電流を発光素子３２０に供給する。
【００４７】
例えば、キャパシター３２１にＨに相当する輝度信号が書き込まれると、駆動ＴＦＴ３２２がオンして、発光素子３２０が発光する。また、キャパシター３２１にＬに相当する輝度信号が書き込まれると、駆動ＴＦＴ３２２はオフして、発光素子３２０は発光しない。キャパシター３２１に書き込まれた輝度信号は、次の輝度信号が書き込まれるか、またはリセットＴＦＴ３４０がオンされるまで保持される。
【００４８】
ドライバーＩＣ２１２がリセットＴＦＴ３４０をオンすると電流ＤＡＣ３００からキャパシター３２１に至る配線がリセット電位にリセットされる。リセット電位は、Ｖｄｄ電位であっても接地電位であってもよく、適切な電位を選択すればよい。また、本実施の形態においては、リセット状態で発光素子３２０が発光しない場合について説明するが、リセット状態で発光素子３２０が発光する構成としても良い。
【００４９】
なお、本実施の形態においては、駆動ＴＦＴ３２２がｐチャンネルである場合を例にとって説明しているが、ｎチャンネルの駆動ＴＦＴ３２２を用いても良いことは言うまでも無い。
【００５０】
また、本実施の形態においては、リセット回路３０３をドライバーＩＣ２１２とは別途設けて、ドライバーＩＣ２１２の制御下におく構成としたが、これに代えて、リセット回路３０３をドライバーＩＣ２１２に内蔵してもよい。また、リセット時と書込時で電流ＤＡＣが出力する電流の極性を変えることによってリセット回路３０３の機能を実現してもよい。また、リセットＴＦＴ３４０に代えて、ＴＦＴ以外のスイッチング素子を用いても良い。
（１−４）ドライバーＩＣ２１２
次に、ドライバーＩＣ２１２について説明する。
【００５１】
図４に示すように、ドライバーＩＣ２１２は、駆動電流補正部４１０、ドットカウント部４２０、温度上昇量テーブル４３０及び発光量補正テーブル４４０を備えている。ドットカウント部４２０は、各発光素子３２０に対応するドットカウンターとして１５，０００個の発光素子カウンター４２１と、各発光ブロック３０２に対応するドットカウンターとして１５０個の発光ブロックカウンター４２２とを有している。
【００５２】
発光素子カウンター４２１は、対応する発光素子３２０が１回発光するたびに所定のカウント値が加算される。駆動電流補正部４１０は、発光素子３２０毎について発光素子カウンター４２１のカウンター値がドットカウント閾値に達するたびに駆動電流量を補正する。駆動電流量の補正に際して、駆動電流量補正部４１０は、発光素子３２０毎の駆動電流量、発光効率、発光光量及び劣化度を参照する。また、温度センサー（図示省略）を用いて画像形成装置１の機内温度を測定し、機内温度ごとに予め記憶している温度補正係数を用いて、駆動電流量を補正してもよい。
【００５３】
発光ブロックカウンター４２２は、印刷ジョブ毎に、対応する発光ブロック３０２の配下の発光素子３２０が１回発光するたびに所定のカウント値が加算され、印刷ジョブが完了するとリセットされる。発光ブロックカウンター４２２のカウンター値は当該発光ブロック３０２に対応するマイクロレンズの温度と相関していると考えられる。このため、駆動電流補正部４０１は、発光ブロックカウンター４２２のカウンター値からマイクロレンズ毎の温度上昇量を予測する。
【００５４】
温度上昇量テーブル４３０は、発光ブロックカウンター４２２のカウンター値と当該発光ブロックに対応するマイクロレンズの温度上昇量との関係を示す表である（図８（ａ））。
【００５５】
発光量補正テーブル４４０は、１５，０００個の発光素子３２０ごとに設けられており、マイクロレンズと当該マイクロレンズに対応する発光ブロック３０２との位置ずれ量に応じて、当該発光ブロック３０２に属する発光素子３２０の発光量を補正するための補正係数が記録されている（図８（ｂ））。
（１−５）マイクロレンズアレイ
次に、マイクロレンズアレイの構成について説明する。
【００５６】
本実施の形態において、マイクロレンズアレイは光源基板２００よりも線膨張係数の大きな材料からなっており、環境温度が上昇または下降すると、マイクロレンズアレイと光源基板２００との間で線膨張差が発生する。マイクロレンズアレイと光源基板２００とは何れも主走査方向において長尺になっているので、線膨張差も主走査方向において特に大きくなる。
【００５７】
図５（ａ）に示すように、マイクロレンズアレイ２０１は所謂テレセントリック光学系になっており、光源基板２００に近い方から順にＧ１レンズ５１０、絞り５２０及びＧ２レンズ５３０が配設されている。Ｇ１レンズ５１０及びＧ２レンズ５３０は樹脂材料またはガラス材料からなる透明な部材である。主走査方向において同じ位置に配設されているＧ１レンズ５１０とＧ２レンズ５３０が１つのマイクロレンズを構成する。
【００５８】
Ｇ１レンズ５１０は平板状部材５１２の両主面に平凸レンズを固着したものであり、Ｇ２レンズ５３０は平板状部材５３２の光源基板２００側の主面に平凸レンズを固着したものである。平凸レンズは球面状であってもよいし、非球面状であってもよい。Ｇ１レンズとＧ２レンズとは光軸が一致している。
【００５９】
マイクロレンズアレイ２０１とガラス基板２１０とは主走査方向における一方の端部において支持部材５００に固定されている。このため、マイクロレンズアレイ２０１は、温度が上昇すると、熱膨張によって主走査方向における支持部材５００とは反対側へ膨張する。この膨張によって、マイクロレンズアレイ２０１を構成する個々のマイクロレンズもまた主走査方向に移動して、発光素子３２０との間で位置ずれが発生する。
【００６０】
図５（ｂ）に示すように、Ｇ１レンズ５１０においては、１５０個のマイクロレンズ５１１が３行５０列の千鳥状に配列されている。各マイクロレンズ５１１は、２枚の平凸レンズを組み合わせることによって両凸レンズとして機能し、光軸方向から見て重なる位置にある１００個の発光素子３２０からの出射光を屈折させる。
【００６１】
Ｇ２レンズ５３０においても、Ｇ１レンズ５１０と同様に、１５０個のマイクロレンズ５３１が３行５０列の千鳥状に配列されており、各マイクロレンズ５３１は光軸方向から見て重なる位置にある１００個の発光素子３２０からの出射光を屈折させる。ただし、Ｇ２レンズ５３０を構成するマイクロレンズ５３１は平凸レンズである。
【００６２】
Ｇ１レンズ５１０は主走査方向におけるマイクロレンズ５１１が設けられている箇所が肉厚になっており、マイクロレンズ５１１が設けられていない箇所は相対的に肉薄になっている。このため、マイクロレンズ５１１が設けられている箇所よりも設けられていない箇所の方が、剛性が低く変形し易い。
【００６３】
Ｇ２レンズ５３０についてもＧ１レンズ５１０と同様に、主走査方向におけるマイクロレンズ５３１が設けられている箇所が肉厚になっており、マイクロレンズ５３１が設けられていない箇所は相対的に肉薄になっている。このため、マイクロレンズ５３１が設けられている箇所よりも設けられていない箇所の方が、剛性が低く変形し易い。
【００６４】
図５（ｃ）に示すように、絞り５２０は、樹脂や金属などの遮光性を有する材料からなる平板状部材であって、各１５０個のマイクロレンズ５１１、５３１に１対１に対応する１５０個の貫通孔５２１が設けられている。発光素子３２０の出射光は、Ｇ１レンズ５１０のマイクロレンズ５１１を通過した後、絞り５２０によって貫通孔５２１に入射した部分のみがＧ２レンズ５３０のマイクロレンズ５３１へ進み、他の部分は遮光される。
【００６５】
マイクロレンズアレイ２０１並びに光源基板２００は、塵埃等が発光素子３２０の出射光を遮らないようにするために、不図示のカバーによって覆われている。
（１−６）光源基板２００
次に、光源基板２００の構成について説明する。
【００６６】
図６に示すように、光源基板２００のＴＦＴ回路２１４においては、光軸方向から見てマイクロレンズアレイ２０１の個々のマイクロレンズに対応する円形領域６０１内に、１００個の発光素子３２０からなる発光素子群６００が配設されている。発光素子群６００は、発光ブロック３０２と１対１に対応しており、１００個の発光素子３２０が１０行×１０列の千鳥状に配列されている。
【００６７】
また、１００個の発光素子３２０は、主走査方向において２１．２μｍ間隔で配列されているので、円形領域６０１の直径は３００μｍ以上必要であり、マイクロレンズも同様である。主走査方向において隣り合う発光素子群６００どうしは、一方の発光素子群６００の主走査方向における最上流に位置する発光素子３２０と、他方の発光素子群６００の主走査方向における最下流に位置する発光素子３２０との間隔もまた２１．２μｍになっている。
（１−７）位置ずれ量の検出処理
発光素子３２０は、発光の際に発熱し、印刷ジョブの開始時からの累積発光時間に比例して温度が上昇する。マイクロレンズアレイ２０１の局所的な膨張量は、当該箇所に対向する発光ブロックにおける温度上昇に相関する。また、光源基板２００とマイクロレンズアレイ２０１とは主走査方向における一方の端部で支持部材５００に固定されているため、マイクロレンズアレイ２０１の主走査方向における各所の位置ずれ量は、当該箇所から支持部材５００側における各所の局所的な膨張量の総和に等しい。
【００６８】
このような知見に基づいて、図７に示すように、ドライバーＩＣ２１２は、印刷ジョブを実行する際には（Ｓ７０１：ＹＥＳ）、すべての発光ブロックカウンター４２２のカウンター値を０に初期化し（Ｓ７０２）、画像中で何番目のラインであるかを表す変数ｎの変数値を０に初期化した後（Ｓ７０３）、ステップＳ７０３からＳ７０９までの処理を印刷ジョブで指定されたライン毎に実行する。
【００６９】
まず、ｎ番目のラインの露光を実行する（Ｓ７０４）。変数ｎの変数値が、当該印刷ジョブで画像形成すべき全ライン数Ｎに達していたら（Ｓ７０５：ＮＯ）、処理を終了する。次にｎがＮ未満である場合には（Ｓ７０５：ＹＥＳ）、ステップＳ７０６へ進む。
【００７０】
そして、露光を実行したｎ番目のラインの画像データを参照し、発光ブロック３０２毎の発光素子３２０の個数である１００個に対応して、１００画素ごとに黒画素の個数を計数することによって、発光ブロック３０２毎に点灯すべき発光素子３２０の個数を確認し、発光ブロックカウンター４２２のカウンター値を当該個数分だけ増加させる（Ｓ７０６）。この発光ブロックカウンター４２２のカウンター値が当該発光ブロックに対向するマイクロレンズの温度情報である。
【００７１】
次に、マイクロレンズ毎の温度上昇量を予測する（Ｓ７０７）。このため、ドライバーＩＣ２１２は温度上昇量テーブル（図８（ａ））を参照して、発光ブロック３０２ごとの発光ブロックカウンター４２２のカウンター値からマイクロレンズ毎の温度上昇量を予測する。予測によって得られた温度上昇量を、制御部１５０から通知された画像形成装置１の装置内温度に加算して、得られたマイクロレンズの温度にマイクロレンズアレイ２０１との線膨張係数を乗算し、更に主走査方向におけるマイクロレンズの長さを乗算すると、マイクロレンズの線膨張量を得ることができる。
【００７２】
また、光源基板２００の線膨張係数に画像形成装置１の装置内温度を乗算し、更に主走査方向におけるマイクロレンズの長さを乗算すると、光源基板２００の線膨張量が算出される。このようにして算出されたマイクロレンズの線膨張量から光源基板２００の線膨張量を減算すると、光源基板２００とマイクロレンズアレイ２０１との間の線膨張差のうちマイクロレンズ毎の部分的な線膨張差を得ることができる。
【００７３】
この部分的な線膨張差の累計を求めることによって、マイクロレンズ毎の位置ずれ量を算出する（Ｓ７０８）。主走査方向における支持部材５００側の端部から数えてｎ番目のマイクロレンズと発光ブロック３０２との位置ずれ量Ｌｎは、次式（１）を用いて算出することができる。
【００７４】
Ｌｎ ＝ Σ（Ｄｃ×Ｔｉ）  …（１）
ここで、シグマはｉ＝１からｎまでの和であり、Ｔｉはｉ番目のマイクロレンズの温度上昇量である。
【００７５】
次に、位置ずれ量Ｌｎに合わせて、次に露光するラインの画像データを補正する（Ｓ７０９）。ｎ番目の位置ずれ量Ｌｎが正値の場合は、図９に示すように、ｎ番目の画素の形成予定位置９０１よりも主走査方向におけるｎ＋１番目の画素の形成予定位置９０３側にｎ番目の検出位置９０２が位置しており、ｎ番目の形成予定位置９０１からｎ番目の検出位置９０２までの距離が位置ずれ量Ｌｎになっている。
【００７６】
また、ｎ番目の画素の形成予定位置９０１からｎ＋１番目の画素の形成予定位置９０３までの距離Ｌｐは画素のピッチである２１．２μｍに等しい。このような場合、ｎ番目の画素の補正前の画素値をＰｎ、ｎ＋１番目の画素の補正前の画素値をＰｎ＋１とすると、ｎ番目の画素の補正後の画素値Ｐは次式（２）を用いて算出することができる。
【００７７】
Ｐ ＝ ｛Ｐｎ×（Ｌｐ−Ｌｎ）＋（Ｐｎ＋１）×Ｌｎ｝÷Ｌｐ  …（２）
なお、Ｌｎの単位は画素のピッチと同じく［μｍ］である。
【００７８】
ｎ番目の位置ずれ量Ｌｎが負値である場合は、上と同様な式（３）を用いて、ｎ−１番目の画素の補正前の画素値Ｐｎ−１を用いてｎ番目の画素の補正後の画素値Ｐを算出することができる。言うまでもなく、位置ずれ量Ｌｎが０の場合は画素値を補正する必要はない。
【００７９】
Ｐ ＝ ｛Ｐｎ×（Ｌｐ−Ｌｎ）＋（Ｐｎ−１）×Ｌｎ｝÷Ｌｐ  …（３）
その後、ｎ番目の位置ずれ量Ｌｎを用いてｎ番目の発光素子３２０の発光量を補正する（Ｓ７１０）。本実施の形態においては、ｎ番目の画素の発光量を補正する際、ｎ番目の発光量補正テーブル４４０（図８（ｂ））を参照して、位置ずれ量Ｌｎに対応する補正係数ＣＣｌａｎ＿ｉを読み出す。そして、読み出した補正係数ＣＣｌａｎ＿ｉを補正前の発光量に乗算することによって、補正後の発光量を算出する。なお、位置ずれ量Ｌｎが一致する欄がない場合には直近の２つの位置ずれ量に対応する補正係数を用いて線形補完によって補正係数を算出してもよい。
【００８０】
その後、変数ｎの変数値を１だけ増加させて（Ｓ７１１）、ステップＳ７０４へ進み、上記の処理を繰り返す。
【００８１】
このように発光ブロック３０２毎に配下の発光素子３２０の点灯回数の総和を求めて、当該発光ブロック３０２に対応するマイクロレンズ毎の温度上昇量を予測し（図１０（ａ））、マイクロレンズ毎の温度上昇量の予測値からマイクロレンズ毎の線膨張量を予測し（図１０（ｂ））、マイクロレンズ毎の線膨張量の予測値からマイクロレンズと当該マイクロレンズに対応する発光ブロック３０２との位置ずれ量を予測すれば（図１０（ｃ））、マイクロレンズアレイ２０１の熱膨張に起因する画質劣化を補償することができる。
［２］第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、上記第１の実施の形態に係る画像形成装置と概ね共通の構成を備える一方、マイクロレンズの温度上昇量の予測のしかたが相違している。以下、主に相違点に着目して説明する。なお、本明細書においては、実施の形態どうしで共通する部材等については共通の符号が付与されている。
【００８２】
上記第１の実施の形態においては、発光ブロック３０２毎に配下の発光素子３２０の点灯回数を計数することによって、マイクロレンズの温度上昇量を予測したが、発光素子３２０の発熱量は、発光時間が同じであっても、発光量が多い方が多くなる。従って、発光素子３２０の発光時間が同じであっても、発光素子３２０の発光量が多いほど、マイクロレンズの温度上昇量が多くなる。
【００８３】
この特性を考慮して、本実施の形態においては、ドライバーＩＣ２１２のドットカウント部４２０が備える１５０個の発光ブロックカウンター４２２に発光ブロック３０２毎の発熱量を指標する値として、発光ブロック３０２の配下の発光素子３２０の累積発光量を記録する。
【００８４】
そして、図７のステップＳ７０６において発光ブロックカウンター４２２を更新する際に、点灯すべき発光素子３２０の個数ではなく、発光素子３２０の発光量Ｌａの総和Ｓを求める。
【００８５】
Ｓ ＝ ΣＬａ＿ｉ  …（４）
言うまでもなく、点灯しない発光素子３２０の発光量Ｌａは０である。そして、発光ブロックカウンター４２２の元のカウンター値に発光量Ｌａの総和Ｓを加算した値を、発光ブロックカウンター４２２の新たなカウンター値にする。
【００８６】
次に、ステップＳ７０７においてマイクロレンズ毎に温度上昇量を予測する際には、上記第１の実施の形態と同様に、温度上昇量テーブル４３０を参照する。本実施の形態においては、温度上昇量テーブル４３０は、発光ブロック３０２の配下の発光素子３２０の累積発光量を表すカウンター値とマイクロレンズの温度上昇量との関係を記録している。この温度上昇量テーブル４３０を参照することによって、マイクロレンズの温度上昇量が予測される。
【００８７】
ステップＳ７０８以降の処理は上記第１の実施の形態と同様である。
【００８８】
このようにすれば、発光素子３２０の発光量の違いに起因する線膨張差の違いまで予測するので、線膨張差に起因する画像劣化を更に精度よく抑制することができる。
［３］第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、上記第１及び第２の実施の形態に係る画像形成装置と概ね共通の構成を備える一方、マイクロレンズアレイ２０１を構成するマイクロレンズのうち一部のマイクロレンズの位置ずれ量を測定し、測定した位置ずれ量から他のマイクロレンズの位置ずれ量を予測する点において相違している。以下、もっぱら相違点に着目して説明する。
（３−１）位置ずれ検出センサー
本実施の形態に係るマイクロレンズ２１０は、図５（ａ）に示すように、絞り５２０に設けられた貫通孔５２１の周囲には何れも位置ずれ検出センサー５２２が配設されている。位置ずれ検出センサー５２２は、いわゆる受光素子（PD: Photo Detector）であって、図５（ｂ）に示すように貫通孔５２１の周囲における全周に亘って設けられており、受光量を検出する。なお、ＰＤに代えてＣＣＤ（Charge Coupled Device）を用いて受光量を検出してもよい。
【００８９】
マイクロレンズアレイ２１０はテレセントリック光学系になっており、Ｇ１レンズ５１０及びＧ２レンズ５３０の光軸上に配設されている発光素子３２０ｃと当該光軸から外れた位置に配設されている発光素子３２０ｓとの何れからの出射光もＧ１レンズ５１０で平行化され、絞り５２０の貫通孔５２１を通過した後、Ｇ２レンズ５３０によって感光体１０１の表面上に結像する。
【００９０】
このため、マイクロレンズと発光素子３２０との間で位置ずれが生じると、発光素子３２０の出射光が絞り５２０の貫通孔５２１から逸れて、位置ずれ検出センサー５２２に入射する光量が増加する。すなわち、位置ずれ検出センサー５２２が検出する受光量はマイクロレンズと当該マイクロレンズに対応する発光ブロック３０２との位置ずれ量に相関する。
【００９１】
従って、位置ずれ検出センサー５２２が検出する受光量を参照すれば、マイクロレンズと当該マイクロレンズに対応する発光ブロック３０２との位置ずれ量を検出することができる。
（３−２）位置ずれ量の検出処理
上述のように、位置ずれ量検出センサー５２２は個々のマイクロレンズに１対１に対応して設けられているが、各マイクロレンズの位置ずれ量の検出処理においては、これらの位置ずれ量検出センサー５２２のうち一部の位置ずれ量検出センサー５２２が検出した位置ずれ量のみからすべてのマイクロレンズの位置ずれ量を予測する。
【００９２】
具体的には、図７のステップＳ７０８において、上記第１の実施の形態とは異なり、図１２に示すように、まずマイクロレンズ毎の温度上昇量の平均値Ｍを求める（Ｓ１２０１）。次に、当該平均値Ｍとマイクロレンズ毎の温度上昇量との差の絶対値Ａを求めて（Ｓ１２０２）、当該差の絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズを特定する（Ｓ１２０３）。
【００９３】
図１３は、マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフであって、縦軸は温度上昇量を表し、横軸は主走査方向における支持部材５００側から数え上げた場合のマイクロレンズの番号を表している。図１３の例では、マイクロレンズ＃３、＃６、＃１０、＃１７から＃２０、＃２２、＃２７から＃２９において、温度上昇量と平均値との差の絶対値Ａが閾値以上になっている。
【００９４】
絶対値Ａが大きいマイクロレンズは、位置ずれ量も平均値から大きく乖離するので、マイクロレンズアレイ２０１全体の線膨張量から、マクロレンズアレイ２０１における当該マイクロレンズの位置のみを用いて位置ずれ量を予測すると、予測誤差が大きくなる。このため、絶対値Ａが大きいマイクロレンズについては、位置ずれ量検出センサー５２２による受光量から位置ずれ量を予測したほうが予測精度を向上させることができる。
【００９５】
そこで、絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズ毎に、位置ずれ検出センサー５２２の出力を参照して、受光量を取得し、更に図１４に示す位置ずれ量テーブルを参照して、受光量に相当する位置ずれ量を取得する（Ｓ１２０４）。なお、位置ずれ検出センサー５２２が検出した受光量に一致する受光量が位置ずれ量テーブルにない場合には、位置ずれ量テーブルに記録されている受光量のうち、位置ずれ検出センサー５２２が検出した受光量に最も近い２つの受光量を用いて、線形補完によって位置ずれ量を算出してもよい。
【００９６】
絶対値Ａが所定の閾値以上でないマイクロレンズについては、絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズのうち、主走査方向において最も近い２つのマイクロレンズの位置ずれ量を用いて、線形補完によって位置ずれ量を算出する（Ｓ１２０５）。
【００９７】
図１５は、マイクロレンズ毎の位置ずれ量を例示するグラフである。＃３及び＃６のマイクロレンズについては、絶対値Ａが閾値よりも大きいので位置ずれ量検出センサー５２２が検出した受光量から位置ずれ量が求められる。また、＃４及び＃５のマイクロレンズについては、＃３及び＃６のマイクロレンズの位置ずれ量から線形補完によって位置ずれ量が予測される。＃１、＃２のマイクロレンズについては、＃３のマイクロレンズの位置ずれ量のみから予測される。
【００９８】
このように、一部のマイクロレンズについては位置ずれ量検出センサー５２２を用いて位置ずれ量を検出し、他のマイクロレンズについては当該一部のマイクロレンズの位置ずれ量から位置ずれ量を予測すれば、予測精度を向上させることができるので、マイクロレンズと発光ブロック３０２との位置ずれに起因する画像劣化を抑制することができる。
［４］第４の実施の形態
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、上記第３の実施の形態に係る画像形成装置と概ね共通の構成を備える一方、位置ずれ検出センサー５２２を用いて受光量を検出するマイクロレンズの選択方法が相違している。以下、もっぱら相違点に着目して説明する。
【００９９】
互いに隣接する２つのマイクロレンズどうしで温度上昇量が大きく異なる場合には、線形補間による位置ずれ量の予測誤差が大きくなるおそれがある。これに対して、本実施の形態においては、互いに隣接する２つのマイクロレンズどうしで温度上昇量の差の絶対値Ａを求めて、この絶対値Ａが閾値以上であるマイクロレンズについては位置ずれ量検出センサー５２２を用いて受光量を測定し、当該受光量から位置ずれ量を予測する。
【０１００】
具体的には、図７のステップＳ７０８において、図１６に示すように、まず、主走査方向における支持部材５００側から数えて１番目のマイクロレンズの温度上昇量から２番目のマイクロレンズの温度上昇量を差し引いた差分値の絶対値Ａを求める。同様に、ｉ番目のマイクロレンズの温度上昇量からｉ＋１番目のマイクロレンズの温度上昇量を差し引いた差分値の絶対値Ａを順次算出し（Ｓ１６０１）、この絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズを特定する（Ｓ１６０２）。
【０１０１】
図１７は、マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフであって、縦軸は隣り合うマイクロレンズどうしの温度上昇量の差を表し、横軸は主走査方向における支持部材５００側から数え上げた場合のマイクロレンズの番号を表している。マイクロレンズの番号がｉ＋１番目の棒グラフは、ｉ番目のマイクロレンズの温度上昇量からｉ＋１番目のマイクロレンズの温度上昇量を差し引いた差分値を表している。
【０１０２】
図１７の例では、マイクロレンズの番号が＃１０、＃１１、＃１８、＃２３及び＃２８である棒グラフが示す差分値の絶対値Ａが閾値以上になっているので、マイクロレンズの番号の組み合わせが＃９と＃１０、＃１０と＃１１、＃１７と＃１８、＃２２と＃２３及び＃２７と＃２８である各マイクロレンズの組み合わせにおいて温度上昇量の差が大きくなっていることになる。
【０１０３】
次に、絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズの組み合わせを構成するマイクロレンズ毎に、位置ずれ検出センサー５２２の出力を参照して、受光量を取得し、更に図１４に示す位置ずれ量テーブルを参照して、受光量に相当する位置ずれ量を取得する（Ｓ１６０３）。なお、位置ずれ検出センサー５２２が検出した受光量に一致する受光量が位置ずれ量テーブルにない場合には、位置ずれ量テーブルに記録されている受光量のうち、位置ずれ検出センサー５２２が検出した受光量に最も近い２つの受光量を用いて、線形補完によって位置ずれ量を算出してもよい。
【０１０４】
絶対値Ａが所定の閾値以上でないマイクロレンズの組み合わせを構成しないマイクロレンズについては、絶対値Ａが所定の閾値以上であるマイクロレンズのうち、主走査方向において最も近い２つのマイクロレンズの位置ずれ量を用いて、線形補完によって位置ずれ量を算出する（Ｓ１６０４）。
【０１０５】
このようにしても、予測精度を向上させることができるので、マイクロレンズと発光ブロック３０２との位置ずれに起因する画像劣化を抑制することができる。また、少なくとも１つのマイクロレンズについて位置ずれ量センサー５２２を用いて位置ずれ量を実測して、全レンズの主走査方向の位置ずれ量を予測すれば、予測精度を向上させることができる。
［５］第５の実施の形態
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、上記第３及び第４の実施の形態に係る画像形成装置と概ね共通の構成を備える一方、位置ずれ検出センサー５２２を用いて受光量を検出するマイクロレンズの選択方法が相違している。以下、もっぱら相違点に着目して説明する。
【０１０６】
発光ブロック３０２の発熱は、当該発光ブロック３０２に対向するマイクロレンズ以外に、ＴＦＴ回路３２４上で隣り合う発光ブロック３０２の温度上昇にも寄与する。配下の発光素子３２０の発光による発熱に加えて、隣の発光ブロック３０２の発熱によって発光ブロック３０２が温度上昇すると、当該発光ブロック３０２に対向するマイクロレンズの温度上昇量もまた増加する。従って、マイクロレンズの位置ずれ量を予測する際には、当該マイクロレンズに対向する発光ブロック３０２の発光時間だけでなく、当該発光ブロック３０２の隣の発光ブロック３０２の発光時間も考慮すれば、予測精度を向上させることができる。
【０１０７】
図１８は、マイクロレンズ毎の温度上昇量を例示するグラフであって、縦軸は隣り合うマイクロレンズどうしの温度上昇量の差を表し、横軸は主走査方向における支持部材５００側から数え上げた場合のマイクロレンズの番号を表している。マイクロレンズの番号がｉ番目の棒グラフは、ｉ番目のマイクロレンズの温度上昇量にｉ−１番目のマイクロレンズの温度上昇量とｉ＋１番目のマイクロレンズの温度上昇量と足し合わせた合計値Ｓを表している。
【０１０８】
図１９に示すように、このような合計値Ｓをすべてのマイクロレンズについて算出して（Ｓ１９０１）、これら合計値Ｓの平均値Ｍを求め（Ｓ１９０２）、更に各合計値Ｓから平均値Ｍを差し引いた差分値の絶対値Ａを求めて（Ｓ１９０３）、当該絶対値Ａが閾値以上ならば（Ｓ１９０４）、当該マイクロレンズについて位置ずれ量検出センサー５２２を用いて受光量を検出して、当該受光量から位置ずれ量を予測する（Ｓ１９０５）。絶対値Ａが閾値未満であるマイクロレンズについては、絶対値Ａが閾値以上であるマイクロレンズの位置ずれ量を用いた線形補完によって位置ずれ量を予測する（Ｓ１９０６）。
【０１０９】
以上のように、隣り合う発光ブロック３０２どうしが与え合う影響も考慮して位置ずれ量を予測すれば、位置ずれ量の予測精度を向上させることができる。
［６］第６の実施の形態
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る画像形成装置は、上記第３から第５の実施の形態に係る画像形成装置と概ね共通の構成を備える一方、位置ずれ検出センサー５２２を用いて受光量を検出しないマイクロレンズに関する位置ずれ量の予測方法が相違している。以下、もっぱら相違点に着目して説明する。
【０１１０】
上記実施の形態においては、一部のマイクロレンズについてのみ位置ずれ検出センサー５２２を用いて検出した受光量から位置ずれ量を推定し、他のマイクロレンズについては前記一部のマイクロレンズの位置ずれ量から線形補完によって位置ずれ量を予測する場合について説明した。
【０１１１】
しかしながら、前記他のマイクロレンズは温度上昇量が必ずしも一定せず、マイクロレンズ毎に温度上昇量が異なっていることが多い。このため、前記一部のマイクロレンズの位置ずれ量から、主走査方向における位置関係（マイクロレンズの番号）のみに基づいて他のマイクロレンズの位置ずれ量を予測すると温度上昇量のばらつき分だけ誤差を生じるおそれがある。
【０１１２】
そこで、本実施の形態においては、主走査方向における位置関係（マイクロレンズの番号）に代えて、温度上昇量に基づいてマイクロレンズの位置ずれ量を予測する。
【０１１３】
例えば、図２０（ａ）に例示するように、マイクロレンズ＃５、＃９の温度上昇量から温度上昇量の平均値Ｍを差し引いた差分値の絶対値Ａが閾値より大きく、マイクロレンズ＃５と＃９との間のマイクロレンズ＃６から＃８の温度上昇量から温度上昇量の平均値Ｍを差し引いた差分値の絶対値Ａが閾値より小さい場合、マイクロレンズ＃６から＃８の位置ずれ量はマイクロレンズ＃５、＃９の位置ずれ量から予測することになる。
【０１１４】
このため、まず、位置ずれ量検出センサー５２２を用いてマイクロレンズ＃５、＃９の位置ずれ量を実測する。図１７（ｂ）に示すように、マイクロレンズ＃９の位置ずれ量は、マイクロレンズ＃５の位置ずれ量に、マイクロレンズ＃６から＃９の温度上昇量Ｔ６からＴ９に相当する位置ずれ量を足し合わせたものになっている。
【０１１５】
マイクロレンズ＃６から＃８の位置ずれ量をマイクロレンズ＃５、＃９の位置ずれ量（実測値）からマイクロレンズの番号に応じた線形補完によって予測すると、マイクロレンズ＃６から＃８の位置ずれ量はマイクロレンズ＃９の位置ずれ量とマイクロレンズ＃５の位置ずれ量との間を４等分したときの各等分値１６１６、１６１７及び１６１８になる。このような予測は、マイクロレンズ＃６から＃８の温度上昇量が一様である場合には実際の位置ずれ量を正しく反映したものになる。
【０１１６】
しかしながら、マイクロレンズ＃６から＃９の温度上昇量が一様でない場合には、例えば、図１７（ａ）ではマイクロレンズ＃９の温度上昇量が特に多くなっているので、マイクロレンズ番号に応じた線形補完によってマイクロレンズ＃６から＃８の位置ずれ量を予測すると、予測される位置ずれ量は実際の位置ずれ量よりも誤差Ｅ６、Ｅ７及びＥ８の分だけ多くなる。
【０１１７】
これに対して、マイクロレンズ毎の温度上昇量に応じて線形補完を行えば、マイクロレンズ＃６から＃８の位置ずれ量の予測精度を向上させることができる。具体的には、位置ずれ量を実測したマイクロレンズの番号をｓ及びｓ＋ｎとし、ｉ番目のマイクロレンズの位置ずれ量をＺiとし、ｉ番目のマイクロレンズの温度上昇量をＴiとすると、ｋ番目のマイクロレンズの位置ずれ量Ｚkは次式（５）のように予測することができる。
【０１１８】
Ｚk ＝ ｛Ｚs×（Ｔk+1＋…＋Ｔs+n）＋Ｚs+n×（Ｔs+1＋…＋Ｔk）｝÷（Ｔs+1＋…＋Ｔs+n）  …（５）
ただし、ｓ＜ｋ＜ｓ＋ｎであるものとする。
【０１１９】
上式（５）を用いて、マイクロレンズの位置ずれ量を予測すれば、図１７（ｃ）の予測値１６２６、１６２７、１６２８のように、位置ずれ量の予測精度を向上させることができる。
［７］変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（７−１）上記実施の形態においては、温度上昇量として発光ブロック３０２毎に配下の発光素子の印刷ジョブ開始時からの点灯回数を計数する場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、点灯回数に代えて当該配下の発光素子の印刷ジョブ開始時からの消費電力の総和を用いてもよい。本発明は温度上昇量の評価の仕方に関わらず効果を奏することができる。
（７−２）上記実施の形態においては、ＴＦＴ回路２１４において発光ブロック３０２が３行５０列の千鳥状に配列されている場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、行数や列数が異なっていてもよいし、千鳥状以外の配列であってもよい。千鳥状以外の配列には一列や格子状の配列が含まれる。マイクロレンズアレイ２０１も同様に、マイクロレンズの配列は３行５０列の千鳥状に限定されないが、発光ブロック３０２の配列に一致しているのが望ましい。
（７−３）上記実施の形態においては、発光ブロック３０２毎の発光素子の配列が１０行１０列の千鳥状である場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、行数や列数が異なっていてもよいし、千鳥状以外の配列であってもよい。千鳥状以外の配列には一列や格子状の配列が含まれる。
（７−４）上記実施の形態においては、位置ずれ量検出センサー５２２を用いて位置ずれ量を検出する場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて他の手段を用いて位置ずれ量を検出してもよい。例えば、レジストセンサー１６０を用いて位置ずれ量を検出してもよいし、定着後の画素形成位置の位置ずれ量をＣＣＤ等のインラインセンサーを用いて検出してもよく、位置ずれ量の検出手段の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。
（７−５）上記実施の形態においては、マイクロレンズアレイ２０１を用いて発光素子３２０の出射光を感光体ドラム１０１の外周面上で結像させる場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、マイクロレンズアレイ２０１に代えて、ロッドレンズアレイなど、他の光学部材を用いて発光素子３２０の出射光を結像させてもよい。
（７−６）上記実施の形態においては、マイクロレンズ毎に位置ずれ量を予測する場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしてもよい。例えば、３行５０列の千鳥状に配列されたマイクロレンズの各列の３つのマイクロレンズを一組として、組ごとに位置ずれ量を予測してもよいし、更に主走査方向において広い範囲を一単位として位置ずれ量を予測してもよい。このようにすれば、位置ずれ補正のための処理負荷を低減することができる。
【０１２０】
また、逆に主走査方向におけるマイクロレンズ１つ分よりも狭い範囲を一単位として位置ずれ量を予測してもよい。このようにすれば、主走査方向における線膨張量のばらつきの予測精確を向上させることができる。
（７−７）上記実施の形態においては、画像形成装置１がタンデム方式のカラープリンターである場合を例にとって説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、タンデム方式以外の方式のカラープリンターであってもよいし、モノクロプリンターであってもよい。また、スキャナーを備えた複写機やファクシミリ通信機能を備えたファクシミリ装置といった単機能機、或いはこれらの機能を兼ね備えた複合機（MFP：Multi-Function Peripheral）に本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明に係る光書き込み装置及び画像形成装置は、ライン光学型の光書き込み装置において環境条件の変動に起因する光量むらを精度よく抑制することができる装置として有用である。
【符号の説明】
【０１２２】
１………画像形成装置
１００…光書き込み装置
２００…光源基板
２１０…マイクロレンズアレイ
２１２…ドライバーＩＣ
３０２…発光ブロック
３２０…発光素子
５２２…位置ずれ検出センサー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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