(57)【要約】【課題】ウエーハの基板に与えるダメージを抑制しながらもウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程ＳＴ１と、保護膜形成工程ＳＴ１の実施後に、保護膜側から分割予定ラインにレーザー光線を照射して、分割予定ラインに積層された保護膜に分割予定ラインに至らない溝を形成する溝形成工程ＳＴ２と、溝形成工程ＳＴ２の実施後に、第１のプラズマエッチングによって、分割予定ライン上に残っている保護膜を除去する保護膜除去工程ＳＴ３と、保護膜除去工程ＳＴ３の実施後に、保護膜をマスクとして、第２のプラズマエッチングによってウエーハを分割する分割工程ＳＴ４とを少なくとも備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に分割予定ラインによって区画されたデバイスが複数形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、
該保護膜形成工程の実施後に、該保護膜側から該分割予定ラインにレーザー光線を照射して、該分割予定ラインに積層された該保護膜に該分割予定ラインに至らない溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程の実施後に、第１のプラズマエッチングによって、該分割予定ライン上に残っている該保護膜を除去する保護膜除去工程と、
該保護膜除去工程の実施後に、該保護膜をマスクとして、第２のプラズマエッチングによってウエーハを分割する分割工程と、
を少なくとも備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該保護膜は、水溶性樹脂であり、該分割工程後に該保護膜を除去する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該ウエーハは、シリコン基板であり、
該保護膜除去工程で使用するガスは、酸素系ガスであり、
該分割工程で使用するガスは、フッ素系ガスであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチングによって、ウエーハを分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物を個々のデバイスに分割する方法として、プラズマエッチングを被加工物に施すプラズマダイシングが用いられている。
【０００３】
プラズマダイシングは、レジスト膜をウエーハの表面の全体に塗布した後、露光装置でレジスト膜を露光して、ストリート上のレジスト膜を除去した後、残ったレジスト膜をマスクとして、プラズマエッチングでウエーハのストリートを除去して、個々のデバイスに分割する。このプラズマダイシングは、レジスト膜を形成するための高価な露光装置を用いる必要が生じ、ウエーハの分割に係るコストを高騰させる傾向であった。
【０００４】
この種の問題を解決するために、本願の出願人は、水溶性の保護膜をウエーハの表面の全体に塗布した後、紫外線又は熱等の外的刺激を付与して保護膜を硬化し、レーザー光線を用いたアブレーション加工によりストリート上の保護膜を除去した後、残った保護膜をマスクとして、プラズマエッチングでウエーハのストリートを除去して、個々のデバイスに分割する加工方法を提案している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１８−６５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、アブレーション加工によりストリート上の保護膜を除去する際に、レーザー光線でウエーハの基板にダメージを与えてしまう。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウエーハの基板に与えるダメージを抑制しながらもウエーハを個々のデバイスに分割することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に分割予定ラインによって区画されたデバイスが複数形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程の実施後に、該保護膜側から該分割予定ラインにレーザー光線を照射して、該分割予定ラインに積層された該保護膜に該分割予定ラインに至らない溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程の実施後に、第１のプラズマエッチングによって、該分割予定ライン上に残っている該保護膜を除去する保護膜除去工程と、該保護膜除去工程の実施後に、該保護膜をマスクとして、第２のプラズマエッチングによってウエーハを分割する分割工程と、を少なくとも備えることを特徴とする。
【０００９】
前記ウエーハの加工方法において、該保護膜は、水溶性樹脂であり、該分割工程後に該保護膜を除去しても良い。
【００１０】
前記ウエーハの加工方法において、該ウエーハは、シリコン基板であり、該保護膜除去工程で使用するガスは、酸素系ガスであり、該分割工程で使用するガスは、フッ素系ガスであっても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、ウエーハの基板に与えるダメージを抑制しながらもウエーハを個々のデバイスに分割することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程の液状樹脂を塗布する状態を模式的に示す図である。
【図５】図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程の塗布された液状樹脂を硬化させる状態を模式的に示す図である。
【図６】図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程後のウエーハの要部の断面図である。
【図７】図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を模式的に示す斜視図である。
【図８】図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を示すウエーハの要部の断面図である。
【図９】図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程後のウエーハの要部の断面図である。
【図１０】図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程前に環状フレームに支持されたウエーハの斜視図である。
【図１１】図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程及び分割工程で用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程後のウエーハの要部の断面図である。
【図１３】図１３は、図３に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハの要部の断面図である。
【図１４】図１４は、図３に示されたウエーハの加工方法の洗浄工程を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１５】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１及び図２に示すウエーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウエーハ１は、シリコンで構成されたシリコン基板２からなる円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１は、図１及び図２に示すように、シリコン基板２の表面３に分割予定ライン４によって区画されたデバイス５が複数形成されている。また、実施形態１において、ウエーハ１は、分割予定ライン４上にＴＥＧ（Test  Element  Group）等の金属からなる部材が形成されていない。
【００１６】
実施形態１において、デバイス５は、Power  Device、ＲＦＩＤ（Radio  Frequency  Identifier）、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）、又はＣＭＯＳ（Complementary  MOS）であるが、これらに限定されない。また、実施形態１において、デバイス５は、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の従来から用いられてきた集積回路よりも小型であり、例えば、２００μｍ〜５０００μｍ×２００μｍ〜５０００μｍ程度の大きさである。また、図１は、平ッ面形状が矩形状のデバイス５を示しているが、本発明では、デバイス５の平面形状は、矩形状に限定されることなく、円形、各種の多角形等の種々の形状でも良い。
【００１７】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１及び図２に示すウエーハ１を個々のデバイス５に分割する方法である。ウエーハの加工方法は、図３に示すように、保護膜形成工程ＳＴ１と、溝形成工程ＳＴ２と、保護膜除去工程ＳＴ３と、分割工程ＳＴ４と、洗浄工程ＳＴ５とを備える。
【００１８】
（保護膜形成工程）
図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程の液状樹脂を塗布する状態を模式的に示す図である。図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程の塗布された液状樹脂を硬化させる状態を模式的に示す図である。図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜形成工程後のウエーハの要部の断面図である。
【００１９】
保護膜形成工程ＳＴ１は、ウエーハ１の表面３の全体を保護膜１０で被覆する工程である。実施形態１において、保護膜形成工程ＳＴ１では、図４に示すように、ウエーハ１の表面３の裏側の裏面６を保護膜被覆装置２０の保持テーブル２１の保持面上に吸引保持し、保持テーブル２１に保持されたウエーハ１の上方に、液状樹脂１１を噴射する噴射ノズル２２を位置付ける。保護膜形成工程ＳＴ１では、保護膜被覆装置２０は、図４に示すように、保持テーブル２１を軸心回りに回転させながら、ウエーハ１の表面３に噴射ノズル２２から液状樹脂１１を噴射する。
【００２０】
実施形態１において、噴射ノズル２２は、図４に示すように、噴射ノズル２２内の中央の流通路２３を通る液状樹脂１１を、噴射ノズル２２の先端部で外周側から供給される圧縮エアー１６に混ぜながら先端部から霧状に噴射する。なお、図４は、噴射ノズル２２を極めて簡略化して示したが、噴射ノズル２２として、一般的に知られたエアーブラシ等の構成を採用することができる。
【００２１】
また、液状樹脂１１は、水溶性であるともに紫外線１２（図５に示す）が照射されると硬化する液状の樹脂である。実施形態１において、液状樹脂１１は、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性樹脂であり、後述する分割工程ＳＴ４の第２のプラズマエッチングで使用される第２のエッチングガス６２に対して耐性を有するものである。
【００２２】
保護膜形成工程ＳＴ１では、保護膜被覆装置２０は、ウエーハ１に対して所定量の液状樹脂１１を噴射した後、噴射ノズル２２からの液状樹脂１１の噴射を停止し、ウエーハ１を保持した保持テーブル２１を図５に示す紫外線照射器２４の直下に移動させる。保護膜被覆装置２０は、保持テーブル２１が紫外線照射器２４の直下に移動させられたならば、紫外線照射器２４から紫外線１２を照射して、液状樹脂１１を硬化させ、図６に示すように、所定の厚さの保護膜１０をウエーハ１の表面３上に形成する。このように、実施形態１では、保護膜１０は、水溶性樹脂である。ウエーハの加工方法は、ウエーハ１の表面３全体に保護膜１０を被覆すると、溝形成工程ＳＴ２に進む。
【００２３】
（溝形成工程）
図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を模式的に示す斜視図である。図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程を示すウエーハの要部の断面図である。図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の溝形成工程後のウエーハの要部の断面図である。
【００２４】
溝形成工程ＳＴ２は、保護膜形成工程ＳＴ１の実施後に、保護膜１０側から分割予定ライン４にレーザー光線３１を照射して、分割予定ライン４上に積層された保護膜１０に分割予定ライン４に至らない溝７を形成する工程である。
【００２５】
溝形成工程ＳＴ２では、レーザー加工装置３０が保護膜１０により表面３が被覆されたウエーハ１の裏面６を図示しない保持テーブルに吸引保持し、図示しない撮像ユニットで保持テーブルに保持されたウエーハ１を撮像して、ウエーハ１とレーザー光線照射ユニット３２との位置合わせを行うアライメントを遂行する。
【００２６】
溝形成工程ＳＴ２では、レーザー加工装置３０が、図示しないＸ軸移動ユニット及びＹ軸移動ユニット等にレーザー光線照射ユニット３２と保持テーブルとを各分割予定ライン４に沿って相対的移動させながらレーザー光線照射ユニット３２から保護膜１０に対して吸収性を有する波長（実施形態１では、３５５ｎｍ）のレーザー光線３１を図７及び図８に示すように各分割予定ライン４の幅方向の中央に照射する。溝形成工程ＳＴ２では、レーザー加工装置３０が各分割予定ライン４の幅方向の中央にアブレーション加工を施して、分割予定ライン４の幅方向の中央の保護膜１０の表層側の部分を除去して、図９に示すように、保護膜１０の表面３から凹でかつ各分割予定ライン４の幅方向の中央に保護膜１０を残存させる溝７を各分割予定ライン４の長手方向に沿って形成する。
【００２７】
なお、実施形態１において、溝形成工程ＳＴ２において形成される溝７の底の保護膜１０の厚み１０１は、溝形成工程ＳＴ２においてレーザー光線３１が分割予定ライン４に与えるダメージを抑制できかつ保護膜除去工程ＳＴ３において分割予定ライン４を露出させることができる厚みである。ウエーハの加工方法は、ウエーハ１の全ての分割予定ライン４に溝７を形成すると、保護膜除去工程ＳＴ３に進む。
【００２８】
（保護膜除去工程）
図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程前に環状フレームに支持されたウエーハの斜視図である。図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程及び分割工程で用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。図１２は、図３に示されたウエーハの加工方法の保護膜除去工程後のウエーハの要部の断面図である。
【００２９】
保護膜除去工程ＳＴ３は、溝形成工程ＳＴ２の実施後に、第１のプラズマエッチングによって分割予定ライン４上に残っている保護膜１０を除去するステップである。保護膜除去工程ＳＴ３の実施前に、ウエーハ１は、図１０に示すように、表面３の裏側に外周に環状フレーム１３が貼着された粘着テープ１４が貼着されて、環状フレーム１３の開口１５内に支持される。
【００３０】
保護膜除去工程ＳＴ３では、図１１に示すエッチング装置４０が図示しないゲートバルブを開け、ウエーハ１をチャンバ４１内に搬入し、ウエーハ１の裏面６側を粘着テープ１４を介してチャックテーブル４２に吸引保持する。
【００３１】
保護膜除去工程ＳＴ３では、エッチング装置４０が排気口４３を通してチャンバ４１内を減圧し、チャックテーブル４２に対向するエッチングガス供給手段４４を図示しない移動手段により下降させる。保護膜除去工程ＳＴ３では、エッチング装置４０がエッチングガス供給手段４４とウエーハ１との距離を調整しながらエッチングガス供給部４５からエッチングガス供給手段４４を介して第１のエッチングガス６１をチャンバ４１内に噴射させるとともに、高周波電源４６を作動させてエッチングガス供給手段４４とチャックテーブル４２との間に高周波電圧を印加し、チャンバ４１内に供給された第１のエッチングガス６１をプラズマ化させる。
【００３２】
なお、保護膜除去工程ＳＴ３で使用する第１のエッチングガス６１は、プラズマ化することで保護膜１０をエッチング（実施形態１では、保護膜１０の厚みを一様に減少させるエッチング、異方性エッチング）するガスであり、実施形態１では、酸素系ガスである。第１のエッチングガス６１は、酸素ガス（Ｏ２）、アルゴンガス（Ａｒ）、水素ガス（Ｈ２）及び窒素ガス（Ｎ２）のうち少なくとも一つにより構成される。なお、実施形態１では、第１のエッチングガス６１は、酸素ガス（Ｏ２）、又はアルゴンガス（Ａｒ）であるのが望ましく、水素ガス（Ｈ２）又は窒素ガス（Ｎ２）でも良い。
【００３３】
保護膜除去工程ＳＴ３では、プラズマ化された第１のエッチングガス６１は、ウエーハ１に引き込まれて、保護膜１０の厚みを一様に減少させるエッチングを施して、溝７をウエーハ１の分割予定ライン４に向かって進行させる。保護膜除去工程ＳＴ３では、エッチング装置４０が、分割予定ライン４上の保護膜１０を除去できる所定時間、第１のエッチングガス６１をエッチングガス供給手段４４から噴射する。保護膜除去工程ＳＴ３では、エッチング装置４０が所定時間、第１のエッチングガス６１を噴射すると、図１２に示すように、分割予定ライン４上の保護膜１０を除去して、分割予定ライン４を露出させる。ウエーハの加工方法は、第１のエッチングガス６１の所定時間の噴射を終了すると、分割工程ＳＴ４に進む。
【００３４】
（分割工程）
図１３は、図３に示されたウエーハの加工方法の分割工程後のウエーハの要部の断面図である。分割工程ＳＴ４は、保護膜除去工程ＳＴ３の実施後に、ウエーハ１の表面３に残存した保護膜１０をマスクとして、第２のプラズマエッチングによってウエーハ１を個々のデバイス５に分割する工程である。
【００３５】
分割工程ＳＴ４では、エッチング装置４０がエッチングガス供給手段４４とチャックテーブル４２との間に高周波電圧を印加した状態で、エッチングガス供給手段４４とウエーハ１との距離を調整しながらエッチングガス供給部４５からエッチングガス供給手段４４を介して第２のエッチングガス６２をチャンバ４１内に噴射させ、チャンバ４１内に供給された第２のエッチングガス６２をプラズマ化させて、溝７内で露出したシリコン基板２に溝を形成しかつ溝を裏面６に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いで溝の内面に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、溝の溝底の被膜を除去して溝の溝底をエッチングする。このように、分割工程ＳＴ４は、所謂ボッシュ法でウエーハ１をドライエッチングする。
【００３６】
なお、分割工程ＳＴ４のエッチングステップで使用する第２のエッチングガス６２は、高周波電力により等方性を有するプラズマが発生させ、このプラズマがシリコン基板２に引き込まれて、シリコン基板２をエッチングして、シリコン基板２に形成した溝を裏面６に向かって進行させるフッ素系ガスである。分割工程ＳＴ４のエッチングステップで使用する第２のエッチングガス６２は、六フッ化硫黄ガス（ＳＦ６）、四フッ化炭素ガス（ＣＦ４）及びアルゴンガス（Ａｒ）のうち少なくとも一つにより構成される。
【００３７】
なお、分割工程ＳＴ４の被膜堆積ステップで使用する第２のエッチングガス６２は、高周波電力によりプラズマを発生させ、このプラズマがシリコン基板２に引き込まれて、溝の内面に被膜を堆積させる。フッ素系ガスである。分割工程ＳＴ４の被膜堆積ステップで使用する第２のエッチングガス６２は、六フッ化硫黄ガス（ＳＦ６）、四フッ化炭素ガス（ＣＦ４）及びアルゴンガス（Ａｒ）のうち少なくとも一つにより構成される。また、分割工程ＳＴ４の被膜堆積ステップで使用する第２のエッチングガス６２は、酸素ガス（Ｏ２）でも良い。
【００３８】
分割工程ＳＴ４では、エッチング装置４０は、シリコン基板２の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。実施形態１において、分割工程ＳＴ４において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返されたウエーハ１は、図１３に示すように、溝７内の分割予定ライン４が除去されて、個々のデバイス５に分割される。ウエーハの加工方法は、ウエーハ１を個々のデバイス５に分割すると、洗浄工程ＳＴ５に進む。
【００３９】
（洗浄工程）
図１４は、図３に示されたウエーハの加工方法の洗浄工程を模式的に示す図である。洗浄工程ＳＴ５は、分割工程ＳＴ４後にウエーハ１の表面３に残存した保護膜１０を除去する工程である。
【００４０】
実施形態１において、洗浄工程ＳＴ５では、図１４に示すように、ウエーハ１の表面３の裏側の裏面６を粘着テープ１４を介して洗浄装置７０の図示しない保持テーブルの保持面上に吸引保持し、保持テーブルに保持されたウエーハ１の上方に、洗浄液７１を噴射する洗浄液噴射ノズル７２を位置付ける。洗浄工程ＳＴ５では、洗浄装置７０は、図１４に示すように、保持テーブルを軸心回りに回転させながら、ウエーハ１の表面３に洗浄液噴射ノズル７２から洗浄液７１を噴射する。
【００４１】
実施形態１において、洗浄液噴射ノズル７２は、図１４に示すように、洗浄液噴射ノズル７２内の中央の流通路７３を通る洗浄液７１を、洗浄液噴射ノズル７２の先端部で外周側から供給される圧縮エアー７４に混ぜながら先端部から霧状に噴射する。なお、図１４は、洗浄液噴射ノズル７２を極めて簡略化して示したが、洗浄液噴射ノズル７２として、一般的に知られたエアーブラシ等の構成を採用することができる。なお、実施形態１では、洗浄液７１は、純水により構成される。
【００４２】
洗浄工程ＳＴ５では、洗浄装置７０は、ウエーハ１に対して所定時間、所定量の洗浄液７１を噴射して、保護膜１０を除去する。洗浄工程ＳＴ５では、洗浄装置７０は、保護膜１０を除去した後、洗浄液噴射ノズル７２からの洗浄液７１の噴射を停止して、ウエーハ１を乾燥させる。ウエーハの加工方法は、ウエーハ１の保護膜１０を除去し、ウエーハ１を乾燥させると、終了する。実施形態１に係るウエーハの加工方法によりウエーハ１から個々に分割されたデバイス５は、図示しないピックアップ装置等により粘着テープ１４から取り外される。
【００４３】
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、溝形成ステップＳＴ２において分割予定ライン４に至らない溝７を保護膜１０に形成するので、レーザー光線３１が分割予定ライン４に照射されることを抑制でき、ウエーハ１の基板であるシリコン基板２に与えるダメージを抑制することができる。
【００４４】
また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、保護膜除去工程ＳＴ３において、第１のプラズマエッチングにより分割予定ライン４上に残っている保護膜１０を除去するので、分割工程ＳＴ４前に分割予定ライン４を露出させることができる。その結果、ウエーハの加工方法は、ウエーハ１の基板であるシリコン基板２に与えるダメージを抑制しながらも、即ちシリコン基板２の品質を低下させることなく、ウエーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００４５】
また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、水溶性樹脂により保護膜１０を形成するので、高価な露光装置を要することなく、分割工程の第２のプラズマエッチングで用いるマスクを形成することができる。その結果、ウエーハの加工方法は、コストの高騰を抑制しながらもウエーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００４６】
また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、分割工程ＳＴ４後に洗浄工程ＳＴ５を実施するので、デバイス５上の保護膜１０を除去することができる。
【００４７】
また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、保護膜除去工程ＳＴ３の第１のプラズマエッチングで使用する第１のエッチングガス６１が、酸素系ガスであるので、保護膜除去工程ＳＴ３において水溶性樹脂からなる保護膜１０をエッチングすることができ、溝７を形成することができる。
【００４８】
また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、分割工程ＳＴ４の第２のプラズマエッチングで使用する第２のエッチングガス６２が、フッ素系ガスであるので、分割工程ＳＴ４においてシリコン基板２をエッチングすることができ、ウエーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００４９】
次に、本発明者は、前述した実施形態のウエーハの加工方法の保護膜除去工程ＳＴ３の効果を確認した。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
表１では、溝形成工程ＳＴ２後の溝７が形成され、溝７の底に保護膜１０が残ったウエーハ１に保護膜除去工程ＳＴ３を実施した。表１の本発明品は、第１のエッチングガス６１として酸素系ガスを用い、比較例１は、第１のエッチングガス６１としてフッ素系ガスを用いた。表１は、本発明品及び比較例１の分割予定ライン４の露出の状況、即ち、保護膜１０をエッチングできるものを丸とし、保護膜１０をエッチングできないものをバツとした。
【００５２】
表１によれば、本発明品は、保護膜１０を除去できて分割予定ライン４を露出させることができるのに対して、比較例１は、保護膜１０を除去できずに分割予定ライン４を露出させることができなかった。よって、表１によれば、第１のエッチングガス６１として、酸素系ガスを用いることによって、保護膜除去工程ＳＴ３において、保護膜１０を除去できることが明らかとなった。
【００５３】
次に、本発明者は、前述した実施形態のウエーハの加工方法の分割工程ＳＴ４の効果を確認した。結果を表２に示す。
【００５４】
【表２】
2019176002.tif 000004
【００５５】
表２では、保護膜除去工程ＳＴ３後の溝７の底に分割予定ライン４が露出したウエーハ１に分割工程ＳＴ４を実施した。表２の本発明品は、エッチングステップと被膜堆積ステップとの双方の第２のエッチングガス６２としてフッ素系ガスを用い、比較例２は、エッチングステップと被膜堆積ステップとの双方の第２のエッチングガス６２として酸素系ガスを用いた。表２は、本発明品及び比較例２のデバイス５への分割の状況、即ち、シリコン基板２をエッチングできるものを丸とし、シリコン基板２をエッチングできないものをバツとした。
【００５６】
表２によれば、本発明品は、シリコン基板２をエッチングできて個々のデバイス５に分割することができるのに対して、比較例２は、シリコン基板２をエッチングできずに個々のデバイス５に分割することができなかった。よって、表２によれば、第２のエッチングガス６２として、フッ素系ガスを用いることによって、分割工程ＳＴ４において、個々のデバイス５に分割できることが明らかとなった。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１  ウエーハ
２  シリコン基板
３  表面
４  分割予定ライン
５  デバイス
７  溝
１０  保護膜
３１  レーザー光線
６１  第１のエッチングガス（ガス）
６２  第２のエッチングガス（ガス）
ＳＴ１  保護膜形成工程
ＳＴ２  溝形成工程
ＳＴ３  保護膜除去工程
ＳＴ４  分割工程
【図１】
2019176002.tif 000005
【図２】
2019176002.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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