(57)【要約】【課題】  レーザーリフトオフ法でチップ部品を転写先の基板に転写するのに際して、転写対象のチップのみを破損することなく確実に転写することができる転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、前記接着層は前記ベース基板表面の面内に複数の接着島で形成されており、前記接着島は、前記チップ部品１つに対して複数で接触する形状および分布である転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法を提供する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、
前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、
前記接着層は前記ベース基板表面の面内に複数の接着島で形成されており、
前記接着島は、前記チップ部品１つに対して複数で接触する形状および分布である転写基板。
【請求項２】
請求項１に記載の転写基板であって、
前記チップ部品１つと接触する接着島の数は５以上である転写基板。
【請求項３】
転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、
前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、
前記接着層は前記チップ部品と接する側に凸部が多数形成され、
前記チップ部品１つに対して複数の凸部が接触する転写基板。
【請求項４】
転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、
前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、
前記接着層は前記チップ部品と接する側に凹部が多数形成され、
前記チップ部品１つに対して複数の凹部が対向する転写基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかに記載の転写基板であって、
前記チップ部品と前記ベース基板が対向する面積に対し、前記チップ部品と前記接着層が接触する面積の比率が１０％以上６０％以下である転写基板。
【請求項６】
請求項５に記載の転写基板であって、
前記チップ部品と前記接着層との接触密度が、前記チップ部品中心付近で密で、前記チップ部品外周付近で疎である転写基板。
【請求項７】
ダイシングされたバンプ電極を有するチップ部品を、前記バンプ電極側を保持する第１転写基板に転写し、前記バンプ電極の反対側を保持する第２転写基板に転写してから、前記バンプと接続する電極を有する配線基板に転写して実装する実装方法であって、
少なくとも前記第１転写基板として、請求項１から請求項６のいずれかに記載の転写基板を用いる実装方法。
【請求項８】
前記チップ部品としてＬＥＤチップを、前記配線基板としてＴＦＴ基板を用い、
請求項７に記載の実装方法を用いて画像表示装置を製造する、画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品を転写するための転写基板、ならびにチップ部品を配線基板に実装する工程にこの転写基板を用いる実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術の進歩による半導体チップの微小化や、ＬＥＤの発光効率向上によるＬＥＤチップの小型化が進んでいる。このため、半導体チップやＬＥＤチップ等のチップ部品を、１枚のウェハ基板に、密に多数形成できるようになってきている。
【０００３】
近年、図９（ａ）にようにウェハ基板Ｗに密に形成されダイシングされたチップ部品Ｃを、所定の間隔を開けて配線基板Ｓに再配列し、高速高精度に実装する（図９（ｃ））用途がある。例えば、画像表示装置として注目されているマイクロＬＥＤディスプレイ製造においては、数百万個のＬＥＤチップを、間隔を開けＴＦＴ基板の所定位置に実装する必要がある。
【０００４】
なお、ウェハ基板Ｗの断面を示す図９（ｂ）および配線基板Ｓの断面を示す図９（ｄ）の拡大図を図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すが、チップ部品Ｃのバンプ電極Ｂを配線基板Ｓの電極（図示せず）が確実に接合するために、誤差数μｍ程度の精度が必要となる。
【０００５】
そこで、図９（ａ）のようにウェハ基板Ｗ上に密に形成されたチップ部品Ｃを、図９（ｃ）のように配線基板Ｓに所定の間隔を空け（図９（ｃ））、高精度に実装するプロセスが種々検討されている。
【０００６】
なかでも、レーザーリフトオフ法（以後ＬＬＯ法と記す）については多くの検討がなされている（例えば特許文献１）。
【０００７】
図１１ではＬＬＯ法によりウェハ基板Ｗから配線基板Ｓにチップ部品Ｃを転写配置する例を示している。図１１（ａ）は左端のチップ部品Ｃにレーザー光Ｌを照射して、配線基板Ｓに転写する状態を示している。ここで、左端のチップ部品Ｃは配線基板Ｓの所定位置上部に位置合わせされている。また、図１１（ａ）におけるレーザー光Ｌの波長はチップ部品ＣをウェハＷから剥離するのに適した範囲から選ばれる。例えば、チップ部品の素材に吸収される波長を用いれば、温度上昇に伴い素材が分解して生じたガスによりウェハ基板Ｗからチップ部品Ｃは剥離される。
【０００８】
図１１（ｂ）は、レーザー光Ｌの照射によりウェハ基板Ｗから剥離した左端のチップ部品Ｃが配線基板Ｓに転写された状態を示している。ここで、左端のチップ部品Ｃは直下に転写されるため、配線基板Ｓの所定位置に配置される。なお、転写に伴うチップ部品の直下への移動距離ｄを、チップ部品ＣとバンプＢの高さの合計より大きくしておけば、配線基板Ｓにチップ部品Ｃが転写されていてもウェハ基板Ｗを水平方向に移動させることは可能である。
【０００９】
図１１（ｃ）は、レーザー光Ｌの直下に、次に転写すべきチップ部品Ｃと配線基板Ｓの所定位置を配置してから、レーザー光Ｌを照射している状態を示している。このレーザー照射により、先に転写配置したチップ部品Ｃと間隔を空けて、次のチップ部品Ｃが配線基板Ｓの所定位置に転写配置される。
【００１０】
以降も、レーザー光Ｌの直下に転写すべきチップ部品Ｃと配線基板Ｓの所定位置（チップ部品Ｃを実装すべき位置）を随時配置して、チップ部品Ｃを転写することにより、図９（ｃ）に示したような配線基板Ｓへのチップ部品Ｃの転写配置を行なうことが出来る。
【００１１】
ところが、図１１（ａ）から図１１（ｂ）に示したようにチップ部品Ｃをウェハ基板Ｗから剥離するためには、チップ部品Ｃにはレーザー光Ｌによる大きなエネルギーが加わる。このため、図１１（ｂ）に示した移動距離ｄの間にもチップ部品Ｃは加速された状態で配線基板Ｓに達する。一方、配線基板Ｓの電極部分は金属であり、加速されたチップ部品Ｃのバンプ電極Ｂが金属電極に接する際の衝撃により、図１２のようにチップ部品Ｃが破損することもある。このような衝撃を緩和するために、（封止に用いる未硬化の）熱硬化性接着剤をチップ部品Ｃのバンプあるいは配線基板Ｃの電極に被覆しておくことも考えられるが、被覆厚みは５μｍ以下であり衝撃を緩和するには不充分である。
【００１２】
以上のように、ウェハ基板Ｗから配線基板Ｓへの直接転写ではチップ部品Ｃに加わる衝撃が大きいことから、別に転写基板を用いる転写方式が一般化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−１６１２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
転写基板を用いる転写方式は、図１３（ａ）に示すように、ウェハ基板Ｗのチップ部品Ｃに第１転写基板１を密着させて、レーザー光等によりチップ部品Ｃを剥離して第１転写基板１に転写する。なお、第１転写基板１は、ベース基板１０と、ベース基板１０のチップ部品Ｃを保持する側に接着層１１を設けた構成となっている。ここで、チップ部品Ｃは第１転写基板と密着した状態で転写するため、加速されることなく、第１転写基板１の接着層１１上に転写される。
【００１５】
ところで、図１３（ｂ）に示すように、第１転写基板１ではチップ部品ＣのバンプＢが密着しているため、この状態から配線基板Ｓにチップ部品Ｃを転写しても、バンプＢを配線基板Ｓの電極と接触させることはできない。そこで、第１転写基板１のチップ部品Ｃを第２転写基板２に再度転写する必要がある。この際、チップ部品Ｃの間隔を広げて第２転写基板２に転写することが多い。このため、第１転写基板１から第２転写基板２への転写には、主にＬＬＯ法が用いられる。また、第１転写基板１と同様に、第２転写基板２もベース基板２０と、ベース基板２０のチップ部品Ｃを保持する側に接着層２１を設けた構成となっている。
【００１６】
図１３（ｃ）は、第１転写基板１のチップ部品Ｃが配置された面と、第２転写基板２の接着層２１を、間隔を空けて対向させた状態から、左端のチップ部品Ｃにレーザー光Ｌを照射して、第２転写基板２に転写する状態を示しているこの状態から、レーザー光Ｌを照射されたチップ部品Ｃは第２転写基板２に転写される（図１４（ｄ））。
【００１７】
その後、第１転写基板１と第２転写基板２の面方向の相対位置を変化させ、第２転写基板の所定位置にチップ部品Ｃを転写させる（図１４（ｅ）、図１４（ｆ））ことで、第２転写基板２へのチップ部品Ｃの転写を完了させる。
【００１８】
ところで、ＬＬＯ法において、チップ部品Ｃにレーザー光Ｌを照射する際に、図１５（ａ）に示すように、スポット径が小さい場合、チップ部品Ｃ周辺部まで第１転写基板１の接着層１１から剥離するために必要なレーザー強度は高くなる。このため、接着層１１から剥離したチップ部品Ｃは大きな運動エネルギーで第２転写基板２の接着層２１に到達して破損を生じることがある（図１５（ｂ））。これを抑制するために、接着層２１の工夫により衝撃力を緩和することは出来るが、破損を皆無にすることは困難である。
【００１９】
一方において、図１６（ａ）のように、レーザー光Ｌのスポット径を広げることにより、チップ部品Ｃ周辺部も剥離しやすくなり、接着層２１に到達する際の破損も防ぐことができる。ただし、スポット径が広くなりすぎると、転写対象に隣接するチップ部品Ｃにもレーザー光Ｌが照射され、図１６（ｂ）のような部分剥離を生じることもあり、好ましくない。
【００２０】
本発明は、上記問題を鑑みてなされたものであり、レーザーリフトオフ法でチップ部品を転写先の基板に転写するのに際して、転写対象のチップのみを破損することなく確実に転写することができる転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、前記接着層は前記ベース基板表面の面内に複数の接着島で形成されており、前記接着島は、前記チップ部品１つに対して複数で接触する形状および分布である転写基板である。
【００２２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の転写基板であって、
前記チップ部品１つと接触する接着島の数は５以上である転写基板である。
【００２３】
請求項３に記載の発明は、転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、前記接着層は前記チップ部品と接する側に凸部が多数形成され、前記チップ部品１つに対して複数の凸部が接触する転写基板である。
【００２４】
請求項４に記載の発明は、転写元基板から転写された複数のチップ部品を保持し、レーザー光の照射により前記チップ部品を転写先基板に転写するのに用いる転写基板であって、
前記レーザー光に対して透光性を有するベース基板と、前記ベース基板表面に形成された、前記チップ部品に対して接着性を有する接着層とを備え、前記接着層は前記チップ部品と接する側に凹部が多数形成され、前記チップ部品１つに対して複数の凹部が対向する転写基板である。
【００２５】
請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４の何れかに記載の転写基板であって、
前記チップ部品と前記ベース基板が対向する面積に対し、前記チップ部品と前記接着層が接触する面積の比率が１０％以上６０％以下である転写基板である。
【００２６】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の転写基板であって、
前記チップ部品と前記接着層との接触密度が、前記チップ部品中心付近で密で、前記チップ部品外周付近で疎である転写基板である。
【００２７】
請求項７に記載の発明は、ダイシングされたバンプ電極を有するチップ部品を、前記バンプ電極側を保持する第１転写基板に転写し、前記バンプ電極の反対側を保持する第２転写基板に転写してから、前記バンプと接続する電極を有する配線基板に転写して実装する実装方法であって、
少なくとも前記第１転写基板として、請求項１から請求項６のいずれかに記載の転写基板を用いる実装方法である。
【００２８】
請求項８に記載の発明は、前記チップ部品としてＬＥＤチップを、前記配線基板としてＴＦＴ基板を用い、請求項７に記載の実装方法を用いて画像表示装置を製造する、画像表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の転写基板を用いることで、レーザーリフトオフ法でチップ部品を他の基板に転写する際に、転写対象のチップのみを破損することなく確実に転写することができ、配線基板へのチップ部品の転写および実装も確実に行なうことが出来る。このため、数百万個のＬＥＤチップをＴＦＴ基板に転写するような画像表示装置の製造にも好適である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施形態に係る転写基板（第１転写基板）がチップ部品を保持している状態を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る第１転写基板の接着層に関し、接着層を構成する接着島の分布を説明する図であり、（ａ）チップ部品との接着面内で均等に分布、（ｂ）中心は密で周辺は疎に分布、（ｃ）中心部の島が大、の状態を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係り、（ａ）ウェハ基板に保持されダイシングされたチップ部品を示す図であり、（ｂ）ウェハ基板からチップ部品を第１転写基板に転写する工程を示す図であり、（ｃ）チップ部品が第１転写基板に転写された状態を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係り、（ａ）第１転写基板が転写されたチップ部品を保持している状態であり、（ｂ）第２転写基板と対向した、第１転写基板のチップ部品にレーザー光を照射している状態を示す図であり、（ｃ）チップ部品が第２転写基板に転写された状態を示す図である。
【図５】本発明の別の実施形態の接着層について説明する図である。
【図６】本発明の別の実施形態における変形例の接着層について説明する図である。
【図７】接着層とセパレータについて説明する図である。
【図８】接着層のベース基板側にも凹部が形成された例を示す図である。
【図９】（ａ）ウェハ基板とチップ部品を示す上面図、（ｂ）断面図であり、（ｃ）配線基板とチップ部品を示す上面図、（ｄ）断面図である。
【図１０】（ａ）ウェハ基板とチップ部品の断面の拡大図であり、（ｂ）配線基板にチップ部品を実装した断面の拡大図である。
【図１１】ウェハ基板から配線基板にチップ部品を直接転写する工程を説明するもので、（ａ）ウェハ基板からチップ部品を剥離する工程、（ｂ）配線基板にチップ部品が転写された状態（ｃ）ウェハ基板から次のチップ部品を剥離する工程、（ｄ）配線基板に次のチップ部品が転写された状態、を示す図である。
【図１２】ウェハ基板から剥離されたチップ部品が配線基板との衝突による衝撃で破損する様子を説明する図である。
【図１３】従来のレーザーリフトオフ法によるチップ部品の転写工程を説明するものであり、（ａ）ウェハ基板からチップ部品を第１転写基板に転写する工程を示す図であり、（ｂ）チップ部品が第１転写基板に転写された状態を示すものであり、（ｃ）第２転写基板と対向した、第１転写基板のチップ部品にレーザー光を照射している状態を示す図である。
【図１４】従来のレーザーリフトオフ法によるチップ部品の転写工程を説明するものであり、（ｄ）チップ部品が第２転写基板に転写された状態を示す図であり、（ｅ）第１転写基板の次のチップ部品にレーザー光を照射している状態を示す図であり、（ｆ）次のチップ部品が第２転写基板に転写された状態を示す図である。
【図１５】レーザーリフト法において、（ａ）チップ部品に対してスポット径の小さなレーザー光を照射している状態を示す図であり、（ｂ）転写後のチップ部品が破損した状態を示す図である。
【図１６】レーザーリフト法において、（ａ）チップ部品に対してスポット径の大きめなレーザー光を照射している状態を示す図であり、（ｂ）転写対象に隣接するチップ部品が部分剥離した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図１は本発明の実施形態に係る転写基板である第１転写基板１であり、チップ部品Ｃを保持した状態になっている。
【００３２】
図１に示すように第１転写基板１はベース基板１０に接着層１１が積層され、接着層１１がチップ部品ＣのバンプＢ側を保持する構成となっている。
【００３３】
ベース基板１０は、ＬＬＯ法に用いるレーザー光Ｌの波長に対して透光性を有している必要がある。これは、レーザー光Ｌをチップ部品Ｃと接着層１１の界面に照射する必要があるためである。
【００３４】
接着層１１は、シリコーンやアクリル系等に樹脂素材によって形成され接着性または粘着性を有するものであるが、図１に示すように、１つのチップ部品Ｃに対して複数の接着島１１Ａが接触する島形状を有している。これを、チップ部品Ｃと接着層１１の界面について示したのが図２（ａ）である。このような島形状は、接着層１１を全面に形成した後にフォトリソグラフ等により部分除去して形成してもよいし、マスク印刷や転写により形成してもよい。また、図１のように接着島１１Ａの有無で島形状とするのではなく、ベース基板１０に全面形成された接着層１１を部分的に非接着化して接着島１１Ａとしての機能を付与してもよい。
【００３５】
接着層１１を島形状にすることで、接着層１１とチップ部品Ｃの接着力を調整することができる。すなわち、剥離性のコントロールが可能になる。具体的には、チップ部品Ｃと接着層１１が対向する面積に対する、接着島１１Ａの接触する面積の比率を６０％以下にすることで良好な剥離性を得ることが出来る。ただし、１０％未満になると接着層１１によるチップ部品Ｃの保持力が不安定となるので、１０％以上であることが望ましい。
【００３６】
また、チップ部品Ｃと接触する接着島Ａが少なすぎると、ベース基板１０に対してチップ部品が傾くことがあるので、１つのチップ部品Ｃに接触する接着島の数が５以上であることが望ましい。なお、接着島１１Ａは、図２（ａ）のように均等密度に形成してもよいが、図２（ｂ）のように、ＬＬＯ法において照射されるレーザー光Ｌの強度が高いチップ中心部で密にして周辺部で疎にしてもよい。また、全ての島１１Ａの形状は同一でなくてもよく、図２（ｃ）の例のようにチップ部品Ｃの中心付近で接触する島１１Ａを大きくしてもよい。
【００３７】
以下、ウェハ基板Ｗ上のチップ部品Ｃを第２転写基板２に転写するまでの工程に、図１に示す構成の第１転写基板１を用いた実施形態を、図３および図４を用いて説明する。
【００３８】
図３（ａ）はウェハ基板Ｗに形成されダイシングされたチップ部品Ｃを示す図であり、個々のチップ部品Ｃにはバンプ電極Ｂが形成されている。なお、本発明が対象とするチップ部品は１辺が１ｍｍ以下にダイシングされた微小サイズのものである。
【００３９】
図３（ｂ）は、ウェハ基板Ｗ上のチップ部品Ｃを第１転写基板１に転写する工程を説明するもので、ウェハ基板Ｗのチップ部品Ｃに第１転写基板１を密着させた状態でチップ部品Ｃをウェハ基板Ｗから剥離して第１転写基板１の接着層１１に転写する状態を示したものである。図３（ｂ）の状態において、ウェハ基板Ｗを透過したレーザー光等によりチップ部品Ｃを加熱することにより、チップ部品Ｃを構成する成分が分解し、チップ部品Ｃとウェハ基板Ｗの界面で生じたガスによりチップ部品Ｃが剥離する。
【００４０】
この後、ウェハ基板Ｗと第１転写基板１を離せば、チップ部品Ｃは第１転写基板１側に転写され接着層１１に保持される。
【００４１】
次に、図４（ａ）のように第１転写基板１に転写され保持されたチップ部品Ｃを第２転写基板２に転写する様子を図４（ｂ）および図４（ｃ）に示す。
【００４２】
まず、図４（ｂ）に示すように、チップ部品Ｃと接着層２１が対向するようにして、スペーサー１０２を介して第１転写基板１と第２転写基板２を平行に配置する。ここで、スペーサー１０２は、一部のチップ部品Ｃを第２転写基板２に転写した後も、第１転写基板１が保持するチップ部品Ｃと第２転写基板２に転写されたチップ部品Ｃが干渉することなく、第１転写基板１と第２転写基板２の相対位置を平行移動できるだけの高さを有している。
【００４３】
図４（ｂ）のように、レーザー光Ｌを照射することにより、ベース基板１０を透過した光は接着層１１とチップ部品Ｃの界面に到達する。ここで、レーザー光Ｌの波長がチップ部品Ｃに吸収されるものであれば、チップ部品Ｃから生じたガス圧により、チップ部品Ｃには、接着層１１から剥離する方向に力が加わる。なお、接着層１１の材質が特定の波長を吸収してガスを放出するものであれば、レーザー光Ｌの波長を接着層１１が吸収する波長としてもよい。
【００４４】
図４（ｂ）に示すようなレーザー光Ｌの照射により、チップ部品Ｃには接着層１１から離れる方向の力が加わるが、接着層１１を構成する接着島１１Ａとチップ部品Ｃとの接触(接着)面積を適切にしておくことにより、過度な運動エネルギーが加わることなくチップ部品Ｃを接着層１１から剥離することが出来る。
【００４５】
さらに、接着島１１Ａを図２（ｂ）や図２（ｃ）のようにチップ部品Ｃの中心部に対して周辺部で疎にしておけば、レーザー光Ｌのスポット径が小さめであってもチップＣ周辺部まで剥離することが容易となる。このため、転写対象に隣接するチップ部品Ｃがレーザー光Ｌの影響を受けることも防げる。
【００４６】
結果として、図４（ｃ）に示したように、第１転写基板１から第２転写基板２に、チップ部品Ｃを破損することなく確実に転写することが出来る。
【００４７】
なお、図４（ｂ）および図４（ｃ）に示した第２転写基板２の接着層２１は、チップ部品Ｃを保持する接着性に加えて、第１転写基板１から転写されるチップ部品Ｃの衝撃を緩和する柔軟性も有していることが望ましい。さらに、第２転写基板２の接着層２１が、第１転写基板１の接着層と同様に複数の接着島で形成されたものであってもよい。接着層２１を複数の接着島によって形成することにより、チップ部品Ｃを転写する際の衝撃吸収の効果も期待できる。
【００４８】
ところで、本実施形態において、接着層１１は１つのチップ部品Ｃに対して複数の接着島１１Ａが接触する島形状を有しているとしているが、接着層１１が別の形状でも同様の効果を得ることは可能である。すなわち、チップ部品Ｃと接着層１１が接触する界面が図２のようになればよいので、別の実施形態として図５に示すような接着層１１としてもよい。図５に示す接着層１１は、シート部１１Ｓの表面に突起した多数の凸部１１Ｂを有するものであり、凸部１１Ｂの先端が図２における接着島１１Ａのようにチップ部品Ｃに接触するのであれば、接着島１１Ａを形成するのと同様な効果が得られる。
【００４９】
更に別の実施形態の変形例として、図６に示すようにシート部１１Ｓの表面から窪んだ多数の凹部１１Ｄを形成して、チップ部品Ｃと接着層１１の接触面積を調整しても、同様な効果が得られる。すなわち、凹部１１Ｄの面積をチップ部品Ｃより小さくして、１つのチップ部品Ｃに対して対向する凹部１１Ｄを複数にすることで、１Ｄチップ部品Ｃと接触する接着層１１の面積を調整することが出来る。
【００５０】
なお、接着層１１（のシート部１１Ｓ）表面に凸部１１Ｂや凹部１１Ｄを形成する方法としては、図７に示すような、接着層１１を挟み込むセパレータ１１Ｒ１（またはセパレータ１１Ｒ２）に凹部または凸部を形成して転写しておくことが好ましいが、事前に金型で転写しておいてもよい。また、金型で転写する場合において、図８のように接着層１１のベース基板１０と接する側に多数の凹部１１ＦＤが形成されていてもよい。
【００５１】
本発明においては、第１転写基板１からチップ部品ＣをＬＬＯ法で転写するのに際して、転写対象のチップ部品を破損することなく確実に転写先の基板に転写することが、転写対象に隣接するチップ部品に悪影響を及ぼすことなく行なえる。
【００５２】
このため、本発明の転写基板を、多数のチップ部品を、間隔を空けて配線基板に実装するような用途に用いた場合、工程内のチップ破損率を極めて低く抑えることができ、リペアに要するコストも大幅に低減することができる。したがって、最終的な配線基板としてＴＦＴ基板を用い、チップ部品としてＬＥＤチップを用いるような画像表示装置の製造方法として本発明は好適であり、数百万個のＬＥＤを用いる高品質の画像表示装置の製造方法として極めて適したものである。
【符号の説明】
【００５３】
１      第１転写基板
２      第２転写基板
５      スペーサー
１０      ベース基板
１１      接着層
１１Ａ    接着島  
１１Ｂ    凸部（突起）
１１Ｄ    凹部（窪み）
１１Ｒ１、１１Ｒ２    セパレータ（離型紙）
１１Ｓ    シート部
２０      ベース基板
２１      接着層
Ｂ      バンプ
Ｃ      チップ部品
Ｌ      レーザー光
Ｓ      配線基板
Ｗ      ウェハ基板    
【図１】
2019176154.tif 000003
【図２】
2019176154.tif 000004
【図３】
2019176154.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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