(57)【要約】【課題】エッチング性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブルプリント基板、及び電子機器を提供する。【解決手段】99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、ＥＢＳＤにより測定した前記銅箔の表面の結晶方位データに対し、前記表面上でＭＤとなす角がφ（０〜１８０度）となる方向を回転軸として、ＮＤからθ（０〜９０度）回転させる回転処理を施して（１０１）面の面積率Ｓ１０１を求めたとき、下記（１）〜（３）のいずれかを満たすフレキシブルプリント基板用銅箔である。（１）θが０度以上３０度未満でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上、（２）θが３０度以上４５度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．２以上、（３）θが４５度を超え６０度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、
ＥＢＳＤにより測定した前記銅箔の表面の結晶方位データに対し、前記表面上でＭＤとなす角がφ（０〜１８０度）となる方向を回転軸として、ＮＤからθ（０〜９０度）回転させる回転処理を施して（１０１）面の面積率Ｓ１０１を求めたとき、下記（１）〜（３）のいずれかを満たすフレキシブルプリント基板用銅箔。
（１）θが０度以上３０度未満でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上
（２）θが３０度以上４５度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．２以上
（３）θが４５度を超え６０度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上
【請求項２】
ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅からなる請求項１に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項３】
さらに、添加元素として、P、Ag、ZnおよびSnからなる群から選ばれる少なくとも１種又は２種以上を合計で０．２質量％以下含有してなる請求項１又は２に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項４】
200℃×30min焼鈍（但し、昇温速度100℃/min〜300℃/min）した後に、前記（１）〜（３）のいずれかを満たす請求項１〜３のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項５】
前記角φの値を、前記フレキシブルプリント基板用銅箔に同梱した印刷物、シール、または電子媒体若しくはウェブサイトから配信又は表示することによって、付与してなる請求項１〜４のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のフレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる銅張積層体。
【請求項７】
請求項６に記載の銅張積層体における前記銅箔に回路を形成してなるフレキシブルプリント基板。
【請求項８】
請求項７に記載のフレキシブルプリント基板を用いた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフレキシブルプリント基板等の配線部材に用いて好適な銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブル配線板、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルプリント基板（フレキシブル配線板、以下、「ＦＰＣ」と称する）はフレキシブル性を有するため、電子回路の折り曲げ部や可動部に広く使用されている。例えば、ＨＤＤやＤＶＤ及びＣＤ−ＲＯＭ等のディスク関連機器の可動部や、折りたたみ式携帯電話機の折り曲げ部等にＦＰＣが用いられている。
ＦＰＣは銅箔と樹脂とを積層したＣｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ（銅張積層体、以下ＣＣＬと称する）をエッチングすることで配線を形成し、その上をカバーレイと呼ばれる樹脂層によって被覆したものである。カバーレイを積層する前段階で、銅箔とカバーレイとの密着性を向上するための表面改質工程の一環として、銅箔表面のエッチングが行われる。また、銅箔の厚みを低減して屈曲性を向上させるため、減肉エッチングを行う場合もある。
【０００３】
ところで、電子機器の小型、薄型、高性能化に伴い、ＦＰＣの回路幅、スペース幅の微細化（例えば、２０〜３０μｍ程度）が要求されている。ＦＰＣの回路が微細化すると、エッチングにより回路を形成する時にエッチングファクタや回路直線性が劣化し易くなるという問題がある（特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７-１４１５０１号公報
【特許文献２】特開２０１７-１７９３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の技術では、エッチング性を改善する方策として平均結晶粒径などを最適化することが行われているが、微細回路の形成におけるエッチング性に改善の余地がある。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、エッチング性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔、それを用いた銅張積層体、フレキシブルプリント基板、及び電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは種々検討した結果、２２０方位（１０１面）の結晶粒のエッチング速度が大きいことを見出した。そこで、特定の方向の２２０方位の結晶粒を多くすることでエッチング性をさらに向上させることに成功した。
【０００７】
すなわち、本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる銅箔であって、ＥＢＳＤにより測定した前記銅箔の表面の結晶方位データに対し、前記表面上でＭＤとなす角がφ（０〜１８０度）となる方向を回転軸として、ＮＤからθ（０〜９０度）回転させる回転処理を施して（１０１）面の面積率Ｓ１０１を求めたとき、下記（１）〜（３）のいずれかを満たすフレキシブルプリント基板用銅箔である。（１）θが０度以上３０度未満でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上、（２）θが３０度以上４５度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．２以上、（３）θが４５度を超え６０度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上
【０００８】
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅からなることが好ましい。
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、さらに、添加元素として、P、Ag、ZnおよびSnからなる群から選ばれる少なくとも１種又は２種以上を合計で０．２質量％以下含有してなることが好ましい。
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔において、200℃×30min焼鈍（但し、昇温速度100℃/min〜300℃/min）した後に、前記（１）〜（３）のいずれかを満たすことが好ましい。
本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、前記角φの値を、前記フレキシブルプリント基板用銅箔に同梱した印刷物、シール、または電子媒体若しくはウェブサイトから配信又は表示することによって、付与してなってもよい。
【０００９】
本発明の銅張積層体は、前記フレキシブルプリント基板用銅箔と、樹脂層とを積層してなる。
【００１０】
本発明のフレキシブルプリント基板は、前記銅張積層体における前記銅箔に回路を形成してなる。
【００１１】
本発明の電子機器は、前記フレキシブルプリント基板を用いてなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、エッチング性に優れたフレキシブルプリント基板用銅箔が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】銅箔の表面をＥＢＳＤで測定する方法を示す図である。
【図２】ＥＢＳＤの測定結果から回転処理によりθ毎のＳ１０１を求める方法を示す図である。
【図３】φを示す図である。
【図４】θを示す図である。
【図５】Ｓ１０１が最大値を示す角θとエッチングの進行方向との関係を示す断面図である。
【図６】角θが種々の方向にエッチングが進行した場合の回路の断面を説明する断面図である。
【図７】回路の断面形状からエッチングファクタＥＦを求める方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る銅箔の実施の形態について説明する。なお、本発明において％は特に断らない限り、質量％を示すものとする。
【００１５】
＜組成＞
本発明に係る銅箔は、99.0質量％以上のCu、残部不可避的不純物からなる。ＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１１００）に規格するタフピッチ銅（ＴＰＣ）又はＪＩＳ−Ｈ３１００（Ｃ１０２０）の無酸素銅（ＯＦＣ）からなる組成としてもよい。
又、添加元素として、上記組成に対し、P、Ag、ZnおよびSnからなる群から選ばれる少なくとも１種又は２種以上を合計で０．２質量％以下含有すると、フレキシブル基板用銅箔の折り曲げ性や屈曲性が向上する。
上記添加元素の含有量の下限は特に制限されないが、例えば各元素につき0.0005質量％より小さく制御することは工業的に難しいので、各元素の含有量の下限を0.0005質量％とするとよい。
【００１６】
（１０１）面の面積率
本発明は、エッチング性が最適となる銅箔の組織をＥＢＳＤによって規定するものである。具体的には、後述する図２に示すように角度φ及びθで特定される対象断面の（１０１）面の面積率により規定する。
但し、角度φ及びθで特定される対象断面を露出させてＥＢＳＤ測定を行うのは難しいため、銅箔表面のＥＢＳＤ測定を行い、得られた結晶方位データに後述する回転処理を施し、各φ及びθ毎の（１０１）面の面積率Ｓ１０１を計算で求める。
【００１７】
ここで、図１に示すように、ＥＢＳＤ(Electron Back Scatter Diffraction：電子後方散乱回折)とは、SEM内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子菊池線回折(菊池パターン)を利用し、結晶方位を解析する技術である。
この回転処理は、銅箔の表面上（ＭＤとＴＤに平行な面上）でＭＤとなす角がφ（０〜１８０度）となる方向を回転軸として、ＮＤ（厚み方向）からθ（０〜９０度）回転させるものであって、図２〜図４に示すように、ＮＤ（厚み方向）からθ回転した方向を面法線Ｎとする断面を対象断面とする。ＭＤは、圧延銅箔では圧延平行方向である。
そして、角θを０度〜９０度の間で変えた対象断面における（１０１）面の面積率Ｓ１０１を求める。
回転処理は、ＥＢＳＤ装置に付属のソフトウェアで計算（解析）することができ、例えば、株式会社 ＴＳＬソリューションズ社のＯＩＭ−Ａｎａｌｙｓｉｓを用いることができる。
【００１８】
以上のようにして面積率Ｓ１０１を求めたとき、本発明のフレキシブルプリント基板用銅箔は、下記（１）〜（３）のいずれかを満たす。
（１）θが０度以上３０度未満でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上
（２）θが３０度以上４５度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．２以上
（３）θが４５度を超え６０度以下でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４以上
なお、(101)面の法線とのなす角の角度が10度以下の方位を持つ結晶粒を (101)面とする。
【００１９】
面積率Ｓ１０１の計算と、（１）〜（３）の判定は次のように行う。
まず、φを０〜１８０度の間で一定にしたとき、θを０〜９０度に変えて各θにおけるＳ１０１を計算する。この計算を、φを変化させてそれぞれ行う。
表２は、後述する実施例２１につき、φ、θを変化させたときのＳ１０１を示す。φ＝２２．５度のとき、θ＝４５度でＳ１０１が最大値を示し、かつ該最大値が０．４であった。表２の符号「−」は、Ｓ１０１が０．４未満であることを示す。
従って、（１）〜（３）は、φを０〜１８０度の間のいずれかの角度における規定である。
なお、φ、θを細かく区切って計算すると膨大な時間を要するため、角度間隔を例えばφを22.5度毎、θを15度毎とするとよい。
【００２０】
次に、図５、図６を参照してエッチングファクタＥＦとθとの関係について説明する。なお、後述する実施例及び比較例（表１）に示すように、θが６０度を超えた比較例はいずれもエッチングファクタＥＦが劣った。従って、θが０〜６０度の範囲について検討する。
まず、図５に示すように、Ｓ１０１が最大値を示す角θ方向へエッチングが進むが、回路形成のエッチングには、エッチングが厚み方向の底に達するまでの段階と、その後、横方向にエッチングが進んで回路幅が狭くなっていく段階の二つに分けられる。
【００２１】
そして、図６に示すように、角θ＝45度方向へエッチングが進む場合は、エッチングが底に到達した際に、斜め方向（45度方向）にもエッチングが進展しているため、回路の裾引き部分の厚みが薄くなり、エッチングが底に到達した後は優先的にボトムのエッチングが進展する。このため回路のトップの幅を残したシャープな（矩形に近い）回路断面になる。従って、エッチングファクタＥＦが良好である。
又、角θ＝0度方向へエッチングが進む場合は、深さ方向に優先的にエッチングが進展しやすいため、エッチングが底に到達した際に、幅方向のエッチングがまだ進展していない。このため、回路の裾引き部分の厚みはθ＝45度の場合と比べて厚いが、エッチングが底に到達した時点で回路トップの幅が残っている。このため、θ＝45度の場合よりはやや劣るが（トップ幅の大きな）シャープな回路断面になり、エッチングファクタＥＦが良好である。
一方、角θ＝90度方向へエッチングが進む場合は、エッチングが厚み方向に進み難い一方、板面方向にエッチングが広がり過ぎるので、回路のボトム幅に対してトップ幅が小さくなり、回路断面がシャープにならず、エッチングファクタEFが劣る。
【００２２】
以上のことから、４５度を境目に、（１）θが０度以上３０度未満、（２）θが３０度以上４５度以下、（３）θが４５度を超え６０度以下の３つの角度範囲を設定した。
そして、後述する実施例及び比較例（表１）に示すように、種々の銅箔試料についてＥＢＳＤ測定とエッチングファクタＥＦの測定とを行い、エッチングファクタＥＦの良否と、Ｓ１０１が最大値を示すθとを、（１）〜（３）の３つの角度範囲で分類し、各角度範囲毎に、エッチングファクタＥＦが良好となるときのＳ１０１の最大値の値から、最大値の閾値を求めた。
なお、上記したように、θ＝４５度で最もＥＦが良好になることから、θ＝４５度を含む（２）の範囲では、後述するように他の範囲よりもＳ１０１の最大値が小さくても、良好なＥＦを得られる。
【００２３】
ここで、エッチングファクタＥＦは、図７に示す回路の断面のボトム幅、トップ幅及び高さから、下記式（１）により定義される。
【数１】
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実際のＥＦの測定方法は種々存在するが、本発明では、上述の図５、図６の説明のように、深さ方向と幅方向に十分にエッチングが進行したときの回路の断面形状がθに関係するので、ボトム幅が一定となったときにエッチングを停止し、式（１）からＥＦを求める。
【００２４】
＜200℃で30分間の熱処理＞
本発明に係る銅箔はフレキシブルプリント基板に用いられ、その際、銅箔と樹脂とを積層したＣＣＬは、２００〜４００℃で樹脂を硬化させるための熱処理を行うため、Ｓ１０１が最大値を示すθ、及び最大値が変化する。
従って、樹脂と積層する前後で、θ、及びＳ１０１の最大値が変わる。そこで、本願の請求項１に係るフレキシブルプリント基板用銅箔は、樹脂と積層後の銅張積層体になった後の、樹脂の硬化熱処理を受けた状態の銅箔を規定している。つまり、既に熱処理を受けているから、新たな熱処理を行わない状態の銅箔である。
一方、本願の請求項４に係るフレキシブルプリント基板用銅箔は、樹脂と積層する前の銅箔に上記熱処理を行ったときの状態（例えば、熱処理前の銅箔コイルがＣＣＬの製造工場に納入されてＣＣＬに積層されるときの加熱された状態）を規定している。この200℃で30分間の熱処理は、ＣＣＬの積層時に樹脂を硬化熱処理させる温度条件を模したものである。なお、熱処理による銅箔表面の酸化を防止するため、熱処理の雰囲気は、還元性又は非酸化性の雰囲気が好ましく、例えば、真空雰囲気、又は、アルゴン、窒素、水素、一酸化炭素等若しくはこれらの混合ガスからなる雰囲気などとすればよい。昇温速度は100〜300℃/minの間であればよい。
【００２５】
本発明の銅箔は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、銅インゴットを溶解、鋳造した後、熱間圧延し、冷間圧延と焼鈍を行い、好ましくは冷間圧延時の初期に再結晶焼鈍を行うと共に、最終再結晶焼鈍及び最終冷間圧延を行うことにより箔を製造することができる。
最終再結晶焼鈍における昇温速度を調整することにより、再結晶時に生成する結晶方位を調整し、θ、及びＳ１０１の最大値を制御できる。最終再結晶焼鈍における昇温速度は、２℃／分以下が好ましい。又、θが３０度以上４５度以下の（２）の場合には、昇温速度は、１０℃／分以下が好ましい。
同様に、最終冷間圧延の最終パスのひずみ速度を調整することにより、再結晶時に生成する結晶方位を調整し、θ、及びＳ１０１の最大値を制御できる。ひずみ速度は、１００〜５０００（/秒）が好ましく、２００〜５００（/秒）がさらに好ましい。
【００２６】
＜銅張積層体及びフレキシブルプリント基板＞
又、本発明の銅箔に（１）樹脂前駆体（例えばワニスと呼ばれるポリイミド前駆体）をキャスティングして熱をかけて重合させること、（２）ベースフィルムと同種の熱可塑性接着剤を用いてベースフィルムを本発明の銅箔にラミネートすること、により、銅箔と樹脂基材の２層からなる銅張積層体（ＣＣＬ）が得られる。又、本発明の銅箔に接着剤を塗着したベースフィルムをラミネートすることにより、銅箔と樹脂基材とその間の接着層の３層からなる銅張積層体（ＣＣＬ）が得られる。これらのＣＣＬ製造時に銅箔が熱処理されて再結晶化する。
これらにフォトリソグラフィー技術を用いて回路を形成し、必要に応じて回路にめっきを施し、カバーレイフィルムをラミネートすることでフレキシブルプリント基板（フレキシブル配線板）が得られる。
【００２７】
従って、本発明の銅張積層体は、銅箔と樹脂層とを積層してなる。又、本発明のフレキシブルプリント基板は、銅張積層体の銅箔に回路を形成してなる。
樹脂層としては、PET（ポリエチレンテレフタレート）、PI（ポリイミド）、LCP（液晶ポリマー）、PEN（ポリエチレンナフタレート）が挙げられるがこれに限定されない。また、樹脂層として、これらの樹脂フィルムを用いてもよい。
樹脂層と銅箔との積層方法としては、銅箔の表面に樹脂層となる材料を塗布して加熱成膜してもよい。又、樹脂層として樹脂フィルムを用い、樹脂フィルムと銅箔との間に以下の接着剤を用いてもよく、接着剤を用いずに樹脂フィルムを銅箔に熱圧着してもよい。但し、樹脂フィルムに余分な熱を加えないという点からは、接着剤を用いることが好ましい。
【００２８】
樹脂層としてフィルムを用いた場合、このフィルムを、接着剤層を介して銅箔に積層するとよい。この場合、フィルムと同成分の接着剤を用いることが好ましい。例えば、樹脂層としてポリイミドフィルムを用いる場合は、接着剤層もポリイミド系接着剤を用いることが好ましい。尚、ここでいうポリイミド接着剤とはイミド結合を含む接着剤を指し、ポリエーテルイミド等も含む。
【００２９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されない。又、本発明の作用効果を奏する限り、上記実施形態における銅合金がその他の成分を含有してもよい。また、電解銅箔でも良い。
例えば、銅箔の表面に、粗化処理、防錆処理、耐熱処理、またはこれらの組み合わせによる表面処理を施してもよい。
【００３０】
なお、本発明は、上述の角φにて、所定のθでのＳ１０１を規定し、角φの近傍にてエッチング性が優れる。ここで、圧延銅箔の製造者は銅箔のコイル等毎に各φを測定する一方、銅箔のユーザ（例えば回路メーカ）は、回路を製造するに当たり、自身でエッチング性が最良となる角φを探索するのが通例である。
従って、圧延銅箔の出荷時に角φを提示する必要はないが、フレキシブルプリント基板用銅箔の製品（例えばコイル製品）のパッケージに印刷物やシールで角φの値を同梱したり、製品と同梱又は別体の電子媒体（ＣＤ−ＲＯＭ等）で角φの値を提供したり、製品のコイル番号等をウェブサイトで入力したときに角φの値をサーバから配信又は表示されるようにすると、ユーザに便利なので好ましい。
【実施例１】
【００３１】
次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。電気銅に、表１に示す元素をそれぞれ添加して表１に示す組成とし、Ar雰囲気で鋳造して鋳塊を得た。鋳塊中の酸素含有量は15ppm未満であった。この鋳塊を900℃で均質化焼鈍後、熱間圧延した後、冷間圧延および再結晶焼鈍を繰り返し、さらに最終再結晶焼鈍及び最終冷間圧延を行って圧延銅箔を得た。
得られた圧延銅箔にアルゴン雰囲気において200℃×30分の熱処理を加え、銅箔サンプルを得た。熱処理後の銅箔は、ＣＣＬの積層時に熱処理を受けた状態を模している。
【００３２】
＜Ａ．銅箔サンプルの評価＞
１．（１０１）面の面積率
上記熱処理後の各銅箔サンプルについて、銅箔表面を電解研磨後に、図１に示すようにしてEBSD分析（後方散乱電子線回析装置、日本電子株式会社JXA8500F、加速電圧20kV、電流2e-8A、観察範囲1000μm×1000μm、ステップ幅0.5μm）を実施した。その銅箔表面のEBSD分析結果をもとに、上記したようにして角θで規定される測定面を基準とした（１０１）面の面積率Ｓ１０１を求めた。
θ=0度〜90度（15度刻み）とした。
【００３３】
２．エッチングファクタＥＦ
銅箔と樹脂を張り合わせ、その後ドライフィルムレジストを銅箔表面にラミネートし、レジストに短冊状（L/S=30/20）の回路パターンを形成した。なお、回路パターンの短冊が伸びる長手方向がMDとなす角φを、各実施例毎に変え、上記（１）〜（３）のいずれかを満たしたときのＳ１０１が最大値を示したときの角φに一致させた。例えば、表２に示すように、実施例２１の場合、φ＝２２．５度として回路パターンを形成した。
なお、各比較例については、表２と同様な計算を行い、Ｓ１０１が最大値を示したときの角φを採用して回路パターンを形成した。
その後、塩化第二銅エッチャントのスプレーエッチングを行い、図７のボトム幅が一定となるような回路を得た。ボトム幅は、エッチング時間を調整して制御した。そして、図７及び式（１）により、エッチングで得られた回路の断面形状を測定し、エッチングファクタＥＦを算出した。ＥＦの値に応じて以下の指標で評価した。評価が◎、○であればエッチング性が良好である。
◎：ＥＦが５．０以上
○：ＥＦが３．０以上５．０未満
×：ＥＦが３．０未満
【００３４】
得られた結果を表１、表２に示す。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
【表２】
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【００３７】
表１、表２から明らかなように、（１）〜（３）のいずれかを満たした各実施例の場合、エッチング性が良好であった。具体的には、（１）を満たしたのは実施例１、２、９、１０、１１、１７、１８であり、（２）を満たしたのは実施例３、４、６、７、８、１２、１３、１５、１６、１９、２０、２１であり、（３）を満たしたのは実施例５、１４、２２である。
【００３８】
なお、（１）を満たす各実施例のうち、実施例９が最もエッチング性が良好でＳ１０１の最大値が０．７以上であった。このことから、（１）のθ範囲においてＳ１０１の最大値が０．７以上であると好ましい。
同様に、（２）を満たす各実施例のうち、実施例３，４、８、１２、１３、１５、１６、１９、２０、２１が最もエッチング性が良好でＳ１０１の最大値が０．４（実施例２１）以上であった。このことから、（２）のθ範囲においてＳ１０１の最大値が０．４以上であると好ましい。
【００３９】
一方、最終再結晶焼鈍における昇温速度が２℃／分を超えた比較例１〜５の場合、エッチング性が劣った。具体的には、比較例１，２は（１）を満たさず、比較例３，４は（２）を満たさず、比較例５は（３）を満たさなかった。
最終冷間圧延の最終パスのひずみ速度が１００（/秒）２℃／分未満の比較例６，７の場合、θが６０度を超え、エッチング性が劣った。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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