(57)【要約】【課題】微粒子の攪拌及び混合を促進できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、チャンバー１３と、容器２９ａと、第１の打刻用部材１１を収容する第１の収容部３１ａと、回転機構と、対向電極２１と、容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、ガス導入機構と、排気機構と、を具備し、前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の微粒子１又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆するプラズマＣＶＤ装置である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形又は円形である容器と、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形である容器と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっており、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記容器の外面に形成され、第２の打刻用部材を収容する第２の収容部と、
前記容器の外面に形成され、第３の打刻用部材を収容する第３の収容部と、
を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第２の収容部内を前記第２の打刻用部材が移動して前記容器に衝突し、且つ前記第３の収容部内を前記第３の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記容器の外面に形成され、前記第１の収容部の隣に位置し、且つ前記容器の断面の垂直方向に位置する、第２の打刻用部材を収容する第２の収容部を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第２の収容部内を前記第２の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記対向電極の上面及び側面を覆い、且つ断面形状が曲面を有するアース遮蔽部材と、
前記アース遮蔽部材に振動を加える振動機構と、
を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の打刻用部材は、断面形状が多角形の棒形状を有し、且つ前記容器の断面の垂直方向に前記棒形状の長手方向が位置するように前記第１の収容部に収容されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の打刻用部材の表面は、その内部とは異なる材質の膜で被覆されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記容器の外側に配置された磁石を有し、前記磁石は前記容器の内部にプラズマを集める機能を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記磁石は前記チャンバー内に配置されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記容器の一方側を塞ぐ部材と、
前記容器の他方側に配置され、前記容器の内部に発生するプラズマを閉じ込める機能を有する蓋部と、
を有し、
前記蓋部を、前記容器の断面の垂直方向で且つ前記容器から離れる方向に移動させる移動機構を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１２】
チャンバー内に、内部の断面形状が多角形又は円形である容器を配置し、
前記容器内に微粒子又は電子部品を収容し、
前記容器の内面に対向させた対向電極を前記容器内に配置し、
前記チャンバー内を真空排気し、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内に原料ガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の前記微粒子又は前記電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法により、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１３】
チャンバー内に、内部の断面形状が多角形である容器を配置し、
前記容器内に微粒子又は電子部品を収容し、
前記容器の内面に対向させた対向電極を前記容器内に配置し、
前記チャンバー内を真空排気し、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内に原料ガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の前記微粒子又は前記電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法により、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっていることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記容器を回転又は振り子動作させる際、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一項において、
前記超微粒子又は薄膜は絶縁物であり、
前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆する工程（ａ）の後に、前記微粒子又は前記電子部品を前記容器から取り出し、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜を除去する工程（ｂ）を含み、
前記工程（ｂ）は、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内にクリーニングガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜をプラズマクリーニングする工程であることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【請求項１６】
プラズマＣＶＤ装置を用いて微粒子又は電子部品を製造する方法において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形又は円形である容器と、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【請求項１７】
プラズマＣＶＤ装置を用いて微粒子又は電子部品を製造する方法において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形である容器と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっており、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記容器を回転又は振り子動作させる際、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか一項において、
前記超微粒子又は薄膜は絶縁物であり、
前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆する工程（ａ）の後に、前記微粒子又は前記電子部品を前記容器から取り出し、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜を除去する工程（ｂ）を含み、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
前記容器の一方側を塞ぐ部材と、
前記容器の他方側に配置され、前記容器の内部に発生するプラズマを閉じ込める機能を有する蓋部と、
を有し、
前記蓋部を、前記容器の断面の垂直方向で且つ前記容器から離れる方向に移動させる移動機構を有し、
前記工程（ｂ）は、
前記移動機構により前記蓋部を前記容器から離れる方向に移動させ、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内にクリーニングガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜をプラズマクリーニングする工程であることを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置、プラズマＣＶＤ方法及び微粒子又は電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプラズマＣＶＤ装置はチャンバーを有し、  このチャンバー内には内部形状が円形である容器が配置されている。この容器は微粒子を収容するものである。容器の外側にはアース遮蔽部材が配置されており、このアース遮蔽部材は、前記容器において微粒子を収容する収容面以外の表面を遮蔽する部材である。また、プラズマＣＶＤ装置は前記容器を回転させる回転機構を有し、前記容器内には対向電極が配置されている。容器にはプラズマ電源が電気的に接続されている。また、プラズマＣＶＤ装置は、前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、前記チャンバー内を真空排気する排気機構を有している。
【０００３】
上記プラズマＣＶＤ装置では、前記回転機構を用いて前記容器を回転させることにより容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、微粒子の表面に薄膜を被覆することができる。
【０００４】
また、上記プラズマＣＶＤ装置は、容器内に収容された微粒子（粉体）に振動を加えるための打ち付け部材としてのアース棒を有している。つまり、アース棒は、その先端をアース遮蔽部材に打ち付けることができるようになっている。アース遮蔽部材と容器とは絶縁部材によって繋げられており、アース棒によってアース遮蔽部材を振動させ、その振動が前記絶縁部材を通して容器に伝えられるようになっている。このため、容器とともに回転しているアース遮蔽部材にアース棒を連続的に打ち付けることにより、アース遮蔽部材の振動を容器内に収容された粉体に加えることが可能となる。これにより、粉体が凝集するのを防ぎ、粉体の攪拌及び混合を促進することができる（例えば特許文献１参照）。
【０００５】
上述したように従来のプラズマＣＶＤ装置では、アース遮蔽部材にアース棒を打ち付けてアース遮蔽部材を振動させ、その振動が容器に伝えられることで、容器内に収容された微粒子を振動させることができる。一方、微粒子の処理効率を上げるために多量の微粒子を一度に処理できるように、容器の大きさを大きくすると、容器の外側のアース遮蔽部材も大きくなる。そのため、その大きなアース遮蔽部材を振動させるにはアース棒で打ち付ける力も大きくする必要がある。しかし、その打ち付ける力を大きくするにも限度があるため、容器の大きさを大きくするとアース遮蔽部材の振動が小さくなり、微粒子の振動も小さくなる。その結果、粉体（微粒子）の攪拌及び混合を十分に促進することができなくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００９／０９８７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の一態様は、微粒子の攪拌及び混合を促進できるプラズマＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ方法、又は微粒子又は電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形又は円形である容器と、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【０００９】
［２］チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形である容器と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっており、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１０】
［３］上記［２］において、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１１】
［４］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記容器の外面に形成され、第２の打刻用部材を収容する第２の収容部と、
前記容器の外面に形成され、第３の打刻用部材を収容する第３の収容部と、
を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第２の収容部内を前記第２の打刻用部材が移動して前記容器に衝突し、且つ前記第３の収容部内を前記第３の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１２】
［５］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記容器の外面に形成され、前記第１の収容部の隣に位置し、且つ前記容器の断面の垂直方向に位置する、第２の打刻用部材を収容する第２の収容部を有し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第２の収容部内を前記第２の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１３】
［６］上記［１］乃至［５］のいずれか一項において、
前記対向電極の上面及び側面を覆い、且つ断面形状が曲面を有するアース遮蔽部材と、
前記アース遮蔽部材に振動を加える振動機構と、
を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１４】
［７］上記［１］乃至［６］のいずれか一項において、
前記第１の打刻用部材は、断面形状が多角形の棒形状を有し、且つ前記容器の断面の垂直方向に前記棒形状の長手方向が位置するように前記第１の収容部に収容されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１５】
［８］上記［１］乃至［７］のいずれか一項において、
前記第１の打刻用部材の表面は、その内部とは異なる材質の膜で被覆されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１６】
［９］上記［１］乃至［８］のいずれか一項において、
前記容器の外側に配置された磁石を有し、前記磁石は前記容器の内部にプラズマを集める機能を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１７】
［１０］上記［９］において、
前記磁石は前記チャンバー内に配置されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置
【００１８】
［１１］上記［１］乃至［１０］のいずれか一項において、
前記容器の一方側を塞ぐ部材と、
前記容器の他方側に配置され、前記容器の内部に発生するプラズマを閉じ込める機能を有する蓋部と、
を有し、
前記蓋部を、前記容器の断面の垂直方向で且つ前記容器から離れる方向に移動させる移動機構を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１９】
［１２］チャンバー内に、内部の断面形状が多角形又は円形である容器を配置し、
前記容器内に微粒子又は電子部品を収容し、
前記容器の内面に対向させた対向電極を前記容器内に配置し、
前記チャンバー内を真空排気し、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内に原料ガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の前記微粒子又は前記電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法により、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【００２０】
［１３］チャンバー内に、内部の断面形状が多角形である容器を配置し、
前記容器内に微粒子又は電子部品を収容し、
前記容器の内面に対向させた対向電極を前記容器内に配置し、
前記チャンバー内を真空排気し、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内に原料ガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の前記微粒子又は前記電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法により、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっていることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【００２１】
［１４］上記［１３］において、
前記容器を回転又は振り子動作させる際、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【００２２】
［１５］上記［１２］乃至［１４］のいずれか一項において、
前記超微粒子又は薄膜は絶縁物であり、
前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆する工程（ａ）の後に、前記微粒子又は前記電子部品を前記容器から取り出し、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜を除去する工程（ｂ）を含み、
前記工程（ｂ）は、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内にクリーニングガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜をプラズマクリーニングする工程であることを特徴とするプラズマＣＶＤ方法。
【００２３】
［１６］プラズマＣＶＤ装置を用いて微粒子又は電子部品を製造する方法において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形又は円形である容器と、
前記容器の外面に形成され、第１の打刻用部材を収容する第１の収容部と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記第１の収容部内を前記第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与え、且つ前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【００２４】
［１７］プラズマＣＶＤ装置を用いて微粒子又は電子部品を製造する方法において、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置され、微粒子又は電子部品を収容する容器であって内部の断面形状が多角形である容器と、
前記容器を回転又は振り子動作させる回転機構と、
前記容器内に配置され、前記容器の内面に対向するように配置された対向電極と、
前記容器に電気的に接続されたプラズマ電源と、
前記容器内に原料ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバー内を真空排気する排気機構と、
を具備し、
前記容器は、前記多角形の第１の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており、且つ前記多角形の前記第１の辺と隣接する第２の辺の長さが前記容器の一方側から他方側にいくにつれて長くなっており、
前記回転機構を用いて前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器内の微粒子又は電子部品を攪拌あるいは回転させながらプラズマＣＶＤ法を用いることで、前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆することを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【００２５】
［１８］上記［１７］において、
前記容器を回転又は振り子動作させる際、前記容器の外面に形成された第１の収容部内を第１の打刻用部材が移動して前記容器に衝突することで、前記容器に振動を与えることを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【００２６】
［１９］上記［１６］乃至［１８］のいずれか一項において、
前記超微粒子又は薄膜は絶縁物であり、
前記微粒子又は前記電子部品の表面に前記微粒子又は前記電子部品より径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆する工程（ａ）の後に、前記微粒子又は前記電子部品を前記容器から取り出し、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜を除去する工程（ｂ）を含み、
前記プラズマＣＶＤ装置は、
前記容器の一方側を塞ぐ部材と、
前記容器の他方側に配置され、前記容器の内部に発生するプラズマを閉じ込める機能を有する蓋部と、
を有し、
前記蓋部を、前記容器の断面の垂直方向で且つ前記容器から離れる方向に移動させる移動機構を有し、
前記工程（ｂ）は、
前記移動機構により前記蓋部を前記容器から離れる方向に移動させ、
前記容器を回転又は振り子動作させ、
前記容器内にクリーニングガスを導入し、
前記容器にプラズマパワーを供給し、
前記容器を回転又は振り子動作させることにより、前記容器の表面に付着した絶縁物の膜をプラズマクリーニングする工程であることを特徴とする微粒子又は電子部品の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の一態様によれば、微粒子の攪拌及び混合を促進できるプラズマＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ方法、又は微粒子又は電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図２】（Ａ）は図１に示す１０１−１０１線に沿った断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す１００−１００線に沿った断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は振り子動作させる様子を示す断面図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は回転動作させる様子を示す断面図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は第１の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図６】（Ａ）は本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す１０２−１０２線に沿った断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置の第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを示す断面図である。
【図８】様々な打刻用部材（打刻棒）の断面図である。
【図９】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図１０】図９に示す１０３−１０３線に沿った断面図である。
【図１１】図１０に示す装置の第１の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１０に示す装置の第２の変形例を示す断面図である。
【図１３】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図１４】図１３に示す１０４−１０４線に沿った断面図である。
【図１５】図１４に示す装置の第１の変形例を示す断面図である。
【図１６】図１４に示す装置の第２の変形例を示す断面図である。
【図１７】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図１８】（Ａ），（Ｂ）は回転動作させる様子を示す断面図である。
【図１９】（Ａ），（Ｂ）は、第６の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図２０】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図２１】第７の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図２２】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図２３】本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。
【図２４】第２容器部材２９ａの表面全体又は表面の大部分が絶縁膜で覆われると、微粒子１への成膜環境が変化し、その微粒子１に被覆される薄膜の組成や膜質が変化することを確認する実験を行った結果である。
【図２５】第７の実施形態の変形例を示す断面図である。
【図２６】（Ａ）は本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す第２容器部材２２９ａを１０５−１０５線で切断した一部断面図、（Ｃ）は（Ａ）に示す第２容器部材２２９ａを１８０°回転させた状態の断面図、（Ｄ）は（Ｃ）に示す第２容器部材２２９ａを１０６−１０６線で切断した一部断面図、（Ｅ）は（Ｂ）に示す第２容器部材２２９ａの展開図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下では、本発明の実施形態及び実施例について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容及び実施例に限定して解釈されるものではない。
【００３０】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。図２（Ａ）は、図１に示す１０１−１０１線に沿った断面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す１００−１００線に沿った断面図であるが、ガスシャワー電極は図示していない。
【００３１】
このプラズマＣＶＤ装置は、微粒子（又は粉体）の表面に、その微粒子より粒径の小さい超微粒子又は薄膜を被覆させるための装置である。
尚、本実施形態では、微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆させるプラズマＣＶＤ装置について説明しているが、本実施形態によるプラズマＣＶＤ装置は、微粒子に代えて径が１ｍｍ以下の電子部品の表面にその電子部品より径の小さい微粒子又は薄膜を被覆させる装置として用いることも可能である。
【００３２】
また、本実施形態では、内部断面形状が多角形である容器に微粒子を収容し、この微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆させるプラズマＣＶＤ装置について説明しているが、容器の内部断面形状は多角形に限られず、容器の内部断面形状を円形又は楕円形にすることも可能である。容器の内部断面形状を円形とする実施形態については後述する。また、内部断面形状が多角形の容器と円形又は楕円形の容器との違いは、円形又は楕円形の容器に比べて多角形の容器の方が粒径の小さい微粒子に超微粒子又は薄膜を被覆できる点である。
【００３３】
図１及び図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置は円筒形状のチャンバー１３を有している。このチャンバー１３の一方端はチャンバー蓋２１ａによって閉じられており、チャンバー１３の他方端はチャンバー蓋２１ｂによって閉じられている。チャンバー１３及びチャンバー蓋２１ａ，２１ｂそれぞれはアース（接地電位）に接続されている。
【００３４】
チャンバー１３の内部には微粒子１を収容する導電性の容器が配置されている。この容器は、第１容器部材２９と、第２容器部材２９ａと、第１のリング状部材２９ｂと、第２のリング状部材２９ｃとを有している。第１容器部材２９、第２容器部材２９ａ、第１及び第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃそれぞれは導電性を有している。
【００３５】
チャンバー１３の内部には円筒形状の第１容器部材２９が配置されている。第１容器部材２９の一方端は閉じられており、第１容器部材２９の一方端側にはチャンバー１３の外側に延出した延出部２９ｄが形成されている。第１容器部材２９の他方端は開口されている。前記延出部２９ｄはプラズマ電源２３に電気的に接続されている。プラズマ電源２３は、高周波電力（ＲＦ出力）を供給する高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源、及びそれぞれパルス変調された高周波電源、マイクロ波用電源、ＤＣ放電用電源のいずれかであればよい。
【００３６】
第１容器部材２９の内部には第２容器部材２９ａが配置されており、第２容器部材２９ａは、図２（Ａ）に示すようにその断面が六角形のバレル形状を有しており、図２（Ａ）で示す断面は重力方向に対して略平行な断面である。なお、本実施の形態では、六角形のバレル形状の第２容器部材２９ａを用いているが、これに限定されるものではなく、六角形以外の多角形のバレル形状の第２容器部材を用いることも可能である。
【００３７】
第２容器部材２９ａの一方端は第１のリング状部材２９ｂによって第１容器部材２９の内部に取り付けられており、第２容器部材２９ａの他方端は第２のリング状部材２９ｃによって第１容器部材２９の内部に取り付けられている（図１参照）。言い換えると、第１のリング状部材２９ｂは第２容器部材２９ａの一方側に位置しており、第２のリング状部材２９ｃは第２容器部材２９ａの他方側に位置している。第１及び第２のリング状部材２９ｂ、２９ｃそれぞれの外周は第１容器部材２９の内面に繋げられており、第１及び第２のリング状部材２９ｂ、２９ｃそれぞれの内周は第２容器部材２９ａの内面よりガスシャワー電極（対向電極）２１側に位置されている。また、第１容器部材２９、第２容器部材２９ａ、第１及び第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃによって囲まれた領域は第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆを構成する（図２参照）。つまり、第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆそれぞれは、第２容器部材容器２９ａの外面に形成されている。
【００３８】
図２（Ａ）に示すように、第１の収容部３１ａには第１の打刻用部材１１が収容されており、第２の収容部３１ｂには第２の打刻用部材１２が収容されている。第３の収容部３１ｃには第３の打刻用部材１３が収容されており、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材１４が収容されている。第５の収容部３１ｅには第５の打刻用部材１５が収容されており、第６の収容部３１ｆには第６の打刻用部材１６が 収容されている。第１〜第６の打刻用部材１１〜１６それぞれは、棒形状を有し、第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に前記棒形状の長手方向が位置するように第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆに収容されている（図２（Ｂ）参照）。
【００３９】
第２容器部材２９ａには、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部に位置する凸部３３ａが設けられている。第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動するときに、第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が凸部３３ａにも衝突して引っかかる。これにより、第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が位置エネルギー（急角度）をつけて強く落下し、第２容器部材２９ａに与える振動をより強くすることができる。その結果、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を十分に促進することができる。
【００４０】
第１のリング状部材２９ｂと第２のリング状部材２９ｃとの距離（即ち第２容器部材２９ａの一方端と他方端との距離）は、第１容器部材２９の一方端と他方端との距離に比べて小さい。また、第１及び第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃそれぞれは第１容器部材２９の内側に配置されている。そして、第２容器部材２９ａの内面と第１及び第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃによって囲まれたスペースにはコーティング対象物としての粉体（微粒子）１が収容されるようになっている。言い換えると、第２容器部材２９ａにおける多角形を構成する内面１２９ａとこの内面１２９ａを囲む第１及び第２のリング状部材それぞれの面１２９ｂ，１２９ｃ（第１及び第２のリング状部材が互いに対向する面）とによって収容面が構成され、この収容面上に微粒子１が位置されている。
【００４１】
また、第２容器部材２９ａには、プラズマ電源２３によって高周波電力が第１容器部材２９、第１のリング状部材２９ｂ及び第２のリング状部材２９ｃを介して供給されるようになっている。それにより、第２容器部材２９ａは、電極としても機能し、前記容器の内面に収容された粉体１に高周波電力を供給することができる。
【００４２】
また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１３内に原料ガスを導入する原料ガス導入機構を備えている。この原料ガス導入機構は筒状のガスシャワー電極（対向電極）２１を有している。このガスシャワー電極２１は、第２容器部材２９ａ内に配置され、第２容器部材２９ａの内面に対向するように配置されている。第２容器部材２９ａの他方側には開口が形成されており、この開口からガスシャワー電極２１が挿入されている。ガスシャワー電極２１はアースに接続されている。
【００４３】
前記容器内に収容されている微粒子１と対向する対向面以外のガスシャワー電極（対向電極）２１の表面はアース遮蔽部材２７によって遮蔽されている。アース遮蔽部材２７は、対向電極２１の上面及び側面を覆い、且つ断面形状が曲面を有する。このアース遮蔽部材２７とガスシャワー電極２１とは５ｍｍ以下（好ましくは３ｍｍ以下）の間隔を有している。このように５ｍｍ以下の間隔とすることにより、ガスシャワー電極２１とアース遮蔽部材２７との間に位置するガスシャワー電極２１の表面にＣＶＤ膜が成膜されてしまうことを抑制できる。
【００４４】
ガスシャワー電極２１の一方側の前記対向面には、単数又は複数の原料ガスをシャワー状に吹き出すガス吹き出し口が複数形成されている。このガス吹き出し口は、ガスシャワー電極２１の底部（前記対向面）に配置され、第２容器部材２９ａに収容された粉体１と対向するように配置されている。即ち、ガス吹き出し口は第２容器部材２９ａの内面に対向するように配置されている。また、図２（Ａ）に示すように、ガスシャワー電極２１は、重力方向に対して逆側の表面が前記逆側に凸の形状を有している。言い換えると、ガスシャワー電極２１の断面形状は、底部以外が円形又は楕円形となっている。これにより、第２容器部材２９ａを回転させているときに円形又は楕円形とされた部分（凸形状の部分）に粉体１が乗っても、その粉体１をガスシャワー電極２１から落下させることができる。
【００４５】
ガスシャワー電極２１の他方側は真空バルブを介してマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の一方側に接続されている。マスフローコントローラの他方側は図示せぬ真空バルブ及びフィルターなどを介して原料ガス発生源２０に接続されている。この原料ガス発生源２０は、粉体１に被覆する薄膜によって発生させる原料ガスの種類が異なるが、例えばＳｉＯ２膜を成膜する場合はＳｉＨ４ガス等を発生させるものとする。
【００４６】
また、ガスシャワー電極２１の他方側は真空バルブ（図示せず）を介して図示せぬマスフローコントローラ（ＭＦＣ）の一方側に接続されている。このマスフローコントローラの他方側はアルゴンガスボンベ（図示せず）に接続されている。
【００４７】
第１容器部材２９には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構によりガスシャワー電極２１を回転中心として第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを振り子動作又は回転動作させることで第２容器部材２９ａ内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。振り子動作させる場合は、図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すようなものとなり、回転動作をさせる場合は、図４（Ａ），（Ｂ）に示すようなものとなる。前記回転機構により第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。また、チャンバー１３内の気密性は、第１容器部材２９の回転時においても保持されている。
【００４８】
図３（Ａ）〜（Ｄ）及び図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを振り子動作又は回転動作させることにより、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａ及び第１容器部材２９に衝突する。これにより、第２容器部材２９ａを振動させることができ、その振動を粉体１に与えることができる。その結果、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を十分に促進することができる。第１〜第６の打刻用部材１１〜１６それぞれが第２容器部材２９ａに直接衝突することで、第２容器部材２９ａに与える振動を強くすることができる。
【００４９】
図３（Ａ）〜（Ｄ）及び図４（Ａ），（Ｂ）は、ガスシャワー電極２１のガス吹き出し口を下方（重力方向）に向けて、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを振り子動作又は回転動作させているが、これに限らず、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、ガス吹き出し口が下方より傾けた向きに位置するようにガスシャワー電極２１を配置して第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを振り子動作又は回転動作させることも可能である。これにより、粉体１に原料ガスをよりバランス良く供給することが可能となる。
【００５０】
また、プラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１３内を真空排気する真空排気機構を備えている。例えば、チャンバー１３には排気口（図示せず）が複数設けられており、排気口は真空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、ガスシャワー電極２１はヒーター（図示せず）を有している。
【００５１】
また、プラズマ電源２３は、５０〜５００ｋＨｚの高周波電源を用いることが好ましく、より好ましくは１００〜３００ｋＨｚの高周波電源を用いることである。このように周波数の低い電源を用いることにより、５００ｋＨｚより高い周波数の電源を用いた場合に比べて、ガスシャワー電極２１と第２容器部材２９ａとの間より外側にプラズマが分散するのを抑制することができる。言い換えると、ガスシャワー電極２１と第２容器部材２９ａとの間にプラズマを閉じ込めることができる。５０〜５００ｋＨｚのＲＦプラズマを用いると、このような閉じられたプラズマ空間内、すなわちバレル（第２容器部材２９ａ）内で誘導加熱が起こりづらく、かつ成膜時に十分なＶＤＣが基板にかかるので、硬質ＤＬＣ膜が容易に形成しやすい。逆に１３．５６ＭＨｚのようなＲＦプラズマを用いると、閉じられたプラズマ空間では、基板にＶＤＣがかかりづらいので硬質ＤＬＣ膜が形成しにくい。
【００５２】
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体に超微粒子又は薄膜を被覆するプラズマＣＶＤ方法について説明する。ここでは、コーティング対象の微粒子１としてＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル）を用い、そのＰＭＭＡの微粒子にＤＬＣを被覆するものを例にとり説明する。
【００５３】
まず、複数の微粒子からなる粉体（ＰＭＭＡ）１を第２容器部材２９ａ内に収容する。粉体１の平均粒径は５０μｍ程度である。なお、ここでは、粉体１としてＰＭＭＡの微粒子を用いているが、他の粉体を用いることが可能である。
【００５４】
この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー１３内を所定の圧力（例えば５×１０−５Ｔｏｒｒ程度）まで減圧する。これと共に、回転機構により第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させることで、第２容器部材２９ａの内部に収容された粉末（微粒子）１が容器内面において攪拌又は回転される（図４（Ａ），（Ｂ）参照）。なお、ここでは、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させているが、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転機構によって振り子動作させることも可能である（図３（Ａ）〜（Ｄ））。
【００５５】
第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転又は振り子動作させることにより、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆ内を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａに衝突することで、第２容器部材２９ａに振動を与えることができる。その結果、第２容器部材２９ａ内の粉体１に振動を与えることができる。よって、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を促進させることができる。
【００５６】
次いで、原料ガス発生源２０において原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ７Ｈ８）を発生させ、マスフローコントローラによってトルエンを７ｃｃ／分の流量に制御し、アルゴンガスボンベから供給されたアルゴンガスを５ｃｃ／分の流量に制御し、これら流量制御されたトルエン及びアルゴンガスをガスシャワー電極２１の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極２１のガス吹き出し口からトルエン及びアルゴンガスを吹き出させる。これにより、第２容器部材２９ａ内を攪拌又は回転しながら動いている微粒子１にトルエン及びアルゴンガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【００５７】
この後、第１容器部材２９にプラズマ電源２３の一例である高周波電源（ＲＦ電源）から１５０Ｗで２５０ｋＨｚのＲＦ出力が供給される。これにより、第１容器部材２９及び第１、第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃを通して第２容器部材２９ａと粉体１にＲＦ出力が供給される。この際、ガスシャワー電極２１は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２１と第２容器部材２９ａとの間にプラズマが着火され、第２容器部材２９ａ内にプラズマが発生され、ＤＬＣからなる超微粒子又は薄膜がＰＭＭＡの微粒子１の表面に被覆される。つまり、第２容器部材２９ａを回転させることによって微粒子１を攪拌し、回転させているため、微粒子１の表面全体に薄膜を均一に被覆することが容易にできる。
【００５８】
また、上記の方法により、微粒子１の表面に超微粒子又は薄膜を被覆した微粒子を製造することができる。
【００５９】
上記実施形態によれば、六角形のバレル形状の第２容器部材２９ａ自体を回転させることで粉体１自体を回転させ攪拌でき、更にバレルを六角形とすることにより、粉体１を重力により定期的に落下させることができる。このため、粉体１を攪拌することができ、粉体を扱う時にしばしば問題となる水分や静電気力による粉体の凝集を防ぐことができる。したがって、粒径の非常に小さい微粒子１にその微粒子より粒径が更に小さい超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。具体的には、粒径が５０μｍ以下の微粒子（特に５μｍ以下の微粒子）に超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
【００６０】
また、本実施の形態では、上述したように、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆ内を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａに衝突することで、第２容器部材２９ａに振動を与えることができる。その結果、第２容器部材２９ａ内に収容された粉体１に振動を与えることができ、粉体１の攪拌及び混合を促進させることができる。従って、より小さい粒径を有する微粒子１に対しても均一性良く超微粒子又は薄膜を被覆することが可能となる。
【００６１】
なお、本実施形態では、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆの全てに打刻用部材１１〜１６が収容されているが、これに限定されるものではなく、少なくとも一つの収容部に少なくとも一つの打刻用部材が収容されているとよい。
【００６２】
［第２の実施形態］
図６（Ａ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す１０２−１０２線に沿った断面図である。図６（Ａ），（Ｂ）において図１及び図２（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６３】
図６（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置は、アース遮蔽部材２７に振動を加える振動機構４１を有する。この振動機構４１は、例えばノッカー、バイブレーター、超音波振動モーターを用いることができる。
【００６４】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、振動機構４１によりアース遮蔽部材２７に振動を加えることで、アース遮蔽部材２７の上の微粒子１を図６（Ｂ）に示すように第２容器部材２９ａに落とすことができる。特に、アース遮蔽部材２７の断面形状が曲面を有するため、アース遮蔽部材２７に加えられる振動が弱くても、アース遮蔽部材２７の上の微粒子１を落とすことができる。
【００６５】
［第３の実施形態］
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置の第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを示す断面図である。また、図７（Ａ）〜（Ｃ）は、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａ及び第１容器部材２９に衝突する様子を示している。
【００６６】
図７（Ａ）〜（Ｃ）において、図１及び図２（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００６７】
第１容器部材２９には、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部に位置する凸部３３ｂが設けられている。第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動するときに、第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が凸部３３ｂにも衝突して引っかかる。これにより、第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が位置エネルギー（急角度）をつけて強く落下し、第２容器部材２９ａに与える振動をより強くすることができる。その結果、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を十分に促進することができる。
【００６８】
図８は、様々な打刻用部材（打刻棒）の断面図であり、これらは図７（Ａ）〜（Ｃ）に示す第１〜第６の打刻用部材１１〜１６として適用することができる。図８に示すように、打刻用部材の断面形状は種々な多角形のものを用いることができる。また打刻用部材１１の表面は、その内部とは異なる材質の膜１１ａで被覆されているとよい。打刻用部材１１の内部の材質が例えばＳＵＳ３０４である場合、膜１１ａはアルミナを用いるとよい。打刻用部材１１の材質を変更することで、打刻用部材１１の重さを変えることができる。
【００６９】
［第４の実施形態］
図９は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。図１０は、図９に示す１０３−１０３線に沿った断面図であるが、ガスシャワー電極は図示していない。
【００７０】
図９及び図１０において図２（Ａ），（Ｂ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００７１】
図１０に示す収容部は軸方向（第２容器部材２９ａの断面の垂直方向）に２分割されている。つまり、図９及び図１０に示すように、第２容器部材容器２９ａの外面には第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆが形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，３１ｆそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第７の収容部５５１ａ、第８の収容部（図示せず）、第９の収容部（図示せず）、第１０の収容部５５１ｄ、第１１の収容部（図示せず）及び第１２の収容部（図示せず）が形成されている。
【００７２】
図１０に示すように、第７の収容部５５１ａは、第１の収容部３１ａの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置している。第１０の収容部５５１ｄは、第４の収容部３１ｄの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置している。
【００７３】
第１の収容部３１ａには第１の打刻用部材４１が収容されており、第２の収容部３１ｂには第２の打刻用部材４２が収容されている。第３の収容部３１ｃには第３の打刻用部材４３が収容されており、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材４４が収容されている。第５の収容部３１ｅには第５の打刻用部材４５が収容されており、第６の収容部３１ｆには第６の打刻用部材４６が収容されている。
【００７４】
第７の収容部５５１ａには第７の打刻用部材５１が収容されており、第８の収容部（図示せず）には第８の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第９の収容部（図示せず）には第９の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１０の収容部５５１ｄには第１０の打刻用部材５４が収容されている。第１１の収容部（図示せず）には第１１の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１２の収容部（図示せず）には第１２の打刻用部材（図示せず）が収容されている。なお、第７の収容部５５１ａは第２の収容部と読み替えてもよく、第７の打刻用部材５１は第２の打刻用部材と読み替えてもよい。
【００７５】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、収容部を軸方向に分割しているため、第２容器部材２９ａを大きくしてもより細かく振動を与えることができる。その結果、第２容器部材２９ａ内に収容された粉体１の量が増えてもより全体的に振動を与えることができ、粉体１の攪拌及び混合を促進させることができる。
【００７６】
＜第１の変形例＞
図１１は、図１０に示す装置の第１の変形例を示す断面図である。
図１１に示す収容部は軸方向（第２容器部材２９ａの断面の垂直方向）に３分割されている。つまり、図１１に示すように、第２容器部材容器２９ａの外面には第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｄが形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｄそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第７の収容部５７１ａ、第８の収容部（図示せず）、第９の収容部（図示せず）、第１０の収容部５７１ｄ、第１１の収容部（図示せず）及び第１２の収容部（図示せず）が形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第７〜第１２の収容部５７１ａ，５７１ｄそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第１３の収容部５８１ａ、第１４の収容部（図示せず）、第１５の収容部（図示せず）、第１６の収容部５８１ｄ、第１７の収容部（図示せず）及び第１８の収容部（図示せず）が形成されている。
【００７７】
図１１に示すように、第１３の収容部５８１ａは、第７の収容部５７１ａの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置している。第１６の収容部５８１ｄは、第１０の収容部５７１ｄの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置している。
【００７８】
第１の収容部３１ａには第１の打刻用部材６１が収容されており、第２の収容部（図示せず）には第２の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第３の収容部（図示せず）には第３の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材６４が収容されている。第５の収容部（図示せず）には第５の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第６の収容部（図示せず）には第６の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００７９】
第７の収容部５７１ａには第７の打刻用部材７１が収容されており、第８の収容部（図示せず）には第８の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第９の収容部（図示せず）には第９の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１０の収容部５７１ｄには第１０の打刻用部材７４が収容されている。第１１の収容部（図示せず）には第１１の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１２の収容部（図示せず）には第１２の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８０】
第１３の収容部５８１ａには第１３の打刻用部材８１が収容されており、第１４の収容部（図示せず）には第１４の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第１５の収容部（図示せず）には第１５の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１６の収容部５８１ｄには第１６の打刻用部材８４が収容されている。第１７の収容部（図示せず）には第１７の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１８の収容部（図示せず）には第１８の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８１】
第１の変形例においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８２】
＜第２の変形例＞
図１２は、図１０に示す装置の第２の変形例を示す断面図である。
図１２に示す収容部は軸方向（第２容器部材２９ａの断面の垂直方向）に４分割されている。つまり、図１２に示すように、第２容器部材容器２９ａの外面には第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｄが形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第１〜第６の収容部３１ａ，３１ｄそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第７の収容部６２１ａ、第８の収容部（図示せず）、第９の収容部（図示せず）、第１０の収容部６２１ｄ、第１１の収容部（図示せず）及び第１２の収容部（図示せず）が形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第７〜第１２の収容部６２１ａ，６２１ｄそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第１３の収容部６３１ａ、第１４の収容部（図示せず）、第１５の収容部（図示せず）、第１６の収容部６３１ｄ、第１７の収容部（図示せず）及び第１８の収容部（図示せず）が形成されている。また、第２容器部材容器２９ａの外面には、第１３〜第１８の収容部６３１ａ，６３１ｄそれぞれの隣で且つ第２容器部材２９ａの断面の垂直方向に位置する第１９の収容部６４１ａ、第２０の収容部（図示せず）、第２１の収容部（図示せず）、第２２の収容部６４１ｄ、第２３の収容部（図示せず）及び第２４の収容部（図示せず）が形成されている。
【００８３】
第１の収容部３１ａには第１の打刻用部材１１１が収容されており、第２の収容部（図示せず）には第２の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第３の収容部（図示せず）には第３の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材１１４が収容されている。第５の収容部（図示せず）には第５の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第６の収容部（図示せず）には第６の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８４】
第７の収容部６２１ａには第７の打刻用部材１２１が収容されており、第８の収容部（図示せず）には第８の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第９の収容部（図示せず）には第９の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１０の収容部６２１ｄには第１０の打刻用部材１２４が収容されている。第１１の収容部（図示せず）には第１１の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１２の収容部（図示せず）には第１２の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８５】
第１３の収容部６３１ａには第１３の打刻用部材１３１が収容されており、第１４の収容部（図示せず）には第１４の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第１５の収容部（図示せず）には第１５の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１６の収容部６３１ｄには第１６の打刻用部材１３４が収容されている。第１７の収容部（図示せず）には第１７の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第１８の収容部（図示せず）には第１８の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８６】
第１９の収容部６４１ａには第１９の打刻用部材１４１が収容されており、第２０の収容部（図示せず）には第２０の打刻用部材（図示せず）が収容されている。第２１の収容部（図示せず）には第２１の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第２２の収容部６４１ｄには第２２の打刻用部材１４４が収容されている。第２３の収容部（図示せず）には第２３の打刻用部材（図示せず）が収容されており、第２４の収容部（図示せず）には第２４の打刻用部材（図示せず）が収容されている。
【００８７】
第２の変形例においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
［第５の実施形態］
図１３は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。図１４は、図１３に示す１０４−１０４線に沿った断面図であるが、ガスシャワー電極は図示していない。
【００８９】
図１３及び図１４において図９及び図１０と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００９０】
図１４に示すように、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材が収容されてなく、第７の収容部５５１ａには第７の打刻用部材が収容されていない。つまり、図１０に示す第１〜第１２の収容部３１ａ〜３１ｆ，５５１ａ，５５１ｄの全てに打刻用部材が収容されているのに対し、図１４に示す第１〜第１２の収容部３１ａ〜３１ｆ，５５１ａ，５５１ｄの一部には打刻用部材が収容されていない。
【００９１】
本実施形態においても第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９２】
＜第１の変形例＞
図１５は、図１４に示す装置の第１の変形例を示す断面図であり、図１１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００９３】
図１５に示すように、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材が収容されてなく、第７の収容部５７１ａには第７の打刻用部材が収容されていなく、第１６の収容部５８１ｄには第１６の打刻用部材が収容されていない。つまり、図１１に示す第１〜第１８の収容部３１ａ，３１ｄ，５７１ａ，５７１ｄ，５８１ａ，５８１ｄの全てに打刻用部材が収容されているのに対し、図１５に示す第１〜第１８の収容部３１ａ，３１ｄ，５７１ａ，５７１ｄ，５８１ａ，５８１ｄの一部には打刻用部材が収容されていない。
【００９４】
第１の変形例においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９５】
＜第２の変形例＞
図１６は、図１４に示す装置の第２の変形例を示す断面図であり、図１２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００９６】
図１６に示すように、第４の収容部３１ｄには第４の打刻用部材が収容されてなく、第７の収容部６２１ａには第７の打刻用部材が収容されていなく、第１６の収容部６３１ｄには第１６の打刻用部材が収容されていなく、第１９の収容部６４１ｄには第１９の打刻用部材が収容されていない。つまり、図１２に示す第１〜第２４の収容部３１ａ，３１ｄ，６２１ａ，６２１ｄ，６３１ａ，６３１ｄ，６４１ａ，６４１ｄの全てに打刻用部材が収容されているのに対し、図１６に示す第１〜第２４の収容部３１ａ，３１ｄ，６２１ａ，６２１ｄ，６３１ａ，６３１ｄ，６４１ａ，６４１ｄの一部には打刻用部材が収容されていない。
【００９７】
第２の変形例においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９８】
［第６の実施形態］
図１７（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、図１及び図２（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００９９】
図２（Ａ）に示す第２容器部材２９ａの断面形状は多角形であるのに対し、図１７（Ａ）〜（Ｄ）に示す第２容器部材１２９ａの断面形状は円形である。このため、第１容器部材２９と第２容器部材１２９ａとの間を仕切り部材によって６つの領域に仕切ることで、第２容器部材１２９ａの外面に第１〜第６の収容部７１１ａ，７１１ｂ，７１１ｃ，７１１ｄ，７１１ｅ，７１１ｆを形成している。第１〜第６の収容部７１１ａ〜７１１ｆそれぞれには第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が収容されている。
【０１００】
第１容器部材２９には回転機構（図示せず）が設けられており、この回転機構によりガスシャワー電極２１を回転中心として第１容器部材２９及び第２容器部材１２９ａを振り子動作又は回転動作させることで第２容器部材１２９ａ内の粉体（微粒子）１を攪拌あるいは回転させながら被覆処理を行うものである。振り子動作させる場合は、図１７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）に示すようなものとなり、回転動作をさせる場合は、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すようなものとなる。前記回転機構により第１容器部材２９及び第２容器部材１２９ａを回転させる際の回転軸は、略水平方向（重力方向に対して垂直方向）に平行な軸である。また、チャンバー１３内の気密性は、第１容器部材２９の回転時においても保持されている。
【０１０１】
図１７（Ａ）〜（Ｄ）及び図１８（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１容器部材２９及び第２容器部材１２９ａを振り子動作又は回転動作させることにより、第１〜第６の収容部７１１ａ〜７１１ｆそれぞれの内部を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材１２９ａ及び第１容器部材２９に衝突する。これにより、第２容器部材１２９ａを振動させることができ、その振動を粉体１に与えることができる。
【０１０２】
図１７（Ａ）〜（Ｄ）及び図１８（Ａ），（Ｂ）は、ガスシャワー電極２１のガス吹き出し口を下方（重力方向）に向けて、第１容器部材２９及び第２容器部材１２９ａを振り子動作又は回転動作させているが、これに限らず、図１９（Ａ），（Ｂ）に示すように、ガス吹き出し口が下方より傾けた向きに位置するようにガスシャワー電極２１を配置して第１容器部材２９及び第２容器部材１２９ａを振り子動作又は回転動作させることも可能である。これにより、粉体１に原料ガスをよりバランス良く供給することが可能となる。
【０１０３】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
なお、本実施形態では、第２容器部材１２９ａの外面に６つの収容部を形成しているが、これに限定されるものではなく、収容部の数は２〜４つでも良いし、それ以外の数でも良い。
【０１０５】
［第７の実施形態］
図２０は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１０６】
図２０に示すように、第１容器部材２９の外側で且つチャンバー１３内には円筒形状の磁石２０１が配置されており、この磁石２０１は一方がＮ極で他方がＳ極である。磁石２０１は、ＣＶＤ膜を成膜する際に第２容器部材２９ａの内部にプラズマを集める機能を有する。
【０１０７】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、磁石２０１によってプラズマを第２容器部材２９ａの内部に集めることで、プラズマ密度を高めることができる。
【０１０８】
なお、本実施形態では、チャンバー１３の内側に磁石２０１を配置しているが、図２１及び図２５に示すように変更して実施することも可能である。
図２１に示すように、第１容器部材２９の外側で且つチャンバー１３の外側に磁石２０１を配置することも可能である。
また、図２５に示すように、第１容器部材２９の外側で且つチャンバー１３内には第１及び第２の磁石２０２，２０３が配置されている。第１及び第２の磁石２０２，２０３それぞれは、円筒形状を有し、一方がＮ極で他方がＳ極である。
【０１０９】
［第８の実施形態］
図２２及び図２３は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【０１１０】
図２２に示すように、第２容器部材２９ａの一方側（第１のリング状部材２９ｂの側）は第１容器部材２９で塞がれている。第２容器部材２９ａの他方側（第２のリング状部材２９ｃの側）に配置され、第２容器部材２９ａの内部に発生するプラズマ２１２を閉じ込める機能を有する蓋部３０２がチャンバー１３内に配置されている。この蓋部３０２には移動機構３０１が接続されており、この移動機構３０１によって蓋部３０２を、第２容器部材２９ａの断面の垂直方向で且つ第２容器部材２９ａから離れる方向に移動させることが可能である（図２３参照）。
【０１１１】
図２３に示すように、蓋部３０２を第２容器部材２９ａから離れた位置に移動させておくと、第２容器部材２９ａの内部に発生するプラズマ２１１を第２容器部材２９ａの他方側に拡げることができる。
【０１１２】
図２２に示すように、第２容器部材２９ａの内部にプラズマ２１２を閉じ込めた状態は、微粒子に膜を被覆する処理に好ましい。これに対し、図２３に示すように、第２容器部材２９ａの内部に発生するプラズマ２１１を拡げた状態は、第２容器部材２９ａの表面にＣＶＤ膜が成膜された場合に、そのＣＶＤ膜を除去するためのプラズマクリーニング処理に好ましい。
【０１１３】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１４】
次に、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）に超微粒子又は薄膜を被覆するプラズマＣＶＤ方法について説明する。ここでは、コーティング対象の微粒子１としてＣｕ微粒子を用い、そのＣｕ微粒子にＳｉＯ２を被覆するものを例にとり説明する。
【０１１５】
まず、複数の微粒子からなる粉体（Ｃｕ）１を第２容器部材２９ａ内に収容する。そして、蓋部３０２は図２２に示す位置にしておく。これは、第２容器部材２９ａの内部にプラズマ２１２を閉じ込めるためである。
【０１１６】
この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー１３内を所定の圧力まで減圧する。これと共に、回転機構により第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させることで、第２容器部材２９ａの内部に収容された粉末（微粒子）１が容器内面において攪拌又は回転される。なお、ここでは、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させているが、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転機構によって振り子動作させることも可能である。
【０１１７】
第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転又は振り子動作させることにより、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆ内を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａに衝突することで、第２容器部材２９ａに振動を与えることができる。その結果、第２容器部材２９ａ内の粉体１に振動を与えることができる。よって、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を促進させることができる。
【０１１８】
次いで、原料ガス発生源２０において原料ガスを発生させ、マスフローコントローラによって原料ガスの流量を制御し、この原料ガスをガスシャワー電極２１の内側に導入する。そして、ガスシャワー電極２１のガス吹き出し口から原料ガスを吹き出させる。これにより、第２容器部材２９ａ内を攪拌又は回転しながら動いている微粒子１に原料ガスが吹き付けられ、制御されたガス流量と排気能力のバランスによって、ＣＶＤ法による成膜に適した圧力に保たれる。
【０１１９】
この後、第１容器部材２９にプラズマ電源２３の一例である高周波電源（ＲＦ電源）からＲＦ出力が供給される。これにより、第１容器部材２９及び第１、第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃを通して第２容器部材２９ａと粉体１にＲＦ出力が供給される。この際、ガスシャワー電極２１は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２１と第２容器部材２９ａとの間にプラズマが着火され、第２容器部材２９ａ内にプラズマが発生され、絶縁物からなる超微粒子又は薄膜がＣｕの微粒子１の表面に被覆される。
【０１２０】
次に、第２容器部材２９ａ内の微粒子１をチャンバー１３の外に取り出す。
この後、上述したＣｕの微粒子１に絶縁物からなる超微粒子又は薄膜を被覆する工程を繰り返す。これにより、第２容器部材２９ａの表面全体又は表面の大部分が絶縁膜で覆われる。このように絶縁膜で覆われると、第２容器部材２９ａとガスシャワー電極２１の電位差が変化するため、微粒子１への成膜環境が変化する。その結果、微粒子１に被覆される薄膜の組成や膜質が変化する。そこで、微粒子１への成膜環境を元に戻すために、第２容器部材２９ａの表面に付着した絶縁膜を除去する工程を行う。以下に詳細に説明する。
【０１２１】
移動機構３０１によって蓋部３０２を、第２容器部材２９ａの断面の垂直方向で且つ第２容器部材２９ａから離れる方向に移動させ、蓋部３０２を図２３に示す位置にする。これは、プラズマ２１１を第２容器部材２９ａの外側まで拡げるためである。
【０１２２】
この後、真空ポンプを作動させることによりチャンバー１３内を所定の圧力まで減圧する。これと共に、回転機構により第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させる。なお、ここでは、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転させているが、第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転機構によって振り子動作させることも可能である。
【０１２３】
第１容器部材２９及び第２容器部材２９ａを回転又は振り子動作させることにより、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆ内を第１〜第６の打刻用部材１１〜１６が移動して第２容器部材２９ａに衝突することで、第２容器部材２９ａに振動を与えることができる。
【０１２４】
次いで、プラズマクリーニングガスをガスシャワー電極２１の内側に導入し、ガスシャワー電極２１のガス吹き出し口からプラズマクリーニングガスを吹き出させる。
【０１２５】
この後、第１容器部材２９にプラズマ電源２３の一例である高周波電源（ＲＦ電源）からＲＦ出力が供給される。これにより、第１容器部材２９及び第１、第２のリング状部材２９ｂ，２９ｃを通して第２容器部材２９ａにＲＦ出力が供給される。この際、ガスシャワー電極２１は接地電位に接続されている。これにより、ガスシャワー電極２１と第２容器部材２９ａとの間にプラズマが着火され、第２容器部材２９ａ内にプラズマが発生され、第２容器部材２９ａの表面に付着した絶縁物の膜をプラズマクリーニングする。例えば、Ｏ２とＣＦ４の混合ガスにより１時間のプラズマクリーニングを行い、その後に、残留しているフッ素を除去するために、Ａｒガスにより１０分間のプラズマクリーニングを行うとよい。
【０１２６】
このようにして第２容器部材２９ａの表面に付着した絶縁膜を除去することで、微粒子１への成膜環境を元に戻すことができる。
【０１２７】
次いで、上記プラズマＣＶＤ装置を用いて粉体（微粒子）に超微粒子又は薄膜を被覆する工程を行う。
【０１２８】
なお、本実施形態では、図２３に示すプラズマＣＶＤ装置においてプラズマクリーニングを行うことを説明しているが、第１〜第７の実施形態のいずれのプラズマＣＶＤ装置においてもプラズマクリーニングを行うことが可能である。
【０１２９】
図２４は、第２容器部材２９ａの表面全体又は表面の大部分が絶縁膜で覆われると、微粒子１への成膜環境が変化し、その微粒子１に被覆される薄膜の組成や膜質が変化することを確認する実験を行った結果である。ここでの絶縁膜はＳｉＯ２膜であり、微粒子はＣｕ微粒子である。
【０１３０】
上記のプラズマＣＶＤ装置でＣｕ微粒子にＳｉＯ２膜を成膜する処理を行い、Ｃｕ微粒子に成膜されたＳｉＯ２膜の組成を測定する実験を行った。成膜の処理時間を２０分としたＣｕ微粒子にはＳｉＯ２のみ確認されたのに対し、成膜の処理時間を４０分としたＣｕ微粒子及び成膜処理時間を５０分としたＣｕ微粒子にはＳｉＯ２の組成にＳｉＯ３２−の組成が混入していることが確認された。
【０１３１】
図２４の実験結果により、第２容器部材２９ａの表面に付着した絶縁膜を除去するプラズマクリーニングを行い、微粒子１への成膜環境を元に戻すことが有効であることが分かる。
【０１３２】
［第９の実施形態］
図２６（Ａ）は本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を示す断面図であり、図２６（Ｂ）は図２６（Ａ）に示す第２容器部材２２９ａを１０５−１０５線で切断した一部断面図である。図２６（Ｃ）は図２６（Ａ）に示す第２容器部材２２９ａを１８０°回転させた状態の断面図であり、図２６（Ｄ）は図２６（Ｃ）に示す第２容器部材２２９ａを１０６−１０６線で切断した一部断面図である。図２６（Ｅ）は、図２６（Ｂ）に示す第２容器部材２２９ａの展開図である。図２６（Ａ）〜（Ｅ）において第１の実施形態の図と同一部分には同一符号を付す。また、本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、図２６（Ａ）〜（Ｅ）に示す以外の部分が第１の実施形態と同様であるので、本実施形態では第１の実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【０１３３】
第１容器部材２９の内部には第２容器部材２２９ａが配置されており、第２容器部材２２９ａは、図２６（Ａ），（Ｃ）に示すようにその断面が六角形のバレル形状を有しているが、図２（Ａ）に示す第２容器部材２９ａと形状が異なるので、以下に詳細に説明する。なお、本実施形態では、六角形のバレル形状を用いているが、六角形以外の多角形のバレル形状を用いてもよい。
【０１３４】
第２容器部材２２９は、六角形の第１の辺の長さ１００３（図２６（Ａ）参照）が第２容器部材２２９の一方側から他方側にいくにつれて短くなっており（図２６（Ｅ）参照）、且つ多角形の第１の辺と隣接する第２の辺の長さ１００４（図２６（Ａ）参照）が第２容器部材２２９の一方側から他方側にいくにつれて長くなっている（図２６（Ｅ）参照）。つまり、図２６（Ｅ）に示すように、第２容器部材２２９は、一方側の第１の辺の長さ１００３が他方側の第１の辺の長さ１００４より長く、且つ第１の辺と隣接する第２の辺の一方側の長さ１００４が他方側の第２の辺の長さ１００３より短くなっている。そして、六角形の隣接する辺の長さは互いに長短が交互に配置されている。
【０１３５】
従って、図２６（Ｂ）に示す状態では、第２容器部材２２９ａの底面が左側に傾いているが、図２６（Ｂ）に示す状態から１８０°回転させた図２６（Ｄ）に示す状態では、第２容器部材２２９ａの底面は右側に傾く。つまり、図２６（Ａ）〜（Ｅ）に示すプラズマＣＶＤ装置では、第２容器部材が６０°回転する毎に、図２６（Ｂ）に示す状態と図２６（Ｄ）に示す状態が交互に繰り返されることになる。これにより、軸方向（図２６（Ａ）の断面に垂直方向）の粉体１の分布の均一化を図ることができる。その結果、粉体１が凝集するのを防ぎ、粉体１の攪拌及び混合を十分に促進することができる。
【０１３６】
なお、図２６（Ｂ），（Ｄ）に示す一点破線１００１は水平線を示し、図２６（Ｂ），（Ｄ），（Ｅ）に示す実線１００２は六角形の一辺の一端を示している。
【０１３７】
図２６（Ａ），（Ｃ）に示すように、第１の収容部２３１ａには第１の打刻用部材１０１１が収容されており、第２の収容部２３１ｂには第２の打刻用部材が収容されている。第３の収容部２３１ｃには第３の打刻用部材が収容されており、第４の収容部２３１ｄには第４の打刻用部材１０１４が収容されている。第５の収容部２３１ｅには第５の打刻用部材が収容されており、第６の収容部２３１ｆには第６の打刻用部材が 収容されている。
第２容器部材２９ａには、第１〜第６の収容部３１ａ〜３１ｆそれぞれの内部に位置する凸部３３ａが設けられている。
【０１３８】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３９】
なお、上記の第１の実施形態から第９の実施形態を適宜組み合わせて実施することも可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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