(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制する。【解決手段】複数の画素電極２４と、複数の画素電極２４に供給される信号を伝送し、複数の画素電極２４を挟み込む一対のソース配線２７と、タッチ電極３０と、画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれて並び方向について複数組配される一対の第１配線構成部３９と、並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９の端部同士を繋ぐ第２配線構成部４０と、を有するタッチ配線３１と、タッチ配線３１と同層に配される導電性構造物（ＴＦＴ２３）と、導電性構造物を横切り導電性構造物との間に層間絶縁膜３７が介在し、その一部ずつが層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる端部に接続されるブリッジ配線４４と、を備える。【選択図】図４
2019053117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列をなして並ぶ複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に供給される信号を伝送し、前記複数の画素電極を挟み込むよう配される一対の信号配線と、
位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、
前記位置検出電極に接続される位置検出配線であって、前記画素電極と前記一対の信号配線との間に挟み込まれて前記複数の画素電極の並び方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部と、前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部の端部同士を繋ぐ第２配線構成部と、を少なくとも有する位置検出配線と、
少なくとも一部が前記位置検出配線と同層に配される導電性構造物と、
前記導電性構造物を横切るよう配されて前記導電性構造物との間に絶縁膜が介在するブリッジ配線であって、その一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部における前記第２配線構成部とは非接続とされる端部または前記一対の第１配線構成部における前記並び方向についての同じ側の端部に接続されるブリッジ配線と、を備える位置入力機能付き表示装置。
【請求項２】
前記導電性構造物は、前記信号配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子であって、前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部における前記第２配線構成部とは非接続とされる端部の間に介在するスイッチング素子とされており、
前記ブリッジ配線は、前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部における前記第２配線構成部とは非接続とされる端部に接続される請求項１記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項３】
前記位置検出配線は、前記一対の第１配線構成部が前記並び方向について互いに反対側に隣り合う前記第１配線構成部に対してそれぞれ前記第２配線構成部により繋がれるのに対し、前記スイッチング素子及び前記ブリッジ配線は、前記一対の第１配線構成部に対して前記並び方向について前記第２配線構成部側とは反対側に隣り合う形でそれぞれ配されており、
前記一対の第１配線構成部のうちの一方の第１配線構成部に対して前記並び方向について前記第２配線構成部側とは反対側に隣り合う前記スイッチング素子は、前記並び方向について前記第２配線構成部側とは反対側に配される前記画素電極に接続されるとともに前記一対の信号配線のうちの一方の信号配線に接続されるのに対し、
前記一対の第１配線構成部のうちの他方の第１配線構成部に対して前記並び方向について前記第２配線構成部側とは反対側に隣り合う前記スイッチング素子は、前記並び方向について前記第２配線構成部側に配される前記画素電極に接続されるとともに前記一対の信号配線のうちの他方の信号配線に接続される請求項２記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項４】
前記導電性構造物は、前記画素電極とされていて、その一部が前記一対の第１配線構成部における前記並び方向についての同じ側の端部の間に介在する形で配されており、
前記ブリッジ配線は、前記一対の第１配線構成部における前記並び方向についての同じ側の端部に接続される請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項５】
前記導電性構造物は、その一部が前記一対の第１配線構成部における前記並び方向についての同じ側の端部間に介在する形で配されており、
前記位置検出配線は、前記一対の第１配線構成部における前記導電性構造物側とは反対側の端部同士を繋ぐ第３配線構成部を有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項６】
前記信号配線及び前記位置検出配線と交差する形で延在して走査信号が伝送される走査配線と、
前記走査配線、前記信号配線及び前記画素電極に接続されるスイッチング素子と、
前記画素電極に対して絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳する形で配され、自身が分割されることで複数の前記位置検出電極を構成していて隣り合う前記位置検出電極の間を仕切る仕切開口部を有する共通電極と、を備えており、
前記第３配線構成部は、前記走査配線に並行していて前記仕切開口部の一部と重畳するよう配される請求項５記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項７】
前記画素電極に対して絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳する形で配され、自身が分割されることで前記位置検出電極を構成する共通電極を備えており、
前記位置検出電極は、前記位置検出配線のうち前記一対の第１配線構成部と選択的に重畳する形で配される位置検出配線重畳開口部を有する請求項５または請求項６記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項８】
前記ブリッジ配線は、前記位置検出電極と同層に配されており、
前記絶縁膜には、前記位置検出配線と前記位置検出電極とを接続する位置検出コンタクトホールが開口形成される請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項９】
前記信号配線及び前記位置検出配線は、互いに同層に配される請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項１０】
前記信号配線及び前記位置検出配線は、前記画素電極と同層に配される請求項９記載の位置入力機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置入力機能付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、タッチパネル機能をインセル化した液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置は、自己容量方式の複数のタッチ電極と、複数のタッチ電極に第１ビアホールを通して接続された複数のタッチ配線と、を備えており、タッチ電極のうち、接続非対象とされるタッチ配線及び第１ビアホールとの重畳部位に第２ビアホールが形成された構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０２１６８０２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載された液晶表示装置では、第２ビアホールによってタッチ電極が接続対象ではないタッチ配線にリークする不具合の発生が抑制されている。その一方、上記した特許文献１に記載された液晶表示装置では、画素電極と、画素電極に画像信号を供給するソース配線と、が備えられており、一対のソース配線は、画素電極を挟み込む配置とされるのに対し、タッチ配線は、一対のソース配線のうちの一方のソース配線と画素電極との間に挟み込まれる配置とされている。このような構成では、画素電極と一方のソース配線との間に生じる寄生容量は、間にタッチ配線が介在する分だけ、画素電極と他方のソース配線との間に生じる寄生容量とは異なるものとなっている。このため、例えばカラム反転駆動に際して一対のソース配線に対して逆極性の画像信号を供給した場合、上記した各寄生容量とソース配線の電位の変動とに基づく画素電極の電位の変動が相殺されず、それに起因してシャドーイング等の表示不良が生じるおそれがあった。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示品位の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の位置入力機能付き表示装置は、列をなして並ぶ複数の画素電極と、前記複数の画素電極に供給される信号を伝送し、前記複数の画素電極を挟み込むよう配される一対の信号配線と、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、前記位置検出電極に接続される位置検出配線であって、前記画素電極と前記一対の信号配線との間に挟み込まれて前記複数の画素電極の並び方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部と、前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部の端部同士を繋ぐ第２配線構成部と、を少なくとも有する位置検出配線と、少なくとも一部が前記位置検出配線と同層に配される導電性構造物と、前記導電性構造物を横切るよう配されて前記導電性構造物との間に絶縁膜が介在するブリッジ配線であって、その一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記並び方向について隣り合う２つの前記第１配線構成部における前記第２配線構成部とは非接続とされる端部または前記一対の第１配線構成部における前記並び方向についての同じ側の端部に接続されるブリッジ配線と、を備える。
【０００７】
このようにすれば、列をなして並ぶ複数の画素電極には、一対の信号配線のいずれかによって供給される信号に基づいた電位が充電され、それにより表示がなされる。位置検出電極は、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、位置検出配線によって供給される信号を利用して位置入力体による入力位置を検出する。位置検出配線は、複数の画素電極の並び方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部に含まれて並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部の端部同士が第２配線構成部により繋がれる構成とされることで、位置検出電極に信号を供給している。ところで、画素電極は、一対の信号配線により挟み込まれているため、一対の信号配線との間にそれぞれ寄生容量が生じ得る。これらの寄生容量と信号配線の電位の変動とに基づく画素電極の電位の変動は、例えば、一対の信号配線に逆極性の信号を供給することで、相殺することが可能とされる。そして、位置検出配線は、一対の第１配線構成部が画素電極と一対の信号配線との間に挟み込まれる配置とされている（すなわち、一対の第１配線構成部のうちの一方の第１配線構成部が、画素電極と、一対の信号配線のうちの一方の信号配線とに挟み込まれ、一対の第１配線構成部のうちの他方の第１配線構成部が、画素電極と、一対の信号配線のうちの他方の信号配線とに挟み込まれる配置とされている）ので、画素電極と一方の信号配線との間に生じる寄生容量と、画素電極と他方の信号配線との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。特に、画素電極に対する、一方の第１配線構成部と一方の信号配線の位置関係（互いの距離や線幅）と、他方の第１配線構成部と他方の信号配線の位置関係とが、略同じである場合は、寄生容量の均等化を図る上でより好適である。これにより、一対の信号配線に逆極性の信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方の信号配線の電位の変動に伴う画素電極の電位の変動と、他方の信号配線の電位の変動に伴う画素電極の電位の変動とが相殺されることになる。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【０００８】
しかも、位置検出配線は、導電性構造物の少なくとも一部と同層に配されているので、仮にこれらを別の層に配置して間に絶縁膜を介在させた場合に比べると、層の数を削減することができるので、製造コストの低下を図ることができる。このように導電性構造物が位置検出配線と同層に配されると、導電性構造物の配置によっては位置検出配線の配索自体が困難になったり、導電性構造物を迂回するために位置検出配線の配線抵抗が高くなったりすることが懸念される。その点、導電性構造物を横切るよう配されて導電性構造物との間に絶縁膜が介在するブリッジ配線により位置検出配線の一部同士が接続されることで、導電性構造物と位置検出配線との短絡を防ぎつつ、位置検出配線の配索を可能としたり、位置検出配線の配線抵抗を低下させたりすることができる。ブリッジ配線は、その一部ずつが絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部における第２配線構成部とは非接続とされる端部または一対の第１配線構成部における並び方向についての同じ側の端部に接続されている。上記のように、位置検出配線の配線抵抗を低下させることで、位置入力体による入力位置の検出精度が向上する。さらに、位置検出配線に伝送される信号が切り替わる場合には電位の変動が生じ難くなる。これにより、表示品位の低下が抑制される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、表示品位の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置に備わる液晶パネルのタッチ電極、タッチ配線及びソース配線などの平面配置を示す平面図
【図２】液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図３】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２金属膜のパターンを示す平面図
【図４】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図５】図２のＡ−Ａ線断面図
【図６】図２のＢ−Ｂ線断面図
【図７】図２のＣ−Ｃ線断面図
【図８】本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図９】図８のＣ−Ｃ線断面図
【図１０】本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図１１】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図１２】図１０のＤ−Ｄ線断面図
【図１３】本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図１４】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２金属膜のパターンを示す平面図
【図１５】本発明の実施形態５に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図１６】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２金属膜のパターンを示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図７によって説明する。本実施形態では、タッチパネル機能（位置入力機能）を備えた液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図５から図７などの上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
【００１２】
液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示パネル）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。本実施形態では、液晶パネル１１の画面サイズが例えば３２インチ程度（具体的には３２．２インチ）とされるとともに、解像度が「４Ｋ」相当とされる。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。なお、バックライト装置に関しては図示を省略している。
【００１３】
液晶パネル１１は、図１に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図１において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされるのに対し、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされている。液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡには、表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するための部品としてドライバ（駆動回路部）１２及びフレキシブル基板（信号伝送部）１３が実装されている。ドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されており、フレキシブル基板１３によって伝送される各種信号を処理するためのものである。本実施形態では、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに、３つのドライバ１２がＸ軸方向に沿って間隔を空けて並んで配されている。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされ、その一端側が液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに、他端側が図示しないコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１に伝送され、非表示領域ＮＡＡにおいてドライバ１２による処理を経て表示領域ＡＡへ向けて出力される。
【００１４】
液晶パネル１１について詳しく説明する。液晶パネル１１は、図５に示すように、一対の基板２０，２１と、両基板２０，２１間の内部空間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２と、を有しており、液晶層２２が両基板２０，２１間に介在する図示しないシール部によって取り囲まれて封止が図られている。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（アクティブマトリクス基板、素子基板）２１とされる。ＣＦ基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス製のガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。
【００１５】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側（液晶層２２側、ＣＦ基板２０との対向面側）には、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）２３及び画素電極２４が多数個ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２３及び画素電極２４の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（走査配線）２６及びソース配線（信号配線、データ配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、概ねＸ軸方向に沿って延在するのに対し、ソース配線２７は、概ねＹ軸方向に沿って延在している。ゲート配線２６とソース配線２７とがそれぞれＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａとソース電極２３Ｂとに接続され、画素電極２４がＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃに接続されている。そして、ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６及びソース配線２７にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極２４への電位の供給が制御されるようになっている。画素電極２４は、平面形状が縦長の略方形（より詳細には、長辺はソース配線２７に沿うように屈曲している）とされており、その短辺方向がゲート配線２６の延在方向と、長辺方向がソース配線２７の延在方向と、それぞれ一致している。画素電極２４は、Ｙ軸方向（列をなして並ぶ複数の画素電極２４の並び方向、第１方向、列方向）について両側から一対のゲート配線２６により挟み込まれるとともに、Ｘ軸方向（列をなして並ぶ複数の画素電極２４の並び方向と直交する直交方向、第１方向と直交する第２方向、行方向）について両側から一対のソース配線２７により挟み込まれている。ＴＦＴ２３及び画素電極２４は、いずれもアレイ基板２１に設けられた導電性構造物であると言える。なお、ＴＦＴ２３、画素電極２４、ゲート配線２６及びソース配線２７の配置などに関しては後に改めて説明する。また、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡには、図１に示すように、ゲート配線２６に走査信号を供給するためのゲート回路部ＧＤＭがモノリシックに設けられている。
【００１６】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図５に示すように、全ての画素電極２４と重畳する形で共通電極２５が画素電極２４よりも上層側（液晶層２２に近い側）に形成されている。共通電極２５は、常にほぼ一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在しており、各画素電極２４（詳細には後述する画素電極本体２４Ａ）と重畳する部分には、各画素電極２４の長辺方向に沿って延在する画素重畳開口部（画素重畳スリット、配向制御スリット）２５Ａが複数ずつ開口形成されている。互いに重畳する画素電極２４と共通電極２５との間に、画素電極２４が充電されるのに伴って電位差が生じると、画素重畳開口部２５Ａの開口縁と画素電極２４との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じるので、そのフリンジ電界を利用して液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。なお、画素重畳開口部２５Ａの具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。
【００１７】
ＣＦ基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図５に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。カラーフィルタ２８は、互いに異なる色を呈するものがゲート配線２６（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し多数並ぶとともに、それらがソース配線２７（概ねＹ軸方向）に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。Ｘ軸方向について隣り合って互いに異なる色を呈するカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がソース配線２７及び次述する遮光部２９と重畳する配置とされる。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ２８と、各カラーフィルタ２８と対向する３つの画素電極２４と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチは、例えば６０μｍ程度（具体的には６２μｍ）とされ、Ｙ軸方向についての配列ピッチは、例えば１８０μｍ程度（具体的には１８６μｍ）とされる。
【００１８】
ＣＦ基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図２及び図５に示すように、光を遮る遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）２９が形成されている。遮光部２９は、隣り合う画素部ＰＸ（画素電極２４）の間を仕切るよう平面形状が略格子状をなしており、平面に視てアレイ基板２１側の画素電極２４の大部分と重畳する位置に画素開口部２９Ａを有している。画素開口部２９Ａは、ＣＦ基板２０の板面内においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って多数個ずつマトリクス状に並んで配されている。画素開口部２９Ａは、平面形状が画素電極２４の外形に倣って縦長の略方形状とされており、光を透過することで画素部ＰＸでの表示を可能としている。遮光部２９は、隣り合う画素部ＰＸの間を光が行き交うのを防いで各画素部ＰＸの階調の独立性を担保するのに機能しており、特にソース配線２７に沿って延在する部分は、異なる色を呈する画素部ＰＸ間の混色を防いでいる。遮光部２９は、アレイ基板２１側の少なくともゲート配線２６及びソース配線２７（後述するタッチ配線３１も含む）と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、ＣＦ基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配される平坦化膜（図示せず）が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち液晶層２２に接する最内面には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜（図示せず）がそれぞれ形成されている。
【００１９】
本実施形態に係る液晶パネル１１は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能（位置入力機能）と、を併有しており、このうちのタッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化（インセル化）している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、一対の基板２０，２１のうちのアレイ基板２１側に設けられており、アレイ基板２１の板面内にマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）３０から構成されている。タッチ電極３０は、アレイ基板２１の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１における表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致していることになる。そして、使用者が視認する液晶パネル１１の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１１の表面（表示面）に導電体である図示しない指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極３０との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極３０にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極３０とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。
【００２０】
そして、このタッチ電極３０は、図１に示すように、アレイ基板２１に設けられた共通電極２５により構成されている。共通電極２５は、既述した画素重畳開口部２５Ａに加えて、隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部（仕切スリット）２５Ｂを有する。仕切開口部２５Ｂは、Ｘ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって横断する部分と、Ｙ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって縦断する部分と、からなり、全体としては平面に視て略格子状をなしている。共通電極２５は、仕切開口部２５Ｂによって平面に視て碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極３０からなる。共通電極２５を仕切開口部２５Ｂによって仕切られてなるタッチ電極３０は、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつがマトリクス状に並んで配されている。タッチ電極３０は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ（例えば約２ｍｍ〜５ｍｍ）程度とされている。従って、タッチ電極３０は、平面に視た大きさが画素部ＰＸ（画素電極２４）よりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数（例えば数十または数百程度）ずつの画素部ＰＸに跨る範囲に配置されている。複数のタッチ電極３０には、アレイ基板２１に設けられた複数のタッチ配線（位置検出配線）３１が選択的に接続されている。タッチ配線３１は、ソース配線２７に並行する形で概ねＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極３０のうちの特定のタッチ電極３０に対して選択的に接続されている。さらにタッチ配線３１は、図示しない検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１２に備えられていても構わないが、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１の外部に備えられていても構わない。タッチ配線３１は、表示機能に係る基準電位信号と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、を異なるタイミングでもってタッチ電極３０に供給する。このうちの基準電位信号は、同じタイミングで全てのタッチ配線３１に伝送されることで、全てのタッチ電極３０が基準電位となって共通電極２５として機能する。なお、図１は、タッチ電極３０の配列を模式的に表したものであり、タッチ電極３０の具体的な設置数、配置、平面形状などについては図示以外にも適宜に変更可能である。
【００２１】
ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板２１には、図５に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜３２、ゲート絶縁膜３３、半導体膜３４、第１透明電極膜（導電膜、透明電極膜）３５、第２金属膜（導電膜、金属膜）３６、層間絶縁膜（絶縁膜、透明電極膜間絶縁膜）３７、第２透明電極膜３８が積層形成されている。第１金属膜３２及び第２金属膜３６は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜３２は、ゲート配線２６やＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａなどを構成する。第２金属膜３６は、ソース配線２７及びタッチ配線３１やＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃなどを構成する（図３を参照）。ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜３３は、下層側の第１金属膜３２と、上層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、を絶縁状態に保つ。層間絶縁膜３７は、下層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、上層側の第２透明電極膜３８と、を絶縁状態に保つ。半導体膜３４は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ２３においてソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとに接続されるチャネル部（半導体部）２３Ｄなどを構成する。第１透明電極膜３５及び第２透明電極膜３８は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜３５は、画素電極２４などを構成する。第２透明電極膜３８は、共通電極２５（タッチ電極３０）などを構成する（図４を参照）。
【００２２】
ＴＦＴ２３及び画素電極２４の構成について詳しく説明する。ＴＦＴ２３は、図２に示すように、全体としてＸ軸方向に沿って延在する横長形状をなしており、接続対象とされる画素電極２４に対してＹ軸方向について図２に示す下側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６の一部（ソース配線２７などと重畳する部分）からなるゲート電極２３Ａを有する。ゲート電極２３Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在する横長形状をなしていて、ゲート配線２６に供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３を駆動し、それによりソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間の電流が制御される。ＴＦＴ２３は、図２及び図３に示すように、ソース配線２７の一部（ゲート配線２６と重畳する部分）からなるソース電極２３Ｂを有する。ソース電極２３Ｂは、ＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての一端側に配されていてそのほぼ全域がゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続される。ＴＦＴ２３は、ソース電極２３Ｂとの間に間隔を空けた位置、つまりにＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての他端側に配されるドレイン電極２３Ｃを有する。ドレイン電極２３Ｃは、概ねＸ軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極２３Ｂと対向状をなしてゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続されるのに対し、他端側が画素電極２４に接続される。本実施形態では、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃは、第２金属膜３６からなる単層構造とされているが、例えば第１透明電極膜３５と第２金属膜３６との積層構造とすることも可能である。
【００２３】
画素電極２４は、図２に示すように、遮光部２９の画素開口部２９Ａと重畳する略方形状の画素電極本体２４Ａと、画素電極本体２４ＡからＹ軸方向に沿ってＴＦＴ２３側に突出するコンタクト部２４Ｂと、からなり、このうちのコンタクト部２４Ｂがドレイン電極２３Ｃの他端側に接続されている。なお、ゲート配線２６は、コンタクト部２４Ｂ及びドレイン電極２３Ｃの双方と重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ゲート配線２６と画素電極２４との間の容量を低減するために設けられている。また、ドレイン電極２３Ｃの他端は、ゲート配線２６と重畳している。これは、アレイ基板２１を製造する際に、ゲート配線２６に対してドレイン電極２３Ｃが位置ずれした場合でも、ゲート配線２６とドレイン電極２３Ｃ（すなわち画素電極２４）との間の容量が変動しないようにするために設けられている。ＴＦＴ２３は、ゲート絶縁膜３３を介してゲート電極２３Ａと重畳するとともに、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃに接続されるチャネル部２３Ｄを有する。チャネル部２３Ｄは、ゲート電極２３Ａと重畳するとともにＸ軸方向に沿って延在し、その一端側がソース電極２３Ｂに、他端側がドレイン電極２３Ｃに、それぞれ接続されている。そして、ゲート電極２３Ａに供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３がオン状態にされると、ソース配線２７に供給される画像信号（信号、データ信号）は、ソース電極２３Ｂから半導体膜３４からなるチャネル部２３Ｄを介してドレイン電極２３Ｃへと供給され、その結果、画素電極２４が画像信号に基づいた電位に充電されるようになっている。なお、共通電極２５は、チャネル部２３Ｄと重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ＴＦＴ２３がオフ状態のときに、共通電極２５（タッチ電極３０）の電位変動に伴い、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間のリーク電流量が変動することを抑制するために設けられている。
【００２４】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡ内に配された複数のＴＦＴ２３には、図２に示すように、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す右側（一端側）に偏在する一方のＴＦＴ（一方のスイッチング素子）２３Ｒと、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す左側（他端側）に偏在する他方のＴＦＴ（他方のスイッチング素子）２３Ｌと、が含まれている。なお、以下ではＸ軸方向について左右に偏在する一対のＴＦＴ２３を区別する場合には、図２に示す右側に偏在するものを「一方のＴＦＴ」としてその符号に添え字Ｒを、図２に示す左側に偏在するものを「他方のＴＦＴ」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、画素電極２４をＹ軸方向について両側から挟み込む形で配されている。つまり、一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、Ｙ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、それぞれのソース電極２３Ｂとドレイン電極２３ＣとがＸ軸方向について左右に反転した配置とされている。従って、一方のＴＦＴ２３Ｒは、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７のうち、図２に示す右側のソース配線２７に接続されるのに対し、他方のＴＦＴ２３Ｌは、一対のソース配線２７のうち、図２に示す左側のソース配線２７に接続される。また、一方のＴＦＴ２３Ｒは、Ｙ軸方向について隣り合う図２に示す中央の画素電極２４と図２に示す最も上側の画素電極２４とのうち、図２に示す最も上側の画素電極２４に接続されるのに対し、他方のＴＦＴ２３Ｌは、図２に示す中央の画素電極２４に接続される。つまり、各ＴＦＴ２３Ｌ，２３Ｒは、自身に対してＹ軸方向について図２に示す上側に隣り合う各画素電極２４にそれぞれ接続されている。このような構成によれば、Ｙ軸方向について隣り合う画素電極２４のうちの一方である図２に示す最も上側の画素電極２４は、接続された一方のＴＦＴ２３Ｒが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの一方である図２に示す右側のソース配線２７に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。これに対し、Ｙ軸方向について隣り合う画素電極２４のうちの他方である図２に示す中央の画素電極２４は、接続された他方のＴＦＴ２３Ｌが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの他方である図２に示す左側のソース配線２７に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。このようにＹ軸方向について隣り合う画素電極２４には、異なるソース配線２７に伝送される信号が供給されるようになっているから、例えばドット反転駆動における画素配列と同様の極性の配列を低い消費電力で行う上で好適となる。
【００２５】
次に、タッチ配線３１の構成について詳しく説明する。タッチ配線３１は、図２及び図３に示すように、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３９を少なくとも有する。一対の第１配線構成部３９は、画素電極２４と、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７と、の間に挟み込まれる形で配されている。一対の第１配線構成部３９は、画素電極２４の外形（長辺部分）に並行するとともに一対のソース配線２７に並行する形で概ねＹ軸方向に沿って延在しており、その長さ寸法が画素電極２４の長辺寸法と同等とされる。一対の第１配線構成部３９は、Ｙ軸方向について列をなして複数組（Ｙ軸方向について列をなす複数の画素電極２４の並び数と同数組）が並んで配されている。一対の第１配線構成部３９における図２及び図３に示す下側の端部間（Ｙ軸方向についての同じ側の端部間）には、画素電極２４を構成するコンタクト部２４Ｂが介在する形で配されている。このように、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９が画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる配置とされているので、画素電極２４と一方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、画素電極２４と他方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。これにより、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７に互いに逆極性となる信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動と、他方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、ＴＦＴ２３がオフ状態の期間において、画素電極２４の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【００２６】
そして、タッチ配線３１は、図２及び図３に示すように、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９の端部同士を繋ぐ複数の第２配線構成部４０を有する。このように、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９の端部同士が第２配線構成部４０に繋がれることで、タッチ配線３１がＹ軸方向に沿って複数の画素電極２４に跨る形で延在しており、それにより表示領域ＡＡにおいてＹ軸方向について所定の位置に配されたタッチ電極３１に信号が供給されるようになっている。なお、以下では画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３９を区別する場合には、画素電極２４に対して図２に示す右側に隣り合うものを「一方の第１配線構成部」としてその符号に添え字Ｒを、画素電極２４に対して図２に示す左側に隣り合うものを「他方の第１配線構成部」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。
【００２７】
詳しくは、複数の第２配線構成部４０には、図２及び図３に示すように、Ｙ軸方向について隣り合う一方の第１配線構成部３９Ｒ同士を接続する一方の第２配線構成部４０Ｒと、Ｙ軸方向について隣り合う他方の第１配線構成部３９Ｌ同士を接続する他方の第２配線構成部４０Ｌと、が含まれている。以下では、第２配線構成部４０を区別する場合には、一方の第１配線構成部３９Ｒに接続されるものを「一方の第２配線構成部」としてその符号に添え字Ｒを、他方の第１配線構成部３９Ｌに接続されるものを「他方の第２配線構成部」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方の第２配線構成部４０Ｒは、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す右側に偏在しており、逆の左側に偏在する他方のＴＦＴ２３Ｌとは非重畳の配置とされる。他方の第２配線構成部４０Ｌは、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す左側に偏在しており、逆の右側に偏在する一方のＴＦＴ２３Ｒとは非重畳の配置とされる。このように、一方の第２配線構成部４０Ｒ及び他方の第２配線構成部４０Ｌは、Ｙ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ＴＦＴ２３の非配置箇所を補完する形でジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。つまり、第２配線構成部４０及びＴＦＴ２３は、互いの非配置箇所を相互に補完し合うよう相補的に配されている、と言える。
【００２８】
さらには、タッチ配線３１は、図２及び図３に示すように、画素電極２４を挟み込む一対の第１配線構成部３９に連なる第３配線構成部４１を有する。第３配線構成部４１は、一対の第１配線構成部３９における長さ方向（Ｙ軸方向）についての両端部のうち、図２及び図３に示す上側、つまりＴＦＴ２３側（コンタクト部２４Ｂ側）とは反対側の端部同士を繋ぐよう配されている。第３配線構成部４１は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在しており、その長さ寸法が画素電極２４の短辺寸法と同等とされる。以上のように、タッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９及び第３配線構成部４１は、画素電極２４における４辺のうち、ＴＦＴ２３側の１辺を除く３辺を取り囲む配置とされる。タッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９、第３配線構成部４１及び第２配線構成部４０は、いずれも同じ第２金属膜３６からなる。従って、タッチ配線３１は、ソース配線２７と同層に配されている。このようにすれば、仮にソース配線とタッチ配線とが絶縁膜を介して異なる層に配される場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。しかも、タッチ配線３１は、導電性構造物であるＴＦＴ２３の一部（ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃ）と同層に配されているので、仮にこれらを別の層に配置して間に絶縁膜を介在させた場合に比べると、層の数を削減することができるので、製造コストの低下を図ることができる。さらには、ソース配線２７及びタッチ配線３１を構成する第２金属膜３６は、第１透明電極膜３５と共にゲート絶縁膜３３の上層側に配されていることから、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、画素電極２４と同層に配されている、と言える。このようにすれば、仮に画素電極がソース配線２７及びタッチ配線３１とは絶縁膜を介して異なる層に配された場合に比べると、画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量が大きくなるため、間にタッチ配線３１が介在するか否かの違いの影響を受け易くなって表示品位がより低下し易くなる傾向にある。これに対し、上記したようにタッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９が一対のソース配線２７と画素電極２４との間に挟み込まれる配置とされることで、寄生容量の均等化が図られているので、表示品位の低下が好適に抑制される。また、さらなる製造コストの低下を図る上で好適となる。また、第２配線構成部４０は、一部が第２金属膜３６からなるＴＦＴ２３とは非重畳となるよう配されており、それによりタッチ配線３１とＴＦＴ２３とが短絡することが避けられている。
【００２９】
ここで、タッチ電極３０とタッチ配線３１との接続構造について説明する。タッチ配線３１は、図２及び図６に示すように、接続対象となるタッチ電極３０に対しては、層間絶縁膜３７に開口形成されたタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）４２を通して接続されている。タッチ配線３１は、全てのタッチ電極３０を横切る形で概ねＹ軸方向に沿って延在しているものの、タッチコンタクトホール４２の平面配置によって特定のタッチ電極３０に対してのみ選択的に接続されている。従って、タッチ電極３０には、接続対象となるタッチ配線３１と、接続非対象となるタッチ配線３１と、が層間絶縁膜３７を介してそれぞれ重畳配置されている。本実施形態に係るタッチコンタクトホール４２は、タッチ配線３１のうち、他方の第１配線構成部３９Ｌと他方の第２配線構成部４０Ｌとの接続箇所と重畳する位置や一方の第１配線構成部３９Ｒにおける一方のＴＦＴ２３Ｒ側の端部と重畳する位置に配されている。
【００３０】
また、第２透明電極膜３８からなるタッチ電極３０（共通電極２５）には、図２及び図４に示すように、タッチ配線３１の少なくとも一部と重畳する形で配されるタッチ配線重畳開口部（位置検出配線重畳開口部）４３が設けられている。タッチ配線重畳開口部４３は、タッチ配線３１の延在方向であるＹ軸方向に並行する形で延在しており、平面に視て縦長形状（タッチ配線３１の延在方向を長手方向とした長手形状）とされる。また、タッチ配線重畳開口部４３は、その幅寸法（Ｘ軸方向についての寸法）がタッチ配線３１の幅寸法よりも大きく、共通電極２５の画素重畳開口部２５Ａの幅寸法と同等とされる。このように、タッチ配線重畳開口部４３がタッチ配線３１の少なくとも一部と重畳する形で配されることで、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１とは非接続とされるタッチ電極３０と、の間に生じ得る寄生容量が軽減される。これにより、位置検出に係る感度が良好なものとなる。詳しくは、タッチ配線重畳開口部４３（後述する仕切開口部２５Ｂを除く）は、タッチ配線３１を構成する第１配線構成部３９の大部分と選択的に重畳する配置とされており、その長さ寸法（Ｙ軸方向についての寸法）が、第１配線構成部３９の長さ寸法より短くされている。従って、タッチ配線重畳開口部４３は、タッチ配線３１を構成する第３配線構成部４１と重畳することが避けられているから、仮にタッチ配線重畳開口部の形成範囲が一対の第１配線構成部３９及び第３配線構成部４１と重畳する範囲とされた場合に比べると、タッチ電極３０及び共通電極２５における電気抵抗値を低くすることができる。
【００３１】
さらには、共通電極２５において、隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部２５Ｂの一部は、図２及び図４に示すように、タッチ配線重畳開口部４３としても機能する。つまり、仕切開口部２５Ｂの一部であるＹ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１と重畳する形で配されている。詳しくは、仕切開口部２５Ｂのうち、Ｙ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１を構成する一方の第１配線構成部３９Ｒ及び一方の第２配線構成部４０Ｒと、一方のＴＦＴ２３Ｒの一部と、に対して重畳する配置とされている。その上で、仕切開口部２５Ｂのうち、Ｘ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１を構成する第３配線構成部４１と重畳する配置とされている。ここで、共通電極２５の仕切開口部２５Ｂ付近では、仕切開口部２５Ｂ付近に配されたゲート配線２６と画素電極２４との間の電界が表示に悪影響を及ぼすおそれがある。その点、上記のようにタッチ配線３１を構成する第３配線構成部４１は、ゲート配線２６に並行していて仕切開口部２５ＢにおけるＸ軸方向に沿って延在する部分と重畳するよう配されているので、上記したゲート配線２６からの電界を遮蔽することができ、もって仕切開口部２５Ｂ付近に表示不良が生じ難くなる。以上により、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１とは非接続とされるタッチ電極３０と、の間に生じ得る寄生容量がより好適に軽減される。
【００３２】
さて、本実施形態に係るアレイ基板２１は、図２及び図５に示すように、導電性構造物であるＴＦＴ２３を横切るよう配されてＴＦＴ２３との間に層間絶縁膜（絶縁膜）３７が介在していてタッチ配線３１に接続されるブリッジ配線（スイッチング素子ブリッジ配線）４４を備える。ブリッジ配線４４は、図４，図５及び図７に示すように、共通電極２５及びタッチ電極３０と同じ第２透明電極膜３８からなり、第２透明電極膜３８に環状のスリットを入れることで、共通電極２５及びタッチ電極３０からは物理的に分離された島状をなしている。ブリッジ配線４４は、概ねＹ軸方向に沿って延在しており、その長さ方向についての中央部がＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃと重畳するのに対し、長さ方向についての両端部がタッチ配線３１を構成していてＹ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部３９と重畳する。詳しくは、ブリッジ配線４４の両端部は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部３９におけるＴＦＴ２３側の各端部、つまり第２配線構成部４０とは非接続とされる各第２配線構成部非接続端部３９Ａに重畳する。第２配線構成部非接続端部３９Ａは、第１配線構成部３９や第３配線構成部４１の線幅よりも幅広形状とされる。より具体的には、ブリッジ配線４４における一方の端部は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部３９のうちの図２に示す上側の第１配線構成部３９における第２配線構成部非接続端部３９Ａと、ブリッジ配線４４における他方の端部は、図２に示す下側の第１配線構成部３９における第２配線構成部非接続端部３９Ａであって第３配線構成部４１との接続箇所と、それぞれ重畳する。そして、ブリッジ配線４４は、その両端部（一部ずつ）が層間絶縁膜３７に開口形成された一対のコンタクトホール４５を通してタッチ配線３１を構成していてＹ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部３９に接続されている。一対のコンタクトホール４５は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部３９のうち、各第２配線構成部非接続端部３９Ａとそれぞれ重畳する配置とされる。このように、ブリッジ配線４４の一部ずつが層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通してＹ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９にそれぞれ接続されることで、タッチ配線３１がＹ軸方向に沿って複数の画素電極２４に跨る形で延在する。
【００３３】
ここで、本実施形態では、タッチ配線３１が導電性構造物であるＴＦＴ２３を構成するソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃと同じ第２金属膜３６からなることで、層の数を削減され、それにより製造コストの低下が図られている。このように導電性構造物であるＴＦＴ２３がタッチ配線３１と同層に配されると、導電性構造物であるＴＦＴ２３の配置によってはタッチ配線３１の配索自体が困難になったり、導電性構造物であるＴＦＴ２３を迂回するためにタッチ配線３１の配線抵抗が高くなったりすることが懸念される。その点、導電性構造物であるＴＦＴ２３を横切るよう配されて導電性構造物であるＴＦＴ２３との間に層間絶縁膜３７が介在するブリッジ配線４４によりタッチ配線３１の一部同士が接続されることで、導電性構造物であるＴＦＴ２３とタッチ配線３１との短絡を防ぎつつ、タッチ配線３１の配索を可能としたり、タッチ配線３１の配線抵抗を低下させたりすることができる。ブリッジ配線４４は、その一部ずつが層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａに接続されている。
【００３４】
詳しくは、複数のブリッジ配線４４には、図２及び図４に示すように、一方のＴＦＴ２３Ｒに対して重畳する一方のブリッジ配線（一方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｒと、他方のＴＦＴ２３Ｌに対して重畳する他方のブリッジ配線（他方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｌと、が含まれる。なお、以下ではブリッジ配線４４を区別する場合には、一方のＴＦＴ２３Ｒに対して重畳するものを「一方のブリッジ配線」としてその符号に添え字Ｒを、他方のＴＦＴ２３Ｌに対して重畳するものを「他方のブリッジ配線」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方のブリッジ配線４４Ｒは、その中央部が一方のＴＦＴ２３Ｒを横切るとともに、両端部がＹ軸方向について隣り合う一対の一方の第１配線構成部３９Ｒにおける各第２配線構成部非接続端部３９Ａに対してコンタクトホール４５を通して接続されている。他方のブリッジ配線４４Ｌは、その中央部が他方のＴＦＴ２３Ｌを横切るとともに、両端部がＹ軸方向について隣り合う一対の他方の第１配線構成部３９Ｌにおける各第２配線構成部非接続端部３９Ａに対してコンタクトホール４５を通して接続されている。このように、一方のブリッジ配線４４Ｒ及び他方のブリッジ配線４４Ｌは、ＴＦＴ２３と同様にＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。これに対し、複数の第２配線構成部４０に含まれる一方の第２配線構成部４０Ｒ及び他方の第２配線構成部４０Ｌは、ブリッジ配線４４及びＴＦＴ２３の非配置箇所を補完する形でジグザグ状に平面配置されている。従って、ブリッジ配線４４及びＴＦＴ２３と、第２配線構成部４０と、は、互いの非配置箇所を相互に補完し合うよう相補的に配されている、と言える。これにより、タッチ配線３１は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の一方の第１配線構成部３９Ｒが一方のブリッジ配線４４Ｒ及び一方の第２配線構成部４０Ｒにより接続されて表示領域ＡＡのほぼ全長にわたって延在するのに対し、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の他方の第１配線構成部３９Ｌが他方のブリッジ配線４４Ｌ及び他方の第２配線構成部４０Ｌにより接続されて表示領域ＡＡのほぼ全長にわたって延在する。以上のように、タッチ配線３１を構成する一対ずつの第１配線構成部３９が、相互に補完する形でジグザグ状に配されるブリッジ配線４４及び第２配線構成部４０によって接続されることで、タッチ配線３１に係る配線抵抗を低くすることができる。また、複数のブリッジ配線４４は、各ＴＦＴ２３を横切るよう配されるものの、各ＴＦＴ２３との間に層間絶縁膜３７が介在することで、各ＴＦＴ２３との短絡が防がれている。なお、ＴＦＴブリッジ配線４４が、ＴＦＴ２３を横切る部分において、ＴＦＴブリッジ配線４４は、チャネル部２３Ｄとは重畳せず、ドレイン電極２３Ｃと重畳するように配置されている。これは、ＴＦＴ２３がオフ状態のときに、共通電極２５（タッチ電極３０、タッチ配線３１、ＴＦＴブリッジ配線４４）の電位変動に伴い、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間のリーク電流量が変動することを抑制するためである。
【００３５】
上記のように、ブリッジ配線４４は、図２及び図４に示すように、第２透明電極膜３８からなり、タッチ電極３０と同層に配されている。従って、層間絶縁膜３７には、上記したコンタクトホール４５に加えてタッチ配線３１とタッチ電極３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）４２が開口形成されている。このようにすれば、ブリッジ配線４４とタッチ電極３０とは、接続対象が共にタッチ配線３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜３７にコンタクトホール４５及びタッチコンタクトホール４２をそれぞれ開口形成することで、ブリッジ配線４４とタッチ電極３０とを、タッチ配線３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００３６】
以上説明したように本実施形態の液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０は、列をなして並ぶ複数の画素電極２４と、複数の画素電極２４に供給される信号を伝送し、複数の画素電極２４を挟み込むよう配される一対のソース配線（信号配線）２７と、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、位置入力体である指による入力位置を検出するタッチ電極（位置検出電極）３０と、タッチ電極３０に接続されるタッチ配線（位置検出配線）３１であって、画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれて複数の画素電極２４の並び方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部３９と、並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９の端部同士を繋ぐ第２配線構成部４０と、を少なくとも有するタッチ配線３１と、少なくとも一部がタッチ配線３１と同層に配される導電性構造物であるＴＦＴ（スイッチング素子）２３と、導電性構造物であるＴＦＴ２３を横切るよう配されて導電性構造物であるＴＦＴ２３との間に層間絶縁膜（絶縁膜）３７が介在するブリッジ配線４４であって、その一部ずつが層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａに接続されるブリッジ配線４４と、を備える。
【００３７】
このようにすれば、列をなして並ぶ複数の画素電極２４には、一対のソース配線２７のいずれかによって供給される信号に基づいた電位が充電され、それにより表示がなされる。タッチ電極３０は、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、タッチ配線３１によって供給される信号を利用して位置入力体である指による入力位置を検出する。タッチ配線３１は、複数の画素電極２４の並び方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部３９に含まれて並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９の端部同士が第２配線構成部４０により繋がれる構成とされることで、タッチ電極３０に信号を供給している。ところで、画素電極２４は、一対のソース配線２７により挟み込まれているため、一対のソース配線２７との間にそれぞれ寄生容量が生じ得る。これらの寄生容量とソース配線２７の電位の変動とに基づく画素電極２４の電位の変動は、例えば、一対のソース配線２７に逆極性の信号を供給することで、相殺することが可能とされる。そして、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９が画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる配置とされているので、画素電極２４と一方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、画素電極２４と他方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。これにより、一対のソース配線２７に逆極性の信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動と、他方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、画素電極２４の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【００３８】
しかも、タッチ配線３１は、導電性構造物であるＴＦＴ２３の少なくとも一部と同層に配されているので、仮にこれらを別の層に配置して間に絶縁膜を介在させた場合に比べると、層の数を削減することができるので、製造コストの低下を図ることができる。このように導電性構造物であるＴＦＴ２３がタッチ配線３１と同層に配されると、導電性構造物であるＴＦＴ２３の配置によってはタッチ配線３１の配索自体が困難になったり、導電性構造物であるＴＦＴ２３を迂回するためにタッチ配線３１の配線抵抗が高くなったりすることが懸念される。その点、導電性構造物であるＴＦＴ２３を横切るよう配されて導電性構造物であるＴＦＴ２３との間に層間絶縁膜３７が介在するブリッジ配線４４によりタッチ配線３１の一部同士が接続されることで、導電性構造物であるＴＦＴ２３とタッチ配線３１との短絡を防ぎつつ、タッチ配線３１の配索を可能としたり、タッチ配線３１の配線抵抗を低下させたりすることができる。ブリッジ配線４４は、その一部ずつが層間絶縁膜３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａに接続されている。このように、タッチ配線３１の配線抵抗を低下させることで、位置入力体である指による入力位置の検出精度が向上する。さらに、タッチ配線３１から供給されるタッチ信号と、基準電位にするための共通信号とが切り替わる際の電位の変動が生じ難くなる。これにより、表示品位の低下が抑制される。
【００３９】
また、導電性構造物は、ソース配線２７及び画素電極２４に接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）２３であって、並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａの間に介在するＴＦＴ２３とされており、ブリッジ配線４４は、並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａに接続される。このようにすれば、ＴＦＴ２３が駆動されると、ソース配線２７に伝送される信号が画素電極２４に供給され、もって画素電極２４が所定の電位に充電される。ＴＦＴ２３は、並び方向について隣り合う２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａの間に介在するものの、このＴＦＴ２３を、上記した２つの第１配線構成部３９における第２配線構成部４０とは非接続とされる第２配線構成部非接続端部３９Ａ同士を接続するブリッジ配線４４が層間絶縁膜３７を介して横切る配置とされることで、タッチ配線３１とＴＦＴ２３との短絡を防止しつつ、タッチ配線３１の配索を可能としたり、タッチ配線３１の配線抵抗を低下させたりすることができる。
【００４０】
また、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９が並び方向について互いに反対側に隣り合う第１配線構成部３９に対してそれぞれ第２配線構成部４０により繋がれるのに対し、ＴＦＴ２３及びブリッジ配線４４は、一対の第１配線構成部３９に対して並び方向について第２配線構成部４０側とは反対側に隣り合う形でそれぞれ配されており、一対の第１配線構成部３９のうちの一方の第１配線構成部３９Ｒに対して並び方向について第２配線構成部４０側とは反対側に隣り合うＴＦＴ２３は、並び方向について第２配線構成部４０側とは反対側に配される画素電極２４に接続されるとともに一対のソース配線２７のうちの一方のソース配線２７に接続されるのに対し、一対の第１配線構成部３９のうちの他方の第１配線構成部３９Ｌに対して並び方向について第２配線構成部４０側とは反対側に隣り合うＴＦＴ２３は、並び方向について第２配線構成部４０側に配される画素電極２４に接続されるとともに一対のソース配線２７のうちの他方のソース配線２７に接続される。このようにすれば、第２配線構成部４０と、ＴＦＴ２３及びブリッジ配線４４と、は、相互に補完する形でジグザグ状に配されているので、タッチ配線３１の配線抵抗をより低下させることができる。並び方向について隣り合う２つの画素電極２４には、接続された各ＴＦＴ２３が駆動されることで、一対のソース配線２７のうちの一方のソース配線２７と他方のソース配線２７とからそれぞれ信号が供給されて所定の電位に充電される。このように並び方向について隣り合う画素電極２４には、異なるソース配線２７に伝送される信号が供給されるようになっているから、例えばドット反転駆動における画素配列と同様の極性の配列を低い消費電力で行う上で好適となる。
【００４１】
また、導電性構造物であるＴＦＴ２３は、その一部が一対の第１配線構成部３９における並び方向についての同じ側の端部間に介在する形で配されており、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９における導電性構造物であるＴＦＴ２３側とは反対側の端部同士を繋ぐ第３配線構成部４１を有する。このようにすれば、一対の第１配線構成部３９における導電性構造物であるＴＦＴ２３側とは反対側の端部同士が第３配線構成部４１により繋がれることでタッチ配線３１が構成されているので、タッチ配線３１の配線抵抗をより低下させることができる。
【００４２】
また、ソース配線２７及びタッチ配線３１と交差する形で延在して走査信号が伝送されるゲート配線（走査配線）２６と、ゲート配線２６、ソース配線２７及び画素電極２４に接続されるＴＦＴ２３と、画素電極２４に対して層間絶縁膜３７を介して少なくとも一部が重畳する形で配され、自身が分割されることで複数のタッチ電極３０を構成していて隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部２５Ｂを有する共通電極２５と、を備えており、第３配線構成部４１は、ゲート配線２６に並行していて仕切開口部２５Ｂの一部と重畳するよう配される。このようにすれば、ゲート配線２６に伝送される走査信号に基づいてＴＦＴ２３が駆動されると、ソース配線２７に伝送される信号が画素電極２４に供給されて画素電極２４が所定の電位に充電される。充電された画素電極２４と、画素電極２４に対して層間絶縁膜３７を介して少なくとも一部が重畳する共通電極２５と、の間には、電位差が生じ得るものとされ、その電位差を利用して表示がなされる。共通電極２５を分割して複数のタッチ電極３０が構成されているので、仮に共通電極２５とは別の層にタッチ電極を設けた場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。その一方、共通電極２５の仕切開口部２５Ｂ付近では、仕切開口部２５Ｂ付近に配されたゲート配線２６と画素電極２４との間の電界が表示に悪影響を及ぼすおそれがある。その点、タッチ配線３１を構成する第３配線構成部４１は、ゲート配線２６に並行していて仕切開口部２５Ｂの一部と重畳するよう配されているので、上記したゲート配線２６からの電界を遮蔽することができ、もって仕切開口部２５Ｂ付近に表示不良が生じ難くなる。
【００４３】
また、画素電極２４に対して層間絶縁膜３７を介して少なくとも一部が重畳する形で配され、自身が分割されることでタッチ電極３０を構成する共通電極２５を備えており、タッチ電極３０は、タッチ配線３１のうち一対の第１配線構成部３９と選択的に重畳する形で配されるタッチ配線重畳開口部（位置検出配線重畳開口部）４３を有する。このようにすれば、画素電極２４と、画素電極２４に対して層間絶縁膜３７を介して少なくとも一部が重畳する共通電極２５と、の間には、ソース配線２７によって伝送されて画素電極２４に供給される信号に基づいた電位差が生じ得るものとされ、その電位差を利用して表示がなされる。その上で、タッチ配線重畳開口部４３によってタッチ配線３１とそのタッチ配線３１とは非接続とされるタッチ電極３０との間に生じ得る寄生容量が軽減されるから、位置検出に係る感度が良好なものとなる。しかも、タッチ配線重畳開口部４３は、タッチ配線３１のうち一対の第１配線構成部３９と選択的に重畳する形で配されており、第３配線構成部４１と重畳することが避けられているから、仮にタッチ配線重畳開口部の形成範囲が一対の第１配線構成部３９及び第３配線構成部４１と重畳する範囲とされた場合に比べると、タッチ電極３０及び共通電極２５における電気抵抗値を低くすることができる。
【００４４】
また、ブリッジ配線４４は、タッチ電極３０と同層に配されており、層間絶縁膜３７には、タッチ配線３１とタッチ電極３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）４２が開口形成される。このようにすれば、ブリッジ配線４４及びタッチ電極３０は、接続対象が共にタッチ配線３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜３７にコンタクトホール４５及びタッチコンタクトホール４２をそれぞれ開口形成することで、ブリッジ配線４４及びタッチ電極３０を、タッチ配線３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。また、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、互いに同層に配される。このようにすれば、仮にソース配線とタッチ配線とが絶縁膜を介して異なる層に配される場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。また、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、画素電極２４と同層に配される。このようにすれば、仮に画素電極がソース配線２７及びタッチ配線３１とは絶縁膜を介して異なる層に配された場合に比べると、画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量が大きくなるため、間にタッチ配線３１が介在するか否かの違いの影響を受け易くなって表示品位がより低下し易くなる傾向にある。これに対し、上記したようにタッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９が一対のソース配線２７と画素電極２４との間に挟み込まれる配置とされることで、寄生容量の均等化が図られているので、表示品位の低下が好適に抑制される。また、さらなる製造コストの低下を図る上で好適となる。
【００４５】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図８または図９によって説明する。この実施形態２では、第２透明電極膜１３８の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４６】
本実施形態に係る第２透明電極膜１３８は、図８及び図９に示すように、一部のブリッジ配線１４４が共通電極１２５及びタッチ電極１３０に一体化されている。共通電極１２５及びタッチ電極１３０に一体化されたブリッジ配線１４４は、層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール１４５を通して接続されるタッチ配線１３１を接続対象となるタッチ電極１３０に接続している。つまり、層間絶縁膜１３７において共通電極１２５及びタッチ電極１３０に一体化されたブリッジ配線１４４と重畳するコンタクトホール１４５は、タッチコンタクトホールを兼用している、と言える。
【００４７】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１０から図１２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１からブリッジ配線２４４の配置及び接続対象を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４８】
本実施形態に係るブリッジ配線（画素電極ブリッジ配線）２４４は、図１０から図１２に示すように、画素電極２２４を横切る形で配されて画素電極２２４との間に層間絶縁膜２３７が介在していてタッチ配線２３１に接続されている。ブリッジ配線２４４は、共通電極２２５及びタッチ電極２３０と同じ第２透明電極膜２３８からなり、第２透明電極膜２３８に環状のスリットを入れることで、共通電極２２５及びタッチ電極２３０からは物理的に分離された島状をなしている。ブリッジ配線２４４は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在しており、その長さ方向についての中央部が画素電極２２４と重畳するのに対し、長さ方向についての両端部がタッチ配線２３１を構成していて画素電極２２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部２３９と重畳する。詳しくは、ブリッジ配線２４４の両端部は、画素電極２２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部２３９における第３配線構成部２４１側とは反対側（図１０に示す下側）の各端部、つまり第３配線構成部２４１とは非接続とされる第３配線構成部非接続端部３９Ｂとそれぞれ重畳する。そして、ブリッジ配線２４４は、その両端部（一部ずつ）が層間絶縁膜２３７に開口形成された一対のコンタクトホール２４５を通してタッチ配線２３１を構成していて画素電極２２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部２３９における各第３配線構成部非接続端部３９Ｂに接続されている。このように、ブリッジ配線２４４の一部ずつが層間絶縁膜２３７に開口形成されたコンタクトホール２４５を通して画素電極２２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部２３９に接続されることで、タッチ配線２３１に係る配線抵抗を低くすることができる。また、本実施形態においてブリッジ配線２４４のブリッジ対象である画素電極２２４は、第１透明電極膜２３５のみからなる単層構造とされているので、上記した実施形態１のようにブリッジ配線４４のブリッジ対象であるＴＦＴ２３が第１金属膜３２、半導体膜３４及び第２金属膜３６の積層構造（図７を参照）とされているのに比べると、ブリッジ配線２４４の平坦性が高いものとなっており、ブリッジ配線２４４に断線が生じ難くなっている。
【００４９】
上記のように、ブリッジ配線２４４は、図１０及び図１１に示すように、第２透明電極膜２３８からなり、タッチ電極２３０と同層に配されている。従って、層間絶縁膜２３７には、上記したコンタクトホール２４５に加えてタッチ配線２３１とタッチ電極２３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）２４２が開口形成されている。このようにすれば、ブリッジ配線２４４とタッチ電極２３０とは、接続対象が共にタッチ配線２３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜２３７にコンタクトホール２４５及びタッチコンタクトホール２４２をそれぞれ開口形成することで、ブリッジ配線２４４とタッチ電極２３０とを、タッチ配線２３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００５０】
なお、本実施形態に係る第２透明電極膜２３８は、図１１に示すように、上記した実施形態２と同様に、一部のブリッジ配線２４４が共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されている。共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されたブリッジ配線２４４は、層間絶縁膜２３７に開口形成されたコンタクトホール２４５を通して接続されるタッチ配線２３１を接続対象となるタッチ電極２３０に接続している。つまり、層間絶縁膜２３７において共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されたブリッジ配線２４４と重畳するコンタクトホール２４５は、タッチコンタクトホール２４２を兼用している、と言える。
【００５１】
以上説明したように本実施形態では、少なくとも一部がタッチ配線２３１と同層に配される導電性構造物である画素電極２２４と、導電性構造物である画素電極２２４を横切るよう配されて導電性構造物である画素電極２２４との間に層間絶縁膜２３７が介在するブリッジ配線２４４であって、その一部ずつが層間絶縁膜２３７に開口形成されたコンタクトホール２４５を通して一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の端部に接続されるブリッジ配線２４４と、が備えられる。このようにすれば、タッチ配線２３１は、導電性構造物である画素電極２２４の少なくとも一部と同層に配されているので、仮にこれらを別の層に配置して間に絶縁膜を介在させた場合に比べると、層の数を削減することができるので、製造コストの低下を図ることができる。このように導電性構造物である画素電極２２４がタッチ配線２３１と同層に配されると、導電性構造物である画素電極２２４の配置によってはタッチ配線２３１の配索自体が困難になったり、導電性構造物である画素電極２２４を迂回するためにタッチ配線２３１の配線抵抗が高くなったりすることが懸念される。その点、導電性構造物である画素電極２２４を横切るよう配されて導電性構造物である画素電極２２４との間に層間絶縁膜２３７が介在するブリッジ配線２４４によりタッチ配線２３１の一部同士が接続されることで、導電性構造物である画素電極２２４とタッチ配線２３１との短絡を防ぎつつ、タッチ配線２３１の配索を可能としたり、タッチ配線２３１の配線抵抗を低下させたりすることができる。ブリッジ配線２４４は、その一部ずつが層間絶縁膜２３７に開口形成されたコンタクトホール２４５を通して一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の端部に接続されている。
【００５２】
また、導電性構造物は、画素電極２２４とされていて、その一部が一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の第３配線構成部非接続端部３９Ｂの間に介在する形で配されており、ブリッジ配線２４４は、一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の第３配線構成部非接続端部３９Ｂに接続される。このようにすれば、画素電極２２４は、その一部が一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の第３配線構成部非接続端部３９Ｂの間に介在するものの、この画素電極２２４を、上記した一対の第１配線構成部２３９における並び方向についての同じ側の第３配線構成部非接続端部３９Ｂ同士を接続するブリッジ配線２４４が層間絶縁膜２３７を介して横切る配置とされることで、タッチ配線２３１と画素電極２２４との短絡を防止しつつ、タッチ配線２３１の配索を可能としたり、タッチ配線２３１の配線抵抗を低下させたりすることができる。
【００５３】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１３または図１４によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態２からタッチ配線３３１の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５４】
本実施形態に係るタッチ配線３３１は、図１３及び図１４に示すように、上記した実施形態１に記載された第３配線構成部４１が全て除去された構成となっている。従って、このタッチ配線３３１では、画素電極３２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３３９が互いに電気的に接続されることがないものとされており（但し、タッチ配線３３１とタッチ電極３３０との接続部分を除く）、一対の第１配線構成部３３９が電気的に独立した一対のタッチ配線３３１を構成している。このタッチ配線３３１は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の第１配線構成部３３９と、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３３９同士を接続する第２配線構成部３４０と、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３３９における第２配線構成部非接続端部３３９Ａ同士を接続するブリッジ配線３４４と、から構成される。タッチ配線３３１は、上記した実施形態１に記載されたタッチ配線３１に比べると、第３配線構成部４１を有していない分だけ表面積が小さくなっている。従って、共通電極３２５及びタッチ電極３３０において、タッチ配線３３１を構成する各第１配線構成部３３９と重畳する形で配される各タッチ配線重畳開口部３４３の総面積がタッチ配線３３１の表面積に占める比率は、相対的に大きなものとなる。これにより、タッチ配線３３１と、そのタッチ配線３３１とは非接続とされるタッチ電極３３０と、の間に生じ得る寄生容量が効率的に軽減され、もって位置検出に係る感度がより良好なものとなる。なお、上記した実施形態１に記載された構成において（図２及び図４を参照）、タッチ配線重畳開口部４３の総面積がタッチ配線３１の表面積に占める比率を本実施形態と同等にしようとした場合、例えばタッチ配線重畳開口部を一対の第１配線構成部と第２配線構成部とに跨る形成範囲とすることが想定されるものの、そうすると共通電極２５におけるタッチ配線重畳開口部の開口面積が大きくなり過ぎるとともに、画素重畳開口部２５Ａなどとの配置効率が悪化するなどに起因して電気抵抗値が高くなることが懸念される。その点、本実施形態では、共通電極３２５の電気抵抗値が過大になることが避けられるから、表示品位及び位置検出に係る感度がいずれも良好なものとなる。
【００５５】
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図１５または図１６によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態４からタッチ配線４３１の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態４と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５６】
本実施形態に係るタッチ配線４３１は、図１５及び図１６に示すように、一対の第１配線構成部４３９同士を繋ぐ第３配線構成部４４１が特定の箇所のみに設けられた構成とされる。詳しくは、第３配線構成部４４１は、共通電極４２５を複数のタッチ電極４３０に分割する仕切開口部４２５ＢにおけるＸ軸方向に沿って延在する部分と重畳する位置のみに選択的に配されており、仕切開口部４２５Ｂとは非重畳となる位置には非配置とされる。共通電極４２５の仕切開口部４２５Ｂ付近では、仕切開口部４２５Ｂ付近に配されたゲート配線４２６と画素電極４２４との間の電界が表示に悪影響を及ぼすおそれがある。その点、上記のようにタッチ配線４３１を構成する第３配線構成部４４１が仕切開口部４２５Ｂの一部と重畳するよう配されることで、上記したゲート配線４２６からの電界を遮蔽することができ、もって仕切開口部４２５Ｂ付近に表示不良が生じ難くなる。
【００５７】
以上説明したように本実施形態によれば、第３配線構成部４４１は、ゲート配線４２６に並行していて仕切開口部４２５Ｂの一部と重畳するよう配される。このようにすれば、ゲート配線４２６に伝送される走査信号に基づいてＴＦＴ４２３が駆動されると、ソース配線４２７に伝送される信号が画素電極４２４に供給されて画素電極４２４が所定の電位に充電される。充電された画素電極４２４と、画素電極４２４に対して層間絶縁膜を介して少なくとも一部が重畳する共通電極４２５と、の間には、電位差が生じ得るものとされ、その電位差を利用して表示がなされる。共通電極４２５を分割して複数のタッチ電極４３０が構成されているので、仮に共通電極４２５とは別の層にタッチ電極を設けた場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。その一方、共通電極４２５の仕切開口部４２５Ｂ付近では、仕切開口部４２５Ｂ付近に配されたゲート配線４２６と画素電極４２４との間のからの電界が表示に悪影響を及ぼすおそれがある。その点、タッチ配線４３１を構成する第３配線構成部４４１は、ゲート配線４２６に並行していて仕切開口部４２５Ｂの一部と重畳するよう配されているので、上記したゲート配線４２６からの電界を遮蔽することができ、もって仕切開口部４２５Ｂ付近に表示不良が生じ難くなる。
【００５８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、ソース配線とタッチ配線とが同一材料からなる場合を示したが、ソース配線とタッチ配線とが同層に配されるものの異なる材料からなる構成であっても構わない。
（２）上記した各実施形態では、ソース配線とタッチ配線とが同層に配される場合を示したが、ソース配線とタッチ配線とが異なる層に配されていても構わない。その場合は、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第３金属膜を積層配置し、ソース配線などが第２金属膜からなり、タッチ配線が第３金属膜からなるようにすればよい。
（３）上記した各実施形態では、ソース配線及びタッチ配線と画素電極とが同層に配される場合を示したが、ソース配線及びタッチ配線と画素電極とが異なる層に配されていても構わない。その場合は、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにすればよい。さらには、ソース配線とタッチ配線と画素電極とがそれぞれ異なる層に配されていても構わない。
（４）上記した各実施形態では、タッチ配線がＸ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極に対して個別に設置された場合を示したが、タッチ配線がＸ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極のうち、特定の画素電極に対してのみ選択的に配置されていても構わない。その場合、例えば青色カラーフィルタと重畳していて青色画素部を構成する画素電極に対してのみ選択的にタッチ配線を配置することができるが、それ以外にもどの画素電極に対してタッチ配線を配置するかは適宜に変更可能である。
（５）上記した各実施形態では、画素電極に対してＸ軸方向について一端側と他端側とにそれぞれ偏在する一方のＴＦＴと他方のＴＦＴとがジグザグ状に配される構成を例示したが、Ｙ軸方向について隣り合う複数のＴＦＴがＹ軸方向に沿って直線状に配される構成を採ることも可能である。その場合、ＴＦＴは、画素電極に対してＸ軸方向について一端側または他端側のいずれかに偏在していてもよいが、偏在しない構成であってもよい。
（６）上記した実施形態１，２，４，５に記載された構成（ブリッジ配線がＴＦＴを横切る構成）において、上記した（５）の構成を採った場合には、ブリッジ配線の接続対象は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の一方の第１配線構成部と、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の他方の第１配線構成部と、のいずれかになる。
（７）上記した実施形態１，２，４，５では、ＴＦＴを横切るブリッジ配線が第２透明電極膜からなる場合を示したが、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにした場合には、ＴＦＴを横切るブリッジ配線が第１透明電極膜からなるようにしても構わない。
（８）上記した実施形態３では、ブリッジ配線が第２透明電極膜からなる場合を示したが、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにした場合には、画素電極を横切るブリッジ配線が第１金属膜または第２金属膜からなるようにしても構わない。
（９）上記した実施形態１，２，４，５に記載したＴＦＴを横切るブリッジ配線と、実施形態３に記載した画素電極を横切るブリッジ配線と、を併用することも可能である。
（１０）上記した各実施形態では、ＴＦＴが自身に対してＹ軸方向について図２などに示す上側の画素電極に接続される構成を示したが、ＴＦＴが自身に対してＹ軸方向について図２などに示す下側に隣り合う画素電極に接続されていても構わない。
（１１）上記した各実施形態以外にも、タッチ電極とタッチ配線とを接続するためのコンタクトホールの具体的な平面配置は、適宜に変更可能である。
（１２）上記した各実施形態に記載した技術事項を適宜に組み合わせることも勿論可能である。
（１３）上記した各実施形態では、遮光部がＣＦ基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
（１４）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜は、ポリシリコンであっても構わない。その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするのが好ましい。
（１５）上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
（１６）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
（１７）上記した実施形態では、液晶表示装置（液晶パネルやバックライト装置）の平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
（１８）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされた液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。
（１９）上記した各実施形態では、ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とは、ゲート絶縁膜上に形成されるが、その積層順序は問わない。ＴＦＴのドレイン電極が画素電極の上層側であってもよいし、その逆であってもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１０…液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）、２３，４２３…ＴＦＴ（導電性構造物、スイッチング素子）、２４，２２４，３２４，４２４…画素電極（導電性構造物）、２５，１２５，２２５，３２５，４２５…共通電極、２５Ｂ…仕切開口部、２６，４２６…ゲート配線（走査配線）、２７，４２７…ソース配線（信号配線）、３０，１３０，２３０，３３０，４３０…タッチ電極（位置検出電極）、３１，１３１，２３１，３３１，４３１…タッチ配線（位置検出配線）、３７，２３７…層間絶縁膜（絶縁膜）、３９，２３９，３３９，４３９…第１配線構成部、３９Ａ，３３９Ａ…第２配線構成部非接続端部（非接続とされる端部）、３９Ｂ…第３配線構成部非接続端部（同じ側の端部）、３９Ｌ…他方の第１配線構成部、３９Ｒ…一方の第１配線構成部、４０，３４０…第２配線構成部、４１，２４１，４４１…第３配線構成部、４２，２４２…タッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）、４３，３４３…タッチ配線重畳開口部（位置検出配線重畳開口部）、４４，１４４，２４４，３４４…ブリッジ配線、４５，１４５，２４５…コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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