(57)【要約】【課題】半導体検査装置において、従来の方法では、レーザーダイオード素子（ＬＤ素子）とＬＤ素子を搭載する固定ステージが直接接触する状態でＬＤ素子の移動を行うため、ＬＤ素子を移動させると固定ステージに傷、あるいは摩耗が発生するという問題があった。【解決手段】半導体検査装置で被検査体であるレーザーダイオード素子（ＬＤ素子）の検査を行う際、位置合わせ部が有する固定ステージ上にＬＤ素子を搭載するに際し、この固定ステージ上にまず薄膜フィルムを搭載し、その上にＬＤ素子を載置して、前記固定ステージ上で前記ＬＤ素子を移動させて位置決めを行い、その後、使用した薄膜フィルムを抜き取る。【選択図】図１
2019190981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体であるレーザーダイオード素子を載置する固定ステージと、内縁で前記レーザーダイオード素子に接する矩形状の穴を持ち、前記固定ステージの表面に沿って非接触状態で移動する枠体と、を有する位置合わせ部、
前記レーザーダイオード素子に通電する電極と、当該レーザーダイオード素子から発光したレーザー光を受光する受光器と、を有する測定部、
を備えた半導体検査装置におけるレーザーダイオード素子の位置決め方法であって、
前記固定ステージ上に搭載されたレーザーダイオード素子に通電し、発光したレーザー光を前記受光器で受光して当該レーザー光のパワー値を計測する位置での電気的特性検査を行うため、
前記レーザーダイオード素子よりも前記固定ステージの表面との隙間距離が大きい状態にした前記枠体を前記レーザーダイオード素子に接しさせつつ移動することにより、前記固定ステージの表面から離間した状態の前記レーザーダイオード素子を、前記発光したレーザー光のパワー値を計測する位置まで前記固定ステージの表面に沿って移動させて、前記レーザーダイオード素子の位置合わせを行うことを特徴とするレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項２】
前記レーザーダイオード素子を前記固定ステージに載置する前に、前記固定ステージ上に薄膜フィルムを搭載した後、当該薄膜フィルム上に前記レーザーダイオード素子を載置し、計測した前記発光したレーザー光のパワー値が、規定の値となる位置である位置合わせ完了位置まで、前記固定ステージ上で、前記枠体により前記レーザーダイオード素子を移動させた後、前記薄膜フィルムを抜き取って、前記レーザーダイオード素子の位置決めを完了することを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項３】
前記レーザーダイオード素子には固定磁石が内蔵されるとともに、前記固定ステージには電磁石が内蔵されており、
前記固定ステージ上にて前記レーザーダイオード素子の位置決めを行う際に、前記電磁石を作動させて前記レーザーダイオード素子を浮遊させた状態で前記レーザーダイオード素子の位置決めを行うことを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項４】
前記レーザーダイオード素子を前記固定ステージに載置する前に、前記固定ステージに加熱装置を内蔵するとともに、当該固定ステージ上にドライアイスシートを搭載した後、前記ドライアイスシートの上に前記レーザーダイオード素子を載置し、計測した前記発光したレーザー光のパワー値が、規定の値となる位置である位置合わせ完了位置まで、前記固定ステージ上で、前記枠体により前記レーザーダイオード素子を移動させた後、前記加熱装置にてドライアイスシートを気化させて、前記レーザーダイオード素子の位置決めを完了することを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項５】
前記固定ステージは表面が面粗化加工されており、前記レーザーダイオード素子は前記固定ステージの表面から部分的に離間した状態で前記レーザーダイオード素子の位置決めを行うことを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項６】
前記レーザーダイオード素子を前記固定ステージに載置する前に、前記固定ステージに加熱装置および冷却装置を内蔵し、前記固定ステージ上に液体金属を搭載した後、前記レーザーダイオード素子を前記固定ステージに載置して、前記加熱装置を稼動させ、前記冷却装置の動作を停止させつつ、前記レーザーダイオード素子の位置決めを行い、位置決め完了後に前記冷却装置で前記液体金属を固化させることを特徴とする請求項１に記載のレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【請求項７】
被検査体であるレーザーダイオード素子から発光したレーザー光を受光する受光器を有して前記レーザーダイオード素子の電気的特性検査を行うための測定部、
複数の通気孔を持ち空気圧縮機を内蔵するとともに前記レーザーダイオード素子を載置する固定ステージを有し、当該固定ステージ上で前記レーザーダイオード素子の位置合わせを行う位置合わせ部、
を備えた半導体検査装置におけるレーザーダイオード素子の位置決め方法であって、
前記固定ステージ上に載置した前記レーザーダイオード素子を、前記空気圧縮機を動作させて前記固定ステージの表面まで圧縮空気を噴出させることにより前記固定ステージの表面から離間した状態とした後、
前記レーザーダイオード素子に通電し発光したレーザー光を前記受光器で受光して当該レーザー光のパワー値を計測する位置まで、前記レーザーダイオード素子を前記固定ステージの表面に沿って移動させて位置合わせを行った後、前記空気圧縮機の動作を停止させることを特徴とするレーザーダイオード素子の位置決め方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体検査装置におけるレーザーダイオード素子の位置決め方法に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体検査装置においては、従来、レーザーダイオード素子（Laser Diode素子。以下では、簡略してＬＤ素子とも呼ぶ）を１個ずつ取り出して、平坦で滑らかな検査ステージ(固定ステージ)上に面接触させた状態で搭載し、その平滑な固定ステージ上にて、矩形状の穴のある枠体と呼ばれる板を前後左右に移動させて、前記ＬＤ素子の位置決めを行っている。
【０００３】
この位置決め方法における位置決め工程は、その後の工程であるＬＤ素子の電気的特性検査を行う際の、ＬＤ素子の発光点を一定の位置に合わせる工程のために行う重要な工程であり、この検査装置を使用することで、ＬＤ素子のサイズのばらつきにかかわらず、ＬＤ素子の位置決めを行うことにより、発光点位置を合わせることが出来ていた。
【０００４】
しかしながら、この検査装置を用いて、検査対象となる多数のＬＤ素子の位置決め操作を行うことにより、検査装置の固定ステージ表面の傷あるいは摩耗が発生し、これにより電気的特性検査における測定バラツキが発生するなど、問題が生じている。
【０００５】
従来、一の固体の表面に他の個体が多数回摺動することで、前記一の固体の表面に発生する傷あるいは摩耗を防止する方法として、一般的に以下の例が挙げられる。
まず、第１に、光磁気記録媒体において、記録磁性層を保護膜(滑性シート)で覆うことを特徴とした媒体の耐久性を確保する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ウエハーの搬送装置において、磁気レールを用いてウエハーポッドを非接触で搬送させる為の装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。また、固体粒子の表面をドライアイスで被覆して固体粒子を移動させる為の装置が開示されている（例えば、特許文献３参照）。さらに、軸受装置で転がり軸受の潤滑剤として液体金属を使用することが開示されている（例えば、特許文献４参照）。
一方、試験装置において、検査装置ではなく、被検査体の傷付き防止を図る技術が開示されている（例えば、特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１２７３６号公報
【特許文献２】特表２００５−５０８０８５号公報
【特許文献３】特開昭５６−１６６９０１号公報
【特許文献４】特開平４−１４７４２号公報
【特許文献５】特開２００８−３０９６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上説明したように、従来のＬＤ素子の検査において、ＬＤ素子の固定ステージ面での位置決めは、その後の工程である電気的特性検査、例えばＬＤ素子の発光パワーの測定を行う際に重要となる。しかし、ＬＤ素子の位置決め操作を何度も行うことにより、検査装置の固定ステージ表面の傷あるいは摩耗が発生し、これにより電気的特性検査における測定バラツキが発生するなど、問題が生じている。そこで、まず、ＬＤ素子の検査において使用されている位置決め方法について、図７を用いて以下説明する。
【０００８】
図７は、ＬＤ素子の電気特性検査装置におけるＬＤ素子の位置決めを行う際の概要を説明するための図である。電気特性の検査の際には、図７（ｂ）の測定部の図に示したように、電極４を用いてＬＤ素子に電流を印加し、その際にＬＤ素子から出射される出射光（図中、一点鎖線で示された発光中心線６により、その光路を概念的に示す。Ｂ矢視図に示すＬＤ素子の上端中央部にあるＬＤ素子の出射点６ａ参照）を受光器５で受光することにより、個々のＬＤ素子の電気特性である発光パワー等を自動的に測定する。
この場合においては、個々のＬＤ素子の発光パワーを精度よく測定するためには、受光器５内での受光位置が指定される寸法範囲内にあることなどが必要となる。そのために、図７（ａ）の位置合わせ部の図に示したように、枠体２により、固定ステージ１上に設置されたＬＤ素子を固定ステージ１上の規定された位置範囲内に位置決めし、その位置決めした位置で、電気特性の検査を行う必要がある。以下、図７（ａ）、図７（ｂ）の各図について、その詳細説明を行う。なお、固定ステージ１上での規定の位置範囲は±１０μｍ程度が必要である。
【０００９】
図７（ａ）は、この検査装置の位置合わせ部を説明するための図である。上段の２つの図は、ＬＤ素子の位置決め時の検査直前、および検査中の検査に供される検査装置の主要部と被検査体であるＬＤ素子の斜視図を示している。また、下段の２つの図は、これら上段の２つの図にそれぞれ対応する、Ａ矢視図を示す。
【００１０】
図７（ａ）の上段の２つの図のうち、左側の図には、ＬＤ素子の位置決めのため、上記検査装置の固定ステージ１上に載置された被検査体であるＬＤ素子３が示されている。右側の図には、これらに加え、ＬＤ素子３を固定ステージ１上の規定位置に位置決めするために用いられる枠体２を示している。
また、この図において、一点鎖線はＬＤ素子の発光中心線６（通常、ＬＤ素子の上端部の中央位置にある）を示しており、白抜き矢印は、ＬＤ素子３の位置決めの際に、枠体２が固定ステージ１上の所定高さ位置（固定ステージ表面から距離Ｌ１（≒０．５〜０．６ｍｍ）だけ離れた高さ位置。対応する下段の図参照）である測定時の初期設定位置に設定されるまでの移動軌跡、すなわち、測定前の待機位置から測定時の初期設定位置までの移動軌跡を概念的に示している。枠体２には、この図に示すように、検査時にＬＤ素子３を移動させて位置決めするために用いる矩形状の穴が、ＬＤ素子３を囲うように、枠体先端部分に形成されている。
この場合において、固定ステージ１表面から枠体の下端面までの距離（固定ステージ１表面と枠体下表面間の離間距離）は、固定ステージ１表面からＬＤ素子の下端面までの距離（固定ステージ１表面とＬＤ素子の下表面間の離間距離）より大きくなるよう設定されている（以下同様）。
なお、通常、固定ステージ１表面から枠体の上端面までの距離は、固定ステージ１からＬＤ素子の上端面までの距離より大きくなるように設置される。なお、使用される枠体の厚さは約１ｍｍである。
【００１１】
図７（ｂ）は、検査装置の測定部の説明図である。ＬＤ素子３を所定の位置に位置決め後、電気特性を測定する際には、ＬＤ素子３に電極４を介して電流が印加され、図７（ｂ）のＢ矢視図に示すように、受光器５のほぼ中心位置で受光したＬＤ素子３からの出射光（矢印Ｃは進行方向を示す）によりＬＤ素子の発光パワー等の電気特性を自動的に測定する。
【００１２】
以上図７を用いて説明したように、従来のＬＤ素子の位置決め方法では、枠体を用いて、位置決めの際に被検査体であるＬＤ素子を固定ステージ上に載置し、その後、枠体に形成された穴の内周面をＬＤ素子の外側面に接触させ、固定ステージの表面に沿って、このＬＤ素子を移動させ、位置決めしている。つまり、ＬＤ素子の検査の度に、ＬＤ素子を直接、固定ステージに接触させて移動させる状態であるため、固定ステージ表面に傷摩耗防止処置を施しているが、多数のＬＤ素子を固定ステージ上で何度も移動させることになるため、固定ステージに傷、あるいは摩耗が発生するという問題があった。
【００１３】
つまり、従来のＬＤ素子の位置決め方法では、位置合わせ工程後に行われる電気的特性検査を容易にするため、該当するＬＤ素子は、固定ステージ上で位置合わせされていた。
このため、最終的に、固定ステージ表面の傷あるいは摩耗により電気的特性検査における測定バラツキが発生する、また、この摩耗により固定ステージの不定期な交換を強いられる、などの問題点が生じていた。
【００１４】
本願は上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、特に、ＬＤ素子の検査において、ＬＤ素子の位置決めに用いる固定ステージに発生する傷、あるいは摩耗の発生を防止することを主目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願に開示されるレーザーダイオード素子の位置決め方法は、
被検査体であるレーザーダイオード素子を載置する固定ステージと、内縁で前記レーザーダイオード素子に接する矩形状の穴を持ち、前記固定ステージの表面に沿って非接触状態で移動する枠体と、を有する位置合わせ部、
前記レーザーダイオード素子に通電する電極と、当該レーザーダイオード素子から発光したレーザー光を受光する受光器と、を有する測定部、
を備えた半導体検査装置におけるレーザーダイオード素子の位置決め方法であって、
前記固定ステージ上に搭載されたレーザーダイオード素子に通電し、発光したレーザー光を前記受光器で受光して当該レーザー光のパワー値を計測する位置での電気的特性検査を行うため、
前記レーザーダイオード素子よりも前記固定ステージの表面との隙間距離が大きい状態にした前記枠体を前記レーザーダイオード素子に接しさせつつ移動することにより、前記固定ステージの表面から離間した状態の前記レーザーダイオード素子を、前記発光したレーザー光のパワー値を計測する位置まで前記固定ステージの表面に沿って移動させて、前記レーザーダイオード素子の位置合わせを行うものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願に開示されるレーザーダイオード素子の位置決め方法によれば、レーザーダイオード素子の位置決めに用いる固定ステージの表面にＬＤ素子３が直接接触しないため、当該固定ステージには傷、あるいは摩耗が発生することはない。従って、本半導体検査装置を用いてレーザーダイオード素子の電気的特性検査を行った場合に、測定値のバラツキを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態１に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図２】実施の形態２に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図３】実施の形態３に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図４】実施の形態４に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図５】実施の形態５に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図６】実施の形態６に係る半導体検査装置の固定ステージ部の斜視図およびＡ矢視図である。
【図７】本願の課題を説明するための半導体検査装置の固定ステージ部の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下図を用いて、本願のレーザーダイオード素子の位置決め方法について説明する。
実施の形態１．
図１は、被検査体であるレーザーダイオード素子３（ＬＤ素子３）を搭載した、本実施の形態１の半導体検査装置の固定ステージの主要部を示す斜視図（上の段。図１（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図１（ｂ））である。また、図１（ａ）、図１（ｂ）とも、左から右へ順にそれぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００１９】
まず、図１の位置決め前の動作について説明する。図１の一番左側の図に示すように、複数の通気孔１５が設けられた固定ステージ１ａ上には、プラスチック製の薄膜フィルム７（以下では、単に、薄膜フィルム７と呼ぶ）が設置され、その上面にＬＤ素子を搭載して位置決めを行う。すなわち、薄膜フィルム７を固定ステージ１ａ上に予め搭載し、ＬＤ素子３の供給エリアより、ＬＤ素子１個をこの薄膜フィルム７上に搭載し、結果的に固定ステージ１ａとＬＤ素子３とで薄膜フィルム７を挟んだ状態で、お互いに面接触させる。ここで、通気孔１５の部分の空気圧は、調整可能となっている。
この図において、通気孔１５の部分の空気圧が大気圧未満に設定され、薄膜フィルム７は、固定ステージ１ａ上に密着する。この密着した薄膜フィルム７上に、検査対象のＬＤ素子３が置かれる。
なお、この際、位置合わせのための枠体２は、固定ステージから離れた待機位置に待機しており、位置決め動作の開始に合わせて、固定ステージ１ａ上の初期設定位置に移動する。
【００２０】
次に、図１の位置決め中の動作について説明する。図１の中央の図中に白抜き矢印で示すように、枠体２が待機位置から初期設定位置へ移動して静止する。このとき、検査対象のＬＤ素子３は、固定ステージ１ａに密着した薄膜フィルム７の表面上で、枠体２の矩形状の穴の内側に配置されている。
ここで、枠体２は、図１（ａ）に示す高さ方向（図１（ａ）のｚ方向）において、固定ステージ１ａの表面から離れた高さ位置（図１（ｂ）参照中）で、この固定ステージ１ａの表面と平行になるように設置される。また、この図１（ｂ）に示したように、枠体２は、固定ステージ１ａに密着した薄膜フィルム７からも離れた高さ位置に設置されている。この場合において、薄膜フィルム７の厚さは、枠体２との干渉が生じないようにするため、２０μｍ以下程度であることが望ましい。
【００２１】
その後、枠体２を上記固定ステージ１ａの表面（この表面の座標として、互いに直交する位置座標ｘ、ｙを取る。またｘ、ｙの両座標に直交する座標をｚとする。詳細は後述。図１参照）に沿って、枠体２をｘ方向（図１（ｂ）の左右方向）、およびｙ方向（図１（ａ）の発光中心線６に沿った方向である前後方向）順次移動させることにより、ＬＤ素子３を順次移動させて前記固定ステージ上に搭載されたレーザーダイオード素子に通電し、ＬＤ素子３の（図示しない）電極４を通じて電流が通電され、発光したレーザー光（図７の出射点６ａ、及び一点鎖線で示された出射光の光路を示す発光中心線６参照）を図７に示した受光器５で受光して、そのパワーの値を計測する位置（以降、この位置を「位置合わせ位置」と呼ぶ）まで移動する。そして、この計測したパワーの値が規定の値となる位置（以降、この位置を「位置合わせ完了位置」と呼ぶ）までレーザーダイオード素子を移動させて位置決めを完了する位置決めの動作を行う。
この際、枠体２の形成された矩形穴の内周面（４辺のうち隣接する２面）をＬＤ素子３の外周側面に接触させることにより、枠体２をＬＤ素子３に押し付けつつ、薄膜フィルム７上を移動させ、位置合わせ完了位置（例えば、パワー値がｘｙ座標軸上で最大となる位置など）まで移動したら、ｘ、ｙ座標上でのＬＤ素子３の移動を停止させ、ＬＤ素子３の位置決めは完了する。
【００２２】
ＬＤ素子３の位置決めが終了すると、ＬＤ素子はその位置決めを終了した位置で枠体２により保持される。一方、薄膜フィルム７は、その後、通気孔１５の部分の空気圧が大気圧以上に設定されることで、固定ステージ１ａとの密着状態から解放され、このタイミングで、ピンセット２０により、固定ステージ１ａ外に取り出される。このようにして、位置決めされたＬＤ素子３の位置がずれないように、薄膜フィルム７を固定ステージ１ａから抜き取る。
その後、枠体２は、元の待機位置に移動し、ＬＤ素子３の位置決め操作は終了する（図１の一番右側の位置決め後の図を参照）。
【００２３】
以上説明したように、ＬＤ素子３を位置合わせする際に、薄膜フィルム７を利用することで、固定ステージ１ａとＬＤ素子３とが直接、接触していない状態で位置合わせするので、ＬＤ素子３が直接接触する薄膜フィルム７にはＬＤ素子（裏面）による傷が入るが、固定ステージ１ａの表面にはＬＤ素子３が直接接触しないため、傷が発生しない。すなわち、ＬＤ素子３が固定ステージ１ａの表面を削るようなことはなく、結果として固定ステージ１ａに摩耗が発生することはない。
【００２４】
実施の形態２．
図２は、図１と同様、被検査体であるＬＤ素子を搭載した、本実施の形態２の半導体検査装置の固定ステージの主要部を示す斜視図（上の段。図２（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図２（ｂ））である。また、図２（ａ）、図２（ｂ）とも、左から右へ順に、それぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００２５】
以下では、実施の形態１と異なるレーザーダイオード素子３ａの位置決め方法の内容を中心にして、その詳細について、この図２を基に説明する。なお、実施の形態１と異なり、実施の形態２では、ＬＤ素子３ａの位置決めに当たり薄膜フィルムは使用しない。
【００２６】
図２に示すように、ＬＤ素子３ａの内部であって固定ステージ１ｂに対向する面の近傍には、固定磁石８が組み込まれている。一方、固定ステージ１ｂにおいては、ＬＤ素子３ａ内部の固定磁石８の一面と相対するように、固定ステージ１ｂの内部に電磁石９が組み込まれている。このように、内部に固定磁石８を有するＬＤ素子３ａが、固定ステージ１ｂ上に搭載される。枠体２は当初は、待機位置で待機し、位置合わせ時に固定ステージ１ｂ上の初期設定位置に移動する。
【００２７】
まず、位置決め前の動作について説明する。図２の一番左側の図に示すように、固定ステージ１ｂ上には、内部に固定磁石８を有するＬＤ素子３ａが、ＬＤ素子の供給エリアより１個供給され、内部に電磁石９を有する固定ステージ１ｂ上に搭載されている。この場合において、電磁石９には電流は未だ印加されていない。
【００２８】
次に、位置決め中の動作について説明する。図２の上段図中の白抜き矢印で示すように、枠体２が待機位置から初期設定位置まで移動して静止する。その直後に、検査対象のＬＤ素子３ａが、固定ステージ１ｂに内蔵された電磁石に電流が印加され、このとき電磁石９に発生する磁力に対して、ＬＤ素子３ａに内蔵した固定磁石８が反発して固定ステージ１ｂから微小距離（５０μｍ程度）離れて浮き上がる（図のＡ矢視図中の上向き矢印参照。電磁石に電流を通電して作動させた場合に、ＬＤ素子３ａが固定ステージ１ｂから浮き上がるように、通電する電流の大きさと電流を流す方向を予め設定し、それに従って操作する）。
【００２９】
この浮遊した状態で、実施の形態１と同様の方法で、枠体２を、ｘ方向およびｙ方向に順次、位置合わせ位置に移動させる。最終的には、ＬＤ素子３ａを位置合わせ完了位置まで移動して、（ｘ、ｙ座標上での）ＬＤ素子３ａの位置決めを完了させる（ここでの詳細説明は省略する）。
【００３０】
最後に、図２の右側に示す位置決め後の図に関する内容について説明する。ＬＤ素子３ａの位置が決まったら枠体を元の待機位置に移動させて、電磁石９の励磁を切る（電磁石のスイッチをオフする）とＬＤ素子３ａが固定ステージ１ｂ上にて位置合わせされた状態になる。
【００３１】
本実施の形態２のレーザーダイオード素子の位置決め方法では、ＬＤ素子３ａを位置合わせする際に固定ステージ１ｂとＬＤ素子３ａが接触していないので、固定ステージ１ｂの表面に傷が発生しない。傷が発生しないことによって、固定ステージの表面が削られることはなく、固定ステージの摩耗は発生しない。
【００３２】
実施の形態３．
図３は、図１と同様、被検査体であるＬＤ素子を搭載した、本実施の形態３の半導体検査装置の固定ステージの主要部を示す斜視図（上の段。図３（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図３（ｂ））である。また、図３（ａ）、図３（ｂ）とも、左から右へ順に、それぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００３３】
以下では、実施の形態１と異なるレーザーダイオード素子の位置決め方法の内容を中心にして、その詳細について、この図３を基に説明する。なお、実施の形態１と異なり、実施の形態３でも、ＬＤ素子の位置決めに当たり、薄膜フィルムは使用せず、これに代わるドライアイスシート１１（厚さ４０〜５０μｍの薄板状）を使用する。
【００３４】
図３に示すように、固定ステージ内部には、固定ステージ表面近傍を加熱するための加熱装置１０が内蔵されている。まずＬＤ素子３の供給エリアより、ＬＤ素子３を１個、固定ステージ上に搭載する。この際、固定ステージ１ｃとＬＤ素子３とで、ドライアイスシート１１を挟んだ状態で、固定ステージ１ｃとＬＤ素子３とドライアイスシート１１は、互いに面接触しているものとする。枠体２は待機位置に待機し、位置合わせ時に固定ステージ１ｃ上の初期設定位置に移動する。
【００３５】
予め加熱装置１０に流す電流を切断しておく。ＬＤ素子３を固定ステージ１ｃ上に搭載し、固定ステージ１ｃ上の位置に合わせて、枠体２にてＬＤ素子３を位置合わせ完了位置まで移動する。ＬＤ素子３の位置合わせは、ドライアイスシート１１上にて滑らかに滑らせることにより行う。位置合わせが終わったら、枠体２を元の待機位置に移動させて、加熱装置１０の電源を入れ、加熱すると、ドライアイスシート１１が素早く気化して、固定ステージ１ｃ上にはＬＤ素子３のみが位置合わせされた状態で残る。
【００３６】
ＬＤ素子を位置合わせする際に、固定ステージ１ｃとＬＤ素子３が接触していないので、ドライアイスシート１１面には、ＬＤ素子３の裏面による傷は入るが、固定ステージ表面には直接、傷が発生しない。ドライアイスシート１１は気化するため、装置への影響は残らない。傷が発生しないため、固定ステージ表面が削られることはなく、固定ステージには摩耗が発生しない。
【００３７】
実施の形態４．
図４は、図１と同様、被検査体であるＬＤ素子を搭載した、本実施の形態３の半導体検査装置の固定ステージ１ｄの主要部を示す斜視図（上の段。図４（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図４（ｂ））である。また、図４（ａ）、図４（ｂ）とも、左から右へ順に、それぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００３８】
以下では、実施の形態１と異なるレーザーダイオード素子の位置決め方法の内容を中心に、その詳細について、図４を基に説明する。なお、実施の形態１と異なり、実施の形態４でも、ＬＤ素子の位置決めに当たり、薄膜フィルムは使用しない。
【００３９】
図４に示すように、固定ステージ１ｄは表面が粗化されている（表面が面粗化加工され、凹凸形状となっている凹凸表面１２を持つ）。ＬＤ素子３の供給エリアより、ＬＤ素子１個を固定ステージ１ｄ上に搭載する。この際、ＬＤ素子３は固定ステージ１ｄ表面から部分的に離間した状態にある。また、枠体２は待機位置に待機し、ＬＤ素子の位置合わせ時に固定ステージ１ｄ上の初期設定位置に移動する。
【００４０】
固定ステージ１ｄ上に搭載されたＬＤ素子３を実施の形態１と同様に、枠体２にて位置合わせ完了位置まで移動して、ＬＤ素子３の位置決めを完了する。ＬＤ素子３の位置決めが完了したら、枠体２を元の待機位置に移動させる。
【００４１】
ＬＤ素子を位置合わせする際に、通常であれば、ＬＤ素子３の裏面によって固定ステージ表面に傷摩耗が発生するが、固定ステージはＬＤ素子の検査当初より粗化してあり、新たな傷の発生は、ほとんど無い。傷の発生がほとんどないため、固定ステージ表面がＬＤ素子によって削られる量は微小であり、従って摩耗の発生もきわめて少ない。
【００４２】
実施の形態５．
図５は、図３と同様、被検査体であるＬＤ素子を搭載した、本実施の形態５の半導体検査装置の固定ステージ１ｅの主要部を示す斜視図（上の段。図５（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図５（ｂ））である。また、図５（ａ）、図５（ｂ）とも、左から右へ順に、それぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００４３】
以下では、実施の形態３と異なるレーザーダイオード素子の位置決め方法の内容を中心に、その詳細について、図５を基に説明する。なお、実施の形態３と異なり、実施の形態５では、固定ステージ１ｅは、加熱装置１０に加え、冷却装置１４を内蔵している。また、ＬＤ素子３と固定ステージ１ｅ間には、ドライアイスシートではなく、液体金属１３が挟まれている。なお、この液体金属１３は、液体金属の保持体１３ａ（以下、保持体１３ａと呼ぶ）で周囲を保持されているが、液体金属１３が液体状態の場合には、その表面張力の影響により、固定ステージ１ｅの表面、およびＬＤ素子３の表面には直接、液体金属１３が接している。
【００４４】
図５に示すように、固定ステージ１ｅには、加熱装置１０と冷却装置１４が内蔵されている。ＬＤ素子３の供給エリアより、ＬＤ素子１個を固定ステージ１ｅ上に搭載する。固定ステージ１ｅとＬＤ素子３との間には液体金属１３が挟まれている。この際、枠体２は待機位置に待機し、位置合わせ時に固定ステージ１ｅ上の初期設定位置に移動する。
【００４５】
まず、位置決め前（図５の左側の図参照）においては、予め冷却装置１４が稼働している状態であり、液体金属１３が固化されている状態である。この際、供給エリアよりＬＤ素子１個が固定ステージ１ｅ上に搭載される。
【００４６】
次に、位置決め中（図５の中央の図参照）においては、上記「位置決め前」の動作終了後、直ぐに、冷却装置１４を停止して加熱装置１０を稼働させる。そうすると、固化した液体金属１３が液体となり、枠体２を固定ステージ１ｅ上の位置に合わせて枠体２にてＬＤ素子の位置合わせを行う。このとき、液体金属の表面張力の影響で、厚さ方向に関して、液体金属１３は保持体１３ａより膨らんだ状態になっており、保持体１３ａがＬＤ素子３および固定ステージ１ｅと接することなく、液体金属１３が直接、ＬＤ素子３および固定ステージ１ｅと接する状態となっている。従って、ＬＤ素子３は、液体状の液体金属１３上にて滑らかに滑って位置合わせを行う。
【００４７】
最後に、位置決め後（図５の右側の図参照）においては、枠体２を元の待機位置に移動させて、加熱装置１０を停止し、冷却装置１４の電源を入れ冷却すると、液体金属１３が固化して固定ステージ１ｅ上にはＬＤ素子３が位置合わせされた状態で固定される。
【００４８】
ＬＤ素子を位置合わせする際に固定ステージとＬＤ素子が接触していないので、固定ステージ表面に傷が発生しない。液体金属には傷が発生しない。傷が発生しないことによって、固定ステージ表面を削っておらず、摩耗が発生しない。
【００４９】
実施の形態６．
図６は、図１と同様、被検査体であるＬＤ素子を搭載した、本実施の形態６の半導体検査装置の固定ステージ１ｆの主要部を示す斜視図（上の段。図６（ａ））およびＡ矢視図（下の段。図６（ｂ））である。また、図６（ａ）、図６（ｂ）とも、左から右へ順に、それぞれ、位置決め前、位置決め中、及び位置決め後の状態を示す図を示したものである。
【００５０】
以下では、実施の形態１と異なるレーザーダイオード素子の位置決め方法の内容を中心に、その詳細について、図６を基に説明する。なお、実施の形態１と異なり、実施の形態６では、ＬＤ素子の位置決めに当たり、枠体２、および薄膜フィルムは使用しない。また、実施の形態１と異なり、固定ステージ１ｆ上には、（少なくとも実施の形態１よりも２桁以上多い）無数の通気孔１５が一面に設けられている。この通気孔１５には、空気圧縮機から、流量を制御された後の圧縮空気１６が、下方から送られてきて、固定ステージ１ｆの表面に流れ出るようになっている。
【００５１】
まず、位置決め前（図６の左側の図参照）においては、圧縮空気流は停止しており、その状態でＬＤ素子の供給エリアよりＬＤ素子３を、１個取り出して固定ステージ１ｆ上に搭載する。
【００５２】
次に位置決め中（図６の中央の図参照）においては、ＬＤ素子３の位置決めに際して、空気圧縮機を動作させて、固定ステージ１ｆ下部より、微量の空気を噴出させて固定ステージ１ｆ表面まで吹き出し、ＬＤ素子３が落下しないようにＬＤ素子３の周囲の圧縮空気１６の流量を多少増加させる。次に、圧縮空気１６の流量を制御してＬＤ素子３を移動したい方向と反対側の圧縮空気１６の流量を増加させ、ＬＤ素子３が位置を移動するように圧縮空気１６の流量を制御し、ＬＤ素子３を目的の位置に到達させる。
【００５３】
最後に位置決め後（図６の右側の図参照）においては、ＬＤ素子３が目的の位置に到達したことを確認して、空気圧縮機の動作を停止し、固定ステージ１ｆ上にＬＤ素子３を下ろす。
【００５４】
以上説明したように、ＬＤ素子を位置合わせする際、固定ステージ１ｆとＬＤ素子３が接触しないので、固定ステージ表面に傷が発生しない。傷が発生しないので、ＬＤ素子３が固定ステージ１ｆ表面を削ることはなく、従って、摩耗は発生しない。
【００５５】
なお、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ  固定ステージ、２  枠体、３、３ａ  レーザーダイオード素子（ＬＤ素子）、４  電極、５  受光器、６  発光中心線、６ａ  出射点（発光中心点）、７  薄膜フィルム、８  固定磁石、９  電磁石、１０  加熱装置、１１  ドライアイスシート、１２  凹凸表面、１３  液体金属、１３ａ  保持体、１４  冷却装置、１５  通気孔、１６  圧縮空気、２０  ピンセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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