(57)【要約】【課題】セラミックス部材の第１の表面における温度特異点となることが抑制され、温度分布の均一性の向上を図る。【解決手段】保持装置は、第１の方向に略直交する第１の表面と、第２の表面とを有し、第１の表面に開口する第１の流路が内部に形成されたセラミックス部材と、第３の表面を有し、第３の表面に開口する第２の流路が内部に形成されたベース部材と、セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、を備える。接合部には、ベース部材の第２の流路に連通する貫通孔が形成されており、セラミックス部材の内部には、第２の表面に開口するとともに貫通孔に連通する第３の流路が形成されている。セラミックス部材の内部に配置され、第１の流路と第３の流路とに連通し、セラミックス部材より気孔率が高い多孔質部を備え、第２の表面における第３の流路の開口部の開口面積は、多孔質部における第１の方向に直交する断面の面積より小さい。【選択図】図４
2019062175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有し、前記第１の表面に開口する第１の流路が内部に形成されたセラミックス部材と、
第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面に対向するように配置されたベース部材であって、前記第３の表面に開口する第２の流路が内部に形成された前記ベース部材と、
前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記接合部には、前記ベース部材の前記第２の流路に連通する貫通孔が形成されており、
前記セラミックス部材の内部には、前記第２の表面に開口するとともに前記貫通孔に連通する第３の流路が形成されており、
さらに、前記セラミックス部材の内部に配置され、前記第１の流路と前記第３の流路とに連通し、前記セラミックス部材より気孔率が高い多孔質部を備え、
前記第２の表面における前記第３の流路の開口部の開口面積は、前記多孔質部における前記第１の方向に直交する断面の面積より小さいことを特徴とする、保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記第１の流路における前記多孔質部側の開口部と前記第３の流路における前記多孔質部側の開口部との少なくとも一方は、前記第１の方向に直交する方向における前記多孔質部の中央寄りに位置していることを特徴とする、保持装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記多孔質部における前記第１の表面側の端部は、前記セラミックス部材を前記第１の方向に等分する中心線より前記第１の表面側に位置していることを特徴とする、保持装置。
【請求項４】
請求項３に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材の前記第２の表面から前記多孔質部までの第２の最短距離は、前記第１の表面から前記多孔質部までの第１の最短距離より長いことを特徴とする、保持装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、
前記セラミックス部材は、前記第１の表面を有し、前記第１の流路が内部に形成された第１のセラミックス部材と、前記第２の表面の少なくとも一部を有し、前記第３の流路が形成された第２のセラミックス部材と、を含み、
前記多孔質部は、前記第１のセラミックス部材と前記第２のセラミックス部材との間に形成されるとともに前記第１の流路と前記第３の流路とに連通する空間内に配置されている、保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際に半導体ウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、接合部を介して互いに接合されたセラミックス部材とベース部材とを備えており、セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の表面（以下、「吸着面」という）に半導体ウェハを吸着して保持する。
【０００３】
静電チャックに保持された半導体ウェハの温度分布が不均一になると、半導体ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックには半導体ウェハの温度分布をできるだけ均一にする性能が求められる。そのため、静電チャックの使用時には、例えば、ヒータ電極による加熱や冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却等によって、セラミックス部材の吸着面の温度制御が行われる。
【０００４】
また、セラミックス部材と半導体ウェハとの間の伝熱性を高めて半導体ウェハの温度分布の均一性をさらに高めるため、セラミックス部材の吸着面と半導体ウェハの表面との間の空間にヘリウム等のガスを供給するための構成を備える保持装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この保持装置では、ベース部材の内部に、ガス源に接続されるガス供給流路が形成され、セラミックス部材の内部に、上記ガス供給流路に連通すると共に吸着面に開口するガス噴出流路が形成されている。ガス源からベース部材のガス供給流路に供給されたガスは、ガス供給流路からセラミックス部材のガス噴出流路に流入し、セラミックス部材の吸着面に開かれた開口（噴出口）から吸着面と半導体ウェハの表面との間の空間に供給される。
【０００５】
上述したガスを供給するための構成を備える保持装置では、セラミックス部材におけるベース部材に対向する表面に、ガス噴出流路が開口する底面を有する凹部が設けられる。凹部内を経由したセラミックス部材とベース部材との間の放電やガスの放電の発生を抑制するため、凹部内に、セラミックス部材より気孔率が高い多孔質部（「通気性プラグ」とも呼ばれる）が充填される。ベース部材のガス供給流路に供給されたガスは、凹部内に充填された多孔質部の内部を通過して、セラミックス部材のガス噴出流路内に流入することとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−１９５３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した凹部に充填される多孔質部は比較的気孔率が高いため、充填部材の熱伝導率は、比較的緻密なセラミックス部材、ベース部材や接合部の熱伝導率より低い。また、多孔質部が接合部に接触している構成とすると、例えばセラミックス部材とベース部材との接合段階において硬化する前の接合剤が多孔質部の目詰まりの原因になるおそれがある。そこで、従来の保持装置では、接合部による多孔質部の目詰まりを抑制するため、接合部には、多孔質部の下面に対応したサイズの貫通孔が形成されている。すなわち、多孔質部とベース部材との間には接合部やセラミックス部分が介在しておらず、熱伝導率が比較的に低い空洞であって、かつ、比較的大きなサイズの空洞が形成されている。そのため、多孔質部が設けられた箇所では、セラミックス部材からベース部材への伝熱性（熱引き特性）が局所的に低下し、セラミックス部材の吸着面における温度特異点となり、温度分布の均一性が低下するおそれがある。
【０００８】
なお、このような課題は、静電引力を利用して半導体ウェハを保持する静電チャックに限らず、また、ヒータ電極や冷媒流路を備える構成に限らず、セラミックス部材とベース部材とを備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００９】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１１】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有し、前記第１の表面に開口する第１の流路が内部に形成されたセラミックス部材と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面に対向するように配置されたベース部材であって、前記第３の表面に開口する第２の流路が内部に形成された前記ベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置され、前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記接合部には、前記ベース部材の前記第２の流路に連通する貫通孔が形成されており、前記セラミックス部材の内部には、前記第２の表面に開口するとともに前記貫通孔に連通する第３の流路が形成されており、さらに、前記セラミックス部材の内部に配置され、前記第１の流路と前記第３の流路とに連通し、前記セラミックス部材より気孔率が高い多孔質部を備え、前記第２の表面における前記第３の流路の開口部の開口面積は、前記多孔質部における前記第１の方向に直交する断面の面積より小さい。本保持装置では、セラミックス部材より気孔率が高い多孔質部がセラミックス部材の内部に配置されている。この多孔質部は、セラミックス部材の第１の表面に開口する第１の流路と、第２の表面に開口する第３の流路とに連通している。これにより、第１の表面から第１の流路、多孔質部、および第３の流路を経由してベース部材に至るまでの沿面距離が長くなるため、第１の表面に保持された半導体ウェハとベース部材とが短絡することを抑制することができる。また、第２の表面に開口する第３の流路の開口部の開口面積は、該多孔質部の第１の表面に平行な断面の面積より小さい。これにより、多孔質部とベース部材との間に接合部が介在していない従来の構成に比べて、接合部に対するセラミック部材の接合面積が増えるので、多孔質部の存在に起因してセラミックス部材からベース部材への伝熱性（熱引き特性）が局所的に低下することが抑制され、セラミックス部材の第１の表面における温度特異点となることが抑制され、温度分布の均一性の向上を図ることができる。
【００１２】
（２）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記第１の流路における前記多孔質部側の開口部と前記第３の流路における前記多孔質部側の開口部との少なくとも一方は、前記第１の方向に直交する方向における前記多孔質部の中央寄りに位置している構成としてもよい。本保持装置では、第１の流路における多孔質部側の開口部と第３の流路における多孔質部側の開口部との少なくとも一方は、第１の方向視に直交する方向における多孔質部の中央寄りに位置している。これにより、第１の流路における多孔質部側の開口部等が、多孔質部の周縁寄りに位置している構成に比べて、第１の表面からベース部材までの沿面距離が長くなるため、第１の表面に保持された半導体ウェハとベース部材との短絡を、より効果的に抑制することができる。
【００１３】
（３）上記保持装置において、前記多孔質部における前記第１の表面側の端部は、前記セラミックス部材を前記第１の方向に等分する中心線より前記第１の表面側に位置している構成としてもよい。本保持装置では、多孔質部における第１の表面側の端部は、セラミックス部材を第１の方向に等分する中心線より第１の表面側に位置している。これにより、多孔質部における第１の表面側端部が、セラミックス部材における第１の方向の中心より第２の表面側に位置している構成に比べて、多孔質部による絶縁効果を向上させることができる。
【００１４】
（４）上記保持装置において、前記セラミックス部材の前記第２の表面から前記多孔質部までの第２の最短距離は、前記第１の表面から前記多孔質部までの第１の最短距離より長い構成としてもよい。本保持装置では、第２の表面から多孔質部までの第２の最短距離は、第１の表面から多孔質部までの第１の最短距離より長い。これにより、絶縁効果を向上させるために多孔質部を第１の表面に近づけつつ、多孔質部が大型になることを抑制できる。
【００１５】
（５）上記保持装置において、前記セラミックス部材は、前記第１の表面を有し、前記第１の流路が内部に形成された第１のセラミックス部材と、前記第２の表面の少なくとも一部を有し、前記第３の流路が形成された第２のセラミックス部材と、を含み、前記多孔質部は、前記第１のセラミックス部材と前記第２のセラミックス部材との間に形成されるとともに前記第１の流路と前記第３の流路とに連通する空間内に配置されている構成としてもよい。このような構成においても、セラミックス部材の第１の表面における温度特異点となることが抑制され、温度分布の均一性の向上を図ることができる。
【００１６】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、真空チャック、ヒータ装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】実施形態における静電チャック１０のＸ１部を拡大して示す説明図である。
【図５】比較例の静電チャック１０Ｘの構成を概略的に示す説明図である。
【図６】実施形態の変形例における静電チャック１０Ｂの充填部材１６０周辺部（Ｘ１Ｂ部）を拡大して示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．静電チャック１０の構成：
図１は、本実施形態における静電チャック１０の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における静電チャック１０のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、本実施形態における静電チャック１０のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図２には、図３のＩＩ−ＩＩの位置における静電チャック１０のＸＺ断面構成が示されており、図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１０のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１０は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００１９】
静電チャック１０は、対象物（例えば半導体ウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内で半導体ウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１０は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１００およびベース部材２００を備える。セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。セラミックス部材１００の下面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、ベース部材２００の上面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。
【００２０】
セラミックス部材１００は、例えば円形平面の板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１００の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１００の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。
【００２１】
セラミックス部材１００の内部には、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された一対のチャック電極４００が設けられている（図２参照）。一対のチャック電極４００に電源（図示せず）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によって半導体ウェハＷがセラミックス部材１００における下面Ｓ２とは反対側の表面（以下、「吸着面Ｓ１」という）に吸着固定される。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略平面状の表面である。ただし、本実施形態では、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に複数の微小な突起が形成されており、半導体ウェハＷが吸着面Ｓ１に吸着固定された状態では、吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間にわずかな空間が存在する。セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸に直交する方向（すなわち、吸着面Ｓ１に平行な方向）を「面方向」という。
【００２２】
ベース部材２００は、例えばセラミックス部材１００と同径の、または、セラミックス部材１００より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２００の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜４７０ｍｍ）であり、ベース部材２００の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２３】
ベース部材２００の内部には冷媒流路２１０が形成されている（図２参照）。冷媒流路２１０に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２００が冷却され、接着層３００を介したベース部材２００とセラミックス部材１００との間の伝熱によりセラミックス部材１００が冷却され、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが冷却される。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。
【００２４】
セラミックス部材１００とベース部材２００とは、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３との間に配置された接着層３００によって互いに接合されている。接着層３００は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤により構成されている。接着層３００の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。接着層３００は、特許請求の範囲における接合部に相当する。
【００２５】
Ａ−２．ガスを供給するための構成：
また、静電チャック１０は、セラミックス部材１００と半導体ウェハＷとの間の伝熱性を高めて半導体ウェハＷの温度分布の均一性をさらに高めるため、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間にガスを供給するための構成を備えている。なお、本実施形態では、このようなガスとして、ヘリウムガス（Ｈｅガス）が用いられる。以下、ヘリウムガスを供給するための構成について、図１〜図３、および、図２のＸ１部を拡大して示す図４を参照して説明する。
【００２６】
Ａ−２−１．ベース部材２００におけるガスを供給するための構成：
図２および図４に示すように、ベース部材２００の下面Ｓ４には、図示しないヘリウムガス源と接続されるガス源接続孔２２１が形成されており、ベース部材２００の上面Ｓ３には、ガス供給孔２２２が開口している。ベース部材２００の内部には、ガス源接続孔２２１とガス供給孔２２２とを連通するガス供給流路２２０が形成されている。ガス源接続孔２２１とガス供給孔２２２とガス供給流路２２０とは、特許請求の範囲における第２の流路に相当する。
【００２７】
Ａ−２−２．接着層３００におけるガスを供給するための構成：
また、図２および図４に示すように、接着層３００には、ベース部材２００に形成されたガス供給孔２２２に連通すると共に、接着層３００を厚さ方向（上下方向）に貫通する貫通孔３１０が形成されている。
【００２８】
Ａ−２−３．セラミックス部材１００におけるガスを供給するための構成：
また、図１および図２に示すように、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１には、８つのガス噴出孔１０２が開口している。また、セラミックス部材１００の内部には、セラミックス部材１００に形成された後述する収容室１４０の上面１４４（図４)と、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に開口するガス噴出孔１０２とを接続するガス噴出流路１１０が形成されている。ガス噴出流路１１０は、収容室１４０の上面１４４から上方に延びる第１の縦流路１１１（図２〜図４）と、第１の縦流路１１１と連通すると共に面方向に環状に延びる横流路１１４（図２および図３）と、横流路１１４から上方に延びてガス噴出孔１０２に連通する第２の縦流路１１２（図２）とから構成されている。ガス噴出流路１１０は、特許請求の範囲における第１の流路に相当する。
【００２９】
なお、本実施形態の静電チャック１０では、ヘリウムガスの供給経路が２系統存在する。すなわち、図３に示すように、セラミックス部材１００の内部には２つの横流路１１４が形成されている。図２および図３に示すように、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心に近い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、図２および図４に示す収容室１４０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心に近い４つのガス噴出孔１０２と連通している。また、２つの横流路１１４の内のセラミックス部材１００の中心から遠い方の横流路１１４は、第１の縦流路１１１を介して、図示しない収容室１４０と連通しており、かつ、第２の縦流路１１２を介して、吸着面Ｓ１に開口する８つのガス噴出孔１０２の内のセラミックス部材１００の中心から遠い４つのガス噴出孔１０２と連通している。なお、後述の充填部材１６０は、ヘリウムガスの供給経路の２系統のそれぞれに配置されるとしてもよいし、２系統のうちの一方だけに配置されるとしてもよい。
【００３０】
また、図２および図４に示すように、セラミックス部材１００の内部には、収容室１４０が形成されている。収容室１４０は、吸着面Ｓ１に近い側の内表面である上面１４４と、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に近い側の内表面である下面１４５と、上面１４４の周縁と下面１４５の周縁とをつなぐ内表面である側面１４２と、を有する。収容室１４０の上面１４４には、ガス噴出流路１１０（ガス噴出流路１１０を構成する第１の縦流路１１１）が開口している。本実施形態では、収容室１４０（収容室１４０の内部空間）の形状は、略円柱状である。このため、収容室１４０における上面１４４の面積と、収容室１４０における下面１４５の面積と、収容室１４０における上下方向（Ｚ軸方向）に直交する任意の断面の面積とは略同一である。また、図２に示すように、収容室１４０の上面１４４は、セラミックス部材１００を上下方向（Ｚ軸方向）に二等分する中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置している。また、セラミックス部材１００の下面Ｓ２から収容室１４０までの第１の最短距離Ｄ１は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１から収容室１４０までの第２の最短距離Ｄ２より長い。本実施形態では、収容室１４０の下面１４５も、中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置している。
【００３１】
図２および図４に示すように、セラミックス部材１００に形成された収容室１４０には、絶縁材料により形成され、かつ、通気性を有する充填部材（「通気性プラグ」とも呼ばれる）１６０が充填されている。充填部材１６０は、セラミックス部材１００よりも気孔率が高いため、充填部材１６０の熱伝導率は、比較的緻密なセラミックス部材１００の熱伝導率より低い。充填部材１６０の形成材料としては、例えば、セラミックス多孔質体やグラスファイバー、耐熱性ポリテトラフルオロエチレン樹脂スポンジ等を用いることができる。充填部材１６０は、特許請求の範囲における多孔質部に相当する。
【００３２】
充填部材１６０は、収容室１４０の上面１４４に対向する上面対向面１６４と、収容室１４０の下面１４５に対向する下面対向面１６５と、上面対向面１６４の周縁と下面対向面１６５の周縁とをつなぐ側面１６２とを有する。本実施形態では、充填部材１６０の形状は、収容室１４０の形状と同様、略円柱状である。このため、充填部材１６０の上面対向面１６４の面積と、充填部材１６０の下面対向面１６５の面積と、充填部材１６０の上下方向（Ｚ軸方向）に直交する任意の断面の面積（以下、単に「充填部材１６０の断面積」という）とは略同一である。また、充填部材１６０は、収容室１４０内にほぼ隙間無く埋設されている。すなわち、充填部材１６０の外周面（上面対向面１６４、下面対向面１６５、側面１６２）は、収容室１４０の内表面（上面１４４、下面１４５、側面１４２）のそれぞれに接している。
【００３３】
また、ガス噴出流路１１０の第１の開口部１１３の収容室１４０の上面１４４における開口面積は、充填部材１６０の断面積より小さく、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）視で第１の開口部１１３の全体は充填部材１６０（上面対向面１６４）に重なる。また、上下方向視で、第１の開口部１１３は、充填部材１６０（上面対向面１６４）の面方向における中央寄りに位置している。第１の開口部１１３は、特許請求の範囲における第１の流路における多孔質部側の開口部に相当する。
【００３４】
また、図２に示すように、充填部材１６０の上面対向面１６４は、上記中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置している。また、セラミックス部材１００の下面Ｓ２から充填部材１６０までの第１の最短距離Ｄ１は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１から充填部材１６０までの第２の最短距離Ｄ２より長い。本実施形態では、充填部材１６０の下面対向面１６５も、中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置している。
【００３５】
さらに、セラミックス部材１００の内部には、ガス中継流路１１６が形成されている。ガス中継流路１１６は、上下方向に沿って直線状に延びており、収容室１４０の下面１４５に開口するとともに、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口している。ガス中継流路１１６は収容室１４０の下面１４５に開口している第２の開口部１１７を有する。第２の開口部１１７の収容室１４０の下面１４５における開口面積は、充填部材１６０の下面対向面１６５の面積より小さく、かつ、上下方向（Ｚ軸方向）視で第２の開口部１１７の全体は下面対向面１６５に重なっている。また、上下方向視で、第２の開口部１１７は、充填部材１６０（下面対向面１６５）の面方向における中央寄りに位置している。
【００３６】
また、ガス中継流路１１６は、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口している第３の開口部１１８を有する。第３の開口部１１８のセラミックス部材１００の下面Ｓ２における開口面積は、充填部材１６０の断面積より小さい。換言すれば、セラミックス部材１００の上下方向（Ｚ軸方向）に平行な断面（図４のＸＺ断面）において、第３の開口部１１８の上下方向に直交する方向（Ｘ軸方向）の幅（以下、単に「幅」という）は、充填部材１６０の幅より狭い。また、上下方向（Ｚ軸方向）視で、第３の開口部１１８の全体は、充填部材１６０（充填部材１６０の下面対向面１６５）に重なっている。
【００３７】
また、第３の開口部１１８は、接着層３００に形成された貫通孔３１０に連通している。本実施形態では、第３の開口部１１８の開口面積と、接着層３００に形成された貫通孔３１０の上下方向に直交する断面における開口面積とは略同一である。ガス中継流路１１６は、特許請求の範囲における第３の流路に相当し、第２の開口部１１７は、特許請求の範囲における、第３の流路における多孔質部側の開口部に相当する。
【００３８】
このように、収容室１４０内に絶縁材料により形成された充填部材１６０が充填されていることにより、収容室１４０内を経由したセラミックス部材１００とベース部材２００との間の放電や収容室１４０内でのヘリウムガスの放電の発生が抑制される。
【００３９】
図２および図４に示すように、図示しないヘリウムガス源から供給されたヘリウムガスが、ガス源接続孔２２１からベース部材２００内部のガス供給流路２２０内に流入する。ガス供給流路２２０内に流入したヘリウムガスは、ガス供給流路２２０からガス供給孔２２２を経て接着層３００の貫通孔３１０内に流入する。貫通孔３１０内に流入したヘリウムガスは、セラミックス部材１００の内部のガス中継流路１１６と、収容室１４０内に充填された充填部材１６０の内部とを通過して、セラミックス部材１００の内部のガス噴出流路１１０を構成する第１の縦流路１１１内に流入し、横流路１１４および第２の縦流路１１２を経て吸着面Ｓ１に形成された各ガス噴出孔１０２から噴出する。このようにして、吸着面Ｓ１と半導体ウェハＷの表面との間に存在する空間に、ヘリウムガスが供給される。
【００４０】
Ａ−３．静電チャック１０の製造方法：
本実施形態における静電チャック１０の製造方法を説明する。はじめに、セラミックス部材１００を作製する。例えば、複数のセラミックスグリーンシート（例えばアルミナグリーンシート）を準備し、各セラミックスグリーンシートに、チャック電極４００や各ガス流路（ガス噴出流路１１０やガス中継流路１１６）等を構成するための孔開け加工やメタライズインクの印刷等を行う。この際に、上述の収容室１４０を構成するための孔開け加工も行う。その後、複数のセラミックスグリーンシートを積層する。その際、積層されたセラミックスグリーンシートに形成された収容室１４０内に、充填部材１６０の焼成前の前駆体（図示せず）を配置する。これにより、充填部材１６０の前駆体が内部に配置されたセラミックスグリーンシートの積層体が形成される。その積層体を熱圧着し、所定の円板形状にカットすることにより、充填部材１６０の前駆体が内部に配置されたセラミックス部材１００の焼成前の前駆体が形成される。そして、セラミックス部材１００の前駆体を焼成し、最後に研磨加工等を行うことにより、セラミックス部材１００が製造される。
【００４１】
また、ベース部材２００を準備する。ベース部材２００は、公知の製造方法によって製造可能である。次に、セラミックス部材１００とベース部材２００とを接合する。具体的には、セラミックス部材１００の下面Ｓ２とベース部材２００の上面Ｓ３とを、接着剤を介して貼り合わせた状態で、接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、接着層３００を形成する。なお、セラミックス部材１００とベース部材２００との間に接着剤を配置する際には、上述した貫通孔３１０に対応する孔を設け、接着剤の硬化処理によってできる接着層３００に貫通孔３１０が形成されるようにする。以上の工程により、上述した構成の静電チャック１０の製造が完了する。
【００４２】
Ａ−４．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態における静電チャック１０では、セラミックス部材１００より気孔率が高い充填部材１６０がセラミックス部材１００の内部に配置されている（図２および図４参照）。この充填部材１６０は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に開口するガス噴出流路１１０と、下面Ｓ２に開口するガス中継流路１１６とに連通している。これにより、例えば充填部材１６０を備えずにガス噴出流路１１０とガス中継流路１１６とが直接つながった構成に比べて、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１からベース部材２００までの沿面距離が長くなるため、吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷとベース部材２００とが短絡することを抑制することができる。
【００４３】
また、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口するガス中継流路１１６の第３の開口部１１８の開口面積は、充填部材１６０の断面積より小さい（図４参照）。これにより、例えば、充填部材１６０とベース部材２００との間に接合部が介在せずに比較的に大きい空洞が介在している従来の構成に比べて、接着層３００に対するセラミックス部材１００の接合面積が増えるので、充填部材１６０の存在に起因してセラミックス部材１００からベース部材２００への伝熱性（熱引き特性）が局所的に低下することが抑制され、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１における温度特異点となることが抑制され、温度分布の均一性の向上を図ることができる。以下、この点について具体的に説明する。
【００４４】
図５は、比較例の静電チャック１０Ｘの構成を概略的に示す説明図である。図５には、比較例の静電チャック１０Ｘの構成の内、図４に示す部分（Ｘ１部）と同等の部分Ｘ１Ａの構成が拡大して示されている。以下、比較例の静電チャック１０Ｘのうち、本実施形態の静電チャック１０と共通する構成については同じ符号を付して説明を省略し、異なる構成のみ説明する。図５に示す比較例の静電チャック１０Ｘは、図４に示す本実施形態の静電チャック１０と比較して、収容室および充電部材の位置が異なる。
【００４５】
具体的には、図５に示すように、比較例の静電チャック１０Ｘでは、セラミックス部材１００Ａの下面Ｓ２に凹所１４０Ａが形成されている。凹所１４０Ａは、吸着面Ｓ１に近い側の内表面である上面１４４Ａと、セラミックス部材１００の下面Ｓ２に開口した下側開口部１４５Ａと、上面１４４Ａの周縁と下側開口部１４５Ａの周縁とをつなぐ側面１４２Ａと、を有する。この凹所１４０Ａ内に充填部材１６０Ａが配置されている。充填部材１６０Ａは、本実施形態における充填部材１６０と略同一構造であるものとする。
【００４６】
また、比較例の静電チャック１０Ｘでは、下側開口部１４５Ａの開口面積は、充填部材１６０Ａにおける上下方向に直交する方向の断面の面積と略同一である。このため、充填部材１６０Ａの表面（下面１６５Ａ）が下側開口部１４５Ａからセラミックス部材１００Ａの下面Ｓ２に露出している。セラミックス部材１００Ａとベース部材２００とを接合する接着層３００Ａには、下側開口部１４５Ａに連通する貫通孔３１０Ａが形成されている。貫通孔３１０Ａの開口面積は、下側開口部１４５Ａの開口面積と略同一である。ここで、仮に、貫通孔３１０Ａの開口面積が、下側開口部１４５Ａの開口面積より小さいとすると、例えば、充填部材１６０Ａにおけるガスの通気性が低下するおそれがある。すなわち、セラミックス部材１００Ａとベース部材２００との接合段階において、接着層３００Ａを形成するための硬化前の接合剤が、多孔質の充填部材１６０Ａの気孔内に入り込み、その入り込んだ接着剤が硬化することによって充填部材１６０Ａに目詰まりが生じ、その結果、充填部材１６０Ａにおけるガスの通気性が低下するおそれがある。このため、比較例の静電チャック１０Ｘのように、充填部材１６０Ａの表面がセラミックス部材１００Ａの下面Ｓ２に露出する構成では、充填部材１６０Ａの露出する表面に接着層３００Ａが接触しないようにすることが好ましい。そのため、比較例の静電チャック１０Ｘでは、接着層３００Ａによる充填部材１６０Ａの通気性低下を抑制するためには、充填部材１６０Ａの露出する表面（下面対向面１６５）に対応した比較的に大きな貫通孔３１０Ａを形成せざるを得ない。
【００４７】
このように、充填部材１６０Ａの表面がセラミックス部材１００Ａの下面Ｓ２に露出する比較例の静電チャック１０Ｘでは、次に述べるように、セラミックス部材１００Ａの吸着面Ｓ１における温度特異点となり、温度分布が不均一になり、また、セラミックス部材１００Ａとベース部材２００との接合強度が低下するおそれがある。
【００４８】
すなわち、比較例の静電チャック１０Ｘでは、充填部材１６０Ａの露出する表面（下面対向面１６５）に対応した比較的に大きな貫通孔３１０Ａによって、充填部材１６０Ａとベース部材２００との間に、接着層３００Ａより熱伝導率が低い空洞が形成される。空洞の熱伝導率は、接着層３００の熱伝導率に比べて低い。このため、セラミックス部材１００Ａより熱伝導率が低い充填部材１６０Ａの下に、さらに熱伝導率が低い空洞が連続して存在していることになる。換言すれば、充填部材１６０Ａとベース部材２００との間には、特に熱伝導率が低い空洞しか存在しない。このため、充填部材１６０Ａが配置された付近において熱が蓄積されやすく、セラミックス部材１００Ａからベース部材２００への伝熱性が局所的に低下し、セラミックス部材１００Ａの吸着面Ｓ１における温度特異点となり、温度分布の不均一になるおそれがある。また、比較例の静電チャック１０Ｘでは、接着層３００Ａとセラミックス部材１００Ａおよびベース部材２００との接触面積が比較的に小さいため、セラミックス部材１００Ａとベース部材２００との接合強度が低下するおそれがある。
【００４９】
これに対して、本実施形態の静電チャック１０では、図４に示すように、充填部材１６０はセラミックス部材１００の下面Ｓ２に露出しておらず、下面Ｓ２には、充填部材１６０の断面積より小さい開口面積を有する第３の開口部１１８が形成されている。すなわち、充填部材１６０の下には、主として、熱伝導率が比較的に高いセラミックス部材１００のセラミックス部分が存在している。このため、本実施形態の静電チャック１０によれば、充填部材１６０Ａとベース部材２００との間に空洞しか存在しない比較例の静電チャック１０Ｘに比べて、セラミックス部材１００からベース部材２００への伝熱性が局所的に低下することが抑制される。
【００５０】
また、本実施形態の静電チャック１０では、接着層３００には、第３の開口部１１８に対応した比較的小さい開口面積を有する貫通孔３１０が形成されており、充填部材１６０とベース部材２００との間に形成される空洞が形成される範囲が狭い。このため、本実施形態の静電チャック１０によれば、充填部材１６０Ａとベース部材２００との間に比較的に大きい空洞が存在する比較例の静電チャック１０Ｘに比べて、セラミックス部材１００からベース部材２００への伝熱性が局所的に低下することがさらに効果的に抑制される。しかも、本実施形態の静電チャック１０では、接着層３００とセラミックス部材１００Ａおよびベース部材２００との接触面積が比較的に大きいため、比較例の静電チャック１０Ｘに比べて、セラミックス部材１００とベース部材２００との接合強度が高い。
【００５１】
上記実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）視で、第１の開口部１１３および第２の開口部１１７の両方は、充填部材１６０の面方向における中央寄りに位置している。これにより、第１の開口部１１３等が、充填部材１６０の周縁寄りに位置している構成に比べて、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１からベース部材２００までの沿面距離が長くなるため、吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷとベース部材２００との短絡を、より効果的に抑制することができる。
【００５２】
また、本実施形態では、充填部材１６０の上面対向面１６４は、上記中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置している。これにより、充填部材１６０の上面対向面１６４が中心線Ｌよりセラミックス部材１００の下面Ｓ２側に位置している構成に比べて、充填部材１６０による絶縁効果を向上させることができる。
【００５３】
また、本実施形態では、セラミックス部材１００の下面Ｓ２から充填部材１６０までの第１の最短距離Ｄ１は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１から充填部材１６０までの第２の最短距離Ｄ２より長い。これにより、絶縁効果を高めるために充填部材１６０をセラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に近づけつつ、充填部材１６０が大型になることを抑制できる。
【００５４】
Ａ−５．本実施形態における変形例：
図６は、実施形態における変形例の静電チャック１０Ｂの充填部材１６０周辺部（Ｘ１Ｂ部）を拡大して示す説明図である。変形例の静電チャック１０Ｂの構成の内、上記実施形態の静電チャック１０と同一の構成については、同一符号を付すことによって、その説明を省略する。
【００５５】
上述した実施形態の静電チャック１０では、セラミックス部材１００は、一体成形されたものであり、充填部材１６０は、そのセラミックス部材１００の内部に埋設されていた（図２および図４参照）。これに対して、図６に示すように、変形例の静電チャック１０Ｂでは、セラミックス部材１００Ｂは、第１のセラミックス部１３２と第２のセラミックス部１３４とを備えて構成されており、充填部材１６０は、第１のセラミックス部１３２と第２のセラミックス部１３４との間に配置されている。
【００５６】
具体的には、変形例の静電チャック１０Ｂでは、第１のセラミックス部１３２は、上記セラミックス部材１００と略同一の外形を有し、また、第１のセラミックス部１３２の下面Ｓ２Ｂに第１の凹所１３６が形成されている。第１の凹所１３６は、吸着面Ｓ１に近い側の内表面である上面１４４Ｂと、第１のセラミックス部１３２の下面Ｓ２Ｂに開口した下側開口部１４７Ｂと、上面１４４Ｂの周縁と下側開口部１４７Ｂの周縁とをつなぐ側面１４６Ｂと、を有する。この第１の凹所１３６の上下方向の長さは、充填部材１６０の上下方向の長さより長く、かつ、第１の凹所１３６の内径は、充填部材１６０の外径より大きい。
【００５７】
一方、第２のセラミックス部１３４は、全体としては、略円柱状である。第２のセラミックス部１３４の上面１３４Ｕには、充填部材１６０を収容可能な第２の凹所１４０Ｂが形成されている。第２の凹所１４０Ｂは、第２のセラミックス部１３４の上面１３４Ｕに開口した上側開口部１３７と、下面Ｓ２Ｂに近い側の内表面である底面１４５Ｂと、上側開口部１３７の周縁と底面１４５Ｂの周縁とをつなぐ側面１４２Ｂと、を有する。この第２の凹所１４０Ｂの上下方向の寸法は、充填部材１６０の上下方向の寸法と略同一であり、かつ、第２の凹所１４０Ｂの内径は、充填部材１６０の外径と略同一である。このため、第２の凹所１４０Ｂ内に充填部材１６０を収容可能である。また、第２の凹所１４０Ｂの底面１４５Ｂには、第２のセラミックス部１３４の下面１３４Ｄまで貫通するガス中継流路１１６Ｂが形成されている。ガス中継流路１１６Ｂは、底面１４５Ｂに開口する第２の開口部１１７Ｂと、下面１３４Ｄに開口する第３の開口部１１８Ｂとを有する。ガス中継流路１１６Ｂの形状等は、上述のガス中継流路１１６と略同一である。
【００５８】
また、第１の凹所１３６の上下方向の寸法は、第２のセラミックス部１３４の上下方向の寸法と略同一であり、かつ、第１の凹所１３６の内径は、第２のセラミックス部１３４の外径と略同一である。このため、第１の凹所１３６内に第２のセラミックス部１３４を収容可能である。例えば、第１のセラミックス部１３２と第２のセラミックス部１３４とを個別に成形し、第２のセラミックス部１３４の第２の凹所１４０Ｂ内に充填部材１６０を収容させ、第２のセラミックス部１３４の上面１３４Ｕと、第１のセラミックス部１３２の第１の凹所１３６の上面１４４Ｂとが対向するように、第１の凹所１３６内に第２のセラミックス部１３４を収容させる。これにより、充填部材１６０は、第１のセラミックス部１３２と第２のセラミックス部１３４とによって上下に挟まれた状態でセラミックス部材１００Ｂの内部に配置されている。なお、第２のセラミックス部１３４と第１のセラミックス部１３２の第１の凹所１３６との間には、接着層（図示せず）が配置されていることが好ましい。また、充填部材１６０と上面対向面１６４の第２の凹所１４０Ｂとの間にも、接着層（図示せず）が配置されていることが好ましい。
【００５９】
以上説明したように、変形例の静電チャック１０Ｂにおいても、セラミックス部材１００Ｂより気孔率が高い充填部材１６０がセラミックス部材１００Ｂの内部に配置されている（図６参照）。この充填部材１６０は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に開口するガス噴出流路１１０と、下面Ｓ２Ｂに開口するガス中継流路１１６Ｂとに連通している。これにより、例えば充填部材１６０を備えずにガス噴出流路１１０とガス中継流路１１６Ｂとが直接つながった構成に比べて、セラミックス部材１００Ｂの吸着面Ｓ１からベース部材２００までの沿面距離が長くなるため、吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷとベース部材２００とが短絡することを抑制することができる。
【００６０】
Ｂ．その他の変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００６１】
上記各実施形態における静電チャック１０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、充填部材１６０の形状は、略円柱状であるとしたが、これに限らず、例えば略円錐状や略角柱状などであるとしてもよい。この場合は、充填部材１６０における第１の方向（Ｚ軸方向）に直交する断面の面積のうち、最大の面積を「充填部材の断面の面積」とする。また、充填部材１６０の形状は、収容室１４０の形状と異なっており、充填部材１６０と収容室１４０との間に隙間が存在するとしてもよい。また、充填部材１６０と収容室１４０との間に接着層（図示せず）が配置されているとしてもよい。なお、接着層の熱伝導率は、充填部材１６０の熱伝導率より高く、かつ、セラミックス部材１００の熱伝導率より低いことが好ましい。接着層は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着剤により構成されていることが好ましい。また、充填部材１６０は、セラミックス部材１００と一体で形成されていてもよいし、別体として形成されてもよい。例えば、充填部材１６０は、セラミックス部材１００と同一材料で形成されており、かつ、気孔率がセラミックス部材１００より高い構成であるとしてもよい。
【００６２】
上記実施形態では、１つの充填部材１６０に対して１つのガス中継流路１１６（第３の流路）が連通しているとしたが、１つの充填部材１６０に対して複数のガス中継流路１１６が連通しているとしてもよい。このような構成の場合、複数のガス中継流路１１６における第３の開口部１１８の開口面積の合計が、充填部材１６０の断面積より小さければ本発明の効果を得ることができる。
【００６３】
また、上記実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）視で、第１の開口部１１３は、充填部材１６０の面方向における中央寄りに位置しているとしたが、これに限らず、第１の開口部１１３は、充填部材１６０の面方向における周縁寄りに位置しているとしてもよい。また、上記実施形態では、第１の開口部１１３の全体は充填部材１６０に重なるとしたが、これに限らず、上下方向視で、第１の開口部１１３の一部または全部は充填部材１６０に重ならないとしてもよい。さらに、上記実施形態では、ガス噴出流路１１０（第１の流路）は、充填部材１６０の上面対向面１６４に連通しているとしたが、ガス噴出流路１１０が充填部材１６０の側面１６２に連通しているとしてもよい。但し、上記実施形態の構成であれば、ガスの供給経路の短縮化を図りつつ、充填部材１６０による半導体ウェハＷとベース部材２００との短絡抑制の効果を得ることができる。
【００６４】
また、上記実施形態において、充填部材１６０の上面対向面１６４および下面対向面１６５は、中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置しているとしたが、これに限らず、例えば、充填部材１６０の上面対向面１６４は中心線Ｌより吸着面Ｓ１側に位置しており、下面対向面１６５は中心線Ｌよりセラミックス部材１００の下面Ｓ２側に位置しているとしてもよいし、充填部材１６０の上面対向面１６４および下面対向面１６５の両方がセラミックス部材１００の下面Ｓ２側に位置しているとしてもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）視で、第２の開口部１１７は、充填部材１６０の面方向における中央寄りに位置しているとしたが、これに限らず、第２の開口部１１７は、充填部材１６０の面方向における周縁寄りに位置しているとしてもよい。また、上記実施形態では、第２の開口部１１７の全体は充填部材１６０に重なるとしたが、これに限らず、上下方向視で、第２の開口部１１７の一部または全部は充填部材１６０に重ならないとしてもよい。さらに、上記実施形態では、ガス中継流路１１６（第３の流路）は、充填部材１６０の下面対向面１６５に連通しているとしたが、ガス中継流路１１６が充填部材１６０の側面１６２に連通しているとしてもよい。但し、上記実施形態の構成であれば、ガスの供給経路の短縮化を図りつつ、充填部材１６０による半導体ウェハＷとベース部材２００との短絡抑制の効果を得ることができる。
【００６６】
また、上記実施形態では、上下方向（Ｚ軸方向）視で、第３の開口部１１８の全体は、充填部材１６０に重なるとしたが、これに限らず、上下方向視で、第３の開口部１１８の一部または全部は充填部材１６０に重ならないとしてもよい。但し、上記実施形態の構成であれば、ガスの供給経路の短縮化を図りつつ、充填部材１６０による半導体ウェハＷとベース部材２００との短絡抑制の効果を得ることができる。
【００６７】
また、上記実施形態では、第３の開口部１１８の開口面積と、接着層３００に形成された貫通孔３１０の開口面積とは略同一であるとしたが、これに限らず、第３の開口部１１８の開口面積は、貫通孔３１０の開口面積より大きくてもよいし小さくてもよい。但し、上述したように、第３の開口部１１８の開口面積が貫通孔３１０の開口面積以下であれば、接着層３００による充填部材１６０の目詰まりを抑制することができる。また、貫通孔３１０の開口面積は、充填部材１６０の断面積より小さければ、上述の比較例の静電チャック１０Ｘに比べて、接着層３００とセラミックス部材１００Ａおよびベース部材２００との接触面積が大きいため、セラミックス部材１００とベース部材２００との接合強度を向上させることができる。
【００６８】
また、本実施形態では、セラミックス部材１００の下面Ｓ２から充填部材１６０までの第１の最短距離Ｄ１は、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１から充填部材１６０までの第２の最短距離Ｄ２より長いとしているが、第１の最短距離Ｄ１は、第２の最短距離Ｄ２と同じ、または、第２の最短距離Ｄ２より短いとしてもよい。
【００６９】
また、上記各実施形態において、セラミックス部材１００の内部に、導電性材料（例えば、タングステンやモリブデン等）により形成された抵抗発熱体で構成されたヒータ電極を設けてもよい。このような構成では、ヒータ電極に電源から電圧が印加されると、ヒータ電極が発熱することによってセラミックス部材１００が温められ、セラミックス部材１００の吸着面Ｓ１に保持された半導体ウェハＷが温められる。これにより、半導体ウェハＷの温度制御が実現される。ヒータ電極は、セラミックス部材１００の内部ではなく、セラミックス部材１００のベース部材２００側（セラミックス部材１００と接着層３００との間）に配置されるとしてもよい。
【００７０】
また、上記各実施形態では、冷媒流路２１０がベース部材２００の内部に形成されるとしているが、冷媒流路２１０が、ベース部材２００の内部ではなく、ベース部材２００の表面（例えばベース部材２００と接着層３００との間）に形成されるとしてもよい。
【００７１】
また、上記実施形態において、セラミックス部材１００とベース部材２００とが、一体の接着層３００ではなく、複数の接合部分によって接合されているとしてもよい。具体的には、セラミックス部材１００とベース部材２００との間に、セラミックス部材１００とベース部材２００との対向方向に直交する一の仮想平面上に配置された複数の接合部分が離散的に形成されているとしてもよい。これらの複数の接合部分は、特許請求の範囲における接合部に相当する。また、上記各実施形態では、セラミックス部材１００とベース部材２００とが、接着層３００により接合されるとしているが、セラミックス部材１００とベース部材２００との接合方法として、他の方法（例えば、ろう付けや機械的接合等）が採用されてもよい。
【００７２】
また、上記各実施形態では、セラミックス部材１００の内部に一対のチャック電極４００が設けられた双極方式が採用されているが、セラミックス部材１００の内部に１つのチャック電極４００が設けられた単極方式が採用されてもよい。また、上記各実施形態における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
【００７３】
また、上記各実施形態における静電チャック１０の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。
【００７４】
また、本発明は、静電引力を利用して半導体ウェハＷを保持する静電チャック１０に限らず、セラミックス板とベース部材とを備え、セラミックス板の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、真空チャックやヒータ装置等）にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０，１０Ｂ，１０Ｘ：静電チャック  １００，１００Ａ，１００Ｂ：セラミックス部材  １０２：ガス噴出孔  １１０：ガス噴出流路  １１１：第１の縦流路  １１２：第２の縦流路  １１３：第１の開口部  １１４：横流路  １１６，１１６Ｂ：ガス中継流路  １１７，１１７Ｂ：第２の開口部  １１８，１１８Ｂ：第３の開口部  １３２：第１のセラミックス部  １３４：第２のセラミックス部  １３６：第１の凹所  １３７：上側開口部  １４０：収容室  １４０Ａ：凹所  １４２，１４２Ａ，１４２Ｂ，１４６Ｂ：側面  １３４Ｕ，１４４，１４４Ａ，１４４Ｂ：上面  １３４Ｄ，１４５：下面  １４５Ａ，１４７Ｂ：下側開口部  １４５Ｂ：底面  １６０，１６０Ａ：充填部材  １６２：側面  １６４：上面対向面  １６５：下面対向面  １６５Ａ：下面  ２００：ベース部材  ２１０：冷媒流路  ２２０：ガス供給流路  ２２１：ガス源接続孔  ２２２：ガス供給孔  ３００，３００Ａ：接着層  ３１０，３１０Ａ：貫通孔  ４００：チャック電極  Ｄ１：第１の最短距離  Ｄ２：第２の最短距離  Ｌ：中心線  Ｓ１：吸着面  Ｓ２，Ｓ２Ｂ：下面  Ｓ３：上面  Ｓ４：下面  Ｗ：半導体ウェハ
【図１】
2019062175.tif 000003
【図２】
2019062175.tif 000004
【図３】
2019062175.tif 000005
【図４】
2019062175.tif 000006
【図５】
2019062175.tif 000007
【図６】
2019062175.tif 000008