(57)【要約】【課題】認識精度を損なわずに位置精度の向上が可能な半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１上に形成された絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２上に形成された認識マーク１０３と、平面視において認識マーク１０３を含み認識マーク１０３より広い領域に形成され、認識マーク１０３の外周部分において認識マーク１０３との重なり部分１０８を有し、その内側の領域に剥離抑制膜開口部分１０７を有する剥離抑制膜１０４とを有する半導体位置検出装置１００を備える。【選択図】図１
2019101357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された認識マークと、
前記認識マーク上に形成された剥離抑制膜とを有し、
前記剥離抑制膜は、前記認識マーク上であって、平面視において前記認識マークを含み前記認識マークより広い領域に形成され、前記認識マークの外周部分において前記認識マークとの重なり部分を有し、前記重なり部分の内側の領域に開口部分を有する半導体位置検出装置を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記認識マークが、金属層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属層が、前記半導体装置において配線に用いられる金属層であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記認識マークの外側の領域に前記半導体基板の表面が露出する領域を有し、
前記剥離抑制膜の一部が前記半導体基板の表面に接していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記重なり部分の幅が１０μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板の表面に形成する半導体装置の位置検出方法であって、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の前記半導体位置検出装置に、位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行うことを特徴とする、半導体装置の位置検出方法。
【請求項７】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された認識マークと、
前記認識マーク上に形成された剥離抑制膜とを有し、
前記剥離抑制膜は、前記認識マーク上であって、平面視において前記認識マークを含み前記認識マークより広い領域に形成され、前記認識マークの外周部分において前記認識マークとの重なり部分を有し、前記重なり部分の内側の領域に開口部分を有する半導体位置検出装置を備え、
位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、
前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板表面上の位置座標を特定するために使用される認識マークを有する半導体位置検出装置を備える半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に形成される半導体装置の個々の平面的な位置座標を特定するために、その位置の基準点となる半導体位置検出装置がスクライブライン上などに同時に形成される。基準点の検出は、その半導体位置検出装置を含む領域に照射レーザーを走査して得られる照射レーザーの反射光の強度コントラスト波形を基に行われる。そして、その基準点の位置座標を基に、基準点からあらかじめ定められた距離に形成されている半導体装置の位置座標を特定する。
【０００３】
半導体位置検出装置は、高い位置検出精度を得るために、高い認識精度と位置精度が求められる。例えば、認識精度の向上のためには、照射されたレーザーを反射させる認識マークに、高い反射率を有する材料が用いられる。また、位置精度の向上のためには、認識マーク形成時の位置ずれや変形、剥れの低減などが行われる。
【０００４】
一般に、物理的な強度の高いパッシベーション膜がスクライブライン上を横断するように形成されていると、半導体基板の切断工程において、切断ずれやチッピングの発生が増加する。そのため、スクライブライン上に被膜されるパッシベーション膜は、後の工程で除去される。その場合、パッシベーション膜が除去され、露出した半導体位置検出装置を構成する膜やパターンが剥れ、位置精度が損なわれる可能性がある。
【０００５】
特許文献１（特に図１（ｃ））には、スクライブライン上の半導体位置検出装置を、スクライブラインの延在方向に長辺を持ちその左右の両端部に抑えパターンを設ける構成とすることで、剥れを抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３１３６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、認識マークの両端部に形成される抑えパターンの面積が小さいと、抑えパターンの密着性が低下し、認識マークとともに剥れてしまい位置精度が低下する恐れがある。さらに、剥れた抑えパターンや認識マークが半導装置に再付着することで、外観不良や実装不良のような品質不良が発生する可能性がある。一方、抑えパターンの密着性を高めるために抑えパターンを認識マーク上の全面を覆うように形成すると、位置検出のための照射レーザーの反射光強度が抑えパターンにより低減してしまい、認識マークの認識精度が損なわれる。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑み、認識マークの認識精度を損なわずに位置精度の向上が可能な半導体装置及び半導体装置の位置検出方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明では以下の半導体装置とする。
【００１０】
すなわち、半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された認識マークと、前記認識マーク上に形成された剥離抑制膜とを有し、前記剥離抑制膜は、前記認識マーク上であって、平面視において前記認識マークを含み前記認識マークより広い領域に形成され、前記認識マークの外周部分において前記認識マークとの重なり部分を有し、前記重なり部分の内側の領域に開口部分を有する半導体位置検出装置を備えることを特徴とする半導体装置とする。
【００１１】
また、本発明は以下のような半導体装置の位置検出方法とする。
【００１２】
すなわち、前記半導体位置検出装置に位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行うことを特徴とする、半導体装置の位置検出方法とする。
【００１３】
また、本発明は以下のような半導体装置の製造方法とする。
【００１４】
すなわち、前記半導体位置検出装置を備え、位置検出のための照射レーザーを、前記重なり部分と前記開口部分とに渡って走査し、前記照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、認識精度を損なわずに認識マークの剥れを抑制し、半導体装置の位置精度の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）の半導体装置の断面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿ったレーザーの照射による反射光強度の波形であり、（ｂ）は図１（ｂ）のａ−ａ’線に沿ったレーザーの照射による反射光強度の波形である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｂ）は図３（ａ）の半導体装置の断面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の半導体装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分りやすくするために、一部の構造を透視して示している。
【００１８】
＜第１の実施形態＞
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体位置検出装置１００の平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）において半導体位置検出装置１００をＡ−Ａ’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
【００１９】
半導体位置検出装置１００は、認識マーク１０３と剥離抑制膜１０４とからなり、半導体基板１０１上の半導体装置（不図示）を個片化するための切断領域であるスクライブライン１０５上に、絶縁膜１０２を介して形成される。
【００２０】
絶縁膜１０２は、レーザーに対して反射率の低い膜が用いられ、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）絶縁膜などの素子分離膜や、素子分離膜上に形成されるＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜、複数の金属層の間の層間絶縁膜などの、主にシリコン酸化膜で構成される。
【００２１】
認識マーク１０３は、平面視において上下左右方向に伸びる４つの長方形を組み合わせた十字形状とし、スクライブライン１０５上の内側の領域に設けられる。また認識マーク１０３は、照射されるレーザーに対して反射率の高い層で構成される。ここでは半導体装置において配線に用いられる金属層を採用している。
【００２２】
剥離抑制膜１０４は、認識マーク１０３上であって、平面視において認識マーク１０３を含み認識マーク１０３より広い領域に形成される。その剥離抑制膜１０４は、認識マーク１０３の外周部分において認識マーク１０３との重なり部分１０８を有し、その重なり部分１０８の内側の領域に十字形状の剥離抑制膜開口部分１０７を備える。さらに、剥離抑制膜１０４は、認識マーク１０３の外周の領域から、認識マーク１０３の外側の絶縁膜１０２の上の領域に向かって延在し、絶縁膜１０２と接している。なお、ここでは認識マーク１０３と剥離抑制膜１０４との位置関係が理解しやすいよう、図１（ａ）において、剥離抑制膜１０４の下の認識マーク１０３を透視させて示している。
【００２３】
剥離抑制膜１０４は、レーザーに対して反射率の低い膜が用いられ、認識マーク１０３上に認識マーク１０３の形成工程よりも後の工程で形成される絶縁膜で構成される。第１の実施形態においては、ボンディングパッドなどの一部の領域を除き半導体装置上の全体を覆う最上層のパッシベーション膜を採用している。このパッシベーション膜は、シリコン窒化膜やＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）膜などのシリコン酸化膜、ポリイミド膜など、保護層として用いる何れの膜でもよく、またそれらを組み合わせた積層膜であっても構わない。また、剥離抑制膜１０４はパッシベーション膜以外の膜で構成してもよい。例えば、３層金属プロセスを採用し、下から２層目の金属層で認識マーク１０３を構成した場合、その認識マーク１０３上に形成する剥離抑制膜１０４を、２層目の金属層と３層目の金属層の間に形成される層間絶縁膜で構成することも可能である。
【００２４】
半導体装置は、半導体基板上に様々な堆積膜を加工して形成される。そのため、それぞれの膜においてはそれらの膜が有する線膨張係数に基づく引っ張り応力や圧縮応力が内在する。そして、それらの膜が積層する界面には、それぞれの膜がもつ引っ張り応力や圧縮応力が作用して発生するせん断応力（膜応力と称する）が存在する。その膜応力は、膜の剥れを発生する原因となるが、通常は膜同士の密着力もしくはさらにそれらの膜の上層に積層する膜の密着力で抑え込まれている。線膨張係数の差が大きい金属層と絶縁膜との膜の間においても、半導体装置内では必ず上層のパッシベーション膜もしくは層間絶縁膜で覆われているので剥離を免れている。ところが、スクライブライン上においては切断性を重視し、パッシベーション膜を除去することが多いので、パッシベーション膜の除去によって露出した金属層のパターンが下地の絶縁膜との界面から剥離する場合がある。
【００２５】
第１の実施形態において、半導体位置検出装置１００の剥離抑制膜１０４は、認識マーク１０３の外周部分で認識マークとの間に重なり部分１０８を有し、認識マーク１０３と下地の絶縁膜１０２の界面を覆っているので、認識マーク１０３の剥離を防ぎ、剥離による位置精度の低下を抑制している。また剥離抑制膜１０４は、認識マーク１０３の外周部分全てを覆う平面形状としているため広い面積を有している。そのため、高い密着性を有し、剥離抑制膜１０４自体が認識マーク１０３とともに剥れて、位置精度が低下することを防いでいる。またこの剥離膜１０４は、半導体基板の切断工程において切断を遮るようにスクライブライン１０５上を横断せず、孤立形状としているので、半導体基板の切断時に切断ずれやチッピングの発生が増加することはない。
【００２６】
さらに、剥離抑制膜１０４は、重なり部分１０８の内側の領域に剥離抑制膜開口部分１０７を備え、認識マーク１０３を露出させているので、位置検出のためのレーザーの照射に対し、反射光強度が低減し認識マーク１０３の認識精度が損なわれることはない。
【００２７】
次に、第１の実施形態の半導体装置の位置検出方法について図１（ａ）、（ｂ）、図２（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２８】
半導体基板１０１の表面に形成される半導体装置は、用途によって様々なサイズをもち、内部に配線を始めとした複雑なパターンを備えている。そのため、半導体基板１０１の表面における半導体装置の平面的な位置を検出するために、同一半導体基板１０１上に常に同一サイズ・同一形状を備える半導体位置検出装置１００を設ける。そして、半導体位置検出装置１００の位置を検出することで、その半導体位置検出装置１００からあらかじめ定められた距離に形成されている半導体装置の位置座標を特定する。
【００２９】
図１（ａ）に示すように、上下左右方向に伸びる４つの長方形を組み合わせた十字形状の半導体位置検出装置１００は、例えば、紙面左側の長方形におけるＡ−Ａ’線上において位置検出のための照射レーザーが走査される。そして、その反射光のコントラスト（反射光の強度の差）波形から、正確な紙面縦方向（ｙ方向）の座標が検出される。一方、紙面横方向（ｘ方向）の座標の検出は、半導体位置検出装置１００の紙面上側の長方形を、照射レーザーが横方向に走査することによって行われる。
【００３０】
図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って照射レーザーを走査した場合のＡ−Ａ’線上の位置における、照射レーザーの反射強度を相対的に示したものである。位置検出のための照射レーザーをＡからＡ’へ走査した場合、図１（ａ）のスクライブライン１０５内における上下の反射率が低い絶縁膜１０２の領域では、図２（ａ）の範囲Ｘに示されるような低い反射光強度が得られる。また、図１（ａ）の認識マーク１０３が露出する剥離抑制膜開口部分１０７の領域では、図２（ａ）の範囲Ｚに示されるような高い反射光強度が得られる。一方、図１（ａ）の重なり部分１０８の領域においては、剥離抑制膜１０４の下の認識マーク１０３の反射光により、図２（ａ）の範囲Ｙに示すように認識マーク１０３が無い範囲Ｘよりも反射光強度がわずかに上昇する。そのため、図２（ａ）のように、反射光強度が３段階存在し、認識マーク１０３の検出位置が、範囲Ｘと範囲Ｙの境界の位置もしくは範囲Ｙと範囲Ｚの境界の位置のどちらかにばらつき、位置精度が低下する恐れがある。
【００３１】
図２（ｂ）は、図１（ｂ）のａ−ａ’線に沿って照射レーザーを走査したときのレーザーの反射強度を相対的に示したものである。図２（ｂ）は第１の実施形態の半導体装置の位置検出方法において得られる反射光のコントラスト波形であり、分りやすくするために横軸の位置の縮尺を図２（ａ）よりも拡大している。第１の実施形態の半導体装置の位置検出方法においては、反射光のコントラストを明確にするために、図１（ａ）のＡ−Ａ’線上のさらに内側の、図１（ｂ）に示すａ−ａ’の位置において照射レーザーを走査し、その照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行う。そのため、図２（ｂ）に示すように、反射光の強度が低い場合と高い場合の２段階の反射光強度波形が得られ、認識マーク１０３の検出位置が範囲Ｙと範囲Ｚの境界の位置に定まる。それによって、半導体位置検出装置の位置検出ばらつきを抑制し、位置精度を向上させることが出来る。
【００３２】
第１の実施形態の半導体装置の位置検出方法においては、認識マーク１０３上の重なり部分１０８において照射レーザーの走査を確実に開始するため、この重なり部分１０８の領域を充分に広く取る必要がある。この重なり部分１０８の幅は、照射レーザーのスポット径や走査分解能などにも依るが、１０μｍ以上であることが望ましい。ただ剥離抑制膜１０４は採用する膜の強度が高い場合が多いので、個片化時の切断性を損なわないために、重なり部分１０８の幅が５０μｍ以下である必要がある。
【００３３】
次に、第１の実施形態を用いた半導体装置の製造方法について説明する。第１の実施形態の半導体位置検出装置を用い、図１（ａ）のＡ−Ａ’線上の内側の、図１（ｂ）に示すａ−ａ’の位置において照射レーザーを走査し、その照射レーザーの反射光のコントラスト波形に基づいて位置検出を行う。そのような位置検出方法を含めた製造方法を採用することにより、半導体装置の位置認識精度が向上する。
【００３４】
そのため、例えば、半導体製造工程の後に抵抗値などの調整を行うトリミング工程におけるトリミング素子の形成間隔などの位置ずれ余裕を削減することができ、半導体素子のサイズを縮小しコストを抑制することが出来る。また、認識マークの剥離とその再付着を抑制することが出来るので、例えば、金属層からなる認識マークを採用した場合の、再付着による配線間の短絡を抑制でき、半導体装置の誤動作を防止できる。また、剥れた認識マークがボンディングパッドに付着することによって生じるボンディング不良を低減できる。あるいは、配線やボンディングパッドなど以外に再付着したとしても、半導体装置の外観を損うことになるので、後の工程における画像認識不良などによる歩留まり低下を抑制できる。
すなわち第１の実施形態を用いた半導体装置の製造方法を採用することにより、半導体装置の歩留まりや信頼性を向上させることが出来る。
【００３５】
＜第２の実施形態＞
図３（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体位置検出装置２００の平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）において半導体位置検出装置２００をＢ−Ｂ’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
【００３６】
半導体位置検出装置２００は、絶縁膜２０２と認識マーク２０３と剥離抑制膜２０４とからなり、半導体基板２０１上の半導体装置（不図示）を個片化するための切断領域であるスクライブライン２０５上に形成される。
【００３７】
第１の実施形態と異なり、絶縁膜２０２はスクライブライン２０５上の全面に形成されておらず、認識マーク２０３を含む領域の下のみに形成されている。そのため、半導体位置検出装置２００以外のスクライブライン２０５上の領域においては、半導体基板２０１が露出している。
【００３８】
また、剥離抑制膜２０４は、認識マーク２０３上であって、平面視において認識マーク２０３を含み認識マーク２０３より広い領域に形成される。その剥離抑制膜２０４は、認識マーク２０３の外周部分において認識マーク２０３との重なり部分２０８を有し、その重なり部分２０８の内側の領域に十字形状の剥離抑制膜開口部分２０７を備えることは第１の実施形態と同様である。さらに、剥離抑制膜２０４は、認識マーク２０３の外周の領域から、認識マーク２０３の外側の絶縁膜２０２の上の領域に向かって延在している。そして第２の実施形態においてさらに剥離抑制膜２０４は、絶縁膜２０２を越え、その一部が半導体基板２０１の表面に接していることが第１の実施形態と異なる。
【００３９】
第２の実施形態の半導体位置検出装置２００は、重なり部分２０８が認識マーク２０３の剥離を抑制するとともに、剥離抑制膜２０４の有する領域が広いので剥離抑制膜２０４自体の剥れも抑制するので、位置精度が損なわれることはない。さらに、剥離抑制膜開口部分２０７が反射光強度の低減を抑制し、認識精度が損なわれることもない。さらに、第２の実施形態においては、半導体位置検出装置２００以外のスクライブライン２０５上において強度が高い絶縁膜２０２を除去され、半導体基板２０１が露出しているので、個片化時の半導体基板２０１の切断性が向上し、切断ずれやチッピングの発生を低減している。そのため、半導体装置の歩留まりと信頼性の向上を実現するとともに、スクライブライン２０５の幅の低減による半導体装置の取れ個数の増加とそれによる半導体装置のコスト低減を可能にする。
【００４０】
また、第２の実施形態においては、剥離抑制膜２０４の外側の領域が絶縁膜２０２を越え半導体基板２０１と接している。そのため、絶縁膜２０２と半導体基板２０１との間の界面及び認識マーク２０３と絶縁膜２０２との間の界面の露出とそこを起点とした剥離を同時に防いでいる。それによって、半導体位置検出装置２００の位置精度低下の抑制に貢献している。
【００４１】
第２の実施形態の半導体装置の位置検出方法は、第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第２の実施形態を用いた半導体装置の製造方法についても、第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
＜第３の実施形態＞
図４（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る半導体位置検出装置３００の平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）において半導体位置検出装置３００をＣ−Ｃ’線に沿って切断した場合の要部を拡大した断面図である。
【００４３】
半導体位置検出装置３００は、絶縁膜３０２と認識マーク３０３と剥離抑制膜３０４とからなり、半導体基板３０１上の半導体装置（不図示）を個片化するための切断領域であるスクライブライン３０５上に形成される。
絶縁膜３０２はスクライブライン３０５上の全面に形成されておらず、認識マーク３０３を含む領域の下のみに形成されていることは、第２の実施形態と同様である。
【００４４】
剥離抑制膜３０４は、第３の実施形態においては、シリコン窒化膜３０４ａとシリコン酸化膜３０４ｂからなる２層の膜を積層したパッシベーション膜としている。シリコン窒化膜３０４ａ、シリコン酸化膜３０４ｂは、認識マーク３０３上であって、平面視において認識マーク３０３を含み認識マーク３０３より広い領域に形成される。そして、認識マーク３０３の外周部分において認識マーク３０３との重なり部分３０８を有し、その重なり部分３０８の内側の領域に十字形状の剥離抑制膜開口部分３０７を備える。シリコン酸化膜３０４ｂは、認識マーク３０３の外周の領域から、認識マーク３０３の外側の絶縁膜３０２の上の領域に向かって延在し、さらに絶縁膜３０２を越え、その一部が半導体基板３０１の表面に接している。シリコン窒化膜３０４ａは、シリコン酸化膜３０４ｂを覆い、さらにシリコン酸化膜３０４ｂの外周の領域から外側に向かって延在し、シリコン酸化膜３０４ｂを越え、その一部が半導体基板３０１の表面に接している。
【００４５】
第３の実施形態の半導体位置検出装置３００は、第１の実施形態や第２の実施形態と同様に、重なり部分３０８が認識マーク３０３の剥離を抑制するので、位置精度が損なわれることはない。さらに、２層の膜を積層したパッシベーションからなる剥離抑制膜３０４において、シリコンに対して密着強度の高いシリコン窒化膜３０４ａを、半導体位置検出装置３００の外側の領域で半導体基板３０１と接触させている。そのため、認識マーク３０３と絶縁膜３０２との間の界面と、絶縁膜３０２と半導体基板３０１との間の界面及びシリコン酸化膜３０４ｂと半導体基板３０１との間の界面の露出とそこを起点とした剥離を同時に防いでいる。それによって、半導体位置検出装置３００の位置精度低下の抑制に貢献している。
【００４６】
また、剥離抑制膜開口部分３０７が反射光強度の低減を抑制し、認識精度が損なわれることがないことや、スクライブライン３０５上において半導体基板３０１が露出しているので、切断ずれやチッピングの発生を低減し、半導体装置の歩留まりと信頼性の向上を実現していることは、第２の実施形態と同様である。
【００４７】
第３の実施形態の半導体装置の位置検出方法は、第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第３の実施形態を用いた半導体装置の製造方法についても、第１の実施形態と同様であり、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
本発明については、上記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態においては、半導体位置検出装置は一方向に延在するスクライブライン上の途中の領域に形成されていたが、縦横のスクライブラインが交差する領域でもよく、また、スクライブライン上でなくてもよい。個々の半導体装置の内部や、半導体装置が形成されない半導体基板の最外周領域など、半導体装置の座標認識の役割が果たせるのであれば、その配置はどこであっても構わない。
【００４９】
また、認識マークは照射レーザーに対し、充分な強度の反射光が得られるのであれば、金属層でなくてもよく、例えば、多結晶シリコン膜などでも構わない。また、認識マークの反射光強度が少ない材質のものであっても、認識マークの外側を覆う剥離抑制膜が認識マークよりもさらに反射光強度が少ない材質・構成のものであれば本発明の実施形態を適用できる。そのために、例えば照射レーザー光を乱反射させるような凹凸などが認識マークの外側を覆う剥離抑制膜に形成されている構成なども有効である。
【００５０】
また、認識マークは、平面視において十字形状としているが、正方形や長方形など、位置認識を行う目的を果たせるのであれば任意の形状として構わない。同様に認識マーク上の剥離抑制膜も、認識マークの剥離に対する保護の目的を果たせるのであれば、任意の形状としてよい。また、上記実施形態で示されているように、剥離抑制膜が認識マークと同様の形状である必要はなく、例えば平面視において、認識マークが十字形状であって、剥離抑制膜が四角形状であっても構わない。
【００５１】
また、剥離抑制膜開口部内において、認識マークの表面が露出している必要は無い。例えば３層金属プロセスを採用し、下から１層目の金属層で認識マークを構成し、パッシベーション膜で剥離抑制膜を構成した場合、剥離抑制膜開口部の認識マーク上に金属層の間の層間絶縁膜が残される場合がある。そのような場合であっても、照射レーザーに対し、充分に高い反射光の強度コントラストが得られるのであれば本実施形態を適用可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０１、２０１、３０１  半導体基板
１０２、２０２、３０２  絶縁膜
１０３、２０３、３０３  認識マーク
１０４、２０４、３０４  剥離抑制膜
３０４ａ  シリコン窒化膜
３０４ｂ  シリコン酸化膜
１０５、２０５、３０５  スクライブライン
１０６、２０６、３０６  層間絶縁膜
１０７、２０７、３０７  剥離抑制膜開口部分
１０８、２０８、３０８  重なり部分
【図１】
2019101357.tif 000003
【図２】
2019101357.tif 000004
【図３】
2019101357.tif 000005
【図４】
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