(57)【要約】【課題】反りを抑制できるセラミック基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミック基板は、セラミックを含む基板本体と、前記基板本体における一方の面に開口するキャビティと、前記キャビティにおける底面に設けられた第１メタライズと、前記基板本体における前記底面とは反対側の面に設けられた第２メタライズとを備える。前記第１メタライズは、平均粒径が０．３５〜０．７５μｍであるシリカ粒子を含む。前記第２メタライズは、平均粒径が０．２５〜０．７μｍであるシリカ粒子を含む。【選択図】図１
2019062049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを含む基板本体と、
前記基板本体における一方の面に開口するキャビティと、
前記キャビティにおける底面に設けられた第１メタライズと、
前記基板本体における前記底面とは反対側の面に設けられた第２メタライズと、
を備え、
前記第１メタライズは、平均粒径が０．３５〜０．７５μｍであるシリカ粒子を含み、
前記第２メタライズは、平均粒径が０．２５〜０．７μｍであるシリカ粒子を含むセラミック基板。
【請求項２】
セラミックを含む基板本体と、
前記基板本体における一方の面に開口する第１キャビティと、
前記基板本体における前記一方とは反対の面に開口する第２キャビティと、
前記第１キャビティにおける底面に設けられた第１メタライズと、
前記第２キャビティにおける底面に設けられた第２メタライズと、
を備え、
前記第１メタライズは、平均粒径が０．３５〜０．７５μｍであるシリカ粒子を含み、
前記第２メタライズは、平均粒径が０．２５〜０．７μｍであるシリカ粒子を含むセラミック基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のセラミック基板であって、
前記第１メタライズ及び前記第２メタライズは銅を含むセラミック基板。
【請求項４】
一方の面に開口するキャビティを備えるグリーンシートを用意し、
前記キャビティの底面に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズを形成し、
前記グリーンシートにおける前記底面とは反対の面に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズを形成し、
焼成するセラミック基板の製造方法であって、
前記第１未焼成メタライズにおいて、前記第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にあり、
前記第２未焼成メタライズにおいて、前記第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にあり、
前記質量比Ｒ１は前記質量比Ｒ２より大きいセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
一方の面に開口する第１キャビティ、及び前記一方とは反対の面に開口する第２キャビティを備えるグリーンシートを用意し、
前記第１キャビティの底面に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズを形成し、
前記第２キャビティの底面に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズを形成し、
前記第１未焼成メタライズの位置が前記第２未焼成メタライズの位置よりも低い状態で焼成するセラミック基板の製造方法であって、
前記第１未焼成メタライズにおいて、前記第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にあり、
前記第２未焼成メタライズにおいて、前記第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にあり、
前記質量比Ｒ１は前記質量比Ｒ２より大きいセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のセラミック基板の製造方法であって、
前記第１金属及び前記第２金属は銅を含むセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はセラミック基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、以下のようなセラミック基板が知られている。セラミック基板はキャビティを備える。キャビティにおける底面に第１メタライズが設けられている。セラミック基板における前記底面とは反対側の面に第２メタライズが設けられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１５９７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のセラミック基板は、キャビティを備えるグリーンシートにおいて、第１メタライズ及び第２メタライズに対応する位置に未焼成メタライズを形成し、焼成することにより製造される。焼成のとき、キャビティの底面が凸面となるように、セラミック基板が反ってしまう。本開示の一局面は、反りを抑制できるセラミック基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一局面は、セラミックを含む基板本体と、前記基板本体における一方の面に開口するキャビティと、前記キャビティにおける底面に設けられた第１メタライズと、前記基板本体における前記底面とは反対側の面に設けられた第２メタライズと、を備え、前記第１メタライズは、平均粒径が０．３５〜０．７５μｍであるシリカ粒子を含み、前記第２メタライズは、平均粒径が０．２５〜０．７μｍであるシリカ粒子を含むセラミック基板である。本開示の一局面であるセラミック基板は、反りを抑制できる。
【０００６】
本開示の別の局面は、セラミックを含む基板本体と、前記基板本体における一方の面に開口する第１キャビティと、前記基板本体における前記一方とは反対の面に開口する第２キャビティと、前記第１キャビティにおける底面に設けられた第１メタライズと、前記第２キャビティにおける底面に設けられた第２メタライズと、を備え、前記第１メタライズは、平均粒径が０．３５〜０．７５μｍであるシリカ粒子を含み、前記第２メタライズは、平均粒径が０．２５〜０．７μｍであるシリカ粒子を含むセラミック基板である。本開示の別の局面であるセラミック基板は、反りを抑制できる。
【０００７】
本開示の別の局面は、一方の面に開口するキャビティを備えるグリーンシートを用意し、前記キャビティの底面に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズを形成し、前記グリーンシートにおける前記底面とは反対の面に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズを形成し、焼成するセラミック基板の製造方法であって、前記第１未焼成メタライズにおいて、前記第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にあり、前記第２未焼成メタライズにおいて、前記第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にあり、前記質量比Ｒ１は前記質量比Ｒ２より大きいセラミック基板の製造方法である。本開示の別の局面であるセラミック基板の製造方法によれば、セラミック基板の反りを抑制できる。
【０００８】
本開示の別の局面は、一方の面に開口する第１キャビティ、及び前記一方とは反対の面に開口する第２キャビティを備えるグリーンシートを用意し、前記第１キャビティの底面に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズを形成し、前記第２キャビティの底面に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズを形成し、前記第１未焼成メタライズの位置が前記第２未焼成メタライズの位置よりも低い状態で焼成するセラミック基板の製造方法であって、前記第１未焼成メタライズにおいて、前記第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にあり、前記第２未焼成メタライズにおいて、前記第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にあり、前記質量比Ｒ１は前記質量比Ｒ２より大きいセラミック基板の製造方法である。本開示の別の局面であるセラミック基板の製造方法によれば、セラミック基板の反りを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】セラミック基板１の構成を表す側断面図である。
【図２】反りが生じたセラミック基板１を表す側断面図である。
【図３】セラミック基板１０１の構成を表す側断面図である。
【図４】反りが生じたセラミック基板１０１を表す側断面図である。
【図５】グリーンシート１９、第１未焼成メタライズ２１、及び第２未焼成メタライズ２３の構成を表す側断面図である。
【図６】グリーンシート１１７、第１未焼成メタライズ１２１、及び第２未焼成メタライズ１２３の構成を表す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示の実施形態を説明する。
１．セラミック基板の構成
本開示のセラミック基板として、例えば、以下の第１の形態と、第２の形態とが挙げられる。
【００１１】
（１）第１の形態
図１に示すように、第１の形態のセラミック基板１は、セラミックを含む基板本体３と、前記基板本体３における一方の面５に開口するキャビティ７と、前記キャビティ７における底面９に設けられた第１メタライズ１１と、前記基板本体３における前記底面９とは反対側の面１３に設けられた第２メタライズ１５と、を備える。
【００１２】
（１−１）基板本体３及びキャビティ７
基板本体３はセラミックを含む。セラミックとして、例えば、ガラスセラミック、アルミナセラミック等が挙げられる。基板本体３は、例えば、複数の積層体１７を積層して構成することができる。一部の積層体１７の形状を、キャビティ７に相当する部分が切り欠かれた形状とすることにより、キャビティ７を形成することができる。
【００１３】
（１−２）第１メタライズ１１
第１メタライズ１１は、金属と、シリカ粒子とを含む。金属として、例えば、銅、金、銀等が挙げられる。シリカ粒子は、例えば、金属の中に分散している。第１メタライズ１１におけるシリカ粒子の平均粒径は０．３５〜０．７５μｍである。
【００１４】
シリカ粒子の平均粒径が０．３５μｍ以上であることにより、第１メタライズ１１と基板本体３との密着性が高くなる。シリカ粒子の平均粒径が０．７５μｍ以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第１メタライズ１１の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。
【００１５】
シリカ粒子の平均粒径の測定方法は以下のとおりである。まず、第１メタライズ１１を通る断面でセラミック基板１を切断する。次に、切断面をポリッシュする。次に、第１メタライズ１１の断面を電子顕微鏡で観察し、電子顕微鏡写真を取得する。電子顕微鏡写真における１００μｍ×１００μｍの視野内にある全てのシリカ粒子の粒径を測定する。シリカ粒子の形状が真円でない場合の粒径は、粒径が最大となる方向での値である。次に、全てのシリカ粒子の粒径の平均値を算出する。この平均値をシリカ粒子の平均粒径とする。
【００１６】
第１メタライズ１１は、底面９の全てを覆っていてもよいし、底面９の一部を覆っていてもよい。第１メタライズ１１の膜厚は５〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内である場合、セラミック基板１の反りを一層抑制できる。
【００１７】
（１−３）第２メタライズ１５
第２メタライズ１５は、金属と、シリカ粒子とを含む。金属として、例えば、銅、金、銀等が挙げられる。シリカ粒子は、例えば、金属の中に分散している。第２メタライズ１５におけるシリカ粒子の平均粒径は０．２５〜０．７μｍである。
【００１８】
シリカ粒子の平均粒径が０．２５μｍ以上であることにより、第２メタライズ１５と基板本体３との密着性が高くなる。シリカ粒子の平均粒径が０．７μｍ以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第２メタライズ１５の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。
【００１９】
シリカ粒子の平均粒径の測定方法は上述した方法である。第２メタライズ１５は、反対側の面１３の全てを覆っていてもよいし、反対側の面１３の一部を覆っていてもよい。第２メタライズ１５の膜厚は５〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内である場合、セラミック基板１の反りを一層抑制できる。
【００２０】
（１−４）効果
セラミック基板１は、図２に示すように、底面９が凸面となるように反ってしまうことを抑制できる。
【００２１】
（２）第２の形態
図３に示すように、第２の形態のセラミック基板１０１は、セラミックを含む基板本体１０３と、前記基板本体１０３における一方の面１０５に開口する第１キャビティ１０７と、前記基板本体１０３における前記一方とは反対の面１１３に開口する第２キャビティ１０８と、前記第１キャビティ１０７における底面１０９に設けられた第１メタライズ１１１と、前記第２キャビティ１０８における底面１１４に設けられた第２メタライズ１１５と、を備える。
【００２２】
（２−１）基板本体１０３、第１キャビティ１０７、及び第２キャビティ１０８
基板本体１０３はセラミックを含む。セラミックとして、例えば、ガラスセラミック、アルミナセラミック等が挙げられる。基板本体１０３は、例えば、複数の積層体１７を積層して構成することができる。一部の積層体１７の形状を、第１キャビティ１０７又は第２キャビティ１０８に相当する部分が切り欠かれた形状とすることにより、第１キャビティ１０７及び第２キャビティ１０８を形成することができる。
【００２３】
セラミック基板１０１の厚み方向から見たとき、第１キャビティ１０７の位置と第２キャビティ１０８の位置とは一致していてもよいし、異なっていてもよい。第１キャビティ１０７の深さは、第２キャビティ１０８の深さと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２４】
（２−２）第１メタライズ１１１
第１メタライズ１１１は、第１の形態における第１メタライズ１１と同様の構成を有する。
【００２５】
（２−３）第２メタライズ１１５
第２メタライズ１１５は、第１の形態における第２メタライズ１５と同様の構成を有する。
【００２６】
（２−４）効果
セラミック基板１０１は、図４に示すように、底面１０９が凸面となるように反ってしまうことを抑制できる。
【００２７】
２．セラミック基板の製造方法
（１）第１の形態のセラミック基板１の製造方法
第１の形態のセラミック基板１は、例えば、以下の方法で製造できる。図５に示すように、グリーンシート１９を用意する。このグリーンシート１９は、一方の面５に開口するキャビティ７を備える。
【００２８】
グリーンシート１９は、例えば、複数の積層体２０を積層して構成することができる。一部の積層体２０の形状を、キャビティ７に相当する部分が切り欠かれた形状とすることにより、キャビティ７を形成することができる。
【００２９】
キャビティ７の底面９に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズ２１を形成する。また、グリーンシート１９における底面９とは反対の面１３に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズ２３を形成する。
【００３０】
次に、焼成することにより、グリーンシート１９は基板本体３となる。また、第１未焼成メタライズ２１は第１メタライズ１１となる。また、第２未焼成メタライズ２３は第２メタライズ１５となる。その結果、セラミック基板１が完成する。焼成するとき、グリーンシート１９の向きは、キャビティ７が上側となる向きであってもよいし、キャビティ７が下側となる向きであってもよい。
【００３１】
第１未焼成メタライズ２１は、第１金属及びシリカ粒子に加えて、例えば、有機バインダ等を含む。第１金属の態様は、例えば、粉末である。第１金属として、例えば、金、銀、銅等が挙げられる。第１未焼成メタライズ２１は、例えば、ペースト状のメタライズインクを塗布することにより形成できる。メタライズインクは、第１金属の粉末、シリカ粒子、有機バインダ等を混合することにより調製できる。
【００３２】
第１未焼成メタライズ２１において、第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にある。質量比Ｒ１が１．１質量％以上であることにより、第１メタライズ１１と基板本体３との密着性が高くなる。質量比Ｒ１が１．５質量％以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第１メタライズ１１の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。質量比Ｒ１が大きいほど、第１メタライズ１１におけるシリカ粒子の平均粒径が大きくなる。
【００３３】
第２未焼成メタライズ２３は、第２金属及びシリカ粒子に加えて、例えば、有機バインダ等を含む。第２金属の態様は、例えば、粉末である。第２金属として、例えば、金、銀、銅等が挙げられる。第２未焼成メタライズ２３は、例えば、ペースト状のメタライズインクを塗布することにより形成できる。メタライズインクは、第２金属の粉末、シリカ粒子、有機バインダ等を混合することにより調製できる。第２未焼成メタライズ２３において、第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にある。質量比Ｒ２が１．０質量％以上であることにより、第２メタライズ１５と基板本体３との密着性が高くなる。質量比Ｒ２が１．４５質量％以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第２メタライズ１５の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。質量比Ｒ２が大きいほど、第２メタライズ１５におけるシリカ粒子の平均粒径が大きくなる。
【００３４】
第１未焼成メタライズ２１における質量比Ｒ１は、質量比Ｒ２より大きい。そのことにより、第１メタライズ１１に含まれるシリカ粒子の平均粒径は、第２メタライズ１５に含まれるシリカ粒子の平均粒径より大きくなる。その結果、セラミック基板１が、図２に示すように、底面９が凸面となるように反ってしまうことを抑制できる。
【００３５】
セラミック基板１の反りを抑制できる理由は以下のように推測できる。未焼成メタライズに含まれるシリカ粒子は、焼成のとき、基板本体の中やメタライズの表面に拡散し、メタライズの収縮量を大きくする。質量比Ｒ１は質量比Ｒ２より大きいので、第１メタライズ１１の収縮量は、第２メタライズ１５の収縮量より大きくなる。
【００３６】
グリーンシート１９を焼成すると、仮に、質量比Ｒ１と質量比Ｒ２とが等しければ、図２に示すように、セラミック基板１は反ってしまう。質量比Ｒ１を質量比Ｒ２より大きくし、第１メタライズ１１の収縮量を第２メタライズ１５の収縮量より大きくすることで、図２に示すセラミック基板１の反りを抑制できる。
【００３７】
質量比Ｒ１は、質量比Ｒ２の１．１〜１．５倍であることが好ましい。この場合、セラミック基板１が、図２に示すように、底面９が凸面となるように反ってしまうことを一層抑制できる。
【００３８】
（２）第２の形態のセラミック基板１０１の製造方法
第２の形態のセラミック基板１０１は、例えば、以下の方法で製造できる。図６に示すように、グリーンシート１１７を用意する。このグリーンシート１１７は、一方の面１０５に開口する第１キャビティ１０７と、反対の面１１３に開口する第２キャビティ１０８とを備える。
【００３９】
グリーンシート１１７は、例えば、複数の積層体１１９を積層して構成することができる。一部の積層体１１９の形状を、第１キャビティ１０７又は第２キャビティ１０８に相当する部分が切り欠かれた形状とすることにより、第１キャビティ１０７及び第２キャビティ１０８を形成することができる。
【００４０】
第１キャビティ１０７の底面１０９に、第１金属及びシリカ粒子を含む第１未焼成メタライズ１２１を形成する。また、第２キャビティ１０８の底面１１４に、第２金属及びシリカ粒子を含む第２未焼成メタライズ１２３を形成する。
【００４１】
次に、第１未焼成メタライズ１２１の位置が第２未焼成メタライズ１２３の位置よりも低い状態で焼成する。第１未焼成メタライズ１２１の位置が第２未焼成メタライズ１２３の位置よりも低い状態とは、例えば、グリーンシート１１７の向きが、図６に示す向きとは上下反転した状態である。
【００４２】
焼成により、グリーンシート１１７は基板本体１０３となる。また、第１未焼成メタライズ１２１は第１メタライズ１１１となる。また、第２未焼成メタライズ１２３は第２メタライズ１１５となる。
【００４３】
焼成温度は、グリーンシートの組成にもよるが、例えば、７００〜１０００℃の範囲が好ましい。
第１未焼成メタライズ１２１は、第１金属及びシリカ粒子に加えて、例えば、有機バインダ等を含む。第１金属の態様は、例えば、粉末である。第１金属として、例えば、金、銀、銅等が挙げられる。第１未焼成メタライズ１２１は、例えば、ペースト状のメタライズインクを塗布することにより形成できる。メタライズインクは、第１金属の粉末、シリカ粒子、有機バインダ等を混合することにより調製できる。
【００４４】
第１未焼成メタライズ１２１において、第１金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ１は、１．１〜１．５質量％の範囲内にある。質量比Ｒ１が１．１質量％以上であることにより、第１メタライズ１１１と基板本体１０３との密着性が高くなる。質量比Ｒ１が１．５質量％以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第１メタライズ１１１の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。質量比Ｒ１が大きいほど、第１メタライズ１１１におけるシリカ粒子の平均粒径が大きくなる。
【００４５】
第２未焼成メタライズ１２３は、第２金属及びシリカ粒子に加えて、例えば、有機バインダ等を含む。第２金属の態様は、例えば、粉末である。第２金属として、例えば、金、銀、銅等が挙げられる。第２未焼成メタライズ１２３は、例えば、ペースト状のメタライズインクを塗布することにより形成できる。メタライズインクは、第２金属の粉末、シリカ粒子、有機バインダ等を混合することにより調製できる。
【００４６】
第２未焼成メタライズ１２３において、第２金属の質量に対するシリカ粒子の質量比Ｒ２は、１．０〜１．４５質量％の範囲内にある。質量比Ｒ２が１．０質量％以上であることにより、第２メタライズ１１５と基板本体１０３との密着性が高くなる。質量比Ｒ２が１．４５質量％以下であることにより、めっき処理における不具合を抑制できる。めっき処理における不具合とは、第２メタライズ１１５の表面にガラスが浮いてめっきを阻害する現象である。質量比Ｒ２が大きいほど、第２メタライズ１１５におけるシリカ粒子の平均粒径が大きくなる。
【００４７】
第１未焼成メタライズ１２１における質量比Ｒ１は、質量比Ｒ２より大きい。そのことにより、第１メタライズ１１１に含まれるシリカ粒子の平均粒径は、第２メタライズ１１５に含まれるシリカ粒子の平均粒径より大きくなる。その結果、セラミック基板１０１が、図４に示すように、底面１０９が凸面となるように反ってしまうことを抑制できる。
【００４８】
セラミック基板１０１の反りを抑制できる理由は以下のように推測できる。未焼成メタライズに含まれるシリカ粒子は、焼成のとき、基板本体の中やメタライズの表面に拡散し、メタライズの収縮量を大きくする。質量比Ｒ１は質量比Ｒ２より大きいので、第１メタライズ１１１の収縮量は、第２メタライズ１１５の収縮量より大きくなる。
【００４９】
第１未焼成メタライズ１２１の位置が第２未焼成メタライズ１２３の位置よりも低い状態で焼成すると、仮に、質量比Ｒ１と質量比Ｒ２とが等しければ、図４に示すように、セラミック基板１０１は反ってしまう。
【００５０】
質量比Ｒ１を質量比Ｒ２より大きくし、第１メタライズ１１１の収縮量を第２メタライズ１１５の収縮量より大きくすることで、図４に示すセラミック基板１０１の反りを抑制できる。
【００５１】
質量比Ｒ１は、質量比Ｒ２の１．１〜１．５倍であることが好ましい。この場合、セラミック基板１０１が、図４に示すように、底面１０９が凸面となるように反ってしまうことを一層抑制できる。
【００５２】
３．実施例
（１）セラミック基板１Ａ〜１Ｄの製造
セラミック基板１Ａ〜１Ｄを、以下の方法で製造した。
【００５３】
（１−１）セラミックグリーンシートの作製
以下の組成を有するガラス粉末を用意した。
ＳｉＯ２：６３．３質量部
Ｂ２Ｏ３：２４．１質量部
Ａｌ２Ｏ３：５．７質量部
ＣａＯ：６．９質量部
このガラス粉末５０質量部と、アルミナフィラー５０質量部とを混合し、アルミナとガラスとの混合粉末を作製した。アルミナとガラスとの混合粉末の粒径は２．５μｍである。アルミナとガラスとの混合粉末におけるアルカリ金属不純物含有量は０．２ｍｏｌ％以下である。
【００５４】
次に、アルミナとガラスとの混合粉末１００質量部と、アクリル樹脂から成るバインダ１４質量部と、フタル酸ジブチルから成る可塑剤６質量部と、適量のトルエン・イソプロピルアルコール混合溶媒とを混合してスラリーを作製した。
【００５５】
次に、このスラリーを用い、ドクターブレード法等のシート成形の方法により、厚さ１２５〜１８０μｍのセラミックグリーンシートを成形した。このセラミックグリーンシートは、比較的低温（ここでは１０００℃）で焼成できる低温焼成用のグリーンシートである。
【００５６】
（１−２）銅ペーストの作製
セラミック基板１Ａ〜１Ｄのそれぞれについて、製造に用いる第１銅ペースト及び第２銅ペーストを作製した。いずれの銅ペーストも、平均粒径５μｍの球状銅粉１００質量部と、アクリル樹脂から成るビヒクル２０質量部と、シリカ粒子とを混合して作製した。それぞれの銅ペーストにおける、球状銅粉の質量に対するシリカ粒子の質量の比率は表１に示すとおりである。表１における質量比Ｒ１は、第１銅ペーストにおける、球状銅粉の質量に対するシリカ粒子の質量比である。質量比Ｒ２は、第２銅ペーストにおける、球状銅粉の質量に対するシリカ粒子の質量比である。
【００５７】
【表１】
2019062049.tif 000003
（１−３）セラミック基板１Ａ〜１Ｄの完成
前記（１−１）で作製した厚み１８０μｍセラミックグリーンシート（以下では第１層とする）の第１面に、第１銅ペーストを用い、スクリーン印刷の方法により、第１未焼成メタライズを形成した。第１未焼成メタライズは、５×５ｍｍのパターンが、６．５ｍｍのピッチで、横７列縦５列に配列されたものである。
【００５８】
また、第１層の第２面に、第２銅ペーストを用い、スクリーン印刷の方法により、第２未焼成メタライズを形成した。第２未焼成メタライズは、５×５ｍｍのパターンが、６．５ｍｍのピッチで、横７列縦５列に配列されたものである。
【００５９】
また、前記（１−１）で作製した厚み１２５μｍのセラミックグリーンシート（以下では第２層とする）に、横７列縦５列に並ぶ複数の貫通穴を形成した。各貫通穴の大きさは、焼成後に６×６ｍｍとなる大きさである。各貫通孔の位置は、第２層を第１層に重ねたとき、厚み方向から見て、各貫通孔が第１未焼成メタライズを包含する位置である。
【００６０】
また、前記（１−１）で作製した厚み１２５μｍのセラミックグリーンシート（以下では第３層とする）、及び厚み１８０μｍのセラミックグリーンシート（以下では第４層とする）にも、第２層の場合と同様に貫通穴を形成した。
【００６１】
次に、第１層に対し、第１面の側から、第２層、第３層、及び第４層を順次積層し、圧着して積層体を形成した。積層体は、第２層、第３層、及び第４層の貫通穴から成るキャビティを備える。キャビティの底面に第１未焼成メタライズが設けられている。第１層の第２面は、キャビティの底面とは反対側の面にある。第２面に第２未焼成メタライズが設けられている。
【００６２】
次に、積層体を、炉内において、水蒸気と窒素ガスとの混合雰囲気に曝し、銅ペースト及びセラミックグリーンシート中の有機成分を脱脂した。混合雰囲気において、水蒸気と窒素ガスの露点は７０℃である。炉内の温度は８５０℃である。
【００６３】
次に、炉内の雰囲気を乾燥窒素ガスで置換し、炉内温度を１０００℃に昇温して、２時間焼成を行った。
次に、焼成により生じた基板に無電解ニッケルめっきを実施し、無電解ニッケルめっきの上に無電解金めっきを実施して、セラミック基板１Ａ〜１Ｄを完成した。無電解ニッケルめっきの厚みは、４μｍであり、無電解金めっきの厚みは０．１μｍである。第１未焼成メタライズは、焼成後、第１メタライズとなる。第２未焼成メタライズは、焼成後、第２メタライズとなる。
【００６４】
（２）セラミック基板１Ａ〜１Ｄの評価
（２−１）外観の評価
セラミック基板１Ａ〜１Ｄが備えるめっきの表面を、顕微鏡を用い、３０倍に拡大して観察した。そして、めっきに異常があるか否かを判断した。その結果を上記表１に示す。「ＯＫ」は異常がないことを意味し、「ＮＧ」は異常があることを意味する。
【００６５】
セラミック基板１Ａ〜１Ｃでは、異常は見られなかった。セラミック基板１Ｄでは、めっきが析出していない異常部分があった。この原因は、メタライズの表面へのＳｉＯ２の浮き出しにより、めっきが阻害されたためである。
【００６６】
（２−２）反り量Ｘの測定
セラミック基板１Ａ〜１Ｄのそれぞれについて、非接触式のレーザー測定器を用いて、反り量Ｘを測定した。反り量Ｘとは、図２に示すように、キャビティ７が上側となるように、セラミック基板１を水平面２５に設置したとき、水平面２５と面１３との最大距離を意味する。反り量Ｘの測定結果を上記表１に示す。
【００６７】
（２−３）シリカ粒子の平均粒径の測定
セラミック基板１Ａ〜１Ｄのそれぞれについて、第１メタライズに含まれるシリカ粒子の平均粒径と、第２メタライズに含まれるシリカ粒子の平均粒径とを測定した。測定結果を上記表１に示す。  
４．他の実施形態
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
【００６８】
（１）第２の形態のセラミック基板１０１も、反り量Ｘを抑制することができる。
（２）上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００６９】
（３）上述したセラミック基板の他、当該セラミック基板を構成要素とするシステム等、種々の形態で本開示を実現することもできる。
【符号の説明】
【００７０】
１、１０１…セラミック基板、３、１０３…基板本体、５、１０５…一方の面、７…キャビティ、９、１０９、１１４…底面、１１、１１１…第１メタライズ、１３、１１３…面、１５、１１５…第２メタライズ、１７、１１９…積層体、１９、１１７…グリーンシート、２０…積層体、２１、１２１…第１未焼成メタライズ、２３、１２３…第２未焼成メタライズ、２５…水平面、１０７…第１キャビティ、１０８…第２キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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