(57)【要約】      （修正有）【課題】表示装置の製造工程において剥離帯電を防止することができるとともに、高価な帯電防止機能付き樹脂フィルムが不要となり、表示装置の製造コストを低減することが可能な、表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置形成用基板１０は、表示装置を形成するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、ガラス基材１１と、ガラス基材１１上に積層された剥離層１２と、剥離層１２上に積層された金属層１３とを備えている。金属層１３は、帯電防止機能を有している。【選択図】図１
2019211694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、
ガラス基材と、
前記ガラス基材上に積層された剥離層と、
前記剥離層上に積層された金属層とを備え、
前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置形成用基板。
【請求項２】
前記金属層は、モリブデン合金を含む、請求項１に記載の表示装置形成用基板。
【請求項３】
前記剥離層は、レーザー光を吸収することにより分解され、前記金属層は、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能である、請求項１または２に記載の表示装置形成用基板。
【請求項４】
前記金属層は、ガスバリア機能、応力緩和機能、電磁波遮蔽機能、及び放熱機能のうち少なくとも１つの機能を有する、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。
【請求項５】
前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。
【請求項６】
前記金属層は、所定のパターンにパターニングされている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。
【請求項７】
前記金属層上に積層されためっき層を更に備える、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。
【請求項８】
前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板。
【請求項９】
支持基材と、
前記支持基材上に積層された金属層と、
前記金属層上に配置された樹脂基材と、
前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、
前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、
前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置。
【請求項１０】
前記金属層は、モリブデン合金を含む、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記金属層は、所定のパターンにパターニングされている、請求項９または１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記金属層上に積層されためっき層を更に備える、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
表示装置の製造方法であって、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置形成用基板を準備する工程と、
前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、
前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、
前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、
前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、
前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、
前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、
前記ガラス基材が剥離された前記金属層上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、
前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備え、
前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記金属層は、モリブデン合金を含む、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、請求項１４または１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
表示装置の製造方法であって、
第１ガラス基材と、前記第１ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される第１剥離層と、前記第１剥離層上に積層され、前記第１剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第１樹脂基材と、前記第１樹脂基材上に配置されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に配置された第１配向層とを有する第１中間製品を準備する工程と、
第２ガラス基材と、前記第２ガラス基材上に積層され、前記レーザー光を吸収することにより分解される第２剥離層と、前記第２剥離層上に積層され、前記第２剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第２金属層と、前記第２金属層上に設けられた第２樹脂基材と、前記第２樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された第２配向層とを有する第２中間製品を準備する工程と、
前記第１中間製品の前記第１配向層と前記第２中間製品の前記第２配向層との間に液晶層を設ける工程と、
前記第１ガラス基材側から前記第１剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第１ガラス基材を前記第１金属層から剥離する工程と、
前記第１樹脂基材から前記第１金属層を除去する工程と、
前記第１金属層が除去された前記第１樹脂基材上に、第１偏光板を配置する工程と、
前記第２ガラス基材側から前記第２剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第２ガラス基材を前記第２金属層から剥離する工程と、
前記第２樹脂基材から前記第２金属層を除去する工程と、
前記第２金属層が除去された前記第２樹脂基材上に、第２偏光板を配置する工程と、
前記第２偏光板上に光源を配置する工程とを備え、
前記第１金属層および前記第２金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１金属層および前記第２金属層は、モリブデン合金を含む、請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１金属層および前記第２金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、請求項１７または１８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子として、発光素子から放射される光を表示光として利用する表示装置（有機ＥＬ表示装置）や、液晶層を利用する表示装置（液晶表示装置）が開発されている。このような表示装置は、その用途を、テレビやデスクトップモニターのみならず、携帯用ノートパソコン、携帯電話、携帯用ゲーム機、電子リーダー、電子ブックなどの携帯型電子機器にまで広く拡大していることから、さらなる軽量化、小型化、及び薄型化が求められている。
【０００３】
このような状況において、表示装置を構成する表示装置部材としては、これまで主として用いられてきたガラス製の支持基板に代わり、可撓性を有するフィルムよりなるフレキシブル基板を用いた表示装置部材が提案されている。表示装置部材において、ガラス製の支持基板の代わりに、樹脂基材等のフレキシブル基板を用いることにより、表示装置をフレキシブルにすることも可能となる。
【０００４】
このようなフレキシブルな表示装置を作製する場合、ガラス基材上に剥離層（光熱交換膜）と樹脂基材（ＰＩ層）とをこの順に形成し、樹脂基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を形成した後に、剥離層にレーザー光を照射して樹脂基材からガラス基材を剥離させている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１３８８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、表示装置を製造する際、様々な原因により静電気が発生し得ることが知られている。静電気が発生する原因としては、例えば、樹脂基材からガラス基材を剥離させる際の剥離帯電などが挙げられる。このような静電気が放電すると、薄膜トランジスタ等が損傷を受けるおそれがある。また、一般に、表示装置が用いられる携帯電話等の最終製品においては、バックパネルを介して、バッテリー等の機器が取り付けられている。これにより、表示装置に機器を取り付ける際に、表示装置が帯電する可能性もある。このため、樹脂基材には、帯電を防止するために、帯電防止機能付きの樹脂フィルム（例えば、いわゆるＡＳＰＥＴフィルム）を使用することが求められている。この帯電防止機能付きの樹脂フィルムは高価であり、表示装置の製造コストが高くなるという問題点がある。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、表示装置の製造工程において剥離帯電を防止することができるとともに、高価な帯電防止機能付き樹脂フィルムが不要となり、表示装置の製造コストを低減することが可能な、表示装置形成用基板、表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表示装置を形成するための表示装置形成用基板であって、ガラス基材と、前記ガラス基材上に積層された剥離層と、前記剥離層上に積層された金属層とを備え、前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置形成用基板である。
【０００９】
本発明は、前記金属層は、モリブデン合金を含む、表示装置形成用基板である。
【００１０】
本発明は、前記剥離層は、レーザー光を吸収することにより分解され、前記金属層は、前記剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能である、表示装置形成用基板である。
【００１１】
本発明は、前記金属層は、ガスバリア機能、応力緩和機能、電磁波遮蔽機能、及び放熱機能のうち少なくとも１つの機能を有する、表示装置形成用基板である。
【００１２】
本発明は、前記金属層の厚みは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、表示装置形成用基板。
【００１３】
本発明は、前記金属層は、所定のパターンにパターニングされている、表示装置形成用基板である。
【００１４】
本発明は、前記金属層上に積層されためっき層を更に備える、表示装置形成用基板である。
【００１５】
本発明は、前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、表示装置形成用基板である。
【００１６】
本発明は、支持基材と、前記支持基材上に積層された金属層と、前記金属層上に配置された樹脂基材と、前記樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記樹脂基材上に配置され、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に配置され、前記有機ＥＬ素子を封止する封止樹脂とを備え、前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置である。
【００１７】
本発明は、前記金属層は、モリブデン合金を含む、表示装置である。
【００１８】
本発明は、前記金属層は、所定のパターンにパターニングされている、表示装置である。
【００１９】
本発明は、前記金属層上に積層されためっき層を更に備える、表示装置である。
【００２０】
本発明は、前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、表示装置である。
【００２１】
本発明は、表示装置の製造方法であって、本発明による表示装置形成用基板を準備する工程と、前記表示装置形成用基板の前記金属層上に樹脂基材を配置する工程と、前記樹脂基材上に薄膜トランジスタを配置する工程と、前記樹脂基材上に、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される有機ＥＬ素子を配置する工程と、前記有機ＥＬ素子を封止樹脂によって封止する工程と、前記封止樹脂上に、前記表示装置を仮支持する仮支持基材を配置する工程と、前記ガラス基材側から前記剥離層に向けてレーザー光を照射することにより前記ガラス基材を前記金属層から剥離する工程と、前記ガラス基材が剥離された前記金属層上に、前記表示装置を支持する支持基材を配置する工程と、前記仮支持基材を前記封止樹脂から剥離する工程とを備え、前記金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置の製造方法である。
【００２２】
本発明は、前記金属層は、モリブデン合金を含む、表示装置の製造方法である。
【００２３】
本発明は、前記金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、表示装置の製造方法である。
【００２４】
本発明は、表示装置の製造方法であって、第１ガラス基材と、前記第１ガラス基材上に積層され、レーザー光を吸収することにより分解される第１剥離層と、前記第１剥離層上に積層され、前記第１剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第１金属層と、前記第１金属層上に配置された第１樹脂基材と、前記第１樹脂基材上に配置されたカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に配置された第１配向層とを有する第１中間製品を準備する工程と、第２ガラス基材と、前記第２ガラス基材上に積層され、前記レーザー光を吸収することにより分解される第２剥離層と、前記第２剥離層上に積層され、前記第２剥離層を透過した前記レーザー光を反射可能な第２金属層と、前記第２金属層上に設けられた第２樹脂基材と、前記第２樹脂基材上に配置された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に配置された第２配向層とを有する第２中間製品を準備する工程と、前記第１中間製品の前記第１配向層と前記第２中間製品の前記第２配向層との間に液晶層を設ける工程と、前記第１ガラス基材側から前記第１剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第１ガラス基材を前記第１金属層から剥離する工程と、前記第１樹脂基材から前記第１金属層を除去する工程と、前記第１金属層が除去された前記第１樹脂基材上に、第１偏光板を配置する工程と、前記第２ガラス基材側から前記第２剥離層に向けて前記レーザー光を照射することにより、前記第２ガラス基材を前記第２金属層から剥離する工程と、前記第２樹脂基材から前記第２金属層を除去する工程と、前記第２金属層が除去された前記第２樹脂基材上に、第２偏光板を配置する工程と、前記第２偏光板上に光源を配置する工程とを備え、前記第１金属層および前記第２金属層は、帯電防止機能を有する、表示装置の製造方法である。
【００２５】
本発明は、前記第１金属層および前記第２金属層は、モリブデン合金を含む、表示装置の製造方法である。
【００２６】
本発明は、前記第１金属層および前記第２金属層は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含む、表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、表示装置の製造工程において剥離帯電を防止することができるとともに、高価な帯電防止機能付き樹脂フィルムが不要となり、表示装置の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用基板を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施の形態による表示装置を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例１）を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）−（ｂ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例１）を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用基板の変形例（変形例２）を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施の形態による表示装置の変形例（変形例２）を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施の形態による表示装置形成用基板の変形例（変形例３）を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施の形態による表示装置の変形例（変形例３）を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施の形態による表示装置の変形例（変形例４）を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例４）を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例４）を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例４）を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の一実施の形態による表示装置の変形例（変形例５）を示す断面図である。
【図１８】図１８（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例５）を示す断面図である。
【図１９】図１９（ａ）−（ｄ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例５）を示す断面図である。
【図２０】図２０（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例５）を示す断面図である。
【図２１】図２１（ａ）−（ｃ）は、本発明の一実施の形態による表示装置の製造方法の変形例（変形例５）を示す断面図である。
【図２２】図２２（ａ）は、変形例（変形例６）による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示す断面図であり、図２２（ｂ）は、変形例（変形例６）による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示す断面図である。
【図２３】図２３は、表示装置形成用基板の変形例（変形例６）を示す断面図である。
【図２４】図２４は、表示装置の変形例（変形例６）を示す断面図である。
【図２５】図２５（ａ）−（ｃ）は、表示装置の製造方法の変形例（変形例６）を示す断面図である。
【図２６】図２６（ａ）−（ｃ）は、表示装置の製造方法の変形例（変形例６）を示す断面図である。
【図２７】図２７（ａ）−（ｃ）は、実施例において、配線破壊試験を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図６を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
【００３０】
（表示装置形成用基板の構成）
まず、図１により、本実施の形態による表示装置形成用基板の概略について説明する。図１は、本実施の形態による表示装置形成用基板を示す断面図である。
【００３１】
図１に示す表示装置形成用基板１０は、後述する表示装置２０（図２参照）を作製するためのものである。この表示装置形成用基板１０は、ガラス基材１１と、ガラス基材１１上に積層された剥離層１２と、剥離層１２上に積層され、剥離層１２を透過したレーザー光を反射可能な金属層１３とを備えている。
【００３２】
このうちガラス基材１１は、表示装置形成用基板１０の全体を支持するものであり、平坦な板状の部材からなる。ガラス基材１１としては、レーザー光が透過可能な材料を用い、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）等の透明なガラス類を用いることができる。ガラス基材１１の厚みｔ１は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１５０μｍ以上９００μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。なお、ガラス基材１１のガラスサイズは任意であり、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）のガラス基材１１を用いることができる。
【００３３】
剥離層１２は、ガラス基材１１上に直接形成された平坦な層（接着層）からなる。剥離層１２は、後述する表示装置形成用基板１０の製造工程において、ガラス基材１１と金属層１３とを接着させるとともに、その後の表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離させるものである。
【００３４】
剥離層１２には、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下又は消失するものが用いられる。また、剥離層１２には、ガラス基材１１の材料との密着性が良好なものが用いられる。剥離層１２としては、例えば、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）のレーザー光を吸収するような特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料（例えばBrewer Science, Inc.社製BREWER BONDシリーズ、宇部興産（株）製ＵＰＩＡシリーズ（製品名）、ユニチカ（株）製Ｕイミドシリーズ（製品名）、ＪＳＲ（株）製オプトマーＡＬシリーズ（製品名）、東京応化工業（株）製ＴＺＮＲ−Ａシリーズ（製品名））を用いることができる。とりわけ、剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。これにより、剥離層１２がレーザー光を効率良く吸収することができる。また、剥離層１２の厚みｔ２は、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。剥離層１２の厚みｔ２を０．１μｍ以上とすることにより、表示装置形成用基板１０を製造する際に、ガラス基材１１と金属層１３との密着性を高めることができる。また、剥離層１２の厚みｔ２を１．０μｍ以下とすることにより、剥離層１２のコストを低減させることができる。
【００３５】
この剥離層１２は、後述するように、ガラス基材１１上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものを乾燥させたものである。このような塗布層からなる剥離層１２は、全体として平坦性を高めることが可能となり、寸法精度の高い剥離層１２を形成することが可能となる。なお、本実施の形態においては、剥離層１２は、スピン法によりガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布し、乾燥させることにより形成されている。
【００３６】
金属層１３は、表示装置形成用基板１０上に形成される、後述する樹脂基材２２を保護するためのものである。具体的には、金属層１３は、後述する表示装置２０の製造工程において、樹脂基材２２と剥離層１２とを分離すると共に、剥離層１２をレーザー光によって改質する際、剥離層１２で吸収されずに剥離層１２を透過したレーザー光を反射させることにより、レーザー光から樹脂基材２２を保護する役割を果たす。すなわち、金属層１３は、レーザー光を反射させることにより、樹脂基材２２にダメージを与えず剥離層１２を改質させる。剥離層１２の改質に用いられるレーザーとしては、エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー（波長３４３ｎｍ、３５５ｎｍ、５３２ｎｍ、１０６４ｎｍ）、ＣＯ２レーザー（波長１０６４０ｎｍ）が挙げられる。このため、金属層１３は、剥離層１２の改質に用いられるレーザーに対する反射性を有することが好ましい。特に、エキシマレーザーまたはＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーに対する反射性を有することが好ましい。また、金属層１３は、表示装置２０の製造工程において、剥離層１２を改質する際、剥離層１２側からのガスを遮蔽し、樹脂基材２２内に熱拡散が生じたりすることを防止する役割を果たす。このため、金属層１３には、上述したレーザー光の反射性や、剥離層１２側からのガスの遮蔽性、剥離層１２との密着性が良好なもの、または耐酸化性若しくは耐酸性が良好なものが用いられる。
【００３７】
また、金属層１３は、帯電防止機能を有している。この場合、金属層１３は、後述する表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量、及び仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を低減させる役割を果たす。また、金属層１３は、表示装置２０の飽和帯電圧を低減させる役割を果たす。このため、この場合の金属層１３には、帯電防止性が良好なものが用いられる。
【００３８】
また、金属層１３は、ガスバリア機能を有していても良い。この場合、金属層１３は、表示装置２０および最終製品において、外部から侵入する酸素または水分から表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護する役割を果たす。このため、この場合の金属層１３には、酸素または水蒸気に対するガスバリア性が良好なものが用いられる。
【００３９】
また、金属層１３は、応力緩和機能を有していても良い。この場合、金属層１３は、ガラス基材１１に作用する応力を緩和し、ガラス基材１１に反りが発生することを抑制する役割を果たす。すなわち、後述する表示装置２０の製造工程において、例えば、金属層１３上に後述する樹脂基材２２を形成する際、樹脂基材２２には、膜成形時の成膜応力により、樹脂基材２２を伸縮させる。この伸縮力により、ガラス基材１１に応力が作用する。一方、金属層１３が応力緩和機能を有している場合、ガラス基材１１に作用する応力を緩和し、ガラス基材１１に反りが発生することを抑制する。このため、この場合の金属層１３には、応力緩和性が良好なものが用いられる。
【００４０】
また、金属層１３は、電磁波遮蔽機能を有していても良い。この場合、金属層１３は、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器から発生する電磁波を遮蔽し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護する役割を果たす。このため、この場合の金属層１３には、電磁波遮蔽性が良好なものが用いられる。
【００４１】
また、金属層１３は、放熱機能を有していても良い。この場合、金属層１３は、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー等の機器から発生する熱を放熱し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護する役割を果たす。このため、この場合の金属層１３には、放熱性が良好なものが用いられる。
【００４２】
このような金属層１３は、後述するように、剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。金属層１３は、例えば、レーザー光の反射率が６０％以上の層とすることができる。金属層１３の材質としては、例えば、クロム、ニッケル、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、パラジウム、銅、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料を挙げることができる。この場合、金属層１３は、モリブデン合金を含んでいても良く、これにより、剥離層１２を透過したレーザー光を効率良く反射することができる。具体的には、金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなっていても良い。また、この場合、金属層１３の厚みｔ３は、レーザー光の反射率が６０％以上となるように適宜設定することができ、例えば、３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ３を３０ｎｍ以上とすることにより、レーザー光を確実に反射させることができる。また、金属層１３の厚みｔ３を１５０ｎｍ以下とすることにより、金属層１３のコストを低減させることができる。なお、モリブデン合金はレーザー光の反射率が高いとともに、厚みによる反射率の差が小さい。これにより、金属層１３がモリブデン合金からなっている場合、金属層１３の厚みにかかわらずレーザー光の反射率を高めることができ、金属層１３の厚みを薄くすることができる。このため、金属層１３のコストを低減させることができる。また、モリブデン合金はポリイミドとの密着性が良好であるため、金属層１３がモリブデン合金からなっており、剥離層１２がポリイミドからなっている場合、表示装置形成用基板１０を製造する際に、剥離層１２と金属層１３との密着性を高めることができる。
【００４３】
また、金属層１３は、例えば、後述する表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量、及び仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量が、それぞれ１．０ｋＶ以下となるような層とすることができる。
この場合、金属層１３は、モリブデン合金を含んでいても良く、とりわけ、モリブデン及びニオブを含む合金や、モリブデン及びタングステンを含む合金からなっていても良い。これにより、金属層１３の帯電防止機能を向上させることができる。このため、後述する表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量、及び仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。この結果、後述する表示装置２０の製造工程において、後述する薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、後述する表示装置２０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。なお、剥離帯電量は、静電電位測定器（例えば、シシド静電気（株）製STATIRON  DZ4）を用いて測定することができる。
【００４４】
また、この場合、金属層１３は、例えば、表示装置形成用基板１０の飽和帯電圧が、１．５ｋＶ以下となるような層とすることができる。また、帯電量が半分に減衰する時間が、４０秒以下となるような層とすることができる。これにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器を表示装置２０に取り付ける際に、表示装置２０が帯電し、後述する薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置２０の製造工程において、例えばガラス基材１１を金属層１３から剥離する際にガラス基材１１に接触する場合や、ガラス基材１１に液体等が接触する場合において、表示装置形成用基板１０が帯電する帯電量を低減することができる。さらに、後述する表示装置２０の製造工程や最終製品の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。なお、飽和帯電圧は、帯電電荷減衰度測定器（例えば、シシド静電気（株）製STATIC  HONESTMETER  H-0110）を用いて測定することができる。
【００４５】
また、金属層１３は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含んでいても良い。この場合、変化率Ｒは、２３℃における面抵抗率をｒ１とし、５００℃における面抵抗率をｒ２とすると、以下の式により算出することができる。
Ｒ＝１００×（ｒ２−ｒ１）／ｒ１
ところで、表示装置２０の製造工程において、後述する樹脂基材２２上に薄膜トランジスタ２３を配置する際に、金属層１３は、５００℃前後に加熱される。このため、金属層１３は、５００℃前後に加熱された場合においても、帯電防止機能を安定して有していることが好ましい。すなわち、金属層１３は、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が小さい材料を含んでいる事が好ましい。本実施の形態のように、金属層１３が、２３℃から５００℃に加熱した際に、面抵抗率の変化率が２００％以下である材料を含んでいる場合、金属層１３の面抵抗率の変動を少なくすることができる。これにより、表示装置２０の製造工程において、金属層１３が５００℃前後に加熱された場合であっても、金属層１３が帯電防止機能を安定して発揮することができる。このため、表示装置２０の製造工程および、製造された表示装置２０において、帯電防止機能を一貫して発揮することができる。なお、金属層１３が、モリブデン及びニオブを含む合金や、モリブデン及びタングステンを含む合金からなっている場合に、金属層１３の帯電防止機能を向上させることができることは、後述する実施例により説明する。
【００４６】
また、この場合、金属層１３は、例えば、水蒸気透過率が、４０℃、１００％Ｒｈの条件において、１．０×１０−4ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以上１．０ｃｃ／ｍ２／ｄａｙ／ａｔｍ以下の層とすることができる。これにより、金属層１３のガスバリア機能を向上させることができる。このため、表示装置２０および表示装置２０が用いられる最終製品において、外部から侵入した酸素または水分から、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。また、この場合、金属層１３の厚みｔ３は、金属層１３の水蒸気透過率が上述した値となるように適宜設定することができ、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ３を１０ｎｍ以上とすることにより、金属層１３のガスバリア機能を効果的に向上させ、外部から侵入した酸素または水分から、表示装置２０の薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を効果的に保護することができる。また、金属層１３の厚みｔ３を１０００ｎｍ以下とすることにより、金属層１３のコストを低減させることができるとともに、金属層１３の成膜時間を短縮することができる。また、金属層１３にクラックが発生することを抑制できる。なお、上記水蒸気透過率は、水蒸気透過率測定装置（例えば、ＤＥＬＴＡＰＥＲＭ（Ｔｅｃｈｎｏｌｏｘ社製））を用いて測定することができる。
【００４７】
また、この場合、金属層１３は、例えば、表示装置形成用基板１０の反り量が０．３ｍｍ以下となるような層とすることができる。これにより、金属層１３の応力緩和機能を向上させることができる。このため、ガラス基材１１に作用する応力を緩和し、ガラス基材１１に反りが発生することを抑制することができる。この場合、ガラス基材１１の平坦性を高めることができ、表示装置２０のその後の製造工程において、薄膜トランジスタ２３等を配置する位置精度を向上させることができる。さらに、金属層１３により、表示装置形成用基板１０および表示装置２０の剛性を高めることができ、表示装置形成用基板１０および表示装置２０に発生する反りを抑制することもできる。また、この場合、金属層１３の厚みｔ３は、表示装置形成用基板１０の反り量が０．３ｍｍ以下となるように適宜設定することができ、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ３を１０ｎｍ以上とすることにより、金属層１３の剛性を高め、ガラス基材１１に作用する応力を効果的に緩和し、ガラス基材１１の反りを効果的に抑制することができる。また、金属層１３の厚みｔ３を１０００ｎｍ以下とすることにより、金属層１３のコストを低減させることができるとともに、金属層１３の成膜時間を短縮することができる。また、金属層１３にクラックが発生することを抑制できる。なお、上記反り量は、例えば、表示装置形成用基板１０を平らな定盤上に置き、隙間ゲージが定盤と表示装置形成用基板１０との間に侵入できる最大の厚さとして測定することができる。
【００４８】
また、この場合、金属層１３は、例えば、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下の層とすることができる。これにより、金属層１３の電磁波遮蔽機能を向上させることができる。このため、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器から発生する電磁波を遮蔽し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。また、この場合、金属層１３の厚みｔ３は、面抵抗率が１Ω／□以上３０００Ω／□以下となるように適宜設定することができ、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ３を１０ｎｍ以上とすることにより、金属層１３の電磁波遮蔽機能を効果的に向上させ、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器から発生する電磁波を効果的に遮蔽することができる。また、金属層１３の厚みｔ３を１０００ｎｍ以下とすることにより、金属層１３のコストを低減させることができるとともに、金属層１３の成膜時間を短縮することができる。また、金属層１３にクラックが発生することを抑制できる。なお、上記面抵抗率は、抵抗率計（例えば、三菱化学アナリテック製のLoresta（登録商標））を用いて測定することができる。
【００４９】
また、この場合、金属層１３を、例えば、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の層とすることができる。これにより、金属層１３の放熱機能を向上させることができる。このため、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器から発生する熱を放熱し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。また、この場合、金属層１３の厚みｔ３は、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度が好ましい。金属層１３の厚みｔ３を１０ｎｍ以上とすることにより、金属層１３の放熱機能を効果的に向上させ、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー等の機器から発生する熱を効果的に放熱することができる。また、金属層１３の厚みｔ３を１０００ｎｍ以下とすることにより、金属層１３のコストを低減させることができるとともに、金属層１３の成膜時間を短縮することができる。また、金属層１３にクラックが発生することを抑制できる。
【００５０】
なお、本実施の形態において、図１に示すように、剥離層１２および金属層１３は、ガラス基材１１の全域を覆っているが、これに限られるものではなく、金属層１３が後述する樹脂基材２２の全域を覆うことができれば、剥離層１２の周縁部１２ｅおよび金属層１３の周縁部１３ｅは、ガラス基材１１の周縁部１１ｅよりも内側に引っ込んでいても良い。すなわち、剥離層１２の平面形状は、全周にわたってガラス基材１１の平面形状よりも小さくなっていても良い。
【００５１】
（表示装置の構成）
次に、図２により、本実施の形態による表示装置の概略について説明する。図２は、本実施の形態による表示装置を示す断面図である。この表示装置は、上述した表示装置形成用基板１０上に樹脂基材２２を形成後、樹脂基材２２上に後述する有機ＥＬ素子２４等を配置するとともに、後述する封止樹脂２５によって封止したものである。この際、表示装置２０は、後述するように、有機ＥＬ素子２４等を樹脂基材２２上に複数配置し、ガラス基材１１および剥離層１２を除去した後、個々の有機ＥＬ素子２４毎に切断して個片化することにより形成されたものである。
【００５２】
図２に示す表示装置２０は、支持基材２１と、支持基材２１上に積層された、上述した表示装置形成用基板１０を構成する金属層１３と、金属層１３上に配置された樹脂基材２２と、バリア層２２ａを介して樹脂基材２２上に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２３と、バリア層２２ａを介して樹脂基材２２上に配置された有機ＥＬ素子２４と、有機ＥＬ素子２４上に配置された封止樹脂（ＴＦＥ）２５とを備えている。
【００５３】
このうち支持基材２１は、表示装置２０の全体を支持するものであり、可撓性を有するフィルムからなる。この支持基材２１は、後述するように、接着剤により金属層１３に貼り付けられている。支持基材２１としては、例えばポリエチレンテレフタレートを用いることができる。支持基材２１の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【００５４】
金属層１３は、上述した表示装置形成用基板１０を構成するものであり、支持基材２１と樹脂基材２２との間に介在されている。金属層１３の構成は、上述した表示装置形成用基板１０の金属層１３と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。
【００５５】
樹脂基材２２は、後述する表示装置２０の製造工程において、薄膜トランジスタ２３、有機ＥＬ素子２４等を支持するものであり、金属層１３上に直接形成された可撓性を有する平坦な層からなる。樹脂基材２２は、後述するように、金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。樹脂基材２２には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れた材質が用いられることが好ましい。樹脂基材２２としては、例えば、有色不透明又は透明なポリイミド（例えば宇部興産（株）製ＵＰＩＡ−ＳＴ（製品名））を用いることができる。樹脂基材２２の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【００５６】
バリア層２２ａは、表示装置２０および最終製品において、外部から侵入する酸素または水分から、薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。このバリア層２２ａは、樹脂基材２２上に直接形成された可撓性を有する平坦な層からなる。バリア層２２ａは、後述するように、樹脂基材２２上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。バリア層２２ａには、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れた材質が用いられることが好ましい。バリア層２２ａとしては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｎ）等を用いることができる。バリア層２２ａの厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、０．３μｍ以上１．５μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【００５７】
薄膜トランジスタ２３は、有機ＥＬ素子２４を駆動するためのものであり、有機ＥＬ素子２４の後述する第１電極２６および第２電極２８に印加される電圧を制御するようになっている。
【００５８】
有機ＥＬ素子２４は、薄膜トランジスタ２３に電気的に接続されている。図２に示すように、有機ＥＬ素子２４は、樹脂基材２２上に配置された第１電極（反射電極）２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極（透明電極）２８とを有している。ここでは、第１電極２６が陽極を構成し、第２電極２８が陰極を構成する例について説明する。しかしながら、第１電極２６および第２電極２８の極性が特に限られることはない。
【００５９】
第１電極２６は、後述するように、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第１電極２６の材質としては、効率良く正孔を注入できる材質を用いることが好ましい。第１電極２６の材質としては、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀または金およびそれらの合金等の金属材料を挙げることができる。
【００６０】
有機発光層２７は、後述するように、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成されたものである。有機発光層２７としては、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが好ましく、例えば、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等が挙げられる。
【００６１】
第２電極２８は、後述するように、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成されたものである。第２電極２８の材質としては、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材質を用いることが好ましい。第２電極２８の材質としては、例えば酸化リチウム、炭酸セシウム等が挙げられる。
【００６２】
有機ＥＬ素子２４において発光した光は、樹脂基材２２が位置する側とは反対の側へ取り出される。すなわち、有機ＥＬ素子２４からの光は、封止樹脂２５の上方から取り出される。このように本実施の形態における表示装置２０は、いわゆるトップエミッション型の表示装置となっている。
【００６３】
封止樹脂２５は、有機ＥＬ素子２４を封止し、有機ＥＬ素子２４を保護するためのものである。封止樹脂２５は、後述するように、樹脂基材２２、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６および第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により塗布形成されたものである。封止樹脂２５には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有した材質を用いることが好ましい。封止樹脂２５としては、例えば、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。封止樹脂２５の厚み（図２における樹脂基材２２の上面から封止樹脂２５の上面までの距離）は、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【００６４】
なお、図示はしないが、表示装置２０には、例えば表示装置２０を枠状に取り囲むベゼル（図示せず）に配置され、例えば薄膜トランジスタ２３と外部機器とを電気的に接続する電極配線や、表示装置２０の図示しない画素を駆動するための電極配線が設けられている。
【００６５】
また、本実施の形態において、図２に示すように、表示装置２０がトップエミッション型である例を示したが、これに限られるものではなく、表示装置２０がいわゆるボトムエミッション型であってもよい。
【００６６】
（表示装置形成用基板の製造方法）
次に、図３（ａ）−（ｃ）により、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法について説明する。図３（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による表示装置形成用基板の製造方法を示す断面図である。
【００６７】
まず、図３（ａ）に示すように、平坦な板状の部材からなるガラス基材１１を準備する。このとき、例えば、Ｇ６サイズ（１８００ｍｍ×１５００ｍｍ）のガラス基材１１を準備する。このガラス基材１１としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、パイレックス（登録商標）類を用いることができる。
【００６８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ガラス基材１１上に剥離層１２を直接積層して形成する。剥離層１２としては、上述したように、レーザー光を吸収することにより発熱し、分解され、密着力が低下または消失するものが用いられる。例えば、剥離層１２としては、エキシマレーザーなどの特定波長（例えば波長３０８ｎｍ）またはＮｅ−ＹＡＧレーザーの特定波長（例えば波長３５５nm）などを吸収するような特性を有するアモルファスシリコンやポリイミド等の剥離材料などを用いることができる。とりわけ、剥離層１２は、ポリイミドを含んでいることが好ましい。
【００６９】
剥離層１２は、例えばダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このため、ガラス基材１１上に発泡型の接着フィルム、テープ等を貼着する場合と比べて、フィルム、テープ等にうねりや接着剤等の厚みムラが生じるおそれがなく、剥離層１２の平坦性を高めることができる。このようにして、ガラス基材１１上に剥離層１２が形成される。なお、本実施の形態においては、剥離層１２は、例えば、ガラス基材１１の回転速度を２５００ｒｐｍに設定し、スピン法によりガラス基材１１上にポリイミドの前駆体を塗布した後に、減圧乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて２５Ｐａの減圧条件で乾燥させ、３００℃、５分間の条件で焼成させることにより形成される。
【００７０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、剥離層１２上に金属層１３を積層する。金属層１３は、後工程で表示装置形成用基板１０上に形成される樹脂基材２２を保護するためのものである。金属層１３としては、レーザー光の反射性や剥離層１２側からのガスの遮蔽性が良好なものが用いられる。金属層１３は、例えばクロム、モリブデン、チタン、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、パラジウム、タングステン又はこれらのうち少なくとも１つを含む合金等の金属材料からなっていても良い。とりわけ、金属層１３は、モリブデン合金を含んでいることが好ましい。具体的には、金属層１３は、モリブデン、ニッケル及びチタンを含む合金、あるいはモリブデン及びニオブを含む合金からなることが好ましい。金属層１３は、剥離層１２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このため、薄膜状の金属層１３を均一かつ平坦に形成することができる。
【００７１】
また、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３の帯電防止機能を向上させることができる。このため、後述する表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量、及び仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。また、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器を表示装置２０に取り付ける際に、表示装置２０が帯電し、後述する薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、後述する表示装置２０の製造工程や最終製品の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【００７２】
また、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３のガスバリア機能を向上させることができる。これにより、表示装置２０および表示装置２０が用いられる最終製品において、外部から侵入した酸素または水分から、表示装置２０の薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。
【００７３】
また、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３の応力緩和性を向上させることができる。これにより、ガラス基材１１に作用する応力を緩和し、ガラス基材１１に作用する反りを抑制することができる。また、金属層１３により、表示装置形成用基板１０および表示装置２０の剛性を高めることができ、表示装置形成用基板１０および表示装置２０に発生する反りを抑制することもできる。
【００７４】
また、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３の電磁波遮蔽性を向上させることができる。これにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー等の機器から発生する電磁波を遮蔽し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。
【００７５】
さらに、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３の放熱性を向上させることができる。これにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー等の機器から発生する熱を放熱し、表示装置２０の後述する薄膜トランジスタ２３および有機ＥＬ素子２４を保護することができる。
【００７６】
このようにして、図１に示す表示装置形成用基板１０が得られる。
【００７７】
（表示装置の製造方法）
次に、図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）及び図６（ａ）−（ｄ）により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）及び図６（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００７８】
まず、例えば図３（ａ）−（ｃ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０を作製する（図４（ａ））。
【００７９】
次に、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置する（図４（ｂ））。樹脂基材２２には、ガラス基材１１よりも可撓性を有し、耐熱性に優れたものが用いられても良い。例えば、樹脂基材２２としては、有色不透明又は透明なポリイミドを用いることができる。樹脂基材２２は、金属層１３上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。
【００８０】
次いで、樹脂基材２２上に薄膜トランジスタ２３を配置する（図４（ｃ））。この際、まず、樹脂基材２２上にバリア層２２ａを積層して形成する。バリア層２２ａとしては、例えば酸化ケイ素を用いることができる。バリア層２２ａは、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。次に、バリア層２２ａを介して樹脂基材２２上に薄膜トランジスタ２３を配置する。このとき、樹脂基材２２上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の薄膜トランジスタ２３が配置される。このようにして表示装置２０の第１中間体２０ａが形成される。なお、複数の薄膜トランジスタ２３が樹脂基材２２上に配置された後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第１中間体２０ａは、平面視で、例えば半分の大きさに切断される。
【００８１】
次に、樹脂基材２２上にバリア層２２ａを介して有機ＥＬ素子２４を配置する（図４（ｄ））。このとき、樹脂基材２２上には、図示はしないが、各々が各表示装置２０に対応する複数の有機ＥＬ素子２４が配置される。各々の有機ＥＬ素子２４は、樹脂基材２２上に配置された第１電極２６と、第１電極２６上に配置された有機発光層２７と、有機発光層２７上に配置された第２電極２８とを有している。この場合、まず、樹脂基材２２上に第１電極２６を形成する。第１電極２６には、効率良く正孔を注入できる材料が用いられる。例えば、第１電極２６としては、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀または金およびそれらの合金等の金属材料を用いることができる。第１電極２６は、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。この際、有機ＥＬ素子２４の第１電極２６が薄膜トランジスタ２３に電気的に接続される。
【００８２】
次いで、第１電極２６上に有機発光層２７を形成する。有機発光層２７には、所定の電圧を印加することにより白色光を発光するよう構成された蛍光性有機物質を含有するものが用いられる。例えば、有機発光層２７としては、キノリノール錯体、オキサゾール錯体、各種レーザー色素、ポリパラフェニレンビニレン等を用いることができる。有機発光層２７は、第１電極２６上に蒸着法、ノズルから塗布液を塗布するノズル塗布法、インクジェット等の印刷法により形成される。
【００８３】
次に、有機発光層２７上に第２電極２８を形成する。第２電極２８には、電子を注入しやすく、かつ光透過性の良好な材料が用いられる。例えば、第２電極２８としては、酸化リチウム、炭酸セシウム等を用いることができる。第２電極２８は、有機発光層２７上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。このようにして、樹脂基材２２上に有機ＥＬ素子２４が配置される。
【００８４】
次いで、樹脂基材２２上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図４（ｅ））。封止樹脂２５には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有する材料が用いられても良い。例えば、封止樹脂２５としては、シリコーン樹脂やアクリル系樹脂が用いられる。封止樹脂２５は、樹脂基材２２、薄膜トランジスタ２３、第１電極２６および第２電極２８上にダイコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法、キャピラリーコート法、スリット及びスピン法、又は、中央滴下法等の手法により形成される。このようにして、有機ＥＬ素子２４が封止樹脂２５によって覆われる。
【００８５】
次に、封止樹脂２５上に仮支持基材２９を配置する（図５（ａ））。仮支持基材２９は、表示装置２０の製造工程において作製された表示装置２０の第１中間体２０ａを仮支持するものである。仮支持基材２９には、可撓性を有するフィルムが用いられる。例えば、仮支持基材２９としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。仮支持基材２９は、接着剤により封止樹脂２５上に貼り付けられても良い。仮支持基材２９の厚みは、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、５０μｍ以上２５０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。このようにして、仮支持基材２９が配置された表示装置２０の第２中間体２０ｂが作製される。
【００８６】
続いて、作製された表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ、ガラス基材１１を金属層１３から剥離する。このとき、ガラス基材１１側からエキシマレーザー（波長２４８ｎｍまたは３０８ｎｍ）やＹＡＧレーザー等のレーザー光Ｌを照射する（図５（ｂ））。レーザー光Ｌは、図示しないレーザー光照射装置から照射され、レーザー光Ｌが第２中間体２０ｂの面内に均一に走査される。このように照射されたレーザー光Ｌは、透明なガラス基材１１を透過して剥離層１２に到達する。上述したように、剥離層１２は、改質されることにより密着力が低下又は消失する。このため、レーザー光Ｌによって改質されることにより、剥離層１２の密着力が低下又は消失し、ガラス基材１１は、金属層１３から剥離する（図５（ｃ））。
【００８７】
ところで、金属層１３は、帯電防止機能を有している。これにより、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置２０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置２０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【００８８】
また、剥離層１２の面のうちガラス基材１１の反対側の面には、金属層１３が設けられている。このため、剥離層１２を透過したレーザー光Ｌは、金属層１３によって反射されて、ガラス基材１１側に戻される。したがって、レーザー光Ｌが樹脂基材２２まで達することがなく、剥離層１２を透過したレーザー光Ｌが樹脂基材２２に悪影響を及ぼすことはない。なお、金属層１３は、樹脂基材２２に密着した状態を維持する。
【００８９】
次いで、ガラス基材１１が剥離された金属層１３上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図６（ａ））。支持基材２１には、上述したガラス基材１１よりも可撓性を有するフィルムが用いられる。例えば、支持基材２１としては、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルムを用いることができる。支持基材２１は、接着剤により金属層１３に貼り付けられても良い。このようにして、表示装置２０の第２中間体２０ｂが支持基材２１に支持される。
【００９０】
次に、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させる（図６（ｂ））。
【００９１】
その後、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図６（ｃ））。ここで、上述したように、金属層１３は、帯電防止機能を有している。この場合、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置２０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置２０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。なお、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂは個々の表示装置２０毎に切断され個片化される（図６（ｄ））。
【００９２】
以上の一連の工程により、図２に示す表示装置２０を得ることができる（図６（ｄ））。なお、図示はしないが、表示装置２０には、例えば表示装置２０を枠状に取り囲むベゼル（図示せず）に配置され、例えば薄膜トランジスタ２３と、外部機器とを電気的に接続する電極配線や、表示装置２０の図示しない画素を駆動するための電極配線が設けられている。
【００９３】
このように、本実施の形態によれば、剥離層１２はレーザー光Ｌを吸収することにより分解され、金属層１３が剥離層１２を透過したレーザー光Ｌを反射可能になっている。これにより、表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から確実に剥離することができるとともに、剥離層１２をレーザー光Ｌによって加熱する際、レーザー光Ｌから樹脂基材２２を保護することができる。この結果、ガラス基材１１の破れまたは樹脂基材２２に煤が発生することを抑制することができる。すなわち、ガラス基材１１の厚みにムラがあることを考慮して、レーザー光Ｌの焦点が確実に剥離層１２に達するように設定しておくことができる。この場合、ガラス基材１１の厚みのムラにより、レーザー光Ｌの焦点が樹脂基材２２側にずれたとしても、金属層１３によってレーザー光Ｌが反射される。この結果、樹脂基材２２が金属層１３により保護され、樹脂基材２２にレーザー光Ｌが到達する不具合が防止される。
【００９４】
また、レーザー光Ｌの焦点が剥離層１２に確実に達するので、有機ＥＬ素子２４等の破損しやすい素子を破損することなく剥離層１２を分解し、ガラス基材１１を確実に除去することができる。
【００９５】
また、本実施の形態によれば、金属層１３が帯電防止機能を有している。これにより、表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量、及び仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置２０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置２０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【００９６】
また、金属層１３が帯電防止機能を有していることにより、表示装置２０が用いられる最終製品において、バッテリー、ＣＰＵ等の機器を表示装置２０に取り付ける際に、表示装置２０が帯電することにより、静電気放電が発生することを抑制することができる。このため、最終製品において、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。
【００９７】
また、金属層１３がモリブデン合金を含んでいることにより、金属層１３の帯電防止機能を向上させることができる。これにより、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を効果的に低減することができる。
【００９８】
また、本実施の形態によれば、金属層１３が、ガスバリア機能、応力緩和機能、電磁波遮蔽機能、及び放熱機能のうち少なくとも１つの機能を有している。これにより、一般に最終製品のバックパネルに設けられる放熱層、電磁波遮蔽層、および樹脂基材に設けられるバリア層のうち少なくとも１つの層を設ける必要がない。このため、最終製品を軽量化、小型化、及び薄型化することができる。
【００９９】
（変形例１）
次に、本実施の形態の変形例について説明する。図７（ａ）−（ｃ）及び図８（ａ）−（ｂ）に示す変形例は、金属層１３を除去する工程が設けられているものであり、他の構成は、上述した図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）及び図６（ａ）−（ｄ）に示す構成と略同様である。図７（ａ）−（ｃ）及び図８（ａ）−（ｂ）において、図１乃至図６に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１００】
図７（ａ）−（ｃ）及び図８（ａ）−（ｂ）に示す表示装置２０の製造方法において、まず、図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）と同様に、表示装置２０の第２中間体２０ｂを作製する。次に、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した後（図５（ｃ）参照）、樹脂基材２２から金属層１３を除去する（図７（ａ））。この場合、例えば、金属層１３上に付着した剥離層１２の残渣を酸化プラズマまたは酸化ソルベントストリッピング（オゾンプラズマ、ピラニア洗浄、ＲＣＡ洗浄）などで除去した後、エッチング液として苛性カリ−過酸化水素水等を用いた選択エッチング法により、樹脂基材２２から金属層１３を除去する。
【０１０１】
次いで、金属層１３が除去された樹脂基材２２上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図７（ｂ））。支持基材２１は、接着剤により樹脂基材２２に貼り付けられても良い。このようにして、表示装置２０の第２中間体２０ｂが支持基材２１に支持される。
【０１０２】
次に、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させる（図７（ｃ））。
【０１０３】
その後、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図８（ａ））。なお、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂは個々の表示装置２０毎に切断され個片化される（図８（ｂ））。
【０１０４】
以上の一連の工程により、表示装置２０を得ることができる（図８（ｂ））。
【０１０５】
この場合においても、表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から確実に剥離することができるとともに、剥離層１２をレーザー光Ｌによって加熱する際、レーザー光Ｌから樹脂基材２２を保護することができる。このため、ガラス基材１１の破れまたは樹脂基材２２に煤が発生することを抑制することができる。
【０１０６】
また、この場合においても、表示装置２０の製造工程において、ガラス基材１１を金属層１３から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置２０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置２０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【０１０７】
（変形例２）
次に、本実施の形態の変形例（変形例２）について説明する。図９及び図１０に示す変形例は、金属層１３の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図６に示す形態と略同一である。図９及び図１０において、図１乃至図６と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１０８】
図９に示す表示装置形成用基板１０及び図１０に示す表示装置２０において、金属層１３が所定のパターンにパターニングされている。
【０１０９】
図９に示す表示装置形成用基板１０を作製する場合、まず、図３（ａ）−（ｃ）と同様に、表示装置形成用基板１０を作製する。その後、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属層１３をパターニングする。これにより、図９に示す表示装置形成用基板１０を作製することができる。その後、上述した図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）及び図６（ａ）−（ｄ）と同様にして、図１０に示す表示装置２０を作製することができる。
【０１１０】
（変形例３）
次に、本実施の形態の変形例（変形例３）について説明する。図１１及び図１２に示す変形例は、金属層１３の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図６に示す形態と略同一である。図１１及び図１２において、図１乃至図６と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１１１】
図１１及び図１２に示すように、表示装置形成用基板１０及び表示装置２０は、金属層１３上に積層されためっき層１５を更に備えている。このめっき層１５は、金属層１３と同様の材料を金属層１３上に析出させることにより形成されても良い。これにより、めっき層１５が帯電防止機能を有することができ、表示装置２０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を更に低減することができる。また、最終製品において、薄膜トランジスタ２３等が損傷を受ける可能性を更に低減することができる。
【０１１２】
図９に示す表示装置形成用基板１０を作製する場合、まず、図３（ａ）−（ｃ）と同様に、表示装置形成用基板１０を作製する。その後、金属層１３に電解めっき処理を施し、めっき層１５を形成する。この際、図示はしないが、スパッタリング法や無電解めっき処理により金属層１３上にシード層を形成し、当該シード層を介して金属層１３上にめっき層１５を形成する。このようにして、図１１に示す表示装置形成用基板１０を作製することができる。
【０１１３】
また、金属層１３上にめっき層１５を積層することにより、表示装置２０において、金属からなる層の厚みを所望の厚みに調整することができる。すなわち、表示装置形成用基板１０において、例えばスパッタリング法により、剥離層１２上に金属層１３を形成する場合、金属層１３の厚みを所望の厚みとなるまで厚くすることが困難な場合がある。これに対して、金属層１３上にめっき層１５を積層することにより、表示装置２０において、金属からなる層の厚みを厚くすることができる。このため、金属層１３およびめっき層１５により所望の帯電防止機能を得られることができる。なお、めっき層１５の厚みは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下程度とすることができる。このようにして、図１１に示す表示装置形成用基板１０を作製することができる。
【０１１４】
その後、上述した図４（ａ）−（ｅ）、図５（ａ）−（ｃ）及び図６（ａ）−（ｄ）と同様にして、図１２に示す表示装置２０を作製することができる。
【０１１５】
なお、本変形例による表示装置２０においては、図４（ａ）−（ｅ）および図５（ａ）−（ｂ）に示す方法により、上述した図１に示す表示装置形成用基板１０を使用して、金属層１３からガラス基材１１を剥離した後に、金属層１３上にめっき層１５を形成しても良い。この場合、めっき層１５に対して、薄膜トランジスタ２３を設ける際の熱に対する耐熱性を考慮する必要がない。このため、めっき層１５の材料として、例えば銅等を用いることもできる。
【０１１６】
（変形例４）
次に、本実施の形態の変形例（変形例４）について説明する。図１３に示す変形例は、金属層１３の構成が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図６に示す形態と略同一である。図１３において、図１乃至図６と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１１７】
図１３に示す表示装置２０は、支持基材２１上に積層された金属層（第１金属層）１３と、金属層１３上に配置された樹脂基材２２と、樹脂基材２２上に積層された金属層（第２金属層）１３ａと、金属層１３ａ上に配置された薄膜トランジスタ２３と、樹脂基材２２上に配置され、薄膜トランジスタ２３に電気的に接続された有機ＥＬ素子２４と、有機ＥＬ素子２４上に配置され、有機ＥＬ素子２４を封止する封止樹脂２５とを備えている。なお、金属層１３ａは、上述した金属層１３と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。
【０１１８】
本変形例においても、表示装置２０が、金属層１３および金属層１３ａを備えている。これにより、表示装置２０において、金属からなる層の合計の厚みを厚くすることができる。このため、金属層１３、１３ａにより所望の帯電防止機能を得られることができる。
【０１１９】
（表示装置の製造方法）
次に、図１４（ａ）−（ｄ）、図１５（ａ）−（ｃ）及び図１６（ａ）−（ｄ）により、本実施の形態による表示装置の製造方法について説明する。図１４（ａ）−（ｄ）、図１５（ａ）−（ｃ）及び図１６（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１２０】
まず、例えば図３（ａ）−（ｃ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０を作製し、図４（ａ）−（ｂ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置する。
【０１２１】
次に、図１４（ａ）に示すように、樹脂基材２２上に金属層１３ａを積層する。金属層１３ａは、樹脂基材２２上にスパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成される。
【０１２２】
次いで、金属層１３ａ上に薄膜トランジスタ２３を配置する（図１４（ｂ））。この際、まず、金属層１３ａ上にバリア層２２ａを積層して形成する。次に、バリア層２２ａを介して樹脂基材２２上に薄膜トランジスタ２３を配置する。
【０１２３】
次に、金属層１３ａ上にバリア層２２ａを介して有機ＥＬ素子２４を配置する（図１４（ｃ））。
【０１２４】
その後、金属層１３ａ上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図１４（ｄ））。
【０１２５】
次に、封止樹脂２５上に仮支持基材２９を配置する（図１５（ａ））。このようにして、仮支持基材２９が配置された表示装置２０の第２中間体２０ｂが作製される。
【０１２６】
続いて、作製された表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ、ガラス基材１１側からレーザー光Ｌを照射することにより、ガラス基材１１を金属層１３から剥離する（図１５（ｂ）−（ｃ））。
【０１２７】
次に、ガラス基材１１が剥離された金属層１３上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図１６（ａ））。
【０１２８】
次いで、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させる（図１６（ｂ））。
【０１２９】
その後、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図１６（ｃ））。そして、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂを個々の表示装置２０毎に切断し、個片化する。
【０１３０】
以上の一連の工程により、図１３に示す表示装置２０を得ることができる（図１６（ｄ））。
【０１３１】
（変形例５）
次に、本実施の形態の変形例（変形例５）について説明する。図１７に示す変形例は、金属層１３、１３ａの構成が異なるものであり、他の構成は、図１３に示す形態と略同一である。図１７において、図１３と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１３２】
図１７に示す表示装置２０において、金属層１３が、所定のパターンにパターニングされている。この場合、金属層１３は、電極配線としての役割を果たす。このように、金属層１３が電極配線の役割を果たすことにより、通常は表示装置２０を枠状に取り囲むベゼルに配置される電極配線を設けることなく、表示装置２０を作製することができる。これにより、いわゆるベゼルレス型の表示装置２０を作製することができる。
【０１３３】
また、本変形例による樹脂基材２２およびバリア層２２ａは、所定のパターンにパターニングされている。また、パターニングされた樹脂基材２２の開口２２１に、金属層１３ａを構成する、金属１３１が埋設されている。さらに、パターニングされたバリア層２２ａの開口２２１ａに、薄膜トランジスタ２３と金属層１３ａとを電気的に接続する貫通電極２３ａが設けられている。この貫通電極２３ａは、金属層１３ａ上に電解めっき処理、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等の手法により形成することができる。貫通電極２３ａの材質としては、例えば、アルミニウム、クロム、モリブデン、タングステン、銅、銀または金およびそれらの合金等の金属材料を挙げることができる。
【０１３４】
（表示装置の製造方法）
次に、図１８（ａ）−（ｄ）、図１９（ａ）−（ｄ）、図２０（ａ）−（ｃ）及び図２１（ａ）−（ｃ）により、本変形例による表示装置の製造方法について説明する。図１８（ａ）−（ｄ）、図１９（ａ）−（ｄ）、図２０（ａ）−（ｃ）及び図２１（ａ）−（ｃ）は、本変形例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１３５】
まず、例えば図３（ａ）−（ｃ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０を作製し、図４（ａ）−（ｂ）に示す方法により、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置する。
【０１３６】
次に、図１８（ａ）に示すように、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により樹脂基材２２をパターニングする。
【０１３７】
次いで、パターニングされた樹脂基材２２上に金属層１３ａを積層する。この際、例えばまず、金属層１３のうち、パターニングされた樹脂基材２２の開口２２１から露出する部分に電解めっき処理を施し、金属層１３上に金属１３１を析出させる（図１８（ｂ））。この場合、金属１３１は、金属層１３ａと同様の金属材料からなっていても良い。次に、スパッタリング法や無電解めっき処理により樹脂基材２２上にシード層（図示せず）を形成し、当該シード層を介して樹脂基材２２上に金属層１３ａを形成する（図１８（ｃ））。
【０１３８】
次に、金属層１３ａ上に薄膜トランジスタ２３を配置する。この際、まず、金属層１３ａ上にバリア層２２ａを積層して形成し、図１８（ｄ）に示すように、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法によりバリア層２２ａをパターニングする。
【０１３９】
続いて、図１９（ａ）に示すように、パターニングされたバリア層２２ａの開口２２１ａに貫通電極２３ａを形成する。この際、例えば、金属層１３ａのうち、パターニングされたバリア層２２ａの開口２２１ａから露出する部分に電解めっき処理を施し、金属層１３ａ上に金属を析出させて、貫通電極２３ａを形成する。続いて、パターニングされたバリア層２２ａを介して金属層１３ａ上に薄膜トランジスタ２３を配置する（図１９（ｂ））。
【０１４０】
次に、金属層１３ａ上にバリア層２２ａを介して有機ＥＬ素子２４を配置する（図１９（ｃ））。
【０１４１】
その後、金属層１３ａ上に配置された有機ＥＬ素子２４を封止樹脂２５によって封止する（図１９（ｄ））。
【０１４２】
次に、封止樹脂２５上に仮支持基材２９を配置する（図２０（ａ））。このようにして、仮支持基材２９が配置された表示装置２０の第２中間体２０ｂが作製される。
【０１４３】
続いて、作製された表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ、ガラス基材１１側からレーザー光Ｌを照射することにより、ガラス基材１１を金属層１３から剥離する（図２０（ｂ）−（ｃ））。
【０１４４】
次に、露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法により金属層１３をパターニングする（図２１（ａ））。
【０１４５】
次いで、パターニングされた金属層１３上に、表示装置２０を支持する支持基材２１を配置する（図２１（ｂ））。
【０１４６】
次に、図６（ｂ）−（ｃ）を用いて説明したように、表示装置２０の第２中間体２０ｂを反転させ（図６（ｂ））、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離する（図６（ｃ））。そして、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した後、切断装置（図示せず）によって、表示装置２０の第２中間体２０ｂを個々の表示装置２０毎に切断し、個片化する。
【０１４７】
以上の一連の工程により、図１７に示す表示装置２０を得ることができる（図２１（ｃ））。
【０１４８】
（変形例６）
次に、本実施の形態の変形例（変形例６）について説明する。図２２（ａ）−（ｂ）乃至図２６（ａ）−（ｃ）に示す変形例は、主として有機ＥＬ素子２４に代えて液晶層９４を用いる点が異なるものである。図２２（ａ）−（ｂ）乃至図２６（ａ）−（ｃ）において、図１乃至図２１に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１４９】
すなわち図１乃至図２１において、有機ＥＬ素子２４を含む表示装置２０を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、表示装置２０として液晶表示装置が用いられても良い。図２２（ａ）は、このような液晶表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示しており、図２２（ｂ）は、このような液晶表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示している。以下、このような中間製品について説明する。
【０１５０】
（カラーフィルタ層側中間製品の構成）
まず、図２２（ａ）により、本実施の形態による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品の概略について説明する。図２２（ａ）は、本実施の形態による表示装置を作製するためのカラーフィルタ層側中間製品を示す断面図である。
【０１５１】
図２２（ａ）に示すように、カラーフィルタ層側中間製品（第１中間製品）８０Ａは、第１ガラス基材（ガラス基材）８１と、第１ガラス基材８１上に積層され、レーザー光Ｌを吸収することにより分解される第１剥離層（剥離層）８２と、第１剥離層８２上に積層され、第１剥離層８２を透過したレーザー光Ｌを反射可能な第１金属層（金属層）８３と、第１金属層８３上に設けられた第１樹脂基材（樹脂基材）８４とを有している。また、第１樹脂基材８４上にカラーフィルタ層８５が設けられ、カラーフィルタ層８５上に第１配向層８６が設けられている。なお、第１ガラス基材８１、第１剥離層８２、第１金属層８３及び第１樹脂基材８４は、それぞれ上述した有機ＥＬ用の表示装置形成用基板１０のガラス基材１１、剥離層１２及び金属層１３並びに表示装置２０の樹脂基材２２と略同様の構成を有していても良い。
【０１５２】
カラーフィルタ層８５は、後述する光源からの光のうち所望の波長の光のみを取り出すため、または光源からの光の色純度を向上させるためのものである。カラーフィルタ層８５の厚みは、例えば、１．０μｍ以上６．０μｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【０１５３】
また、第１配向層８６は、後述する液晶層９４の液晶を配向させる機能を有するものである。第１配向層８６を構成する材料としては、液晶を配向させることができるものであれば特に限定されるものではない。このような第１配向層８６としては、液晶を第１配向層８６上において第１配向層８６の表面に対して平行方向に移行させる平行配向膜や、液晶を第１配向層８６上において第１配向層８６の表面に対して垂直に配向させる垂直配向膜を挙げることができる。また、第１配向層８６の厚みは、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下程度の範囲で適宜設定することができる。
【０１５４】
（薄膜トランジスタ側中間製品の構成）
次に、図２２（ｂ）により、本実施の形態による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品の概略について説明する。図２２（ｂ）は、本実施の形態による表示装置を作製するための薄膜トランジスタ側中間製品を示す断面図である。
【０１５５】
図２２（ｂ）に示すように、薄膜トランジスタ側中間製品（第２中間製品）８０Ｂは、第２ガラス基材（ガラス基材）８７と、第２ガラス基材８７上に積層され、レーザー光Ｌを吸収することにより分解される第２剥離層（剥離層）８８と、第２剥離層８８上に積層され、第２剥離層８８を透過したレーザー光Ｌを反射可能な第２金属層（金属層）８９と、第２金属層８９上に設けられた第２樹脂基材（樹脂基材）９１とを有している。また、第２樹脂基材９１上に薄膜トランジスタ９２が設けられ、薄膜トランジスタ９２上に第２配向層９３が設けられている。なお、第２ガラス基材８７、第２剥離層８８、第２金属層８９、第２樹脂基材９１及び薄膜トランジスタ９２は、それぞれ上述した有機ＥＬ用の表示装置形成用基板１０のガラス基材１１、剥離層１２及び金属層１３、並びに表示装置２０の樹脂基材２２及び薄膜トランジスタ２３と略同様の構成を有していても良い。また、第２配向層９３は、上述した第１配向層８６と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。
【０１５６】
（表示装置形成用基板の構成）
次に、図２３により、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板の概略について説明する。図２３は、本実施の形態による表示装置を作製するための表示装置形成用基板を示す断面図である。
【０１５７】
図２３に示すように、表示装置形成用基板（フレキシブルＬＣＤセル）１００は、第１偏光板９５と、第１偏光板９５上に配置された第１樹脂基材８４と、第１樹脂基材８４上に積層されたカラーフィルタ層８５と、カラーフィルタ層８５上に積層された第１配向層８６と、第１配向層８６上に配置された液晶層９４とを備えている。また、表示装置形成用基板１００は、液晶層９４上に積層された第２配向層９３と、第２配向層９３上に配置された薄膜トランジスタ９２と、薄膜トランジスタ９２上に配置された第２樹脂基材９１と、第２樹脂基材９１上に配置された第２偏光板９６とを備えている。このうち、第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６は、上述したカラーフィルタ層側中間製品８０Ａを構成するものである。第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６の構成は、上述したカラーフィルタ層側中間製品８０Ａの第１樹脂基材８４、カラーフィルタ層８５及び第１配向層８６と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。また、第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１は、上述した薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂを構成するものである。第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１の構成は、上述した薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂの第２配向層９３、薄膜トランジスタ９２及び第２樹脂基材９１と同様であり、ここでは、詳細な説明を省略する。
【０１５８】
第１偏光板９５は、入射した光を直交する２つの偏光成分に分解し、一方の方向に振動する偏光成分を透過させ、当該一方の方向に直交する他方の方向に振動する偏光成分を吸収する役割を果たす。
【０１５９】
液晶層９４は、第１配向層８６と第２配向層９３との間に挟持されている。この液晶層９４は、後述するように、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａ及び薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂのうちの、いずれか一方の中間製品８０Ａ、８０Ｂ上に、ＵＶ硬化樹脂及び／又は熱硬化剤を含むシール材（図示せず）を塗布するとともに、液晶を滴下し、他方の中間製品８０Ｂ、８０Ａを貼り合せ、紫外線及び／又は熱によりシール材を硬化させることにより、得ることができる。
【０１６０】
第２偏光板９６は、上述した第１偏光板９５と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。
【０１６１】
（表示装置の構成）
次に、図２４により、本実施の形態による表示装置の概略について説明する。図２４は、本実施の形態による表示装置を示す断面図である。
【０１６２】
図２４に示すように、表示装置１１０は、表示装置形成用基板１００の第２偏光板９６上に、光を照射する光源１１１を設けたものである。この光源１１１は公知の光源を利用することができる。
【０１６３】
（表示装置形成用基板の製造方法）
次に、図２５（ａ）−（ｃ）及び図２６（ａ）−（ｃ）により、本実施の形態による表示装置形成用基板及び表示装置の製造方法について説明する。図２５（ａ）−（ｃ）及び図２６（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による表示装置形成用基板及び表示装置の製造方法を示す断面図である。
【０１６４】
まず、図２２（ａ）−（ｂ）に示すカラーフィルタ層側中間製品（第１中間製品）８０Ａおよび薄膜トランジスタ側中間製品（第２中間製品）８０Ｂをそれぞれ準備する。
【０１６５】
次に、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａの第１配向層８６と薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂの第２配向層９３との間に液晶層９４を設ける。この場合、減圧下において、まず、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａ及び薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂのうちの、いずれか一方の中間製品８０Ａ、８０Ｂ上に、ＵＶ硬化樹脂及び／又は熱硬化剤を含むシール材（図示せず）を塗布し、さらに液晶を滴下する。その後、他方の中間製品８０Ｂ、８０Ａを貼り合せ、紫外線及び／又は熱によりシール材を硬化させる。これにより、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａと、薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂと、カラーフィルタ層側中間製品８０Ａと薄膜トランジスタ側中間製品８０Ｂとの間に挟持された液晶層９４とを有する第１中間体９０ａが得られる（図２５（ａ）参照）。
【０１６６】
続いて、図２５（ｂ）に示すように、図示しない光照射装置を用いて、第１中間体９０ａの第１ガラス基材８１側から第１剥離層８２に向けてレーザー光Ｌを照射することにより、第１剥離層８２を分解し、第１ガラス基材８１を第１金属層８３から剥離する。その後、第１樹脂基材８４上に残存する第１剥離層８２及び第１金属層８３を除去する。
【０１６７】
ところで、第１金属層８３は、帯電防止機能を有している。これにより、第１ガラス基材８１を第１金属層８３から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置１１０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ９２等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置１１０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【０１６８】
次いで、図２５（ｃ）に示すように、第１剥離層８２及び第１金属層８３が除去された第１樹脂基材８４上に、第１偏光板９５を貼り合わせることにより、第２中間体９０ｂが得られる。
【０１６９】
次に、図２６（ａ）に示すように、上述した光照射装置を用いて、第２中間体９０ｂの第２ガラス基材８７側から第２剥離層８８に向けてレーザー光Ｌを照射することにより、第２剥離層８８を分解し、第２ガラス基材８７を第２金属層８９から剥離する。その後、第２樹脂基材９１上に残存する第２剥離層８８及び第２金属層８９を除去する。
【０１７０】
この場合においても、第２金属層８９は、帯電防止機能を有しているため、第２ガラス基材８７を第２金属層８９から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置１１０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ９２等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置１１０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【０１７１】
次いで、図２６（ｂ）に示すように、第２剥離層８８及び第２金属層８９が除去された第２樹脂基材９１上に、第２偏光板９６を貼り合わせる。これにより、第１偏光板９５と、第１樹脂基材８４と、カラーフィルタ層８５と、第１配向層８６と、液晶層９４と、第２配向層９３と、薄膜トランジスタ９２と、第２樹脂基材９１と、第２偏光板９６とが順次積層された液晶表示装置用の表示装置形成用基板１００（フレキシブルＬＣＤセル）が得られる。
【０１７２】
次に、図２６（ｃ）に示すように、表示装置形成用基板１００の第２偏光板９６上に、光を照射する光源１１１を設ける。このようにして、表示装置１１０が得られる。
【０１７３】
このように、本変形例においては、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７を、第１金属層８３及び第２金属層８９からそれぞれ確実に剥離することができるとともに、第１剥離層８２及び第２剥離層８８をレーザー光Ｌによってそれぞれ加熱する際、レーザー光Ｌから第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１を保護することができる。この結果、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７に破れが生じたり、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１に煤が発生したりする不具合を防止することができる。これにより、第１ガラス基材８１及び第２ガラス基材８７の厚みのムラにより、レーザー光Ｌの焦点が第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１側にずれたとしても、第１金属層８３及び第２金属層８９によってレーザー光Ｌが反射される。この結果、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１が第１金属層８３及び第２金属層８９により保護され、第１樹脂基材８４及び第２樹脂基材９１にレーザー光Ｌが到達する不具合が防止される。
【０１７４】
また、この場合においても、表示装置１１０の製造工程において、第１ガラス基材８１を第１金属層８３から剥離した際の剥離帯電量、及び第２ガラス基材８７を第２金属層８９から剥離した際の剥離帯電量を低減させることができる。このため、表示装置１１０の製造工程において、静電気放電を抑制することができ、薄膜トランジスタ９２等が損傷を受ける可能性を低減することができる。また、表示装置１１０の製造工程において、周囲に浮遊している微粒子が寄せ付けられることを抑制することができる。
【実施例】
【０１７５】
次に、上述した本実施の形態の作用について、実施例により具体的に説明する。
【０１７６】
（実施例１）
図１に示す構成からなる表示装置形成用基板１０（実施例１）を作製した。この場合、ガラス基材１１は無アクリルガラスを使用した。剥離層１２は、剥離材料（Brewer Science, Inc.社製BREWER BOND７０１（製品名））を使用した。剥離層１２は、ガラス基材１１の回転速度を２５００ｒｐｍに設定し、スピン法により剥離材料をガラス基材１１上に塗布した後に、減圧乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて２５Ｐａの減圧条件で乾燥させ、３００℃、５分間の条件で焼成させることにより形成した。金属層１３は、モリブデン及びニオブを含む合金を使用し、スパッタリング法により剥離層１２上に成膜した。金属層１３の厚みｔ３は５０ｎｍとした。
【０１７７】
＜配線破壊試験＞
まず、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置した（図２７（ａ））。この際、樹脂基材２２は、宇部興産（株）製ＵＰＩＡ−ＳＴ（製品名）を使用した。次に、樹脂基材２２が金属層１３上に配置された表示装置形成用基板１０を窒素ガス雰囲気で加熱した。この際、加熱温度は１００℃、３００℃および５００℃とし、それぞれの加熱温度で１時間加熱した。次に、それぞれの加熱温度で加熱した後の面抵抗率を測定した（表１）。また、２３℃から５００℃に加熱した際の面抵抗率の変化率を算出した（表１）。
【０１７８】
次に、樹脂基材２２が金属層１３上に配置された表示装置形成用基板１０のうち、５００℃の加熱温度で加熱された表示装置形成用基板１０を冷却し、樹脂基材２２上にアルミニウムからなる電極配線Ｅを形成した。この際、まず、図２７（ｂ）に示すように、樹脂基材２２上にスパッタリング法によりアルミニウムからなる層Ｅｌを成膜した。その後、露光マスクを使用した露光工程および現像工程を含むフォトリソグラフィー法によって、層Ｅｌに露光マスクのマスクパターンを転写させ、ウェットエッチングにより、成膜されたアルミニウムからなる層Ｅｌをパターニングすることにより電極配線Ｅを形成した（図２７（ｃ））。この際、電極配線Ｅの幅Ｗは３．０μｍであり、電極配線ＥのピッチＰは１６μｍであった。続いて、電極配線Ｅに対して、静電気試験器（（株）日本ノイズ研究所製、ESS-S3011）により、−１５ｋｖの放電電圧を印加した。そして、光学顕微鏡により、２００倍の倍率において電極配線Ｅを観察し、電極配線Ｅに破壊が発生しているか否かを観察した（表１）。
【０１７９】
＜剥離帯電試験＞
表示装置形成用基板１０を使用して、図２に示す構成からなる、表示装置２０（実施例１）を作製した。表示装置２０の製造工程において、静電電位測定器（シシド静電気（株）製、STATIORN DZ4）により、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量を測定した（表２）。
【０１８０】
＜飽和帯電試験＞
まず、図２７（ａ）と同様に、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に樹脂基材２２を配置した。次に、帯電電荷減衰度測定器（シシド静電気（株）製STATIC  HONESTMETER  H-0110）を使用して、表示装置形成用基板１０の金属層１３上に配置された樹脂基材２２に対して、コロナ放電により生成した空気イオンを照射して帯電させ、飽和帯電圧を測定した（表２）。また、飽和帯電圧が半分に減衰するまでの減衰時間を測定した（表２）。
【０１８１】
（実施例２）
金属層１３に、モリブデン及びタングステンを含む合金を使用したこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板１０（実施例２）を作製した。この表示装置形成用基板１０において、上述した実施例１と同様に、配線破壊試験を行った（表１）。
【０１８２】
（比較例１）
金属層に、モリブデンを使用したこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板（比較例１）を作製した。この表示装置形成用基板において、上述した実施例１と同様に、配線破壊試験を行った（表１）。
【０１８３】
（比較例２）
金属層に、アルミニウムを使用したこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板（比較例２）を作製した。この表示装置形成用基板において、上述した実施例１と同様に、配線破壊試験を行った（表１）。
【０１８４】
（比較例３）
金属層に、銅を使用したこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板（比較例３）を作製した。この表示装置形成用基板において、上述した実施例１と同様に、配線破壊試験を行った（表１）。
【０１８５】
（比較例４）
金属層に、クロムを使用したこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板（比較例４）を作製した。この表示装置形成用基板において、上述した実施例１と同様に、配線破壊試験を行った（表１）。
【０１８６】
（比較例５）
金属層１３を設けなかったこと、以外は、上述した実施例１と同様にして、表示装置形成用基板（比較例５）を作製した。この表示装置形成用基板において、上述した実施例１と同様に、剥離帯電試験および飽和帯電試験を行った（表２）。
【０１８７】
以上の結果をまとめて、表１および表２に示す。
【０１８８】
【表１】
2019211694.tif 000003
【０１８９】
【表２】
2019211694.tif 000004
【０１９０】
この結果、面抵抗率の変化率が２００％以上であった比較例１乃至４による表示装置形成用基板においては、電極配線Ｅの破壊箇所が５箇所よりも多かった。これに対して面抵抗率の変化率が２００％以下である実施例１および実施例２による表示装置形成用基板１０では、電極配線Ｅの破壊箇所が５箇所よりも少なかった。とりわけ、面抵抗率の変化率が５０％以下である実施例１による表示装置形成用基板１０では、電極配線Ｅの破壊が観察されなかった。このように、実施例１および実施例２による表示装置形成用基板１０は、５００℃に加熱された後に放電電圧が印加された場合であっても、電極配線Ｅへの悪影響を抑制できることが分かった。すなわち、金属層１３は、５００℃前後に加熱された場合においても、表示装置２０の製造工程および、製造された表示装置２０において、帯電防止機能を一貫して発揮することができることが分かった。
【０１９１】
また、比較例５においては、表示装置の製造工程において、仮支持基材を封止樹脂から剥離した際の剥離帯電量が２．１ｋｖであった。これに対して、実施例１による表示装置２０の製造工程において、仮支持基材２９を封止樹脂２５から剥離した際の剥離帯電量が０．８ｋｖであった。このように、実施例１では、剥離帯電量を低減することができ、帯電防止機能を向上できることが分かった。
【０１９２】
さらに、比較例５の表示装置形成用基板においては、飽和帯電圧が３．０ｋｖであるとともに、飽和帯電圧が半分に減衰するまでの減衰時間が９０秒であった。これに対して、実施例１の表示装置形成用基板１０においては、飽和帯電圧が１．３ｋｖであるとともに、飽和帯電圧が半分に減衰するまでの減衰時間が３０秒であった。このように、実施例１では、飽和帯電圧を低減することができるとともに、減衰時間を短縮することができ、帯電防止機能を向上できることが分かった。
【０１９３】
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【符号の説明】
【０１９４】
１０        表示装置形成用基板
１１        ガラス基材
１２        剥離層
１３        金属層
１５        めっき層
２０        表示装置
２１        支持基材
２２        樹脂基材
２３        薄膜トランジスタ
２４        有機ＥＬ素子
２５        封止樹脂
２９        仮支持基材
８０Ａ      カラーフィルタ層側中間製品
８０Ｂ      薄膜トランジスタ側中間製品
８１        第１ガラス基材
８２        第１剥離層
８３        第１金属層
８４        第１樹脂基材
８５        カラーフィルタ層
８６        第１配向層
８７        第２ガラス基材
８８        第２剥離層
８９        第２金属層
９１        第２樹脂基材
９２        薄膜トランジスタ
９３        第２配向層
９４        液晶層
９５        第１偏光板
９６        第２偏光板
１１０      表示装置
１１１      光源
【図１】
2019211694.tif 000005
【図２】
2019211694.tif 000006
【図３】
2019211694.tif 000007
【図４】
2019211694.tif 000008
【図５】
2019211694.tif 000009
【図６】
2019211694.tif 000010
【図７】
2019211694.tif 000011
【図８】
2019211694.tif 000012
【図９】
2019211694.tif 000013
【図１０】
2019211694.tif 000014
【図１１】
2019211694.tif 000015
【図１２】
2019211694.tif 000016
【図１３】
2019211694.tif 000017
【図１４】
2019211694.tif 000018
【図１５】
2019211694.tif 000019
【図１６】
2019211694.tif 000020
【図１７】
2019211694.tif 000021
【図１８】
2019211694.tif 000022
【図１９】
2019211694.tif 000023
【図２０】
2019211694.tif 000024
【図２１】
2019211694.tif 000025
【図２２】
2019211694.tif 000026
【図２３】
2019211694.tif 000027
【図２４】
2019211694.tif 000028
【図２５】
2019211694.tif 000029
【図２６】
2019211694.tif 000030
【図２７】
2019211694.tif 000031