(57)【要約】【課題】清浄度が高いガス溶解水を安定して供給可能なガス溶解水供給システムを提供する。【解決手段】本発明の、被処理水にガスを溶解させたガス溶解水を供給するガス溶解水供給システム１は、被処理水にガスを溶解させるガス溶解装置４と、ガス溶解装置４によりガスを溶解させた被処理水中の微粒子を除去する限外ろ過膜装置５を有し、限外ろ過膜装置５は少なくとも一次側に緻密層を有する。【選択図】図１
2019176069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理水にガスを溶解させたガス溶解水を供給するガス溶解水供給システムであって、
前記被処理水にガスを溶解させるガス溶解装置と、前記ガス溶解装置によりガスを溶解させた被処理水中の微粒子を除去する限外ろ過膜装置とを有し、前記限外ろ過膜装置は少なくとも一次側に緻密層を有することを特徴とする、ガス溶解水供給システム。
【請求項２】
前記ガス溶解装置の上流側にイオン交換装置をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載のガス溶解水供給システム。
【請求項３】
前記ガスは炭酸ガス、窒素ガス、水素ガス及びオゾンガスの少なくともいずれかである、請求項１又は２に記載のガス溶解水供給システム。
【請求項４】
前記限外ろ過膜装置の一次側の表面は二次側の表面よりも緻密であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載のガス溶解水供給システム。
【請求項５】
前記限外ろ過膜装置の一次側の表面と二次側の表面は、一次側と二次側の間に位置する中間部よりも緻密であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載のガス溶解水供給システム。
【請求項６】
前記緻密層は、前記限外ろ過膜装置の前記緻密層以外の部分に比べて微細な孔が設けられている層であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載のガス溶解水供給システム。
【請求項７】
ガスが溶解されていない被処理水と、被処理水にガスを溶解させたガス溶解水とを供給するガス溶解水供給システムであって、
ガスが溶解されていない被処理水を供給する供給経路に接続されており、前記供給経路から供給された前記ガスが溶解されていない被処理水中の微粒子を除去する第１の限外ろ過膜装置と、前記第１の限外ろ過膜装置よりも上流側で前記供給経路から分岐した分岐経路に接続されており、前記分岐経路から供給された被処理水にガスを溶解させるガス溶解装置と、前記ガス溶解装置に接続されており、前記ガス溶解装置によりガスを溶解させた被処理水中の微粒子を除去する第２の限外ろ過膜装置と、を有し、
少なくとも前記第２の限外ろ過膜装置は一次側に緻密層を有することを特徴とする、ガス溶解水供給システム。
【請求項８】
被処理水にガスを溶解させたガス溶解水を供給するガス溶解水供給方法であって、
前記被処理水にガスを溶解させる工程と、前記ガス溶解工程においてガスを溶解させた被処理水中の微粒子を、少なくとも一次側に緻密層を有する限外ろ過膜装置によって除去する工程とを含むことを特徴とする、ガス溶解水供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理水にガスを溶解させたガス溶解水を供給するガス溶解水供給システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶の製造プロセスでは、不純物が高度に除去された純水または超純水を用いて、半導体ウエハやガラス基板の洗浄が行われる。特に、半導体ウエハの洗浄において静電気の発生を抑制するために、被処理水（純水または超純水）にガス（炭酸ガスやオゾンや水素など）を溶解させて比抵抗値を低く調整したガス溶解水（機能水）が洗浄水やリンス水として用いられている。一般に、ガス溶解水は、ろ過膜装置（フィルタ）で微粒子が除去された後にユースポイントに供給される。ろ過膜装置として精密ろ過膜装置や限外ろ過膜装置が使用されており、より微細な微粒子を除去するためには限外ろ過膜装置を用いることが好ましい。特許文献１には、炭酸ガス溶解膜モジュールと微粒子除去膜モジュールを備えている、炭酸ガス溶解水を用いた洗浄装置が開示されている（特許文献１の図１参照）。そして、特許文献１には、微粒子除去膜モジュールとして精密ろ過膜（ＭＦ膜）もしくは限外ろ過膜（ＵＦ膜）を用いることが好ましいと記載されている（特許文献１の段落［００３８］参照）。このような洗浄装置によって、清浄度が高いガス溶解水をユースポイントに供給することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１７５０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ガス溶解水に含まれている微粒子を除去するために限外ろ過膜装置を用いる場合に、限外ろ過膜装置を透過するガス溶解水の透過流束（フラックス）が徐々に低下するという問題が生じることがある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、清浄度が高いガス溶解水を安定して供給可能なガス溶解水供給システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した目的を達成するために、本発明の、被処理水にガスを溶解させたガス溶解水を供給するガス溶解水供給システムは、被処理水にガスを溶解させるガス溶解装置と、ガス溶解装置によりガスを溶解させた被処理水中の微粒子を除去する限外ろ過膜装置を有し、限外ろ過膜装置は少なくとも一次側に緻密層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明のガス溶解水供給システムによれば、清浄度が高いガス溶解水を安定して供給可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態のガス溶解水供給システムを模式的に示すブロック図である。
【図２】図１に示すガス溶解水供給システムの限外ろ過膜装置を模式的に示す断面図である。
【図３】図２に示す限外ろ過膜装置の変形例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のガス溶解水供給システムを模式的に示すブロック図である。
【図５】本発明の第１実施例および第２実施例と比較例のガス溶解水供給システムの初期差圧維持率を示すグラフである。
【図６】本発明の第１実施例および第２実施例と比較例のガス溶解水供給システムの初期フラックス維持率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態のガス溶解水供給システムの構成について説明する。図１は、本実施形態のガス溶解水供給システムを模式的に示すブロック図である。本実施形態のガス溶解水供給システム１は、被処理水（純水または超純水）にガスを溶解させたガス溶解水（機能水）を、例えば半導体ウエハの洗浄を行うために供給するシステムである。このガス溶解水供給システム１は、原料水である一次純水を貯留する貯槽２と、熱交換器６と、脱気装置７と、紫外線照射装置８と、イオン交換装置３と、ガス溶解装置４と、限外ろ過膜装置５が、この順番に配置されて直列に接続されている。熱交換器６は、主に、ガス溶解水が所望の処理（例えば半導体ウエハの洗浄）に用いられる際に適した温度になるように、原料水の温度を予め調節する装置である。脱気装置７は、例えば酸化防止のために原料水中の気体（特に酸素）を除去する装置である。脱気装置７としては真空脱気装置や膜脱気装置などが採用されており、溶存酸素（ＤＯ）を例えば５０ｐｐｂ未満まで減少させる。紫外線照射装置８は、紫外線によって殺菌を行う装置である。
【００１０】
このようにして、原料水の温度調節と溶存酸素量の調節と殺菌とが行われ、イオン交換装置３によってイオン性不純物が除去される。イオン交換装置３は、原料水に含まれるイオン性不純物をイオン交換処理によって除去するものであり、イオン交換体が充填されたイオン交換塔を有している。イオン交換装置３は、高い処理性能を維持するために、非再生型イオン交換装置（カートリッジポリッシャー：ＣＰ）であることが好ましい。具体的には、陰イオン（アニオン）性不純物を除去するためのアニオン交換樹脂と、陽イオン（カチオン）性不純物を除去するためのカチオン交換樹脂が充填されたイオン交換塔を有している。イオン交換塔におけるアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂の充填形態は、イオン交換樹脂に由来する微量の不純物を効率的に除去し清浄度をより高くすることができる点で、混床形態であることが好ましい。すなわち、好適な実施形態のイオン交換装置３は、陽イオン（カチオン）交換樹脂と陰イオン（アニオン）交換樹脂の混合樹脂が充填された非再生型混床イオン交換装置である。
【００１１】
ガス溶解装置４は、イオン交換装置３から供給された純水または超純水にガスを溶解させる装置である。純水または超純水にガスを溶解させることによって、比抵抗値を所望の範囲に調節し、それによって静電気の発生を抑制している。ガス溶解装置４としては、例えば、中空糸製のガス透過膜を用いてガスを溶解させる装置、配管内に直接ガスをバブリングする装置、ガスを注入した後にスタティックミキサーなどの分散手段により溶解させる装置、ガス溶解槽に純水または超純水を供給するポンプの上流側にガスを供給し、ポンプ内の攪拌によって溶解させる装置などを用いることができる。特に、膜面積（気液接触面積）が大きく、ガスを効率的に溶解させることができる点で、中空糸製のガス透過膜を用いてガスを溶解させる装置が好ましい。ガスは、ガスライン（図示せず）を通じてガス溶解装置４に供給することができる。溶解させるガスとしては、炭酸ガス、窒素ガス、水素ガス、オゾンガスなどが挙げられる。
【００１２】
限外ろ過膜装置５は、純水または超純水にガスが溶解しているガス溶解水（機能水）から微粒子を除去するものである。限外ろ過膜装置５は、０．００１μｍ〜０．０１μｍ程度の径を有する非常に小さな微粒子を除去可能であり、清浄度が高いガス溶解水のユースポイント１２への供給を可能にしている。限外ろ過膜装置５に用いられる限外ろ過膜（ＵＦ膜）は、多孔質のスポンジ層と、スポンジ層よりも孔径の小さい緻密層（スキン層）で構成されており、中空糸膜の場合は、膜の内表面又は外表面に緻密層を有するいわゆるシングルスキン構造や、膜の内表面と外表面の両方に緻密層を有するいわゆるダブルスキン構造のものがある。本実施形態の限外ろ過膜装置５は、少なくとも一次側（流入側）に緻密層を備えている。例えば、図２に模式的に示すように、一次側（流入側）に緻密層（スキン層）５ａを備えた、いわゆるシングルスキン構造の限外ろ過膜からなる。緻密層５ａは、限外ろ過膜装置５の緻密層５ａ以外の部分（スポンジ層）５ｂに比べて微細な孔が設けられている層である。また、図３に示すように、限外ろ過膜装置５の一次側と二次側にそれぞれ緻密層５ａが設けられている構成（ダブルスキン構造）にすることも可能である。そして、本発明は、通水方法が内圧式の限外ろ過膜装置を有する構成にも、外圧式の限外ろ過膜装置を有する構成にも適用可能である。限外ろ過膜装置５で処理されたガス溶解水は、供給部１０から複数のユースポイント１２の全てまたは一部に選択的に供給される。各々のユースポイント１２において、ガス溶解水は例えば半導体ウエハ（図示せず）の洗浄のための洗浄水やリンス水として用いられる。また、ユースポイントで使用されないガス溶解水は、循環経路９により貯槽２に戻される。
【００１３】
このような構成によると、清浄度が高く所望の水質のガス溶解水を循環経路９に沿って循環させることができ、必要なときに必要な量のガス溶解水をユースポイント１２に供給することができる。すなわち、清浄度が高く所望の水質のガス溶解水のユースポイント１２への安定供給が可能である。また、本実施形態によれば、ユースポイント１２におけるガス溶解水の使用状況にかかわらず、ガス溶解水供給システム１の連続運転が可能である。ガス溶解水供給システム１が連続運転されることにより、ガス溶解水供給システム１の起動直後に生成される可能性がある清浄度および水質が不十分なガス溶解水が少量しか発生せず、ガス溶解水の無駄な消費を抑えることができる。特に、本実施形態によれば、ガス溶解水を循環処理することで、不純物をより一層低減することができ、より清浄度の高いガス溶解水を得ることができる。ユースポイント１２でのガス溶解水の使用量が多く、循環するガス溶解水の量が減少した場合には、図示しない補給ラインから貯槽２に原料水を補給すればよい。なお、貯槽２には、窒素ガスや清浄空気を導入するためのガス導入ライン（図示せず）と、貯槽２から外部に窒素ガスや清浄空気を排出するためのガス排出ライン（図示せず）とが接続される。
【００１４】
また、図示しないが、ユースポイント１２において例えば洗浄水やリンス水として用いられたガス溶解水を回収して、貯層２へ向かう復帰路に合流させて再利用することもできる。ただしその場合には、回収したガス溶解水を、水質を調整するために図示しない水質調整手段（例えばフィルタ）を通過させてから貯層２へ流入させてもよい。また、ユースポイント１２で使用したガス溶解水（図１参照）を回収して、一次純水レベルまで精製してから貯槽２に戻してもよい。このようにガス溶解水の再利用を行うと、原料水とそれに溶解させるガス（例えば炭酸ガス）を補給する量が少なくて済み、原料水およびガスの使用量をさらに低減することができる。このように、１つのガス溶解水供給システムから複数のユースポイント１２に対してガス溶解水を供給する集中供給方式であって、ガス溶解水を循環させながらユースポイント１２に供給する循環方式（いわゆる超純水サブシステム）において、限外ろ過膜装置５の経時的な透過流束の減少を抑制する本発明は特に有効である。
【００１５】
本実施形態の限外ろ過膜装置５の技術的意義について以下に説明する。前述したように、ガス溶解水を限外ろ過膜装置５に通水することで、清浄度が高いガス溶解水を得ることができ、半導体ウエハの洗浄等に効果的である。しかし、限外ろ過膜装置における透過流束（フラックス）が低下するという問題が生じることがあった。これに対し、本実施形態のように少なくとも一次側（流入側）に緻密層（スキン層）５ａを備えた限外ろ過膜装置５を用いることによって、限外ろ過膜装置５における透過流束（フラックス）の低下を抑えることができることを見出した。その理由の１つとして、限外ろ過膜装置５の一次側の表面の孔が、液体中に存在する微細なバブルによって塞がれないことが考えられる。
【００１６】
仮に、限外ろ過膜装置の一次側に緻密層が存在せず、比較的大きな孔が存在していると、液体中のバブルが比較的大きな孔に入り込んで捕捉される可能性がある。このようにして捕捉されたバブルは実質的に孔を塞ぐため、液体が透過できなくなる。この限外ろ過膜装置を使用し続けると、バブルによって塞がれた孔が次第に増加していき、限外ろ過膜装置を通過して流出する液体の量が減少していく。すなわち、限外ろ過膜装置における透過流束（フラックス）が低下する。液体中のバブルは、特に図１に示すような循環経路９において生じ易い。すなわち、循環経路９における貯層２への水流や、ガスの巻き込みや、図示しないポンプの吸引時のキャビテーションや、様々な圧力変化や変動などによってバブルが発生しやすい。このようにして発生するバブルは、目に見える大きな気泡だけではなく、目に見えないマイクロバブルやナノバブルを含む。そして、マイクロバブルやナノバブルは液体中で安定して存在すると言われている。液体中で安定して存在するマイクロバブルやナノバブルが、限外ろ過膜装置の一次側の表面の孔やその内部に入り込んで捕捉されると、限外ろ過膜装置が局部的に乾燥し（気体によって部分的に閉塞され）、経時的に通水差圧が上昇し透過流束が低下する。仮に限外ろ過膜装置の二次側に緻密層が存在していると微粒子を除去するフィルタ機能に関しては有効であるが、一次側の表面の孔が大きいとマイクロバブルやナノバブルによる膜閉塞が生じて液体が透過しにくくなり通水差圧が上昇し透過流束が低下しやすいという問題は解決しない。
【００１７】
これに対し、本実施形態では、一次側に極めて小さい孔が密に配置された緻密層５ａを有する限外ろ過膜装置５が用いられている。緻密層５ａの孔は非常に小さいため、液体中のバブルがこの緻密層５ａの孔にほとんど入り込めない。特に循環経路９によってガス溶解水を循環させる場合に発生し易いマイクロバブルやナノバブルも緻密層５ａの微小な孔に入り込む可能性は小さく、限外ろ過膜装置５の一次側の表面の孔が塞がれることが少ない。その結果、限外ろ過膜装置５における透過流束の低下を抑制することができ、差圧の上昇が抑えられる。
【００１８】
以上説明したように、限外ろ過膜装置５の一次側の表面の孔がバブルで塞がれる可能性を低減することが、本発明によって限外ろ過膜装置５の透過流束の低下を抑えられる要因の１つであると考えられる。ただし、これ以外の要因に基づいて、本発明によって限外ろ過膜装置５の透過流束の低下を抑制するという効果が実現している可能性もある。
【００１９】
（第２の実施形態）
図４には、ガスが溶解されていない被処理水（純水または超純水）を用いる処理と、ガス溶解水を用いる処理とを並行して行うことができる、本発明の第２の実施形態のガス溶解水供給システム１３が示されている。第１の実施形態の溶解水供給システム１と同様な部分については、同一の符号を付与する。本実施形態のガス溶解水供給システム１３では、原料水である一次純水を貯留する貯槽２から、熱交換器６、脱気装置７、紫外線照射装置８、イオン交換装置３、第１の限外ろ過膜装置１４が、この順番に配置されて直列に接続されている。この経路には、ガス溶解装置は含まれていない。すなわち、ガスが溶解されていない被処理水を供給する供給経路１７が、第１の限外ろ過膜装置１４に接続されており、第１の限外ろ過膜装置１４は、供給経路１７から供給されたガスが溶解されていない被処理水中の微粒子を除去する。そして、第１の限外ろ過膜装置１４で処理された被処理水（純水または超純水）の一部は、供給部１０からユースポイント１５（ガスを含まない純水または超純水を用いる処理を行う部位）に供給される。第１の限外ろ過膜装置１４で処理された被処理水（純水または超純水）の残りの部分は、圧力調整弁１１を介して貯層２に戻される。限外ろ過膜装置１４に使用される限外ろ過膜は、緻密層が一次側にあるものに限られず、二次側にあってもよい。
【００２０】
本実施形態では、ガスが溶解されていない被処理水の第１の限外ろ過膜装置１４へ向かう流れ方向の上流側で供給経路１７から分岐する分岐経路１８が設けられている。この分岐経路１８は、補給量調節弁１６を介してガス溶解水供給用の経路の貯層２に接続されている。そのため、イオン交換装置３によってイオン性不純物を除去された被処理水は、第１の限外ろ過膜装置１４に送られるのみならず、分岐経路１８から補給量調節弁１６を介してガス溶解水供給用の経路の貯層２にも送られる。この被処理水は、ガス溶解水供給用の経路の貯層２から、熱交換器６、紫外線照射装置８、イオン交換装置３を経て、ガス溶解装置４に送られる。すなわち、第１の限外ろ過膜装置１４の上流側で供給経路１７から分岐する分岐経路１８は、貯層２、熱交換器６、紫外線照射装置８、イオン交換装置３を介して、ガス溶解装置４に接続されている。ガス溶解装置４は、分岐経路１８から供給されたガスが溶解されていない被処理水にガスを溶解させる。そして、ガス溶解装置４によってガスが溶解されたガス溶解水（機能水）は、ガス溶解装置４に接続されている第２の限外ろ過膜装置５に送られる。第２の限外ろ過膜装置５によって微粒子が取り除かれたガス溶解水は、少なくとも一部が供給部１０からユースポイント１２に供給される。微粒子が除去されたガス溶解水の残りの部分は、圧力調整弁１１を介して貯層２に戻されて循環する。このガス溶解水供給用の経路の限外ろ過膜装置（第２の限外ろ過膜装置）５は、第１の実施形態の限外ろ過膜装置５（図２，３参照）と同様に、少なくとも一次側に非常に細かい孔を有する緻密層５ａを有している。これは、ガス溶解装置４によって被処理水に溶け込まされたガスのバブルが、限外ろ過膜装置５の一次側の表面の孔に入り込んで捕捉されるのを防ぐためである。その結果、前述したように、ガス溶解水の透過流束の低下を抑え、差圧の上昇を抑えることができる。限外ろ過膜装置５の二次側には緻密層５ａが設けられていても設けられていなくてもよい。なお、ガス溶解水供給用の経路には、脱気装置７は設けられておらず、熱交換器６と紫外線照射装置８とイオン交換装置３は設けられている。本実施形態においてガス溶解水供給用の経路にどの装置を配置してどの装置を省略するかは、それぞれの装置による処理を重複して行うことが望ましいか否かを適宜に判断して決定すればよい。図４に示されている例では、熱交換と紫外線照射とイオン交換（イオン性不純物の除去）に関しては、ガス溶解水供給用の経路への導入前と当該経路内とで二重に行っている。
【００２１】
この構成によると、用途に応じて、ガスを含まない純水または超純水と、ガス溶解水とを、それぞれのユースポイント１２，１５に供給することができ、しかも、第２の限外ろ過膜装置５における透過流束（フラックス）の低下を小さく抑えることができる。
【００２２】
（実施例）
図１に示したシステムで、ガス溶解装置４で炭酸ガスを供給し、図２に示すように限外ろ過膜装置５が一次側のみに緻密層５ａを有する内圧式シングルスキン構造である構成（第１実施例）と、図３に示すように限外ろ過膜装置５が一次側と二次側の両方に緻密層５ａを有する外圧式ダブルスキン構造である構成（第２実施例）と、限外ろ過膜装置が二次側のみに緻密層を有する外圧式シングルスキン構造である構成（図示しない比較例）とにおける限外ろ過膜装置５の入口圧、透過圧、濃縮圧、透過流量を測定し、差圧および透過流束（フラックス）の経時的な変化を求めた。差圧とは、限外ろ過膜装置の一次側と二次側における液体の圧力の差であり、差圧＝（入口圧＋濃縮圧）／２−透過圧である。図５では初期差圧を１００％として、経時的な差圧の変動を百分率で表している（初期差圧維持率）。フラックス（透過流束）とは、限外ろ過膜装置を透過する透過水量（ガス溶解水供給システムを１日（２４時間）稼働した時の総透過水量）を限外ろ過膜装置の膜面積および差圧で割った値であり、フラックス＝１日あたりの透過水量／（膜面積×差圧）である。図６では初期状態のフラックスを１００％として、経時的なフラックスの変動を百分率で表している（初期フラックス維持率）。
【００２３】
図５，６を見ると、限外ろ過膜装置の二次側のみに緻密層を有する（一次側には緻密層を有していない）比較例では、経時的に差圧が上昇するとともに透過水量が低下することが判る。すなわち、一定の量の原料水を供給し続けても、このガス溶解水供給システムから得られるガス溶解水の量が経時的に減少していくため、処理（例えば半導体ウエハの洗浄）に必要な量のガス溶解水を得ることが困難になる。例えば、ガス溶解水供給システムを稼働開始してから約１０００時間経過した後には、初期段階の１／２程度の量のガス溶解水しか得られない。原料水の供給圧力、特に限外ろ過膜装置５への供給圧力（ＵＦ供給圧）を高くすることにより、必要量のガス溶解水を得ることができる。しかし、その場合には差圧がさらに上昇する。限外ろ過膜には供給圧や差圧に許容値が設けられているため、許容値に達した場合、限外ろ過膜の交換が必要になる。差圧の上昇やフラックスの低下の速度が大きければ限外ろ過膜の寿命は短くなるため、膜交換頻度が高くなり高コスト化を招く。これに対し、第１実施例では、少なくとも４００時間近く経過した時点でも初期段階とほぼ同等の差圧およびフラックスが維持できている。第２実施例では、ガス溶解水供給システムを稼働開始してから約４００時間経過した時点で、第１実施例と同様に、初期段階とほぼ同等の差圧およびフラックスが維持でき、さらに１２００時間経過した時点でも、差圧は初期段階の１１０％程度、フラックスは初期段階の９０％程度である。従って、第１実施例および第２実施例によると、ＵＦ供給圧を特に高くする必要は無く処理（例えば半導体ウエハの洗浄）に必要な量のガス溶解水を得ることが容易にできるため、差圧の上昇を緩やかに保ち限外ろ過膜の寿命を長くすることができる。その結果、限外ろ過膜の交換頻度が少なくなり、高コスト化を避けることができる。このように、限外ろ過膜装置５の一次側に緻密層５ａが設けられている構成（第１実施例および第２実施例）では、経時的な差圧の上昇および透過流束の低下を低く抑えることができることがわかる。そしてこの効果は、二次側の緻密層の有無にはあまり影響されないことがわかる。ただし、限外ろ過膜装置の二次側に緻密層があっても一次側に緻密層が存在しない構成（比較例）では、経時的な差圧の増大および透過水量の減少を抑えることができない。
【符号の説明】
【００２４】
１      ガス溶解水供給システム
２      貯槽
３      イオン交換装置
４      ガス溶解装置
５      限外ろ過膜装置（第２の限外ろ過膜装置）
５ａ    緻密層（スキン層）
６      熱交換器
７      脱気装置
８      紫外線照射装置
９      循環経路
１０    供給部
１１    圧力調整弁
１２    ユースポイント
１３    ガス溶解水供給システム
１４    第１の限外ろ過膜装置
１５    ユースポイント
１６    補給量調節弁
１７    供給経路
１８    分岐経路
【図１】
2019176069.tif 000003
【図２】
2019176069.tif 000004
【図３】
2019176069.tif 000005
【図４】
2019176069.tif 000006
【図５】
2019176069.tif 000007
【図６】
2019176069.tif 000008