(57)【要約】【課題】トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、トレンチゲート部の底面の電界を緩和する技術を提供する。【解決手段】  窒化物半導体装置の窒化物半導体層は、トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及びトレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接しており、不純物濃度がボディ領域よりも薄い第２導電型の低濃度半導体領域を有する。低濃度半導体領域は、ドリフト領域とソース領域を分離する位置にあるボディ領域とトレンチゲート部の側面の間に配置されている側面部分領域と、ドリフト領域とトレンチゲート部の底面の間に配置されている底面部分領域と、を含む。【選択図】図１
2019062051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の表面から裏面に向けて伸びるトレンチゲート部と、を備えており、
前記窒化物半導体層は、
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域の上方に設けられているとともに前記トレンチゲート部の側面に対向する第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域の上方に設けられているとともに前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から分離されており、前記トレンチゲートの側面に対向する第１導電型の第３半導体領域と、
前記トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及び前記トレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接しており、不純物濃度が前記第２半導体領域よりも薄い第２導電型の低濃度半導体領域と、を有しており、
前記低濃度半導体領域は、
前記第１半導体領域と前記第３半導体領域を分離する位置にある前記第２半導体領域と前記トレンチゲート部の側面の間に配置されている側面部分領域と、
前記第１半導体領域と前記トレンチゲート部の底面の間に配置されている底面部分領域と、を含む、窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記第３半導体領域は、前記トレンチゲートの側面に接しており、
前記低濃度半導体領域は、前記第３半導体領域の下方に配置されている、請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体領域は、前記トレンチゲート部の底面の一部に接する接触部分を有する、請求項１又は２に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチゲート部の底面に直交する方向における前記底面部分領域の幅が、前記トレンチゲート部の側面に直交する方向における前記側面部分領域の幅よりも大きい、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置の製造方法であって、
第１導電型の第１半導体領域と、その第１半導体領域の上方に設けられている第２導電型の第２半導体領域と、を有する窒化物半導体層の表面から前記第２半導体領域を貫通して前記第１半導体領域に達するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
前記トレンチの側面と底面を被覆するように第２導電型の低濃度エピ層を結晶成長する結晶成長工程であって、前記低濃度エピ層の不純物濃度が前記第２半導体領域の不純物濃度よりも薄い、結晶成長工程と、
前記トレンチの側面の少なくとも一部及び前記トレンチの底面の少なくとも一部に前記低濃度エピ層が残存した状態で、前記トレンチ内にトレンチゲート部を形成するトレンチゲート部形成工程と、を備える窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記結晶成長工程と前記トレンチゲート部形成工程の間に、前記トレンチの底面を被覆する前記低濃度エピ層の一部に第１導電型の不純物を導入して第１導電型に変更する不純物導入工程、をさらに備える請求項５に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置の製造方法であって、
第１導電型の第１半導体領域と、その第１半導体領域上に設けられている第２導電型の第２半導体領域と、を有する窒化物半導体層の表面から前記第２半導体領域を貫通して前記第１半導体領域に達する第１トレンチを形成する第１トレンチ形成工程と、
前記第１トレンチを充填するように第２導電型の低濃度エピ層を結晶成長する結晶成長工程であって、前記低濃度エピ層の不純物濃度が前記第２半導体領域の不純物濃度よりも薄い、結晶成長工程と、
前記低濃度エピ層に第２トレンチを形成する第２トレンチ形成工程であって、前記第２トレンチの側面と底面に前記低濃度エピ層が残存するように実施される、第２トレンチ形成工程と、
前記第２トレンチの側面の少なくとも一部及び前記第２トレンチの底面の少なくとも一部に前記低濃度エピ層が残存した状態で、前記第２トレンチ内にトレンチゲート部を形成するトレンチゲート部形成工程と、を備える窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１トレンチ形成工程では、前記第１トレンチの底面の端部に凸部状の端部溝が形成される条件で実施され、
前記第２トレンチ形成工程では、前記第２トレンチの底面に前記第１半導体領域が露出するとともに前記端部溝が残存する条件で実施される、請求項７に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、窒化物半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置の開発が進められている。このような窒化物半導体装置は、ｎ型のドリフト領域、ドリフト領域の上方に設けられているｐ型のボディ領域、及び、ボディ領域の上方に設けられているｎ型のソース領域を備える。ドリフト領域とソース領域は、ボディ領域によって分離されている。ドリフト領域とソース領域を分離する位置にあるボディ領域は、トレンチゲート部の側面に対向している。このような窒化物半導体装置では、トレンチゲート部にオン電圧を印加することによって、ドリフト領域とソース領域を分離する位置にあるボディ領域にチャネル（反転層）が形成され、ソース領域から注入された電子がチャネルを介してドリフト領域に移動し、窒化物半導体装置がオンする。
【０００３】
特許文献１は、ボディ領域よりもｐ型不純物の濃度が低い低濃度半導体領域を備える窒化物半導体装置を開示する。低濃度半導体領域は、トレンチゲート部の側面に接するように配置されている。特許文献１の窒化物半導体装置では、チャネルを低濃度半導体領域内に形成することにより、ボディ領域の不純物を高濃度に維持しながら、低いチャネル抵抗を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３８８９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
絶縁破壊電界強度の高い窒化物半導体で製造される窒化物半導体装置は、その特性を十分に発揮するために、高電界が加わる動作条件で用いられる。このため、トレンチゲート部の底面の絶縁破壊が懸念される。特許文献１の窒化物半導体装置は、低濃度半導体領域がトレンチゲート部の側面のみに配置されており、トレンチゲート部の底面の絶縁破壊が懸念される。本明細書は、トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置において、トレンチゲート部の底面の電界を緩和する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する窒化物半導体装置の一実施形態は、窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層の表面から裏面に向けて伸びるトレンチゲート部と、を備えることができる。前記窒化物半導体層は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域の上方に設けられているとともに前記トレンチゲート部の側面に対向する第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域の上方に設けられているとともに前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から分離されており、前記トレンチゲートの側面に対向する第１導電型の第３半導体領域と、前記トレンチゲート部の前記側面の少なくとも一部及び前記トレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接しており、不純物濃度が前記第２半導体領域よりも薄い第２導電型の低濃度半導体領域と、を有することができる。前記低濃度半導体領域は、前記第１半導体領域と前記第３半導体領域を分離する位置にある前記第２半導体領域と前記トレンチゲート部の側面の間に配置されている側面部分領域と、前記第１半導体領域と前記トレンチゲート部の底面の間に配置されている底面部分領域と、を含むことができる。この窒化物半導体装置では、トレンチゲート部の底面の少なくとも一部に対して低濃度半導体領域の底面部分領域が配置されている。これにより、この窒化物半導体装置は、トレンチゲート部の底面の電界を緩和することができる。
【０００７】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、前記第３半導体領域が、前記トレンチゲートの側面に接していてもよい。この場合、前記低濃度半導体領域は、前記第３半導体領域の下方に配置されている。この窒化物半導体装置では、低濃度半導体領域内に形成されるチャネルが第３半導体領域と直接的に接することができる。このため、この窒化物半導体装置は、低いオン抵抗を有することができる。
【０００８】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、前記第１半導体領域が、前記トレンチゲート部の底面の一部に接する接触部分を有してもよい。この窒化物半導体装置では、低濃度半導体領域内に形成されるチャネルが第１半導体領域と直接的に接することができる。このため、この窒化物半導体装置は、低いオン抵抗を有することができる。
【０００９】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、前記トレンチゲート部の底面に直交する方向における前記底面部分領域の幅が、前記トレンチゲート部の側面に直交する方向における前記側面部分領域の幅よりも大きくてもよい。この窒化物半導体装置は、トレンチゲート部の底面の電界をさらに緩和することができる。
【００１０】
本明細書は、トレンチゲート部を備える窒化物半導体装置の製造方法を開示することができる。本明細書が開示する窒化物半導体装置の第１の製造方法は、第１導電型の第１半導体領域と、その第１半導体領域上に設けられている第２導電型の第２半導体領域と、を有する窒化物半導体層の表面から前記第２半導体領域を貫通して前記第１半導体領域に達するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、前記トレンチの側面と底面を被覆するように第２導電型の低濃度エピ層を結晶成長する結晶成長工程であって、前記低濃度エピ層の不純物濃度が前記第２半導体領域の不純物濃度よりも薄い、結晶成長工程と、前記トレンチの側面の少なくとも一部及び前記トレンチの底面の少なくとも一部に前記低濃度エピ層が残存した状態で、前記トレンチ内にトレンチゲート部を形成するトレンチゲート部形成工程と、を備えることができる。この第１の製造方法によると、前記トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及び前記トレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接して低濃度エピ層が形成される。第１の製造方法は、トレンチゲート部の底面の電界が緩和された窒化物半導体装置を製造することができる。
【００１１】
上記第１の製造方法では、前記結晶成長工程と前記トレンチゲート部形成工程の間に、前記トレンチの底面を被覆する前記低濃度エピ層の一部に第１導電型の不純物を導入して第１導電型に変更する不純物導入工程、をさらに備えていてもよい。この製造方法で製造される窒化物半導体装置は、低濃度エピ層内に形成されるチャネルが第１半導体領域と直接的に接することができる。このため、この窒化物半導体装置は、低いオン抵抗を有することができる。
【００１２】
本明細書が開示する窒化物半導体装置の第２の製造方法は、第１導電型の第１半導体領域と、その第１半導体領域上に設けられている第２導電型の第２半導体領域と、を有する窒化物半導体層の表面から前記第２半導体領域を貫通して前記第１半導体領域に達する第１トレンチを形成する第１トレンチ形成工程と、前記第１トレンチを充填するように第２導電型の低濃度エピ層を結晶成長する結晶成長工程であって、前記低濃度エピ層の不純物濃度が前記第２半導体領域の不純物濃度よりも薄い、結晶成長工程と、前記低濃度エピ層に第２トレンチを形成する第２トレンチ形成工程であって、前記第２トレンチの側面と底面に前記低濃度エピ層が残存するように実施される、第２トレンチ形成工程と、前記第２トレンチの側面の少なくとも一部及び前記第２トレンチの底面の少なくとも一部に前記低濃度エピ層が残存した状態で、前記第２トレンチ内にトレンチゲート部を形成するトレンチゲート部形成工程と、を備えることができる。この第２の製造方法によると、前記トレンチゲート部の側面の少なくとも一部及び前記トレンチゲート部の底面の少なくとも一部に接して低濃度エピ層が形成される。第２の製造方法は、トレンチゲート部の底面の電界が緩和された窒化物半導体装置を製造することができる。さらに、
【００１３】
上記第２の製造方法の前記第１トレンチ形成工程では、前記第１トレンチの底面の端部に凸部状の端部溝が形成される条件で実施されてもよい。さらに、上記第２の製造方法の前記第２トレンチ形成工程では、前記第２トレンチの底面に前記第１半導体領域が露出するとともに前記端部溝が残存する条件で実施されてもよい。この第２の製造方法で製造される窒化物半導体装置では、低濃度エピ層内に形成されるチャネルが第１半導体領域と直接的に接することができる。このため、この窒化物半導体装置は、低いオン抵抗を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ａ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ｂ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ｃ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ｄ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ｅ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図２Ｆ】第１実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図３】第２実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ａ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｂ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｃ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｄ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｅ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｆ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図４Ｇ】第２実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図５】第３実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ａ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ｂ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ｃ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ｄ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ｅ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【図６Ｆ】第３実施形態の窒化物半導体装置の製造過程の要部断面図を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
図１に示されるように、第１実施形態の窒化物半導体装置１は、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）と称される種類の半導体装置であり、窒化物半導体層１０、窒化物半導体層１０の裏面を被覆するドレイン電極２２、窒化物半導体層１０の表面を被覆するソース電極２４、及び、窒化物半導体層１０の表層部に設けられているトレンチゲート部３０を備える。窒化物半導体層１０は、ｎ＋型のドレイン領域１１、ｎ型のドリフト領域１２、ｐ型のボディ領域１３、ｎ＋型のソース領域１４、及び、ｐ−型の低濃度半導体領域１５を備える。窒化物半導体層１０の材料は窒化ガリウム（ＧａＮ）である。窒化物半導体層１０では、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられており、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）が用いられている。ここで、ドリフト領域１２が本願明細書で開示する第１半導体領域の一例であり、ボディ領域１３が本願明細書で開示する第２半導体領域の一例であり、ソース領域１４が本願明細書で開示する第３半導体領域の一例である。
【００１６】
ドレイン領域１１は、窒化物半導体層１０の裏層部に設けられており、ドレイン電極２２にオーミック接触する。ドレイン領域１１は、後述するように、ｎ型ＧａＮ基板として準備され、ドリフト領域１２及びボディ領域１３を結晶成長するための下地基板でもある。ドリフト領域１２は、ドレイン領域１１の表面上に設けられており、ドレイン領域１１とボディ領域１３の間に配置されている。ドリフト領域１２は、トレンチゲート部３０の底面に接触する接触部分１２ａを有する。ボディ領域１３は、ドリフト領域１２の表面上に設けられており、窒化物半導体層１０の表層部に設けられており、ソース電極２４にオーミック接触する。ボディ領域１３は、低濃度半導体領域１５を介してトレンチゲート部３０の側面に対向する。ソース領域１４は、ボディ領域１３の表面上に設けられており、窒化物半導体層１０の表層部に設けられており、ボディ領域１３によってドリフト領域１２から分離されている。ソース領域１４は、低濃度半導体領域１５を介してトレンチゲート部３０の側面に対向している。
【００１７】
低濃度半導体領域１５は、その不純物濃度がボディ領域１３の不純物濃度よりも薄い。低濃度半導体領域１５は、トレンチゲート部３０の側面全体及びトレンチゲート部３０の底面の一部を被覆するように配置されている。特に、低濃度半導体領域１５は、トレンチゲート部３０の側面と底面で構成される角部を被覆するように配置されている。低濃度半導体領域１５は、後述の製造方法で説明するように、結晶成長技術を利用して形成されるエピ層である。
【００１８】
低濃度半導体領域１５は、側面部分領域１５ａ及び底面部分領域１５ｂを有する。側面部分領域１５ａは、ドリフト領域１２とソース領域１４を分離する位置にあるボディ領域１３とトレンチゲート部３０の側面の間に配置されている部分である。底面部分領域１５ｂは、ドリフト領域１２とトレンチゲート部３０の底面の間に配置されている部分である。底面部分領域１５ｂは、トレンチゲート部３０の底面のうちの中央側に配置されていない。対向する底面部分領域１５ｂの間には、ドリフト領域１２の接触部分１２ａが配置されている。
【００１９】
トレンチゲート部３０は、窒化物半導体層１０の表面から裏面に向けて伸びており、ゲート電極３２及びゲート絶縁膜３４を有する。ゲート電極３２は、その側面及び底面がゲート絶縁膜３４で被覆されている。
【００２０】
次に、窒化物半導体装置１の動作を説明する。ソース電極２４よりも高い電圧がドレイン電極２２に印加され、ゲート電極３２に閾値電圧よりも高い電圧が印加されると、窒化物半導体装置１はオンとなる。このとき、低濃度半導体領域１５内にチャネル（反転層）が形成される。チャネルは、低濃度半導体領域１５の側面部分領域１５ａ内及び底面部分領域１５ｂ内の双方に形成される。ソース領域１４から注入された電子は、側面部分領域１５ａ内に形成されたチャネル及び底面部分領域１５ｂ内に形成されたチャネルを流れ、ドリフト領域１２の接触部分１２ａを介してドリフト領域１２に移動し、窒化物半導体装置１がオンする。ゲート電極３２に印加される電圧が閾値電圧を下回ると、低濃度半導体領域１５内のチャネルが消失し、窒化物半導体装置１がオフとなる。
【００２１】
窒化物半導体装置１は、低濃度半導体領域１５を備えていることを特徴とする。特に、側面部分領域１５ａが設けられていることにより、ボディ領域１３のｐ型不純物の濃度を濃く維持しながら、トレンチゲート部３０の側面、即ち、チャネルが形成される部分のｐ型不純物の濃度を薄くすることができる。これにより、窒化物半導体装置１は、正孔排出能を高く維持しながら、低いチャネル抵抗を有することができる。さらに、底面部分領域１５ｂが設けられていることにより、トレンチゲート部３０の底面のゲート絶縁膜３４の電界集中が緩和され、窒化物半導体装置１の耐圧が向上する。
【００２２】
次に、図２Ａ−図２Ｆを参照し、窒化物半導体装置１の製造方法を説明する。まず、図２Ａに示されるように、ドレイン領域１１とドリフト領域１２とボディ領域１３がこの順に積層された窒化物半導体層１０を準備する。窒化物半導体層１０は、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を利用して、ｎ型ＧａＮ基板であるドレイン領域１１の表面上からｎ型ＧａＮのドリフト領域１２及びｐ型ＧａＮのボディ領域１３を順に結晶成長することにより製造される。
【００２３】
次に、図２Ｂに示されるように、イオン注入技術及び活性化アニール技術を利用して、窒化物半導体層１０の表面に露出するボディ領域１３の一部にｎ型不純物を導入し、ソース領域１４を形成する。ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられる。なお、ソース領域１４は、ドリフト領域１２及びボディ領域１３を結晶成長するときに、ボディ領域１３の表面上に結晶成長させたｎ型エピ層を利用して形成してもよい。
【００２４】
次に、図２Ｃに示されように、窒化物半導体層１０の表面からソース領域１４及びボディ領域１３を貫通してドリフト領域１２に達するトレンチＴ１を形成する。トレンチＴ１は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。
【００２５】
次に、図２Ｄに示されるように、有機金属気相成長法を利用して、トレンチＴ１の側面及び底面を被覆するように、ｐ型ＧａＮの低濃度エピ層１５Ａを結晶成長する。
【００２６】
次に、図２Ｅに示されるように、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）を利用して、窒化物半導体層１０の表面を被膜する低濃度エピ層１５Ａを選択的に除去し、ボディ領域１３及びソース領域１４を露出させる。これにより、低濃度エピ層１５Ａは、トレンチＴ１の側面及び底面を被覆するように残存する。
【００２７】
次に、図２Ｆに示されるように、イオン注入技術及び活性化アニール技術を利用して、トレンチＴ１の底面を被覆する低濃度エピ層１５Ａの一部にｎ型不純物を導入し、接触部分１２ａを形成する。ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられる。この工程を経て、トレンチＴ１の側面に低濃度半導体領域１５の側面部分領域１５ａが形成され、トレンチＴ１の底面に低濃度半導体領域１５の底面部分領域１５ｂが形成される。
【００２８】
次に、トレンチＴ１内にゲート絶縁膜３４及びゲート電極３２を形成する。ゲート絶縁膜３４は、プラズマＣＶＤ，ＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure CVD），ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）等の公知技術を用いて形成することができる。その後、窒化物半導体層１０の裏面にドレイン電極２２を形成し、窒化物半導体層１０の表面にソース電極２４形成することにより、図１に示す窒化物半導体装置１が完成する。
【００２９】
（第２実施形態）
図３に、第２実施形態の窒化物半導体装置２を示す。図１の第１実施形態の窒化物半導体装置１と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
【００３０】
図３に示されるように、窒化物半導体装置２は、低濃度半導体領域１１５が、トレンチゲート部３０の側面全体を被膜していないことを特徴とする。窒化物半導体装置２では、低濃度半導体領域１１５がソース領域１４の下方にのみ配置されており、ソース領域１４がトレンチゲート部３０の側面に接触している。
【００３１】
図１に示す窒化物半導体装置１では、ソース領域１４とトレンチゲート部３０の間に低濃度半導体領域１５が配置されていた。この場合、低濃度半導体領域１５内に形成されるチャネルとソース領域１４が直接的に接していないことから、電子がソース領域１４から低濃度半導体領域１５内に形成されるチャネルに移動するときの抵抗が損失となる。図３に示す窒化物半導体装置２では、低濃度半導体領域１１５の側面部分領域１１５ａ内に形成されるチャネルがソース領域１４の下面と直接的に接しているので、ソース領域１４から低濃度半導体領域１１５の側面部分領域１１５ａ内のチャネルに移動するときの抵抗が低い。これにより、窒化物半導体装置２は、低いオン抵抗を有することができる。
【００３２】
次に、図４Ａ−図４Ｇを参照し、窒化物半導体装置２の製造方法を説明する。まず、図４Ａに示されるように、ドレイン領域１１とドリフト領域１２とボディ領域１３がこの順に積層された窒化物半導体層１０を準備する。窒化物半導体層１０は、有機金属気相成長法を利用して、ｎ型ＧａＮ基板であるドレイン領域１１の表面からｎ型ＧａＮのドリフト領域１２及びｐ型ＧａＮのボディ領域１３を順に結晶成長することにより製造することができる。
【００３３】
次に、図４Ｂに示されように、窒化物半導体層１０の表面からボディ領域１３を貫通してドリフト領域１２に達するトレンチＴ２を形成する。トレンチＴ２は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。
【００３４】
次に、図４Ｃに示されるように、有機金属気相成長法を利用して、トレンチＴ２を充填するように、ｐ型ＧａＮの低濃度エピ層１１５Ａを結晶成長する。
【００３５】
次に、図４Ｄに示されるように、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）を利用して、窒化物半導体層１０の表面を被膜する低濃度エピ層１１５Ａを選択的に除去し、ボディ領域１３を露出させる。これにより、低濃度エピ層１１５Ａは、トレンチＴ２内のみに残存する。
【００３６】
次に、図４Ｅに示されるように、イオン注入技術及び活性化アニール技術を利用して、窒化物半導体層１０の表面に露出するボディ領域１３の一部及び低濃度エピ層１１５Ａにｎ型不純物を導入し、ソース領域１４を形成する。ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられる。
【００３７】
次に、図４Ｆに示されように、低濃度エピ層１１５Ａが存在する範囲内の窒化物半導体層１０の表面からソース領域１４を貫通して低濃度エピ層１１５Ａに達するトレンチＴ３を形成する。トレンチＴ３の側面及び底面には、低濃度エピ層１１５Ａが残存する。トレンチＴ３は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。
【００３８】
次に、図４Ｇに示されるように、イオン注入技術及び活性化アニール技術を利用して、トレンチＴ３の底面を被覆する低濃度エピ層１１５Ａの一部にｎ型不純物を導入し、接触部分１２ａを形成する。ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられる。この工程を経て、トレンチＴ３の側面に低濃度半導体領域１１５の側面部分領域１１５ａが形成され、トレンチＴ３の底面に低濃度半導体領域１１５の底面部分領域１１５ｂが形成される。
【００３９】
次に、トレンチＴ２内にゲート絶縁膜３４及びゲート電極３２を形成する。ゲート絶縁膜３４は、プラズマＣＶＤ，ＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure CVD），ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）等の公知技術を用いて形成することができる。その後、窒化物半導体層１０の裏面にドレイン電極２２を形成し、窒化物半導体層１０の表面にソース電極２４形成することにより、図３に示す窒化物半導体装置２が完成する。
【００４０】
（第３実施形態）
図５に、第３実施形態の窒化物半導体装置３を示す。図３の第２実施形態の窒化物半導体装置２と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
【００４１】
図５に示されるように、窒化物半導体装置３は、トレンチゲート部３０の底面に直交する方向（窒化物半導体層１０の厚み方向であり、紙面上下方向である）における底面部分領域２１５ｂの幅Ｗｂが、トレンチゲート部３０の側面に直交する方向（窒化物半導体層１０の面方向であり、紙面左右向である）における側面部分領域２１５ａの幅Ｗａよりも大きい。このような形態の低濃度半導体領域２１５が設けられていると、トレンチゲート部３０の底面のゲート絶縁膜３４の電界集中がさらに緩和され、窒化物半導体装置３の耐圧が向上する。
【００４２】
次に、図６Ａ−図６Ｆを参照し、窒化物半導体装置３の製造方法を説明する。まず、図６Ａに示されるように、ドレイン領域１１とドリフト領域１２とボディ領域１３がこの順に積層された窒化物半導体層１０を準備する。窒化物半導体層１０は、有機金属気相成長法を利用して、ｎ型ＧａＮ基板であるドレイン領域１１の表面からｎ型ＧａＮのドリフト領域１２及びｐ型ＧａＮのボディ領域１３を順に結晶成長することにより製造することができる。
【００４３】
次に、図６Ｂに示されように、窒化物半導体層１０の表面からボディ領域１３を貫通してドリフト領域１２に達するトレンチＴ４を形成する。トレンチＴ４は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。このトレンチＴ４を形成する工程は、マスク（図示省略）の端部が過剰にエッチングされるマスクトレンチ現象を利用し、トレンチＴ４の底面の端部に凸部状の端部溝Ｔ４ａが形成される条件で実施される。
【００４４】
次に、図６Ｃに示されるように、有機金属気相成長法を利用して、トレンチＴ４を充填するように、ｐ型ＧａＮの低濃度エピ層２１５Ａを結晶成長する。
【００４５】
次に、図６Ｄに示されるように、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）を利用して、窒化物半導体層１０の表面を被膜する低濃度エピ層２１５Ａを選択的に除去し、ボディ領域１３を露出させる。これにより、低濃度エピ層２１５Ａは、トレンチＴ４内のみに残存する。
【００４６】
次に、図６Ｅに示されるように、イオン注入技術及び活性化アニール技術を利用して、窒化物半導体層１０の表面に露出するボディ領域１３の一部及び低濃度エピ層２１５Ａにｎ型不純物を導入し、ソース領域１４を形成する。ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられる。
【００４７】
次に、図６Ｆに示されように、低濃度エピ層２１５Ａが存在する範囲内の窒化物半導体層１０の表面からソース領域１４を貫通して低濃度エピ層２１５Ａに達するトレンチＴ５を形成する。トレンチＴ５の側面及び底面には、低濃度エピ層２１５Ａが残存する。トレンチＴ５は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の公知技術を用いて形成することができる。このトレンチＴ５を形成する工程は、トレンチＴ５の底面にドリフト領域１２が露出するとともに端部溝Ｔ４ａが残存する条件で実施される。これにより、端部溝Ｔ４ａの間にドリフト領域１２の接触領域１２ａが形成される。この工程を経て、トレンチＴ５の側面に低濃度半導体領域２１５の側面部分領域２１５ａが形成され、トレンチＴ５の底面に低濃度半導体領域２１５の底面部分領域２１５ｂが形成される。
【００４８】
次に、トレンチＴ５内にゲート絶縁膜３４及びゲート電極３２を形成する。ゲート絶縁膜３４は、プラズマＣＶＤ，ＬＰ−ＣＶＤ（Low Pressure CVD），ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）等の公知技術を用いて形成することができる。その後、窒化物半導体層１０の裏面にドレイン電極２２を形成し、窒化物半導体層１０の表面にソース電極２４形成することにより、図５に示す窒化物半導体装置３が完成する。
【００４９】
上記実施形態では、窒化物半導体層の材料が窒化ガリウムである窒化物半導体装置について説明した。しかしながら、窒化物半導体層の材料は、「ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）」で示される任意の窒化物半導体であってよい。また、ドレイン電極及びソース電極の材料としては、特に限定されるものではなく、アルミニウム、チタン，アルミニウムとチタンの積層体，ポリシリコン等を用いることができる。ゲート電極の材料としては、特に限定されるものではなく、ポリシリコン、アルミニウムとチタンの積層体等を用いることができる。
【００５０】
上記実施形態の製造方法ではいずれも、低濃度半導体領域が結晶成長技術を利用して形成されている。イオン注入技術を利用してｐ型の窒化物の半導体領域を形成することが困難であることが知られている。したがって、上記で説明した製造方法は、ｐ型の低濃度半導体領域を備えた窒化物半導体装置を製造するのに適した方法である。
【００５１】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００５２】
１，２，３：窒化物半導体装置
１０：窒化物半導体層
１１：ドレイン領域
１２：ドリフト領域
１２ａ：接触部分
１３：ボディ領域
１４：ソース領域
１５，１１５，２１５：低濃度半導体領域
１５ａ，１１５ａ，２１５ａ：側面部分領域
１５ｂ，１１５ｂ，２１５ｂ：底面部分領域
２２：ドレイン電極
２４：ソース電極
３０：トレンチゲート部
３２：ゲート電極
３４：ゲート絶縁膜
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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