(57)【要約】【課題】外部応力による静電容量のノイズを要因とするタッチ位置の誤検出を低減する。【解決手段】表示装置１は、タッチ位置を静電容量方式で検出するためのタッチ検出部Ｔｘ、Ｒｘを有する表示パネル２と、表示パネル２と接続された可撓性基板５と、表示パネル２と可撓性基板５とを収容する枠体と、を備える。タッチ検出部Ｔｘ、Ｒｘは、タッチ位置における静電容量に応じたセンサ出力値を出力する。可撓性基板５は、表示パネル２におけるタッチ面の枠体内の位置変化を検出する検出部５ａと、検出部５ａの検出結果とセンサ出力値とに基づいてタッチ位置を調整する制御部１０とを有する。【選択図】図３
2019101625.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ位置を静電容量方式で検出するためのタッチ検出部を有する表示パネルと、
前記表示パネルと接続された可撓性基板と、
前記表示パネルと前記可撓性基板とを収容する枠体と、を備え、
前記タッチ検出部は、タッチ位置における静電容量に応じたセンサ出力値を出力し、
前記可撓性基板は、
前記表示パネルにおけるタッチ面の前記枠体内の位置変化を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果と前記センサ出力値とに基づいてタッチ位置を調整する制御部と、
を有する表示装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記検出部の位置における静電容量の変化を検出し、
前記制御部は、前記タッチ位置を検出するための前記センサ出力値の基準値と前記センサ出力値とに基づいて前記タッチ位置を検出し、前記検出部の検出結果が第１の範囲内である場合にのみ、前記センサ出力値の基準値を前記検出結果に基づいて校正する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記検出部は、前記検出部の位置における静電容量の変化を検出し、
前記制御部は、前記検出部の検出結果が第２の範囲内でない場合、前記検出結果が得られた時を起点とする一定期間に出力された前記センサ出力値を前記タッチ位置の検出に用いない、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記検出部は、前記タッチ検出部によるタッチ位置の検出とは異なるタイミングで、前タッチ面の位置変化を検出する、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記枠体における表面と裏面のいずれか一方の面と、前記検出部との間の静電容量の変化に基づいて、前記タッチ面の位置変化を検出する、請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、特にタッチ検出機能を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、静電容量方式でタッチ位置を検出するタッチ検出機能を備えた表示装置が普及し、タッチ位置の検出精度を向上させるための様々な技術が提案されている。下記特許文献１には、表示装置が用いられる環境条件に基づいて、静電容量の検出結果を補償する技術が開示されている。具体的には、特許文献１では、タッチセンサとは分離されたレファレンストレース（Reference Trace）によって外部環境に応じた容量変化を測定し、タッチセンサで測定された容量変化からレファレンストレースの測定値を除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２-３３１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、静電容量方式のタッチ検出機能を備える表示装置は、その表示パネルにタッチ検出用の電極等（以下、タッチパネル）が設けられる場合がある。このような表示装置はスマートフォン等の携帯端末にも適用されており、近年、このような携帯端末でゲーム等のアプリケーションを楽しむユーザが増加している。ゲームに熱中するユーザは、携帯端末の表示面を通常のタッチ操作よりも強い力でタッチすることがある。表示面に強い応力が加えられると、携帯端末の表示パネルが撓む。表示パネルの撓みによって、表示パネルに設けられたタッチパネルの位置が変化すると、タッチパネルから検出された静電容量にその位置変化による静電容量変化のノイズ成分が含まれる。そのため、この検出結果を用いてタッチ位置の検出を行うと、適切なタッチ位置を特定することができない。
【０００５】
本発明は、外部応力による静電容量のノイズを要因とするタッチ位置の誤検出を低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態における表示装置は、タッチ位置を静電容量方式で検出するためのタッチ検出部を有する表示パネルと、前記表示パネルと接続された可撓性基板と、前記表示パネルと前記可撓性基板とを収容する枠体と、を備え、前記タッチ検出部は、タッチ位置における静電容量に応じたセンサ出力値を出力し、前記可撓性基板は、前記表示パネルにおけるタッチ面の前記枠体内の位置変化を検出する検出部と、前記検出部の検出結果と前記センサ出力値とに基づいてタッチ位置を調整する制御部と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、外部応力による静電容量のノイズを要因とするタッチ位置の誤検出を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態における表示装置の概略断面図である。
【図２】図２の上部は、図１に示す表示パネルに設けられたタッチパネル部の構成を示す平面図であり、図２の下部は、上部の平面図のＡ−Ａ線の断面図である。
【図３】図３は、図２に示すドライブ電極及びセンス電極と接続されたフレキシブル基板の平面図を示す。
【図４Ａ】図４Ａは、図１に示すシャーシに設けられた基準電位（グランド）を説明する図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図４Ａにおいて表示面に外部応力が加えられた状態を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、タッチ位置の検出と位置変化検出信号の検出のタイミングを示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、１フレームにおける画像表示とタッチ位置検出の実行タイミングを示す図である。
【図６】図６は、変形例（１）におけるアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に接続された可撓性基板の概略構成を示す模式図である。
【図７Ａ】図７Ａは、変形例（２）における可撓性基板の端子部分の構成を示す概略断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａとは異なる可撓性基板の端子部分の構成を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態における表示装置は、タッチ位置を静電容量方式で検出するためのタッチ検出部を有する表示パネルと、前記表示パネルと接続された可撓性基板と、前記表示パネルと前記可撓性基板とを収容する枠体と、を備え、前記タッチ検出部は、タッチ位置における静電容量に応じたセンサ出力値を出力し、前記可撓性基板は、前記表示パネルにおけるタッチ面の前記枠体内の位置変化を検出する検出部と、前記検出部の検出結果と前記センサ出力値とに基づいてタッチ位置を調整する制御部と、を有する（第１の構成）。
【００１０】
第１の構成によれば、可撓性基板が撓むと可撓性基板に設けられた検出部の位置が変化する。検出部の位置が変化するとき、表示パネルにおけるタッチ面の位置も変化している可能性が高いため、検出部の検出結果によってタッチ面の位置が変化しているか否かを検出することができる。タッチ面の位置変化よってタッチ検出部の位置も変化する。制御部は、検出部の検出結果と、タッチ検出部のセンサ出力値とに基づいてタッチ位置を調整するため、タッチ面の位置変化による静電容量のノイズ成分が含まれたセンサ出力値のみを用いてタッチ位置を調整する場合と比べ、タッチ位置の誤検出を低減することができる。
【００１１】
第１の構成において、前記検出部は、前記検出部の位置における静電容量の変化を検出し、前記制御部は、前記タッチ位置を検出するための前記センサ出力値の基準値と前記センサ出力値とに基づいて前記タッチ位置を検出し、前記検出部の検出結果が第１の範囲内である場合にのみ、前記センサ出力値の基準値を前記検出結果に基づいて校正することとしてもよい（第２の構成）。
【００１２】
タッチ面の位置が変化するほどの応力がタッチ面に加えられる頻度は高くない。そのため、検出部で検出される静電容量の変化が第１の範囲を超えるような場合に、タッチ面の位置変化に基づいてセンサ出力値の基準値を校正すると、その後のタッチ位置の検出において誤ったタッチ位置が検出される可能性がある。第２の構成によれば、検出部の位置における静電容量の変化が所定範囲内である場合にのみ、センサ出力値の基準値を検出部の検出結果に基づいて校正する。つまり、検出部の検出結果が所定範囲を超えている場合には、センサ出力値の基準値を校正しない。そのため、より適切なセンサ出力値の基準値を用いてタッチ位置を検出することができ、タッチ位置の誤検出を低減することができる。
【００１３】
第１の構成において、前記検出部は、前記検出部の位置における静電容量の変化を検出し、前記制御部は、前記検出部の検出結果が第２の範囲内でない場合、前記検出結果が得られた時を起点とする一定期間に出力された前記センサ出力値を前記タッチ位置の検出に用いないこととしてもよい（第３の構成）。
【００１４】
タッチ面の位置が変化するほどの応力がタッチ面に加えられるときに出力されるセンサ出力値は、タッチ面の位置変化、すなわち、表示パネルにおけるタッチ検出部の位置変化による静電容量のノイズ成分が含まれている可能性が高い。第３の構成によれば、検出部の検出結果が第２の範囲内でない場合、その検出結果が得られたときから一定期間に出力されるセンサ出力値はタッチ位置の検出に用いられないため、タッチ位置の誤検出を低減することができる。
【００１５】
第１から第３のいずれかの構成において、前記検出部は、前記タッチ検出部によるタッチ位置の検出とは異なるタイミングで、前タッチ面の位置変化を検出することとしてもよい（第４の構成）。
【００１６】
タッチ面の位置が変化するほどの応力がタッチ面に加えられる頻度は、通常の力で表示面がタッチされる頻度よりも低い。第４の構成によれば、タッチ位置の検出を行っていない期間にタッチ面の位置変化を検出するため、同じタイミングで検出する場合と比べてタッチ位置検出の処理を高速化することができる。
【００１７】
第１から第４のいずれかの構成において、前記制御部は、前記枠体における表面と裏面のいずれか一方の面と、前記検出部との間の静電容量の変化に基づいて、前記タッチ面の位置変化を検出することとしてもよい（第５の構成）。
【００１８】
可撓性基板が撓むと検出部の位置が変化する。第５の構成によれば、検出部と枠体の表面又は裏面との間の静電容量の変化を検出することで、検出部の位置変化を検出することができ、その検出結果によってタッチ面の位置変化を検出できる。
【００１９】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００２０】
図１は、本実施形態における表示装置の概略断面図である。本実施形態における表示装置１は、静電容量方式でタッチ位置を検出するためのタッチパネル部（タッチ検出部）を備えた表示装置である。
【００２１】
図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、表示パネル２の底面側に設けられたバックライト３と、表示パネル２の表面を覆うカバーガラス４と、表示パネル２と接続された可撓性基板であるフレキシブル基板５と、表示パネル２を支持するシャーシ７とを有する。表示パネル２とカバーガラス４との間は糊ＧＬが充填され、表示パネル２とカバーガラス４は接着されている。
【００２２】
表示パネル２の端部には、フレキシブル基板５が接続されている。フレキシブル基板５は、シャーシ７の内側において、表示パネル２に接続されていない方の端部がバックライト３の底面側に回り込むように屈曲されている。フレキシブル基板５の屈曲部分には検出部５ａが設けられている。検出部５ａは、外部応力によるフレキシブル基板５の撓みによって生じる検出部５ａの位置変化を検出する。検出部５ａの詳細については後述する。
【００２３】
表示パネル２は、アクティブマトリクス基板２１と、アクティブマトリクス基板２１に対向して設けられた対向基板２２とを有する。なお、この図では図示を省略しているが、アクティブマトリクス基板２１と対向基板２２との間には液晶層が設けられ、アクティブマトリクス基板２１と対向基板２２とを挟む一対の偏光板が設けられている。
【００２４】
アクティブマトリクス基板２１は、ゲート線とデータ線とで規定された複数の画素からなる表示領域を有し、各画素には、画素電極と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がそれぞれ設けられている（いずれも図示略）。また、アクティブマトリクス基板２１の額縁領域には、各画素のゲート線を順次走査するゲート線走査回路と、各画素のデータ線にデータ信号を供給するデータ線駆動回路と、ゲート線走査回路及びデータ線駆動回路を制御して表示領域に画像を表示する表示制御回路とを有する（いずれも図示略）。
【００２５】
対向基板２２は、アクティブマトリクス基板２１側の面に、共通電極と、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色に対応するカラーフィルタと、隣接するカラーフィルタの間に設けられたブラックマトリクスとを備える（いずれも図示略）。アクティブマトリクス基板２１上の各画素は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する。
【００２６】
図２は、表示パネル２に設けられたタッチパネル部の構成を示す平面図と、平面図におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【００２７】
図２に示すように、本実施形態では、タッチパネル部（タッチ検出部）として、センス電極Ｒｘとドライブ電極Ｔｘとが表示パネル２に設けられている。センス電極Ｒｘは、対向基板２２のアクティブマトリクス基板２１と反対側の面に設けられている。ドライブ電極Ｔｘは、液晶層２３側のアクティブマトリクス基板２１の面において画素電極（図示略）よりも上層に設けられ、液晶層２３とドライブ電極Ｔｘとの間には絶縁膜ＩＦが設けられている。ドライブ電極Ｔｘは、例えば銅（Ｃｕ）等の金属で構成され、センス電極Ｒｘは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜で構成される。
【００２８】
ドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘはそれぞれ、図１に示すフレキシブル基板５に接続されている。図３は、ドライブ電極Ｔｘ及びセンス電極Ｒｘと接続されたフレキシブル基板５の平面図を示す。
【００２９】
図３に示すように、フレキシブル基板５には、ドライブ電極Ｔｘ及びセンス電極Ｒｘを制御するコントローラ１０が設けられている。コントローラ１０とセンス電極Ｒｘの間はセンス配線１１１によって接続され、コントローラ１０とドライブ電極Ｔｘとの間はドライブ配線１１２によって接続されている。
【００３０】
コントローラ１０は、ドライブ配線１１２に所定の電圧を順次印加してドライブ電極Ｔｘを走査し、センス配線１１１を介して各センス電極Ｒｘが所定のタイミングで所定電位（バイアス電位）となるように制御する。
【００３１】
本実施形態では、図４Ａに示すように、表示パネル２の底面側のシャーシ７の部分に基準電位（ＧＮＤ）が設定されている。なお、図４Ａは、表示面にユーザの指等が接触していない非接触状態を示している。
【００３２】
表示面にユーザの指等が接触すると、ドライブ電極Ｔｘ及びセンス電極Ｒｘ（図２、３等参照）との間に生じる電界の変化に対応した電気信号（以下、センス信号）がセンス配線１１１を介してコントローラ１０に入力される。コントローラ１０は、センス信号の基準となる静電容量値（以下、センス信号基準値）と、センス信号とに基づいて、タッチ位置を検出する。なお、センス信号基準値は、非接触状態で測定されたドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘの間の静電容量に応じた値である。
【００３３】
図３に示すように、検出部５ａは、フレキシブル基板５上に設けられた端子５１と、端子５１と接続された配線５２とで構成される。端子５１及び配線５２は、フレキシブル基板５において、ドライブ配線１１２及びセンス配線１１１からできるだけ離れた位置に設けられる。端子５１は、例えば、銅（Ｃｕ）等の導体で構成され、その面積は数ｍｍ２程度である。配線５２は、センス配線１１１と同じ材料で構成されている。
【００３４】
コントローラ１０は、所定のタイミングで、配線５２を介して端子５１が所定電位となるように制御し、端子５１の位置変化を示す電気信号（以下、位置変化検出信号）を配線５２を介して取得する。コントローラ１０は、取得した位置変化検出信号と、端子５１の位置変化の基準となる静電容量値（以下、位置変化基準値）の差分が所定範囲内であるか否か判定する。なお、図４Ａに示す非接触状態における端子５１の中心とシャーシ７の底面部分との間の距離はＤ１である。位置変化基準値は、非接触状態、すなわち、シャーシ７の底面と端子５１の中心との距離がＤ１であるときに測定された端子５１と、ＧＮＤが設けられたシャーシ７の面との間の静電容量に応じた値が設定されている。
【００３５】
図４Ｂは、カバーガラス４の表面が押圧された状態を表す図である。カバーガラス４の表面に強い外部応力が加わると表示パネル２の撓み、すなわち、タッチ面の位置変化が生じ、フレキシブル基板５が撓む。これにより、検出部５ａの端子５１の位置は、図４Ａの場合よりもシャーシ７の底面方向に変化する。つまり、シャーシ７と端子５１の中心との距離はＤ１からＤ２（Ｄ２＜Ｄ１）に変化する。
【００３６】
本実施形態では、シャーシ７の底面にＧＮＤが設定されているため、フレキシブル基板５の撓みによって検出部５ａの端子５１がＧＮＤに近づき、端子５１とＧＮＤが設けられたシャーシ７の面との間の静電容量は、位置変化基準値よりも大きくなる。なお、この例では、シャーシ７の底面にＧＮＤが設定されているが、シャーシ７の上面にＧＮＤが設定されていてもよい。この場合、フレキシブル基板５の撓みによって、端子５１はシャーシ７の上面から遠ざかるため、端子５１とシャーシ７の上面との間の静電容量は位置変化基準値よりも小さくなる。
【００３７】
コントローラ１０は、取得した位置変化検出信号と位置変化基準値との差が閾値範囲内であれば、タッチ面の位置変化、すなわち、タッチパネル部の位置変化によるノイズ成分がセンス信号に含まれていないと判断し、センス信号を用いてタッチ位置を検出する。
【００３８】
一方、位置変化検出信号と位置変化基準値との差が閾値範囲内でない場合、コントローラ１０は、センス信号に、タッチパネル部の位置変化によるノイズ成分が含まれていると判断する。この場合、コントローラ１０は、位置変化検出信号を取得したときから所定時間前までに出力されたセンス信号をタッチ位置の検出に用いないようにする。つまり、コントローラ１０は、検出部５ａの位置変化を検出することで、タッチ面の位置変化、すなわち、タッチパネル部の位置変化が生じているか否かを検出し、センス信号にその位置変化による静電容量のノイズ成分が含まれているか否かを検出する。
【００３９】
また、コントローラ１０は、表示装置１の起動時等において、位置変化検出信号に基づいてキャリブレーション（校正）を行う。キャリブレーションは、センス信号基準値を位置変化検出信号に基づいて校正する処理である。
【００４０】
具体的には、位置変化検出信号と位置変化基準値との差が閾値範囲内であれば、その差に基づいてセンス信号基準値を校正する。一方、位置変化検出信号と位置変化基準値との差が閾値範囲内でなければ、コントローラ１０はキャリブレーションを実行しない。位置変化検出信号と位置変化基準値との差が閾値範囲を超えるような強い外部応力が加えられる頻度は高くない。このような場合の位置変化検出信号値を用いてセンス信号基準値を校正すると、その後のタッチ位置の検出において適切なタッチ位置を特定できない可能性が高いため、この場合にはキャリブレーションを行わないようにする。
【００４１】
ここで、位置変化検出信号の検出タイミングについて説明する。図５Ａは、タッチ位置の検出と位置変化検出信号の検出のタイミングを示す図である。図５ＡにおけるＴａ期間は、画像表示とタッチ位置検出とを行う通常駆動期間であり、Ｔｂ期間は、位置変化検出信号を検出する位置変化検出期間である。本実施形態では、表示装置１の起動時に位置変化検出信号を検出し、起動後は、数分おきに位置変化検出信号を検出する。位置変化検出信号に基づくキャリブレーションの実行も位置変化検出信号の検出期間Ｔｂに行われる。通常駆動期間Ｔａの長さは数分程度であり、検出期間Ｔｂの長さは例えば１ｍｓ程度である。
【００４２】
図５Ａにおける通常駆動期間Ｔａには複数のフレームが含まれ、位置変化検出期間Ｔｂは、あるフレームにおける一部区間が含まれる。図５Ｂは、１フレームにおける画像表示とタッチ位置検出の実行タイミングを示す図である。図５Ｂに示すように、１フレームにおける水平走査帰線期間ＢＰと垂直走査帰線期間ＦＰ以外の期間において、画像表示期間ＴＤとタッチ位置検出期間ＴＰが交互となるように設定されている。コントローラ１０は、位置変化検出信号の検出タイミングにおける１フレームにおいて、タッチ位置検出期間ＴＰとは異なる期間に位置変化検出信号に基づくキャリブレーションを行う。例えば、コントローラ１０は、位置変化検出期間Ｔｂとして、１フレームにおける水平走査帰線期間ＢＰ又は垂直走査帰線期間ＦＰに位置変化検出信号に基づくキャリブレーションを行うことができる。
【００４３】
上述の実施形態では、フレキシブル基板５に設けた検出部５ａにおける静電容量の変化によって検出部５ａの位置変化を検出し、その検出結果から、表示パネル２の撓みや凹み等の形状変化によるタッチ面の位置変化、すなわちタッチパネル部の位置変化が生じたか否かを検出する。そして、検出部５ａの検出結果と、センス信号値とに基づいてタッチ位置が検出される。そのため、タッチ面の位置変化によって生じる静電容量のノイズ成分を含んだセンス信号でタッチ位置を検出する場合と比べ、タッチ位置の誤検出を低減することができる。また、上述の実施形態では、センス信号基準値は、検出部５ａの検出結果に応じてキャリブレーションされるため、タッチ面の位置変化、すなわち、タッチパネル部の位置変化を考慮しない場合と比べ、より正確にタッチ位置を検出することができる。
【００４４】
以上、本発明に係る表示装置の一例について説明したが、本発明に係る表示装置は、上述した実施形態の構成に限定されず、様々な変形構成とすることができる。以下、その変形例について説明する。
【００４５】
（１）上述した実施形態では、表示パネル２にタッチ位置検出にのみ用いられるドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘとが設けられたセミインセル型のタッチパネル付き表示装置の例を説明したが、表示装置の構成はこれに限定されない。例えば、タッチパネル機能を有する画像表示用素子がアクティブマトリクス基板に設けられたフルインセル型のタッチパネル付き表示装置であってもよい。以下、本変形例の表示装置について説明する。
【００４６】
本変形例において、表示装置１は、液晶層２３に含まれる液晶分子の駆動方式が横電界駆動方式であり、横電界駆動方式を実現するため、電界を形成するための画素電極及び対向電極（共通電極）が、アクティブマトリクス基板に形成される。  
【００４７】
図６は、本変形例におけるアクティブマトリクス基板２１Ａと、アクティブマトリクス基板２１Ａに接続された可撓性基板であるＣＯＦ（Chip On Film）５０の概略構成を示す模式図である。なお、この図において、アクティブマトリクス基板２１Ａに設けられるゲート線、データ線、画素電極、ＴＦＴ等の画像表示用素子の図示は省略されている。また、この図では、ＣＯＦ５０は平面状に表されているが、実際は、シャーシ７（図１等参照）の内部において、アクティブマトリクス基板２１Ａと接続されていない方の端部が、アクティブマトリクス基板２１Ａの背面側に配置されるように屈曲される。
【００４８】
図６に示すように、アクティブマトリクス基板２１Ａの表示領域Ｒには、複数の矩形形状を有する対向電極２１１がマトリクス状に設けられている。対向電極２１１は、アクティブマトリクス基板２１Ａの液晶層２３（図３等参照）側の面において、画素電極（図示略）よりも上層に設けられている。対向電極２１１はそれぞれ、例えば１辺が数ｍｍの略正方形であり、画素よりも大きい。なお、この図では図示を省略するが、対向電極２１１には、画素電極（図示略）との間で横電界を生じさせるためのスリット（例えば数μｍ幅）が形成されている。
【００４９】
また、ＣＯＦ５０には、コントローラ１０Ａと検出部５ａとが設けられる。コントローラ１０Ａは、画像を表示するための画像表示制御を行うとともに、タッチ位置を検出するためのタッチ位置検出制御を行う。コントローラ１０Ａと、各対向電極２１１との間は、１本の信号線２１２によって接続されている。すなわち、対向電極２１１の数と同じ数の信号線２１２がアクティブマトリクス基板２１上に形成されている。
【００５０】
対向電極２１１は、画素電極（図示略）と対になって、画像表示制御の際に用いられるとともに、タッチ位置検出制御の際にも用いられる。本実施形態では、画像表示期間ＴＤ（図５Ｂ参照）に、コントローラ１０Ａから対向電極２１１に対し、信号線２１２を介して一定の直流信号が供給され、対向電極２１１を共通電極として機能させる。タッチ位置検出期間ＴＰ（図５Ｂ参照）には、対向電極２１１に対し、信号線２１２を介して一定の振幅を有する交流信号（以下、タッチ駆動信号）が供給され、対向電極２１１をタッチパネル部として機能させる。
【００５１】
この場合のタッチ位置の検出は以下のようにして行う。人の指等が表示面に触れると、対向電極２１１との間に容量が形成される。タッチ位置検出の際、各対向電極２１１は、対応する信号線２１２を介して供給されるタッチ駆動信号を受信し、当該対向電極２１１の位置における容量変化を示すセンス信号を信号線２１２を介してコントローラ１０Ａに出力する。つまり、全ての対向電極２１１に対してタッチ駆動信号を供給し、各対向電極２１１からセンス信号をコントローラ１０Ａが受信するまでの動作が１回のタッチ位置検出動作である。
【００５２】
検出部５ａは、実施形態と同様の端子５１と配線５２とを有する。なお、配線５２は、信号線２１２と同じ材料で構成され、コントローラ１０Ａと接続されている。コントローラ１０Ａは、実施形態と同様の方法により、一定時間ごとに、配線５２を介して端子５１が所定電位となるように制御して位置変化検出信号を取得し、位置変化検出信号と位置変化基準値との差に基づいてタッチ位置の特定及びキャリブレーションを行う。
【００５３】
（２）上述した実施形態では、可撓性基板に１つの検出部５ａが設けられる例を説明したが、検出部５ａは複数設けられていてもよい。また、上述の実施形態における端子５１は矩形形状を有する例を説明したが、端子５１の形状は円形等の形状であってもよい。また、図７Ａに示すように、可撓性基板５，５０における端子５１を覆うように絶縁膜５３が設けられていてもよいし、図７Ｂに示すように、端子５１の上部に絶縁膜５３の開口５３ａが設けられていてもよい。可撓性基板に他の素子（配線や電子部品）が設けられても、絶縁膜５３が設けられることにより、これら素子との物理的な短絡による誤動作を防止することができる。また、他の素子との物理的短絡による誤動作の可能性が低い場合、開口部５３ａを設けることにより、端子５１が適切に動作するか否かを検査するための検査用基板を開口部５３ａの端子５１部分に接続することができる。これにより、表示装置１の出荷時に端子５１の動作検証を容易に行うことができる。
【００５４】
（３）上述した実施形態では、液晶を用いた表示装置を例に説明したが、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）を用いた表示に上記実施形態又は変形例の構成を適用してもよい。
【００５５】
（４）上述した実施形態では、センス信号をタッチ位置の検出に用いるか否かの判断と、キャリブレーションの各処理に際して、検出部５ａの検出結果を用いる例を説明したが、いずれか一方の処理に対してのみ検出部５ａの検出結果を用いるようにしてもよい。つまり、例えば、キャリブレーションの実行に際してのみ検出部５ａの検出結果を用いてもよい。このように構成した場合であっても、センス信号と、検出部５ａの位置変化、すなわち、タッチ面の位置変化を考慮したセンス信号基準値とを用いてタッチ位置が検出されるため、タッチ位置の誤検出を低減することができる。
【００５６】
（５）上述した実施形態では、可撓性基板に設けられた検出部５ａによって、検出部５ａの位置変化によって生じる、検出部５ａの位置における静電容量の変化を検出することで、タッチ面の位置変化を検出する例を説明したが、タッチ面の位置変化を検出する方法はこれに限定されない。例えば、タッチ面に対する押圧を検出する圧力センサや、タッチ面の歪みを検出する歪みセンサを用いてタッチ面の位置変化を検出してもよい。
【００５７】
（６）表示パネル２に設けられるタッチパネル部として、上述した第１実施形態ではドライブ電極Ｔｘとセンス電極Ｒｘとが設けられ、第２実施形態では対向電極（共通電極）２１１が設けられ、コントローラ１０、１０Ａが可撓性基板に設けられる例を説明したが、タッチパネル部にコントローラ１０、１０Ａが含まれてもよい。この場合、例えば、表示パネル２のアクティブマトリクス基板２１にコントローラ１０、１０Ａが設けられるようにしてもよい。
【００５８】
（７）上述した実施形態では、センス信号をタッチ位置の検出に用いるか否かと、キャリブレーションを行うか否かを検出部５ａの検出結果を用いて判断する際、検出部５ａの検出結果に対して共通の閾値範囲を用いたが、互いに異なる閾値範囲を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１…表示装置、２…表示パネル、３…バックライト、４…カバーガラス、５…フレキシブル基板、５ａ…検出部、２１…アクティブマトリクス基板、２２…対向基板、２３…液晶層、１０，１０Ａ…コントローラ、５０…ＣＯＦ、５３…絶縁膜、１１１…センス配線、１１２…ドライブ配線、２１１…対向電極（共通電極）、２１２…信号線、Ｔｘ…ドライブ電極、Ｒｘ…センス電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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