(57)【要約】【課題】より鮮明に画像を撮影することのできる撮像装置を提供する。【解決手段】撮像装置が適用された表示装置１は、表示領域１５に配列した複数の画素１１と、表示領域に配置された複数のフォトセンサ１２と、複数のフォトセンサの表示面側において、それぞれのチャネル１２８を覆う複数の反射防止膜１２９と、を備える。この場合において、複数のフォトセンサ１２は、複数の画素にそれぞれ１カ所ずつ配置されていてもよい。反射防止膜１２９は、屈折率が異なる２種類の膜を交互に複数重ねた構成とすることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフォトセンサと、
前記複数のフォトセンサの受光面側において、それぞれのチャネルを覆う複数の反射防止膜と、
前記複数のフォトセンサの受光面側とは反対側から光を照射する光源と、を備える撮像装置。
【請求項２】
前記光源は、特定の波長域にエネルギーが集中する光を出力し、
前記反射防止膜は、前記特定の波長域を通過帯域にもつバンドパスフィルタの機能を有する、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
平面視において、前記複数の反射防止膜は、互いに離間して形成され、前記複数の反射防止膜は、周囲の保護絶縁膜の材料とは異なる材料を含む、請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記反射防止膜を構成する材料は、前記フォトセンサのチャネル保護膜を構成する材料と同じ材料を含む、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記反射防止膜は、波長４６０ｎｍのＳ偏光及びＰ偏光のいずれかの光において、入射角０°〜±１０°において９０％以上、入射角４０°〜±５０°において１０％以下の透過率である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記反射防止膜における波長４００〜５００ｎｍにおける平均透過率は、波長５００ｎｍ〜６００ｎｍの平均透過率よりも大きい、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項７】
複数の画素が配列された表示領域を備え、
前記複数のフォトセンサが前記表示領域に配置されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記フォトセンサ及び前記反射防止膜が配置される基板と、
前記複数の画素のそれぞれ光量を制御する画素トランジスタが配置される薄膜トランジスタ基板と、を更に備える請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記反射防止膜は、平面視において、前記画素トランジスタと重畳して配置される、請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記フォトセンサは、
平面視で一方向に伸びるゲート配線に接続するゲート電極と、
平面視で前記一方向とは異なる他の方向に伸びるソース配線に接続し、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成されるソース電極と、
前記ソース配線と並んで前記他の方向に伸びるドレイン配線に接続し、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成されるドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される半導体領域と、を有している請求項１乃至９のいずれか一項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、人の指紋等を撮像可能な撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンやスマートフォン等の情報端末がインターネットに接続され、決済やゲームその他様々な処理が情報端末を介して行われるようになっている。このような処理においては、情報端末を操作する人が本人であるかどうかの認証しながら処理を進行させたい場合も多い。
特許文献１〜７は、フォトセンサによる指紋センサを一体化した液晶表示装置および有機ＥＬ表示装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８７７３１号公報
【特許文献２】特開２００４−３２６８０６号公報
【特許文献３】特表２００６−５０３３３３号公報
【特許文献４】特開２００６−０８６３３３号公報
【特許文献５】特開２００２−２４５４４３号公報
【特許文献６】特開２００９−０６４０７１号公報
【特許文献７】特開２０１７−０６９５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような指紋等の画像を取得する撮像機能を備える表示装置は、より簡易に本人認証等が可能となり有用である。しかしながら、特に認証機能の使用を伴う場合には、不鮮明な画像による認証エラーや誤認証等の発生を抑えるため、取得される画像は、より鮮明であることが望ましい。また、指紋認証だけでなく、表示画面上で様々な対象物をより鮮明な画像でスキャンしたいというニーズも存在する。
特に、対象物がフォトセンサから離れるほどピンボケが発生し不鮮明な画像になる点と、対象物からの反射光以外の外光がセンサに入射する点が、画像鮮明化の課題として存在する。
【０００５】
本発明は上述の事情に鑑みてされたものであり、より鮮明に撮影することのできる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る撮像装置は、複数のフォトセンサと、
前記複数のフォトセンサの受光面側において、それぞれのチャネルを覆う複数の反射防止膜と、
前記複数のフォトセンサの受光面側とは反対側から光を照射する光源と、を備える。
【０００７】
上記構成において、前記光源は、特定の波長域にエネルギーが集中する光を出力し、
前記反射防止膜は、前記特定の波長域を通過帯域にもつバンドパスフィルタの機能を有する。
【０００８】
好適には、平面視において、前記複数の反射防止膜は、互いに離間して形成され、前記複数の反射防止膜は、周囲の保護絶縁膜の材料とは異なる材料を含む、構成を採用できる。
【０００９】
さらに好適には、前記反射防止膜を構成する材料は、前記フォトセンサのチャネル保護膜を構成する材料と同じ材料を含む、構成を採用できる。
【００１０】
前記反射防止膜は、波長４６０ｎｍのＳ偏光及びＰ偏光のいずれかの光において、入射角０°〜±１０°において９０％以上、入射角４０°〜±５０°において１０％以下の透過率である、構成とすることができる。前記反射防止膜における波長４００〜５００ｎｍにおける平均透過率は、波長５００ｎｍ〜６００ｎｍの平均透過率よりも大きい、構成とすることも可能である。
【００１１】
前記フォトセンサは、平面視で一方向に伸びるゲート配線に接続するゲート電極と、平面視で前記一方向とは異なる他の方向に伸びるソース配線に接続し、絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成されるソース電極と、前記ソース配線と並んで前記他の方向に伸びるドレイン配線に接続し、前記絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成されるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成される半導体領域と、を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、より鮮明に画像を撮影することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る撮像装置が適用された表示装置について概略的に示す斜視図。
【図２】表示領域の一部を拡大して示す平面図。
【図３】図２のIII−III線における断面図。
【図４】フォトセンサによる画像取得について説明するための図。
【図５】フォトセンサの平面図。
【図６】図５のVI−VI線における断面図。
【図７】反射防止膜の構成例について示す表。
【図８】４６０ｎｍ付近に透過率のピークを有する反射防止膜を構成した場合の各波長における透過率を示すグラフ。
【図９】入射角の変化に応じた透過率の変化を、Ｓ偏光及びＰ偏光においてそれぞれ示すグラフ。
【図１０】撮像装置の製造工程における、反射防止膜を形成する工程について説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面においては、機能が実質的に同様の構成要素には、同様の符号を使用することにより重複した説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係る撮像装置が適用された表示装置を示す図である。
この図に示すように表示装置１は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）基板等からなる表示パネル１０を有し、表示パネル１０には複数の画素１１が二次元に配列された表示領域１５が形成されている。
【００１６】
本実施形態においては、表示装置として液晶表示装置を例に説明するが、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＴＦＴ基板を用いたその他の表示装置に適用することができる。表示装置１の表示動作については周知の技術を用いることができ、本実施形態における説明を省略する。
図２は、表示領域１５の一部を拡大して示す平面図である。この図に示されるように、表示領域１５には、赤色の波長領域の光を出射する赤画素１１Ｒ、緑色の波長領域の光を出射する緑画素１１Ｇ及び青色の波長領域の光を出射する青画素１１Ｂが配置されている。各画素１１の境界には、遮光のためのブラックマトリクス１４が形成され、各画素１１は、出射される光の量を制御するスイッチである画素トランジスタ１３を有している。また、各画素１１は、表示装置の画面に接触する指や紙等を撮影するフォトセンサ１２を有している。本実施形態において、フォトセンサ１２は、複数の画素１１のそれぞれに配置される。ブラックマトリクス１４は、各画素１１に対応して格子状に形成される。ブラックマトリクス１４の材料としては、種々の材料が採用できるが、遮光性、製造の容易性および耐腐食性などの理由から金属クロム膜を用いることとしてもよい。
【００１７】
図３には、図２のIII−III線における断面が概略的に示されている。この図に示されるように、表示パネル１０は、光源となるバックライト２１と、バックライト２１上に配置された偏光素子２２とを有し、偏光素子２２上にＴＦＴ基板が配置される。ＴＦＴ基板は、ＴＦＴガラス基板２３と、ＴＦＴガラス基板２３上に形成される画素トランジスタ１３及び画素トランジスタ１３を覆う保護絶縁膜２４、保護絶縁膜２４上に形成された下部電極２５を有している。ＴＦＴ基板上には液晶層２６を介してＣＦ（Color Filter）基板が配置される。ＣＦ基板は、ＣＦガラス基板２９、ＣＦガラス基板２９下に形成されたブラックマトリクス１４、ブラックマトリクス１４を覆うＲ（Red）、Ｇ（Green）及びＢ（Blue）等の着色層２８、着色層２８の下に形成された上部電極２７を有している。ＣＦガラス基板２９上には偏光素子３０が配置され、本実施形態においては偏光素子３０上にフォトセンサ１２が形成され、フォトセンサ１２を覆うように絶縁膜３１が形成され、カバーガラス３２に覆われている。
【００１８】
着色層２８は、周知のレジスト材料から形成することができ、例えば、顔料を含有した有機樹脂材料とすることができる。本実施形態においては、ＲＧＢ３色の画素１１を有することとしているが、白色その他の色の画素１１を有していてもよいし、単色や２色の画素１１のみからなる表示パネル１０であってもよい。画素トランジスタ１３は、周知の低温ポリＳｉ（ＬＴＰＳ）形やアモルファスＳｉ等をもちいたものとすることができる。上部電極２７や下部電極２５は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム／酸化亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜で形成されている。ＴＦＴガラス基板２３及びＣＦガラス基板２９にはガラス材料の基板を用いることとしたが、ガラス基板の代わりにポリカーボネート等といったプラスチック基板を採用してもよい。ＴＦＴガラス基板２３及びＣＦガラス基板２９への各層の形成は、周知のＰＶＤ法及びＣＶＤ法といった成膜工程、フォトリソグラフィ法といったマスク工程、エッチング法といった薄膜の形状加工工程を適宜行うことによって形成される。ＴＦＴガラス基板２３及びＣＦガラス基板２９を貼り合わせ、液晶材料を注入することにより液晶層２６を形成し表示装置１が製造される。液晶表示における方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＶＮ（Vertical Alignment）方式やＩＰＳ（In-Plane-Switching）方式等いずれの方式も用いることができ、これらの方式に適合するような電極配置とすることができる。
【００１９】
ここで、本実施形態においては、複数のフォトセンサ１２は、複数の画素１１のそれぞれに配置されていることとした。しかしながら、フォトセンサ１２は、一つの画素１１に複数配置されていてもよいし、複数の画素１１に１つ配置される構成であってもよい。また本実施形態においては、複数のフォトセンサ１２は、基板としての偏光素子３０上に配置されることとしたが、フォトセンサ１２はＴＦＴガラス基板２３又はＣＦガラス基板２９上のいずれかの層に形成されることとしてもよい。
【００２０】
図４は、フォトセンサ１２による画像取得について説明するための図である。この図に示されるように、例えば、表示パネル１０の表示面に指９０を近づけると、バックライト２１からの照射光は、指９０で反射してフォトセンサ１２に入射する。この図では、説明のためにフォトセンサ１２の間隔は広く記載されているが、指紋の間隔よりも十分小さな間隔で配置されたフォトセンサ１２においては、指紋の画像を取得することができる。
【００２１】
図５は、フォトセンサ１２の平面図である。図６は、図５のVI−VI線における断面図である。これらの図に示されるように、フォトセンサ１２は、ゲート電極１２１と、ソース電極１２４と、ドレイン電極１２３と、半導体膜１２５及び不純物添加半導体膜１２６からなる半導体領域と、を有している。
ゲート電極１２１は、平面視で一方向に伸びるゲート配線１３１に接続する。ソース電極１２４は、平面視で該一方向とは異なる他の方向に伸びるソース配線１３４に接続し、ゲート絶縁膜１２２を介してゲート電極１２１上に形成される。ドレイン電極１２３は、ソース配線１３４と並んで他の方向に伸びるドレイン配線１３３に接続し、ゲート絶縁膜１２２を介してゲート電極１２１上に形成される。半導体膜１２５及び不純物添加半導体膜１２６からなる半導体領域は、ソース電極１２４とドレイン電極１２３との間に形成される。ソース電極１２４とドレイン電極１２３との間の領域をチャネル１２８と呼び、半導体膜１２５上にはチャネル保護膜１２７が形成される。
【００２２】
ソース配線１３４及びドレイン配線１３３は、ゲート絶縁膜１２２を介してゲート配線１３１上に形成される。ゲート電極１２１及びゲート配線１３１は、導電性及び遮光性を有し、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗなどの遮光性の材料で形成される。ゲート絶縁膜１２２は、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。半導体膜１２５は、アモルファスSi又はポリシリコン等の半導体で形成された層である。不純物添加半導体膜１２６は、例えばｎ型の不純物イオンを含むアモルファスSi又はポリシリコン等の半導体からなる。チャネル保護膜１２７は、パターニングに用いられるエッチャントから半導体膜１２５の界面を保護する機能を有し、絶縁性及び透光性を有し、例えば窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。半導体膜１２５に光が入射すると、光量に従った量の電子−正孔対が半導体膜１２５中にて発生し、その電子−正孔対に応じて半導体膜１２５中のキャリア濃度が変化する事により、薄膜トラジスタのコンダクタンスが変化する。このようにして、薄膜トラジスタへの入射光量に応じて電気信号の変化として出力する光電変換が行われることになる。
【００２３】
図６に示されるように、複数のフォトセンサ１２の受光面側において、複数のフォトセンサ１２のそれぞれのチャネル１２８を覆う複数の反射防止膜１２９が形成される。本実施形態においては、反射防止膜１２９は、チャネル保護膜１２７と接しており、更にソース電極１２４及びドレイン電極１２３とも接している。カバーガラス３２は、絶縁膜３１及び反射防止膜１２９を覆って配置される。ここで、平面視において、複数の反射防止膜１２９のそれぞれは互いに離間して形成され、複数の反射防止膜１２９は、周囲の絶縁膜３１の材料とは異なる材料を含んでいてもよい。このような構成とすることにより、カバーガラス３２を介してチャネル１２８に入射する光は、反射防止膜１２９とチャネル保護膜１２７を通過する。チャネル保護膜１２７は、反射防止膜１２９の第１層と同じ材料、例えばSiO2、で構成できる。そのため、後述の反射防止膜１２９の第１層の厚みの一部をチャネル保護膜１２７に割り当てており、反射防止膜１２９とチャネル保護膜１２７が合わさって全体として光学フィルタとして機能する。以下、特に言及しなければ、反射防止膜１２９の第１層の膜厚と書いた場合には、チャネル保護膜１２７の厚みを含むものとする。また、チャネル保護膜１２７の膜厚を反射防止膜１２９の第１層の膜厚と同じとしてもよく、この構成とした場合反射防止膜１２９の成膜時には第２層からの成膜になるため、製造時の成膜回数を減らすことができる。
本実施形態においては、平面視で、反射防止膜１２９は画素トランジスタ１３と重畳して配置されるが、画素トランジスタ１３と重畳しないブラックマトリクス１４と重畳する構成としてもよい。このような構成とすることにより、画像表示のために出射される光は、反射防止膜１２９を通過することがなく、表示画像に与える影響を抑えて反射防止膜１２９を形成することができる。
【００２４】
図７は、反射防止膜１２９の構成例について示す表である。この表に示す反射防止膜１２９は、第１層から第１０層の計１０層の誘電体膜からなり、第１層はフォトセンサ１２側、第１０層はカバーガラス３２側である。この表に示されるように、反射防止膜１２９は、屈折率が異なる２種類の膜が交互に複数重ねられて形成された膜とすることができる。この場合、Ｌ−ＢＦＧＳ−Ｂ法などの非線形最適化手法を用いて各層の膜厚を調整して、ある程度、波長・入射角に対する所望の透過特性を設計することができる。また、反射防止膜１２９は、例えばＳｉＯ２の膜とＴｉＯ２の膜とが交互に重ねられて形成された膜とすることができ、更に、ＳｉＯ２の膜及びＴｉＯ２の膜は、交互にそれぞれ５層以上重ねることができる。これにより、絶縁膜の機能を保ちつつ、所望の入射角や透過率を設定することができる。図７では、計１０層からなる反射防止膜１２９を例示したが、層数は所望のカットオフ特性に応じて適宜増減することができる。
【００２５】
図７の例においては、反射防止膜１２９は誘電体多層膜を利用した構造としたが、反射防止膜１２９は、多孔質構造やナノ・コンポジットを利用した膜であってもよい。多孔質構造やナノ・コンポジットは、例えばシリカ（SiO2）やアルミナ（Al2O3）などの酸化物を含む溶液を、加水分解と重合反応によってゾル（コロイド溶液）に変え、さらに反応を進めてゲル（ゼリー状の固体）に変えて加熱する。多孔質構造やナノ・コンポジットは、このような所謂ゾル・ゲル法により生成することができる。多孔質構造やナノ・コンポジットは、上述のような誘電体多層膜に最上層に設けられていてもよい。多孔質構造のサイズを、例えば数十ｎｍとすることで光散乱を生じさせずに低屈折率の層を形成することができる。
また、反射防止膜１２９は、表面に微小突起を有するモスアイ構造を有するものであってもよい。これにより構造の先端部では屈折率がほぼ接触する物体と等しくなり、突起の根本に近づくにつれて材料自体の屈折率に近づくため、反射率を低減することができる。モスアイ構造は、露光やレーザー加工法などにより形成することができる。
また、反射防止膜１２９は、ＭＣＰ（Microcellular Plastic）と呼ばれるナノ発泡体構造を用いたもの利用したものであってもよい。
これらの微細構造による反射抑制手法を用いた場合であっても、透過率の角度依存性を設計することで、誘電体多層膜と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
図８は、４６０ｎｍ付近に透過率のピークを有する反射防止膜１２９を構成した場合の各波長（λ：ｗａｖｅ  ｌｅｎｇｔｈ）におけるエネルギー透過率（Ｔ：ｅｎｅｒｇｙ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｒａｔｉｏ）を示すグラフである。このグラフでは入射角（θ0：ｉｎｃｉｄｅｎｔ  ａｎｇｌｅ）０°の場合の他、入射角１５°及び３０°の場合についても示している。なお、入射角は反射防止膜１２９に対し光が垂直に入射する場合を0°として表記した。入射側の媒質はSiO2、透過先の媒質は半導体膜１２５の材料であるアモルファスSiである。アモルファスSiは屈折率が3.9程度と大きく、反射防止膜１２９がない場合、界面で60%程度の光が反射されてしまうが、図８に示すように、４６０ｎｍ付近の光に対してほぼ１００％の透過率が実現できている。
また、このグラフに示されるように、特定の波長領域の透過率を高くし、当該特定の波長領域に含まれない波長領域の光の透過率を低く抑えた反射防止膜１２９を用いることにより、特定の波長領域を主とする光をフォトセンサ１２に検知させることができる。この意味で、反射防止膜１２９はバンドパスフィルタでもある。例えば、フォトセンサ１２による検知の際に、バックライト２１から着色層２８を介して照射される光を、この波長領域内に集中するようにすると、他の波長領域を含む外光の影響を抑え、表示面に近づけられた指等の物体の反射光を検知させることができる。これにより、フォトセンサ１２による検知される画像を、より鮮明な画像とすることができる。
例えば、バックライト２１として青色ＬＥＤ＋蛍光体方式の白色ＬＥＤを用いた場合、そのスペクトルは４４０−４８０ｎｍに青色ＬＥＤに起因する線幅２０ｎｍ程度の強いピークを持つ。対して、例えば外光として想定する太陽光等の連続光では広い波長帯にエネルギーが分布している。これに対応する設計として、例えば、このグラフに示されるように、反射防止膜１２９における波長４００〜５００ｎｍにおける平均透過率を、波長５００ｎｍ〜６００ｎｍの平均透過率よりも大きくする構成とすることができる。
【００２７】
また、図８のグラフでは入射角１５°及び３０°において、透過される波長領域のピークが波長差５０ｎｍの範囲内でずれていることが観察される。これにより、波長４６０ｎｍの光に対し、垂直に入射する場合は透過し、斜めに入射すると反射する、という構造を実現している。
【００２８】
図９は、入射角の変化に応じた透過率の変化を、Ｓ偏光及びＰ偏光においてそれぞれ示すグラフである。このグラフにおいては波長４６０ｎｍを例に示している。このグラフに示されるように、Ｓ偏光では入射角０°付近の一カ所に透過率のピークがあるのに対し、Ｐ偏光では入射角０°付近に加えて入射角±６５°付近にも透過率のピークが生じている。これは、Ｐ偏光の入射角がブリュースター角に近づくにつれ、反射防止膜１２９の各層の膜間やチャネル保護膜１２７と半導体膜１２５の間での反射率が０に近づくなる事に起因する。これを加味し、Ｓ偏光とＰ偏光とで反射特性が近しくなるように反射防止膜１２９を設計しても良い。
図９のグラフの入射角特性を持つ反射防止膜１２９を適用することにより、入射角０°付近の光を主に検知させることができる。この場合には、フォトセンサ１２に対して、フォトセンサ１２の略正面にある物体から反射される光のみ入射させることができるため、ピンボケを抑制してより鮮明な画像とすることができる。この例に示されるように、反射防止膜１２９は、例えばＳ偏光及びＰ偏光のいずれかの光において、入射角０°〜±１０°において９０％以上、入射角±４０°〜±５０°において１０％以下の透過率となるように構成することができる。
反射防止膜１２９の透過率が低下するカットオフ角度は、個々のフォトセンサ１２が測定すべき光の角度を元に設定される。即ち、図４に示した、フォトセンサ１２間の水平距離Ｄと、フォトセンサ１２から表示パネル１０の表面までの垂直距離Ｙから、カットオフ角度θcは  θc＜ａｒｃｔａｎ（Ｄ／２Ｙ）  と設定することで、効果的にピンボケを抑制することが可能である。ここでθcはラジアン角度であり、カットオフ角度は撮像に用いる所定の周波数におけるエネルギー透過率が50%を下回る最小の角度である。
【００２９】
図１０は、表示装置１の製造工程の一部である、反射防止膜１２９を形成する工程について説明するための図である。この図に示されるように、ステップＳ１において公知のフォトセンサ１２の形成工程を用いてフォトセンサ１２を形成し、絶縁膜３１を成膜する。ステップＳ２においてフォトリソグラフィを用いて、絶縁膜３１のチャネル１２８を覆う部分を除去する。ステップＳ３において、絶縁膜３１が除去された箇所に反射防止膜１２９を形成し、ステップＳ４においてカバーガラス３２を配置し、反射防止膜１２９の形成を終了する。ここで反射防止膜１２９は、例えば図７の層構造のような複数層からなる反射防止膜１２９となるように、繰り返し成膜することとしてもよい。反射防止膜１２９は、所望の特性を得るために、Ｌ−ＢＦＧＳ−Ｂ法等の非線形最適化アルゴリズムを用いて設計することができる。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態に係る表示装置１によれば、より鮮明に画像を撮影することができる。
【００３１】
上記実施形態では、本発明の撮像装置を表示装置に適用した場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。複数のフォトセンサと、複数のフォトセンサの受光面側とは反対側から光を照射する光源とを備え、当該複数のフォトセンサの受光面側においてそれぞれのチャネルを覆うために複数の反射防止膜を設けた構成を有していればよく、表示機能が備わっていなくても本発明の撮像装置を構成することができる。
【符号の説明】
【００３２】
１  表示装置
１０  表示パネル
１１  画素
１１Ｒ  赤画素
１１Ｇ  緑画素
１１Ｂ  青画素
１２  フォトセンサ
１３  画素トランジスタ
１４  ブラックマトリクス
１５  表示領域
２１  バックライト
２２  偏光素子
２３  ＴＦＴガラス基板
２４  保護絶縁膜
２５  下部電極
２６  液晶層
２７  上部電極
２８  着色層
２９  ＣＦガラス基板
３０  偏光素子
３１  絶縁膜
３２  カバーガラス
９０  指
１２１  ゲート電極
１２２  ゲート絶縁膜
１２３  ドレイン電極
１２４  ソース電極
１２５  半導体膜（半導体領域）
１２６  不純物添加半導体膜（半導体領域）
１２７  チャネル保護膜
１２８  チャネル
１２９  反射防止膜
１３１  ゲート配線
１３３  ドレイン配線
１３４  ソース配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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