(57)【要約】【課題】たとえば高電圧または機械的応力により短絡現象が発生した後に、そのコンデンサに電流を流しても絶縁性を維持することができる積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を提供すること。【解決手段】誘電体層１０と内部電極層１２とが交互に積層されて形成されたセラミック素体４を有する積層セラミック電子部品である。誘電体層１０は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。内部電極層１２は、銅および／または銀を主成分として含み、誘電体層１０に対する内部電極層１２の被覆率が９８％以下である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有し、
前記内部電極層は、銅および／または銀を主成分として含み、
前記誘電体層に対する前記内部電極層の被覆率が９８％以下であることを特徴とする積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記内部電極層の被覆率が６０％以上で９０％以下である請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層の被覆率が小さい請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記内部電極層には、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粒子が含まれている請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記内部電極層には、空隙が含まれている請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層に含まれる前記空隙の面積比率が大きい請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有し、
前記内部電極層は、銅および／または銀を主成分として含み、
前記内部電極層では、長手方向に沿って所定長さの範囲内に、前記内部電極層を構成する導電性粒子が存在する電極存在領域と、前記導電性粒子が存在しない電極不存在領域とが交互に配置されており、前記電極不存在領域が２以上で存在することを特徴とする積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記所定長さの範囲が５０μｍであり、
前記内部電極層では、長手方向に沿って前記所定長さの範囲内に、前記電極不存在領域が２〜５個の範囲で存在することを特徴とする請求項７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層の長手方向に沿って前記所定長さの範囲内での前記電極不存在領域の数が多いことを特徴とする請求項７または８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記内部電極層には、空隙が含まれており、
前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層に含まれる前記空隙の面積比率が大きい請求項７〜９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば特開２０１４−０５３５８９号公報に示されているように、積層セラミックコンデンサは、誘電体層が主としてチタン酸バリウムから成り、内部電極層が主としてニッケルから成るものが一般的であり、様々な用途で用いられている。そして、この積層セラミックコンデンサについては、誘電体層に対する内部電極層の被覆率が大きく、内部電極層の電極途切れが少ないほど、静電容量が大きくなり性能が良いと考えられてきた。
【０００３】
ところが、特に、内部電極層が主としてニッケルから成る積層セラミックコンデンサにおいて、たとえば高電圧または機械的応力により短絡現象が発生した後に、そのコンデンサに電流を流すと、コンデンサが発熱して実装基板を加熱するおそれがあることが、本発明者により見出された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０５３５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、たとえば高電圧または機械的応力により短絡現象が発生した後に、そのコンデンサに電流を流しても絶縁性を維持することができる積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点に係る積層セラミック電子部品は、
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有し、
前記内部電極層は、銅および／または銀を主成分として含み、
前記誘電体層に対する前記内部電極層の被覆率が９８％以下であることを特徴とする。
【０００７】
本発明の第１の観点に係る積層セラミック電子部品では、内部電極層は、銅または銀を主成分として含む。また、誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。しかも、誘電体層に対する内部電極層の被覆率が９８％以下である。
【０００８】
このような条件を満足することで、本発明の第１の観点に係る積層セラミック電子部品では、たとえば高電圧または機械的応力により短絡現象が発生した後に、その電子部品に電流を流すことで絶縁性を復帰させることができる。そのため、短絡現象が発生した電子部品に再び電流を流したとしても、絶縁性が確保されているため、発熱するおそれが少ない。
【０００９】
なお、短絡現象が発生した電子部品に再び電流を流すことで、絶縁性が復帰するのは、次に示す理由であると考えられる。すなわち、上記の条件が満足される場合には、内部電極層の短絡が生じた部分に電流が再度流れることで、内部電極層が溶解して飛散し、絶縁性が復帰すると考えられる。
【００１０】
好ましくは、前記内部電極層の被覆率が６０％以上で９０％以下である。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすいと共に、初期静電容量（短絡前の静電容量）も大きい。
【００１１】
好ましくは、前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層の被覆率が小さい。積層方向の最外層では、積層方向の中央部に比較して、内部電極層の短絡が生じやすい。そこで、積層方向の最外層での内部電極層の被覆率を小さくすることで、そこでの絶縁復帰を生じさせやすくできる。積層方向の中央部に位置する内部電極層では、比較的に被覆率を大きくすることで、初期静電容量を大きくすることができる。
【００１２】
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の観点に係る積層セラミック電子部品は、
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体を有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有し、
前記内部電極層は、銅および／または銀を主成分として含み、
前記内部電極層では、長手方向に沿って所定長さの範囲内に、前記内部電極層を構成する導電性粒子が存在する電極存在領域と、前記導電性粒子が存在しない電極不存在領域とが交互に配置されており、前記電極不存在領域が２以上で存在することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る積層セラミック電子部品では、内部電極層は、銅または銀を主成分として含む。また、誘電体層は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。しかも、内部電極層では、長手方向に沿って所定長さの範囲内に、前記内部電極層を構成する導電性粒子が連続して存在する電極存在領域と、前記導電性粒子が存在しない電極不存在領域とが交互に配置されており、前記電極不存在領域が２以上で存在する。
【００１４】
このような条件を満足することで、本発明の第２の観点に係る積層セラミック電子部品では、たとえば高電圧または機械的応力により短絡現象が発生した後に、その電子部品に電流を流すことで絶縁性を復帰させる（自己修復特性）ことができる。そのため、短絡現象が発生した電子部品に再び電流を流したとしても、絶縁性が確保されているため、発熱するおそれが少ない。
【００１５】
なお、短絡現象が発生した電子部品に再び電流を流すことで、絶縁性が復帰するのは、次に示す理由であると考えられる。すなわち、上記の条件が満足される場合には、内部電極層の短絡が生じた部分に電流が再度流れることで、内部電極層が溶解して飛散し、絶縁性が復帰すると考えられる。
【００１６】
好ましくは、前記所定長さの範囲が５０μｍである。この所定長さ範囲内で、電極不存在領域が２以上で存在することで、自己修復特性が向上する。
【００１７】
好ましくは、前記内部電極層では、長手方向に沿って所定長さの範囲内に、前記電極不存在領域が２〜１０個、さらに好ましくは、２〜５個の範囲で存在する。このように構成することで、初期静電容量（短絡前の静電容量）も向上すると共に、自己修復特性も向上する。
【００１８】
好ましくは、前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層の長手方向に沿って所定長さの範囲内での前記電極不存在領域の数が多い。積層方向の最外層では、積層方向の中央部に比較して、内部電極層の短絡が生じやすい。そこで、積層方向の最外層での内部電極層における電極不存在領域の数を多くすることで、そこでの絶縁復帰を生じさせやすくできる。積層方向の中央部に位置する内部電極層では、比較的に電極不存在領域の数を少なくすることで、初期静電容量を大きくすることができる。
【００１９】
本発明の第１および第２の観点において、好ましくは、前記内部電極層には、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粒子が含まれている。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。
【００２０】
本発明の第１および第２の観点において、好ましくは、前記内部電極層には、空隙が含まれている。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。
【００２１】
本発明の第１および第２の観点において、好ましくは、前記内部電極層の積層方向の中央部に比較して、前記積層方向の最外層での前記内部電極層に含まれる前記空隙の面積比率が大きい。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。その理由としては、積層方向の最外層での内部電極層に含まれる空隙の面積比率が大きいと、熱が素子本体の外に逃げ難くなるためではないかと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示すコンデンサにおける内部電極層と誘電体層の積層構造の拡大断面写真を模式化した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２４】
積層セラミックコンデンサの全体構成
まず、本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ２は、コンデンサ素体４と、第１端子電極６と第２端子電極８とを有する。コンデンサ素体４は、内側誘電体層１０と、内部電極層１２とを有し、内側誘電体層１０の間に、内部電極層１２が交互に積層してある。
【００２６】
内側誘電体層１０と、内部電極層１２とが交互に積層される部分が内装領域（容量領域）である。コンデンサ素体４は、その積層方向Ｚ(Ｚ軸)の両端面に、外装領域を有する。外装領域は、内装領域を構成する内側誘電体層１０よりも厚い誘電体層で構成してある。
【００２７】
交互に積層される一方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４のＸ軸方向第１端部の外側に形成してある第１端子電極６の内側に対して電気的に接続してある。また、交互に積層される他方の内部電極層１２は、コンデンサ素体４のＸ軸方向第２端部の外側に形成してある第２端子電極８の内側に対して電気的に接続してある。
【００２８】
内側誘電体層１０および外装領域を構成する誘電体層の材質は、同じでも異なっていても良く、特に限定されず、たとえばＡＢＯ３  などのペロブスカイト構造の誘電体材料で構成される。ＡＢＯ３  において、Ａは、たとえばＢａ、Ｃａ、Ｓｒなどの少なくとも一種、Ｂは、Ｔｉ，Ｚｒなどの少なくとも一種である。Ａ／Ｂのモル比は、特に限定されず、０．９８０〜１．２００である。
【００２９】
特に好ましくは、内側誘電体層１０は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3  ）を含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。ホウ素酸化物としては、Ｂ２  Ｏ３  が例示され、リチウム酸化物としては、Ｌｉ２  Ｏが例示される。
【００３０】
主成分であるチタン酸バリウムは、たとえば組成式Ｂａｍ  ＴｉＯ２＋ｍ  で表され、組成式中のｍが０．９９５≦ｍ≦１．１００であり、ＢａとＴｉとの比が０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．１００である。
【００３１】
主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して、副成分としてのホウ素酸化物は、Ｂ２  Ｏ３  換算で、好ましくは２．５〜２０モルの範囲で誘電体層１０に含まれることが好ましい。あるいは、主成分であるチタン酸バリウム１００モルに対して、副成分としてのリチウム酸化物は、Ｌｉ２  Ｏ換算で、好ましくは２．５〜２０モルの範囲で誘電体層１０に含まれることが好ましい。
【００３２】
誘電体層１０に含まれてもよいその他の副成分としては、たとえば下記の副成分が例示される。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯから選択される少なくとも１種、あるいは、ＳｉＯ２  、Ａｌ２  Ｏ３  から選択される少なくとも１種、あるいは、ＭｎＯ、Ｃｒ２  Ｏ３  、Ｖ２  Ｏ５  から選択される少なくとも一種、あるいは、Ｒの酸化物(Ｒ２  Ｏ３  )（Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ）から選択される少なくとも一種などが例示される。これらのその他の副成分は、チタン酸バリウム１００モルに対して、たとえば０〜１０モル、好ましくは１〜５モルの範囲で含まれていてもよい。
【００３３】
内部電極層１２は、銅（Ｃｕ）および／または銀（Ａｇ）を主成分として含む。「銅（Ｃｕ）および／または銀（Ａｇ）を主成分として含む」とは、それらの金属を含む合金を主成分として含んでもよいという趣旨である。また、「主成分として含む」とは、内部電極層１２において、銅、銀、またはそれらの合金の含有割合が、８０重量％以上であるという趣旨である。内部電極層１２には、銅または銀またはそれらの合金以外の元素が含まれていてもよい。
【００３４】
なお、銅（Ｃｕ）および／または銀（Ａｇ）を含む合金としては、特に限定されないが、Ａｇ−Ｐｄ合金などが例示される。
【００３５】
端子電極６および８の材質も特に限定されないが、通常、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ等の少なくとも１種、またはそれらの合金を用いることができる。通常は、Ｃｕ，Ｃｕ合金、ＮｉまたはＮｉ合金等や、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金等が使用される。また、端子電極６および８は、それぞれ多層電極で構成してあってもよい。
【００３６】
たとえば端子電極６および８は、それぞれ、素子本体４に接する内側から、銅ペースト焼付け電極膜とニッケルメッキ膜とスズメッキ膜との三層構造を含んでもよく、銅ペースト焼付け電極膜と銀を主成分とする焼付け電極膜の２層構造を含んでもよい。あるいは、端子電極６および８は、それぞれ、樹脂と金属粒子で構成される樹脂電極膜を含んでもよい。
【００３７】
積層セラミックコンデンサ２の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。積層セラミックコンデンサ２が直方体形状の場合は、通常、Ｘ軸方向寸法は、０．４〜５．７ｍｍであるが、本実施形態では、好ましくは１．０〜４．５ｍｍである。
【００３８】
積層セラミックコンデンサ２の高さ寸法（Ｚ軸方向寸法）は、内側誘電体層１０および内部電極層１２の積層数などにより変化するが、一般的には、０．２〜３．２ｍｍであるが、本実施形態では、好ましくは０．５〜２．５ｍｍである。また、積層セラミックコンデンサ２のＹ軸方向寸法は、一般的には、０．２〜５．０ｍｍであるが、本実施形態では、好ましくは０．５〜２．５ｍｍである。
【００３９】
なお、図１では、図示の容易化のために、端子電極６および８の厚みを、実際よりも厚めに描いてあるが、実際には、それぞれ１０〜５０μｍ程度であり、Ｘ軸方向寸法に比較してきわめて薄い。また、図面において、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直であり、Ｚ軸が、内側誘電体層１０および内部電極層１２の積層方向に一致し、Ｘ軸が、端子電極６および８の向き合う方向に一致する。
【００４０】
各内側誘電体層１０の厚みは、数μｍ〜数十μｍのものが一般的であるが、本実施形態では、好ましくは０．５〜２０μｍである。また、内部電極層１２の厚みは、好ましくは０．７〜３μｍである。
【００４１】
図２に示すように、本実施形態では、図１に示すコンデンサ２の断面写真（Ｚ軸に平行な断面）を撮像した場合に、たとえば（１０〜５０μｍ）×（１０〜５０）μｍの撮像範囲内で、内部電極層１２の横断面に、以下の特徴が表れる。すなわち、各内部電極層１２は、横断面において、Ｘ軸およびＹ軸の平面に全て連続しているわけではなく、複数の電極不存在領域１２ｂを介して断続的に表れる電極存在領域１２ａにより構成される。電極存在領域１２ａでは、内部電極層１２を構成する導電性粒子がＸ軸およびＹ軸の平面方向に連続している。
【００４２】
すなわち、本実施形態では、内部電極層１２と略垂直方向に素子本体４を切断して切断面を観察した場合に、内部電極層１２では、長手方向に沿って所定長さＸ０の範囲内に、電極存在領域１２ａと、電極不存在領域１２ｂとが交互に配置されており、電極不存在領域１２ｂが２以上で存在する。所定長さＸ０の範囲内とは、特に限定されないが、好ましくは５０μｍの範囲内である。
【００４３】
電極不存在領域１２ｂは、切断面において、内部電極層１２の長手方向に沿って断続的に現れ、導電性粒子が存在しない領域である。この電極不在領域１２ｂは、誘電体層１０を構成する誘電体粒子により隣接する誘電体層同士が接続している領域と、誘電体粒子も導電性粒子も存在しない空隙（ボイド）２０が存在している領域とを有する。なお、空隙２０は、誘電体層１０にも存在する。また、内部電極層１２の内部に、誘電体粒子１０ａが内包されていてもよい。
【００４４】
電極不存在領域１２ｂは、各内部電極層１２において、Ｘ軸方向またはＹ軸方向またはその間の平面方向に連続して形成されるわけではなく、内部電極層１２の平面（Ｘ−Ｙ軸平面）に、島状に表れる。したがって、各内部電極層１２の電極存在領域１２ａは、いずれかの横断面（切断面）で接続してあり、全体的に見れば、図１に示すように、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に連続している。電極不存在領域１２ｂのＸ軸方向幅またはＹ軸方向幅（あるいはＸ軸とＹ軸との中間方向の幅）は、内部電極層１２の厚みの１〜１０倍程度である。  
【００４５】
また、本実施形態では、複数の電極不存在領域１２ｂのために、内部電極層１２は、その間に配置される誘電体層１２を積層方向から１００％で覆うことなく、９８％以下、好ましくは、６０〜９０％の被覆率で誘電体層を覆っている。なお、内部電極層１２の被覆率は、内部電極層１２の断面において、電極不存在領域１２ｂを除いた電極存在領域１２ａの総和の長さを、理想的に連続している電極長さで割り算した値（％表示）として算出される。
【００４６】
本発明者は、積層セラミックコンデンサ２などの電子部品において、鋭意検討した結果、以下の条件を満足することで、絶縁復帰特性に優れる電子部品が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００４７】
すなわち、本実施形態の内部電極層１２は、銅または銀を主成分として含む。また、誘電体層１０は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。しかも、誘電体層１０に対する内部電極層１２の被覆率が９８％以下である。
【００４８】
もしくは、本実施形態の積層セラミックコンデンサ２は、以下の条件を満足する。本実施形態の内部電極層１２は、銅または銀を主成分として含む。また、誘電体層１０は、チタン酸バリウムを含む主成分と、ホウ素酸化物および／またはリチウム酸化物を含む副成分とを有する。しかも、誘電体層１０では、長手方向に沿って所定長さＸ０の範囲内に、電極存在領域１２ａと電極不存在領域１２ｂとが交互に配置されており、電極不存在領域１２ｂが２以上で存在する。
【００４９】
上記のような条件を満足することで、本実施形態の積層セラミックコンデンサ２では、たとえば高電圧または機械適応力により短絡現象が発生した後に、その積層セラミックコンデンサ２の端子電極６，８間に電流（定格電圧で）を流すことで絶縁性を復帰させることができる。そのため、短絡現象が発生した積層セラミックコンデンサ２に再び電圧を印加したとしても、絶縁性が確保され、電流が流れず発熱するおそれが少ない。
【００５０】
なお、短絡現象が発生した積層セラミックコンデンサ２に再び電流を流すことで、絶縁性が復帰するのは、次に示す理由であると考えられる。すなわち、上記の条件が満足される場合には、内部電極層１２の短絡が生じた部分に電流が再度流れることで、内部電極層１２が溶解して飛散し、絶縁性が復帰すると考えられる。短絡現象を発生させる高電圧としては、特に限定されないが、その積層セラミックコンデンサ２における定格電圧（１０〜６３０Ｖ）の２．５倍以上の電圧である。
【００５１】
本実施形態では、好ましくは、内部電極層１２の被覆率が６０％以上で９０％以下である。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすいと共に、初期静電容量（短絡前の静電容量）も大きい。
【００５２】
また、本実施形態では、図１に示す内部電極層１２の積層方向（Ｚ軸方向）の中央部に比較して、積層方向の最外層での内部電極層１２の被覆率が小さい。たとえば積層方向の中央部での被覆率をＣｃとし、積層方向の最外層での被覆率をＣｅとした場合に、Ｃｅ／Ｃｃは、好ましくは、１より小さく、さらに好ましくは０．８〜０．９８である。
【００５３】
積層方向の最外層では、積層方向の中央部に比較して、内部電極層１２同士の短絡が生じやすい。そこで、積層方向の最外層での内部電極層１２の被覆率を小さくすることで、そこでの絶縁復帰を生じさせやすくできる。積層方向の中央部に位置する内部電極層１２では、比較的に被覆率を大きくすることで、初期静電容量を大きくすることができる。
【００５４】
もしくは、本実施形態では、内部電極層１２において、長手方向に沿って所定長さＸ０の範囲内に、電極不存在領域１２ｂが、好ましくは２〜１０個、さらに好ましくは２〜５個の範囲で存在する。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすいと共に、初期静電容量（短絡前の静電容量）も大きい。
【００５５】
また、本実施形態では、図１に示す内部電極層１２の積層方向（Ｚ軸方向）の中央部に比較して、積層方向の最外層での内部電極層１２の長手方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向またはこれらの中間の方向）に沿って所定長さＸ０の範囲内での電極不存在領域１２ｂの数が大きい。たとえば積層方向の中央部での電極不存在領域の数をＥｃとし、積層方向の最外層での電極不存在領域の数をＥｅとした場合に、Ｅｃ／Ｅｅは、好ましくは、１より小さく、さらに好ましくは０．２〜０．８である。
【００５６】
積層方向の最外層では、積層方向の中央部に比較して、内部電極層１２同士の短絡が生じやすい。そこで、積層方向の最外層での内部電極層１２の電極不存在領域の数を大きくすることで、そこでの絶縁復帰を生じさせやすくできる。積層方向の中央部に位置する内部電極層１２では、比較的に電極不存在領域の数を小さくすることで、初期静電容量を大きくすることができる。
【００５７】
さらに本実施形態では、図２に示すように、内部電極層１２の電極存在領域１２ａには、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体粒子１０ａが含まれている。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。
【００５８】
また本実施形態では、内部電極層１２の電極不存在領域１２ｂには、空隙２０が含まれている。このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。さらに本実施形態では、誘電体層１０にも空隙２０が含まれている。空隙２０の大きさは、特に限定されないが、好ましくは０．２〜３μｍの断面積換算径である。なお、断面積換算径とは、断面においての空隙２０の断面積を測定し、その断面積を持つ円の直径に換算したサイズである。
【００５９】
本実施形態では、内部電極層１２の積層方向の中央部に比較して、積層方向の最外層での内部電極層１２に含まれる空隙２０の面積比率が大きい。たとえば積層方向の中央部での内部電極層１２の面積に対する空隙２０の面積比率をＶｃとし、積層方向の最外層での内部電極層１２の面積に対する空隙２０の面積比率をＶｅとした場合に、Ｖｃ／Ｖｅは、好ましくは、１より小さく、さらに好ましくは０．２〜０．８である。
【００６０】
このように構成することで、短絡後に絶縁性が復帰しやすい。その理由としては、積層方向の最外層での内部電極層１２に含まれる空隙の面積比率が大きいと、熱が素子本体４の外に逃げ難くなるためではないかと考えられる。
【００６１】
特に本実施形態では、図１に示す素子本体４の外表面に近い部分に位置する誘電体層１０に含まれるホウ素の含有量（Ｂｓ）が、素子本体の中心部分に位置する誘電体層１０に含まれるホウ素の含有量（Ｂｃ）に比較して少ないことが好ましい。
【００６２】
このように構成することで、端子電極６および８と素子本体４との接合強度が向上することや、外表面に含まれるホウ素が空気中の水分と反応して外表面の強度が低下してしまう不具合が発生しにくくなるなどの理由により、積層セラミックコンデンサ２の撓み強度あるいはクラック強度が向上する。
【００６３】
なお、含有比率Ｂｓ／Ｂｃは、好ましくは０．５〜０．９５であり、この含有比率Ｂｓ／Ｂｃを適切に制御するには、素子本体４の脱バインダ時間、焼成時間、アニール時間などを制御すればよい。これらの時間が長いほど、含有比率Ｂｓ／Ｂｃが小さくなる傾向にある。
【００６４】
積層セラミックコンデンサの製造方法 
次に、本発明の一実施形態としての積層セラミックコンデンサ２の製造方法について説明する。
【００６５】
まず、焼成後に図１に示す内側誘電体層１０を構成することになる内側グリーンシートおよび外装領域の外側誘電体層を構成することとなる外側グリーンシートを製造するために、内側グリーンシート用ペーストおよび外側グリーンシート用ペーストを準備する。
【００６６】
内側グリーンシート用ペーストおよび外側グリーンシート用ペーストは、通常、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。
【００６７】
セラミック粉末の原料としては、上述した誘電体層１０を構成することになる複合酸化物や酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。セラミック粉体の原料は、本実施形態では、平均粒子径が好ましくは０．０１〜１μｍ程度の粉体として用いられる。なお、内側グリーンシートをきわめて薄いものとするためには、グリーンシート厚みよりも細かい粉体を使用することが望ましい。
【００６８】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、アクリル、エチルセルロース等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。
【００６９】
また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、ターピネオール、ブチルカルビトール、アルコール、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００７０】
グリーンシート用ペースト中には、必要に応じて、各種分散剤、可塑剤、誘電体、副成分化合物、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されていてもよい。
【００７１】
可塑剤としては、フタル酸ジオクチルやフタル酸ベンジルブチルなどのフタル酸エステル、アジピン酸、燐酸エステル、グリコール類などが例示される。
【００７２】
次いで、図１に示す内部電極層１２を形成するための内部電極パターン層用ペーストを準備する。内部電極パターン層用ペーストは、上記した各種導電性金属または合金からなる導電材と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。導電材の代わりに、酸化物、有機金属化合物またはレジネート等も用いることができる。上記した酸化物、有機金属化合物およびレジネートは、焼成後に上記した導電材となる。なお、内部電極パターン層用ペーストには、必要に応じて、共材としてセラミック粉末（たとえばチタン酸バリウム粉末）が含まれていても良い。共材は、焼成過程において導電性粉末の焼結を抑制する作用を奏する。
【００７３】
上記にて調整した内側グリーンシート用ペーストおよび内部電極パターン層用ペーストを使用して、図１に示すように、焼成後に内側誘電体層１０となる内側グリーンシートと、焼成後に内部電極層１２となる内部電極パターン層と、を交互に積層し、焼成後に内装領域となる内部積層体を製造する。そして、内部積層体を製造した後に、または、その前に、外側グリーンシート用ペーストを使用して、焼成後に外装領域の外側誘電体層となる外側グリーンシートを形成する。
【００７４】
具体的には、まず、ドクターブレード法などにより、支持体としてのキャリアシート（たとえばＰＥＴフィルム）上に、内側グリーンシートを形成する。内側グリーンシートは、キャリアシート上に形成された後に乾燥される。
【００７５】
次いで、上記にて形成した内側グリーンシートの表面に、内部電極パターン層用ペーストを用いて、内部電極パターン層を形成し、内部電極パターン層を有する内側グリーンシートを得る。そして、得られた内部電極パターン層を有する内側グリーンシートを交互に積層し、内部積層体を得る。なお、内部電極パターン層の形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法などが例示される。なお、接着層を介して内部電極パターン層を有する内側グリーンシートを積層してもよい。
【００７６】
外側グリーンシートは、内側グリーンシートと同様に、支持体としてのキャリアシート上に形成される。外側グリーンシートは、キャリアシート上に形成された後に乾燥される。なお、外側グリーンシートの厚みは、内側グリーンシートよりも十分に厚い。
【００７７】
なお、外側グリーンシートに内部積層体を積層するかわりに、外側グリーンシートに直接内側グリーンシートと内部電極パターン層とを交互に所定数積層してもよい。また、複数枚の内側グリーンシートと複数枚の内部電極パターン層とを交互に積層した積層体ユニットを予め作製しておき、それらを外側グリーンシートに所定数積層してもよい。
【００７８】
得られたグリーン積層体は、たとえば切断線に沿って所定の寸法に切断され、グリーンチップとする。グリーンチップは、固化乾燥により可塑剤が除去され固化される。固化乾燥後のグリーンチップは、メディアおよび研磨液とともに、バレル容器内に投入され、水平遠心バレル機などにより、バレル研磨される。バレル研磨後のグリーンチップは、水で洗浄され、乾燥される。
【００７９】
乾燥後のグリーンチップに対して、脱バインダ工程、焼成工程、必要に応じて行われるアニール工程を行うことにより、図１に示すコンデンサ素体４が得られる。なお、内部電極層１２となる内部電極パターン層に銅が含まれている場合には、焼成時の温度条件は、銅の融点１０８５°Ｃよりも低い温度、すなわち９００〜１０８０°Ｃで行われることが好ましい。また、内部電極層１２となる内部電極パターン層に銀が含まれている場合、焼成時の温度条件は、銀の融点９６２°Ｃより低い温度、すなわち、８００〜９６０°Ｃで行われることが好ましい。
【００８０】
このようにして得られた焼結体（素子本体４）には、バレル研磨等にて端面研磨を施し、端子電極用ペーストを焼きつけて端子電極６，８が形成される。そして、必要に応じ、端子電極６，８上にめっき等を行うことによりパッド層を形成する。なお、端子電極用ペーストは、上記した内部電極パターン層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００８１】
このようにして製造された積層セラミックコンデンサ２は、ハンダ付や導電性接着剤によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００８２】
なお、本実施形態において、内部電極層１２の被覆率は、内部電極パターン層用ペースト中の共材量とバインダ量、内部電極パターン層形成時のペーストの付着量、脱バインダ温度、脱バインダ処理時間、焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気等を調整することで制御できる。
【００８３】
内部電極パターン層用ペーストにおいて、共材粒子の含有割合を増やすと、焼成過程における導電性粉末の焼結が抑制され、内部電極層１２の被覆率は、低下する傾向となる。共材として使用するセラミック粉末の平均粒径は、好ましくは０．０１〜５μｍである。
【００８４】
また、内部電極パターン層用ペーストにおいて、バインダの含有割合を増やすと、脱バインダ過程と焼成過程とでバインダが分解して気体となって脱離することで空隙を形成し、内部電極層１２の被覆率は低下する傾向となる。内部電極パターン層用ペースト中のバインダの含有割合は、導電性金属を１００ｗｔ％とした場合、好ましくは１〜１０ｗｔ％の範囲である。
【００８５】
脱バインダ温度と脱バインダ処理時間については、これらの条件を所定の範囲に調整することで、バインダが分解して気体となって脱離する際に、空隙が形成される度合いが変化し、内部電極層１２の被覆率を所定の範囲内に制御することができる。
【００８６】
焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気については、これらの条件を所定の範囲で調整することで、コンデンサ素体の焼結の度合いが変化し、内部電極層１２の被覆率を所定の範囲内に制御することができる。
【００８７】
一方、電極不存在領域１２ｂの数は、内部電極パターン層用ペースト中の各種導電性金属や合金からなる導電材の粒径、共材量、共材として使用するセラミック粉末の平均粒径、バインダの含有割合、脱バインダ温度、脱バインダ処理時間、焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気等を調整することで制御できる。
【００８８】
内部電極パターン層用ペースト中の各種導電性金属や合金からなる導電材の粒径を大きくすると、電極が焼成過程で互いに集まって結合することが抑制され、電極不存在領域１２ｂの数が増加する傾向となる。各種導電性金属や合金からなる導電材の平均粒径は、好ましくは０．２〜３μｍである。
【００８９】
被覆率と同様に、共材粒子の含有割合を増やすと、電極不存在領域１２ｂの数は増加する傾向となり、電極不存在領域の個数は、共材粒子の含有割合により制御できる。ただし、電極不存在領域の数は、共材として使用するセラミック粉末の平均粒径および内部電極層の厚みによっても変化する。すなわち、内部電極層の厚みに対して、共材粉末の平均粒径が大きいと、電極不存在領域の数は多くなる。内部電極層の厚み（Ｔ）に対する共材粉末の平均粒径（Ｄ）の比率（Ｄ／Ｔ）が、０．５〜１０の範囲にあることが好ましい。
【００９０】
被覆率と同様に、内部電極パターン層用ペーストにおいて、バインダの含有割合を増やすと、脱バインダ過程と焼成過程とでバインダが分解して気体となって脱離することで空隙が形成され、電極不存在領域１２ｂの数は増加する傾向となる。
【００９１】
また、脱バインダ温度と脱バインダ処理時間については、これらの条件を所定の範囲に調整することで、バインダが分解して気体となって脱離する際に、空隙が形成される度合いが変化し、電極不存在領域１２ｂの数を所定の範囲内に制御することができる。
【００９２】
焼成温度、焼成時間、焼成雰囲気については、これらの条件を所定の範囲で調整することで、電極不存在領域１２ｂの数を制御することができる。特に焼成温度が高い、もしくは焼成時間が長いと、導電性粉末の焼結が促進されて空隙２０の個数が増加する。
【００９３】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００９４】
たとえば、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、その他の積層型セラミック電子部品に適用することが可能である。その他の積層型セラミック電子部品としては、誘電体層が内部電極を介して積層される全ての電子部品であり、たとえばバンドパスフィルタ、積層三端子フィルタ、圧電素子、ＰＴＣサーミスタ、ＮＴＣサーミスタ、バリスタなどが例示される。
【実施例】
【００９５】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００９６】
実験例１
まず、主原料の原料紛体として粒子径が０．０５〜１μｍのＢａＴｉＯ３  粉末を準備し、次にＭｇＣＯ３  、ＭｎＣＯ３  、Ｙ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、Ｂ２  Ｏ３  を副成分として準備した。なお、副成分はあらかじめ予備解砕を行い、チタン酸バリウム原料の粒子径よりも小さい０．０３〜０．２μｍ程度に加工した。
【００９７】
次に上記で準備した各原料粉末を主原料１００モルに対して、ＭｇＣＯ３  粉末を１．５モル、ＭｎＣＯ３  粉末を０．２モル、Ｙ２  Ｏ３  粉末を１．０モル、Ｂ２  Ｏ３  粉末を１０モル秤量した。これら各粉末をボールミルで湿式混合、乾燥して、容量領域の誘電体原料を得た。このとき添加したＭｇＣＯ３  、ＭｎＣＯ３  は、焼成後にはそれぞれＭｇＯ、ＭｎＯとして誘電体層１０中に含有されることとなる。
【００９８】
次いで、得られた誘電体原料：１００重量部と、アクリル樹脂：７重量部と、可塑剤としてのフタル酸ブチルベンジル（ＢＢＰ）：４重量部と、溶媒としてのメチルエチルケトン：８０重量部とをボールミルで混合してペースト化し、内側誘電体層用ペーストを得た。
【００９９】
また、上記とは別に、Ｃｕ粒子：５６重量部と、テルピネオール：４０重量部と、エチルセルロース：４重量部と、ベンゾトリアゾール：１重量部と、共材としてのチタン酸バリウム粒子：５０重量部とを、３本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを作製した。Ｃｕ粒子の平均粒径は、１μｍであった。なお共材として用いたチタン酸バリウム粒子の平均粒径は、１μｍであった。
【０１００】
さらに、外装領域の誘電体原料として、平均粒子径が、容量領域の誘電体粒子と同じ粒径の主原料粉末を準備した。容量領域の誘電体原料と同様の手法で、副成分と湿式混合とペースト化を行い、外装領域の誘電体用ペーストを得た。
【０１０１】
そして、上記にて作製した誘電体層用ペーストを用いて、ＰＥＴフィルム上にグリーンシートを形成した。次いで、外装領域を形成するための誘電体ペーストを用いて、ＰＥＴフィルム上にグリーンシートを形成した。内部電極用ペーストをスクリーン印刷し、内装領域のためのグリーンシートを形成した。
【０１０２】
内部電極層を有する内装領域のためのグリーンシートと、外装領域のためのグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。
【０１０３】
次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。
【０１０４】
脱バインダ処理条件は、昇温速度２５℃／時間、保持温度：２６０℃、保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。
【０１０５】
焼成条件は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１０００℃とし、保持時間を１２０分とした。降温速度は２００℃／時間とした。なお、雰囲気ガスは、加湿したＮ２  ＋Ｈ２  混合ガスとし、酸素分圧が１０−９ＭＰａ以下となるようにした。
【０１０６】
アニール条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度１０００℃、保持時間：１０時間、降温速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ２  ガス（酸素分圧：１０−８ＭＰａ以下）とした。
【０１０７】
なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを使用した。
【０１０８】
次いで、得られた積層セラミック焼成体をバレル研磨した後、外部電極としてＣｕペーストを塗布し、還元雰囲気にて焼き付け処理を行い、実施例１に係る複数の積層セラミックコンデンサ試料（以下、単に「コンデンサ試料」と表記する場合がある）を得た。実施例１に係るコンデンサ試料の要部概略拡大断面図を図２に示す。なお焼成後の内部電極層の一層当たりの厚みは、平均で１．５μｍであり、内部誘電体層の厚みは、平均で１５μｍであった。また、内部電極層と誘電体層との積層数は、１０層とした。
【０１０９】
実施例２〜８
実施例１のコンデンサ試料の製造条件の内、共材として添加するセラミック粉末の調合量を変化させた以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜８に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１１０】
実施例９
主原料１００モルに対して、副成分として、Ｂ２  Ｏ３  粉末を１０モルの代わりにＬｉ２  Ｏを１０モル秤量した以外は、実施例７と同様にして、実施例９に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１１１】
実施例１０
Ｃｕ粒子：５６重量部の代わりに、Ａｇ粒子：５６重量部を用いた以外は、実施例７と同様にして、実施例１０に係る複数のコンデンサ試料を作製した。なお内部電極層にＡｇ粒子を用いる場合、焼成工程およびアニール工程の保持温度は、Ａｇの融点に合わせて９００℃とした。
【０１１２】
比較例１ 
コンデンサ試料の製造条件を、共材としてのチタン酸バリウム粒子を入れないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１１３】
比較例２
Ｃｕ粒子：５６重量部の代わりに、Ｎｉ粒子：５６重量部を用いた以外は、実施例７と同様にして、比較例２に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１１４】
比較例３
主原料１００モルに対して、副成分として、ホウ素酸化物またはリチウム酸化物のいずれも含ませることなく、比較例３に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１１５】
測定
比較例１〜３および実施例１〜１０で得られたコンデンサ試料について、以下の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１１６】
１．内部電極被覆率
各実施例および比較例に対して、積層セラミックコンデンサ試料の内部電極層の平面に対して垂直な面を研磨して、その研磨面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて３千倍で９視野、拡大観察し、１視野あたり１０個の内部電極層１２における電極存在領域１２ａの存在割合（平均）を、内部電極の被覆率Ｃ（％）として算出した。
【０１１７】
理想的には内部電極層１２は連続性を有し、所定の設定長さＬを備えるはずである。しかしながら、実際には、いわゆる球状化などによる内部電極の途切れ（電極不存在領域１２ｂ）が複数の場所で生じ、途切れ部分（電極不存在領域１２ｂ）を除いた分断された電極存在領域１２ａの総和の長さΣＬｉが現実の長さ値となる。なお、内部電極層１２に途切れが全く生じていない場合、内部電極の被覆率は１００％となる。
【０１１８】
２．初期静電容量
絶縁復帰試験を行う前の実施例および比較例のそれぞれ１０個のコンデンサ試料に関して、ＬＣＲメーターにて１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件で、静電容量を測定し、その試料の平均値を求めた。そして、比較例１に係る基準試料の初期静電容量を１００％とし、それを基準に、各実施例１〜１０（比較例２〜３を含む）の各試料の静電容量の平均値を算出した。
【０１１９】
３．絶縁復帰特性（自己修復特性）試験
各実施例および比較例のコンデンサ試料を複数準備し、それらに１０００Ｖを印加し、内部電極の短絡を強制的に生じさせて１０Ω以下となった試料を、各実施例および比較例について、それぞれ１０個用意し、それらに２．５Ａで通電し、１０ｋΩ以上まで絶縁が復帰した試料の個数を調べた。表１に示す絶縁復帰の項目において、数値の分母は、試験した試料の個数であり、分子は、絶縁が復帰した試料の個数を示す。
【０１２０】
評価１
各実施例および比較例のコンデンサ試料について、内部電極の被覆率と絶縁復帰特性との関係を評価した結果を、表１に示す。
【０１２１】
表１の比較例２に示すように、内部電極層としてＮｉを含む電極では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。また、誘電体層にホウ素酸化物またはリチウム酸化物のいずれも含まない比較例３では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。さらに、内部電極層の被覆率が１００％となる比較例１では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。
【０１２２】
これらの比較例１〜３に対して、内部電極の被覆率が９８％以下で、内部電極として銅または銀を主成分として含み、さらに誘電体層には、ホウ素またはリチウムの酸化物を含む実施例１〜１０では、絶縁復帰する試料の個数が多い（絶縁復帰特性に優れている）ことも確認できた。
【０１２３】
また、実施例１〜１０を比較することで、内部電極の被覆率は、６０〜９０％の場合に、絶縁復帰特性に優れ、さらに初期静電容量も高いことが確認できた。また、特に、内部電極層には、銅（Ｃｕ）が含まれていることが好ましく、誘電体層にはホウ素（Ｂ）が含まれていることが好ましいことが確認できた。
【０１２４】
また、内部電極の被覆率の制御は、内部電極層に含まれる共材粒子の含有割合により行うことができることが確認できた。より具体的には、内部電極層に含まれる共材粒子の含有割合が多過ぎると、被覆率が低下する傾向にある。
【０１２５】
【表１】
2019176131.tif 000003
【０１２６】
実験例２
実施例１と同様にして、実施例１１に係る複数のコンデンサ試料を作製した。すなわち実施例１１では、平均粒径１μｍのチタン酸バリウムを共材として用い、その含有割合は５０重量部とした。また、実施例１１では、内部電極層の一層当たりの厚みは、焼成後で平均１．５μｍであり、内部誘電体層の一層当たりの厚みは、焼成後で平均１０μｍであった。
【０１２７】
実施例１２〜１５
実施例１１のコンデンサ試料の製造条件の内、共材として添加するセラミック粉末の調合量を変化させた以外は、実施例１１と同様にして、実施例１２〜１５に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１２８】
実施例１６
Ｃｕ粒子：５６重量部の代わりに、Ａｇ粒子：５６重量部を用いた以外は、実施例１５と同様にして、実施例１６に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１２９】
実施例１７
主原料１００モルに対して、副成分として、Ｂ２  Ｏ３  粉末を１０モルの代わりにＬｉ２  Ｏを１０モル秤量した以外は、実施例１５と同様にして、実施例１７に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１３０】
実施例１８
主原料１００モルに対して、副成分として、Ｂ２  Ｏ３  粉末を５モルに加えてＬｉ２  Ｏを５モルと秤量した以外は、実施例１５と同様にして、実施例１８に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１３１】
比較例４
コンデンサ試料の製造条件を、共材としてのチタン酸バリウム粒子の調合量を変化させた以外は、実施例１１と同様にして、比較例４に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１３２】
比較例５
Ｃｕ粒子：５６重量部の代わりに、Ｎｉ粒子：５６重量部を用いた以外は、実施例１５と同様にして、比較例５に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１３３】
比較例６
主原料１００モルに対して、副成分として、ホウ素酸化物またはリチウム酸化物のいずれも含ませることなく、比較例６に係る複数のコンデンサ試料を作製した。
【０１３４】
測定
比較例１、３〜６および実施例１１〜１８で得られたコンデンサ試料について、実験例１で行った初期静電容量の測定および絶縁復帰試験に加えて、以下の測定を行った。結果を表２に示す。
【０１３５】
４．Ｘ０＝５０μｍの範囲での電極不存在領域の数
被覆率の測定と同様に、各実施例および比較例に対して、積層セラミックコンデンサ試料の内部電極層の平面に対して垂直な面で研磨して、その研磨面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて３千倍で９視野、拡大観察し、１視野あたり１０個の内部電極層１２を観察した。そして、内部電極層１２において、その長手方向に沿って所定長さＸ０（＝５０μｍ）の範囲内での電極不存在領域１２ｂの数の平均値を求めた。なお、内部電極層１２に途切れが全く生じていない場合、内部電極層１２における電極不存在領域１２ｂの数は０になる。
【０１３６】
評価２
各実施例および比較例のコンデンサ試料について、電極不存在領域の個数と絶縁復帰特性との関係を評価した結果を、表２に示す。
【０１３７】
表２の比較例５に示すように、内部電極層としてＮｉを含む電極では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。また、誘電体層にホウ素酸化物またはリチウム酸化物のいずれも含まない比較例６では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。さらに、内部電極層の電極不存在領域の数が１となる比較例４では、絶縁復帰可能な試料の個数は０である。
【０１３８】
これらの比較例１、３〜６に対して、内部電極層の電極不存在領域の数が２以上で、内部電極として銅または銀を主成分として含み、さらに誘電体層には、ホウ素またはリチウムの酸化物を含む実施例では、絶縁復帰する試料の個数が多い（絶縁復帰特性または自己修復特性に優れている）ことも確認できた。
【０１３９】
また、実施例１１〜１８を比較することで、内部電極層の電極不存在領域の数が、２〜５の場合に、特に自己修復特性に優れ、さらに初期静電容量も高いことが確認できた。また、特に、内部電極層には、銅（Ｃｕ）が含まれていることが好ましく、誘電体層にはホウ素（Ｂ）が含まれていることが好ましいことが確認できた。
【０１４０】
また、内部電極における電極不存在領域の数の制御は、共材粒子の含有割合により行うことができることが確認できた。より具体的には、内部電極層に含まれる共材粒子の含有割合が多過ぎると、電極不存在領域の数が増加する傾向にある傾向にある。
【０１４１】
【表２】
2019176131.tif 000004
【０１４２】
実験例１および２とは別に、内部誘電体層１０および内部電極層１２の厚みを変えた複数のコンデンサ試料を作製し、その絶縁復帰特性を評価した。その結果、内部誘電体層１０の厚みを０．５〜２０μｍの範囲で変えたとしても、実施例１〜１８と同様に、優れた絶縁復帰特性が得られた。また、内部電極層１２の厚みを変えても、実施例１〜１８と同様に、優れた絶縁復帰特性が得られることが確認できた。
【符号の説明】
【０１４３】
２…  積層セラミックコンデンサ
４…  コンデンサ素体
６…  第１端子電極
８…  第２端子電極
１０…  内側誘電体層
１０ａ…  誘電体粒子
１２…  内部電極層
１２ａ…  電極存在領域
１２ｂ…  電極不存在領域
２０…  空隙
【図１】
2019176131.tif 000005
【図２】
2019176131.tif 000006