(57)【要約】【課題】ワイヤの形状が安定な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１接合工程Ｓ１と、第１上昇工程Ｓ２と、第１リバース工程Ｓ３と、第２上昇工程Ｓ４と、第２リバース工程Ｓ５と、第３上昇工程Ｓ６と、第３リバース工程Ｓ７と、フォワード工程と、第２接合工程Ｓ１１と、を備える。前記第１上昇工程Ｓ１におけるキャピラリの移動距離Ｙ１は、前記第２上昇工程Ｓ４における前記キャピラリの移動距離Ｙ２以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャピラリによって保持されたワイヤの先端を、第１接合点に接合する第１接合工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第１上昇工程と、
前記キャピラリを第２接合点から前記第１接合点に向かう第１方向を含む方向に移動させる第１リバース工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第２上昇工程と、
前記キャピラリを前記第１方向に移動させる第２リバース工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第３上昇工程と、
前記キャピラリを前記第２接合点に向けて移動させるフォワード工程と、
前記ワイヤを前記第２接合点に接合する第２接合工程と、
を備え、
前記第１上昇工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第２上昇工程における前記キャピラリの移動距離以上である半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３上昇工程の後であって、前記フォワード工程の前に、前記キャピラリを前記第１方向と下方との間の方向に移動させる第３リバース工程をさらに備えた請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
キャピラリによって保持されたワイヤの先端を、第１接合点に接合する第１接合工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第１上昇工程と、
前記キャピラリを第２接合点から前記第１接合点に向かう第１方向を含む方向に移動させる第１リバース工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第２上昇工程と、
前記キャピラリを前記第１方向に移動させる第２リバース工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第３上昇工程と、
前記キャピラリを前記第２接合点に向けて移動させるフォワード工程と、
前記ワイヤを前記第２接合点に接合する第２接合工程と、
を備え、
前記第１リバース工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第２リバース工程における前記キャピラリの移動距離以上である半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３上昇工程の後であって、前記フォワード工程の前に、前記キャピラリを前記第１方向と下方との間の方向に移動させる第３リバース工程をさらに備えた請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１上昇工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第１リバース工程における前記キャピラリの移動距離よりも大きく、
前記第１リバース工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第２リバース工程における前記キャピラリの移動距離よりも大きく、
前記第２リバース工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第２上昇工程における前記キャピラリの移動距離よりも大きい請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記フォワード工程は、
前記キャピラリを、前記第３リバース工程における前記キャピラリの軌跡を逆進させ、さらに前記第３リバース工程の開始点を超えて前記第２接合点側に移動させる第１フォワード工程と、
前記キャピラリを上方に移動させる第４上昇工程と、
前記キャピラリを前記第１接合点から前記第２接合点に向かう第２方向と下方との間の方向に移動させる第２フォワード工程と、
を有した請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１リバース工程において、前記キャピラリを前記第１方向に移動させる請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１リバース工程と前記第２上昇工程との間に、前記キャピラリを下方に移動させる第１下降工程をさらに備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１リバース工程において、前記キャピラリを前記第１方向と下方との間の方向に移動させる請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１リバース工程において、前記キャピラリを前記第１方向と上方との間の方向に移動させる請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１接合点と第２接合点との間に接続されたワイヤを備え、
前記ワイヤは、
前記第１接合点から上方に延びる第１部分と、
前記第１部分の上端から、前記第１接合点から前記第２接合点に向かう方向を含む方向に延びる第２部分と、
前記第２部分から前記第２接合点に向かって延びる第３部分と、
を有し、
前記第１部分の前記第２接合点側の側面には、前記第１部分が延びる方向に対して交差した方向に延びる２本の痕が形成されている半導体装置。
【請求項１２】
前記第１部分が延びる方向と前記第２部分が延びる方向とは鋭角をなし、
前記第２部分が延びる方向と前記第３部分が延びる方向とは鈍角をなす請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１リードと、
前記第１リードから離隔した第２リードと、
前記第１リード上に搭載された半導体チップと、
をさらに備え、
前記第１接合点は、前記半導体チップの上面にあり、
前記第２接合点は、前記第２リードの上面にある請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
第１リードと、
前記第１リードから離隔した第２リードと、
前記第２リード上に搭載された半導体チップと、
をさらに備え、
前記第１接合点は、前記第１リードの上面にあり、
前記第２接合点は、前記半導体チップの上面にある請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１５】
第１リードと、
前記第１リードから離隔した第２リードと、
前記第１リード上に搭載された第１半導体チップと、
前記第２リード上に搭載された第２半導体チップと、
をさらに備え、
前記第１接合点は、前記第１半導体チップの上面にあり、
前記第２接合点は、前記第２半導体チップの上面にある請求項１１または１２に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体チップは発光素子である請求項１１〜１５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）等の半導体を用いた半導体装置の一種として、リード上に配置された半導体チップの電極とリードとがワイヤによって接続された半導体装置がある。ワイヤを細くすることでコストが低減される。また、半導体素子として発光素子を用いた発光装置の場合、発光素子の発光面上に配置されるワイヤによって光が遮られる。そのため、光取出効率の観点から、細いワイヤが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３８１３１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ワイヤを細くすると剛性が低下し、ワイヤのループ形状が不安定になり易い。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１接合工程と、第１上昇工程と、第１リバース工程と、第２上昇工程と、第２リバース工程と、第３上昇工程と、フォワード工程と、第２接合工程と、を備える。前記第１接合工程においては、キャピラリによって保持されたワイヤの先端を、第１接合点に接合する。前記第１上昇工程においては、前記キャピラリを上方に移動させる。第１リバース工程においては、前記キャピラリを第２接合点から前記第１接合点に向かう第１方向を含む方向に移動させる。前記第２上昇工程においては、前記キャピラリを上方に移動させる。前記第２リバース工程においては、前記キャピラリを前記第１方向に移動させる。前記第３上昇工程においては、前記キャピラリを上方に移動させる。前記フォワード工程においては、前記キャピラリを前記第２接合点に向けて移動させる。前記第２接合工程においては、前記ワイヤを前記第２接合点に接合する。前記第１上昇工程における前記キャピラリの移動距離は、前記第２上昇工程における前記キャピラリの移動距離以上である。
【０００６】
実施形態に係る半導体装置は、第１接合点と第２接合点との間に接続されたワイヤを備える。前記ワイヤは、前記第１接合点から上方に延びる第１部分と、前記第１部分の上端から、前記第１接合点から前記第２接合点に向かう方向を含む方向に延びる第２部分と、前記第２部分から前記第２接合点に向かって延びる第３部分と、を有する。前記第１部分の前記第２接合点側の側面には、前記第１部分が延びる方向に対して交差した方向に延びる２本の痕が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
実施形態によれば、ワイヤの形状が安定な半導体装置及びその製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図２】図１の一部拡大図である。
【図３】第１の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡及び各段階のワイヤの形状を示す図である。
【図４】第１の実施形態におけるキャピラリ及びファーストボンドを示す端面図である。
【図５】第１の実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
【図６】第２の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図７】第３の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図８】第４の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図９】第５の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図１０】第６の実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
【図１１】第７の実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
【図１２】第８の実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する半導体装置の製造方法は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、図面が示す部材の大きさ及び位置関係などは、説明を明確にするため、誇張していることがある。また、本明細書においては、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を採用する。第１接合点から第２接合点に向かう方向を「＋Ｘ方向」とし、その逆の方向を「−Ｘ方向」とする。＋Ｘ方向と−Ｘ方向を総称して「Ｘ方向」ともいう。−Ｘ方向が第１方向に相当し、＋Ｘ方向が第２方向に相当する。Ｘ方向に対して直交する方向を「Ｙ方向」とし、Ｘ方向及びＹ方向に対して直交する方向を「＋Ｚ方向」及び「−Ｚ方向」という。＋Ｚ方向は「上」であり、−Ｚ方向は「下」である。
【００１０】
＜第１の実施形態＞
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、キャピラリを用いて、第１接合点と第２接合点とをワイヤで接続する接続方法を含む。第１の実施形態では、半導体素子である発光素子を用いて、半導体装置の一種である発光装置を製造する方法について説明する。また、以下において、第１接合点は、第１リード１１上に載置された発光素子１３の上面に位置し、第２接合点は、第２リード１２の上面に位置する。
【００１１】
図１は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。図２は、図１の一部拡大図である。図３（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡及び各段階のワイヤの形状を示す図である。図４は、本実施形態におけるキャピラリ及び第１接合点を示す端面図である。図５は、本実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
なお、図３において、キャピラリの軌跡は破線で示し、ワイヤは実線で示す。
【００１２】
（第１接合工程）
先ず、キャピラリ１００がワイヤ２０を保持した状態で、ワイヤ２０の先端に対して放電させて、ワイヤ２０の先端にイニシャルボールを形成する。なお、キャピラリ１００の上部には開閉可能なクランプが設けられている。キャピラリ１００に挿通されたワイヤ２０は、クランプを閉じることで挟持され、クランプを開くことで排出可能な状態となる。
【００１３】
図４に示すように、イニシャルボールを、第１接合点Ｂ１である電極１３ａの上面に当接させた後、キャピラリ１００によって押し付け、荷重及び超音波を一定時間印加する。これにより、イニシャルボールが変形し、ボール部２１が形成される。このとき、第１接合部Ｂ１の位置を、位置Ｐ１とする。
【００１４】
（第１上昇工程）
図３（ａ）は、第１上昇工程及び第１リバース工程、更には第２上昇工程まで経た後のワイヤの形状を図示している。キャピラリ１００は、位置Ｐ１においてボール部２１を形成した後、クランプを開いてキャピラリ１００からワイヤ２０を排出可能な状態とする。そして、キャピラリ１００を位置Ｐ１から上方（＋Ｚ方向）に移動させて、位置Ｐ２に到達させる。これにより、図３（ａ）に示すように、ワイヤ２０は、位置Ｐ１のボール部２１から位置Ｐ２に向けて、ほぼ真上に延伸する。このときのキャピラリ１００の移動距離、すなわち、位置Ｐ１と位置Ｐ２との距離を、第１垂直距離Ｙ１とする。なお、本明細書において、「キャピラリ１００の位置」とは、キャピラリ１００におけるワイヤ２０を排出する先端部の位置を意味する。
【００１５】
（第１リバース工程）
次に、キャピラリ１００を位置Ｐ２から−Ｘ方向（第１方向）に移動させて、位置Ｐ３に到達させる。これにより、図３（ａ）に示すように、ワイヤ２０は位置Ｐ１から位置Ｐ３に向けて、傾斜した状態でほぼ直線状に延伸する。このときのキャピラリ１００の移動距離、すなわち、位置Ｐ２と位置Ｐ３との距離を、第１水平距離Ｘ１とする。
【００１６】
（第２上昇工程）
図３（ｂ）は、第２上昇工程及び第２リバース工程を経て、第３上昇工程の途中までを経た後のワイヤの形状を図示している。キャピラリ１００を位置Ｐ３から上方に移動させて、位置Ｐ４に到達させる。これにより、ワイヤ２０は位置Ｐ１から位置Ｐ４まで延伸するが、位置Ｐ３の近傍で、図３（ｂ）に示すように、＋Ｘ方向側が内側となるように屈曲し、第１屈曲部２２が形成される。第１屈曲部２２の内側、すなわち、ワイヤ２０の＋Ｘ方向側の表面には、第１屈曲痕２３（図５参照）が形成される。このときのキャピラリ１００の移動距離、すなわち、位置Ｐ３と位置Ｐ４との距離を、第２垂直距離Ｙ２とする。第１上昇工程におけるキャピラリ１００の移動距離（第１垂直距離Ｙ１）は、第２上昇工程におけるキャピラリ１００の移動距離（第２垂直距離Ｙ２）以上である。第２垂直距離Ｙ２は、第１垂直距離Ｙ１以下とし、好ましくは、第１垂直距離Ｙ１未満とする。すなわち、Ｙ１≧Ｙ２とし、好ましくは、Ｙ１＞Ｙ２とする。
【００１７】
（第２リバース工程）
次に、キャピラリ１００を位置Ｐ４から−Ｘ方向に移動させて、位置Ｐ５に到達させる。これにより、ワイヤ２０は、図３（ｂ）に示すように、位置Ｐ１から位置Ｐ５に向けて延伸する。このとき、第１屈曲部２２は少し伸ばされるが、第１屈曲痕２３はそのまま保持される。このときのキャピラリ１００の移動距離、すなわち、位置Ｐ４と位置Ｐ５との距離を、第２水平距離Ｘ２とする。
【００１８】
第１リバース工程におけるキャピラリ１００の移動距離（第１水平距離Ｘ１）は、第２リバース工程におけるキャピラリ１００の移動距離（第２水平距離Ｘ２）以上である。第２水平距離Ｘ２は、好ましくは第１水平距離Ｘ１以下とし、より好ましくは、第１水平距離Ｘ１未満とする。すなわち、好ましくは、Ｘ１≧Ｘ２とし、より好ましくは、Ｘ１＞Ｘ２とする。より好ましくは、第１垂直距離Ｙ１を第１水平距離Ｘ１よりも大きくし、第１水平距離Ｘ１を第２水平距離Ｘ２よりも大きくし、第２水平距離Ｘ２を第２垂直距離Ｙ２よりも大きくする。すなわち、Ｙ１＞Ｘ１＞Ｘ２＞Ｙ２とする。
【００１９】
（第３上昇工程）
図３（ｃ）は、第３上昇工程及び第３リバース工程を経た後のワイヤの形状を図示している。キャピラリ１００を位置Ｐ５から上方に移動させて、位置Ｐ６に到達させる。これにより、ワイヤ２０は位置Ｐ１から位置Ｐ６まで延伸するが、図３（ｃ）に示すように、位置Ｐ５の近傍で、＋Ｘ方向側が内側となるように屈曲し、第２屈曲部２４が形成される。第２屈曲部２４の内側、すなわち、ワイヤ２０の＋Ｘ方向側の表面には、第２屈曲痕２５（図５参照）が形成される。第２屈曲痕２５は第１屈曲痕２３よりも上方に形成される。このときのキャピラリ１００の移動距離、すなわち、位置Ｐ５と位置Ｐ６との距離を、第３垂直距離Ｙ３とする。第３垂直距離Ｙ３は、第１垂直距離Ｙ１と第２垂直距離Ｙ２の合計値よりも大きくする。すなわち、Ｙ３＞Ｙ１＋Ｙ２とする。なお、図３（ｃ）〜図３（ｅ）において、第１屈曲部２２と第２屈曲部２４とは、分かり易いように離間させて図示しているが、実際は、図５に示すように、第１屈曲部２２で形成された第１屈曲痕と、第２屈曲部で形成された第２屈曲痕とは近接して位置している。そして、２つの屈曲部が連続して１つの屈曲部を構成しているように見える。
【００２０】
（第３リバース工程）
次に、キャピラリ１００を位置Ｐ６から、−Ｘ方向と下方（−Ｚ方向）との間の方向に移動させて、位置Ｐ７に到達させる。キャピラリ１００の軌跡は、例えば、位置Ｐ１を中心とした円弧とする。これにより、ワイヤ２０は位置Ｐ１から位置Ｐ７に向けて延伸する。このとき、第１屈曲部２２及び第２屈曲部２４は少し伸ばされるが、第１屈曲痕２３及び第２屈曲痕２５はそのまま保持される。
【００２１】
（第１フォワード工程）
図３（ｄ）は、第１フォワード工程及び第４上昇工程を経た後のワイヤの形状を図示している。キャピラリ１００を、第３リバース工程Ｓ７におけるキャピラリ１００の軌跡を逆進させ、第３リバース工程の開始点（位置Ｐ６）を越えて第２接合点側、つまり、＋Ｘ方向（第２方向）に位置する位置Ｐ８に到達させる。位置Ｐ８は、例えば、位置Ｐ１の直上とする。これにより、ワイヤ２０が＋Ｘ方向側が内側になるように屈曲し、第３屈曲部２６が形成される。第３屈曲部２６の内角は、例えば、鈍角である。
【００２２】
（第４上昇工程）
次に、キャピラリ１００を、位置Ｐ８から上方に移動させて、位置Ｐ９に到達させる。これにより、ワイヤ２０は、位置Ｐ１と位置Ｐ９との間で、−Ｘ方向側に凸となるように緩やかに湾曲した状態で保持される。このとき、ワイヤ２０には、第１屈曲部２２、第１屈曲痕２３（図５参照）、第２屈曲部２４、第２屈曲痕２５（図５参照）及び第３屈曲部２６が形成されている。
【００２３】
（第２フォワード工程）
図３（ｅ）は、第２フォワード工程の途中までの工程を経た後のワイヤの形状を図示している。次に、キャピラリ１００を、位置Ｐ９から円弧を描いて＋Ｘ方向と下方（−Ｚ方向）との間の方向に移動させて、第２リード１２の上面上にある位置Ｐ１０に到達させる。位置Ｐ１０は、位置Ｐ１よりも＋Ｘ方向且つ下方（−Ｚ方向）にある。これにより、第２屈曲部２４がより深く屈曲され、第２屈曲部２４の内角は、例えば、鋭角になる。また、第３屈曲部２６もより深く曲げられるが、その内角は鈍角のままである。このようにして、ワイヤ２０は、位置Ｐ１と位置Ｐ１０との間で、第２屈曲部２４において−Ｘ方向と上方との間の方向に凸となるように屈曲し、第３屈曲部２６においてほぼ上方に凸となるように屈曲した状態で保持される。第１フォワード工程Ｓ８、第４上昇工程Ｓ９及び第２フォワード工程Ｓ１０により、フォワード工程が構成される。
【００２４】
（第２接合工程）
次に、キャピラリ１００がワイヤ２０を、第２リード１２の上面における第２接合点Ｂ２に押し付けた状態で、ワイヤ２０に対して荷重及び超音波を印加する。これにより、位置Ｐ１０においてワイヤ２０が第２リード１２の第２接合点Ｂ２に接合される。次に、キャピラリ１００を上昇させた後、クランプを閉じてワイヤ２０を固定し、その状態でさらに上昇することにより、第２接続点Ｂ２でワイヤ２０を切断する。この結果、発光素子１３の電極１３ａと第２リード１２とが、ワイヤ２０によって接続される。このようにして、本実施形態に係る発光装置１が製造される。
【００２５】
図５に示すように、本実施形態に係る発光装置１においては、第１リード１１及び第２リード１２が相互に離隔して設けられている。第１リード１１上には発光素子１３が搭載されている。発光素子１３の上面には電極１３ａが設けられている。電極１３ａと第２リード１２との間には、ワイヤ２０が接続されている。詳細には、ワイヤ２０の一端は、ボール部２１を介して、電極１３ａの第１接合点Ｂ１に接合されている。ワイヤ２０の他端は、第２リード１２の上面の第２接合点Ｂ２に接合されている。
【００２６】
ワイヤ２０は、ボール部２１からほぼ上方に延びる第１部分３１と、第１部分３１の上端から、＋Ｘ方向を含む方向に延びる第２部分３２と、第２部分３２から第２接合点Ｂ２に向かって延びる第３部分３３とを、有する。第１部分３１、第２部分３２及び第３部分３３は、この順に連続的に設けられている。第１部分３１と第２部分３２との境界は、上方（＋Ｚ方向）と−Ｘ方向の間の方向に凸になるように屈曲した第２屈曲部２４となっている。第２部分３２と第３部分３３との境界は、上に凸になるように屈曲した第３屈曲部２６となっている。なお、第１屈曲部２２は、第２リバース工程Ｓ５及び第３リバース工程Ｓ７において伸ばされるため、あまり目立たなくなっている。
【００２７】
第１部分３１が延びる方向と第２部分３２が延びる方向とがなす角度、すなわち、第２屈曲部２４の内角は例えば鋭角であり、第２部分３２が延びる方向と第３部分３３が延びる方向とがなす角度、すなわち、第３屈曲部２６の内角は鈍角である。そして、第１部分３１の第２接合点Ｂ２側の側面には、第１部分３１が延びる方向に対して交差した方向、例えば、Ｙ方向に延びる２本の第１屈曲痕２３及び第２屈曲痕２５が形成されている。
【００２８】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、第１リバース工程Ｓ３において、ワイヤ２０に第１屈曲部２２及び第１屈曲痕２３を形成する。その後、第２リバース工程Ｓ５において、第１屈曲部２２よりも上方に、第２屈曲部２４及び第２屈曲痕２５を形成する。この結果、第２フォワード工程Ｓ１０において、キャピラリ１００を大きく移動させたときに、２回のリバース動作で曲げ癖が付いた第１屈曲部２２及び第２屈曲部２４の２点が分散して第２フォワード工程Ｓ１０による曲げ加工の起点となり、ワイヤ２０がさらに屈曲し、内角が鋭角になる。
【００２９】
このとき、第２屈曲部２４の直下には、第１屈曲部２２が存在するため、第２フォワード工程Ｓ１０において第２屈曲部２４がより深く屈曲する際に、第１屈曲部２２が第２屈曲部２４を支持することができる。このため、第２屈曲部２４の形状安定性が良好になり、ワイヤ２０の形状が良好になる。また、第１屈曲部２２が存在することにより、第１部分３１はほぼ垂直に延びる。第１部分３１はワイヤ２０のループ形状を支持する部分であるため、ワイヤ２０の形状が安定する。このように、本実施形態によれば、ワイヤ２０の形状が安定な発光装置１を得ることができる。この結果、ループ形状を担保したまま、ワイヤ２０を細くすることができ、発光素子１３から出射した光の利用効率を向上させることができる。
【００３０】
また、第１垂直距離Ｙ１を第２垂直距離Ｙ２以上とすることにより、ボール部２１と第１屈曲部２２との距離を、第１屈曲部２２と第２屈曲部２４との距離以上とすることができる。これにより、第１屈曲部２２をボール部２１よりも第２屈曲部２４側に配置し、第２屈曲部２４の屈曲をより効果的に支持することができる。
【００３１】
更に、第１水平距離Ｘ１を第２水平距離Ｘ２以上とすることにより、第３上昇工程Ｓ６までの工程において、第１屈曲部２２を第２屈曲部２４よりも強く屈曲させることができる。この結果、第２フォワード工程Ｓ１０において、第２屈曲部２４をより確実に屈曲させることができる。
【００３２】
＜第２の実施形態＞
図６は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
図６は、第１の実施形態の図２に相当する。
【００３３】
図６に示すように、第１リバース工程Ｓ３と第２上昇工程Ｓ４との間に、第１下降工程Ｓ１２が設けられている。第１下降工程Ｓ１２において、キャピラリ１００を位置Ｐ３から、下方（−Ｚ方向）に移動させて、位置Ｐ１１に到達させる。その後、第２上昇工程Ｓ４においては、キャピラリ１００を位置Ｐ１１から位置Ｐ４まで上昇させる。本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法及び構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３４】
本実施形態によれば、第１リバース工程Ｓ３と第２上昇工程Ｓ４との間に、第１下降工程Ｓ１２を挿入することにより、第１屈曲部２２をより深く屈曲させることができる。この結果、後の工程において、第１屈曲部２２をより深く屈曲させることができる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３５】
＜第３の実施形態＞
図７は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
図７は、第１の実施形態の図２に相当する。
【００３６】
図７に示すように、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００を−Ｘ方向と下方（−Ｚ方向）との間の方向に直線的に移動させて、位置Ｐ３（図２参照）ではなく、位置Ｐ３よりも下方の位置Ｐ１１に到達させる。その後、第２上昇工程Ｓ４において、キャピラリ１００を位置Ｐ１１から位置Ｐ４まで上昇させる。本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法及び構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３７】
本実施形態によれば、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００を斜め下方に移動させることにより、第１屈曲部２２をより深く屈曲させることができる。この結果、後の工程において、第１屈曲部２２をより深く屈曲させることができる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３８】
＜第４の実施形態＞
図８は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
図８は、第１の実施形態の図２に相当する。
【００３９】
図８に示すように、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００を−Ｘ方向と上方（＋Ｚ方向）との間の方向に直線的に移動させて、位置Ｐ３（図２参照）ではなく、位置Ｐ３よりも上方の位置Ｐ１２に到達させる。その後、第２上昇工程Ｓ４においては、キャピラリ１００を位置Ｐ１２から位置Ｐ４まで上昇させる。本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法及び構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４０】
本実施形態によれば、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００を斜め上方に移動させることにより、ワイヤ２０にかかる負担を軽減することができる。発光装置の設計、ワイヤ２０の種類、ワイヤ接続の条件等によっては、ワイヤ２０の負担を軽減することが、ワイヤ２０の形状安定性に寄与する場合がある。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４１】
＜第５の実施形態＞
図９は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
図９は、第１の実施形態の図２に相当する。
【００４２】
図９に示すように、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００を最初は−Ｘ方向に移動させ、移動方向を下方に向けて徐々に変化させて、円弧を描くように曲線的に移動させる。そして、キャピラリ１００を、位置Ｐ３（図２参照）ではなく、位置Ｐ３よりも下方の位置Ｐ１１に到達させる。すなわち、第１リバース工程Ｓ３においてキャピラリ１００が移動する方向は、全体として、−Ｘ方向と−Ｚ方向の間の方向である。その後、第２上昇工程Ｓ４においては、キャピラリ１００を位置Ｐ１１から位置Ｐ４まで上昇させる。本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法及び構成は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４３】
本実施形態においても、前述の第３の実施形態と同様に、第１リバース工程Ｓ３において、第１屈曲部２２をより深く屈曲させることができる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４４】
第３〜第５の実施形態において示すように、第１リバース工程Ｓ３において、キャピラリ１００の移動方向は必ずしも−Ｘ方向（第１方向）でなくてもよく、−Ｘ方向を含む方向であればよい。「−Ｘ方向を含む方向」とは、−Ｘ方向と他の方向、例えば、＋Ｚ方向又は−Ｚ方向とを合成させた方向であり、−Ｘ方向自体も含む。この場合、第１水平距離Ｘ１は、第１リバース工程Ｓ３におけるキャピラリ１００の軌跡のうち、Ｘ方向に平行な距離をいう。
【００４５】
＜第６の実施形態＞
図１０は、本実施形態に係るワイヤ接続方法におけるキャピラリの軌跡を示す図である。
図１０は、第１の実施形態の図１に相当する。
【００４６】
図１０に示すように、第１の実施形態から、第３リバース工程Ｓ７、第１フォワード工程Ｓ８及び第４上昇工程Ｓ９を省略する。すなわち、第３上昇工程Ｓ６により、キャピラリ１００を位置Ｐ９に到達させた後、第２フォワード工程Ｓ１０を実施し、キャピラリ１００を位置Ｐ９から位置Ｐ１０まで移動させる。本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法、構成及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４７】
＜第７の実施形態＞
図１１は、本実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
【００４８】
図１１に示すように、発光装置２においては、発光素子１３が第２リード１２上に搭載されている。そして、第１接合点Ｂ１は第１リード１１の上面に位置しており、第２接合点Ｂ２は発光素子１３の上面に設けられた電極１３ａの上面に位置している。
【００４９】
本実施形態においては、第１接合工程Ｓ１において、第１リード１１の第１接合点Ｂ１にワイヤ２０を接合する。次に、前述の第１の実施形態と同様な方法により、第１上昇工程Ｓ２、第１リバース工程Ｓ３、第２上昇工程Ｓ４、第２リバース工程Ｓ５、第３上昇工程Ｓ６、第３リバース工程Ｓ７、第１フォワード工程Ｓ８、第４上昇工程Ｓ９、及び、第２フォワード工程Ｓ１０を実施する。次に、第２接合工程Ｓ１１において、ワイヤ２０を発光素子１３の電極１３ａの第２接合点Ｂ２に接合する。
【００５０】
本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法、構成及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態は、前述の第２〜第６の実施形態のいずれかと組み合わせてもよい。
【００５１】
＜第８の実施形態＞
次に、第８の実施形態について説明する。
図１２は、本実施形態に係る発光装置を示す側面図である。
【００５２】
図１２に示すように、本実施形態に係る発光装置３においては、第１リード１１上に第１発光素子１４が搭載されており、第２リード１２上に第２発光素子１５が搭載されている。第１発光素子１４の上面には電極１４ａが設けられており、第２発光素子１５の上面には電極１５ａが設けられている。そして、第１接合点Ｂ１は電極１４ａの上面に位置し、第２接合点Ｂ２は電極１５ａの上面に位置している。ワイヤ２０は、第１発光素子１４の上面に形成された電極１４ａの第１接合点Ｂ１と、第２発光素子１５の上面に形成された電極１５ａの第２接合点Ｂ２との間に接続されている。
【００５３】
本実施形態においては、第１接合工程Ｓ１において、第１発光素子１４の電極１４ａの第１接合点Ｂ１にワイヤ２０を接合する。次に、前述の第１の実施形態と同様な方法により、第１上昇工程Ｓ２から第２フォワード工程Ｓ１０までを実施する。次に、第２接合工程Ｓ１１において、ワイヤ２０を第２発光素子１５の電極１５ａの第２接合点Ｂ２に接合する。
【００５４】
本実施形態における上記以外の発光装置の製造方法、構成及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
なお、本実施形態は、前述の第２〜第６の実施形態のいずれかと組み合わせてもよい。また、ワイヤ２０の材料には、金、銀、アルミニウム等を挙げることができる。発光装置の場合は、ワイヤ２０は、発光素子からの光に対する反射率の高いものが好ましく、例えば、金、銀及びこれらの合金を用いたワイヤ２０が好ましい。
【００５５】
＜試験例＞
次に、試験例について説明する。
本試験例においては、第１の実施形態において説明した方法により、ワイヤ接続を行い、サンプルを作製した。ワイヤ２０として、金を主成分とし、直径が１８μｍのワイヤを用いた。このとき、第１水平距離Ｘ１、第２水平距離Ｘ２、第１垂直距離Ｙ１、第２垂直距離Ｙ２をそれぞれ異ならせた。１組の条件について、複数個のサンプルを作製し、ワイヤ２０の形状の安定性を目視で評価した。
【００５６】
各距離及びワイヤ形状の安定性の評価結果を、表１に示す。表１に示す距離の単位は「μｍ」である。また、「ワイヤ形状」の評価は、「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」、「Ｄ」の４水準とした。「Ａ」が最も良好であり、以下、「Ｂ」、「Ｃ」と続き、「Ｄ」が最も低い評価である。なお、本試験の評価が「Ｄ」である接続条件であっても、ワイヤの直径等を適切に選択すれば、実際の製品として問題の無い製品を製造可能である。
【００５７】
【表１】
2019062095.tif 000003
【００５８】
サンプルＮｏ．１は、Ｙ１＞Ｙ２であり、Ｘ１＞Ｘ２であり、Ｙ１＞Ｘ１＞Ｘ２＞Ｙ２であるため、今回のサンプルの中で、ワイヤ形状が最も良好であった。サンプルＮｏ．２〜Ｎｏ．７は、Ｙ１≧Ｙ２であり、Ｘ１≧Ｘ２であるため、ワイヤ形状がかなり良好であった。サンプルＮｏ．８及びＮｏ．９は、Ｙ１＞Ｙ２であるため、ワイヤ形状は良好であった。これに対して、サンプルＮｏ．１０は、第２上昇工程Ｓ４及び第２リバース工程Ｓ５を実施していない。このため、第１屈曲部２２に相当する屈曲部が形成されず、ワイヤ形状は、他のサンプルと比較して劣っていた。
【００５９】
前述の各実施形態は、本発明を具現化した例であり、本発明はこれらの実施形態には限定されない。例えば、前述の各実施形態において、いくつかの構成要素又は工程を追加、削除又は変更したものも本発明に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、例えば、照明装置及び表示装置の光源等に利用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１、２、３：発光装置
１１：第１リード
１２：第２リード
１３：発光素子
１３ａ：電極
１４：第１発光素子
１４ａ：電極
１５：第２発光素子
１５ａ：電極
２０：ワイヤ
２１：ボール部
２２：第１屈曲部
２３：第１屈曲痕
２４：第２屈曲部
２５：第２屈曲痕
２６：第３屈曲部
３１：第１部分
３２：第２部分
３３：第３部分
１００：キャピラリ
Ｂ１：第１接合点
Ｂ２：第２接合点
Ｐ１〜Ｐ１２：位置
Ｓ１：第１接合工程
Ｓ２：第１上昇工程
Ｓ３：第１リバース工程
Ｓ４：第２上昇工程
Ｓ５：第２リバース工程
Ｓ６：第３上昇工程
Ｓ７：第３リバース工程
Ｓ８：第１フォワード工程
Ｓ９：第４上昇工程
Ｓ１０：第２フォワード工程
Ｓ１１：第２接合工程
Ｓ１２：下降工程
Ｘ１：第１水平距離
Ｘ２：第２水平距離
Ｙ１：第１垂直距離
Ｙ２：第２垂直距離
Ｙ３：第３垂直距離
【図１】
2019062095.tif 000004
【図２】
2019062095.tif 000005
【図３】
2019062095.tif 000006
【図４】
2019062095.tif 000007
【図５】
2019062095.tif 000008
【図６】
2019062095.tif 000009
【図７】
2019062095.tif 000010
【図８】
2019062095.tif 000011
【図９】
2019062095.tif 000012
【図１０】
2019062095.tif 000013
【図１１】
2019062095.tif 000014
【図１２】
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