(57)【要約】【課題】放置後における検知精度の低下を抑制できるガスセンサの起動方法を提供する。【解決手段】本開示は、触媒ユニットと、センサユニットと、高分子材料と、を備えるガスセンサの起動方法である。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換するように構成される。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の第２ガス成分を検知するように構成される。高分子材料は、還元性を有し、かつ第１ガス成分及び第２ガス成分とは異なる補助ガスを、触媒ユニットよりも被測定ガスの流れ方向下流側において受熱により発生可能である。ガスセンサの起動方法は、第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて設定される高分子材料への投入熱量に基づいて、高分子材料を加熱する加熱工程を備える。【選択図】図１
2019211293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定ガスに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換するように構成された触媒ユニットと、
前記触媒ユニットを通過した前記被測定ガス中の前記第２ガス成分を検知するように構成されたセンサユニットと、
還元性を有し、かつ前記第１ガス成分及び前記第２ガス成分とは異なる補助ガスを、前記触媒ユニットよりも前記被測定ガスの流れ方向下流側において受熱により発生可能な高分子材料と、
を備えるガスセンサの起動方法であって、
前記第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、前記第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて設定される前記高分子材料への投入熱量に基づいて、前記高分子材料を加熱する加熱工程を備える、ガスセンサの起動方法。
【請求項２】
前記高分子材料は、フッ素を含有する高分子材料である、請求項１に記載のガスセンサの起動方法。
【請求項３】
前記ガスセンサは、前記高分子材料を直接又は間接的に加熱するように構成されたヒータを備え、
前記加熱工程では、前記ヒータを用いて前記高分子材料を加熱する、請求項１又は請求項２に記載のガスセンサの起動方法。
【請求項４】
前記被測定ガスは呼気であり、前記第１ガス成分はＮＯであり、前記第２ガス成分はＮＯ２である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のガスセンサの起動方法。
【請求項５】
被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサであって、
被測定ガスに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換するように構成された触媒ユニットと、
前記触媒ユニットを通過した前記被測定ガス中の前記第２ガス成分を検知するように構成されたセンサユニットと、
還元性を有し、かつ前記第１ガス成分及び前記第２ガス成分とは異なる補助ガスを、前記触媒ユニットよりも前記被測定ガスの流れ方向下流側において受熱により発生可能な高分子材料と、
前記高分子材料を直接又は間接的に加熱するように構成されたヒータと、
前記第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、前記第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて前記高分子材料への投入熱量を設定し、前記投入熱量に基づいて前記ヒータを駆動させることで前記高分子材料を加熱するように構成された制御部と、
を備える、ガスセンサ。
【請求項６】
前記制御部は、前記放置時間を取得する機能を有する、請求項５に記載のガスセンサ。
【請求項７】
前記ヒータを駆動させて前記高分子材料を加熱している状態、及び前記第２ガス成分の検知が可能な状態のうち、少なくとも一方の状態を出力可能な出力部をさらに備える、請求項５又は請求項６に記載のガスセンサ。
【請求項８】
前記被測定ガスは呼気であり、前記第１ガス成分はＮＯであり、前記第２ガス成分はＮＯ２である、請求項５から請求項７のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ガスセンサの起動方法及びガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定ガス中の特定成分の濃度を測定するガスセンサとして、触媒を用いてガス中の成分を化学変化させた後に、センサ素子によってガス成分濃度を測定するものが公知である（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１のガスセンサでは、触媒によって測定対象のガス成分を化学変化によってセンサ素子が検知可能な成分に変換すると共に、被測定対象に含まれる雑ガス成分を燃焼等の化学変化によって除去する。
【０００４】
特許文献１のガスセンサでは、金属酸化物半導体からなるセンサ素子が適用されているが、ガスセンサの種別には固体電解質体に電極を設けたセンサ素子、いわゆる固体電解質型のセンサ素子が適用されるものもある。この固体電解質型のセンサ素子は、還元性ガス共存下において、特に数ｐｐｂから数百ｐｐｂレベルの極低濃度のＮＯｘを含むガス成分の測定を可能とする感度が得られる。
【０００５】
しかし、固体電解質型のセンサ素子では、還元性ガスが減少することで、感度が低下することがある。そこで、例えば、触媒からセンサ素子に被測定対象であるガスを供給するための流通部材の一部を、受熱により還元性を有する補助ガスを発生することが可能な高分子材料を用いて構成することで、センサ素子に還元性ガスを供給することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３００７０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記高分子材料は、加熱されないコールド状態で放置されると、内部から表面への補助ガスの拡散が生じる。そのため、ガスセンサの起動前の放置時間に応じて、ガスセンサの起動後における補助ガスの吐出量が変動することがある。このように、ガスセンサの起動後に補助ガスの吐出量が変動すると、センサ素子の感度が変動し、被測定ガスの検知精度が低下することがある。
【０００８】
本開示の一局面は、放置後における検知精度の低下を抑制できるガスセンサの起動方法及びガスセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討した結果、ガスセンサの停止（つまり駆動停止）によりコールド状態で高分子材料が放置されていたとしても、その高分子材料を加熱することで、高分子材料内の内部状態を使用時の状態に復元できることを見出した。
【００１０】
この知見に基づいた本開示の一態様は、触媒ユニットと、センサユニットと、高分子材料と、を備えるガスセンサの起動方法である。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換するように構成される。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の第２ガス成分を検知するように構成される。
【００１１】
また、高分子材料は、還元性を有し、かつ第１ガス成分及び第２ガス成分とは異なる補助ガスを、触媒ユニットよりも被測定ガスの流れ方向下流側において受熱により発生可能である。ガスセンサの起動方法は、第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて設定される高分子材料への投入熱量に基づいて、高分子材料を加熱する加熱工程を備える。
【００１２】
このような構成によれば、高分子材料を放置期間に応じて設定される投入熱量に基づいて加熱することによって、ガスセンサの検知開始前（つまり起動時）に、高分子材料における補助ガスの吐出量をガスセンサの使用時の状態に戻すことができる。その結果、適切な補助ガスの供給下で検知を開始できるので、放置後の起動時における第２ガス成分の検知精度の低下を抑制できる。
【００１３】
本開示の一態様では、高分子材料は、フッ素を含有する高分子材料であってもよい。このような構成によれば、容易かつ確実に補助ガスを発生させてセンサ素子に供給することができる。
【００１４】
本開示の一態様では、ガスセンサは、高分子材料を直接又は間接的に加熱するように構成されたヒータを備えてもよい。加熱工程では、ヒータを用いて高分子材料を加熱してもよい。このような構成によれば、ガスセンサが有するヒータによって、起動時の高分子材料における補助ガスの吐出量調整を行うことができる。
【００１５】
本開示の一態様では、被測定ガスは呼気であり、第１ガス成分はＮＯであり、第２ガス成分はＮＯ２であってもよい。このような構成によれば、呼気に含まれる低濃度の窒素酸化物（ＮＯｘ）を高精度で診断することができる。
【００１６】
本開示の別の態様は、被測定ガスに含まれる成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサは、触媒ユニットと、センサユニットと、高分子材料と、ヒータと、制御部と、を備える。触媒ユニットは、被測定ガスに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換するように構成される。センサユニットは、触媒ユニットを通過した被測定ガス中の第２ガス成分を検知するように構成される。
【００１７】
また、高分子材料は、還元性を有し、かつ第１ガス成分及び第２ガス成分とは異なる補助ガスを、触媒ユニットよりも被測定ガスの流れ方向下流側において受熱により発生可能である。ヒータは、高分子材料を直接又は間接的に加熱するように構成される。制御部は、第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて高分子材料への投入熱量を設定し、投入熱量に基づいてヒータを駆動させることで高分子材料を加熱するように構成される。
【００１８】
このような構成によれば、放置期間に応じて設定された高分子材料への投入熱量に基づいて、高分子材料を加熱することによって、ガスセンサの検知開始前に、高分子材料における補助ガスの吐出量をガスセンサの使用時の状態に戻すことができる。その結果、適切な補助ガスの供給下で検知を開始できるので、第２ガス成分の検知精度の低下を抑制できる。
【００１９】
本開示の一態様では、制御部は、放置時間を取得する機能を有してもよい。このような構成によれば、高分子材料への投入熱量を放置時間に基づいて自動的に算出することができる。
【００２０】
本開示の一態様は、ヒータを駆動させて高分子材料を加熱している状態、及び第２ガス成分の検知が可能な状態のうち、少なくとも一方の状態を出力可能な出力部をさらに備えてもよい。このような構成によれば、ガスセンサがガス検知可能な状態か否かを使用者が容易に確認することができる。
【００２１】
本開示の一態様では、被測定ガスは呼気であり、第１ガス成分はＮＯであり、第２ガス成分はＮＯ２であってもよい。このような構成によれば、呼気に含まれる低濃度の窒素酸化物を高精度で診断することができるガスセンサが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態のガスセンサを示す模式的な構成図である。
【図２】図１とは異なる実施形態のガスセンサを示す模式的な構成図である。
【図３】図１及び図２とは異なる実施形態のガスセンサを示す模式的な構成図である。
【図４】実施形態のガスセンサの起動方法のフローチャートである。
【図５】図１、図２及び図３とは異なる実施形態のガスセンサを示す模式的な構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１に示すガスセンサ１は、被測定ガスＧに含まれる特定のガス成分の濃度を測定するためのガスセンサである。ガスセンサ１の測定対象のガス成分としては、窒素酸化物（ＮＯｘ）、二酸化炭素等が挙げられる。
【００２４】
ガスセンサ１は、環境管理、プロセス管理、医療等の分野に使用できる。ガスセンサ１は、特に呼気に含まれる数ｐｐｂから数百ｐｐｂレベルの低濃度のＮＯｘを含むガスの測定、具体的には喘息診断に好適に使用できる。本実施形態では、ガスセンサ１は、被測定ガスＧを呼気とし、呼気中のＮＯｘ成分の濃度を測定する。
【００２５】
ガスセンサ１は、図１に示すように、触媒ユニット２と、センサユニット３と、高分子材料で構成された流通管４と、２つのヒータ５Ａ，５Ｂと、導入路８Ａと、排出路８Ｂと、ハウジング９とを備える。
【００２６】
＜触媒ユニット＞
触媒ユニット２は、被測定ガスＧが含む第１ガス成分を化学変化させるための触媒（図示省略）と、触媒を格納する第１ケーシング２Ａとを有する。
【００２７】
上記触媒による化学変化には、ある成分を他の成分に変換することや、ある成分を燃焼させることが含まれる。具体的には、上記触媒は、被測定ガスＧに含まれる第１ガス成分を第２ガス成分に変換する。また、上記触媒は、ガスセンサ１が濃度の測定を意図しない雑ガス成分を燃焼する。例えば、喘息診断の場合では、上記触媒は、測定対象であるＮＯをＮＯ２に変換すると共に、ＣＯを燃焼させる。つまり、本実施形態では、第１ガス成分はＮＯであり、第２ガス成分はＮＯ２である。
【００２８】
第１ケーシング２Ａは、ハウジング９に設けられた閉空間である第１空間９Ａ内に配置されている。第１ケーシング２Ａには、第１ケーシング２Ａの内部空間と第１ケーシング２Ａの外部とをそれぞれ連通する導入部２Ｂ及び排出部２Ｃが設けられている。
【００２９】
導入部２Ｂには、導入路８Ａが接続されている。排出部２Ｃには、後述する流通管４が接続されている。導入部２Ｂから第１ケーシング２Ａ内に導入された被測定ガスＧは、触媒に接触しながら第１ケーシング２Ａ内を流れ、その後、排出部２Ｃから流通管４内に排出される。
【００３０】
第１ケーシング２Ａの材質は特に限定されないが、第１ケーシング２Ａは例えばセラミックを主成分とする。ここで、「主成分」とは、８０質量％以上含有される成分を意味する。
【００３１】
触媒ユニット２の触媒は、例えば第１ケーシング２Ａの内面や、第１ケーシング２Ａ内に配置された担持体に担持されている。触媒ユニット２は、担持体によって形成されたガス流路を有してもよい。触媒としては、例えば白金、パラジウム、ロジウム、金等の貴金属、又は、例えば酸化マンガン、酸化コバルト、酸化錫等の金属酸化物が使用される。
【００３２】
また、第１ケーシング２Ａ内には触媒ユニット２を加熱するための第１ヒータ５Ａが配置されている。第１ヒータ５Ａは、例えば白金等の金属配線（つまり抵抗）によって構成される。第１ヒータ５Ａは、外部から電力が供給されることで発熱する。
【００３３】
＜センサユニット＞
センサユニット３は、触媒ユニット２を通過した被測定ガスＧ中の第２ガス成分を検知するための固体電解質型のセンサ素子３Ａと、センサ素子３Ａを格納する第２ケーシング３Ｂとを有する。
【００３４】
センサ素子３Ａは、第２ガス成分と内部の酸素イオンとによる電極反応が生じる混成電位式の素子である。混成電位式のセンサ素子３Ａは、公知であるため詳述はしないが、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）と２つの電極とを備え、これら２つの電極間の電位差をセンサ信号として出力する構成を有する。
【００３５】
第２ケーシング３Ｂは、ハウジング９に設けられた閉空間である第２空間９Ｂ内に配置されている。第２ケーシング３Ｂには、第２ケーシング３Ｂの内部空間と第２ケーシング３Ｂの外部とをそれぞれ連通する導入部３Ｃ及び排出部３Ｄが設けられている。
【００３６】
導入部３Ｃには、後述する流通管４が接続されている。排出部３Ｄには、排出路８Ｂが接続されている。流通管４から第２ケーシング３Ｂ内に導入された被測定ガスＧは、センサ素子３Ａに接触しながら第２ケーシング３Ｂ内を流れ、その後、排出部３Ｄから排出路８Ｂを介して系外に排出される。
【００３７】
第２ケーシング３Ｂの材質は特に限定されないが、第２ケーシング３Ｂは、例えば、ステンレスを材料とするか、又は耐熱性を有する樹脂を主成分とする。
また、第２ケーシング３Ｂ内にはセンサ素子３Ａを加熱するための第２ヒータ５Ｂが配置されている。第２ヒータ５Ｂは、例えば白金等の金属配線（つまり抵抗）によって構成される。第２ヒータ５Ｂは、センサ素子３Ａと共に、第２ケーシング３Ｂ内に配置された基板に電気的に接続されている。
【００３８】
＜流通管＞
流通管４は、触媒ユニット２とセンサユニット３との間における被測定ガスＧの流路を構成する。流通管４は、触媒ユニット２とセンサユニット３とを接続する部材（つまりチューブ）である。
【００３９】
流通管４の第１端部４Ａは、第１ケーシング２Ａの排出部２Ｃに接続されている。流通管４の第２端部４Ｂは、第２ケーシング３Ｂの導入部３Ｃに接続されている。また、流通管４は、ハウジング９に設けられた閉空間である第３空間９Ｃ内に配置されているが、第２端部４Ｂの一部は、第２空間９Ｂに存在する。
【００４０】
本実施形態では、還元性を有し、かつ第１ガス成分及び第２ガス成分とは異なる補助ガスを受熱により発生可能な高分子材料（以下、「特定高分子材料」ともいう。）によって、流通管４が構成されている。つまり、流通管４を構成するチューブは、全体が特定高分子材料で形成されている。
【００４１】
触媒ユニット２で第１ヒータ５Ａによって加熱された被測定ガスＧが流通管４内を通過することで、流通管４が加熱され、触媒ユニット２よりも被測定ガスＧの流れ方向下流側において特定高分子材料から補助ガスが発生する。つまり、第１ヒータ５Ａによって、流通管４が間接的に加熱される。この特定高分子材料から発生した補助ガスは、被測定ガスＧと共に、センサユニット３に供給される。
【００４２】
なお、流通管４は、特定高分子材料以外の材料を含んでいてもよい。また、流通管４は、少なくとも内周面（つまり、被測定ガスＧと接する部分）の一部が特定高分子材料で形成されていればよく、特定高分子材料を含まない材料で形成された部分を有してもよい。
【００４３】
特定高分子材料としては、受熱により還元性ガスを発生できるものであれば限定されないが、フッ素ゴム、フルオロエラストマー等のフッ素を含有する高分子材料が好適に使用できる。
【００４４】
また、図２に示すガスセンサ１Ａのように、流通管４の外周面を筒状の断熱部材６で被覆してもよい。断熱部材６は、ガラス繊維等の断熱性の材料で構成されている。図２のガスセンサ１Ａでは、断熱部材６により流通管４とガスセンサ１Ａの外部雰囲気（つまり大気）との接触が抑制される。そのため、流通管４の温度低下の抑制を目的として、流通管４を閉空間に配置する必要が無い。つまり、第３空間９Ｃが外部に開放されていても、補助ガスの発生を維持することができる。
【００４５】
さらに、図３に示すガスセンサ１Ｂのように、流通管４を直接加熱するための第３ヒータ５Ｃを設けてもよい。第３ヒータ５Ｃは、第１ヒータ５Ａ及び第２ヒータ５Ｂと同様の発熱抵抗体である。第３ヒータ５Ｃは、流通管４の外周面の少なくとも一部を被覆するように配置されている。図３のガスセンサ１Ｂでは、第３ヒータ５Ｃによって直接流通管４が加熱されるため、第３空間９Ｃが外部に開放されていても、補助ガスの発生を維持することができる。
【００４６】
＜制御部＞
制御部１０は、マイクロプロセッサ及びＲＡＭ、ＲＯＭ等の記憶媒体を内蔵している。制御部１０は、予め記憶されたプログラムを実行することで、各ヒータの制御を行う。
【００４７】
また、制御部１０は、第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、第２ガス成分の検知を開始する前に、ガスセンサ１の放置時間（つまり、ガスセンサ１の停止時間であり、各ヒータをオフにしてからの経過時間）に応じて特定高分子材料への投入熱量を設定すると共に、設定した投入熱量に基づいてヒータ５Ａ又はヒータ５Ｃを駆動させることで特定高分子材料を加熱する制御を行う。
【００４８】
さらに、制御部１０は、ガスセンサ１の放置時間を取得する機能を有している。放置時間の取得方法として、制御部１０自身がカウンタ又はクロックを有してもよいし、外部の機器が計測した経過時間を制御部１０が受信してもよい。
【００４９】
具体的には、スイッチ操作等によりガスセンサ１が加熱を伴わないコールド状態から起動されると、制御部１０は、まずガスセンサ１が停止した（つまり加熱が停止した）状態からの放置時間を取得する。なお、制御部１０自身がセンサ等の出力からガスセンサ１がコールド状態から起動したことを判定してもよいし、ガスセンサ１がコールド状態から起動したことを通知する信号を外部から制御部１０が受信してもよい。
【００５０】
次に、制御部１０は、放置時間に応じた流通管４（つまり特定高分子材料）への投入熱量を設定する。この投入熱量は、単位時間当たりに流通管４に与えられる受熱量（つまり、ヒータへの通電量）と加熱時間との積である。
【００５１】
制御部１０は、特定高分子材料への投入熱量の設定方法として、（１）受熱量を一定として加熱時間を変更する、（２）加熱時間を一定として受熱量を変更する、及び（３）受熱量と加熱時間との双方を変更する、のいずれかが採用できる。どの設定方法を採用するかは、ガスセンサ１の構成（例えば、ヒータの通電量制御の可否など）によって適宜決められる。
【００５２】
投入熱量の決定は、例えば、放置時間と、投入熱量（つまり、受熱量及び加熱時間の組み合わせ）との関係を示したテーブル（つまりマトリクス図）を用いて行ってもよいし、関数やアルゴリズム等の計算式を使用して放置時間から投入熱量を算出してもよい。
【００５３】
投入熱量が決定されると、制御部１０は、投入熱量に基づく受熱量となるようにヒータを駆動させ、投入熱量に基づく加熱時間の間、流通管４を加熱する。この加熱は、第１ヒータ５Ａを駆動させ、第１ヒータ５Ａによって加熱されたガスを流通管４内に流通させることで行うことができる。また、図３に示すガスセンサ１Ｂでは、第３ヒータ５Ｃを用いて流通管４を加熱することができる。
【００５４】
さらに、ガスセンサ１の外部に配置された熱源を用いて、流通管４を加熱してもよいし、ガスセンサ１の外部で加熱された高温ガスを流通管４に流通させて間接的に流通管４を加熱してもよい。
【００５５】
表１は、一定時間放置した後のフッ素ゴムの表面からのアウトガス量と、放置後のフッ素ゴムをガスセンサ１の使用時の温度で一定時間加熱した後のフッ素ゴムの表面からのアウトガス量とを計測した結果である。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１に示されるように、加熱によって、特定高分子材料の表面状態が第２成分の検知時とほぼ同様の状態に戻り、補助ガスの吐出量（つまりアウトガス量）が低減し、検知に適切な値（例えば放置前に対しアウトガス量の増加が３０％以内）となる。なお、表１におけるアウトガス量は、放置前のアウトガス量を１とした比で表されている。
【００５８】
第２ガス成分の検知前における流通管４の加熱温度は、上述のように第１ヒータ５Ａによる加熱温度、つまり第２ガス成分の検知時と同じ温度とすることができる。この場合、放置時間に対応する加熱時間は、例えば、以下のようにできる。なお、放置時間が３６時間以下の場合は投入熱量はゼロ、つまり加熱時間は不要とできる。この場合、加熱なしですぐにガスの検知が開始される。
【００５９】
（放置時間）３６時間超３日以下  （加熱時間）１時間
（放置時間）３日超２週間以下    （加熱時間）２時間
（放置時間）２週間超２ヵ月以下  （加熱時間）１０時間
（放置時間）２ヵ月超            （加熱時間）４８時間
【００６０】
ただし、流通管４の加熱温度は、投入熱量が達成できれば、必ずしも第２ガス成分の検知時と同じ温度でなくてもよい。したがって、第２ガス成分の検知時よりも低い温度又は高い温度特定高分子材料を加熱してもよいが、加熱制御の容易性、加熱時間の短縮、過熱による特定高分子材料の劣化抑制等の観点から、第２ガス成分の検知時と同じ温度で加熱することが好ましい。なお、流通管４の加熱温度は一定でなくてもよい。
【００６１】
＜出力部＞
出力部１１は、制御部１０からの信号の入力により、ヒータを駆動させて特定高分子材料を加熱している第１状態（つまり、ガスセンサ１の起動後から、上記加熱時間を経過していない状態）、及び第２ガス成分の検知が可能な第２状態（つまり、ガスセンサ１の起動後から、上記加熱時間を経過した状態）のうち、少なくとも一方の状態を出力することができる。
【００６２】
出力部１１は、ディスプレイ、ランプ等の表示装置、又はブザー等の通知装置によって構成される。例えば、出力部１１は、第１状態の場合にその旨を表示し、第２状態の場合にその旨を表示するディスプレイであってもよい。ここで、第１状態の表示は、エラー表示を代用してもよい。また、出力部１１は、第１状態の場合に消灯し、第２状態の場合に点灯するランプや、第１状態と第２状態とで点灯状態（色や点滅等）が変化するランプであってもよい。さらに、出力部１１は、例えば第１状態から第２状態に切り替わった際に音を出すブザーであってもよい。
【００６３】
［１−３．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）特定高分子材料で構成された流通管４を放置期間に応じて設定される特定高分子材料への投入熱量に基づいて加熱することによって、ガスセンサ１の検知開始前（つまり起動時）に、特定高分子材料における補助ガスの吐出量をガスセンサ１の使用時の状態に戻すことができる。その結果、適切な補助ガスの供給下で検知を開始できるので、放置後の起動時における第２ガス成分の検知精度の低下を抑制できる。
【００６４】
（１ｂ）制御部１０が放置時間を取得する機能を有するので、特定高分子材料への投入熱量を放置時間に基づいて自動的に算出又は選択することができる。
（１ｃ）出力部１１によって、ガスセンサ１がガス検知可能な状態か否かを使用者が容易に確認することができる。
【００６５】
［２．第２実施形態］
［２−１．構成］
図４に示すガスセンサの起動方法は、放置された状態のガスセンサを起動させる方法である。本実施形態のガスセンサの起動方法は、投入熱量設定工程Ｓ１０と、加熱工程Ｓ２０とを備える。
【００６６】
本実施形態のガスセンサの起動方法は、図１、図２又は図３のガスセンサ１，１Ａ，１Ｂを使用する。ただし、本開示のガスセンサの起動方法において必ずしもガスセンサ１，１Ａ，１Ｂが用いられる必要はなく、各工程は手動で行われてもよい。
【００６７】
＜投入熱量設定工程＞
本工程では、上述のように、ガスセンサの放置時間に応じて特定高分子材料への投入熱量を設定する。なお、手動で次の加熱工程Ｓ２０を行う場合は、本工程は省略が可能である。
【００６８】
特定高分子材料への投入熱量の設定方法としては、上述のように、（１）受熱量を一定として加熱時間を変更する、（２）加熱時間を一定として受熱量を変更する、及び（３）受熱量と加熱時間との双方を変更する、のいずれかが採用できる。
【００６９】
＜加熱工程＞
本工程では、第２ガス成分の検知を行わない放置期間後、第２ガス成分の検知を開始する前に、放置時間に応じて設定される特定高分子材料への投入熱量に基づいて、特定高分子材料を加熱する。特定高分子材料を加熱する手段は、ガスセンサに内蔵されたヒータであってもよいし、外部のヒータであってもよい。
【００７０】
［２−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（２ａ）特定高分子材料で構成された流通管４を、放置期間に応じて設定される投入熱量に基づいて加熱することによって、ガスセンサの検知開始前に、特定高分子材料における補助ガスの吐出量をガスセンサの使用時の状態に戻すことができる。その結果、適切な補助ガスの供給下で検知を開始できるので、放置後の起動時における第２ガス成分の検知精度の低下を抑制できる。
【００７１】
［３．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００７２】
（３ａ）上記実施形態のガスセンサ１は、必ずしも流通管４の構成材料として特定高分子材料を備えなくてもよい。例えば、図５に示すガスセンサ１Ｃのように、補助ガス供給ユニット７の一部として、特定高分子材料が配置されてもよい。
【００７３】
図５のガスセンサ１Ｃでは、触媒ユニット２とセンサユニット３とは、隣接して配置されている。具体的には、第１ケーシング２Ａの排出口が設けられた壁と、第２ケーシング３Ｂの導入口が設けられた壁（つまりセンサ素子３Ａが配置された壁）とが、接着剤等によって接合されている。
【００７４】
触媒ユニット２とセンサユニット３とは、それぞれのケーシングに設けられた貫通孔で構成された流通路１４で連通されている。また、センサユニット３の第２ケーシング３Ｂには、補助ガス供給ユニット７が取り付けられている。つまり、補助ガス供給ユニット７は、流通路１４とは別に設けられている。
【００７５】
補助ガス供給ユニット７は、第２ケーシング３Ｂ内に補助ガスを供給する。補助ガス供給ユニット７は、特定高分子材料と、特定高分子材料を格納するタンク７Ａと、特定高分子材料が含浸した多孔質体７Ｂと、補助ガスをタンク７Ａ内から第２ケーシング３Ｂ内に供給するガス供給路７Ｃとを有する。
【００７６】
本実施形態では、特定高分子材料は、ガスセンサ１の非使用時、つまり非加熱状態において液体であり、ヒータからの伝熱によって気化し、還元性ガスとなる。この化合物としては、例えば、γーブチロラクトン、アセトフェノン等が好適である。
【００７７】
タンク７Ａは、第２ケーシング３Ｂに螺合されている。タンク７Ａは、例えばアルミニウム、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属で形成される。多孔質体７Ｂは、タンク７Ａの内部に配置されている。多孔質体７Ｂは、例えばセラミックを主成分とする。
【００７８】
また、特定高分子材料は固体であってもよい。さらに、特定高分子材料は第２ケーシング３Ｂ内に配置されてもよい。
【００７９】
（３ｂ）上記実施形態のガスセンサ１は、触媒ユニット２とセンサユニット３とを同時に加熱する単一のヒータを備えてもよい。例えば、図５のガスセンサ１Ｃは、センサ素子３Ａ内に配置された単一のヒータ５Ｄを備える。ヒータ５Ｄをセンサ素子３Ａ内に配置することで、触媒ユニット２よりも高温で温度制御を行う必要のあるセンサ素子３Ａの温度制御が可能となる。
【００８０】
（３ｃ）上記実施形態のガスセンサ１において、制御部１０は、必ずしも放置時間を取得する機能を有さなくてもよい。つまり、放置時間の取得は、使用者が手動で行ってもよい。
【００８１】
（３ｄ）上記実施形態のガスセンサ１は、必ずしも出力部１１を備えなくてもよい。つまり、出力部１１以外の手段で、特定高分子材料の加熱が終了したことを使用者が判断してもよい。
【００８２】
（３ｅ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００８３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…ガスセンサ、２…触媒ユニット、２Ａ…第１ケーシング、
２Ｂ…導入部、２Ｃ…排出部、３…センサユニット、３Ａ…センサ素子、
３Ｂ…第２ケーシング、３Ｃ…導入部、３Ｄ…排出部、４…流通管、４Ａ…第１端部、
４Ｂ…第２端部、５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ…ヒータ、６…断熱部材、
７…補助ガス供給ユニット、７Ａ…タンク、７Ｂ…多孔質体、７Ｃ…ガス供給路、
８Ａ…導入路、８Ｂ…排出路、９…ハウジング、９Ａ…第１空間、９Ｂ…第２空間、
９Ｃ…第３空間、１０…制御部、１１…出力部、１４…流通路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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