(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制する。【解決手段】液晶表示装置１０は、画素電極２４と、画素電極２４に供給される信号を伝送し、画素電極２４を挟み込むよう配される一対のソース配線２７と、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、位置入力体である指による入力位置を検出するタッチ電極３０と、タッチ電極３０に接続されるタッチ配線３１であって、画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる一対の第１配線構成部３９と、一対の第１配線構成部３９に連なる第２配線構成部４０と、を少なくとも有するタッチ配線３１と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
前記画素電極に供給される信号を伝送し、前記画素電極を挟み込むよう配される一対の信号配線と、
位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、
前記位置検出電極に接続される位置検出配線であって、前記画素電極と前記一対の信号配線との間に挟み込まれる一対の第１配線構成部と、前記一対の第１配線構成部に連なる第２配線構成部と、を少なくとも有する位置検出配線と、を備える位置入力機能付き表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、前記信号配線及び前記位置検出配線との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、前記一対の第１配線構成部は、前記第２方向について列をなして複数組が並んで配されており、
前記位置検出配線は、前記一対の第１配線構成部及び前記第２配線構成部と共に金属膜からなり、前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部同士を繋ぐ第３配線構成部を有する請求項１記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項３】
前記画素電極は、前記信号配線及び前記位置検出配線との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、前記一対の第１配線構成部は、前記第２方向について列をなして複数組が並んで配されており、
前記画素電極に対して前記第２方向について隣り合うよう配され、一端側が前記信号配線に、他端側が前記画素電極に、それぞれ接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を横切るよう配されて前記スイッチング素子との間に前記絶縁膜が介在するスイッチング素子ブリッジ配線であって、その一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部にそれぞれ接続されるスイッチング素子ブリッジ配線と、を備える請求項１または請求項２記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項４】
前記画素電極及び前記位置検出配線は、互いに同層に配され、前記位置検出配線は、前記一対の第１配線構成部における一端側が前記第２配線構成部に接続されており、
前記画素電極を横切る形で配されて前記画素電極との間に前記絶縁膜が介在していてその一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記一対の第１配線構成部における他端側にそれぞれ接続される画素電極ブリッジ配線を備える請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子ブリッジ配線または前記画素電極ブリッジ配線は、前記位置検出電極と同層に配されており、
前記絶縁膜には、前記位置検出配線と前記位置検出電極とを接続する位置検出コンタクトホールが開口形成される請求項３または請求項４記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項６】
前記画素電極は、前記信号配線及び前記位置検出配線との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、前記一対の信号配線は、前記第２方向に沿って並ぶ複数の前記画素電極を挟み込むよう前記第２方向に沿って延在しており、
複数の前記画素電極に対して前記第２方向について隣り合うよう配され、一端側が前記信号配線に、他端側が前記画素電極に、それぞれ接続される複数のスイッチング素子を備えており、
前記複数のスイッチング素子には、前記画素電極に対して前記第１方向について一端側に偏在していて前記第２方向について隣り合う前記画素電極のうちの一方と前記一対の信号配線のうちの一方とに接続される一方のスイッチング素子と、前記画素電極に対して前記第１方向について他端側に偏在していて前記第２方向について隣り合う前記画素電極のうちの他方と前記一対の信号配線のうちの他方とに接続される他方のスイッチング素子と、が含まれる請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子を横切るよう配されて前記スイッチング素子との間に前記絶縁膜が介在するスイッチング素子ブリッジ配線であって、その一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部にそれぞれ接続される複数のスイッチング素子ブリッジ配線を備えており、
前記位置検出配線は、前記第２方向について列をなして複数組が並んで配される前記一対の第１配線構成部、及び前記第２配線構成部と共に金属膜からなり、前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部同士を繋ぐとともに前記一方のスイッチング素子及び前記他方のスイッチング素子とは非重畳となるよう配される複数の第３配線構成部を有しており、
前記複数のスイッチング素子ブリッジ配線には、前記一方のスイッチング素子に対して重畳する一方のスイッチング素子ブリッジ配線と、前記他方のスイッチング素子に対して重畳する他方のスイッチング素子ブリッジ配線と、が含まれるのに対し、前記複数の第３配線構成部には、前記一対の第１配線構成部のうちの一方同士を接続する一方の第３配線構成部と、前記一対の第１配線構成部のうちの他方同士を接続する他方の第３配線構成部と、が含まれる請求項６記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子を横切るよう配されて前記スイッチング素子との間に前記絶縁膜が介在するスイッチング素子ブリッジ配線であって、その一部ずつが前記絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部にそれぞれ接続されるスイッチング素子ブリッジ配線を備えており、
前記位置検出配線は、前記第２方向について列をなして複数組が並んで配される前記一対の第１配線構成部、及び前記第２配線構成部と共に金属膜からなり、前記スイッチング素子とは非重畳となるよう配されて前記第２方向について隣り合う前記第１配線構成部同士を繋ぐとともに前記一方のスイッチング素子及び前記他方のスイッチング素子とは非重畳となるよう配される第３配線構成部を有しており、
前記スイッチング素子ブリッジ配線は、前記他方のスイッチング素子とは非重畳とされて前記一方のスイッチング素子に対して重畳するよう選択的に配されるのに対し、前記第３配線構成部は、前記一対の第１配線構成部のうちの一方同士を接続するよう選択的に配される請求項６記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項９】
前記信号配線及び前記位置検出配線は、互いに同層に配される請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【請求項１０】
前記信号配線及び前記位置検出配線は、前記画素電極と同層に配される請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の位置入力機能付き表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置入力機能付き表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、タッチパネル機能をインセル化した液晶表示装置の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置は、自己容量方式の複数のタッチ電極と、複数のタッチ電極に第１ビアホールを通して接続された複数のタッチ配線と、を備えており、タッチ電極のうち、接続非対象とされるタッチ配線及び第１ビアホールとの重畳部位に第２ビアホールが形成された構成となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０２１６８０２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載された液晶表示装置では、第２ビアホールによってタッチ電極が接続対象ではないタッチ配線にリークする不具合の発生が抑制されている。その一方、上記した特許文献１に記載された液晶表示装置では、画素電極と、画素電極に画像信号を供給するソース配線と、が備えられており、一対のソース配線は、画素電極を挟み込む配置とされるのに対し、タッチ配線は、一対のソース配線のうちの一方のソース配線と画素電極との間に挟み込まれる配置とされている。このような構成では、画素電極と一方のソース配線との間に生じる寄生容量は、間にタッチ配線が介在する分だけ、画素電極と他方のソース配線との間に生じる寄生容量とは異なるものとなっている。このため、例えばカラム反転駆動に際して一対のソース配線に対して逆極性の画像信号を供給した場合、上記した各寄生容量とソース配線の電位の変動とに基づく画素電極の電位の変動が相殺されず、それに起因してシャドーイング等の表示不良が生じるおそれがあった。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示品位の低下を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の位置入力機能付き表示装置は、画素電極と、前記画素電極に供給される信号を伝送し、前記画素電極を挟み込むよう配される一対の信号配線と、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、前記位置入力体による入力位置を検出する位置検出電極と、前記位置検出電極に接続される位置検出配線であって、前記画素電極と前記一対の信号配線との間に挟み込まれる一対の第１配線構成部と、前記一対の第１配線構成部に連なる第２配線構成部と、を少なくとも有する位置検出配線と、を備える。
【０００７】
このようにすれば、画素電極には、一対の信号配線のいずれかによって供給される信号に基づいた電位が充電され、それにより表示がなされる。位置検出電極は、位置入力を行う位置入力体との間で静電容量を形成し、位置検出配線によって供給される信号を利用して位置入力体による入力位置を検出する。位置検出配線は、一対の第１配線構成部が第２配線構成部に連ねられた構成とされることで、位置検出電極に信号を供給している。ところで、画素電極は、一対の信号配線により挟み込まれているため、一対の信号配線との間にそれぞれ寄生容量が生じ得る。これらの寄生容量と信号配線の電位の変動とに基づく画素電極の電位の変動は、例えば、一対の信号配線に逆極性の信号を供給することで、相殺することが可能とされる。そして、位置検出配線は、一対の第１配線構成部に第２配線構成部が連なる構成とされ、このうちの一対の第１配線構成部が画素電極と一対の信号配線との間に挟み込まれる配置とされている（すなわち、一対の第１配線構成部のうちの一方の第１配線構成部が、画素電極と、一対の信号配線のうちの一方の信号配線とに挟み込まれ、一対の第１配線構成部のうちの他方の第１配線構成部が、画素電極と、一対の信号配線のうちの他方の信号配線とに挟み込まれる配置とされている）ので、画素電極と一方の信号配線との間に生じる寄生容量と、画素電極と他方の信号配線との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。特に、画素電極に対する、一方の第１配線構成部と一方の信号配線の位置関係（互いの距離や線幅）と、他方の第１配線構成部と他方の信号配線の位置関係とが、略同じである場合は、寄生容量の均等化を図る上でより好適である。これにより、一対の信号配線に逆極性の信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方の信号配線の電位の変動に伴う画素電極の電位の変動と、他方の信号配線の電位の変動に伴う画素電極の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、画素電極の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、表示品位の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示装置に備わる液晶パネルのタッチ電極、タッチ配線及びソース配線などの平面配置を示す平面図
【図２】液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図３】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２金属膜のパターンを示す平面図
【図４】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図５】図２のＡ−Ａ線断面図
【図６】図２のＢ−Ｂ線断面図
【図７】本発明の実施形態２に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図８】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図９】図７のＡ−Ａ線断面図
【図１０】図７のＣ−Ｃ線断面図
【図１１】本発明の実施形態３に係る液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線断面図
【図１３】本発明の実施形態４に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図１４】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【図１５】図１３のＤ−Ｄ線断面図
【図１６】本発明の実施形態５に係る液晶パネルを構成するアレイ基板及びＣＦ基板の画素配列を示す平面図
【図１７】液晶パネルを構成するアレイ基板に備わる第２透明電極膜のパターンを示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図６によって説明する。本実施形態では、タッチパネル機能（位置入力機能）を備えた液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、図５及び図６などの上側を表側とし、同図下側を裏側とする。
【００１１】
液晶表示装置１０は、図１に示すように、横長の方形状をなしていて画像を表示可能な液晶パネル（表示パネル）１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置（照明装置）と、を少なくとも備える。本実施形態では、液晶パネル１１の画面サイズが例えば３２インチ程度（具体的には３２．２インチ）とされるとともに、解像度が「４Ｋ」相当とされる。バックライト装置は、液晶パネル１１に対して裏側（背面側）に配置され、白色の光（白色光）を発する光源（例えばＬＥＤなど）や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。なお、バックライト装置に関しては図示を省略している。
【００１２】
液晶パネル１１は、図１に示すように、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域（図１において一点鎖線により囲った範囲）ＡＡとされるのに対し、画面における表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされている。液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡには、表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するための部品としてドライバ（駆動回路部）１２及びフレキシブル基板（信号伝送部）１３が実装されている。ドライバ１２は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに対してＣＯＧ（Chip On Glass）実装されており、フレキシブル基板１３によって伝送される各種信号を処理するためのものである。本実施形態では、液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに、３つのドライバ１２がＸ軸方向に沿って間隔を空けて並んで配されている。フレキシブル基板１３は、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を形成した構成とされ、その一端側が液晶パネル１１の非表示領域ＮＡＡに、他端側が図示しないコントロール基板（信号供給源）に、それぞれ接続されている。コントロール基板から供給される各種信号は、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１に伝送され、非表示領域ＮＡＡにおいてドライバ１２による処理を経て表示領域ＡＡへ向けて出力される。
【００１３】
液晶パネル１１について詳しく説明する。液晶パネル１１は、図５に示すように、一対の基板２０，２１と、両基板２０，２１間の内部空間に配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（媒質層）２２と、を有しており、液晶層２２が両基板２０，２１間に介在する図示しないシール部によって取り囲まれて封止が図られている。一対の基板２０，２１のうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向基板）２０とされ、裏側（背面側）がアレイ基板（アクティブマトリクス基板、素子基板）２１とされる。ＣＦ基板２０及びアレイ基板２１は、いずれもガラス製のガラス基板の内面側に各種の膜が積層形成されてなる。なお、両基板２０，２１の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。
【００１４】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側（液晶層２２側、ＣＦ基板２０との対向面側）には、図２に示すように、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）２３及び画素電極２４が多数個ずつＸ軸方向（画素電極２４とソース配線２７及びタッチ配線３１との並び方向である第１方向）及びＹ軸方向（第２方向）に沿って並んでマトリクス状（行列状）に設けられている。これらＴＦＴ２３及び画素電極２４の周りには、互いに直交（交差）するゲート配線（走査配線）２６及びソース配線（信号配線、データ配線）２７が配設されている。ゲート配線２６は、概ねＸ軸方向に沿って延在するのに対し、ソース配線２７は、概ねＹ軸方向に沿って延在している。ゲート配線２６とソース配線２７とがそれぞれＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａとソース電極２３Ｂとに接続され、画素電極２４がＴＦＴ２３のドレイン電極２３Ｃに接続されている。そして、ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６及びソース配線２７にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極２４への電位の供給が制御されるようになっている。画素電極２４は、平面形状が縦長の略方形（より詳細には、長辺はソース配線２７に沿うように屈曲している）とされており、その短辺方向がゲート配線２６の延在方向と、長辺方向がソース配線２７の延在方向と、それぞれ一致している。画素電極２４は、Ｙ軸方向について両側から一対のゲート配線２６により挟み込まれるとともに、Ｘ軸方向について両側から一対のソース配線２７により挟み込まれている。なお、ＴＦＴ２３、画素電極２４、ゲート配線２６及びソース配線２７の配置などに関しては後に改めて説明する。また、アレイ基板２１の非表示領域ＮＡＡには、図１に示すように、ゲート配線２６に走査信号を供給するためのゲート回路部ＧＤＭがモノリシックに設けられている。
【００１５】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡにおける内面側には、図５に示すように、全ての画素電極２４と重畳する形で共通電極２５が画素電極２４よりも上層側（液晶層２２に近い側）に形成されている。共通電極２５は、常にほぼ一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在しており、各画素電極２４（詳細には後述する画素電極本体２４Ａ）と重畳する部分には、各画素電極２４の長辺方向に沿って延在する画素重畳開口部（画素重畳スリット、配向制御スリット）２５Ａが複数ずつ開口形成されている。互いに重畳する画素電極２４と共通電極２５との間に、画素電極２４が充電されるのに伴って電位差が生じると、画素重畳開口部２５Ａの開口縁と画素電極２４との間には、アレイ基板２１の板面に沿う成分に加えて、アレイ基板２１の板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じるので、そのフリンジ電界を利用して液晶層２２に含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。なお、画素重畳開口部２５Ａの具体的な設置本数や形状や形成範囲などは、図示以外にも適宜に変更可能である。
【００１６】
ＣＦ基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図５に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ２８が設けられている。カラーフィルタ２８は、互いに異なる色を呈するものがゲート配線２６（Ｘ軸方向）に沿って繰り返し多数並ぶとともに、それらがソース配線２７（概ねＹ軸方向）に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ２８は、アレイ基板２１側の各画素電極２４と平面に視て重畳する配置とされている。Ｘ軸方向について隣り合って互いに異なる色を呈するカラーフィルタ２８は、その境界（色境界）がソース配線２７及び次述する遮光部２９と重畳する配置とされる。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ２８と、各カラーフィルタ２８と対向する３つの画素電極２４と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。画素部ＰＸにおけるＸ軸方向についての配列ピッチは、例えば６０μｍ程度（具体的には６２μｍ）とされ、Ｙ軸方向についての配列ピッチは、例えば１８０μｍ程度（具体的には１８６μｍ）とされる。
【００１７】
ＣＦ基板２０の内面側における表示領域ＡＡには、図２及び図５に示すように、光を遮る遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）２９が形成されている。遮光部２９は、隣り合う画素部ＰＸ（画素電極２４）の間を仕切るよう平面形状が略格子状をなしており、平面に視てアレイ基板２１側の画素電極２４の大部分と重畳する位置に画素開口部２９Ａを有している。画素開口部２９Ａは、ＣＦ基板２０の板面内においてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って多数個ずつマトリクス状に並んで配されている。画素開口部２９Ａは、平面形状が画素電極２４の外形に倣って縦長の略方形状とされており、光を透過することで画素部ＰＸでの表示を可能としている。遮光部２９は、隣り合う画素部ＰＸの間を光が行き交うのを防いで各画素部ＰＸの階調の独立性を担保するのに機能しており、特にソース配線２７に沿って延在する部分は、異なる色を呈する画素部ＰＸ間の混色を防いでいる。遮光部２９は、アレイ基板２１側の少なくともゲート配線２６及びソース配線２７（後述するタッチ配線３１も含む）と平面に視て重畳する配置とされる。カラーフィルタ２８の上層側（液晶層２２側）には、ＣＦ基板２０のほぼ全域にわたってベタ状に配される平坦化膜（図示せず）が設けられている。なお、両基板２０，２１のうち液晶層２２に接する最内面には、液晶層２２に含まれる液晶分子を配向させるための配向膜（図示せず）がそれぞれ形成されている。
【００１８】
本実施形態に係る液晶パネル１１は、画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能（位置入力機能）と、を併有しており、このうちのタッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化（インセル化）している。このタッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。タッチパネルパターンは、図１に示すように、一対の基板２０，２１のうちのアレイ基板２１側に設けられており、アレイ基板２１の板面内にマトリクス状に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）３０から構成されている。タッチ電極３０は、アレイ基板２１の表示領域ＡＡに配されている。従って、液晶パネル１１における表示領域ＡＡは、入力位置を検出可能なタッチ領域（位置入力領域）とほぼ一致しており、非表示領域ＮＡＡが入力位置を検出不能な非タッチ領域（非位置入力領域）とほぼ一致していることになる。そして、使用者が視認する液晶パネル１１の表示領域ＡＡの画像に基づいて位置入力をしようとして液晶パネル１１の表面（表示面）に導電体である図示しない指（位置入力体）を近づけると、その指とタッチ電極３０との間で静電容量が形成されることになる。これにより、指の近くにあるタッチ電極３０にて検出される静電容量には指が近づくのに伴って変化が生じ、指から遠くにあるタッチ電極３０とは異なるものとなるので、それに基づいて入力位置を検出することが可能となる。
【００１９】
そして、このタッチ電極３０は、図１に示すように、アレイ基板２１に設けられた共通電極２５により構成されている。共通電極２５は、既述した画素重畳開口部２５Ａに加えて、隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部（仕切スリット）２５Ｂを有する。仕切開口部２５Ｂは、Ｘ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって横断する部分と、Ｙ軸方向に沿って共通電極２５の全長にわたって縦断する部分と、からなり、全体としては平面に視て略格子状をなしている。共通電極２５は、仕切開口部２５Ｂによって平面に視て碁盤目状に分割されて相互が電気的に独立した複数のタッチ電極３０からなる。共通電極２５を仕切開口部２５Ｂによって仕切られてなるタッチ電極３０は、表示領域ＡＡにおいてＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って複数ずつがマトリクス状に並んで配されている。タッチ電極３０は、平面に視て略方形状をなしており、一辺の寸法が数ｍｍ（例えば約２ｍｍ〜４ｍｍ）程度とされている。従って、タッチ電極３０は、平面に視た大きさが画素部ＰＸ（画素電極２４）よりも遙かに大きくなっており、Ｘ軸方向及びＹ軸方向について複数（例えば数十または数百程度）ずつの画素部ＰＸに跨る範囲に配置されている。複数のタッチ電極３０には、アレイ基板２１に設けられた複数のタッチ配線（位置検出配線）３１が選択的に接続されている。タッチ配線３１は、ソース配線２７に並行する形で概ねＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数のタッチ電極３０のうちの特定のタッチ電極３０に対して選択的に接続されている。さらにタッチ配線３１は、図示しない検出回路と接続されている。検出回路は、ドライバ１２に備えられていても構わないが、フレキシブル基板１３を介して液晶パネル１１の外部に備えられていても構わない。タッチ配線３１は、表示機能に係る基準電位信号と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、を異なるタイミングでもってタッチ電極３０に供給する。このうちの基準電位信号は、同じタイミングで全てのタッチ配線３１に伝送されることで、全てのタッチ電極３０が基準電位となって共通電極２５として機能する。なお、図１は、タッチ電極３０の配列を模式的に表したものであり、タッチ電極３０の具体的な設置数、配置、平面形状などについては図示以外にも適宜に変更可能である。
【００２０】
ここで、アレイ基板２１の内面側に積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板２１には、図５に示すように、下層側（ガラス基板側）から順に第１金属膜３２、ゲート絶縁膜３３、半導体膜３４、第１透明電極膜（導電膜、透明電極膜）３５、第２金属膜（導電膜、金属膜）３６、層間絶縁膜（絶縁膜、透明電極膜間絶縁膜）３７、第２透明電極膜３８が積層形成されている。第１金属膜３２及び第２金属膜３６は、それぞれ銅、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステンなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層膜または異なる種類の金属材料からなる積層膜や合金とされることで導電性及び遮光性を有している。第１金属膜３２は、ゲート配線２６やＴＦＴ２３のゲート電極２３Ａなどを構成する。第２金属膜３６は、ソース配線２７及びタッチ配線３１やＴＦＴ２３のソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃなどを構成する（図３を参照）。ゲート絶縁膜３３及び層間絶縁膜３７は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる。ゲート絶縁膜３３は、下層側の第１金属膜３２と、上層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、を絶縁状態に保つ。層間絶縁膜３７は、下層側の半導体膜３４、第１透明電極膜３５及び第２金属膜３６と、上層側の第２透明電極膜３８と、を絶縁状態に保つ。半導体膜３４は、材料として例えば酸化物半導体、アモルファスシリコン等を用いた薄膜からなり、ＴＦＴ２３においてソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとに接続されるチャネル部（半導体部）２３Ｄなどを構成する。第１透明電極膜３５及び第２透明電極膜３８は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）など）からなる。第１透明電極膜３５は、画素電極２４などを構成する。第２透明電極膜３８は、共通電極２５（タッチ電極３０）などを構成する（図４を参照）。
【００２１】
ＴＦＴ２３及び画素電極２４の構成について詳しく説明する。ＴＦＴ２３は、図２に示すように、全体としてＸ軸方向に沿って延在する横長形状をなしており、接続対象とされる画素電極２４に対してＹ軸方向について図２に示す下側に隣り合う配置とされる。ＴＦＴ２３は、ゲート配線２６の一部（ソース配線２７などと重畳する部分）からなるゲート電極２３Ａを有する。ゲート電極２３Ａは、Ｘ軸方向に沿って延在する横長形状をなしていて、ゲート配線２６に供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３を駆動し、それによりソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間の電流が制御される。ＴＦＴ２３は、図２及び図３に示すように、ソース配線２７の一部（ゲート配線２６と重畳する部分）からなるソース電極２３Ｂを有する。ソース電極２３Ｂは、ＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての一端側に配されていてそのほぼ全域がゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続される。ＴＦＴ２３は、ソース電極２３Ｂとの間に間隔を空けた位置、つまりにＴＦＴ２３におけるＸ軸方向についての他端側に配されるドレイン電極２３Ｃを有する。ドレイン電極２３Ｃは、概ねＸ軸方向に沿って延在しており、その一端側がソース電極２３Ｂと対向状をなしてゲート電極２３Ａと重畳するとともにチャネル部２３Ｄに接続されるのに対し、他端側が画素電極２４に接続される。本実施形態では、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃは、第２金属膜３６からなる単層構造とされているが、例えば第１透明電極膜３５と第２金属膜３６との積層構造とすることも可能である。
【００２２】
画素電極２４は、図２に示すように、遮光部２９の画素開口部２９Ａと重畳する略方形状の画素電極本体２４Ａと、画素電極本体２４ＡからＹ軸方向に沿ってＴＦＴ２３側に突出するコンタクト部２４Ｂと、からなり、このうちのコンタクト部２４Ｂがドレイン電極２３Ｃの他端側に接続されている。なお、ゲート配線２６は、コンタクト部２４Ｂ及びドレイン電極２３Ｃの双方と重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ゲート配線２６と画素電極２４との間の容量を低減するために設けられている。また、ドレイン電極２３Ｃの他端は、ゲート配線２６と重畳している。これは、アレイ基板２１を製造する際に、ゲート配線２６に対してドレイン電極２３Ｃが位置ずれした場合でも、ゲート配線２６とドレイン電極２３Ｃ（すなわち画素電極２４）との間の容量が変動しないようにするために設けられている。ＴＦＴ２３は、ゲート絶縁膜３３を介してゲート電極２３Ａと重畳するとともに、ソース電極２３Ｂ及びドレイン電極２３Ｃに接続されるチャネル部２３Ｄを有する。チャネル部２３Ｄは、ゲート電極２３Ａと重畳するとともにＸ軸方向に沿って延在し、その一端側がソース電極２３Ｂに、他端側がドレイン電極２３Ｃに、それぞれ接続されている。そして、ゲート電極２３Ａに供給される走査信号に基づいてＴＦＴ２３がオン状態にされると、ソース配線２７に供給される画像信号（信号、データ信号）は、ソース電極２３Ｂから半導体膜３４からなるチャネル部２３Ｄを介してドレイン電極２３Ｃへと供給され、その結果、画素電極２４が画像信号に基づいた電位に充電されるようになっている。なお、共通電極２５は、チャネル部２３Ｄと重畳する範囲が切り欠かれている。この切り欠きは、ＴＦＴ２３がオフ状態のときに、共通電極２５（タッチ電極３０）の電位変動に伴い、ソース電極２３Ｂとドレイン電極２３Ｃとの間のリーク電流量が変動することを抑制するために設けられている。
【００２３】
アレイ基板２１の表示領域ＡＡ内に配された複数のＴＦＴ２３には、図２に示すように、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す右側（一端側）に偏在する一方のＴＦＴ（一方のスイッチング素子）２３Ｒと、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す左側（他端側）に偏在する他方のＴＦＴ（他方のスイッチング素子）２３Ｌと、が含まれている。なお、以下ではＸ軸方向について左右に偏在する一対のＴＦＴ２３を区別する場合には、図２に示す右側に偏在するものを「一方のＴＦＴ」としてその符号に添え字Ｒを、図２に示す左側に偏在するものを「他方のＴＦＴ」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、画素電極２４をＹ軸方向について両側から挟み込む形で配されている。つまり、一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、Ｙ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。一方のＴＦＴ２３Ｒ及び他方のＴＦＴ２３Ｌは、それぞれのソース電極２３Ｂとドレイン電極２３ＣとがＸ軸方向について左右に反転した配置とされている。従って、一方のＴＦＴ２３Ｒは、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７のうち、図２に示す右側のソース配線２７に接続されるのに対し、他方のＴＦＴ２３Ｌは、一対のソース配線２７のうち、図２に示す左側のソース配線２７に接続される。また、一方のＴＦＴ２３Ｒは、Ｙ軸方向について隣り合う図２に示す中央の画素電極２４と図２に示す最も上側の画素電極２４とのうち、図２に示す最も上側の画素電極２４に接続されるのに対し、他方のＴＦＴ２３Ｌは、図２に示す中央の画素電極２４に接続される。このような構成によれば、Ｙ軸方向について隣り合う画素電極２４のうちの一方である図２に示す最も上側の画素電極２４は、接続された一方のＴＦＴ２３Ｒが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの一方である図２に示す右側のソース配線２７に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。これに対し、Ｙ軸方向について隣り合う画素電極２４のうちの他方である図２に示す中央の画素電極２４は、接続された他方のＴＦＴ２３Ｌが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの他方である図２に示す左側のソース配線２７に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。このようにＹ軸方向について隣り合う画素電極２４には、異なるソース配線２７に伝送される信号が供給されるようになっているから、例えばドット反転駆動における画素配列と同様の極性の配列を低い消費電力で行う上で好適となる。
【００２４】
次に、タッチ配線３１の構成について詳しく説明する。タッチ配線３１は、図２及び図３に示すように、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３９と、一対の第１配線構成部３９に連なる第２配線構成部４０と、を少なくとも有する。一対の第１配線構成部３９は、画素電極２４と、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７と、の間に挟み込まれる形で配されている。一対の第１配線構成部３９は、画素電極２４の外形に並行するとともに一対のソース配線２７に並行する形で概ねＹ軸方向に沿って延在しており、その長さ寸法が画素電極２４の長辺寸法と同等とされる。第２配線構成部４０は、一対の第１配線構成部３９における長さ方向についての両端部のうち、図２及び図３に示す上側、つまりＴＦＴ２３側とは反対側の端部同士を接続するよう配されている。第２配線構成部４０は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ真っ直ぐに延在しており、その長さ寸法が画素電極２４の短辺寸法と同等とされる。以上のように、タッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９及び第２配線構成部４０は、画素電極２４における４辺のうち、ＴＦＴ２３側の１辺を除く３辺を取り囲む配置とされる。
【００２５】
このように、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９に第２配線構成部４０が連なる構成とされ、このうちの一対の第１配線構成部３９が画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる配置とされているので、画素電極２４と一方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、画素電極２４と他方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。これにより、画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対のソース配線２７に互いに逆極性となる信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動と、他方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、ＴＦＴ２３がオフ状態の期間において、画素電極２４の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【００２６】
タッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９は、図２及び図３に示すように、Ｙ軸方向について列をなして複数組（Ｙ軸方向について列をなす画素電極２４の並び数と同数組）が並んで配されている。そして、タッチ配線３１は、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９同士を繋ぐ複数の第３配線構成部４１を有する。タッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９、第２配線構成部４０及び第３配線構成部４１は、いずれも同じ第２金属膜３６からなる。従って、複数の第３配線構成部４１は、ＴＦＴ２３とは非重畳となるよう配されており、それによりタッチ配線３１とＴＦＴ２３とが短絡することが避けられている。このように、Ｙ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９同士が第３配線構成部４１に繋がれることで、タッチ配線３１がＹ軸方向に沿って複数の画素電極２４に跨る形で延在する。第３配線構成部４１は、一対の第１配線構成部３９及び第２配線構成部４０と共に第２金属膜３６からなるので、仮にＹ軸方向について隣り合う第１配線構成部３９同士を、第１配線構成部３９とは異なる層に配された透明電極膜からなる第３配線構成部により接続した場合に比べると、タッチ配線３１に係る配線抵抗を低くすることができる。なお、以下では画素電極２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３９を区別する場合には、画素電極２４に対して図２に示す右側に隣り合うものを「一方の第１配線構成部」としてその符号に添え字Ｒを、画素電極２４に対して図２に示す左側に隣り合うものを「他方の第１配線構成部」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。
【００２７】
詳しくは、複数の第３配線構成部４１には、図２及び図３に示すように、Ｙ軸方向について隣り合う一方の第１配線構成部３９Ｒ同士を接続する一方の第３配線構成部４１Ｒと、Ｙ軸方向について隣り合う他方の第１配線構成部３９Ｌ同士を接続する他方の第３配線構成部４１Ｌと、が含まれている。以下では、第３配線構成部４１を区別する場合には、一方の第１配線構成部３９Ｒに接続されるものを「一方の第３配線構成部」としてその符号に添え字Ｒを、他方の第１配線構成部３９Ｌに接続されるものを「他方の第３配線構成部」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方の第３配線構成部４１Ｒは、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す右側に偏在しており、逆の左側に偏在する他方のＴＦＴ２３Ｌとは非重畳の配置とされる。他方の第３配線構成部４１Ｌは、画素電極２４に対してＸ軸方向について図２に示す左側に偏在しており、逆の右側に偏在する一方のＴＦＴ２３Ｒとは非重畳の配置とされる。このように、一方の第３配線構成部４１Ｒ及び他方の第３配線構成部４１Ｌは、Ｙ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ＴＦＴ２３の非配置箇所を補完する形でジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。つまり、第３配線構成部４１及びＴＦＴ２３は、互いの非配置箇所を相互に補完し合うよう相補的に配されている、と言える。
【００２８】
上記したようにタッチ配線３１は、第２金属膜３６からなることから、ソース配線２７と同層に配されている。このようにすれば、仮にソース配線とタッチ配線とが絶縁膜を介して異なる層に配される場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。さらには、ソース配線２７及びタッチ配線３１を構成する第２金属膜３６は、第１透明電極膜３５と共にゲート絶縁膜３３の上層側に配されていることから、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、画素電極２４と同層に配されている、と言える。このようにすれば、仮に画素電極がソース配線２７及びタッチ配線３１とは絶縁膜を介して異なる層に配された場合に比べると、画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量が大きくなるため、間にタッチ配線３１が介在するか否かの違いの影響を受け易くなって表示品位がより低下し易くなる傾向にある。これに対し、上記したようにタッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９が一対のソース配線２７と画素電極２４との間に挟み込まれる配置とされることで、寄生容量の均等化が図られているので、表示品位の低下が好適に抑制される。また、さらなる製造コストの低下を図る上で好適となる。
【００２９】
ここで、タッチ電極３０とタッチ配線３１との接続構造について説明する。タッチ配線３１は、図２及び図６に示すように、接続対象となるタッチ電極３０に対しては、層間絶縁膜３７に開口形成されたタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）４２を通して接続されている。タッチ配線３１は、全てのタッチ電極３０を横切る形で概ねＹ軸方向に沿って延在しているものの、タッチコンタクトホール４２の平面配置によって特定のタッチ電極３０に対してのみ選択的に接続されている。従って、タッチ電極３０には、接続対象となるタッチ配線３１と、接続非対象となるタッチ配線３１と、が層間絶縁膜３７を介してそれぞれ重畳配置されている。本実施形態に係るタッチコンタクトホール４２は、タッチ配線３１のうち、他方の第１配線構成部３９Ｌと他方の第３配線構成部４１Ｌとの接続箇所と重畳する位置や一方の第１配線構成部３９Ｒにおける一方のＴＦＴ２３Ｒ側の端部と重畳する位置に配されている。
【００３０】
また、第２透明電極膜３８からなるタッチ電極３０（共通電極２５）には、図２及び図４に示すように、タッチ配線３１の少なくとも一部と重畳する形で配されるタッチ配線重畳開口部（位置検出配線重畳開口部）４３が設けられている。タッチ配線重畳開口部４３は、タッチ配線３１の延在方向であるＹ軸方向に並行する形で延在しており、平面に視て縦長形状（タッチ配線３１の延在方向を長手方向とした長手形状）とされる。また、タッチ配線重畳開口部４３は、その幅寸法（Ｘ軸方向についての寸法）がタッチ配線３１の幅寸法よりも大きく、共通電極２５の画素重畳開口部２５Ａの幅寸法と同等とされる。このように、タッチ配線重畳開口部４３がタッチ配線３１の少なくとも一部と重畳する形で配されることで、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１とは非接続とされるタッチ電極３０と、の間に生じ得る寄生容量が軽減される。これにより、位置検出に係る感度が良好なものとなる。詳しくは、タッチ配線重畳開口部４３（後述する仕切開口部２５Ｂを除く）は、タッチ配線３１を構成する第１配線構成部３９の大部分と重畳する配置とされており、その長さ寸法（Ｙ軸方向についての寸法）が、第１配線構成部３９の長さ寸法より短くされている。さらには、共通電極２５において、隣り合うタッチ電極３０の間を仕切る仕切開口部２５Ｂの一部は、タッチ配線重畳開口部４３としても機能する。つまり、仕切開口部２５Ｂの一部であるＹ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１と重畳する形で配されている。詳しくは、仕切開口部２５Ｂのうち、Ｙ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１を構成する一方の第１配線構成部３９Ｒ及び一方の第３配線構成部４１Ｒと、一方のＴＦＴ２３Ｒの一部と、に対して重畳する配置とされている。また、仕切開口部２５Ｂのうち、Ｘ軸方向に沿って延在する部分は、タッチ配線３１を構成する第２配線構成部４０と重畳する配置とされている。以上により、タッチ配線３１と、そのタッチ配線３１とは非接続とされるタッチ電極３０と、の間に生じ得る寄生容量がより好適に軽減される。
【００３１】
以上説明したように本実施形態の液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）１０は、画素電極２４と、画素電極２４に供給される信号を伝送し、画素電極２４を挟み込むよう配される一対のソース配線（信号配線）２７と、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、位置入力体である指による入力位置を検出するタッチ電極（位置検出電極）３０と、タッチ電極３０に接続されるタッチ配線（位置検出配線）３１であって、画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる一対の第１配線構成部３９と、一対の第１配線構成部３９に連なる第２配線構成部４０と、を少なくとも有するタッチ配線３１と、を備える。
【００３２】
このようにすれば、画素電極２４には、一対のソース配線２７のいずれかによって供給される信号に基づいた電位が充電され、それにより表示がなされる。タッチ電極３０は、位置入力を行う位置入力体である指との間で静電容量を形成し、タッチ配線３１によって供給される信号を利用して位置入力体である指による入力位置を検出する。タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９が第２配線構成部４０に連ねられた構成とされることで、タッチ電極３０に信号を供給している。ところで、画素電極２４は、一対のソース配線２７により挟み込まれているため、一対のソース配線２７との間にそれぞれ寄生容量が生じ得る。これらの寄生容量とソース配線２７の電位の変動とに基づく画素電極２４の電位の変動は、例えば、一対のソース配線２７に逆極性の信号を供給することで、相殺することが可能とされる。そして、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９に第２配線構成部４０が連なる構成とされ、このうちの一対の第１配線構成部３９が画素電極２４と一対のソース配線２７との間に挟み込まれる配置とされているので、画素電極２４と一方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、画素電極２４と他方のソース配線２７との間に生じる寄生容量と、を均等化する上で好適となる。これにより、一対のソース配線２７に逆極性の信号を供給すれば、同等とされる寄生容量によって、一方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動と、他方のソース配線２７の電位の変動に伴う画素電極２４の電位の変動とが相殺されることになる。すなわち、画素電極２４の電位変動が抑制される。以上により、シャドーイング等の表示品位の低下が生じ難くなる。
【００３３】
また、画素電極２４は、ソース配線２７及びタッチ配線３１との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、一対の第１配線構成部３９は、第２方向について列をなして複数組が並んで配されており、タッチ配線３１は、一対の第１配線構成部３９及び第２配線構成部４０と共に第２金属膜（金属膜）３６からなり、第２方向について隣り合う第１配線構成部３９同士を繋ぐ第３配線構成部４１を有する。このようにすれば、第２方向に沿って列をなして並ぶ複数の画素電極２４は、同様に列をなして並ぶ一対ずつの第１配線構成部３９により挟み込まれている。第２方向について隣り合う第１配線構成部３９同士が第３配線構成部４１に繋がれることで、タッチ配線３１が第２方向に沿って複数の画素電極２４に跨る形で延在する。第３配線構成部４１は、一対の第１配線構成部３９及び第２配線構成部４０と共に第２金属膜３６からなるので、仮に第２方向について隣り合う第１配線構成部３９同士を、第１配線構成部３９とは異なる層に配された透明電極膜からなる第３配線構成部により接続した場合に比べると、タッチ配線３１に係る配線抵抗を低くすることができる。
【００３４】
また、画素電極２４は、ソース配線２７及びタッチ配線３１との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、一対のソース配線２７は、第２方向に沿って並ぶ複数の画素電極２４を挟み込むよう第２方向に沿って延在しており、複数の画素電極２４に対して第２方向について隣り合うよう配され、一端側がソース配線２７に、他端側が画素電極２４に、それぞれ接続される複数のＴＦＴ２３を備えており、複数のＴＦＴ２３には、画素電極２４に対して第１方向について一端側に偏在していて第２方向について隣り合う画素電極２４のうちの一方と一対のソース配線２７のうちの一方とに接続される一方のＴＦＴ（一方のスイッチング素子）２３Ｒと、画素電極２４に対して第１方向について他端側に偏在していて第２方向について隣り合う画素電極２４のうちの他方と一対のソース配線２７のうちの他方とに接続される他方のＴＦＴ（他方のスイッチング素子）２３Ｌと、が含まれる。このようにすれば、第２方向について隣り合う画素電極２４のうちの一方は、接続された一方のＴＦＴ２３Ｒが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの一方に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。これに対し、第２方向について隣り合う画素電極２４のうちの他方は、接続された他方のＴＦＴ２３Ｌが駆動されると、一対のソース配線２７のうちの他方に伝送される信号が供給されることで所定の電位に充電される。このように第２方向について隣り合う画素電極２４には、異なるソース配線２７に伝送される信号が供給されるようになっているから、例えばドット反転駆動における画素配列と同様の極性の配列を低い消費電力で行う上で好適となる。
【００３５】
また、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、互いに同層に配される。このようにすれば、仮にソース配線とタッチ配線とが絶縁膜を介して異なる層に配される場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。
【００３６】
また、ソース配線２７及びタッチ配線３１は、画素電極２４と同層に配される。このようにすれば、仮に画素電極がソース配線２７及びタッチ配線３１とは絶縁膜を介して異なる層に配された場合に比べると、画素電極２４とソース配線２７との間に生じる寄生容量が大きくなるため、間にタッチ配線３１が介在するか否かの違いの影響を受け易くなって表示品位がより低下し易くなる傾向にある。これに対し、上記したようにタッチ配線３１を構成する一対の第１配線構成部３９が一対のソース配線２７と画素電極２４との間に挟み込まれる配置とされることで、寄生容量の均等化が図られているので、表示品位の低下が好適に抑制される。また、さらなる製造コストの低下を図る上で好適となる。
【００３７】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図７から図１０によって説明する。この実施形態２では、ＴＦＴブリッジ配線４４を追加したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００３８】
本実施形態に係るアレイ基板１２１は、図７及び図９に示すように、ＴＦＴ１２３を横切るよう配されてＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜（絶縁膜）１３７が介在していてタッチ配線１３１に接続されるＴＦＴブリッジ配線（スイッチング素子ブリッジ配線）４４を備える。ＴＦＴブリッジ配線４４は、図８から図１０に示すように、共通電極１２５及びタッチ電極１３０と同じ第２透明電極膜１３８からなり、第２透明電極膜１３８に環状のスリットを入れることで、共通電極１２５及びタッチ電極１３０からは物理的に分離された島状をなしている。ＴＦＴブリッジ配線４４は、概ねＹ軸方向に沿って延在しており、その長さ方向についての中央部がＴＦＴ１２３のドレイン電極１２３Ｃと重畳するのに対し、長さ方向についての両端部がタッチ配線１３１を構成していてＹ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部１３９と重畳する。詳しくは、ＴＦＴブリッジ配線４４の両端部のうちの一方は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部１３９のうちの一方における端部と、ＴＦＴブリッジ配線４４の両端部のうちの他方は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部１３９のうちの他方と第２配線構成部１４０との接続箇所と、それぞれ重畳する。そして、ＴＦＴブリッジ配線４４は、その両端部（一部ずつ）が層間絶縁膜１３７に開口形成された一対のコンタクトホール４５を通してタッチ配線１３１を構成していてＹ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部１３９に接続されている。一対のコンタクトホール４５は、Ｙ軸方向について隣り合う一対の第１配線構成部１３９のうち、ＴＦＴ１２３側の端部とそれぞれ重畳する配置とされる。このように、ＴＦＴブリッジ配線４４の一部ずつが層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通してＹ軸方向について隣り合う第１配線構成部１３９にそれぞれ接続されることで、タッチ配線１３１がＹ軸方向に沿って複数の画素電極１２４に跨る形で延在する。
【００３９】
詳しくは、複数のＴＦＴブリッジ配線４４には、図７及び図８に示すように、一方のＴＦＴ１２３Ｒに対して重畳する一方のＴＦＴブリッジ配線（一方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｒと、他方のＴＦＴ１２３Ｌに対して重畳する他方のＴＦＴブリッジ配線（他方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｌと、が含まれる。なお、以下ではＴＦＴブリッジ配線４４を区別する場合には、一方のＴＦＴ１２３Ｒに対して重畳するものを「一方のＴＦＴブリッジ配線」としてその符号に添え字Ｒを、他方のＴＦＴ１２３Ｌに対して重畳するものを「他方のＴＦＴブリッジ配線」としてその符号に添え字Ｌを、それぞれ付し、区別せずに総称する場合には、符号に添え字を付さないものとする。一方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｒは、その中央部が一方のＴＦＴ１２３Ｒを横切るとともに、両端部がＹ軸方向について隣り合う一対の一方の第１配線構成部１３９Ｒに対してコンタクトホール４５を通して接続されている。他方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｌは、その中央部が他方のＴＦＴ１２３Ｌを横切るとともに、両端部がＹ軸方向について隣り合う一対の他方の第１配線構成部１３９Ｌに対してコンタクトホール４５を通して接続されている。このように、一方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｒ及び他方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｌは、ＴＦＴ１２３と同様にＹ軸方向について交互に繰り返し並ぶ配列とされており、ジグザグ状（千鳥状）に平面配置されている。これに対し、複数の第３配線構成部１４１に含まれる一方の第３配線構成部１４１Ｒ及び他方の第３配線構成部１４１Ｌは、ＴＦＴブリッジ配線４４及びＴＦＴ１２３の非配置箇所を補完する形でジグザグ状に平面配置されている。従って、ＴＦＴブリッジ配線４４及びＴＦＴ１２３と、第３配線構成部１４１と、は、互いの非配置箇所を相互に補完し合うよう相補的に配されている、と言える。これにより、タッチ配線１３１は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の一方の第１配線構成部１３９Ｒが一方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｒ及び一方の第３配線構成部１４１Ｒにより接続されて表示領域ＡＡのほぼ全長にわたって延在するのに対し、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の他方の第１配線構成部１３９Ｌが他方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｌ及び他方の第３配線構成部１４１Ｌにより接続されて表示領域ＡＡのほぼ全長にわたって延在する。以上のように、タッチ配線１３１を構成する一対ずつの第１配線構成部１３９が、相互に補完する形でジグザグ状に配されるＴＦＴブリッジ配線４４及び第３配線構成部１４１によって接続されることで、タッチ配線１３１に係る配線抵抗を低くすることができる。また、複数のＴＦＴブリッジ配線４４は、各ＴＦＴ１２３を横切るよう配されるものの、各ＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜１３７が介在することで、各ＴＦＴ１２３との短絡が防がれている。なお、ＴＦＴブリッジ配線４４が、ＴＦＴ１２３を横切る部分において、ＴＦＴブリッジ配線４４は、チャネル部１２３Ｄとは重畳せず、ドレイン電極１２３Ｃと重畳するように配置されている。これは、ＴＦＴ１２３がオフ状態のときに、共通電極１２５（タッチ電極１３０、タッチ配線１３１、ＴＦＴブリッジ配線４４）の電位変動に伴い、ソース電極１２３Ｂとドレイン電極１２３Ｃとの間のリーク電流量が変動することを抑制するためである。
【００４０】
上記のように、ＴＦＴブリッジ配線４４は、図７及び図８に示すように、第２透明電極膜１３８からなり、タッチ電極１３０と同層に配されている。従って、層間絶縁膜１３７には、上記したコンタクトホール４５に加えてタッチ配線１３１とタッチ電極１３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）１４２が開口形成されている。このようにすれば、ＴＦＴブリッジ配線４４とタッチ電極１３０とは、接続対象が共にタッチ配線１３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜１３７にコンタクトホール４５及びタッチコンタクトホール１４２をそれぞれ開口形成することで、ＴＦＴブリッジ配線４４とタッチ電極１３０とを、タッチ配線１３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００４１】
以上説明したように本実施形態によれば、画素電極１２４は、ソース配線１２７及びタッチ配線１３１との並び方向である第１方向と直交する第２方向について複数が列をなして並んで配されるのに対し、一対の第１配線構成部１３９は、第２方向について列をなして複数組が並んで配されており、画素電極１２４に対して第２方向について隣り合うよう配され、一端側がソース配線１２７に、他端側が画素電極１２４に、それぞれ接続されるＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、ＴＦＴ１２３を横切るよう配されてＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜（絶縁膜）１３７が介在するＴＦＴブリッジ配線（スイッチング素子ブリッジ配線）４４であって、その一部ずつが層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して第２方向について隣り合う第１配線構成部１３９にそれぞれ接続されるＴＦＴブリッジ配線４４と、を備える。このようにすれば、ＴＦＴ１２３が駆動されると、ソース配線１２７に伝送される信号が画素電極１２４に供給され、もって画素電極１２４が所定の電位に充電される。一方、ＴＦＴブリッジ配線４４は、ＴＦＴ１２３を横切るよう配されるものの、ＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜１３７が介在することで、ＴＦＴ１２３との短絡が防がれている。そして、ＴＦＴブリッジ配線４４は、その一部ずつが層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して第２方向について隣り合う第１配線構成部１３９にそれぞれ接続されることで、タッチ配線１３１が第２方向に沿って複数の画素電極１２４に跨る形で延在する。
【００４２】
また、層間絶縁膜１３７には、タッチ配線１３１とタッチ電極１３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）１４２が開口形成される。このようにすれば、ＴＦＴブリッジ配線４４とタッチ電極１３０とは、接続対象が共にタッチ配線１３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜１３７にコンタクトホール４５及びタッチコンタクトホール１４２をそれぞれ開口形成することで、ＴＦＴブリッジ配線４４とタッチ電極１３０とを、タッチ配線１３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００４３】
また、ＴＦＴ１２３を横切るよう配されてＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜１３７が介在するＴＦＴブリッジ配線４４であって、その一部ずつが層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して第２方向について隣り合う第１配線構成部１３９にそれぞれ接続される複数のＴＦＴブリッジ配線４４を備えており、タッチ配線１３１は、第２方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部１３９、及び第２配線構成部１４０と共に第２金属膜１３６からなり、第２方向について隣り合う第１配線構成部１３９同士を繋ぐとともに一方のＴＦＴ１２３Ｒ及び他方のＴＦＴ１２３Ｌとは非重畳となるよう配される複数の第３配線構成部１４１を有しており、複数のＴＦＴブリッジ配線４４には、一方のＴＦＴ１２３Ｒに対して重畳する一方のＴＦＴブリッジ配線（一方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｒと、他方のＴＦＴ１２３Ｌに対して重畳する他方のＴＦＴブリッジ配線（他方のスイッチング素子ブリッジ配線）４４Ｌと、が含まれるのに対し、複数の第３配線構成部１４１には、一対の第１配線構成部１３９のうちの一方同士を接続する一方の第３配線構成部１４１Ｒと、一対の第１配線構成部１３９のうちの他方同士を接続する他方の第３配線構成部１４１Ｌと、が含まれる。このようにすれば、第２方向に沿って列をなして並ぶ複数の画素電極１２４は、同様に列をなして並ぶ一対ずつの第１配線構成部１３９により挟み込まれている。そして、タッチ配線１３１は、第２方向について隣り合う一方の第１配線構成部１３９同士が、一方のＴＦＴ１２３Ｒに対して重畳する一方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｒの一部ずつに対して層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して接続されるのに対し、他方の第１配線構成部１３９同士が、他方のＴＦＴ１２３Ｌに対して重畳する他方のＴＦＴブリッジ配線４４Ｌの一部ずつに対して層間絶縁膜１３７に開口形成されたコンタクトホール４５を通して接続される。それに加えて、タッチ配線１３１は、第２方向について隣り合う一方の第１配線構成部１３９同士が、一方のＴＦＴ１２３Ｒ及び他方のＴＦＴ１２３Ｌとは非重畳となるよう配される一方の第３配線構成部１４１Ｒにより接続されるのに対し、他方の第１配線構成部１３９同士が、一方のＴＦＴ１２３Ｒ及び他方のＴＦＴ１２３Ｌとは非重畳となるよう配される他方の第３配線構成部１４１Ｌにより接続される。このように、タッチ配線１３１を構成する一対ずつの第１配線構成部１３９が、相互に補完する形でジグザグ状に配されるＴＦＴブリッジ配線４４及び第３配線構成部１４１によって接続されることで、タッチ配線１３１に係る配線抵抗を低くすることができる。また、複数のＴＦＴブリッジ配線４４は、各ＴＦＴ１２３を横切るよう配されるものの、各ＴＦＴ１２３との間に層間絶縁膜１２１が介在することで、各ＴＦＴ１２３との短絡が防がれている。上記のように、タッチ配線１３１の配線抵抗を低下させることで、位置入力体である指による入力位置の検出精度が向上する。さらに、タッチ配線１３１から供給されるタッチ信号と、基準電位にするための共通信号とが切り替わる際の電位の変動が生じ難くなる。これにより、表示品位の低下が抑制される。
【００４４】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１１または図１２によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態２から第２透明電極膜２３８の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態に係る第２透明電極膜２３８は、図１１及び図１２に示すように、一部のＴＦＴブリッジ配線２４４が共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されている。共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されたＴＦＴブリッジ配線２４４は、層間絶縁膜２３７に開口形成されたコンタクトホール２４５を通して接続されるタッチ配線２３１を接続対象となるタッチ電極２３０に接続している。つまり、層間絶縁膜２３７において共通電極２２５及びタッチ電極２３０に一体化されたＴＦＴブリッジ配線２４４と重畳するコンタクトホール２４５は、タッチコンタクトホール２４２を兼用している、と言える。
【００４６】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１３から図１５によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１に記載した構成に、画素電極ブリッジ配線４６を追加したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００４７】
本実施形態に係るアレイ基板３２１は、図１３から図１５に示すように、画素電極３２４を横切る形で配されて画素電極３２４との間に層間絶縁膜３３７が介在していてタッチ配線３３１に接続される画素電極ブリッジ配線４６を備える。画素電極ブリッジ配線４６は、共通電極３２５及びタッチ電極３３０と同じ第２透明電極膜３３８からなり、第２透明電極膜３３８に環状のスリットを入れることで、共通電極３２５及びタッチ電極３３０からは物理的に分離された島状をなしている。画素電極ブリッジ配線４６は、Ｘ軸方向に沿ってほぼ直線状に延在しており、その長さ方向についての中央部が画素電極３２４と重畳するのに対し、長さ方向についての両端部がタッチ配線３３１を構成していて画素電極３２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３３９と重畳する。詳しくは、画素電極ブリッジ配線４６の両端部は、画素電極３２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３３９における第２配線構成部３４０側とは反対側の各端部とそれぞれ重畳する。そして、画素電極ブリッジ配線４６は、その両端部（一部ずつ）が層間絶縁膜３３７に開口形成された一対のコンタクトホール４７を通してタッチ配線３３１を構成していて画素電極３２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３３９に接続されている。このように、画素電極ブリッジ配線４６の一部ずつが層間絶縁膜３３７に開口形成されたコンタクトホール４７を通して画素電極３２４をＸ軸方向について両側から挟み込む一対の第１配線構成部３３９に接続されることで、タッチ配線３３１に係る配線抵抗を低くすることができる。
【００４８】
上記のように、画素電極ブリッジ配線４６は、図１３及び図１４に示すように、第２透明電極膜３３８からなり、タッチ電極３３０と同層に配されている。従って、層間絶縁膜３３７には、上記したコンタクトホール４７に加えてタッチ配線３３１とタッチ電極３３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）３４２が開口形成されている。このようにすれば、画素電極ブリッジ配線４６とタッチ電極３３０とは、接続対象が共にタッチ配線３３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜３３７にコンタクトホール４７及びタッチコンタクトホール３４２をそれぞれ開口形成することで、画素電極ブリッジ配線４６とタッチ電極３３０とを、タッチ配線３３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００４９】
なお、本実施形態に係る第２透明電極膜３３８は、図１４に示すように、一部の画素電極ブリッジ配線４６が共通電極３２５及びタッチ電極３３０に一体化されている。共通電極３２５及びタッチ電極３３０に一体化された画素電極ブリッジ配線４６は、層間絶縁膜３３７に開口形成されたコンタクトホール４７を通して接続されるタッチ配線３３１を接続対象となるタッチ電極３３０に接続している。つまり、層間絶縁膜３３７において共通電極３２５及びタッチ電極３３０に一体化された画素電極ブリッジ配線４６と重畳するコンタクトホール４７は、タッチコンタクトホール３４２を兼用している、と言える。
【００５０】
以上説明したように本実施形態によれば、画素電極３２４及びタッチ配線３３１は、互いに同層に配され、タッチ配線３３１は、一対の第１配線構成部３３９における一端側が第２配線構成部３４０に接続されており、画素電極３２４を横切る形で配されて画素電極３２４との間に層間絶縁膜３３７が介在していてその一部ずつが層間絶縁膜３３７に開口形成されたコンタクトホール４７を通して一対の第１配線構成部３３９における他端側にそれぞれ接続される画素電極ブリッジ配線４６を備える。このようにすれば、仮に画素電極とタッチ配線とが絶縁膜を介して異なる層に配される場合に比べると、製造コストを低下させる上で好適となる。その上で、タッチ配線３３１を構成する一対の第１配線構成部３３９は、一端側が第２配線構成部３４０に接続されるのに対し、他端側が画素電極３２４を横切る形で配されて画素電極３２４との間に層間絶縁膜３３７が介在する画素電極ブリッジ配線４６の一部ずつに対して層間絶縁膜３３７に開口形成されたコンタクトホール４７を通して接続されているから、タッチ配線３３１に係る配線抵抗を低くすることができる。このように、タッチ配線３３１の配線抵抗を低下させることで、位置入力体である指による入力位置の検出精度が向上する。さらに、タッチ配線３３１から供給されるタッチ信号と、基準電位にするための共通信号とが切り替わる際の電位の変動が生じ難くなる。これにより、表示品位の低下が抑制される。
【００５１】
また、画素電極ブリッジ配線４６は、タッチ電極３３０と同層に配されており、層間絶縁膜３３７には、タッチ配線３３１とタッチ電極３３０とを接続するタッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）３４２が開口形成される。このようにすれば、画素電極ブリッジ配線４６とタッチ電極３３０とは、接続対象が共にタッチ配線３３１とされる。従って、同じ層間絶縁膜３３７にコンタクトホール４７及びタッチコンタクトホール３４２をそれぞれ開口形成することで、画素電極ブリッジ配線４６とタッチ電極３３０とを、タッチ配線３３１に対して接続することができ、もって製造コストを低下させる上で好適となる。
【００５２】
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図１６または図１７によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態２から第３配線構成部４４１及びＴＦＴブリッジ配線４４４の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
【００５３】
本実施形態に係るタッチ配線４３１は、図１６に示すように、一対の第１配線構成部４３９、第２配線構成部４４０及び一方の第３配線構成部４４１Ｒからなる。つまり、上記した実施形態２に記載された他方の第３配線構成部１４１Ｌが省略されており、Ｙ軸方向について隣り合う一方の第１配線構成部４３９Ｒ同士を繋ぐ一方の第３配線構成部４４１Ｒのみによって第３配線構成部４４１が構成されている。そして、ＴＦＴブリッジ配線４４４は、一方のＴＦＴ４２３Ｒと重畳する一方のＴＦＴブリッジ配線４４４Ｒのみからなり、上記した実施形態２に記載された他方のＴＦＴブリッジ配線１４４Ｌが省略されている。
【００５４】
以上により、ＴＦＴブリッジ配線４４４は、他方のＴＦＴ４２３Ｌとは非重畳とされて一方のＴＦＴ４２３Ｒに対して重畳するよう選択的に配されるのに対し、第３配線構成部４４１は、一対の第１配線構成部４３９のうちの一方同士を接続するよう選択的に配されている。これにより、タッチ配線４３１は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の一方の第１配線構成部４３９Ｒが、Ｙ軸方向について交互に繰り返し配される一方の第３配線構成部４４１Ｒ及び一方のＴＦＴブリッジ配線４４４Ｒにより接続された構成とされるので、タッチ配線４３１の延面距離が短くなり、もってタッチ配線４３１に係る配線抵抗を低くすることができる。
【００５５】
以上説明したように本実施形態によれば、ＴＦＴ４２３を横切るよう配されてＴＦＴ４２３との間に層間絶縁膜が介在するＴＦＴブリッジ配線４４４であって、その一部ずつが層間絶縁膜に開口形成されたコンタクトホール４４５を通して第２方向について隣り合う第１配線構成部４３９にそれぞれ接続されるＴＦＴブリッジ配線４４４を備えており、タッチ配線４３１は、第２方向について列をなして複数組が並んで配される一対の第１配線構成部４３９、及び第２配線構成部４４０と共に第２金属膜からなり、ＴＦＴ４２３とは非重畳となるよう配されて第２方向について隣り合う第１配線構成部４３９同士を繋ぐとともに一方のＴＦＴ４２３Ｒ及び他方のＴＦＴ４２３Ｌとは非重畳となるよう配される第３配線構成部４４１を有しており、ＴＦＴブリッジ配線４４４は、他方のＴＦＴ４２３Ｌとは非重畳とされて一方のＴＦＴ４２３Ｒに対して重畳するよう選択的に配されるのに対し、第３配線構成部４４１は、一対の第１配線構成部４３９のうちの一方同士を接続するよう選択的に配される。このようにすれば、第２方向に沿って列をなして並ぶ複数の画素電極４２４は、同様に列をなして並ぶ一対ずつの第１配線構成部４３９により挟み込まれている。そして、タッチ配線４３１は、第２方向について隣り合う一方の第１配線構成部４３９同士が、他方のＴＦＴ４２３Ｌとは非重畳とされて一方のＴＦＴ４２３Ｒに対して重畳するＴＦＴブリッジ配線４４４の一部ずつに対して層間絶縁膜に開口形成されたコンタクトホール４４５を通して接続される。それに加えて、タッチ配線４３１は、第２方向について隣り合う一方の第１配線構成部４３９同士が、一方のＴＦＴ４２３Ｒ及び他方のＴＦＴ４２３Ｌとは非重畳となるよう配される第３配線構成部４４１により接続される。このように、タッチ配線４３１を構成する一対ずつの第１配線構成部４３９のうち、一方の第１配線構成部４３９が選択的にＴＦＴブリッジ配線４４４及び第３配線構成部４４１により接続されているので、タッチ配線４３１の延面距離が短くなり、もってタッチ配線４３１に係る配線抵抗を低くすることができる。また、ＴＦＴブリッジ配線４４４は、ＴＦＴ４２３を横切るよう配されるものの、ＴＦＴ４２３との間に層間絶縁膜が介在することで、ＴＦＴ４２３との短絡が防がれている。
【００５６】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、ソース配線とタッチ配線とが同一材料からなる場合を示したが、ソース配線とタッチ配線とが同層に配されるものの異なる材料からなる構成であっても構わない。
（２）上記した各実施形態では、ソース配線とタッチ配線とが同層に配される場合を示したが、ソース配線とタッチ配線とが異なる層に配されていても構わない。その場合は、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第３金属膜を積層配置し、ソース配線などが第２金属膜からなり、タッチ配線が第３金属膜からなるようにすればよい。
（３）上記した各実施形態では、ソース配線及びタッチ配線と画素電極とが同層に配される場合を示したが、ソース配線及びタッチ配線と画素電極とが異なる層に配されていても構わない。その場合は、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにすればよい。さらには、ソース配線とタッチ配線と画素電極とがそれぞれ異なる層に配されていても構わない。
（４）上記した各実施形態では、タッチ配線がＸ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極に対して個別に設置された場合を示したが、タッチ配線がＸ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極のうち、特定の画素電極に対してのみ選択的に配置されていても構わない。その場合、例えば青色カラーフィルタと重畳していて青色画素部を構成する画素電極に対してのみ選択的にタッチ配線を配置することができるが、それ以外にもどの画素電極に対してタッチ配線を配置するかは適宜に変更可能である。
（５）上記した各実施形態では、画素電極に対してＸ軸方向について一端側と他端側とにそれぞれ偏在する一方のＴＦＴと他方のＴＦＴとがジグザグ状に配される構成を例示したが、Ｙ軸方向について隣り合う複数のＴＦＴがＹ軸方向に沿って直線状に配される構成を採ることも可能である。その場合、ＴＦＴは、画素電極に対してＸ軸方向について一端側または他端側のいずれかに偏在していてもよいが、偏在しない構成であってもよい。
（６）上記した実施形態２では、ＴＦＴブリッジ配線が第２透明電極膜からなる場合を示したが、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにした場合には、ＴＦＴブリッジ配線が第１透明電極膜からなるようにしても構わない。
（７）上記した実施形態４では、画素電極ブリッジ配線が第２透明電極膜からなる場合を示したが、例えば第２金属膜の上層側に絶縁膜を介して第１透明電極膜を積層配置し、ソース配線及びタッチ配線などが第２金属膜からなり、画素電極が第１透明電極膜からなるようにした場合には、画素電極ブリッジ配線が第１金属膜または第２金属膜からなるようにしても構わない。
（８）上記した実施形態２に記載したＴＦＴブリッジ配線と、実施形態４に記載した画素電極ブリッジ配線と、を併用することも可能である。
（９）上記した実施形態５では、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の一方の第１配線構成部を、一方の第３配線構成部及び一方のＴＦＴブリッジ配線に接続した構成を示したが、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の他方の第１配線構成部を、他方の第３配線構成部及び他方のＴＦＴブリッジ配線に接続する構成を採ることも勿論可能である。
（１０）上記した各実施形態以外にも、タッチ電極とタッチ配線とを接続するためのコンタクトホールの具体的な平面配置は、適宜に変更可能である。
（１１）上記した各実施形態に記載した技術事項を適宜に組み合わせることも勿論可能である。
（１２）上記した各実施形態では、遮光部がＣＦ基板側に設けられた場合を示したが、遮光部がアレイ基板側に設けられていても構わない。
（１３）上記した各実施形態以外にも、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体膜は、ポリシリコンであっても構わない。その場合は、ＴＦＴをボトムゲート型とするのが好ましい。
（１４）上記した各実施形態では、タッチパネルパターンが自己容量方式とされる場合を示したが、タッチパネルパターンが相互容量方式であっても構わない。
（１５）上記した各実施形態では、透過型の液晶パネルを例示したが、反射型の液晶パネルや半透過型の液晶パネルであっても本発明は適用可能である。
（１６）上記した実施形態では、液晶表示装置（液晶パネルやバックライト装置）の平面形状が横長の長方形とされる場合を示したが、液晶表示装置の平面形状が縦長の長方形、正方形、円形、半円形、長円形、楕円形、台形などであっても構わない。
（１７）上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされた液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。
（１８）上記した各実施形態では、ＴＦＴのドレイン電極と画素電極とは、ゲート絶縁膜上に形成されるが、その積層順序は問わない。ＴＦＴのドレイン電極が画素電極の上層側であってもよいし、その逆であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０…液晶表示装置（位置入力機能付き表示装置）、２３，１２３，４２３…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２３Ｌ，１２３Ｌ，４２３Ｌ…他方のＴＦＴ（他方のスイッチング素子）、２３Ｒ，１２３Ｒ，４２３Ｒ…一方のＴＦＴ（一方のスイッチング素子）、２４，１２４，３２４，４２４…画素電極、２５，１２５，２２５，３２５…共通電極、２７，１２７…ソース配線（信号配線）、３０，１３０，２３０，３３０…タッチ電極（位置検出電極）、３１，１３１，３３１，４３１…タッチ配線（位置検出配線）、３６，１３６…第２金属膜（金属膜）、３７，１３７，２３７…層間絶縁膜（絶縁膜）、３９，１３９，３３９，４３９…第１配線構成部、３９Ｌ，１３９Ｌ…他方の第１配線構成部、３９Ｒ，１３９Ｒ，４３９Ｒ…一方の第１配線構成部、４０，１４０，３４０，４４０…第２配線構成部、４１，１４１，４４１…第３配線構成部、４１Ｌ，１４１Ｌ…他方の第３配線構成部、４１Ｒ，１４１Ｒ，４４１Ｒ…一方の第３配線構成部、４２，１４２，２４２…タッチコンタクトホール（位置検出コンタクトホール）、４４，２４４，４４４…ＴＦＴブリッジ配線（スイッチング素子ブリッジ配線）、４４Ｌ…他方のＴＦＴブリッジ配線（他方のスイッチング素子ブリッジ配線）、４４Ｒ，４４４Ｒ…一方のＴＦＴブリッジ配線（一方のスイッチング素子ブリッジ配線）、４５，２４５…コンタクトホール、４６…画素電極ブリッジ配線、４７…コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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