(57)【要約】【課題】バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現すること。【解決手段】入力部（１０ａ）及び出力部（１０ｂ）を備えたポスト壁導波路型のバンドパスフィルタ（１）において、上広壁（１２ａ）の第１端部（短辺１２ａ１）の両端部の各々には、それぞれ、導波領域（Ｄ１）から遠ざかる方向に向かって延伸された第１帯状導体及び第２帯状導体が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、前記誘電体基板の第１主面に形成された第１広壁と、前記誘電体基板の第２主面に形成された第２広壁と、前記誘電体基板の内部に形成されたポスト壁と、を備え、前記第１広壁、前記第２広壁、及び前記ポスト壁によって、前記誘電体基板の内部に複数の共振領域を含む導波領域が形成されたバンドパスフィルタにおいて、
前記導波領域の一方の端面を構成する第１ショート壁の近傍に設けられた、前記導波領域に電磁波を入力するための入力部と、
前記導波領域の他方の端面を構成する第２ショート壁の近傍に設けられた、前記導波領域から電磁波を出力するための出力部と、を更に備え、
前記第１広壁の縁のうち前記第１ショート壁に沿った部分を第１端部として、
前記第１端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第１帯状導体及び第２帯状導体が設けられている、
ことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
前記第１帯状導体及び前記第２帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、
ことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項３】
前記第１端部、前記第１帯状導体、及び前記第２帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】
前記第１帯状導体及び前記第２帯状導体の各々の先端部同士を接続する第３帯状導体を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項５】
前記第１端部、前記第１帯状導体、前記第２帯状導体、及び前記第３帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えている、
ことを特徴とする請求項４に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項６】
前記第１広壁の縁のうち前記第２ショート壁に沿った部分を第２端部として、
前記第２端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第４帯状導体及び第５帯状導体が設けられている、
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項７】
前記第４帯状導体及び前記第５帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、
ことを特徴とする請求項６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項８】
前記第２端部、前記第４帯状導体、及び前記第５帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えている、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項９】
前記第４帯状導体及び前記第５帯状導体の各々の先端部同士を接続する第６帯状導体と、を更に備えている、
ことを特徴とする請求項６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１０】
前記第２端部、前記第４帯状導体、前記第５帯状導体、及び前記第６帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えている、
ことを特徴とする請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１１】
前記第２広壁の縁のうち前記第１ショート壁に沿った部分を第３端部とし、前記第２広壁の縁のうち前記第２ショート壁に沿った部分を第４端部として、
前記第３端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第７帯状導体及び第８帯状導体が設けられており、
前記第４端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第９帯状導体及び第１０帯状導体が設けられている、
ことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１２】
前記第７帯状導体及び前記第８帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられており、
前記第９帯状導体及び前記第１０帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、
ことを特徴とする請求項１１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１３】
（１）前記第３端部、前記第７帯状導体、及び前記第８帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）前記第４端部、前記第９帯状導体、及び前記第１０帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１４】
前記第７帯状導体及び前記第８帯状導体の各々の先端部同士を接続する第１１帯状導体と、
前記第９帯状導体及び前記第１０帯状導体の各々の先端部同士を接続する第１２帯状導体と、を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１５】
（１）前記第３端部、前記第７帯状導体、前記第８帯状導体、及び前記第１１帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）前記第４端部、前記第９帯状導体、前記第１０帯状導体、及び前記第１２帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えている、
ことを特徴とする請求項１４に記載のバンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
通過帯域内の電磁波を通過させると共に、通過帯域外の電磁波を遮断するバンドパスフィルタが広く用いられている。ミリ波帯で動作するバンドパスフィルタは、直列結合された複数の共振器を含む導波管又は導波路として実現されることが一般的である。
【０００３】
非特許文献１には、金属導波管型のバンドパスフィルタが開示されている。また、非特許文献２には、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタが開示されている。ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタには、金属導波管型のバンドパスフィルタと比べて、安価であり、小型であり、軽量であるといった利点がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】吉田和明、”マイクロ波フィルタの技術と応用”、日本無線技術技法  Ｎｏ．６４、２０１３年１２月
【非特許文献２】Y. Uemichi, O. Nukage, K. Nakamura, X. Han, R. Hosono, and S. Amakawa, "Compact and low-loss bandpass filter realized in silica-based post-wall waveguide for 60-GHz application", IEEE MTT-S IMS, ２０１５年５月
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタにおいては、後述するエッジ領域がバイパス導波路として機能することによって、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過するバイパス現象が起こり得ることを、本願発明者らは発見した。このようなバイパス現象が起こると、バンドパスフィルタのアイソレーション性能が劣化する。
【０００６】
ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタにおいて起こり得るバイパス現象について、図５及び図６を参照してより具体的に説明すれば、以下のとおりである。なお、以下の説明においては、図示した座標系において、ｘ軸正方向を「右」、ｘ軸負方向を「左」、ｙ軸正方向を「前」、ｙ軸負方向を「後」、ｚ軸正方向を「上」、ｚ軸負方向を「下」と呼ぶ。
【０００７】
図５は、バンドパスフィルタ９の分解斜視図である。図５に示すように、バンドパスフィルタ９は、誘電体基板９１と、誘電体基板９１の上面に形成された上広壁９２ａと、誘電体基板９１の下面に形成された下広壁９２ｂと、誘電体基板９１の内部に形成されたポスト壁９３と、を備えている。ポスト壁９３は、柵状に並べられた導体ポストＰ１，Ｐ２，…の集合である。
【０００８】
図６は、バンドパスフィルタ９の平面図である。図６に示すように、ポスト壁９３は、右狭壁９３０ａ、左狭壁９３０ｂ、前狭壁９３０ｃ、及び後狭壁９３０ｄに加えて、６組の隔壁対９３１〜９３６を含んでいる。上下を広壁９２ａ，９２ｂ（図６には不図示）で挟まれ、前後左右を狭壁９３０ａ〜９３０ｄに囲まれた直方体状の領域Ｄ１は、電磁波を導波する方形導波路として機能する。以下、この領域Ｄ１のことを、「導波領域」と呼ぶ。
【０００９】
導波領域Ｄ１は、６組の隔壁対９３１〜９３６によって７つの小領域Ｄ１１〜Ｄ１７に区画されている。小領域Ｄ１１には、電磁波を第１マイクロストリップ線路５から導波領域Ｄ１に入力するための入力部９０ａが形成されている。以下、この小領域Ｄ１１のことを、「入力領域」と呼ぶ。また、５個の小領域Ｄ１２〜Ｄ１６の各々は、共振器として機能する。以下、これらの小領域Ｄ１２〜Ｄ１６の各々のことを、「共振領域」と呼ぶ。また、小領域Ｄ１７には、電磁波を導波領域Ｄ１から第２マイクロストリップ線路６に出力するための出力部９０ｂが形成されている。以下、この小領域Ｄ１７のことを、「出力領域」と呼ぶ。
【００１０】
バンドパスフィルタ９においては、直列結合された５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１６が、特定の通過帯域内の電磁波を選択的に通過させるチェビシェフ型のバンドパスフィルタとして機能する。このため、入力部９０ａを介して第１マイクロストリップ線路５から入力領域Ｄ１１へと入力された電磁波のうち、特定の通過帯域内の電磁波のみが、出力部９０ｂを介して出力領域Ｄ１７から第２マイクロストリップ線路６へと出力される。
【００１１】
ところが、このようなバンドパスフィルタ９においては、バイパス現象、すなわち、導波領域Ｄ１を介して第１マイクロストリップ線路５から第２マイクロストリップ線路６へと導波されるべき電磁波の一部が、導波領域Ｄ１の外部に存在するエッジ領域Ｄ２を介して第１マイクロストリップ線路５から第２マイクロストリップ線路６へと導波される現象が生じ得る。ここで、エッジ領域Ｄ２とは、図６に示すように、誘電体基板９１において、上広壁９２ａの外縁と下広壁９２ｂの外縁とに挟まれた領域近傍のことを指す。
【００１２】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板の第１主面に形成された第１広壁と、前記誘電体基板の第２主面に形成された第２広壁と、前記誘電体基板の内部に形成されたポスト壁と、を備え、前記第１広壁、前記第２広壁、及び前記ポスト壁によって、前記誘電体基板の内部に複数の共振領域を含む導波領域が形成されたバンドパスフィルタにおいて、前記導波領域の一方の端面を構成する第１ショート壁の近傍に設けられた、前記導波領域に電磁波を入力するための入力部と、前記導波領域の他方の端面を構成する第２ショート壁の近傍に設けられた、前記導波領域から電磁波を出力するための出力部と、を更に備え、前記第１広壁の縁のうち前記第１ショート壁に沿った部分を第１端部として、前記第１端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第１帯状導体及び第２帯状導体が設けられている、ことを特徴とする。
【００１４】
本バンドパスフィルタの通過帯域外の電磁波を含む電磁波が入力部に入力された場合に、第１端部の両端部に設けられた第１，第２帯状導体の各々は、共振現象を起こす。この共振現象は、上記通過帯域外の電磁波（すなわち本バンドパスフィルタが遮断すべき帯域に含まれる電磁波）のエネルギーに損失を生じさせることができる。したがって、上記の構成によれば、外部から入力部に入力された電磁波の一部がエッジ領域に結合し得る場合であっても、本バンドパスフィルタは、入力部からエッジ領域へ結合される電磁波を抑制することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタにおいて、前記第１帯状導体及び前記第２帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、ことが好ましい。
【００１６】
上記の構成によれば、第１帯状導体の先端と第２帯状導体の先端との距離の各々を設計パラメータとして、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第１端部、前記第１帯状導体、及び前記第２帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えていてもよい。
【００１８】
上記の構成によれば、第１の被覆層が、第１端部、前記第１帯状導体、及び前記第２帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部の近傍において、共振現象を起こしている電磁波を損失させることができる。このため、本バンドパスフィルタは、バイパス現象をより効果的に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第１帯状導体及び前記第２帯状導体の各々の先端部同士を接続する第３帯状導体を更に備えていてもよい。
【００２０】
第１〜第３帯状導体は、上広壁の第１端部の近傍領域とともに環状の導体パターンを構成する。上記の構成によれば、環状の導体パターンにより取り囲まれた開口のサイズを設計パラメータとして、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００２１】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第１端部、前記第１帯状導体、前記第２帯状導体、及び前記第３帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えていてもよい。
【００２２】
上記の構成によれば、第１の被覆層が、第１端部、前記第１帯状導体、前記第２帯状導体、及び第３帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部の近傍において、共振現象を起こしている電磁波を損失させることができる。このため、本バンドパスフィルタは、バイパス現象をより効果的に抑制することができる。
【００２３】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタにおいて、記第１広壁の縁のうち前記第２ショート壁に沿った部分を第２端部として、前記第２端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第４帯状導体及び第５帯状導体が設けられている、ことが好ましい。
【００２４】
上記の構成によれば、第１ショート壁近傍のエッジ領域に加えて、第２ショート壁近傍のエッジ領域においても上記通過帯域外の電磁波のエネルギーに損失を生じさせることができる。したがって、上記の構成によれば、出力部から外部に出力された電磁波の一部がエッジ領域に結合し得る場合であっても、本バンドパスフィルタは、出力部からエッジ領域へ結合される電磁波を抑制することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象が更に生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することができる。
【００２５】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタにおいて、前記第４帯状導体及び前記第５帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、ことが好ましい。
【００２６】
上記の構成によれば、第４帯状導体の先端と第５帯状導体の先端との距離の各々を設計パラメータとして、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００２７】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第２端部、前記第４帯状導体、及び前記第５帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えていてもよい。
【００２８】
上記の構成によれば、第２の被覆層が、第２端部、前記第４帯状導体、及び前記第５帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部の近傍において、共振現象を起こしている電磁波を損失させることができる。このため、本バンドパスフィルタは、バイパス現象をより効果的に抑制することができる。
【００２９】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第４帯状導体及び前記第５帯状導体の各々の先端部同士を接続する第６帯状導体と、を更に備えていてもよい。
【００３０】
第４〜第６帯状導体は、上広壁の第２端部の近傍領域とともに環状の導体パターンを構成する。上記の構成によれば、環状の導体パターンにより取り囲まれた各開口のサイズを設計パラメータとして、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、本バンドパスフィルタは、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００３１】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第２端部、前記第４帯状導体、前記第５帯状導体、及び前記第６帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第１広壁よりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えていてもよい。
【００３２】
上記の構成によれば、第２の被覆層が、第２端部、前記第４帯状導体、前記第５帯状導体、及び前記第６帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部の近傍において、共振現象を起こしている電磁波を損失させることができる。このため、本バンドパスフィルタは、バイパス現象をより効果的に抑制することができる。
【００３３】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタにおいて、前記第２広壁の縁のうち前記第１ショート壁に沿った部分を第３端部とし、前記第２広壁の縁のうち前記第２ショート壁に沿った部分を第４端部として、前記第３端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第７帯状導体及び第８帯状導体が設けられており、前記第４端部の両端部の各々には、それぞれ、前記導波領域から遠ざかる方向に向かって延伸された第９帯状導体及び第１０帯状導体が設けられている、構成であってもよい。
【００３４】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタにおいて、前記第７帯状導体及び前記第８帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられており、前記第９帯状導体及び前記第１０帯状導体の各々は、それぞれの途中において、互いの先端の各々が近づく方向に折り曲げられている、構成であってもよい。
【００３５】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、（１）前記第３端部、前記第７帯状導体、及び前記第８帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）前記第４端部、前記第９帯状導体、及び前記第１０帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えていてもよい。
【００３６】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、前記第７帯状導体及び前記第８帯状導体の各々の先端部同士を接続する第１１帯状導体と、前記第９帯状導体及び前記第１０帯状導体の各々の先端部同士を接続する第１２帯状導体と、を更に備えていてもよい。
【００３７】
また、本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、（１）前記第３端部、前記第７帯状導体、前記第８帯状導体、及び前記第１１帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）前記第４端部、前記第９帯状導体、前記第１０帯状導体、及び前記第１２帯状導体のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、前記誘電体基板よりも導電率が高く、且つ、前記第２広壁よりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えていてもよい。
【００３８】
本発明のこれらの各態様に係るバンドパスフィルタは、上述した本発明の各態様に係るバンドパスフィルタと同様の効果を奏する。
【発明の効果】
【００３９】
本発明の一態様によれば、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することにある。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に係るバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すバンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、図１に示すバンドパスフィルタの断面図である。
【図３】（ａ）は、図１に示すバンドパスフィルタの一部を拡大した拡大平面図である。（ｂ）は、図１に示すバンドパスフィルタの変形例の一部を拡大した拡大平面図である。
【図４】本発明の第１〜第６の実施例であるバンドパスフィルタの透過特性と、比較例であるバンドパスフィルタの透過特性とを示したグラフである。
【図５】従来のバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図６】図５に示すバンドパスフィルタの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、バンドパスフィルタ１の分解斜視図である。図２の（ａ）は、バンドパスフィルタ１の平面図であり、図２の（ｂ）は、バンドパスフィルタ１の断面図である。なお、図１においては、バンドパスフィルタ１に接続されるマイクロストリップ線路５，６を併せて示している。また、図２の（ｂ）に示す断面は、図２の（ａ）に示すＡ−Ａ’線におけるバンドパスフィルタ１の断面である。
【００４２】
バンドパスフィルタ１は、図１に示すように、誘電体基板１１と、誘電体基板１１の上面に形成された上広壁１２ａと、誘電体基板１１の下面に形成された下広壁１２ｂと、誘電体基板１１の内部に形成されたポスト壁１３と、を備えている。誘電体基板１１の上面及び下面の各々は、それぞれ、請求の範囲に記載の第１主面及び第２主面の一態様である。
【００４３】
誘電体基板１１は、誘電体により構成された板状部材である。本実施形態においては、誘電体基板１１として、石英基板を用いている。ただし、誘電体基板１１の材料は、誘電体であればよく、石英に限定されない。例えば、誘電体基板１１の材料は、樹脂（例えば、テフロン（登録商標）系樹脂や液晶ポリマー樹脂など）であっても構わない。
【００４４】
なお、以下の説明においては、誘電体基板１１の表面を構成する６つの面のうち、面積が最も大きな２つの面を「主面」と呼ぶ。特に、これら２つの主面を区別する必要がある場合は、第１の主面を「上面」と呼び、第１の主面に対向する第２の主面を「下面」と呼ぶ。また、誘電体基板１１の表面を構成する６つの面のうち、主面以外の４つの面を「側面」と呼ぶ。特に、これら４つの側面を区別する必要がある場合には、第１の側面を「右側面」と呼び、第１の側面に対向する第２の側面を「左側面」と呼び、第１の側面及び第２の側面に直交する第３の側面を「前側面」と呼び、第３の側面に対向する第４の側面を「後側面」と呼ぶ。ただし、これらの呼称は、説明の便宜上のものであり、バンドパスフィルタ１の配置に制約を課すものではない。また、以下の説明においては、誘電体基板１１の左側面から右側面に向かう方向をｘ軸正方向とし、誘電体基板１１の後側面から前側面に向かう方向をｙ軸正方向とし、誘電体基板１１の下面から上面に向かう方向をｚ軸正方向とする直交座標系を利用する。
【００４５】
上広壁１２ａは、誘電体基板１１の上面に形成された長方形の膜状導体であり、下広壁１２ｂは、上広壁１２ａと対向するように、誘電体基板１１の下面に形成された長方形の膜状導体である。図１に示すように、上広壁１２ａの外縁を構成する４つの辺のうち前方（ｙ軸正方向側）の短辺を短辺１２ａ１と称し、後方（ｙ軸負方向側）の短辺を短辺１２ａ２と称し、下広壁１２ｂの外縁を構成する４つの辺のうち前方（ｙ軸正方向側）の短辺を短辺１２ｂ１と称し、後方（ｙ軸負方向側）の短辺を短辺１２ｂ２と称する。
【００４６】
上広壁１２ａ及び下広壁１２ｂの各々は、それぞれ、請求の範囲に記載の第１広壁及び第２広壁の一態様である。上広壁１２ａの外縁及び下広壁１２ｂの外縁の各々は、それぞれ、請求の範囲に記載の第１広壁の縁及び第２広壁の縁の一態様である。また、短辺１２ａ１，１２ａ２，１２ｂ１，１２ｂ２の各々は、それぞれ、請求の範囲に記載の第１端部、第２端部、第３端部、及び第４端部の一態様である。
【００４７】
上広壁１２ａの短辺１２ａ１の近傍領域には、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５が設けられている。同様に、短辺１２ａ２の近傍領域には、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８が設けられている。また、下広壁１２ｂの短辺１２ｂ１の近傍領域には、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５が設けられている。同様に、短辺１２ｂ２の近傍領域には、帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８が設けられている。上広壁１２ａは、短辺１２ａ１と短辺１２ａ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、鏡映対称になるように構成されている。同様に、下広壁１２ｂは、短辺１２ｂ１と短辺１２ｂ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、鏡映対称になるように構成されている。
【００４８】
したがって、短辺１２ａ１と短辺１２ａ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と帯状導体１２ａ６〜１２ａ８とは、鏡映対称である。同様に、短辺１２ｂ１と短辺１２ｂ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５と帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８とは、鏡映対称である。帯状導体１２ａ３〜１２ａ８，１２ｂ３〜１２ｂ８については、図３の（ａ）を参照して後述する。
【００４９】
本実施形態においては、上広壁１２ａ、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５、及び帯状導体１２ａ６〜１２ａ８、並びに、下広壁１２ｂ、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５、及び帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８として、銅膜を所定の形状に成形した導体パターン用いる。ただし、これらの導体パターンの材料は、導体であればよく、銅に限定されない。例えば、これらの導体パターンの材料は、銅以外の金属（例えば、アルミニウムや金など）であっても構わない。また、上広壁１２ａ、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５、及び帯状導体１２ａ６〜１２ａ８、並びに、下広壁１２ｂ、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５、及び帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８は、導体膜の代わりに、導体板を所定の形状に成型した導体パターンにより構成されていてもよい。
【００５０】
以下、ポスト壁１３の構成について、図２の（ａ）を参照して説明する。ポスト壁１３は、誘電体基板１１の内部に形成された複数の導体ポストＰ１，Ｐ２，…の集合である。各導体ポストＰｉ（ｉ＝１，２，…）は、図２の（ｂ）に示すように、誘電体基板１１を上下に貫通する貫通孔の内壁を覆う膜状（円筒状）導体である（図２の（ｂ）においては、導体ポストＰｉの一態様である導体ポストＰ１３３ａ１〜Ｐ１３３ａ３，Ｐ１３３ｂ１〜Ｐ１３３ｂ３を例示している）。各導体ポストＰｉの上端及び下端は、それぞれ、上広壁１２ａ及び下広壁１２ｂに接触しており、各導体ポストＰｉは、上広壁１２ａと下広壁１２ｂとを短絡している。本実施形態においては、各導体ポストＰｉの材料として、銅を用いている。ただし、各導体ポストＰｉの材料は、導体であればよく、銅に限定されない。例えば、各導体ポストＰｉの材料は、銅以外の金属（例えば、アルミニウムや金など）であっても構わない。また、各導体ポストＰｉは、誘電体基板１１を上下に貫通する貫通孔に充填された塊状（円柱状）の導体であっても構わない。これらの導体ポストＰ１，Ｐ２，…は、柵状に並べられており、これらの導体ポストＰ１，Ｐ２，…により構成されるポスト壁１３は、ポスト間隔よりも十分に長い波長を有する電磁波を反射する導体壁として機能する。
【００５１】
ポスト壁１３は、図２の（ａ）に示すように、右狭壁１３０ａ、左狭壁１３０ｂ、前狭壁１３０ｃ、及び後狭壁１３０ｄに加えて、６組の隔壁対１３１〜１３６を含んでいる。なお、前狭壁１３０ｃ及び後狭壁１３０ｄは、ショート壁と呼ばれることもある。前狭壁１３０ｃ及び後狭壁１３０ｄの各々は、それぞれ、請求の範囲に記載の第１ショート壁及び第２ショート壁の一態様である。
【００５２】
右狭壁１３０ａ及び左狭壁１３０ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｙ軸に沿って柵状に並べられた複数の導体ポストからなる。右狭壁１３０ａは、ｙｚ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、左狭壁１３０ｂは、ｙｚ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。
【００５３】
前狭壁１３０ｃ及び後狭壁１３０ｄは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｘ軸に沿って柵状に並べられた複数の導体ポストからなる。前狭壁１３０ｃは、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも前側（ｙ軸正方向側）に配置されている。一方、後狭壁１３０ｄは、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも後側（ｙ軸負方向側）に配置されている。
【００５４】
上下を広壁１２ａ，１２ｂで挟まれ、前後左右を狭壁１３０ａ〜１３０ｄに囲まれた直方体状の領域Ｄ１は、後述する入力部１０ａを介して入力された電磁波を導波する方形導波路として機能する。以下、この領域Ｄ１のことを、「導波領域」と呼ぶ。
【００５５】
第１隔壁対１３１は、第１右隔壁１３１ａ及び第１左隔壁１３１ｂにより構成される。第１右隔壁１３１ａ及び第１左隔壁１３１ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｘ軸に沿って柵状に並べられた複数（本実施形態においては２つ）の導体ポストからなる。第１右隔壁１３１ａは、前狭壁１３０ｃの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、第１左隔壁１３１ｂは、前狭壁１３０ｃの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。前狭壁１３０ｃから第１右隔壁１３１ａまでの距離と前狭壁１３０ｃから第１左隔壁１３１ｂまでの距離とは、互いに一致している。また、第１右隔壁１３１ａの左端（ｘ軸負方向側の端部）と第１左隔壁１３１ｂの右端（ｘ軸正方向側の端部）とは、互いに離間している。
【００５６】
第２隔壁対１３２は、第２右隔壁１３２ａ及び第２左隔壁１３２ｂにより構成される。第２右隔壁１３２ａ及び第２左隔壁１３２ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｘ軸に沿って柵状に並べられた複数（本実施形態においては３つ）の導体ポストからなる。第２右隔壁１３２ａは、第１右隔壁１３１ａの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、第２左隔壁１３２ｂは、第１左隔壁１３１ｂの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。前狭壁１３０ｃから第２右隔壁１３２ａまでの距離と前狭壁１３０ｃからから第２左隔壁１３２ｂまでの距離とは、互いに一致している。また、第２右隔壁１３２ａの左端（ｘ軸負方向側の端部）と第２左隔壁１３２ｂの右端（ｘ軸正方向側の端部）とは、互いに離間している。
【００５７】
第３隔壁対１３３は、第２隔壁対１３２の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第４隔壁対１３４は、第３隔壁対１３３の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第５隔壁対１３５は、第４隔壁対１３４の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第６隔壁対１３６は、第５隔壁対１３５の後方において、第１隔壁対１３１と同様に構成されている。これら６組の隔壁対１３１〜１３６は、ｙ軸に沿って等間隔に並べられている。
【００５８】
上述した導波領域Ｄ１は、これら６組の隔壁対１３１〜１３６によって、７つの小領域Ｄ１１〜Ｄ１７に区画される。
【００５９】
導波領域Ｄ１のうち、前後を前狭壁１３０ｃと第１隔壁対１３１とで挟まれた小領域Ｄ１１には、入力部１０ａが形成されている。入力部１０ａは、上広壁１２ａに形成された開口１０ａ１と、開口１０ａ１を通って誘電体基板１１に挿入されたブラインドビア１０ａ２と、により構成されている。ブラインドビア１０ａ２は、上広壁１２ａからも下広壁１２ｂからも絶縁されている。ブラインドビア１０ａ２は、図１に示すように、第１マイクロストリップ線路５の誘電体層５１を貫通して、第１マイクロストリップ線路５の信号ライン５２と接続される。この場合、第１マイクロストリップ線路５を導波された電磁波は、入力部１０ａを介して小領域Ｄ１１に入力される。以下、この小領域Ｄ１１のことを、「入力領域」と呼ぶ。ブラインドビア１０ａ２は、誘電体基板１１を貫通しておらず、その一方の端部（ｚ軸負方向側の端部）が誘電体基板１１の内部に位置することを除いて、各導体ポストＰｉと同様に構成されている。
【００６０】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第１隔壁対１３１と第２隔壁対１３２とで挟まれた小領域Ｄ１２は、第１共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１２のことを、「第１共振領域」と呼ぶ。第１共振領域Ｄ１２は、第１右隔壁１３１ａと第１左隔壁１３１ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した入力領域Ｄ１１と結合している。
【００６１】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第２隔壁対１３２と第３隔壁対１３３とで挟まれた小領域Ｄ１３は、第２共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１３のことを、「第２共振領域」と呼ぶ。第２共振領域Ｄ１３は、第２右隔壁１３２ａと第２左隔壁１３２ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した第１共振領域Ｄ１２と結合している。
【００６２】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第３隔壁対１３３と第４隔壁対１３４とで挟まれた小領域Ｄ１４は、第３共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１４のことを、「第３共振領域」と呼ぶ。第３共振領域Ｄ１４は、第３右隔壁１３３ａと第３左隔壁１３３ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した第２共振領域Ｄ１３と結合している。
【００６３】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第４隔壁対１３４と第５隔壁対１３５とで挟まれた小領域Ｄ１５は、第４共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１５のことを、「第４共振領域」と呼ぶ。第４共振領域Ｄ１５は、第４右隔壁１３４ａと第４左隔壁１３４ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した第３共振領域Ｄ１４と結合している。
【００６４】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第５隔壁対１３５と第６隔壁対１３６とで挟まれた小領域Ｄ１６は、第５共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１６のことを、「第５共振領域」と呼ぶ。第５共振領域Ｄ１６は、第５右隔壁１３５ａと第５左隔壁１３５ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した第４共振領域Ｄ１５と結合している。
【００６５】
導波領域Ｄ１のうち、前後を第６隔壁対１３６と後狭壁１３０ｄとで挟まれた小領域Ｄ１７には、出力部１０ｂが形成されている。出力部１０ｂは、上広壁１２ａに形成された開口１０ｂ１と、開口１０ｂ１を通って誘電体基板１１に挿入されたブラインドビア１０ｂ２と、により構成されている。ブラインドビア１０ｂ２は、上広壁１２ａからも下広壁１２ｂからも絶縁されている。ブラインドビア１０ｂ２は、図１に示すように、第２マイクロストリップ線路６の誘電体層６１を貫通して、第２マイクロストリップ線路６の信号ライン６２と接続される。この場合、小領域Ｄ１７を導波された電磁波は、出力部１０ｂを介して第２マイクロストリップ線路６に出力される。以下、この小領域Ｄ１７のことを、「出力領域」と呼ぶ。出力領域Ｄ１７は、第６右隔壁１３６ａと第６左隔壁１３６ｂとの間の隙間を結合窓として、上述した第５共振領域Ｄ１６と結合している。ブラインドビア１０ｂ２は、ブラインドビア１０ａ２と同一に構成されている。
【００６６】
バンドパスフィルタ１においては、直列結合された５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１６が、特定の通過帯域内の電磁波を選択的に通過させるチェビシェフ型のバンドパスフィルタとして機能する。このため、入力部１０ａを介して第１マイクロストリップ線路５から入力領域Ｄ１１へと入力された電磁波のうち、特定の通過帯域内の電磁波のみが、出力部１０ｂを介して出力領域Ｄ１７から第２マイクロストリップ線路６へと出力される。
【００６７】
なお、本実施形態においては、導波領域Ｄ１を６組の隔壁対１３１〜１３６で区画することによって、５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１５を含むバンドパスフィルタを実現しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、ｎを３以上の任意の自然数として、導波領域Ｄ１をｎ組の隔壁対で区画することによって、ｎ−１個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現することができる。例えば、（１）導波領域Ｄ１を３組の隔壁対で区画することによって、２個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよいし、（２）導波領域Ｄ１を４組の隔壁対で区画することによって、３個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよいし、（３）導波領域Ｄ１を５組の隔壁対で区画することによって、４個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよい。
【００６８】
また、本実施形態においては、第1マイクロストリップ線路５を導波された電磁波をバンドパスフィルタ１に入力するために、入力部１０ａを開口１０ａ１とブラインドビア１０ａ２とにより実現しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、導波管を導波された電磁波をバンドパスフィルタ１に入力するために、入力部１０ａを開口１０ａ１のみにより実現しても構わない。この場合、開口１０ａ１の形状及びサイズは、導波管の出力開口の形状及びサイズに応じて決められる。なお、コプレーナ線路を導波された電磁波をバンドパスフィルタ１に入力する場合には、本実施形態と同様、入力部１０ａを開口１０ａ１とブラインドビア１０ａ２とにより構成すればよい。
【００６９】
同様に、本実施形態においては、バンドパスフィルタ１を通過した電磁波を第２マイクロストリップ線路６に出力するために、出力部１０ｂを開口１０ｂ１とブラインドビア１０ｂ２とにより実現しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、バンドパスフィルタ１を通過した電磁波を導波管に出力するために、出力部１０ｂを開口１０ｂ１のみにより実現しても構わない。この場合、開口１０ｂ１の形状及びサイズは、導波管の入力開口の形状及びサイズに応じて決められる。なお、バンドパスフィルタ１を通過した電磁波をコプレーナ線路に入力する場合には、本実施形態と同様、出力部１０ｂを開口１０ｂ１とブラインドビア１０ｂ２とにより構成すればよい。
【００７０】
また、バンドパスフィルタ１は、第３共振領域Ｄ１４の中央を通り、且つ、ｚｘ面に平行な面を対称面として、鏡映対称な構造を有する。したがって、（１）入力部１０ａを含む入力領域Ｄ１１と出力部１０ｂを含む出力領域Ｄ１７とは同じ構造であり、（２）共振領域Ｄ１２と共振領域Ｄ１６とは同じ構造であり、（３）共振領域Ｄ１３と共振領域Ｄ１５とは同じ構造であり、共振領域Ｄ１４は、上記対称面に対して鏡映対称な構造を有する。
【００７１】
このように、バンドパスフィルタ１は、入力部１０ａからみた場合の構造と、出力部１０ｂからみた場合の構造とが等価である。したがって、バンドパスフィルタ１においては、入力ポートとして入力部１０ａ及び出力部１０ｂの何れを採用した場合であっても同じ機能を発揮する。
【００７２】
（バンドパスフィルタの特徴）
バンドパスフィルタ１について、図３を用いて説明する。図３の（ａ）は、バンドパスフィルタ１の上広壁１２ａの短辺１２ａ１近傍を拡大した拡大平面図である。なお、図３の（ｂ）は、バンドパスフィルタの変形例であるバンドパスフィルタ１Ａの上広壁１２ａＡの短辺１２ａ１Ａ近傍を拡大した拡大平面図である。バンドパスフィルタ１Ａについては、バンドパスフィルタ１の後に説明する。
【００７３】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ１において注目すべきは、図１及び図３の（ａ）に示すように、短辺１２ａ１の両端部（ｘ軸正方向側の端部及びｘ軸負方向側の端部）の各々には、それぞれ、導波領域Ｄ１から遠ざかる方向（ｙ軸正方向）に向かって延伸された帯状導体１２ａ３及び帯状導体１２ａ４が設けられていることである。ここで、短辺１２ａ１は、特許請求の範囲に記載の第１端部の一例である。また、帯状導体１２ａ３及び帯状導体１２ａ４の各々は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の第１帯状導体及び第２帯状導体の一例である。
【００７４】
また、図３の（ａ）には図示されていないものの、短辺１２ｂ１の両端部（ｘ軸正方向側の端部及びｘ軸負方向側の端部）の各々には、それぞれ、導波領域Ｄ１から遠ざかる方向（ｙ軸正方向）に向かって延伸された帯状導体１２ｂ３及び帯状導体１２ｂ４が設けられている（図１参照）。帯状導体１２ｂ３及び帯状導体１２ｂ４の各々は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の第７帯状導体及び第８帯状導体の一例である。
【００７５】
バンドパスフィルタ１の通過帯域外の電磁波を含む電磁波が入力部１０ａに入力された場合に、短辺１２ａ１の両端部に設けられた帯状導体１２ａ３，１２ａ４、及び、短辺１２ｂ１の両端部に設けられた帯状導体１２ｂ３，１２ｂ４の各々は、共振現象を起こす。この共振現象は、上記通過帯域外の電磁波（すなわち本バンドパスフィルタが遮断すべき帯域に含まれる電磁波）のエネルギーに損失を生じさせることができる。したがって、上記の構成によれば、外部から入力部１０ａに入力された電磁波の一部がエッジ領域に結合し得る場合であっても、バンドパスフィルタ１は、入力部１０ａからエッジ領域へ結合される電磁波を抑制することができる。したがって、バンドパスフィルタ１は、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することができる。なお、バンドパスフィルタ１は、誘電体基板１１において、上広壁１２ａの外縁と下広壁１２ｂの外縁とに挟まれた領域近傍であるエッジ領域のうち、短辺１２ａ１と短辺１２ｂ１とに挟まれた近傍領域において、上記通過帯域外の電磁波のエネルギーに損失を生じさせていると考えられる。
【００７６】
また、本実施形態においては、帯状導体１２ａ５が更に設けられており（図３の（ａ）参照）、下広壁１２ｂに帯状導体１２ｂ５が更に設けられている（図３の（ａ）には不図示、図１参照）。帯状導体１２ａ５は、短辺１２ａ１の方向（ｘ軸方向）に沿って配置されており、帯状導体１２ａ３の先端（ｙ軸正方向側の先端）と、帯状導体１２ａ４の先端（ｙ軸正方向側の先端）とを接続する。同様に、帯状導体１２ｂ５は、短辺１２ｂ１の方向（ｘ軸方向）に沿って配置されており、帯状導体１２ｂ３の先端（ｙ軸正方向側の先端）と、帯状導体１２ｂ４の先端（ｙ軸正方向側の先端）とを接続する。帯状導体１２ａ５及び帯状導体１２ｂ５の各々は、それぞれ、特許請求の範囲に記載の第３帯状導体及び第１１帯状導体の一例である。
【００７７】
このように構成された帯状導体１２ａ３〜１２ａ５は、上広壁１２ａの短辺１２ａ１近傍領域とともに、環状の導体パターンを構成する。帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５についても同様である。すなわち、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５は、下広壁１２ｂの短辺１２ｂ１近傍領域とともに、環状の導体パターンを構成する。本実施形態において、上広壁１２ａと下広壁１２ｂとは合同であり、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５とは、合同である。したがって、バンドパスフィルタ１を平面視した場合、図３の（ａ）に示した上広壁１２ａ及び帯状導体１２ａ３〜１２ａ５が形成されている領域と、図３の（ａ）には図示されていないものの下広壁１２ｂ及び帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５が形成されている領域とは、重なっている。なお、本実施形態においては、帯状導体１２ａ５，１２ｂ５のｙ軸正方向側の長辺は、誘電体基板１１の端面１１１と一致するように形成されている。
【００７８】
以下において、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と、短辺１２ａ１の近傍領域とにより取り囲まれた開口ＡＰ１の、ｘ軸方向に沿った長さを長さＸＡＰ１とし、ｙ軸方向に沿った長さを長さＹＡＰ１とする。また、図３の（ａ）には図示されていないものの、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５と、短辺１２ｂ１の近傍領域とにより取り囲まれた開口ＡＰ２の、ｘ軸方向に沿った長さを長さＸＡＰ２とし、ｙ軸方向に沿った長さを長さＹＡＰ２とする。これらの長さＸＡＰ１，ＸＡＰ２及び長さＹＡＰ１，ＹＡＰ２を設計パラメータとして変化させることによって、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、バンドパスフィルタ１は、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００７９】
また、バンドパスフィルタ１は、短辺１２ａ１及び帯状導体１２ａ３〜１２ａ５のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、上広壁１２ａよりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えていてもよい（図３の（ａ）には不図示）。
【００８０】
第１の被覆層の材料としては、シリコンなどの半導体、グラファイトなどの半金属、及びフェライトなどの磁性体が挙げられる。フェライトは、電磁波に対する高い吸収係数を有しているため、第１の被覆層を構成する材料として好ましい。特に、フェライトの中でもε−ＭｘＦｅ２−ｘＯ３の組成式で表されるε型−酸化鉄は、Ｍを構成する元素及びＭの組成比を設計パラメータとして、吸収係数がピークを示す周波数（吸収周波数）を設計することができるため、より好ましい。例えば、６４ＧＨｚ〜７０ＧＨｚの周波数帯域に含まれる電磁波を損失させたい場合、第１の被覆層の材料としてε−Ｇａ０．６Ｆｅ１．４Ｏ３の組成式で表されるε型−酸化鉄を採用することが好ましい。また、銀ペーストなどの導電性ペーストや、カーボンブラッグ含有ゴムなどの導電性ゴムといった導電性樹脂も、導電率を上記の条件を満たすように調整したうえで、第１の被覆層を構成する材料として利用することができる。
【００８１】
第１の被覆層は、短辺１２ａ１及び帯状導体１２ａ３〜１２ａ５のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部の近傍において、共振現象を起こしている電磁波を損失させることができる。このため、第１の被覆層を備えたバンドパスフィルタ１は、バイパス現象をより効果的に抑制することができる。
【００８２】
図３の（ａ）に示すように、第１ショート壁の一態様である前狭壁１３０ｃの壁芯（図３の（ａ）に示すＢ−Ｂ’線の位置）から、短辺１２ａ１（図３の（ａ）に示すＣ−Ｃ’線の位置）までの距離を第１距離Ｙ３１とする。また、図３の（ａ）には図示されていないものの、前狭壁１３０ｃの壁芯から短辺１２ｂ１までの距離を第２距離Ｙ３２とする。
【００８３】
なお、ここでは、短辺１２ａ１の近傍領域に設けられた帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と、短辺１２ｂ１の近傍領域に設けられた帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５について説明した。しかし、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と同様に、短辺１２ａ２の近傍領域には、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８が設けられている。また、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５と同様に、短辺１２ｂ２の近傍領域には、帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８が設けられている。
【００８４】
上述した第１の被覆層と同様に、バンドパスフィルタ１は、（１）短辺１２ａ２及び帯状導体１２ａ６〜１２ａ８のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、上広壁１２ａよりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えていてもよいし、（２）短辺１２ｂ１及び帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層を更に備えていてもよいし、（３）短辺１２ｂ２及び帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層を更に備えていてもよい。なお、第２被覆層、第３被覆層、及び第４被覆層の各々は、図３の（ａ）には図示していない。
【００８５】
上述したように、短辺１２ａ１と短辺１２ａ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５と帯状導体１２ａ６〜１２ａ８とは鏡映対称である。同様に、短辺１２ｂ１と短辺１２ｂ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５と帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８とは、鏡映対称である。したがって、第２ショート壁の一態様である後狭壁１３０ｄの壁芯（図２の（ａ）参照）から、短辺１２ａ２（図２の（ａ）参照）までの距離を第３距離Ｙ３３とする。また、後狭壁１３０ｄの壁芯から短辺１２ｂ２までの距離を第４距離Ｙ３４とする。
【００８６】
また、図示していないものの、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８と、短辺１２ａ２の近傍領域とにより取り囲まれた開口を開口ＡＰ３とし、帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８と、短辺１２ｂ２の近傍領域とにより取り囲まれた開口を開口ＡＰ４とする。開口ＡＰ１の場合と同様に、開口ＡＰ２〜４の、ｘ軸方向に沿った長さを各々長さＸＡＰ２〜ＸＡＰ４とし、ｙ軸方向に沿った長さを各々長さＹＡＰ２〜ＹＡＰ４とする。
【００８７】
なお、帯状導体１２ａ６及び帯状導体１２ａ７の各々は、特許請求の範囲に記載の第４帯状導体及び第５帯状導体の一例である。帯状導体１２ｂ６及び帯状導体１２ｂ７の各々は、特許請求の範囲に記載の第９帯状導体及び第１０帯状導体の一例である。帯状導体１２ａ８及び帯状導体１２ｂ８の各々は、特許請求の範囲に記載の第６帯状導体及び第１２帯状導体の一例である。
【００８８】
帯状導体１２ａ６〜１２ａ８，１２ｂ６〜１２ｂ８の各々は、それぞれ、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５，１２ｂ３〜１２ｂ５と同じ構成を有する。したがって、ここでは、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８，１２ｂ６〜１２ｂ８の詳しい説明を省略する。
【００８９】
また、図１には図示していないものの、バンドパスフィルタ１は、短辺１２ａ２及び帯状導体１２ａ６〜１２ａ８のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、上広壁１２ａよりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えていてもよい。
【００９０】
また、図１には図示していないものの、バンドパスフィルタ１は、（１）短辺１２ｂ１及び帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ５のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）短辺１２ｂ２及び帯状導体１２ｂ６〜１２ｂ８のうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えていてもよい。
【００９１】
第２の被覆層、第３の被覆層、及び第４の被覆層の各々を構成する材料としては、第１の被覆層を構成する材料と同じ材料を採用することができる。また、第２の被覆層、第３の被覆層、及び第４の被覆層の各々は、第１の被覆層と同様の効果を奏する。したがって、ここでは、これらの説明を省略する。
【００９２】
なお、バンドパスフィルタ１において、帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ８の各々を省略することもできるし、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８，１２ｂ６〜１２ｂ８の各々を省略することもできる。バンドパスフィルタ１の一態様は、少なくとも、帯状導体１２ａ３〜１２ａ５を備えていればよく、帯状導体１２ａ６〜１２ａ８を更に備えていることが好ましい。
【００９３】
また、バンドパスフィルタ１において、説明の便宜上、入力部１０ａ及び出力部１０ｂという名前を付している。入力部１０ａ及び出力部１０ｂの各々は、同じ構成を有するため、入力部１０ａを入力ポートとし、且つ、出力部１０ｂを出力ポートとして使用することもできるし、その逆に、出力部１０ｂを入力ポートとし、入力部１０ａを出力ポートとして使用することもできる。
【００９４】
（変形例）
バンドパスフィルタ１の変形例であるバンドパスフィルタ１Ａについて、図３の（ｂ）を参照して説明する。
【００９５】
図３の（ｂ）に示すように、バンドパスフィルタ１Ａの上広壁１２ａには、第１帯状導体の一例である帯状導体１２ａ３Ａと、第２帯状導体の一例である帯状導体１２ａ４Ａとが設けられている。帯状導体１２ａ３Ａ及び帯状導体１２ａ４Ａの各々は、それぞれの途中において、互いの先端である先端１２ａ３Ａｅ及び先端１２ａ４Ａｅの各々が互いに近づく方向に折り曲げられている。具体的には、帯状導体１２ａ３Ａは、その途中において、ｘ軸負方向に向かって直角に曲がっており、帯状導体１２ａ４Ａは、その途中において、ｘ軸正方向に向かって直角に曲がっている。
【００９６】
バンドパスフィルタ１Ａにおいては、先端１２ａ３Ａｅと先端１２ａ４Ａｅとが互いに離間している。したがって、バンドパスフィルタ１において開口ＡＰ１だった部分は、バンドパスフィルタ１Ａにおいて切り欠きＨＯ１となる。切り欠きＨＯ１は、略長方形の形状を有するが、先端１２ａ３Ａｅと先端１２ａ４Ａｅとが互いに離間していることに伴い、略長方形の形状のｙ軸正方向側の長辺は、破断されている。以下において、切り欠きＨＯ１の、ｘ軸方向に沿った長さを長さＸＨＯ１とし、ｙ軸方向に沿った長さ（破断されている部分を除く）を長さＹＨＯ１とする。
【００９７】
また、バンドパスフィルタ１において開口ＡＰ２〜ＡＰ４だった各部分は、バンドパスフィルタ１Ａにおいて切り欠きＨＯ２〜ＨＯ４となる。切り欠きＨＯ２〜ＨＯ４の、ｘ軸方向に沿った長さを長さＸＨＯ２〜ＸＨＯ４とし、ｙ軸方向に沿った長さ（破断されている部分を除く）を長さＹＨＯ２〜ＹＨＯ４とする。
【００９８】
以下において、先端１２ａ３Ａｅと先端１２ａ４Ａｅとの間の間隔を第１間隔ｄｇ１とする。また、図３の（ｂ）には図示されていないものの、帯状導体１２ｂ３Ａの先端である先端１２ｂ３Ａｅと、帯状導体１２ｂ４Ａの先端である先端１２ｂ４Ａｅとの間の間隔を第２間隔ｄｇ２とする。これらの間隔ｄｇ１，ｄｇ２を設計パラメータとして変化させることによって、上述した共振現象の共振周波数を制御することができる。したがって、バンドパスフィルタ１Ａは、バイパス現象を効果的に抑制することができる。
【００９９】
本変形例では、第１帯状導体の一例である帯状導体１２ａ３Ａと、第２帯状導体の一例である帯状導体１２ａ４Ａとについて説明し、第４帯状導体の一例である帯状導体１２ａ６Ａと、第５帯状導体の一例である帯状導体１２ａ７Ａと、第７帯状導体の一例である帯状導体１２ｂ３Ａと、第８帯状導体の一例である帯状導体１２ｂ４Ａと、第９帯状導体の一例である帯状導体１２ｂ６Ａと、第１０帯状導体の一例である帯状導体１２ｂ７Ａと、に関する説明を省略する。
【０１００】
なお、短辺１２ａ１と短辺１２ａ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ａ３Ａ，１２ａ４Ａと帯状導体１２ａ６Ａ，１２ａ７Ａとは、鏡映対称である。同様に、短辺１２ｂ１と短辺１２ｂ２とから等距離に位置するｚｘ平面を対称面として、帯状導体１２ｂ３Ａ，１２ｂ４Ａと帯状導体１２ｂ６Ａ，１２ｂ７Ａとは、鏡映対称である。したがって、図示は省略するものの、先端１２ａ６Ａｅと先端１２ａ７Ａｅとの間の間隔を第３間隔ｄｇ３とし、先端１２ｂ６Ａｅと先端１２ｂ７Ａｅとの間の間隔を第４間隔ｄｇ４とした場合、第１間隔ｄｇ１、第２間隔ｄｇ２、第３間隔ｄｇ３、及び第４間隔ｄｇ４の各々は、何れも等しい。
【０１０１】
また、バンドパスフィルタ１Ａは、バンドパスフィルタ１と同様に、短辺１２ａ１及び帯状導体１２ａ３Ａ〜１２ａ４Ａのうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第１の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、上広壁１２ａよりも導電率が低い材料からなる第１の被覆層を更に備えていてもよい（図３の（ｂ）には不図示）。
【０１０２】
また、図３の（ｂ）には図示していないものの、バンドパスフィルタ１Ａは、短辺１２ａ２及び帯状導体１２ａ６Ａ〜１２ａ７Ａのうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第２の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、上広壁１２ａよりも導電率が低い材料からなる第２の被覆層を更に備えていてもよい。
【０１０３】
また、図３の（ｂ）には図示していないものの、バンドパスフィルタ１Ａは、（１）短辺１２ｂ１及び帯状導体１２ｂ３Ａ〜１２ｂ４Ａのうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第３の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第３の被覆層、及び、（２）短辺１２ｂ２及び帯状導体１２ｂ６Ａ〜１２ｂ７Ａのうち少なくとも何れか１つの一部又は全部を覆う第４の被覆層であって、誘電体基板１１よりも導電率が高く、且つ、下広壁１２ｂよりも導電率が低い材料からなる第４の被覆層のうち、少なくとも何れか一方を更に備えていてもよい。
【０１０４】
バンドパスフィルタ１Ａの第１の被覆層、第２の被覆層、第３の被覆層、及び第４の被覆層の各々を構成する材料としては、バンドパスフィルタ１の第１の被覆層を構成する材料と同じ材料を採用することができる。また、バンドパスフィルタ１Ａの第１の被覆層、第２の被覆層、第３の被覆層、及び第４の被覆層の各々は、バンドパスフィルタ１の第１の被覆層と同様の効果を奏する。したがって、ここでは、これらの説明を省略する。
【０１０５】
なお、バンドパスフィルタ１Ａにおいて、帯状導体１２ａ６Ａ，１２ａ７Ａ，１２ｂ６Ａ，１２ｂ７Ａの各々は、省略することもできる。
【０１０６】
また、バンドパスフィルタ１Ａにおいて、説明の便宜上、入力部１０ａ及び出力部１０ｂという名前を付している。入力部１０ａ及び出力部１０ｂの各々は、同じ構成を有するため、入力部１０ａを入力ポートとし、且つ、出力部１０ｂを出力ポートとして使用することもできるし、その逆に、出力部１０ｂを入力ポートとし、入力部１０ａを出力ポートとして使用することもできる。
【０１０７】
〔実施例〕
次に、図３の（ａ）に示したバンドパスフィルタ１の構成、及び、図３の（ｂ）に示したバンドパスフィルタ１Ａの構成の各々をモデルとして用いそれぞれの構成における透過特性をシミュレーションした。以下において、透過係数（Ｓ２１ともいう）の周波数依存性のことを透過特性と称する。なお、本実施例においては、図１に示したバンドパスフィルタ１が備えていた帯状導体１２ｂ３〜１２ｂ８を省略している。すなわち、本実施例におけるバンドパスフィルタ１は、上広壁１２ａに設けられた帯状導体１２ａ３〜１２ａ８のみを備えている。また、本実施例におけるバンドパスフィルタ１Ａは、上広壁１２ａに設けられた帯状導体１２ａ３Ａ，１２ａ４Ａ，１２ａ６Ａ，１２ａ７Ａのみを備えている。
【０１０８】
バンドパスフィルタ１において、距離Ｙ３１及びＹ３３＝２００μｍを採用したモデルを第１の実施例とし、距離Ｙ３１及びＹ３３＝２３５μｍを採用したモデルを第２の実施例とし、距離Ｙ３１及びＹ３３＝３００μｍを採用したモデルを第３の実施例とし、距離Ｙ３１及びＹ３３＝４００μｍを採用したモデルを第４の実施例とし、距離Ｙ３１及びＹ３３＝６００μｍを採用したモデルを第５の実施例とする。また、バンドパスフィルタ１Ａにおいて、距離Ｙ３１及びＹ３３＝３００μｍを採用し、間隔ｄｇ１及びｄｇ３＝１０００μｍを採用したモデルを第６の実施例とする。
【０１０９】
開口ＡＰ１及びＡＰ２に関して、第１〜第５の実施例の各々は、長さＸＡＰ１及びＸＡＰ２＝２５００μｍを採用し，長さＹＡＰ１及びＹＡＰ２＝１１３１μｍを採用している。また、第６の実施例においても、長さＸＨＯ１及びＸＨＯ２＝２５００μｍを採用し、長さＹＨＯ１及びＹＨＯ２＝１１３１μｍを採用している。
【０１１０】
第１〜第６の各実施例は、Ｅバンドに含まれるローバンド（７１ＧＨｚ以上７６ＧＨｚ以下の帯域）を通過帯域とするように設計されている。また、各実施例において、低周波側の遮断帯域（７１ＧＨｚ未満の帯域）に含まれる所定の周波数を６５ＧＨｚに定める。６５ＧＨｚは、低周波側の遮断帯域の上限周波数（動作帯域の下限周波数とも言える）の凡そ９０％に相当する。周波数が６５ＧＨｚである電磁波の自由空間波長λ０は、４．６２ｍｍ（有効数字３桁の場合）である。したがって、自由空間波長λ０の１／４は、１．１５ｍｍ（有効数字３桁の場合）である。
【０１１１】
各実施例は、誘電体基板１１として厚さが５２０μｍである石英基板を採用している。誘電体基板１１の２つの主面上には、厚さが１０μｍである銅製の導体膜を所定の形状に成形することによって得られた導体パターンが設けられている。これらの導体パターンの各々は、第１〜第５の実施例の場合であれば、上広壁１２ａ、下広壁１２ｂ、帯状導体１２ａ３，１２ａ４，１２ａ５，１２ａ６，１２ａ７，１２ａ８として機能し、第６の実施例の場合であれば、上広壁１２ａ、下広壁１２ｂ、帯状導体１２ａ３Ａ，１２ａ４Ａ，１２ａ６Ａ，１２ａ７Ａとして機能する。
【０１１２】
また、各実施例において、ポスト壁を構成する右狭壁１３０ａ、左狭壁１３０ｂ、前狭壁１３０ｃ、後狭壁１３０ｄ、及び６組の隔壁対１３１〜１３６における導体ポストの各々は、誘電体基板１１を貫通する貫通ビアの内壁に銅製の導体膜を形成することによって構成されている。また、これらの導体ポストの直径は１００μｍであり、ポスト間隔ｄｐは２００μｍである。上述したように、ポスト間隔ｄｐは、隣接する導体ポスト同士の中心間距離である（例えば図３の（ａ）参照）。
【０１１３】
また、各実施例において、第１マイクロストリップ線路５を構成する誘電体層５１、及び、第２マイクロストリップ線路６を構成する誘電体層６１として、厚さが１７．５μｍであるポリイミド系の樹脂を採用している。
【０１１４】
また、各実施例において、入力部１０ａを構成する開口１０ａ１は、直径３４０μｍの円形である。また、ブラインドビア１０ａ２は、誘電体基板１１に形成されたブラインドビアの内壁に銅製の導体膜を形成することによって構成されている。また、出力部１０ｂを構成する開口１０ｂ１は、直径３４０μｍの円形である。また、ブラインドビア１０ｂ２は、誘電体基板１１に形成されたブラインドビアの内壁に銅製の導体膜を形成することによって構成されている。
【０１１５】
また、各実施例において、誘電体層５１の上側の表面上には、銅製の帯状薄膜からなる信号ライン５２が形成されている。信号ライン５２の端部のうちブラインドビア１０ａ２に接する端部には、直径２００μｍであり、円形のランドが形成されている。このランドは、開口１０ａ１の内部であって、且つ、平面視したときにブラインドビア１０ａ２と重なる位置に形成されている。また、誘電体層６１の上側の表面上には、銅製の帯状薄膜からなる信号ライン６２が形成されている。信号ライン６２の端部のうちブラインドビア１０ｂ２に接する端部には、直径２００μｍであり、円形のランドが形成されている。このランドは、開口１０ｂ１の内部であって、平面視したときにブラインドビア１０ｂ２と重なる位置に形成されている。
【０１１６】
（比較例）
上述した各実施例に対する比較例として、図５及び図６に示したバンドパスフィルタ９の構成をシミュレーションのためのモデルとして用いた。図５は、バンドパスフィルタ９の分解斜視図である。図６は、バンドパスフィルタ９の平面図である。
【０１１７】
本比較例では、第１の実施例のバンドパスフィルタ１における距離Ｙ３１及びＹ３３に対応する距離として２３５μｍを採用し、且つ、第１の実施例のバンドパスフィルタ１が備えている帯状導体１２ａ３〜１２ａ８を省略した点を除いて、第１の実施例のバンドパスフィルタ１と同一の設計パラメータを採用した。
【０１１８】
（透過特性）
図４は、上述した各実施例及び比較例の透過特性を示すグラフである。なお、図４に図示した細い二点鎖線は、通過帯域の下限周波数である７１ＧＨｚを示す。
【０１１９】
図４に示すように、比較例の透過特性は、遮断帯域内の６５．５ＧＨｚ近傍においてピークを有することが分かった。６５．５ＧＨｚ近傍における透過係数は、およそ−５３ｄＢであった。
【０１２０】
これに対して、第１〜第６の各実施例は、６５．５ＧＨｚ近傍における透過係数を抑制可能であることが分かった。具体的には、比較例と比較した場合に、第１〜第６の各実施例においては、６５．５ＧＨｚ近傍における透過係数が−６５ｄＢを下回るレベルに抑制可能であることが分かった。この６５．５ＧＨｚ近傍における透過係数は、第１の実施例から第６の実施例へ変化するにしたがって、−６５ｄＢを下回るレベルから−８０ｄＢを下回るレベルにまで抑制されることが分かった。
【０１２１】
以上のように、比較例と比較して、第１〜第６の各実施例は、上広壁１２ａのサイズを単純に大きくするという解決手段に依らずに、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することができた。
【０１２２】
各実施例の何れの構成を採用するかは、バンドパスフィルタ１，１Ａを実装する場合の都合や、バンドパスフィルタ１，１Ａがクリアすべき仕様などに応じて適宜定めることができる。
【０１２３】
なお、各実施例においては、Ｅバンドのうちローバンド（７１ＧＨｚ以上７６ＧＨｚ以下の帯域）を通過帯域とするようにバンドパスフィルタ１，１Ａを設計した。しかし、これらのバンドパスフィルタ１，１Ａは、本発明の一例に過ぎず、他の帯域を通過帯域とするバンドパスフィルタにも本発明の構成を適用可能である。たとえば、Ｅバンドのうちハイバンド（８１ＧＨｚ以上８６ＧＨｚ以下の帯域）を通過帯域とするバンドパスフィルタにも本発明の構成を適用可能である。
【０１２４】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２５】
１，１Ａ  バンドパスフィルタ
１１  誘電体基板
１２ａ  上広壁
１２ａ１〜１２ａ４  短辺
１２ａ３〜１２ａ８，１２ａ３Ａ〜１２ａ４Ａ，１２ａ６Ａ〜１２ａ７Ａ  帯状導体
１２ａ３Ａｅ〜１２ａ４Ａｅ，１２ａ６Ａｅ〜１２ａ７Ａｅ  先端
１２ｂ  下広壁
１２ｂ１〜１２ｂ４  短辺
１２ｂ３〜１２ｂ８，１２ｂ３Ａ〜１２ｂ４Ａ，１２ｂ６Ａ〜１２ｂ７Ａ  帯状導体
１２ｂ３Ａｅ〜１２ｂ４Ａｅ，１２ｂ６Ａｅ〜１２ｂ７Ａｅ  先端
１３  ポスト壁
１３０ａ  右狭壁
１３０ｂ  左狭壁
１３０ｃ  前狭壁（第１ショート壁）
１３０ｄ  後狭壁（第２ショート壁）
【図１】
2019176348.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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