(57)【要約】      （修正有）【課題】表示装置の表示部周辺の非表示領域の幅を広げずに、共通電圧伝達部の接触抵抗を減らすことができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、映像を表示する表示領域ＤＡと表示領域周辺の非表示領域ＮＤＡを含む基板１００と、前記表示領域ＤＡの前記基板１００上に位置する発光部７０と、前記非表示領域ＮＤＡの前記基板１００上に位置する共通電圧伝達線４００とを含み、前記基板１００は、第１絶縁フィルム１００ａと前記第１絶縁フィルム１００ａの上に位置する第２絶縁フィルム１００ｂを含み、前記基板１００は、前記非表示領域ＮＤＡに位置する溝１０を有し、前記溝１０は、前記第１絶縁フィルム１００ａと前記第２絶縁フィルム１００ｂのうちの少なくとも一つに形成される。【選択図】図２
2019053292.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を表示する表示領域と表示領域周辺の非表示領域を含む基板と、
前記表示領域の前記基板上に位置する発光部と、
前記非表示領域の前記基板上に位置する共通電圧伝達線とを含み、
前記基板は、第１絶縁フィルムと前記第１絶縁フィルムの上に位置する第２絶縁フィルムとを含み、
前記基板は、前記非表示領域に位置する溝を有し、
前記溝は、前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムのうちの少なくとも一つに形成される、表示装置。
【請求項２】
前記共通電圧伝達線は前記溝と重畳する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光部は電極層を含み、
前記電極層は、前記溝と重畳する位置で前記共通電圧伝達線と接触する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板の前記溝は、前記第２絶縁フィルムにだけ形成される、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板は、前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムの間に位置する第１バリアフィルムをさらに含み、
前記溝は、第２絶縁フィルムと前記第１バリアフィルムとにわたって形成される、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記基板の前記溝は前記第２絶縁フィルムを貫通して、前記第１絶縁フィルムの一部にまで形成される、請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記溝は複数個である、請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板の前記溝は、前記第２絶縁フィルムにだけ形成される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記基板は、前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムの間に位置する第１バリアフィルムをさらに含み、
前記溝は、第２絶縁フィルムと前記第１バリアフィルムとにわたって形成される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板の前記溝は前記第２絶縁フィルムを貫通して、前記第１絶縁フィルムの一部にまで形成される、請求項２に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記溝は複数個である、請求項２に記載の表示装置。
【請求項１２】
第１絶縁フィルムと前記第１絶縁フィルムの上に位置する第２絶縁フィルムを含む基板、および
前記基板上に位置する画素と共通電圧伝達線を含み、
前記基板は前記共通電圧伝達線と重畳する溝を有する、表示装置。
【請求項１３】
前記基板の前記溝は、前記第２絶縁フィルムにだけ形成される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記基板は、前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムの間に位置する第１バリアフィルムをさらに含み、
前記溝は、第２絶縁フィルムと前記第１バリアフィルムとにわたって形成される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記基板の前記溝は前記第２絶縁フィルムを貫通して、前記第１絶縁フィルムの一部にまで形成される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記溝は複数個である、請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、より具体的には、共通電圧が伝達される周辺部の幅を広げずに、共通電圧伝達部の接触抵抗を減らすことができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙａｙ：ＬＣＤ）、プラズマ表示装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｅｖｉｃｅ：ＯＬＥＤ  ｄｅｖｉｃｅ）、電界効果表示装置（ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）などを含む。
【０００３】
有機発光表示装置は、二つの電極およびその間に位置する有機発光層を含み、二つの電極のうちの一つであるカソードから注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）とアノードから注入された正孔（ｈｏｌｅ）とが有機発光層で結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を形成し、励起子がエネルギーを放出しながら発光する。
【０００４】
有機発光表示装置は、各単位画素がスイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ、キャパシタおよび有機発光素子を含み、駆動薄膜トランジスタおよびキャパシタには駆動電圧線から駆動電圧ＥＬＶＤＤが提供され、駆動薄膜トランジスタは駆動電圧線を通して有機発光素子に流れる電流を制御する役割を果たす。また、カソードである共通電極に連結されている共通電圧線は、カソードに共通電圧ＥＬＶＳＳを供給して、アノードである画素電極と共通電極に電位差を形成させて電流を流す。
【０００５】
周辺部に位置する接触部の共通電圧伝達線と共通電極の間の接触によって、共通電圧ＥＬＶＳＳが共通電極に伝えられる。
【０００６】
表示装置の全体に均一な共通電圧を伝達するために、共通電圧伝達部の接触抵抗を最少化する必要があり、そのため、互いに接触する共通電圧伝達線と共通電極の間の接触面積を大きく形成しなければならない。
【０００７】
一方、表示領域周辺の非表示領域が使用者に視認されないベゼルレス（ｂｅｚｅｌ−ｌｅｓｓ）表示装置に対する需要が高くなっており、そのため、表示領域の周辺部の幅を狭く形成する必要がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、表示装置の表示部周辺の非表示領域の幅を広げずに、共通電圧伝達部の接触抵抗を減らすことができる表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による表示装置は、映像を表示する表示領域と表示領域周辺の非表示領域を含む基板、前記表示領域の前記基板上に位置する発光部、および前記非表示領域の前記基板上に位置する共通電圧伝達線を含み、前記基板は第１絶縁フィルムと前記第１絶縁フィルムの上に位置する第２絶縁フィルムを含み、前記基板は前記非表示領域に位置する溝を有し、前記溝は前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムのうちの少なくとも一つに形成される。
【００１０】
前記共通電圧伝達線は前記溝と重畳することができる。本願にて、「重畳」の語は、平面図で見た場合に、少なくとも部分的に重なり合うことを意味するものとする。
【００１１】
前記発光部は電極層を含み、前記電極層は前記溝と重畳する位置で前記共通電圧伝達線と接触することができる。
【００１２】
前記基板の前記溝は前記第２絶縁フィルムにだけ形成されてもよい。
【００１３】
前記基板は、前記第１絶縁フィルムと前記第２絶縁フィルムの間に位置する第１バリアフィルムをさらに含み、前記溝は、第２絶縁フィルムと前記第１バリアフィルムに形成されてもよい。
【００１４】
前記基板の前記溝は前記第２絶縁フィルムを貫通し、前記第１絶縁フィルムの一部に形成されてもよい。
【００１５】
前記溝は複数個であってもよい。
【００１６】
本発明による表示装置は、第１絶縁フィルムと前記第１絶縁フィルムの上に位置する第２絶縁フィルムを含む基板、および前記基板上に位置する画素と共通電圧伝達線を含み、前記基板は、前記共通電圧伝達線と重畳する溝を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、表示装置の表示部周辺の非表示領域の幅を広げずに、共通電圧伝達線と共通電極の間の接触面積を大きく形成することができるので、共通電圧伝達部の接触抵抗を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して概略的に示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置の１画素に対する等価回路図の一例である。
【図４】図２の一部を拡大して示した断面図である。
【図５】本発明の他の一実施形態による表示装置の接触領域の断面図である。
【図６】本発明の他の一実施形態による表示装置の接触領域の断面図である。
【図７】比較例による表示装置の接触領域の断面図である。
【図８】表示装置の接触領域の一部を示した電子顕微鏡写真である。
【図９】表示装置の接触領域の一部を示した電子顕微鏡写真である。
【図１０】本発明の他の一実施形態による表示装置の概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の様々な実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は様々な異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００２０】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一な参照符号を付与する。
【００２１】
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示しており、本発明が必ずしも図示されたものに限定されるわけではない。図面では様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示している。そして図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示している。
【００２２】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるというとき、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときは、その中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の“上”にあるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって“上”に位置することを意味するのではない。
【００２３】
また、明細書全体で、ある部分がある構成要素を“含む”というとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。
【００２４】
また、明細書全体で、“平面上”というとき、これは対象部分を上方から見た場合を意味し、“断面上”というとき、これは対象部分を垂直に切断した断面を側方から見た場合を意味する。
【００２５】
以下、図１乃至図４を参照して、一実施形態による表示装置について説明する。図１は、一実施形態による表示装置の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断して概略的に示した断面図であり、図３は、一実施形態による表示装置の１画素に対する等価回路図の一例であり、図４は、図２の一部を拡大して示した断面図である。
【００２６】
まず、図１を参照すれば、本実施形態による表示装置１０００は、映像を表示する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡの外郭に位置する非表示領域ＮＤＡとを含む。
【００２７】
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡに信号を伝達する駆動部６００が位置する駆動領域ＰＡを含む。
【００２８】
非表示領域ＮＤＡには共通電圧を伝達する共通電圧伝達線４００、および駆動電圧を伝達する駆動電圧伝達線５００ａ、５００ｂが位置する。
【００２９】
前記実施形態で、共通電圧伝達線４００は、駆動部６００から始まり非表示領域ＮＤＡに沿って表示領域ＤＡを囲んでおり、駆動電圧伝達線５００ａ、５００ｂは、表示領域ＤＡを間において互いに離隔されている二つの部分を含む。図１に示されている共通電圧伝達線４００と駆動電圧伝達線５００ａ、５００ｂの配置は一例であって、本発明はこれに限定されない。
【００３０】
図２乃至図４を参照して、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡの構造について説明する。
【００３１】
まず、図３を参照すれば、一実施形態による表示装置１０００の表示領域ＤＡは複数の信号線１２１、１７１、１７２と、これらに連結されており、ほぼ行列（ｍａｔｒｉｘ）状に配列された複数の画素（ｐｉｘｅｌ）ＰＸを含む。画素ＰＸは、イメージを表す最小単位をいい、表示装置は複数の画素を利用してイメージを表す。
【００３２】
信号線は、ゲート信号（または走査信号）を伝達する複数のゲート線１２１、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１および駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達する複数の駆動電圧線１７２を含む。ゲート線１２１はほぼ行方向に伸びており、互いにほとんど平行であり、データ線１７１と駆動電圧線１７２の垂直方向部分はほぼ列方向に伸びており、互いにほとんど平行である。
【００３３】
各画素ＰＸは、スイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｓ、駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｑｄ、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔ、および有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）ＬＤを含む。図示していないが、一つの画素ＰＸは、有機発光素子に提供される電流を補償するために、付加的に薄膜トランジスタおよびキャパシタをさらに含むことができる。
【００３４】
スイッチング薄膜トランジスタＱｓは制御端子、入力端子および出力端子を有するが、制御端子はゲート線１２１に連結されており、入力端子はデータ線１７１に連結されており、出力端子は駆動薄膜トランジスタＱｄに連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＱｓはゲート線１２１に印加される走査信号に応答してデータ線１７１に印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＱｄに伝達する。
【００３５】
駆動薄膜トランジスタＱｄも、制御端子、入力端子および出力端子を有するが、制御端子はスイッチング薄膜トランジスタＱｓに連結されており、入力端子は駆動電圧線１７２に連結されており、出力端子は有機発光素子ＬＤに連結されている。駆動薄膜トランジスタＱｄは、制御端子と出力端子の間にかかる電圧によって、その大きさが変わる出力電流ＩＬＤを流す。
【００３６】
キャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子と入力端子の間に連結されている。このキャパシタＣｓｔは駆動薄膜トランジスタＱｄの制御端子に印加されるデータ信号を充電し、スイッチング薄膜トランジスタＱｓがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にもこれを維持する。
【００３７】
有機発光素子ＬＤは、駆動薄膜トランジスタＱｄの出力端子に連結されているアノード（ａｎｏｄｅ）と、共通電圧ＥＬＶＳＳに連結されているカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を有する。有機発光素子ＬＤは駆動薄膜トランジスタＱｄの出力電流ＩＬＤに応じて強さを異にして発光することによって映像を表示する。
【００３８】
以下、図２を参照して、表示装置１０００の層間構造について説明する。
【００３９】
前述したとおり、表示装置１０００は、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとを含む。図２に示したように、非表示領域ＮＤＡは接触領域ＣＡを含む。
【００４０】
表示装置１０００は基板１００を含み、基板１００はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）で、互いに重畳する第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂを含む。第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含んでもよい。しかし、第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂはこれに限定されず、耐熱性、耐薬品性、耐摩耗性が良く、フレキシブルな他の物質を含んでいてもよい。
【００４１】
基板１００は、第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂの間に位置する第１バリアフィルム１００ｃをさらに含む。第１バリアフィルム１００ｃは、第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂの間に外部から湿気や気体が流入することを防止して、第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂの変形を防止する。
【００４２】
基板１００は互いに重畳する第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂを含むことによって、外部と接触する第１絶縁フィルム１００ａが損傷しても基板１００の性能が低下することを防止することができる。例えば、表示装置を製造する工程が行われる間に基板１００を支持する支持基板から製造工程が完了した基板１００を分離する段階で、基板１００と支持基板との界面で損傷が発生しうる。しかし、実施形態による表示装置１０００の基板１００は、互いに重畳する第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂとを含むことによって、支持基板に隣接した第１絶縁フィルム１００ａの一部が損傷しても、第２絶縁フィルム１００ｂが残るようになり、基板１００の信頼性を高めることができる。
【００４３】
非表示領域ＮＤＡの接触領域ＣＡに位置する基板１００には溝１０が形成されている。溝１０は第２絶縁フィルム１００ｂに形成してもよく、第１絶縁フィルム１００ａの少なくとも一部にまで形成してもよい。溝１０について、具体的な説明は後述する。
【００４４】
基板１００上にはバッファー層１２０が位置する。バッファー層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような絶縁膜の単一膜または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）が積層された複数の多層膜を含んでもよい。バッファー層１２０は、不純物または水分のような不要な成分の浸透を防止する。
【００４５】
図示していないが、第２絶縁フィルム１００ｂとバッファー層１２０の間には第２バリアフィルム（図示せず）が位置することができる。
【００４６】
表示領域ＤＡのバッファー層１２０の上には第１半導体層１３５が位置する。第１半導体層１３５は、ポリシリコンまたは酸化物半導体を含んでもよい。ここで、酸化物半導体は、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、錫（Ｓｎ）またはインジウム（Ｉｎ）を主体とする酸化物、またはこれらの複合酸化物のうちのいずれか一つを含んでもよい。
【００４７】
第１半導体層１３５は、第１チャンネル領域１３５５と第１チャンネル領域１３５５の両側にそれぞれ位置する第１ソース領域１３５６および第１ドレイン領域１３５７を含む。第１半導体層１３５の第１チャンネル領域１３５５は不純物がドーピングされない領域であり、第１半導体層１３５の第１ソース領域１３５６および第１ドレイン領域１３５７は導電性不純物がドーピングされた領域でありうる。
【００４８】
同様に、非表示領域ＮＤＡのバッファー層１２０の上には第２半導体層１４５が位置する。第２半導体層１４５は、第２チャンネル領域１４５５と第２チャンネル領域１４５５の両側にそれぞれ位置する第２ソース領域１４５６および第２ドレイン領域１４５７を含む。
【００４９】
第１半導体層１３５と第２半導体層１４５の上にはゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０は、テトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を含む単層膜またはこれらが積層された積層膜でありうる。
【００５０】
ゲート絶縁膜１４０の上には、第１ゲート電極１５５と第２ゲート電極１５６が位置する。第１ゲート電極１５５は第１チャンネル領域１３５５と重畳し、第２ゲート電極１５６は第２チャンネル領域１４５５と重畳する。
【００５１】
第１ゲート電極１５５および第２ゲート電極１５６は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金のような低抵抗物質または腐食が強い物質を含む単層または複数層でありうる。
【００５２】
第１ゲート電極１５５と第２ゲート電極１５６の上には第１層間絶縁膜１６０が位置する。第１層間絶縁膜１６０は、テトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を含む単層膜またはこれらが積層された積層膜でありうる。
【００５３】
第１層間絶縁膜１６０およびゲート絶縁膜１４０は、第１ソース領域１３５６および第１ドレイン領域１３５７と重畳する第１ソース接触孔１６６および第１ドレイン接触孔１６７、そして第２ソース領域１４５６および第２ドレイン領域１４５７と重畳する第２ソース接触孔１６８および第２ドレイン接触孔１６９を有する。
【００５４】
第１層間絶縁膜１６０の上には第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５、そして第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７が位置する。また、非表示領域ＮＤＡの接触領域ＣＡの第１層間絶縁膜１６０の上には共通電圧伝達線４００が位置する。
【００５５】
第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５は第１ソース接触孔１６６および第１ドレイン接触孔１６７を通じて、第１半導体層１３５の第１ソース領域１３５６および第１ドレイン領域１３５７に連結される。同様に、第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７は第２ソース接触孔１６８および第２ドレイン接触孔１６９を通じて、第２半導体層１４５の第２ソース領域１４５６および第２ドレイン領域１４５７に連結される。
【００５６】
第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５、そして第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金のような低抵抗物質または腐食が強い物質を含む単層または複数層でありうる。共通電圧伝達線４００は、第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５、そして第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７と同じ層に同時に形成されうる。
【００５７】
表示領域ＤＡの第１半導体層１３５、第１ゲート電極１５５、第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５は、図３に示した画素ＰＸの駆動薄膜トランジスタＱｄをなし、非表示領域ＮＤＡの第２半導体層１４５、第２ゲート電極１５６、第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７は、非表示領域ＮＤＡに位置するゲート駆動部などに含まれている薄膜トランジスタをなす。
【００５８】
図２において、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡそれぞれに一つのトランジスタを示したが、これは説明の便宜のためのものであって、本発明はこれに限定されない。
【００５９】
前述したとおり、非表示領域ＮＤＡの接触領域ＣＡに位置する基板１００には湾入状(断面が、滑らかな曲線の順テーパー状)の溝１０が形成されており、基板１００上に位置する複数の絶縁層、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０および第１層間絶縁膜１６０は、基板１００の溝１０に沿って形成された湾入状の凹部Ｃを有する。同様に、接触領域ＣＡに位置する共通電圧伝達線４００もまた、基板１００の湾入状の溝１０と重ねられるのであり、そのために、共通電圧伝達線４００も、基板１００の溝１０に沿って形成された湾入状の凹部Ｃを有する。共通電圧伝達線４００が基板１００の溝１０に沿って形成された湾入状の凹部Ｃを有することによって、接触領域ＣＡに位置する共通電圧伝達線４００の表面積が広くなる。
【００６０】
第１ソース電極１７３および第１ドレイン電極１７５、そして第２ソース電極１７６および第２ドレイン電極１７７の上には第２層間絶縁膜１８０が位置する。第２層間絶縁膜１８０は、第１層間絶縁膜１６０と同様に、テトラエトキシシラン（ｔｅｔｒａ  ｅｔｈｙｌ  ｏｒｔｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ、ＴＥＯＳ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を含む単層膜またはこれらが積層された積層膜でありうる。
【００６１】
第２層間絶縁膜１８０は、第１ドレイン電極１７５と重畳する接触孔８２を有する。第２層間絶縁膜１８０は、共通電圧伝達線４００と重畳する領域で除去されて、共通電圧伝達線４００の大部分は第２層間絶縁膜１８０と重畳せず、共通電圧伝達線４００の周縁一部だけが第２層間絶縁膜１８０と重畳してもよい。しかし、共通電圧伝達線４００の全体が、第２層間絶縁膜１８０と重畳しないのであってもよい。
【００６２】
第２層間絶縁膜１８０の上には画素電極７１０が位置する。画素電極７１０は、図３の有機発光素子のアノード電極でありうる。本実施形態では、画素電極７１０と第１ドレイン電極１７５の間に第２層間絶縁膜１８０が位置しているが、画素電極７１０と第１ドレイン電極１７５が同じ層に位置することができ、第１ドレイン電極１７５と一体型であってもよい。
【００６３】
画素電極７１０の上には隔壁１９０が位置する。隔壁１９０は、画素電極７１０と重畳する開口部１９５を有する。隔壁１９０は、ポリアクリル系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ）またはポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂とシリカ系の無機物などを含んでもよい。
【００６４】
隔壁１９０の開口部１９５には有機発光層７２０が位置する。
【００６５】
有機発光層７２０は、発光層と正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの一つ以上を含む複数層でありうる。有機発光層７２０がこれらすべてを含む場合、正孔注入層がアノード電極である画素電極７１０の上に位置し、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が、順次に積層されうる。
【００６６】
隔壁１９０および有機発光層７２０の上には共通電極７３０が位置する。共通電極７３０は、有機発光素子のカソード電極となる。したがって、画素電極７１０、有機発光層７２０および共通電極７３０は有機発光素子７０をなす。
【００６７】
有機発光素子７０が光を放出する方向によって有機発光表示装置は、前面表示型、背面表示型および両面表示型のうちのいずれか一つの構造を有することができる。
【００６８】
前面表示型の場合、画素電極７１０は反射膜であり、共通電極７３０は半透過膜または透過膜でありうる。これに対し、背面表示型の場合、画素電極７１０は半透過膜であり、共通電極７３０は反射膜でありうる。そして、両面表示型の場合、画素電極７１０および共通電極７３０は透明膜または半透過膜でありうる。反射膜および半透過膜は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうちの一つ以上の金属またはこれらの合金でありうる。反射膜と半透過膜は厚さによって決定され、半透過膜は２００ｎｍ以下の厚さに形成することができる。厚さが薄くなるほど光の透過率が高くなるが、薄すぎると抵抗が増加する。透明膜は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ；ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ；ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）またはインジウム酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）などを含んでもよい。
【００６９】
共通電極７３０は、表示領域ＤＡおよび非表示領域ＮＤＡを含む基板１００の全面にわたって位置することができ、非表示領域ＮＤＡ内の接触領域ＣＡにて共通電圧伝達線４００と接触することで共通電圧が印加される。
【００７０】
前述したように、基板１００は、非表示領域ＮＤＡの接触領域ＣＡに位置する溝１０を有し、共通電圧伝達線４００は、基板１００の溝１０に沿って形成された凹部Ｃを有する。同様に、共通電圧伝達線４００と接触する共通電極７３０も接触領域ＣＡに位置する凹部Ｃを有する。このように、接触領域ＣＡにて互いに接触する、共通電圧伝達線４００と共通電極７３０は、基板１００に形成されている溝１０に沿って形成された凹部Ｃを有することとなり、そのため、共通電圧伝達線４００と共通電極７３０の間の接触面積が広くなり、接触抵抗が減少する。
【００７１】
一方、非表示領域ＮＤＡの外郭領域にはスペーサＳＰが位置する。スペーサＳＰは、図２中に示すように、表示領域ＤＡに位置する第２層間絶縁膜および隔壁１９０（画素開口を区画・形成する膜）とそれぞれ同じ層からなる２つの絶縁膜と、追加的な絶縁膜とからなることができる。
【００７２】
共通電極７３０の上には封止層８０が位置する。封止層８０は、一つ以上の無機層と一つ以上の有機層が互いに積層されて形成されてもよく、ここでの無機層または有機層は、それぞれ、複数の層が備えられてもよい。
【００７３】
前記実施形態において、封止層８０は、第１無機封止層８１０と第２無機封止層８２０を含み、第１無機封止層８１０と第２無機封止層８２０の間に位置する有機封止層８３０を含む。
【００７４】
第１無機封止層８１０と第２無機封止層８２０は基板１００の全面に形成されてスペーサＳＰの上にも位置しているが、有機封止層８３０は、非表示領域ＮＤＡ中、スペーサＳＰの上及び外郭側（基板の端面側）には位置しない。
【００７５】
有機封止層８３０を形成する際、スペーサＳＰは、封止用の有機物質が溢（あふ）れ出ないようにするダム（ｄａｍ）の役割をすることができるのであり、有機物質がスペーサＳＰの外郭側に溢（あふ）れ出ないように形成するのであるため、有機封止層８３０は、スペーサＳＰの外郭側には位置しないように形成しうる。実施形態では、基板１００は、接触領域ＣＡに位置する溝１０を有し、スペーサと基板１００の溝１０による凹部Ｃの間の大きな段差によって、有機物質が溢（あふ）れ出ることをもっと効果的に防止することもできる。
【００７６】
上記で図２および図３に示した表示装置の表示領域ＤＡに位置する１画素の構造は一例であり、本発明の実施形態による表示装置の画素構造が、図２および図３に示された構造に限定されるものではない。信号線および有機発光素子は、当該技術分野の専門家が容易に変形実施できる範囲内で多様な構造で形成することができる。例えば、図３では、表示装置として、一つの画素に、二つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）と、一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を含む表示装置を示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。したがって、表示装置は、薄膜トランジスタの個数、蓄電素子の個数および配線の個数について限定されない。
【００７７】
図２および図４に示したように、本実施形態による表示装置の基板１００は、非表示領域ＮＤＡの接触領域ＣＡに位置する溝１０を有しており、接触領域ＣＡにて互いに直接重なり合うことで接触する共通電圧伝達線４００と共通電極７３０は、この積層部分が、基板１００の溝１０に沿って形成された凹部Ｃを有しており、これによって、接触領域ＣＡの幅を増加させずとも、共通電圧伝達線４００と共通電極７３０の間の接触面積が広くなり、接触抵抗が減少することとなる。
【００７８】
図４を参照すれば、基板１００の溝１０の側壁面は、基板１００の下部表面に対して第１角度θをなすように傾いており、溝１０は、基板１００から薄膜封止層８０に向かう方向に沿って漸次、断面上の幅が広くなる順テーパ構造を有する。これによって、溝１０の上に位置する絶縁層と共通電圧伝達線４００および共通電極７３０が、溝１０の段差によって断線することを防止することができる。
【００７９】
以下、図５を参照して、他の一実施形態による表示装置の接触領域ＣＡについて説明する。図５は、他の一実施形態による表示装置の接触領域の断面図である。
【００８０】
図５を参照すれば、本実施形態による表示装置の接触領域ＣＡは、図４を参照して説明した実施形態による表示装置の接触領域ＣＡと類似している。同一の構成要素に対する具体的な説明は省略する。
【００８１】
本実施形態による表示装置の基板１００は、第２絶縁フィルム１００ｂだけでなく第１絶縁フィルム１００ａにまで形成されている第１溝１０ａを有する。第１溝１０ａは、基板１００の第２絶縁フィルム１００ｂを貫通し、第１絶縁フィルム１００ａの一部にまで形成される。このように第１溝１０ａが、第１絶縁フィルム１００ａの一部にまでも食い込むように形成されることによって、第１溝１０ａの深さは大きくなり、これによって、第１溝１０ａに沿って形成される共通信号伝達線４００と共通電極７３０の凹部Ｃの深さも深くなる。したがって、共通信号伝達線４００と共通電極７３０の接触面積はさらに大きくすることができる。
【００８２】
前記で図１乃至図４を参照して説明した実施形態による表示装置の多くの特徴は、本実施形態による表示装置に全て適用可能である。
【００８３】
次に、図６を参照して、他の一実施形態による表示装置の接触領域ＣＡについて説明する。図６は、他の一実施形態による表示装置の接触領域の断面図である。
【００８４】
図６を参照すれば、本実施形態による表示装置の接触領域ＣＡは、図４を参照して説明した実施形態による表示装置の接触領域ＣＡと類似している。同一の構成要素に対する具体的な説明は省略する。
【００８５】
本実施形態による表示装置の基板１００は、接触領域ＣＡに位置する複数個の溝１０を有する。このように、基板１００が複数個の溝１０を有することによって、溝１０に沿って形成された凹部Ｃの断面積が、１個のみの溝１０を有する場合よりも大きくなり、接触領域ＣＡにて互いに接触する、共通電圧伝達線４００と共通電極７３０の接触面積は、さらに大きくなりうる。
【００８６】
前記で図１乃至図４を参照して説明した実施形態および図５を参照して説明した実施形態による表示装置の多くの特徴は、本実施形態による表示装置に全て適用可能である。
【００８７】
上述した実施形態による表示装置の基板１００は、接触領域ＣＡに位置する湾入状の溝１０、１０ａを有し、接触領域ＣＡで互いに接触する共通電圧伝達線４００と共通電極７３０は、基板１００の溝１０、１０ａに沿って形成された湾入状の凹部Ｃを有し、これによって、接触領域ＣＡの幅を増加させずとも、共通電圧伝達線４００と共通電極７３０の間の接触面積が広くなり、接触抵抗が減少するようにすることができる。
【００８８】
図７を参照して比較例について説明する。図７は、比較例による表示装置の接触領域の断面図である。
【００８９】
図７を参照すれば、基板は溝を有さず、これによって、第１接触領域ＣＡ１に位置する共通信号伝達線４００と共通電極７３０は凹部を有さず、ほぼ平坦である。したがって、第１接触領域ＣＡ１で互いに接触する共通信号伝達線４００と共通電極７３０の表面もほぼ平坦である。したがって、第１接触領域ＣＡ１で互いに接触する共通信号伝達線４００と共通電極７３０の接触面積が、図１乃至図６を参照して説明した実施形態による表示装置の共通信号伝達線４００と共通電極７３０の接触面積と同じである場合、第１接触領域ＣＡ１の幅は、上述した実施形態による表示装置の接触領域ＣＡの幅より広くなることになる。
【００９０】
このように、上述した実施形態による表示装置の接触領域ＣＡの幅を比較例による表示装置の第１接触領域ＣＡ１の幅より狭く形成しながらも、共通信号伝達線４００と共通電極７３０の接触面積を同一に維持できる。
【００９１】
一方、実施形態による表示装置の接触領域ＣＡに位置する基板１００の溝１０は、レーザを利用して形成することができる。基板１００の溝は、基板１００上に複数の絶縁層を積層する前に形成してもよく、基板１００上に複数の絶縁層を積層した後に形成してもよい。
【００９２】
以下、図８および図９を参照して、実験例について説明する。図８および図９は、表示装置の接触領域の一部を示した電子顕微鏡写真である。すなわち、封止層８０を形成する前に、溝１０の横断方向の切断面が現れるように矩形状の孔を形成してから、溝１０の切断面の近傍を撮影した走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【００９３】
本実験例では、基板にレーザを利用して、基板の縁に沿って直線状に延びる溝を形成した。図８は、基板１００の第１絶縁フィルム１００ａと第２絶縁フィルム１００ｂのうち、相対的に上に位置する第２絶縁フィルム１００ｂにだけ溝を形成した場合を示しており、図９は、基板１００の第２絶縁フィルム１００ｂだけでなく、第２絶縁フィルム１００ｂの下に位置する第１バリアフィルム１００ｃ、および第１絶縁フィルム１００ａの一部にまでも溝を形成した場合を示している。
【００９４】
図８および図９を参照すれば、レーザを利用して基板１００に溝を形成してもよく、その上に積層される層が断線しない滑らかな順テーパ構造を有するように形成しうることが分かった。なお、この際のレーザ加工機には、例えば、ファイバーレーザーや炭酸ガスレーザーなどを用いることができる。
【００９５】
以下、図１０を参照して、本発明の他の一実施形態による表示装置について説明する。図１０は、他の一実施形態による表示装置の断面図である。
【００９６】
図１０を参照すれば、図１０に示した実施形態による表示装置は、図２に示した実施形態による表示装置とほぼ類似している。同一の構成要素に対する具体的な説明は省略する。
【００９７】
図１０に示した実施形態による表示装置は、薄膜封止層８０の上に位置するタッチ部９０をさらに含む。タッチ部９０は、第１タッチ電極９１０と第２タッチ電極９２０、および第１タッチ電極９１０と第２タッチ電極９２０の間に位置するタッチ絶縁層９３０を含む。
【００９８】
本実施形態による表示装置の基板１００は接触領域ＣＡに位置する溝１０を有し、溝１０と重畳する共通電圧伝達線４００は溝１０に沿って形成される湾入状の凹部Ｃを有する。したがって、共通電圧伝達線４００が凹部Ｃを有していない場合と比較して、薄膜封止層８０の上に位置する第１タッチ電極９１０および第２タッチ電極９２０と共通電圧伝達線４００の間の平均間隔は、相対的に大きくなる。このように、第１タッチ電極９１０および第２タッチ電極９２０と共通電圧伝達線４００の間の平均間隔が大きくなることによって、第１タッチ電極９１０および第２タッチ電極９２０と共通電圧伝達線４００の間に発生しうるカップリングを防止することができる。
【００９９】
前記で図１乃至図４、図５、そして図６を参照して説明した実施形態による表示装置の多くの特徴は、図１０に示した実施形態による表示装置に全て適用可能である。
【０１００】
以上で本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、以下の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【０１０１】
好ましい実施形態においては、次のとおりである。
【０１０２】
有機発光表示装置などの画像表示装置において、表示領域内に延びる共通電極に給電を行うべく、周縁の非表示領域NDA中には、表示パネルの縁に沿って延びる共通電圧伝達線400が備えられ（本願図１）、この非表示領域NDA中にて、共通電極層730（表示領域内の共通電極からの延在部）と、共通電圧送達線400とを、直接に接触するように重ね合わすことで、電気的に接続している。
【０１０３】
共通電極は、表示領域DAの全面にわたって備えられるか、またはほぼ全体にわたって、少なくとも各画素の発光部の近傍を覆うように延びる。共通電極は、背面発光型の場合、アルミニウムなどの金属膜からなるが、一般には、厚みが小さい（例えば20〜50nm）。また、背面発光型以外では、透明導電層からなる。
【０１０４】
このように比較的抵抗の大きい共通電極に均一に共通電圧が伝達されるようにするためには、特にはスマートホン用の小型の表示装置において、長方形の両長辺（通常は向かって左右の辺）に沿った箇所のほぼ全体にて、共通電圧送達線400からの給電が行われるようにすることができる（本願図１）。
【０１０５】
共通電圧伝達線400は、好ましくは、データ信号線、及び、各画素のＴＦＴのソース及びドレイン電極と同一の成膜及びパターニングの工程により形成される、厚みの大きい（例えば150〜300nmの）金属膜からなる。
【０１０６】
表示装置では、周縁の非表示領域の幅を小さくすること（「狭ベゼル化」、「狭額縁化」などと呼ばれる）が求められており、特には、スマートホンなどのモバイル機器にて、この「狭ベゼル化」が求められている。
【０１０７】
そのため、共通電極層730と、共通電圧送達線400とのコンタクト領域についても、平面図で見た場合の面積、または、非表示領域NDAの幅方向の寸法を小さくすることが求められる。但し、コンタクト領域の接触抵抗を低く維持する必要もある。
【０１０８】
そこで、下記Ａ〜Ｂのとおりとする。このために、下記Ｃ〜Ｄのとおりとすることができる。
【０１０９】
Ａ  共通電圧送達線400の金属層を形成する前に、層間絶縁膜160に、基板の縁に沿って直線状に延びる湾入状（断面上、なめらかな曲線からなり、全体が、上方へと広がって行く順テーパ状）の溝10を形成しておく。
【０１１０】
Ｂ  そして、湾入状の溝10を覆うようにして、共通電圧送達線400の金属層と、共通電極層730との積層膜（コンタクト部）が配置されるようにする。
この積層膜（コンタクト部）は、湾入状の曲面に沿って延びるため、実際のコンタクト部の面積が、平坦面上に形成される場合に比べて大きくなる。
【０１１１】
Ｃ  非表示領域NDA中、層間絶縁膜160に溝10を形成するためには、基板100に、レーザー光照射による加工を施すことができる。
レーザー光照射であると、湾入状の深い溝を容易に形成することができる。
周縁の非表示領域NDA中であるため、溝10は、基板100の耐力に対して悪影響をほとんど及ぼさない。
【０１１２】
Ｄ  基板100は、ポリイミド樹脂などの樹脂からなる、表側（パターン形成面側）の第1絶縁フィルム100a及び裏側の第2絶縁フィルム100bが、無機材料などからなるバリアフィルム100cを挟んで積層されたものである。
【０１１３】
そして、溝10は、その底部にて、第2絶縁フィルム100bの上面を露出させる深さにまで、または、第2絶縁フィルム100bに少し食い込む深さにまで、形成する。
【０１１４】
なお、場合によっては、第1絶縁フィルム100aとの積層の前に、第2絶縁フィルム100bにだけ溝10を形成しておき、この上にバリアフィルム100cを形成してから、第1絶縁フィルム100aを、真空加圧接着により貼り合わせることができる。
【０１１５】
基板100上における溝10の深さは、ほぼ第１絶縁フィルム100aの厚みと同様とすることができるので、例えば、10〜50μmとすることができる。層間絶縁膜160上での凹部Ｃの深さは、基板100上における溝10の深さと、ほぼ同一である。すなわち、本願実施形態においては、基板に深い溝を設けることにより、湾入を大きくすることを可能にしたのである。
【０１１６】
コンタクト部（接触領域ＣＡ）は、ダム状のスペーサＳＰの内側に位置するので、コンタクト部上の凹部は、有機封止層830により埋められる。この凹部は、有機封止層830のための有機物質が溢（あふ）れ出ないようにするのに寄与することができる。
【０１１７】
溝10は、場合によっては、ナノインプリントと同様のインプリンティング方式や、エッチングなどによっても形成可能である。また、溝10は、場合によっては、連続した直線状でなく、破線状の断続パターン、または、緩やかに蛇行する曲線状のパターンとして形成することもできる。
【符号の説明】
【０１１８】
１０：溝
７０：発光素子
８０：封止層
９０：タッチ部
１００：基板
１２０：バッファー層
４００：共通電圧伝達線
７１０：画素電極
７２０：有機発光層
７３０：共通電極
Ｃ：凹部
ＤＡ：表示領域
ＮＤＡ：非表示領域
ＣＡ：接触領域
【図１】
2019053292.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2019053292.tif 000008
【図７】
2019053292.tif 000009
【図８】
2019053292.tif 000010
【図９】
2019053292.tif 000011
【図１０】
2019053292.tif 000012