(57)【要約】【課題】誘電体膜の欠陥の修復度のばらつきを低減することが可能な誘電体膜修復システムを提供する。【解決手段】誘電体膜修復システム１は、誘電体膜２ｂの欠陥２ｃを修復する絶縁材料のイオンを含有する電着液１１を収容する電着液槽１０と、電着液槽１０内に配置された第１電極２０と、誘電体膜２ｂを保持し、電着液槽１０内に配置された第２電極３０と、第１電極２０と第２電極３０との間に電圧を印加する電源部４０と、第１電極２０と第２電極３０との間に流れる電流値Ｉを計測する計測部５０と、計測部５０によって計測された値に基づいて電源部４０を制御する制御部６０と、を備え、制御部６０は、計測部５０によって計測された電流値Ｉの変動に基づいて、電源部４０による電圧の印加を停止させる。【選択図】図１
2019062131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体膜の欠陥を修復する絶縁材料のイオンを含有する電着液を収容する電着液槽と、
前記電着液槽内に配置された第１電極と、
前記誘電体膜が前記第１電極と対向するように前記誘電体膜を保持し、前記電着液槽内に配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧を印加する電源部と、
前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流値、及び前記第１電極と前記第２電極との間の電圧値の少なくとも一方を計測する計測部と、
前記計測部によって計測された値に基づいて前記電源部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記計測部によって計測された前記電流値の変動、又は前記計測部によって計測された前記電圧値の変動に基づいて、前記電源部による電圧の印加を停止させる、誘電体膜修復システム。
【請求項２】
前記電源部は定電流モードで動作し、
前記制御部は、前記計測部によって計測された前記電流値が一定の値から低下した際に、前記電源部による電圧の印加を停止させる、請求項１に記載の誘電体膜修復システム。
【請求項３】
前記電源部は定電流モードで動作し、
前記制御部は、前記計測部によって計測された前記電圧値の上昇が停止して一定の値を示した際に、前記電源部による電圧の印加を停止させる、請求項１に記載の誘電体膜修復システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜修復システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜キャパシタ等の誘電体層に形成された欠陥を修復する方法として、電着法が知られている。例えば、特許文献１には、電着法（電気泳動法）を用いて、誘電体層のうち電流が流れる部分の上に選択的に樹脂絶縁体を形成することで誘電体層の欠陥を修復する工程を含むキャパシタの製造方法が記載されている。特許文献１では、電圧印加時間を０．５〜５００ミリ秒の範囲内とすることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１６００４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、誘電体膜には個体差があり、それぞれの誘電体膜が有する欠陥の大きさ及び数は異なる。このため、各々の誘電体膜に対して一定時間で電着を行った場合、誘電体膜の欠陥の修復度にばらつきが生じ得る。
【０００５】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、誘電体膜の欠陥の修復度のばらつきを低減することが可能な誘電体膜修復システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る誘電体膜修復システムは、誘電体膜の欠陥を修復する絶縁材料のイオンを含有する電着液を収容する電着液槽と、電着液槽内に配置された第１電極と、誘電体膜が第１電極と対向するように誘電体膜を保持し、電着液槽内に配置された第２電極と、第１電極と第２電極との間に電圧を印加する電源部と、第１電極と第２電極との間に流れる電流値、及び第１電極と第２電極との間の電圧値の少なくとも一方を計測する計測部と、計測部によって計測された値に基づいて電源部を制御する制御部と、を備え、制御部は、計測部によって計測された電流値の変動、又は計測部によって計測された電圧値の変動に基づいて、電源部による電圧の印加を停止させる。
【０００７】
この誘電体膜修復システムの制御部は、計測部によって計測された第１電極と第２電極との間に流れる電流値の変動、又は計測部によって計測された第１電極と第２電極との間の電圧値の変動に基づいて、電源部による電圧の印加を停止させる。すなわち、この誘電体膜修復システムでは、計測された電流値又は計測された電圧値を基準として、誘電体膜の修復の終了を判断する。これにより、各々の誘電体膜に対して、欠陥の大きさ及び数に応じた時間で電着を行うことができる。したがって、各々の誘電体膜に対して、欠陥の修復度のばらつきを低減することができる。
【０００８】
一形態において、電源部は定電流モードで動作し、制御部は、計測部によって計測された電流値が一定の値から低下した際に、電源部による電圧の印加を停止させてもよい。第１電極と第２電極との間の電流値は、誘電体膜の欠陥の修復が行われている途中では一定の値を示す。一方、誘電体膜の欠陥の修復が終了すると、第１電極と第２電極との間の電流値は徐々に低下し始める。したがって、計測された電流値が一定の値から低下した際に、電源部による電圧の印加を停止させることにより、各々の誘電体膜に対して、欠陥の大きさ及び数に応じた時間で電着を行うことができる。よって、各々の誘電体膜に対して、欠陥の修復度のばらつきを低減することができる。
【０００９】
一形態において、電源部は定電流モードで動作し、計測部によって計測された電圧値の上昇が停止して一定の値を示した際に、電源部による電圧の印加を停止させてもよい。正極板と負極板との間に電圧値は、誘電体膜の欠陥の修復が行われている途中では徐々に上昇する。一方、誘電体膜の欠陥の修復が終了すると、正極板と負極板との間の電圧値は一定の値を示す。したがって、計測された電圧値の上昇が停止して一定の値を示した際に、電源部による電圧の印加を停止させることにより、各々の誘電体膜に対して、欠陥の大きさ及び数に応じた時間で電着を行うことができる。よって、各々の誘電体膜に対して、欠陥の修復度のばらつきを低減することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、誘電体膜の欠陥の修復度のばらつきを低減することが可能な誘電体膜修復システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る誘電体膜修復システムを概略的に示す図である。
【図２】（ａ）は修復前の被処理体を概略的に示す断面図であり、（ｂ）は修復後の被処理体を概略的に示す断面図である。
【図３】図１の誘電体膜修復システムにより誘電体膜を修復する手順を示す図である。
【図４】図１の誘電体膜修復システムの原理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一形態に係る誘電体膜修復システムを概略的に示す図である。図１に示される誘電体膜修復システム１は、誘電体膜を有する被処理体に対して、電着法（電気泳動法）により誘電体膜の欠陥を修復するシステムである。本実施形態では、製造途中の状態のＴＦＣＰ（Thin  Film  Capacitor：薄膜キャパシタ）を被処理体とする場合について説明する。ただし、被処理体はＴＦＣＰに限定されず、誘電体膜を表面に有すると共に電着法を使用可能であればよい。図１に示されるように、誘電体膜修復システム１は、電着液槽１０と、第１電極２０と、第２電極３０と、電源部４０と、計測部５０と、制御部６０と、制御装置７０と、を備えている。計測部５０及び制御部６０は、制御装置７０の一部として構成されている。
【００１４】
ここで、図２（ａ）を参照して、本実施形態における被処理体２について説明する。図２（ａ）に示されるように、被処理体２は、電極層２ａと、電極層２ａに対して積層された誘電体膜２ｂと、を有している。すなわち、被処理体２は、電極層２ａに対して誘電体膜２ｂを積層し、焼成を行った後の状態である。誘電体膜２ｂは、誘電体膜２ｂを形成する過程において形成された複数の欠陥２ｃを有している。一例として、電極層２ａの厚さは１０μｍ〜５００μｍ程度であり、誘電体膜２ｂの厚さは０．０１μｍ〜１μｍ程度である。
【００１５】
電極層２ａは平板状を呈しており、金属薄膜によって構成されている。電極層２ａを構成する材料としては、例えば、主成分がニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、これらの金属を含有する合金、又は金属間化合物である材料が好適に用いられる。ただし、電極層２ａの材料は、導電性材料であれば特に限定されない。なお、「主成分」であるとは、当該成分の占める割合が５０質量％以上であることをいう。また、電極層２ａの態様としては、合金や金属間化合物を形成する場合のほか、２種類以上からなる積層体構造である場合も含む。例えば、Ｎｉ薄膜上にＣｕ薄膜を設けた２層構造として電極層を形成してもよい。また、電極層２ａとして純ニッケルを使用する場合、そのニッケルの純度は９９．９９％以上が好ましい。更に、ニッケルを含有する合金の場合、ニッケル以外の金属として含まれる金属は、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる少なくとも一種とすれば好適である。
【００１６】
誘電体膜２ｂは、ペロブスカイト系の誘電体材料から構成されている。ここで、本実施形態におけるペロブスカイト系の誘電体材料としては、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３、などのペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３などに代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材などが含まれる。ここで、上記のペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型誘電体材料において、ＡサイトとＢサイトとの比は、通常整数比であるが、特性向上のために意図的に整数比からずらしてもよい。なお、誘電体膜２ｂの特性制御のため、誘電体膜２ｂに適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。
【００１７】
誘電体膜２ｂに形成される欠陥２ｃとは、誘電体膜２ｂの積層時又は焼成時に、誘電体膜２ｂの表面に形成される微小な凹部、又は、誘電体膜２ｂを貫通する貫通孔（ピンホール）である。この欠陥２ｃが形成される原因は、例えば、誘電体膜２ｂにおける異物の存在、誘電体膜２ｂの部分的な剥離、誘電体膜２ｂの結晶粒界、電極層２ａの凹凸等が挙げられる。欠陥２ｃの大きさは、例えば、５０ｎｍ〜５００００ｎｍ程度である。また、欠陥２ｃの深さは、誘電体膜２ｂの表層のみである場合から、誘電体膜２ｂを貫通する場合まで様々である。誘電体膜２ｂに形成される欠陥２ｃの数は、特に限定されないが、製造条件によっては、例えば、１ｃｍ２あたり数個〜数百個存在する場合がある。
【００１８】
図１に戻り、電着液槽１０は、例えば上部に開口を有する箱状を呈している。電着液槽１０は、誘電体膜２ｂの欠陥２ｃを修復する絶縁材料のイオンを含有する電着液１１を収容している。電着液１１中には、誘電体膜２ｂと、第１電極２０と、第２電極３０とが浸漬されている。電着液１１の電導度は、例えば、１００μＳ／ｃｍ〜２０００μＳ／ｃｍ程度であることが好ましい。電着液１１に含まれる絶縁材料としては、例えば、高電気抵抗のセラミック材料又は樹脂材料を適宜選択することができるが、樹脂材料を用いることがより好ましい。セラミック材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ等、公知の高抵抗セラミック材料を用いることができる。誘電体層との密着性を鑑み、誘電体膜２ｂに用いられる誘電体材料を選択して用いてもよい。樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ウレタン樹脂、アミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂等の高抵抗樹脂材料を用いることができる。特に、機械的強度の面から、アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、複数のセラミック材料を組み合わせて用いてもよいし、複数の樹脂材料を組み合わせて用いてもよい。更に、セラミック材料と樹脂材料とを組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
また、電着液１１に含まれる絶縁材料として、アニオン系材料又はカチオン系材料を用いることができる。上記の材料は、イオン化処理を行うことにより、アニオン系材料としてもカチオン系材料としても用いることができる。なお、電着の均一性が高く、電着時の管理が容易である点から、カチオン系材料はアニオン系材料に比べて好適に用いられ得る。ただし、誘電体膜２ｂが酸化物誘電体によって構成されている場合には、誘電体膜２ｂの誘電率の低下を抑制するために、電着時に誘電体膜２ｂが酸化状態となるアニオン系材料を用いることが好ましい。本実施形態では、電着液１１に含まれる絶縁材料がカチオン系材料である場合について説明する。
【００２０】
第１電極２０は、例えば平板状を呈している。第１電極２０は、その少なくとも一部が電着液１１に浸漬するように、電着液槽１０内に配置されている。第１電極２０は、導線２１を介して電源部４０の正極４１（後述）と電気的に接続されている。第１電極２０は、例えば導電性を有する材料によって構成されている。
【００２１】
第２電極３０は、第１電極２０と同様に、その少なくとも一部が電着液１１に浸漬するように、電着液槽１０内に配置されている。第２電極３０は、導線３１を介して電源部４０の負極４２（後述）と電気的に接続されている。また、第２電極３０は、誘電体膜２ｂが第１電極２０と対向し、且つ、誘電体膜２ｂ全体が電着液１１に浸漬するように、誘電体膜２ｂを保持している。本実施形態においては、第２電極３０として、被処理体２の電極層２ａが用いられている。すなわち、導線３１は、電源部４０の負極４２と電極層２ａとを電気的に接続している。図１では、電極層２ａ及び誘電体膜２ｂを含む被処理体２が導線３１とが直接接続されている状態を示しているが、被処理体２を保持するホルダ等を用いてもよい。なお、本実施形態のように被処理体の一部を第２電極３０として用いずに、第２電極３０として別途用意した電極板によって被処理体２を保持してもよい。
【００２２】
電源部４０は、正極４１及び負極４２を有している。正極４１は導線２１を介して第１電極２０と電気的に接続され、負極４２は導線３１を介して第２電極３０（電極層２ａ）と電気的に接続されている。これにより、第１電極２０は陽極、第２電極３０は陰極としてそれぞれ機能する。電源部４０は、第１電極２０と第２電極３０（電極層２ａ）との間に電圧を印加し、第１電極２０と第２電極３０との間に電流を発生させる。
【００２３】
制御装置７０は、電源部４０に対して情報の送受信が可能であり、電源部４０の動作を制御する機能を有する。制御装置７０は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、及びＲＯＭ（Read  Only  Memory）等によって構成されており、計測部５０と、制御部６０とを含んでいる。制御装置７０として、例えばＰＬＣ（Programmable  Logic  Controller）が用いられ得る。
【００２４】
計測部５０は、第１電極２０と第２電極３０との間に流れる電流値、及び第１電極２０と第２電極３０との間の電圧値の少なくとも一方を計測する。本実施形態の構成の場合、電源部４０は電流値及び／又は電圧値に係る情報を制御装置７０に対して送信する。そして、制御装置７０の計測部５０において、電源部４０から送信された情報を、計測結果として取得する。計測部５０は、取得した電流値及び／又は電圧値を制御部６０に送信する。なお、計測部５０は、制御装置７０の一部として構成されていてもよいし、制御装置７０と別体に設けられていてもよい。また、計測部５０は、電源部４０と一体化されていてもよい。
【００２５】
制御部６０は、計測部５０によって計測された値を受信し、受信した値に基づいて電源部４０を制御する。より具体的には、制御部６０は、計測部５０によって計測された電流値の変動、及び／又は計測部５０によって計測された電圧値の変動に基づいて、電源部４０による電圧の印加を停止させる。なお、制御部６０は、電源部４０及び計測部５０と一体化されていてもよいし、別体であってもよい。
【００２６】
次に、図１〜図４を参照して、誘電体膜２ｂの修復を行う場合の誘電体膜修復システム１の動作流れについて説明する。図３は、図１の誘電体膜修復システムにより誘電体膜を修復する手順を示す図である。図１の誘電体膜修復システムの原理を説明するための図である。なお、以下の説明では、絶縁材料としてカチオン系材料を含有する電着液１１を用いる場合について説明する。また、計測部５０により電源部４０の電流値Ｉを計測する場合について説明する。
【００２７】
まず、導線３１によって被処理体２の電極層２ａ（第２電極３０）と電源部４０とを接続し、被処理体２の誘電体膜２ｂを電着液１１に浸漬する。次に、定電流モードで電源部４０を動作させる。これにより、第１電極２０と第２電極３０との間に電圧が印加され、電着液１１に浸漬された第１電極２０と第２電極３０との間に電流が流れる。この結果、電着による誘電体膜２ｂの欠陥２ｃの修復が開始される。なお、電源部４０を動作させると共に、計測部５０によって、第１電極２０と第２電極３０との間の電流値Ｉを計測する（Ｓ１）。
【００２８】
電着液１１中に電流が流れると、電着液１１中の水の電気分解反応が生じ、第１電極２０（陽極）側で酸素ガスと水素イオンが発生し、第２電極３０（陰極）側で水素ガスと水酸化物イオンが発生する。また、電着液１１中の絶縁材料のイオンは、電気泳動により第２電極３０側に移動する。誘電体膜２ｂの表面では、絶縁材料のイオンと水酸化イオンとの反応によって絶縁材料の粒子が析出し、ジュール熱によって融着する。そして、電気浸透現象により、析出した絶縁材料中に残存する水が、析出した絶縁材料中から放出される。これにより、誘電体膜２ｂの表面上に電着材料が形成される。このような絶縁材料の析出は、電流密度の高い箇所、すなわち誘電体膜２ｂの欠陥２ｃが形成された箇所から行われる。したがって、図２（ｂ）に示すように、欠陥２ｃが埋められるように誘電体膜２ｂ内に絶縁材料体Ｐとなる電着材料が形成される。
【００２９】
なお、定電流モードでは、電源部４０は、第１電極２０と第２電極３０と間に流れる電流値Ｉを一定に保つように制御される。このため、欠陥２ｃ内に絶縁材料が析出して電着材料が形成されることで第１電極２０と第２電極３０との間の抵抗値が大きくなった場合、電源部４０は、第１電極２０と第２電極３０との間に印加する電圧を大きくする。しかしながら、電源部４０では、定電流モード動作時においても、印加する電圧の上限値が設定されている。そのため、第１電極２０と第２電極３０と間の抵抗値が大きくなり、印加する電圧を上限値まで大きくしても第１電極２０と第２電極３０と間に流れる電流値Ｉを一定に保てなくなった場合には、電源部４０は、定電流モードから定電圧モードに切り替わる。
【００３０】
電着による欠陥２ｃの修復が行われている最中、制御部６０は、計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定の値から低下したか否かを判断する（Ｓ２）。上記の反応が進むと、誘電体膜２ｂ上に形成された電着材料が徐々に増加するので、誘電体膜２ｂの抵抗値も徐々に大きくなる。一方、電源部４０は定電流モードで動作しているので、第１電極２０と第２電極３０との間に流れる電流値Ｉを一定に保つために、第１電極２０と第２電極３０との間に印加する電圧を大きくする。計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定である間（Ｓ２−ＮＯ）、制御部６０は、電源部４０によって第１電極２０と第２電極３０と間に電圧を印加し続けるように、電源部４０を制御する。
【００３１】
電着が更に進み、印加する電圧を上限値まで大きくしても第１電極２０と第２電極３０と間に流れる電流値Ｉを一定に保てなくなるほど誘電体膜２ｂの抵抗値が大きくなると、電源部４０は定電流モードから定電圧モードに切り替わる。これにより、計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定の値から低下し始める。制御部６０が、この電流値Ｉの低下を検知すると（Ｓ２−ＹＥＳ）、電源部４０による電圧の印加を停止させ、電着を終了させる。これにより、図２（ｂ）に示されるように、誘電体膜２ｂの欠陥２ｃが絶縁材料体Ｐによって充填されて修復された状態となる。
【００３２】
なお、誘電体膜修復システム１では、電着開始から電着終了までの時間ｔは、それぞれの誘電体膜２ｂが有する欠陥２ｃの大きさ及び数によって変化する。したがって、電源部４０が定電流モードから定電圧モードに切り替わる電圧の上限値を適切に設定することにより、各々の誘電体膜２ｂに対して、欠陥２ｃの修復度のばらつきを低減することができる。上限値は、例えば、誘電体膜２ｂの厚さ、誘電体膜２ｂの材料の種類等に基づいて設定される。
【００３３】
一例として、誘電体膜２ｂがＢａＴｉＯ３であり、０．６μｍの厚みを有する場合、定電流モードにおける電源部４０によって第１電極２０と第２電極３０との間に流れる電流値を１ｍＡ以上１０００ｍＡ以下の範囲に設定し、定電流モードから定電圧モードに切り替わる電圧の上限値を５Ｖ以上１００Ｖ以下の範囲に設定することができる。
【００３４】
このように、誘電体膜修復システム１の制御部６０は、計測部５０によって計測された第１電極２０と第２電極３０との間に流れる電流値Ｉの変動に基づいて、電源部４０による電圧の印加を停止させる。より具体的には、電源部４０は定電流モードで動作し、制御部６０は、計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定の値から低下した際に、電源部４０による電圧の印加を停止させる。第１電極２０と第２電極３０との間の電流値Ｉは、誘電体膜２ｂの欠陥２ｃの修復が行われている途中では一定の値を示す。一方、誘電体膜２ｂの欠陥２ｃの修復が終了すると、すなわち、誘電体膜２ｂの抵抗値が一定値に達して電源部４０が定電流モードから定電圧モードに切り替わると、第１電極と第２電極との間の電流値は徐々に低下し始める。したがって、計測された電流値Ｉが一定の値から低下した際に、電源部４０による電圧の印加を停止させることにより、各々の誘電体膜２ｂに対して、欠陥２ｃの大きさ及び数に応じた時間ｔで電着を行うことができる。したがって、各々の誘電体膜２ｂに対して、欠陥２ｃの修復度のばらつきを低減することができる。
【００３５】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更を行うことができる。例えば、上記の実施形態においては、計測部５０によって第１電極２０と第２電極３０との間の電流値Ｉを計測し、電流値Ｉの変動に応じて電源部４０による電圧の印加を停止させる例について説明した。しかしながら、図４に示されるように、誘電体膜修復システム１は、計測部５０によって第１電極２０と第２電極３０との間の電圧値Ｖを計測し、計測部５０によって計測された電圧値Ｖの変動に応じて電源部４０による電圧の印加を停止させてもよい。
【００３６】
この場合においても、電源部４０は定電流モードで動作する。電着開始時においては、誘電体膜２ｂ上に電着材料が形成されていないので、誘電体膜２ｂの抵抗値は低い。電着が進むと、誘電体膜２ｂ上に形成された電着材料が徐々に増加するので、誘電体膜２ｂの抵抗値も徐々に大きくなる。このため、第１電極２０と第２電極３０との間の電圧値Ｖは、徐々に大きくなる。このとき、制御部６０は、上記実施形態で説明した計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定の値から低下したか否かの判断（Ｓ２）に代えて、計測部５０によって計測された電圧値Ｖの上昇が停止して一定の値（すなわち、電源部４０が定電流モードから定電圧モードに切り替わる電圧の上限値）を示すか否かを判断する。
【００３７】
電着が更に進み、印加する電圧を上限値まで大きくしても第１電極２０と第２電極３０と間に流れる電流値を一定に保てなくなるほど誘電体膜２ｂの抵抗値が大きくなると、電源部４０は定電流モードから定電圧モードに切り替わる。これにより、計測部５０によって計測された電圧値Ｖの上昇が停止し、一定の値を示す。このとき、制御部６０は、電源部４０による電圧の印加を停止させ、電着を終了させる。
【００３８】
上記のように、計測部５０によって計測された電圧値Ｖの変動に応じて電源部４０による電圧の印加を停止させ場合においても、各々の誘電体膜２ｂに対して、欠陥２ｃの大きさ及び数に応じた時間で電着を行うことができる。したがって、各々の誘電体膜２ｂに対して、欠陥２ｃの修復度のばらつきを低減することができる。
【００３９】
また、計測部５０は、第１電極２０と第２電極３０との間の電流値Ｉ及び電圧値Ｖの両方を計測してもよい。
【００４０】
また、上記の実施形態では、絶縁材料としてカチオン系材料を用いる例について説明したが、絶縁材料としてアニオン系材料を用いてもよい。この場合、誘電体膜２ｂ（被処理体２）は第１電極２０によって保持されていてもよい。
【００４１】
また、上記の実施形態では、計測部５０によって計測された電流値Ｉが一定の値から低下した際に、電源部４０による電圧の印加を停止させる例について説明したが、絶縁材料の密度、又は絶縁材料と誘電体膜との密着性を更に向上させるなどして修復過程に安全率を掛けようとする場合には、電流値Ｉが一定の値から低下した時点から一定時間（例えば、数秒程度）経過した後に電源部４０による電圧の印加を停止させてもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１…誘電体膜修復システム、２ｂ…誘電体膜、２ｃ…欠陥、１０…電着液槽、１１…電着液、２０…第１電極、３０…第２電極、４０…電源部、５０…計測部、６０…制御部、Ｉ…電流値、Ｖ…電圧値。
【図１】
2019062131.tif 000003
【図２】
2019062131.tif 000004
【図３】
2019062131.tif 000005
【図４】
2019062131.tif 000006