(57)【要約】【課題】半導体素子が安定的に作動できるとともに薄型化に対応することが可能な配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】開口部９を有するコア基板２と、複数の外部電極３Ｅを有し、コア基板２の上面よりも高い位置に外部電極３Ｅの一部が位置する状態で開口部９内に位置する電子部品３と、第１絶縁粒子を第１の含有率で含有し、コア基板２の上面で該上面よりも高い位置にある外部電極３Ｅの一部を被覆するとともに、開口部９の内壁と電子部品３との間の間隙の一部を塞ぐ状態で位置する第１絶縁層４と、ガラス繊維を含有し、第１絶縁層４の上面に位置している第２絶縁層５と、ガラス繊維を含有し、間隙の残部を塞ぐ状態でコア基板２の下面に位置している第３絶縁層６と、を有しており、第１絶縁層４はガラス繊維を非含有であり、第３絶縁層６は第２絶縁粒子を第１の含有率よりも小さい第２の含有率で含有している、または非含有である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するコア基板と、
上面から下面にかけて延在している複数の外部電極を有しており、断面視で前記コア基板の上面よりも高い位置に前記外部電極の一部が位置する状態で前記開口部内に位置する電子部品と、
第１絶縁粒子を第１の含有率で含有しており、前記コア基板の上面において該上面よりも高い位置にある前記外部電極の一部を被覆するとともに、前記開口部の内壁と前記電子部品との間の間隙の一部を塞ぐ状態で位置する第１絶縁層と、
ガラス繊維を含有しており、前記第１絶縁層の上側に位置している第２絶縁層と、
ガラス繊維を含有しており、前記間隙の残部を塞ぐ状態で前記コア基板の下面に位置している第３絶縁層と、を有しており、
前記第１絶縁層は、ガラス繊維を非含有であり、前記第３絶縁層は第２絶縁粒子を前記第１の含有率よりも小さい第２の含有率で含有している、または非含有であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３絶縁層にのみ、前記外部電極を底面とするビアホールを有していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第３絶縁層の下面に接して位置しており、内部に半導体素子を有する第４絶縁層をさらに有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、前記外部電極の一部を底部とする凹部を有しており、前記第２絶縁層は、前記凹部の側面を被覆するとともに前記底部の一部を露出するビアホールを有していることを特徴とする請求項１または３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品を内蔵する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体素子を搭載する配線基板として積層セラミックチップコンデンサ（コンデンサ）等の電子部品を、ガラス繊維を含有する絶縁層に内蔵する配線基板が開発されている。半導体素子は、主電源から電荷の供給を受ける以外にコンデンサからも電荷の供給を受けることで安定した作動が可能になる。このような配線基板は、例えば電子部品が収容された開口部を有するコア基板の上下に絶縁層が積層された状態で位置している。なお、このような配線基板は、薄型化が進んでいる。そのため、コア基板および上下の絶縁層は、機械的強度確保のためのガラス繊維を含んでいる。上述のような配線基板は、例えば携帯型の音楽プレーヤーや携帯電話等に代表される電子機器に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板は、上述のような電子機器の高機能化、薄型化に対応すべく高機能な半導体素子を搭載するようになってきている。このような半導体素子は、安定して作動するために多くの電荷を必要とする。そのため、容量の大きな大型のコンデンサを絶縁層に内蔵することが求められているが、薄型化のためにコア基板の厚みが小さくなり、コンデンサの外部電極がコア基板から突出する場合がある。この場合、外部電極が突出する側の絶縁層が含有するガラス繊維とコンデンサの外部電極とが接触してしまう。ガラス繊維と外部電極とは互いに接着し合うことが難しい。そのため、外部電極と絶縁層とが接着していない非接着部分が配線基板内に生じてしまうことがある。このような非接着部分は、クラックの起点になる虞がある。クラックが生じると、外部電極と半導体素子との電気的接続が劣化する。つまり、薄型化に対応しながら半導体素子に安定して電荷を供給することが難しくなる虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の配線基板は、開口部を有するコア基板と、上面から下面にかけて延在している複数の外部電極を有しており、断面視でコア基板の上面よりも高い位置に外部電極の一部が位置する状態で開口部内に位置する電子部品と、第１絶縁粒子を第１の含有率で含有しており、コア基板の上面において該上面よりも高い位置にある外部電極の一部を被覆するとともに、開口部の内壁と電子部品との間の間隙の一部を塞ぐ状態で位置する第１絶縁層と、ガラス繊維を含有しており、第１絶縁層の上側に位置している第２絶縁層と、ガラス繊維を含有しており、間隙の残部を塞ぐ状態でコア基板の下面に位置している第３絶縁層と、を有しており、第１絶縁層は、ガラス繊維を非含有であり、第３絶縁層は第２絶縁粒子を第１の含有率よりも小さい第２の含有率で含有している、または非含有であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の配線基板によれば、容量の大きなコンデンサを内蔵して半導体素子が安定的に作動できるとともに薄型化に対応することが可能な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の配線基板の実施形態例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本開示の配線基板の別の実施形態例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本開示の配線基板の別の実施形態例の開口部付近を示す概略上面図である。
【図４】図４は、本開示の配線基板のさらに別の実施形態例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
次に、図１を基にして本開示の実施形態に係る配線基板１について説明する。図１は、本開示の配線基板１の実施形態例を示す断面図である。
【０００９】
配線基板１は、コア基板２と、電子部品３と、第１絶縁層４と、第２絶縁層５と、第３絶縁層６と、配線導体７と、を有している。コア基板２、第１絶縁層４、第２絶縁層５および第３絶縁層６は、電子部品３を内蔵するとともに半導体素子を上面等に搭載する絶縁層（絶縁層としては符号なし）としての機能を有する。例えば電子部品３と半導体素子とが電気的に接続されて、電荷供給等が行われる。
【００１０】
コア基板２は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等を含む熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料を含んでいる。コア基板２は、配線基板１としての機械的な強度を確保する機能を有している。コア基板２の熱膨張係数は、例えば７〜１４ｐｐｍ／℃に設定されている。コア基板２は、上面と下面とを貫通する複数のスルーホール８を有している。
【００１１】
さらに、コア基板２は、電子部品３を収容するための開口部９を有している。開口部９は、ひと続きの内壁で囲まれている。開口部９内には、電子部品３が位置している。
【００１２】
なお、開口部９の内壁は、コア基板２の上面から下面にかけて開口部９の内側方向に傾いた形状であっても構わない。この場合傾きの程度は、例えばコア基板２の厚みが２００μｍであれば、上面から下面にかけて２５〜３５μｍ程度内側方向に内壁が位置する程度である。
【００１３】
コア基板２は、強化用のガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを複数積層して加熱下でプレス加工を行うことで形成される。コア基板２の厚みは、例えば１００〜２００μｍ程度に設定されている。
【００１４】
スルーホール８は、コア基板２に、ドリル加工、レーザー加工またはブラスト加工等の処理を行うことで形成される。スルーホール８の直径は、例えば１００〜２００μｍに設定されている。
【００１５】
開口部９は、コア基板２に、レーザー加工またはルーター加工等の処理を行うことで形成される。開口部９の内径は、例えば収容する電子部品３の外形よりも３５〜５０μｍ大きく設定されている。３５μｍ以上であれば、電子部品３を、内壁への接触を抑制しながら開口部９内に収容することが容易であり、５０μｍ以下であれば、配線基板１としての小型化に有利である。
【００１６】
電子部品３は、開口部９内に位置している。電子部品３は、例えば積層セラミックチップコンデンサ（以下コンデンサと略記する）等が挙げられる。コンデンサは、配線基板１に搭載される半導体素子に電荷を供給することで、半導体素子を安定して作動させる機能を有している。半導体素子は、たとえば、配線基板１の上面（第２絶縁層５の上面）に搭
載される。半導体素子の平面視における位置は、たとえばコンデンサと重なる位置に設定される。
【００１７】
コンデンサは、例えば直方体形状を有しており、長手方向の両端部の上面から下面にかけて延在する外部電極３Ｅを有している。このような外部電極３Ｅが位置している部位は、コア基板２の厚さよりも大きい厚さを有している。このため、外部電極３Ｅの一部は、コア基板２の上面よりも高い位置にある。外部電極３Ｅの厚さは、例えば１１０〜２５０μｍである。厚さが上記のように比較的大きいコンデンサは、誘電体層および対向容量電極の層数向上、つまり静電容量を大きくするうえで有利である。つまり、より多くの電荷を、半導体素子に供給することができる。
【００１８】
なお、電子部品３は、積層セラミックチップコンデンサに限定されず、インダクタ、抵抗器またはトランス等であっても構わない。コンデンサ以外の電子部品３の場合にも、その厚さが上記のように比較的大きいことにより、インダクタ線路（巻数の増加等）または抵抗回路の設計の自由度向上等がより容易になる。
【００１９】
電子部品３は、例えばコア基板２を粘着シート上に載置しておき、開口部９内に電子部品３を挿入して粘着シート上に仮置きすることで開口部９内に収容される。この電子部品３は、粘着シートにより開口部９の底部に固定される。
【００２０】
第１絶縁層４は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料を含んでいる。そして、絶縁材料は、第１の含有率で第１絶縁粒子を含有している。第１絶縁粒子は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（ＡｌＯ３）等が挙げられる。なお、第１絶縁層４は、ガラス繊維を含んでいない。
【００２１】
第１の含有率は、例えば、８０ｗｔ％以上の高い値に設定されている。このため、第１絶縁層４の熱膨張係数は、例えば７〜１４ｐｐｍ／℃という低い値に設定されている。このような第１絶縁層４の熱膨張係数は、先述のコア基板２の熱膨張係数、および後述する第２絶縁層５および第３絶縁層６の熱膨張係数に近い値に設定されている。これにより、配線基板１は、各層の熱膨張差による反りの発生が抑制される。
【００２２】
第１絶縁層４は、コア基板２の上面に位置している。第１絶縁層４は、コア基板２の上面において、コンデンサの外部電極３Ｅの露出部分を被覆する状態で位置している。つまり、ガラス繊維を含まない第１絶縁層４が、コア基板２の上面よりも上方に位置している外部電極３Ｅの突出部を被覆している状態であるため、後述する第２絶縁層５のガラス繊維と外部電極３Ｅとの接触を回避することができる。言い換えれば、第２絶縁層５のガラス繊維と外部電極３Ｅとが直接に接触することで両者の間に非接着部分が生じることを回避することができる。このような非接着部分が生じないことにより、外部電極３Ｅと第１絶縁層４（電子部品３を内蔵する絶縁層）との接着強度を向上させることができる。これにより、例えば配線基板１に衝撃が加わった時などに、非接着部分を起点とするクラックの発生を抑制することが可能になる。したがって、薄型化に対応しながら半導体素子に安定して電荷を供給することができる配線基板１とすることができる。
【００２３】
また、第１絶縁層４は、コア基板２の開口部９の内壁と電子部品３との間の間隙の上部を塞ぐ状態で位置している。つまり、第１絶縁層４が外部電極３Ｅの下側に潜り込んでいない。仮に、第１絶縁層４が外部電極３Ｅの下側に不均一な厚みで潜り込んでしまった場合、例えば外部電極３Ｅの下側を底面とするビアホール１０を形成する際に、外部電極３Ｅを完全に露出させることができず、ビアホール１０内の配線導体７と外部電極３Ｅとの接続が不完全になる虞がある。本例においては、第１絶縁層４が外部電極３Ｅの下側に潜り込んでいないため、上記のような不具合を回避することが可能になる。
【００２４】
第１絶縁層４は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含む半硬化状態の絶縁層用のフィルムを、開口部９内に電子部品３が位置しているコア基板２の上面に被着して、低圧下で熱硬化することで形成される。このとき、フィルムが開口部９の内壁と電子部品３との間の間隙の上部を塞ぐ状態で充填される。熱硬化性樹脂内には、絶縁粒子を分散させておく。
【００２５】
第２絶縁層５は、第１絶縁層４の上面に位置している。第２絶縁層５は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料を含んでいる。第２絶縁層５は、コア基板２とともに、配線基板１としての機械的な強度を確保する機能を有している。
【００２６】
第２絶縁層５の厚さは、例えば３０〜５０μｍに設定されている。第２絶縁層５の熱膨張係数は、例えば７〜１４ｐｐｍ／℃に設定されている。なお、第２絶縁層５は、熱膨張係数の調整のために絶縁粒子を有していても構わない。
【００２７】
第２絶縁層５および第１絶縁層４は、コア基板２の上面の配線導体７を底面とするビアホール１０を有している。
【００２８】
第３絶縁層６は、コア基板２の下面に位置している。第３絶縁層６は、コア基板２とともに、配線基板１としての機械的な強度を確保する機能を有している。
【００２９】
第３絶縁層６は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた絶縁材料を含んでいる。また、第３絶縁層６は、第２の含有率で第２絶縁粒子を含有している。または、第３絶縁層６は、第２絶縁粒子を含有していない。第２絶縁粒子は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（ＡｌＯ３）等が挙げられる。第２の含有率は、例えば、４０〜５５ｗｔ％であり、第１の含有率よりも小さい値に設定されている。第３絶縁層６の熱膨張係数は、例えば７〜１４ｐｐｍ／℃に設定されている。
【００３０】
第３絶縁層６は、電子部品３の外部電極３Ｅを底面とする複数のビアホール１０を有している。ビアホール１０は、例えばレーザー加工等により形成される。第３絶縁層６は、第２絶縁粒子を第１の含有率よりも小さい第２の含有率で含有している、または非含有である。このため、第３絶縁層６にビアホール１０を形成する場合には、第１絶縁層４にビアホールを形成する場合に比べて、小さなレーザーの出力で形成することが可能になる。つまり、レーザーが電子部品３にあたえるエネルギーが小さくなるため電子部品３の損傷を抑制することができる。
【００３１】
言い換えれば、第１絶縁粒子を高い含有率で含む第１絶縁層４に外部電極３Ｅの上面側を底面とするビアホールを形成する場合には、大きなレーザーの出力が必要となるため、電子部品３を損傷してしまう虞がある。このため、外部電極３Ｅを底面とするビアホール１０は、第３絶縁層６にのみ位置している。ビアホール１０の直径は、例えば５０〜１００μｍに設定されている。
【００３２】
第２絶縁層５および第３絶縁層６は、強化用のガラス繊維にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた第２絶縁層用のプリプレグを第１絶縁層４上に積層するとともに、第３絶縁層用のプリプレグをコア基板２の下に積層しておき、加熱下でプレス加工を行うことで形成される。
【００３３】
配線導体７は、コア基板２の上面、下面、スルーホール８内、第２絶縁層５の上面、第
３絶縁層６の下面、およびビアホール１０内に位置している。配線導体７は、配線基板１の導電経路を構成するものである。配線導体７は、例えば無電解銅めっき金属および電解銅めっき金属を含んでいる。
【００３４】
第２絶縁層５の上面に位置する配線導体７の一部は、例えば半導体素子と接続する第１パッド１１を含んでいる。また、第３絶縁層６の下面に位置する配線導体７の一部は、例えば外部基板と接続する第２パッド１２を含んでいる。例えば第１パッド１１を含む配線導体７を介して、電子部品３と半導体素子とが互いに電気的に接続される。
【００３５】
スルーホール８内の配線導体７は、コア基板２の上面および下面に位置する配線導体７同士を電気的に接続している。ビアホール１０内の配線導体７は、コア基板２の上面に位置する配線導体７と第２絶縁層５の上面に位置する配線導体７同士、およびコア基板２の下面に位置する配線導体７および外部電極３Ｅと、第３絶縁層６の下面に位置する配線導体７同士を電気的に接続している。これにより、半導体素子と外部基板とが、配線導体７を介して電気的に接続される。
【００３６】
配線導体７は、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法等のめっき技術により、コア基板２の上面および下面、スルーホール８の内部、第２絶縁層５の上面、第３絶縁層６の下面、およびビアホール１０内に銅めっき金属を析出させることで形成される。
【００３７】
上述のように、本開示における配線基板１は、開口部９を有する平板状のコア基板２と、上面から下面にかけて延在している複数の外部電極３Ｅを有しており、断面視でコア基板２の上面よりも高い位置に外部電極３Ｅの一部を露出する状態で開口部９内に位置する電子部品と、第１絶縁粒子を第１の含有率で含有しており、コア基板２の上面において外部電極３Ｅの露出部分を被覆するとともに、開口部９の内壁と電子部品３との間の間隙の一部を塞ぐ状態で位置する第１絶縁層４と、ガラス繊維を含有しており、第１絶縁層４の上側に位置している第２絶縁層５と、ガラス繊維を含有しており、前記間隙の残部を塞ぐ状態でコア基板２の下面に位置している第３絶縁層６と、を有している。第１絶縁層４は、ガラス繊維を非含有であるため、第２絶縁層５のガラス繊維と外部電極３Ｅとの接触を回避することができる。言い換えれば、第２絶縁層５のガラス繊維と外部電極３Ｅとの非接着部分が生じることを回避することができる。これにより、例えば配線基板１に衝撃が加わった時などに、非接着部分を起点とするクラックが、配線基板１に発生することを抑制することが可能になる。
【００３８】
その結果、容量の大きなコンデンサを内蔵して半導体素子が安定的に作動できるとともに薄型化に対応することが可能な配線基板を提供することができる。
【００３９】
また、第３絶縁層６は第２絶縁粒子を第１の含有率よりも小さい第２の含有率で含有している、または非含有である。このため、小さなレーザー出力でビアホール１０を形成することが可能になり電子部品３の損傷を抑制することができ半導体素子が安定的に作動できる配線基板１を提供することができる。電子部品３の損傷抑制により、電子部品３と外部基板との電気的な接続信頼性も向上できる。そのため、外部基板から電子部品３を介した半導体素子への電荷供給の信頼性も向上できる。
【００４０】
なお、本開示は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。上述の実施形態の一例においては、最上層に第２絶縁層５が位置しており、最下層に第３絶縁層６が位置している場合を示した。しかし、図２に示すように、配線基板１は、第３絶縁層６の下面に接して位置しており、内部に半導体素子１３を有する第４絶縁層１４をさらに備えていても構わない。また、第２絶縁層５の上面に第５絶縁層１５が位置していても構わない。
【００４１】
第３絶縁層６の下面には、複数のビアホール１０を有する２層の第４絶縁層１４が積層された状態で位置している。最下層に位置する第４絶縁層１４内には、複数の電極１３Ｅを備える半導体素子１３が位置している。第４絶縁層１４の下面およびビアホール１０内には、配線導体７が位置している。最下層の第４絶縁層１４の下面に位置する配線導体７は、外部基板と接続する第３パッド１６を含んでいる。第３パッド１６の一部は、ビアホール１０内の配線導体７を介して第３絶縁層６の下面に位置する配線導体７、あるいは電極１３Ｅと電気的に接続している。
【００４２】
第２絶縁層５の上面には、複数のビアホール１０を有する２層の第５絶縁層１５が積層された状態で位置している。第５絶縁層１５の上面およびビアホール１０内には、配線導体７が位置している。最上層の第５絶縁層１５の上面に位置する配線導体７は、別の電子部品と接続する第４パッド１７を含んでいる。第４パッド１７の一部は、ビアホール１０内の配線導体７を介して第２絶縁層５の上面に位置する配線導体７と電気的に接続している。これにより、別の電子部品と外部基板とが電気的に接続する。
【００４３】
このような場合、半導体素子１３がコンデンサの真下に位置していることで、例えば半導体素子１３とコンデンサとの間の導電経路の長さを短縮することが可能になる。これにより、コンデンサから半導体素子１３への電荷の供給が速やかになるため、半導体素子１３の安定作動のためにさらに有利である。また、第２絶縁層５の上面に第５絶縁層１５が位置していることで、より多くの配線導体７の配置領域が確保できる。
【００４４】
また、上述の実施形態の一例においては、コア基板２が一つの開口部９を有している場合を示したが、複数の開口部９を有していても構わない。この場合には、例えば内蔵するコンデンサの数量を増やすことで半導体素子への電荷の供給量を増加できる点で有利である。
【００４５】
また、上述の実施形態の一例においては、一つの開口部９の中に一つの電子部品３が位置している場合を示したが、図３に示すように一つの開口部９の中に複数の電子部品３が位置していても構わない。この場合には、開口部９の形成領域を効果的に縮小して配線基板の小型化に有利である。
【００４６】
また、上述の実施形態の一例においては、配線基板の最表面にソルダーレジストを有していない場合を示したが、ソルダーレジストを有していても構わない。この場合、配線導体７を外部環境から保護するという点で有利である。
【００４７】
さらに、上述の実施形態の一例においては、配線基板１が、コア基板２の上面よりも高い位置にある外部電極３Ｅを底部とするビアホール１０を有していない場合を示したが、図４に示すように、このようなビアホール１０を有していても構わない。この場合、例えば半導体素子１３が、電子部品３よりも上側に位置するときに、電子部品３と半導体素子１３との間の電荷の供給経路を短くすることが可能になる点で有利である。
【００４８】
このような場合、第１絶縁層４は、コア基板２の上面よりも高い位置にある外部電極３Ｅの一部を底部とする凹部１８を有している。そして、第２絶縁層５は、凹部１８の壁面を被覆するとともに凹部１８の底部（すなわち外部電極３Ｅ）の一部を露出するビアホール１０を有している。
【００４９】
言い換えれば、ビアホール１０は、第１絶縁層４および第２絶縁層５の両方にまたがる状態で位置するのではなく、第２絶縁層５にのみ位置している。つまり、ビアホール１０の内壁は、第２絶縁層５のみにより構成されている。このように、ビアホール１０の内壁
において、第１絶縁層４と第２絶縁層５との境界が存在していないことで、境界を伝わるマイグレーションを防止することが可能になり隣接するビアホール１０同士の間の絶縁信頼性を向上することができる点で有利である。
【００５０】
このようなビアホール１０は、例えば次のように形成される。まず、コア基板２を貫通している開口部９内に電子部品３を挿入しておき、コア基板２の上面に、光硬化性樹脂を含む半硬化状態の絶縁層用のフィルムを被着する。次に、フィルムを露光および現像処理することによって凹部１８を有する第１絶縁層４を形成する。次に、第２絶縁層用のプリプレグを第１絶縁層４上に積層するとともに、第３絶縁層用のプリプレグをコア基板２の下に積層しておき、加熱下でプレス加工を行うことで第２絶縁層５および第３絶縁層６を形成する。このとき、第２絶縁層５の一部は、凹部１８内に充填される。最後に、第２絶縁層５の上方から平面透視で凹部１８の内側にレーザー光を照射して、第２絶縁層５を掘削することでビアホール１０が形成される。
【００５１】
なお、第２絶縁層用のプリプレグおよび第３絶縁層用のプリプレグは、例えばＥガラス、またはＳガラス等で構成されるガラス繊維を含んでいる。それぞれのプリプレグが同じ種類のガラス繊維を含んでいても構わないし、異なる種類のガラス繊維を含んでいても構わない。
【００５２】
上記のように、レーザー光は、第２絶縁層５にのみ照射すればよく、第１絶縁粒子を高い含有率で有する第１絶縁層４に照射する必要がないため、ビアホール１０を小さいエネルギーのレーザー光で形成することができる。これにより、レーザー処理による電子部品３の損傷を抑制することが可能になる。
【符号の説明】
【００５３】
１          配線基板
２          コア基板
３          電子部品
３Ｅ        外部電極
４          第１絶縁層
５          第２絶縁層
６          第３絶縁層
９          開口部
１４        第４絶縁層
【図１】
2019176118.tif 000003
【図２】
2019176118.tif 000004
【図３】
2019176118.tif 000005
【図４】
2019176118.tif 000006