(57)【要約】【課題】プローブピン収容孔を有するプローブピン支持体（三次元構造物）の三次元ＣＡＤデータをそのまま使用して造形しても、プローブピン収容孔が余剰硬化物で塞がってしまうことがないプローブピン支持体の製造方法を提供する。【解決手段】プローブピン５を収容するプローブピン収容孔４が形成されたプローブピン支持体１ｂは、液状の光硬化性樹脂に光を照射することによって硬化した樹脂層８を積み重ねて形成される。そして、プローブピン収容孔４には、プローブピン５を支持するリブ１２が形成される。また、リブ１２は、プローブピン５が当接するピン支持部１３を有している。そして、ピン支持部１３の周囲には、液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間が形成される。【選択図】図１
2019211357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の電気的テスト時に電子部品の端子に接触するプローブピンを収容するプローブピン収容孔が形成されたプローブピン支持体の製造方法において、
前記プローブピン支持体は、液状の光硬化性樹脂に光を照射することによって硬化した樹脂層を積み重ねて形成され、
前記プローブピン収容孔には、前記プローブピンを支持するリブが形成され、
前記リブは、前記プローブピンが当接するピン支持部を有し、
前記ピン支持部の周囲には、前記液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間が形成された、
ことを特徴とするプローブピン支持体の製造方法。
【請求項２】
前記リブは、前記プローブピン収容孔の中心の回りに複数形成され、前記プローブピン収容孔の中心側の先端が前記ピン支持部である、
ことを特徴とする請求項１に記載のプローブピン支持体の製造方法。
【請求項３】
前記リブは、前記樹脂層の積層方向に間隔をあけて複数形成され、前記プローブピン収容孔の中心側の先端が前記ピン支持部である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブピン支持体の製造方法。
【請求項４】
前記リブは、前記プローブピン収容孔の内周面から前記プローブピン収容孔の中心に向かって延び、且つ、前記樹脂層の積層方向に沿って延びるように形成される、
ことを特徴とする請求項２に記載のプローブピン支持体の製造方法。
【請求項５】
前記複数のリブのピン支持部は、前記プローブピン収容孔の中心の回りにずれて位置している、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブピン支持体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品の電気的テスト時に電子部品の端子に接触するプローブピンを支持するプローブピン支持体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電子部品の半導体パッケージの一種であるＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、外形が四角形状のものが多く、四辺から複数の接続端子が突き出ており、各接続端子間の配置間隔が狭ピッチ化されている。
【０００３】
図１２（ａ）は、このような電子部品１００の電気的テストに使用されるＩＣソケット１０１と電子部品１００との関係を簡略化して示す図である。この図１２（ａ）に示すように、ＩＣソケット１０１は、電子部品１００の端子１０２に接触するプローブピン１０３を絶縁性樹脂材料製のプローブピン支持体１０４のプローブピン収容孔１０５内に収容するようになっている（特許文献１参照）。
【０００４】
このような電子部品１００の電気的テストに使用されるＩＣソケット１０１は、電子部品１００の電気的テスト時に電子部品１００の端子１０２に接触するプローブピン１０３の配置間隔が狭ピッチ化すると共に、プローブピン１０３自体が細くなっており、プローブピン１０３を収容して支持するソケット本体１０４の加工が困難になっている。このようなＩＣソケット１０１の製作上の問題を解決するためには、ソケット本体１０４を積層造形法の一つである光造形法によって製作することが考えられる。
【０００５】
従来から知られている積層造形法の一つである光造形法は、硬化工程において、容器内の液状の光硬化性樹脂に光（例えば、レーザー光）を照射し、光が当たった造形テーブル下の１層分の光硬化性樹脂を硬化させ、次に造形テーブルを移動させて硬化した１層目の光硬化性樹脂の下に２層目の液状の光硬化性樹脂を供給し、その２層目の液状の光硬化性樹脂に光を照射し、光が当たった２層目の光硬化性樹脂を硬化させ、このような作業をＮ層まで繰り返し行って、所望の光造形物（三次元構造物）を形作るようになっている。
【０００６】
図１２（ｂ）は、第１乃至第３プローブピン支持体１０４ａ〜ｃを有するソケット本体１０４のうちの第２プローブピン支持体１０４ｂを光造形法によって製作した場合の不具合発生状況を示す図である。この図１２（ｂ）に示すように、第２プローブピン支持体１０４ｂを光造形法によって製作した場合、プローブピン収容孔１０５が微細孔（例えば、直径０．１ｍｍの丸孔）であるため、プローブピン収容孔１０５内に付着した液状の光硬化性樹脂が光の照射によって硬化し、プローブピン収容孔１０５内に余剰硬化物１０６が形成され、プローブピン収容孔１０５が余剰硬化物１０６で塞がってしまうという現象を生じることがある。
【０００７】
そこで、このような微細孔（プローブピン収容孔１０５）が余剰硬化物１０６で塞がれるという不具合の発生を防止する技術として、図１３に示すような微細孔２０１を有する光造形物２００の光造形法が開発された。この図１３に示す光造形法は、光造形物２００の三次元ＣＡＤデータを、微細孔２０１の延びる方向が積層面と平行になるように９０°回転させた光造形用の等高線データ（第１層乃至第ｎ層のスライスデータ）に変換し、その等高線データに基づいて第１層から第ｎ層まで順次造形を進行するようになっている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第５５９７１０８号公報
【特許文献２】特開２００３−２４５９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図１３に示す光造形法を適用して第２プローブピン支持体１０４ｂを製作した場合、微細孔２０１としてのプローブピン収容孔１０５は、余剰硬化物によって塞がれることは抑制されるが、積層方向において余剰硬化物が溜まりやすいため、プローブピン収容孔１０５の真円度が低下するという問題を有している。
【００１０】
そこで、本発明は、プローブピン収容孔を有するプローブピン支持体（三次元構造物）の三次元ＣＡＤデータをそのまま使用して造形しても、プローブピン収容孔が余剰硬化物で塞がってしまうことがないプローブピン支持体の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、電子部品６の電気的テスト時に電子部品６の端子７に接触するプローブピン５を収容するプローブピン収容孔４が形成されたプローブピン支持体１ｂの製造方法に関するものである。本発明において、前記プローブピン支持体１ｂは、液状の光硬化性樹脂１６に光２７を照射することによって硬化した樹脂層８を積み重ねて形成される。また、前記プローブピン収容孔４には、前記プローブピン５を支持するリブ１２，２８，３５，３７，４１，４３が形成される。また、前記リブ１２，２８，３５，３７，４１，４３は、前記プローブピン５が当接するピン支持部１１，１３，３４，３８，４４を有している。そして、前記ピン支持部１１，１３，３４，３８，４４の周囲には、前記液状の光硬化性樹脂１６の自重落下による流動を可能にする空間１４，３２，４０，４２，４５が形成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るプローブピン支持体の製造方法によれば、プローブピン収容孔を有するプローブピン支持体の三次元ＣＡＤデータをそのまま使用して造形しても、プローブピン収容孔が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容孔を有するプローブピン支持体を容易に作成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されたプローブピン支持体を有するＩＣソケットの図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されたプローブピン支持体を説明する図であり、図２（ａ）はプローブピン支持体の一部平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ１−Ａ１線に沿って切断して示すプローブピン支持体の断面図、図２（ｃ）はプローブピン支持体の一部裏面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法である光造形法の硬化工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体の第１変形例を説明するための図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体の第２変形例を説明するための図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体の第３変形例を説明するための図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体の第１変形例を説明するための図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体の第２変形例を説明するための図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体を説明するための図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るプローブピン支持体の製造方法によって形成されるプローブピン支持体を説明するための図である。
【図１２】図１２（ａ）は従来のＩＣソケットと電子部品との関係を簡略化して示す図であり、図１２（ｂ）はソケット本体のプローブピン支持体を光造形法によって製作した場合の不具合発生状況を示す図である。
【図１３】従来の微細孔を有する光造形物の造形方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
以下、本発明に係るプローブピン支持体の製造方法を図面に基づき詳述する。
【００１５】
（ＩＣソケット）
図１は、本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体１の製造方法によって形成されるプローブピン支持体１を有するＩＣソケット２の図（ＩＣソケット２を簡略化して示す断面図）である。
【００１６】
図１に示すように、ＩＣソケット２は、絶縁性樹脂材料製のソケット本体３のプローブピン支持体１にプローブピン収容孔４を形成し、このプローブピン収容孔４内にプローブピン５を収容して、プローブピン５を電子部品６の端子７に接触させ、電子部品６の電気的テストを行うようになっている。ソケット本体３は、第１乃至第３プローブピン支持体１ａ〜１ｃを有している。そして、本実施形態に係るプローブピン支持体１の製造方法は、第２プローブピン支持体１ｂを例にして、その製造方法を説明する。なお、この第２プローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１プローブピン支持体１ａ、及び第３プローブピン支持体１ｃの形成に適用できる。また、本実施形態において、ソケット本体３は、第１乃至第３プローブピン支持体１ａ〜１ｃの３ブロックによって構成するようになっているが、これに限定されるものではなく、単独（１ブロック）のプローブピン支持体や、複数ブロック（２ブロック、４ブロック、又は５ブロック等）のプローブピン支持体で構成してもよい。また、以下の説明において、第２プローブピン支持体１ｂは、単にプローブピン支持体１ｂと略称する。
【００１７】
（プローブピン支持体）
図２は、本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されたプローブピン支持体１ｂを説明する図である。なお、図２（ａ）は、プローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ１−Ａ１線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図２（ｃ）は、プローブピン支持体１ｂの一部裏面図である。
【００１８】
図２に示すように、プローブピン支持体１ｂは、光照射によって硬化した樹脂層８を複数層（第１層から第ｎ層まで）積み重ねて形成され、表裏反転した状態で使用される（図１参照）。このプローブピン支持体１ｂは、第１層から第ｎ層までプローブピン収容孔４が形成されている。プローブピン収容孔４は、第１層から第ｎ−１層まで形成されたプローブピン収容空間１０と、第ｎ層に形成されたガイド孔１１とで構成されている。プローブピン収容空間１０は、プローブピン５を十分な隙間をもって収容する孔径の円柱状空間であり、プローブピン収容孔４の中心ＣＬの回りに複数のリブ１２が等間隔で配置されている（９０°の間隔で４箇所配置されている）。リブ１２は、プローブピン収容空間１０の内周面１０ａからプローブピン収容孔４の中心ＣＬに向かって延び、且つ、樹脂層８の積層方向（図２（ｂ）の−Ｚ方向）に沿って延びるように、第１層から第ｎ−１層まで形成されている。また、リブ１２の先端（プローブピン収容孔４の中心ＣＬ側の先端）は、平面視した形状がプローブピン５の外周面に当接するように円弧状になっており、プローブピン５を正しい姿勢で支持するピン支持部１３になっている。そして、ピン支持部１３の周囲は、隣り合うリブ１２，１２間に位置する複数の扇状の空間１４であり、これら複数の空間１４が光造形時（プローブピン支持体１ｂの製造方法の実施時）における液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする。ガイド孔１１は、プローブピン５と僅かな隙間をもって嵌合する丸孔である。なお、本実施形態は、リブ１２をプローブピン収容孔４の中心ＣＬの回りに等間隔で４箇所形成する構成を例示したが、これに限られず、２箇所、又は３箇所等の複数箇所に形成する構成でもよい。また、リブ１２の先端は、平面視した形状が円弧状の場合に限られず、プローブピン５を支持できる形状であればよく、例えば、平面視した形状が直線状の場合でもよい。また、プローブピン収容空間１０及びガイド孔１１の形状は、プローブピン５の形状等に応じて変更してもよい。
【００１９】
以上のような構造のプローブピン支持体１ｂは、例えば、第１層乃至第ｎ−１層の樹脂層８におけるプローブピン収容空間１０の直径ｄ１が０．３０ｍｍであるとすると、第ｎ層の樹脂層８におけるガイド孔１１の孔径ｄ２が０．１ｍｍである。また、プローブピン支持体１ｂは、第１層〜第ｎ層までの各樹脂層８の層厚ｔが０．０５ｍｍである。なお、このようなプローブピン支持体１ｂの各部の寸法は、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法及びこの製造方法によって製造されるプローブピン支持体１ｂの理解を容易にするための例示であり、本発明に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法を何ら限定するものではない。
【００２０】
（光造形法の硬化工程）
図３は、本発明の第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法である光造形法の硬化工程を示す図である。この図３に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、容器１５内に液状の絶縁性を有する光硬化性樹脂１６（例えば、ディーメック社のＳＣＲ７１２Ｘ、ＳＣＲ７３５、ＳＣＲ７３７、ＳＣＲ７８０、ＳＣＲ７８５、ＳＣＲ９５５、ＫＣ１２８１、シーフォース社のＤＷＳ用樹脂であるＤＬ３６０、シーメット社のＴＳＲ−８８３Ｗ、ＴＳＲ−８８４Ｂ、ＴＳＲ−８３２、ＤＭＳ社のＳｏｍｏｓ  ＮａｎｏＴｏｏｌなど）を入れ、容器１５内を昇降する造形テーブル１７のサポート１８の下に１層分の液状の光硬化性樹脂層１６を位置させる（図３（ａ））。この図３において、プローブピン支持体１ｂの製造方法に使用される３Ｄプリンター（積層造形装置）２０は、プローブピン支持体１ｂに対応する３Ｄデータ（三次元ＣＡＤデータ）２１が制御コントローラ（ＣＰＵ）２２に入力されると、その入力された３Ｄデータ２１が制御コントローラ２２内の作動制御ソフトによって処理され、制御コントローラ２２から造形テーブル１７の昇降用の第１ステッピングモータ２３に制御信号が出力されると共に、制御コントローラ２２から光照射手段２４の移動案内手段２５の駆動部となる第２ステッピングモータ２６に制御信号が出力され、また、制御コントローラ２２から光照射手段２４に光２７（例えば、レーザー光）の照射をコントロールするための制御信号が出力される。
【００２１】
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、造形テーブル１７のサポート１８の下に位置する液状の光硬化性樹脂１６に光照射手段２４から光２７を照射し、光２７が当たった１層分の光硬化性樹脂層１６ａ１を硬化させる（図３（ｂ））。これにより、プローブピン収容空間１０及び複数のリブ１２を有する１層目の樹脂層８が形成される。
【００２２】
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、造形テーブル１７を上昇させ、硬化した１層目の光硬化性樹脂層１６ａ１の下に２層目の液状の光硬化性樹脂１１６を供給し、その２層目の液状の光硬化性樹脂１６に光２７を照射し、光２７が当たった２層目の光硬化性樹脂層１６ａ２を硬化させる（図３（ｃ））。これにより、プローブピン収容空間１０及び複数のリブ１２を有する２層目の樹脂層８が形成される。このような作業をｎ−１層まで繰り返し実施される。
【００２３】
次に、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、造形テーブル１７を上昇させ、硬化したｎ−１層目の光硬化性樹脂層１６ａ（ｎ−１）の下にｎ層目の液状の光硬化性樹脂１６を供給し、そのｎ層目の液状の光硬化性樹脂１６に光２７を照射し、光２７が当たったｎ層目の光硬化性樹脂層１６ａｎを硬化させる（図３（ｃ））。これにより、ガイド孔１１を有するｎ層目の樹脂層８が形成される。
【００２４】
このような本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１層乃至第ｎ−１層の樹脂層８の形成工程において、リブ１２の先端に位置するピン支持部１３の周囲の空間１４が液状の光硬化性樹脂１６の自重落下による流動を可能にするため、積層方向において余剰硬化物が溜まり難く、プローブピン収容孔４が余剰硬化物によって塞がれることがない。
【００２５】
以上のようにして、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１層乃至第ｎ層の樹脂層８を順次積み重ねることにより、図２に示したプローブピン支持体１ｂを形成する。このプローブピン支持体１ｂの製造方法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂１６に対する光２７の照射範囲（光硬化させる範囲）は、図２に示したプローブピン支持体１ｂの３Ｄデータ２１（従来例のような補正をしない３Ｄデータ）に基づいて定められる。
【００２６】
（本実施形態の効果）
以上のように本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、第１層乃至第ｎ−１層の樹脂層８の形成工程において、リブ１２の先端に位置するピン支持部１３の周囲に複数の空間１４が形成され、これら複数の空間１４が液状の光硬化性樹脂１６の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容孔４内及びリブ１２のピン支持部１３の周囲に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容孔４及びリブ１２のピン支持部１３の周囲が余剰硬化物によって塞がれることがない（第１の効果）。
【００２７】
また、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、プローブピン収容孔４を有するプローブピン支持体１ｂの３Ｄデータ（三次元ＣＡＤデータ）２１をそのまま使用して（従来例のような三次元ＣＡＤデータを造形用の等高線データに変換することなく）造形しても、プローブピン収容孔４及びリブ１２のピン支持部１３の周囲が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容孔４及び高精度のリブ１２を有するプローブピン支持体１ｂを容易に作成できる（第２の効果）。
【００２８】
また、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、ガイド孔１１が形成された第ｎ層の樹脂層８をプローブピン収容空間１０内の複数のリブ１２によって補強することができる（第３の効果）。
【００２９】
（第１実施形態の第１変形例）
図４は、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの第１変形例を説明するための図である。なお、図４（ａ）は、第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ２−Ａ２線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。
【００３０】
図４に示すように、第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂは、第１層乃至第ｎ−３の樹脂層８が図２に示したプローブピン支持体１ｂの第１層乃至第ｎ−１層の樹脂層８と同様の構成であり、プローブピン収容空間１０の内部に複数のリブ１２が形成され、各リブ１２の先端がプローブピン５に当接するピン支持部１３になっている。そして、ピン支持部１３の周囲には、液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間１４が形成されている。
【００３１】
また、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、第ｎ−２層の樹脂層８にガイド孔１１が形成され、第ｎ−１層及び第ｎ層の樹脂層８にプローブピン収容空間１０が形成されている。そして、プローブピン収容孔は、２箇所のプローブピン収容空間１０，１０とガイド孔１１とによって構成されている。
【００３２】
本変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１実施形態に係るプローブピン１ｂの効果と同様の効果を得ることができる。
【００３３】
（第１実施形態の第２変形例）
図５は、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの第２変形例を説明するための図である。なお、図５（ａ）は、第２変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ３−Ａ３線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。
【００３４】
図５に示すように、第２変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂは、上記第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの第ｎ−１層及び第ｎ層の樹脂層８のプローブピン収容空間１０に、上記第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの第１層乃至第ｎ−３層の樹脂層８のプローブピン収容空間１０内に形成したリブ１２と同様のリブ１２を形成した構成が上記第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂと相違するが、他の構成が上記第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂと同様である。なお、図５に示すプローブピン支持体１ｂは、図４に示すプローブピン支持体１ｂと同一の構成部分に同一符号を付し、重複した説明を省略する。
【００３５】
このような第２変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法と同様の効果を得ることができることはもちろんのこと、ガイド孔１１が形成された第ｎ−２層の樹脂層８の強度をより一層強化することができ、プローブピン支持体１ｂの耐久性をより一層向上させることができる。
【００３６】
（第１実施形態の第３変形例）
図６は、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの第３変形例を説明するための図である。なお、図６（ａ）は、第３変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ４−Ａ４線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。
【００３７】
図６に示すように、第３変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂは、図２に示した第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの第１層乃至第ｎ−１層の構成が第ｎ層の樹脂層８まで延長されており、第ｎ層の樹脂層８にガイド孔１１が形成されない点において第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂと相違するが、他の構成が第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂと同様である。そして、第３変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、プローブピン収容孔４がプローブピン収容空間１０のみで構成されている。なお、図６に示すプローブピン支持体１ｂは、図２に示すプローブピン支持体１ｂと同一の構成部分に同一符号を付し、重複した説明を省略する。
【００３８】
このような第３変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法における第１及び第２の効果と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係るプローブピン支持体１の製造方法によって形成されるプローブピン支持体１を説明するための図である。なお、図７（ａ）は、プローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ５−Ａ５線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図７（ｃ）は、プローブ支持体１ｂの一部裏面図である。
【００４０】
図７に示すように、プローブピン支持体１ｂは、光照射によって硬化した樹脂層８を複数層（第１層から第ｎ層まで）積み重ねて形成され、第１層乃至第ｎ層の樹脂層８にプローブピン収容空間１０が形成されている。そして、樹脂層８の積層方向に間隔をあけて形成された第３層及び第ｎ−２層のプローブピン収容空間１０の内周面１０ａには、それぞれ一対のリブ２８，２８が形成されている。この一対のリブ２８，２８は、図７（ａ）に示すように、プローブ収容空間１０の中心ＣＬを通り且つＸ軸と平行な中心線３０に沿って延びる先端面３１を有し、先端面３１同士の間隔がプローブピン５の外径寸法と同一に形成されている。これにより、一対のリブ２８，２８の間には、プローブピン５の外径寸法と同一の溝幅の空間３２がプローブピン収容空間１０の中心ＣＬからプローブピン収容空間１０の内周面１０ａまで中心線３０に沿って延びている。そして、第３層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８の間の空間３２と第ｎ−２層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８の間の空間３２は、プローブピン収容空間１０の中心ＣＬに対して直角に交差するように形成されている。その結果、プローブピン支持体１ｂは、図７（ａ）に示すように平面視した場合、第３層の樹脂層８における空間３２と第ｎ−２層の樹脂層８における空間３２の交差する部分がプローブピン５に外接する四角形状になり、プローブピン５を正しい姿勢で支持することができる。
【００４１】
また、図７（ａ）に示すように、第３層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８は、先端面３１のうちで、プローブピン収容空間１０の中心ＣＬを通り且つＹ軸と平行に延びる中心線３３上に位置する部分がプローブピン５に当接するピン支持部３４となり、このピン支持部３４がプローブピン収容空間１０の中心ＣＬ側の先端（リブ２８の先端）になる。また、図７（ｂ）に示すように、第ｎ−２層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８は、先端面３１のうちで、プローブピン収容空間１０の中心ＣＬを通りＸ軸と平行に延びる中心線３０上に位置する部分がプローブピン５に当接するピン支持部３４となり、このピン支持部３４がプローブピン収容空間１０の中心ＣＬ側の先端（リブの先端）になる。そして、第３層及び第ｎ−２層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８のピン支持部３４の周囲には、液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にする空間３２が形成されている。このような構成の本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂは、図３に示した光造形法の硬化工程と同様にして形成される。なお、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂは、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂのガイド孔１１が形成されないため、プローブピン収容孔４がプローブピン収容空間１０のみで構成される。また、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂは、第３層と第ｎ−２層に一対のリブ２８，２８を形成する構成を例示したが、これに限られず、積層方向に離れて位置する任意の複数の樹脂層８にそれぞれ一対のリブ２８，２８を形成するようにしてもよい。
【００４２】
以上のように本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、第３層及び第ｎ−２層の樹脂層８における一対のリブ２８，２８のピン支持部３４の周囲に空間３２が形成され、この空間３２が液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容空間１０内及び空間３２内に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容空間１０及び空間３２内が余剰硬化物によって塞がれることがない（第１の効果）。
【００４３】
また、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、プローブピン収容空間１０を有するプローブピン支持体１ｂの３Ｄデータ（三次元ＣＡＤデータ）２１をそのまま使用して（従来例のような三次元ＣＡＤデータを造形用の等高線データに変換することなく）造形しても、プローブピン収容空間１０及びピン支持部３４の周囲の空間３２が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容空間１０及び高精度の一対のリブ２８，２８を有するプローブピン支持体１ｂを容易に作成できる（第２の効果）。
【００４４】
（第２実施形態の第１変形例）
図８は、第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの第１変形例を説明するための図である。なお、図８（ａ）は、第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ６−Ａ６線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図８（ｃ）は、第１変形例に係るプローブピン支持体１ｂの一部裏面図である。
【００４５】
図８に示すように、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂは、上記第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの第１層及び第２層の樹脂層８におけるプローブピン収容空間１０内に、プローブピン収容空間１０の内周面１０ａからリブ２８のピン支持部３４まで中心線３３に沿って延びる積層方向リブ３５が形成されている。また、この本変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、上記第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの第ｎ−１層及び第ｎ層の樹脂層８におけるプローブピン収容空間１０内に、プローブピン収容空間１０の内周面１０ａからリブ２８のピン支持部３４まで中心線３０に沿って延びる積層方向リブ３５が形成されている。これら積層方向リブ３５は、プローブピン収容空間１０の中心ＣＬ側の先端がピン支持部３６になっており、このピン支持部３６がリブ２８のピン支持部３４と共にプローブピン５に当接して支持する。なお、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、上記第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂと同一の構成部分に同一符号を付し、上記第２実施形態に係るプローブピンと重複する説明を省略する。
【００４６】
このような本変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法と同様の効果を得ることができることはもちろんのこと、一対のリブ２８，２８の強度を積層方向リブ３５，３５で強化することができ、プローブピン支持体１ｂの耐久性をより一層向上させることができる。
【００４７】
（第２実施形態の第２変形例）
図９は、本発明の第２実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの第２変形例を説明するための図である。なお、図９（ａ）は、本変形例プローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ７−Ａ７線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図９（ｃ）は、図９（ｂ）のＡ８−Ａ８線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図９（ｄ）は、図９（ｂ）のＡ９−Ａ９線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図９（ｅ）は、図９（ｂ）のＡ１０−Ａ１０線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。
【００４８】
図９に示すように、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、光照射によって硬化した第１層乃至第ｎ層の樹脂層８が積み重ねられて形成されており、第２層、第５層、及び第ｎ−２層の樹脂層８にリブ３７が形成されている。これらリブ３７は、樹脂層８の積層方向に間隔をあけて形成されており、プローブピン収容空間１０の内周面１０ａからプローブピン収容空間１０の中心ＣＬに向かって延び、先端面３８がプローブピン５の外周に当接する円弧面であって、一部が扇形の切り欠き部４０によって切り欠かれている。また、第２層、第５層、及び第ｎ−２層のリブ３７は、切り欠き部４０がプローブピン収容空間１０の中心ＣＬの回りに１２０°毎にずれて位置しており、ピン支持部としての先端面３８がプローブピン収容空間１０の中心ＣＬの回りにずれて位置している。このような第２層、第５層、及び第ｎ−２層の樹脂層８におけるリブ３７の先端面３８は、図９（ａ）に示すように、樹脂層８の積層方向に沿って重ねられた場合に丸孔となり、プローブピン５を正しい姿勢で支持することが可能になる。プローブピン収容孔４は、プローブピン収容空間１２のみで構成されている。なお、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂは、リブ３７が第２層、第５層、及び第ｎ−２層の樹脂層８に形成されるようになっているが、これに限定されず、第１層乃至第ｎ層の任意の樹脂層８にリブ３７を形成するようにしてもよい。
【００４９】
以上のように本変形例に係るプローブピン支持体１ｂによれば、リブ３７の先端面３８がプローブピン５に当接するピン支持部であり、この先端面３８の周囲に切り欠き部（空間）４０が形成され、切り欠き部４０が液状の光硬化性樹脂の自重落下による流動を可能にするため、余剰硬化物がプローブピン収容空間１０内及び先端面３８の周囲の切り欠き部４０（空間）に溜まり難い。その結果、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法は、光造形時において、プローブピン収容空間１０及び先端面３８の周囲の切り欠き部４０（空間）が余剰硬化物によって塞がれることがない。
【００５０】
また、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、プローブピン収容空間１０を有するプローブピン支持体１ｂの３Ｄデータ（三次元ＣＡＤデータ）２１をそのまま使用して（従来例のような三次元ＣＡＤデータを造形用の等高線データに変換することなく）造形しても、プローブピン収容空間１０及び先端面３８の周囲の切り欠き部４０（空間）が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のプローブピン収容空間１０及び高精度のリブ３７を有するプローブピン支持体１ｂを容易に作成できる。
【００５１】
［第３実施形態］
図１０は、本発明の第３実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂを説明するための図である。なお、図１０（ａ）は、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＡ１１−Ａ１１線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図１０（ｃ）は、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの一部裏面図である。また、図１０（ｄ）は、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの変形例を示す断面図である。
【００５２】
図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂは、光照射によって硬化した第１層乃至第ｎ層の樹脂層８が積み重ねられて形成されており、第１層乃至第ｎ層の樹脂層８にプローブピン収容空間１０が形成されている。そして、第３層乃至第ｎ層の樹脂層８には、プローブピン収容空間１０の内周面１０ａからプローブピン収容空間１０の中心ＣＬに向かって延びる十字状のリブ４１が形成されている。この十字状のリブ４１の中心には、プローブピン５と同径のガイド孔１１が形成されている。このガイド孔１１は、プローブピン５が当接するピン支持部となる。また、十字状のリブ４１とプローブピン収容空間１０の内周面１０ａとの間には、４箇所の扇状の空間４２が形成されている。この４箇所の空間４２は、ガイド孔１１の周囲に位置しており、図３に示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂１６の自重落下による流動を可能にする。なお、プローブピン支持体１ｂは、第１層乃至第ｎ層の樹脂層８におけるプローブピン収容空間１０に十字状のリブ４１を形成し、その十字状のリブ４１の中心に第１層乃至第ｎ層までを貫通するガイド孔１１を形成し、ガイド孔１１の周囲に第１層乃至第ｎまでを貫通する空間４２を形成してもよい。また、プローブピン支持体１ｂは、第１層乃至第ｎ層までの任意の樹脂層８に十字状のリブ４１を設けるようにしてもよい。例えば、図１０（ｄ）に示すように、プローブピン支持体１ｂは、第３層及び第４層の樹脂層８のプローブピン収容空間１０内に十字状のリブ４１を形成し、第ｎ−１層及び第ｎ層の樹脂層８のプローブピン収容空間１０内に十字状のリブ４１を形成してもよい。また、プローブピン収容孔４は、プローブピン収容空間１０とガイド孔１１とで構成されている。
【００５３】
以上のような本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、十字状リブ４１のガイド孔１１の周囲に４箇所の空間４２が形成されているため、図３に示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化性樹脂１４が空間４２内を自重落下による流動をし、液状の光硬化性樹脂１６がガイド孔１１の近傍に滞留し難い。その結果、十字状のリブ４１のガイド孔１１及びプローブピン収容空間１０は、余剰硬化物で塞がれることがない。
【００５４】
また、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、ガイド孔１１を有するプローブピン支持体１ｂの３Ｄデータ（三次元ＣＡＤデータ）２１をそのまま使用して（従来例のような三次元ＣＡＤデータを造形用の等高線データに変換することなく）造形しても、ガイド孔１１が余剰硬化物で塞がってしまうことがなく、高精度のガイド孔１１を有するプローブピン支持体１ｂを容易に作成できる。
【００５５】
［第４実施形態］
図１１は、本発明の第４実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂを説明するための図である。なお、図１１（ａ）は、本変形例に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によって形成されるプローブピン支持体１ｂの一部平面図である。また、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ１２−Ａ１２線に沿って切断して示すプローブピン支持体１ｂの断面図である。また、図１１（ｃ）は、プローブピン支持体１ｂの一部裏面図である。
【００５６】
図１１に示すように、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂは、第７層の樹脂層８にプローブピン収容孔１１が形成され、第４層の樹脂層８のプローブピン収容空間１０の内周面１０ａから第７層の樹脂層８のガイド孔１１の開口縁まで延びる斜めリブ４３がプローブ収容孔４の中心ＣＬの回りに等間隔で４箇所形成されている。この斜めリブ４３は、第７層の樹脂層８側の端部がプローブピン５に当接するピン支持部４４であり、ガイド孔１１と共にプローブピン５を支持すると共に、ガイド孔１１が形成された第７層の樹脂層８を補強する。斜めリブ４３は、隣り合う他の斜めリブ４３とプローブピン収容空間１０の内周面１０ａとの間に空間４５が設けられ、その空間４５がピン支持部４４の周囲に位置している。このピン支持部４４の周囲に位置する空間４５は、図３において示した光造形法の硬化工程において、液状の光硬化樹脂１６の自重落下による流動を可能にする。
【００５７】
このような本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法によれば、第１実施形態に係るプローブピン支持体１ｂの製造方法の第１及び第２の硬化と同様の効果を得ることができる。なお、本実施形態に係るプローブピン支持体１ｂは、ガイド孔１１を第７層の樹脂層８に形成したが、これに限定されず、任意の樹脂層８にガイド孔１１を形成し、複数の斜めリブ４３をガイド孔１１よりも上方側に設け、液状の光硬化性樹脂１６がガイド孔１１及びその近傍に滞留しないようになっていればよい。
【００５８】
［その他の実施形態］
また、上記各実施形態及び各変形例に係るプローブピン支持体１ｂの説明において、ガイド孔１１は、平面形状が円形状のものを例示したが、これに限られず、プローブピン５の断面形状に応じた形状（例えば、四角形状、楕円形状、Ｄカット形状、六角形状等）の平面形状にしてもよい。また、プローブピン収容空間１０は、平面形状が円形状又は四角形状のものを例示したが、これに限られず、楕円形状、六角形状等の任意の平面形状にしてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１ｂ（１）……プローブピン支持体、４……プローブピン収容孔、５……プローブピン、６……電子部品、７……端子、８……樹脂層、１２，２８，３５，３７，４１，４３……リブ、１１，１３，３４，３８，４４……ピン支持部、１４，３２，４０，４２，４５……空間、１６……光硬化性樹脂、２７……光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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