(57)【要約】【課題】ガラス基板の表面欠陥を低減する。【解決手段】ガラス基板の製造方法は、ガラス基板１に熱処理を施す熱処理工程を備える。熱処理工程は、平置き姿勢で配されるガラス基板１に気体Ｇを吹き付ける吹付工程を備える。吹付工程では、ガラス基板１の内側ＩＳから周縁部ＰＰに向かう気流が生じるように、気体Ｇをガラス基板１に吹き付ける。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に熱処理を施す熱処理工程を備えるガラス基板の製造方法であって、
前記熱処理工程は、平置き姿勢で配される前記ガラス基板に気体を吹き付ける吹付工程を備え、
前記吹付工程では、前記ガラス基板の内側から周縁部側に向かう気流が生じるように、前記気体を前記ガラス基板に吹き付けることを特徴とするガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記気体は、クリーンドライエアである請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記吹付工程では、前記気体の吹付量が１〜１００Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２である請求項１又は２に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記吹付工程では、前記気体を吹き付けるためのノズルと、前記ガラス基板との距離が１０〜１００ｍｍである請求項１から３のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理は、前記ガラス基板をチャンバー内に収容した状態で行われ、
前記気体の温度は、前記チャンバー内の雰囲気温度±２０℃の範囲内である請求項１から４のいずれか一項に記載のガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンやタブレット型端末の登場に伴って、フラットパネルディスプレイ（以下では、ＦＰＤという。）の薄型化及び軽量化と共に、高精細化が進んでいる。ＦＰＤ用の基板としてはガラス基板が広く用いられており、上記の薄型化や軽量化などの要請を受け、ガラス基板の薄板化が推進されている。
【０００３】
ガラス基板の成形方法としては、成形されるガラス基板の平滑性が優れているなどの理由から、オーバーフローダウンドロー法に代表されるダウンドロー法が広く利用されている。このダウンドロー法では、ガラスの板引き速度を速くすることで、ガラス基板の薄板化に対処しているのが現状である。
【０００４】
しかしながら、ダウンドロー法の場合、ガラス基板の元となる帯状のガラス板を下方に移行させながら徐冷ゾーンを通過させるため、板引き速度を速くすると、徐冷ゾーンでの滞在時間が短くなり、ガラスが急冷状態で固化される。その結果、このようなガラス基板をＦＰＤに用いると、その製造工程に含まれる熱処理時に、ガラス基板の熱収縮が大きくなるという問題がある。
【０００５】
詳細には、ＦＰＤの製造工程では、ガラス基板の表面に薄膜電気回路を形成する際に、ガラス基板が高温で熱処理を受ける。この際、ガラス基板の熱収縮が大きいと、ガラス基板の表面に形成される回路パターンが設計からずれ、所望の電気的性能を維持できなくなるという重大なトラブルを招くおそれがある。
【０００６】
また、ＦＰＤの高精細化に伴って、ガラス基板に形成される薄膜電気回路の回路パターンも微細化されている。そのため、微小異物（パーティクル）等による表面欠陥が、薄膜電気回路の形成に悪影響を与える可能性も高くなっている。
【０００７】
そこで、特許文献１には、一体化されたガラスからなるガラスチャンバーの内部に設けられた徐冷空間に、上下方向に多段状に設けられた収容部を有するガラス棚を配置すると共に、収容部のそれぞれに、支持ガラスの上にガラス基板を重ねてなる積層体を収容し、然る後に、ガラスチャンバーの外部から徐冷空間を加熱して、ガラス基板を徐冷する方法が開示されている。この徐冷方法により、熱収縮が小さく且つ表面欠陥が少ないガラス基板、すなわち、熱収縮率の絶対値が１０ｐｐｍ以下であって且つ表面欠陥の個数が１００個／ｍ２以下のガラス基板を製造することが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１６３１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＦＰＤの高精細化に対する要求の高まりから、ガラス基板の表面に形成される薄膜電気回路の回路パターンも、より一層微細化されることが予想される。したがって、ガラス基板の表面に形成される表面欠陥をさらに低減することが必要となる。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みて為されたものであり、表面欠陥を低減することが可能なガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記の課題を解決するためのものであり、ガラス基板に熱処理を施す熱処理工程を備えるガラス基板の製造方法であって、前記熱処理工程は、平置き姿勢で配される前記ガラス基板に気体を吹き付ける吹付工程を備え、前記吹付工程では、前記ガラス基板の内側から周縁部側に向かう気流が生じるように、前記気体を前記ガラス基板に吹き付けることを特徴とする。
【００１２】
かかる構成によれば、熱処理工程において、ガラス基板に気体を吹き付け、当該ガラス基板の内側から周縁部に向かう気流を発生させることで、ガラス基板の上方を浮遊するパーティクルを、当該ガラス基板の表面に到達させることなく気流の方向に押し流すことができる。また、パーティクルがガラス基板の表面に到達した場合でも、そのパーティクルをガラス基板の表面に付着させることなく気流の方向に押し流すことができる。これにより、ガラス基板へのパーティクルの付着を大幅に低減でき、当該ガラス基板における表面欠陥を可及的に低減できる。
【００１３】
前記気体は、クリーンドライエアであることが望ましい。これにより、ガラス基板に付着するパーティクルをより一層低減できる。
【００１４】
前記吹付工程では、前記気体の吹付量が１〜１００Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２であることが望ましい。これにより、ガラス基板の表面に落下したパーティクルを効率よく除去できると共に、ガラス基板へのパーティクルの付着をさらに低減できる。
【００１５】
前記吹付工程では、前記気体を吹き付けるためのノズルと、前記ガラス基板との距離が１０〜１００ｍｍであることが望ましい。これにより、ガラス基板に対して局所的に気体が吹き付けられることを防止し、ガラス基板の全体に隈なく気体を吹き付けることができる。このため、ガラス基板へのパーティクルの付着をさらに低減できる。
【００１６】
前記熱処理は、前記ガラス基板をチャンバー内に収容した状態で行われ、前記気体の温度は、前記チャンバー内の雰囲気温度±２０℃の範囲内であることが望ましい。これにより、チャンバー内の温度管理を好適に行うことができ、安定して所望の熱収縮率であるガラス基板を製造できる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ガラス基板の表面欠陥を低減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ガラス基板を示す斜視図である。
【図２】ガラス基板の製造に用いる徐冷装置を示す断面図である。
【図３】徐冷装置におけるガラス基板の支持形態を説明するための斜視図である。
【図４】徐冷装置におけるガラス基板の支持形態を説明するための断面図である。
【図５】吹付装置の側面図である。
【図６】吹付装置の平面図である。
【図７】吹付装置の他の例を示す側面図である。
【図８】吹付装置の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図８は、本発明に係るガラス基板の製造方法の一実施形態を示す。
【００２０】
図１に示すように、ガラス基板１は、１辺が３００ｍｍ以上の矩形状をなし、高精細画像を実現するＦＰＤの基板として用いられる。すなわち、ガラス基板１の表面には、薄膜電気回路が形成される。ガラス基板１の端部は、四辺１ａ〜１ｄにより構成される。以下、この四辺１ａ〜１ｄを総称して周縁部ＰＰといい、この周縁部ＰＰに囲まれた領域を内側ＩＳという。
【００２１】
ガラス基板１の厚みは、５００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、最も好ましくは１００μｍ以下である。なお、ガラス基板１の強度を考慮した場合、ガラス基板１の厚みは、５μｍ以上であることが好ましい。
【００２２】
ガラス基板１の熱収縮率の絶対値は、１０ｐｐｍ以下、好ましくは８ｐｐｍ以下、より好ましくは６ｐｐｍ以下である。これにより、ＦＰＤの製造関連処理、特に、ガラス基板１上に薄膜電気回路を形成する工程において、ガラス基板１が熱収縮により大きく変形することがない。
【００２３】
図１にガラス基板１の表面の一部を拡大（図中のＸ領域）して示すように、ガラス基板１の表面欠陥２の個数は、好ましくは８０個／ｍ2以下、より好ましくは５０個／ｍ2以下、最も好ましくは２０個／ｍ2以下である。つまり、熱処理工程でのパーティクルの付着が低減されているため、結果として、全体的な表面欠陥２の個数も少なくなっている。これにより、ガラス基板１をＦＰＤ用の基板に用いた場合であっても、ガラス基板１の表面欠陥２を原因として、薄膜電気回路が断線し、又はショートするなどのトラブルが生じ難くなる。そのため、上記のような熱収縮率の管理との相乗効果により、ガラス基板１に適正に薄膜電気回路の回路パターンを形成でき、ＦＰＤの電気特性を良好に維持することができる。
【００２４】
ここで、表面欠陥２の大きさは１μｍ以下であることが好ましい。表面欠陥２の大きさが１μｍを超えると、その個数に関わらず、ＦＰＤ用ガラス基板としての要求特性を満たすことが困難となるおそれがあるためである。
【００２５】
ガラス基板１の歪点は、６００℃以上、好ましくは、６５０℃以上である。ガラス基板１の歪点が上記数値範囲であれば、ガラス基板１の熱収縮率を小さくすることができる。
【００２６】
ガラス基板１の平均表面粗さＲａは、２．０ｎｍ以下であることが好ましく、１．０ｎｍ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ以下であることが更に好ましく、０．２ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、平均表面粗さＲａは、ＳＥＭＩ  Ｄ７−９４「ＦＰＤガラス基板の表面粗さの測定方法」に準拠した方法により測定した値とする（以下、同様）。
【００２７】
ガラス基板１は、ケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラスなどの各種ガラスが使用可能であるが、本実施形態では、無アルカリガラスが使用される。無アルカリガラスを使用した場合、ＦＰＤの製造関連処理でアモルファス・シリコンや多結晶シリコンの薄膜特性を損なうことを防止できる。ここで、無アルカリガラスとは、アルカリ成分（アルカリ金属酸化物）が実質的に含まれていないガラスを意味する。具体的には、アルカリ成分の含有量が、１０００ｐｐｍ以下のガラスを意味する。アルカリ成分の含有量は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００２８】
ガラス基板１は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ2  ４０〜８０％、Ａｌ2Ｏ3  １０〜３０％、Ｂ2Ｏ3  ０〜２０％、ＭｇＯ  ０〜２０％、ＣａＯ  ０〜２０％、ＳｒＯ  ０〜２０％、ＢａＯ  ０〜２０％を含有することが好ましい。これにより、ガラス基板１の歪点が高くなり、また成形時に最適な液相粘度を確保しやすくなる。更に、ＦＰＤ用のガラス基板に要求される諸特性（例えば、耐薬品性・比ヤング率・溶融性など）を良好に満足することができる。
【００２９】
次に、以上のように構成されたガラス基板１の製造方法を説明する。
【００３０】
ガラス基板１の製造方法は、オーバーフローダウンドロー法を用いて、溶融ガラスから帯状のガラス板（ガラスリボン）を成形する成形工程と、成形された帯状のガラス板を切断してガラス基板１を得る切断工程と、ガラス基板１を再度徐冷する徐冷工程（熱処理工程）とに大別される。成形工程及び切断工程は公知の手法が採用できるため、以下では、徐冷工程を中心に説明する。なお、切断工程と徐冷工程の間及び徐冷工程の後に、ガラス基板１の洗浄工程が設けられることが望ましい。
【００３１】
図２に示すように、徐冷工程に用いる徐冷装置３は、ガラスチャンバー４と、ガラスチャンバー４の内部に配置されたガラス棚５と、ガラス棚５が載置された昇降台６と、ガラスチャンバー４の周囲を囲繞する炉壁７と、ガラスチャンバー４を外部から加熱するヒーター８と、ガラスチャンバー４の内部でガラス基板１に気体Ｇを吹き付ける吹付装置９と、を備える。なお、この徐冷装置３は、クリーンルーム内に配設される。
【００３２】
ガラスチャンバー４は、石英ガラスを一体成形して形成された有蓋筒状をなし、その内部に徐冷空間Ｓを有する。すなわち、ガラスチャンバー４は、継ぎ目のない連続した面によって、徐冷空間Ｓを区画形成している。
【００３３】
ガラス棚５は、石英ガラスからなり、上下方向に多段状に設けられた複数の収容部１０を有する。各収容部１０は、ガラス基板１を平置き姿勢で収容できる。各収容部１０には、取り外し可能な棚板１１が設けられており、この棚板１１の上に、支持ガラス１２とガラス基板１を重ねてなる積層体が収容される。なお、この実施形態では、棚板１１も石英ガラスで形成されている。
【００３４】
昇降台６の載置部１３は、石英ガラスからなり、上昇位置でガラスチャンバー４の下方開口部を閉鎖する。一方、この昇降台６を図外の下降位置まで下降させることで、載置部１３上のガラス棚５に対して、積層体の積み込みや積み降ろしが行われる。
【００３５】
炉壁７は、耐火物で構成されており、この炉壁７の側部内壁面と上部内壁面には、複数のヒーター８が取り付けられている。ヒーター８は、特に限定されるものではないが、この実施形態では、カーボンヒータ、金属系の発熱体（例えば、ニクロム系発熱体など）等が使用される。
【００３６】
なお、ガラスチャンバー４を外部から冷却する冷却手段（送風機など）を別途設けてもよい。これにより、ヒーター８で一旦加熱した徐冷空間Ｓの雰囲気を効率よく冷却することができる。
【００３７】
図３に示すように、支持ガラス１２の上面には無機薄膜１４が形成されており、この無機薄膜１４を介して、ガラス基板１が支持ガラス１２に重ねられる。これにより、ガラス基板１の表面と、支持ガラス１２の表面が直接接触しない。そのため、徐冷時の加熱によって、ガラス基板１が支持ガラス１２に接着せず、徐冷後にガラス基板１を支持ガラス１２から容易に剥離できる。なお、無機薄膜１４は省略してもよい。
【００３８】
支持ガラス１２は、ガラス基板１と同様、ケイ酸塩ガラス、シリカガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス等が用いられる。ただし、支持ガラス１２としては、ガラス基板１との３０〜３８０℃における線熱膨張係数の差が、５×１０-7／℃以内となるガラスを使用することが好ましい。これにより、徐冷時の加熱処理によって、ガラス基板１と支持ガラス１２との間に、熱膨張差に伴う擦れが生じ難くなる。そのため、ガラス基板１に傷が形成され難く、表面欠陥２の低減に寄与し得る。このような観点からは、支持ガラス１２とガラス基板１とは、同一の組成を有するガラスを使用することが最も好ましい。
【００３９】
支持ガラス１２の厚みは、ガラス基板１の厚みと同一か、もしくはガラス基板１の厚みよりも大きいことが好ましい。具体的には、支持ガラス１２の厚みは、０．２ｍｍ以上であることが好ましく、０．３ｍｍ以上であることがより好ましく、０．５ｍｍ以上であることがさらに好ましい。支持ガラス１２とガラス基板１の積層体を後述するように複数の突起等によって支持する場合は、ガラス基板１等にたわみが生じるのを防止する観点から、支持ガラス１２の厚みは１．０ｍｍ以上であることが好ましい。なお、厚みの増加によって、重量の増加や加熱に必要な熱容量の増加を招き、また熱容量の増加に伴ってガラス基板１の加熱効率も低下するため、支持ガラス１２の厚みは、２．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
支持ガラス１２のサイズは、ガラス基板１のサイズと同一か、もしくはガラス基板１のサイズよりも大きいことが好ましい。これにより、ガラス基板１の端面が、支持ガラス１２の外側に食み出さないため、ガラス基板１の端面が他部材と衝突して破損する事態を低減できる。
【００４１】
無機薄膜１４は、ＩＴＯ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｌ2Ｏ3、Ｐｒ6Ｏ11、Ｓｃ2Ｏ3、ＷＯ3、ＨｆＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｎｄ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＣｅＯ、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔｉ3Ｏ5、ＮｉＯ、ＺｎＯから選択される１種又は２種以上で形成されることが好ましい。特に、無機薄膜１４は、ＩＴＯなどの酸化物で形成されることが好ましい。酸化物薄膜の場合、熱的に安定であるため、徐冷工程に同一の支持ガラス１２を繰り返し使用することができる。
【００４２】
無機薄膜１４の厚みは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが最も好ましい。無機薄膜１４の厚みが５ｎｍ未満であると、ガラス基板１が剥離し難くなるおそれがある。
【００４３】
ガラス棚５の棚板１１は、この実施形態では、格子状の枠体で構成されており、その上面に複数のピン状の突起１５が設けられている。図４に示すように、この複数の突起１５は、支持ガラス１２、すなわち、支持ガラス１２とガラス基板１の積層体を下方から支持する。この実施形態では、突起１５の先端部は、中央部が平面部１６とされ、その周囲が角部を切除した面取り部１７とされている。すなわち、積層体は、複数の突起１５の平面部１６と狭い範囲で面接触した状態で支持されている。なお、突起１５の先端部を湾曲面で構成し、積層体を点接触で支持するようにしてもよい。
【００４４】
ここで、支持ガラス１２と、棚板１１との３０〜３８０℃における線熱膨張係数の差は、４０×１０-7／℃以下であることが好ましい。これにより、徐冷工程の熱処理時に、支持ガラス１２と突起１５との間で擦れが生じ難くなるため、ガラス基板１の表面欠陥２の原因となるガラス粉の発生を可及的に低減できる。
【００４５】
図５及び図６に示すように、ガラス棚５の各収容部１０に対応して、複数の吹付装置９が配備される。各吹付装置９は、気体Ｇを流通させる供給管１８と、供給管１８の一部に設けられる複数のノズル１９を有する吹付ヘッド２０とを備える。供給管１８及び吹付ヘッド２０は、例えば石英ガラスにより構成される。
【００４６】
吹付ヘッド２０は、供給管１８と一体に構成される。吹付ヘッド２０は、平面視において円形に構成されるが、この形状に限定されるものではない。複数のノズル１９は、吹付ヘッド２０の周方向に間隔をおいて環状に配置されている。このノズル１９と、ガラス基板１との離間距離Ｄは、１０〜１００ｍｍであることが好ましい。
【００４７】
各ノズル１９は、鉛直方向に対して所定の角度で傾斜する。すなわち、ノズル１９は、下方に向かうにつれて、吹付ヘッド２０から離れるように（ガラス基板１の周縁部ＰＰに近づくように）傾斜する。この構成により、各ノズル１９は、側面視（図５参照）において、ガラス基板１向かって斜めに気体Ｇを噴出する。また、各ノズル１９は、平面視（図６参照）において、ガラス基板１の内側ＩＳから周縁部ＰＰ側に向かって放射状に気体Ｇを噴出する。これにより、ガラス基板１に係る上面の上方には、内側ＩＳから周縁部ＰＰに向かって、気体Ｇによる気流が発生する。
【００４８】
吹付ヘッド２０及び供給管１８は、ガラス棚５に固定される。また、供給管１８は、載置部１３の一部を貫通しており、徐冷空間Ｓの外部（載置部１３の下方）から供給される気体Ｇを吹付ヘッド２０のノズル１９に供給する。
【００４９】
図７及び図８は、吹付装置９の他の例を示す。本例に係る吹付装置９では、長尺状に構成される吹付ヘッド２０の長手方向に間隔をおいて複数のノズル１９ａ，１９ｂが配されている。複数のノズル１９ａ，１９ｂは、向きの異なる第一ノズル１９ａ及び第二ノズル１９ｂを含む。第一ノズル１９ａは、ガラス基板１の内側ＩＳから一方の辺１ａ（一方の端部）に向かう気流が生じるように気体Ｇを噴出する、第二ノズル１９ｂは、ガラス基板１の内側ＩＳから他方の辺１ｂ（他方の端部）に向かう気流を生じさせるように気体Ｇを噴出する。本例において、第一ノズル１９ａと第二ノズル１９ｂとは、同数（三個）とされるが、これに限らず、ガラス基板１の形状等に応じて異なる個数により構成されてもよい。
【００５０】
次に、以上のように構成された徐冷装置３を用いた徐冷工程（熱処理工程）を説明する。
【００５１】
まず、昇降台６を下降位置まで下降させた状態で、ガラス棚５の収容部１０に設けられた棚板１１のそれぞれに、支持ガラス１２にガラス基板１を重ねてなる積層体を平置き姿勢で配置する。その後、昇降台６を上昇位置まで上昇させることにより、支持ガラス１２にガラス基板１を重ねてなる積層体がガラスチャンバー４内に平置き姿勢で収容される。
【００５２】
その後、図５乃至図８に示すように吹付ヘッド２０のノズル１９から気体Ｇをガラス基板１に吹き付ける（吹付工程）。この状態で、ヒーター８により、それぞれの収容部１０に収容された各ガラス基板１を加熱温度まで加熱した後、その加熱温度を所定の時間保持する。その後、ノズル１９からガラス基板１への気体Ｇの吹き付け（吹付工程）を行いながら、各ガラス基板１を徐冷する。ガラス基板１の歪点をＴ℃とすると、加熱温度を（Ｔ−２００）℃以上（Ｔ−５０）℃以下になるまで加熱することが望ましい。なお、気体Ｇの吹き付けに伴ってガラスチャンバー４が備える排気口（図示なし）から徐冷空間Ｓの雰囲気が適宜排出され、ガラスチャンバー４内の気圧は一定に維持される。
【００５３】
上記の吹付工程では、ガラス基板１の内側ＩＳから周縁部ＰＰ（四辺１ａ〜１ｄ）に向かう気流が生じるように、気体Ｇをガラス基板１に吹き付ける。吹付装置９等の劣化や発塵を防ぎ、ガラス基板１の上面へのパーティクルの付着をさらに低減する観点から、気体Ｇは、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）その他の不活性ガスであることが好ましく、クリーンドライエア（ＣＤＡ）であることがより好ましい。
【００５４】
また、ガラス基板１の上面へのパーティクルの付着をさらに低減する観点から、吹付工程における気体Ｇの吹付量は、１Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２以上であることが好ましく、５Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２以上であることがより好ましい。一方、気体Ｇの吹付量の増加に伴う製造コストの増大を防止する観点から、気体Ｇの吹付量は、２００Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２以下であることが好ましく、１００Ｌ／ｍｉｎ／ｍ２以下であることがより好ましい。ここで、気体Ｇの吹付量は、ガラス基板の単位面積（１ｍ×１ｍ）あたり、かつ、単位時間（１分）あたりの気体Ｇの吹付量を意味する。また、気体Ｇの温度は、ガラスチャンバー４内の雰囲気温度±２０℃の範囲内であることが好ましい。
【００５５】
徐冷工程が終了すると、ガラス基板１は、徐冷装置３から取り出される。その後、洗浄工程、検査工程等を経て、ガラス基板１が完成する。
【００５６】
以上説明した本実施形態に係るガラス基板１の製造方法によれば、徐冷工程において、ガラス基板１に気体Ｇを吹き付け、当該ガラス基板１の内側ＩＳから周縁部ＰＰに向かう気流を発生させることで、ガラス基板１の上方を浮遊するパーティクルを、ガラス基板１の上面に到達させることなく気流の方向に押し流すことができる。また、パーティクルがガラス基板１の表面に到達した場合でも、そのパーティクルをガラス基板１の表面に付着させることなく気流の方向に押し流すことができる。これにより、ガラス基板１の上面に付着するパーティクルを大幅に低減でき、当該ガラス基板１における表面欠陥２を可及的に低減できる。
【００５７】
また、気体Ｇの吹き付けを行わない場合には、徐冷工程において、ガラス基板１の周縁部ＰＰの温度が相対的に低くなり、内側ＩＳの温度が相対的に高くなるといった不均一な温度分布が生じやすい。不均一な温度分布が生じると、ガラス基板１の熱収縮率がばらついてしまうという問題が発生しやすい。しかしながら、本実施形態では、ガラス基板１の内側ＩＳから周縁部ＰＰに向かって気体Ｇによる流れを生じさせることで、ガラス基板１の温度分布を可及的に均一化できる。
【００５８】
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００５９】
例えば、上記実施形態では、ガラスチャンバー４、ガラス棚５、吹付装置９などを石英ガラスで形成する場合を説明したが、これらの部材を結晶化ガラス（例えば、日本電気硝子株式会社製のネオセラムなど）で形成してもよい。
【００６０】
また、上記実施形態では、ガラス基板１と支持ガラス１２の積層体を、棚板１１の突起１５によって支持する場合を説明したが、ガラス基板１のサイズが小さい場合などには、棚板１１を省略し、ガラス棚５で支持ガラス１２の両端部のみを支持するようにしてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、ガラスチャンバー４内の徐冷空間Ｓにガラス基板１を収容する方法として、ガラス棚５が載置された昇降台６の載置部１３を昇降させる場合を説明したが、ガラス棚５に対してガラスチャンバー４を昇降させるようにしてもよい。
【００６２】
上記実施形態のように、ガラスチャンバー４を石英ガラスで形成する場合については、一体成形には、溶接によって接合部分を継ぎ目なく一体化する場合も含む。
【００６３】
また、他の実施形態において、ガラス基板を移動させつつ、当該ガラス基板に徐冷工程を実施してもよい。つまり、本発明を連続式の徐冷装置に適用してもよい。この場合、ガラス基板と共にノズルを移動させてもよく、図７及び図８に示す吹付装置９をガラス基板の搬送経路全体に並べて配置してもよい。また、上記実施形態では、複数枚のガラス基板を同時に徐冷する場合を説明したが、一枚のガラス基板のみを徐冷する場合（いわゆる枚様式）でも良い。
【実施例】
【００６４】
以下、ガラス基板の製造方法に係る実施例を示すが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００６５】
本発明者らは、日本電気硝子株式会社製の無アルカリガラス（製品名：ＯＡ−１１）を用いて７３０ｍｍ×９２０ｍｍの寸法を有するガラス基板を成形し、当該ガラス基板に熱処理（徐冷工程）を施した。この熱処理では、加熱温度を５００℃とし、加熱温度で１時間保持した後、室温まで５℃／分で徐冷した。熱処理にあたり、ガラス基板の下面を、グラファイトシートにより被覆した。
【００６６】
ガラス基板の上面に窒素ガス（Ｎ２）を吹き付けながら熱処理を施し、実施例に係るガラス基板を作製した。また、窒素ガスを吹き付けることなく熱処理を施したガラス基板を比較例とした。具体的には、実施例では、前記図１に示す徐冷装置を用い、前記図５及び図６に示す吹付ヘッド２０からガラス基板１向かって斜めに気体Ｇを噴出した。比較例では、吹付ヘッド２０からの気体Ｇの噴出を停止し、徐冷空間Ｓを密閉空間とした。
【００６７】
実施例及び比較例について、その上面に付着するパーティクルの個数を測定したところ、実施例は、１０．４個／ｍ２であったのに対し、比較例は、８６．４個／ｍ２であった。以上により、ガラス基板に気体を吹き付けながら熱処理（徐冷工程）を施すことで、ガラス基板の表面欠陥を大幅に低減できることが判明した。
【符号の説明】
【００６８】
１          ガラス基板
４          ガラスチャンバー
１９          ノズル
１９ａ        第一ノズル
１９ｂ        第二ノズル
Ｄ          ノズルとガラス基板との距離
Ｇ          気体
ＩＳ        内側
ＰＰ        周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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