(57)【要約】【課題】本発明は、低コストで導入可能で、耐久性を有し、安定した収率を維持しつつ育成結晶を長尺化することで育成コストを大幅に低減することが出来る結晶育成装置を提供することを目的とする。【解決手段】原料融液を貯留保持可能な金属製の坩堝と、  該坩堝の周囲に設けられた誘導コイルと、  前記坩堝を下方から支持する坩堝台と、を有し、  該坩堝台は、かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ２の領域を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料融液を貯留保持可能な金属製の坩堝と、
該坩堝の周囲に設けられた誘導コイルと、
前記坩堝を下方から支持する坩堝台と、を有し、
該坩堝台は、かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ２の領域を含む結晶育成装置。
【請求項２】
前記かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ２の領域は、多孔質からなる請求項１に記載の結晶育成装置。
【請求項３】
前記坩堝台は、総てが前記かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ３の領域からなる請求項１又は２に記載の結晶育成装置。
【請求項４】
前記坩堝台は、前記かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ３の領域と中実の領域とが層状に設けられている請求項１又は２に記載の結晶育成装置。
【請求項５】
前記中実の領域の上面又は下面には、溝が形成されている請求項４に記載の結晶育成装置。
【請求項６】
前記坩堝台は、前記坩堝の支持面が、前記かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ３の領域からなる請求項５に記載の結晶育成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶育成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話が急速に普及し、それに伴い、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルター用材料として、タンタル酸リチウム（以下、「ＬＴ」ともいう）、ニオブ酸リチウム（以下、「ＬＮ」ともいう）単結晶が注目されている。
【０００３】
酸化物単結晶を育成するには様々な方法があるが、ＬＮ、ＬＴ、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）やサファイアなどの酸化物単結晶材料の大部分は、その結晶特性が良好で大口径結晶が得られる溶融固化法で育成されている。特に、溶融固化法の一つであるチョクラルスキー法（Ｃｚ法）は、汎用性があり技術的完成度が高いことから最も広く用いられている。
【０００４】
Ｃｚ法は、融解した原料融液に種結晶を浸し、種結晶を回転させながら引き上げる方法で、種結晶と同一方位の単結晶を得ることが出来る。結晶の育成は、融解した原料融液に種結晶を浸し後、種結晶を回転させ引き上げながら、温度もしくは引上速度を調整することで単結晶を得る。所定の結晶の長さに到達したら育成した単結晶を融液から切り離す。融液から切り離された育成結晶は、室温付近まで冷却された後に装置から取り出して完了する。次の単結晶の育成時は、坩堝内に残った原料を考慮し坩堝に所定の量の原料を補充し、再び結晶育成を行う。
【０００５】
従来の単結晶育成装置は、原料融液を貯留保持する坩堝と、坩堝を載置する坩堝台と、坩堝と坩堝台を取り囲むように設置する耐火物と、耐火物の外側で坩堝を加熱する誘導コイルと、先端に種結晶を保持する引き上げ軸とこれらを囲う様に設置するチャンバーから構成されている。加熱方法は、誘導コイルに高周波電流を流し、それによって高周波磁場を発生させ、高周波磁場により金属製の坩堝等に電流が誘導され、この誘導電流によって金属にジュール熱が発生させる高周波加熱法式である。なお、加熱方式は、抵抗ヒーターを用いる方法もある。チャンバーは、垂直方向に２分割され左右に開くステンレススチール（ＳＵＳ）製になっている。
【０００６】
耐火物内には、貴金属坩堝と坩堝台が設けられ、坩堝の外周部にはジルコニアバブル等断熱材が充填されている。耐火物はジルコニアもしくはアルミナが一般的で、使用温度によって使い分けられている。酸化物単結晶の育成に用いられている坩堝の材質は、高温下で酸化雰囲気に耐えられる必要があるため、イリジウムや白金等の貴金属である。また、坩堝の上には、原料融液から育成された単結晶を加熱するアフターヒーターが設置されている。耐火物の上部及びチャンバーの上部には、それぞれ単結晶を坩堝から引き上げる種結晶引き上げ軸の貫通孔が設けられている。引き上げ軸は、先端に種結晶を保持し、種結晶軸を加熱室内にてスムーズに上下移動させることができる。また、引上げ軸の上方にロードセルに連結されており、育成中の結晶重量を測定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭５４−９１７４号公報
【特許文献２】特開昭５４−９１７３号公報
【特許文献３】特開２０１８−２５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、酸化物単結晶、特にタンタル酸リチウムは表面弾性波デバイス材料として市場が拡大している。このため、単結晶育成における生産性の向上が求められている。この施策として、単結晶の長尺化が有効である。１回の育成で得られる単結晶の収量をより多くすることで結晶１ｍｍあたりのランニングコストの削減および、新規設備の投資圧縮を行うことが出来る。
【０００９】
結晶長尺化を妨げる要因として、原料固化がある。これは、坩堝底から原料が固化し結晶底部と衝突してしまい、それ以上育成継続が困難になる現象が発生する。この現象のことを底付き現象と呼んでいる。
【００１０】
これまでに底付き現象の抑制の施策として、例えば、特許文献１には結晶育成中に誘導コイルを降下させる施策や、特許文献２には貴金属製坩堝下部に補助熱源を用いる施策が報告されている。しかしながら、いずれも設備投資が必要であり、またこれらの制御も難しいという課題があった。
【００１１】
また、特許文献３では、坩堝台の表面に溝を形成し、坩堝と接触する接触面積を１０
〜３８％にする旨の記載がある。かかる特許文献３に記載の構成では、坩堝底面と接する坩堝台の接触面積を最適化し、坩堝底面の熱伝導を抑制することにより、坩堝底面からの原料融液の固化を抑制する。この方法では、大きな設備投資は不要であるが、坩堝台に溝を加工する作業が必要になり、かつ、溝を形成することで、この溝の角部の損傷やその損傷部からの亀裂等が発生しやすく耐久性に問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、低コストで導入可能で、耐久性を有し、安定した収率を維持しつつ育成する単結晶を長尺化することで育成コストを大幅に低減することが出来る結晶育成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る結晶育成装置は、原料融液を貯留保持可能な金属製の坩堝と、
該坩堝の周囲に設けられた誘導コイルと、
前記坩堝を下方から支持する坩堝台と、を有し、
該坩堝台は、かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ２の領域を含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、貴金属製坩堝の下部に熱伝導率の低い耐火物を有することにより、耐久性を有し、設備投資なく長尺の単結晶を製造できるため、大幅なコストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る結晶育成装置の一例を示した断面図である。
【図２】かさ比重と強度の関係を示した図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る結晶育成装置の坩堝台の一例を示した図である。
【図４】構成変更前後の育成中の貴金属製坩堝下部に配置した熱電対の温度変化を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１７】
以下、本発明の酸化物単結晶を育成する結晶育成装置について、図面を用いて詳細に説明する。本発明は、長尺な酸化物単結晶を製造可能な結晶育成装置を提供するものである。
【００１８】
本発明のチョクラスキー法を用いた結晶育成装置は、大気中または酸素を含んだ不活性
ガス雰囲気中で育成されるニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ３（以下ＬＮ）、タンタル酸リチウムＬｉＴａＯ３（以下ＬＴ）、イットリウムアルミニウムガーネットＹ３Ａｌ５Ｏ１２（以下ＹＡＧ）などの酸化物単結晶の製造に用いる結晶育成装置である。チョクラルスキー法は、ある結晶方位に従って切り出された種と呼ばれる、通常は数ｍｍ程度の単結晶の先端を、同一組成の融液に浸潤し、回転しながら徐々に引上げることによって、種結晶の方位と同一の単結晶を製造する方法である。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る結晶育成装置の一例を示した断面図である。
【００２０】
本実施形態に係る結晶育成装置は、坩堝１０と、坩堝台２０と、リフレクタ３０と、アフターヒーター４０と、断熱材５０、５１と、耐火材容器６０と、引き上げ軸７０と、誘導コイル８０と、電源９０と、制御部１００とを備える。
【００２１】
図１に示されるように、本実施形態に係る結晶育成装置において、坩堝１０は坩堝台２０の上に載置される。坩堝１０の上方には、リフレクタ３０を介して、アフターヒーター４０が設置されている。坩堝１０を取り囲むように断熱材５０が設置されている。更に、アフターヒーター４０を取り囲むように断熱材５１が設けられている。また、断熱材５０、５１の外側には耐火材容器６０が設けられ、坩堝１０の周囲全体を覆っている。耐火材容器６０の側面の外側には、誘導コイル８０が配置されている。誘導コイル８０が外側に設けられた耐火材容器６０は、図示しない支持台の上に載置される。また、誘導コイル８０の周囲を、図示しないチャンバーが覆う。また、坩堝１０の上方には、引き上げ軸７０が設けられている。引き上げ軸７０は、下端に種結晶保持部７１を有し、引き上げ軸駆動部７２により昇降可能に構成されている。更に、図示しないチャンバーの周辺の外部に、電源９０及び制御部１００が設けられる。また、図１において、関連構成要素として、種結晶１５０と、結晶原料１６０とが示されている。
【００２２】
次に、個々の構成要素について説明する。
【００２３】
坩堝１０は、結晶原料を貯留保持し、単結晶を育成するための容器である。坩堝１０は高周波誘導加熱による発熱体となるため抵抗の低い金属が用いられる。ＬＴ等の酸化物単結晶育成では、酸素を含む雰囲気で育成されるため、耐熱性がある貴金属、Ｐｔ、ＲｈやＩｒ等の単体又はそれらの合金を用いることが好ましい。
【００２４】
坩堝台２０は、坩堝１０を下方から支持するための支持台である。坩堝台２０は、重量物である坩堝１０を下方から支持するとともに、坩堝１０の底面の保温性を高めることが求められるため、十分な強度を有するとともに、保温性を高める構成を有することが好ましい。かかる観点から、本実施形態に係る結晶育成装置の坩堝台２０は、熱保温性の高い構造を有するべく、多孔体等のかさ比重が所定範囲にある材質で構成される。なお、この点の詳細については後述する。
【００２５】
リフレクタ３０は、坩堝１０で発生した上昇熱を坩堝１０の方に反射させ、坩堝１０の保温性を高めるための手段である。よって、リフレクタ３０は、坩堝１０の上端部に、内側に突出する円環状の平板として設けられる。リフレクタ３０も、誘導コイル８０により発生する磁界により渦電流が発生し、加熱する。よって、リフレクタ３０も、坩堝１０と同様の性質が求められ、坩堝１０と同様、耐熱性がある貴金属、Ｐｔ、ＲｈやＩｒ等の単体又はそれらの合金で構成されることが好ましい。
【００２６】
アフターヒーター４０は、坩堝１０よりも上方の部分を加熱及び保温するための手段であり、リフレクタ３０上に、円筒形状を有して上方に延びるように設けられる。アフターヒーター４０も、坩堝１０及びリフレクタ３０と同様、誘導コイル８０により発生する磁界により渦電流が発生し、発生した渦電流により発熱体となる。よって、アフターヒーターも坩堝材と同様の特性が要求され、貴金属、Ｐｔ、ＲｈやＩｒ等の単体又はそれらの合金により構成されることが好ましい。
【００２７】
坩堝台２０や耐火材容器６０には、アルミナやジルコニア、マグネシア、カルシア等の焼結体耐火物が使われる。一方、坩堝周囲の断熱材５０、５１には加熱冷却時に変形可能なアルミナやジルコニアバブル等が好ましい。
【００２８】
誘導コイル８０は、坩堝１０、リフレクタ３０及びアフターヒーター４０を加熱するための手段であり、坩堝１０の周囲に設けられる。また、誘導コイル８０は、坩堝１０よりも上方の位置にも設け、アフターヒーター４０の一部を囲むように配置してもよい。誘導コイル８０は、坩堝１０やアフターヒーター４０等を誘導加熱できれば形態は問わないが、例えば、高周波加熱コイルからなる高周波誘導加熱装置として構成される。この場合には、電源９０は、誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源として構成される。
【００２９】
引き上げ軸７０は、種結晶１５０を保持し、ルツボ１０に保持された結晶原料（融液）１６０の表面に種結晶１５０を接触させ、回転しながら単結晶１７０を引き上げるための手段である。引き上げ軸７０は、種結晶１５０を保持する種結晶保持部７１を下端部に有するとともに、回転機構であるモーターを備えた引き上げ軸駆動機構７２を有する。なお、モーターは、単結晶１７０の引き上げの際、単結晶１７０を回転させながら引き上げる動作を行うための回転駆動機構である。
【００３０】
制御部１００は、結晶育成装置全体の制御を行うための手段であり、結晶育成プロセスを含めて結晶育成装置全体の動作を制御する。制御部１００は、例えば、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、中央処理装置、及びＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等のメモリを備え、プログラムにより動作するマイクロコンピュータから構成されてもよいし、特定の用途のために開発されたＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）等の電子回路から構成されてもよい。
【００３１】
上述のように、本実施形態に係る結晶育成装置では、チョクラルスキー法による単結晶育成を行う。チョクラルスキー法による単結晶育成では、坩堝１０内に融解した結晶原料に種結晶１５０を接触させ、上方に引き上げることで育成した単結晶１５０を冷却して単結晶１５０を成長させている。また、結晶長が長くなるに従い、育成炉の出力を徐々に低下させ、単結晶１５０は冷却され、炉内上部の温度は低下してゆく。坩堝１０内の原料融液（結晶原料）１６０も減少し発熱量も低下する。このため、誘導コイル８０から一番離れている坩堝底部の中央部から原料固化が始まりやすい。これを防止するため、坩堝下部を昇温させる施策が必要である。上述の特許文献１や特許文献２の方法では、いずれも設備投資が必要であり、また制御も難しいという課題があった。そこで、本発明では、貴金属製坩堝の下部に配置する耐火物からなる坩堝台２０の気孔率を高くすることで保温性を向上させ原料固化の発生を抑制する。
【００３２】
坩堝台２０は、耐熱性、耐圧性を重視しアルミナやジルコニウム製の耐火物を使用している。アルミナの熱伝導率は３２Ｗ／ｍ・ｋ、ジルコニウムの熱伝導率は２２Ｗ／ｍ・ｋと熱伝導率は高く、誘導コイル８０による坩堝１０での発熱は、坩堝台２０を通して逃げやすい状態にある。そこで、特許文献３では、坩堝台２０の表面に溝を形成している。坩堝台２０の表面に溝を設けることで、この溝部分の空間には、結晶育成炉内の雰囲気ガスが充填される。雰囲気の熱伝導率は０．０２４Ｗ／ｍ・ｋ前後であり、大幅に熱伝導率が下がり坩堝台２０の保温性が向上される。
【００３３】
しかしながら、この方法では、大きな設備投資は不要であるが、坩堝台２０に溝を加工する作業が必要になり、かつ、溝を形成することで、この溝の角部が損傷しやすく、かつその損傷部からは亀裂等が発生しやすく耐久性に問題があった。また、坩堝台２０に溝を形成した面を坩堝１０の底面に接触させるため、複数回使用すると坩堝台２０の溝に合わせ坩堝１０の変化が起きやすく坩堝１０内の原料融液の対流が変動し安定した結晶育成を妨げる可能性がある。
【００３４】
そこで、本発明の実施形態に係る結晶育成装置の坩堝台２０には、多孔質のアルミナやジルコニウムを材料として用いる。多孔質の材質を用いることで、坩堝台２０の熱伝導性を低く抑えることができる。即ち、アルミナやジルコニウムは、金属であるから、空気よりも当然に熱伝導性が高い。よって、金属よりも熱導電性が低い空気の領域の割合を坩堝台２０の内部で高めることにより、通常の中実の金属材料で構成された坩堝台２０の熱伝導性を低下させることができる。
【００３５】
多孔質の程度は、かさ比重で把握することができる。なお、図１に示すように、坩堝台２０は結晶育成装置においては坩堝１０の下方に配置するため、坩堝台２０を多孔質化した場合、坩堝１０の重量に耐える強度が必要となる。坩堝台２０の強度が低いと、坩堝１０の重量に耐えきれずに割れてしまい、隙間から熱が漏れ保温性は悪化してしまう。
【００３６】
図２は、かさ比重と強度の関係を示した図である。図２に示されるように、概ねかさ比重と強度とは線形の相関を示すため、本実施形態では、より測定が簡易なかさ比重で強度を定義する。図２に示されるように、かさ比重と強度とは比例関係にあるため、かさ比重が低ければ低い程保温性を高めることができるが、耐圧強度も低下するため、耐圧強度が問題の無い範囲でかさ比重を定める必要がある。そして、実機にて調査を行った結果、かさ比重が３．５〜４．０ｇ／ｃｍ３の範囲内であれば、強度を維持しつつ保温性を向上できることが分かった。即ち、坩堝１０を支持する坩堝台２０の耐圧強度に問題が無い範囲で、かさ比重を低下させることにより、坩堝台２０として必要な強度を担保しつつ、坩堝台２０の保温性を向上させ、坩堝１０の底面中央部の温度低下を防止できる。これにより、結晶育成装置により育成される単結晶を長尺化させることができる。
【００３７】
このように、本実施形態に係る結晶育成装置によれば、坩堝台２０の材質に多孔質の材料を使用することで、特許文献３のように、坩堝台２０への新たな加工を必要とせず、溝を形成しないため、損傷を抑制できる。また、坩堝底と接触する面には、特許文献３に記載されているような溝等が形成されておらず、平面をなすため、坩堝１０との接触による特殊な溝変形等も防止できる。
【００３８】
なお、第１の実施形態に係る結晶育成装置において、坩堝台２０は１つの円柱状に構成されている例が示されているが、坩堝台２０が２〜５枚の円形又は円環状の形状を有する耐火物に分割されており、それらが積層されて１つの坩堝台２０を構成する構造であってもよい。
【００３９】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る結晶育成装置の坩堝台２０ａの一例を示した図である。第２の実施形態に係る結晶育成装置において、第１の実施形態に係る結晶育成装置と異なる部分は坩堝台２０ａの構成だけであるので、他の構成要素には、第１の実施形態と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
第２の実施形態に係る結晶育成装置の坩堝合２０ａは、多孔質の耐火物２１と、中実の耐火物２２とを備え、多孔質の耐火物２１と中実の耐火物２２とが交互に積層された構造を有する。ここで、多孔質の耐火物２１は、第１の実施形態に係る結晶育成装置の坩堝台２０と同じ材質であり、中実の耐火物２２は、従来から用いられている耐火物２２である。つまり、多孔質の耐火物２１として構成されている領域を、坩堝台２０に部分的に構成するようにしてもよい。中実の耐火物２１も坩堝台２０の一部として用いられるので、坩堝台２０の耐圧強度を向上させることができる。
【００４１】
なお、図３においては、２枚の多孔質の耐火物２１と２枚の中実の耐火物２２とが交互に積層されている例が示されているが、必ずしも交互でなくてもよいし、厚い多孔質の耐火物２１と中実の耐火物２２とを１枚ずつの積層させた構造であってもよい。また、多孔質の耐火物２１と中実の耐火物２２との上下関係を逆にし、中実の耐火物２２を坩堝１０との接触面として配置し、多孔質の耐火物２１をその下に配置する構成としてもよい。更に、１枚をもっと薄く構成し、もっと多数枚の積層構造としてもよい。このように、多孔質の耐火物２１と中実の耐火物２２とを種々組み合わせて、用途に応じて坩堝台２０を構成することができる。
【００４２】
このように、第２の実施形態に係る結晶育成装置においては、坩堝台２０ａに部分的に多孔質の耐火物２１の領域と中実の耐火物２２の領域とを設け、それらの領域を組み合わせて坩堝台２０ａの全体を構成することにより、耐圧強度と保温性の双方をバランス良く備えた坩堝台２０ａとすることができる。
【００４３】
なお、このような構成であれば、中実の耐火物２２の上面又は下面に溝を形成し、更に保温性を向上させる構成としてもよい。この場合、溝が形成された面を上面とする場合には、図３に示されているように、多孔質の耐火物２１を坩堝１０との接触面に配置することが好ましい。上述のように、溝が形成されている面を坩堝１０との接触面とすると、溝に破損が生じ易いからである。一方、多孔質の耐火物２１はそのような破損のおそれは無いし、中実の耐火物２２の平坦面の場合もそのようなおそれは無い。
【００４４】
このように、第２の実施形態に係る結晶育成装置によれば、薄く構成した多孔質の耐火物２１の領域を含むように坩堝台２０ａを構成することにより、十分な耐圧強度を担保しつつ保温性を高めることができるとともに、用途に応じて種々の調整を行い、用途に応じた適切な坩堝台２０を用いることができる。
【実施例】
【００４５】
以下に、実施例を用いて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これら実施例によって限定されるものではない。なお、以下の説明において、理解の容易のため、第１の実施形態に係る結晶育成装置に対応する構成要素には、同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００４６】
図１のような結晶育成装置の構成で、坩堝台２０は、多孔質のジルコニア製の耐火物を４枚重ねた構成とした（坩堝台の形状については図３参照）。坩堝台２０のかさ比重は３．６ｇ／ｃｍ３と気孔率の高い耐火物とした。イリジウム製坩堝にＬｉＴａＯ３の原料粉末を３０ｋｇ入れ、誘導加熱コイル８０で坩堝１０を加熱して、原料を溶融させた。誘導加熱コイル８０の出力を調整し、融液表面温度を結晶成長の適性温度に安定させた。原料融液がシーディング温度になったところで、引き上げ軸７０を下げ、種結晶１５０を原料融液の表面に接触させ、引き続き、誘導加熱コイル８０の出力を調節しながら、引き上げ軸７０を回転させつつ引き上げることにより、種結晶１５０の下に単結晶１７０を成長させた。
【００４７】
比較例として、従来のかさ比重が４．１ｇ／ｃｍ３で多孔質でない一般のジルコニア製の坩堝台を用いた。その他は、実施例と同一とした。
【００４８】
図４は、構成変更前後の育成中の貴金属製坩堝下部に配置した熱電対の温度変化を示した図である。図４において、横軸が育成時間で、縦軸は育成開始時からの温度変化を示している。構成変更前（破線）と変更後（実線）を比較すると、変更後は育成終了までの温度低下が小さくなっていることが分かる。これはルツボの底の保温性の向上を示している。本実験では同一の坩堝で試験を実施しているが、構成変更前は１３．８ｋｇで底付き現象が生じていたが、構成変更後は１４．５ｋｇの結晶を育成しても底付き現象が生じることはなかった。つまり５％程度長尺化を実現することが出来た。
【００４９】
このように、本実施例によれば、本実施形態に係る結晶育成装置は、従来の結晶育成装置と比較して、育成中のワークコイル降下のような制御機構を必要とせず、また坩堝下部に配置する貴金属製補助熱源のように大きなコストもかからないため、低コストで安定的な長尺化結晶の製造が可能となることが示された。
【００５０】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施形態及び実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態及び実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０    坩堝
２０、２０ａ    坩堝台
２１    多孔質の耐火物
２２    中実の耐火物
３０    リフレクタ
４０    アフターヒーター
５０、５１    断熱材
６０    耐火物
７０    引き上げ軸
７１    種結晶保持部
７２    引き上げ軸駆動部
８０    誘導コイル
９０    電源
１００    制御部
１５０    種結晶
１６０    結晶原料
１７０    単結晶
【図１】
2019202923.tif 000003
【図２】
2019202923.tif 000004
【図３】
2019202923.tif 000005
【図４】
2019202923.tif 000006