(57)【要約】【課題】  残留磁束密度および保磁力が高いＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を提供する。【解決手段】  Ｒが希土類元素であり、ＴがＦｅおよびＣｏであり、Ｂがホウ素であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石である。Ｒとして少なくともＤｙおよびＴｂを含有する。Ｍを含有し、Ｍは、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｓｎから選択される１種以上の元素である。Ｍとして少なくともＣｕを含有する。Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、Ｒの合計含有量が２８．０５質量％〜３０．６０質量％、Ｄｙの含有量が１．０質量％〜６．５質量％、Ｃｕの含有量が０．０４質量％〜０．５０質量％、Ｃｏの含有量が０．５質量％〜３．０質量％、Ｂの含有量が０．８５質量％〜０．９５質量％である。Ｔｂの濃度分布が、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒが希土類元素であり、ＴがＦｅおよびＣｏであり、Ｂがホウ素であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石であって、
Ｒとして少なくともＤｙおよびＴｂを含有し、
Ｍを含有し、
Ｍは、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｓｎから選択される１種以上の元素であり、
Ｍとして少なくともＣｕを含有し、
Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、
Ｒの合計含有量が２８．０５質量％〜３０．６０質量％、
Ｄｙの含有量が１．０質量％〜６．５質量％、
Ｃｕの含有量が０．０４質量％〜０．５０質量％、
Ｃｏの含有量が０．５質量％〜３．０質量％、
Ｂの含有量が０．８５質量％〜０．９５質量％であり、
Ｔｂの濃度分布が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項２】
Ｒとして少なくともＮｄを含有する請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項３】
Ｒとして少なくともＰｒを含有し、Ｐｒの含有量が０より大きく１０．０質量％以下であるである請求項１または２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項４】
Ｒの合計含有量をＴＲＥとする場合に、ＴＲＥ／Ｂが原子数比で２．２１〜２．６２である請求項１〜３のいずれかに記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項５】
Ｔｂ／Ｃが原子数比で０．１０〜０．９５である請求項１〜４のいずれかに記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項６】
１４Ｂ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が原子数比で１．０１以下である請求項１〜５のいずれかに記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系の組成を有する希土類永久磁石は、優れた磁気特性を有する磁石であり、その磁気特性の更なる向上を目指して多くの検討がなされている。磁気特性を表す指標としては、一般的に、残留磁束密度（残留磁化）Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが用いられる。これらの値が高い磁石は優れた磁気特性を有するといえる。
【０００３】
特許文献１では、各種希土類元素を含有する微粉末を水あるいは有機溶媒に分散させたスラリーに磁石体を浸漬させた後に加熱して粒界拡散させた希土類永久磁石が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／４３３４８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが高いＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、
Ｒが希土類元素であり、ＴがＦｅおよびＣｏであり、Ｂがホウ素であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石であって、
Ｒとして少なくともＤｙおよびＴｂを含有し、
Ｍを含有し、
Ｍは、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｓｎから選択される１種以上の元素であり、
Ｍとして少なくともＣｕを含有し、
Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、
Ｒの合計含有量が２８．０５質量％〜３０．６０質量％、
Ｄｙの含有量が１．０質量％〜６．５質量％、
Ｃｕの含有量が０．０４質量％〜０．５０質量％、
Ｃｏの含有量が０．５質量％〜３．０質量％、
Ｂの含有量が０．８５質量％〜０．９５質量％であり、
Ｔｂの濃度分布が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを特徴とする。
【０００７】
本願発明のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、上記の範囲内の組成および濃度分布を有することで、残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが高いＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石となる。
【０００８】
Ｒとして少なくともＮｄを含有してもよい。
【０００９】
Ｒとして少なくともＰｒを含有してもよく、Ｐｒの含有量が０より大きく１０．０質量％以下であってもよく、Ｐｒの含有量が５．０質量％〜１０．０質量％であってもよい。
【００１０】
Ｄｙの含有量が２．５質量％〜６．５質量％であってもよい。
【００１１】
Ｒとして少なくともＮｄおよびＰｒを含有してもよい。
【００１２】
ＭとしてさらにＧａを含有してもよく、
Ｇａの含有量が０．０８質量％〜０．３０質量％であってもよい。
【００１３】
ＭとしてさらにＡｌを含有してもよく、
Ａｌの含有量が０．１５質量％〜０．３０質量％であってもよい。
【００１４】
ＭとしてさらにＺｒを含有してもよく、
Ｚｒの含有量が０．１０質量％〜０．３０質量％であってもよい。
【００１５】
Ｒの合計含有量をＴＲＥとする場合に、ＴＲＥ／Ｂが原子数比で２．２１〜２．６２であってもよい。
【００１６】
Ｔｂ／Ｃが原子数比で０．１０〜０．９５であってもよい。
【００１７】
１４Ｂ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が原子数比で１．０１以下であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２０】
＜Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石＞
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１は、Ｒ２Ｔ１４Ｂ結晶から成る粒子および粒界を有する。
【００２１】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１は任意の形状とすることができる。
【００２２】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１は、Ｔｂを含む複数の特定の元素を特定の範囲の含有量で含有させることで、残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨｃＪ、耐食性および製造安定性を向上させることができる。
【００２３】
また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１は、Ｔｂの濃度が、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１の外側から内側に向かって低下する濃度分布を有する。
【００２４】
具体的には、図１で示すように、本実施形態に係る直方体形状のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１が表面部および中心部を有する場合において、表面部におけるＴｂの含有量が、中心部におけるＴｂの含有量よりも２％以上高くすることができ、５％以上、または１０％以上とすることもできる。なお、前記表面部とは、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１の表面をいう。例えば、図１の点Ｃ，Ｃ´（図１の互いに向かい合う表面の重心）は表面部である。前記中心部とは、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１の中心をいう。例えば、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１の厚みの半分の部分をいう。例えば、図１の点Ｍ（点Ｃと点Ｃ´との中点）は中心部である。
【００２５】
Ｔｂの含有量に前述の濃度分布を発生させる方法に特に制限はないが、後述するＴｂの粒界拡散により磁石内にＴｂの濃度分布を発生させることができる。
【００２６】
Ｒは希土類元素である。希土類元素とは、長周期型周期表の第３族に属するＳｃとＹとランタノイド元素を含む。ランタノイド元素には、例えば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕが含まれる。また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石では、Ｒとして、必ずＴｂを含有する。また、ＲとしてＮｄを含むことが好ましい。
【００２７】
一般に希土類元素は軽希土類元素と重希土類元素に分類されるが、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石における軽希土類元素はＳｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕであり、重希土類元素はＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ,Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕである。
【００２８】
Ｔは、ＦｅおよびＣｏである。また、Ｍ以外の遷移金属および不可避不純物を含んでもよい。ＲにもＭにも含まれない遷移金属および不可避不純物の含有量は０．１質量％以下とすることが好ましく、０．０５質量％以下がより好ましい。なお、ＴにはＣ、ＯおよびＮは含まれない。
【００２９】
Ｂは、ホウ素である。
【００３０】
Ｍは、Ｃｕ、Ｇａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｓｎから選択される１種以上の元素であり、Ｃｕを必ず含む。
【００３１】
Ｒの合計含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、２８．０５質量％以上３０．６０質量％以下である。Ｒの合計含有量が２８．０５質量％未満の場合には、保磁力ＨｃＪが低下する。Ｒの合計含有量が３０．６０質量％超の場合には、残留磁束密度Ｂｒが低下する。また、Ｒの合計含有量は２８．２５質量％以上３０．６０％以下、２９．２５質量％以上３０．６０質量％以下、または、２９．４５質量％以上３０．６０質量％以下としてもよく、２９．４５質量％以上３０．４５質量％以下としてもよい。また、Ｒの合計含有量を２９．４５質量％以上とすることで、焼結時の変形量が少なくなり、製造安定性が向上する。Ｒの合計含有量を２９．４５質量％以上３０．４５質量％以下とし、後述するようにＢの含有量を０．８８質量％以上０．９４質量％以下とすることで角型比Ｈｋ／ＨｃＪもさらに向上する。
【００３２】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石における軽希土類元素の含有量の合計をＴＲＬとし、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％とした場合において、ＴＲＬが２１．４質量％以上２９．１質量％以下であってもよく、２１．４質量％以上２７．６質量％以下であってもよい。ＴＲＬが当該範囲内であることにより、磁気特性を向上させることができる。
【００３３】
さらに、本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、Ｎｄの含有量は任意である。また、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、Ｎｄの含有量は０質量％〜３０．１質量％であってもよく、０質量％〜２９．６質量％であってもよく、１９．６質量％〜２９．６質量％、１９．６質量％〜２４．６質量％、１９．６質量％〜２２．６質量％であってもよい。また、Ｐｒの含有量は０．０質量％〜１０．０質量％である。すなわち、Ｐｒを含有しなくてもよい。本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、ＲとしてＮｄおよびＰｒを含有してもよい。この場合、Ｐｒの含有量は５．０質量％以上１０．０質量％以下としてもよく、５．０質量％以上７．５質量％以下としてもよい。また、Ｐｒの含有量が１０．０質量％以下である場合には保磁力ＨｃＪの温度変化率が優れる。特に高温における保磁力ＨｃＪを高くする観点からはＰｒの含有量を０．０質量％〜７．５質量％としてもよい。
【００３４】
また、本実施形態のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、Ｒとして重希土類元素を含んでもよい。重希土類元素としてはＴｂおよびＤｙを必須とする。Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、Ｄｙの含有量は１．０質量％以上、６．５質量％以下である。Ｄｙの含有量が少なすぎる場合には保磁力ＨｃＪおよび耐食性が低下する。Ｄｙの含有量が多すぎる場合には残留磁束密度Ｂｒが低下し、コストアップの要因となる。また、Ｄｙの含有量は２．５質量％以上、６．５質量％以下であることが好ましい。Ｄｙの含有量が２．５質量％以上、６．５質量％以下である場合には、保磁力ＨｃＪがさらに向上するとともに、高温減磁率が小さくなる。
【００３５】
Ｔｂの含有量はＲ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．１５質量％以上１．０質量％以下であってもよく、０．１５質量％以上０．７５質量％以下、０．１５質量％以上０．５０質量％以下であってよい。Ｔｂの含有量を０．１５質量％以上とすることで保磁力ＨｃＪを向上させることができる。Ｔｂの含有量を１．０質量％以下とすることで残留磁束密度Ｂｒの維持およびコスト低減の効果がある。
【００３６】
本明細書における高温減磁率の定義について以下に示す。まず、４０００ｋＡ／ｍのパルス磁場により試料の着磁を行う。室温（２３℃）における試料の総磁束量をＢ０とする。次に、試料を２００℃に２時間高温暴露し、室温に戻す。試料温度が室温に戻ったら、再度総磁束量を測定し、これをＢ１とする。このときに、本明細書における高温減磁率をＤとすると、
Ｄ＝１００＊（Ｂ１−Ｂ０）／Ｂ０（％）
である。上式で計算される高温減磁率の絶対値が小さいことを単に高温減磁率が小さいと記載する場合がある。
【００３７】
Ｃｏの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．５質量％以上３．０質量％以下である。Ｃｏを含有することで耐食性が向上する。Ｃｏの含有量が０．５質量％未満であると、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の耐食性が悪化する。Ｃｏの含有量が３．０質量％を超えると、耐食性改善の効果が頭打ちとなるとともに高コストとなる。また、Ｃｏの含有量は、１．０質量％以上３．０質量％以下であってもよい。
【００３８】
Ｂの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．８５質量％以上０．９５質量％以下である。Ｂが０．８５質量％未満であると高角型性を実現しにくくなる。すなわち、角型比Ｈｋ／ＨｃＪを向上させにくくなる。Ｂが０．９５質量％超であると、角型比Ｈｋ／ＨｃＪが低下する。また、Ｂの含有量は０．８８質量％以上０．９４質量％以下であってもよい。Ｂの含有量を０．８８質量％以上とすることで、残留磁束密度Ｂｒがさらに向上する傾向にある。Ｂの含有量を０．９４質量％以下とすることで、保磁力ＨｃＪがさらに向上する傾向にある。
【００３９】
Ｍの合計含有量は任意であるが、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．０４質量％以上１．５質量％以下であることが好ましい。Ｍの合計含有量が多すぎる場合には残留磁束密度Ｂｒが低下する傾向がある。
【００４０】
Ｃｕの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．０４質量％以上０．５０質量％以下である。Ｃｕの含有量が０．０４質量％未満であると、保磁力ＨｃＪが低下する傾向にある。Ｃｕの含有量が０．５０質量％を超えると、保磁力ＨｃＪが低下する傾向にあり、さらに残留磁束密度Ｂｒが低下する傾向にある。また、Ｃｕの含有量は、０．１０質量％以上０．５０質量％以下であってもよく、０．１０質量％以上０．３０質量％以下であってもよい。Ｃｕを０．１０質量％以上含有することにより耐食性が向上する傾向にある。
【００４１】
Ｇａの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．０８質量％以上０．３０質量％以下であってもよい。Ｇａを０．０８質量％以上含有することで保磁力ＨｃＪが十分に向上する。０．３０質量％を超えると、副相（例えば、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相）が生成しやすくなり、残留磁束密度Ｂｒが低下する。また、Ｇａの含有量は、０．１０質量％以上０．２５質量％以下であってもよい。
【００４２】
Ａｌの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．１５質量％以上０．３０質量％以下であってもよい。Ａｌの含有量を０．１５質量％以上とすることで、保磁力ＨｃＪを向上させることができる。さらに、時効温度および粒界拡散後の熱処理温度の変化に対する保磁力ＨｃＪの変化が小さくなり、量産時における特性のばらつきが小さくなる。すなわち、製造安定性が向上する。Ａｌの含有量が０．３０質量％以下であることにより、残留磁束密度Ｂｒを向上させることができる。さらに、保磁力ＨｃＪの温度変化率を向上させることができる。また、Ａｌの含有量は０．１５質量％以上０．２５質量％以下であってもよい。Ａｌの含有量を０．１５質量％以上０．２５質量％以下とすることにより、時効温度および粒界拡散後の熱処理温度の変化に対する磁気特性（特に保磁力）の変化がさらに小さくなる。
【００４３】
Ｚｒの含有量は、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．１０質量％以上０．３０質量％以下であってもよい。Ｚｒを含有することで、焼結時の異常粒成長を抑制し、角型比Ｈｋ／ＨｃＪおよび低磁場下での着磁率が改善される。Ｚｒの含有量を０．１０質量％以上とすることにより、Ｚｒの含有による焼結時の異常粒成長抑制効果が大きくなり、角型比Ｈｋ／ＨｃＪおよび低磁場下での着磁率が改善する。０．３０質量％以下とすることにより、残留磁束密度Ｂｒを向上させることができる。また、Ｚｒの含有量は、０．１５質量％以上０．３０質量％以下であってもよく、０．１５質量％以上０．２５質量％以下であってもよい。Ｚｒの含有量を０．１５質量%以上とすることにより、焼結安定温度範囲が広くなる。すなわち、焼結時において異常粒成長抑制効果がさらに大きくなる。そして、特性のバラツキが小さくなり、製造安定性が向上する。
【００４４】
また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、Ｍｎを含んでもよい。Ｍｎを含む場合には、Ｍｎの含有量が、Ｒ、Ｔ、ＢおよびＭの合計質量を１００質量％として、０．０２質量％〜０．１０質量％であってもよい。Ｍｎの含有量が０．０２質量％以上であると、残留磁束密度Ｂｒが向上する傾向にあるとともに、保磁力ＨｃＪが向上する傾向にある。Ｍｎの含有量が０．１０質量％以下であると、保磁力ＨｃＪが向上する傾向にある。また、Ｍｎの含有量は０．０２質量％以上０．０６質量％以下であってもよい。
【００４５】
また、Ｒ元素の含有量の合計をＴＲＥとしたときに、ＴＲＥ／Ｂが原子数比で２．２１以上２．６２以下であってもよい。ＴＲＥ／Ｂが上記の範囲内であることで残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが向上する。
【００４６】
また、１４Ｂ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が原子数比で０より大きく１．０１以下であってもよい。１４Ｂ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が１．０１以下であることで角型比が向上する傾向にある。１４Ｂ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）は１．００以下であってもよい。
【００４７】
また、Ｔｂの含有量をＣの含有量で割った原子数比Ｔｂ／Ｃは０．１０以上０．９５以下であってもよい。Ｔｂ／Ｃが上記の範囲内であることにより、保磁力ＨｃＪの温度特性が良好になる。さらに、高温での保磁力ＨｃＪも向上し、高温減磁率が小さくなる。また、Ｔｂ／Ｃは、０．１０以上０．６５以下であってもよく、０．１３以上０．５０以下であってもよく、０．２０以上０．４５以下であってもよい。また、０．１３以上０．６３以下、０．１７以上０．６３以下、０．２１以上０．６３以下、０．２１以上０．４４以下であってもよい。
【００４８】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石における炭素（Ｃ）の含有量は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の総質量に対して１１００ｐｐｍ以下であってもよく、１０００ｐｐｍ以下、または９００ｐｐｍ以下であってもよい。また、６００ｐｐｍ〜１１００ｐｐｍ、６００ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ、または６００ｐｐｍ〜９００ｐｐｍであってもよい。炭素の含有量を１１００ｐｐｍ以下とすることで保磁力ＨｃＪが向上する傾向にある。特に保磁力ＨｃＪを向上させる観点からは、炭素の含有量を９００ｐｐｍ以下とすることができる。また、炭素の含有量が６００ｐｐｍ未満であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる
【００４９】
なお、特に角型比Ｈｋ／ＨｃＪを向上させる観点からは、炭素の含有量を８００ｐｐｍ〜１１００ｐｐｍとすることができる。
【００５０】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石において、窒素（Ｎ）の含有量は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の総質量に対して１０００ｐｐｍ以下としてもよく、７００ｐｐｍ以下、または６００ｐｐｍ以下としてもよい。また、２５０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍ、２５０ｐｐｍ〜７００ｐｐｍ、または２５０ｐｐｍ〜６００ｐｐｍであってもよい。窒素の含有量が少ないほど保磁力ＨｃＪが向上しやすくなる。また、窒素の含有量が、２５０ｐｐｍ未満であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる。
【００５１】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石において、酸素（Ｏ）の含有量は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の総質量に対して１０００ｐｐｍ以下であってよく、８００ｐｐｍ以下、７００ｐｐｍ以下、または５００ｐｐｍ以下であってもよい。また、３５０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍであってもよい。しかし、酸素の含有量の下限は特に存在しないが、酸素の含有量が、３５０ｐｐｍ未満であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を製造することはプロセスに対する負荷が大きく、コストアップ要因となる。また、酸素の含有量を１０００ｐｐｍ以上、３０００ｐｐｍ以下とすることで耐食性を向上させることができる。
【００５２】
さらに、後述する粒界拡散前のＲの合計含有量を２９．１質量％以上としつつ、酸素の含有量を１０００ｐｐｍ以下、８００ｐｐｍ以下、７００ｐｐｍ以下、または５００ｐｐｍ以下に低減することで焼結時の変形を抑制でき、製造安定性を向上させることができる。なお、後述する粒界拡散前のＲの合計含有量が２９．１質量％以上である場合、粒界拡散後のＲの合計含有量は、例えば２９．２５質量％以上となる。
【００５３】
Ｒの合計含有量を所定量以上としつつ酸素の含有量を低減することで焼結時の変形を抑制できるのは、以下に示す理由であると考える。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の焼結機構は液相焼結であり、Ｒリッチ相と言われる粒界相成分が焼結時に液相を生成して、緻密化を促進する。一方、酸素はＲリッチ相と反応しやすく、酸素の含有量が増えると希土類酸化物相が形成され、Ｒリッチ相量が減少する。一般に焼結炉内にはごく微量であるが酸化性の不純物ガスが存在する。このため、焼結過程において成形体表面近傍でＲリッチ相が酸化され、局所的にＲリッチ相量が減少することがある。Ｒの合計含有量が多く、酸素の含有量が少ない組成ではＲリッチ相量が多く、酸化が焼結時の収縮挙動へ与える影響は小さい。Ｒの合計含有量が少ないおよび／または酸素の含有量が多い組成ではＲリッチ相量が少ないため、焼結過程での酸化は焼結時の収縮挙動に影響を与える。結果として、部分的に縮率、すなわち寸法が変化することで焼結体の変形が起こる。したがって、Ｒの合計含有量を所定量以上としつつ酸素の含有量を低減することで焼結時の変形を抑制できる。
【００５４】
なお、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石中に含まれる各種成分の測定法は、従来から一般的に知られている方法を用いることができる。各種元素量については、例えば、蛍光Ｘ線分析および誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ分析）等により測定される。酸素の含有量は、例えば、不活性ガス融解−非分散型赤外線吸収法により測定される。炭素の含有量は、例えば、酸素気流中燃焼−赤外線吸収法により測定される。窒素の含有量は、例えば、不活性ガス融解−熱伝導度法により測定される。
【００５５】
また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、複数の主相粒子と粒界とを含む。主相粒子は、コアと、コアを被覆するシェルとからなるコアシェル粒子であってもよい。そして、少なくともシェルには重希土類元素が存在してもよく、Ｔｂが存在してもよい。
【００５６】
重希土類元素をシェル部に存在させることで、効率的にＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の磁気特性を向上させることができる。
【００５７】
本実施形態においては、軽希土類元素に対する重希土類元素の割合（重希土類元素／軽希土類元素（モル比））が、主相粒子中心部（コア）における前記割合の２倍以上となっている部分をシェルと規定する。
【００５８】
シェルの厚みには特に制限はないが、５００ｎｍ以下であってもよい。また、主相粒子の粒径にも特に制限はないが、３．０μｍ以上６．５μｍ以下であってもよい。
【００５９】
主相粒子を上記のコアシェル粒子とする方法は任意である。例えば、後述する粒界拡散による方法がある。重希土類元素が粒界を拡散し、当該重希土類元素が主相粒子の表面の希土類元素Ｒと置換することで重希土類元素の割合が高いシェルが形成され、前記のコアシェル粒子となる。
【００６０】
以下、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法について詳しく説明していくが、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法はこれに制限されず、その他の公知の方法を用いてもよい。
【００６１】
［原料粉末の準備工程］
原料粉末は、公知の方法により作製することができる。本実施形態では、単独の合金を使用する１合金法の場合について説明するが、組成の異なる第１合金と第２合金を混合して原料粉末を作製するいわゆる２合金法でもよい。
【００６２】
まず、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の原料合金を準備する（合金準備工程）。合金準備工程では、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の組成に対応する原料金属を公知の方法で溶解した後、鋳造することによって所望の組成を有する原料合金を作製する。
【００６３】
原料金属としては、例えば、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボロン、ＣｏやＣｕ等の金属、さらにはこれらの合金や化合物等を使用することができる。原料金属から原料合金を鋳造する鋳造方法は任意の方法としてもよい。磁気特性の高いＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を得るためにストリップキャスト法を用いてもよい。得られた原料合金は、必要に応じて既知の方法で均質化処理を行ってもよい。また、重希土類元素（Ｄｙ、Ｔｂ等）については原料金属に添加してもよく、後述する粒界拡散にてＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に導入してもよい。Ｄｙは原料合金に添加し、Ｔｂは粒界拡散にてＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に導入するのが好ましい。また、Ｔｂの濃度分布をＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布とする方法は任意であるが、Ｔｂの少なくとも一部を粒界拡散させる場合にはＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の外側から内側に向かって低下する濃度分布としやすくなる。また、この時点ではＴｂを添加せず、後述する粒界拡散のみによってＴｂを添加してもよい。この場合には特にコストを抑制しやすくなる。
【００６４】
前記原料合金を作製した後、粉砕する（粉砕工程）。なお、粉砕工程から焼結工程までの各工程の雰囲気は、高い磁気特性を得る観点から、低酸素濃度とすることができる。例えば、各工程の酸素の濃度を２００ｐｐｍ以下としてもよい。各工程の酸素濃度を制御することで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に含まれる酸素量を制御することができる。
【００６５】
以下、前記粉砕工程として、粒径が数百μｍ〜数ｍｍ程度になるまで粉砕する粗粉砕工程と、粒径が数μｍ程度になるまで微粉砕する微粉砕工程の２段階で実施する場合を以下に記述するが、微粉砕工程のみの１段階で実施してもよい。
【００６６】
粗粉砕工程では、粒径が数百μｍ〜数ｍｍ程度になるまで粗粉砕する。これにより、粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は任意の方法で行うことができ、水素吸蔵粉砕を行う方法や粗粉砕機を用いる方法など、公知の方法で行うことができる。水素吸蔵粉砕を行う場合、脱水素処理時の雰囲気中窒素ガス濃度の制御を行うことで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に含まれる窒素量を制御することができる。
【００６７】
次に、得られた粗粉砕粉末を平均粒子径が数μｍ程度になるまで微粉砕する（微粉砕工程）。これにより、微粉砕粉末（原料粉末）を得る。前記微粉砕粉末の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下、２μｍ以上６μｍ以下、または３μｍ以上５μｍ以下であってもよい。微粉砕工程の雰囲気中窒素ガス濃度の制御を行うことで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に含まれる窒素量を制御することができる。
【００６８】
微粉砕は任意の方法で実施される。例えば、各種微粉砕機を用いる方法で実施される。
【００６９】
前記粗粉砕粉末を微粉砕する際、ラウリン酸アミド、オレイン酸アミド等の各種粉砕助剤を添加することにより、成形時に配向性の高い微粉砕粉末を得ることができる。また、粉砕助剤の添加量を変化させることにより、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に含まれる炭素量を制御することができる。
【００７０】
［成形工程］
成形工程では、上記微粉砕粉末を目的の形状に成形する。成形は任意の方法で行ってよい。本実施形態では、上記微粉砕粉末を金型内に充填し、磁場中で加圧する。これにより得られた成形体は、主相結晶が特定方向に配向しているので、より残留磁束密度Ｂｒの高いＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が得られる。
【００７１】
成形時の加圧は、２０ＭＰａ〜３００ＭＰａで行うことができる。印加する磁場は、９５０ｋＡ／ｍ以上とすることができ、９５０ｋＡ／ｍ〜１６００ｋＡ／ｍとすることもできる。印加する磁場は静磁場に制限されず、パルス状磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
【００７２】
なお、成形方法としては、上記のように微粉砕粉末をそのまま成形する乾式成形の他、微粉砕粉末を油等の溶媒に分散させたスラリーを成形する湿式成形を適用することもできる。
【００７３】
微粉砕粉末を成形して得られる成形体の形状は任意の形状とすることができる。また、この時点での成形体の密度は４．０Ｍｇ／ｍ３〜４．３Ｍｇ／ｍ３とすることができる。
【００７４】
［焼結工程］
焼結工程は、成形体を真空または不活性ガス雰囲気中で焼結し、焼結体を得る工程である。焼結温度は、組成、粉砕方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、成形体に対して、例えば、真空中または不活性ガスの存在下、１０００℃以上１２００℃以下、１時間以上２０時間以下で加熱する処理を行うことにより焼成する。これにより、高密度の焼結体が得られる。本実施形態では、最低７．４５Ｍｇ／ｍ３以上の密度の焼結体を得る。焼結体の密度は、７．５０Ｍｇ／ｍ３以上であってもよい。
【００７５】
［時効処理工程］
時効処理工程は、焼結体を焼結温度より低温で熱処理する工程である。時効処理を行うか否かには特に制限はなく、時効処理の回数にも特に制限はなく所望の磁気特性に応じて適宜実施する。また、後述する粒界拡散工程を採用する場合、粒界拡散工程が時効処理工程を兼ねてもよい。本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石では、２回の時効処理を行う。以下、時効処理を２回行う実施形態について説明する。
【００７６】
１回目の時効工程を第一時効工程、２回目の時効工程を第二時効工程とし、第一時効工程の時効温度をＴ１、第二時効工程の時効温度をＴ２とする。
【００７７】
第一時効工程における温度Ｔ１および時効時間には、特に制限はない。７００℃以上９００℃以下で１時間〜１０時間とすることができる。
【００７８】
第二時効工程における温度Ｔ２および時効時間には、特に制限はない。５００℃以上７００℃以下で１時間〜１０時間とすることができる。
【００７９】
このような時効処理によって、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の磁気特性、特に保磁力ＨｃＪを向上させることができる。
【００８０】
以下、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石にＴｂを粒界拡散させる方法について説明する。
【００８１】
［加工工程（粒界拡散前）］
粒界拡散前に、必要に応じて、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を所望の形状に加工する工程を有してもよい。加工方法は、例えば切断、研削などの形状加工や、バレル研磨などの面取り加工などが挙げられる。
【００８２】
［粒界拡散工程］
粒界拡散は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の表面に、塗布または蒸着等によって重希土類元素（本実施形態ではＴｂ）の金属、重希土類元素を含む化合物や合金等を付着させた後、熱処理を行うことにより、実施することができる。重希土類元素の粒界拡散により、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の保磁力ＨｃＪをさらに向上させることができる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に粒界拡散させる重希土類元素としてはＴｂが好ましい。Ｔｂを用いることにより、より高い保磁力ＨｃＪを得ることができる。
【００８３】
以下に説明する実施形態では、Ｔｂを含有する塗料を作製し、塗料をＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の表面に塗布する。
【００８４】
塗料の態様は任意である。Ｔｂを含む化合物として何を用いるか、溶媒または分散媒として何を用いるかも任意である。また、塗料におけるＴｂの濃度は任意である。Ｔｂを含む化合物として、例えばフッ化物や水素化物を用いることができる。
【００８５】
本実施形態に係る粒界拡散工程における拡散処理温度は、８００℃〜９５０℃とすることができる。拡散処理時間は１時間〜５０時間とすることができる。なお、粒界拡散工程が前記時効処理工程を兼ねてもよい。
【００８６】
上記の拡散処理温度および拡散処理時間とすることで、製造コストを低く抑えると共に、Ｔｂの濃度分布を好適なものとし易くなる。
【００８７】
また、拡散処理後に、さらに熱処理を施してもよい。その場合の熱処理温度は４５０℃〜６００℃とすることができる。熱処理時間は１時間〜１０時間とすることができる。このような熱処理によって、最終的に得られるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の磁気特性、特に保磁力ＨｃＪを向上させることができる。
【００８８】
また、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造安定性は、時効温度、拡散処理温度または拡散処理後の熱処理温度の変化に対する磁気特性の変化量の大きさで確認できる。以下、拡散処理工程について説明するが、時効工程、拡散処理後の熱処理についても同様である。
【００８９】
例えば、拡散処理温度の変化に対する磁気特性の変化量が大きければ、わずかな拡散処理温度の変化で磁気特性が変化することとなる。このため、粒界拡散工程において許容される拡散処理温度の範囲が狭くなり、製造安定性が低くなる。逆に、拡散処理温度の変化に対する磁気特性の変化量が小さければ、拡散処理温度が変化しても磁気特性が変化しにくいこととなる。このため、粒界拡散工程において許容される拡散処理温度の範囲が広くなり、製造安定性が高くなる。さらに、高温、短時間で粒界拡散させることが可能となるため、製造コストも低減できる。
【００９０】
［加工工程（粒界拡散後）］
粒界拡散工程の後には、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の各種加工を行ってもよい。実施する加工の種類に特に制限はない。例えば切断、研削などの形状加工や、バレル研磨などの面取り加工などの表面加工を行ってもよい。
【００９１】
以上の方法により得られた本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、着磁することにより、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石製品となる。
【００９２】
このようにして得られる本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、所望の特性を有する。具体的には、残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが高く、耐食性と製造安定性も優れている。
【００９３】
本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、モーター、発電機等の用途に好適に用いられる。
【００９４】
なお、本発明は、上述した実施形態に制限されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００９５】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法は上記の方法に制限されず、適宜変更してもよい。例えば、上記のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造方法は焼結による製造方法であるが、本実施形態に係るＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は熱間加工によって製造されていてもよい。熱間加工によってＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を製造する方法は、以下の工程を有する。
（ａ）原料金属を溶解し、得られた浴湯を急冷して薄帯を得る溶解急冷工程
（ｂ）薄帯を粉砕してフレーク状の原料粉末を得る粉砕工程
（ｃ）粉砕した原料粉末を冷間成形する冷間成形工程
（ｄ）冷間成形体を予備加熱する予備加熱工程
（ｅ）予備加熱した冷間成形体を熱間成形する熱間成形工程
（ｆ）熱間成形体を所定の形状に塑性変形させる熱間塑性加工工程。
（ｇ）Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を時効処理する時効処理工程
なお、時効処理工程以降の工程は焼結により製造する場合と同様である。
【実施例】
【００９６】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に制限されない。以下の実施例では、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石について説明する。
【００９７】
（実験例１）
（Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の作製）
原料として、Ｎｄ、Ｐｒ、ＤｙＦｅ合金、電解鉄、低炭素フェロボロン合金を準備した。さらに、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒを、純金属またはＦｅとの合金の形で準備した。
【００９８】
前記原料に対し、ストリップキャスト法により、最終的に得られる磁石組成が下記表１〜表３に示す各試料の組成となるように原料合金を作製した。また、前記原料合金の合金厚みは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍとした。表１〜表３に示したＣ、Ｎ、Ｏ以外の各元素の含有量（質量％）はＲ、Ｔ、ＢおよびＭの合計含有量を１００質量％としたときの値である。
【００９９】
次いで、原料合金に対して室温で１時間、水素ガスをフローさせて水素を吸蔵させた。次いで雰囲気をＡｒガスに切り替え、６００℃で１時間、脱水素処理を行い、原料合金を水素吸蔵粉砕した。試料番号１３０〜１３２については窒素含有量が所定の量となるように脱水素処理時の雰囲気中窒素ガス濃度を調整した。さらに、冷却後にふるいを用いて４２５μｍ以下の粒度の粉末とした。なお、水素吸蔵粉砕から後述する焼結工程までは、常に酸素濃度２００ｐｐｍ未満の低酸素雰囲気とした。なお、試料番号１２４〜１２７については酸素含有量が所定の量となるように酸素濃度を調整した。
【０１００】
次いで、水素吸蔵粉砕およびふるいを用いた後の原料合金の粉末に対し、質量比で０．１％のオレイン酸アミドを粉砕助剤として添加し、混合した。試料番号１１３〜１１８については、炭素含有量が所定の量となるように粉砕助剤の添加量を調整した。
【０１０１】
次いで、衝突板式のジェットミル装置を用いて窒素気流中で微粉砕し、平均粒径が３．９μｍ〜４．２μｍである微粉（原料粉末）を得た。試料番号１２８、１２９についてはＡｒと窒素との混合ガス気流中で微粉砕し、窒素含有量が所定の量となるように窒素ガス濃度を調整した。なお、前記平均粒径は、レーザ回折式の粒度分布計で測定した平均粒径Ｄ５０である。
【０１０２】
得られた微粉を磁界中で成形して成形体を作製した。このときの印加磁場は１２００ｋＡ／ｍの静磁界である。また、成形時の加圧力は９８ＭＰａとした。なお、磁界印加方向と加圧方向とを直交させるようにした。この時点での成形体の密度を測定したところ、全ての成形体の密度が４．１０Ｍｇ／ｍ３〜４．２５Ｍｇ／ｍ３の範囲内であった。
【０１０３】
次に、前記成形体を焼結し、焼結体を得た。焼結条件は、組成等により最適条件が異なるが、１０４０℃〜１１００℃の範囲内で４時間保持とした。焼結雰囲気は真空中とした。このとき焼結密度は７．４５Ｍｇ／ｍ３〜７．５５Ｍｇ／ｍ３の範囲にあった。その後、Ａｒ雰囲気、大気圧中で、第一時効温度Ｔ１＝８５０℃で１時間の第一時効処理を行い、さらに、第二時効温度Ｔ２＝５２０℃で１時間の第二時効処理を行った。
【０１０４】
その後、時効処理後の焼結体をバーチカルにより１４ｍｍ×１０ｍｍ×４．２ｍｍ（磁化容易軸方向厚み４．２ｍｍ）に加工して後述するＴｂの粒界拡散前の焼結体を作製した。
【０１０５】
さらに、前記した工程で得られた焼結体を、エタノール１００質量％に対し硝酸３質量％とした硝酸とエタノールとの混合溶液に３分間浸漬させた後にエタノールに１分間浸漬するエッチング処理を行った。前記混合溶液に３分間浸漬させた後にエタノールに１分間浸漬させるエッチング処理は２回行った。次いで、エッチング処理後の焼結体の全面に対し、ＴｂＨ２粒子（平均粒径Ｄ５０＝１０．０μｍ）をエタノールに分散させたスラリーを、磁石の質量に対するＴｂの質量比で０．２質量％〜１．２質量％塗布した。表１〜表３に記載のＴｂの含有量になるように塗布量を変化させた。
【０１０６】
前記スラリーを塗布、乾燥させた後に大気圧でＡｒをフローしながら９３０℃、１８時間の拡散処理を実施し、続いて５２０℃、４時間の熱処理を施した。次いで、１４ｍｍ×１０ｍｍ×４．２ｍｍ試料の表面を各面あたり０．１ｍｍ削り落とし、表１〜表３に示す各試料のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。
【０１０７】
得られた各Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の平均組成を測定した。各試料をスタンプミルにより粉砕し、分析に供した。各種金属元素量については、蛍光Ｘ線分析により測定した。ホウ素（Ｂ）の含有量はＩＣＰ分析により測定した。酸素の含有量は不活性ガス融解−非分散型赤外線吸収法により、炭素の含有量は酸素気流中燃焼−赤外線吸収法により、窒素の含有量は不活性ガス融解−熱伝導度法により測定した。各試料における組成が表１〜表３の通りであることを確認した。なお、Ｆｅの含有量を残部（ｂａｌ．）としているのは、上記の表１〜表３に記載していない元素の含有量をＦｅの含有量に含めてＲ、Ｔ、ＢおよびＭの合計を１００質量％にしているという意味である。また、本実施例では、Ｒの合計含有量ＴＲＥは２８．２０質量％以上、３０．５０質量％以下である。表１〜表３に示したＣ、Ｎ、Ｏの含有量（ｐｐｍ）はそれぞれＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の総質量に対する含有量を表す。
【０１０８】
得られた各Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面について、ＢＨトレーサーで残留磁束密度Ｂｒの評価を行った。前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の厚みが薄いため、前記Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を３枚重ねして評価した。なお、測定前に４０００ｋＡ／ｍのパルス磁場により着磁を行った。また、前期Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をバーチカルにより７ｍｍ×７ｍｍ×７ｍｍに加工して得られた試料について、パルスＢＨトレーサーで保磁力ＨｃＪを評価した。残留磁束密度Ｂｒを評価した試料と保磁力ＨｃＪを評価した試料とは別個の試料である。なお、測定前に４０００ｋＡ／ｍのパルス磁場により着磁を行った。結果を表１〜表３に記す。
【０１０９】
一般的には、残留磁束密度Ｂｒと保磁力ＨｃＪとはトレードオフの関係にある。すなわち、残留磁束密度Ｂｒが高いほど保磁力ＨｃＪが低くなり、保磁力ＨｃＪが高いほど残留磁束密度Ｂｒが低くなる傾向にある。そこで、本実施例では、残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪを総合的に評価するための性能指数ＰＩ（Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  Ｉｎｄｅｘ）を設定した。ｍＴ単位で測定した残留磁束密度の大きさをＢｒ（ｍＴ）、ｋＡ／ｍ単位で測定した保磁力の大きさをＨｃＪ（ｋＡ／ｍ）とする場合に、
ＰＩ＝Ｂｒ＋２５×ＨｃＪ×４π／２０００
とした。本実施例では、Ｂｒ≧１２３０ｍＴ、ＨｃＪ≧２１５０ｋＡ／ｍ、かつ、ＰＩ≧１７４０の場合に、残留磁束密度Ｂｒおよび保磁力ＨｃＪが良好であるとした。また、角型比Ｈｋ／ＨｃＪは９５％以上の場合を良好とした。なお、本実施例では角型比Ｈｋ／ＨｃＪは磁化Ｊ−磁場Ｈ曲線の第２象限（Ｊ−Ｈ減磁曲線）において、磁化ＪがＢｒの９０％になったときの磁場の大きさをＨｋ（ｋＡ／ｍ）として、Ｈｋ／ＨｃＪで計算される。そして、ＢＨトレーサーを用いて測定温度２００℃で測定し、角型比Ｈｋ／ＨｃＪを算出した。
【０１１０】
Ｂｒ≧１２３０ｍＴ、ＨｃＪ≧２１５０ｋＡ／ｍ、ＰＩ≧１７４０、かつ、Ｈｋ／ＨｃＪ≧９５．０％である場合を○、いずれかの特性が良好ではない場合を×と評価した。なお、ＨｃＪ≧２２５０ｋＡ／ｍである場合がさらに好ましい。
【０１１１】
また、各Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に対し、耐食性試験を行った。耐食性試験は、飽和蒸気圧下におけるＰＣＴ試験（プレッシャークッカー試験：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｔｅｓｔ）により実施した。具体的には、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を２気圧、１００％ＲＨの環境下に１０００時間おいて、試験前後での質量変化を測定した。磁石の表面積あたりの質量減少が３ｍｇ／ｃｍ２以下である場合に耐食性が良好であると判断とした。質量減少が２ｍｇ／ｃｍ２以下である場合に耐食性が特に良好であると判断とした。耐食性が特に良好な場合を◎、耐食性が良好な場合を○、耐食性が良好でない場合を×とした。ただし、今回耐食性試験を実施した試料で耐食性が良好でないものはなかった。
【０１１２】
さらに、各試料について、高温減磁率を測定した。まず、試料の形状をパーミアンス係数が０．５となる形状に加工した。そして、４０００ｋＡ／ｍのパルス磁場により試料の着磁を行い、室温（２３℃）における試料の総磁束量を測定し、これをＢ０とした。総磁束量は、例えばフラックスメーター等により測定した。次に試料を２００℃に２時間高温暴露し、室温に戻す。試料温度が室温に戻ったら、再度残留磁束を測定し、これをＢ１とした。高温減磁率をＤ（％）とすると、
Ｄ＝１００＊（Ｂ１−Ｂ０）／Ｂ０（％）
となる。高温減磁率の絶対値が１％未満である場合を良好とした。
【０１１３】
【表１】
2019102708.tif 000003
【０１１４】
【表２】
2019102708.tif 000004
【０１１５】
【表３】
2019102708.tif 000005
【０１１６】
表１では、ＴＲＥおよびＢを変化させた。また、ＮｄとＰｒの質量比が概ね３：１になるようにＮｄおよびＰｒを含有させた。表２では、ＴＲＥおよびＤｙを変化させた。表３の試料番号９１〜１３２では、Ｂ以外の各成分の含有量を変化させた。また、試料番号１３３〜１３５では、ＴＲＥを固定してＮｄおよびＰｒの含有量を変化させた。
【０１１７】
表１〜表３より、全ての実施例はＢｒ、ＨｃＪ、ＰＩ、角型比および耐食性が良好であった。これに対し、全ての比較例はＢｒ、ＨｃＪ、ＰＩ、角型比および耐食性のうち一つ以上が良好ではなかった。なお、全ての実施例および比較例のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石について、電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いてＴｂ濃度分布を分析し、Ｔｂの濃度分布が、外側から内側に向かって低下する濃度分布であることを確認した。
【０１１８】
また、Ｄｙの含有量が２．５質量％以上６．５質量％以下であり、Ｔｂ／Ｃが０．１０以上０．９５以下である実施例は高温減磁率が良好になる傾向にあった。
【０１１９】
さらに、Ｃの含有量が９００ｐｐｍ〜１１００ｐｐｍである実施例は、角型比が良好になる傾向にあった。
【符号の説明】
【０１２０】
１…Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石
【図１】
2019102708.tif 000006