(57)【要約】      （修正有）【課題】位置に応じた低電位電圧偏差を最小化して、輝度ムラの問題を解消した有機発光表示装置を提供する。【解決手段】互いに対向する第１基板と第２基板、及び前記第１基板と第２基板との間に介在された導電フィラー層を含む。第１基板は、バンク層、スペーサ、有機化合物層、カソード、無機膜、及び有機膜を含む。バンク層は、アノードの少なくとも一部を露出する開口部を有する。スペーサは、バンクの上に配置される。有機化合物層とカソードは、アノード、バンク層及びスペーサの上に配置され、順次積層される。無機膜はカソード上に配置され、スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第１オープンホールを有する。有機膜は無機膜の上に配置され、スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第２オープンホールを有する。第２基板は、露出されたカソードの一部と導電フィラー層を介して電気的に接続される電源配線を含む。【選択図】図３
2019102450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板と第２基板、及び前記第１基板と第２基板との間に介在された導電フィラー層を含み、
前記第１基板は、
アノードの少なくとも一部を露出する開口部を有するバンク層と
前記バンク層の上に配置されるスペーサと
前記アノード、前記バンク層及び前記スペーサの上に配置され、順次積層された有機化合物層とカソードと
前記カソード上に配置され、前記スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第１オープンホールを有する無機膜と、
前記無機膜の上に配置され、前記スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第２オープンホールを有する有機膜と、を含み、
前記第２基板は、
前記露出されたカソードの一部と前記導電フィラー層を介して電気的に接続される電源配線を含む、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第２オープンホールは、
前記無機膜の少なくとも一部と前記第１オープンホールとを露出する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１オープンホールの平面形状は、
前記スペーサの平面形状と対応する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２オープンホールの平面形状は、
前記スペーサの平面形状と対応する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記有機膜の上部表面は、
前記露出されたカソードの上部表面と同一平面上に位置するか、前記露出されたカソードの上部表面より下方に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記無機膜の上部表面は、
前記露出されたカソードの上部表面と同一平面上に位置するか、前記露出されたカソードの上部表面より下方に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機膜の上部表面は、
前記無機膜の上部表面と同一平面上に位置する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記露出されたカソードは、前記導電フィラー層と直接接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１基板は、
電源発生部から電源電圧の印加を受ける電源電極を含み、
前記電源電極は、
前記導電フィラー層と直接接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、
電源発生部から電源電圧の印加を受ける電源電極を含み、
前記カソードは、
前記電源電極に直接接触する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板は、
前記第２基板に向かって突出した突出パターンを含み、
前記カソードは、
前記突出パターンの少なくとも一部を覆うように延長される、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記突出パターンの少なくとも一部は前記電源電極と重畳される、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記突出パターンは、
前記バンク層形成物質又は前記スペーサ形成物質を含む単一層で構成されるか、前記バンク層形成物質と前記スペーサ形成物質とが積層されて設けられた複数層で構成される、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記無機膜は、
前記突出パターン上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第３オープンホールを含み、
前記有機膜は、
前記突出パターン上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第４オープンホールを含む、請求項１１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第４オープンホールは、
前記無機膜の少なくとも一部及び前記第３オープンホールを露出する、請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第２基板は、
カラーフィルタをさらに含み、
前記カラーフィルタは、、
前記電源配線によって区画される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１基板と前記第２基板は、
有機発光ダイオードからの光が放出される発光領域と前記発光領域の外側の非発光領域を含み、
前記電源配線は、
前記非発光領域に配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記第２基板は、
一面が前記電源配線と直接接触され、前記一面と対向する他面が前記導電フィラー層と直接接触れる補助電源配線を含み、
前記補助電源配線は、
前記電源配線より広い面積を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極線管（Cathode Ray Tube）の短所である重さと体積を減らすことができる各種表示装置（display device）が開発されている。このような表示装置は、液晶表示装置（Liquid Crystal Display、ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Field Emission Display、ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel、ＰＤＰ）及び有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display device; ＯＬＥＤ）などで実現されることができる。
【０００３】
これらの平板表示装置の内、有機発光表示装置は、有機化合物を励起させて発光させる自発光型表示装置であり、ＬＣＤで使用されるバックライトが必要しなくて軽量薄型が可能するだけでなく、工程を単純化させることができる利点がある。また、有機電界発光表示装置は、低温製作が可能であり、応答速度が１ｍｓ以下で高速の応答速度を有するだけでなく、低消費電力、広い視野角及び高コントラスト（Contrast）などの特性を有するという点で広く使用されている。
【０００４】
有機発光表示装置は、電気エネルギーを光エネルギーに転換する有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）を含む。有機発光ダイオードは、アノード、カソード、及びこれらの間に配置される有機化合物層を含む。有機発光表示装置は、アノード及びカソードからそれぞれ注入された正孔と電子が発光層内部で結合して励起子であるエキシトン（exciton）を形成し、形成されたエキシトンが励起状態（excited state）から基底状態（ground state）に落ちながら発光して画像を表示することになる。
【０００５】
ただし、大面積の有機発光表示装置の場合、入力映像が実現されるアクティブ領域の全面で均一な輝度を維持することができず位置によって輝度ムラが発生する。さらに詳細には、有機発光ダイオードを構成するカソードは、アクティブ領域の大部分を覆うように広く形成されるが、カソードに印加される電源電圧が全面に亘って均一な電圧値を有さない問題が発生する。例えば、カソードの抵抗により電源電圧が印加される引込部での電圧値と、引込部から離隔された位置での電圧値の偏差が大きくなるにつれて、位置に応じた輝度ムラが大きくなる。
【０００６】
このような問題点は、上部発光型（Top emission）表示装置でさらに問題になる。つまり、上部発光型表示装置においては、有機発光ダイオードで上層に位置するカソードの透過度を確保する必要があるので、カソードをＩＴＯ（Indium Tin Oxide）のような透明導電物質で形成するか、非常に薄い厚さの不透明導電物質で形成するようになる。この場合、面抵抗が大きくなるので、これに対応して位置による輝度ムラもまた著しく大きくなる。
【０００７】
このような問題点を解決するために、低抵抗物質を含むＥｖｓｓ配線を形成し、これをカソードに接続して、位置に応じた電圧降下を防止する方策が提案されたどころがある。このような、従来の構造においては、Ｅｖｓｓ配線がトランジスタを備えた下部基板上に形成されていたため、一つのピクセル内に薄膜トランジスタ領域、及びストレージキャパシタ領域とは別に、Ｅｖｓｓ配線形成領域、及びＥｖｓｓ配線とカソード接続領域が割り当てられる必要がある。したがって、従来の構造は、単一のピクセルサイズが小さい高解像度表示装置に適用されにくい問題点を有す。
【０００８】
また、従来開示されたＥｖｓｓ配線とカソードの接続構造は、接続構造が複雑であり、隔壁を形成するなどの追加工程が必ず要求されたところ、製造コスト、製造時間が増加し、製造歩留まりが低下する問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、位置に応じた低電位電圧偏差を最小化して、輝度ムラの問題を解消した有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機発光表示装置は、互いに対向する第１基板と第２基板、及び前記第１基板と第２基板との間に介在された導電フィラー層を含む。第１基板は、バンク層、スペーサ、有機化合物層、カソード、無機膜、及び有機膜を含む。バンク層は、アノードの少なくとも一部を露出する開口部を有する。スペーサは、バンクの上に配置される。有機化合物層とカソードは、アノード、バンク層及びスペーサの上に配置され、順次積層される。無機膜はカソード上に配置され、スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第１オープンホールを有する。有機膜は無機膜の上に配置され、スペーサ上に位置するカソードの少なくとも一部を露出する第２オープンホールを有する。第２基板は、露出されたカソードの一部と導電フィラー層を介して電気的に接続される電源配線を含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る有機発光表示装置は、位置に応じた低電位電圧偏差を最小化することができ、輝度ムラを解消することができる利点を有する。
【００１２】
また、本発明においては、従来のように薄膜トランジスタ基板にＥｖｓｓ配線を形成するための領域、及びＥｖｓｓ配線とカソードを接続するための領域を別途に割り当てる必要がない。したがって、本発明は、高いＰＰＩ（Pixel Per Inch）を有する高解像度の表示装置に容易に適用することができ、設計自由度を顕著に向上させることができる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】有機発光表示装置を概略的に示すブロック図である。
【図２】図１に示されたピクセルを概略的に示した構成図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置を示す断面図である。
【図４】図３のＡＲ領域を拡大したもので、実際の形状を示して図である。
【図５Ａ】本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５Ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５Ｃ】本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】第１実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。
【図７】第２実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。
【図８】第３実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。
【図９】第３実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係る有機発光表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付した図面を参照して本発明に係る好ましい実施形態を説明する。明細書の全体に亘って同一な参照番号は実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明において、本発明と関連した公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要するように曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。いろいろ実施形態を説明することにおいて、同一の構成要素については、冒頭で代表的に説明し、他の実施形態においては、省略することができる。
【００１５】
第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、前記構成要素は、前記用語によって限定されない。前記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別するためにのみ使用される。
【００１６】
図１は、有機発光表示装置を概略的に示すブロック図である。図２は図１に示されたピクセルを概略的に示した構成図である。
【００１７】
図１を参照すると、本発明に係る有機発光表示装置１０は、ディスプレイ駆動回路、表示パネル（ＤＩＳ）を含む。
【００１８】
ディスプレイ駆動回路は、データ駆動回路１２、ゲート駆動回路１４及びタイミングコントローラ１６を含み入力映像のビデオデータ電圧を表示パネル（ＤＩＳ）のピクセルに書き込む。データ駆動回路１２は、タイミングコントローラ１６から入力されるデジタルビデオデータ（ＲＧＢ）をアナログガンマ補償電圧に変換して、データ電圧を発生する。データ駆動回路１２から出力されたデータ電圧は、データ配線（Ｄ１〜Ｄｍ）に供給される。ゲート駆動回路１４は、データ電圧に同期されるゲート信号をゲート配線（Ｇ１〜Ｇｎ）に順次供給して、データ電圧が書き込まれる表示パネル（ＤＩＳ）のピクセルを選択する。
【００１９】
タイミングコントローラ１６は、ホストシステム１９から入力される垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、データイネーブル信号（Ｄａｔａ Ｅｎａｂｌｅ、ＤＥ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）などのタイミング信号の入力を受け、データ駆動回路１２とゲート駆動回路１４の動作タイミングを同期させる。データ駆動回路１２を制御するためのデータタイミング制御信号は、ソースサンプリングクロック（Source Sampling Clock、ＳＳＣ）、ソース出力イネーブル信号（Source Output Enable、ＳＯＥ）などを含む。ゲート駆動回路１４を制御するためのゲートタイミング制御信号は、ゲートスタートパルス（Gate Start Pulse、ＧＳＰ）、ゲートシフトクロック（Gate Shift Clock、ＧＳＣ）、ゲート出力イネーブル信号（Gate Output Enable、ＧＯＥ）などを含む。
【００２０】
ホストシステム１９は、テレビシステム、セットトップボックス、ナビゲーションシステム、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ホームシアターシステム、電話システム（Phone system）の内、いずれか１つで実現されることができる。ホストシステム１９は、スケーラー（scaler）を内蔵したＳｏＣ（System on chip）を含みから入力映像のデジタルビデオデータ（ＲＧＢ）を表示パネル（ＤＩＳ）に表示するのに適合した形式に変換する。ホストシステム１９は、デジタルビデオデータと一緒にタイミング信号（Ｖｓｙｎｃ、Ｈｓｙｎｃ、ＤＥ、ＭＣＬＫ）をタイミングコントローラ１６に伝送する。
【００２１】
表示パネル（ＤＩＳ）は、ピクセルアレイを含む。ピクセルアレイは、データ配線（Ｄ１〜Ｄｍ、ｍは正の整数）とゲート配線（Ｇ１〜Ｇｎ、ｎは正の整数）により定義されたピクセルを含む。ピクセルの各々は、自発光素子である有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode）を含む。
【００２２】
図２をさらに参照すると、表示パネル（ＤＩＳ）には複数のデータ配線（Ｄ）と、複数のゲート配線（Ｇ）が交差され、この交差領域ごとにピクセルがマトリックス形態で配置される。ピクセルそれぞれは、有機発光ダイオード、有機発光ダイオードに流れる電流量を制御する駆動薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、ＴＦＴ）（ＤＴ）、駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）のゲー&#8203;&#8203;ト‐ソース間電圧を設定するためのプログラミング部（ＳＣ）を含む。
【００２３】
プログラミング部（ＳＣ）は、少なくとも一つ以上のスイッチ薄膜トランジスタと、少なくとも一つ以上のストレージキャパシタを含むことができる。スイッチ薄膜トランジスタは、ゲート配線（Ｇ）からのゲート信号に応答してターンオンされることにより、データ配線（Ｄ）からのデータ電圧をストレージキャパシタの一側電極に印加する。駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）は、ストレージキャパシタに充電された電圧の大きさに応じて、有機発光ダイオードに供給される電流量を制御して、有機発光ダイオードの発光量を調節する。有機発光ダイオードの発光量は、駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）から供給される電流量に比例する。このようなピクセルは、高電位電圧源（Ｅｖｄｄ）と低電位電圧源（Ｅｖｓｓ）に接続されて、示さない電源発生部からそれぞれ高電位電源電圧と低電位電源電圧の供給を受ける。ピクセルを構成する薄膜トランジスタは、ｐ型で実現されるか、または、ｎ型に実現されることができる。また、ピクセルを構成する薄膜トランジスタの半導体層は、アモルファスシリコンや、ポリシリコンまたは、酸化物を含むことができる。以下においては、半導体層が酸化物を含む場合を例に挙げて説明する。有機発光ダイオードは、アノード（ＡＮＯ）、カソード（ＣＡＴ）、及びアノード（ＡＮＯ）とカソード（ＣＡＴ）の間に介在された有機化合物層を含む。アノード（ＡＮＯ）は駆動薄膜トランジスタ（ＤＴ）と接続される。
【００２４】
図３は、本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置を示す断面図である。図４は図３のＡＲ領域を拡大したもので、実際の形状を示す図である。
【００２５】
図３及び図４を参照すると、本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置は、互いに対向する第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）、及び第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）との間に介在された導電フィラー層（ＣＦＬ）を有する表示パネルを含む。第１基板（ＳＵＢ１）は、薄膜トランジスタ（Ｔ）と有機発光ダイオード（ＯＬＥ）が配置された薄膜トランジスタ・アレイ基板である。第２基板（ＳＵＢ２）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）（または、低電位電源配線）が配置された基板である。第２基板（ＳＵＢ２）は封止（encapsulation）基板として、機能することができる。第１基板（ＳＵＢ１）及び第２基板（ＳＵＢ２）はシーラント（ＳＬ）（sealant）を介して合着されることができる。シーラント（ＳＬ）は、第１基板（ＳＵＢ１）及び第２基板（ＳＵＢ２）の端に配置され、所定の合着間隔を維持し、導電フィラー層（ＣＦＬ）を内側に収容することができる。
【００２６】
第１基板（ＳＵＢ１）は、ガラス（glass）またはプラスチック（plastic）材質からなることができる。例えば、第１基板（ＳＵＢ１）はＰＩ（Polyimide）、ＰＥＴ（polyethylene terephthalate）、ＰＥＮ（polyethylene naphthalate）、ＰＣ（polycarbonate）などのプラスチック材質で形成され、柔軟な（flexible）特性を有することができる。
【００２７】
第１基板（ＳＵＢ１）上には、薄膜トランジスタ（Ｔ）及び薄膜トランジスタ（Ｔ）と接続された有機発光ダイオード（ＯＬＥ）が形成される。第１基板（ＳＵＢ１）と薄膜トランジスタ（Ｔ）間には、光遮断層（ＬＳ）及びバッファ層（ＢＵＦ）が形成されることができる。光遮断層は薄膜トランジスタ（Ｔ）の半導体層、特にチャネル（channel）に重畳されるように配置され、外部光から酸化物半導体素子を保護する役割をする。バッファ層(ＢＵＦ)は、第１基板（ＳＵＢ１）から拡散されるイオンや不純物を遮断し、外部の水分の浸透を遮断する役割をする。
【００２８】
薄膜トランジスタ（Ｔ）は、半導体層（ＡＣＴ）、ゲート電極（ＧＥ）、ソース／ドレイン電極（ＳＥ、ＤＥ）を含む。
【００２９】
半導体層（ＡＣＴ）の上にゲート絶縁膜(ＧＩ)とゲート電極（ＧＥ）が配置される。ゲート絶縁膜(ＧＩ)は、ゲート電極（ＧＥ）を絶縁させるもので、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜からなることができるが、これに限定されるものではない。ゲート電極（ＧＥ）は、ゲート絶縁膜(ＧＩ)を間に置いて、半導体層（ＡＣＴ）と、重畳するように配置される。ゲート電極（ＧＥ）は、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、タンタル（Ｔａ）及びタングステン（Ｗ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金の単層や多層からなることができる。ゲート絶縁膜(ＧＩ)とゲート電極（ＧＥ）は、同じマスクを用いてパターンになることができ、この場合、ゲート絶縁膜(ＧＩ)とゲート電極（ＧＥ）は、同じ面積を有することができる。示さながったが、ゲート絶縁膜(ＧＩ)は、第１基板（ＳＵＢ１）の表面全体を覆うように形成されることができる。
【００３０】
ゲート電極（ＧＥ）の上には層間絶縁膜（ＩＮ）が配置される。層間絶縁膜（ＩＮ）は、ゲート電極（ＧＥ）とソース／ドレイン電極（ＳＥ、ＤＥ）を相互絶縁させることで、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの多層からなることができるが、これに限定されるのはない。
【００３１】
層間絶縁膜（ＩＮ）の上には、ソース／ドレイン電極（ＳＥ、ＤＥ）が配置される。ソース電極（ＳＥ）及びドレイン電極（ＤＥ）は、所定の間隔離隔されて配置される。ソース電極（ＳＥ）は、層間絶縁膜（ＩＮ）を貫通するソースコンタクトホールを介して半導体層（ＡＣＴ）の一側に接触する。ドレイン電極（ＤＥ）は、層間絶縁膜（ＩＮ）を貫通するドレインコンタクトホールを介して半導体層（ＡＣＴ）の他側に接触する。
【００３２】
ソース電極（ＳＥ）とドレイン電極（ＤＥ）は、単一層または多層からなることができ、単一層である場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなることができる。また、ソース電極（ＳＥ）とドレイン電極（ＤＥ）が多層である場合には、モリブデン／アルミニウム‐ネオジム、モリブデン／アルミニウム、チタン／アルミニウム、または銅／モリーチタンの２重層であるがまたはモリブデン／アルミニウム‐ネオジム／モリブデン、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、チタン／アルミニウム／チタン、またはモリーチタン／銅／モリーチタンの３重層からなることができる。
【００３３】
薄膜トランジスタ（Ｔ）上にパッシベーション膜（ＰＡＳ）が位置する。パッシベーション膜（ＰＡＳ）は、薄膜トランジスタ（Ｔ）を保護することで、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）またはこれらの多層からなることができる。
【００３４】
パッシベーション膜（ＰＡＳ）上に平坦化膜（ＯＣ）が位置する。平坦化膜（ＯＣ）は、下部の段差を平坦化することで、フォトアクリル（photo acryl）、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene resin）、アクリル酸系樹脂（acrylate）などの有機物からなる。必要に応じて、パッシベーション膜（ＰＡＳ）と平坦化膜（ＯＣ）の内、いずれか１つは、省略することができる。
【００３５】
平坦化膜（ＯＣ）上に有機発光ダイオード（ＯＬＥ）が位置する。有機発光ダイオード（ＯＬＥ）は、アノード（ＡＮＯ）、有機化合物層（ＯＬ）及びカソード（ＣＡＴ）を含む。
【００３６】
さらに詳細には平坦化膜（ＯＣ）上にアノード（ＡＮＯ）が位置する。アノード（ＡＮＯ）は各ピクセルに対応するように分割されて、各ピクセル当り１つずつ割り当てることができる。アノード（ＡＮＯ）はパッシベーション膜（ＰＡＳ）と平坦化膜（ＯＣ）を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ（Ｔ）のソース電極（ＳＥ）に接続される。アノード（ＡＮＯ）は反射層を含み反射電極として機能することができる。反射層はアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）またはこれらの合金からなることができ、好ましくは、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなることができる。アノード（ＡＮＯ）は反射層を含む多層からなることができる。一例として、アノード（ＡＮＯ）はＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯからなる三重層で形成されることができる。
【００３７】
アノード（ＡＮＯ）が形成された第１基板（ＳＵＢ１）上にピクセルを区画するバンク層（ＢＮ）が位置する。バンク層（ＢＮ）は、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリル酸（acrylate）などの有機物でなることができる。バンク層（ＢＮ）によって露出されたアノード（ＡＮＯ）の中心部は、発光領域と定義することができる。
【００３８】
バンク層（ＢＮ）は、アノード（ＡＮＯ）の少なくとも一部を露出する開口部を含む。バンク層（ＢＮ）は、アノード（ＡＮＯ）の中心部の大部分を露出するが、アノード（ＡＮＯ）の側端を覆うように配置されることができる。露出されたアノード（ＡＮＯ）の面積は、十分な開口率を確保することができるように、できるだけ最大値で設計されることが望ましい。
【００３９】
バンク層（ＢＮ）と平坦化層（ＯＣ）は、ピクセル内で薄膜トランジスタ（Ｔ）とこれと接続されたストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）だけを覆うようにパターンされることができる。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、示されたように、第１乃至第３キャパシタ電極が重畳された３重構造で形成されることができ、必要に応じて、様々な複数の層で実現されることができる。
【００４０】
バンク層（ＢＮ）上にスペーサ（ＳＰ）が位置する。スペーサ（ＳＰ）は、複数で備えることができ、複数のスペーサ（ＳＰ）は、バンク層（ＢＮ）上で、既に設定され位置に選択的に配置することができる。スペーサ（ＳＰ）は、第２基板（ＳＵＢ）に向かって突出した形状を有する。バンク層（ＢＮ）とスペーサ（ＳＰ）は、ハーフートーンマスク（half-tone mask）を用いた一つのマスク工程を通じて同時に形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００４１】
バンク層（ＢＮ）とスペーサ（ＳＰ）が形成された第１基板（ＳＵＢ１）上に有機化合物層（ＯＬ）が位置する。有機化合物層（ＯＬ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広く形成されてバンク層（ＢＮ）とスペーサ（ＳＰ）を覆う。有機化合物層（ＯＬ）は、電子と正孔が結合して発光する層として、発光層（Emission layer、EML）を含み、正孔注入層（Hole injection layer、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Hole transport layer、ＨＴＬ）、電子輸送層（Electron transport layer、ＥＴＬ）、電子注入層（Electron injection layer、ＥＩＬ）の内、いずれか一つ以上をさらに含むことができる。発光層は、白色光を発生する発光物質を含むことができる。
【００４２】
白色を発光する有機化合物層（ＯＬ）は、ｎ（ｎは１以上の整数）のスタック（stack）構造のような多重スタック構造を有することができる。一例として、２スタック構造は、アノード（ＡＮＯ）とカソード（ＣＡＴ）の間に配置された電荷生成層（Charge Generation Layer、ＣＧＬ）、及び電荷生成層を間に置いて電荷生成層の下部と上部にそれぞれ配置された第１スタックと第２スタックを含むことができる。第１スタックと第２スタックは、それぞれ発光層（Emission layer）を含み、共通層（common layer）の内、少なくともいずれか一つをさらに含むことができる。第１のスタックの発光層と第２スタックの発光層は、異なる色の発光物質を含むことができる。
【００４３】
有機化合物層（ＯＬ）上にカソード（ＣＡＴ）が位置する。カソード（ＣＡＴ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広く形成され有機化合物層（ＯＬ）を覆う。カソード（ＣＡＴ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のような透明導電物質で形成されることができ、光が透過することができる程度に薄い厚さを有するマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。
【００４４】
カソード（ＣＡＴ）上に無機膜（ＩＯＦ）が位置する。無機膜（ＩＯＦ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広く形成されることができる。無機膜（ＩＯＦ）は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び二酸化チタン（ＴｉＯ２）のような無機物質からなることができる。
【００４５】
無機膜（ＩＯＦ）はカソード（ＣＡＴ）上に位置して有機発光ダイオード（ＯＬＥ）に流入することができる異物の流入を遮断することができる。例えば、透明導電性物質を含むカソード（ＣＡＴ）は、結晶性でイオン及び水分の浸透を遮断することができないので、導電フィラー層（ＣＦＬ）に含まれたイオン性液体のイオン成分や外部の不純物がカソード（ＣＡＴ）を透過して有機化合物層（ＯＬ）に流入することができる。本発明の好ましい実施形態は、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）の大部分を遮蔽するように無機膜（ＩＯＦ）を形成することにより、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）に流入することができる異物を効果的に遮断することができるので、有機発光ダイオード（ＯＬＥ）の寿命低下及び輝度の低下を防止することができる利点を有する。
【００４６】
また、無機膜（ＩＯＦ）はカソード（ＣＡＴ）上に位置して、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）合着時カソード（ＣＡＴ）に提供することができるストレス（stress）を緩衝（または、緩和）することができる。例えば、透明導電性物質を含むカソード（ＣＡＴ）は、ブリトル（brittle）の性質を有するため、提供された外力によって容易にクラック（crack）が発生することができる。本発明の好ましい実施形態は、カソード（ＣＡＴ）上に無機膜（ＩＯＦ）をさらに形成することにより、カソード（ＣＡＴ）にクラックが発生することを防止することができ、さらにクラックを介して酸素と水分が流入されることを防止することができる。
【００４７】
無機膜（ＩＯＦ）は、第１オープンホール（ＯＰ１）を含む。第１オープンホール（ＯＰ１）はスペーサ（ＳＰ）上に位置するカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出させる。つまり、無機膜（ＩＯＦ）は、カソード（ＣＡＴ）を覆うが、スペーサ（ＳＰ）が形成された領域で第１オープンホール（ＯＰ１）を介してカソード（ＣＡＴ）の一部を露出させる。第１オープンホール（ＯＰ１）はスペーサ（ＳＰ）が形成された領域に対応して設けられる。第１オープンホール（ＯＰ１）の平面形状は、スペーサ（ＳＰ）の平面形状と対応することができる。
【００４８】
無機膜（ＩＯＦ）上に有機膜（ＯＦ）が位置する。有機膜（ＯＦ）は、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広く形成されることができる。有機膜（ＯＦ）はオレフィン系高分子（polyethylene、polypropylene）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フッ素樹脂（fluoro resin）、アクリル樹脂（acryl resin）、ポリシロキサン（polysiloxane）、ノボラック（novolac）のような有機物質からなることができる。
【００４９】
有機膜（ＯＦ）は、第２オープンホール（ＯＰ２）を含む。第２オープンホール（ＯＰ２）はスペーサ（ＳＰ）上に位置するカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出させる。つまり、有機膜（ＯＦ）は、カソード（ＣＡＴ）と無機膜（ＩＯＦ）を覆うが、スペーサ（ＳＰ）が形成された領域で第２オープンホール（ＯＰ２）を介して、無機膜（ＩＯＦ）の第１オープンホール（ＯＰ１）とカソード（ＣＡＴ）の一部を露出させる。第２オープンホール（ＯＰ２）は無機膜（ＩＯＦ）の少なくとも一部を、さらに露出させることができる。
【００５０】
第２オープンホール（ＯＰ２）はスペーサ（ＳＰ）が形成された領域に対応して設けられる。第２オープンホール（ＯＰ２）は、第１オープンホール（ＯＰ１）が形成された領域に対応して設けられる。第２オープンホール（ＯＰ２）の平面形状は、スペーサ（ＳＰ）の平面形状及び第１オープンホール（ＯＰ１）の平面形状と対応することができる。
【００５１】
第１オープンホール（ＯＰ１）及び第２オープンホール（ＯＰ２）によって露出されたカソード（ＣＡＴ）の一部は、導電フィラー層（ＣＦＬ）に直接接触される。後述するが、露出されたカソード（ＣＡＴ）の一部は、導電フィラー層（ＣＦＬ）を介して第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と電気的に接続される。
【００５２】
第２基板（ＳＵＢ２）上には、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）及びカラーフィルタ（ＣＦ）が形成される。第２基板（ＳＵＢ２）上で、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカラーフィルタ（ＣＦ）の積層順序は変更されることができる。つまり、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が形成された後、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成されることができ、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成された後、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が形成されることもある。
【００５３】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低抵抗導電物質を含む。例えば、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）はモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）でからなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなることができる。
【００５４】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低反射導電物質を含むことができる。例えば、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）を低反射導電物質で形成することにより、外光の反射によって視認性が低下する問題を防止することができる。したがって、本発明の好ましい実施形態に係る表示装置は、偏光フィルムのように、外部から入射される光を遮断（または、吸収）するための手段を別途備える必要がない。
【００５５】
Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）はブラックマトリクスとして機能することができる。したがって、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は隣接するピクセル間で混色不良が発生することを防止することができる。 Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は、少なくとも発光領域（ＥＡ）を露出することができるように、非発光領域に対応して配置される。また、本発明の好ましい実施形態はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）をブラックマトリックスに利用することができるので、ブラックマトリクスを形成するための別途の追加工程を行う必要がない。したがって、本発明の好ましい実施形態は、従来の構造に比べ工程数を減らすことができ、製造時間とコストを削減することができ、製品の歩留まりを顕著に向上させることができる利点を有する。
【００５６】
カラーフィルタ（ＣＦ）は、赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）のカラーフィルタ（ＣＦ）を含むことができる。ピクセルは赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）を発光するサブピクセルを含むことができ、カラーフィルタ（ＣＦ）は、対応するサブピクセルのそれぞれに割り当てることができる。赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）及び緑色（Ｇ）のカラーフィルタ（ＣＦ）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）によって区画されることができる。
【００５７】
本発明に係る有機発光表示装置は、有機化合物層（ＯＬ）から放出された白色（Ｗ）光が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）画素（ＰＸＬ）に対応する領域にそれぞれ備えた赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のカラーフィルタ（ＣＦ）を通過することにより、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）を実現することができる。必要に応じて、ピクセルは白色（Ｗ）のサブピクセルをさらに含むことができる。
【００５８】
導電フィラー層（ＣＦＬ）は、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）との間に介在され、導電性媒質を含む。導電フィラー層（ＣＦＬ）は溶剤（solven）に導電性フィラー（filler）が散布された形態で構成されることができる。または、導電フィラー層（ＣＦＬ）は、導電性を有する溶剤で構成されることができる。一例として、導電フィラー層（ＣＦＬ）は、伝導性高分子であるＰＥＤＯＴ（Poly（３,４-ethylenedioxythiophene））、及びイオン性液体（Ionic liquid）の内、少なくともいずれかで１つで構成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００５９】
導電フィラー層（ＣＦＬ）の粘度に対応して、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）の合着間隔は適宜選択することができる。本発明は、非導電性フィラーに比べ粘度が低い導電性フィラーを使用するので、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）との間の合着間隔を短くすることができる。これにより、本発明は、広視野角及び高開口率を確保することができる利点を有する。
【００６０】
導電フィラー層（ＣＦＬ）を介して、第１基板（ＳＵＢ１）のカソード（ＣＡＴ）の露出された部分と第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が電気的に接続される。したがって、カソード（ＣＡＴ）とＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）のすべてには低電位電源電圧が印加される。これにより、カソード（ＣＡＴ）、導電フィラー層（ＣＦＬ）、低抵抗のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）は低電位電源電圧が印加される電源経路を形成することができる。
【００６１】
本発明の好ましい実施形態は、低抵抗の導電物質で形成されたＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）をカソード（ＣＡＴ）に接続することにより、位置に応じた電圧偏差を減らすことができるので、輝度ムラ不良を最小化することができる利点を有する。
【００６２】
本発明の好ましい実施形態は、従来のように薄膜トランジスタ基板にＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）を形成するための領域、及びＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカソード（ＣＡＴ）の接続するための領域を別途に割り当てる必要がない。また、本発明の好ましい実施形態は、従来のように薄膜トランジスタ基板にＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）を形成するための領域、及びＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカソード（ＣＡＴ）を接続するための領域を別途に割り当てる必要がないので、対応する位、十分な開口率を確保することができる。また、本発明の好ましい実施形態は、従来のように隔壁など追加構造物を備えるための追加の工程を実行する必要がないので、工程時間、コストを削減することができ、工程の歩留まりを顕著に向上させることができる利点を有する。したがって、本発明の第１実施形態は、高ＰＰＩ（Pixel Per Inch）を有する高解像度の表示装置に容易に適用することができ、設計自由度を顕著に向上させることができる利点を有する。
【００６３】
図５Ａ乃至図５Ｃは、本発明の好ましい実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための図である。以下においては、本発明の特徴である、カソードの一部を露出させる工程だけ具体的に説明することにする。
【００６４】
図５Ａを参照すると、アノード（ＡＮＯ）が形成された第１基板上に、バンク層（ＢＮ）及びスペーサ（ＳＰ）が形成される。バンク層（ＢＮ）とスペーサ（ＳＰ）は、互いに異なる工程を経て順次形成されることができ、ハーフ‐トーンマスクを用いた一つのマスク工程を通じて同時に形成することもできる。スペーサ（ＳＰ）は、バンク層（ＢＮ）上で一つの胴体で設けられ、バンク層（ＢＮ）と同じ平面形状を有することができる。または、スペーサ（ＳＰ）は、バンク層（ＢＮ）上で複数本設けられ、予め設定された位置に選択的に配置することができる。
【００６５】
図５Ｂを参照すると、バンク層（ＢＮ）とスペーサ（ＳＰ）が形成された第１基板上に有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、無機膜（ＩＯＦ）、及び有機膜（ＯＦ）が順次形成される。有機膜（ＯＦ）は、材料特性上、その下部に形成された構造物による段差を補償することができるので、有機膜（ＯＦ）の上部表面は平坦化される。
【００６６】
図５Ｃを参照すると、カソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出させるため、エッチング（etch）工程が行われる。エッチング工程により、有機膜（ＯＦ）の一部の厚さが除去され、有機膜（ＯＦ）の一部の厚さが除去されるに応じて露出されるスペーサ（ＳＰ）上の無機膜（ＩＯＦ）もまた除去される。つまり、エッチング工程により、有機膜（ＯＦ）の厚さが全体の領域で均一に除去される内に、スペーサ（ＳＰ）によって、他の領域に対比相対的に突出している無機膜（ＩＯＦ）の一部が露出される。続いて、エッチング工程をさらに進行すると、有機膜（ＯＦ）と露出された無機膜（ＩＯＦ）の一部が一緒に削除されながら、スペーサ（ＳＰ）によって、他の領域に対比相対的に突出しているカソード（ＣＡＴ）の一部のみが露出される。このように、エッチング工程は、スペーサ（ＳＰ）上に配置されたカソード（ＣＡＴ）の一部が露出されるまで行われるので、スペーサ（ＳＰ）上のカソード（ＣＡＴ）の一部のみが無機膜（ＩＯＦ）と有機膜（ＯＦ）によって覆われておらず、露出される。つまり、スペーサ（ＳＰ）が形成された領域以外のカソード（ＣＡＴ）は、露出されない。
【００６７】
エッチング工程の以後、有機膜（ＯＦ）の上部表面は、露出されたカソード（ＣＡＴ）の上部表面と同一平面上に位置することができ、露出されたカソード（ＣＡＴ）の上部表面の下に位置することができる。エッチング工程の以後、無機膜（ＩＯＦ）の上部表面は、露出されたカソード（ＣＡＴ）の上部表面と同一平面上に位置することができ、露出されたカソード（ＣＡＴ）の上部表面の下に位置することができる。エッチング工程の以後、有機膜（ＯＦ）の上部表面は、露出された無機膜（ＩＯＦ）の上部表面と同じ片面上に位置することができる。
【００６８】
カソード（ＣＡＴ）を露出させるために除去された無機膜（ＩＯＦ）の領域は、第１オープンホール（ＯＰ１）と指称されることができる。カソード（ＣＡＴ）を露出させるために除去された有機膜（ＯＦ）の領域は、第２オープンホール（ＯＰ２）と指称されることができる。エッチング工程時に使用されるエッチング液は、選択された有機膜（ＯＦ）と無機膜（ＩＯＦ）を除去するが、カソード（ＣＡＴ）を構成する物質を損傷させない物質として選択することができる。
【００６９】
このような工程を介して外部に露出されたカソード（ＣＡＴ）の一部は、導電フィラー層（ＣＦＬ、図３）と直接接触することができ、導電フィラー層（ＣＦＬ、図３）を介して第２基板（ＳＵＢ２、図３）に形成されたＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ、図３）と電気的に接続することができる。
【００７０】
以下、電源発生部（図示せず）から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を具体的に説明する。
【００７１】
＜第１実施形態＞
【００７２】
図６は、第１実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。
【００７３】
図６を参照すると、本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板（ＳＵＢ１）の少なくとも一側に合着される接続部材（ＬＭ）をさらに含む。接続部材（ＬＭ）は、ＣＯＦ（Chip On Film）で有り得るが、これに限定されるものではない。
【００７４】
第１基板（ＳＵＢ１）はＥｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）（または、低電位電源パッド部）及び電源電極（ＰＯＥ）を含む。 Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）はシーラント（ＳＬ）の外側に配置され、接続部材（ＬＭ）と電気的に接続される。電源電極（ＰＯＥ）はシーラント（ＳＬ）内側に配置され、導電フィラー層（ＣＦＬ）と電気的に接続される。
【００７５】
Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）は、電源発生部（図示せず）から発生された低電位電源電圧を接続部材（ＬＭ）を介して入力を受けて電源電極（ＰＯＥ）に伝達する。電源電極（ＰＯＥ）は、入力を受けた低電位電源を電圧に導電フィラー層（ＣＦＬ）とカソード（ＣＡＴ）に伝達する。
【００７６】
さらに具体的には、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）は、少なくとも一つ以上のパッド電極を含む。パッド電極が複数である場合、パッド電極は、少なくとも一つの絶縁膜を挟んで互いに異なる層に配置されることができ、前記少なくとも一つの絶縁膜を貫通するパッドコンタクトホールを介して電気的に接続することができる。一例として、図に示されているように、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）はパッシベーション膜（ＰＡＳ）を間に置いて互いに異なる層に配置された第１パッド電極（ＰＥ１）及び第２パッド電極（ＰＥ２）を含むことができ、第１パッド電極（ＰＥ１）及び第２パッド電極（ＰＥ２）はパッシベーション膜（ＰＡＳ）を貫通する第１パッドコンタクトホール（ＰＨ１）を介して互いに接続することができる。以下、説明の便宜のために、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）が、第１パッド電極（ＰＥ１）及び第２パッド電極（ＰＥ２）を含む場合を例に挙げて説明する。
【００７７】
第１パッド電極（ＰＥ１）はシーラント（ＳＬ）の外側で外部に露出される。露出された第１パッド電極（ＰＥ１）は、接続部材（ＬＭ）と接合することができる。接続部材（ＬＭ）と、第１パッド電極（ＰＥ１）は、その間に介在されたＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film、図示せず）層を介して互いに接合されることができる。
【００７８】
第２パッド電極（ＰＥ２）はシーラント（ＳＬ）内側に延長されて、電源電極（ＰＯＥ）と電気的に接続される。このとき、第２パッド電極（ＰＥ２）はパッシベーション膜（ＰＡＳ）を貫通する第２パッドコンタクトホール（ＰＨ２）を介して電源電極（ＰＯＥ）と接触することができる。図面では、第２パッド電極（ＰＥ２）と電源電極（ＰＯＥ）がパッシベーション膜（ＰＡＳ）だけを間に置いて配置された場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、第２パッド電極（ＰＥ２）と電源電極（ＰＯＥ）は、パッシベーション膜（ＰＡＳ）、平坦化膜（ＯＣ）を間に置いて互いに異なる層に配置され、パッシベーション膜（ＰＡＳ）、平坦化膜（ＯＣ）を貫通するコンタクトホールを介して互に電気的に接続することができる。
【００７９】
電源電極（ＰＯＥ）はアノード（ＡＮＯ）が形成されるときに一緒に形成することができる。つまり、電源電極（ＰＯＥ）はアノード（ＡＮＯ）と同じ物質で形成されることができる。ただし、これに限定されるものではない。
【００８０】
電源電極（ＰＯＥ）の少なくとも一部は露出されて、導電フィラー層（ＣＦＬ）と直接接触することができる。電源電極（ＰＯＥ）の少なくとも一部を露出させるためには、第１基板（ＳＵＢ１）の全面に広く形成されるレイヤ（ｌａｙｅｒ）の面積を制御することができる。面積が制御されるレイヤは、電源電極（ＰＯＥ）が形成された以後に形成されるレイヤ、すなわち、有機化合物層（ＯＬ）、カソード（ＣＡＴ）、無機膜（ＩＯＦ）、有機膜（ＯＦ）で有り得る。
【００８１】
具体的に、前述したレイヤは、開口部を有する枠形状で設けられたオープンマスク（open mask、図示せず）を用いて形成される。オープンマスクの開口部の面積は、前述したレイヤが、第１基板（ＳＵＢ１）上で占める面積と対応することができる。したがって、オープンマスクの開口部の面積を制御することにより、電源電極（ＰＯＥ）の少なくとも一部を露出させることができる。露出された電源電極（ＰＯＥ）の一部は、導電フィラー層（ＣＦＬ）と直接接触して、導電フィラー層（ＣＦＬ）に低電位電源電圧を供給することができる。これにより、接続部材（ＬＭ）、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）、及び導電フィラー層（ＣＦＬ）を接続する電源供給経路が形成されることができる。この経路を介して、第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に低電位電圧が供給されることができ、第１基板（ＳＵＢ１）のカソード（ＣＡＴ）に低電位電源電圧が供給されることができる。
【００８２】
また、カソード（ＣＡＴ）は、電源電極（ＰＯＥ）上で、有機化合物層（ＯＬ）を覆うが、その一端が、有機化合物層（ＯＬ）よりさらに突出して電源電極（ＰＯＥ）と直接接触するように形成することができる。すなわち、カソード（ＣＡＴ）の一端は、露出された電源電極（ＰＯＥ）の上部表面と直接接触することができる。これにより、接続部材（ＬＭ）、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）、およびカソード（ＣＡＴ）を接続する電源供給経路が形成されることができる。
【００８３】
本発明の第１実施形態においては、接続部材（ＬＭ）、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）、電源電極（ＰＯＥ）、導電フィラー層（ＣＦＬ）、及びカソード（ＣＡＴ）が電気的に接続されて低電位電源供給経路を形成することができ、接続部材（ＬＭ）、Ｅｖｓｓパッド部（ＥＶＰ１）、電源電極（ＰＯＥ）、導電フィラー層（ＣＦＬ）、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）、及びカソード（ＣＡＴ）が電気的に接続されて低電位電源供給経路を形成することができる。
【００８４】
本発明の第１実施形態は、低電位電源電圧を第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に供給するための、複数の電源供給経路を形成することができる。本発明の第１実施形態は、電源供給経路を十分に確保することで、第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に低電位電源電圧を容易に供給することができる利点を有する。
【００８５】
＜第２実施形態＞
【００８６】
図７は、第２実施形態に係る有機発光表示装置に関するもので、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。第２実施形態を説明することにおいて、第１実施形態と実質的に同一の構成については、説明を省略する。
【００８７】
本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）が合着される構造を有し、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）が既に設定された合着間隔だけ離間される。前述したように、本発明の好ましい実施形態は、円滑な電源供給のために、電源発生部から発生された低電位電源電圧を導電フィラー層（ＣＦＬ）を介して第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に供給する電源供給経路を有することができる。
【００８８】
ただし、第１基板（ＳＵＢ１）の電源電極（ＰＯＥ）と、第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）が、その間に介在された導電フィラー層（ＣＦＬ）を介して電気的に接続されるから、導電フィラー層（ＣＦＬ）の抵抗により電源電圧の供給が容易でないことがある。つまり、電源電極（ＰＯＥ）とＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）との間の間隔が大きくなるほど抵抗が大きくなるにつれて、電源電圧の供給が容易でないことがある。抵抗を考慮して、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）との間の間隔を減らす方法を考慮してみることができるが、第１基板（ＳＵＢ１）と第２基板（ＳＵＢ２）の合着間隔は表示装置の特性を考慮して既に設定された間隔で固定される必要があるので、これを調節するには限界がある。前述した問題を防止するために、本発明の第２実施形態に係る有機発光表示装置は、突出パターン（ＰＤ）を含む。
【００８９】
図７を参照すると、突出パターン（ＰＤ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上で電源電極（ＰＯＥ）と隣接して配置されることができる。図面においては、突出パターン（ＰＤ）が電源電極（ＰＯＥ）と、少なくとも一部重畳された場合を例に示したが、これに限定されるものではない。突出パターン（ＰＤ）は、第２基板（ＳＵＢ２）に向かって突出した形状を有する。突出パターン（ＰＤ）の上部表面はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と隣接して位置することができる。
【００９０】
突出パターン（ＰＤ）は、有機発光表示装置を構成する絶縁膜の内、少なくともいずれか１つを形成する際に一緒に形成することができる。一例として、突出パターン（ＰＤ）は、バンク層形成物質（ＢＮ＿Ａ）またはスペーサ形成物質（ＳＰ＿Ａ）からなる単一層で構成されることができる。他の例として、示されたように、突出パターン（ＰＤ）は、バンク層形成物質（ＢＮ＿Ａ）とスペーサ形成物質（ＳＰ＿Ａ）が積層された複数の層で構成されることができる。工程上の限界によって、単一材質で突出パターン（ＰＤ）を十分に高く形成するには困難が有り得るから、突出パターン（ＰＤ）は、複数の層が積層された形で備えられることが望ましいことがある。
【００９１】
カソード（ＣＡＴ）は、有機化合物層（ＯＬ）を覆うが、有機化合物層（ＯＬ）よりさらに延長配置され、電源電極（ＰＯＥ）と直接接触される。有機化合物層（ＯＬ）は、電源電極（ＰＯＥ）の少なくとも一部を露出することができ、カソード（ＣＡＴ）は、露出された電源電極（ＰＯＥ）の一部に接触することができる。
【００９２】
カソード（ＣＡＴ）は、突出パターン（ＰＤ）を覆うようにさらに延長される。図においては、カソード（ＣＡＴ）が突出パターン（ＰＤ）を完全に覆う場合を例に示したが、これに限定されるものではない。すなわち、カソード（ＣＡＴ）は、第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と隣接するように配置されるよう、突出パターン（ＰＤ）の少なくとも一部を覆うことができるよう延長されると、十分である。カソード（ＣＡＴ）は、突出パターン（ＰＤ）の内、最も突出した部分である上部表面まで延長されて配置されることが望ましい。
【００９３】
無機膜（ＩＯＦ）と有機膜（ＯＦ）は、カソード（ＣＡＴ）が導電フィラー層（ＣＦＬ）と直接接触することができるように、突出パターン（ＰＤ）上に配置されたカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出するように形成される。これは、オープンマスクの開口部の面積を調整することで、実現されることができる。
【００９４】
本発明の第２実施形態は、突出パターン（ＰＤ）を備えることにより、電源電極（ＰＯＥ）とＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）との間の間隔を工程上可能な最小間隔で設定することができる。これにより、前述した抵抗の影響を低減することができるので、安定的に電源電圧をＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に供給できる利点を有する。
【００９５】
＜第３実施形態＞
【００９６】
図８及び図９は、第３実施形態に係る有機発光表示装置に関し、電源発生部から発生された低電位電源電圧の電源供給経路の例を説明するための図である。第３実施形態を説明することにおいて、第１及び第２実施形態と実質的に同一の構成については、説明を省略する。
【００９７】
図８及び図９を参照すると、突出パターン（ＰＤ）は、第１基板（ＳＵＢ１）上で電源電極（ＰＯＥ）と隣接して配置されることができる。図においては、突出パターン（ＰＤ）が電源電極（ＰＯＥ）と、少なくとも一部重畳された場合を例に示したが、これに限定されるものではない。突出パターン（ＰＤ）は、第２基板（ＳＵＢ２）に向かって突出した形状を有する。突出パターン（ＰＤ）の上部表面はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と隣接して位置することができる。
【００９８】
突出パターン（ＰＤ）は、有機発光表示装置を構成する絶縁膜の内、少なくともいずれか１つを形成する際に一緒に形成することができる。一例として、突出パターン（ＰＤ）は、バンク層形成物質またはスペーサ形成物質からなる単一層で構成することができる（図８）。他の例として、突出パターン（ＰＤ）は、バンク層形成物質（ＢＮ＿Ａ）とスペーサ形成物質（ＳＰ＿Ａ）が積層された複数層で構成することができる（図９）。工程上の限界によって、単一材質で突出パターン（ＰＤ）を十分に高く形成するには困難があることがあるので、突出パターン（ＰＤ）は、複数層が積層された形で備えられることが望ましいことがある。
【００９９】
カソード（ＣＡＴ）は、有機化合物層（ＯＬ）を覆うが有機化合物層（ＯＬ）よりさらに延長配置され、電源電極（ＰＯＥ）と直接接触される。有機化合物層（ＯＬ）は、電源電極（ＰＯＥ）の少なくとも一部を露出することができ、カソード（ＣＡＴ）は、露出された電源電極（ＰＯＥ）の一部に接触することができる。
【０１００】
カソード（ＣＡＴ）は、突出パターン（ＰＤ）を覆うように延長される。図においては、カソード（ＣＡＴ）が突出パターン（ＰＤ）を完全に覆う場合を例に示したが、これに限定されるものではない。すなわち、カソード（ＣＡＴ）は、第２基板（ＳＵＢ２）のＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と隣接するように配置されるよう、突出パターン（ＰＤ）の少なくとも一部を覆うことができるよう延長されると、十分である。カソード（ＣＡＴ）は、突出パターン（ＰＤ）の内、最も突出した部分である上部表面まで延長されて配置されることが望ましいことがある。
【０１０１】
無機膜（ＩＯＦ）と有機膜（ＯＦ）は、カソード（ＣＡＴ）が導電フィラー層（ＣＦＬ）と直接接触することができるように、突出パターン（ＰＤ）上に配置されたカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出するように形成される。これは、第１実施形態で説明したように、有機膜（ＯＦ）と無機膜（ＩＯＤ）の厚さの一部を除去するエッチング工程を進行することで、実現されることができる。つまり、エッチング工程を介して、突出パターン（ＰＤ）上のカソード（ＣＡＴ）の一部は、露出されることができる。カソード（ＣＡＴ）の一部を露出するために貫通された無機膜（ＩＯＦ）の一部の領域は、第３オープンホール（ＯＰ３）と指称されることができ、カソード（ＣＡＴ）の一部を露出するために貫通された有機膜（ＯＦ ）の一部の領域は、第４オープンホール（ＯＰ４）と指称されることができる。第４オープンホール（ＯＰ４）は、第３オープンホール（ＯＰ３）及び無機膜（ＩＯＦ）の一部を露出することができる。第３オープンホール（ＯＰ３）は突出パターン（ＰＤ）上に位置するカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出することができ、第４オープンホール（ＯＰ４）は突出パターン（ＰＤ）上に位置するカソード（ＣＡＴ）の少なくとも一部を露出することができる。
【０１０２】
本発明の第３実施形態は、突出パターン（ＰＤ）を備えることにより、電源電極（ＰＯＥ）とＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）との間の間隔を工程上可能な最小間隔で設定することができる。これにより、前述した抵抗の影響を低減することができるので、安定的に電源電圧をＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）に供給できる利点を有する。
【０１０３】
＜第４実施形態＞
【０１０４】
図１０は、本発明の第４実施形態に係る有機発光表示装置を示す断面図である。第４実施形態を説明することにおいて、第１実施形態と実質的に同一の構成要素に対する説明は省略する。
【０１０５】
図１０を参照すると、本発明の第４実施形態に係る有機発光表示装置は、第１基板（ＳＵＢ１、図３）と対向する第２基板（ＳＵＢ２）を含む。第２基板（ＳＵＢ２）上には、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と補助Ｅｖｓｓ配線（または、補助電源配線）（ＡＥＶＬ）が形成される。カラーフィルタ（ＣＦ）は、第１実施形態と同様に、第２基板（ＳＵＢ２）上に位置することができ、必要に応じて、第１基板（ＳＵＢ１）上に位置することもできる。
【０１０６】
補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）の一面は、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と直接接触され、他面は導電フィラー層（ＣＦＬ）と直接接触される。補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と導電フィラー層（ＣＦＬ）との接触面積を広げるための配線であり、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）より広い面積を有するように形成することができる。補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と導電フィラー層（ＣＦＬ）の間に介在されることができる。補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）はＥｖｓｓ配線（ＥＶＬ）とカラーフィルタ（ＣＦ）を覆うように形成されることができ、発光領域を含む第２基板（ＳＵＢ２）の全面に広く形成されることができる。補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のような透明導電物質で形成されることができる。
【０１０７】
本発明の第４実施形態は、補助Ｅｖｓｓ配線（ＡＥＶＬ）を利用することにより、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と導電フィラー層（ＣＦＬ）の間に十分な接触面積を確保することができるので、Ｅｖｓｓ配線（ＥＶＬ）と導電フィラー層（ＣＦＬ）との間の接触不良を最小化することができる。本発明の第４実施形態は、位置に応じた電圧偏差をさらに効果的に減らすことができ、輝度ムラ不良を最小化することができる利点を有する。
【０１０８】
以上説明した内容を通じて当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様に変更及び修正することができる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１０９】
ＳＵＢ１：第１基板            ＳＵＢ２：第２基板
Ｔ：薄膜トランジスタ          ＯＬＥ：有機発光ダイオード
ＯＬ：有機化合物層            ＢＮ：バンク層
ＳＰ：スペーサ                ＣＡＴ：カソード
ＩＯＦ：無機膜                ＯＦ：有機膜
ＥＶＬ:Ｅｖｓｓ配線          ＣＦＬ:導電フィラー層
ＥＶＰ１:Ｅｖｓｓパッド部      ＰＯＥ:電源電極
ＰＤ:突出パターン            ＣＦ:カラーフィルタ
ＳＬ:シーラント              ＡＥＶＬ:補助Ｅｖｓｓ配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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