(57)【要約】      （修正有）【課題】基板実装時に熱衝撃が負荷されたり基板が歪んだりした場合であってもクラック等の構造欠陥の発生を抑制できる信頼性の良好な積層コモンモードチョークコイル等の積層コイル部品を提供する。【解決手段】部品本体１は、内部導体２が埋設された厚みＴ１の第１の誘電体ガラス層３がフェライト材料を主成分とする一対の磁性体層４ａ、４ｂに狭持され、さらにこの一対の磁性体層４ａ、４ｂの各々主面には一対の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂが形成された厚みＴの積層構造を有している。部品本体１の両端部には第１〜第４の外部電極６ａ〜６ｄが形成されている。そして、一対の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂのうち、少なくとも実装基板と対向する第２の誘電体ガラス層５ａの厚みＴ３は１０〜６４μｍである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部導体が埋設された第１の誘電体ガラス層の両主面に一対の磁性体層が形成されると共に、該一対の磁性体層の各々主面に一対の第２の誘電体ガラス層が形成された積層コイル部品において、
前記一対の第２の誘電体ガラス層のうちの少なくとも一方の第２の誘電体ガラス層は、厚みが１０〜６４μｍであることを特徴とする積層コイル部品。
【請求項２】
前記一方の第２の誘電体ガラス層の厚みは、前記磁性体層と前記一方の誘電体ガラス層の合計厚みに対し、比率換算で０．０５〜０．３５であることを特徴とする請求項１記載の積層コイル部品。
【請求項３】
前記第１及び第２の誘電体ガラス層は、ホウケイ酸系ガラスを主成分とするガラス材料を含有していることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の積層コイル部品。
【請求項４】
前記第１及び第２の誘電体ガラス層は、石英を含有していることを特徴とする請求項３記載の積層コイル部品。
【請求項５】
前記第２の誘電体ガラス層は、フォルステライトを含有していることを特徴とする請求項３又は請求項４記載の積層コイル部品。
【請求項６】
前記第２の誘電体ガラス層は、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含有したフェライト材料を含んでいることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の積層コイル部品。
【請求項７】
前記フェライト材料の含有量は、体積比率で１０〜６０vol％であることを特徴とする請求項６記載の積層コイル部品。
【請求項８】
前記磁性体層は、気孔率が面積比率で１〜１３％であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の積層コイル部品。
【請求項９】
前記内部導体は、渦巻き状又は螺旋状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の積層コイル部品。
【請求項１０】
積層コモンモードチョークコイルであることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の積層コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層コイル部品に関し、より詳しくは内部導体が埋設された誘電体ガラス層の両主面に磁性体層が形成された積層コモンモードチョークコイル等の積層コイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、各種電子機器の信号ラインや電源ラインとＧＮＤ（グランド）間で発生するコモンモードのノイズ除去にはコモンモードチョークコイルが広く使用されている。
【０００３】
このコモンモードチョークコイルでは、ノイズ成分はコモンモードで伝送され、信号成分はノーマルモードで伝送されることから、これらの伝送モードの相違を利用し、信号とノイズとに分離してノイズ除去を行っている。
【０００４】
コモンモードチョークコイルのうち、小型で低背な積層タイプのコモンモードチョークコイルも開発されている。
【０００５】
積層タイプのコモンモードチョークコイルとしては、コイル導体が埋設された誘電体ガラス層の両主面に一対の磁性体層を形成した積層構造を有する積層コイル部品が広く知られている。
【０００６】
しかしながら、この種の積層コイル部品では、誘電体ガラス層は低温で焼結する一方で、磁性体層は高温で焼成を開始するため、誘電体ガラス層と磁性体層とで収縮挙動が異なり、斯かる収縮挙動の差に起因し、誘電体ガラス層と磁性体層との界面が層間剥離を招くおそれがある。また、誘電体ガラス層の線膨張係数は、通常、磁性体層の線膨張係数よりも小さいことから、焼成後の冷却過程で両者の線膨張係数の差に起因する応力が、誘電体ガラス層と磁性体層との界面に作用し、これによっても層間剥離を招くおそれがある。
【０００７】
そこで、例えば、特許文献１では、図４に示すように、コイル導体１０１が埋設された誘電体ガラス層（ガラス材料からなる非磁性体層）１０２の両主面に磁性体層１０３ａ、１０３ｂを形成して積層体１０４を構成すると共に、積層体１０４の両主面に更に誘電体ガラス層（非磁性体層）１０５ａ、１０５ｂを形成し、誘電体ガラス層１０２と磁性体層１０３とが層間剥離しないように誘電体ガラス層１０５ａ、１０５ｂで積層体１０４を拘束した積層コイル部品が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１７−７３４７５号公報（請求項１、図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１では、積層コイル部品を基板実装した場合、基板近傍部分の誘電体ガラス層にクラック等の構造欠陥が発生するおそれがある。
【００１０】
図５は、積層コイル部品の実装状態を示す断面図である。
【００１１】
すなわち、積層コイル部品は、積層体１０４及び誘電体ガラス層１０５ａ、１０５ｂを備えた部品本体（チップ本体）１０６の両端部に外部電極１０７ａ、１０７ｂが形成されており、外部電極１０７ａ、１０７ｂと基板１０８とははんだ１０９を介して接続されている。
【００１２】
基板実装は、通常、リフロー炉を使用した加熱処理により行われるため、実装時に熱衝撃が負荷されたり基板１０８に歪みが生じることがある。そして、このように熱衝撃が負荷されたり基板１０８に歪みが生じると、基板１０８と対向するガラス層１０５ｂに引張応力が作用し、基板１０８とガラス層１０５ｂの接続部分やガラス層１０５ｂにクラック等の構造欠陥１１０、１１１が発生するおそれがある。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、基板実装時に熱衝撃が負荷されたり基板が歪んだりした場合であってもクラック等の構造欠陥の発生を抑制できる信頼性の良好な積層コモンモードチョークコイル等の積層コイル部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
内部導体が埋設された誘電体ガラス層を一対の磁性体層で狭持するタイプの積層コイル部品では、誘電体ガラス層と磁性体層との界面で層間剥離が生じないように、誘電体ガラス層を一対の磁性体層で狭持した積層体を更に一対の誘電体ガラス層を外層側に設け、外層側の一対の誘電体ガラス層で積層体を拘束するのが好ましい。
【００１５】
ところで、誘電体ガラス層を形成するガラス材料は、磁性体層の主成分であるフェライト材料に比べて線膨張係数が小さいことが知られている。したがって、焼成工程や外部電極形成工程における焼付処理で高温から常温に冷却する過程において、磁性体層に接する外層側の誘電体ガラス層には圧縮応力が負荷される。また、誘電体ガラス層表面の圧縮応力が高い程、外的応力に対して機械的強度が増すことが知られている。また、本発明者らの鋭意研究の結果、外層側の誘電体ガラス層の厚みが圧縮応力に影響を及ぼすことが分かった。
【００１６】
そして、本発明者らが更に鋭意研究を進めたところ、実装基板と対向する磁性体層の外層側の誘電体ガラス層の厚みが、１０〜６４μｍの範囲となるように薄くすることにより、圧縮応力を十分に高めることができ、これにより機械的強度が向上し、積層体間で層間剥離が生じることもなくクラック等の構造欠陥が生じるのを抑制することができるという知見を得た。
【００１７】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る積層コイル部品は、内部導体が埋設された第１の誘電体ガラス層の両主面に一対の磁性体層が形成されると共に、該一対の磁性体層の各々主面に一対の第２の誘電体ガラス層が形成された積層コイル部品において、前記一対の第２の誘電体ガラス層のうちの少なくとも一方の第２の誘電体ガラス層は、厚みが１０〜６４μｍであることを特徴としている。
【００１８】
また、本発明の積層コイル部品は、前記一方の第２の誘電体ガラス層の厚みは、前記磁性体層と前記一方の誘電体ガラス層の合計厚みに対し、比率換算で０．０５〜０．３５であるのが好ましい。
【００１９】
このように第２の誘電体ガラス層の厚みと磁性体層の厚みとの関係を規定することにより所望の低背な積層コイル部品を得ることができる。
【００２０】
また、本発明の積層コイル部品は、前記第１及び第２の誘電体ガラス層は、ホウケイ酸ガラスを主成分とするガラス材料を含有しているのが好ましい。
【００２１】
これにより、ホウケイ酸ガラスの比誘電率は比較的低いことから、高周波特性の良好な積層コイル部品を得ることができる。
【００２２】
さらに、本発明の積層コイル部品は、前記第１及び第２の誘電体ガラス層は、石英を含有しているのが好ましい。
【００２３】
石英の比誘電率はホウケイ酸ガラスの比誘電率よりも更に低いことから、より低比誘電率の積層コイル部品を得ることができ、より一層の高周波特性の向上を図ることができる。
【００２４】
また、本発明の積層コイル部品は、前記第２の誘電体ガラス層は、更にフォルステライトを含有しているのが好ましい。
【００２５】
フォルステライトは抗折強度が高いことから、第２の誘電体ガラス層にフォルステライトを含有させることにより、機械的強度がより一層向上した積層コイル部品を得ることができる。
【００２６】
また、本発明の積層コイル部品は、前記第２の誘電体ガラス層が、少なくともＦｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕを含有したフェライト材料を含んでいるのも好ましい。
【００２７】
フェライト材料は抗折強度が高いことから、第２の誘電体ガラス層にフェライト材料を含有させることにより、機械的強度がより一層向上した積層コイル部品を得ることができる。
【００２８】
この場合、前記フェライト材料の含有量は、体積比率で１０〜６０ｖｏｌ％であるのが好ましい。
【００２９】
また、本発明の積層コイル部品は、前記磁性体層が、気孔率が面積比率で１〜１３％であるのが好ましい。
【００３０】
これにより磁性体層は緻密に焼結されることから、磁性体層の強度が向上し、実装時に熱衝撃が負荷されたり基板に歪みが生じた場合であっても、磁性体層にクラック等の構造欠陥が生じるのを抑制することができる。
【００３１】
また、本発明の積層コイル部品は、前記内部導体が、渦巻状又は螺旋状に形成されているのが好ましい。
【００３２】
また、本発明の積層コイル部品は、積層コモンモードチョークコイルであるのが好ましい。
【００３３】
これにより高強度で高周波特性の良好な積層コモンモードチョークコイルを得ることができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の積層コイル部品によれば、内部導体が埋設された第１の誘電体ガラス層の両主面に一対の磁性体層が形成されると共に、該一対の磁性体層の各々主面に一対の第２の誘電体ガラス層が形成された積層コイル部品において、前記一対の第２の誘電体ガラス層のうちの少なくとも一方の第２の誘電体ガラス層は、厚みが１０〜６４μｍであるので、第２の誘電体ガラス層表面の圧縮応力を高めることができて機械的強度を向上させることができ、これにより積層体間で層間剥離が生じることもなくクラック等の構造欠陥が生じるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る積層コイル部品としての積層コモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す模式的に示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】積層成形体を模式的に示す分解斜視図である。
【図４】特許文献１に記載された積層コモンモードチョークコイルを示す断面図である。
【図５】特許文献１の課題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３７】
図１は、本発明に係る積層コイル部品としての積層コモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【００３８】
この積層コモンモードチョークコイルは、部品本体１は、内部導体２が埋設された厚みＴ１の第１の誘電体ガラス層３がフェライト材料を主成分とする一対の磁性体層４ａ、４ｂに狭持され、さらにこの一対の磁性体層４ａ、４ｂの各々主面には一対の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂが形成され、厚みＴの積層構造を有している。また、部品本体１の両端部には第１〜第４の外部電極６ａ〜６ｄが形成されている。
【００３９】
第１の誘電体ガラス層３は、図２に示すように、第１〜第５の誘電体ガラスシート８ａ〜８ｅが積層された焼結体で形成されると共に、内部導体２は、巻き方向が互いに同一方向となるようにコイル状（渦巻状）に形成された第１及び第２のコイル導体９、１０を有し、前記第１コイル導体９と第２のコイル導体１０とが、前記第１の誘電体ガラス層３に埋設されている。そして、第１のコイル導体９は、第２の誘電体ガラスシート８ｂ上に形成された第１のコイル部１１ａと、第２の誘電体ガラスシート８ｂを貫通する第１の導通ビア１１ｂと、第１の誘電体ガラスシート８ａ上に形成された第１の引出導体部１１ｃとを有し、第１のコイル部１１ａ、第１の導通ビア１１ｂ、及び第１の引出導体部１１ｃが電気的に接続されている。また、第２のコイル導体１０は、第３の誘電体ガラスシート８ｃ上に形成された第２のコイル部１２ａと、第４の誘電体ガラスシート８ｄを貫通する第２の導通ビア１２ｂと、第４の誘電体ガラスシート８ｄ上に形成された第２の引出導体部１２ｃとを有し、第２のコイル部１２ａ、第２の導通ビア１２ｂ、及び第２の引出導体部１２ｃが電気的に接続されている。そして、本積層コモンモードチョークコイルは、第２の誘電体ガラス層５ａが実装基板（不図示）と対向するように配され、はんだを介して実装基板に電気的に接続される。
【００４０】
このように構成された積層コモンモードチョークコイルは、第１及び第２のコイル導体９、１０にノーマルモードの電流が流れると、該第１及び第２のコイル導体９、１０には互いに逆方向に磁束が発生し、磁束が打ち消しあうことからインダクタとしての機能は生じない。一方、第１及び第２のコイル導体９、１０にコモンモードの電流が流れると、該第１及び第２のコイル導体９、１０には同一方向に磁束が発生し、インダクタとして機能する。このように積層コモンモードチョークコイルでは、ノーマルモードに対してはインダクタとして機能せず、コモンモードに対してのみインダクタとして機能することにより、ノイズ成分を除去している。
【００４１】
そして、本発明では、第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みＴ３が、１０〜６４μｍに形成されており、実装基板と対向する第２の誘電体ガラス層５ａの厚みＴ３が薄いことからは、第２の誘電体ガラス層５ａ表面の圧縮応力を高めることができて機械的強度が向上し、これにより積層体間で層間剥離が生じることもなくクラック等の構造欠陥が生じるのを抑制することができる。
【００４２】
すなわち、ガラス材料は、フェライト材料に比べ線膨張係数が小さいことから、焼成工程や外部電極形成工程の焼付処理で高温から常温に冷却する際に実装基板に対向する第２の誘電体ガラス層５ａに圧縮応力が負荷される。
【００４３】
しかるに、本発明者らの研究結果により、実装基板に対向する第２の誘電体ガラス層５ａの厚みＴ３が圧縮応力に影響を及ぼし、第２の誘電体ガラス層５ａの厚みＴ３を薄くし、第２の誘電体ガラス層５ａの厚みＴ３を１０〜６４μｍに規定することにより、所望の圧縮応力が得られて機械的強度が増すことを見出した。
【００４４】
すなわち、第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みＴ３が１０μｍ未満になると、第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂで磁性体層４ａ、４ｂ及び第１の誘電体ガラス層３を拘束するという機能を発揮することができず、磁性体層４ａ、４ｂと第１の誘電体ガラス層３との界面で層間剥離が生じたり或いは第２の誘電体ガラス層５ａにクラック等の構造欠陥が生じるおそれがある。
【００４５】
一方、第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みＴ３が６４μｍを超えると、十分な圧縮応力が第２の誘電体ガラス層５ａに負荷されず、第２の誘電体ガラス層５ａには引張応力が作用して該第２の誘電体ガラス層５ａにクラック等の構造欠陥が生じるおそれがある。
【００４６】
そして、本積層コモンモードチョークコイルは、低背化の要請を踏まえて全体の厚みＴを０．５ｍｍ又はそれ以下とするのが好ましく、斯かる観点からは第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みＴ３は、磁性体層４及び第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの合計厚み（Ｔ２＋Ｔ３）に対し、比率換算で、すなわち｛Ｔ３／（Ｔ２＋Ｔ３）｝値で０．０５〜０．３５が好ましい。
【００４７】
第１及び第２の誘電体ガラス層４、５ａ、５ｂを形成するガラス材料としては、特に限定されるものではないが、Ｓｉ及びＢを主成分としたホウケイ酸系ガラスを使用するのが好ましい。ホウケイ酸系ガラスは比誘電率が４．０〜５．０と低く、良好な高周波特性を得ることができる。例えば、ＳｉＯ２：７０〜８５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：１０〜２５ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：０．５〜５ｗｔ％、及びＡｌ２Ｏ３：０〜５ｗｔ％とされたホウケイ酸系ガラスを好んで使用することができる。
【００４８】
また、この第１及び第２の誘電体ガラス層４、５ａ、５ｂには石英（ＳｉＯ２）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラー成分を２〜３０ｗｔ％程度含有させるのも好ましい。
【００４９】
石英は、比誘電率が約３．８であり、ホウケイ酸系ガラスに比べて更に低いことから、例えば、石英を２〜３０ｗｔ％の範囲で第１の誘電体ガラス層３に含有させることにより、第１の誘電体ガラス層３の比誘電率の更なる低下が可能となり、より一層の高周波特性の向上を図ることができる。
【００５０】
また、磁性体層４ａ、４ｂの外層となる第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂには、前記石英と共に或いは前記石英に代えてフォルステライトを含有させるのも好ましい。フォルステライトは、比誘電率が約６．５であり、ホウケイ酸系ガラスや石英に比べて高いが、抗折強度が高く、機械的強度を向上させることができる。したがって、クラック等の構造欠陥が生じないように機械的強度を高める観点からは、例えば、石英と共に又は石英に代えてフォルステライトを総計で２〜３０ｗｔ％の範囲で第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂに含有させるのが好ましい。
【００５１】
さらに前記第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂには、石英やフォルステライトに代えて或いは石英やフォルステライトに加えてフェライト材料を含有させるのも好ましい。フェライト材料も、比誘電率が約１０であり、ホウケイ酸系ガラスに比べて高いが、抗折強度が高く、機械的強度を向上させることができる。したがって、クラック等の構造欠陥が生じないように機械的強度を高める観点からは、例えば、フェライト材料を総計で１０〜６０ｖｌ％の範囲で第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂに含有させるのも好ましい。
【００５２】
ここで、磁性体層４ａ、４ｂを形成するフェライト材料及び第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂに含有され得るフェライト材料については、特に限定されるものではなく、例えば、スピネル型結晶構造を有するＺｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系フェライト材料、Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト材料、Ｎｉ系フェライト材料等を使用することができるが、ガラス材料と収縮挙動が近似するＺｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系フェライト材料を好んで使用することができる。この場合、フェライト材料の組成範囲も特に限定されるものではなく、例えば、Ｚｎ−Ｃｕ−Ｎｉ系フェライト材料の場合であれば、Ｆｅ２Ｏ３：４０〜４９．５ｍｏｌ％、ＺｎＯ：５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜１２ｍｏｌ％、残部：ＮｉＯ及び微量添加剤（不可避不純物を含む。）となるように配合されたものを好んで使用することができる。
【００５３】
また、磁性体層４ａ、４ｂは、気孔率が面積比率で１〜１３％であるのが好ましい。これにより磁性体層は緻密に焼結されることから、磁性体層の強度が向上し、実装時に熱衝撃が負荷されたり実装基板に歪みが生じた場合であっても、磁性体層にクラック等の構造欠陥が生じるのをより一層抑制することができる。さらに、気孔率が面積比率で１〜５％とすることにより、絶縁抵抗が高くなり、外部電極形成時のめっき成長を抑制することが可能となる。
【００５４】
尚、第１及び第２のコイル導体９、１０の導体材料としては、特に限定されるものではなく、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の各種導電性材料を使用することが可能であるが、通常は比較的安価で大気雰囲気で焼成可能なＡｇを主成分とした導電性材料を好んで使用することができる。
【００５５】
次に、上記積層コモンモードチョークコイルの製造方法を詳述する。
【００５６】
図３は本積層コモンモードチョークコイルの中間生成物である積層成形体を模式的に示す分解斜視図である。
【００５７】
［磁性体シート１３ａ、１３ｂの作製］
Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ等のフェライト素原料を所定量秤量し、これら秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼し、仮焼粉末を作製する。
【００５８】
次いで、この仮焼粉末にポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤をＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製する。
【００５９】
次に、ドクターブレード法等の成形加工法を使用し、前記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚３０〜４０μｍの複数枚の磁性体シート１３ａ、１３ｂを得る。
【００６０】
［第１〜第５の誘電体ガラスシート８ａ〜８ｅ、外層用誘電体ガラスシート１４ａ、１４ｂの作製］
焼成後のガラス成分の組成が、所定組成となるようにＳｉ化合物、Ｂ化合物等のガラス素原料を秤量し、この秤量物を白金坩堝に投入し、１５００〜１６００℃の温度で所定時間溶融させ、ガラス融液を作製する。次いで、このガラス融液を急冷した後、粉砕し、これによりガラス粉末を得る。
【００６１】
次に、このガラス粉末に対し必要に応じて石英、フォルステライト、及びアルミナ等のフィラー成分を所定量混合した後、これをポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をＰＳＺボールと共に、ポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、誘電体ガラススラリーを作製する。
【００６２】
次に、ドクターブレード法等の成形加工法を使用し、前記誘電体ガラススラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚１０〜３０μｍの第１〜第５の誘電体ガラスシート８ａ〜８ｅ及び外層用誘電体ガラスシート１４ａ、１４ｂを作製する。
【００６３】
［第１及び第２の導電膜１５、１６の作製］
Ａｇ等を主成分とする導電性ペーストを用意する。そして、スクリーン印刷法等の塗布法を使用し、第１の誘電体ガラスシート８ａ上に導電性ペーストを塗布し、所定形状の第１の引出導体パターン１５ａを作製する。次に、レーザ照射等により第２の誘電体ガラスシート８ｂの所定箇所にビアホールを形成し、該ビアホールに導電性ペーストが充填して第１のビア導体１５ｂを形成する。その後スクリーン印刷法等の塗布法を使用し、誘電体ガラスシート８ｂ上に渦巻状に第１のコイルパターン１５ｃを形成し、第１の引出導体パターン１５ａ、第１のビア導体１５ｂ、及び第１のコイルパターン１５ｃからなる第１の導電膜１５を作製する。
【００６４】
同様に、スクリーン印刷法等の塗布法を使用して第３の誘電体ガラスシート８ｃ上に導電性ペーストを塗布し、渦巻状に第２のコイルパターン１６ａを作製する。次に、レーザ照射等により第４の誘電体ガラスシート８ｄの所定箇所にビアホールを形成し、該ビアホールに導電性ペーストが充填して第２のビア導体１６ｂを形成する。その後スクリーン印刷法等の塗布法を使用して第４の誘電体ガラスシート８ｄ上に第２の引出導体パターン１６ｃを形成し、第２のコイルパターン１６ａ、第２のビア導体１６ｂ及び第２の引出導体パターン１６ｃを有する第２の導電膜１６を形成する。
【００６５】
［積層コモンモードチョークコイルの作製］
焼成後の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みが１０〜６４μｍとなるように所定枚数の外層用誘電体ガラスシート１４ａを積層した後、磁性体シート１３ａを積層し、次いで第１及び第２の導電膜１５、１６が形成された第１〜第５の誘電体ガラスシート８ａ〜８ｅを順次積層し、さらに第５の誘電体ガラスシート８ｅ上に所定枚数の磁性体シート１３ｂ及び外層用誘電体ガラスシート１４ｂを積層した状態で、これを加熱・圧着させ、これにより積層成形体を作製する。
【００６６】
次いで、この積層成形体を匣に入れ、大気雰囲気下、３５０〜５００℃の加熱温度で脱バインダ処理を行い、その後、８５０〜９２０℃の温度で２時間焼成処理を行い、これにより外層用誘電体ガラスシート１４ａ、１４ｂ、磁性体シート１３ａ、１３ｂ、第１〜第５の誘電体ガラスシート８ａ〜８ｅ、第１及び第２の導電膜１５、１６が共焼成される。そして、内部導体２（第１及び第２のコイル導体９、１０）が埋設された第１の誘電体ガラス層３、該第１の誘電体ガラス層３を狭持する一対の磁性体層４ａ、４ｂ、及び磁性体層４ａ、４ｂの主面に形成された一対の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂからなる部品本体１を得る。
【００６７】
その後、この部品本体１の両端部の所定箇所にＡｇ等を主成分とした外部電極用導電性ペーストを塗布し、９００℃程度の温度で焼き付け処理を行って下地電極を形成し、その上にＮｉめっき及びＳｎめっきを順次行って下地電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成し、これにより第１〜第４の外部電極６ａ〜６ｄを作製する。すなわち、第１の引出導体部１１ｃが第１の外部電極６ａに電気的に接続されると共に第１のコイル部１１ａが第３の外部電極６ｃに電気的に接続され、また、第２のコイル部１２ａが第４の外部電極６ｄに電気的に接続されると共に第２の引出導体部１２ｃが第２の外部電極６ｂに電気的に接続され、これにより図１及び図２のような積層コモンモードチョークコイルが作製される。
【００６８】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、一対の第２の誘電体ガラス層５ａ、５ｂの厚みＴ３を同一厚みに形成しているが、本発明は実装基板に対向する第２の誘電体ガラス層５ａの厚みを１０〜６４μｍにして圧縮応力を高めるのが肝要であることから、一方の第２の誘電体ガラス５ａとは反対側の他方の第２の誘電体ガラス層５ｂについては、その厚みは特に限定されるものではない。
【００６９】
また、第１及び第２の誘電体ガラス層３、５ａ、５ｂや磁性体層４ａ、４ｂの形成材料についても、性能に影響を与えない範囲で上述した材料以外に適宜添加物を含有させてもよい。
【００７０】
また、上記実施の形態ではコイル形状が渦巻状の２つの内部導体２（第１及び第２のコイル導体９、１０）を第１の誘電体ガラス層３に埋設させているが、内部導体の形態はコイル形状であれば特に限定されるものではなく、複数の導通ビアを介して螺旋状に形成した内部導体を第１の誘電体ガラス層３に埋設させてもよい。
【００７１】
また、上記実施の形態では、積層コモンモードチョークコイルを例示して説明したが、その他の積層コイル部品に適用可能であるのはいうまでもない。
【００７２】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００７３】
［試料の作製］
（磁性体シートの作製）
Ｆｅ２Ｏ３が４８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２６ｍｏｌ％、ＣｕＯが８ｍｏｌ％、残部がＮｉＯとなるようにこれらフェライト素原料を所定量秤量し、その秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに投入し、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼し、仮焼粉末を作製した。
【００７４】
次いで、この仮焼粉末にポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤をＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、磁性体スラリーを作製した。
【００７５】
次に、ドクターブレード法を使用し、前記磁性体スラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚３０〜４０μｍの磁性体シートを作製した。
【００７６】
（誘電体ガラスシートの作製）
ＳｉＯ２が７８ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが２ｗｔ％となるように、これらのガラス素原料を秤量し、その秤量物を白金坩堝に投入し、組成成分に応じて１５００〜１６００℃の温度で２時間溶融させ、ガラス融液を得た。次に、このガラス融液を急冷した後、粉砕し、平均粒径１．０μｍのガラス粉末を得た。
【００７７】
次いで、フィラー成分として平均粒径が０．５〜１．５μｍの石英粉末及びアルミナ粉末を用意した。そして、ガラス粉末が８５ｗｔ％、石英粉末が１２ｗｔ％、及びアルミナ粉末が３ｗｔ％となるようにこれらガラス粉末、石英粉末及びアルミナ粉末を秤量して混合し、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及び可塑剤をＰＳＺボールと共に、ポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、誘電体ガラススラリーを作製した。
【００７８】
次に、ドクターブレード法を使用し、前記誘電体ガラススラリーをシート状に成形加工し、これにより膜厚が７〜３０μｍの誘電体ガラスシートを作製した。
【００７９】
（導電膜の作製）
Ａｇ系導電性ペーストを用意し、上記誘電体ガラスシートのうちの一部の誘電体ガラスシートにスクリーン印刷法を使用して前記Ａｇ系導電性ペーストを塗布し、渦巻状のコイルパターン又は引出導体パターンを形成した。また、誘電体ガラスシートの他の一部の誘電体ガラスシートに対し所定箇所にレーザ照射を行ってビアホールを形成し、該ビアホールにＡｇ系導電性ペーストを充填し、ビア導体を形成した。
【００８０】
（焼成処理）
焼成後の第１の誘電体ガラス層Ｔ１、磁性体層の厚みＴ２、及び第２の誘電体ガラス層の厚みＴ３が、表１となるように磁性体シート、導電膜が形成された誘電体ガラスシート、及び導電膜が形成されていない誘電体ガラスシートを所定順序で積層し、加熱下、加圧して圧着し、これにより積層成形体を得た。そして、この積層成形体を匣に入れて大気雰囲気下、５００℃で脱バインダ処理を行い、その後、９００℃の焼成温度で２時間焼成し、これにより試料番号１〜６の部品本体を得た。
【００８１】
（外部電極の形成）
この部品本体の両端面にＡｇ系導電性ペーストを塗布し、９００℃の温度で焼き付け処理を９００℃程度の温度で焼き付け処理を行って下地電極を形成し、その上にＮｉめっき及びＳｎめっきを順次行って下地電極上にＮｉ皮膜及びＳｎ皮膜を形成し、これにより第１〜第４の外部電極を作製し、試料番号１〜６の試料を得た。
【００８２】
得られた試料の外形寸法は、長さＬが０．８ｍｍ、幅Ｗが０．６５ｍｍ、厚みＴが０．４５ｍｍであった。
【００８３】
［試料の評価］
試料番号１〜６の各試料３０個について、リフロー前検査を行った。すなわち各試料３０個について、試料表面を光学顕微鏡で観察し、リフロー加熱処理を行う前に層間剥離やクラック等の構造欠陥が発生していないか否かを確認した。そして、各試料３０個について、１つでも構造欠陥が認められた試料を不良（×）と判断した。
【００８４】
次に、リフロー前検査で良品と判断された試料について、リフロー加熱処理を行い、構造欠陥の発生有無を確認した。
【００８５】
すなわち、表面にランド電極が形成されたガラスエポキシ樹脂製の実装基板を用意した、そしてＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のソルダーペーストをランド電極に塗布し、塗布されたソルダーペースト上に各試料３０個を搭載し、以下のリフロー条件で加熱処理を行った。
【００８６】
＜リフロー条件＞
リフロー炉：タムラ製作所社製、ＴＮＲ２５−４３５ＰＨ
コンベア速度：０．７５ｍ／min
ブロワ回転数：２５００ｒｐｍ
最高温度：２３０℃
加熱処理後の各試料について、平面方向に研磨した後、研磨面を光学顕微鏡で観察し、クラック等の構造欠陥が発生していないか否かを確認した。そして、各試料３０個のうち１つでも構造欠陥が認められた試料を不良（×）と判断した。
【００８７】
表１は試料番号１〜６の各試料の第１の誘電体ガラス層の厚みＴ１、磁性体層の厚みＴ２、及び第２の誘電体ガラス層Ｔ３の各厚み、磁性体層と第２の誘電体ガラス層の合計厚み（Ｔ２＋Ｔ３）に対する第２の誘電体ガラス層の厚みＴ３、すなわち｛Ｔ３／（Ｔ２＋Ｔ３）｝値、及びリフロー前後における構造欠陥発生の有無を示している。
【００８８】
【表１】
2019102507.tif 000003
【００８９】
試料番号１は、第２の誘電体ガラス層が形成されておらず、第１の誘電体ガラス層を磁性体層で狭持しているのみであるので、第１の誘電体ガラス層と磁性体層との間の収縮挙動の差を十分に吸収することができず、内部応力を十分に緩和することができないことから、層間剥離やクラック等の構造欠陥が発生した。
【００９０】
試料番号２は、第２の誘電体ガラス層の厚みが７μｍと薄く、このため試料番号１と同様の理由から、層間剥離やクラック等の構造欠陥が発生した。
【００９１】
一方、試料番号６は、第１の誘電体ガラス層と磁性体層との間の内部応力を十分に緩和することができ、リフロー前検査では層間剥離やクラック等の構造欠陥は発生しなかった。しかしながら、第２の誘電体ガラス層の厚みＴ３が８０μｍと厚いことから、リフロー加熱処理時の熱衝撃等で第２の誘電体ガラス層には引張応力が負荷され、その結果、第２の誘電体ガラス層にクラック等の構造欠陥が発生した。
【００９２】
これに対し試料番号３〜５は、第２の誘電体ガラス層の厚みＴ３が１０〜６４μｍであり、本発明範囲内であるので、リフロー前及びリフロー後の双方で層間剥離やクラック等の構造欠陥が発生しないことが分かった。
【００９３】
そして、第２の誘電体ガラス層と磁性体層の合計厚み（Ｔ２＋Ｔ３）に対する第２の誘電体ガラス層の厚みＴ３、すなわち｛Ｔ３／（Ｔ２＋Ｔ３）｝値は０．０５〜０．３５が好ましいことが分かった。
【実施例２】
【００９４】
石英及び／又はフォルステライトが表２に示す含有量となるように第１及び第２の誘電体ガラス層のガラス組成を調製にした以外は、実施例１の試料番号４と同様の方法・手順で試料番号１１〜１７の試料を作製した。
【００９５】
次いで、試料番号１１〜１７の各試料について、最高温度を２３０℃又は２７０℃とした以外は実施例１と同様のリフロー条件で加熱処理を行った。
【００９６】
そして、加熱処理後の各試料について実施例１と同様の評価を行い、各試料３０個のうち１つでも構造欠陥が認められた試料を不良（×）と判断した。
【００９７】
【表２】
2019102507.tif 000004
【００９８】
この表２から明らかなように、試料番号１１は、第２の誘電体ガラス層にフォルステライトが含有されていないため、機械的強度が若干劣り、最高温度が２３０℃のリフロー加熱処理では不良は認められなかったものの、最高温度が２７０℃のリフロー加熱処理では不良が認められた。
【００９９】
これに対し試料番号１２〜１７は、第２の誘電体ガラス層がフィラーとしてフォルステライトを２〜３０ｗｔ％の範囲で含有しているので、第２の誘電体ガラス層の機械的強度が向上し、その結果、磁性体層と第１及び第２の誘電体ガラス層との間で構造欠陥は生じないことが確認された。
【実施例３】
【０１００】
第１の誘電体ガラス層をガラス材料：７０ｗｔ％、石英：３０ｗｔ％とし、第２の誘電体ガラス層を表３に示すような体積含有量でフェライト材料を含有させた以外は、実施例１の試料番号４と同様の方法・手順で試料番号２１〜２５の試料を作製した。
【０１０１】
ここで、フェライト材料及びガラス材料の体積含有量は以下のようにして求めた。
【０１０２】
すなわち、各試料が垂直になるように立てて、長さＬ及び幅Ｗで規定されるＬＷ面が表面露出するように試料周りを樹脂で固めた。そして、研磨機で上方から下方方向に架けて磁性体層の略中央部分まで研磨した。そして、この研磨面を走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で撮像し、画像解析ソフト（旭化成エンジニアリング社製、Ａ像くん）を使用してＳＥＭ画像を解析し、フェライト相とガラス相の面積をそれぞれ算出し、画像領域中でのフェライト相の占める面積比率をフェライト相の体積含有量、ガラス相の占める面積比率をガラス相の体積含有量とした。
【０１０３】
尚、フェライト材料としては実施例１の磁性体シートと同様の成分組成のものを使用した。
【０１０４】
次いで、試料番号２１〜２５の各試料について、実施例２と同様、最高温度を２３０℃又は２７０℃とし、リフロー加熱処理を行った。
【０１０５】
そして、加熱処理後の各試料について実施例１と同様の評価を行い、各試料３０個のうち１つでも構造欠陥が認められた試料を不良（×）と判断した。
【０１０６】
【表３】
2019102507.tif 000005
【０１０７】
この表３から明らかなように、試料番号２１は、第２の誘電体ガラス層にフェライト材料が含有されていないため、機械的強度が若干劣り、最高温度が２３０℃のリフロー加熱処理では不良は認められなかったものの、２７０℃のリフロー加熱処理では不良が認められた。
【０１０８】
これに対し試料番号２２〜２５は、第２の誘電体ガラス層にフェライト材料を１０〜６０ｖｏｌ％の範囲で含有しているので、第２の誘電体ガラス層の機械的強度が向上し、その結果、磁性体層と第１及び第２の誘電体ガラス層との間で構造欠陥は生じないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
外層が誘電体ガラス層で形成されたタイプの積層コイル部品において、実装時に熱衝撃が負荷された基板が歪んでも外層の誘電体ガラス層に層間剥離やクラック等の構造欠陥が生じるのを抑制する。
【符号の説明】
【０１１０】
２  内部導体
３  第１の誘電体ガラス層
４ａ、４ｂ  磁性体層
５ａ、５ｂ  第２の誘電体ガラス層
【図１】
2019102507.tif 000006
【図２】
2019102507.tif 000007
【図３】
2019102507.tif 000008
【図４】
2019102507.tif 000009
【図５】
2019102507.tif 000010