(57)【要約】【課題】熱伝導性に優れた伝熱基板を提供する。【解決手段】三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格とこの開放気孔に充填された樹脂とから構成された基材の少なくとも一方の主面に無機粒子と樹脂とからなる複合絶縁層が形成されてなることを特徴とする伝熱基板。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格とこの開放気孔に充填された樹脂とから構成された基材の少なくとも一方の主面に無機粒子と樹脂とからなる複合絶縁層が形成されてなることを特徴とする伝熱基板。
【請求項２】
前記開放気孔の気孔率は１０〜５０％である請求項１に記載の伝熱基板。
【請求項３】
前記高熱伝導性のセラミックは、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素からなる群から選択された少なくとも１種である請求項１又は２に記載の伝熱基板。
【請求項４】
前記開放気孔に充填された樹脂は、低弾性樹脂である請求項１〜３のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項５】
前記開放気孔に充填された樹脂は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選択された少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項６】
前記複合絶縁層を構成する樹脂は、低弾性樹脂である請求項１〜５のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項７】
前記複合絶縁層を構成する樹脂は、Ｂステージ状の未硬化の樹脂である請求項１〜６のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項８】
前記複合絶縁層を構成する樹脂は、ポリイミド樹脂である請求項１〜７のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項９】
前記無機粒子は、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリカ及びアルミナからなる群から選択された少なくとも１種である請求項１〜８のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【請求項１０】
半導体から発せられる熱を伝熱するための伝熱シートとして使用される請求項１〜９のいずれか１項に記載の伝熱基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、伝熱基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体は、通電のための導体と、絶縁材料とを含んで構成される。近年半導体の高出力化によって発熱量が増大しているため、半導体から発せられる熱をいかに放散させるかが重要な課題となっている。
【０００３】
特許文献１には、半導体デバイスとヒートシンクを樹脂でモールドした半導体装置が開示されている。この半導体装置は、ヒートシンクと放熱用パターンとの間を接着剤にて接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−４０６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の半導体装置において使用される接着剤は、レーザで励起される反応性多層膜を用いた樹脂から構成されており、熱伝導率が低いという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、熱伝導性に優れた伝熱基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の伝熱基板は、三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格とこの開放気孔に充填された樹脂とから構成された基材の少なくとも一方の主面に無機粒子と樹脂とからなる複合絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【０００８】
本発明の伝熱基板では、三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格とこの開放気孔に充填された樹脂とから構成された基材を用いる。
このような構成にすることにより、基材が適度な靭性を有するようになり、半導体デバイス実装時の荷重によって割れることが防止される。
また、高熱伝導性のセラミック骨格を使用しているので、熱伝導性に優れた伝熱基板となる。
【０００９】
本発明の伝熱基板において、上記開放気孔の気孔率は１０〜５０％であることが好ましい。
開放気孔の気孔率が上記範囲であると、開放気孔に適度に樹脂を充填させることによって、基材の強度を維持しつつ基材の靭性を向上させることができる。
【００１０】
本発明の伝熱基板において、上記高熱伝導性のセラミックは、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【００１１】
本発明の伝熱基板において、上記開放気孔に充填された樹脂は、低弾性樹脂であることが好ましい。
樹脂が低弾性樹脂であると、開放気孔に適度に樹脂を充填させた際の靭性の向上に寄与する。
【００１２】
本発明の伝熱基板において、上記開放気孔に充填された樹脂は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
特に、ポリイミド樹脂は無溶剤でも加熱によりガラス転移点付近で流動性が高くなる。流動性を向上させた流動体をセラミック骨格の開放気孔に含浸することで、開放気孔に空隙を残さずに樹脂を含浸させることができる。
【００１３】
本発明の伝熱基板において、上記複合絶縁層を構成する樹脂は、低弾性樹脂であることが好ましい。
樹脂が低弾性樹脂であると、複合絶縁層が放熱対象物に接する面との間の隙間をより埋めやすくなる。
【００１４】
また、上記複合絶縁層を構成する樹脂は、Ｂステージ状の未硬化の樹脂であることが好ましい。
Ｂステージ状の未硬化の樹脂であると、複合絶縁層の表面形状を変化させやすい。このため、半導体デバイスの金属板表面や放熱パターンの表面凹凸に伝熱基板が追従しやすくなり、熱伝達させやすい。
【００１５】
また、上記複合絶縁層を構成する樹脂は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。
樹脂がポリイミド樹脂であると、絶縁性に優れているため好ましい。
【００１６】
また、上記無機粒子は、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリカ及びアルミナからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
これらの無機粒子は、電気伝導性の低い材料であるため、これらの無機粒子を使用することにより複合絶縁層の絶縁性を高めることができる。
【００１７】
本発明の伝熱基板は、半導体から発せられる熱を伝熱するための伝熱シートとして使用されることが好ましい。
本発明の伝熱基板は荷重によって割れることが無く、熱伝導性に優れた伝熱基板であるので上記の用途に適している。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の伝熱基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、半導体デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の伝熱基板を半導体デバイスと重ねて配線基板に実装配置した例を模式的に示す断面図である。
【００１９】
（発明の詳細な説明）
以下、本発明の伝熱基板について詳述する。
本発明の伝熱基板は、三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格とこの開放気孔に充填された樹脂とから構成された基材の少なくとも一方の主面に無機粒子と樹脂とからなる複合絶縁層が形成されてなることを特徴とする。
【００２０】
図１は、本発明の伝熱基板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図１に示す本発明の伝熱基板１は、基材１０の両方の主面（主面１０ａ、１０ｂ）にそれぞれ複合絶縁層２０が形成されてなる。
【００２１】
基材１０は平板状の部材であり、三次元網目構造の開放気孔１２を持つ高熱伝導性のセラミック骨格１１を有し、開放気孔１２に樹脂１５が充填されてなる。
【００２２】
セラミック骨格１１は、開放気孔１２を有しているが、開放気孔１２の他に閉気孔１３を有していてもよく、閉気孔１３には樹脂１５は充填されていない。
図１には、開放気孔１２に樹脂１５が完全に充填されている部分と、開放気孔１２に樹脂１５が完全には充填されておらず、樹脂１５が充填された開放気孔１２内に空間１６が存在している部分をともに示している。
【００２３】
複合絶縁層２０は、樹脂２１と無機粒子２２からなる層であり、樹脂２１中に無機粒子２２が分散している層であるともいえる。また、複合絶縁層２０には空隙２３が設けられていてもよい。
【００２４】
本発明の伝熱基板の基材を構成する高熱伝導性のセラミック骨格は、高熱伝導性のセラミックからなる。
本発明における高熱伝導性のセラミックとは、セラミックの材料としての熱伝導率が１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるものを意味する。
この熱伝導率は、当該セラミックの緻密体について、レーザーフラッシュ法により測定した熱伝導率を意味する。
セラミックの材料としての熱伝導率は、３０〜１００Ｗ／ｍ・Ｋであることが好ましい。
高熱伝導性のセラミックの具体例としては、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【００２５】
また、セラミック骨格は開放気孔を有する多孔質セラミックであるともいえる。本発明の伝熱基板の基材として使用される多孔質セラミックとして測定したセラミック骨格の熱伝導率は、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。
【００２６】
一般に、多孔質セラミックには開放気孔と閉気孔が存在しているが、気孔率が９０％未満の多孔質セラミックでは、焼結が進行していないため、閉気孔は、ほとんど存在しない。従って、本発明の伝熱基板で使用する多孔質セラミックでは、気孔率は、開放気孔の気孔率として考えることができる。
本発明の伝熱基板におけるセラミック骨格において、開放気孔の気孔率は１０〜５０％であることが好ましい。
前述のように、開放気孔の気孔率は、閉気孔がほとんど存在しないことから、セラミックの真密度(ρ）、体積（Ｖ）および重量（Ｗ）の測定により求めることができる。体積は、測定するサンプルの長さ（Ｄ）や高さ（Ｔ）をマイクロメーターで測定して求めることができる。
開孔気孔の気孔率（％）＝［１−Ｗ／（ρ×Ｖ）］×１００
気孔率が５０％を超えて大きいとセラミック骨格の熱伝導率が低下し、また、セラミック骨格の強度が不充分となることがある。
気孔率が１０％未満であると樹脂の充填量が不足するために樹脂を充填しても伝熱基板の靭性を向上させられないことがある。
【００２７】
本発明の伝熱基板において、セラミック骨格の開放気孔に充填される樹脂は、低弾性樹脂であることが好ましい。
樹脂が低弾性樹脂であると、開放気孔に適度に樹脂を充填させた際の靭性の向上に寄与する。
なお、本発明における「低弾性樹脂」とは、曲げ弾性率が３０００ＭＰａ以下であるものを意味する。この曲げ弾性率は、当該樹脂材料のバルク体について電気機械式万能試験機（インストロン製、５５６７）によりＪＩＳ  Ｋ７１７１に準拠して測定することができる。
【００２８】
開放気孔に充填された樹脂としては、ポリイミド樹脂（曲げ弾性率：２４００ＭＰａ）、エポキシ樹脂（曲げ弾性率：５００ＭＰａ）、ポリプロピレン樹脂（曲げ弾性率：１７００ＭＰａ）、ポリエチレン樹脂（曲げ弾性率：１１００ＭＰａ）等を使用することができる。特に、ポリイミド樹脂は無溶剤でも加熱によりガラス転移点付近で流動性が高くなる。流動性を向上させた流動体をセラミック骨格の開放気孔に含浸することで、開放気孔に空隙を残さずに樹脂を充填することができる。
【００２９】
本発明の伝熱基板の基材は、その厚さが強度、熱伝導率、絶縁性の観点から１００〜２０００μｍであることが好ましい。
基材の厚さは開放気孔に樹脂を充填する前のセラミック骨格の厚さと同じである。
【００３０】
本発明の伝熱基板における複合絶縁層は、樹脂と無機粒子からなる層である。
複合絶縁層を構成する樹脂としては、低弾性樹脂であることが好ましい。
低弾性樹脂の定義は、セラミック骨格の開放気孔に充填される樹脂としての低弾性樹脂の定義と同様である。
複合絶縁層を構成する樹脂が低弾性樹脂であると、複合絶縁層が放熱対象物に接する面との間の隙間をより埋めやすくなる。
【００３１】
複合絶縁層は、基材の両方の主面に形成されていてもよく、基材の片方の主面のみに形成されていてもよい。基材の片方の主面にのみ形成されている場合、複合絶縁層が形成された面を放熱対象物である半導体デバイスのような高温部材のほうに配置することが好ましい。
【００３２】
複合絶縁層を構成する樹脂は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂及びポリエチレン樹脂からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。樹脂がポリイミド樹脂であると、絶縁性に優れているため好ましい。
【００３３】
複合絶縁層を構成する樹脂としては、Ｂステージ状の未硬化の樹脂であることが好ましい。
Ｂステージ状の未硬化の樹脂であると、複合絶縁層の表面形状を変化させやすい。そのため、半導体デバイスの放熱用金属板や放熱パターン表面の凹凸に追従することが容易となる。
【００３４】
複合絶縁層を構成する無機粒子としては、電気伝導性の低い無機粒子が好ましく、無機粒子の体積固有抵抗が１０１２Ω・ｃｍ以上である無機粒子を好ましく使用することができる。
無機粒子の体積固有抵抗は、無機粒子の材料のバルク体についてＪＩＳ  Ｃ２１４１に定める体積抵抗率試験により測定した値として定める。
【００３５】
また、無機粒子は、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリカ及びアルミナからなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
これらの無機粒子は、電気伝導性の低い材料であるため、これらの無機粒子を使用することにより複合絶縁層の絶縁性を高めることができる。
また、これらの無機粒子は、熱伝導率が高い材料であるので複合絶縁層に配合することによって複合絶縁層の熱伝導性を高めることができ、伝熱基板の熱伝導性も高めることができる。
【００３６】
無機粒子の平均粒子径は、複合絶縁層に求められる熱伝導性、複合絶縁層の厚さの観点から０．１〜４０μｍであることが好ましい。
【００３７】
複合絶縁層を構成する樹脂と無機粒子の体積比率は、樹脂：無機粒子＝１０：９０〜５０：５０であることが好ましい。
樹脂の割合が上記範囲を下回ると樹脂の割合が少な過ぎるために複合絶縁層の柔軟性が不足し、複合絶縁層が放熱対象物に接する面との間の隙間を埋めることが難しい場合がある。
また、樹脂の割合が上記範囲を上回ると無機粒子の割合が少な過ぎるために複合絶縁層の熱伝導率が低くなり、伝熱基板の熱伝導性の観点から好ましくない。
【００３８】
複合絶縁層の厚さは１０〜４０μｍであることが好ましい。複合絶縁層の厚さが１０μｍ以上であると複合絶縁層が放熱対象物に接する面との間の隙間を埋める観点から好ましい。また、複合絶縁層の熱伝導率は基材の熱伝導率より低いため、複合絶縁層の厚さが相対的に厚いと伝熱基板の熱伝導性が低下する。その観点から複合絶縁層の厚さが４０μｍ以下であることが好ましい。
複合絶縁層は基材の両方の主面に形成されていてもよく、基材の片方の主面のみに形成されていてもよいが、複合絶縁層が基材の両方の主面に形成されている場合は、複合絶縁層の厚さは両方の主面に形成された複合絶縁層の厚さの合計値とする。
【００３９】
複合絶縁層にはその中に空隙が設けられていてもよい。空隙が設けられていると複合絶縁層がより圧縮変形しやすくなり、圧縮時に無機粒子同士が接触することにより複合絶縁層の熱伝導率が向上する。
複合絶縁層に空隙が設けられている場合、空隙率は０．１〜５体積％であることが好ましい。空隙率が高くなりすぎると熱伝導性が低下する。
空隙率は、複合絶縁層の真密度（ρ）、体積（Ｖ）と重量（Ｗ）を測定することにより求めることができる。体積は複合絶縁層の長さ（Ｄ）や厚み（Ｔ）をマイクロメーターで測定することにより求める。
空隙率（％）＝［１−Ｗ／（Ｖ×ρ）］×１００
【００４０】
複合絶縁層の熱伝導率は、０．１〜１０Ｗ／ｍ・Ｋであることが好ましい。
複合絶縁層の熱伝導率は、複合絶縁層を構成する樹脂と無機粒子を混合して成形、乾燥した測定用のバルク体を作製し、レーザーフラッシュ法によって測定することができる。
【００４１】
本発明の伝熱基板は、伝熱基板全体の厚さが１００〜２０００μｍであることが好ましい。
また、本発明の伝熱基板の熱伝導率は１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。
伝熱基板の熱伝導率は、複合絶縁層と基材の両方を含む厚さ方向の熱伝導率であり、レーザーフラッシュ法により測定することができる。
伝熱基板の厚さ方向の熱伝導率は複合絶縁層が設けられた面をレーザーパルスにより加熱することによって求めることができる。
【００４２】
レーザーフラッシュ法による熱伝導率（λ）は、かさ密度（ρ）、比熱容量（Ｃｐ）、熱拡散率（α）の測定結果から下記式（１）により求めることができる。
レーザーフラッシュ法により実際に測定する物性は熱拡散率であり、熱拡散率（α）から下記式（１）により熱伝導率（λ）を求める方法が、レーザーフラッシュ法による熱伝導率測定と呼ばれる方法である。
λ＝Ｃｐ・ρ・α  （１）
伝熱基板のかさ密度は、伝熱基板の体積と重量を測定することにより算出することができる。体積はマイクロメーターを用いて、伝熱基板の長さ（Ｄ）や高さ（Ｔ）を測定して求める。
伝熱基板のかさ密度はアルキメデス法により算出することができる。
伝熱基板の比熱容量はＤＳＣ（示差走査熱量計）により算出することができる。
【００４３】
なお、上記にはレーザーフラッシュ法による熱伝導率測定に関して伝熱基板の場合について説明したが、本明細書において記載した基材を構成する高熱伝導性のセラミックに関する熱伝導率、及び、複合絶縁層の熱伝導率についても伝熱基板の場合と同様にかさ密度、比熱容量、熱拡散率の値から算出することができる。
【００４４】
本発明の伝熱基板は、靭性が高い材料であることが好ましく、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上であることが好ましい。
伝熱基板の３点曲げ強度はＪＩＳ  １６０１（２００８）に定めるファインセラミックスの室温曲げ強さ試験方法に準拠して測定することができる。
【００４５】
本発明の伝熱基板は、半導体から発せられる熱を伝熱するための伝熱シートとして使用されることが好ましい。
以下に、本発明の伝熱基板を半導体から発せられる熱を伝熱するための伝熱シートとして使用する場合について、模式図を用いて説明する。
【００４６】
図２は、半導体デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
図２に示す半導体デバイス１００は、半導体１１０を含んでおり、半導体１１０の周囲を封止樹脂１３０で封止してなる。半導体１１０と給電電極（リードフレーム）１１２との間は、ワイヤボンディング１１１で接続されている。半導体デバイス１００の表面(図２の下側）には金属板１２０が露出している。金属板１２０は半導体１１０からの熱を放熱させるための部品であり、半田１１５を介して半導体１１０と接触している。なお、金属板１２０と半導体１１０との接触は半田等の金属材料を介して行われるため、半導体１１０から発せられる熱は金属板１２０に効率よく熱伝導される。
【００４７】
本発明の伝熱基板を半導体１１０から発せられる熱を伝熱するための伝熱シートとして使用する場合、半導体デバイス１００の金属板１２０に伝熱基板を接触させて金属板１２０からの熱を伝熱させる。
【００４８】
図３は、本発明の伝熱基板を半導体デバイスと重ねて、配線基板に実装配置した例を模式的に示す断面図である。図３に示す配線基板２００には給電パターン２１０と放熱パターン２２０が設けられており、半導体デバイス１００の金属板１２０は、伝熱基板１を介して放熱パターン２２０に圧着されている。また、給電電極（リードフレーム）１１２は給電パターン２１０に電気的に接続されている。本発明の伝熱基板は樹脂接着剤に比べて熱伝導性に優れるため、半導体から発生した熱を効率的に放熱パターンへ伝達させることができる。また、本発明の伝熱基板は、半導体デバイスを配線基板に実装する場合に、圧着しても歪むことがないため、半導体デバイスの実装性に優れる。さらに、本発明の伝熱基板１の複合絶縁層２０が、放熱パターン２２０や、金属板１２０の表面凹凸に追従するため放熱パターン２２０や金属板１２０との密着性に優れ、高い伝熱性を確保できる。
【００４９】
複合絶縁層には無機粒子が含まれているため、材料自体の熱伝導率は樹脂に比べて高い。そのため、樹脂接着剤を用いた場合に比べて高い熱伝導性を保つことができる。
【００５０】
以下、本発明の伝熱基板の製造方法の一例について説明する。
はじめに、基材の材料として、三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格を有する材料を準備する。
【００５１】
高熱伝導性のセラミック粒子、バインダ及び溶剤を混合して、シート状に成形する。成形には押出成形法、ドクターブレード法等を使用することができる。
高熱伝導性のセラミックの材料としての詳細は本発明の伝熱基板の欄で説明した通りであるが、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素からなる群から選択された少なくとも１種からなることが好ましい。
後の焼成時に緻密化しないように焼結助剤は添加しないことが好ましい。
【００５２】
このシートを焼成して、三次元網目構造の開放気孔を持つ高熱伝導性のセラミック骨格からなる焼成体を得る。この焼成体の表面を研削、研磨して表面を平坦化して、高熱伝導性セラミック板を得る。
【００５３】
開放気孔に充填するための樹脂を準備する。樹脂の種類の詳細は本発明の伝熱基板の欄で説明した通りである。樹脂は流動性を有する状態にする。
無溶剤で液状の樹脂はそのまま使用することができる。また、加熱により流動性を有する樹脂であれば加熱することによって無溶剤で使用することができる。
無溶剤で流動性を有する樹脂であると開放気孔内に空隙を残さずに充填することができるので好ましい。
無溶剤で流動性を有する状態にすることが難しい樹脂を使用する場合は、溶剤に希釈して使用する。
【００５４】
流動性を有する状態にした樹脂(樹脂溶液）に上記高熱伝導性セラミック板を浸漬し、開放気孔への樹脂含浸を行う。
樹脂含浸の際には開放気孔内の空気を脱気するために真空脱泡を行うことが好ましい。
【００５５】
セラミック骨格の開放気孔に樹脂含浸することで、基材が得られる。基材はその表面に付着した樹脂を除去し、必要に応じて平面研削を行い厚さを調整する。
【００５６】
次に、複合絶縁層を形成する。
複合絶縁層の材料となる樹脂及び無機粒子を混合し、必要に応じて粘度調整用の溶剤を加えて、複合絶縁層用樹脂ペーストを得る。
樹脂及び無機粒子の種類の詳細は、本発明の伝熱基板の欄で説明した通りである。また、樹脂と無機粒子の好ましい割合も本発明の伝熱基板の欄で説明した通りである。
この複合絶縁層用樹脂ペーストを基材の主面に必要な厚さとなるように塗工し、乾燥して溶剤を除去することにより、本発明の伝熱基板を製造することができる。
塗工後の乾燥条件は、複合絶縁層を構成する樹脂がＢステージ状の未硬化の樹脂の状態となるように定めることが好ましい。樹脂を完全硬化させてしまうと複合絶縁層の柔軟性が低くなってしまう。
【００５７】
また、複合絶縁層内に空隙を設けるためには、溶剤の量を多くすることが好ましい。複合絶縁層用樹脂ペーストにおける溶剤の割合が多いと、塗工後に乾燥した際に複合絶縁層内に空隙が導入されやすくなる。
【００５８】
（実施例）
以下に、本発明をより具体的に説明する具体例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
（１）高熱伝導性のセラミック粒子の製造
以下の材料を秤量し、準備した。
炭化珪素（粗粉）  ＳｉＣ粉末  平均粒子径３０μｍ  ６５００ｇ
炭化珪素（微粉）  ＳｉＣ粉末  平均粒子径１μｍ  ２５００ｇ
バインダー  メチルセルロース（純正化学株式会社製）  ３００ｇ
潤滑剤  分散剤（品名：カオーセラ１００  株式会社花王製）  １５０ｇ
可塑剤  グリセリン（品名：ＤＧ  日油株式会社製）  １００ｇ
水  イオン交換水  １５００ｇ
上記材料を混練機に入れて３０分〜６時間混練を行うことで混錬物を得た。その後、混練物をほぐして容器に移して５０℃、１時間で乾燥させた。混練物をアルミナ乳鉢を用いて解砕し、目開き２５０μｍの篩を使って、高熱伝導性のセラミック粒子を造粒した。
【００６０】
（２）プレス成形及び焼成
高熱伝導性のセラミック粒子をφ９０ｍｍの金型に入れて、ＣＩＰ成型機（装置名：ＮＴウェーブＣＩＰ  三庄インダストリー株式会社製）により圧力１．５ｔ（５４ｋｇ／ｃｍ２）によりプレス成形を行った。
その後、焼成炉を用いてＡｒ雰囲気下、２１００℃／１時間で焼成してシート状の焼成体を得た。
得られた焼成体に対してさらに外形加工と平面研削を行い、縦５０ｍｍ×横５５ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ（３００μｍ）である高熱伝導性のセラミック骨格を有する高熱伝導性セラミック板を得た。
【００６１】
（３）樹脂含浸
高熱伝導性セラミック板に対し、含浸用の樹脂としてエポキシ油脂（商品名：エポキュア２、ＢＵＥＨＬＥＲ社製）を含浸させた後、デシケータ内に載置させて、真空脱泡（９０ｋＰａ／５ｍｉｎ、３回実施）を行った。
その後平面研削を行い厚さ０．３ｍｍ（３００μｍ）として、高熱伝導性セラミック骨格の開放気孔に樹脂が含浸された基材を得た。
【００６２】
（４）複合絶縁層の形成
ポリイミド樹脂（品名：ＳＦ樹脂、日立化成株式会社製）３３．７体積％（１３．５重量％）、窒化アルミニウム粉末（品名：Ｈ−Ｔグレード、平均粒子径１μｍ、株式会社トクヤマ製）６６．３体積％（８６．５重量％）を混合して、溶剤としてのトルエンを加えて粘度を調整することにより複合絶縁層用樹脂ペーストを得た。
この複合絶縁層用樹脂ペーストを基材の両方の主面に塗工し、複合絶縁層を構成する樹脂がＢステージ状の未硬化の樹脂の状態となるように乾燥して溶剤を除去し、両面の厚さの合計が１０μｍの複合絶縁層を形成した。
上記工程により、実施例１に係る伝熱基板を作製した。
【００６３】
（熱伝導率の測定）
実施例１で製造した伝熱基板につき、レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測定を行った。
熱伝導率は、上記の通りかさ密度、比熱容量、熱拡散率から求めた。
測定に関しては、伝熱基板を直径１０ｍｍの円形に成形したサンプルを使用した。
【００６４】
かさ密度は、サンプルの体積および重量から測定した。
サンプルをΦ１０ｍｍで外形加工し、測定サンプルを得た。測定サンプル直径Ｄおよび厚みＴをマイクロメーターにて測定し、測定サンプルの体積Ｖ＝π（Ｄ／２）２×Ｔで求めた。また、測定サンプルの重量Ｗを測定した。
ρ＝Ｗ／Ｖ
実施例１につき算出したρ＝２．３×１０３ｋｇ／ｍ３であった。
【００６５】
比熱容量は、ＤＳＣ装置（示差走査熱量計）により測定した。
サンプルを３枚重ねたものを試料として用意し、ＤＳＣ装置（株式会社パーキンエルマー製  ＤＳＣ８０００）にセットし、装置の環境温度を２５℃にし、昇温速度２０℃／分、Ｎ２雰囲気で測定した。参照資料にはサファイアを用いた。
実施例１につき算出したＣｐ＝０．７８９ｋＪ／ｋｇ・Ｋであった。
【００６６】
熱拡散率はレーザーフラッシュ法により測定した。
複合絶縁層の表面にＰｔ膜を成膜し黒化剤を塗布したサンプルに対して熱分散測定装置（ＮＥＴＺＳＣＨ社製  ＬＦＡ４６７）を使用して測定した。測定温度は室温とし、装置内雰囲気はＮ２雰囲気とした。
熱分散率は３回測定して平均値を求めた。
実施例１につき算出したα＝１．６５×１０−５ｍ２／ｓであった。
実施例１の伝熱基板について測定したかさ密度、比熱容量、熱拡散率から求めた熱伝導率は、λ＝３０Ｗ／ｍ・Ｋであった。
一般に電子部品の接着に使用される樹脂接着剤の熱伝導率は、１〜２Ｗ／ｍ・Ｋ（例えば、３Ｍ社の商品名スコッチ・ウエルドは１．６Ｗ／ｍ・Ｋ）であり、本発明の伝熱基板は、このような一般的な樹脂接着剤に比べて非常に高い熱伝導率を実現できる。
【符号の説明】
【００６７】
１  伝熱基板
１０  基材
１０ａ、１０ｂ  基材の主面
１１  セラミック骨格
１２  開放気孔
１３  閉気孔
１５  開放気孔に充填された樹脂
１６  空間
２０  複合絶縁層
２１  複合絶縁層を構成する樹脂
２２  無機粒子
２３  空隙
１００  半導体デバイス
１１０  半導体
１１１  ワイヤボンディング
１１２  給電電極（リードフレーム）
１１５  半田
１２０  金属板
１３０  封止樹脂
２００  配線基板
２１０  給電パターン
２２０  放熱パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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