(57)【要約】【課題】圧電素子が位置精度よく実装される回路付サスペンション基板アセンブリを提供すること。【解決手段】  回路付サスペンション基板アセンブリ１に、素子接続端子６１と、素子接続端子６１に設けられる金めっき層８とを備える回路付サスペンション基板２と、素子接続端子６１と電気的に接続される素子端子３２を備える圧電素子３と、金めっき層８と素子端子３２との間に配置されるはんだ層９とを備える。はんだ層９に、少なくともＳｎを含有するはんだ組成物を含有させ、はんだ層９の厚みを、下記式（１）を満たすように形成する。  式（１）  Ｙ≧１０Ｘ＋１．５（式（１）中、Ｙは、はんだ層９の厚みを示し、Ｘは、金めっき層８の厚みを示す。）【選択図】図３
2019102109.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子と、前記端子に設けられる金めっき層とを備える回路付サスペンション基板と、
前記端子と電気的に接続される素子端子を備える圧電素子と、
前記金めっき層と前記素子端子との間に配置されるはんだ層と、を備え、
前記はんだ層は、少なくともＳｎを含有するはんだ組成物を含み、
前記はんだ層の厚みは、下記式（１）を満たす
式（１）
Ｙ≧１０Ｘ＋１．５
（式（１）中、Ｙは、前記はんだ層の厚みを示し、Ｘは、前記金めっき層の厚みを示す。）
ことを特徴とする、回路付サスペンション基板アセンブリ。
【請求項２】
前記はんだ層は、前記はんだ組成物と、ＳｎＡｕ合金とを含み、
前記はんだ層における前記はんだ組成物の含有割合は、１５体積％以上であることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板アセンブリ。
【請求項３】
前記はんだ組成物は、Ｓｎと、Ａｇと、Ｃｕとを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板アセンブリ。
【請求項４】
前記金めっき層の厚みは、０．５μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板アセンブリ、詳しくは、回路付サスペンション基板および圧電素子を備える回路付サスペンション基板アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダが実装される回路付サスペンション基板と、ヘッドスライダを変位させるために伸縮可能な圧電素子とを備える回路付サスペンション基板アセンブリが知られている。圧電素子は、回路付サスペンション基板が備える端子に、はんだにより接続される。
【０００３】
例えば、サスペンション用基板の素子接続端子に金めっき層が設けられ、ＳｎＢｉ系はんだ材料が、金めっき層に接続されるとともに、圧電素子の電極に接続されるサスペンションが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
そのようなサスペンションは、ＳｎＢｉ系はんだ材料を、素子接続端子の金めっき層上にソルダージェット法により配置した後、圧電素子をはんだ材料と接触するように配置し、次いで、リフローしてはんだ材料を溶融させ、圧電素子と素子接続端子とを接続することにより製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１０６９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、特許文献１に記載されるサスペンション用基板に対する圧電素子の実装において、圧電素子が所定位置からずれて配置され、その後のリフローにより、圧電素子が所定位置からずれた状態で、サスペンション用基板に接着される場合がある。
【０００７】
そのような場合を考慮して、リフロー時に溶融したはんだ材料の表面張力を利用して、圧電素子をセルフアライメントさせ、圧電素子の位置精度の向上を図ることが検討される。
【０００８】
はんだ材料の表面張力は、溶融するはんだ材料の体積に比例する。そのため、圧電素子を精度よくセルフアライメントさせるには、溶融するはんだ材料の体積を十分に確保する必要がある。
【０００９】
しかし、特許文献１に記載される圧電素子の実装工程では、リフロー時において、はんだ材料に含まれるＳｎと、金めっき層に含まれるＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成する場合がある。このようなＳｎＡｕ合金は、ＳｎＢｉ系はんだ材料と比較して融点が高く、リフロー時に十分に溶融されない。
【００１０】
そのため、溶融するはんだ材料の体積が低下し、はんだ材料の表面張力を十分に確保できない。その結果、圧電素子を精度よくセルフアライメントさせることが困難であり、圧電素子の位置精度の向上を図るには限度がある。
【００１１】
そこで、本発明は、圧電素子が位置精度よく実装される回路付サスペンション基板アセンブリを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明［１］は、端子と、前記端子に設けられる金めっき層とを備える回路付サスペンション基板と、前記端子と電気的に接続される素子端子を備える圧電素子と、前記金めっき層と前記素子端子との間に配置されるはんだ層と、を備え、前記はんだ層は、少なくともＳｎを含有するはんだ組成物を含み、前記はんだ層の厚みは、下記式（１）を満たす回路付サスペンション基板アセンブリを含む。
【００１３】
式（１）
Ｙ≧１０Ｘ＋１．５
（式（１）中、Ｙは、前記はんだ層の厚みを示し、Ｘは、前記金めっき層の厚みを示す。）
このような構成によれば、はんだ層の厚みが上記式（１）を満たすので、はんだ組成物を溶融させたときに、はんだ組成物に含まれるＳｎと、金めっき層に含まれるＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成することを抑制できる。
【００１４】
そのため、リフロー時において溶融するはんだ組成物の体積が低下することを抑制でき、ひいては、はんだ組成物の表面張力が低下することを抑制することができる。
【００１５】
その結果、圧電素子を精度よくセルフアライメントさせることができ、圧電素子の位置精度の向上を図ることができる。
【００１６】
本発明［２］は、前記はんだ層は、前記はんだ組成物と、ＳｎＡｕ合金とを含み、前記はんだ層における前記はんだ組成物の含有割合は、１５体積％以上である、上記［１］に記載の回路付サスペンション基板アセンブリを含む。
【００１７】
このような構成によれば、はんだ層におけるはんだ組成物の含有割合が上記下限以上であるので、リフロー時において溶融するはんだ組成物の体積を十分に確保することができる。そのため、圧電素子をより精度よくセルフアライメントさせることができ、圧電素子の位置精度の向上を確実に図ることができる。
【００１８】
本発明［３］は、前記はんだ組成物は、Ｓｎと、Ａｇと、Ｃｕとを含む、上記［１］または［２］に記載の回路付サスペンション基板アセンブリを含む。
【００１９】
このような構成によれば、はんだ組成物が、ＳｎとＡｇとＣｕとを含むので、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ組成物と比較して、表面張力の向上を図ることができる。そのため、比較的少量のはんだ組成物によって、圧電素子を十分にセルフアライメントさせることができる。
【００２０】
その結果、圧電素子の位置精度の向上を図ることができながら、はんだ層の厚みを低減でき、ひいては、圧電素子が実装される部分の厚みの低減を図ることができる。
【００２１】
本発明［４］は、前記金めっき層の厚みは、０．５μｍ以下である、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板アセンブリを含む。
【００２２】
このような構成によれば、金めっき層の厚みが上記上限以下であるので、はんだ組成物を溶融させたときに、はんだ組成物のＳｎと金めっき層のＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成することを確実に抑制できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の回路付サスペンション基板アセンブリでは、圧電素子を位置精度よく実装できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の回路付サスペンション基板アセンブリの一実施形態の平面図であって、カバー絶縁層を除いた状態を示す。
【図２】図２は、図１に示す回路付サスペンション基板アセンブリの底面図である。
【図３】図３は、図２に示す第１素子接続端子および第２素子接続端子のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４Ａは、図１に示す回路付サスペンション基板アセンブリの製造方法の一実施形態を説明するための説明図であって、回路付サスペンション基板を準備する工程を示す。図４Ｂは、図４Ａに続いて、金めっき層上にはんだ材料を配置する工程を示す。図４Ｃは、図４Ｂに続いて、素子端子がはんだ材料と接触するように、圧電素子を配置する工程を示す。図４Ｄは、図４Ｃに続いて、はんだ材料を溶融させてはんだ層を形成する工程を示す。
【図５】図５は、図４Ｄに示す圧電素子のセルフアライメントを説明するための説明図である。
【図６】図６は、実施例１、実施例１５、実施例３３および実施例５３における、金めっき層の厚みに対するはんだ層の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
＜第１実施形態＞
本発明の回路付サスペンション基板アセンブリの一実施形態である回路付サスペンション基板アセンブリ１を、図１〜図３を参照して説明する。
【００２６】
図１に示すように、回路付サスペンション基板アセンブリ１は、回路付サスペンション基板２と、圧電素子３と、回路付サスペンション基板２および圧電素子３を接続するはんだ層９（図３参照）とを備える。なお、図１では、便宜上、圧電素子３を仮想線にて示す。
【００２７】
１．回路付サスペンション基板
回路付サスペンション基板２は、所定方向に延びる略平帯状を有している。
【００２８】
図１において、紙面上下方向は、回路付サスペンション基板２の長手方向（第１方向）であり、紙面上側が長手方向一方側（第１方向一方側）、紙面下側が長手方向他方側（第１方向他方側）である。
【００２９】
図１において、紙面左右方向は、回路付サスペンション基板２の幅方向（第１方向に直交する第２方向）であり、紙面右側が幅方向一方側（第２方向一方側）、紙面左側が幅方向他方側（第２方向他方側）である。
【００３０】
図１において、紙面厚み方向は、回路付サスペンション基板２の厚み方向（第１方向および第２方向の両方向と直交する第３方向）であり、紙面手前側が厚み方向一方側（第３方向一方側）、紙面奥側が厚み方向他方側（第３方向他方側）である。具体的には、方向は、各図に記載の方向矢印従う。
【００３１】
図３に示すように、回路付サスペンション基板２は、積層構造を有しており、金属支持層４と、ベース絶縁層５と、導体パターン６と、カバー絶縁層７とを、厚み方向他方側から一方側に向かって順に備えている。なお、図１では、便宜上、カバー絶縁層７を省略している。
【００３２】
図２に示すように、金属支持層４は、導体パターン６（図１参照）を支持する金属支持体であって、長手方向に延びている。金属支持層４は、ステージ４０と、本体部４１と、連結部４２とを備える。
【００３３】
ステージ４０は、スライダ１１（図１参照）を支持する部分であって、金属支持層４の長手方向一端部に位置する。ステージ４０は、底面視略矩形状を有する。
【００３４】
本体部４１は、ロードビーム１５（後述）に支持される部分であって、ステージ４０に対して長手方向他方側に位置する。本体部４１は、長手方向に延びる。本体部４１は、開口部４３を有する。開口部４３は、本体部４１における長手方向一端部に位置する。開口部４３は、長手方向一方側に向かって開放される凹形状を有する。本体部４１の長手方向一端縁は、開口部４３に沿って長手方向他方側に凹む凹部４４を形成する。
【００３５】
連結部４２は、長手方向に延びて、ステージ４０の長手方向他端と本体部４１の長手方向一端とを連結する。
【００３６】
金属支持層４の材料として、例えば、ステンレスなどの金属材料が挙げられる。金属支持層４の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。
【００３７】
図３に示すように、ベース絶縁層５は、金属支持層４の厚み方向一方側、具体的には、金属支持層４の厚み方向一方面に配置される。図１に示すように、ベース絶縁層５は、導体パターン６に対応する所定のパターンを有する。ベース絶縁層５は、ステージベース５０と、本体ベース５１とを備える。
【００３８】
ステージベース５０は、ステージ４０上に配置される。ステージベース５０は、平面視略矩形状を有する。
【００３９】
本体ベース５１は、本体部４１上に配置される。本体ベース５１は、厚み方向から見て凹部４４（図２参照）と重なる位置に複数の端子開口部５２を有する。複数の端子開口部５２は、複数の第１素子接続端子６５（後述）に対応して、幅方向に間隔を空けて配置される。端子開口部５２は、幅方向に延びる平面視矩形状を有する。
【００４０】
ベース絶縁層５の材料として、例えば、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が挙げられる。ベース絶縁層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００４１】
導体パターン６は、複数（４つ）の磁気ヘッド接続端子６０と、複数（６つ）の外部接続端子６２と、端子の一例としての複数（４つ）の素子接続端子６１と、複数（４つ）の磁気ヘッド配線６３と、複数（４つ）の素子配線６４とを備える。
【００４２】
複数（４つ）の磁気ヘッド接続端子６０は、スライダ１１が回路付サスペンション基板２に実装されたときに、スライダ１１が備える磁気ヘッド（図示せず）と導電材料（例えば、はんだなど）を介して電気的に接続される。複数の磁気ヘッド接続端子６０は、ステージベース５０上において、幅方向に互いに間隔を空けて配置される。
【００４３】
複数（６つ）の外部接続端子６２は、本体ベース５１の長手方向他端部上に配置される。複数の外部接続端子６２は、幅方向に互いに間隔を空けて配置される。
【００４４】
複数（４つ）の素子接続端子６１は、圧電素子３が回路付サスペンション基板２に実装されたときに、圧電素子３とはんだ層９（後述）を介して電気的に接続される。複数の素子接続端子６１は、複数（２つ）の第１素子接続端子６５と、複数（２つ）の第２素子接続端子６６とを含む。
【００４５】
第１素子接続端子６５は、対応する端子開口部５２内に配置される。第１素子接続端子６５は、平面視略矩形状を有する。第１素子接続端子６５は、端子開口部５２の長手方向他端縁に対して長手方向一方側に隣接する。第１素子接続端子６５は、厚み方向他方側から見て、金属支持層４およびベース絶縁層５から露出している。
【００４６】
複数の第２素子接続端子６６は、ステージベース５０の長手方向他端縁に対して長手方向他方側に隣接する。複数の第２素子接続端子６６は、幅方向に互いに間隔を空けて配置される。第２素子接続端子６６は、平面視略矩形状を有する。第２素子接続端子６６は、第１素子接続端子６５に対して長手方向一方側に間隔を空けて位置する。第２素子接続端子６６は、厚み方向他方側から見て、金属支持層４およびベース絶縁層５から露出している。
【００４７】
素子接続端子６１（第１素子接続端子６５および第２素子接続端子６６のそれぞれ）の長手方向の寸法は、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、９０μｍ以下である。
【００４８】
素子接続端子６１（第１素子接続端子６５および第２素子接続端子６６のそれぞれ）の幅方向の寸法は、例えば、１２０μｍ以上、好ましくは、２１０μｍ以上、例えば、２５０μｍ以下、好ましくは、２３０μｍ以下である。
【００４９】
複数（４つ）の磁気ヘッド配線６３は、複数の磁気ヘッド接続端子６０と、複数の磁気ヘッド接続端子６０と同数の外部接続端子６２とを電気的に接続する。
【００５０】
複数（４つ）の素子配線６４は、複数の素子接続端子６１に接続される。詳しくは、複数の素子配線６４は、複数の第１素子接続端子６５に接続される複数の電源配線６７と、複数の第２素子接続端子６６に接続される複数のグランド配線６８とを含む。
【００５１】
複数の電源配線６７は、複数の第１素子接続端子６５と、複数の外部接続端子６２のうち磁気ヘッド配線６３に接続されていない外部接続端子６２とを電気的に接続する。
【００５２】
複数のグランド配線６８は、複数の第２素子接続端子６６に接続され、ステージベース５０を貫通してステージ４０に接触（接地）している。
【００５３】
カバー絶縁層７は、複数の磁気ヘッド配線６３および複数の素子配線６４を被覆するように、ベース絶縁層５の厚み方向一方側、具体的には、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に配置される。また、カバー絶縁層７は、厚み方向一方側から見て、磁気ヘッド接続端子６０および外部接続端子６２を露出し、素子接続端子６１を被覆する。カバー絶縁層７の材料として、例えば、ポリイミド樹脂などの合成樹脂が挙げられる。カバー絶縁層７の厚みは、適宜設定される。
【００５４】
また、図３に示すように、回路付サスペンション基板２は、素子接続端子６１に設けられる金めっき層８を備える。金めっき層８の材料は、金であって、金めっき層８は、金からなる薄層である。
【００５５】
金めっき層８は、素子接続端子６１に対して厚み方向他方側に配置される。金めっき層８は、素子接続端子６１の厚み方向他方面に直接設けられてもよく、金以外の他の材料（例えば、ニッケルなど）からなるめっき層を介して、素子接続端子６１の厚み方向他方面に設けられてもよい。金めっき層８と素子接続端子６１との間に介在するめっき層の層数は、特に制限されず、１層であっても、２層以上であってもよい。
【００５６】
具体的には、金めっき層８は、第１素子接続端子６５の厚み方向他方側に配置される第１金めっき層８Ａと、第２素子接続端子６６の厚み方向他方側に配置される第２金めっき層８Ｂとを含む。第１金めっき層８Ａは、厚み方向他方側から見て、第１素子接続端子６５の全体と重なっており、第１素子接続端子６５と同じ形状およびサイズを有する。第２金めっき層８Ｂは、厚み方向他方側から見て、第２素子接続端子６６の全体と重なっており、第２素子接続端子６６と同じ形状およびサイズを有する。
【００５７】
金めっき層８の厚みは、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上、例えば、１．０μｍ未満、好ましくは、０．５μｍ以下、さらに好ましくは、０．３μｍ以下である。
【００５８】
金めっき層８の厚みが上記範囲であれば、後述するリフロー工程において、はんだ組成物のＳｎと金めっき層のＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成することを安定して抑制できる。
【００５９】
なお、図示しないが、複数の磁気ヘッド接続端子６０および複数の外部接続端子６２のそれぞれの厚み方向一方面にも、金めっき層８が設けられる。
【００６０】
２．圧電素子
圧電素子３は、所定方向に伸縮可能なアクチュエータであって、電気が供給され、その電圧が制御されることによって伸縮する。本実施形態において、圧電素子３は、回路付サスペンション基板２に２つ実装されている。
【００６１】
各圧電素子３は、複数の素子接続端子６１（第１素子接続端子６５および第２素子接続端子６６）に対して、厚み方向他方側に位置している。圧電素子３は、例えば、公知の圧電材料、より具体的には、圧電セラミックスなどから形成されている。
【００６２】
圧電セラミックスとして、例えば、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＰｂＴｉＯ３（チタン酸鉛）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ））、ＳｉＯ２（水晶）、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）、ＰｂＮｂ２Ｏ６（メタニオブ酸鉛）などが挙げられ、好ましくは、ＰＺＴが挙げられる。
【００６３】
また、圧電素子３は、複数（２つ）の素子端子３２を備える。複数の素子端子３２は、第１素子接続端子６５に対応する第１素子端子３０と、第２素子接続端子６６に対応する第２素子端子３１とを含む。
【００６４】
第１素子端子３０は、はんだ層９を介して、第１素子接続端子６５と電気的に接続される。第１素子端子３０は、第１素子接続端子６５と同じ形状およびサイズを有する。
【００６５】
第２素子端子３１は、はんだ層９を介して、第２素子接続端子６６と電気的に接続される。第２素子端子３１は、第１素子端子３０に対して所定方向に間隔を空けて位置する。第２素子端子３１は、第２素子接続端子６６と同じ形状およびサイズを有する。
【００６６】
３．はんだ層
はんだ層９は、金めっき層８と素子端子３２との間に配置される。具体的には、はんだ層９は、第１金めっき層８Ａと第１素子端子３０との間に配置される第１はんだ層９Ａと、第２金めっき層８Ｂと第２素子端子３１との間に配置される第２はんだ層９Ｂとを含む。
【００６７】
はんだ層９は、少なくともＳｎを含有するはんだ組成物を含み、好ましくは、ＳｎＡｕ合金をさらに含む。つまり、はんだ層９は、はんだ組成物からなることもできるが、好ましくは、はんだ組成物およびＳｎＡｕ合金を含み、さらに好ましくは、はんだ組成物およびＳｎＡｕ合金からなる。
【００６８】
はんだ組成物は、好ましくは、ＳｎとＡｇとＣｕとを含み、さらに好ましくは、ＳｎとＡｇとＣｕとからなる。ＳｎとＡｇとＣｕとを含むはんだ組成物を、以下において、ＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物とする。
【００６９】
はんだ組成物がＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物であると、はんだ組成物の表面張力の向上を図ることができる。
【００７０】
ＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物において、Ａｇの含有割合は、例えば、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、例えば、５質量％以下、好ましくは、４質量％以下、さらに好ましくは、３質量％である。
【００７１】
ＡｇのＣｕに対する含有割合（Ａｇ／Ｃｕ）は、例えば、４以上、好ましくは、５以上、例えば、８以下、好ましくは、７以下である。
【００７２】
ＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物において、Ｃｕの含有割合は、例えば、０．３質量％以上、好ましくは、０．４質量％以上、例えば、０．７質量％以下、好ましくは、０．６質量％以下、さらに好ましくは、０．５質量％である。
【００７３】
ＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物において、Ｓｎの含有割合は、上記のＡｇおよびＣｕの含有割合の残部である。
【００７４】
具体的には、はんだ組成物として、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕと表されるものが挙げられる。そのようなはんだ組成物として、市販品を用いることができる。
【００７５】
このようなはんだ組成物の融点は、例えば、２００℃以上、好ましくは、２１０℃以上、例えば、２３０℃以下、好ましくは、２２０℃以下である。
【００７６】
はんだ層９におけるはんだ組成物の含有割合は、例えば、１０体積％以上、好ましくは、１５体積％以上、さらに好ましくは、３０体積％以上、とりわけ好ましくは、５０体積％以上、例えば、１００体積％以下である。なお、はんだ層９における各成分の含有割合は、はんだ層９の断面写真を撮影し、その断面写真における各成分の面積比から算出することができる（以下同様）。
【００７７】
はんだ層９におけるはんだ組成物の含有割合が上記下限以上であると、後述するリフロー工程において溶融するはんだ組成物の体積を十分に確保することができ、圧電素子の位置精度の向上を確実に図ることができる。
【００７８】
ＳｎＡｕ合金は、ＳｎとＡｕとの合金であって、後述するリフロー工程において、はんだ組成物を含むはんだ材料１０（後述）が金めっき層８上に配置された状態で、加熱されることにより形成する。ＳｎＡｕ合金は、少なくともＳｎとＡｕとを含み、好ましくは、ＳｎとＡｕとからなる。なお、ＳｎＡｕ合金は、例えば、Ａｇ、Ｃｕなどをさらに含むこともできる。
【００７９】
ＳｎＡｕ合金において、Ｓｎの含有割合は、例えば、７０質量％以上、好ましくは、７５質量％以上、例えば、９５質量％以下、好ましくは、８５質量％以下である。
ＳｎＡｕ合金において、Ａｕの含有割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１５質量％以上、例えば、３０質量％以下、好ましくは、２５質量％以下である。
【００８０】
このようなＳｎＡｕ合金の融点は、はんだ組成物の融点よりも高く、後述するリフロー温度よりも高い。具体的には、ＳｎＡｕ合金の融点は、例えば、２６０℃を超過し、好ましくは、２９０℃以上、例えば、３２０℃以下、好ましくは、３００℃以下である。
【００８１】
はんだ層９におけるＳｎＡｕ合金の含有割合は、例えば、０体積％以上、例えば、９０体積％以下、好ましくは、８５体積％以下、さらに好ましくは、７０体積％以下、とりわけ好ましくは、５０体積％以下である。
【００８２】
また、はんだ組成物の体積に対するＳｎＡｕ合金の体積割合（ＳｎＡｕ合金の体積／はんだ組成物の体積）は、例えば、０．１以上、例えば、１０以下、好ましくは、６以下、さらに好ましくは、２以下、とりわけ好ましくは、１以下である。
【００８３】
また、はんだ層９の厚みは、金めっき層８の厚みに比例し、下記式（１）を満たす。
【００８４】
式（１）
Ｙ≧１０Ｘ＋１．５
（式（１）中、Ｙは、はんだ層の厚みを示し、Ｘは、金めっき層の厚みを示す。）
なお、上記式（１）は、後述する実施例により求められる。
【００８５】
はんだ層９の厚みが上記式（１）を満たすと、後述するリフロー工程において、ＳｎＡｕ合金が形成されることを抑制でき、圧電素子の位置精度の向上を図ることができる。
【００８６】
また、はんだ層９の厚みは、金めっき層８の厚みに対して、好ましくは、１４倍以上、さらに好ましくは、２０倍以上、例えば、１００倍以下、好ましくは、８０倍以下、さらに好ましくは、７０倍以下である。
【００８７】
具体的には、はんだ層９の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上、さらに好ましくは、３μｍ以上、とりわけ好ましくは、５μｍ以上、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１３μｍ以下、さらに好ましくは、９μｍ以下である。
【００８８】
はんだ層９の厚みが上記下限以上であれば、金めっき層８と素子端子３２とを確実に接続することができる。
【００８９】
しかるに、回路付サスペンション基板アセンブリ１は、金属支持層４の本体部４１（図２参照）がロードビーム１５に支持されることにより、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。このとき、ロードビーム１５の先端部は、圧電素子３に対して下側（厚み方向他方側）に位置する。
【００９０】
そのため、はんだ層９の厚みが上記上限を超過すると、圧電素子３とロードビーム４３とが接触する。一方、はんだ層９の厚みが上記上限以下であると、圧電素子３の位置精度の向上を図ることができながら、圧電素子３とロードビーム１５との接触を抑制することができる。
【００９１】
４．回路付サスペンション基板アセンブリの製造方法
次に、図４Ａ〜図４Ｄを参照して、回路付サスペンション基板アセンブリ１の製造方法について説明する。回路付サスペンション基板アセンブリ１の製造方法は、回路付サスペンション基板２を準備する工程（図４Ａ）と、金めっき層８上にはんだ材料１０を配置する工程（図４Ｂ）と、圧電素子３を配置する工程（図４Ｃ）と、圧電素子３が配置された回路付サスペンション基板２をリフローする工程（図４Ｄ、以下、リフロー工程とする。）とを含む。
【００９２】
回路付サスペンション基板アセンブリ１では、まず、図４Ａに示すように、上記した回路付サスペンション基板２を準備する。
【００９３】
次いで、図４Ａに示すように、はんだ材料１０を、公知の方法（例えば、公知の印刷機による印刷、ディスペンサーによる塗布など）により、金めっき層８上に配置する。具体的には、はんだ材料１０を、第１金めっき層８Ａの厚み方向他方面に配置するとともに、第２金めっき層８Ｂの厚み方向他方面に配置する。また、はんだ材料１０は、上記したはんだ組成物を含む一方、上記したＳｎＡｕ合金を含まない。
【００９４】
また、金めっき層８上に配置されるはんだ材料１０の体積は、リフロー工程において形成されるはんだ層９の厚みが上記式（１）を満たすように設定される。具体的には、第１金めっき層８Ａ上に配置されるはんだ材料１０の体積は、例えば、３．５×１０−８ｃｍ３以上、好ましくは、７．９×１０−８ｃｍ３以上、例えば、１．９×１０−７ｃｍ３以下、好ましくは、１．３×１０−７ｃｍ３以下である。また、第２金めっき層８Ｂ上に配置されるはんだ材料１０の体積の範囲は、第１金めっき層８Ａ上に配置されるはんだ材料１０の体積の範囲と同じである。
【００９５】
次いで、図４Ｃに示すように、圧電素子３を、第１素子端子３０が第１金めっき層８Ａ上のはんだ材料１０と接触するとともに、第２素子端子３１が第２金めっき層８Ｂ上のはんだ材料１０と接触するように配置する。
【００９６】
次いで、図４Ｄに示すように、圧電素子３が配置された回路付サスペンション基板２をリフローする。
【００９７】
リフロー温度は、例えば、２３０℃以上、好ましくは、２４０℃以上、例えば、２６０℃以下、好ましくは、２５０℃以下である。リフロー時間は、例えば、３秒以上、好ましくは、５秒以上、例えば、３００秒以下、好ましくは、２００秒以下である。
【００９８】
これにより、はんだ材料１０が、金めっき層８（第１金めっき層８Ａおよび第２金めっき層８Ｂのそれぞれ）の厚み方向他方面の全体に濡れ広がるように溶融する。
【００９９】
このとき、はんだ材料１０に含まれるはんだ組成物のＳｎと、金めっき層に含まれるＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成する場合がある。しかし、上記のように、はんだ層９の厚みが上記式（１）を満たすように、はんだ材料１０の量が調整されているので、ＳｎＡｕ合金の形成を抑制でき、はんだ組成物の表面張力が低下することを抑制できる。
【０１００】
そのため、圧電素子３を精度よくセルフアライメントできる。詳しくは、圧電素子３を配置する工程において、図５に示すように、圧電素子３が所定位置からずれて、幅方向に傾くように配置される場合がある。この場合、厚み方向から見て、第１素子接続端子６５の中央と第１素子端子３０の中央とがずれて位置するとともに、第２素子接続端子６６の中央と第２素子端子３１の中央とがずれて位置する。
【０１０１】
次いで、圧電素子３が配置された回路付サスペンション基板２がリフローされると、はんだ材料１０が、素子接続端子６１（第１素子接続端子６５および第２素子接続端子６６のそれぞれ）の厚み方向他方面の全体に濡れ広がるように溶融する。
【０１０２】
このとき、溶融したはんだ材料１０の表面張力により、厚み方向から見て、第１素子接続端子６５の中央と第１素子端子３０の中央とが一致するとともに、第２素子接続端子６６の中央と第２素子端子３１の中央とが一致するように、圧電素子３に力が加わる。これによって、図１に示すように、圧電素子３が、所定位置からずれた状態から所定位置に向かってセルフアライメントされる。
【０１０３】
そして、図４Ｄに示すように、はんだ材料１０がはんだ層９を形成して、第１素子接続端子６５および第１素子端子３０と、第２素子接続端子６６および第２素子端子３１とを接合する。これにより、回路付サスペンション基板２と、圧電素子３とが電気的に接続される。
【０１０４】
以上によって、回路付サスペンション基板アセンブリ１が製造される。なお、図１に示すように、回路付サスペンション基板アセンブリ１５は、磁気ヘッドを有するスライダ１１を備えてもよく、スライダ１１を備えなくてもよい。
【０１０５】
このような回路付サスペンション基板アセンブリ１では、はんだ層９の厚みが上記式（１）を満たすので、はんだ組成物を溶融させたときに、はんだ組成物に含まれるＳｎと、金めっき層８に含まれるＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成することを抑制できる。
【０１０６】
そのため、リフロー工程において溶融するはんだ組成物の体積が低下することを抑制でき、ひいては、はんだ組成物の表面張力が低下することを抑制することができる。
【０１０７】
その結果、圧電素子３を精度よくセルフアライメントさせることができ、圧電素子３の位置精度の向上を図ることができる。
【０１０８】
また、はんだ層９におけるはんだ組成物の含有割合は、好ましくは、上記下限以上である。そのため、リフロー工程において溶融するはんだ組成物の体積を十分に確保することができる。そのため、圧電素子３をより精度よくセルフアライメントさせることができ、圧電素子３の位置精度の向上を確実に図ることができる。
【０１０９】
また、はんだ組成物は、好ましくは、ＳｎとＡｇとＣｕとを含むＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物である。そのため、はんだ組成物の表面張力の向上を図ることができる。その結果、比較的少量のはんだ組成物によって、圧電素子３を十分にセルフアライメントさせることができる。これにより、圧電素子３の位置精度の向上を図ることができながら、はんだ層９の厚みを低減でき、ひいては、圧電素子３が実装される部分の厚みの低減を図ることができる。
【０１１０】
金めっき層８の厚みは、好ましくは、上記上限以下である。そのため、リフロー工程において、はんだ組成物のＳｎと金めっき層８のＡｕとが、ＳｎＡｕ合金を形成することを確実に抑制できる。
【実施例】
【０１１１】
以下に、実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１１２】
実施例１〜７４および比較例１〜２６
金めっき層の厚みおよびはんだ層の厚みが、表１および表２の値である回路付サスペンション基板アセンブリを、表１および表２に示す個数準備した。
【０１１３】
各回路付サスペンション基板アセンブリは、回路付サスペンション基板と、回路付サスペンション基板に実装される２つの圧電素子とを備え、はんだ層は、ＳｎＡｇＣｕ系はんだ組成物（Ｓｎ含有割合：残部、Ａｇ含有割合：３±１質量％、Ｃｕ含有割合：０．５±０．１質量％）を含んでいた。
【０１１４】
また、実施例７（めっき層の厚み：０．５μｍ）では、はんだ層において、はんだ組成物の含有割合は、１５．８体積％であり、ＳｎＡｕ合金の含有割合は、８４．２体積％であった。
【０１１５】
また、実施例２２（めっき層の厚み：０．３μｍ）では、はんだ層において、はんだ組成物の含有割合は、３８．３体積％であり、ＳｎＡｕ合金の含有割合は、６１．７体積％であった。
【０１１６】
また、実施例４２（めっき層の厚み：０．２μｍ）では、はんだ層において、はんだ組成物の含有割合は、５２．８体積％であり、ＳｎＡｕ合金の含有割合は、４７．２体積％であった。
【０１１７】
また、実施例６３（めっき層の厚み：０．１μｍ）では、はんだ層において、はんだ組成物の含有割合は、８４．３体積％であり、ＳｎＡｕ合金の含有割合は、１５．７体積％であった。
【０１１８】
また、比較例７（めっき層の厚み：０．５μｍ）では、はんだ層において、はんだ組成物の含有割合は、４．８体積％であり、ＳｎＡｕ合金の含有割合は、９５．２体積％であった。
【０１１９】
次いで、下記の評価により、不良品の個数を求め、製造効率（不良品数／個数×１００）を算出した。その結果を表１および表２に示す。
【０１２０】
回路付サスペンション基板のＹ軸基準線（回路付サスペンション基板の幅方向中央を通り、長手方向に沿う仮想線）を規定した。
【０１２１】
次いで、Ｙ軸基準線に対して垂直であるＸ軸基準線（幅方向に沿う仮想線）を規定した。Ｙ軸基準線とＸ軸基準線との交点を基準点（０，０）とした。
【０１２２】
次いで、圧電素子の幅方向両端縁（エッジ）に沿う第１仮想線を抽出した。そして、Ｙ軸基準線に対して、第１仮想線（圧電素子の幅方向両端縁）が形成する角度（傾きθ）を測定した。
【０１２３】
次いで、圧電素子の長手方向両端縁（エッジ）に沿う第２仮想線を抽出した。そして、第１仮想線と第２仮想線との交点から、圧電素子の頂点（４隅）を抽出した。
【０１２４】
次いで、圧電素子の頂点の座標から圧電素子の中心座標を算出した。そして、基準点から、圧電素子の中心座標のずれ量（Ｘ座標ずれ量、Ｙ座標ずれ量）を算出した。
【０１２５】
圧電素子の中心座標のずれ量、角度（傾きθ）が、規格外のものを不良品として個数を数えた。不良品の個数を評価個数で割ることで、製造効率を算出した。製造効率は９７％を閾値として設定した。
【０１２６】
【表１】
2019102109.tif 000003
【０１２７】
【表２】
2019102109.tif 000004
【０１２８】
次いで、めっき層の厚みが一定である実施例のうち、製造効率が９７％以上であり、かつ、最もはんだ層の厚みが小さい実施例に関する、金めっき層の厚みに対するはんだ層の厚みをプロットした。具体的には、実施例１、実施例１５、実施例３３および実施例５３における、金めっき層の厚みに対するはんだ層の厚みをプロットした。その結果を図６に示す。
【０１２９】
また、プロットされた結果の近似式として、上記式（１）を求めた。
【０１３０】
つまり、圧電素子の位置精度に優れる金めっき層の厚みおよびはんだ層の厚みの関係（領域）は、上記式（１）により定められることが確認された。
【符号の説明】
【０１３１】
１      回路付サスペンション基板アセンブリ
２      回路付サスペンション基板
３      圧電素子
８      金めっき層
９      はんだ層
３２    素子端子
６１    素子接続端子
【図１】
2019102109.tif 000005
【図２】
2019102109.tif 000006
【図３】
2019102109.tif 000007
【図４】
2019102109.tif 000008
【図５】
2019102109.tif 000009
【図６】
2019102109.tif 000010