(57)【要約】【課題】チッピングを発生させることなく、被加工物を個々のデバイスに分割することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、被加工物の表面を保護膜で被覆する被覆ステップＳＴ２と、被覆ステップＳＴ２を実施した後、ストリートに沿ってレーザビームを照射してストリートに沿って保護膜とともに積層物を除去するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップＳＴ３と、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３を実施した後、レーザ加工溝の幅より薄い切削ブレードでレーザ加工溝形成ステップＳＴ３で生成されレーザ加工溝に堆積した堆積物を切削し除去する堆積物除去ステップＳＴ４と、堆積物除去ステップＳＴ４を実施した後、保護膜を介してドライエッチングを施すドライエッチングステップＳＴ５と、を備える。【選択図】図４
2019102481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材の表面に交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス層と、を備えるとともに該ストリート上に積層物が積層された被加工物の加工方法であって、
該被加工物の表面を保護部材で被覆する被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、該ストリートに沿ってレーザビームを照射して該ストリートに沿って該保護部材とともに該積層物を除去するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、
該レーザ加工溝形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝の幅より薄い切削ブレードで該レーザ加工溝形成ステップで生成され該レーザ加工溝に堆積した堆積物を切削し除去する堆積物除去ステップと、
該堆積物除去ステップを実施した後、該保護部材を介してドライエッチングを施すドライエッチングステップと、を備えた被加工物の加工方法。
【請求項２】
該保護部材は、水溶性樹脂からなり、
該堆積物除去ステップは、該切削ブレードに切削液を供給することなく実施する、請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
該堆積物除去ステップでは、該切削ブレードを被加工物に対して下から上に回転させる、請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材と、基材の表面に積層されデバイスを構成するデバイス層と、を備え、交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物を個々のデバイスに分割する方法として、ドライエッチングを被加工物に施すプラズマダイシングが用いられている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１２０８３４号公報
【特許文献２】特開２０１６−２０７７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、レジストでマスクを形成するために、工程が煩雑になる上、コストが高騰するという問題があった。これらの問題を解決するために、特許文献２に示された加工方法は、樹脂で被加工物の表面を被覆した後、レーザビームを照射してストリートに沿って樹脂を除去してマスクを形成している。
【０００５】
しかしながら、特許文献２に示された加工方法は、レーザビームの照射によって形成されたレーザ加工溝の溝底にレーザビームの照射によって生成された堆積物が堆積する。被加工物がデバイスを有するウエーハの場合には、前述した堆積物は、デバイスを構成するデバイス層に含まれる配線、被加工物によってストリート上に形成されているＴＥＧ（Test  Elements  Group）等の金属を含む。特許文献２に示された加工方法は、金属を含む堆積物が堆積した部分では、ドライエッチングが進行せずに、個々のデバイスに分割することが困難となる場合があった。
【０００６】
また、表面を樹脂等の保護部材で覆った後にストリートを露出させるために、切削ブレードを保護部材に切り込ませると、チッピングと呼ばれる欠けが発生する。特許文献２に示された加工方法は、チッピングが生じた状態で、ドライエッチングを施すと欠けがドライエッチングで拡大されてしまい、問題となる。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、チッピングを発生させることなく、被加工物を個々のデバイスに分割することができる被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、基材と、該基材の表面に交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス層と、を備えるとともに該ストリート上に積層物が積層された被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面を保護部材で被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該ストリートに沿ってレーザビームを照射して該ストリートに沿って該保護部材とともに該積層物を除去するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、該レーザ加工溝形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝の幅より薄い切削ブレードで該レーザ加工溝形成ステップで生成され該レーザ加工溝に堆積した堆積物を切削し除去する堆積物除去ステップと、該堆積物除去ステップを実施した後、該保護部材を介してドライエッチングを施すドライエッチングステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
前記被加工物の加工方法において、該保護部材は、水溶性樹脂からなり、該堆積物除去ステップは、該切削ブレードに切削液を供給することなく実施しても良い。
【００１０】
前記被加工物の加工方法において、該堆積物除去ステップでは、該切削ブレードを被加工物に対して下から上に回転させても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、チッピングを発生させることなく、被加工物を個々のデバイスに分割することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示された被加工物の要部を拡大して示す斜視図である。
【図３】図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示された被加工物の加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物の斜視図である。
【図６】図６は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップを示す側断面図である。
【図７】図７は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップ後の被加工物の断面図である。
【図８】図８は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。
【図９】図９は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップを示す側断面図である。
【図１０】図１０は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップ後の被加工物の断面図である。
【図１１】図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す断面図である。
【図１２】図１２は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップで用いられる切削装置の一例を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。
【図１４】図１４は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップ中の被加工物の要部の断面図である。
【図１５】図１５は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップで用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。
【図１６】図１６は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップ後の被加工物の断面図である。
【図１７】図１７は、図４に示された被加工物の加工方法のマスク除去ステップを示す側断面図である。
【図１８】図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示された被加工物の要部を拡大して示す斜視図である。図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１、図２及び図３に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物１は、図１、図２及び図３に示すように、基材２と、基材２の表面３に交差する複数のストリート４で区画された領域にそれぞれデバイス５が形成されたデバイス層７（図３に示す）とを備える。
【００１６】
デバイス５は、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等である。デバイス５を構成するデバイス層７は、金属等から構成された回路を形成する配線層と、配線層を支持する低誘電率絶縁膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜という）とを含む。Ｌｏｗ−ｋ膜は、デバイス５を構成し、層間絶縁膜として用いられる膜である。また、実施形態１では、ストリート４上には、図３に示すように、デバイス層７が積層物として積層されているが、本発明では、ストリート４の表面にデバイス層７が積層されずに、ストリート４において基材２の表面が露出し、積層物として後述するＴＥＧ８のみが形成されていても良い。
【００１７】
また、実施形態１において、被加工物１は、ストリート４に図２及び図３に示すＴＥＧ（Test  Elements  Group）８等の金属が部分的に形成されている。ＴＥＧ８は、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子であり、表面に金属からなる電極パッドを有している。ＴＥＧ８は、被加工物１の種別等に応じて、任意に配置される。実施形態１において、被加工物１は、積層物としてストリート４にＴＥＧ８等の金属が形成されているが、本発明は、ストリート４にＴＥＧ８等の金属が形成されていなくても良い。要するに、本発明の被加工物１は、ストリート４の表面にデバイス層７とＴＥＧ８等の金属との少なくとも一方が形成されていれば良い。また、実施形態１において、被加工物１は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどのウエーハであるが、本発明では、ウエーハに限定されない。
【００１８】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１、図２及び図３に示す被加工物１の加工方法であって、実施形態１では、被加工物１を個々のデバイス５に分割する方法である。被加工物の加工方法は、図４に示すように、テープ貼着ステップＳＴ１と、被覆ステップＳＴ２と、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３と、堆積物除去ステップＳＴ４と、ドライエッチングステップＳＴ５と、マスク除去ステップＳＴ６とを備える。
【００１９】
（テープ貼着ステップ）
図５は、図４に示された被加工物の加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物の斜視図である。テープ貼着ステップＳＴ１は、被加工物１に粘着テープ１０を貼着するステップである。実施形態１では、ドライエッチングステップＳＴ５において被加工物１をＧフルカットするために被加工物１の裏面９に粘着テープ１０等の支持部材を配設するのが望ましい。実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ１では、図５に示すように、被加工物１の基材２の裏面９に外周縁が環状フレーム１１に貼着された粘着テープ１０を貼着して、被加工物１を環状フレーム１１で支持する。被加工物の加工方法は、被加工物１に粘着テープ１０を貼着すると、被覆ステップＳＴ２に進む。
【００２０】
（被覆ステップ）
図６は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップを示す側断面図である。図７は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップ後の被加工物の断面図である。
【００２１】
被覆ステップＳＴ２は、被加工物１のデバイス層７の表面を保護部材である保護膜１２で被覆するステップである。実施形態１において、被覆ステップＳＴ２では、図６に示すように、被加工物１の基材２の表面３の裏側の裏面９側を粘着テープ１０を介して保護膜被覆装置２０のケース２１内のスピンナテーブル２２に吸着保持させ、スピンナテーブル２２を軸心回りに回転させながら、被加工物１の表面にノズル２３から水溶性の保護膜溶液１３を塗布する。水溶性の保護膜溶液１３は、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等の、後述するドライエッチングステップＳＴ５で使用されるエッチングガスに対して耐性を有しかつ水溶性の液状の樹脂等を含む。
【００２２】
被覆ステップＳＴ２では、被加工物１のデバイス層７の表面に水溶性の保護膜溶液１３を塗布した後、保護膜溶液１３を乾燥や加熱し硬化させて、図７に示すように、被加工物１の表面全体に保護膜溶液１３が硬化して構成された保護膜１２を被覆する。即ち、実施形態１において、保護膜１２は、水溶性樹脂からなる。被加工物の加工方法は、被加工物１の表面全体に保護膜１２を被覆すると、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３に進む。
【００２３】
（レーザ加工溝形成ステップ）
図８は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。図９は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップを示す側断面図である。図１０は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップ後の被加工物の断面図である。図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す断面図である。
【００２４】
レーザ加工溝形成ステップＳＴ３は、被覆ステップＳＴ２を実施した後、ストリート４に沿ってレーザビーム２００を照射してストリート４に沿って保護膜１２とともにストリート４上の積層物であるデバイス層７とＴＥＧ８を除去して、レーザ加工溝１４を形成するステップである。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、図８に示すレーザ加工装置３０が保護膜１２により表面が被覆された被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介してチャックテーブル３１に吸引保持するとともに、クランプ部３２で環状フレーム１１をクランプする。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が撮像ユニット３３でチャックテーブル３１に保持された被加工物１を撮像して、被加工物１とレーザビーム照射ユニット３４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。
【００２５】
レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が、図９に示すように、Ｘ軸移動ユニット３６、Ｙ軸移動ユニット３７及び回転ユニット３５に各ストリート４とレーザビーム照射ユニット３４とをストリート４に沿って相対的移動させながらレーザビーム照射ユニット３４から保護膜１２及び被加工物１に対して吸収性を有する波長（実施形態１では、３５５ｎｍ）のレーザビーム２００を各ストリート４の幅方向の中央に照射する。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が各ストリート４の幅方向の中央にアブレーション加工を施して、ストリート４の幅方向の中央の保護膜１２、デバイス層７及びＴＥＧ８等の金属膜を除去して、図１０及び図１１に示すように、基材２の表面３から凹のレーザ加工溝１４を各ストリート４の長手方向に沿って形成する。なお、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では基材２の表面３から約３μｍから１０μｍ程度の深さのレーザ加工溝１４を形成して、デバイス層７を分断する。
【００２６】
また、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０は、図１１に示すように、レーザ加工溝１４の溝底にアブレーション加工時に生じるデブリで構成される堆積物１５を形成することとなる。なお、堆積物１５は、前述したデブリから構成されるために後述するドライエッチングステップＳＴ５で使用されるエッチングガスに対して耐性を有するＴＥＧ８等を構成する金属を含む。なお、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、図８に示すレーザ加工装置３０を用いたが、本発明では、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３で用いるレーザ加工装置は、図８に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１の全てのストリート４にレーザ加工溝１４を形成すると、堆積物除去ステップＳＴ４に進む。
【００２７】
（堆積物除去ステップ）
図１２は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップで用いられる切削装置の一例を示す斜視図である。図１３は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。図１４は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップ中の被加工物の要部の断面図である。
【００２８】
堆積物除去ステップＳＴ４は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３を実施した後、レーザ加工溝１４の幅１６より厚さ４２が薄い切削ブレード４１でレーザ加工溝形成ステップＳＴ３で生成されレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切削し除去するステップである。堆積物除去ステップＳＴ４では、図１２に示す切削装置４０の制御ユニット５５が、レーザ加工溝１４が形成された被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介してチャックテーブル４３に吸引保持するとともに、クランプ部４４で環状フレーム１１をクランプする。堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０の制御ユニット５５が撮像ユニット４５でチャックテーブル４３に保持された被加工物１を撮像して、被加工物１と切削ユニット４６との位置合わせを行うアライメントを遂行する。
【００２９】
堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０の制御ユニット５５が、図１３に示すように、Ｘ軸移動ユニット４７にチャックテーブル４３をＸ軸方向に移動させ、Ｙ軸移動ユニット４８に切削ユニット４６をＹ軸方向に移動させ、Ｚ軸移動ユニット５４に切削ユニット４６をＺ軸方向に移動させ、回転ユニット４９にチャックテーブル４３をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させて、各ストリート４と切削ユニット４６とをストリート４に沿って相対的移動させながら図１４に示すように切削ユニット４６の切削ブレード４１を基材２に到達するまで堆積物１５に切り込ませる。堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０が切削ブレード４１でレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切削して、レーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を除去して、レーザ加工溝１４の溝底に基材２を露出させる。なお、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４は、切削装置４０が、切削ユニット４６の切削液供給ユニット５０から切削ブレード４１に冷却用等の用途で用いられる切削液を供給することなく実施する（即ち、ドライカットを実施する）。
【００３０】
また、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１のレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切り込む刃先５１において、切削ブレード４１を被加工物１に対して下から上に向かう図１３中の矢印５２で示す方向に回転させる、所謂アップカットを実施する。なお、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４では、図１２に示す切削装置４０を用いたが、本発明では、堆積物除去ステップＳＴ４で用いる切削装置は、図１２に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１の全てのストリート４に形成されたレーザ加工溝１４の溝底の堆積物１５を除去すると、ドライエッチングステップＳＴ５に進む。
【００３１】
また、実施形態１の堆積物除去ステップＳＴ４で用いられる前述した切削装置４０は、チャックテーブル４３と、クランプ部４４と、撮像ユニット４５と、切削ブレード４１及び切削液供給ユニット５０を有する切削ユニット４６と、Ｘ軸移動ユニット４７と、Ｙ軸移動ユニット４８と、回転ユニット４９と、Ｚ軸移動ユニット５４と、制御ユニット５５とを備える。制御ユニット５５は、切削装置４０の各構成要素をそれぞれ制御して、被加工物１に対する加工動作を切削装置４０に実施させるものである。なお、制御ユニット５５は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット５５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、切削装置４０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して切削装置４０の上述した構成要素に出力する。制御ユニット５５は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットと、図示しない報知ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３２】
（ドライエッチングステップ）
図１５は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップで用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。図１６は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップ後の被加工物の断面図である。
【００３３】
ドライエッチングステップＳＴ５は、堆積物除去ステップＳＴ４を実施した後、保護膜１２を介してドライエッチングを施すステップである。ドライエッチングステップＳＴ５では、図１５に示すエッチング装置６０がゲートバルブ６１を開け、搬入出口６２から被加工物１をチャンバ６３内に搬入し、被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介して静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic  chuck）６４に静電保持する。なお、静電チャック６４に被加工物１を静電保持する際には、整合器６５を介してバイアス高周波電源６６の電力を静電チャック６４の電極６７に供給する。
【００３４】
そして、ドライエッチングステップＳＴ５では、エッチング装置６０が排気管６８を通して排気装置６９によってチャンバ６３内を減圧し、チャンバ６３内の圧力を、例えば０．１０〜０．１５Ｐａとするとともに、静電チャック６４の温度を粘着テープ１０からガスが発生しない温度である例えば７０℃以下とし、ストリート４で露出した基材２をエッチングして、レーザ加工溝１４を裏面９に向けて進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでレーザ加工溝１４の内面に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、レーザ加工溝１４の溝底の被膜を除去してレーザ加工溝１４の溝底をエッチングする。このように、ドライエッチングステップＳＴ５は、所謂ボッシュ法で被加工物１をドライエッチングする。
【００３５】
なお、エッチングステップでは、エッチング装置６０は、ガス供給部７０からエッチングガスであるＳＦ６ガスをガス配管７１及びガス導入口７２を介してガス噴出ヘッド７３のガス吐出部７４から噴射させる。そして、エッチング装置６０は、プラズマ発生用のＳＦ６ガスを供給した状態で、整合器７５を介して高周波電源７６からガス噴出ヘッド７３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源７６から静電チャック６４にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、静電チャック６４とガス噴出ヘッド７３との間の空間にＳＦ６ガスからなる等方性を有するプラズマが発生し、このプラズマが被加工物１の基材２に引き込まれて、レーザ加工溝１４の溝底をエッチングして、レーザ加工溝１４を被加工物１の裏面９に向かって進行させる。
【００３６】
また、被膜堆積ステップでは、エッチング装置６０は、ガス供給部７０から堆積性ガスであるＣ４Ｆ８ガスをガス噴出ヘッド７３の複数のガス吐出部７４から静電チャック６４に保持された被加工物１に向けて噴出する。そして、エッチング装置６０は、プラズマ発生用のＣ４Ｆ８ガスを供給した状態で、高周波電源７６からガス噴出ヘッド７３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源７６から静電チャック６４にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、静電チャック６４とガス噴出ヘッド７３との間の空間にＣ４Ｆ８ガスからなるプラズマが発生し、このプラズマが被加工物１の基材２に引き込まれて、レーザ加工溝１４の内面に被膜を堆積させる。
【００３７】
ドライエッチングステップＳＴ５では、エッチング装置６０は、レーザ加工溝１４の深さ、被加工物１の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。実施形態１において、ドライエッチングステップＳＴ５において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返された被加工物１は、図１６に示すように、レーザ加工溝１４が裏面９側に到達して、個々のデバイス５に分割される。なお、実施形態１において、ドライエッチングステップＳＴ５では、図１５に示すエッチング装置６０を用いたが、本発明では、ドライエッチングステップＳＴ５で用いるエッチング装置は、図１５に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１を個々のデバイス５に分割すると、マスク除去ステップＳＴ６に進む。
【００３８】
（マスク除去ステップ）
図１７は、図４に示された被加工物の加工方法のマスク除去ステップを示す側断面図である。マスク除去ステップＳＴ６は、ドライエッチングステップＳＴ５を実施した後、保護膜１２を除去するステップである。実施形態１において、マスク除去ステップＳＴ６では、図１７に示すように、被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介して洗浄装置８０のケース８１内のスピンナテーブル８２に吸着保持させ、スピンナテーブル８２を軸心回りに回転させながら、被加工物１にノズル８３から洗浄液１７を噴射する。実施形態１にて、洗浄液１７は、純水又は市水（水道水）である。
【００３９】
被覆ステップＳＴ２では、スピンナテーブル８２を軸心回りに回転させながら被加工物１の表面に洗浄液１７を所定時間噴射して、洗浄液１７で保護膜１２を洗い流して、保護膜１２を被加工物１の表面３から除去する。被加工物の加工方法は、保護膜１２を除去すると、終了する。なお、その後、被加工物１は、例えば、個々のデバイス５が粘着テープ１０からピックアップされる。
【００４０】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３においてレーザ加工溝１４を形成した後、堆積物除去ステップＳＴ４において切削ブレード４１でレーザ加工溝１４の溝底の堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、ドライエッチングステップＳＴ５の前に全てのストリート４のレーザ加工溝１４の溝底で基材２を露出させることができ、レーザ加工溝１４の溝底においてドライエッチングが進行しない領域の発生を抑制することができる。
【００４１】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４において、レーザ加工溝１４の幅１６よりも厚さ４２が薄い切削ブレード４１で堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削ブレード４１がレーザ加工溝１４の溝底以外を切削することを抑制できるので、被加工物１を個々のデバイス５に分割する際にチッピングが発生することを抑制することができる。その結果、被加工物の加工方法は、チッピングを発生させることなく、ドライエッチングにより被加工物１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００４２】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、保護膜１２が水溶性樹脂からなり、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１に切削液を供給することなく実施するので、ドライエッチングステップＳＴ５の前にデバイス５を被覆した保護膜１２を除去してしまうことを抑制することができる。
【００４３】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４では、所謂アップカットにより切削ブレード４１で堆積物１５を除去するので、堆積物１５を除去した際に発生した加工屑が切削ブレード４１の回転によりレーザ加工溝１４の溝底から離れる方向に排出され被加工物１の表面の保護膜１２上に飛散する。よって、被加工物の加工方法は、堆積物１５を除去した際に発生した加工屑がレーザ加工溝１４の溝底に付着してエッチングを阻害することを抑制することができる。更に飛散した加工屑は、後のマスク除去ステップＳＴ６で保護膜１２とともに除去される。
【００４４】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。なお、図１８は、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４が実施形態１と異なること以外、実施形態１に係る被加工物の加工方法と同じである。
【００４６】
実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法において、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１のレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切り込む刃先５１において、切削ブレード４１を被加工物１に対して上から下に向かう図１８中の矢印５３で示す方向に回転させる、所謂ダウンカットを実施する。
【００４７】
実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３においてレーザ加工溝１４を形成した後、堆積物除去ステップＳＴ４においてレーザ加工溝１４の幅１６よりも厚さ４２が薄い切削ブレード４１で堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、チッピングを発生させることなく、ドライエッチングにより被加工物１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。前述した実施形態１等では、被加工物の加工方法は、被覆ステップＳＴ２において、水溶性の保護膜溶液１３を塗布して、保護膜１２を形成している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、被覆ステップＳＴ２において、被加工物１の表面にシート状の保護部材を貼着しても良い。この場合、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削液を切削ブレード４１に供給しながら実施しても良く、マスク除去ステップＳＴ６では、保護部材を被加工物１から剥がすのが望ましい。
【００４９】
また、実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ１では、被加工物１の裏面９に外周縁が環状フレーム１１に貼着された粘着テープ１０を貼着するが、本発明では、被加工物１の裏面９に硬質な板状のハードプレートを配設しても良い。また、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザビーム２００を基材２の表面３から約３μｍから１０μｍ程度切り込ませて、デバイス層７を分断するレーザ加工溝１４を形成するが、本発明では、デバイス層７のみを除去して基材２に切り込まないレーザ加工溝１４を形成しても良いし、溝底にデバイス層７をわずかに残したレーザ加工溝１４即ちデバイス層７を分断しないレーザ加工溝１４を形成しても良い。この場合、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削ブレード４１で残りのデバイス層７を切削しても良く、ＴＥＧ８等だけで配線層が問題にならない場合にはプラズマエッチングでも良い。
【００５０】
また、本発明では、ドライエッチングステップＳＴ５において、レーザ加工溝１４を裏面９に到達させずに、被加工物１をレーザ加工溝１４で所謂ハーフカットしても良い。この場合、テープ貼着ステップＳＴ１を実施せずに、被加工物１の裏面９に粘着テープ１０等の支持部材を配設しなくても良く、ドライエッチングステップＳＴ５後に被加工物１の裏面９に研削加工等を施して被加工物１を薄化して、個々のデバイス５に分割するのが望ましい。
【符号の説明】
【００５１】
１  被加工物
２  基材
３  表面
４  ストリート
５  デバイス
７  デバイス層（積層物）
８  ＴＥＧ（積層物）
１２  保護膜（保護部材）
１４  レーザ加工溝
１５  堆積物
１６  幅
４１  切削ブレード
２００  レーザビーム
ＳＴ２  被覆ステップ
ＳＴ３  レーザ加工溝形成ステップ
ＳＴ４  堆積物除去ステップ
ＳＴ５  ドライエッチングステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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