(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化が可能で生産性が良好な、部品実装基板の電磁波シールド構造を提供する。【解決手段】電子回路モジュール１において、回路基板３に部品が実装されてなる部品実装基板２を絶縁層１０で埋設して、さらにその絶縁層１０上に金属層２０を形成し、部品実装基板２を絶縁層１０と金属層２０との２層の積層構造で包み込む構成とする。また、絶縁層１０は、樹脂材料による成形温度を、回路基板２に部品を実装するハンダの融点よりも低く、金属層２０は、金属材料による成形温度を、絶縁層１０の軟化点よりも低くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に部品が実装されてなる部品実装基板と、
前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に積層して覆う金属層と、を備えたことを特徴とする部品実装基板の電磁波シールド構造。
【請求項２】
前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が、前記回路基板に部品を実装するハンダの融点よりも低く、前記金属層は金属材料による成形温度が、前記絶縁層の軟化点よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の部品実装基板の電磁波シールド構造。
【請求項３】
前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が前記回路基板に部品を実装するハンダの融点及び前記金属層の融点のいずれよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の部品実装基板の電磁波シールド構造。
【請求項４】
前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂及びポリイミドのうちの１つから選択されることを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載の部品実装基板の電磁波シールド構造。
【請求項５】
前記金属材料は、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系の合金のうち１つの合金から選択されることを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載の部品実装基板の電磁波シールド構造。
【請求項６】
回路基板に部品を実装して部品実装基板を作製する工程と、
樹脂材料の成形で前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層を形成する工程と、
金属材料の成形で前記絶縁層上に積層して覆う金属層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【請求項７】
回路基板に部品を実装して部品実装基板を作製する工程と、
金属材料の成形で、前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層の輪郭形状と同形の空洞部を有する金属層を形成する工程と、
前記金属層の前記空洞部内に前記部品の一部を除く前記部品実装基板をセットする工程と、
前記部品の一部を除く前記部品実装基板がセットされた前記空洞内に樹脂材料を注入して前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層を成形する工程と、を備えたことを特徴とする部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が、前記回路基板に部品を実装するハンダの融点よりも低く、前記金属層は金属材料による成形温度が、前記絶縁層の軟化点よりも低いことを特徴とする請求項６に記載の部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が前記回路基板に部品を実装するハンダの融点及び前記金属層の融点のいずれよりも低いことを特徴とする請求項７に記載の部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂及びポリイミドのうちの１つから選択されることを特徴とする請求項８又は９のいずれかに記載の部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【請求項１１】
前記金属材料は、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系の合金のうち１つの合金から選択されることを特徴とする請求項８又は９のいずれかに記載の部品実装基板の電磁波シールド構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に電子部品及び回路部品が実装されてなる部品実装基板から発生する電磁波ノイズを外部に漏洩させないように遮蔽する電磁波シールド構造及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、部品実装基板を電磁波シールドする方法としては、電子回路モジュールとして、複数の回路部品が実装された回路基板に金属製のシールドカバーを搭載して回路部品をシールドカバーで覆うことにより高周波ノイズの漏洩や進入を阻止する方法が開示されている（特許文献１参照）。
また、電子部品パッケージとして、基板に実装された電子部品を樹脂封止して封止体の表面にニッケルメッキ層をコーティングすることにより電子部品を電界ノイズ及び磁界ノイズからシールドする方法が開示されている（特許文献２参照）。
更に、電子機器筐体として、前面に複数の直線状の隙間が設けられると共にそれら隙間を横切るように上下方向に移動可能に設けられた金属バーを有する金属筐体内に複数の電子回路基板が収容され、金属バーの上下方向の位置を適宜な位置に設定することにより金属筐体から外部空間に放射される共振周波数を調整して、周辺機器に対してノイズ障害となる特定周波数のノイズが外部空間に放射されるのを抑制する方法が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２３４１０号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３５８３号公報
【特許文献３】特開２００４−１１１６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された電子回路モジュールに係るシールド方法は、部品実装基板とシールドカバーとの間に空間があり、その空間によって電子回路モジュールの小型化が阻害されることになる。
また、特許文献２に開示された電子部品パッケージに係るシールド方法は、封止体の表面に施すニッケルメッキ層のコーティングが無電解メッキによって行われるが、ニッケルメッキ層の形成に時間がかかるため電子部品パッケージの生産性が悪い。
また、特許文献３に開示された電子機器筐体の特定周波数ノイズの放射抑制方法は、金属筐体が隙間を有して遮蔽されていないため、ノイズを抑制できない周波数帯が存在する。
【０００５】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたものであり、その目的とするところは、小型化が可能で生産性が良好な、部品実装基板のシールド構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、回路基板に部品が実装されてなる部品実装基板と、前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層と、前記絶縁層上に積層して覆う金属層と、を備えたことを特徴とするものである。
【０００７】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が、前記回路基板に部品を実装するハンダの融点よりも低く、前記金属層は金属材料による成形温度が、前記絶縁層の軟化点よりも低いことを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１において、前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が前記回路基板に部品を実装するハンダの融点及び前記金属層の融点のいずれよりも低いことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項２又は３のいずれかにおいて、前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂及びポリイミドのうちの１つから選択されることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項２又は３のいずれかにおいて、前記金属材料は、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系の合金のうち１つの合金から選択されることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項６に記載された発明は、回路基板に部品を実装して部品実装基板を作製する工程と、樹脂材料の成形で前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層を形成する工程と、金属材料の成形で前記絶縁層上に積層して覆う金属層を形成する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項７に記載された発明は、回路基板に部品を実装して部品実装基板を作製する工程と、金属材料の成形で、前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層の輪郭形状と同形の空洞部を有する金属層を形成する工程と、前記金属層の前記空洞部内に前記部品の一部を除く前記部品実装基板をセットする工程と、前記部品の一部を除く前記部品実装基板がセットされた前記空洞内に樹脂材料を注入して前記部品の一部を除く前記部品実装基板を埋設して覆う絶縁層を成形する工程と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項８に記載された発明は、請求項６において、前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が、前記回路基板に部品を実装するハンダの融点よりも低く、前記金属層は金属材料による成形温度が、前記絶縁層の軟化点よりも低いことを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項９に記載された発明は、請求項７において、前記絶縁層は、樹脂材料による成形温度が前記回路基板に部品を実装するハンダの融点及び前記金属層の融点のいずれよりも低いことを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項１０に記載された発明は、請求項８又は９のいずれかにおいて、前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂のフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂及びポリイミドのうちの１つから選択されることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項１１に記載された発明は、請求項８又は９のいずれかにおいて、前記金属材料は、Ｓｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ系の合金のうち１つの合金から選択されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、部品実装基板の電磁波シールド構造を、回路基板に部品が実装されてなる部品実装基板と、部品実装基板を埋設した絶縁層と、絶縁層上に積層した金属層とを有する構成とし、絶縁層を樹脂材料の成形によって形成し、金属層を金属材料の成形によって形成した。
【００１８】
これにより、小型化が可能で生産性が良好な、部品実装基板の電磁波シールド構造の提供が可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の電子回路モジュールの断面図である。
【図２】実施例の電子回路モジュールのノイズ特性を示すチャートである。
【図３】比較例の電子回路モジュールのノイズ特性を示すチャートである。
【図４】第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図５】同じく、第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図６】同じく、第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図７】同じく、第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図８】同じく、第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図９】同じく、第１の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１０】第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１１】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１２】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１３】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１４】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１５】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１６】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１７】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【図１８】同じく、第２の実施形態の電子回路モジュールの製造工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、この発明の好適な実施形態を図１〜図１８を参照しながら、詳細に説明する（同一部分については同じ符号を付す）。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
【００２１】
図１は、本発明の部品実装基板の電磁波シールド構造に係る第１の実施形態の断面図である。電磁波シールド構造に係る実施形態は、例えば、電子回路モジュールを形成している。
【００２２】
電子回路モジュール１は、４層以上のＦＲ４多層基板からなる回路基板３に、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品４や入出力用コネクタ５からなる回路部品がハンダ接合（図示せず）によって実装されて部品実装基板２が形成され、入出力用コネク５タの一部（外部コネクタ嵌合用開口部５ａ）を除く部品実装基板２全体を一体的に隙間なく覆うように樹脂材料で形成された絶縁層１０で埋設されている。
【００２３】
絶縁層１０は、良好な絶縁性、断熱性及び機械的強度を有し、融点及び軟化点が後述する金属層２０の成形温度よりも高く、且つ硬化温度が部品実装基板２の実装ハンダの融点よりも低い樹脂材料で形成されている。具体的な樹脂材料としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリイミド等の熱硬化性樹脂が用いられる。
【００２４】
更に、絶縁層１０は全体が金属層２０によって一体的に隙間なく覆われている。金属層２０は、該金属層２０を金属材料で成形する際の成形温度が、絶縁層１０の融点及び軟化点よりも低い金属材料で形成されている。具体的な金属材料としては、融点が１００℃以上の低融点合金（２種類以上の金属で組成）で形成され、例えば、Ｓｎ（スズ）−Ｂｉ（ビスマス）系、Ｓｎ（スズ）−Ｉｎ（インジウム）系、Ｓｎ（スズ）−Ａｇ（銀）系の合金によって３ｍｍ以上の厚みに形成されている。
【００２５】
金属材料にこれらの低融点合金を用いることにより、金属層２０の成形時に成形熱によって合金が溶解して導電性が向上し、電磁波シールドのシールド効果が高められる。
【００２６】
上記のように、第１の実施形態の電子回路モジュール１の構成を、部品実装基板２の、入出力用コネク５タの一部（外部コネクタ嵌合用開口部５ａ）を除く全体を、絶縁層１０及び金属層２０からなる２層の積層構造の夫々で完全に包み込むことにより、部品実装基板２から発せられる電磁ノイズが、絶縁層１０によって該部品実装基板２から電気的に絶縁された金属層２０によって外部空間に放射されるのが抑制されると共に、外部空間から受けるノイズ（イミュニティノイズ）に対する耐性も向上する。
【００２７】
そこで発明者は、本実施形態の電子回路モジュールの電磁波シールドのシールド効果を確認するために、電子回路モジュールの最外殻を構成する金属層が絶縁層を全体に亘って覆うように配置された本実施形態の電子回路モジュール（実施例）の放射ノイズ試験と、金属層が肉抜き部を有して絶縁層の一部が金属層の肉抜き部から露出した構成の電子回路モジュール（比較例）の放射ノイズ試験を行った。
【００２８】
図２は、実施例の電子回路モジュールの放射ノイズ試験で得られたノイズ特性を示し、図３は比較例の電子回路モジュールの放射ノイズ試験で得られたノイズ特性を示している。
【００２９】
図２で示される実施例のノイズ特性と図３で示される比較例のノイズ特性とを比較すると、図２の実施例のノイズ特性が、図３の比較例のノイズ特性に対して１８０ＭＨｚにおける放射ノイズが８ｄＢ（ｕＶ／ｍ）のレベルで低いことがわかる（図中に破線で示す周波数領域）。
【００３０】
これにより、本実施形態の電子回路モジュール１のように、部品実装基板２を覆うように埋設した絶縁層１０の全面を空間的な隙間を有しないように金属層２０で覆う構成とすることにより、金属層２０による電磁ノイズの抑制効果が十分に発揮されることが確認できた。
【００３１】
次に、本実施形態の電子回路モジュールの製造方向について図４〜図９を参照して説明する。
【００３２】
まず、図４（部品実装基板の作製工程）に示すように、回路基板３上に形成された回路パターン（図示せず）に約２３０℃のリフロー温度のハンダリフローによってＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品４及び入出力用コネクタ５からなる回路部品をハンダ接合することにより回路基板３上に部品がハンダ実装されてなる部品実装基板２を作製する。
【００３３】
次に、図５（絶縁層の形成工程）に示すように、入出力用コネクタ５の一部（外部コネクタ嵌合用開口部５ａ）を除く部品実装基板２全体を樹脂材料で一体的に隙間なくコーティングあるいは封止して加熱硬化させて絶縁層１０を形成する。この場合、樹脂材料として、その硬化温度が部品実装基板２の実装ハンダの融点よりも低い熱硬化性樹脂を用いることにより、熱硬化性樹脂の加熱硬化時の熱によって回路基板３に部品（電子部品４及び入出力用コネクタ５）を実装したハンダが溶けることがないように設定されている。
【００３４】
次に、図６（部品実装基板の金型への挿入工程）に示すように、絶縁層１０で覆うように埋設された部品実装基板２を、型開きした成形用金型（以下、「金型」と略称する）３０の上金型３１と下金型３２の間に挿入する。
【００３５】
次に、図７（部品実装基板の金型へのセット工程）に示すように、金型３０の上金型３１と下金型３２を型締めして金型３０内の所定の位置に、図示しないが固定用のピン等の固定部材を介して絶縁層１０で覆われた部品実装基板２をセットする。
【００３６】
次に、図８（金型への成形金属の注入工程（例えば、射出成形））に示すように、上金型３１と下金型３２とを型締めして絶縁層１０で覆われた部品実装基板２と上下金型（３１、３２）との間に形成された空間（キャビティ）３３内に加熱溶融された成形金属２１をゲートを介して充填して金属層２０を形成する。この場合、成形金属２１として、成形温度が回路基板３に部品を実装するハンダの融点及び部品実装基板を覆う絶縁層１０の融点及び軟化点よりも低い金属材料を用いることにより、成形金属２１の成形時の熱によって回路基板３に部品（電子部品４及び入出力用コネクタ５）を実装したハンダが溶けるのを防止すると同時に部品実装基板２を覆う絶縁層１０が軟化あるいは溶融状態になるのを防止している。
【００３７】
次に、図９（成形品の取出工程）に示すように、上金型３１及び下金型３１からなる金型３０を冷却後、上金型３１と下金型３２を型開きして、部品実装基板２が覆われてなる絶縁層１０が成形金属によってのインサート成形された成形品（電子回路モジュール１）を金型３０から取り出す。
【００３８】
これにより、図１に示すような本実施形態の電子回路モジュール１が得られる。
【００３９】
ところで、本実施形態の電子回路モジュールは製造工程上、電子回路モジュール１を構成する、回路基板３に部品を実装するハンダ、絶縁層１０を形成する樹脂材料及び金属層２０を形成する金属材料の３種類の材料において、高温側からハンダの融点、樹脂材料の硬化温度及び金属材料の成形温度の順になるように材料選定が行われている。
【００４０】
これにより、樹脂材料で絶縁層１０を形成する工程において、樹脂材料の硬化時の熱が回路基板３に部品を実装したハンダに対して溶融等の熱的な悪影響を及ぼすことがなく、また、その後工程の金属材料で金属層を成形する工程において、金属材料の成形時の熱が回路基板３に部品を実装したハンダ及び絶縁層１０の夫々に対して熱的な悪影響を及ぼすことがない。そのため、信頼性の高い電子回路のジュール１の実現が可能になる。
【００４１】
次に、本発明の部品実装基板の電磁波シールド構造に係る第２の実施形態の電子回路モジュールについて説明する。
【００４２】
第２の実施形態の電子回路モジュール１は、上記第１の実施形態の電子回路モジュール１に対して部品実装基板、絶縁層及び金属層による構成が同じで製造方法のみが異なる。そのため、電子回路モジュール１の説明は省略してその製造方法を図１０〜図１８を参照して以下に説明する。
【００４３】
まず、図１０（部品実装基板の作製工程）に示すように、予め、回路基板３上に形成された回路パターン（図示せず）に約２３０℃のリフロー温度のハンダリフローによってＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品４及び入出力用コネクタ５からなる回路部品をハンダ接合することにより回路基板３上に部品がハンダ実装されてなる部品実装基板２を作製する。
【００４４】
次に、図１１（絶縁層と同形の中子型の作製工程）に示すように、後工程において入出力用コネクタ５の一部（外部コネクタ嵌合用開口部５ａ）を除く部品実装基板２全体を一体的に覆うように埋設した絶縁層１０の輪郭形状と同形の中子型４４を作成する。
【００４５】
次に、図１２（中子型の金型への挿入工程）に示すように、中子型４４を型開きした成形用金型（以下、「金型」と略称する）４０の上金型４１と下金型４２の間に挿入する。
【００４６】
次に、図１３（中子型の金型へのセット工程）に示すように、金型４０の上金型４１と下金型４２を型締めして金型４０内の所定の位置に、図示しない固定部材を介して中子型４４をセットする。
【００４７】
次に、図１４（金型への成形金属の注入工程（例えば、射出成形））に示すように、型締めされた金型４０内にセットされた中子型４４と上下金型（４１、４２）との間に形成された空間（キャビティ）４３内に加熱溶融された成形金属２２をゲートを介して充填する。
【００４８】
次に、図１５（成形品の取出工程）に示すように、上金型４１及び下金型４２からなる金型４０を冷却後、上金型４１と下金型４２を型開きして成形品を金型４０から取り出して中子型４４を除去する。これにより、図１６に示すような、内部に絶縁層１０の輪郭形状と同形の空洞部２３を有すると共に電子回路モジュール１の最外殻を構成する金属層２０が得られる。
【００４９】
次に、図１７（金属層内に部品実装基板をセットする工程）に示すように、金属層２０の空洞部２３内の所定の位置に、図示しない固定部材を介して予め作製された部品実装基板２をセットする。なお、金属層２０には、部品実装基板２を挿入するための十分な高さの入口（図示せず）が設けられている。
【００５０】
次に、図１８（金属層内への樹脂材料の注入工程（例えば、注入成形））に示すように、部品実装基板２と金属層２０の内面２０ａとの間に形成された空間２４内に樹脂材料を注入して空間２４を樹脂材材料で埋め、加熱硬化して絶縁層１０を形成する。
【００５１】
これにより、上記第１の実施形態とは異なる製造方法によって第１の実施形態と同一の構成を有する電子回路モジュール１を実現することができる。
【００５２】
なお、本実施形態の電子回路モジュールにおいてはその製造工程上、電子回路モジュール１を構成する、回路基板３に部品を実装するハンダ、絶縁層１０を形成する樹脂材料及び金属層２０を成形する金属材料の３種類の材料において、ハンダの融点及び金属層２０の融点に対して樹脂材料の硬化温度が低くなるように材料選定が行われている。
【００５３】
これにより、金属層２０の空洞部２３に樹脂材料を注入して絶縁層１０を形成する工程において、樹脂材料の硬化時の熱が回路基板３に部品を実装したハンダ及び金属層２０に対して溶融等の熱的な悪影響を及ぼすことがない。そのため、信頼性の高い電子回路のジュール１の実現が可能になる。
【００５４】
以上説明したように、部品実装基板の電磁波シールド構造は、部品実装基板２を絶縁層１０及び金属層２０からなる２層の積層構造で一体的に包み込むため小型化が容易である。また夫々の層を成形方法で形成することができるため生産性が良好で安価な製造コストが可能となる。
【符号の説明】
【００５５】
１…  電子回路モジュール
２…  部品実装基板
３…  回路基板
４…  電子部品
５…  入出力用コネクタ
５ａ…  外部コネクタ嵌合用開口部
１０…  絶縁層
２０…  金属層
２０ａ…  内面
２１…  金属材料（成形金属）
２２…  金属材料（成形金属）
２３…  空洞部
２４…  空間
３０…  成形用金型（金型）
３１…  上金型
３２…  下金型
３３…  空間（キャビティ）
４０…  成形用金型（金型）
４１…  上金型
４２…  下金型
４３…  空間（キャビティ）
４４…  中子型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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