(57)【要約】【課題】コネクタ端子を摺動させたときの摩擦係数が低く、コネクタ端子の挿入力が低く抑えられた電気部品を提供する。【解決手段】接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備え、前記接触面と前記接点とが摺動し接触することで第１端子と第２端子とが通電する電気部品であって；第１端子が、導電性金属からなる基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層を有し、前記基材が溝と凸条を有するとともに、該溝と凸条の表面に前記表面めっき層が形成されてなり、表面めっき層が形成された後の、溝の幅が１０〜２００μｍであり、凸条の幅が２０〜３００μｍであり、溝の深さが２〜５０μｍであることを特徴とする電気部品。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備え、前記接触面と前記接点とが摺動し接触することで第１端子と第２端子とが通電する電気部品であって；
第１端子が、導電性金属からなる基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層を有し、
前記基材が溝と凸条を有するとともに、該溝と凸条の表面に前記表面めっき層が形成されてなり、
表面めっき層が形成された後の、溝の幅が１０〜２００μｍであり、凸条の幅が２０〜３００μｍであり、溝の深さが２〜５０μｍであることを特徴とする電気部品。
【請求項２】
前記表面めっき層がリフロー処理されてなる請求項１に記載の電気部品。
【請求項３】
第１端子における前記接触面が前記凸条の平坦面であり、当該平坦面と第２端子の接点とが接触する請求項１又は２に記載の電気部品。
【請求項４】
前記表面めっき層の厚みが０．０１〜２０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の電気部品。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電気部品の製造方法であって；
第１端子を製造するに際し、
導電性金属からなる基材の表面の少なくとも一部の領域にレーザーを照射し、該基材の表面に溝を形成する第１工程と、
Ｓｎイオンを含有するめっき浴中で表面めっき層を形成する第２工程とを備えることを特徴とする製造方法。
【請求項６】
第２工程の後に、リフロー処理を行う第３工程をさらに備える請求項５に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備える電気部品に関する。また、本発明はこの電気部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車の安全性能や環境性能、快適性の向上のため自動車の電子化が進んでいる。自動車に搭載される電気部品の多様化に伴い車載用プリント配線板も増加しており、それらの接続に必要なコネクタ端子も増加している。
【０００３】
また、部品点数の削減も重要となっており、電気部品の機能統合も進んでいる。その結果、コネクタ端子１つ当たりの極数が増加しており、嵌合する際に必要な挿入力が増大している。そこで、コネクタ端子を嵌合させる際に必要な挿入力を低減させるために、様々な検討がなされている。
【０００４】
通常、コネクタ端子の材料には電気伝導性や熱伝導性に優れるＣｕ合金が多く使われ、その表面にはＳｎめっきが施されている。例えば特許文献１には、打抜き加工した銅合金板条に後めっき及びリフロー処理して製造された嵌合型コネクタ用端子であり、端子嵌合部とはんだ付け部を有し、端子嵌合部において母材板面の表面粗さがはんだ付け部より大きく形成され、表面被覆層としてＣｕ−Ｓｎ合金層及びＳｎ層がこの順に形成され、かつ前記Ｓｎ層がリフロー処理により平滑化している嵌合型コネクタ用端子が記載されている。そして、特許文献１に記載の発明によれば、端子嵌合部において低摩擦係数を実現し、同時にはんだ付け部のはんだ付け性を改善することができるとされている。
【０００５】
上述したように、特に、自動車用電気部品においては、コネクタ端子表面の摩擦係数が低くコネクタ端子の挿入力が低く抑えられた電気部品が求められている。しかしながら、特許文献１に記載の嵌合型コネクタ用端子は、これらの要求を未だ満足するものではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−１３９６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、コネクタ端子を摺動させたときの摩擦係数が低く、コネクタ端子の挿入力が低く抑えられた電気部品を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題は、接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備え、前記接触面と前記接点とが摺動し接触することで第１端子と第２端子とが通電する電気部品であって；第１端子が、導電性金属からなる基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層を有し、前記基材が溝と凸条を有するとともに、該溝と凸条の表面に前記表面めっき層が形成されてなり、表面めっき層が形成された後の、溝の幅が１０〜２００μｍであり、凸条の幅が２０〜３００μｍであり、溝の深さが２〜５０μｍであることを特徴とする電気部品を提供することによって解決される。このとき、前記表面めっき層がリフロー処理されてなることが好ましい。第１端子における前記接触面が前記凸条の平坦面であり、当該平坦面と第２端子の接点とが接触することが好ましい。また、前記表面めっき層の厚みが０．０１〜２０μｍであることも好ましい。
【０００９】
上記課題は、上記電気部品の製造方法であって；第１端子を製造するに際し、導電性金属からなる基材の表面の少なくとも一部の領域にレーザーを照射し、該基材の表面に溝を形成する第１工程と、Ｓｎイオンを含有するめっき浴中で表面めっき層を形成する第２工程とを備えることを特徴とする製造方法を提供することによっても解決される。このとき、第２工程の後に、リフロー処理を行う第３工程をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の電気部品においては、コネクタ端子を摺動させたときの摩擦係数が低く、第１端子と第２端子を接触させたときの摺動性に優れている。したがって、コネクタ端子の挿入力が低く抑えられた電気部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】角度を４５°として、接触面と接点を摺動させた例を示した図である。
【図２】レーザーの照射方法の一例を示した図である。
【図３】めっき品断面の模式図である。
【図４】摩擦係数の測定方法を説明した図である。
【図５】実施例１及び比較例１における摺動試験の結果を示した図である。
【図６】凸条の幅を変えた場合における摺動試験の結果を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備える電気部品に関する。本発明の電気部品は、前記接触面と前記接点とが摺動し接触することで第１端子と第２端子とが通電するものである。
【００１３】
第１端子における接触面の形状としては平面や曲面が挙げられ、中でも接触面が平面であることが好適である。このとき、当該接触面が凸条の平坦面であり、当該平坦面と第２端子の接点とが接触することが好適である。一方、第２端子の接点の形状は特に限定されないが、凸状の曲面であることが好ましく、球面などが好適なものとして採用される。第１端子と第２端子との接触形態としては、線接触、点接触、面接触などが挙げられる。
【００１４】
本発明においては、第１端子が、導電性金属からなる基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層を有する。本発明で用いられる基材は、導電性金属からなるものであれば特に限定されない。中でも、導電性能の観点から、銅又は銅を主成分とする合金が好適である。ここで、「主成分とする」とは５０質量％以上含有するという意味である。基材の厚さは特に限定されないが、通常、０．０１〜５ｍｍである。
【００１５】
また本発明においては、上記基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層が形成される。ここで「主成分とする」とはＳｎを５０質量％以上含有するという意味である。
【００１６】
表面めっき層の厚みは０．０１〜２０μｍであることが好ましい。厚みが０．０１μｍ未満であると、均質な表面めっき層が得られないおそれがある。厚みは、０．１μｍ以上であることがより好ましく、０．３μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、厚みが２０μｍを超えると、摩擦係数が上昇するおそれがある。また、生産性が低下するおそれがある。厚みは、５μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００１７】
本発明においては、基材と表面めっき層との間に、中間めっき層がさらに形成されてなることが好ましい。中間めっき層としては、Ｎｉを主成分とする中間めっき層や、Ｃｕを主成分とするめっき層、Ａｇを主成分とする中間めっき層、Ｐｄを主成分とする中間めっき層、Ａｕを主成分とする中間めっき層、Ｉｎを主成分とするめっき層などが挙げられ、中でも、Ｎｉを主成分とする中間めっき層が好適である。ここで「主成分とする」とは、中間めっき層において、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｎのいずれかを５０質量％以上含有するという意味である。
【００１８】
中間めっき層の厚みは特に限定されないが、０．０１〜２０μｍであることが好ましい。厚みが０．０１μｍ未満であると、均質な中間めっき層が得られないおそれがある。厚みは、０．１μｍ以上であることがより好ましく、０．３μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、厚みが２０μｍを超えると、生産性が低下するおそれがある。厚みは、１５μｍ以下であることがより好ましい。中間めっき層は単層であっても多層であってもかまわない。多層の場合、これらの層は同じ種類の層であってもよいし異なる種類の層であってもよい。また、多層の場合、上記厚みは単層の厚みのことをいう。
【００１９】
本発明においては、前記基材が溝と凸条を有するとともに、当該溝及び凸条の表面に前記表面めっき層が形成されてなる。当該溝及び凸条の形成方法は特に限定されず、予め基材に対して溝と凸条を形成してから当該基材の表面にめっき層を形成する方法が挙げられる。また、基材と表面めっき層との間に、中間めっき層が形成されてなる場合、基材に対して中間めっき層を形成した後に溝と凸条を形成し、それから表面にめっき層を形成する方法も挙げられる。
【００２０】
溝及び凸条の形成方法は特に限定されない。形成方法としては、レーザーにより溝及び凸条を形成する方法、プレス加工、切削加工、放電加工、フォトリソグラフィ法などが挙げられる。中でも、寸法精度の良い溝及び凸条を短時間で得ることができる観点から、レーザーにより溝と凸条とが形成されてなることが好ましい。
【００２１】
本発明において、凸条の幅が２０〜３００μｍであることが重要である。凸条の幅がこの範囲から外れると、第１端子と第２端子の摺動性能が低下し、コネクタ端子の挿入力が低く抑えられた電気部品を得ることができない。ここで、凸条の幅とは、表面めっき層が形成された後における凸条の頂部における幅方向の長さのことをいう。凸条の幅は２５μｍ以上であることが好ましく、３０μｍ以上であることがより好ましい。一方、凸条の幅は２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１１０μｍ以下であることがさらに好ましく、９５μｍ以下であることが特に好ましい。
【００２２】
本発明において、溝の幅は１０〜２００μｍである。溝の幅は１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。一方、溝の幅は１５０μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、８０μｍ以下であることがさらに好ましい。溝の幅とは、表面めっき層が形成された後の溝の幅のことをいう。
【００２３】
また本発明において、溝の深さは２〜５０μｍである。溝の深さは４μｍ以上であることが好ましく、６μｍ以上であることがより好ましい。一方、溝の深さは４０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。溝の深さとは、表面めっき層が形成された後の溝の深さのことをいう。
【００２４】
本発明の電気部品は、接触面を有する第１端子と、該接触面と接触する接点を有する第２端子とを備え、前記接触面と前記接点とが摺動し接触することで第１端子と第２端子とが通電するものである。そのため、前記接触面と前記接点が摺動する方向と前記溝の方向とがなす角を規定することができる。
【００２５】
ここで、前記接触面と前記接点が摺動する方向と前記溝の方向とがなす角（以下、単に角度と称す）について図面を用いて説明する。図１において、第１端子をめっき品とし、第２端子を圧子として説明する。図１は、角度を４５°として、めっき品と圧子を摺動させた例を示した図である。
【００２６】
図１に示すように、めっき品を図面の左から右に向かって水平に移動させた場合、めっき品と圧子が摺動する方向は図１で示した矢印の方向（摺動方向）となる。このときめっき品を、摺動方向に対して時計回りに４５°傾けて摺動させているので、摺動方向と溝の方向とがなす角度は４５°である。したがって、めっき品を傾けずに図面の左から右に向かって水平に移動させた場合、角度は０°となり、めっき品を時計回りに９０°傾けて図面の左から右に向かって水平に移動させた場合、角度は９０°となる。
【００２７】
本発明において、上記角度は特に限定されない。第１端子と第２端子を摺動させたときの摩擦係数をより低減させる観点から、上記角度は、６０°以下であることが好ましく、４０°以下であることがより好ましく、２０°以下であることがさらに好ましい。
【００２８】
本発明において、Ｓｎを主成分とする表面めっき層がリフロー処理されてなることが好ましい。表面めっき層がリフロー処理されてなることによりウィスカの発生を抑制させることができる。リフロー処理の方法は特に限定されないが、後述する処理法が好適である。
【００２９】
本発明の電気部品の製造方法は特に限定されないが、第１端子を製造するに際し、以下の第１及び第２工程を備える方法が好適である。
【００３０】
第１工程では、導電性金属からなる基材の表面の少なくとも一部の領域にレーザーを照射し、該基材の表面に溝を形成する。このとき用いられるレーザーは、基材の表面に溝を形成することができるレーザーであれば特に限定されないが、基材へのダメージを少なくすることができるとともに、寸法精度に優れた溝及び凸条を得ることができる観点から、パルスレーザーであることが好ましい。
【００３１】
パルスレーザーのパルス幅は、１×１０−４秒以下であることが好ましく、１×１０−７秒以下であることがより好ましく、１×１０−９秒以下であることがさらに好ましく、１×１０−１０秒以下であることが特に好ましい。また、加工点での平均出力が０．０１〜１０００Ｗであることが好ましい。加工点での平均出力が０．０１Ｗ未満の場合、基材の表面に溝及び凸条を形成することができないおそれがある。一方、加工点での平均出力が１０００Ｗを超える場合、基材へのダメージが大きくなる。パルスレーザーの繰り返し周波数は特に限定されないが通常、１ｋＨｚ〜１０００ＭＨｚである。
【００３２】
レーザーの種類も特に限定されず、ＹＡＧレーザー、ファイバーレーザー、半導体レーザーなどの固体レーザー；炭酸ガスレーザー、エキシマレーザーなどの気体レーザーを用いることができる。パルスレーザーの波長は特に限定されず、用いる基材の種類などにより適宜設定することができ、通常は１００〜１２０００ｎｍである。パルス発振が容易である観点から、ＹＡＧレーザーが好ましく、ネオジムＹＡＧレーザーがより好ましい。ネオジムＹＡＧレーザーでは、基本波（第１高調波）と呼ばれる１０６４ｎｍのレーザー光が発生する。波長変換装置を用いることにより、第２高調波と呼ばれる波長５３２ｎｍのレーザー光、第３高調波と呼ばれる波長３５５ｎｍのレーザー光、第４高調波と呼ばれる２６６ｎｍのレーザー光を得ることができる。本発明の製造方法では上記第１〜４高調波を目的に応じて適宜選択できる。
【００３３】
第１工程においては、基材の表面の少なくとも一部の領域にレーザーを照射する。基材へのレーザーの照射方法は特に限定されないが、例えば図２に示す方法が挙げられる。図２はレーザーの照射方法の一例を示した図である。図２に示すように、基材の表面に照射エリアを設定する。そして、Ｓ１で示されているポイントからｘ方向（図２において右方向）に所定の走査速度でＥ１までレーザーを照射する。この操作は繰り返し行うことができ、繰り返しの回数を適宜調節することにより、溝の深さを調節することができる。
【００３４】
そして、ｙ方向（図２において下方向）に所定間隔レーザーを移動させる。このときの移動距離をΔｙとする。同様にＳ２で示されているポイントからＥ２までレーザーを照射する。すなわち、図２に示したＳ２からＥ２までレーザーを照射し、レーザーをΔｙ移動させて、Ｓ３からＥ３までレーザーを照射する。この操作をｎ回繰り返す。この場合、移動距離Δｙを調節することにより凸条の幅を調節することができる。
【００３５】
第２工程において、Ｓｎイオンを含有するめっき浴中で前記基材の表面に表面めっき層を形成する。基材を上記めっき浴に浸漬させるに際して、必要に応じて当該基材に対して脱脂処理を行う。そして、基材を上記めっき浴に浸漬させ、当該浴中でめっきを施し、Ｓｎを主成分とする表面めっき層を形成する。
【００３６】
このときのめっき方法は特に限定されず、公知のＳｎ電気めっき浴を用いて電気めっきを施すことにより表面めっき層を形成することができる。電流密度やめっき時間は、表面めっき層が所望の膜厚となるように適宜設定される。表面めっき層は、無電解めっきによって形成されたものであってもかまわないし、無電解めっきと電気めっきとを併用することによって形成されたものであってもかまわない。溶融めっきにより表面めっき層を形成してもかまわない。このようにして、導電性金属からなる基材の上にＳｎを主成分とする表面めっき層を有する第１端子を得ることができる。
【００３７】
第２工程の後に、リフロー処理を行う第３工程をさらに備えることが好ましい。リフロー処理を行うことによりウィスカの発生を抑制することができる。ここで、リフロー処理とは、Ｓｎめっき層に対して熱を加えることによりＳｎを一旦溶融させ、その後固化させる処理のことをいう。
【００３８】
加熱温度は、Ｓｎ又はＳｎ合金の融点以上の温度であることが好ましく、２３２℃以上であることがより好ましく、２５０℃以上であることがさらに好ましく、２８０℃以上であることが特に好ましい。加熱温度の上限は、通常、４００℃程度である。また、加熱方法も特に限定されず、公知のリフロー炉を用いて加熱処理を行うことができる。リフロー炉を用いて加熱処理を行った場合、上記温度はピーク温度のことをいう。
【００３９】
加熱時間は、０．３秒以上であることが好ましく、１秒以上であることがより好ましく、５秒以上であることがさらに好ましい。加熱時間は、通常、１２０秒以下である。
【００４０】
本発明の製造方法において、第２工程の前に、中間めっき層を形成する工程を備えることが好ましい。このとき、Ｎｉイオン、Ｃｕイオン、Ａｇイオン、Ｐｄイオン、Ａｕイオン、Ｉｎイオンのいずれかを含有するめっき浴中で前記基材の表面に中間めっき層を形成することが好ましい。このときのめっき方法は特に限定されず、公知の電気めっき浴を用いて電気めっきを施すことにより中間めっき層を形成することができる。
【００４１】
公知の電気めっき浴としては、例えば、ワット浴、ウッド浴、スルファミン酸Ｎｉ浴、有機酸Ｎｉ浴、シアン化Ｃｕ浴、硫酸Ｃｕ浴、ピロリン酸Ｃｕ浴などを例示することができる。電流密度やめっき時間は、中間めっき層が所望の膜厚となるように適宜設定される。中間めっき層は、無電解めっきによって形成されたものであってもかまわないし、無電解めっきと電気めっきとを併用することによって形成されたものであってもかまわない。また、この工程は複数回行ってもよく、めっきの種類も同じであっても異なっていてもよい。
【００４２】
本発明の電気部品は、第１端子と第２端子とを摺動させたときの摩擦係数が低い。このような特性を活かして、電気自動車の充電コネクタ、車両のＥＣＵ（Electronic Control Unit）用のコネクタなどに用いることができる。
【実施例】
【００４３】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４４】
実施例１
［レーザー照射］
（基材）
基材として、縦６０ｍｍ×横３２ｍｍ×厚さ０．３０ｍｍのハルセル用陰極板銅（山本鍍金試験器製「B-60-P05」）を用いた。
【００４５】
（加工方法）
【００４６】
コヒレント・ジャパン株式会社製のパルス発振全固体レーザー「Talisker HE」を用いた。
波長：３５５ｎｍ
加工点での平均出力：０．８Ｗ
パルス幅：２０ピコ秒
周波数：５０ｋＨｚ
走査速度：１００ｍｍ／秒
１つのスポット痕：約３０μｍ
【００４７】
図２に示す方法により、基材にパルスレーザーを照射した。具体的には、基材の表面に１５ｍｍ×１５ｍｍの照射エリアを設定した。この照射エリアにおいて、Ｓ１で示されているポイントからｘ方向に照射エリアの右端（Ｅ１）までパルスレーザーを照射した。そして、パルスレーザーを−ｙ方向に移動させて、同様にＳ２で示されているポイントからｘ方向に照射エリアの右端（Ｅ２）までパルスレーザーを照射した。これらの操作を繰り返すことにより、上記照射エリア全体にパルスレーザーを照射した。
【００４８】
［めっき処理］
（前処理）
上記方法によってレーザー加工された基材を、５０℃に加温した電解脱脂水溶液（ユケン工業株式会社製「パクナＴＨＥ−２１０」、濃度：５０ｇ／Ｌ）に浸漬させた。次いで、当該基材をカソードとして、陰極電流密度５Ａ／ｄｍ２で６０秒間通電して脱脂処理を行った。脱脂処理された基材をイオン交換水で３回水洗した後、１０ｖｏｌ％の硫酸水溶液に室温にて６０秒間浸漬し酸洗浄した。引き続き、再度、３回水洗した。
【００４９】
（Ｎｉめっき層の形成）
前処理された基材を、５０℃に保温したＮｉめっき液（組成は下記参照）に浸漬させた。次いで、空気撹拌を行いながら、陰極電流密度５Ａ／ｄｍ２で８８秒間、電気Ｎｉめっき処理をして、単層めっき層が形成されためっき品を得た。次いで、このめっき品をイオン交換水で３回洗浄した。Ｎｉめっき層の厚みは約１．５μｍであった。
・スルファミン酸ニッケル［Ni(NH2SO3)2・4H2O］：６００ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル［NiCl2・6H2O］：３５ｇ／Ｌ
・ホウ酸［H3BO3］：３５ｇ／Ｌ
【００５０】
（Ｓｎめっき層の形成）
単層めっき層が形成されためっき品を、４０℃に保温したＳｎめっき液（組成は下記参照）に浸漬させた。次いで、空気撹拌を行いながら、陰極電流密度５Ａ／ｄｍ２で２４秒間、電気Ｓｎめっき処理をして、多層めっき層が形成されためっき品を得た。次いで、このめっき品をイオン交換水で３回洗浄した。Ｓｎめっき層の厚みは約１．０μｍであった。
・石原ケミカル株式会社製の「PF-SN15」：３３０ｇ／Ｌ
・石原ケミカル株式会社製の「PF-A」：１００ｍＬ／Ｌ
・石原ケミカル株式会社製の「PF-098」：２０ｍＬ／Ｌ
【００５１】
Ｓｎめっき層が形成されためっき品を、５０℃に保温した変色防止剤（石原ケミカル株式会社製「501SN」：１００ｍＬ／Ｌ）に３０秒浸漬させた。次いで、このめっき品をイオン交換水で３回洗浄した後、８０℃で２０秒乾燥させた。
【００５２】
（リフロー処理）
多層めっき層が形成されためっき品を、リフロー炉に導入し、ピーク温度３００℃で２０秒間リフロー処理することによりリフロー処理されためっき品を得た。
【００５３】
ここで、めっき品断面の模式図を示す。図３において、ａはレーザーを照射していない箇所の幅（凸条の幅）、ｂはレーザーを照射した箇所の幅（溝の幅）、ｃは溝の深さを示す。レーザー顕微鏡でａ、ｂ、及びｃを測定したところ、ａは５０μｍ、ｂは３０μｍ、及びｃは８μｍであった。
【００５４】
［摺動試験］
表面性測定機（新東科学株式会社製「トライボギアHEIDON-14DR」）を用い、摩擦係数を測定した。具体的には、図４に示すように、めっき品を測定機のステージ上に固定し、圧子にてめっき品の表面に荷重を与え、ステージを移動させながら、下記の条件で抵抗力を測定した。結果を図５及び表１に示す。
荷重：３Ｎ
ステージの移動速度：１０ｍｍ／ｓ
ステージの移動距離：１２ｍｍ
圧子：基材のＣｕにＮｉ／Ｓｎめっき処理を行った先端半径Ｒ＝１ｍｍの圧子
圧子とめっき品の接地幅：平均約１２０μｍ
摺動する方向と溝の方向とがなす角：０°
【００５５】
ここで、「摺動する方向と溝の方向とがなす角」とは、上記で図１を用いて説明したように、「前記接触面と前記接点が摺動する方向と前記溝の方向とがなす角」に相当する角度である。すなわち、摺動する方向と溝とがなす角が０°とは、ステージの移動方向が溝の方向に対して平行であることをいう。
【００５６】
比較例１
レーザー照射を行わなかった以外は実施例１と同様にしてめっき品を作製した。したがて、得られためっき品には溝と凸条は形成されていない。そして、このめっき品を用いて実施例１と同様にして摺動試験を行った。結果を図５及び表１に示す。なお、平均摩擦係数は、０．３２３μであった。
【００５７】
【表１】
2019145416.tif 000003
【００５８】
実施例２〜１２、比較例２〜５
凸条の幅（ａ）、溝の幅（ｂ）、溝の深さ（ｃ）を表２に示すように変更した以外は実施例１と同様にして摺動試験を行った。結果を図６及び表２に示す。
【表２】
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【００５９】
実施例１３〜２１
摺動試験において、摺動方向（ステージの移動方向）と溝の方向とがなす角を表３に示すように変更した以外は実施例１と同様にして摺動試験を行った。結果を表３に示す。実施例１における平均摩擦係数も併せて表３に示す。
【００６０】
【表３】
2019145416.tif 000005
【図１】
2019145416.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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