(57)【要約】【課題】高精度の透明導電パターン及び改善された光透過性を有する透明導電体構造を提供する。【解決手段】本発明の透明導電体構造は、基板と、基板上に設置される第一透明導電パターンと、第一透明導電パターン上に設置される第二透明導電パターンと、第一と第二透明導電パターンを絶縁するように第一と第二透明導電パターンの間に設置される透明絶縁層と、第一と第二透明導電パターンを覆い、第一及び第二屈折率整合層を含む屈折率整合層とを備え、第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に第二透明導電パターン上に設置され、第二屈折率整合層は第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ第一屈折率整合層上に設置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、第一透明導電パターンと、第二透明導電パターンと、透明絶縁層と、屈折率整合層とを備える透明導電体構造であって、
前記第一透明導電パターンは前記基板上に設置され、
前記第二透明導電パターンは前記第一透明導電パターン上に設置され、
前記透明絶縁層は、前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンを絶縁するように前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンの間に設置され、
前記屈折率整合層は前記第一透明導電パターンと前記第二透明導電パターンを覆い、且つ第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、
前記第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に前記第二透明導電パターン上に設置され、
前記第二屈折率整合層は前記第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ前記第一屈折率整合層上に設置され、
前記第一透明導電パターン及び前記第二透明導電パターンは以下の方法により形成され、
第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜を前記基板及び前記透明絶縁層上にそれぞれ形成し、
前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜をそれぞれエッチングして第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンを形成し、
前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンをそれぞれ結晶化して前記第一透明導電パターン及び前記第二透明導電パターンを形成する、
ことを特徴とする、透明導電体構造。
【請求項２】
前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＦＴＯ、ＡＺＯｎのうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことを特徴とする、請求項１に記載の透明導電体構造。
【請求項３】
前記結晶化ステップは、前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することを特徴とする、請求項１に記載の透明導電体構造。
【請求項４】
前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの間にあることを特徴をする、請求項１に記載の透明導電体構造。
【請求項５】
前記透明絶縁層は誘電材料を含むことを特徴とする、請求項１に記載の透明導電体構造。
【請求項６】
前記第二屈折率整合層は、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＮ４のうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことを特徴とする、請求項５に記載の透明導電体構造。
【請求項７】
前記第一屈折率整合層は、ＳｉＯ２を含むことを特徴とする、請求項５に記載の透明導電体構造。
【請求項８】
透明導電体の製造方法であって、
基板を提供するステップと、
基板上に第一非晶質導電膜を形成するステップと、
前記第一非晶質導電膜をエッチングして第一非晶質導電パターンを形成するステップと、
前記第一非晶質導電パターンを結晶化して第一透明導電パターンを形成するステップと、
前記第一透明導電パターン上に透明絶縁層を形成するステップと、
前記透明絶縁層上に第二非晶質導電膜を形成するステップと、
前記第二非晶質導電膜をエッチングして第二非晶質導電パターンを形成するステップと、
前記第二非晶質導電パターンを結晶化して第二透明導電パターンを形成するステップと、
前記第二透明導電パターン上に屈折率整合層を形成するステップと、
を備え、
前記屈折率整合層は、第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、
前記第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に前記第二透明導電パターン上に設置され、
前記第二屈折率整合層は、前記第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ前記第一屈折率整合層上に設置される、
ことを特徴をする、透明導電体構造の製造方法。
【請求項９】
前記第一非晶質導電膜及び前記第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの間にあることを特徴をする、請求項８に記載の透明導電体構造の製造方法。
【請求項１０】
前記結晶化ステップは、前記第一非晶質導電パターン及び前記第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することを特徴とする、請求項９に記載の透明導電体構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の透明導電体構造及びその製造方法に関わり、特に改善された光学的・電気的特性を有する透明導電体構造及びその製造方法に関わる。
【背景技術】
【０００２】
ここ数年、光電産業の発展に伴い、透明導電薄膜は広く研究、使用されている。透明導電薄膜は、名前の通り、光透過性及び導電性を兼ね備える薄膜であり、可視光波長領域（４００〜８００ｎｍ）において光透過率が８０％以上、且つ１×１０−３Ω・ｃｍ未満の抵抗率を有する。透明導電薄膜の材料は、薄い金属材料と透明導電性酸化物とに分けている。
【０００３】
薄い金属材料を含む透明導電薄膜の膜厚が薄く、基板上に連続的に形成することは難しいので、薄膜の抵抗値が高くなり、且つ大気中で容易に酸化されて薄膜の抵抗値が変化するため、透明導電薄膜の安定性が低下する。そのため、透明導電膜の光学的・電気的特性の安定性を向上させるために、薄い金属材料を含む透明導電膜の代わりに、透明導電性酸化物を含む透明導電膜が用いられることが多い。
【０００４】
同時に、透明導電性酸化物を含む透明導電膜の光透過性及び導電性を更に向上させるために、高温で結晶性透明導電性酸化物を形成することが一般的な処理である。しかし、結晶性透明導電性酸化物はその構造的特性により、エッチングが難しいため、高精度の透明導電パターンを得ることが困難である。また、結晶性透明導電性酸化物は高い光透過性を有するものが、完全に透明ではないため、複数の層を積層して透明導電体を形成した後も、使用者に観察される可能性がある。
【０００５】
上述のように、高精度の透明導電パターン及び改善された光透過性を有する透明導電体が望まれている。
【発明の概要】
【０００６】
上記問題を解決するために、本発明は一種の透明導電体構造を提供する。本発明は、基板と、第一透明導電パターンと、第二透明導電パターンと、透明絶縁層と、屈折率整合層とを備える透明導電体構造であって、第一透明導電パターンは基板上に設置され、第二透明導電パターンは第一透明導電パターン上に設置され、透明絶縁層は、第一透明導電パターンと第二透明導電パターンを絶縁するように第一透明導電パターンと第二透明導電パターンの間に設置され、屈折率整合層は第一透明導電パターンと第二透明導電パターンを覆い、且つ第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に第二透明導電パターン上に設置され、第二屈折率整合層は第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ第一屈折率整合層上に設置される。そのうち、第一透明導電パターン及び第二透明導電パターンは以下の方法により形成される。第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜を基板及び透明絶縁層上にそれぞれ形成し、第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜をそれぞれエッチングして第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンを形成し、第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンをそれぞれ結晶化して第一透明導電パターン及び第二透明導電パターンを形成する。
【０００７】
より好ましくは、第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜のそれぞれは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＦＴＯ、ＡＺＯｎのうちの一つまたは任意の組み合わせを含む。
【０００８】
より好ましくは、結晶化ステップは、第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行する。
【０００９】
より好ましくは、第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍの間にある。
【００１０】
より好ましくは、透明絶縁層は誘電材料を含む。
【００１１】
より好ましくは、第二屈折率整合層は、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＮ４のうちの一つまたは任意の組み合わせを含む。
【００１２】
より好ましくは、第一屈折率整合層は、ＳｉＯ２を含む。
【００１３】
本発明のもう一つの態様は、透明導電体構造の製造方法であって、基板を提供するステップと、基板上に第一非晶質導電膜を形成するステップと、第一非晶質導電膜をエッチングして第一非晶質導電パターンを形成するステップと、第一非晶質導電パターンを結晶化して第一透明導電パターンを形成するステップと、第一透明導電パターン上に透明絶縁層を形成するステップと、透明絶縁層上に第二非晶質導電膜を形成するステップと、第二非晶質導電膜をエッチングして第二非晶質導電パターンを形成するステップと、第二非晶質導電パターンを結晶化して第二透明導電パターンを形成するステップと、第二透明導電パターン上に屈折率整合層を形成するステップとを備え、屈折率整合層は、第一屈折率整合層及び第二屈折率整合層を備え、第一屈折率整合層は第一屈折率を有し、且つ直接に第二透明導電パターン上に設置され、第二屈折率整合層は、第一屈折率より大きい第二屈折率を有し、且つ第一屈折率整合層上に設置される。
【００１４】
より好ましくは、第一非晶質導電膜及び第二非晶質導電膜のそれぞれの厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍの間にある。
【００１５】
より好ましくは、結晶化ステップは、第一非晶質導電パターン及び第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行する。
【００１６】
上記の透明導電体構造及びその製造方法によれば、本発明が提供する透明導電体は、短絡や断線の発生を低減し、透明導電体の電気的特性及び安定性を向上する高精度の透明導電パターンを有するだけではなく、その透明導電体はより良好な光学特性を有し、使用者が透明導電パターンを見る可能性を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例による透明導電体構造の断面概略図である。
【図２】本発明の実施例により第一透明導電パターンの平面概略図である。
【図３】異なる厚さを有するＩＴＯ膜に対して光学シミュレーションを実行した結果である。
【図４】本発明の実施例により第二透明導電パターンの平面概略図である。
【図５】本発明の実施例による透明導電体構造の製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の実施例による透明導電体構造の断面概略図である。図１を参照し、透明導電体構造１は、基板１１と、基板１１上に設置される第一透明導電パターン１３と、第一透明導電パターン１３上に設置される第二透明導電パターン１７と、第一透明導電パターン１３と第二透明導電パターン１７の間にある透明絶縁層１５と、第二透明導電パターン１７上に設置される屈折率整合層１９とを備える。
【００１９】
図２は、本発明の実施例により第一透明導電パターンの平面概略図である。第一透明導電パターン１３は、お互いに距離をおいてマトリックス上に配列された複数の第一本体１３１及び複数の第一接続部１３３を備え、第一接続部１３３は、第一方向Ｄ１に延び、第二方向Ｄ２に互いに平行する複数の透明導電パターンの列を形成するように、各第一本体を第一方向Ｄ１に互いに連結する。第一本体１３１及び第一接続部１３３のそれぞれは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、オキシフッ化錫（ＦＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。好ましい一実施例によれば、第一本体１３１及び第一接続部１３３の両方もＩＴＯを含む。第一本体１３１と第一接続部１３３の厚さが同一または違くてもよい。図３は、異なる厚さを有するＩＴＯ膜に対して光学シミュレーションを実行した結果である。図３から分かるように、ＩＴＯを含む第一透明導電パターン１３の厚さが１２５〜１６５ｎｍの間にある場合、４００〜７００ｎｍの可視光波長領域で反射率が最も低い。特にその厚さが１４５ｎｍである場合、その最低の反射率は可視光の範囲内に集中する。したがって、第一本体１３１及び第一接続部１３３のそれぞれの厚さが約５０〜２００ｎｍ、好ましくは約１００〜１８５ｎｍ、より好ましくは約１２５〜１６５ｎｍ、最も好ましくは約１４５ｎｍである。
【００２０】
図４は、本発明の実施例により第二透明導電パターンの平面概略図である。図４を参照し、第二透明導電パターン１７は、お互いに距離をおいてマトリックス上に配列された複数の第二本体１７１及び複数の第二接続部１７３を備え、第二接続部１７３は、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２に延び、第二方向Ｄ２に互いに平行する複数の透明導電パターンの行を形成するように、各第二本体を第二方向Ｄ２に互いに連結する。図１〜４を同時に参照し、一実施例では、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２で構成された面の上方から見ると、第一接続部１３１と第二接続部１７３の少なくとも一部が重なるが、第一本体１３１と第二本体１７１は重ならないことがわかる。第二本体１７１及び第二接続部１７３のそれぞれは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、オキシフッ化錫（ＦＴＯ）、酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）またはそれらの任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。好ましい一実施例によれば、第二本体１７１及び第二接続部１７３の両方もＩＴＯを含む。第二本体１７１と第二接続部１７３の厚さが同一または違くてもよい。第一透明導電パターン１３に似たように、ＩＴＯを含む第二透明導電パターン１７の厚さが１２５〜１６５ｎｍの間にある場合、４００〜７００ｎｍの可視光波長領域で反射率が最も低い。特にその厚さが１４５ｎｍである場合、その最低の反射率は可視光の範囲内に集中する。したがって、第二本体１７１及び第二接続部１７３のそれぞれの厚さが約５０〜２００ｎｍ、好ましくは約１００〜１８５ｎｍ、より好ましくは約１２５〜１６５ｎｍ、最も好ましくは約１４５ｎｍである。
【００２１】
再び図１を参照し、透明絶縁層１５は直接または間接的に第一透明導電パターン１３と第二透明導電パターン１７との間に設置されることができる。透明絶縁層１５は、単層構造、または複数の層を有する積層構造であることができる。透明絶縁層１５は誘電材料を含むことができる。例えば、有機フォトレジスト材料を含むことができる。有機フォトレジスト材料は（メタ）アクリルフォトレジスト材料を含むが、これに限定されない。一実施例では、透明絶縁層１５は、最適な光学的及び絶縁的効果のために、約１．０〜３．０μｍの厚さを有することができる。透明絶縁層１５の厚さが１．０μｍ未満である場合、絶縁効果が不十分であり、３．０μｍを超えると光学的効果が不十分となる。
【００２２】
屈折率整合層１９は直接に第二透明導電パターン１７上に設置することができ、且つ屈折率整合層１９は、第一屈折率を有する第一屈折率整合層１９１及び第一屈折率より大きい第二屈折率を有する第二屈折率整合層１９３を備える。図１に示されるように、第一屈折率整合層１９１は第二屈折率整合層１９３及び第二透明導電パターン１７の間にあることができる。より好ましくは、第一屈折率整合層１９１は直接に第二透明導電パターン１７上に設置される。第一屈折率整合層１９１及び第二屈折率整合層１９３を備える屈折率整合層１９は、入射光を屈折することにより、重なったまたは重ならなかった第一接続部１３１と第二接続部１７３及び／または重なってない第一本体１３１と第二本体１７１が使用者に見られた可能性を低減することができる。一実施例では、第一屈折率整合層１９１はＳｉＯ２を含むことができ、第二屈折率整合層１９３は第一屈折率整合層１９１の屈折率より大きい屈折率を有する任意の材料を有することができる。もう一つの実施例において、第二屈折率整合層１９３はＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＮ４のうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことができる。一実施例では、第一屈折率整合層１９１はＳｉＯ２を含むことができ、且つ第二屈折率整合層１９３はＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＮ４のうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことができる。
【００２３】
図５は、本発明の実施例による透明導電体構造の製造方法のフローチャートである。本発明の実施例による透明導電体構造の製造方法は、基板を提供するステップＳ４０１と、第一透明導電パターンを形成するステップＳ４０３と、透明絶縁層を形成するステップＳ４０５と、第二透明導電パターンを形成するステップＳ４０７と、屈折率整合層を形成するステップＳ４０９とを備える。以下は図１〜５を参照しながら、本発明の実施例による透明導電体構造の製造方法の流れを説明する。
【００２４】
ステップＳ４０１で提供された基板１１は、一般的に透明導電体として用いられるものであればよい。基板１１は、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平坦性、取り扱い性、撥水性が良好なガラス基板または透明プラスチック基板を用いることができる。
【００２５】
ステップＳ４０３において、第一透明導電パターン１３は、ＳｎＯ２蒸着法、スピンコーティング法、スパッタリング法、ＬＢ（Langmuir-Brouge）蒸着法、スクリーン印刷法などを用いて基板１１上に厚さが約５０〜２００ｎｍである第一非晶質導電膜を形成することができる。その後、第一非晶質導電膜をエッチングして第一非晶質導電パターンを形成した後、第一非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することにより、第一非晶質導電パターンは結晶化され、第一本体１３１及び第一接続部１３３を含む第一透明導電パターン１３に形成される。
【００２６】
第一非晶質導電パターンの形成温度及び非晶質導電パターンが熱処理されて結晶化される温度は、第一非晶質導電パターンを形成する材料によって異なる。例えば、１００℃以下の温度でＩＴＯを成膜すると、成膜構造の配列が不規則となり、非晶質の導電膜に属し、２００℃以上の温度でＩＴＯを成膜すると、成膜構造の配列が規則正しく、導電性が良好であり、多結晶導電膜に属し、１００℃〜２００℃の温度でＩＴＯを成膜すると、形成された膜の特性は非晶質と多結晶の混合体である。したがって、第一透明導電パターン１３がＩＴＯを含む場合、第一非晶質導電パターンは約１００℃、より好ましくは、２５〜５０℃で形成され、そして、第一非晶質導電パターンは約２００℃以上、より好ましくは、２００〜２５０℃で約３０分〜約１時間の熱処理によって結晶化されて第一透明導電パターンに形成される。
【００２７】
続いて、ステップＳ４０５を実行し、結晶化された第一透明導電パターン１３の上に厚さが約１．０〜３．０μｍの透明絶縁層１５を形成する。透明絶縁層１５は、第一非晶質導電膜と同じ工程によって第一透明導電パターン１３上に形成する事ができる。
【００２８】
透明絶縁層１５が形成された後、第二透明導電パターン１７は、ステップＳ４０３と同じまたは類似の工程によってステップＳ４０７で透明絶縁層１５上に形成されることができる。第二透明導電パターン１７は、ＳｎＯ２蒸着法、スピンコーティング法、スパッタリング法、ＬＢ蒸着法、スクリーン印刷法などを用いて透明絶縁層１５上に厚さが約５０〜２００ｎｍである第二非晶質導電膜を形成した後、第二非晶質導電膜をエッチングして第二非晶質導電パターンを形成することができる。続いて、第二非晶質導電パターンに対して熱処理を実行することにより、第二非晶質導電パターンは結晶化され、第二本体１７１及び第二接続部１７３を含む第二透明導電パターン１７に形成される。形成された第二透明導電パターン１７の第二本体１７１と第一透明導電パターン１３の第一本体１３１は、垂直方向（第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に垂直する方向）に重ならない。第二透明導電パターン１７の第二接続部１７３と第一透明導電パターン１３の第一接続部１３３は、垂直方向に少なくとも一部が重なっている。そのうち、第二非晶質導電膜は、第一非晶質導電膜と同じまたは異なる材料を含むことができ、且つ第一非晶質導電膜と同じまたは異なる工程で、第一非晶質導電膜と同じまたは異なる厚さを形成することができる。また、第二非晶質導電パターンは、第一非晶質導電パターンと同じまたは異なる温度で熱処理されても良い。
【００２９】
最後に、ステップＳ４０９にて、屈折率整合層１９を第二透明導電パターン１７上に形成される。再び図１を参照し、屈折率整合層１９は、第一屈折率を有する第一屈折率整合材料を第二透明導電パターン１７上の第一屈折率整合層１９１に形成された後、第一屈折率より大きい屈折率である第二屈折率を有する第二屈折率整合材料を第一屈折率整合層１９１上の第二屈折率整合層１９３に形成することにより形成されることができる。ステップＳ４０９における第一屈折率整合層１９１及び第二屈折率整合層１９３の形成方法は第一または第二非晶質導電膜の形成方法と同じであってもよいし、異なっていても良い。第一屈折率整合層１９１は、ＳｉＯ２を含むことができるが、これらに限定されない。第二屈折率整合層１９３は、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＮ４のうちの一つまたはその組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。第一屈折率整合層１９１の厚さが約３０〜７０ｎｍであり、第二屈折率整合層１９３の厚さが約１０〜３０ｎｍである。第一屈折率整合層１９１及び第二屈折率整合層１９３の厚さがこの範囲内にあると、光学干渉効果が最適である。このステップで形成された屈折率整合層１９は、部分的に重なっている第一透明導電パターン１３と第二透明導電パターン１７とを使用者に隠すことができる。すなわち、屈折率整合層１９を介して、使用者は第一透明導電パターン１３の第一本体１３１及び第二透明導電パターン１７の第二本体１７１を見えず、且つ少なくとも一部重なっている第一透明導電パターン１３の第一接続部１３３と第二透明導電パターン１７の第二接続部１７３も見えない。
【００３０】
ステップＳ４０７とステップＳ４０９との間に、第二透明導電パターン１７と屈折率整合層１９との間に導電線路として使用される金属層を形成するステップを更に備えることができる。前記金属層は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）のうちの一つまたは任意の組み合わせを含むことができるが、これらに限定されない。また、ステップＳ４０９の後に、透明導電体の絶縁性を向上するように、屈折率整合層上に付加的な透明絶縁層を形成するステップを更に含むことができる。
【００３１】
以上の工程を経て得られた透明導電体構造は、抵抗が低く、優れるパターン精度を有するだけでなく、少なくとも一部が重なる第一透明導電パターン１３及び第二透明導電パターン１７の光学特性を向上させることができる。
【００３２】
以下は、本発明の実施例に説明された方法により製造されたＩＴＯを含む第一透明導電パターン及び第二透明導電パターンの実例である。
【００３３】
ガラス基板上に約５０℃で約１４０ｎｍの厚さの非晶質ＩＴＯ導電膜をＳｎＯ２マグネトロンスパッタリングにより形成した後、非晶質導電膜を乾式／湿式エッチング工程でエッチングして非晶質ＩＴＯ導電パターンを形成し、その後、非晶質ＩＴＯ導電パターンを約２３０℃の温度で約３０分間熱処理して、結晶性を有する透明ＩＴＯ導電パターンを形成する。
【００３４】
形成された透明ＩＴＯ導電パターン上に、湿式フォトリソプロセスによりメタクリレートを含有する透明フォトレジスト材料を１．５〜２．５μｍの厚さに形成する。その後、透明絶縁層上に約５０℃でＳｎＯ２マグネトロンスパッタリング法により非晶質ＩＴＯ導電膜を約１４０ｎｍの厚さで形成する。非晶質ＩＴＯ導電膜を湿式フォトリソプロセスでエッチングして非晶質ＩＴＯ導電パターンを形成する。次に、非晶質ＩＴＯ導電パターンを約２３０℃の温度で約３０分間熱処理して、結晶性を有する透明な別のＩＴＯ導電パターンを形成する。ＳｉＯ２を含み、且つ厚さが４０〜６０ｎｍである第一屈折率整合層及びＳｉ３Ｎ４を含み、且つ厚さが１０〜２０ｎｍである第二屈折率整合層は、透明導電体構造を形成するために、前記別の透明なＩＴＯ導電パターン上の下から上へ直接積層される。
【００３５】
以上のように、本発明の実施例により製造された透明導電体構造は、良好な電気的及び光学的特性を有することが分かる。
【００３６】
本明細書に記載された実施形態は、例示的なものであり、限定的なものではないと考えられるべきであることを理解されたい。各実施例の態様または特徴の説明は、一般に、他の実施形態における態様または特徴と同様であると考えられる。本発明は添付の図面を参照して説明してきたが、本発明の請求項の範囲及び趣旨を逸脱することなく様々な変更及び修正が可能であるということは、当業者には明らかである。
【符号の説明】
【００３７】
１：透明導電体構造
１１：基板
１３：第一透明導電パターン
１５：透明絶縁層
１７：第二透明導電パターン
１９：屈折率整合層
１９１：第一屈折率整合層
１９３：第二屈折率整合層
１３１：第一本体
１３３：第一接続部
１７１：第二本体
１７３：第二接続部
Ｓ４０１〜Ｓ４０９：ステップ
Ｄ１、Ｄ２：方向
【図１】
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【図２】
2019102457.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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