(57)【要約】【課題】高周波帯において利得を高め、かつ製造歩留まりの低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上に、第１コレクタ層、第２コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層を含むバイポーラトランジスタが形成されている。第２コレクタ層のエッチング特性が、第１コレクタ層及びベース層のエッチング特性とは異なる。平面視において、第１コレクタ層と第２コレクタ層との界面の縁が、ベース層の下面の縁より内側に配置されており、第２コレクタ層の上面の縁が、ベース層の下面の縁に一致するか、またはベース層の下面の縁より内側に配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に積層された第１コレクタ層、第２コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層を含むバイポーラトランジスタを有し、
前記第１コレクタ層の組成と前記第２コレクタ層の組成とが異なり、
平面視において、前記第１コレクタ層と前記第２コレクタ層との界面の縁が、前記ベース層の下面の縁より内側に配置されており、前記第２コレクタ層の上面の縁が、前記ベース層の下面の縁に一致するか、または前記ベース層の下面の縁より内側に配置されている半導体装置。
【請求項２】
前記第２コレクタ層はリンを含む組成とされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
平面視において、前記第１コレクタ層の上面の縁及び前記第２コレクタ層の上面及び下面の縁が、共に前記ベース層の下面の縁より内側に配置されており、前記第２コレクタ層の下面の縁が、前記第１コレクタ層の上面の縁より内側に配置されている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
平面視において、前記ベース層の上面の縁が、前記エミッタ層の下面の縁より内側に配置されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
さらに、
前記基板と前記第１コレクタ層との間に配置されており、前記第１コレクタ層にコレクタ電流を流す電流路となるサブコレクタ層と、
前記サブコレクタ層と前記第１コレクタ層との間に配置され、前記第２コレクタ層と同一のエッチング特性を有する半導体からなるエッチングストッパ層と
を有し、
平面視において、前記エッチングストッパ層の上面の縁が、前記第１コレクタ層の下面の縁より内側に配置されている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含む請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含む請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層はＩｎＧａＰＮを主成分として含み、前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含む請求項６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰＮを主成分として含む請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
さらに、前記基板から見て前記エミッタ層より高い位置に配置され、前記エミッタ層に直流的に接続されたバンプを有する請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
さらに、前記サブコレクタ層と前記エッチングストッパ層との間に配置され、前記第１コレクタ層とエッチング特性が同一の第３コレクタ層を有し、
平面視において、前記第３コレクタ層の上面の縁が、前記第１コレクタ層の下面の縁より外側に配置されている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含む請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層はＩｎＧａＰＮを主成分として含み、
前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含む請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰＮを主成分として含む請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
さらに、前記基板から見て前記エミッタ層より高い位置に配置され、前記エミッタ層に直流的に接続されたバンプを有する請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話端末に代表される移動通信システムは、第４世代（４Ｇ）から第５世代（５Ｇ）へ移行しようとしている。第５世代移動通信システムでは、第４世代移動通信システムに比べて高い周波数帯が用いられる。周波数が高くなるに従い、高周波回路での電力損失も大きくなることから、第５世代移動通信システム用の携帯電話端末の主要部品である高周波電力増幅器に対して、さらなる高利得化の要求が強くなっている。高周波電力増幅器には、一般的にヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が用いられる。
【０００３】
高周波特性を改善するためにベースコレクタ間容量を低減させたＨＢＴが公知である（例えば、特許文献１）。特許文献１に開示されたＨＢＴは、基板の上に積層されたコレクタ層、ベース層、及びエミッタ層を含む。コレクタ層は、ＩｎＧａＰからなる下層、ＧａＡｓからなる中層、及びＩｎＧａＰからなる上層の３層構造を有する。ベース層の上にベース電極が配置され、エミッタ層の上にエミッタ電極が配置されている。
【０００４】
ベース電極の真下に位置するコレクタ層の中層が除去されており、上層の外周部分が中層の縁より外側に庇状に張り出している。この上層は、その上のベース層の縁よりも外側に張り出している。ベース電極の真下に位置するコレクタ層の中層を除去することにより、ベースコレクタ間容量が低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１５６３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願の発明者らの考察によると、特許文献１に開示されたＨＢＴを高周波電力増幅器用のデバイスとして供するためには、十分な製造歩留まりを確保することが困難であることが分かった。本発明の目的は、高周波帯において利得を高め、かつ製造歩留まりの低下を抑制することが可能な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点による半導体装置は、
基板の上に積層された第１コレクタ層、第２コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層を含むバイポーラトランジスタを有し、
前記第１コレクタ層の組成と前記第２コレクタ層の組成とが異なり、
平面視において、前記第１コレクタ層と前記第２コレクタ層との界面の縁が、前記ベース層の下面の縁より内側に配置されており、前記第２コレクタ層の上面の縁が、前記ベース層の下面の縁に一致するか、または前記ベース層の下面の縁より内側に配置されている。
【０００８】
第１コレクタ層と第２コレクタ層との界面の縁が、ベース層の下面の縁より内側に配置されることにより、ベースコレクタ間容量を低減させることができる。第２コレクタ層の上面の縁がベース層の下面の縁より外側まで張り出していないため、第２コレクタ層を十分な機械的強度で支持することができる。その結果、第２コレクタ層の機械的強度の不足に起因する製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【０００９】
本発明の第２の観点による半導体装置は、第１の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記第２コレクタ層はリンを含む組成とされているという特徴を有する。
【００１０】
第１コレクタ層と第２コレクタ層とのエッチング特性の相違を利用して、第１コレクタ層の不要な部分をエッチング除去することができる。
【００１１】
本発明の第３の観点による半導体装置は、第１または第２の観点による半導体装置の構成に加えて、
平面視において、前記第１コレクタ層の上面の縁及び前記第２コレクタ層の上面及び下面の縁が、共に前記ベース層の下面の縁より内側に配置されており、前記第２コレクタ層の下面の縁が、前記第１コレクタ層の上面の縁より内側に配置されているという特徴を有する。
【００１２】
第１コレクタ層と第２コレクタ層とのエッチング特性の相違を利用して、第２コレクタ層の不要な部分をエッチング除去することにより、上記構成が得られる。
【００１３】
本発明の第４の観点による半導体装置は、第１から第３までの観点による半導体装置の構成に加えて、
平面視において、前記ベース層の上面の縁が、前記エミッタ層の下面の縁より内側に配置されているという特徴を有する。
【００１４】
エミッタ層とベース層とのエッチング特性が異なる場合、エミッタ層の不要な部分と、ベース層の不要な部分とを同一のエッチングマスクを用いてエッチング除去すると、上記構成が得られる。
【００１５】
本発明の第５の観点による半導体装置は、第１から第４までの観点による半導体装置の構成に加えて、
さらに、
前記基板と前記第１コレクタ層との間に配置されており、前記第１コレクタ層にコレクタ電流を流す電流路となるサブコレクタ層と、
前記サブコレクタ層と前記第１コレクタ層との間に配置され、前記第２コレクタ層と同一のエッチング特性を有する半導体からなるエッチングストッパ層と
を有し、
平面視において、前記エッチングストッパ層の上面の縁が、前記第１コレクタ層の下面の縁より内側に配置されているという特徴を有する。
【００１６】
第１コレクタ層の不要な部分をエッチング除去するときに、エッチングストッパ層で深さ方向のエッチングを停止させることができる。これにより、第１コレクタ層のサイドエッチング量の自由度を高めることができる。
【００１７】
本発明の第６の観点による半導体装置は、第５の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含むという特徴を有する。
【００１８】
ベース層とエミッタ層との界面がヘテロ接合となり、高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタが得られる。
【００１９】
本発明の第７の観点による半導体装置は、第６の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含むという特徴を有する。
【００２０】
第２コレクタ層及びエッチングストッパ層に対して第１コレクタ層及びサブコレクタ層を選択的にエッチングする条件を見出すことができる。その逆に第１コレクタ層及びサブコレクタ層に対して第２コレクタ層及びエッチングストッパ層を選択的にエッチングする条件を見出すことができる。
【００２１】
本発明の第８の観点による半導体装置は、第６の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層はＩｎＧａＰＮを主成分として含み、前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含むという特徴を有する。
【００２２】
ベース層と第２コレクタ層との界面に、電子に対するポテンシャル障壁が生じないようにすることができる。
【００２３】
本発明の第９の観点による半導体装置は、第６の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記第１コレクタ層及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰＮを主成分として含むという特徴を有する。
【００２４】
第１コレクタ層とエッチングストッパ層との界面に、伝導帯下端のエネルギ準位の不連続が発生することを防止することができる。
【００２５】
本発明の第１０の観点による半導体装置は、第１から第９までの観点による半導体装置の構成に加えて、
さらに、前記基板から見て前記エミッタ層より高い位置に配置され、前記エミッタ層に直流的に接続されたバンプを有するという特徴を有する。
【００２６】
バンプを用いて、半導体装置を実装基板にフェイスダウンで実装することができる。
【００２７】
本発明の第１１の観点による半導体装置は、第５の観点による半導体装置の構成に加えて、
さらに、前記サブコレクタ層と前記エッチングストッパ層との間に配置され、前記第１コレクタ層とエッチング特性が同一の第３コレクタ層を有し、
平面視において、前記第３コレクタ層の上面の縁が、前記第１コレクタ層の下面の縁より外側に配置されているという特徴を有する。
【００２８】
第１コレクタ層と第３コレクタ層とで、コレクタ層に好適な厚さを確保することにより、第１コレクタ層を薄くすることが可能になる。これにより、第１コレクタ層をサイドエッチングするときの制御性を高めることができる。
【００２９】
本発明の第１２の観点による半導体装置は、第１１の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含むという特徴を有する。
【００３０】
ベース層とエミッタ層との界面がヘテロ接合となり、高周波特性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタが得られる。第２コレクタ層及びエッチングストッパ層に対して第１コレクタ層、第３コレクタ層、及びサブコレクタ層を選択的にエッチングする条件を見出すことができる。その逆に第１コレクタ層、第３コレクタ層、及びサブコレクタ層に対して第２コレクタ層及びエッチングストッパ層を選択的にエッチングする条件を見出すことができる。
【００３１】
本発明の第１３の観点による半導体装置は、第１１の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層はＩｎＧａＰＮを主成分として含み、
前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含むという特徴を有する。
【００３２】
ベース層と第２コレクタ層との界面に、電子に対するポテンシャル障壁が生じないようにすることができる。
【００３３】
本発明の第１４の観点による半導体装置は、第１１の観点による半導体装置の構成に加えて、
前記ベース層は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含み、
前記エミッタ層は、ＩｎＧａＰを主成分として含み、
前記第１コレクタ層、前記第３コレクタ層、及び前記サブコレクタ層は、ＧａＡｓを主成分として含み、
前記第２コレクタ層及び前記エッチングストッパ層は、ＩｎＧａＰＮを主成分として含むという特徴を有する。
【００３４】
第１コレクタ層とエッチングストッパ層との界面に、伝導帯下端のエネルギ準位の不連続が発生することを防止することができる。
【００３５】
本発明の第１５の観点による半導体装置は、第１１から第１４までの観点による半導体装置の構成に加えて、
さらに、前記基板から見て前記エミッタ層より高い位置に配置され、前記エミッタ層に直流的に接続されたバンプを有するという特徴を有する。
【００３６】
バンプを用いて、半導体装置を実装基板にフェイスダウンで実装することができる。
【発明の効果】
【００３７】
第１コレクタ層と第２コレクタ層との界面の縁が、ベース層の下面の縁より内側に配置されることにより、ベースコレクタ間容量を低減させることができる。第２コレクタ層の上面の縁がベース層の下面の縁より外側まで張り出していないため、第２コレクタ層を十分な機械的強度で支持することができる。その結果、第２コレクタ層の機械的強度の不足に起因する製造歩留まりの低下を抑制することができる。第１コレクタ層と第２コレクタ層とのエッチング特性の相違を利用して、第１コレクタ層の不要な部分をエッチング除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１Ａは、第１実施例による半導体装置の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの一点鎖線１Ｂ−１Ｂにおける断面図である。
【図２】図２は、第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図３−１】図３Ａ及び図３Ｂは、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図３−２】図３Ｃ及び図３Ｄは、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図３−３】図３Ｅ及び図３Ｆは、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図３−４】図３Ｇ及び図３Ｈは、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図３−５】図３Ｉ及び図３Ｊは、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ第３実施例及び第２実施例による半導体装置のベース層、第２コレクタ層、及び第１コレクタ層のエネルギバンド図である。
【図５】図５は、第４実施例による半導体装置の断面図である。
【図６−１】図６Ａ及び図６Ｂは、製造途中段階における第４実施例による半導体装置の断面図である。
【図６−２】図６Ｃ及び図６Ｄは、製造途中段階における第４実施例による半導体装置の断面図である。
【図７】図７は、第５実施例による半導体装置の断面図である。
【図８】図８は、従来例によるＨＢＴの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
特許文献１に開示された従来例によるＨＢＴについて本願の発明者らが考察した結果、製造上の課題が存在することを見出した。本願発明の実施例について説明する前に、図８を参照して、この課題について説明する。
【００４０】
図８は、従来例によるＨＢＴの断面図である。基板１００の上にサブコレクタ層１０１、コレクタ層１０２、ベース層１０３、エミッタ層１０４、及びエミッタキャップ層１０５が積層されている。コレクタ層１０２は、ＩｎＧａＰからなるコレクタ下層１０２Ａ、ＧａＡｓからなるコレクタ中層１０２Ｂ、及びＩｎＧａＰからなるコレクタ上層１０２Ｃの３層構造を有する。
【００４１】
サブコレクタ層１０１の上にコレクタ電極１０６が配置され、ベース層１０３の上にベース電極１０７が配置され、エミッタ層１０４の上にエミッタキャップ層１０５を介してエミッタ電極１０８が配置されている。コレクタ中層１０２Ｂの縁は、コレクタ下層１０２Ａ及びコレクタ上層１０２Ｃの縁よりも後退している。このため、コレクタ上層１０２Ｃは、コレクタ中層１０２Ｂの縁より外側まで庇状に張り出している。また、コレクタ上層１０２Ｃは、その上のベース層１０３の縁より外側まで張り出している。
【００４２】
ＧａＡｓからなるベース層１０３とＩｎＧａＰからなるコレクタ上層１０２Ｃとの界面において、伝導帯下端に約２００ｍｅＶのエネルギ不連続が生じる。この不連続は、ベース層１０３からコレクタ上層１０２Ｃに流入する電子に対してポテンシャル障壁となる。
【００４３】
電子がベース層１０３からコレクタ層１０２に流入するためには、コレクタ上層１０２Ｃをトンネル効果により通過しなければならない。コレクタ上層１０２Ｃが厚くなるとトンネル効果が発現しなくなり、ベース層１０３とコレクタ上層１０２Ｃとの界面のポテンシャル障壁が電子の移動を妨げてしまう。この結果、コレクタ電流が減少するため、ＨＢＴの利得が低下してしまう。電子がコレクタ上層１０２Ｃをトンネル効果によって通過できるようにするために、コレクタ上層１０２Ｃの厚さを２０ｎｍ以下にすることが好ましく、１０ｎｍ以下にすることがより好ましいことが判明した。
【００４４】
コレクタ上層１０２Ｃの厚さを２０ｎｍ以下にすると、コレクタ中層１０２Ｂの縁及びベース層１０３の縁より外側に張り出したコレクタ上層１０２Ｃの機械的強度が不十分になる。コレクタ上層１０２Ｃの張り出した部分が、半導体プロセスの途中工程または高周波電力増幅器の組み立て作業中に脱落してしまう危険性が高まる。このように、コレクタ上層１０２Ｃの薄い張り出し部分は、製造歩留まり低下の要因になる。以下に説明する各実施例では、製造歩留まりの低下を抑制することが可能である。
【００４５】
［第１実施例］
次に、図１Ａ及び図１Ｂを参照して、第１実施例による半導体装置について説明する。
図１Ａは、第１実施例による半導体装置の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの一点鎖線１Ｂ−１Ｂにおける断面図である。
【００４６】
半導体からなる基板１０の上に、ｎ型半導体からなるサブコレクタ層１１がエピタキシャル成長されている。サブコレクタ層１１の上に、ｎ型半導体からなるコレクタ層１２、ｐ型半導体からなるベース層１３、ｎ型半導体からなるエミッタ層１４、ｎ型半導体からなるエミッタコンタクト層１５が順番にエピタキシャル成長されている。コレクタ層１２は、サブコレクタ層１１の一部の領域の上に配置されている。
【００４７】
コレクタ層１２は、基板側の第１コレクタ層１２Ａと、その上の第２コレクタ層１２Ｂとを含む。第１コレクタ層１２Ａの組成と第２コレクタ層１２Ｂの組成とは異なり、第２コレクタ層１２Ｂのエッチング特性が、第１コレクタ層１２Ａ及びベース層１３のエッチング特性と異なる。例えば、第２コレクタ層１２Ｂは、Ｖ族元素としてリン（Ｐ）を含む化合物半導体で形成され、第１コレクタ層１２Ａ及びベース層１３は、Ｖ族元素としてＰを含まない化合物半導体で形成されている。一例として、第１コレクタ層１２Ａ及びベース層１３はＧａＡｓで形成され、第２コレクタ層１２ＢはＩｎＧａＰで形成される。
【００４８】
第１コレクタ層１２Ａの側面の形状は、エッチング条件やエッチング時間によって決まる。エッチングレートが結晶面方位によって異なる異方性エッチングにより第１コレクタ層１２Ａをエッチングする場合には、側面に、傾斜角が９０°未満の順斜面、傾斜角が９０°より大きな逆斜面、垂直面のいずれか、またはこれらを組み合わせた面が現れる。このため、平面視において第１コレクタ層１２Ａの下面の縁と上面の縁とは必ずしも一致しない。他の半導体層の側面の形状も、厳密にはエッチング条件に依存するが、一般的に第１コレクタ層１２Ａ以外の半導体層は第１コレクタ層１２Ａに比べて十分薄い。このため、第１コレクタ層１２Ａ以外の半導体層においては、下面の縁と上面の縁とがほぼ一致すると近似することができる。
【００４９】
平面視において、第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面２１の縁（外周線）が、ベース層１３の下面の縁より内側に配置されている。第２コレクタ層１２Ｂの上面の縁が、ベース層１３の下面の縁より内側に配置されている。ここで、各半導体層の「上面」は、例えば、基板１０の上面にほぼ平行で、各半導体層の、基板１０と反対側の表面と定義することができる。同様に、各半導体層の「下面」は、例えば、基板１０の上面にほぼ平行で、各半導体層の、基板１０側の表面と定義することができる。
【００５０】
さらに、平面視において、第１コレクタ層１２Ａの上面の縁及び第２コレクタ層１２Ｂの上面及び下面の縁が、共にベース層１３の下面の縁より内側に配置されている。ベース層１３の上面の縁が、エミッタ層１４の下面の縁より内側に配置されている。
【００５１】
サブコレクタ層１１の上面にコレクタ電極１６が配置され、サブコレクタ層１１にオーミック接触している。サブコレクタ層１１は、コレクタ電極１６と第１コレクタ層１２Ａとの間でコレクタ電流を流す電流路となる。エミッタ層１４の上に配置されたベース電極１７が、合金化処理によってベース層１３にオーミックに接続されている。エミッタコンタクト層１５の上にエミッタ電極１８が配置されている。エミッタ電極１８はエミッタコンタクト層１５を介してエミッタ層１４にオーミックに接続されている。
【００５２】
次に、第１実施例による半導体装置の構成を採用することにより得られる優れた効果について説明する。
【００５３】
ＨＢＴの高周波性能を表す指標の一つに最大発振周波数（ｆｍａｘ）がある。最大発振周波数ｆｍａｘは、メイソンのユニラテラル電力利得が１（０ｄＢ）となる周波数で定義される。最大発振周波数ｆｍａｘが大きなデバイスほど、高周波特性に優れているデバイスであるといえる。最大発振周波数ｆｍａｘは、近似的に以下の式で表すことができる。
【数１】
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ここで、ｆＴ、ＲＢ、ＣＢＣは、それぞれ電流利得遮断周波数、ベース抵抗、ベースコレクタ間容量である。式（１）から明らかなように、ベースコレクタ間容量ＣＢＣを小さくすると、高周波特性が向上することがわかる。
【００５４】
第１実施例では、平面視において第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面２１が、ベース層１３の下面より小さい。このため、ベース層とコレクタ層とがほぼ同一の大きさである構造に比べて、ベースコレクタ間容量ＣＢＣが小さくなる。なお、ベースコレクタ界面においてコレクタ電流が流れる領域（以下、動作領域という。）は、平面視においてエミッタコンタクト層１５の内側にほぼ限定される。コレクタ層１２の平断面の面積を小さくしても、平面視においてコレクタ層１２がエミッタコンタクト層１５を内側に含んでいる場合には、動作領域が小さくなることはない。平面視においてコレクタ層１２がエミッタコンタクト層１５を内側に含む構成を採用することにより、ベースコレクタ間容量ＣＢＣを小さくしても、最大出力電力の低下を抑制することが可能である。
【００５５】
ＧａＡｓからなるベース層１３とＩｎＧａＰからなる第２コレクタ層１２Ｂとの界面に、ＧａＡｓとＩｎＧａＰとの電子親和力の差に相当するポテンシャル障壁が発生する。このポテンシャル障壁を通過してベース層１３からコレクタ層１２に電子を輸送するために、第２コレクタ層１２Ｂを、トンネル効果が発現する程度まで薄くすることが好ましい。例えば、第２コレクタ層１２Ｂの厚さを２０ｎｍ以下にすることが好ましく、１０ｎｍ以下にすることがより好ましい。
【００５６】
第１実施例では、第２コレクタ層１２Ｂが単層で庇状に張り出した部分が形成されない。このため、コレクタ上層１０２Ｃ（図８）が庇状に張り出した構造と比べて、機械的な強度不足に起因する歩留まりの低下を抑制することができる。第１実施例では、ベース層１３及びエミッタ層１４が、第２コレクタ層１２Ｂの縁から外側まで張り出しているが、この２層の厚さは、トンネル効果が発現する厚さよりも十分厚い。このため、この庇状の部分は、十分な機械的強度を保持することができる。
【００５７】
次に、第１実施例の変形例について説明する。第１実施例では、第２コレクタ層１２Ｂの上面の縁がベース層１３の下面の縁より内側に配置されていたが、第２コレクタ層１２Ｂの上面の縁がベース層１３の下面の縁に一致するようにしてもよい。この場合でも、第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面（第１コレクタ層１２Ａの上面）の縁は、第１実施例の場合と同様にベース層１３の下面の縁より内側に配置される。
【００５８】
［第２実施例］
次に、図２から図３Ｊまでの図面を参照して、第２実施例による半導体装置について説明する。以下、第１実施例（図１Ａ、図１Ｂ）による半導体装置と共通の構成については説明を省略する。
【００５９】
図２は、第２実施例による半導体装置の断面図である。第２実施例においては、サブコレクタ層１１と第１コレクタ層１２Ａとの間に、エッチングストッパ層２２が配置されている。エッチングストッパ層２２は、第１コレクタ層１２Ａ及びサブコレクタ層１１のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する。平面視において、エッチングストッパ層２２の上面の縁は、第１コレクタ層１２Ａの下面の縁より内側に配置されている。
【００６０】
エッチングストッパ層２２の導電型はサブコレクタ層１１の導電型と同一であり、エッチングストッパ層２２のドーピング濃度は、サブコレクタ層１１のドーピング濃度とほぼ等しい。このため、ＨＢＴの動作において、エッチングストッパ層２２はサブコレクタ層１１とともに、コレクタ電流を流す電流路と考えることができる。
【００６１】
第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面２１の縁は、第１実施例と同様に、ベース層１３の縁より内側に配置されている。第２実施例では、第２コレクタ層１２Ｂの側面が、第１コレクタ層１２Ａの側面から後退している。例えば、平面視において第２コレクタ層１２Ｂの下面の縁が、第１コレクタ層１２Ａの上面の縁の内側に配置されている。このため、第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面２１は、第２コレクタ層１２Ｂの下面に一致する。第２コレクタ層１２Ｂの上面の縁は、平面視においてベース層１３の下面の縁より内側に配置されている。
【００６２】
エミッタコンタクト層１５が、下側の第１エミッタコンタクト層１５Ａと、その上の第２エミッタコンタクト層１５Ｂとの２層を含む。平面視において、第２コレクタ層１２Ｂとベース層１３との接合界面の縁は、エミッタコンタクト層１５の下面の縁に一致するか、またはそれより外側に配置されている。このため、実質的な動作領域の面積が小さくなることはない。
【００６３】
コレクタ電極１６の下に、合金化領域２６が形成されている。合金化領域２６によって、コレクタ電極１６とサブコレクタ層１１とがオーミックに接続される。ベース電極１７の下に、エミッタ層１４を貫通してベース層１３まで達する合金化領域２７が形成されている。合金化領域２７によって、ベース電極１７とベース層１３とがオーミックに接続される。平面視において、ベース電極１７とエミッタコンタクト層１５との間のエミッタ層１４は空乏化している。
【００６４】
コレクタ層１２、ベース層１３、エミッタ層１４、及びエミッタコンタクト層１５によりＨＢＴが構成される。このＨＢＴ、及びコレクタ電極１６、ベース電極１７、エミッタ電極１８を、絶縁膜３０が覆う。絶縁膜３０の上に、平坦化絶縁膜、ＨＢＴに通電するための金属配線、抵抗素子、キャパシタ、インダクタ等の受動素子等を備えてもよい。
【００６５】
次に、第２実施例による半導体装置の各構成要素の材料及び寸法の一例について説明する。
基板１０は、半絶縁性のＧａＡｓで形成されており、その厚さは２００μｍである。サブコレクタ層１１は、Ｓｉドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＡｓで形成されており、その厚さは６００ｎｍである。サブコレクタ層１１に、ＧａＡｓを主成分として含む化合物半導体材料を用いてもよい。
【００６６】
エッチングストッパ層２２は、Ｓｉドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＩｎＧａＰで形成されており、その厚さは１０ｎｍである。エッチングストッパ層２２のＩｎＰとＧａＰとの混晶比は０．４８：０．５２であり、エッチングストッパ層２２は、ＧａＡｓからなる基板１０に格子整合している。エッチングストッパ層２２に、ＩｎＧａＰを主成分として含む化合物半導体材料を用いてもよい。
【００６７】
第１コレクタ層１２ＡはＳｉドープのｎ型ＧａＡｓで形成されており、その厚さは１０００ｎｍである。なお、第１コレクタ層１２Ａの半導体材料として、ＧａＡｓ以外にＡｌＧａＡｓを用いてもよい。または、第１コレクタ層１２Ａに、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓを主成分として含む化合物半導体材料を用いてもよい。第２コレクタ層１２Ｂは、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰで形成されており、その厚さは１０ｎｍである。第２コレクタ層１２Ｂに、ＩｎＧａＰを主成分として含む化合物半導体材料を用いてもよい。第１コレクタ層１２Ａ及び第２コレクタ層１２ＢのＳｉドーピング濃度は、１×１０１６ｃｍ−３である。第２コレクタ層１２ＢのＩｎＰとＧａＰとの混晶比は、エッチングストッパ層２２のＩｎＰとＧａＰとの混晶比と同一である。
【００６８】
ベース層１３は、Ｃドーピング濃度が２．５×１０１９ｃｍ−３のｐ型ＧａＡｓで形成されており、その厚さは１１０ｎｍである。なお、ベース層１３の半導体材料として、ＧａＡｓ以外に、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、ＧａＩｎＮＡｓ等を用いてもよい。または、ベース層１３に、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＡｓＢｉ、及びＧａＩｎＮＡｓからなる群より選択された１つの化合物半導体を主成分として含む半導体材料を用いてもよい。
【００６９】
エミッタ層１４は、Ｓｉドーピング濃度が３×１０１７ｃｍ−３のｎ型ＩｎＧａＰで形成されており、その厚さは４０ｎｍである。ＩｎＰとＧａＰとの混晶比は、エッチングストッパ層２２のＩｎＰとＧａＰとの混晶比と同一である。エミッタ層１４に、ＩｎＧａＰを主成分として含む化合物半導体材料を用いてもよい。
【００７０】
第１エミッタコンタクト層１５Ａは、Ｓｉドーピング濃度が５×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＡｓで形成されており、その厚さは５０ｎｍである。第２エミッタコンタクト層１５Ｂは、Ｓｉドーピング濃度が１×１０１９ｃｍ−３のｎ型ＩｎＧａＡｓで形成されており、その厚さは５０ｎｍである。第２エミッタコンタクト層１５ＢのＩｎＡｓとＧａＡｓとの混晶比は０．５：０．５である。
【００７１】
コレクタ電極１６は、厚さ６０ｎｍのＡｕＧｅ膜、厚さ１０ｎｍのＮｉ膜、厚さ２００ｎｍのＡｕ膜を積層して形成される。最下層のＡｕＧｅ膜がサブコレクタ層１１と反応して合金化領域２６が形成される。ベース電極１７は、厚さ２０ｎｍのＰｔ膜、厚さ５０ｎｍのＴｉ膜、厚さ５０ｎｍのＰｔ膜、及び厚さ２００ｎｍのＡｕ膜を積層して形成される。最下層のＰｔ膜が、エミッタ層１４及びベース層１３と反応して合金化領域２７が形成される。
【００７２】
エミッタ電極１８は、厚さ１０ｎｍのＭｏ膜、厚さ５ｎｍのＴｉ膜、厚さ３０ｎｍのＰｔ膜、及び厚さ２００ｎｍのＡｕ膜を積層して形成される。最下層のＭｏ膜が第２エミッタコンタクト層１５Ｂに接し、第２エミッタコンタクト層１５Ｂ及び第１エミッタコンタクト層１５Ａを介してエミッタ層１４にオーミックに接続される。
【００７３】
絶縁膜３０はＳｉＮで形成されており、その厚さは２００ｎｍである。
【００７４】
次に、図３Ａから図３Ｊまでの図面を参照して、第２実施例による半導体装置の製造方法について説明する。図３Ａから図３Ｊまでの各図面は、製造途中段階における第２実施例による半導体装置の断面図である。
【００７５】
図３Ａに示すように、半絶縁性のＧａＡｓからなる基板１０の上に、サブコレクタ層１１から第２エミッタコンタクト層１５Ｂまでの各半導体層を順次エピタキシャル成長させる。これらの半導体層の形成には、例えば有機金属気相エピタキシ法を用いることができる。エミッタコンタクト層１５の上にエミッタ電極１８を形成する。エミッタ電極１８の形成には、例えば真空蒸着法及びリフトオフ法を用いることができる。エミッタ電極１８を形成した後、エミッタコンタクト層１５（図２）を残す領域をホトレジスト膜８０でマスクする。
【００７６】
図３Ｂに示すように、ホトレジスト膜８０をエッチングマスクとして、第２エミッタコンタクト層１５Ｂ及び第１エミッタコンタクト層１５Ａの不要な部分をエッチング除去する。第１エミッタコンタクト層１５Ａ及び第２エミッタコンタクト層１５Ｂのエッチングには、例えばウェットエッチングを適用する。エッチャントとして、例えば濃度８５重量％のリン酸、濃度３５重量％の過酸化水素水、及び水を体積比で１：２：４０の割合で混合した溶液を用いることができる。このエッチャントは、ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１４に対して、ＩｎＧａＡｓからなる第２エミッタコンタクト層１５Ｂ及びＧａＡｓからなる第１エミッタコンタクト層１５Ａを選択的にエッチングする選択性を持つ。本明細書において、このエッチャントを「リン酸を主成分とするエッチャント」という。
【００７７】
第１エミッタコンタクト層１５Ａ及び第２エミッタコンタクト層１５Ｂがサイドエッチングされることにより、第１エミッタコンタクト層１５Ａ及び第２エミッタコンタクト層１５Ｂの側面は、ホトレジスト膜８０の側面より後退する。第１エミッタコンタクト層１５Ａ及び第２エミッタコンタクト層１５Ｂの不要な部分のエッチング後、ホトレジスト膜８０を除去する。
【００７８】
図３Ｃに示すように、エミッタ層１４の上にベース電極１７を形成する。ベース電極１７の形成には、例えば真空蒸着法及びリフトオフ法を用いることができる。ベース電極１７を形成した後、エミッタ層１４（図２）を残す領域をホトレジスト膜８１でマスクする。
【００７９】
図３Ｄに示すように、ホトレジスト膜８１をエッチングマスクとしてエミッタ層１４の不要な部分をエッチング除去する。エミッタ層１４のエッチングには、例えばエッチャントとして塩酸を用いることができる。このエッチャントは、ＧａＡｓからなるベース層１３に対してＩｎＧａＰからなるエミッタ層１４を選択的にエッチングする選択性を持つ。エミッタ層１４がサイドエッチングされることにより、エミッタ層１４の側面はホトレジスト膜８１の側面より後退する。
【００８０】
図３Ｅに示すように、エッチャントを塩酸からリン酸を主成分とするエッチャントに変更し、ホトレジスト膜８１及びエミッタ層１４をエッチングマスクとして、ベース層１３の不要な部分をエッチング除去する。ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１４及び第２コレクタ層１２Ｂに対して、ＧａＡｓからなるベース層１３が選択的にエッチングされる。ベース層１３がサイドエッチングされることにより、ベース層１３の側面がエミッタ層１４の側面より後退する。これにより、平面視において、ベース層１３の上面の縁が、エミッタ層１４の下面の縁より内側に配置されることになる。ベース層１３の不要な部分を除去した後、ホトレジスト膜８１を除去する。
【００８１】
図３Ｆに示すように、第２コレクタ層１２Ｂを残す領域をホトレジスト膜８２でマスクする。ホトレジスト膜８２をエッチングマスクとして第２コレクタ層１２Ｂの不要な部分をエッチング除去する。第２コレクタ層１２Ｂの不要な部分のエッチングには、例えばエッチャントとして塩酸を用いることができる。このエッチャントは、ＧａＡｓからなる第１コレクタ層１２Ａに対してＩｎＧａＰからなる第２コレクタ層１２Ｂを選択的にエッチングする選択性を有する。第２コレクタ層１２Ｂがサイドエッチングされることにより、第２コレクタ層１２Ｂの側面がホトレジスト膜８２の側面より後退する。
【００８２】
図３Ｇに示すように、エッチャントを塩酸からリン酸を主成分とするエッチャントに変更し、ホトレジスト膜８２及び第２コレクタ層１２Ｂをエッチングマスクとして第１コレクタ層１２Ａの不要な部分をエッチング除去する。このエッチャントは、ＩｎＧａＰからなる第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２に対して、ＧａＡｓからなる第１コレクタ層１２Ａを選択的にエッチングする。
【００８３】
第１コレクタ層１２Ａがサイドエッチングされることにより、第１コレクタ層１２Ａの側面が第２コレクタ層１２Ｂの側面より後退する。第１コレクタ層１２Ａが、他の半導体層に比べて厚いため、第１コレクタ層１２Ａのサイドエッチング量が、他の半導体層のサイドエッチング量より大きくなる。
【００８４】
なお、リン酸を主成分とするエッチャントによるエッチングは、結晶面方位によってエッチングレートが異なる異方性を持つ。このため、第１コレクタ層１２Ａの側面は、エッチングレートの異方性を反映した形状を持つことになり、その形状は側面の結晶面方位に依存する。その結果、第１コレクタ層１２Ａの側面は、順斜面、逆斜面、垂直面、またはこれらの面を組み合わせた複合的な面等で構成されることになる。
【００８５】
図３Ｈに示すように、エッチャントを、リン酸を主成分とするエッチャントから塩酸に変更し、ホトレジスト膜８２及び第１コレクタ層１２Ａをエッチングマスクとして、第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２の露出した部分をエッチング除去する。このエッチングにおいて、ＧａＡｓからなる第１コレクタ層１２Ａ及びサブコレクタ層１１に対して、ＩｎＧａＰからなる第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２が選択的にエッチングされる。
【００８６】
第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２がサイドエッチングされることにより、第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２の側面が、第１コレクタ層１２Ａの側面より後退する。第１コレクタ層１２Ａの側面が垂直な面ではない場合でも、平面視において、第２コレクタ層１２Ｂの下面の縁が第１コレクタ層１２Ａの上面の縁の内側に配置される。さらに、平面視において、エッチングストッパ層２２の上面の縁が、第１コレクタ層１２Ａの下面の縁より内側に配置される。
【００８７】
第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２の不要な部分を除去した後、ホトレジスト膜８２を除去する。
【００８８】
図３Ｉに示すように、サブコレクタ層１１の上にコレクタ電極１６を形成する。コレクタ電極１６の形成には、例えば真空蒸着法及びリフトオフ法を適用することができる。
【００８９】
図３Ｊに示すように、露出している全域にＳｉＮからなる絶縁膜３０を堆積させる。絶縁膜３０の形成には、例えば化学気相成長（ＣＶＤ）法を適用することができる。その後、窒素雰囲気中で、例えば温度３５０℃の条件で３０分間の熱処理を行うことにより、合金化領域２６、２７（図２）を形成する。
【００９０】
次に、第２実施例による半導体装置の構成を採用することにより得られる優れた効果について説明する。
【００９１】
第２実施例においても、第１実施例と同様に、トンネル効果が発現する程度の薄さである第２コレクタ層１２Ｂ（図２）が庇状に張り出すことがない。このため、製造歩留まりの低下を抑制することができる。さらに、平面視において、第１コレクタ層１２Ａと第２コレクタ層１２Ｂとの界面２１（図２）の縁が、ベース層１３の縁より内側に配置されているため、第１実施例と同様にベースコレクタ間容量ＣＢＣを低減させることができる。さらに、平面視において、エミッタコンタクト層１５が占める領域に相当する動作領域は、コレクタ層１２をサイドエッチングしても縮小されていない。このため、最大出力電力が低下することはない。
【００９２】
第１コレクタ層１２Ａの不要な部分をエッチング除去する工程（図３Ｇ）において、深さ方向に関してはエッチングストッパ層２２によってエッチングが停止する。このため、第１コレクタ層１２Ａの厚さとは独立して、第１コレクタ層１２Ａのサイドエッチング量を制御することができる。
【００９３】
次に、第２実施例の変形例による半導体装置について説明する。第２実施例では、エッチングストッパ層２２（図２）のドーピング濃度をサブコレクタ層１１のドーピング濃度とほぼ等しくした。本変形例においては、エッチングストッパ層２２のドーピング濃度を、第１コレクタ層１２Ａのドーピング濃度とほぼ等しくする。例えば、第１コレクタ層１２Ａ及びエッチングストッパ層２２のドーピング濃度を、１×１０１６ｃｍ−３とする。このとき、ＨＢＴの動作において、エッチングストッパ層２２はコレクタ層１２（図２）の一部と考えることができる。
【００９４】
［第３実施例］
次に、図４Ａ及び図４Ｂを参照して、第３実施例による半導体装置について説明する。以下、第２実施例による半導体装置（図２）と共通の構成については説明を省略する。
【００９５】
第２実施例では、第２コレクタ層１２Ｂ（図２）にＩｎＧａＰが用いられていたが、第３実施例では、ＩｎＧａＰＮが用いられる。ＩｎとＧａとのモル比は０．５２８：０．４７２であり、ＰとＮとのモル比は、０．９９５：０．００５である。このとき、第２コレクタ層１２Ｂの電子親和力が、ＧａＡｓからなるベース層１３の電子親和力とほぼ等しくなる。第３実施例においても、第２コレクタ層１２Ｂのドーピング濃度は、第２実施例による半導体装置の第２コレクタ層１２Ｂのドーピング濃度と同一である。
【００９６】
図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ第３実施例及び第２実施例による半導体装置（図２）のベース層１３、第２コレクタ層１２Ｂ、及び第１コレクタ層１２Ａのエネルギバンド図である。図４Ａ及び図４Ｂのエネルギバンド図は、電子に対するポテンシャルエネルギを示している。伝導帯下端のエネルギＥｃ及び価電子帯上端のエネルギＥｖを実線で示している。
【００９７】
エミッタ層１４（図２）からベース層１３に注入された電子は、図４Ａ及び図４Ｂに示した矢印４０の向きに拡散し、ベース層１３と第２コレクタ層１２Ｂとの界面に達する。この界面に達した電子は、第２コレクタ層１２Ｂ及び第１コレクタ層１２Ａの内部電界からの作用を受けてドリフトする。
【００９８】
第２実施例の場合には、ベース層１３と第２コレクタ層１２Ｂとの界面に、電子に対する約２００ｍｅＶのポテンシャル障壁４１（図４Ｂ）が発生する。電子は、このポテンシャル障壁をトンネル効果により通過する。これに対し、第３実施例では、ポテンシャル障壁が発生しない。
【００９９】
次に、第３実施例による半導体装置の構成を採用することにより得られる優れた効果について説明する。第３実施例では、ベース層１３と第２コレクタ層１２Ｂとの界面にポテンシャル障壁が発生しないため、ベース層１３内の電子は、ポテンシャル障壁に妨げられることなく、第２コレクタ層１２Ｂ内に流れ込むことができる。
【０１００】
トンネル確率は１未満であるため、第２コレクタ層１２Ｂの材料の相違以外の条件が同一である場合、第３実施例による半導体装置のコレクタ電流が第２実施例による半導体装置のコレクタ電流より大きくなる。すなわち、第３実施例による半導体装置は、第２実施例による半導体装置に比べて、電流駆動能力が大きくなる。
【０１０１】
第１コレクタ層１２Ａ（図２）とエッチングストッパ層２２（図２）との界面においても、伝導帯下端に約２００ｍｅＶのポテンシャル障壁が発生する。この界面における伝導帯の電子の多くは、ポテンシャル障壁の上端のエネルギより高いエネルギを持つ。このため、第１コレクタ層１２Ａとエッチングストッパ層２２との界面に生じるポテンシャル障壁は、電子の移動の大きな妨げにならない。
【０１０２】
次に、第３実施例の変形例による半導体装置について説明する。第３実施例では、第２コレクタ層１２Ｂ（図２）にＩｎＧａＰＮを用いた。本変形例では、第２コレクタ層１２Ｂに加えて、エッチングストッパ層２２にもＩｎＧａＰＮを用いる。構成元素のモル比は第２コレクタ層１２Ｂの構成元素のモル比と同一である。
【０１０３】
エッチングストッパ層２２のドーピング濃度は、第１コレクタ層１２Ａのドーピング濃度とほぼ等しくしてもよいし、サブコレクタ層１１のドーピング濃度とほぼ等しくしてもよい。これにより、第１コレクタ層１２Ａとエッチングストッパ層２２との界面にポテンシャル障壁が生じなくなるという効果が得られる。
【０１０４】
［第４実施例］
次に、図５から図６Ｄまでの図面を参照して、第４実施例による半導体装置について説明する。以下、第２実施例による半導体装置（図２）と共通の構成については説明を省略する。
【０１０５】
図５は、第４実施例による半導体装置の断面図である。図５に示した半導体装置の各構成要素には、図２に示した第２実施例による半導体装置の対応する構成要素に付された参照符号と同一の参照符号を付している。
【０１０６】
第２実施例では、エッチングストッパ層２２（図２）がサブコレクタ層１１に接していた。第４実施例では、エッチングストッパ層２２とサブコレクタ層１１との間に、第３コレクタ層１２Ｃが配置されている。エッチングストッパ層２２のドーピング濃度は、第１コレクタ層１２Ａのドーピング濃度と同一である。第３コレクタ層１２Ｃは第１コレクタ層１２Ａと同一の化合物半導体で形成されており、第３コレクタ層１２Ｃのドーピング濃度は第１コレクタ層１２Ａのドーピング濃度と等しい。
【０１０７】
第１コレクタ層１２Ａの厚さと第３コレクタ層１２Ｃの厚さとの合計は、第２実施例による第１コレクタ層１２Ａ（図２）の厚さと等しい。例えば、第１コレクタ層１２Ａの厚さ及び第３コレクタ層１２Ｃの厚さは、共に５００ｎｍである。平面視において、第３コレクタ層１２Ｃの上面の縁は、エミッタ層１４の下面の縁より外側に配置されている。
【０１０８】
次に、図６Ａから図６Ｄまでの図面を参照して、第４実施例による半導体装置の製造方法について説明する。図６Ａから図６Ｄまでの図面は、製造途中段階における第４実施例による半導体装置の断面図である。第２実施例の図３Ａに示したエピタキシャル成長工程において、サブコレクタ層１１の上に第３コレクタ層１２Ｃ（図５）を成長させ、その上にエッチングストッパ層２２から第２エミッタコンタクト層１５Ｂまでの半導体層を成長させる。
【０１０９】
図６Ａは、第２実施例の図３Ｇに対応する。ホトレジスト膜８２及び第２コレクタ層１２Ｂをエッチングマスクとし、リン酸を主成分とするエッチャントを用いて第１コレクタ層１２Ａの不要な部分をエッチングする。第１コレクタ層１２Ａがサイドエッチングされ、深さ方向に関しては、エッチングストッパ層２２でエッチングが停止する。
【０１１０】
図６Ｂに示すように、ホトレジスト膜８２及び第１コレクタ層１２Ａをエッチングマスクとして、第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２の露出している部分を、塩酸を用いてエッチング除去する。第２実施例の図３Ｈに示したエッチング工程と同様に、第２コレクタ層１２Ｂ及びエッチングストッパ層２２がサイドエッチングされる。
【０１１１】
図６Ｃに示すように、第３コレクタ層１２Ｃを残す領域をホトレジスト膜８３でマスクし、第３コレクタ層１２Ｃの不要な部分をエッチング除去する。このとき、サブコレクタ層１１の上面でエッチングを停止させるように時間制御を行う。サブコレクタ層１１を露出させるために、ややオーバエッチングすることが好ましい。第３コレクタ層１２Ｃの不要な部分をエッチングした後、ホトレジスト膜８３を除去する。
【０１１２】
図６Ｄに示すように、サブコレクタ層１１の上にコレクタ電極１６を形成する。その後の工程は、第２実施例の図３Ｊに示した工程以降の工程と共通である。
【０１１３】
次に、第４実施例による半導体装置の構成を採用することにより得られる優れた効果について説明する。第４実施例においても、第２実施例と同様の効果が得られる。さらに、第４実施例による半導体装置の第１コレクタ層１２Ａは、第２実施例による半導体装置の第１コレクタ層１２Ａ（図２）より薄い。このため、第１コレクタ層１２Ａをサイドエッチングする工程（図６Ａ）において、サイドエッチング量の制御性が高まる。
【０１１４】
また、第３コレクタ層１２Ｃが第１コレクタ層１２Ａの縁より外側に広がっているため、ベースコレクタ界面で発生した熱が、基板１０に伝達されやすいという効果が得られる。基板１０をヒートシンクとして用いることにより、ＨＢＴの温度上昇を抑制することができる。
【０１１５】
［第５実施例］
次に、図７を参照して第５実施例による半導体装置について説明する。以下、第２実施例による半導体装置（図２）と共通の構成については説明を省略する。
【０１１６】
図７は、第５実施例による半導体装置の断面図である。絶縁膜３０の上に平坦化絶縁膜３１が配置されている。平坦化絶縁膜３１として、例えばポリイミド等の樹脂を用いることができる。平坦化絶縁膜３１の厚さは約３μｍであり、その上面は平坦化されている。
【０１１７】
平坦化絶縁膜３１の上にエミッタ配線３２が配置されている。エミッタ配線３２は、絶縁膜３０及び平坦化絶縁膜３１に設けられた開口を通してエミッタ電極１８に直流的に接続されている。エミッタ配線３２として、例えば厚さ２μｍのＡｕ膜を用いることができる。エミッタ配線３２を覆うように、平坦化絶縁膜３１の上にパッシベーション膜３３が配置されている。パッシベーション膜３３として、例えば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を用いることができる。パッシベーション膜３３に開口が設けられており、開口の底面にエミッタ配線３２が露出する。
【０１１８】
パッシベーション膜３３の開口内に露出したエミッタ配線３２の上に、バンプ３５が配置されている。バンプ３５は、下地膜３５Ａ、Ｃｕピラー３５Ｂ、及びハンダ層３５Ｃが積層された積層構造を有する。下地膜３５Ａは、例えば厚さ１００ｎｍのＴｉ膜と、その上の厚さ１００ｎｍのＣｕ膜とを含む。下地膜３５Ａはメッキ用の種電極として利用される。Ｃｕピラー３５Ｂの厚さは、例えば５０μｍである。ハンダ層３５Ｃには、例えばＡｇ−Ｓｎハンダが用いられる。
【０１１９】
図７の断面に表された領域以外の領域に、コレクタ電極１６に電気的に接続されたコレクタ用バンプ、及びベース電極１７に電気的に接続されたベース用バンプが配置されている。
【０１２０】
第５実施例による半導体装置は、バンプ３５を介して実装基板にフェイスダウン実装することができる。
【０１２１】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【０１２２】
１０  基板
１１  サブコレクタ層
１２  コレクタ層
１２Ａ  第１コレクタ層
１２Ｂ  第２コレクタ層
１２Ｃ  第３コレクタ層
１３  ベース層
１４  エミッタ層
１５  エミッタコンタクト層
１５Ａ  第１エミッタコンタクト層
１５Ｂ  第２エミッタコンタクト層
１６  コレクタ電極
１７  ベース電極
１８  エミッタ電極
２１  第１コレクタ層と第２コレクタ層との界面
２２  エッチングストッパ層
２６、２７  合金化領域
３０  絶縁膜
３１  平坦化絶縁膜
３２  エミッタ配線
３３  パッシベーション膜
３５  バンプ
３５Ａ  下地膜
３５Ｂ  Ｃｕピラー
３５Ｃ  ハンダ層
４０  電子の移動の向きを表す矢印
４１  ポテンシャル障壁
８０、８１、８２、８３  ホトレジスト膜
１００  基板
１０１  サブコレクタ層
１０２  コレクタ層
１０２Ａ  コレクタ下層
１０２Ｂ  コレクタ中層
１０２Ｃ  コレクタ上層
１０３  ベース層
１０４  エミッタ層
１０５  エミッタキャップ層
１０６  コレクタ電極
１０７  ベース電極
１０８  エミッタ電極
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図３−４】
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【図３−５】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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