(57)【要約】【課題】折り曲げ可能であって、その取り扱い中に破損しにくい表示装置、照明装置、または電子機器を提供する。【解決手段】可撓性を有する二つの基板を有する表示装置、照明装置、または電子機器であって、可撓性を有する二つの基板のうち少なくとも一方の基板は、一の方向に沿って延在する複数のガラス繊維を含む。これにより、一の方向への可撓性が低く、その取り扱い中に破損しにくい表示装置、照明装置、または電子機器を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板と、第３の基板と、第４の基板と、表示素子とを有し、
前記可撓性を有する第１の基板と、前記可撓性を有する第２の基板とは、前記第３の基板と前記第４の基板とを介して重なり、
前記第３の基板と、前記第４の基板とは、前記表示素子を介して重なり、
前記可撓性を有する第１の基板は、シリコーンゴムまたはフッ素ゴムと、複数のガラス繊維と、を含み、
前記複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って延在し、
前記一の方向への可撓性は、前記一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低い、表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記可撓性を有する第１の基板は、非表示面側に設けられている、表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記可撓性を有する第１の基板の厚さは、前記第３の基板の厚さの２倍以上１００倍以下であり、
前記可撓性を有する第２の基板の厚さは、前記第４の基板の厚さの２倍以上１００倍以下である、表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一に記載の表示装置と、
筐体、操作ボタン、またはスピーカを有する、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、
プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター
）に関する。特に、本発明の一態様は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、また
はそれらの作製方法、使用方法、操作方法などに関する。特に、エレクトロルミネッセン
ス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光
装置、表示装置、電子機器、照明装置、またはそれらの作製方法、使用方法、操作方法な
どに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報伝達手段に係る社会基盤が充実されており、多様で潤沢な情報を、職場や自宅
だけではなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになって
いる。このような情報処理装置として、例えば、スマートフォン、タブレット、ファブレ
ットなどが開発されている。
【０００３】
上記情報処理装置用途の表示装置では、携帯性の観点から、薄型であること、軽量である
ことなどが求められている。また、上記情報処理装置用途の表示装置では、より一層の携
帯性の向上などを目的として、可撓性を有し、屈曲可能であることが求められている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、ＥＬ素子を利用した表示パネルを二枚のフィルムにより覆い、
炭素繊維を含む補強部材を取り付けることで、可撓性と実用強度を兼ね備えた表示装置が
開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−７９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
屈曲可能な表示装置では、その取り扱い中に、ある特定の領域に大きな力が加わり、当該
領域が動作不良となるおそれがある。例えば、ハンカチを折りたたむように、表示装置を
縦方向と横方向とに屈曲させた場合に、縦方向への曲げ軸と横方向への曲げ軸とが交わる
領域において、表示装置に大きな応力歪みが生じ、当該領域においてショートが発生する
おそれがある。
【０００７】
本発明の一態様は、薄型化および軽量化を達成しながら、可撓性を有し、屈曲可能であり
、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することを課題の一とする
。
【０００８】
または、本発明の一態様は、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器
を提供することを課題の一とする。
【０００９】
または、本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供
することを課題の一とする。
【００１０】
または、本発明の一態様は、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置、も
しくは電子機器を提供することを課題の一とする。
【００１１】
または、本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提
供することを課題の一とする。
【００１２】
または、本発明の一態様は、新規な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供するこ
とを課題の一とする。
【００１３】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様の表示装置は、表示素子を介して重なる可撓性を有する二つの基板を有し
、可撓性を有する二つの基板のうち少なくとも一方の基板には、一の方向に沿って延在す
る複数のガラス繊維が含まれている。
【００１５】
本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板
と、表示素子とを有し、第１の基板と、第２の基板とは、表示素子を介して重なり、第１
の基板は、複数のガラス繊維を含み、複数のガラス繊維のそれぞれは、一の方向に沿って
延在し、一の方向への可撓性は、一の方向と交差する他の方向への可撓性よりも低い。
【００１６】
本発明の一態様の表示装置は、可撓性を有する第１の基板と、可撓性を有する第２の基板
と、第３の基板と、第４の基板と、表示素子とを有し、第１の基板と、第２の基板とは、
第３の基板と第４の基板とを介して重なり、第３の基板と、第４の基板とは、表示素子を
介して重なり、第１の基板は、複数のガラス繊維を含み、複数のガラス繊維のそれぞれは
、一の方向に沿って延在し、一の方向への可撓性は、一の方向と交差する他の方向への可
撓性よりも低い。
【００１７】
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、一の方向とは、表示装置の短手方
向であり、他の方向とは、表示装置の長手方向である。
【００１８】
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、ガラス繊維を含む第１の基板は、
非表示面側に設けられている。
【００１９】
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、第１の基板は、シリコーンゴムを
含む。
【００２０】
また、上記に示す本発明の一態様の表示装置において、表示素子とは、発光素子であり、
具体的には有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子などである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様は、薄型化および軽量化を達成しながら、可撓性を有し、屈曲可能であり
、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
【００２２】
または、本発明の一態様は、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器
を提供することができる。
【００２３】
または、本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供
することができる。
【００２４】
または、本発明の一態様は、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置、も
しくは電子機器を提供することができる。
【００２５】
または、本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提
供することができる。
【００２６】
または、本発明の一態様は、新規な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供するこ
とができる。
【００２７】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。例えば、本発明の
一態様は、場合によっては、または、状況に応じて、これらの効果以外の効果を有する場
合もある。または、例えば、本発明の一態様は、場合によっては、または、状況に応じて
、これらの効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】表示装置の一態様を説明する図。
【図２】表示装置の屈曲例を説明する断面図。
【図３】表示装置の一態様を説明する図。
【図４】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図５】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図６】表示装置の一態様を説明する図。
【図７】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図８】表示装置の一態様を説明するブロック図および回路図。
【図９】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１０】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１１】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１２】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１３】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１４】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１５】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１６】表示装置の作製方法例を説明する断面図。
【図１７】発光素子の構成例を説明する図。
【図１８】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図１９】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２０】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２１】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２２】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２３】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２４】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２５】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２６】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図２７】表示装置の一態様を説明する図。
【図２８】表示装置の一態様を説明する図。
【図２９】表示装置の一態様を説明する断面図。
【図３０】電子機器および照明装置の一例を説明する図。
【図３１】電子機器の一例を説明する図。
【図３２】電子機器の一例を説明する図。
【図３３】照明装置の一態様を説明する断面図。
【図３４】表示装置の一態様を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成にお
いて、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用
い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３０】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、発
明を明瞭化するために誇張または省略されている場合がある。よって、必ずしもそのスケ
ールに限定されない。特に上面図（平面図）や斜視図において、図面をわかりやすくする
ため一部の構成要素の記載を省略する場合がある。
【００３１】
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易とす
るため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する
発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。例えば
、実際の製造工程において、エッチングなどの処理によりレジストマスクなどが意図せず
に目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。
【００３２】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるた
めに付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではな
い。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同
を避けるため、特許請求の範囲において序数詞を付す場合がある。
【００３３】
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
【００３４】
なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直
下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極
Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶
縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
【００３５】
また、ソースおよびドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回
路動作において電流の方向が変化する場合など、動作条件などによって互いに入れ替わる
ため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、
本明細書においては、ソースおよびドレインの用語は、入れ替えて用いることができるも
のとする。
【００３６】
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物
理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
【００３７】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度
で配置されている状態をいう。従って、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「
垂直」および「直交」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されてい
る状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「等しい」とは
、最大で±５％の誤差が含まれる。
【００３８】
また、本明細書において、フォトリソグラフィ工程を行った後にエッチング工程を行う場
合は、特段の説明がない限り、フォトリソグラフィ工程で形成したレジストマスクは、エ
ッチング工程終了後に除去するものとする。
【００３９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図１乃至図３を参照しな
がら説明する。本実施の形態においては、説明の便宜上、表示装置１００の長手方向をＸ
方向、短手方向をＹ方向と呼ぶ。具体的には、図面において、Ｘで示される方向をＸ方向
と呼び、Ｙで示される方向をＹ方向と呼び、Ｘ方向とＹ方向は交差している。
【００４０】
図１（Ａ）は、表示装置１００の上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）中でＡ１−Ａ
２の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）中でＢ１−Ｂ
２の一点鎖線で示す部位の断面図である。また、図１（Ｄ）は、表示装置１００の構成要
素の一つである基板１３７の上面図である。
【００４１】
図１（Ａ）に示す表示装置１００は、基板１１１、基板１２１、基板１３７、および基板
１４７を有する。また、表示装置１００は、表示領域１３１、駆動回路１３２、駆動回路
１３３、および外部電極１２４を有する。
【００４２】
図１（Ｂ）（Ｃ）に示すように、基板１１１と基板１２１とは互いに重なり、基板１３７
と基板１４７とは、基板１１１と基板１２１とを介して、互いに重なっている。
【００４３】
図１（Ｄ）に示す基板１３７は、絶縁体１０２と複数のガラス繊維１０３を含んでいる。
複数のガラス繊維１０３のそれぞれは、Ｙ方向に沿って延在している。このような基板１
３７を表示装置１００に取り付けることにより、表示装置１００のＹ方向への屈曲に対す
る剛性を高めることができる。つまり、表示装置１００のＹ方向への可撓性を低くするこ
とができる。一方で、ガラス繊維１０３はＹ方向に沿って延在しているため、表示装置１
００のＸ方向への屈曲に対する剛性には影響を与えない。つまり、表示装置１００のＸ方
向への可撓性には影響を与えない。したがって、基板１３７を表示装置１００に取り付け
ることにより、Ｘ方向へは容易に屈曲することができるが、Ｙ方向へは屈曲しにくい表示
装置１００を実現することができる。
【００４４】
このように、図１（Ａ）に示す表示装置１００には、図１（Ｄ）に示す基板１３７が取り
付けられているため、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性よりも十
分に低くなっている。このため、表示装置１００は、その取り扱い中に、Ｘ方向へは容易
に屈曲するが、Ｙ方向へは容易に屈曲しないので、Ｘ方向への曲げ軸とＹ方向への曲げ軸
が交わる領域が生じにくく、結果として、表示装置１００に大きな応力歪みが生じること
を抑制することができる。
【００４５】
次に、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）を用いて、表示装置１００を屈曲させた状態について説
明する。図２（Ａ）は、図１（Ｃ）に相当し、図２（Ｂ）乃至図２（Ｄ）は、図２（Ａ）
に示す表示装置１００をＸ方向へと屈曲させた状態を例示している。具体的には、図２（
Ｂ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、二つ折りにした状態を例示している。ま
た、図２（Ｃ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、三つ折りにした状態を例示し
ている。また、図２（Ｄ）は、表示装置１００をＸ方向へと折り曲げ、ロール状に巻いた
状態を例示している。このように、表示装置１００は、Ｙ方向に沿って延在する複数のガ
ラス繊維１０３を含む基板１３７が取り付けられているため、Ｙ方向へは屈曲しにくいが
、Ｘ方向へは容易に屈曲することができる。
【００４６】
また、ガラス繊維１０３は復元性に優れているため、断線しにくく、表示装置１００のＹ
方向への可撓性を制御する材料として好ましい。
【００４７】
また、ガラス繊維１０３は導電性を有さないため、表示装置１００が有する他の構成要素
との間に不要な容量を生じることがなく、表示領域１３１の良好な表示を妨げない。
【００４８】
また、複数のガラス繊維１０３のそれぞれは糸状であり、その厚さあるいは幅に対してそ
の長さが十分大きいものである。複数のガラス繊維１０３のそれぞれを、ビーズ状あるい
は粉末状ではなく、糸状とすることで、表示装置１００のＹ方向への可撓性を低くするこ
とを制御性よく行うことができる。
【００４９】
また、複数のガラス繊維１０３が延在する方向と、表示装置１００を構成する配線が延在
する方向をそろえることにより、配線が断線することを防ぐことができる。具体的には、
例えば、複数のガラス繊維１０３がＹ方向に沿って延在し、表示装置１００のＹ方向への
可撓性が低くなっている場合に、表示装置１００を構成する走査線あるいは信号線をＹ方
向に沿って延在させることによって、走査線あるいは信号線を断線しにくくすることがで
きる。
【００５０】
このように、本発明の一態様によれば、可撓性を有し、屈曲可能であり、信頼性が高い表
示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
【００５１】
または、本発明の一態様によれば、繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電
子機器を提供することができる。
【００５２】
または、本発明の一態様によれば、破損しにくい表示装置、照明装置、もしくは電子機器
を提供することができる。
【００５３】
または、本発明の一態様よれば、収納が容易であり、携帯性に優れた表示装置、照明装置
、もしくは電子機器を提供することができる。
【００５４】
なお、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｙ方向に沿って延在する複数のガラス
繊維１０３を含む基板１３７により、表示装置１００のＸ方向への可撓性よりもＹ方向へ
の可撓性を低くしているが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、Ｘ方向に
沿って延在する複数のガラス繊維１０３を含む基板１３７により、表示装置１００のＹ方
向への可撓性よりもＸ方向への可撓性を低くしてもよい。または、複数のガラス繊維１０
３を斜め方向に沿って延在するようにしてもよい。その場合の例を、図３４（Ａ）に示す
。
【００５５】
また、本実施の形態の表示装置１００においては、ガラス繊維１０３は、Ｙ方向に沿って
、基板の一端から他端まで途切れることなく延在しているが、本発明の一態様は、これに
限定されない。例えば、ガラス繊維１０３は、Ｙ方向に沿って、基板の一端よりも内側か
ら基板の他端の内側まで延在していてもよい。また、ガラス繊維１０３は、途切れて形成
されていてもよい。その場合の例を、図３４（Ｂ）、図３４（Ｃ）、および、図３４（Ｄ
）に示す。また、ガラス繊維１０３の厚さや密度を調整することによって、表示装置１０
０の可撓性の程度を適宜調整してもよい。
【００５６】
また、本実施の形態においては、表示装置１００の可撓性の評価として、例えば、ヤング
率を一つの指標とすることができる。例えば、表示装置１００をＸ方向へと曲げた際のヤ
ング率と、表示装置１００をＹ方向へと曲げた際のヤング率をそれぞれ測定し、両者のヤ
ング率を比較することにより、表示装置１００のＸ方向への可撓性およびＹ方向への可撓
性を評価することができる。Ｘ方向へと曲げた際のヤング率よりもＹ方向へと曲げた際の
ヤング率の方が高い場合には、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性
よりも低いと結論づけることができる。なお、ヤング率の測定は、ＩＳＯ５２７、ＪＩＳ
Ｋ７１６１、ＪＩＳＫ７１６２、ＪＩＳＫ７１２７、ＡＳＴＭＤ６３８、ＡＳＴＭＤ８８
２などを参考にして行うことができる。
【００５７】
また、表示装置１００の可撓性の評価として、例えば、曲率半径を一つの指標とすること
ができる。例えば、あらかじめ設定した力で表示装置１００をＸ方向へと曲げ、その際の
表示装置１００の曲率半径を測定する。次に、同じ力で表示装置１００をＹ方向へと曲げ
、その際の表示装置１００の曲率半径を測定する。そして、両者の曲率半径を比較するこ
とにより、表示装置１００のＸ方向への可撓性およびＹ方向への可撓性を評価することが
できる。Ｘ方向へと曲げた際の曲率半径よりもＹ方向へと曲げた際の曲率半径の方が大き
い場合には、表示装置１００のＹ方向への可撓性は、Ｘ方向への可撓性よりも低いと結論
づけることができる。例えば、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｘ方向へと曲
げた際の曲率半径は２０ｍｍ以下とすることができ、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径は５
０ｍｍ以下とすることが困難である。つまり、この場合、本実施の形態の表示装置１００
においては、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径の最小値は５０ｍｍである。より好ましくは
、例えば、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｘ方向へと曲げた際の曲率半径は
５ｍｍ以下とすることができ、Ｙ方向へと曲げた際の曲率半径は１００ｍｍ以下とするこ
とが困難である。つまり、この場合、本実施の形態の表示装置１００においては、Ｙ方向
へと曲げた際の曲率半径の最小値は１００ｍｍである。
【００５８】
次に、図３を用いて、表示装置１００の構成についてより詳細に説明する。図３（Ａ）は
、表示装置１００の斜視図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線
で示す部位の断面図である。
【００５９】
＜表示装置の構成例＞
図３（Ａ）（Ｂ）に示す本実施の形態の表示装置１００は、表示領域１３１、駆動回路１
３２、および駆動回路１３３を有する。また、表示装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１
１７、電極１１８を含む発光素子１２５と、端子電極２１６を有する。発光素子１２５は
、表示領域１３１中に複数形成されている。また、各発光素子１２５には、発光素子１２
５の発光量を制御するトランジスタ２３２が接続されている。
【００６０】
端子電極２１６は、開口１２２に形成された異方性導電接続層１２３を介して外部電極１
２４と電気的に接続されている。また、端子電極２１６は、駆動回路１３２および駆動回
路１３３に電気的に接続されている。なお、端子電極２１６は、表示領域１３１における
構成要素と電気的に接続されていてもよい。
【００６１】
駆動回路１３２および駆動回路１３３は、複数のトランジスタ２５２により構成されてい
る。駆動回路１３２および駆動回路１３３は、外部電極１２４から供給された信号を、表
示領域１３１中のどの発光素子１２５に供給するかを決定する機能を有する。
【００６２】
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極２０６、ゲート絶縁層２０
７、半導体層２０８、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂを有する。また、ソー
ス電極２０９ａ、およびドレイン電極２０９ｂと同一の膜を加工して得られた配線２１９
が形成されている。また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１
０が形成され、絶縁層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。また、電極１１５が絶
縁層２１１上に形成されている。電極１１５は、絶縁層２１０および絶縁層２１１に形成
された開口を介してドレイン電極２０９ｂに電気的に接続されている。また、電極１１５
上に隔壁１１４が形成され、電極１１５および隔壁１１４上に、ＥＬ層１１７および電極
１１８が形成されている。
【００６３】
また、表示装置１００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り合わされ
た構造を有する。また、基板１１１の一方の面に、接着層１３８を介して基板１３７が設
けられている。また、基板１２１の一方の面に、接着層１４８を介して基板１４７が設け
られている。なお、基板１３７は、絶縁体１０２と複数のガラス繊維１０３を含んでおり
、複数のガラス繊維１０３のそれぞれはＹ方向に沿って延在している。このとき、ガラス
繊維１０３と同様に、ソース電極２０９ａ、およびドレイン電極２０９ｂと同一の膜を加
工して得られる配線２１９をＹ方向に沿って延在させることにより、配線２１９を断線し
にくくすることができる。また、ガラス繊維１０３と同様に、ゲート電極２０６と同一の
膜を加工して得られる図示しない配線をＹ方向に沿って延在させて断線しにくくすること
もできる。また、ガラス繊維１０３は導電性を有さないため、例えば、ガラス繊維１０３
とゲート電極２０６との間に不要な容量は形成されない。これにより、表示領域１３１の
良好な表示が保たれる。
【００６４】
また、基板１１１の他方の面には、接着層１１２を介して絶縁層２０５が形成されている
。なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１や接着層１１２などから、トラ
ンジスタ２３２や発光素子１２５への水分や不純物元素の拡散を防止、または低減するこ
とができる。
【００６５】
また、基板１２１の他方の面には、接着層１４２を介して絶縁層１４５が形成され、絶縁
層１４５を介して遮光層２６４が形成されている。また、基板１２１の他方の面には、絶
縁層１４５を介して着色層２６６、オーバーコート層２６８が形成されている。なお、絶
縁層１４５は下地層として機能し、基板１２１や接着層１４２などから、トランジスタ２
３２や発光素子１２５への水分や不純物元素の拡散を防止、または低減することができる
。
【００６６】
基板１１１および基板１２１としては、有機樹脂材料などの可撓性を有する材料などを用
いることができる。基板１１１および基板１２１として用いる材料の機械的強度が低すぎ
る場合、表示装置１００の作製時に基板が変形しやすくなるため、歩留まりの低下など、
生産性低下の一因となる。一方で、基板１１１および基板１２１として用いる材料の機械
的強度が高すぎる場合は、表示装置が屈曲しにくくなってしまう。材料の機械的強度を表
す指標の一つにヤング率がある。基板１１１および基板１２１に好適な材料のヤング率は
、１ＧＰａ（１×１０９Ｐａ）以上１００ＧＰａ（１００×１０９Ｐａ）以下、好ましく
は２ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下、より好ましくは２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。な
お、ヤング率の測定は、ＩＳＯ５２７、ＪＩＳＫ７１６１、ＪＩＳＫ７１６２、ＪＩＳＫ
７１２７、ＡＳＴＭＤ６３８、ＡＳＴＭＤ８８２などを参考にして行うことができる。
【００６７】
基板１１１および基板１２１の厚さは、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ
以上５０μｍ以下がより好ましい。また、基板１１１または基板１２１の一方、もしくは
両方を、複数の層を有する積層基板としてもよい。また、基板１１１および基板１２１は
、その目的に応じて、材料および厚さを適宜選択すればよい。
【００６８】
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さ
らに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面に
、予め窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の
窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいてもよい。
【００６９】
本実施の形態の表示装置１００は、光２３５が上面から射出する所謂トップエミッション
構造（上面射出構造）であるため、基板１２１はＥＬ層１１７からの発光に対して透光性
を有する材料を用いる。なお、表示装置１００を所謂ボトムエミッション構造（下面射出
構造）の表示装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性
を有する材料を用いる。また、表示装置１００を両面射出構造の表示装置とする場合には
、基板１１１および基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を
用いる。
【００７０】
基板１１１および基板１２１に用いることができる、可撓性および可視光に対する透光性
を有する材料の一例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレ
ート樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフ
ィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などがある
。なお、光を透過させる必要がない場合には、非透光性の基板を用いてもよい。例えば、
基板１２１または基板１１１として、アルミニウムなどを用いてもよい。
【００７１】
基板１３７として、絶縁体１０２中に複数のガラス繊維１０３を含ませたものを用いるこ
とができる。
【００７２】
絶縁体１０２の材料としては、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどの粘弾性を有す
る高分子材料がある。例えば、複数のガラス繊維１０３を介して、シリコーンゴムからな
る二枚のフィルムを貼り合わせることによって、基板１３７を形成してもよい。
【００７３】
ガラス繊維１０３としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス
繊維が挙げられる。また、ガラス繊維１０３の厚さは、例えば、５μｍ以上１００μｍ以
下とすることができる。なお、ガラス繊維１０３の断面は、円形でも楕円形でも矩形でも
よい。
【００７４】
また、例えば、Ｘ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は、０．００１ＧＰａ以上５
ＧＰａ以下であり、Ｙ方向へと曲げた際の基板１３７のヤング率は、Ｘ方向へと曲げた際
の基板１３７のヤング率よりも高い。より好ましくは、Ｘ方向へと曲げた際の基板１３７
のヤング率は０．０１ＧＰａ以上１ＧＰａ以下であり、Ｙ方向へと曲げた際の基板１３７
のヤング率は５０ＧＰａ以上である。
【００７５】
また、ガラス繊維１０３は糸状であり、その厚さあるいは幅に対してその長さが十分大き
いものである。ガラス繊維１０３を、ビーズ状あるいは粉末状ではなく、その厚さあるい
は幅に対してその長さが十分大きな糸状とすることで、可撓性を低くしたい方向への表示
装置１００の可撓性の制御を適切に行うことができる。
【００７６】
また、基板１３７として、複数のガラス繊維１０３に絶縁体１０２が含浸された構造物（
所謂、プリプレグとも言う）を用いてもよい。プリプレグは、繊維体にマトリックス樹脂
を有機溶剤で希釈したワニスを含浸させた後、乾燥して有機溶剤を揮発させてマトリック
ス樹脂を半硬化させたものである。この場合、絶縁体１０２としては、エポキシ樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはシアネー
ト樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポ
リエーテルイミド樹脂またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。
【００７７】
なお、本実施の形態の表示装置１００においては、ガラス繊維１０３を用いているが、本
発明の一態様は、これに限定されない。例えば、引張弾性率またはヤング率の高い繊維で
ある高強度繊維を用いることができ、例として、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエス
テル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニ
レンベンゾビスオキサゾール繊維、または炭素繊維が挙げられる。また、高強度繊維は、
一種類の上記高強度繊維で形成されてもよいし、複数の上記高強度繊維で形成されてもよ
い。
【００７８】
基板１３７の厚さは、基板１１１の２倍以上１００倍以下が好ましく、５倍以上５０倍以
下がより好ましい。また、基板１４７の厚さは、基板１２１の２倍以上１００倍以下が好
ましく、５倍以上５０倍以下がより好ましい。基板１３７を基板１１１よりも厚く、また
、基板１４７を基板１２１よりも厚くすることで、応力緩和や緩衝材としての効果を良好
なものとすることができる。
【００７９】
また、基板１３７または基板１４７の一方、もしくは両方を、複数の層を有する積層基板
としてもよい。また、基板１３７および基板１４７は、その目的に応じて、材料および厚
さを適宜選択すればよい。
【００８０】
本実施の形態の表示装置１００においては、光２３５が射出しない面側（非表示面側）に
基板１３７が設けられ、光２３５が射出する面側（表示面側）に基板１４７が設けられて
いる。これにより、基板１３７に含まれるガラス繊維１０３が光２３５と干渉することが
ないので、表示領域１３１の良好な表示を得ることができる。
【００８１】
なお、ガラス繊維１０３を含む基板１３７を光２３５が射出する面側（表示面側）に設け
、基板１４７を光２３５が射出しない面側（非表示面側）に設けてもよい。ガラス繊維１
０３は透光性に優れた材料であるため、ガラス繊維１０３の厚さ、密度などを調整するこ
とにより、表示領域１３１の良好な表示を保ちつつ、ガラス繊維１０３を含む基板１３７
を光２３５が射出する面側（表示面側）に設けることができる。
【００８２】
また、基板１３７だけでなく基板１４７にもガラス繊維１０３を含ませてもよい。この場
合、基板１３７に含まれるガラス繊維１０３と基板１４７に含まれるガラス繊維１０３の
延在する方向をそろえることが好ましい。例えば、基板１３７に含まれる複数のガラス繊
維１０３のそれぞれがＹ方向に沿って延在している場合には、基板１４７に含まれる複数
のガラス繊維１０３のそれぞれもＹ方向に沿って延在していることが好ましい。これによ
り、表示装置１００のＹ方向への可撓性を十分に低くすることができる。
【００８３】
＜変形例＞
図４および図５に、表示装置１００の変形例を示す。図１（Ｃ）は、図１（Ａ）で示す表
示装置１００のＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、
これに限定されない。図４（Ａ）乃至図４（Ｆ）は、図１（Ｃ）に示す表示装置１００の
断面構造の変形例を示している。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）で示す表示装置１００
のＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、これに限定さ
れない。図５は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００の断面構造の変形例を示している。
【００８４】
図４（Ａ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）に示すように、外部電極１２４を基板１１１に接続
することにより、外部電極１２４を簡単に接着できる。図５に示すように、異方性導電接
続層１２３を介して、基板１１１上に形成された端子電極２１６と外部電極１２４とを接
続している。また、図４（Ｂ）（Ｃ）（Ｆ）に示すように、外部電極１２４を基板１４７
で覆うことにより、外部電極１２４と基板１１１との接続部を保護することができる。な
お、図４（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）では、半導体チップ９１０が、ＣＯＧなどにより、基板１１
１上に設けられている場合を示している。図４（Ｅ）（Ｆ）に示すように、半導体チップ
９１０を基板１４７で覆うことにより、半導体チップ９１０やその接続部を保護すること
ができる。
【００８５】
＜変形例＞
図６に、表示装置１００と異なる構成を有する表示装置２００を示す。図６（Ａ）は、表
示装置２００の上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）中でＡ３−Ａ４の一点鎖線で示
す部位の断面図である。また、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）中でＢ３−Ｂ４の一点鎖線で示
す部位の断面図である。
【００８６】
表示装置２００は、基板１３７および基板１４７の少なくとも一部が基板１１１および基
板１２１の端部を超えて延伸し、該延伸部において、基板１３７および基板１４７が接続
している点が、表示装置１００と異なる。他の構成は表示装置１００と同様に形成するこ
とができる。なお、該延伸部における基板１３７および基板１４７は、接着層などを介し
て間接的に接続してもよいし、直接接続してもよい。
【００８７】
表示装置２００のような構成とすることで、基板１１１および基板１２１端部からの不純
物が侵入しにくくなるため、表示装置の信頼性をさらに高めることができる。
【００８８】
＜変形例＞
図７に、表示装置２００の変形例を示す。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）で示す表示装置２０
０のＢ３−Ｂ４の一点鎖線で示す部位の断面図であるが、本発明の一態様は、これに限定
されない。図７（Ａ）乃至図７（Ｈ）は、図６（Ｃ）に示す表示装置２００の断面構造の
変形例を示している。
【００８９】
図７（Ａ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、外部電極１２４を基板
１１１に接続することにより、外部電極１２４を簡単に接着できる。また、図７（Ｂ）（
Ｃ）（Ｄ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、外部電極１２４を基板１４７で覆うことにより、
外部電極１２４との接続部を保護することができる。また、図７（Ｄ）（Ｈ）に示すよう
に、外部電極１２４を基板１４７と基板１３７とで覆うことにより、外部電極１２４と外
部電極１２４と接続する基板との接続部をより保護することができる。なお、図７（Ｅ）
（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）では、半導体チップ９１０が、ＣＯＧなどにより、基板１１１上に設
けられている場合を示している。また、図７（Ｆ）（Ｇ）（Ｈ）に示すように、半導体チ
ップ９１０を基板１４７で覆うことにより、半導体チップ９１０やその接続部を保護する
ことができる。
【００９０】
＜画素回路構成例＞
次に、図８を用いて、表示装置１００のより具体的な構成例について説明する。図８（Ａ
）は、表示装置１００の構成を説明するためのブロック図である。表示装置１００は、表
示領域１３１、駆動回路１３２、および駆動回路１３３を有する。駆動回路１３２は、例
えば走査線駆動回路として機能する。また、駆動回路１３３は、例えば信号線駆動回路と
して機能する。
【００９１】
また、表示装置１００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１３２によって電位
が制御されるｍ本の走査線１３５と、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１３３に
よって電位が制御されるｎ本の信号線１３６と、を有する。このとき、走査線１３５ある
いは信号線１３６が延在する方向とガラス繊維１０３が延在する方向をそろえることによ
って、表示装置１００の取り扱い時に、走査線１３５あるいは信号線１３６が断線してし
まうことを防ぐことができる。さらに、表示領域１３１はマトリクス状に配設された複数
の画素１３４を有する。また、駆動回路１３２および駆動回路１３３をまとめて駆動回路
部という場合がある。
【００９２】
各走査線１３５は、表示領域１３１においてｍ行ｎ列に配設された画素１３４のうち、い
ずれかの行に配設されたｎ個の画素１３４と電気的に接続される。また、各信号線１３６
は、ｍ行ｎ列に配設された画素１３４のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の画素１３
４に電気的に接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。
【００９３】
図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、図８（Ａ）に示す表示装置の画素１３４に用いることが
できる回路構成を示している。
【００９４】
〔発光表示装置用画素回路の一例〕
また、図８（Ｂ）に示す画素１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、トラ
ンジスタ２３２と、発光素子１２５と、を有する。
【００９５】
トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３
１のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気
的に接続される。
【００９６】
トランジスタ４３１は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のノード
４３５への書き込みを制御する機能を有する。
【００９７】
容量素子２３３の一対の電極の一方は、ノード４３５に電気的に接続され、他方は、ノー
ド４３７に電気的に接続される。また、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン
電極の他方は、ノード４３５に電気的に接続される。
【００９８】
容量素子２３３は、ノード４３５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能
を有する。
【００９９】
トランジスタ２３２のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ２３
２のゲート電極は、ノード４３５に電気的に接続される。
【０１００】
発光素子１２５のアノードおよびカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。
【０１０１】
発光素子１２５としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともい
う）などを用いることができる。ただし、発光素子１２５としては、これに限定されず、
無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
【０１０２】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａおよび電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０１０３】
図８（Ｂ）の画素１３４を有する表示装置では、駆動回路１３２により各行の画素１３４
を順次選択し、トランジスタ４３１をオン状態にしてデータ信号をノード４３５に書き込
む。
【０１０４】
ノード４３５にデータ信号が書き込まれた画素１３４は、トランジスタ４３１がオフ状態
になることで保持状態になる。さらに、ノード４３５に書き込まれたデータの電位に応じ
てトランジスタ２３２のソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光
素子１２５は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより
、画像を表示できる。
【０１０５】
〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図８（Ｃ）に示す画素１３４は、液晶素子４３２と、トランジスタ４３１と、容量素子２
３３と、を有する。
【０１０６】
液晶素子４３２の一対の電極の一方の電位は、画素１３４の仕様に応じて適宜設定される
。液晶素子４３２は、ノード４３６に書き込まれるデータにより配向状態が設定される。
なお、複数の画素１３４のそれぞれが有する液晶素子４３２の一対の電極の一方に、共通
の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素１３４毎の液晶素子４３２の一
対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
【０１０７】
例えば、液晶素子４３２を備える表示装置の駆動方法としては、ＴＮモード、ＳＴＮモー
ド、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉ
ｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉ
ｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑ
ｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢＡ
（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｂｅｎｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。
また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ
（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホ
ストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として
様々なものを用いることができる。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディ
スプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレ
イ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。なお、半透過型液
晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または
、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、
または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合
、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さ
らに、消費電力を低減することができる。
【０１０８】
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ  Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物に
より液晶素子４３２を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、応答速度が１ｍｓｅｃ以
下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。
【０１０９】
なお、表示素子として、発光素子１２５および液晶素子４３２以外の表示素子を適用する
ことも可能である。例えば、表示素子として、電気泳動素子、電子インク、エレクトロウ
ェッティング素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）、デジタ
ルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、Ｍ
ＩＲＡＳＯＬ（登録商標）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子
、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、などを用いるこ
とも可能である。
【０１１０】
ｍ行ｎ列目の画素１３４において、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極
の一方は、信号線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方はノード４３６に電気的に接続され
る。トランジスタ４３１のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。トラン
ジスタ４３１は、オン状態またはオフ状態になることにより、ノード４３６へのデータ信
号の書き込みを制御する機能を有する。
【０１１１】
容量素子２３３の一対の電極の一方は、特定の電位が供給される配線（以下、容量線ＣＬ
）に電気的に接続され、他方は、ノード４３６に電気的に接続される。また、液晶素子４
３２の一対の電極の他方はノード４３６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位
の値は、画素１３４の仕様に応じて適宜設定される。容量素子２３３は、ノード４３６に
書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０１１２】
例えば、図８（Ｃ）の画素１３４を有する表示装置では、駆動回路１３２により各行の画
素１３４を順次選択し、トランジスタ４３１をオン状態にしてノード４３６にデータ信号
を書き込む。
【０１１３】
ノード４３６にデータ信号が書き込まれた画素１３４は、トランジスタ４３１がオフ状態
になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０１１４】
例えば、本明細書等において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、また
は、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることができる。
【０１１５】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
ができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、またはＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、これらの素子を用いることで、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、
開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることができる。
【０１１６】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、または歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とができる。
【０１１７】
なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例として
は、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより
、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を
照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バ
ックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのため
の照明装置として活用してもよい。
【０１１８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０１１９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、表示装置１００の作製方法の一例について、図９乃至図１６を用いて
説明する。なお、図９乃至図１５は、図３（Ａ）中のＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位の
断面に相当する。
【０１２０】
＜表示装置の作製方法例＞
〔剥離層の形成〕
まず、素子形成基板１０１上に剥離層１１３を形成する（図９（Ａ）参照。）。なお、素
子形成基板１０１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、
金属基板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を
有するプラスチック基板を用いてもよい。
【０１２１】
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス
、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
【０１２２】
剥離層１１３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
シリコンから選択された元素、または前記元素を含む合金材料、または前記元素を含む化
合物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成す
ることができる。なお、剥離層１１３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの
場合でもよい。また、剥離層１１３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二
酸化チタン、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、またはＩｎ
ＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）等の金属酸化物を用いて形成することもできる。
【０１２３】
剥離層１１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。な
お、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【０１２４】
剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンと
モリブデンを含む合金材料を用いることが好ましい。または、剥離層１１３を単層で形成
する場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化
窒化物、またはタングステンとモリブデンを含む合金の酸化物若しくは酸化窒化物を用い
ることが好ましい。
【０１２５】
また、剥離層１１３として、例えば、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含
む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層に接して酸化物絶縁層を形成する
ことで、タングステンを含む層と酸化物絶縁層との界面に、酸化タングステンが形成され
ることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラ
ズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含
む層を形成してもよい。
【０１２６】
本実施の形態では、素子形成基板１０１としてガラス基板を用いる。また、剥離層１１３
として素子形成基板１０１上にスパッタリング法によりタングステンを形成する。
【０１２７】
〔絶縁層の形成〕
次に、剥離層１１３上に下地層として絶縁層２０５を形成する（図９（Ａ）参照。）。絶
縁層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸
化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または
多層で形成するのが好ましい。例えば、絶縁層２０５を、酸化シリコンと窒化シリコンを
積層した二層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた五層構造としてもよい。絶縁
層２０５は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能である。
【０１２８】
絶縁層２０５の厚さは、３０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上８００ｎｍ以
下とすればよい。
【０１２９】
絶縁層２０５は、素子形成基板１０１や剥離層１１３などからの不純物元素の拡散を防止
、または低減することができる。また、素子形成基板１０１を基板１１１に換えた後も、
基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２５への不純物元素の拡散を防止、または
低減することができる。本実施の形態では、絶縁層２０５としてプラズマＣＶＤ法により
厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコンと厚さ５０ｎｍの窒化酸化シリコンの積層膜を用いる
。
【０１３０】
〔ゲート電極の形成〕
次に、絶縁層２０５上にゲート電極２０６を形成する（図９（Ａ）参照。）。ゲート電極
２０６は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンか
ら選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を
組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、マンガン、ジルコニウムのい
ずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート電極２０６は
、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウ
ム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチ
タン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化
タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜
上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、
さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等がある。また、アルミニウム、チタン、タ
ンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一ま
たは複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
【０１３１】
また、ゲート電極２０６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化シリコンを添加
したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、
上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【０１３２】
まず、絶縁層２０５上にスパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等により、ゲート電極２０
６となる導電膜を積層し、該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを
形成する。次に、レジストマスクを用いてゲート電極２０６となる導電膜の一部をエッチ
ングして、ゲート電極２０６を形成する。この時、他の配線および電極も同時に形成する
ことができる。
【０１３３】
導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を
用いてもよい。なお、ドライエッチング法によりエッチングを行った場合、レジストマス
クを除去する前にアッシング処理を行うと、剥離液を用いたレジストマスクの除去を容易
とすることができる。
【０１３４】
なお、ゲート電極２０６は、上記形成方法の代わりに、電解メッキ法、印刷法、インクジ
ェット法等で形成してもよい。
【０１３５】
ゲート電極２０６の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３
００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【０１３６】
また、ゲート電極２０６を、遮光性を有する導電性材料を用いて形成することで、外部か
らの光が、ゲート電極２０６側から半導体層２０８に到達しにくくすることができる。そ
の結果、光照射によるトランジスタの電気特性の変動を抑制することができる。
【０１３７】
〔ゲート絶縁層の形成〕
次に、ゲート絶縁層２０７を形成する（図９（Ａ）参照。）。ゲート絶縁層２０７は、例
えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニ
ウム、酸化アルミニウムと酸化シリコンの混合物、酸化ハフニウム、酸化ガリウムまたは
Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などを用いればよく、積層または単層で設ける。
【０１３８】
また、ゲート絶縁層２０７として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−
ｋ材料を用いることでトランジスタのゲートリークを低減できる。例えば、酸化窒化シリ
コンと酸化ハフニウムの積層としてもよい。
【０１３９】
ゲート絶縁層２０７の厚さは、５ｎｍ以上４００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上
３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下とするとよい。
【０１４０】
ゲート絶縁層２０７は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で形成することができる
。
【０１４１】
ゲート絶縁層２０７として酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、または窒化酸化シリコ
ン膜を形成する場合、原料ガスとしては、シリコンを含む堆積性気体および酸化性気体を
用いることが好ましい。シリコンを含む堆積性気体の代表例としては、シラン、ジシラン
、トリシラン、フッ化シラン等がある。酸化性気体としては、酸素、オゾン、一酸化二窒
素、二酸化窒素等がある。
【０１４２】
また、ゲート絶縁層２０７は、窒化物絶縁層と酸化物絶縁層をゲート電極２０６側から順
に積層する積層構造としてもよい。ゲート電極２０６側に窒化物絶縁層を設けることで、
ゲート電極２０６側から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が半導体
層２０８に移動することを防ぐことができる。なお、一般に、窒素、アルカリ金属、また
はアルカリ土類金属等は、半導体の不純物元素として機能する。また、水素は、酸化物半
導体の不純物元素として機能する。よって、本明細書等における「不純物」には、水素、
窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が含まれるものとする。
【０１４３】
また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８側に酸化物絶
縁層を設けることで、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位密度
を低減することが可能である。この結果、電気特性の劣化の少ないトランジスタを得るこ
とができる。なお、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、酸化物絶縁層と
して、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物絶縁層を用いて形成す
ると、ゲート絶縁層２０７と半導体層２０８の界面における欠陥準位密度をさらに低減す
ることが可能であるため好ましい。
【０１４４】
また、ゲート絶縁層２０７を、上記のように窒化物絶縁層と酸化物絶縁層の積層とする場
合、酸化物絶縁層よりも窒化物絶縁層を厚くすることが好ましい。
【０１４５】
窒化物絶縁層は酸化物絶縁層よりも比誘電率が大きいため、ゲート絶縁層２０７の膜厚を
厚くしても、ゲート電極２０６に生じる電界を効率よく半導体層２０８に伝えることがで
きる。また、ゲート絶縁層２０７を厚くすることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を高
めることができる。よって、表示装置の信頼性を高めることができる。
【０１４６】
また、ゲート絶縁層２０７は、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性
の高い第２の窒化物絶縁層と、酸化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層され
る積層構造とすることができる。ゲート絶縁層２０７に、欠陥の少ない第１の窒化物絶縁
層を用いることで、ゲート絶縁層２０７の絶縁耐圧を向上させることができる。特に、半
導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ゲート絶縁層２０７に、水素ブロッキ
ング性の高い第２の窒化物絶縁層を設けることで、ゲート電極２０６および第１の窒化物
絶縁層に含まれる水素が半導体層２０８に移動することを防ぐことができる。
【０１４７】
第１の窒化物絶縁層、第２の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、シ
ラン、窒素、およびアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法によ
り、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガス
を、シランおよび窒素の混合ガスに切り替えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキ
ングすることが可能な窒化シリコン膜を第２の窒化物絶縁層として成膜する。このような
形成方法により、欠陥が少なく、且つ水素のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層
されたゲート絶縁層２０７を形成することができる。
【０１４８】
また、ゲート絶縁層２０７は、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層と、欠
陥の少ない第１の窒化物絶縁層と、水素ブロッキング性の高い第２の窒化物絶縁層と、酸
化物絶縁層とが、ゲート電極２０６側から順に積層される積層構造とすることができる。
ゲート絶縁層２０７に、不純物のブロッキング性が高い第３の窒化物絶縁層を設けること
で、ゲート電極２０６から水素、窒素、アルカリ金属、またはアルカリ土類金属等が半導
体層２０８に移動することを防ぐことができる。
【０１４９】
第１の窒化物絶縁層乃至第３の窒化物絶縁層の作製方法の一例を以下に示す。はじめに、
シラン、窒素、およびアンモニアの混合ガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法に
より、不純物のブロッキング性が高い窒化シリコン膜を第３の窒化物絶縁層として形成す
る。次に、アンモニアの流量を増加させることで、欠陥の少ない窒化シリコン膜を第１の
窒化物絶縁層として形成する。次に、原料ガスを、シランおよび窒素の混合ガスに切り替
えて、水素濃度が少なく、且つ水素をブロッキングすることが可能な窒化シリコン膜を第
２の窒化物絶縁層として形成する。このような形成方法により、欠陥が少なく、且つ不純
物のブロッキング性を有する窒化物絶縁層が積層されたゲート絶縁層２０７を形成するこ
とができる。
【０１５０】
また、ゲート絶縁層２０７として酸化ガリウム膜を形成する場合、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａ
ｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用い
て形成することができる。
【０１５１】
なお、トランジスタのチャネルが形成される半導体層２０８と、酸化ハフニウムを含む絶
縁層を、酸化物絶縁層を介して積層し、酸化ハフニウムを含む絶縁層に電子を注入するこ
とで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
【０１５２】
〔半導体層の形成〕
半導体層２０８は、非晶質半導体、微結晶半導体、多結晶半導体等を用いて形成すること
ができる。例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶ゲルマニウム等を用いるこ
とができる。また、炭化シリコン、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化
合物半導体や、有機半導体等を用いることができる。酸化物半導体としては、非単結晶酸
化物半導体、単結晶酸化物半導体などを用いることができる。非単結晶酸化物半導体とし
ては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘ
ｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非
晶質酸化物半導体などを用いることができる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複
数の結晶部を有する酸化物半導体の一つである。また、酸化物半導体は、代表的には、Ｉ
ｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）がある。とくに、酸化物半導体としては、Ｉｎ
−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、ＳｎまたはＨｆ）
を用いると好ましい。ただし、酸化物半導体は、インジウムを含む酸化物に限定されない
。酸化物半導体は、例えば、Ｚｎ−Ｓｎ酸化物、Ｇａ−Ｓｎ酸化物であっても構わない。
【０１５３】
半導体層２０８の厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ
以下、さらに好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。本実施の形態では、半導体層２
０８として、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍの酸化物半導体膜を形成する。
【０１５４】
続いて、酸化物半導体膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて酸化物
半導体膜の一部を選択的にエッチングすることで、半導体層２０８を形成する。レジスト
マスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行う
ことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
【０１５５】
酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく
、両方を用いてもよい。酸化物半導体膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する
（図９（Ｂ）参照。）。
【０１５６】
〔電極の形成〕
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６
を形成する（図９（Ｃ）参照。）。まず、ゲート絶縁層２０７、半導体層２０８上に導電
膜を形成する。
【０１５７】
導電膜としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコ
ニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成
分とする合金で構成される単層構造または積層構造を用いることができる。例えば、シリ
コンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造
、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニ
ウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タング
ステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜ま
たは窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン
膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そ
のモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、
さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造、タングステン
膜上に銅膜を積層し、さらにその上にタングステン膜を形成する三層構造等がある。
【０１５８】
なお、インジウム錫酸化物、亜鉛酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジ
ウム錫酸化物などの酸素を含む導電性材料、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む
導電性材料を用いてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材
料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属元素を含む材料と、
窒素を含む導電性材料を組み合わせた積層構造とすることもできる。また、前述した金属
元素を含む材料、酸素を含む導電性材料、および窒素を含む導電性材料を組み合わせた積
層構造とすることもできる。
【０１５９】
また、導電膜の厚さは、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上３００
ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。本実施の形態では、導電
膜として厚さ３００ｎｍのタングステン膜を形成する。
【０１６０】
次に、レジストマスクを用いて、導電膜の一部を選択的にエッチングし、ソース電極２０
９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６（これと同じ層で形成
される他の電極または配線を含む）を形成する。レジストマスクの形成は、フォトリソグ
ラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスク
をインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減でき
る。
【０１６１】
導電膜のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、両方を
用いてもよい。なお、エッチング工程により、露出した半導体層２０８の一部が除去され
る場合がある。導電膜のエッチング終了後、レジストマスクを除去する。表示領域１３１
にはトランジスタ２３２が形成され、駆動回路１３３にはトランジスタ２５２が形成され
る（図９（Ｃ）参照。）。
【０１６２】
〔絶縁層の形成〕
次に、ソース電極２０９ａ、ドレイン電極２０９ｂ、配線２１９、および端子電極２１６
上に、絶縁層２１０を形成する（図９（Ｄ）参照。）。絶縁層２１０は、絶縁層２０５と
同様の材料および方法で形成することができる。
【０１６３】
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、少なくとも絶縁層２１０の半導体
層２０８と接する領域に、酸素を含む絶縁層を用いることが好ましい。例えば、絶縁層２
１０を複数層の積層とする場合、少なくとも半導体層２０８と接する層を酸化シリコンで
形成すればよい。
【０１６４】
〔開口の形成〕
次に、レジストマスクを用いて、絶縁層２１０の一部を選択的にエッチングし、開口１２
８を形成する（図９（Ｄ）参照。）。この時、図示しない他の開口も同時に形成する。レ
ジストマスクの形成は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用い
て行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使
用しないため、製造コストを低減できる。
【０１６５】
絶縁層２１０のエッチングは、ドライエッチング法でもウエットエッチング法でもよく、
両方を用いてもよい。
【０１６６】
開口１２８の形成により、ドレイン電極２０９ｂ、端子電極２１６の一部が露出する。開
口１２８の形成後、レジストマスクを除去する。
【０１６７】
〔平坦化膜の形成〕
次に、絶縁層２１０上に絶縁層２１１を形成する（図１０（Ａ）参照。）。絶縁層２１１
は、絶縁層２０５と同様の材料および方法で形成することができる。
【０１６８】
また、発光素子１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために、絶縁層２１１に平坦化処
理を行ってもよい。平坦化処理として特に限定はないが、研磨処理（例えば、化学的機械
研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ））、
やドライエッチング処理により行うことができる。
【０１６９】
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２１１を形成することで、研磨処理を
省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂、
アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材
料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁層
を複数積層させることで、絶縁層２１１を形成してもよい。
【０１７０】
また、開口１２８と重畳する領域の絶縁層２１１の一部を除去して、開口１２９を形成す
る。この時、図示しない他の開口部も同時に形成する。また、後に外部電極１２４が接続
する領域の絶縁層２１１は除去する。なお、開口１２９等は、絶縁層２１１上にフォトリ
ソグラフィ工程によるレジストマスクの形成を行い、絶縁層２１１のレジストマスクに覆
われていない領域をエッチングすることで形成できる。開口１２９を形成することにより
、ドレイン電極２０９ｂの表面を露出させる。
【０１７１】
レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コ
ストを低減できる。また、絶縁層２１１に感光性を有する材料を用いることで、レジスト
マスクを用いることなく開口１２９を形成することができる。本実施の形態では、感光性
のポリイミド樹脂を用いて絶縁層２１１および開口１２９を形成する。
【０１７２】
〔陽極の形成〕
次に、絶縁層２１１上に電極１１５を形成する（図１０（Ｂ）参照。）。電極１１５は、
後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成する
ことが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例
えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、インジウム錫酸
化物などのＥＬ層１１７よりも仕事関数が大きく透光性を有する層とし、その層に接して
反射率の高い層（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を設けてもよ
い。
【０１７３】
なお、本実施の形態では、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置について
例示するが、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッション構
造（両面射出構造）の表示装置とすることもできる。
【０１７４】
表示装置１００を、ボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッシ
ョン構造（両面射出構造）の表示装置とする場合は、電極１１５に透光性を有する導電性
材料を用いればよい。
【０１７５】
電極１１５は、絶縁層２１１上に電極１１５となる導電膜を形成し、該導電膜上にレジス
トマスクを形成し、該導電膜のレジストマスクに覆われていない領域をエッチングするこ
とで形成できる。該導電膜のエッチングは、ドライエッチング法、ウエットエッチング法
、または双方を組み合わせたエッチング法を用いることができる。レジストマスクの形成
は、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる
。レジストマスクをインクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製
造コストを低減できる。電極１１５の形成後、レジストマスクを除去する。
【０１７６】
〔隔壁の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図１０（Ｃ）参照。）。隔壁１１４は、隣接する画素の発
光素子１２５が意図せず電気的に短絡し、誤発光することを防ぐために設ける。また、後
述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが電極１１５に接
触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド
樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成することができる。隔壁
１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるよう
に形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状とすることで、後に形成
されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとすることができる。
【０１７７】
〔ＥＬ層の形成〕
ＥＬ層１１７は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の機能層
を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い物質、
正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポーラ性（
電子および正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具体的に
は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わせて用
いることができる。
【０１７８】
〔陰極の形成〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いるため、電極１１８をＥＬ層１１７に電子
を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の
小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数
ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウ
ム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。
また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム
−銀等の合金を用いることもできる。
【０１７９】
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合には、電極１１８は
、可視光に対し透光性を有することが好ましい。電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８
により、発光素子１２５が形成される（図１０（Ｄ）参照。）。
【０１８０】
〔対向素子形成基板の形成〕
遮光層２６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８、絶縁層１４５、および剥離層１
４３が形成された素子形成基板１４１を、接着層１２０を介して素子形成基板１０１上に
形成する（図１１（Ａ）参照。）。なお、素子形成基板１４１は素子形成基板１０１と向
かい合うように形成されるため、素子形成基板１４１を「対向素子形成基板」と呼ぶ場合
がある。素子形成基板１４１（対向素子形成基板）の構成の詳細については、追って説明
する。
【０１８１】
素子形成基板１４１は、素子形成基板１０１上に、接着層１２０により固定される。接着
層１２０としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気
型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を
用いることができる。トップエミッション構造（上面射出構造）の場合は接着層１２０に
光の波長以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタ
ンや、ジルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層１１７が発する光の取り出し効率が向上す
るため好適である。
【０１８２】
〔素子形成基板の剥離〕
次に、剥離層１１３を介して絶縁層２０５と接する素子形成基板１０１を、絶縁層２０５
から剥離する（図１１（Ｂ）参照。）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人
間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）
を用いて行えばよい。たとえば、剥離層１１３に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り
込みをいれ、その切り込みに水を注入する。または、その切り込みに霧状の水を吹き付け
る。毛細管現象により水が剥離層１１３と絶縁層２０５の間にしみこむことにより、素子
形成基板１０１を絶縁層２０５から容易に剥離することができる。
【０１８３】
〔基板の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を絶縁層２０５に貼り合わせる（図１２（Ａ）、
図１２（Ｂ）参照。）。接着層１１２は、接着層１２０と同様の材料を用いることができ
る。本実施の形態では、基板１１１として、厚さ２０μｍ、ヤング率１０ＧＰａのアラミ
ド（ポリアミド樹脂）を用いる。
【０１８４】
〔素子形成基板の剥離〕
次に、剥離層１４３を介して絶縁層１４５と接する素子形成基板１４１を、絶縁層１４５
から剥離する（図１３（Ａ）参照。）。素子形成基板１４１の剥離は、前述した素子形成
基板１０１の剥離と同様の方法で行うことができる。
【０１８５】
〔基板の貼り合わせ〕
次に、接着層１４２を介して基板１２１を絶縁層１４５に貼り合わせる（図１３（Ｂ）参
照。）。接着層１４２は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。また、基板
１２１は基板１１１と同様の材料を用いることができる。
【０１８６】
〔開口の形成〕
次に、端子電極２１６および開口１２８と重畳する領域の、基板１２１、接着層１４２、
絶縁層１４５、着色層２６６、オーバーコート層２６８、および接着層１２０を除去して
、開口１２２を形成する（図１４（Ａ）参照。）。開口１２２を形成することにより、端
子電極２１６の表面の一部が露出する。
【０１８７】
〔外部電極の形成〕
次に、開口１２２に異方性導電接続層１２３を形成し、異方性導電接続層１２３上に、表
示装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１４（Ｂ）参
照）。端子電極２１６は、異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と電気的に接
続される。なお、外部電極１２４としては、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎ
ｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）を用いることができる。
【０１８８】
異方性導電接続層１２３は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる。
【０１８９】
異方性導電接続層１２３は、熱硬化性、又は熱硬化性および光硬化性の樹脂に導電性粒子
を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続
層１２３は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続
層１２３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂を金やニッケル、コバ
ルト等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
【０１９０】
〔基板の貼り合わせ〕
次に、基板１３７を、接着層１３８を介して基板１１１に貼り合わせる。また、基板１４
７を、接着層１４８を介して基板１２１に貼り合わせる（図１５参照。）。接着層１３８
および接着層１４８は、接着層１２０と同様の材料を用いることができる。
【０１９１】
基板１３７として、絶縁体１０２中に複数のガラス繊維１０３を含ませたものを用いる。
複数のガラス繊維１０３のそれぞれは、Ｙ方向に沿って延在している。また、複数のガラ
ス繊維１０３のそれぞれは、互いに一定の間隔をあけて略平行に配置されている。
【０１９２】
本実施の形態では、絶縁体１０２として、可視光に対して透光性を有する厚さ２００μｍ
、ヤング率０．０３ＧＰａのシリコーンゴムを用いる。また、ガラス繊維１０３として、
円形の断面を有し、直径が５０μｍのものを用いる。
【０１９３】
また、本実施の形態では、基板１４７として、可視光に対して透光性を有する厚さ２００
μｍ、ヤング率０．０３ＧＰａのシリコーンゴムを用いる。
【０１９４】
〔対向素子形成基板に形成される構造物〕
次に、素子形成基板１４１に形成される遮光層２６４などの構造物について、図１６を用
いて説明する。
【０１９５】
まず、素子形成基板１４１を準備する。素子形成基板１４１としては、素子形成基板１０
１と同様の材料を用いることができる。次に、素子形成基板１４１上に剥離層１４３と絶
縁層１４５を形成する（図１６（Ａ）参照。）。剥離層１４３は、剥離層１１３と同様の
材料および方法で形成することができる。また、絶縁層１４５は、絶縁層２０５と同様の
材料および方法で形成することができる。
【０１９６】
次に、絶縁層１４５上に、遮光層２６４を形成する（図１６（Ｂ）参照。）。その後、着
色層２６６を形成する（図１６（Ｃ）参照。）。
【０１９７】
遮光層２６４および着色層２６６は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、
フォトリソグラフィ法を用いて、それぞれ所望の位置に形成する。
【０１９８】
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図１６
（Ｄ）参照。）。
【０１９９】
オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等の
有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、例
えば、着色層２６６中に含まれる不純物等を発光素子１２５側に拡散することを抑制する
ことができる。ただし、オーバーコート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オーバ
ーコート層２６８を形成しない構造としてもよい。
【０２００】
また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。オーバー
コート層２６８として透光性を有する導電膜を設けることで、発光素子１２５から発せら
れた光２３５を透過し、かつ、イオン化した不純物の透過を防ぐことができる。
【０２０１】
透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎ
ｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加し
た酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、グラフェン等の他、透光性を有す
る程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい。
【０２０２】
以上の工程で素子形成基板１４１に遮光層２６４などの構造物を形成することができる。
【０２０３】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２０４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について図１
７を用いて説明する。
【０２０５】
＜発光素子の構成＞
図１７（Ａ）に示す発光素子３３０は、一対の電極（電極３１８、電極３２２）間にＥＬ
層３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例とし
て、電極３１８を陽極として用い、電極３２２を陰極として用いるものとする。
【０２０６】
また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の
機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い
物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポー
ラ性（電子および正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具
体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わ
せて用いることができる。
【０２０７】
図１７（Ａ）に示す発光素子３３０は、電極３１８と電極３２２との間に生じた電位差に
より電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものである。
つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０２０８】
本発明において、発光素子３３０からの発光は、電極３１８、または電極３２２側から外
部に取り出される。従って、電極３１８、または電極３２２のいずれか一方は透光性を有
する物質で成る。
【０２０９】
なお、ＥＬ層３２０は図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１のように、電極３１８と電極３
２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層構造を有す
る場合には、ｍ番目（ｍは、１以上の自然数であり、ｍ＜ｎを満たす自然数）のＥＬ層３
２０と、（ｍ＋１）番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設け
ることが好ましい。
【０２１０】
電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物と
アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適
宜組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例
えば、有機化合物と酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物
を含む。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水
素等の低分子化合物、または、それらの低分子化合物のオリゴマー、デンドリマー、ポリ
マー等など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送
性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが
好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用い
てもよい。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリ
ア輸送性に優れているため、発光素子３３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現する
ことができる。
【０２１１】
なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合
わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供
与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わ
せて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜
とを組み合わせて形成してもよい。
【０２１２】
このような構成を有する発光素子３３１は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり
にくく、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子と
することが容易である。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容
易である。
【０２１３】
なお、電荷発生層３２０ａとは、電極３１８と電極３２２に電圧を印加したときに、電荷
発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入する機能を有
し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。
【０２１４】
図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変えるこ
とにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の
発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもでき
る。
【０２１５】
図１７（Ｂ）に示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み
合わせとしては、赤、青および緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例え
ば、青色の蛍光材料を発光物質として含む発光層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質と
して含む発光層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示す発光層と、緑色の発
光を示す発光層と、青色の発光を示す発光層とを有する構成とすることもできる。または
、補色の関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光
層が二層積層された積層型素子において、第１の発光層から得られる発光の発光色と第２
の発光層から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色
と黄色、あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。
【０２１６】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度
を低く保てるため、長寿命素子を実現することができる。また、電極材料の抵抗による電
圧降下を小さくできるので、大面積での均一な発光が可能となる。
【０２１７】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２１８】
（実施の形態４）
トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置１００の構成を変形して、ボトムエ
ミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０を作製することができる。
【０２１９】
図１８（Ａ）（Ｂ）に、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１５０の断
面構造の例を示す。なお、図１８は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１
−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。図１８に示すボトムエミッ
ション構造（下面射出構造）の表示装置１５０は、遮光層２６４、着色層２６６、および
オーバーコート層２６８の形成位置が、表示装置１００と異なる。具体的には、表示装置
１５０では、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８が、基板１１
１上に形成される。
【０２２０】
また、表示装置１５０では、絶縁層１４５を基板１２１に直接形成して、接着層１２０を
介して基板１１１と貼り合せることができる。すなわち、絶縁層１４５を素子形成基板１
４１から転置する必要がないため、素子形成基板１４１、剥離層１４３、接着層１４２を
不要とすることができる。よって、表示装置の生産性や歩留まりなどを向上することがで
きる。
【０２２１】
なお、表示装置１５０の他の構成は、表示装置１００と同様に形成することができる。
【０２２２】
また、ボトムエミッション構造の表示装置１５０は、電極１１５を、透光性を有する導電
性材料を用いて形成され、電極１１８を、ＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導
電性材料を用いて形成される。
【０２２３】
表示装置１５０は、ＥＬ層１１７から発せられる光２３５を、着色層２６６を介して基板
１１１側から射出することができる。
【０２２４】
なお、図１８（Ｂ）に示す表示装置１５０では、駆動回路１３３を構成するトランジスタ
として、トランジスタ２７２を用いる例を示している。トランジスタ２７２は、トランジ
スタ２５２と同様に形成することができるが、絶縁層２１０上の、半導体層２０８と重畳
する領域に電極２６３を有する点が異なる。電極２６３は、ゲート電極２０６と同様の材
料および方法により形成することができる。
【０２２５】
電極２６３は、ゲート電極として機能させることができる。なお、ゲート電極２０６およ
び電極２６３のどちらか一方を、単に「ゲート電極」という場合、他方を「バックゲート
電極」という場合がある。また、ゲート電極２０６および電極２６３のどちらか一方を、
「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合がある。
【０２２６】
一般に、バックゲート電極は導電膜で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体
層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電
極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位と
してもよく、ＧＮＤ電位や、任意の電位としてもよい。バックゲート電極の電位を変化さ
せることで、トランジスタのしきい値電圧を変化させることができる。
【０２２７】
また、ゲート電極とバックゲート電極は導電膜で形成されるため、トランジスタの外部で
生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気
に対する静電遮蔽機能）も有する。
【０２２８】
また、バックゲート電極側から光が入射する場合に、バックゲート電極を、遮光性を有す
る導電膜で形成することで、バックゲート電極側から半導体層に光が入射することを防ぐ
ことができる。よって、半導体層の光劣化を防ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフト
するなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
【０２２９】
半導体層２０８を挟んでゲート電極２０６および電極２６３を設けることで、更にはゲー
ト電極２０６および電極２６３を同電位とすることで、半導体層２０８においてキャリア
の流れる領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。こ
の結果、トランジスタのオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
【０２３０】
また、ゲート電極２０６および電極２６３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能
を有するため、ゲート電極２０６よりも下層、電極２６３よりも上層に存在する電荷が、
半導体層２０８に影響することを抑制できる。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート
に負の電圧を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレ
ス試験）や、ゲートに正の電圧を印加する＋ＧＢＴストレス試験の前後におけるしきい値
電圧の変動が小さい。また、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変
動を抑制することができる。
【０２３１】
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジ
スタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴスト
レス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重
要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、
信頼性が高いトランジスタであるといえる。
【０２３２】
また、ゲート電極２０６および電極２６３を有し、且つゲート電極２０６および電極２６
３を同電位とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトラン
ジスタにおける電気特性のばらつきも同時に低減される。
【０２３３】
なお、表示領域１３１中に形成されるトランジスタ２３２に、バックゲート電極を設けて
もよい。
【０２３４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２３５】
（実施の形態５）
トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置１００の構成を変形して、遮光層２
６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８などを設けない表示装置１６０を作製する
ことができる。
【０２３６】
図１９（Ａ）に、表示装置１６０の断面構造の例を示す。なお、図１９は、表示装置１０
０の斜視図である図３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面
図である。表示装置１６０は、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２
６８を設けないかわりに、ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層１１７Ｂ、ＥＬ層１１７Ｃ（図示せず
）などを用いることによって、カラー表示を行うことが出来る。ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層
１１７Ｂなどは、それぞれ、赤、青、緑、などの異なる色で発光することができる。例え
ば、ＥＬ層１１７Ａからは赤色の波長を有する光２３５Ａが発せられ、ＥＬ層１１７Ｂか
らは青色の波長を有する光２３５Ｂが発せられ、ＥＬ層１１７Ｃからは緑色の波長を有す
る光２３５Ｃ（図示せず）が発せられる。
【０２３７】
また、着色層２６６を用いないことによって、光２３５Ａ、光２３５Ｂ、および光２３５
Ｃが着色層２６６を透過する際に生じる輝度の低下を無くすことが出来る。また、光２３
５Ａ、光２３５Ｂ、および光２３５Ｃの波長に応じて、ＥＬ層１１７Ａ、ＥＬ層１１７Ｂ
、およびＥＬ層１１７Ｃの厚さを調整することで、色純度を向上させることができる。
【０２３８】
なお、表示装置１６０と同様に、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示装置１
５０の構成を変形して、遮光層２６４、着色層２６６、オーバーコート層２６８などを設
けない表示装置１７０も作製することができる。図１９（Ｂ）に、表示装置１７０の断面
構造の例を示す。
【０２３９】
なお、図２０（Ａ）（Ｂ）に示すように、偏光板、位相差板、λ／４板などの光学フィル
ム９１１を追加で配置してもよい。光学フィルム９１１は、接着層１４８Ａを用いて、基
板１１１あるいは基板１２１に接着されている。このような配置とすることにより、画面
表面での反射を低減することができる。
【０２４０】
なお、表示装置１６０および表示装置１７０の他の構成は、表示装置１００と同様に形成
することができる。
【０２４１】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２４２】
（実施の形態６）
図２１（Ａ）に示すように、表示装置１００において、基板１４７の上に、タッチセンサ
を有する基板を設けてもよい。タッチセンサは、導電層９９１と導電層９９３などを用い
て構成されている。また、それらの間には、絶縁層９９２が設けられている。
【０２４３】
なお、導電層９９１および導電層９９３は、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物
などの透明導電膜を用いることが望ましい。ただし、抵抗を下げるため、導電層９９１お
よび導電層９９３の一部、または、全部に、低抵抗な材料を持つ層を用いてもよい。例え
ば、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリ
ブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金
を単層構造または積層構造を用いることができる。または、導電層９９１および導電層９
９３として、金属ナノワイヤを用いてもよい。その場合の金属としては、銀などが好適で
ある。これにより、抵抗値を下げることができるため、センサの感度を向上させることが
できる。
【０２４４】
絶縁層９９２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、
酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層また
は多層で形成するのが好ましい。絶縁層９９２は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化
法、塗布法、印刷法等を用いて形成することができる。
【０２４５】
なお、タッチセンサは、基板９９４の上に設けられているが、本発明の一態様は、これに
限定されない。基板９９４の下（基板１２１と基板９９４との間）に設けられていてもよ
い。
【０２４６】
また、図２１（Ｂ）に示すように、タッチセンサを有する基板を、表示装置１５０におい
て、基板１４７の下側に設けてもよい。
【０２４７】
また、図２２（Ａ）に示すように、タッチセンサを、基板１２１の上に、接着層１４８Ａ
を介して配置してもよい。また、図２２（Ｂ）に示すように、タッチセンサを、基板１１
１の下に、接着層１４８Ａを介して配置してもよい。
【０２４８】
なお、基板９９４として、光学フィルムの機能を持たせてもよい。つまり、基板９９４は
、偏光板や位相差板などの機能を有していてもよい。
【０２４９】
また、表示装置１００において、タッチセンサを基板１２１に形成してもよい。図２３（
Ａ）は、基板１２１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して
基板１４７を形成する例を示している。
【０２５０】
また、表示装置１５０において、タッチセンサを基板１１１に形成してもよい。図２３（
Ｂ）は、基板１１１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して
基板１４７を形成する例を示している。
【０２５１】
また、表示装置１６０において、タッチセンサを基板１２１に形成してもよい。図２４（
Ａ）は、基板１２１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して
基板１４７を形成する例を示している。
【０２５２】
また、表示装置１７０において、タッチセンサを基板１１１に形成してもよい。図２４（
Ｂ）は、基板１１１にタッチセンサを形成し、タッチセンサおよび接着層１４８を介して
基板１４７を形成する例を示している。
【０２５３】
なお、図２４（Ａ）に示す表示装置１６０および図２４（Ｂ）に示す表示装置１７０にお
いて、光学フィルム９１１を配置してもよい。その場合の例を図２５（Ａ）（Ｂ）に示す
。光学フィルム９１１は、接着層１４８Ａを介して、基板１１１および基板１２１に接着
されている。
【０２５４】
なお、タッチセンサとして、静電容量式のタッチセンサや、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォト
ダイオードなどの受光素子を備えるタッチセンサを利用することができる。
【０２５５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２５６】
（実施の形態７）
本実施の形態では、表示装置１００において、基板１１１および基板１２１を省略する場
合について図２６を用いて説明する。図２６は、表示装置１００の斜視図である図３（Ａ
）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。
【０２５７】
図２６（Ａ）に示す表示装置１００は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００と基板１１１を
省略している点で異なる。
【０２５８】
図２６（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１３７中に複数のガラス繊維１０３
が含まれているので、基板１３７が高い機械的強度を有している。したがって、基板１１
１を設けなくとも、表示装置１００の作製時に基板が変形することを防ぐことができる。
また、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の取り扱い時における機械的強度を満
足することができる。
【０２５９】
また、基板１３７中に含まれるガラス繊維１０３の厚さを厚くする、あるいは密度を高く
することにより、基板１３７により高い機械的強度を持たせることができる。これにより
、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の作製時に基板が変形することをより確実
に防ぐことができる。また、基板１１１を設けなくとも、表示装置１００の取り扱い時に
おける機械的強度をより満足することができる。
【０２６０】
図２６（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１１１を省略することができるので
、基板１１１を接着するための接着層１１２を省略することもできる。これにより、薄型
化および軽量化を達成し、携帯性に優れた表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供
することができる。
【０２６１】
また、表示装置１００の下側を、癖のつきやすい基板１１１を用いず、基板１３７のみに
よって構成することができる。これにより、表示装置１００を繰り返し屈曲させた場合で
あっても、表示装置１００に癖がつきにくい。この場合の癖とは、例えば、表示装置１０
０がＸ方向に勝手に曲がってしまうような癖や、表示装置１００をＸ方向に繰り返し屈曲
させた後に生じる残留歪み、しわなどが挙げられる。したがって、その取り扱い中に癖を
ほとんどつけずに繰り返し屈曲可能な表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供する
ことができる。
【０２６２】
図２６（Ｂ）に示す表示装置１００は、基板１１１に加えて、基板１２１も省略している
。図２６（Ｂ）に示す表示装置１００は、図５に示す表示装置１００と、基板１１１およ
び基板１２１を省略している点で異なる。表示装置１００の作製時に基板が変形しない程
度に、基板１３７中に複数のガラス繊維１０３を含ませ、基板１３７に高い機械的強度を
持たせることにより、基板１１１に加えて、基板１２１も省略することが可能である。
【０２６３】
本実施の形態によれば、基板１１１および基板１２１を省略することができるので、基板
１１１および基板１２１を接着するための接着層１１２および接着層１４２も省略するこ
とができる。これにより、さらなる薄型化および軽量化を達成し、携帯性に優れた表示装
置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
【０２６４】
また、表示装置１００を構成する基板として、癖のつきやすい基板１１１および基板１２
１を用いず、基板１４７および基板１３７のみを用いることができる。これにより、表示
装置１００を繰り返し屈曲させた場合であっても、表示装置１００に癖がつきにくい。こ
の場合の癖とは、例えば、表示装置１００がＸ方向に勝手に曲がってしまうような癖や、
表示装置１００をＸ方向に繰り返し屈曲させた後に生じる残留歪み、しわなどが挙げられ
る。したがって、その取り扱い中に癖をほとんどつけずに繰り返し屈曲可能な表示装置、
照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
【０２６５】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２６６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、表示装置１００において、光２３５が射出する面側（表示面側）に複
数のガラス繊維１０３を配置する場合について図２７を用いて説明する。具体的には、光
２３５が射出する面側（表示面側）に設けられた基板１４７中に、複数のガラス繊維１０
３を含ませる場合について説明する。図２７（Ａ）は、表示装置１００の斜視図である図
３（Ａ）中でＣ１−Ｃ２の一点鎖線で示す部位と、同等の部位の断面図である。
【０２６７】
図２７（Ａ）に示す表示装置１００は、図３（Ｂ）に示す表示装置１００と基板１４７中
に複数のガラス繊維１０３を含ませている点で異なる。
【０２６８】
図２７（Ａ）に示す表示装置１００においては、基板１４７中に複数のガラス繊維１０３
を含ませている。基板１４７は、基板１３７と同様の材料および方法で形成することがで
きる。また、図２７（Ｂ）で示すように、基板１４７中の複数のガラス繊維１０３はＹ方
向に沿って延在している。
【０２６９】
基板１４７中に含まれる複数のガラス繊維１０３と、基板１３７中に含まれる複数のガラ
ス繊維１０３の延在する方向をＹ方向でそろえることにより、表示装置１００のＹ方向へ
の可撓性をより十分に低くすることができる。これにより、表示装置１００は、Ｘ方向へ
は容易に屈曲することができるが、Ｙ方向へはより屈曲しにくくなり、Ｘ方向への曲げ軸
とＹ方向への曲げ軸とが交わる領域が生じにくく、その取り扱い中に、ある特定の領域に
大きな力が加わり、当該領域において配線間ショートのような動作不良が発生することを
より確実に防止することができる。
【０２７０】
また、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３の密度は、その領域によって適宜変更す
ることができる。具体的には、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３の密度を、表示
領域１３１では低くすることが好ましい。
【０２７１】
図２７（Ｂ）に本実施の形態における基板１４７を示す。なお、図２７（Ｂ）において、
表示領域１３１に対応する領域を領域１３１ａ、駆動回路１３２に対応する領域を領域１
３２ａ、駆動回路１３３に対応する領域を領域１３３ａとする。図２７（Ｂ）に示すよう
に、基板１４７中のガラス繊維１０３の密度を、領域１３１ａでは低く、領域１３３ａで
は高くすることができる。これにより、基板１４７中に含まれるガラス繊維１０３と光２
３５との干渉を最小限とすることができ、表示装置１００の良好な表示を保つことができ
る。また、本実施の形態では、透光性に優れるガラス繊維１０３を用いているので、領域
１３１ａに配置されたガラス繊維１０３が光２３５に与える影響を小さくすることができ
る。
【０２７２】
本実施の形態の表示装置１００は、良好な表示を保ちつつ、Ｙ方向への可撓性がＸ方向へ
の可撓性より十分に低くなっている。したがって、本実施の形態によれば、良好な表示を
保ちつつ、その取り扱い中に破損することなく、繰り返し屈曲可能であり、信頼性が高い
表示装置、照明装置、もしくは電子機器を提供することができる。
【０２７３】
なお、複数のガラス繊維１０３を有する基板１３７を、光２３５が射出する面側（表示面
側）に設ける場合にも、上記と同様にガラス繊維１０３の密度を調整することができる。
【０２７４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２７５】
（実施の形態９）
複数のガラス繊維１０３に加えて、基板１３７中に複数の繊維１０４を含ませる場合につ
いて図２８を用いて説明する。具体的には、基板１３７中に、ガラス繊維１０３と交差す
るように、ガラス繊維１０３よりも引張弾性率またはヤング率の低い繊維１０４を含ませ
る場合について説明する。図２８（Ａ）は、基板１３７の上面図である図１（Ｄ）と対応
する。
【０２７６】
図２８（Ａ）に示す基板１３７は、Ｙ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３と、
Ｘ方向に沿って延在する複数の繊維１０４を有する。この場合、繊維１０４は、ガラス繊
維１０３よりもやわらかいもの、引張弾性率またはヤング率の低いものを用いることが好
ましい。これより、Ｙ方向への可撓性がＸ方向への可撓性よりも低い状態を保ちつつ、基
板１３７の機械的強度を高めることができる。
【０２７７】
図２８（Ｂ）は、図２８（Ａ）中でＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。ま
た、図２８（Ｃ）は、図２８（Ａ）中でＢ１−Ｂ２の一点鎖線で示す部位の断面図である
。図２８（Ｂ）（Ｃ）で示すように、繊維１０４はガラス繊維１０３に編み込むように設
けることができる。ただし、これに限定されず、繊維１０４を、ガラス繊維１０３の上あ
るいは下に設けて、積層構造としてもよい。また、例えば、ガラス繊維１０３を含んだ絶
縁体１０２と、繊維１０４を含んだ絶縁体１０２の積層構造としてもよい。
【０２７８】
本実施の形態によれば、基板１３７の機械的強度を高めることができるので、実施の形態
７で説明したように、表示装置１００を構成する基板１１１および基板１２１を省略する
ことができる。
【０２７９】
また、本実施の形態の基板１３７に表示装置、照明装置、もしくは電子機器の光の拡散板
としての機能を持たせることもできる。
【０２８０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２８１】
（実施の形態１０）
表示装置を構成する発光素子１２５やトランジスタ２３２が中立面に位置するように基板
の構成を調整する手段について、図２９を用いて説明する。なお、中立面とは、曲げなど
の変形に対して引張応力や圧縮応力などの応力歪みが発生しない面（延び縮みしない面）
を指す。
【０２８２】
図２９（Ａ）に示す表示装置は、下側から、基板１３７、基板１１１、図示しない発光素
子１２５やトランジスタ２３２など、基板１２１、基板１４７を有している。基板１１１
および基板１２１は、同じ厚さで、同じ材料から形成されている。また、基板１３７およ
び基板１４７は、同じ厚さで、同じ材料から形成されている。この場合、中立面は表示装
置の厚さ方向における真ん中となり、具体的には、中立面は一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示す箇
所に位置する。したがって、図２９（Ａ）に示す表示装置においては、発光素子１２５や
トランジスタ２３２などは、中立面に位置している。
【０２８３】
ここで、図２９（Ａ）に示す表示装置を構成する基板１３７中に複数のガラス繊維１０３
を設けた場合、基板１３７のヤング率は基板１４７のヤング率より高くなり、中立面は表
示装置の厚さ方向における真ん中よりも基板１３７側に移動する可能性がある。具体的に
は、中立面は、一点鎖線Ｄ１−Ｄ２で示す箇所よりも基板１３７側に移動する可能性があ
る。この場合、機械的強度が高くない発光素子１２５やトランジスタ２３２などは、中立
面に位置していないため、表示装置の屈曲時に、応力歪みにより壊れてしまうおそれがあ
る。
【０２８４】
図２９（Ｂ）に示す表示装置は、下側から、絶縁体１０２とガラス繊維１０３とを含む基
板１３７、基板１１１、図示しない発光素子１２５やトランジスタ２３２など、基板１２
１、基板１４７を有している。基板１１１および基板１２１は、同じ厚さで、同じ材料か
ら形成されている。また、基板１４７の厚さは基板１３７よりも厚くなっている。ガラス
繊維１０３を含む基板１３７のヤング率はガラス繊維を含まない基板１４７のヤング率よ
り高いため、中立面は表示装置の厚さ方向における真ん中よりも基板１３７側に移動する
ものの、基板１４７の厚さを基板１３７よりも厚くしているため、結果として、発光素子
１２５やトランジスタ２３２は中立面に位置することができる。
【０２８５】
具体的には、図２９（Ｂ）に示す表示装置において、中立面は表示装置の厚さ方向におけ
る真ん中よりも基板１３７側である一点鎖線Ｅ１−Ｅ２で示す箇所に位置するが、基板１
４７が基板１３７よりも厚いため、その中立面の位置は基板１１１と基板１２１との間に
形成されている発光素子１２５やトランジスタ２３２の位置と一致している。したがって
、表示装置の屈曲時に、発光素子１２５やトランジスタ２３２などが応力歪みにより壊れ
ることを防止できる。
【０２８６】
本実施の形態によれば、基板１３７にガラス繊維１０３を含ませつつ、発光素子１２５や
トランジスタ２３２などが中立面に位置するようにできるので、その取り扱い中に破損す
ることなく、繰り返し屈曲可能であり、信頼性が高い表示装置、照明装置、もしくは電子
機器を提供することができる。
【０２８７】
本実施の形態では、基板１４７の厚さを基板１３７の厚さよりも厚くする手段を説明した
が、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、基板１４７に別の基板を接着した
積層構造としてもよい。また、基板１２１の厚さを基板１１１の厚さよりも厚くしてもよ
い。
【０２８８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【０２８９】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例につ
いて、図面を参照して説明する。
【０２９０】
フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン
装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジ
タルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、
携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機な
どの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２９１】
また、表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の曲面に沿
って組み込むことも可能である。
【０２９２】
図３０（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、表示
装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０２９３】
図３０（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０２９４】
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
【０２９５】
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い携帯電話機とすること
ができる。
【０２９６】
図３０（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、および送受信装置７１０４を
備える。
【０２９７】
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
【０２９８】
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
【０２９９】
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い携帯表示装置とするこ
とができる。
【０３００】
図３０（Ｃ）乃至図３０（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照
明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２
０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
【０３０１】
図３０（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０３０２】
図３０（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した二つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
【０３０３】
図３０（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、凹状に湾曲した発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光す
るため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。
【０３０４】
また、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなど
の部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成とすることがで
きる。
【０３０５】
ここで、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発
光部には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、発光部を破損さ
せることなく湾曲可能であり、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い照明装置とすること
ができる。
【０３０６】
ここで、照明装置の場合の断面図を図３３に示す。図３３に示す照明装置は、発光素子１
２５、基板１１１、基板１２１、基板１３７、基板１４７などを有する点で図５に示す表
示装置１００と共通しているものの、トランジスタなどを有していない点で表示装置１０
０とは異なる。また、基板１３７中にはＹ方向に沿って延在する複数のガラス繊維１０３
が含まれており、照明装置のＹ方向への可撓性を低くすることができている。これより、
発光部を破損させることなく湾曲可能であり、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い照明
装置とすることができる。具体的には、図３０（Ｃ）乃至図３０（Ｅ）に示す照明装置に
おいて、湾曲させたい方向と交差する方向に沿って複数のガラス繊維１０３を延在させる
ことにより、発光部を湾曲させる際に、発光部の一領域に大きな応力歪みが生じることを
防ぐことができる。
【０３０７】
図３１（Ａ）に、携帯型の表示装置の一例を示す。表示装置７３００は、筒状の筐体７３
０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を
備える。
【０３０８】
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。
【０３０９】
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリーを備え
る。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成として
もよい。
【０３１０】
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
【０３１１】
図３１（Ｂ）に、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示す。
この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筒状の筐体７３０１の
表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
【０３１２】
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３０
２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０３１３】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
【０３１４】
表示部７３０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表示
部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が縦方向と横方向とに屈曲し、縦方向への曲
げ軸と横方向への曲げ軸とが交わる領域において不良が発生してしまうというおそれがな
い。よって、表示装置７３００は軽量で、繰り返し屈曲可能で且つ信頼性の高い表示装置
とすることができる。
【０３１５】
図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）は、二つ折り可能なタブレット型端末９６００を例示し
ている。図３２（Ａ）は、タブレット型端末９６００を開いた状態であり、タブレット型
端末９６００は、筐体９６３０、表示部９６３１、表示モード切り替えスイッチ９６２６
、電源スイッチ９６２７、省電力モード切り替えスイッチ９６２５、留め具９６２９、操
作スイッチ９６２８、を有する。
【０３１６】
筐体９６３０は、筐体９６３０ａと筐体９６３０ｂを有し、筐体９６３０ａと筐体９６３
０ｂは、ヒンジ部９６３９により結合されている。また、筐体９６３０は、ヒンジ部９６
３９により二つ折り可能となっている。
【０３１７】
また、表示部９６３１は、筐体９６３０ａ、筐体９６３０ｂ、およびヒンジ部９６３９上
に形成されている。表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより
、表示部９６３１の屈曲が繰り返し可能で、信頼性の高いタブレット型端末とすることが
可能となる。
【０３１８】
表示部９６３１は、一部をタッチパネルの領域９６３２とすることができ、表示された操
作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１は
、例えば、半分の領域が表示のみの機能を有する構成とし、もう半分の領域をタッチパネ
ルの機能を有する構成とすることができる。また、表示部９６３１全ての領域がタッチパ
ネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１の全面にキーボードボタ
ンを表示させて、データ入力端末とすることもできる。
【０３１９】
また、表示モード切り替えスイッチ９６２６は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切
り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイ
ッチ９６２５は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の
光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサ
だけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内
蔵させてもよい。
【０３２０】
図３２（Ｂ）は、タブレット型端末９６００を閉じた状態であり、タブレット型端末９６
００は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図
３２（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコン
バータ９６３６を有する構成について示している。
【０３２１】
表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより、表示部９６３１を
折りたたむことができる。例えば、タブレット型端末９６００は二つ折り可能なため、未
使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、可搬性に優れ、また、
筐体９６３０を閉じることで表示部９６３１を保護できるため、耐久性に優れ、長期使用
の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末とすることができる。
【０３２２】
また、この他にも図３２（Ａ）および図３２（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
【０３２３】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、
表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐
体９６３０の一面だけでなく二面に設けると、効率的にバッテリー９６３５の充電を行う
ことができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を
用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【０３２４】
また、図３２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図３２（
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図３２（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９
６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３
、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３
６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図３２（Ｂ）に示す充放電制御
回路９６３４に対応する箇所となる。
【０３２５】
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽
電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６
３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９６
３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６
３５の充電を行う構成とすればよい。
【０３２６】
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧
電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッ
テリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受
信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
【０３２７】
なお、本発明の一態様の表示装置を具備していれば、上記で示した電子機器や照明装置に
特に限定されないことは言うまでもない。
【０３２８】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
【符号の説明】
【０３２９】
１００    表示装置
１０１    素子形成基板
１０２    絶縁体
１０３    ガラス繊維
１０４    繊維
１１１    基板
１１２    接着層
１１３    剥離層
１１４    隔壁
１１５    電極
１１７    ＥＬ層
１１８    電極
１２０    接着層
１２１    基板
１２２    開口
１２３    異方性導電接続層
１２４    外部電極
１２５    発光素子
１２８    開口
１２９    開口
１３１    表示領域
１３２    駆動回路
１３３    駆動回路
１３４    画素
１３５    走査線
１３６    信号線
１３７    基板
１３８    接着層
１４１    素子形成基板
１４２    接着層
１４３    剥離層
１４５    絶縁層
１４７    基板
１４８    接着層
１５０    表示装置
１６０    表示装置
１７０    表示装置
２００    表示装置
２０５    絶縁層
２０６    ゲート電極
２０７    ゲート絶縁層
２０８    半導体層
２１０    絶縁層
２１１    絶縁層
２１６    端子電極
２１９    配線
２３２    トランジスタ
２３３    容量素子
２３５    光
２５２    トランジスタ
２６３    電極
２６４    遮光層
２６６    着色層
２６８    オーバーコート層
２７２    トランジスタ
３１８    電極
３２０    ＥＬ層
３２２    電極
３３０    発光素子
３３１    発光素子
４３１    トランジスタ
４３２    液晶素子
４３５    ノード
４３６    ノード
４３７    ノード
９１０    半導体チップ
９１１    光学フィルム
９９１    導電層
９９２    絶縁層
９９３    導電層
９９４    基板
７１００    携帯表示装置
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    操作ボタン
７１０４    送受信装置
７２００    照明装置
７２０１    台部
７２０２    発光部
７２０３    操作スイッチ
７２１０    照明装置
７２１２    発光部
７２２０    照明装置
７２２２    発光部
７３００    表示装置
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    操作ボタン
７３０４    引き出し部材
７３０５    制御部
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
９６００    タブレット型端末
９６２５    省電力モード切り替えスイッチ
９６２６    表示モード切り替えスイッチ
９６２７    電源スイッチ
９６２８    操作スイッチ
９６２９    留め具
９６３０    筐体
９６３１    表示部
９６３２    領域
９６３３    太陽電池
９６３４    充放電制御回路
９６３５    バッテリー
９６３６    ＤＣＤＣコンバータ
９６３７    コンバータ
９６３８    操作キー
９６３９    ヒンジ部
１１７Ａ    ＥＬ層
１１７Ｂ    ＥＬ層
１１７Ｃ    ＥＬ層
１３１ａ    領域
１３２ａ    領域
１３３ａ    領域
１４８Ａ    接着層
２０９ａ    ソース電極
２０９ｂ    ドレイン電極
２３５Ａ    光
２３５Ｂ    光
２３５Ｃ    光
３２０ａ    電荷発生層
９６３０ａ    筐体
９６３０ｂ    筐体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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