(57)【要約】【課題】ＦＯＵＰの内面を除電し、ＦＯＵＰの内面へのパーティクルの付着を抑制できる基板搬入出装置を提供すること。【解決手段】一実施形態の基板搬入出装置は、基板搬送領域と容器搬送領域とを区画する隔壁と、前記隔壁に形成された搬送口と、前記搬送口の開口縁部に取り出し口の開口縁部を密着させた基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付けるガス供給機構と、を有する。【選択図】図４
2019102727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送領域と容器搬送領域とを区画する隔壁と、
前記隔壁に形成された搬送口と、
前記搬送口の開口縁部に取り出し口の開口縁部を密着させた基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付けるガス供給機構と、
を有する、
基板搬入出装置。
【請求項２】
前記ガス供給機構は、
前記隔壁に形成され、前記ガスを吐出する吐出口を有するガス供給管と、
前記ガス供給管と連通し、前記ガス供給管に前記ガスを供給するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに介設され、前記ガス供給ラインを流れる前記ガスをイオン化するイオン化装置と、
を有する、
請求項１に記載の基板搬入出装置。
【請求項３】
前記基板収納容器の内面の電位を検出する電位計と、
前記電位計により検出される前記基板収納容器の内面の電位に基づいて、前記イオン化装置の動作を制御する制御部と、
を有する、
請求項２に記載の基板搬入出装置。
【請求項４】
前記搬送口を開閉する開閉ドアを有し、
前記電位計は前記開閉ドアに取り付けられている、
請求項３に記載の基板搬入出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板搬入出装置と、
前記基板搬送領域内に設けられ、基板を搬送する搬送機構と、
前記基板搬送領域内に設けられた処理容器と、
を有する、
基板処理装置。
【請求項６】
基板搬送領域と容器搬送領域とを区画する隔壁に形成された搬送口の開口縁部に、基板収納容器の取り出し口の開口縁部を密着させる工程と、
前記基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける工程と、
を有する、
基板収納容器の除電方法。
【請求項７】
前記基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける工程の前に、前記搬送口を開閉する開閉ドアにより前記搬送口を塞ぐ工程を有する、
請求項６に記載の基板収納容器の除電方法。
【請求項８】
前記基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける工程は、前記基板収納容器の前記取り出し口を塞ぐ蓋体が取り外された状態で行われる、
請求項６又は７に記載の基板収納容器の除電方法。
【請求項９】
前記基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける工程は、前記基板収納容器の内部に基板が収納されていない状態で行われる、
請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板収納容器の除電方法。
【請求項１０】
前記基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける工程の後に、前記基板収納容器の前記取り出し口を蓋体により塞ぐ工程を有する、
請求項６乃至９のいずれか一項に記載の基板収納容器の除電方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬入出装置、基板処理装置及び基板搬送容器の除電方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置において、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）の搬送領域のパーティクルがＦＯＵＰの蓋体を介して基板搬送領域に混入することを抑制する蓋体開閉装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
上記の蓋体開閉装置は、蓋体の前面が開閉ドアにより開閉される搬送口を向くようにＦＯＵＰを載置する載置台と、ＦＯＵＰに対向する対向面部に設けられるガス吐出口と、載置台に載置されたＦＯＵＰを対向面部に対して相対的に進退させる進退機構とを備える。そして、ガス吐出口からＦＯＵＰの蓋体までの距離が５ｍｍ以下であるときに蓋体へパージガスを供給することにより、蓋体と対向面部との間を流れるパージガスの流速が高くなり、蓋体のパーティクルを容易に除去することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２０４６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の装置では、ＦＯＵＰの内面に付着するパーティクルを除去することは困難である。ＦＯＵＰの内面に付着したパーティクルは、ＦＯＵＰに収納される基板に付着したり、ＦＯＵＰの蓋体を取り外すときに基板搬送領域に混入したりする場合がある。
【０００６】
そこで、本発明の一態様では、ＦＯＵＰの内面を除電し、ＦＯＵＰの内面へのパーティクルの付着を抑制できる基板搬入出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板搬入出装置は、基板搬送領域と容器搬送領域とを区画する隔壁と、前記隔壁に形成された搬送口と、前記搬送口の開口縁部に取り出し口の開口縁部を密着させた基板収納容器の内部に、前記搬送口の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付けるガス供給機構と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
開示の基板搬入出装置によれば、ＦＯＵＰの内面を除電し、ＦＯＵＰの内面へのパーティクルの付着を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図
【図３】キャリア及び開閉ドアの縦断面図
【図４】キャリア及び開閉ドアの横断面図
【図５】搬送口及びキャリアの斜視図
【図６】キャリアの除電方法の一例を示すフローチャート
【図７】キャリアの除電方法の一例を示す工程図（１）
【図８】キャリアの除電方法の一例を示す工程図（２）
【図９】キャリアの除電方法の一例を示す工程図（３）
【図１０】キャリアの除電方法の一例を示す工程図（４）
【図１１】キャリアの除電方法の一例を示す工程図（５）
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
（基板処理装置）
本発明の実施形態に係る基板搬入出装置を備える基板処理装置について説明する。本発明の実施形態に係る基板搬入出装置は、種々の基板処理装置に適用できるが、理解の容易のために、基板処理装置の一例として縦型熱処理装置を用いた場合を例に挙げて説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。
【００１３】
基板処理装置１は、装置の外装体を構成する筐体１０に収容されて構成される。筐体１０内には、キャリア搬送領域Ｓ１０とウエハ搬送領域Ｓ２０とが形成されている。キャリア搬送領域Ｓ１０とウエハ搬送領域Ｓ２０とは、隔壁１１により区画されている。隔壁１１には、キャリア搬送領域Ｓ１０とウエハ搬送領域Ｓ２０とを連通させ、ウエハＷを搬送するための搬送口１２が設けられている。搬送口１２は、ＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）規格に従った開閉ドア５０により開閉される。開閉ドア５０には駆動機構５１が接続されており、駆動機構５１により開閉ドア５０は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口１２が開閉される。なお、搬送口１２及び開閉ドア５０の周囲の構成については後述する。また、以下では、キャリア搬送領域Ｓ１０及びウエハ搬送領域Ｓ２０の配列方向を基板処理装置１の前後方向とする。
【００１４】
キャリア搬送領域Ｓ１０は、大気雰囲気とされている。キャリア搬送領域Ｓ１０は、基板の一例である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）が収納されたキャリア４０が、基板処理装置１に対して搬入又は搬出されるための領域である。キャリア４０は、例えばＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）であってよい。ＦＯＵＰ内の清浄度が所定のレベルに保持されることで、ウエハＷの表面への異物の付着や自然酸化膜の形成を防止できる。キャリア搬送領域Ｓ１０は、第１の搬送領域Ｓ１１と、第１の搬送領域Ｓ１１の後方（ウエハ搬送領域Ｓ２０側）に位置する第２の搬送領域Ｓ１２とを含む。
【００１５】
第１の搬送領域Ｓ１１の左右方向には、キャリア４０を載置する２つの第１の載置台１４が設けられている。第１の載置台１４のキャリア４０を載置する面には、キャリア４０を位置決めする複数（例えば３つ）の位置決めピン１４ａが設けられている。
【００１６】
第２の搬送領域Ｓ１２には、第１の載置台１４に対して前後に並ぶように、左右に２つの第２の載置台１６が配置されている。第２の載置台１６は、進退機構１７により前後に移動自在に構成されており、キャリア４０からウエハＷをウエハ搬送領域Ｓ２０に受け渡すための受け渡し位置と、キャリア搬送機構１９からキャリア４０を受け取る受け取り位置との間でキャリア４０を搬送する。第２の載置台１６のキャリア４０を載置する面には、キャリア４０を位置決めする複数（例えば３つ）の位置決めピン１６ａと、キャリア４０を固定するためのフック１６ｂとが設けられている。
【００１７】
第２の搬送領域Ｓ１２の上部には、キャリア４０を保管するキャリア保管部１８が設けられている。キャリア保管部１８は、例えば２段の棚により構成されており、各棚は左右に２つのキャリア４０を載置することができる。第２の搬送領域Ｓ１２には、第１の載置台１４、第２の載置台１６、及びキャリア保管部１８との間でキャリア４０を搬送するキャリア搬送機構１９が設けられている。キャリア搬送機構１９は、左右に伸び、且つ昇降自在なガイド１９ａと、ガイド１９ａにガイドされながら左右に移動する移動部１９ｂと、移動部１９ｂに設けられ、キャリア４０を保持して水平方向に搬送する関節アーム１９ｃと、を備えている。
【００１８】
ウエハ搬送領域Ｓ２０は、キャリア４０からウエハＷを取り出し、各種の処理を施す領域である。ウエハ搬送領域Ｓ２０は、ウエハＷに酸化膜が形成されることを防ぐために、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気とされている。ウエハ搬送領域Ｓ２０には、下端が炉口として開口された縦型の処理容器２２が設けられている。
【００１９】
処理容器２２の下方には、多数枚のウエハＷを棚状に保持するウエハボート２３が断熱部２４を介してキャップ２５の上に載置されている。キャップ２５は昇降機構２６の上に支持されており、昇降機構２６によりウエハボート２３が処理容器２２に対して搬入又は搬出される。
【００２０】
ウエハボート２３と搬送口１２との間には、ウエハ搬送機構２７が設けられている。ウエハ搬送機構２７は、左右に伸びるガイド機構２７ａに沿って移動すると共に鉛直軸回りに回動する移動体２７ｂに、５枚の進退自在なアーム２７ｃを設けて構成され、ウエハボート２３と第２の載置台１６上のキャリア４０との間でウエハＷを搬送する。
【００２１】
図３は、キャリア４０及び開閉ドア５０の縦断面図である。図４は、キャリア４０及び開閉ドア５０の横断面である。図５は、搬送口１２及びキャリア４０の斜視図である。
【００２２】
キャリア４０は、容器本体であるキャリア本体４１と、蓋体４２とを含む。キャリア本体４１内の左右には、ウエハＷの裏面側周縁部を支持する支持部４１ａが多段に設けられている。キャリア本体４１の前面には、キャリア４０の内部からウエハＷを取り出すための取り出し口４３が形成されている。取り出し口４３の開口縁部４４の内周側の左右の上下には、それぞれ係合溝４４ａが形成されている。
【００２３】
キャリア本体４１の上部には、キャリア搬送機構１９がキャリア４０を搬送するために把持する把持部４１ｂが設けられている。キャリア本体４１の下部には、凹部４５ａと溝部４５ｂとが設けられている。凹部４５ａは、第１の載置台１４及び第２の載置台１６の位置決めピン１４ａ，１６ａに嵌合する。溝部４５ｂは、第２の載置台１６のフック１６ｂに係合することによってキャリア本体４１が第２の載置台１６に固定される。
【００２４】
蓋体４２の内部には、左右に回動部４６が設けられている。回動部４６の上下には垂直方向に伸びる直動部４７が設けられている。直動部４７は、回動部４６の回動に応じて昇降し、その先端が蓋体４２の側面から突出した状態と、蓋体４２内に引き込んだ状態とで切り替わるように構成されている。なお、図５では、直動部４７の先端が引き込んだ状態を示している。直動部４７の先端がキャリア本体４１の係合溝４４ａに係合することによって、蓋体４２がキャリア本体４１に係合される。蓋体４２の前面には、ラッチキー６９ａを蓋体４２の内部に差し込むための開口４８が設けられている。
【００２５】
蓋体４２の前面には、位置合わせ用の窪み４０１が形成されている。対向する対向板６１のレジストレーションピン６０１が位置合わせ用の窪み４０１に挿入され、対向板６１とキャリア４０との位置合わせが行えるように構成されている。かかるレジストレーションピン６０１は、管状に構成され、窪み４０１に挿入された際に、真空吸着して蓋体４２を保持できる構成とされてもよい。
【００２６】
搬送口１２のキャリア搬送領域Ｓ１０側の開口縁部には、キャリア本体４１の開口縁部４４が当接する位置にシール部材１３が設けられている。
【００２７】
開閉ドア５０は、その周縁部がキャリア搬送領域Ｓ１０側へ向けて屈曲された箱体として形成されている。箱体の開口縁部にはシール部材５２が設けられ、シール部材５２を介して開閉ドア５０は搬送口１２の開口縁部に密着する。
【００２８】
開閉ドア５０のキャリア搬送領域Ｓ１０側には、蓋体４２を開閉する蓋体開閉機構６０が設けられている。蓋体開閉機構６０は、対向板６１と、対向板６１を前後方向に移動させる進退機構６２とを備えている。対向板６１は、第２の載置台１６に載置された蓋体４２の前面に対向する対向面部６３を備えている。
【００２９】
対向面部６３からその厚さ方向に棒状の接続部６９が伸びており、接続部６９の先端には円い棒状のラッチキー６９ａが設けられている。接続部６９がその軸回りに回動することによって、ラッチキー６９ａも回動する。ラッチキー６９ａは蓋体４２の回動部４６に係合し、回動部４６を回動させることができるように形成されている。
【００３０】
ガス供給機構７０は、搬送口１２の開口縁部に取り出し口４３の開口縁部４４を密着させたキャリア４０の内部に、搬送口１２の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付ける。ガス供給機構７０は、ガス供給管７１と、吐出口７２と、ガス供給ライン７３と、ガス供給源７４と、イオナイザ７５と、を有する。
【００３１】
ガス供給管７１は、図４に示されるように、搬送口１２の側縁部側に垂直に設けられている。ガス供給管７１は、例えばブレイクフィルタにより構成されている。ブレイクフィルタは、セラミックス等の多孔質構造を有する焼結体であり、多数の気孔が互いに連通することで三次元網目状にガスの流路を形成する。
【００３２】
吐出口７２は、ガス供給管７１の上下に形成されている。吐出口７２は、ガス供給管７１に供給されたガスをキャリア４０に向けて吐出可能に構成されている。
【００３３】
ガス供給ライン７３は、一端がガス供給管７１と接続されており、他端がガス供給源７４と接続されている。
【００３４】
ガス供給源７４は、ガス供給ライン７３にＮ２ガスを供給する。また、Ｎ２ガスに代えて、Ａｒ等の別の不活性ガスを用いてもよい。
【００３５】
イオナイザ７５は、ガス供給ライン７３に介設されており、ガス供給ライン７３を流れるＮ２ガスをイオン化する。イオナイザ７５は、例えばコロナ放電を利用する方式であってもよく、軟Ｘ線、紫外線等の電離放射線を利用する方式であってもよい。また、イオナイザ７５の後段にパーティクルを除去するためのフィルタを設けてもよい。
【００３６】
係る構成のガス供給機構７０では、ガス供給源７４からガス供給ライン７３にＮ２ガスが供給され、供給されたＮ２ガスはイオナイザ７５によってイオン化されて、ガス供給管７１の吐出口７２から吐出される。
【００３７】
具体的には、例えばイオン化されたＮ２ガスは、搬送口１２のキャリア搬送領域Ｓ１０側の開口縁部にキャリア４０の開口縁部４４を密着させ、蓋体開閉機構６０によりキャリア４０から蓋体４２を取り外して取り出し口４３を開放した状態で、吐出口７２から吐出される。これにより、イオン化されたＮ２ガスは、キャリア４０の内部に万遍なく流入する。その結果、キャリア４０の内面が除電され、キャリア４０の内面へのパーティクルの付着が抑制される。また、キャリア４０の内面にパーティクルが付着している場合であっても、キャリア４０の内部に吹き付けられるイオン化されたＮ２ガスによりパーティクルが除去される。
【００３８】
また、例えばイオン化されたＮ２ガスは、搬送口１２のキャリア搬送領域Ｓ１０側の開口縁部にキャリア４０の開口縁部４４を密着させ、且つキャリア４０の取り出し口４３が蓋体４２で閉じられている状態で、吐出口７２から吐出されてもよい。この場合、キャリア４０（蓋体４２）と開閉ドア５０とに囲まれて形成される閉塞空間にイオン化されたＮ２ガスが吹き付けられる。その結果、閉塞空間がＮ２ガスで置換されると共に、閉塞空間を形成する蓋体４２のウエハ搬送領域Ｓ２０側、開閉ドア５０の内面、蓋体開閉機構６０等が除電される。
【００３９】
搬送口１２の下端部には、横長の排気口７６が設けられている。排気口７６は、ガス供給管７１の吐出口７２から吐出されたガスを排気する。
【００４０】
また、開閉ドア５０のキャリア搬送領域Ｓ１０側へ向けて屈曲された部分のうちの下部の内面には、電位計７７が設けられている。電位計７７は、開閉ドア５０により搬送口１２が閉じられ、蓋体開閉機構６０によりキャリア４０の蓋体４２が開放されたとき、キャリア４０の内面に帯電した静電気の電位を検出する。電位計７７としては、例えば非接触式の表面電位計を用いることができる。なお、電位計７７が設けられる位置は、キャリア４０の内面に帯電した静電気の電位を検出できる位置であれば別の位置であってもよい。
【００４１】
基板処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部１００が設けられている。制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部等を備えている。プログラムには、制御部１００から基板処理装置１の各部に制御信号を送り、後述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。制御信号により第２の載置台１６の進退、キャリア４０の搬送、蓋体開閉機構６０の進退、ウエハＷの搬送、蓋体４２の開閉、開閉ドア５０の開閉、蓋体４２へのＮ２ガスの供給、イオナイザ７５のオンオフ等の動作が制御され、ウエハＷの搬送及び処理が行われる。プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部１００にインストールされる。
【００４２】
（除電方法）
次に、図６から図１１を参照して、制御部１００が基板処理装置１の各部を制御してキャリア４０の内面を除電する方法の一例について説明する。図６は、キャリア４０の除電方法の一例を示すフローチャートである。図７から図１１は、キャリア４０の除電方法の一例を示す工程図である。
【００４３】
最初に、キャリア４０内のウエハＷを搬出する準備を行う（ステップＳＴ１）。具体的には、自動搬送ロボット（図示せず）により、キャリア４０を第１の載置台１４に載置した後、キャリア搬送機構１９により、キャリア４０を、第１の載置台１４から第２の載置台１６に搬送し、フック１６ｂにより第２の載置台１６に固定する。続いて、進退機構１７により、第２の載置台１６を隔壁１１の搬送口１２へ向けて前進させる。キャリア４０が前進し、ウエハＷを受け渡すための受け渡し位置に移動し、隔壁１１の搬送口１２の周りのシール部材１３にキャリア４０の開口縁部４４が当接して、キャリア４０と開閉ドア５０との間に閉塞空間が形成される。そして、蓋体開閉機構６０のラッチキー６９ａが蓋体４２内の回動部４６に係合する。ラッチキー６９ａが９０度回動し、蓋体４２とキャリア本体４１との係合が解除されると共にラッチキー６９ａに蓋体４２が保持される。そして、ラッチキー６９ａが蓋体４２を保持した状態で対向板６１が開閉ドア５０へ向けて後退して、キャリア本体４１の取り出し口４３が開放される。開閉ドア５０が後退した後、下降して搬送口１２から退避し、キャリア４０内がウエハ搬送領域Ｓ２０に開放される（図７参照）。
【００４４】
次に、キャリア４０内のウエハＷを搬出する（ステップＳＴ２）。具体的には、ウエハ搬送機構２７により、キャリア４０内のウエハＷを順次取り出してウエハボート２３に移載する。キャリア４０内のウエハＷがすべて取り出されると、キャリア４０内が空の状態となる（図８参照）。
【００４５】
次に、開閉ドア５０により搬送口１２を閉じる（ステップＳＴ３）。具体的には、退避していた開閉ドア５０を上昇させた後、前進させることにより、開閉ドア５０により搬送口１２を閉じる（図９参照）。
【００４６】
次に、キャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスを吹き付ける（ステップＳＴ４）。具体的には、イオナイザ７５の動作を開始させて、吐出口７２からキャリア４０の内部に、イオン化されたＮ２ガスを吹き付ける（図１０参照）。これにより、キャリア４０の内面が除電され、キャリア４０の内面へのパーティクルの付着が抑制される。また、キャリア４０の内面にパーティクルが付着している場合であっても、キャリア４０の内部に吹き付けられるイオン化されたＮ２ガスによりパーティクルが除去される。イオナイザ７５の動作を開始してから所定時間が経過した後、イオナイザ７５の動作を停止する。所定時間は、例えばキャリア４０の内部にイオン化されたＮ２ガスを吹き付ける前に電位計７７によりキャリア４０の内面の帯電量を計測し、計測した帯電量と、予め記憶部に記憶された帯電量と除電に必要なイオン化されたＮ２ガスの吹き付け時間と、の関係を示す吹き付け時間設定テーブルに基づいて算出される時間とすることができる。また、所定時間に代えて、例えばキャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスを吹き付けながら電位計７７によりキャリア４０の内面の帯電量を計測し、計測された帯電量が所定の帯電量以下になった後、イオナイザ７５の動作を停止させてもよい。また、例えばキャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスを予め定められた時間だけ吹き付けた後、電位計７７によりキャリア４０の内面の帯電量を計測し、計測された帯電量が所定の帯電量以下の場合、イオナイザ７５の動作を停止し、計測された帯電量が所定の帯電量よりも大きい場合、再びキャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスを予め定められた時間だけ吹き付けてもよい。また、例えば排気口７６側に気中パーティクル測定器を設置し、排気口７６から排出されるガスに含まれるパーティクル量の変化を測定し、測定したパーティクル量の変化に基づいて、イオナイザ７５の動作を停止させてもよい。また、例えばこれらの方法を組み合わせて、イオナイザ７５の動作を停止するタイミングを決定してもよい。
【００４７】
次に、蓋体４２によりキャリア４０の取り出し口４３を閉じる（ステップＳＴ５）。具体的には、前述した動作と逆の動作によって、キャリア本体４１の取り出し口４３を蓋体４２により閉じ、蓋体４２をキャリア本体４１に固定する（図１１参照）。
【００４８】
続いて、第２の載置台１６が後退してキャリア４０が隔壁１１から離れ、キャリア搬送機構１９によりキャリア保管部１８に搬送されて一時的に保管される。一方、ウエハＷが搭載されたウエハボート２３は、処理容器２２内に搬入されて、ウエハＷにＣＶＤ、アニール処理、酸化処理等の処理が行われる。その後、キャリア保管部１８に一時的に保管されていたキャリア４０がキャリア搬送機構１９により第２の載置台１６に搬送され、前述した手順と同様の手順により、蓋体４２が取り外され、キャリア本体４１の取り出し口４３が開放される。そして、処理を終えたウエハＷがキャリア４０内に収納される。このとき、イオン化されたＮ２ガスによってキャリア４０の内面が除電され、キャリア４０の内面にパーティクルがほとんど付着していないので、処理を終えたウエハＷへのパーティクルの付着を抑制できる。
【００４９】
なお、上記の例では、イオナイザ７５の動作を停止させた後にキャリア４０の蓋体４２を閉じているが、例えばキャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスを吹き付けながら蓋体４２を閉じるようにしてもよい。これにより、蓋体４２のウエハ搬送領域Ｓ２０側、蓋体開閉機構６０、開閉ドア５０の内面等についても除電することができ、蓋体４２のウエハ搬送領域Ｓ２０側、蓋体開閉機構６０、開閉ドア５０の内面等へのパーティクルの付着を抑制できる。また、蓋体４２のウエハ搬送領域Ｓ２０側、蓋体開閉機構６０、開閉ドア５０の内面等にパーティクルが付着している場合であっても、キャリア４０の内面にイオン化されたＮ２ガスによりパーティクルを除去できる。
【００５０】
また、上記の例では、キャリア４０からウエハＷを搬出した直後にキャリア４０の内部にイオン化されたＮ２ガスを吹き付けてキャリア４０の内面を除電する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、処理容器２２にて所定の処理が行われたウエハＷをキャリア４０に搬入する直前にキャリア４０の内部にイオン化されたＮ２ガスを吹き付けてキャリア４０の内面を除電してもよい。
【００５１】
以上に説明したように、本発明の実施形態では、搬送口１２の開口縁部に取り出し口４３の開口縁部４４を密着させたキャリア４０の内部に、搬送口１２の開口縁部からイオン化されたガスを吹き付けるガス供給機構７０を有する。これにより、キャリア４０の内部にイオン化されたＮ２ガスを吹き付けることができるので、キャリア４０の内面を除電し、キャリア４０の内面へのパーティクルの付着を抑制できる。そのため、キャリア４０に収納されるウエハＷにパーティクルが付着したり、キャリア４０の蓋体４２を取り外するときにパーティクルがウエハ搬送領域Ｓ２０に混入したりすることを抑制できる。また、キャリア４０の内面にパーティクルが付着している場合であっても、キャリア４０の内部に吹き付けられるイオン化されたＮ２ガスによりパーティクルを除去できる。さらに、キャリア４０が次工程に搬送されて蓋体４２が開閉された場合、キャリア４０の内面が除電されているので、次工程においてキャリア４０が載置される領域にパーティクルが浮遊していても、キャリア４０の内面に付着することを抑制できる。
【００５２】
なお、上記の実施形態において、キャリア４０は基板収納容器の一例であり、キャリア搬送領域Ｓ１０は容器搬送領域の一例であり、ウエハ搬送領域Ｓ２０は基板搬送領域の一例である。また、イオナイザ７５はイオン化装置の一例である。
【００５３】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００５４】
上記の実施形態では、基板が半導体ウエハである場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば基板はガラス基板やＬＣＤ基板であってもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１      基板処理装置
１０    筐体
１１    隔壁
１２    搬送口
２２    処理容器
２７    ウエハ搬送機構
４０    キャリア
４３    取り出し口
４４    開口縁部
５０    開閉ドア
６０    蓋体開閉機構
７０    ガス供給機構
７１    ガス供給管
７２    吐出口
７３    ガス供給ライン
７４    ガス供給源
７５    イオナイザ
７７    電位計
１００  制御部
Ｓ１０  キャリア搬送領域
Ｓ２０  ウエハ搬送領域
Ｗ      ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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