(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザダイオードの複数のリード線を半田によって配線基板に接合する場合の、隣接するリード線間の半田による短絡を防止し、光源の発光不良を防止する光走査装置を提供する。【解決手段】レーザダイオードから出射されたレーザ光を感光ドラムの表面へ走査する光走査装置であって、レーザダイオードが半田によって接合される制御基板１２を有する。レーザダイオードは、半田によって制御基板１２の接合ランド３０ａ、３１ａ、３２ａ、３９ａにそれぞれ接合される複数のリード線１ｂを有する。制御基板１２は、各接合ランド３０ａ〜３９ａの間に、互いの半田の流れ込みを遮断するスリット４０と半田流れ込み防止部材４１を有する。【選択図】図７
2019102569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードを内蔵した半導体レーザチップを有し、前記半導体レーザチップから出射された光を被走査面へ走査する光走査装置であって、
前記半導体レーザチップが半田によって接合される基板を有し、
前記半導体レーザチップは、半田によって前記基板の複数の位置にそれぞれ接合される複数のリード線を有し、
前記基板は、前記複数の位置の間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記遮断部は、前記基板の前記複数の位置の間に、前記基板の板厚方向に貫通する貫通穴を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記遮断部は、前記基板の板厚方向において、前記基板の前記半導体レーザチップが実装される表面よりも高い絶縁壁部を有することを特徴とする請求項１に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記絶縁壁部は、前記基板の前記表面上にシルクをスクリーン印刷により形成することにより構成されることを特徴とする請求項３に記載の光走査装置。
【請求項５】
前記半導体レーザチップは、
前記基板の第１位置に接合される第１リード線と、
前記基板の前記第１位置と異なる第２位置に接合される第２リード線と、
前記基板の前記第１位置及び前記第２位置と異なる第３位置に接合される第３リード線と、
を有し、
前記遮断部は、
前記第１位置と前記第２位置の間に設けられ、前記第１位置と前記第２位置との互いの半田の流れ込みを遮断する第１遮断部と、
前記第２位置と前記第３位置の間に設けられ、前記第２位置と前記第３位置との互いの半田の流れ込みを遮断する第２遮断部と、
前記第３位置と前記第１位置の間に設けられ、前記第３位置と前記第１位置との互いの半田の流れ込みを遮断する第３遮断部と、
を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光走査装置と、
前記半導体レーザチップから出射された光が走査されて、静電潜像が形成される像担持体と、
前記像担持体上に形成された静電潜像を現像し、画像を形成する画像形成手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
フォトダイオードを内蔵する半導体レーザチップを有し、前記半導体レーザチップから出射された光を被走査面へ走査する光走査装置の製造方法であって、
前記光走査装置は、前記半導体レーザチップが半田によって接合される基板を有し、
前記半導体レーザチップは、半田によって前記基板の複数の位置にそれぞれ接合される複数のリード線を有し、
前記基板は、前記複数の位置の間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部を有し、
前記遮断部に壁部を装着する装着工程と、
前記装着工程において前記壁部が装着された前記基板の前記複数の位置と前記複数のリード線とをそれぞれ接合する接合工程と、
を備えることを特徴とする光走査装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複写機、プリンタ、ファクシミリ、それらの複合機等の画像形成装置に用いられる光走査装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置に用いられる光走査装置は、光源から出射される光ビームを回転多面鏡により偏向し、偏向された光ビームをレンズやミラー等の光学部品により感光体の感光面上に導くことによって、感光体上に潜像画像を形成する。光走査装置の光源としては、レーザダイオードが用いられる。
【０００３】
特許文献１では、レーザダイオードの複数のリード線を半田によって配線基板に固定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−４３２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のように、レーザダイオードの複数のリード線を半田によって固定する構成の場合、半田の量が少なすぎると、リード線と配線基板との接合が不十分となり、レーザダイオードが発光しない等の不具合が発生する虞がある。
【０００６】
これに対し、リード線と配線基板との接合が不十分とならないよう、固定に用いる半田の量を多くすることが考えられる。しかしながら、固定に用いる半田の量を多くすると、隣接するリード線同士が半田によって繋がってしまい、回路が短絡することでレーザダイオードに異常発光等の発光不良が発生する虞がある。また、画像形成装置に用いられる光走査装置では、レーザダイオードの発光不良によって所望の画像が出力できなくなってしまう場合があった。
【０００７】
本発明は前記課題を解決するものであり、その目的とするところは、レーザダイオードの複数のリード線を半田によって配線基板に接合する場合の、隣接するリード線間の半田による短絡を防止する。これにより光源の発光不良を抑制することができる光走査装置及び画像形成装置、光走査装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するための本発明に係る光走査装置の代表的な構成は、フォトダイオードを内蔵した半導体レーザチップを有し、前記半導体レーザチップから出射された光を被走査面へ走査する光走査装置であって、前記半導体レーザチップが半田によって接合される基板を有し、前記半導体レーザチップは、半田によって前記基板の複数の位置にそれぞれ接合される複数のリード線を有し、前記基板は、前記複数の位置の間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部を有することを特徴とする。
【０００９】
また、前記目的を達成するための本発明に係る光走査装置の製造方法は、フォトダイオードを内蔵する半導体レーザチップを有し、前記半導体レーザチップから出射された光を被走査面へ走査する光走査装置の製造方法であって、前記光走査装置は、前記半導体レーザチップが半田によって接合される基板を有し、前記半導体レーザチップは、半田によって前記基板の複数の位置にそれぞれ接合される複数のリード線を有し、前記基板は、前記複数の位置の間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部を有し、前記遮断部に壁部を装着する装着工程と、前記装着工程において前記壁部が装着された前記基板の前記複数の位置と前記複数のリード線とをそれぞれ接合する接合工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レーザダイオードの複数のリード線を半田によって配線基板に接合する場合の、隣接するリード線間の半田による短絡を防止し、光源の発光不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置の構成を示す断面説明図である。
【図２】本発明に係る光走査装置の構成を示す斜視説明図である。
【図３】レーザダイオードをレーザホルダの筒状部内に圧入する前の状態を示す斜視説明図である。
【図４】レーザダイオードをレーザホルダの筒状部内に圧入した状態を示す斜視説明図である。
【図５】レーザホルダに制御基板を取り付けた状態を示す斜視説明図である。
【図６】（ａ）は、２本ビームのレーザダイオードを実装する制御基板の回路パターンを示す平面図である。（ｂ）は、第１実施形態の半田流れ込み防止部材の構成を示す斜視説明図である。（ｃ）は、（ａ）の各回路パターンに接続された各接合ランド間に設けられた貫通穴からなるスリット内に（ｂ）に示す第１実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す平面図である。
【図７】（ａ）は、制御基板の各回路パターンに接続された各接合ランドを第１実施形態の半田流れ込み防止部材により仕切る前の状態を示す斜視説明図である。（ｂ）は、制御基板の各回路パターンに接続された各接合ランド間に設けられた貫通穴からなるスリット内に第１実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す斜視説明図である。
【図８】第２実施形態において、制御基板の回路パターンに接続された各接合ランド間に各接合ランド間を仕切る半田流れ込み防止部材が設けられた様子を示す斜視説明図である。
【図９】（ａ）は、１本ビームのレーザダイオードを実装する制御基板の回路パターンを示す平面図である。（ｂ）は、第３実施形態の半田流れ込み防止部材の構成を示す斜視説明図である。（ｃ）は、（ａ）の各回路パターンに接続された各接合ランド間に設けられた貫通穴からなるスリット内に（ｂ）に示す第３実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す平面図である。
【図１０】（ａ）は、４本ビームのレーザダイオードを実装する制御基板の回路パターンを示す平面図である。（ｂ）は、第４実施形態の半田流れ込み防止部材の構成を示す斜視説明図である。（ｃ）は、（ａ）の各回路パターンに接続された各接合ランド間に設けられた貫通穴からなるスリット内に（ｂ）に示す第４実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す平面図である。
【図１１】（ａ）は、８本ビームのレーザダイオードを実装する制御基板の回路パターンを示す平面図である。（ｂ）は、第５実施形態の半田流れ込み防止部材の構成を示す斜視説明図である。（ｃ）は、（ａ）の回路パターンに接続された各接合ランドの間の貫通穴からなるスリット内に（ｂ）の第５実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す平面図である。
【図１２】（ａ）は、８本ビームのレーザダイオードを実装する制御基板の回路パターンに接続された各接合ランドが円形に均等分割していない一例を示す平面図である。（ｂ）は、（ａ）の回路パターンに接続された各接合ランド間の貫通穴からなるスリット内に第６実施形態の半田流れ込み防止部材を挿入して取り付けて各接合ランドを仕切った状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図により本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の一実施形態を具体的に説明する。
【００１３】
〔第１実施形態〕
図１〜図７を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第１実施形態の構成について説明する。
【００１４】
＜画像形成装置＞
先ず、図１及び図２を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置の構成について説明する。図１は、本発明に係る光走査装置９を備えた画像形成装置１１０の構成を示す断面説明図である。図２は、本発明に係る光走査装置９の構成を示す斜視説明図である。図１に示す画像形成装置１１０は、電子写真方式のレーザプリンタの一例を示す。図１に示す画像形成装置１１０は、光走査装置９を備えている。画像形成装置１１０は、光走査装置９により像担持体となる感光ドラム１５の表面上に露光走査された画像に基づいて記録材Ｐに画像を形成する画像形成手段を備える。画像形成手段は、感光ドラム１５の表面上（像担持体上）に形成された静電潜像を現像し、画像を形成する。
【００１５】
図１に示す画像形成装置１１０は、得られた画像情報に基づいたレーザ光１１を露光手段となる光走査装置９により出射し、プロセスカートリッジ１０２に内蔵された感光ドラム１５の表面上に照射する。プロセスカートリッジ１０２は、感光ドラム１５と、該感光ドラム１５に作用する画像形成プロセス手段として帯電手段となる帯電ローラ６、現像手段となる現像装置１６、クリーニング手段となるクリーナ２５等が一体的に設けられている。プロセスカートリッジ１０２は、画像形成装置１１０本体に対して着脱可能に設けられる。
【００１６】
図１の時計回り方向に回転する感光ドラム１５の表面は、帯電ローラ６により一様に帯電される。一様に帯電された感光ドラム１５の表面に対して光走査装置９により画像情報に応じたレーザ光１１を露光走査する。これにより感光ドラム１５の表面上に画像情報に応じた静電潜像が形成される。図２に示す光走査装置９に設けられたレーザダイオード１（半導体レーザチップ）から出射されたレーザ光１１（光）が、一様に帯電された感光ドラム１５（像担持体）の表面上に照射されて静電潜像が形成される。感光ドラム１５の表面上に形成された静電潜像に対して現像装置１６に設けられた現像剤担持体となる現像ローラ１６ａにより現像剤を供給してトナー像として現像する。
【００１７】
一方、給送カセット１０４内に収容された記録材Ｐは、給送ローラ１０５により繰り出され、分離ローラ１７との協働により一枚ずつ分離給送される。更に、搬送ローラ１０６により挟持搬送されて停止したレジストローラ１８のニップ部に記録材Ｐの先端部が付き当てられる。このとき、記録材Ｐの腰の強さにより扱かれて記録材Ｐの斜行が補正される。
【００１８】
感光ドラム１５の表面と転写手段となる転写ローラ１０７とにより形成される転写ニップ部Ｎに感光ドラム１５の表面上に形成されたトナー像が到達するタイミングに同期してレジストローラ１８が回転する。これにより記録材Ｐはレジストローラ１８により挟持されて転写ニップ部Ｎに搬送される。図示しない転写バイアス電源により転写ローラ１０７に転写バイアスが印加されて感光ドラム１５の表面上に形成されたトナー像が記録材Ｐに転写される。転写後に感光ドラム１５の表面上に残留した残トナーは、クリーナ２５により除去されて回収される。
【００１９】
未定着のトナー像が形成された記録材Ｐは、感光ドラム１５と転写ローラ１０７とにより挟持されて定着手段となる定着装置１０８に搬送される。定着装置１０８に設けられた定着ローラと加圧ローラとにより挟持搬送される過程において加熱及び加圧されてトナー像が熱溶融し、記録材Ｐに熱定着される。定着装置１０８の定着ローラと加圧ローラとにより挟持搬送された記録材Ｐは、排出ローラ１０９により機外に設けられた排出トレイ１９上に排出される。
【００２０】
＜光走査装置＞
次に、図２を用いて本発明に係る光走査装置９の構成について説明する。図２に示す光走査装置９は、図１に示す画像形成装置１１０に備えられる。図２に示す光走査装置９では、フォトダイオードを内蔵した半導体レーザチップであるレーザダイオード１から出射したレーザ光１１（光）は、コリメータレンズ１３を通過する。その後、光偏向器３により図２の時計回り方向に回転駆動される回転多面鏡２の反射面２ａに反射されて偏向走査される。回転多面鏡２の反射面２ａに反射されて偏向走査されたレーザ光１１は、ｆθレンズ１４を通過して、像担持体となる感光ドラム１５の表面（被走査面）上に照射されて走査される。
【００２１】
レーザ光１１は、感光ドラム１５の軸方向に沿って図２の左から右方向に走査される。これと同時に感光ドラム１５が回転する。これにより感光ドラム１５の表面上に画像情報に応じたレーザ光１１が露光される。ここで、コリメータレンズ１３は、レーザ光１１を平行光に偏光する。ｆθレンズ１４は、レーザ光１１が角度θで入ってくると、該ｆθレンズ１４の焦点距離ｆを掛け合わせた大きさ（ｆ×θ）の像を結ぶようなレンズ特性（ｆθ特性）を有する。
【００２２】
レーザダイオード１から出射したレーザ光１１を回転多面鏡２からなる光偏向器３で偏向走査を行う際に、回転多面鏡２の反射面２ａにより反射されたレーザ光１１の画像の書き出し位置を制御する。そのためにｆθレンズ１４を通過したレーザ光１１は、ＢＤ（Beam Detect）センサ２０にも照射される。レーザ光１１を受光したＢＤセンサ２０は、水平同期信号を発生する。ＢＤセンサ２０が発生した水平同期信号に基づいて、光偏向器３の回転多面鏡２の反射面２ａにより反射されたレーザ光１１の画像の書き出し位置を制御する。
【００２３】
＜半導体レーザチップ＞
次に、図３及び図４を用いて、半導体レーザチップとなるレーザダイオード１の構成について説明する。図３は、レーザダイオード１をレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入する前の状態を示す斜視説明図である。図４は、レーザダイオード１をレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入した状態を示す斜視説明図である。
【００２４】
光走査装置９の光源として、図３に示すエッジエミッタ型のレーザダイオード（Edge Emitting Laser Diode；端面発光レーザダイオード）１が広く用いられている。エッジエミッタ型のレーザダイオード１は、ビーム数が１本のものから複数本あるものまでラインナップされ、印字処理枚数や印字画像の解像度に応じて所望のものを選択できるため幅広く利用されている。
【００２５】
画像形成装置の高速化、高画質化に伴い、レーザダイオード１は、１本ビーム、２本ビーム、４本ビーム、８本ビーム等、複数ビームを同時に照射できるものが普及している。図２は、４本ビームのレーザ光１１を感光ドラム１５の表面上に照射した一例である。レーザダイオード１は、１本ビーム、２本ビーム、４本ビーム、８本ビーム等、ビームの本数に応じてリード線１ｂの本数が異なる。
【００２６】
一般的に、レーザダイオード１のリード線（ピン）１ｂは、各ビームの制御端子、コモン端子、ＰＤ（Photodiode；フォトダイオード）端子に接続される。このためレーザダイオード１のリード線１ｂの本数は、ビーム本数＋２本となる。例えば、４本ビームのレーザダイオード１であれば、リード線１ｂの本数は６本で、リード線１ｂが接合される接合ランド数は６箇所となる。また、８本ビームのレーザダイオード１であれば、リード線１ｂの本数は１０本で、リード線１ｂが接合される接合ランド数は１０箇所となる。
【００２７】
ビーム本数が増えるほどレーザダイオード１のリード線１ｂの本数と接合ランド数が増える。このため面積が限られた制御基板１２上にレーザダイオード１のリード線１ｂの本数に対応した数の接合ランドを配置する必要性がある。このため１箇所あたりの接合ランドの面積が小さく、また、隣接される接合ランド間の距離も短くなる。図３に示すレーザダイオード１は、２本ビームのレーザダイオード１で４本のリード線１ｂが設けられた一例である。レーザダイオード１は、リード線１ｂが設けられた側とは反対側からレーザ光１１を出射する。レーザダイオード１（半導体レーザチップ）は、半田によって制御基板１２（基板）に接合される。
【００２８】
＜レーザホルダ＞
レーザダイオード１は、図３に示すように、光路上にコリメータレンズ１３が設けられた筒状部１０ａを有するレーザホルダ１０に固定される。レーザダイオード１には、円形の外周を有するフランジ１ａが設けられており、円形の貫通孔を有する筒状部１０ａ内にフランジ１ａを圧入することで、光学的な位置決め、及びレーザダイオード１の取付回転角を管理している。レーザホルダ１０は、樹脂製や金属製で作成することができる。
【００２９】
光走査装置９におけるレーザダイオード１（半導体レーザチップ）は、樹脂製または金属製のレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入して固定する。その後、レーザホルダ１０にコリメータレンズ１３が取り付けられる。レーザダイオード１のレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内の圧入量を管理することで、レーザダイオード１の発光位置と、コリメータレンズ１３との距離を一定に保っている。
【００３０】
レーザダイオード１は、単品の状態で、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入される。このため光走査装置９の組み立て工程では、制御基板１２に電子部品を実装する際に、レーザダイオード１を直接、制御基板１２に実装せずに、レーザダイオード１をレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入する。
【００３１】
そして、レーザダイオード１のリード線１ｂを制御基板１２の回路パターン３０〜３９に接続された接合ランド３０ａ〜３９ａの中央に設けられた貫通孔３０ｂ〜３９ｂ内に通した状態で、レーザホルダ１０と制御基板１２とをビス留めする。そして、最後にレーザダイオード１のリード線１ｂと制御基板１２の回路パターン３０〜３９に接続された接合ランド３０ａ〜３９ａとを半田で接合している。レーザダイオード１（半導体レーザチップ）は、半田によって制御基板１２（基板）の複数の位置となる接合ランド３０ａ〜３９ａにそれぞれ接合される複数のリード線１ｂを有する。
【００３２】
このような組み立て方法において、レーザダイオード１のリード線１ｂは、リフロー実装やフロー実装を適用できない。ここで、フロー実装とは、電子部品をプリント基板に挿入したり、接着剤で仮止めしてから、溶融した半田槽に浸して接合するものである。また、リフロー実装とは、プリント基板の接合ランドに、半田ペーストを印刷し、その上に電子部品をマウントしてからリフロー炉に送り、赤外線や熱風等で半田を溶かして接合するものである。
【００３３】
リフロー実装では、レーザホルダ１０が樹脂製である場合に高熱に耐え切れない。また、フロー実装では、制御基板１２上の他の微細部品がレーザダイオード１のリード線１ｂの接合ランド３０ａ〜３９ａ近くに存在するためスポット的に適用することが困難な場合がある。このため半田こて５を用いて、レーザダイオード１のリード線１ｂと接合ランド３０ａ〜３９ａとを接合する。その際に、こて先の劣化や糸半田の種類、半田の送り量や加熱時間等は、リフロー実装やフロー実装と比較して、ばらつきが大きくなり易く、仕上がり具合にも影響が出てしまう。
【００３４】
半田の量が少なくなってしまうと、半田づけした接合ランド３０ａ〜３９ａに穴が開いたり、接合ランド３０ａ〜３９ａとレーザダイオード１のリード線１ｂとの接合が不十分になってしまい、接触不良となってしまう可能性がある。一方、半田の量が多くなってしまうと、半田が母材（リード線１ｂや接合ランド３０ａ〜３９ａ）になじまず接触不良となったり、隣接する接合ランド３０ａ〜３９ａの間でリークが発生して回路がショート（短絡）してしまう可能性がある。
【００３５】
レーザダイオード１のリード線１ｂと接合ランド３０ａ〜３９ａとが接触不良を起こしたり、隣接する接合ランド３０ａ〜３９ａの間でリークが発生して回路がショート（短絡）してしまう。すると、レーザダイオード１が発光しなかったり、異常発光してしまう等の不具合が発生する場合がある。このように光走査装置９でレーザダイオード１（半導体レーザチップ）が発光しないと、描画しなかったり、異常発光により所望の画像が出力できないといった不具合となる。
【００３６】
＜圧入接合＞
レーザダイオード１とレーザホルダ１０との接合方法としては、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内にレーザダイオード１のフランジ１ａを圧入することで、レーザダイオード１とレーザホルダ１０とを接合することができる。レーザダイオード１は、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内にレーザダイオード１から出射されるレーザ光１１の出射方向に圧入して固定される。
【００３７】
このとき、感光ドラム１５の表面上で副走査方向（感光ドラム１５の周方向、記録材の搬送方向）のレーザ光１１のビームピッチを決定するために、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内で、レーザダイオード１をフランジ１ａの周方向に回転させる。これにより隣接するレーザ光１１の感光ドラム１５の表面上での照射位置の間隔を調整することができる。
【００３８】
この圧入工程では、レーザダイオード１の個体差や部品のばらつきがあるため、予め設定された称呼の回転角に対して微調整をしながらレーザダイオード１の位置決めを行う。その後、図４に示すように、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内にレーザダイオード１のフランジ１ａを圧入してレーザダイオード１とレーザホルダ１０とを一体化する。
【００３９】
＜基板＞
次に、図５〜図７を用いて、制御基板１２の構成について説明する。図５は、レーザホルダ１０に制御基板１２を取り付けた状態を示す斜視説明図である。図６（ａ）は、２本ビームのレーザダイオード１を実装する制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９を示す平面図である。図６（ｂ）は、本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の構成を示す斜視説明図である。
【００４０】
図６（ｃ）は、図６（ａ）の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ（複数の位置）の間に設けられた遮断部を示す。遮断部は、制御基板１２（基板）の板厚方向に貫通する貫通穴からなるスリット４０を有する。そして、スリット４０内に図６（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１を取り付ける。これにより半田流れ込み防止部材４１により各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａを仕切った状態を示す平面図である。制御基板１２（基板）は、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ（複数の位置）の間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部となるスリット４０と半田流れ込み防止部材４１とを有する。
【００４１】
図７（ａ）は、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａを半田流れ込み防止部材４１により仕切る前の状態を示す斜視説明図である。図７（ｂ）は、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間に設けられた貫通穴からなるスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１を挿入して取り付ける。これにより半田流れ込み防止部材４１により各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａを仕切った状態を示す斜視説明図である。
【００４２】
図４に示すように、レーザホルダ１０の筒状部１０ａ内にレーザダイオード１のフランジ１ａを圧入する。その後、図５及び図６（ａ）に示すように、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａの略中央で制御基板１２を貫通する貫通孔３０ｂ〜３２ｂ，３９ｂ内にレーザダイオード１の各リード線１ｂを挿通する。
【００４３】
そして、ビス４により制御基板１２をレーザホルダ１０にビス止めする。このようにして、制御基板１２（基板）にレーザダイオード１（半導体レーザチップ）を取り付ける。各回路パターン３０〜３２，３９と、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａは、制御基板１２にスクリーン印刷される。
【００４４】
例えば、レーザダイオード１を制御基板１２上に実装した後、制御基板１２にレーザホルダ１０を取り付けるような製造工程では、レーザダイオード１の回転角の微調整ができなくなってしまう。このため、レーザダイオード１の回転角の微調整を行いながらレーザダイオード１のフランジ１ａをレーザホルダ１０の筒状部１０ａ内に圧入し，その後、レーザホルダ１０に制御基板１２を取り付けるという順番で組み立てる必要がある。
【００４５】
＜半田付け＞
図５に示すように、レーザダイオード１とレーザホルダ１０と制御基板１２とが固定される。その状態で、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ（電気的な接合部）と、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）のリード線１ｂ（電気的な接合部）とを半田こて５を用いて半田付けにより接合する。
【００４６】
また、光走査装置９におけるレーザ駆動信号は高速で動作する。このため、複数ビームを持つレーザダイオード１でのビーム間、また、異色レーザでの色間パターン長の差が極力小さくなるよう制御基板１２を設計している。このような背景があるため回路パターン３０〜３９の経路を変更しないことが望まれる。このため隣接する接合ランド３０ａ〜３９ａ間のピッチが狭くなり、過剰に流れ込んだ半田により接合ランド３０ａ〜３９ａ同士にリークが発生し易くなる。
【００４７】
半田付けによる接合工程において、隣接される各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａが近接している場合には、過剰に流れ込んだ半田により各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ上に盛り上がった半田同士が接触してリークする場合がある。このようなリークを発生させないために、一般的には、隣接するリード線１ｂ同士や隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士の間隔を広く取る。或いは、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａの面積を小さくして、隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士の絶縁距離を長く取る等の対策が講じられている。
【００４８】
各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士のリークの発生を防止するために、隣接するリード線１ｂ同士や隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士の間隔を広く取ると、レーザダイオード１や制御基板１２の面積等が大型化する可能性がある。制御基板１２の面積の大型化を避けようとすると、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士の間隔を広く取った分だけ各回路パターン３０〜３２，３９が微細化するといった問題がある。また、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａの面積を小さくすると、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ上に十分な量の半田を盛ることができず、通電不良を招く恐れがある。
【００４９】
＜スリット＞
本実施形態では、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間に半田の流れ込みを遮断する遮断部として貫通穴からなる十字形状のスリット４０が設けられている。スリット４０は、所定の絶縁間隔と、制御基板１２の板厚に対応した所定の深さを有する。
【００５０】
本実施形態のレーザダイオード１のリード線１ｂと、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａとは、同一円周上に配置される。本実施形態では、制御基板１２（基板）の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間（接合部間）に十字形状のスリット４０を設ける。スリット４０は、半田の流れ込みを遮断する遮断部として構成される。スリット４０は、制御基板１２を貫通する貫通穴からなる。
【００５１】
＜壁部＞
本実施形態では、図７（ｂ）に示すように、半田こて５を用いて、レーザダイオード１のリード線１ｂと、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａとを半田付けにより接合する。その際に、貫通穴からなる十字形状のスリット４０内（貫通穴内）に、断面がスリット４０の形状に対応した嵌合部を有する壁部材となる半田流れ込み防止部材４１を挿入して起立させる。
【００５２】
半田流れ込み防止部材４１は、隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間（接合部間）での半田の流れ込みを遮断する壁部として構成される。この半田流れ込み防止部材４１により隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士を仕切ることができる。これにより制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９にそれぞれ接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士のリークの発生を確実に防止することができる。半田流れ込み防止部材４１は、電気的絶縁物で構成される。
【００５３】
図６（ｃ）及び図７（ｂ）は、半田こて５を用いて、２本ビームのレーザダイオード１の４本のリード線１ｂを、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａにそれぞれ半田付けする場合の一例である。図３〜図５に示すように、２本ビームのレーザダイオード１のリード線１ｂの本数は４本である。また、図６（ａ），（ｃ）及び図７（ａ），（ｂ）に示すように、制御基板１２の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａの数も４箇所である。
【００５４】
図６（ｂ）及び図７（ａ），（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１は、４枚の仕切り片４１ａ〜４１ｄを有して構成されている。半田流れ込み防止部材４１は、軸方向（図６（ｂ）の上下方向）に直交する方向に切断したときの断面がスリット４０の十字形状に対応する断面を有して形成される。各仕切り片４１ａ〜４１ｄは、隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｄがそれぞれ９０度ずつの角度を持って配置されている。
【００５５】
図６（ｂ）及び図７（ａ），（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１を用意し、図６（ｃ）及び図７（ｂ）に示すように、図６（ａ）及び図７（ａ）に示す貫通穴からなるスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１を挿入して起立させる。これにより各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。
【００５６】
その状態で、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａと、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａの略中央に設けられた各貫通孔３０ｂ，３１ｂ，３２ｂ，３９ｂ内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて、半田付けする。
【００５７】
その際に、過剰に流れ込んだ半田の一部は、スリット４０と半田流れ込み防止部材４１との間の隙間内にも流れ込む。それ以外の殆どの半田は、半田流れ込み防止部材４１の各仕切り片４１ａ〜４１ｄで堰き止められて各仕切り片４１ａ〜４１ｄの壁面に沿って上昇し、冷却されて固まる。
【００５８】
これにより隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間に半田が過剰に流れ込んで各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ同士のリークが発生することを確実に防止することができる。半田付け作業が終了したら、スリット４０から半田流れ込み防止部材４１を取り外しても良いし、過剰に流れ込んだ半田により半田流れ込み防止部材４１が制御基板１２に接合された場合には、半田流れ込み防止部材４１を制御基板１２に取り付けたままでも良い。
【００５９】
＜製造方法＞
前述した本実施形態の光走査装置９の製造方法について説明する。制御基板１２（基板）の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された複数の位置となる各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間に、互いの半田の流れ込みを遮断する遮断部となるスリット４０が設けられる。そのスリット４０内に壁部となる半田流れ込み防止部材４１を装着する（装着工程）。
【００６０】
その後、装着工程において半田流れ込み防止部材４１（壁部）が装着された制御基板１２（基板）の各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ（複数の位置）を考慮する。更に、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）の複数のリード線１ｂを考慮する。各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａと各リード線１ｂとを、それぞれ半田により接合する（接合工程）。
【００６１】
レーザダイオード１（半導体レーザチップ）と制御基板１２（基板）との電気的な接合部となるリード線１ｂと、各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａとを半田により接合する。そのとき、スリット４０内に壁部となる半田流れ込み防止部材４１を挿入して起立させる。半田流れ込み防止部材４１により各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間で半田の流れ込みを遮断することができる。これにより制御基板１２（基板）の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された隣接する各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間（接合部間）のリークを防止することができる。
【００６２】
〔第２実施形態〕
次に、図８を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第２実施形態の構成について説明する。尚、前記第１実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。図８は、本実施形態において、制御基板１２の表面上の各回路パターン３０〜３２，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３９ａ間に遮断部となる半田流れ込み防止部材４１が設けられた様子を示す斜視説明図である。
【００６３】
前記第１実施形態では、半田流れ込み防止部材４１を制御基板１２の貫通穴からなるスリット４０内に嵌入して起立させた。本実施形態では、制御基板１２に貫通穴からなるスリット４０を設けずに、制御基板１２上に直接、遮断部となる半田流れ込み防止部材４１を形成した一例である。
【００６４】
本実施形態では、図８に示すように、制御基板１２上に予め電気的絶縁物からなる十字形状の半田流れ込み防止部材４１が設けられている。遮断部となる半田流れ込み防止部材４１は、制御基板１２（基板）の板厚方向において、制御基板１２（基板）のレーザダイオード１（半導体レーザチップ）が実装される表面よりも高い絶縁壁部として構成される。
【００６５】
前記第１実施形態では、半田付け作業の都度、制御基板１２の貫通穴からなるスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１を嵌入して起立させる作業が必要であった。本実施形態では、半田流れ込み防止部材４１が予め制御基板１２に設けられているため半田流れ込み防止部材４１を制御基板１２に組み付ける作業が必要ない。半田流れ込み防止部材４１（絶縁壁部）は、制御基板１２（基板）のレーザダイオード１（半導体レーザチップ）が実装される表面上に電気的絶縁物となるシルク（絹）をスクリーン印刷（シルク印刷）により形成することにより構成される。
【００６６】
制御基板１２上（基板上）には、部品番号や部品の種類、または制御基板１２の管理番号等の各種情報がシルク（絹）をスクリーン印刷する（シルク印刷）ことにより記録されている。制御基板１２上（基板上）に各種情報をシルク印刷する際に前記第１実施形態のスリット４０と同様の位置と形状で半田流れ込み防止部材４１をシルク印刷することができる。これにより半田の流れ込みを遮断する壁部となる絶縁物からなる半田流れ込み防止部材４１を制御基板１２（基板）の表面よりも高い高さ位置まで形成することができる。
【００６７】
半田流れ込み防止部材４１を形成する際のシルク印刷は、部品番号や部品の種類、または制御基板１２の管理番号等の文字の高さよりも高い位置に半田流れ込み防止部材４１の高さが到達するように、スクリーン印刷版の厚みを増してスクリーン印刷する。本実施形態では、制御基板１２に貫通穴からなるスリット４０を設けなくても良い。このため回路パターンの引き回しの自由度が向上する。他の構成は前記第１実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
【００６８】
〔第３実施形態〕
次に、図９を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第３実施形態の構成について説明する。尚、前記各実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。図９（ａ）は、１本ビームのレーザダイオード１を実装する制御基板１２の各回路パターン３０，３１，３９を示す平面図である。
【００６９】
図９（ｂ）は、本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の構成を示す斜視説明図である。図９（ｃ）は、図９（ａ）の各回路パターン３０，３１，３９に接続された各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａの間に貫通穴からなるスリット４０（遮断部）が設けられる。そして、貫通穴からなるスリット４０内に図９（ｂ）の本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して取り付けて各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａを仕切った状態を示す平面図である。
【００７０】
１本ビームのレーザダイオード１のリード線１ｂの本数は３本である。また、半田付け部となる接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａの数も３箇所である。本実施形態のレーザダイオード１のリード線１ｂと、各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａとは、同一円周上に配置される。図９（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１は、３枚の仕切り片４１ａ〜４１ｃを有して構成されている。
【００７１】
本実施形態の半田流れ込み防止部材４１は、軸方向（図９（ｂ）の上下方向）に直交する方向に切断したときの断面がスリット４０のＹ字形状に対応して形成されている。各仕切り片４１ａ〜４１ｃは、隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｃのうち、仕切り片４１ｂ，４１ｃの間の角度が９０度で、仕切り片４１ａ，４１ｂの間の角度と、仕切り片４１ａ，４１ｃの間の角度とが、それぞれ１３５度の角度を持って配置されている。
【００７２】
尚、各回路パターン３０，３１，３９に接続された各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａの間に形成されるスリット４０の形状に応じて隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｃの間の角度を適宜設定すれば良い。例えば、隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｃの間の角度がそれぞれ１２０度ずつの角度を持って配置される場合もある。
【００７３】
本実施形態も前記第１実施形態と同様に、図９（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１を用意し、図９（ｃ）に示すように、図９（ａ）に示す貫通穴からなるＹ字形状のスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。これにより各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａ間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。
【００７４】
ここで、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）は、図９（ａ），（ｃ）に示す制御基板１２（基板）の第１位置となる接合ランド３１ａに接合される第１リード線１ｂを有する。更に、制御基板１２（基板）の接合ランド３１ａ（第１位置）と異なる第２位置となる接合ランド３９ａに接合される第２リード線１ｂを有する。更に、制御基板１２（基板）の接合ランド３１ａ（第１位置）及び接合ランド３９ａ（第２位置）と異なる第３位置となる接合ランド３０ａに接合される第３リード線１ｂと、を有する。
【００７５】
一方、スリット４０と半田流れ込み防止部材４１からなる遮断部は、接合ランド３１ａ（第１位置）と接合ランド３９ａ（第２位置）との間にスリット４０ａが設けられる。スリット４０ａ内に仕切り片４１ａが挿入される。これらのスリット４０ａと仕切り片４１ａ（第１遮断部）により接合ランド３１ａ（第１位置）と接合ランド３９ａ（第２位置）との互いの半田の流れ込みを遮断する。
【００７６】
更に、接合ランド３９ａ（第２位置）と接合ランド３０ａ（第３位置）との間にスリット４０ｂが設けられる。スリット４０ｂ内に仕切り片４１ｂが挿入される。これらのスリット４０ｂと仕切り片４１ｂ（第２遮断部）により接合ランド３９ａ（第２位置）と接合ランド３０ａ（第３位置）との互いの半田の流れ込みを遮断する。
【００７７】
更に、接合ランド３０ａ（第３位置）と接合ランド３１ａ（第１位置）との間にスリット４０ｃが設けられる。スリット４０ｃ内に仕切り片４１ｃが挿入される。これらのスリット４０ｃと仕切り片４１ｃ（第３遮断部）により接合ランド３０ａ（第３位置）と接合ランド３１ａ（第１位置）との互いの半田の流れ込みを遮断する。
【００７８】
図９（ｃ）に示すように、図９（ａ）に示す貫通穴からなるＹ字形状のスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。その状態で、各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａと、各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａの略中央に設けられた各貫通孔３０ｂ，３１ｂ，３９ｂ内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて半田付けする。
【００７９】
これにより半田こて５を用いた各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａと、レーザダイオード１のリード線１ｂとの半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド３０ａ，３１ａ，３９ａ同士のリークの発生を防止することができる。他の構成は前記各実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
【００８０】
〔第４実施形態〕
次に、図１０を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第４実施形態の構成について説明する。尚、前記各実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。図１０（ａ）は、４本ビームのレーザダイオード１を実装する制御基板１２の各回路パターン３０〜３４，３９を示す平面図である。
【００８１】
図１０（ｂ）は、本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の構成を示す斜視説明図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）の各回路パターン３０〜３４，３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａの間に貫通穴からなるスリット４０（遮断部）が設けられる。そして、貫通穴からなるスリット４０内に図１０（ｂ）に示す本実施形態の半田流れ込み防止部材４１を挿入して取り付けて各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａを仕切った状態を示す平面図である。
【００８２】
図１０（ａ）に示すように、４本ビームのレーザダイオード１では、リード線１ｂの本数は６本で、制御基板１２の各回路パターン３０〜３４，３９に接続される各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａの数も６箇所である。本実施形態のレーザダイオード１のリード線１ｂと、各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａとは、同一円周上に配置される。図１０（ａ）に示すように、６個の各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａを同一円周上に並べると、各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａ間のピッチが一層狭くなる。
【００８３】
図１０（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１は、図１０（ａ）に示す隣接する各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａ間に設けられた貫通穴からなるスリット４０の６点の放射形状に対応して形成された６枚の仕切り片４１ａ〜４１ｆを有して構成されている。各仕切り片４１ａ〜４１ｆは、隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｆがそれぞれ６０度ずつの角度を持って配置されている。
【００８４】
本実施形態でも前記各実施形態と同様に、図１０（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１を用意し、図１０（ｃ）に示すように、図１０（ａ）に示す貫通穴からなる６点の放射形状のスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。これにより各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａ間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。
【００８５】
この状態で、各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａと、各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａの略中央に設けられた各貫通孔３０ｂ〜３４ｂ，３９ｂ内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて半田付けする。これにより半田こて５を用いた各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａと、レーザダイオード１のリード線１ｂとの半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド３０ａ〜３４ａ，３９ａ同士のリークの発生を防止することができる。他の構成は前記各実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
【００８６】
〔第５実施形態〕
次に、図１１を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第５実施形態の構成について説明する。尚、前記各実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。図１１（ａ）は、８本ビームのレーザダイオード１を実装する制御基板１２の各回路パターン３０〜３９を示す平面図である。
【００８７】
図１１（ｂ）は、本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の構成を示す斜視説明図である。図１１（ｃ）は、図１１（ａ）の各回路パターン３０〜３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３９ａ間に貫通穴からなるスリット４０（遮断部）が設けられる。そして、貫通穴からなるスリット４０内に図１１（ｂ）に示す本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して取り付けて各接合ランド３０ａ〜３９ａを仕切った状態を示す平面図である。
【００８８】
図１１（ａ）に示すように、８本ビームのレーザダイオード１の場合は、レーザダイオード１のリード線１ｂの本数は１０本で、制御基板１２の各回路パターン３０〜３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３９ａも１０箇所である。本実施形態のレーザダイオード１のリード線１ｂと、各接合ランド３０ａ〜３９ａとは、同一円周上に配置される。図１１（ａ）に示すように、１０個の各接合ランド３０ａ〜３９ａを同一円周上に並べると、各接合ランド３０ａ〜３９ａ間のピッチが更に狭くなる。
【００８９】
図１１（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１は、図１１（ａ）に示す隣接する各接合ランド３０ａ〜３９ａ間に設けられた貫通穴からなるスリット４０の１０点の放射形状に対応して形成された１０枚の仕切り片４１ａ〜４１ｊを有して構成されている。各仕切り片４１ａ〜４１ｊは、隣接する各仕切り片４１ａ〜４１ｊがそれぞれ３６度ずつの角度を持って配置されている。
【００９０】
本実施形態でも前記各実施形態と同様に、図１１（ｂ）に示す半田流れ込み防止部材４１を用意し、図１１（ｃ）に示すように、図１１（ａ）に示す貫通穴からなる１０点の放射形状のスリット４０内に半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。これにより各接合ランド３０ａ〜３９ａ間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。
【００９１】
この状態で、半田流れ込み防止部材４１により仕切られた各接合ランド３０ａ〜３９ａと、各接合ランド３０ａ〜３９ａの略中央に設けられた各貫通孔３０ｂ〜３９ｂ内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて半田付けする。これにより半田こて５を用いた各接合ランド３０ａ〜３９ａと、レーザダイオード１のリード線１ｂとの半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド３０ａ〜３９ａ同士のリークの発生を防止することができる。他の構成は前記各実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
【００９２】
〔第６実施形態〕
次に、図１２を用いて本発明に係る光走査装置を備えた画像形成装置及び光走査装置の製造方法の第６実施形態の構成について説明する。尚、前記各実施形態と同様に構成したものは同一の符号、或いは符号が異なっても同一の部材名を付して説明を省略する。図１２（ａ）は、８本ビームのレーザダイオード１を実装する制御基板１２の各回路パターン３０〜３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３９ａが円形に均等分割していない一例を示す平面図である。
【００９３】
図１２（ｂ）は、スリット４０（遮断部）内に本実施形態の半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して取り付けて各接合ランド３０ａ〜３９ａを仕切った状態を示す平面図である。
【００９４】
図１２（ａ）は、８本ビームのレーザダイオード１の他の例である。本実施形態の８本ビームのレーザダイオード１もリード線１ｂの本数は１０本で、制御基板１２の各回路パターン３０〜３９に接続された各接合ランド３０ａ〜３９ａも１０箇所である。前記実施形態と異なるのは、リード線１ｂと各接合ランド３０ａ〜３９ａとの並びが同一円周上に並んでいないことである。
【００９５】
各接合ランド３０ａ〜３２ａ，３７ａ，３８ａの略中央に設けられた貫通孔３０ｂ〜３２ｂ，３７ｂ，３８ｂと、各貫通孔３０ｂ〜３２ｂ，３７ｂ，３８ｂ内に挿通されるレーザダイオード１の各リード線１ｂは、同一直線上に配置される。また、各接合ランド３３ａ〜３６ａの略中央に設けられた貫通孔３３ｂ〜３６ｂと、各貫通孔３３ｂ〜３６ｂ内に挿通されるレーザダイオード１の各リード線１ｂは、同一直線上に配置される。接合ランド３９ａの略中央に設けられた貫通孔３９ｂと、貫通孔３９ｂ内に挿通されるレーザダイオード１のリード線１ｂのみが、各貫通孔３３ｂ〜３６ｂを結ぶ直線から外側に外れた位置に配置された一例である。
【００９６】
このような場合であっても図１２（ａ）に示す隣接する各接合ランド３０ａ〜３９ａ間に貫通穴からなるスリット４０を設ける。そして、図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）に示す貫通穴からなるスリット４０内に、スリット４０の形状に対応した断面形状を有する半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。半田流れ込み防止部材４１は、スリット４０の形状に対応して各仕切り片を組み合わせて作成することができる。
【００９７】
これにより各接合ランド３０ａ〜３９ａ間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。この状態で、半田流れ込み防止部材４１により仕切られた各接合ランド３０ａ〜３９ａと、各接合ランド３０ａ〜３９ａの略中央に設けられた各貫通孔３０ｂ〜３９ｂ内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて半田付けする。これにより半田こて５を用いた各接合ランド３０ａ〜３９ａと、レーザダイオード１のリード線１ｂとの半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド３０ａ〜３９ａ同士のリークの発生を防止することができる。
【００９８】
このように、制御基板１２に設けられた各回路パターンに接続された各接合ランドの配置がどのような形状であっても、隣接する各接合ランド間に貫通穴からなるスリット４０を設ける。そして、そのスリット４０内に、スリット４０の形状に対応した断面形状を有する半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる。これにより各接合ランド間は、貫通穴からなるスリット４０内に挿入して起立した半田流れ込み防止部材４１により確実に仕切られる。
【００９９】
この状態で、半田流れ込み防止部材４１により仕切られた各接合ランドと、各接合ランドの略中央に設けられた各貫通孔内に挿通されたレーザダイオード１のリード線１ｂとを半田こて５を用いて半田付けする。これにより半田こて５を用いた各接合ランドと、レーザダイオード１のリード線１ｂとの半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド同士のリークの発生を防止することができる。他の構成は前記各実施形態と同様に構成され、同様の効果を得ることが出来る。
【０１００】
尚、前記各実施形態では、隣接する各接合ランド間に制御基板１２を貫通する貫通穴からなるスリット４０を設け、そのスリット４０内に、スリット４０の形状に対応した断面形状を有する半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる構成とした。他に、貫通穴からなるスリット以外にも隣接する接合ランド間に、半田付け工程において半田の過剰な流れ込みによる各接合ランド同士のリークの発生を防止し得る物理的な空間が設けられれば良い。したがって、細長い形状のスリット４０以外にも円形や四角形等の任意の形状で貫通穴を設け、その貫通穴の形状に対応した断面形状を有する半田流れ込み防止部材４１の嵌入部を挿入して起立させる構成としても良い。
【０１０１】
このような構成で光走査装置９を組み立てる。これによりレーザダイオード１のリード線１ｂと、制御基板１２に設けられた各回路パターンに接続された各接合ランドとの半田付けを行う。この工程において、過剰な半田が隣接する接合ランドや隣接するリード線に流れ込んだ場合でも、各接合ランド同士や各リード線同士のリークの発生を防止することができる。これによりレーザダイオード１の電気的な不具合を防止でき、レーザダイオード１の発光不具合や不点灯等の異常点灯による異常画像出力を防止することができる。
【０１０２】
また、前記各実施形態では、代表例として、１本ビーム、２本ビーム、４本ビーム、８本ビームのレーザダイオード１の一例について説明した。他のビーム本数に対応したレーザダイオード１のリード線１ｂと、制御基板１２に設けられた各回路パターンに接続された各接合ランドとの半田付けを行う。その工程において、隣接する各接合ランド間に貫通穴からなるスリット４０を設ける。
【０１０３】
そして、そのスリット４０の形状に対応した断面形状を有する半田流れ込み防止部材４１の嵌入部をスリット４０内に挿入して起立させる。或いは、隣接する各接合ランド間に凸部からなる壁部を設ける。これにより過剰な半田が隣接する接合ランドや隣接するリード線に流れ込んだ場合でも、各接合ランド同士や各リード線同士のリークの発生を防止することができる。
【０１０４】
尚、図９に示した第３実施形態では、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）が制御基板１２（基板）に設けられた第１〜第３の位置（接合ランド３１ａ，３９ａ，３０ａ）にそれぞれ接合される第１〜第３リード線１ｂを有する場合を考慮した。そして、第１〜第３の位置（接合ランド３１ａ，３９ａ，３０ａ）の互いの間に設けられ、互いの半田の流れ込みを遮断する第１〜第３遮断部（スリット４０ａ〜４０ｃ、仕切り片４１ａ〜４１ｃ）を設けた一例について説明した。
【０１０５】
他に、図６〜図１１に示すように、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）の複数のリード線１ｂと、制御基板１２（基板）に設けられた各接合ランドとの並びが同一円周上に並んでいる場合を考慮する。その場合には、レーザダイオード１（半導体レーザチップ）が制御基板１２（基板）に設けられた第１〜第ｎの位置（接合ランド）にそれぞれ接合される第１〜第ｎリード線１ｂを有する場合を考慮する。そして、第１〜第ｎの位置（接合ランド）の互いの間に設けられ、互いの半田の流れ込みを遮断する第１〜第ｎ遮断部（スリット４０、半田流れ込み防止部材４１の仕切り片）を設けることができる。ここで、Ｎ≧３である。
【符号の説明】
【０１０６】
１…レーザダイオード（半導体レーザチップ）
１ｂ…リード線（複数のリード線；第１リード線；第２リード線；第３リード線）
９…光走査装置
１１…レーザ光（光）
１２…制御基板（基板）
１５…感光ドラム（像担持体；被走査面）
３０ａ〜３９ａ…接合ランド（基板の複数の位置；第１位置；第２位置；第３位置）
４０…スリット（遮断部；貫通穴）
４１…半田流れ込み防止部材（遮断部；絶縁壁部；壁部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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