(57)【要約】【課題】銅配線を適切に行えるとともに、クラック等を抑制できるガラスコア、多層配線基板、及びガラスコアの製造方法を提供する。【解決手段】ガラスコア１は、ガラス板１０と、前記ガラス板１０上に設けられた第１の金属層２０と、前記第１の金属層２０上に設けられた第１の電解銅めっき層３０と、前記第１の電解銅めっき層３０よりも上方に設けられた誘電体層４０と、前記誘電体層４０上に設けられた第２の金属層５０と、前記第２の金属層５０上に設けられたリン含有率が５質量％未満の無電解ニッケルめっき層６０と、前記無電解ニッケルめっき層６０上に設けられた第２の電解銅めっき層７０と、を具備している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板と、
前記ガラス板上に設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層上に設けられた第１の電解銅めっき層と、
前記第１の電解銅めっき層よりも上方に設けられた誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられた第２の金属層と、
前記第２の金属層上に設けられたリン含有率が５質量％未満の無電解ニッケルめっき層と、
前記無電解ニッケルめっき層上に設けられた第２の電解銅めっき層と、を具備した
ガラスコア。
【請求項２】
前記ガラス板は貫通孔を具備し、前記貫通孔の内壁には少なくとも前記無電解ニッケルめっき層と前記第２の電解銅めっき層が順次積層されている
請求項１に記載のガラスコア。
【請求項３】
前記誘電体層は、酸化アルミニウム、タンタルオキサイド及びシリコンナイトライドの少なくとも１つを含む
請求項１または２に記載のガラスコア。
【請求項４】
前記第１の金属層と前記第２の金属層は、チタンと銅のスパッタ積層膜である
請求項１から３のいずれか１項に記載のガラスコア。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のガラスコアに対し、樹脂層と配線層とが交互に積層された
多層配線基板。
【請求項６】
ガラス板上に第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層よりも上方に第１の電解銅めっき層を形成する工程と、
前記第１の電解銅めっき層上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に第２の金属層を形成する工程と、
前記第２の金属層上にリン含有率が５質量％未満の無電解ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記無電解ニッケルめっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する工程と、
不要な無電解ニッケルめっき層を酸性のエッチング剤を用いて除去する工程と、
を有するガラスコアの製造方法。
【請求項７】
前記ガラス板は貫通孔を具備しており、前記第２の金属層上にリン含有率が５質量％未満の前記無電解ニッケルめっき層を形成する工程において、前記貫通孔の内壁にもリン含有率が５質量％未満の前記無電解ニッケルめっき層を形成し、その後に前記貫通孔内を含む前記無電解ニッケルめっき層上に前記第２の電解銅めっき層を形成する
請求項６に記載のガラスコアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスコア、多層配線基板、及びガラスコアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化及び小型化が進んでおり、それに伴い、電子機器に搭載される半導体モジュールの高密度化が要求されている。このような要求に応えるために、半導体チップを実装する配線基板の配線密度を高めることが検討されている。
【０００３】
配線基板に含まれるコア材としては、一般的にガラスエポキシ樹脂が用いられているが、近年、コア材としてガラス板を用いた配線基板が注目されている。ガラス板は、ガラスエポキシ樹脂からなるコア材と比較して、より高い平滑度を実現できる。そのため、ガラス板を用いた配線基板では、超微細配線の形成が可能になるから、ガラス板を用いた配線基板を用いることで、高密度な実装が可能になる。また、ガラス板の２０℃以上２６０℃以下の温度範囲における線膨張係数（ＣＴＥ）は、シリコン基板を用いた半導体チップの２０℃以上２６０℃以下の温度範囲における線膨張係数とほぼ一致する。それゆえ、ガラス板を用いた配線基板を適用すると、残留応力を抑えた実装が可能になる。さらに、ガラス板を用いた配線基板は、高速伝送に優れているという利点もある。以上のことから、ガラス板を用いた配線基板は、高性能な電子機器に搭載される半導体モジュールの配線基板の一つとして注目されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】▲高▼城清著、「よくわかるプリント配線板のできるまで―第２版―」、日刊工業新聞社発行、ｐ２０１−２０２、２００８年４月
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガラス板に配線を形成することにより、配線基板又はその一部が形成される。これをガラスコアという。ガラス板上に配線を形成する場合、一般的なセミアディティブ工法が適用される（非特許文献１）。このような工法を用いて、ガラス板上に導体層を形成後、絶縁樹脂層を設け、更に前記絶縁樹脂層上に導体を積層することで配線を多層化することができる。しかし、ガラス板上に誘電体層を設ける場合は、従来のセミアディティブ工法を適用することは困難である。その理由について説明する。
【０００６】
例えば、ガラス板上に導体層を形成し、絶縁樹脂層を形成後、前記絶縁樹脂層上にスパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法で誘電体層を設けようとすると、前記絶縁樹脂層の表面粗さの影響により誘電体層が不連続となる虞れがある。誘電体層が不連続となると、該誘電体層よりも下部に位置する下部電極と、該誘電体層と、該誘電体層よりも上部に位置する上部電極とで構成されるコンデンサにおいて、前記下部電極と前記上部電極間におけるショートを招くこととなる。
【０００７】
よって、誘電体層は前記下部電極上に絶縁樹脂層を介さずに形成しなければならないという制限がある。これに対し、ガラス板上にシード層を設け、前記シード層上に電解銅めっき層を設け、不要なシード層をエッチングし、前記電解銅めっき層上に誘電体層を設け、更に前記誘電体層上に更なる電解銅めっき層を設けるという工法も考えられる。かかる工法によれば、絶縁樹脂層を介さず誘電体層を設けることができるが、前記不要なシード層をエッチングした際に生じる、ガラス板上に形成したシード層を介した電解銅めっき層のアンダーカットが原因で、前記誘電体層上に電解銅めっき層が形成できないという新たな課題が生じた。
【０００８】
これに対し、ガラス板上に、スパッタによる金属層と、無電解ニッケルめっき層からなるシード層を形成し、前記無電解ニッケルめっき層上に電解銅めっき層を形成し、前記ガラス板上に形成した電解銅めっき層上に誘電体層を設け、更に、前記誘電体層上に更なる電解銅めっき層を設けるという別な工法も考えられる。かかる工法により、電解銅めっき層のアンダーカットを抑制することができる。
【０００９】
しかしながら、前記無電解ニッケルめっき層のリン含有率が高い場合、不要な無電解ニッケルめっき層をエッチングする際にアルカリ性のエッチング剤を用いることが必要になるが、その場合、アルカリ性のエッチング剤によってガラス板に生じたダメージに起因して、製造過程でガラス板が割れるという問題が生じた。また、アルカリ性のエッチング剤を用いた場合においても、前記ガラス板上にシード層を介して形成した電解銅めっき層のアンダーカットが原因で、誘電体層上での電解銅めっき層の形成不良が生じることがあった。
【００１０】
更に、ガラス板に多層配線用の貫通孔を設けた場合、該貫通孔内に無電解ニッケルめっき層からなるシード層を形成すると、不要なシード層をエッチングする際に、ガラス厚が薄ければ該貫通孔内に銅の応力が蓄積し、ガラスクラックが生じるという問題もある。かかる問題を回避するためには、貫通孔内に電解銅めっき層を形成した後に、直ちに絶縁樹脂層によって、ガラス板にかかる銅の応力を緩和してクラックを防ぐ必要があり、したがって貫通孔内に電解銅めっき層を形成した後に直ぐに絶縁樹脂層を設けられるような工程が必要で、製造工程の煩雑さを招いていた。
【００１１】
上記課題にかんがみて、本発明は、銅配線を適切に行えるとともに、クラック等を抑制できるガラスコア、多層配線基板、及びガラスコアの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様によれば、ガラスコアは、
ガラス板と、
前記ガラス板上に設けられた第１の金属層と、
前記第１の金属層上に設けられた第１の電解銅めっき層と、
前記第１の電解銅めっき層よりも上方に設けられた誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられた第２の金属層と、
前記第２の金属層上に設けられたリン含有率が５質量％未満の無電解ニッケルめっき層と、
前記無電解ニッケルめっき層上に設けられた第２の電解銅めっき層と、
を具備する。
【００１３】
本発明の一態様によれば、ガラスコアの製造方法は、
ガラス板上に第１の金属層を形成する工程と、
前記第１の金属層よりも上方に第１の電解銅めっき層を形成する工程と、
前記第１の電解銅めっき層上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に第２の金属層を形成する工程と、
前記第２の金属層上にリン含有率が５質量％未満の無電解ニッケルめっき層を形成する工程と、
前記無電解ニッケルめっき層上に第２の電解銅めっき層を形成する工程と、
不要な無電解ニッケルめっき層を酸性のエッチング剤を用いて除去する工程と、
を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、銅配線の形成を適切に行えるとともに、クラック等を抑制できるガラスコア、多層配線基板、及びガラスコアの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一態様に係るガラスコア１を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３を概略的に示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｈ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｉ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｊ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｋ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｌ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｍ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｎ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｏ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｐ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｑ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図４Ｒ】本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るガラスコア４を概略的に示す断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｄ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｅ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｆ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｇ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｈ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図６Ｉ】本発明の実施例に係るガラスコア４の製造工程を概略的に示す断面図である。
【図７Ａ】本発明の比較例に係るガラスコアの製造工程を概略的に示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の比較例に係るガラスコアの製造工程を概略的に示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の比較例に係るガラスコアの製造工程を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する各部分には、同一符号を用いて、重複する説明は省略する。
なお、本明細書において、「上方（上）」とは、ガラス板から離れる方向をいうものとし、「下方（下）」とは、ガラス板に近づく方向をいうものとする。
【００１７】
図１は、本発明の一態様に係るガラスコア１を概略的に示す断面図である。
【００１８】
図１に示すガラスコア１は、ガラス板１０と、第１の金属層２０と、第１の電解銅めっき層３０と、誘電体層４０と、第２の金属層５０と、無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層７０からなる。
【００１９】
ガラス板１０は、典型的には光透過性を有する。ガラス板１０を構成するガラス材料の成分、及びその配合比率は特に限定されない。ガラス板１０としては、例えば、無アルカリガラス、アルカリガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス、サファイアガラス、及び感光性ガラスなど、ケイ酸塩を主成分とするガラスを用いることができる。ガラス板１０としては、半導体パッケージ及び半導体モジュールに用いられるという観点からは、無アルカリガラスを用いることが望ましい。無アルカリガラスに含まれるアルカリ成分の含有率は、０．１質量％以下であることが好ましい。
【００２０】
ガラス板１０の厚さは、１ｍｍ以下であることが好ましい。ガラス板１０の厚さは、製造時のハンドリング性を考慮すると、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００２１】
ガラス板１０の製造方法としては、例えば、フロート法、ダウンドロー法、フュージョン法、アップドロー法、及びロールアウト法などが挙げられる。ガラス板１０は、いずれの方法によって作製されたものを用いてもよい。
【００２２】
ガラス板１０の線膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、２０℃以上２６０℃以下の温度範囲において、０．５×１０-6／Ｋ以上１５．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることが好ましく、１．０×１０-6／Ｋ以上８．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることがより好ましく、１．０×１０-6／Ｋ以上４．０×１０-6／Ｋ以下の範囲内にあることが更に好ましい。ガラス板１０の線膨張係数がこの範囲内にあると、コア基板１上に表面実装されるシリコン基板を用いた半導体チップの線膨張係数との差が小さい傾向にある。なお、線膨張係数とは、温度の上昇に対応して長さが変化する割合を意味している。
【００２３】
ガラス板１０の少なくとも一方の主面は、機能層を備えていてもよい。機能層としては、例えば、微粒子を含む反射防止層、赤外線吸収剤を含む赤外線遮蔽層、ハードコート材料を含む強度付与層、帯電防止剤を含む帯電防止層、着色剤を含む着色層、光学薄膜を含む光学フィルタ層、光散乱膜を含むテクスチャ制御層及びアンチグレア層など挙げることができる。このような機能層は、例えば、蒸着法、スパッタ法、又はウエット方式などの表面処理技術によって形成することができる。
【００２４】
第１の金属層２０と、第２の金属層５０は典型的には、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【００２５】
これら第１の金属層２０と、第２の金属層５０は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系合金、Ａｌ−Ｃｕ系合金、Ｎｉ−Ｆｅ系合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）、活性酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、Ｃｕ3Ｎ4、Ｃｕ合金の単体又はこれらの混合物か、単層膜又は積層膜からなる。
【００２６】
第１の金属層２０は、チタンと銅のスパッタ積層膜、すなわちスパッタによりチタン層と銅層を個別に積層したものであることが好ましい。チタン層は、ガラス板１０との密着性を向上させることができ、また、銅層はチタン層と電解銅めっき層３０の密着性を向上させることができる。すなわち、金属層２０をチタンと銅のスパッタ積層膜とすることで、ガラス板１０上に密着性が良好な第１の電解銅めっき層３０を形成することが出来る。
【００２７】
第２の金属層５０についても、第１の金属層２０と同様に、チタンと銅のスパッタ積層膜とすることが好ましい。チタン層は、誘電体層４０との密着性を向上させることができ、また、チタン層上に、チタン層と密着性が良好な銅層を設けることで、該銅層上に無電解ニッケルめっき層６０を設けることができる。
【００２８】
前記第１の金属層２０と第２の金属層５０がチタンと銅のスパッタ積層膜である場合、チタン層の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下の範囲内であることが好ましい。銅層の厚さは、０．０９μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内であることが好ましい。いずれも前記下限値を下回ると、基材に対する膜の付き回り性が低下し、ピンホールを伴うため好ましくない。また、前記上限値を超えた場合においては、特に性能面での向上が認められないため、コストの面で好ましくない。
【００２９】
第１の電解銅めっき層３０と誘電体層４０の間には、例えばチタンなどのスパッタ層を密着層として設けてもよい。
【００３０】
無電解ニッケルめっき層６０の皮膜は、リン（Ｐ）を含有している。めっき皮膜中に含まれるリン含有率は、０．１質量％以上５質量％未満であると好ましく、さらには０．５質量％以上５質量％未満であるとより好ましいが、０質量％を超えていれば足りる。
【００３１】
無電解ニッケルめっき層６０の皮膜に含まれるリン含有率が０．１質量％以上５質量％未満のとき、製造過程で不要となる無電解ニッケルめっき層をエッチングする際に、酸系のエッチング剤を用いることができる。こうすることで、エッチング時のガラス腐食や誘電体層のダメージを防止できる。一方、リン含有率が５質量％以上の場合、製造過程で不要となる無電解ニッケルめっき層をエッチングする際には、高温条件下でアルカリ系のエッチング剤を用いなければならなくなる。そのため、エッチング時にガラス腐食や、誘電体層へのダメージが生じたりする。よって、ガラスの割れ防止とコンデンサ特性を得るために、無電解ニッケルめっき層６０の皮膜に含まれるリン含有率は、０．１（好ましくは０．５）質量％以上５質量％とするのが好ましい。
【００３２】
無電解ニッケルめっき層６０の皮膜に含まれるリン含有率は、例えば、エネルギー分散型Ｘ線分析法（ＥＤＸ）などの蛍光Ｘ線元素分析法（ＸＲＦ）により得ることができる。
【００３３】
無電解ニッケルめっき層６０の皮膜には、ニッケル及びリン以外にも、硫黄（Ｓ）、鉛（Ｐｂ）及びビスマス（Ｂｉ）などの他の成分を含んでいてもよい。
【００３４】
無電解ニッケルめっき層６０の厚さは、典型的には１μｍ以下であり、望ましくは０．４μｍ以下であり、より望ましくは０．３μｍ以下であり、更に望ましくは０．１μｍ以下である。電解ニッケルめっき層２４の厚みが薄いと、これら無電解ニッケルめっき層６０の形成及びエッチングに要する時間が短くなり、製造が容易である。
【００３５】
これら無電解ニッケルめっき層６０の厚さは、例えば、蛍光Ｘ線元素分析法により得ることができる。
【００３６】
第２の金属層５０と無電解ニッケルめっき層６０の界面には、パラジウム、もしくはパラジウムとスズが含まれている。これらのパラジウムやスズは無電解ニッケルめっきを成膜する際の触媒として働く。また、第２の金属層５０と前記パラジウムを含んでなる界面には、無電解ニッケルめっき層６０と第２の金属層５０の密着性を向上させるための更なる密着層を備えていてもよい。
【００３７】
無電解銅めっき層を無電解ニッケルめっき層６０の代替皮膜として用いることはできない。これは、無電解銅めっき浴はｐＨが約１２と高く、誘電体層上に設ける場合、誘電体層にダメージを及ぼすためである。また、無電解銅めっき層はガラスとの密着性も悪く、ガラス端部に析出した無電解銅めっき皮膜が無電解銅めっき浴中で剥離し、無電解銅めっき浴の分解を促すため好ましくない。
【００３８】
第１の電解銅めっき層３０及び第２の電解銅めっき層７０の厚さは、それぞれ１μｍ以上２０μｍ以下の範囲内にあることが好ましく、３μｍ以上１８μｍ以下の範囲内にあることがより好ましい。
【００３９】
誘電体層４０は、例えば、無機化合物を含んでいる。無機化合物としては、例えば、アルミニウム、チタン、タンタル、クロム、ランタン、サマリウム、イッテルビウム、イットリウム、ガドリニウム、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、ガリウム、セリウム、及びシリコンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化物、炭化物、窒化物及びホウ化物を挙げることができる。
【００４０】
誘電体層４０は、シリコンナイトライド、酸化タンタル（タンタルオキサイド）及び酸化アルミニウムの少なくとも一つを含んでいることが望ましい。シリコンナイトライド、酸化タンタル（タンタルオキサイド）及び酸化アルミニウムは、誘電率が低く、絶縁性に優れている。
【００４１】
誘電体層４０は、典型的には、スパッタ法又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法によって形成される。
【００４２】
図１に示す第１の金属層２０と、第１の電解銅めっき層３０と、誘電体層４０と、第２の金属層５０と、無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層７０はガラス主面１０ａ側としたが、ガラス主面１０ａと対向するガラス主面１０ｂ側に設けられていてもよく、またガラス主面１０ａ、１０ｂの両側に設けられていてもよい。
【００４３】
誘電体層４０よりも下層の第１の金属層２０と第１の電解銅めっき層３０からなる導体層と、誘電体層４０と、誘電体層４０上の第２の金属層５０と無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層からなる導体層はコンデンサを形成する。
【００４４】
図２は、本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を概略的に示す断面図である。
【００４５】
図２に示すガラスコア２は、ガラス板１０と、貫通孔ＴＨと、第１の金属層２０と、第１の電解銅めっき層３０と、誘電体層４０と、第２の金属層５０と、無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層７０からなる。
【００４６】
貫通孔ＴＨの軸線方向断面の形状は、長方形であってもよく、Ｘシェイプ、すなわち貫通孔ＴＨの一端径及び他端径に対して、中央部の径がより小さい形状であってもよく、テーパ状、すなわち貫通孔ＴＨの一端径に対して他端径がより小さい形状であってもよく、Ｏシェイプ、すなわち貫通孔ＴＨの一端径及び他端径に対して、中央部の径がより大きい形状であってもよく、その他の形状であってもよい。また、貫通孔ＴＨの軸線方向に対して直交する断面の形状は、円形であってもよく、楕円形であってもよく、多角形であってもよい。
【００４７】
貫通孔ＴＨ内に、無電解ニッケルめっき層６０と第２の電解銅めっき層７０とからなる導体層を設けることで、ガラス主面１０ａと、これに対向するガラス主面１０ｂとを導通化することができる。貫通孔ＴＨ内はその一部が第１の金属層によって被覆されていてもよい。
【００４８】
貫通孔ＴＨの内壁と無電解ニッケルめっき層６０の間には、パラジウム、もしくはパラジウムとスズが含まれている。これらのパラジウムやスズは無電解ニッケルめっき時の触媒として働く。また、貫通孔ＴＨの内壁と前記パラジウムを含んでなる界面には、無電解ニッケルめっき層６０と貫通孔ＴＨ内のガラスとの密着性を向上させるための更なる密着層を備えていてもよい。
【００４９】
図３は、本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を具備した多層配線基板３を概略的に示す断面図である。
【００５０】
図３に示す多層配線基板３は、図２のガラスコア２をベースとし、ガラス板１０と、第１の金属層２０と、第１の電解銅めっき層３０と、誘電体層４０と、第２の金属層５０と、無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層７０と、第１の樹脂層８０と、第２の樹脂層９０と、樹脂からなるプラグＰＬと、ソルダーレジスト層１００と、ビア８０Ｖと、ビア９０Ｖと、シード層８０ｓと、シード層９０ｓと、電解銅めっき層８０Ｃと、電解銅めっき層９０Ｃと、表面処理層１１０と、はんだ層１２０とを備える。
【００５１】
第１の樹脂層８０と、第２の樹脂層９０は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、ポリエチレンテレフタラート、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー及びこれらの複合材料を用いることができる。樹脂としては、電気特性や製造容易性の観点から、フィラーを含有したエポキシ樹脂を使用するが望ましい。フィラーとしては、例えば、シリカ、硫酸バリウム、酸化チタン又はこれらの混合物を用いることができる。なお、樹脂としては、導電性ペースト又は導電性樹脂を用いてもよい。
【００５２】
プラグＰＬは、貫通孔ＴＨ内で無電解ニッケルめっき層６０と、第２の電解銅めっき層７０によって満たされていない貫通孔ＴＨ内の空洞部を、絶縁樹脂で充填することにより形成され、第１の樹脂層８０と一体的に形成されている。
【００５３】
ビア８０Ｖと、ビア９０Ｖは、第１の樹脂層８０と、第２の樹脂層９０が非感光性材料の場合はレーザーなどによって加工され、感光性材料の場合はフォトリソグラフィーによって加工される。
【００５４】
シード層８０ｓとシード層９０ｓは好ましくは無電解ニッケルめっき皮膜、もしくは無電解銅めっき皮膜であるが、例えばスパッタ法によりニッケルや銅を成膜してもよい。
【００５５】
表面処理層１１０には、スズめっき、スズ合金めっき、無電解Ｎｉ−Ｐ／無電解Ｐｄ−Ｐ／Ａｕめっき、又は無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕめっきなどのめっき皮膜を用いることができる。これら表面処理層１１０は、めっき皮膜を用いる代わりに、有機皮膜を用いてもよい。有機皮膜としては、プレソルダー処理皮膜、又は、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）などのプレフラックス処理皮膜を挙げることができる。
【００５６】
はんだ層１２０は、表面処理層１１０上に設けられている。はんだ層１２０は、スズ、銀、銅、ビスマス、鉛、亜鉛、インジウム、アンチモン又はこれらの混合物を含んでいる。
【００５７】
図４Ａ〜図４Ｒに、本発明の一態様に係る貫通孔を具備したガラスコア２を用いた多層配線基板３の製造工程を概略的に示す。
【００５８】
まず、図４Ａに示す貫通孔ＴＨを具備したガラス板１０の主面１０ａと、ガラス主面１０ａと対向する他方のガラス主面１０ｂに、ガラス側から順に第１金属層２０としてチタン層２０Ａと銅層２０Ｂのスパッタ積層膜を形成する。第１金属層２０は貫通孔ＴＨ内の一部を被覆していてもよい。
【００５９】
次に、図４Ｂに示すように、ガラス主面１０ａ側の銅層２０Ｂ上にロールラミネート装置などを用いてドライフィルムレジストをラミネートし、フォトリソグラフィーにより、開口部ＲＥ１Ａを有する第１レジスト層ＲＥ１を形成する。また、同様の方法により、ガラス主面１０ｂ側には第２レジスト層ＲＥ２を形成する。
【００６０】
第１レジスト層ＲＥ１もしくは第２レジスト層ＲＥ２は以降の工程で剥離するため、この段階で、貫通孔ＴＨ内に、第１レジスト層ＲＥ１もしくは第２レジスト層ＲＥ２が充填されていてもよい。
【００６１】
次に図４Ｃに示すように、図４Ｂに示すレジスト開口部ＲＥ１Ａ内に電解銅めっき層３０を形成する。電解銅めっきは安価で管理が容易な硫酸銅めっき浴中で行うのが望ましいが、例えばピロリン酸銅めっき浴中で行ってもよい。
【００６２】
次に図４Ｄに示すように、水酸化ナトリウム溶液やＴＭＡＨ溶液中などで、第１レジスト層ＲＥ１と第２レジスト層ＲＥ２を剥離する。
【００６３】
次に図４Ｅに示すように、ガラス板１０の主面１０ａ上に、密着層４０ａｄと、誘電体層４０と、第２金属層５０としてチタン層５０Ａと銅層５０Ｂをスパッタ法又はＣＶＤ法により順次積層させる。
【００６４】
密着層４０ａｄはチタン層とすることが好ましいが、設けなくてもよい。
【００６５】
次に図４Ｆに示すように、ロールラミネート装置などを用いてドライフィルムレジストをラミネートし、フォトリソグラフィーにより、銅層５０Ｂ上に第３レジスト層ＲＥ３と銅層２０Ｂ上に第４レジスト層ＲＥ４を設ける。この第３レジスト層ＲＥ３は目的とする箇所以外がエッチングされるのを防ぐ保護膜として働く。
【００６６】
次に図４Ｆのガラス主面１０ａ側で第３レジスト層ＲＥ３によって覆われていない領域の銅層５０Ｂを第１エッチング剤で、チタン層５０Ａを第２エッチング剤で、誘電体層４０をドライエッチングで、密着層４０ａｄを順次除去し、図４Ｇに示す基板を得る。密着層４０ａｄがチタンからなる場合は、第２エッチング剤でエッチングする。
【００６７】
第１エッチング剤としては、ｐＨが０．５以上２以下の範囲内にある酸性水溶液を用いることが好ましい。酸性水溶液は、硫酸及び過酸化水素水の少なくとも一方を含んでいることが好ましく、双方を含んでいることがより好ましい。
【００６８】
この第１エッチング剤の温度は、２０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが好ましく、２５℃以上３５℃以下の範囲内とすることがより好ましい。
【００６９】
第２エッチング剤としては、ｐＨが７以上１２以下の範囲内にある弱アルカリ性水溶液を用いることが好ましく、ｐＨが８以上１０以下の範囲内にある弱アルカリ性水溶液を用いることがより好ましい。弱アルカリ性水溶液としては、アンモニア水と過酸化水素水との混合物を用いることが好ましい。
【００７０】
この第２エッチング剤の温度は、２０℃以上４０℃以下の範囲内とすることが好ましく、２５℃以上３５℃以下の範囲内とすることが好ましい。
【００７１】
第１エッチング剤と第２エッチング剤は酸から弱アルカリ領域であるとともに、室温付近で使用可能なため、ガラスへのダメージがない。
【００７２】
次に、第３レジスト層ＲＥ３と第４レジスト層ＲＥ４を、図４Ｈに示すように水酸化ナトリウム溶液やＴＭＡＨ溶液中などで剥離し、貫通孔ＴＨ内を含め、基板全体に無電解ニッケルめっき層６０を形成する。この無電解ニッケルめっき層６０が、図４Ｊ記載の第２の電解銅めっき層７０のシード層となる。
【００７３】
無電解ニッケルめっき液は、ニッケルを含む金属塩と還元剤とを含んでいる。ニッケルを含む金属塩としては、例えば、硫酸ニッケル、塩化ニッケル又はこれらの混合物を挙げることができる。無電解ニッケルめっき液に含まれるニッケルを含む金属塩の濃度は、１０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが好ましく、１５ｇ／Ｌ以上４５ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが更に好ましい。
【００７４】
還元剤は、ニッケルを含む金属塩を還元する。還元剤としては、例えば、ホルマリン、ヒドラジン、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム又はこれらの混合物を挙げることができるが、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム又はこれらの混合物を使用するのが望ましい。無電解ニッケルめっき液に含まれる還元剤の濃度は、１０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが好ましく、１５ｇ／Ｌ以上４５ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが更に好ましい。
【００７５】
無電解ニッケルめっき液は、金属系添加剤、有機系添加剤、錯化剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤又はこれらの混合物を更に含んでいてもよい。
【００７６】
金属系添加剤は、無電解ニッケルめっき液の安定性を高める。金属系添加剤は、例えば、鉛、ビスマス又はこれらの混合物を含んでいる。
【００７７】
有機系添加剤は、ニッケルの析出を促す。有機系添加剤は、例えば、硫黄を含んでいる。
【００７８】
錯化剤としては、例えば、水酸化アンモニウム、クエン酸ナトリウム、エチレングリコール又はこれらの混合物を挙げることができる。無電解ニッケルめっき液に含まれる錯化剤の濃度は、１０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以上４０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが更に好ましい。
【００７９】
ｐＨ調整剤としては、例えば、水酸化ナトリウム、アンモニア、硫酸又はこれらの混合物を挙げることができる。
【００８０】
緩衝剤としては、例えば、クエン酸ナトリウム、ホウ酸、炭酸又はこれらの混合物を挙げることができる。
【００８１】
また、無電解ニッケルめっき液は、塩化アンモニウムを含んでいてもよい。無電解ニッケルめっき液に含まれる塩化アンモニウムの濃度は、１０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが好ましく、１０ｇ／Ｌ以上４０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることがより好ましく、２０ｇ／Ｌ以上３０ｇ／Ｌ以下の範囲内にあることが更に好ましい。
【００８２】
無電解めっき処理に際しては、無電解ニッケルめっき液のｐＨは６以上１０以下の範囲内とすることが好ましく、８．０以上９．５以下の範囲内とすることがより好ましい。
【００８３】
また、無電解ニッケルめっき液の温度は、例えば、３０℃以上６０℃以下の範囲内とすることが好ましい。
【００８４】
上述した無電解ニッケルめっき液の処方により、リン含有率が０．５質量％以上５質量％未満の無電解ニッケルめっき皮膜が得られる。
【００８５】
次に、図４Ｉに示すように、ロールラミネート装置などを用いてドライフィルムレジストをラミネートし、フォトリソグラフィーにより、無電解ニッケルめっき層６０上に開口部ＲＥ５Ａ、ＲＥ５Ｂを有する第５レジスト層ＲＥ５と開口部ＲＥ６Ａを有する第６レジスト層ＲＥ６を設ける。
【００８６】
次に、図４Ｊに示すように、前記開口部ＲＥ５Ａ、ＲＥ５Ｂ、ＲＥ６Ａ内に第２の電解銅めっき層７０を形成する。
【００８７】
次に、図４Ｊの基板を、水酸化ナトリウム溶液やＴＭＡＨ溶液中などで第５レジスト層ＲＥ５と第６レジスト層ＲＥ６を剥離し、無電解ニッケルめっき層６０と銅層２０Ｂを前記第１エッチング剤にて、チタン層２０Ａを前記第２エッチング剤にてエッチングし、図４Ｋに示す基板を得る。
【００８８】
次に、図４Ｌに示すように、絶縁層８０を真空プレスラミネーターによってガラス主面１０ａ側とガラス主面１０ｂの両側から張り合わせ、貫通孔ＴＨ内に樹脂プラグＰＬを設け、レーザーなどによって、ビア８０Ｖを設ける。
【００８９】
次に、図４Ｍに示すように、無電解ニッケルめっき皮膜、もしくは無電解銅めっき皮膜によりシード層８０ｓを設ける。
【００９０】
次に、図４Ｎに示すように、上記と同様の方法で、開口部ＲＥ７Ａを有する第７レジスト層ＲＥ７と、第８レジスト層ＲＥ８を設け、開口部ＲＥ７Ａ内に電解銅めっき層８０Ｃを形成する。
【００９１】
次に、水酸化ナトリウム溶液やＴＭＡＨ溶液中などで第７レジスト層ＲＥ７と第８レジスト層ＲＥ８を剥離し、図４Ｏに示すように、不要なシード層８０ｓをエッチングする。
【００９２】
次に図４Ｌから図４Ｏの工程を繰り返すことで、図４Ｐに示すように、樹脂層９０とビア９０Ｖとシード層９０ｓと、電解銅めっき層９０Ｃを備えた基板を得る。
【００９３】
次に、図４Ｑに示すように、開口部１００Ａを有するソルダーレジスト層１００を設ける。ソルダーレジストは液状レジストの場合はロールコーターで塗布後、ドライフィルム形状の場合はラミネーターで形成後、フォトリソグラフィーによって開口部を形成する。
【００９４】
次に、図４Ｒに示すように、前記ソルダーレジスト層に設けた開口部１００Ａ内に表面処理層１１０を設け、はんだ層１２０を設ける。はんだ層１２０は、スクリーン印刷法、半田ボール振込み搭載法及び電解めっき法など公知の方法により形成できる。
【００９５】
以上のようにして、ガラスコア２（図２）を備えた図３に示す多層配線基板３を得ることができる。
【００９６】
本実施形態によれば、誘電体層４０よりも上方に、第２の電解銅めっき層７０を確実に形成することが出来、これにより多層配線基板を形成できる。
【００９７】
また、第１の電解銅めっき層３０の形成と同時に貫通孔ＴＨ内に電解銅めっき層を形成する場合と比較して、貫通孔ＴＨ内への電解銅めっき層７０の形成工程を、貫通孔ＴＨ内への樹脂プラグＰＬの直前に実行することで、貫通孔ＴＨにかかる銅の応力の経時蓄積を緩和することができ、ガラス割れのリスクを低減することができる。
【００９８】
また、一例によると、非接触型干渉顕微鏡を用いて得られた、ガラス板１０の表面の粗さは、製造開始前では０．５ｎｍであり、製造後においては、０．５５ｎｍであった。したがって、このような製造方法によれば、ガラスへのダメージを抑えることができ、すなわち製造過程でのガラス割れのリスクを低減することができる。
【００９９】
また、誘電体層４０のドライエッチングは、出来るだけパターン密度が疎な状態で行うのが好ましい。本実施形態では、貫通孔ＴＨ周辺の第２電解銅めっき層の形成をドライエッチング後に行うため、ドライエッチング時にはガラス表面上のパターン密度が疎な状態となり、よりドライエッチングがしやすい基板の表面構成となるから、ドライエッチング不良を低減することができる。
【０１００】
以上述べたように本実施形態によれば、ガラスコアの上方に設けられた誘電体層上での電解銅めっき層の形成不良を防止することができる。また、無電解ニッケルめっき皮膜のリン含有率を５質量％未満にすることにより酸性のエッチング剤を用いることで、ガラス割れを有効に防止するとともに、ガラスの貫通孔における応力蓄積を緩和することにより、製造過程における貫通孔内でのクラックの抑制を図ることができる。
【０１０１】
なお、本発明は上述の実施形態及び変形例に限定されるものではない。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
【実施例】
【０１０２】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０１０３】
＜実施例１＞
図５に示すガラスコア４を、図６Ａ〜６Ｉに示す製造工程に従って製造した。
【０１０４】
まず、図６Ａに示すように、貫通孔ＴＨを備えたサイズ５００ｍｍ×５００ｍｍ、厚さ２００μｍのガラスパネル１０００（ＥＡＧＬＥ  ＸＧ；コーニング社製）を準備した。非接触型干渉顕微鏡により測定されたガラス板１０００の表面の粗さは、０．５ｎｍであった。
【０１０５】
また、ガラス板１０００に設けられた貫通孔ＴＨの径は、ガラス板１０００の一方の主面では８０μｍであり、ガラス板１０００の他方の主面では６０μｍであった。ただし、図では径を同じとしている。
【０１０６】
次に、ガラス板１０００の一方の主面に、スパッタ法により第１の金属層２００として５０ｎｍのチタン層２００Ａと３００ｎｍの銅層２００Ｂを、この順序で成膜した。
【０１０７】
次に、図６Ｂに示すように、前記銅層２００Ｂ上にロールラミネート装置を用いて、感光性ドライフィルムレジストをラミネートすることにより、第１レジスト層ＲＥ１０と第２レジスト層ＲＥ２０を形成し、サイズ５００μｍ×５００μｍの開口部ＲＥ１０Ａを設け、電解めっき法により、前記開口部ＲＥ１０Ａ内に、厚みが１０μｍになるように第１の電解銅めっき層３００を設けた。
【０１０８】
次に、図６Ｂで得られた基板を５０℃、５％水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬して、第１レジスト層ＲＥ１０と第２レジスト層ＲＥ２０を剥離して、図６Ｃの基板を得た。
【０１０９】
次に、図６Ｄに示すように、ガラス主面上に密着層４００ａｄとして厚さ５０ｎｍのチタン層、誘電体層４００として厚さ２００ｎｍの酸化アルミニウム層、第２の金属層５００として厚さ５０ｎｍのチタン層５００Ａ、厚さ３００ｎｍの銅層５００Ｂをこの順序で成膜した。
【０１１０】
次に、図６Ｅに示すように第１の電解銅めっき層３０の電極サイズ５００μｍ×５００μｍよりも小さいサイズ４００μｍ×４００μｍのレジスト層ＲＥ３０を、感光性ドライフィルムレジストを用いて前記ラミネート法とフォトリソグラフィー法により形成した。ガラス主面１０００ａと対向する主面１０００ｂは、一面にドライフィルムレジスト層ＲＥ４０を形成した。
【０１１１】
次に、図６Ｆに示すように、ガラス主面に対し、レジスト層ＲＥ３０で保護されていないガラス主面上に形成された厚さ３００ｎｍの銅層５００Ｂと、厚さ５０ｎｍのチタン層５００Ａと、厚さ２００ｎｍの誘電体層４００としての酸化アルミニウム層と、厚さ５０ｎｍのチタン層４００ａｄを、順次エッチングした。銅層５００Ｂのエッチングは、第１のエッチング剤である硫酸と過酸化水素との混合溶液（ｐＨ１、温度２５度）を用いて行い、チタン層５００Ａとチタン層４００ａｄのエッチングは、第２エッチング剤である過酸化水素水とアンモニア水との混合溶液（ｐＨ９、温度２５度）を用いて行い、厚さ２００ｎｍの誘電体層４００としての酸化アルミニウム層は、ドライエッチングによって除去した。
【０１１２】
次に、図６Ｆに示す基板を５０℃、５％水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬して、レジスト層ＲＥ３０とドライフィルムレジスト層ＲＥ４０を剥離後のガラスコアを、パラジウムを含む溶液で触媒化処理をした後、以下の無電解ニッケルめっき液Ａに浸漬し、無電解ニッケルめっき層６００を形成し、図６Ｇに示す基板を得た。
【０１１３】
無電解ニッケルめっき液Ａの浴構成は以下の通りである。
浴組成：硫酸ニッケル：２０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：２５ｇ／Ｌ、乳酸：３０ｇ／Ｌ、鉛イオン：１ｐｐｍ（残分は純水）
ｐＨ：８．５
温度：４０℃
【０１１４】
これらの無電解ニッケルめっき層の厚みを測定したところ、その厚さは０．１μｍであった。また、この無電解ニッケルめっき層のリン含有率について、上述した方法により測定したところ、その含有率は４質量％であった。
【０１１５】
次に、図６Ｈに示すようにガラス主面、及び対向する主面に前記と同じ方法で、開口部ＲＥ５０Ａ、ＲＥ５０Ｂ、ＲＥ６０Ａを有する感光性ドライフィルムレジスト層ＲＥ５０，ＲＥ６０を形成し、電解めっき法により第２の電解銅めっき層７００を形成した。このときの第２の電解銅めっき層７００の厚みは約１０μｍであった。
【０１１６】
次に、図６Ｉに示すように、レジスト層ＲＥ５０、レジスト層ＲＥ６０を５０℃、５％水酸化ナトリウムの水溶液中で剥離し、無電解ニッケルめっき層６００と、銅層２００Ｂを第１のエッチング剤である硫酸と過酸化水素との混合溶液（ｐＨ１、温度２５度）を用いてエッチングし、チタン層２００Ａを第２エッチング剤である過酸化水素水とアンモニア水との混合溶液（ｐＨ９、温度２５度）を用いてエッチングした。このようにして、図５に示すガラスコア４を得た。
【０１１７】
＜実施例２＞
本実施例２では、前記実施例１記載の無電解ニッケルめっきＡの浴構成において、ｐＨを９、温度を５０℃としたこと以外は、実施例１と同様の方法でガラスコアを作製した。めっき時間は、無電解ニッケルめっき層の厚みが０．１μｍとなるように調整した。
【０１１８】
本実施例で作製した無電解ニッケルめっき層の厚みを測定したところ、その厚さは０．１μｍであった。また、この無電解ニッケルめっき層のリン含有率について、上述した方法により測定したところ、その含有率は１質量％であった。
【０１１９】
＜比較例１＞
本比較例１では、無電解ニッケルめっき液に下記の無電解ニッケルめっき液Ｂを用いてリン含有率が６質量％の無電解ニッケルめっき層を形成したこと以外は、前記実施例１と同様の方法でガラスコアを作製した。また、無電解ニッケルめっき層のエッチング剤には、以下の第３エッチング剤を用いた。
【０１２０】
無電解ニッケルめっき液Ｂの浴構成は以下の通りである。
浴組成：硫酸ニッケル：２０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：２５ｇ／Ｌ、乳酸：３０ｇ／Ｌ、鉛イオン：１ｐｐｍ（残分は純水）
ｐＨ：４．６
温度：８０℃
【０１２１】
第３エッチング剤は、２５％の水酸化ナトリウムを含む溶液からなる（ｐＨ１４、８０℃）。
【０１２２】
＜比較例２＞
実施例１と同じガラス板を用い、ガラス１０００上に、チタン層２００Ａと銅層２００Ｂと無電解ニッケルめっき層６００を順次積層し、また、貫通孔ＴＨ内に無電解ニッケルめっき層６００を形成し、レジストを前記実施例１と同じ方法で設け、前記無電解ニッケルめっき層６００上に電解銅めっき層３００を形成して、前記レジスト層を剥離して図７Ａに示す基板を得た。無電解ニッケルめっき液には、前記無電解ニッケルめっき液Ａを用いた。
【０１２３】
次に実施例１と同様の方法で、ガラス主面１０００ａ上に密着層４００ａｄとして厚さ５０ｎｍのチタン層、誘電体層４００として厚さ２００ｎｍの酸化アルミニウム層、第２の金属層５００として５０ｎｍのチタン層５００Ａ、３００ｎｍの銅層５００Ｂをこの順序で成膜し、所定の箇所をレジストで保護した。さらに、レジスト層で保護されていない不要な厚さ３００ｎｍの銅層５００Ｂと、厚さ５０ｎｍのチタン層５００Ａと、誘電体層として厚さ２００ｎｍの酸化アルミニウム層４００と、厚さ５０ｎｍのチタン層４００ａｄを順次エッチングした。銅層５００Ｂのエッチングは、第１のエッチング剤である硫酸と過酸化水素との混合溶液（ｐＨ１、温度２５度）を用いて行い、チタン層５００Ａとチタン層４００ａｄのエッチングは、第２エッチング剤である過酸化水素水とアンモニア水との混合溶液（ｐＨ９、温度２５度）を用いて行い、２００ｎｍの酸化アルミニウム層４００はドライエッチングによって除去した。こうして図７Ｂに示す基板を得た。
【０１２４】
次に実施例１と同様の方法で、銅層５００Ｂ上に電解銅めっき層７００を設け、図７Ｃに示す基板を得た。
【０１２５】
＜評価＞
前記実施例および比較例で製造したガラスコアの各々について、以下の方法により、誘電体層上での電解銅めっき層の形成可否と、ガラスに設けられた貫通孔のクラックの有無と、ガラスパネルの割れの有無を評価した。
【０１２６】
［誘電体層上での電解銅めっき層の形成可否］
前記実施例および比較例で製造したガラスコアについて、実体顕微鏡により、誘電体層上に所望の導体パターンが形成されているかを確認した（サンプル数Ｎ＝１００）。
【０１２７】
［貫通孔のクラック有無］
記実施例および比較例で製造したガラスコアについて、断面観察により、貫通孔内部のガラスクラックの有無を確認した（サンプル数Ｎ＝１００）。
【０１２８】
［ガラスパネルの割れ有無］
前記実施例および比較例で製造したガラスパネルについて、ガラスパネル平面上の割れとクラックの状況を確認した（サンプル数Ｎ＝１０）。
【０１２９】
表１は、実施例１と実施例２と比較例１と比較例２について、上記の評価結果をまとめたものである。ここで、評価の結果、合格率が１００％の場合を○、合格率が１００％未満の場合を×と定義し、（不良数／サンプル数）とともに示した。
【０１３０】
【表１】
2019102572.tif 000003
【０１３１】
表１に示すように、本実施例１と実施例２にかかるガラスコアは、誘電層上で電解銅めっき層が１００％の確率で形成できることが確認された。また、貫通孔内部のガラスクラックやガラスパネル平面上の割れやクラックは認められなかった。
【０１３２】
これに対して、比較例１のガラスコアは、貫通孔内部でのガラスクラックとガラスパネル平面上にクラックが確認された。また、比較例２のガラスコアは、ガラスパネル平面上の割れは認められなかったが、貫通孔内部でのガラスクラックが認められた。
【符号の説明】
【０１３３】
１・・・ガラスコア、ＴＨ・・・貫通孔、ＰＬ・・・樹脂プラグ、ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５、ＲＥ６、ＲＥ１０、ＲＥ２０、ＲＥ３０、ＲＥ４０、ＲＥ５０、ＲＥ６０・・・レジスト層、１０・・・ガラス板、２０、２００・・・第１の金属層、３０・・・第１の電解銅めっき層、４０、４００・・・誘電体層、４０ａｄ、４００ａｄ・・・密着層、５０、５００・・・第２の金属層、６０、６００・・・無電解ニッケルめっき層、７０、７００・・・第２の電解銅めっき層、８０Ｖ、９０Ｖ・・・ビア、８０Ｃ、９０Ｃ・・・電解銅めっき層、８０ｓ、９０ｓ・・・シード層、１００・・・ソルダーレジスト層、１１０・・・表面処理層、１２０・・・はんだ層
【図１】
2019102572.tif 000004
【図２】
2019102572.tif 000005
【図３】
2019102572.tif 000006
【図４Ａ】
2019102572.tif 000007
【図４Ｂ】
2019102572.tif 000008
【図４Ｃ】
2019102572.tif 000009
【図４Ｄ】
2019102572.tif 000010
【図４Ｅ】
2019102572.tif 000011
【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【図４Ｋ】
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【図４Ｌ】
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【図４Ｍ】
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【図４Ｎ】
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【図４Ｏ】
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【図４Ｐ】
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【図４Ｑ】
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【図４Ｒ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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