(57)【要約】【課題】薄膜抵抗体の異方性による温度特性のばらつきを抑制することが可能な面圧センサを提供する。【解決手段】基板１１と、電極部１４と、薄膜抵抗体２０，３０と、を備え、薄膜抵抗体３０を構成する薄膜の結晶粒の配向方向が基板１１上の所定方向となる傾向を有する面圧センサ１０において、薄膜抵抗体２０，３０は、薄膜抵抗体２０と、両端が一対の電極１４ｂ，１４ｃに接続された一本の線状の薄膜パターン３１からなる薄膜抵抗体３０と、を有している。薄膜抵抗体３０は、一対の電極１４ｂ，１４ｃに挟まれる領域Ａにおいて薄膜パターン３１の少なくとも一部を密集して形成されている。所定方向における薄膜パターン３１の長さ成分の合計である第１合計長さと、基板１１上で所定方向に直交する方向における薄膜パターン３１の長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。【選択図】図１
2019113356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に設けられた複数の電極と、前記表面に設けられ前記複数の電極に接続された薄膜抵抗体と、を備え、前記薄膜抵抗体を構成する薄膜の結晶粒の配向方向が前記基板上の所定方向となる傾向を有する面圧センサにおいて、
前記薄膜抵抗体は、
外部から加えられた荷重に応じて電気抵抗の変化が生じる第１の薄膜抵抗体と、
前記第１の薄膜抵抗体の温度変化に応じて生じる前記電気抵抗の変化を補償するための、両端が前記複数の電極のうちの一対の電極に接続された一本の線状の薄膜パターンからなる第２の薄膜抵抗体と、を有し、
前記第２の薄膜抵抗体は、前記一対の電極に挟まれる領域において前記薄膜パターンの少なくとも一部を密集して形成されており、
前記所定方向における前記薄膜パターンの長さ成分の合計である第１合計長さと、前記基板上で前記所定方向に直交する方向における前記薄膜パターンの長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている、面圧センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面圧センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、面圧センサに関する文献として、特開２０１７−２１００４号公報が知られている。この公報に示される面圧センサでは、基板と、基板の表面に設けられた複数の電極と、表面に設けられ複数の電極に接続された薄膜抵抗体を備えている。薄膜抵抗体は、荷重に応じて電気抵抗が変化する第１の薄膜抵抗体と、第１の薄膜抵抗体の温度の変化による電気抵抗の変化を補償する第２の薄膜抵抗体と、を有している。第２の薄膜抵抗体は、蛇行して延在する薄膜パターンとして形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−２１００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本技術分野では、薄膜抵抗体を構成する薄膜が成膜される際、例えば成膜材料との対向関係を維持して基板を回転させながら基板の表面に向けてスパッタリング等を行うことで、薄膜抵抗体を構成する薄膜の結晶粒の配向方向が基板上の所定方向となる傾向を有することが知られている。この結晶粒の配向方向に起因して、薄膜抵抗体は、薄膜パターンの向きに応じて抵抗特性が変化するという特性（異方性）を有することとなる。そのため、薄膜抵抗体の異方性による面圧センサの温度特性のばらつきを抑制することが望まれている。
【０００５】
そこで、本発明は、薄膜抵抗体の異方性による温度特性のばらつきを抑制することが可能な面圧センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る面圧センサは、基板と、基板の表面に設けられた複数の電極と、表面に設けられ複数の電極に接続された薄膜抵抗体と、を備え、薄膜抵抗体を構成する薄膜の結晶粒の配向方向が基板上の所定方向となる傾向を有する面圧センサにおいて、薄膜抵抗体は、外部から加えられた荷重に応じて電気抵抗の変化が生じる第１の薄膜抵抗体と、第１の薄膜抵抗体の温度変化に応じて生じる電気抵抗の変化を補償するための、両端が複数の電極のうちの一対の電極に接続された一本の線状の薄膜パターンからなる第２の薄膜抵抗体と、を有し、第２の薄膜抵抗体は、一対の電極に挟まれる領域において薄膜パターンの少なくとも一部を密集して形成されており、所定方向における薄膜パターンの長さ成分の合計である第１合計長さと、基板上で所定方向に直交する方向における薄膜パターンの長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、薄膜抵抗体の異方性による面圧センサの温度特性のばらつきを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１の（ａ）は、第１実施形態の面圧センサの概略平面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のIb−Ibに沿っての概略断面図である。
【図２】図２は、図１の第２の薄膜抵抗体の薄膜パターンの拡大図である。
【図３】図３は、面圧センサの出力の温度特性の一例を示すグラフである。
【図４】図４は、第１実施形態の面圧センサの変形例の概略平面図である。
【図５】図５は、第１実施形態の面圧センサの他の変形例の概略平面図である。
【図６】図６は、第２実施形態の面圧センサの概略平面図である。
【図７】図７は、比較例に係る面圧センサの概略平面図である。
【図８】図８の（ａ）は、比較例に係る薄膜抵抗体を構成する薄膜の成膜について説明するための概略平面図である。図８の（ｂ）は、図８の（ａ）の比較例に係る薄膜抵抗体の抵抗温度係数の大小関係を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１０】
［第１実施形態］
〈第１実施形態の面圧センサ１０の構成〉
図１の（ａ）は、第１実施形態の面圧センサの概略平面図である。図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のIb−Ibに沿っての概略断面図である。図１の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、面圧センサ１０は、外部から加えられる荷重を計測するためのセンサであり、例えば、ボルトの締付け荷重計測等に用いられる。図１に示されるように、面圧センサ１０は、基板１１と、電極部（複数の電極）１４と、受圧部１２と、伝達部１３と、を備えている。面圧センサ１０は、いわゆる２ゲージ構成のブリッジ回路として構成されている。なお、図の理解の容易化のために、図１の（ａ）においては、受圧部１２及び伝達部１３を省略した面圧センサ１０が示されており、図１の（ｂ）においては、受圧部１２及び伝達部１３が仮想線で示されている。
【００１１】
基板１１は、例えば、絶縁基板、表面に絶縁膜が形成された半導体基板である。基板１１は、外部から加えられた荷重計測に係る荷重により塑性変形を起こさない程度の強度を有する。基板１１は、一例として、矩形と半円形とを組み合わせた形状を有している。なお、基板１１の形状は、これに限定されるものではない。
【００１２】
基板１１は、主面（表面）１１ａと他主面１１ｂとを有している。主面１１ａは、基板１１の厚さ方向における一方側の表面である。他主面１１ｂは、基板１１の厚さ方向における主面１１ａとは反対側の基板１１の表面である。基板１１には、主面１１ａ及び他主面１１ｂを貫通する貫通孔１１ｃが設けられている。貫通孔１１ｃには、例えばボルトの締付け荷重計測の際、当該ボルトの軸部が挿入される。基板１１の主面１１ａには、受圧部１２、伝達部１３、電極部１４、薄膜抵抗体（第１の薄膜抵抗体）２０、及び薄膜抵抗体（第２の薄膜抵抗体）３０が設けられている。
【００１３】
受圧部１２は、外部から加えられる荷重を受ける部材である。受圧部１２は、一例として、貫通孔１２ａが設けられた環状の部材とされている。受圧部１２は、伝達部１３を介して基板１１に支持されている。伝達部１３は、例えば、受圧部１２における主面１１ａと対向する側の面に、薄膜抵抗体２０と対向するように設けられている。伝達部１３は、受圧部１２が受けた荷重を薄膜抵抗体２０に伝達する。
【００１４】
電極部１４は、薄膜抵抗体２０及び薄膜抵抗体３０と外部回路とを電気的に接続するための配線膜である。電極部１４としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕを用いることができる。電極部１４は、薄膜抵抗体２０と外部回路とを電気的に接続する電極１４ａと、薄膜抵抗体２０と薄膜抵抗体３０とを電気的に接続する電極１４ｂと、薄膜抵抗体３０と外部回路とを電気的に接続する電極１４ｃと、を有している。電極１４ａ、電極１４ｂ及び電極１４ｃは、平面視において、基板１１の主面１１ａにおける受圧部１２及び伝達部１３と重複しない位置に設けられている。電極１４ｂ及び電極１４ｃは、一例として平行に配置された略長方形状である。以下の説明では、電極１４ｂと電極１４ｃとの基板１１上での対向方向（電極１４ｂ及び電極１４ｃの短手方向）をＸ方向とし、基板１１上でＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向（基板１１の厚さ方向）であって他主面１１ｂから主面１１ａに向かう方向をＺ方向とする。なお、Ｘ方向は、電極１４ｂと電極１４ｃとの基板１１上での対向方向に限定されるものではない。
【００１５】
薄膜抵抗体２０は、外部から加えられる荷重を検出するための抵抗体である。薄膜抵抗体２０では、外部から加えられた荷重に応じて電気抵抗の変化が生じる。薄膜抵抗体２０を構成する薄膜は、Ｃｒを含むグラニュラー構造を有している。薄膜抵抗体２０を構成する薄膜は、例えば、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法により成膜される。薄膜抵抗体２０は、平面視において、基板１１の主面１１ａにおける受圧部１２及び伝達部１３と重複する位置に設けられている。
【００１６】
薄膜抵抗体２０は、一例として、貫通孔１１ｃと同心円を成すように貫通孔１１ｃの外周に沿って延在する薄膜パターン２１として形成されている。薄膜パターン２１は、薄膜抵抗体２０を構成する薄膜を成膜した後に当該薄膜を例えばフォトリソグラフィにより加工することで形成される。
【００１７】
薄膜抵抗体３０は、薄膜抵抗体２０の温度変化に応じて生じる電気抵抗の変化を補償するための抵抗体である。薄膜抵抗体３０を構成する薄膜は、Ｃｒを含むグラニュラー構造を有している。薄膜抵抗体３０を構成する薄膜は、例えば、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法により成膜される。薄膜抵抗体３０を構成する薄膜の結晶粒の配向方向は、基板１１上の所定方向（例えばＹ方向）となる傾向を有している。薄膜抵抗体３０は、平面視において、基板１１の主面１１ａにおける薄膜抵抗体２０と重複しない位置に設けられている。
【００１８】
薄膜抵抗体３０は、一本の線状の薄膜パターン３１からなる。薄膜パターン３１の両端は、複数の電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃのうちの一対の電極１４ｂ及び電極１４ｃに接続されている。薄膜パターン３１は、薄膜抵抗体３０を構成する薄膜を成膜した後に、当該薄膜における薄膜パターン３１を形成しない部分を除去するように例えばフォトリソグラフィにより加工することで形成される。薄膜抵抗体３０について、より詳しくは後述する。
【００１９】
上述のようにして構成された面圧センサ１０では、周知の方法を用いて荷重の検出を行うことができる。また、面圧センサ１０では、周知の方法を用いて薄膜抵抗体３０を用いた薄膜抵抗体２０の温度補償を行うことができる。
【００２０】
図２を参照して、薄膜抵抗体３０について詳しく説明する。図２は、図１の第２の薄膜抵抗体の薄膜パターンの拡大図である。図２に示されるように、薄膜抵抗体３０は、一対の電極１４ｂ，１４ｃに挟まれる領域Ａにおいて薄膜パターン３１の少なくとも一部を密集して形成されている。
【００２１】
薄膜パターン３１は、薄膜パターン３１の中央の点Ｃ０を通りＸ方向に延びる直線Ｌで仮想的にＹ方向に２分割した場合、半円状の複数の円弧を含む円弧群３２及び円弧群３３から構成されるものと考えることができる。円弧群３２は、点Ｃ１を中心とする同心円の円弧３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅを含んでいる。円弧群３３は、点Ｃ２を中心とする同心円の円弧３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ，３３ｅを含んでいる。点Ｃ１及び点Ｃ２は、例えば点Ｃ０から直線Ｌ上で等しい距離の位置にある一対の点である。つまり、薄膜パターン３１を構成する円弧群３２及び円弧群３３は点Ｃ０に関して点対称となっており、薄膜パターン３１は、領域Ａにおいて点Ｃ０に関して点対称な渦巻き状に延在している。
【００２２】
これらの円弧群３２及び円弧群３３では、円弧３２ａの半径は、円弧３３ａの半径と等しく、円弧３２ａの円弧の長さは、円弧３３ａの円弧の長さに等しい。円弧３２ｂの半径は、円弧３３ｂの半径と等しく、円弧３２ｂの円弧の長さは、円弧３３ｂの円弧の長さに等しい。円弧３２ｃの半径は、円弧３３ｃの半径と等しく、円弧３２ｃの円弧の長さは、円弧３３ｃの円弧の長さに等しい。円弧３２ｄの半径は、円弧３３ｄの半径と等しく、円弧３２ｄの円弧の長さは、円弧３３ｄの円弧の長さに等しい。円弧３２ｅの半径は、円弧３３ｅの半径と等しく、円弧３２ｅの円弧の長さは、円弧３３ｅの円弧の長さに等しい。
【００２３】
したがって、薄膜パターン３１では、Ｙ方向における薄膜パターン３１の長さ成分の合計である第１合計長さと、Ｘ方向における薄膜パターン３１の長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。特に、薄膜パターン３１では、第１合計長さは、第２合計長さに等しくなっている。温度特性安定範囲とは、薄膜抵抗体３０の異方性（後述）によって生じる面圧センサ１０の温度特性のばらつきを抑制するための第１合計長さと第２合計長さとの差の許容範囲である。温度特性安定範囲は、面圧センサ１０に要求される仕様が満たされるように、面圧センサ１０の温度特性が許容される一定のばらつき範囲となるように予め設定される。
【００２４】
第１合計長さ及び第２合計長さは、次のようにして算出されてもよい。薄膜パターン３１を薄膜パターン３１上の任意の点Ｐｉ（ｉは整数、ｉ＝０，１，・・・，ｎ−１，ｎ）で薄膜パターン３１を区切った場合を考える。この場合、第１合計長さは、薄膜パターン３１のＹ方向成分の長さＹｉを全てのｉについて積算した長さである。具体的には、長さＹｉは、点Ｐｉと点Ｐｉ＋１とを結ぶ線分をＹ軸に投影した線分の長さである。図２の例では、長さＹｉは、点Ｐｉと点Ｐｉ＋１とを結ぶ線分を斜辺とする直角三角形のＹ方向に沿う辺の長さともいうことができる。また、第２合計長さは、薄膜パターン３１のＸ方向成分の長さＸｉを全てのｉについて積算した長さである。具体的には、長さＸｉは、点Ｐｉと点Ｐｉ＋１とを結ぶ線分をＸ軸に投影した線分の長さである。図２の例では、長さＸｉは、点Ｐｉと点Ｐｉ＋１とを結ぶ線分を斜辺とする直角三角形のＸ方向に沿う辺の長さともいうことができる。
【００２５】
〈第１実施形態の面圧センサ１０の作用効果〉
面圧センサ１０の作用効果を説明するために、まず、図７及び図８を参照して薄膜抵抗体３０の異方性によって生じる面圧センサ１０の温度特性のばらつきについて説明する。図７は、比較例に係る面圧センサの概略平面図である。図８の（ａ）は、比較例に係る薄膜抵抗体を構成する薄膜の成膜について説明するための概略平面図である。図８の（ｂ）は、図８の（ａ）の比較例に係る薄膜抵抗体の抵抗温度係数の大小関係を示す表である。
【００２６】
図７に示されるように、比較例に係る面圧センサ１００は、薄膜パターン３１からなる薄膜抵抗体３０に代えて、一対の電極１４ｂ，１４ｃに挟まれる領域Ａにおいて蛇行して延在する蛇行パターンとして形成された薄膜パターン１３１からなる薄膜抵抗体１３０を備えている点で面圧センサ１０と異なっている。この薄膜パターン１３１においては、Ｙ方向に延在する部分の割合がＸ方向に延在する部分の割合よりも多い。以下の説明では、このように「薄膜パターン１３１の延在長がＸ方向よりもＹ方向において長くなる」ことを便宜上「薄膜パターン１３１の主方向はＹ方向である」と表現する。
【００２７】
面圧センサ１００では、図８の（ａ）に示されるように、薄膜抵抗体１３０を構成する薄膜を成膜する際、例えば基板１１の基となる円形の基板１１１を回転させながら基板１１１の表面に向けてスパッタリング等を行って薄膜が成膜される。この場合、薄膜における結晶粒の配向方向は、基板１１１の回転における周方向Ｒに沿う傾向を有することになる。このように成膜された薄膜に形成される複数の薄膜抵抗体１３０として、薄膜抵抗体１３０Ｘ及び薄膜抵抗体１３０Ｙを例に説明する。
【００２８】
薄膜抵抗体１３０Ｘの位置における薄膜の成膜方向は、Ｘ方向に沿っている。薄膜パターン１３１Ｘの主方向は、Ｙ方向である。つまり、薄膜パターン１３１Ｘの主方向と成膜方向とは交差している。この場合、薄膜抵抗体１３０Ｘの抵抗温度係数は、小さいものとなる（図８の（ｂ）参照）。
【００２９】
薄膜抵抗体１３０Ｙの位置における薄膜の成膜方向は、Ｙ方向に沿っている。薄膜パターン１３１Ｙの主方向は、Ｙ方向である。つまり、薄膜パターン１３１Ｘの主方向は成膜方向に沿っている。この場合、薄膜抵抗体１３０Ｙの抵抗温度係数は、大きなものとなる（図８の（ｂ）参照）。
【００３０】
このように、面圧センサ１００では、薄膜抵抗体１３０Ｘ及び薄膜抵抗体１３０Ｙは、薄膜パターンの主方向と成膜方向との交差関係に応じて抵抗特性が変化するという特性（異方性）を有することとなる。その結果、薄膜抵抗体１３０Ｘ及び薄膜抵抗体１３０Ｙの異方性によって面圧センサ１０の温度特性にばらつきが生じ得る。
【００３１】
この点、本実施形態の面圧センサ１０では、第１合計長さと第２合計長さとの差は、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。特に、面圧センサ１０では、第１合計長さと第２合計長さとが等しい。これにより、薄膜パターン３１の延在長がある方向において長くなることが抑制されるため、薄膜パターン３１の主方向と成膜方向との交差関係に応じて抵抗特性が変化すること（薄膜抵抗体３０の異方性）が抑制される。その結果、面圧センサ１０の温度特性のばらつきを抑制することが可能となる。
【００３２】
図３は、面圧センサの出力の温度特性の一例を示すグラフである。図３の例では、面圧センサ１０の温度特性が実線で示されており、第１合計長さと第２合計長さとの差が温度特性安定範囲内となっていない面圧センサの温度特性が破線で示されている。図３に示されるように、面圧センサ１０では、薄膜抵抗体３０の異方性が抑制されているため、面圧センサ１０の出力が温度に対して変化する度合いが、第１合計長さと第２合計長さとの差が温度特性安定範囲内となっていない面圧センサの温度特性に比べて抑制されていることが判る。
【００３３】
なお、面圧センサ１０では、薄膜抵抗体２０は、貫通孔１１ｃと同心円を成すように貫通孔１１ｃの外周に沿って延在する薄膜パターン２１として形成されている。そのため、Ｘ方向における薄膜パターン２１の長さ成分の合計と、Ｙ方向における薄膜パターン２１の長さ成分の合計との差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。よって、例えば、薄膜抵抗体２０を構成する薄膜の結晶粒の配向方向が、薄膜抵抗体３０と同様に基板１１上の所定方向（例えばＹ方向）となる傾向を有する場合には、薄膜抵抗体２０では、薄膜抵抗体３０と同様に異方性が抑制されるため、面圧センサ１０の温度特性のばらつきを一層抑制することが可能となる。
【００３４】
〈第１実施形態の面圧センサ１０の変形例〉
図４は、第１実施形態の面圧センサの変形例の概略平面図である。図４に示されるように、面圧センサ１０は、面圧センサ１０Ａのように変形することができる。面圧センサ１０Ａは、薄膜パターン３１からなる薄膜抵抗体３０に代えて、薄膜パターン３１Ａからなる薄膜抵抗体３０Ａを備えている点で面圧センサ１０と異なっている。
【００３５】
薄膜パターン３１Ａは、薄膜パターン部３１Ｘと薄膜パターン部３１Ｙとが連続するように形成されている。薄膜パターン部３１Ｘは、領域Ａにおいて蛇行して延在すると共に主方向がＸ方向である蛇行パターンとして形成された薄膜パターンである。薄膜パターン部３１Ｙは、領域Ａにおいて蛇行して延在すると共に主方向がＹ方向である蛇行パターンとして形成された薄膜パターンである。
【００３６】
薄膜パターン部３１Ｘでは、Ｘ方向に延在する部分の割合がＹ方向に延在する部分の割合よりも多い。薄膜パターン部３１Ｙでは、Ｙ方向に延在する部分の割合がＸ方向に延在する部分の割合よりも多い。薄膜パターン３１Ａの全体としては、Ｙ方向における薄膜パターン３１Ａの長さ成分の合計である第１合計長さと、Ｘ方向における薄膜パターン３１Ａの長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。これにより、薄膜抵抗体３０Ａでは、薄膜抵抗体３０と同様に異方性が抑制されるため、面圧センサ１０Ａの温度特性のばらつきを抑制することが可能となる。
【００３７】
〈第１実施形態の面圧センサ１０の他の変形例〉
図５は、第１実施形態の面圧センサの他の変形例の概略平面図である。図５に示されるように、面圧センサ１０は、面圧センサ１０Ｂのように変形することができる。面圧センサ１０Ｂは、薄膜パターン３１からなる薄膜抵抗体３０に代えて、薄膜パターン３１Ｂからなる薄膜抵抗体３０Ｂを備えている点で面圧センサ１０と異なっている。
【００３８】
薄膜抵抗体３０Ｂは、一対の電極１４ｂ，１４ｃに挟まれる領域Ａにおいて薄膜パターン３１Ｂの少なくとも一部を密集して形成されている。薄膜パターン３１Ｂは、領域Ａにおいて外形が略正方形となると共に薄膜パターン３１Ｂの中央の点に関して点対称な渦巻き状に延在している。薄膜パターン３１Ｂでは、外形の正方形の各辺がＸ方向に対して約４５°で交差するように配置されている。薄膜パターン３１Ｂでは、外形の正方形において対向する一対の辺をなす薄膜パターンの長さが互いに等しくされている。薄膜パターン３１Ｂでは、外形の正方形の内部において、外形の正方形の各辺と平行な矩形の薄膜パターンが渦巻き状に延びると共に、対向する一対の薄膜パターンの長さが互いに等しくなっている。よって、薄膜パターン３１Ｂでは、Ｙ方向における薄膜パターン３１Ｂの長さ成分の合計である第１合計長さと、Ｘ方向における薄膜パターン３１Ｂの長さ成分の合計である第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。これにより、薄膜抵抗体３０Ｂでは、薄膜抵抗体３０と同様に異方性が抑制されるため、面圧センサ１０Ｂの温度特性のばらつきを抑制することが可能となる。
【００３９】
薄膜パターン３１Ｂでは、外形の正方形の各辺がＸ方向に対して約４５°で交差するように配置されている。これにより、外形の正方形の各辺がＸ方向に対して約４５°とは異なる角度（例えば約３０°、約６０°等）で交差するように配置されている場合と比べて、領域Ａにおける薄膜パターン３１Ｂが占める面積を抑制することができる。
【００４０】
［第２の実施形態］
〈第２実施形態の面圧センサ１０Ｃの構成〉
以下、第２実施形態の面圧センサ１０Ｃについて説明する。面圧センサ１０Ｃは、いわゆる４ゲージ構成のブリッジ回路として構成されている点で、いわゆる２ゲージ構成のブリッジ回路として構成されている面圧センサ１０と異なっている。
【００４１】
図６は、第２実施形態の面圧センサの概略平面図である。図６に示されるように、面圧センサ１０Ｃは、薄膜抵抗体２０に代えて薄膜抵抗体（第１の薄膜抵抗体）２０Ｃを備え、薄膜抵抗体３０に代えて薄膜抵抗体（第２の薄膜抵抗体）３０Ｃを備え、電極部１４に代えて電極部（複数の電極）１４Ｃを有している点で、面圧センサ１０と異なっており、その他の点において面圧センサ１０と同様に構成されている。
【００４２】
薄膜抵抗体２０Ｃ及び薄膜抵抗体２０Ｃを構成する薄膜は、基本的に薄膜抵抗体２０と同様に構成されている。薄膜抵抗体２０Ｃでは、薄膜抵抗体２０とは薄膜パターンの数が異なっている。薄膜抵抗体２０Ｃは、貫通孔１１ｃと同心円を成すように貫通孔１１ｃの外周に沿って延在する２つの薄膜パターン２２，２３として形成されている。薄膜パターン２２，２３は、薄膜抵抗体２０Ｃを構成する薄膜を成膜した後に当該薄膜を例えばフォトリソグラフィにより加工することで形成される。
【００４３】
薄膜抵抗体３０Ｃは、基本的に薄膜抵抗体３０と同様に構成されている。薄膜抵抗体３０Ｃでは、薄膜抵抗体３０とは薄膜パターンの数が異なっている。薄膜抵抗体３０Ｃは、一本の線状の薄膜パターン３１，３１Ｃからなる。ここでの薄膜パターン３１は、第１実施形態における薄膜パターン３１と同様に構成されている。薄膜パターン３１Ｃは、薄膜パターン３１をＹＺ平面に関して対称となるように構成されている。
【００４４】
ここでの薄膜パターン３１の両端は、複数の電極１４ｄ〜１４ｇのうちの一対の電極１４ｆ及び電極１４ｇに接続されている。薄膜パターン３１Ｃの両端は、複数の電極１４ｄ〜１４ｇのうちの一対の電極１４ｄ及び電極１４ｅに接続されている。薄膜パターン３１Ｃは、薄膜抵抗体３０Ｃを構成する薄膜を成膜した後に当該薄膜を例えばフォトリソグラフィにより加工することで形成される。
【００４５】
電極部１４Ｃは、薄膜抵抗体２０Ｃ及び薄膜抵抗体３０Ｃと外部回路とを電気的に接続するための配線膜である。電極部１４Ｃは、電極１４ａ〜１４ｃに代えて、薄膜パターン２２と外部回路及び薄膜パターン３１，３１Ｃとを電気的に接続する電極１４ｅ，１４ｆと、薄膜パターン２３と外部回路及び薄膜パターン３１，３１Ｃとを電気的に接続する電極１４ｄ，１４ｇと、を有している。電極１４ｄ〜１４ｇは、その他形状等は電極１４ａ〜１４ｃと同様に構成されている。
【００４６】
〈第２実施形態の面圧センサ１０Ｃの作用効果〉
以上説明した第２実施形態の面圧センサ１０Ｃでは、上記第１実施形態において述べたように、薄膜パターン３１における第１合計長さと第２合計長さとの差は、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。特に、薄膜パターン３１における第１合計長さと第２合計長さとは、等しい。加えて、面圧センサ１０Ｃでは、薄膜パターン３１Ｃは薄膜パターン３１をＹＺ平面に関して対称としたものである。よって、薄膜パターン３１Ｃにおける第１合計長さと第２合計長さとの差は、予め設定された温度特性安定範囲内となっている。特に、薄膜パターン３１Ｃにおける第１合計長さと第２合計長さとは、等しい。したがって、面圧センサ１０Ｃでは、薄膜パターン３１，３１Ｃの延在長がある方向において長くなることが抑制されるため、薄膜パターン３１，３１Ｃの主方向と成膜方向との交差関係に応じて抵抗特性が変化すること（薄膜抵抗体３０Ｃの異方性）が抑制される。その結果、面圧センサ１０Ｃにおいても、面圧センサ１０と同様、温度特性のばらつきを抑制することが可能となる。
【００４７】
［変形例］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。本発明は、上述した実施形態を始めとして、当業者の知識に基づいて種々の変更、改良を施した様々な形態で実施することができる。
【００４８】
例えば、薄膜抵抗体２０，２０Ｃ，３０，３０Ｃを構成する薄膜は、Ｃｒを含むグラニュラー構造を有していたが、この例に限定されるものではない。薄膜抵抗体２０，２０Ｃ，３０，３０Ｃを構成する薄膜は、薄膜抵抗体２０，２０Ｃ，３０，３０Ｃの薄膜パターンの向きと当該薄膜の結晶粒の配向方向との交差関係に応じて抵抗特性が変化するという特性（異方性）を有するような構造を有していればよい。
【００４９】
上記第１実施形態の薄膜パターン３１、及び、上記第２実施形態の薄膜パターン３１，３１Ｃでは、第１合計長さと第２合計長さとが等しかったが、第１合計長さと第２合計長さとが等しい場合に限定されない。要は、第１合計長さと第２合計長さとの差が、予め設定された温度特性安定範囲内となっていればよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…面圧センサ、１１…基板、１１ａ…主面（表面）、１４，１４Ｃ…電極部（複数の電極）、２０，２０Ｃ…薄膜抵抗体（第１の薄膜抵抗体）、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…薄膜抵抗体（第２の薄膜抵抗体）、１４ａ〜１４ｇ…電極、２１，２２，２３…薄膜パターン、３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ…薄膜パターン、Ａ…領域、Ｘｉ…長さ（長さ成分）、Ｙｉ…長さ（長さ成分）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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