(57)【要約】【課題】多ピン化、大口径化が進む半導体素子において、短い生産時間で、安定した形状を確保し、さらに低コストで製造可能な微小突起電極の形成方法を提供する。【解決手段】複数個の電極パッドを有する半導体素子の上記電極パッド面を覆うように全面にレジストを供給するレジスト工程と、上記レジストの上記電極パッド面を開口する開口工程と、上記レジストに光ないしは熱を加え、上記レジストを硬化する硬化工程と、上記レジストの開口にめっきを充填するめっき工程と、上記レジストを剥離する剥離工程と、を備えた半導体装置の製造方法を用いる。【選択図】図１
2019102763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の電極パッドを有する半導体素子の前記電極パッド面を覆うように全面にレジストを供給するレジスト工程と、
前記レジストの前記電極パッド面を開口する開口工程と、
前記レジストに光ないしは熱を加え、前記レジストを硬化する硬化工程と、
前記レジストの開口にめっきを充填するめっき工程と、
前記レジストを剥離する剥離工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記開口工程で、ナノインプリントの転写型を前記レジストに加圧することにより前記開口を形成する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記開口工程では、レジスト開口部底部を頭頂部よりも拡げる請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジスト工程の前に、前記電極パッド上に樹脂層を形成する工程を有する請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記開口工程の後に、前記樹脂層を除去し、前記レジストの開口部底部を頭頂部よりも拡げる請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記開口工程の後に、前記開口に前記レジストの深さを上回らない量の溶解液を注入することで、前記レジストの開口部の前記樹脂層を除去し、前記レジスト開口部底部を頭頂部よりも拡げる請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数個の電極パッドを有する半導体素子の前記電極パッド面を回避するようにレジストを供給するレジスト工程と、
前記レジストに光ないしは熱を加え、前記レジストを硬化する硬化工程と、
前記レジストの間の開口部にめっきを充填するめっき工程と、
前記レジストを剥離する剥離工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト工程では、ナノインプリントの転写により第１レジスト層を形成した後に、前記第１レジスト層に積層するように、前記第１レジスト層よりも断面積が大きな第２レジスト層を形成する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。特に、レジストを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高密度化と電極端子の多ピン化の両立を進めるために、半導体素子の電極端子の狭ピッチ化、面積縮小化が図られている。通常、フリップチップ実装においては、システムＬＳＩ、メモリ、ＣＰＵなどの半導体素子の電極端子上にはんだバンプなどの突起電極を形成し、その半導体素子をフェイスダウンで実装基板の接続端子に対して圧接・加熱してバンプ接続させることで実装している。
【０００３】
半導体素子の電極端子上にはんだバンプを形成する方法として、はんだをスクリーン印刷やディスペンスや電解メッキで電極上に形成した後、リフロー炉ではんだ融点以上に加熱することによって突起状のはんだバンプを形成する工法がとられてきた。
【０００４】
しかし、近年電極間の狭ピッチ化への要求が非常に厳しくなってきたため、フリップチップ実装時の加熱工程において溶融したはんだが変形し、はんだの表面張力によりはんだバンプ同士がつながるはんだブリッジ不良が発生するといった問題が起きるようになってきた。
【０００５】
そこで、例えば金や銅などから成る先細りの微細金属バンプを用い、フェイスダウン実装工程において先端を塑性変形させ、固相拡散により接合する工法が提案されている。この方法によれば、先細りの微細金属バンプがフリップチップ時に溶融しないため、ブリッジ発生を防ぐことができ、狭ピッチ化に対応できる。
【０００６】
先細りの微細金属バンプを形成する方法としては、微粒子とキャリアガスとを噴射して金属微粒子を堆積するガスデポジション法がある。（例えば、特許文献１参照）。図５は特許文献１に記載の実施例の微細金属バンプ形成方法を概念的に示す断面図である。
【０００７】
図５（ａ）に示すように基板１１０には、電極１１２が形成されており、電極１１２は樹脂から成るマスク層１３０によって覆われている。マスク層１３０には、電極１１２の所定箇所が露出する様に、凹部１３４が形成されている。この凹部１３４の開口形状は円形形状である。
【０００８】
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１１０を金属板上に載置した状態でガスデポジション装置の真空雰囲気中に載置し、電極１１２の露出面上に、金属を蒸発させて得られる金属微粒子をキャリアガスと共にノズル１２５から噴射して所定箇所に堆積するガスデポジション法によって微細な金属バンプを形成する。
【０００９】
金属微粒子をノズル１２５から噴射し続けると、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示す様に、ストレート状の凹部１３４の底面の電極１１２に堆積した金属バンプ１１４ａを形成しつつ、マスク層１３０上に堆積する金属膜１３２の先端がストレート状の凹部１３４の開口縁から迫り出してきてストレート状の凹部１３４の開口部も狭くなる。このため、電極１１２の露出面上に堆積される金属微粒子量も、ストレート状の凹部１３４の内周縁から中心に向かって次第に減少し、円錐台状の金属バンプ１１４ａが形成される。
【００１０】
更に、金属微粒子の噴射を継続していると、図５（ｅ）に示す様に、マスク層１３０上に堆積する金属膜１３２の先端部によってストレート状の凹部１３４の開口部が完全に閉塞される。その際には、ストレート状の凹部１３４の底面に露出する電極１１２の露出面上には、金属膜１３２と接触することなく独立して円錐状の金属バンプ１１４が形成されている。
【００１１】
次に、ノズル１２５からの金属粒子とキャリアガスとの噴射を停止し、図５（ｆ）に示す様に、基板１１０をガスデポジション装置から取り出して、円錐状の金属バンプ１１４の形状を保持した状態で、マスク層１３０及び金属膜１３２を基板１１０の一面側から機械的に剥離する。その結果、基板１１０の外周縁に沿って金属バンプ１１４が形成される。
【００１２】
この実施の形態によれば、基板の一面側に形成された金属部材の所定箇所に微細な金属バンプを安定して工業的に形成し得る微細金属バンプの形成方法を提供することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第４８２６９２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の実施の形態では、円錐状の金属バンプを形成するためには、１個ずつのバンプに対し、金属微粒子とキャリアガスをノズルから電極部に噴射しなければならない。多ピンかつ大口径のウエハへ多数のバンプを形成するには、ウエハ全面を走査させ噴射する必要があるため、長い生産時間を要する問題があった。さらに、ウエハ全面で複数個の開口部において、噴流ガス流量が一様になるように制御することは困難であるため、バンプの形状がばらつく問題があった。
【００１５】
さらに、堆積した金属膜１３２はマスク層１３０と同時に剥離されるため、金や白金などの高価な金属から成る金属膜１３２を廃棄したり、回収しなければならず、生産コストが上がるといった問題もあった。
【００１６】
本発明は、上記問題に鑑み、多ピン化、大口径化が進む半導体素子において、短い生産時間で、安定した形状を確保し、さらに低コストで製造可能な微小突起電極の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成するために、
複数個の電極パッドを有する半導体素子の上記電極パッド面を覆うように全面にレジストを供給するレジスト工程と、
上記レジストの上記電極パッド面を開口する開口工程と、
上記レジストに光ないしは熱を加え、上記レジストを硬化する硬化工程と、
上記レジストの開口にめっきを充填するめっき工程と、
上記レジストを剥離する剥離工程と、を備えた半導体装置の製造方法を用いる。
【００１８】
また、
複数個の電極パッドを有する半導体素子の上記電極パッド面を回避するようにレジストを供給するレジスト工程と、
上記レジストに光ないしは熱を加え、上記レジストを硬化する硬化工程と、
上記レジストの間の開口部にめっきを充填するめっき工程と、
上記レジストを剥離する剥離工程と、を備えた半導体装置の製造方法を用いる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、多ピン化、大口径化が進む半導体素子において、高生産かつ形状が安定する微小突起電極を低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（ａ）〜（ｇ）本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明する断面図
【図２】（ａ）実施の形態１におけるナノインプリント型を概念的に示す立体図、（ｂ）実施の形態１におけるナノインプリント型で複数個のバンプが形成された半導体装置を概念的に示す立体図
【図３】（ａ）〜（ｆ）本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】（ａ）〜（ｊ）本発明の実施の形態３における半導体装置の製造方法を説明する断面図
【図５】（ａ）〜（ｆ）特許文献１に記載の実施例の微細金属バンプ形成方法を概念的に示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の製造方法である。以下に説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体素子１には、複数個の電極パッド２が形成されている。電極パッド２が形成された面全体を覆うようにシード層７を形成した後、電極パッド２上に揮発性の樹脂層１０を形成する。
【００２３】
なお、シード層７は、電気めっきを形成するための下地層として使われる。材質は、例えば、Ｎｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｔｉなどが用いられ、厚みは０．０２〜２μｍで形成するとよい。
【００２４】
揮発性の樹脂層１０は、例えば、ナノインプリント、インクジェット、フォトリソグラフィ、ニードル転写、塗布、印刷などにより形成した後、光照射や加熱により弾性体として挙動するまで硬化反応を進める。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体素子１の上にレジスト３を形成する。例えば、スピンコート、バーコーター等を用い、膜が均一になるように形成する。レジスト３は、観光型、熱硬化型、光熱併用型のレジストが用いられる。
【００２６】
その後、図１（ｃ）に示すように、電極パッド２に相対するように突起部５ａが設けられたナノインプリント型５を、半導体素子１の電極パッド２と位置合わせし、突起部５ａと揮発性の樹脂層１０が接するまで加圧する。加圧したまま光照射または加熱することにより、レジスト３が硬化する。
【００２７】
ナノインプリント型５は、例えば、アクリル、シリコーン、エポキシなどの樹脂を用いて形成するとよい。加圧時に変形するために、半導体素子１の反り、うねりを吸収し、半導体素子１全面に均一に形成することが可能になる。
【００２８】
次に、ナノインプリント型５を半導体素子１から剥離することにより、図１（ｄ）に示すように、揮発性の樹脂層１０の上に開口部３ａが設けられる。なお、ナノインプリント型５の表面には、離型層が形成されていても構わない。離型層は例えば、シリコーン、フッ素、アクリルなどの樹脂や、ニッケルなどの金属膜を用いるとよい。離型層により、容易に剥離することが可能になる。
【００２９】
その後、半導体素子１のレジスト３の開口部３ａに液が入り込むように、半導体素子１を溶解液に浸漬することにより、レジスト３は溶解されないまま、揮発性の樹脂層１０のみが選択的に溶解する。さらに、洗浄液で洗浄し、乾燥すると、図１（ｅ）に示すような、突起状のレジスト３に開口部３ｂが形成される。
【００３０】
さらに、シード層７に電極を繋ぎ、電気化学めっきを施すと、図１（ｆ）に示すように、レジスト３の開口部３ａ，３ｂは、めっきバンプ８で満たされる。その後、レジスト３の剥離液に半導体素子１を浸しレジスト３を剥離した後、シード層７を剥離すると半導体素子１の電極パッド２上にめっきバンプ８が形成される。ここで、レジスト３の剥離液は、例えば、アルコール、エタノール、アセトン、純水などを用いることができる。また、シード層７の剥離は、例えば、フッ酸、塩酸、硝酸などの剥離液によるウエットエッチングまたは、アッシングなどのドライエッチング法を用いるとよい。
【００３１】
めっきバンプ８は、頭頂部８ａと台座部８ｂとから成る。頭頂部８ａは、ナノインプリント型の突起部５ａの形状により決定される。そのため、半導体素子１に平行な面で切断した時の断面は、等しくなる。例えば、断面形状が、円、四角形、六角形、八角形の場合、円柱、四角柱、六角柱、八角柱といった立体形状になる。一方、台座部８ｂは、揮発性の樹脂層１０の形状に支配される。一定の丸みや傾斜を持った形状となる。ここで、レジスト３の開口部３ａと開口部３ｂとがつながったレジスト３の開口部３ａ、３ｂに対し、めっきが形成されるので、台座部８ｂと台座部８ｂには、接合界面が存在しないため、めっきバンプ８は良好な強度を確保することが可能になる。
【００３２】
頭頂部８ａは、直径が台座部８ｂよりも細いため、実装工程において、圧縮し横方向に拡がりながら変形することにより、半導体素子１及び基板（図示しない）の反り・うねりを吸収するため、めっきバンプと基板の電極との接触を確実にする機能を有する。
【００３３】
ここで、レジスト３は、揮発性の樹脂層１０と溶解パラメータ（ＳＰ値）が１以上離れた材料を用いるとよい。１未満であると、揮発性の樹脂層１０の溶解と同時に、レジスト３の開口部の内壁部も溶解が始まり、形状が安定しない。１上であると選択的に揮発性の樹脂層１０のみを溶解すること可能になる。
【００３４】
なお、揮発性の樹脂層１０は、溶解液に溶解する材料を選定する替わりに、レジスト耐熱温度以下で昇華する材料にしてもよい。この方法によれば、レジスト３を硬化する工程において、揮発性の樹脂層１０が揮発することにより、図１（ｅ）のようなレジスト３の開口部３ｂが形成されるため、揮発性の樹脂層１０の溶解工程が不要になり、揮発性の樹脂層１０の残渣が残らない。そのために、微細・多ピンバンプにおいても、安定したバンプ形状を確保することが可能になる。さらに昇華した成分がレジスト３の開口部の内壁に付着し、ナノメートルオーダの親水膜を形成するため、従来液が入り込みにくかった開口が狭く底部が広くかつ微小な開口部においてもめっき液が十分浸透し、空孔のない安定しためっきバンプを形成することが可能になる。
【００３５】
なお、シード層７は形成しなくても構わない。図１（ａ）の揮発性の樹脂層１０の形成工程において、電極パッド２として、半導体素子１の電極パッド２の近傍部に比べ揮発性の樹脂層１０との親水性が高い材料を用いることにより、液状の揮発性の樹脂層１０を全面供給しても、電極パッド２上に選択的に揮発性の樹脂層１０が形成することができる。
【００３６】
この方法によれば、微細かつ狭ピッチな電極パッドにおいても安定して揮発性の樹脂層１０を形成することが可能になる。めっき工程は、無電解めっき法によればよい。シード層７がなくてもめっきバンプを形成することが可能になる。
【００３７】
図２（ａ）、図２（ｂ）は、本発明の実施の形態１におけるナノインプリント型５及び半導体素子１を概念的に示す立体図である。図２（ａ）に示すように、ナノインプリント型５の表面には、八角柱形状の突起部５ａが一定間隔で複数個設けられている。
【００３８】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のナノインプリント型５を用いて形成したバンプ８を示す。ドーム状の台座部８ｂと八角柱の頭頂部８ａとから成るバンプ８が一定間隔で半導体素子１上に設けられている。この半導体素子１を基板（図示しない）に実装する場合、細い八角柱が横方向に拡がりながら圧縮され、塑性変形を起こし、基板側の電極と接合される。圧縮変形しても頭頂部が細いために、隣接のバンプとショート不良を発生させることなく接合することが可能になる。
【００３９】
次に、実施の形態１における製造方法により、半導体装置を作製した。半導体素子１は、１ｍｍ×１ｍｍとし、電極パッド２のピッチは１０μｍ、直径は５μｍとした。電極パッド２上に直径が、４〜６μｍ高さ２μｍの揮発性の樹脂層１０を形成した。レジスト３の厚みは、６μｍとした。突起部５ａの直径は３μｍ、高さは５μｍとし、上述の製造方法により、レジスト３に開口部３ａした。断面研磨により形状をＳＥＭで観察した結果、レジスト３の開口部３ａの底部の最大径が６μｍ、頭頂部の最大径は３μｍで一様の形状で開口されていることを確認した。めっき材料としてはＡｕを用い電気めっきを行った結果、バンプ８の高さは６μｍで八角柱の頭頂部８ａと丸みを有する台座部８ｂとから成ることを確認した。
【００４０】
以上のように、本発明の実施の形態１によれば、微小で多ピンのバンプであっても高い生産性を確保しながら、簡易にバンプを安定して形成することが可能になる。
【００４１】
（実施の形態２）
図３は、本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法である。以下に説明する。
まず、図３（ａ）のように、半導体素子１には複数個の電極パッド２が設けられている。例えば、電極パッド２の形状は、四角形、八角形、円などである。
【００４２】
一方、第１のナノインプリント型５には、半導体素子１を対向した時に、電極パッド２の位置を避けるように、突起部５ａが設けられている。レジストが転写用プレート（図示しない）に一定の膜厚になるように形成されている。次に、ナノインプリント型５を上記レジストに押し当て、ナノインプリント型５の突起部５ａに第１レジスト１３ａを転写する。その後、ナノインプリント型５を半導体素子１に対向させ位置合わせした後、半導体素子１に近付け、さらに押し当てることにより、ナノインプリント型５の突起部５ａに転写された第１レジスト１３ａが、半導体素子１表面に転写される。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示す通り、半導体素子１に転写されたレジスト１３ａに光を照射したり、加熱することにより、第１レジスト１３ａを硬化させる。
【００４４】
さらに、図３（ｃ）に示すように、突起部５ａよりも太い断面積を有する突起部５ｂが設けられたナノインプリント型５を形成した後、突起部５ｂに、第２レジスト１３ｂを転写し、半導体素子１上に形成された第１レジスト１３ａと接続するように第２レジスト１３ｂを転写する。光照射または熱硬化すると、図３（ｄ）に示すように大小異なる球状の第１レジスト１３ａ、第２レジスト１３ｂが縦方向に接合されたレジスト１３が形成される。
【００４５】
次に、図３（ｅ）に示すように、レジスト１３が埋まるように、めっきを形成し、めっきバンプ８を充填する。ここで、めっきは、無電解めっき法を用いて形成するとよい。また、電極パッド２の材料としては、例えばＡｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐ−Ａｌ等が用いられ、めっきバンプ８の材料は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｗ等が用いられる。
【００４６】
最後に、レジスト１３を剥離すると、図３（ｆ）に示すように、くびれ形状を有し、頭頂部よりも台座部の大きな突起状のバンプ８が形成される。
【００４７】
ここで、図３（ｄ）に示すように、レジスト１３ｂ間のレジスト開口の頭頂部は、弓状であるため、めっき液の注入部となる開口部が頭頂部８ａの中腹部よりも広くなる。そのために、微小な開口部であっても、めっき液が弓状の開口部に沿って流入しやすくなり、めっき部に空孔部を有することなく充填することが可能になる。
【００４８】
なお、以上の実施の形態では、無電解めっきによるバンプ形成の方法を説明したが、これに限られない。実施の形態１と同様に、レジスト形成前に予めシード層の形成工程と、レジスト剥離後へのシード層剥離工程とを追加することにより、電気めっきや電気化学めっきを用いることができる。
【００４９】
以上のように、本発明の実施の形態２によれば、実施の形態１よりも多ピンかつ微細の半導体素子においても形状を安定させながら、バンプを形成することが可能になる。
【００５０】
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３における半導体装置の製造方法である。以下に説明する。
【００５１】
図４（ａ）に示すように、半導体素子１の電極パッド２が形成された面全体を覆うようにシード層７を形成した後、レジスト３を形成する。例えば、スピンコート、バーコーター、スプレー、ジェットディスペンス法等を用い、膜が均一になるように形成される。例えば半導体素子１は、円形のウエハから成る。
【００５２】
次に、図４（ｂ）に示すようにナノインプリント型５に設けられた認識マーク１４と半導体素子１の認識マーク４とを位置合わせする。ナノインプリント型５の外形寸法は、半導体素子１を上回り、例えば矩形形状である。
【００５３】
さらに、図４（ｃ）に示すようにナノインプリント型５を半導体素子１の電極パッド２に押し当てるまで、加圧し距離を縮める。ここでは、レジスト３は液状である。ナノインプリント型５には、電極パッド２に対向するように、突起部５ａが形成されている。突起部の形状は、例えば、円、四角形、八角形を用いるとよい。また、加圧手段としては、例えばロールプレス法などを用いるとよい。
【００５４】
その後、図４（ｄ）に示すように、ナノインプリント型５を電極パッド２に押し当てたまま、ナノインプリント型５を介して光を照射した後、加熱する。
【００５５】
次に、図４（ｅ）に示すように、ナノインプリント型５を引き上げることにより、レジスト３には微細な開口部３ａが形成される。
【００５６】
ナノインプリント型５の引き上げる手段としては、例えば、次の方法を用いるとよい。矩形形状のナノインプリント型５の一端を冶具で保持した後、ナノインプリント型５を押さえ板などで押さえたまま、ナノインプリント型５に一定の張力で引っ張る。さらに、押さえ板の位置を水平方向に移動させながら、ナノインプリント型５の保持した一端を引き上げることにより、半導体素子１に対しナノインプリント型５垂直方向に引き上げることが可能になる。ここで、突起部５ａを含むナノインプリント型５の表面には耐熱性の離型剤により、離型処理を施すとよい。加熱後の引き上げが容易になる。
【００５７】
さらに、現像液６を開口部３ａに注入することにより、ナノインプリント型５の突起部５ａと電極パッド２間に挟み込まれた薄い膜を除去しながら、レジスト３の開口部３ａの内壁を溶解することで、レジスト３の開口部３ａを拡げる。ここで、現像液６の液量を管理し、レジスト３の開口部３ａの深さを上回らないように、現像液６を注入すると、重力により半導体素子１に近い底部のレジスト３がレジスト３の表層部よりも現像液６に溶解しやすくなる。そのため、頭頂部よりも底部の方が広いテーパ形状の開口部３ａを有するレジスト３が形成される。
【００５８】
次に、図４（ｇ）に示すように、レジスト３の開口部３ａに入り込んだ現像液６、残渣を洗浄液により除去する。例えば洗浄液は純水、アルコール、エタノール、アセトンなどを用いることができる。
【００５９】
その次に、図４（ｈ）に示すように、めっきにより、図４（ｇ）のレジスト３の開口部３ａを充填する。めっきバンプ８は、例えば、アルカリ性のボトムアップタイプのフィルドめっきを用いるとよい。アルカリによりレジスト底部が表層部よりも溶解され、さらに底部の拡がり径を拡張しながら、めっきをボトムアップで堆積させる。ここで、レジスト３の開口部３ａの内壁の濡れ性が増すので、微小な開口部３ａであってもめっき液が注入しやすくなり、ボトムアップでめっきが形成される。
さらに、図４（ｉ）に示すように、レジスト３をレジスト剥離液に浸漬し、半導体素子１から剥離する。
【００６０】
最後に、図４（ｊ）に示すように、ウエットエッチングまたはアッシング処理によりシード層７を除去することで、傾斜面を有するバンプ８が形成される。
【００６１】
ここで、図４（ｆ）において、多量の現像液６に浸漬するのではなく、半導体素子１を回転しながら、計量された現像液６を滴下または噴射してもよい。複数の開口部３ａ内部に満たされた現像液６の量がいずれも一定量に保つことができ、溶解するレジスト３の径を安定化することが可能になる。
【００６２】
また、図４（ｆ）から図４（ｇ）の現像方法は、ドライプロセスを用いてもよい。工程数を減らすことができるとともに、微細開口部への気流の入り込み量を安定化することが可能になり、形状が安定化する効果が得られる。
【００６３】
以上のように、実施の形態３を用いれば、更なる微小かつ高アスペクトな微細めっきバンプを安定して、高生産で形成することが可能になる。
【００６４】
（全体として）
上記実施の形態は、組み合わせることができる。特に、実施の形態１と３とは一部をそれぞれに組み入れてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、複数個の微細突起状バンプ形状を安定し、高生産で生産可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置であり、多ピン化、大口径化が進む半導体素子を実装する実装分野において特に有用である。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体素子
２  電極パッド
３  レジスト
３ａ  開口部
３ｂ  開口部
４  認識マーク
５  ナノインプリント型
５ａ  突起部
５ｂ  突起部
６  現像液
７  シード層
８  バンプ
８ａ  頭頂部
８ｂ  台座部
１０  揮発性の樹脂層
１３  レジスト
１３ａ  レジスト
１３ｂ  レジスト
１４  認識マーク
１１０  基板
１１２  電極
１１４  金属バンプ
１１４ａ  金属バンプ
１２５  ノズル
１３０  マスク層
１３２  金属膜
１３４  凹部
【図１】
2019102763.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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