(57)【要約】【課題】インク層をより均一にすることの可能な有機電界発光パネルおよび有機電界発光装置を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、塗布膜で構成された有機層と、有機層の周囲に設けられた隔壁部とを備えている。各隔壁部の側面において、塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角が２０度よりも大きくなっている。【選択図】図１０
2019145329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜で構成された有機層と、
前記有機層の周囲に設けられた隔壁部と
を備え、
各前記隔壁部の側面において、前記塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角が２０度よりも大きくなっている
有機電界発光素子。
【請求項２】
各前記隔壁部の側面において、前記インク液に対する静的接触角が７０度以下となっており、かつ、前記後退接触角が４０度以上となっている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記静的接触角と、前記後退接触角の測定終了時における前記後退接触角との差（＝前記静的接触角―前記後退接触角）が、３０度以下となっている
請求項１または請求項２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記隔壁部は、前記有機層を囲んでいる
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記隔壁部は、所定の方向に延在しており、前記有機層を、当該隔壁部の延在方向と直交する方向から挟み込んでいる
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
複数の画素を有する有機電界発光パネルを備え、
前記複数の画素のうち少なくとも１つは、
塗布膜で構成された有機層と、
前記有機層の周囲に設けられた隔壁部と
を有し、
各前記隔壁部の側面において、前記塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角が２０度よりも大きくなっている
有機電界発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光パネルおよび有機電界発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクを塗布する装置を用いて、有機電界発光素子を画素ごとに形成することにより、有機電界発光パネルを製造する方法が知られている。この方法で、有機電界発光パネルを製造する際、インクを滴下するパネルには、各画素を区画するバンクが設けられている(例えば、特許文献１，２参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９１８４１号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、インクをパネルに塗布した際に、インクの一部がバンクの側面に濡れ広がり、インクの表面にメニスカスが形成されることがある。その場合、インク層において、バンク近傍が極端に厚くなるので、発光の均一性が損なわれたり、発光効率の低下や短寿命化が生じたりする。従って、インク層をより均一にすることの可能な有機電界発光パネルおよび有機電界発光装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、塗布膜で構成された有機層と、有機層の周囲に設けられた隔壁部とを備えている。各隔壁部の側面において、塗布膜の原料を含むインク液に対する、拡張／収縮法の収縮法により測定された後退接触角が２０度よりも大きくなっている。
【０００６】
本開示の一実施の形態の有機電界発光装置は、複数の画素を有する有機電界発光パネルを備えている。複数の画素のうち少なくとも１つは、塗布膜で構成された有機層と、有機層の周囲に設けられた隔壁部とを備えている。各隔壁部の側面において、塗布膜の原料を含むインク液に対する、拡張／収縮法の収縮法により測定された後退接触角が２０度よりも大きくなっている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子および有機電界発光装置によれば、有機層の周囲に設けられた隔壁部の側面において、塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角を２０度よりも大きくしたので、有機層の厚さをより均一にすることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置の概略構成例を表す図である。
【図２】図１の各画素に含まれる副画素の回路構成例を表す図である。
【図３】図１の有機電界発光パネルの概略構成例を表す図である。
【図４】図３の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図５】図３の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。
【図６】図４の有機電界発光パネルの断面構成例を拡大して表す図である。
【図７】静的接触角について説明するための図である。
【図８】後退接触角について説明するための図である。
【図９】拡張／収縮法による後退接触角の計測方法を説明するための図である。
【図１０】実施例に係る後退接触角の計測結果の一例を表す図である。
【図１１】比較例に係る後退接触角の計測結果の一例を表す図である。
【図１２】図１の有機電界発光パネルの概略構成の一変形例を表す図である。
【図１３】図１２の有機電界発光パネルのＡ−Ａ線での断面構成例を表す図である。
【図１４】図１２の有機電界発光パネルのＢ−Ｂ線での断面構成例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１０】
＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置１の概略構成例を表したものである。図２は、有機電界発光装置１に設けられた各画素１１に含まれる副画素１２の回路構成の一例を表したものである。有機電界発光装置１は、例えば、有機電界発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。ドライバ３０は、例えば、有機電界発光パネル１０の外縁部分に実装されている。有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、有機電界発光パネル１０（複数の画素１１）を駆動する。
【００１１】
（有機電界発光パネル１０）
有機電界発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。有機電界発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。
【００１２】
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号Ｄｉｎに応じた信号電圧Ｖｓｉｇの、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧Ｖｓｉｇを含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
【００１３】
各画素１１は、例えば、赤色光を発する副画素１２、緑色光を発する副画素１２、および青色光を発する副画素１２を含んで構成されている。なお、各画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する副画素１２を含んで構成されていてもよい。各画素１１において、複数の副画素１２は、例えば、所定の方向に一列に並んで配置されている。副画素１２は、本開示の「画素」の一具体例に相当する。
【００１４】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端に接続されている。各画素列には、例えば、複数の信号線ＤＴＬが１本ずつ、割り当てられている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の走査線ＷＳＬが１本ずつ、割り当てられている。各電源線ＤＳＬは、電源の出力端に接続されている。各画素行には、例えば、複数の電源線ＤＳＬが１本ずつ、割り当てられている。
【００１５】
各副画素１２は、画素回路１２−１と、有機電界発光素子１２−２とを有している。有機電界発光素子１２−２の構成については、後に詳述する。画素回路１２−１は、有機電界発光素子１２−２の発光・消光を制御する。画素回路１２−１は、後述の書込走査によって各副画素１２に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１２−１は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００１６】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する、映像信号Ｄｉｎに対応した信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機電界発光素子１２−２を駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機電界発光素子１２−２に流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１２−１は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００１７】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、電源回路と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００１８】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機電界発光素子２１−２の陽極２１に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機電界発光素子２１−２側の端子に接続されている。
【００１９】
（ドライバ３０）
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧Ｖｓｉｇを、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の副画素１２を所定の単位ごとに走査する。
【００２０】
（コントローラ２０）
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて、信号電圧Ｖｓｉｇを生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧Ｖｓｉｇを水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【００２１】
次に、図３、図４、図５、図６を参照して、有機電界発光素子１２−２について説明する。図３は、有機電界発光パネル１０の概略構成例を表したものである。図４は、図３の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図５は、図３の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。図６は、図４の有機電界発光素子１２−２の断面構成例を拡大して表したものである。
【００２２】
有機電界発光パネル１０は、行列状に配置された複数の画素１１を有している。各画素１１は、例えば、上述したように、赤色光を発する副画素１２（１２Ｒ）、緑色光を発する副画素１２（１２Ｇ）、および青色光を発する副画素１２（１２Ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒは、赤色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｒ）を含んで構成されている。副画素１２Ｇは、緑色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｇ）を含んで構成されている。副画素１２Ｂは、青色の光を発する有機電界発光素子１２−２（１２ｂ）を含んで構成されている。副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ストライプ配列となっている。各画素１１において、例えば、副画素１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、列方向に並んで配置されている。さらに、各画素行において、例えば、同一色の光を発する複数の副画素１２が、行方向に並んで配置されている。
【００２３】
有機電界発光パネル１０は、基板１４上に、行方向および列方向に延在する格子状のピクセルバンク１８を有している。ピクセルバンク１８は、本開示の「隔壁部」の一具体例に相当する。ピクセルバンク１８は、各画素１１の周囲に設けられている。ピクセルバンク１８は、各画素１１を区画するとともに、各画素１１において各副画素１２を区画する。基板１４は、例えば、各有機電界発光素子１２−２やピクセルバンク１８などを支持する基材と、基材上に設けられた配線層とによって構成されている。基板１４内の基材は、例えば、ガラス基板、またはフレキシブル基板などによって構成されている。基板１４内の基材として用いられるガラス基板の材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスまたは石英などが挙げられる。基板１４内の基材として用いられるフレキシブル基板の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などが挙げられる。基板１４内の配線層には、例えば、各画素１１の画素回路１２−１が形成されている。
【００２４】
ピクセルバンク１８によって囲まれた領域が、副画素１２なっている。各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２が１つずつ配置されている。つまり、各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、ピクセルバンク１８によって囲まれた領域の中に１つずつ配置されている。従って、ピクセルバンク１８は、有機電界発光素子１２−２（つまり後述の発光層２４）を周囲から囲んでいる。
【００２５】
各有機電界発光素子１２−２は、例えば、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７を基板１４側からこの順に有している。発光層２４が、本開示の「有機層」の一具体例に相当する。
【００２６】
各有機電界発光素子１１−２は、例えば、発光層２４と、発光層２４を挟み込むように配置された、陽極２１および陰極２７を備えている。有機電界発光素子１２−２は、例えば、さらに、陽極２１と、発光層２４との間に、正孔注入層２２および正孔輸送層２３を陽極２１側からこの順に備えている。なお、正孔注入層２２および正孔輸送層２３のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１１−２は、例えば、さらに、発光層２４と、陰極２７との間に、電子輸送層２５および電子注入層２６を発光層２４側からこの順に備えている。なお、電子輸送層２５および電子注入層２６のうち少なくとも一方が省略されていてもよい。有機電界発光素子１１−２は、例えば、陽極２１、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６および陰極２７を基板２１側からこの順に含んで構成された素子構造となっている。有機電界発光素子１１−２において、さらに他の機能層が含まれていてもよい。
【００２７】
正孔注入層２２は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を発光層２４へ輸送するための層である。発光層２４は、電子と正孔との再結合により、所定の色のＥＬ光を発する層である。電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を発光層２４へ輸送するための層である。電子注入層２６は、電子注入効率を高めるための層である。
【００２８】
陽極２１は、例えば、基板１４の上に形成されている。さらに、陽極２１は、例えば、陽極２１の端縁がピクセルバンク１８内に埋め込まれるように形成されている。従って、陽極２１の端縁の少なくとも一部は、ピクセルバンク１８の直下に位置している。陽極２１は、例えば、反射性を有する反射電極であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはアルミニウムもしくは銀の合金等の導電性材料からなる反射導電膜である。つまり、この場合には、陽極２１の反射面が、アノード反射面となっている。陽極２１は、例えば、透明電極の上に反射電極が積層されたものであってもよい。なお、陽極２１は、透光性を有する反射電極であってもよい。この場合、陽極２１は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料からなる透明導電膜と、その透明導電膜の表面上に形成されたＡｌ薄膜とにより構成されていてもよい。このとき、陽極２１の反射面が、アノード半透過面となっている。
【００２９】
陽極２１が反射性を有する反射電極となっている場合、陰極２７は、半透過性を有する反射電極となっている。このとき、陰極２７は、例えば、ＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明導電性材料からなる透明導電膜と、その透明導電膜の表面上に形成されたＡｌ薄膜とにより構成されていてもよい。このとき、陰極２７の反射面が、カソード半透過面となっている。陽極２１が透光性を有する反射電極となっている場合、陰極２７は、反射性を有する反射電極となっている。このとき、陰極２７は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等により構成されている。このとき、陰極２７の反射面が、カソード反射面となっている。基板１４及び陽極２１が透光性を有し、陰極２７が反射性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、基板１４側から光を放出するボトムエミッション構造となっている。陽極２１が反射性を有し、陰極２７が透光性を有する場合には、有機電界発光素子１２−２は、陰極２７側から光を放出するトップエミッション構造となっている。
【００３０】
正孔注入層２２は、陽極２１から発光層２４へ正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層２２は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料によって構成されている。
【００３１】
正孔輸送層２３は、陽極２１から注入された正孔を発光層２４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層２３は、例えば、塗布膜である。正孔輸送層２３は、例えば、正孔輸送性を有する有機材料（以下、「正孔輸送性材料２３Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液を塗布および乾燥することにより形成されている。正孔輸送層２３は、正孔輸送性材料２３Ｍを主成分として含んで構成されている。
【００３２】
正孔輸送層２３の原料（材料）である正孔輸送性材料２３Ｍは、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料である。正孔輸送性材料２３Ｍは、さらに、例えば、溶解性および不溶化の機能のために、その分子構造中に、可溶性基と、熱解離可溶性基、架橋性基または脱離性保護基などの不溶化基とを有している。
【００３３】
発光層２４は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光を発する機能を有する。発光層２４は、塗布膜である。発光層２４は、正孔と電子との再結合により励起子を生成し発光する有機材料（以下、「有機発光材料２４Ｍ」と称する。）を溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。発光層２４は、有機発光材料２４Ｍを主成分として含んで構成されている。副画素１２Ｒに含まれる有機電界発光素子１２ｒでは、有機発光材料２４Ｍが赤色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｇに含まれる有機電界発光素子１２ｇでは、有機発光材料２４Ｍが緑色有機発光材料を含んで構成されている。副画素１２Ｂに含まれる有機電界発光素子１２ｂでは、有機発光材料２４Ｍが青色有機発光材料を含んで構成されている。
【００３４】
発光層２４は、例えば、単層の有機発光層、または、積層された複数の有機発光層によって構成されている。発光層２４が積層された複数の有機発光層によって構成されている場合には、発光層２４は、例えば、主成分が互いに共通の複数の有機発光層を積層したものである。このとき、複数の有機発光層は、ともに、塗布膜である。複数の有機発光層は、ともに、有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする溶液の塗布および乾燥により形成されている。
【００３５】
発光層２４の原料（材料）である有機発光材料２４Ｍは、例えば、ドーパント材料単独であってもよいが、より好ましくは、ホスト材料とドーパント材料との組み合わせがよい。つまり、発光層２４は、有機発光材料２４Ｍとして、ホスト材料およびドーパント材料を含んで構成されている。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。ドーパント材料の量は、ホスト材料に対して、０．０１重量％以上３０重量％以下であるとよく、より好ましくは、０．０１重量％以上１０重量％以下である。
【００３６】
発光層２４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００３７】
また、発光層２４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層２４のドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００３８】
電子輸送層２５は、陰極２７から注入された電子を発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５は、例えば、塗布膜である。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する有機材料（以下、「電子輸送性材料２５Ｍ」と称する。）主成分として含んで構成されている。
【００３９】
電子輸送層２５は、発光層２４と陰極２７との間に介在し、陰極２７から注入された電子を発光層２４へ輸送する機能を有する。電子輸送層２５の原料（材料）である電子輸送性材料２５Ｍは、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。また、電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含んでもよい。電子輸送層２５は、電子輸送性を有する金属を含むことで、電子輸送層２５の電子輸送性を向上できる。電子輸送層２５に含まれる金属としては、例えば、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルビジウム（Ｒｂ）、イットリビウム（Ｙｂ）等を用いることができる。
【００４０】
有機電界発光パネル１０は、さらに、例えば、各有機電界発光素子１２−２を封止する封止層１７を有していてもよい。封止層１７は、例えば、各有機電界発光素子１２−２の陰極２７の上面に接して設けられている。
【００４１】
次に、ピクセルバンク１８について詳細に説明する。
【００４２】
図７は、静的接触角θ1について説明するための図である。図８は、前進接触角θ2および後退接触角θ3について説明するための図である。図９（Ａ），図９（Ｂ），図９（Ｃ），図９（Ｄ）は、拡張／収縮法の収縮法による後退接触角θ3の計測方法の一例について説明するための図である。図９（Ａ）には、基板１４０上に滴下したインク液１２０の静的表面張力の測定時の様子が例示されている。図９（Ｂ）には、図９（Ａ）のインク液１２０に吸引パイプ１５０を挿入した時の様子が例示されている。図９（Ｃ），図９（Ｄ）には、図９（Ｃ），図９（Ｄ）の順に、基板１４０上のインク液１２０が吸入パイプ１５０によって吸い取られ、インク液１２０と基板１４０の接触角（つまり、後退接触角θ3）が徐々に小さくなっていく様子が例示されている。
【００４３】
図１０は、実施例に係る後退接触角θ3の計測結果の一例を表す図である。図１１は、比較例に係る後退接触角θ3の計測結果の一例を表す図である。図１０、図１１には、基板１４０上のインク液１２０を吸引させ、それにより、後退接触角θ3が徐々に小さくなっていき、最後に、インク液１２０が基板１４０上から吸引されるまでの後退接触角θ3の変化が記載されている。図１０には、基板１４０がピクセルバンク１８と同様の材料によって形成され、さらに、インク液１２０が有機発光材料２４Ｍを溶質の主成分とする溶液であるときの結果が示されている。図１１には、基板１４０が一般的な材料によって形成されているときの結果が示されている。
【００４４】
図７において、θ1は、インク液１２０に対する基板１１０の静的接触角であり、γSVは、基板１１０の表面張力であり、γLVは、インク液１２０の表面張力であり、γSLは、基板１１０およびインク液１２０の界面張力である。γLVは、γSL＋γLVｃｏｓθ1で表される。図８において、θ2は、インク液１２０に対する基板１３０の前進接触角であり、θ3は、インク液１２０に対する基板１３０の後退接触角であり、θ0は、基板１３０の傾斜面の傾斜角である。図８において、インク液１２０は、基板１３０の傾斜面を流れ落ちている。基板１１０，１３０，１４０は、ピクセルバンク１８と同様の材料によって形成されている。
【００４５】
本実施の形態では、ピクセルバンク１８の側面において、インク液１２０に対する後退接触角θ3が２０度（つまり比較例の後退接触角θ3の最小値）よりも大きくなっている。これにより、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００４６】
後退接触角が発生する要因は、濡れの履歴（ヒステリシス）である。インクが基板の接液面に残存するために発生する現象である。そのため後退接触角の数値は、静的接触角の数値に対して大きくなることはなく、基本的には小さい数値になる。インクの接液面への付着量が多ければ後退接触角は低くなり、インクの付着量が少ないか、もしくは付着しなければ後退接触角は静的表面張力θ1に近い数値まま維持される。インク液１２０に対する後退接触角θ3が２０度以上となっていることにより、バンク側壁面に対するインクの付着量は少ないことがわかる。さらに、より好ましくは、インク液１２０に対する後退接触角θ3が４０度以上となっていることである。４０度以上であればバンク側面へのインクの付着量が抑制されている状態になる。後退接触角が高ければ高いほどインクのバンク表面への付着量は少なくなる。後退接触角を高くするためには、バンクに使用する材料の撥液性を向上させることで可能であるが、その場合静的接触角θ1の数値も高くなる場合がある。この時、インクがバンクの内隅々まで充填されることを阻害することになり、発光しないエリアの発生につながることになる。その境界値が静的接触角θ1で７０°となる。
【００４７】
従って、有機電界発光素子１２−２側の側面において、インク液１２０に対する静的接触角θ1が７０度以下で、後退接触角θ3が、２０度以上、より好ましくは４０度以上となっていることにより、バンク内の塗布性が確保され、かつバンク壁面へのインク付着が抑制され、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００４８】
また、静的接触角θ1と、後退接触角θ3の測定終了時における後退接触角θ3との差（変化量Δθ＝θ1―θ3）が、例えば、３０度以下となっている。このようにした場合には、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００４９】
図１０（実施例１）、図１１（比較例２）にて示した以外の実施例および比較例について、評価結果を表１に提示する。
【表１】
2019145329.tif 000003
【００５０】
また、本実施の形態では、ピクセルバンク１８の側面は、例えば、後退接触角θ3が２０度よりも大きくなる、フォトパターナブル特性を有していないシリコーン系樹脂によって形成されている。このようにした場合には、例えば、型による成型によってピクセルバンク１８を形成することができる。つまり、このとき、ピクセルバンク１８は、型による成型によって形成することができる。従って、簡易な方法で、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００５１】
また、本実施の形態において、ピクセルバンク１８の側面は、例えば、シリコンで修飾した樹脂によって形成されていてもよい。このようにした場合には、例えば、パターニングによってピクセルバンク１８を形成することができる。従って、簡易な方法で、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００５２】
ラインバンク１３に使用可能な後退接触角θ3を高く維持できる材料として、例えば、シリコーン系樹脂を上げることができる。ただ一般的なシリコーン樹脂は、フォトパターナブルな特性を有していないため、バンク形状を形成するためにはパターニングには工夫が必要である。これに対して、アクリル樹脂およびエポキシ樹脂などのフォトパターナブルな樹脂を主鎖として、シリコーン樹脂を分鎖にもつ変性を加えた樹脂、具体的にはシリコーン変性アクリル樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などが、後退接触角θ3の性質とバンク形状の作製の容易さなどから好ましく使用することが可能である。
【００５３】
バンク１５に使用する材料としては、撥液性を有さなければ何でも使用することができる。バンク形状を作製する必要から一般的なフォトレジストを使用することが可能である。具体的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを例示することができる。
【００５４】
ピクセルバンク１８に使用する材料は、後退接触角θ3を高く維持しなければいけないので、ラインバンク１３と同様の材料を使用することが可能である。パターニングが必要な箇所であることから、アクリル樹脂およびエポキシ樹脂などのフォトパターナブルな樹脂を主鎖として、シリコーン樹脂を分鎖にもつ変性を加えた樹脂、具体的にはシリコーン変性アクリル樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂などが、後退接触角の性質とバンク形状の作製の容易さなどから好ましく使用することが可能である。
【００５５】
＜２．変形例＞
上記実施の形態において、ピクセルバンク１８の代わりに、例えば、図１２、図１３、図１４に示したような複数のラインバンク１３および複数のバンク１５が有機電界発光パネル１０に設けられていてもよい。複数のラインバンク１３および複数のバンク１５は、各画素１１の周囲に設けられている。なお、図１２は、本変形例に係る有機電界発光パネル１０の概略構成の一変形例を表したものである。図１３は、図１２の有機電界発光パネル１０のＡ−Ａ線での断面構成例を表したものである。図１４は、図１２の有機電界発光パネル１０のＢ−Ｂ線での断面構成例を表したものである。ラインバンク１３は、本開示の「隔壁部」の一具体例に相当する。
【００５６】
複数のラインバンク１３は、行方向に延在しており、例えば、ストライプ状の形状となっている。複数のラインバンク１３は、各画素１１において各副画素１２を区画する。各バンク１５は、列方向に延在しており、例えば、ストライプ状の形状となっている。複数のバンク１５は、各画素１１を区画している。
【００５７】
互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３および両端のバンク１５によって囲まれた領域が、溝部１６なっている。各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、互いに平行で、かつ互いに隣接する２つのラインバンク１３の間隙に１つずつ配置されている。つまり、各副画素１２において、各有機電界発光素子１２−２は、溝部１６の中に１つずつ配置されている。また、２つのラインバンク１３は、有機電界発光素子１２−２（発光層２４）を、ラインバンク１３の延在方向と直交する方向から挟み込んでいる。また、各溝部１６において、各有機電界発光素子１２−２は、互いに隣接する２つのバンク１５の間隙に１つずつ配置されている。従って、複数のラインバンク１３および複数のバンク１５は、有機電界発光素子１２−２（つまり発光層２４）の周囲に設けられている。
【００５８】
本変形例において、陽極２１は、例えば、陽極２１の端縁がラインバンク１３内に埋め込まれるように形成されている。従って、陽極２１の端縁の少なくとも一部は、例えば、ラインバンク１３の直下に位置している。１副画素行において、複数の陽極２１は、例えば、溝部１６の延在方向に、等間隔で配置されている。
【００５９】
本変形例では、各ラインバンク１３の、有機電界発光素子１２−２側の側面において、インク液１２０に対する後退接触角θ3が２０度よりも大きくなっている。これにより、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。なお、本変形例では、各バンク１５は、溝部１６内で互いに隣り合う２つの陽極２１同士が短絡するのを防止するために設けられており、ラインバンク１３のような撥液性を有しておらず、むしろインク液１２０に対して親液性を有している。
【００６０】
また、本変形例において、各ラインバンク１３の、有機電界発光素子１２−２側の側面において、インク液１２０の基板１４０に対する静的接触角θ1が７０度以下で、かつ、インク液１２０の基板１４０に対する後退接触角θ3が４０度以上となっていてもよい。このようにした場合には、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００６１】
また、本変形例において、静的接触角θ1と、後退接触角θ3の測定終了時における後退接触角θ3との差（変化量Δθ＝θ1―θ3）が、例えば、３０度以下となっている。このようにした場合には、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００６２】
また、本変形例において、各ラインバンク１３の側面は、後退接触角θ3が２０度よりも大きくなる、フォトパターナブル特性を有していないシリコーン系樹脂によって形成されていてもよい。このようにした場合には、例えば、型による成型によって各ラインバンク１３を形成することができる。つまり、このとき、各ラインバンク１３は、型による成型によって形成することができる。従って、簡易な方法で、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００６３】
また、本変形例において、各ラインバンク１３の側面は、シリコーンで修飾した樹脂によって形成されていてもよい。このようにした場合には、例えば、パターニングによって各ラインバンク１３を形成することができる。つまり、このとき、各ラインバンク１３は、パターニングによって形成することができる。従って、簡易な方法で、発光層２４の厚さをより均一にすることができる。
【００６４】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態および変形例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００６５】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
塗布膜で構成された有機層と、
前記有機層の周囲に設けられた隔壁部と
を備え、
各前記隔壁部の側面において、前記塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角が２０度よりも大きくなっている
有機電界発光素子。
（２）
各前記隔壁部の側面において、前記インク液に対する静的接触角が７０度以下となっており、かつ、前記後退接触角が４０度以上となっている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記静的接触角と、前記後退接触角の測定終了時における前記後退接触角との差（＝前記静的接触角―前記後退接触角）が、３０度以下となっている
（１）または（２）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記隔壁部は、前記有機層を周囲から囲んでいる
（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（５）
前記隔壁部は、所定の方向に延在しており、前記有機層を、当該隔壁部の延在方向と直交する方向から挟み込んでいる
（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（６）
複数の画素を有する有機電界発光パネルを備え、
前記複数の画素のうち少なくとも１つは、
塗布膜で構成された有機層と、
前記有機層の周囲に設けられた隔壁部と
を有し、
各前記隔壁部の側面において、前記塗布膜の原料を含むインク液に対する後退接触角が２０度よりも大きくなっている
有機電界発光装置。
【符号の説明】
【００６６】
１…有機電界発光装置、１０…有機電界発光パネル、１１…画素、１２，１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ…副画素、１２−１…画素回路、１２−２，１２ｒ，１２ｇ，１２ｂ…有機電界発光素子、１３…ラインバンク、１４…基板、１５…バンク、１６…溝部、１７…封止層、１８…ピクセルバンク、２０…コントローラ、２１…陽極２１…正孔注入層２２…正孔輸送層２３…発光層２４…電子輸送層２５…電子注入層２６…陰極、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…選択トランジスタ、Ｃｓ…保持容量、ＤＳＬ…電源線、ＤＴＬ…信号線、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…選択線。
【図１】
2019145329.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2019145329.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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