(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便に小型化、低背化を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】導電性の半導体チップ２１ａの表面に電極２２を備え半導体チップの側面が絶縁性樹脂５０で被覆された半導体装置１Ａの製造方法として、導電性の半導体基板表面に電極を形成し半導体基板２０の電極を備えた面と反対側の面を支持用部材６０に貼り付けて半導体基板の表面側から一部を除去して個片化し隣接する半導体チップ間に間隙を形成することにより支持用部材上に間隙を保った状態で半導体チップを整列配置し、半導体チップの側面を覆うように間隙に選択的に絶縁性樹脂を充填し、充填した絶縁性樹脂の一部を切削除去することにより個々の半導体装置に個片化する工程を含む。半導体装置に個片化する工程は、半導体チップの側面に絶縁性樹脂を残し絶縁性樹脂の一部を除去する工程である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の半導体チップの表面に電極を備え、前記半導体チップの側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、
導電性の半導体基板表面に前記電極を形成する工程と、
前記半導体基板の電極を備えた面と反対側の面を支持用部材に貼り付けて、前記半導体基板の表面側から一部を除去して個片化し、隣接する前記半導体チップ間に間隙を形成することにより、前記支持用部材上に前記間隙を保った状態で前記半導体チップを整列配置する工程と、
整列配置した前記半導体チップの側面を覆うように、前記間隙に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記充填した絶縁性樹脂の一部を切削除去することにより、個々の前記半導体装置に個片化する工程を含み、
前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残し、前記絶縁性樹脂の一部を除去する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
導電性の半導体チップの表面に電極を備え、前記半導体チップの側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、
導電性の半導体基板表面に前記電極を形成する工程と、
前記半導体基板の電極を備えた面と反対側の面を支持用部材に貼り付けて、前記半導体基板の表面側から個片化の際除去される領域の一部を残して前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記溝に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記充填した絶縁性樹脂と前記半導体基板の一部を除去することにより、個々の前記半導体装置に個片化する工程を含み、
前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残し、前記絶縁性樹脂と前記半導体基板の一部を除去する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残して、前記絶縁性樹脂を除去した後、前記半導体基板の一部を除去する際、前記半導体基板の裏面を研削する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化、低背化の要求に応える半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チップの側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、実装する半導体装置の小型化、低背化が求められている。そのため、半導体装置を実装基板上にベアチップ状態で直接接続する方法が採られている。図６は、ベアチップ状態の半導体装置２Ａを実装基板１０上に実装した状態を示す図である。実装基板１０表面には、配線金属１１が形成されている。一方半導体装置２Ａは、導電性の半導体チップ２１の表面側（図面では下側）に図示しない半導体素子が形成されており、この半導体素子に接続する電極２２が半導体チップ２１の表面に形成されている。
また、半導体チップ２１の表面は、電極２２の表面の一部を除き、絶縁膜２３で覆われている。一般的に実装基板１０に実装する際、配線金属１１と電極２２とが接合部材の半田３０により接続されている。
【０００３】
このように半導体装置２Ａは、その表面は絶縁膜２３で覆われているものの、側面は半導体チップ２１の切断面を露出する構造となっていた。そのため、実装基板１０に半田３０を用いて実装する際、位置ずれやチップの傾き等の不具合が発生した場合、図７に示すように半田３０が半導体チップ２１の側面を這い上がり、導電性の半導体チップ２１と短絡してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、このような問題を解決するために、半導体チップ２１の側面を絶縁化する方法が検討されている。その一つの方法として、半導体装置の側面を絶縁性樹脂で被覆することが考えられ、例えば特許文献１には、個片化した半導体チップを封止樹脂で被覆し、切断することで半導体装置の側面あるいは裏面を樹脂で覆い、その後個片化して半導体装置を形成する方法が開示されている。具体的にはまず、バンプ電極２２Ｂを備えた半導体チップ８０をインターポーザ４０上に実装する（図８ａ）。バンプ電極２２Ｂは高さが高い接合を形成するため、半田等の這い上がりによる不具合を防止することができる。その後全面に絶縁性樹脂５０を塗布し、平坦化する（図８ｂ）。ダイシングテープ６０に絶縁性樹脂５０の平坦な表面を貼り付けて、インターポーザ４０側からダイシングソー７０を用いて個片化する（図８ｃ）。ここで個片化する際、絶縁性樹脂５０側からは切断位置を確認することができないため、配線等が形成されたインターポーザ４０側から切断することになる。また、絶縁性樹脂５０をダイシングテープ６０に貼り付けるため、絶縁性樹脂５０は平坦にする必要があった。その結果、個片化された半導体装置２Ｂは、インターポーザ４０上に矩形の絶縁性樹脂が形成された構造となり、インターポーザ４０に形成された電極を実装基板等に実装する場合に半田の這い上がりが起こったとしても、ショート等の不具合が発生することがなくなる。
【０００５】
また、半導体チップ８０を被覆する絶縁性樹脂５０は、半導体チップ８０の信頼性を確保するように形成されるので、厚く形成されるのが一般的であった。
【０００６】
さらにまた特許文献２には、半導体ウエハをダイシングテープに貼り付け、個片化し、ダイシングテープをエキスパンドして、個片化した半導体チップ同士の間隔を広げ図８（ａ）に相当する状態とし、その間隙に封止樹脂を充填する（図８ｂに相当）技術が開示されている。その後、個片化する方法も図８（ｃ）に示す方法と同様で、封止樹脂をダイシングテープ６０に貼り付け、封止樹脂とは反対側を表面にしてダイシングソー７０により個片化する方法が採られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３７４１６７０号公報
【特許文献２】特開２００３−２７３２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、ベアチップ状態の半導体装置を半田等の接合部材で実装する際、接合部材が導電性の半導体チップの側面を這い上がり、半導体チップと短絡してしまうという問題があった。この問題を解決する方法として、半導体装置の側面を絶縁性樹脂で覆う方法も提案されている。
【０００９】
しかし、従来提案されている方法は、インターポーザ４０を使用したり、絶縁性樹脂５０の表面をダイシングテープに密着させるため、半導体チップ上に厚い絶縁性樹脂を塗布する必要があり、半導体装置の低背化の妨げとなっていた。
【００１０】
本発明は、半導体装置への接合部材の這い上がりによる不具合を防止するとともに、低背化を実現する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る半導体装置の製造方法は、導電性の半導体チップの表面に電極を備え、前記半導体チップの側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、導電性の半導体基板表面に前記電極を形成する工程と、前記半導体基板の電極を備えた面と反対側の面を支持用部材に貼り付けて、前記半導体基板の表面側から一部を除去して個片化し、隣接する前記半導体チップ間に間隙を形成することにより、前記支持用部材上に前記間隙を保った状態で前記半導体チップを整列配置する工程と、整列配置した前記半導体チップの側面を覆うように、前記間隙に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、前記充填した絶縁性樹脂の一部を切削除去することにより、個々の前記半導体装置に個片化する工程を含み、前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残し、前記絶縁性樹脂の一部を除去する工程であることを特徴とする。
【００１２】
本願請求項２に係る半導体装置の製造方法は、導電性の半導体チップの表面に電極を備え、前記半導体チップの側面が絶縁性樹脂で被覆された半導体装置の製造方法において、導電性の半導体基板表面に前記電極を形成する工程と、前記半導体基板の電極を備えた面と反対側の面を支持用部材に貼り付けて、前記半導体基板の表面側から個片化の際除去される領域の一部を残して前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記溝に選択的に前記絶縁性樹脂を充填する工程と、前記充填した絶縁性樹脂と前記半導体基板の一部を除去することにより、個々の前記半導体装置に個片化する工程を含み、前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残し、前記絶縁性樹脂と前記半導体基板の一部を除去する工程であることを特徴とする。
【００１３】
本願請求項３に係る半導体装置の製造方法は、請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置に個片化する工程は、前記半導体チップの側面に前記絶縁性樹脂を残して、前記絶縁性樹脂を除去した後、前記半導体基板の一部を除去する際、前記半導体基板の裏面を研削する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁性を保ちつつ半導体基板の裏面を覆う絶縁性樹脂を無くすことができるので、半導体装置の小型化、低背化を実現することが可能となる。
【００１５】
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板を支持用部材上に貼り付けた後、半導体チップに個片化し、半導体チップ間の間隙を絶縁性樹脂で被覆する工程や半導体装置に個片化する工程を連続して行うことができるので、非常に簡便な方法である。
【００１６】
特に、支持用部材上に貼り付けた状態のままで連続して半導体装置を製造するので、１００μｍ程度の薄い半導体チップであっても問題なく製造することが可能となり、より低背化を実現できるという利点がある。
【００１７】
さらにまた、比較的厚い状態で支持用部材から取り外し、半導体基板の裏面を研削することでも、低背化を実現できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法による半導体装置の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施例の半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図４】本発明の第２の実施例の製造方法による半導体装置の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造工程を説明する図である。
【図６】半導体チップを実装基板上に実装した状態を示す図である。
【図７】実装時に半導体チップ側面へ半田の這い上がりが発生した場合の説明図である。
【図８】半導体装置を絶縁性樹脂で被覆する従来の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明は、半導体チップの側面を絶縁性樹脂で覆った半導体装置の製造方法を提案するものである。特に本発明の製造方法による半導体装置は実装する際、半田等の接合部材が半導体チップの側面を這い上がったとしても、その側面を絶縁性樹脂で被覆しており、短絡等の不具合の発生を未然に防止している。以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
まず、本発明の第１の実施例について、半導体チップの側面全体を絶縁性樹脂で被覆する構造の半導体装置の製造方法を例にとり、詳細に説明する。
【００２１】
図１に本実施例の半導体装置の製造方法を示す。通常の半導体装置の製造方法に従い、厚さ６３０μｍ程度の導電性の半導体基板２０の表面側（図１の上側）に図示していない所望の半導体素子を形成し、この半導体素子に接続する電極２２を半導体基板２０の表面に形成する。半導体基板２０の表面は、電極２２表面の一部を露出するように絶縁膜２３で被覆されている。次に必要に応じて通常の半導体装置の製造工程に従って、半導体基板２０の裏面側を所定の厚さ（例えば２６０μｍ程度）となるまで研削する（図示省略）。
【００２２】
続いて、半導体基板２０の表面と反対側の裏面をダイシングテープ６０（支持用部材に相当）に貼り付ける。ダイシングソー７０Ａを用いて、半導体基板２０の表面側から半導体基板２０の一部を格子状に、ダイシングテープ６０へ到達する領域まで除去し、第１の貫通溝９０ａを設ける。図１（ａ）は、ダイシング工程の途中工程を示しており、図中点線で示す領域が第１の貫通溝９０ａの形成予定領域であり、隣接する半導体チップ間の間隙に相当する。
【００２３】
第１の貫通溝９０ａにより分離状態とした半導体チップ２１ａは、ダイシングテープ６０上に所定の間隔（ダイシングソー７０Ａにより切削除去された幅）を保ち配置した状態となる。一例としては、厚さ５０μｍのダイシングソー７０Ａを使用して半導体基板２０を個片化すると、第１の貫通溝９０ａは幅５０μｍ程度となる。一般的な半導体装置の製造工程では、このように個片化した後にダイシングテープ６０をエキスパンドし、半導体チップ２１ａ間の間隔を広げる。しかしながら本実施例では、整列配置の状態を保つために、ダイシングテープ６０をエキスパンドしない。
【００２４】
続いて、この整列配置の状態を保ったまま半導体基板の外周端から１ｃｍ程度離れたダイシングテープ６０上にディスペンス法により、高さ１ｍｍ程度のダムで囲む（図示省略）。ダム材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等から選ぶことができる。
【００２５】
次に、この整列配置の状態を保ったまま半導体チップ２１ａとダムとの間のダイシングテープ６０上に絶縁性樹脂５０を塗布する（図示省略）。
【００２６】
絶縁性樹脂５０として、例えば常温で粘度が２００ｍＰａ・ｓ程度の液状エポキシ樹脂を温度５０℃に加熱して流動性を増した状態として第１の貫通溝９０ａに充填する。絶縁性樹脂５０はエポキシ樹脂以外でもよい。
【００２７】
流動性の増した状態となった絶縁性樹脂５０は、毛細管現象により第１の貫通溝９０ａ内に均一に充填される。第１の貫通溝９０ａに流入した絶縁性樹脂５０は表面張力により、半導体チップ２１ａの表面に這い上がることはない。
【００２８】
次に、温度６０℃で４時間加熱し、絶縁性樹脂５０を硬化する。硬化した絶縁性樹脂５０は、連続する絶縁膜２３の側面と半導体チップ２１ａの側面とを被覆する（図１ｂ）。
【００２９】
続いて、厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して、第１の貫通溝９０ａの中央部分の絶縁性樹脂５０の一部をダイシングテープ６０に達する深さまで切削除去すると、半導体チップ２１ａの側面に絶縁性樹脂５０が残る状態となる（図１ｃ）。なお図１（ｃ）は、個片化工程の様子を示しており、図中点線の間の領域が切削除去される領域を示している。
【００３０】
ここで厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して幅５０μｍ程度の絶縁性樹脂５０を切削除去するので、残る絶縁性樹脂５０の幅それぞれの厚さは１０μｍ程度となる。この残った絶縁性樹脂５０が、半導体チップ２１ａの表面を被覆する絶縁膜２３の側面と半導体チップ２１ａの側面とを被覆する絶縁性樹脂となる。この個片化工程が終わるとダイシングテープ６０上に半導体装置１Ａが整列配置した状態となる（図１ｄ）。
【００３１】
本実施例の製造方法によると半導体装置１Ａは、側面のみが絶縁性樹脂５０により被覆され、裏面は絶縁性樹脂５０により被覆されていない構造であるので、従来の裏面まで絶縁性樹脂で被覆された半導体装置よりも低背化することができる。
【００３２】
さらに本実施例の製造方法によれば、半導体基板２０を一旦ダイシングテープ６０に貼り付ければ、第１の貫通溝９０ａの形成による半導体チップ２１ａへの個片化、第１の貫通溝９０ａへ絶縁性樹脂５０の充填、半導体装置１Ａへの個片化までの製造工程を連続して進めることが可能である。また半導体基板２０表面を露出するようにダイシングテープ６０に貼り付けるため、半導体基板２０表面に形成している位置合わせ用のアライメントマークを利用して、位置精度の高い個片化を行うことができる。特に半導体装置１Ａへの個片化工程では、半導体基板２０をダイシングテープ６０に貼り付けたときと同じ状態を保っているので半導体チップ２１ａの側面に均一な厚みの絶縁性樹脂５０を残しながら、半導体装置１Ａに個片化することが可能となる。
【００３３】
図２（ａ）は第１の実施例の製造方法により製造した半導体装置１Ａの断面図を、図２（ｂ）は図２（ａ）に示す半導体装置１Ａをフェイスダウン状態で実装した際、半田が這い上がった状態の断面図を示す。半導体装置１Ａを実装基板１０に実装する際、図２（ｂ）に示すように半田３０の這い上がりが発生したとしても、半導体チップ２１ａの表面を覆う絶縁膜２３と半導体チップ２１ａの側面を覆う絶縁性樹脂５０とが存在するため、電極２２と半導体チップ２１ａとの間で短絡等の不具合が発生することがなくなる。
【実施例２】
【００３４】
次に、本発明の第２の実施例について、半導体チップの側面を選択的に絶縁性樹脂で被覆する構造の半導体装置の製造方法を例にとり、詳細に説明する。
【００３５】
図３に本実施例の半導体装置の製造方法を示す。まず、上記第１の実施例と同様の厚さ６３０μｍ程度の導電性の半導体基板２０の表面側（図３の上側）に図示しない所望の半導体素子と、この半導体素子に接続する電極２２と、電極２２の表面の一部を露出するように半導体基板２０の表面を被覆する絶縁膜２３とを形成する。
【００３６】
続いて、半導体基板２０の表面と反対側の裏面をダイシングテープ６０（支持用部材に相当）に貼り付ける。ここまでは、上記第１の実施例と同じ工程となる。続いて幅５０μｍのダイシングソー７０Ａを用いて、半導体基板２０の表面側から半導体基板２０の一部を格子状に、深さ３００μｍまで切削除去し、第１の溝９１ｂを形成する（図３ａ）。
【００３７】
続いて実施例１と同様に、第１の溝９１ｂを形成した半導体基板の外側に約１ｃｍ離れたダイシングテープ６０上に、高さ１ｍｍ程度のダムを形成する（図示省略）。さらに、半導体基板とダムとの間のダイシングテープ６０上に、第１の溝９１ｂに流入可能な高さまで絶縁性樹脂５０を塗布する。
【００３８】
例えば、上記実施例１と同様のエポキシ樹脂を用いた場合、加熱により流動性が増した状態として第１の溝９１ｂに充填する。第１の溝９１ｂに流入した絶縁性樹脂５０は表面張力により、半導体基板２０ａの表面に這い上がることはない。
【００３９】
次に、温度６０℃で４時間加熱し、絶縁性樹脂５０を硬化する。硬化した絶縁性樹脂５０は、実施例１と同様に絶縁膜２３の側面と半導体チップ２１ａの側面とを被覆する（図３ｂ）。
【００４０】
続いて、厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して、第１の溝９１ｂの中央部分の絶縁性樹脂５０の一部をダイシングテープ６０に達する深さまで切削除去すると、第２の貫通孔９０ｂが形成される。この第２の貫通孔９０ｂの側面は、絶縁性樹脂５０からなる面と半導体基板２０ａが露出する面とが連続する切削面である。ここで厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して幅５０μｍ程度の絶縁性樹脂５０を切削除去するので、残る絶縁性樹脂５０のそれぞれの厚さは１０μｍ程度となる。（図３ｃ）。
【００４１】
この残った絶縁性樹脂５０が半導体チップ２１ｂの表面の絶縁膜２３の側面と半導体基板２０ａの側面の一部とを被覆する絶縁性樹脂となる。個片化工程が終わると、ダイシングテープ６０上に半導体装置１Ｂが整列配置した状態となる（図３ｄ）。
【００４２】
本実施例の製造方法においても、実施例１の場合と同様に不要な短絡が生じる可能性のある側面のみが絶縁性樹脂５０により被覆され、裏面は絶縁性樹脂５０により被覆されていない構造であるので、従来の裏面まで絶縁性樹脂で被覆された半導体装置よりも低背化することができる。
【００４３】
図４（ａ）は、第２の実施例の製造方法により製造した半導体装置１Ｂの断面図を、図４（ｂ）は図４（ａ）に示す半導体装置１Ｂをフェイスダウン状態で実装した際、半田が這い上がった状態の断面図を示す。本実施例の半導体装置１Ｂでも半田３０の這い上がりが発生したとしても、半導体チップ２１ｂの表面を覆う絶縁膜２３と半導体チップ２１ｂの側面を覆う絶縁性樹脂５０とが存在するため電極２２と半導体チップ２１ｂとの間で短絡等の不具合が発生することはない。
【実施例３】
【００４４】
次に、本発明の第３の実施例について、本発明の第１の実施例で製造した半導体装置１Ａより更に低背化した半導体装置の製造方法を例にとり、詳細に説明する。
【００４５】
図５に本実施例の半導体装置の製造方法を示す。まず、上記第１、第２の実施例と同様の厚さ６３０μｍ程度の導電性の半導体基板２０の表面側（図５の上側）に図示しない所望の半導体素子と、この半導体素子に接続する電極２２と、電極２２の表面の一部を露出するように半導体基板２０の表面を被覆する絶縁膜２３とを形成する。
【００４６】
続いて、第２の実施例と同様に、半導体基板２０の表面と反対側の裏面をダイシングテープ６０に貼り付け、表面側に形成した第１の溝９１ｂの中に絶縁性樹脂５０を充填した半導体基板２０ａを準備する（図３ｂに相当）。
【００４７】
続いて、本実施例では絶縁性樹脂５０を充填した第１の溝９１ｂの底部を構成する半導体基板２０ａの一部が露出するまで、厚さ３０μｍのダイシングソー７０Ｂを使用して絶縁性樹脂５０の一部を切削除去し、第２の溝９１ｃを形成する（図５ａ）。
【００４８】
半導体基板２０ａの表面と反対側の裏面側に貼り合わせたダイシングテープ６０を剥離し、半導体基板２０ａの表面側に保護用部材であるバックグラインドテープ６１を貼り付ける。そして、図中点線で示した絶縁性樹脂５０と第２の溝９１ｃが露出する厚さまで半導体基板２０ａの裏面側から研削する（図５ｂ）。なお上記第２の溝９１ｃを形成する代わりに、図５（ａ）に示す深さより浅い別の第２の溝を形成しておき、この第２の溝が露出したところで、半導体基板２０ａの研削を停止してもよい。または、上記第２の溝９１ｃを形成する代わりに、図５（ａ）に示す深さより深い別の第２の溝を形成しておき、この第２の溝が露出したところで、半導体基板２０ａの研削を停止してもよい。
【００４９】
この裏面研削により半導体基板２０ａは第３の貫通孔９０ｃにより半導体チップ２１ｃへ分離される。この分離により半導体チップ２１ｃの側面には均一な厚みの絶縁性樹脂５０を残しながら半導体装置１Ｃに個片化され、バックグラインドテープ６１上に整列配置した状態となる（図５ｃ）。また、半導体装置１Ｃは半導体基板２０ａの裏面研削により所望の厚さに低背化することができ、例えば１００μｍ程度の厚みにすることが可能である。
【００５０】
第３の実施例の製造方法により製造した半導体装置１Ｃは、第１の実施例あるいは第２の実施例で製造した半導体装置１Ａ，１Ｂよりも低背化した半導体装置となる。
【００５１】
以上本発明の実施例について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではないことは言うまでもない。
【００５２】
例えば、半導体基板表面への貫通溝及び溝の形成または半導体チップへの個片化または半導体装置への個片化において、上記実施例ではダイシングソーを用いたがレーザー等による個片化方法を用いても良い。
【符号の説明】
【００５３】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２Ａ，２Ｂ：半導体装置、１０：実装基板、１１：配線金属、２０，２０ａ：半導体基板、２１ａ，２１ｂ：半導体チップ、２２：電極、２３：絶縁膜、３０：半田、５０：絶縁性樹脂、６０：ダイシングテープ、６１：バックグラインドテープ、７０，７０Ａ，７０Ｂ：ダイシングソー、９０ａ：第１の貫通溝、９０ｂ：第２の貫通溝、９０ｃ：第３の貫通溝、９１ｂ：第１の溝、９１ｃ：第２の溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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