(57)【要約】【課題】電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、より優れた追従性をもって比較的容易に、かつ、優れた生産性で形成することができる電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、ノイズ抑制層３が設けられた電子部品封止体２９０の製造方法であり、電子部品封止連結体を切断して凹部を形成することで粘着テープ１００上に電子部品封止体２９０を得る工程と、電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を貼付することでノイズ抑制層３が設けられた電子部品封止体２９０を得る工程とを有し、電子部品封止体を得る工程において、基材層として、第１の層と第２の層と第３の層とがこの順で積層された積層体を備え、第２の層の厚さをＴ２［μｍ］とし、前記凹部の深さをＤ［μｍ］としたとき、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０を満足するものを備える電磁波シールド用フィルム３００を用いる。【選択図】図３
2019102498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記基板の側面ならびに前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、複数の前記電子部品を前記シート材上に配置する配置工程と、
前記電子部品が配置されている上面側に、前記シート材と前記電子部品とを覆うように封止して前記封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、
前記電子部品封止連結体の下面側に、基材と、前記基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、前記粘着層を前記電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、
形成すべき前記電子部品封止体毎に対応するように、前記電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、前記粘着テープに貼付された前記電子部品封止体を得る切断工程と、
前記電子部品封止体の上面側に、基材層と、前記基材層に積層された前記ノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを、前記ノイズ抑制層を前記電子部品封止体側にして貼付して、前記凹部の形状に対応して前記ノイズ抑制層を押し込むことで、前記ノイズ抑制層により前記電子部品封止体の上面および側面を被覆して、前記粘着テープに貼付された状態で、前記ノイズ抑制層が設けられた前記電子部品封止体を得る第２貼付工程と、
前記電磁波シールド用フィルムから、前記基材層を剥離する第１剥離工程と、
前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離することで、前記ノイズ抑制層が設けられた複数の前記電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程とを有し、
前記第２貼付工程において、前記基材層として、前記ノイズ抑制層の反対側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とがこの順で積層された３層構成をなす積層体を備え、前記第２の層の厚さをＴ２［μｍ］とし、前記凹部の深さをＤ［μｍ］としたとき、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足するものを備える電磁波シールド用フィルムを、前記電子部品封止体に貼付することを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【請求項２】
前記凹部の深さＤは、１μｍ以上５０００μｍ以下である請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項３】
前記第１の層および前記第３の層は、それぞれ、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａである請求項１または２に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項４】
前記第２の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａである請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項５】
前記第１の層の厚さをＴ１［μｍ］とし、前記第３の層の厚さをＴ３［μｍ］としたとき、１．０＜Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３）＜１０．０なる関係を満足する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項６】
前記第２貼付工程において、前記電子部品封止体に対する前記電磁波シールド用フィルムの貼付は、真空圧空成形法またはプレス成型法を用いて行われる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項７】
前記電子部品封止体において、複数の前記電子部品が封止されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項８】
前記切断工程において、前記基材の途中に到達するまで、前記厚さ方向に切断して、前記凹部を形成する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項９】
前記第２剥離工程において、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の前記電子部品封止体に対する粘着性を低下させることで、前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離させる請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電子部品封止体の製造方法により製造された電子部品封止体を用意し、前記基板の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、
前記基板の下面側に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板は厚さ方向に貫通する導体ポストを備え、
前記配線形成工程において、前記導体ポストを介して、前記電子部品と前記配線とが電気的に接続される請求項１０に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品封止体の製造方法、電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の半導体電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品が回路基板に実装された電子装置は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、これら電子部品または電子装置を、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドで封止するシールド方法が実施されてきた。
【０００３】
しかしながら、この金属カンシールドは、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。さらに、金属カンシールドにより部品集合体を封止することから、金属カンシールドと部品集合体との間に空間が生じるため、かかる部品集合体を備える電子機器の大型化を招くという問題があった。
【０００４】
そのため、かかる問題点を解消するために、基板上に配置された電子部品を封止材により封止された電子部品封止体の上面および側面を、金属薄膜層等で構成されるノイズ抑制層で被覆する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成して電磁波によるノイズの影響を軽減する方法では、このノイズ抑制層が、主として、スパッタリング法を用いて製造されるが、この場合、スパッタリング法に用いる装置が、その操作が煩雑かつ高価であったり、生産性が低いと言った問題があった。
【０００６】
また、導電性粒子を含有する金属ペーストを用いたり、メッキ法を用いることによりノイズ抑制層を形成することも考えられるが、これらの方法によっても、種々の問題を有しているのが実情であった。
【０００７】
かかる問題点を解決すること、すなわち、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することを目的に、例えば、特許文献２に示すような方法が提案されている。
【０００８】
すなわち、複数の電子部品封止体が連結した電子部品封止連結体を用意し、この電子部品封止連結体に対して、ノイズ抑制層と基材層（剥離層）とを備える粘着テープを貼付した後に基材層を剥離することで、ノイズ抑制層を転写し、その後、電子部品封止連結体を個片化して、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を一括して複数得ることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
かかる方法が提案されているものの、電子部品封止体に対してより優れた追従性をもってノイズ抑制層を設けることができる方法が求められているのが実情である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１５−１３０４８４号公報
【特許文献２】特開２０１７−１４３２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、より優れた追従性をもって比較的容易に、かつ、優れた生産性で形成することができる電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（１１）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記基板の側面ならびに前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体の製造方法であって、
平板状をなすシート材を用意し、複数の前記電子部品を前記シート材上に配置する配置工程と、
前記電子部品が配置されている上面側に、前記シート材と前記電子部品とを覆うように封止して前記封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、
前記電子部品封止連結体の下面側に、基材と、前記基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、前記粘着層を前記電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、
形成すべき前記電子部品封止体毎に対応するように、前記電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、前記粘着テープに貼付された前記電子部品封止体を得る切断工程と、
前記電子部品封止体の上面側に、基材層と、前記基材層に積層された前記ノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを、前記ノイズ抑制層を前記電子部品封止体側にして貼付して、前記凹部の形状に対応して前記ノイズ抑制層を押し込むことで、前記ノイズ抑制層により前記電子部品封止体の上面および側面を被覆して、前記粘着テープに貼付された状態で、前記ノイズ抑制層が設けられた前記電子部品封止体を得る第２貼付工程と、
前記電磁波シールド用フィルムから、前記基材層を剥離する第１剥離工程と、
前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離することで、前記ノイズ抑制層が設けられた複数の前記電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程とを有し、
前記第２貼付工程において、前記基材層として、前記ノイズ抑制層の反対側から、第１の層と、第２の層と、第３の層とがこの順で積層された３層構成をなす積層体を備え、前記第２の層の厚さをＴ２［μｍ］とし、前記凹部の深さをＤ［μｍ］としたとき、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足するものを備える電磁波シールド用フィルムを、前記電子部品封止体に貼付することを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【００１３】
（２）  前記凹部の深さＤは、１μｍ以上５０００μｍ以下である上記（１）に記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１４】
（３）  前記第１の層および前記第３の層は、それぞれ、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａである上記（１）または（２）に記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１５】
（４）  前記第２の層は、１００℃における貯蔵弾性率が１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１６】
（５）  前記第１の層の厚さをＴ１［μｍ］とし、前記第３の層の厚さをＴ３［μｍ］としたとき、１．０＜Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３）＜１０．０なる関係を満足する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１７】
（６）  前記第２貼付工程において、前記電子部品封止体に対する前記電磁波シールド用フィルムの貼付は、真空圧空成形法またはプレス成型法を用いて行われる上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１８】
（７）  前記電子部品封止体において、複数の前記電子部品が封止されている上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００１９】
（８）  前記切断工程において、前記基材の途中に到達するまで、前記厚さ方向に切断して、前記凹部を形成する上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００２０】
（９）  前記第２剥離工程において、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の前記電子部品封止体に対する粘着性を低下させることで、前記電子部品封止体から前記粘着テープを剥離させる上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法。
【００２１】
（１０）  上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の電子部品封止体の製造方法により製造された電子部品封止体を用意し、前記基板の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、
前記基板の下面側に、前記配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、
前記開口部で露出する前記配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【００２２】
（１１）  前記基板は厚さ方向に貫通する導体ポストを備え、
前記配線形成工程において、前記導体ポストを介して、前記電子部品と前記配線とが電気的に接続される上記（１０）に記載の電子装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、電子部品封止連結体の上面側に、基材層と、この基材層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを貼付し、その後、ノイズ抑制層から基材層を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止連結体が備える電子部品封止体にノイズ抑制層を設けることができる。
【００２４】
また、１つの電子部品封止連結体から複数の電子部品封止体を一括して製造することができるので、電子部品封止体および電子装置の生産性の向上が図られる。
【００２５】
さらに、基材層として、第１の層と、第２の層と、第３の層とが積層された３層構成をなす積層体を用い、このうち第２の層の厚さをＴ２［μｍ］とし、電子部品封止連結体に形成された凹部の深さをＤ［μｍ］としたとき、第２の層の厚さＴ２が、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足するように設定されており、これにより、凹部に対して、より優れた追従性をもってノイズ抑制層を押し込むことができ、その結果、電子部品封止体に対してより優れた追従性をもって設けられたノイズ抑制層が得られることとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置を製造する製造方法に用いられる電磁波シールド用フィルムの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
以下では、本発明の電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法を説明するのに先立って、まず、本発明の電子装置の製造方法を、半導体装置の製造に適用して製造された半導体装置について説明する。
【００２９】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の電子装置の製造方法を適用して製造された半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３０】
図１に示す半導体装置２０は、厚さ方向に貫通して配置された導体ポスト（図示せず）を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子２６ならびにコンデンサー、コイルのような電子素子２８と、半導体素子２６および電子素子２８を封止する封止部２７（モールド部）と、封止部２７およびインターポーザー２５を被覆するノイズ抑制層３と、導体ポストに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ２１（端子）と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。
【００３１】
インターポーザー２５は、半導体素子２６および電子素子２８を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５は、単層体で構成される場合、インターポーザー２５（単層体）の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）が形成され、この貫通孔に対応して導体ポストが設けられている。また、インターポーザー２５が積層体で構成される場合には、インターポーザー２５は、貫通孔に対応して導体ポストが設けられた前記単層体が厚さ方向に複数積層された積層体で構成される。
【００３２】
半導体素子２６および電子素子２８は、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８がその下面側に有する電極パッドが導体ポストに対応するように、インターポーザー２５上に、本実施形態では、半導体素子２６が１つ、電子素子２８が２つそれぞれ配置されている。なお、本実施形態では、これら半導体素子２６および電子素子２８が、半導体装置２０が備える電子部品を構成する。
【００３３】
かかる位置に半導体素子２６および電子素子２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６、電子素子２８およびインターポーザー２５の上面側を覆うように形成される。
【００３４】
インターポーザー２５の貫通孔に対応して形成された導体ポストは、その上側の端部で、半導体素子２６または電子素子２８が備える電極パッド（端子）と電気的に接続される。
【００３５】
また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポストの下側の端部と電気的に接続される。
【００３６】
さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６または電子素子２８とバンプ２１とが、電極パッド（端子）、導体ポストおよび配線２３を介して電気的に接続される。また、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
【００３７】
そして、ノイズ抑制層３は、封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面を被覆して設けられている。このノイズ抑制層３により、インターポーザー２５上に設けられた半導体素子２６および電子素子２８と、ノイズ抑制層３を介して、半導体素子２６および電子素子２８の外側すなわち半導体装置２０の外側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。なお、このノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面側において、図示しない配線を介して電気的に接地される。
【００３８】
なお、本実施形態では、電子部品を構成する半導体素子２６および電子素子２８を、それぞれ、１つおよび２つずつ半導体装置２０が備えるが、かかる構成に限定されず、半導体装置（電子装置）は、いずれか１つを備えるものであってもよく、上記以上の半導体素子２６および電子素子２８を備えるものであってもよいし、さらに、半導体素子２６および電子素子２８とは異なる電子部品を備えるものであってもよい。
【００３９】
（半導体装置２０の製造方法）
以上のような構成をなす半導体装置２０が、本発明の電子装置の製造方法が適用された、以下に示す半導体装置２０の製造方法により製造される。
【００４０】
本発明の電子装置の製造方法が適用された半導体装置２０の製造方法は、平板状をなすシート材を用意し、複数の電子部品をシート材上に配置する配置工程と、電子部品が配置されている上面側に、シート材と電子部品とを覆うように封止して封止部を形成することで電子部品封止連結体を得る封止部形成工程と、電子部品封止連結体の下面側に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付する第１貼付工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、凹部を形成することで、粘着テープに貼付された電子部品封止体を得る切断工程と、電子部品封止体の上面側に、剥離層と、剥離層に積層されたノイズ抑制層とを有する電磁波シールド用フィルムを、ノイズ抑制層を電子部品封止体側にして貼付して、凹部の形状に対応してノイズ抑制層を押し込むことで、ノイズ抑制層により電子部品封止体の上面および側面を被覆する第２貼付工程と、電磁波シールド用フィルムから、剥離層を剥離することで、粘着テープに貼付された状態で、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を得る第１剥離工程と、電子部品封止体から粘着テープを剥離することで、ノイズ抑制層が設けられた複数の電子部品封止体を一括して得る第２剥離工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線を形成する配線形成工程と、インターポーザー（基板）の下面側に、配線の一部が露出するように、開口部を備える被覆部を形成する被覆部形成工程と、開口部で露出する配線に、バンプを電気的に接続するバンプ接続工程とを有する。
【００４１】
以下、これらの各工程について詳述する。
図２〜図３は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図図、図４は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法（本発明の電子装置の製造方法）に用いられる電磁波シールド用フィルムの縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４２】
［１］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意した後、このシート材２５’上に複数の半導体素子２６および電子素子２８を配置（載置）する（図２（ｂ）参照。；配置工程）。
【００４３】
なお、このシート材２５’は、予め形成された複数の貫通孔（図示せず）を備え、さらに、これら貫通孔に対応して埋設された導体ポスト（図示せず）を備えるものであり、この導体ポストは、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上に配置させた際に、半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）が対応する位置に形成されている。すなわち、シート材２５’には、貫通孔に対応して設けられた導体ポストを、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）の総数と同じ数で形成されている。
【００４４】
また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体装置２０が有するインターポーザー２５（基板）となり、半導体素子２６および電子素子２８を支持する機能を発揮するものである。
【００４５】
このシート材２５’は、半導体素子２６および電子素子２８を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基板は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。
【００４６】
ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。
【００４７】
なお、コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。
【００４８】
さらに、フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。
【００４９】
また、シート材２５’上に半導体素子２６および電子素子２８を配置する際、半導体素子２６および電子素子２８は、シート材２５’が備える導体ポストの位置に、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８が有する電極パッドが対応する位置に配置される。そして、このような配置により、形成すべき半導体装置２０が備える半導体素子２６および電子素子２８が配置されるべき位置に、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’上において配置されることとなる。
【００５０】
なお、半導体素子２６および電子素子２８（特に半導体素子２６）は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤（アンダーフィル材）により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［３］において、半導体素子２６および電子素子２８を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６および電子素子２８の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。
【００５１】
［２］次に、シート材２５’の上面側、すなわち半導体素子２６および電子素子２８が配置されている側の面を、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うように封止部２７を形成する（図２（ｃ）参照。；封止部形成工程）。
【００５２】
これにより、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された電子部品封止連結体２７０が得られる。
【００５３】
封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂組成物を溶融させた状態で、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うようにシート材２５’の上面に供給した後、この溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６をシート材２５’上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。
【００５４】
［３］次に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００を用意し、図２（ｄ）に示すように、シート材２５’の半導体素子２６等が載置されていない面側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、電子部品封止連結体２７０に積層（貼付）する（第１貼付工程）。
【００５５】
この電子部品封止連結体２７０への粘着テープ１００の貼付は、例えば、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、シート材２５’の半導体素子２６等と反対側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することにより行うことができる。なお、粘着テープ１００に電子部品封止連結体２７０を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００５６】
粘着テープ１００（ダイシングテープ）は、粘着層２を介して基材４により電子部品封止連結体２７０を支持するとともに、粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下する機能を有するものである。
【００５７】
かかる構成の粘着テープ１００において、基材４は、主として樹脂材料から成り、粘着層２を介して基材４上に貼付された電子部品封止連結体２７０を支持し得る程度の硬度を有するものが用いられ、この樹脂材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリオレフィン系樹脂、アイオノマー、オレフィン系共重合体、ポリエステル系樹脂、ポリエーテルケトン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５８】
粘着層２は、次工程［４］において、電子部品封止連結体２７０をダイシングして個片化することで電子部品封止体２９０を得る際に、電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）に粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により電子部品封止体２９０への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
【００５９】
かかる機能を備える粘着層２は、例えば、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
【００６０】
このようなベース樹脂（１）としては、例えば、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられる。
【００６１】
また、硬化性樹脂（２）は、例えば、エネルギーの付与により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
【００６２】
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。
【００６３】
また、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）、（２）の他に、他の成分として、光重合開始剤、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
【００６４】
［４］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図２（ｅ）参照）。
【００６５】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が粘着テープ１００上に貼付された状態で得られ、凹部６２内において、電子部品封止体２９０が備える封止部２７およびインターポーザー２５の側面が露出する。
【００６６】
この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、電子部品封止連結体２７０を切断する際の割れ、欠け等を防止する機能を発揮する。
【００６７】
また、ブレードを用いた電子部品封止連結体２７０の切断は、本実施形態では、図２（ｅ）に示すように、基材４の厚さ方向に、基材４の途中に到達するまで実施される。これにより、電子部品封止連結体２７０の個片化を確実に実施することができる。また、電子部品封止体２９０を粘着テープ１００上に貼付させた状態で、個片化により形成される電子部品封止体２９０の側面、すなわち封止部２７およびインターポーザー２５の側面を凹部６２において確実に露出させることができる。
【００６８】
さらに、凹部６２は、その深さＤが、好ましくは１μｍ以上５０００μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０００μｍ以下に設定され、また、その幅が、好ましくは１０μｍ以上５０００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以上１０００μｍ以下に設定される。凹部６２を、かかるサイズで形成されたものとすることで、この凹部６２内で露出する封止部２７およびインターポーザー２５の側面に対して、次工程［５］において、後述する電磁波シールド用フィルム３００を用いて、優れた追従性をもってノイズ抑制層３を形成することができる。
【００６９】
［５］次に、剥離層１（基材層）と、剥離層１に積層されたノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を用意し、個片化で得られた電子部品封止体２９０の封止部２７が形成されている面側（上面側）で、電子部品封止体２９０に、電磁波シールド用フィルム３００を、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして、積層（貼付）する（第２貼付工程）。
【００７０】
この電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形またはプレス成型法が挙げられる。
【００７１】
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム３００で、個片化で得られた電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する方法であり、まず、図２（ｆ）に示すように、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、電子部品封止体２９０の粘着テープ１００と反対側の面と、電磁波シールド用フィルム３００のノイズ抑制層３側の面とが対向するように、電子部品封止体２９０と電磁波シールド用フィルム３００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。
【００７２】
このように、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３が凹部６２の形状に対応して変形する。これにより、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
【００７３】
このような第２貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１５℃以上２２０℃以下であることが好ましく、より好ましくは２０℃以上２１０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上２００℃以下である。
【００７４】
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．１ＭＰａ以上２０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以上１５．０ＭＰａ以下である。
【００７５】
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上９０分以下であることが好ましく、より好ましくは３０秒以上１０分以下である。
【００７６】
第２貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、このノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を確実に被覆することができる。
【００７７】
また、プレス成型法とは、例えば、粘着テープ１００上に貼付された電子部品封止体２９０上に電磁波シールド用フィルム３００を配置し、さらに、この電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、これらを、その上面側および下面側から、２つの平板で挾持し、その後、２つの平板を接近させて、加圧することにより実施される。
【００７８】
このように、電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とを接近させることによっても、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応して変形させることができる。そのため、図３（ａ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
【００７９】
ここで、本工程［５］において用いられる電磁波シールド用フィルム３００は、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を被覆するために用いられるもの、すなわち電子部品封止体２９０に、封止部２７の上面および側面ならびにインターポーザー２５の側面を被覆する、ノイズ抑制層３を形成するためのものであり、剥離層１（基材層）と、剥離層１の一方の面側に積層されたノイズ抑制層３とを有し、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして配置（貼付）される（図２（ｆ）、図４参照）。
【００８０】
このような電磁波シールド用フィルム３００において、剥離層１は、凹部６２の形状に追従してノイズ抑制層３を押し込むことで、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３を凹部６２内に押し込む押込み層として機能するとともに、押し込まれたノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。また、次工程［６］において、ノイズ抑制層３から剥離されるものである。
【００８１】
この剥離層１は、本発明では、第３の層１３と、第２の層１２と、第１の層１１とで構成され、これらが剥離層１のノイズ抑制層３が積層されている面側から、この順で積層された３層構成をなす積層体であり（図４参照）、第２の層１２の厚さをＴ２［μｍ］とし、凹部６２の深さをＤ［μｍ］としたとき、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足する。これにより、電磁波シールド用フィルム３００を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、凹部６２の深さＤに対して第２の層１２が十分量の厚さＴ２を有しているため、ノイズ抑制層３および第３の層１３に破断を生じさせることなく、ノイズ抑制層３および第３の層１３を凹部６２の形状に対応した状態で追従させて押し込む押込み層としての機能を第２の層１２に発揮させることができる。その結果、ノイズ抑制層３および第３の層１３のうち、凹部６２側に位置する、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。すなわち、ノイズ抑制層３により、電子部品封止体２９０が備える封止部２７の上面および側面ならびにインターポーザー２５の側面が被覆される。この際、電子部品封止体２９０の上面および側面が、破断の発生が的確に抑制または防止されたノイズ抑制層３をもって、優れた追従性で被覆されることとなる。そのため、このノイズ抑制層３による電磁波シールド（遮断）性を確実に向上させることができる。なお、第２の層１２の厚さＴ２と、凹部６２の深さＤとの関係Ｔ２／Ｄは、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０であればよいが、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．５０であることが好ましく、０．１５＜Ｔ２／Ｄ＜０．４５であることがより好ましい。これにより、ノイズ抑制層３および第３の層１３を凹部６２の形状に対応した状態で追従させて押し込む押込み層としての機能を、第２の層１２により顕著に発揮させることができる。
【００８２】
また、第１の層１１の厚さをＴ１［μｍ］とし、第３の層１３の厚さをＴ３［μｍ］としたとき、１．０＜Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３）＜１０．０なる関係を満足することが好ましく、２．５＜Ｔ２／（Ｔ１＋Ｔ３）＜７．５なる関係を満足することがより好ましい。これにより、第３の層１３に凹部６２の形状に対応して追従させる追従層としての機能をより確実に発揮させつつ、第２の層１２に、ノイズ抑制層３および第３の層１３を凹部６２に押し込む押込み層としての機能をより確実に発揮させることができる。そのため、電子部品封止体２９０の上面および側面を、破断の発生が的確に抑制または防止されたノイズ抑制層３をもって、より優れた追従性で被覆することができる。
【００８３】
さらに、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。このように、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、剥離層１の加熱時に剥離層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム３００を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３に破断を生じさせることなくノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応した状態で押し込むことができる。
【００８４】
上述した剥離層１の特性が発揮されるように、これら各層１１〜１３の厚さ、および種類（構成材料）等が適宜組み合わされる。以下、これら各層１１〜１３について、それぞれ、説明する。
【００８５】
第１の層１１は、第２貼付工程において、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を、例えば、真空加圧式ラミネーター等を用いて押し込む際に、真空加圧式ラミネーター等が有する押圧部との離型性の機能を付与するためのものである。また、第２の層１２側に押圧部からの押圧力を伝播する伝播層として機能するものである。
【００８６】
この第１の層（第１離型層）１１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを有するものを用いることにより、第１の層１１の装置との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。
【００８７】
第１の層１１にポリメチルペンテンを用いる場合、その含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第１の層１１の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第１の層１１の形状追従性が不足するおそれがある。
【００８８】
なお、第１の層１１は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わない。また、第１の層１１は、ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。
【００８９】
第１の層１１の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第１の層１１の平均厚さが前記下限値未満である場合、第１の層１１が破断し、その離型性が低下するおそれがある。また、第１の層１１の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の形状追従性が低下するおそれがある。
【００９０】
また、第１の層１１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第１の層１１の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第１の層１１は、優れた伸縮性を有するものとなるため、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。また、剥離層１全体としての貯蔵弾性率を前述した範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００９１】
さらに、第１の層１１の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第１の層１１を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、押圧部から第１の層１１を剥離させることができる。
【００９２】
第３の層１３は、第２貼付工程［５］において、凹部６２に対するノイズ抑制層３の押し込みを、真空加圧式ラミネーター等を用いて実施した後に、第１剥離工程［６］において、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、剥離層１に剥離性の機能を付与するためのものである。また、凹部６２の形状に応じて、ノイズ抑制層３とともに第３の層１３が追従する追従層としての機能を有し、かつ、ノイズ抑制層３側に、押圧部からの押圧力を伝播する機能を併せ持つものである。
【００９３】
この第３の層（第２離型層）１３の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ポリメチルペンテンを用いることが好ましい。このように、ポリメチルペンテンを用いることにより、第３の層１３のノイズ抑制層３との離型性、さらには耐熱性および形状追従性を優れたものとすることができる。
【００９４】
第３の層１３におけるポリメチルペンテンの含有量は、特に限定されないが、６０重量％以上であることが好ましく、７０重量％以上９５重量％以下であることがより好ましい。ポリメチルペンテンの含有量が前記下限値未満である場合、第３の層１３の離型性が低下するおそれがある。また、ポリメチルペンテンの含有量が前記上限値を超える場合、第３の層１３の形状追従性が不足するおそれがある。
【００９５】
なお、第３の層１３は、ポリメチルペンテンのみで構成されていても構わないが、前記ポリメチルペンテンの他に、さらにスチレン系エラストマー、ポリエチレンまたはポリプロピレン等を含有していてもよい。また、第３の層１３と、第１の層１１とを構成する樹脂は、同じであっても異なっていても構わない。
【００９６】
第３の層１３の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上６５μｍ以下であることがより好ましい。第３の層１３の平均厚さが前記下限値未満である場合、耐熱性が不足し、第２貼付工程［５］で基材層の耐熱性が不足し、変形が発生し、ノイズ抑制層３が変形するおそれがある。また、第３の層１３の平均厚さが前記上限値を超える場合、電磁波シールド用フィルム全体の総厚さが厚くなり、カット等の作業性が低下するおそれがあり、また、コスト面でも経済的ではない。
【００９７】
なお、第１の層１１と、第３の層１３の厚さは、同じであっても異なっていても構わない。
【００９８】
また、第３の層１３の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、５．０Ｅ＋０６Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましい。第３の層１３の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第３の層１３は、優れた伸縮性を有するものとなるため、第３の層１３、さらにはノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。第３の層１３およびノイズ抑制層３を、凹部６２の形状に対応して、より確実に変形させることができる。
【００９９】
さらに、第３の層１３の表面張力は、２０〜４０［ｍＮ／ｍ］であるのが好ましく、２５〜３５［ｍＮ／ｍ］であるのがより好ましい。かかる範囲内の表面張力を有する第３の層１３を優れた離型性を備えるものと言うことができ、真空加圧式ラミネーター等を用いた押し込みの後に、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離する際に、第３の層１３とノイズ抑制層３との界面において、剥離層１を確実に剥離させることができる。
【０１００】
第２の層１２は、第２貼付工程［５］において、剥離層１を押し込み用の基材として用いて凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込む際に、第３の層１３を、凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ための押込み層（クッション層）として機能する。また、第２の層１２は、この押し込む力を、第３の層１３、さらには、この第３の層１３を介してノイズ抑制層３に、均一に作用させる機能を有しており、これにより、ノイズ抑制層３と凹部６２との間にボイドを発生させることなく、ノイズ抑制層３を凹部６２に対して優れた密閉性（追従性）をもって追従させることができる。
【０１０１】
この第２の層１２（クッション層）の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロプレン等のαオレフィン系重合体、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン、ヘキセン、メチルペンテン等を共重合体成分として有するαオレフィン系共重合体、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド等のエンジニアリングプラスチックス系樹脂が挙げられ、これらを単独あるいは複数併用してもよい。これらの中でも、αオレフィン系共重合体を用いることが好ましい。具体的には、エチレン等のαオレフィンと、（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体、エチレンと酢酸ビニルとの共重合体、エチレンと（メタ）アクリル酸との共重合体（ＥＭＭＡ）、およびそれらの部分イオン架橋物等が挙げられる。αオレフィン系共重合体は、形状追従性に優れ、さらに、第１の層１１の構成材料と比較して柔軟性に優れることから、かかる構成材料で構成される第２の層１２に、第１の層１１を凹部６２に対して押し込む（埋め込む）ためのクッション機能を確実に付与することができる。
【０１０２】
なお、第２の層１２は、前述した第１の層１１および第３の層１３で挙げた構成材料と、第２の層１２の構成材料とのブレンド体であってもよい。
【０１０３】
第２の層１２の平均厚さは、特に限定されないが、１．０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以上４００μｍ以下であることがさらに好ましい。第２の層１２の平均厚さが前記下限値未満である場合、第２の層１２の形状追従性が不足し、第２貼付工程［５］で凹部６２への追従性が不足するというおそれがある。また、第２の層１２の平均厚さが前記上限値を超える場合、第２貼付工程［５］において、第２の層１２からの樹脂のシミ出しが多くなり、圧着装置の熱盤に付着し、作業性が低下するというおそれがある。
【０１０４】
また、第２の層１２の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがより好ましい。第２の層１２の貯蔵弾性率をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド用フィルム３００の加熱時において、第２の層１２を、第１の層１１と比較してより優れた伸縮性を有するものと容易にすることができる。その結果、第２の層１２に追従層としての機能をより確実に発揮させることができるため、第２の層１２、さらには第３の層１３およびノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。
【０１０５】
なお、各層１１〜１３の貯蔵弾性率を、それぞれ、前述した範囲内において適宜設定することで、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下の範囲内に容易に設定することができる。
【０１０６】
剥離層１の全体の厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の全体の平均厚さが前記下限値未満である場合、第３の層１３が破断し、剥離層１の離型性が低下するというおそれがある。また、剥離層１の全体の平均厚さが前記上限値を超える場合、剥離層１の形状追従性が低下し、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する形状追従性が低下するというおそれがある。
【０１０７】
ノイズ抑制層３は、電子部品封止体２９０が備える半導体素子２６および電子素子２８と、このノイズ抑制層３を介して、電子部品封止体２９０と反対側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。
【０１０８】
このノイズ抑制層３（電磁波遮断層）は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。
【０１０９】
これら反射層および吸収層は、ともに、粒子状をなす導電性材料と、バインダー樹脂とを含有する構成をなし、導電性材料として、金属材料、金属酸化物材料、導電性高分子材料および導電性セラミックス材料のうちの少なくとも１種を含有するものが好ましく用いられるが、以下、これら反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。
【０１１０】
反射層は、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。
この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ＩＴＯなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。
【０１１１】
前記導電性接着剤層としては、金属粉（金属材料）とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。
【０１１２】
前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に限定されないが、重量比で４０：６０〜９５：５であることが好ましく、５０：５０〜９０：１０であることがより好ましい。
【０１１３】
導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。
【０１１４】
反射層の平均厚さ（Ｅ１）は、特に限定されないが、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１１５】
吸収層は、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。
【０１１６】
この吸収層としては、例えば、金属粉（金属材料）および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。なお、この吸収層は、前記主材料の他に、バインダー樹脂を含有することが好ましい。
【０１１７】
なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。
【０１１８】
これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（平均厚さ）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。
【０１１９】
なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子材料、ＡＴＯ等の金属酸化物材料、導電性セラミックス材料が挙げられる。
【０１２０】
また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子、セラミック材料等が挙げられる。
【０１２１】
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２２】
セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子、チタニア、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム等が挙げられこれらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２３】
さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。
【０１２４】
吸収層の平均厚さ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。
【０１２５】
［６］次に、図３（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に貼付された電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１を剥離する（第１剥離工程）。
【０１２６】
この第１剥離工程により、電磁波シールド用フィルム３００における剥離層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。
【０１２７】
すなわち、粘着テープ１００上に貼付された状態で、ノイズ抑制層３が上面および側面に設けられた電子部品封止体２９０が一括して複数形成される。
【０１２８】
また、剥離層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が挙げられる。
【０１２９】
この手作業による剥離では、例えば、まず、剥離層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から剥離層１をノイズ抑制層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次剥離層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。
【０１３０】
なお、剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１６５℃以下、さらに好ましくは２０℃以上１５０℃以下である。
【０１３１】
以上のような工程を経ることにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することができる。
【０１３２】
このように、本発明では、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１３３】
［７］次に、図３（ｃ）に示すように、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する（第２剥離工程）。
【０１３４】
この第２剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を低下させて、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で剥離が生じる状態とした後、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する。
【０１３５】
これにより、ノイズ抑制層３により上面および側面が被覆された電子部品封止体２９０を一括して複数形成することができることから、電子部品封止体２９０の生産性の向上が図られる。
【０１３６】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【０１３７】
かかる方法は、半導体素子２６および電子素子２８が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１３８】
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【０１３９】
［８］次に、図３（ｄ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、導体ポストに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。
【０１４０】
この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料を電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側の面に供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、導体ポストに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。
【０１４１】
［９］次に、図３（ｅ）に示すように、電子部品封止体２９０のインターポーザー２５側、すなわちインターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８とは反対の面側（下面側）に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。
【０１４２】
なお、この開口部２２１は、次工程［１０］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
【０１４３】
このような、被覆層は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。
【０１４４】
［１０］次に、図３（ｆ）に示すように、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ接続工程）。
【０１４５】
ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【０１４６】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【０１４７】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経て、半導体装置２０が製造される。
【０１４８】
このような半導体装置２０の製造方法によれば、電子部品封止体２９０にスパッタリング法を用いてノイズ抑制層３を形成する場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、前記工程［５］において、電子部品封止体２９０側に、剥離層１とノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を貼付した後に、前記工程［６］において、剥離層１を剥離すると言う、比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１４９】
また、剥離層１として、第１の層１１と、第２の層１２と、第３の層１３とが積層された３層構成をなす積層体を用い、このうち第２の層１２の厚さをＴ２［μｍ］とし、電子部品封止連結体２７０に形成された凹部６２の深さをＤ［μｍ］としたとき、第２の層１２の厚さＴ２が、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足するように設定されており、これにより、前記工程［５］において、凹部６２に対して、より優れた追従性をもってノイズ抑制層３を押し込むことができることから、電子部品封止体２９０の上面および側面に対してより優れた追従性をもってノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１５０】
さらに、前記工程［２］において得られた１つの電子部品封止連結体２７０から、前記工程［３］〜［７］を経ることで、複数の電子部品封止体２９０を一括して製造することができるので、電子部品封止体２９０ひいては、この電子部品封止体２９０から得られる半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【０１５１】
なお、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法を適用して製造される半導体装置２０は、例えば、携帯電話、医療機器、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
【０１５２】
以上、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１５３】
例えば、前記実施形態では、上述した構成の半導体装置２０の製造に、本発明の電子装置の製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、コンデンサー、コイルのような電子部品を単独で備える電子装置等の製造に適用することができる。
【０１５４】
また、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【０１５５】
また、前記実施形態では、本発明の電子部品封止体の製造方法および本発明の電子装置の製造方法に用いられる電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）とノイズ抑制層３との積層体で構成される場合について説明したが、これに限定されず、電磁波シールド用フィルム３００は、剥離層１（基材層）およびノイズ抑制層３とは異なる他の層を備えるものであってもよい。
【０１５６】
さらに、電子部品封止体の製造方法および電子装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【実施例】
【０１５７】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１５８】
１．電磁波シールド用フィルムの製造
（実施例１Ａ）
電磁波シールド用フィルムを得るために、第１の層を形成するための樹脂材料としてポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を用意した。第３の層を形成するための樹脂材料として、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を用意した。また、第２の層を形成するための樹脂材料として、エチレン−メチルアクリレート共重合体（三井・デュポンポリケミカル社製、商品名：ニュクレルＡＮ４２１４Ｃ）を３５ｗｔ％、ポリプロピレン（プライムポリマー社製、商品名：Ｅ−２０３ＧＰ）を３０ｗｔ％、ポリメチルペンテン（三井化学社製、商品名：ＴＰＸ  ＤＸ２３１）を３５ｗｔ％含む混合物を用意した。
【０１５９】
さらに、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料（液状材料）として、粒子状をなす金属材料として銀粒子（福田金属箔粉工業社製、商品名：Ａｇ−ＸＦ３０１）を含み、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、商品名：ＥＰＩＣＲＯＮ  Ｎ−６７０）を含み、さらに、溶媒としてメチルエチルケトンを含む樹脂材料を用意した。
【０１６０】
次いで、上述した第１の層を形成するための樹脂材料と、第２の層を形成するための樹脂材料と、第３の層を形成するための樹脂材料とを、フィードブロックおよびマルチマニホールドダイを用いて共押出により、フィルム化された剥離層を得た。その後、ノイズ抑制層を形成するための樹脂材料を、剥離層に塗布した後に乾燥させることでノイズ抑制層を形成して電磁波シールド用フィルムを作製した。
【０１６１】
なお、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムの全体の平均厚さは、２４０μｍであり、第１の層の平均厚さＴ１は２０μｍ、第３の層の平均厚さＴ３は２０μｍ、第２の層の平均厚さＴ２は１８０μｍ、ノイズ抑制層の平均厚さは２０μｍであった。
【０１６２】
また、実施例１Ａの電磁波シールド用フィルムにおける、第１の層、第２の層および第３の層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、２．０Ｅ＋０８Ｐａ、５．０Ｅ＋０７Ｐａおよび２．０Ｅ＋０８Ｐａであった。
【０１６３】
さらに、剥離層およびノイズ抑制層の１００℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、１．０Ｅ＋０８Ｐａおよび１．０Ｅ＋０４Ｐａであった。
【０１６４】
（実施例１Ｂ）
電磁波シールド用フィルムが備える第１の層の平均厚さＴ１を５０μｍ、第３の層の平均厚さＴ３を５０μｍ、第２の層の平均厚さＴ２を３５０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。
【０１６５】
（比較例１Ａ）
電磁波シールド用フィルムが備える第２の層の平均厚さＴ２を６５μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして、電磁波シールド用フィルムを作製した。
【０１６６】
２．評価
実施例１Ａ、１Ｂおよび比較例１Ａで作製した電磁波シールド用フィルムについて、以下の評価を行った。
【０１６７】
＜凹部に対するノイズ抑制層の追従性＞
凹部に対するノイズ抑制層の追従性は、次のようにして評価した。
【０１６８】
すなわち、まず、ＦＲ４基板（ガラス繊維の布をエポキシ樹脂の硬化物で封止して形成された基板）上に、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚さ０．７ｍｍのＳｉ基板（擬似半導体素子）を搭載し、その後、Ｓｉ基板について１９０℃／１５０Ｎ／２０ｓｅｃの条件で加熱・圧縮処理を施した。
【０１６９】
次に、Ｓｉ基板が搭載されたＦＲ４基板上に、顆粒状のエポキシ樹脂組成物（住友ベークライト社製、「ＸＦ８６８０」）を供給した後、圧縮成形することで、Ｓｉ基板が封止部により封止された半導体封止連結体を形成した。
【０１７０】
なお、圧縮成形する際の条件は、１７５℃／５ＭＰａ／５ｍｉｎとした。
そして、２２０℃／１ｈｒの条件で封止部を硬化させた後に、ダイシングソーを用いて、封止部に対して、凹部幅２００μｍ、凹部間隔１０ｍｍ、凹部深さＤ８００μｍの凹部（溝）を格子状に形成することで、凹部が形成された半導体封止連結体を得た。
【０１７１】
次に、実施例１Ａ、１Ｂおよび比較例１Ａの電磁波シールド用フィルムを、それぞれ、凹部が形成された半導体封止連結体上に配置し、その後、真空加圧式ラミネーターを用いて、真空雰囲気下において、電磁波シールド用フィルムと電子部品封止体とが互いに接近するように、圧力２ＭＰａ、温度１７０℃、時間２４０秒の条件で加圧することで、電磁波シールド用フィルムを半導体封止連結体に貼付した。
【０１７２】
次に、半導体封止連結体に貼付された電磁波シールド用フィルムから剥離層を、剥離層の一端を持って剥離させた後、凹部の側面を被覆しているノイズ抑制層の深さを、凹部の深さＤで除することにより、ノイズ抑制層の追従率（埋込み率）を算出し、この得られた追従率を以下の評価基準に基づいて評価した。その評価結果を表１に示す。
【０１７３】
［評価基準］
◎：ノイズ抑制層の凹部に対する追従率が９８％以上である。
〇：ノイズ抑制層の凹部に対する追従率が９０％以上９８％未満である。
×：ノイズ抑制層の凹部に対する追従率が９０％未満である。
【０１７４】
【表１】
2019102498.tif 000003
【０１７５】
表１に示すように、実施例１Ａ、１Ｂでは、第２の層１２の厚さＴ２と、凹部６２の深さＤとの関係Ｔ２／Ｄが、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０を満足しており、これにより、半導体封止連結体に形成された凹部の側面に対して、優れた追従性をもって、ノイズ抑制層を被覆させることができた。
【０１７６】
これに対して、比較例１Ａでは、Ｔ２／Ｄが、０．１０＜Ｔ２／Ｄ＜０．６０なる関係を満足しておらず、これに起因して、半導体封止連結体に形成された凹部の側面に対して、優れた追従性をもって、ノイズ抑制層を被覆させることができなかった。
【符号の説明】
【０１７７】
１          剥離層
２          粘着層
３          ノイズ抑制層
４          基材
１１        第１の層
１２        第２の層
１３        第３の層
２０        半導体装置
２１        バンプ
２２        被覆部
２３        配線
２５        インターポーザー
２５’      シート材
２６        半導体素子
２７        封止部
２８        電子素子
６２        凹部
１００      粘着テープ
２２１      開口部
２７０      電子部品封止連結体
２９０      電子部品封止体
３００      電磁波シールド用フィルム
【図１】
2019102498.tif 000004
【図２】
2019102498.tif 000005
【図３】
2019102498.tif 000006
【図４】
2019102498.tif 000007