(57)【要約】【課題】加工により生じる湾曲形状の反りを、トワイマン効果を利用して矯正（抑制）し、平面度、平坦度に優れたリング状のＳｉＣ部材を提供する。【解決手段】平板状かつリング状の基材の一面に、周方向に延設された凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材１であって、前記凹部４の底面４ａにおける基材の厚さｔが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記凹部４の幅寸法ｌが、前記凹部底面の基材厚さｔの２５倍以上４０倍未満であり、前記凹部４の底面４ａの表面粗さがＳｉＣ部材の他面２の表面粗さの２倍以上である。【選択図】図３
2019102627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状かつリング状の基材の一面に、周方向に延設された凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材であって、
前記凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記凹部の幅寸法が、前記凹部底面の基材厚さの２５倍以上４０倍未満であり、
前記凹部の底面の表面粗さがＳｉＣ部材の他面の表面粗さの２倍以上４倍以下であることを特徴とするＳｉＣ部材。
【請求項２】
前記平板状かつリング状の基材は、高さが２ｍｍ以上４ｍｍ以下、外径が、φ３００ｍｍ以上φ３５０ｍｍ以下、内径が、２５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のＳｉＣ部材。
【請求項３】
リング状のＳｉＣ部材は、ＣＶＤ膜体あるいは焼結体であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のＳｉＣ部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＳｉＣ部材に関し、特に、一面に凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に示されるように、半導体基板を支持するエッジリングのように、リング状のＳｉＣ部材が知られている。このリング状のＳｉＣ部材の一面（例えば、裏面）には、周方向に延設される凹部が形成されている。
このリング状のＳｉＣ部材を図６に示す。このリング状のＳｉＣ部材１０の一面（裏面１０ａ）には、周方向に延設された凹部１０ｂが形成されている。また、リング状のＳｉＣ部材１０の他面（おもて面）１０ｃには、半導体基板Ｗを支持する支持部１０ｄが設けられている。
【０００３】
この種のリング状のＳｉＣ部材１０の裏面１０ａに、凹部１０ｂを切削、研削加工等の機械加工で形成すると、前記機械加工による残留応力によって、図６中、仮想線で示すように、凹部１０ｂを内側とする湾曲した形状に反ることが知られている。
これは、前記したような機械加工をすることによって、表裏面の表面粗さが異なる、あるいはツールマークの方向が両面で一様でない等、両面の加工面における応力のバランスが崩れ、反りが発生する。特に、凹部などを有していて三次元形状をしている場合は、両面の加工面における応力のバランスが崩れるほか、凹部の側壁などにも応力が発生するため、三次元的に応力バランスが釣り合わず、結果的に反るものと推察される。
このようにリング状のＳｉＣ部材１０が凹部１０ｂを内側とする湾曲した形状に反るため、平面度や平行度を精度良く加工することが困難であった。
【０００４】
ところで、特許文献２では、単結晶ＳｉＣ基板において、面粗度がおもて面と裏面とで異なる場合には、おもて面と裏面とで残留応力の差異が生じ、トワイマン効果により、単結晶ＳｉＣ基板が反り返ることが指摘されている。
尚、トワイマン効果とは、おもて面と裏面に残留する加工歪に差異が生じると、残留応力にも差異が生じ、それを補償するように基板が反る現象をいう。
【０００５】
即ち、単結晶ＳｉＣ基板のおもて面は、次工程でエピタキシャル成長させるため鏡面に形成され、一方、裏面は種々ハンドリング等の観点から面粗度の大きい面に形成されている。その為、両面の加工状態が異なり、片面が鏡面であり裏面は鏡面でない単結晶ＳｉＣ基板では、反りを小さくすることは困難であること、特にトワイマン効果の影響が大きい基板の直径が大きい場合や、基板が薄い場合には、反りの小さい基板を得ることは難しいことが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１４−５２３１４３号公報
【特許文献２】特許公開２０１７−２８１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記したように、半導体基板を支持するエッジリングのように、一面（例えば、裏面）に凹部に機械加工を施すと、リング状のＳｉＣ部材は湾曲した形状に反る（変形する）という技術的課題があった。
【０００８】
本発明者らは、上記技術的課題を解決するために、一面に凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材における湾曲形状の変形を抑制（矯正）するために、特許文献２に示されたトワイマン効果を利用して、凹部を形成することによって生じる変形を抑制（矯正）すること鋭意研究し、本発明を想到した。
即ち、特許文献２における単結晶ＳｉＣ基板にあっては、トワイマン効果の発生を抑制することにより、反りの小さい単結晶ＳｉＣ基板を得るものである。これに対して、本発明は加工により生じる湾曲形状の反りを、トワイマン効果を利用して、抑制（矯正）し、平面度、平坦度に優れたリング状のＳｉＣ部材となすものである。
【０００９】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、加工により生じる湾曲形状の反りを、トワイマン効果を利用して抑制（矯正）し、平面度、平坦度に優れたリング状のＳｉＣ部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するためになされた、本発明にかかるＳｉＣ部材は、平板状かつリング状の基材の一面に、周方向に延設された凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材であって、前記凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記凹部の幅寸法が、前記凹部底面の基材厚さの２５倍以上４０倍未満であり、前記凹部の底面の表面粗さがＳｉＣ部材の他面の表面粗さの２倍以上４倍以下であることを特徴としている。
【００１１】
ここで、前記平板状かつリング状の基材は、高さが２ｍｍ以上４ｍｍ以下、外径が、φ３００ｍｍ以上φ３５０ｍｍ以下、内径が、φ２５０ｍｍ以上φ３００ｍｍ以下であることが好ましい。
また、リング状のＳｉＣ部材は、ＣＶＤ膜体あるいは焼結体であることが望ましい。
【００１２】
このように、凹部底面の基材厚さ、凹部の幅寸法を特定寸法になすと共に、凹部の底面の表面粗さをＳｉＣ部材の他面の表面粗さの２倍以上になすことにより、前記凹部を形成するための加工により生じる湾曲形状の反りを、トワイマン効果を利用して矯正（抑制）することができる。その結果、平面度、平坦度に優れたリング状のＳｉＣ部材を得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、平板状かつリング状のＳｉＣ部材の一面に、周方向に延設された凹部が形成されたリング状のＳｉＣ部材において、前記凹部の加工により生じる湾曲形状の反りを矯正（抑制）し、平面度、平坦度に優れたリング状のＳｉＣ部材を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図は、本発明にかかるリング状のＳｉＣ部材の実施形態を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示したリング状のＳｉＣ部材の平面図である。
【図３】図３は、図１に示したＩ−Ｉ断面図である。
【図４】図４は、リング状のＳｉＣ部材の変形状態を示す断面図である。
【図５】ＣＶＤ法による、リング状のＳｉＣ部材の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】従来のリング状のＳｉＣ部材を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明にかかるリング状のＳｉＣ部材の実施形態を図１乃至図３に基づいて説明する。
図１に示すように、本発明にかかるＳｉＣ部材１は、全体形状として平板状であって、かつリング状（以下、単に、リング状と称する場合もある）に形成されている。
前記ＳｉＣ部材１（平板状かつリング状の基材）は、高さＨが２〜４ｍｍ、外径Ｄが、φ３００〜φ３５０ｍｍ、内径Ｒが、φ２５０〜φ３００ｍｍに形成されている。
ＳｉＣ部材１の高さＨが小さく、外径Ｄ、内径Ｒが大きくなると、よりトワイマン効果が生じ易くなり、ＳｉＣ部材１の反りを矯正し易くなる。
【００１６】
尚、図１乃至図３には、全体形状として平板状かつリング形状のＳｉＣ部材１を示したが、図６に示すウエハ基板支持部１０ｄのように、リング形状のＳｉＣ部材１の内方に突出した突出部（支持部）が形成されていても良い。また、リング形状のＳｉＣ部材１の外方に突出した突出部（支持部）が形成されていても良い。
【００１７】
また前記ＳｉＣ部材１の一面（裏面）３には、周方向に延設された凹部４が形成されている。本発明は、平板状かつリング状のＳｉＣ部材１の一面３（例えば、裏面）に、凹部４を機械加工により形成した際に生じ、湾曲した形状に反り（変形）を、矯正（抑制）するためになされた発明であり、リング状のＳｉＣ部材１の一面３に、周方向に延設された凹部４が形成されていることが前提となる。
【００１８】
また、前記凹部４の底面４ａにおける基材の厚さｔは、０．５ｍｍ以下になされている。
前記凹部４の底面４ａにおける基材の厚さｔが０．５ｍｍを越えると、基材が厚くなり、トワイマン効果が生じ難く、リング状のＳｉＣ部材１の反りを抑制し難くなるため好ましくない。
好ましくは、凹部４の底面４ａにおける基材の厚さｔが０．３ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下である。尚、基材の厚さｔが０．３ｍｍ未満の場合には、前記凹部４の底面４ａの強度が小さくなり、破損等につながるため、好ましくない。
【００１９】
また、凹部４におけるＳｉＣ部材１の径方向の長さ寸法（以下、幅寸法と称する）ｌは、前記凹部底面４ａの基材厚さｔの２５倍以上４０倍未満になされている。
凹部４の幅寸法ｌが、凹部底面２ａの基材厚さｔの２５倍未満の場合には、トワイマン効果よりも、凹部４を形成する際に生じる残留応力（内部応力）の影響が大きく、結果としてＳｉＣ部材１の反り（変形）を矯正（抑制）する効果が少ない。
一方、凹部４の幅寸法ｌが、凹部底面４ａの基材厚さｔの４０倍を超える場合には、凹部４を形成する際に生じる残留応力（内部応力）よりも、トワイマン効果が大きくなり、ＳｉＣ部材１にうねりが生じ、良好な平面度、平坦度を得ることができない。
【００２０】
また、前記凹部４の底面４ａの表面粗さは、ＳｉＣ部材１の他面（おもて面）２の表面粗さの２倍以上４倍以下である。
このように、凹部４の底面４ａの表面粗さと他面（おもて面）２の表面粗さを異ならしめることにより、凹部４の底面４ａと他面２との間に、表面粗さに起因する残留応力に差異が生じ、トワイマン効果により、ＳｉＣ部材１が変形する。
具体的には、凹部４の底面４ａの表面粗さがＳｉＣ部材１の他面（おもて面）２の表面粗さの２倍以上であるため、図４に仮想線Ｘで示すように他面（おもて面）２側が凹むように変形する。
【００２１】
一方、リング状のＳｉＣ部材１の裏面３に、凹部４を、切削、研磨加工等の機械加工を施すと、前記機械加工による残留応力によって、図４に仮想線Ｙで示すように示すように、他面（おもて面）２側が凸となる湾曲した形状に反る。
したがって、リング状のＳｉＣ部材１の一面に凹部４を形成することによる反り（変形）を、凹部４の底面４ａの表面粗さと他面（おもて面）２の表面粗さを異ならしめることにより、トワイマン効果により、矯正（抑制）することができる。
【００２２】
ここで、前記凹部４の底面４ａの表面粗さを、ＳｉＣ部材の他面（おもて面）２の表面粗さの２倍以上としたのは、２倍以下ではトワイマン効果によって、凹部４による反り（変形）を、矯正（抑制）することができないため、好ましくない。
また、前記凹部４の底面４ａの表面粗さがＳｉＣ部材の他面（おもて面）２の表面粗さの４倍を超える場合には、元々の反り量に対して矯正量の方が大きくなり、平坦な平面にはならず、好ましくない。
【００２３】
このリング状のＳｉＣ部材１は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法あるいは焼結法で形成することができる。
ＣＶＤ法でリング状のＳｉＣ部材１を形成するには、例えば、図５に示すように、Ｔ字状のカーボン基材５（例えば、等方性黒鉛材）を用意し、１５００℃で１５時間、化学的気相成長法（ＣＶＤ）による処理を行う。このＣＶＤ処理により、カーボン基材５の表面にＳｉＣ層６を所定の膜厚（例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ）となるまで形成する。ここで、ＳｉＣ層６の厚さを０．３〜０．５ｍｍとすることにより、所定の強度を確保することができる。
【００２４】
次いで、酸素雰囲気で、これらを例えば１０００℃に加熱する。これにより、カーボン基材５は、その露出した端部から燃焼し除去される。カーボン基材５が除去されると、図１に示すように凹部が形成されたＣＶＤ膜体が形成される。
更に、回転研磨具あるいは切削具等を用いて、前記ＣＶＤ膜体の凹部の底面の表面粗さがおもて面の表面粗さの２倍以上４倍以下にする。
このように、カーボン基材５上にＳｉＣ層６を堆積後、カーボン基材を除去し、ＣＶＤ膜体を形成し、凹部の底面の表面粗さ及び他面（おもて面）の表面粗さを、所定の表面粗さになすことにより、ＳｉＣ部材１を形成する。
【００２５】
具体的には、凹部４内面（底面４ａ）については、＃１７０−＃２００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１−０．０２ｍｍ、送り速度２．５−５．０ｍｍ／ｒｅｖで加工する。
おもて面２については、凹部内面（底面４ａ）よりも表面粗さを小さくすることで、トワイマイン効果により反りが矯正されるため、＃１７０−＃２００のレジンボンドカッターより目の細かい、＃４００−＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２−０．００５ｍｍ、送り速度１．０−２．０ｍｍ／ｒｅｖで加工する。
これらの条件で加工することで、所望の表面粗さの比が得られ、リング状ＳｉＣ部材１の反りを矯正することができる。
【００２６】
次に、このリング状のＳｉＣ部材を焼結法で形成する場合の一例を説明する。
例えば、所定の平均粒径を有するＳｉＣ粉末粒子に、硼素、硼素化合物、炭素乃至炭化物、アルミニウム化合物等の焼結助剤、及び必要に応じてバインダー等を添加して混合物とし、水等を加えて混練する。その後、所定形状に成形し、脱脂後２０００乃至２２００℃程度の温度で焼結する。
【００２７】
このようにして得られた焼結体のおもて面及び凹部底面を、切削、研削等の加工処理を施して、リング状のＳｉＣ部材１とする。
そして、焼結体のおもて面及び凹部底面の切削、研削等を行う。前記したように、凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０−＃２００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１−０．０２ｍｍ、送り速度２．５−５．０ｍｍ／ｒｅｖで加工する。
おもて面２については、凹部内面（底面４ａ）よりも表面粗さを小さくすることで、トワイマイン効果により反りが矯正されるため、＃１７０−＃２００のレジンボンドカッターより目の細かい、＃４００−＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２−０．００５ｍｍ、送り速度１．０−２．０ｍｍ／ｒｅｖで加工する。
これらの条件で加工することで、所望の表面粗さの比が得られ、リング状ＳｉＣ部材の反りを矯正することができる。
尚、リング状ＳｉＣ部材が半導体熱処理用部材等である場合は、更にＨＦ＋ＨＮＯ３ 混酸水溶液等で酸洗浄し、表面浄化後乾燥して、ＳｉＣ部材とする。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により限定解釈されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
ＣＶＤ法により、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部底面については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで加工し、おもて面については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖで加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さｔが０．５ｍｍであり、かつ凹部の幅寸法ｌが１２．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１３μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５２μｍ（ＳｉＣ部材の表面の表面粗さに対して、４倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は、図４に示す仮想線Ｘのように凹状に湾曲するように反り、反り量は、３．５μｍであった。尚、前記反りは、てこ式ダイヤルゲージを使用して、リング内周から外周までの高低差を４５°間隔で、計８箇所で測定し、それぞれ値の平均値を反り量とした。その結果を表１、表２に示す。
【００３０】
（実施例２）
実施例１と同様に、ＣＶＤ法により、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃４００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した（＃４００カッターを使用して、実施例１よりもおもて面を少し粗くした）。
そして、凹部の底面における基材の厚さｔが０．５ｍｍであり、かつ凹部の幅寸法ｌが１２．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．２６μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５２μｍ（ＳｉＣ部材の表面の表面粗さに対して、２倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、５．５μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３１】
（実施例３）
実施例１と同様に、ＣＶＤ法により、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さｔが０．５ｍｍであり、かつ凹部の幅寸法ｌが２０．０ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して４０倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１４μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５２μｍ（ＳｉＣ部材の表面の表面粗さに対して、３．７倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、５．３μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３２】
（実施例４）
実施例１と同様に、ＣＶＤ法により、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さｔが０．３ｍｍであり、かつ凹部の幅寸法ｌが７．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１３μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５２μｍ（ＳｉＣ部材の表面の表面粗さに対して、４倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、６．１μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３３】
（比較例１）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部底面及びおもて面については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法１２．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．５４μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５４μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、１倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、４０μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３４】
（比較例２）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃２７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法１２．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．３５μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５３μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、１．５倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、３５μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３５】
（比較例３）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃８００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法１２．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１１μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５３μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、４．８倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｘのように凹状に湾曲するように反り、反り量は、１５μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３６】
（比較例４）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法７．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して１５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１３μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５１μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、３．９倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、３１μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３７】
（比較例５）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法２１．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して４３倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１４μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５３μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、３．８倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｘのように凹状に湾曲するように反り、反り量は、１７μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３８】
（比較例６）
実施例１と同様に、外形３５０ｍｍ、内径２７０ｍｍ、高さ４ｍｍの平板状であって、かつリング状ＳｉＣ部材を得た。
凹部内面（底面４ａ）については、＃１７０のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．０１ｍｍ、送り速度５．０ｍｍ／ｒｅｖで、おもて面２については、＃６００のレジンボンドカッターを使用して、切込量０．００２ｍｍ、送り速度２．０ｍｍ／ｒｅｖの条件で加工した。
そして、凹部の底面における基材の厚さが０．７ｍｍであり、かつ凹部の径方向の長さ寸法１７．５ｍｍ（凹部底面の基材厚さに対して２５倍）、ＳｉＣ部材のおもて面（凹部の底面と対向する面）の表面粗さＲａが、０．１４μｍ、凹部の底面の表面粗さＲａが０．５２μｍ（ＳｉＣ部材のおもて面の表面粗さに対して、３．７倍）のＳｉＣ部材を得た。
このときの加工後のＳｉＣ部材は図４に示す仮想線Ｙのように凸状に湾曲するように反り、反り量は、１８μｍであった。その結果を表１、表２に示す。
【００３９】
【表１】
2019102627.tif 000003
【００４０】
【表２】
2019102627.tif 000004
【００４１】
このように、凹部の底面における基材の厚さが０．５ｍｍ以下であり、かつ前記凹部の幅寸法が、前記凹部底面の基材厚さの２５倍以上４０倍未満であり、前記凹部の底面の表面粗さがＳｉＣ部材の他面の表面粗さの２倍以上になすことにより、前記凹部を形成するための加工により生じる湾曲形状の反りを、矯正（抑制）できることを確認した。
【符号の説明】
【００４２】
１      ＳｉＣ部材
２      他面（おもて面）
３      一面（裏面）
４      凹部
４ａ    凹部底面
ｔ      厚さ
ｌ      凹部の幅
Ｄ      外径
Ｈ      高さ
Ｒ      内径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2019102627.tif 000009
【図６】
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