(57)【要約】【課題】配線間ショートの発生を効果的に防止できる配線構造を提供する。【解決手段】配線構造は、第１の配線、第１の配線上の第１の絶縁膜、第１の絶縁膜上に位置し、第１の配線と交差する第２の配線、第１の絶縁膜上に位置し、第２の配線から離間する電極、および、第２の配線と電極上の第２の絶縁膜を有する。電極の全体が第１の配線と重なる。第１の配線上において、第２の配線と電極の間では第１の絶縁膜の上面の全体が第２の絶縁膜と接する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線、
前記第１の配線上の第１の絶縁膜、
前記第１の絶縁膜上に位置し、前記第１の配線と交差する第２の配線、
前記第１の絶縁膜上に位置し、前記第２の配線から離間する電極、および
前記第２の配線と前記電極上の第２の絶縁膜を有し、
前記電極の全体が前記第１の配線と重なり、
前記第１の配線上において、前記第２の配線と前記電極の間では前記第１の絶縁膜の上面の全体が前記第２の絶縁膜と接する配線構造。
【請求項２】
前記第１の配線は、
第１の導電膜、
前記第１の導電膜上の第２の導電膜、および
前記第２の導電膜上の第３の導電膜を有し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、チタン、モリブデン、タングステン、あるいはタンタルを含み、
前記第２の導電膜は、アルミニウム、あるいは銅を含む、請求項１に記載の配線構造。
【請求項３】
前記第２の導電膜の側面は、前記第１の導電膜の上面、および前記第３の導電膜の底面の少なくとも一方と重なる、請求項２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜は、前記第１の配線に起因する段差を有し、
前記第１の絶縁膜の前記上面のうち前記第１の配線と重ならない面と、前記段差における前記第１の絶縁膜の側面との角度は、０°以上９０°以下である、請求項１に記載の配線構造。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は、前記第１の配線と重なる開口を有し、
前記電極は前記開口を介して前記第１の配線と電気的に接続される、請求項１に記載の配線構造。
【請求項６】
前記第１の配線の下の第３の配線と、
前記第１の配線と前記第３の配線の間の第３の絶縁膜をさらに有し、
前記第１の配線、前記第１の絶縁膜、前記第３の絶縁膜はそれぞれ開口を有し、
前記電極は、前記第１の配線、前記第１の絶縁膜、前記第３の絶縁膜の前記開口を介して前記第１の配線と前記第３の配線と電気的に接続される、請求項１に記載の配線構造。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜と前記第３の絶縁膜は、前記第１の配線の前記開口内で互いに接する、請求項６に記載の配線構造。
【請求項８】
前記第３の配線はシリコンを含む、請求項６に記載の配線構造。
【請求項９】
半導体膜、前記半導体膜上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上のゲート、前記ゲート上の第１の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜上の第２の層間絶縁膜、および、前記第２の層間絶縁膜上の第１の端子と第２の端子を備えるトランジスタ、
前記トランジスタ上の平坦化膜、
前記平坦化膜上に位置し、前記第２の端子と電気的に接続される表示素子、ならびに
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の間に挟まれ、前記第１の端子と電気的に接続される第１の配線を有し、
前記第１の配線は開口を有し、前記開口を介して前記第２の層間絶縁膜が前記平坦化膜と前記第１の層間絶縁膜に接する表示装置。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記第２の層間絶縁膜はそれぞれ、前記開口と重なる開口を有し、
前記第１の配線、前記ゲート絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記第２の層間絶縁膜の前記開口を介し、前記第１の端子は前記半導体膜と電気的に接続される、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の配線は、
第１の導電膜、
前記第１の導電膜上の第２の導電膜、および
前記第２の導電膜上の第３の導電膜を有し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、チタン、モリブデン、タングステン、あるいはタンタルを含み、
前記第２の導電膜は、アルミニウム、あるいは銅を含む、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の導電膜の側面は、前記第１の導電膜の上面、および前記第３の導電膜の底面の少なくとも一方と重なる、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２の層間絶縁膜は、前記第１の配線に起因する段差を有し、
前記第２の層間絶縁膜の上面のうち前記第１の配線と重ならない面と、前記段差における前記第２の層間絶縁膜の側面との角度は、０°以上９０°以下である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示素子は電界発光素子であり、
前記第１の配線は、前記表示素子に電流を供給するように構成される、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
半導体膜、前記半導体膜上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上のゲート、前記ゲート上の第１の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜上の第２の層間絶縁膜、および、前記第２の層間絶縁膜上の第１の端子と第２の端子を備えるトランジスタ、
前記第２の端子と電気的に接続される表示素子、ならびに
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の間に挟まれ、前記第１の端子と電気的に接続される第１の配線を有し、
前記第１の端子の全体が前記第１の配線の輪郭に囲まれる表示装置。
【請求項１６】
前記第１の配線、前記ゲート絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜はそれぞれ開口を有し、前記開口を介し、前記第１の端子が前記半導体膜と電気的に接続される、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１の配線は、
第１の導電膜、
前記第１の導電膜上の第２の導電膜、および
前記第２の導電膜上の第３の導電膜を有し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜は、チタン、モリブデン、タングステン、あるいはタンタルを含み、
前記第２の導電膜は、アルミニウム、あるいは銅を含む、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２の導電膜の側面は、前記第１の導電膜の上面、および前記第３の導電膜の底面の少なくとも一方と重なる、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第２の層間絶縁膜は、前記第１の配線に起因する段差を有し、
前記第２の層間絶縁膜の上面のうち前記第１の配線と重ならない面と、前記段差における前記第２の層間絶縁膜の側面との角度は、０°以上９０°以下である、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記表示素子は電界発光素子であり、
前記第１の配線は、前記表示素子に電流を供給するように構成される、請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、複数の配線が配置された配線構造、およびこの配線構造を有する表示装置などの半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体基板、あるいはガラス基板などの基板上に設けられた種々の導電膜、半導体膜、絶縁膜の積層体であり、これらの膜を適切にパターニングして配置することで半導体装置としての様々な機能を発現することができる。半導体装置の一例が液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などの表示装置である。表示装置の製造過程では、大型のガラス基板上に種々の導電膜、半導体膜、絶縁膜が堆積、パターニングされ、これによってトランジスタや容量素子、表示素子などの素子やこれらを電気的に接続する配線が形成される。
【０００３】
半導体装置の高集積化、表示装置の高精細化に伴い、素子や配線も基板上に高密度に配置される。このため、パターニング不良が発生して導電性の残渣などが基板上に残留すると、近接する配線同士で容易にショートが誘発される。そこで例えば特許文献１から３では、配線間でのショートを防止するための様々な構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−４６１４８号公報
【特許文献２】特開１０−２５３９８９号公報
【特許文献３】特開２０００−２６０８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態の一つは、高密度に配線を形成しても配線間ショートの発生を効果的に防止できる配線構造を提供することを課題の一つとする。本発明の実施形態の一つはさらに、上記配線構造を有する表示装置などの半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは配線構造である。この配線構造は、第１の配線、第１の配線上の第１の絶縁膜、第１の絶縁膜上に位置し、第１の配線と交差する第２の配線、第１の絶縁膜上に位置し、第２の配線から離間する電極、および、第２の配線と電極上の第２の絶縁膜を有する。電極の全体が第１の配線と重なる。第１の配線上において、第２の配線と電極の間では第１の絶縁膜の上面の全体が第２の絶縁膜と接する。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、トランジスタ、トランジスタ上の平坦化膜、平坦化膜上の表示素子、ならびに第１の配線を有する。トランジスタは、半導体膜、半導体膜上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上のゲート、ゲート上の第１の層間絶縁膜、第１の層間絶縁膜上の第２の層間絶縁膜、および記第２の層間絶縁膜上の第１の端子と第２の端子を備える。表示素子は、第２の端子と電気的に接続される。第１の配線は、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜の間に挟まれ、第１の端子と電気的に接続される。第１の配線は開口を有し、この開口を介して第２の層間絶縁膜が平坦化膜と第１の層間絶縁膜に接する。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、トランジスタ、表示素子、および第１の配線を有する。トランジスタは、半導体膜、半導体膜上のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上のゲート、ゲート上の第１の層間絶縁膜、第１の層間絶縁膜上の第２の層間絶縁膜、および、第２の層間絶縁膜上の第１の端子と第２の端子を備える。表示素子は、第２の端子と電気的に接続される。第１の配線は、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜の間に挟まれ、第１の端子と電気的に接続される。第１の端子の全体は第１の配線の輪郭に囲まれる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態の配線構造の模式的上面図と断面図。
【図２】本発明の実施形態の配線構造の模式的断面図。
【図３】本発明の実施形態の配線構造の模式的断面図。
【図４】従来の配線構造の一部を模式的に示す上面図と断面図。
【図５】本発明の実施形態の配線構造の一部を模式的に示す上面図と断面図。
【図６】本発明の実施形態の配線構造の模式的上面図と断面図。
【図７】本発明の実施形態の配線構造の模式的上面図と断面図。
【図８】本発明の実施形態の配線構造の模式的上面図と断面図。
【図９】本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図１０】本発明の実施形態の表示装置の画素の等価回路。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的上面図。
【図１２】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的断面図。
【図１３】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的上面図と断面図。
【図１４】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的断面図。
【図１５】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的上面図。
【図１６】本発明の実施形態の表示装置の画素の模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行って複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出する」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１５】
（第１実施形態）
１．構造
本発明の実施形態の一つである配線構造１００の模式的上面図を図１（Ａ）に、図１（Ａ）の鎖線Ａ−Ａ´、Ｂ−Ｂ´、Ｃ−Ｃ´に沿った模式的断面図をそれぞれ図１（Ｂ）から図１（Ｄ）に示す。これらの図に示すように、配線構造１００は、第１の配線１０２、第１の配線１０２上に位置し、第１の配線１０２と重なる第１の絶縁膜１０４、第１の絶縁膜１０４上の電極１０６と第２の配線１０８、および電極１０６と第２の配線１０８上に位置し、電極１０６と第２の配線１０８と重なる第２の絶縁膜１１０を有する。第２の配線１０８と電極１０６は互いに離間し、また、同一の層に存在する。すなわち、これらは同一の工程で形成され、同一の組成を有することができる。電極１０６は島状に設けられ、第１の配線１０２と重なる。より具体的には、上面視において電極１０６の全体が第１の配線１０２の輪郭に囲まれる。換言すると、電極１０６の底面の全体が第１の配線１０２と重なる。第２の配線１０８は第１の配線１０２と交差する。第１の配線１０２と第２の配線１０８が交差する角度は任意であり、直交してもよい。例えばこの角度は３０°以上９０°以下、４５°以上９０°以下、あるいは６０°以上９０°以下である。任意の構成として、配線構造１００は第１の配線１０２の下に第３の絶縁膜１１２を有してもよい。第２の配線１０８と電極１０６には、互いに異なる電位が印加されるよう、配線構造１００を構成することができる。
【００１６】
図示しないが、第２の配線１０８と電極１０６の間には、これらと同一の層に存在する配線や電極を設けてもよい。あるいは図１（Ａ）に示すように、第２の配線１０８と電極１０６の間には、これらと同一の層に存在する配線や電極を設けなくてもよい。後者の場合では、第２の配線１０８と電極１０６の間の第１の配線１０２上では、第１の絶縁膜１０４の上面の全体が第２の絶縁膜１１０と接する（図１（Ｄ））。
【００１７】
第１の絶縁膜１０４、第２の絶縁膜１１０、第３の絶縁膜１１２はいずれも無機化合物を含む膜であり、無機化合物としてはケイ素含有無機化合物が挙げられる。ケイ素含有無機化合物としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、炭化酸化ケイ素が例示される。これらの膜は単層構造を有してもよく、異なる材料を含む膜が複数積層された構造を有してもよい。
【００１８】
第１の配線１０２、第２の配線１０８、および電極１０６は金属（０価の金属）、あるいはその合金を含み、金属としては例えばチタン、モリブデン、タングステン、タンタル、クロム、アルミニウム、銅などから選択される。
【００１９】
第１の配線１０２、第２の配線１０８、および電極１０６は、図１（Ａ）に示すように単層構造を有してもよく、複数の層から構成されてもよい。例えば図２（Ａ）から図２（Ｃ）に示すように、第１の配線１０２は、第１の導電膜１０２ａ、第２の導電膜１０２ｂ、および第３の導電膜１０２ｃの積層である三層構造を有していてもよい。この場合、第２の導電膜１０２ｂはアルミニウムや銅などの高導電性金属を含み、第１の導電膜１０２ａと第３の導電膜１０２ｃはチタンやモリブデン、タングステン、あるいはこれらの合金などの高融点金属を含むよう、第１の配線１０２を構成することができる。三層構造の典型例として、チタン／アルミニウム／チタン、モリブデン−タングステン合金／アルミニウム／モリブデン−タングステン合金などが挙げられる。図示していないが、電極１０６や第２の配線１０８も同様の構造を有することができる。
【００２０】
第１の配線１０２、第２の配線１０８、あるいは電極１０６が三層構造を有する場合、第１の導電膜１０２ａ、第２の導電膜１０２ｂ、第３の導電膜１０２ｃの側面は同一平面上に位置しなくてもよい。例えば図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示すように、第２の導電膜１０２ｂの側面が第１の導電膜１０２ａの上面と第３の導電膜１０２ｃの底面の少なくともいずれかと重なるよう、第１の配線１０２、第２の配線１０８、電極１０６を構成してもよい。第１の絶縁膜１０４は第１の配線１０２を覆うため、第１の配線１０２に起因して第１の絶縁膜１０４には段差が生じる。第１の配線１０２が上述した構造を有する場合、図３（Ａ）や図３（Ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１０４の段差における側面１０４ｂは、その下部が上部よりも第１の配線１０２に近くなるように傾き、その結果、第１の絶縁膜１０４の一部にくびれが生じ、第１の絶縁膜１０４は逆テーパー構造をとる。すなわち、断面において、第１の絶縁膜１０４の上面のうち第１の配線１０２と重ならない上面１０４ａと側面１０４ｂとの角度θは９０°にならず、０°以上９０°以下となる（図３（Ｂ））。なお、側面１０４ｂが曲面である場合、この角度θは上面１０４ａと、断面における上面１０４ａと側面１０４ｂの交点を通過する側面１０４ｂの接線との角度として定義される。
【００２１】
図４（Ａ）に従来の配線構造の問題点を示す上面図を、図４（Ｂ）と図４（Ｃ）に鎖線Ｄ−Ｄ´、Ｅ−Ｅ´に沿った断面図をそれぞれ模式的に示す。これらの図では、第２の絶縁膜１１０は省略されている。この従来構造では、電極１０６の一部が第１の配線１０２と重なり、他の一部は重ならない。
【００２２】
第２の配線１０８や電極１０６は、スパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法を利用して第１の絶縁膜１０４上に金属膜を形成し、これをエッチングによってパターニングすることで形成される。この時、エッチングやその後の洗浄工程において、金属膜に由来する導電性のエッチング残渣が完全に除去されずに残存することがある。このエッチング残渣は前述した段差、すなわち、上面１０４ａと側面１０４ｂとの境界１０４ｃとその近傍に残留しやすい。特に第１の絶縁膜１０４が逆テーパー構造を有する場合、エッチング残渣が高い確率で残留する。図４（Ａ）の点線で示すように、この境界１０４ｃは第１の配線１０２を挟むように、第１の配線１０２に沿って延伸するため、第２の配線１０８や電極１０６はこの境界１０４ｃと重なる。このため、エッチング残渣は第２の配線１０８と電極１０６間を導通し、これらの間でショートの原因となる。特に第２の配線１０８と電極１０６間の距離が小さいときには、高い確率でショートを誘発する。
【００２３】
しかしながら上述したように、配線構造１００では、電極１０６の底面の全体が第１の配線１０２と重なる。したがって、図５（Ａ）の上面図、および鎖線Ａ−Ａ´、Ｆ−Ｆ´に沿った断面模式図（図５（Ｂ）、図５（Ｃ））に示すように、配線構造１００では第２の配線１０８は境界１０４ｃと重なるものの、電極１０６は境界１０４ｃと重ならず、接しない。したがって、配線構造１００を適用することで、第２の配線１０８と電極１０６間のショートを効果的に防止することができ、信頼性の高い配線構造とそれを有する回路構成を提供することができる。
【００２４】
２．変形例１
図６（Ａ）に、配線構造１００とは異なる構造を有する、本実施形態に係る配線構造１２０の上面模式図を示す。図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は図６（Ａ）の鎖線Ｇ−Ｇ´、Ｈ−Ｈ´に沿った断面模式図である。配線構造１２０は、第１の絶縁膜１０４が第１の配線１０２と重なる開口１２２を有し、この開口１２２を介して第１の配線１０２と電極１０６が電気的に接続される点で図３に示した配線構造１００と異なる。
【００２５】
配線構造１００と同様、配線構造１２０においても、電極１０６の底面の全体が第１の配線１０２と重なり、上面視において電極１０６の全体が第１の配線１０２の輪郭に囲まれるため、境界１０４ｃは電極１０６と重ならない。このため、第２の配線１０８と電極１０６間、および第２の配線１０８と第１の配線１０２間とのショートを効果的に防止することができる。
【００２６】
３．変形例２
図７（Ａ）に、配線構造１００、１２０とは異なる構造を有する、本実施形態に係る配線構造１３０の上面模式図を示す。図７（Ｂ）、図７（Ｃ）はそれぞれ図７（Ａ）の鎖線Ｉ−Ｉ´、Ｊ−Ｊ´に沿った断面模式図である。配線構造１３０は、第３の絶縁膜１１２を介して第１の配線１０２や電極１０６と重なる第３の配線１３４を第１の配線１０２の下に有している点、第１の配線１０２、第３の絶縁膜１１２、および第１の絶縁膜１０４にそれぞれ開口（以下、これらの開口を総じて開口１３２と記す）が設けられ、この開口１３２を介して電極１０６が第１の配線１０２、および第３の配線１３４と電気的に接続される点で配線構造１００、１２０と異なる。
【００２７】
第３の配線１３４は、第１の配線１０２や第２の配線１０８、電極１０６と同様、０価の金属を含んでもよく、あるいはシリコンやゲルマニウムなどの第１４族元素、もしくは酸化物半導体などを含んでもよい。酸化物半導体としては、例えばインジウム−亜鉛混合酸化物（ＩＺＯ）やインジウム−ガリウム−亜鉛混合酸化物（ＩＧＺＯ）などが挙げられる。また、第３の配線１３４には不純物がドープされていてもよい。不純物としては、ホウ素やアルミニウム、窒素やリンのイオンが挙げられる。第３の配線１３４の導電性は、第１の配線１０２や第２の配線１０８、電極１０６と同程度でもよく、これらよりも低くてもよい。例えば第３の配線１３４の一部は半導体としての特性を示してもよい。第３の配線１３４の結晶性にも制限はなく、単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスでもよい。
【００２８】
第１の配線１０２、第３の絶縁膜１１２、第１の絶縁膜１０４にそれぞれ形成される開口の大きさや形状は互いに異なっていてもよい。例えば上面視において第１の配線１０２に設けられる開口全体を含むように第１の絶縁膜１０４に開口を形成してもよい。あるいは、第３の絶縁膜１１２の開口と第１の配線１０２の開口の大きさや形状は同一でも良い。この場合、図７（Ｂ）や図７（Ｃ）に示すように、第３の絶縁膜１１２の開口の側壁は、第１の導電膜１０２ａ、あるいは第３の導電膜１０２ｃの側壁と同一平面上に位置してもよい。
【００２９】
配線構造１００や１２０と同様、配線構造１３０においても、電極１０６の底面の全体が第１の配線１０２と重なり、上面視において電極１０６の全体が第１の配線１０２の輪郭に囲まれるため、境界１０４ｃは電極１０６と重ならない。このため、第２の配線１０８と電極１０６間、第２の配線１０８と第１の配線１０２間、および第２の配線１０８と第３の配線１３４間とのショートを効果的に防止することができる。
【００３０】
４．変形例３
図８（Ａ）に、配線構造１００、１２０、１３０とは異なる構造を有する、本実施形態に係る配線構造１４０の上面模式図を示す。図８（Ｂ）、図８（Ｃ）はそれぞれ図８（Ａ）の鎖線Ｋ−Ｋ´、Ｌ−Ｌ´に沿った断面模式図である。配線構造１４０は、第３の絶縁膜１１２と第１の絶縁膜１０４にそれぞれ開口（以下、これらの開口を総じて開口１４２と記す）が設けられるとともに、開口１４２と一部が重なる開口１４４が第１の配線１０２に設けられる点、ならびに、この開口１４４において第１の絶縁膜１０４は、第２の絶縁膜１１０、および第３の絶縁膜１１２と接する点で配線構造１３０と異なる。開口１４２、１４４は一部が重なり、これらを介して電極１０６は第１の配線１０２や第３の配線１３４と電気的に接続される。
【００３１】
上述したように、第１の配線１０２は開口１４４を有し、この開口１４４において第１の絶縁膜１０４は、第２の絶縁膜１１０と第３の絶縁膜１１２と接する。このため、第１の配線１０２は、平面視において、電極１０６の一部を取り囲み、かつ、電極１０６から離間したバイパス構造を有する（図８（Ａ））。このバイパス構造により開口１４４が形成される。境界１０４ｃはこのバイパス構造に沿って形成されるため、配線構造１３０と同様、電極１０６と重ならない。このため、第２の配線１０８と電極１０６間、第２の配線１０８と第１の配線１０２間、および第２の配線１０８と第３の配線１３４間とのショートを効果的に防止することができる。
【００３２】
（第２実施形態）
本実施形態では、半導体装置の一例として、第１実施形態で述べた配線構造１４０を有する画素が複数配置された表示装置２００の構造を述べる。本実施形態では、表示素子として発光素子を有する表示装置２００について説明する。第１実施形態と同一、あるいは類似する構成に関しては説明を省略することがある。
【００３３】
１．全体構造
図９に表示装置２００の上面模式図を示す。表示装置２００は基板２０２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、複数の画素２０４や画素２０４を駆動するための駆動回路（ゲート側駆動回路２０８、ソース側駆動回路２１０）が形成される。複数の画素２０４は周期的に配置され、これらによって表示領域２０６が定義される。後述するように、各画素２０４には配線構造１４０や発光素子２６２が設けられる。
【００３４】
ゲート側駆動回路２０８やソース側駆動回路２１０は、表示領域２０６外（周辺領域）に配置される。表示領域２０６やゲート側駆動回路２０８、ソース側駆動回路２１０からはパターニングされた導電膜で形成される種々の配線（図示しない）が基板２０２の一辺へ延び、配線は基板２０２の端部付近で露出されて端子２１２を形成する。これらの端子２１２はフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）２１４と電気的に接続される。ここで示した例では、ＦＰＣ２１４上に、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ２１６がさらに搭載される。駆動ＩＣ２１６、ＦＰＣ２１４、端子２１２を介して外部回路（図示しない）から映像信号が供給され、ゲート側駆動回路２０８、ソース側駆動回路２１０へ与えられる。映像信号に基づく信号が各画素２０４に与えられ、画素２０４が制御、駆動される。駆動回路や駆動ＩＣ２１６の態様については図９に示す態様に限られず、例えば駆動ＩＣ２１６は基板２０２上に実装されてもよく、ソース側駆動回路２１０の機能が駆動ＩＣ２１６に統合されていても良い。
【００３５】
２．画素構造
画素２０４の等価回路を図１０に示す。ここでは、隣接する三つの画素２０４の等価回路が示されている。各画素２０４は、ゲート側駆動回路２０８から延伸するゲート線２２２、および駆動ＩＣから端子２１２を経て延伸する信号線２２６と電気的に接続される画素回路を有しており、ここで示した例では、画素回路は二つのトランジスタ（スイッチングトランジスタ２７０、駆動トランジスタ２７２）と一つの保持容量２７４、および一つの発光素子２６２を有している。スイッチングトランジスタ２７０のゲートはゲート線２２２と電気的に接続され、一方の端子（ソース）は信号線２２６に接続される。スイッチングトランジスタ２７０の他方の端子（ドレイン）は保持容量２７４の一方の電極と駆動トランジスタ２７２のゲートに電気的に接続される。電流供給線２２４は保持容量２７４の他方の電極と駆動トランジスタ２７２の一方の端子（ソース）に電気的に接続され、駆動トランジスタ２７２の他方の端子（ドレイン）は発光素子２６２の一方の電極（画素電極）と電気的に接続される。
【００３６】
信号線２２６から供給される映像信号はスイッチングトランジスタ２７０を介して駆動トランジスタ２７２のゲートに与えられ、これによって駆動トランジスタ２７２のゲートの電位が制御される。保持容量２７４はこのゲートの電位を保持するために設けられる。駆動トランジスタ２７２のゲートの電位によって駆動トランジスタ２７２のオン／オフが決定され、駆動トランジスタ２７２がオンの時に電流供給線２２４を介して供給される電流が発光素子２６２に与えられ、発光を得ることができる。なお、画素回路の構成はこれの構造に限られることはなく、トランジスタや保持容量の数や接続に限定は無い。例えばトランジスタや容量素子をさらに設け、駆動トランジスタ２７２の閾値の補正を行うよう、画素回路を構成してもよい。
【００３７】
図１１に一つの画素２０４の上面模式図を示す。図１１に示すように、各画素２０４は、主な構成として半導体膜２２０、２３２、ゲート線２２２、ゲート電極２３０、電流供給線２２４、信号線２２６ａ、ソース電極２３４、ドレイン電極２２８、２３６、接続電極２３８、画素電極２４０などを有する。図１１には、一つの画素２０４と隣接する画素の一部が示されており、二つの信号線２２６のうち左側の信号線２２６ａは図１１に示した画素に映像信号を供給する。一方、右側の信号線２２６ｂは隣接する画素２０４に対して映像信号を供給する。なお、見やすさを考慮し、隣接画素２０４の構造は、信号線２２６ｂのみが図示されている。また、ゲート線２２２と平行に延伸する複数の電流供給線２２４は、信号線２２６が延伸する方向に延びる配線（図１０参照）によって互いに接続される。以下、鎖線Ｍ−Ｍ´、Ｎ−Ｎ´に沿った断面図を用いて画素２０４の構造を説明する。
【００３８】
鎖線Ｍ−Ｍ´に沿った断面模式図を図１２に示す。図１２に示すように、スイッチングトランジスタ２７０や発光素子２６２などの各素子は、アンダーコート２５０を介し、基板２０２上に設けられる。基板２０２はガラスや石英、あるいはプラスチックを含むことができる。基板２０２に可撓性を有する基板を用いることにより、表示装置２００に可撓性を付与することができ、いわゆるフレキシブルディスプレイを製造することができる。
【００３９】
アンダーコート２５０は単層構造を有していてもよく、複数の膜から構成されていてもよい。アンダーコート２５０はケイ素含有無機化合物を含み、典型的には窒化ケイ素や酸化ケイ素を含む。複数の膜を用いてアンダーコート２５０を構成する場合、例えば酸化シリコンを含む膜、窒化シリコンを含む膜、および酸化シリコンを含む膜を順次基板２０２上に形成すればよい。最下層の酸化シリコンを含む膜は基板２０２との密着性向上のため、中層の窒化シリコンを含む膜は、水などの不純物の外部からの侵入を防ぐブロック膜として、最上層の酸化シリコンを含む膜は、窒化シリコンを含む膜中に含有する水素原子が半導体膜２２０側に拡散することを防ぐブロック膜としてそれぞれ設けられる。
【００４０】
アンダーコート２５０上には半導体膜２２０が設けられ、半導体膜２２０と重なるようにゲート絶縁膜２５２を介してゲート線２２２とゲート電極２３０が配置される。半導体膜２２０がゲート線２２２と重なる領域がスイッチングトランジスタ２７０のチャネル領域であり、チャネル領域を挟む領域には導電性を付与するための不純物イオンが適宜添加される。換言すると、ゲート線２２２のうち半導体膜２２０と重なる部分がスイッチングトランジスタ２７０のゲートとして機能する。ゲート電極２３０はゲート線２２２と同一の層内に存在し、後述する駆動トランジスタ２７２のゲート２３０ｂ、および保持容量２７４の一方の電極２３０ａとしても機能する。アンダーコート２５０と同様、ゲート絶縁膜２５２もケイ素含有無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように配置される。ゲート線２２２やゲート電極２３０は、第１実施形態で述べた第１の配線や第２の配線１０８で使用可能な金属やその合金を含む。また、これらは単層構造を有してもよく、第１実施形態で述べた積層構造（三層構造など）を有していてもよい。半導体膜２２０は、配線構造１４０の第３の配線１３４として機能し、第３の配線１３４と同様の構成を有することができる。
【００４１】
ゲート線２２２とゲート電極２３０を覆うように第１の層間絶縁膜２５４が設けられ、その上に電流供給線２２４、および電流供給線２２４を覆う第２の層間絶縁膜２５６が形成される。ゲート絶縁膜２５２と第１の層間絶縁膜２５４は総じて配線構造１４０の第３の絶縁膜１１２として機能する。一方、電流供給線２２４は配線構造１４０の第１の配線１０２として機能し、後述するように、駆動トランジスタ２７２を介して発光素子２６２に電流を供給するように構成される。アンダーコート２５０と同様、第１の層間絶縁膜２５４と第２の層間絶縁膜２５６もケイ素含有無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように設けられる。
【００４２】
画素２０４はさらに、第２の層間絶縁膜２５６の上に、互いに同一の層内に存在する信号線２２６ａとドレイン電極２２８を有する。ドレイン電極２２８はスイッチングトランジスタ２７０の第２の端子であり、信号線２２６ａはその一部がスイッチングトランジスタ２７０のソース電極（第１の端子）として機能する。後述するように、この画素２０４に隣接する画素２０４の信号線２２６ｂは配線構造１４０の第２の配線１０８として機能する。
【００４３】
ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６には半導体膜２２０、あるいはゲート電極２３０に達する開口２４２、２４４、２４６が設けられる。信号線２２６ａとドレイン電極２２８はそれぞれ開口２４２、２４４を介して半導体膜２２０と電気的に接続される。一方、ドレイン電極２２８はさらに開口２４６を介してゲート電極２３０と電気的に接続される。半導体膜２２０、ゲート絶縁膜２５２、ゲート線２２２、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６、信号線２２６ａ、およびドレイン電極２２８によってスイッチングトランジスタ２７０が構成される。
【００４４】
スイッチングトランジスタ２７０の上には平坦化膜２５８が設けられる。平坦化膜２５８はアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリイミドなどの高分子を含む。平坦化膜２５８上にはさらに画素電極２４０が設けられ、画素電極２４０の端部を覆うように隔壁２６０が形成される。画素電極２４０によって生じる凹凸は隔壁２６０によって吸収され、この上に形成される電界発光層（以下、ＥＬ層）２６４や対向電極２６６の断線を防止することができる。隔壁２６０も上述した高分子を含んでもよい。
【００４５】
画素電極２４０と隔壁２６０を覆うようにＥＬ層２６４、およびＥＬ層２６４を覆う対向電極２６６が設けられる。画素電極２４０、ＥＬ層２６４、対向電極２６６によって発光素子２６２が構成される。
【００４６】
画素電極２４０は、ＥＬ層２６４にホールを注入するために設けられる電極であり、その表面が比較的高い仕事関数を有することが好ましい。発光素子２６２からの発光を画素電極２４０を通して取り出す場合には、画素電極２４０は可視光を透過するように構成される。この場合、具体的な材料としてはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物が用いられる。一方、発光素子２６２からの発光を対向電極２６６を通して取り出す場合には、画素電極２４０は可視光を反射するように構成される。この場合、画素電極２４０は銀やアルミニウムなどの可視光の反射率が高い金属を含む。あるいは画素電極２４０は、導電性酸化物を含む膜と反射率が高い金属を含む膜の積層構造を有してもよい。例えば、導電性酸化物を含む第１の導電膜、銀、アルミニウムなどの金属を含む第２の導電膜、導電性酸化物を含む第３の導電膜の積層構造を採用することができる。
【００４７】
ＥＬ層２６４の構造は任意であり、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、励起子ブロッキング層などの機能層を適宜組み合わせて形成することができる。ＥＬ層２６４の構造はすべての画素２０４間で同一でもよく、隣接する画素２０４間で一部の構造が異なってもよい。例えば隣接する画素２０４間で発光層の構造、あるいは材料が異なり、他の層は同一の構造を有するよう、画素２０４を構成してもよい。図１２では、見やすさを考慮し、代表的な機能層としてホール輸送層２６４ａ、発光層２６４ｂ、電子輸送層２６４ｃが示されている。
【００４８】
発光素子２６２からの発光を画素電極２４０を通して取り出す場合には、対向電極２６６は可視光を反射するように構成される。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウムなどの可視光の反射率の高い金属やこれらの合金（例えばマグネシウムと銀の合金）を用いて形成される。一方、発光素子２６２からの発光を対向電極２６６を通して取り出す場合には、可視光を透過可能な導電性酸化物を含むように画素電極２４０が構成される。あるいは、上述した金属や合金を可視光が透過可能な厚さで形成してもよい。この場合、可視光に対して透光性を示す導電性酸化物の膜をさらに形成してもよい。
【００４９】
任意の構成として、対向電極２６６上にはパッシベーション膜２６８が配置される。パッシベーション膜２６８の構造も任意に決定することができ、単層構造、積層構造のいずれを採用してもよい。積層構造を有する場合、例えば図１２に示すように、ケイ素含有無機化合物を含む第１の層２６８ａ、樹脂を含む第２の層２６８ｂ、ケイ素含有無機化合物を含む第３の層２６８ｃが順次積層した構造を採用することができる。ケイ素含有無機化合物としては窒化ケイ素や酸化ケイ素が挙げられる。樹脂としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリエステル、ポリカルボナートなどが挙げられる。
【００５０】
ソース電極２３４とその近傍の拡大上面図を図１３（Ａ）に模式的に示す。図１３（Ａ）に示すように、一つの画素２０４のソース電極２３４や電流供給線２２４、半導体膜２３２、およびこの画素２０４に隣接する画素２０４の信号線２２６ｂなどに対し、配線構造１４０が適用される。これらはそれぞれ、配線構造１４０の電極１０６、第１の配線１０２、第３の配線１３４、第２の配線１０８に対応する。具体的な説明を、図１１の鎖線Ｎ−Ｎ´に沿った断面模式図（図１４）を用いてより具体的に説明する。
【００５１】
図１４に示すように、画素２０４にはアンダーコート２５０を介して基板２０２上に半導体膜２３２が設けられる。半導体膜２３２上にはゲート絶縁膜２５２が備えられ、その上には半導体膜２３２と重なるようにゲート電極２３０が形成される。ゲート電極２３０の一部は保持容量２７４の一方の電極２３０ａとして機能し、一部は駆動トランジスタ２７２のゲート２３０ｂとして機能する。半導体膜２３２のゲート２３０ｂと重なる領域にチャネル領域が形成される。このチャネル領域を挟む領域には不純物イオンが適宜ドープされる。電極２３０ａ、電極２３０ａと重なるゲート絶縁膜２５２と半導体膜２３２の一部によって保持容量２７４が形成される。
【００５２】
ゲート電極２３０上には第１の層間絶縁膜２５４、電流供給線２２４、および電流供給線２２４と重なる第２の層間絶縁膜２５６が順次設けられる。図１４に示すように、電流供給線２２４は三層構造を有することができる。図示していないが、ソース電極２３４やドレイン電極２３６も積層された複数の導電膜で構成されてもよい。
【００５３】
第２の層間絶縁膜２５６上にはドレイン電極２３６（第２の端子）、ソース電極２３４（第１の端子）が配置される。ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６には開口２４９が形成され、この開口２４９を介してドレイン電極２３６と半導体膜２３２が電気的に接続される。また、電流供給線２２４には開口２７６が形成される。ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６には、開口２７６と重なる開口（以下、ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６に設けられる開口を総じて開口２４８と記す）が設けられる。これらの開口２７６、２４８を介してソース電極２３４が電流供給線２２４、および半導体膜２３２と電気的に接続される。半導体膜２３２、ゲート絶縁膜２５２、ゲート２３０ｂ、第１の層間絶縁膜２５４、第２の層間絶縁膜２５６、ソース電極２３４、ドレイン電極２３６によって駆動トランジスタ２７２が構成される。平坦化膜２５８は駆動トランジスタ２７２を覆うように設けられる。
【００５４】
ここで、ゲート絶縁膜２５２と第１の層間絶縁膜２５４は総じて配線構造１４０の第３の絶縁膜１１２として機能し、第２の層間絶縁膜２５６は第１の絶縁膜１０４として機能する。また、平坦化膜２５８は第２の絶縁膜１１０として機能し、開口２７６と２４８はそれぞれ開口１４４、１４２に相当する。したがって、開口２７６内において、第２の層間絶縁膜２５６は第１の層間絶縁膜２５４と平坦化膜２５８に接する。
【００５５】
平坦化膜２５８には、ドレイン電極２３６に達する開口が設けられ、この開口と平坦化膜２５８の一部を覆うように接続電極２３８が形成される。接続電極２３８はＩＴＯやＩＺＯを含むことができる。接続電極２３８を設けることで、引き続くプロセスにおいてドレイン電極２３６の表面の腐食を防止し、ドレイン電極２３６と画素電極２４０間のコンタクト抵抗の増大を抑制することができる。画素電極２４０は平坦化膜２５８上に設けられ、接続電極２３８と電気的に接続される。これにより、電流供給線２２４から供給される電流が駆動トランジスタ２７２を介して画素電極２４０に与えられる。
【００５６】
画素電極２４０より上に設けられる構造は、図１２のそれと同様であるので説明は省略する。
【００５７】
上述したように、一つの画素２０４のゲート絶縁膜２５２と第１の層間絶縁膜２５４は総じて配線構造１４０の第３の絶縁膜１１２として機能し、電流供給線２２４は配線構造１４０の第１の配線１０２として機能し、第２の層間絶縁膜２５６、平坦化膜２５８、およびソース電極２３４はそれぞれ、配線構造１４０の第１の絶縁膜１０４、第２の絶縁膜１１０、電極１０６として機能する。また、この画素２０４に隣接する画素２０４の信号線２０６ｂは配線構造１４０の第２の配線１０８として機能する。電流供給線２２４には開口２７６が設けられ、これに起因して電流供給線２２４はソース電極２３４の一部を囲むバイパス構造を有する（図１３（Ａ）参照）。このため、第１実施形態で述べたように、電流供給線２２４に起因して第２の層間絶縁膜２５６に段差が生じる。また、三層構造に起因して段差には逆テーパー構造が形成されると、段差を形成する側面２５６ｂと、側面２５６ｂに接し、電流供給線２２４と重ならない上面２５６ａの間の境界２５６ｃにソース電極２３４やドレイン電極２３６を形成する際のエッチング残渣が残留しやすい（図１４参照）。この境界２５６ｃは、図１３（Ａ）の点線で示すように、電流供給線２２４のバイパス構造に沿って形成される。このため、境界２５６ｃは、画素２０４に隣接する画素の信号線２２６ｂとは重なるものの、当該画素２０４のソース電極２３４とは重ならない。したがって、一つの画素２０４のソース電極２３４と、隣接する画素の信号線２２６ｂ間のショートを防止することができる。この効果は、表示装置の高精細化に伴って隣接する画素２０４間の距離が小さくなる場合に特に有効である。例えば図１３（Ａ）の鎖線Ｏ−Ｏ´に沿った断面模式図（図１３（Ｂ））に示すように、一つの画素２０４のソース電極２３４と隣接する画素２０４の信号線２２６ｂ間において、これらと同一の層内に存在する配線や電極が設けられず、第２の層間絶縁膜２５６の上面の全体が平坦化膜２５８と接する場合、配線構造１４０を適用することは特に効果的である。したがって、本発明の実施形態の配線構造を適用して表示装置を作製することにより、高精細な表示が可能であり、かつ信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。
【００５８】
３．変形例１
表示装置２００には、他の配線構造１００、１２０、１３０を適用することも可能である。配線構造１３０（図７（Ａ）から図７（Ｃ）参照）を適用した場合の、ソース電極２３４とその近傍の上面拡大図を図１５に、図１５の鎖線Ｐ−Ｐ´に沿った断面模式図を図１６に示す。図１５に示すように、ソース電極２３４の全体が電流供給線２２４の輪郭に重なる。
【００５９】
図１６に示すように、ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、電流供給線２２４、および第２の層間絶縁膜２５６にはそれぞれ開口（以下、これらの開口を総じて開口２４８と記す）が設けられ、この開口２４８を介してソース電極２３４が電流供給線２２４、および半導体膜２３２と電気的に接続される。ゲート絶縁膜２５２、第１の層間絶縁膜２５４、電流供給線２２４の開口の側壁は、実質的に同一平面上に位置してもよい。また、第２の層間絶縁膜２５６の開口の側壁は電流供給線２２４の上面と重なってもよい。
【００６０】
一つの画素２０４内の半導体膜２３２、電流供給線２２４、第２の層間絶縁膜２５６、ソース電極２３４、および平坦化膜２５８はそれぞれ、配線構造１３０の第３の配線１３４、第１の配線１０２、第１の絶縁膜１０４、電極１０６、第２の絶縁膜１１０として機能し、ゲート絶縁膜２５２と第１の層間絶縁膜２５４は総じて第３の絶縁膜１１２に相当する。さらに、この画素２０４に隣接する画素２０４の信号線２２６ｂは、配線構造１３０の第２の配線１０８として機能する。図１６に示すように、電流供給線２２４が第１の導電膜２２４ａ、第２の導電膜２２４ｂ、第３の導電膜２２４ｃを含む三層構造を有し、かつ第２の導電膜２２４ｂの側面が第１の導電膜２２４ａの上面、あるいは第３の導電膜２２４ｃの底面と重なる場合、電流供給線２２４に起因して第２の層間絶縁膜２５６には逆テーパー構造を有する段差が生じる。逆テーパー構造が形成されると、境界２５６ｃにソース電極２３４やドレイン電極２３６を形成する際のエッチング残渣が残留しやすい。
【００６１】
配線構造１４０を適用した表示装置２００と同様、この境界２５６ｃは、図１５の点線で示すように、電流供給線２２４の輪郭に沿って形成される。このため、境界２５６ｃは、画素２０４に隣接する画素２０４の信号線２２６ｂとは重なるものの、画素２０４のソース電極２３４とは重ならない。したがって、一つの画素２０４のソース電極２３４と、隣接する画素２０４の信号線２２６ｂ間のショートを防止することができる。その結果、本発明の実施形態の配線構造を適用して表示装置を作製することにより、高精細な表示が可能であり、かつ信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。
【００６２】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００６３】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００６４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００６５】
１００：配線構造、１０２：第１の配線、１０２ａ：第１の導電膜、１０２ｂ：第２の導電膜、１０２ｃ：第３の導電膜、１０４：第１の絶縁膜、１０４ａ：上面、１０４ｂ：側面、１０４ｃ：境界、１０６：電極、１０８：第２の配線、１１０：第２の絶縁膜、１１２：第３の絶縁膜、１２０：配線構造、１２２：開口、１３０：配線構造、１３２：開口、１３４：第３の配線、１４０：配線構造、１４２：開口、１４４：開口、２００：表示装置、２０２：基板、２０４：画素、２０６：表示領域、２０８：ゲート側駆動回路、２１０：ソース側駆動回路、２１２：端子、２１４：フレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）、２２０：半導体膜、２２２：ゲート線、２２４：電流供給線、２２４ａ：第１の導電膜、２２４ｂ：第２の導電膜、２２４ｃ：第３の導電膜、２２６：信号線、２２６ａ：信号線、２２６ｂ：信号線、２２８：ドレイン電極、２３０：ゲート電極、２３０ａ：電極、２３０ｂ：ゲート、２３２：半導体膜、２３４：ソース電極、２３６：ドレイン電極、２３８：接続電極、２４０：画素電極、２４２：開口、２４４：開口、２４６：開口、２４８：開口、２４９：開口、２５０：アンダーコート、２５２：ゲート絶縁膜、２５４：第１の層間絶縁膜、２５６：第２の層間絶縁膜、２５６ａ：上面、２５６ｂ：側面、２５６ｃ：境界、２５８：平坦化膜、２６０：隔壁、２６２：発光素子、２６４：ＥＬ層、２６４ａ：ホール輸送層、２６４ｂ：発光層、２６４ｃ：電子輸送層、２６６：対向電極、２６８：パッシベーション膜、２６８ａ：第１の層、２６８ｂ：第２の層、２６８ｃ：第３の層、２７０：スイッチングトランジスタ、２７２：駆動トランジスタ、２７４：保持容量、２７６：開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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