(57)【要約】【課題】半田フィレットの検査が容易な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド５の周辺にはダイパッド５と離間してリード４が複数配置され、半導体チップ１の表面に設けられた電極とリード４はワイヤ３で電気的に接続されている。リード４の下面はダイパッド５の下面と同様、樹脂封止体２の底面から露出し、リード４のダイパッド５から遠い側の側面も樹脂封止体２から露出している。リード４の側面の下部には切削面６が設けられ、上部には切削面７が設けられ、切削面６と切削面７に挟まれたリード突部８がリード４の側面に突出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側の側面を露出する樹脂封止体と、を備え、
前記リードは、前記リードの側面の上部に設けられた第１切削面と、前記リードの側面の下部に設けられた第２切削面と、前記第１切削面と前記第２切削面に挟まれたリード突部と、を有し、
前記リードの前記下面、前記第２切削面および前記リード突部の端面にメッキ層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側の側面を露出する樹脂封止体と、を備え、
前記リードは、前記リードの側面の上部に設けられた第１切削面と、前記リードの側面の下部に設けられた第２切削面と、前記第１切削面と前記第２切削面に挟まれたリード突部と、を有し、
前記リードの前記下面、前記第１切削面および前記第２切削面にメッキ層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの下面側から第１の高さまで、第１の幅のダイシングブレードで切削する第１の切削工程と、
前記リードの前記第１の高さから第２の高さまで、前記第１の幅より狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２の切削工程と、
前記第１の切削工程と第２の切削工程によって形成された切削溝および前記リードの下面にメッキ層を形成する工程と、
前記リードの前記下面とは反対側の樹脂封止体の上面から前記第１の高さと前記第２の高さの間の第３の高さまで、前記第２の幅より広い第３の幅のダイシングブレードで切削する第３の切削工程と、を備え、
前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１の幅と第２の幅を有する異径ダイシングブレードを用いて、前記第１の切削工程と前記第２の切削工程を同時に処理することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの下面側から第１の高さまで、第１の幅のダイシングブレードで切削する第１の切削工程と、
前記リードの前記下面とは反対側の樹脂封止体の上面から前記第１の高さより高い第３の高さまで、第３の幅のダイシングブレードで切削する第３の切削工程と、
前記第１の切削工程と第３の切削工程によって形成された切削溝および前記リードの下面にメッキ層を形成する工程と、
前記リードの前記第１の高さから第３の高さまで、前記第１の幅および前記第３の幅より狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２の切削工程と、を備え、
前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型軽量化及び高機能化のニーズに伴い、電子機器に半導体装置を高密度に実装することが可能な表面実装型パッケージが多用されている。表面実装型パッケージのうち、ノンリードタイプの半導体装置として、接続信頼性を確保するためにいくつかの形態が提案されている。
【０００３】
図１０には、リード５１の下に切削面を設け、その切削面にメッキ層５３を施した樹脂封止体５２からなる半導体装置５０が図示されている。この切削面により、リード５１と半田が接続される接続面積が大きくなり、実装強度が向上する。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２１９５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなノンリードタイプの半導体装置の場合、パッケージ外形に対しリードが全く出ていないため、樹脂封止体の外形からリードがでているリードタイプの半導体装置と比べ、外観検査での半田濡れ性の判定が難しい。
【０００６】
図１１は、従来のノンリードタイプの半導体装置を基板実装したときの断面図である。図１１（ａ）のように、半田の裾引き、すなわち、半田フィレット２２の長さが十分な場合は外観検査装置によって検査可能であるが、図１１（ｂ）のように、半田フィレット２２の長さが短いと、切削面の下に半田フィレット２２が隠れて半田濡れ性の検査が十分にできないという問題がある。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みなされたもので、外観検査装置での半田フィレットの検査が容易となる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明では、以下の手段を用いた。
【０００９】
まず、半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側の側面を露出する樹脂封止体と、を備え、
前記リードは、前記リードの側面の上部に設けられた第１切削面と、前記リードの側面の下部に設けられた第２切削面と、前記第１切削面と前記第２切削面に挟まれたリード突部と、を有し、
前記リードの前記下面、前記第２切削面および前記リード突部の端面にメッキ層が設けられていることを特徴とする半導体装置とした。
【００１０】
また、半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側の側面を露出する樹脂封止体と、を備え、
前記リードは、前記リードの側面の上部に設けられた第１切削面と、前記リードの側面の下部に設けられた第２切削面と、前記第１切削面と前記第２切削面に挟まれたリード突部と、を有し、
前記リードの前記下面、前記第１切削面および前記第２切削面にメッキ層が設けられていることを特徴とする半導体装置とした。
【００１１】
また、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの下面側から第１の高さまで、第１の幅のダイシングブレードで切削する第１の切削工程と、
前記リードの前記第１の高さから第２の高さまで、前記第１の幅より狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２の切削工程と、
前記第１の切削工程と第２の切削工程によって形成された切削溝および前記リードの下面にメッキ層を形成する工程と、
前記リードの前記下面とは反対側の樹脂封止体の上面から前記第１の高さと前記第２の高さの間の第３の高さまで、前記第２の幅より広い第３の幅のダイシングブレードで切削する第３の切削工程と、を備え、
前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
【００１２】
また、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの下面側から第１の高さまで、第１の幅のダイシングブレードで切削する第１の切削工程と、
前記リードの前記下面とは反対側の樹脂封止体の上面から前記第１の高さより高い第３の高さまで、第３の幅のダイシングブレードで切削する第３の切削工程と、
前記第１の切削工程と第３の切削工程によって形成された切削溝および前記リードの下面にメッキ層を形成する工程と、
前記リードの前記第１の高さから第３の高さまで、前記第１の幅および前記第３の幅より狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２の切削工程と、を備え、
前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
【発明の効果】
【００１３】
上記手段を用いることで、半導体装置を基板実装したときの半田フィレットの外観検査が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の構造図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
【図４】図３に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造に用いるダイシングブレードの断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の構造図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
【図９】図８に続く、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１０】従来の半導体装置の構造図である。
【図１１】従来の半導体装置の基板実装図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の半導体装置の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、Ａ−Ａ'線断面図、図１（ｃ）はリード突部の拡大断面図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、半導体装置２０は樹脂封止体２の側面のそれぞれにリード突部８が設けられている。そして、リード突部８と隣接するリード突部８の間には樹脂突部１９が設けられ、リード突部８の端面１０と樹脂突部１９の端面１８は同一の端面を成している。図はＤＦＮ（Dual Flat Non-leaded）パッケージの例であるが、樹脂封止体２の４つの側面のそれぞれにリード４を設けたＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）パッケージであっても良い。図１（ｂ）に示すように、樹脂封止体２の底面にはダイパッド５の下面が露出し、ダイパッド５の下面の反対面である搭載面には半導体チップ１が載置されている。そして、ダイパッド５の周辺にはダイパッド５と離間してリード４が複数配置され、半導体チップ１の表面に設けられた電極とリード４はワイヤ３で電気的に接続されている。なお、半導体チップ１とリード４との電気的接続はワイヤ法に限られることなく、バンプを介したフリップチップボンディング法を用いても構わない。リード４の下面はダイパッド５の下面と同様、樹脂封止体２の底面から露出し、リード４のダイパッド５から遠い側の側面も樹脂封止体２から露出している。図１（ｃ）に示すように、リード４の側面の下部には断面視的にＬ字型の切削面６が設けられ、上部にはＬ字型の切削面７が設けられている。切削面６、７の形状はダイシングブレードの先端形状で決まるので先端が平頭のブレードを用いればＬ字型となるが、先端が半円状のブレードを用いれば円弧状の切削面となる。また、ブレードの先端が所定の曲率を有すれば切削面は断面視的に曲線となる。そして、上下の切削面を形成することで切削面６と切削面７に挟まれたリード突部８がリード４の側面に突出して形成される。リード４やダイパッド５は銅、銅合金または４２アロイなどの金属からなるが、半田を介して半導体装置を基板に実装するとき、これらの金属の表面は半田濡れ性が悪く、十分な実装強度が得られない。そこで、これらの金属の表面に錫膜やニッケル−金積層膜等のメッキ層を形成することで半田濡れ性が改善される。本実施形態ではリード４の下面と、切削面６およびリード突部８の端面１０にメッキ層９を被覆させている。リード突部８の下面と切削面６の上面は同一であるから、リード突部８はその上面を除く全ての表面にメッキ層９を有する構造である。
【００１７】
図２は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。図２（ａ）は、実装断面図、図２（ｂ）は、実装平面図である。この基板実装図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、半導体装置２０のリード４が半田を介して基板２１に接合することになるが、リード４は基板２１上に形成されるランド２３と呼ばれる電極と電気的に接続されることになる。リード４をランド２３上に投影した平面積は対応するランド２３の平面積よりも小さく、リード４の側面から基板２１に向かって半田フィレット２２と呼ばれる裾引きが形成される。本実施形態ではリード４の下面と、切削面６およびリード突部８の端面１０にメッキ層９を被覆させているので、断面視的にはリード４の下面と、切削面６およびリード突部８の端面１０に半田層２４が形成され、半田フィレット２２もリード４の周囲に延びて形成される。リード突部８の端面１０にもメッキ層が設けられ、半田フィレット２２が形成される起点がリード突部８の端面１０の上端となるため、従来の半導体装置に比べ半田が被着される高さが高く、その被着される領域も大きいため、外観検査における半田濡れ性を容易に観察することができる。たとえ、半田フィレットの長さが短い場合であっても、リード突部の下に半田フィレットが隠れて半田濡れ性の検査が十分にできないという問題はない。図２（ｂ）に示すように、平面視的にはリード突部８の周囲に半田フィレット２２が形成される。リード突部８の周囲に広がる半田フィレット２２からリード４の下の半田層形成状態を推測でき、容易な外観検査が可能となる。半導体装置を基板実装した後の外観検査においては上面方向だけでなく、斜め方向からも半田濡れ性を観察するため、リード突部を有するリード形状は半田濡れ性の良否を容易に観察することができる。さらに本構造はリード突部を有するため観察位置の特定にも有効である。
【００１９】
図３は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。なお、この説明図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
【００２０】
まず、図３（ａ）に示すように、ダイパッド（図示せず）の周囲にリード部４１を配置したリードフレームを準備し、ダイパッド上に半導体チップ（図示せず）を載置し、半導体チップとリード部４１を電気的に接続した後、少なくともリードフレームと半導体チップを封止樹脂４２で被覆した樹脂封止体４０を形成する。
【００２１】
次に、図３（ｂ）に示すように、リードフレームのリード部４１の下面から幅広（ブレード幅１００μｍ以上）のダイシングブレードを用いてリード部４１の厚さの半分以上を切削し、切削溝１１を設ける。
【００２２】
次に、図３（ｃ）に示すように、リードフレームのリード部４１を幅狭（ブレード幅３０〜８０μｍ）のダイシングブレードを用いて切削し、切削溝１２を設ける。切削溝１２は平面視的に切削溝１１と重畳し、その幅は切削溝１１の幅より狭く、切削溝１１の上面から上方にリード部４１を貫通することなくリード部４１内に設けられている。
【００２３】
以上では、切削溝１１を形成した後に切削溝１２を形成するとしているが、これらの工程は異なる順番、すなわち切削溝１２を形成した後に切削溝１１を形成するという工程であっても構わない。
【００２４】
図３（ｄ）に示すように、リード部４１に切削溝１１と切削溝１２によって階段状溝１７が設けられる。次いで、階段状溝１７の内面およびリード部４１の下面にはメッキ層４４が被覆される。メッキ層としては、錫膜やニッケル−金積層膜が用いられる。
【００２５】
次に、図４（ａ）に示すように、リード部４１の下面とは反対側の樹脂封止体４０の上面から幅広（ブレード幅１００μｍ以上）のダイシングブレードを用いて切削溝１３を設ける。ここで用いるダイシングブレードの幅は、切削溝１１形成に用いたブレードの幅と同等以上であることが望ましい。また、切削溝１３の底面は切削溝１２の上面より低く、切削溝１１の上面より高いところに位置する。これにより、切削溝１１と切削溝１３に挟まれたリード突部８が形成されることになる。
【００２６】
なお、切削溝１１を形成する切削工程と切削溝１２を形成する切削工程と切削溝１３を形成する切削工程で用いるダイシングブレードの中心が切断中心線３０に沿うのが理想ではあるが、実際には多少のアライメントズレが発生することは避け難く、少なくとも、切削溝１２はその幅方向において、切削溝１１や切削溝１３の幅方向の中に収まっていることが望ましい。そして、切削溝１１と１３も平面視的に重なる位置に設けられることが望ましい。
【００２７】
図４（ｂ）に示すように、切削溝１３を形成すると同時に封止樹脂付きのリードフレームが切り離されて個片化された半導体装置２０が完成する。半導体装置２０のリード突部間長さＬ１は樹脂封止体の長さＬｍよりも幾分大きくなる。
【００２８】
図５は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造に用いるダイシングブレードの断面図である。図５（ａ）は、上記で説明した幅広のダイシングブレードおよび幅狭のダイシングブレードの断面図である。幅広のダイシングブレード２６のブレード幅は１００μｍ以上でブレード基部２６ｂからブレード先端部２６ａにかけてほぼ一定であり、幅狭のダイシングブレード２７のブレード幅は３０〜８０μｍでブレード基部２７ｂからブレード先端部２７ａにかけてほぼ一定の幅を有する。図５（ｂ）には、異径ダイシングブレードを図示している。異径ダイシングブレード２８のブレード先端部２８ａのブレード幅は３０〜８０μｍで、ブレード基部２８ｂのブレード幅は１００μｍ以上である。このダイシングブレード２８を用いることで、切削溝１１と切削溝１２を同時に形成することが可能となる。
【００２９】
図６は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の構造図である。図６（ａ）は、平面図、図６（ｂ）は、Ａ−Ａ'線断面図、図６（ｃ）はリード突部の拡大断面図である。
【００３０】
本実施形態の半導体装置２５が第１実施形態の半導体装置と異なる点はメッキ層９の被覆領域である。半導体装置２５の場合はリード４のリード突部８の下面である切削面６だけでなく、リード突部８の上面である切削面７にもメッキ層９を設ける構成としている。
【００３１】
このような半導体装置を基板実装したときの基板実装図を図７に示す。図７（ａ）は、実装断面図、図７（ｂ）は、実装平面図である。なお、この基板実装図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
【００３２】
図７（ａ）に示すように、半導体装置２５のリード４が半田を介して基板２１に接合することになるが、リード４は基板２１上に形成されるランド２３と呼ばれる電極と電気的に接続されることになる。リード４をランド２３上に投影した平面積は対応するランド２３の平面積よりも小さく、リード４の側面から基板２１に向かって半田フィレット２２と呼ばれる裾引きが形成される。本実施形態ではリード４の下面と、リード４の側面の下部に設けられた切削面６、そして上部に設けられた切削面７にもメッキ層９を被覆させているので、断面視的にはリード４の下面と、切削面６、そして切削面７、さらにリード突部８の端面１０に半田層２４が形成され、さらに半田フィレット２２もリード４のリード突部８の周囲に延びて形成される。リード突部８の上面にもメッキ層９が設けられるため、半田フィレット２２が形成される起点が切削面７の上端となり、従来の半導体装置に比べ半田が被着される高さが高く、その被着される領域も大きいため、外観検査における半田濡れ性を容易に観察することができ、たとえ、半田フィレットの長さが短い場合であっても、リード突部の下に半田フィレットが隠れて半田濡れ性の検査が十分にできないという問題はない。図７（ｂ）に示すように、平面視的にはリード突部８の周囲に半田フィレット２２が形成されているのが確認できる。リード突部８の周囲に広がる半田フィレット２２からリード４の下の半田層形成状態を推測でき、容易な外観検査が可能となる。半導体装置を基板実装した後の外観検査においては上面方向だけでなく、斜め方向からも半田濡れ性を観察するため、リード突部を有するリード形状は半田濡れ性の良否を容易に観察することができる。さらに本構造はリード突部を有するため観察位置の特定にも有効である。
【００３３】
図８は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。なお、この説明図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
【００３４】
まず、図８（ａ）に示すように、ダイパッド（図示せず）の周囲にリード部４１を配置したリードフレームを準備し、ダイパッド上に半導体チップ（図示せず）を載置し、半導体チップとリード部４１を電気的に接続した後、少なくともリードフレームと半導体チップを封止樹脂４２で被覆した樹脂封止体４０を形成する。
【００３５】
次に、図８（ｂ）に示すように、リードフレームのリード部４１の下面から幅広（ブレード幅１００μｍ以上）のダイシングブレードを用いてリード部４１の厚さの半分以上を切削し、切削溝１１を設ける。
【００３６】
次に、図８（ｃ）に示すように、リード部４１の下面とは反対側の樹脂封止体２の上面から幅広（ブレード幅１００μｍ以上）のダイシングブレードを用いて切削溝１３を設ける。ここで用いるダイシングブレードの幅は、切削溝１１形成に用いたブレードの幅と同等以上であることが望ましい。また、切削溝１３の底面は切削溝１１の上面より高いところに位置する。これにより、切削溝１１と切削溝１３に挟まれた切り残し部が形成されることになる。
【００３７】
次に、図８（ｄ）に示すように、リード部４１の上下に刻まれた切削溝１１および切削溝１３の内面そしてリード部４１の下面にはメッキ層４４が被覆される。メッキ層としては、錫膜やニッケル−金積層膜が用いられる。
【００３８】
次に、図９（ａ）に示すように、リードフレームのリード部４１を幅狭（ブレード幅３０〜８０μｍ）のダイシングブレードを用いて切削溝１１の上面と切削溝１３の間を切削し、リード部４１を分断する。なお、切削溝１２は平面視的に切削溝１１や切削溝１３と重畳し、その幅は切削溝１１や切削溝１３の幅より狭い。
【００３９】
以上の工程を経て、図９（ｂ）に示すように、切削溝１２を形成すると同時に封止樹脂付きのリードフレームが切り離されて個片化された半導体装置２５が完成する。半導体装置２５のリード突部間長さＬ１は樹脂封止体の長さＬｍよりも幾分大きくなる。
【００４０】
以上説明したように、本発明の半導体装置を基板実装した場合、平面視的には、リード突部８の周囲に半田フィレット２２が形成される。リード突部８の周囲に広がる半田フィレット２２からリード４の下の半田層形成状態を推測でき、容易な外観検査が可能となる。
【符号の説明】
【００４１】
１  半導体チップ
２  樹脂封止体
３  ワイヤ
４  リード
５  ダイパッド
６、７  切削面
８  リード突部
９  メッキ層
１０  リード突部の端面
１１、１２、１３、１４、１５、１６  切削溝
１７  階段状溝
１８  樹脂突部の端面
１９  樹脂突部
２０、２５、５０  半導体装置
２１  基板
２２  半田フィレット
２３  ランド
２４  半田層
２６、２７、２８  ダイシングブレード
２６ａ、２７ａ、２８ａ  ブレード先端部
２６ｂ、２７ｂ、２８ｂ  ブレード基部
３０  切断中心線
４０  樹脂封止体
４１  リード部
４２  封止樹脂
４４  メッキ層
５０  半導体装置
５１  リード
５２  樹脂封止体
５３  メッキ層
Ｌｍ  樹脂封止体長さ
Ｌ１  リード突部間長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019102697.tif 000009
【図８】
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【図９】
2019102697.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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