(57)【要約】      （修正有）【課題】光抽出効率および信頼性を向上させた電界発光表示装置を提供すること。【解決手段】電極層２４１ｂおよび電極パターン２４１ａを用いて、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２それぞれの厚さが異なる第１電極２４１を形成する。かかる構造における第１領域Ａ１により、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させると共に、第２領域Ａ２により、抵抗増加を防止して、電界発光表示装置２００の信頼性を高めることができる。さらに、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の厚さによって、色温度を調節することができる。【選択図】図７
2019102443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上部に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上部に配置されるオーバーコート層と、
前記オーバーコート層を介し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される発光ダイオードを備え、
前記発光ダイオードは、第１電極と、前記第１電極の上部の発光層、および前記発光層の上部の第２電極を含み、発光領域において、前記発光層は、前記第１電極または前記第２電極によって光を放出し、
前記オーバーコート層は、前記発光領域に対応する位置にマイクロレンズを含み、前記発光ダイオードは、前記マイクロレンズの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿って形成されており、
前記第１電極は、第１領域と第２領域を含み、前記第１領域は、電極層を含み、前記第２領域は、前記電極層と、前記電極層の下部に位置する電極パターンとを含む、
電界発光表示装置。
【請求項２】
前記オーバーコート層の下部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、
前記発光層からの光は、前記第１電極を介して外部へ放出される、
請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項３】
前記発光ダイオードの上部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、
前記発光層からの光は、前記第２電極を介して外部へ放出され、
前記オーバーコート層は、前記発光ダイオードの下部に位置する、
請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項４】
前記マイクロレンズは、
複数の突出部と、複数の陥没部を含むか、または
複数の突出部と、互いに隣接した突出部同士を連結する複数の連結部を含む、
請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項５】
１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、個別パターン毎に、若しくは複数の個別パターン毎に、交互して前記第１領域と前記第２領域が配置される、請求項４に記載の電界発光表示装置。
【請求項６】
１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、
前記第１領域と前記第２領域は、複数の個別パターンに配置されるか、若しくは１つの個別パターンの一部に配置される、
請求項４に記載の電界発光表示装置。
【請求項７】
前記電極層の厚さは、５０Åないし２００Åであり、
前記電極パターンの厚さは、２００Åないし３５０Åである、
請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項８】
前記電極層と前記電極パターンは、同一物質から形成される、請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項９】
前記第１領域は、前記突出部に対応して、前記第２領域は、前記陥没部若しくは前記連結部に対応するか、または
前記第１領域が、前記陥没部若しくは前記連結部に対応し、前記第２領域が、前記突出部に対応する、
請求項４に記載の電界発光表示装置。
【請求項１０】
バンク層が前記第１電極の上部に配置され、
前記バンク層は、前記第１電極を露出する開口部を含み、
前記マイクロレンズは、前記開口部内に配置される、
請求項１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の上部に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上部に配置されるオーバーコート層と、
前記オーバーコート層を介し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される発光ダイオードを備え、
前記発光ダイオードは、第１電極と、前記第１電極の上部の発光層、および前記発光層の上部の第２電極を含み、発光領域において、前記発光層は、前記第１電極または前記第２電極によって光を放出し、
前記オーバーコート層は、前記発光領域に対応する位置にマイクロレンズを含み、前記発光ダイオードは、前記マイクロレンズの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿って形成されており、
前記第１電極は、第１厚さを有する第１領域と、前記第１厚さより大きい第２厚さを有する第２領域を含み、
前記マイクロレンズは、複数の突出部と複数の陥没部を含み、１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、個別パターン毎に、若しくは複数の個別パターン毎に、交互して前記第１領域と前記第２領域が配置される、
電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記オーバーコート層の下部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、
前記発光層からの光は、前記第１電極を介して外部へ放出される、
請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記発光ダイオードの上部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、
前記発光層からの光は、前記第２電極を介して外部へ放出され、
前記オーバーコート層は、前記発光ダイオードの下部に位置する、
請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１領域は、電極層を含み、
前記第２領域は、前記電極層と、前記電極層の下部に位置する電極パターンとを含む、
請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記電極層の厚さは、５０Åないし２００Åであり、
前記電極パターンの厚さは、２００Åないし３５０Åである、
請求項１４に記載の電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記電極層と前記電極パターンは、同一物質から形成される、請求項１４に記載の電界発光表示装置。
【請求項１７】
前記第１電極は、第１電極層と、前記第１電極層の上部の第２電極層を含み、
前記第１電極層は、互いに離隔した複数の個別パターンに対応する凸部と、前記複数の個別パターンが互いに離隔した領域に対応する平坦部を含み、
絶縁パターンが前記平坦部と前記第２電極層の間に形成され、
前記第１領域は、前記第２電極層を含み、
前記第２領域は、前記第２電極層と前記第２電極層に接触する前記凸部を含む、
請求項１１に記載の電界発光表示装置。
【請求項１８】
バンク層が前記第１電極の上部に配置され、
前記バンク層は、前記第１電極を露出する開口部を含み、
前記マイクロレンズは、前記開口部内に配置される、
請求項１７に記載の電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記絶縁パターンと前記バンク層は、同一物質から形成される、請求項１８に記載の電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光表示装置に関するものであり、さらに詳細には、光抽出効率および信頼性を向上させることができる電界発光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、薄型や軽量、低消費電力といった優れた特性を有するフラットパネル表示装置（ｆｌａｔ  ｐａｎｅｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）が開発され、様々な分野に採用されている。
【０００３】
フラットパネル表示装置のうち、電界発光表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）は、電子注入電極である陰極と正孔注入電極である陽極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が励起子を形成し、その後、該励起子が発光性再結合することで、光を放射する素子である。
【０００４】
このような電界発光表示装置は、プラスチックといったフレキシブルな基板上にも形成することができる上に、自己発光型であるため、コントラスト比が大きく、応答時間が数マイクロ秒（μｓ）程度であるため、動画像を具現化することが容易である。また、視野角に制限がなく、低温においても安定的に駆動し、直流５Ｖ〜１５Ｖの比較的に低い電圧で駆動可能であるので、駆動回路の作製及び設計が容易であるというメリットを有する。
【０００５】
図１は、一般的な電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【０００６】
図１に示すように、電界発光表示装置１は、基板１０と、上記基板１０上に位置する薄膜トランジスタＴｒと、前記基板１０の上部に位置し、前記薄膜トランジスタＴｒに接続された発光ダイオードＤと、発光ダイオードＤの下部にカラーフィルターパターン５０を備え、発光ダイオードＤの上部には、カプセル封止層（不図示）を形成することができる。
【０００７】
ここで、発光ダイオードＤは、第１電極４１、発光層４２、第２電極４３を含み、発光層４２からの光が第１電極４１を介して外部へ出射する。
【０００８】
このように、発光層４２から出射した光は、電界発光表示装置１の様々な構成要素を通って、電界発光表示装置１の外部へ出ることになる。
【０００９】
ところが、金属と発光層４２の境界で発生する表面プラズモン成分と、両側の反射層の内部に挿入された発光層４２によって構成される光導波モードが、出射した光の６０〜７０％程度を占める。
【００１０】
その結果、発光層４２から出射した光のうち、電界発光表示装置１の外部へ出られず、電界発光表示装置１の内部に閉じ込められる光が存在し、電界発光表示装置１の光抽出効率が低下するという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、マイクロレンズを有するオーバーコート層、および第１厚さと第１厚さより厚い第２厚さを有する第１電極により、光抽出効率および信頼性を向上させた電界発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述したような課題を達成するため、本発明は、基板と、前記基板の上部に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上部に配置されるオーバーコート層と、前記オーバーコート層を介し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される発光ダイオードを備え、前記発光ダイオードは、第１電極と、前記第１電極の上部の発光層、および前記発光層の上部の第２電極を含む。また、発光領域において、前記発光層は、前記第１電極または前記第２電極によって光を放出し、前記オーバーコート層は、前記発光領域に対応する位置にマイクロレンズを含み、前記発光ダイオードは、前記マイクロレンズの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿って形成されており、前記第１電極は、第１領域と第２領域を含み、前記第１領域は、電極層を含んで、前記第２領域は、前記電極層と、前記電極層の下部に位置する電極パターンを含む、電界発光表示装置を提供する。
【００１３】
本発明に係る電界発光表示装置は、前記オーバーコート層の下部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、前記発光層からの光は、前記第１電極を介して外部へ放出される。
【００１４】
本発明に係る電界発光表示装置は、前記発光ダイオードの上部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、前記発光層からの光は、前記第２電極を介して外部へ放出され、前記オーバーコート層は、前記発光ダイオードの下部に位置する。
【００１５】
前記マイクロレンズは、複数の突出部と、複数の陥没部を含むか、若しくは複数の突出部と、互いに隣接した突出部同士を連結する複数の連結部を含む。
【００１６】
１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、個別パターン毎に、若しくは複数の個別パターン毎に、交互して前記第１領域と前記第２領域が配置される。
【００１７】
１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、前記第１領域と前記第２領域は、複数の個別パターンに配置されるか、若しくは１つの個別パターンの一部に配置される。
【００１８】
前記電極層の厚さは、５０Åないし２００Åであり、前記電極パターンの厚さは、２００Åないし３５０Åである。
【００１９】
前記電極層と前記電極パターンは、同一物質から形成される。
【００２０】
前記第１領域は、前記突出部に対応して、前記第２領域は、前記陥没部若しくは前記連結部に対応するか、または前記第１領域が、前記陥没部若しくは前記連結部に対応し、前記第２領域が、前記突出部に対応する。
【００２１】
バンク層が前記第１電極の上部に配置され、前記バンク層は、前記第１電極を露出する開口部を含み、前記マイクロレンズは、前記開口部内に配置される。
【００２２】
本発明に係る他の電界発光表示装置は、基板と、前記基板の上部に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上部に配置されるオーバーコート層と、前記オーバーコート層を介し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される発光ダイオードを備え、前記発光ダイオードは、第１電極と、前記第１電極の上部の発光層、および前記発光層の上部の第２電極を含む。また、発光領域において、前記発光層は、前記第１電極または前記第２電極によって光を放出し、前記オーバーコート層は、前記発光領域に対応する位置にマイクロレンズを含み、前記発光ダイオードは、前記マイクロレンズの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿って形成されており、前記第１電極は、第１厚さを有する第１領域と、前記第１厚さより大きい第２厚さを有する第２領域を含み、前記マイクロレンズは、複数の突出部と複数の陥没部を含んで、１つの陥没部の中心点からこれに隣接した陥没部の中心点までの範囲は、前記マイクロレンズの個別パターンであり、個別パターン毎に、若しくは複数の個別パターン毎に、交互して前記第１領域と前記第２領域が配置される。
【００２３】
本発明に係る他の電界発光表示装置は、前記オーバーコート層の下部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、前記発光層からの光は、前記第１電極を介して外部へ放出される。
【００２４】
本発明に係る他の電界発光表示装置は、前記発光ダイオードの上部における前記発光領域に対応する位置に配置されるカラーフィルターパターンをさらに備え、前記発光層からの光は、前記第２電極を介して外部へ放出され、前記オーバーコート層は、前記発光ダイオードの下部に位置する。
【００２５】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、前記第１領域は、電極層を含み、前記第２領域は、前記電極層と、前記電極層の下部に位置する電極パターンを含む。
【００２６】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、前記電極層の厚さは、５０Åないし２００Åであり、前記電極パターンの厚さは、２００Åないし３５０Åである。
【００２７】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、前記電極層と前記電極パターンは、同一物質から形成される。
【００２８】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、前記第１電極は、第１電極層と、前記第１電極層の上部の第２電極層を含み、前記第１電極層は、互いに離隔した複数の個別パターンに対応する凸部と、前記複数の個別パターンが互いに離隔した領域に対応する平坦部を含み、絶縁パターンが前記平坦部と前記第２電極層の間に形成されて、前記第１領域は、前記第２電極層を含み、前記第２領域は、前記第２電極層と前記第２電極層に接触する前記凸部を含む。
【００２９】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、バンク層が前記第１電極の上部に配置され、前記バンク層は、前記第１電極を露出する開口部を含み、前記マイクロレンズは、前記開口部内に配置される。
【００３０】
本発明に係る他の電界発光表示装置において、前記絶縁パターンと前記バンク層は、同一物質から形成される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明では、マイクロレンズを有するオーバーコート層を配置し、光抽出効率を向上させることができる。
【００３２】
さらに、オーバーコート層の上部に、第１厚さおよび第２厚さを有する第１電極を配置して、抵抗が増加することなく、光抽出効率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】一般的な電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る電界発光表示装置における１つの副画素領域を示す回路図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図４】図３のＡを拡大した図面である。
【図５Ａ】本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置における第１電極の厚さによる光の経路を概略的に示す図面である。
【図５Ｂ】本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置における第１電極の厚さによる光の経路を概略的に示す図面である。
【図６】本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置における第１電極の厚さによる駆動電圧、電流輝度効率、外部発光効率および色温度を示す表である。
【図７】本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図８】図７のＢを拡大した図面である。
【図９】本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の第１変形例を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の第２変形例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【００３５】
［第１実施例］
図２は、本発明の実施例に係る電界発光表示装置における１つの副画素領域を示す回路図である。
【００３６】
図２に示すように、本発明の実施例に係る電界発光表示装置は、互いに交差して副画素領域ＳＰを定義するゲート配線ＧＬおよびデータ配線ＤＬを含み、それぞれの画素領域Ｐには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、ストレージキャパシタＣｓｔ、そして発光ダイオードＤが形成される。
【００３７】
さらに詳細に、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのゲート電極は、ゲート配線ＧＬに接続され、ソース電極は、データ配線ＤＬに接続される。駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極は、スイッチング薄膜トランジスタＴｓのドレイン電極に接続され、ソース電極は、高電位電圧ＶＤＤに接続される。発光ダイオードＤのアノードは、駆動薄膜トランジスタＴｄのソース電極に接続され、カソードは、低電位電圧ＶＳＳに接続される。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびソース電極に接続される。
【００３８】
かかる電界発光表示装置が映像を表示する動作を説明すると、ゲート配線ＧＬを介して印加されたゲート信号によってスイッチング薄膜トランジスタＴｓがターンオンし、そのとき、データ配線ＤＬに印加されたデータ信号がスイッチング薄膜トランジスタＴｓを介し、駆動薄膜トランジスタＴｄのゲート電極およびストレージキャパシタＣｓｔの一電極に印加される。
【００３９】
駆動薄膜トランジスタＴｄは、データ信号によってターンオンし、発光ダイオードＤを流れる電流を制御して映像を表示する。発光ダイオードＤは、駆動薄膜トランジスタＴｄを介して伝達される高電位電圧ＶＤＤの電流によって発光する。
【００４０】
すなわち、発光ダイオードＤを流れる電流の量は、データ信号のサイズに比例し、発光ダイオードＤが放射する光の強度は、発光ダイオードＤを流れる電流の量に比例するので、画素領域Ｐは、データ信号のサイズによって異なる階調を表示し、その結果、電界発光表示装置が映像を表示する。
【００４１】
ストレージキャパシタＣｓｔは、データ信号に対応する電荷を、一フレーム間に維持して、発光ダイオードＤを流れる電流の量を一定にし、発光ダイオードＤが表示する階調を一定に維持させる役割をする。
【００４２】
一方、副画素領域ＳＰには、スイッチング薄膜トランジスタＴｓと駆動薄膜トランジスタＴｄ、そしてストレージキャパシタＣｓｔの他、別のトランジスタおよび／またはキャパシタをさらに形成してもよい。
【００４３】
図３は、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図４は、図３のＡを拡大した図面である。
【００４４】
図３に示すように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００は、基板１１０、薄膜トランジスタ１２０、カラーフィルターパターン１５０、オーバーコート層１６０、薄膜トランジスタ１２０に電気的に接続された発光ダイオードＤを備える。
【００４５】
本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００は、発光層１４２からの光が第１電極１４１を介して外部へ出射するボトムエミッションタイプを示しているが、これに限定されるものではない。
【００４６】
言い換えると、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００は、カラーフィルターパターン１５０が基板１１０の反対側（Ｄの上部）に位置し、発光層１４２からの光が第２電極１４３を介して外部へ出射するトップエミッションタイプであってもよい。
【００４７】
そして、トップエミッションタイプである場合は、第１電極１４１の下部に、反射電極または反射層をさらに形成することができる。例えば、前記反射電極または前記反射層は、アルミニウム・パラジウム・銅（ＡＰＣ）の合金からなり得る。このとき、前記第２電極１４３は、光が透過できるよう、相対的に薄い厚さを有することができる。
【００４８】
本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００は、基板１１０上に、ゲート電極１２１、アクティブ層１２２、ソース電極１２３およびドレイン電極１２４を含む薄膜トランジスタ１２０を備えることができる。
【００４９】
具体的に、第１基板１１０上に、薄膜トランジスタ１２０のゲート電極１２１およびゲート絶縁膜１３１を配置することができる。
【００５０】
そして、ゲート絶縁膜１３１上には、ゲート電極１２１と重なるアクティブ層１２２を配置することができる。
【００５１】
また、アクティブ層１２２上には、アクティブ層１２２のチャネル領域を保護するためのエッチストッパー１３２を配置することができる。
【００５２】
そして、アクティブ層１２２上には、アクティブ層１２２に接触するソース電極１２３およびドレイン電極１２４を配置することができる。
【００５３】
本発明の第１実施例を適用できる電界発光表示装置１００は、図３に限定されない。基板１１０とアクティブ層１２２との間に配置されるバッファー層をさらに備えてもよく、エッチストッパー１３２を備えなくてもよい。
【００５４】
一方、説明の便宜上、電界発光表示装置１００に備えられ得る様々な薄膜トランジスタのうち、駆動薄膜トランジスタのみを示し、薄膜トランジスタ１２０は、アクティブ層１２２を基準にして、ゲート電極１２１がソース電極１２３およびドレイン電極１２４の反対側に位置する逆スタガ構造、若しくはボトムゲート構造であることに説明したが、これは一例である。アクティブ層１２２を基準にして、ゲート電極１２１が、ソース電極１２３およびドレイン電極１２４と同一側に位置する共面構造（ｃｏｐｌａｎａｒ）、若しくはトップゲート構造の薄膜トランジスタであってもよい。
【００５５】
また、ドレイン電極１２４およびソース電極１２３上に、保護層１３３を配置することができ、保護層１３３の上部には、カラーフィルターパターン１５０を配置することができる。
【００５６】
ここで、保護層１３３により、薄膜トランジスタ１２０の上部が平坦化されるものと示したが、保護層１３３は、薄膜トランジスタ１２０の上部を平坦化させず、下部に位置する構成要素の表面形状に沿って配置されてもよい。
【００５７】
そして、カラーフィルターパターン１５０は、発光層１４２から出射した光の色を変換させるためのものであって、赤色カラーフィルターパターン、緑色カラーフィルターパターン、および青色カラーフィルターパターンのうち、１つであり得る。
【００５８】
ここで、カラーフィルターパターン１５０は、保護層１３３上の発光領域ＥＡに対応する位置に配置されてもよく、一部の発光領域ＥＡにのみ配置されてもよい。
【００５９】
発光領域ＥＡとは、第１電極１４１および第２電極１４３によって発光層１４２が発光する領域を意味し、発光領域ＥＡに対応する位置にカラーフィルターパターン１５０が配置されるということは、隣接した発光領域ＥＡから出射した光が混ざり合って、ブラー現象およびゴースト現象が発生することを防止できるよう、カラーフィルターパターン１５０が配置されることを意味する。
【００６０】
例えば、カラーフィルターパターン１５０は、発光領域ＥＡに重なるように配置され、発光領域ＥＡ以下のサイズを有することもできる。
【００６１】
但し、カラーフィルターパターン１５０の配置位置やサイズは、発光領域ＥＡのサイズおよび位置のみならず、カラーフィルターパターン１５０と第１電極１４１との間の距離、カラーフィルターパターン１５０とオーバーコート層１６０に設けられたマイクロレンズＭＬの突出部ＰＰおよび陥没部ＤＰとの間の距離、発光領域ＥＡ同士の距離などによって、様々に決定することができる。
【００６２】
一方、本発明の画素（ｐｉｘｅｌ）は、１つ以上の副画素（ｓｕｂｐｉｘｅｌ）を含むことができる。例えば、１つの画素は、２つないし４つの副画素を含むことができる。
【００６３】
ここで、副画素とは、特定の１種類のカラーフィルターパターン１５０が形成され、またはカラーフィルターパターン１５０が形成されず、発光ダイオードＤが特別な色を発光できる単位を意味する。
【００６４】
副画素の色は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、そして選択的に白（Ｗ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００６５】
ここで、カラーフィルターパターン１５０および保護層１３３上に、オーバーコート層１６０を配置することができる。
【００６６】
一方、保護層１３３を省略することもできる。すなわち、薄膜トランジスタ１２０上にオーバーコート層１６０を配置してもよい。
【００６７】
また、カラーフィルターパターン１５０が保護層１３３上に配置されるものと示したが、これに限定されるものではなく、カラーフィルターパターン１５０は、オーバーコート層１６０と基板１１０との間において、任意の位置に配置されてもよい。
【００６８】
特に、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００における光抽出効率を向上させるため、発光領域ＥＡに対応するオーバーコート層１６０にマイクロレンズＭＬを設けることができる。
【００６９】
ここで、マイクロレンズＭＬは、複数の陥没部ＤＰと複数の突出部ＰＰを含むことができるが、これに限定されるものではなく、様々な形状にすることができる。
【００７０】
例えば、オーバーコート層１６０に、突出部ＰＰおよび互いに隣接した突出部ＰＰ同士を連結する連結部で構成されるマイクロレンズＭＬを形成することもできる。また、オーバーコート層１６０の上面は、波状であってもよい。波状は、全長にわたって、各突出部が同一間隔および同一高さを有し、均一であり得る。これと異なり、波状は、ばらつきがあってもよく、非対称であってもよく、不均一であってもよく、他の形状であってもよい。
【００７１】
オーバーコート層１６０は、複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰが配置されていない領域では、平坦化層として機能する。
【００７２】
ここで、複数の陥没部ＤＰのそれぞれは、平面上に六角形、半球形、半楕円形、四角形など、様々な形状であり得る。上面が波状である実施例においては、縦溝が刻まれることが望ましい。このとき、縦溝は不均一に刻まれてもよく、菱形や四角形、三角形、曲面形状、不均一、若しくは他の波状であってもよい。
【００７３】
オーバーコート層１６０上に、第１電極１４１、発光層１４２および第２電極１４３を含む発光ダイオードＤを配置することができる。
【００７４】
また、オーバーコート層１６０からのガス放出（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）が発光ダイオードＤに拡大することを防止するため、オーバーコート層１６０と第１電極１４１との間に絶縁性の第２保護層（不図示）を配置することができる。
【００７５】
言い換えると、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）にそのまま沿った第２保護層が、オーバーコート層１６０と第１電極１４１との間に配置されてもよい。
【００７６】
一方、オーバーコート層１６０の上部に、第１電極１４１を配置することができる。
【００７７】
ここで、第１電極１４１は、発光層１４２に電子若しくは正孔のうち、１つを供給するためのアノードであってもよく、カソードであってもよい。
【００７８】
本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置の第１電極１４１がアノードである場合を例に挙げ、説明する。
【００７９】
第１電極１４１は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、第１電極１４１は、酸化インジウムスズ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【００８０】
第１電極１４１は、オーバーコート層１６０に形成されたコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタ１２０のソース電極１２３に接続することができ、画素領域毎に分離して形成することができる。
【００８１】
本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置は、Ｎ型薄膜トランジスタを一例に、第１電極１４１がソース電極１２３に接続されるものと説明したが、これに限定されるものではない。薄膜トランジスタ１２０がＰ型薄膜トランジスタである場合は、第１電極１４１がドレイン電極１２４に接続されることもできる。
【００８２】
また、第１電極１４１は、導電性物質を介在して発光層１４２に接触し、電気的に接続されることもできる。
【００８３】
ここで、第１電極１４１は、オーバーコート層１６０の表面の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形状に配置される。
【００８４】
すなわち、第１電極１４１は、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）にそのまま沿った形状に配置される。
【００８５】
完全なコンフォーマル層は、蒸着されている面に関係なく、全位置において均一な厚さを有し、完全なコンフォーマル層の上面は、蒸着されている層の上面と完全に同一の形状を有する。部分的なコンフォーマル層は、一般的に均一な厚さを有し、その上面は、一般的に蒸着されている層の上面と同一の形状を有するが、蒸着されている下部層の屈曲や角部、縁部、陥没、急な傾斜、若しくは段差変更における厚さにおいて、若干変化することもある。したがって、一実施例において、第１電極は、完全なコンフォーマル層として蒸着される。他の実施例において、第１電極は、陥没部内および突出部の上部において若干厚く、陥没部と突出部の間における急な傾斜面上において、多少薄い部分的なコンフォーマル層として蒸着されてもよい。
【００８６】
そして、オーバーコート層１６０および第１電極１４１上に、バンク層１３６を配置することができる。
【００８７】
バンク層１３６は、第１電極１４１を露出させる開口部１３６ａを含むことができる。
【００８８】
ここで、バンク層１３６は、隣接する画素（または副画素）領域間を区切る役割をして、隣接する画素（または副画素）領域間に配置することもできる。
【００８９】
また、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、バンク層１３６の開口部１３６ａに配置することができる。
【００９０】
すなわち、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、カラーフィルターパターン１５０と重なるように配置されるので、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、その下部においてカラーフィルターパターン１５０と重なり、その上部においてバンク層１３６の開口部１３６ａと重なり得る。
【００９１】
そして、露出された第１電極１４１上に、発光層１４２を配置することができる。
【００９２】
発光層１４２は、白色光を発光するため、複数の発光層が積層された構造（ｔａｎｄｅｍ  ｗｈｉｔｅ）にすることができる。
【００９３】
例えば、発光層１４２は、青色光を発光する第１発光層と、第１発光層上に配置され、青色と混合されて白色になる色の光を発光する第２発光層を含むことができる。
【００９４】
ここで、第２発光層は、黄緑色光を発光する発光層であり得る。
【００９５】
一方、発光層１４２は、青色光、赤色光、緑色光のうち、１つを発光する発光層のみを含むこともできる。この場合、カラーフィルターパターン１５０を含まなくてもよい。
【００９６】
ここで、発光層１４２の発光物質は、有機発光物質であってもよく、量子ドットのような無機発光物資であってもよい。
【００９７】
そして、発光層１４２は、オーバーコート層１６０の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有することができる。
【００９８】
発光層１４２上には、発光層１４２に電子若しくは正孔のうち、１つを供給するための第２電極１４３を配置することができる。
【００９９】
ここで、第２電極１４３は、アノードであってもよく、カソードであってもよい。
【０１００】
本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置１００の第２電極１４３がカソードである場合を例に挙げ、説明する。
【０１０１】
第２電極１４３は、表示領域の全面に位置し、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質からなり得る。例えば、第２電極１４３は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【０１０２】
ここで、第２電極１４３は、オーバーコート層１６０の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有することができる。第２電極１４３は、完全なコンフォーマル層であってもよく、部分的なコンフォーマル層であってもよい。
【０１０３】
かかる第１電極１４１、発光層１４２および第２電極１４３は、発光ダイオードＤを構成し、発光ダイオードＤは、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有する。
【０１０４】
このように、オーバーコート層１６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰを利用し、発光ダイオードＤの形状を具現化することができる。
【０１０５】
したがって、発光層１４２から出射され、第１電極１４１および発光層１４２の内部で全反射して外部へ抽出できなかった光を、全反射臨界角より小さい角度で進行させることで、多重反射による外部発光効率を向上させることができる。
【０１０６】
図５Ａおよび図５Ｂは、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置における第１電極の厚さによる光の経路を概略的に示す図面である。図４を共に参照して説明する。
【０１０７】
図５Ａは、第１電極１４１の厚さｄ１が２５０Åである場合における光の経路を示し、図５Ｂは、第１電極１４１の厚さｄ２が５００Åである場合における光の経路を示す。
【０１０８】
図５Ａと図５Ｂを比較すると、図５Ａに示す第１電極１４１の厚さｄ１が２５０Åである場合、発光層１４２の斜面から出射した光は、第２電極１４３で反射され、第１電極１４１を介して外部へ抽出され、図５Ｂに示す第１電極１４１の厚さｄ２が５００Åである場合は、発光層１４２の斜面から出射した光が、第１電極１４１および第２電極１４３で全反射し、外部へ出射できないことが分かる。
【０１０９】
すなわち、第１電極１４１の厚さｄ１を薄く形成した場合、発光層１４２から出射した光のうち、発光ダイオードＤの内部で全反射して外部へ出射できなかった光を、第１電極１４１を介し、外部へ抽出することができる。
【０１１０】
図６は、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置における第１電極の厚さによる駆動電圧、電流輝度効率、外部発光効率および色温度を示す表である。図５Ａおよび図５Ｂを共に参照して説明する。
【０１１１】
まず、駆動電圧（Ｖ）の項目を見ると、第１電極１４１の厚さが薄くなるにつれて抵抗が増加し、駆動電圧（Ｖ）が高くなることが分かる。
【０１１２】
すなわち、第１電極１４１の厚さが４００Åである場合、駆動電圧は１０．６Ｖであり、第１電極１４１の厚さが３００Åである場合、駆動電圧は１０．７Ｖであり、第１電極１４１の厚さが２５０Åである場合は、駆動電圧が１０．８Ｖであって、第１電極１４１の厚さが減少するにつれて、駆動電圧が徐々に高くなることが分かる。
【０１１３】
次に、単位電流当たりの明るさを表す電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）の項目を見ると、第１電極１４１の厚さが薄くなるにつれて、電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）が向上することが分かる。
【０１１４】
すなわち、第１電極１４１の厚さが４００Åである場合、電流輝度効率は１０９．８ｃｄ／Ａであり、第１電極１４１の厚さが３００Åである場合、電流輝度効率は１１４．９ｃｄ／Ａであり、第１電極１４１の厚さが２５０Åである場合は、電流輝度効率が１１６．３ｃｄ／Ａであって、第１電極１４１の厚さが減少するにつれて、電流輝度効率が向上することが分かる。
【０１１５】
そして、外部発光効率（Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＥＱＥ（％））の項目を見ると、第１電極１４１の厚さが薄くなるにつれて、外部発光効率（％）が向上することが分かる。
【０１１６】
すなわち、第１電極１４１の厚さが４００Åである場合、外部発光効率は４５．２％であり、第１電極１４１の厚さが３００Åである場合、外部発光効率は４７．２％であり、第１電極１４１の厚さが２５０Åである場合は、外部発光効率が４８％であって、第１電極１４１の厚さが減少するにつれて、外部発光効率が向上することが分かる。
【０１１７】
最後に、光源や基準白色の色度を、２次元色度図上の座標に代わり、放射曲線上における最も近い領域の温度で表現した色温度、若しくは相関色温度（Ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｌｏｒ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：ＣＣＴ（Ｋ））は、第１電極１４１の厚さｄ１、ｄ２が薄くなる程、色温度が低くなることが分かる。
【０１１８】
すなわち、第１電極１４１の厚さが４００Åである場合、色温度は７０１８Ｋであり、第１電極１４１の厚さが３００Åである場合、色温度は６９６５Ｋであり、第１電極１４１の厚さが２５０Åである場合は、色温度が６９８２Ｋであって、第１電極１４１の厚さが減少するにつれて、色温度が低くなることが分かる。
【０１１９】
このように、本発明の第１実施例に係る電界発光表示装置（図３の１００）は、第１電極１４１の厚さを２５０Åないし３００Åに形成し、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させることができる。
【０１２０】
但し、第１電極１４１の厚さを２５０Åないし３００Åに形成した場合、抵抗増加によって駆動電圧（Ｖ）が増加し、その結果、電界発光表示装置（図３の１００）の信頼性が低下するという問題が伴われる。
【０１２１】
以下、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させると共に、抵抗増加を防止できる電界発光表示装置（図３の１００）について、第２実施例で説明する。
【０１２２】
［第２実施例］
以下では、第１実施例と同一、または類似な構成に対する具体的な説明を省略することがある。
【０１２３】
図７は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【０１２４】
図７に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００は、基板２１０、薄膜トランジスタ２２０、カラーフィルターパターン２５０、オーバーコート層２６０、薄膜トランジスタ２２０に電気的に接続された発光ダイオードＤを備える。
【０１２５】
薄膜トランジスタ２２０は、ゲート電極２２１、アクティブ層２２２、ソース電極２２３およびドレイン電極２２４を含むことができる。
【０１２６】
具体的に、基板２１０上に、薄膜トランジスタ２２０のゲート電極２２１およびゲート絶縁膜２３１を配置することができる。
【０１２７】
そして、ゲート絶縁膜２３１上には、ゲート電極２２１と重なるアクティブ層２２２を配置することができる。
【０１２８】
また、アクティブ層２２２上には、アクティブ層２２２のチャネル領域を保護するためのエッチストッパー２３２を配置することができる。
【０１２９】
そして、アクティブ層２２２上には、アクティブ層２２２に接触するソース電極２２３およびドレイン電極２２４を配置することができる。
【０１３０】
また、ドレイン電極２２４およびソース電極２２３上に、保護層２３３を配置することができ、保護層２３３の上部には、カラーフィルターパターン２５０を配置することができる。
【０１３１】
そして、カラーフィルターパターン２５０および保護層２３３上に、オーバーコート層２６０を配置することができる。
【０１３２】
さらに、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００における光抽出効率を向上させるため、発光領域ＥＡに対応するオーバーコート層２６０にマイクロレンズＭＬを設けることができる。
【０１３３】
ここで、マイクロレンズＭＬは、複数の陥没部ＤＰと複数の突出部ＰＰを含むことができるが、これに限定されるものではなく、様々な形状にすることができる。
【０１３４】
例えば、オーバーコート層２６０に、突出部ＰＰおよび隣接した突出部ＰＰ同士を連結する連結部で構成されるマイクロレンズＭＬを形成することもできる。
【０１３５】
オーバーコート層２６０は、複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰが配置されていない領域では、平坦化層として機能する。例えば、非発光領域におけるオーバーコート層２６０は、平坦な上面を有することができる。
【０１３６】
ここで、複数の陥没部ＤＰのそれぞれは、平面上に六角形、半球形、半楕円形、四角形など、様々な形状であり得る。
【０１３７】
そして、オーバーコート層２６０は、概ね１．５ないし１．５５の屈折率を有する有機物質からなり得るが、これに限定されるものではない。
【０１３８】
一方、オーバーコート層２６０上に、第１電極２４１、発光層２４２および第２電極２４３を含む発光ダイオードＤを配置することができる。
【０１３９】
ここで、第１電極２４１は、発光層２４２に電子若しくは正孔のうち、１つを供給するためのアノードであってもよく、カソードであってもよい。
【０１４０】
本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００の第１電極２４１がアノードである場合を例に挙げ、説明する。
【０１４１】
第１電極２４１は、仕事関数値が比較的に大きい導電性物質からなり得る。例えば、第１電極２４１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【０１４２】
特に、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００における第１電極２４１は、発光領域ＥＡにおいて、オーバーコート層２６０の上面形状に沿って配置され、発光領域ＥＡにおいて、領域毎に異なる厚さで形成され得る。
【０１４３】
すなわち、第１電極２４１は、第１厚さを有する第１領域Ａ１と、前記第１厚さより厚い第２厚さを有する第２領域Ａ２を含むことができる。
【０１４４】
例えば、第１電極２４１の第１領域Ａ１は、電極層２４１ｂからなり、第１電極２４１の第２領域Ａ２は、電極層２４１ｂおよび電極層２４１ｂの下部に配置された電極パターン２４１ａを含むことができる。
【０１４５】
その結果、第１電極２４１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２で異なる厚さを有することができ、かかる構造により、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させると共に、抵抗増加を防止することができる。
【０１４６】
ここで、第１電極２４１が、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２で異なる厚さを有するように形成されるものと説明したが、これに限定されるものではなく、２つ以上の多数の領域毎に、厚さが異なるように形成することもできる。
【０１４７】
第１電極２４１における第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のそれぞれの厚さについては、後でさらに詳細に説明する。
【０１４８】
そして、第１電極２４１は、オーバーコート層２６０に形成されたコンタクトホールを介して、薄膜トランジスタ２２０のソース電極２２３に接続することができ、画素領域毎に分離して形成することができる。
【０１４９】
ここで、第１電極２４１は、オーバーコート層２６０の表面の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形状に配置される。
【０１５０】
すなわち、第１電極２４１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２それぞれの厚さが異なり、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）にそのまま沿った形状に配置される。
【０１５１】
また、第１電極２４１は、概ね１．８以上の屈折率を有することができるが、これに限定されるものではない。
【０１５２】
そして、オーバーコート層２６０および第１電極２４１上に、バンク層２３６を配置することができる。
【０１５３】
バンク層２３６は、第１電極２４１を露出させる開口部２３６ａを含むことができる。
【０１５４】
ここで、バンク層２３６は、隣接する画素（または副画素）領域間を区切る役割をし、隣接する画素（または副画素）領域間に配置することもできる。
【０１５５】
また、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、バンク層２３６の開口部２３６ａに配置することができる。
【０１５６】
すなわち、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、カラーフィルターパターン２５０と重なるように配置されるので、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰは、その下部においてカラーフィルターパターン２５０と重なり、その上部においてバンク層２３６の開口部２３６ａと重なり得る。
【０１５７】
そして、バンク層２３６は、１．６以下の屈折率を有するフォトアクリル系有機物質で形成することができるが、これに限定されるものではない。
【０１５８】
一方、第１電極２４１上に、発光層２４２を配置することができる。
【０１５９】
そして、発光層２４２は、第１電極２４１の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有することができ、第１電極２４１の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）と完全にコンフォーマルな形を有することができる。
【０１６０】
発光層２４２上には、発光層２４２に電子若しくは正孔のうち、１つを供給するための第２電極２４３を配置することができる。
【０１６１】
ここで、第２電極２４３は、アノードであってもよく、カソードであってもよい。
【０１６２】
本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置２００の第２電極２４３がカソードである場合を例に挙げ、説明する。
【０１６３】
第２電極２４３は、表示領域の全面に位置し、仕事関数値が比較的に小さい導電性物質からなり得る。例えば、第２電極２４３は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなり得るが、これに限定されるものではない。
【０１６４】
ここで、第２電極２４３は、発光層２４２の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有することができ、発光層２４２の形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）と完全にコンフォールな形を有することができる。
【０１６５】
このように、領域毎に厚さの異なる第１電極２４１、発光層２４２および第２電極２４３は、発光ダイオードＤを構成し、発光ダイオードＤは、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）に沿った形を有する。
【０１６６】
図８は、図７のＢを拡大した図面である。
【０１６７】
図８に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）は、保護層２３３、保護層２３３の上部のカラーフィルターパターン２５０、カラーフィルターパターン２５０の上部のオーバーコート層２６０、オーバーコート層２６０の上部の発光ダイオードＤを備える。
【０１６８】
ここで、オーバーコート層２６０にマイクロレンズＭＬを設けることができる。
【０１６９】
そして、マイクロレンズＭＬは、複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰを含むことができる。
【０１７０】
特に、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）における第１電極２４１は、発光領域（図７のＥＡ）において、オーバーコート層２６０の上面形状に沿って配置し、発光領域ＥＡにおいて、領域毎に厚さが異なるように形成することができる。
【０１７１】
言い換えると、第１電極２４１は、領域毎に厚さが異なり、オーバーコート層２６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）と完全に一致しなくてもよい。
【０１７２】
例えば、第１電極２４１は、第１厚さＤ１を有する第１領域Ａ１と、前記第１厚さＤ１より厚い第２厚Ｄ２さを有する第２領域Ａ２を含むことができる。
【０１７３】
ここで、第１電極２４１の第１領域Ａ１は単層からなり、第１電極２４１の第２領域Ａ２は多層からなり得る。
【０１７４】
例えば、第１電極２４１の第１領域Ａ１は、電極層２４１ｂからなり、第１電極２４１の第２領域Ａ２は、電極層２４１ｂおよび電極層２４１ｂの下部に配置された電極パターン２４１ａを含むことができる。
【０１７５】
すなわち、オーバーコート層２６０の上部における第２領域Ａ２に対応する領域に、電極パターン２４１ａを形成し、オーバーコート層２６０および電極パターン２４１ａを覆う電極層２４１ｂを形成して、オーバーコート層２６０の上部において電極パターン２４１ａと電極層２４１ｂが重なる第２領域Ａ２と、オーバーコート層２６０の上部において電極層２４１ｂのみが配置された第１領域Ａ１を形成することができる。
【０１７６】
例えば、陥没部ＤＰの中心点ＣＰから、隣接した陥没部ＤＰの中心点ＣＰまでを、マイクロレンズＭＬの個別パターンＩＰと定義すると、個別パターンＩＰ毎に第１領域Ａ１と第２領域Ａ２が交互に配置される。但し、これは一例であって、２つの個別パターンＩＰ毎に第１領域Ａ１と第２領域Ａ２が交互に配置されてもよい。
【０１７７】
また、２つの個別パターンＩＰに第２領域Ａ２が、１つの個別パターンＩＰに第１領域Ａ１が交互に配置されてもよく、２つの個別パターンＩＰに第１領域Ａ１が、１つの個別パターンＩＰに第２領域Ａ２が交互に配置されてもよい。
【０１７８】
そして、個別パターンＩＰの一部に第２領域Ａ２が配置されてもよい。例えば、マイクロレンズＭＬの陥没部ＤＰまたは突出部ＰＰに第２領域Ａ２が配置されてもよく、陥没部ＤＰと突出部ＰＰを連結する領域に第２領域Ａ２が配置されてもよい。
【０１７９】
すなわち、第１電極２４１の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２が配置される位置は、様々に変形することができる。
【０１８０】
ここで、第１電極２４１の電極層２４１ｂの厚さｄ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極２４１の電極パターン２４１ａの厚さｄ２は、２００Åないし３５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０１８１】
そして、第１電極２４１の第１領域Ａ１の厚さＤ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極２４１の第２領域Ａ２の厚さＤ２は、２５０Åないし５５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０１８２】
また、図８には、電極層２４１ｂの下部に電極パターン２４１ａが単層で形成されたことを示すが、これに限定されるものではなく、電極パターン２４１ａは、多層で形成されてもよい。
【０１８３】
そして、電極層２４１ｂおよび電極層２４１ｂの下部に配置された電極パターン２４１ａは、同じ物質からなり得る。例えば、電極層２４１ｂおよび電極層２４１ｂの下部に配置された電極パターン２４１ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【０１８４】
このとき、電極パターン２４１ａは第１電極の第１副層であり、電極層２４２ｂは連続的であるため、第１電極層そのものであると考えることができる。したがって、図７および図８において、層２４１ａは、第１電極層の下部において選択された位置に配置される第１電極副層であると考えることができる。一実施例において、第１電極の副層２４１ａは、オーバーコート層の各突出部上にのみ位置し、陥没部の最底部領域の一部分には位置しない。さらに他の実施例においては、図７および図８に示すように、第１電極副層は、オーバーコート層の突出部のうち、選択された突出部の上部領域にのみ位置し、選択されていない突出部の上部には位置しない。かかる実施例において、第１電極副層２４１ａは、２つの突出部毎にのみ維持される。図９の実施例では、第１電極副層２４１ａは、オーバーコート層の陥没部内にのみ位置し、突出部上には位置しない。
【０１８５】
ここで、第１電極の形成方法を説明すると、まず、スパッタリングなどにより、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質をオーバーコート層２６０上に蒸着する。
【０１８６】
そして、第１領域Ａ１に対応する領域の透明導電性物質を取り除き、第１領域Ａ１に対応するオーバーコート層２６０を露出させる電極パターン２４１ａを形成する。
【０１８７】
その後、オーバーコート層２６０および電極パターン２４１ａ上に、スパッタリングなどにより、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質を蒸着し、電極層２４１ｂを形成する。
【０１８８】
その結果、オーバーコート層２６０の上部において電極パターン２４１ａと電極層２４１ｂが重なる第２領域Ａ２と、オーバーコート層２６０の上部において電極層２４１ｂのみが配置された第１領域Ａ１が形成される。
【０１８９】
このように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）は、電極層２４１ｂおよび電極パターン２４１ａにより、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２のそれぞれの厚さＤ１、Ｄ２が異なる第１電極２４１を形成することができる。
【０１９０】
このような構造における第１領域Ａ１により、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させると共に、第２領域Ａ２により、抵抗増加を防止し、電界発光表示装置（図７の２００）の信頼性を高めることができる。
【０１９１】
さらに、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の厚さＤ１、Ｄ２により、色温度を調節することができる。
【０１９２】
図９は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の第１変形例を概略的に示す断面図である。第２実施例と同一、または類似な構成に対する具体的な説明は省略する。
【０１９３】
図９に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第１変形例は、保護層３３３、保護層３３３の上部のカラーフィルターパターン３５０、カラーフィルターパターン３５０の上部のオーバーコート層３６０、オーバーコート層３６０の上部の発光ダイオードＤを備えることができる。
【０１９４】
ここで、オーバーコート層３６０にマイクロレンズＭＬを設けることができる。
【０１９５】
そして、マイクロレンズＭＬは、複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰを含むことができる。
【０１９６】
特に、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第１変形例における第１電極３４１は、発光領域（図７のＥＡ）において、オーバーコート層３６０の上面形状に沿って配置し、発光領域ＥＡにおいて、領域毎に厚さが異なるように形成することができる。
【０１９７】
言い換えると、第１電極３４１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２で厚さが異なり、オーバーコート層３６０の複数の陥没部ＤＰおよび複数の突出部ＰＰの形状（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）にそのまま沿った形状に配置されることができる。
【０１９８】
第１電極３４１は、第１厚さＤ１を有する第１領域Ａ１と、前記第１厚さＤ１より厚い第２厚Ｄ２さを有する第２領域Ａ２を含むことができる。
【０１９９】
ここで、第１電極３４１の第１領域Ａ１は単層からなり、第１電極３４１の第２領域Ａ２は多層からなり得る。
【０２００】
例えば、第１電極３４１の第１領域Ａ１は、電極層３４１ｂからなり、第１電極３４１の第２領域Ａ２は、電極層３４１ｂおよび電極層３４１ｂの下部に配置された電極パターン３４１ａを含むことができる。
【０２０１】
特に、第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第１変形例の第１電極３４１は、オーバーコート層３６０におけるマイクロレンズＭＬの突出部ＰＰに対応して第１領域Ａ１が配置され、陥没部ＤＰに対応して第２領域Ａ２が配置されることができる。
【０２０２】
ここで、第１電極３４１の電極層３４１ｂの厚さｄ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極３４１の電極パターン３４１ａの厚さｄ２は、２００Åないし３５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０２０３】
そして、第１電極３４１の第１領域Ａ１の厚さＤ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極３４１の第２領域Ａ２の厚さＤ２は、２５０Åないし５５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０２０４】
また、図９には、電極層３４１ｂの下部に電極パターン３４１ａが単層で形成されたことを示すが、これに限定されるものではなく、電極パターン３４１ａは、多層で形成されてもよい。
【０２０５】
そして、電極層３４１ｂおよび電極層３４１ｂの下部に配置された電極パターン３４１ａは、同じ物質からなり得る。例えば、電極層３４１ｂおよび電極層３４１ｂの下部に配置された電極パターン３４１ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【０２０６】
それにより、オーバーコート層３６０の上部において電極パターン３４１ａと電極層３４１ｂが重なる第２領域Ａ２と、オーバーコート層３６０の上部において電極層３４１ｂのみが配置された第１領域Ａ１を形成することができる。
【０２０７】
特に、第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第１変形例の第１電極３４１は、オーバーコート層３６０におけるマイクロレンズＭＬの突出部ＰＰに対応して、厚さの薄い第１領域Ａ１が配置され、陥没部ＤＰに対応して厚さの厚い第２領域Ａ２が配置されることができる。
【０２０８】
このような構造により、発光ダイオードＤにおける主発光領域に対応する領域に第１電極３４１の第１領域Ａ１を配置して、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）をさらに向上させると共に、発光ダイオードＤにおける主発光領域ではない領域に第１電極３４１の第２領域Ａ２を配置し、抵抗増加を効果的に防止することができる。これは、図７および図８に関連して説明された蒸着、パターンおよびエッチングを通じて形成された同一層を用いて行うことができる。
【０２０９】
図１０は、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置の第２変形例を概略的に示す断面図である。第２実施例と同一、または類似な構成に対する具体的な説明は省略する。
【０２１０】
図１０に示すように、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第２変形例は、保護層４３３、保護層４３３の上部のカラーフィルターパターン４５０、カラーフィルターパターン４５０の上部のオーバーコート層４６０、オーバーコート層４６０の上部の発光ダイオードＤを備えることができる。
【０２１１】
ここで、オーバーコート層４６０にマイクロレンズＭＬを設けることができる。
【０２１２】
そして、マイクロレンズＭＬは、複数の突出部ＰＰを含むことができる。
【０２１３】
ここで、複数の突出部ＰＰは、互いに離隔して配置することができる。
【０２１４】
特に、本発明の第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第２変形例における第１電極４４１は、第１電極層４４１ａおよび第２電極層４４１ｂを含むことができる。
【０２１５】
ここで、第１電極４４１の第１電極層４４１ａは、発光領域（図７のＥＡ）において、オーバーコート層４６０の上面形状に沿って配置することができる。
【０２１６】
すなわち、第１電極層４４１ａは、オーバーコート層４６０の複数の突出部ＰＰに対応する凸部ＲＰ、および複数の突出部ＰＰの離隔領域に対応する平坦部ＦＰを含むことができる。
【０２１７】
そして、第１電極層４４１ａの平坦部ＦＰの上部には、絶縁パターン４６２を形成することができる。
【０２１８】
すなわち、マイクロレンズＭＬの複数の突出部ＰＰが離隔した領域に対応し、絶縁パターン４６２を形成することができる。
【０２１９】
例えば、平面的に見て、複数の突出部ＰＰが互いに離隔して形成されたマイクロレンズＭＬの上部全面に、第１電極層４４１ａが配置され、第１電極層４４１ａの上部において、マイクロレンズＭＬの複数の突出部ＰＰが互いに離隔した領域に対応し、アイランド状に絶縁パターン４６２が配置されて、絶縁パターン４６２および第１電極層４４１ａを覆う第２電極層４４１ｂが配置されることができる。
【０２２０】
ここで、絶縁パターン４６２は、マイクロレンズＭＬの複数の突出部ＰＰと同じサイズで形成することができるが、これに限定されるものではなく、マイクロレンズＭＬの複数の突出部ＰＰより小さいサイズで形成してもよく、マイクロレンズＭＬの複数の突出部ＰＰより大きく形成してもよい。
【０２２１】
ここで、絶縁パターン４６２は、バンク層（図７の２３６）と同じ物質からなり得る。
【０２２２】
すなわち、別途の工程を設けることなく、バンク層（図７の２３６）の形成工程を利用し、第１電極４４１の平坦部ＦＰの上部に絶縁パターン４６２を形成することができる。例えば、半透過マスクを利用し、バンク層（図７の２３６）および絶縁パターン４６２を形成することができる。
【０２２３】
そして、第１電極４４１の第１電極層４４１ａの凸部ＲＰおよび絶縁パターン４６２の上部を覆う第２電極層４４１ｂを配置することができる。
【０２２４】
それにより、発光層４４２に接触する第１電極４４１は、第１厚さＤ１を有する第１領域Ａ１、および前記第１厚さＤ１より厚い第２厚さＤ２を有する第２領域Ａ２を含むことができる。
【０２２５】
ここで、第１電極４４１の第１領域Ａ１は、第２電極層４４１ｂからなり得る。そして、第１電極４４１の第２領域Ａ２は、第２電極層４４１ｂ、および第２電極層４４１ｂに接触する第１電極層４４１ａの凸部ＲＰを含むことができる。
【０２２６】
そして、第１電極４４１の第２電極層４４１ｂの厚さｄ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極４４１の第１電極層４４１ａの厚さｄ２は、２００Åないし３５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０２２７】
そして、第１電極４４１の第１領域Ａ１の厚さＤ１は、５０Åないし２００Åであり、第１電極４４１の第２領域Ａ２の厚さＤ２は、２５０Åないし５５０Åであり得るが、これに限定されるものではない。
【０２２８】
ここで、第１電極層４４１ａおよび第２電極層４４１ｂは、同じ物質からなり得る。例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）のような透明導電性物質からなり得る。
【０２２９】
このような構造における第１領域Ａ１により、外部発光効率（％）および電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を向上させると共に、第２領域Ａ２により、抵抗増加を防止して、電界発光表示装置（図７の２００）の信頼性を高めることができる。
【０２３０】
さらに、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の厚さＤ１、Ｄ２によって、色温度を調節することができる。
【０２３１】
特に、第２実施例に係る電界発光表示装置（図７の２００）の第２変形例の第１電極４４１は、第１電極層４４１ａと第２電極層４４１ｂとの間に、バンク層（図７の２３６）と同じ物質からなる絶縁パターン４６２を配置することで、別途の工程を設けることなく、領域Ａ１、Ａ２毎に厚さＤ１、Ｄ２の異なる第１電極４４１を具現化することができるので、工程を簡素化することができる。
【０２３２】
さらに、オーバーコート層４６０の量が増加する程、発光ダイオードＤのガス放出によって発光ダイオードＤの寿命が減少するが、本発明の第２実施例の第２変形例では、オーバーコート層４６０の複数の突出部ＰＰ同士の間に絶縁パターン４６２を配置し、オーバーコート層４６０の絶対的な量を減少させることができるので、発光ダイオードＤの寿命を増加させることができる。図１０の実施例において、第１電極４４１は、その全長にわたって、厚さｄ１と厚さｄ２を足した厚さを有し、低い抵抗を提供する。しかしながら、絶縁パターン４６２のような一部の突出部の上部には、第２電極層４４１ｂのみが位置し、第１電極層４４１ａは平坦である一方、オーバーコート層４６０における他の突出部の上部には、第１電極層４４１ａおよび第２電極層４４１ｂが両方とも位置するので、前述した通り、かかる構造は、マイクロレンズＭＬ内における互いに異なる位置で光反射に対し、異なる特性を提供する。
【０２３３】
以上、上記では、好適な実施例を参照して説明したが、当該技術分野における当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および領域から逸脱しない範囲内で、本発明を様々に修正および変更できることを理解できるであろう。
【符号の説明】
【０２３４】
２１０…基板、２２０…薄膜トランジスタ、２２１…ゲート電極、２２２…アクティブ層、２２３…ソース電極、２２４…ドレイン電極、２３１…ゲート絶縁膜、２３２…エッチストッパー、２３３…保護層、２３６…バンク、２４１ａ…電極パターン、２４１ｂ…電極層、２４１…第１電極、２４２…発光層、２４３…第２電極、２５０…カラーフィルターパターン、２６０…オーバーコート層、ＭＬ…マイクロレンズ、ＰＰ…突出部、ＤＰ…陥没部、Ｄ…発光ダイオード、ＥＡ…発光領域、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域
【図１】
2019102443.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
2019102443.tif 000009
【図７】
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【図８】
2019102443.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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