(57)【要約】【課題】希土類ボンド磁石の着磁特性を調整できる幅が大きい希土類磁石粉末を提供すること。【解決手段】希土類磁石粉末は、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含む。上記希土類磁石粉末が、上記粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末のうち、粒径３２μｍ未満の希土類磁石粉末を、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の量で含むことが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含む、希土類磁石粉末。
【請求項２】
前記希土類磁石粉末が、前記粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末のうち、粒径３２μｍ未満の希土類磁石粉末を、前記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の量で含む、請求項１に記載の希土類磁石粉末。
【請求項３】
前記希土類磁石粉末が、等方性Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末である、請求項１または２に記載の希土類磁石粉末。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の希土類磁石粉末とバインダー樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石。
【請求項５】
希土類磁石粉末およびバインダー樹脂の混合物を加圧して圧縮成形体を形成し、前記圧縮成形体中の前記バインダー樹脂を熱硬化させて、被着磁体を得る工程と、
前記被着磁体の近傍に着磁用永久磁石を配置し、前記被着磁体を、前記被着磁体のキュリー点以上の温度かつ前記着磁用永久磁石のキュリー点未満の温度から、前記被着磁体のキュリー点未満の温度まで降温させつつ、その降温の間、前記着磁用永久磁石によって、前記被着磁体に着磁磁界を印加し着磁させて、希土類ボンド磁石を得る工程とを含み、
前記希土類磁石粉末が、前記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含む、希土類ボンド磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類磁石粉末、希土類ボンド磁石および希土類ボンド磁石の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、減磁量を増加させ得る希土類ボンド磁石の製造方法が記載されている。上記製造方法において、具体的には、急冷薄帯を粉砕して得られた、キュリー点が３００℃以上５００℃以下である等方性Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉体が用いられている。ここで、上記磁石粉体の粒径を１００μｍ以下、好ましくは７５μｍ以下に制御している。磁石粉体の粒径が上記範囲にあると、熱揺らぎが生じ、反磁界の作用を受けやすくなるため、減磁量が増大すると考えられる。上記製造方法では、この減磁量の増大を利用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１５７５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の製造方法に用いられる希土類磁石粉末では、希土類ボンド磁石の着磁特性を調整できる幅が小さい。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、希土類ボンド磁石の着磁特性を調整できる幅が大きい希土類磁石粉末を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る希土類磁石粉末は、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によれば、希土類ボンド磁石の着磁特性を調整できる幅が大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、調製例１〜５で得られた希土類磁石粉末について、磁化曲線を示す図である。
【図２】図２は、調製例１〜５で得られた希土類磁石粉末について、規格化した残留磁化（Ｍｒ）、保磁力（Ｈｃｊ）および角型比（Ｈｋ／Ｈｃｊ）を示す図である。
【図３ａ】図３ａは、実施例で用いた着磁治具および被着磁体の平面図を示す。
【図３ｂ】図３ｂは、実施例で用いた着磁治具および被着磁体の縦断面図を示す。
【図３ｃ】図３ｃは、希土類ボンド磁石の多極着磁の状況を示す。
【図４】図４は、実施例１、比較例１で用いた希土類磁石粉末について、磁化曲線を示す図である。
【図５】図５は、実施例１、比較例１で得られた希土類ボンド磁石（多極着磁済み）について、着磁特性を示す図である。
【図６】図６は、実施例１、比較例１で得られた希土類ボンド磁石（多極着磁済み）について、温調温度に対する着磁特性の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態に係る希土類磁石粉末、希土類ボンド磁石および希土類ボンド磁石の製造方法について説明する。
【００１０】
＜実施形態＞
［希土類磁石粉末］
実施形態に係る希土類磁石粉末は、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含む。実施形態に係る希土類磁石粉末は、特定の粒径の粉末を特定の量で含んでいるため、これを用いて希土類ボンド磁石を作製する場合、希土類ボンド磁石の着磁特性（着磁率）を幅広く調整できる。また、希土類ボンド磁石の静磁気特性も幅広く調整できる。すなわち、実施形態に係る希土類磁石粉末によれば、希土類ボンド磁石の磁力特性を幅広く調整できる。
【００１１】
特に、希土類ボンド磁石の製造において、特許文献１などに記載されている温間着磁法によって着磁を行う場合、希土類ボンド磁石の磁力特性を幅広く調整できることは工業的意義がある。温間着磁法では、具体的には、被着磁体（未着時の希土類ボンド磁石）の近傍に着磁用磁界印加手段を配置し、上記被着磁体を、そのキュリー点以上の温度に上昇させる。次いで、キュリー点以上の温度に達した上記被着磁体を、キュリー点未満の温度まで降温させつつ、その間、上記着磁用磁界印加手段により上記被着磁体に着磁磁界を印加し続ける。これにより、上記被着磁体が着磁され、着磁された希土類ボンド磁石が得られる。この温間着磁法では、従来のパルス着磁法と比較して高い着磁率を達成できる。しかしながら、製品によっては、着磁率を調整して小さくしたい場合もある。このような場合に、実施形態に係る希土類磁石粉末を用いると、着磁特性を調整できる利点がある。
【００１２】
希土類磁石粉末の特性は、粒径と密接な相関がある。同一組成の希土類磁石粉末であっても、粒径を変えることで静磁気特性を変化させられる。具体的には、粒径が小さくなると比表面積が増大し、酸化の影響を受け易くなるため、静磁気特性は低下する。実施形態に係る希土類磁石粉末では、この酸化劣化を有効利用し、磁石粉末の粒度分布を適切に制御するとともに不可逆減磁量も制御して、所望の作用を発現させている。
【００１３】
また、希土類ボンド磁石の製造において、実施形態に係る希土類磁石粉末を用いた方が、特許文献１の希土類磁石粉末を用いるよりも、着磁特性を調整できる幅が大きい。これは、特許文献１の希土類磁石粉末は、粒径５３μｍ未満のような小さい粒径の希土類磁石粉末を多く含んでいないことによると考えられる。特許文献１では、希土類磁石粉末の粒径を、熱揺らぎが生じる粒径（具体的には粒径５３μｍよりも大きい粒径）に制御して、着磁特性を調整している。しかしながら、本実施形態のように酸化劣化が生ずる粒径に制御する方が、着磁特性を調整できる幅がより大きくなると考えられる。
【００１４】
上述のように、実施形態に係る希土類磁石粉末は、特定の粒径の粉末を特定の量で含むことにより、要求されるレベルに応じた磁力特性を達成できる。このため、異なる組成を有する多種類の希土類磁石粉末を準備する必要がなくなる。さらに、劣化した希土類磁石粉末を破棄するような無駄をなくせる。したがって、工業的意義が大きく運用上のメリットも大きい。
【００１５】
実施形態に係る希土類磁石粉末を構成する希土類磁石について、その組成は特に限定されない。組成によらず着磁特性を調整できるためである。たとえば、上記希土類磁石としては、等方性Ｎｄ（ネオジム）−Ｆｅ（鉄）−Ｂ（ホウ素）系磁石であることが好ましい。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、三元系正方晶化合物であるＮｄ2Ｆｅ14Ｂ型化合物相を主相として含む。また、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、通常Ｎｄリッチ相などをさらに含んだ複合組織を有している。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００１６】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石において、Ｎｄ以外の希土類元素が含まれていてもよい。Ｎｄ以外の希土類元素として、プラセオジム（Ｐｒ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。Ｎｄ以外の希土類元素は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。また、ＮｄおよびＰｒを含む場合は、これらを混合物であるＤｉ（ジジミウム）として含んでいてもよい。
【００１７】
Ｆｅは、一部（通常５０原子％未満）がＣｏで置換されていてもよい。
【００１８】
Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石は、その他の元素を含んでいてもよい。その他の元素としては、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）が挙げられる。その他の元素は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１９】
実施形態に係る希土類磁石粉末は、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上９０ｗｔ％以下の量で含み、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下の量で含むことが好ましい。このような希土類磁石粉末を用いて希土類ボンド磁石を作製すると、希土類ボンド磁石の着磁特性（着磁率）を好適な範囲で幅広く調整できる。具体的には、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を上記下限の量以上で含んでいると、着磁特性の調整効果が得られる。粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を上記上限の量以下で含んでいれば、着磁特性が過剰に低下することはないと考えられる。
【００２０】
実施形態に係る希土類磁石粉末は、上記粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末のうち、粒径３２μｍ未満の希土類磁石粉末を、上記希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の量で含むことが好ましい。このような希土類磁石粉末を用いて希土類ボンド磁石を作製すると、希土類ボンド磁石の着磁特性（着磁率）を好適な範囲でより幅広く調整できる。
【００２１】
実施形態に係る希土類磁石粉末において、上記粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末の残部については、粒径は５３μｍ以上である。残部の粒径は、後述する圧縮成形体の成形性向上の観点から、３００μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
また、実施形態に係る希土類磁石粉末において、キュリー点は通常３００℃以上５００℃以下である。
【００２３】
実施形態に係る希土類磁石粉末は、通常、液体急冷法によって製造される。具体的には、合金作製工程、超急冷工程、粉砕工程および熱処理工程を経て製造される。合金作製工程では、希土類磁石に含まれる元素を所定の量となるように秤量し、アーク溶解炉等を用いて溶融させ合金化する。次いで、超急冷工程では、単ロール法により、合金作製工程で得られた合金を溶融させ、銅などでできたロールに溶融合金を噴射することで超急冷し、薄帯を形成する。次いで、粉砕工程では、たとえばカッターミル、ピンミルなどの粉砕機で薄帯を粉砕して、フレーク状または粒状の磁石粉末を作製する。次いで、熱処理工程では、上記希土類磁石粉末を真空中または不活性雰囲気下で加熱する。これにより、アモルファス状態である上記希土類磁石粉末の結晶化が進み、硬磁性の発現と組織の均質化が進む。このようにして、上記希土類磁石粉末を製造できる。特に、粉砕工程において、給粉速度、粉砕回数などの条件を適宜設定すると、特定の粒径を特定の量で含む希土類磁石粉末が得られる。具体的には、給粉速度を遅くする、粉砕回数を増やす、またはそれらを併用する等により、小さい粒径の希土類磁石粉末の量を増やすことができる。さらに、ふるい振とう機などによるふるい分けを行って、３００μｍを超える希土類磁石粉末を取り除くことが好ましい。
【００２４】
実施形態に係る希土類磁石粉末の製造方法について、上記では、粉砕工程における条件を適宜設定して、一度に、実施形態に係る希土類磁石粉末を得る方法について説明したが、これに限らない。たとえば、液体急冷法によって得られた希土類磁石粉末をふるい分けにより、粒径別に予め準備しておき、後から適宜混合して、特定の粒径を特定の量で含む実施形態に係る希土類磁石粉末を得てもよい。
【００２５】
［希土類ボンド磁石］
実施形態に係る希土類ボンド磁石は、上述した希土類磁石粉末（希土類磁石粒子）とバインダー樹脂硬化物とを含む。上述した希土類磁石粉末を用いて製造されているため、着磁特性（着磁率）が幅広く調整されている。
【００２６】
バインダー樹脂硬化物は、通常、バインダー樹脂、具体的には熱硬化性樹脂を加熱硬化させて得られる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル、シリコン樹脂、ポリウレタンなどが挙げられる。これらのなかでも、耐熱性に優れるため、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂が好ましく、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、上記熱硬化性樹脂は、室温で固形（粉体状）であっても、液状であってもよい。
【００２７】
上記エポキシ樹脂は、分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有していれば、特に限定されない。上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の直鎖型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂等の多官能型エポキシ樹脂；テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂；トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２８】
また、上記熱硬化性樹脂を硬化させるため、硬化剤および／または促進剤を用いる。上記硬化剤および／または促進剤としては、アミン系硬化剤、ジシアンジアミドとその誘導体、フェノールとその誘導体、イソシアネート、ブロックイソシアネート、イミダゾールとその誘導体などが挙げられる。
【００２９】
さらに、実施形態に係る希土類ボンド磁石またはバインダー樹脂硬化物は、本実施形態の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて酸化防止剤、滑剤などの添加剤を含んでいてもよい。
【００３０】
実施形態に係る希土類ボンド磁石の形状は、特に限定されないが、リング状であることが好ましい。リング状であると、モータ用途として好適である。特に、実施形態に係る希土類ボンド磁石は、温間着磁法によって多極着磁された超小型のリング状磁石であることが好ましい。この場合は、たとえば、狭ピッチで高着磁特性を示す希土類ボンド磁石を用いて作製される高トルク型ステッピングモータ、または着磁率をたとえば５０％程度まで低くし、低速域で滑らかに動作するステッピングモータに好適に用いられる。
【００３１】
このように、実施形態に係る希土類ボンド磁石を電子部品およびデバイスに搭載することは、工業的にさらにより幅広い応用が達成されるとともに大きな差別化となり得る。コストダウンにも直結しており、温間着磁法の適用範囲を拡げることができる。
【００３２】
［希土類ボンド磁石の製造方法］
実施形態に係る希土類ボンド磁石の製造方法は、被着磁体を得る工程と、着磁された希土類ボンド磁石を得る工程とを含む。
【００３３】
被着磁体（未着磁の希土類ボンド磁石）を得る工程では、上述した希土類磁石粉末およびバインダー樹脂の混合物を加圧して圧縮成形体を形成する。次いで、上記圧縮成形体中の上記バインダー樹脂を熱硬化させて、被着磁体を得る。したがって、被着磁体には、上記希土類磁石粉末および上記バインダー樹脂硬化物が含まれている。
【００３４】
上記熱硬化性樹脂を硬化させるため、上記混合物には、上記硬化剤および／または促進剤を適宜配合する。さらに、上記混合物には、本実施形態の効果を損なわない限りにおいて、必要に応じて上述した添加剤を適宜配合してもよい。
【００３５】
上記混合物におけるバインダー樹脂の配合量は、上記希土類磁石粉末の質量１００ｗｔ％に対して０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることが好ましい。バインダー樹脂の含有量が少なすぎると、圧縮成形法を用いて希土類ボンド磁石を作製することが困難になる。一方、バインダー樹脂の含有量が多すぎると、希土類ボンド磁石の磁気特性が低下する虞がある。
【００３６】
混合物を加圧して圧縮成形体を得るが、その際の成形圧は通常４ｔоｎ／ｃｍ2以上８ｔоｎ／ｃｍ2以下である。成形圧が上記範囲にあると、たとえば約１００μｍ以上の粒径を有する希土類磁石粉末が割れて小さくなることがある。しかし、小さくなったとしても粒径５３μｍ未満にはなりにくいと考えられる。したがって、圧縮成形体を作製する際に、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末の割合は変化しないと考えられる。
【００３７】
なお、上記希土類磁石粉末は、バインダー樹脂の熱硬化の際に加熱されるが、この加熱により希土類磁石粉末の粒径は変化しないと考えられる。
【００３８】
着磁された希土類ボンド磁石を得る工程では、上記被着磁体の近傍に着磁用永久磁石を配置し、上記被着磁体を、上記被着磁体のキュリー点以上の温度かつ上記着磁用永久磁石のキュリー点未満の温度から、上記被着磁体のキュリー点未満の温度まで降温させつつ、その降温の間、上記着磁用永久磁石によって、上記被着磁体に着磁磁界を印加し着磁させる。すなわち、温間着磁法によって被着磁体（未着磁の希土類ボンド磁石）を着磁させる。このようにして、着磁された希土類ボンド磁石を得る。
【００３９】
具体的には、まず、上記被着磁体の近傍に着磁用永久磁石を配置する。次に、上記被着磁体のキュリー点以上の温度かつ上記着磁用永久磁石のキュリー点未満の温度（Ｔ1）に、上記被着磁体を加熱する。ここで、上記着磁用永久磁石のキュリー点は、上記被着磁体のキュリー点よりも高い。その温度（Ｔ1）から上記被着磁体のキュリー点未満の温度（Ｔ2）に降温させつつ、その間、上記着磁用永久磁石により、上記被着磁体に着磁磁界を印加し続ける。たとえば、（上記被着磁体のキュリー点＋３０）℃以上の温度（Ｔ1）まで加熱し、（上記被着磁体のキュリー点−５０℃）以下の温度（Ｔ2）まで冷却する間、上記被着磁体に着磁磁界を印加し続ける。より具体的には、着磁は、実施例で述べるような装置および手順にて行うことができる。さらに、着磁は、特許第４６９７７３６号明細書および特許第４６７４７９９号明細書に記載された装置および手順にて行うことができる。
【００４０】
なお、上記被着磁体のキュリー点は、より詳細には、上記被着磁体に含まれる希土類磁石粉末について測定した値である。上記着磁用永久磁石のキュリー点は、上記着磁用永久磁石を測定可能な大きさに調整して測定した値である。具体的には、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：Vibrating  Sample  Magnetometer）を用いてキュリー温度を測定できる。ＶＳＭにて、着磁した上記希土類磁石粉末または上記着磁用永久磁石について、室温から温度を上昇させながら磁化の変化を測定し、磁化が概ね０となったときの温度をキュリー点とする。
【００４１】
このようにして、着磁された希土類ボンド磁石が製造できる。たとえば、多極着磁されたリング状の希土類ボンド磁石が得られる。また、着磁された希土類ボンド磁石は、上述した希土類磁石粉末を用いて製造されているため、着磁特性（着磁率）が幅広く調整されている。
【００４２】
なお、実施形態に係る希土類ボンド磁石は、上記温間着磁法以外の着磁方法によって製造された希土類ボンド磁石であってもよい。たとえば、従来のパルス着磁法で行ってもよい。この場合も、希土類ボンド磁石の磁力特性は幅広く調整可能である。しかしながら、多極着磁された超小型のリング状希土類ボンド磁石や、高い表面磁束密度を有する希土類ボンド磁石を得る観点からは、温間着磁法が好ましい。
【００４３】
上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【００４４】
［実施例］
［調製例１］
液体急冷法によって、Ｎｄ12.3Ｆｅ76.5Ｃо5.5Ｂ5.7の組成を有する希土類磁石粉末を作製した。合金作製工程では、上記組成となるように配合した原料をアーク溶解炉にて合金化した。次いで、超急冷工程では、単ロール法により、合金作製工程で得られた合金を超急冷し、薄帯を形成した。次いで、粉砕工程では、カッターミルにより薄帯を粉砕して希土類磁石粉末を作製した。粉砕工程では、スクリューフィーダによる給粉速度を４０ｒｐｍ（通常は７０ｒｐｍ）とし、細粒を得られやすくした。次いで、熱処理工程では、上記希土類磁石粉末を真空中で加熱した。
【００４５】
さらに、日本工業規格ＪＩＳ  Ｚ８８１５のふるい分け法に準拠して、得られた上記希土類磁石粉末のふるい分けを行った。これにより、３２μｍ未満の希土類磁石粉末を得た。
【００４６】
［調製例２］
熱処理工程までは、調製例１と同様に行って、上記希土類磁石粉末を得た。次いで、調製例１と同様にふるい振とう機を用いて、得られた上記希土類磁石粉末のふるい分けを行った。これにより、３２μｍ以上５３μｍ未満の希土類磁石粉末を得た。
【００４７】
［調製例３］
熱処理工程までは、調製例１と同様に行って、上記希土類磁石粉末を得た。次いで、調製例１と同様にふるい振とう機を用いて、得られた上記希土類磁石粉末のふるい分けを行った。これにより、５３μｍ以上７５μｍ未満の希土類磁石粉末を得た。
【００４８】
［調製例４］
熱処理工程までは、調製例１と同様に行って、上記希土類磁石粉末を得た。次いで、調製例１と同様にふるい振とう機を用いて、得られた上記希土類磁石粉末のふるい分けを行った。これにより、７５μｍ以上１５０μｍ未満の希土類磁石粉末を得た。
【００４９】
［調製例５］
熱処理工程までは、調製例１と同様に行って、上記希土類磁石粉末を得た。次いで、調製例１と同様にふるい振とう機を用いて、得られた上記希土類磁石粉末のふるい分けを行った。これにより、１５０μｍ以上３５５μｍ未満の希土類磁石粉末を得た。
【００５０】
〔評価〕
調製例１〜５で得られた希土類磁石粉末について、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：Vibrating  Sample  Magnetometer）により静磁気特性を測定した。図１は、調製例１〜５で得られた希土類磁石粉末について、磁化曲線を示す図である。図２は、調製例１〜５で得られた希土類磁石粉末について、規格化した残留磁化（Ｍｒ）、保磁力（Ｈｃｊ）および角型比（Ｈｋ／Ｈｃｊ）を示す図である。調製例１のプロットについて、横軸の値は、調製例１の希土類磁石粉末の粒径の中央値である。調製例２〜５のプロットについても、横軸の値は同様である。粒径が５３μｍより小さくなると磁気特性の低下が明瞭となり、３２μｍ未満でその作用は顕著となる（調製例１、２）。高磁気特性のみを目標とすると細かな希土類磁石粉末は排除されるべきであるが、特性調整を目的とすると好都合であり、本実施形態のように有効に利用できる。すなわち、５３μｍ未満の希土類磁石粉末を特定の量で含む希土類磁石粉末を用いると、希土類ボンド磁石の磁力特性を幅広く調整できることが分かる。
【００５１】
［実施例１］
まず、液体急冷法によって、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末を作製した。合金作製工程では、原料をアーク溶解炉にて合金化した。次いで、超急冷工程では、単ロール法により、合金作製工程で得られた合金を超急冷し、薄帯を形成した。次いで、粉砕工程では、カッターミルにより薄帯を粉砕して希土類磁石粉末を作製した。粉砕工程では、スクリューフィーダによる給粉速度を４０ｒｐｍ（通常は７０ｒｐｍ）とし、細粒を得られやすくした。次いで、熱処理工程では、上記希土類磁石粉末を真空中で加熱した。得られた希土類磁石粉末は、希土類元素を１２．５ａｔ％の量で、ホウ素を６ａｔ％の量で含んでおり、残部は鉄であった。また、希土類元素として、ＮｄおよびＰｒを３：１（元素比）の比率で含んでいた。
【００５２】
得られた希土類磁石粉末について、日本工業規格ＪＩＳ  Ｚ８８１５のふるい分け法に準拠して、ふるい振とう機を用いて粒度分布を測定した。これにより、実施例１の希土類磁石粉末は、希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を３０ｗｔ％の量で含み、かつ３２μｍ未満の希土類磁石粉末を１０ｗｔ％の量で含んでいた。また、キュリー点は３００℃であった。
【００５３】
次に、上記希土類磁石粉末を用いて多極着磁された希土類ボンド磁石を作製した。被着磁体を得る工程では、まず、上記希土類磁石粉末、バインダー樹脂としてフェノールノボラック型エポキシ樹脂および硬化剤を混合した。ここで、上記希土類磁石粉末に対して、バインダー樹脂を２．５ｗｔ％の量で混合した。この混合物を加圧して圧縮成形体を得た。上記圧縮成形体は、外径φ２．５５ｍｍ、内径φ１．０ｍｍ、厚さ３．７ｍｍの円筒状であった。また、圧縮成形体の密度は、５．８ｇ/ｃｍ3であった。次いで、上記圧縮成形体を１８０℃に加熱して、バインダー樹脂を熱硬化させた。このようにして、上記希土類磁石粉末および上記バインダー樹脂硬化物が含まれている被着磁体を得た。
【００５４】
次いで、以下のように着磁された希土類ボンド磁石を得る工程、すなわち外周からの１０極着磁（極ピッチ０．８ｍｍ）工程を行った。図３ａは、実施例で用いた着磁治具および被着磁体の平面図を示し、図３ｂは、実施例で用いた着磁治具および被着磁体の縦断面図を示し、図３ｃは、希土類ボンド磁石の多極着磁の状況を示す。なお、図３ａ、図３ｂおよび図３ｃ中の矢印は、着磁方向を示している。着磁治具１０では、非磁性ブロック（ステンレス鋼製ブロック）１２に、被着磁体１４を挿入および抜出可能な円形の被着磁物収容穴１６が設けられていた。また、被着磁物収容穴１６の外側面から放射状に延びる１０本の断面矩形の溝１８が等角度の間隔で設けられていた。溝１８には、被着磁体１４よりもキュリー点が高い断面四角形の棒状の着磁用永久磁石２０がそれぞれ埋設されていた。着磁用永久磁石２０としてサマリウムコバルト系焼結磁石（キュリー点約８５０℃）を用いた。被着磁体１４を、３８０℃に加熱し、３ｓｅｃ保持した後、被着磁物収容穴１６に挿入した。挿入後、３８０℃から５０℃まで冷却し、５０℃で６ｓｅｃ保持した。挿入後から、着磁用永久磁石２０により、被着磁体１４に着磁磁界を印加し続けた。５０℃で６ｓｅｃの保持後に、着磁治具１０から被着磁体１４を取り出した。このようにして、多極着磁された希土類ボンド磁石１４０を作製した。なお、図３ｃには、希土類ボンド磁石１４０における着磁磁界の向きも示す。
【００５５】
さらに、着磁治具１０から被着磁体１４を取り出すときの温度（温調温度）を変化させて、多極着磁された希土類ボンド磁石１４０を作製した。
【００５６】
［比較例１］
実施例１で得られた希土類磁石粉末をふるい振とう機でふるい分けた。ふるい分けた希土類磁石粉末は、希土類磁石粉末１００ｗｔ％中、粒径５３μｍ未満の希土類磁石粉末を８ｗｔ％の量で含み、かつ３２μｍ未満の希土類磁石粉末を３ｗｔ％の量で含んでいた。上記希土類磁石粉末を用いて、実施例１と同様にして、多極着磁された希土類ボンド磁石を作製した。
【００５７】
〔評価〕
実施例１、比較例１で用いた希土類磁石粉末について、振動試料型磁力計（ＶＳＭ：Vibrating  Sample  Magnetometer）により静磁気特性を測定した。図４は、実施例１、比較例１で用いた希土類磁石粉末について、磁化曲線を示す図である。粒度分布が異なるため、静磁気特性にも差異がみられる。
【００５８】
また、実施例１、比較例１の多極着磁された希土類ボンド磁石について、着磁特性の評価は、テスラメータを用いて表面磁束密度を測定することにより、定量的に行った。具体的には、多極着磁した希土類ボンド磁石の外周面を１周連続的に測定した。着磁特性の評価としては、極数分の表面磁束密度ピーク値（絶対値）の平均値を用いる。なお、後述する図５、６の縦軸（着磁特性（表面磁束密度））の値は、上記平均値である。
【００５９】
図５は、実施例１、比較例１で得られた希土類ボンド磁石（多極着磁済み）について、着磁特性を示す図である。実施例１は７個の希土類ボンド磁石（温調温度５０℃）について、比較例１は３個の希土類ボンド磁石（温調温度５０℃）についての評価結果である。実施例１と比較例１とでは、約１０％の着磁特性の差異を確認できる。
【００６０】
また、表１に、実施例１、比較例１の多極着磁された希土類ボンド磁石について、温調温度に対する着磁特性を示す。
【００６１】
【表１】
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【００６２】
さらに、この変化を図６に表した。すなわち、図６は、実施例１、比較例１で得られた希土類ボンド磁石（多極着磁済み）について、温調温度に対する着磁特性の変化を示す図である。比較例１の希土類磁石粉末を用いると、温調温度を変化させても希土類ボンド磁石の表面磁束密度を大きく変えられない。すなわち、表面磁束密度の低下量は小さい。一方、小さい粒径を多く含む実施例１の希土類磁石粉末を用いると、希土類ボンド磁石の表面磁束密度を小さくできる。すなわち、表面磁束密度の低下量は大きい。このように、同一組成の希土類磁石粉末を用いて特性調整の幅を広くすることが可能となる。
【符号の説明】
【００６３】
１０：着磁治具、１２：非磁性ブロック、１４：被着磁体、１６：被着磁物収容穴、１８：溝、２０：着磁用永久磁石、１４０：希土類ボンド磁石
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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