(57)【要約】【課題】検知回路のＳ／Ｎ比が低下しにくいフラックスゲートセンサを提供する【解決手段】所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、前記励磁回路は、前記検知回路と絶縁されたものである、ことを特徴とするフラックスゲートセンサ。【選択図】図１
2019113374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路は、前記検知回路と絶縁されたものである、
ことを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項２】
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路と前記検知回路が、１０Ω以上の抵抗器、１０ｐＦ以上のコンデンサ、１０ｎＨ以上のインダクタ、バリスタの少なくともいずれか一つによって接続されたものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項３】
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間以外においては、前記励磁回路が、前記検知回路と絶縁されたものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項４】
請求項２に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記コアは、第一の励磁部、および該第一の励磁部と軸が平行な第二の励磁部を少なくとも含むものであり、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁部に巻かれた第一の励磁コイルと、
前記第二の励磁部に巻かれた第二の励磁コイルと、を有し、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルに対して励磁電流を供給することで前記コアを励磁するものであり、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルのうちの少なくとも一方に対する励磁電流を調整可能な調整手段とを備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項６】
請求項５に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給する第一の回路と、前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給する第二の回路とを有し、
前記第一の回路と前記第二の回路が異なるものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項７】
請求項５に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記第一の励磁コイルは、前記第二の励磁コイルと直列に接続されたものであり、
前記調整手段として、前記第一の励磁コイルおよび前記第二の励磁コイルのいずれか一方と並列に接続され、他方とは並列に接続されていないインピーダンス回路を有し、
前記インピーダンス回路は、インピーダンスを調整可能なものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記検知回路は、
前記コアに巻かれた検知コイルからの信号に基づいて、前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力するものであり、
前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御する制御回路を備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項９】
請求項８に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
周波数が前記所定の周波数の半分である励磁用信号を生成する励磁用信号生成回路を有し、
前記制御回路は、
前記励磁用信号が増加あるいは減少したタイミングから一定時間経過したタイミングにおける前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御するものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【請求項１０】
請求項８に記載のフラックスゲートセンサであって、
前記制御回路は、
前記第二の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号と、前記第一の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号とを比較した結果に基づいて、前記調整手段を制御するものであることを特徴とするフラックスゲートセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラックスゲートセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フラックスゲートセンサが磁気検出装置等に利用されている（例えば、特許文献１）。このようなフラックスゲートセンサを製造する場合、励磁回路と検知回路のグラウンドが基板上等で接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２５３９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラックスゲートセンサはコアを励磁するにあたって数百ｍＡ程度の電流が必要になるが、この電流によって検知回路側のグラウンドの電位が変動する場合がある。一方、検知回路はゲインが高いため、グラウンドの電位の変動によって生じたノイズが出力に影響してＳ／Ｎ比が低下してしまう場合がある。
【０００５】
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたものであり、検知回路のＳ／Ｎ比が低下しにくいフラックスゲートセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第一の態様は、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路は、前記検知回路と絶縁されたものである、
ことを特徴とする。
【０００７】
このフラックスゲートセンサによれば、励磁電流が検知回路に及ぼす影響を小さくし、Ｓ／Ｎ比の悪化を抑えることができる。
【０００８】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第二の態様は、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路と前記検知回路が、１０Ω以上の抵抗器、１０ｐＦ以上のコンデンサ、１０ｎＨ以上のインダクタ、バリスタの少なくともいずれか一つによって接続されたものであることを特徴とする。
【０００９】
このフラックスゲートセンサによれば、励磁電流が検知回路に及ぼす影響を小さくし、Ｓ／Ｎ比の悪化を抑えることができる。
【００１０】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第三の態様は、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコアを励磁する励磁回路と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路と、を備え、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間以外においては、前記励磁回路が、前記検知回路と絶縁されたものであることを特徴とする。
【００１１】
このフラックスゲートセンサによれば、検知回路にノイズ信号が侵入しないようにすることができる。
【００１２】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第四の態様は、
上記第二の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであることを特徴とする。
【００１３】
このフラックスゲートセンサによれば、検知回路にノイズ信号が侵入しないようにすることができる。
【００１４】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第五の態様は、
上記第一から第四のいずれかの態様のフラックスゲートセンサであって、
前記コアは、第一の励磁部、および該第一の励磁部と軸が平行な第二の励磁部を少なくとも含むものであり、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁部に巻かれた第一の励磁コイルと、
前記第二の励磁部に巻かれた第二の励磁コイルと、を有し、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルに対して励磁電流を供給することで前記コアを励磁するものであり、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルのうちの少なくとも一方に対する励磁電流を調整可能な調整手段とを備えたことを特徴とする。
【００１５】
このフラックスゲートセンサによれば、励磁コイルやコアに対して製造上の都合によりアンバランスが生じた場合であっても、励磁電流を調整することによってこれを補うことができ、励磁用信号に同期したノイズの発生を抑えてセンサのＳ／Ｎ比を向上させることができる。
【００１６】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第六の態様は、
上記第五の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給する第一の回路と、前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給する第二の回路とを有し、
前記第一の回路と前記第二の回路が異なるものであることを特徴とする。
【００１７】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第七の態様は、
上記第五の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記第一の励磁コイルは、前記第二の励磁コイルと直列に接続されたものであり、
前記調整手段として、前記第一の励磁コイルおよび前記第二の励磁コイルのいずれか一方と並列に接続され、他方とは並列に接続されていないインピーダンス回路を有し、
前記インピーダンス回路は、インピーダンスを調整可能なものであることを特徴とする。
【００１８】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第八の態様は、
上記第五から第七のいずれかの態様のフラックスゲートセンサであって、
前記検知回路は、
前記コアに巻かれた検知コイルからの信号に基づいて、前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力するものであり、
前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御する制御回路を備えたことを特徴とする。
【００１９】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第九の態様は、
上記第八の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
周波数が前記所定の周波数の半分である励磁用信号を生成する励磁用信号生成回路を有し、
前記制御回路は、
前記励磁用信号が増加あるいは減少したタイミングから一定時間経過したタイミングにおける前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御するものであることを特徴とする。
【００２０】
また、上記課題を解決するための本発明のフラックスゲートセンサの第十の態様は、
上記第八の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記制御回路は、
前記第二の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号と、前記第一の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号とを比較した結果に基づいて、前記調整手段を制御するものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、検知回路のＳ／Ｎ比が低下しにくいフラックスゲートセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第一実施形態のフラックスゲートセンサ１の構成を示すブロック図である。
【図２】第一実施形態のフラックスゲートセンサ１におけるコアおよびコイルの構成を示す図である。
【図３】外部磁場の影響がない場合における変化を示す図である。
【図４】外部磁場がコア１０３に印加された場合における変化を示す図である。
【図５】（Ａ）は、基準となる磁束の変化を示す図であり、（Ｂ）は、（Ａ）と比較して励磁コイルの巻き数を少なくした場合の磁束の変化を示す図であり、（Ｃ）は、（Ａ）と比較してコアの断面積を小さくした場合の磁束の変化を示す図である。
【図６】第二実施形態における励磁回路１１Ｂを示す図である。
【図７】励磁コイルに供給される励磁電流を変化させた場合の磁束の変化の一例を示す図である。
【図８】第三実施形態における励磁回路１１Ｃを示す図である。
【図９】調整作業の流れの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［第一実施形態］
［フラックスゲートセンサについて］
以下、図面を用いて本実施形態のフラックスゲートセンサの一例について説明する。
【００２４】
図１は、第一実施形態のフラックスゲートセンサ１の構成を示すブロック図である。また、図２は、第一実施形態のフラックスゲートセンサ１におけるコアおよびコイルの構成を示す図である。図３は、外部磁場の影響がない場合における変化を示す図である。図４は、外部磁場がコア１０３に印加された場合における変化を示す図である。
【００２５】
第一実施形態のフラックスゲートセンサ１は、所定の周波数の周期信号（正弦波）を出力する発振回路１０１と、トランス１０２と、磁性体のコア１０３と、この発振回路１０１からの周期信号に基づいて磁性体のコア１０３を励磁する励磁回路１１と、この発振回路１０１からの周期信号に基づいてコア１０３に印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路１２とを有するものである。なお、以下では発振回路１０１の周期信号の周波数を２ｆとして説明する。また、トランス１０２は、発振回路１０１からの周期信号を検知回路１２に供給しつつ、励磁回路１１および検知回路１２が接点を有さずに絶縁された構成とするために設けられている。このトランス１０２の入力側（発振回路１０１側）は、励磁回路１１と同じグラウンドに接続されており、出力側（乗算器１２３側）は、検知回路１２と同じグラウンドに接続されている。
【００２６】
励磁回路１１は、分周器１１１、増幅器１１２、コンデンサ１１３、抵抗１１４、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６を有する。この励磁回路１１では、発振器１０１から周波数２ｆの周期信号が入力されると、この周期信号が分周器１１１で１／２に分周されて周波数ｆの励磁用信号となる。この励磁用信号は増幅器１１２によって増幅され、直流成分を除去するためのコンデンサ１１３、および抵抗１１４を経て、パーマロイ等の高透磁率材料を用いたレーストラック形状のコア１０３に巻かれた第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６（図２参照）に励磁電流が供給される。図３（Ａ）には、この励磁電流の一例が示されている。この第一実施形態では、励磁電流が正弦波である場合について説明しているが、矩形波、三角波などが供給されるようにしてもよく、所定の周波数の信号に基づいてコア１０３内の磁束を飽和させるのに十分な大きさの電流であればよい。
【００２７】
第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６に励磁電流が供給されると、これらの励磁コイル１１５，１１６が巻かれた部分が励磁され、コア１０３内の磁束が変化する。なお、以降の説明では、コア１０３のうち、第一の励磁コイル１１５が巻かれた部分を第一の励磁部１０３Ａと称し、第二の励磁コイル１１６が巻かれた部分を第二の励磁部１０３Ｂと称する場合がある。このとき、励磁コイル１１５，１１６に流れる電流が磁束を飽和させるのに十分な大きさとなっている間は、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束は飽和して一定になる。このため、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示すように、磁束の飽和、非飽和状態の変化が繰り返されることになる。また、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６は、このコア１０３の平行な部分（第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂ）のそれぞれに対して逆方向に同じ巻数だけ巻かれており、外部磁場の影響がない場合、後述する検知コイル１２１に対しては、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が互いに打ち消し合う（以下、磁束の相殺と称する場合がある）ように構成されている。図３（Ｄ）には、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束の合成磁束が０となっていることが示されている。
【００２８】
検知回路１２は、検知コイル１２１、増幅器１２２、乗算器１２３、コンデンサ１１３、ローパスフィルタ１２４、増幅器１２５を有する。このうち検知コイル１２１は、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６のさらに外周に巻かれている（図２参照）。外部磁場の影響がない場合、検知コイル１２１に対しては、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束は互いに打ち消し合うため、検知コイル１２１に誘起電流は生じない。図３（Ｅ）には、検知コイル１２１において誘起電圧が生じていないことが示されている。
【００２９】
一方、外部磁場（図２中の矢印方向）が存在する（コア１０３に磁界が印加されている）場合、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束に偏りが生じる。図４（Ｂ）および図４（Ｃ）には、偏った磁束の一例が示されている。なお、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）では、偏りが生じていることをわかりやすくするため、外部磁場の影響がない場合の磁束の変化が点線で示されている。また、図４（Ａ）にはこのとき供給される励磁電流として、図３（Ａ）と同じ励磁電流が示されている。上記の偏りが生じた場合、図４（Ｄ）に示すように第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束は、磁束が非飽和の期間において相殺されなくなる。その結果、図４（Ｅ）に示すように、検知コイル１２１において誘起電圧が生じる。この誘起電圧は、外部磁場の強さに応じた大きさとなり、また励磁電流の周波数ｆと比較すると、その周波数が２倍の２ｆになる。従って、検知コイル１２１から出力される信号（以下、検知信号）のうち周波数２ｆの成分に基づいて、外部磁場の強さを測定できる。
【００３０】
検知回路１２では、検知コイル１２１からの検知信号が、増幅器１２２によって増幅され、乗算器１２３に入力される。さらに、この乗算器１２３には、発振器１０１からの周期信号（周波数２ｆ）がトランス１２１を介して入力される。乗算器１２３では、これら二つの入力信号が掛け合わせられ、これによって検知信号中の周波数２ｆの成分の大きさに比例した直流成分が得られる。なお、この成分以外に周波数ｆの偶数倍の成分が得られるが、ローパスフィルタ１２４を通すことでこれらの成分は除去される。さらに続いて増幅器１２５を経て、外部磁場の強さに応じた出力が得られる。
【００３１】
上記説明した励磁回路１１と検知回路１２は、それぞれ別個の電源および別個のグラウンドに接続されている。また上記説明したように、これらの回路はいずれも発振回路１０１からの周期信号を用いるものであるが、トランス１０２を介することで接点を設けない構成となっている。これらの構成により、励磁回路１１と検知回路１２は、接点を有さずに絶縁された状態となっている。
【００３２】
［第一実施形態のフラックスゲートセンサの効果について］
フラックスゲートセンサ１では、コア１０３を励磁するため概ね数十ｋＨｚ〜数百ｋＨｚの周波数であって且つ数百ｍＡの電流が、励磁電流として第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６に供給される。ここで第一実施形態とは異なり励磁回路１１と検知回路１２とが絶縁されておらず、励磁回路１１と検知回路１２が共通のグラウンド（基準電圧点）に接続されている場合には、この励磁電流がグラウンドに流れることで、グラウンドを形成する基板上の銅箔が持つ抵抗やインダクタンスによって起電力が生じ、検知回路１２側のグラウンド電位が変動してしまう。その結果、検知回路１２でのノイズが増加してセンサ全体のＳ／Ｎ比が悪化してしまう。これに対して第一実施形態のフラックスゲートセンサ１では、励磁回路１１と検知回路１２は絶縁されているため、励磁電流が検知回路１２に及ぼす影響を小さくし、Ｓ／Ｎ比の悪化を抑えることができる。なお、第一実施形態では励磁回路１１と検知回路１２とが分離している（接点がない）構成を採用しているが、励磁回路１１と検知回路１２の動作範囲において電気が流れないものであれば接点があっても絶縁された状態であると言え、このような構成としては、１０Ω以上の抵抗器、１０ｐＦ以上のコンデンサ、１０ｎＨ以上のインダクタあるいはこれらの値に相当する配線、バリスタ等によって接続されたものも含まれる。なお、第一実施形態では、パラレル型（平衡型）のフラックスゲートセンサを採用しているが、フラックスゲートセンサの型についてはこれに限定されるものではなく、例えば、直交型のフラックスゲートセンサにおいても励磁回路と検知回路とを絶縁することでＳ／Ｎ比の悪化を抑えることができる。
【００３３】
［励磁回路と検知回路のグラウンド間の構成について］
フラックスゲートセンサ１では、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６と、検知コイル１２１とは絶縁されているものの、これらのコイルの間には浮遊容量として数ｐＦ〜数ｎＦ程度の静電結合が生じうる。例えば静電気などによるパルス状の外来ノイズが励磁回路１１（励磁コイル１１５、１１６）側に印加された場合に、この浮遊容量を通じてノイズ信号が検知コイル１２１に侵入してしまう。検知回路１２では、少しの磁界の変化でも検知できるように感度が高くなっているため、このようなノイズ信号は大きな出力ノイズの発生要因となる。
【００３４】
上記の問題を解決するために、励磁回路１１と検知回路１２のそれぞれのグラウンド間に、バイパスコンデンサを設けた構成としてもよい。この構成では、バイパスコンデンサの容量を十分大きく（例えば、１０ｐＦ以上）しておくことで、ノイズ信号はほぼバイパスコンデンサに流れるため、検知回路１２にノイズ信号が侵入しないようにすることができる。なお、バイパスコンデンサに限らず、ＥＳＤ対策用のバリスタやＴＶＳダイオード、放電管などの過電圧保護素子を入れてもよい。また、ノイズや機器への安全やＥＳＤへの要求仕様に応じて、このグラウンド間に抵抗やインダクタンスを組み合わせた回路を挿入するようにしてもよい。
【００３５】
［第一の励磁コイルと第二の励磁コイルとの違いについて］
第一実施形態のフラックスゲートセンサ１は、二つの励磁コイルを用いたいわゆるパラレル型と呼ばれるものであり、第一の励磁コイル１１５と第二の励磁コイル１１６の軸が平行となっている。このフラックスゲートセンサ１では、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６に対し同じ励磁電流が供給される。また、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂの断面積や、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６の巻き数は同じである。さらに、励磁コイル１１５，１１６の巻き方向は、これらの励磁コイル１１５，１１６に生じる磁束が逆方向になる向きになっている。この構成により、外部磁場の影響がない場合において励磁電流が供給されると、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が打ち消し合い（磁束が相殺される）、検知コイル１２１において誘起電圧が生じないようになっている（図３参照）。
【００３６】
しかしながら、励磁コイル１１５，１１６の巻きの状態や、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂの断面積などは完全に一致させることは困難であり、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束を合成したときに、磁束が完全に相殺されずに残ってしまう場合がある。以下、図５を用いて具体的に説明する。図５（Ａ）は、基準となる磁束の変化を示す図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）と比較して励磁コイルの巻き数を少なくした場合の磁束の変化を示す図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）と比較してコアの断面積を小さくした場合の磁束の変化を示す図である。
【００３７】
まず、コアが同じであって、コイルの巻き数が多い場合（図５（Ａ））と少ない場合（図５（Ｂ））とを比較する。コイルに電流を流した場合にコアに生じる磁束の大きさは、コイルの巻き数に比例する。このためコイルの巻き数が少ないと、図５（Ｂ）に示すように、非飽和の期間における磁束の変化が図５（Ａ）と比較して小さくなり、磁束が飽和するまでの期間（非飽和である期間）が長くなる（図５（Ａ）のＴ１より、（Ｂ）のＴ２の方が長い）。なお、コア自体は同じであるため、コアが飽和したときの磁束の大きさは同じである。図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、いずれの磁束も−Ａ１〜＋Ａ１までの範囲で変化することが示されている。
【００３８】
次に、コイルの巻き数が同じであって、コイルが巻かれたコアの断面積が大きい場合（図５（Ａ））と小さい場合（図５（Ｃ））とを比較する。コイルに電流を流した場合にコアに生じる磁束の大きさはコアの断面積に比例する。このため、コアの断面積が小さいと、図５（Ｃ）に示すように、非飽和の期間における磁束の変化は、図５（Ａ）と比較して小さくなる。また、コアが飽和したときの磁束の大きさも、図５（Ａ）と比較して小さくなる（図５（Ｃ）の−Ａ２〜＋Ａ２の範囲は、図５（Ａ）の−Ａ１〜＋Ａ１の範囲よりも小さい）。なお、コアの磁束密度はコアの断面積とは無関係に変化する。このため、励磁電流およびコイルの巻き数が同じであれば、磁束が飽和するまでの期間（非飽和である期間）は同じである（図５（Ａ）、図５（Ｃ）ともに非飽和期間がＴ１）。
【００３９】
上記説明したような巻き数や断面積の違いがある場合、励磁コイル１１５，１１６によって生じる磁束が完全に相殺されないため、残った磁束の大きさに応じて、励磁用信号に同期したノイズ（誘起電圧）が検知コイル１２１に生じてしまうことになる。フラックスゲートセンサ１においては、検知コイル１２１の信号の増幅率が非常に大きく設定されるため、僅かなノイズであっても大きなノイズ信号となり、センサ全体のＳ／Ｎ比が悪化してしまう。
【００４０】
［第二実施形態］
以下、上記［第一の励磁コイルと第二の励磁コイルとの違いについて］において説明した問題を解決する構成の一例である第二実施形態について説明する。この第二実施形態は、第一実施形態のフラックスゲートセンサ１の励磁回路１１を変更したものであり、これ以外の構成については第一実施形態と同じであるため説明を省略する。また、第二実施形態の励磁回路１１Ｂのうち、第一実施形態の励磁回路１１と同じ構成については同じ符号を用いて説明する。
【００４１】
図６は、第二実施形態における励磁回路１１Ｂを示す図である。この励磁回路１１Ｂは、第一実施形態の励磁回路１１を一部変形したものである。この第二実施形態では、第一の励磁コイル１１５と並列に第一の可変抵抗１１７が設けられており、第二の励磁コイル１１６と並列に第二の可変抵抗１１８が設けられた構成を採用している。第一の可変抵抗１１７の抵抗値を調整することで、第一の励磁コイル１１５に対する励磁電流の大きさを調整することができ、第二の可変抵抗１１８の抵抗値を調整することで、第二の励磁コイル１１６に対する励磁電流の大きさを調整することができる。
【００４２】
例えば、図７（Ａ）の点線で示す磁束が励磁コイルによってコアに生じている場合、この励磁コイルに供給される励磁電流を大きくすることで、図７（Ａ）の実線に示すように磁束の変化を大きくすることができる。また、図７（Ｂ）の点線で示す磁束が励磁コイルによってコアに生じている場合、この励磁コイルに供給される励磁電流を小さくすることで、図７（Ｂ）の実線に示すように磁束の変化を小さくすることができる。なお、いずれの場合にもコア１０３が飽和しているときの磁束の大きさは変化しない。第二実施形態は、第一の可変抵抗１１７や第二の可変抵抗１１８の抵抗値を調整することで、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさ（変化）を調整することができるようにしたものである。
【００４３】
例えば、第一の励磁コイル１１５に対して第二の励磁コイル１１６の巻き数が異なり、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさに違いが生じている場合（図５（Ａ）（Ｂ）参照）には、第一の可変抵抗１１７や第二の可変抵抗１１８の抵抗値を調整することで、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束を相殺させることができる。一方、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂの断面積が異なる場合には、これらの部分に生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさだけでなく、飽和しているときの磁束の大きさにも違いが生じる（図５（Ａ）（Ｃ）参照）。この場合、飽和している期間の磁束の大きさは調整できないものの、非飽和の期間の一部においては第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束を相殺させることができる。
【００４４】
なお実際には、巻き数および断面積の双方が異なる場合が考えられるが、この場合であっても、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束について、少なくとも非飽和期間の一部で相殺させることができ、励磁用信号に同期したノイズの発生を抑えることができる。なお、可変抵抗１１７，１１８の調整にあたっては、検知回路１２における増幅器１２２からの出力Ｖｓ（以下、検知コイル出力Ｖｓ）を監視しながら、励磁用信号に同期したノイズが最小となるように調整すればよい。なお、この調整作業については、検知コイル出力Ｖｓが外部磁場の影響を受けないように、磁気シールド等を設けて外部磁場の影響をなくした（あるいは小さくした）空間において行うことが好ましい。また、検知コイル出力Ｖｓに限らず、検知回路１２の出力（図１の増幅器１２５からの出力）を監視しつつ行うようにしてもよい。
【００４５】
なお第二実施形態では、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６のいずれに対しても、供給される励磁電流を調整可能とする構成について説明したが、これらのいずれかについてのみ励磁電流を調整できるようにしてもよい。例えば、可変抵抗１１７，１１８のいずれかを固定抵抗としたり、可変抵抗１１７，１１８のいずれかを除いた構成とする、といったように、少なくともそれぞれの励磁電流のいずれか一方を調整できる調整手段を設けたものであればよい。また、励磁電流の大きさを調整する手段として可変抵抗を用いた構成について説明したが、この構成に限らず、例えばインピーダンスを変更可能なインピーダンス回路を用いてもよい。
【００４６】
なお、第一実施形態では励磁回路１１と検知回路１２が絶縁された構成を採用しているが、第二実施形態で説明した励磁回路１１Ｂに関する構成では、このような構成は必須ではなく、励磁回路１１Ｂと検知回路１２が絶縁されていない構成であってもよい。
【００４７】
［第三実施形態］
以下、上記［第一の励磁コイルと第二の励磁コイルとの違いについて］において説明した問題を解決する構成の一例である第三実施形態について説明する。この第三実施形態は、第一実施形態のフラックスゲートセンサ１の励磁回路１１を変更したものであり、これ以外の構成については第一実施形態と同じであるため説明を省略する。また、第三実施形態の励磁回路１１Ｃのうち、第一実施形態の励磁回路１１と同じ構成については同じ符号を用いて説明する。
【００４８】
図８は、第三実施形態における励磁回路１１Ｃを示す図である。この励磁回路１１Ｃは、第一実施形態の励磁回路１１を一部変形したものである。この第三実施形態では、第二の励磁コイル１１６と第一の励磁コイル１１５が直列に接続されていない構成を採用している。このうち第一の励磁コイル１１５については、増幅器１１２に代えて第一の電圧制御増幅器１３１が設けられており、分周器１１１からの周波数ｆの励磁用信号が第一の電圧制御増幅器１３１によって増幅され、直流成分を除去するためのコンデンサ１１３、および抵抗１１４を経て第一の励磁コイル１１５に対する励磁電流が供給される。一方、第二の励磁コイル１１６に対する励磁電流は、分周器１１１からの周波数ｆの励磁用信号が第二の電圧制御増幅器１３２によって増幅され、直流成分を除去するためのコンデンサ１３３、および抵抗１３４を経て供給される。すなわち、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６のそれぞれに駆動回路が設けられ、それぞれの励磁コイル１１５、１１６に対して個別に励磁電流を供給する構成となっている。また、第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２は、それぞれ制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を変更することで増幅率を調整することが可能なものである。これらの第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２によって第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６に供給される励磁電流の大きさを調整することができる。
【００４９】
例えば、図７（Ａ）の点線で示す磁束が励磁コイルによってコアに生じている場合、この励磁コイルに供給される励磁電流を大きくすることで、図７（Ａ）の実線に示すように磁束の変化を大きくすることができる。また、図７（Ｂ）の点線で示す磁束が励磁コイルによってコアに生じている場合、この励磁コイルに供給される励磁電流を小さくすることで、図７（Ｂ）の実線に示すように磁束の変化を小さくすることができる。なお、いずれの場合にもコア１０３が飽和しているときの磁束の大きさは変化しない。第三実施形態では、第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２のそれぞれについて制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を調整することで、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさ（変化）を調整することができるようにしたものである。
【００５０】
例えば、第一の励磁コイル１１５に対して第二の励磁コイル１１６の巻き数が異なり、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさに違いが生じている場合（図５（Ａ）（Ｂ）参照）には、第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２のそれぞれについて制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を調整することで、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束を相殺させることができる。一方、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂの断面積が異なる場合には、これらの部分に生じる磁束が非飽和の期間における磁束の大きさだけでなく、飽和しているときの磁束の大きさにも違いが生じる（図５（Ａ）（Ｃ）参照）。この場合、飽和している期間の磁束の大きさは調整できないものの、非飽和の期間の一部においては第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束を相殺させることができる。
【００５１】
なお実際には、巻き数および断面積の双方が異なる場合が考えられるが、この場合であっても、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束について、少なくとも非飽和期間の一部で相殺させることができ、励磁用信号に同期したノイズの発生を抑えることができる。なお、第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２の制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の調整にあたっては、検知回路１２における増幅器１２２からの出力Ｖｓ（検知コイル出力Ｖｓ）を監視しながら、励磁用信号に同期したノイズが最小となるように調整すればよい。なお、この調整作業については、検知コイル出力Ｖｓが外部磁場の影響を受けないように、磁気シールド等を設けて外部磁場の影響をなくした（あるいは小さくした）空間において行うことが好ましい。また、検知コイル出力Ｖｓに限らず、検知回路１２の出力（図１の増幅器１２５からの出力）を監視しつつ行うようにしてもよい。
【００５２】
なお第三実施形態では、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６のいずれに対しても、供給される励磁電流を調整可能とする構成について説明したが、これらのいずれかについてのみ励磁電流を調整できるようにしてもよい。例えば、図８の電圧制御増幅器１３１，１３２のいずれかを通常の増幅器にする、といったように、少なくともそれぞれの励磁電流のいずれか一方を調整できるものであればよい。
【００５３】
また、第三実施形態では、電圧制御増幅器１３１，１３２によって励磁電流の大きさを調整する構成について説明した。が、最終的に二つの励磁コイルによって生じる磁束を相殺させることができるように調整するものであれば、この構成に限定されるものではない。例えば、励磁電流の大きさがコア１０３を飽和させる大きさ以上となっている場合には、励磁電流が変化しても磁束が飽和した状態が維持される。すなわち、少なくともコア１０３が非飽和の期間における励磁電流について調整を行うことで、図７を用いて説明したような磁束の調整を行うことができる。このような調整の構成としては、例えば励磁電流の波形を変化させる構成を採用してもよい。なお、第三実施形態では、第一の励磁コイル１１５および第二の励磁コイル１１６について個別に励磁電流を供給する構成としたことにより、双方のコイルのインダクタンスの違いから供給される励磁電流の位相がずれる可能性がある。このため、遅延回路を設けて励磁電流の位相を調整できるようにしてもよい。以上のように、励磁電流の調整手段については、励磁コイルに励磁電流を供給する駆動回路に対し、電源電圧、インピーダンス、駆動タイミング、駆動波形、などを可変する調整手段を設け、この調整手段を用いて励磁電流を調整するものであればよく、第三実施形態の構成に限定されるものではない。
【００５４】
なお、第一実施形態では励磁回路１１と検知回路１２が絶縁された構成を採用しているが、第三実施形態で説明した励磁回路１１Ｃに関する構成では、このような構成は必須ではなく、励磁回路１１Ｃと検知回路１２が絶縁されていない構成であってもよい。
【００５５】
［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］
上記説明した第二実施形態および第三実施形態は、可変抵抗１１７，１１８の抵抗値や電圧制御増幅器１３１，１３２の制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２を調整することで、外部磁場の影響がない場合における、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束の差を小さくすることが可能なものである。これらの構成によれば、励磁コイルやコアに対して製造上の都合によりアンバランスが生じた場合であっても、励磁電流を調整することによってこれを補うことができ、励磁用信号に同期したノイズの発生を抑えてセンサのＳ／Ｎ比を向上させることができる。また、これによってフラックスゲートセンサの製造の際に高い精度が必要とされなくなるため、コストを下げることができる。
【００５６】
上記可変抵抗１１７，１１８の抵抗値や電圧制御増幅器１３１，１３２の制御電圧Ｖｃ１，Ｖｃ２の調整については、例えば、これらの調整値を一定範囲で変化させ、検知コイル出力Ｖｓの値が最も低いときの調整値を採用する、といった構成としてもよい。また、これらの値を変動させた際の検知コイル出力Ｖｓの変化が、二次関数のように一点において収束するものである場合、この一点に向けて調整値を変化させて検知コイル出力Ｖｓの最低値を探索する構成としてもよい。以下、この場合の調整作業の流れの一例について図９を用いて説明する。同図は、調整作業の流れの一例を示すフローチャートである。
【００５７】
最初のステップＳ０１では、調整対象と、この調整対象を調整する調整方向および調整量（以下、調整パラメータ）を決定する。第二実施形態の場合、第一の可変抵抗１１７および第二の可変抵抗１１８が調整対象の一例に相当し、抵抗値の変化量が調整パラメータの一例に相当する。また、第三実施形態の場合、第一の電圧制御増幅器１３１および第二の電圧制御増幅器１３２が調整対象の一例に相当し、電圧値Ｖｃ１，Ｖｃ２の変化量が調整パラメータの一例に相当する。
【００５８】
ステップＳ０２では、調整の際の基準となる検知コイル出力Ｖｓ（例えば、励磁電流の一周期に対する検知コイル出力Ｖｓ）を取得する。
【００５９】
ステップＳ０３では、調整対象を調整パラメータに従って調整する。
【００６０】
ステップＳ０４では、調整後の検知コイル出力Ｖｓを、ステップＳ０２と同様に取得する。
【００６１】
ステップＳ０５では、ステップＳ０２で取得した検知コイル出力Ｖｓと比較して、ステップＳ０４で取得した調整後の検知コイル出力Ｖｓが減少しているかを判定する。調整後の検知コイル出力Ｖｓが減少した場合には、第一の励磁コイル１１５に生じる磁束と第二の励磁コイル１１６に生じる磁束の差を小さくするように調整パラメータが設定されていることになるため、そのままステップＳ０７に進む。反対に調整後の検知コイル出力Ｖｓが増加した場合は、第一の励磁コイル１１５に生じる磁束と第二の励磁コイル１１６に生じる磁束の差が調整によって大きくなったことになる。このため、第一の励磁コイル１１５に生じる磁束と第二の励磁コイル１１６に生じる磁束の差が小さくなるように、ステップＳ０６で調整パラメータの調整方向を反転した後、ステップＳ０７に進む。
【００６２】
ステップＳ０７では、調整対象が調整パラメータに従って更新される。
【００６３】
ステップＳ０８では、調整後の検知コイル出力Ｖｓを、ステップＳ０２と同様に取得する。
【００６４】
ステップＳ０９では、一つ前に取得した検知コイル出力Ｖｓと比較して、ステップＳ０８で取得した調整後の検知コイル出力Ｖｓが減少しているかを判定する。調整後の検知コイル出力Ｖｓが減少した場合には、再度ステップＳ０７に進む。これにより、調整後の検知コイル出力Ｖｓが減少する限り調整が繰り返される。そして、調整後の検知コイル出力Ｖｓが増加に転じた場合、その一つ前の調整時の状態で、第一の励磁部１０３Ａおよび第二の励磁部１０３Ｂに生じる磁束の差が最小となっていたことになる。このため、ステップＳ１０において、調整対象の状態を、一つ前の調整時の調整対象の状態に戻して、この処理を終了する。なお、このような調整の処理は一例であって、例えば、調整対象が複数ある場合には、上記の処理を残る調整対象についても実行してもよいし、調整対象毎にこの処理を並列に実行する（調整対象を切り替えながら調整する）ようにしてもよい。
【００６５】
上記の処理では、励磁電流を調整するにあたってステップＳ０２等において取得した検知コイル出力Ｖｓを指標として用いる例について説明した。この励磁電流の調整にあたっては、検知コイル出力Ｖｓを用いて特徴を抽出し、磁束差がより反映された指標としてもよく、ステップＳ０２で取得する指標については検知コイル出力Ｖｓに基づくものであればよい。
【００６６】
例えば、検知コイル出力Ｖｓは励磁電流に起因して生じ、この励磁電流は励磁用信号（分周器１１１からの信号）によって生じるものである。これらの周期は全て同じである一方、励磁用信号の位相と検知コイル出力Ｖｓの位相とは一定のずれが生じる。このため、検知コイル出力Ｖｓを監視するにあたっては、励磁用信号の変化タイミング（例えば、励磁用信号の変化が反転したタイミングや、励磁用信号の正負が反転したタイミング）を起点としてそこから一定の時間後の検知コイル出力Ｖｓの極性および大きさに基づいて、励磁電流を調整するようにしてもよい。
【００６７】
また、検知コイル出力Ｖｓの周期は励磁用信号の周期と同じであって、磁束差に比例して大きな値になるという特徴がある。この場合、励磁用信号の周期に合わせて検知コイル出力Ｖｓをサンプリングし、異なるサンプリング群との間で自己相関を導出すると、ほぼ同一波形が掛け合わせられ、磁束差に比例した値が導出されることになる。このため、励磁電流の調整にあたっては、例えばマイクロコントローラを設けてこの自己相関を導出し、これを指標としてもよい。
【００６８】
また、上記の処理では励磁コイル１１５，１１６のいずれも駆動した状態で励磁電流を調整する流れについて説明したが、例えば、励磁コイル１１５，１１６を個別に駆動してそのときの検知コイル出力Ｖｓを取得し、これらの出力波形の違いに基づいて励磁電流を調整してもよい。
【００６９】
以上のように、励磁電流を調整する際の指標については、検知コイル出力Ｖｓに基づくものであれば、その特徴を抽出して指標として用いてもよく、その態様が限定されるものではない。なお、上記の例では調整の際の指標として検知コイル出力Ｖｓを用いているが、上記説明したように検知回路１２の出力（図１の増幅器１２５からの出力）を指標としてもよい。また、上記の調整作業については、別途設けた制御回路（例えば、マイクロコントローラ）を用いて実行する構成としてもよい。
【００７０】
また、上記図９の例では、調整パラメータに基づいて調整対象を調整しているが、例えば、一回の調整量に対する指標の変化率を導出し、この変化率の大きさに基づいて次回の調整対象の調整量を設定するようにしてもよく、このような構成とすることで、マイクロコントローラを採用した場合における調整作業を高速化することができる。
【００７１】
［その他］
以下、上記説明した発明の構成について記載する。なお、発明の構成と対応する上記実施形態の構成については括弧書きで記載する。
【００７２】
以上の説明では、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路（例えば、発振回路１０１）と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコア（例えば、コア１０３）を励磁する励磁回路（例えば、励磁回路１１）と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路（例えば、検知回路１２）と、を備え、
前記励磁回路は、前記検知回路と絶縁されたものである（例えば、図１では励磁回路１１と検知回路１２がトランス１０２を境に絶縁されている。）、
ことを特徴とするフラックスゲートセンサの第一の態様、が記載されている。
【００７３】
また、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路（例えば、発振回路１０１）と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコア（例えば、コア１０３）を励磁する励磁回路（例えば、励磁回路１１）と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路（例えば、検知回路１２）と、を備え、
前記励磁回路と前記検知回路が、１０Ω以上の抵抗器、１０ｐＦ以上のコンデンサ、１０ｎＨ以上のインダクタ、バリスタの少なくともいずれか一つによって接続されたものであること（［第一実施形態のフラックスゲートセンサの効果について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第二の態様、が記載されている。
【００７４】
また、
所定の周波数の周期信号を出力する発振回路（例えば、発振回路１０１）と、
前記周期信号に基づいて磁性体のコア（例えば、コア１０３）を励磁する励磁回路（例えば、励磁回路１１）と、
前記周期信号に基づいて前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路（例えば、検知回路１２）と、を備え、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間以外においては、前記励磁回路が、前記検知回路と絶縁されたものであること（［励磁回路と検知回路のグラウンド間の構成について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第三の態様、が記載されている。
【００７５】
また、上記第二の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路のグラウンドと前記検知回路のグラウンドとの間に、１０ｐＦ以上のコンデンサ、あるいは過電圧保護素子が設けられたものであること（［励磁回路と検知回路のグラウンド間の構成について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第四の態様、が記載されている。
【００７６】
また、上記第一から第四のいずれかの態様のフラックスゲートセンサであって、
前記コアは、第一の励磁部（例えば、第一の励磁部１０３Ａ）、および該第一の励磁部と軸が平行な第二の励磁部（例えば、第二の励磁部１０３Ｂ）を少なくとも含むものであり、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁部に巻かれた第一の励磁コイル（例えば、第一の励磁コイル１１５）と、
前記第二の励磁部に巻かれた第二の励磁コイル（例えば、第二の励磁コイル１１６）と、を有し、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルに対して励磁電流を供給することで前記コアを励磁するものであり、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルのうちの少なくとも一方に対する励磁電流を調整可能な調整手段（例えば、可変抵抗１１７，１１８、電圧制御増幅器１３１，１３２）とを備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサの第五の態様、が記載されている。
【００７７】
また、上記第五の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給する第一の回路（例えば、電圧制御増幅器１３１）と、前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給する第二の回路（例えば、電圧制御増幅器１３２）とを有し、
前記第一の回路と前記第二の回路が異なるものであることを特徴とするフラックスゲートセンサの第六の態様、が記載されている。
【００７８】
また、上記第五の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記第一の励磁コイルは、前記第二の励磁コイルと直列に接続されたもの（例えば、図８では第一の励磁コイル１１５と第二の励磁コイル１１６が直列）であり、
前記調整手段として、前記第一の励磁コイルおよび前記第二の励磁コイルのいずれか一方と並列に接続され、他方とは並列に接続されていないインピーダンス回路（例えば、可変抵抗１１７，１１８）を有し、
前記インピーダンス回路は、インピーダンスを調整可能なものであることを特徴とするフラックスゲートセンサの第七の態様、が記載されている。
【００７９】
また、上記第五から第七のいずれかの態様のフラックスゲートセンサであって、
前記検知回路は、
前記コアに巻かれた検知コイル（例えば、検知コイル１２１）からの信号に基づいて、前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力するものであり、
前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御する制御回路（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサの第八の態様。が記載されている。
【００８０】
また、上記第八の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
周波数が前記所定の周波数の半分である励磁用信号を生成する励磁用信号生成回路（例えば、分周器１１１）を有し、
前記制御回路は、
前記励磁用信号が増加あるいは減少したタイミングから一定時間経過したタイミングにおける前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御するものであること（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第九の態様、が記載されている。
【００８１】
また、上記第八の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記制御回路は、
前記第二の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号と、前記第一の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号とを比較した結果に基づいて、前記調整手段を制御するものであること（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第十の態様、が記載されている。
【００８２】
また、
第一の励磁部（例えば、第一の励磁部１０３Ａ）、および該第一の励磁部と軸が平行な第二の励磁部（例えば、第二の励磁部１０３Ｂ）を少なくとも含む磁性体のコア（例えば、コア１０３）と、
前記第一の励磁部に巻かれた第一の励磁コイル（例えば、第一の励磁コイル１１５）と、
前記第二の励磁部に巻かれた第二の励磁コイル（例えば、第二の励磁コイル１１６）と、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルに対して励磁電流を供給する励磁回路（例えば、励磁回路１１）と、
前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力する検知回路（例えば、検知回路１２）と、
前記第一の励磁コイルおよび第二の励磁コイルのうちの少なくとも一方に対する励磁電流を調整可能な調整手段（例えば、可変抵抗１１７，１１８、電圧制御増幅器１３１，１３２）とを備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサの第十一の態様、が記載されている。
【００８３】
また、上記第十一の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給する第一の回路（例えば、電圧制御増幅器１３１）と、前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給する第二の回路（例えば、電圧制御増幅器１３２）とを有し、
前記第一の回路と前記第二の回路が異なるものであることを特徴とするフラックスゲートセンサの第十二の態様、が記載されている。
【００８４】
また、上記第十一の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記第一の励磁コイルは、前記第二の励磁コイルと直列に接続されたもの（例えば、図８では第一の励磁コイル１１５と第二の励磁コイル１１６が直列）であり、
前記調整手段として、前記第一の励磁コイルおよび前記第二の励磁コイルのいずれか一方と並列に接続され、他方とは並列に接続されていないインピーダンス回路（例えば、可変抵抗１１７，１１８）を有し、
前記インピーダンス回路は、インピーダンスを調整可能なものであることを特徴とするフラックスゲートセンサの第十三の態様、が記載されている。
【００８５】
また、上記第十一から第十三のいずれかの態様のフラックスゲートセンサであって、
前記検知回路は、
前記コアに巻かれた検知コイル（例えば、検知コイル１２１）からの信号に基づいて、前記コアに印加された磁界に応じた信号を出力するものであり、
前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御する制御回路（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を備えたことを特徴とするフラックスゲートセンサの第十四の態様、が記載されている。
【００８６】
また、
上記第十四の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記励磁回路は、
所定の周波数の励磁用信号（例えば、分周器１１１からの信号）に基づいて、所定の周波数の励磁電流を生成するものであり、
前記制御回路は、
前記励磁用信号が増加あるいは減少したタイミングから一定時間経過したタイミングにおける前記検知コイルからの信号に基づいて、前記調整手段を制御するものであること（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第十五の態様、が記載されている。
【００８７】
また、上記第十四の態様のフラックスゲートセンサであって、
前記制御回路は、
前記第二の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第一の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号と、前記第一の励磁コイルには励磁電流を供給せずに前記第二の励磁コイルに励磁電流を供給した場合における前記検知コイルからの信号とを比較した結果に基づいて、前記調整手段を制御するものであること（［第二実施形態および第三実施形態の調整作業について］の記載参照）を特徴とするフラックスゲートセンサの第十六の態様、が記載されている。
【符号の説明】
【００８８】
１  フラックスゲートセンサ
１１  励磁回路
１２  検知回路
１０１  発振回路
１０３  コア
１０３Ａ  第一の励磁部
１０３Ｂ  第二の励磁部
１１５  第一の励磁コイル
１１６  第二の励磁コイル
１１７，１１８  可変抵抗
１２１  検知コイル
１３１，１３２  電圧制御増幅器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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