(57)【要約】【課題】マルチビームの各ビームの偏向形状を精度良く測定する。【解決手段】本実施形態に係るビーム偏向形状取得方法は、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎは２以上の整数）のビームを含むマルチ荷電粒子ビームのうち、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の複数のビームを使用し、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続するように前記複数のビームを偏向して、レジストが塗布された基板にラインパターンを描画する工程と、前記ラインパターンのエッジの凹凸度を測定する工程と、前記凹凸度に基づいて、前記ビームの偏向形状を取得する工程と、を備える。【選択図】図１
2019102661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ行ｎ列（ｍ，ｎは２以上の整数）のビームを含むマルチ荷電粒子ビームのうち、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の複数のビームを使用し、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続するように前記複数のビームを偏向して、レジストが塗布された基板にラインパターンを描画する工程と、
前記ラインパターンのエッジの凹凸度を測定する工程と、
前記凹凸度に基づいて、前記ビームの偏向形状を取得する工程と、
を備えるビーム偏向形状取得方法。
【請求項２】
偏向感度を可変にしながら、偏向感度毎に前記ラインパターンを描画し、
前記ラインパターンの凹凸度が最小となる偏向感度を算出することを特徴とする請求項１に記載のビーム偏向形状取得方法。
【請求項３】
１本のビームの描画領域のエッジの変位と、ビームピッチとで前記凹凸度を求めることを特徴とする請求項１又は２に記載のビーム偏向形状取得方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームを、成形アパーチャアレイに設けられた複数の開口を通過させて、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎは２以上の整数）のビームを含むマルチ荷電粒子ビームを形成する工程と、
前記マルチ荷電粒子ビームの各ビームに対応したブランカを有するブランキングアパーチャアレイを用いて、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の複数のビームが、移動するステージ上に載置され、レジストが塗布された基板に照射されるようにブランキング偏向する工程と、
第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続しないように、前記複数のビームを前記ステージの移動方向と直交する方向に偏向して、前記基板にラインパターンを描画する工程と、
前記ラインパターンのエッジの凹凸度を測定する工程と、
前記凹凸度に基づいて、前記成形アパーチャアレイ及び前記ブランキングアパーチャアレイの配置角度を取得する工程と、
を備えるブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法。
【請求項５】
前記成形アパーチャアレイ及び前記ブランキングアパーチャアレイの配置角度を可変にしながら、配置角度毎に前記ラインパターンを描画し、
前記ラインパターンの凹凸度が最小となる配置角度を算出することを特徴とする請求項４に記載のブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビーム偏向形状取得方法及びブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングアパーチャアレイを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングアパーチャアレイのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。ブランキングアパーチャアレイはビームを個別に偏向するための電極対と、その間にビーム通過用の開口を備えており、電極対（ブランカ）の一方をグラウンド電位で固定して他方をグラウンド電位とそれ以外の電位に切り替えることにより、それぞれ個別に、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。
【０００４】
マルチビーム描画の一手法では、隣り合う電子ビームで囲まれた範囲（以下、サブフィールドと記載する）が１本の電子ビームで描画されるように、複数のビームをまとめて偏向する。複数のビームは試料面上で格子状に等間隔で並ぶため、各ビームの偏向範囲であるサブフィールドの形状は理想的には正方形となる。偏向器を構成する複数の電極の位置関係や、偏向器に接続されたアンプの出力特性の影響により、サブフィールドが回転し、隣り合うサブフィールドのつなぎ精度が劣化して、パターン描画精度が劣化することがあった。サブフィールドはサイズが小さく、回転量を正確に求めて調整することが困難であった。
【０００５】
マルチビーム描画装置では、ブランキングアパーチャアレイが所望の位置から回転して取り付けられると、パターン描画精度が劣化し得る。そのため、ブランキングアパーチャアレイの配置角度を求め、配置角度を調整したり、レンズを用いてマルチビーム像の回転角を調整したりする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−７３７９号公報
【特許文献２】特開２０１６−１３４４８６号公報
【特許文献３】特開２００１−１４４００７号公報
【特許文献４】特許第４５６３７５６号明細書
【特許文献５】特開２０１７−２８２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、マルチビームの各ビームの偏向形状を精度良く測定するビーム偏向形状取得方法を提供することを課題とする。また、本発明は、ブランキングアパーチャアレイの配置角度を取得する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によるビーム偏向形状取得方法は、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎは２以上の整数）のビームを含むマルチ荷電粒子ビームのうち、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の複数のビームを使用し、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続するように前記複数のビームを偏向して、レジストが塗布された基板にラインパターンを描画する工程と、前記ラインパターンのエッジの凹凸度を測定する工程と、前記凹凸度に基づいて、前記ビームの偏向形状を取得する工程と、を備えるものである。
【０００９】
本発明の一態様によるビーム偏向形状取得方法において、偏向感度を可変にしながら、偏向感度毎に前記ラインパターンを描画し、前記ラインパターンの凹凸度が最小となる偏向感度を算出する。
【００１０】
本発明の一態様によるビーム偏向形状取得方法において、１本のビームの描画領域のエッジの変位と、ビームピッチとで前記凹凸度を求める。
【００１１】
本発明の一態様によるブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法は、荷電粒子ビームを、成形アパーチャアレイに設けられた複数の開口を通過させて、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎは２以上の整数）のビームを含むマルチ荷電粒子ビームを形成する工程と、前記マルチ荷電粒子ビームの各ビームに対応したブランカを有するブランキングアパーチャアレイを用いて、第ｉ行（ｉは１≦ｉ≦ｍを満たす整数）の複数のビームが、移動するステージ上に載置され、レジストが塗布された基板に照射されるようにブランキング偏向する工程と、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続しないように、前記複数のビームを前記ステージの移動方向と直交する方向に偏向して、前記基板にラインパターンを描画する工程と、前記ラインパターンのエッジの凹凸度を測定する工程と、前記凹凸度に基づいて、前記成形アパーチャアレイ及び前記ブランキングアパーチャアレイの配置角度を取得する工程と、を備えるものである。
【００１２】
本発明の一態様によるブランキングアパーチャアレイの配置角度取得方法は、前記成形アパーチャアレイ及び前記ブランキングアパーチャアレイの配置角度を可変にしながら、配置角度毎に前記ラインパターンを描画し、前記ラインパターンの凹凸度が最小となる配置角度を算出する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、マルチビームの各ビームの偏向形状を精度良く算出することができる。また、本発明によれば、ブランキングアパーチャアレイの配置角度を精度良く算出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置の概略図である。
【図２】スキャン動作の例を説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は描画動作の一例を説明する図である。
【図４】（ａ）は理想的なサブフィールドの形状を示す図であり、（ｂ）はサブフィールドの連結例を示す図である。
【図５】（ａ）は回転したサブフィールドの形状を示す図であり、（ｂ）はサブフィールドの連結例を示す図である。
【図６】ビーム偏向形状取得方法を説明するフローチャートである。
【図７】（ａ）（ｂ）は評価パターンの例を示す図である。
【図８】ラインパターンのエッジの凹凸度合の測定方法を説明する図である。
【図９】理想的なマルチビーム像を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は描画動作の一例を説明する図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は描画動作の一例を説明する図である。
【図１２】描画されるラインパターンの一例を示す図である。
【図１３】（ａ）（ｂ）は描画されるパターンの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものでなく、イオンビーム等でもよい。
【００１６】
図１は、本実施形態による描画装置の概略構成図である。描画装置は、制御部１と描画部２とを備えている。描画装置は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部２は、電子鏡筒２０と描画室３０を備えている。電子鏡筒２０内には、電子銃２１、照明レンズ２２、成形アパーチャアレイ２３、ブランキングアパーチャアレイ２４、縮小レンズ２５、制限アパーチャ部材２６、対物レンズ２７、及び偏向器２８が配置されている。縮小レンズ２５及び対物レンズ２７は共に電磁レンズで構成され、縮小レンズ２５及び対物レンズ２７によって縮小光学系が構成される。
【００１７】
描画室３０内には、ＸＹステージ３２が配置される。ＸＹステージ３２上には、描画対象の基板４０が載置される。基板４０は、半導体装置を製造する際の露光用マスク、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクス等である。
【００１８】
成形アパーチャアレイ２３には、ｍ行ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。各穴は、共に同じ寸法形状の矩形又は円形で形成される。
【００１９】
電子銃２１から放出された電子ビーム１０は、照明レンズ２２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ２３全体を照明する。電子ビーム１０がアパーチャ部材２３の複数の穴を通過することによって、ｍ行ｎ列の電子ビーム（マルチビーム）ＭＢが形成される。
【００２０】
ブランキングアパーチャアレイ２４には、成形アパーチャアレイ２３の各穴の配置位置に合わせて通過孔が形成されている。各通過孔には、対となる２つの電極の組（ブランカ：ブランキング偏向器）が、それぞれ配置される。各ビーム用の２つの電極の一方には、電圧を印加するアンプが配置され、他方は接地される。各通過孔を通過する電子ビームは、それぞれ独立に、対となる２つの電極に印加される電圧によって偏向される。この電子ビームの偏向によって、ブランキング制御される。
【００２１】
ブランキングアパーチャアレイ２４を通過したマルチビームＭＢは、縮小レンズ２５によって縮小され、制限アパーチャ部材２６に形成された中心の穴に向かって進む。ブランキングアパーチャアレイ２４のブランカによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材２６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２６によって遮蔽される。一方、ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材２６の中心の穴を通過する。
【００２２】
このように、制限アパーチャ部材２６は、ブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材２６を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。
【００２３】
制限アパーチャ部材２６を通過したマルチビームＭＢは、対物レンズ２７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２８によってまとめて偏向され、基板４０に照射される。例えば、ＸＹステージ３２が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ３２の移動に追従するように偏向器２８によって制御される。
【００２４】
一度に照射されるマルチビームＭＢは、理想的には成形アパーチャアレイ２３の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。
【００２５】
図２に示すように、基板４０の描画領域５０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域５２に仮想分割される。例えば、ＸＹステージ３２を移動させて、第１番目のストライプ領域５２の左端に、一回のマルチビームＭＢの照射で照射可能な照射領域が位置するように調整し、描画が開始される。ＸＹステージ３２を−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めることができる。
【００２６】
第１番目のストライプ領域５２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域５２の右端に照射領域が位置するように調整し、描画が開始される。そして、ＸＹステージ３２を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向に向かって描画を行う。
【００２７】
第３番目のストライプ領域５２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域５２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域５２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。
【００２８】
図３（ａ）〜（ｄ）はストライプ領域５２内の描画動作の一例を説明する図である。図３（ａ）〜（ｄ）は例えば、ｘ，ｙ方向に４×４のマルチビームを用いてストライプ領域５２内を描画する例を示している。
【００２９】
ストライプ領域５２は、例えばビームサイズでメッシュ状に仮想分割される。この例では、ｘ方向又はｙ方向に１メッシュ（１画素）ずつ照射位置をずらしながら１６回のショットでマルチビーム全体の１つの照射領域が露光（描画）終了する。１画素は、１本のビームあたりの照射単位領域となる。ビームピッチで区画される範囲をサブフィールドと呼び、１つのサブフィールドは１本の同じビームで描画される。この例では、サブフィールドＳＦは１６個の画素からなる。
【００３０】
図３（ａ）は、１回のショットで照射したメッシュ領域を示している。次に、図３（ｂ）に示すように、ｙ方向に１画素ずつ位置をずらしながら、２，３，４回目のショットを順に行い、続いて、図３（ｃ）に示すように、ｘ方向に１画素位置をずらし、５回目のショットを行う。次に、ｙ方向に１画素ずつ位置をずらしながら、６，７，８回目のショットを順に行う。同様の動作を繰り返して、図３（ｄ）に示すように、残りの９〜１６回目のショットを順に行う。１６回のショットにより、サブフィールドＳＦの描画が完了する。
【００３１】
図形パターンの存在する画素にはビームを照射し、存在しない画素にはビームを照射しないことによって所望のパターンが描画される。
【００３２】
制御部１は、記憶装置（図示略）から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を行って、装置固有のショットデータを生成する。ショットデータは、各ショットの照射量及び照射位置座標等が定義される。
【００３３】
制御部１は、各ショットの照射量を電流密度で割って照射時間ｔを求める。そして、制御部１は、対応するショットを行う際、照射時間ｔだけブランカがビームＯＮするように、ブランキングアパーチャアレイ２４の対応するブランカに偏向電圧を印加する。
【００３４】
また、制御部１は、ショットデータが示す位置（座標）に各ビームが偏向されるように、偏向器２８に偏向電圧を印加する。これにより、その回にショットされるマルチビームがまとめて偏向される。
【００３５】
偏向器２８がマルチビームをまとめて偏向することで、サブフィールド内を１画素ずつずらしながら、描画処理が行われる。
【００３６】
複数のビームは一定のピッチで等間隔に位置する。そのため、サブフィールドＳＦの形状は、理想的には図４（ａ）のように正方形となり、図４（ｂ）に示すように、横方向に並ぶ複数のサブフィールドの上辺及び下辺は直線状に連なる。
【００３７】
しかし、偏向器２８を構成する複数の電極の位置関係や、これらの電極に偏向電圧を印加するアンプ（図示略）の出力特性の影響等により、偏向器２８による偏向形状に歪みが生じ、図５（ａ）に示すようにサブフィールドＳＦが回転する。サブフィールドＳＦが回転すると、図５（ｂ）に示すように、横方向に並ぶ複数のサブフィールドの上辺及び下辺はジグザグになる。
【００３８】
本実施形態では、評価パターンとなるラインパターン（ラインアンドスペースパターン）を描画し、ラインエッジ形状の凹凸度合からサブフィールドの回転量（ビーム偏向形状）を取得する。
【００３９】
図６は、ビーム偏向形状取得方法を説明するフローチャートである。まず、基板４０に評価パターンを描画する（ステップＳ１）。基板４０は、例えば、シリコンウェハ上に、クロム等の遮光膜及びレジストが積層されたものである。評価パターンとして、図７（ａ）に示す横方向に延在するラインアンドスペースパターンと、図７（ｂ）に示す縦方向に延在するラインアンドスペースパターンとを描画する。例えば、図３（ａ）〜（ｄ）に示す方法で評価パターンを描画する。なお、サブフィールド内のショット順はこれに限定されない。
【００４０】
横方向に延在するラインアンドスペースパターンは、横方向に並ぶビームを用いてサブフィールド内を露光することで描画される。第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームのサブフィールド（描画領域）と、第ｊ＋１列のビームのサブフィールド（描画領域）とが連続するように、ビームを偏向する。
【００４１】
同様に、縦方向に延在するラインアンドスペースパターンは、縦方向に並ぶビームを用いてサブフィールド内を露光することで描画される。
【００４２】
偏向器２８の偏向感度を変えて、評価パターンを描画する。偏向感度の設定が異なる複数の評価パターンを描画した後（ステップＳ２＿Ｎｏ）、現像処理を行い、レジストパターンを形成する（ステップＳ３）。続いて、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、遮光膜を加工する（ステップＳ４）。エッチング処理後、灰化処理等によりレジストパターンを除去する。
【００４３】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、遮光膜に転写されたラインパターンのエッジの凹凸度を測定する（ステップＳ５）。
【００４４】
例えば、図８に示すように、エッジ部の段差ｓをＳＥＭで測定し、段差ｓをビームのピッチで除した値をエッジの凹凸度とし、サブフィールドの回転量の指標とする。段差ｓは、例えば、１つのサブフィールドにおける、横方向に延びる上辺の縦方向変位である。ビームのピッチは、ＳＥＭで測定してもよいし、設計値を用いてもよい。
【００４５】
ラフネス（ＬＥＲ：Line  Edge  Roughness、又はＬＷＲ：Line  Width  Roughness）をエッジの凹凸度としてもよい。
【００４６】
偏向感度毎のエッジの凹凸度を求め、凹凸度が最小となる偏向感度を最適偏向感度として算出する。製品描画時には、算出した最適偏向感度となるように偏向器２８が調整される。これにより、パターン描画精度を向上させることができる。
【００４７】
このように、本実施形態によれば、マルチビームの各ビームの偏向形状であるサブフィールドの回転量を精度良く測定し、偏向器２８の最適な偏向感度を求めることができる。
【００４８】
パターン描画精度の向上には、成形アパーチャアレイ２３及びブランキングアパーチャアレイ２４からなるアパーチャアレイ群の配置角度も重要な条件の１つとなる。アパーチャアレイ群が所望の角度で配置されている場合は、図９に示すように、描画領域５０のｘｙ方向と、マルチビーム像６０の縦横とが平行になる。図９は８×８のマルチビームの例を示している。
【００４９】
しかし、アパーチャアレイ群が回転して配置されている場合、マルチビーム像６０が回転し、パターン描画精度に影響を与え得る。
【００５０】
アパーチャアレイ群の回転角度を測定するために、評価パターンとして横方向に延在するラインパターンを、横方向に並ぶビームを用いて描画する。また、縦方向に並ぶビームを用いて縦方向に延在するラインパターンを描画する。但し、評価パターンは、上記実施形態とは異なる描画モードで描画する。
【００５１】
上記実施形態では、ビーム間隔に相当するサブフィールド内の１６個の画素を同じビームで描画していた。サブフィールドは、ｘｙ方向それぞれに複数の画素を含む。言い換えれば、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続している。
【００５２】
これに対し、アパーチャアレイ群の回転角度検出を行う場合は、サブフィールドのステージトラッキング方向の画素数を１とする。すなわち、ステージトラッキング方向（ステージ移動方向）に隣接する画素は、異なるビームで描画する。言い換えれば、第ｊ列（ｊは１≦ｊ≦ｎ−１を満たす整数）のビームの描画領域と、第ｊ＋１列のビームの描画領域とが連続しない。
【００５３】
図１０（ａ）〜（ｄ）、図１１（ａ）〜（ｃ）を用いて、このような描画方法を説明する。図９に示す８×８のマルチビームのうち、８個のビームＡ〜Ｈを用いて、ラインパターンを描画する。図１０（ａ）〜（ｄ）、図１１（ａ）〜（ｃ）において、例えばビームＡで描画される画素には“Ａ”を記す。また、描画される画素列に矢印を付している。この例では、ＸＹステージ３２を−ｘ方向に移動させ、横方向（ｘ方向）に延在するラインパターンを描画する。
【００５４】
基板の描画領域（ストライプ領域）がビーム照射領域に入ると、図１０（ａ）に示すように、ビームＡ及びＢを用いて、ｙ方向（ＸＹステージ３２の移動方向と直交する方向）にのみ照射位置をずらしながら描画を行う。
【００５５】
基板が−ｘ方向に進むと、図１０（ｂ）に示すように、ビームＡ〜Ｄを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。図１０（ａ）に示す工程でビームＡで描画される領域に隣接する領域は、ビームＣで描画される。
【００５６】
基板が−ｘ方向にさらに進むと、図１０（ｃ）に示すように、ビームＡ〜Ｆを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。
【００５７】
基板が−ｘ方向にさらに進むと、図１０（ｄ）に示すように、ビームＡ〜Ｈを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。
【００５８】
基板が−ｘ方向にさらに進むと、図１１（ａ）に示すように、ビームＣ〜Ｈを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。
【００５９】
基板が−ｘ方向にさらに進むと、図１１（ｂ）に示すように、ビームＥ〜Ｈを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。
【００６０】
基板が−ｘ方向にさらに進むと、図１１（ｃ）に示すように、ビームＧ，Ｈを用いて、ｙ方向に照射位置をずらしながら描画を行う。
【００６１】
このようにしてラインパターンを描画することができる。ステージ移動方向に隣接する画素は、異なるビームで描画される。図１０（ａ）〜（ｄ）、図１１（ａ）〜（ｃ）に示す描画方法は、例えばビームＡで描画される画素が縦に並ぶため、Ｙ−スキャンと呼ばれる。これとは別に、縦方向に並ぶビームを用いて、いわゆるＸ−スキャンという描画方法（例えばビームＡで描画される画素が横に並ぶ）で、縦方向に延在するラインパターンを描画する。
【００６２】
アパーチャアレイ群が所望の角度で取り付けられている場合、描画されるラインパターンのエッジは直線状になるが、アパーチャアレイ群が回転して配置されている場合、図１２に示すように、ラインパターンのエッジはジグザグになる。
【００６３】
アパーチャアレイ群の回転量を変えて、複数のラインパターンを描画する。そして、ＳＥＭを用いて、ラインパターンのエッジの凹凸度合を測定する。例えば、エッジ部の段差をブランキングアパーチャアレイ２４のサイズで除した値をエッジの凹凸度とし、アパーチャアレイ群の回転量の指標とする。ラフネス（ＬＥＲ等）をエッジの凹凸度としてもよい。横方向に延在するラインパターンのエッジの凹凸度が、アパーチャアレイ群のＹの回転量の指標となり、縦方向に延在するラインパターンのエッジの凹凸度が、アパーチャアレイ群のＸの回転量の指標となる。
【００６４】
アパーチャアレイ群の回転量毎のエッジの凹凸度を求め、凹凸度が最小となる回転量を最適回転量として算出する。製品描画時には、算出した最適回転量でアパーチャアレイ群を設置する。これにより、パターン描画精度を向上させることができる。
【００６５】
図３（ａ）〜（ｄ）に示す方法で描画したラインパターンは、サブフィールドが回転し、アパーチャアレイ群が所望の角度で配置されている場合、図１３（ａ）に示すように、ｘ方向（又はｙ方向）に沿って形成される。しかし、サブフィールドが回転し、かつアパーチャアレイ群も回転して配置されている場合、図１３（ｂ）に示すように、ラインパターンはｘ方向に対して傾きを持って形成される。
【００６６】
このように、アパーチャアレイ群が回転している場合は、ラインパターンの傾き分を減じてからラフネスを算出することで、サブフィールドの回転分のみを評価することができる。
【００６７】
図３（ａ）〜（ｄ）に示す方法で描画したラインパターンにおいて、アパーチャアレイ群の回転の影響は、サブフィールドの回転の影響と比較して極めて小さいため、無視してもよい。
【００６８】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１  制御部
２  描画部
２０  電子鏡筒
２１  電子銃
２２  照明レンズ
２３  アパーチャ部材
２４  ブランキングプレート
２５  縮小レンズ
２６  制限アパーチャ部材
２７  対物レンズ
２８  偏向器
３０  描画室
３２  ＸＹステージ
４０  基板
５０  描画領域
５２  ストライプ領域
【図１】
2019102661.tif 000003
【図２】
2019102661.tif 000004
【図３】
2019102661.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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