(57)【要約】【課題】転写フィルムの剥離が容易な電磁波シールドフィルムを実現できるようにする。【解決手段】電磁波シールドフィルムは、絶縁保護層１１２と、絶縁保護層１１２の表面に設けられた転写フィルム１１５と、絶縁保護層１１２の転写フィルム１１５と反対側に設けられた導電性接着剤層１１１とを備えている。転写フィルム１１５の絶縁保護層１１２側の面は、最大谷深さ（Ｓｖ）が１μｍ以上、６μｍ以下、最大高さ（Ｓｚ）が２μｍ以上、１０μｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の表面に設けられた転写フィルムと、
前記絶縁保護層の前記転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面は、最大谷深さ（Ｓｖ）が１μｍ以上、６μｍ以下、最大高さ（Ｓｚ）が２μｍ以上、１０μｍ以下である、電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面における最大谷深さ（Ｓｖ）の変動係数及び最大高さ（Ｓｚ）の変動係数は、０．２以下である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電磁波シールドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路を電磁波から保護するために、電磁波シールドフィルムが用いられている。電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層と絶縁保護層とを有している。電磁波シールドフィルムは、基材フィルムの表面に絶縁保護層及び導電性接着剤層を順次形成して製造することが一般的である。基材フィルムは、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着された後、リフロー工程の前に除去される。この場合、基材フィルムは、その表面状態が絶縁保護層に転写される転写フィルムとして機能する。また、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着されるまで絶縁保護層を保護する保護フィルムとしても機能する。
【０００３】
絶縁保護層の表面を艶消し面とするために、転写フィルムの表面には凹凸を設けることが一般的である。凹凸を設けることにより、転写フィルムと絶縁保護層との密着性が高くなり、転写フィルムを剥離する際に要する力が大きくなる。また、電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する際には、１５０℃〜２００℃程度の温度で、数ＭＰａの圧力を加えることが一般的である。このような温度と圧力にさらされると、転写フィルムの剥離がさらに困難になり、転写フィルムが破断する場合もある。
【０００４】
剥離の際の破断を防ぐために、転写フィルム自体を破れにくくすることが検討されている（例えば、特許文献１及び２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１８５６５９号公報
【特許文献２】特開２０１６−９７５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、転写フィルム自体が破れにくくなったとしても、剥離の際に大きな力が必要であれば生産性が低下してしまう。また、絶縁保護層の側が損傷してしまうおそれもある。転写フィルムを容易に剥離できるようにするには、転写フィルムと絶縁保護層との相互作用を制御することが望まれる。
【０００７】
本開示の課題は、転写フィルムの剥離が容易な電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、絶縁保護層と、絶縁保護層の表面に設けられた転写フィルムと、絶縁保護層の転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、転写フィルムの絶縁保護層側の面は、最大谷深さ（Ｓｖ）が１μｍ以上、６μｍ以下、最大高さ（Ｓｚ）が２μｍ以上、１０μｍ以下である。
【０００９】
電磁波シールドフィルムの一態様において、転写フィルムの絶縁保護層側の面における最大谷深さ（Ｓｖ）の変動係数及び最大高さ（Ｓｚ）の変動係数は、０．２以下とすることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の電磁波シールドフィルムによれば、転写フィルムの剥離が容易となり、生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを示す断面図である。
【図２】電磁波シールドフィルムの変形例を示す断面図である。
【図３】一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを用いたシールドプリント配線基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１に示すように、本実施形態の電磁波シールドフィルムは、絶縁保護層１１２と、絶縁保護層１１２の表面に設けられた転写フィルム１１５と、絶縁保護層１１２の転写フィルム１１５と反対側に設けられた導電性接着剤層１１１とを備えている。なお、図２に示すように、絶縁保護層１１２と導電性接着剤層１１１との間にシールド層１１３を設けることもできる。
【００１３】
本願発明者らは、転写フィルム１１５の絶縁保護層１１２側の面における最大谷深さ（Ｓｖ）を６μｍ以下、好ましくは５μｍ以下とし、最大高さ（Ｓｚ）を１０μｍ以下、好ましくは９μｍ以下とすることにより、容易に剥離できる転写フィルム１１５となることを見いだした。
【００１４】
一方、算術平均高さ（Ｓａ）が小さくても剥離が困難なフィルムが存在することを見いだした。これは、平均値としては同程度になる凹凸であっても、ピンポイントで深い谷又は高い山があると、その部分において密着性が高くなり、剥離が困難になるのではないかと考えられる。このため、転写フィルム１１５のＳｖ及びＳｚを制御することが重要になる。なお、転写フィルム１１５のＳａ、Ｓｖ及びＳｚは、実施例において説明する方法により測定することができる。
【００１５】
剥離を容易にする観点からは、転写フィルム１１５の絶縁保護層１１２側の面における最大谷深さが小さい方が好ましいが、絶縁保護層１１２の表面を艶消し面とする観点及びプリント配線基板に固定する前に転写フィルム１１５が剥がれてしまわないようにする観点からは、Ｓｖが１μｍ以上、好ましくは２μｍ以上で、Ｓｚが２μｍ以上、好ましくは３μｍ以上である。
【００１６】
転写フィルム１１５の剥離強度は、容易に剥離する観点から、好ましくは５．０Ｎ／５０ｍｍ以下、より好ましくは１．５Ｎ／５０ｍｍ以下であり、使用前に転写フィルム１１５が剥離しないようにする観点から、好ましくは０．２Ｎ／５０ｍｍ以上、より好ましくは０．５Ｎ／５０ｍｍ以上である。なお、転写フィルム１１５の剥離強度は、実施例に示す方法により測定することができる。
【００１７】
剥離をより容易にする観点から、転写フィルム１１５の絶縁保護層１１２側の面におけるＳｖの変動係数及びＳｚの変動係数（ＣＶ）は、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１５以下とする。ここでいう変動係数とは、実施例に示すように１０点の算術平均及び標準偏差から求めた値である。
【００１８】
また、剥離をさらに容易にする観点から、Ｓｖ及びＳｚ以外の、表面性状を表すパラメータも制御することが好ましい。例えば、尖り度（Ｓｋｕ）は、好ましくは２．０以上、より好ましくは３．０以上で、好ましくは８．５以下、より好ましくは７．５以下である。最小自己相関長さ（Ｓａｌ）は、好ましくは７．５μｍ以上、より好ましくは８．５μｍ以上で、好ましくは２０．０μｍ以下、より好ましくは１５．０以下である。表面性状のアスペクト比（Ｓｔｒ）は、好ましくは０．５５以上、より好ましくは０．６０以上で、好ましくは０．７５以下である。突出谷部高さ（Ｓｖｋ）は、好ましくは０．２０以上、より好ましくは０．２５以上で、好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．７０以下である。突出谷部とコア部を分離する負荷面積率（Ｓｍｒ２）は、好ましくは９０．０％以上、より好ましくは９４．０％以上である。これらの表面性状を表すパラメータも、実施例において示す方法により測定することができる。
【００１９】
転写フィルム１１５の材質は、特に限定されず、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート又はポフィフェニレンサルファイド等 を用いることができる。転写フィルム１１５の厚さは、特に限定されないが、剥離を容易にする観点から、好ましくは２５μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００２０】
転写フィルム１１５の少なくとも一方の面は、Ｓｖ及びＳｚを所定の値とするために、サンドブラスター処理等が行われていてもよい。また、微粒子を含有させることにより、Ｓｖ及びＳｚを所定の値とすることもできる。転写フィルム１１５に添加する微粒子は、特に限定されず、例えば不定形シリカ（コロイドシリカ）、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、リン酸リチウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、アルミナ、カーボンブラック、二酸化チタン、カオリン、及び合成ゼオライト等の無機粒子、並びに架橋ポリスチレン粒子、及び架橋アクリル粒子等の有機粒子を用いることができる。
【００２１】
転写フィルム１１５と、絶縁保護層１１２との間には離型剤層（図示せず）を設けることができる。離型剤層は、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、転写フィルム１１５の絶縁保護層１１２側の表面に塗布することにより形成することができる。離型剤層を形成する場合、その厚さは、数μｍ〜１０数μｍ程度とすることができる。
【００２２】
本実施形態において、絶縁保護層１１２は、充分な絶縁性を有し、導電性接着剤層１１１及び必要な場合にはシールド層１１３を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等を用いて形成することができる。
【００２３】
熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、２種以上の材料から形成されていてもよい。
【００２４】
絶縁保護層１１２には、着色剤に限らず必要に応じて硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の１つ以上が含まれていてもよい。
【００２５】
絶縁保護層１１２は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる２層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に加熱加圧する工程においてシールド層１１３に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線基板１０２に設けられた段差によってシールド層１１３が破壊されることを抑えることができる。
【００２６】
絶縁保護層１１２は、転写フィルム１１５の表面に絶縁保護層用組成物を塗布することにより形成することができる。絶縁保護層用組成物は、例えば絶縁保護層用の樹脂に適量の溶媒を加えて調製すればよい。
【００２７】
絶縁保護層１１２の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、そして好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下とすることができる。絶縁保護層１１２の厚さを１μｍ以上とすることにより導電性接着剤層１１１及びシールド層１１３を充分に保護することができる。絶縁保護層１１２の厚さを２０μｍ以下とすることにより、電磁波シールドフィルム１０１の弾性率及び破断伸びを所定の値とすることが容易となる。
【００２８】
シールド層１１３を設ける場合、シールド層１１３は、金属箔、蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。
【００２９】
金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は２つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。
【００３０】
金属箔の厚さは、特に限定されないが、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。金属箔の厚さが０．５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板に１０ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。また、金属箔の厚さは１２μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、７μｍ以下がさらに好ましい。金属層の厚さが１２μｍ以下であると、原材料コストを抑えることができると共に、シールドフィルムの判断伸びが良好となる。
【００３１】
蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、又はメタルオーガニック堆積（ＭＯＣＶＤ）法等を用いることができる。
【００３２】
蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましい。金属蒸着膜の厚さが０．０５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。また、金属蒸着膜の厚さは０．５μｍ未満が好ましく、０．３μｍ未満であることがより好ましい。金属蒸着膜の厚さが０．５μｍ未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。
【００３３】
導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層１１２の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層１１３を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。
【００３４】
本実施形態においてシールド層１１３の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から１２μｍ以下とすることが好ましい。
【００３５】
本実施形態において、導電性接着剤層１１１は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の樹脂成分と、導電性フィラーとを含んでいる。
【００３６】
導電性接着剤層１１１が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、及びアクリル系樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３７】
導電性接着剤層１１１が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂及びアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第１の官能基を有する第１樹脂成分と、第１の官能基と反応する第２樹脂成分とを含む。第１の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第２の官能基は、第１の官能基に応じて選択すればよく、例えば第１官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第１樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第１樹脂成分が水酸基である場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。
【００３９】
熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第１の官能基と第２の官能基とを有する場合、硬化剤は、第１の官能基及び第２の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第１の官能基がエポキシ基であり、第２の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは１種を単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。
【００４０】
導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。
【００４１】
導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。
【００４２】
導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下である。
【００４３】
導電性接着剤層１１１は、例えば絶縁保護層１１２又は絶縁保護層１１２の上に形成されたシールド層１１３の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布することにより形成することができる。導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤層用の樹脂及びフィラーに適量の溶剤を加えて調製すればよい。
【００４４】
導電性接着剤層１１１の厚さは、埋め込み性を制御する観点から、１μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。
【００４５】
なお、必要に応じて、導電性接着剤層１１１の表面に剥離可能な保護用フィルムを貼り合わせてもよい。
【００４６】
本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、図３に示すようにプリント配線基板１０２と組み合わせてシールド配線基板１０３とすることができる。電磁波シールドフィルム１０１は、シールド層１１３を有するものであってもよい。
【００４７】
プリント配線基板１０２は、例えば、ベース部材１２２と、ベース部材１２２の上に設けられたグランド回路１２５を含むプリント回路を有している。ベース部材１２２の上には接着剤層１２３により絶縁フィルム１２１が接着されている。絶縁フィルム１２１にはグランド回路１２５を露出する開口部が設けられている。グランド回路１２５の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板１０２は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。
【００４８】
電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に接着する際には、導電性接着剤層１１１が開口部の上に位置するように、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２上に配置する。そして、所定の温度（例えば１２０℃）に加熱した２枚の加熱板（図示せず）により、電磁波シールドフィルム１０１とプリント配線基板１０２とを、上下方向から挟んで所定の圧力（例えば０．５ＭＰａ）で短時間（例えば５秒間）押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１はプリント配線基板１０２に仮止めされる。
【００４９】
続いて、２枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度（例えば、１７０℃）とし、所定の圧力（例えば３ＭＰａ）で所定時間（例えば３０分）加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層１１１が開口部に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム１０１が必要とする強度及び導電性を実現することができる。
【００５０】
電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定した後、転写フィルム１１５を剥離する。この後、部品実装のためのはんだリフローを行う。本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定した後で、転写フィルム１１５を容易に剥離することができるので、生産効率を向上さ競ることができる。
【実施例】
【００５１】
以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。
【００５２】
＜電磁波シールドフィルムの作製＞
所定の転写フィルムの表面に離型剤を塗布した。離型剤を塗布した転写フィルムの表面に、絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、１００℃×３分の乾燥を行い、電磁波シールドフィルムを作製した。
【００５３】
絶縁保護層用組成物は、厚さが２μｍのポリエステル系透明樹脂のハードコート層と、厚さが３μｍのカーボンブラック含有エポキシ系黒色樹脂のソフトコート層との２層構造とした。導電性接着剤層用組成物は、リン系難燃剤含有エポキシ系樹脂に導電性微粒子として平均粒子径５μｍの樹枝状銀被覆銅紛を添加したものとした。導電性接着剤層の厚さは１５μｍとした。
【００５４】
＜表面性状の測定＞
表面性状に関するパラメータは、レーザーマイクロスコープ（VK-X210、キーエンス(株)社製」、レンズ倍率５０倍）を用い、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定した。測定は、５．０ｃｍ×５．０ｃｍに切り抜いた未使用の転写フィルムの絶縁保護層を形成する面に対して行った。面内の任意の１０箇所に対して測定を行い、その算術平均値を測定値として採用した。また、標準偏差（ＳＤ）及び変動係数（ＣＶ）を算出した。
【００５５】
＜剥離強度の測定＞
電磁波シールドフィルムに、プレス機を用いて、温度：１７０℃、時間：３０分、圧力：２〜３ＭＰａの条件でプレスを行った。電磁波シールドフィルムが常温に戻った後、表面の剥離フィルムを剥離強度テスター（（株）パルメック製、ＰＦＴ５０Ｓ）を用い、転写フィルムの剥離強度を測定した。測定は常温で、引張速度１０００ｍｍ／分、剥離角度１７０°の条件で行った。測定は、１０回行い、最小値、最大値及び平均値を求めた。
【００５６】
（実施例１）
転写フィルムとして厚さが５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるＳｖは３．１μｍ、Ｓｚは８．０μｍ、Ｓａは０．６９μｍであった。Ｓｖの変動係数は０．１５、Ｓｚの変更係数は０．０２であった。剥離強度の最小値は０．５１Ｎ／５０ｍｍ、最大値は０．７５Ｎ／５０ｍｍ、平均値は０．６３Ｎ／５０ｍｍであった。
【００５７】
（実施例２）
転写フィルムとして厚さが５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるＳｖは２．５μｍ、Ｓｚは６．６μｍ、Ｓａは０．４１μｍであった。Ｓｖの変動係数は０．１２、Ｓｚの変更係数は０．０８であった。剥離強度の最小値は０．６０Ｎ／５０ｍｍ、最大値は０．７６Ｎ／５０ｍｍ、平均値は０．６８Ｎ／５０ｍｍであった。
【００５８】
（実施例３）
転写フィルムとして厚さが５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるＳｖは５．９μｍ、Ｓｚは９．６μｍ、Ｓａは０．６９μｍであった。Ｓｖの変動係数は０．０７、Ｓｚの変更係数は０．０９であった。剥離強度の最小値は０．９８Ｎ／５０ｍｍ、最大値は１．５０Ｎ／５０ｍｍ、平均値は１．２５Ｎ／５０ｍｍであった。
【００５９】
（比較例１）
転写フィルムとして厚さが５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるＳｖは６．８μｍ、Ｓｚは１１．４μｍ、Ｓａは０．４８μｍであった。Ｓｖの変動係数は０．４３、Ｓｚの変更係数は０．４０であった。剥離強度の最小値は７．０Ｎ／５０ｍｍ、最大値は１０Ｎ／５０ｍｍを越えており測定できなかった。
【００６０】
（比較例２）
転写フィルムとして厚さが５０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は光沢がある表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるＳｖは０．８μｍ、Ｓｚは１．３μｍ、Ｓａは０．０６μｍであった。Ｓｖの変動係数は０．２３、Ｓｚの変更係数は０．１３であった。剥離強度の最小値は０．０８Ｎ／５０ｍｍ、最大値は０．１５Ｎ／５０ｍｍ、平均値は０．１０Ｎ／５０ｍｍであった。
【００６１】
表１に各実施例及び比較例の結果をまとめて示す。Ｓｖ、Ｓｚの他に、尖り度（Ｓｋｕ）、最小自己相関長さ（Ｓａｌ）、表面性状のアスペクト比（Ｓｔｒ）、突出谷部高さ（Ｓｖｋ）及び突出谷部とコア部を分離する負荷面積率（Ｓｍｒ２）についてもデータを記載する。
【００６２】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６３】
本開示の電磁波シールドフィルムは、転写フィルムの剥離が容易であり、生産性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０１      電磁波シールドフィルム
１０２      プリント配線基板
１０３      シールド配線基板
１１１      導電性接着剤層
１１２      絶縁保護層
１１３      シールド層
１１５      転写フィルム
１２１      絶縁フィルム
１２２      ベース部材
１２３      接着剤層
１２５      グランド回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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