(57)【要約】【課題】残膜厚の均一性の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型とを接触させてインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント装置は、インプリント材の供給パターンに従って基板にインプリント材を供給する供給部と、供給部を制御する制御部とを有し、制御部は、基板の平坦度の情報に基づいて、型の複数箇所のそれぞれについて型とインプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得し、取得した接触タイミングに基づいて、供給パターンを決定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材の供給パターンに従って前記基板の上に前記インプリント材を供給する供給部と、
前記供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記インプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得し、
前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定する
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記基板の複数のショット領域について一括して前記インプリント処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板の平坦度の情報に基づいて、前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記インプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記基板の平坦度の情報は、前記基板の上に形成された下地層の平坦度の情報であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記複数箇所のうち前記接触タイミングが早い箇所では、前記インプリント材の供給量が、前記基板が平坦である場合の前記インプリント材の標準供給量に対して増加し、前記接触タイミングが遅い箇所では、前記インプリント材の供給量が前記標準供給量に対して減少するように、前記供給パターンを決定する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記型のパターンの設計情報、前記基板の上に形成されるべきパターンの指定残膜厚、及び、前記供給部の種別の情報のうちの少なくともいずれかに更に基づいて前記接触タイミングを予測することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記基板の全面の高さ計測を行うことにより前記基板の平坦度を得る高さ計測部を更に有し、
前記制御部は、前記高さ計測部による計測の結果から前記基板の平坦度の情報を得る
ことを特徴とする請求項３または４に記載のインプリント装置。
【請求項８】
基板の上の硬化性組成物と平坦化プレートとを接触させて前記基板の上に前記硬化性組成物による平坦化層を形成する平坦化層形成装置であって、
前記硬化性組成物の供給パターンに従って前記基板に前記硬化性組成物を供給する供給部と、
前記供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記平坦化プレートの複数箇所のそれぞれについて前記平坦化プレートと前記硬化性組成物とが接触するタイミングである接触タイミングを取得し、
前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定する
ことを特徴とする平坦化層形成装置。
【請求項９】
基板の上の硬化性組成物と型とを接触させて前記基板の上に前記硬化性組成物による硬化物を形成する形成装置であって、
前記硬化性組成物の供給パターンに従って前記基板の上に前記硬化性組成物を供給する供給部と、
前記供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記硬化性組成物とが接触するタイミングである接触タイミングを取得し、
前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定する
ことを特徴とする形成装置。
【請求項１０】
インプリント材の供給パターンに従って基板の上にインプリント材を供給する供給部を含み、前記基板の上に供給された前記インプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント装置の制御方法であって、
前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記インプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得する工程と、
前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定する工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
硬化性組成物の供給パターンに従って基板の上に硬化性組成物を供給する供給部を含み、前記基板の上に供給された前記硬化性組成物と型とを接触させて前記硬化性組成物による硬化物を形成する形成装置の制御方法であって、
前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記硬化性組成物とが接触するタイミングである接触タイミングを取得する工程と、
前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定する工程と、
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記形成する工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理する工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の平坦化層形成装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記形成する工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理する工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の形成装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記形成する工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理する工程で処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、平坦化層形成装置、形成装置、制御方法、および、物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶媒体や半導体デバイス等の物品を製造するための形成装置、特にリソグラフィ装置の一つとして、インプリント装置が実用化されつつある。インプリント装置は、パターンが形成された型を基板上のインプリント材と接触させ、接触させた状態でインプリント材を硬化させ、その後、硬化したインプリント材から型を分離させることで、基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
デバイスの製造工程には、パターンが形成された基板をエッチングする工程が含まれる。このとき、基板上に形成されたパターンの残膜厚が基板全面にわたって均一でないと、残膜を除去して得られるパターンの形状（例えば線幅）が不均一になりうる。そのため、残膜厚を均一にするための技術が種々提案されている。
【０００４】
特許文献１には、型と基板のショット領域上のインプリント材とを接触させた時の型と基板との間の距離の分布（ギャップ間距離分布）を算出し、型とインプリント材との距離が均一になるようにインプリント材の塗布量分布を決定することが記載されている。とりわけ、特許文献１では、型とインプリント材との距離が均一にするために、ギャップ間距離が大きいところにはインプリント材の供給量を増加することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９６７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近では複数のショット領域を一括でインプリントするマルチエリアインプリント処理の開発が進められている。複数のショット領域を一括でインプリントする場合には、型と基板との接触面積が大きくなるため、基板上の下地層のパターンの凹凸だけでなく、基板自体の凹凸が無視できない。検討によれば、基板の型に接触するタイミングが早い領域ほど、インプリント材が周辺に移流するため、残膜厚が薄くなり、基板の型に接触するタイミングが遅い領域ほど、インプリント材が周囲から移流してくるため、残膜厚が厚くなることが分かった。このために、複数のショット領域を一括でインプリントする場合には残膜厚が不均一になりうる。
【０００７】
本発明は、例えば、残膜厚の均一性の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント材の供給パターンに従って前記基板に前記インプリント材を供給する供給部と、前記供給部を制御する制御部とを有し、前記制御部は、前記基板の平坦度の情報に基づいて、前記型の複数箇所のそれぞれについて前記型と前記インプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得し、前記取得した接触タイミングに基づいて、前記供給パターンを決定することを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、残膜厚の均一性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の概略構成を示す図。
【図２】インプリント処理を模式的に示す図。
【図３】インプリント材供給部の吐出ヘッドと吐出口の構成例を示す図。
【図４】インプリント装置の制御部の構成例を示す図。
【図５】ショットレイアウトの例を示す図。
【図６】ショットレイアウトの例を示す図。
【図７】型の例を示す図。
【図８】インプリント装置の動作を説明するフローチャート。
【図９Ａ】インプリント材の配置例を示す図。
【図９Ｂ】インプリント材の配置例を示す図。
【図１０】型と基板の高さ方向の分布の例を示す図。
【図１１】基板全面の各位置における高さの表現形式を説明する図。
【図１２Ａ】配置液滴量の補正の例を示す図。
【図１２Ｂ】配置液滴量の補正の例を示す図。
【図１３】実施形態における平坦化層形成装置の構成を示す概略図。
【図１４】平坦化層形成装置の動作を説明するフローチャート。
【図１５】従来の平坦化層形成装置による処理を説明する図。
【図１６】実施形態における平坦化層形成装置による処理を説明する図。
【図１７】レジスト供給パターン生成装置の機能構成を示すブロック図。
【図１８】パターン形成システムの構成例を示す図。
【図１９】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１２】
形成装置は、型を用いて基板の上に硬化性組成物の硬化物を形成する装置である。一例において、形成装置は、パターンを有する型を用いて、基板の上の硬化性組成物（インプリント材）に型のパターンを転写するインプリント装置として具現化される。このインプリント装置は、第１実施形態として示される。また、形成装置は、パターンのない（すなわち平坦な）型を用いて、基板の上に硬化性組成物による平坦化層を形成する平坦化層形成装置として具現化される。この平坦化層形成装置は、第２実施形態として示される。
＜第１実施形態＞
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１３】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給部により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１４】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板の上のインプリント材と型とを接触させて前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント装置１００によるインプリント処理は、基板１の表面上にインプリント材を供給し、このインプリント材に型１８を接触させた状態でインプリント材を硬化させることを伴いうる。本実施形態において、インプリント装置１００は、インプリント材の硬化法として、紫外線（ＵＶ光）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用する。従って、インプリント装置１００は、基板１の上のインプリント材と型１８（のパターン面）とを接触させた状態でインプリント材に紫外線を照射してインプリント材を硬化させることによって、基板１の上にインプリント材のパターンを形成する。但し、インプリント装置１００は、その他の波長域の光の照射によってインプリント材を硬化させてもよいし、その他のエネルギー、例えば、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。また、以下では、インプリント材が供給される基板の表面に沿う平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とし、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な方向（例えば、インプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向）をＺ軸とする。
【００１５】
インプリント装置１００は、インプリント環境を一定の温度、湿度に維持し、異物の侵入を防止するためのチャンバー２００を有する。また、インプリント装置１００は、計測器４、計測器６、基板ステージ７、ブリッジ構造体８、計測器９、硬化用光源１１、アライメント計測部１２、ハーフミラー１３、排気ダクト１４、連結部材１５および型ヘッド１６を有する。更に、インプリント装置１００は、空気ばね１９、ベース定盤２０、ガス供給部２１、ホルダ２２、インプリント材供給部２３、オフアクシススコープ２４、圧力センサ２５、検出部２６、制御部４００、およびユーザインタフェース３４を有する。制御部４００は、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００と接続されている。
【００１６】
型ヘッド１６は、型１８を保持する型チャック１７を含む。型１８のパターン領域Ｐには、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されている。
【００１７】
検出部２６は、基板上のインプリント材と型１８との接触状態、基板上のインプリント材の型１８への充填状態、基板上のインプリント材からの型１８の分離状態を、画像情報として観察することが可能である。また、基板ステージ７が移動することで、基板周辺部と基板チャックとの位置関係を観察することも可能である。
【００１８】
型チャック１７は、例えば、真空吸着によって型１８を保持する。型チャック１７は、型チャック１７からの型１８の脱落を防止する構造を有していてもよい。本実施形態では、型チャック１７は、型ヘッド１６と強固に結合している。型ヘッド１６は、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ軸方向、Ｘ軸周りの回転方向であるωＸ方向、及び、Ｙ軸周りの回転方向であるωＹ方向、の３軸方向に移動可能な機構を有する。型ヘッド１６は、連結部材１５を介して、ブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、アライメント計測部１２もブリッジ構造体８によって支持されている。
【００１９】
アライメント計測部１２は、型１８と基板１との位置合わせ（アライメント）のためのアライメント計測を行う。アライメント計測部１２は、本実施形態では、型１８に設けられたマーク及び基板ステージ７や基板１に設けられたマークを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含む。また、アライメント計測部１２は、カメラを含んでいてもよく、検出部２６と同様、紫外線の照射による基板１上のインプリント材の硬化状態（インプリント状態）を観察する機能を有していてもよい。この場合、アライメント計測部１２は、インプリント材の硬化状態だけではなく、インプリント材と型１８との接触状態、インプリント材の型１８への充填状態、インプリント材からの型１８の分離状態も観察することが可能である。連結部材１５の上方には、ハーフミラー１３が配置されている。硬化用光源１１からの光は、ハーフミラー１３で反射され、型１８を透過して基板１の上のインプリント材に照射される。基板１の上のインプリント材は、硬化用光源１１からの光の照射によって硬化する。
【００２０】
ブリッジ構造体８は、床からの振動を絶縁するための空気ばね１９を介して、ベース定盤２０に支持されている。空気ばね１９は、アクティブ防振機能としてリソグラフィ装置で一般的に採用されている構造を有する。例えば、空気ばね１９は、ブリッジ構造体８及びベース定盤２０に設けられたＸＹＺ相対位置測定センサ、ＸＹＺ駆動用リニアモータ、空気ばねの内部のエア容量を制御するサーボバルブなどを含む。ブリッジ構造体８には、ホルダ２２を介して、インプリント材供給部２３（ディスペンサ）が取り付けられている。インプリント材供給部２３は、基板１にインプリント材を供給（塗布）するためのノズルとインプリント材の供給タイミングおよび供給量を制御する供給制御部を含みうる。インプリント材供給部２３は、例えば、インプリント材の液滴を線状に基板１に供給する。インプリント材供給部２３からインプリント材を基板１に供給しながら基板ステージ７（即ち、基板１）を移動させることによって、基板１上の矩形形状等の任意形状の領域にインプリント材を塗布することができる。
【００２１】
基板１は、本実施形態では、円形状を有する。３３ｍｍ×２６ｍｍの１つのショット領域に複数のチップを形成することが可能である。
【００２２】
また、インプリント装置１００を使用するプロセスでは、基板１の表面上に形成される凹凸パターンの凹部に膜が残る。この膜は残膜と呼ばれる。残膜は、エッチングによって除去される必要がある。残膜の厚さは、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれる。必要なＲＬＴに相当する厚さの膜がショット領域に形成されていない場合には、エッチングによって基板１がえぐれてしまう。本実施形態では、インプリント材供給部２３によるインプリント材の吐出と基板ステージ７の移動との組み合わせによって、基板１の適切な領域にインプリント材を塗布するようにする。
【００２３】
基板ステージ７は、基板チャックを有し、該基板チャックによって基板１を保持する。基板ステージ７は、Ｘ，Ｙ，Ｚ，ωＸ，ωＹ，及びωＺの６軸方向に移動することが可能な機構を有する。本実施形態では、基板ステージ７は、Ｘ方向の移動機構を含むＸスライダー３、及び、Ｙ方向の移動機構を含むＹスライダー５を介して、ブリッジ構造体８によって支持されている。Ｘスライダー３には、Ｘスライダー３とＹスライダー５との相対位置を計測する計測器４が設けられている。また、Ｙスライダー５には、Ｙスライダー５とブリッジ構造体８との相対位置を計測する計測器６が設けられている。計測器４及び６は、ブリッジ構造体８を基準として、基板ステージ７の位置を計測する。計測器４及び６のそれぞれは、本実施形態では、エンコーダ（リニアエンコーダ）で構成されている。
【００２４】
基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向における距離は、ブリッジ構造体８、Ｘスライダー３及びＹスライダー５によって決まる。Ｘスライダー３及びＹスライダー５のＺ方向、チルト方向の剛性を十ｎｍ／Ｎ程度に高く維持することによって、基板ステージ７とブリッジ構造体８とのＺ方向におけるインプリント動作の変動を数十ｎｍ程度の変動に抑えることができる。
【００２５】
計測器９は、ブリッジ構造体８に設けられ、本実施形態では、干渉計で構成されている。計測器９は、基板ステージ７に向けて計測光１０を照射し、基板ステージ７の端面に設けられた干渉計用ミラーで反射された計測光１０を検出することで、基板ステージ７の位置を計測する。計測器９は、基板ステージ７の基板１の保持面に対して計測器４及び６よりも近い位置において、基板ステージ７の位置を計測する。なお、図１では、計測器９から基板ステージ７に照射される計測光１０を１つしか示されていないが、計測器９は、少なくとも基板ステージ７のＸＹ位置、回転量及びチルト量が計測できるように構成されている。
【００２６】
ガス供給部２１は、型１８のパターンへのインプリント材の充填性を向上させるために、型１８の近傍、具体的には、型１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。充填用ガスは、型１８とインプリント材との間に挟み込まれた充填用ガス（気泡）を迅速に低減させ、型１８のパターンへのインプリント材の充填を促進させるために、透過性ガス及び凝縮性ガスの少なくとも１つを含む。ここで、透過性ガスとは、型１８に対して高い透過性を有し、基板１上のインプリント材に型１８を接触させた際に型１８を透過するガスである。凝縮性ガスとは、基板１上のインプリント材に型１８を接触させた際に液化（即ち凝縮）するガスである。
【００２７】
オフアクシススコープ２４は、型１８を介さずに、基板ステージ７に配置された基準プレートに設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２４は、基板１（の各ショット領域）に設けられたアライメントマークを検出することも可能である。またオフアクシススコープ２４は、基板の各領域の高さを計測することも可能である。圧力センサ２５は、本実施形態では、基板ステージ７に設けられ、型１８を基板１上のインプリント材に接触させることで基板ステージ７に作用する圧力を検出する。圧力センサ２５は、基板ステージ７に作用する圧力を検出することによって、型１８と基板１上のインプリント材との接触状態を検出するセンサとして機能する。また、圧力センサ２５は、型ヘッド１６に設けてもよく、型ヘッド１６及び基板ステージ７のうち少なくとも一方に設けられていればよい。
【００２８】
制御部４００は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の動作を制御する。制御部４００は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理の制御と、インプリント材の供給パターンを含む液滴配列レシピの生成を行う。制御部４００の詳細については後述する。
【００２９】
ガス供給部２１から供給される充填用ガスの屈折率は、空気の屈折率とは大きく異なるため、計測器４及び６が充填用ガスに曝されると（即ち、計測器４及び６の計測光路に充填用ガスが漏れると）、計測器４及び６の計測値（計測結果）が変動してしまう。このような問題は、特に、計測光路長が長い干渉計に対して顕著であり、基板ステージ７の位置を制御する際にハイゲインとなるため、サーボエラーを起こしてしまう。また、計測光路長が短いエンコーダであっても、ナノメートルオーダーの計測精度が要求されるインプリント装置では、その影響を無視することができない。但し、エンコーダの計測光路長は干渉計の計測光路長よりも短いため、干渉計よりも影響は軽微である。また、図１に示すように、本実施形態では、ガス供給部２１（の充填用ガスの供給口）から計測器４及び６までの距離を十分にとることができ、且つ、計測器４及び６をエンコーダで構成している。従って、計測器４及び６は、充填用ガスによる計測値の変動の影響を受けにくい構成となっているため、サーボエラーが起こりにくくなっている。
【００３０】
ガス供給部２１は、上述したように、インプリント処理を行っている間において、型１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。型１８と基板１との間に供給された充填用ガスは、型ヘッド１６の上部から排気ダクト１４を介して吸引されて、インプリント装置１００の外部に排出される。また、型１８と基板１との間に供給された充填用ガスをインプリント装置１００の外部に排出するのではなく、ガス回収機構（不図示）で回収してもよい。
【００３１】
図２には、インプリント処理が模式的に示されている。図２（ａ）は、インプリント材供給部２３によってインプリント材２７ａが供給された基板１のショット領域に型１８のパターン領域Ｐが接触する前の状態を示している。この状態で、型ヘッド１６を下降させることにより型１８のパターン領域Ｐと基板１のショット領域上のインプリント材とが接触する。図２（ｂ）は、型１８のパターン領域Ｐと基板１のショット領域上のインプリント材とが接触した状態を示している。この状態で、硬化用光源１１からの光が基板１のショット領域上のインプリント材に照射される。これによって、インプリント材２７ｂが硬化する。図２（ｃ）は、型ヘッド１６を上昇させることにより、基板１のショット領域上の硬化したインプリント材から型１８が引き離される様子を示している。これにより、基板１のショット領域には、型１８のパターン領域Ｐのパターンに対応したインプリント材のパターン２７ｃが残る。図２（ｄ）は、型１８のパターン領域Ｐのパターンと、硬化後のインプリント材を示している。型１８のパターンは、基板に形成すべき凸パターンに対応する凹形成パターン２８と、基板に形成すべき凹パターンに対する凸パターン３６とを有する。図中、Ｐｄはパターン深さ（Ｐａｔｔｅｒｎ  Ｄｅｐｔｈ）を表し、ＲＬＴは残膜厚を表す。
【００３２】
図３は、インプリント材供給部２３の吐出ヘッド３２と複数の吐出口３３の構成例を示している。複数の吐出口３３の配置間隔を狭くすると、型１８の凹パターン内へのインプリント材の充填に要する時間が短くなるが、配置間隔が狭すぎると、吐出ヘッド３２の製造が困難になるし、隣の吐出口から吐出されたインプリント材液滴が干渉しうる。複数のインプリント材液滴が干渉すると、それらが相互に結合することによって位置がずれる。複数の吐出口３３はマトリクス状に配列されうる。図３の例では、複数の吐出口３３は２行に配列されている。ここで、各列のシフト間隔（中心距離）はＬ１、行間の距離（中心間隔）はＬ２に設定されている。これらＬ１，Ｌ２は、複数の吐出口３３の配置情報として使用される。
【００３３】
図４は、制御部４００の構成例を示す図である。型データ取得部４０１は、小領域に分割された型のパターンそれぞれの粗密やパターン方向を含む型データを得る。型データは、型のパターンの設計情報、または設計情報から変換された情報を含みうる。形状取得部４０２は、図７における型１８のパターンが形成されているメサＭがインプリント材に接触する時の形状情報を取得する。メサＭは平坦に設計されているが、保持された型１８をその上部から陽圧を加えて変形させてインプリント材に接触させる場合がある。形状情報とは、この状態の形状となる。平坦度取得部４０３は、基板の平坦度（ウエハフラットネス）の情報（平坦度情報）を取得する。平坦度情報は、基板上の各位置の高さの情報でありうる。この平坦度情報は、外部の計測装置による計測の結果から取得されてもよい。あるいは、例えばオフアクシススコープ２４を高さ計測部として機能させ、この高さ計測部により基板全面の高さ計測を行った結果から平坦度情報が取得されてもよい。あるいは、平坦度情報は、設計上の基板の平坦度の情報であってもよい。なお、基板上に下地層が形成されている場合には、基板の平坦度の情報は、基板上に形成された下地層の平坦度の情報でありうる。
【００３４】
制御部４００は、基板の平坦度の情報に基づいて、型の複数箇所のそれぞれについて型とインプリント材とが接触するタイミングである接触タイミングを取得する。例えば、予測部４０６は、形状取得部４０２により取得された形状情報と、平坦度取得部４０３により取得された平坦度情報とから、パターンの各領域の、基板上のインプリント材とメサとが接触するタイミングを予測することで、接触タイミングを取得する。ドロップパターン生成部４０７は、予測部４０６により予測されたタイミング情報と、型データ取得部４０１により取得された型データとに基づいて、インプリント材の供給パターン（ドロップパターン）を生成する。ドロップパターン生成部４０７は、予測部４０６により算出されたタイミング情報、型データ取得部４０１により取得された型データの他に、指定残膜厚やディスペンサの種別情報にも基づいて、インプリント材供給パターンを生成してもよい。平坦度取得部４０３により取得される凹凸量に対して形状情報取得部４０２により取得される凹凸量が無視できる程度に小さいと想定される場合、予測部４０６は平坦度取得部４０３により取得された平坦度情報のみの値を接触タイミングの予測値としてもよい。
【００３５】
すなわち、本実施形態における「接触タイミングの取得」は、制御部４００の外部から直接的に接触タイミングを取得する形態を含みうる。また、本実施形態における「接触タイミングの取得」は、基板の平坦度情報、プレートの形状情報を取得し、制御部４００の内部で接触タイミングを算出することによって取得する形態をも含みうる。
【００３６】
主制御部４０８は、例えば、基板１の搬送、基板１へのインプリント材の供給、アライメント、インプリント材の硬化、型１８の駆動等のインプリント装置１００の動作の全般を制御する。また、主制御部４０８は、ユーザインタフェース３４を介して、または、統括コンピュータ３００からネットワーク３０１を介して、インプリント処理に必要な情報を受け取り、インプリント処理に関係する情報を転送する。
【００３７】
インプリント処理は、基板のショット領域毎に行われてもよいし、複数のショット領域に対して一括で行われてもよい。図５は、４つのショット領域を一括でインプリント処理する場合の基板１のショットレイアウトの例を示す図である。図５において、一括でインプリントされる領域を破線で表す。領域Ａ〜Ｈがそれぞれ一回のインプリント処理によってパターンが形成される。領域Ａに含まれるショット領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４にはそれぞれ同じ回路パターンが形成される。領域Ｂ〜Ｈについても同様である。図６は、一回のインプリント処理で基板１の全面にパターンを形成する場合のショットレイアウトを示す図である。図６では、破線で囲まれた全ショット領域３５が一括でインプリント処理される。図７は、一回のインプリント処理で基板全面にパターンを形成する場合に使用される型１８の例を示している。この型１８は、メサＭと基板の全ショット領域に対応する複数のパターン領域Ｐを持つ。
【００３８】
図８を参照しながらインプリント装置１００の動作を説明する。この動作は、制御部４００によって制御される。Ｓ１００では、アライメント計測部１２による計測の結果に基づいて、型１８と基板ステージ７との位置合わせが行われる。型１８は、あらかじめ、型搬送系（不図示）によってインプリント装置１００に搬入されて、型チャック１７によって保持されている。アライメント計測部１２によって検出されるマーク（アライメントマーク）は、専用の基準マークとして基板ステージ７に設けておいてもよいし、専用のアライメント基板に設けておいてもよい。
【００３９】
Ｓ１０１では、基板１がインプリント装置１００に搬入され、基板１が基板ステージ７（基板チャック）によって保持される。Ｓ１０２では、基板１のプリアライメントが行われる。基板１がインプリント装置１００に搬入された後に初めて行われるプリアライメントでは、基板１がオフアクシススコープ２４の下に移動され、オフアクシススコープ２４によって基板１の位置が計測される。この際のプリアライメントは、型１８が基板１上のインプリント材と接触する前のマーク計測処理（Ｓ１０７）において基板１の各ショット領域に設けられたアライメントマークがアライメント計測部１２の計測レンジに収まるような精度で行われる。
【００４０】
Ｓ１０３では、平坦度取得部４０３が基板１の全面についての平坦度の情報を取得する。ここでは、前述したように、オフアクシススコープ２４により、基板１の各領域の高さを全面について計測し、平坦度計測データを生成してもよい。Ｓ１０４では、ドロップパターン生成部４０７が、予測部４０６で予測されたメサとインプリント材との接触タイミングの情報と、型データ取得部４０１が取得した型データ（パターンの粗密情報、パターン方向情報）を用いて、ドロップパターンを生成する。
【００４１】
オフアクシススコープにより基板高さを計測する機構としては、具体的には、基板からの反射光を光電変換素子を用いて検出し、基板表面の高さを計測する機構を採用することができる。より詳細には特開２０１１−２３８７８８号公報に記載される方法を採用できる。
また、オンアクシス位置計測装置（不図示）により、基板表面全面の高さの分布を高精度に計測することも可能である。具体的には、オンアクシス位置計測装置は、基板の表面形状を計測する計測部と、計測した表面形状を記憶する記憶部を有し、可動ステージを動かしながら面位置の変化量を計測部で計測することで、基板表面の高さを計測することができる。より詳細には特開２０１０−２５８０８５号公報に記載される方法を採用できる。
【００４２】
Ｓ１０５では、基板１のインプリント対象のショット領域がインプリント材供給部２３の下に位置するように基板ステージ７が移動される。また、ガス供給部２１によって、型１８と基板１との間の空間に充填用ガスが供給される。Ｓ１０６では、インプリント材供給部２３によって基板１のインプリント対象のショット領域にインプリント材が供給される。具体的には、インプリント材供給部２３は、インプリント材供給部２３の下に移動した基板１の対象ショット領域に対して、予め定められたドロップパターン情報を有する第一ドロップレシピの配置情報に従ってインプリント材を供給する。インプリント材の供給が終了すると、インプリント材が供給されたショット領域の番号と時刻がメモリに保存される。また、基板１の対象ショット領域にインプリント材が供給されたら、該ショット領域が型１８（のパターン領域Ｐ）の下に位置するように基板ステージ７が移動される。
【００４３】
Ｓ１０７では、型１８のパターン領域Ｐと基板１上のインプリント材とを接触させる前に、オーバーレイ精度向上とインプリント性能確保のため、型側マークと基板側のマークを観察することで位置合わせを行う。またこのとき、型１８と基板１の高さ方向の差となるギャップ距離計測も行う。型とインプリント材と基板上のショット領域が正しい位置関係で接触駆動を開始しないと、インプリント材が型の外に浸み出したり、インプリント材の未充填領域が発生したりといった悪影響が発生しうる。
【００４４】
Ｓ１１０では、位置合わせマーク計測の結果または隣接するショットの計測結果から計算される推定値を用いたＸＹＺ位置合わせ駆動を行う。Ｓ１１１では、Ｓ１１０で移動した位置から型ヘッド１６を下降させて型１８と基板１上のインプリント材とを接触させる。Ｓ１１２では、型１８のパターン面Ｐと基板１上のインプリント材とが接触した状態で、アライメント計測部１２による計測の結果に基づいて型１８と基板１（のショット領域）とのアライメントが行われる。このアライメントは、ダイバイダイアライメントと呼ばれる。
【００４５】
Ｓ１１３では、型１８のパターン面Ｐと基板１上のインプリント材とが接触した状態で、硬化用光源１１からの光が型１８を介して基板１のインプリント対象のショット領域上のインプリント材に照射される。Ｓ１１４では、型ヘッド１６を上昇させて基板１上の硬化したインプリント材から型１８が引き離される。これにより、基板１のショット領域には、型１８のパターン面Ｐに対応したインプリント材のパターンが残る。即ち、型１８のパターン面Ｐに対応したパターンが基板１のショット領域に形成される。型１８を硬化したインプリント材から引き離す際には、インプリント材のパターンが破断しないように、型１８のパターン面Ｐにかかるせん断力がインプリント材パターンの破断応力以下になるように、型ヘッド１６を上昇させる。
【００４６】
Ｓ１１５では、制御部４００は、基板１の指定された全てのショット領域にパターンが形成されたかどうかを判断する。全てのショット領域にパターンが形成されていない場合には、次のショット領域にパターンを形成するために、Ｓ１０５に移行する。全てのショット領域にパターンが形成されている場合には、Ｓ１１６に移行する。Ｓ１１６では、基板１がインプリント装置１００から搬出される。Ｓ１１７では、制御部４００は、インプリント処理で得られた処理データを、ネットワーク３０１を介して、統括コンピュータ３００に送る。Ｓ１１８では、制御部４００は、全ての基板１にインプリント処理を行ったかどうかを判断する。全ての基板１にインプリント処理を行っていない場合には、次の基板１にインプリント処理を行うために、Ｓ１０３に移行する。全ての基板１にインプリント処理を行っている場合には、処理を終了する。
【００４７】
図９Ａは、型のパターンが均等な繰り返しであり、基板１のショット領域内の微小領域において凹凸がない場合の、インプリント材２７の供給（配置）を平面に表した図である。この場合、インプリント材２７は全面にわたり均一な繰り返し供給パターンとなる。図９Ｂは、ショット領域内の微小領域において凹凸がある場合の、インプリント材２７の配置を平面に表した図である。微小領域２００を除く領域においては、凹凸平均高さＳＴＭＨ（Ｓｈｏｔ  Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ  Ｍｅａｎ  Ｈｅｉｇｈｔ）より基板高さが低い傾向がある。この領域には、ＳＴＭＨと同じ高さを持つ領域より多めにインプリント材を配置する必要がある。微小領域２００においては、ＳＴＭＨより基板高さが高い傾向がある。この領域には、ＳＴＭＨと同じ高さを持つ領域より少なめにインプリント材を配置する必要がある。なおこの時点では、微小領域の凹凸は、基板全面が平坦であるという前提の下に準備された設計データまたは高さ計測データを用いて特定される。この時点のインプリント材の供給量を標準供給量とする。実際には基板自体の凹凸が無視できないため、以下ではこれを考慮して、標準供給量に対する調整を行う。
【００４８】
図９Ｂのインプリント材の量の調整方法は、一滴あたりのインプリント材の量が同じ場合、その液滴数を変更する方法で特定領域のインプリント材の量を調整する方法である。一滴あたりのインプリント材の量を変更できるシステムであれば、供給パターンを同じで、領域に応じて一滴あたりのインプリント材の量を変更することで同様な効果が得られる。
【００４９】
図１０は、型１８が基板１と接触する際の全面の型形状ＭＨ（Ｍｏｌｄ  Ｈｅｉｇｈｔ）と基板１の各位置の高さＷＴ（Ｗａｆｅｒ  Ｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ）について、基板中心を通る任意の軸（例えばＸ軸）で切り取った高さ方向の分布を示すグラフである。ＭＨとＷＴの距離と双方の近接速度の情報から、基板に配置されたインプリント材と、メサの接触タイミングを算出できる。位置Ａでは双方の距離が小さいので早いタイミングで基板上のインプリント材とメサとの接触が始まり、位置Ｂでは双方の距離が大きいので遅いタイミングで基板上のインプリント材とメサとの接触が始まる。
【００５０】
型形状ＭＨ及び基板の高さＷＴの情報は、装置内で高さ計測を実施することにより取得してもよいし、外部で計測した結果から取得してもよいし、実計測を行うかわりに設計情報から取得してもよい。基板の高さＷＴは、基板チャック（不図示）の形状に沿う傾向を持つ場合もあるので、そうした場合は基板チャックの凹凸情報で代用する方法をとってもよい。
【００５１】
基板全面の高さ情報や、複数のショット領域をカバーする大型の型を使うインプリント処理においては、ショット単位の凹凸とは異なり、全領域データとして別途管理する必要がある。型全面の各座標における型高さ情報は、例えば以下の形式で管理される。なお、ｎおよびｍは、型のパターン領域における複数箇所のうちの位置（座標）を表すインデックスである。
【００５２】
ＭＨｎｍ  ＝  （Ｘｎ，Ｙｍ，Ｈｎｍ）
【００５３】
図１１に示すように、基板全面の各位置における高さＷＴは、例えば以下の形式で管理される。
【００５４】
ＷＴｎｍ  ＝  （Ｘｎ，Ｙｍ，Ｔｎｍ）
基板の各位置における型との距離ＤＩＳＴは、それぞれの値を同じ高さ座標軸に換算することで、次式により求められる。
【００５５】
ＤＩＳＴｎｍ  ＝  ＭＨｎｍ  −  ＷＴｎｍ      （式１）
【００５６】
液滴配置に関する補正係数ＶｏｌＣｏｅｆを、次式により求める。
【００５７】
ＶｏｌＣｏｅｆｎｍ  ＝  Ｋ１（ＤｉｓｔＭ−ＤＩＳＴｎｍ）      （式２）
ただし、各値は以下を意味する。
Ｘｎ：基板及び型のＸ軸位置座標
Ｙｍ：基板及び型のＹ軸位置座標
Ｈｎｍ：座標（Ｘｎ，Ｙｍ）における型の高さ
Ｔｎｍ：座標（Ｘｎ，Ｙｍ）における基板の高さ
Ｋ１：補正定数
ＤｉｓｔＭ：論理間隙距離
【００５８】
Ｘｎ、Ｙｍそれぞれの間隔は通常数ミリメートル程度であり、基板全面を計測されたデータまたは設計データとして管理される。ショット単位の凹凸情報は、数μメートルから数十μメートル程度の間隔で計測されたデータまたは設計データとして管理される。補正定数Ｋ１は、インプリント材の種別、基板と型が接触する際の接近速度等により予め決定される。論理間隙距離ＤｉｓｔＭは、例えば、型と基板の平均間隙距離である。
【００５９】
ドロップパターン生成部４０７は、ショット内の微小領域を考慮して決定されたドロップパターン配置を、式２で算出された補正係数を用いて調整する。ＤＩＳＴｎｍがＤｉｓｔＭより大きい場合は、接触タイミングが遅くなるから、補正係数ＶｏｌＣｏｅｆｎｍは負の値となる。すなわち、標準供給量に対して供給量を減少させる補正となる。ＤＩＳＴｎｍがＤｉｓｔＭより小さい場合は、接触タイミングが早くなるから、補正係数ＶｏｌＣｏｅｆｎｍは正の値となる。すなわち、標準供給量に対して供給量を増加させる補正となる。図１２Ａは、基板の特定領域におけるＶｏｌＣｏｅｆｎｍが正の値となった場合の配置液滴量（供給量）の補正の例を示している。この場合、その特定領域の液滴は、図９Ｂよりほぼ均等に多く配置されている。図１２Ｂは、基板の特定領域におけるＶｏｌＣｏｅｆｎｍが負の値となった場合の配置液滴量の補正の例を示している。この場合、その特定領域の液滴は、図９Ｂよりほぼ均等に少なく配置されている。
【００６０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態は、基板の上に平坦化層を形成する平坦化層形成装置に関する。平坦化層形成装置では、パターンが形成されていない型（平面テンプレート）を用いて、基板の上に平坦化層を形成する。基板上の下地パターンは、前の工程で形成されたパターン起因の凹凸プロファイルを有しており、特に近年のメモリ素子の多層構造化に伴いプロセス基板は100nm前後の段差を持つものも出てきている。基板全体の緩やかなうねりに起因する段差は、フォト工程で使われているスキャン露光装置のフォーカス追従機能によって補正可能である。しかし、露光装置の露光スリット面積内に収まってしまうピッチの細かい凹凸は、そのまま露光装置のDOF(Depth Of Focus)を消費してしまう。基板の下地パターンを平滑化する従来手法としてSOC(Spin On Carbon), CMP(Chemical Mechanical Polishing)のような平坦化層を形成する手法が用いられている。しかし従来技術では十分な平坦化性能が得られない問題があり、今後多層化による下地の凹凸差は更に増加する傾向にある。
【００６１】
この問題を解決するために、本実施形態の平坦化層形成装置は、基板に予め塗布された未硬化状態の硬化性組成物（例えば、レジスト）に対して平面テンプレート（平坦化プレート）を押し当てて基板面内の局所的な平面化を行う。
【００６２】
図１３は、本実施形態における平坦化層形成装置５００の構成を示す概略図である。平坦化層形成装置５００の構成は、図１に示したインプリント装置１００と概ね同様である。図１と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。平坦化層形成装置５００は、基板１と同じかそれより大きい面積の平坦化プレート５０３を、基板１の上のレジスト層の全面に接触させる。プレートヘッド５０１は、平坦化プレート５０３を保持するプレートチャック５０２を有する。プレートヘッド５０１は、図１に示したインプリント装置１００における型ヘッド１６と同様、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ軸方向、ωＸ方向、及び、ωＹ方向、の３軸方向に移動可能な機構を有する。プレートヘッド５０１は、不図示の連結部材を介してブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、型硬化用光源１１とハーフミラー１３は、平坦化プレート５０３を介して基板１の全面を同時に照射できるように設計されている。
【００６３】
図１４は、平坦化層形成装置５００の動作を説明するフローチャートである。図８のフローにおける処理工程と同じ処理工程には同じ参照符号を付し、それらの説明は省略する。Ｓ２００において、平坦化プレート５０３が平坦化層となるレジストと接触する際の形状情報を外部のコンピュータ（不図示）またはユーザインタフェース３４から取得する。Ｓ２０７において、平坦化プレート５０３の位置を基板１と合わせるために、平坦化プレート５０３に設けられたマークの位置計測を行う。Ｓ２１４において、プレートヘッド５０１を上昇させることにより、基板１の上の硬化したレジストから平坦化プレート５０３が引き離される。これにより、基板１の表面には、平坦化層が残る。
【００６４】
Ｓ２１８において、制御部４００は、全ての基板１に平坦化処理を行ったかどうかを判断する。全ての基板１に平坦化処理を行っていない場合には、次の基板１に平坦化処理を行うために、Ｓ１０１に移行する。全ての基板１に平坦化処理を行った場合には、処理を終了する。
【００６５】
図１５は、従来の平坦化層形成装置による処理を説明する図である。図１５（ａ）は、処理前の基板１を示している。斜線の部分は基板１上に形成されたパターンである。図１５（ｂ）は、基板上にレジストを供給し、平坦化プレートを接触させる前の図である。このレジストの供給パターンは、基板全面で凹凸がないという前提の下で計算されている。図１５（ｃ）は、平坦化プレートが基板上のレジストと完全に接触した状態を示している。図１５（ｄ）は、レジストに光を照射してレジストを硬化させた後、平坦化プレートを引き離した状態を示している。
【００６６】
実際の基板はパターンの段差のみでなく、基板全面で凹凸を持っているため、その凹凸の影響により、平坦化プレートがレジストと接触するタイミングが異なる。最初に接触した位置では、接触直後からレジストの移動が始まり、レジストの厚みが想定した厚みより薄くなる（図１５（ｄ）のＬ１１）。また、最後に接触した位置では、レジストの移動の始まりが遅く、周辺から流入するレジストが加わるため、その領域では想定した厚みより厚くなる（図１５（ｄ）のＬ１２）。
【００６７】
図１６は、本実施形態における平坦化層形成装置５００による処理を説明する図である。図１６（ａ）は、基板上にレジストを供給し、平坦化プレート５０３を接触させる前の図であり、図１５（ｂ）と同じである。このレジストの供給パターンは、基板全面での凹凸情報を考慮して計算されたものである。図１６（ｂ）は、平坦化プレート５０３が基板上のレジストと完全に接触した状態を示している。図１６（ｃ）は、レジストに光を照射してレジストを硬化させた後、平坦化プレート５０３を引き離した状態を示している。
【００６８】
上記したように、実際の基板はパターンの段差のみでなく、基板全面で凹凸をもっているため、その凹凸の影響により、平坦化プレート５０３がレジストと接触するタイミングが異なる。本実施形態では、最初に接触した位置では、接触直後からレジストの移動が始まるが、その程度に応じてレジストを多く配置している。また、最後に接触した位置では、レジストの移動の始まりが遅く、周辺から流入するレジストが加わるが、その程度に応じてレジストの量を減らしている。このような対処により、基板全面で均一な厚みの平坦化層を形成することができる。
【００６９】
＜第３実施形態＞
図１７は、レジストの供給パターンを生成するためのレジスト供給パターン生成装置６００の機能構成を示すブロック図である。形状取得部６０２は、平坦化プレート５０３がレジストと接触する時の形状情報を取得する。平坦化プレート５０３は平坦に設計されているが、保持された平坦化プレート５０３の上部から陽圧を加え変形させてレジストと接触させる場合がある。形状取得部６０２は、この状態の形状情報を取得する。平坦度取得部６０３は、基板の平坦度の情報を取得する。この平坦度情報は、外部の計測装置による計測の結果から取得されてもよいし、オフアクシススコープ２４により基板全面の高さ計測を行った結果から取得されてもよい。あるいは、平坦度情報は、設計上の基板の平坦度の情報であってもよい。予測部６０６は、形状取得部６０２により取得された形状情報と、平坦度取得部６０３により取得された平坦度情報とから、基板の各領域の、基板に配置されたレジストと平坦化プレート５０３とが接触するタイミングを算出する。ドロップパターン生成部６０７は、予測部６０６により算出されたタイミング情報に基づいて、レジスト供給パターンを生成する。レジスト供給パターンを使用する装置が塗布領域により吐出液滴量を可変に設定可能であれば、配置座標により一液滴あたりの吐出量が異なる情報として出力されうる。
平坦度取得部６０３により取得される凹凸量に対して平坦化プレート５０３がレジストと接触する時の形状の凹凸量が無視できる程度に小さいと想定される場合が考えられる。そのような場合には、予測部６０６は平坦度取得部６０３により取得された平坦度情報のみの値を接触タイミングの予測値としてもよい。
【００７０】
＜第４実施形態＞
図１８は、パターン形成システムの構成例を示す図である。システムは、上述したインプリント装置１００、平坦化層形成装置５００、レジスト供給パターン生成装置６００を含み、それぞれ、ネットワーク３０１を介して統括コンピュータ３００と接続されている。統括コンピュータ３００は、レジスト供給パターン生成装置６００で生成されたレジスト供給パターンのデータを平坦化層形成装置５００に送る。平坦化層形成装置５００は、受信したレジスト供給パターンのデータを用いて、基板の上に平坦化層を形成する。この平坦化層が形成された基板は、不図示の搬送装置によりインプリント装置１００に搬送される。インプリント装置１００は、搬入された基板の平坦化層の上に、インプリント処理を行う。
【００７１】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００７２】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００７３】
次に、物品製造方法について説明する。図１９の工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００７４】
図１９の工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１９の工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００７５】
図１９の工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７６】
図１９の工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１９の工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７７】
＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【００７８】
１００：インプリント装置、３００：統括コンピュータ、５００：平坦化層形成装置、６００：レジスト供給パターン生成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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