(57)【要約】【課題】静磁場不均一の影響を受けやすいケミカルシフトを利用した信号抑制技術において、静磁場不均一の影響を極力排除し、安定した抑制効果が得られる撮像を実現する。【解決手段】  静磁場不均一マップを用いて、前記プリパルスによる水又は脂肪からの核磁気共鳴信号の抑制領域の歪みを算出する。算出した歪みを歪み算出部が算出した前記抑制領域の歪みを表示装置に表示し、ユーザーから抑制領域を最適化するための撮像条件を受け付け適用する。或いは算出した歪をもとに、自動的に抑制領域を最適化する撮像条件を算出し、適用する。さらに歪みを用いて、撮像単位（スラブ）毎に静磁場を均一化するシム電流を算出し、シミング後に抑制領域を最適化してもよい。【選択図】図５
2019013708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水及び脂肪のケミカルシフトを利用した信号抑制プリパルスの印加を含むパルスシーケンスに従った撮像を行い、画像再構成に必要な核磁気共鳴信号を収集する撮像部と、
前記撮像部が収集した核磁気共鳴信号を用いて画像を作成する画像作成部と、
前記撮像部を制御するとともに、前記画像作成部による画像作成に必要な演算を行う演算部と、を備え、
前記演算部は、静磁場不均一マップを用いて、前記信号抑制プリパルスによる水又は脂肪からの核磁気共鳴信号の抑制領域の歪みを算出する歪み算出部と、前記歪み算出部が算出した前記抑制領域の歪みを表示装置に表示させる表示制御部とを備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記表示制御部は、前記抑制領域の歪みを、撮像領域及び前記抑制領域と共に表示装置を表示させることを特徴する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記抑制領域の位置、厚み、及び角度の少なくとも一つの変更を受け付ける入力部をさらに備え、前記演算部は前記入力部が受け付けた前記抑制領域の変更に基き、撮像条件を制御することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
水及び脂肪のケミカルシフトを利用した信号抑制プリパルスの印加を含むパルスシーケンスに従った撮像を行い、画像再構成に必要な核磁気共鳴信号を収集する撮像部と、
前記撮像部が収集した核磁気共鳴信号を用いて画像を作成する画像作成部と、
前記撮像部を制御するとともに、前記画像作成部による画像作成に必要な演算を行う演算部と、を備え、
前記演算部は、静磁場不均一マップを用いて、前記プリパルスによる水又は脂肪からの核磁気共鳴信号の抑制領域の歪みを算出する歪み算出部と、前記歪み算出部が歪みを用いて撮像条件を制御する撮像条件制御部とを備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記撮像条件制御部が制御する撮像条件は、前記抑制領域の位置、厚み、及び、角度の少なくとも一つを含むことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
請求項１又は４に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記歪み算出部は、前記撮像部が撮像を行って取得した前記静磁場不均一マップを用いて前記抑制領域の歪みを算出することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
請求項１又は４に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
予め取得した静磁場不均一マップを格納する記憶部をさらに備え、
前記歪み算出部は、前記記憶部に格納された静磁場不均一マップを用いて前記抑制領域の歪みを算出することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記記憶部は、被検体の部位毎に、前記静磁場不均一マップを格納しており、
前記演算部は、撮像対象部位に対応する前記静磁場不均一を用いて、撮像条件を制御することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
請求項１又は４に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記演算部は、さらに、前記歪み算出部が算出した前記抑制領域の歪みを用いて、シムコイルに印加するシム電流値を算出するシム電流算出部を備えることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気共鳴イメージング装置であって、
前記撮像部は、前記シム電流算出部が算出したシム電流値のシム電流を前記シムコイルに流すことによってシミングされた静磁場不均一マップを取得し、
前記歪み算出部は、シミング後の静磁場不均一マップを用いて、前記抑制領域の歪みを算出することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気共鳴イメージング装置（以下、ＭＲＩという）に関し、特に脂肪抑制を行った血管撮像（ＭＲＡ）を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
頭部ＭＲＡの主要な撮像方法であるＴＯＦ（Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ）撮像は、良好に血管が描出されるものの、最大値投影画像（ＭＩＰ：Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｉｎｔｅｎｓｉｏｎ  Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ画像）を作成する際などに不要な脂肪領域を除外（クリッピング）する必要があり、操作が煩雑かつ検査時間の延長にも繋がっている。脂肪抑制パルスを併用するとクリッピングは不要になるが、ＴＲ（繰り返し時間）が延長することで撮像時間の延長や血管描出能の低下などが起きてしまう。また血管撮像では、動脈或いは静脈のいずれかを撮像対象とする場合、撮像部位に流入する血流のうち撮像対象ではない血流からの信号を抑制する必要がある。例えば動脈を撮像する場合、その撮像領域に対し静脈の上流側となる隣接した領域のスピンを、プリサチュレーションパルス等を用いて飽和し、撮像領域に静脈の信号が混入することを防止する。ＭＲＡにおいて、このようなプリサチュレーションパルスと脂肪抑制パルスを共に用いる場合には、さらに撮像時間が延長する。
【０００３】
これに対し、特許文献１には、脂肪のプロトンと水のプロトンとのケミカルシフトを利用して、プリサチュレーションパルスによって、撮像領域に隣接した領域の水プロトンからの信号（以下、水信号ともいう）と撮像面内の脂肪プロトンからの信号（以下、脂肪信号ともいう）を抑制する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２９１３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ケミカルシフトによる水信号と脂肪信号との周波数差は、静磁場強度に比例し、静磁場不均一の影響を受ける。特に、プリサチュレーションパルスのケミカルシフトにより脂肪抑制効果を十分得ようとすると、傾斜磁場強度が下がるため、静磁場不均一の影響で抑制領域が空間的に歪む。その歪みがある場合、撮像面内の水が抑制される場合や脂肪が抑制されない場合がある。
【０００６】
本発明は、静磁場不均一の影響を受けやすいケミカルシフトを利用した信号抑制技術において、静磁場不均一の影響を極力排除し、安定した抑制効果が得られる撮像を実現することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、静磁場不均一に起因する抑制領域の空間的な歪みを算出する手段を提供する。算出した歪みをもとに、抑制領域を決定する撮像条件を自動的に或いは手動で変更することで、安定した抑制効果を得ることができ、血管描出能に優れたＭＲＡ画像を取得することができる。
【０００８】
すなわち、本発明のＭＲＩ装置は、水及び脂肪からの核磁気共鳴信号の一方を抑制するプリパルスの印加を含むパルスシーケンスに従った撮像を行い、画像再構成に必要な核磁気共鳴信号を収集する撮像部と、前記撮像部が収集した核磁気共鳴信号を用いて画像を作成する画像作成部と、前記撮像部を制御するとともに、前記画像作成部による画像作成に必要な演算を行う演算部と、を備え、前記演算部は、静磁場不均一マップを用いて、前記プリパルスによる水又は脂肪からの核磁気共鳴信号の抑制領域の歪みを算出する歪み算出部を備える。
【０００９】
また本発明の一態様では、前記演算部は、前記歪み算出部が算出した前記抑制領域の歪みを表示装置に表示させる表示制御部をさらに備える。また別の態様では、前記演算部は、前記歪み算出部が歪みを用いて撮像条件を制御する撮像条件制御部をさらに備える。
【００１０】
本発明のさらに別の態様では、前記演算部は、前記歪み算出部が算出した前記抑制領域の歪みを用いて、シムコイルに印加するシム電流値を算出するシム電流算出部をさらに備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、抑制領域の歪みを算出することで、歪みに起因する抑制の不完全性を避けるように、自動的に或いは手動で抑制領域を変更する撮像条件に設定することができる。或いは、歪みを是正するシム電流値を決定し、静磁場不均一自体を補正することも可能となる。これにより、安定した抑制効果のある撮像が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明が適用されるＭＲＩ装置の全体概要を示す図
【図２】演算部の一実施形態の機能ブロック図
【図３】抑制プリパルスを含むＭＲＡパルスシーケンスの一例を示す図
【図４】脂肪抑制領域と水抑制領域を示す図で、（ａ）は静磁場不均一を無視できる場合、（ｂ）は静磁場不均一がある場合を示す。
【図５】第一実施形態の動作の概要を示すフロー図
【図６】第一実施形態において、表示装置に表示される画像の一例を示す図で、（ａ）は撮像領域及び抑制領域の設定のための画像を示す図、（ｂ）は抑制領域の歪みの表示例を示す図。
【図７】第一実施形態において、ＭＲＡ撮像時に表示されるＵＩの一例を示す図
【図８】第一実施形態において、ユーザーによる撮像条件変更のためのＵＩの例を示す図
【図９】第二実施形態の動作の概要を示すフロー図
【図１０】図９の水抑制領域最適化ステップの詳細を示すフロー図
【図１１】図９の脂肪抑制領域最適化ステップの詳細を示すフロー図
【図１２】第二実施形態において、ユーザーに提示されるＵＩの一例を示す図
【図１３】第三実施形態において、ユーザーに提示されるＵＩの一例を示す図
【図１４】第四実施形態の動作の概要を示すフロー図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、脂肪抑制のもとＭＲＡを行う場合を例に本発明の実施の形態を説明する。
まず図１を参照して本発明が適用されるＭＲＩ装置の概要を説明する。
【００１４】
図１は、典型的なＭＲＩ装置の概要を示す図である。このＭＲＩ装置は、大きく分けて磁気共鳴に基く撮像を行う撮像部１００と、撮像部１００の動作を制御するとともに撮像部が取得した信号を処理し各種演算等を行う制御・演算部２００と、からなる。
【００１５】
撮像部１００は、被検体１０１を載置し、撮像空間に挿入するためのベッド１０８と、被検体１０１が置かれる空間に静磁場を発生する磁石１０２と、該空間に傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイル１０３と、この領域に高周波磁場を発生するＲＦコイル１０４と、被検体１０１が発生するＭＲ信号を検出するＲＦプローブ１０５と、これらコイル等を駆動する駆動系とを備える。傾斜磁場コイル１０３は、Ｘ、Ｙ、Ｚの３方向の傾斜磁場コイルで構成され、傾斜磁場電源１０９からの信号に応じてそれぞれ傾斜磁場を発生する。ＲＦコイル１０４はＲＦ送信部１１０の信号に応じて高周波磁場を発生する。ＲＦプローブ１０５で受信した信号は、信号検出部１０６で検出され、信号処理部１０７で信号処理される。
【００１６】
制御・演算部２００は、主として、演算部２０１と、画像やＵＩ等を表示するディスプレイ等の表示部２０３と、ユーザーが演算部２０１に対し撮像条件等の設定や指令を入力するための入力デバイスを備えた入力部２０５と、を備える。また図示していないが、制御・演算部２００には、外部記憶装置が備えられていてもよい。表示部２０３と入力部２０５は近接して配置することで、ユーザーとインタラクティブに動作するユーザーインターフェイスとして機能する構成としてもよい。
【００１７】
演算部２０１は、図２の機能ブロック図に示すように、撮像部１００の動作を制御する撮像制御部２１１と、信号処理部１０７で信号処理されたＭＲ信号を用いて画像再構成等の演算を行い、画像を作成する画像作成部２１３と、画像作成部２１３が作成した画像データを用いて表示画像を作成したり、種々の表示形態で表示装置に表示させたりする制御を行う表示制御部２１５と、を備える。さらに本実施形態において、演算部２０１は静磁場不均一に起因する空間（周波数空間）の歪みを算出する歪み算出部２１７を備える。歪み算出部２１７の機能については、後述する実施形態において詳述する。
【００１８】
このような演算部２０１の機能は、メモリを備えたＣＰＵ或いはＧＰＵ（まとめてＣＰＵ等という）と、ＣＰＵ等の実装プログラムとによって実現可能である。また機能の一部をＡＳＩＣやＰＦＧＡ等のハードウェアで実現してもよいし、クラウド上で実現することも可能である。また図２では、画像作成部２１１は演算部２０１の一部としているが、信号処理部１０７にその機能の一部或いは全部を含めることも可能であるし、信号処理部１０７や演算部２０１とは独立したソフトウェアやハードウェアで実現することも可能である。
【００１９】
撮像制御部２１１には、予め、撮像によって異なる複数のパルスシーケンスがプログラムとして組み込まれており、例えば入力部２０５を介して撮像パラメータや撮像条件が設定されることによって、撮像に用いるパルスシーケンスが決まり、そのパルスシーケンスに従って撮像部１００による撮像が行われる。本実施形態では、パルスシーケンスは血流を描出するＭＲＡパルスシーケンスであり、且つケミカルシフトを利用したプリパルスが加えられる。
【００２０】
本実施形態で実行されるＭＲＡパルスシーケンスの一例を図３に示す。
図３に示すパルスシーケンス３００は、１回の繰り返し時間ＴＲ内にプリパルス部３１０と、本計測部３２０とを含み、本計測部３２０は、ＭＲＡで典型的な三次元ＴＯＦシーケンスである。また図中、ＲＦはＲＦパルス、Ｇｓ、Ｇｐ、Ｇｒはそれぞれスライス選択傾斜磁場パルス、位相エンコード方向傾斜磁場パルス、読出し方向傾斜磁場パルス、Ｅｃｈｏはエコー信号の各タイミングを示し、横軸は時間である。
【００２１】
本計測部３２０のパルスシーケンスは、特定領域（撮像領域の各スラブ）のプロトンをのみを励起するために、ＲＦパルス３２１を傾斜磁場パルス３２２と共に印加する。その後、励起されたスピンをスライス方向及び位相エンコード方向にエンコードする傾斜磁場３２３、３２４を印加した後、読出し方向傾斜磁場３２５を印加しながら、エコー信号３２６を計測する。プリパルス部３１０は、特定領域の脂肪信号を抑制するとともに特定領域に隣接する領域をプリサチュレーションするために、ＲＦパルス３１１と傾斜磁場パルス３１２を印加する。特定領域に隣接する領域は、撮像対象が動脈の場合、動脈の下流側の領域である。この隣接する領域を、以下、プリサチ領域ともいう。これらプリサチュレーションパルス印加の後、傾斜磁場の各軸にクラッシャー傾斜磁場を印加する。スライス方向及び位相エンコード方向の傾斜磁場パルス強度を変化させながら、図３に示す繰り返し時間ＴＲ内のシーケンスを繰り返すことで、特定領域の三次元データが収集される。
【００２２】
このパルスシーケンスにおける撮像領域（特定領域）と、脂肪抑制領域及び水抑制領域との関係を図４（ａ）に示す。図４（ａ）において、実線で囲った領域４０１は水抑制領域（プリサチ領域）、点線で囲った領域４０２は脂肪抑制領域である。撮像領域４００は脂肪抑制領域４０２に含まれるように設定される。図では脂肪抑制領域４０２に重なっており、図には現れていない。脂肪抑制領域と水抑制領域との位置のずれは、脂肪信号の周波数と水信号の周波数との差（周波数差Δｆ）に相当し、静磁場強度に依存する。静磁場強度が一定であれば、周波数差すなわち位置のシフト量は、図３に示すパルスシーケンスにおいては、プリパルス部３１０のＲＦパルス３１１の時間バンド幅（ＴＢＷ）と傾斜磁場パルス３１２の強度とで決まる。すなわち、ＴＢＷを大きくし、傾斜磁場パルス３１２を低くするほど、ケミカルシフトによるシフト量は大きくなり、水信号と脂肪信号とが分けやすくなる。従って、スライス厚が決まると、それに応じて、演算部２０１は最適なＲＦパルスのＴＢＷと傾斜磁場パルス強度を算出し、設定する。パルスシーケンスとスライス厚が決まると、これらが初期設定条件となる。
【００２３】
しかし静磁場強度に不均一があると、図４（ｂ）に示すように、水抑制領域４１１及び脂肪抑制領域４１２は、それぞれ、歪みを生じた状態となる。本実施形態のＭＲＩ装置は、予め取得した静磁場マップをもとに、各抑制領域の歪みを算出し、算出した歪みに応じて撮像条件を変更する手段を持つ。なお、図３のパルスシーケンスにおいて、本計測部３２０のスライス選択傾斜磁場３２２とプリパルス部３１０のスライス選択傾斜磁場３１２は、その極性を同極性とした場合、静磁場不均一により歪む方向が同方向になる。従って、スライス選択傾斜磁場３２２、３１２は同極性とすることが好ましい。
【００２４】
以下、上述した装置の構成と装置が実行するパルスシーケンスとを踏まえ、抑制領域の歪みの算出及びそれ以降の処理の実施形態を詳述する。
【００２５】
［第一実施形態］
本実施形態は、撮像部１００が静磁場（Ｂ０）マップを取得し、歪み算出部２１７はこの静磁場マップを用いて各抑制領域の歪みを算出する。また歪み算出部２１７が算出した歪みを表示部２０３に表示させるとともに、入力部２０５を介してユーザーによる撮像条件変更の指示を受け付け、歪みによる影響を排除し、安定した抑制効果が得られる撮像を実現する。
【００２６】
本実施形態のＭＲＩ装置の動作の概要を、図５を参照して説明する。
【００２７】
＜ステップＳ５０１＞
まず被検体１０１をＭＲＩ装置の静磁場空間にセッティングし、位置決め撮像が完了すると、入力部２０５を介して、ＴＯＦ撮像領域と水抑制領域としてのプリサチ領域の設定を受け付ける。このステップでは、例えば、図６（ａ）に示すような、位置決め画像等を表示部２０３に表示し、表示部２０３に表示された画像上で、ユーザーによるＴＯＦ撮像領域４００とプリサチ領域４０１（位置と大きさ）の指定を受け付けるとともに、スラブ厚、スライス数などの条件を受け付ける。なおスラブ厚やスライス数などはデフォルトで設定した値を表示し、ユーザーが変更可能にしてもよい。通常ＭＲＡではマルチスラブ撮像を行うので、その場合にはスラブごとにプリサチ領域４０１を指定する。
【００２８】
撮像条件設定の際に、静磁場不均一による抑制領域の歪みを回避する撮像を行うか否かをユーザーに選択させてもよい。その場合は、例えば図７に示すような確認メッセージ（ＵＩ）を表示部２０３に表示させる。静磁場不均一を反映させる場合、反映させない場合に比べ撮像時間が長くなるので、ユーザーに選択させる。「いいえ」が選択された場合には、歪み算出部２１７の計算は行うことなく、従来同様のＭＲＡ撮像、例えば図３に示すパルスシーケンスについて初期設定された条件で撮像を行う。「はい」が選択された場合には、次のステップＳ５０２に進む。
【００２９】
＜ステップＳ５０２＞
撮像部１００がＢ０マップを取得する撮像を行う。Ｂ０マップを取得する撮像としては、公知の手法を用いることができる。例えば、静磁場不均一は画像の位相に現れるので、エコー時間（ＴＥ）を異ならせた複数の撮像を行い、これら複数の位相画像の位相差を求めることで取得することができる。Ｂ０マップは、例えば中心周波数からのずれ量をＨｚ単位で表現したマップとする。単位を明確にするためにＨｚとするが、ｐｐｍなどのマップでもよい。
【００３０】
＜ステップＳ５０３＞
歪み算出部２１７が、ステップＳ５０２で取得したＢ０マップ、予め撮像条件として設定されたプリサチ領域のスライス厚、ＲＦパルスのＢＷから、ステップＳ５０１で設定された水抑制領域としてのプリサチ領域と、設定された撮像条件で決まる脂肪抑制領域について、各抑制領域の歪みを算出する。マルチスラブの場合には、スラブごとに歪の算出を行う。算出手法の詳細は後述する。
【００３１】
＜ステップＳ５０４＞
表示制御部２１５は、歪み算出部２１７が算出した歪みを表示部２０３に表示させる。表示の形態は特に限定されないが、例えば、図４（ｂ）に示したように、空間的に歪んだ形状の水脂肪抑制領域４１１と脂肪抑制領域４１２を表示するとともに、パルスシーケンスの本計測部３２０（図３）の撮像領域４００を併せて表示し、各領域の関係がわかるように表示する。
【００３２】
＜ステップＳ５０５＞
ユーザーは、この表示部２０３に表示された水脂肪抑制領域４１１と脂肪抑制領域４１２と撮像領域４００との関係を確認しながら、入力部２０５を介して、撮像領域が脂肪抑制領域に包含され且つ水抑制領域が撮像領域と重ならないように、撮像条件を変更する。ユーザーが変更する撮像条件は、例えば、脂肪抑制領域と水抑制領域との距離、各抑制領域の位置、厚み、及び、角度などを含む。演算部２０１はユーザーが設定した撮像条件の変更を受け付け、パルスシーケンスの再計算を行い、パルスシーケンスを構成するＲＦパルス３１１のＴＢＷ（波数）、それと同時に印加する傾斜磁場３１２の強度、傾斜磁場の軸などを変更する。
【００３３】
＜ステップＳ５０６＞
スラブ数が１の場合は、次のステップＳ５０７に進む。またマルチスラブ撮像では、全スラブについてＳ５０３〜Ｓ５０５の処理を行い、全スラブの処理が完了すると次のステップＳ５０７に進む。
【００３４】
＜ステップＳ５０７＞
撮像条件の変更後、プリパルス付ＭＲＡシーケンスを実行する。
【００３５】
以上が静磁場不均一を反映したＭＲＡ撮像の概要である。次に、上記各ステップのうち、主として演算部２０１が行う処理をさらに詳述する。
まず歪み算出部２１７による歪み算出の処理（ステップＳ５０３）を説明する。
【００３６】
＜＜ステップＳ５１１＞＞
血管撮像の条件設定に使用した位置決め画像の断面と同じ断面を、上述したステップ５０２で取得したＢ０マップから切り出し、これにプリサチュレーションによる周波数分布を加味したＢ０マップ（以下、プリサチＢ０マップという）を得る。具体的には、切り出したＢ０マップの断面について、プリサチュレーションの傾斜磁場強度（図３：傾斜磁場パルス３１２の強度）を次式により計算し、式（１）から、一次の周波数の傾斜（＝γＧｓＺ）を算出する。Ｚは、スライス方向の位置である。
【００３７】
Ｇｓ＝ＢＷ／（スライス厚×γ）      （１）
式中、γは磁気回転比、ＢＷはプリサチュレーションのＲＦパルス３１１のバンド幅である（以下、同じ）。
算出した周波数の傾斜を切り出したＢ０マップに加算し、プリサチＢ０マップとする。
【００３８】
＜＜ステップＳ５１２＞＞
プリサチ領域として設定された領域（プリサチ設定領域）（図４：４０１）のうち、スライス両端の中心位置４０１Ａ、４０１Ｂの周波数Ｆ４０１Ａ、Ｆ４０１Ｂを、ステップＳ５０２で取得したＢ０マップから取得する。次いで位置４０１Ａを開始点として、周波数Ｆ４０１Ａに最も近い点を、開始点から矢印４０４、４０５で示す面内方向に一次元のリージョングローで選択する。ここで、同じ周波数の点が２点以上あった場合、プリサチ中心４０１Ｃから遠い点を選択する。同じ距離の２点が存在した場合、撮像スラブからの絶対距離が近い点を選択する。これは、同じ周波数であれば抑制される領域となるため、抑制される領域の境界を描出するためである。以上の処理により、図６（ｂ）に示すように、周波数の等高線４０６が描出できる。
【００３９】
同様に開始点４０１Ｂから一次元のリージョングローを実施することで、等高線４０７が描出できる。等高線４０６と等高線４０７で囲まれた領域を水抑制領域（図４（ｂ）：４１１）とする。即ち初期設定条件のプリサチ領域であって静磁場不均一を反映した水抑制領域、即ち水抑制領域の歪みが求められる。
なお本ステップでは、開始点４０１Ａ、４０１Ｂからそれぞれ一次元のリージョングローを行ったが、周波数Ｆ４０１Ａ〜Ｆ４０１Ｂの領域を二次元のリージョングローで抽出してもよい。
【００４０】
＜＜ステップＳ５１３＞＞
次に、水抑制領域と同様に、静磁場不均一を反映した脂肪抑制領域４０２を決定する。このため、まず、脂肪抑制領域の開始点４０２Ａ、４０２Ｂを決定する。脂肪抑制領域の開始点４０２Ａ、４０２Ｂは、それぞれ、水抑制領域の開始点４０１Ａ、４０１ＢからＺ方向にケミカルシフト量α［ｐｐｍ］で決まる距離だけ移動した点である。即ち、
【００４１】
距離＝α・γ・Ｂ０    （２）
Ｂ０は、プリサチ領域中心４０１Ｃの値とする。
これら開始点から、上記ステップＳ５１２と同様にして、周波数の等高線４０８、４０９を求め、二つの等高線で囲まれた領域を脂肪抑制領域とする。
【００４２】
なお、以上の説明では、水抑制領域及び脂肪抑制領域の歪みを算出したが、撮像領域（図４：４００）についても、同様に静磁場不均一に起因する歪みを算出することも可能である。この場合、演算に時間がかかるが、抑制領域の最適化を図る際に、より正確な設定が可能となる。
【００４３】
次に上述したステップＳ５０３（Ｓ５１１〜Ｓ５１３）で取得した各領域の歪みをもとに、撮像条件を設定する処理（Ｓ５０５）の詳細を説明する。本実施形態では、歪みの情報は、図４（ｂ）に示す領域の画像や図６（ｂ）に示す等高線として表示部２０３に表示され、ユーザーが表示された画像をもとに撮像条件を変更し、抑制領域の最適化を図る。ここでは、歪みの情報を表示する画面に撮像条件変更のためのマーク等（ＵＩ）が表示され、マーク等を操作して撮像条件を設定する場合を説明する。
【００４４】
ＵＩを含む表示例を図８に示す。図示する例では、ステップＳ５０３で算出したプリサチの水抑制領域４１１と脂肪抑制領域４１２を示すスタックをＵＩに表示する。ＵＩに表示する水と脂肪の抑制領域は、撮像領域４００を示すスタックとそれぞれ異なる色にする、又は表示する線の種類を別にする。また、変更可能なプリサチュレーションのパラメータを領域のアングル、スライス厚（ＴｈｉｃｋＷ）、位置、ケミカルシフト量（ＤＦＷ）とし、これらパラメータに対応するマーク８０２、８０３、８０４、８０５を表示する。
【００４５】
図示する例では、初期設定条件で水抑制領域４１１の一部が撮像領域４００に重なっている。この状態でプリパルス付ＭＲＡ撮像を行った場合、撮像領域の一部の動脈が描出されないことになる。そこで水抑制領域４１１が撮像領域４００と重ならないように上記パラメータを変更する。例えば、抑制領域の中央のマーク８０４を動かし、水抑制領域のスライス厚（ＴｈｉｃｋＷ）を維持したまま、位置だけを移動する。さらに、水抑制領域の一端に表示されたスライス厚のマーク８０３を動かすことで、他端の位置を維持したまま、スライス厚を変更する、等の操作を行う。またアングルのマーク８０２を動かすことで、水抑制領域のＺ方向に対する角度を変更してもよい。これらは単独の操作だけでもよいし、適宜、組み合わせてもよい。
【００４６】
次に脂肪抑制領域４１２が撮像領域４００を含むように脂肪抑制領域４１２を調整する。図示する例では、脂肪抑制領域４１２は撮像領域４００全体をカバーしていない。この状態で撮像を行った場合、撮像領域４００の一部の脂肪は抑制されず、血管描出の妨げとなる。そこで脂肪抑制領域４１２を変更する。脂肪抑制領域４１２の位置は、水抑制領域４１１に対しケミカルシフト量（前述の式（３））で決まり、プリパルス３１１のＴＢＷ及び傾斜磁場強度３１２で調整できる。ケミカルシフト量に対応するマーク８０５を操作することで、水抑制領域４１１中心から脂肪抑制領域４１２中心までの距離を変更し、ケミカルシフト量を調整する。
【００４７】
ここで撮像領域４００として示す領域は、１回の励起で励起される領域の単位であるスラブに相当する。マルチスラブのＴＯＦ撮像では、通常、各スラブで抑制領域の位置が異なり、その場合の歪み量は各スラブで異なっているので、個別に表示を切り替えても良い。
【００４８】
なお図８に示すＵＩは一例であって、例えばスライドバーや数値入力など、種々の入力手段を用いてもよいことは言うまでもない。
【００４９】
また上述したパラメータを変更することで抑制領域の位置が変化すると、歪み量を算出するのに用いたＢ０値も変化する。そこで、変更後の抑制領域について、再度、前述したステップＳ５０３による領域の歪み量の計算を行い、抑制領域の歪み量の情報（例えば周波数の等高線）を変更して表示してもよい。ユーザーは撮像条件変更後の抑制領域の歪みを確認することにより、さらに条件が変更となるか否かを確認することができる。また、このような情報の更新を、マークの操作と連動させてもよいし、マーク操作の所定のタイミングで行うようにしてもよい。
【００５０】
演算部２０１は、入力部２０５（ここではＵＩ）を介したユーザーの撮像条件（パラメータ）の変更を受け入れ、この変更に基いてパルスシーケンスを計算し直す。具体的には、領域の位置や角度と傾斜磁場のオフセット量や軸の組み合わせとの関係、及び、ケミカルシフト量と傾斜磁場強度及びＲＦパルスのＴＢＷとの関係を用いて、プリサチュレーションに用いる傾斜磁場３１２の強度、オフセット値、ＲＦパルス３１１のＴＢＷなどを変更する。
その後、変更した撮像条件で撮像を行うことは、前述のとおりである。
【００５１】
本実施形態によれば、静磁場不均一に起因する抑制領域の歪みを考慮して、適切な抑制領域となるように撮像条件を変更することができ、ＭＲＡ撮像において安定した抑制効果を得ることができる。また本実施形態によれば、抑制領域の歪みに関する情報が提示されるので、ユーザーは提示された情報をもとに最適な撮像条件を変更することができる。またユーザーが操作しやすいＵＩの形で情報がユーザーに提示されるので、視覚的に最適な撮像条件を設定することができ、操作性もよい。
【００５２】
さらに本実施形態によれば、抑制領域の歪みを算出するために用いる静磁場（Ｂ０）マップを、被検体を配置した実測した画像から求めるので、正確な歪みの算出が可能となる。
【００５３】
なお本実施形態では、ＭＲＡシーケンスのプリパルス部３１０として、単一のＲＦパルスと傾斜磁場とを組み合わせたパルスシーケンスを示したが、例えば、特許文献１に開示されるような複数のＲＦパルスとブリップ状の傾斜磁場とを組み合わせたプリパルス部でもよい。
【００５４】
［第二実施形態］
本実施形態においても、撮像部が被検体存在下で静磁場（Ｂ０）マップを計測すること、演算部（歪み算出部）が静磁場マップをもとに抑制領域の歪みを算出すること、は第一実施形態と同じである。本実施形態では、演算部が算出した歪みを用いて、自動的に最適な撮像条件を算出することが特徴である。以下、第一実施形態と異なる点を中心に本実施形態を説明する。
【００５５】
図９は、本実施形態の処理の概要を示すフロー、図１０および図１１は、図９のステップＳ９１０、Ｓ９２０の詳細を示すフローである。図９において、図５と同じ処理は同じ符号で示し、重複する説明は省略する。
【００５６】
図９に示すように、本実施形態では、図５のステップＳ５０４がステップＳ９０１に置き換わる。ステップＳ９０１は、水抑制領域を最適化するステップＳ９１０と、脂肪抑制領域を最適化するステップＳ９２０とからなり、ステップＳ９１０がステップＳ９２０に先行して実行される。スラブ数が複数の撮像である場合は、水抑制領域の最適化と脂肪抑制領域の最適化を各スラブで実施する。以下、スラブ数が複数Ｎの場合を説明する。また以下の説明において、第一実施形態で用いた撮像条件変更を説明する図８を適宜参照する。
【００５７】
図１０を参照して、水抑制領域の最適化ステップ（Ｓ９１０）を説明する。
＜ステップＳ９１１＞
第Ｎスラブについて水抑制領域４１１がＭＲＡ撮像領域４００に重畳しているか確認する。重畳していない場合は水抑制領域の最適化を完了する。重畳している場合、ステップＳ９１２へ移る。
【００５８】
＜ステップＳ９１２＞
図８に示すように、第Ｎスラブの水抑制領域４１１とＭＲＡ撮像領域４００とが重複しており、重複するＺ方向の幅の最大値がΔＺの場合、両者間の距離Ｄｗを重畳している最大幅ΔＺだけ離す。ΔＺは、撮像スラブ４００の水抑制領域に近い面と水抑制領域４１１の撮像スラブに近い面の相対距離Δｚ（ｘ、ｙ）を面内方向の全ての点について求め、Δｚ（ｘ、ｙ）の最大値をΔＺとする。離した後の水抑制領域４１１とＭＲＡ撮像位置の中心間距離Ｄｗ’は、Ｄｗ’＝Ｄｗ＋ΔＺとなる。
【００５９】
＜ステップＳ９１３＞
ステップＳ９１２で算出した水抑制領域とＭＲＡ撮像位置間の距離Ｄｗ’の妥当性を判断し、必要に応じて補正する。具体的には、予め定めた最大距離Ｄｗｍａｘを超えるか否かを判断し（Ｓ９１３−１）、最大距離以下であれば、ステップＳ９１２で算出した距離Ｄｗ’を水抑制領域とＭＲＡ撮像位置間の距離とし、水抑制領域の最適化処理を完了する。最大距離Ｄｗｍａｘは、水抑制領域とＭＲＡ撮像位置の距離が離れ過ぎると静脈の抑制効果が下がるので、システムが静脈抑制に許容される最大距離として保持しておく。距離Ｄｗ’がＤｗｍａｘ超える場合には、Ｄｗ’＝Ｄｗｍａｘとし（Ｓ９１３−２）、さらなる最適化のためのステップＳ９１４に進む。
【００６０】
＜ステップＳ９１４＞
まだＤｗ’＝Ｄｗｍａｘとした場合には、水抑制領域とＭＲＡ撮像位置が次式（３）で表されるΔｚだけ重畳している。
Δｚ＝（ΔＺ−Ｄｗｍａｘ＋Ｄｗ）      （３）
【００６１】
そこで、ΔＺ計測位置における水抑制領域のスライス厚（ThickW）を次式（４）で表されるΔThickだけ減少させる。
ΔThick＝２×Δｚ＝２（ΔＺ−Ｄｗｍａｘ＋Ｄｗ）      （４）
即ちThickW’＝ ThickW −ΔThickとする。
【００６２】
＜ステップＳ９１５＞
ステップＳ９１２で算出した水抑制領域のスライス厚ThickW’の妥当性を判断し、必要に応じて補正する。水抑制領域のスライス厚ThickWを薄くし過ぎた場合、静脈血が抑制されず、ＴＲ間に撮像領域内に流入する可能性がある。この場合、静脈血の抑制が不十分になるため診断能が低下する可能性がある。このため静脈血の速度やＴＲの情報をもとに静脈抑制に許容される値を算出し、最小距離ThickWminとして保持しておく。具体的には、ステップＳ９１４で算出したスライス厚ThickW’を、予め定めた値ThickWminと比較し（Ｓ９１５−１）、ThickW’がThickWminを超えていない場合は、水抑制領域の最適化を完了する。ThickW’がThickWminを超えていた場合は、ThickW’＝ThickWminとし（Ｓ９１５−２）、次のステップＳ９１６に進む。ステップＳ９１６に進む前に、「自動では調整しきれない」旨のメッセージなどを表示し（Ｓ９１９）、ステップＳ９１６に進んでもよいし、「調整しきれないがそれでも計測を実施するか」を確認し、実施する選択がされた場合は、水抑制領域の最適化を完了してもよい（点線で示す）。
【００６３】
＜ステップＳ９１６〜Ｓ９１８＞
スライス厚の変更でも不十分な場合は、抑制領域のアングルを自動的に変更することで水抑制領域を最適化する。例えば、水抑制領域４１１を設定された初期のアングルから所定の点、例えば領域中心４１１Ｃを中心として所定の角度（例えばΔα＝±３０[deg]）まで数[deg]刻みに回転させ、第Ｎスラブについて水抑制領域４１１がＭＲＡ撮像領域４００に重畳しないアングルが存在するか確認する（Ｓ９１６）。重畳しないアングルが複数存在した場合、変更したアングルの絶対値|Δα|が最小のアングルを設定する（Ｓ９１７）。存在しない場合、水抑制領域４１１と撮像領域４００が重畳する体積が最小となるアングルを設定する（Ｓ９１８）。なお、Δαの変更範囲は、±３０[deg]に限定されない。例えば、ステップＳ５０３で算出した歪み、周波数の等高線から最大傾きを算出し、それを変更範囲としてもよい。
【００６４】
この場合にも、水抑制領域４１１と撮像領域４００が重畳する領域が残った場合に、ステップＳ９１５−２と同様にメッセージ表示（Ｓ９１９）を行ってもよいし、アングル変更後の水抑制領域について、ステップＳ９１１〜Ｓ９１５の距離やスライス厚の最適化を行ってもよい。
上述した水抑制領域の最適化ステップは、繰り返し数Ｎｒが最大繰り返し回数Ｎｒｍａｘに達するまで演算を繰り返しても良い。
【００６５】
上述したステップにより水抑制領域の最適化が完了した後、脂肪抑制最適化ステップＳ９２０を実行する。以下、図１１を参照して、ステップＳ９２０の詳細を説明する。
【００６６】
＜ステップＳ９２１＞
まず第Ｎスラブについて脂肪抑制領域４１２がＭＲＡ撮像領域４００を内包しているか確認する。内包している場合は脂肪抑制領域の最適化を完了する。内包していない場合、ステップＳ９２２へ移る。
【００６７】
＜ステップＳ９２２＞
脂肪抑制領域と水抑制領域の相対距離ＤＦＷを変更した場合に、ＴＯＦ撮像領域が脂肪抑制領域に内包されるという条件（内包条件と言う）を満たす距離Ｄ’ＦＷがあるか否かを探索する（Ｓ９２２−１）。内包条件を満たす距離Ｄ’ＦＷが存在した場合、プリサチのスライス厚と印加時間（Ｄｕｒａｔｉｏｎ）は変更せずに相対距離がＤ’ＦＷとなるようプリサチのＴＢＷを変更する（Ｓ９２２−２）。この場合、プリサチの傾斜磁場強度が変化するので、Ｂ０不均一を加味した水抑制領域、脂肪抑制領域を再計算し、ステップＳ９１０に移り、繰り返し演算を行う（Ｓ９２２−３）。この際、演算時間を過度に延長しないように最大繰り返し回数Ｎｒｍａｘをシステムが保持しておき、演算繰り返し毎に繰り返し回数Ｎｒをカウントアップし、繰り返し数Ｎｒが最大繰り返し回数Ｎｒｍａｘに達するまで演算を繰り返しても良い。一方、内包される距離Ｄ’ＦＷが存在しない場合、ステップＳ９２３に移る。
【００６８】
＜ステップＳ９２３＞
マルチスラブ撮像を行う場合、一つのスラブでは、撮像領域の一部が内包条件を満たさないとしても、それに重複する隣接スラブがある場合には、内包条件を満たさないスラブの部分がその隣接スラブでは内包条件を満たす可能性がある。そこで本ステップでは、ステップＳ９２２において内包できていなかった領域が、ＭＲＡのスラブ間オーバーラップ領域かつ、隣接スラブで内包されているか確認する（Ｓ９２３−１）。ＭＲＡのスラブ間オーバーラップ領域かつ、隣接スラブで内包されている場合は、第Ｎスラブで内包できていない領域をシステム内に保持し、画像作成部２１３に通知して脂肪抑制領域の最適化を完了する（Ｓ９２３−２）。画像作成部２１３は、当該スラブの合成処理において、内包できていない領域を除外してスラブ間の合成処理を行う。
【００６９】
一方、スラブ間オーバーラップ領域かつ、隣接スラブで内包されていなかった場合は、ステップＳ９２４に移る。
【００７０】
＜ステップＳ９２４＞
第ｎスラブのスライス数Slice#NをΔSliceだけ減少させる（Ｓ９２４−１）。ΔSliceは、ステップＳ９２３において内包されていなかった領域に該当するスライス枚数とする。スライス数Slice#Nを減少させた場合、１スラブ当たりの厚みが減少し、撮像効率が低下する。そこで、ＭＲＡ撮像に許容される最小スラブ厚SlabThickminを設定し、比較しても良い（Ｓ９２４−２）。第ｎスラブのスラブ厚が最小スラブ厚SlabThickminより大きい場合は、脂肪抑制領域の最適化を完了する。最小スラブ厚SlabThickmin以下の場合、スライス数Slice#Nを、Slice#N’×ThickW＝SlabThickminとなるスライス数Slice#N’に変更する（Ｓ９２４−３）。スライス数の変更は、全スラブ中で最小のものを全スラブに適用してもよい。全スラブで共通とした場合、スラブ間のコントラストやＳＮＲの差が小さくなり、良好な画質を得ることができる。
【００７１】
また、スライス数が減少した場合、全スラブの撮像範囲が減少する。その場合、スラブ数を増加し、初期設定の全スラブ厚以下にならないようにする（Ｓ９２４−４）。
【００７２】
＜ステップＳ９２５＞
ステップＳ９２４までで解が見つからない場合は、僅かに脂肪抑制不良が出てしまう。本ステップで撮像領域に重畳する脂肪抑制領域が最大になるようにプリサチ位置を調整して脂肪抑制領域の最適化を終了する。
【００７３】
以上説明した水脂肪抑制領域及び脂肪抑制領域の最適化ステップＳ９１０、Ｓ９２０の後、パルスシーケンスを再計算し（Ｓ５０５）、撮像を実行すること（Ｓ５０６）は第一実施形態と同様である。
【００７４】
本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果に加え、ユーザーに煩雑な操作を要求することなく、プリサチュレーションの最適な条件を設定することができ、またユーザーの操作に要する時間が不要であるため、全体として検査時間を短縮することができる。
【００７５】
なお図１０では、領域の移動、スライス幅の変更、アングル変更を全て行う場合を示し、それぞれについて予め定めた移動量の最大値やスライス幅の最小値で制限を加える例を示したが、これらすべての処理を行う必要はなく、例えばアングル変更は省略するなど種々の変更があり得るし、処理の順序を入れ替えることも可能である。
【００７６】
また図１０および図１１のフローチャートでは、抑制領域の最適化を完全に自動化する場合について記載したが、各ステップの判断においてサジェスチョンをユーザーに通知し、対話形式でパラメータを決定しても良い。例えば、ステップＳ９２４では、ＭＲＡのスラブ間オーバーラップ領域でも隣接スラブでも内包条件を満たさない撮像領域の部分がある場合に自動でスラブ数を増加させたが、スラブ数を増加する前に図１２に示すようなスラブ数を増加するか判断する為のＵＩを表示して、ユーザーからの判断を受け付けても良い。なお、図１２の選択部１２０１を他の選択肢に切り替えた場合、位置決め画像上に表示する図８に示すような抑制領域を示すスタック４１１、４１２とＭＲＡ撮像領域４００を示す表示を、前記の選択を反映させて変更しても良い。なお、自動設定を中断した場合は第一実施形態と同様である。
【００７７】
［第三実施形態］
上述した第一実施形態及び第二実施形態は、Ｂ０マップを撮像部１００が計測することによって得たが、本実施形態では、予め取得しておいたＢ０マップを記憶部に格納しておく。歪み算出部２１７は、記憶部に格納されたＢ０マップを用いて抑制領域の歪みの算出を行う。
記憶部としては、演算部２０１を構成するＣＰＵに付属する内部或いは外部の記憶装置やクラウド等の本ＭＲＩ装置とは空間的に離れた媒体であってもよい。
【００７８】
また記憶部に格納されるＢ０マップは、例えば、人体モデルを用いて対象となるＭＲＩ装置で予め撮像することで得ることができる。また撮像部位毎に求めた最大Ｂ０歪み量（統計値）を用いてもよい。例えば、脳実質部分、耳や鼻腔が存在する構造が複雑な部位、などＢ０歪み量が特徴的である部分や部位について統計的に求めたＢ０の歪み量を保持しておく。
【００７９】
撮像部位毎の最大Ｂ０歪み量から水抑制領域と脂肪抑制領域を求めたずれ量の表示例を図１３に示す。例えば、プリサチ領域（水抑制領域）について、内部的に保持したＢ０歪み量が＋Ｘ[Hz]〜−Ｙ[Hz]であった場合、歪み量が０[Hz]の設定された通りであった場合の抑制領域１３０１、最大値＋Ｘ[Hz]であった場合の抑制領域１３０２、最小値−Ｙ[Hz]であった場合の抑制領域１３０３を表示する。各領域１３０１〜１３０３のＺ方向の幅は、各領域１３０２、１３０３のＺ方向端部（図では足側端部）の、領域１３０１端部からのずれ量１３０７、１３０８を次式で計算することにより、求められる。
ずれ量１３０７＝＋Ｘ／（γＧｓ）
ずれ量１３０８＝＋Ｙ／（γＧｓ）
【００８０】
なお、抑制領域の頭頂側と足側ではＢ０歪み量が異なっている場合もある。その場合は例えば、頭頂側の歪み量が０[Hz]の設定された通りであった場合の抑制領域１３０４、及び端部１３０５、１３０６については、それぞれ足側とは異なる値として表示してもよい。
【００８１】
こうして表示されるずれ量をもとに、撮像領域との関係で、水抑制領域及び抑制脂肪領域の最適化を図ることは第一実施形態又は第二実施形態と同様であるが、最大Ｂ０歪み量を用いる場合には、歪みはＺ方向の位置ずれだけであるので、位置移動とスライス厚の変更のみで最適化を図ることができる。また第二実施形態を適用する場合には、図１３に示すようなＵＩの表示は必須ではない。
【００８２】
一方、Ｂ０マップをモデルから取得した場合には、第一実施形態或いは第二実施形態と同様に、水抑制領域及び脂肪抑制領域の歪みを算出し、領域の最適化を行って撮像条件を変更する。
【００８３】
本実施形態によれば、システムが内部的に保持した、撮像部位毎の最大Ｂ０歪み量から水抑制領域と脂肪抑制領域を求めることで、パラメータの自由度が低下するものの、Ｂ０マップを実測する時間が短縮できる。
【００８４】
［第四実施形態］
第一実施形態〜第二実施形態では、Ｂ０の歪みに合わせて水と脂肪の抑制領域とＭＲＡ撮像領域を最適化したが、本実施形態では、各スラブを撮像する際に、水抑制領域と脂肪抑制領域の歪み量が最小になるようにＢ０を補正する。本実施形態の演算部は、図２に示す構成に加え、シム電流算出部が追加される。
【００８５】
本実施形態の動作の概要を図１４に示す。図１４において、図５或いは図９と同じ内容の処理は同一の符号で示し、重複する説明は省略する。
【００８６】
図示するように、本実施形態では、初期的なＢ０マップを取得し、さらにプリサチの条件を加えてプリサチＢ０マップを取得した後（Ｓ５０１〜Ｓ５０３）、各スラブ毎に、脂肪抑制領域が撮像領域を内包するようにＲＯＩを設定し、それぞれの領域のＢ０マップ最適化するシム電流を計算する。または、一旦ステップＳ５０２でＢ０マップを取得した後に、全領域のＢ０不均一を改善するためのシム電流値を計算し（Ｓ１４０２）、適用した後に、脂肪抑制領域が撮像領域を内包するＲＯＩで再度Ｂ０マップを取得する（Ｓ１４０３）。その後、第一実施形態或いは第二実施形態の手法を採用し、手動で或いは自動で抑制領域を最適化する撮像条件に変更する（Ｓ５０４又はＳ９０１以降）。
【００８７】
なおステップＳ１４０３で再度Ｂ０マップを取得してから、当該領域のＢ０不均一を改善するためのシム電流値を計算しても良い。この場合、シム撮像の時間だけ撮像時間が延長するものの、より歪みの小さい良好な画像が得られる。
【００８８】
本実施形態では、スラブ毎にシム電流値を切り替える構成や、シム電流値が安定するまで僅かに時間を空ける必要があるものの、各スラブの歪みを最適化できるため、設定可能な条件に余裕ができる。これにより、撮像時間の短縮が見込める。
【００８９】
なお本実施形態によるＢ０シムのための再撮像（Ｓ１４０２、Ｓ１４０３）は、初めから実施しても良いし、第一実施形態や第二実施形態において最適な条件が見つからなかった場合に、自動または手動で実行しても良い。
【００９０】
以上説明したように、実施形態のＭＲＩ装置は、実測した或いは予め取得したＢ０マップを用いて、撮像対象の領域（全体或いはその部分）について、設定されたプリサチュレーションの撮像条件におけるＢ０マップの歪みを算出する。そして、この歪みに基いて、例えば、ユーザーが水抑制領域や脂肪抑制領域を最適化するための撮像条件の変更を入力するための情報を提示し、ユーザーからの変更を受け付けて最適化したプリサチュレーションの撮像条件で撮像を行う。或いは、Ｂ０マップの歪みに基いて、装置が自動で或いは半自動で、最適な撮像条件を算出し、ユーザーに必要なサジェスチョンを与える。
【００９１】
さらに歪みに基いて、領域毎にシミングするためのシム電流値を算出し、適用する。
これにより安定した抑制効果が得られる。またそのために有用且つ利便性の良い情報や入力手段がユーザーに提供される。
【符号の説明】
【００９２】
１００：撮像部、１０１：被検体、１０２：静磁場磁石、１０３：傾斜磁場コイル、１０４：ＲＦコイル、１０５：ＲＦプローブ、１０６：受信部、１０７：信号処理部、１０８：ベッド、１０９：傾斜磁場電源、１１０：送信部、２００：制御・演算部、２０１：演算部、２０３：表示部、２０５：入力部、２１１：撮像制御部、２１３：画像作成部、２１５：表示制御部、２１７：歪み算出部、３１０：プリパルス部、３１１：ＲＦパルス、３１２：傾斜磁場パルス、３２０：本計測部、３２１：ＲＦパルス、３２２：スライス選択傾斜磁場、３２３：スライスエンコード傾斜磁場、３２４：位相エンコード傾斜磁場、３２５：読出し傾斜磁場、３２６：エコー信号、４００：撮像領域、４０１：水抑制領域（プリサチ領域）、４０２：脂肪抑制領域、４１１：水抑制領域、４１２：脂肪抑制領域、４０６〜４０８：周波数の等高線、８０２〜８０５：マーク（ＵＩ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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