(57)【要約】【課題】フレキシブルプリント配線基板の信頼性を向上させながら配線構造を高密度化するのに有利な技術を提供する。【解決手段】フレキシブルプリント配線基板は、可撓性の基材と、前記基材上に配された配線パターンと、前記基材内に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続されたビアと、を備えるフレキシブルプリント配線基板であって、前記配線パターンは、少なくとも０．７以上のアスペクト比で形成されている。【選択図】図６
2019102816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性の基材と、
前記基材上に配された配線パターンと、
前記基材内に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続されたビアと、
を備えるフレキシブルプリント配線基板であって、
前記配線パターンは、少なくとも０．７以上のアスペクト比で形成されている
ことを特徴とするフレキシブルプリント配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンの延在方向に対して垂直な面での断面において、前記配線パターンの水平方向の幅は下方側から上方側に向かって大きくなり且つ前記配線パターンの側面の傾斜角をθとしたとき、９０°＜θ＜１０５°を形成する部分を含む
ことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンの側面の前記部分は凸状に湾曲している
ことを特徴とする請求項２に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項４】
更に９０°＜θ≦１００°が成立する
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項５】
前記配線パターンは、２μｍ〜５０μｍの範囲内の幅かつ６μｍ〜３５μｍの範囲内の高さで形成されている
ことを特徴とする請求項２から請求項４の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項６】
前記断面において、前記配線パターンの下面から上面までの高さをＨとし、前記配線パターンの下面の端から上面の端までの水平方向の距離をＤとしたときに、Ｈ／Ｄ≧５が成立する
ことを特徴とする請求項２から請求項５の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項７】
更にＨ／Ｄ≧１０が成立する
ことを特徴とする請求項６に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項８】
前記ビアは、設けられた金属柱を含み、
前記配線パターンは、前記金属柱に対して前記金属柱の上方から接続された部分を含む
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項９】
前記金属柱と前記配線パターンの前記部分との間には境界面が形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１０】
前記ビアは、前記基材の上面より下方から該上面より上方まで一体に延びて設けられた金属柱を含み、
前記配線パターンは、前記金属柱の上部である柱上部に対して前記柱上部の側方から接続されている、
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１１】
前記配線パターンは、その一部として、前記柱上部に対して前記柱上部の側方から一体に接続された金属パターンを含む
ことを特徴とする請求項１０に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１２】
前記配線パターンは、前記金属パターンを第１金属パターンとして、前記第１金属パターンの下地層である第２金属パターンを更に含んでおり、
前記金属柱は、前記第１金属パターンと前記第２金属パターンとの境界面より下方から該境界面より上方まで一体に延びて設けられている
ことを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１３】
前記第１金属パターンは前記第２金属パターンと同一材料で構成されている
ことを特徴とする請求項１２に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１４】
前記ビアは、前記金属柱の側面を覆う金属膜を更に含んでおり、
前記金属膜は、前記第２金属パターンと同一材料で構成されている
ことを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１５】
前記配線パターンを第１配線パターンとして、前記基材の下面に配された第２配線パターンを更に備えており、
前記ビアは、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンとを電気的に接続している
ことを特徴とする請求項１から請求項１４の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５の何れか１項に記載のフレキシブルプリント配線基板と、
前記フレキシブルプリント配線基板が接続された電子部品と、を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主にフレキシブルプリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器のなかには、複数の電子部品と、それらを接続するフレキシブルプリント配線基板とを備えるものがあり、このような構成により電子部品間の電気的な通信が可能となっている。フレキシブルプリント配線基板は、例えば、樹脂等で構成された可撓性の基材、該基材内に設けられた配線パターン、ビア等を備える（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
個々の電子部品の多機能化およびそれに伴う端子数の増大に対応して、フレキシブルプリント配線基板の配線パターン、ビア等により形成される配線構造が高密度化することが考えられる。よって、このようなフレキシブルプリント配線基板を、その信頼性を向上させながら実現する技術が求められる。
【０００５】
本発明は、フレキシブルプリント配線基板の信頼性を向上させながら配線構造を高密度化するのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面はフレキシブルプリント配線基板にかかり、前記フレキシブルプリント配線基板は、可撓性の基材と、前記基材上に配された配線パターンと、前記基材内に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続されたビアと、を備えるフレキシブルプリント配線基板であって、前記配線パターンは、少なくとも０．７以上のアスペクト比で形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、フレキシブルプリント配線基板の信頼性を向上させながら配線構造を高密度化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の例を説明するための断面図である。
【図２】実施形態に係るプリント配線基板の配線構造の例を説明するための断面斜視図である。
【図３】実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の例を説明するための断面図である。
【図４】実施形態に係るプリント配線基板の配線構造の例を説明するための断面斜視図である。
【図５】実施形態に係るプリント配線基板の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
【図６】配線構造の断面形状を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載された模式図に過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１（Ａ）〜図１（Ｍ）は、第１実施形態に係る可撓性のプリント配線基板（フレキシブルプリント配線基板）の製造方法における各工程の態様を示す断面図である。
【００１１】
図１（Ａ）の工程では、基板ＳＢ１を準備する。基板ＳＢ１は、基材１００、金属膜２０１Ｍおよび金属膜２０２Ｍを含む。基材１００は、プリント配線基板のベースとなる可撓性の絶縁材料（例えばポリイミド等の樹脂材料）で構成される。基材１００は、板材、母材等と表現されてもよい。金属膜２０１Ｍは、基材１００の上面を覆うように設けられる。また、金属膜２０２Ｍは、基材１００の下面を覆うように設けられる。これら金属膜２０１Ｍ及び２０２Ｍには、本実施形態では銅が用いられるものとするが、他の金属材料が用いられてもよい。この工程は、基材１００に対して金属膜２０１Ｍ及び２０２Ｍを公知の成膜法で形成することで行われてもよいし、他の方法で行われてもよい。
【００１２】
尚、本明細書において、上面／下面、上／下等の表現は、相対的な位置関係を示すものとして用いられ、ここでは図中の上下方向（基材１００の面方向に対して垂直な方向。）での位置関係に基づいて示される。また、この上下方向と直交する方向は水平方向（面方向）に対応し、本明細書において、この方向での相対的な位置関係を側方と表現する場合がある。
【００１３】
図１（Ｂ）の工程では、基板ＳＢ１に対してレーザを用いてエッチングを行い、基材１００の一部と金属膜２０１Ｍの一部とを除去して開口ＯＰ１を形成する。エッチング用レーザとしては、ＵＶレーザ、ＣＯ２レーザ等、公知のものが用いられればよい。開口ＯＰ１は、本実施形態では金属膜２０２Ｍの上面が露出するように形成される。本実施形態では複数の開口ＯＰ１が形成されるものとするが、開口ＯＰ１の数は１つでもよい。
【００１４】
図１（Ｃ）の工程では、図１（Ｂ）の工程で得られた基板ＳＢ１（説明の容易化のため、各工程での処理結果として得られる構造についても「基板ＳＢ１」と表現する。以下、他の工程についても同様。）に無電解めっき法により金属膜２０３Ｍ及び２０４Ｍを形成する。本実施形態では金属膜２０３Ｍ及び２０４Ｍとして銅めっきを形成する。金属膜２０３Ｍは基板ＳＢ１の上面側に形成され、また、金属膜２０４Ｍは基板ＳＢ１の下面側に形成される。
【００１５】
図１（Ｄ）の工程では、図１（Ｃ）の工程で得られた基板ＳＢ１の下面に保護膜９０１を形成する。保護膜９０１は、後述の電解めっき法での成膜を規制するのに用いられる。保護膜９０１は、公知の塗布法により形成されればよい。
【００１６】
図１（Ｅ）の工程では、図１（Ｄ）の工程で得られた基板ＳＢ１に電解めっき法により金属部材２０５Ｍを形成する。本実施形態では金属部材２０５Ｍとして銅めっきを形成する。本工程において金属膜２０３Ｍはシード層として作用し、金属部材２０５Ｍは、金属膜２０３Ｍを覆い且つ開口ＯＰ１を埋めるように、基板ＳＢ１上に形成される。尚、基板ＳＢ１の下側には保護膜９０１が設けられており、よって、該下側には金属部材（銅めっき）は形成されない。
【００１７】
図１（Ｆ）の工程では、図１（Ｅ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して金属部材２０５Ｍのエッチングを行い、金属膜２０３Ｍの上面が露出した際に該エッチングを停止する。これにより、開口ＯＰ１を埋めている金属部材２０５Ｍの一部を残しつつ他の部分を除去する。開口ＯＰ１を埋めている上記一部を金属柱２０５とする。この工程は、エッチダウン等とも称され、公知のエッチダウン装置を用いて行われればよい。
【００１８】
図１（Ｇ）の工程では、図１（Ｆ）の工程で得られた基板ＳＢ１から保護膜９０１を除去する。この工程は公知の剥離剤を用いて行われればよい。
【００１９】
図１（Ｈ）の工程では、図１（Ｇ）の工程で得られた基板ＳＢ１の上側および下側に、感光性のドライフィルムレジスト９０２Ｍ及び９０３Ｍをそれぞれ形成する。この工程は公知の圧着装置を用いて行われればよい。尚、本実施形態では、ドライフィルムレジスト９０２Ｍ及び９０３Ｍは何れもポジ型とするが、他の例として、これらの一方／双方にネガ型が用いられてもよい。
【００２０】
図１（Ｉ）の工程では、図１（Ｈ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して露光処理を行い、ドライフィルムレジスト９０２Ｍ及び９０３Ｍの除去対象部分を露光する。本実施形態では、ドライフィルムレジスト９０２Ｍのうち、後に配線パターンが形成されるべき部分、金属柱２０５の上方に位置する部分等が露光され、該露光された部分は図中において露光部分９０２Ｍ’として示される。同様に、ドライフィルムレジスト９０３Ｍのうち、後に配線パターンが形成されるべき部分、金属柱２０５の下方に位置する部分等が露光され、該露光された部分は図中において露光部分９０３Ｍ’として示される。
【００２１】
図１（Ｊ）の工程では、図１（Ｉ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して現像処理を行って露光部分９０２Ｍ’及び９０３Ｍ’を除去し、これによりレジストパターン９０２及び９０３を形成する。レジストパターン９０２は、露光部分９０２Ｍ’が存在していた領域に開口ＯＰ２を有する形となる。また、レジストパターン９０３は、露光部分９０３Ｍ’が存在していた領域に開口ＯＰ３を有する形となる。
【００２２】
図１（Ｋ）の工程では、図１（Ｊ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して電解めっき法により金属パターン２１２及び２１３を形成する。本実施形態では金属パターン２１２及び２１３として銅めっきを形成する。本工程において金属膜２０３Ｍおよび金属柱２０５はシード層として作用し、基板ＳＢ１の上側において、金属パターン２１２は開口ＯＰ２を埋めるように形成される。また、本工程において金属膜２０４Ｍはシード層として作用し、基板ＳＢ１の下側において、金属パターン２１３は開口ＯＰ３を埋めるように形成される。
【００２３】
図１（Ｌ）の工程では、図１（Ｋ）の工程で得られた基板ＳＢ１からレジストパターン９０２及び９０３を除去する。この工程は公知の剥離剤を用いて行われればよい。
【００２４】
図１（Ｍ）の工程では、図１（Ｌ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対してエッチングを行い、金属膜２０１Ｍ〜２０４Ｍの一部を除去して金属パターン２０１〜２０４を形成する。ここでは、金属膜２０１Ｍ〜２０４Ｍのうち、金属パターン２１２又は２１３により覆われていない部分がフラッシュエッチングで除去される。
【００２５】
詳細については後述とするが、以上のような製造方法によれば、可撓性のプリント配線基板（フレキシブルプリント配線基板）を、比較的高いアスペクト比の配線パターンを備えるように製造可能となる。
【００２６】
尚、基板（或いは基台）上に所望のパターンを形成する典型的な方法として、サブトラクティブ法およびアディティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法は、対象の部材を基板上に一様に形成した後に該部材を部分的に除去して（パターニングして）所望のパターンにする方法である。アディティブ法は、所望のパターンが形成されるべき領域を露出するレジストパターンを基板上に予め形成しておいて、該露出された領域に部材を形成して所望のパターンを形成する方法である。これに対して、図１（Ａ）〜図１（Ｍ）に基づく上記製造方法は、セミアディティブ法と称され、サブトラクティブ法およびアディティブ法から区別されうる。
【００２７】
図２は、上記製造方法で得られたプリント配線基板における配線構造ＳＴ０についての斜視図である。ここでは、図を見やすくするため基材１００を不図示とし、金属パターン２０１等（２０１〜２０５、２１２及び２１３）でそれぞれ形成される第１配線パターンＭ１、第２配線パターンＭ２およびビアＶ１を、配線構造ＳＴ０として示す。
【００２８】
換言すると、本実施形態に係るプリント配線基板は配線構造ＳＴ０を備える。配線構造ＳＴ０は、基材１００の上面Ｆ１に配された第１配線パターンＭ１と、基材１００の下面Ｆ２に配された第２配線パターンＭ２と、基材１００を貫通して配線パターンＭ１及びＭ２を電気的に接続するビアＶ１とを含む。尚、面Ｆ１は、上面の代わりに表面、主面等と表現されてもよいし、また、面Ｆ２は、下面の代わりに裏面、底面等と表現されてもよい。
【００２９】
ここで説明の容易化のため、金属パターン２０３のうち、水平方向に延在してラインパターンを形成している部分を金属パターン２０３Ａとし、金属柱２０５の側面および下面（底面）を覆っている部分を金属膜２０３Bとして区別する。また、金属パターン２１２のうち、金属パターン２０３Ａの上に位置する部分を金属パターン２１２Ａとし、金属柱２０５および金属膜２０３Bの上に位置する部分を金属パターン２１２Bとして区別する。
【００３０】
前述の図１（Ｍ）の工程（フラッシュエッチング）等からも分かるように、金属パターン２１２Ａの下地層として金属パターン２０３Ａが形成されており、金属パターン２０３Ａの下地層として金属パターン２０１が形成されている形となる。よって、金属パターン２０１、２０３Ａ及び２１２Ａの外形は平面視において（上下方向での視点で）互いに略一致する。
【００３１】
また、図１（Ｃ）、図１（Ｍ）等の工程から分かるように、金属パターン２０３Ａの形成と共に、金属柱２０５の側面および下面を覆う形で金属膜２０３Ｂが形成される。よって、金属パターン２０３Ａと金属膜２０３Ｂとは、互いに同一材料で構成され、且つ、一体に接続されている。
【００３２】
尚、金属膜２０３Ｂの上端部（平面視における周縁部）下方には金属膜２０１Ｍの一部が残りうるが、この一部が残らないように図１（Ｍ）の工程が行われ、それを実現可能に図１（Ｉ）の工程において露光部分９０２Ｍ’が形成されてもよい。
【００３３】
上記金属パターン２０１、２０３Ａ及び２１２Ａ同様、金属パターン２１３の下地層として金属パターン２０４が形成され、金属パターン２０４の下地層として金属パターン２０２が形成され、また、それらの外形は平面視において互いに略一致する。
【００３４】
尚、上記金属パターン２０１等の形状は本実施形態で示されたものに限られない。例えば、金属柱２０５は、ここでは略円柱形状で描かれているが、四角柱等、多角形の柱状で形成されてもよい。また、例えば、金属パターン２１２Bは、ここでは平面視で略円形となるよう描かれているが、矩形等、多角形で形成されてもよい。
【００３５】
ビアＶ１は、金属柱２０５および金属膜２０３Ｂを含んで成り、配線パターンＭ１及びＭ２間を接続するように上下方向に延びて設けられている（延設されている。）。
【００３６】
第１配線パターンＭ１は、金属パターン２０１、２０３Ａ及び２１２を含んで成る。金属パターン２０１、２０３Ａ及び２１２Ａは、面Ｆ１側から順に積層されて成り、それらの外形は平面視において略一致する（図１（Ｍ）、図２参照）。また、金属パターン２１２Ｂは、金属パターン２１２Ａと一体に接続され、金属柱２０５の上方において金属パターン２１２Ａより幅広に設けられる。第１配線パターンＭ１の観点では、金属パターン２１２Ｂが金属柱２０５の上面に接触して金属柱２０５に対して上方から接続されることにより、第１配線パターンＭ１及びビアＶ１が互いに電気的に接続されている。尚、第１配線パターンＭ１は、金属柱２０５が形成された後（図１（Ｆ）参照）、この金属柱２０５上に形成されるため、比較的簡便な方法で平坦に形成されうる（図１（Ｋ）参照）。
【００３７】
第２配線パターンＭ２は、面Ｆ２側から順に金属パターン２０２、２０４及び２１３が積層されて成り、それらの外形は平面視において略一致する（図１（Ｍ）、図２参照）。第２配線パターンＭ２は、金属柱２０５の下面まで延設されて該下面で幅広に設けられる。そして、第２配線パターンＭ２は、金属膜２０３Ｂのうち金属柱２０５の下面を覆っている部分と接触し、これにより、第２配線パターンＭ２及びビアＶ１は互いに電気的に接続される。
【００３８】
尚、図２から分かるように、金属膜２０３Ｂの上端面を面Ｆ３としたとき、金属柱２０５と金属パターン２１２Ｂとの間には、面Ｆ３と同一平面上に境界面が形成されている。このことは、詳細については後述とするが、金属柱２０５と金属パターン２１２Ｂとが個別に形成されたこと、即ちそれらの形成工程が互いに異なること、に起因する。この境界面は電子顕微鏡等で観察可能である。
【００３９】
本実施形態の製造方法は公知の製造技術を用いて実現可能である。図１（Ｍ）の工程で得られた基板ＳＢ１は、その後、配線パターンＭ１及びＭ２を覆うように所定の絶縁材料でコーティングされ、更に次の工程を行う処理装置に移載される。
【００４０】
尚、配線構造ＳＴ０を形成する金属パターン２０１等の材料として、ここでは銅が例示されたが、他の例として金、銀等の金属あるいは合金が用いられてもよい。
【００４１】
ところで、配線構造ＳＴ０の高密度化に伴って、プリント配線基板の配線パターンＭ１及びＭ２の狭幅化ないし狭ピッチ化が求められる。第１配線パターンＭ１は（第２配線パターンＭ２も同様であるが）、狭幅化に伴う高抵抗化を抑制するため、比較的高いアスペクト比（ここでは配線高さを配線幅で除した比率）で形成されうる。
【００４２】
例えば、配線パターンＭ１の幅は、好適には５０μｍ以下、より好適には３０μｍ以下、更に好適には１０μｍ以下である。また、配線パターンＭ１が複数並行に形成される場合には、該複数の配線パターンＭ１は、それらのピッチが同様の値（好適には５０μｍ以下、より好適には３０μｍ以下、更に好適には１０μｍ以下）となるように形成される。このとき、配線パターンＭ１の高さは、好適には６μｍ以上、より好適には１０μｍ以上、更に好適には２０μｍ以上である。アスペクト比の観点では、少なくとも０．７以上、好適には１．０以上、より好適には２．０以上のアスペクト比が実現される。本実施形態に係る配線構造ＳＴ０においては、配線パターンＭ１及びＭ２は、何れも２μｍ〜５０μｍの範囲内の幅かつ６μｍ〜３５μｍの範囲内の高さで形成されうる。
【００４３】
本実施形態によれば、配線パターンＭ１及びＭ２を略垂直に形成可能であり、アスペクト比の比較的高い配線パターンＭ１及びＭ２を形成するのに有利である。このことを、以下、図６（Ａ１）等を参照しながら詳細に説明する。図６（Ａ１）、図６（Ａ２）及び図６（Ａ３）は、それぞれ、図１（Ｊ）、図１（Ｋ）及び図１（Ｌ）の工程相当の配線パターンの形状を説明するための模式図である。
【００４４】
図６（Ａ１）の工程では、基板６１上に形成されたレジスト部材を露光処理および現像処理によりパターニングすることでフォトレジストパターン６２を形成する。よって、一般に、フォトレジストパターン６２は、側面が傾斜し且つ凹状に湾曲した形状で形成されうる。そして、このフォトレジストパターン６２の側面および下面の間の角（内角）θ６２は、少なくとも鈍角になることはなく、例えば７５°＜θ６２＜９０°の範囲内となりうる。図６（Ａ２）の工程では、フォトレジストパターン６２が有する開口を埋めるように配線パターン６３が形成される。このとき、この配線パターン６３の側面はフォトレジストパターン６２の側面に従って形成される。その後、図６（Ａ３）の工程でフォトレジストパターン６２は除去される。
【００４５】
このような形成方法によれば、配線パターン６３は、フォトレジストパターン６２の形状に従って形成され、側面が凸状に湾曲した形状で形成され、また、側面および下面の間の角θ６３を９０°＜θ６３＜１０５°の範囲内とすることが可能となる。尚、角θ６３は、配線パターン６３の側面の傾斜角と称されてもよい。
【００４６】
一方、参考例として、図６（Ｂ１）、図６（Ｂ２）及び図６（Ｂ３）は、基板６１上に形成された金属部材６４’に対してパターニングを行って配線パターン６４を形成する場合について、その配線パターン６４の形状を説明するための模式図を示す。
【００４７】
図６（Ｂ１）の工程では、基板６１上に形成された金属部材６４’の上に、フォトレジストパターン６５を形成する。図６（Ｂ２）の工程では、このフォトレジストパターン６５をマスクとして用いて金属部材６４’に対してエッチングを行う。これにより、金属部材６４’のうちの露出部分（フォトレジストパターン６５により覆われていない部分）が除去され、配線パターン６４が形成される。その後、図６（Ｂ３）の工程でフォトレジストパターン６５は除去される。
【００４８】
ここで、図６（Ｂ２）の工程では、金属部材６４’のエッチングは一般に垂直方向（図中の下方向）だけでなく水平方向にも進行する。そのため、金属部材６４’のうちの上側の部分は、下側の部分に比べて、水平方向のエッチング量が大きくなりうる。よって、これにより形成される配線パターン６４について、側面および下面の間の角θ６４は少なくとも鋭角（例えば７０°＜θ６４＜９０°程度あるいはθ６４≦７０°）となり、また、この側面は凹状に湾曲した形状となる。この参考例では、垂直方向のエッチング量を水平方向のエッチング量で除して得られるエッチング精度の評価値（いわゆるエッチングファクタ）は、３．５程度である（θ６４＝７４°程度）。このことは、配線パターン６４の高さ（厚さ）が大きくなると顕著になり、配線構造の高密度化が困難になる原因となる場合がある。尚、角θ６４は、配線パターン６４の側面の傾斜角と称されてもよい。
【００４９】
まとめると、図６（Ｂ１）〜図６（Ｂ３）の工程（参考例に対応）で得られる配線パターン６４の側面の形状は、金属部材６４’のエッチングによるパターニング精度、主にエッチング液／ガスの指向性、に依存する。これに対し、図６（Ａ１）〜図６（Ａ３）の工程（本実施形態に対応）で得られる配線パターン６３の側面の形状は、レジストパターン６２の形状に依存し、即ち、レジスト部材の露光処理および現像処理によるパターニング精度、主に露光光の指向性、に依存する。よって、一般に、参考例に対応する配線パターン６４は、側面が凹状に湾曲し且つ比較的傾斜した形状で形成されるのに対し、本実施形態に対応する配線パターン６３は、側面が凸状に湾曲し且つ比較的垂直な形状で形成されうる。参考例に対応する配線パターン６４の側面の傾斜角θ６４と、本実施形態に対応する配線パターン６３の側面の傾斜角θ６３と、を比較すると、｜θ６３−９０°｜＜｜θ６４−９０°｜が成立する。即ち、図６（Ａ１）〜図６（Ａ３）の方法で得られる配線パターン６３の方が、より垂直に形成可能であり、よって、アスペクト比を比較的大きく／配線高さを比較的大きくするのに有利といえる。
【００５０】
上記図６（Ａ１）〜図６（Ａ３）の方法は前述のアディティブ法に対応し、上記図６（Ｂ１）〜図６（Ｂ３）の方法は前述のサブトラクティブ法に対応する。本実施形態（即ち、金属膜２０３Ｍをシード層として電解めっき法を行うセミアディティブ法）においては、上記図６（Ａ１）〜図６（Ａ３）同様あるいはそれ以上のアスペクト比を実現可能と云える。
【００５１】
再び図２を参照すると、第１配線パターンＭ１の拡大断面図からも分かるように、本実施形態によれば、第１配線パターンＭ１を略垂直に形成可能となる。前述のとおり、本実施形態では、図１（Ｍ）の工程のフラッシュエッチングにより金属膜２０１Ｍ及び２０３Ｍをパターニングして金属パターン２０１及び２０３を形成する。金属膜２０１Ｍ及び２０３Ｍの膜厚は比較的小さく、例えば数［μｍ］程度であるため、金属パターン２０１及び２０３の側面は略垂直である（実質的に傾斜していない。）。よって、配線パターンＭ１は、その側面の少なくとも一部（本実施形態では大部分）が面Ｆ１との間で成す角（傾斜角）θが９０°＜θ＜１０５°を満たす形となる。この傾斜角θは、図２の拡大断面図に示されるように、配線パターンＭ１の側面における任意の点から上方に向かう接線方向と、その点から配線パターンＭ１の内側に向かう水平方向と、が成す角で与えられる。換言すると、配線パターンＭ１は、水平方向の幅は下方側から上方側に向かって大きくなっており、その側面は、傾斜角θが９０°＜θ＜１０５°となる範囲で逆テーパー状となっている。
【００５２】
ここで、上述のエッチングファクタに相当するパターニング精度の評価方法として、例えば、配線パターンＭ１の下面から上面までの高さをＨとし、配線パターンＭ１の下面の端から上面の端までの水平方向の距離をＤとする。このとき、Ｈ／Ｄ≧５（θ＝１０１°程度）が成立するとよい。より好適には、Ｈ／Ｄ≧１０（θ＝９６°程度）が成立するとよく、傾斜角θの観点では、９０°＜θ≦１００°を満たすと更によい。更に好適には、Ｈ／Ｄ≧１５（θ＝９４°程度）が成立するとよく、傾斜角θの観点では、９０°＜θ≦９５°を満たすと更によい。
【００５３】
尚、上記傾斜角θやＨ／Ｄを用いた上述の議論は、配線パターンＭ１の延在方向に対して垂直な任意の面での断面について同様であり、また、金属柱２０５の中心を通る金属パターン２１２Ｂの断面についても同様である。また、第２配線パターンＭ２についても同様のことがいえる。
【００５４】
以上、本実施形態によれば、アスペクト比の比較的大きい／配線高さの比較的大きい配線パターンＭ１を形成する際に特に有利であり、これにより、配線パターンＭ１の高抵抗化を抑制可能となる。
【００５５】
本実施形態に係る可撓性のプリント配線基板（フレキシブルプリント配線基板）は２以上の電子部品を接続するのに用いられ、本実施形態は、これらを備える電子機器に好適に適用可能である。例えば、電子部品の一例としてＢＧＡパッケージ、ＱＦＰパッケージ等の半導体パッケージをＦＰＣ上に搭載して、いわゆるＣＯＦ（チップオンフィルム）とすることも可能である。このことは後述の実施形態についても同様である。
【００５６】
（第２実施形態）
図３（Ａ）〜図３（Ｉ）は、第２実施形態に係るプリント配線基板の製造方法における各工程の態様を示す断面図である。本実施形態に係る製造方法は、前述の第１実施形態同様、公知の製造技術を用いて実現可能である。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）の各工程については、第１実施形態の図１（Ａ）〜図１（Ｃ）の工程同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５７】
図３（Ｄ）の工程では、図３（Ｃ）の工程で得られた基板ＳＢ１の上側および下側にドライフィルムレジスト９０２Ｍ及び９０３Ｍをそれぞれ形成する。この工程は図１（Ｈ）同様の手順で行われればよい。尚、ドライフィルムレジスト９０２Ｍは開口ＯＰ１が充填され又は開口ＯＰ１内が封止されるように形成されればよく、開口ＯＰ１内がドライフィルムレジスト９０２Ｍで完全に充填される必要はない。
【００５８】
図３（Ｅ）の工程では、図３（Ｄ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して露光処理を行い、ドライフィルムレジスト９０２Ｍ及び９０３Ｍの除去対象の部分を露光して露光部分９０２Ｍ’と露光部分９０３Ｍ’とを形成する。この工程は図１（Ｉ）同様の手順で行われればよい。ここで、露光部分９０２Ｍ’のうち開口ＯＰ１を埋めている部分については、後述の現像処理により適切に除去されるように開口ＯＰ１内まで充分に露光されるとよい。
【００５９】
図３（Ｆ）の工程では、図３（Ｅ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して現像処理を行って露光部分９０２Ｍ’及び９０３Ｍ’を除去し、これによりレジストパターン９０２及び９０３を形成する。この工程は図１（Ｊ）同様の手順で行われればよい。レジストパターン９０２は、露光部分９０２Ｍ’が存在していた領域に開口ＯＰ１２を有する形となる。また、レジストパターン９０３は、露光部分９０３Ｍ’が存在していた領域に開口ＯＰ１３を有する形となる。
【００６０】
図３（Ｇ）の工程では、図３（Ｆ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対して、電解めっき法により金属パターン２２２及び２２３を形成する。この工程は図１（Ｋ）同様の手順で行われればよく、金属パターン２２２及び２２３として銅めっきを形成する。金属パターン２２２は、基板ＳＢ１の上側において開口ＯＰ１２を埋めるように形成される。また、金属パターン２２３は、基板ＳＢ１の下側において開口ＯＰ１３を埋めるように形成される。
【００６１】
図３（Ｈ）の工程では、図３（Ｇ）の工程で得られた基板ＳＢ１からレジストパターン９０２及び９０３を除去する。この工程は図１（Ｌ）同様の手順で行われればよい。
【００６２】
図３（Ｉ）の工程では、図３（Ｈ）の工程で得られた基板ＳＢ１に対してエッチング（フラッシュエッチング）を行い、金属膜２０１Ｍ〜２０４Ｍのうち、金属パターン２２２又は金属パターン２２３により覆われていない部分を除去する。これにより、金属パターン２０１〜２０４が形成される。この工程は図１（Ｍ）同様の手順で行われればよい。
【００６３】
図４は、上記製造方法で得られたプリント配線基板における配線構造ＳＴ１についての斜視図を示す。第１実施形態同様、金属パターン２０１等でそれぞれ形成される第１配線パターンＭ１、第２配線パターンＭ２およびビアＶ１を、配線構造ＳＴ１として示す。本実施形態は、主に、第１配線パターンＭ１の一部とビアＶ１の一部とが一体に設けられている、という点で第１実施形態と異なる。
【００６４】
ここで、本明細書でいう「一体」とは単一の部材で一体成形されて成る態様をいう。そのため、２つの部分が一体の場合、それらの間には境界面は見られない。この境界面は電子顕微鏡等で観察可能であるため、仮に２つの部分に同一材料が用いられたとしても、それらが互いに異なる工程で個別に形成された場合、一般に、それらの間には境界面が形成される。
【００６５】
ここで説明の容易化のため、金属パターン２２２のうち、金属パターン２０３Ａの上に位置する部分を金属パターン２２２Ａとし、金属膜２０３Bに取り囲まれ且つ上下方向に延設された部分を金属柱２２２Bとして区別する。尚、金属パターン２０３Ａおよび金属膜２０３Bについては第１実施形態同様である。
【００６６】
前述の図３（Ｉ）の工程（フラッシュエッチング）等からも分かるように、金属パターン２２２Ａの下地層として金属パターン２０３Ａが形成されており、金属パターン２０３Ａの下地層として金属パターン２０１が形成されている形となる。よって、第１実施形態同様、金属パターン２０１、２０３Ａ及び２２２Ａの外形は平面視において互いに略一致する。また、第１実施形態同様、金属パターン２０３Ａの形成と共に金属膜２０３Ｂが形成され（図３（Ｃ）、図３（Ｉ）等参照）、金属膜２０３Ｂは金属パターン２０３Ａと同一材料で構成される。
【００６７】
上記金属パターン２０１、２０３Ａ及び２２２Ａ同様、金属パターン２２３の下地層として金属パターン２０４が形成され、金属パターン２０４の下地層として金属パターン２０２が形成され、また、それらの外形は平面視において互いに略一致する。
【００６８】
本実施形態では、ビアＶ１は、金属柱２２２Ｂおよび金属膜２０３Bを含んで成る。第１配線パターンＭ１は、面Ｆ１側から順に積層された金属パターン２０１、２０３Ａ及び２２２Ａを含んで成る。また、第２配線パターンＭ２は、面Ｆ２側から順に積層された金属パターン２０２、２０４及び２２３を含んで成る。
【００６９】
前述の第１実施形態（配線構造ＳＴ０）との関係では（図１（Ｍ）、図２等参照）、本実施形態の金属パターン２２２Ａは、第１実施形態の金属パターン２１２のうちの金属パターン２０１及び２０３の直上の部分２１２Ａに対応する。また、本実施形態の金属パターン２２３は、第１実施形態の金属パターン２１３に対応する。一方、本実施形態の金属柱２２２Ｂは、第１実施形態の金属柱２０５に対応すると共に、第１実施形態の金属パターン２１２のうち金属柱２０５の直上の部分２１２Ｂに対応する。即ち、本実施形態の金属柱２２２Ｂは、第１実施形態の金属柱２０５および配線パターン２１２Ｂを一体にした部分に相当するともいえる。尚、前述の傾斜角θやＨ／Ｄについては、本実施形態の配線構造ＳＴ１においても第１実施形態の配線構造ＳＴ０同様となる。
【００７０】
図４からも分かるように、金属柱２２２Ｂは面Ｆ１の下方から上方まで一体に延設されており、即ち、面Ｆ１の上方まで突出ないし延出した形で単一の部材で形成される。ここで、面Ｆ１上には第１配線パターンＭ１が形成される。よって、金属柱２２２Ｂは、単一の部材で、第１配線パターンＭ１が形成される高さ、即ち配線層の位置、まで突出した形となっている。
【００７１】
更なる説明のため、金属柱２２２Ｂのうち、上部を柱上部２２２Ｂ１とし、下部を柱下部２２２Ｂ２として区別する。柱上部２２２Ｂ１は、少なくとも面Ｆ１より上方の部分に対応し、例えば金属膜２０３Ｂの上端面（互いに積層関係にある第１金属パターン２２２Ａと第２金属パターン２０３Ａとの間の境界面）Ｆ３より上方の部分としてもよい。柱下部２２２Ｂ２は、柱上部２２２Ｂ１の下方の部分に対応し、例えば金属膜２０３Ｂで覆われた部分、或いは、基材１００で取り囲まれた部分としてもよい。
【００７２】
本実施形態では、第１配線パターンＭ１は柱上部２２２Ｂ１に対して側方から（水平方向に）接続され、そのうちの金属パターン２２２Ａが柱上部２２２Ｂ１に対して側方から一体に接続された形となっている。
【００７３】
ところで、配線構造ＳＴ１の高密度化、プリント配線基板の配線パターンＭ１及びＭ２の狭幅化に伴い、ビアＶ１による配線パターンＭ１及びＭ２間の電気的な接続がより適切に実現されることも求められる。第１実施形態でも述べたとおり、第１配線パターンＭ１は（第２配線パターンＭ２も同様であるが）、狭幅化に伴う高抵抗化を抑制するため、比較的高いアスペクト比で形成されうる。
【００７４】
また、配線パターンＭ１の上記狭幅化に伴い、ビアＶ１を小径化する必要も生じうる。前述のとおり、第１実施形態の配線構造ＳＴ０の場合（図２参照）、金属柱２０５と金属パターン２１２Ｂとの間には境界面が形成されている。そのため、第１実施形態のような配線パターンＭ１（配線幅：２μｍ〜５０μｍ程度）を考慮すると、ビアＶ１の小径化に伴い、金属柱２０５と金属パターン２１２Ｂとの間には、それらの間に境界面が存することに起因する接続不良が生じる可能性がある。この接続不良には、２つの導電性の部材が非導通状態となっていることの他、それらの間に不測の抵抗成分が生じていることが含まれる。
【００７５】
本実施形態の配線構造ＳＴ１によれば、前述のとおり、金属柱２２２Ｂが単一の部材で面Ｆ１の上方まで（配線層の位置まで）突出しており、その上部である柱上部２２２Ｂ１に対して側方から配線パターンＭ１が接続された形となっている。そのため、本実施形態によれば、ビアＶ１における接続不良を生じさせることなく配線パターンＭ１‐ビアＶ１間の電気的な接続が適切に実現され、よって、プリント配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施形態では、配線パターンＭ１の金属パターン２２２Ａと、上記金属柱２２２Ｂとは、同一工程で一度に形成される（図３（Ｃ）、図３（Ｉ）参照）。そして、金属柱２２２Ｂは単一の部材で面Ｆ３の上方まで突出することで、金属パターン２２２Ａは、この金属柱２２２Ｂの柱上部２２２Ｂ１に対して側方から一体に接続される形となっている（図４参照）。よって、本実施形態によれば、上記接続不良の更なる抑制／低減の他、製造工数が低減されることから製造コストの低減にも有利である。
【００７７】
また、本実施形態では、金属柱２２２Ｂは、柱下部２２２Ｂ２の側面および下面において実質的に全体的に金属膜２０３Ｂにより覆われ、この金属膜２０３Ｂは第２配線パターンＭ２に適切に接続される。よって、本実施形態によれば、第２配線パターンＭ２‐ビアＶ１間での接続不良が発生することもなく、結果として、配線パターンＭ１及びＭ２は適切に導通する形となる。
【００７８】
（第３実施形態）
本発明は第１〜第２実施形態で述べた構造に限られるものではなく、多様な変形を加えることが可能であり、必要に応じて、配線層ないし配線パターンの追加／削除を行ってもよい。第２実施形態の変形例として、図５（Ａ）〜図５（Ｉ）は、第３実施形態に係るプリント配線基板の製造方法における各工程の態様を示す。図５（Ａ）〜図５（Ｉ）の工程は、それぞれ図３（Ａ）〜図３（Ｉ）の工程（第２実施形態）同様であるため、個々の詳細については説明を省略する。
【００７９】
本実施形態では、基板ＳＢ１の代わりに、金属膜２０１Ｍを有しないものを基板ＳＢ２として準備する。このような基板ＳＢ２を用いても可撓性のプリント配線基板（フレキシブルプリント配線基板）を作製可能である。本実施形態によっても第２実施形態同様の効果が得られる。
【００８０】
また、図５（Ａ）の工程では、基板ＳＢ２は金属膜２０１Ｍを有しないため、比較的低コストで基板ＳＢ２を準備することができる。また、図５（Ｂ）の工程では、基材１００の上面に金属膜２０１Ｍがないため、基材１００に開口ＯＰ１を形成しやすくなり、よって、製造時間を短くすることができる。尚、図５（Ｃ）の工程では、金属膜２０３Ｍが無電解めっき法で形成され、それ以降の工程は第１実施形態同様に実行可能である。また、本実施形態によれば、プリント配線基板をＦＰＣとして作製する場合、金属膜２０１Ｍが省略されたことで第１配線パターンＭ１が薄膜化され／その構成が簡素化され、このプリント配線基板に好適な可撓性をもたせ易くなる。
【００８１】
また、図５（Ａ）の工程において、可撓性の絶縁材料（例えばポリイミド等の樹脂材料）で構成された基板ＳＢ２の場合、その上面（金属膜２０１Ｍで覆われていない上面）の平面度（ＪＩＳ  Ｂ０６２１に準拠）が比較的低くなりうる。そのため、サブトラクティブ法やアディティブ法により第１配線パターンＭ１を比較的高いアスペクト比で形成する場合、該形成された第１配線パターンＭ１の剥離等が生じることも考えられる。一方、本実施形態（即ち、金属膜２０３Ｍをシード層として電解めっき法を行うセミアディティブ法）によれば、シード層である金属膜２０３Ｍ上に第１配線パターンＭ１を適切に形成可能となるため、例えばプリント配線基板の高品質化に有利と云える。尚、上記平面度は、触針走査法で特定可能であり、或いは、光干渉法で特定可能な表面粗さ（Ｒａ）で評価されてもよい。
【００８２】
表面粗さ（Ｒａ）が小さくなると（表面の凹凸が少なくなると）、より高いアスペクト比の配線を設けることが可能となる。例えば、本実施形態における表面粗さ（Ｒａ）０．０２μｍ程度であるが、他の実施形態として、表面粗さ（Ｒａ）は、０．１５μｍ以下、より好ましくは０．０７μｍ以下であるとよい。また、表面粗さ（Ｒａ）は、０．００１μｍ以上であればよいが、０．０１μｍ以上でもよい。
【００８３】
その他、適宜、多様な変形が可能である。例えば、前述の実施形態では、基材１００の上面Ｆ１側に配線パターンＭ１が配され且つ基材１００の下面Ｆ２側に配線パターンＭ２が配された構造（配線層数が２の二層配線構造）を例示した。そして、ビアＶ１は、配線パターンＭ１及びＭ２を接続するように基材１００の面Ｆ１−Ｆ２間を貫通して設けられた、いわゆる貫通電極とした。しかし、例えば、更に１以上の配線層を追加して、配線層数が３以上の多層配線構造とすることも可能である。
【００８４】
一例として、配線層数が３の三層配線構造の場合、配線パターンＭ１及びＭ２間の中間層として他の配線パターン（配線パターンＭ３とする。）が基材１００内に内包される形となる。この場合、基材１００内には、配線パターンＭ１及びＭ２を接続するビアＶ１に加え、この配線パターンＭ３と配線パターンＭ１（又はＭ２）とを接続する他のビア（ビアＶ２とする。）が更に設けられてもよい。実施形態で述べたビアＶ１の形成方法および構造は、このビアＶ２にも適用可能である。
【００８５】
（その他）
以上では幾つかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部が変更されてもよい。また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。例えば、配線パターンＭ１（又はＭ２）は導電パターン、ラインパターン等と表現されてもよいし、また、ビアＶ１は導電柱、プラグ等と表現されてもよい。
【符号の説明】
【００８６】
１００：基材、Ｖ１：ビア、Ｍ１：第１配線パターン、Ｍ２：第２配線パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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