(57)【要約】      （修正有）【課題】良好な表面ラフネスを有する膜を形成することが可能な膜形成方法を提供する。【解決手段】膜形成方法は、下地（シリコン基板１０１）に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して下地の表面に生じた酸化膜に付着した有機物１０３を除去する有機物除去工程と、有機物除去工程の後、下地にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを供給して下地の表面に形成された酸化膜１０２を除去する酸化膜除去工程と、酸化膜除去工程の後、下地の表面に所定の膜１０４を成膜する成膜工程と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して前記下地の表面に生じた酸化膜に付着した有機物を除去する有機物除去工程と、
前記有機物除去工程の後、前記下地の表面に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後、前記下地の表面に所定の膜を成膜する成膜工程と、
を有する、
膜形成方法。
【請求項２】
前記有機物除去工程、前記酸化膜除去工程、及び前記成膜工程は、同一の装置内で連続して行われる、
請求項１に記載の膜形成方法。
【請求項３】
前記有機物除去工程は、２００℃〜３５０℃の温度で行われる、
請求項１又は２に記載の膜形成方法。
【請求項４】
前記酸化膜除去工程は、２５℃〜２００℃の温度で行われる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項５】
前記酸化膜除去工程は、
前記酸化膜と、ハロゲン含有ガス及び塩基性ガスとを化学反応させて、前記酸化膜を反応生成物に変質させるステップと、
前記反応生成物を加熱して除去するステップと、
を有する、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項６】
前記下地には、凹凸パターンが形成されている、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の膜形成方法。
【請求項７】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給可能なガス供給部と、
前記ガス供給部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記処理容器内に水素含有ガス及び前記酸素含有ガスを供給して前記基板の上に生じた酸化膜に付着した有機物を除去する有機物除去工程と、
前記有機物除去工程の後、前記基板の上に生じた酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
前記酸化膜除去工程の後、前記基板の上に所定の膜を成膜する成膜工程と、
を実施するように制御する、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハロゲン元素を含むガス及び塩基性ガスを用いてシリコン膜の表面に生じた酸化膜を除去した後、露出したシリコン膜の表面にシリコンゲルマニウム膜を形成する膜形成方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００７／０４９５１０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の膜形成方法では、酸化膜の表面に有機物が付着していると、酸化膜の除去が不完全となり、その後の成膜において表面ラフネスの悪化等の異常成長が生じる場合がある。
【０００５】
そこで、本発明の一態様では、良好な表面ラフネスを有する膜を形成することが可能な膜形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る膜形成方法は、下地に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して前記下地の表面に生じた酸化膜に付着した有機物を除去する有機物除去工程と、前記有機物除去工程の後、前記下地にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを供給して前記下地の表面に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、前記酸化膜除去工程の後、前記下地の表面に所定の膜を成膜する成膜工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
開示の膜形成方法によれば、良好な表面ラフネスを有する膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る縦型熱処理装置の一例を示す断面図
【図２】本発明の実施形態に係る膜形成方法の一例を示すフローチャート
【図３】本発明の実施形態に係る膜形成方法の一例を示す工程断面図
【図４】ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる評価結果を示す図
【図５】有機物除去工程での温度とシリコン基板上の酸化膜の膜厚との関係を示す図
【図６】ＡＦＭによる評価結果を示す図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
〔基板処理装置の全体構成〕
本発明の実施形態に係る膜形成方法が実施可能な基板処理装置について、バッチ式の縦型熱処理装置を例に挙げて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る縦型熱処理装置の一例を示す断面図である。
【００１１】
縦型熱処理装置１は、全体として縦長の鉛直方向に延びた形状を有する。縦型熱処理装置１は、縦長で鉛直方向に延びた処理容器１０を有する。
【００１２】
処理容器１０は、例えば石英により形成される。処理容器１０は、例えば円筒体の内管１１と、内管１１の外側に同心的に載置された有天井の外管１２との２重管構造を有する。処理容器１０の下端部は、例えばステンレス鋼製のマニホールド２０により気密に保持される。
【００１３】
マニホールド２０は、例えばベースプレート（図示せず）に固定される。マニホールド２０は、インジェクタ３０と、ガス排気部４０とを有する。
【００１４】
インジェクタ３０は、処理容器１０内に各種のガスを導入するガス供給部である。各種のガスは、処理ガスと、パージガスとを含む。処理ガスは、後述する有機物除去工程、酸化膜除去工程、及び成膜工程において使用されるガスを含む。有機物除去工程において使用されるガスは、例えば水素含有ガス及び酸素含有ガスであってよい。水素含有ガスとしては、例えば水素（Ｈ２）ガス、アンモニア（ＮＨ３）ガス、メタン（ＣＨ４）ガス、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスが挙げられる。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素(ＮＯ)ガス、水蒸気(Ｈ２Ｏ)、過酸化水素(Ｈ２Ｏ２)、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガスが挙げられる。酸化膜除去工程において使用されるガスは、例えばハロゲン含有ガス及び塩基性ガスであってよい。ハロゲン含有ガスとしては、例えばフッ化水素（ＨＦ）ガスが挙げられる。塩基性ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスが挙げられる。成膜工程において使用されるガスは、成膜する膜の種類等に応じて当業者が適宜選択することができる。例えばシリコン膜を成膜する場合、シリコン含有ガスであってよい。シリコン含有ガスとしては、例えば水素化ケイ素ガス(ＳiｎＨ２ｎ＋２)であるシラン（ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）ガス、テトラシラン（Ｓｉ４Ｈ１０）ガスが挙げられる。また、例えば塩素含有化合物ガスであるモノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、シリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ４）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）が挙げられる。例えば、ゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム含有ガスであってよい。ゲルマニウム含有ガスとしては、例えば水素化ゲルマニウムガス（ＧｅｎＨ２ｎ＋ｎ）であるゲルマン（ＧｅＨ４）、ジゲルマン（Ｇｅ２Ｈ６）が挙げられる。また、例えば塩素含有化合物ガスであるモノクロロゲルマン（ＧｅＨ３Ｃｌ）、ジクロロゲルマン（ＧｅＨ２Ｃｌ２）、トリクロロゲルマン（ＧｅＨＣｌ３）、ゲルマニウムテトラクロライド（ＧｅＣｌ４）、ヘキサクロロジゲルマン（Ｇｅ２Ｃｌ６）が挙げられる。例えば、シリコンゲルマニウム膜を成膜する場合には、上記のシリコン含有ガスとゲルマニウム含有ガスを適宜組み合わせることが出来る。パージガスは、例えば窒素（Ｎ２）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスであってよい。
【００１５】
インジェクタ３０には、各種のガスを導入するための配管３１が接続される。配管３１には、ガス流量を調整するためのマスフローコントローラ等の流量調整部（図示せず）やバルブ（図示せず）等が介設される。インジェクタ３０は、１本であってよく、複数本であってもよい。なお、図１には、インジェクタ３０が１本の場合を示す。
【００１６】
ガス排気部４０は、処理容器１０内を排気する。ガス排気部４０には、配管４１が接続されている。配管４１には、処理容器１０内を減圧制御可能な開度可変弁４２、真空ポンプ４３等が介設されている。
【００１７】
マニホールド２０の下端部には、炉口２１が形成されている。炉口２１には、例えばステンレス鋼製の円盤状の蓋体５０が設けられている。
【００１８】
蓋体５０は、昇降機構５１により昇降可能に設けられており、炉口２１を気密に封止可能に構成されている。蓋体５０の上には、例えば石英製の保温筒６０が設置されている。
【００１９】
保温筒６０の上には、多数枚のウエハＷを水平状態で所定間隔を有して多段に保持する、例えば石英製のウエハボート７０が載置されている。
【００２０】
ウエハボート７０は、昇降機構５１を用いて、蓋体５０を上昇させることで処理容器１０内へと搬入され、処理容器１０内に収容される。また、ウエハボート７０は、蓋体５０を下降させることで処理容器１０内から搬出される。ウエハボート７０は、長手方向に複数のスロット（支持溝）を有する溝構造を有し、ウエハＷはそれぞれ水平状態で上下に間隔をおいてスロットに積載される。ウエハボート７０に載置される複数のウエハは、１つのバッチを構成し、バッチ単位で各種の熱処理が施される。
【００２１】
処理容器１０の外側には、ヒータ８０が設けられる。ヒータ８０は、例えば円筒形状を有し、処理容器１０を所定の温度に加熱する。
【００２２】
縦型熱処理装置１には、例えばコンピュータからなる制御部１００が設けられている。制御部１００はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部等を備えている。プログラムには、制御部１００から縦型熱処理装置１の各部に制御信号を送り、後述の各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部１００にインストールされる。
【００２３】
〔膜形成方法〕
本発明の実施形態に係る膜形成方法について説明する。本発明の実施形態に係る膜形成方法は、例えば制御部１００が縦型熱処理装置１の各部の動作を制御することによって実施される。図２は、本発明の実施形態に係る膜形成方法の一例を示すフローチャートである。図３は、本発明の実施形態に係る膜形成方法の一例を示す工程断面図である。
【００２４】
本発明の実施形態に係る膜形成方法は、有機物除去工程Ｓ１と、酸化膜除去工程Ｓ２と、成膜工程Ｓ３とをこの順番で行うことを特徴とする。本実施形態では、まず、有機物が付着した酸化膜が表面に形成されたシリコン基板を、所定間隔を有して多数枚保持したウエハボート７０を処理容器１０内に搬入する。次いで、同一の処理室である処理容器１０内において真空雰囲気下で有機物除去工程Ｓ１、酸化膜除去工程Ｓ２、及び成膜工程Ｓ３を連続して行うことで、シリコン基板の表面の有機物及び酸化膜を除去した後にシリコン膜を成膜する。また、各工程間において、処理容器１０内のガスを置換するパージ工程を行ってもよい。次いで、処理容器１０内からシリコン膜が成膜されたシリコン基板を保持したウエハボート７０を搬出する。
【００２５】
なお、有機物除去工程Ｓ１、酸化膜除去工程Ｓ２、及び成膜工程Ｓ３は、異なる処理装置で行ってもよい。但し、同一の処理装置内で連続して行うことが好ましい。同一の処理装置内で連続して行うとは、例えばバッチ式処理装置の１つの処理室内で連続して処理することやマルチ処理室を有し搬送室が雰囲気制御された装置内で工程毎に処理室を変えながら連続して処理することを含む。同一処理装置内で連続して行うことで、有機物除去工程Ｓ１によって露出した酸化膜への有機物の再付着等の影響を受けることがなくなるため、厳密な雰囲気管理や時間管理を行うことが不要となる。これにより、複雑なライン管理が不要となる。雰囲気管理とは、例えば成膜前の処理（有機物除去工程Ｓ１及び酸化膜除去工程Ｓ２）後のウエハＷを取り巻く雰囲気を不活性雰囲気に維持することを意味する。時間管理とは、例えばＱ−ｔｉｍｅ管理を意味する。Ｑ−ｔｉｍｅとは、一連の基板処理において工程間に設けられる制限時間を意味する。
【００２６】
有機物除去工程Ｓ１は、下地に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して下地の表面に生じた酸化膜に付着した有機物を除去する（ＩＯＲ：In-situ Organic Removal）工程である。本実施形態では、所定温度に安定化させた処理容器１０内にインジェクタ３０からＨ２ガス及びＯ２ガスを導入し、シリコン基板１０１の表面に生じたシリコン酸化膜１０２に付着した有機物１０３を除去する（図３（ａ）及び図３（ｂ）参照）。所定温度としては、例えば２００℃〜３５０℃であることが好ましい。所定温度を２００℃以上とすることで、Ｈ２ガス及びＯ２ガスと有機物１０３との反応性が向上し、有機物１０３を除去する時間を短縮できる。所定温度を３５０℃以下とすることで、Ｈ２ガス及びＯ２ガスによってシリコン基板１０１が酸化することを抑制できる。
【００２７】
酸化膜除去工程Ｓ２は、下地の表面に形成された酸化膜を除去する工程である。本実施形態では、化学的酸化物除去処理（ＣＯＲ：Chemical Oxide Removal）処理により、シリコン基板１０１の表面に生じたシリコン酸化膜１０２を除去する（図３（ｃ）参照）。このとき、有機物除去工程Ｓ１においてシリコン酸化膜１０２の表面に付着した有機物１０３が除去されているので、シリコン酸化膜１０２の除去が不完全となることを抑制できる。ＣＯＲ処理とは、酸化膜にハロゲン含有ガス及び塩基性ガスを吸着させ、酸化膜とを化学反応させて反応生成物であるフルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）に変質させ、加熱によりフルオロケイ酸アンモニウムを昇華させて酸化膜を除去する処理を意味する。例えば所定温度に安定化させた処理容器１０内にインジェクタ３０からＨＦガス及びＮＨ３ガスを導入し、シリコン酸化膜１０２にＨＦガス及びＮＨ３ガスを吸着させ、シリコン酸化膜１０２と反応させて（ＮＨ４）２ＳｉＦ６に変質させる。変質させる温度としては、例えば２５℃（室温）〜２００℃であることが好ましい。室温以上とすることで、処理容器１０内を冷却するための冷却機構が不要となる。２００℃以下とすることで、シリコン基板１０１中にフッ素（Ｆ）が拡散することを抑制できる。次いで、処理容器１０内を所定温度（例えば３００℃〜４００℃）に加熱することにより、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を昇華させる。なお、成膜工程Ｓ３において（ＮＨ４）２ＳｉＦ６が昇華する温度まで加熱する場合には、酸化膜除去工程Ｓ２において加熱を行わなくてもよい。
【００２８】
成膜工程Ｓ３は、下地の表面に所定の膜を成膜する工程である。本実施形態では、所定温度（例えば４００℃）に安定化させた処理容器１０内にインジェクタ３０からＳｉ２Ｈ６ガスを導入し、シリコン基板１０１の表面にシリコン膜１０４を成膜する（図３（ｄ）参照）。このとき、シリコン基板１０１の表面は有機物除去工程Ｓ１により有機物が除去され、酸化膜除去工程Ｓ２により酸化膜が除去されて清浄な表面となっているので、シリコン基板１０１の表面に良好な表面ラフネスを有するシリコン膜１０４を成膜できる。
【００２９】
パージ工程は、処理容器１０内のガスを置換する工程である。本実施形態では、処理容器１０内にインジェクタ３０からＮ２ガスを導入し、処理容器１０内に残存するＨ２ガス及びＯ２ガスやＨＦガス及びＮＨ３ガスをＮ２ガスに置換する。
【００３０】
以上に説明したように、本発明の実施形態に係る膜形成方法は、有機物除去工程Ｓ１と、酸化膜除去工程Ｓ２と、成膜工程Ｓ３とをこの順番で行う。これにより、有機物及び酸化膜が除去された清浄な表面に所定の膜を形成できるので、良好な表面ラフネスを有する膜を形成することができる。
【００３１】
また、本発明の実施形態に係る膜形成方法では、下地に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給して前記下地の表面の有機物を除去する。これにより、下地の表面にトレンチパターン、ホールパターン等の凹凸パターンが形成されている場合であっても、パターン倒れを抑制し、且つ、酸化膜の表面に付着した有機物を除去できる。なお、有機物を除去する方法としては、アンモニア過酸化水素水（ＡＰＭ：Ammonium Hydrogen-peroxide Mixture）洗浄等のウエット洗浄を行うことも考えられる。しかしながら、ウエット洗浄を行うと、下地の表面に凹凸パターンが形成されている場合にはパターン倒れが生じするおそれがある。
【００３２】
〔実施例〕
本発明の実施形態に係る膜形成方法の作用・効果を確認した実施例について説明する。
【００３３】
＜実施例１＞
実施例１では、シリコン基板の表面に有機物であるジオクチルフタレート（ＤＯＰ：Dioctyl phthalate）を付着させた後、有機物除去工程Ｓ１を行わなかった試料（サンプルＡ）及び有機物除去工程Ｓ１を行った試料（サンプルＢ）を作製した。なお、有機物除去工程Ｓ１では、３００℃に安定化させた処理容器１０内にインジェクタ３０からＨ２ガス及びＯ２ガスを３０分間導入した。
【００３４】
次いで、飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ：Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）により、サンプルＡ及びサンプルＢの表面汚染について評価した。
【００３５】
図４は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる評価結果を示す図である。図４では、サンプルＡ及びサンプルＢのそれぞれについて、ＤＯＰに起因する質量数ｍ／ｚ＝５７、１０４、１４９（ｍ：分子質量、ｚ：電荷数）でのＴＯＦ−ＳＩＭＳ  ｃｏｕｎｔを示す。
【００３６】
図４に示されるように、サンプルＢでは、サンプルＡと比較して、ｍ／ｚ＝５７、１０４、１４９のいずれにおいてもＴＯＦ−ＳＩＭＳ  ｃｏｕｎｔが小さくなっていることが分かる。言い換えると、有機物除去工程Ｓ１を行うことで、シリコン基板の表面に付着したＤＯＰを除去できることが分かる。この結果から、有機物除去工程Ｓ１により、下地の表面に生じた酸化膜に付着した有機物を除去できると考えられる。
【００３７】
＜実施例２＞
実施例２では、３００℃、３５０℃、４００℃、５００℃、６００℃、６５０℃、７５０℃に安定化させた処理容器１０内で有機物除去工程Ｓ１を実施した後のシリコン基板の表面の酸化膜の膜厚を評価することで、シリコン基板への影響について評価した。なお、有機物除去工程Ｓ１では、処理容器１０内にインジェクタ３０からＨ２ガス及びＯ２ガスを３０分間導入した。
【００３８】
図５は、有機物除去工程Ｓ１での温度とシリコン基板上の酸化膜の膜厚との関係を示す図である。図５中、横軸は有機物除去工程Ｓ１における処理容器１０内の温度（℃）を示し、縦軸は酸化膜の膜厚（Å）を示す。また、図５中、破線は有機物除去工程Ｓ１を実施する前にシリコン基板に形成されていた酸化膜の膜厚（約１０Å）を示す。
【００３９】
図５に示されるように、有機物除去工程Ｓ１における温度を３５０℃以下とすることで、Ｈ２ガス及びＯ２ガスによってシリコン基板が酸化することを特に抑制できることが分かる。また、有機物除去工程Ｓ１における温度を３００℃とすることで、Ｈ２ガス及びＯ２ガスによってシリコン基板が酸化することを防止できることが分かる。この結果から、有機物除去工程Ｓ１での温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３００℃であることがより好ましいと考えられる。
【００４０】
＜実施例３＞
実施例３では、有機物が付着した酸化膜が表面に形成されたシリコン基板に対して、有機物除去工程Ｓ１、酸化膜除去工程Ｓ２、及び成膜工程Ｓ３をこの順番で実施することでシリコン基板の上にシリコン膜を形成した（サンプルＣ）。また、比較のために、有機物除去工程Ｓ１を実施することなく、酸化膜除去工程Ｓ２及び成膜工程Ｓ３をこの順番で実施することでシリコン基板の上にシリコン膜を形成した（サンプルＤ）。有機物除去工程Ｓ１、酸化膜除去工程Ｓ２、及び成膜工程Ｓ３のプロセス条件は以下の通りである。
（有機物除去工程Ｓ１）
処理容器１０内の温度：３００℃
処理容器１０内の圧力：０．３５Ｔｏｒｒ（４６．７Ｐａ）
ガス流量：Ｈ２／Ｏ２＝１０００ｓｃｃｍ／１７００ｓｃｃｍ
ガス供給時間：１８０分
（酸化膜除去工程Ｓ２）
処理容器１０内の温度：５０℃
処理容器１０内の圧力：０．２Ｔｏｒｒ（２６．７Ｐａ）
ガス流量：ＨＦ／ＮＨ３＝４０ｓｃｃｍ／１０００ｓｃｃｍ
ガス供給時間：３５分
（成膜工程Ｓ３）
処理容器１０内の温度：３８０℃
処理容器１０内の圧力：１．０Ｔｏｒｒ（１３３．３Ｐａ）
ガス流量：Ｓｉ２Ｈ６＝３５０ｓｃｃｍ
次いで、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により、サンプルＣ及びサンプルＤの表面粗さについて評価した。
【００４１】
図６は、ＡＦＭによる評価結果を示す図である。図６（ａ）はサンプルＣのシリコン膜の表面のＡＦＭ像及び算術平均粗さＲａを示し、図６（ｂ）はサンプルＤのシリコン膜の表面のＡＦＭ像及び算術平均粗さＲａを示す。
【００４２】
図６（ａ）に示されるように、サンプルＣでは、シリコン膜の表面ラフネスが小さく、算術平均粗さＲａが０．０７２ｎｍであった。一方、図６（ｂ）に示されるように、サンプルＤでは、シリコン膜の表面ラフネスが大きく、算術平均粗さＲａが０．１１２ｎｍであった。即ち、有機物除去工程Ｓ１を実施することで、シリコン膜の表面ラフネスが小さくなり、算術平均粗さＲａが２／３程度になっていることが分かる。言い換えると、有機物除去工程Ｓ１を実施することで、良好な表面ラフネスを有するシリコン膜を形成できることが分かる。この結果から、有機物除去工程Ｓ１、酸化膜除去工程Ｓ２、及び成膜工程Ｓ３をこの順番で実施することで、良好な表面ラフネスを有する膜を形成することができると考えられる。
【００４３】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００４４】
上記の実施形態では、基板処理装置として、一度に複数のウエハに対して処理を行うバッチ式の縦型熱処理装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ウエハを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であってもよい。また、例えば処理容器内の回転テーブルの上に配置した複数のウエハを回転テーブルにより公転させ、原料ガスが供給される領域と、原料ガスと反応する反応ガスが供給される領域とを順番に通過させてウエハの表面に成膜するセミバッチ式の装置であってもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１０１  シリコン基板
１０２  シリコン酸化膜
１０３  有機物
１０４  シリコン膜
【図１】
2019145717.tif 000003
【図２】
2019145717.tif 000004
【図３】
2019145717.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019145717.tif 000007
【図６】
2019145717.tif 000008