(57)【要約】【課題】  補助配線パターン上のパッシベーション面積を減らすことができ、広い発光領域を有することができる照明装置用ＯＬＥＤパネルを提供する【解決手段】  基板、前記基板上に配置して、上部に向かうほど幅が細くなるテーパー状の断面を有する補助配線パターンと、前記補助配線パターンが配置された基板上に配置する第１電極と、前記第１電極上に配置するものの、前記補助配線パターンが配置された領域上に配置するパッシベーション層と、前記パッシベーション層が配置された前記第１電極上に配置するＯＬＥＤ発光構造体と、前記ＯＬＥＤ発光構造体上に配置する第２電極と、前記第２電極上に配置する封止層とを含み、前記発光領域において、前記パッシベーション層は、前記補助配線パターンの断面に対応する断面を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域と、前記発光領域の外郭のパッド領域とに分けられる基板と、
前記基板上に配置され、上部に向かうほど幅が細くなるテーパー状の断面を有する補助配線パターンと
前記補助配線パターンが配置された基板上に配置する第１電極と
前記第１電極上に配置するものの、前記補助配線パターンが配置された領域上に配置するパッシベーション層と、
前記パッシベーション層が配置された前記第１電極上に配置するＯＬＥＤ発光構造体と、
前記ＯＬＥＤ発光構造体上に配置する第２電極と、
前記第２電極上に配置する封止層とを含み、
前記発光領域において、前記パッシベーション層は、前記補助配線パターンの断面に対応する断面を有する、照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項２】
前記パッシベーション層は、上部平面部と、前記上部平面部から下側方に延びる傾斜部からなる断面を有する、請求項１に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項３】
前記発光領域の縁及びパッド領域の縁にパッシベーション層がさらに配置される、請求項１に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項４】
前記第１電極は、ＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）材質であり、
前記補助配線パターンは、金属を含む材質である、請求項１に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項５】
前記ＯＬＥＤ発光構造体及び前記第２電極は、前記第１電極の断面に対応する断面を有する、請求項１に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項６】
前記パッド領域に、前記第１電極と連結される第１の電極パッド及び前記第２電極と連結される第２の電極パッドが配置しているものの、
前記第１の電極パッドは、前記補助配線パターンと同じ材質の下部層と、前記第１電極と同じ材質の上部層を含み、
前記第２の電極パッドは、前記補助配線パターンと同じ材質の下部層と、前記第２電極と同じ材質の上部層を含む、請求項１に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネル。
【請求項７】
発光領域と、前記発光領域の外郭のパッド領域とに分けられる基板の発光領域及びパッド領域上に互いに電気的に連結された複数の補助配線を含む補助配線パターンを配置することと、
前記補助配線パターンが配置された基板上に第１電極を配置することと、
前記第１電極上に高分子を配置するものの、前記発光領域の前記補助配線パターンの互いに隣接した補助配線らの間に高分子を配置することと、
前記高分子をマスクとして使用し、前記第１電極上にパッシベーション物質を蒸着した後、前記高分子を除去して、前記発光領域の前記補助配線パターンの上部領域にパッシベーション層を形成することと、
前記パッシベーション層が配置された前記第１電極上にＯＬＥＤ発光構造体を配置することと、
前記ＯＬＥＤ発光構造体上に第２電極を配置することと、
前記第２電極上に封止層を形成することとを含む、照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項８】
前記高分子の配置は、インクジェット法によって液状高分子を印刷した後に硬化する方法で行われる、請求項７に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項９】
前記パッシベーション物質の蒸着は、常圧ＡＬＤ蒸着方法で行われる、請求項７に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記発光領域の縁及びパッド領域の縁に前記パッシベーション層がさらに配置するように、前記発光領域の縁及び前記パッド領域の縁には前記高分子を配置しない、請求項７に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記高分子に光分解可能な触媒が含まれており、
前記高分子の除去は、光照射によって前記触媒を光分解させる方法で行われる、請求項７に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記パッド領域に、前記第１電極と連結される第１の電極パッド及び前記第２電極と連結される第２の電極パッドを配置するものの、
前記補助配線パターンの配置段階において、前記補助配線パターンと同じ材質の下部層を配置し、前記第１電極の配置段階において、前記第１電極と同じ材質の上部層を配置する方法で、前記第１の電極パッドを配置して、
前記補助配線パターンの配置段階において、前記補助配線パターンと同じ材質の下部層を配置し、前記第２電極の配置段階において、前記第２電極と同じ材質の上部層を配置する方法で、前記第２の電極パッドを配置する、請求項７に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の電極パッドの上部層上に高分子をさらに配置して、前記パッシベーション層の形成段階において、前記第１の電極パッドの上部層上に配置した高分子を共に除去して、前記第１の電極パッドの上部層を露出する、請求項１２に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の電極パッドの上部層上に高分子をさらに配置して、前記封止層の形成後に前記第１の電極パッドの上部層上に配置した高分子を除去して、第１の電極パッドの上部層を露出する、請求項１２に記載の照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明装置用ＯＬＥＤパネルに関し、より詳細には、広い発光面積を有する照明装置用ＯＬＥＤパネルに関する。
【０００２】
また、本発明は、照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
現在、照明装置としては、主に蛍光灯や白熱灯を使用している。白熱灯の場合、演色指数は良いものの、エネルギー効率が非常に低いという短所がある。蛍光灯の場合、エネルギー効率は良いものの、演色指数が低く、水銀を含有しており、環境問題が発生する問題点がある。
【０００４】
最近は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に基づく照明装置が提案されている。発光ダイオードは、ＧａＮのような窒化物半導体の積層構造で形成されており、青色波長帯において発光効率がもっとも高く、赤色と視感度のもっとも高い色である緑色波長帯域に行くほど発光効率が低下する。従って、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを組み合わせて白色光を発光する場合、発光効率が低くなるという問題があった。また、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを用いる場合、それぞれの発光ピーク（ｐｅａｋ）の幅が狭いため、色演色性も低下するという問題もある。
【０００５】
このような問題を解決するために、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、青色発光ダイオードを組み合わせる方式の代りに、青色発光ダイオードと黄色蛍光体を組み合わせて白色光を出力する照明装置が提案されている。このような構成の発光ダイオードが提案される理由は、発光効率の低い緑色発光ダイオードを用いるより、効率の高い青色発光ダイオードのみを用いて、残りの色は、青色光を受けて黄色光を発散する蛍光物質を用いる方法がさらに効率的であるからである。
【０００６】
しかし、青色発光ダイオードと黄色蛍光体を組み合わせて白色光を出力する照明装置の場合も、黄色光を発光する蛍光物質自体の発光効率が良くないため、照明装置の発光効率を向上させるには限界があった。
【０００７】
特に、窒化物半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）に基づく照明装置の場合、発光ダイオードで発生する多くの熱により、照明装置の背面に放熱手段を配置しなければならず、高品質の窒化物半導体の成長のためには、高価のサファイア基板を用いる必要がある。
【０００８】
また、発光ダイオードに基づく照明装置の場合、窒化物半導体を成長させるためのエピ工程と、個別発光ダイオードチップを製造するためのチップ工程と、個別発光ダイオードチップを回路基板に実装するための実装工程とを含む多くの工程が含まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１５−９５２９３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題点を解決するためのものであって、照明装置用ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）パネルを提供することを課題とする。
【００１１】
また、本発明は、前記照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の実施形態による照明装置用ＯＬＥＤパネルは、基板、補助配線パターン、第１電極、パッシベーション層、ＯＬＥＤ発光構造体、第２電極及び封止層を含む。
【００１３】
基板は、発光領域と、発光領域の外郭のパッド領域とに分けられる。補助配線パターンは、互いに電気的に連結された複数の補助配線を含む。補助配線パターンは、基板上に配置され、上部に向かうほど幅が狭くなるテーパー状の断面を有する。第１電極は、補助配線パターンが配置された基板上に配置する。パッシベーション層は、第１電極上に配置するものの、補助配線パターンが配置された領域上に配置する。ＯＬＥＤ発光構造体は、パッシベーション層が配置された前記第１電極上に配置する。第２電極は、ＯＬＥＤ発光構造体上に配置する。封止層は、第２電極上に配置する。
【００１４】
パッシベーション層は、前記補助配線パターンの断面に対応する断面を有する。これにより、パッシベーション層の面積を減少して広い発光面積を有することができる。
【００１５】
より具体的には、パッシベーション層は、上部平面部と、前記上部平面部から下側方に延びる傾斜部からなる。通常、パッシベーション層の場合、上部平面部、傾斜部のほか、傾斜部から延びる下部平面部をさらに含むが、本発明の場合、下部平面部が除去された構造を有することで、発光面積を増大することができる。
【００１６】
一方、発光領域の縁及びパッド領域の縁にパッシベーション層をさらに配置してもよい。発光領域の縁及びパッド領域の縁の場合、相対的に水気浸透性に弱いところ、パッシベーションをさらに配置することにより、水気浸透による第１電極と第２電極との間のショート発生を防止する効果を高めることができる。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の実施形態による照明装置用ＯＬＥＤパネルの製造方法は、発光領域と、前記発光領域の外郭のパッド領域とに分けられる基板の発光領域及びパッド領域上に互いに電気的に連結された複数の補助配線を含む補助配線パターンを配置することと、補助配線パターンが配置された基板上に第１電極を配置することと、第１電極上に高分子を配置するものの、発光領域の補助配線パターンの互いに隣接した補助配線らの間に高分子を配置する段階、高分子をマスクとして使用し、第１電極上にパッシベーション物質を蒸着した後、高分子を除去して、前記発光領域の前記補助配線パターンの上部領域にパッシベーション層を形成することと、パッシベーション層が配置された前記第１電極上にＯＬＥＤ発光構造体を配置することと、ＯＬＥＤ発光構造体上に第２電極を配置することと、第２電極上に封止層を形成することとを含む。
【００１８】
このとき、前記高分子の配置は、インクジェット法によって液状高分子を印刷した後に硬化する方法で行うことができる。
【００１９】
また、パッシベーション物質の蒸着は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）など、様々な蒸着方法を適用することができる。好ましくは、常圧ＡＬＤ蒸着方法で行うことができる。そして、前記高分子に光分解可能な触媒が含まれており、前記高分子の除去は、光照射によって前記触媒を活性化して高分子の粘着力を緩和する方法で行ってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルは、大面積化が容易で、面発光が可能であり、窒化物半導体発光ダイオードの形成のために高価なサファイア基板を必要とせず、発熱も窒化物半導体発光ダイオードに比べて良好である。
【００２１】
特に、本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルは、段差により自己整列が可能である高分子マスクを用いてパッシベーション層を形成した結果、パッシベーション層の面積を減少させることができる。これにより、広い発光面積を確保することができる。
【００２２】
また、乾式エッチングによるパッシベーション層のパターニングの場合、第１電極の損失が発生するが、本発明の場合、自己整列が可能である高分子マスクを用いて、これを光分解によって除去することで、パッシベーション層の形成のためのパターニング時に第１電極の損失が発生しない。これにより、第１電極厚の均一度を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明の場合、高分子マスクをパッド領域に適用することもでき、工程に求められるマスク数を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルの平面図を概略的に示したものである。
【図２】図１のI−I' 断面図を示した例である。
【図３】図１のII−II' 断面図を示した例である。
【図４】図１のＡ領域のパッシベーション層の配置例を示した断面図である。
【図５】図１のＡ領域のパッシベーション層の他の配置例を示した断面図である。
【図６ａ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｂ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｃ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｄ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｅ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｆ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｇ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｈ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｉ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｊ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【図６ｋ】本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する方法を示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、図面を参照して、本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネル及びその製造方法に対する実施形態を説明する。
【００２６】
以下では、第１、第２などのように、序数を含む用語は、多様な構成要素を説明するに使われるが、該構成要素は、このような用語によって限定されるものではない。これらの用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使われる。
【００２７】
また、本発明において、「〜上にある」ということは、「ある部分が他の部分と接触した状態で真上にある」ことを意味するだけでなく、「ある部分が他の部分と接触していない状態であるか、第３の部分が中にさらに形成されている状態で他の部分上にある」ことを意味する場合もある。
【００２８】
図１は、本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルの平面図を概略的に示したものである。また、図２は、図１のＩ−Ｉ’断面図を示した例であり、図３は、図１のＩＩ−ＩＩ’断面図を示した例である。
【００２９】
図１〜図３を参照すると、本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルは、基板１１０、補助配線パターン１２０、第１電極１３０、パッシベーション層１４０、ＯＬＥＤ発光構造体１５０、第２電極１６０及び封止層１７０を含む。
【００３０】
基板１１０は、発光領域（ＬＡ）と、前記発光領域の外郭のパッド領域（ＰＡ）とに分けられる。
【００３１】
基板１１０は、ガラス基板、高分子基板を用いることができる。基板１１０として高分子基板が用いられる場合、高分子基板のプレキシブルな特性に起因して、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）工程で照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造することができる。
【００３２】
補助配線パターン１２０は、基板１１０上に配置する。本発明における補助配線パターン１２０は、上部に向かうほど幅が狭くなるテーパー状の断面を有する。
【００３３】
補助配線パターン１２０は、互いに電気的に連結された複数の補助配線を含む。補助配線パターン１２０の役割は、次の通りである。後述する第１電極１３０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などのようなＴＣＯ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）材質から形成され得るが、ＴＣＯ材質の場合、ＯＬＥＤ発光構造体１５０で発光される光を透過するという長所を有するものの、金属に比べて電気抵抗が非常に高いという短所がある。従って、大面積の照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造する場合、ＴＣＯの高い抵抗により、印加される電圧の分布が第１電極全体にかけて不均一となり、このような不均一な電圧分布は、大面積の照明装置の輝度均一性を低下させる。
【００３４】
このため、補助配線パターン１２０は、ＴＣＯより低い抵抗を有する材質、例えば、金属を含む材質から形成されており、補助配線パターン１２０と接触して形成される第１電極１３０に印加される電圧の分布を第１電極１３０全体にかけて均一にする役割を担う。
【００３５】
一方、補助配線パターン１２０は、図１に示す例のような網状であってもよいが、必ずしもこれに制限されるものではない。また、補助配線パターン１２０は、左右対称に近い形態に形成されてもよいが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００３６】
第１電極１３０は、補助配線パターン１２０を配置した基板上に配置される。上述のように、第１電極１３０は、ＩＴＯのようなＴＣＯ材質から形成されてもよいし、スパッタリング工程又はコーティング工程によって形成されてもよい。
【００３７】
パッシベーション層１４０は、第１電極１３０上に配置するものの、補助配線パターン１２０が配置された領域上に配置する。
【００３８】
ＯＬＥＤ照明において、第１電極と第２電極との間にショート（ｓｈｏｒｔ）が発生する際、電流ドロップ（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｄｒｏｐ）によりショートが発生した部分だけでなく、全体パネルの輝度低下が発生するという問題点がある。これを防止するため、補助配線パターン１２０の上部にはパッシベーション層１４０が形成される。
【００３９】
パッシベーション層１４０は、ポリイミド系物質のような有機物材質から形成されてもよいし、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化シリコーン（ＳｉＮｘ）などのような無機物材質から形成されてもよい。
【００４０】
図４は、図１のＡ領域、すなわち、発光領域のパッシベーション層の配置例を示した断面図である。図５は、図１のＡ領域、すなわち、発光領域のパッシベーション層の他の配置例を示した断面図である。
【００４１】
パッシベーション層は、図４に示した例のような断面状を仮定することができる。これは、パッシベーション物質の蒸着及び乾式エッチングによるパターニングの結果と言える。乾式エッチングによるパターニング時に工程マージンによって上部平面部１２４ａ、傾斜部１４０ｂのほか、下部平面部１４０ｃまで形成される。かかる下部平面部１４０ｃの存在は、発光面積の減少をもたらす。また、乾式エッチングによるパターニングの場合、第１電極１３０も一部消失する結果をもたらす。これは、第１電極１３０厚さの均一度を低下させる要因となり得る。
【００４２】
しかし、図５に示す断面状のパッシベーション層は、補助配線パターン１２０に対応する断面状を有してもよいが、より具体的には、上部平面部１４０ａと、上部平面部１４０ａから下側方に延びる傾斜部１４０ｂからなり、下部平面部１４０ｃは、存在しなくてもよい。
【００４３】
かかる補助配線パターン１２０に対応する、すなわち、上部平面部１４０ａと傾斜部１４０ｂからなるパッシベーション層１４０は、後述する光分解可能な高分子マスクを適用することで達成できる。この場合、図４とは違って、下部平面部１４０ｃが存在しておらず、その分発光面積を増大させることができる。また、本発明に適用する高分子マスクの場合、光分解が可能であり、第１電極１３０の厚さの均一度低下が問題とならない。
【００４４】
パッシベーション層１４０は、発光領域（ＬＡ）の縁及びパッド領域（ＰＡ）の縁にさらに配置してもよい。発光領域の縁及びパッド領域の縁の場合、水気浸透に相対的に弱い領域に該当する。このため、発光領域の縁及びパッド領域の縁にパッシベーションをさらに配置して、水気浸透による第１電極と第２電極との間のショート発生を防止する効果を高められる。
【００４５】
ＯＬＥＤ発光構造体１５０は、パッシベーション層１４０が配置された第１電極１３０上に配置する。ＯＬＥＤ発光構造体１５０には、有機発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）と、前記有機発光層に孔（ｈｏｌｅ）を提供するための孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）及び／又は孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）、前記有機発光層に電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）を提供するための電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）及び／又は電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が含まれていてもよい。
【００４６】
第２電極１６０は、ＯＬＥＤ発光構造体１５０上に配置する。第２電極１６０は、ＩＴＯのようなＴＣＯ材質、Ａl、Ａｇなどのような金属材質などから形成されてもよい。例えば、下面発光型である場合、第２電極は、金属材質であってもよいし、両面発光型である場合、第２電極は、ＴＣＯ材質であってもよい。
【００４７】
一方、ＯＬＥＤ発光構造体１５０及び第２電極１６０は、発光領域（ＬＡ）に全体として形成され得るところ、第１電極１３０の断面に対応する断面を有してもよい。
【００４８】
封止層１７０は、第２電極１６０上に配置して、外部から水気や空気が浸透することを防止する役割を担う。かかる封止層１７０は、アクリレート系化合物、エポキシ系化合物のような有機物材質、セラミックス、金属のような無機物材質又は有無機複合材から形成されてもよいし、断層構造あるいは多層構造で形成されてもよい。
【００４９】
図２及び図３には、封止層１７０が第２電極１６０の上部にのみ形成される例を示したが、水気などの浸透防止効果を高めるために封止層１７０は、発光領域に形成された各要素１１０〜１６０の側面にも形成されてもよい。
【００５０】
封止層１７０上には、接着層１８０を介してさらに保護フィルム１９０が配置してもよく、また、この保護フィルム１９０も外部から水気や空気が侵透することを防止する役割を担う。保護フィルム１９０は、ＰＥＴ基板、金属箔などであってもよい。
【００５１】
次に、パッド領域（ＰＡ）について説明する。パッド領域には、第１の電極パッド１３０ａ及び第２の電極パッド１６０ａを配置する。第１の電極パッド１３０ａ及び第２の電極パッド１６０ａは、外部電源に連結される。第１の電極パッド１３０ａは、第１電極１３０と連結される。そして、第２の電極パッド１６０ａは、第２電極１６０と連結される。図１には、パッド領域の中央部に第２の電極パッド１６０ａが配置しており、第２の電極パッド１６０ａの両側に第１の電極パッド１３０ａが配置している例を示したが、第１の電極パッド１３０ａが第１電極１３０と電気的に連結されて、第２の電極パッド１６０ａが第２電極１６０と電気的に連結されるものであれば、電極パッドの配置形態や、電極パッドの大きさ、電極パッド数などは、必要によって変更可能である。
【００５２】
図２を参照すると、第１の電極パッド１３０ａは、補助配線パターン１２０と同じ材質の下部層１３１と、第１電極１３０と同じ材質の上部層１３２を含んでもよい。下部層１３１は、補助配線パターン１２０と同時に形成されてもよいし、補助配線パターン１２０と直接連結されてもよい。上部層１３２は、第１電極１３０と同時に形成されてもよい。下部層１３１が補助配線パターン１２０と直接連結される場合、上部層１３２は、第１電極１３０と直接連結されなくてもよい。
【００５３】
また、図３を参照すると、第２の電極パッド１６０ａは、補助配線パターン１２０と同じ材質の下部層１６１と、第２電極１６０と同じ材質の上部層１６２を含んでもよい。下部層１６１は、補助配線パターン１２０と同時に形成されてもよいし、上部層１６２は、第２電極１６０と同時に形成されてもよい。
【００５４】
以下、図６ａ〜図６ｋを参照して、本発明による照明装置用ＯＬＥＤを製造する方法について説明する。
【００５５】
先ず、図６ａに示す例のように、発光領域（ＬＡ）と、発光領域（ＬＡ）の外郭のパッド領域とに分けられる基板１１０上に、補助配線パターン１２０を配置する。
【００５６】
補助配線パターン１２０は、互いに電気的に連結された複数の補助配線を含む。補助配線パターン１２０は、金属材質から形成されてもよいし、蒸着及び乾式エッチングによって上部に向かうほど幅が細くなるテーパー状の断面を有してもよい。
【００５７】
また、補助配線パターン１２０は、発光領域（ＬＡ）及びパッド領域（ＰＡ）両方に形成されてもよい。パッド領域（ＰＡ）に関して、本段階において、補助配線パターンと同じ材質の第１の電極パターンの下部層（図２の１３１）及び第２の電極パターンの下部層（図３の１６１）を形成することができる。
【００５８】
次に、図６ｂに示した例のように、補助配線パターン１２０が配置された基板上に第１電極１３０を配置する。第１電極１３０は、ＩＴＯのような透明電導性酸化物（ＴＣＯ）材質から形成されてもよい。第１電極１３０は、発光領域（ＬＡ）全体に形成されてもよいし、第１の電極パッド１３０ａを形成するためパッド領域（ＰＡ）の一部にも形成される。すなわち、第１電極の配置段階において、第１電極と同じ材質の第１の電極パッドの上部層１３２を形成する。
【００５９】
次に、図６ｃ〜図６ｅに示した例のように、パッシベーション層１４０を形成する。
【００６０】
先ず、図６ｃに示した例のように、第１電極１３０上に高分子１３５を配置するものの、発光領域の補助配線パターン互いに隣接した補助配線らの間に高分子を配置する。
【００６１】
高分子１３５の配置は、インクジェット印刷法で液状高分子を所望の領域に印刷した後、硬化工程によって行うことができる。液状高分子は、高分子が溶媒に溶解されている状態、又は、該工程温度で液状状態である高分子を意味する。液状高分子としては、低温硬化できるＰＶＡ（ｐｏｌｙ−ｖｉｎｙｌ  ａｌｃｈｏｈｏｌ）、ＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ−ｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）などが用いられるが、これに制限されるものではない。
【００６２】
本発明の場合、補助配線パターン１２０が段差として作用し、この段差によって、インクジェット印刷された高分子が補助配線パターンの互いに隣接した補助配線らの間に自己整列（ｓｅｌｆ  ａｌｉｇｍｅｎｔ）されてもよい。インクジェット印刷した高分子は、表面張力によって、示したように半球状を有してもよい。
【００６３】
また、パッド領域（ＰＡ）の第１の電極パッド上にも高分子が配置されるが、これは、パッド領域の縁にもパッシベーション層を形成するためである。
【００６４】
一方、水気や空気浸透に弱い発光領域（ＬＡ）の縁及びパッド領域（ＰＡ）の縁にパッシベーション層１４０がさらに配置するようにする必要がある。このため、発光領域（ＬＡ）の縁及びパッド領域（ＰＡ）の縁には高分子を配置しなくてもよい。
【００６５】
その後、図６ｄに示した例のように、高分子１３５をマスクとして、第１電極１３０上にパッシベーション物質を蒸着する。
【００６６】
パッシベーション物質は、ポリイミドなどのような有機物、アルミナ、窒化シリコーンのような無機物であってもよい。パッシベーション物質の蒸着は、原子層蒸着（ＡＬＤ）方法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法などを用いることができ、より好ましくは、常圧ＡＬＤ蒸着方法を提示することができる。常圧ＡＬＤ方法は、常圧で原子単位に薄膜を形成する蒸着法であって、表面反応（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ）及び副産物の脱着（Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ）に基づく。主に、ＴＭＡ（ｔｒｉｍｅｔｈｌｙ−ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）を前駆体として、Ａｌ２Ｏ３をＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で蒸着する。これに限定されず、前駆体をＺｒ（ＮＭｅ２）４、ＨｆＣｌ４、ＴｉＣｌ４などにして、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２などを常圧ＡＬＤ方法で蒸着してもよい。
【００６７】
その後、図６ｅに示した例のように、高分子１３５を除去して、発光領域（ＬＡ）の補助配線パターンの補助配線の上部領域にパッシベーション層を形成する。また、図６ｅに示した例のように、本段階において、パッド領域に形成された高分子も共に除去することができる。他の例として、図６ｆに示した例のように、パッド領域に形成された高分子を残留させることができ、後続工程（例えば、図６ｊのパッドオープン段階）において除去することができる。
【００６８】
一方、高分子には光分解可能な触媒が含まれており、高分子の除去は、光照射によって触媒を光分解させる方法で行うことができる。かかる光分解可能な触媒は、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＣＤＳ、ＺｒＯ２、ＳｎＯ２、Ｖ２Ｏ２、ＷＯ３、Ｃｅｒｉｕｍ  ｓｔｅａｒａｔａ、ＳｒＴｉＯ３などを用いることができる。高分子除去のために用いられる光は、レーザ光であってもよいし、パルス状に周期的に光を照射するＩＰＬ（Ｉｎｔｅｎｓｅ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌｉｇｈｔ）を用いることができる。ＩＰＬ状の光を用いる場合、基板の温度が一定に維持した状態で、光分解可能な触媒が活性化して、高分子の粘着力を弱化させることができる。
【００６９】
次に、図６ｇに示した例のように、発光領域（ＬＡ）にＯＬＥＤ発光構造体１５０を配置する。ＯＬＥＤ発光構造体１５０の各層は、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ、Ｎ−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ、Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシクノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）などの有機物を真空蒸着法で蒸着する方法を用いて形成することができる。
【００７０】
次に、図６ｈに示した例のように、ＯＬＥＤ発光構造体１５０上に第２電極１６０を配置する。第２電極１６０は、金属やＴＣＯ材質から形成してもよい。
【００７１】
第２電極１６０は、発光領域に全体として形成されており、図３に示した例のように、第２の電極パッド１６０ａを形成するためパッド領域（ＰＡ）の一部にも形成される。第２電極の配置段階において、第２電極と同じ材質の第２の電極パッドの上部層１６２を形成することができる。
【００７２】
第２電極１６０を形成した後、必要によっては、ＯＬＥＤ発光構造体１５０の有機層にエージング電圧を印加して、ＯＬＥＤ発光構造体１５０をエージングする過程をさらに行うことができる。有機発光物質は、寿命は短く、水気や酸素に弱く、高電圧や高電流の印加時に素子の損傷が発生し得る。また、第１及び第２電極１３０，１６０とＯＬＥＤ発光構造体１５０との間の界面特性が良くないため、素子の特性が不安定である問題点もある。また、第２電極１６０の形成時にＯＬＥＤ発光構造体１５０内に不純物が積層して、有機物の発光特性及び色感を低下させることもある。
【００７３】
このような問題を解決するため、ＯＬＥＤ発光構造体１５０に高電圧エージング電圧を印加して、ＯＬＥＤ発光構造体１５０を短時間にエージング（ａｇｉｎｇ）することができる。このとき、エージング電圧は、第１電極１３０及び第２電極１６０に印加される電圧より大きい高電圧であってもよいし、第１電極１３０及び第２電極１６０に印加される電圧の逆電圧であってもよい。
【００７４】
次に、図６ｉに示した例のように、第２電極１６０上に封止層１７０を形成する。
【００７５】
また、第１の電極パッド１３０ａ上に高分子１３５が残留している場合、パッドオープンのため図６ｊに示した例のように、高分子１３５を除去する工程を行う。
【００７６】
また、図６ｋのように、平坦化した接着層１８０を配置して、その上に保護フィルム１９０を付着する工程をさらに行ってもよい。保護フィルム１９０は、外部から水気や空気が侵透することを防止する役割を行い、ＰＥＴ基板、金属箔などを用いることができる。
【００７７】
以上の過程によって、本発明による照明装置用ＯＬＥＤパネルを製造することができ、前記工程のほか、公知された追加工程がさらに含まれてもよい。
【００７８】
以上では、本発明の実施形態を中心にして説明したが、通常の技術者の水準で多様な変更や変形を加えることができる。従って、このような変更と変形が本発明の範囲を脱しない限り、本発明の範疇内に含まれると理解することができる。
【符号の説明】
【００７９】
ＬＡ  発光領域
ＰＡ  パッド領域
１１０  基板
１２０  補助配線パターン
１３０  第１電極
１３０ａ  第１の電極パッド
１３１  第１の電極パッドの下部層
１３２  第１の電極パッドの上部層
１３５  高分子
１４０  パッシベーション層
１５０  ＯＬＥＤ構造体
１６０  第２電極
１６０ａ  第２の電極パッド
１６１  第１の電極パッドの下部層
１６２  第１の電極パッドの上部層
１７０  封止層
１８０  接着剤層
１９０  保護フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図６ｇ】
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【図６ｈ】
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【図６ｉ】
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【図６ｊ】
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【図６ｋ】
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