(57)【要約】【課題】バイアス配線の高抵抗化による検出不良を抑制し得る技術を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス基板１は、複数の検出部をマトリクス状に備える。複数の検出部のそれぞれは、光電変換層１５と、光電変換層１５を挟む一対の第１の電極１４ａ及び第２の電極１４ｂと、光電変換層１５の側端部を覆う絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６上に設けられ、第２の電極１４ｂにバイアス電圧を印加するバイアス配線１６と、絶縁膜１０６上に設けられ、バイアス配線１６の表面を覆い、酸に対して耐性を有する導電材料を含む保護膜１７と、を備える。第２の電極１４ｂの少なくとも一部は保護膜１７を覆う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の検出部をマトリクス状に備えるアクティブマトリクス基板であって、
前記複数の検出部のそれぞれは、
光電変換層と、
前記光電変換層を挟む一対の第１の電極及び第２の電極と、
前記光電変換層の側面を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第２の電極にバイアス電圧を印加するバイアス配線と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記バイアス配線の表面を覆い、酸に対して耐性を有する導電材料を含む保護膜と、を備え、
前記第２の電極の少なくとも一部は前記保護膜を覆う、アクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記バイアス配線は、アルミニウム、銅、及び銀のいずれかを含む金属材料で構成される、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記光電変換層上において開口を有し、
前記第２の電極は、前記開口において前記光電変換層と接している、請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記酸は、フッ酸を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板と、
照射されたＸ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、
を備えるＸ線撮像パネル。
【請求項６】
複数の検出部をマトリクス状に備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
基板上において前記複数の検出部が設けられる各領域に、
第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極の上に光電変換層を形成する工程と、
前記光電変換層の上において開口を有し、前記光電変換層の側面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記光電変換層の外側において前記絶縁膜上にバイアス配線を形成する工程と、
前記バイアス配線の表面を覆う保護膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、
前記開口において前記光電変換層と接し、前記保護膜と重なる第２の電極を形成する工程と、を含み、
前記保護膜は、酸に対して耐性を有する導電材料を含む、製造方法。
【請求項７】
前記酸は、フッ酸を含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記保護膜を形成後、前記第２の電極を形成する前に、前記光電変換層の表面をフッ酸を用いて洗浄する工程をさらに含む、請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁膜を形成する工程において、前記光電変換層を覆う絶縁膜を成膜し、前記バイアス配線と前記保護膜とを形成する工程を行った後、前記光電変換層上の前記絶縁膜をフッ酸を用いてエッチングし、前記光電変換層の内側に前記開口を形成する、請求項６から８のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス基板及びそれを備えたＸ線撮像パネルと製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、マトリクス状に配置された複数の領域（以下、画素部）に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」とも称する。）を備え、複数の画素部において、照射されたＸ線を撮像するＸ線撮像装置が知られている。このようなＸ線撮像装置においては、例えば、照射されたＸ線を電荷に変換する光電変換素子としてＰＩＮ（p-intrinsic-n）フォトダイオードが用いられる。変換された電荷は、各画素部のＴＦＴを動作させることで読み出される。このようにして電荷が読み出されることで、Ｘ線画像が得られる。
【０００３】
下記特許文献１には、このようなＸ線撮像装置が開示されている。具体的には、特許文献１では、フォトダイオードを挟む一対の電極のうち、一方の第１電極はＴＦＴと接続され、他方の第２電極はバイアス線と接続されている。バイアス線は、各画素部における光の入射面の全面に亘って形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５９７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＰＩＮフォトダイオードの表面に付着した自然酸化膜をフッ酸を用いて除去する場合がある。例えば、ＰＩＮフォトダイオードの外側にバイアス配線を設け、バイアス配線と上部電極とを接続する構成において、フッ酸を用いた洗浄の前にバイアス配線が既に形成されていれば、バイアス配線はフッ酸に曝される。フッ酸に対して耐性が低いアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料がバイアス配線に含まれていると、洗浄処理によってバイアス配線はサイドエッチングされ、バイアス配線の配線幅が小さくなる。その結果、バイアス配線が高抵抗化し、Ｘ線の検出不良が生じる。
【０００６】
本発明は、バイアス配線の高抵抗化による検出不良を抑制し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明のアクティブマトリクス基板は、複数の検出部をマトリクス状に備えるアクティブマトリクス基板であって、前記複数の検出部のそれぞれは、光電変換層と、前記光電変換層を挟む一対の第１の電極及び第２の電極と、前記光電変換層の側面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記第２の電極にバイアス電圧を印加するバイアス配線と、前記絶縁膜上に設けられ、前記バイアス配線の表面を覆い、酸に対して耐性を有する導電材料を含む保護膜と、を備え、前記第２の電極の少なくとも一部は前記保護膜を覆う。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、バイアス配線の高抵抗化による検出不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態におけるＸ線撮像装置を示す模式図である。
【図２】図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す模式図である。
【図３】図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板の一の画素部分を拡大した平面図である。
【図４】図４は、図３に示す画素をＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図５】図５は、図４の破線枠部分の拡大図である。
【図６Ａ】図６Ａは、図４に示すアクティブマトリクス基板の製造工程であって、基板の上に、ゲート絶縁膜とＴＦＴとが形成され、第１絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａに示す第１絶縁膜をパターニングして第１絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図４に示す第２絶縁膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ｃに示す第２絶縁膜をパターニングして第２絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図４に示す下部電極としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ｅに示す金属膜をパターニングして下部電極を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図４に示す光電変換層としてのｎ型非晶質半導体層、真性非晶質半導体層及びｐ型非晶質半導体層を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｈ】図６Ｈは、図６Ｇに示すｎ型非晶質半導体層、真性非晶質半導体層及びｐ型非晶質半導体層をパターニングして光電変換層を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｉ】図６Ｉは、図４に示す第３絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｊ】図６Ｊは、図６Ｉに示す第３絶縁膜をパターニングして第３絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｋ】図６Ｋは、図４に示す第４絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｌ】図６Ｌは、図６Ｋに示す第４絶縁膜をパターニングして第４絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｍ】図６Ｍは、図４に示すバイアス配線としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｎ】図６Ｎは、図６Ｍに示す金属膜をパターニングして保護膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｏ】図６Ｏは、図４に示す保護膜としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｐ】図６Ｐは、図６Ｏに示す金属膜をパターニングして保護膜を形成し、光電変換層の表面をフッ酸で洗浄する工程を示す断面図である。
【図６Ｑ】図６Ｑは、図４に示す上部電極としての透明導電膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図６Ｒ】図６Ｒは、図６Ｑに示す透明導電膜をパターニングして上部電極を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｓ】図６Ｓは、図４に示す第５絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６Ｔ】図６Ｔは、図４に示す第６絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、図４に示すアクティブマトリクス基板の第２実施形態における製造工程であって、第３絶縁膜の上に第４絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａに示す第４絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図７Ｂに示す第３絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、図４に示すアクティブマトリクス基板の第３実施形態における製造工程であって、バイアス配線としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａに示す金属膜をパターニングしてバイアス配線を形成する工程を示す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８Ｂに示すバイアス配線を覆うように、保護膜としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、図８Ｃに示す金属膜をパターニングして保護膜を形成する工程を示す断面図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、図８Ｄに示す第３絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図４に示すアクティブマトリクス基板の第４実施形態における製造工程であって、第４絶縁膜上にバイアス配線としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａに示す金属膜をパターニングしてバイアス配線を形成する工程を示す断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、図９Ｂに示すバイアス配線を覆うように保護膜としての金属膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、図９Ｃに示す金属膜をパターニングして保護膜を形成する工程を示す断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、図９Ｄに示す第４絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、図９Ｅに示す第３絶縁膜の開口を形成する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板は、複数の検出部をマトリクス状に備えるアクティブマトリクス基板であって、前記複数の検出部のそれぞれは、光電変換層と、前記光電変換層を挟む一対の第１の電極及び第２の電極と、前記光電変換層の側面を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記第２の電極にバイアス電圧を印加するバイアス配線と、前記絶縁膜上に設けられ、前記バイアス配線の表面を覆い、酸に対して耐性を有する導電材料を含む保護膜と、を備え、前記第２の電極の少なくとも一部は前記保護膜を覆う（第１の構成）。
【００１１】
第１の構成によれば、光電変換層の側面を覆う絶縁膜上に、バイアス配線と、バイアス配線を覆う保護膜とが設けられ、保護膜を第２の電極が覆っている。保護膜は、酸に対して耐性を有する導電材料を含む。バイアス配線は保護膜によって覆われるため、仮に、保護膜の形成後に酸を用いたエッチングや洗浄処理を行っても、バイアス配線が酸に曝されることなく、バイアス配線は酸によって溶解しない。よって、バイアス配線を一定の配線幅に保持することができ、バイアス配線の高抵抗化による検出不良を抑制することができる。
【００１２】
第１の構成において、前記バイアス配線は、アルミニウム、銅、及び銀のいずれかを含む金属材料で構成されることとしてもよい（第２の構成）。
【００１３】
第２の構成によれば、バイアス配線は比較的低抵抗な金属材料で構成されるため、検出性能を向上させることができる。
【００１４】
第１の構成において、前記絶縁膜は、前記光電変換層上において開口を有し、前記第２の電極は、前記開口において前記光電変換層と接していることとしてもよい（第３の構成）。
【００１５】
第３の構成によれば、光電変換層上の開口を介して第２の電極と光電変換層とが接し、光電変換層上にバイアス配線及び保護膜は配置されない。そのため、光電変換層上にバイアス配線及び保護膜が配置される場合と比べて透過率が低下せず、検出精度を向上させることができる。
【００１６】
第１から第３のいずれかの構成において、前記酸は、フッ酸を含むこととしてもよい（第４の構成）。
【００１７】
第４の構成によれば、保護膜はフッ酸に対して耐性を有するため、保護膜がフッ酸に曝されてもバイアス配線は溶解せず、一定の配線幅を保持することができる。
【００１８】
本発明の一実施形態に係るＸ線撮像パネルは、第１から第４のいずれか構成のアクティブマトリクス基板と、照射されたＸ線をシンチレーション光に変換するシンチレータと、を備える（第５の構成）。
【００１９】
第５の構成によれば、バイアス配線を一定の配線幅に保持することができ、バイアス配線の高抵抗化によるシンチレーション光の検出不良を抑制することができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の検出部をマトリクス状に備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、基板上において前記複数の検出部が設けられる各領域に、第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極の上に光電変換層を形成する工程と、前記光電変換層の上において開口を有し、前記光電変換層の側面を覆う絶縁膜を形成する工程と、前記光電変換層の外側において前記絶縁膜上にバイアス配線を形成する工程と、前記バイアス配線の表面を覆う保護膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、前記開口において前記光電変換層と接し、前記保護膜と重なる第２の電極を形成する工程と、を含み、前記保護膜は、フッ酸に対して耐性を有する導電材料を含む（第１の製造方法）。
【００２１】
第１の製造方法によれば、光電変換層の外側において光電変換層の側面を覆う絶縁膜上にバイアス配線と、バイアス配線を覆う保護膜とが形成される。第２の電極は保護膜と重なり、絶縁膜の開口において光電変換層と接する。保護膜はフッ酸に対して耐性を有する導電材料を含む。バイアス配線の表面は保護膜に覆われているため、仮に、保護膜の形成後、酸を用いたエッチングを行ってもバイアス配線が酸に曝されず、バイアス配線の配線幅を一定に保つことができる。その結果、バイアス配線の高抵抗化による検出不良を抑制することができる。
【００２２】
第１の製造方法において、前記酸は、フッ酸を含むこととしてもよい（第２の製造方法）。
【００２３】
第２の製造方法によれば、保護膜はフッ酸に対して耐性を有するため、保護膜形成後に保護膜がフッ酸に曝されてもバイアス配線は溶解せず、一定の配線幅を保持することができる。
【００２４】
第１又は第２の製造方法において、前記保護膜を形成後、前記第２の電極を形成する前に、前記光電変換層の表面をフッ酸を用いて洗浄する工程をさらに含むこととしてもよい（第３の製造方法）。
【００２５】
第３の製造方法によれば、光電変換層の表面をフッ酸を用いて洗浄するため、光電変換層の表面に付着した自然酸化膜等を除去することができる。また、バイアス配線は保護膜で覆われているため、フッ酸による洗浄処理の影響をバイアス配線は受けない。
【００２６】
第１から第３のいずれかの製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程において、前記光電変換層を覆う絶縁膜を成膜し、前記バイアス配線と前記保護膜とを形成する工程を行った後、前記光電変換層上の前記絶縁膜をフッ酸を用いてエッチングし、前記光電変換層の内側に前記開口を形成することとしてもよい（第４の製造方法）。
【００２７】
第４の製造方法によれば、酸を用いて光電変換層上の絶縁膜をエッチングする際、バイアス配線は保護膜に覆われているため、バイアス配線がフッ酸に曝されず、バイアス配線の配線幅を一定に保つことができる。
【００２８】
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００２９】
［第１実施形態］
（構成）
図１は、本実施形態におけるＸ線撮像装置を示す模式図である。Ｘ線撮像装置１００は、アクティブマトリクス基板１と、制御部２とを備える。制御部２は、ゲート制御部２Ａと信号読出部２Ｂとを含む。被写体Ｓに対しＸ線源３からＸ線が照射され、被写体Ｓを透過したＸ線が、アクティブマトリクス基板１の上部に配置されたシンチレータ４において蛍光（以下、シンチレーション光）に変換される。Ｘ線撮像装置１００は、シンチレーション光をアクティブマトリクス基板１及び制御部２で撮像し、Ｘ線画像を取得する。
【００３０】
図２は、アクティブマトリクス基板１の概略構成を示す模式図である。図２に示すように、アクティブマトリクス基板１には、複数のソース配線１０と、複数のソース配線１０と交差する複数のゲート配線１１とが形成されている。ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａと接続され、ソース配線１０は、信号読出部２Ｂと接続されている。
【００３１】
アクティブマトリクス基板１は、ソース配線１０とゲート配線１１とが交差する位置に、ソース配線１０及びゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３を有する。また、ソース配線１０とゲート配線１１とで囲まれた領域（以下、画素）には、フォトダイオード１２が設けられている。画素において、被写体Ｓを透過したＸ線を変換したシンチレーション光は、フォトダイオード１２でその光量に応じた電荷に変換される。つまり、画素は、シンチレーション光を検出する検出部として機能する。
【００３２】
アクティブマトリクス基板１における各ゲート配線１１は、ゲート制御部２Ａにおいて順次選択状態に切り替えられ、選択状態のゲート配線１１に接続されたＴＦＴ１３がオン状態となる。ＴＦＴ１３がオン状態になると、フォトダイオード１２で変換された電荷に応じた信号がソース配線１０を介して信号読出部２Ｂに出力される。
【００３３】
図３は、図２に示すアクティブマトリクス基板１の一の画素部分を拡大した平面図である。図３に示すように、ゲート配線１１及びソース配線１０に囲まれた画素には、フォトダイオード１２とＴＦＴ１３とが設けられている。
【００３４】
フォトダイオード１２は、一対の第１の電極及び第２の電極としての下部電極１４ａ及び上部電極１４ｂと、光電変換層１５とを有する。
【００３５】
上部電極１４ｂは、光電変換層１５の上部、すなわち、Ｘ線源３（図１参照）からＸ線が照射される側に設けられる。
【００３６】
ＴＦＴ１３は、ゲート配線１１と一体化されたゲート電極１３ａと、半導体活性層１３ｂと、ソース配線１０と一体化されたソース電極１３ｃと、ドレイン電極１３ｄとを有する。
【００３７】
また、ゲート配線１１及びソース配線１０と平面視で重なるようにバイアス配線１６が配置されている。バイアス配線１６は、フォトダイオード１２にバイアス電圧を供給する。
【００３８】
ここで、図４に、図３に示す画素のＡ−Ａ線の断面図を示す。図４に示すように、画素における各素子は、基板１０１の上に配置されている。基板１０１は、絶縁性を有する基板であり、例えばガラス基板等で構成される。
【００３９】
基板１０１上には、ゲート配線１１（図３参照）と一体化されたゲート電極１３ａと、ゲート絶縁膜１０２とが形成されている。
【００４０】
ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンナイトライド（ＭｏＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属、又はこれらの合金、若しくはこれら金属窒化物からなる。この例において、ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１は、上層にモリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜と、下層にアルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜とが積層された積層構造を有していてもよい。この場合、モリブデンナイトニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜の膜厚は１００ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜の膜厚は３００ｎｍ程度が好ましい。但し、ゲート電極１３ａ及びゲート配線１１の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４１】
ゲート絶縁膜１０２は、ゲート電極１３ａを覆う。ゲート絶縁膜１０２は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等を用いてもよい。
【００４２】
この例において、ゲート絶縁膜１０２は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）とが順に積層された積層膜で構成されていてもよい。この場合、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）の膜厚は５０ｎｍ、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の膜厚は４００ｎｍ程度が好ましい。但し、ゲート絶縁膜１０２の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４３】
ゲート絶縁膜１０２を介してゲート電極１３ａの上に、半導体活性層１３ｂと、半導体活性層１３ｂに接続されたソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄとが形成されている。
【００４４】
半導体活性層１３ｂは、ゲート絶縁膜１０２に接して形成されている。半導体活性層１３ｂは、酸化物半導体からなる。酸化物半導体は、例えば、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、又は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体等を用いてもよい。
【００４５】
この例において、半導体活性層１３ｂは、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）を所定の比率で含有するアモルファス酸化物半導体で構成され、膜厚は７０ｎｍ程度であることが好ましい。但し、半導体活性層１３ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４６】
ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、ゲート絶縁膜１０２の上において半導体活性層１３ｂの一部と接するように配置されている。ドレイン電極１３ｄは、コンタクトホールＣＨ１を介して下部電極１４ａと接続されている。
【００４７】
ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、同一層上に形成され、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）等の金属又はこれらの合金、若しくはこれら金属窒化物からなる。また、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄの材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化チタン等の透光性を有する材料及びそれらを適宜組み合わせたものを用いてもよい。
【００４８】
この例において、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、複数の金属膜を積層した積層構造を有する。具体的には、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄは、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜と、アルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜と、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜とが積層されて構成される。この場合、下層のモリブデンナイトニオブ（ＭｏＮｂ）の膜厚は５０ｎｍ、アルミニウム（Ａｌ）の膜厚は５００ｎｍ、上層のモリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）の膜厚は１００ｎｍ程度であることが好ましい。但し、ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００４９】
ソース電極１３ｃ及びドレイン電極１３ｄを覆うように、第１絶縁膜１０３が設けられている。この例において、第１絶縁膜１０３は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をこの順に積層した積層構造を有する。この場合、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮ）の膜厚は３３０ｎｍ、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の膜厚は２００ｎｍ程度が好ましい。但し、第１絶縁膜１０３の材料及び膜厚はこれに限定されない。また、第１絶縁膜１０３は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又は窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる単層構造でもよい。
【００５０】
第１絶縁膜１０３の上には、第２絶縁膜１０４が形成されている。ドレイン電極１３ｄの上には、コンタクトホールＣＨ１が形成されている。コンタクトホールＣＨ１は、第２絶縁膜１０４と第１絶縁膜１０３とを貫通する。この例において、第２絶縁膜１０４は、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂などの有機系透明樹脂で構成されている。この場合、第２絶縁膜１０４の膜厚は２．５μｍ程度が好ましい。但し、第２絶縁膜１０４の膜厚はこれに限定されない。
【００５１】
第２絶縁膜１０４の上には、下部電極１４ａが形成されている。下部電極１４ａは、コンタクトホールＣＨ１を介してドレイン電極１３ｄと接続されている。この例において、下部電極１４ａは、例えば、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）を含む金属膜で構成される。この場合、下部電極１４ａの膜厚は２００ｎｍ程度が好ましい。但し、下部電極１４ａの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５２】
下部電極１４ａの上には、光電変換層１５が形成されている。光電変換層１５は、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２と、ｐ型非晶質半導体層１５３が順に積層されて構成されている。この例において、光電変換層１５のＸ軸方向の長さは、下部電極１４ａのＸ軸方向の長さよりも短い。
【００５３】
ｎ型非晶質半導体層１５１は、ｎ型不純物（例えば、リン）がドーピングされたアモルファスシリコンで構成されている。この例において、ｎ型非晶質半導体層１５１の膜厚は、３０ｎｍ程度が好ましい。但し、ｎ型非晶質半導体層１５１のドーパント材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５４】
真性非晶質半導体層１５２は、真性のアモルファスシリコンからなる。真性非晶質半導体層１５２は、ｎ型非晶質半導体層１５１に接して形成されている。この例において、真性非晶質半導体層の膜厚は１０００ｎｍ程度が好ましいが、これに限定されない。
【００５５】
ｐ型非晶質半導体層１５３は、ｐ型不純物（例えば、ボロン）がドーピングされたアモルファスシリコンで構成されている。ｐ型非晶質半導体層１５３は、真性非晶質半導体層１５２に接して形成されている。この例において、ｐ型非晶質半導体層１５３のは膜厚は、５ｎｍ程度が好ましい。但し、ｐ型非晶質半導体層１５３のドーパント材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５６】
第２絶縁膜１０４の上には、第３絶縁膜１０５が設けられている。第３絶縁膜１０５は、下部電極１４ａと光電変換層１５の側面を覆い、光電変換層１５の上部において開口１０５ａを有する。この例において、第３絶縁膜１０５は、無機絶縁膜であり、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。第３絶縁膜１０５の膜厚は３００ｎｍ程度が好ましい。但し、第３絶縁膜１０５の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５７】
第３絶縁膜１０５の上には、第４絶縁膜１０６が設けられている。第４絶縁膜１０６は、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａの上に、開口１０５ａよりも開口幅が大きい開口１０６ａを有する。第４絶縁膜１０６は、平面視で、光電変換層１５の側面と重なるように設けられる。つまり、第４絶縁膜１０６は、第３絶縁膜１０５を挟んで光電変換層１５の側面を覆う。コンタクトホールＣＨ２は、開口１０５ａと１０６ａとで構成される。この例において、第４絶縁膜１０６は、有機絶縁膜であり、例えばアクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる。第４絶縁膜１０６の膜厚は２．５μｍ程度が好ましい。但し、第４絶縁膜１０６の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００５８】
バイアス配線１６は、光電変換層１５の外側において、第４絶縁膜１０６上に設けられている。バイアス配線１６は、金属膜で構成される。
【００５９】
また、第４絶縁膜１０６上において、バイアス配線１６の表面を覆う保護膜１７が設けられている。保護膜１７は、金属膜で構成される。
【００６０】
そして、上部電極１４ｂは、コンタクトホールＣＨ２において光電変換層１５と接し、保護膜１７を覆っている。上部電極１４ｂは、透明導電膜で構成され、この例ではＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。上部電極１４ｂの膜厚は７０ｎｍ程度が好ましい。但し、上部電極１４ｂの材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６１】
バイアス配線１６は、制御部２（図１参照）に接続され、コンタクトホールＣＨ２を介して、制御部２から入力されるバイアス電圧を保護膜１７を介して上部電極１４ｂに印加する。
【００６２】
ここで、本実施形態においえるバイアス配線１６の構造について具体的に説明する。図５は、図４に示す破線枠Ｒを拡大した図である。
【００６３】
図５に示すように、バイアス配線１６は、３つの金属膜１６０ａ〜１６０ｃが積層された積層構造を有する。この例において、最上層と最下層の金属膜１６０ａ、１６０ｃは、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなり、中間層の金属膜１６０ｂは、アルミニウム（Ａｌ）からなる。金属膜１６０ａ〜１６０ｃの膜厚はそれぞれ順に、１００ｎｍ、３００ｎｍ、５０ｎｍ程度が好ましい。但し、バイアス配線１６の材料及び膜厚はこれに限定されない。バイアス配線１６は、比較的低抵抗な金属材料が含まれることが好ましい。低抵抗な金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）の他に、銅（Ｃｕ）又は銀（Ａｇ）等の金属材料が含まれていてもよい。
【００６４】
保護膜１７は、この例において、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなり、膜厚は３００ｎｍ程度が好ましい。保護膜１７の材料及び膜厚はこれに限定されないが、導電性を有し、フッ酸又はフッ化アンモニウム溶液等の酸に対して耐性を有する材料で構成されていることが好ましい。具体的には、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）以外に、例えばモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）のいずれか、若しくはこれら合金を用いてもよいし、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯのいずれかを用いてもよい。
【００６５】
図４に戻り、上部電極１４ｂ、及び第４絶縁膜１０６を覆うように第５絶縁膜１０７が設けられている。第５絶縁膜１０７は、無機絶縁膜であり、この例において、窒化ケイ素（ＳｉＮ）で構成される。この場合、第５絶縁膜１０７の膜厚は、２００ｎｍ程度が好ましい。但し、第５絶縁膜１０７の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６６】
第５絶縁膜１０７を覆うように、第６絶縁膜１０８が設けられている。第６絶縁膜１０８は、有機絶縁膜であり、この例において、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる有機系透明樹脂で構成される。第６絶縁膜１０８の膜厚は２．０μｍ程度が好ましい。但し、第６絶縁膜１０８の材料及び膜厚はこれに限定されない。
【００６７】
（アクティブマトリクス基板１の製造方法）
次に、アクティブマトリクス基板１の製造方法について説明する。図６Ａ〜図６Ｔは、アクティブマトリクス基板１の各製造工程における断面図（図３のＡ−Ａ断面）である。
【００６８】
図６Ａに示すように、基板１０１の上に、既知の方法を用いて、ゲート絶縁膜１０２とＴＦＴ１３を形成し、ＴＦＴ１３を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法を用い、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第１絶縁膜１０３を成膜する。
【００６９】
続いて、基板１０１の全面に３５０℃程度の熱処理を加え、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第１絶縁膜１０３をパターニングして、ドレイン電極１３ｄの上に開口１０３ａを形成する（図６Ｂ参照）。
【００７０】
次に、第１絶縁膜１０３の上に、例えば、スリットコーティング法を用いて、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第２絶縁膜１０４を形成する（図６Ｃ参照）。
【００７１】
そして、フォトリソグラフィ法を用いて、開口１０３ａの上に、第２絶縁膜１０４の開口１０４ａを形成する。これにより、開口１０３ａ及び１０４ａからなるコンタクトホールＣＨ１が形成される（図６Ｄ参照）。
【００７２】
続いて、第２絶縁膜１０４の上に、例えば、スパッタリング法を用いて、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜１４０を成膜する（図６Ｅ参照）。
【００７３】
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１４０をパターニングする。その結果、第２絶縁膜１０４の上に、コンタクトホールＣＨ１を介してドレイン電極１３ｄと接続された下部電極１４ａが形成される（図６Ｆ参照）。
【００７４】
次に、第２絶縁膜１０４と下部電極１４ａを覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、ｐ型非晶質半導体層１５３の順に成膜する（図６Ｇ参照）。
【００７５】
そして、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行うことで、ｎ型非晶質半導体層１５１、真性非晶質半導体層１５２、及びｐ型非晶質半導体層１５３をパターニングする。その結果、光電変換層１５が形成される（図６Ｈ参照）。
【００７６】
次に、光電変換層１５の表面を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第３絶縁膜１０５を成膜する（図６Ｉ参照）。
【００７７】
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第３絶縁膜１０５をパターニングし、光電変換層１５の上部に第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成する（図６Ｊ参照）。このウェットエッチングには、例えばフッ酸を含むエッチャントを用いるようにしてもよい。
【００７８】
続いて、第３絶縁膜１０５の上に、例えば、スリットコーティング法を用いて、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第４絶縁膜１０６を形成する（図６Ｋ参照）。その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａの上に、第４絶縁膜１０６の開口１０６ａを形成する（図６Ｌ参照）。第４絶縁膜１０６の開口１０６ａは、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａよりも開口幅が大きい。これにより、開口１０５ａ、１０６ａからなるコンタクトホールＣＨ２が形成される。
【００７９】
次に、第４絶縁膜１０６の上に、例えば、スパッタリング法を用いて、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）と、アルミニウム（Ａｌ）と、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）とを順に積層した金属膜１６０を第４絶縁膜１０６の上に成膜する（図６Ｍ参照）。
【００８０】
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１６０をパターニングする。これにより、光電変換層１５の外側において第４絶縁膜１０６上にバイアス配線１６が形成される（図６Ｎ参照）。
【００８１】
その後、例えば、スパッタリング法を用いて、バイアス配線１６を覆うように、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜１７０を成膜する（図６Ｏ参照）。そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１７０をパターニングする。これにより、バイアス配線１６の表面を覆う保護膜１７が形成される（図６Ｐ参照）。
【００８２】
次に、光電変換層１５の表面、すなわち、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に付着した自然酸化膜をフッ酸を用いてエッチングする。これにより、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面が洗浄される。このとき、保護膜１７は、フッ酸に曝される。しかしながら、保護膜１７はモリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜で構成され、フッ酸によるエッチングによって溶解しにくい。そのため、保護膜１７はフッ酸によるエッチングによる影響を受けず、保護膜１７によって覆われているバイアス配線１６もフッ酸によるエッチングの影響を受けない。よって、バイアス配線１６の配線幅は一定に保たれ、バイアス配線１６の高抵抗化が抑制される。なお、ここでは、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面をフッ酸を用いて洗浄したが、フッ化アンモニウム溶液を用いて洗浄処理を行ってもよい。
【００８３】
続いて、例えば、スパッタリング法を用いて、ｐ型非晶質半導体層１５３、保護膜１７、及び第４絶縁膜１０６を覆うように、ＩＴＯからなる透明導電膜１４１を成膜する（図６Ｑ参照）。そして、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを行い、透明導電膜１４１をパターニングする。これにより、光電変換層１５のｐ型非晶質半導体層１５３及び保護膜１７と接する上部電極１４ｂが形成される（図６Ｒ参照）。
【００８４】
その後、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、上部電極１４ｂ及び保護膜１７を覆うように、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる第５絶縁膜１０７を成膜する（図６Ｓ参照）。
【００８５】
続いて、第５絶縁膜１０７の上に、例えば、スリットコーティング法を用いて、アクリル系樹脂又はシロキサン系樹脂からなる第６絶縁膜１０８を形成する（図６Ｔ参照）。
【００８６】
以上が、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１の製造方法である。上述したように、本実施形態では、上部電極１４ｂを形成する前にｐ型非晶質半導体層１５３の表面をフッ酸を用いて洗浄する。このとき、バイアス配線１６の表面は保護膜１７によって覆われているため、フッ酸による洗浄処理によってバイアス配線１６に含まれるアルミニウム（Ａｌ）が溶解せず、バイアス配線１６の配線幅は一定に保たれる。その結果、バイアス配線１６の配線抵抗も高抵抗化せず、Ｘ線の検出不良が生じにくい。
【００８７】
（Ｘ線撮像装置１００の動作）
ここで、図１に示すＸ線撮像装置１００の動作について説明しておく。まず、Ｘ線源３からＸ線が照射される。このとき、制御部２は、バイアス配線１６（図３等参照）に所定の電圧（バイアス電圧）を印加する。Ｘ線源３から照射されたＸ線は、被写体Ｓを透過し、シンチレータ４に入射する。シンチレータ４に入射したＸ線は蛍光（シンチレーション光）に変換され、アクティブマトリクス基板１にシンチレーション光が入射する。アクティブマトリクス基板１における各画素に設けられたフォトダイオード１２にシンチレーション光が入射すると、フォトダイオード１２において、シンチレーション光の光量に応じた電荷に変化される。フォトダイオード１２で変換された電荷に応じた信号は、ＴＦＴ１３（図３等参照）が、ゲート制御部２Ａからゲート配線１１を介して出力されるゲート電圧（プラスの電圧）に応じてＯＮ状態となっているときに、ソース配線１０を通じて信号読出部２Ｂ（図２等参照）に読み出される。そして、読み出された信号に応じたＸ線画像が、制御部２で生成される。
【００８８】
［第２実施形態］
本実施形態では、上述した第１実施形態のアクティブマトリクス基板１の製造方法について第１実施形態と異なる方法を説明する。以下、第１実施形態と異なる工程について説明する。
【００８９】
上述した図６Ａ〜６Ｉの工程の後、第１実施形態では、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成したが、本実施形態では、図６Ｉの工程の後、続けて、例えばスリットコーティング法を用いて第４絶縁膜１０６を形成する（図７Ａ参照）。
【００９０】
その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、光電変換層１５の上部に第４絶縁膜１０６の開口１０６ａを形成する（図７Ｂ参照）。
【００９１】
続いて、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第４絶縁膜１０６の開口１０６ａより内側に第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成する。このとき、ウェットエッチングには、エッチャントとしてフッ酸を用いてもよい。これにより開口１０５ａ及び１０６ａからなるコンタクトホールＣＨ２が形成される（図７Ｃ参照）。
【００９２】
その後、上述した図６Ｍ〜６Ｔの各工程と同じ工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１（図４等参照）が作製される。
【００９３】
第２実施形態では、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成後の放置時間によって、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に自然酸化膜が形成される可能性がある。そのため、上部電極１４ｂを形成する直前にフッ酸を用いてｐ型非晶質半導体層１５３の表面を洗浄することで、上部電極１４ｂとｐ型非晶質半導体層１５３との接触抵抗が安定する。
【００９４】
なお、第４絶縁膜１０６をマスクとして第３絶縁膜１０５の開口を形成してもよい。この場合、第３絶縁膜１０５の端部が第４絶縁膜１０６の内側に凹み、第４絶縁膜１０６が第３絶縁膜１０５よりもせり出した形状となる。そのため、その後に形成される上部電極１４ｂは、第３絶縁膜１０５と第４絶縁膜１０６の段差部分において断線しやすい。そこで、上部電極１４ｂの断線を防止するため、第３絶縁膜１０５をエッチングした後、第４絶縁膜１０６の端部が第３絶縁膜１０６の端部より外側になるように酸素アッシング処理を行う。つまり、第３絶縁膜１０５と第４絶縁膜１０６の端部を順テーパー形状にする。このとき、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面は酸化反応による自然酸化膜が付着するため、フッ酸を用いて洗浄する。
【００９５】
［第３実施形態］
本実施形態では、上述した第１実施形態のアクティブマトリクス基板１の製造方法について第２実施形態と異なる方法を説明する。以下、第２実施形態と異なる工程について説明する。
【００９６】
上述の第２実施形態では、図７Ｂの工程の後、第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成したが、本実施形態では、図７Ｂの工程の後、例えば、スパッタリング法を用いて、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）と、アルミニウム（Ａｌ）と、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）とを順に積層した金属膜１６０を、第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６の上に成膜する（図８Ａ参照）。
【００９７】
続いて、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１６０をパターニングする。これにより、光電変換層１５の外側において第４絶縁膜１０６上にバイアス配線１６が形成される（図８Ｂ参照）。
【００９８】
その後、例えば、スパッタリング法を用いて、バイアス配線１６を覆うように、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜１７０を第３絶縁膜１０５及び第４絶縁膜１０６上に成膜する（図８Ｃ参照）。
【００９９】
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１７０をパターニングする。これにより、バイアス配線１６の表面を覆う保護膜１７が形成される（図８Ｄ参照）。
【０１００】
次に、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第４絶縁膜１０６の開口１０６ａより内側に第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成する。このとき、ウェットエッチングには、エッチャントとしてフッ酸を用いてもよい。これにより、開口１０５ａ及び１０６ａからなるコンタクトホールＣＨ２が形成される（図８Ｅ参照）。第３絶縁膜１０５のエッチングの際、バイアス配線１６は保護膜１７に覆われているため、バイアス配線１６はフッ酸に曝されない。また、保護膜１７はフッ酸に対して耐性を有する金属材料で構成されているため、保護膜１７はフッ酸によって溶解せず、バイアス配線１６の配線幅も一定に保たれる。
【０１０１】
その後、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面をフッ酸を用いて洗浄し、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に付着した自然酸化膜を除去する。このとき、バイアス配線１６の表面は保護膜１７によって覆われているため、フッ酸による洗浄処理によってもバイアス配線１６はエッチングされず、一定の配線幅を保つことができる。そして、上述した図６Ｑ〜６Ｔの各工程と同じ工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１（図４等参照）が作製される。
【０１０２】
第３実施形態では、バイアス配線１６を形成する工程（図８Ａ、８Ｂ参照）において、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面は第３絶縁膜１０５によって覆われている。そのため、バイアス配線１６を形成する際に、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面の酸化反応が生じず、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面の自然酸化膜の厚みは、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に酸化反応が生じる場合よりも薄くなり、フッ酸処理によるｐ型非晶質半導体層１５３の膜減りも小さくなる。その結果、ｐ型非晶質半導体層１５３の膜厚の変動が小さくなり、ｐ型非晶質半導体層１５３を所望の膜厚に形成しやすく、より理想的なダイオード特性を得ることが可能となる。
【０１０３】
［第４実施形態］
本実施形態では、上述した第１実施形態のアクティブマトリクス基板１の製造方法について第２及び第３実施形態と異なる方法を説明する。以下、第２及び第３実施形態と異なる工程について説明する。
【０１０４】
上述の第２及び第３実施形態では、図７Ａの工程の後、第４絶縁膜１０６の開口１０６ａを形成したが、本実施形態では、図７Ａの工程の後、例えば、スパッタリング法を用いて、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）と、アルミニウム（Ａｌ）と、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）とを順に積層した金属膜１６０を第４絶縁膜１０６上に成膜する（図９Ａ参照）。
【０１０５】
続いて、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１６０をパターニングする。これにより、光電変換層１５の外側において第４絶縁膜１０６上にバイアス配線１６が形成される（図９Ｂ参照）。
【０１０６】
次に、例えば、スパッタリング法を用いて、バイアス配線１６を覆うように、モリブデンニオブ（ＭｏＮｂ）からなる金属膜１７０を第４絶縁膜１０６上に成膜する（図９Ｃ参照）。
【０１０７】
そして、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、金属膜１７０をパターニングする。これにより、バイアス配線１６の表面を覆う保護膜１７が形成される（図９Ｄ参照）。
【０１０８】
その後、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、光電変換層１５の内側において第４絶縁膜１０６の開口１０６ａを形成する（図９Ｅ参照）。
【０１０９】
続いて、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチングを行い、第４絶縁膜１０６の開口１０６ａより内側に第３絶縁膜１０５の開口１０５ａを形成する。このとき、ウェットエッチングには、エッチャントとしてフッ酸を用いてもよい。これにより、開口１０５ａ及び１０６ａからなるコンタクトホールＣＨ２が形成される（図９Ｆ参照）。第３絶縁膜１０５のエッチングの際、バイアス配線１６は保護膜１７に覆われているため、バイアス配線１６はフッ酸に曝されない。また、保護膜１７はフッ酸に対して耐性を有する金属材料で構成されているため、保護膜１７はフッ酸によって溶解せず、バイアス配線１６の配線幅も一定に保たれる。
【０１１０】
その後、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面をフッ酸を用いて洗浄し、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に付着した自然酸化膜を除去する。このとき、バイアス配線１６の表面は保護膜１７によって覆われているため、フッ酸による洗浄処理によってもバイアス配線１６はエッチングされず、一定の配線幅を保つことができる。そして、上述した図６Ｑ〜６Ｔの各工程と同じ工程を行うことにより、アクティブマトリクス基板１（図４等参照）が作製される。
【０１１１】
第４実施形態では、上記第３実施形態と同様、バイアス配線１６を形成する工程において、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面は第３絶縁膜１０５によって覆われている。そのため、バイアス配線１６を形成する際に、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面の酸化反応が生じず、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面の自然酸化膜の厚みは、ｐ型非晶質半導体層１５３の表面に酸化反応が生じる場合よりも薄くなり、フッ酸処理によるｐ型非晶質半導体層１５３の膜減りも小さくなる。その結果、ｐ型非晶質半導体層１５３の膜厚の変動が小さくなり、ｐ型非晶質半導体層１５３を所望の膜厚に形成しやすく、より理想的なダイオード特性を得ることが可能となる。
【０１１２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。以下、変形例について説明する。
【０１１３】
（１）上述した第１実施形態から第４実施形態の製造方法において、上部電極１４ｂを形成する前にｐ型非晶質半導体層１５３の表面をフッ酸を用いて洗浄する工程を行ったが、この工程を省略してもよい。
【０１１４】
（２）上述した第１実施形態から第４実施形態では、光電変換層１５の側面を第３絶縁膜１０５と第４絶縁膜１０６とが覆っている構成（図４等参照）を説明したが、第４絶縁膜１０６が設けられず、バイアス配線１６と保護膜１７が、光電変換層１５の外側において第３絶縁膜１０５上に設けられてもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１…アクティブマトリクス基板、２…制御部、２Ａ…ゲート制御部、２Ｂ…信号読出部、３…Ｘ線源、４…シンチレータ、１０…ソース配線、１１…ゲート配線、１２…フォトダイオード、１３…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１３ａ…ゲート電極、１３ｂ…半導体活性層、１３ｃ…ソース電極、１３ｄ…ドレイン電極、１４ａ…下部電極、１４ｂ…上部電極、１５…光電変換層、１６…バイアス配線、１７…保護膜、１００…Ｘ線撮像装置、１０１…基板、１０２…ゲート絶縁膜、１０３…第１絶縁膜、１０４…第２絶縁膜、１０５…第３絶縁膜、１０６…第４絶縁膜、１０７，２０７…第５絶縁膜、１０８…第６絶縁膜、１５１…ｎ型非晶質半導体層、１５２…真性非晶質半導体層、１５３…ｐ型非晶質半導体層
【図１】
2019145595.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図６Ｌ】
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【図６Ｍ】
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【図６Ｎ】
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【図６Ｏ】
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【図６Ｐ】
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【図６Ｑ】
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【図６Ｒ】
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【図６Ｓ】
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【図６Ｔ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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