(57)【要約】【課題】多層配線層のパッドを露出させるプローブ測定用の開口部が配置された支持基材を有する配線基板において、不具合が発生しない新規な構造を提供する。【解決手段】絶縁層３２と、絶縁層３２の下面に設けられた配線層２３と、絶縁層３２の下面を覆うと共に、配線層２３の一部を第１パッドＰ１として露出する保護絶縁層３３と、を備える多層配線層ＭＬと、保護絶縁層３３に接着層５２を介して接着され、保護絶縁層３３の開口部３３ａと連通し、第１パッドＰ１を露出する開口部Ｈを有する支持基材４０とを含み、支持基材４０は、接着層５２が配置される上面と、上面とは反対側の下面とを有し、支持基材４０の開口部Ｈの高さ方向の途中の直径Ｂが、支持基材４０の上下面における支持基材４０の開口部Ｈの上下端の直径Ａ１，Ａ２及び保護絶縁層３３の開口部３３ａの直径Ｘよりも小さく設定されている。【選択図】図２２
2019102774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うと共に、前記配線層の一部を第１パッドとして露出する保護絶縁層と、を有する多層配線層と、
前記保護絶縁層に接着層を介して接着され、前記保護絶縁層の開口部と連通し、前記第１パッドを露出する開口部を有する支持基材と
を有し、
前記支持基材は、前記接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有し、
前記支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、前記支持基材の上下面における前記支持基材の開口部の上下端の直径及び前記保護絶縁層の開口部の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うと共に、前記配線層の一部を第１パッドとして露出する保護絶縁層と、を有する多層配線層と、
前記保護絶縁層に接着層を介して接着され、前記保護絶縁層の開口部と連通し、前記第１パッドを露出する開口部を有する支持基材と
を有し、
前記支持基材は、前記接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有し、前記支持基材の下面における前記支持基材の開口部の下端の直径が、前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径が、前記保護絶縁層の開口部の直径よりも大きく設定され、
前記接着層の開口部の内壁が、前記保護絶縁層の開口部の内壁よりも外側に後退した位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記多層配線層は、交互に積層された絶縁層と配線層とを有し、上層の前記絶縁層及び前記配線層の上面は露出されており、上層の前記配線層は電子部品を搭載する第２パッドを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記支持基材は、上下面に金属層が接着された樹脂シートから形成され、
前記支持基材の開口部は、前記接着層の開口部と、前記金属層の開口部と、前記樹脂シートの貫通穴が連通して形成され、
前記金属層の開口部の内壁は、前記接着層の内壁及び前記樹脂シートの貫通穴の上端よりも外側に後退した位置に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
仮基板に、外面側に第１パッドと、前記第１パッドを露出させる開口部を備えた保護絶縁層とを含む多層配線層を形成する工程と、
前記第１パッドを露出させる開口部備え、かつ、接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有する支持基材を用意する工程と、
前記保護絶縁層の開口部と前記支持基材の開口部が連通するように、前記支持基材を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程と
を有し、
前記支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、前記支持基材の上下面における前記支持基材の開口部の上下端の直径及び前記保護絶縁層の開口部の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
仮基板に、外面側に第１パッドと前記第１パッドを露出させる開口部を備えた保護絶縁層とを含む多層配線層を形成する工程と、
前記第１パッドを露出する開口部を備え、かつ、接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有する支持基材を用意する工程と、
前記保護絶縁層の開口部と前記支持基材の開口部が連通するように、前記支持基材の上面を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程と
を有し、
前記支持基材の下面における前記支持基材の開口部の下端の直径が、前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径よりも小さいことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持基材を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程において、
前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径が前記保護絶縁層の開口部の直径よりも大きく設定され、
前記接着層の開口部の内壁が、前記保護絶縁層の開口部の内壁よりも外側に後退した位置に配置されることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持基材を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程の後に、
前記仮基板から前記多層配線層を分離する工程を有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基材を用意する工程は、
樹脂シートの上下面に金属層が接着された金属積層板を用意する工程と、
前記金属積層板の上下面の金属層に開口部をそれぞれ形成する工程と、
前記金属積層板の上に剥離フィルム付き接着層を接着する工程と、
前記金属層の開口部の内側領域に対応する部分の前記剥離フィルム付き接着層及び前記樹脂シートをレーザで貫通加工して、前記支持基材の開口部を形成する工程と、
前記剥離フィルムを剥離して、前記樹脂シートに前記接着層を残す工程と
を含むことを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品を搭載するための配線基板がある。そのような配線基板では、配線基板の上面側のパッドに半導体チップがフリップチップ接続され、配線基板の下面側のパッドに外部接続用のはんだバンプが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１６７６２９号公報
【特許文献２】特開２００２−１５１６２２号公報
【特許文献３】特開２００２−１９８４６２号公報
【特許文献４】特開２００５−２５１７８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項の欄で説明するように、コアレスタイプの配線基板の製造方法では、仮基板の上に形成した多層配線層の外面に支持基材を接着した後に、多層配線層を仮基板から分離する。その後に、支持基材に開口部を形成して多層配線層のパッドを露出させる。
【０００５】
レーザ加工によって支持基材に開口部を形成する手法では、レーザ加工時の熱でパッドの表面に酸化膜が形成されるため、パッドにはんだバンプを接続する際の接続の信頼性が低下する。
【０００６】
また、支持基材の開口部が多層配線層のパッドを露出させるソルダレジスト層の開口部よりも大きく設定される場合は、パッドの周囲のソルダレジスト層がレーザで同時に除去されるため、はんだバンプを信頼性よく形成できない。
【０００７】
多層配線層のパッドを露出させるプローブ測定用の開口部が配置された支持基材を有する配線基板及びその製造方法において、不具合が発生しない新規な構造の配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うと共に、前記配線層の一部を第１パッドとして露出する保護絶縁層と、を有する多層配線層と、前記保護絶縁層に接着層を介して接着され、前記保護絶縁層の開口部と連通し、前記第１パッドを露出する開口部を有する支持基材とを有し、前記支持基材は、前記接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有し、前記支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、前記支持基材の上下面における前記支持基材の開口部の上下端の直径及び前記保護絶縁層の開口部の直径よりも小さい配線基板が提供される。
【０００９】
また、その開示の他の観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の下面に設けられた配線層と、前記絶縁層の下面を覆うと共に、前記配線層の一部を第１パッドとして露出する保護絶縁層と、を有する多層配線層と、前記保護絶縁層に接着層を介して接着され、前記保護絶縁層の開口部と連通し、前記第１パッドを露出する開口部を有する支持基材とを有し、前記支持基材は、前記接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有し、前記支持基材の下面における前記支持基材の開口部の下端の直径が、前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径よりも小さい配線基板が提供される。
【００１０】
また、その開示の他の観点によれば、仮基板に、外面側に第１パッドと、前記第１パッドを露出させる開口部を備えた保護絶縁層とを含む多層配線層を形成する工程と、前記第１パッドを露出させる開口部備え、かつ、接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有する支持基材を用意する工程と、前記保護絶縁層の開口部と前記支持基材の開口部が連通するように、前記支持基材を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程とを有し、前記支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、前記支持基材の上下面における前記支持基材の開口部の上下端の直径及び前記保護絶縁層の開口部の直径よりも小さい配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
さらに、その開示の他の観点によれば、仮基板に、外面側に第１パッドと前記第１パッドを露出させる開口部を備えた保護絶縁層とを含む多層配線層を形成する工程と、前記第１パッドを露出する開口部を備え、かつ、接着層が配置される上面と、前記上面とは反対側の下面とを有する支持基材を用意する工程と、前記保護絶縁層の開口部と前記支持基材の開口部が連通するように、前記支持基材の上面を前記接着層によって前記多層配線層に接着する工程とを有し、前記支持基材の下面における前記支持基材の開口部の下端の直径が、前記支持基材の上面における前記支持基材の開口部の上端の直径よりも小さい配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
以下の開示によれば、配線基板は、絶縁層の下面に配線層と、配線層の一部を第１パッドとして露出する保護絶縁層とを備えている。また、保護絶縁層の下に接着層によって支持基材が接着されている。支持基材は、保護絶縁層の開口部の下に開口部を備えている。
【００１３】
さらに、支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、支持基材の開口部の上端の直径及び保護絶縁層の開口部の直径よりも小さく設定されている。
【００１４】
そして、電気特性測定装置のプローブピンを、支持基材の開口部を通して第１パッドに接触させて、電気特性が測定される。
【００１５】
このとき、支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が保護絶縁層の開口部の直径よりも小さいため、プローブピンが保護絶縁層に当たって保護絶縁層が破損することが防止される。
【００１６】
また、支持基材の開口部の高さ方向の途中の直径が、支持基材の開口部の上端の直径よりも小さく設定されるため、接着層の開口部の内壁の位置を保護絶縁層の開口部の内壁よりも外側の位置に配置することができる。
【００１７】
これにより、支持基材を接着層で保護絶縁層に接着する際に、第１パッドの上に接着層が流出することが防止される。
【００１８】
あるいは、支持基材の開口部の下端の直径が、支持基材の開口部の上端の直径よりも小さく設定されてもよい。
【００１９】
配線基板の製造方法では、予め開口部が設けられた支持基材を多層配線層に接着する手法が採用される。このため、レーザによって第１パッドの表面に酸化膜が形成されたり、第１パッドの周囲の保護絶縁層が除去されたりする不具合が解消される。また、ドリルによって第１パッドの表面が損傷するおそれもない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は予備的事項の配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図８】図８は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の配線基板で使用する支持基材を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は第１例の支持基材の第１の形成方法を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は第１例の支持基材の第１の形成方法を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は第１例の支持基材の第２の形成方法を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び（ｂ）は第２例の支持基材の形成方法を示す断面図（その１）である。
【図１４】図１４（ａ）及び（ｂ）は第２例の支持基材の形成方法を示す断面図（その２）である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｃ）は第３例の支持基材の形成方法を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｃ）は第４例の支持基材の形成方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１８】図１８は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１９】図１９は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図２０】図２０は第１実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図２１】図２１は第１実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図２２】図２２（ａ）及び（ｂ）は図２３の配線基板の開口部の周りの様子を示す部分拡大断面図及び部分拡大平面図である。
【図２３】図２３は図２２（ａ）の開口部を通してプローブピンをパッドに接触させる様子を示す部分拡大断面図である。
【図２４】図２４は図２１の配線基板を使用する電子部品装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２５】図２５は図２１の配線基板を使用する電子部品装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図２６】図２６は図２１の配線基板を使用する電子部品装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図２７】図２７は図２１の配線基板を使用する電子部品装置を示す断面図である。
【図２８】図２８（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態の配線基板に使用される支持基材を示す断面図である。
【図２９】図２９（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態の配線基板に使用される第１例の支持基材の形成方法を示す断面図である。
【図３０】図３０は第２実施形態の配線基板に使用される第２例の支持基材を示す断面図である。
【図３１】図３１は第２実施形態の配線基板に使用される第３例の支持基材を示す断面図である。
【図３２】図３２は第２実施形態の配線基板に使用される第４例の支持基材を示す断面図である。
【図３３】図３３は第２実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図３４】図３４は図３３の配線基板の開口部の周りの様子を示す部分拡大断面図及び部分拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００２２】
本実施形態の説明の前に、基礎となる予備的事項について説明する。予備的事項の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない新規な技術内容を含む。
【００２３】
図１〜図６は予備的事項の配線基板の製造方法の課題を説明するための図である。予備的事項の配線基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、樹脂シート１１０の両面に接着層１２０が接着された仮基板１００を用意する。
【００２４】
さらに、仮基板１００の両面の接着層１２０の上に金属層１４０をそれぞれ形成する。金属層１４０は配線層を電解めっきで形成する際のシード層として機能する。接着層１２０としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、亜鉛箔などの金属箔、セラミック板、アクリルやポリイミドなどの樹脂を主成分とする樹脂シートなどを用いることができる。
【００２５】
また、金属層１４０としては、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。また、金属層１４０としてニッケル（Ｎｉ）を用いた場合は、配線層との密着性のために金属層１４０の上に銅（Ｃｕ）層をさらに形成してもよい。
【００２６】
次いで、図１（ｂ）に示すように、仮基板１００の両面側に形成された金属層１４０の上に多層配線層ＭＬをそれぞれ形成する。多層配線層ＭＬでは、３層の配線層（３１０，３２０，３３０）が絶縁層（４１０，４２０）に形成されたビア導体ＶＣを介して接続され、最外にソルダレジスト層４３０が形成されている。ソルダレジスト層４３０は最外の配線層３３０のパッドＰの上に開口部４３０ａを備えている。
【００２７】
続いて、図２に示すように、図１（ｂ）の積層体の上面側のソルダレジスト層４３０及びパッドＰの上に接着層５１０ａによって支持基材５００を接着する。また同様に、図１（ｂ）の積層体の下面側のソルダレジスト層４３０及びパッドＰの下に接着層５１０ｂによって支持基材５２０を接着する。
【００２８】
次いで、図３に示すように、仮基板１００の両面側の接着層１２０を金属層１４０との界面から引き剥がし、仮基板１００と上下の多層配線層ＭＬとを分離する。仮基板１００の下面側から分離された多層配線層ＭＬは、配線層３１０及び絶縁層４１０の上に金属層１４０が残された状態で得られる。
【００２９】
その後に、図４に示すように、多層配線層ＭＬから金属層１４０をウェットエッチングにより除去する。これにより、多層配線層ＭＬの上面側の絶縁層４１０から配線層３１０が露出した状態となる。
【００３０】
次いで、図５に示すように、レーザにより、支持基材５２０及び接着層５１０ｂを貫通加工することにより、パッドＰの下に開口部Ｈを形成する。そして、電気特性測定装置のプローブピン（不図示）を、開口部Ｈを通して多層配線層ＭＬのパッドＰに接触させ、電気的な検査を行うことにより各製品領域の良否判定を行う。
【００３１】
図５の部分拡大断面図に示すように、レーザ加工によって開口部Ｈを形成する際に、多層配線層ＭＬのパッドＰにレーザが照射される。これにより、パッドＰがレーザ照射時の熱によって変質し、パッドＰの表面に酸化膜ＯＸが形成されるため、パッドＰにはんだバンプを接続する際の信頼性が低下する。
【００３２】
また、図６（ａ）に示すように、開口部Ｈをソルダレジスト層４３０の開口部４３０ａよりも大きく設定する場合は、パッドＰの周囲のソルダレジスト層４３０がレーザで同時に除去される。このため、ソルダレジスト層４３０の開口部４３０ａのサイズが設計仕様よりも大きくなる。
【００３３】
また、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の態様で、さらに、開口部ＨがパッドＰから位置ずれして配置されると、パッドＰに対してソルダレジスト層４３０の開口部４３０ａの配置が非対称になる。
【００３４】
このため、ソルダレジスト層４３０の開口部４３０ａにはんだボールを搭載し、リフローさせてはんだバンプを形成する際に、はんだが横方向にもリフローするため、はんだバンプの形状不良が発生する。
【００３５】
具体的には、はんだバンプの高さが設計仕様よりも低くなったり、ばらついたりして、配線基板内ではんだバンプの高さが一定にならないため、はんだバンプを実装基板に接続する際の信頼性が低下する。
【００３６】
また、図６（ｃ）に示すように、レーザ加工の代わりに、ドリル加工によって開口部Ｈを形成する場合は、ドリルによってパッドＰの表面が損傷するおそれがあり、パッドＰにはんだバンプを接続する際の接続の信頼性が低下する。
【００３７】
以下に説明する実施形態の配線基板及びその製造方法では、前述した不具合を解消することができる。
【００３８】
（第１実施形態）
図７〜図２０は第１実施形態の配線基板の製造方法を説明するための図、図２１〜図２３は第１実施形態の配線基板を説明するための図、図２４〜図２７は図２１の配線基板を使用する電子部品装置を説明するための図である。
【００３９】
以下、配線基板の製造方法を説明しながら、配線基板の構造を説明する。
【００４０】
第１実施形態の配線基板の製造方法では、図７（ａ）に示すように、まず、仮基板１０を用意する。
図７（ａ）の例では、仮基板１０として、樹脂シート１２の両面に接着層１４が接着された仮基板１０を用意する。樹脂シート１２は、例えば、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂基材から形成される。
【００４１】
接着層１４としては、例えば、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、亜鉛箔などの金属箔、セラミック板、アクリルやポリイミドなどの樹脂を主成分とする樹脂シートなどを用いることができる。
【００４２】
そして、仮基板１０の両面の接着層１４の上に金属層２０をそれぞれ形成する。金属層２０は、接着層１４をめっき給電経路に利用する電解めっき法、スパッタ法、又は無電解めっき法により形成される。金属層２０は、配線層を電解めっきで形成する際のシード層として機能する。
【００４３】
また、金属層２０としては、例えば、銅（Ｃｕ)、ニッケル（Ｎｉ）などを用いることができる。また、金属層２０としてニッケル（Ｎｉ）を用いた場合は、配線層との密着性のために金属層２０の上に銅（Ｃｕ）層をさらに形成してもよい。
【００４４】
図７（ｂ）に示すように、仮基板１０には、複数のブロック領域Ｒ１が区画されており、さらに、ブロック領域Ｒ１内に複数の製品領域Ｒ２が区画されている。図７（ａ）は、図７（ｂ）のＸ１−Ｘ１に沿った断面であり、図７（ｂ）のブロック領域Ｒ１内の一つの製品領域Ｒ２が部分的に描かれている。
【００４５】
次いで、図８に示すように、まず、金属層２０上に、配線層２１を形成する。配線層２１は、例えばセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成できる。例えば、金属層２０の表面に、所望の位置に開口部を有するレジスト層を形成する。
【００４６】
開口部は、配線層２１に対応する部分の金属層２０を露出するように形成される。レジスト層の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジストが使用され、例えば，ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂などのドライフィルムレジストや液状レジストなどを用いることができる。
【００４７】
続いて、レジスト層をめっきマスクとして、金属層２０の表面に、金属層２０をめっき給電層に利用する電解めっき（電解銅めっき）を施し、配線層２１を形成する。そして、レジスト層を例えばアルカリ性の剥離液にて除去する。
【００４８】
次に、金属層２０の上面に配線層２１を覆うように熱硬化性のエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂フィルムをラミネートし、絶縁層３１を形成する。絶縁層の材料は、熱硬化性の樹脂に限らず、例えば、感光性の樹脂を用いてもよい。本実施形態では、熱硬化性の樹脂を用いた場合の製造方法を例示する。なお、液状又はペースト状の熱硬化性のエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を塗布し、硬化させて絶縁層３１を形成することができる。
【００４９】
次に、絶縁層３１に、絶縁層３１を貫通して配線層２１の一部を露出するビアホールＶＨ１を形成する。ビアホールＶＨ１は、例えばＣＯ２レーザなどを用いたレーザ加工により形成することができる。必要に応じてデスミア処理を行ってもよい。
【００５０】
次に、配線層２２を形成する。配線層２２は、例えば、セミアディティブ法によって形成できる。例えば、まず、絶縁層３１の上面にシード層を例えば無電解めっき法により形成する。さらに、シード層上に所定の箇所に開口部を有するレジスト層を形成する。
【００５１】
レジスト層の材料としては、上記したように、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジストが使用され、例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂などのドライフィルムレジストや液状レジストなどを用いることができる。
【００５２】
そのレジスト層をめっきマスクとして、シード層をめっき給電層に利用する電解めっき（電解銅めっき）を施し、電解めっき層を形成する。そして、レジスト層を例えばアルカリ性の剥離液にて除去した後、電解めっき層をエッチングマスクとして不要なシード層を除去する。これにより、配線層２２が形成される。
【００５３】
次に、上述した絶縁層３１を形成する工程と配線層２２を形成する工程を繰り返し実施することにより、絶縁層３２と配線層２３を形成する。所定数の配線層と絶縁層とを積層して配線構造体を形成する。
【００５４】
次に、配線層２３及び絶縁層３２の上面に、開口部３３ａを有するソルダレジスト層３３（保護絶縁層）を形成する。
【００５５】
ソルダレジスト層３３は、例えば、感光性の樹脂フィルムをラミネートし、又は液状やペースト状の樹脂を塗布し、当該樹脂をフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより得られる。ソルダレジスト層３３の開口部３３ａにより、配線層２３の上面の一部をパッドＰ１として露出した多層配線層ＭＬを形成する。
【００５６】
次に、図８の多層配線層ＭＬの外面側に接着する支持基材について説明する。図９（ａ）に示すように、支持基材４０は、絶縁基材から形成され、絶縁基材の一方の面に接着層５２と剥離フィルム５０とが順に形成されている。支持基材４０は、後述する第１例〜第４例の支持基材４０ａ〜４０ｄの概要図である。支持基材４０は、接着層５２が配置される上面と、その上面とは反対側の下面とを有する。
【００５７】
また、剥離フィルム５０の上面から支持基材４０の下面まで貫通加工されて、開口部Ｈが形成されている。開口部Ｈは、電気特性測定装置のプローブピン（不図示）を、開口部Ｈを通して多層配線層ＭＬのパッドＰ１に接触させ、電気的な検査を行うためのプローブ測定用穴となる。
【００５８】
そして、図９（ｂ）に示すように、支持基材４０を多層配線層ＭＬに接着する際に、支持基材４０から剥離フィルム５０を剥離して、接着層５２を露出させる。これにより、接着層５２付きの支持基材４０が得られる。
【００５９】
支持基材４０では、開口部Ｈの内壁の高さ方向の途中（中央部）に内部に突出する環状突起Ｄが形成されている。環状突起Ｄは、開口部Ｈの内壁の中央部にリング状に形成される。
【００６０】
このように、開口部Ｈの高さ方向の途中（中央部）の直径Ｂが、上端の直径Ａ１及び下端の直径Ａ２よりも小さく設定されている。開口部Ｈでは、上端の位置から中央部の位置になるにつれて直径が小さくなり、中央部の位置から下端の位置になるにつれて直径が大きくなっている。
【００６１】
このようにして、一方の面に接着層５２が配置された支持基材４０を用意する。支持基材４０には、多層配線層ＭＬに接着される前に、予め開口部Ｈが設けられている。
【００６２】
次に、支持基材４０の好適な具体例（第１例〜第４例）について説明する。最初に、第１例の支持基材について説明する。第１例の支持基材の第１の形成方法では、図１０（ａ）に示すように、まず、樹脂シート４３の両面に金属層４４が接着された金属積層板７を用意する。
【００６３】
第１例の支持基材では、絶縁基材として金属積層板７が使用される。金属層４４としては、例えば、銅箔などを用いることができる。
【００６４】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングにより、両面側の金属層４４をパターニングして開口部４４ａをそれぞれ形成する。金属層４４の開口部４４ａは、最終的に得られる開口部Ｈのサイズ（開口部Ｈの上端の直径Ａ１）よりも一回り大きなサイズで形成される。その後に、開口部４４ａが形成された金属層４４を黒化処理する。
【００６５】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、剥離フィルム付き接着層５を用意する。剥離フィルム付き接着層５は、剥離フィルム５０とその一方の面に仮接着された接着層５２とから形成される。そして、図１１（ａ）に示すように、剥離フィルム付き接着層５の接着層５２の面を金属積層板７の上面に接着する。
【００６６】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、剥離フィルム付き接着層５が接着された金属積層板７を両面側からレーザ加工することにより、剥離フィルム５０の上面から樹脂シート４３の下面まで貫通加工する。
【００６７】
このとき、金属層４４の開口部４４ａの内側領域に対応する部分の剥離フィルム付き接着層５及び樹脂シート４３が貫通加工される。樹脂シート４３が貫通加工される部分は、金属層４４の開口部４４ａよりも一回り小さい領域である。
【００６８】
金属積層板７の上面側からの加工面と下面側からの加工面とが接することで、金属積層板７の樹脂シート４３が貫通加工されて開口部Ｈが形成される。
【００６９】
その後に、図１１（ｃ）に示すように、図１１（ｂ）の積層体から剥離フィルム５０を剥離する。このとき、樹脂シート４３上の金属層４４に接着層５２が残される。
【００７０】
なお、レーザ加工は、金属積層板７の両面側から同時に行ってもよいし、一方の面側から樹脂シート４３の厚みの途中までレーザ加工し、その後に、他方の面側からレーザ加工して貫通加工してもよい。
【００７１】
以上により、第１例の接着層５２付きの支持基材４０ａが得られる。第１例の支持基材４０ａは、樹脂シート４３と、樹脂シート４３の両面に形成された金属層４４とから形成され、上側の金属層４４の上に接着層５２が接着されている。
【００７２】
開口部Ｈは、接着層５２の開口部５２ａと、両面側の金属層４４の開口部４４ａと、樹脂シート４３の貫通穴４３ａとが連通して形成される。
【００７３】
上記した図１１（ｂ）の工程でレーザによって形成される加工穴は、表面から深さが深くなるにつれて直径が小さくなって形成される。このため、図１１（ｃ）のように、開口部Ｈ（樹脂シート４３の貫通穴４３ａ）は、高さ方向の途中（中央部）の直径Ｂが上端の直径Ａ１及び下端の直径Ａ２よりも小さくなって形成される。
【００７４】
また、前述したように、金属層４４の開口部４４ａは開口部Ｈの上端の直径Ａ１よりも一回り大きく設定されている。このため、図１１（ｃ）のように、金属層４４の開口部４４ａの直径Ｃは、樹脂シート４３の開口部４３ａの上端の直径Ａ１及び下端の直径Ａ２よりも大きく設定される。
【００７５】
このように、両面側の金属層４４の開口部４４ａの内壁は、樹脂シート４３の貫通穴４３ａの上端及び下端の位置よりも外側に後退した位置に配置される。
【００７６】
このため、後述するように、第１例の支持基材４０ａの開口部Ｈを通して前述した図８の多層配線層ＭＬのパッドＰ１に電気特性測定装置のプローブピンを接触させて電気測定を行う際に、プローブピンが金属層４４に接触するおそれがない。
【００７７】
また、接着層５２の開口部５２ａの内壁の部分は、レーザ加工時に加熱されるため、収縮後退すると共に、熱硬化して流動性が消失する。このため、後述するように、図１１（ｃ）の支持基材４０ａを接着層５２で図８の多層配線層ＭＬに接着する際に、接着層５２がパッドＰ１上に流れ込むことが防止される。
【００７８】
さらには、接着層５２の開口部５２ａの内壁の周囲の下側領域は、金属層４４が外側に後退して空間になっている。このため、接着層５２が流出するとしてもその空間に流れて留まるため、パッドＰ１上に流れにくくなる。
【００７９】
次に、第１例の支持基材の第２の形成方法について説明する。図１２（ａ）に示すように、前述した図１１（ａ）において、金属積層板７の下面側にも剥離フィルム付き接着層５ａを接着して、金属積層板７の両面側に接着層５，５ａで剥離フィルム５０，５０ａをそれぞれ接着する。
【００８０】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、金属積層板７の両面側からレーザ加工することにより、上面側の剥離フィルム５０及び接着層５２と、樹脂シート４３と、下面側の接着層５２ａ及び剥離フィルム５０ａとを貫通加工する。これにより、開口部Ｈが形成される。
【００８１】
その後に、図１２（ｃ）に示すように、図１２（ｂ）の積層体から上面側の剥離フィルム５０を接着層５２が残るように剥離し、さらに、下面側の剥離フィルム５０ａ及び接着層５２ａを剥離する。
【００８２】
以上により、前述した図１１（ｃ）と同一構造の第１例の接着層５２付き支持基材４０ａが得られる。
【００８３】
第１例の支持基材の第２の形成方法では、金属積層板７の両面側に剥離フィルム５０，５０ａを接着している。このため、レーザで穴あけする際に発生する切粉などの異物が両面側の剥離フィルム５０，５０ａの上に付着するため、両面側の剥離フィルム５０，５０ａを剥離することにより、容易に異物を除去することができる。
【００８４】
また、両面側の剥離フィルム５０，５０ａがレーザ光の吸収率を高めるレーザ吸収層として機能するため、前述した図１０（ｂ）の金属層４４の黒化処理を省略することができる。
【００８５】
第１例の支持基材４０ａは、一般的なプリント配線板で使用される金属積層板７から形成される。このため、既存のプリント配線板の製造設備を利用して、開口部を備えた剛性の強い支持基材を低コストで形成することができる。
【００８６】
次に、第２例の支持基材について説明する。図１３（ａ）に示すように、第２例の支持基材の形成方法では、前述した第１の形成方法の図１０（ｃ）の工程において、剥離フィルム付き接着層５の接着層５２に予め開口部Ｈよりも一回り大きい開口部５２ａを形成しておく。
【００８７】
そして、図１３（ｂ）に示すように、前述した図１１（ａ）と同様に、剥離フィルム付き接着層５を金属積層板７に接着する。剥離フィルム付き接着層５の接着層５２の開口部５２ａの直径は、金属積層板７の金属層４４の開口部４４ａの直径とほぼ同じに設定される。
【００８８】
次いで、図１４（ａ）に示すように、前述した図１１（ｂ）と同様に、図１３（ｂ）の積層体を両面側からレーザ加工することにより、開口部Ｈを形成する。その後に、図１４（ｂ）に示すように、前述した図１１（ｃ）の工程と同様に、樹脂シート４３上の金属層４４の上に接着層５２が残されるように剥離フィルム５０を剥離して除去する。
【００８９】
以上により、第２例の接着層５２付きの支持基材４０ｂが得られる。第２例の支持基材４０ｂでは、接着層５２の開口部５２ａの直径を金属層４４の開口部４４ａの直径とほぼ同じに設定することができる。
【００９０】
このため、接着層５２の開口部５２ａ及び金属層４４の開口部４４ａの各内壁の位置Ｐ１が共に樹脂シート４３の貫通穴４３ａの上端の位置Ｐ２から外側に後退して配置される。
【００９１】
よって、図１４（ｂ）の第２例の支持基材４０ｂを接着層５２で前述した図８の多層配線層ＭＬに接着する際に、前述した図１１（ｃ）の第１例の支持基材４０ａよりも接着層５２がパッドＰ１上に流出しにくい構造となる。
【００９２】
このように、第２例の支持基材４０ｂでは、剥離フィルム付き接着層５の接着層５２に予め開口部５２ａを形成するため、接着層５２の開口部５２ａの内壁を任意の位置に配置することができる。
【００９３】
次に、第３例の支持基材について説明する。第３例の支持基材の形成方法では、図１５（ａ）に示すように、前述した図１０（ａ）と同一構造の金属積層板７を用意する。第３例の支持基材の形成方法では、前述した図１０（ｂ）の金属積層板７の金属層４４をパターニングする工程が省略され、金属層４４がべたパターンのままで使用される。
【００９４】
そして、前述した図１１（ａ）と同様に、剥離フィルム付き接着層５を金属積層板７に接着する。
【００９５】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、前述した図１１（ｂ）と同様に、図１５（ａ）の積層体を両面側からレーザ加工することにより、開口部Ｈを形成する。その後に、図１５（ｃ）に示すように、前述した図１１（ｃ）の工程と同様に、金属積層板７の金属層４４の上に接着層５２が残されるように剥離フィルム５０を剥離して除去する。
【００９６】
以上により、第３例の接着層５２付きの支持基材４０ｃが得られる。第３例の支持基材４０ｃでは、開口部Ｈを形成する前に、金属積層板７の金属層４４に開口部を形成していない。
【００９７】
このため、金属層４４の開口部４４ａの内壁が樹脂シート４３の貫通穴４３ａの内壁の上端とほぼ同じ位置に配置される。金属層４４の開口部４４ａの内壁と樹脂シート４３の貫通孔４３ａの内壁とが連続して配置される。
【００９８】
第３例の支持基材４０ｃにおいても、開口部Ｈの高さ方向の途中（中央部）の直径が開口部Ｈの上端及び下端の直径よりも小さく設定されるため、電気特性測定装置のプローブピンが金属層４４に接触することが防止される。
【００９９】
次に、第４例の支持基材について説明する。図１６（ａ）に示すように、第４例の支持基材の形成方法では、前述した図１０（ａ）の金属積層板７の代わりに、樹脂シート４３を使用する。樹脂シート４３は、例えば、金属積層板から金属層を除去した基板が使用される。
【０１００】
あるいは、樹脂シート４３の代わりに、セラミック板などの絶縁基材を使用してもよい。そして、樹脂シート４３の上に剥離フィルム付き接着層５を接着する。
【０１０１】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、前述した図１１（ｂ）同様に、図１６（ａ）の積層体を両面側からレーザ加工することにより、開口部Ｈを形成する。
【０１０２】
このため、接着層５２の開口部５２ａの内壁が樹脂シート４３の貫通孔４３ａの上端とほぼ同じ位置に配置される。接着層５２の開口部５２ａの内壁と樹脂シート４３の貫通孔４３ａの内壁とが連続して配置される。
【０１０３】
その後に、図１６（ｃ）に示すように、前述した図１１（ｃ）の工程と同様に、樹脂シート４３の上に接着層５２が残されるように剥離フィルム５０を剥離して除去する。
【０１０４】
以上により、第４例の接着層５２付きの支持基材４０ｄが得られる。第４例の支持基材４０ｄでは、金属層が接着されていない樹脂シート４３を使用する。このため、開口部Ｈの内壁に金属層が露出しないため、電気特性測定装置のプローブピンが金属層に接触することを考慮する必要がない。
【０１０５】
あるいは、他の態様として、金属板から支持基材を形成してもよい。この場合は、例えば、金属板に開口部を形成し、全面を酸化して金属酸化層を形成した後に、開口部が設けられた接着層を金属板に接着する。
【０１０６】
次に、図１７に示すように、前述した図８の積層体の上面側の多層配線ＭＬの上に図９（ｂ）の支持基材４０を接着層５２によって接着する。また同様に、図８の積層体の下面側の多層配線ＭＬの下に図９（ｂ）の支持基材４０を接着層５２によって接着する。
【０１０７】
支持基材４０は、前述した第１例〜第４例の支持基材４０ａ〜４０ｄの概要図である。支持基材４０の好適な具体例としては、前述した第１例〜第４例の支持基材４０ａ〜４０ｄのいずれかが使用される。
【０１０８】
支持基材４０の複数の開口部Ｈは、図８の多層配線層ＭＬの最外のパッドＰ１に対応して配置されている。これにより、支持基材４０の複数の開口部ＨにパッドＰ１がそれぞれ露出した状態となる。
【０１０９】
このように、予め開口部Ｈが設けられた支持基材４０を接着層５２で多層配線層ＭＬに接着している。このため、支持基材４０を多層配線層ＭＬに接着した後に、レーザやドルルによって開口部Ｈを形成する必要がない。
【０１１０】
よって、レーザによって多層配線層ＭＬのパッドＰ１の表面に酸化膜が形成されたり、パッドＰ１の周囲のソルダレジスト層３３が除去されたりする不具合が解消される。また、ドリルによって多層配線層ＭＬのパッドＰ１の表面が損傷するおそれもない。
【０１１１】
さらに、図１８に示すように、仮基板１０の両面側の多層配線層ＭＬの外面に配置された支持基材４０の上に接着層６２で保護フィルム６０をそれぞれ貼り付ける。
【０１１２】
次いで、図１９に示すように、図１８の積層体の仮基板１０の両面側の接着層１４と金属層２０との界面から剥離する。これにより、仮基板１０の両面側から支持基材４０及び保護フィルム６０で補強された状態で多層配線層ＭＬがそれぞれ得られる。各多層配線層ＭＬは、仮基板１０から剥離した面側に金属層２０が残された状態で得られる。
【０１１３】
次いで、図２０に示すように、多層配線層ＭＬから金属層２０を除去する、金属層２０は硝酸系のウェットエッチング液によってエッチングされて除去される。硝酸系のウェットエッチング液を使用することにより、金属層２０をパッドＰ２（銅）や絶縁層３１（樹脂）に対して選択的にエッチングすることができる。
【０１１４】
その後に、図２１に示すように、保護フィルム６０及び接着層６２を支持基材４０から剥離して除去する。以上により、第１実施形態の配線基板１が得られる。
【０１１５】
図２１に示すように、第１実施形態の配線基板１は、前述した図８で説明した構造の多層配線層ＭＬを備えている。多層配線層ＭＬでは、最上に絶縁層３１とパッドＰ２（配線層２１）とが配置されている。パッドＰ２が第２パッドの一例である。
【０１１６】
また、パッドＰ２の下面と側面が絶縁層３１に埋め込まれ、パッドＰ２の上面が絶縁層３１から露出している。パッドＰ２の上面と絶縁層３１の上面とが面一になっている。
【０１１７】
さらに、絶縁層３１の下に配線層２２が形成されている。配線層２２は絶縁層３１に形成されたビアホールＶＨ１内のビア導体を介してパッドＰ２の下面に接続されている。
【０１１８】
また、絶縁層３２の下にパッドＰ１（配線層２３）が形成されている。パッドＰ１は絶縁層３２に形成されたビアホールＶＨ２内のビア導体を介して配線層２２の下面に接続されている。絶縁層３２は、下面に配線層が設けられた絶縁層の一例である。また、パッドＰ１は第１パッドの一例である。
【０１１９】
また、絶縁層３２の下には、パッドＰ１の下面に開口部３３ａが配置されたソルダレジスト層３３が形成されている。ソルダレジスト層３３は保護絶縁層の一例である。
【０１２０】
ソルダレジスト層３３は、絶縁層３２の下面を覆うと共に、配線層２３の一部をパッドＰ１として露出する開口部３３ａを備えている。
【０１２１】
このように、多層配線層ＭＬは、交互に積層された絶縁層３１，３２と配線層２１，２２，２３とを有し、上層の絶縁層３１及び配線層２１の上面が露出されている。多層配線層ＭＬの上層のパッドＰ２は電子部品を搭載するためのパッドとして使用される。また、多層配線層ＭＬの下層のパッドＰ１は外部接続端子が接続されるパッドとして使用される。
【０１２２】
さらに、ソルダレジスト層３３の下に接着層５２が形成されている。そして、支持基材４０が接着層５２によってソルダレジスト層３３に接着され、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの下に支持基材４０の開口部Ｈが配置されている。支持基材４０の開口部Ｈは、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａに連通して配置される。
【０１２３】
図２２（ａ）及び（ｂ）は、図２１の配線基板１の開口部穴Ｈの周りの様子を示す部分拡大平面図及び部分拡大平面図である。
【０１２４】
図２２（ａ）の断面図に示すように、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａからパッドＰ１の中央部が露出しており、パッドＰ１の周縁部がソルダレジスト層３３で被覆されている。
【０１２５】
ソルダレジスト層３３の下に接着層５２によって支持基材４０が接着されている。ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの下に接着層５２の開口部５２ａが配置されている。また、接着層５２の開口部５２ａの下に支持基材４０の開口部Ｈが配置されている。
【０１２６】
開口部Ｈの高さ方向の途中（中央部）に、内部に突出する環状突起Ｄが形成されている。環状突起Ｄは、開口部Ｈの内壁にリング状に繋がって形成されている。
【０１２７】
これにより、図２２（ｂ）の平面図を加えて参照すると、支持基材４０の開口部Ｈの高さ方向の途中の直径Ｂが開口部Ｈの上端の直径Ａ１及び下端の直径Ａ２よりも小さく設定されている。
【０１２８】
図２２（ａ）の例では、開口部Ｈの高さ方向の途中の位置は、高さ方向の中央部に設定されているが、中央部から上側又は下側にずれた位置であってもよい。
【０１２９】
また、開口部Ｈの高さ方向の途中の直径Ｂがソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘよりも小さく設定されている。
【０１３０】
また、開口部Ｈの上端の直径Ａ１がソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘよりも大きく設定されている。これにより、接着層５２の開口部５２ａの内壁がソルダレジスト層３３の開口部３３ａの内壁よりも外側に後退した位置に配置されている。
【０１３１】
以上のように、開口部Ｈの上端の直径Ａ１と、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘと、開口部Ｈの高さ方向の途中の直径Ｂとの関係は、直径Ａ１＞直径Ｘ＞直径Ｂの関係に設定されている。
【０１３２】
例えば、直径Ａ１は２５０μｍ〜３００μｍであり、直径Ｘは２００μｍ〜２５０μｍであり、直径Ｂは１５０〜２００μｍである。
【０１３３】
このように、支持基材４０は、接着層５２が配置される上面と、上面とは反対側の下面とを有している。そして、支持基材４０の開口部Ｈの高さ方向の途中の直径Ｂが、支持基材４０の上下面における支持基材４０の開口部Ｈの上下端の直径Ａ１，Ａ２及びソルダレジスト層３３（保護絶縁層）の開口部Ｈの直径Ｘよりも小さく設定されている。
【０１３４】
また、前述した支持基材４０の形成方法で説明したように、支持基材４０を接着層５２で多層配線層ＭＬに接着する前の状態で、接着層５２の開口部５２ａの内壁の部分はレーザ加工時の熱によって収縮後退する共に、熱硬化して流動性が消失している。
【０１３５】
以上のことから、支持基材４０を接着層５２で多層配線層ＭＬに接着する際に、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａから露出するパッドＰ１と、接着層５２とが所定間隔で離れており、かつ、接着層５２は流動性が消失した状態となっている。このため、パッドＰ１上に接着層５２が流出することが防止される。
【０１３６】
また、前述したように、図１１（ｃ）の第１例の支持基材４０ａを使用する場合は、接着層５２の開口部５２ａの周囲の下側領域が空間になっているため、接着層５２が流出するとしてもその空間に流れて溜まるため、パッドＰ１上に流れにくくなる。
【０１３７】
上記した空間は、金属層４４の開口部４４ａの内壁と、開口部４４ａの内壁よりも内側領域に露出する接着層５２の下面と、開口部４４ａの内壁よりも内側領域に露出する樹脂シート４３の上面とにより区画される空間領域である。
【０１３８】
また、好適には、開口部Ｈの内壁の上端とソルダレジスト層３３の開口部３３ａの内壁との間隔が、支持基材４０を接着する際の最大の位置ずれ量よりも大きく設定される。これにより、支持基材４０を接着する際に位置ずれが発生するとしても、パッドＰ１上に接着層５２が配置されることが防止される。
【０１３９】
そして、図２３に示すように、電気特性測定装置のプローブピン６を、開口部Ｈを通してパッドＰ１に接触させて、電気特性を測定することにより、各製品領域Ｒ２（図７（ｂ））の良否を判定する。
【０１４０】
このとき、開口部Ｈの環状突起Ｄの位置の直径がソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径よりも小さいため、プローブピン６がずれるとしてもプローブピン６の側面が開口部Ｈの環状突起Ｄに当接する。
【０１４１】
このため、プローブピン６の先端がソルダレジスト層３３に突き当たることがなく、プローブピン６によってソルダレジスト層３３が破損することが防止される。パッドＰ１の周囲のソルダレジスト層３３が破損すると、パッドＰ１とはんだバンプとの接続不良や外観不良となる。
【０１４２】
また、好適には、開口部Ｈの環状突起Ｄの先端とソルダレジスト層３３の開口部３３ａの内壁との間隔が、支持基材４０を接着する際の最大の位置ずれ量よりも大きく設定される。
【０１４３】
これにより、支持基材４０を接着する際に位置ずれが発生するとしても、平面視で開口部Ｈの環状突起Ｄで囲まれた領域にソルダレジスト層３３が配置されないため、プローブピン６によるソルダレジスト層３３の破損が防止される。
【０１４４】
このように、第１実施形態の配線基板１では、予め開口部Ｈが設けられた支持基材４０を接着層５２で多層配線層ＭＬに接着している。
【０１４５】
このため、レーザによって多層配線層ＭＬのパッドＰ１の表面に酸化膜が形成されたり、パッドＰ１の周囲のソルダレジスト層３３が除去されたりする不具合が解消される。また、ドリルによって多層配線層ＭＬのパッドＰ１の表面が損傷するおそれもない。
【０１４６】
次に、第１実施形態の配線基板１を使用して電子部品装置を製造する方法について説明する。図２４に示すように、電子部品として半導体チップ７０を用意し、図２１の配線基板１の上面側のパッドＰ２に半導体チップ７０の接続端子７２をフリップチップ接続する。
【０１４７】
さらに、半導体チップ７０を封止樹脂７４で封止する。半導体チップ７０と配線基板１との間に封止樹脂７４が充填された状態で、半導体チップ７０の側面及び上面が封止樹脂７４で封止される。
【０１４８】
次いで、図２５に示すように、配線基板１から支持基材４０及び接着層５２を剥離して除去することにより、多層配線層ＭＬの最下のソルダレジスト層３３の下面を露出させる。さらに、図２６に示すように、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａ内のパッドＰ１にはんだボールを搭載し、リフローさせることによりはんだバンプＳＢを形成する。
【０１４９】
このとき、前述したように、パッドＰ１の下面に設計仕様のソルダレジスト層３３の開口部３３ａが配置され、パッドＰ１の表面に損傷が生じないため、多層配線層ＭＬの複数のパッドＰ１に均一な高さのはんだバンプＳＢを信頼性よく形成することができる。
【０１５０】
その後に、図２７に示すように、前述した図７（ｂ）の各製品領域Ｒ２が得られるように、図２６の積層体を切断することにより、個々の電子部品装置２が得られる。
【０１５１】
（第２実施形態）
図２８〜図３２は第２実施形態の配線基板で使用する支持基材を説明するための図、図３３及び図３４は第２実施形態の配線基板を説明するための図である。
【０１５２】
第２実施形態が第１実施形態と異なる点は、配線基板に使用される支持基材の開口部の断面形状が異なることである。第２実施形態では、第１実施形態と同一要素及び同一工程についてはそれらの説明を省略する。
【０１５３】
図２８（ａ）に示すように、第２実施形態の配線基板で使用する支持基材４１は、前述した第１実施形態の図９（ａ）の支持基材４０と同様に、絶縁基材から形成され、絶縁基材の一方の面に接着層５２と剥離フィルム５０とが順に形成されている。
【０１５４】
また同様に、剥離フィルム５０の上面から支持基材４１の下面まで貫通加工されて、開口部Ｈが形成されている。
【０１５５】
そして、図２８（ｂ）に示すように、支持基材４１を多層配線層ＭＬに接着する際に、支持基材４１から剥離フィルム５０を剥離して、接着層５２を露出させる。これにより、接着層５２付きの支持基材４１が得られる。
【０１５６】
第２実施形態に係る支持基材４１では、開口部Ｈの下端の直径Ａ２が上端の直径Ａ１よりも小さく設定されている。開口部Ｈは、断面視において、上端の位置から下端の位置になるにつれて直径が小さくなる順テーパ形成で形成される。支持基材４１は、後述する第１例〜第４例の支持基材４１ａ〜４１ｄの概要図である。
【０１５７】
図２９（ａ）〜（ｃ）には、第１例の支持基材４１ａの形成方法が示されている。図２９（ａ）に示すように、前述した第１実施形態の図１０（ａ）〜図１１（ａ）の工程を遂行することにより、図１１（ａ）と同一の積層体を用意する。
【０１５８】
このとき、図１１（ｃ）と同様に、金属層４４の開口部４４ａの内側領域に対応する部分の剥離フィルム付き接着層５及び樹脂シート４３が貫通加工される。樹脂シート４３が貫通加工される部分は、金属層４４の開口部４４ａよりも一回り小さい領域である。
【０１５９】
このように、両面側の金属層４４の開口部４４ａの内壁は、樹脂シート４３の貫通穴４３ａの下端の位置よりも外側に後退した位置に配置される。
【０１６０】
次いで、図２９（ｂ）に示すように、図２９（ａ）の積層体を剥離フィルム５０側からレーザ加工することにより、開口部Ｈを形成する。その後に、図２９（ｂ）の積層体から接着層５２が残されるように剥離フィルム５０を剥離する。
【０１６１】
レーザによって形成される加工穴は、表面から深さが深くなるにつれて直径が小さくなって形成される。このため、図２９（ｃ）のように、図２９（ａ）の積層体を上面側からレーザで貫通加工する場合は、開口部Ｈ（樹脂シート４３の貫通穴４３ａ）の下端の直径Ａ２が上端の直径Ａ１よりも小さく設定される。
【０１６２】
以上により、第１例の接着層５２付きの支持基材４１ａが得られる。
【０１６３】
図３０には第２例の接着層５２付きの支持基材４１ｂが示されている。第２例の支持基材４１ｂは、前述した第１実施形態の図１３（ａ）〜図１４（ｂ）の形成方法において、図１４（ａ）の工程で上面側からレーザ加工することにより、断面視で順テーパ形状の開口部Ｈが得られる。
【０１６４】
このとき、図１４（ｂ）と同様に、剥離フィルム付き接着層５の接着層５２の開口部５２ａの直径は、金属積層板７の金属層４４の開口部４４ａの直径とほぼ同じに設定される。
【０１６５】
このように、接着層５２の開口部５２ａ及び金属層４４の開口部４４ａの各内壁の位置が共に樹脂シート４３の貫通穴４３ａの上端の位置から外側に後退して配置される。
【０１６６】
図３１には第３例の接着層付きの支持基材４１ｃが示されている。第３例の支持基材４１ｃは、前述した第１実施形態の図１５（ａ）〜（ｃ）の形成方法において、図１５（ｂ）の工程で上面側からレーザ加工することにより、断面視で順テーパ形状の開口部Ｈが得られる。
【０１６７】
このとき、図１５（ｃ）と同様に、金属層４４の開口部４４ａの内壁が樹脂シート４３の貫通穴４３ａの内壁の上端とほぼ同じ位置に配置される。金属層４４の開口部４４ａの内壁と樹脂シート４３の貫通穴４３ａの内壁とが連続して配置される。
【０１６８】
また、図３２には第４例の接着層５２付きの支持基材４１ｄが示されている。第４例の支持基材４１ｄは、前述した第１実施形態の図１６（ａ）〜（ｃ）の形成方法において、図１６（ｂ）の工程で上面側からレーザ加工することにより、断面視で順テーパ形状の開口部Ｈが得られる。
【０１６９】
このとき、図１６（ｃ）と同様に、接着層５２の開口部５２ａの内壁が樹脂シート４３の貫通穴４３ａの内壁の上端とほぼ同じ位置に配置される。接着層５２の開口部５２ａの内壁と樹脂シート４３の貫通穴４３ａの内壁とが連続して配置される。
【０１７０】
そして、図３３に示すように、図２８（ｂ）の支持基材４１を使用して、前述した図１７〜図２１の工程を遂行することにより、第２実施形態の配線基板１ａが得られる。
【０１７１】
第２実施形態の配線基板１ａでは、前述した第１実施形態の図２１の配線基板１と同一の多層配線層ＭＬのソルダレジスト層３３の下に図２８（ｂ）の支持基材４１が接着層５２で接着されている。
【０１７２】
支持基材４１の好適な具体例としては、前述した第１例〜第４例の支持基材４１ａ〜４１ｄのいずれかが使用される。
【０１７３】
図３４（ａ）及び（ｂ）は、図３３の配線基板１ａの開口部Ｈの周りの様子を示す部分拡大断面図及び部分拡大平面図である。
【０１７４】
図３４（ａ）の断面図に示すように、第２配線基板１ａは、多層配線層ＭＬの下面側にパッドＰ１と、パッドＰ１の下面に開口部３３ａが配置されたソルダレジスト層３３とを備えている。パッドＰ１は第１パッドの一例であり、ソルダレジスト層３３は保護絶縁層の一例である。
【０１７５】
そして、ソルダレジスト層３３の下に接着層５２によって支持基材４１が接着されている。ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの下に接着層５２の開口部５２ａが配置されている。また、接着層５２の開口部５２ａの下に支持基材４１の開口部Ｈが配置されている。
【０１７６】
図３４（ｂ）の平面図を加えて参照すると、支持基材４１の下面における開口部Ｈの下端の直径Ａ２は、支持基材４１の上面における上端の直径Ａ１よりも小さく設定されている。開口部Ｈは、上端の位置から下端の位置になるにつれて直径が小さくなる順テーパ形状で形成されている。
【０１７７】
また、開口部Ｈの下端の直径Ａ２は、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘよりも小さく設定されている。
【０１７８】
さらに、開口部Ｈの上端の直径Ａ１は、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘよりも大きく設定されている。これにより、接着層５２の開口部５２ａの内壁は、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの内壁から外側に後退した位置に配置されている。このように、接着層５２の開口部５２ａの内壁と、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの内壁とが所定の間隔で離れている。
【０１７９】
開口部Ｈの上端の直径Ａ１と、ソルダレジスト層３３の開口部３３ａの直径Ｘと、開口部Ｈの上端の直径Ａ２との関係は、直径Ａ１＞直径Ｘ＞直径Ａ２の関係となる。
【０１８０】
例えば、直径Ａ１は２５０μｍ〜３００μｍであり、直径Ｘは２００μｍ〜２５０μｍであり、直径Ａ２は１５０〜２００μｍである。
【０１８１】
以上により、前述した第１実施形態の図２１の配線基板１と同様に、支持基材４１を接着層５２で多層配線層ＭＬに接着する際に、パッドＰ１上に接着層５２が流出することが防止される。
【０１８２】
また同様に、前述した図２３と同様に、開口部Ｈを通してプローブピン（不図示）をパッドＰ１に接触させる際に、プローブピンがずれるとしてもプローブピンの側面が開口部Ｈの下端に当接する。
【０１８３】
このため、プローブピンの先端がソルダレジスト層３３に突き当たることがなく、プローブピンによってソルダレジスト層３３が破損することが防止される。
【符号の説明】
【０１８４】
１，１ａ…配線基板、２…電子部品装置、５…剥離フィルム付き接着層、６…プローブピン、７…金属積層板、１０…仮基板、１２，４３…樹脂シート、１４，５２，６２…接着層、２０，４４…金属層、２１，２２，２３…配線層、３１，３２…絶縁層、３３…ソルダレジスト層、３３ａ，４４ａ，５２ａ…開口部、４０，４１…支持基材、４０ａ，４１ａ…第１例の支持基材、４０ｂ，４１ｂ…第２例の支持基材、４０ｃ，４１ｃ…第３例の支持基材、４０ｄ，４１ｄ…第４例の支持基材、５０…剥離フィルム、６０…保護フィルム、７０…半導体チップ、７２…接続端子、７４…封止樹脂、Ｐ１，Ｐ２…パッド、Ｄ…環状突起、Ｒ１…ブロック領域、Ｒ２…製品領域、ＭＬ…多層配線層。
【図１】
2019102774.tif 000003
【図２】
2019102774.tif 000004
【図３】
2019102774.tif 000005
【図４】
2019102774.tif 000006
【図５】
2019102774.tif 000007
【図６】
2019102774.tif 000008
【図７】
2019102774.tif 000009
【図８】
2019102774.tif 000010
【図９】
2019102774.tif 000011
【図１０】
2019102774.tif 000012
【図１１】
2019102774.tif 000013
【図１２】
2019102774.tif 000014
【図１３】
2019102774.tif 000015
【図１４】
2019102774.tif 000016
【図１５】
2019102774.tif 000017
【図１６】
2019102774.tif 000018
【図１７】
2019102774.tif 000019
【図１８】
2019102774.tif 000020
【図１９】
2019102774.tif 000021
【図２０】
2019102774.tif 000022
【図２１】
2019102774.tif 000023
【図２２】
2019102774.tif 000024
【図２３】
2019102774.tif 000025
【図２４】
2019102774.tif 000026
【図２５】
2019102774.tif 000027
【図２６】
2019102774.tif 000028
【図２７】
2019102774.tif 000029
【図２８】
2019102774.tif 000030
【図２９】
2019102774.tif 000031
【図３０】
2019102774.tif 000032
【図３１】
2019102774.tif 000033
【図３２】
2019102774.tif 000034
【図３３】
2019102774.tif 000035
【図３４】
2019102774.tif 000036