(57)【要約】【課題】プロセス・チャンバーの中の少なくとも２つの領域の分離が改善されている、装置を提供すること。【解決手段】エネルギー・ビームによって硬化させられ得る構築材料（２）の層の連続的な層ごとの選択的な照射及び硬化によって、３次元物体を付加的に製造するための装置（１）であって、プロセス・チャンバー（３）は、少なくとも第１及び第２の領域（４、５）を含み、第１の領域（４）において、構築材料（２）が、構築平面（６）の上で適用及び照射され、流れ発生ユニットが設けられており、流れ発生ユニットは、第２の領域（５）から第１の領域（４）を分離する、プロセス・ガスの流れ（１０）をプロセス・チャンバー（３）の中に発生させるように構成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー・ビームによって硬化させられ得る構築材料（２）の層の連続的な層ごとの選択的な照射及び硬化によって、３次元物体を付加的に製造するための装置（１）であって、少なくとも第１及び第２の領域（４、５）を含むプロセス・チャンバー（３）を有しており、前記第１の領域（４）において、構築材料（２）が、構築平面（６）の上で適用及び照射される、装置（１）において、流れ発生ユニットが、前記第２の領域（５）から前記第１の領域（４）を分離する、プロセス・ガスの流れ（１０）を前記プロセス・チャンバー（３）の中に発生させるように構成されていることを特徴とする、装置（１）。
【請求項２】
前記照射プロセスにおいて発生させられる粒子及び／又は残留物が前記プロセス・ガスの流れ（１０）を通り、前記第１の領域（４）から前記第２の領域（５）の中へ横切ることを回避するように、前記プロセス・ガスの流れ（１０）が発生させられることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記流れ発生ユニットは、前記プロセス・チャンバー（３）の中に隣接して配置されている前記第１及び前記第２の領域（４，５）を垂直方向に及び／又は水平方向に分離する、前記プロセス・ガスの流れ（１０）を発生させるように構成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセス・ガスは、前記プロセス・チャンバー（３）の底部領域（１２）から上部領域（１３）へ流されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載の装置。
【請求項５】
発生させられた前記プロセス・ガスの流れ（１０）は、少なくとも１つのプロセス・ガス出口部を介して、前記プロセス・チャンバー（３）の中へガイドされることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つに記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの出口部は、スリット又はノズルであることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
プロセス・ガスの少なくとも２つのサブ流れ（１１）が、前記流れ発生ユニットによって発生させられ、少なくとも２つの異なるプロセス・ガス出口部を介して前記プロセス・チャンバー（３）の中へ流れ、前記サブ流れ（１１）は、隣接して又は重なり合って発生させられることを特徴とする、請求項５又は６に記載の装置。
【請求項８】
前記第２の領域（５）に向けて前記プロセス・ガスの流れ（１０）の中へ移動する、前記第１の領域（４）の中の粒子が、前記第１の領域（４）の中へ循環させられて戻るように、前記プロセス・ガスの流れ（１０）が発生させられることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つに記載の装置。
【請求項９】
追加的な流れ発生ユニット又は前記流れ発生ユニットが、残留物をロードされることができる前記構築平面（６）の上を流れるプロセス・ガスの流れ（１５）を発生させるように構成されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１０】
前記流れ発生ユニット又は追加的な流れ発生ユニット（１７）は、前記プロセス・チャンバー（３）からのプロセス・ガスの吸い込み流れを発生させるように構成されていることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１１】
前記第２の領域（５）に向けて前記プロセス・ガスの流れ（１０）の中へ移動する、前記第１の領域（４）の中の粒子が、生成された前記プロセス・ガスの吸い込み流れの中へ循環させられるように、前記プロセス・ガスの流れ（１０）が発生させられることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記領域（４、５）を分離する前記プロセス・ガスの流れ（１０）が、工具キャリア、特にコーター（８）のそばを通ることが可能であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１３】
チャンバー分離デバイス（１８）は、前記チャンバー分離デバイス（１８）が第１の位置（１９）にある状態で、前記第２の領域（５）から前記第１の領域（４）を分離し、前記チャンバー分離デバイス（１８）が第２の位置（２０）にある状態で、前記第１の領域（４）と前記第２の領域（５）との間に通路（２１）を発生させることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一つに記載の装置。
【請求項１４】
配量モジュール（６）、構築モジュール、及びオーバーフロー・モジュール（９）が、前記第１の領域（４）の中に配置されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一つに記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー・ビームによって硬化させられ得る構築材料の層の連続的な層ごとの選択的な照射及び硬化によって、３次元物体を付加的に製造するための装置であって、少なくとも第１及び第２の領域を含むプロセス・チャンバーを有しており、第１の領域において、構築材料が、構築平面の上で適用及び照射される、装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
そのような装置は、先行技術から周知であり、先行技術では、エネルギー・ビームが、構築材料の層を選択的に照射するように発生させられる。構築材料は、照射によって硬化させられ、構築材料の層を連続的に照射して硬化させ、物体を形成することによって、物体が構築され得る。構築材料は、典型的に粉末の形態であり、構築材料は、たとえば、製造プロセスにおいて部分的に蒸発させられ又はかき回されるので、構築材料は、装置のプロセス・チャンバーの全体にわたって分配及び／又は運搬される。
【０００３】
したがって、ガス流れを介して、又は、接触したときの移動を介して搬送される構築材料粒子は、構築材料のない状態に維持されるべきプロセス・チャンバーの中の領域を汚染する可能性がある。構築材料が望まれていないそれぞれの領域はクリーニング又はメンテナンスされなければならないので、プロセス・チャンバーにおいてかき回された構築材料の望ましくない堆積は、製造プロセス、とりわけ、製造プロセスの連続的な動作を邪魔し又は害する可能性がある。
【０００４】
装置のコンポーネントは、第１の領域から第２の領域の中へ通らなければならない可能性があり、また、その逆も同様であるので、第２の領域からの第１の領域の分離は、限られた範囲のみで可能である。その理由は、それぞれのコンポーネント、たとえば、工具キャリア、とりわけ、コーターのための通路が、それぞれ、開いた状態又はアクセス可能な状態に維持されなければならないからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、目的は、プロセス・チャンバーの中の少なくとも２つの領域の分離が改善されている、装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
目的は、請求項１に記載の装置によって本発明により達成される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の対象である。
【０００７】
本明細書で説明されている装置は、エネルギー・ビームによって硬化させられ得る粉末になった構築材料（「構築材料」）の層の連続的な層ごとの選択的な照射及び硬化によって、３次元物体、たとえば、技術的なコンポーネントを付加的に製造するための装置である。それぞれの構築材料は、金属、セラミック、又はポリマー粉末であることが可能である。それぞれのエネルギー・ビームは、レーザー・ビーム又は電子ビームであることが可能である。それぞれの装置は、たとえば、選択的レーザー焼結装置、選択的レーザー溶融装置、又は選択的電子ビーム溶融装置であることが可能である。
【０００８】
装置は、その動作の間に使用される複数の機能的ユニットを含む。例示的な機能的ユニットは、プロセス・チャンバー、照射デバイス、及び流れ発生デバイスであり、照射デバイスは、少なくとも１つのエネルギー・ビームによって、プロセス・チャンバーの中に配設されている構築材料層を選択的に照射するように構成されており、流れ発生デバイスは、所与の流れ特性、たとえば、所与の流れプロファイル、流速などを有する、少なくとも部分的にプロセス・チャンバーを通って流れるガス状の流体流れを発生させるように構成されている。ガス状の流体流れは、プロセス・チャンバーを通って流れる間に、硬化させられていない粒子状の構築材料、とりわけ、装置の動作の間に発生させられるスモーク又はスモーク残留物によってチャージされることができる。ガス状の流体流れは、典型的に不活性であり、すなわち、典型的に、たとえばアルゴン、窒素、二酸化炭素などの、不活性ガスの流れである。
【０００９】
すでに上記に説明されている流れ発生ユニットの追加的に又は代替的に、本発明は、装置が流れ発生ユニットを含み、流れ発生ユニットは、第２の領域から第１の領域を分離する、プロセス・ガスの流れをプロセス・チャンバーの中に発生させるように構成されているという思想に基づいている。したがって、発生させられるプロセス・ガスの流れは、第１の領域と第２の領域との間に配置される分離体として機能する。エネルギー・ビームが構築材料を照射する、照射プロセスにおいて発生させられる構築材料の粒子及び／又は残留物は、第１の領域から第２の領域の中へ通ることができず、又は、その逆も同様である。その理由は、そのような粒子及び／又は残留物は、発生させられるプロセス・ガスの流れを通過することができないからである。
【００１０】
したがって、１つの領域の中で発生させられる粒子及び／又は残留物は、それぞれの領域の内側に維持され、構築材料が望まれていない隣接する領域を汚染することはできない。したがって、第２の領域をクリーニング及び／又はメンテナンスする必要性がないか、又は、その必要性が低減されている。その理由は、粉末状の構築材料は、第１の領域と第２の領域との間のプロセス・ガスの流れによって発生させられる分離体を通ることができないからである。本出願の範囲では、参照しやすくするために、第１の領域は、構築プロセスが起こる領域と称され、すなわち、構築材料が照射される領域と称される。自明であるが、領域を逆に定義することも可能であり、たとえば、第２の領域が、構築プロセスが起こる領域と称される。
【００１１】
有利には、照射プロセスにおいて発生させられる粒子及び／又は残留物が、第１の領域から第２の領域の中へ横切り、それによって、プロセス・ガスの流れを通ることを回避するように、プロセス・ガスの流れが発生させられる。したがって、照射プロセスにおいて発生させられる粒子又は残留物は、プロセス・ガスの流れによって流されるエリアを介して、第１の領域から第２の領域の中へ通ることができない。その理由は、プロセス・ガスの流れが、粒子／残留物を受け入れ、それらを流れ経路に沿って搬送するからである。したがって、プロセス・ガスの流れは、第１の領域を限定し、粒子又は残留物のための「壁部」を生成させ、それらの第１の領域の中に維持するようになっている。
【００１２】
装置の実施形態によれば、流れ発生ユニットは、プロセス・チャンバーの中に隣接して配置されている第１及び第２の領域を垂直方向に及び／又は水平方向に分離する、プロセス・ガスの流れを発生させるように構成されている。したがって、流れ発生ユニットによって発生させられる分離体は、２つの領域を別の領域から分離する「壁部」のように、第１の領域と第２の領域との間に配置されている。結局は、分離体が第１の領域と第２の領域との間に発生させられ、粒子及び／又は残留物が第１の領域から第２の領域の中へ通ることを回避することが保証される限り、流れ発生ユニットによって発生させられるプロセス・ガスの流れの流れ方向は任意である。とりわけ、プロセス・ガスの流れは、プロセス・チャンバーを通って垂直方向に及び／又は水平方向に流れるように発生させられることができ、当然のことながら、プロセス・ガスの流れは、プロセス・チャンバーの壁部に対して、すなわち、第１及び／又は第２の領域に対して、所定の角度の下で流れるように発生させられ得る。
【００１３】
とりわけ、プロセス・ガスは、プロセス・チャンバーの底部領域から上部領域へ流される。したがって、プロセス・ガスが、本質的に、プロセス・チャンバーを通って垂直方向に上向きに流れ、プロセス・チャンバーの内側の構築材料をかき回すことを回避するように、プロセス・ガスの流れが発生させられる。垂直方向の流れ方向は、水平方向の流れ方向と比較して有利である。その理由は、構築材料の表面、たとえば、構築平面に平行なプロセス・ガスの流れは、垂直方向に、とりわけ上向きに流れるプロセス・ガスの流れよりも、構築材料をかき回す傾向が強いこととなるからである。
【００１４】
有利には、装置は、少なくとも１つのプロセス・ガス出口部を含み、発生させられるプロセス・ガスの流れは、プロセス・ガス出口部を介して、プロセス・チャンバーの中へガイドされる。また、当然のことながら、プロセス・ガスは、プロセス・ガス出口部／入口部を介して、プロセス・チャンバーの中へガイドされるので、プロセス・ガス出口部は、プロセス・ガス入口部ともみなされ、又は称され、又は認定されることができ、プロセス・ガスは、プロセス・ガス出口部／入口部からプロセス・チャンバーの中へ流れる。少なくとも１つのプロセス・ガス出口部は、発生させられなければならない流れプロファイルに対して任意の形状のものであることが可能であり、とりわけ、少なくとも１つの出口部は、スリット又はノズルとして構築され、プロセス・チャンバーの内側のプロセス・ガスの流れの所定の分配を可能にし、２つの領域の分離を確実にし、したがって、構築材料又は他の残留物による第２の領域の汚染（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）を回避する。
【００１５】
装置の実施形態によれば、プロセス・ガスの少なくとも２つのサブ流れが、流れ発生ユニットによって発生させられ、少なくとも２つの異なるプロセス・ガス出口部を介してプロセス・チャンバーの中へ流れ、サブ流れは、隣接して又は重なり合って発生させられる。したがって、第１の領域と第２の領域との間に、プロセス・ガスの流れ、すなわち、分離体が、中断なしに又はギャップレスで発生させられることが保証される。したがって、粒子又は残留物が、２つのサブ流れの間のギャップ又は中断を介して、第１の領域から第２の領域の中へ通ることができるということが回避される。また、異なるプロセス・ガス出口部は、異なる形状で構築されることができ、異なるプロセス・ガス出口部の組み合わせ、すなわち、それぞれのプロセス・ガス出口部を通ってプロセス・チャンバーの中へ流れるプロセス・ガスの異なる流れプロファイルを発生させるプロセス・ガス出口部の組み合わせを可能にするようになっている。
【００１６】
さらに、連続して発生させられるプロセス・ガスの少なくとも２つの流れを有することが可能であり、第１の領域の中で発生させられる粒子は、第２の領域に到達するために、プロセス・ガスの２つの流れを通らなければならないこととなる。たとえば、複数のプロセス・ガス出口部は、スリットとして構築され、連続して配置されることができ、プロセス・ガス出口部を通って流れるプロセス・ガスによって複数の「壁部」を発生させるようになっている。これは、粒子又は残留物が第２の領域に到達することを回避するために、追加的な保護の手段を可能にする。
【００１７】
装置の別の実施形態によれば、第２の領域に向けてプロセス・ガスの流れの中へ移動する、第１の領域の中の粒子が、第１の領域の中へ循環させられて戻るように、プロセス・ガスの流れが発生させられる。したがって、プロセス・ガスの循環が、所定の程度まで発生させられ、プロセス・ガスの流れの中に受け入れられる、すなわち、プロセス・ガスの流れの中へ引き入れられる、粒子及び／又は残留物が、第１の領域へ循環させられて戻り、したがって、プロセス・チャンバーの第１の領域から第２の領域の中へ通ることができない。
【００１８】
装置は、追加的な流れ発生ユニット又はその流れ発生ユニットによってさらに改善されることができ、追加的な流れ発生ユニット又はその流れ発生ユニットは、粒子及び／又は残留物をロードされることができる構築平面の上を流れるプロセス・ガスの流れを発生させるように構成されている。この実施形態は、粒子及び／又は残留物をそれらが発生させられる場所で搬送することを可能にする。その理由は、発生させられるプロセス・ガスの流れが、構築平面の上を流れ、発生させられる粒子及び／又は残留物によってチャージ又はロードされるからである。発生させられる粒子及び／又は残留物を離れるようにガイド又は輸送することによって、プロセス・チャンバーの内側を移動しており、及び／又は、第２の領域に向けて移動する可能性のある、粒子及び／又は残留物の量が低減され得る。
【００１９】
追加的に、流れ発生ユニット又は追加的な流れ発生ユニットは、プロセス・チャンバーからのプロセス・ガスの吸い込み流れを発生させるように構成されている。この実施形態によって、発生させられる吸い込み流れは、プロセス・チャンバーから粒子及び／又は残留物を除去することによって、プロセス・チャンバーの内側のプロセス・ガスをパージする。当然のことながら、フィルター・ユニットなどが、吸い込み流れの下流に配置されることができ、フィルター・ユニットを流れるプロセス・ガスを粒子及び／又は残留物からクリーニングするようになっている。
【００２０】
さらに、第２の領域に向けてプロセス・ガスの流れの中へ移動する、第１の領域の中の粒子及び／又は残留物が、生成されたプロセス・ガスの吸い込み流れの中へ循環させられるように、プロセス・ガスの流れが発生させられる。したがって、プロセス・チャンバーのパージは、さらに改善され得る。その理由は、第２の領域に向けて移動している粒子及び／又は残留物が、所定の方式でプロセス・ガスの吸い込み流れに向けてガイドされ、したがって、プロセス・チャンバーから除去されるからである。
【００２１】
領域を分離するプロセス・ガスの流れが、工具キャリア、とりわけ、コーターのそばを通ることが可能である点で、装置がさらに改善され得る。プロセス・チャンバーの内側を流れ、プロセス・チャンバーを少なくとも第１及び第２の領域に分離する、発生させられたプロセス・ガスの流れは、工具キャリアのそばを通されることができ、工具キャリアは、第２の領域から第１の領域の中へ挿入され、又は、その逆もまた同様である。工具キャリアは、たとえば、コーティング工具を装備していることが可能であり、コーティング工具は、たとえば、配量モジュールから構築モジュールの構築平面の上に、構築材料を適用するために使用される。工具キャリアは、プロセス・ガスの流れによって発生させられる分離体を通過して、第１の領域の中へ挿入されることができ、工具キャリアは、工具キャリアの移動に対する影響なしに、分離体に沿って又は横切って移動させられ得る。本質的にプロセス・ガスが第１の領域の中へ挿入されている工具キャリアの周りを流されるように、プロセス・ガスの流れが発生させられることができ、プロセス・ガスの流れのギャップ及び／又は中断が、低減又は回避される。
【００２２】
追加的に、第１の領域から工具キャリアを後退させるときに、プロセス・ガスの流れは、工具キャリアの上に堆積されている粒子及び／又は残留物が、プロセス・ガスの流れによって工具キャリアからパージされることを確実にする。したがって、工具キャリアの上に堆積されている粒子及び／又は残留物を介した第２の領域の汚染、並びに、工具キャリアに付着された構築材料の接触移動が回避される。
【００２３】
装置の別の実施形態によれば、チャンバー分離デバイスが第１の位置にある状態で、第２の領域から第１の領域を分離し、チャンバー分離デバイスが第２の位置にある状態で、第１の領域と第２の領域との間に通路を発生させる、チャンバー分離デバイスが提供される。したがって、チャンバー分離デバイスは、選択的に開閉され得る「ゲート」のように機能し、それによって、プロセス・チャンバーの第１の領域と第２の領域との間に追加的な分離体を発生させる。たとえば、チャンバー分離デバイスは、第１の位置へ移動させられることができ、第１の領域が、第２の領域から分離され、粒子及び／又は残留物が第１の領域から第２の領域の中へ通ることを回避するようになっている。第２の位置では、チャンバー分離デバイスは、通路を発生させ、通路を通して、たとえば工具キャリアが、第１の領域の中へ挿入され得る。とりわけ、チャンバー分離デバイス及びプロセス・ガスの流れが、連続して提供され得る。
【００２４】
第１の領域の中に配置されている配量モジュール、構築モジュール、及びオーバーフロー・モジュールを設けることによって、装置はさらに改善され得る。したがって、構築材料は、配量モジュールによって提供されることができ、配量モジュールから構築モジュールの構築平面へ搬送され、余分な構築材料が、オーバーフロー・モジュールの中に収集される。
【００２５】
本発明の例示的な実施形態が、図を参照して説明されている。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の装置を上面図で示す概略図である。
【図２】コーティング・ステップにおける図１の装置を示す概略図である。
【図３】図１の装置を側面図で示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１は、エネルギー・ビームによって硬化させられ得る粉末状の構築材料２の層の連続的な層ごとの選択的な照射及び硬化によって、３次元物体を付加的に製造するための装置１を示している。装置１は、少なくとも第１の領域４と第２の領域５とを含む、プロセス・チャンバー３を含む。
【００２８】
第１の領域４は、構築平面６を含み、構築平面６において、構築材料２がエネルギー・ビームによって照射される。換言すれば、第１の領域４において、構築材料２が配量モジュール７によって提供され、構築材料２は、コーター８を介して構築平面６の上に適用され、余剰の構築材料２が、オーバーフロー・モジュール９の中に収集される。図１及び図２からさらに導出され得るように、コーター８は、第２の領域５から第１の領域４の中へ選択的に移動させられることができ、図１は、第２の領域５の中の位置にあるコーター８を示しており、図２は、第１の領域４の中のコーティング位置にあるコーター８を示している。
【００２９】
装置１は、流れ発生ユニット（図示せず）をさらに含み、流れ発生ユニットは、複数のサブ流れ１１を含むプロセス・ガスの流れ１０を発生させるように構成されている。サブ流れ１１は、プロセス・チャンバー３の底部領域１２の中に配置されている複数の開口部、たとえば、ノズル又はスリットによって発生させられ、ノズルは、とりわけ互いに重なり合う、それぞれの隣接するサブ流れ１１を発生させるプロセス・ガス出口部としてみなされ、又は称され得る。
【００３０】
プロセス・ガスの流れ１０は、第２の領域５から第１の領域４を分離している。換言すれば、プロセス・ガスの流れ１０は、プロセス・チャンバー３の底部領域１２からプロセス・チャンバー３の上部領域１３へ垂直方向に流れることによって、「壁部」を発生させる。したがって、第１の領域４の中で発生させられる粒子及び／又は残留物は、第１の領域４の内側に維持され、第１の領域４から第２の領域５の中へ通ることができない。
【００３１】
プロセス・ガスの流れ１０は、コーター８のそばを通ることが可能であり、コーター８は、プロセス・ガスの流れ１０の任意の部分又はサブ流れ１１の中に挿入及び後退させられ得る。特に、第１の領域４からコーター８を後退させるときに、硬化させられていない構築材料２、とりわけ、照射プロセスにおいて、又は、構築材料２をかき回すことによって発生させられた粒子又は残留物が、コーター８がプロセス・ガスの流れ１０を通過させられるときにコーター８から除去される。とりわけ、コーター８の上に堆積され、又は、コーター８に付着された、粒子及び／又は残留物が、プロセス・ガスの流れ１０を介してスプレーされてコーター８から落とされる。
【００３２】
図２は、コーティング・ステップにおけるコーター８を示しており、コーター８は、配量モジュール７からコーティング方向（矢印１４によって示されている）に移動させられ、配量モジュール７から構築平面６へ構築材料２を搬送し、余分な構築材料２が、オーバーフロー・モジュール９に搬送され、オーバーフロー・モジュール９の中に収集される。図２は、流れ発生ユニット（又は、追加的な流れ発生ユニット）が、プロセス・ガスの流れ１５を発生させ、プロセス・ガスの流れ１５は、配量モジュール７及び構築平面６の上を流れ、オーバーフロー・モジュール９が、照射プロセスにおいて発生させられる粒子及び／又は残留物によってチャージ又はロードされ得るということをさらに示している。
【００３３】
図３は、装置１の側面図を示しており、点線１６は、第１の領域４の中で発生させられて第２の領域５に向けて移動している、粒子及び／又は残留物が、第１の領域４の中へ循環させられて戻されることを示しており、追加的な流れ発生ユニット１７（又は、同じ流れ発生ユニット）が、プロセス・チャンバー３からプロセス・ガスを除去する、プロセス・ガスの吸い込み流れを発生させるように構成されており、粒子及び／又は残留物が、プロセス・ガスから濾過され、プロセス・チャンバー３から除去される。当然のことながら、プロセス・ガスは、プロセス・ガスの流れ１０及び／又はプロセス・ガスの流れ１５を介して、プロセス・チャンバー３の中へ再循環され得る。
【００３４】
図３は、第１の領域４と第２の領域５との間に、チャンバー分離デバイス１８が設けられており、チャンバー分離デバイス１８は、第１の位置１９と第２の位置２０との間を移動可能であるということをさらに示している。チャンバー分離デバイス１８が第１の位置１９にある状態で、第１の領域４と第２の領域５との間の確かな分離が提供される。チャンバー分離デバイス１８を第２の位置２０へ移動させることによって、通路２１が、工具キャリア、とりわけ、コーター８のために発生させられ、第２の領域５から第１の領域４の中へ通ることを可能にする。
【符号の説明】
【００３５】
１  装置
２  構築材料
３  プロセス・チャンバー
４  第１の領域
５  第２の領域
６  構築平面
７  配量モジュール
８  コーター
９  オーバーフロー・モジュール
１０  プロセス・ガスの流れ
１１  サブ流れ
１２  底部領域
１３  上部領域
１４  矢印
１５  プロセス・ガスの流れ
１６  点線
１７  流れ発生ユニット
１８  チャンバー分離デバイス
１９  第１の位置
２０  第２の位置
２１  通路
【図１】
2019025895.tif 000003
【図２】
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【図３】
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