(57)【要約】【課題】マザー基板上の位置によって残膜の厚さがばらついた場合で、適正な偏光特性を有する複数のワイヤーグリッド偏光素子をマザー基板から得ることのできるワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、およびワイヤーグリッド偏光素子製造用基板を提供すること。【解決手段】ワイヤーグリッド偏光素子の製造工程では、金属膜４０、光吸収膜５０、およびハードマスク用の無機材料膜６０を順に成膜した後、ナノインプリントを利用してレジストマスク７を形成する。次に、ドライエッチングを行って金属膜４０を複数の金属細線４１にパターニングする。レジストマスク７では、隣り合う凸部７１により挟まれた凹部７２の底部にレジストマスク７を残す。凹部７２の底部に残るレジストマスク７の残膜７５の厚さｔ（ｎｍ）の最大値と最小値との差Δｔ（ｎｍ）を金属細線４１のピッチＰ（ｎｍ）で割ったΔｔ／Ｐ（％）を１３．４％以下とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方面に複数の金属細線が等ピッチに並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記基板より大きなマザー基板の一方面に金属膜、およびハードマスク用の無機材料膜を順に成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後、前記マザー基板の一方面にレジスト層を塗布し、次に、前記レジスト層に対してナノインプリント用の型材を押圧して、前記複数の金属細線のピッチと同一のピッチで並列した複数の凸部を前記レジスト層に形成した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
前記レジストマスクを形成した状態でドライエッチングを行って前記金属膜を前記複数の金属細線にパターニングするドライエッチング工程と、
前記マザー基板を複数のワイヤーグリッド偏光素子に分割する分割工程と、
を有し、
前記レジストマスク形成工程では、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に前記レジストマスクを残し、
前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記ピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、Δｔ／Ｐ（％）が１３．４％以下であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する前記ワイヤーグリッド偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが１００以上であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
Δｔ／Ｐは、９．７％以下であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する前記ワイヤーグリッド偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが５００以上であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項５】
基板の一方面に複数の金属細線が等ピッチに並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記基板より大きなマザー基板の一方面に金属膜、およびハードマスク用の無機材料膜を順に成膜する成膜工程と、
前記成膜工程の後、前記マザー基板の一方面にレジスト層を塗布し、次に、前記レジスト層に対してナノインプリント用の型材を押圧して、前記複数の金属細線のピッチと同一のピッチで並列した複数の凸部を前記レジスト層に形成した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、
前記レジストマスクを形成した状態でドライエッチングを行って前記金属膜を前記複数の金属細線にパターニングするドライエッチング工程と、
前記マザー基板を複数のワイヤーグリッド偏光素子に分割する分割工程と、
を有し、
前記レジストマスク形成工程では、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に前記レジストマスクを残し、
前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記ピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１４×Ｐ−０．３）
を満たすことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する前記ワイヤーグリッド偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが１００以上であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１１×Ｐ−１．４）
を満たすことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する前記ワイヤーグリッド偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが５００以上であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記成膜工程では、前記金属膜、光吸収膜、および前記無機材料膜を順に成膜することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記差Δｔは、前記マザー基板のうち、前記基板が複数、得られる有効領域内の複数個所で前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さｔを計測した際の最大値と最小値との差であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記複数個所は、少なくとも、前記有効領域内の中央部分、および前記中央部分から第１方向の一方側に離間する前記有効領域の第１端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記第１方向に対して直交する方向を第２方向としたとき、
前記複数個所は、少なくとも、前記中央部分、前記第１端部、前記中央部分から前記第１方向の他方側に離間する前記有効領域の第２端部、前記中央部分から前記第２方向の一方側に離間する前記有効領域の第３端部、および前記中央部分から前記第２方向の他方側に離間する前記有効領域の第４端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記複数個所は、さらに、前記中央部分と前記第１端部との間で前記中央部分および前記第１端部から１ｃｍ以上離間する第１中間位置、前記中央部分と前記第２端部との間で前記中央部分および前記第２端部から１ｃｍ以上離間する第２中間位置、前記中央部分と前記第３端部との間で前記中央部分および前記第３端部から１ｃｍ以上離間する第３中間位置、および前記中央部分と前記第４端部との間で前記中央部分および前記第４端部から１ｃｍ以上離間する第４中間位置を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記第１方向および第２方向に対して交差する２つの方向のうちの一方を第３方向とし、他方を第４方向としたとき、
前記複数個所は、さらに、前記中央部分から前記第３方向の一方側に離間する前記有効領域の第５端部、前記中央部分から前記第３方向の他方側に離間する前記有効領域の第６端部、前記中央部分から前記第４方向の一方側に離間する前記有効領域の第７端部、前記中央部分から前記第４方向の他方側に離間する前記有効領域の第８端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記有効領域のうち、前記基板が各々、得られる複数の領域の各々で前記レジストマスクの厚さｔを計測することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０から１５までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、
前記レジストマスクの厚さｔを集束イオンビーム走査電子顕微鏡により計測することを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項１７】
基板の一方面に複数の金属細線が並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造に用いるワイヤーグリッド偏光素子製造用基板であって、
前記マザー基板の一方面に金属膜、ハードマスク用の無機材料膜、および複数の凸部が等ピッチに並列したレジストマスクが順に設けられており、
前記レジストマスクでは、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記凸部のピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、Δｔ／Ｐ（％）が１３．４％以下であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項１８】
基板の一方面に複数の金属細線が並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造に用いるワイヤーグリッド偏光素子製造用基板であって、
前記マザー基板の一方面に金属膜、ハードマスク用の無機材料膜、および複数の凸部が等ピッチに並列したレジストマスクが順に設けられており、
前記レジストマスクでは、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記凸部のピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１４×Ｐ−０．３）
を満たすことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記差Δｔは、前記マザー基板のうち、前記基板が複数、得られる有効領域内の複数個所で前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さｔを計測した際の最大値と最小値との差であることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２０】
請求項１９に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記複数個所は、少なくとも、前記有効領域内の中央部分、および前記中央部分から第１方向の一方側に離間する前記有効領域の第１端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２１】
請求項２０に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記第１方向に対して直交する方向を第２方向としたとき、
前記複数個所は、少なくとも、前記中央部分、前記第１端部、前記中央部分から前記第１方向の他方側に離間する前記有効領域の第２端部、前記中央部分から前記第２方向の一方側に離間する前記有効領域の第３端部、および前記中央部分から前記第２方向の他方側に離間する前記有効領域の第４端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２２】
請求項２１に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記複数個所は、さらに、前記中央部分と前記第１端部との間で前記中央部分および前記第１端部から１ｃｍ以上離間する第１中間位置、前記中央部分と前記第２端部との間で前記中央部分および前記第２端部から１ｃｍ以上離間する第２中間位置、前記中央部分と前記第３端部との間で前記中央部分および前記第３端部から１ｃｍ以上離間する第３中間位置、および前記中央部分と前記第４端部との間で前記中央部分および前記第４端部から１ｃｍ以上離間する第４中間位置を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２３】
請求項２１に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記第１方向および第２方向に対して交差する２つの方向のうちの一方を第３方向とし、他方を第４方向としたとき、
前記複数個所は、さらに、前記中央部分から前記第３方向の一方側に離間する前記有効領域の第５端部、前記中央部分から前記第３方向の他方側に離間する前記有効領域の第６端部、前記中央部分から前記第４方向の一方側に離間する前記有効領域の第７端部、前記中央部分から前記第４方向の他方側に離間する前記有効領域の第８端部を含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２４】
請求項１９に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記複数個所として、前記有効領域のうち、前記基板が各々、得られる複数の領域の各々で前記レジストマスクの厚さｔが計測されることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【請求項２５】
請求項１７から２４までの何れか一項に記載のワイヤーグリッド偏光素子製造用基板において、
前記レジストマスクの厚さｔは、集束イオンビーム走査電子顕微鏡により計測されることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子製造用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の金属細線が並列して延在するワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、およびワイヤーグリッド偏光素子製造用基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置は、液晶パネルと、液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、ライドバルブによって変調された光を投射する投射光学系とを有しており、光源部から液晶パネルを経由して投射光学系に到る光路に偏光素子が配置されている。かかる偏光素子には、有機材料からなる偏光素子が多用されているが、有機材料からなる偏光素子は、耐熱性が低い。そこで、透光性基板にアルミニウムやアルミニウム合金等からなる金属製のワイヤーグリッドが形成されたワイヤーグリッド偏光素子（無機偏光素子）を用いることが提案されている。
【０００３】
ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法として、基板上に金属膜を形成した後、直接ｅビームリソグラフィを用いてレジストマスクを形成し、次に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）によって金属膜をパターニングする方法が提案されている（特許文献１参照）。また、特許文献１には、金属細線のピッチに対する金属細線の幅によって偏光特性が変化することが記載されている。
【０００４】
また、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法として、基板上に金属膜を形成した後、塗布した光硬化性のレジストに対して型材の凹凸を転写してレジストマスクを形成するナノインプリント法が提案されている。かかる方法によれば、特許文献１に記載の技術より、レジストマスクを効率よく形成することができる。また、特許文献２には、レジストに含まれる成分の揮発を抑制する環境下で転写工程を行うことにより、レジストに凹凸を転写した後、隣り合う凸部によって挟まれた凹部の底部に残るレジストマスクの厚さ（残膜の厚さ）を薄くする方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００３−５０２７０８号公報
【特許文献２】特開２０１３−１４９８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明者は、ワイヤーグリッド偏光素子の基板より大きいマザー基板の状態で金属細線を形成した後、マザー基板を分割して複数のワイヤーグリッド偏光素子を製造する方法を検討しており、その検討の過程で、マザー基板上の位置によって、転写圧のばらつき等の影響で残膜の厚さにばらつきが発生するという知見を得た。かかるばらつきが発生した場合、最も厚い残膜に合せてドライエッチング量を設定することになる結果、残膜が薄い領域から得られるワイヤーグリッド偏光素子では、金属細線の幅が狭くなり、光学特性が劣化するという問題点がある。しかるに、特許文献２に記載の方法では、多大なコストをかけて、レジストに含まれる成分の揮発を抑制する特殊な環境を準備した場合でも、残膜の厚さばらつきを解消することが困難である。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、マザー基板上の位置によって残膜の厚さがばらついた場合で、適正な偏光特性を有する複数のワイヤーグリッド偏光素子をマザー基板から得ることのできるワイヤーグリッド偏光素子の製造方法、およびワイヤーグリッド偏光素子製造用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、基板の一方面に複数の金属細線が等ピッチに並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法であって、前記基板より大きなマザー基板の一方面に金属膜、およびハードマスク用の無機材料膜を順に成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記マザー基板の一方面にレジスト層を塗布し、次に、前記レジスト層に対してナノインプリント用の型材を押圧して、前記複数の金属細線のピッチと同一のピッチで並列した複数の凸部を前記レジスト層に転写した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、前記レジストマスクを形成した状態でドライエッチングを行って前記金属膜を前記複数の金属細線にパターニングするドライエッチング工程と、前記マザー基板を複数のワイヤーグリッド偏光素子に分割する分割工程と、を有し、前記レジストマスク形成工程では、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に前記レジストマスクを残し、前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記ピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、Δｔ／Ｐ（％）が１３．４％以下であることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、ナノインプリント法を利用してレジストマスクを形成する際、レジスト層に転写した凸部により挟まれた凹部の底部にレジストマスクを残すため、凸部を構成するレジスト層同士が、凹部の底部を構成するレジスト層を介して繋がっている。このため、型材をレジスト層に押圧してレジスト層に凸部を転写した後、型材を離す際に、凸部を構成するレジスト層が剥がれるという事態が発生しにくい。ここで、マザー基板において凹部の底部に残るレジストマスク（残膜）の厚さがばらつくと、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子において偏光特性がばらつく。しかるに本発明では、凹部の底部に残るレジストマスクの厚さｔ（ｎｍ）の最大値と最小値との差Δｔ（ｎｍ）をピッチＰと関連付けて、Δｔ／Ｐ（％）を１３．４％以下に制御する。このため、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子において偏光特性がばらつくことを抑制することができる。それ故、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが１００以上であるワイヤーグリッド偏光素子を安定して製造することができる。
【００１０】
本発明において、Δｔ／Ｐは、９．７％以下である態様を採用することができる。かかる態様によれば、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが５００以上であるワイヤーグリッド偏光素子を安定して製造することができる。
【００１１】
本発明の別態様は、基板の一方面に複数の金属細線が等ピッチに並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法において、前記基板より大きなマザー基板の一方面に金属膜、およびハードマスク用の無機材料膜を順に成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記マザー基板の一方面にレジスト層を塗布し、次に、前記レジスト層に対してナノインプリント用の型材を押圧して、前記複数の金属細線のピッチと同一のピッチで並列した複数の凸部を前記レジスト層に形成した後、前記レジスト層を固化させてレジストマスクを形成するレジストマスク形成工程と、前記レジストマスクを形成した状態でドライエッチングを行って前記金属膜を前記複数の金属細線にパターニングするドライエッチング工程と、前記マザー基板を複数のワイヤーグリッド偏光素子に分割する分割工程と、を有し、前記レジストマスク形成工程では、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に前記レジストマスクを残し、前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記ピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１４×Ｐ−０．３）
を満たすことを特徴とする。
【００１２】
本発明では、ナノインプリント法を利用してレジストマスクを形成する際、レジスト層に転写した凸部により挟まれた凹部の底部にレジストマスクを残すため、凸部を構成するレジスト層同士が、凹部の底部を構成するレジスト層を介して繋がっている。このため、型材をレジスト層に押圧してレジスト層に凸部を転写した後、型材を離す際に、凸部を構成するレジスト層が剥がれるという事態が発生しにくい。ここで、マザー基板において凹部の底部に残るレジストマスク（残膜）の厚さがばらつくと、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子において偏光特性がばらつく。しかるに本発明では、凹部の底部に残るレジストマスクの厚さｔ（ｎｍ）の最大値と最小値との差Δｔ（ｎｍ）をピッチＰと関連付けて、Δｔを（０．１４×Ｐ−０．３）以下に制御する。このため、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子において偏光特性がばらつくことを抑制することができる。それ故、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが１００以上であるワイヤーグリッド偏光素子を安定して製造することができる。
【００１３】
本発明において、ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１１×Ｐ−１．４）
を満たす態様を採用することができる。かかる態様によれば、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光の光に対する偏光素子の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが５００以上であるワイヤーグリッド偏光素子を安定して製造することができる。
【００１４】
本発明において、前記成膜工程では、前記金属膜、光吸収膜、および前記無機材料膜を順に成膜する態様を採用することができる。かかる態様によれば、金属細線の基板とは反対側の端部に光吸収膜が残るので、基板の一方面側から入射した光が金属細線によって反射することを抑制することができる。
【００１５】
本発明の別態様は、基板の一方面に複数の金属細線が並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造に用いるワイヤーグリッド偏光素子製造用基板であって、前記マザー基板の一方面に金属膜、ハードマスク用の無機材料膜、および複数の凸部が等ピッチに並列したレジストマスクが順に設けられており、前記レジストマスクでは、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記凸部のピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、Δｔ／Ｐ（％）が１３．４％以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明のさらに別態様は、基板の一方面に複数の金属細線が等ピッチに並列したワイヤーグリッドを備えたワイヤーグリッド偏光素子の製造に用いるワイヤーグリッド偏光素子製造用基板であって、前記マザー基板の一方面に金属膜、ハードマスク用の無機材料膜、および複数の凸部が等ピッチに並列したレジストマスクが順に設けられており、前記レジストマスクでは、前記複数の凸部のうち、隣り合う凸部により挟まれた凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さをｔ（ｎｍ）とし、前記厚さｔの最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、前記凸部のピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、ピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１４×Ｐ−０．３）
を満たすことを特徴とする。
【００１７】
本発明において、前記差Δｔは、前記マザー基板のうち、前記基板が複数、得られる有効領域内の複数個所で前記凹部の底部に残る前記レジストマスクの厚さｔを計測した際の最大値と最小値との差である態様を採用することができる。
【００１８】
本発明において、前記複数個所は、少なくとも、前記有効領域内の中央部分、および前記中央部分から第１方向の一方側に離間する前記有効領域の第１端部を含む態様を採用することができる。
【００１９】
本発明において、前記第１方向に対して直交する方向を第２方向としたとき、前記複数個所は、少なくとも、前記中央部分、前記第１端部、前記中央部分から前記第１方向の他方側に離間する前記有効領域の第２端部、前記中央部分から前記第２方向の一方側に離間する前記有効領域の第３端部、および前記中央部分から前記第２方向の他方側に離間する前記有効領域の第４端部を含む態様を採用することができる。
【００２０】
本発明において、前記複数個所は、さらに、前記中央部分と前記第１端部との間で前記中央部分および前記第１端部から１ｃｍ以上離間する第１中間位置、前記中央部分と前記第２端部との間で前記中央部分および前記第２端部から１ｃｍ以上離間する第２中間位置、前記中央部分と前記第３端部との間で前記中央部分および前記第３端部から１ｃｍ以上離間する第３中間位置、および前記中央部分と前記第４端部との間で前記中央部分および前記第４端部から１ｃｍ以上離間する第４中間位置を含む態様を採用することができる。
【００２１】
本発明において、前記第１方向および第２方向に対して交差する２つの方向のうちの一方を第３方向とし、他方を第４方向としたとき、前記複数個所は、さらに、前記中央部分から前記第３方向の一方側に離間する前記有効領域の第５端部、前記中央部分から前記第３方向の他方側に離間する前記有効領域の第６端部、前記中央部分から前記第４方向の一方側に離間する前記有効領域の第７端部、前記中央部分から前記第４方向の他方側に離間する前記有効領域の第８端部を含む態様を採用することができる。
【００２２】
本発明において、前記複数個所として、前記有効領域のうち、前記基板が各々、得られる複数の領域の各々で前記レジストマスクの厚さｔを計測する態様を採用してもよい。
【００２３】
本発明において、前記レジストマスクの厚さｔを集束イオンビーム走査電子顕微鏡により計測する態様を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子の説明図。
【図２】図１に示すワイヤーグリッド偏光素子の断面図。
【図３】図１に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造方法に用いたマザー基板の説明図。
【図４】図１に示すワイヤーグリッド偏光素子の製造工程のうち、成膜工程およびレジストマスク形成工程を示す工程断面図。
【図５】図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１の製造工程のうち、エッチング工程を示す工程断面図。
【図６】図５に示す残膜の厚さの差と金属細線の幅との関係を示す説明図。
【図７】金属細線のピッチを１４０ｎｍにした場合における金属細線の幅と偏光特性との関係を示す説明図。
【図８】金属細線のピッチを１４０ｎｍとした場合における残膜のばらつきと偏光特性との関係を示す説明図。
【図９】金属細線のピッチを１２０ｎｍにした場合における金属細線の幅と偏光特性との関係を示す説明図。
【図１０】金属細線のピッチを１２０ｎｍとした場合における残膜のばらつきと偏光特性との関係を示す説明図。
【図１１】金属細線のピッチを１００ｎｍにした場合における金属細線の幅と偏光特性との関係を示す説明図。
【図１２】金属細線のピッチを１００ｎｍとした場合における残膜のばらつきと偏光特性との関係を示す説明図。
【図１３】コントラストを１００とする場合のピッチと残膜の厚さの差等との関係を示すグラフ。
【図１４】コントラストを５００とする場合のピッチと残膜の厚さの差等との関係を示すグラフ。
【図１５】レジストマスクの厚さの計測方法を示す説明図。
【図１６】残膜の厚さの計測個所の第１例を示す説明図。
【図１７】残膜の厚さの計測個所の第２例を示す説明図。
【図１８】残膜の厚さの計測個所の第３例を示す説明図。
【図１９】残膜の厚さの計測個所の第４例を示す説明図。
【図２０】残膜の厚さの計測個所の第５例を示す説明図。
【図２１】透過型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図。
【図２２】反射型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明では、ワイヤーグリッド４（金属細線４１）が延在している方向をＹ方向とし、金属細線４１が並列している方向をＸ方向としてある。
【００２６】
また、ワイヤーグリッド４の金属細線４１の幅Ｗ４１等を説明する際、ワイヤーグリッド４の金属細線４１の幅Ｗ４１が、厚さ方向で相違している場合、金属細線４１の厚さ方向の中央における幅を金属細線４１の幅Ｗ４１とする。
【００２７】
［ワイヤーグリッド偏光素子１の構成］
図１は、本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子１の説明図である。図２は、図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１の断面図である。図１および図２に示すワイヤーグリッド偏光素子１は、透光性の基板２と、基板２の一方面２ａに形成された金属製のワイヤーグリッド４とを有している。ワイヤーグリッド４は、等ピッチで平行に並列した複数の金属細線４１からなる。
【００２８】
基板２としては、ガラス基板、石英基板、水晶基板等の透光性基板が用いられている。基板２は、例えば１辺が約２０ｍｍから３０ｍｍの四角形状を有しており、厚さは０．５ｍｍから０．８ｍｍである。金属細線４１の太さおよびスペース（金属細線４１の間隔）は、例えば４００ｎｍ以下である。本実施形態において、金属細線４１の太さおよびスペースは各々、例えば２０ｎｍから３００ｎｍであり、金属細線４１の厚さは、１５０ｎｍから４００ｎｍである。ワイヤーグリッド４（金属細線４１）は、アルミニウム、銀、銅、白金、金、またはそれらを主成分とする合金である。本実施形態では、可視光波長領域においてワイヤーグリッド４での吸収損失を小さく抑えるという観点から、アルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、銀、または銀を主成分とする合金からなる。
【００２９】
このように構成したワイヤーグリッド４において、金属細線４１のピッチが入射光の波長よりも十分短ければ、入射光のうち、金属細線４１の長手方向に直交する電場ベクトルを有する成分である第１直線偏光の光は透過し、金属細線４１の長手方向と平行な電場ベクトルを有する成分である第２直線偏光の光は反射される。
【００３０】
図２に示すように、本形態のワイヤーグリッド偏光素子１では、ワイヤーグリッド４の基板２と反対側の端部（金属細線４１の先端部）にシリコンやゲルマニウム等の半導体膜からなる光吸収層５１（図１では図示を省略）が形成されている。従って、ワイヤーグリッド偏光素子１に対して、基板２とは反対側から入射した光が金属細線４１によって反射することを光吸収層５１によって抑制することができる。
【００３１】
［ワイヤーグリッド偏光素子１の製造方法］
図３は、図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１の製造方法に用いたマザー基板２０の説明図である。図４は、図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１の製造工程のうち、成膜工程およびレジストマスク形成工程を示す工程断面図である。図５は、図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１の製造工程のうち、エッチング工程を示す工程断面図である。なお、図４および図５には、図３に示すマザー基板２０の中央領域（例えば、図３に示す領域２０１）を左側（ａ）に示し、マザー基板２０の周辺領域（例えば、図３に示す領域２０２）を右側（ｂ）に示してある。
【００３２】
図１に示すワイヤーグリッド偏光素子１を製造するにあたって、本形態では、少なくとも、図１に示すワイヤーグリッド４を形成するまでは、図３に示すマザー基板２０を用い、ワイヤーグリッド４を形成した後、マザー基板２０を分割して複数のワイヤーグリッド偏光素子１を得る。マザー基板２０は、実線Ｌ１１で示す基板２を多数取りできる大型基板であり、シリコンウェハーと同様、円板状である。マザー基板２０において、複数の基板２が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域２０ｙであり、それ以外の領域は、分割工程で除去される無効領域２０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。
【００３３】
図３に示すマザー基板２０にワイヤーグリッド４を形成するにあたっては、まず、図４に示す成膜工程ＳＴ１において、金属膜４０、光吸収膜５０、およびハードマスク用の無機材料膜６０を順に成膜する。本形態において、金属膜４０は、厚さが２４０ｎｍのアルミニウム膜である。光吸収膜５０は、厚さが２６ｎｍのシリコン膜やゲルマニウム膜等の半導体膜である。ハードマスク用の無機材料膜６０は、厚さが１００ｎｍのシリコン酸化膜である。
【００３４】
次に、図４に示すレジストマスク形成工程ＳＴ２を行う。レジストマスク形成工程ＳＴ２では、レジスト塗布工程ＳＴ２１において、マザー基板２０の一方面２０ａにレジスト層７０を塗布し、次に、転写工程ＳＴ２２では、レジスト層７０に対してナノインプリント用の型材８を押圧して、複数の金属細線４１のピッチと同一のピッチで平行に並列した複数の凸部７１をレジスト層７０に転写する。次に、離型工程ＳＴ２３において、型材８をレジスト層７０から引き離す。レジスト層７０の固化は、転写工程ＳＴ２２を行った後、離型工程ＳＴ２３を行う前に行う。また、レジスト層７０の固化は、離型工程ＳＴ２３の後に行ってもよい。本形態では、レジスト層７０は、ＵＶ硬化性のレジストが用いられている。従って、紫外線透過性を有する型材８を用いれば、離型工程ＳＴ２３を行う前に、型材８に対してレジスト層７０とは反対側からレジスト層７０に紫外線ＵＶを照射し、レジスト層７０を硬化させることができる。また、離型工程ＳＴ２３を行った後、マザー基板２０とは反対側からレジスト層７０に紫外線ＵＶを照射し、レジスト層７０を硬化させてもよい。
【００３５】
本形態では、レジストマスク７を形成する際、隣り合う凸部７１に挟まれた凹部７２の底部にレジストマスク７（残膜７５）を残す。従って、凸部７１を構成するレジスト層７０が、凹部７２の底部を構成するレジスト層７０を介して繋がっている。このため、型材８をレジスト層７０に押圧してレジスト層７０に凸部７１を転写した後、型材８を離す際に、凸部７１を構成するレジスト層が剥がれるという事態が発生しにくい。
【００３６】
次に、図５に示すエッチング工程ＳＴ３では、レジストマスク７を形成した状態でドライエッチングを行い、金属膜４０および光吸収膜５０をレジストマスク７のパターン形状に対応する形状にパターニングしてワイヤーグリッド４を形成する。エッチング工程ＳＴ３では、まず、フッ素および酸素を含むエッチングガスを用いた第１異方性ドライエッチングを行った後、塩素を含むエッチングガスを用いた第２異方性ドライエッチングを行う。
【００３７】
第１異方性ドライエッチングでは、レジストマスク７および無機材料膜６０がエッチングされ、無機材料膜６０は、レジストマスク７のパターン形状に対応する形状のハードマスク６にパターニングされる。第２異方性ドライエッチングでは、金属膜４０がエッチングされ、金属膜４０は、ハードマスク６のパターン形状（レジストマスク７のパターン形状）に対応する形状の金属細線４１がパターニングされる。その際、光吸収膜５０もハードマスク６のパターン形状（レジストマスク７のパターン形状）に対応する形状にパターニングされる。
【００３８】
次に、フッ素を含むエッチングガスを用いた第３異方性ドライエッチングを行って、金属細線４１上に残るハードマスク６を除去する。その間に、マザー基板２０の一方面２０ａでは、金属細線４１に挟まれた部分が、例えば、７０ｎｍの深さにエッチングされる。しかる後には、マザー基板２０を分割して複数のワイヤーグリッド偏光素子１を得る。
【００３９】
［残膜７５についての検討結果］
（残膜７５の厚さｔのばらつきと金属細線４１の幅Ｗ４１）
図５には、レジストマスク７の最大厚さが１５０ｎｍであって、レジストマスク７における凸部７１の幅ＷＬが４０ｎｍで、凹部７２の幅ＷＳが１００ｎｍの場合（金属細線４１のピッチＰが１４０ｎｍ）を例示してある。レジストマスク７では、図３に示すマザー基板２０の中央の領域２０１と周辺の領域２０２とにおいて、凸部７１の幅ＷＬ、凹部７２の幅ＷＳ、および金属細線４１のピッチＰが等しい。
【００４０】
しかしながら、凹部７２の底部にレジストマスク７（残膜７５）を残した場合、マザー基板２０上の位置によって、残膜７５の厚さがばらつくことがある。例えば、マザー基板２０の中央の領域２０１では、残膜７５の厚さｔが３０ｎｍであるのに対し、マザー基板２０の周辺の領域２０２では、残膜７５の厚さｔが２０ｎｍとなる場合があり、残膜７５の厚さｔの最大値と最小値との差Δｔが１０ｎｍとなる。この場合、エッチング工程ＳＴ３を行ってハードマスク６を形成する際に、周辺の領域２０２では、中央の領域２０１より、残膜７５が除去されるタイミングが早い。また、エッチング時間は、厚い方の残膜７５の厚さに応じて設定される。
【００４１】
このため、ハードマスク６では、周辺の領域２０２においてレジストマスク７と重なる線状部分６１の幅Ｗ６１が、中央の領域２０１においてレジストマスク７と重なる線状部分６１の幅Ｗ６１より狭くなる。言い換えれば、周辺の領域２０２において線状部分６１により挟まれたスペース６２の幅Ｗ６２が、中央の領域２０１において線状部分６１により挟まれたスペース６２の幅Ｗ６２より広くなる。例えば、中央の領域２０１では、線状部分６１の幅Ｗ６１が３９ｎｍであるのに対して、周辺の領域２０２では、線状部分６１の幅Ｗ６１が２９ｎｍとなる。言い換えれば、周辺の領域２０２では、スペース６２の幅Ｗ６２が１０１ｎｍであるのに対して、中央の領域２０１では、スペース６２の幅Ｗ６２が１１１ｎｍとなる。
【００４２】
それ故、金属膜４０に対するエッチングが終了した時点で、周辺の領域２０２の金属細線４１の幅ＷＬ４１が、中央の領域２０１の金属細線４１の幅ＷＬ４１より狭くなる。言い換えれば、周辺の領域２０２において金属細線４１により挟まれたスペース４２の幅Ｗ４２が、中央の領域２０１において金属細線４１により挟まれたスペース４２の幅Ｗ４２より広くなる。例えば、中央の領域２０１の金属細線４１の幅ＷＬ４１が３８ｎｍとなるのに対して、周辺の領域２０２の金属細線４１の幅ＷＬ４１が２８ｎｍとなる。言い換えれば、中央の領域２０１では、隣り合う金属細線４１よって挟まれたスペース４２の幅ＷＳ４２が１０２ｎｍであるのに対して、周辺の領域２０２では、隣り合う金属細線４１よって挟まれたスペース４２の幅ＷＳ４２が１１２ｎｍとなる。
【００４３】
このように、残膜７５が薄い方では、ハードマスク６の線状部分６１の幅Ｗ６１が狭くなるため、ワイヤーグリッド４では、金属細線４１の幅ＷＬ４１が狭くなる。従って、マザー基板２０の中央の領域２０１から分割されたワイヤーグリッド偏光素子１と、マザー基板２０の周辺の領域２０２から分割されたワイヤーグリッド偏光素子１とでは、金属細線４１の幅Ｗ４１が相違することになる。例えば、マザー基板２０の周辺の領域２０２から分割されたワイヤーグリッド偏光素子１は、中央の領域２０１から分割されたワイヤーグリッド偏光素子１より、金属細線４１の幅Ｗ４１が狭くなる。その結果、中央の領域２０１から得られたワイヤーグリッド偏光素子１と、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１とにおいて、光学特性に差が発生する。
【００４４】
（残膜７５の厚さｔの差Δｔと金属細線４１の幅Ｗ４１との関係）
図６は、図５に示す残膜７５の厚さｔの差Δｔと金属細線４１の幅Ｗ４１との関係を示す説明図であり、残膜７５の厚さｔが厚い領域２０１で金属細線４１の幅Ｗ４１が３８ｎｍとなるようにエッチング時間等を設定した場合において、残膜７５の厚さｔの差Δｔと薄い領域２０２での金属細線４１の幅Ｗ４１との関係を示してある。
【００４５】
図６に示すように、残膜７５の厚さｔの最大値と最小値との差Δｔを５ｎｍから３０ｎｍまで変化させた条件下で、残膜７５の厚さｔが厚い中央の領域２０１で金属細線４１の幅Ｗ４１が３８ｎｍとなるように条件を設定した場合、残膜７５の厚さｔの差Δｔが大きくなる程、残膜７５の厚さｔが薄い周辺の領域２０２では、金属細線４１の幅Ｗ４１が３３ｎｍから８ｎｍまで狭くなっていく。また、領域２０１と領域２０２とにおける金属細線４１の幅Ｗ４１の差は、残膜７５の厚さｔの差Δｔと略等しい。かかる傾向は、ピッチＰを変えても同様である。
【００４６】
（ピッチＰが１４０ｎｍの場合の残膜７５のばらつきの上限）
図７は、金属細線４１のピッチＰを１４０ｎｍとした場合における金属細線４１の幅ＷＬ４１と偏光特性との関係を示す説明図である。図８は、金属細線４１のピッチＰを１４０ｎｍとした場合における残膜７５のばらつき（差Δｔ）と偏光特性との関係を示す説明図であり、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１の特性を示してある。また、以下に説明する偏光特性、およびコントラストＣＲ等は、波長５００ｎｍから５９０ｎｍの光に対する平均値である。
【００４７】
まず、図７に示すように、金属細線４１の幅ＷＬ４１が３８ｎｍから１８ｎｍまで狭くなると、ｐ偏光の光の透過率Ｔｐ、およびｓ偏光の光の反射率Ｒｓは増加する。また、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光（ｐ偏光およびｓ偏光）の光に対するワイヤーグリッド偏光素子１の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが低下する。従って、残膜７５の厚さｔのΔ差が大きい場合、残膜７５の厚さｔが厚い領域２０１で金属細線４１の幅Ｗ４１が３８ｎｍとなるようにエッチング時間等を設定した場合において、残膜７５の厚さｔが薄い領域２０２では、金属細線４１の幅Ｗ４１が狭くなる。このため、図８に示すように、残膜７５の厚さｔの差Δｔが増大する程、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１では、コントラスト比ＣＲが低下していく。
【００４８】
従って、図７および図８に示す結果に基づいて、コントラスト比ＣＲを１００以上、あるいは５００以上確保するための条件（金属細線４１の幅ＷＬ４１）を求めると、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１４０ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧１９ｎｍ
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１４０ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧２５ｎｍ
【００４９】
また、上記の条件に対応する残膜７５の条件（厚さｔの差Δｔ、およびΔｔ／Ｐ）は、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１４０ｎｍ）
差Δｔ≦１９．５ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦１３．９％
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１４０ｎｍ）
差Δｔ≦１４．１ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦１０．１％
【００５０】
（ピッチＰが１２０ｎｍの場合の残膜７５のばらつきの上限）
図９は、金属細線４１のピッチＰを１２０ｎｍとした場合における金属細線４１の幅ＷＬ４１と偏光特性との関係を示す説明図である。図１０は、金属細線４１のピッチＰを１２０ｎｍとした場合における残膜７５のばらつき（差Δｔ）と偏光特性との関係を示す説明図であり、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１の特性を示してある。なお、ピッチＰを１２０ｎｍとした場合、金属細線４１の高さを２１５ｎｍとし、光吸収層５の厚さを２７ｎｍとする。また、金属細線４１の幅Ｗ４１の目標値を３４ｎｍとする。また、図５に示すレジストマスク７における凸部７１の幅ＷＬを３６ｎｍとし、マザー基板２０の中央の領域２０１では、残膜７５の厚さｔを３０ｎｍとする。
【００５１】
まず、図９に示すように、ピッチＰが１２０ｎｍの場合も、ピッチＰが１４０ｎｍの場合と同様、金属細線４１の幅ＷＬ４１が３４ｎｍから１６ｎｍまで狭くなると、ｐ偏光の光の透過率Ｔｐ、およびｓ偏光の光の反射率Ｒｓは増加する。また、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光（ｐ偏光およびｓ偏光）の光に対するワイヤーグリッド偏光素子１の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが低下する。従って、残膜７５の厚さｔのΔ差が大きい場合、残膜７５の厚さｔが厚い領域２０１で金属細線４１の幅Ｗ４１が３４ｎｍとなるようにエッチング時間等を設定した場合において、残膜７５の厚さｔが薄い領域２０２では、金属細線４１の幅Ｗ４１が狭くなる。このため、図１０に示すように、残膜７５の厚さｔの差Δｔが増大する程、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１では、コントラスト比ＣＲが低下していく。
【００５２】
従って、図９および図１０に示す結果に基づいて、コントラスト比ＣＲを１００以上、あるいは５００以上確保するための条件（金属細線４１の幅ＷＬ４１）を求めると、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１２０ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧１８ｎｍ
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１２０ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧２３ｎｍ
【００５３】
また、上記の条件に対応する残膜７５の条件（厚さｔの差Δｔ、およびΔｔ／Ｐ）は、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１２０ｎｍ）
差Δｔ≦１６．１ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦１３．４％
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１２０ｎｍ）
差Δｔ≦１１．６ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦９．７％
【００５４】
（ピッチＰが１００ｎｍの場合の残膜７５のばらつきの上限）
図１１は、金属細線４１のピッチＰを１００ｎｍとした場合における金属細線４１の幅ＷＬ４１と偏光特性との関係を示す説明図である。図１２は、金属細線４１のピッチＰを１００ｎｍとした場合における残膜７５のばらつき（差Δｔ）と偏光特性との関係を示す説明図であり、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１の特性を示してある。なお、ピッチＰを１００ｎｍとした場合、金属細線４１の高さを１９５ｎｍとし、光吸収層５の厚さを２７ｎｍとする。また、金属細線４１の幅Ｗ４１の目標値を３０ｎｍとする。また、図５に示すレジストマスク７における凸部７１の幅ＷＬを３２ｎｍとし、マザー基板２０の中央の領域２０１では、残膜７５の厚さｔを３０ｎｍとする。
【００５５】
まず、図１１に示すように、ピッチＰが１００ｎｍの場合も、ピッチＰが１２０ｎｍ、１４０ｎｍの場合と同様、金属細線４１の幅ＷＬ４１が３０ｎｍから１５ｎｍまで狭くなると、ｐ偏光の光の透過率Ｔｐ、およびｓ偏光の光の反射率Ｒｓは増加する。また、電場の振動方向が互いに直交する２つの直線偏光（ｐ偏光およびｓ偏光）の光に対するワイヤーグリッド偏光素子１の透過率の比であるコントラスト比ＣＲが低下する。従って、残膜７５の厚さｔのΔ差が大きい場合、残膜７５の厚さｔが厚い領域２０１で金属細線４１の幅Ｗ４１が３０ｎｍとなるようにエッチング時間等を設定した場合において、残膜７５の厚さｔが薄い領域２０２では、金属細線４１の幅Ｗ４１が狭くなる。このため、図１２に示すように、残膜７５の厚さｔの差Δｔが増大する程、周辺の領域２０２から得られたワイヤーグリッド偏光素子１では、コントラスト比ＣＲが低下していく。
【００５６】
従って、図１１および図１２に示す結果に基づいて、コントラスト比ＣＲを１００以上、あるいは５００以上確保するための条件（金属細線４１の幅ＷＬ４１）を求めると、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１００ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧１７ｎｍ
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１００ｎｍ）
金属細線４１の幅ＷＬ４１≧２１ｎｍ
【００５７】
また、上記の条件に対応する残膜７５の条件（厚さｔの差Δｔ、およびΔｔ／Ｐ）は、以下の結果となる。
ＣＲが１００以上（ピッチＰ＝１００ｎｍ）
差Δｔ≦１３．９ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦１３．９％
ＣＲが５００以上（ピッチＰ＝１００ｎｍ）
差Δｔ≦９．７ｎｍ
Δｔ／Ｐ≦９．７％
【００５８】
（残膜７５の厚さｔの差Δｔ等の上限）
上記の結果を図１３および図１４に纏めて示してある。図１３は、コントラストＣＲを１００とする場合のピッチＰと残膜７５の厚さｔの差Δｔ等との関係を示すグラフである。図１４は、コントラストＣＲを５００とする場合のピッチＰと残膜７５の厚さｔの差Δｔ等との関係を示すグラフである。
【００５９】
図１３に示すように、製造工程における条件の制御や管理等によって、以下の条件とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲを１００以上とすることができる。
ピッチＰが１００ｎｍから１２０ｎｍの場合
Δｔ／Ｐ≦−０．０２５×Ｐ＋１６．４
ピッチＰが１２０ｎｍから１４０ｎｍの場合
Δｔ／Ｐ≦０．０２５×Ｐ＋１０．４
【００６０】
従って、ピッチＰが１００ｎｍから１４０ｎｍを含む広い範囲で、残膜７５の厚さｔの差Δｔ／Ｐを１３．４％以下とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲを１００以上とすることができる。また、ピッチＰと残膜７５の厚さｔの差Δｔとの関係を最小二乗法により一次関数で表した場合、残膜７５の厚さｔの差Δｔ（ｎｍ）を（０．１４×Ｐ−０．３）ｎｍ以下とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲを１００以上とすることができる。
【００６１】
また、図１４に示すように、製造工程における条件の制御や管理等によって、以下の条件とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲを５００以上とすることができる。
ピッチＰが１００ｎｍから１２０ｎｍの場合
Δｔ／Ｐ≦９．７１
ピッチＰが１２０ｎｍから１４０ｎｍの場合
Δｔ／Ｐ≦０．０２×Ｐ＋７．３
【００６２】
従って、ピッチＰが１００ｎｍから１４０ｎｍを含む広い範囲で、残膜７５の厚さｔの差Δｔ／Ｐを９．７％以下とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲを５００以上とすることができる。また、ピッチＰと残膜７５の厚さｔの差Δｔとの関係を最小二乗法により一次関数で表した場合、残膜７５の厚さｔの差Δｔ（ｎｍ）を（０．１１×Ｐ−１．４）ｎｍ以下とすれば、同一のマザー基板から得られた複数のワイヤーグリッド偏光素子１の各々のコントラストＣＲ５００以上とすることができる。
【００６３】
（ワイヤーグリッド偏光素子製造用基板２００）
かかる製造方法によれば、ワイヤーグリッド偏光素子１を製造する途中において、図４に示すレジストマスク形成工程ＳＴ２を行うと、マザー基板２０の一方面に金属膜４０、ハードマスク用の無機材料膜６０、および複数の凸部７１が並列したレジストマスク７が順に設けられたワイヤーグリッド偏光素子製造用基板２００が得られる。
【００６４】
かかるワイヤーグリッド偏光素子製造用基板２００において、隣り合う凸部７１により挟まれた凹部７２の底部に残るレジストマスク７の厚さｔ（残膜７５の厚さ）のマザー基板２０上における最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）とし、凸部７１のピッチをＰ（ｎｍ）としたとき、Δｔ／Ｐ（％）が１３．４％以下であれば、上記のワイヤーグリッド偏光素子１を得ることができる。
【００６５】
また、ワイヤーグリッド偏光素子製造用基板２００において、隣り合う凸部７１により挟まれた凹部７２の底部に残るレジストマスク７の厚さｔ（残膜７５の厚さ）のマザー基板２０上における最大値と最小値との差をΔｔ（ｎｍ）としたとき、凸部７１のピッチＰ（ｎｍ）および差Δｔが以下の条件式
Δｔ  ≦  （０．１４×Ｐ−０．３）
を満たせば、上記のワイヤーグリッド偏光素子１を得ることができる。
【００６６】
（残膜７５の厚さｔの差Δｔの計測方法）
図１５は、レジストマスクの厚さｔの計測方法を示す説明図であり、集束イオンビーム走査電子顕微鏡の撮像結果を示す説明図である。なお、図１５では、撮像結果（ａ）と、撮像結果の説明図（ｂ）とを示してある。
【００６７】
本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子１の製造方法において、凹部７２の底部に残るレジストマスク７の厚さｔ（残膜７５の厚さ）のマザー基板２０上における最大値と最小値との差Δｔ（ｎｍ）は、マザー基板２０の有効領域２０ｙ内の複数個所で凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測した際の最大値と最小値との差である。本形態では、厚さｔの計測に集束イオンビーム走査電子顕微鏡を用いる。
【００６８】
集束イオンビーム走査電子顕微鏡によれば、レジストマスク７の断面が、図１５の撮像結果（ａ）に示すように撮像される。かかる撮像結果によれば、図１５の説明図（ｂ）に示すように、凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測することができる。
【００６９】
（残膜７５の厚さｔの計測個所の第１例）
図１６は、残膜７５の厚さｔの計測個所の第１例を示す説明図である。本形態では、図１６に示すように、マザー基板２０の有効領域２０ｙ内の複数個所で凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測するにあたって、計測する複数個所を、少なくとも、有効領域２０ｙ内の中央部分Ｃ０と、中央部分Ｃ０からマザー基板２０の面内方向の第１方向Ｄ１の一方側に離間する有効領域２０ｙの第１端部Ｃ１を含む態様とする。ナノインプリント法によれば、中央部分Ｃ０と有効領域２０ｙの端部とにおいて厚さｔのばらつきが発生しやすい一方、周方向でのばらつきが発生しにくい。従って、少なくとも、中央部分Ｃ０と第１端部Ｃ１で厚さｔを計測すれば、マザー基板２０の有効領域２０ｙ全体での厚さｔのばらつきを把握できる。
【００７０】
（残膜７５の厚さｔの計測個所の第２例）
図１７は、残膜７５の厚さｔの計測個所の第２例を示す説明図である。本形態では、図１７に示すように、マザー基板２０の有効領域２０ｙ内の複数個所で凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測するにあたって、計測する複数個所を図１７に示す５個所とする。具体的には、計測する複数個所を、少なくとも、有効領域２０ｙ内の中央部分Ｃ０と、中央部分Ｃ０から第１方向Ｄ１の一方側に離間する有効領域２０ｙの第１端部Ｃ１と、中央部分Ｃ０から第１方向Ｄ１の他方側に離間する有効領域２０ｙの第２端部Ｃ２と、中央部分Ｃ０からマザ基板２０の面内方向で第１方向Ｄ１に対して直交する第２方向Ｄ２の一方側に離間する有効領域２０ｙの第３端部Ｃ３と、中央部分Ｃ０から第２方向Ｄ２の他方側に離間する有効領域２０ｙの第４端部Ｃ４とする。
【００７１】
かかる態様によれば、計測個所が少ない場合でも、マザー基板２０の有効領域２０ｙ全体での厚さｔのばらつきをより適正に把握できる。
【００７２】
（残膜７５の厚さｔの計測個所の第３例）
図１８は、残膜７５の厚さｔの計測個所の第３例を示す説明図である。本形態では、図１８に示すように、マザー基板２０の有効領域２０ｙ内の複数個所で凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測するにあたって、計測する複数個所を、中央部分Ｃ０、第１端部Ｃ１、第２端部Ｃ２、第３端部Ｃ３、および第４端部Ｃ４を含む計９か所とする。より具体的には、計測する複数個所として、中央部分Ｃ０と第１端部Ｃ１との間で中央部分Ｃ０および第１端部Ｃ１から１ｃｍ以上離間する第１中間位置Ｃ５と、中央部分Ｃ０と第２端部Ｃ２との間で中央部分Ｃ０および第２端部Ｃ２から１ｃｍ以上離間する第２中間位置Ｃ６と、中央部分Ｃ０と第３端部Ｃ３との間で中央部分Ｃ０および第３端部Ｃ３から１ｃｍ以上離間する第３中間位置Ｃ７と、中央部分Ｃ０と第４端部Ｃ４との間で中央部分Ｃ０および第４端部Ｃ４から１ｃｍ以上離間する第４中間位置Ｃ８を加える。
【００７３】
かかる態様によれば、マザー基板２０の有効領域２０ｙ全体での厚さｔのばらつきをより適正に把握できる。
【００７４】
（残膜７５の厚さｔの計測個所の第４例）
図１９は、残膜７５の厚さｔの計測個所の第４例を示す説明図である。本形態では、図１９に示すように、マザー基板２０の有効領域２０ｙ内の複数個所で凹部７２の底部に残るレジストマスクの厚さｔを計測するにあたって、計測する複数個所を、中央部分Ｃ０、第１端部Ｃ１、第２端部Ｃ２、第３端部Ｃ３、および第４端部Ｃ４を含む計９か所とする。本形態では、マザー基板２０の面内方向において、第１方向Ｄ１および第２方向Ｄ２に対して交差する２つの方向のうちの一方を第３方向Ｄ３とし、他方を第４方向Ｄ４としたとき、中央部分Ｃ０から第３方向Ｄ３および第４方向Ｄ４に離間した位置も計測個所とする。より具体的には、計測する複数個所として、中央部分Ｃ０から第３方向Ｄ３の一方側に離間する有効領域２０ｙの第５端部Ｃ５０と、中央部分Ｃ０から第３方向Ｄ３の他方側に離間する有効領域２０ｙの第６端部Ｃ６０と、中央部分Ｃ０から第４方向Ｄ４の一方側に離間する有効領域２０ｙの第７端部Ｃ７０と、中央部分Ｃ０から第４方向Ｄ４の他方側に離間する有効領域２０ｙの第８端部Ｃ８０とを加える。
【００７５】
かかる態様によれば、マザー基板２０の有効領域２０ｙ全体での厚さｔのばらつきをより適正に把握できる。
【００７６】
（残膜７５の厚さｔの計測個所の第５例）
図２０は、残膜７５の厚さｔの計測個所の第５例を示す説明図である。本形態では、図２０に示すように、残膜７５の厚さｔの計測する複数個所として、マザー基板２０の有効領域２０ｙのうち、基板２（ワイヤーグリッド偏光素子１）が各々、得られる複数の領域の各々でレジストマスクの厚さｔを計測する。その際、基板２（ワイヤーグリッド偏光素子１）が各々、得られる各領域内の１個所Ｃでレジストマスクの厚さｔを計測する。かかる態様によれば、マザー基板２０の有効領域２０ｙ全体での厚さｔのばらつきをより適正に把握でき、ワイヤーグリッド偏光素子１の特性を確実に把握することができる。
【００７７】
［他の実施形態］
上記実施形態では、金属細線４１の端部に光吸収層５１が設けられていたが、光吸収層５１が設けられない場合に本発明を適用してもよい。
【００７８】
［投射型表示装置の構成例１］
上述した実施形態に係るワイヤーグリッド偏光素子１を用いた投射型表示装置（液晶プロジェクター）を説明する。図２１は、透過型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図である。
【００７９】
なお、図２１に示す投射型表示装置１１０、および図２２を参照して後述する投射型表示装置１０００のいずれにおいても、液晶パネルと、液晶パネルに供給される光を出射する光源部と、液晶パネルによって変調された光を投射する投射光学系とが設けられ、光源部から液晶パネルを経由して投射光学系に到る光路に、図１〜図２０を参照して説明したワイヤーグリッド偏光素子１が配置される。
【００８０】
図２１に示す投射型表示装置１１０は、透過型の液晶パネルを用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。かかる投射型表示装置１１０においては、以下に説明する第１偏光板１１５ｂ、１１６ｂ、１１７ｂ、および第２偏光板１１５ｄ、１１６ｄ、１１７ｄの一方または他方に本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子１が用いられる。
【００８１】
投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌ０に沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数のライトバルブ（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、液晶ライトバルブ１１５〜１１７およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット１５０を構成している。
【００８２】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌ０に沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。
【００８４】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１００Ｒ、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８５】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１００Ｒは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１００Ｇ、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１００Ｇは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００８７】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１００Ｂ、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８８】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。液晶パネル１００Ｂは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００８９】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００９０】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００９１】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。
【００９２】
［投射型表示装置の構成例２］
図２２は、反射型の液晶パネルを用いた投射型表示装置の説明図であり、以下に説明するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂに本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子１が用いられる。また、入射側偏光板１０３７ｂ、１０３７ｇ、１０３７ｒ、および出射側偏光板１０３８ｂ、１０３８ｇ、１０３８ｒの一方または双方に本発明を適用したワイヤーグリッド偏光素子１を用いてもよい。
【００９３】
図２２に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９４】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクター１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶パネル１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９５】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射された後、ダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶パネル１００（Ｒ）に入射する。
【００９６】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射された後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶パネル１００（Ｇ）に入射する。
【００９７】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶パネル１００（Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶パネル１００（Ｂ）への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９８】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶パネル１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）において変調される。その際、液晶パネル１００（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【００９９】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【符号の説明】
【０１００】
１…ワイヤーグリッド偏光素子、２…基板、４…ワイヤーグリッド、６…ハードマスク、７…レジストマスク、８…型材、２０…マザー基板、７５…残膜、４０…金属膜、４１…金属細線、４２、６２…スペース、５０…光吸収膜、５１…光吸収層、６０…無機材料膜、６１…線状部分、７０…レジスト層、７１…凸部、７２…凹部、１００、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…液晶パネル、２００…ワイヤーグリッド偏光素子製造用基板、
２０１…中央の領域、２０２…周辺の領域、１１０、１０００…投射型表示装置、ＳＴ１…成膜工程、ＳＴ２…レジストマスク形成工程、ＳＴ２１…レジスト塗布工程、ＳＴ３…ドライエッチング工程、ＳＴ２２…転写工程、ＳＴ２３…離型工程、Ｃ０…中央部分、Ｃ１…第１端部、Ｃ２…第２端部、Ｃ３…第３端部、Ｃ４…第４端部、Ｃ５…第１中間位置、Ｃ６…第２中間位置、Ｃ７…第３中間位置、Ｃ８…第４中間位置、Ｃ５０…第５端部、Ｃ６０…第６端部、Ｃ７０…第７端部、Ｃ８０…第８端部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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