(57)【要約】      （修正有）【課題】発光素子の位置精度が高い半導体発光装置及び、発光素子の周囲を封止する封止工程に要する時間の短縮を図りかつ、製造時の歩留まりの高い半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】実装基板２０と、実装基板上に載置された発光素子３０と、発光素子を囲むように実装基板上に形成され、かつ実装基板よりも熱伝導率が低い側壁部４０と、発光素子を覆うように側壁部によって保持されている透光性部材５０と、を有する。【選択図】図２
2019102631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に載置された発光素子と、
前記発光素子を囲むように前記基板上に配され、かつ前記基板よりも熱伝導率が低い側壁部と、
前記発光素子を覆うように前記側壁部によって保持されている透光性部材と、を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記基板、前記側壁部及び前記透光性部材によって、前記発光素子を収容しかつ、密閉された収容空間が形成され、
前記収容空間は、真空又は不活性ガスによって充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記側壁部の内側面は、前記発光素子から出射された光を反射する反射材を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記側壁部が前記基板と接する第１の接合面の面積は、前記側壁部が前記透光性部材と接する第２の接合面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記基板と、前記側壁部と、前記透光性部材によって、前記発光素子を収容する収容空間が形成され、
前記収容空間が前記基板側から前記透光性部材に向かって漸次拡がって形成されるように前記側壁部がテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、紫外光を出射することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
電極が形成されている基板上の前記電極を囲むように前記基板上に接合層を設ける工程と、
前記接合層上に前記基板よりも熱伝導率が低い側壁部を載置する工程と、
前記接合層によって前記基板上に前記側壁部を固定する工程と、
接合金属層を前記基板の前記電極上に設ける工程と、
前記電極上の前記接合金属層上に発光素子を載置する工程と、
前記電極上の接合金属層を溶融して前記発光素子と前記電極とを電気的に接続する工程と、
予め接合金属層が設けられた透光性部材を、前記透光性部材の前記接合金属層が前記側壁部に接するようにかつ、前記発光素子を覆うように前記透光性部材を載置する工程と、
前記透光性部材の前記接合金属層を溶融させて前記透光性部材を前記側壁部上に固定する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
電極が形成されている基板上の前記電極を囲むように前記基板上に接合層を設ける工程と、
前記接合層上に前記基板よりも熱伝導率が低い側壁部を載置する工程と、
前記接合層によって前記基板上に前記側壁部を固定する工程と、
予め接合金属層が設けられた発光素子を、前記発光素子の前記接合金属層が前記電極に接するように前記電極上に載置する工程と、
前記電極上の前記接合金属層を溶融して前記発光素子と前記電極を電気的に接続する工程と、
予め接合金属層が設けられた透光性部材を、前記透光性部材の前記接合金属層が前記側壁部に接するようにかつ、前記発光素子を覆うように前記透光性部材を載置する工程と、
前記透光性部材の前記接合金属層を溶融させて前記透光性部材を前記側壁部上に固定する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項９】
電極が形成されている基板の前記電極を囲むように前記基板上に接合層を設けかつ、前記基板上の電極上に接合金属層を設ける工程と、
前記電極上の前記接合層上に発光素子を載置しかつ、前記接合層上に前記基板よりも熱伝導率が低い側壁部を載置する工程と、
前記接合金属層を溶融して前記発光素子を前記基板に固定しかつ、前記接合層によって前記側壁部を前記基板に固定する工程と、
予め接合金属層が設けられた透光性部材を、前記透光性部材の前記接合金属層が前記側壁部に接するようにかつ、前記発光素子を覆うように前記透光性部材を載置する工程と、
前記透光性部材の前記接合金属層を溶融させて前記透光性部材を前記側壁部上に固定する工程と、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置、特に発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子を有する半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の発光素子は、例えば、ＡｕＳｎ共晶のような接合金属層を介して基板に設けられた電極と電気的に接続されている。また、この発光素子を湿気や外的衝撃から守るために、発光素子の周囲を封止することが行われている。
【０００３】
このような発光素子の封止としては、例えば、すり鉢状のキャビティに発光素子が実装される場合には、キャビティ内を真空又は、不活性ガスを充填してガラス等の透光性部材でキャビティを封止することが挙げられる。
【０００４】
このような半導体発光装置としては、例えば、底部とこの底部を囲む壁部とによって形成された凹部を有する基板と、基板の底部に設けられた紫外線発光素子と、基板の凹部を封止するように設けられた紫外線透過窓部材と、を備える紫外線半導体発光装置が特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１４７４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の紫外線透過部材は、例えば、接合金属層によって基板に接合されている。従って、紫外線透過部材を基板に接合する際の熱によって、発光素子と基板の電極とを接合する接合金属層が再溶融し、発光素子が基板に実装した位置からずれることがある。
【０００７】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、発光素子の位置精度が高い半導体発光装置及び、発光素子の周囲を封止する封止工程に要する時間の短縮を図りかつ、製造時の歩留まりの高い半導体発光装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するため、本発明の半導体発光装置は、基板と、前記基板上に載置された発光素子と、前記発光素子を囲むように前記基板上に配され、かつ前記基板よりも熱伝導率が低い側壁部と、前記発光素子を覆うように前記側壁部によって保持されている透光性部材と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例１に係る半導体発光装置の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った半導体発光装置の一部拡大断面図である。
【図３】図２の発光素子と電極との接続例を示した半導体発光装置の一部拡大断面図である。
【図４】実施例１に係る半導体発光装置の製造工程を示すフロー図である。
【図５】実施例１に係る半導体発光装置の製造工程を示す説明図である。図中（ａ）は、図４のステップＳ１１に相当する半導体発光装置の断面図である。（ｂ）は、図４のステップＳ１２に相当する半導体発光装置の断面図である。（ｃ）は、図４のステップＳ１４に相当する半導体発光装置の断面図である。（ｄ）は、図４のステップＳ１７に相当する半導体発光装置の断面図である。
【図６】実施例１に係る半導体発光装置の他の製造工程を示すフロー図である。
【図７】実施例１に係る半導体発光装置の他の製造工程を示すフロー図である。
【図８】実施例２に係る半導体発光装置の上面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ線に沿った半導体発光装置の一部拡大断面図である。
【図１０】図８の側壁部が基板と接する第１の接合面及び側壁部が透光性部材と接する第２の接合面を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の好適な実施例を詳細に説明する。尚、以下の説明及び添付図面においては、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符号を付している。
【実施例１】
【００１１】
図１は、実施例１に係る半導体発光装置１０の上面を示している。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った半導体発光装置１０の断面を示している。
【００１２】
図１及び図２において、基板としての実装基板２０は、平板状に形成されている。実装基板２０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミクスからなるものである。本実施例においては、窒化アルミニウムを実装基板２０の材料として用いた場合を説明する。
【００１３】
実装基板２０の一方の主面（上面２１）及び他方の主面（下面２２）には、Ｃｕ等の導体を当該表面にメッキ等することで形成された電極２３が設けられている。実装基板２０の厚み方向には、スルーホールＴＨが設けられている。
【００１４】
電極２３は、ｐ接続電極層２３ａ及びｎ接続電極層２３ｂを含んでいる。ｐ接続電極層２３ａ及びｎ接続電極層２３ｂは、実装基板２０の上面２１からスルーホールＴＨを通り下面２２まで延在するように形成されている。ｐ接続電極層２３ａとｎ接続電極層２３ｂとは、実装基板２０の表面上において互いに離間して形成されることによって、絶縁されている。
【００１５】
電極２３上には、発光素子３０が載置されている。発光素子３０は、半導体発光装置１０の用途に応じて、所定の波長範囲の光を発する半導体素子である。発光素子３０が発する光は、特に限定されず、例えば殺菌や滅菌に用いられる発光波長約２００〜３５０ｎｍの深紫外光、波長３５０ｎｍ以上の紫外〜可視光などが含まれる。本実施形態の発光装置は、発光素子３０が発する光自体を発光装置の出射光として利用するものの他、例えば蛍光体が発光素子３０からの光を受けて発する光も利用するものも含まれる。尚、発光素子３０が実装基板２０に向かい合う面には、電極２３と接続する端子（図示せず）が設けられている。
【００１６】
電極２３上には、発光素子３０に供給される電圧を一定にする保護素子３１が接続されている。保護素子３１は、例えば、ツェナーダイオード等の逆電圧保護素子を用いることができる。尚、保護素子３１が実装基板２０に向かい合う面には、電極２３と接続する端子（図示せず）が設けられている。
【００１７】
発光素子３０と電極２３との電気的な接続及び保護素子３１と電極２３との接続は、接合金属層（図示せず）を介して行われている。接合金属層としては、例えば、ＡｕＳｎ共晶を用いることができる。すなわち、本実施例において発光素子３０は、実装基板２０上の電極２３と接合金属層を介して接続するフリップチップ実装されている。
【００１８】
側壁部４０は、実装基板２０の上面２１から離れる方向に延びて形成され、実装基板２０の上面２１とは略垂直の角度をなしている。上面視において側壁部４０の中央領域には、円状である貫通孔４１が形成されている。この貫通孔４１には、発光素子３０及び保護素子３１が収容されている。言い換えれば、実装基板２０上には、発光素子３０及び保護素子３１を囲むように側壁部４０が配されている。
【００１９】
側壁部４０は、実装基板２０よりも熱伝導率が低い材料が用いられている。実装基板２０の熱伝導率（窒化アルミニウムセラミクス：２００（Ｗ／ｍ・Ｋ））よりも低い熱伝導率を有する側壁部４０の材料としては、例えば、アルミナセラミックス（熱伝導率：１５（Ｗ／ｍ・Ｋ））や、テンパックスガラス（熱伝導率：１．２（Ｗ／ｍ／Ｋ））が挙げられる。
【００２０】
側壁部４０は接合層（図示せず）によって、実装基板２０に固定されている。接合層は、特には限定されないが、例えば、ＡｕＳｎ共晶や、低融点フリットガラスを用いることができる。
【００２１】
尚、側壁部４０には、接合金属層及び接合層との濡れ性を高めるための側壁側接合部（図示せず）を、側壁部４０の実装基板２０と対向する面である下面４３に設けるとよい。側壁側接合部は、接合金属層及び接合層にＡｕＳｎ共晶を用いる場合は、例えば、Ｗ/Ｎｉ/Ａｕ又はＡｇ/Ｎｉ/Ａｕ等の合金を用いるとよい。
【００２２】
同様に、実装基板２０の上面２１にも、接合層との濡れ性を高めるための基板側接合部（図示せず）を設けるとよい。基板側接合部は、接合層にＡｕＳｎ共晶を用いる場合は、例えば、Ｗ/Ｎｉ/Ａｕ又はＡｇ/Ｎｉ/Ａｕ等の合金を用いるとよい。
【００２３】
透光性部材５０は、発光素子３０及び保護素子３１を覆うように側壁部４０によって保持されている。具体的には、透光性部材５０は、接合金属層によって側壁部４０の上面に密着して固定され、側壁部４０の貫通孔４１の開口部を通気不能に密閉している。接合金属層は、上述した成分と同一であるので説明を省略する。
【００２４】
透光性部材５０は、石英ガラス、ＵＶ透過ガラス等のガラスを用いることができる。尚、発光素子３０が発する光が紫外光である場合、透光性部材５０自体の劣化を防止するためにガラスを用いるとよい。
【００２５】
また、透光性部材５０には、接合金属層との濡れ性を高めるための透光性部材側接合部（図示せず）を側壁部４０に向かい合う面上に設けるとよい。透光性部材側接合部は、接合金属層にＡｕＳｎ共晶を用いる場合は、例えば、Ｃｒ/Ｎｉ/Ａｕ又は、Ｃｒ/Ｐｔ/Ａｕ等の合金を用いるとよい。
【００２６】
同様に、側壁部４０には、接合金属層及び接合層との濡れ性を高めるための側壁側接合部（図示せず）を、側壁部４０が透光性部材５０に向かい合う面である上面４４に設けるとよい。側壁側接合部は、接合金属層及び接合層にＡｕＳｎ共晶を用いる場合は、例えば、Ｗ/Ｎｉ/Ａｕ又は、Ａｇ/Ｎｉ/Ａｕ等の合金を用いるとよい。
【００２７】
従って、実装基板２０、側壁部４０及び透光性部材５０によって、発光素子３０を収容しかつ、密閉された収容空間ＨＳが形成されている。収容空間ＨＳは、発光素子３０を湿気や外的衝撃から守るため真空又は、不活性ガスによって充填されている。不活性ガスとしては、例えば窒素や、アルゴン等の希ガスが挙げられる。
【００２８】
尚、本実施例の半導体発光装置１０の発光素子３０と実装基板２０との電気的な接続は、フリップチップ実装であることを説明したが。これには限られず例えば、図３に示すように、発光素子３０をボンディングワイヤＢＷで実装基板２０上の電極２３と接続するようにしてもよい。
【００２９】
図４は、半導体発光装置１０の製造工程を示す。図５は、図４の各工程を示した半導体発光装置１０の断面図である。以上で説明した半導体発光装置１０の製造方法について図４及び図５を参照して説明する。
【００３０】
図４及び図５（ａ）に示すように、電極２３が形成されている実装基板２０上の電極２３を囲むように実装基板２０の基板側接合部２４上に接合層６０を設ける（ステップＳ１１）。接合層６０を実装基板２０上に設ける際は、接合層６０の原料を充填したディスペンサーを用いて塗布するとよい。
【００３１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、接合層６０上に実装基板２０よりも熱伝導率が低い側壁部４０を載置する（ステップＳ１２）。具体的には、側壁部４０の下面４３に設けられた側壁側接合部４５が接合層６０と接するように側壁部４０を載置する。
【００３２】
接合層６０によって実装基板２０上に側壁部４０を固定する（ステップＳ１３）。接合層６０にＡｕＳｎ共晶を用いる場合、側壁部４０の固定は実装基板２０を加熱することにより行うとよい。
【００３３】
図５（ｃ）に示すように、接合金属層６１を実装基板２０の電極２３上に設ける（ステップＳ１４）。ステップＳ１４の接合金属層６１を実装基板２０の電極２３上に設ける工程は、例えば、ペースト状の接合金属層６１を充填したディスペンサーを用いて塗布するとよい。
【００３４】
電極２３上の接合金属層６１上に発光素子３０及び保護素子３１を載置する（ステップＳ１５）。具体的には発光素子３０の端子Ｔ１，Ｔ２が接合金属層６１と接するように電極２３上に載置する。また、保護素子３１も同様に、保護素子３１の端子Ｔ３が接合金属層６１に接するように、電極２３上に載置する。
【００３５】
電極２３上の接合金属層６１を溶融して発光素子３０と電極２３とを電気的に接続する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６の発光素子３０と電極２３を電気的に接続する工程は、実装基板２０を加熱することにより接合金属層６１を溶融させて行うとよい。
【００３６】
図５（ｄ）に示すように、予め接合金属層６１が設けられた透光性部材５０を、透光性部材５０の接合金属層６１が側壁部４０に接するようにかつ、発光素子３０を覆うように透光性部材５０を載置する（ステップＳ１７）。具体的には、透光性部材５０の接合金属層６１は、透光性部材側接合部５１上に設けられている。この透光性部材５０の接合金属層６１が側壁部４０の側壁側接合部４６と接するように透光性部材５０を載置する。
【００３７】
透光性部材５０の接合金属層６１を溶融させて透光性部材５０を側壁部４０上に固定する（ステップＳ１８）。ステップＳ１８の透光性部材５０を側壁部４０上に固定する工程は、透光性部材５０にヒータを当接して加熱することにより行うとよい。すなわち、側壁部４０の熱電度率は、実装基板２０の熱伝導率よりも低いため、ヒータの熱が側壁部４０を介して実装基板２０に伝わりにくくなる。
【００３８】
以上のステップＳ１１からステップＳ１８までの工程は、真空環境下又は、不活性ガス環境下で行うとよい。透光性部材５０を固定する工程の終了時において、収容空間ＨＳを真空又は、不活性ガスによって充填されている状態にするためである。
【００３９】
ここで、ステップＳ１４において、接合金属層６１を実装基板２０の電極２３上に設ける工程は、予め発光素子３０側に接合金属層６１を設けることにより省略してもよい。
【００４０】
図６に、図４のステップＳ１４の工程を変更した半導体発光装置１０の製造フローが示されている。図６の製造フローは、ステップＳ２４の工程が図４の製造フローと異なる。
【００４１】
すなわちステップＳ２１からステップＳ２３までの工程は、図４のステップＳ１１からステップＳ１３の工程に相当し、ステップＳ２５からステップＳ２７までの工程は、図４のステップＳ１６からステップＳ１８の工程に相当する。このため、図４に示した工程と同一である他の工程については説明を省略する。
【００４２】
具体的には、予め接合金属層６１が設けられた発光素子３０を、発光素子３０の接合金属層６１が電極２３に接するように電極２３上に載置する（ステップＳ２４）。
【００４３】
また、図４に示した半導体発光装置１０の製造フローでは、発光素子３０及び側壁部４０は異なる工程で実装基板２０に固定したが（ステップＳ１３、ステップＳ１６）、同一の工程で発光素子３０及び側壁部４０を実装基板２０に固定してもよい。
【００４４】
図７に、図４のステップＳ１３及びステップＳ１６に相当する工程を変更した半導体発光装置１０の製造フローが示されている。図７の製造フローは、ステップＳ３１からステップＳ３３までの工程が図４の製造フローと異なる。すなわちステップＳ３４からステップＳ３５までの工程は、図４のステップＳ１７からステップＳ１８に相当する。このため、図４に示した工程と同一である他の工程については説明を省略する。
【００４５】
電極２３が形成されている実装基板２０の電極２３を囲むように実装基板２０上に接合層６０を設けかつ、実装基板２０上の電極２３上に接合金属層６１を設ける（ステップＳ３１）
電極２３上の接合層６０上に発光素子３０を載置しかつ、接合層６０上に実装基板２０よりも熱伝導率が低い側壁部４０を載置する（ステップＳ３２）。接合金属層６１を溶融して発光素子３０を実装基板２０に固定しかつ、接合層６０によって側壁部４０を実装基板２０に固定する（ステップＳ３３）。
【００４６】
以上のように、本実施例の半導体発光装置１０によれば、側壁部４０の熱伝導率は、実装基板２０の熱伝導率よりも低い。このため、透光性部材５０を側壁部４０に固定する際の加熱によって生じる熱が、側壁部４０を介して実装基板２０に伝わりにくくなる。これにより、透光性部材５０を側壁部４０に固定する際に、実装基板２０と発光素子３０とを電気的に接続する接合金属層６１が再溶融しにくくすることができる。
【００４７】
この結果、実装基板２０と発光素子３０との接合を維持し、発光素子３０の位置精度を高めることが可能となる。具体的には、発光素子３０の搭載位置が電極２３からずれることを防止し、製品の信頼性を高めることが可能となる。また、収容空間ＨＳに保護素子３１が配されている場合にも、保護素子３１に対して同様の効果を得ることが可能となる。
【００４８】
また、収容空間ＨＳが真空又は不活性ガスによって充填されていることにより、収容空間ＨＳ内部に水が浸入することを防ぐことができる。
【００４９】
ここで、発光素子３０として紫外光を発光する発光素子３０を用いた場合、発光素子３０の周囲を樹脂素材によって封止することは、樹脂素材が紫外光によって劣化するため困難である。本実施例の半導体発光装置１０は、ガラス等の無機素材で発光素子３０の周囲を封止している。従って、発光素子３０として紫外光を発光する発光素子３０を用いた場合であっても、半導体発光装置１０の構成部材の劣化を招くことがないため特に有用である。
【００５０】
また、半導体発光装置１０の製造方法によれば、実装基板２０側に熱が伝わりにくくすることができるため、透光性部材５０を側壁部４０に固定する接合金属層６１に効率的に熱を伝えることができる。これによって、透光性部材５０を側壁部４０に固定する工程、すなわち、発光素子３０の周囲を封止する封止工程を短時間に行うことが可能となる。
【００５１】
また、実装基板２０と発光素子３０との接合を維持することができるため、製造時の歩留まりを高くすると共に、製品の信頼性の向上を図ることが可能となる。
【実施例２】
【００５２】
図８は、実施例２に係る半導体発光装置１０の上面を示している。図９は、図８の半導体発光装置１０のＢ−Ｂ線断面を示している。実施例２に係る半導体発光装置１０は、側壁部４０の構成のみが実施例１の半導体発光装置１０と異なる。このため、実施例１と同一の構成については、同一の符号を同一箇所に付して説明を省略する。
【００５３】
図８及び図９において、側壁部４０の内側面ＩＳは、発光素子３０から出射された光を反射する反射材を含む。反射材としては、発光素子３０が紫外光を発する場合、例えば、オルガノポリシロキサンにアルカリ土類金属フッ化物を混合して焼成したものが挙げられる。このような反射材を側壁部４０の内側面ＩＳに設けることによって、発光素子３０から発せられた光を効率よく取り出すことができる。
【００５４】
また、発光素子３０が可視光を発する場合、例えば、側壁部４０の内側面ＩＳは、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナなどの光反射材料の粉末や粒子を用いて形成してもよい。また、側壁部４０全体が反射材を含んでいてもよい。この場合、これらの光反射材料をシリコーン樹脂と混合して硬化した材料を用いるとよい。また、側壁部４０に用いる樹脂は、シリコーン樹脂に限られず、例えば、エポキシ樹脂を用いてもよい。
【００５５】
側壁部４０は、収容空間ＨＳが実装基板２０側から透光性部材５０に向かって漸次拡がって形成されるようにテーパー状に形成されている。このように、側壁部４０をテーパー状に形成する一例として、粉末状のアルミナを金型に充填して成型するとよい。このように成型することで、テーパー状以外の任意の形状に側壁部４０を形成することが可能となる。
【００５６】
図１０（ａ）は、側壁部４０が実装基板２０と接する第１の接合面ＪＳ１を示し、図１０（ｂ）は、側壁部４０が透光性部材５０と接する第２の接合面ＪＳ２を示している。
【００５７】
図９及び図１０（ａ）、１０（ｂ）に示すように、側壁部４０はテーパー状に形成されていると、実装基板２０から離れる方向（実装基板２０に対して垂直方向）に向かうに従って、実装基板２０に対して平行な方向の側壁部４０の厚さは漸次薄くなる。従って、図９（ａ）に示す側壁部４０が実装基板２０と接する第１の接合面ＪＳ１の面積は、図９（ｂ）に示す側壁部４０が透光性部材５０と接する第２の接合面ＪＳ２の面積よりも大きい。このように、第１の接合面ＪＳ１の面積を第２の接合面ＪＳ２の面積よりも小さくすることによって、透光性部材５０を側壁部４０に固定する際の時間を短くすることができる。
【００５８】
以上のように、本実施例の半導体発光装置１０によれば、実施例１の半導体発光装置１０と同様に、透光性部材５０を側壁部４０に固定する際の加熱によって生じる熱が、側壁部４０を介して実装基板２０に伝わりにくくすることができる。これにより、実装基板２０と発光素子３０とを電気的に接続する接合金属層６１が再溶融しにくくすることができる。
【００５９】
この結果、実装基板２０と発光素子３０との接合を維持し、発光素子３０の位置精度を高めることが可能となる。
【００６０】
また、側壁部４０の内側面ＩＳは、発光素子３０から出射された光を反射する反射材を含むことにより、効率よく発光素子３０から出射された光を取り出すことが可能となる。
【００６１】
さらに、側壁部４０がテーパー状に形成されていることにより、光取出し効率の向上を図ることができ、半導体発光装置１０の出力を高くすることができる。
【００６２】
さらにまた、第１の接合面ＪＳ１の面積は、側壁部４０が透光性部材５０と接する第２の接合面ＪＳ２の面積よりも大きくすることにより、透光性部材５０を側壁部４０に固定する工程に掛かる時間を短くすることができる。また、透光性部材５０を側壁部４０に固定する工程に要する接合金属層６１の量を減らすことができ、製造コストの削減を図ることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１０  半導体発光装置
２０  実装基板
２３  電極
３０  発光素子
４０  側壁部
５０  透光性部材
６０  接合層
６１  接合金属層
ＪＳ１  第1の接合面
ＪＳ２  第２の接合面
ＨＳ  収容空間
ＩＳ  内側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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