(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス層における欠陥の発生を抑制する。【解決手段】本開示に係る表示装置は、複数の画素を含む表示領域において貫通孔を有する表示パネルを含み、前記表示パネルは、基板と、前記基板の上方において前記画素毎に設けられた第１の電極膜と、前記複数の画素に跨って設けられた第２の電極膜と、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス層と、を含む有機発光ダイオードと、を含み、前記貫通孔は、少なくとも前記第２の電極膜を貫通し、前記第２の電極膜は、前記貫通孔の内側面に露出する酸化部を含む構成である。【選択図】図４
2019102147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む表示領域において貫通孔を有する表示パネルを含み、
前記表示パネルは、
基板と、
前記基板の上方において前記画素毎に設けられた第１の電極膜と、前記複数の画素に跨って設けられた第２の電極膜と、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス層と、を含む有機発光ダイオードと、
を含み、
前記貫通孔は、少なくとも前記第２の電極膜を貫通し、
前記第２の電極膜は、前記貫通孔の内側面に露出する酸化部を含む、
表示装置。
【請求項２】
前記貫通孔は、更に前記基板を貫通する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極膜は、前記貫通孔の周囲を単一の膜で囲う形状を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素内に設けられた画素回路と、
前記画素回路に映像信号に応じた電圧を供給する映像信号線と、
前記画素回路に含まれる点灯薄膜トランジスタに電圧を印加する走査信号線と、
を更に含み、
前記貫通孔の隣に配置された前記映像信号線と前記走査信号線が、前記貫通孔を迂回するよう湾曲する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記貫通孔に対応する位置に、前記表示パネル以外の構造物が配置された、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記構造物は、カメラ、イヤホン、マイクの内の少なくともいずれか一つを含む、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
複数の画素を含む表示領域を有する表示パネルを含む表示装置の製造方法であって、
前記基板の上方において前記画素毎に設けられた第１の電極膜と、前記複数の画素に跨って設けられた第２の電極膜と、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス層と、を含む有機発光ダイオードを形成するステップと、
前記表示領域内において、前記第２の電極膜の一部を露出させる貫通孔を設けるステップと、
前記貫通孔の内側面から露出された前記第２の電極膜の一部を酸化させるステップと、
を含む、表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記表示領域においてレーザー光を照射することにより、
前記貫通孔を設けるステップと、
前記第２の電極膜の一部を酸化させるステップと、を同時に行う、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の電極膜を製膜するステップは、一枚のマスクを用いて、一回の製膜工程で行われる、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置と表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置は、基板上に薄膜トランジスタや、画素ごとに設けられた有機発光ダイオードなどが形成された表示パネルを有する。
【０００３】
下記特許文献１においては、表示パネルが、その表示領域において、表示パネル以外の構造物を露出させるための貫通孔を有する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１３９０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来の構成においては、有機発光ダイオードに含まれた有機エレクトロルミネッセンス層に欠陥が生じる可能性があった。即ち、上記従来の構成においては、貫通孔から露出された有機発光ダイオードに含まれる上部電極膜を伝って水分が浸入し、その結果として有機エレクトロルミネッセンス層に欠陥が生じてしまう可能性があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機エレクトロルミネッセンス層における欠陥の発生を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本開示に係る表示装置は、複数の画素を含む表示領域において貫通孔を有する表示パネルを含み、前記表示パネルは、基板と、前記基板の上方において前記画素毎に設けられた第１の電極膜と、前記複数の画素に跨って設けられた第２の電極膜と、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス層と、を含む有機発光ダイオードと、を含み、前記貫通孔は、少なくとも前記第２の電極膜を貫通し、前記第２の電極膜は、前記貫通孔の内側面に露出する酸化部を含む構成としている。
【０００８】
（２）上記（１）における表示装置において、前記貫通孔は、更に前記基板を貫通する構成としてもよい。
【０００９】
（３）上記（１）における表示装置において、前記第２の電極膜は、前記貫通孔の周囲を単一の膜で囲う形状を有する構成としてもよい。
【００１０】
（４）上記（１）における表示装置において、前記画素内に設けられた画素回路と、前記画素回路に映像信号に応じた電圧を供給する映像信号線と、前記画素回路に含まれる点灯薄膜トランジスタに電圧を印加する走査信号線と、を更に含み、前記貫通孔の隣に配置された前記映像信号線と前記走査信号線が、前記貫通孔を迂回するよう湾曲する構成としてもよい。
【００１１】
（５）上記（１）における表示装置において、前記貫通孔に対応する位置に、前記表示パネル以外の構造物が配置された構成としてもよい。
【００１２】
（６）上記（５）における表示装置において、前記構造物は、カメラ、イヤホン、マイクなどの内の少なくともいずれか一つを含む構成としてもよい。
【００１３】
（７）本開示に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を含む表示領域を有する表示パネルを含む表示装置の製造方法であって、前記基板の上方において前記画素毎に設けられた第１の電極膜と、前記複数の画素に跨って設けられた第２の電極膜と、前記第１の電極膜と前記第２の電極膜との間に配置された有機エレクトロルミネッセンス層と、を含む有機発光ダイオードを形成するステップと、前記表示領域内において、前記第２の電極膜の一部を露出させる貫通孔を設けるステップと、前記貫通孔の内側面から露出された前記第２の電極膜の一部を酸化させるステップと、を含む。
【００１４】
（８）上記（７）における表示装置の製造方法は、前記表示領域においてレーザー光を照射することにより、前記貫通孔を設けるステップと、前記第２の電極膜の一部を酸化させるステップと、を同時に行う製造方法としてもよい。
【００１５】
（９）上記（７）における表示装置の製造方法は、前記第２の電極膜を製膜するステップは、一枚のマスクを用いて、一回の製膜工程で行われる製造方法としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る表示装置における表示パネルの模式的な平面図である。
【図３】図３は、図２に示すIII−III線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。
【図４】図４は、図２に示すIV-IV線に沿った位置での表示パネルの模式的な垂直断面図である。
【図５】図５は、本実施形態における表示パネルにおける貫通孔形成領域周辺を示す模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［第１の実施形態］
以下、本発明の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【００１８】
なお、本開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに特に断りのない限り、本発明の実施形態同士は互いに組み合わせることが可能である。
【００１９】
本実施形態に係る表示装置２は、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。図１は本実施形態に係る表示装置２の概略の構成を示す模式図である。表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。表示装置２は、ガラスなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、可撓性を有するフレキシブルディスプレイであってもよく、その場合は可撓性を有した樹脂フィルムなどからなる基材を有していてもよい。表示装置２は、当該基材の内部又は上方に設けられた配線と、を含む配線層を有する。
【００２０】
画素アレイ部４には画素に対応して有機発光ダイオード６及び画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は、点灯薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ１２、及びキャパシタ１４などを含む。
【００２１】
一方、駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含み、画素回路８を駆動し、有機発光ダイオード６の発光を制御する。
【００２２】
走査線駆動回路２０は画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯薄膜トランジスタ１０をオンする電圧を印加する。
【００２３】
映像線駆動回路２２は画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯薄膜トランジスタ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動薄膜トランジスタ１２は書き込まれた電圧に応じた電流を有機発光ダイオード６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素の有機発光ダイオード６が発光する。
【００２４】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２及び選択された画素行の駆動薄膜トランジスタ１２を介して有機発光ダイオード６に電流を供給する。
【００２５】
ここで、有機発光ダイオード６の第１の電極膜である下部電極膜は駆動薄膜トランジスタ１２に接続される。一方、各有機発光ダイオード６の第２の電極膜である上部電極膜は、全画素の有機発光ダイオード６に共通の電極で構成される。下部電極膜を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極膜は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極膜を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極膜は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００２６】
図２は、本実施形態における表示パネル４０の模式的な平面図である。表示パネル４０は、画素アレイ部４に設けられた有機発光ダイオード６が配置された表示領域４２と、その外周側に配置された額縁領域４４とを有する。ここで、表示領域４２の略全体において、有機発光ダイオード６の上部電極膜が形成されている。即ち、上部電極膜は、複数の画素に跨るよう配置されている。
【００２７】
図２に示すように、有機発光ダイオード６を含む有機発光ダイオード構造層３００には、フレキシブルプリント回路基板５２が接続され、このフレキシブルプリント回路基板５２上には、上述した駆動部を構成するドライバ集積回路４８が搭載されている。フレキシブルプリント回路基板５２は、上述した走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６等に接続される。
【００２８】
表示パネル４０は、カメラ、イヤホン、マイクなど、表示パネル４０以外の構造物と対応する位置に配置された貫通孔２００を有している。本実施形態においては、表示パネル４０が、イヤホンに対応する位置に配置された貫通孔２００Ａ、マイクに対応する位置に配置された貫通孔２００Ｂ、及びカメラに対応する位置に配置された貫通孔２００Ｃを有している。なお、貫通孔２００の数や形状は、本実施形態に限定されない。なお、表示パネル４０以外の構造物は、カメラ、イヤホン、マイクに限定されない。また、表示パネル４０以外の構造物は、貫通孔２００の下方に配置されていてもよく、貫通孔２００内に少なくともその一部が配置される構成としても構わない。
【００２９】
上述したように、表示領域４２の略全体において、各画素に跨るように有機発光ダイオード６の上部電極膜が形成されているため、貫通孔２００Ａ、貫通孔２００Ｂ、及び貫通孔２００Ｃの内側面からは、当該上部電極膜の一部が露出される構成となっている。
【００３０】
図５は、本実施形態における表示パネル４０における貫通孔２００形成領域周辺を示す模式的な平面図であり、貫通孔２００と走査信号線２８、映像信号線３０との位置関係を示す。
【００３１】
図５に示すように、走査信号線２８が、第１の方向に配列されており、映像信号線３０が、第１の方向に交差する第２の方向に配列されている。走査信号線２８と映像信号線３０で囲われた矩形の領域内にサブ画素が構成される。図１を用いて上述したとおり、走査信号線２８と映像信号線３０は、各サブ画素内に設けられた画素回路８と電気的に接続されている。
【００３２】
図５に示すように、走査信号線２８と映像信号線３０は、貫通孔２００が形成された領域を迂回するように配置される。即ち、この貫通孔２００の隣に配置された走査信号線２８と映像信号線３０とは、貫通孔２００を迂回するよう湾曲する。このような構成とすることにより、貫通孔２００の存在によって走査信号線２８と映像信号線３０とが断線されることなく、走査信号線２８が、図１に示した走査線駆動回路２０と画素回路８とを電気的に接続し、映像信号線３０が、図１に示した映像線駆動回路２２と画素回路８とを電気的に接続することができる。
【００３３】
図３は、図２に示すIII−III線に沿った位置、即ち表示領域４２の一部から額縁領域４４までの表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。図３に示すように、本実施形態の表示パネル４０は、アレイ基板５０を有する。本実施形態においては、アレイ基板５０を構成する材料としてポリイミドを用いている。なお、アレイ基板５０を構成する材料として、他の樹脂材料を用いてもよい。
【００３４】
アレイ基板５０の上方には、アンダーコート層として、第１シリコン酸化膜５４、第１シリコン窒化膜５６、第２シリコン酸化膜５８を含む三層積層構造を設けている。最下層の第１シリコン酸化膜５４は、アレイ基板５０との密着性向上のため、中層の第１シリコン窒化膜５６は、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層の第２シリコン酸化膜５８は、第１シリコン窒化膜５６中に含有される水素原子が半導体層側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられる。なお、アンダーコート層は、特にこの構造に限定されるものではなく、更なる積層を有する構造であってもよいし、単層構造あるいは二層構造としてもよい。
【００３５】
アンダーコート層の上方には、駆動薄膜トランジスタ１２が設けられる。駆動薄膜トランジスタ１２は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域が設けられた構造を有する。本実施形態においては、ゲート絶縁膜６０としてシリコン酸化膜を用い、ゲート電極としてＴｉ、Ａｌの積層構造からなる第１配線６２を用いている。第１配線６２は、駆動薄膜トランジスタ１２のゲート電極としての機能に加え、保持容量線としても機能する。即ち、第１配線６２は、ポリシリコン膜６４との間で、保持容量の形成に用いられる。
【００３６】
駆動薄膜トランジスタ１２の上方においては、層間絶縁膜となる第２シリコン窒化膜６６、及び第３シリコン酸化膜６８をそれぞれ積層し、さらにソース・ドレイン電極及び引き回し配線となる第２配線７０を形成する。本実施形態においては、第２配線７０が、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉの三層積層構造を有する構成とした。層間絶縁膜、第１配線６２と同層の導電層で形成される電極と、駆動薄膜トランジスタ１２のソース・ドレイン配線と同層の導電層で形成される電極とで、保持容量が形成される。引き回し配線は、アレイ基板５０周縁の端部にまで延在され、図２に示したフレキシブルプリント回路基板５２やドライバ集積回路４８を接続する端子を形成する。
【００３７】
駆動薄膜トランジスタ１２の上方においては、平坦化膜７２を形成する。平坦化膜７２としては感光性アクリル等の有機材料が多く用いられる。平坦化膜７２は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れる。
【００３８】
平坦化膜７２は、駆動薄膜トランジスタ１２と有機発光ダイオード６に含まれる下部電極膜８０とが電気的に接続される画素コンタクト部、及び額縁領域４４の端部においては除去される。画素コンタクト部においては、平坦化膜７２の除去により露出された第２配線７０の上面は、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)からなる透明導電膜７４により被覆される。
【００３９】
続いて、透明導電膜７４と同層に、第３配線７６を設ける。本実施形態においては、この第３配線７６はＭｏ、Ａｌ、Ｍｏの三層積層構造で設けられ、周辺引き回し配線や、画素内で付加的に設けられる容量素子の形成に用いられる。先程、平坦化膜７２を除去した後に露出された第２配線７０の上面を透明導電膜７４で被覆するのは、第３配線７６のパターニング工程から第２配線７０の露出面を保護する意味もある。
【００４０】
透明導電膜７４、及び第３配線７６の上面は、一旦、第３シリコン窒化膜７８で被覆される。その後、表示領域４２における透明導電膜７４の画素コンタクト部付近において、第３シリコン窒化膜７８に開口部が設けられ、透明導電膜７４の上面の一部が露出される。更に、本実施形態においては、額縁領域４４においても、第３シリコン窒化膜７８に開口部を設けており、各開口部から、平坦化膜７２の上面が露出される。
【００４１】
その後、開口部から露出された透明導電膜７４の上面に接続されるよう、画素電極となる下部電極膜８０を形成する。本実施形態においては、下部電極膜８０は反射電極として形成され、ＩＺＯ、Ａｇ、ＩＺＯやＩＴＯ、Ａｇ、ＩＴＯなどからなる三層積層構造を有する。画素コンタクト部においては、透明導電膜７４、第３シリコン窒化膜７８、下部電極膜８０によって付加容量が形成される。ところで、下部電極膜８０のパターニング時、一部において透明導電膜７４がエッチング環境にさらされるが、透明導電膜７４の形成工程後から、下部電極膜８０の形成工程までの間に行われるアニール処理によって、透明導電膜７４は下部電極膜８０のエッチングに対し耐性を有する。
【００４２】
本実施形態においては、この下部電極膜８０を形成する際に、額縁領域４４において、下部電極膜８０と同一の導電性材料からなる導電性膜８１を、第３シリコン窒化膜７８の上に形成する。額縁領域４４において、第３シリコン窒化膜７８は開口部を有しており、この開口部上には導電性膜８１を形成しない。即ち、この第３シリコン窒化膜７８の開口部から平坦化膜７２の上面が露出されている。
【００４３】
この開口部は、有機絶縁膜８２の形成工程後の熱処理等を通じて、平坦化膜７２から脱離する水分やガスを、有機絶縁膜８２を通じて引き抜くために設けている。従って、本実施形態に示すように、表示領域４２のみならず、額縁領域４４においても開口部を設ける構成とすることにより、額縁領域４４における平坦化膜７２から離脱する水分やガスを効率よく除去することが可能となる。
【００４４】
なお、導電性膜８１に用いる導電性材料として、下部電極膜８０とは異なる導電性材料を用いても構わないが、同一材料とすることにより、導電性膜８１と下部電極膜８０とを同時に形成することができ望ましい。
【００４５】
下部電極膜８０の形成工程後、バンク、又はリブと呼ばれる、画素領域の隔壁となる有機絶縁膜８２を形成する。有機絶縁膜８２としては平坦化膜７２と同じく感光性アクリル、感光性ポリイミド等が用いられる。有機絶縁膜８２は、下部電極膜８０の上面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、後で形成される有機エレクトロルミネッセンス層１００のカバレッジ不良を生ずる。
【００４６】
ここで、本実施形態においては、額縁領域４４における導電性膜８１、第３シリコン窒化膜７８に設けられた開口部を塞ぐように、有機絶縁膜８２を形成する。即ち、図３に示すように、開口部内に有機絶縁膜８２の一部が入り込んだ構成としている。第３シリコン窒化膜７８の開口部を塞ぐように有機絶縁膜８２を形成することにより、第３シリコン窒化膜７８の開口部内周面が、後の工程において溶解することを抑制することができる。
【００４７】
有機絶縁膜８２の形成後、有機エレクトロルミネッセンス層１００を構成する有機材料を積層形成する。有機エレクトロルミネッセンス層１００を構成する積層構造として、下部電極膜８０側から順に、正孔輸送層１０２、発光層１０４、電子輸送層１０６を積層形成する。本実施形態において、正孔輸送層１０２と電子輸送層１０６とは、複数のサブ画素に亘って形成され、発光層１０４は、サブ画素ごとに形成される。有機エレクトロルミネッセンス層１００は、蒸着による形成であってもよいし、溶媒分散の上での塗布形成であってもよい。また、有機エレクトロルミネッセンス層１００は、各サブ画素に対して、選択的に形成してもよいし、表示領域４２を覆う全面において、層状に形成されてもよい。有機エレクトロルミネッセンス層１００を層状に形成する場合は、全サブ画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。本実施形態においては、有機エレクトロルミネッセンス層１００を、各サブ画素に、選択的に形成する構成を採用する。
【００４８】
有機エレクトロルミネッセンス層１００の形成後、上部電極膜８４を形成する。本実施形態においては、トップエミッション構造としているため、上部電極膜８４は、透明導電材料、一例としてＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）や半透明電極材料としてＭｇＡｇ（マグネシウム銀合金）などを用いて形成される。前述の有機エレクトロルミネッセンス層１００の形成順序に従うと、下部電極膜８０が陽極となり、上部電極膜８４が陰極となる。これら上部電極膜８４、有機エレクトロルミネッセンス層１００、及び下部電極膜８０により、有機発光ダイオード６を構成している。有機発光ダイオード６の下部電極膜８０は、駆動薄膜トランジスタ１２に接続されている。
【００４９】
上部電極膜８４の形成後、保護層９０を形成する。保護層９０は、先に形成した有機エレクトロルミネッセンス層１００に、外部からの水分が侵入することを防止することをその機能の一つとしており、保護層９０としてはガスバリア性の高いものが要求される。本実施形態においては、保護層９０の積層構造として、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜窒化膜の積層膜等の無機膜９２、アクリル樹脂などからなる有機樹脂膜９４、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜窒化膜の積層膜等の無機膜９６の積層構造を採用した。
【００５０】
なお、図３に示すように、有機絶縁膜８２の上面から側面にまで、上部電極膜８４の一部が設けられており、有機絶縁膜８２の下面に設けられた導電性膜８１の上面と、上部電極膜８４の下面とが、有機絶縁膜８２が形成されていない領域において電気的に接続されている。
【００５１】
この図３に示す額縁領域４４においては、表示パネル４０の端面から上部電極膜８４が露出することを回避するよう、例えば、上部電極膜８４が表示領域４２内のみに配置され、額縁領域４４においては配置されないように、上部電極膜８４形成時において用いるマスクの開口幅を調整すればよい。
【００５２】
図４は、図２に示すIV-IV線に沿った位置、即ち、表示領域４２に貫通孔２００Ａが設けられた位置における表示パネル４０の模式的な垂直断面図である。図４に示すように、貫通孔２００Ａは、アレイ基板５０、上部電極膜８４を貫通しており、貫通孔２００Ａの内側面においては、上部電極膜８４の一部が露出している。これは上述したとおり、本実施形態においては、上部電極膜８４を表示領域４２の略全体において形成しているため、表示領域４２内において形成される貫通孔２００の内側面からは、上部電極膜８４の一部が露出される構成となっている。
【００５３】
ここで、本実施形態においては、この貫通孔２００から露出される上部電極膜８４の表面を酸化させており、酸化部８４Ａが貫通孔２００の内側面から露出する構成としている。この酸化部８４Ａの形成方法としては、例えば表示領域４２に貫通孔２００を形成する際にレーザー光を照射することにより形成する。この工程により、貫通孔２００が形成されると同時に、レーザー光の熱により貫通孔２００の内側面から露出される上部電極膜８４の表面が酸化し、酸化部８４Ａが形成される。
【００５４】
なお、酸化部８４Ａの形成方法は、レーザー光の照射に限定されず、例えば機械的に貫通孔２００を設けた後、貫通孔２００の内側面に熱処理を行うことにより、酸化部８４Ａを形成する方法としてもよい。
【００５５】
このような構成により、酸化部８４Ａが、貫通孔２００の内側面から上部電極膜８４を伝って水分が浸入してくるのを抑制し、その結果として有機エレクトロルミネッセンス層に欠陥が生じてしまうことを抑制することができる。
【００５６】
また、上部電極膜８４を、一枚のマスクを用いて、一回の製膜工程で形成する製造方法とすることにより、上部電極膜８４の製膜品質の向上を期待することができる。即ち、貫通孔２００から上部電極膜８４が露出されない構成とすべく、複数のマスクを用い、複数の製膜工程を用いることにより、貫通孔２００を形成する領域を予め除去した上部電極膜８４を形成することにより、水分浸入の抑制を図ることも可能であるが、そのような製造方法を用いた場合、製膜位置ずれ等により複数の上部電極膜８４が、境界領域において重なりあう可能性がある。複数の上部電極膜８４が一部で重なり合うと、その部分のみ膜厚が厚くなってしまう。しかし、本実施形態に示すように、一枚のマスクを用いて、一回の製膜工程で、複数の画素に跨る上部電極膜８４を形成し、その後、貫通孔２００を設けるステップと酸化部８４Ａを設けるステップとを備える製造方法とすることにより、図２に示すように、上部電極膜８４が、貫通孔２００の周囲を単一の膜で囲う形状を有し、且つ貫通孔２００の内側面から露出される上部電極膜８４が酸化された状態とすることができる。その結果として、上部電極膜８４の製膜品質の向上と、水分浸入を抑制する構成の実現を両立することができる。なお、上述したとおり、貫通孔２００を設けるステップと酸化部８４Ａを設けるステップとは、同時に行ってもよく、別個のステップとして行ってもよい。
【００５７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５８】
２  表示装置、４  画素アレイ部、６  有機発光ダイオード、８  画素回路、１０  点灯薄膜トランジスタ、１２  駆動薄膜トランジスタ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４８  ドライバ集積回路、５０  アレイ基板、５２  フレキシブルプリント回路基板、５４  第１シリコン酸化膜、５６  第１シリコン窒化膜、５８  第２シリコン酸化膜、６０  ゲート絶縁膜、６２  第１配線、６４  ポリシリコン膜、６６  第２シリコン窒化膜、６８  第３シリコン酸化膜、７０  第２配線、７２  平坦化膜、７４  透明導電膜、７６  第３配線、７８  第３シリコン窒化膜、８０  下部電極膜、８１  導電性膜、８２  有機絶縁膜、８４  上部電極膜、８４Ａ  酸化部、９０  保護層、９２  第４シリコン窒化膜、９４  有機樹脂膜、９６  第５シリコン窒化膜、１００  有機エレクトロルミネッセンス層、１０２  正孔輸送層、１０４  発光層、１０６  電子輸送層、２００  貫通孔、２００Ａ  貫通孔、２００Ｂ  貫通孔、２００Ｃ  貫通孔、３００  有機発光ダイオード構造層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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