(57)【要約】【課題】色純度と発光効率に優れた発光素子、およびこれを有する表示装置、ならびにこれらの作製方法を提供する。【解決手段】発光素子は、第１の電極、第１の電極の端部を覆う隔壁、隔壁の側面と第１の電極に接する光閉じ込め層、第１の電極の上に位置し、第１の電極と光閉じ込め層に接する電界発光層、および電界発光層の上の第２の電極を有する。光閉じ込め層の屈折率は、電界発光層の屈折率よりも低い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁、
前記隔壁の側面と前記第１の電極に接する光閉じ込め層、
前記第１の電極の上に位置し、前記第１の電極と前記光閉じ込め層に接する電界発光層、および
前記電界発光層の上の第２の電極を有し、
前記光閉じ込め層の屈折率は、前記電界発光層の屈折率よりも低い発光素子。
【請求項２】
前記光閉じ込め層の誘電率は、前記電界発光層の誘電率よりも低い、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記隔壁の側面と、前記隔壁の前記第１の電極に接する面がなす角度は、８０°以上９０°未満である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記光閉じ込め層の前記第１の電極に接する面の幅は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記光閉じ込め層は、前記隔壁の上面と接する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２の電極は、前記光閉じ込め層と接する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２の電極は、前記隔壁と接する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１の電極は、可視光を反射する反射面を有し、
前記反射面と前記第２の電極間の光学距離が、前記電界発光層の発光波長の４分の１の奇数倍である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
第１の発光素子、
前記第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、および
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の間の隔壁を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ、
前記隔壁に端部を覆われる第１の電極、
前記隔壁の側面と前記第１の電極に接する光閉じ込め層、
前記第１の電極の上に位置し、前記第１の電極と前記光閉じ込め層に接する電界発光層、および
前記電界発光層の上の第２の電極を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の各々において、前記光閉じ込め層の屈折率は、前記電界発光層の屈折率よりも低い表示装置。
【請求項１０】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の各々において、前記光閉じ込め層の誘電率は、前記電界発光層の誘電率よりも低い、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の各々において、前記隔壁の側面と、前記隔壁の前記第１の電極に接する面がなす角度は、８０°以上９０°未満である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の各々において、前記光閉じ込め層の前記第１の電極に接する面の幅は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記光閉じ込め層は、前記隔壁の上面と接し、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子に共有される、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２の電極は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子に共有され、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の前記光閉じ込め層と接する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２の電極は、前記第１の発光素子と前記第２の発光素子に共有され、前記隔壁と接する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の各々において、前記第１の電極は、可視光を反射する反射面を有し、前記反射面と前記第２の電極間の光学距離が、前記電界発光層の発光波長の４分の１の奇数倍である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１７】
第１の電極、
前記第１の電極の端部を覆う隔壁、
前記隔壁の側面の少なくとも一部を覆う第１の光閉じ込め層、
前記第１の光閉じ込め層と前記隔壁の間に位置し、前記第１の光閉じ込め層と前記隔壁に接する第２の光閉じ込め層、
前記第１の電極の上に位置し、前記第１の電極と前記第１の光閉じ込め層に接する電界発光層、および
前記電界発光層の上の第２の電極を有し、
前記第２の光閉じ込め層の屈折率は、前記電界発光層の屈折率、および前記第１の光閉じ込め層の屈折率よりも低い発光素子。
【請求項１８】
第１の発光素子、
前記第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、および
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子の間の隔壁を有し、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ、
前記隔壁に端部を覆われる第１の電極、
前記隔壁の側面の少なくとも一部を覆う第１の光閉じ込め層、
前記第１の光閉じ込め層と前記隔壁の間に位置し、前記第１の光閉じ込め層と前記隔壁に接する第２の光閉じ込め層、
前記第１の電極の上に位置し、前記第１の電極と前記第１の光閉じ込め層に接する電界発光層、および
前記電界発光層の上の第２の電極を有し、
前記第２の光閉じ込め層の屈折率は、前記電界発光層の屈折率、および前記第１の光閉じ込め層の屈折率よりも低い表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、発光素子、発光素子を含む表示装置、およびこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された複数の画素の各々に有機発光素子（以下、発光素子）を有している。発光素子は一対の電極（陰極、陽極）間に有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）を有しており、一対の電極からＥＬ層に電流を供給することで駆動される。
【０００３】
発光素子の効率や発光色は、ＥＬ層の構造やＥＬ層に含まれる発光材料によって制御される。例えば、発光材料を適宜選択することによって種々の色の発光を得ることができる。また、発光素子内部、あるいは外部における光の干渉効果を利用することで発光波長を調整し、正面方向の発光強度を増大させることも可能である。特許文献１から３では、発光素子内に共振構造を構成し、これによって発光層から出射された発光を共振させ、発光強度や発光色の調整を行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１１２０１１号公報
【特許文献２】特開２０１７−６２９０２号公報
【特許文献３】特開２０１７−１０７１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、色純度と発光効率に優れた発光素子、およびこれを有する表示装置、ならびにこれらの作製方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは発光素子である。この発光素子は、第１の電極、第１の電極の端部を覆う隔壁、隔壁の側面と第１の電極に接する光閉じ込め層、第１の電極の上に位置し、第１の電極と光閉じ込め層に接する電界発光層、および電界発光層の上の第２の電極を有する。光閉じ込め層の屈折率は、電界発光層の屈折率よりも低い。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の発光素子、第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、および第１の発光素子と第２の発光素子の間の隔壁を有する。第１の発光素子と第２の発光素子はそれぞれ、隔壁に端部を覆われる第１の電極、隔壁の側面と第１の電極に接する光閉じ込め層、第１の電極の上に位置し、第１の電極と光閉じ込め層に接する電界発光層、および電界発光層の上の第２の電極を有する。第１の発光素子と第２の発光素子の各々において、光閉じ込め層の屈折率は、電界発光層の屈折率よりも低い。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、発光素子である。この発光素子は、第１の電極、第１の電極の端部を覆う隔壁、隔壁の側面の少なくとも一部を覆う第１の光閉じ込め層、第１の光閉じ込め層と隔壁の間に位置し、第１の光閉じ込め層と隔壁に接する第２の光閉じ込め層、第１の電極の上に位置し、第１の電極と第１の光閉じ込め層に接する電界発光層、および電界発光層の上の第２の電極を有する。第２の光閉じ込め層の屈折率は、電界発光層の屈折率、および第１の光閉じ込め層の屈折率よりも低い。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは、表示装置である。この表示装置は、第１の発光素子、第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、および第１の発光素子と第２の発光素子の間の隔壁を有する。第１の発光素子と第２の発光素子はそれぞれ、隔壁に端部を覆われる第１の電極、隔壁の側面の少なくとも一部を覆う第１の光閉じ込め層、第１の光閉じ込め層と隔壁の間に位置し、第１の光閉じ込め層と隔壁に接する第２の光閉じ込め層、第１の電極の上に位置し、第１の電極と第１の光閉じ込め層に接する電界発光層、および電界発光層の上の第２の電極を有する。第２の光閉じ込め層の屈折率は、電界発光層の屈折率、および第１の光閉じ込め層の屈折率よりも低い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態の表示素子の模式的上面図と断面図。
【図２】本発明の実施形態の表示素子の模式的断面図。
【図３】本発明の実施形態の表示素子の模式的断面図。
【図４】本発明の実施形態の表示素子の模式的断面図。
【図５】本発明の実施形態の表示素子の模式的断面図。
【図６】本発明の実施形態の表示装置の模式的上面図。
【図７】本発明の実施形態の表示装置の画素の等価回路の一例。
【図８】本発明の実施形態の表示装置の模式的断面図。
【図９】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面模式図。
【図１０】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面模式図。
【図１１】本発明の実施形態の表示装置の製造方法を説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１３】
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行って複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１４】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１５】
（第１実施形態）
［１．基本構造］
図１（Ａ）と図１（Ｂ）にそれぞれ、本発明の実施形態の一つに係る発光素子１００の模式的上面図と断面図を示す。図１（Ａ）、図１（Ｂ）には、一つの発光素子１００とそれに隣接する発光素子１００の一部が示されており、図１（Ａ）の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図が図１（Ｂ）である。見やすさを考慮し、図１（Ａ）では後述する第２の電極１１０、電界発光層（以下、ＥＬ層）１０８、および光閉じ込め層１０６の一部が図示されていない。図１（Ｂ）に示すように、発光素子１００は、第１の電極１０２、隔壁１０４、光閉じ込め層１０６、ＥＬ層１０８、および第２の電極１１０を備える。
【００１６】
第１の電極は１０２は、ＥＬ層１０８にキャリア（ホール、電子）を注入し、かつ、ＥＬ層１０８から得られる発光を反射する機能を有する。第１の電極１０２は陽極、あるいは陰極として機能するが、以下、第１の電極１０２が陽極として、第２の電極１１０が陰極として機能する例を用いて発光素子１００の説明を行う。第１の電極１０２の構成は任意に選択することができるが、ホールを効率よくＥＬ層１０８に注入するため、その表面の仕事関数が高いことが好ましい。また、発光を反射することを考慮し、可視光に対して高い反射率を示すことが好ましい。したがって、例えばアルミニウムや銀などの高い反射率を有する金属や合金、およびインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過する導電性酸化物の積層構造を第１の電極１０２に適用することができる。例えば図１（Ｂ）に示すように、導電性酸化物を含む第１の導電層１０２ａ、第１の導電層１０２ａ上に位置し、上述した金属や合金を含む第２の導電層１０２ｂ、および、第２の導電層１０２ｂ上に位置し、導電性酸化物を含む第３の導電層１０２ｃの積層構造を第１の電極１０２の構造として採用することができる。この構造では、第３の導電層１０２ｃに含まれる導電性酸化物の高い仕事関数がホール注入に寄与する。また、第２の導電層１０２ｂの上面が反射面として寄与し、この反射面でＥＬ層１０８で得られる発光が反射する。
【００１７】
隔壁１０４はエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリエステル樹脂などの樹脂を含む絶縁膜であり、第１の電極１０２と接し、その端部を覆う（図１（Ａ）、図１（Ｂ））。換言すると、隔壁１０４は複数の開口を有し、その開口において第１の電極１０２が露出する。隔壁１０４の側面の傾斜は比較的急峻であることが好ましい。例えば、隔壁１０４の側面と、隔壁１０４の第１の電極１０２と接する底面とのなす角θ（図１（Ｂ）参照）は、６０°以上９０°未満、７０°以上９０°未満、あるいは８０°以上９０°未満としてもよい。隔壁１０４は光学的に均一になるよう構成される。すなわち、屈折率が隔壁１０４内の全体に亘って実質的に同一であり、光を散乱する構造（微小粒子、細孔など）を含まない。
【００１８】
光閉じ込め層１０６は絶縁膜であり、隔壁１０４の側面と接し、この側面の少なくとも一部を覆う。図１（Ｂ）では、光閉じ込め層１０６は隔壁１０４の側面と上面を覆うように設けられる例が示されている。この場合、光閉じ込め層１０６は隣接する発光素子１００に共有され、一方の発光素子１００から隣接する発光素子１００へ延伸するように設けられる。光閉じ込め層１０６は、その誘電率がＥＬ層１０８の誘電率よりも小さくなるよう構成することができ、例えば光閉じ込め層１０６とＥＬ層１０８の誘電率の差が０．２Ｆ／ｍ以上、あるいは０．３Ｆ／ｍ以上となるよう、光閉じ込め層１０６が形成される。より具体的には、光閉じ込め層１０６の誘電率は３．０Ｆ／ｍ以上５．０Ｆ／ｍ以下、あるいは３．０Ｆ／ｍ以上４．０Ｆ／ｍ以下とすることができる。あるいは、物質の屈折率の二乗が誘電率に比例することを考慮すると、光閉じ込め層１０６の屈折率がＥＬ層１０８の屈折率よりも小さくなるよう光閉じ込め層１０６を構成してもよく、例えば光閉じ込め層１０６とＥＬ層１０８の屈折率の差が０．２以上、あるいは０．３Ｆ／ｍ以上となるよう、光閉じ込め層１０６が形成される。より具体的には、光閉じ込め層１０６の屈折率を１．４以上１．６以下、あるいは１．４以上１．５以下とすることができる。このような材料として、ポリイミドやアクリル樹脂などの高分子が挙げられる。光閉じ込め層１０６と隔壁１０４がともにアクリル樹脂を含む場合、前者の誘電率や屈折率が後者のそれらよりも小さくなるよう、それぞれの材料が選択される。
【００１９】
あるいは、光閉じ込め層１０６は、屈折率が比較的低い材料としてフッ素を含有する高分子を含有してもよい。このような高分子としては、例えばポリテトラフルオロエチレンやポリフッ化ビニリデン、これらの誘導体、主鎖あるいは側鎖にフッ素を有するポリビニルエーテルやポリイミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリシロキサンなどが挙げられる。これらの高分子は分子内あるいは分子間で架橋していてもよい。
【００２０】
あるいは、光閉じ込め層１０６は、屈折率が比較的低い材料としてフッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムなどの金属フッ化物、酸化ホウ素や酸化リンを含有する酸化ケイ素などの無機化合物を含有してもよい。
【００２１】
光閉じ込め層１０６の第１の電極１０２の表面に平行な方向の厚さ、すなわち、第１の電極１０２と接する面の幅Ｗ（図１（Ａ）、図１（Ｂ））参照）は、５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下となるよう、光閉じ込め層１０６を構成することができる。あるいは、幅ＷがＥＬ層１０８からの発光波長λの４分の一以下、すなわち、Ｗ≦λ／４となるよう、光閉じ込め層１０６を構成することができる。換言すると、Ｗが５０ｎｍ以上、λ／４以下となるように光閉じ込め層１０６を構成することができる。ここで発光波長とは、発光素子１００から得られる発光ピーク波長、あるいは後述するＥＬ層１０８に含まれる発光材料の発光ピーク波長である。
【００２２】
ＥＬ層１０８は、第１の電極１０２上に位置し、第１の電極１０２と光閉じ込め層１０６と接するように設けられる。図１（Ｂ）に示した例では、ＥＬ層１０８は光閉じ込め層１０６上に位置し、光閉じ込め層１０６の側面と上面に接する。本明細書と請求項では、ＥＬ層１０８とは、第１の電極１０２と第２の電極１１０によって挟持される膜を指す。
【００２３】
ＥＬ層１０８の構成は任意であり、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、ホール阻止層、電子阻止層、励起子阻止層、電荷発生層などの機能層を適宜組み合わせてＥＬ層１０８が構成される。一つの機能層が複数の機能を有していてもよい。例えば発光材料を含む発光層が電子輸送層やホール輸送層を兼ねてもよい。また、各層は単一の材料、あるいは異なる材料の積層によって形成されていてもよい。ＥＬ層１０８の構造は隣接する発光素子１００間で同一でも良く、異なってもよい。例えば隣接する発光素子１００間で発光層に含まれる材料が異なるよう、複数の発光素子１００を構成してもよい。この場合、隣接する発光素子１００間で異なる発光色を得ることが可能である。図１（Ｂ）に示した例では、代表的な機能層として、ホール輸送層１０８ａ、発光層１０８ｂ、電子輸送層１０８ｃの三つの層が示されている。ここで、ＥＬ層１０８が複数の機能層によって構成されている場合、ＥＬ層１０８の誘電率や屈折率とは、それぞれＥＬ層１０８の全体の誘電率と屈折率を指す。
【００２４】
第２の電極１１０は、ＥＬ層１０８上に、ＥＬ層１０８に接するように設けられる。第２の電極１１０は可視光を一部反射し、一部透過する半透過半反射電極として構成され、ＥＬ層１０８に効率よく電子を注入できるよう、仕事関数が比較的低いことが好ましい。例えば第２の電極１１０は、マグネシウムやリチウム、銀、あるいはこれらの合金（Ｍｇ−Ａｇなど）を含み、可視光を一部透過可能な厚さで形成することができる。具体的な厚さは、５ｎｍから１００ｎｍの範囲で選択される。上記金属を含む膜上に、ＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過可能な導電性酸化物を含む層をさらに積層しても良い。
【００２５】
第１の電極１０２と第２の電極１１０間に電位差を与えることにより、前者からはホールが、後者からは電子がＥＬ層１０８へ注入される。ホールはホール輸送層１０８ａを経由して発光層１０８ｂへ輸送される。一方、電子は電子輸送層１０８ｃを経由して発光層１０８ｂへ輸送される。発光層１０８ｂ内でホールと電子が再結合し、発光層１０８ｂ内に含まれる発光材料の励起状態が形成される。この励起状態が基底状態に緩和する際、励起状態と基底状態のエネルギー差に相当する波長の光が放出され、発光素子１００からの発光として観測することができる。
【００２６】
［２．光学調整］
発光素子１００では、以下に説明するように、縦モードの共振構造と横モードの共振構造が形成される。
【００２７】
２−１．縦モード共振構造
図２（Ａ）に発光素子１００の一部の断面拡大図を示す。上述したように、第１の電極１０２は可視光を反射可能なように構成され、第２の電極１１０は可視光を一部透過し、一部反射するように構成される。このため、発光層１０８ｂから出射する光は、第１の電極１０２の反射面と第２の電極１１０の底面で反射し、共振する。すなわち、第１の電極１０２の反射面と第２の電極１１０の底面によって共振構造が形成される。この共振による干渉効果は、第１の電極１０２の反射面と第２の電極１１０の底面間の光学距離、および発光層１０８ｂからの発光のスペクトルによって決まる。反射面が第１の電極１０２の上面である場合、この光学距離は、ＥＬ層１０８の各機能層の屈折率と厚さの積の和である。上述したように、図２（Ａ）に示す例では、反射面は第２の導電層１０２ｂの上面となる。この場合、光学距離Ｌは、ＥＬ層１０８の各機能層の屈折率と厚さの積の和、および第３の導電層１０２ｃの屈折率と厚さの積との和である。この光学距離Ｌが、ＥＬ層１０８から得られる発光波長の４分の１（λ／４）の奇数倍と一致するようにＥＬ層１０８の構造や材料、第３の導電層１０２ｃの材料や厚さが適宜選択、調整される。このように光学距離Ｌが調整された場合、光学距離Ｌに合致する波長をもつ光は、第１の電極１０２の反射面と第２の電極１１０の底面間で反射を繰り返すことで干渉効果によって増幅され、一方、光学距離に合致しない波長の光は減衰する。その結果、発光素子１００から得られる発光の半値幅が小さくなり、色純度が向上するとともに、発光素子１００の正面方向における輝度、すなわち発光効率を増大することができる。
【００２８】
２−２．横モード共振構造
図２（Ｂ）に、発光素子１００の一部の断面拡大図を示す。ここでは見やすさを考慮し、ＥＬ層１０８と第２の電極１１０は省略されている。上述した縦モード共振構造では、発光層１０８ｂから出射する光のうち、縦方向（すなわち、第１の電極１０２の上面の法線方向、およびこれに近い角度の方向）に出射する光は増幅されるが、横方向（第１の電極１０２の上面に平行な方向やこれに近い角度を有する方向）に出射する光を効果的に取り出すことができない。
【００２９】
しかしながら、上述したように、発光素子１００には光閉じ込め層１０６が設けられる。光閉じ込め層１０６とＥＬ層１０８は屈折率、あるいは誘電率が互いに異なり、前者の屈折率や誘電率が後者のそれよりも小さい。このため、発光層１０８ｂから得られる光はＥＬ層１０８と光閉じ込め層１０６間の界面において反射する。さらに上述したように、光閉じ込め層１０６の幅Ｗは５０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下となるよう、あるいは５０ｎｍ以上、λ／４以下となるように調整される。このため、発光層１０８ｂから出射した光の隔壁１０４へのしみ出しが効果的に抑制される。その結果、ＥＬ層１０８と光閉じ込め層１０６間の界面で反射を繰り返しても、横方向に進む光の損失が少ない。ここで、隔壁１０４の側面は第１の電極１０２の上面に対して傾いており、これに起因してＥＬ層１０８と光閉じ込め層１０６間の界面も第１の電極１０２の上面に対して傾く。したがって、光はこの界面で反射を繰り返すことで、進行方向が縦方向に徐々に近づき、第２の電極１１０の臨界角を超えた時に全反射せず、発光素子１００の外部に取り出される。このようなメカニズム（反射構造）により、発光層１０８ｂから得られる光を効率よく取り出すことが可能となり、高い発光効率を示す発光素子を提供することができる。
【００３０】
なお、この時、互いに対向するＥＬ層１０８と光閉じ込め層１０６間の界面間の光学距離がλ／４の奇数倍と一致するように隔壁１０４の幅や側面の角度θ、第１の電極１０２の面積を調整してもよい。これにより、横方向においても共振による干渉効果によって発光が増幅され、発光素子１００から得られる発光の半値幅が減少し、色純度が向上するとともに、正面方向における輝度、すなわち発光効率を増大することができる。
【００３１】
［３．変形例］
発光素子１００の構造は上述した構造に限られない。例えば図３（Ａ）に示すように、光閉じ込め層１０６は隔壁１０４の上面の少なくとも一部と接することなく、隣接する発光素子１００の光閉じ込め層１０６から離間していてもよい。この場合において、光閉じ込め層１０６は隔壁１０４の側面の少なくとも一部を覆い、ＥＬ層１０８が隔壁１０４の上面と接する。あるいは図３（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１０８が隣接する発光素子１００間で互いに離間してもよい。この場合、第２の電極１１０は隔壁１０４や光閉じ込め層１０６と接してもよく、さらに図３（Ｃ）に示すように、ＥＬ層１０８の上面と隔壁１０４の上面、および光閉じ込め層１０６の上面が同一平面上に位置してもよい。
【００３２】
上述したように、本実施形態の発光素子１００では、発光層１０８ｂから縦方向に出射される光が縦モードで共振して増幅されるだけでなく、横方向に出射される光が減衰することなく反射を繰り返し、最終的に発光素子１００から取り出すことができる。このため、発光素子１００は高い取出し効率を示す。また、主に縦モードにおける共振構造に起因し、発光素子１００は色純度の高い光を高効率で与えることが可能である。
【００３３】
（第２実施形態）
本実施形態では、発光素子１００と構造が異なる発光素子１２０を説明する。第１実施形態と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【００３４】
図４（Ａ）に発光素子１２０の断面模式図を示す。この断面模式図は図１（Ｂ）の断面に対応する。図４（Ａ）に示すように、発光素子１２０は積層された二つの光閉じ込め層を有する点で発光素子１００と異なる。より具体的には、発光素子１２０は、隔壁１０４の側面の少なくとも一部を覆う第１の光閉じ込め層１２２、および、第１の光閉じ込め層１２２と隔壁１０４の間に挟まれ、これらと接する第２の光閉じ込め層１２４を有する点で発光素子１００と異なる。
【００３５】
第１の光閉じ込め層１２２は、その誘電率がＥＬ層１０８の誘電率と同一、あるいは近くなるよう構成される。具体的には、第１の光閉じ込め層１２２とＥＬ層１０８の誘電率の差は、０．２Ｆ／ｍ未満となるよう、第１の光閉じ込め層１２２が設けられる。あるいは、第１の光閉じ込め層１２２の屈折率がＥＬ層１０８の屈折率と同一、あるいは近くなるよう、第１の光閉じ込め層１２２が構成される。具体的には、第１の光閉じ込め層１２２の屈折率は１．６よりも大きく、１．９よりも低い。
【００３６】
一方、第２の光閉じ込め層１２４は、第１実施形態の光閉じ込め層１０６に対応し、ＥＬ層１０８や第１の光閉じ込め層１２２よりも誘電率や屈折率が低い。具体的には、第２の光閉じ込め層１２４の誘電率は、ＥＬ層１０８や第１の光閉じ込め層１２２の誘電率と比較して０．２Ｆ／ｍ以上、あるいは０．３Ｆ／ｍ以上低く、具体的には、３．０Ｆ／ｍ以上５．０Ｆ／ｍ以下、あるいは３．０Ｆ／ｍ以上４．０Ｆ／ｍ以下とすることができる。第２の光閉じ込め層１２４の屈折率は、ＥＬ層１０８や第１の光閉じ込め層１２２の屈折率と比較して０．２以上、あるいは０．３Ｆ／ｍ以上低く、具体的には１．４以上１．６以下、あるいは１．４以上１．５以下とすることができる。具体的な材料としては、第１実施形態の光閉じ込め層１０６で使用可能な材料を第２の光閉じ込め層１２４に用いることができる。また、光閉じ込め層１０６と同様、第２の光閉じ込め層１２４は、第１の電極１０２の表面に平行な方向の厚さ、すなわち、第１の電極１０２と接する面の幅Ｗ2（図４（Ａ）参照）は５０ｎｍ以上であり、かつ２００ｎｍ以下、あるいは、λ／４以下となるよう構成される。なお、第１の光閉じ込め層１２２の第１の電極１０２の表面に平行な方向の厚さ、すなわち、第１の電極１０２と接する面の幅Ｗ1（図４（Ａ）参照）は、幅Ｗ1と幅Ｗ2の和がλ／４よりも大きく、λ以下となるよう調整される。
【００３７】
図４（Ａ）に示す発光素子１２０では、第１の光閉じ込め層１２２と第２の光閉じ込め層１２４は、いずれも隣接する発光素子１００に共有され、一方の発光素子１００から隣接する発光素子１００へ延伸するように設けられる。しかしながら発光素子１２０の構造はこれに限られず、例えば図４（Ｂ）に示すように、第２の光閉じ込め層１２４は隣接する発光素子１００間で離間してもよい。この場合、第１の光閉じ込め層１２２は隔壁１０４の上面と接してもよい。あるいは図４（Ｃ）に示すように、第１の光閉じ込め層１２２も隣接する発光素子１００間で離間してもよい。この場合、ＥＬ層１０８が隔壁１０４の上面と接する。あるいは図５（Ａ）から図５（Ｃ）に示すように、ＥＬ層１０８は隣接する発光素子１００間で互いに離間してもよい。この場合、図５（Ａ）や図５（Ｂ）に示すように、第２の電極１１０は第１の光閉じ込め層１２２と接してもよく、図５（Ｃ）に示すように隔壁１０４、第１の光閉じ込め層１２２、および第２の光閉じ込め層１２４と接してもよい。さらに、ＥＬ層１０８の上面と第１の光閉じ込め層１２２の上面が同一平面上に位置してもよく（図５（Ｂ）、ＥＬ層１０８、第１の光閉じ込め層１２２、および第２の光閉じ込め層１２４の上面の全てが同一平面上に位置してもよい。
【００３８】
上述した構成では、発光層１０８ｂから横方向に出射される光は、第１の光閉じ込め層１２２と第２の光閉じ込め層１２４間の界面で反射する。また、第２の光閉じ込め層１２４の厚さＷ2が小さいため、第２の光閉じ込め層１２４からの光のしみ出しが起こりにくい。したがって、発光素子１００と同様、縦モードでの共振による発光効率の増大とともに、横方向の光も効率よく発光素子１００から取り出すことができる。このため、本実施形態を適用することで、色純度と発光効率が高い発光素子を提供することが可能である。
【００３９】
（第３実施形態）
本実施形態では、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示した発光素子１００を有する表示装置１３０とその作製方法を説明する。第１、第２実施形態と同様、あるいは類似する構成に関しては説明を割愛することがある。
【００４０】
［１．全体構造］
図６に表示装置１３０の上面模式図を示す。表示装置１３０は基板１３２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの膜を適宜組み合わせることにより、複数の画素１３４や画素１３４を駆動するための駆動回路（走査線側駆動回路１３８、信号線側駆動回路１４０）が形成される。各画素１３４は色情報を与える最小単位であり、後述するように表示素子を駆動するための画素回路を含む領域である。複数の画素１３４は周期的に配置され、表示領域１３６を定義する。
【００４１】
走査線側駆動回路１３８や信号線側駆動回路１４０は、表示領域１３６の周辺に配置される。表示領域１３６や走査線側駆動回路１３８、信号線側駆動回路１４０からは配線１４２が基板１３２の一辺へ延び、配線１４２は基板１３２の端部付近で露出されて端子（図示しない）を形成する。配線１４２は端子を介してフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）などのコネクタ１４４と電気的に接続される。ここで示した例では、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ１４６がコネクタ１４４上にさらに搭載される。駆動ＩＣ１４６やコネクタ１４４介して外部回路（図示せず）から映像信号や電源が供給され、配線１４２によって、走査線側駆動回路１３８、信号線側駆動回路１４０を介して各画素１３４に伝送される。これらの映像信号や電源に基づいて画素１３４が制御、駆動され、表示領域１３６上に映像が表示される。駆動回路や駆動ＩＣ１４６の態様については図６に示す態様に限られず、例えば駆動ＩＣ１４６は基板１３２上に実装されてもよく、信号線側駆動回路１４０の機能が駆動ＩＣ１４６に統合されていても良い。
【００４２】
［２．画素の構造］
２−１．画素回路
上述したように、各画素１３４には、パターニングされた種々の絶縁膜や半導体膜、導電膜によって発光素子１００を含む画素回路が形成される。画素回路の構成は任意に選択することができ、その一例を等価回路として図７に示す。
【００４３】
図７の等価回路で示す画素回路は、発光素子１００に加え、駆動トランジスタ１７２、発光制御トランジスタ１８０、補正トランジスタ１７８、初期化トランジスタ１７４、書込トランジスタ１７６、保持容量１８４、付加容量１８６を有している。容量１８８は独立した容量素子ではなく、発光素子１００の寄生容量である。高電位電源線１５０には高電位ＰＶＤＤが与えられ、この電位が電流供給線１５２を介して各列に接続される画素１３４に供給される。発光素子１００、駆動トランジスタ１７２、発光制御トランジスタ１８０、補正トランジスタ１７８は、高電位電源線１５０と低電位電源線１５４との間で直列に接続される。低電位電源線１５４には低電位ＰＶＳＳが与えられる。
【００４４】
駆動トランジスタ１７２の一方の端子は発光制御トランジスタ１８０と補正トランジスタ１７８を介して高電位電源線１５０と電気的に接続され、他方の端子は発光素子１００と電気的に接続される。駆動トランジスタ１７２のゲートは、初期化トランジスタ１７４を介して第１の信号線１５６と電気的に接続されるとともに、書込トランジスタ１７６を介して第２の信号線１５８と電気的に接続される。第１の信号線１５６には初期化信号Ｖｉｎｉが与えられ、第２の信号線１５８には映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。初期化信号Ｖｉｎｉは一定レベルの初期化電位を与える信号である。書込トランジスタ１７６は、そのゲートに接続される書込制御走査線１６０に与えられる走査信号ＳＧによって動作（オン／オフ）が制御される。初期化トランジスタ１７４のゲートは、初期化制御信号ＩＧが与えられる初期化制御走査線１６２と接続され、初期化制御信号ＩＧにより動作が制御される。書込トランジスタ１７６がオン、初期化トランジスタ１７４がオフのとき、映像信号Ｖｓｉｇの電位が駆動トランジスタ１７２のゲートに与えられる。一方、書込トランジスタ１７６がオフ、初期化トランジスタ１７４がオンのとき、初期化信号Ｖｉｎｉの電位が駆動トランジスタ１７２のゲートに与えられる。
【００４５】
補正トランジスタ１７８と発光制御トランジスタ１８０のゲートにはそれぞれ、補正制御信号ＣＧが印加される補正制御走査線１６４、発光制御信号ＢＧが印加される発光制御走査線１６８が接続される。駆動トランジスタ１７２の一方の端子には、補正トランジスタ１７８を介し、リセット制御線１６６が接続される。リセット制御線１６６は、走査線側駆動回路１３８に設けられるリセットトランジスタ１８２と接続される。リセットトランジスタ１８２はリセット制御信号ＲＧによって制御され、これによりリセット信号線１７０に与えられるリセット電位Ｖｒｓｔを補正トランジスタ１７８を介して駆動トランジスタ１７２の一方の端子に印加することができる。
【００４６】
駆動トランジスタ１７２の他方の端子とゲートとの間には、保持容量１８４が設けられる。付加容量１８６の一方の端子は駆動トランジスタ１７２の他方の端子に接続され、他方の端子が高電位電源線１５０に接続される。付加容量１８６は、他方の端子が低電位電源線１５４に接続されるように設けてもよい。保持容量１８４と付加容量１８６は、映像信号Ｖｓｉｇを駆動トランジスタ１７２のゲートに与えるとき、映像信号Ｖｓｉｇに応じたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを保持するために設けられる。
【００４７】
信号線側駆動回路１４０は、第１の信号線１５６と第２の信号線１５８に初期化信号Ｖｉｎｉと映像信号Ｖｓｉｇをそれぞれ出力する。一方、走査線側駆動回路１３８は書込制御走査線１６０に走査信号ＳＧを出力し、初期化制御走査線１６２に初期化制御信号ＩＧを出力し、補正制御走査線１６４に補正制御信号ＣＧを出力し、発光制御走査線１６８に発光制御信号ＢＧを出力し、リセットトランジスタ１８２のゲートにリセット制御信号ＲＧを出力する。
【００４８】
２−２．断面構造
図８に表示装置１３０の模式的断面図を示す。図８では、基板１３２上に形成された隣接する三つの画素１３４の画素回路のうち、駆動トランジスタ１７２、保持容量１８４、付加容量１８６、発光素子１００の断面構造が示されている。
【００４９】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート１９０を介し、基板１３２上に設けられる。基板１３２はガラスや石英、あるいはプラスチックを含むことができる。プラスチックを用いることで基板１３２に可撓性を付与することができる。プラスチックとしては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子が挙げられ、中でも耐熱性の高いポリイミドが好適である。
【００５０】
アンダーコート１９０は図８に示すように単層構造を有していてもよく、複数の膜から構成されていてもよい。複数の膜を用いる場合、酸化シリコンを含む膜、窒化シリコンを含む膜、および酸化シリコンを含む膜を含む膜を順次基板１３２上に形成すればよい。
【００５１】
駆動トランジスタ１７２は、半導体膜１９２、ゲート絶縁膜１９４、ゲート電極１９６、ソース／ドレイン電極２００、２０２を含む。ゲート絶縁膜１９４はゲート電極１９６と半導体膜１９２によって挟まれる。ゲート電極１９６は、ゲート絶縁膜１９４を介して半導体膜１９２の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜１９２のゲート電極１９６が重なる領域にチャネル領域１９２ａが形成される。半導体膜１９２はさらに、チャネル領域１９２ａを挟持し、不純物がドープされた低濃度不純物領域１９２ｃ、およびこれらを挟持し、不純物がドープされたソース／ドレイン領域１９２ｂを有する。低濃度不純物領域１９２ｃの不純物の濃度は、ソース／ドレイン領域１９２ｂのそれよりも低い。図８に示した例では駆動トランジスタ１７２はトップゲート型のトランジスタであるが、画素回路に含まれるトランジスタの構造に制約は無く、ボトムゲート型トランジスタでも良い。また、ソース／ドレイン電極２００、２０２と半導体膜１９２との上下関係にも制約は無い。
【００５２】
ゲート絶縁膜１９４を介し、ゲート電極１９６と同一の層に存在する容量電極２０４が一方のソース／ドレイン領域１９２ｂと重なるように設けられる。ゲート電極１９６、容量電極２０４の上には層間膜１９８が設けられる。層間膜１９８とゲート絶縁膜１９４には、半導体膜１９２に達する開口が形成され、この開口を覆うようにソース／ドレイン電極２００、２０２が配置される。ソース／ドレイン電極２０２の一部は、層間膜１９８を介してソース／ドレイン領域１９２ｂの一部と容量電極２０４と重なり、ソース／ドレイン領域１９２ｂの一部、ゲート絶縁膜１９４の一部、容量電極２０４、層間膜１９８、およびソース／ドレイン電極２０２の一部によって保持容量１８４が形成される。
【００５３】
駆動トランジスタ１７２や保持容量１８４の上にはさらに平坦化膜２０６が設けられる。平坦化膜２０６は、ソース／ドレイン電極２０２に達する開口を有し、この開口と平坦化膜２０６の上面の一部を覆う接続電極２０８がソース／ドレイン電極２０２と接するように設けられる。平坦化膜２０６上にはさらに付加容量電極２１０が設けられる。接続電極２０８や付加容量電極２１０は同時に形成してもよく、異なる材料を有するように異なる工程で形成してもよい。前者の場合、接続電極２０８や付加容量電極２１０は同一の層に存在し、同一の組成を有する。
【００５４】
接続電極２０８と付加容量電極２１０を覆うように付加容量絶縁膜２１２が形成される。付加容量絶縁膜２１２は、平坦化膜２０６の開口では接続電極２０８の一部を覆わず、接続電極２０８の底面を露出する。これにより、接続電極２０８を介し、その上に設けられる第１の電極１０２とソース／ドレイン電極２０２間の電気的接続が可能となる。付加容量絶縁膜２１２には、その上に設けられる隔壁１０４と平坦化膜２０６の接触を許容するための開口２１４を設けてもよい。接続電極２０８や開口２１４の形成は任意である。接続電極２０８を設けることにより、その後のプロセスにおいてソース／ドレイン電極２０２の表面の腐食を防止することができ、ソース／ドレイン電極２０２のコンタクト抵抗の増大を防止することができる。開口２１４を通して平坦化膜２０６中の不純物を除去することができ、これによって画素回路や発光素子１００の信頼性を向上させることができる。
【００５５】
付加容量絶縁膜２１２上には、接続電極２０８と付加容量電極２１０を覆うように、第１の電極１０２が設けられる。付加容量絶縁膜２１２は付加容量電極２１０と第１の電極１０２によって挟持され、この構造によって付加容量１８６が形成される。第１の電極１０２は、付加容量１８６と発光素子１００によって共有される。
【００５６】
第１の電極１０２の上には、第１の電極１０２の端部を覆う隔壁１０４が設けられる。隔壁１０４により、第１の電極１０２に起因する凹凸が緩和され、この上に設けられるＥＬ層１０８や第２の電極１１０の切断を防止することができる。隔壁１０４の側面の少なくとも一部を覆うように光閉じ込め層１０６が設けられ、さらに第１の電極１０２の上には、第１の電極１０２と光閉じ込め層１０６に接するＥＬ層１０８が配置される。ＥＬ層１０８の上には、ＥＬ層１０８と接する第２の電極１１０が備えられる。
【００５７】
任意の構成として、第２の電極１１０上にはパッシベーション膜２１６が配置される。パッシベーション膜２１６の構造も任意に決定することができ、単層構造、積層構造のいずれを採用してもよい。積層構造を有する場合、例えばケイ素含有無機化合物を含む第１の層２１６ａ、樹脂を含む第２の層２１６ｂ、ケイ素含有無機化合物を含む第３の層２１６ｃが順次積層した構造を採用することができる。ケイ素含有無機化合物としては窒化ケイ素や酸化ケイ素が挙げられる。樹脂としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリエステル、ポリカルボナートなどが挙げられる。
【００５８】
２−３．作製方法
図９（Ａ）に、基板１３２上にアンダーコート１９０を介して駆動トランジスタ１７２、保持容量１８４、およびおよび第１の電極１０２を含む付加容量１８６が形成された状態を示す。これらの素子は公知の方法を適用することで形成可能であるので、詳細は割愛する。
【００５９】
第１の電極１０２の端部や、平坦化膜２０６に設けられた開口に起因する凹凸を覆うように隔壁１０４を形成する（図９（Ｂ））。隔壁１０４は第１実施形態で述べた材料を含み、スピンコート法やインクジェット法、印刷法によってこれらの材料、あるいはその前駆体を塗布し、得られた膜に対して露光、現像、焼成を行って形成することができる。
【００６０】
次に、隔壁１０４の側面の少なくとも一部を覆い、隔壁１０４と第１の電極１０２に接する光閉じ込め層１０６を形成する。具体的には、スピンコート法やインクジェット法、印刷法を適用して隔壁１０４や第１の電極１０２上に第１実施形態で述べた高分子、あるいはその前駆体を塗布する（図９（Ｂ））。その後、フォトマスク２２０を介して露光を行う（図１０（Ａ））。フォトマスク２２０には照射光を遮蔽する遮光部２２２が設けられており、光閉じ込め層１０６を形成する領域と遮光部２２２が重なるよう、フォトマスク２２０を基板１３２上に配置する。その後露光を行い、エッチャントを用いる現像、焼成を行うことで光閉じ込め層１０６を形成する（図１０（Ｂ））。なお、無機化合物を用いる場合には、例えば蒸着法やスパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法などを用いて無機化合物の膜を形成した後、エッチングによって成形することで光閉じ込め層１０６を形成してもよい。
【００６１】
その後、蒸着法やインクジェット法、スピンコート法などを適用し、第１の電極１０２上に、第１の電極１０２と光閉じ込め層１０６に接するＥＬ層１０８を形成する。引き続き蒸着法やスパッタリング法を用い、ＥＬ層１０８上に第２の電極１１０を形成する。第２の電極１１０上にはパッシベーション膜２１６が形成される。ＥＬ層１０８や第２の電極１１０、パッシベーション膜２１６も公知の方法を適用して形成することができるため、詳細な説明は割愛する。
【００６２】
以上の工程により、表示装置１３０を作製することができる。上記説明から理解されるように、表示装置１３０は通常の半導体製造プロセスを利用することで作製することができる。したがって、本実施形態を適用することにより、プロセスに大きな負担をかけることなく、表示装置１３０を提供することができる。また、発光素子１００は優れた色純度と高い発光効率を示すことができる。したがって、本実施形態により、色再現性が高く、消費電力の小さい表示装置を製造することが可能となる。
【００６３】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００６４】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００６５】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００６６】
１００：発光素子、１０２：第１の電極、１０２ａ：第１の導電層、１０２ｂ：第２の導電層、１０２ｃ：第３の導電層、１０４：隔壁、１０６：光閉じ込め層、１０８：ＥＬ層、１０８ａ：ホール輸送層、１０８ｂ：発光層、１０８ｃ：電子輸送層、１１０：第２の電極、１２０：発光素子、１２２：第１の光閉じ込め層、１２４：第２の光閉じ込め層、１３０：表示装置、１３２：基板、１３４：画素、１３６：表示領域、１３８：走査線側駆動回路、１４０：信号線側駆動回路、１４２：配線、１４４：コネクタ、１５０：高電位電源線、１５２：電流供給線、１５４：低電位電源線、１５６：第１の信号線、１５８：第２の信号線、１６０：書込制御走査線、１６２：初期化制御走査線、１６４：補正制御走査線、１６６：リセット制御線、１６８：発光制御走査線、１７０：リセット信号線、１７２：駆動トランジスタ、１７４：初期化トランジスタ、１７６：書込トランジスタ、１７８：補正トランジスタ、１８０：発光制御トランジスタ、１８２：リセットトランジスタ、１８４：保持容量、１８６：付加容量、１８８：容量、１９０：アンダーコート、１９２：半導体膜、１９２ａ：チャネル領域、１９２ｂ：ソース／ドレイン領域、１９２ｃ：低濃度不純物領域、１９４：ゲート絶縁膜、１９６：ゲート電極、１９８：層間膜、２００：ソース／ドレイン電極、２０２：ソース／ドレイン電極、２０４：容量電極、２０６：平坦化膜、２０８：接続電極、２１０：付加容量電極、２１２：付加容量絶縁膜、２１４：開口、２１６：パッシベーション膜、２１６ａ：第１の層、２１６ｂ：第２の層、２１６ｃ：第３の層、２２０：フォトマスク、２２２：遮光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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