(57)【要約】【課題】基板への放射熱の影響を下げる。【解決手段】本発明は、第１ルツボと第２ルツボを含み、蒸着材料が収容される複数のルツボと、前記第１ルツボを覆い、前記第２ルツボの上に開口を有する防着板と、位置を変えることで前記第２ルツボを遮蔽状態および開放状態にする可動式の蒸発源シャッターとを備えた蒸発源装置において、前記蒸発源シャッターが前記第２ルツボを開放状態にしている際には、前記蒸発源シャッターが、前記防着板、および、前記防着板に覆われている前記第１ルツボと重なることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ルツボと第２ルツボを含み、蒸着材料が収容される複数のルツボと、
前記第１ルツボを覆い、前記第２ルツボの上に開口を有する防着板と、
位置を変えることで前記第２ルツボを遮蔽状態および開放状態にする可動式の蒸発源シャッターとを備えた蒸発源装置において、
前記蒸発源シャッターが前記第２ルツボを開放状態にしている際には、前記蒸発源シャッターが、前記防着板、および、前記防着板に覆われている前記第１ルツボと重なることを特徴とする蒸発源装置。
【請求項２】
前記複数のルツボは、前記第１ルツボと前記第２ルツボとその他のルツボとで構成することを特徴とする請求項１に記載の蒸発源装置。
【請求項３】
前記蒸発源シャッターには、前記蒸発源シャッターを冷却する冷却機構を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸発源装置。
【請求項４】
前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面は、前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面とは反対側の面より、熱伝導性が高い、あるいは、放射率が高いことを特徴とする請求項３に記載の蒸発源装置。
【請求項５】
熱を反射するリフレクター機構が、前記蒸発源シャッターの前記複数のルツボと対向する面に設けられることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項６】
前記複数のルツボは、移動可能な移動支持体に設けられ、前記移動支持体の移動により、前記複数のルツボのうちの１つのルツボを予備加熱するための位置に配置することで当該１つのルツボを前記第１ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第２ルツボとすることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項７】
前記複数のルツボは、回転可能な回転支持体の周方向に沿って設けられ、
前記回転支持体の回転により、前記複数のルツボのうちの１つのルツボを予備加熱するための位置に配置することで当該１つのルツボを前記第１ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第２ルツボとすることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項８】
前記複数のルツボは、移動可能な移動支持体に設けられ、前記移動支持体の移動により、前記複数のルツボのうちの１つのルツボを蒸着直後の位置に配置することで当該１つのルツボを前記第１ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第２ルツボとすることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項９】
前記複数のルツボは、回転可能な回転支持体の周方向に沿って設けられ、
前記回転支持体の回転により、前記複数のルツボのうちの１つのルツボを蒸着直後の位置に配置することで当該１つのルツボを第１ルツボとし、前記複数のルツボのうちの別のルツボを本加熱するための位置に配置することで、当該別のルツボを前記第２ルツボとすることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項１０】
請求項１から９の何れか１項に記載の蒸発源装置と、
前記蒸発源装置と対向する位置に基板を配置する基板ホルダーと、
前記基板ホルダーと前記蒸発源装置の間に、前記基板ホルダーの基板を前記蒸発源装置
に対して開状態と閉状態にする基板シャッターを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
請求項１から９の何れか１項に記載の蒸発源装置により、前記蒸発源装置と対向する位置に設けられる基板に、前記ルツボに収納される蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
前記第１ルツボ内に収容される蒸着材料を加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度まで前記第１ルツボの温度を上げる予備加熱工程と、
前記第２ルツボ内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持する本加熱工程と、
前記第２ルツボ内の加熱された蒸着材料の蒸気を遮蔽状態にする遮蔽工程と、
前記蒸発源シャッターが、前記防着板に覆われている前記第１ルツボと重なることで、前記第２ルツボ内の加熱された蒸着材料の蒸気を開放状態にし、前記基板に成膜を行う開放工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項１２】
基板上に形成された有機膜を有する電子デバイスの製造方法であって、
請求項１１に記載の成膜方法により前記有機膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
基板上に形成された金属膜を有する電子デバイスの製造方法であって、
請求項１１に記載の成膜方法により前記金属膜が形成されることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記電子デバイスが、有機ＥＬ表示装置の表示パネルであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発源装置、成膜装置、成膜方法、および、電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等の有機電子デバイスは、有機材料や金属材料などを蒸着させる蒸着工程を経て製造される。蒸着工程で用いられる蒸発源装置は、複数のルツボを有しており、ルツボ内に収納される蒸着材料を加熱し、蒸着材料の温度を上昇させて蒸発させ、基板の表面に付着させることで成膜を行う。
【０００３】
特許文献１は、真空チャンバと、基板上に薄膜を形成するための複数の蒸発源（ルツボ）と、蒸発源から蒸発した材料の蒸気を開放及び遮蔽するための一つのシャッターを備えた真空蒸着装置を開示している。シャッターが複数の蒸発源のうちの一つを順次、開放することで、複数の蒸発源の相互間での汚染の発生を防止できることが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２は、複数の蒸発源と、第１の加熱装置と、第２の加熱装置と、蒸着遮蔽板を開示している。従来、複数の蒸発源を有した蒸発源装置が、蒸発源に収納される蒸着材料を加熱して温度を高める場合、蒸着時（本加熱）に蒸着材料を加熱し始めると加熱に時間がかかる。そのため、蒸着の前に、蒸着材料が蒸気になる温度まで蒸発源の温度を上げる予備加熱を行う。すなわち、複数の蒸発源には、予備加熱が行われている蒸発源と、収容された蒸着材料が蒸気になる温度を維持して、基板表面への成膜に用いられる本加熱の蒸発源とが含まれる。特許文献２の構成では、蒸着遮蔽板が予備加熱の位置にある蒸発源を覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３３２４３３号公報
【特許文献２】特開２００６−２４９５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、蒸発源の加熱の温度は高く、真空下であっても蒸発源からの放射熱の影響により、配置される基板やマスクは、熱延びなどの変形を起こすことで、成膜精度の低下、成膜された膜の品質低下などの課題が生じる。上記従来例のように、蒸着を行わない蒸発源の上に、シャッターのみ、あるいは、蒸着遮蔽板のみが配置された場合、蒸発源から基板への放射熱の影響を十分に低減させることが困難であった。特に、予備加熱を行っている蒸発源や、蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響が大きい。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、基板への放射熱の影響を下げる蒸発源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的のため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
第１ルツボと第２ルツボを含み、蒸着材料が収容される複数のルツボと、
前記第１ルツボを覆い、前記第２ルツボの上に開口を有する防着板と、
位置を変えることで前記第２ルツボを遮蔽状態および開放状態にする可動式の蒸発源シャッターとを備えた蒸発源装置において、
前記蒸発源シャッターが前記第２ルツボを開放状態にしている際には、前記蒸発源シャッターが、前記防着板、および、前記防着板に覆われている前記第１ルツボと重なることを特徴とする蒸発源装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板への放射熱の影響を下げた蒸発源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、有機電子デバイスの製造装置の構成の一部を示す模式図である。
【図２】図２は、実施形態１にかかる蒸発源装置の構成の（ａ）遮蔽状態、および、（ｂ）開放状態を示す模式図である。
【図３】図３は、実施形態２にかかる蒸発源シャッターの構成を示す模式図である。
【図４】図４は、実施形態３にかかる蒸発源シャッターの構成を示す模式図である。
【図５】図５は、実施形態４にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。
【図６】図６は、実施形態５にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。
【図７】図７は、実施形態５にかかる蒸発源装置の蒸発源シャッターの横から見た様子を示す模式図である。
【図８】図８は、実施形態６にかかる蒸発源装置の構成を示す模式図である。
【図９】図９は、有機ＥＬ表示装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１２】
本発明は、蒸発源装置およびその制御方法に関し、特に、蒸着により被蒸着体に薄膜を形成するための蒸発源装置およびその制御方法に好適である。また本発明は、制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。本発明は、例えば、被蒸着体である基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。尚、成膜装置の被蒸着体は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品を被蒸着体としてもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。また、有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。
【００１３】
＜実施形態１＞
＜成膜装置の概略構成＞
図１は、蒸着装置（成膜装置）の構成を模式的に示す断面図である。成膜装置６は、真空チャンバ１３を有する。真空チャンバ１３の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。
【００１４】
真空チャンバ１３の内部には、概略、基板ホルダー８によって保持された被蒸着体である基板７と、マスクホルダー１０によって保持されたマスク９と、マスク９を磁力によって基板７に引き付けるマグネット板１２と、蒸発源装置１とが設けられる。
【００１５】
基板ホルダー８は、基板７を支持するための受け爪（フィンガー）などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプ（不図示）などの押圧具によって基板を保持する。また、基板７は、搬送ロボット（不図示）により真空チャンバ１３内に搬送された後、基板ホルダー８によって保持され、成膜時には水平面（ＸＹ平面）と平行となるように固定される。マスク９は、基板７上に形成する所定パターンの薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクであり、例えばメタルマスクである。成膜時にはマスク９の上に基板７が載置される。
【００１６】
また、蒸発源装置１には、第１ルツボ３と、第２ルツボ２と、開口を有する防着板４と、蒸発源シャッター５とが設けられる。第１ルツボ３は防着板４に覆われ、第２ルツボ２は、防着板４の開口の下に配置される。第１ルツボ３と第２ルツボ２のそれぞれには、蒸着材料が収納されており、その蒸着材料を加熱することで蒸気を発生させる。更に、蒸発源シャッター５は、防着板４の開口の上部に設けられ、防着板４の開口を開放状態と遮蔽状態にする可動式のシャッターである。
【００１７】
その他、真空チャンバ１３内には、蒸発源装置１からの蒸気が基板７に到達することを制御するための開閉式の基板シャッター１１を備えていてもよい。また、マグネット板１２は、基板７の温度上昇を抑制する冷却板（不図示）を備えていてもよい。更に、真空チャンバ１３の上には、基板７とマスク９のアライメントのための機構、例えばＸ方向またはＹ方向のアクチュエータや、基板保持のための基板ホルダー用アクチュエータなどの駆動手段や、基板７を撮像するカメラ（いずれも不図示）を備えていてもよい。
【００１８】
蒸発源装置１には、第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む複数のルツボが設けられている。ルツボは蒸発源の１つの例である。また、蒸発源装置１は、第１ルツボ３と第２ルツボ２を移動させることのできる移動支持体（不図示）を備えている。本実施形態では、複数のルツボの１つに対して、蒸着に用いるための本加熱を行う。また、複数のルツボの１つに対して、蒸着の準備のための予備加熱を行う。
【００１９】
本加熱を行っているルツボ、あるいは、本加熱を行うための位置に配置されたルツボを、便宜的に、第２ルツボ２と記載している。また、予備加熱を行っているルツボ、あるいは、予備加熱を行う位置に配置されたルツボを、便宜的に、第１ルツボ３と記載している。すなわち、第１ルツボ３は、ルツボ内に収容される蒸着材料をヒータ等により加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度までルツボの温度を上げる予備加熱を行うルツボである。また、第２ルツボ２は、ルツボ内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持するようヒータ等により加熱し続ける本加熱を行うルツボである。
【００２０】
第１ルツボ３は、予備加熱完了後、移動支持体（不図示）によって移動され、本加熱を行うための位置に変えることができる。本加熱を行うための位置とは、防着板４の開口の下の位置である。よって、それぞれのルツボ内の蒸着材料は、予備加熱と本加熱との２段階の加熱によって蒸気にされる。
【００２１】
＜蒸発源装置の詳細構成＞
図２は、蒸発源装置１の蒸発源シャッター５の可動の様子を示す。
図２（ａ）は、蒸発源シャッター５の遮蔽状態の様子を示す。このとき、第２ルツボ２内に収納される蒸発源材料の蒸気が蒸発源シャッター５により遮蔽されており、第１ルツボ３は、防着板４に覆われている。この遮蔽状態とは、第２ルツボ２からの材料の蒸気の少なくとも一部が蒸発源シャッター５により、基板に直接到達しないよう覆っている状態であれば良く、蒸発源シャッター５が第２ルツボ２の全体を覆う状態に限られない。また、第２ルツボ２と蒸発源シャッター５の間に隙間があってもよい。好適には、基板側から見たときに、第２ルツボ２の全体が蒸発源シャッター５に覆われている。
尚、第１ルツボ３は、予備加熱されるルツボ、又は蒸着後にルツボを冷ます位置に移動されたルツボであってもよい。
【００２２】
図２（ｂ）は、蒸発源シャッター５の開放状態の様子を示す。このとき、第２ルツボ２内に収納される蒸発源材料の蒸気の大部分は、基板７に到達する。
蒸発源シャッター５が開放状態にあるとき、蒸発源シャッター５は、防着板４及び防着板４に覆われている第１ルツボ３の両方と重なる位置に移動する。ある観点では、第１ルツボ３と基板７とを結ぶ仮想線が、防着板４および蒸発源シャッター５を通る。また、基板側から見たときに、第１ルツボ３の全体にわたって、防着板４および蒸発源シャッター５が重なることが好ましい。
【００２３】
第１ルツボ３から見た際の重なる順番は、防着板４、蒸発源シャッター５又は、蒸発源シャッター５、防着板４であってもよい。また、重なる順番が、蒸発源シャッター５、防着板４の場合は、第１ルツボ３及び第２ルツボ２と、防着板４の間に蒸発源シャッター５が設けられている。
【００２４】
上記の構成によれば、第１ルツボ３から基板７の間に、防着板４と蒸発源シャッター５の両方が介在する。このため、基板７に対する第１ルツボ３からの放射熱の影響を低減することができる。
【００２５】
上記では、開口を有する防着板４が一枚設けられる構成を例として説明したが、防着板４は２枚、３枚重なっていてもよく、この場合においても上記のような蒸発源シャッター移動構成を採用することによって、基板７に対する第１ルツボ３からの放射熱の影響をより効果的に低減することができる。
【００２６】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００２７】
図３は、本実施形態の蒸発源装置のうち、蒸発源シャッター５の冷却機構の要素を示した、上面からの概略断面図（図３（ａ）、図３（ｃ））と側面からの概略断面図（図３（ｂ）、図３（ｄ））である。
【００２８】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、蒸発源シャッター５に冷却機構として設けられた冷却用水路１４の配置を模式的に示している。これにより、第１ルツボ３等からの放射熱で蒸発源シャッター５が熱を帯びても、冷却用水路１４に冷却媒体を流すことで、蒸発源シャッター５から熱を放出することができる。
【００２９】
更に、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示された蒸発源シャッター５は、冷却用水路１４を備えるとともに、蒸発源シャッター５の第１ルツボ３と対向する面に、第１ルツボ３と対向する面の反対側の面に比べて熱を吸収し易い表面加工１５が施されている。具体的な表面加工１５は、放射率が高い材料（黒色の材料）の塗布、又は、テフロン（登録商標、フッ化水素を含む樹脂）の皮膜等である。
【００３０】
別の例として、蒸発源シャッター５の第１ルツボ３と対向する面の部材には、第１ルツボ３と対向する面の反対側の面の部材に比べて熱伝導率の高い部材（不図示）を使用してもよい。
【００３１】
上記表面加工１５や熱伝導率の高い部材を用いることで、蒸発源シャッター５に設けられた冷却用水路１４に、第１ルツボ３等から受ける放射熱の熱を伝達しやすくすることで
、基板７に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
【００３２】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を省略する。
【００３３】
図４は、本実施形態の蒸発源装置のうち、蒸発源シャッター５の上面からの概略断面図（図４（ａ））と側面からの概略断面図（図４（ｂ））である。図４（ｂ）に示された蒸発源シャッター５の第１ルツボ３と対向する面には、リフレクター１６が設けられている。
【００３４】
具体的なリフレクター１６の構成は、第１ルツボ３と対向する面の反対側の面に比べて放射率が低い表面加工や材料を塗布することである。他の具体的なリフレクター１６の構成としては、蒸発源シャッター５の第１ルツボ３と対向する面に、蒸発源シャッター５の本体との間に空間を介して放射率が低い表面加工や材料で形成された別の板材を配置する構造がある。
具体的な材質としては、モリブデンやタンタルが考えられる。
また、材質をステンレスやアルミとし、これらを研磨して鏡面加工することで、放射率が低い表面を形成することができる。
【００３５】
このように蒸発源シャッター５にリフレクター１６を設けることにより、第１ルツボ３等からの放射熱を反射することで、基板７に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
更に、第１ルツボ３に放射熱が返ってくることで、第１ルツボを加熱する熱効率が向上する効果がある。
なお、本実施形態の蒸発源シャッター５に、実施形態２に記載の冷却機構を組み合わせてもよい。
【００３６】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
【００３７】
図５は、移動可能な移動支持体１７に第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む４つのルツボが設けられた蒸発源装置１の蒸発源シャッター５の上面から見た様子を示す。尚、図５は、蒸発源シャッター５が開放状態の様子であり、防着板４の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター５の位置を図示している。
【００３８】
第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む４つのルツボは、それぞれ移動可能な移動支持体１７に設けられている。移動支持体１７は、例えば、図示されている移動支持体の移動方向の矢印の方向に一斉に動くことで、それぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、移動支持体１７の移動方向は、矢印とは逆の方向であってもよい。
【００３９】
図５の実施形態４では、４つのルツボがある。その４つのルツボのうちの１つは、防着板４の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第２ルツボ２とする。また、上記第２ルツボ以外の３つのルツボのうちの１つは、防着板４と蒸発源シャッター５に覆われている位置にあり、予備加熱をするための位置にある。当該別ルツボを第１ルツボ３とする。
【００４０】
尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター５が移動することで、遮蔽状態にすることができる。
本実施形態においても、実施形態１〜３と同様に、基板７に放射熱の影響が及ぶことを
低減できる。
【００４１】
＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
【００４２】
図６は、回転可能な回転支持体１８に第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む７つのルツボが設けられた蒸発源装置１の蒸発源シャッター５の上面から見た様子を示す。尚、図６は、蒸発源シャッター５が開放状態の様子であり、防着板４の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター５の位置を図示している。図７は、蒸発源シャッター５の横から見た様子で、（ａ）防着板４の開口の開放状態、（ｂ）防着板４の開口の遮蔽状態をそれぞれ示している。
【００４３】
第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む７つのルツボは、回転可能な回転支持体１８の周方向に沿って設けられている。回転支持体１８は、例えば、図示されている回転支持体の回転の矢印の方向に回転することで、回転支持体１８の周方向に沿って設けられているそれぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、回転支持体１８の回転方向は、回転支持体の回転の矢印とは逆の方向であってもよい。
【００４４】
図６の実施形態５では、７つのルツボがある。その７つのルツボのうちの１つは、防着板４の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第２ルツボ２とする。また、上記第２ルツボ以外の６つのルツボのうちの１つは、防着板４と蒸発源シャッター５に覆われている位置にあり、予備加熱をするための位置にある。当該別ルツボを第１ルツボ３とする。
【００４５】
また、本実施形態では、第２ルツボ２と第１ルツボ３との間にその他のルツボが配置される位置関係にすることで、予備加熱と本加熱それぞれの加熱に際しての熱影響が少ないように配置している。
【００４６】
尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター５が移動することで、遮蔽状態にすることができる。
本実施形態においても、実施形態１〜４と同様に、基板７に放射熱の影響が及ぶことを低減できる。
【００４７】
＜実施形態６＞
本発明の実施形態６を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。
【００４８】
図８は、回転可能な回転支持体１８に第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む７つのルツボが設けられた蒸発源装置１の蒸発源シャッター５の上面から見た様子を示す。尚、図６は、蒸発源シャッター５が開放状態の様子であり、防着板４の開口を開放状態にした際の蒸発源シャッター５の位置を図示している。
【００４９】
第１ルツボ３と第２ルツボ２を含む７つのルツボは、回転可能な回転支持体１８の周方向に沿って設けられている。回転支持体１８は、例えば、図示されている回転支持体の回転の矢印の方向に回転することで、回転支持体１８の周方向に沿って設けられているそれぞれのルツボの位置を移動させることができる。尚、回転支持体１８の回転方向は、回転支持体の回転の矢印とは逆の方向であってもよい。
【００５０】
本実施形態６は、蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響を下げる構成である。蒸着位置
で本加熱されるルツボは、当該ルツボからの蒸着が完了すると、上記回転支持体１８によってルツボを冷ます位置に移動され、予備加熱位置にあったルツボが蒸着位置に移動してきて蒸着を続けることになるが、冷ます位置まで移動した蒸着完了のルツボは余熱のためまだ熱い状態にある。本実施形態６では、この蒸着直後のルツボによる基板７への放射熱の影響を低減できるようにする。
【００５１】
つまり、図８の実施形態６では、７つのルツボがある。その７つのルツボのうちの１つは、防着板４の開口の下方に位置し、且つ本加熱をするための位置にある。当該ルツボを第２ルツボ２とする。また、上記第２ルツボ以外の６つのルツボのうちの１つは、蒸着が完了し、回転支持体１８の回転によって冷ます位置まで移動した蒸着直後のルツボであって、これは防着板４と蒸発源シャッター５に覆われている位置にある。本実施形態では、このルツボを第１ルツボ３とする。
【００５２】
また、本実施形態では、第２ルツボ２と第１ルツボ３との間にその他のルツボが配置される位置関係にすることで、予備加熱と本加熱それぞれの加熱に際しての熱影響が少ないように配置している。
【００５３】
尚、図示してある蒸発源シャッターの開閉方向に沿って、蒸発源シャッター５が移動することで、遮蔽状態にすることができる。本実施形態及び実施形態５において、蒸発源シャッター５を開閉方向に移動させるための回転軸は、図８のように蒸発源の外側（ルツボが周方向に設けられている回転支持体１８の放射状外部）にあってもいい、図６のように蒸発源の内側（ルツボが周方向に設けられている回転支持体１８の放射状内部）にあってもいい。
本実施形態においても、実施形態１〜５と同様に、基板７に放射熱の影響が及ぶことを低減でき、特に蒸着直後の蒸発源からの放射熱の影響を下げることが可能である。
【００５４】
＜成膜装置の成膜方法の実施例＞
次に、本実施形態の蒸発源装置又は成膜装置を用いた成膜方法の一例について図１と図２を参照しつつ説明する。
【００５５】
本実施例の成膜方法は、蒸発源装置１の第１ルツボ３と第２ルツボ２の加熱の工程を含む。まず、予備加熱工程として、予備加熱位置に設けられた第１ルツボ３内に収容される蒸着材料を加熱し、蒸着材料が蒸気になる温度までルツボの温度を上げる工程がある。また、本加熱工程として、予備加熱工程で暖められたルツボを本加熱位置に移動し、第２ルツボ２とし、その第２ルツボ２内に収容される蒸着材料が蒸気になる温度を維持できるよう第２ルツボ２内の温度を維持する工程がある。
【００５６】
更に本実施例の成膜方法は、蒸発源装置１の防着板４の開口に設けられた蒸発源シャッター５の開閉の工程を含む。まず、蒸発源シャッター５の遮蔽工程として、第２ルツボ２内の加熱された蒸着材料の蒸気を遮蔽状態にする工程がある。また、開放工程として、蒸発源シャッター５が、防着板４に覆われている第１ルツボ３と重なることで、第２ルツボ２内の加熱された蒸着材料の蒸気を開放状態にし、基板ホルダー８に保持された基板７に成膜を行う工程がある。
【００５７】
これらにより、成膜を行う間に、蒸発源シャッター５が、防着板４に覆われている第１ルツボ３を覆うことで、第１ルツボ３から基板７への放射熱の影響を低減することができる成膜方法を提供できる。
その結果、成膜中の基板７が放射熱で熱変形することによる成膜精度の低下や、成膜された膜の品質が放射熱によって低下することを抑制できる。
【００５８】
＜電子デバイスの製造方法の実施例＞
次に、本実施形態の成膜方法を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
【００５９】
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図９（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図９（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
【００６０】
図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【００６１】
図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、第１電極（陽極）６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、第２電極（陰極）６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と第２電極６８は、複数の発光素子６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極６４と第２電極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【００６２】
有機ＥＬ層を発光素子単位に形成するためには、マスクを介して成膜する方法が用いられる。近年、表示装置の高精細化が進んでおり、有機ＥＬ層の形成には開口の幅が数十μｍのマスクが用いられる。このようなマスクを用いた成膜の場合、マスクが成膜中に蒸発源から受熱して熱変形するとマスクと基板との位置がずれてしまい、基板上に形成される薄膜のパターンが所望の位置からずれて形成されてしまう。そこで、これら有機ＥＬ層の成膜には本発明にかかる成膜装置（真空蒸着装置）が好適に用いられる。
【００６３】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極６４が形成された基板６３を準備する。
【００６４】
第１電極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【００６５】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の成膜装置に搬入し、基板ホルダーにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の第１電極６４の上に共通する層として成
膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【００６６】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の成膜装置に搬入し、基板ホルダーにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
【００６７】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂに共通の層として形成される。
【００６８】
電子輸送層６７までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第２電極６８を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【００６９】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【００７０】
このようにして得られた有機ＥＬ表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。従って、上記製造方法を用いれば、発光層の位置ずれに起因する有機ＥＬ表示装置の不良の発生を抑制することができる。
【００７１】
なお、上記実施例は本発明の一例を示したものであり、本発明は上記実施例の構成に限られず、その技術思想の範囲内において適宜変形しても構わない。例えば、上記実施例では、基板ホルダーにより基板を移動させたが、載置体であるマスク、又は、基板とマスクの両方を移動させてもよい。その場合は、基板の移動手段の他に、載置体の移動手段を設ければよい。
【符号の説明】
【００７２】
１：蒸発源装置
２：第２ルツボ
３：第１ルツボ
４：防着板
５：蒸発源シャッター
６：成膜装置
７，６３：基板
８：基板ホルダー
９：マスク
１０：マスクホルダー
１１：基板シャッター
１２：マグネット板
１３：真空チャンバ
１４：冷却用水路
１５：表面の加工
１６：リフレクター
１７：移動支持体
１８：回転支持体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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