(57)【要約】      （修正有）【課題】セラミックス部材の表面の温度分布の制御性を向上させる。【解決手段】保持装置は、第１の方向に略垂直な表面を有するセラミックス部材と、複数のヒータ電極とを備える。ヒータ電極は、ヒータライン部とヒータパッド部５２１ａ、５２１ｂ、５２１ｃとを有する。また保持装置は、ドライバ電極６０と、給電端子７４１と、給電端子とドライバ電極とを接続するビアと、ヒータパッド部とドライバ電極とを接続するビアとを備える。第１の方向視で、一のヒータパッド部５２１ａに接続されたドライバ電極の導電領域と同じドライバ電極の導電領域に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１ａより給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと、給電端子７４１の中心点Ｐ０と、を結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１ａが配置されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に配置された複数のヒータ電極であって、それぞれ、前記第１の方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、前記ヒータライン部の端部に接続されると共に、前記第１の方向視で前記ヒータライン部より幅の大きいヒータパッド部と、を有する複数のヒータ電極と、
前記セラミックス部材の内部に配置され、導電領域を含むドライバ電極と、
給電端子と、
前記給電端子と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続する給電側ビアと、
各前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続するヒータ側ビアと、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記第１の方向視で、一の前記ヒータパッド部に接続された前記ドライバ電極の前記導電領域と同じ前記ドライバ電極の前記導電領域に接続され、かつ、前記一のヒータパッド部より前記給電端子からの距離が遠い他の前記ヒータパッド部の中心点と、前記給電端子の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、前記一のヒータパッド部が配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記他のヒータパッド部と前記給電端子とに挟まれた領域と重ならない位置に、前記一のヒータパッド部が配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記給電端子の中心点を通ると共に互いに直交する第１および第２の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記他のヒータパッド部が位置する前記領域に対して前記給電端子の中心点を挟んで対向する他の前記領域に、前記一のヒータパッド部が配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の保持装置において、
前記第１の方向視で、前記給電端子の中心点を通ると共に互いに直交する第１および第２の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記第１または第２の仮想直線を挟んで前記他のヒータパッド部が位置する前記領域に隣り合う他の前記領域に、前記一のヒータパッド部が配置されていることを特徴とする、保持装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の保持装置において、
３つの前記ヒータパッド部の内、前記給電端子からの距離が最も近い前記ヒータパッド部を最近ヒータパッド部とし、前記給電端子からの距離が最も遠い前記ヒータパッド部を最遠ヒータパッド部とし、残り１つの前記ヒータパッド部を中間ヒータパッド部としたとき、前記第１の方向視で、前記最近ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と、前記最遠ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と、前記最近ヒータパッド部の中心点と前記最遠ヒータパッド部の中心点とを結ぶ仮想線分と、により規定される仮想三角形は、前記中間ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と重ならないことを特徴とする、保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略垂直な略平面状の表面（以下、「吸着面」という）を有するセラミックス部材と、セラミックス部材の内部に設けられたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の吸着面にウェハを吸着して保持する。
【０００３】
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、例えば、セラミックス部材の内部に複数のヒータ電極が設けられる。各ヒータ電極に電圧が印加されると、各ヒータ電極が発熱することによってセラミックス部材が加熱され、これにより、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が実現される。
【０００４】
各ヒータ電極は、線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、ヒータライン部の各端部に接続されたヒータパッド部とを有する。また、セラミックス部材の内部に導電領域を有するドライバ電極が設けられ、ドライバ電極に対して複数のヒータ電極のそれぞれが並列に接続された構成が採用されることがある（例えば、特許文献１参照）。ドライバ電極の導電領域は、ヒータ側ビアを介して各ヒータ電極のヒータパッド部と電気的に接続されると共に、給電側ビアを介して給電端子と電気的に接続される。このような構成では、各ヒータ電極のヒータパッド部は、ヒータ側ビアとドライバ電極の導電領域と給電側ビアと給電端子とを介して電源に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１７／１１５７５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の静電チャックでは、第１の方向視での給電端子と各ヒータ電極のヒータパッド部との位置関係によっては、ドライバ電極の導電領域における、給電端子と一のヒータパッド部との間の電流経路の一部分（該電流経路の内、ドライバ電極の導電領域上に位置する部分、以下同様）と、該給電端子と他のヒータパッド部との間の電流経路の一部分とが重なることがある。ドライバ電極の導電領域において複数の電流経路の一部分が重なると、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となりやすい。そのため、従来の静電チャックでは、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、ウェハの温度分布の制御性）の点で向上の余地がある。
【０００７】
なお、このような課題は、静電引力を利用してウェハを保持する静電チャックに限らず、セラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００８】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１０】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略垂直な略平面状の第１の表面を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置された複数のヒータ電極であって、それぞれ、前記第１の方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部と、前記ヒータライン部の端部に接続されると共に、前記第１の方向視で前記ヒータライン部より幅の大きいヒータパッド部と、を有する複数のヒータ電極と、前記セラミックス部材の内部に配置され、導電領域を含むドライバ電極と、給電端子と、前記給電端子と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続する給電側ビアと、各前記ヒータ電極の前記ヒータパッド部と前記ドライバ電極の前記導電領域とを電気的に接続するヒータ側ビアと、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記第１の方向視で、一の前記ヒータパッド部に接続された前記ドライバ電極の前記導電領域と同じ前記ドライバ電極の前記導電領域に接続され、かつ、前記一のヒータパッド部より前記給電端子からの距離が遠い他の前記ヒータパッド部の中心点と、前記給電端子の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、前記一のヒータパッド部が配置されている。本保持装置では、第１の方向視で、一のヒータパッド部に接続されたドライバ電極の導電領域と同じドライバ電極の導電領域に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部より給電端子からの距離が遠い他のヒータパッド部の中心点と、給電端子の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部が配置されている。そのため、ドライバ電極の導電領域における、給電端子と上記一のヒータパッド部との間の電流経路の一部分（該電流経路の内、ドライバ電極の導電領域上に位置する部分、以下同様）と、該給電端子と上記他のヒータパッド部との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができる。そのため、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、保持装置に保持される対象物の温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００１１】
（２）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記他のヒータパッド部と前記給電端子とに挟まれた領域と重ならない位置に、前記一のヒータパッド部が配置されている構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における、給電端子と上記一のヒータパッド部との間の電流経路の一部分と、該給電端子と上記他のヒータパッド部との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができる。そのため、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、保持装置に保持される対象物の温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。
【００１２】
（３）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記給電端子の中心点を通ると共に互いに直交する第１および第２の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記他のヒータパッド部が位置する前記領域に対して前記給電端子の中心点を挟んで対向する他の前記領域に、前記一のヒータパッド部が配置されている構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における、給電端子と上記一のヒータパッド部との間の電流経路の一部分と、該給電端子と上記他のヒータパッド部との間の電流経路の一部分とが近接することを一層効果的に抑制することができる。そのため、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを一層効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、保持装置に保持される対象物の温度分布の制御性）を一層効果的に向上させることができる。
【００１３】
（４）上記保持装置において、前記第１の方向視で、前記給電端子の中心点を通ると共に互いに直交する第１および第２の仮想直線により区切られた４つの領域の内、前記第１または第２の仮想直線を挟んで前記他のヒータパッド部が位置する前記領域に隣り合う他の前記領域に、前記一のヒータパッド部が配置されている構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制してセラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、保持装置に保持される対象物の温度分布の制御性）を向上させつつ、ドライバ電極の導電領域の小型化・簡素化を図ることができる。
【００１４】
（５）上記保持装置において、３つの前記ヒータパッド部の内、前記給電端子からの距離が最も近い前記ヒータパッド部を最近ヒータパッド部とし、前記給電端子からの距離が最も遠い前記ヒータパッド部を最遠ヒータパッド部とし、残り１つの前記ヒータパッド部を中間ヒータパッド部としたとき、前記第１の方向視で、前記最近ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と、前記最遠ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と、前記最近ヒータパッド部の中心点と前記最遠ヒータパッド部の中心点とを結ぶ仮想線分と、により規定される仮想三角形は、前記中間ヒータパッド部の中心点と前記給電端子の中心点とを結ぶ仮想線分と重ならないことを特徴とする構成としてもよい。本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における、給電端子と各ヒータパッド部との間の電流経路の一部分をより分散させることができる。そのため、本保持装置によれば、ドライバ電極の導電領域における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを一層効果的に抑制することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、保持装置に保持される対象物の温度分布の制御性）を一層効果的に向上させることができる。
【００１５】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図５】本実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。
【図６】比較例の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。
【図７】第２実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。
【図８】第３実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。
【図９】第４実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３および図４は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図３には、図２のＩＩＩ−ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ−ＩＶの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００１８】
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。
【００１９】
セラミックス部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という）Ｓ１を有する板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。セラミックス部材１０の直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度である。セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を「面方向」という。
【００２０】
図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。
【００２１】
セラミックス部材１０の内部には、また、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）のためのヒータ電極層５０と、ヒータ電極層５０への給電のための構成とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。なお、このような構成のセラミックス部材１０は、例えば、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートにビア孔の形成やメタライズペーストの充填および印刷等の加工を行い、これらのセラミックスグリーンシートを熱圧着し、切断等の加工を行った上で焼成することにより作製することができる。
【００２２】
ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００２３】
ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着層３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接着層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００２４】
ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着層３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。
【００２５】
Ａ−２．ヒータ電極層５０等の構成：
次に、ヒータ電極層５０の構成およびヒータ電極層５０への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５０を備える（図２参照）。ヒータ電極層５０は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。なお、本実施形態では、ヒータ電極層５０は、チャック電極４０より下側に配置されている。
【００２６】
図４に示すように、ヒータ電極層５０は、複数のヒータ電極５００を含んでいる。なお、図４では、静電チャック１００が備える複数のヒータ電極５００のうちの一部のみを図示しており、他のヒータ電極５００の図示を省略している。
【００２７】
各ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１０と、ヒータライン部５１０の両端部に接続されるヒータパッド部（第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２）とを有する。以下では、第１のヒータパッド部５２１および第２のヒータパッド部５２２を、まとめてヒータパッド部５２１，５２２ともいう。Ｚ軸方向視で、ヒータパッド部５２１，５２２の幅は、ヒータライン部５１０の幅より大きい。
【００２８】
また、図２に示すように、静電チャック１００は、ヒータ電極層５０を構成する各ヒータ電極５００への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック１００は、ドライバ電極６０を備える。ドライバ電極６０は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。図３に示すように、ドライバ電極６０は、面方向に平行な所定の領域を有するパターンである一対の導電領域（第１の導電領域６１および第２の導電領域６２）を有する。なお、本実施形態の静電チャック１００は、４つのドライバ電極６０を備えている。また、本実施形態では、ドライバ電極６０は、ヒータ電極層５０より下側に配置されている。以下では、ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２を、まとめて導電領域６１，６２ともいう。なお、ドライバ電極６０は、下記の（１）および（２）の少なくとも一方を満たすという点で、ヒータ電極５００と相違する。
（１）ドライバ電極６０の断面積は、ヒータ電極５００の断面積の１０倍以上である。
（２）面方向において、ドライバ電極６０は１つのセグメントＳＥより大きな面積を有する。
【００２９】
１つのヒータ電極５００の一対のヒータパッド部５２１，５２２は、それぞれ、１つのドライバ電極６０の一対の導電領域６１，６２と電気的に接続されている。具体的には、図２に示すように、１つのヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１は、導電性材料により形成された第１のヒータ側ビア７２１を介して、ドライバ電極６０の第１の導電領域６１に導通しており、該ヒータ電極５００の第２のヒータパッド部５２２は、導電性材料により形成された第２のヒータ側ビア７２２を介して、該ドライバ電極６０の第２の導電領域６２に導通している。以下では、第１のヒータ側ビア７２１および第２のヒータ側ビア７２２を、まとめてヒータ側ビア７２１，７２２ともいう。
【００３０】
本実施形態では、１つのドライバ電極６０に対して、複数のヒータ電極５００が並列に接続されている。例えば、図４に示された３つのヒータ電極５００は、図３に示された特定のドライバ電極６０（６０ｘ）に対して並列に接続されている。
【００３１】
また、図２に示すように、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４からセラミックス部材１０の内部に至る一対の端子用孔１１０，１２０が形成されている。各端子用孔１１０，１２０は、ベース部材２０を上下方向に貫通する貫通孔２２と、接着層３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１２とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。
【００３２】
一対の端子用孔１１０，１２０の一方である第１の端子用孔１１０には、柱状の第１の給電端子７４１が収容されている。また、第１の端子用孔１１０を構成するセラミックス部材１０の凹部１２の底面には、第１の電極パッド７３１が設けられている。第１の給電端子７４１は、例えばろう付け等により第１の電極パッド７３１に接合されている。また、第１の電極パッド７３１は、第１の給電側ビア７１１を介して、ドライバ電極６０における第１の導電領域６１に導通している。同様に、一対の端子用孔１１０，１２０の他方である第２の端子用孔１２０には、柱状の第２の給電端子７４２が収容されている。また、第２の端子用孔１２０を構成するセラミックス部材１０の凹部１２の底面には、第２の電極パッド７３２が設けられている。第２の給電端子７４２は、例えばろう付け等により第２の電極パッド７３２に接合されている。また、第２の電極パッド７３２は、第２の給電側ビア７１２を介して、該ドライバ電極６０における第２の導電領域６２に導通している。なお、以下では、第１の給電端子７４１および第２の給電端子７４２を、まとめて給電端子７４１，７４２ともいい、第１の電極パッド７３１および第２の電極パッド７３２を、まとめて電極パッド７３１，７３２ともいい、第１の給電側ビア７１１および第２の給電側ビア７１２を、まとめて給電側ビア７１１，７１２ともいう。給電端子７４１，７４２、電極パッド７３１，７３２、および、給電側ビア７１１，７１２は、すべて、導電性材料により形成されている。
【００３３】
一対の給電端子７４１，７４２は、電源（図示せず）に接続されている。電源からの電圧は、一対の給電端子７４１，７４２、一対の電極パッド７３１，７３２、および、一対の給電側ビア７１１，７１２を介してドライバ電極６０の一対の導電領域６１，６２に供給され、さらに、各ヒータ電極５００について設けられた一対のヒータ側ビア７２１，７２２を介してヒータ電極５００に印加される。各ヒータ電極５００に電圧が印加されると、各ヒータ電極５００が発熱してセラミックス部材１０が加熱され、これにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。
【００３４】
Ａ−３．給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係：
図５は、本実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。図５には、１つのドライバ電極６０の第１の導電領域６１に電気的に接続された１つの第１の給電端子７４１と、該第１の導電領域６１に電気的に接続された３つのヒータ電極５００の第１のヒータパッド部５２１（５２１ａ，５２１ｂ，５２１ｃ）との、Ｚ軸方向視での位置関係が示されている。
【００３５】
図５に示された３つの第１のヒータパッド部５２１ａ，５２１ｂ，５２１ｃのそれぞれから第１の給電端子７４１までの直線距離を比較すると、第１のヒータパッド部５２１ａ（以下、「最近ヒータパッド部５２１ａ」という）から第１の給電端子７４１までの距離が最も短く、第１のヒータパッド部５２１ｂ（以下、「最遠ヒータパッド部５２１ｂ」という）から第１の給電端子７４１までの距離が最も長く、第１のヒータパッド部５２１ｃ（以下、「中間ヒータパッド部５２１ｃ」という）から第１の給電端子７４１までの距離は両者の中間の値となっている。
【００３６】
本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１と同じドライバ電極６０の導電領域６１に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１より給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１の中心点と、給電端子７４１の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１が配置されている。例えば、最近ヒータパッド部５２１ａと最遠ヒータパッド部５２１ｂとの２つのヒータパッド部５２１に注目すると、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと第１の給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。なお、ドライバ電極６０の導電領域６１において、最遠ヒータパッド部５２１ｂと第１の給電端子７４１との間の電流は、仮想線分ＶＬＳｂを中心とした領域を流れる。そのため、最近ヒータパッド部５２１ａが上述した配置である（すなわち、仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に配置されている）と、最近ヒータパッド部５２１ａと第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分（該電流経路の内、ドライバ電極６０の導電領域６１上に位置する部分、以下同様）と、最遠ヒータパッド部５２１ｂと第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができる。なお、最近ヒータパッド部５２１ａと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係や、最遠ヒータパッド部５２１ｂと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係についても、同様の関係となっている。
【００３７】
さらに、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）と給電端子７４１とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。例えば、最近ヒータパッド部５２１ａと最遠ヒータパッド部５２１ｂとの２つのヒータパッド部５２１に注目すると、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。なお、ヒータパッド部５２１と給電端子７４１とに挟まれた領域とは、以下の領域である。例えば、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂを例にとると、領域Ｒｂは、上述した仮想線分ＶＬＳｂを挟んだそれぞれの側において、最遠ヒータパッド部５２１ｂの外周線と給電端子７４１の外周線との両方に対する接線ＴＬを規定したとき、２つの接線ＴＬと最遠ヒータパッド部５２１ｂの外周線と給電端子７４１の外周線とにより囲まれた領域である。最近ヒータパッド部５２１ａと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒａや、中間ヒータパッド部５２１ｃと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｃについても同様である。最近ヒータパッド部５２１ａが上述した配置である（すなわち、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂと重ならない位置に配置されている）と、最近ヒータパッド部５２１ａと第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分と、最遠ヒータパッド部５２１ｂと第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができる。なお、最近ヒータパッド部５２１ａと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係や、最遠ヒータパッド部５２１ｂと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係についても、同様の関係となっている。
【００３８】
また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳａと、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂとを結ぶ仮想線分ＶＬＳａｂと、により規定される仮想三角形ＶＴが、中間ヒータパッド部５２１ｃの中心点Ｐｃと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｃと重ならないように構成されている。このような構成では、仮想三角形ＶＴが仮想線分ＶＬＳｃと重なる構成（図７参照）と比較して、各ヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分をより分散させることができる。
【００３９】
なお、ここでは１つのドライバ電極６０の第１の導電領域６１に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係を説明したが、本実施形態では、各ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２の両方について、導電領域６１，６２に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係が、同様の位置関係となっている。
【００４０】
Ａ−４．本実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１００は、Ｚ軸方向に略垂直な略平面状の吸着面Ｓ１を有するセラミックス部材１０を備え、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１上に対象物（例えばウェハＷ）を保持する保持装置である。静電チャック１００は、セラミックス部材１０の内部に配置された複数のヒータ電極５００を備える。各ヒータ電極５００は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１０と、ヒータライン部５１０の端部に接続されると共に、Ｚ軸方向視でヒータライン部５１０より幅の大きいヒータパッド部５２１，５２２とを有する。また、静電チャック１００は、セラミックス部材１０の内部に配置され、導電領域６１，６２を含むドライバ電極６０と、給電端子７４１，７４２と、給電端子７４１，７４２とドライバ電極６０の導電領域６１，６２とを電気的に接続する給電側ビア７１１，７１２と、各ヒータ電極５００のヒータパッド部５２１，５２２とドライバ電極６０の導電領域６１，６２とを電気的に接続するヒータ側ビア７２１，７２２とを備える。また、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１，５２２に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１，６２と同じドライバ電極６０の導電領域６１，６２に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１，５２２より給電端子７４１，７４２からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と、給電端子７４１，７４２の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。本実施形態の静電チャック１００は、このような構成を有しているため、以下に説明するように、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００４１】
図６は、比較例の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。図６に示す比較例の静電チャック１００において、例えば、最近ヒータパッド部５２１ａと最遠ヒータパッド部５２１ｂとの２つのヒータパッド部５２１に注目すると、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと第１の給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重なる位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。最近ヒータパッド部５２１ａと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係や、最遠ヒータパッド部５２１ｂと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係についても、同様の関係となっている。このように、図６に示す比較例の静電チャック１００では、上述した第１実施形態の静電チャック１００が満たしている給電端子とヒータパッド部との位置関係に関する条件（Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１と同じドライバ電極６０の導電領域６１に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１より給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１の中心点と、給電端子７４１の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１が配置されている、という条件）を満たしていない。
【００４２】
図６に示す比較例の静電チャック１００は上記のような構成であるため、ドライバ電極６０の導電領域６１における、給電端子７４１と一のヒータパッド部（例えば、最遠ヒータパッド部５２１ｂ）との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１と他のヒータパッド部（例えば、第１のヒータパッド部５２１ａ）との間の電流経路の一部分とが近接する。そのため、ドライバ電極６０の導電領域６１における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となりやすい。従って、図６に示す比較例の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）が低下する。
【００４３】
一方、上述したように、本実施形態の静電チャック１００は上述した給電端子とヒータパッド部との位置関係に関する条件を満たしているため（図５参照）、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部（例えば、最近ヒータパッド部５２１ａ）との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部（例えば、最遠ヒータパッド部５２１ｂ）との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができる。そのため、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。なお、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が高いとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントＳＥ毎に吸着面Ｓ１の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。
【００４４】
また、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１，５２２（給電端子７４１，７４２からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１，５２２）と給電端子７４１，７４２とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２（給電端子７４１，７４２からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１，５２２）が配置されている（図５参照）。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。
【００４５】
また、上述したように、本実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳａと、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂとを結ぶ仮想線分ＶＬＳａｂと、により規定される仮想三角形ＶＴが、中間ヒータパッド部５２１ｃの中心点Ｐｃと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｃと重ならないように構成されている。そのため、本実施形態の静電チャック１００では、仮想三角形ＶＴが仮想線分ＶＬＳｃと重なる構成（図７参照）と比較して、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における各ヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分をより分散させることができる。従って、本実施形態の静電チャック１００によれば、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを一層効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を一層効果的に向上させることができる。
【００４６】
Ｂ．第２実施形態：
図７は、第２実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。以下では、第２実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００４７】
図７に示すように、第２実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１と同じドライバ電極６０の導電領域６１に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１より給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１の中心点と、給電端子７４１の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１が配置されている。例えば、最近ヒータパッド部５２１ａと最遠ヒータパッド部５２１ｂとの２つのヒータパッド部５２１に注目すると、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと第１の給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。なお、最近ヒータパッド部５２１ａと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係や、最遠ヒータパッド部５２１ｂと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係についても、同様の関係となっている。
【００４８】
また、第２実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）と給電端子７４１とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。例えば、最近ヒータパッド部５２１ａと最遠ヒータパッド部５２１ｂとの２つのヒータパッド部５２１に注目すると、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。なお、最近ヒータパッド部５２１ａと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係や、最遠ヒータパッド部５２１ｂと中間ヒータパッド部５２１ｃとの関係についても、同様の関係となっている。
【００４９】
ただし、第２実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と異なり、Ｚ軸方向視で、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳａと、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと、最近ヒータパッド部５２１ａの中心点Ｐａと最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂとを結ぶ仮想線分ＶＬＳａｂと、により規定される仮想三角形ＶＴが、中間ヒータパッド部５２１ｃの中心点Ｐｃと給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｃと重なっている。
【００５０】
なお、ここでは１つのドライバ電極６０の第１の導電領域６１に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係を説明したが、本実施形態では、各ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２の両方について、導電領域６１，６２に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係が、同様の位置関係となっている。
【００５１】
以上説明したように、第２実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１，５２２に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１，６２と同じドライバ電極６０の導電領域６１，６２に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１，５２２より給電端子７４１，７４２からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と、給電端子７４１，７４２の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第２実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００５２】
また、第２実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第２実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。
【００５３】
Ｃ．第３実施形態：
図８は、第３実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。以下では、第３実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００５４】
図８に示すように、第３実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１と同じドライバ電極６０の導電領域６１に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１より給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１の中心点と、給電端子７４１の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１が配置されている。すなわち、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと第１の給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。
【００５５】
また、第３実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）と給電端子７４１とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。すなわち、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。
【００５６】
さらに、第３実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、給電端子７４１の中心点Ｐ０を通ると共に互いに直交する第１の仮想直線ＶＬ１および第２の仮想直線ＶＬ２により区切られた４つの領域の内、上記他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）が位置する領域に対して給電端子７４１の中心点Ｐ０を挟んで対向する他の領域に、上記一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。このようなヒータパッド部５２１の配置では、一のヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分と、他のヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分とが近接することを、極めて効果的に抑制することができる。
【００５７】
なお、ここでは１つのドライバ電極６０の第１の導電領域６１に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係を説明したが、本実施形態では、各ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２の両方について、導電領域６１，６２に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係が、同様の位置関係となっている。
【００５８】
以上説明したように、第３実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１，５２２に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１，６２と同じドライバ電極６０の導電領域６１，６２に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１，５２２より給電端子７４１，７４２からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と、給電端子７４１，７４２の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００５９】
また、第３実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。
【００６０】
さらに、第３実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、給電端子７４１，７４２の中心点を通ると共に互いに直交する第１の仮想直線ＶＬ１および第２の仮想直線ＶＬ２により区切られた４つの領域の内、上記他のヒータパッド部５２１，５２２が位置する領域に対して給電端子７４１，７４２の中心点を挟んで対向する他の領域に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第３実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを極めて効果的に抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを極めて効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を極めて効果的に向上させることができる。
【００６１】
Ｄ．第４実施形態：
図９は、第４実施形態の静電チャック１００における給電端子とヒータ電極のヒータパッド部との位置関係を示す説明図である。以下では、第４実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００６２】
図９に示すように、第４実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１と同じドライバ電極６０の導電領域６１に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１より給電端子７４１からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１の中心点と、給電端子７４１の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１が配置されている。すなわち、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂの中心点Ｐｂと第１の給電端子７４１の中心点Ｐ０とを結ぶ仮想線分ＶＬＳｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。
【００６３】
また、第４実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）と給電端子７４１とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。すなわち、Ｚ軸方向視で、最遠ヒータパッド部５２１ｂと給電端子７４１とに挟まれた領域Ｒｂと重ならない位置に、最近ヒータパッド部５２１ａが配置されている。
【００６４】
さらに、第４実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、給電端子７４１の中心点Ｐ０を通ると共に互いに直交する第１の仮想直線ＶＬ１および第２の仮想直線ＶＬ２により区切られた４つの領域の内、第２の仮想直線ＶＬ２（または第１の仮想直線ＶＬ１）を挟んで他のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより遠い方のヒータパッド部５２１）が位置する領域に隣り合う他の領域に、一のヒータパッド部５２１（給電端子７４１からの距離がより近い方のヒータパッド部５２１）が配置されている。このようなヒータパッド部５２１の配置では、一のヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分と、他のヒータパッド部５２１と第１の給電端子７４１との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制しつつ、ドライバ電極６０の導電領域６１の小型化・簡素化を図ることができる。
【００６５】
なお、ここでは１つのドライバ電極６０の第１の導電領域６１に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係を説明したが、本実施形態では、各ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２の両方について、導電領域６１，６２に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係が、同様の位置関係となっている。
【００６６】
以上説明したように、第４実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１，５２２に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１，６２と同じドライバ電極６０の導電領域６１，６２に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１，５２２より給電端子７４１，７４２からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と、給電端子７４１，７４２の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第４実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００６７】
また、第４実施形態の静電チャック１００では、第１実施形態の静電チャック１００と同様に、Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されている。そのため、第４実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを効果的に抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを効果的に抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を効果的に向上させることができる。
【００６８】
さらに、第４実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視で、給電端子７４１，７４２の中心点を通ると共に互いに直交する第１の仮想直線ＶＬ１および第２の仮想直線ＶＬ２により区切られた４つの領域の内、第１の仮想直線ＶＬ１または第２の仮想直線ＶＬ２を挟んで他のヒータパッド部５２１が位置する領域に隣り合う他の領域に、一のヒータパッド部が配置されている。そのため、第４実施形態の静電チャック１００では、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制して、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させつつ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２の小型化・簡素化を図ることができる。
【００６９】
Ｅ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００７０】
上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック１００は、
（１）Ｚ軸方向視で、一のヒータパッド部５２１，５２２に接続されたドライバ電極６０の導電領域６１，６２と同じドライバ電極６０の導電領域６１，６２に接続され、かつ、上記一のヒータパッド部５２１，５２２より給電端子７４１，７４２からの距離が遠い他のヒータパッド部５２１，５２２の中心点と、給電端子７４１，７４２の中心点と、を結ぶ仮想線分と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されているという条件と、
（２）Ｚ軸方向視で、上記他のヒータパッド部５２１，５２２と給電端子７４１，７４２とに挟まれた領域と重ならない位置に、上記一のヒータパッド部５２１，５２２が配置されているという条件と、
のすべてを満たしているが、上記２つの条件の内、少なくとも条件（１）を満たしていれば、条件（２）を満たさなくてもよい。このような構成であっても、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００７１】
上記実施形態の静電チャック１００では、各ドライバ電極６０の第１の導電領域６１および第２の導電領域６２の両方について、導電領域６１，６２に電気的に接続される給電端子と各ヒータパッド部との位置関係が、上記条件（残り１）および（２）を満たしているが、少なくとも１つのドライバ電極６０における第１の導電領域６１と第２の導電領域６２との少なくとも一方について、上記条件（１）および（２）（または、少なくとも条件（１））を満たしていればよい。このような構成では、上記条件が満たされた導電領域６１，６２における、給電端子７４１，７４２と一のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分と、該給電端子７４１，７４２と他のヒータパッド部５２１，５２２との間の電流経路の一部分とが近接することを抑制することができ、ドライバ電極６０の導電領域６１，６２における特定の箇所で電流が流れることによる発熱が集中し、該箇所が高温の温度特異点となることを抑制することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、ウェハＷの温度分布の制御性）を向上させることができる。
【００７２】
また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。
【００７３】
また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック１００における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
【００７４】
また、本発明は、セラミックス部材１０とベース部材２０とを備え、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、セラミックス部材を備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置や真空チャック等）にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０：セラミックス部材  １２：凹部  ２０：ベース部材  ２１：冷媒流路  ２２：貫通孔  ３０：接着層  ３２：貫通孔  ４０：チャック電極  ５０：ヒータ電極層  ６０：ドライバ電極  ６１：第１の導電領域  ６２：第２の導電領域  １００：静電チャック  １１０：第１の端子用孔  １２０：第２の端子用孔  ５００：ヒータ電極  ５１０：ヒータライン部  ５２１：第１のヒータパッド部  ５２２：第２のヒータパッド部  ７１１：第１の給電側ビア  ７１２：第２の給電側ビア  ７２１：第１のヒータ側ビア  ７２２：第２のヒータ側ビア  ７３１：第１の電極パッド  ７３２：第２の電極パッド  ７４１：第１の給電端子  ７４２：第２の給電端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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