(57)【要約】【課題】処理液の成分液が吐出ノズルにおいて混合した際の影響を抑制した基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は基板Ｗを処理液Ｌで処理する。基板処理装置１００は、吐出ノズル１３０と、供給部１４０とを備える。吐出ノズル１３０は、吐出口１３２と、吐出流路１３４とを有する。吐出口１３２は、基板Ｗに処理液Ｌを吐出する。吐出流路１３４は吐出口１３２と連絡する。供給部１４０は、吐出ノズル１３０の出流路１３４と連絡する。吐出流路１３４の少なくとも一部が石英から形成される。供給部１４０は、第１供給流路１４１と、第２供給流路１４２とを有する。第１供給流路１４１は、処理液Ｌの第１成分液Ｌ１を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。第２供給流路１４２は、処理液Ｌの第２成分液Ｌ２を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液で処理する基板処理装置であって、
前記基板に前記処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口と連絡する吐出流路とを有する吐出ノズルと、
前記吐出ノズルの前記吐出流路と連絡する供給部と
を備え、
前記吐出流路の少なくとも一部が石英から形成され、
前記供給部は、
前記処理液の第１成分液を前記吐出ノズルの前記吐出流路に流す第１供給流路と、
前記処理液の第２成分液を前記吐出ノズルの前記吐出流路に流す第２供給流路と
を有する、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１供給流路および前記第２供給流路の少なくとも一部は石英から形成される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１供給流路は、
第１配管と、
前記第１配管と前記吐出ノズルとを連結する第１連結部と
を含み、
前記第２供給流路は、
第２配管と、
前記第２配管と前記吐出ノズルとを連結する第２連結部と
を含み、
前記第１連結部および前記第２連結部のそれぞれは石英から形成される、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１連結部および前記第２連結部と前記吐出ノズルとは溶接される、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１配管および前記第２配管は導電性チューブから形成される、請求項３または４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記吐出流路は、前記第１供給流路および前記第２供給流路と連絡する混合室を有する、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記吐出流路は、前記混合室と前記吐出口とを連絡する連絡部をさら有し、
前記混合室の前記処理液に対する流路直径は、前記連絡部の前記処理液に対する流路直径よりも大きい、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記吐出ノズルは、
前記混合室を規定する上部と、
前記連絡部を規定する下部と
を有し、
前記上部と前記下部とは溶接される、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１成分液は過酸化水素水を含み、
前記第２成分液は硫酸を含み、
前記第１供給流路は、前記第２供給流路よりも鉛直方向に対して上側に位置する、請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記吐出ノズルを支持するノズル支持部材をさらに備える、請求項１から９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記吐出ノズルは、前記吐出口の設けられた側面と、前記側面と連絡する底面とを有し、
前記吐出ノズルの前記底面は、前記吐出口の設けられた前記側面に対して斜めに配置される、請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
基板を処理液で処理する基板処理方法であって、
第１供給流路を介して前記処理液の第１成分液を吐出ノズルの吐出流路に供給する工程と、
第２供給流路を介して前記処理液の第２成分液を前記吐出ノズルの前記吐出流路に供給する工程と、
前記吐出ノズルの前記吐出流路において、前記第１成分液および前記第２成分液を混合し、前記処理液を生成する工程と、
前記処理液を前記吐出ノズルの吐出口から前記基板に吐出する工程と
を包含し、
前記吐出流路の少なくとも一部が石英から形成される、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理する基板処理装置が知られている。例えば、基板処理装置は半導体基板の製造に用いられる。基板処理装置では、硫酸と過酸化水素水との混合液を基板に供給してレジストを除去することがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１の基板処理装置では、吐出不良を抑制するためにノズルが３層構造に形成される。特許文献１の基板処理装置では、硫酸および過酸化水素水は、チャンバー内の配管に設けられたミキシング領域において混合される。また、特許文献１の基板処理装置では、ノズルは、内側のＰＦＡからなる第１層配管と、中間のステンレスからなる第２層配管と、外側のＰＦＡからなる第３層配管とを有する。硫酸と過酸化水素水との混合液は第１層配管を通過する。第１層配管と第２層配管との間には空気の入った空間が設けられ、第１層配管と第２層配管との間を断熱する。第３層配管は第２層配管を覆うことにより、外部雰囲気によって第２層配管が腐食されることを抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−５０３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、硫酸と過酸化水素水とを混合すると、発熱反応が生じることが知られている。しかしながら、特許文献１に記載された基板処理装置では、硫酸と過酸化水素水とを混合するミキシング領域がノズルから離れているため、混合液が配管を通過してノズルに到達するまでに混合液の温度が低下してしまい、基板を充分に処理できないおそれがある。また、本願発明者は、処理液の成分液を吐出ノズルにおいて単純に混合すると問題が生じることがあることを見出した。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理液の成分液を吐出ノズルにおいて混合した際の影響を抑制可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は基板を処理液で処理する。前記基板処理装置は、吐出ノズルと、供給部とを備える。前記吐出ノズルは、前記基板に前記処理液を吐出する吐出口と、前記吐出口と連絡する吐出流路とを有する。前記供給部は、前記吐出ノズルの前記吐出流路と連絡する。前記吐出流路の少なくとも一部が石英から形成される。前記供給部は、第１供給流路と、第２供給流路とを有する。前記第１供給流路は、前記処理液の第１成分液を前記吐出ノズルの前記吐出流路に流す。前記第２供給流路は、前記処理液の第２成分液を前記吐出ノズルの前記吐出流路に流す。
【０００８】
本発明の基板処理装置において、前記第１供給流路および前記第２供給流路の少なくとも一部は石英から形成される。
【０００９】
本発明の基板処理装置において、前記第１供給流路は、第１配管と、前記第１配管と前記吐出ノズルとを連結する第１連結部とを含み、前記第２供給流路は、第２配管と、前記第２配管と前記吐出ノズルとを連結する第２連結部とを含み、前記第１連結部および前記第２連結部のそれぞれは石英から形成される。
【００１０】
本発明の基板処理装置において、前記第１連結部および前記第２連結部と前記吐出ノズルとは溶接される。
【００１１】
本発明の基板処理装置において、前記第１配管および前記第２配管は導電性チューブから形成される。
【００１２】
本発明の基板処理装置において、前記吐出流路は、前記第１供給流路および前記第２供給流路と連絡する混合室を有する。
【００１３】
本発明の基板処理装置において、前記吐出流路は、前記混合室と前記吐出口とを連絡する連絡部をさら有し、前記混合室の前記処理液に対する流路直径は前記連絡部の前記処理液に対する流路直径よりも大きい。
【００１４】
本発明の基板処理装置において、前記吐出ノズルは、前記混合室を規定する上部と、前記連絡部を規定する下部とを有し、前記上部と前記下部とは溶接される。
【００１５】
本発明の基板処理装置において、前記第１成分液は過酸化水素水を含み、前記第２成分液は硫酸を含み、前記第１供給流路は、前記第２供給流路よりも鉛直方向に対して上側に位置する。
【００１６】
本発明の基板処理装置において、前記基板処理装置が、前記吐出ノズルを支持するノズル支持部材をさらに備える。
【００１７】
本発明の基板処理装置において、前記吐出ノズルは、前記吐出口の設けられた側面と、前記側面と連絡する底面とを有し、前記吐出ノズルの前記底面は、前記吐出口の設けられた前記側面に対して斜めに配置される。
【００１８】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は基板を処理液で処理する方法である。前記基板処理方法は、前記処理液の第１成分液を供給する工程と、前記処理液の第２成分液を供給する工程と、前記処理液を生成する工程と、前記処理液を吐出する工程とを包含する。前記処理液の第１成分液を供給する工程において、第１供給流路を介して前記処理液の第１成分液を吐出ノズルの吐出流路に供給する。前記処理液の第２成分液を供給する工程において、第２供給流路を介して前記処理液の第２成分液を吐出ノズルの吐出流路に供給する。前記処理液を生成する工程では、前記吐出ノズルの前記吐出流路において、前記第１成分液および前記第２成分液を混合し、前記処理液を生成する。前記処理液を吐出する工程において、前記処理液を前記吐出ノズルの吐出口から前記基板に吐出する。前記吐出流路の少なくとも一部は石英から形成される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、処理液の成分液が吐出ノズルにおいて混合した際の影響を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による基板処理装置の実施形態を示す模式図である。
【図２】本実施形態の基板処理装置における吐出ノズルおよび供給部を示す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本実施形態の基板処理装置の製造方法を示す模式図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は本実施形態の基板処理装置における吐出ノズルおよび供給部を示す模式図である。
【図５】本実施形態の基板処理装置を示す模式図である。
【図６】（ａ）は比較例の基板処理装置を示す模式図であり、（ｂ）は比較例の基板処理装置において処理された基板上の粒子の検出結果である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は比較例の基板処理装置における不純物流出のメカニズムを説明するための模式図である。
【図８】（ａ）は本実施形態の基板処理装置を示す模式図であり、（ｂ）は（ａ）に示した基板処理装置において処理された基板上の粒子の検出結果である。
【図９】（ａ）は本実施形態の基板処理装置を示す模式図であり、（ｂ）は（ａ）に示した基板処理装置において処理された基板上の粒子の検出結果である。
【図１０】（ａ）は本実施形態の基板処理装置における吐出ノズルおよび供給部の一部を示す模式図であり、（ｂ）は本実施形態の基板処理装置における吐出ノズルおよびノズル支持部材を示す模式図である。
【図１１】本発明による基板処理装置の実施形態を示す模式図である。
【図１２】本実施形態の基板処理装置を示す模式図である。
【図１３】本実施形態の基板処理装置の配管を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【００２２】
図１を参照して、本発明による基板処理装置１００の実施形態を説明する。図１は本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載することがある。Ｘ軸およびＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。
【００２３】
基板処理装置１００は基板Ｗを処理する。基板処理装置１００は、基板Ｗに対して、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つを行うように基板Ｗを処理する。
【００２４】
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。例えば、基板Ｗは略円板状である。
【００２５】
基板処理装置１００は、基板Ｗに処理液Ｌを供給して処理液Ｌで基板Ｗを処理する。ここでは、基板処理装置１００は基板Ｗを一枚ずつ処理する。処理液Ｌにより、基板Ｗには、エッチング、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。
【００２６】
基板処理装置１００は、チャンバー１１０と、スピンチャック１２０と、吐出ノズル１３０と、供給部１４０とを備える。チャンバー１１０は、内部空間を有する略箱形状である。チャンバー１１０は基板Ｗを収容する。ここでは、基板処理装置１００は基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であり、チャンバー１１０には基板Ｗが１枚ずつ収容される。基板Ｗは、チャンバー１１０内に収容され、チャンバー１１０内で処理される。チャンバー１１０には、スピンチャック１２０、吐出ノズル１３０および供給部１４０が収容される。
【００２７】
スピンチャック１２０は基板Ｗを保持する。また、スピンチャック１２０は、基板Ｗを保持した状態で基板Ｗを回転させる。
【００２８】
スピンチャック１２０は、スピンベース１２１と、複数のチャックピン１２２と、回転軸１２３と、スピンモータ１２４とを含む。例えば、スピンベース１２１は円板状である。スピンベース１２１は水平な姿勢で保持される。複数のチャックピン１２２のそれぞれは、スピンベース１２１の上方で基板Ｗを水平な姿勢で保持する。複数のチャックピン１２２は基板Ｗの周端面と接触する。回転軸１２３は、スピンベース１２１の中央部から下方に延びる。スピンモータ１２４は、回転軸１２３を回転方向に回転させることにより、回転軸線ＡＸ１を中心に基板Ｗおよびスピンベース１２１を回転させる。
【００２９】
なお、スピンチャック１２０は、複数のチャックピン１２２を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックに限定されない。スピンチャック１２０は、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）をスピンベース１２１の上面に吸着させることにより基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００３０】
処理液Ｌは吐出ノズル１３０から基板Ｗに供給される。基板Ｗに処理液Ｌを供給することで、基板Ｗは処理液Ｌで処理される。吐出ノズル１３０は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる。吐出ノズル１３０の外形は円柱形状または直方体形状である。
【００３１】
処理液Ｌの温度は室温よりも高いことが好ましい。例えば、処理液Ｌの温度は６０℃以上２５０℃以下であることが好ましい。処理液Ｌの温度が室温よりも高い場合、処理時間を比較的短くできる。ただし、処理液Ｌの温度は室温であってもよく、あるいは、処理液Ｌの温度は室温よりも低くてもよい。
【００３２】
例えば、処理液Ｌは硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）を含む。なお、基板Ｗに供給されるＳＰＭの温度は室温よりも高いことが好ましい。例えば、ＳＰＭの温度は、１８０℃以上２５０℃以下であってもよく、２００℃以上２４０℃以下であってもよい。
【００３３】
あるいは、処理液Ｌは塩酸過酸化水素水混合液（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ  ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＣ２）を含む。例えば、ＳＣ２の温度は、２０℃以上１００℃以下であってもよく、４０℃以上８０℃以下であってもよい。
【００３４】
供給部１４０は、吐出ノズル１３０と連絡し、処理液Ｌの成分液を吐出ノズル１３０に供給する。ここでは、供給部１４０は、処理液Ｌの第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２を吐出ノズル１３０に供給する。第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２は吐出ノズル１３０において混合され、第１成分液Ｌ１と第２成分液Ｌ２との混合された処理液Ｌが吐出ノズル１３０において生成される。
【００３５】
吐出ノズル１３０は、吐出口１３２と、吐出流路１３４とを有する。吐出口１３２は、基板Ｗに処理液Ｌを吐出する。吐出流路１３４は、吐出口１３２と連絡する。
【００３６】
供給部１４０は、第１供給流路１４１と、第２供給流路１４２とを有する。第１供給流路１４１および第２供給流路１４２は水平方向に延びる。ここでは、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２はＹ方向に延びる。第１供給流路１４１は、処理液Ｌの第１成分液Ｌ１を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。第２供給流路１４２は、処理液Ｌの第２成分液Ｌ２を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。
【００３７】
供給部１４０は２本の管状部材を含み、２本の管状部材に第１供給流路１４１および第２供給流路１４２がそれぞれ形成されてもよい。あるいは、供給部１４０は１本の線状部材を含み、１本の線状部材に設けられた２つの貫通孔が第１供給流路１４１および第２供給流路１４２になってもよい。
【００３８】
第１供給流路１４１は第１成分液Ｌ１を供給する第１成分液供給部（図示せず）に接続される。第１成分液供給部は、典型的には、チャンバー１１０の外に配置される。また、第２供給流路１４２は第２成分液Ｌ２を供給する第２成分液供給部（図示せず）に接続される。第２成分液供給部は、典型的には、チャンバー１１０の外に配置される。
【００３９】
例えば、第１供給流路１４１は第２供給流路１４２に対して鉛直上方に配置される。この場合、第１供給流路１４１を流れる第１成分液Ｌ１は、第２供給流路１４２を流れる第２成分液Ｌ２よりも上側から吐出ノズル１３０に流れこむ。ただし、第１供給流路１４１の高さ（Ｚ方向における位置）は第２供給流路１４２の高さ（Ｚ方向における位置）と略等しくてもよい。
【００４０】
本実施形態の基板処理装置１００では、第１成分液Ｌ１は第１供給流路１４１を流れて吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に到達する。また、第２成分液Ｌ２は第１供給流路１４１を流れて吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に到達する。第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２は吐出流路１３４において混合され、処理液Ｌは吐出流路１３４において生成される。
【００４１】
本実施形態の基板処理装置１００では、吐出流路１３４の少なくとも一部が石英から形成される。このため、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２が吐出ノズル１３０において混合されて処理液Ｌを生成する際の影響を抑制できる。例えば、吐出流路１３４のうち、第１供給流路１４１を流れる第１成分液Ｌ１と第２供給流路１４２を流れる第２成分液Ｌ２とが混合する領域よりも下流側の少なくとも一部が石英から形成されることが好ましい。また、一例として、吐出ノズル１３０全体が石英から形成されてもよい。
【００４２】
なお、図１に示すように、基板処理装置１００は、ノズル支持部材１５０をさらに備えることが好ましい。ノズル支持部材１５０は吐出ノズル１３０を支持する。吐出ノズル１３０はノズル支持部材１５０の先端部に取り付けられる。ノズル支持部材１５０は水平方向に延びる。ここでは、ノズル支持部材１５０はＹ方向に延びる。なお、ノズル支持部材１５０は、吐出ノズル１３０だけでなく供給部１４０の少なくとも一部を支持することが好ましい。
【００４３】
また、図１に示すように、基板処理装置１００は、ノズル移動装置１５０ａをさらに備えることが好ましい。ノズル移動装置１５０ａは、ノズル支持部材１５０とともに吐出ノズル１３０を移動させる。例えば、ノズル移動装置１５０ａは、スピンチャック１２０の周囲で鉛直方向に延びる回動軸線ＡＸ２を中心にノズル支持部材１５０を回動させると共に回動軸線ＡＸ２に沿って鉛直方向にノズル支持部材１５０を移動させる。これにより、ノズル支持部材１５０は、吐出ノズル１３０を水平方向および／または鉛直方向に移動させる。例えば、ノズル支持部材１５０は、吐出ノズル１３０から吐出された処理液Ｌが基板Ｗの上面に供給される処理位置と、吐出ノズル１３０が平面視で基板Ｗの周囲に退避した退避位置との間で、吐出ノズル１３０を水平方向に移動させる。
【００４４】
また、図１に示すように、基板処理装置１００は、カップ１６０をさらに備えることが好ましい。カップ１６０により、基板Ｗに供給された処理液Ｌを回収できる。カップ１６０は、スピンチャック１２０に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線ＡＸ１から離れる方向）に配置される。カップ１６０は略筒形状を有する。カップ１６０は、スピンベース１２１を取り囲んでいる。カップ１６０は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。
【００４５】
スピンチャック１２０が基板Ｗを回転させている状態で、処理液Ｌが基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液Ｌが基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液Ｌが基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１６０の上端部１６０ａは、スピンベース１２１よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液Ｌは、カップ１６０によって受け止められる。そして、カップ１６０に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００４６】
ここで、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００における吐出ノズル１３０および供給部１４０を説明する。図２は、基板処理装置１００における吐出ノズル１３０および供給部１４０の模式図を示す。
【００４７】
供給部１４０は、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２を有する。第１供給流路１４１は、処理液Ｌの第１成分液Ｌ１を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。第２供給流路１４２は、処理液Ｌの第２成分液Ｌ２を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。
【００４８】
ここでは、供給部１４０は、第１配管１４０ａと第２配管１４０ｂとを含む。第１配管１４０ａの外周面は長手方向に延びる。また、第１配管１４０ａに設けられた貫通孔も長手方向に延びる。第１配管１４０ａは、外周面および貫通孔のそれぞれが長手方向の延びる管である。ここでは、第１配管１４０ａの外周面および貫通孔はＹ方向に延びる。第１配管１４０ａの貫通孔が、第１成分液Ｌ１を流す第１供給流路１４１である。
【００４９】
同様に、第２配管１４０ｂの外周面は長手方向に延びる。また、第２配管１４０ｂに設けられた貫通孔も長手方向に延びる。第２配管１４０ｂは、外周面および貫通孔のそれぞれが長手方向の延びる管である。ここでは、第２配管１４０ｂの外周面および貫通孔はＹ方向に延びる。第２配管１４０ｂの貫通孔が、第２成分液Ｌ２を流す第２供給流路１４２である。
【００５０】
図１を参照して上述したように、吐出ノズル１３０は、吐出口１３２と吐出流路１３４とを有する。図２に示すように、吐出流路１３４は、混合室１３４ａと、連絡部１３４ｂと、第１導入部１３４ｃと、第２導入部１３４ｄとを有する。
【００５１】
混合室１３４ａは、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる。混合室１３４ａは連絡部１３４ｂの鉛直上方に配置される。
【００５２】
連絡部１３４ｂは、吐出口１３２と混合室１３４ａとを連絡する。連絡部１３４ｂは、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる。
【００５３】
混合室１３４ａの側壁には側壁を貫通する２つの貫通孔が設けられる。２つの貫通孔のうちの一方は第１成分液Ｌ１を流す第１導入部１３４ｃであり、２つの貫通孔のうちの他方は第２成分液Ｌ２を流す第２導入部１３４ｄである。第１導入部１３４ｃおよび第２導入部１３４ｄは、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂと同様に水平方向に延びる。ここでは、第１導入部１３４ｃおよび第２導入部１３４ｄはＹ方向に延びる。
【００５４】
吐出ノズル１３０は、上部１３０ａと下部１３０ｂとを含む。上部１３０ａは下部１３０ｂの鉛直上方に位置する。上部１３０ａは、底面に穴の設けられた円柱形状である。混合室１３４ａは、上部１３０ａの穴によって規定される。例えば、上部１３０ａには円柱形状の穴が設けられる。また、第１導入部１３４ｃおよび第２導入部１３４ｄは、上部１３０ａの側壁に設けられる。下部１３０ｂは、貫通孔の設けられた円筒形状である。連絡部１３４ｂは下部１３０ｂに設けられた貫通孔によって規定される。
【００５５】
吐出ノズル１３０の上部１３０ａの外周に、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂが取り付けられる。第１配管１４０ａの第１供給流路１４１は、吐出ノズル１３０の第１導入部１３４ｃを介して混合室１３４ａに連絡する。また、第２配管１４０ｂの第２供給流路１４２は、吐出ノズル１３０の第２導入部１３４ｄを介して混合室１３４ａに連絡する。
【００５６】
第１成分液Ｌ１は、第１配管１４０ａの第１供給流路１４１を流れ、吐出ノズル１３０の第１導入部１３４ｃを介して混合室１３４ａに導入される。また、第２成分液Ｌ２は、第２配管１４０ｂの第２供給流路１４２を流れ、吐出ノズル１３０の第２導入部１３４ｄを介して混合室１３４ａに導入される。第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２は混合室１３４ａにおいて混合され、第１成分液Ｌ１と第２成分液Ｌ２との混合された処理液Ｌが混合室１３４ａにおいて生成される。処理液Ｌは、混合室１３４ａから連絡部１３４ｂを介して吐出口１３２に流れ、吐出口１３２から基板Ｗに吐出される。
【００５７】
なお、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）は、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）よりも大きい。例えば、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は３ｍｍ以上５０ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は２ｍｍ以上４５ｍｍ以下である。一例では、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は約５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は約３ｍｍ以上１８ｍｍ以下である。
【００５８】
なお、吐出口１３２の口径（Ｙ方向の長さ）は、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）とほぼ等しい。例えば、吐出口１３２の口径は２ｍｍ以上４５ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は２ｍｍ以上４５ｍｍ以下である。一例では、吐出口１３２の口径は約３ｍｍ以上１８ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は約３ｍｍ以上１８ｍｍ以下である。
【００５９】
上部１３０ａの形状および外径は下部１３０ｂの形状および外径とほぼ等しいことが好ましい。例えば、上部１３０ａは、穴部の設けられた円柱形状であり、下部１３０ｂは、貫通孔の設けられた円筒形状である。例えば、上部１３０ａの外径は５ｍｍ以上５５ｍｍ以下であり、下部１３０ｂの外径は５ｍｍ以上５５ｍｍ以下である。一例として、上部１３０ａの外径は約１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下であり、下部１３０ｂの外径は約１０ｍｍ以上２５ｍｍ以下である。
【００６０】
また、第１導入部１３４ｃの第１成分液Ｌ１に対する流路直径（Ｚ方向の長さ）は、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）よりも小さい。例えば、第１導入部１３４ｃの第１成分液Ｌ１に対する流路直径は約１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は３ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。一例では、第１導入部１３４ｃの第１成分液Ｌ１に対する流路直径は約２ｍｍ以上６ｍｍ以下であり、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は約５ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。
【００６１】
同様に、第２導入部１３４ｄの第２成分液Ｌ２に対する流路直径（Ｚ方向の長さ）は、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）よりも小さい。例えば、第２導入部１３４ｄの第１成分液Ｌ１に対する流路直径は約１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であり、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は３ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。一例では、第２導入部１３４ｄの第２成分液Ｌ２に対する流路直径は約２ｍｍ以上６ｍｍ以下であり、混合室１３４ａの処理液Ｌに対する流路直径は約５ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。
【００６２】
上述したように、本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０における吐出流路１３４の少なくとも一部が石英から形成される。また、吐出流路１３４は、第１供給流路１４１を流れる第１成分液Ｌ１と第２供給流路１４２を流れる第２成分液Ｌ２とが混合する領域よりも下流側において石英から形成されることが好ましい。例えば、吐出流路１３４のうち混合室１３４ａおよび連絡部１３４ｂが石英から形成されることが好ましい。また、吐出ノズル１３０の吐出流路１３４において、混合室１３４ａを規定する上部１３０ａと連絡部１３４ｂを規定する下部１３０ｂとは溶接されてもよい。
【００６３】
なお、第１供給流路１４１を形成する第１配管１４０ａは第２供給流路１４２を形成する第２配管１４０ｂに対して鉛直上方に配置される。第１供給流路１４１を流れる第１成分液Ｌ１は、第２供給流路１４２を流れる第２成分液Ｌ２よりも基板Ｗおよび／または吐出ノズル１３０の洗浄に適した液であることが好ましい。第２成分液Ｌ２を流すことなく第１成分液Ｌ１を流すことにより、第１成分液Ｌ１で基板Ｗおよび／または吐出ノズル１３０を好適に洗浄できる。例えば、第１成分液Ｌ１は、第２成分液Ｌ２よりも吐出ノズル１３０に対して浸透度の低い液体であることが好ましい。
【００６４】
ここで、図１および図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の製造方法を説明する。図３（ａ）〜図３（ｄ）は基板処理装置１００の製造方法を示す模式図である。
【００６５】
図３（ａ）に示すように、吐出ノズル１３０を用意する。吐出ノズル１３０は、吐出口１３２と、吐出流路１３４とを有する。吐出流路１３４は、混合室１３４ａと連絡部１３４ｂと、第１導入部１３４ｃと、第２導入部１３４ｄとを有する。混合室１３４ａは連絡部１３４ｂの上流に位置し、吐出口１３２は連絡部１３４ｂの下流に位置する。
【００６６】
また、吐出ノズル１３０は、上部１３０ａと下部１３０ｂとを含む。上部１３０ａは下部１３０ｂの鉛直上方に位置する。上部１３０ａは、底面に穴の設けられた円柱形状である。混合室１３４ａは、上部１３０ａの穴によって規定される。下部１３０ｂは、貫通孔の設けられた円筒形状である。連絡部１３４ｂは下部１３０ｂに設けられた貫通孔によって規定される。
【００６７】
図３（ｂ）に示すように、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２を用意する。第１供給流路１４１および第２供給流路１４２は、異なる管状部材にそれぞれ形成されてもよい。例えば、第１供給流路１４１を有する第１配管１４０ａおよび第２供給流路１４２を有する第２配管１４０ｂをそれぞれ用意してもよい。例えば、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂは樹脂から形成される。一例として、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂは、フッ素樹脂、典型的には、パーフルオロアルコキシアルカン（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ  ａｌｋｏｘｙ  ａｌｋａｎｅ：ＰＦＡ）から形成される。あるいは、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２は、単一部材の異なる貫通孔として形成されてもよい。
【００６８】
図３（ｃ）に示すように、吐出ノズル１３０に供給部１４０を連結する。例えば、吐出ノズル１３０の上部１３０ａの外周に第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂを連結する。これにより、第１配管１４０ａの第１供給流路１４１は、吐出ノズル１３０の第１導入部１３４ｃを介して混合室１３４ａに連絡する。また、第２配管１４０ｂの第２供給流路１４２は、吐出ノズル１３０の第２導入部１３４ｄを介して混合室１３４ａに連絡する。
【００６９】
その後、図３（ｄ）に示すように、スピンチャック１２０の予め装着されたチャンバー１１０内に吐出ノズル１３０および供給部１４０を配置する。チャンバー１１０には、ノズル支持部材１５０およびカップ１６０が予め設定されてもよい。
【００７０】
さらに、第１成分液Ｌ１を供給する第１成分液供給部に第１供給流路１４１を連結し、第２成分液Ｌ２を供給する第２成分液供給部に第２供給流路１４２を連結する。なお、第１成分液供給部と第１供給流路１４１との連結は、第１供給流路１４１を吐出ノズル１３０と連結する前に行われてもよい。また、第２成分液供給部と第２供給流路１４２との連結は、第２供給流路１４２を吐出ノズル１３０と連結する前に行われてもよい。以上のようにして、基板処理装置１００を製造できる。
【００７１】
なお、図２および図３を参照して上述した説明では、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂのそれぞれは直接吐出ノズル１３０に連結されたが、本発明はこれに限定されない。第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂは、別の部材を介して吐出ノズル１３０に連結されてもよい。
【００７２】
ここで、図４を参照して本実施形態の基板処理装置１００における吐出ノズル１３０および供給部１４０を説明する。図４（ａ）および図４（ｂ）は基板処理装置１００における吐出ノズル１３０および供給部１４０を示す模式図である。
【００７３】
図４（ａ）に示すように、供給部１４０は、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂに加えて連結部材１４０ｃをさらに有してもよい。連結部材１４０ｃは吐出ノズル１３０を覆う。ここでは、連結部材１４０ｃの下方には穴が設けられており、吐出ノズル１３０は連結部材１４０ｃの穴に装着される。第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂは連結部材１４０ｃの外周に取り付けられる。例えば、連結部材１４０ｃは樹脂から形成される。一例では、連結部材１４０ｃはＰＦＡから形成される。
【００７４】
第１配管１４０ａの外周面および貫通孔は長手方向に延びる。第１配管１４０ａの貫通孔が流路１４１ａである。例えば、第１配管１４０ａは樹脂から形成される。一例では、第１配管１４０ａはＰＦＡから形成される。
【００７５】
また、第２配管１４０ｂの外周面および貫通孔は長手方向に延びる。第２配管１４０ｂの貫通孔が流路１４２ｂである。例えば、第２配管１４０ｂは樹脂から形成される。一例では、第２配管１４０ｂはＰＦＡから形成される。なお、第２配管１４０ｂは第１配管１４０ａと同じ材料から形成されることが好ましい。
【００７６】
連結部材１４０ｃの側壁には側壁を貫通する２つの貫通孔が設けられる。連結部材１４０ｃの２つの貫通孔のうちの一方の貫通孔は、第１成分液Ｌ１を流す流路１４１ｃであり、他方の貫通孔は、第２成分液Ｌ２を流す流路１４２ｃである。供給部１４０の第１供給流路１４１は第１配管１４０ａの流路１４１ａと連結部材１４０ｃの流路１４１ｃとから形成される。流路１４１ａの長さは流路１４１ｃの長さよりも大きい。また、供給部１４０の第２供給流路１４２は第２配管１４０ｂの流路１４２ｂと連結部材１４０ｃの流路１４２ｃとから形成される。流路１４２ｂの長さは流路１４２ｃの長さよりも大きい。
【００７７】
なお、連結部材１４０ｃは、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂと同じ材料から形成されることが好ましい。この場合、第１配管１４０ａと連結部材１４０ｃとの連結、および、第２配管１４０ｂと連結部材１４０ｃとの連結を容易にできる。
【００７８】
なお、図４（ａ）に示した構成では、供給部１４０が吐出ノズル１３０を覆う連結部材１４０ｃを有しており、第１連結管１４０ｄに流路１４１ｃおよび流路１４２ｃが設けられたが、本発明はこれに限定されない。
【００７９】
図４（ｂ）に示すように、供給部１４０は、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂに加えて、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅをさらに有してもよい。
【００８０】
第１配管１４０ａの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第１配管１４０ａに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第１配管１４０ａの貫通孔が第１成分液Ｌ１を流す流路１４１ａとなる。第１配管１４０ａは、例えば、樹脂から形成される。一例では、第１配管１４０ａはＰＦＡから形成される。
【００８１】
また、第２配管１４０ｂの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第２配管１４０ｂに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第２配管１４０ｂの貫通孔が第２成分液Ｌ２を流す流路１４２ｂとなる。第２配管１４０ｂは、例えば、樹脂から形成される。一例では、第２配管１４０ｂはＰＦＡから形成される。なお、第２配管１４０ｂは第１配管１４０ａと同じ材料から形成されることが好ましい。
【００８２】
第１連結管１４０ｄの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第１連結管１４０ｄに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第１連結管１４０ｄの貫通孔が、第１成分液Ｌ１を流す流路１４１ｄである。
【００８３】
第２連結管１４０ｅの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第２連結管１４０ｅに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第２連結管１４０ｅの貫通孔が、第２成分液Ｌ２を流す流路１４２ｅである。
【００８４】
第１連結管１４０ｄの流路１４１ｄは第１配管１４０ａの流路１４１ａと連絡する。供給部１４０の第１供給流路１４１は第１配管１４０ａの流路１４１ａと第１連結管１４０ｄの流路１４１ｄとから形成される。流路１４１ａの長さは流路１４１ｄの長さよりも大きい。
【００８５】
また、第２連結管１４０ｅの流路１４２ｅは第２配管１４０ｂの流路１４２ｂと連絡する。供給部１４０の第２供給流路１４２は第２配管１４０ｂの流路１４２ｂと第２連結管１４０ｅの流路１４２ｅとから形成される。流路１４２ｂの長さは流路１４２ｅの長さよりも大きい。
【００８６】
なお、第１配管１４０ａと第１連結管１４０ｄとの間には継手１４０ｆが配置され、継手１４０ｆが、第１配管１４０ａと第１連結管１４０ｄとを接合することが好ましい。同様に、第２配管１４０ｂと第２連結管１４０ｅとの間には継手１４０ｇが配置され、継手１４０ｇが、第２配管１４０ｂと第２連結管１４０ｅとを接合することが好ましい。典型的には、継手１４０ｆおよび継手１４０ｇは導電部材から形成される。
【００８７】
第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは別個に形成される。なお、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは吐出ノズル１３０と同様に石英から形成されることが好ましい。この場合、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは吐出ノズル１３０と溶接され、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは、吐出ノズル１３０と一体に形成されることが好ましい。
【００８８】
なお、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅが石英から形成される場合、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂのそれぞれが導電性チューブから形成されることが好ましい。吐出ノズル１３０、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅが石英から形成される場合、石英は、高電気抵抗率および高誘電率を示すため、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂが絶縁体であると、吐出ノズル１３０、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅが過剰に帯電してしまうことがある。しかしながら、第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂのそれぞれが導電性チューブから形成されることにより、吐出ノズル１３０、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅの過剰帯電を抑制できる。
【００８９】
本実施形態の基板処理装置１００は、混合時に発熱反応の生じる第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２を用いて処理液Ｌを生成する場合に特に好適に用いられる。例えば、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２が過酸化水素水および硫酸を含み、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２から処理液Ｌとして硫酸過酸化水素水混合液を生成する場合に、本実施形態の基板処理装置１００を用いることが特に好ましい。
【００９０】
ここで、図５を参照して、処理液Ｌとして硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭを基板Ｗに供給することを説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００を示す模式図である。図５に示した基板処理装置１００は、第１供給流路１４１が第１成分液Ｌ１として過酸化水素水Ｌａを流し、第２供給流路１４２が第２成分液Ｌ２として硫酸Ｌｂを流す点を除き、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
【００９１】
供給部１４０は、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２を有する。第１供給流路１４１は第１成分液Ｌ１として過酸化水素水Ｌａを流し、第２供給流路１４２は第２成分液Ｌ２として硫酸Ｌｂを流す。
【００９２】
ここでは、供給部１４０は、過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂを吐出ノズル１３０に供給する。過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂは吐出ノズル１３０において混合され、処理液Ｌとして硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭが生成される。なお、過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂの混合時には発熱反応が生じる。吐出ノズル１３０は基板Ｗに硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭを吐出し、基板Ｗは硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭで処理される。これにより、基板Ｗ上のレジスト膜などの異物が基板Ｗから除去される。なお、本明細書において、硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭで基板Ｗを処理することをＳＰＭ処理と記載することがある。また、本明細書において、硫酸過酸化水素水混合液ＳＰＭを単に混合液ＳＰＭと記載することがある。
【００９３】
第１供給流路１４１は、第２供給流路１４２に対して鉛直上方に配置される。この場合、第１供給流路１４１を流れる過酸化水素水Ｌａを用いて吐出ノズル１３０を洗浄できる。特に、第２供給流路１４２が硫酸Ｌｂを流す場合、硫酸Ｌｂに含まれる硫黄が吐出ノズル１３０内に残存すると基板Ｗの処理に悪影響を及ぼすことがある。しかしながら、本実施形態の基板処理装置１００では、第２供給流路１４２に対して鉛直上方に配置された第１供給流路１４１を流れる過酸化水素水Ｌａを用いて吐出ノズル１３０を洗浄でき、硫黄の残留を抑制できる。
【００９４】
上述したように、本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０の少なくとも一部が石英から形成される。過酸化水素水Ｌａと硫酸Ｌｂとが混合する際に発熱反応が生じるが、吐出ノズル１３０の少なくとも一部が石英から形成されるため、過酸化水素水Ｌａと硫酸Ｌｂとが吐出ノズル１３０において混合した際の影響を抑制できる。
【００９５】
なお、図５に示すように、基板処理装置１００は、第１成分液バルブ１４５ａおよび第２成分液バルブ１４５ｂをさらに備えることが好ましい。第１成分液バルブ１４５ａは第１供給流路１４１に取り付けられる。第１成分液バルブ１４５ａは、第１供給流路１４１から吐出ノズル１３０への過酸化水素水Ｌａの供給および供給停止を切り替える。第１成分液バルブ１４５ａが開くと、過酸化水素水Ｌａが、第１供給流路１４１から吐出ノズル１３０に供給される。
【００９６】
また、第２成分液バルブ１４５ｂは第２供給流路１４２に取り付けられる。第２成分液バルブ１４５ｂは、第２配管１４０ｂから吐出ノズル１３０への硫酸Ｌｂの供給および供給停止を切り替える。第２成分液バルブ１４５ｂが開くと、硫酸Ｌｂが、第２供給流路１４２から吐出ノズル１３０に供給される。
【００９７】
なお、硫酸Ｌｂは、室温よりも高い温度に加熱された状態で第２供給流路１４２を流れてもよい。例えば、図５に示すように、基板処理装置１００は、温度調節器１４６をさらに備えることが好ましい。温度調節器１４６は第２供給流路１４２に取り付けられる。温度調節器１４６は、温度調節器１４６を通過する硫酸Ｌｂの温度を調節する。温度調節器１４６は、例えば、硫酸Ｌｂを加熱するヒーターである。なお、温度調節器１４６は、チャンバー１１０内に配置されてもよく、チャンバー１１０の外部に配置されてもよい。第２供給流路１４２を流れる硫酸Ｌｂの温度は、例えば、１８０℃以上２００℃以下である。
【００９８】
上述したように、過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂは吐出ノズル１３０において混合され、処理液Ｌとして混合液ＳＰＭが生成される。なお、過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂの混合時には発熱反応が生じる。例えば、混合液ＳＰＭの温度は２００℃以上２４０℃以下にまで上昇する。
【００９９】
以下、比較例の基板処理装置８００と比較して図５に示した本実施形態の基板処理装置１００の利点を説明する。図６（ａ）は、比較例の基板処理装置８００を示す模式図である。比較例の基板処理装置８００は、吐出ノズル８３０が樹脂から形成される点を除き、図５を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
【０１００】
基板処理装置８００は、チャンバー８１０と、スピンチャック８２０と、吐出ノズル８３０と、供給部８４０とを備える。基板処理装置８００では、吐出ノズル８３０は、ＰＦＡから形成される。
【０１０１】
比較例の基板処理装置８００では、過酸化水素水Ｌａは第１供給流路８４１を流れて吐出ノズル８３０の吐出流路８３４に到達する。第１供給流路８４１を流れる過酸化水素水Ｌａの温度は室温である。また、硫酸Ｌｂは第２供給流路８４２を流れて吐出ノズル８３０の吐出流路８３４に到達する。第２供給流路８４２を流れる硫酸Ｌｂの温度は室温よりも高い。一例では、第２供給流路８４２を流れる硫酸Ｌｂの温度は１８０℃である。過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂは吐出流路８３４において混合され、混合液ＳＰＭは吐出流路８３４において生成される。
【０１０２】
基板処理装置８００でも、供給部８４０は、過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂを吐出ノズル８３０に供給する。過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂは吐出ノズル８３０において混合され、処理液Ｌとして混合液ＳＰＭが生成される。吐出ノズル８３０は基板Ｗに混合液ＳＰＭを吐出し、基板Ｗは混合液ＳＰＭでＳＰＭ処理される。
【０１０３】
図６（ｂ）は、比較例の基板処理装置８００において処理された基板Ｗ上の粒子の検出結果である。ここでは、基板Ｗ１〜Ｗ５に対して、ＳＰＭ処理の直前にプリディスペンス処理を行った後、ＳＰＭ処理した。なお、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。その後、基板処理装置８００を１２時間放置し、基板Ｗ６〜Ｗ１０に対して、プリディスペンス処理を行うことなくＳＰＭ処理した。ここでも、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。基板Ｗ１〜Ｗ１０のそれぞれについて、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数をカウントした。
【０１０４】
図６（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行った基板Ｗ１〜Ｗ５では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数はそれぞれ少なかった。一方、図６（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行わなかった基板Ｗ６〜Ｗ１０では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数はそれぞれ若干増加した。特に、１２時間放置した後に１枚目にＳＰＭ処理した基板Ｗ６では、基板Ｗ６上の粒子の数は基板Ｗ１〜Ｗ５の粒子の数と比べて著しく増大した。なお、基板上の粒子に対して、エネルギー分散型Ｘ線分析（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＥＤＳ）を行ったところ、粒子は、吐出ノズル８３０由来の成分を含有していた。このため、基板上の粒子は、吐出ノズル８３０が微小に溶解し、不純物として流出したものと考えられる。
【０１０５】
ここで、図７を参照して、比較例の基板処理装置８００において想定される不純物流出のメカニズムを説明する。図７（ａ）〜図７（ｄ）は比較例の基板処理装置８００における吐出ノズル８３０を拡大した模式的な部分拡大図である。
【０１０６】
図７（ａ）に示すように、基板処理装置８００において混合液ＳＰＭで基板Ｗを処理する場合、高温の混合液ＳＰＭが吐出ノズル８３０の吐出流路８３４を流れ、吐出ノズル８３０が混合液ＳＰＭを基板Ｗに吐出する。なお、吐出ノズル８３０が樹脂から形成される場合、吐出ノズル８３０を流れる混合液ＳＰＭの一部の成分が吐出ノズル８３０の内部に浸透する。
【０１０７】
図７（ｂ）に示すように、ＳＰＭ処理が終了しても、混合液ＳＰＭのうちの一部の成分が吐出ノズル８３０の内部に浸透したまま保持される。
【０１０８】
図７（ｃ）に示すように、長時間放置すると、吐出ノズル８３０の内部に浸透した混合液ＳＰＭの成分が吐出ノズル８３０の内部を徐々に溶解させる。ただし、溶解成分は、吐出ノズル８３０の内部に浸透したままである。
【０１０９】
図７（ｄ）に示すように、長時間放置後に、次にＳＰＭ処理する場合（典型的には、次の基板Ｗに対して混合液ＳＰＭの供給を開始する場合）、高温の混合液ＳＰＭが吐出ノズル８３０の吐出流路８３４を流れる。この場合、吐出ノズル８３０の内部で吐出ノズル８３０を部分的に溶解した混合液ＳＰＭの成分が吐出ノズル８３０の内部から外部に流出し、基板Ｗの不純物となる。
【０１１０】
なお、図７（ｂ）に示したように、ある基板をＳＰＭ処理した後、次の基板をＳＰＭ処理する前に、吐出ノズル８３０を別の液で洗浄しても、吐出ノズル８３０の内部に浸透した混合液ＳＰＭの成分は外部には出てこない。しかしながら、所定の処理温度まで加熱した混合液ＳＰＭを再び吐出ノズル８３０に流すと、吐出ノズル８３０の内部で吐出ノズル８３０を部分的に溶解した混合液ＳＰＭの成分が吐出ノズル８３０の内部から外部に流出し、基板Ｗ上の不純物となる。
【０１１１】
一方、図５に示した本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０における吐出流路１３４の少なくとも一部が石英から形成される。このため、比較例の基板処理装置８００とは異なり、吐出ノズル１３０には混合液ＳＰＭはほとんど浸透しない。したがって、本実施形態の基板処理装置１００では、不純物の流出を抑制できる。
【０１１２】
図８（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００を示す模式図である。図８（ａ）に示すように、基板処理装置１００において、供給部１４０は、第１配管１４０ａ、第２配管１４０ｂおよび連結部材１４０ｃを有する。なお、図８（ａ）に示した基板処理装置１００において、吐出ノズル１３０および供給部１４０は、図４（ａ）に示した吐出ノズル１３０および供給部１４０と同様の構成を有している。
【０１１３】
本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０は石英から形成される。連結部材１４０ｃは吐出ノズル１３０を覆う。ここでは、連結部材１４０ｃには下方の開口した穴が設けられており、吐出ノズル１３０は連結部材１４０ｃの穴に装着される。第１配管１４０ａおよび第２配管１４０ｂは連結部材１４０ｃの外周に取り付けられる。例えば、連結部材１４０ｃは樹脂から形成される。連結部材１４０ｃはＰＦＡから形成される。
【０１１４】
第１配管１４０ａの外周面および貫通孔は長手方向に延びる。第１配管１４０ａの貫通孔が流路１４１ａである。第１配管１４０ａはＰＦＡから形成される。また、第２配管１４０ｂの外周面および貫通孔は長手方向に延びる。第２配管１４０ｂの貫通孔が流路１４２ｂである。第２配管１４０ｂはＰＦＡから形成される。
【０１１５】
図８（ｂ）は、図８（ａ）に示した基板処理装置１００において処理された基板Ｗ上の粒子の検出結果である。ここでは、基板Ｗ１〜Ｗ５に対して、ＳＰＭ処理の直前にプリディスペンス処理を行った後、ＳＰＭ処理した。なお、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。その後、基板処理装置１００を１２時間放置した後、基板Ｗ６〜Ｗ１０に対して、プリディスペンス処理を行うことなくＳＰＭ処理した。ここでも、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。基板Ｗ１〜Ｗ１０のそれぞれについて、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数をカウントした。
【０１１６】
図８（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行った基板Ｗ１〜Ｗ５では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数はそれぞれ少なかった。一方、図８（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行わなかった基板Ｗ６〜Ｗ１０では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数はそれぞれ若干増加した。なお、１２時間経過した後に１枚目にＳＰＭ処理した基板Ｗ６では、基板Ｗ６上の粒子の数は基板Ｗ１〜Ｗ５の粒子の数と比べてそれほど増大しなかった。
【０１１７】
図６（ｂ）と図８（ｂ）との比較から理解されるように、本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０が石英から形成される。このため、吐出ノズル１３０に混合液ＳＰＭを流しても、混合液ＳＰＭは吐出ノズル１３０の吐出流路１３４の内部にほとんど浸透しないため、長時間放置しても、不純物が流出されにくくなったと考えられる。このように、本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０を石英から形成することにより、不純物の流出を抑制できる。
【０１１８】
図９（ａ）は本実施形態の基板処理装置１００を示す模式図である。供給部１４０は、第１配管１４０ａ、第２配管１４０ｂ、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅを有する。なお、図９（ａ）に示した基板処理装置１００において、吐出ノズル１３０および供給部１４０は、図４（ｂ）に示した吐出ノズル１３０および供給部１４０と同様の構成を有している。
【０１１９】
第１配管１４０ａの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第１配管１４０ａに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第１配管１４０ａの貫通孔が流路１４１ａとなる。第１配管１４０ａはＰＦＡから形成される。
【０１２０】
また、第２配管１４０ｂの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第２配管１４０ｂに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第２配管１４０ｂの貫通孔が流路１４２ｂとなる。第２配管１４０ｂは、例えば、樹脂から形成される。一例では、第２配管１４０ｂはＰＦＡから形成される。
【０１２１】
第１連結管１４０ｄの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第１連結管１４０ｄに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第１連結管１４０ｄは石英から形成される。
【０１２２】
第２連結管１４０ｅの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第２連結管１４０ｅに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第２連結管１４０ｅは石英から形成される。第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは吐出ノズル１３０と溶接され、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは、吐出ノズル１３０と一体に形成される。
【０１２３】
図９（ｂ）は、図９（ａ）に示した基板処理装置１００において処理された基板Ｗ上の粒子の検出結果である。図９（ａ）に示した基板処理装置１００において処理された基板Ｗ上の粒子の検出結果である。ここでは、基板Ｗ１〜Ｗ３に対して、ＳＰＭ処理の直前にプリディスペンス処理を行った後、ＳＰＭ処理した。なお、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。その後、基板処理装置８００を１２時間放置した後、基板Ｗ４〜Ｗ６に対して、プリディスペンス処理を行うことなくＳＰＭ処理した。ここでも、先の基板に対するＳＰＭ処理を完了した後、すぐに、次の基板に対するＳＰＭ処理を開始した。基板Ｗ１〜Ｗ１０のそれぞれについて、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数をカウントした。
【０１２４】
図９（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行った基板Ｗ１〜Ｗ３では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子の個数はそれぞれ少なかった。一方、図９（ｂ）に示すように、プリディスペンス処理を行わなかった基板Ｗ４〜Ｗ６では、粒径２６ｎｍ以上の粒子、粒径３０ｎｍ以上の粒子および粒径４５ｎｍ以上の粒子はそれぞれ若干増加した。しかしながら、１２時間経過した後に１枚目のＳＰＭ処理を行った基板Ｗ４では、基板Ｗ４上の粒子の数は基板Ｗ１〜Ｗ３の上の粒子の数と比べてほとんど増大しなかった。
【０１２５】
図６（ｂ）と図９（ｂ）との比較から理解されるように、本実施形態の基板処理装置１００では、１２時間経過した後に１枚目のＳＰＭ処理を行った基板Ｗ４では、基板Ｗ上の粒子の数はほとんど増大しなかった。本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０だけでなく、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２のうち吐出ノズル１３０に連結される第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅが石英から形成される。このため、吐出ノズル１３０に混合液ＳＰＭを流しても、混合液ＳＰＭは吐出ノズル１３０の吐出流路１３４、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２の内部にほとんど浸透しない。したがって、本実施形態の基板処理装置１００では、長時間放置しても、不純物が流出されにくくなったと考えられる。このように、本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅを石英から形成することにより、不純物の流出を抑制できる。
【０１２６】
なお、図１から図５、図８（ａ）および図９（ａ）を参照して上述した説明では、吐出ノズル１３０の外形は円柱形状であったが、本発明はこれに限定されない。吐出ノズル１３０の外形は円柱形状でなくてもよい。
【０１２７】
また、図１から図５、図８（ａ）および図９（ａ）を参照して上述した説明では、吐出ノズル１３０の吐出流路１３４は鉛直方向に沿って直線状に延びたが、本発明はこれに限定されない。吐出流路１３４は折れ曲がっていてもよい。
【０１２８】
図１０（ａ）は本実施形態の基板処理装置１００における吐出ノズル１３０および供給部１４０の一部を示す模式図である。図１０では、吐出ノズル１３０および供給部１４０の一部が一体に形成されている。また、ここでは、吐出口１３２は、吐出ノズル１３０の側面１３０ｓの下方に設けられる。
【０１２９】
本実施形態の基板処理装置１００において、吐出ノズル１３０および供給部１４０の一部は一体に形成される。具体的には、供給部１４０は、連結部材１４０ｃと、第１連結管１４０ｄと、第２連結管１４０ｅとを有する。吐出ノズル１３０には連結部材１４０ｃが連結され、連結部材１４０ｃには第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅが連結される。例えば、連結部材１４０ｃは溶接で吐出ノズル１３０に連結される。また、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅは、溶接で連結部材１４０ｃに連結される。第１連結管１４０ｄは第２連結管１４０ｅに対して鉛直上方に位置する。
【０１３０】
詳細には、連結部材１４０ｃは、吐出ノズル１３０の上部１３０ａに連結される。ここでは、吐出ノズル１３０、連結部材１４０ｃ、第１連結管１４０ｄおよび第２連結管１４０ｅはそれぞれ石英から形成される。
【０１３１】
連結部材１４０ｃには側壁を貫通する２つの貫通孔が設けられる。連結部材１４０ｃの２つの貫通孔のうちの一方の貫通孔は、第１成分液Ｌ１を流す流路１４１ｃであり、他方の貫通孔は第２成分液Ｌ２を流す流路１４２ｃである。
【０１３２】
第１連結管１４０ｄの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第１連結管１４０ｄに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第１連結管１４０ｄの貫通孔が、第１成分液Ｌ１を流す流路１４１ｄである。
【０１３３】
第２連結管１４０ｅの外周面は長手方向（Ｙ方向）に延びる。また、第２連結管１４０ｅに設けられた貫通孔も長手方向（Ｙ方向）に延びる。第２連結管１４０ｅの貫通孔が、第２成分液Ｌ２を流す流路１４２ｅである。
【０１３４】
ここでは、第１連結管１４０ｄの流路１４１ｄと連結部材１４０ｃの流路１４１ｃとは第１供給流路１４１の一部を形成する。また、第２連結管１４０ｅの流路１４２ｅと連結部材１４０ｃの流路１４２ｃとは第２供給流路１４２の一部を形成する。
【０１３５】
吐出ノズル１３０は、吐出口１３２と、吐出流路１３４とを有する。吐出流路１３４は、混合室１３４ａと、連絡部１３４ｂとを有する。連絡部１３４ｂは、直線状部１３４ｂ１と、折曲部１３４ｂ２とを有する。直線状部１３４ｂ１は、一方向に延びる。ここでは、直線状部１３４ｂ１は、混合室１３４ａから鉛直下方（Ｚ方向）に延びる。折曲部１３４ｂ２は、直線状部１３４ｂ１の先端から吐出口１３２まで第１方向から第２方向に折れ曲がって延びる。ここでは、折曲部１３４ｂ２は、直線状部１３４ｂ１の先端から吐出口１３２までＺ方向に交差する方向に折れ曲がって延びる。
【０１３６】
吐出ノズル１３０は、側面１３０ｓと、上面１３０ｔと、底面１３０ｕとを有する。ここでは、吐出ノズル１３０は、円柱形状の底面の一部を切り欠いた形状である。上面１３０ｔおよび底面１３０ｕのそれぞれは側面１３０ｓと連絡する。側面１３０ｓには、吐出口１３２が設けられる。吐出ノズル１３０の底面１３０ｕは、吐出口１３２の設けられた側面１３０ｓに対して斜めに配置される。底面１３０ｕのうち吐出口１３２側の端部は、底面１３０ｕのうち吐出口１３２とは反対側の端部よりも鉛直下方に位置する。底面１３０ｕは、折曲部１３４ｂ２と略平行に延びている。
【０１３７】
なお、吐出口１３２の口径（Ｘ方向の長さ）は、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径（Ｙ方向の長さ）とほぼ等しい。例えば、吐出口１３２の口径は２ｍｍ以上４５ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は２ｍｍ以上４５ｍｍ以下である。一例では、吐出口１３２の口径は約３ｍｍ以上１８ｍｍ以下であり、連絡部１３４ｂの処理液Ｌに対する流路直径は約３ｍｍ以上１８ｍｍ以下である。
【０１３８】
本実施形態の基板処理装置１００では、吐出ノズル１３０の底面１３０ｕは、吐出口１３２の設けられた側面１３０ｓに対して斜めに配置される。このため、吐出流路１３４に対する処理液Ｌの濡れ性が比較的高くても、処理液Ｌは吐出ノズル１３０の底面１３０ｕに回り込むことなく吐出口１３２から鉛直下方に流れる。したがって、吐出ノズルの底面に回り込んだ処理液によって不純物を含有する滞留が発生することを抑制できる。
【０１３９】
なお、図１、図５、図８（ａ）および図９（ａ）を参照して上述したように、吐出ノズル１３０はノズル支持部材１５０に支持されることが好ましい。
【０１４０】
ここで、図１０（ｂ）を参照して、吐出ノズル１３０およびノズル支持部材１５０を説明する。図１０（ｂ）は本実施形態の基板処理装置１００における吐出ノズル１３０およびノズル支持部材１５０を示す模式図である。
【０１４１】
図１０（ｂ）に示すように、吐出ノズル１３０はノズル支持部材１５０に支持される。ノズル支持部材１５０は、載置部１５２と、アーム部材１５４とを有する。吐出ノズル１３０は、載置部１５２に載置される。載置部１５２はアーム部材１５４の先端に取り付けられる。
【０１４２】
載置部１５２には段差が設けられる。載置部１５２は、鉛直方向の高さの異なる上面１５２ａと、上面１５２ｂとを有する。上面１５２ｂは、上面１５２ａよりも鉛直上方に位置する。
【０１４３】
載置部１５２には吐出ノズル１３０の外径に対応するガイド側面が設けられる。ガイド側面は、載置部１５２の上面１５２ａに連絡し、載置部１５２の上面１５２ａに対して直交する。吐出ノズル１３０は、載置部１５２のガイド側面に沿って配置され、載置部１５２に載置される。吐出ノズル１３０を載置部１５２に載置すると、吐出ノズル１３０の連結部材１４０ｃの一部は上面１５２ａ上に配置され、吐出ノズル１３０の第２連結管１４０ｅは上面１５２ｂ上に配置される。
【０１４４】
なお、図５、図８および図９を参照して上述した説明では、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２として、混合時に発熱反応の生じる過酸化水素水Ｌａおよび硫酸Ｌｂを用いたが、本発明はこれに限定されない。処理液Ｌの成分液は、浸透度の比較的高い液体を含んでもよい。例えば、処理液Ｌのいずれかの成分液は、塩酸または硫酸を含んでもよい。
【０１４５】
また、図１から図５、図８および図９を参照して上述した説明では、供給部１４０は、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２を有したが、本発明はこれに限定されない。供給部１４０は、３つ以上の供給流路を有してもよい。
【０１４６】
以下、図１１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１１は、本実施形態の基板処理装置１００を示す模式図である。図１１に示した基板処理装置１００は、供給部１４０が、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２に加えてさらに第３供給流路１４３を有する点を除き、図１を参照して上述した基板処理装置１００と同様の構成を有している。このため、冗長を避ける目的で重複する記載を省略する。
【０１４７】
本実施形態の基板処理装置１００では、供給部１４０は、第１供給流路１４１および第２供給流路１４２に加えて第３供給流路１４３をさらに有する。本実施形態では、処理液Ｌは、第１成分液Ｌ１、第２成分液Ｌ２および第３成分液Ｌ３を混合することによって生成される。
【０１４８】
第１供給流路１４１は、処理液Ｌの第１成分液Ｌ１を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。第２供給流路１４２は、処理液Ｌの第２成分液Ｌ２を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。第３供給流路１４３は、処理液Ｌの第３成分液Ｌ３を吐出ノズル１３０の吐出流路１３４に流す。
【０１４９】
第１供給流路１４１は第２供給流路１４２に対して鉛直上方に配置される。また、第２供給流路１４２は第３供給流路１４３に対して鉛直上方に配置される。
【０１５０】
この場合、第１供給流路１４１を流れる第１成分液Ｌ１は、第２供給流路１４２を流れる第２成分液Ｌ２および第３供給流路１４３を流れる第３成分液Ｌ３よりも基板Ｗおよび／または吐出ノズル１３０の洗浄に適した液であることが好ましい。この場合、第２成分液Ｌ２および／または第３成分液Ｌ３を流すことなく第１成分液Ｌ１を流すことにより、第１成分液Ｌ１で基板Ｗおよび／または吐出ノズル１３０を好適に洗浄できる。例えば、第１成分液Ｌ１は、第２成分液Ｌ２および／または第３成分液Ｌ３よりも吐出ノズル１３０に対する浸透度の低い液体であることが好ましい。
【０１５１】
第１成分液Ｌ１、第２成分液Ｌ２および第３成分液Ｌ３は吐出ノズル１３０の吐出流路１３４において混合される。本実施形態の基板処理装置１００では、処理液Ｌとして、塩酸過酸化水素水混合液（ｈｙｄｒｏｃｈｌｏｒｉｃ  ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＣ２）が好適に用いられる。この場合、最も上方を流れる第１成分液Ｌ１として水または純水を用い、次に上方を流れる第２成分液Ｌ２として過酸化水素水を用い、最も下方を流れる第３成分液Ｌ３として塩酸を用いることが好ましい。
【０１５２】
次に図１２〜図１３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。本実施形態の基板処理装置１００は複数のチャンバー１１０を備える点で、図１、図５、図８（ａ）、図９（ａ）および図１１を参照して上述した基板処理装置１００とは異なる。ただし、冗長な説明を避ける目的で重複する記載を省略する。
【０１５３】
まず、図１２を参照して基板処理装置１００を説明する。図１２は、基板処理装置１００を示す平面図である。図１２に示すように、基板処理装置１００は、成分液キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数の処理ユニット１００Ｃと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１７０とを備える。制御装置１７０は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、および処理ユニット１００Ｃを制御する。制御装置１７０は、制御部１７２および記憶部１７４を含む。
【０１５４】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理ユニット１００Ｃとの間で基板Ｗを搬送する。処理ユニット１００Ｃの各々は、基板Ｗに処理液Ｌを吐出して、基板Ｗを処理する。流体ボックス１００Ｂの各々は流体機器を収容する。成分液キャビネット１００Ａは、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２を収容する。
【０１５５】
具体的には、複数の処理ユニット１００Ｃは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置された複数のタワーＴＷ（図１２では４つのタワーＴＷ）を形成している。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理ユニット１００Ｃ（図１２では３つの処理ユニット１００Ｃ）を含む。複数の流体ボックス１００Ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。成分液キャビネット１００Ａ内の成分液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理ユニット１００Ｃに供給される。
【０１５６】
次に、図１３を参照して処理ユニット１００Ｃへの処理液Ｌの供給について説明する。図１３は、基板処理装置１００の配管を示す図である。図１３に示すように、基板処理装置１００において、成分液キャビネット１００Ａは、第１成分液キャビネット１００Ａ１と、第２成分液キャビネット１００Ａ２とを含む。また、基板処理装置１００の各タワーＴＷにおいて、複数の処理ユニット１００Ｃのそれぞれは、チャンバー１１０と、スピンチャック１２０と、吐出ノズル１３０と、供給部１４０とを備える。スピンチャック１２０と、吐出ノズル１３０と、供給部１４０とはチャンバー１１０に収容される。
【０１５７】
第１成分液キャビネット１００Ａ１は第１成分液Ｌ１を供給する。第１成分液キャビネット１００Ａ１は、成分液貯留部１８２と、フィルター１８４と、ポンプ１８６と、液循環配管１８８とを備える。成分液貯留部１８２、フィルター１８４およびポンプ１８６は、第１成分液キャビネット１００Ａ１に収容される。液循環配管１８８の一部は第１成分液キャビネット１００Ａ１に収容され、液循環配管１８８の他の一部は流体ボックス１００Ｂに収容される。
【０１５８】
液循環配管１８８は、成分液貯留部１８２から下流に延びる上流配管１８８ａと、上流配管１８８ａから分岐した複数の個別配管１８８ｂと、各個別配管１８８ｂから成分液貯留部１８２まで下流に延びる下流配管１８８ｃとを含む。
【０１５９】
上流配管１８８ａの上流端は、成分液貯留部１８２に接続される。下流配管１８８ｃの下流端は、成分液貯留部１８２に接続される。上流配管１８８ａの上流端は、液循環配管１８８の上流端に相当し、下流配管１８８ｃの下流端は、液循環配管１８８の下流端に相当する。各個別配管１８８ｂは、上流配管１８８ａの下流端から下流配管１８８ｃの上流端に延びる。
【０１６０】
複数の個別配管１８８ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。１つのタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット１００Ｃに対応する３つの供給部１４０は、１つの個別配管１８８ｂに接続される。
【０１６１】
ポンプ１８６は、成分液貯留部１８２内の第１成分液Ｌ１を液循環配管１８８に送る。フィルター１８４は、液循環配管１８８を流れる第１成分液Ｌ１から異物を除去する。
【０１６２】
フィルター１８４およびポンプ１８６は、上流配管１８８ａに配置される。成分液貯留部１８２内の第１成分液Ｌ１は、ポンプ１８６によって上流配管１８８ａに送られ、上流配管１８８ａから複数の個別配管１８８ｂに流れる。個別配管１８８ｂ内の第１成分液Ｌ１は、下流配管１８８ｃに流れ、下流配管１８８ｃから成分液貯留部１８２に戻る。
【０１６３】
また、第２成分液キャビネット１００Ａ２は第２成分液Ｌ２を供給する。第２成分液キャビネット１００Ａ２は、温度調節器１４６と、成分液貯留部１８２と、フィルター１８４と、ポンプ１８６と、液循環配管１８８とを備える。温度調節器１４６、成分液貯留部１８２、フィルター１８４およびポンプ１８６は、成分液キャビネット１００Ａに収容される。液循環配管１８８の一部は成分液キャビネット１００Ａに収容され、液循環配管１８８の他の一部は流体ボックス１００Ｂに収容される。
【０１６４】
液循環配管１８８は、成分液貯留部１８２から下流に延びる上流配管１８８ａと、上流配管１８８ａから分岐した複数の個別配管１８８ｂと、各個別配管１８８ｂから成分液貯留部１８２まで下流に延びる下流配管１８８ｃとを含む。
【０１６５】
上流配管１８８ａの上流端は、成分液貯留部１８２に接続される。下流配管１８８ｃの下流端は、成分液貯留部１８２に接続される。上流配管１８８ａの上流端は、液循環配管１８８の上流端に相当し、下流配管１８８ｃの下流端は、液循環配管１８８の下流端に相当する。各個別配管１８８ｂは、上流配管１８８ａの下流端から下流配管１８８ｃの上流端に延びる。
【０１６６】
複数の個別配管１８８ｂは、それぞれ、複数のタワーＴＷに対応している。１つのタワーＴＷに含まれる３つの処理ユニット１００Ｃに対応する３つの供給部１４０は、１つの個別配管１８８ｂに接続される。
【０１６７】
ポンプ１８６は、成分液貯留部１８２内の第２成分液Ｌ２を液循環配管１８８に送る。フィルター１８４は、液循環配管１８８を流れる第２成分液Ｌ２から異物を除去する。温度調節器１４６は、成分液貯留部１８２内の成分液の温度を調節する。温度調節器１４６は、例えば、第２成分液Ｌ２を加熱するヒーターである。
【０１６８】
温度調節器１４６、フィルター１８４およびポンプ１８６は、上流配管１８８ａに配置される。成分液貯留部１８２内の第２成分液Ｌ２は、ポンプ１８６によって上流配管１８８ａに送られ、上流配管１８８ａから複数の個別配管１８８ｂに流れる。個別配管１８８ｂ内の第２成分液Ｌ２は、下流配管１８８ｃに流れ、下流配管１８８ｃから成分液貯留部１８２に戻る。成分液貯留部１８２内の第２成分液Ｌ２は、規定温度ＴＭ以上の特定温度になるように温度調節器１４６によって加熱される。したがって、液循環配管１８８を循環する第２成分液Ｌ２の温度は、規定温度ＴＭ以上の特定温度に維持される。第２成分液Ｌ２が液循環配管１８８内で特定温度に維持されると、第２成分液Ｌ２は供給部１４０に供給される。
【０１６９】
流体ボックス１００Ｂは、バルブ１９２と、流量計１９４と、流量調整バルブ１９６とを備える。吐出ノズル１３０に対する第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２の供給開始および供給停止は、バルブ１９２によって切り替えられる。吐出ノズル１３０に供給される第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２の流量は、流量計１９４によって検出される。流量は、流量調整バルブ１９６によって変更可能である。バルブ１９２が開状態になると、第１成分液Ｌ１および第２成分液Ｌ２が、流量調整バルブ１９６の開度に対応する流量で供給部１４０から吐出ノズル１３０に供給される。その結果、吐出ノズル１３０から処理液Ｌが吐出される。開度は、流量調整バルブ１９６が開いている程度を示す。
【０１７０】
なお、図１から図１３に示した基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型であったが、本実施形態はこれに限定されない。基板処理装置１００は複数の基板Ｗを同時に処理するバッチ型であってもよい。
【０１７１】
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１７２】
本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１７３】
１００    基板処理装置
１３０    吐出ノズル
１３２    吐出口
１３４    吐出流路
１４０    供給部
１４１    第１供給流路
１４２    第２供給流路
Ｗ    基板
Ｌ    処理液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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