(57)【要約】【課題】靱性を有し、かつ、ハンドリング性および信頼性の両方に優れる封止用シートを提供すること。【解決手段】半導体素子封止用シート１は、封止樹脂組成物と、無機粒子と、ハンドリング向上成分とを含む。無機粒子の含有割合が、半導体素子封止用シート中、５０質量％超過、９０質量％以下である。ハンドリング向上成分が、ポリマー粒子である。ハンドリング向上成分の含有割合が、半導体素子封止用シート１中、１質量％以上、８質量％以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止樹脂組成物と、無機粒子と、ハンドリング向上成分とを含む封止用シートであり、
前記無機粒子の含有割合が、前記封止用シート中、５０質量％超過、９０質量％以下であり、
前記ハンドリング向上成分が、ポリマー粒子であり、
前記ハンドリング向上成分の含有割合が、前記封止用シート中、１質量％以上、８質量％以下であることを特徴とする、封止用シート。
【請求項２】
前記ポリマー粒子の平均粒子径が、５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の封止用シート。
【請求項３】
前記無機粒子は、
第１粒子と、
前記第１粒子の平均粒子径より小さい平均粒子径を有する第２粒子と
を含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の封止用シート。
【請求項４】
前記無機粒子および前記ハンドリング向上成分の総量の割合が、前記封止用シート中、８０質量％以上、９５質量％以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止用シート。
【請求項５】
前記封止樹脂組成物が、ガラス転移温度調整剤をさらに含有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止用シート。
【請求項６】
前記ガラス転移温度調整剤が、アクリル系ポリマーであることを特徴とする、請求項５に記載の封止用シート。
【請求項７】
前記封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を含有し、
前記ポリマー粒子は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の少なくとも一方と反応する官能基を含有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の封止用シート。
【請求項８】
官能基が、エポキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする、請求項７に記載の封止用シート。
【請求項９】
前記ポリマー粒子が、シリコーン系粒子であることを特徴とする、請求項１〜８に記載の封止用シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、熱硬化性樹脂シートからなる封止用シートは、半導体チップを封止して、半導体パッケージの製造に用いられることが知られている。
【０００３】
例えば、エポキシ樹脂、フェノールノボラック系硬化剤、無機充填材および硬化促進剤を含む熱硬化性樹脂シート（封止用シート）が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載の熱硬化性樹脂シートは、比較的低温で硬化できるので、硬化後の硬化シートは、加熱に起因する変形を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−８６３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、熱硬化樹脂シートは、半導体素子を加熱により封止した後、ハンドリングされるに際し、他の部材に接触しても傷付き難い、優れたハンドリング性が求められる。
【０００７】
また、熱硬化性樹脂シートは、半導体素子を封止した後、その後のさらなる加熱される場合（熱履歴が付与される場合）には、基板の表面と接触（密着、接着）を確保するなど、高い信頼性が求められる。
【０００８】
また、熱硬化性樹脂シートは、靱性も求められる。
【０００９】
本発明は、靱性を有し、かつ、ハンドリング性および信頼性の両方に優れる封止用シートを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明（１）は、封止樹脂組成物と、無機粒子と、ハンドリング向上成分とを含む封止用シートであり、前記無機粒子の含有割合が、前記封止用シート中、５０質量％超過、９０質量％以下であり、前記ハンドリング向上成分が、ポリマー粒子であり、前記ハンドリング向上成分の含有割合が、前記封止用シート中、１質量％以上、８質量％以下である、封止用シートを含む。
【００１１】
本発明（２）は、前記ポリマー粒子の平均粒子径が、５０μｍ以下である、（１）に記載の封止用シートを含む。
【００１２】
本発明（３）は、前記無機粒子は、第１粒子と、前記第１粒子の平均粒子径より小さい平均粒子径を有する第２粒子とを含有する、（１）または（２）に記載の封止用シートを含む。
【００１３】
本発明（４）は、前記無機粒子および前記ハンドリング向上成分の総量の割合が、前記封止用シート中、８０質量％以上、９５質量％以下である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。
【００１４】
本発明（５）は、前記封止樹脂組成物が、ガラス転移温度調整剤をさらに含有する、（１）〜（４）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。
【００１５】
本発明（６）は、前記ガラス転移温度調整剤が、アクリル系ポリマーである、（５）に記載の封止用シートを含む。
【００１６】
本発明（７）は、前記封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤を含有し、前記ポリマー粒子は、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の少なくとも一方と反応する官能基を含有する、（１）〜（６）のいずれか一項に記載の封止用シートを含む。
【００１７】
本発明（８）は、官能基が、エポキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基からなる群から選択される少なくとも１つである、（７）に記載の封止用シートを含む。
【００１８】
本発明（９）は、前記ポリマー粒子が、シリコーン系粒子であることを特徴とする、（１）〜（８）に記載の封止用シートを含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の封止用シートは、無機粒子を含有し、無機粒子の含有割合が、前記封止用シート中、５０質量％超過、９０質量％以下であるので、靱性に優れる。
【００２０】
また、本発明の封止用シートは、ポリマー粒子であるハンドリング向上成分を含有し、ポリマー粒子の含有割合が、封止用シート中、１質量％以上、８質量％以下であるので、ハンドリング性および信頼性の両方に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートの断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、図１に示す半導体素子封止用シートを用いて、半導体素子を封止して、半導体素子パッケージを製造する方法の工程図を示し、図２Ａが、半導体素子封止用シートを、半導体素子および基板に対して対向配置する工程、図２Ｂが、半導体素子封止用シートによって、半導体素子を封止して、半導体素子パッケージを得る工程、図２Ｃが、ダイシングテープを半導体素子パッケージに貼付後、半導体素子パッケージを個片化し、半導体素子パッケージをピックアップ装置で回収する工程を示す。
【図３】図３Ａおよび図３Ｂは、ガラス転移温度を有する一般的な樹脂の熱膨張係数を示すグラフであり、図３Ａが、ガラス転移温度が比較的高い樹脂の熱膨張係数のグラフ、図３Ｂが、ガラス転移温度が比較的低い樹脂の熱膨張係数のグラフを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の封止用シートの一実施形態である半導体素子封止用シートを、図１および図２Ａ、図２Ｂを参照して説明する。
【００２３】
この半導体素子封止用シート１は、基板２に実装されている半導体素子３を封止するための封止用シートである。
【００２４】
また、半導体素子封止用シート１は、後述する半導体素子パッケージ５を製造するための部品であって、半導体素子パッケージ５そのものではなく、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３、および、半導体素子３を実装する基板２を含まず、具体的には、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【００２５】
なお、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３を封止した後の硬化体シート２０（図５Ｂおよび図５Ｃ）ではなく、つまり、半導体素子３を封止する前のシートである。
【００２６】
図１に示すように、半導体素子封止用シート１は、厚み方向に直交する方向（面方向）に延びる略板形状（フィルム形状）を有する。また、半導体素子封止用シート１は、平坦な厚み方向一方面（上面）６と、厚み方向他方面（下面）７とを備える。厚み方向一方面６および厚み方向他方面７は、厚み方向に対向配置されており、互いに平行する。
【００２７】
厚み方向他方面７は、半導体素子封止用シート１が半導体素子３（図５Ｂ参照）を封止するときに、半導体素子３および基板２に接触する接触面である。
【００２８】
厚み方向一方面６は、半導体素子封止用シート１が半導体素子３（図５Ｂ参照）を封止するときに、基板２の厚み方向一方面（上面）の厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される対向面である。
【００２９】
半導体素子封止用シート１の材料は、加熱によって、硬化する封止組成物（熱硬化性組成物）である。封止組成物は、封止樹脂組成物と、無機粒子と、ハンドリング向上成分とを含む。
【００３０】
封止樹脂組成物は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）において、無機粒子とハンドリング向上成分とを結合させるバインダー成分である。封止樹脂組成物は、封止樹脂（主剤）を含む。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ビニルエステル樹脂、シアノエステル樹脂、マレイミド樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。封止樹脂としては、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂が挙げられる。
【００３１】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などの２官能エポキシ樹脂、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂などの３官能以上の多官能エポキシ樹脂などが挙げられる。これらエポキシ樹脂は、単独で使用または２種以上を併用することができる。
【００３２】
好ましくは、２官能エポキシ樹脂（第１エポキシ樹脂）および多官能エポキシ樹脂（第２エポキシ樹脂）の併用が挙げられ、具体的には、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂の併用が挙げられる。
【００３３】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、２５０ｇ／ｅｑ．以下、また、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上である。第１エポキシ樹脂および第２エポキシ樹脂が併用されれば、第１エポキシ樹脂のエポキシ当量が、例えば、１７５ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１８０ｇ／ｅｑ．以上であり、また、例えば、２５０ｇ／ｅｑ．以下、好ましくは、２３０ｇ／ｅｑ．以下である。第１エポキシ樹脂のエポキシ当量は、例えば、１７５／ｅｑ．未満、好ましくは、１７０ｇ／ｅｑ．以下であり、また、例えば、１０ｇ／ｅｑ．以上、好ましくは、１００ｇ／ｅｑ．以上である。
【００３４】
封止樹脂の軟化点は、例えば、５０℃以上、また、例えば、１１０℃以下である。第１エポキシ樹脂および第２エポキシ樹脂が併用されれば、第１エポキシ樹脂の軟化点が、例えば、７０℃以上、好ましくは、７５℃以上であり、また、例えば、１１０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。第２エポキシ樹脂の軟化点が、例えば、７０℃未満、好ましくは、６５℃以下であり、また、例えば、５０℃以上、好ましくは、５５℃以上である。
【００３５】
エポキシ樹脂の含有部数は、無機粒子およびハンドリング向上成分の総量１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、３質量部以上であり、また、例えば、２０質量部以下、好ましくは、１０質量部以下である。第１エポキシ樹脂および第２エポキシ樹脂が併用されれば、第１エポキシ樹脂の含有部数が、無機粒子およびハンドリング向上成分の総量１００質量部に対して、例えば、０．５質量部以上、好ましくは、２質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。第２エポキシ樹脂の含有部数が、第１エポキシ樹脂の総量１００質量部に対して、例えば、７５質量部以上、好ましくは、９０質量部以上であり、また、例えば、１２５質量部以下、好ましくは、１１０質量部以下である。
【００３６】
また、エポキシ樹脂の封止組成物中の含有割合は、例えば、１質量％以上、好ましくは、４質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、７質量％以下である。さらに、第１エポキシ樹脂および第２エポキシ樹脂が併用されれば、第１エポキシ樹脂の含有割合が、封止組成物中、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、８質量％以下、好ましくは、４質量％以下である。第２エポキシ樹脂の含有割合が、封止組成物中、例えば、０．５質量％以上、好ましくは、２質量％以上であり、また、例えば、８質量％以下、好ましくは、４質量％以下である。
【００３７】
封止樹脂組成物は、好ましくは、上記した封止樹脂の他に、さらに、硬化剤および硬化促進剤を含有する。具体的には、封止樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有する封止樹脂組成物として調製されていてもよい。好ましくは、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤およびエポキシ樹脂硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物として調製される。
【００３８】
硬化剤は、加熱によって、上記した封止樹脂を硬化させる成分（好ましくは、エポキシ樹脂硬化剤）である。硬化剤としては、例えば、フェノールノボラック樹脂などのフェノール樹脂が挙げられる。
【００３９】
硬化剤の含有割合は、封止樹脂がエポキシ樹脂であり、硬化剤がフェノール樹脂であれば、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が、例えば、０．７当量以上、好ましくは、０．９当量以上、例えば、１．５当量以下、好ましくは、１．２当量以下となるように、調整される。具体的には、硬化剤の含有部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、３０質量部以上、好ましくは、５５質量部以上であり、また、例えば、７５質量部以下、好ましくは、６０質量部以下である。
【００４０】
硬化促進剤は、加熱によって、封止樹脂の硬化を促進する触媒（熱硬化触媒）（好ましくは、エポキシ樹脂硬化促進剤）であって、例えば、有機リン系化合物、例えば、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）などのイミダゾール化合物などが挙げられる。好ましくは、イミダゾール化合物が挙げられる。硬化促進剤の含有部数は、封止樹脂１００質量部に対して、例えば、０．０５質量部以上であり、また、例えば、５質量部以下である。
【００４１】
また、封止樹脂組成物は、上記した熱硬化性樹脂に加え、ガラス転移温度調整剤をさらに含有することができる。
【００４２】
ガラス転移温度調整剤は、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）のガラス転移温度Ｔｇを調整するための成分（具体的には、適度に低下させるための成分）であって、例えば、熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００４３】
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂（６−ナイロンや６，６−ナイロンなど）、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴなど）、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４４】
熱可塑性樹脂として、好ましくは、封止樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂）との分散性を向上させる観点から、アクリル樹脂が挙げられる。
【００４５】
アクリル樹脂としては、例えば、直鎖または分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上をモノマー成分とし、そのモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、「（メタ）アクリル」は、「アクリルおよび／またはメタクリル」を表す。
【００４６】
アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、へプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、ドデシルなどの炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
【００４７】
アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマー（共重合性モノマー）とのコポリマーであってもよい。
【００４８】
その他のモノマー（共重合性モノマー）としては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有モノマー、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルまたは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、例えば、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどリン酸基含有モノマー、例えば、スチレンモノマー、例えば、アクリロニトリルなどが挙げられる。これらモノマーは、単独で使用または２種以上を併用することができる。これらの中でも、好ましくは、カルボキシル基含有モノマーが挙げられる。
【００４９】
ガラス転移温度調整剤の重量平均分子量は、例えば、１０万以上、好ましくは、３０万以上であり、また、例えば、１００万以下、好ましくは、８０万以下である。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値に基づいて測定される。
【００５０】
ガラス転移温度調整剤のガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、２０℃以下、好ましくは、１０℃以下、より好ましくは、０℃以下、さらに好ましくは、−１０℃以下、とりわけ好ましくは、−２５℃以下であり、また、例えば、−７０℃以上、好ましくは、−５０℃以上である。
【００５１】
ガラス転移温度が上記した上限以下であれば、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）のガラス転移温度Ｔｇを確実に調整して（適度に低下させて）、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）のハンドリング性を十分に向上させることができる。ガラス転移温度Ｔｇが上記した下限以上であれば、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）に十分な靱性を付与することができる。
【００５２】
熱可塑性樹脂の含有部数（固形分部数）は、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）のガラス転移温度Ｔｇを所望範囲に設定できるように適宜調整されており、具体的には、封止樹脂（好ましくは、エポキシ樹脂）１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、２質量部以上、より好ましくは、５質量部以上、さらに好ましくは、８質量部以上であり、また、例えば、３０質量部以下、好ましくは、２０質量部以下、より好ましくは、１５質量部以下である。また、熱可塑性樹脂の含有割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上、より好ましくは、０．３質量％以上、さらに好ましくは、０．４５質量％以上であり、また、例えば、１５質量％以下、好ましくは、１０質量％以下、より好ましくは、８質量％以下、さらに好ましくは、７質量％以下である。熱可塑性樹脂の含有部数および／または含有割合が上記した下限以上であれば、硬化した半導体素子封止用シート１（具体的には、硬化体シート２０）のガラス転移温度Ｔｇを十分に調整する（適度に低下させる）ことができ、そのため、後述するが、硬化体シート２０の基板２に対する界面剥離を抑制することができ、信頼性を向上させることができる。
【００５３】
なお、ガラス転移温度調整剤は、適宜の溶媒で希釈されて調製されていてもよい。
【００５４】
無機粒子は、半導体素子封止用シート１の強度を向上させるためのフィラーである。無機粒子の材料としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などの無機化合物が挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、シリカが挙げられる。
【００５５】
無機粒子の形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。
【００５６】
無機粒子の最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍは、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上である。なお、平均粒子径Ｍは、例えば、レーザー散乱法における粒度分布測定法によって求められた粒度分布に基づいて、Ｄ５０値（累積５０％メジアン径）として求められる。
【００５７】
無機粒子の最大長さの平均値が上記した上限以下であれば、厚み方向一方面６および厚み方向他方面７を、確実に平坦にすることができる。
【００５８】
また、無機粒子は、第１粒子と、第１粒子の最大長さの平均値Ｍ１より小さい最大長さの平均値Ｍ２を有する第２粒子とを含むことができる。
【００５９】
第１粒子の最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ１は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００６０】
第２粒子の最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）Ｍ２は、例えば、１μｍ未満、好ましくは、０．８μｍ以下であり、また、例えば、０．０１μｍ以上、好ましくは、０．１μｍ以上である。
【００６１】
第１粒子の最大長さの平均値の、第２粒子の最大長さの平均値に対する比（Ｍ１／Ｍ２）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下、好ましくは、２０以下である。
【００６２】
第１粒子および第２粒子の材料は、ともに同一あるいは相異っていてもよい。好ましくは、第１粒子および第２粒子の材料は、ともに同一、具体的には、シリカである。
【００６３】
さらに、無機粒子は、その表面が、部分的あるは全体的に、シランカップリング剤などで表面処理されていてもよい。好ましくは、表面処理されていない第１粒子と、表面処理されている第２粒子との併用が挙げられる。
【００６４】
無機粒子（第１粒子および第２粒子の併用であれば、それらの総量）の含有割合は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）中、５０質量％超過、好ましくは、７０質量％以上、より好ましくは、８０質量％以上であり、また、９０質量％以下、好ましくは、８７質量％以下である。無機粒子の含有割合が上記した下限を下回ると、半導体素子封止用シート１の靱性を確保できず、ハンドリング性が低下する。無機粒子の含有割合が上記した上限を上回ると、半導体素子封止用シート１が脆性を有し、半導体素子３を確実に封止できない。
【００６５】
無機粒子が、上記した第１粒子と第２粒子とを含めば、第１粒子と第２粒子とが、半導体素子封止用シート１において、封止樹脂組成物に対して効率的に分散して、半導体素子封止用シート１の靱性を向上させることができる。
【００６６】
ハンドリング向上成分は、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’を低減して、硬化した半導体素子封止用シート１（硬化体シート２０）のハンドリング時の傷付きを抑制する成分である。
【００６７】
ハンドリング向上成分は、具体的には、ポリマー粒子である。
【００６８】
ポリマー粒子は、半導体素子封止用シート１における封止組成物中に分散される分散粒子である一方、無機粒子およびポリマー粒子の２つの粒子成分において、ポリマーのドメインを導入するエラストマー成分（ゴム成分）である。
【００６９】
具体的には、ポリマー粒子の材料としては、例えば、シリコーン系ポリマー（シリコーンゴム）、アクリル系ポリマー、エポキシ系ポリマー、スチレン系ポリマーなどが挙げられる。好ましくは、シリコーン系ポリマーが挙げられる。
【００７０】
ポリマー粒子の形状は、特に限定されず、例えば、略球形状、略板形状、略針形状、不定形状などが挙げられる。好ましくは、略球形状が挙げられる。
【００７１】
ポリマー粒子の最大長さの平均値（略球形状であれば、平均粒子径）は、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。ポリマー粒子の最大長さの平均値が上記した上限以下であれば、半導体素子封止用シート１の厚み方向一方面６および厚み方向他方面７を、確実に平坦にすることができる。
【００７２】
また、ポリマー粒子は、その表面において、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の少なくとも一方と反応する官能基を含有することができる。
【００７３】
官能基としては、例えば、エポキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基などが挙げられる。官能基は、単独種類または複数種類であってもよい。好ましくは、エポキシ基が挙げられる。
【００７４】
あるいは、ポリマー粒子は、その表面に上記した官能基を含有しなくてもよい。
【００７５】
好ましくは、ポリマー粒子は、その表面に官能基を含有する。ポリマー粒子がその表面に官能基を含有すれば、半導体素子封止用シート１を加熱するときに、上記した官能基と、エポキシ樹脂およびエポキシ樹脂硬化剤の少なくとも一方とが、化学的に反応して、両者の化学的結合を形成することができ、ポリマー粒子を、確実に封止樹脂組成物中に拘束することができる。そのため、硬化（封止）後の半導体素子封止用シート１の強度を向上することができる。
【００７６】
ハンドリング向上成分の含有割合は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）中、１質量％以上、好ましくは、２質量％以上、より好ましくは、３質量％以上、さらに好ましくは、４質量％以上であり、また、８質量％以下、好ましくは、７質量％以下、より好ましくは、６質量％以下、さらに好ましくは、５質量％以下である。
【００７７】
ハンドリング向上成分の含有割合が上記した下限（具体的には、１質量％）を下回れば、半導体素子封止用シート１、とりわけ、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、後述する硬化体シート２０）のハンドリング性（具体的には、他の部材との接触による傷付き抑制性）を向上させることができない。
【００７８】
一方、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した上限を上回れば、半導体素子封止用シート１、とりわけ、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、後述する硬化体シート２０）と、基板２との密着力が低下して、それらの間で、界面剥離を生じ、そのため、半導体素子封止用シート１としての信頼性が低下する。
【００７９】
詳しくは、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した上限（具体的には、８質量％）を上回れば、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、硬化体シート２０）（後述）のガラス転移温度Ｔｇが過度に低くなり、そのため、図３Ｂに示すように、ガラス転移温度Ｔｇ以下における第１熱膨張係数α１、および、ガラス転移温度Ｔｇ超過における第２熱膨張係数α２のうち、数値が低い第１熱膨張係数α１の領域を十分に広く確保できない。そのため、その後の加熱などにおいて、硬化体シート２０の熱膨張係数は、第２熱膨張係数α２が採用され、その場合には、基板２と硬化体シート２０と熱膨張係数の差が大きくなり、従って、硬化体シート２０の厚み方向他方面７と、基板２の露出領域１２との界面における剥離を抑制することができない。
【００８０】
無機粒子およびハンドリング向上成分の総量の割合は、半導体素子封止用シート１（封止組成物）中、例えば、８０質量％以上、好ましくは、８２質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９０質量％以下である。無機粒子およびハンドリング向上成分の総量の割合が上記した下限以上であれば、半導体素子封止用シート１の靱性を確実に確保することができる。無機粒子およびハンドリング向上成分の総量の割合が上記した上限以下であれば、半導体素子封止用シート１の脆性を抑制することができる。
【００８１】
なお、封止組成物に、顔料、シランカップリング剤などの添加剤を適宜の割合で添加することもできる。
【００８２】
顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの黒色顔料が挙げられる。顔料の平均粒子径は、例えば、０．００１μｍ以上、例えば、１μｍ以下である。顔料の割合は、封止組成物に対して、例えば、０．１質量％以上、また、例えば、２質量％以下である。
【００８３】
シランカップリング剤は、無機粒子の表面を処理（表面処理）するために配合される。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基を含有するシランカップリング剤が挙げられる。エポキシ基を含有するシランカップリング剤としては、例えば、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどの３−グリシドキシジアルキルジアルコキシシラン、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどの３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。好ましくは、３−グリシドキシアルキルトリアルコキシシランが挙げられる。シランカップリング剤の配合割合は、無機粒子１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、１質量部以上であり、また、例えば、１０質量部以下、好ましくは、５質量部以下である。
【００８４】
次に、半導体素子封止用シート１の製造方法を説明する。
【００８５】
半導体素子封止用シート１を製造するには、例えば、封止組成物を溶媒（例えば、メチルエチルケトン、トルエン、酢酸エチルなど）に溶解および／または分散させて、ワニスを調製し、これを、剥離シート１５に塗布し、乾燥させる。これによって、半導体素子封止用シート１を、剥離シート１５に支持された状態で、製造する。その後、必要により、第２剥離シート２５を、半導体素子封止用シート１に対して剥離シート１５の反対側に配置する。つまり、半導体素子封止用シート１を、剥離シート１５および第２剥離シート２５で厚み方向に挟み込んだ状態で、製造する。
【００８６】
他方、ワニスを調製せず、混練押出によって、封止組成物から一度に半導体素子封止用シート１を製造することもできる。なお、混練押出における加熱条件は、封止樹脂組成物が完全硬化しない条件である。
【００８７】
半導体素子封止用シート１における封止樹脂組成物は、例えば、Ｂステージ（完全硬化ではない半硬化）である。Ｂステージは、封止樹脂組成物が、液状であるＡステージと、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージの弾性率よりも小さい状態である。
【００８８】
これにより、半導体素子封止用シート１を製造する。
【００８９】
半導体素子封止用シート１の厚みは、特に限定されず、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下である。
【００９０】
次に、この半導体素子封止用シート１を用いて、半導体素子３を封止して、半導体素子パッケージ５を製造する方法を説明する。
【００９１】
半導体素子パッケージ５を製造する方法は、半導体素子３を準備する工程、半導体素子封止用シート１を準備する工程、半導体素子封止用シート１によって半導体素子３を封止して、半導体素子封止用シート１から硬化体シート２０を調製するとともに、半導体素子パッケージ５を得る工程、および、ピックアップ装置で半導体素子パッケージ５を回収する工程を備える。
【００９２】
この方法では、図２Ａに示すように、まず、半導体素子３および基板２を準備する。
【００９３】
半導体素子３は、例えば、半導体チップであり、面方向に延びる略平板形状を有する。半導体素子３としては、特に限定されない。半導体素子３の厚み方向他方面（下面）には、端子４が設けられている。端子４は、面方向に間隔を隔てて複数配置されている。
【００９４】
半導体素子３は、基板２の厚み方向一方面（上面）に実装されている。具体的には、半導体素子３は、例えば、基板２に対してフリップチップ実装されている。
【００９５】
また、半導体素子３は、基板２において、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。
【００９６】
基板２は、面方向に延びる略平坦形状を有する。また、基板２は、半導体素子３に対向する対向面８（上面）を有する。対向面８は、面方向に沿う平面を有する。
【００９７】
基板２の対向面８は、平面視において、複数の半導体素子３を囲む大きさを有する。つまり、基板２の対向面８は、平面視において、複数の半導体素子３と重複する重複領域１１と、複数の半導体素子３と重複せず、基板２から露出する露出領域１２とを有する。対向面８は、重複領域１１において、端子４に対応する基板端子９を備える。
【００９８】
この方法では、次いで、半導体素子封止用シート１を準備する。剥離シート１５を半導体素子封止用シート１の厚み方向他方面７から剥離する。
【００９９】
その後、半導体素子封止用シート１を、その厚み方向他方面７が、半導体素子３の厚み方向一方面（上面）に接触するように、半導体素子３に配置する。
【０１００】
図２Ｂに示すように、次いで、半導体素子封止用シート１によって半導体素子３を封止する。
【０１０１】
例えば、下板および上板を備える平板プレス（図示せず）を用いて、半導体素子封止用シート１を加熱および加圧して、半導体素子封止用シート１で複数の半導体素子３を封止する。
【０１０２】
また、上記した加熱によって、半導体素子封止用シート１は、熱硬化する。具体的には、一旦、軟化後、半導体素子封止用シート１の封止組成物が完全硬化する（Ｃステージ化する）。
【０１０３】
加熱条件は、封止組成物が完全硬化する条件である。具体的には、加熱温度が、例えば、８５℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下である。加熱時間が、例えば、２０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、３００分間以下、好ましくは、１８０分間以下である。圧力は、特に限定されず、例えば、０．１ＭＰａ以上、好ましくは、０．５ＭＰａ以上であり、また、例えば、１０ＭＰａ以下、好ましくは、５ＭＰａ以下である。
【０１０４】
半導体素子封止用シート１は、一旦軟化して、半導体素子３を埋設する。換言すれば、半導体素子３が半導体素子封止用シート１に埋め込まれる。
【０１０５】
続いて、半導体素子封止用シート１は、半導体素子３の周側面を被覆するとともに、対向面８における露出領域１２に接触する。なお、半導体素子封止用シート１は、重複領域１１の一部に接触することもできる。具体的には、半導体素子封止用シート１は、重複領域１１と、厚み方向一方面６において、端子４より外側（面方向外側）の領域との間に進入することが許容される。他方、半導体素子封止用シート１は、好ましくは、端子４より内側の領域に侵入することが許容されない。
【０１０６】
これによって、半導体素子３が半導体素子封止用シート１によって封止される。また、基板２における露出領域１２は、半導体素子封止用シート１によって接触（密着）されている。
【０１０７】
なお、半導体素子３を封止し、基板２の露出領域１２に接触する半導体素子封止用シート１は、すでに加熱により熱硬化（完全硬化）（Ｃステージ）状態となっている。そのため、半導体素子封止用シート１が硬化体シート２０となる。
【０１０８】
その後、第２剥離シート２５を硬化体シート２０の厚み方向他方面７から剥離する。
【０１０９】
その後、半導体素子封止用シート１（あるいは硬化体シート２０）は、熱硬化をより一層進行させたい場合には、平板プレスから下ろし、別の加熱炉に投入する。
【０１１０】
硬化体シート２０の２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’は、例えば、１７ＧＰａ以下、好ましくは、１５ＧＰａ以下、より好ましくは、１５ＧＰａ未満、さらに好ましくは、１４．５ＧＰａ以下、さらに好ましくは、１４ＧＰａ以下、さらには、１３ＧＰａ以下、さらには、１２ＧＰａ以下であり、また、例えば、５ＧＰａ以上、好ましくは、９ＧＰａ以上である。
【０１１１】
硬化体シート２０の引張貯蔵弾性率Ｅ’は、走査温度：０〜２６０℃、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分で動的粘弾性測定を実施して求められる。
【０１１２】
硬化体シート２０の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した上限以下であれば、硬化体シート２０が他の部材と接触しても、傷付くことを抑制することができる。一方、硬化体シート２０の引張貯蔵弾性率Ｅ’が上記した下限以上であれば、硬化体シート２０の強度を確保できる。
【０１１３】
硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇは、例えば、１１０℃以上、好ましくは、１２０℃以上、より好ましくは、１３０℃以上、さらに好ましくは、１３５℃以上であり、また、例えば、１６０℃以下、好ましくは、１５０℃以下、より好ましくは、１５０℃未満、さらに好ましくは、１４５℃以下である。
【０１１４】
硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇは、走査温度：０〜２６０℃、周波数：１Ｈｚ、昇温速度：１０℃／分で動的粘弾性測定を実施して、引張貯蔵弾性率Ｅ’および引張損失弾性率Ｅ’’を得、これからｔａｎδ（＝Ｅ’’／Ｅ’）の曲線を求め、ｔａｎδのピーク値として求められる。
【０１１５】
硬化体シート２０のガラス転移温度Ｔｇが上記した下限以上であれば、図３Ａに示すように、ガラス転移温度Ｔｇ以下における第１熱膨張係数α１（後述）、および、ガラス転移温度Ｔｇ超過における第２熱膨張係数α２のうち、数値が低い第１熱膨張係数α１の領域を十分に広く確保できる。つまり、広範囲の温度領域で数値が低い第１熱膨張係数α１を確保することができる。そのため、基板２と硬化体シート２０と熱膨張係数の差を小さくすることができ、硬化体シート２０の厚み方向他方面７と、基板２の露出領域１２との界面における剥離（後述）を抑制することができる。
【０１１６】
硬化体シート２０の第１熱膨張係数α１は、例えば、２０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、また、５ｐｐｍ／Ｋ以上である。硬化体シート２０の第１熱膨張係数α１は、ガラス転移温度Ｔｇ以下の低温領域における熱膨張係数であり、ガラス転移温度Ｔｇを超える高温領域における第２熱膨張係数α２の温度に比べて、低い。
【０１１７】
これにより、基板２、複数の半導体素子３および硬化体シート２０を備える半導体素子パッケージ５を得ることができる。
【０１１８】
その後、半導体素子パッケージ５における硬化体シート２０にダイシングテープ１６を貼付し、その後、図２Ｃに示すように、それらを上下反転する。続いて、半導体素子３に対応して、半導体素子パッケージ５を個片化する。具体的には、半導体素子３の周囲の硬化体シート２０および基板２を、例えば、ダイシングソーなどによって、切断する。
【０１１９】
この方法では、その後、個片化され、１つの半導体素子３を備える半導体素子パッケージ５は、押圧部１０および回収部（図示せず）などを備えるピックアップ装置（回収装置の一例）を用いて、ダイシングテープ１６から剥離されて回収される。
【０１２０】
押圧部１０としては、厚み方向に延びる針部材（具体的には、突き上げピン）などが挙げられる。押圧部１０は、厚み方向に移動可能（突き上げ可能）である。また、押圧部１０の先端は、鋭利であってもよい。
【０１２１】
そして、ピックアップ装置で半導体素子パッケージ５をダイシングテープ１６から剥離して回収するには、まず、押圧部１０が各半導体素子パッケージ５を厚み方向一方側からから他方側に（ダイシングテープ１６から半導体素子パッケージ５に向かう方向）に向かって押し上げ、その後、押し上げられた半導体素子パッケージ５を回収部（図示せず）で回収する。
【０１２２】
なお、上記した押圧部１０がダイシングテープ１６を介して半導体素子パッケージ５を押し上げるときに、押圧部１０の先端がダイシングテープ１６を突き破り、半導体素子パッケージ５（具体的には、硬化体シート２０）と接触することが許容される。
【０１２３】
そして、この半導体素子封止用シート１は、無機粒子を含有し、無機粒子の含有割合が、半導体素子封止用シート１中、５０質量％超過、９０質量％以下であるので、靱性に優れる。
【０１２４】
また、この半導体素子封止用シート１は、ポリマー粒子であるハンドリング向上成分を含有し、ハンドリング向上成分の含有割合が、半導体素子封止用シート中、１質量％以上、８質量％以下であるので、ハンドリング性および信頼性の両方に優れる。
【０１２５】
詳しくは、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した下限以上であるので、半導体素子封止用シート１、とりわけ、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、後述する硬化体シート２０）のハンドリング性、具体的には、鋭利な先端を有する押圧部１０との接触による傷付き抑制性を向上させることができる。
【０１２６】
しかるに、硬化体シート２０の厚み方向一方面６は、押圧部１０の先端との接触により、傷付き易い。しかし、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した下限以上であるので、上記した傷付きを抑制して、優れたハンドリング性を得ることができる。なお、硬化体シート２０と接触する部材は、押圧部１０に限定されず、例えば、集積機なども挙げられる。
【０１２７】
一方、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した上限を下回れば、半導体素子封止用シート１、とりわけ、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、後述する硬化体シート２０）と、基板２との密着力の低下を抑制して、それらの間で、界面剥離を生じ難く、そのため、半導体素子封止用シート１としての信頼性が向上する。
【０１２８】
詳しくは、ハンドリング向上成分の含有割合が上記した上限を上回れば、硬化後の半導体素子封止用シート１（具体的には、硬化体シート２０）（後述）のガラス転移温度Ｔｇが過度に低くなり、そのため、図３Ｂに示すように、ガラス転移温度Ｔｇ以下における第１熱膨張係数α１、および、ガラス転移温度Ｔｇ超過における第２熱膨張係数α２のうち、数値が低い第１熱膨張係数α１の領域を十分に広く確保できない。つまり、比較的狭い範囲でのみ温度領域で数値が低い第１熱膨張係数α１を確保することになる。そのため、その後の加熱などにおいて、硬化体シート２０の熱膨張係数は、第２熱膨張係数α２が採用され、その場合には、基板２と硬化体シート２０と熱膨張係数の差が大きくなり、そのため、硬化体シート２０の厚み方向他方面７と、基板２の露出領域１２との界面における剥離を抑制することができない。
【０１２９】
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態および各変形例を適宜組み合わせることもできる。
【０１３０】
図１では、半導体素子封止用シート１を単層から形成しているが、例えば、図示しないが、複数層の積層体であってもよい。
【０１３１】
半導体素子封止用シート１による半導体素子３の封止後、必要により、図２Ｂの右側図における１点破線で示すように、半硬化体シート２０の厚み方向一端部を、例えば、研磨などにより除去して、硬化体シート２０の厚み方向一方面６と、半導体素子３の厚み方向一方面とを面一（連続）にすることができる。つまり、半導体素子３の厚み方向一方面をを硬化体シート２０から露出させる。
【０１３２】
また、半導体素子封止用シート１により、単数の半導体素子３を封止することもできる。
【０１３３】
また、硬化体シート２０をダイシングすることなく、半導体素子パッケージ５を得ることもできる。
【０１３４】
また、一実施形態では、封止用シートの一例として半導体素子封止用シート１を挙げて、半導体素子３を封止しているが、これに限定されず、例えば、図示しないが、他の電子素子を封止する電子素子封止用シートであってもよい。この場合には、電子素子封止用シートを用いて、電子素子を封止して、電子素子パッケージを製造することができる。
【実施例】
【０１３５】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。また、以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１３６】
実施例および比較例で使用した各成分を以下に示す。
【０１３７】
エポキシ樹脂Ａ：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
エポキシ樹脂Ｂ：日本化薬社製のＥＰＰＮ５０１−ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．軟化点６０℃）
硬化剤：群栄化学社製のＬＶＲ−８２１０ＤＬ（ノボラック型フェノール樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ．、軟化点：６０℃）
硬化促進剤：四国化成工業社製の２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）、エポキシ樹脂硬化促進剤
ガラス転移温度調整剤：根上工業社製のＨＭＥ−２００６Ｍ、カルボキシル基含有のアクリル酸エステルコポリマー（アクリル系ポリマー）、重量平均分子量：６０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−３５℃、固形分濃度２０質量％のメチルエチルケトン溶液
シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
顔料：三菱化学社製の＃２０（カーボンブラック）
第１粒子：ＦＢ−５ＳＤＣ（球状溶融シリカ粉末（無機粒子）、平均粒子径５μｍ）
第２粒子：アドマテックス社製のＳＣ２２０Ｇ−ＳＭＪ（平均粒径０．５μｍ）を３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製の製品名：ＫＢＭ−５０３）で表面処理した無機粒子。無機粒子の１００重量部に対して１重量部のシランカップリング剤で表面処理したもの。
【０１３８】
ハンドリング向上成分：東レダウコーニング社製のＥＰ−２６０１（エポキシ基を有し、平均粒径２μｍで球状のシリコーン系粒子）
【０１３９】
実施例１〜６および比較例１〜３
表１に記載の配合処方に従い、各成分をメチルエチルケトンに溶解および分散させ、ワニスを得た。ワニスの固形分濃度は、８０質量％であった。
【０１４０】
ワニスを剥離シート１５の表面に塗布した後、１２０℃で、２分間乾燥させた。これにより、厚み１００μｍの半導体素子封止用シート１を製造した。
【０１４１】
（評価１）
半導体素子封止用シート１について、下記の項目を評価した。その結果を表１に記載する。
【０１４２】
（引張貯蔵弾性率Ｅ’）
半導体素子封止用シート１を１５０℃で１時間加熱して、硬化体シート２０を調製した。続いて、硬化体シート２０について、固体粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメンツ社製、形式：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて、引張貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。
【０１４３】
具体的には、硬化体シート２０から長さ２０ｍｍ×幅３ｍｍ×厚さ１００μｍのサンプルを採取し、これを、下記の条件で動的粘弾性測定を実施して、２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅを求めた。
【０１４４】
モード：引張
走査温度：０〜２６０℃
周波数：１Ｈｚ
昇温速度：１０℃／分
（第１熱膨張係数α１の測定）
半導体素子封止用シート１を１５０℃で１時間加熱して、硬化体シート２０を調製した。続いて、硬化体シート２０から、長さ１５ｍｍ×幅４．５ｍｍ×厚さ１００μｍのサンプルを採取し、これを、熱機械測定装置（Ｒｉｇａｋｕ社製：形式ＴＭＡ８３１０）のフィルム引張測定用治具にセットした後、２５〜２６０℃の温度域で、引張荷重２ｇ、昇温速度５℃／分の条件下におき、３０℃〜５０℃での膨張率から第１熱膨張係数α１（ガラス転移温度Ｔｇ以下における熱膨張係数α）を求めた。
【０１４５】
（ガラス転移温度Ｔｇ）
半導体素子封止用シート１を１５０℃で１時間加熱して、硬化体シート２０を調製した。続いて、硬化体シート２０について、固体粘弾性測定装置（ティー・エイ・インスツルメンツ社製、形式：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いて、引張貯蔵弾性率Ｅ’を測定した。
【０１４６】
具体的には、硬化体シート２０から長さ２０ｍｍ×幅３ｍｍ×厚さ１００μｍのサンプルを採取し、これを、下記の条件で動的粘弾性測定を実施して、引張貯蔵弾性率Ｅ’および引張損失弾性率Ｅ’’を得、これからｔａｎδ（＝Ｅ’’／Ｅ’）の曲線を求め、ｔａｎδのピーク値として、ガラス転移温度Ｔｇを求めた。
【０１４７】
モード：引張
走査温度：０〜２６０℃
周波数：１Ｈｚ
昇温速度：１０℃／分
（評価２）
評価１に基づいて、信頼性およびハンドリング性を、下記の基準に従って、評価した。その結果を表１に記載する。
（信頼性）
○：ガラス転移温度Ｔｇが、１１０℃以上。
×：ガラス転移温度Ｔｇが、１１０℃未満。
（ハンドリング性）
○：２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’が、１５ＧＰａ以下。
×：２５℃における引張貯蔵弾性率Ｅ’が、１５ＧＰａ超過。
【０１４８】
【表１】
2019160868.tif 000003
【符号の説明】
【０１４９】
１     半導体素子封止用シート（封止用シートの一例）
【図１】
2019160868.tif 000004
【図２】
2019160868.tif 000005
【図３】
2019160868.tif 000006