(57)【要約】【課題】高周波信号を伝送する再配線層が形成されたＩＣチップが搭載され、高周波信号の損失が低減された半導体装置を実現する。【解決手段】高周波信号を伝送する高周波用配線１２を一面１１ａに備える配線部材１と、再配線層３４を備えるＩＣチップ３とを備え、一面１１ａに対する法線方向から見て、高周波用配線１２および再配線層３４のうち高周波用配線１２と電気的に接続された高周波用再配線層３４１が直線状に延設されると共に、一直線上に配置された半導体装置とする。これにより、高周波用配線１２および高周波用再配線層３４１に高周波信号を伝送する際の損失が低減された半導体装置となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を伝送する高周波用配線（１２）を一面（１１ａ）に備える配線部材（１）と、
前記高周波用配線と電気的に接続されたアンテナ（２１、２２）と、
前記一面上に搭載され、前記アンテナと前記高周波用配線を介して電気的に接続されたＩＣチップ（３）と、を備え、
前記高周波用配線は、前記一面に対する法線方向から見て、直線状に延設され、
前記ＩＣチップは、複数の端子（３１１）を備え、ＩＣが形成された半導体チップ（３１）と、前記複数の端子それぞれに接続された複数の再配線層（３４）と、を有してなり、
前記複数の再配線層の少なくとも一部は、前記高周波用配線と電気的に接続された高周波用再配線層（３４１）であり、
前記高周波用再配線層は、前記法線方向から見て、直線状に延設されると共に、前記高周波用配線のなす直線上に配置されている半導体装置。
【請求項２】
前記ＩＣチップは、前記再配線層に接続された複数の接続部（３５）をさらに有し、
前記高周波用再配線層は、前記接続部を介して前記高周波用配線と電気的に接続されており、
前記接続部はバンプである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記法線方向から見て、前記複数の再配線層のうち最外周に配置された前記再配線層が前記高周波用再配線層である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記法線方向から見たときの前記再配線層の長さをオフセット量として、
前記高周波用再配線層の前記オフセット量が、前記法線方向から見て、前記再配線層のうち前記高周波用再配線層よりも前記ＩＣチップの内側に配置された前記再配線層の前記オフセット量よりも小さい請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記高周波用再配線層は、前記法線方向から見て、前記配線部材のうち最も収縮が小さい方向に沿って延設されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記高周波用再配線層は、複数形成されており、
前記高周波用再配線層のうち前記端子側の一端から反対側の他端に向かう方向を引き出し方向として、前記複数の高周波用再配線層の前記引き出し方向が揃っている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ＩＣチップは、長方形板状とされており、
前記高周波用再配線層は、前記ＩＣチップの外郭のうち短辺方向に沿って配置されている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ＩＣチップは、長方形板状とされており、
前記高周波用再配線層は、前記ＩＣチップの外郭のうち長辺方向に沿って配置されている請求項６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再配線層を備えるＩＣチップが搭載された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ（Integrated Circuitの略）を備える半導体チップ、すなわちＩＣチップが知られている。この種のＩＣチップは、集積回路における複数の入出力端子を有するが、これらの端子同士の間隔が狭く、そのままでは配線部材などへの実装が困難であるため、これらの端子に接続された再配線層が形成された構造とされる。このようなＩＣチップとしては、例えば、特許文献１に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載のＩＣチップは、複数の端子を有するＩＣと、ＩＣの一面を覆う絶縁層と、端子と電気的に接続され、絶縁層内に形成された再配線層と、絶縁層から露出しつつ、再配線層に電気的に接続された複数のバンプと、を備える。このＩＣチップは、一面に対する法線方向から見て、配線部材などに接続される部分であるバンプとＩＣの端子とがオフセットされつつも再配線層を介して電気的に接続されており、配線部材などへの実装性が向上した構造とされている。
【０００４】
なお、ここでいう「オフセットされている」とは、ＩＣチップを上面視したときにＩＣの端子と再配線層を介して該端子に電気的に接続されるバンプとの位置がずれている状態であることを指す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６４０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この種のＩＣチップは、配線部材などへの実装性向上の目的で、再配線層を介してＩＣの端子同士の間隔を広げた構造であるため、その実装側の面における平面サイズがＩＣの平面サイズよりも大きい。また、この種のＩＣチップは、ＩＣが上面視にてＩＣチップの中心付近に配置され、再配線層のオフセット量がＩＣチップの中心付近では小さく、外周側ほどが大きくなる。
【０００７】
なお、ここでいう「オフセット量」とは、ＩＣチップを上面視したときのＩＣの端子とバンプとの距離を指し、オフセット量がゼロの場合にはＩＣの端子とバンプとが重なっている状態となる。すなわち、「オフセット量」とは、上面視における再配線層の長さと言い換えることもでき、オフセット量が大きいほど端子とバンプが離れている状態となる。
【０００８】
ここで、ＩＣチップのバンプが微小なサイズとされる場合には、耐久信頼性を確保する観点から、ＩＣの端子は、すべてオフセットが必要となる。また、この種のＩＣチップの再配線層のうち高周波信号が入出力されるものは、高周波信号を伝送する際の損失（以下「伝送損失」という）を低減するため、そのオフセット量が小さいことが好ましい。
【０００９】
また、配線部材のうち高周波信号を通す配線（以下「高周波用配線」という）やＩＣチップの再配線層のうち高周波信号を通す再配線層（以下「高周波用再配線層」という）が複雑な形状とされた場合には、これらの配線において高周波信号の損失が生じ得る。具体的には、高周波信号の伝送経路である高周波用配線および高周波用再配線層それぞれの途中やこれらの接続部分で、配線の特性インピーダンスの不連続が生じ、高周波信号の一部の反射などに起因する伝送損失が生じ得る。この場合、配線部材やＩＣチップについて高周波特性を考慮した配線設計を行っても、実際に得られる高周波特性が設計値とずれる原因となり、好ましくない。
【００１０】
特許文献１に記載の発明は、上面視にて、再配線層がランダムにオフセットされると共に、端子とバンプとの間で折れ曲がった形状とされる部分が存在していることから、伝送損失を効果的に低減できない構成である。
【００１１】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、高周波用再配線層が形成されたＩＣチップを備え、従来よりも伝送損失が低減された半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、高周波信号を伝送する高周波用配線（１２）を一面（１１ａ）に備える配線部材（１）と、高周波用配線部材と電気的に接続されたアンテナ（２１、２２）と、一面上に搭載され、アンテナと高周波用配線を介して電気的に接続されたＩＣチップ（３）と、を備える。このような構成において、高周波用配線は、一面に対する法線方向から見て、直線状に延設され、ＩＣチップは、複数の端子（３１１）を備え、ＩＣが形成された半導体チップ（３１）と、複数の端子それぞれに接続された複数の再配線層（３４）と、を有してなり、複数の再配線層の少なくとも一部は、高周波用配線と電気的に接続された高周波用再配線層（３４１）であり、高周波用再配線層は、法線方向から見て、直線状に延設されると共に、高周波用配線のなす直線上に配置されている。
【００１３】
これによれば、アンテナとＩＣチップの端子との間で高周波信号を伝送する高周波用配線と、これに接続された高周波用再配線層と、が上面視にて直線状に配置され、高周波信号を伝送する配線の特性インピーダンスの不連続度が低減される半導体装置となる。また、上記の効果に加えて、高周波用再配線層のオフセット量を小さくできる構成となるため、従来よりも高周波信号の伝送における損失を低減できる半導体装置となる。
【００１４】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の半導体装置をＩＣチップの裏面側から見たときの平面レイアウトを示す平面模式図である。
【図２】図１中に一点鎖線で示すII-II間の断面を示す断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置のうちＩＣチップの裏面側を示した平面模式図である。
【図４】図３中に一点鎖線で示すIV-IV間の断面を示す断面図である。
【図５】第２実施形態の半導体装置のうちＩＣチップの裏面側を示した平面模式図である。
【図６】第２実施形態の半導体装置におけるＩＣチップの配線部材の収縮方向に対する配置を、ＩＣチップの裏面側から見たときの平面レイアウトを示す平面模式図である。
【図７】第２実施形態の半導体装置のうちＩＣチップを変形した例を裏面側から見たものを示した平面模式図である。
【図８】第３実施形態の半導体装置のうちＩＣチップの裏面側を示した平面模式図である。
【図９】第３実施形態の半導体装置のうちＩＣチップを変形した例を裏面側から見たものを示した平面模式図である。
【図１０】第４実施形態の半導体装置のうちＩＣチップの裏面側を示した平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１７】
（第１実施形態）
第１実施形態の半導体装置について、図１〜図４を参照して述べる。本実施形態の半導体装置は、例えば、自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための半導体装置として適用されるものである。本実施形態では、この半導体装置がミリ波レーダに適用された例について説明する。
【００１８】
図１では、本実施形態の半導体装置の構成を分かり易くするため、後述する配線部材１、アンテナ２およびＩＣチップ３以外の構成要素を省略すると共に、配線や端子などの数を減らしてデフォルメしたものを示している。また、図１では、ＩＣチップ３と後述する高周波用配線１２との接続関係を分かり易くするため、後述する再配線層３４や高周波用再配線層３４１および接続部３５の長さや大きさなどを誇張して示している。さらに、図１では、見やすくするため、後述する絶縁層３２に覆われている再配線層３４および端子３１１を実線で示し、配線部材１の外郭を一点鎖線で示している。図３、図４では、ＩＣチップ３の構成を分かり易くするため、デフォルメした上で各構成要素の大きさや厚みを誇張すると共に、絶縁層３２で覆われた、再配線層３４、端子３１１および後述する半導体チップ３１の外郭を破線で示している。
【００１９】
本実施形態の半導体装置は、図１に示すように、高周波信号が伝送される高周波用配線１２を有する配線部材１と、配線部材１上に搭載されたアンテナ２およびＩＣチップ３と、を備える。本実施形態の半導体装置は、例えば、任意のミリ波レーダにおけるＲＦ回路およびアンテナとして機能し、ミリ波帯（周波数３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ）の高周波信号を伝送する配線における伝送損失を低減する構成とされている。伝送損失を低減する配線の具体的な配置については後述する。
【００２０】
なお、ミリ波レーダの動作原理や本実施形態の半導体装置以外の構成要素（例えば、ＤＳＰ（デジタル処理信号回路）やレドームなど）については、公知であるため、本明細書ではその詳細な説明を省略する。
【００２１】
配線部材１は、図１に示すように、例えば、一面１１ａを有し、ガラスエポキシ樹脂やプリプレグなどにより構成された板状の支持基板１１と、一面１１ａ上に配置された高周波用配線１２とを有してなる。配線部材１は、少なくとも高周波用配線１２を備えているが、高周波用配線１２以外の構成については適宜変更されてもよい。
【００２２】
高周波用配線１２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの金属材料により構成され、図１に示すように、アンテナ２とＩＣチップ３との間において高周波信号を伝送する配線であり、電解メッキなどにより形成される。高周波用配線１２は、図１に示すように、複数形成されており、平面視にて、それぞれのアンテナ２とＩＣチップ３とを繋ぐように延設された直線状とされ、それぞれ電気的に独立している。
【００２３】
高周波用配線１２は、図１に示すように、平面視にて、該高周波用配線１２と電気的に接続された高周波用再配線層３４１のなす直線上に配置されている。これにより、アンテナ２とＩＣチップ３との間における高周波信号を伝送する配線での伝送損失が低減される。この理由については、後述する。
【００２４】
アンテナ２は、本実施形態では、ミリ波帯の電波（以下「ミリ波電波」という）の送信または受信を行うものであり、例えばマイクロストリップアンテナなどの任意のミリ波アンテナなどが適用される。アンテナ２は、例えば、図２に示すように、配線部材１の一面１１ａ上に複数配置され、それぞれ高周波用配線１２と図示しない接合材などにより接続されている。アンテナ２は、本実施形態では、送信用アンテナ２１と受信用アンテナ２２とを有してなる。
【００２５】
送信用アンテナ２１は、ＩＣチップ３から伝送された高周波信号、すなわちミリ波電波を外部、例えば、本実施形態の半導体装置が適用されたミリ波レーダが搭載された車両の前方に向かって送信するアンテナである。送信用アンテナ２１は、本実施形態では、図１に示すように、図１の紙面上の左右方向をそれぞれ左、右とし、該紙面上で該左右方向と直交する方向をそれぞれ上、下として、ＩＣチップ３の左方向と下方向にそれぞれ配置されている。
【００２６】
受信用アンテナ２２は、送信用アンテナ２１が外部に送信したミリ波電波のうち反射されたミリ波電波を受信するアンテナである。受信用アンテナ２２は、例えば、図１に示すように、ＩＣチップ３の左方向と下方向にそれぞれ配置され、送信用アンテナ２１と交互に配置されている。
【００２７】
なお、送信用アンテナ２１および受信用アンテナ２２の数やその配置は、上記に限られるものではなく、適宜変更される。
【００２８】
ＩＣチップ３は、図４に示すように、例えば、一面３１ａと他面３１ｂを有する四角形板状とされ、複数の端子３１１を備える半導体チップ３１と、絶縁層３２と、封止樹脂３３と、複数の再配線層３４と、複数の接続部３５とを有してなる。ＩＣチップ３は、図３もしくは図４に示すように、半導体チップ３１の他面３１ｂ以外が半導体チップ３１よりも平面サイズが大きい封止樹脂３３に覆われ、半導体チップ３１の他面３１ｂおよび封止樹脂３３のうち他面３１ｂ側が絶縁層３２に覆われている。ＩＣチップ３は、図４に示すように、半導体チップ３１の他面３１ｂ側に形成された複数の端子３１１が絶縁層３２内に形成された再配線層３４と電気的に接続されている。ＩＣチップ３は、図４に示すように、再配線層３４を介して絶縁層３２のうち半導体チップ３１の反対側で露出した接続部３５と電気的に接続されている。
【００２９】
ＩＣチップ３は、図４に示すように、封止樹脂３３のうち半導体チップ３１の反対側の面を表面３ａ、その反対面を裏面３ｂとして、裏面３ｂに対する法線方向（以下「裏面法線方向」という）から見て、再配線層３４の少なくとも一部が直線状とされている。具体的には、再配線層３４のうち高周波信号を伝送する高周波用再配線層３４１は、図３に示すように、裏面法線方向から見て、直線状とされている。
【００３０】
なお、ＩＣチップ３は、半導体チップ３１を通常のモールド工程により封止樹脂３３で封止し、通常の再配線工程により絶縁層３２、再配線層３４および接続部３５を形成することで製造される。また、ＩＣチップ３は、高周波用再配線層３４１以外の点については任意の構成とされてもよく、図示しない配線を介して図示しないデジタル処理回路などと接続されている。
【００３１】
半導体チップ３１は、集積回路（ＩＣ）を備え、高周波用配線１２および再配線層３４を介してアンテナ２との高周波信号のやり取りおよびその処理を行うものであり、通常の半導体プロセスで製造される。半導体チップ３１は、高周波信号や他の電気信号が入出力される複数の端子３１１が形成されている。
【００３２】
端子３１１は、例えば図３に示すように、半導体チップ３１の他面３１ｂ側から見て、アレイ状に配置されている。端子３１１のうち一部は、高周波用再配線層３４１と接続された高周波用端子とされている。
【００３３】
絶縁層３２は、通常の再配線工程にて用いられる絶縁性材料、例えばポリイミドなどの樹脂材料などで構成される。絶縁層３２は、本実施形態では、図４に示すように、２層の絶縁膜３２１、３２２が積層された構成とされている。
【００３４】
封止樹脂３３は、通常の半導体装置の封止工程で用いられる封止材料、例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料で構成され、コンプレッション成形などにより形成される。
【００３５】
再配線層３４は、通常の再配線工程にて用いられる導電性材料、例えばＣｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）やＡｕ（金）などの金属材料などで構成される。再配線層３４は、例えば、図４に示すように、電解メッキや無電解メッキなどにより形成され、端子３１１と接続部３５とを電気的に接続している。
【００３６】
なお、再配線層３４は、図１に示すように、アンテナ２と高周波信号のやり取りをするものとそうでないものとを有してなり、これらを区別するため、以下の説明においては便宜的に前者を高周波用再配線層３４１と、後者を他の再配線層３４２と称する。
【００３７】
高周波用再配線層３４１は、図１に示すように、裏面法線方向から見て直線状とされ、例えば接続部３５を介して高周波用配線１２と電気的に接続されている。高周波用再配線層３４１は、図１に示すように、裏面法線方向から見て、電気的に接続された高周波用配線１２と一直線上に並ぶように配置されている。
【００３８】
他の再配線層３４２は、図示しない他の配線などと電気的に接続されており、高周波用再配線層３４１と同様に、裏面法線方向から見て直線状に延設されていてもよいし、直線状と異なる形状とされてもよい。
【００３９】
接続部３５は、半導体チップ３１の端子３１１と配線部材１上に形成された配線とを電気的に接続するものであり、本実施形態では、例えばはんだなどの導電性材料により構成されたバンプとされているが、導電ビアなどの他の形態とされてもよい。これにより、ＩＣチップ３が配線部材１上の高周波用配線１２および図示しない他の配線と電気的に接続されると共に、アンテナ２との高周波信号の送受信およびこれに基づく信号を図示しないＤＳＰなどに出力する構成となる。
【００４０】
以上が本実施形態の半導体装置の構成である。
【００４１】
次に、高周波用再配線層３４１の配置およびその効果について説明する。
【００４２】
高周波用再配線層３４１は、図１に示すように、ＩＣチップ３を裏面法線方向から見て、複数の端子３１１のうち最も外郭側、すなわち最外周に配置された端子３１１をオフセットするものであることが好ましい。言い換えると、高周波用再配線層３４１は、ＩＣチップ３の最外周に配置されることが好ましい。これは、高周波用再配線層３４１と高周波用配線１２との接続において図示しない他の配線との干渉を避けると共に、高周波用再配線層３４１と高周波用配線１２とを一直線上に配置することが容易になるためである。
【００４３】
なお、ここでいう「最外周に配置された端子３１１」とは、半導体チップ３１の他面３１ｂに対する法線方向から見て、複数の端子３１１のうちその外縁部分に配置された端子３１１をいう。
【００４４】
高周波用再配線層３４１は、図１に示すように、直線状とされると共に、直線状とされた高周波用配線１２のうち該高周波用再配線層３４１と電気的に接続されたもののなす直線上に配置されている。これは、本発明者らが高周波信号を伝送する再配線層の引き出し方向と該再配線層から伝送された高周波信号の出力方向とが同一でない場合には、そのような配置とされた半導体装置の高周波特性が低下することに着目したことによる。
【００４５】
具体的には、例えば、平面視にて、高周波用再配線層３４１のなす直線とこれに接続される高周波用配線１２のなす直線とが直角をなすようにＩＣチップ３を配線部材１に搭載した場合について検討する。このとき、高周波用再配線層３４１のうち端子３１１側の一端から接続部３５側の他端に向かう方向を引き出し方向とする。また、高周波信号が高周波用配線１２で伝送される際において、高周波用配線１２のうちＩＣチップ３側の一端からアンテナ２側の他端に向かう方向を出力方向とする。この場合、高周波用再配線層３４１の引き出し方向と該高周波用再配線層３４１を介して高周波用配線１２に伝送される高周波信号の出力方向とが異なる方向を向いた状態となる。
【００４６】
本発明者らは、このような状態とされた半導体装置では、その高周波特性が低下することに気づき、この現象が高周波用再配線層３４１および高周波用配線１２の配線における特性インピーダンスの不連続度に起因すると考えた。本発明者らは、具体的には、特性インピーダンスが異なる２つの配線が接続されたものを通じて高周波信号が伝送される場合、これらの接続部分において高周波信号の一部が反射するなどの原因により高周波信号の伝送損失が生じたと推測した。
【００４７】
逆に言えば、高周波信号を伝送する高周波用再配線層３４１の引き出し方向と高周波信号の出力方向とが一致する配置とされた半導体装置とすることにより、特性インピーダンスの不連続度が低減され、高周波特性を向上できる。つまり、高周波用再配線層３４１と高周波用配線１２との接続による配線構造の変化が小さい構成、すなわち平面視において高周波用再配線層３４１と高周波用配線１２とが一直線上に配置された構成では、その特性インピーダンスの不連続度が低減される。このような着想により、本発明者らは、高周波用再配線層３４１が高周波用配線１２のなす直線上に配置された本実施形態の半導体装置に至った。
【００４８】
高周波用再配線層３４１は、該高周波用再配線層３４１と電気的に接続された高周波用配線１２のなす直線上に配置されていればよく、図１に示すように、それぞれの高周波用再配線層３４１の引き出し方向がすべて一致していなくてもよい。
【００４９】
本実施形態によれば、平面視にて、高周波用再配線層３４１の引き出し方向と高周波信号の出力方向とが一致した構成とされることで、従来よりも高周波信号の伝送損失が低減された半導体装置となる。
【００５０】
（第２実施形態）
第２実施形態の半導体装置について、図５、図６を参照して説明する。図５では、見易くするため、絶縁層３２に覆われた再配線層３４および端子３１１を実線で示している。図６では、図１と同様に、構成を分かり易くするためにデフォルメし、端子３１１、再配線層３４および接続部３５の数や大きさなどを誇張したものを示すと共に、配線部材１およびＩＣチップ３以外の構成を省略している。
【００５１】
本実施形態の半導体装置は、図５に示すように、高周波用再配線層３４１を含む再配線層３４の引き出し方向がすべて揃っており、かつ長方形板状とされたＩＣチップ３の短辺方向に平行な方向とされている。また、本実施形態の半導体装置は、再配線層３４が、図６の白抜き矢印で示す配線部材１の最も収縮方向の小さい方向に沿って配置された構成とされている。本実施形態の半導体装置は、これらの点において上記第１実施形態の半導体装置と相違する。本実施形態では、これらの相違点について主に説明する。
【００５２】
ＩＣチップ３の複数の端子３１１は、図５に示すように、再配線層３４によりオフセットされている。
【００５３】
再配線層３４は、本実施形態では、図５に示すように、その引き出し方向がＩＣチップ３の短辺方向に対して平行な方向に揃うように形成されている。このようなオフセットとされることで、ＩＣチップ３は、その短辺方向の長さが長辺方向の長さに近い、すなわち正方形板状に近い形状となる。これにより、ＩＣチップ３の応力が緩和され、配線部材１とＩＣチップ３との接続が安定し、接続信頼性が向上した半導体装置となる。また、ＩＣチップ３は、再配線層３４の引き出し方向をすべて揃えた構造とされることで、再配線層３４の設計が容易、かつ製造における工数が低減された半導体装置となる。
【００５４】
また、ＩＣチップ３は、本実施形態では、図６に示すように、再配線層３４の引き出し方向と配線部材１のうちその収縮が最も小さい方向とが揃うように、すなわち平行となるように配置されている。これは、配線部材１の収縮に起因する配線部材１とＩＣチップ３との接続部分にかかる応力を緩和し、接続信頼性が向上した半導体装置とするためである。
【００５５】
なお、配線部材１の「収縮が最も小さい方向」とは、例えば、支持基板１１が一様な材質で構成された長方形板状とされた場合には、その短辺方向となり、ガラスクロスを備えるプリプレグで構成されている場合には、ガラスクロスの網目が密な方向となる。このように、配線部材１の収縮が最も小さい方向は、支持基板１１の形状や構成材料などにより変わる。ＩＣチップ３は、この配線部材１の収縮が最も小さい方向と再配線層３４の引き出し方向とが平行になるように配置される。また、高周波用配線１２は、この再配線層３４の配置に合わせてその配置が適宜変更される。
【００５６】
本実施形態によれば、上記第１実施形態で得られる効果に加え、配線部材１とＩＣチップ３との接続信頼性の高く、再配線層３４の設計が容易な半導体装置となる。
【００５７】
（第２実施形態の変形例）
上記第２実施形態では、再配線層３４の引き出し方向がすべて揃っている例について説明した。しかし、再配線層３４が長方形板状とされたＩＣチップ３の短辺方向に沿って配置されていればよく、図７に示すように、再配線層３４は、その一部の引き出し方向が逆とされていてもよい。
【００５８】
このような再配線層３４の配置とされた場合においても、上記と同様の効果が得られる。なお、図７では、図７の紙面左側の３列の再配線層３４の引き出し方向と、同紙面右側の２列の再配線層３４の引き出し方向とが逆にされた例を示しているが、この再配線層３４の数やその配列については適宜変更されてもよい。
【００５９】
（第３実施形態）
第３実施形態の半導体装置について、図８を参照して説明する。
【００６０】
本実施形態の半導体装置は、図８に示すように、高周波用再配線層３４１を含む再配線層３４の引き出し方向がすべて揃っており、かつ長方形板状とされたＩＣチップ３の長辺方向に平行な方向とされている点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
【００６１】
再配線層３４は、図８に示すように、その引き出し方向が長方形板状とされたＩＣチップ３の長辺方向に沿って揃うように形成されている。これにより、再配線層３４の引き出し方向をＩＣチップ３の短辺方向に沿って揃えた場合よりもＩＣチップ３の面積が小さくなり、製造コストが低減された半導体装置となる。
【００６２】
具体的には、長方形板状とされたＩＣチップ３は、再配線層３４の引き出し方向に沿った方向のほうが当該方向に対して直交する方向よりも長い形状となる。このとき、ＩＣチップ３のうち長辺方向の長さをＸとし、短辺方向の長さをＹとし、再配線層３４の引き出しにより伸びる長さをαとして、長辺方向が伸びる場合および短辺方向が伸びる場合のＩＣチップ３の面積を検討する。
【００６３】
長辺方向が伸びる場合のＩＣチップ３の面積は、この場合における長辺方向の長さ（Ｘ＋α）と短辺方向の長さＹとを乗じて得られる（ＸＹ＋αＹ）となる。これに対して、短辺方向が伸びる場合のＩＣチップ３の面積は、この場合における長辺方向の長さＸと短辺方向の長さ（Ｙ＋α）とを乗じて得られる（ＸＹ＋αＸ）となる。ここで、Ｘ＞Ｙであるため、αＸ＞αＹとなり、長辺方向が伸びる場合のＩＣチップ３の面積は、短辺方向が伸びる場合のＩＣチップ３の面積よりも小さい。
【００６４】
そのため、再配線層３４の引き出し方向がＩＣチップ３の長辺方向に沿って揃えられた本実施形態の半導体装置は、ＩＣチップ３の面積がより小さくなり、製造コストに有利な構造となる。また、再配線層３４の引き出し方向がすべて揃えられているため、上記第２実施形態と同様に、再配線層３４の設計が容易となる。
【００６５】
本実施形態によれば、上記第１実施形態で得られる効果に加え、ＩＣチップ３の面積がより小さくされ、製造コストが有利、かつ再配線層３４の設計が容易な半導体装置となる。
【００６６】
（第３実施形態の変形例）
再配線層３４は、再配線層３４が長方形板状とされたＩＣチップ３の短辺方向に沿って配置されていればよく、図９に示すように、その一部の引き出し方向が逆とされていてもよい。
【００６７】
このような再配線層３４の配置とされた場合においても、上記と同様の効果が得られる。なお、図９では、図９の紙面上側の５行の再配線層３４の引き出し方向と、同紙面下側の３行の再配線層３４の引き出し方向と、が逆にされた例を示しているが、この再配線層３４の数やその配列については適宜変更されてもよい。
【００６８】
（第４実施形態）
第４実施形態の半導体装置について、図１０を参照して説明する。
【００６９】
本実施形態の半導体装置は、図１０に示すように、再配線層３４のうちＩＣチップ３の端部側に配置された高周波用再配線層３４１のオフセット量がその内側に配置された他の再配線層３４２のオフセット量よりも小さい点が上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
【００７０】
なお、ここでいうＩＣチップ３の端部とは、裏面法線方向から見て、ＩＣチップ３の外郭のうち再配線層３４の引き出し方向に平行な方向における外郭部分をいう。
【００７１】
再配線層３４のうち高周波用再配線層３４１は、図１０に示すように、他の再配線層３４２よりもＩＣチップ３の端部側に配置されている。他の再配線層３４２は、平面視にて、高周波用再配線層３４１よりもＩＣチップ３の内側に配置されると共に、高周波用再配線層３４１のオフセット量よりも大きくされている。これにより、高周波用再配線層３４１のオフセット量が、上記各実施形態における高周波用再配線層３４１のオフセット量よりも小さくなり、該高周波用再配線層３４１における高周波信号の伝送損失が低減される。
【００７２】
なお、ＩＣチップ３の端部側に配置された高周波用再配線層３４１のオフセット量が、その内側に配置された他の再配線層３４２のオフセット量よりも小さければよく、図１０に示した例に限られず、再配線層３４の数や配置などについては適宜変更されてもよい。
【００７３】
本実施形態によれば、上記第１実施形態で得られる効果に加え、高周波用再配線層３４１のオフセット量がより小さい、すなわち高周波信号の伝送損失がより低減された半導体装置となる。
【００７４】
（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した半導体装置は、本発明の半導体装置の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００７５】
（１）例えば、上記第２実施形態では、再配線層３４がすべてその引き出し方向が揃えられた例について説明した。しかし、少なくとも高周波信号を伝送する高周波用配線１２と高周波用再配線層３４１との接続信頼性を確保する目的であれば、高周波用再配線層３４１の引き出し方向が揃えられた構成とすればよく、他の再配線層３４２の引き出し方向が揃っていなくてもよい。
【００７６】
（２）上記各実施形態では、高周波用配線１２を備える配線部材１の例として、支持基板１１を有してなるものを挙げた。しかし、配線部材１は、高周波用配線１２を備え、アンテナ２やＩＣチップ３を搭載できるものであればよく、基板の形態に限られず、筐体部品や他の電子部品などの形態であってもよく、他の形態であってもよい。
【００７７】
（３）上記各実施形態では、アンテナ２がＩＣチップ３と共に配線部材１の一面１１ａ上に搭載された例について説明したが、アンテナ２は、高周波用配線１２と電気的に接続され、ＩＣチップ３と高周波信号のやり取りができればよい。そのため、アンテナ２は、配線部材１のうちＩＣチップ３が搭載される一面１１ａの反対側の面に配置され、図示しないスルーホールビアなどを介して高周波用配線１２と電気的に接続されていてもよい。
【符号の説明】
【００７８】
１      配線部材
１１    支持基材
１２    高周波用配線
２      アンテナ
３      ＩＣチップ
３１    半導体チップ
３４    再配線層
３４１  高周波用再配線層
３５    接続部
【図１】
2019125601.tif 000003
【図２】
2019125601.tif 000004
【図３】
2019125601.tif 000005
【図４】
2019125601.tif 000006
【図５】
2019125601.tif 000007
【図６】
2019125601.tif 000008
【図７】
2019125601.tif 000009
【図８】
2019125601.tif 000010
【図９】
2019125601.tif 000011
【図１０】
2019125601.tif 000012