(57)【要約】【課題】レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度を向上させる。【解決手段】保持装置（１）は、保持対象のチャンバ（５００）を収容可能な収容空間（２００）を画成する収容部（２４）を有し、前記収容部に背向する側に内部空間（２１０）が形成されたベース部材（２）と、前記チャンバの内容物のレベルを計測する静電容量型のレベルセンサ（８）とを備え、前記レベルセンサは、前記内部空間において、前記収容部側を向いて配置された第１送信電極（Ｔ１）および第１受信電極（Ｒ１）と、前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２送信電極（Ｔ２）と、前記内部空間において、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２受信電極（Ｒ２）とを有することを特徴とする。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持対象のチャンバを収容可能な収容空間を画成する収容部を有し、前記収容部に背向する側に内部空間が形成されたベース部材と、
前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測する静電容量型のレベルセンサと、を備え、
前記レベルセンサは、
前記内部空間において、前記収容部側を向いて配置された第１送信電極および第１受信電極と、
前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２送信電極と、
前記内部空間において、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２受信電極と、を有する
ことを特徴とする保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記第２送信電極と前記第２受信電極とは、前記収容空間を挟んで互いに対向して配置されている
ことを特徴とする保持装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の保持装置において、
前記レベルセンサは、
前記第１送信電極および前記第１受信電極が形成された第１主面を有する第１基板と、
前記第２送信電極が形成された第２主面を有する第２基板と、
前記第２受信電極が形成された第３主面を有する第３基板と、を有する
ことを特徴とする保持装置。
【請求項４】
請求項３に記載の保持装置において、
前記第２基板および前記第３基板は、前記第２主面および前記第３主面と前記第１主面とが直交するように配置される
ことを特徴とする保持装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の保持装置において、
前記第２受信電極を構成する金属薄膜の表面積は、前記第２送信電極の表面積より小さい
ことを特徴とする保持装置。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れか一項に記載の保持装置において、
前記第２受信電極を構成する金属薄膜には、スリットが形成されている
ことを特徴とする保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャンバを保持する保持装置に関し、特に、保持するチャンバの内容物のレベルを検出する静電容量型レベルセンサを搭載した保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、腎臓の機能を人工的に代替する医療システムとして血液透析システムが知られている。血液透析システムは、患者の身体から体外に取り出した血液と透析液とをダイアライザに供給し、ダイアライザにおいて半透膜を介して血液中の老廃物を透析液に移行させることによって血液を浄化して体内に戻すシステムである。
【０００３】
血液透析システムでは、そのシステム中を流れる液体（血液や透析液等）の流路の適切な箇所には、例えば、流路を流れる液体を一定量滞留させるとともに一定量の液体を流出させる筒状の容器であるドリップチャンバが接続されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１１０７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、ドリップチャンバ内の液体の量が十分であるか否かは、医療従事者がドリップチャンバ内を目視で確認することにより行われていた。しかしながら、近年、目視だけでなく、センサを用いてドリップチャンバ内の液体の量を計測することが望まれている。
【０００６】
本願発明者は、ドリップチャンバ内の液体の量を計測するために、ドリップチャンバを保持する保持装置に相互容量方式の静電容量型レベルセンサを搭載することを検討した。その検討の結果、以下に示す課題があることが明らかとなった。
【０００７】
一般に、相互容量方式の静電容量型レベルセンサは、例えば同一平面上に送信電極と受信電極とを並べて配置した構造を有し、送信電極にパルスを印加したときに送信電極と受信電極との間に発生する電気力線（電界）の変化に基づいて、送信電極と受信電極との間に存在する対象物の量（レベル）を検知する。
【０００８】
例えば、計測対象の液体の傍に相互容量方式の静電容量型レベルセンサの送信電極および受信電極を配置した場合、電界の一部が液体に移るため、上記液体がない場合に比べて、受信電極で検知される電気力線が減少し、送信電極と受信電極との間の静電容量が減少する。この静電容量の変化を検出することにより、計測対象の液体の液面の高さ（レベル）を検出することができる。
【０００９】
しかしながら、ドリップチャンバで扱う液体が血液等の粘性の高い液体である場合、ドリップチャンバの内壁に液体が付着すると、内壁に付着した液体によって静電容量が変化し、液体の液面の高さの正確な計測結果を静電容量型レベルセンサが出力できない場合がある。
【００１０】
特に、血液透析システムにおいて用いられるドリップチャンバでは、上下の両方向から血液の出入りがあるため、ドリップチャンバの内壁に血液が付着しやすいという問題がある。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の代表的な実施の形態に係る保持装置は、保持対象のチャンバを収容可能な収容空間を画成する収容部を有し、前記収容部に背向する側に内部空間が形成されたベース部材と、前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測する静電容量型のレベルセンサとを備え、前記レベルセンサは、前記内部空間において、前記収容部側を向いて配置された第１送信電極および第１受信電極と、前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２送信電極と、前記内部空間において、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２受信電極と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様によれば、レベルセンサを搭載した保持装置の計測精度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る保持装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る保持装置の主面側から見た分解斜視図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態に係る保持装置のドリップチャンバを取り付けた状態の斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ａにおける保持装置のＢ−Ｂ面での断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る保持装置の蓋部側から見た分解斜視図である。
【図５Ａ】ベース部材のｙ方向負側から見た平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すベース部材のＡ−Ａ面での断面斜視図である。
【図６Ａ】レベルセンサを構成する基板ユニットの斜視図である。
【図６Ｂ】レベルセンサを構成する基板ユニットのｙ方向正側から見た平面図である。
【図６Ｃ】レベルセンサを構成する基板ユニットのｙ方向負側から見た平面図である。
【図６Ｄ】レベルセンサを構成する基板ユニットの分解斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。
【図８】レベルセンサの機能ブロックの構成を示す図である。
【図９Ａ】シールド部材の斜視図である。
【図９Ｂ】シールド部材のｙ方向正側から見た平面図である。
【図９Ｃ】シールド部材のｚ方向正側から見た平面図である。
【図１０Ａ】本発明の実施の形態に係る保持装置において、内部空間にシールド部材を収容した状態のベース部材の断面斜視図である。
【図１０Ｂ】本発明の実施の形態に係る保持装置において、内部空間にシールド部材および基板ユニットを収容した状態のベース部材の断面斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る保持装置の斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態に係る保持装置における送信電極と受信電極との間に発生する電界を模式的に示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態に係る保持装置の比較例として、メイン基板にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置における送信電極と受信電極間に発生する電界を模式的に示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態に係る保持装置の実験結果を示す図である。
【図１５】本発明の別の実施の形態に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。
【図１６】図１５に示した送信電極および受信電極を有する保持装置の実験結果を示す図である。
【図１７】本発明の更に別の実施の形態に係る保持装置の送信電極および受信電極を示す図である。
【図１８】図１７に示した保持装置における送信電極と受信電極との間に発生する電界を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．実施の形態の概要
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。なお、以下の説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の参照符号を、括弧を付して記載している。
【００１６】
〔１〕本発明の代表的な実施の形態に係る保持装置（１，１Ａ，１Ｂ）は、保持対象のチャンバ（５００）を収容可能な収容空間（２００）を画成する収容部（２４）を有し、前記収容部に背向する側に内部空間（２１０）が形成されたベース部材（２）と、前記収容部に収容された前記チャンバの内容物のレベルを計測する静電容量型のレベルセンサ（８）とを備え、前記レベルセンサは、前記内部空間において、前記収容部側を向いて配置された第１送信電極（Ｔ１）および第１受信電極（Ｒ１）と、前記内部空間において、前記第１送信電極および前記第１受信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２送信電極（Ｔ２）と、前記内部空間において、前記第１送信電極、前記第１受信電極、および前記第２送信電極と異なる方向から前記収容部側を向いて配置された第２受信電極（Ｒ２）とを有することを特徴とする。
【００１７】
〔２〕上記保持装置において、前記第２送信電極と前記第２受信電極とは、前記収容空間を挟んで互いに対向して配置されていてもよい。
【００１８】
〔３〕上記保持装置において、前記レベルセンサは、前記第１送信電極および前記第１受信電極が形成された第１主面（８１１）を有する第１基板（８１０）と、前記第２送信電極が形成された第２主面（８２１）を有する第２基板（８２０）と、前記第２受信電極が形成された第３主面（８３１）を有する第３基板（８３０）と、を有していてもよい。
【００１９】
〔４〕上記保持装置において、前記第２基板および前記第３基板は、前記第２主面および前記第３主面と前記第１主面とが直交するように配置されてもよい。
【００２０】
〔５〕上記保持装置において、前記第２受信電極を構成する金属薄膜の表面積は、前記第２送信電極を構成する金属薄膜の表面積より小さくてもよい。
【００２１】
〔６〕上記保持装置において、前記第２受信電極を構成する金属薄膜には、スリット（８３３）が形成されていてもよい。
【００２２】
２．実施の形態の具体例
以下、本発明の実施の形態の具体例について図を参照して説明する。なお、以下の説明において、各実施の形態において共通する構成要素には同一の参照符号を付し、繰り返しの説明を省略する。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００２３】
≪実施の形態１≫
図１は、本発明の実施の形態に係る保持装置の斜視図であり、図２は、図１に示す保持装置の主面側から見た分解斜視図である。
図１に示す保持装置１は、チャンバ５００を保持するとともに、チャンバ５００の内容物のレベルを検出するセンサを搭載した装置である。
【００２４】
以下の説明では、保持装置１の保持対象であるチャンバ５００が、血液透析システムにおいて、そのシステム中を流れる血液や透析液等の液体の流路に直列に接続されて、その液体を一定量滞留させるドリップチャンバである場合を例にとり、説明する。以降の説明では、チャンバ５００を「ドリップチャンバ５００」とも称する。
【００２５】
図２に示すように、ドリップチャンバ５００は、例えば、筒状のチャンバ本体５０１と、チャンバ本体５０１の上端部に装着された上蓋５０２と、チャンバ本体５０１の下端部に装着された下蓋５０３とを含む。ドリップチャンバ５００には、複数の管５０４が上蓋５０２からチャンバ本体５０１の内部に挿入されている。
【００２６】
ドリップチャンバ５００は、保持装置１によって保持される。保持装置１は、例えば固定具６によって、棒状の支持部材５に連結され、支持部材５を介して血液透析システムを構成する機器や点滴スタンド等に固定される。
【００２７】
また、保持装置１は、レベルセンサ８（図４および図８参照）を備えており、後述するように、保持したドリップチャンバ５００の内容物（血液や透析液等の液体）の液面の高さ（レベル）をレベルセンサ８によって計測し、その計測結果を、例えば血液透析システム内の図示されない上位の制御装置等に送信する。
【００２８】
以下、実施の形態１に係る保持装置１を構成する各構成要素について、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素と、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素とに分けて説明する。
【００２９】
先ず、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素について説明する。
図２に示すように、保持装置１は、ドリップチャンバ５００を保持するための構成要素として、ベース部材２および保持部材３を備えている。
【００３０】
ベース部材２は、例えば樹脂から構成されている。図２に示すように、ベース部材２は、例えば平面視略矩形状（例えば長方形状）に形成された板状部材２０と、収容部２４とを有する。板状部材２０は、主面２１、上面２０１、および下面２０２を有する。上面２０１および下面２０２は、例えば主面２１に略垂直な面である。
【００３１】
以下では、主面２１が図２におけるｘ−ｚ平面と平行に配置され、上面２０１および下面２０２がｘ−ｙ平面と平行に配置されているものとして説明する。また、以下では、ｚ方向を鉛直方向とし、ｚ方向正側（鉛直上向き側）を上側、ｚ方向負側（鉛直下向き側）を下側、ｘ方向正側を右側、ｘ方向負側を左側、ｙ方向正側を前側、ｙ方向負側を後側と称する場合がある。
【００３２】
収容部２４は、板状部材２０の主面２１から突出して配置されている。例えば、収容部２４は、主面２１から主面２１と垂直な方向（ｙ方向正側）に突出して配置されている。図２に示すように、収容部２４は、例えば長方形状のベース部材２における長手方向（ｘ方向）の両端部側にそれぞれ一つずつ形成されている。
【００３３】
なお、ベース部材２に形成される収容部２４の個数は、特に限定されない。例えば、１つの収容部２４がベース部材２に形成されていてもよいし、３つ以上の収容部２４がベース部材２に形成されていてもよい。
【００３４】
以上の説明では、板状部材２０と収容部２４とが別々に形成される場合を例示したが、板状部材２０と収容部２４とは、一体に形成されていてもよい。
【００３５】
収容部２４は、保持対象のドリップチャンバ５００を収容可能な収容空間２００を画成する。収容部２４には、収容空間２００にドリップチャンバ５００を挿入可能な開口２２が形成されている。
【００３６】
収容部２４は、一方向（上下方向）に、上面２０１から下面２０２まで延在する凹部である。換言すれば、収容部２４は、主面２１から突出した側の面から蓋部９側（ｙ方向負側）に向かって深さを有する。
【００３７】
より具体的には、収容部２４は、ベース部材２の主面２１から突出した２つの突出部２７Ａおよび突出部２７Ｂと、突出部２７Ａと突出部２７Ｂとの間で収容空間２００を画成する収容面２５とを有している。収容面２５の少なくとも一部は、例えば、ドリップチャンバ５００の側面形状に対応する曲面となっている。
【００３８】
保持部材３は、収容部２４に収容したドリップチャンバ５００をベース部材２に保持する。保持部材３は、例えば樹脂または金属から成る板状部材を部分的に塑性変形させることにより、構成されている。保持部材３は、例えば、金属から成るねじ等の固定部材４によって、ベース部材２の突出部２７Ａ，２７Ｂにそれぞれ固定されている。
【００３９】
なお、一つの収容部２４の突出部２７Ａ，２７Ｂにそれぞれ設けられる一対の保持部材３は、図１，２に示すように一組であってもよいし、複数組であってもよく、その組数は特に限定されない。
【００４０】
図３Ａ，３Ｂは、ドリップチャンバ５００を収容した保持装置１を示す図である。図３Ａには、ドリップチャンバ５００を収容した状態の保持装置１の斜視図が示され、図３Ｂには、図３Ａにおける保持装置１のＢ−Ｂ断面が示されている。
【００４１】
図３Ａ，３Ｂに示すように、ドリップチャンバ５００を開口２２側から収容部２４に押し込んだ場合、収容部２４の上下方向の同じ高さに設置された一組の保持部材３によってドリップチャンバ５００が保持される。これにより、ベース部材２の収容部２４にドリップチャンバ５００を安定して保持することが可能となる。
【００４２】
次に、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素について説明する。
図４は、本実施の形態に係る保持装置１の蓋部９側から見た分解斜視図である。
図４に示すように、保持装置１は、ドリップチャンバ５００内の液体の液面の高さを検出するための構成要素として、ベース部材２、シールド部材７、レベルセンサ８、蓋部９、および固定部材１１を備えている。
【００４３】
ベース部材２は、上述した収容部２４に背向する側に形成された内部空間２１０を有している。内部空間２１０は、少なくともシールド部材７およびレベルセンサ８を収容可能な空間寸法を有している。
【００４４】
図５Ａは、ベース部材２のｙ方向負側から見た平面図である。図５Ｂは、図５Ａに示すベース部材２のＡ−Ａ面での断面斜視図である。
図５Ａ，５Ｂに示すように、内部空間２１０は、板状部材２０の主面２１に背向する裏面を形成する底部２１Ｂと、板状部材２０の底部２１Ｂから突出し底部２１Ｂを囲む側壁部２１Ｃと、収容部２４とによって画成されている。
【００４５】
内部空間２１０は、収容部２４の形状に対応して形成された空間２１２を有する。図５Ａ，５Ｂに示すように、空間２１２は、収容部２４（収容面２５）を挟むように形成された一対の空間である。
【００４６】
より具体的には、空間２１２は、板状部材２０の底部２１Ｂから収容部２４の突出部２７Ａ，２７Ｂが突出する方向（ｙ方向正側）に向かって深さを有し、収容部２４の延在方向（保持装置１の上下方向）と同じ方向に形成された溝２１２０によって、画成されている。以下、空間２１２を「溝空間２１２」とも称する。
【００４７】
底部２１Ｂにおける一対の溝空間２１２によって挟まれる領域には、凸部２１３が形成されている。凸部２１３は、内部空間２１０におけるシールド部材７の位置決めのための部位である。例えば、凸部２１３は、底部２１Ｂからｙ方向負側に突出して形成され、後述するシールド部材７に応じた形状を有している。
【００４８】
内部空間２１０には、突起部２１４が複数形成されている。突起部２１４は、レベルセンサ８（基板ユニット８０）の取付をガイドし、内部空間２１０にレベルセンサ８を固定するための部材である。突起部２１４は、例えば円柱状に形成されている。各突起部２１４には、その軸線に沿って後述する固定部材１１を係止するための係止孔２１４０がそれぞれ形成されている。
【００４９】
レベルセンサ８は、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物の高さ（レベル）を検出する。レベルセンサ８は、例えば相互容量方式の静電容量型のレベルセンサである。
【００５０】
図６Ａ，６Ｂ，６Ｃ，６Ｄは、レベルセンサ８のハードウェア構成を示す図である。
図６Ａには、レベルセンサ８を構成する基板ユニット８０の斜視図が示され、図６Ｂには、基板ユニット８０のｙ方向正側から見た平面図が示され、図６Ｃには、基板ユニット８０のｙ方向負側から見た平面図が示され、図６Ｄには、基板ユニット８０の分解斜視図が示されている。
【００５１】
図６Ａ〜６Ｄに示すように、レベルセンサ８は、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、第２受信電極Ｒ２、および計測部８５が、基板ユニット８０に搭載されることによって実現される。
【００５２】
なお、図６Ａ〜６Ｄでは、レベルセンサ８を構成する構成要素のうち第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、第２受信電極Ｒ２、および計測部８５等の一部の構成要素が図示され、各電極と計測部８５とを接続する配線パターン等のその他の構成要素については、図示を省略している。
【００５３】
また、以下の説明では、第１送信電極Ｔ１および第２送信電極Ｔ２を「電極Ｔ１，Ｔ２」と、第１受信電極Ｒ１および第２受信電極Ｒ２を「電極Ｒ１，Ｒ２」と、それぞれ称する場合がある。
【００５４】
図６Ａ〜６Ｄに示すように、基板ユニット８０は、一つのメイン基板８１０と複数のサブ基板８２０，８３０とを含む。メイン基板８１０およびサブ基板８２０、８３０は、例えばプリント基板である。
【００５５】
メイン基板（第１基板）８１０は、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された主面８１１と、主面８１１に背向する裏面８１２とを有する。サブ基板（第２基板）８２０は、電極Ｔ２が形成された主面８２１と、主面８２１に背向する裏面８２２とを有する。サブ基板（第３基板）８３０は、電極Ｒ２が形成された主面８３１と、主面８３１に背向する裏面８３２とを有する。
【００５６】
レベルセンサ８は、電極Ｔ１、電極Ｒ１、電極Ｔ２、電極Ｒ２および計測部８５を収容部２４毎に有しており、それぞれの収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを個別に計測することが可能となっている。
【００５７】
例えば、図６Ａ〜６Ｄに示すように、保持装置１における一方（ｘ方向正側）の収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測するために、メイン基板８１０のｘ方向正側に、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成され、且つ電極Ｔ２が形成されたサブ基板８２０と電極Ｒ２が形成されたサブ基板８３０とが設けられている。また、保持装置１における他方（ｘ方向負側）の収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測するために、メイン基板８１０のｘ方向負側に、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成され、且つ電極Ｔ２が形成されたサブ基板８２０と電極Ｒ２が形成されたサブ基板８３０とが設けられている。
【００５８】
メイン基板８１０およびサブ基板８２０，８３０は、例えばプリント基板である。図６Ａ〜６Ｄに示すように、メイン基板８１０は、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された主面８１１と、主面８１１に背向する裏面８１２とを有する。サブ基板８２０は、電極Ｔ２が形成された主面８２１と、主面８２１に背向する裏面８２２とを有する。サブ基板８３０は、電極Ｒ２が形成された主面８３１と、主面８３１に背向する裏面８３２とを有する。
【００５９】
電極Ｔ１，Ｒ１，Ｔ２，およびＲ２は、例えば、公知のプリント基板作製技術によってプリント基板上に形成された金属の膜（金属薄膜）によって構成されている。上記金属としては、銅、アルミ、および金等を主成分とする金属を例示することができる。
【００６０】
電極Ｔ１および電極Ｒ１は、内部空間２１０において、蓋部９側ではなく、収容部２４側（ｙ方向正側）を向いて配置される。また、電極Ｔ２は、内部空間２１０において、電極Ｔ１，Ｒ１と異なる方向から収容部２４側を向いて（ｘ方向正側を向いて）配置される。電極Ｒ２は、電極Ｔ１、電極Ｒ１、および電極Ｒ２と異なる方向から収容部２４側を向いて（ｘ方向負側を向いて）配置されている。
【００６１】
サブ基板８２０，８３０は、メイン基板８１０と直交するように配置される。例えば、メイン基板８１０の主面８１１がｘ−ｚ平面と平行に配置された場合、サブ基板８２０，８３０の主面８２１，８３１がｙ−ｚ平面と平行に配置される。
【００６２】
具体的には、図６Ｄに示すように、サブ基板８２０に形成された突起部８２５をメイン基板８１０に形成された溝部８１５に係合し、サブ基板８３０に形成された突起部８３６をメイン基板８１０に形成された溝部８１６に係合することにより、サブ基板８２０，８３０のそれぞれの主面８２１，８３１がメイン基板８１０の主面８１１と直交するように配置される。これにより、サブ基板８２０に形成された電極Ｔ２とサブ基板８３０に形成された電極Ｒ２とが、収容空間２００を挟んで、互いに対向して配置される。
【００６３】
図７は、本実施の形態に係る保持装置１の送信電極および受信電極を示す図である。
同図には、保持装置１が備える基板ユニット８０の一部が図示されている。具体的には、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。
【００６４】
なお、図７では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。
【００６５】
図７に示すように、メイン基板８１０の電極Ｔ１は、主面８１１上において、例えば電極Ｒ１を囲む態様で配置されている。電極Ｒ１を構成する各金属薄膜は、例えば、主面８１１と裏面８１２とを貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されている。
【００６６】
サブ基板８２０の主面８２１には、電極Ｔ２が形成されている。電極Ｔ２は、表面積ができるだけ大きくなるように、主面８２１の全面に渡って形成することが好ましい。例えば、図７に示すように、電極Ｔ２は、べたパターンの金属薄膜によって形成することが好ましい。
【００６７】
サブ基板８３０の主面８３１には、電極Ｒ２が形成されている。電極Ｒ２は、表面積が大きくなるように、主面８３１の全面に渡って形成することが好ましい。ただし、電極Ｒ２は、単なるべたパターンではなく、スリット８３３が形成されたパターンによって形成することが好ましい。例えば、図７に示すように、櫛状のパターンの金属薄膜によって電極Ｒ２を形成することで、電極Ｒ２を構成する金属薄膜間に適宜スリット８３３を設けることが好ましい。
【００６８】
なお、スリット８３３の形状、数、および位置等は、図７に示す例に限定されず、適宜変更可能である。
【００６９】
このように電極Ｔ２，Ｒ２を形成することにより、互いに対向配置される電極Ｔ２，Ｒ２において、電極Ｒ２を構成する金属薄膜のパターンの総面積は、電極Ｔ２の金属薄膜のパターンの総面積よりも小さくなる。
【００７０】
計測部８５は、送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間の静電容量の変化に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する。
【００７１】
計測部８５は、ハードウェア資源として、マイクロプロセッサや各種メモリから成るプログラム処理装置、アナログ／デジタル変換回路（ＡＤＣ）、デジタル／アナログ変換回路（ＤＡＣ）、パルス等の周期信号を生成する信号生成回路、および各種信号処理回路等を含んで構成されている。
例えば、計測部８５は、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）であって、少なくとも一つの半導体チップが一つのパッケージに収容された半導体集積回路（ＩＣ）として実現されている。以下の説明では、計測部８５を「半導体集積回路８５」と表記する場合がある。
【００７２】
なお、左側の収容部２４に対応する計測部８５と右側の収容部２４に対応する計測部８５は、それぞれ個別の半導体集積回路によって実現してもよいし、同一の半導体集積回路によって実現してもよく、メイン基板８１０上に配置される計測部８５の実施形態は特に制限されない。本実施の形態では、一例として、左右の収容部２４にそれぞれ対応する２つの計測部８５が一つのパッケージに収められた半導体集積回路によって実現されているものとして説明する。
【００７３】
図６Ａ〜６Ｄに示すように、半導体集積回路８５は、例えばメイン基板８１０の裏面８１２に配置されている。半導体集積回路８５は、図示されない金属薄膜から成る配線パターンおよび貫通配線（ビア）によって、電極Ｔ１，Ｔ２，Ｒ１，Ｒ２とそれぞれ接続されている。
【００７４】
また、図６Ａ〜６Ｄでは図示を省略しているが、メイン基板８１０の裏面８１２には、レベルセンサ８と外部機器とを電気的に接続するためのコネクタ８９（図４参照）が接続されている。
【００７５】
図６Ａ〜６Ｄに示すように、メイン基板８１０には、基板ユニット８０をベース部材２に位置決めするための切り欠き部８６０が少なくとも１つ形成されている。切り欠き部８６０は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各切り欠き部８６０は、ベース部材２の突起部２１４（図５Ｂ参照）の外径に対応した形状を有する。
【００７６】
なお、基板ユニット８０には、レベルセンサ８としての機能を実現するための構成要素の他に、レベルセンサ８と外部機器と通信を行うためのインターフェース回路やその他の周辺回路が形成されていてもよい。
【００７７】
次に、レベルセンサ８の機能について説明する。
図８は、レベルセンサ８の機能ブロックの構成を示す図である。
同図に示すように、レベルセンサ８は、電極Ｔ１，Ｒ１，Ｔ２，およびＴ２と、計測部８５とを有する。
【００７８】
計測部８５は、機能ブロックとして、制御部８５０、パルス生成部８５１ａ，８５１ｂ、信号受信部８５２ａ，８５２ｂ、およびレベル計測部８５３を含む。これらの機能ブロックは、計測部８５を構成するハードウェア資源としての上記プログラム処理装置が上記各種メモリに記憶されたプログラムに従って各種演算を実行することにより実現される。
【００７９】
制御部８５０は、計測部８５全体の統括的な制御を行う機能部である。
【００８０】
パルス生成部８５１ａ，８５１ｂは、周期信号（例えばパルス）を生成する信号生成回路を含んで構成されている。パルス生成部８５１ａは、制御部８５０からの制御に基づいてパルスを生成し、生成したパルスを電極Ｔ１に印加する。同様に、パルス生成部８５１ｂは、制御部８５０からの制御に基づいてパルスを生成し、生成したパルスを電極Ｔ２に印加する。
【００８１】
なお、図８では、パルス生成部８５１ａ，８５１ｂをそれぞれ別個に設ける場合を例示しているが、これに限られない。例えば、電極Ｔ１と電極Ｔ２に同一のパルスを印加する場合には、共通のパルス生成部を設け、その共通のパルス生成部から電極Ｔ１と電極Ｔ２にそれぞれ共通のパルスを印加するようにしてもよい。
【００８２】
これにより、送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生した電気力線（電界）の変化、すなわち送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間の静電容量の変化に応じた信号が、電極Ｒ１，Ｒ２からそれぞれ出力される。
【００８３】
信号受信部８５２ａは、電極Ｒ１から出力された信号を検知する機能部であり、信号受信部８５２ｂ、電極Ｒ２から出力された信号を検知する機能部である。
【００８４】
レベル計測部８５３は、信号受信部８５２ａ，８５２ｂによってそれぞれ受信した信号に基づいて、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００の内容物のレベルを計測する機能部である。例えば、レベル計測部８５３は、電極Ｒ１，Ｒ２からそれぞれ出力された信号のレベル（電圧）を予め設定された少なくとも一つの閾値と比較することにより、ドリップチャンバ５００内の液体の液面のレベルを判定し、その判定結果を計測値として出力する。
【００８５】
ここで、レベル計測部８５３において設定される上記閾値は、ドリップチャンバ５００内の内容物のレベルを計測する“目盛”に対応する値である。予め、上記閾値を複数用意しておくことにより、レベルセンサ８によるレベル計測の分解能が高くなり、レベル計測の精度を上げることが可能となる。
【００８６】
レベル計測部８５３から出力された計測結果は、上述した血液透析システム内の上位の制御装置等に送信される。
【００８７】
次に、シールド部材７について説明する。
シールド部材７は、レベルセンサ８への外部ノイズの影響を低減するためのものである。
図９Ａは、シールド部材７の斜視図である。図９Ｂは、シールド部材７のｙ方向正側から見た平面図である。図９Ｃは、シールド部材７のｚ方向正側から見た平面図である。
【００８８】
図９Ａ〜９Ｃに示すように、シールド部材７は、例えば、金属（例えば銅）から成る板部材を加工することによって構成されている。具体的に、シールド部材７は、開口７３が形成された板状の底板部７０と、第１側板部７１と、第２側板部７２とを含む。底板部７０と第１側板部７１および第２側板部７２とは、上述したように同一の金属によって一体に形成されていてもよいし、別個の金属部材を接合することによって構成されていてもよい。
【００８９】
底板部７０は、例えば平面視矩形状に形成されている。底板部７０に形成された開口７３は、電極Ｔ１および電極Ｒ１が形成された領域に対応した開口面積を有する。例えば、開口７３は、上述したベース部材２の凸部２１３の形状に対応した開口面積を有している。
【００９０】
また、底板部７０には、シールド部材７をベース部材２に係止するための係止孔７４が形成されている。係止孔７４は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各係止孔７４は、ベース部材２の突起部２１４の外径に対応した内径を有する。
【００９１】
第１側板部７１および第２側板部７２は、互いに対向して底板部７０から突出している。例えば、図９Ａ〜９Ｃに示すように、第１側板部７１および第２側板部７２は、底板部７０の長手方向の２つの辺側から底板部７０の平面部分に垂直な方向（ｙ方向正側）にそれぞれ延在している。
【００９２】
次に、図４と図１０Ａ，１０Ｂを用いて、ベース部材２の内部空間２１０へのレベルセンサ８およびシールド部材７の収容方法について説明する。
図１０Ａは、内部空間２１０にシールド部材７を収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。図１０Ｂは、内部空間２１０に基板ユニット８０を収容した状態のベース部材２の断面斜視図である。
【００９３】
先ず、シールド部材７をベース部材２の内部空間２１０に配置する。具体的には、図１０Ａに示すように、シールド部材７の第１側板部７１および第２側板部７２を内部空間２１０の溝空間２１２にそれぞれ挿入する。これにより、シールド部材７の底板部７０は、ベース部材２の底部２１Ｂにおける２つの溝空間２１２の間の領域に配置される。
【００９４】
このとき、シールド部材７の底板部７０は、ベース部材２の凸部２１３が底板部７０の開口７３から突出し、且つベース部材２の突起部２１４が対応するシールド部材７の係止孔７４からそれぞれ突出するように、底部２１Ｂに載置される。
【００９５】
次に、図１０Ｂに示すように、ベース部材２の内部空間２１０に配置されたシールド部材７の底板部７０上に、レベルセンサ８の基板ユニット８０を、メイン基板８１０の主面８１１とシールド部材７の底板部７０とを対向させて配置する。
【００９６】
このとき、シールド部材７の開口７３は、収容部２４とメイン基板８１０の主面８１１との間に位置している。具体的には、シールド部材７の開口７３は、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て（図１０Ｂのｙ方向の正側から負側をみて）、電極Ｔ１，Ｒ１が形成された領域の少なくとも一部と重なるように位置している。
【００９７】
サブ基板８２０，８３０は、溝空間２１２にそれぞれ配置される。
具体的には、図１０Ｂに示すように、サブ基板８２０は、ｘ方向負側の溝空間２１２において、電極Ｔ２が形成された主面８２１が収容部２４の内壁２１２０Ａと対面するように、シールド部材７の第１側板部７１と収容部２４の内壁２１２０Ａとの間に設けられる。
【００９８】
また、図１０Ｂに示すように、サブ基板８３０は、ｘ方向正側の溝空間２１２において、電極Ｒ２が形成された主面８３１が収容部２４の内壁２１２０Ｂと対面するように、シールド部材７の第２側板部７２と収容部２４の内壁２１２０Ｂとの間に設けられる。
【００９９】
なお、コネクタ８９（図４参照）は、基板ユニット８０をベース部材２の内部空間２１０に収容する前にメイン基板８１０の裏面８１２に固定されていてもよいし、メイン基板８１０をベース部材２の内部空間２１０に収容した後にメイン基板８１０の裏面８１２に固定されてもよい。
【０１００】
次に、図４に示すように、蓋部９を、ベース部材２の内部空間２１０に配置されたメイン基板８１０の上に配置し、固定部材１１によってベース部材２に固定する。
【０１０１】
蓋部９は、レベルセンサが形成された基板ユニット８０とシールド部材７とをベース部材２の内部空間２１０に固定して、内部空間２１０を開口２２（図１参照）と反対側（ｙ方向負側）から塞ぐものである。蓋部９は、平面視矩形状の板部材から成り、例えばベース部材２と同様の樹脂から構成されている。
【０１０２】
蓋部９には、コネクタ８９を蓋部９の外部に露出させるための開口９２が形成されている。また、蓋部９には、蓋部９をベース部材２に係止するための係止孔９１が形成されている。係止孔９１は、ベース部材２のそれぞれの突起部２１４に対応して設けられている。各係止孔９１は、ベース部材２の突起部２１４の係止孔２１４０に対応した内径を有する。
【０１０３】
固定部材１１は、蓋部９をベース部材２に固定する部材であり、例えば、ねじである。
【０１０４】
具体的には、図４に示すように、ｙ方向負側から見て、蓋部９に形成された各係止孔９１が対応するベース部材２の突起部２１４の係止孔２１４０に重なり、且つコネクタ８９が蓋部９の開口９２から突出するように、蓋部９をメイン基板８１０上に配置する。その後、例えば固定部材１１としてのねじを、蓋部９の係止孔９１を通してベース部材２の係止孔２１４０に係止することにより、蓋部９をベース部材２に固定する。
【０１０５】
以上の工程により、基板ユニット８０およびシールド部材７をベース部材２の内部空間２１０に収容することができる。
【０１０６】
図１１は、本実施の形態に係る保持装置１の斜視図である。
同図では、ベース部材２の主面２１側（ｙ方向正側）から見たときのベース部材２が示され、一方の収容部２４および板状部材２０の一部の図示を省略している。
【０１０７】
図１２は、本実施の形態に係る保持装置１における送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生する電界を模式的に示す図である。
図１３は、本実施の形態に係る保持装置１の比較例として、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおける送信電極と受信電極間に発生する電界を模式的に示す図である。
【０１０８】
図１３に示すように、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおいて、送信電極と受信電極との間に発生する電気力線は、ドリップチャンバ５００のメイン基板８１０側に集中する。そのため、保持装置１Ｘでは、メイン基板８１０から離れる程、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度が低下する。
【０１０９】
これに対し、本実施の形態に係る保持装置１では、図１１に示すように、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００を囲むように送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２が配置される。これにより、図１２に示すように、保持装置１において電極Ｔ１と電極Ｒ１との間に発生する電気力線に加えて、電極Ｔ２と電極Ｒ２との間にも電気力線が発生する。すなわち、保持装置１によれば、ドリップチャンバ５００を横切る電気力線が発生するので、ドリップチャンバ５００全体を検出可能範囲とすることができ、上述した比較例の保持装置１Ｘに比べて、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。
【０１１０】
図１４は、本実施の形態に係る保持装置１の実験結果を示す図である。
同図には、保持装置１で保持したドリップチャンバ５００の内容物の量を、空の状態（ＥＭＰＴＹ）から最大値（ＦＵＬＬ）まで増加させた後に、再び空の状態（ＥＭＰＴＹ）まで変化させたときの、受信電極で検出された電界の強さの変化を示す実験結果が示されている。
【０１１１】
同図において、横軸はドリップチャンバ５００の内容物のレベルの変化を表し、縦軸は、電界の強さの初期値を０（ゼロ）としたときの電界の強さの変化の割合を表している。同図において、参照符号６０１は、受信電極Ｒ１によって検出した電界の強さの変化を表し、参照符号６０２は、受信電極Ｒ２によって検出した電界の強さの変化を表している。また、参照符号６０３は、比較例として、メイン基板８１０にのみ送信電極および受信電極を配置した保持装置１Ｘにおける受信電極で検出した電界の強さの変化を表している。
【０１１２】
図１４に示すように、本実施の形態に係る保持装置１では、比較例に係る保持装置１Ｘと比べて、ドリップチャンバ５００の内容物の変化に対して、電極Ｒ１，Ｒ２で検出される電界の強さが大きく変化する。このことから理解されるように、本実施の形態に係る保持装置１によれば、保持装置１Ｘに比べて、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。
【０１１３】
また、図１１に示すように、保持装置１の内部空間２１０において、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２は、シールド部材７によって外側から覆われる。
これによれば、例えば、保持装置１の収容部２４の側面を人が触れたときや保持装置１の傍を人が通過した場合であっても、送信電極から発生した電気力線の一部が人に移ることを防止することが可能となる。これにより、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を更に向上させることが可能となる。
【０１１４】
以上、本実施の形態１に係る保持装置１において、静電容量型のレベルセンサ８は、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、第２送信電極Ｔ２、および第２受信電極Ｒ２を備えている。第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１は、収容部２４側を向いて配置され、第２送信電極Ｔ２は、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１と異なる方向から収容部２４側を向いて配置され、第２受信電極Ｒ２は、第１送信電極Ｔ１、第１受信電極Ｒ１、および第２送信電極Ｔ２と異なる方向から収容部２４側を向いて配置されている。
【０１１５】
これによれば、上述したように、保持装置１において電極Ｔ１，Ｔ２と電極Ｒ１，Ｒ２との間に発生する電気力線がドリップチャンバ５００の内側全体を通過するので、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。
【０１１６】
また、保持装置１において、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が第１基板としてのメイン基板８１０に形成され、第２送信電極Ｔ２が第２基板としてのサブ基板８２０に形成され、第２受信電極Ｒ２が第３基板としてのサブ基板８３０に形成されている。これによれば、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２をドリップチャンバ５００を囲むように配置することが容易となる。
【０１１７】
また、保持装置１において、第２送信電極Ｔ２と第２受信電極Ｒ２とは収容空間２００を挟んで互いに対向して配置されている。これによれば、第２送信電極Ｔ２から第２受信電極Ｒ２に向かう電気力線が収容空間２００に配置されたドリップチャンバ５００を確実に通過するので、レベルセンサ８の検出精度を確実に向上させることが可能となる。
【０１１８】
また、サブ基板８２０，８３０をメイン基板８１０と直交するように配置することにより、収容空間２００を挟んで第２送信電極Ｔ２と第２受信電極Ｒ２とを対向配置することが容易となる。
【０１１９】
更に、保持装置１は、内部空間２１０において収容部２４を覆うように配置されたシールド部材７を更に備え、シールド部材７の開口７３は、収容空間２００側から内部空間２１０側を見て、第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１の少なくとも一部と重なるように形成されている。
これによれば、上述したように、レベルセンサ８が外乱の影響を受け難くなるので、保持したドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を更に向上させることが可能となる。
【０１２０】
≪実施の形態の拡張≫
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１２１】
例えば、上記実施の形態において、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２を構成する金属薄膜のパターン形状や送信電極Ｔ１，Ｔ２と受信電極Ｒ１，Ｒ２の面積比等は、レベルセンサ８として要求される検出精度に応じて変更してもよい。以下、図１５，１６に一例を示す。
【０１２２】
図１５は、本発明の別の実施の形態に係る保持装置１Ａの送信電極および受信電極を示す図である。
同図には、保持装置１Ａが備える基板ユニット８０Ａの一部が図示されている。具体的に、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。
【０１２３】
なお、図１５では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。
【０１２４】
図１６は、図１５に示した送信電極および受信電極を有する保持装置の実験結果を示す図である。
同図には、図１４と同様の実験を行ったときの特性が示されている。図１６において、参照符号７０１は、受信電極Ｒ１によって検出した電界の強さの変化を表し、参照符号７０２は、受信電極Ｒ２によって検出した電界の強さの変化を表している。
【０１２５】
図１５に示すように、メイン基板８１０の送信電極Ｔ１の表面積が受信電極Ｒ１の表面積よりも十分に大きくなるように送信電極Ｔ１および受信電極Ｒ１を形成した場合、図１６に示すように、受信電極Ｒ１よりも受信電極Ｒ２の方が電界の受信感度が高くなる。
【０１２６】
このように、各電極を構成する金属薄膜のパターンを適宜変更することにより、電界の検出感度を調整することができるので、所望の特性を有するレベルセンサ８を実現することが可能となる。
【０１２７】
また、上記実施の形態では、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極の何れか一方を形成する場合を例示したが、これに限られず、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極の双方を夫々形成してもよい。以下、図１７，１８に一例を示す。
【０１２８】
図１７は、本発明の別の実施の形態に係る保持装置１Ｂの送信電極および受信電極を示す図である。
同図には、保持装置１Ｂが備える基板ユニット８０Ｂの一部が図示されている。具体的に、メイン基板８１０の主面８１１における第１送信電極Ｔ１および第１受信電極Ｒ１が形成された一部の領域が示され、主面８２１側から見たサブ基板８２０が示され、主面８３１側から見たサブ基板８３０が示されている。
【０１２９】
なお、図１７では、理解を容易にするために、送信電極および受信電極をハッチングを付して図示している。
【０１３０】
図１８は、図１７に示した送信電極Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３と受信電極Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３との間に発生する電界を模式的に示す図である。
【０１３１】
図１７に示すように、サブ基板８２０に第２送信電極Ｔ２および第３受信電極Ｒ３を形成し、サブ基板８３０に第２送信電極Ｔ２および第３受信電極Ｒ３を形成する。これによれば、図１８に示すように、収容部２４に収容されたドリップチャンバ５００のメイン基板８１０側のみならず、サブ基板８２０，８３０側にも電気力線が通過するので、上述した比較例の保持装置１Ｘに比べて、ドリップチャンバ５００の内容物に対する検出精度を向上させることが可能となる。
【０１３２】
ただし、電界は、互いに近くに配置された送信電極および受信電極間で生じる傾向があるため、サブ基板８２０，８３０に送信電極および受信電極をそれぞれ形成した場合、上述した図１７に示した電極配置例に比べて、ドリップチャンバ５００を横切るような電気力線（図１２参照）は少なくなると考えられる。
【０１３３】
また、上記実施の形態において、基板ユニット８０がメイン基板８１０と２つのサブ基板８２０，８３０によって実現される場合を例示したが、これに限られない。例えば、送信電極Ｔ１，Ｔ２および受信電極Ｒ１，Ｒ２を形成した一つのフレキシブル基板を内部空間２１０において収容空間２００を囲むように配置してもよい。
【０１３４】
ただし、この場合には、計測中にフレキシブル基板が変形または移動しないように、内部空間２１０に確実に固定しておく必要がある。
【０１３５】
また、上記実施の形態において、保持部材３によってドリップチャンバ５００を保持する保持機構を例示したが、ドリップチャンバ５００を収容空間２００に保持することができれば、別の構成を有する保持機構であってもよい。
【０１３６】
また、上記実施の形態において、各送信電極および受信電極を構成する金属薄膜のパターンの形状は、上述の例に限定されるものではなく、その目的を達成することができるのであれば、種々の形状を採用することができる。
【０１３７】
また、上記実施の形態では、レベルセンサ８を構成する計測部８５が一つの半導体集積回路によって実現される場合を例示したが、これに限定されるものではない。例えば、計測部８５を構成するマイクロプロセッサと、その周辺のアナログ信号を処理する回路とを別々の半導体集積回路によって実現してもよいし、複数のディスクリート部品等を組み合わせて実現してもよい。また、計測部８５としての半導体集積回路は、メイン基板８１０の主面８１１に配置されていてもよいし、レベルセンサ８を構成する一部の回路が主面８１１に配置され、残りの回路が裏面８１２に配置されて、主面８１１と裏面８１２を貫通する貫通配線（ビア）によって互いに電気的に接続されるように構成されていてもよい。
【０１３８】
また、上記実施の形態では、ベース部材２の内部空間２１０に収容部２４を覆うようにシールド部材７を配置する場合を例示したが、外部ノイズの影響が無視できる場合には、シールド部材７を設けなくてもよい。
【符号の説明】
【０１３９】
１，１Ａ，１Ｂ…保持装置、２…ベース部材、３…保持部材、７…シールド部材、８…レベルセンサ、２４…収容部、８０，８０Ａ，８０Ｂ…基板ユニット、８５…計測部（半導体集積回路）、２００…収容空間、２１０…内部空間、５００…ドリップチャンバ、８１０…メイン基板（第１基板）、８１１…第１主面、８２０…サブ基板（第２基板）、８２１…第２主面、８３０…サブ基板（第３基板）、８３１…第３主面、８３３…スリット、Ｒ１…第１受信電極、Ｒ２…第２受信電極、Ｒ３…第３受信電極、Ｔ１…第１送信電極、Ｔ２…第２送信電極、Ｔ３…第３送信電極。
【図１】
2019168338.tif 000003
【図２】
2019168338.tif 000004
【図３Ａ】
2019168338.tif 000005
【図３Ｂ】
2019168338.tif 000006
【図４】
2019168338.tif 000007
【図５Ａ】
2019168338.tif 000008
【図５Ｂ】
2019168338.tif 000009
【図６Ａ】
2019168338.tif 000010
【図６Ｂ】
2019168338.tif 000011
【図６Ｃ】
2019168338.tif 000012
【図６Ｄ】
2019168338.tif 000013
【図７】
2019168338.tif 000014
【図８】
2019168338.tif 000015
【図９Ａ】
2019168338.tif 000016
【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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