(57)【要約】【課題】実装基板に実装後の半導体装置の端子の接続状態を視認し易く、基板実装性も良好な半導体装置および製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド庇部６ａを有するダイパッド６上に半導体チップ１０を載置し、ダイパッド６の周囲に離間してリード９を設け、リード９と半導体チップ１０とを電気的に接続し、封止樹脂８を被覆した半導体装置４であって、ダイパッドから遠い側のリード９の外側には凹部７ｅが設けられ、凹部７ｅと面するリード凹面７ｄは順テーパー形状のリード傾斜面７ｈとなる。また、封止樹脂８の側面は８ａ、８ｂ階段状になっており、第１樹脂側面８ａよりもリード９の先端が突出する構造となっている。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側のリードの外側を露出する封止樹脂と、を備え、
前記リードの外側の上部には凹部が設けられ、
前記凹部と面する前記リード凹面は少なくとも順テーパー形状の傾斜面からなり、
前記リードの外側の一部が前記封止樹脂の側面よりも突出することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リード凹面は順テーパーの傾斜面に加え、水平面を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止して一括封入ブロックを形成する工程と、
前記一括封入ブロックの底面に保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記一括封入ブロックの底面と反対側の上面から前記リードの一部まで、第１の幅のダイシングブレードで切削して第１切削領域を形成する第１切削工程と、
前記第１の切削工程で露出した前記リードを等方的にエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１切削領域の底面から前記一括封入ブロックの底面まで、前記第１の幅よりも狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２切削工程と、
前記保護フィルムを除去する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２切削工程の後に、前記第１エッチング工程よりもエッチング量の少ない第２エッチング処理を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１切削工程と前記第１エッチング工程の間に、前記第２の幅よりも狭いダイシングブレードで切削する第３切削工程を設け、
前記第１エッチング工程において、前記リードの底面に達するエッチングを行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護フィルムを除去する工程の後に、前記リードの表面にメッキをすることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームの複数のダイパッドの上にそれぞれ半導体チップを搭載し、リードフレームと複数の半導体チップとを封止樹脂で一括して封入することにより、一括封入ブロックを形成する。この一括封入ブロックには複数の半導体チップがマトリックス状に配列されており、この一括封入ブロックを境界線でダイシング法にて切断するにより個片化された小型の半導体装置が得られる。
【０００３】
一括封入ブロックにおいては、リードは隣り合う半導体装置間に亘って延在するように封止樹脂内に埋め込まれている。そして、リードは個片化によって境界部において切断され、個々の半導体装置内にリードとして残され、半導体装置を実装基板に実装するときのリードとして機能する。このような半導体装置では封止樹脂とともにリードも一緒に切断されるためリード切断面は垂直で、切断された封止樹脂の側面にほぼ一致した断面を有する。切断の際には封止樹脂上に金属バリが発生することがある。この金属バリはリードフレームを構成する金属材料からなり、切断面に沿って延在し、複数のリード間のショートが発生することがある。また、何らかの原因により金属バリが落下した場合には、実装基板に実装する際に、半導体装置あるいは実装基板のいずれかの配線間のショートを引き起こす可能性がある。そのような金属バリの発生を抑制する技術が特許文献１、特許文献２に記載されている。
【０００４】
さらに、ダイシングにより個片化された半導体装置の場合、リードの上面が樹脂に接しており、半田を介して接続することができないため、半導体装置の実装強度はリード底面と半田濡れ性の悪いリード側面に頼らなければならない。リードの半田濡れ性を改善する方法として非特許文献１のような半導体装置の外周に配置したリードの下面の一部を凹型にしてリードにメッキを施すという技術がある。凹型にしたことにより半導体装置の外周のリード面の一部がメッキされるので、リード底面だけではなくリード側面の一部が半田接続することができ、半導体装置の実装強度を改善できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１８４６９号公報
【特許文献２】特開２０１１−２１６６１５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Systematic Approach in Testing the Viability of Mechanical Partial-cut Singulation Process towards Tin-Plateable Sidewalls for Wettable Flank on Automotive QFN Technology,2016 IEEE EPTC,pp254-258
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１、特許文献２および非特許文献１に記載の製造方法で得られる半導体装置を基板実装した場合、半田接続状態を容易に確認することができない。また、半導体装置のリードの上面が樹脂に接しており半田を介して接続することができないため、半導体パッケージの実装強度はリード底面と半田濡れ性の悪い側面だけに頼らざるを得ず、実装強度は限定的である。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、基板実装性が良好で、半田接続状態の視認性も容易な半導体装置およびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明では以下の手段を用いた。
【００１０】
半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードと、
前記リードの下面および前記リードの前記ダイパッドから遠い側のリードの外側を露出する封止樹脂と、を備え、
前記リードの外側の上部には凹部が設けられ、
前記凹部と面する前記リード凹面は少なくとも順テーパー形状の傾斜面からなり、
前記リードの外側の一部が前記封止樹脂の側面よりも突出することを特徴とする半導体装置とした。
【００１１】
ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止して一括封入ブロックを形成する工程と、
前記一括封入ブロックの底面に保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記一括封入ブロックの底面と反対側の上面から前記リードの一部まで、第１の幅のダイシングブレードで切削して第１切削領域を形成する第１切削工程と、
前記第１の切削工程で露出した前記リードを等方的にエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１切削領域の底面から前記一括封入ブロックの底面まで、前記第１の幅よりも狭い第２の幅のダイシングブレードで切削する第２切削工程と、
前記保護フィルムを除去する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
【発明の効果】
【００１２】
上記手段を用いることで、実装基板に実装後の半導体装置の端子の接続状態を視認し易く、基板実装性も良好な半導体装置および製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図３】図２に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図４】図３に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図５】第１の切断によりリードフレームの切断面に生じた金属バリを示す図である。
【図６】図４に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図７】エッチングにより金属バリを除去した状態を示す断面図である。
【図８】図６に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置のリード部の斜視図である。
【図１１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の上面図である。
【図１２】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を用いて本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する斜視図である。一括封入ブロック１は封止樹脂８の塊であって、中には半導体チップ等が封止されている。一括封入ブロック１に切断線１ｃ，１ｄを格子状に図示しており、この切断線に沿って個々の半導体装置に個片化することになる。
【００１６】
図２は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。一括封入ブロック１はダイパッド６とリード構成部７を有するリードフレーム５と、ダイパッド６のダイパッド上面６ｃ上に載置した半導体チップ１０と、半導体チップ１０上の電極とリード構成部７とを電気的に接続するボンディングワイヤ１１とを封止樹脂８で被覆したものである。一括封入ブロック１の樹脂底面１ａから、ダイパッド６の厚肉部のダイパッド底面６ｂとリード構成部７の厚肉部のリード底面７ｂとが露出する構成である。また、ダイパッド６の上面の周囲には薄肉部が設けられてダイパッド庇部６ａを成し、リード構成部７の上面の周囲には薄肉部が設けられてリード庇部７ａを成している。
【００１７】
一括封入ブロックを形成するには、まず、ダイパッド６とダイパッド６の周囲に配置された複数のリード構成部７とを有するリードフレーム５を準備する。次いで、ダイパッド６に半導体チップ１０を載置し、半導体チップ１０とリード７とをボンディングワイヤ１１を介して電気的に接続した後に、ダイパッド６と半導体チップ１０とリード構成部７とボンディングワイヤ１１を樹脂封止する。以上の工程を経て一括封入ブロックが得られる。
【００１８】
図３は、図２に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図であり、樹脂底面１ａに保護フィルム２を貼り付けた状態を示している。保護フィルム２はエッチング耐性のある有機材料などにより構成されており、ダイシングテープのように予めシート状に形成し一括封入ブロック１の底面に貼り付けるのでも良いし、一括封入ブロック１の底面にエッチング耐性のある有機材料を塗布した後に硬化させたものでも良い。
【００１９】
次に、図４に示すように、樹脂上面１ｂ側から切断線１ｄに沿って幅広の第１ダイシングブレード１２を用いて一括封入ブロック１の一部を切削する。切断線１ｄはリード構成部７の中心を通り、リード構成部７を左右に等量に分割する線である。第１ダイシングブレード１２は樹脂上面１ｄから切削を開始し、リード構成部７の途中の深さ、例えば、リード構成部７の薄肉部の厚さに相当する深さまで切削した後、第１ダイシングブレード１２を一括封入ブロック１から抜く。ここで用いるダイシングブレードの厚さは厚いほうが良く、１００μｍ厚以上が望ましい。なお、この切削は、図１に示す横列の各々の切断線１ｃ、並びに、縦列の各々の切断線１ｄに沿ってそれぞれ行う。
【００２０】
図４の紙面から奥行き方向に並んだ複数のリード構成部７の断面図を図５に示す。第１切削下面１２ｂは第１ダイシングブレードによって切削された領域の下面を示している。第１ダイシングブレードが封止樹脂８およびリード構成部７の両方を切削する際、延伸性のあるリード構成部７表面の金属（ここでは、銅Ｃｕ）が回転するダイシングブレードによって引きずるように切削され、封止樹脂上に金属バリ３を形成することがある。金属バリ３が長く、隣接するリード構成部７に跨るように形成されると特性不良の原因となるため、金属バリ３を除去する必要がある。
【００２１】
図６は、図４に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図であり、エッチング工程を示している。切削によって生じた金属バリ３の除去のために等方性エッチングを用いるが、本実施形態ではウェットエッチングを用いた。エッチング液は硫酸／過酸化水素溶液や塩化第２鉄水溶液であり、封止樹脂８をエッチングすることなく銅を選択的にエッチングできる。一括封入ブロック１をエッチング液に浸漬させると、切削によって形成された第１切削領域１２ａにエッチング液が入り込み、第１切削領域１２ａの底面および側面に露出するリード構成部７を等方的にエッチングし始める。そして、リード構成部７の深さ方向の一部を残す状態でエッチングを終了する。このようにリード構成部７にハーフエッチング処理をするのは、後に形成するリードの長さのばらつきを防止するためである。このエッチングによって第１切削領域１２ａとリード構成部７の表面であるリード凹面７ｄとの間にはエッチング領域１４が形成される。リード凹面７ｄは順テーパー形状の傾斜面およびそれに連なる平面とからなる。平面はリード水平面７ｆおよびリード垂直面７ｉとからなり、それぞれ第１切削領域１２ａの底面および側面の形状を反映したものである。そして、順テーパー形状のリード傾斜面７ｈは凹んだ曲面をなす形状である。エッチングされずに残ったリード構成部７の厚さは全厚の１／３〜１／１０程度であることが望ましい。なお、本実施形態ではエッチングの際にダイパッド底面６ｂやリード底面７ｂは保護フィルム２で覆われているためそれらの箇所が窪むことなく平坦性を保つことができる。
【００２２】
図７は、図６の紙面から奥行き方向に並んだ複数のリード構成部７の断面図である。図５で図示されていた金属バリ３は薄いものであるからリード構成部７のエッチングと同時に除去される。図中のリード構成部７の上部はエッチングされて形成されたリード凹面７ｄであり、リード構成部７の下部は切断されずに繋がっている。
【００２３】
図８は、図６に続く、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図であり、第２ダイシングブレードを用いて一括封入ブロック１を完全切断して、個々の半導体装置４に個片化する工程を示している。ここで用いる第２ダイシングブレード１３は第１ダイシングブレード１２に比べ幅狭のブレード（ブレード厚３０μｍ〜８０μｍ）であり、一括封入ブロック１の樹脂上面１ｂ側から侵入させ、第１切削領域１２ａの中央部付近から切削を始め、封止樹脂８およびリード構成部７の残部を左右に等分するように切削する。このとき第２ダイシングブレード１３の先端はリード底面７ｂに貼り付けられた保護フィルム２の途中まで達することになる。なお、この切削は、図１に示す横列の各々の切断線１ｃ、並びに、縦列の各々の切断線１ｄに沿ってそれぞれ行う。この完全切断によって第２金属バリ（図示せず）が発生する場合は第２金属バリ除去のための軽い第２エッチング処理を行えば良いが、完全切断するリード構成部７の下部が薄く、第２金属バリの発生が少ないのであれば、第２のエッチング処理を不要としても良い。ここで使用するエッチング液は硫酸／過酸化水素溶液や塩化第２鉄水溶液であり、封止樹脂８をエッチングすることなく銅を選択的にエッチングする。
【００２４】
その後、保護フィルム２を除去して電解メッキを施すと、リード凹面７ｄおよびリード底面７ｂの表面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜のメッキ膜が形成される。メッキ膜を設けることでリードの実装性は向上するが、メッキを行わなくても本発明の効果は得られる。なお、保護フィルム２の除去は一括封入ブロック１から剥がす方法でも保護フィルム２を溶解液で溶かすという方法でも良い。
上記工程を経て、本発明の半導体装置が得られる。
【００２５】
図９は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面図である。半導体装置４は上部に薄肉部からなるダイパッド庇部６ａを有するダイパッド６上に半導体チップ１０を載置し、ダイパッド６の周囲にダイパッドと離間してリード９を設け、リード９と半導体チップ１０とをボンディングワイヤ１１で電気的に接続し、半導体チップ１０とボンディングワイヤ１１とダイパッド６とリード９を被覆する封止樹脂８とからなり、ダイパッドから遠い側のリード９の外側には凹部７ｅを設け、凹部７ｅと面するリード凹面７ｄがリード垂直面７ｉと順テーパー形状のリード傾斜面７ｈとその一方に連続するリード水平面７ｆとからなる構成である。また、リード水平面７ｆはリード底面７ｂと平行に形成され、そして、リード９の最外端に位置するリード切断面７ｇはリード水平面７ｆとリード底面７ｂにかけて形成されている。また、封止樹脂８の側面は階段状になっている。封止樹脂８の側面は上部の第１樹脂側面８ａとリード切断面７ｇと同一面をなす下部の第２樹脂側面８ｂとからなり、第１樹脂側面８ａよりもリード９の一部である先端が突出する構造となっている。
【００２６】
図１０は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置のリード部の斜視図である。封止樹脂８は第１樹脂側面８ａと第２樹脂側面８ｂにより階段状になっている。リード９の外側に設けられたリード凹部７ｅは両側を封止樹脂８で囲まれており、凹部７ｅは封止樹脂８の下にアンダーカット状に形成されている。
【００２７】
図１１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の上面図である。封止樹脂８の間にリード９を確認することができるため、半導体装置４を基板実装した場合、外観検査において半田濡れ性を容易に確認することができる。
【００２８】
上記説明では、メッキ工程を保護フィルム除去後としているが、図６のエッチング工程後にメッキ工程を行っても良い。しかしながら、メッキが被着する箇所はリード凹面７ｄのみとなり、リード底面７ｂには被着しない。リード底面７ｂへのメッキ被着は保護フィルム２貼り付け工程前、もしくは保護フィルム２除去工程後に追加で行えば良い。
【００２９】
以上のような第１の実施形態によれば、第１のダイシングブレード７による切断で切断面に生じた金属バリ３をエッチングにより除去することができる。よって、複数のリード間のショートの発生を抑制することができる。また、個片化後の半導体装置４を実装基板上に実装する際に、半導体装置４あるいは実装基板における何れかの導体間のショートの発生も抑制できる。また、エッチングで形成されたリードは順テーパーの形状であるため、実装基板への実装時のリード凹面７ｄ上へ半田が這い上がりやすく、良好な接続強度を得ることができる。さらに、半田の接続状態を半導体装置の上面から観察することが可能となり品質確認ができる。また、這い上がった半田はリード側面の封止樹脂によって囲われているので隣接するリード間で短絡し難い。また、封止樹脂８やリード９の寸法は第１ダイシングブレードや第２ダイシングブレードでの切断によって決まるため寸法精度の高い半導体装置４が得られる。
【００３０】
〔第２実施形態〕
図１２は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の工程断面図である。第１実施形態の図６と対比すると、第１切削領域１２ａの先端に、細く深い第３切削領域１２ｃを設け、第３切削領域１２ｃに対応するエッチング領域１４がリード底面７ｂに達する点で第１実施形態と異なる。第１切削領域１２ａと第３切削領域１２ｃを形成するためには、まず幅広の第１ダイシングブレード（ブレード厚１００μｍ以上）でリード構成部７の薄肉部の底面付近まで切削して第１切削領域１２ａを形成し、次いで、第２ダイシングブレードよりも幅狭の第３ダイシングブレード（ブレード厚２０μｍ〜３０μｍ）で第１切削領域１２ａの中心部を掘り下げることで第３切削領域１２ｃを形成する。これらの切削工程は、幅広の第１ダイシングブレード（ブレード厚１００μｍ以上）の先端に極薄の第３ダイシングブレード（ブレード厚２０μｍ〜３０μｍ）を設けたダイシングブレードを用いることで同時に１つの工程で行うこともできる。
【００３１】
このような製造方法とすることでリードの外端に形成されるリード切断面（図９の符号７ｇを参照）が極めて小さくなるため半田の這い上がりが良好で基板実装時の半田濡れ性が一層良好となる。また、第２ダイシングブレードによる完全切断の際のリード構成部７の下部の切断が極小であるため、このときに生じる第２金属バリに対する第２エッチング処理が不要になる。
【００３２】
上記説明した工程以外は第１実施形態に準ずる。そして、得られる半導体装置の構造も上記相違点を加味したものとなる。
【００３３】
以上のような第２の実施形態によれば、第１のダイシングブレード７による切断で切断面に生じた金属バリ３をエッチングにより除去することができる。よって、複数のリード間のショートの発生を抑制することができる。また、個片化後の半導体装置４を実装基板上に実装する際に、半導体装置４あるいは実装基板における何れかの導体間のショートの発生を抑制できる。また、エッチングで形成されたリードを順テーパーの形状であるため、実装基板への実装時のリード凹面７ｄ上へ半田の這い上がりやすく、良好な接続強度を得ることができる。本実施形態ではリード９の先端の切断面が極小であるため、より一層半田が這い上がりしやすく、良好な接続ができる。さらに、半田の接続状態を半導体装置の上面から観察することが可能となり品質確認ができる。また、這い上がった半田はリード側面の封止樹脂によって囲われているので隣接するリード間で短絡し難い。また、封止樹脂８の寸法やリード９の寸法は第１ダイシングブレードや第２ダイシングブレードによる切断によって決まるため寸法精度の高い半導体装置４が得られる。
【符号の説明】
【００３４】
１      一括封入ブロック
１ａ    樹脂底面
１ｂ    樹脂上面
１ｃ    切断線
１ｄ    切断線
２      保護フィルム
３      金属バリ
４      半導体装置
５      リードフレーム
６      ダイパッド
６ａ    ダイパッド庇部
６ｂ    ダイパッド底面
６ｃ    ダイパッド上面
７      リード構成部
７ａ    リード庇部
７ｂ    リード底面
７ｃ    リード上面
７ｄ    リード凹面
７ｅ    リード凹部
７ｆ    リード水平面
７ｇ    リード切断面
７ｈ    リード傾斜面
７ｉ    リード垂直面
８      封止樹脂
８ａ    第１樹脂側面
８ｂ    第２樹脂側面
９      リード
１０    半導体チップ
１１    ボンディングワイヤ
１２    第１ダイシングブレード
１２ａ  第１切削領域
１２ｂ  第１切削下面
１２ｃ  第３切削領域
１３    第２ダイシングブレード
１４    エッチング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2019160882.tif 000013
【図１２】
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