(57)【要約】【課題】発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑える。【解決手段】光装置４０は、基板１００、発光部１４２、調光領域３０及び受光素子２２０を備えている。基板１００は、第１面１０２を有している。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率を有する第１状態と、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率より低い第２透過率を有する第２状態と、に遷移可能である。調光領域３０は、基板１００の第１面１０２側において発光部１４２と受光素子２２０の間に位置している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率を有する第１状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第１透過率より低い第２透過率を有する第２状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第１面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光装置において、
前記基板の前記第１面側に位置し、透光性を有し、前記発光部を封止する封止部をさらに備え、
前記調光領域は、前記封止部に取り付けられている、光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記封止部の外面に取り付けられている、光装置。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の光装置において、
複数の前記発光部を備え、
前記複数の発光部の各第２電極は、光反射性を有し、
前記複数の発光部は、前記第１面に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している、光装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記第１面に垂直な方向から見て、前記発光部と重なっている、光装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、エレクトロクロミック素子を有する、光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光装置において、
前記エレクトロクロミック素子は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極に接続し、前記第１電極より高い導電率を有する第１導電部と、前記第２電極に接続し、前記第２電極より高い導電率を有する第２導電部と、を有し、
前記第１導電部の少なくとも一部及び前記第２導電部の少なくとも一部は、前記第１面に垂直な方向から見て、前記第２電極と重なっている、光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光装置において、
前記第１導電部の幅及び前記第２導電部の幅のそれぞれは、前記第２電極の幅より狭い、光装置。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか一項に記載の光装置において、
前記調光領域は、前記発光部から光が発せられていない場合に前記第１状態をとり、前記発光部から光が発せられている場合に前記第２状態をとる、光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光装置として、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、第１電極、有機層及び第２電極を有している。第１電極、有機層及び第２電極は、発光部を構成している。有機層は、第１電極と第２電極の間の電圧によって有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）により光を発することができる。発光部は、封止部（例えば、封止缶）によって封止させることができる。
【０００３】
特許文献１及び２には、ＯＬＥＤの一例が記載されている。特許文献１のＯＬＥＤは、封止部の表面に取り付けられたエレクトロクロミック（ＥＣ）素子を備えている。特許文献２のＯＬＥＤは、封止部の表面に取り付けられた遮光膜を備えている。
【０００４】
特許文献３には、照明器具の一例が記載されている。照明器具は、光源及びセンサを備えている。センサは、光源の照度を検出する。光源は、センサの検出結果に基づいて、動作される。特許文献３では、光源の光がセンサに入射されないように、センサが遮光壁によって囲まれている。
【０００５】
特許文献４には、ＥＣ素子の一例が記載されている。ＥＣ素子は、水素化によって透明状態に遷移可能であり、脱水素化によって反射状態に遷移可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−２９６１３号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７６１８号公報
【特許文献３】特開２０１５−２１０９３４号公報
【特許文献４】特開２０１７−３７２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、近年、ＯＬＥＤが発光装置として開発されている。一定の用途（例えば、自動車のテールランプ）においては、このような発光装置が、受光素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））を有する装置（例えば、光センサ又は撮像装置）と一緒に用いられる場合がある。この場合、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を可能な限り抑える必要がある。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題としては、発光装置から発せられる光による受光素子の誤検出を抑えることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、
第１面を有する基板と、
前記基板の前記第１面側に位置し、第１電極、有機層及び第２電極を有する発光部と、
前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率を有する第１状態と、前記発光部から発せられる光のピーク波長に対して前記第１透過率より低い第２透過率を有する第２状態と、に遷移可能な調光領域と、
前記発光部と離間して位置する受光素子と、
を備え、
前記調光領域は、前記基板の前記第１面側において前記発光部と前記受光素子の間に位置する、光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る光装置を説明するための図である。
【図２】図１に示した調光領域の第１状態を説明するための図である。
【図３】図１に示した調光領域の第２状態を説明するための図である。
【図４】センサ装置の詳細の第１例を説明するための図である。
【図５】センサ装置の詳細の第２例を説明するための図である。
【図６】調光領域の詳細の第１例の断面図である。
【図７】調光領域の詳細の第２例の断面図である。
【図８】調光領域の詳細の第３例の断面図である。
【図９】調光領域の詳細の第４例の断面図である。
【図１０】図９に示した調光領域の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１１】図９に示した調光領域の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１２】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図１３】図１２のＰ−Ｐ断面図である。
【図１４】図１３に示した調光領域の第１状態を説明するための図である。
【図１５】図１３に示した調光領域の第２状態を説明するための図である。
【図１６】発光装置及び調光領域の駆動方法の第１例を説明するための回路図である。
【図１７】発光装置及び調光領域の駆動方法の第２例を説明するための回路図である。
【図１８】図１７に示した制御回路による調光領域の制御の詳細の一例を説明するためのグラフである。
【図１９】図１８の変形例を示す図である。
【図２０】発光装置及び調光領域の駆動方法の第３例を説明するための回路図である。
【図２１】図２０に示した制御回路による発光装置及び調光領域の制御の詳細の第１例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
【図２２】図２０に示した制御回路による発光装置及び調光領域の制御の詳細の第２例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
【図２３】図２２に示した輝度のタイミングチャートの詳細を説明するための図である。
【図２４】実施例２に係る発光装置の断面図である。
【図２５】実施例３に係る発光装置の断面図である。
【図２６】図２５に示した調光領域の第１状態を説明するための図である。
【図２７】図２５に示した調光領域の第２状態を説明するための図である。
【図２８】図２５の変形例を示す図である。
【図２９】図１の変形例を示す図である。
【図３０】図１３の第１の変形例を示す図である。
【図３１】図１３の第２の変形例を示す図である。
【図３２】図１３の第３の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、実施形態に係る光装置４０を説明するための図である。図２は、図１に示した調光領域３０の第１状態を説明するための図である。図３は、図１に示した調光領域３０の第２状態を説明するための図である。
【００１３】
図１を用いて、光装置４０の概要を説明する。光装置４０は、基板１００、発光部１４２、調光領域３０及び受光素子２２０を備えている。基板１００は、第１面１０２を有している。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置しており、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率を有する第１状態（例えば、図２に示す状態）と、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１透過率より低い第２透過率を有する第２状態（例えば、図３に示す状態）と、に遷移可能である。受光素子２２０は、発光部１４２と離間して位置している。調光領域３０は、基板１００の第１面１０２側において発光部１４２と受光素子２２０の間に位置している。
【００１４】
上述した構成によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。具体的には、上述した構成においては、調光領域３０は、基板１００の第１面１０２側において発光部１４２と受光素子２２０の間に位置している。したがって、発光部１４２から光が発せられる場合は、調光領域３０が第２状態（例えば、図３に示す状態）に遷移することで、発光部１４２から発せられて受光素子２２０に向かう光を調光領域３０によって遮ることができる。したがって、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【００１５】
図１を用いて、光装置４０の詳細を説明する。
【００１６】
光装置４０は、発光装置１０及びセンサ装置２０を備えている。
【００１７】
光装置４０は、発光及び光センシングを行うための用途、例えば、自動車の、測距センサ付きテールランプに用いることができる。この例においては、発光装置１０が発光の機能を実現し、センサ装置２０が光センシングの機能を実現する。
【００１８】
発光装置１０は、基板１００、発光部１４２、封止部１６０及び調光領域３０を備えている。発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を基板１００の第１面１０２から順に含んでいる。
【００１９】
基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、封止部１６０及び調光領域３０は、基板１００の第１面１０２側に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側に位置している。
【００２０】
基板１００は、透光性を有する材料からなっている。したがって、光は基板１００を透過することができる。
【００２１】
基板１００は、例えば、ガラス又は樹脂からなっている。樹脂は、例えば、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）又はポリイミドにすることができる。基板１００が樹脂からなる場合、基板１００のうちの第１面１０２及び第２面１０４の少なくとも一方は、無機バリア層（例えば、ＳｉＮｘ又はＳｉＯＮ）によって覆われていてもよい。有機層１２０を劣化させ得る物質（例えば、水蒸気）が基板１００を透過することを無機バリア層によって抑えることができる。
【００２２】
第１電極１１０は、透明導電材料を含んでおり、透光性を有している。透明導電材料は、例えば、金属酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ））又はＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｇａｌｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、カーボンナノチューブ、導電性高分子（例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）又は透光性を有する金属薄膜（例えば、Ａｇ）若しくは透光性を有する合金薄膜（例えば、ＡｇＭｇ）とすることができる。
【００２３】
有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発する発光層（ＥＭＬ）を含んでおり、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を適宜含んでいてもよい。第１電極１１０からＥＭＬに正孔が注入され、第２電極１３０からＥＭＬに電子が注入されて、ＥＭＬにおいて正孔及び電子が再結合して光が発せられる。
【００２４】
第２電極１３０は、遮光性導電材料を含んでおり、遮光性、特に光反射性を有している。遮光性導電材料は、例えば、金属、特に、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる群の中から選択される金属又はこの群から選択される金属の合金とすることができる。
【００２５】
図１に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションである。つまり、有機層１２０から発せられた光は、第１電極１１０及び基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。
【００２６】
図１に示す例において、有機層１２０（発光部１４２）から発せられる光は、単色、具体的には、赤色であり、６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下にピーク波長を有している。他の例において、有機層１２０（発光部１４２）から発せられる光は、赤色以外の色（例えば、緑色又は青色）であってもよい。
【００２７】
封止部１６０は、発光部１４２を封止している。図１に示す例において、封止部１６０は、透光性を有する封止缶（例えば、ガラス缶）であり、発光部１４２と封止部１６０の間の領域は、中空となっている。封止部１６０は、第１面１０２に取り付けられており、一例において、接着層（不図示）を介して基板１００の第１面１０２に接着させることができる。
【００２８】
調光領域３０は、特定の波長（例えば、発光部１４２から発せられる光のピーク波長）に対してそれぞれ異なる透過率を有する複数の状態に遷移可能な領域である。一例において、調光領域３０は、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子を有することができる。ＥＣ素子は、第１状態において、実質的に透明状態に遷移することができ、第２状態において、発色状態に遷移することができる。
【００２９】
第２状態において、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して高い吸光度を有する色に遷移することができる。一例において、発光部１４２から発せられる光の色が赤色である場合、調光領域３０は、第２状態において、青色状態に遷移することができる。
【００３０】
図１に示す例において、調光領域３０は、封止部１６０に取り付けられており、一例において、接着層（不図示）を介して封止部１６０に接着させることができる。
【００３１】
センサ装置２０は、受光素子２２０を有している。受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えば、フォトダイオード（ＰＤ）である。図１に示す例では、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、センサ装置２０の少なくとも一部が基板１００の第１面１０２から基板１００の外側に向けてずれており、基板１００の第１面１０２に沿った方向において、センサ装置２０の少なくとも一部が基板１００の端部から基板１００の外側に向けてずれている。
【００３２】
図２及び図３を用いて、調光領域３０の第１状態及び第２状態の詳細を説明する。
【００３３】
図２及び図３に示すように、調光領域３０は、発光部１４２から光が発せられていない場合に第１状態をとり（図２）、発光部１４２から光が発せられている場合に第２状態をとる（図３）。
【００３４】
図２に示す例では、第１状態において、調光領域３０は、可視光線ＶＬの波長帯域、具体的には、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長帯域において、例えば５０％以上１００％以下、好ましくは例えば８０％以上１００％以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線ＶＬは、調光領域３０を透過することができる。
【００３５】
特に図２に示す例では、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長（例えば、６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下のいずれか）に対して第１透過率を有している。第１透過率は、例えば５０％以上である。したがって、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。
【００３６】
図２に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０の間に電圧が印加されておらず、発光部１４２（有機層１２０）からは光が発せられていない。したがって、発光部１４２（有機層１２０）から発せられる光の波長に対して調光領域３０が低透過率（例えば、高吸光度又は高反射率）を有していなくても、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出のおそれがない。したがって、調光領域３０は、上述したように、可視光線ＶＬの波長帯域において高い透過率を有していてもよい。調光領域３０の高い透過率によって、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【００３７】
図３に示す例では、第２状態において、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光Ｌ１のピーク波長に対して第２透過率を有している。第２透過率は、第１透過率より低く、例えば０％以上７０％以下、好ましくは例えば０％以上３０％以下である。したがって、調光領域３０は、光Ｌ１を透過させない。
【００３８】
図３に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０の間に電圧が印加されており、発光部１４２（有機層１２０）から光Ｌ１が発せられている。光Ｌ１がフレネル反射によって基板１００の第２面１０４によってセンサ装置２０（受光素子２２０）に向けて反射されても、光Ｌ１を調光領域３０によってセンサ装置２０（受光素子２２０）から遮ることができる。したがって、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【００３９】
図３に示す例では、第２状態において、調光領域３０は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長帯域（すなわち、可視光線の波長帯域）のうち光Ｌ１のピーク波長（例えば、６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下のいずれか）を除く１００ｎｍの波長帯域（例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域）において、例えば５０％以上１００％以下、好ましくは例えば８０％以上１００％以下の平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域３０は、光Ｌ１の波長帯域の光を選択的に反射することができる。言い換えると、調光領域３０は、可視光線の波長帯域のうちの光Ｌ１以外の波長帯域の光をよく透過させることができる。したがって、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【００４０】
図４は、センサ装置２０の詳細の第１例を説明するための図である。
【００４１】
センサ装置２０は、発光素子２１０及び受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、測距センサ、特にＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、発光素子２１０は、センサ装置２０の外部に向けて光を発し、受光素子２２０は、発光素子２１０から発せられて対象物によって反射された光を受ける。一例において、発光素子２１０は、電気的エネルギーを光エネルギーに変換可能な素子、例えばレーザダイオード（ＬＤ）にすることができ、受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、光が発光素子２１０から発せられてから受光素子２２０によって受けられるまでの時間に基づいて、センサ装置２０から対象物までの距離を検出することができる。
【００４２】
センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられた光が受光素子２２０に入射されることを可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明した例によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を調光領域３０によって抑えることができる。
【００４３】
図５は、センサ装置２０の詳細の第２例を説明するための図である。
【００４４】
センサ装置２０は、複数の受光素子２２０を含んでいる。一例において、センサ装置２０は、撮像センサにすることができる。この例において、複数の受光素子２２０は、画像を電気信号に変換可能な素子、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサにすることができる。一例において、各受光素子２２０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換可能な素子、例えばフォトダイオード（ＰＤ）にすることができる。センサ装置２０は、複数の受光素子２２０によって、センサ装置２０の外部の対象物の像を検出することができる。
【００４５】
センサ装置２０の受光素子２２０は、センサ装置２０の外部からの光を検出する。したがって、受光素子２２０の誤検出を防ぐため、発光装置１０から発せられて受光素子２２０に入射される光の量を可能な限り抑えることが望ましい。上述したように、図１から図３を用いて説明したによれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を調光領域３０によって抑えることができる。
【００４６】
図６は、調光領域３０の詳細の第１例の断面図である。図６に示す例において、調光領域３０は、ＥＣ素子を有している。
【００４７】
調光領域３０は、基板３１２、電極３２２、電解質３３０、電極３２４及び基板３１４を順に含んでいる。
【００４８】
基板３１２及び基板３１４は、透光性を有している。
【００４９】
電極３２２及び電極３２４は、透光性を有している。電極３２２及び電極３２４は、例えば、金属酸化物、具体的には、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、アルミニウムをドープした酸化スズ（ＡＺＯ）、酸化亜鉛又は酸化チタンからなっている。電極３２２及び電極３２４は、様々な方法、例えば、スパッタ、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、キャスティング又はインクジェットによって形成させることができる。
【００５０】
一例において、電解質３３０は、液体状である。この例においては、電解質３３０は、溶媒及び溶媒に溶かされたイオン化したＥＣ材料を含んでいる。この例においては、電極３２２と電極３２４の間に一方向に電圧を印加することで、エレクトロクロミック（ＥＣ）材料が電極３２２及び電極３２４の一方に析出して調光領域３０が発色状態に遷移し、電極３２２と電極３２４の間に逆方向に電圧を印加することで、析出したＥＣ材料が電解質３３０の溶媒に溶解して調光領域３０が実質的に透明状態に遷移する。
【００５１】
図７は、調光領域３０の詳細の第２例の断面図である。図７に示す例は、以下の点を除いて、図６に示した例と同様である。
【００５２】
調光領域３０は、基板３１２、電極３２２、エレクトロクロミック（ＥＣ）層３３２、電解質３３０、電極３２４及び基板３１４を順に含んでいる。
【００５３】
ＥＣ層３３２は、ＥＣ材料からなっている。ＥＣ材料は、例えば、金属酸化物、金属錯体化合物、低分子の有機化合物又は導電性高分子である。金属酸化物は、例えば、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化イリジウム又は酸化チタンである。金属錯体化合物は、例えば、プルシアンブルーである。低分子の有機化合物は、例えば、ビオロゲン、希土類フタロシアニン又はスチリルである。導電性高分子は、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン若しくはポリアニリン又はそれらの誘導体である。
【００５４】
電解質３３０は、固体状、液体状及びゲル状のいずれであってもよい。
【００５５】
電解質３３０が液体状であるとき、電解質３３０は、水系電解液、有機電解液及びイオン液体電解液のいずれであってもよい。水系電解液は、支持電解質を含んでいてもよい。支持電解質は、アルカリ金属塩若しくはアルカリ土類金属塩等の無機イオン塩、４級アンモニウム塩又は酸類若しくはアルカリ類の支持塩である。より詳細には、支持電解質は、例えば、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＢＦ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＣＦ３ＣＯＯ、ＫＣｌ、ＮａＣｌＯ３、ＮａＣｌ、ＮａＢＦ４、ＮａＳＣＮ、ＫＢＦ４、ＮａＳＣＮ、ＫＢＦ４、Ｍｇ（ＣｌＯ４）２又はＭｇ（ＢＦ４）２である。有機電解液は、例えば、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、γ―ブチロラクン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、１、２−ジメトキシエタン、１、２−エトキシメトキシエタン若しくはポリエチレングリコール、アルコール類又はそれらの混合溶媒である。高粘稠性を得るため、有機電解液にポリマーを添加してもよい。ポリマーは、例えば、ポリアクリロニトリル、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリウレタン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアミド、ポリアクリルアミド、ポリエステル又はナフィオン（登録商標）である。他の例において、有機電解液をゲル状にするため、有機電解液にゲル化剤を添加してもよい。
【００５６】
電解質３３０が固体状であるとき、電解質３３０は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。
【００５７】
図８は、調光領域３０の詳細の第３例の断面図である。図８に示す例は、以下の点を除いて、図７に示した例と同様である。
【００５８】
調光領域３０は、基板３１２、電極３２２、ＥＣ層３３２、電解質３３０、ＥＣ層３３４、電極３２４及び基板３１４を順に含んでいる。
【００５９】
一例において、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４の一方は、酸化によって発色可能な材料からなるようにし、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４のもう一方は、還元によってＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４の一方と実質的に同一の色に発色可能な材料からなるようにしてもよい。電極３２２と電極３２４の間の電圧によって、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４の双方において酸化還元反応が生じ、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４の双方が実質的に同じ色に発色される。したがって、調光領域３０の発色効率を高くすることができる。
【００６０】
詳細な一例において、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４の一方は、プルシアンブルーからなるようにし、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４のもう一方は、酸化タングステン又はビオロゲンからなるようにしてもよい。プルシアンブルーは、酸化によって透明から青色に発色可能であり、酸化タングステン及びビオロゲンは、還元によって透明から青色に発色可能である。この例においては、調光領域３０を透明から青色に高い効率で発色させることができる。
【００６１】
図９は、調光領域３０の詳細の第４例の断面図である。図９の上段は、調光領域３０の平面図であり、図９の下段は、図９の上段のＡ−Ａ断面図である。図９に示す例は、以下の点を除いて、図７に示した例と同様である。
【００６２】
調光領域３０は、シール材３４０を有している。シール材３４０は、例えば、ゴムシートである。シール材３４０は、ＥＣ層３３２及び電解質３３０を囲んでいる。電解質３３０は、液体状又はゲル状にすることができる。電解質３３０が液体状又はゲル状であっても、電解質３３０の外側への漏れをシール材３４０によって抑えることができる。
【００６３】
図１０及び図１１は、図９に示した調光領域３０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、調光領域３０は、以下のようにして製造される。
【００６４】
図１０に示すように、基板３１２上の電極３２２上にマスクＭＫを配置して、電極３２２上にＥＣ層３３２をマスクＭＫによって選択的に堆積する。図１０に示す例において、ＥＣ層３３２は、酸化タングステンからなり、スパッタによって堆積される。次いで、マスクＭＫを除去する。
【００６５】
次いで、図１１に示すように、基板３１２上の電極３２２上にシール材３４０を設けて、シール材３４０がＥＣ層３３２を囲むようにする。次いで、シール材３４０によって囲まれた領域内に電解質３３０を設ける。電解質３３０が液体状又はゲル状であるとき、シール材３４０によって囲まれた領域内に電解質３３０を流し込むことで、シール材３４０によって囲まれた領域内に電解質３３０を設けることができる。
【００６６】
次いで、基板３１４及び電極３２４を含む積層体（図９）を、電極３２４が電解質３３０、ＥＣ層３３２及びＥＣ層３３４を介して電極３２２と対向するように、電解質３３０上に貼り付ける。
【００６７】
このようにして、図９に示した調光領域３０が製造される。
【００６８】
以上、本実施形態によれば、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【実施例】
【００６９】
（実施例１）
図１２は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図１３は、図１２のＰ−Ｐ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様である。
【００７０】
発光装置１０は、発光領域１４０を備えている。発光領域１４０は、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４を有している。図１２に示すように、複数の発光部１４２は、基板１００の第１面１０２（図１３）に垂直な方向から見て、同一方向に延伸している。各発光部１４２は、第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０は透光性を有しており、第２電極１３０は光反射性を有している。複数の透光部１４４のそれぞれは、遮光部材（例えば、第２電極１３０）と重なっておらず、隣り合う発光部１４２の間に位置している。このようにして、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４は、交互に並んでいる。
【００７１】
発光装置１０は、調光領域３０を備えている。図１２に示すように、調光領域３０は、基板１００の第１面１０２（図１３）に垂直な方向から見て、発光領域１４０（複数の発光部１４２）と重なっている。図１２に示す例では、発光領域１４０の全体が調光領域３０の内側に位置している。したがって、発光領域１４０から漏れ得る光を調光領域３０によってよく遮ることができる。
【００７２】
封止部１６０は、外面１６２及び内面１６４を有している。外面１６２は、頂面１６２ａ及び外側面１６２ｂを含んでいる。内面１６４は、裏面１６４ａ及び内側面１６４ｂを含んでいる。裏面１６４ａは、頂面１６２ａの反対側にある。内側面１６４ｂは、外側面１６２ｂの反対側にある。
【００７３】
図１２に示す例では、調光領域３０は、封止部１６０の外面１６２、より具体的には、封止部１６０の頂面１６２ａに取り付けられている。一例において、調光領域３０は、接着層（不図示）を介して封止部１６０に接着させることができる。
【００７４】
図１４は、図１３に示した調光領域３０の第１状態を説明するための図である。図１５は、図１３に示した調光領域３０の第２状態を説明するための図である。
【００７５】
図１４に示す例では、図２に示した例と同様にして、第１状態において、調光領域３０は、可視光線ＶＬの波長帯域において、高い平均透過率を有している。したがって、可視光線ＶＬは、調光領域３０を透過することができる。特に、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して高い透過率（第１透過率）を有している。
【００７６】
図１４に示すように、可視光線ＶＬは、透光部１４４を透過することができる。さらに、上述したように、可視光線ＶＬは、調光領域３０も透過することができる。したがって、発光装置１０は、調光領域３０の第１状態において、高い透光性を有することができる。
【００７７】
図１５に示す例では、図３に示した例と同様にして、第２状態において、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光Ｌ１のピーク波長に対して低い透過率（第２透過率）を有している。したがって、光Ｌ１がフレネル反射によって基板１００の第２面１０４によって第２面１０４の反対側に向けて反射されても、光Ｌ１を調光領域３０によって遮ることができる。
【００７８】
図１５に示す例では、図３に示した例と同様にして、第２状態において、調光領域３０は、可視光線の波長帯域のうちの光Ｌ１のピーク波長を除く一部分の波長帯域において、高い平均透過率を有していてもよい。この場合、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【００７９】
図１６は、発光装置１０及び調光領域３０の駆動方法の第１例を説明するための回路図である。
【００８０】
光装置４０は、駆動回路４００を備えている。駆動回路４００は、第１駆動部４１０及び第２駆動部４２０を有している。第１駆動部４１０及び第２駆動部４２０は、互いに独立して、発光装置１０及び調光領域３０をそれぞれ駆動している。
【００８１】
図１７は、発光装置１０及び調光領域３０の駆動方法の第２例を説明するための回路図である。図１７に示す例は、以下の点を除いて、図１６に示した例と同様である。
【００８２】
光装置４０は、制御回路４３０及び光センサ４４０を備えている。光センサ４４０は、調光領域３０の周囲の明るさを検出する。光センサ４４０は、図１に示したセンサ装置２０であってもよい。制御回路４３０は、光センサ４４０のセンシング結果（つまり、調光領域３０の周囲の明るさ）に基づいて、第２駆動部４２０を制御して、第２状態における、可視光線の波長帯域に対しての、調光領域３０の平均透過率を制御している（以下、平均透過率Ｔ２，ＶＬと称する。）。
【００８３】
一例において、制御回路４３０は、調光領域３０の周囲の明るさが第１の明るさであるときは、平均透過率Ｔ２，ＶＬが第１透過率となるように調光領域３０を制御し、調光領域３０の周囲の明るさが第１の明るさより明るい第２の明るさであるときは、平均透過率Ｔ２，ＶＬが第１透過率より高い第２透過率となるように調光領域３０を制御する。調光領域３０の周囲が暗い場合（第１の明るさ）は、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光が目立つ。したがって、平均透過率Ｔ２，ＶＬは、ある程度低い必要がある（第１透過率）。これに対して、調光領域３０の周囲が明るい場合（第２の明るさ）は、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光はあまり目立たない。したがって、平均透過率Ｔ２，ＶＬは、ある程度高くてもよい（第２透過率）。このようにして、調光領域３０の周囲が暗い場合は、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光の量を調光領域３０によって抑えることができ、調光領域３０の周囲が明るい場合は、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる
【００８４】
図１８は、図１７に示した制御回路４３０による調光領域３０の制御の詳細の一例を説明するためのグラフである。図１８に示すグラフにおいて、横軸は、調光領域３０の周囲の明るさを示し、縦軸は、平均透過率Ｔ２，ＶＬを示している。
【００８５】
図１８に示す例において、制御回路４３０は、調光領域３０の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率Ｔ２，ＶＬが線型に増加するように調光領域３０を制御している。したがって、調光領域３０の周囲が暗い場合は、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光の量を調光領域３０によって抑えることができ、調光領域３０の周囲が明るい場合は、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【００８６】
図１９は、図１８の変形例を示す図である。
【００８７】
図１９の上段のグラフに示すように、制御回路４３０は、調光領域３０の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率Ｔ２，ＶＬが、非線型に、すなわち、階段状に増加するように調光領域３０を制御してもよい。
【００８８】
図１９の中段のグラフに示すように、制御回路４３０は、調光領域３０の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率Ｔ２，ＶＬが、非線型に、すなわち、下に凸な曲線状に増加するように調光領域３０を制御してもよい。
【００８９】
図１９の下段のグラフに示すように、制御回路４３０は、調光領域３０の周囲の明るさが明るくなるほど平均透過率Ｔ２，ＶＬが、非線型に、すなわち、上に凸な曲線状に増加するように調光領域３０を制御してもよい。
【００９０】
図２０は、発光装置１０及び調光領域３０の駆動方法の第３例を説明するための回路図である。図２０に示す例は、以下の点を除いて、図１６に示した例と同様である。
【００９１】
制御回路４３０は、第１駆動部４１０及び第２駆動部４２０の双方、つまり、発光装置１０及び調光領域３０の双方を制御している。制御回路４３０は、発光装置１０の輝度（以下、輝度Ｌと称する。）を第１輝度（発光装置１０がオフ状態）及び第２輝度（発光装置１０が完全にオン状態）の間に制御する（第２輝度は、第１輝度より高い。）。制御回路４３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対しての調光領域３０の透過率（以下、透過率ＴＰと称する。）を第１透過率及び第２透過率の間に制御する（第２透過率は、第１透過率より低い。）。制御回路４３０は、透過率ＴＰに応じて、輝度Ｌを制御することができる。
【００９２】
図２１は、図２０に示した制御回路４３０による発光装置１０及び調光領域３０の制御の詳細の第１例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。
【００９３】
図２１に示すタイミングチャートでは、輝度Ｌが第１輝度から第２輝度に変化し、かつ透過率ＴＰが第１透過率から第２透過率に変化している。調光領域３０の応答速度は、発光装置１０の応答速度よりも遅い。したがって、図２１に示すように、透過率ＴＰが第１透過率から第２透過率に変化するのに要する時間は、輝度Ｌが第１輝度から第２輝度に変化するのに要する時間よりも長い。したがって、透過率ＴＰが十分に低くないタイミング（例えば、透過率ＴＰが第１輝度であるタイミング）で輝度Ｌが第２輝度に達すると、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光が目立つことになる。
【００９４】
図２１に示す例では、制御回路４３０は、透過率ＴＰが第１透過率より低くなったタイミングで輝度Ｌが第２輝度に達するように、発光装置１０及び調光領域３０を制御している。したがって、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光の量を抑えることができる。輝度Ｌが第２輝度に達するタイミングにおける透過率ＴＰは、低いことが好ましく、例えば第１透過率の５０％以下、好ましくは例えば第１透過率の１０％以下である。
【００９５】
図２２は、図２０に示した制御回路４３０による発光装置１０及び調光領域３０の制御の詳細の第２例を説明するためのタイミングチャートを示す図である。図２２に示すタイミングチャートは、以下の点を除いて、図２１に示したタイミングチャートと同様である。
【００９６】
図２２に示す例では、制御回路４３０は、透過率ＴＰが第１透過率から変化し始めたタイミングと実質的に同じタイミングで輝度Ｌが第１輝度から変化し始めるようにし、かつ、透過率ＴＰが第１透過率より低くなったタイミングで輝度Ｌが第２輝度に達するように、発光装置１０及び調光領域３０を制御している。この例において、制御回路４３０は、輝度Ｌを、発光装置１０の通常の動作時間よりも長い時間をかけて、第１輝度から第２輝度へ増加させている。したがって、発光部１４２から発せられて基板１００の第１面１０２側へ漏れる光の量を抑えることができる。
【００９７】
図２３は、図２２に示した輝度Ｌのタイミングチャートの詳細を説明するための図である。
【００９８】
図２３の上段のタイミングチャートでは、制御回路４３０は、輝度Ｌを、第１輝度から第２輝度に、線型に増加させている。
【００９９】
図２３の中段のタイミングチャートでは、制御回路４３０は、輝度Ｌを、第１輝度から第２輝度に、非線型に、具体的には、階段状に増加させている。
【０１００】
図２３の下段のタイミングチャートでは、制御回路４３０は、輝度Ｌを、第１輝度から第２輝度に、非線型に、具体的には、下に凸な曲線状に増加させている。
【０１０１】
（実施例２）
図２４は、実施例２に係る発光装置１０の断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様である。
【０１０２】
調光領域３０は、基板３１２、電極３２２、電解質３３０、ＥＣ層３３４、電極３２４及び基板３１４を封止部１６０の頂面１６２ａから順に含んでいる。
【０１０３】
調光領域３０は、導電部３５２（第１導電部）及び導電部３５４（第２導電部）をさらに有している。導電部３５２は、基板３１２及び電極３２２の間にあって電極３２２（第１電極）に覆われている。導電部３５４は、基板３１４及び電極３２４の間にあって電極３２４（第２電極）に覆われている。導電部３５２及び導電部３５４は、電極３２２及び電極３２４にそれぞれ接続している。導電部３５２及び導電部３５４は、電極３２２及び電極３２４よりもそれぞれ高い導電率を有しており、電極３２２の補助電極及び電極３２４の補助電極としてそれぞれ機能している。調光領域３０は、導電部３５２及び導電部３５４によって、高い発色効率を得ることができる。
【０１０４】
導電部３５２及び導電部３５４は、金属、より具体的には、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）若しくはＮｉ（ニッケル）又はこれらの合金からなっている。これらの中でも、高い導電率で且つ汎用性が高い（価格が安い）という観点から、Ａｇが好ましい。
【０１０５】
図２４に示す例において、導電部３５２の少なくとも一部及び導電部３５４の少なくとも一部は、第２電極１３０と重なっている。さらに、導電部３５２の幅及び導電部３５４の幅のそれぞれは、第２電極１３０の幅より狭くなっており、基板１００の第１面１０２に沿う方向において、導電部３５２及び導電部３５４は、第２電極１３０の内側に位置している。この場合、導電部３５２及び導電部３５４が遮光性を有していても、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【０１０６】
（実施例３）
図２５は、実施例３に係る発光装置１０の断面図である。図２６は、図２５に示した調光領域３０の第１状態を説明するための図である。図２７は、図２５に示した調光領域３０の第２状態を説明するための図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様である。
【０１０７】
図２５を用いて、発光装置１０の構造を説明する。
【０１０８】
第２電極１３０は、第１電極１１０と同様にして、透光性を有している。調光領域３０は、第２電極１３０上に位置している。調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１反射率を有する第１状態（例えば、図２６に示す状態）と、発光部１４２から発せられる光のピーク波長に対して第１反射率より低い第２反射率を有する第２状態（例えば、図２７に示す状態）と、に遷移可能である。
【０１０９】
上述した構成によれば、有機層１２０から光が発せられていない場合、調光領域３０が第１状態に遷移することで、発光装置１０の透過率を高くすることができ（例えば、図２６）、有機層１２０から光が発せられている場合、調光領域３０が第２状態に遷移することで、有機層１２０から調光領域３０に向けて発せられた光を調光領域３０の反対側（基板１００側）に向けて反射することができる（例えば、図２７）。
【０１１０】
調光領域３０は、バッファ層３６０、電極３２２、ＥＣ層３３２、触媒層３３６、電解質３３０及び電極３２４を第２電極１３０から順に含んでいる。バッファ層３６０は、例えば真空蒸着によって第２電極１３０上に形成させることができる。電極３２２、ＥＣ層３３２、触媒層３３６、電解質３３０及び電極３２４は、例えばスパッタによって順に形成させることができる。
【０１１１】
電極３２２、電極３２４、電解質３３０及びバッファ層３６０は、透光性を有している。
【０１１２】
電解質３３０は、固体状にすることができる。電解質３３０は、例えば、酸化タンタルからなるようにすることができる。
【０１１３】
ＥＣ層３３２は、水素化により透明状態（例えば、図２６に示す状態）に遷移可能であり、かつ脱水素化により反射状態（例えば、図２７に示す状態）に遷移可能である。水素化及び脱水素化は、可逆反応である。電極３２２と電極３２４の間の一方向に電圧を印加することで、水素化を生じさせることができ、電極３２２と電極３２４の間の逆方向に電圧を印加することで、脱水素化を生じさせることができる。ＥＣ層３３２の材料は、例えば、Ｙ−Ｍｇ、Ｌａ−Ｍｇ、Ｇｄ−Ｍｇ若しくはＳｍ−Ｍｇの希土類−マグネシウム合金；Ｍｇ−Ｎｉ、Ｍｇ−Ｍｎ、Ｍｇ−Ｃｏ若しくはＭｇ−Ｆｅのマグネシウム−遷移金属合金；第２族元素から選択される少なくとも１種の元素及び第３族元素及び希土類元素から選択される２種以上の元素を含む合金；又は上述した合金の水素化物である。
【０１１４】
触媒層３３６は、ＥＣ層３３２の水素化及び脱水素化を促進するための機能を有している。触媒層３３６の材料は、例えば、パラジウム、白金、パラジウム合金又は白金合金の中から選択された少なくとも１種の金属であり、水素透過性の観点から好ましくはパラジウムである。
【０１１５】
図２６及び図２７を用いて、調光領域３０の第１状態及び第２状態の詳細を説明する。
【０１１６】
図２６に示す例では、第１状態において、調光領域３０は、可視光線ＶＬの波長帯域、具体的には、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長帯域において、例えば４０％以上１００％以下、好ましくは例えば８０％以上１００％以下の平均透過率を有している。したがって、可視光線ＶＬは、調光領域３０を透過することができる。
【０１１７】
特に図２６に示す例では、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長（例えば、６００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下のいずれか）に対して第１反射率を有している。第１反射率は、例えば３０％未満である。したがって、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光のピーク波長と同一波長にピークを有する光もよく透過させることができる。
【０１１８】
図２６に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０の間に電圧が印加されておらず、発光部１４２（有機層１２０）からは光が発せられていない。したがって、調光領域３０は、発光部１４２（有機層１２０）から発せられる光の波長に対して高反射率を有していなくてよい。したがって、調光領域３０による発光装置１０の透光性の損失を抑えることができる。
【０１１９】
図２７に示す例では、第２状態において、調光領域３０は、発光部１４２から発せられる光Ｌ１のピーク波長に対して第２反射率を有している。第２反射率は、第１反射率より高く、例えば６０％以上１００％以下、好ましくは例えば８０％以上１００％以下である。したがって、調光領域３０は、光Ｌ１を反射することができる。
【０１２０】
図２７に示す例では、第１電極１１０と第２電極１３０の間に電圧が印加されており、有機層１２０から光Ｌ１が発せられている。光Ｌ１が調光領域３０に向かっても、光Ｌ１を調光領域３０によって調光領域３０の反対側（基板１００側）に向けて反射することができる。
【０１２１】
図２８は、図２５の変形例を示す図である。
【０１２２】
図２８に示すように、調光領域３０は、バッファ層（図２５に示したバッファ層３６０に相当する層）を含んでいなくてもよく、第２電極１３０が電極３２２として機能してもよい。この例においても、図２５に示した例と同様にして、有機層１２０から光が発せられていない場合、調光領域３０が第１状態に遷移することで、発光装置１０の透過率を高くすることができ、有機層１２０から光が発せられている場合、調光領域３０が第２状態に遷移することで、有機層１２０から調光領域３０に向けて発せられた光を調光領域３０の反対側（基板１００側）に向けて反射することができる。
【０１２３】
図２９は、図１の変形例を示す図である。
【０１２４】
図２９に示す例において、発光装置１０は、トップエミッションである。第１電極１１０は光反射性を有しており、第２電極１３０は光透過性を有している。したがって、有機層１２０から発せられた光は、第２電極１３０を透過して封止部１６０から出射される。
【０１２５】
調光領域３０は、基板１００の第２面１０４側において発光部１４２と受光素子２００の間に位置している。特に図２９に示す例では、基板１００の第２面１０４に取り付けられており、一例において、接着層（不図示）を介して基板１００の第２面１０４に接着させることができる。したがって、図１に示した例と同様にして、発光部１４２（発光装置１０）から発せられる光による受光素子２２０の誤検出を抑えることができる。
【０１２６】
図３０は、図１３の第１の変形例を示す図である。
【０１２７】
図３０に示すように、調光領域３０は、封止部１６０の頂面１６２ａだけでなく、封止部１６０の外側面１６２ｂにも取り付けられていてもよい。
【０１２８】
図３１は、図１３の第２の変形例を示す図である。
【０１２９】
図３１に示すように、調光領域３０は、封止部１６０の内面１６４に取り付けられていてもよく、特に図３１に示す例では、封止部１６０の裏面１６４ａ及び内側面１６４ｂに取り付けられている。
【０１３０】
図３２は、図１３の第３の変形例を示す図である。
【０１３１】
図３２に示すように、調光領域３０は、封止部１６０の外面１６２及び内面１６４の双方に取り付けられていてもよく、特に図３２に示す例では、封止部１６０の頂面１６２ａ及び裏面１６４ａに取り付けられている。
【０１３２】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１３３】
１０  発光装置
２０  センサ装置
３０  調光領域
４０  光装置
１００  基板
１０２  第１面
１０４  第２面
１１０  第１電極
１２０  有機層
１３０  第２電極
１４０  発光領域
１４２  発光部
１４４  透光部
１６０  封止部
１６２  外面
１６２ａ  頂面
１６２ｂ  外側面
１６４  内面
１６４ａ  裏面
１６４ｂ  内側面
２００  受光素子
２１０  発光素子
２２０  受光素子
３１２  基板
３１４  基板
３２２  電極
３２４  電極
３３０  電解質
３３２  ＥＣ層
３３４  ＥＣ層
３３６  触媒層
３４０  シール材
３５２  導電部
３５４  導電部
３６０  バッファ層
４００  駆動回路
４１０  第１駆動部
４２０  第２駆動部
４３０  制御回路
４４０  光センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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