(57)【要約】【課題】Ｓｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだ中にボイドが発生するのを抑制する。【解決手段】本発明のＳｎ系はんだペーストは、Ｓｎ系金属粉末とフラックスとを含む。また、Ｓｎ系金属粉末は、ＳｎとＣｕとＴｅを含むか、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含み、ＴｅをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下含む。上記Ｓｎ系はんだペーストの製造方法は、Ｓｎ系はんだペーストを回路基板の金属電極上に塗布する工程と、金属電極上に塗布されたＳｎ系はんだペーストを加熱してはんだバンプを生成する工程とを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎ系金属粉末とフラックスとを含むＳｎ系はんだペーストであって、
前記Ｓｎ系金属粉末が、ＳｎとＣｕとＴｅを含むか、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含み、
前記Ｔｅを前記Ｓｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下含む
ことを特徴とするＳｎ系はんだペースト。
【請求項２】
請求項１記載のＳｎ系はんだペーストを回路基板の金属電極上に塗布する工程と、
前記金属電極上に塗布されたＳｎ系はんだペーストを加熱してはんだバンプを生成する工程と
を含むはんだバンプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｎ系金属粉末とフラックスを含むＰｂフリーのＳｎ系はんだペーストと、このはんだペーストを用いてはんだバンプを製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｓｎはんだに、０．５〜３．０重量％のＡｇと、０．１〜０．８重量％のＣｕと、０．０１〜０．１重量％のＧｅと、０．０１〜０．１重量％のＴｅとが添加混合された耐酸化性に優れた無鉛はんだが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このように構成された無鉛はんだは、耐酸化性に優れ、しかも酸化防止の持続時間が長いので、長時間プリント基板等のはんだ付けに使用しても、酸化物の生成を効果的に防止することができ、はんだ付け不良の発生を効果的に回避できる。具体的には、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ合金に、Ｇｅ及びＴｅをそれぞれ０．０１〜０．１重量％を複合添加することによって、はんだ浴の酸化物（又はドロス）発生量を半減でき、しかも耐酸化性を長時間持続させる効果が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２２６７７６号公報（請求項１、段落［００３１］）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来の特許文献１に示された無鉛はんだでは、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ又はＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ合金に、Ｇｅ及びＴｅをそれぞれ０．０１〜０．１重量％を複合添加することによって、はんだ浴の酸化物（又はドロス）発生量を半減できるけれども、Ｇｅを添加しているため、ＧｅがＴｅと結びついて、Ｃｕ製又はＣｕ合金製の電極に対するはんだの濡れ性が低下する不具合があった。また、上記従来の特許文献１に示された無鉛はんだをフラックスと混合してはんだペーストを調製した後に、このはんだペーストを金属電極に塗布し加熱してはんだバンプを生成すると、はんだバンプ中に大きなボイドが発生してしまい、はんだバンプの品質が低下する問題点があった。
【０００６】
本発明の第１の目的は、Ｓｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだ中にボイドが発生するのを抑制できる、Ｓｎ系はんだペーストを提供することにある。本発明の第２の目的は、はんだバンプ中にボイドが発生するのを抑制でき、これにより回路基板の金属電極に品質の優れたはんだバンプを形成できる、Ｓｎ系はんだペーストを用いたはんだバンプの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点は、Ｓｎ系金属粉末とフラックスとを含むＳｎ系はんだペーストであって、Ｓｎ系金属粉末が、ＳｎとＣｕとＴｅを含むか、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含み、ＴｅをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の観点は、第１の観点に記載のＳｎ系はんだペーストを回路基板の金属電極上に塗布する工程と、金属電極上に塗布されたＳｎ系はんだペーストを加熱してはんだバンプを生成する工程とを含むはんだバンプの製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の第１の観点のＳｎ系はんだペーストでは、Ｓｎ系金属粉末が、ＳｎとＣｕとＴｅを含むか、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含み、ＴｅをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下含むので、このＳｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだの表面張力を低下でき、またＴｅの金属に対する良好な反応性により、回路基板の金属電極に対するはんだの濡れ性を向上できる。この結果、Ｓｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだ中にボイドが発生するのを抑制できる。
【００１０】
本発明の第２の観点のはんだバンプの製造方法では、Ｓｎ系はんだペーストを回路基板の金属電極上に塗布した後に、金属電極上に塗布されたＳｎ系はんだペーストを加熱してはんだバンプを生成するので、上記と同様の理由により、はんだバンプ中にボイドが発生するのを抑制できる。この結果、回路基板の金属電極に品質の優れたはんだバンプを形成できる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に本発明を実施するための形態を説明する。Ｓｎ系はんだペーストは、Ｓｎ系金属粉末とフラックスとを含む。Ｓｎ系金属粉末は、ＳｎとＣｕとＴｅを含むか、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含む。ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末としては、ＣｕをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して好ましくは０．１質量％以上１．５質量％以下、更に好ましくは０．３質量％以上１．２質量％以下含む。また、ＴｅをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下、好ましくは１５ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下、更に好ましくは１５ｐｐｍ以上４５０ｐｐｍ以下含む。更に、Ｓｎ系金属粉末１００質量％からＣｕ及びＴｅの含有割合を差し引いた残部がＳｎの含有割合である。
【００１２】
ここで、ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末において、Ｃｕの好ましい含有割合を０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内に限定したのは、０．１質量％未満では、本実施の形態のはんだペーストを用いて生成されたはんだバンプに作用する応力を十分に緩和できず、はんだバンプの強度が低下してしまい、１．５質量％を超えると、はんだペースト中の金属粉末の融点が高くなり、はんだ付け性の低下を招くおそれがあるからである。また、Ｔｅの含有割合を１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下の範囲内に限定したのは、１０ｐｐｍ未満では、ＴｅのＣｕに対する反応性を十分に発揮できず、はんだバンプの金属電極に対する濡れ性が低くなってしまい、３００００ｐｐｍを超えると、はんだペースト中の金属粉末の融点が高くなり、溶融時に固液共存状態となることから、はんだ付け性の低下を招くおそれがあるとともに、金属電極に対するはんだバンプの濡れ性が低くなってしまうからである。更に、ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末は、Ｓｎ源及びＣｕ源として、Ｓｎ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ粉末、Ｃｕ粉末のいずれかを含むことが好ましく、ＴｅはＳｎ及びＣｕのうち少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有されることが好ましい。即ち、ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末は、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末、Ｓｎ−Ｔｅ合金粉末、Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末のいずれかの合金粉末として含有されることが好ましい。
【００１３】
一方、ＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末としては、Ａｇを好ましくは０．１質量％以上１０．０質量％以下、更に好ましくは２質量％以上５質量％以下含む。また、ＣｕをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して好ましくは０．１質量％以上１．５質量％以下、更に好ましくは０．３質量％以上１．２質量％以下含む。また、ＴｅをＳｎ系金属粉末１００質量％に対して１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下、好ましくは１５ｐｐｍ以上４５０ｐｐｍ以下含む。更に、Ｓｎ系金属粉末１００質量％からＡｇ、Ｃｕ及びＴｅの含有割合を差し引いた残部がＳｎの含有割合である。ここで、ＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末において、Ａｇの好ましい含有割合を０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内に限定したのは、０．１質量％未満では、本実施の形態のはんだペーストを用いて生成されたはんだバンプの耐熱疲労性及び機械的強度を向上できず、１０質量％を超えると、はんだペースト中の金属粉末の融点が高くなり、はんだ付け性の低下を招くおそれがあるからである。また、Ｃｕの好ましい含有割合を０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内に限定した理由は、上記ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末の場合と同一である。また、Ｔｅの含有割合を１０ｐｐｍ以上３００００ｐｐｍ以下の範囲内に限定したのは、上記ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末の場合と同一である。
【００１４】
更に、ＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末は、Ｓｎ源、Ａｇ源及びＣｕ源として、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ−Ａｇ合金粉末、Ｓｎ−Ｃｕ合金粉末、Ａｇ−Ｃｕ合金粉末、Ｓｎ粉末、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末のいずれかを含むことが好ましく、ＴｅはＳｎ、Ａｇ及びＣｕのうち少なくとも１種の金属を含む合金粉末として含有されることが好ましい。即ち、ＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末、Ｓｎ−Ａｇ−Ｔｅ合金粉末、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末、Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末、Ｓｎ−Ｔｅ合金粉末、Ａｇ−Ｔｅ合金粉末、Ｃｕ−Ｔｅ合金粉末のいずれかの合金粉末として含有されることが好ましい。
【００１５】
一方、フラックスとしては、通常用いられる一般的なフラックスを用いることができ、特に限定されないけれども、はんだペーストを用いて生成されるはんだバンプの濡れ性の観点等から、ＲＡ（活性）フラックスやＲＭＡ（弱活性）フラックスを用いることが好ましい。また、フラックスには、通常用いられるロジン、活性剤、溶剤及びチクソ剤等が含まれてもよい。更に、フラックスは、はんだペースト１００質量％に対して５質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、６質量％以上１５質量％以下であることが更に好ましい。ここで、フラックスの好ましい含有割合を５質量％以上４０質量％以下の範囲内に限定したのは、５質量％未満では、ペースト状にならず、４０質量％を超えると、はんだペーストの粘度が低すぎて、印刷の際にダレが生じてしまうからである。
【００１６】
このように構成されたＳｎ系はんだペーストでは、Ｔｅが含有されていることから、このＳｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだの表面張力をＴｅにより低下できる。また、ＴｅのＣｕに対する良好な反応性により、Ｃｕ製又はＣｕ合金製の電極に対するはんだの濡れ性を向上できる。この結果、Ｓｎ系はんだペースト用いて生成されたはんだ中にボイドが発生するのを抑制できる。
【００１７】
このように構成されたＳｎ系はんだペーストの製造方法を説明する。先ず、Ｓｎ系金属粉末を作製する。具体的には、ＳｎとＣｕとＴｅを所定の割合で含む合金、又はＳｎとＡｇとＣｕとＴｅを所定の割合で含む合金を作製した後に、この合金からアトマイズ法によりＳｎ系金属粉末を作製する。ここで、アトマイズ法とは、合金の溶湯を噴霧し、急冷微細化する方法であり、合金の組織・組成を均質で微細にすることができる。このアトマイズ法としては、ガスアトマイズ法、水アトマイズ法、真空アトマイズ法等が挙げられる。また、Ｓｎ系金属粉末の粒径が５μｍ〜１５μｍの範囲内になるように、Ｓｎ系金属粉末を分級することが好ましい。次に、Ｓｎ系金属粉末とフラックスとを所定の割合で混合し撹拌することにより、Ｓｎ系はんだペーストを製造する。
【００１８】
このように製造されたＳｎ系はんだペーストを用いてはんだバンプを製造する方法を説明する。先ず、Ｓｎ系はんだペーストを回路基板の金属電極上に塗布する。金属電極としては、導電性を有する種々の金属を用いることができるが、導電性の高いＣｕ又はＣｕ合金で形成されることが好ましい。ここで、ペーストの塗布方法としては、スクリーン印刷法、ディスペンス法等が挙げられる。次に、金属電極上に塗布されたＳｎ系はんだペーストを加熱してはんだバンプを生成する。ここで、ペーストの加熱方法としては、リフロー炉を用いた加熱方法や、ホットプレートを用いた加熱方法等が挙げられる。
【００１９】
このように製造されたはんだバンプは、Ｔｅが含有されていることによってその表面張力を低下でき、またＴｅのＣｕに対する良好な反応性により、Ｃｕ製又はＣｕ合金製の電極に対する濡れ性を向上できる。この結果、はんだバンプ中にボイドが発生するのを抑制できるので、金属電極に品質の優れたはんだバンプを形成できる。
【実施例】
【００２０】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
【００２１】
＜実施例１＞
先ず、ＳｎとＣｕとＴｅを含むＳｎ系金属粉末を作製した。具体的には、Ｃｕを０．７質量％と、Ｔｅを１５ｐｐｍと、Ｓｎを残部含む合金を作製した後に、この合金からガスアトマイズ法によりＳｎ系金属粉末を作製し、更にこのＳｎ系金属粉末の粒径が５μｍ〜１５μｍの範囲内になるようにＳｎ系金属粉末を分級した。次に、このＳｎ系金属粉末を８９質量％と、ＲＡ（活性）フラックスを１１質量％とを混合し撹拌して、Ｓｎ系はんだペーストを得た。このＳｎ系はんだペーストを実施例１とした。
【００２２】
＜実施例２〜５及び比較例１〜７＞
実施例２〜５及び比較例１〜７のＳｎ系はんだペーストは、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｔｅ及びその他の添加元素を、表１に示すようにそれぞれ配合して調製した。なお、表１に示した配合以外は、実施例１と同様にして、Ｓｎ系はんだペーストを調製した。
【００２３】
＜比較試験１及び評価＞
実施例１〜５及び比較例１〜７のＳｎ系はんだペーストを用いて、はんだの濡れ性及びはんだバンプ中のボイドの最大直径率をそれぞれ測定した。
【００２４】
＜はんだの濡れ性の測定方法＞
Ｃｕ板へのはんだの濡れ性を、濡れ性試験機を用いて、メニスコグラフ法により測定した。Ｃｕ板として、幅、長さ及び厚さがそれぞれ１０ｍｍ、３０ｍｍ及び０．３ｍｍである無酸素銅板を用い、測定温度は２５７℃とした。ここで、メニスコグラフ法とは、Ｃｕ板（試料）を、一定の深さ、速度、時間間隔で、溶融はんだ内に浸漬させたときの濡れの時間的変化を測定する方法である。このメニスコグラフ法では、Ｃｕ板が溶融はんだに濡れる前のＣｕ板にかかる浮力と濡れ開始後の表面張力により垂直方向に作用する力を高感度の電子天秤によって連続的に検出し、連続的に検出された作用力が濡れ曲線（横軸：時間、縦軸：濡れ力）として表示される。この濡れ曲線の縦軸の最大値である最大濡れ力（ｍＮ）をはんだの濡れ性とした。
【００２５】
＜はんだバンプ中のボイドの最大直径率の測定・算出方法＞
実施例１〜５及び比較例１〜７のＳｎ系はんだペーストを、直径、厚さ及びピッチがそれぞれ８５μｍ、２０μｍ及び１５０μｍである１６００個の開口部が設けられたソルダーレジスト（ＳＲ）を有する回路基板に、直径、厚さ及びピッチがそれぞれ１１０μｍ、２０μｍ及び１５０μｍである１６００個の開口部を有するステンシルマスクを用いて印刷した。次いで、これらの回路基板を熱対流式リフロー炉に入れ、窒素ガス雰囲気中で２５７℃の温度に１分間保持して、１６００個のはんだバンプを生成した。次に、これらのはんだバンプ中のボイドの直径を透過Ｘ線により測定した。更に、直径を測定したボイドのうち最も直径が大きいボイド（最大ボイド）が発生したバンプの直径と、その最大ボイドの直径とから、次の式（１）によりボイドの最大直径率（％）を算出した。
ボイドの最大直径率＝(最大ボイドの直径／バンプの直径)×１００  ……（１）
これらの結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2019162647.tif 000002
【００２７】
表１から明らかなように、比較例１のＴｅを添加しなかったＳｎ系はんだペーストでは、このペーストを用いて生成されたはんだの最大濡れ力が７．３０ｍＮと小さく、このペーストを用いて生成されたはんだバンプ中のボイドの最大直径率が４０％と大きかった。
【００２８】
比較例２のＴｅの含有割合が５ｐｐｍと少なすぎたＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．３３ｍＮと未だ小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３６％と未だ大きかった。
【００２９】
比較例３のＴｅの含有割合が３２０００ｐｐｍと多すぎたＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．３２ｍＮと未だ小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３６％と未だ大きかった。
【００３０】
これらに対し、実施例１〜５のＴｅの含有割合が１０ｐｐｍ〜３００００ｐｐｍと適切な範囲内であるＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．４５ｍＮ〜７．６６ｍＮ（比較例１との差が０．１５ｍＮ〜０．３６ｍＮ）と大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が１９％〜３４％（比較例１との差が−６％〜−２１％）と小さくなった。
【００３１】
ここで、実施例１〜５のＴｅを適切な割合で添加したＳｎ系はんだペーストを用いた場合、はんだの最大濡れ力が大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が小さくなったのは、Ｔｅによりはんだの表面張力が低下するという効果と、ＴｅのＣｕとの高い反応性によりＣｕに対して濡れ性を高めるという効果が発揮されたためであると考えられる。
【００３２】
特に、実施例１〜３のＴｅの含有割合が１０ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍの範囲内であるＳｎ系はんだペーストを用いると、はんだの最大濡れ力及びはんだバンプ中のボイドの最大直径率がより向上することが分かった。
【００３３】
一方、比較例４のＴｅを４５０ｐｐｍ添加し更にＧｅを１００ｐｐｍ添加したＳｎ系はんだペーストでは、このペーストを用いて生成されたはんだの最大濡れ力が７．２９ｍＮと未だ小さく、このペーストを用いて生成されたはんだバンプ中のボイドの最大直径率が４０％と比較例１と同様に大きかった。
【００３４】
比較例５のＴｅを４５０ｐｐｍ添加し更にＰｄを３００ｐｐｍ添加したＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．３４ｍＮと未だ小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３７％と未だ大きかった。
【００３５】
比較例６のＴｅを４５０ｐｐｍ添加し更にＳｂを１０００ｐｐｍ添加したＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．３５ｍＮと未だ小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３６％と未だ大きかった。
【００３６】
比較例７のＴｅを４５０ｐｐｍ添加し更にＧａを５００ｐｐｍ添加したＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．３０ｍＮと比較例１と同様に小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３９％と未だ大きかった。
【００３７】
これらに対し、実施例２のＴｅを４５０ｐｐｍ添加したけれども他の元素を添加しなかったＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．５７ｍＮ（比較例１との差が０．２７ｍＮ）と大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が２０％（比較例１との差が−２０％）と小さくなった。
【００３８】
また、実施例５のＴｅを４５０ｐｐｍ添加し更にＮａ、Ｌｉ及びＰをそれぞれ１０００ｐｐｍずつ添加したＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．６６ｍＮ（比較例１との差が０．３６ｍＮ）と大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が１９％（比較例１との差が−２１％）と小さくなった。
【００３９】
ここで、比較例４〜７のＧｅ、Ｐｄ、Ｓｂ及びＧａをそれぞれ添加したＳｎ系はんだペーストを用いた場合、はんだの最大濡れ力が小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が大きくなったのは、これらの元素（Ｇｅ、Ｐｄ、Ｓｂ及びＧａ）がＴｅと結びついて、Ｔｅによりはんだの表面張力が低下するという効果と、ＴｅのＣｕとの高い反応性によりＣｕに対して濡れ性を高めるという効果が失われたためであると考えられる。
【００４０】
＜実施例６＞
先ず、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ及びＴｅを含むＳｎ系金属粉末を作製した。具体的には、Ａｇを３質量％と、Ｃｕを０．５質量％と、Ｔｅを１５ｐｐｍと、Ｓｎを残部含む合金を作製した後に、この合金からガスアトマイズ法によりＳｎ系金属粉末を作製したこと以外は、実施例１と同様にしてＳｎ系はんだペーストを調製した。このＳｎ系はんだペーストを実施例６とした。
【００４１】
＜実施例７〜９及び比較例８〜１０＞
実施例７〜９及び比較例８〜１０のＳｎ系はんだペーストは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｃｕ及びＴｅを、表２に示すようにそれぞれ配合して調製した。なお、表２に示した配合以外は、実施例６と同様にして、Ｓｎ系はんだペーストを調製した。
【００４２】
＜比較試験２及び評価＞
実施例６〜９及び比較例８〜１０のＳｎ系はんだペーストを用いて、はんだの最大濡れ力及びはんだバンプ中のボイドの最大直径率を、はんだバンプの生成温度以外それぞれ比較試験１と同様に測定した。比較試験２では、はんだバンプの生成温度を２４７℃とした。その結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
2019162647.tif 000003
【００４４】
表２から明らかなように、比較例８のＴｅを添加しなかったＳｎ系はんだペーストでは、このペーストを用いて生成されたはんだの最大濡れ力が７．４２ｍＮと小さく、このペーストを用いて生成されたはんだバンプ中のボイドの最大直径率が３４％と大きかった。
【００４５】
比較例９のＴｅの含有割合が５ｐｐｍと少なすぎたＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．４２ｍＮと比較例８と同様に小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３４％と比較例８と同様に大きかった。
【００４６】
比較例１０のＴｅの含有割合が３２０００ｐｐｍと多すぎたＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．４４ｍＮと未だ小さく、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が３３％と未だ大きかった。
【００４７】
これらに対し、実施例６〜９のＴｅの含有割合が１０ｐｐｍ〜３００００ｐｐｍと適切な範囲内であるＳｎ系はんだペーストでは、はんだの最大濡れ力が７．５３ｍＮ〜７．６６ｍＮ（比較例８との差が０．１１ｍＮ〜０．２４ｍＮ）と大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が２０％〜２８％（比較例８との差が−６％〜−１４％）と小さくなった。
【００４８】
ここで、実施例６〜９のＴｅを適切な割合で添加したＳｎ系はんだペーストを用いた場合、はんだの最大濡れ力が大きくなり、はんだバンプ中のボイドの最大直径率が小さくなったのは、Ｔｅによりはんだの表面張力が低下するという効果と、ＴｅのＣｕとの高い反応性によりＣｕに対して濡れ性を高めるという効果が発揮されたためであると考えられる。
【００４９】
特に、実施例６〜７のＴｅの含有割合が１０ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍの範囲内であるＳｎ系はんだペーストを用いると、はんだの最大濡れ力及びはんだバンプ中のボイドの最大直径率がより向上することが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明のＳｎ系はんだペーストは、プリント回路基板、フレキシブルプリント回路基板、半導体集積回路などの回路基板への、コンデンサやサーミスタ等の素子のはんだ付けに利用できる。