(57)【要約】【課題】塗布法を用いて有機ＥＬ表示パネルを製造する方法において、精細度を高くしても開口率を向上させる。【解決手段】基板を準備する工程と、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨るように、第２発光層を蒸着法で形成する工程と、前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板の上方において、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板の上方において、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、
行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、
前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨るように、第２発光層を蒸着法で形成する工程と、
前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と
を含み、
前記隔壁の形成工程において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くする
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２発光層を形成する前に、前記第２間隙と行方向に隣接する第３間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第３発光層を形成する工程をさらに含み、
前記第２発光層を形成する工程において、さらに前記第３発光層の上方に跨るように、前記第２発光層を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
赤色に発光する発光材料を含むインクを用いて前記第１発光層を形成し、
緑色に発光する発光材料を含むインクを用いて前記第３発光層を形成し、
青色に発光する発光材料を用いて前記第２発光層を形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記隔壁の形成工程において、前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の行方向の幅を、前記第２間隙に隣接する隔壁の行方向の幅より広くする
ことを特徴とする請求項２または３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記隔壁の形成工程において、前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の高さを、前記第２間隙に隣接する隔壁の前記第１間隙に隣接する部分の高さと同じくする
ことを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第２間隙の行方向の幅は、前記第１間隙の行方向の幅より狭い
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１発光層を形成する前に、前記第１間隙に第１機能層を塗布法で形成する工程をさらに含み、
前記第１機能層の形成工程において、前記第２間隙内の前記画素電極上には第１機能層を形成しない
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２発光層を形成する前に、前記第１発光層上および前記第２間隙内の前記画素電極上に第２機能層を蒸着法で形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板の上方に行列状に配される、複数の画素電極と、
前記基板の上方に配される、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する複数の隔壁と、
行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙において、前記画素電極の上方に配される第１発光層と、
前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨って配される第２発光層と、
前記第２発光層の上方に配される対向電極と
を備え、
前記第２間隙に隣接する前記隔壁において、前記第２間隙に隣接する部分の高さは、前記第１間隙に隣接する部分の高さより高い
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第２間隙と行方向に隣接する第３間隙において、前記画素電極の上方に配される第３発光層をさらに備え、
前記第２発光層は、さらに前記第３発光層の上方に跨るように配されている
ことを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記第１発光層は赤色に発光する発光材料を含み、
前記第３発光層は緑色に発光する発光材料を含み、
前記第２発光層は青色に発光する発光材料を含む
ことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の行方向の幅は、前記第２間隙に隣接する隔壁の行方向の幅より広い
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の高さは、前記第２間隙に隣接する隔壁の前記第１間隙に隣接する部分の高さと同じである
ことを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１４】
前記第２間隙の行方向の幅は、前記第１間隙の行方向の幅より狭い
ことを特徴とする請求項９から１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１５】
前記第１間隙において、前記第１発光層と前記画素電極との間に第１発光層をさらに含み、
前記第２間隙において、前記画素電極と前記第２発光層との間に前記第１発光層を含まない
ことを特徴とする請求項９から１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１６】
前記第２発光層と、前記第１発光層および前記第２間隙内の前記画素電極との間に、第２機能層をさらに含む
ことを特徴とする請求項９から１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１７】
請求項９から１６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルを含む有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
基板を準備する工程と、
前記基板の上方において、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板の上方において、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、
行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙、および、この第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に第２発光層を蒸着法で形成する工程と、
前記第２発光層の上方であって、前記第１間隙の画素電極の上方に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、
前記第１発光層の上方および第２発光層の上方に対向電極を形成する工程と
を含み、
前記隔壁の形成工程において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くする
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
基板と、
前記基板の上方に行列状に配される、複数の画素電極と、
前記基板の上方に配される、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する複数の隔壁と、
行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙、および、この第１間隔に隣接する第２間隙において、前記画素電極の上方に配される第２発光層と、
前記第２発光層の上方であって、前記第１間隙の画素電極の上方に配される第１発光層と、
前記第１発光層の上方および第２発光層の上方に配される対向電極と
を備え、
前記第２間隙に隣接する前記隔壁において、前記第２間隙に隣接する部分の高さは、前記第１間隙に隣接する部分の高さより高い
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及び、有機ＥＬ表示パネルとそれを用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置に有機ＥＬ素子を利用したものが普及しつつある。
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層が挟まれた構造を有している。発光層や機能層を効率よく形成する方法として、機能性材料を含むインクをインクジェット法等のウェットプロセスで塗布して形成する方法が知られている。ウェットプロセスでは、真空蒸着方法と比較して製造装置を小型化することができ、また、機能性材料を蒸着する際に使用するシャドウマスクを使用する必要がない。そのため、シャドウマスクの位置合わせ等の作業が必要なく、大型パネルの生成や量産性を考慮したパネルサイズを混合したような大型基板の製造も容易となり、効率の良いパネル生成に適した特徴がある。また蒸着法と異なり、インクジェット法では、高価な発光材料等の機能性材料の使用効率が向上することより、パネル製造コストの低減が可能となる。
【０００３】
一方、発光層および機能層を形成するための発光材料や機能性材料を溶解したインクを塗り分け印刷するためにはバンクと呼ばれるサブピクセルごとに形成した隔壁が必要となる。機能性材料を含むインクが隔壁を乗り越えることによる混合、特に、発光材料を含むインクの場合、発色の異なるインクの混合による混色が発生すると、パネル不良の原因となる。そのため、隔壁間の開口部分であるサブピクセルとこのサブピクセルの両側にそれぞれ隣接する２つの隔壁とを含めた幅（以下、「バンク端距離」と呼ぶ）は、塗布対象のサブピクセルに隣接するサブピクセルにインクが入り込まないよう、インクジェット装置のヘッドの位置合わせ精度およびインクの濡れ拡がりの範囲といった制約による下限値より大きくする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１５０３５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
表示装置を高精細化するためには、サブピクセル間隔をより狭くする必要がある。しかしながら、上述したように、バンク端距離は、インクジェット装置のヘッドの位置合わせ精度およびインクの濡れ拡がりの範囲といった制約による下限値より大きくする必要がある。したがって、インクジェット装置をそのままに有機ＥＬ表示パネルの精細度を高めようとした場合、精細度の向上に伴ってサブピクセルと隣接するサブピクセルとの間隔が小さくなる一方、インクジェット装置の制約によりバンク端距離の下限値は変化しない。これにより、従来のバンク構造の場合、混色を抑止しつつ精細度を向上させようとすると、隔壁の幅を大きくする必要が生じる。そうすると、サブピクセルの面積が隔壁の面積に対して小さくなり、有効発光領域が狭くなる、すなわち、開口率が低下する課題が生じる。
【０００６】
本開示は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、塗布法で形成される発光層を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法において、有機ＥＬ表示パネルの精細度の向上と開口率の向上とを両立させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方において、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨るように、第２発光層を蒸着法で形成する工程と、前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含み、前記隔壁の形成工程において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
上記製造方法による有機ＥＬ表示パネルでは、第１間隙に形成される第１の発光層の面積、および、第２の発光層のうち第２間隙内に配される部分は、いずれも、インクジェット装置の制約が緩和される。したがって、有機ＥＬ表示パネルの精細度の向上と開口率の向上とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】インクジェット装置の精度と有機ＥＬ表示パネルのバンク配置との関係を示す模式図である。
【図３】実施例と比較例に係る、同一の精細度を有する有機ＥＬ表示パネルのバンク配置を示す図である。
【図４】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、基板上にＴＦＴ層が形成された状態、（ｂ）は、基板上に層間絶縁層が形成された状態、（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極材料が形成された状態、（ｄ）は、画素電極が形成された状態を示す。
【図５】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、層間絶縁層および画素電極上に第１隔壁材料層が形成された状態、（ｂ）は、隔壁層１４ａの下部１４２および隔壁層１４ｂが形成された状態、（ｃ）は、層間絶縁層、画素電極、隔壁層１４ａの下部１４２および隔壁層１４ｂ上に第２隔壁材料層が形成された状態、（ｄ）は、隔壁層１４ａの上部１４１が形成された状態を示す。
【図６】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、開口１４Ｒ、１４Ｇにおいて画素電極上に正孔注入層が形成された状態、（ｂ）は、開口１４Ｒ、１４Ｇにおいて画素電極上に正孔輸送層が形成された状態、（ｃ）は、開口１４Ｒにおいて正孔注入層上に第１発光層が形成された状態、（ｄ）は、開口１４Ｇにおいて正孔注入層上に第１発光層が形成された状態を示す。
【図７】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、第１発光層、開口１４Ｂ内の画素電極、および、隔壁上に接続層が形成された状態、（ｂ）は接続層上に第２発光層が形成された状態、（ｃ）は第２発光層上に電子注入層が形成された状態を示す。
【図８】実施の形態に係る有機ＥＬ素子の製造過程の一部を模式的に示す部分断面図であって、（ａ）は、電子注入層上に対向電極が形成された状態、（ｂ）は対向電極上に封止層が形成された状態を示す。
【図９】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造過程を示すフローチャートである。
【図１０】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本開示の一態様に至った経緯≫
有機ＥＬ表示パネルの発光層や機能層を塗布法により形成する場合、インクジェット装置のヘッドの位置合わせ精度およびインクの濡れ拡がりの範囲に合わせて隔壁の間隔を設計する必要がある。
図２は、インクジェット装置の精度と隔壁及びサブピクセルの幅との関係を説明する模式図である。図２（ａ）に示すように、インクジェットヘッド４０３０よりインク９０１０を滴下することを想定する。ここで、インク９０１０の中心の軌跡ＤＣの設定上の位置をＰａとし、インクジェットヘッド４０３０における設定上の塗布位置と実際の塗布位置との最大ずれ量をｄとすると、実際のインク９０１０の中心の軌跡ＤＣは、位置Ｐａから距離ｄの範囲内である位置Ｐｂから位置Ｐｃの間のいずれかの位置となる。インクジェットヘッド４０３０における塗布位置のずれは、例えば、インクジェットヘッド４０３０をｘ方向に走査して塗布する際の、インク９０１０の吐出タイミングのずれにより生じる。したがって、図２（ｂ）に示すように着弾した後のインク９０２０の広がりの範囲（半径）をＲとすると、着弾した後のインク９０２０が存在しうるｘ軸上の範囲は、位置Ｐｂから左側（ｘの負の方向）に距離Ｒの位置と、位置Ｐｃから右側（ｘの正の方向）に距離Ｒの位置との間の範囲、すなわち、ＤＣから距離（ｄ＋Ｒ）以下の範囲となる。着弾した後のインクが塗布対象のサブピクセルに隣接するサブピクセルの内部に存在すると混色等の原因となるので、着弾した後のインクの存在しうる範囲は、塗布対象のサブピクセル、または、当該サブピクセルに隣接する隔壁上に存在している必要がある。したがって、サブピクセル９１０１のｘ方向の幅をＷp、サブピクセル９１０１を区画する２つの隔壁９１１１、９１１２それぞれの幅をいずれもＷbとしたとき、バンク端距離ｄbは以下の関係を満たす必要がある。
ｄb＝Ｗp＋２Ｗb≧２（ｄ＋Ｒ）      …式（１）
一方、図２（ｃ）に示すように、複数のサブピクセルがｘ方向に配されている。このとき、複数の同色のサブピクセルが配される隔壁間隙９１２１は、隔壁９１３１と隔壁９１３２によって規定され、同様に、複数の同色のサブピクセルが配される隔壁間隙９１２２は、隔壁９１３２と隔壁９１３３によって規定される。このとき、隔壁間隙９１２１における設計上の塗布中心ＣRと隔壁間隙９１２２における設計上の塗布中心ＣG間の距離で規定されるピクセル間距離Ｐpは、以下の関係を満たす。
Ｐp＝２・（１／２）Ｗp＋Ｗb＝Ｗp＋Ｗb      …式（２）
ここで、式（１）と式（２）から、以下の関係が成立する。
Ｐp＝（Ｗp＋２Ｗb）−Ｗb＝ｄb−Ｗb
Ｐp≧２（ｄ＋Ｒ）−Ｗb      …式（３）
式（３）から、以下のことが言える。すなわち、ピクセル間距離Ｐpは発光パネルの精細度が高いほど小さくなるが、インクジェット装置の制約である最大ずれ量ｄと着弾後のインク半径Ｒが変わらない場合には、設計上、隔壁幅Ｗbを大きくしないと塗布時の混色リスクが高くなる。つまり、インクジェット装置をそのままに発光パネルの精細度を向上させようとすると、隔壁幅を大きく設計しないとサブピクセル間のインクの混合（混色など）のリスクが高くなる。したがって、インクジェット装置を変えずに、かつ、混色リスクを増加させることなく発光パネルの精細度を向上させようとすると、隔壁の面積に対する発光パネルの面積の比率が低くせざるを得ない、すなわち、精細度のトレードオフとして開口率を下げなければならなくなる。
【００１１】
そこで、発明者は、有機ＥＬ表示パネルの構造について検討し、実施の形態に係る製造方法により開口率の向上を図ることができるという知見を得た。
≪開示の態様≫
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方において、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨るように、第２発光層を蒸着法で形成する工程と、前記第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含み、前記隔壁の形成工程において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くする。
【００１２】
上記製造方法による有機ＥＬ表示パネルでは、第１間隙に形成される第１の発光層の面積、および、第２の発光層のうち第２間隙内に配される部分は、いずれも、インクジェット装置の制約が緩和される。したがって、有機ＥＬ表示パネルの精細度の向上と開口率の向上とを両立させることができる。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に行列状に配される、複数の画素電極と、前記基板の上方に配される、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する複数の隔壁と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙において、前記画素電極の上方に配される第１発光層と、前記第１発光層の上方および前記第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨って配される第２発光層と、前記第２発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第２間隙に隣接する前記隔壁において、前記第２間隙に隣接する部分の高さは、前記第１間隙に隣接する部分の高さより高い。
【００１３】
この有機ＥＬ表示パネルにおいても上記と同様の効果が得られる。
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上述の有機ＥＬ表示パネルを備える有機ＥＬ表示装置である。
この有機ＥＬ表示装置においても上記と同様の効果が得られる。
上記態様の製造方法、および、有機ＥＬ表示パネル、有機ＥＬ表示装置において、以下のようにしてもよい。
【００１４】
前記第２発光層を形成する前に、前記第２間隙と行方向に隣接する第３間隙に、発光材料を含むインクを塗布して第３発光層を形成する工程をさらに含み、前記第２発光層を形成する工程において、さらに前記第３発光層の上方に跨るように、前記第２発光層を形成する、としてもよい。
これにより、３色以上の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置においても、精細度を向上させることができる。
【００１５】
また、赤色に発光する発光材料を含むインクを用いて前記第１発光層を形成し、緑色に発光する発光材料を含むインクを用いて前記第３発光層を形成し、青色に発光する発光材料を用いて前記第２発光層を形成する、としてもよい。
これにより、赤色、緑色の発光強度の低下を抑制することができる。
また、前記隔壁の形成工程において、前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の行方向の幅を、前記第２間隙に隣接する隔壁の行方向の幅より広くする、としてもよい。
【００１６】
これにより、混色を防ぐため第１間隙と第３間隙との間の隔壁の幅を広くしつつ、第２間隙の狭矮化を防ぐことができる。
また、前記隔壁の形成工程において、前記第１間隙と前記第３間隙とに隣接する隔壁の高さを、前記第２間隙に隣接する隔壁の前記第１間隙に隣接する部分の高さと同じくする、としてもよい。
【００１７】
これにより、第１間隙と第３間隙との間の隔壁が過度に高くなることを防ぐとともに、隔壁の製造工程を簡略化することができる。
また、前記第２間隙の行方向の幅は、前記第１間隙の行方向の幅より狭い、としてもよい。
これにより、面積を大きくすることが困難な第１発光層の面積を広げ、開口率を向上させることができる。
【００１８】
また、前記第１発光層を形成する前に、前記第１間隙に第１機能層を塗布法で形成する工程をさらに含み、前記第１機能層の形成工程において、前記第２間隙内の前記画素電極上には第１機能層を形成しない、としてもよい。
これにより、第１発光層の発光効率を向上させつつ、第２間隙の両隣の隔壁の形状への影響を防ぐことができる。
【００１９】
また、前記第２発光層を形成する前に、前記第１発光層上および前記第２間隙内の前記画素電極上に第２機能層を蒸着法で形成する工程をさらに含む、としてもよい。
これにより、第２間隙における第２発光層の発光効率を向上させるとともに、第１間隙において第１発光層と第２発光層との機能を確保することができる。
また、本開示の他の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上方において、行列状に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の上方において、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する隔壁を複数形成する工程と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙、および、この第１間隙に行方向に隣接する第２間隙に第２発光層を蒸着法で形成する工程と、前記第２発光層の上方であって、前記第１間隙の画素電極の上方に、発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層の上方および第２発光層の上方に対向電極を形成する工程とを含み、前記隔壁の形成工程において、隔壁のうち前記第２間隙に隣接する部分の高さを、隔壁のうち前記第１間隙に隣接する部分の高さより高くする。
【００２０】
また、本開示の他の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上方に行列状に配される、複数の画素電極と、前記基板の上方に配される、行方向における前記画素電極の間隙に列方向に延伸する複数の隔壁と、行方向に隣接する前記隔壁間の複数の間隙から選択される第１間隙、および、この第１間隔に隣接する第２間隙において、前記画素電極の上方に配される第２発光層と、前記第２発光層の上方であって、前記第１間隙の画素電極の上方に配される第１発光層と、前記第１発光層の上方および第２発光層の上方に配される対向電極とを備え、前記第２間隙に隣接する前記隔壁において、前記第２間隙に隣接する部分の高さは、前記第１間隙に隣接する部分の高さより高い。
【００２１】
これらの有機ＥＬ表示パネルの製造方法、または有機ＥＬ表示パネルにおいても上記と同様の効果が得られる。
≪実施の形態≫
以下、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルについて説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成及び作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
【００２２】
１．有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ素子の構成
図１は、実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１００（図１０参照）の部分断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、３つの色（赤色、緑色、青色）を発光する有機ＥＬ素子１（Ｒ）、１（Ｇ）、１（Ｂ）で構成される画素を複数備えている。図１では、その１つの画素の断面を示している。
【００２３】
有機ＥＬ表示パネル１００において、各有機ＥＬ素子１は、前方（図１における紙面上方）に光を出射するいわゆるトップエミッション型である。
有機ＥＬ素子１（Ｒ）と、有機ＥＬ素子１（Ｇ）は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）として説明する。また、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）と有機ＥＬ素子１（Ｂ）とで同様の構成である部分については、区別せず有機ＥＬ素子１として説明する。
【００２４】
図１に示すように、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）は、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３Ｒまたは１３Ｇ、隔壁層１４、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、第１発光層１７、接続層１８、第２発光層１９、電子注入層２０、対向電極２１、および、封止層２２を備える。これに対し、有機ＥＬ素子１（Ｂ）は、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、第１発光層１７を備えず、基板１１、層間絶縁層１２、画素電極１３Ｂ、隔壁層１４、接続層１８、第２発光層１９、電子注入層２０、対向電極２１、および、封止層２２を備える。
【００２５】
なお、基板１１、層間絶縁層１２、接続層１８、第２発光層１９、電子注入層２０、対向電極２１、および、封止層２２は、画素ごとに形成されているのではなく、有機ＥＬ表示パネル１００が備える複数の有機ＥＬ素子１に共通して形成されている。
＜基板＞
基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材１１１は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００２６】
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図１の断面図には示されていないが、層間絶縁層１２には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
【００２７】
＜画素電極＞
画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層１２上に形成されている。画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、サブピクセルごとに設けられ、コンタクトホールを通じてＴＦＴ層１１２と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、陽極として機能する。
【００２８】
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などが挙げられる。
【００２９】
画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂは、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
なお、画素電極１３Ｒと画素電極１３Ｇは同様の構成を有しているが、画素電極１３Ｂは、画素電極１３Ｒおよび画素電極１３Ｇに対し、ｘ方向の幅が小さい。また、画素電極１３Ｂの表面積は画素電極１３Ｒおよび画素電極１３Ｇの表面積とほぼ同じであることが好ましく、画素電極１３Ｒおよび画素電極１３Ｇに対し、ｙ方向の長さが長い。これは、後述するように第２発光層１９が蒸着法により形成されるため、有機ＥＬ素子１（Ｂ）の発光層である第２発光層１９の膜厚は有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）の発光層である第１発光層１７の膜厚と比べて均一性が高く、ｙ方向に隣接する２つの有機ＥＬ素子１（Ｂ）の境界となる領域を矮小化できるためである。
【００３０】
＜隔壁層＞
隔壁層１４は、画素電極１３の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で画素電極１３上に形成されている。画素電極１３上面において隔壁層１４で被覆されていない領域（以下、「開口部」という）は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁層１４は、サブピクセルごとに設けられた開口部を有する。
【００３１】
本実施の形態においては、隔壁層１４は、画素電極１３が形成されていない部分においては、層間絶縁層１２上に形成されている。すなわち、画素電極１３が形成されていない部分においては、隔壁層１４の底面は層間絶縁層１２の上面と接している。
隔壁層１４は、例えば、絶縁性の有機材料からなる。隔壁層１４は、正孔注入層１５、正孔輸送層１６、第１発光層１７を形成する場合に塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能する。本実施の形態では、隔壁層１４は、樹脂材料からなり、具体的な材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。本実施の形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。
【００３２】
隔壁層１４は、第１隔壁層１４ａと第２隔壁層１４ｂの２種類がある。第１隔壁層１４ａは、有機ＥＬ素子１（Ｂ）と、隣接する有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）との間に設けられ、有機ＥＬ素子１（Ｂ）に隣接する部分が有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）に隣接する部分より高く形成されている。具体的には、略台形の断面形状を持つ下部１４２と、下部１４２よりｘ方向の幅が狭い上部１４１の２層構造からなり、上部１４１は、下部１４２の上面のうち有機ＥＬ素子１（Ｂ）に隣接する領域に形成されている。好ましくは、第１隔壁層１４ａは、有機ＥＬ素子１（Ｂ）に隣接する部分では、下部１４２の側面と上部１４１の側面とがほぼ連続しており、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）に隣接する部分では、下部１４２の上面の一部が露出してステップ状の形状を持つ。一方、第２隔壁層１４ｂは、有機ＥＬ素子１（Ｒ）と有機ＥＬ素子１（Ｇ）との間に設けられる。第２隔壁層１４ｂは、略台形の断面形状を持ち、高さは下部１４２とほぼ同じであるが、ｘ方向の幅は下部１４２より広い。
【００３３】
＜第３隔壁層＞
図示していないが、ｙ方向に隣接する有機ＥＬ素子１（Ｂ）と有機ＥＬ素子１（Ｂ）との間、および、ｙ方向に隣接する有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）と有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）との間には、第３隔壁層が形成されている。第２隔壁層は、ｙ方向に隣接する画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂの間において、画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂのｙ方向の端部を覆うように設けられている。第３隔壁層は第１隔壁層１４ａおよび第２隔壁層１４ｂの下に設けられ、上面は塗布されるインクに対して親液性を有している。
【００３４】
＜正孔注入層＞
正孔注入層１５は、画素電極１３から第１発光層１７への正孔の注入を促進させる目的で、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）を構成する画素電極１３Ｒ、１３Ｇ上に設けられており、第３隔壁層を跨いでｙ方向に隣接する有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）にまたがって形成されている。正孔注入層１５の材料の具体例としては、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料が挙げられる。
【００３５】
なお、正孔注入層１５は、遷移金属の酸化物で形成してもよい。遷移金属の具体例としては、Ａｇ（銀）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｖ（バナジウム）、Ｗ（タングステン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｉｒ（イリジウム）などである。遷移金属は複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与するからである。この場合、正孔注入層１５は、大きな仕事関数を有することが好ましい。
【００３６】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１６は、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）に対応する開口部において、正孔注入層１５上に形成されている。正孔輸送層１６の材料は、親水基を備えない高分子化合物であり、具体的には、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００３７】
正孔輸送層１６は、正孔注入層１５から注入された正孔を第１発光層１７へ輸送する機能を有する。
＜第１発光層＞
第１発光層１７は、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）に対応する開口部において、正孔輸送層１６上に形成されている。第１発光層１７は、正孔と電子の再結合により、Ｒ、Ｇの各色の光を出射する機能を有する。第１発光層１７の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００３８】
＜接続層＞
接続層１８は、開口部と隔壁層１４の上部とにまたがって形成されており、有機ＥＬ素子１の共通層として形成される。接続層１８は、有機ＥＬ素子１（Ｂ）においては画素電極１３から第２発光層１９への正孔の注入を促進させる機能を有し、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）においては、第１発光層１７内に形成される三重項励起子を第１発光層１７内に閉じ込める機能を有する。接続層１８の厚みは、例えば１ｎｍ〜３０ｎｍが好ましく、１ｎｍ〜１５ｎｍがさらに好ましい。
【００３９】
接続層１８を構成する材料としては、以下の条件を満たしていることが好ましい。第１に、第１発光層１７内に形成される三重項励起子を第１発光層１７内に閉じ込めるため、接続層１８の三重項励起状態が第１発光層の三重項励起状態より０．１ｅＶ以上高いことが好ましい。第２に、第２発光層１９への正孔の注入を促進するため、正孔輸送性を有するとともに、第２発光層１９の基底状態のエネルギーと接続層１８の基底状態のエネルギーとの差が０．４ｅＶ以下であることが好ましい。第３に、接続層１８は蒸着法により成膜されるため、低分子材料、特にモノマーであることが好ましい。具体的には、りん光性ホスト材料、または、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーまたはオリゴマーを用いることができる。さらに具体的な材料としては、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベンなどが挙げられる。
【００４０】
＜第２発光層＞
第２発光層１９は、接続層１８上に形成されており、有機ＥＬ素子１の共通層として形成される。第２発光層１９は、有機ＥＬ素子１（Ｂ）においては正孔と電子の再結合によりＢの光を出射する発光層として機能し、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）においては正孔と電子の再結合により第１発光層１７の発光材料を励起させる再結合領域として機能する。すなわち、有機ＥＬ素子１（Ｂ）では第２発光層が発光層として発光するが、有機ＥＬ素子１（Ｒ）および有機ＥＬ素子１（Ｇ）では、第１発光層のみが発光層として機能し、第２発光層は発光しない。したがって、第２発光層が発光する光の波長は、第１発光層が発光する光の波長より短いことが好ましい。第２発光層１９の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００４１】
＜電子注入層＞
電子注入層２０は、対向電極２１から供給される電子を第２発光層１９へと注入する機能を有する。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。実施の形態では、Ｂａがドープされている。Ｂａのドープ濃度は４０ｗｔ％以下であり、２０ｗｔ％以下が好ましく、１５ｗｔ％以下がより好ましい。
【００４２】
アルカリ金属に該当する金属は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）であり、アルカリ土類金属に該当する金属は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）である。
電子注入層２０に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
【００４３】
＜対向電極＞
対向電極２１は、透光性の導電性材料からなり、電子注入層２０上に形成されている。対向電極２１は、陰極として機能する。
対向電極２１の材料としては、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどを用いることができる。あるいは、対向電極２１の材料として、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属の薄膜を用いてもよい。
【００４４】
＜封止層＞
封止層２２は、正孔輸送層１６、第１発光層１７、接続層１８、第２発光層１９、電子注入層２０などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００４５】
本実施の形態においては、有機ＥＬ表示パネル１００がトップエミッション型であるため、封止層２２は光透過性の材料で形成されることが必要となる。
２．バンクおよび発光層の構成と開口率
図３は、実施例および比較例に係る、バンクの構成を示す図である。図３はｘｚ平面に沿った断面図であり、基板１１と隔壁のみを簡略化して示している。
【００４６】
図３（ａ）は比較例１であり、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層の全てを塗布法により作成する場合のバンクの従来の構成を示している。上述したように、開口部９１４Ｒに塗布するインクが開口部９１４Ｂおよび開口部９１４Ｇにあふれ出させないためには、バンク端距離ｄbが上述の（１）式を満たす必要がある。したがって、隔壁９１４１の左端と、隔壁９１４２の右端は、それぞれ、開口部９１４Ｒにおける中心からｄb／２だけ離れている必要がある。同様に、隔壁９１４２の左端と、隔壁９１４３の右端は、それぞれ、開口部９１４Ｇにおける中心からｄb／２だけ離れている必要がある。
【００４７】
図３（ｂ）は、青色発光層を蒸着法で形成するため、青色発光層に隣接する隔壁９２４１、９２４３、９２４４のそれぞれに上部９２４１ａ、９２４３ａ、９２４４ａを設けた構成である比較例２を示す図である。比較例２では、上部９２４１ａが開口部９２４Ｒから赤色発光層を形成するためのインクが左側（青色発光層側）にあふれ出ることがない高さに設けられている。同様に、上部９２４３ａが開口部９２４Ｇから緑色発光層を形成するためのインクが右側（青色発光層である開口部９２４Ｂ側）にあふれ出ることがない高さに設けられている。
【００４８】
図３（ｃ）は、比較例２のバンクの構成と同じ効果を有しながら、開口率を向上した比較例３を示す図である。比較例２では、上部９２４１ａ、９２４３ａ、９２４４ａを設けたことで、青色発光層が形成される開口部９２４Ｂにインクが流れ込むことがない。したがって、隔壁９２４１の上部左端は、開口部９２４Ｒの中心からｄb／２離れていなくてもよい。すなわち、隔壁９２４１における上部９２４１ａの左側９２４１ｂは、存在していなくてもよい。同様に、隔壁９２４３の上部右端は、開口部９２４Ｇの中心からｄb／２離れていなくてもよく、隔壁９２４３における上部９２４３ａの右側９２４３ｂは、存在していなくてもよい。同様に、隔壁９２４４の上部左端は、開口部９２４Ｒの中心からｄb／２離れていなくてもよく、隔壁９２４４における上部９２４４ａの左側９２４４ｂは、存在していなくてもよい。したがって、比較例３のように、隔壁９３４１の上部右端と開口部９３４Ｒの中心との距離、隔壁９３４３の上部左端と開口部９３４Ｇの中心との距離、隔壁９３４４の上部右端と開口部９３４Ｂの中心との距離を、それぞれｄb／２より小さいｄaとする構成としてもよい。この構成においても、青色発光層が形成される開口部９３４Ｂで混色を防ぐ効果は失われず、開口部９３４Ｂの幅を大きくとることによって開口率を向上させることができる。さらに、上部を有する隔壁９３４１、９３４３、９３４４の形成位置を青色発光層が形成される開口部９３４Ｂ中心に近づけることで、赤色発光層または緑色発光層が形成される開口部９３４Ｒ、９３４Ｇの幅を向上させることができる。
【００４９】
図３（ｄ）は、実施例のバンクの構成を示す図である。実施例では、比較例３の開口部１４Ｂの幅を開口部１４Ｒ、１４Ｇの幅より小さくすることにより、同色の開口部間の距離を小さくして精細度の向上を図っている。開口部１４Ｂに形成される青色発光層は蒸着により形成されるので、塗布法により形成される赤色発光層、緑色発光層より膜厚が均一である。これにより、開口部１４Ｂでは開口部の幅に対する発光部分の幅の割合を、開口部１４Ｒ、１４Ｇにおける開口部の幅に対する発光部分の幅の割合を大きくすることができる。したがって、開口部１４Ｂの幅を開口部１４Ｒ、１４Ｇの幅より小さくしても、青色発光層からの光量が不足することがない。したがって、実施例では、比較例１と比較しても、開口率の減少を防ぎつつ精細度を向上させることができる。
【００５０】
ここで、開口部１４Ｒから赤色発光層を形成するためのインクが左側（青色発光層側）にあふれ出ないように設けられている上部１４ａについて説明する。上部１４ａの開口部１４Ｒ側の縁は、開口部１４Ｒにおける塗布中心からｄarだけ離れている。この距離ｄarは、ノズルから出射された赤色発光層を形成するためのインクの半径：ｒrに、インクジェットヘッド４０３０における設定上の塗布位置と実際の塗布位置との最大ずれ量：ｄを加えた値以上となっている。このため、赤色発光層を形成するためのインクは、着弾時において、上部１４の開口部１４Ｒ側の縁を越えて青色発光層が形成される開口部に達することは無い。次に上部１４ａの高さについて説明する。着弾したインクは、平面上であれば前述の通り半径：Ｒrまで広がるが、上部１４ａがあるためインクが左側（青色発光層側）にあふれ出ることがない。ノズルから滴下された赤インク球の半径ｒrとすると、このインク球の体積は４／３πｒr3となるが、インクが着弾した後、広がりが制限されて半径ｒrの円柱に収まるとした場合、その高さは４／３πｒrとなる。すなわち、上部１４ａの高さは、４／３πｒrより高く配置することにより、開口部１４Ｒから赤色発光層を形成するためのインクが左側（青色発光層側）にあふれることがない。
【００５１】
同様に、開口部１４Ｇから緑色発光層を形成するためのインクが右側（青色発光層側）にあふれ出ないように設けられている上部１４ａの開口部１４Ｇ側の縁は、開口部１４Ｇにおける塗布中心からｄagだけ離れている。ノズルから滴下された緑インク球の半径ｒgとすると、この距離ｄagは、ノズルから出射された赤色発光層を形成するためのインクの半径：ｒrgにインクジェットヘッド４０３０における設定上の塗布位置と実際の塗布位置との最大ずれ量：ｄを加えた値以上となっている。上部１４ａの高さは、４／３πｒgより高く配置されている。
【００５２】
なお、上述の上部１４ａの高さの説明において、インク粘度、隔壁との距離・摩擦などの影響を無視したが、実際にはこれらの影響によりインクが青色発光層側にあふれ出ないようにするための高さはより低く抑えると考えられる。
なお、比較例１のバンクの構成のまま精細度を向上させようとすると、以下のようになる。精細度を向上させるためには、同色の開口部間の距離を小さくする必要があるので、その実現のためには開口部９１４Ｒの中心と開口部９１４Ｇとの距離を小さくする必要がある。その一方で、隔壁９１４２の右端と開口部９１４Ｒの中心との距離、および、隔壁９１４２の左端と開口部９１４Ｇの中心との距離のいずれかがｄb／２より小さくなると、赤色発光層の形成インクと緑色発光層の形成インクの混合による混色の危険度が向上する。したがって、混色を防ぎつつ精細度を向上させようとすると、隔壁９１４２の左端と開口部９１４Ｒの中心との距離、隔壁９１４２の右端と開口部９１４Ｇの中心との距離を小さくせざるを得なくなり、開口部９１４Ｒと開口部９１４Ｇの幅の減少、すなわち開口率の低下を是認せざるを得なくなる。そして、設計上の精細度が閾値を超えると、図３（ｅ）に図示するように開口部の設計上の幅が０以下、すなわち、実現が不可能となる。
【００５３】
以上説明したように、実施の形態によれば、全発光層を塗布方式で形成する方法と比べ、インクジェット装置の制約が同一の場合に開口率を向上させることができる。したがって、有機ＥＬ表示装置の精細度と開口率がトレードオフとなるような、インクジェット装置と有機ＥＬ表示装置の精細度の組み合わせにおいても、精細度の向上と開口率の向上を両立させることができる。
【００５４】
なお、バンク端距離ｄbを小さく設計できるようにするため、全発光層を塗布方式で形成する場合（比較例１の場合）において、隔壁に隔壁層１４ａの上部１４１と同じような凸部を設けることも考えられる。しかしながら、この場合（以下、「比較例３」とする）には、開口部の右側の隔壁の凸部と開口部の左側の隔壁の凸部との距離が、ｄb’以上でなければ混色を防ぐことができない。したがって、隣接するサブピクセル間の塗布中心の距離Ｐpは、以下の式を満たす必要がある。
Ｐp≧ｄb’＝２（ｄ＋ｒ）      …式（５）
一方、比較例３において開口率を比較例２より高くするためには、式（５）による隣接するサブピクセル間の塗布中心の距離Ｐpの下限値が、式（３）による下限値より小さくなければならない。したがって、以下の式が成立しなければ、比較例３の構成を採用する意義がない。
２（ｄ＋ｒ）＜２（ｄ＋Ｒ）−Ｗb
Ｒ−ｒ＞Ｗb／２      …式（６）
すなわち、インクの液滴半径ｒと着弾後の濡れ拡がり半径Ｒとの差がバンク幅の半分以下であれば、比較例３によっても開口率が向上する。しかしながら、実際にはインクの液滴半径ｒと着弾後の濡れ拡がり半径Ｒとの差が約１μｍであるのに対しバンク幅Ｗbは５μｍ以上であるため、比較例３の構成を採用しようとすると、却って比較例１より開口率が低下する結果となる。
【００５５】
≪具体的な開口率≫
例えば、４２３ｐｐｉ（Ｐｉｘｅｌ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）のパネルを生成するため、１ピクセルの幅を６０μｍと設計するとする。これに対し、インクジェット装置における最大ずれ量ｄが６μｍ、広がり範囲Ｄが６．５μｍとする。このとき、バンク端距離ｄbは最低２３μｍ必要となる。したがって、従来のバンクの構成では、比較例４の状況に陥ってしまい、開口部を設けることができない。
【００５６】
これに対し、実施例の構成では、例えば、開口部１４Ｒ、１４Ｇの間のバンク幅を１２μｍ、開口部１４Ｂの両側のバンク幅を６μｍとした場合、開口部１４Ｒ、１４Ｇの幅を１３μｍ、開口部１４Ｂの幅を１０μｍとすることができる。開口率は幅のみでは確定しないものの、約３０％の開口率を確保することができる。
３．有機ＥＬ表示パネルの製造方法
有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法について、図面を用い説明する。図４〜８は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図９は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法を示すフローチャートである。
【００５７】
（１）基板１１の形成
まず、図４（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を成膜して基板１１を形成する（図９のステップＳ１）。ＴＦＴ層１１２は、公知のＴＦＴの製造方法により成膜することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を形成する（図９のステップＳ２）。層間絶縁層１２は、例えば、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
【００５８】
次に、層間絶縁層１２における、ＴＦＴ層のソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するように形成される。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層１２上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
【００５９】
（２）画素電極１３の形成
次に、図４（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に画素電極材料層１３０を形成する（図９のステップＳ３）。画素電極材料層１３０は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
次に、図４（ｄ）に示すように、画素電極材料層１３０をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂを形成する（図９のステップＳ４）。
【００６０】
（３）隔壁層１４の形成
次に、第３隔壁層を形成し、さらに、隔壁層１４を形成する。第３隔壁層は、画素素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂおよび層間絶縁層１２上に、第３隔壁層の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、第３隔壁材料層を形成する。そして、第３隔壁材料層にパターン露光と現像を行うことで、第３隔壁層を形成する）。
【００６１】
次に、図５（ａ）に示すように、画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂおよび層間絶縁層１２上に、隔壁層１４の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、第１隔壁材料層１４０を形成する。第１隔壁材料層１４０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を、画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂおよび層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、第１隔壁材料層１４０にパターン露光と現像を行うことで、まず、隔壁層１４ｂおよび隔壁層１４ａの下部１４２を形成する（図５（ｂ））。次に、画素電極１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ、層間絶縁層１２、および、隔壁層１４ｂ、隔壁層１４ａの下部１４２上に、隔壁層用樹脂を塗布して第２隔壁材料層１４５を形成する（図５（ｃ））。なお、第２隔壁材料層１４５の材料は、第１隔壁材料層１４０の材料と同一であってもよい。そして、第２隔壁材料層１４５にパターン露光と現像を行うことで、隔壁層１４ａの下部１４２上に、隔壁層１４ａの上部１４１を形成する（図９のステップＳ５、図５（ｄ））。最後に、隔壁層１４を焼成する（図９のステップＳ７）。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部が規定される。隔壁層１４の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。
【００６２】
また、隔壁層１４の形成工程においては、さらに、隔壁層１４の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部に塗布するインク（溶液）に対する隔壁層１４の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
なお、隔壁層１４ａの形成方法は上述の方法に限られず、例えば、隔壁材料層に対しハーフトーンマスクを用いたパターニングにより隔壁層１４ａ、１４ｂを一度に形成してもよい。または、第２隔壁材料層と第１隔壁材料層とで露光波長の異なる材料を用いて、第１隔壁材料層の形成、第２隔壁材料層の形成、第２隔壁材料層の露光と現像、第１隔壁材料層の露光と現像、の順にパターニングを行ってもよい。または、第１隔壁材料層のパターニングにより隔壁層１４ａのうち上部１４１と上部１４１直下に位置する下部１４２の一部を形成し、第２隔壁材料層のパターニングにより隔壁層１４ｂと、隔壁層１４ａのうち下部１４２の残部を形成するとしてもよい。
【００６３】
（４）正孔注入層１５の形成
次に、図６（ａ）に示すように、隔壁層１４ａと１４ｂとによって規定される開口部１４Ｒ、１４Ｇに対し、インクジェットヘッド４０１を隔壁層１４ａ、１４ｂと直交する方向４１０に沿って走査しながら、開口部１４Ｒ、１４Ｇ上で正孔注入層１５の構成材料を含むインクをノズル４０３０から吐出して開口部１４Ｒ、１４Ｇ内の画素電極１３Ｒ、１３Ｇ上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔注入層１５を形成する（図９のステップＳ７）。なお、塗布されたインクは隔壁層１４ａを越えることはないので、正孔注入層１５の構成材料を含むインクが開口部１４Ｂに流れ込むことはない。すなわち、開口部１４Ｂにおいては引き続き画素電極１３Ｂが露出した状態である。
【００６４】
（５）正孔輸送層１６の形成
次に、図６（ｂ）に示すように、開口部１４Ｒ、１４Ｇに対し、インクジェットヘッド４０２を隔壁層１４ａ、１４ｂと直交する方向４２０に沿って走査しながら、開口部１４Ｒ、１４Ｇ上で正孔輸送層１６の構成材料を含むインクをノズル４０４０から吐出して開口部１４Ｒ、１４Ｇ内の正孔注入層１５上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図９のステップＳ８）。なお、塗布されたインクは隔壁層１４ａを越えることはないので、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクが開口部１４Ｂに流れ込むことはない。すなわち、開口部１４Ｂにおいては引き続き画素電極１３Ｂが露出した状態である。
【００６５】
（６）第１発光層１７の形成
次に、開口部１４Ｒ、１４Ｇ内の正孔輸送層１６上に第１発光層１７Ｒ、１７Ｇを形成する（図９のステップＳ９）。まず、図６（ｃ）に示すように、インクジェットヘッド４０３を隔壁層１４ａ、１４ｂと直交する方向４３０に沿って走査しながら、開口部１４Ｒ上で有機発光材料を含むインクをノズル４０５０から吐出して開口部１４Ｒ内の正孔輸送層１６上に塗布し、乾燥を行って第１発光層１７Ｒを形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、インクジェットヘッド４０４を隔壁層１４ａ、１４ｂと直交する方向４４０に沿って走査しながら、開口部１４Ｇ上で有機発光材料を含むインクをノズル４０６０から吐出して開口部１４Ｇ内の正孔輸送層１６上に塗布し、乾燥を行って第１発光層１７Ｇを形成する。その後、焼成を行ってインクを乾燥させて、第１発光層１７Ｒ、１７Ｇを形成する。なお、塗布されたインクは隔壁層１４ａを越えることはないので、第１発光層１７Ｒ、１４Ｇの構成材料を含むインクが開口部１４Ｂに流れ込むことはない。すなわち、開口部１４Ｂにおいては引き続き画素電極１３Ｂが露出した状態である。
【００６６】
また、上述の説明では、第１発光層１７Ｒの材料となるインクを吐出するインクジェットヘッド４０３と、第１発光層１７Ｇの材料となるインクを吐出するインクジェットヘッド４０４とを独立して走査するものとしたが、２つのインクジェットヘッド４０３とインクジェットヘッド４０４とを同時に走査することで、第１発光層１７Ｒと第１発光層１７Ｇの塗布を同時に行ってもよい。
【００６７】
（７）接続層１８の形成
次に、図７（ａ）に示すように、第１発光層１７Ｒ、１７Ｇ、画素電極１３Ｂ、および、隔壁層１４ａ、１４ｂ上に、接続層１８を形成する（図９のステップＳ１０）。接続層１８は、例えば、りん光性ホスト材料である有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
【００６８】
（８）第２発光層１９の形成
次に、図７（ｂ）に示すように、接続層１８上に、第２発光層１９を形成する（図９のステップＳ１１）。第２発光層１９は、例えば、第２発光層１９の構成材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
（９）電子注入層２０の形成
次に、図７（ｃ）に示すように、第２発光層１９上に、電子注入層２０を形成する（図９のステップＳ１２）。電子注入層２０は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
【００６９】
（１０）対向電極２１の形成
次に、図８（ａ）に示すように、電子注入層２０上に、対向電極２１を形成する（図９のステップＳ１３）。対向電極２１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
（９）封止層２２の形成
次に、図８（ｂ）に示すように、対向電極２１上に、封止層２２を形成する（図９のステップＳ１３）。封止層２２は、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより成膜することにより形成することができる。
【００７０】
なお、封止層２２の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。
４．変形例
（１）上記実施の形態においては、正孔注入層１５や正孔輸送層１６、電子注入層２０を必須構成としたが、これに限られない。例えば、正孔注入層１５と正孔輸送層１６とに替えて、単一相の正孔注入輸送層を有していてもよい。また、有機ＥＬ表示パネルは、上記の構成以外の構成要素を有していてもよく、例えば、第２発光層１９と電子注入層２０との間に、電子輸送層やアルカリ金属からなる中間層を備えてもよい。
【００７１】
また、有機ＥＬ素子１（Ｂ）において、画素電極１３Ｂと接続層１８との間に機能層が存在しない場合について説明したが、画素電極１３Ｂと接続層１８との間に塗布法により形成される機能層が存在していなければよく、蒸着法やスパッタリングにより形成される機能層が存在していてもよい。例えば、画素電極１３Ｂと接続層１８との間に、遷移金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からなる正孔注入層が存在していてもよい。
【００７２】
（２）上記実施の形態においては、第１発光層１７が赤色発光層及び緑色発光層、第２発光層１９が青色発光層であるとしたが、これに限られない。例えば、有機ＥＬ表示パネルは、４色以上のサブピクセルが形成されてもよく、例えば、さらに塗布型で形成される第１発光層として黄色発光層を含んでもよい。ただし、実施の形態で説明したような接続層１８を用いる場合、第２発光層１９は、最も発光する光の波長が短い発光層であることが好ましい。
【００７３】
（３）上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）においては第２発光層１９が発光しない構成であるとしたが、これに限られない。例えば、接続層１８に替えてキャリア生成層を設けて有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）においても第２発光層１９が発光するように構成してもよい。この場合、封止層２２の上にカラーフィルタ基板を設けることが好ましく、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）に対向するカラーフィルタ部分に波長変換部材を設けることがより好ましい。
【００７４】
（４）上記実施の形態では、先に発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成し、その後、この第１発光層の上方および第１間隙に行方向に隣接する第２間隙の画素電極の上方に跨るように、第２発光層を蒸着法で形成する構成について説明したが、先に第１間隙およびこれに行方向に隣接する第２間隙に第２発光層を蒸着法で形成し、その後に、第２発光層の上方であって、第１間隙の画素電極の上方に発光材料を含むインクを塗布して第１発光層を形成する構成としてもよい。この場合、有機ＥＬ素子１の共通層として第２発光層の上方に接続層が形成され、第１発光層はこの接続層の上方に形成される。接続層は、有機ＥＬ素子１（Ｂ）においては対向電極から第２発光層への電子の注入を促進させる機能を有し、有機ＥＬ素子１（Ｒ／Ｇ）においては、第１発光層内に形成される三重項励起子を第１発光層内に閉じ込める機能を有する。この構成においても、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、（３）で記載したように、接続層に替えてキャリア生成層を用いる構成であってもよい。
【００７５】
以上、本開示に係る有機発光パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、高精細の有機ＥＬ表示パネル、表示装置を製造するのに有用である。
【符号の説明】
【００７７】
１００  有機ＥＬ表示パネル
１１  基板
１２  層間絶縁層
１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂ  画素電極
１４ａ、１４ｂ  隔壁層
１５  正孔注入層
１６  正孔輸送層
１７  第１発光層
１８  接続層
１９  第２発光層
２０  電子注入層
２１  対向電極
２２  封止層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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