(57)【要約】【課題】ＳｉＣインゴットの剥離面の過剰な研削を避け研削時間を短縮することができる平坦化方法を提供する【解決手段】平坦化方法は、ＳｉＣインゴット２の剥離面５８の反対側を回転可能なチャックテーブル６２に保持し研削砥石７４を環状に備えた研削ホイール７２を回転させチャックテーブル６２に保持されたＳｉＣインゴット２の剥離面５８を研削する研削工程と、研削ホイール７２から露出したＳｉＣインゴット２の剥離面５８に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程とから少なくとも構成される。平坦度検出工程でＳｉＣインゴット２の剥離面５８が平坦になったと検出した際、研削工程を終了する。【選択図】図８
2019125687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハに対応する深さにＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射してＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にｃ面に等方的にクラックが発生した剥離層を形成し、生成すべきウエーハを剥離した後のＳｉＣインゴットの剥離面を平坦化する平坦化方法であって、
ＳｉＣインゴットの剥離面の反対側を回転可能なチャックテーブルに保持し研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転させ該チャックテーブルに保持されたＳｉＣインゴットの剥離面を研削する研削工程と、
該研削ホイールから露出したＳｉＣインゴットの剥離面に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程とから少なくとも構成され、
該平坦度検出工程でＳｉＣインゴットの剥離面が平坦になったと検出した際、該研削工程を終了する平坦化方法。
【請求項２】
該平坦度検出工程において、
剥離面に対して入射角θで光を照射し、反射角θで反射光を受光して受光量が閾値を超えた際、剥離面が平坦になったと検出する請求項１記載の平坦化方法。
【請求項３】
該平坦度検出工程において、
ｃ面と端面とでオフ角αが形成されたＳｉＣインゴットの剥離層から生成すべきウエーハを剥離した場合、剥離面に対して垂直に発光素子から光を照射し該発光素子とのなす角度が２αとなる位置で反射光を受光して受光量が閾値を下回った際、剥離面が平坦になったと検出する請求項１記載の平坦化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生成すべきウエーハを剥離した後のＳｉＣインゴットの剥離面を平坦化する平坦化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、ＬＥＤ等はＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面および裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面および裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特にＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
【０００４】
そこで本出願人は、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をＳｉＣインゴットの内部に位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に剥離層を形成し、剥離層が形成された切断予定面に沿ってＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する技術を提案した（たとえば特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１６−１１１１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、剥離層からウエーハを剥離した後、インゴットの剥離面が荒れていることから研削砥石を環状に備えた研削ホイールで研削してインゴットの剥離面を平坦にしているが、平坦になったことの検出が困難であり剥離面を過剰に研削してしまうため生産効率が悪いという問題がある。
【０００７】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、ＳｉＣインゴットの剥離面の過剰な研削を避け研削時間を短縮することができる平坦化方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下の平坦化方法である。すなわち、ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハに対応する深さにＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射してＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にｃ面に等方的にクラックが発生した剥離層を形成し、生成すべきウエーハを剥離した後のＳｉＣインゴットの剥離面を平坦化する平坦化方法であって、ＳｉＣインゴットの剥離面の反対側を回転可能なチャックテーブルに保持し研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転させ該チャックテーブルに保持されたＳｉＣインゴットの剥離面を研削する研削工程と、該研削ホイールから露出したＳｉＣインゴットの剥離面に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程とから少なくとも構成され、該平坦度検出工程でＳｉＣインゴットの剥離面が平坦になったと検出した際、該研削工程を終了する平坦化方法である。
【０００９】
好ましくは、該平坦度検出工程において、剥離面に対して入射角θで光を照射し、反射角θで反射光を受光して受光量が閾値を超えた際、剥離面が平坦になったと検出する。該平坦度検出工程において、ｃ面と端面とでオフ角αが形成されたＳｉＣインゴットの剥離層から生成すべきウエーハを剥離した場合、剥離面に対して垂直に発光素子から光を照射し該発光素子とのなす角度が２αとなる位置で反射光を受光して受光量が閾値を下回った際、剥離面が平坦になったと検出するのが好適である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明が提供する平坦化方法は、ＳｉＣインゴットの剥離面の反対側を回転可能なチャックテーブルに保持し研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転させ該チャックテーブルに保持されたＳｉＣインゴットの剥離面を研削する研削工程と、該研削ホイールから露出したＳｉＣインゴットの剥離面に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程とから少なくとも構成され、該平坦度検出工程でＳｉＣインゴットの剥離面が平坦になったと検出した際、該研削工程を終了するので、ＳｉＣインゴットの剥離面の過剰な研削を避け研削時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）ＳｉＣインゴットの正面図、（ｂ）ＳｉＣインゴットの平面図。
【図２】（ａ）ＳｉＣインゴットおよびサブストレートの斜視図、（ｂ）ＳｉＣインゴットにサブストレートが装着された状態を示す斜視図。
【図３】レーザー加工装置のチャックテーブルにＳｉＣインゴットが載せられる状態を示す斜視図。
【図４】（ａ）剥離層形成工程が実施されている状態を示す斜視図、（ｂ）剥離層形成工程が実施されている状態を示す正面図。
【図５】（ａ）剥離層が形成されたＳｉＣインゴットの平面図、（ｂ）（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図。
【図６】剥離装置の断面図。
【図７】剥離装置によってインゴットからウエーハが剥離された状態を示す斜視図。
【図８】（ａ）研削工程と共に平坦度検出工程が実施されている状態を示す斜視図、（ｂ）ＳｉＣインゴットの剥離面が平坦化された状態を示す斜視図。
【図９】（ａ）剥離面に対して入射角θで光を照射し、反射角θで反射光を受光している状態を示す模式図、（ｂ）（ａ）の場合における受光量の経時変化を示すグラフ。
【図１０】（ａ）剥離面に対して垂直に光を照射し照射位置から角度２αの位置で反射光を受光している状態を示す模式図、（ｂ）（ａ）の場合における受光量の経時変化を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る平坦化方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１には、本発明に係る平坦化方法が実施され得るＳｉＣインゴット２が示されている。ＳｉＣインゴット２は、六方晶単結晶ＳｉＣから全体として円柱形状に形成され、円形状の第一の端面４と、第一の端面４と反対側の円形状の第二の端面６と、第一の端面４および第二の端面６の間に位置する周面８と、第一の端面４から第二の端面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。ＳｉＣインゴット２においては、第一の端面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の端面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、ＳｉＣインゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。なお、本発明に係る平坦化方法が実施され得るＳｉＣインゴットは、上記ＳｉＣインゴット２に限定されず、第一の端面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の端面とのオフ角αが０度である（すなわち、第一の端面の垂線とｃ軸とが一致している）ＳｉＣインゴットでもよい。
【００１４】
本発明に係る平坦化方法は、ＳｉＣインゴットの端面から生成すべきウエーハに対応する深さにＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離すると共にｃ面に等方的にクラックが発生した剥離層を形成し、生成すべきウエーハを剥離した後のＳｉＣインゴットの剥離面を平坦化する平坦化方法であることから、本発明に係る平坦化方法を説明する前に、ＳｉＣインゴット２に剥離層を形成し、生成すべきウエーハを剥離することについて説明する。図示の実施形態では、まず、図２に示すとおり、ＳｉＣインゴット２の第二の端面６に適宜の接着剤を介して円板状のサブストレート１６を装着させる。ＳｉＣインゴット２にサブストレート１６を装着させるのは、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたＳｉＣインゴット２を後述する各装置の円形の吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持するためである。サブストレート１６の直径は後述する各装置の吸着チャックの直径よりも若干大きいことから、サブストレート１６を下に向けてＳｉＣインゴット２を吸着チャックに載せた際に吸着チャックがサブストレート１６で覆われるため、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたＳｉＣインゴット２を吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持することができる。なお、ＳｉＣインゴット２の直径が吸着チャックよりも大きく、ＳｉＣインゴット２が吸着チャックに載せられた際に吸着チャックの上面全部がＳｉＣインゴット２で覆われる場合には、吸着チャックによる吸引の際に吸着チャックの露出部分からエアーが吸込まれることがなく、吸着チャックによって所定の吸引力でＳｉＣインゴット２を吸着可能なため、ＳｉＣインゴット２にサブストレート１６を装着させなくてもよい。
【００１５】
ＳｉＣインゴット２にサブストレート１６を装着させた後、ＳｉＣインゴット２の端面から生成すべきウエーハに対応する深さにＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてＳｉＣインゴット２にレーザー光線を照射して、ＳｉＣがＳｉとＣとに分離すると共にｃ面に等方的にクラックが発生した剥離層を形成する。剥離層の形成は、たとえば図３および図４に一部を示すレーザー加工装置１８を用いて実施することができる。レーザー加工装置１８は、ＳｉＣインゴット２を保持する円形状のチャックテーブル２０と、チャックテーブル２０に保持されたＳｉＣインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器２２（図４参照。）とを備える。チャックテーブル２０の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の吸着チャック２４が配置され、チャックテーブル２０においては、吸引手段で吸着チャック２４の上面に吸引力を生成することにより上面に載せられたＳｉＣインゴット２を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル２０は、チャックテーブル２０の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を回転中心としてチャックテーブル用モータ（図示していない。）によって回転される。集光器２２は、レーザー加工装置１８のパルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光してＳｉＣインゴット２に照射するための集光レンズ（図示していない。）を含む。また集光器２２は、Ｘ軸方向（図４に矢印Ｘで示す方向）にＸ軸方向移動手段（図示していない。）によって進退されると共に、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図４に矢印Ｙで示す方向）にＹ軸方向移動手段（図示していない。）によって進退される。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１６】
ＳｉＣインゴット２に剥離層を形成する際は、図３に示すとおり、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル２０の上面にＳｉＣインゴット２を載せる。次いで、吸着チャック２４に接続された吸引手段を作動させて吸着チャック２４の上面に吸引力を生成し、サブストレート１６側からＳｉＣインゴット２をチャックテーブル２０で吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１８の撮像手段（図示していない。）で上方からＳｉＣインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したＳｉＣインゴット２の画像に基づいて、チャックテーブル２０を回転させると共に集光器２２を移動させることにより、ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整すると共にＳｉＣインゴット２と集光器２２とのＸＹ平面における位置を調整する。ＳｉＣインゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図４（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向ＡをＹ軸方向に整合させる。次いで、集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器２２を昇降させ、図４（ｂ）に示すとおり、ＳｉＣインゴット２の第一の端面４から、生成すべきウエーハの厚みに対応する深さ（たとえば３００μｍ）に集光点ＦＰを位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ軸方向に集光器２２を所定の送り速度で移動させながら、ＳｉＣに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器２２からＳｉＣインゴット２に照射する剥離層形成加工を行う。剥離層形成加工を行うと、図５に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離した改質層２４が、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に連続的に形成されると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６が発生する。なお、剥離層形成加工を行う際は、集光器２２に代えてチャックテーブル２０を所定の送り速度でＸ軸方向に移動させてもよい。
【００１７】
図４および図５を参照して説明を続けると、剥離層形成加工に続いて、Ｙ軸方向移動手段で集光器２２を移動させ、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ軸方向に、ＳｉＣインゴット２と集光点ＦＰとを相対的にクラック２６の幅を超えない範囲で所定インデックス量Ｌｉ（たとえば２５０〜４００μｍ）だけインデックス送りする。なお、インデックス送りの際は集光器２２に代えてチャックテーブル２０を移動させてもよい。そして、剥離層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に連続的に延びる改質層２４を、オフ角αが形成される方向Ａに所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて複数形成すると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６を順次生成して、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接するクラック２６とクラック２６とが上下方向にみて重なるようにする。これによって、ＳｉＣインゴット２の第一の端面４から生成すべきウエーハの厚みに対応する深さに、複数の改質層２４およびクラック２６からなる、ＳｉＣインゴット２からウエーハを剥離するための強度が低下した剥離層２８を形成することができる。なお、剥離層２８を形成するには、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：６０ｋＨｚ
平均出力                    ：１．５Ｗ
パルス幅                    ：４ｎｓ
集光点の直径                ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．６５
送り速度                    ：８００ｍｍ／ｓ
【００１８】
ＳｉＣインゴット２に剥離層２８を形成した後、剥離層２８を起点としてＳｉＣインゴット２から生成すべきウエーハを剥離する。ウエーハの剥離は、たとえば図６および図７に一部を示す剥離装置３０を用いて実施することができる。剥離装置３０は、ＳｉＣインゴット２を保持する円形状のチャックテーブル３２と、チャックテーブル３２に保持されたＳｉＣインゴット２の上面を保持し剥離層２８を起点としてＳｉＣインゴット２からウエーハを剥離する剥離手段３４とを備える。チャックテーブル３２は、レーザー加工装置１８のチャックテーブル２０と同様に、上面においてＳｉＣインゴット２を吸引保持するようになっている。剥離手段３４は、ＳｉＣインゴット２からウエーハを剥離する際にチャックテーブル３２と協働して液体を収容する液槽体３６を含む。昇降自在に構成されている液槽体３６は、円形状の天面壁３８と、天面壁３８の周縁から垂下する円筒状の側壁４０とを有し、下端側が開放されている。天面壁３８には液槽体３６の外部と内部とを連通する液体供給部４２が付設され、液体供給部４２は流路によって液体供給手段（図示していない。）に接続されている。側壁４０の外径はチャックテーブル３２の直径以下に形成され、液槽体３６が下降されると側壁４０の下端がチャックテーブル３２の上面に接触するようになっている。また、側壁４０の下端には環状のパッキン４４が付設されている。そして、液槽体３６を下降させてチャックテーブル３２の上面に側壁４０の下端を密着させると、チャックテーブル３２の上面と液槽体３６の内面とで液体収容空間４６が規定される。液体供給手段から液体供給部４２を通って液体収容空間４６に供給された液体４８は、パッキン４４によって液体収容空間４６から漏れるのが防止される。
【００１９】
図６および図７に示すとおり、液槽体３６の天面壁３８にはエアシリンダ５０が装着され、エアシリンダ５０のシリンダチューブ５０ａは天面壁３８の上面から上方に延びている。エアシリンダ５０のピストンロッド５０ｂの下端部は、天面壁３８の貫通開口３８ａを通過して天面壁３８の下方に突出している。ピストンロッド５０ｂの下端部には圧電セラミックス等から形成され得る円板状の超音波発振部材５２が固定されている。この超音波発振部材５２の下面には円板状の吸着片５４が固定されている。下面に複数の吸引孔（図示していない。）が形成されている吸着片５４は、流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。吸引手段で吸着片５４の下面に吸引力を生成することにより、吸着片５４はＳｉＣインゴット２を吸引保持することができる。
【００２０】
ＳｉＣインゴット２からウエーハを剥離する際は、まず、チャックテーブル３２の上面に吸引力を生成し、サブストレート１６側からＳｉＣインゴット２をチャックテーブル３２で吸引保持する。次いで、図６に示すとおり、昇降手段（図示していない。）で液槽体３６を下降させ、チャックテーブル３２の上面に液槽体３６の側壁４０の下端を密着させる。次いで、エアシリンダ５０のピストンロッド５０ｂを移動させ、ＳｉＣインゴット２の第一の端面４に吸着片５４の下面を密着させる。次いで、吸着片５４の下面に吸引力を生成し、第一の端面４を吸着片５４で吸引保持する。次いで、超音波発振部材５２が浸漬するまで液体供給部４２から液体収容空間４６に液体４８（たとえば水）を供給する。次いで、超音波発振部材５２から超音波を発振することにより、剥離層２８を刺激してクラック２６を伸長させ剥離層２８の強度を更に低下させる。次いで、吸着片５４でＳｉＣインゴット２を吸引保持した状態で液槽体３６を上昇させることにより、図７に示すとおり、剥離層２８を起点としてＳｉＣインゴット２から生成すべきウエーハ５６を剥離することができる。ウエーハ５６が剥離されたＳｉＣインゴット２の剥離面５８は凹凸となっており、剥離面５８の凹凸の高さは、たとえば１００μｍ程度である。なお、超音波発振部材５２から超音波を発振する際は、ＳｉＣインゴット２の上面と吸着片５４の下面との間に間隙（たとえば２〜３ｍｍ）を設けてもよい。
【００２１】
上述のとおりにして、ＳｉＣインゴット２に剥離層２８を形成し、ＳｉＣインゴット２から生成すべきウエーハ５６を剥離した後、ＳｉＣインゴット２の剥離面５８を平坦化する平坦化方法を実施する。平坦化方法には、剥離面５８の反対側を回転可能なチャックテーブルに保持し、研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転させチャックテーブルに保持されたＳｉＣインゴット２の剥離面５８を研削する研削工程が含まれる。研削工程は、たとえば図８に一部を示す研削装置６０を用いて実施することができる。研削装置６０は、ＳｉＣインゴット２を保持する円形状のチャックテーブル６２と、チャックテーブル６２に保持されたＳｉＣインゴット２の上面を研削して平坦化する研削手段６４とを備える。チャックテーブル６２は、レーザー加工装置１８のチャックテーブル２０と同様に、上面においてＳｉＣインゴット２を吸引保持するようになっていると共に、チャックテーブル６２の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を中心としてチャックテーブル用モータ（図示していない。）によって回転される。研削手段６４は、スピンドル用モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル６６と、スピンドル６６の下端に固定された円板状のホイールマウント６８とを含む。ホイールマウント６８の下面にはボルト７０により環状の研削ホイール７２が固定されている。研削ホイール７２の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石７４が固定されている。研削装置６０においては、研削砥石７４がチャックテーブル６２の回転中心を通るように、研削ホイール７２の回転中心がチャックテーブル６２の回転中心に対して変位しており、チャックテーブル６２と研削ホイール７２とが相互に回転しながら、チャックテーブル６２の上面に保持されたＳｉＣインゴット２の上面と研削砥石７４とが接触した場合に、ＳｉＣインゴット２の上面全体が研削砥石７４によって研削される。
【００２２】
図８を参照して説明を続けると、研削工程では、まず、チャックテーブル６２の上面に吸引力を生成し、ＳｉＣインゴット２の剥離面５８の反対側（サブストレート１６側）をチャックテーブル６２で吸引保持する。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル６２を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル６６を回転させる。次いで、研削装置６０の昇降手段（図示していない。）でスピンドル６６を下降させ、剥離面５８に研削砥石７４を接触させる。そして、剥離面５８に研削砥石７４を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル６６を下降させる。これによって、ＳｉＣインゴット２に再度剥離層２８を形成する際にパルスレーザー光線ＬＢの入射を妨げない程度に、ＳｉＣインゴット２の剥離面５８を研削して平坦化することができる。なお、剥離面５８を研削する際は、研削水供給手段（図示していない。）から剥離面５８や研削砥石７４に研削水を供給する。
【００２３】
上記研削工程を実施している際に、研削ホイール７２から露出したＳｉＣインゴット２の剥離面５８に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程を実施し、平坦度検出工程で剥離面５８が平坦になったと検出した際、研削工程を終了する。図８に示すとおり、平坦度検出工程は、研削ホイール７２から露出した剥離面５８に光を照射する発光素子７６と、発光素子７６から照射され剥離面５８で反射した反射光を受光する受光素子７８と、剥離面５８における発光素子７６の光が照射される照射位置Ｓ（図８（ｂ）参照。）の研削水を除去する研削水除去手段（図示していない。）とを用いて実施することができる。研削水除去手段は、圧空源に接続されたノズルを含み、ノズルから照射位置Ｓに向かって圧空を噴射して、照射位置Ｓにおける研削水を除去して剥離面５８を露出するようになっている。
【００２４】
平坦度検出工程においては、照射位置Ｓにおける研削水を除去して剥離面５８を露出させた上で、図９（ａ）に示すとおり、剥離面５８に対して入射角θで発光素子７６から光を照射し、反射角θで反射光を受光素子７８で受光して受光素子７８の受光量が閾値を超えた際、剥離面５８が平坦になったと検出することができる。すなわち、剥離面５８を平坦化する前は、剥離面５８に対して入射角θで発光素子７６から剥離面５８に照射した光は乱反射するので反射角θで反射する反射光が少なく受光素子７８の受光量が少ないが、剥離面５８が平坦化されると、反射角θで反射する反射光が平坦化前よりも増加して受光素子７８の受光量が増加することから、受光素子７８の受光量が閾値を超えた際、剥離面５８が平坦になったと検出することができる。図９（ｂ）に示すとおり、閾値Ｒｃは、平坦化前の受光量の平均値Ｒ１と平坦化後の受光量の平均値Ｒ２との間で任意に設定することができるが、平均値Ｒ１と平均値Ｒ２との中間の値よりも平均値Ｒ２に近い値であるのが好ましい。
【００２５】
また、平坦度検出工程においては、ｃ面と端面とでオフ角αが形成された（すなわち、オフ角αが０度でない）ＳｉＣインゴット２の剥離層２８から生成すべきウエーハ５６を剥離した場合、図１０（ａ）に示すとおり、剥離面５８に対して垂直に発光素子７６から光を照射し、発光素子７６とのなす角度が２αとなる位置で反射光を受光素子７８で受光して受光量が閾値を下回った際、剥離面５８が平坦になったと検出することもできる。すなわち、ｃ面と端面とでオフ角αが形成されたＳｉＣインゴット２の剥離層２８から生成すべきウエーハ５６を剥離した場合、剥離面５８にはｃ面に沿って延びる部分が存在するため、発光素子７６とのなす角度が２αとなる位置に配置した受光素子７８で受光する受光量は、剥離面５８の研削中に図１０（ａ）に示す位置関係となった時に比較的大きくなり、図１０（ｂ）に示すとおり変動することとなる。そして剥離面５８が平坦化されると剥離面５８においてｃ面に沿って延びる部分がなくなるので、断続的に検出されていた比較的大きい値の受光量が検出されなくなる。したがって、受光素子７８の受光量が閾値を下回った際（すなわち、閾値以上の受光量が検出されなくなった際）、剥離面５８が平坦になったと検出することができる。図１０（ｂ）に示すとおり、この場合における閾値Ｒｃは、平坦化前に断続的に検出されていた比較的大きい値の受光量の平均値Ｒ３と、平坦化後の受光量の平均値Ｒ４との間で任意に設定することができるが、平均値Ｒ３と平均値Ｒ４との中間の値よりも平均値Ｒ４に近い値であるのが好適である。なお、上述の「剥離面５８に対して垂直に発光素子７６から光を照射し、」における「剥離面５８に対して垂直」とは、研削後の平坦な剥離面５８に対して垂直という意味である。
【００２６】
以上のとおり図示の実施形態では、ＳｉＣインゴット２の剥離面５８の反対側を回転可能なチャックテーブル６２に保持し研削砥石７４を環状に備えた研削ホイール７２を回転させチャックテーブル６２に保持されたＳｉＣインゴット２の剥離面５８を研削する研削工程と、研削ホイール７２から露出したＳｉＣインゴット２の剥離面５８に光を照射し反射光を検出して平坦の度合いを検出する平坦度検出工程とから少なくとも構成され、平坦度検出工程でＳｉＣインゴット２の剥離面５８が平坦になったと検出した際、研削工程を終了するので剥離面５８の過剰な研削を避け研削時間を短縮することができる。
【符号の説明】
【００２７】
２：ＳｉＣインゴット
４：第一の端面
６：第二の端面
２６：クラック
２８：剥離層
５６：ウエーハ
５８：ＳｉＣインゴットの剥離面
６２：研削装置のチャックテーブル
７２：研削ホイール
７４：研削砥石
ＬＢ：パルスレーザー光線
ＦＰ：集光点
【図１】
2019125687.tif 000003
【図２】
2019125687.tif 000004
【図３】
2019125687.tif 000005
【図４】
2019125687.tif 000006
【図５】
2019125687.tif 000007
【図６】
2019125687.tif 000008
【図７】
2019125687.tif 000009
【図８】
2019125687.tif 000010
【図９】
2019125687.tif 000011
【図１０】
2019125687.tif 000012