(57)【要約】【課題】エッチング速度におけるばらつきを抑えることを可能とした真空処理装置、真空処理装置の製造方法、および、真空処理装置用の内部冶具を提供する。【解決手段】ラジカル生成部と、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層３１ｂを含む部材とを備える。バリア層３１ｂの表面は、ラジカル生成部が生成したラジカルに接する接触面で３１ｂＦあり、バリア層３１ｂは、接触面３１ｂＦを含む表層部３１ｂ１を含む。表層部３１ｂ１が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成されるアルミニウム化合物から形成される。アルミニウム化合物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジカル生成部と、
アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層を含む部材と、を備え、
前記バリア層の表面は、前記ラジカル生成部が生成したラジカルに接する接触面であり、
前記バリア層は、前記接触面を含む表層部を含み、前記表層部が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から形成され、
前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である
真空処理装置。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の各々が、ベーマイトの質量よりも大きい
請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記ラジカル生成部は、アンモニアを含むガスからラジカルを生成する
請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
アルミニウムと酸素とを含むバリア層を有した部材を準備することと、
前記部材の前記バリア層を５℃以上８０℃以下の水に接触させ、酸化アルミニウム水和物から形成される表層部を前記バリア層に形成することと、を含み、
前記表層部を形成することは、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から前記表層部を形成することを含み、
前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である
真空処理装置の製造方法。
【請求項５】
アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層を含む真空処理装置用の内部冶具であって、
前記バリア層の表面は、前記真空処理装置のラジカル生成部が生成したラジカルに接する接触面であり、
前記バリア層は、前記接触面を含む表層部を含み、前記表層部が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から形成され、
前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である
真空処理装置用の内部冶具。
【請求項６】
前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の各々が、ベーマイトの質量よりも大きい
請求項５に記載の真空処理装置用の内部冶具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置、真空処理装置の製造方法、および、真空処理装置用の内部冶具に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板の表面に形成された自然酸化膜をエッチングによって除去する酸化膜除去装置が知られている。酸化膜除去装置は、マイクロ波を用いて生成したプラズマ中に含まれるラジカルを用いて自然酸化膜のエッチャントを生成し、生成されたエッチャントによって自然酸化膜を熱分解温度がより低いシリコンを含む錯体に変える。そして、酸化膜除去装置は、錯体とともにシリコン基板を加熱することによって、錯体をシリコン基板上から気化させる。これにより、酸化膜除去装置は、自然酸化膜をシリコン基板から除去する（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、酸化膜除去装置において、シリコン基板をエッチングする処理を複数回行うと、処理間においてエッチング速度がばらつくことがある。そのため、エッチング速度のばらつきを抑えることが求められている。なお、こうした要請は、酸化膜除去装置に限らず、真空下においてラジカルを用いて処理対象のエッチングを行う真空処理装置において共通している。
【０００５】
本発明は、エッチング速度におけるばらつきを抑えることを可能とした真空処理装置、真空処理装置の製造方法、および、真空処理装置用の内部冶具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための真空処理装置は、ラジカル生成部と、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層を含む部材と、を備える。前記バリア層の表面は、前記ラジカル生成部が生成したラジカルに接する接触面であり、前記バリア層は、前記接触面を含む表層部を含み、前記表層部が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成されるアルミニウム化合物から形成され、前記アルミニウム化合物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。
【０００７】
上記課題を解決するための真空処理装置の製造方法は、アルミニウムと酸素とを含むバリア層を有した部材を準備することと、前記部材の前記バリア層を５℃以上８０℃以下の水に接触させ、アルミニウム化合物から形成される表層部を前記バリア層に形成することと、を含む。前記表層部を形成することは、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成されるアルミニウム化合物から前記表層部を形成することを含む。前記アルミニウム化合物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。
【０００８】
上記課題を解決するための真空処理装置用の内部冶具は、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層を含む真空処理装置用の内部冶具であって、前記バリア層の表面は、前記真空処理装置のラジカル生成部が生成したラジカルに接する接触面であり、前記バリア層は、前記接触面を含む表層部を含み、前記表層部が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から形成され、前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量、および、ギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。
【０００９】
上記各構成では、表層部において、ベーマイトよりも多くの水分子を水和するバイヤライトおよびギブサイトにおける質量の和が、ベーマイトの質量以上である。そのため、表層部がバイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和よりも多くのベーマイトを含む場合と比べて、ラジカル生成部の生成したラジカルの失活が抑えられる。これにより、エッチング量のばらつきが抑えられる。
【００１０】
上記真空処理装置では、前記アルミニウム化合物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の各々が、ベーマイトの質量よりも大きくてもよい。
上記真空処理装置用の内部冶具では、前記酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の各々が、ベーマイトの質量よりも大きくてもよい。
上記各構成によれば、表層部が、ベーマイトに対してバイヤライトおよびギブサイトを２倍以上含むため、エッチング量のばらつきがさらに抑えられる。
【００１１】
上記真空処理装置において、前記ラジカル生成部は、アンモニアを含むガスからラジカルを生成してもよい。上記構成によれば、他の分子を含むガスからラジカル生成部がラジカルを生成する場合よりも、バリア層による効果をより顕著に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】真空処理装置を酸化膜除去装置として具体化した一実施形態における酸化膜除去装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】一実施形態の酸化膜除去装置が備えるプロセスチャンバの概略構成を示すブロック図。
【図３】真空槽の一部構造を拡大して示す部分拡大断面図。
【図４】真空処理装置の製造方法を酸化膜除去装置の製造方法として具体化した一実施形態を説明するためのフローチャート。
【図５】部材に接触させる水の温度とバリア層の組成比との関係を示すグラフ。
【図６】実施例におけるエッチング速度のばらつきを示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１から図６を参照して、真空処理装置、真空処理装置の製造方法、および、真空処理装置用の内部冶具の一実施形態を説明する。以下では、真空処理装置の一例として酸化膜除去装置を説明する。酸化膜除去装置は、シリコン基板に形成された自然酸化膜を除去する装置である。また、以下では、酸化膜除去装置の構成、酸化膜除去装置の製造方法、および、実施例を順に説明する。
【００１４】
［酸化膜除去装置の構成］
図１から図３を参照して、酸化膜除去装置の構成を説明する。
図１が示すように、酸化膜除去装置１０は、プロセスチャンバ１１と加熱チャンバ１２とを備えている。２つのチャンバ１１，１２は、仕切弁１３を介して接続されている。加熱チャンバ１２の外側には、ヒータ１４が位置している。ヒータ１４は、加熱チャンバ１２の外部から、加熱チャンバ１２によって区画される空間を所定の温度に加熱する。加熱チャンバ１２には、排気部１５が接続されている、排気部１５は、バルブと排気ポンプとを含み、加熱チャンバ１２およびプロセスチャンバ１１の内部を所定の圧力まで減圧する。
【００１５】
プロセスチャンバ１１には、プロセスチャンバ１１内にガスを供給するためのガス供給管２１が接続されている。ガス供給管２１の途中には、放電管２２が位置している。放電管２２には、導波管２３を介してマイクロ波源２４が発振したマイクロ波が照射される。
【００１６】
ガス供給管２１において、放電管２２よりも上流には、アンモニア（ＮＨ３）ガス供給部２５と窒素（Ｎ２）ガス供給部２６とが接続されている。これに対して、ガス供給管２１において、放電管２２よりも下流には、三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス供給部２７が接続されている。ＮＨ３ガス供給部２５、Ｎ２ガス供給部２６、および、ＮＦ３ガス供給部２７は、それぞれガス供給管２１を介してプロセスチャンバ１１内にガスを供給するマスフローコントローラーである。
【００１７】
酸化膜除去装置１０において、ガス供給管２１、放電管２２、導波管２３、マイクロ波源２４、ＮＨ３ガス供給部２５、Ｎ２ガス供給部２６、および、ＮＦ３ガス供給部２７が、ラジカル生成部２０を構成している。ラジカル生成部２０は、ＮＨ３を含むガスからラジカルを生成する。
【００１８】
酸化膜除去装置１０において、自然酸化膜のエッチングが行われるときには、まず、シリコン基板がプロセスチャンバ１１内に搬入される。次いで、排気部１５によってプロセスチャンバ１１が減圧される。そして、ＮＨ３ガスとＮ２ガスとが放電管２２に供給された後、放電管２２内にマイクロ波が照射される。これにより、ＮＨ３ガスからプラズマが生成され、プラズマ中に含まれる水素含有ラジカルが、ガス供給管２１を通じてプロセスチャンバ１１に供給される。なお、水素含有ラジカルには、例えばＮｘＨｙ＊やＨ＊を挙げることができる。これらの水素含有ラジカルは、水素含有ラジカルが酸化膜除去装置１０のなかで、水素含有ラジカルが接触する面の状態に起因して失活することがある。
【００１９】
水素含有ラジカルは、ＮＦ３とプロセスチャンバ１１内で反応する。これにより、自然酸化膜のエッチャントであるアンモニアフッ化物（ＮＨｘＦｙ）が生成される。なお、水素含有ラジカルの一部は、ガス供給管２１内でもＮＦ３と反応する。アンモニアフッ化物がシリコン基板まで運ばれると、自然酸化膜とアンモニアフッ化物とが反応して、熱分解温度が低いアンモニア錯体（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が生成される。
【００２０】
こうしたプロセスチャンバ１１での処理が行われると、シリコン基板がプロセスチャンバ１１から加熱チャンバ１２に搬送される。そして、シリコン基板が、アンモニア錯体が分解する温度以上の温度に加熱される。これにより、シリコン基板上のアンモニア錯体が、ＮＨ３、フッ化水素（ＨＦ）、および、四フッ化シリコン（ＳｉＦ４）として揮発する。これにより、自然酸化膜がシリコン基板から除去される。
【００２１】
図２には、プロセスチャンバ１１の内部の構造が概略的に示されている。上述したように、プロセスチャンバには、ＮＦ３から生成されたラジカルが供給される。そのため、プロセスチャンバ１１は、ラジカルに接触する接触面を有する部材を備えている。
【００２２】
酸化膜除去装置１０は、上述したラジカル生成部２０と、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面上に形成されたバリア層を含む部材とを備えている。バリア層の表面は、ラジカル生成部２０が生成したラジカルに接する接触面である。バリア層は、接触面を含む表層部を含んでいる。表層部は、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から形成されている。酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。以下、酸化膜除去装置１０が備える部材について図２を参照して詳しく説明する。
【００２３】
図２が示すように、プロセスチャンバ１１は真空槽３１を備え、真空槽３１は、シリコン基板Ｗを収容する空間を区画している。真空槽３１の内側面には、シャワープレート３２が固定されている。シャワープレート３２は、ガス供給管２１が備える端部に接続されている。シャワープレート３２は、ガス供給管２１を通じてプロセスチャンバ１１内に供給されるガスを拡散し、これによって、プロセスチャンバ１１の全体にガスが供給されやすくなる。
【００２４】
真空槽３１内には基板ホルダ３３が位置し、基板ホルダ３３は、シリコン基板Ｗを保持することが可能に構成されている。基板ホルダ３３は移載装置３４によってプロセスチャンバ１１から加熱チャンバ１２内に搬送される。なお、加熱チャンバ１２にてシリコン基板Ｗが加熱されている間にわたって、基板ホルダ３３は、加熱チャンバ１２内にてシリコン基板Ｗを保持している。酸化膜除去装置１０は、移載装置３４に代えて、プロセスチャンバ１１から加熱チャンバ１２にシリコン基板Ｗを搬送する搬送ロボットを備えてもよい。この場合には、加熱チャンバ１２が、プロセスチャンバ１１から搬送された基板を保持する基板ホルダを備えていればよい。
【００２５】
ラジカル生成部２０が生成した水素含有ラジカルは、ガス供給管２１を通じて真空槽３１内に供給される。そして、水素含有ラジカルは、シャワープレート３２によって真空槽３１内に拡散される。水素含有ラジカルの少なくとも一部は、シリコン基板Ｗが有する自然酸化膜に到達する可能性がある。そのため、プロセスチャンバ１１を構成する部材のなかで、真空槽３１、シャワープレート３２、および、基板ホルダ３３が、水素含有ラジカルに接する接触面を備える部材の一例である。なお、接触面を備える部材には、酸化膜除去装置１０が備える他の部材が含まれてもよい。また、基板ホルダ３３は、真空処理装置用の内部冶具の一例である。こうした部材のより詳しい構成を、図３を参照して説明する。
【００２６】
図３は、部材の一例である真空槽３１における断面構造の一部を拡大して示している。図３は、図２において二点鎖線で囲まれる領域Ａを拡大して示している。
図３が示すように、真空槽３１はアルミニウム製あるいはアルミニウム合金製の本体部３１ａと、バリア層３１ｂとを備えている。本体部３１ａのなかで、バリア層３１ｂが接する面が、アルミニウム製またはアルミニウム合金製の面である。なお、本体部３１ａの全体がアルミニウム製でなくともよく、本体部３１ａにおいて、少なくともバリア層３１ｂとの境界を構成する部分がアルミニウム製またはアルミニウム合金製であればよい。
【００２７】
バリア層３１ｂの表面が、ラジカル生成部２０が生成したラジカルと接する接触面３１ｂＦである。バリア層３１ｂのなかで、接触面３１ｂＦを含む部分が表層部３１ｂ１であり、表層部３１ｂ１と本体部３１ａとの間に位置する部分が、下層部３１ｂ２である。
【００２８】
上述したように、表層部３１ｂ１は、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成されている。ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトは、いずれも酸化アルミニウム水和物の一例である。ベーマイトは、酸化アルミニウムの一水和物（Ａｌ２Ｏ３・Ｈ２Ｏ）であり、バイヤライトおよびギブサイトは、酸化アルミニウムの三水和物（Ａｌ２Ｏ３・３Ｈ２Ｏ）である。すなわち、バイヤライトおよびギブサイトは、ベーマイトよりも多くの結晶水を含む。
【００２９】
表層部３１ｂ１を形成するアルミニウム化合物は、ベーマイトよりも多くの水分子を水和するバイヤライトおよびギブサイトを、ベーマイト以上に含んでいる。そのため、表層部３１ｂ１がバイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和よりも多くのベーマイトを含む場合と比べて、ラジカル生成部２０の生成したラジカルの失活が抑えられる。これにより、エッチング速度のばらつきが抑えられる。
【００３０】
表層部３１ｂ１を形成するアルミニウム化合物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の各々が、ベーマイトの質量よりも大きいことができる。これにより、表層部３１ｂ１が、ベーマイトに対してバイヤライトおよびギブサイトを２倍以上含むため、エッチング速度のばらつきがさらに抑えられる。
【００３１】
これに対して、ベーマイトが主成分である表層部を含むバリア層では、バリア層に接触した水素含有ラジカルが失活するため、エッチングの処理間においてエッチング速度にばらつきが生じる。
【００３２】
下層部３１ｂ２は、酸化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムの少なくとも一方から形成されている。下層部３１ｂ２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金の陽極酸化膜のなかで、水和されていない部分である。なお、バリア層３１ｂにおいて、表層部３１ｂ１のみに限らず、下層部３１ｂ２もベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成されるアルミニウム化合物から形成されてもよい。言い換えれば、バリア層３１ｂの全体が、水和されてもよい。
【００３３】
［酸化膜除去装置の製造方法］
図４から図６を参照して、酸化膜除去装置１０の製造方法を説明する。以下では、酸化膜除去装置１０の製造方法の一例として、部材が真空槽３１である例を説明する。
【００３４】
酸化膜除去装置の製造方法は、アルミニウムと酸素とを含むバリア層３１ｂを有する部材を準備することと、表層部３１ｂ１を形成することとを含む。表層部３１ｂ１を形成することは、バリア層３１ｂを５℃以上８０℃以下の水に接触させ、酸化アルミニウム水和物から形成される表層部３１ｂ１をバリア層３１ｂに形成する。また、表層部３１ｂ１を形成することは、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物から表層部３１ｂ１を形成することを含み、かつ、酸化アルミニウム水和物において、バイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和が、ベーマイトの質量以上である。以下、図４から図６を参照して、酸化膜除去装置１０の製造方法をより詳しく説明する。
【００３５】
図４が示すように、酸化膜除去装置の製造方法は、準備工程（ステップＳ１１）と形成工程（ステップＳ１２）とを含んでいる。準備工程では、プロセスチャンバ１１を構成する部材を少なくとも１つ準備する。なお、部材は、アルミニウム製でもよいしアルミニウム合金製でもよい。次いで、部材の表面に、アルミニウムと酸素とを含むバリア層３１ｂを形成する。バリア層３１ｂを構成する物質には、例えば酸化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムを挙げることができる。
【００３６】
バリア層３１ｂを形成する方法には、アルミニウム製、あるいは、アルミニウム合金製の部材を陽極酸化する方法が用いられる。これにより、酸化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムの少なくとも一方から構成される多孔性の層が、バリア層３１ｂとして形成される。陽極酸化を行うための電解液として、例えば、シュウ酸、硫酸、および、クロム酸水溶液のいずれかを用いることができる。
【００３７】
形成工程は、バリア層３１ｂを５℃以上８０℃以下の水に接触させる。バリア層３１ｂを水に接触させるときには、処理槽に充填された液状の水の中に部材を配置してもよいし、処理槽に充填された水蒸気内に部材を配置してもよい。これにより、バリア層３１ｂが水と反応することにより、バリア層３１ｂの表面に位置する酸化アルミニウムおよび水酸化アルミニウムの少なくとも一方が、ベーマイト、バイヤライト、および、ギブサイトから構成される酸化アルミニウム水和物に変わる。これにより、バリア層３１ｂ内にバリア層３１ｂの表面を含む表層部３１ｂ１が形成される。なお、表層部３１ｂ１は、バリア層３１ｂが有していた多数の孔が上述した水和物によって封孔されることによってバリア層３１ｂ内に形成される。
【００３８】
図５は、形成工程において用いる水の温度（℃）と、表層部３１ｂ１においてバイヤライトおよびギブサイトの質量が占める割合（％）、すなわち組成比との関係とを示している。なお、図５における実線がバイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和が表層部３１ｂ１において占める割合を示すグラフであり、一点鎖線がベーマイトの質量が表層部３１ｂ１において占める割合を示すグラフである。
【００３９】
図５が示すように、形成工程において用いる水の温度が５℃であるときには、表層部３１ｂ１のほとんどが、バイヤライトおよびギブサイトによって形成される。また、形成行程において用いる水の温度が８０℃であるときには、表層部３１ｂ１を形成するアルミニウム化合物の質量における５０％が、バイヤライトおよびギブサイトである。一方で、形成工程において用いる水の温度が８０℃を超えるときには、表層部３１ｂ１を形成するアルミニウム化合物の質量において、ベーマイトの質量が５０％を超える。
【００４０】
なお、アルミニウム水和物から構成される表層部３１ｂ１の形成される速度は、形成工程において用いられる水の温度が高くなるに従って高まる。そのため、酸化膜除去装置１０の製造における効率を高める観点では、形成工程において用いられる水の温度は例えば６０℃以上であることが好ましい。
【００４１】
［実施例］
図６を参照して実施例を説明する。
ラジカルと接する接触面を有する部材の一例として、以下のシャワープレートを準備した。まず、同一の材料、および、同一の条件で形成されたアルミニウム製のシャワープレートを３つ準備した。そして、各シャワープレートを同一の条件で陽極酸化することによって、シャワープレートの表面にバリア層を形成した。
【００４２】
次いで、６０℃の水を用いてバリア層に表層部を形成することによって、実施例１のシャワープレートを得た。これに対して、バリア層を形成したのみのシャワープレート、言い換えれば、上述した形成工程における処理が行われなかったシャワープレートを比較例１のシャワープレートとして得た。また、９０℃の水を用いてバリア層に表層部を形成することによって、比較例２のシャワープレートを得た。
【００４３】
各シャワープレートを同一の酸化膜除去装置に搭載し、かつ、同一の条件で自然酸化膜の除去を行うことにより、各シャワープレートを用いたときのエッチング速度におけるばらつきを算出した。各シャワープレートを搭載した酸化膜除去装置によってエッチング処理を複数回行い、かつ、各処理におけるエッチング速度を算出した。なお、各処理において、複数のシリコン基板でのエッチング速度の平均値を、各処理でのエッチング速度として算出した。そして、複数回の処理において、最高速度に対する最低速度の比をエッチング速度のばらつきとして算出した。算出した結果は、図６に示す通りであった。
【００４４】
図６が示すように、実施例１において、最高速度を１とするとき、最低速度が０．９５２であることが認められた。これに対して、比較例１において、最高速度を１とするとき、最低速度が０．５２４であることが認められた。また、比較例２において、最高速度を１とするとき、最低速度が０．８３３であることが認められた。
【００４５】
このように、実施例１によれば、比較例１および比較例２に比べて、エッチングの速度におけるばらつきが抑えられることが認められた。実施例１では、シャワープレートの表面に存在する水が比較例１および比較例２よりも多いことによって、シャワープレートを通過するラジカルの失活が抑えられ、これによって、各シリコン基板に到達するラジカル、または、エッチャントの量がばらつくことが抑えられたと考えられる。結果として、エッチングの速度におけるばらつきが抑えられたと考えられる。
【００４６】
なお、形成工程において用いられる水の温度が、５℃以上８０℃以下の範囲であれば、実施例１と同様の傾向が認められた。
【００４７】
以上説明したように、真空処理装置、および、真空処理装置の一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）表層部３１ｂ１において、ベーマイトよりも多くの水分子を水和するバイヤライトおよびギブサイトにおける質量の和が、ベーマイトの質量以上である。そのため、表層部３１ｂ１がバイヤライトの質量およびギブサイトの質量の和よりも多くのベーマイトを含む場合と比べて、ラジカル生成部２０の生成したラジカルの失活が抑えられる。これにより、エッチング速度におけるばらつきが抑えられる。
【００４８】
（２）表層部３１ｂ１が、ベーマイトに対してバイヤライトおよびギブサイトを２倍以上含む場合には、エッチング速度におけるばらつきがさらに抑えられる。
【００４９】
（３）ラジカル生成部２０がアンモニアを用いてラジカルを生成するため、他の分子を含むガスからラジカル生成部２０がラジカルを生成する場合よりも、バリア層３１ｂによる効果をより顕著に得ることができる。
【００５０】
なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
［ラジカル生成部］
・ラジカル生成部２０は、放電管２２、導波管２３、および、マイクロ波源２４を備える構成に限らず、放電管２２、導波管２３、および、マイクロ波源２４に代えて、ラジカル生成用のガスを加熱する加熱体を備えてもよい。
【００５１】
［用途］
・真空処理装置は、シリコン基板に形成された自然酸化膜を除去する酸化膜除去装置に限らず、他の処理対象に対してラジカルを用いて処理を行う真空処理装置として具体化することも可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…酸化膜除去装置、１１…プロセスチャンバ、１２…加熱チャンバ、１３…仕切弁、１４…ヒータ、１５…排気部、２０…ラジカル生成部、２１…ガス供給管、２２…放電管、２３…導波管、２４…マイクロ波源、２５…アンモニアガス供給部、２６…窒素ガス供給部、２７…三フッ化窒素ガス供給部、３１…真空槽、３１ａ…本体部、３１ｂ…バリア層、３１ｂ１…表層部、３１ｂ２…下層部、３１ｂＦ…接触面、３２…シャワープレート、３３…基板ホルダ、３４…移載装置、Ｗ…シリコン基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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