(57)【要約】【課題】基板と液膜との間に生じる表面張力の複数の基板間におけるばらつきを低減できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１０は貯留槽２と第１吐出ノズル３１と第２吐出ノズル５１と排出部４とを備える。第１吐出ノズル３１は貯留槽２に処理液を供給する。第２吐出ノズル５１は貯留槽２よりも鉛直上側に配置されており、水平方向に沿って、または、水平方向よりも鉛直上側に向けて有機溶剤の蒸気を吐出して、貯留槽２に貯留された処理液の液面に有機溶剤の液膜を形成する。排出部４は貯留槽２から処理液を排出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、
貯留槽と、
前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、
前記貯留槽に対して鉛直上側に配置されており、水平方向に沿って、または、水平方向よりも鉛直上側に向けて有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する少なくとも一つの第２吐出ノズルと、
前記貯留槽から処理液を排出する排出部と
を備える、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記少なくとも一つの第２吐出ノズルは、水平方向において互いに離間した位置に配置された一対の第２吐出ノズルを含み、
前記一対の第２吐出ノズルの一方は他方に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記一対の第２吐出ノズルからの前記有機溶剤の蒸気の吐出方向の水平面に対する角度は互いに相違する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記貯留槽に対して鉛直上側に配置される板状部材を有し、
前記少なくとも一つの第２吐出ノズルは前記板状部材に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する、基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記有機溶剤の蒸気を７０℃以上に加熱する加熱部を更に備える、基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
鉛直方向において前記貯留槽と前記少なくとも一つの第２吐出ノズルとの間に配置されており、基板乾燥用の気体を前記複数の基板に向けて吐出する第３吐出ノズルを更に備える、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記貯留槽の底部から鉛直上側に向かって突起する第１突起支持部および第２突起支持部を更に備え、
前記複数の基板は起立姿勢で基板格納容器に格納された状態で、前記貯留槽の処理液に浸漬され、
前記複数の基板が収納される前記基板格納容器の内部空間は鉛直上側にも鉛直下側にも開口しており、
前記第１突起支持部の先端および前記第２突起支持部の先端は前記基板格納容器の鉛直下側の開口部において前記複数の基板の側面にそれぞれ当接して、前記複数の基板を前記基板格納容器から浮かせて支持する、基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記第１突起支持部および前記第２突起支持部の先端部は鉛直上側に向かうにしたがって先細となる先細形状を有する、基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置であって、
前記第１突起支持部の先端部は第１先端面および第２先端面を有し、
前記第２先端面は前記第１先端面に対して前記第２突起支持部側の面であり、
前記第２突起支持部の先端部は第３先端面および第４先端面を有し、
前記第３先端面は前記第４先端面に対して前記第１突起支持部側の面であり、
前記第１先端面は前記第２先端面よりも鉛直方向に沿っており、
前記第４先端面は前記第３先端面よりも鉛直方向に沿っている、基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記第１突起支持部の先端部は第１先端面および第２先端面を有し、
前記第２先端面は前記第１先端面に対して前記第２突起支持部側の面であり、
前記第２突起支持部の先端部は第３先端面および第４先端面を有し、
前記第３先端面は前記第４先端面に対して前記第１突起支持部側の面であり、
前記第２先端面は前記第１先端面よりも鉛直方向に沿っており、
前記第３先端面は前記第４先端面よりも鉛直方向に沿っている、基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記第１突起支持部および前記第２突起支持部の各々の先端部は二等辺三角形の斜辺に沿う形状を有する、基板処理装置。
【請求項１２】
複数の基板に一括して処理を行う基板処理方法であって、
貯留槽に貯留された処理液に複数の基板を起立姿勢で浸漬する工程と、
吐出ノズルが、水平方向に沿って、または、水平方向よりも鉛直上側に向けて、前記貯留槽の上部空間に有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する工程と、
前記貯留槽から処理液を排出する工程と
を備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の基板に対して一括して乾燥処理を施すバッチ式の乾燥ユニットが知られている（例えば、特許文献１）。特許文献１において、乾燥ユニットの乾燥チャンバには、貯留槽と第１吐出ノズルと第２吐出ノズルと排出部とが設けられている。第１吐出ノズルは貯留槽に対して鉛直上側に配置され、この貯留槽に純水を供給する。第２吐出ノズルは貯留槽に対して鉛直上側に配置され、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気および乾燥用の高温ガスを選択的に吐出する。排出部は、貯留槽の底部に連通接続した排出管と、その排出管内の流路の開閉を切り替える開閉弁とを有している。
【０００３】
この乾燥ユニットにおいて、まず第１吐出ノズルから純水が貯留槽に吐出される。これにより、貯留槽には純水が貯留される。貯留槽に十分な純水が貯留されると、複数の基板をその純水に浸漬させる。複数の基板は起立姿勢で純水に浸漬される。
【０００４】
次に第２吐出ノズルからＩＰＡの蒸気を吐出する。この蒸気が貯留槽内の純水の液面上で液化し、ＩＰＡの液膜が形成される。次にＩＰＡの蒸気を吐出したまま、開閉弁を開いて処理液を貯留槽から排出する。これにより、貯留槽内においてＩＰＡの液膜が下降し、基板の表面の純水が順次にＩＰＡに置換される。処理液の排出が終了すると、第２吐出ノズルからＩＰＡの蒸気に替えて高温ガスを吐出する。この高温ガスが複数の基板に沿って流れることにより、複数の基板が乾燥する。
【０００５】
特許文献１では、蒸発しやすいＩＰＡが純水に置き換えられた状態で、複数の基板に高温ガスが供給されるので、ウォーターマークの発生を回避しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１９９３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
第１吐出ノズルからの蒸気が純水の液面の一部により集中的に当たると、純水の液面に揺らぎが生じる上、純水の液面に形成されるＩＰＡの液膜の厚みにばらつきが生じる。これにより、純水の排出時において、基板の主面と液膜との間で生じる表面張力が複数の基板の相互間でばらつく。このばらつきが大きい場合、基板がその隣の基板に倒れ得る。より具体的には、ある基板の一方側の主面に作用する表面張力と他方側の主面に作用する表面張力との差が大きいと、当該基板が大きい方の表面張力に引っ張られて、その隣の基板に倒れ得る。これらの基板が密着すると、その密着箇所で処理液が有機溶剤に置換されにくい。
【０００８】
そこで、本願は、基板と有機溶剤の液膜との間に生じる表面張力の複数の基板間におけるばらつきを低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
基板処理装置の第１の態様は、複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、貯留槽と、前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、前記貯留槽に対して鉛直上側に配置されており、水平方向に沿って、または、水平方向よりも鉛直上側に向けて有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する少なくとも一つの第２吐出ノズルと、前記貯留槽から処理液を排出する排出部とを備える。
【００１０】
基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記少なくとも一つの第２吐出ノズルは、水平方向において互いに離間した位置に配置された一対の第２吐出ノズルを含み、前記一対の第２吐出ノズルの一方は他方に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する。
【００１１】
基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記一対の第２吐出ノズルからの前記有機溶剤の蒸気の吐出方向の水平面に対する角度は互いに相違する。
【００１２】
基板処理装置の第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記貯留槽に対して鉛直上側に配置される板状部材を有し、前記少なくとも一つの第２吐出ノズルは前記板状部材に向けて前記有機溶剤の蒸気を吐出する。
【００１３】
基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記有機溶剤の蒸気を７０℃以上に加熱する加熱部を更に備える。
【００１４】
基板処理装置の第６の態様は、第１から第５のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、鉛直方向において前記貯留槽と前記少なくとも一つの第２吐出ノズルとの間に配置されており、基板乾燥用の気体を前記複数の基板に向けて吐出する第３吐出ノズルを更に備える。
【００１５】
基板処理装置の第７の態様は、第１から第６のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記貯留槽の底部から鉛直上側に向かって突起する第１突起支持部および第２突起支持部を更に備え、前記複数の基板は起立姿勢で基板格納容器に格納された状態で、前記貯留槽の処理液に浸漬され、前記複数の基板が収納される前記基板格納容器の内部空間は鉛直上側にも鉛直下側にも開口しており、前記第１突起支持部の先端および前記第２突起支持部の先端は前記基板格納容器の鉛直下側の開口部において前記複数の基板の側面にそれぞれ当接して、前記複数の基板を前記基板格納容器から浮かせて支持する。
【００１６】
基板処理装置の第８の態様は、第７の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１突起支持部および前記第２突起支持部の先端部は鉛直上側に向かうにしたがって先細となる先細形状を有する。
【００１７】
基板処理装置の第９の態様は、第８の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１突起支持部の先端部は第１先端面および第２先端面を有し、前記第２先端面は前記第１先端面に対して前記第２突起支持部側の面であり、前記第２突起支持部の先端部は第３先端面および第４先端面を有し、前記第３先端面は前記第４先端面に対して前記第１突起支持部側の面であり、前記第１先端面は前記第２先端面よりも鉛直方向に沿っており、前記第４先端面は前記第３先端面よりも鉛直方向に沿っている。
【００１８】
基板処理装置の第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１突起支持部の先端部は第１先端面および第２先端面を有し、前記第２先端面は前記第１先端面に対して前記第２突起支持部側の面であり、前記第２突起支持部の先端部は第３先端面および第４先端面を有し、前記第３先端面は前記第４先端面に対して前記第１突起支持部側の面であり、前記第２先端面は前記第１先端面よりも鉛直方向に沿っており、前記第３先端面は前記第４先端面よりも鉛直方向に沿っている。
【００１９】
基板処理装置の第１１の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１突起支持部および前記第２突起支持部の各々の先端部は二等辺三角形の斜辺に沿う形状を有する。
【００２０】
基板処理方法の第１２の態様は、複数の基板に一括して処理を行う基板処理方法であって、貯留槽に貯留された処理液に複数の基板を起立姿勢で浸漬する工程と、吐出ノズルが、水平方向に沿って、または、水平方向よりも鉛直上側に向けて、前記貯留槽の上部空間に有機溶剤の蒸気を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する工程と、前記貯留槽から処理液を排出する工程とを備える。
【発明の効果】
【００２１】
基板処理装置の第１の態様および基板処理方法の第１２の態様によれば、複数の基板が起立姿勢で貯留槽内に載置されることで、複数の基板を処理液に浸漬することができる。そして第２吐出ノズルが有機溶剤の蒸気を水平方向または水平方向よりも鉛直上側に向けて吐出することで、この蒸気はより広がった状態で処理液の液面に接触し、当該液面で液化する。これにより、蒸気をより広い範囲でより均一に処理液の液面に接触させることができる。よって、液面の揺らぎを低減でき、また有機溶剤の液膜の厚みのばらつきを低減することができる。したがって、処理液の排出の際に複数の基板の相互間に作用する表面張力のばらつきを低減できる。
【００２２】
基板処理装置の第２の態様によれば、複数の基板の搬出入経路を阻害しない位置に一対の第２吐出ノズルを配置しやすく、また蒸気を貯留槽の上部空間で広げやすい。
【００２３】
基板処理装置の第３の態様によれば、一対の第２吐出ノズルからの蒸気が衝突しにくく、乱流が形成されにくい。よって、より層流に近い態様で蒸気を処理液の液面に接触させることができる。したがって、処理液の液面の揺らぎを更に低減でき、また液膜の厚みのばらつきを更に低減できる。
【００２４】
基板処理装置の第４の態様によれば、蒸気が板状部材に当って広がることにより、蒸気が層流に近い態様で処理液に接触する。これにより、処理液の液面の揺らぎを更に低減でき、また液膜の厚みのばらつきを更に低減できる。
【００２５】
基板処理装置の第５の態様によれば、液膜とその上部空間との気液界面における有機溶剤の濃度を増大できるので、基板と液膜との間の表面張力を低減することができる。
【００２６】
基板処理装置の第６の態様によれば、第２吐出ノズルは第３吐出ノズルよりも鉛直上側に配置されるので、第２吐出ノズルは貯留槽からより離れた位置で蒸気を吐出できる。したがって、蒸気はより低い圧力で処理液の液面に接触するので、処理液の液面の揺らぎを効果的に低減でき、また液膜の厚みのばらつきをより効果的に低減できる。一方で、第３吐出ノズルはより基板に近い位置で気体を吐出できる。したがって、より高い圧力で気体を基板に接触させることができる。これにより、基板をより効果的に乾燥させることができる。
【００２７】
基板処理装置の第７の態様によれば、複数の基板が突起支持部に支持された状態で、基板の側面と基板格納容器の面との間に間隙が生じる。処理液の排出の際には、処理液はこの間隙を流れることができるので、処理液が残留しにくい。よって複数の基板の乾燥が容易になる。
【００２８】
基板処理装置の第８の態様によれば、突起支持部と基板の側面との接触面積を低減できるので、処理液が当該接触箇所で残留しにくい。
【００２９】
基板処理装置の第９の態様によれば、処理液の排出の際に基板の側面と基板格納容器との間の空間を鉛直下方に沿って流れる処理液は、開口部において第１突起支持部の第１先端面、または、第２突起支持部の第４先端面に向かって流れる。第１先端面および第４先端面はより鉛直方向に沿っているので、これらの先端面に衝突した処理液は鉛直下方に沿って流れやすく、貯留槽から排出されやすい。
【００３０】
基板処理装置の第１０の態様によれば、基板の中央部に沿って流れる処理液が第１突起支持部と第２突起支持部との間を流れやすい。
【００３１】
基板処理装置の第１１の態様によれば、第１突起支持部において、第１先端面と基板の側面とがなす第１角度と、第２先端面と基板の側面とがなす第２角度とを同程度にすることができる。よって、第１角度および第２角度の両方をある程度以上に増大させやすい。したがって、第１突起支持部と基板Ｗの側面との間で残留する処理液の量を低減することができる。第２突起支持部についても同様である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図２】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】各手順における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。
【図４】各手順における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。
【図５】各手順における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。
【図６】各手順における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。
【図７】吐出ノズルの吐出方向の一例を概略的に示す図である。
【図８】吐出ノズルの吐出方向の他の一例を概略的に示す図である。
【図９】第１の実施の形態にかかる基板処理装置の構成の一例を概略的に示す図である。
【図１０】キャリアの一例を概略的に示す図である。
【図１１】キャリアの一例を概略的に示す図である。
【図１２】基板とキャリアと突起支持部との一例を概略的に示す断面図である。
【図１３】基板とキャリアと突起支持部との一例を概略的に示す断面図である。
【図１４】基板とキャリアと突起支持部との一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されており、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化がなされ得る。また、図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また各図において、構成要素の位置関係を明確にするため、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。以下では、Ｚ軸方向の一方側（ここでは上側）を＋Ｚ側と呼び、Ｚ軸方向の他方側（ここでは下側）を−Ｚ側とも呼ぶ。Ｘ軸およびＹ軸も同様である。
【００３４】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【００３５】
第１の実施の形態．
＜基板処理装置＞
図１は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。この基板処理装置１０は、複数の基板Ｗを一括で処理するバッチ式の処理装置である。より具体的な一例として、基板処理装置１０は、複数の基板Ｗに対して一括して乾燥処理を行う乾燥処理装置である。
【００３６】
処理対象となる基板Ｗは平板状の形状を有しており、図１の例では、平面視において略円形状を有している。基板Ｗは例えば半導体基板（例えばパワートランジスタ用の半導体基板）である。半導体基板はシリコンの他、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）またはＳｉＣ（シリコンカーバイド）等の半導体基板も含む。
【００３７】
複数の基板Ｗの直径は例えば数十［ｍｍ］〜数百［ｍｍ］程度である。基板Ｗの厚みは数百［μｍ］程度であり、例えば２００［μｍ］〜３５０［μｍ］程度である。より具体的な一例として、基板Ｗの直径はＳＥＭＩ(Semiconductor Equipment and Materials International)規格における８インチ（あるいは６インチ）の直径と同程度であり、その厚みは８インチ（あるいは６インチ）の厚みの半分程度である。このように厚みの薄い基板Ｗを採用すれば、同じサイズでより多くの基板Ｗを後述のキャリア（基板格納容器）Ｃに格納することができる。つまり、一度に処理できる基板Ｗの枚数を増大できる。よって基板処理装置１０の処理能力を向上できる。なお基板Ｗは必ずしも半導体基板に限らず、他の任意の基板であってもよい。また上述のサイズは一例であって、これに限定されるものではない。
【００３８】
複数の基板ＷはキャリアＣに格納された状態で基板処理装置１０内に搬送される。このキャリアＣは少なくとも＋Ｚ側および−Ｚ側に開口する内部空間を有しており、この内部空間内に複数の基板Ｗが格納される。複数の基板ＷはキャリアＣの内部空間において、起立姿勢をとっており、またＹ軸方向に沿って並んで格納される。起立姿勢とは、基板Ｗの法線方向がＹ軸方向に沿う姿勢である。キャリアＣに格納される基板Ｗの枚数は特に限定される必要は無いものの、例えば数十枚（例えば５０枚）程度である。
【００３９】
ここでは、複数の基板Ｗは基板処理装置１０への搬送前において、適宜に、薬液を用いた処理、または、洗浄液を用いた処理等が施されており、基板処理装置１０は当該複数の基板Ｗに対して乾燥処理を施す。
【００４０】
この基板処理装置１０はチャンバ１と貯留槽２と処理液供給部３と排出部４と有機溶剤ガス供給部５と高温ガス供給部６と制御部７とを備えている。
【００４１】
チャンバ１は、基板Ｗに対する処理が実行される処理室を形成する。チャンバ１は筐体１１と蓋１２とを有している。蓋１２は筐体１１の上面部に取り付けられており、蓋１２が開くことで、筐体１１の上面部に開口部が形成され、蓋１２が閉じることで当該開口部が閉じる。蓋１２の開閉は制御部７によって制御される。
【００４２】
チャンバ１（筐体１１）の内部には、貯留槽２が配置されている。貯留槽２は＋Ｚ側に開口する開口部を有しており、この開口部から貯留槽２の内部に処理液が供給される。貯留槽２は、供給された処理液を貯留する。図１の例では、貯留槽２は筐体１１の底部から離間した状態で固定部材２１を介して筐体１１に固定されている。
【００４３】
複数の基板ＷはキャリアＣに格納された状態で、不図示の搬送機構によってチャンバ１内に搬送される。具体的には、キャリアＣは蓋１２が開いたときの筐体１１の開口部を通過して、貯留槽２の底部の上に載置される。
【００４４】
処理液供給部３は貯留槽２に処理液を供給する。処理液供給部３は吐出ノズル３１と供給管３２と開閉弁３３とを備えている。吐出ノズル３１は筐体１１の内部において貯留槽２よりも＋Ｚ側に配置されており、例えば筐体１１の内側面に固定されている。また吐出ノズル３１は供給管３２を介して処理液供給源３４に連通接続されている。つまり、供給管３２の一端は吐出ノズル３１に連通接続され、他端は処理液供給源３４に連通接続される。開閉弁３３は供給管３２の途中に設けられており、供給管３２内の流路の開閉を切り替える。開閉弁３３が開くことにより、処理液が処理液供給源３４から供給管３２の内部を流れ、吐出ノズル３１から貯留槽２へと吐出される。開閉弁３３が閉じることで、吐出ノズル３１からの処理液の吐出が終了する。処理液は例えば純水である。
【００４５】
排出部４は貯留槽２内の処理液をチャンバ１の外部へと排出する。排出部４は排出管４１，４２と開閉弁４３，４４とを備えている。排出管４１は貯留槽２に貯留された処理液を貯留槽２の外部に排出するための配管である。図１の例では、排出管４１の一端は貯留槽２の底部と連通接続されており、他端は筐体１１内に開口している。開閉弁４３は排出管４１の途中に設けられており、排出管４１内の流路の開閉を切り替える。開閉弁４３が開くことにより、貯留槽２の内部の処理液が排出管４１の内部を通って、排出管４１の他端から筐体１１の底部へと流れ出る。開閉弁４３が閉じることにより、貯留槽２からの処理液の排出が終了する。
【００４６】
排出管４２は、筐体１１の底部に溜まった処理液をチャンバ１の外部に排出する。排出管４２の一端は筐体１１の底部に連通接続されており、他端は排出ドレイン４５に連通接続されている。開閉弁４４は排出管４２の途中に設けられており、排出管４２内の流路の開閉を切り替える。開閉弁４４が開くことにより、筐体１１内の処理液が排出管４２の内部を通って排出ドレイン４５へと排出される。開閉弁４４が閉じることにより、筐体１１からの処理液の排出が終了する。
【００４７】
有機溶剤ガス供給部５は貯留槽２に対して＋Ｚ側の空間（以下、上部空間とも呼ぶ）に有機溶剤の蒸気を供給する。有機溶剤ガス供給部５は吐出ノズル５１と供給管５２ａ〜５２ｃと開閉弁５３と加熱部５４とを備えている。吐出ノズル５１はチャンバ１（筐体１１）の内部において、貯留槽２に対して＋Ｚ側に配置されている。図１の例では、吐出ノズル５１として一対の吐出ノズル５１ａ，５１ｂが配置されている。吐出ノズル５１ａ，５１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離間している。吐出ノズル５１ａは−Ｘ側に配置され、吐出ノズル５１ｂは＋Ｘ側に配置されている。また図１の例では、吐出ノズル５１ａ，５１ｂはＺ軸方向において同程度の高さ位置に配置されている。吐出ノズル５１ａ，５１ｂは例えば筐体１１の内側面に固定される。吐出ノズル５１ａ，５１ｂの各々は例えばＹ軸方向に沿って延在していてもよく、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。
【００４８】
吐出ノズル５１ａは供給管５２ａ，５２ｃを介して有機溶剤ガス供給源５５に連通接続される。具体的には、供給管５２ａの一端は吐出ノズル５１ａに連通接続され、供給管５２ａの他端は供給管５２ｃの一端に連通接続され、供給管５２ｃの他端は有機溶剤ガス供給源５５に連通接続される。吐出ノズル５１ｂは供給管５２ｂ，５２ｃを介して有機溶剤ガス供給源５５に連通接続される。具体的には、供給管５２ｂの一端は吐出ノズル５１ｂに連通接続され、供給管５２ｂの他端は供給管５２ｃの一端に連通接続される。
【００４９】
有機溶剤ガス供給源５５は有機溶剤の蒸気を供給管５２ｃの他端に供給する。有機溶剤は処理液よりも表面張力が小さい溶剤である。またここでは基板処理装置１０は基板Ｗを乾燥する乾燥処理を行うので、その乾燥のために処理液よりも蒸発潜熱が小さい有機溶剤が採用されるとよい。具体的な一例として、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が採用される。なお有機溶剤ガス供給源５５はキャリアガスとして、基板Ｗと化学反応を起こしにくい気体（例えば、ヘリウムおよびアルゴンのような希ガス）、または、化学反応性の低いガス（例えば窒素ガス）も供給管５２ｃの他端に供給する。
【００５０】
開閉弁５３は供給管５２ｃの途中に設けられ、供給管５２ｃ内の流路の開閉を切り替える。加熱部５４はヒータであり、供給管５２ｃに設けられている。加熱部５４は供給管５２ｃの内部を流れる蒸気を、例えば７０℃以上に加熱する。
【００５１】
開閉弁５３が開くことにより、有機溶剤の蒸気が有機溶剤ガス供給源５５から供給管５２ａ〜５２ｃの内部を流れ、吐出ノズル５１ａ，５１ｂから貯留槽２の上部空間に吐出される。この蒸気は上部空間で広がり、その一部が貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して液膜を形成する。
【００５２】
吐出ノズル５１ａ，５１ｂは水平方向に沿って有機溶剤の蒸気を吐出する。つまり、吐出ノズル５１ａ，５１ｂからの有機溶剤の蒸気の吐出方向は水平方向（例えばＸ軸方向）である。具体的には、吐出ノズル５１ａは吐出ノズル５１ｂへ向かってＸ軸方向に沿って蒸気を吐出し、吐出ノズル５１ｂは吐出ノズル５１ａへ向かってＸ軸方向に沿って蒸気を吐出する。なお、この吐出方向は、吐出ノズル５１に形成された吐出孔の形状に応じて定まり得る。吐出孔は、吐出ノズル５１の内部と吐出口とを連通する孔であり、例えば、吐出口付近の当該吐出孔の延在方向（つまり吐出口の開口軸）が蒸気の吐出方向であると定義することができる。
【００５３】
高温ガス供給部６は基板乾燥用の気体（高温ガス）を複数の基板Ｗに供給する。高温ガス供給部６は吐出ノズル６１と供給管６２ａ〜６２ｃと開閉弁６３と加熱部６４とを備えている。吐出ノズル６１はチャンバ１（筐体１１）の内部において、貯留槽２よりも＋Ｚ側に配置されている。図１の例では、吐出ノズル６１として、一対の吐出ノズル６１ａ，６１ｂが配置されている。吐出ノズル６１ａ，６１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離間している。吐出ノズル６１ａは−Ｘ側に配置されており、吐出ノズル６１ｂは＋Ｘ側に配置されている。また図１の例では、吐出ノズル６１ａ，６１ｂは互いに同程度の高さ位置に配置されており、それぞれ吐出ノズル５１ａ，５１ｂよりも−Ｚ側に配置される。言い換えれば、吐出ノズル６１ａはＺ軸方向において貯留槽２と吐出ノズル５１ａとの間に配置され、吐出ノズル６１ｂはＺ軸方向において貯留槽２と吐出ノズル５１ｂとの間に配置される。吐出ノズル６１ａ，６１ｂは例えばＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。
【００５４】
吐出ノズル６１ａは供給管６２ａ，６２ｃを介してガス供給源６５に連通接続される。具体的には、供給管６２ａの一端は吐出ノズル６１ａに連通接続され、供給管６２ａの他端は供給管６２ｃの一端に連通接続され、供給管６２ｃの他端はガス供給源６５に連通接続される。吐出ノズル６１ｂは供給管６２ｂ，６２ｃを介してガス供給源６５に連通接続される。具体的には、供給管６２ｂの一端は吐出ノズル６１ｂに連通接続され、供給管６２ｂの他端は供給管６２ｃの一端に連通接続される。
【００５５】
ガス供給源６５は、基板Ｗと化学反応を起こしにくい気体（例えば、ヘリウムおよびアルゴンのような希ガス）、または、化学反応性の低い気体（例えば窒素ガス）を、供給管６２ｃの他端に供給する。
【００５６】
開閉弁６３は供給管６２ｃの途中に設けられ、供給管６２ｃ内の流路の開閉を切り替える。加熱部６４は例えばヒータであり、供給管６２ｃに設けられている。加熱部６４は供給管６２ｃの内部を流れる気体を、例えば１００℃から２００℃の範囲に加熱する。
【００５７】
開閉弁６３が開くことにより、気体がガス供給源６５から供給管６２ａ〜６２ｃの内部を流れ、吐出ノズル６１ａ，６１ｂから複数の基板Ｗに向けて、高温ガスとして吐出される。
【００５８】
制御部７は基板処理装置１０を統括的に制御する。具体的には、制御部７は蓋１２の開閉制御、開閉弁３３，４３，４４，５３，６３の開閉制御、および、加熱部５４，６４の加熱制御を実行する。また制御部７は不図示の搬送機構も制御してもよい。この搬送機構は複数の基板Ｗを格納したキャリアＣを外部からチャンバ１内へ搬入したり、あるいは、チャンバ１から外部へ搬出したりする。
【００５９】
この制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ(Read Only Memory)またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ(Random Access Memory)）を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。
【００６０】
＜乾燥処理の動作＞
図２は、基板処理装置１０の動作（乾燥処理）の一例を示すフローチャートであり、図３〜図６は、各手順における基板処理装置１０内の様子の一例を概略的に示す図である。この一連の手順の実行前において、開閉弁３３，４３，４４，５３，６３は閉じている。まずステップＳ１にて、制御部７は開閉弁３３を開いて処理液を貯留槽２に供給する。これにより、図３に示すように、貯留槽２に処理液が貯留される。貯留槽２に十分な処理液が貯留されると、ステップＳ２にて、制御部７は搬送機構を制御して複数の基板Ｗを基板処理装置１０内に搬入させる。具体的には、制御部７は蓋１２を開き、その状態で搬送機構にキャリアＣをチャンバ１内に搬入させて貯留槽２の底部に載置させる。これにより、キャリアＣ内に格納された複数の基板Ｗが処理液に浸漬される。そして、制御部７は搬送機構の一部（ハンド）をチャンバ１から引き抜いたうえで、蓋１２を閉じて開閉弁３３を閉じる。開閉弁３３が閉じることにより、処理液の供給が終了する。
【００６１】
次にステップＳ３にて、制御部７は有機溶剤ガス供給部５に有機溶剤の蒸気をチャンバ１内に供給させる。具体的には、制御部７は開閉弁５３を開き、加熱部５４に有機溶剤の蒸気を例えば７０℃以上に加熱させる。これにより、図４に示すように、吐出ノズル５１ａ，５１ｂからチャンバ１内の貯留槽２の上部空間に有機溶剤の蒸気が吐出される。図４では、蒸気の吐出を破線の矢印で模式的に示している。吐出ノズル５１ａ，５１ｂからの蒸気の吐出方向は水平方向に沿っているので、この蒸気は上部空間で広がりやすい。この蒸気の一部は、貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して有機溶剤の液膜Ｆ１を形成する。
【００６２】
次にステップＳ４にて、制御部７は排出部４に処理液を排出させる。具体的には、制御部７は開閉弁４３，４４を開く。これにより、図５に示すように、貯留槽２内の処理液が排出される。図５では、処理液の排出を排出管４１，４２付近の破線の矢印で模式的に示している。この処理液の排出によって液膜Ｆ１が時間の経過とともに下降する。液膜Ｆ１が各基板Ｗの主面と接触することで、各基板Ｗの主面に付着した処理液が有機溶剤に順次に置換される。
【００６３】
ここでは、処理液が貯留槽２から排出されている期間においても、チャンバ１内に有機溶剤の蒸気が供給され続ける。これにより、各基板Ｗに付着した処理液が有機溶剤に置換されることによる液膜Ｆ１の厚みの減少分を補充することできる。したがって、各基板Ｗにおいて純水を有機溶剤に置換する処理がより確実に実行される。
【００６４】
処理液が十分に排出されると、つまり基板Ｗに付着した処理液が十分に有機溶剤に置換されると、ステップＳ５にて、制御部７は高温ガスを複数の基板Ｗに供給する。具体的には、制御部７は開閉弁３３，４３，４４を閉じ、開閉弁６３を開く。開閉弁３３，４３，４４を閉じることにより、有機溶剤の蒸気の吐出および処理液の排出が終了する。また開閉弁６３が開くことにより、ガス供給源６５からのガスが供給管６２ｃの内部を流れる。制御部７は加熱部６４にガスを例えば１００℃から２００℃の範囲に加熱させる。これにより、図６に示すように、吐出ノズル６１ａ，６１ｂから複数の基板Ｗに向けて高温ガスが吐出される。図６では、高温ガスの吐出が破線の矢印で模式的に示されている。高温ガスが複数の基板Ｗに接触することにより、蒸発潜熱の低い有機溶剤が容易に蒸発して複数の基板Ｗが乾燥する。
【００６５】
次にステップＳ６にて、基板Ｗを搬出する。より具体的には、制御部７が蓋１２を開いたうえで、搬送機構がキャリアＣを基板処理装置１０の外部へと搬出する。
【００６６】
以上のように、本基板処理装置１０では、複数の基板Ｗに付着した処理液を、蒸発潜熱の低い有機溶剤に置換させてから、基板Ｗを乾燥させている。よって、ウォーターマークが発生する可能性を低減できる。
【００６７】
しかも本基板処理装置１０においては、吐出ノズル５１からの有機溶剤の蒸気の吐出方向が水平方向である。よって、吐出ノズル５１から吐出された有機溶剤の蒸気は貯留槽２の上部空間で広がりやすく、貯留槽２に貯留された処理液の液面に対して、より広い範囲でより均一に接触する。したがって、貯留槽２に貯留された処理液の液面に揺らぎが生じにくく、また液膜Ｆ１の厚みのばらつきを低減することができる。これにより、この処理液の排出の際に基板Ｗと液膜Ｆ１との間で生じる表面張力の、複数の基板Ｗ間のばらつきを低減することができる。
【００６８】
例えばある基板Ｗの−Ｙ側の主面と液膜Ｆ１との間に生じる表面張力が、当該基板Ｗの＋Ｙ側の主面と液膜Ｆ１との間に生じる表面張力よりも大きい場合について考慮する。本実施の形態とは異なって、これらの表面張力の差が大きい場合には、当該基板Ｗが−Ｙ側に倒れ得る。このような倒れは、基板Ｗの自重が軽いほど、また、基板Ｗが薄いほど生じやすい。また基板Ｗが薄いほど、衝突による破損が生じやすいので、薄い基板Ｗがその隣の基板Ｗと衝突すると破損することもあり得る。しかるに本基板処理装置１０では上述のように表面張力の差（ばらつき）を低減できるので、基板Ｗが倒れにくい。ひいては、基板Ｗが破損する可能性を低減できる。
【００６９】
また基板Ｗが薄い場合、表面張力の差に起因して基板Ｗが撓んで、その隣の基板Ｗと密着することもあり得る。このように基板Ｗが密着すると、その密着部分で純水が有機溶剤に置換されにくく、乾燥が困難となる。しかるに本基板処理装置１０では、表面張力の差を低減できるので、そのような不具合も生じにくい。
【００７０】
なお吐出ノズル５１ａ，５１ｂからの有機溶剤の蒸気の吐出方向は、必ずしも水平方向に沿っている必要はない。例えば吐出ノズル５１ａ，５１ｂは水平方向よりも＋Ｚ側に向けて有機溶剤の蒸気を吐出してもよい。つまり吐出方向は水平方向よりも＋Ｚ側に向く方向であってもよい。これによっても、吐出ノズル５１ａ，５１ｂから吐出された有機溶剤の蒸気は上部空間で広がりやすく、処理液の液面に対してより広い範囲でより均一に接触する。よって、液膜Ｆ１と基板Ｗとの間の表面張力のばらつきを低減できる。
【００７１】
また上述の例では、吐出ノズル５１ａ，５１ｂはそれぞれ吐出ノズル６１ａ，６１ｂに対して＋Ｚ側に配置されている。よって、吐出ノズル５１ａ，５１ｂは貯留槽２からより離れた位置で蒸気を吐出できる。これによれば、蒸気は貯留槽２内の処理液の液面に接触するまでにより広い範囲で広がりやすい。よって、処理液の液面の揺らぎを効果的に低減でき、また液膜Ｆ１の厚みのばらつきをより効果的に低減できる。一方で、吐出ノズル６１ａ，６１ｂはより基板Ｗに近い位置で高温ガスを吐出できる。したがって、より高い圧力かつより高い温度で高温ガスを基板Ｗに接触させることができる。これにより、基板Ｗをより効果的に乾燥できる。
【００７２】
また上述の例では、加熱部５４は有機溶剤の蒸気を７０度以上に加熱している。これにより、液膜Ｆ１とその上部空間との間の気液界面の有機溶剤の濃度が高くなり、基板Ｗに作用する表面張力を低減することができる。
【００７３】
また図１の例では、吐出ノズル５１ａ，５１ｂの一方は他方に向かって有機溶剤の蒸気を吐出している。つまり吐出ノズル５１ａ，５１ｂは互いに向けて蒸気を吐出している。これによれば、複数の基板Ｗの搬出入経路（つまり貯留槽２の上部空間）を阻害しない位置に一対の吐出ノズル５１ａ，５１ｂを配置しやすく、また蒸気をＸ軸方向の両側から吐出しているので上部空間で広げやすい。
【００７４】
＜有機溶剤の蒸気の吐出方向＞
＜非対称＞
図１の例では、吐出ノズル５１ａ，５１ｂの吐出方向はＹＺ平面に対して互いに略対称となっている。しかしながら、吐出ノズル５１ａ，５１ｂの吐出方向は非対称であってもよい。図７は、一対の吐出ノズル５１ａ，５１ｂの吐出方向の一例を示す図である。図７の例では、吐出ノズル５１ａの吐出方向と水平面との間の角度θ１（０度以上９０度以下）は吐出ノズル５１ｂの吐出方向と水平面との間の角度θ２（０度以上９０度以下）と異なっている。つまり、一対の吐出ノズル５１ａ，５１ｂは互いに非対称となる吐出方向で有機溶剤の蒸気を吐出する。
【００７５】
これよれば、吐出ノズル５１ａから吐出された有機溶剤の蒸気と吐出ノズル５１ｂから吐出された有機溶剤の蒸気とが衝突しにくく、乱流を形成しにくい。つまり、より層流に近い態様で蒸気を貯留槽２の上部空間を流すことができる。ひいては、より層流に近い態様で蒸気を貯留槽２内の処理液と接触させることができる。これによれば、蒸気はより均一に処理液の液面と接触するので、貯留槽２内の処理液の液面の揺らぎを更に低減でき、また液膜Ｆ１の厚みのばらつきを更に低減できる。
【００７６】
＜天板＞
吐出ノズル５１ａ，５１ｂは、チャンバ１の天板（ここでは蓋１２）に向けて有機溶剤の蒸気を吐出してもよい。言い換えれば、角度θ１，θ２はいずれも４５度以上９０度以下であってもよい。ここでは蓋１２は例えば板状の形状を有しており、その下面は水平面に沿って延在している。図８は、一対の吐出ノズル５１ａ，５１ｂの吐出方向の一例を示す図である。図８に例示するように、吐出ノズル５１ａから吐出された有機溶剤の蒸気は蓋１２の下面１２ａに衝突し、下面１２ａに沿って＋Ｘ側に広がりつつ−Ｚ側に向かって流れる。同様に、吐出ノズル５１ｂから吐出された有機溶剤の蒸気は蓋１２の下面１２ａに衝突し、−Ｘ側に広がりつつ−Ｚ側に向かって流れる。言い換えれば、蒸気が蓋１２の下面１２ａに衝突するように、蓋１２と吐出ノズル５１ａ，５１ｂの各々との間の距離、および、吐出ノズル５１ａ，５１ｂからの蒸気の吐出圧力が設定される。
【００７７】
有機溶剤の蒸気は蓋１２の下面１２ａに一旦衝突して流れるので、衝突後の蒸気は層流に近い態様で流れることになる。よって、蒸気は層流に近い態様で貯留槽２の上部空間を流れ、ひいては層流に近い態様で貯留槽２内の処理液に接触する。したがって、貯留槽２内の処理液の液面の揺らぎを更に低減でき、また液膜Ｆ１の厚みのばらつきを更に低減することができる。
【００７８】
なお上述の例では、チャンバ１の蓋１２を利用しているものの、必ずしもこれに限らない。吐出ノズル５１ａ，５１ｂよりも＋Ｚ側に配置されて、これらとＺ軸方向で対向する板状部材が設けられてもよい。この板状部材は、その厚み方向がＺ軸に沿う姿勢で配置される。蓋１２もこの板状部材の一種であるといえる。
【００７９】
第２の実施の形態．
図９は、基板処理装置１０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ａは突起支持部８の有無という点で基板処理装置１０と相違する。
【００８０】
＜キャリアＣ＞
突起支持部８の説明に先立って、まずキャリアＣの形状の一例について詳述する。図１０および図１１は、キャリアＣの構成の一例を概略的に示す図である。図１０は、Ｙ軸方向に沿って見たキャリアＣを示しており、図１１は、キャリアＣのＸＹ断面における構成を示している。
【００８１】
キャリアＣは一対の側部９１と一対の連結部９２と複数の仕切部９３と脚部９４とを備えている。一対の側部９１はＸ軸方向において互いに向かい合っている。一対の連結部９２はそれぞれ一対の側部９１を連結する。具体的には、一対の連結部９２の一方は一対の側部９１の−Ｙ側の端部同士を連結し、一対の連結部９２の他方は一対の側部９１の＋Ｙ側の端部同士を連結する。つまりＺ軸方向に沿って見て、一対の側部９１および一対の連結部９２によって囲まれる空間がキャリアＣの内部空間となる。複数の基板Ｗは当該内部空間に格納される。
【００８２】
基板ＷがキャリアＣに格納された状態で、一対の側部９１は複数の基板Ｗの側面と対向する。図１０の例では、一対の側部９１はＹ軸方向に沿って見て、それぞれ基板Ｗの側面に沿った弧状の形状を有しており、一対の側部９１間の間隔は−Ｚ側から＋Ｚ側に向かうにしたがって広がっている。一対の側部９１の間隔は＋Ｚ側において基板Ｗの直径よりも広く、−Ｚ側において基板Ｗの直径よりも狭い。基板Ｗは＋Ｚ側からキャリアＣの内部空間に挿入される。そして各側部９１の内面の一部が基板Ｗの側面の一部と接触することにより、キャリアＣが基板Ｗを支持する。具体的には、基板Ｗの側面のうち−Ｚ側の一部が各側部９１の内面の一部に接触しており、これにより、一対の側部９１が基板ＷのキャリアＣ内におけるＸ軸方向およびＺ軸方向の位置を実質的に固定する。以下では、基板Ｗの側面と向かい合う側部９１の内面を対向面９１１と呼ぶ。
【００８３】
複数の仕切部９３は複数の基板Ｗの相互間において側部９１の対向面９１１から突出している。よって、各仕切部９３は２つの基板Ｗの間に位置する。仕切部９３は基板Ｗが起立姿勢で格納されるように、基板ＷのＹ軸方向における位置を規制する。
【００８４】
脚部９４はキャリアＣを載置するための部材であって、例えば側部９１の−Ｚ側の端部から−Ｚ側に向かって突起している。脚部９４の−Ｚ側の端部が貯留槽２の底部に接触することで、キャリアＣが貯留槽２内に載置される。
【００８５】
このキャリアＣにおいて、一対の側部９１はＸ軸方向において互いに離れており、一対の連結部９２はＹ軸方向において互いに離れている。よってキャリアＣの内部空間は＋Ｚ側の空間にも連通しており、また−Ｚ側の空間にも連通している。つまり、キャリアＣはその上部において、＋Ｚ側に開口する開口部９ａが形成され、その下部において−Ｚ側に開口する開口部９ｂが形成されている。複数の基板Ｗは開口部９ａを介してキャリアＣの内部に挿入される。複数の基板ＷがキャリアＣに格納された状態において、各基板Ｗの−Ｚ側の一部が開口部９ｂにおいてキャリアＣから露出している。つまり−Ｚ側から見て、基板Ｗの側面の一部が開口部９ｂから視認可能である。
【００８６】
＜突起支持部＞
図１２は、突起支持部８、キャリアＣおよび基板Ｗの位置関係を説明するための図である。図１２は、一つの基板Ｗを通る位置でのＺＸ断面が示されている。図９および図１２を参照して、突起支持部８は貯留槽２の底部から＋Ｚ側に突出している。突起支持部８は例えば石英または樹脂等によって形成され得る。この突起支持部８は、キャリアＣが貯留槽２の内部に載置された状態で、Ｚ軸方向において開口部９ｂと対向する領域内に配置される。突起支持部８の先端（＋Ｚ側の端部）はキャリアＣの開口部９ｂにおいて複数の基板Ｗの側面に当接し、複数の基板ＷをキャリアＣに対して浮かした状態で支持する。つまり、複数の基板Ｗが突起支持部８に支持された状態においては、基板Ｗは側部９１の対向面９１１から離間しており、キャリアＣはもはや複数の基板ＷをＺ軸方向において支持していない。ただし、基板Ｗの起立姿勢を維持できるように、この状態でも各仕切部９３は２つの基板Ｗの間に位置している。このような支持は、突起支持部８のＺ軸方向における高さを調整することで実現できる。
【００８７】
図９および図１２の例では、突起支持部８として一対の突起支持部８ａ，８ｂが設けられている。突起支持部８ａ，８ｂは、基板ＷのＸ軸方向における中心を挟む位置に配置されている。突起支持部８ａの先端は基板Ｗの中心よりも−Ｘ側にずれた位置で複数の基板Ｗの側面に当接し、突起支持部８ｂの先端は基板Ｗの中心よりも＋Ｘ側にずれた位置で複数の基板Ｗの側面に当接する。これにより、突起支持部８ａ，８ｂは基板ＷのＸ軸方向およびＺ軸方向における位置を固定することができる。突起支持部８ａ，８ｂは、突起支持部８ａおよび基板Ｗの接触位置と、突起支持部８ｂおよび基板Ｗの接触位置との間の距離が数十［ｍｍ］程度（例えば４０［ｍｍ］）となる位置に配置される。
【００８８】
また突起支持部８ａは一対の側部９１のいずれともＸ軸方向において離間しており、突起支持部８ｂは一対の側部９１のいずれともＸ軸方向において離間している。つまり、突起支持部８ａと−Ｘ側の側部９１（以下、側部９１ａとも呼ぶ）との間には間隙が形成されており、突起支持部８ｂと＋Ｘ側の側部９１（以下、側部９１ｂとも呼ぶ）との間にも間隙が形成されている。
【００８９】
この基板処理装置１０Ａにおいて、基板Ｗの側面と対向面９１１との間の空間はＺＸ平面においてキャリアＣの＋Ｚ側の開口部９ａに連通しつつ、−Ｚ側の開口部９ｂにも連通している。言い換えれば、当該空間は開口部９ａ，９ｂを繋げる。
【００９０】
基板処理装置１０Ａの動作は第１の実施の形態と同様であり、その具体的なフローチャートは図２と同一である。ただしステップＳ２において、キャリアＣが貯留槽２の内部へと＋Ｚ側から挿入されると、キャリアＣが貯留槽２の底部に載置される前に、突起支持部８の先端が複数の基板Ｗの側面に当接する。キャリアＣは引き続き−Ｚ側へと移動する一方で、複数の基板Ｗは突起支持部８に支持されるので−Ｚ側には移動しない。よって、複数の基板ＷはキャリアＣに対して浮いた状態で支持される。
【００９１】
この状態では、基板Ｗの側面と側部９１の対向面９１１との間の空間がＺＸ平面においてキャリアＣの開口部９ａ，９ｂを繋げる（図１２参照）。よって、ステップＳ４における処理液の排出時において、基板Ｗの側面と側部９１の対向面９１１との間の空間内の処理液は−Ｚ側に流れやすく、開口部９ｂを介して貯留槽２の底部から外部へと搬出しやすい。言い換えれば、基板Ｗの側面と側部９１の対向面９１１との間の空間において処理液の残留が生じにくい。
【００９２】
比較のために、基板Ｗの側面の一部が側部９１の対向面９１１と接している場合（図１０参照）について説明する。この場合、処理液の排出時には、基板Ｗの側面と対向面９１１との間の処理液が基板Ｗの側面と対向面９１１との接触箇所において残留しやすく、その処理液は適切に排出されにくい。このように基板Ｗの側面に処理液が残留すると、基板Ｗの乾燥に要する時間が長くなる。
【００９３】
またこの処理液の残留は仕切部９３と基板Ｗの主面との間の隙間Ｄ（図１１参照）が狭いほど生じやすい。例えば基板ＷのＹ軸方向における相互間の間隔は、基板Ｗの枚数にも依存する。キャリアＣのＹ軸方向における幅を増大させずに、基板Ｗの枚数を増大させると、基板Ｗの相互間の間隔を狭くする必要があり、これに伴って基板Ｗと仕切部９３との間の隙間Ｄも狭くなる。
【００９４】
本基板処理装置１０Ａによれば、基板ＷをキャリアＣに対して相対的に＋Ｚ側に移動させた状態（浮かせた状態）で支持できるので、基板Ｗの側面と対向面９１１との間の空間が開口部９ａ，９ｂを繋げる。これにより、当該空間内の処理液を開口部９ｂ側に流しやすく、処理液の残留が生じにくい。したがって、ステップＳ５の乾燥時間を短縮することができる。発明者は、基板処理装置１０Ａを採用することにより乾燥時間を約２／３にできることを確認した。
【００９５】
＜突起支持部の形状＞
図９および図１２の例では、突起支持部８は＋Ｚ側に向かうにしたがって先細となる先細形状を有している。これよれば、突起支持部８と基板Ｗの側面との接触面積を小さくすることができるので、この接触箇所における処理液の残留量も低減できる。この観点によれば、突起支持部８はＺＸ平面において点接触で基板Ｗと接触することが望ましい。また突起支持部８はＹ軸方向に沿って一様に延在しているとよい。これによれば、全ての基板Ｗの側面との接触面積を低減できる。
【００９６】
以下では、突起支持部８ａの先端部を形成する−Ｘ側の面および＋Ｘ側の面をそれぞれ先端面８１，８２と呼び、突起支持部８ｂの先端部を形成する−Ｘ側の面および＋Ｘ側の面をそれぞれ先端面８３，８４と呼ぶ。先端面８１，８２は例えば平面であって、その＋Ｚ側の端部において互いに連結されており、突起支持部８ａの先細形状を形成する。先端面８３，８４は例えば平面であって、その＋Ｚ側の端部において互いに連結されており、突起支持部８ｂの先細形状を形成する。
【００９７】
図１２の例では、基板Ｗの中心よりも−Ｘ側に位置する突起支持部８ａにおいて、−Ｘ側の先端面８１は＋Ｘ側の先端面８２よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部８ａにおいて先端面８２の傾斜は先端面８１の傾斜よりも緩やかである。
【００９８】
一方で、基板Ｗの中心に対して＋Ｘ側に位置する突起支持部８ｂにおいては、＋Ｘ側の先端面８４が−Ｘ側の先端面８３よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部８ｂにおいて先端面８３の傾斜は先端面８４の傾斜よりも緩やかである。
【００９９】
より具体的には、一対の突起支持部８の先端はＺＸ平面においてカッター刃と同様の形状を有しており、その頂点がＸ軸方向において両端に位置している。つまり、−Ｘ側の突起支持部８ａは、その頂点が−Ｘ側にずれたカッター刃形状を有しており、＋Ｘ側の突起支持部８ｂはその頂点が＋Ｘ側にずれたカッター刃形状を有している。
【０１００】
側部９１ａの対向面９１１と基板Ｗの側面との間の空間を通って流れる処理液は開口部９ｂにおいて突起支持部８ａへ向かって流れる。そして当該処理液は突起支持部８ａの先端面８１に当る。この突起支持部８ａの先端面８１はＺ軸方向に沿っているので、処理液は先端面８１に沿って−Ｚ側に流れやすい。したがって、当該処理液を排出しやすい。
【０１０１】
同様に、側部９１ｂの対向面９１１と基板Ｗとの間の空間を通って流れる処理液は開口部９ｂにおいて突起支持部８ｂへ向かって流れる。この処理液は突起支持部８ｂの先端面８４に当る。この突起支持部８ｂの先端面８４はＺ軸方向に沿っているので、処理液は先端面８４に沿って−Ｚ側へと流れやすい。したがって、当該処理液を排出しやすい。
【０１０２】
＜第１変形例＞
図１３は、突起支持部８の形状の他の一例を示す図である。図１３の例示では、基板Ｗの中心よりも−Ｘ側に位置する突起支持部８ａにおいて、＋Ｘ側の先端面８２が−Ｘ側の先端面８１よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部８ａにおいて先端面８１の傾斜が先端面８２の傾斜よりも緩やかである。同様に、基板Ｗの中心よりも＋Ｘ側に位置する突起支持部８ｂにおいて、−Ｘ側の先端面８３が＋Ｘ側の先端面８４よりもＺ軸方向に沿っている。逆に言えば、突起支持部８ｂにおいて先端面８４の傾斜が先端面８３の傾斜よりも緩やかである。
【０１０３】
これによれば、基板Ｗの中央部を下降する処理液が先端面８２及び先端面８３に沿って開口部９ｂに流れやすい。突起支持部８ａ，８ｂ間の距離が同一であれば、基板Ｗの径が小さくなると、開口部９ｂの全体から流出する処理液に対して、基板Ｗの中央部を下降する処理液の割合が大きくなるので、基板Ｗの径が小さくなるとこのような形状が有効である。
【０１０４】
突起支持部８ａと基板Ｗの側面とがなす角度として、先端面８１と基板Ｗの側面とがなす第１角度、および、先端面８２と基板Ｗの側面とがなす第２角度が存在する。第１角度および第２角度のうち一方の角度が小さくなりすぎると、その角度に対応する領域に処理液が残留しやすくなる。図１２の例では、第２角度が第１角度よりも小さくなっており、この第２角度が小さくなりすぎると、先端面８２と基板Ｗとの間の領域で処理液が残留しやすくなる。同様に、突起支持部８ｂと基板Ｗの側面とがなす角度として、先端面８３と基板Ｗの側面とがなす第３角度、および、先端面８４と基板Ｗの側面とがなす第４角度が存在する。図１２の例では、第３角度が第４角度よりも小さくなっており、この第３角度が小さくなりすぎると、先端面８３と基板Ｗとの間の領域で処理液が残留しやすくなる。
【０１０５】
図１２の構造において一対の突起支持部８の形状および位置を固定して考えると、先端面８２と基板Ｗの側面との間の第２角度は基板Ｗの径が小さいほど小さくなる。基板Ｗの径が小さいほど、先端面８２との接触位置における基板Ｗの接線が先端面８２に沿うからである。第２角度が小さくなると、基板Ｗの側面と先端面８２との間の領域において処理液が残留しやすくなる。同様に先端面８３と基板Ｗの側面との間の第３角度も基板Ｗの径が小さいほど小さくなる。この第３角度が小さくなると、基板Ｗの側面と先端面８３との間の領域において処理液が残留しやすくなる。もちろん、先端面８２，８３の傾斜をより急峻とすれば、これらの角度を増大できるものの、突起支持部８は鋭角になるほど摩耗しやすい。
【０１０６】
そこで、基板Ｗの径が小さい（例えば４インチ程度以下）場合には、突起支持部８ａ，８ｂは図１３の形状を有するとよい。この場合、第１角度から第４角度のいずれもある程度の大きさを有しているので、基板Ｗの側面と突起支持部８との間の領域に残留する処理液の量を効果的に低減することができる。
【０１０７】
＜第２変形例＞
図１４は、突起支持部８の形状の他の一例を示す図である。図１４の例示では、突起支持部８ａ，８ｂの各々の先端部はＺＸ平面において二等辺三角形の斜辺に沿う形状を有している。つまり、突起支持部８ａにおいて先端面８１，８２はＹＺ平面に関して互いに対称であり、突起支持部８ｂにおいて先端面８３，８４はＹＺ平面に関して互いに対称である。
【０１０８】
基板Ｗの径によっては、突起支持部８の形状をこのような二等辺三角形の形状にすることにより処理液が先端面の両側に均等に流れる場合があり有効である。
【０１０９】
また基板Ｗの径が大きいとき（例えば１２インチ以上）には、第１角度と第２角度とを互いに同程度に増大することができ、基板Ｗの側面と突起支持部８ａとの間の領域に残留する処理液の量を効果的に低減することができる。同様に、第３角度と第４角度とを互いに同程度に増大することができ、基板Ｗの側面と突起支持部８ｂとの間の領域に残留する処理液の量を効果的に低減することができる。
【０１１０】
なお基板処理装置１０Ａにおいて、吐出ノズル５１は必ずしも水平方向に沿って、または、水平方向よりも＋Ｚ側に向けて蒸気を吐出する必要は無い。例えば吐出ノズル５１は水平方向よりも−Ｚ側に向けて蒸気を吐出してもよい。この場合でも、突起支持部８による上記効果を毀損しないからである。
【０１１１】
上述した各種の態様は相互の組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１１２】
２  貯留槽
４  排出部
８ａ  第１突起支持部（突起支持部）
８ｂ  第２突起支持部（突起支持部）
１０，１０Ａ  基板処理装置
３１  第１吐出ノズル（吐出ノズル）
５１，５１ａ，５１ｂ  第２吐出ノズル（吐出ノズル）
６１，６１ａ，６１ｂ  第３吐出ノズル（吐出ノズル）
８１  第１先端面（先端面）
８２  第２先端面（先端面）
８３  第３先端面（先端面）
８４  第４先端面（先端面）
Ｃ  基板格納容器（キャリア）
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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