(57)【要約】【課題】蒸着マスクの撓みに起因する発光層の形成不良を防止した有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供すること。【解決手段】基板の上に複数の画素電極を形成し、前記複数の画素電極の上に、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上に、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記開口部を覆う発光層を形成し、前記発光層の上に、前記複数の画素電極に跨って共通電極を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際に重力の働く方向と交差する２つの辺が、前記重力の働く方向とは反対の方向に向かって円弧形状に湾曲している。【選択図】図３Ａ
2019160399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に複数の画素電極を形成し、
前記複数の画素電極の上に、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層を形成し、
前記有機絶縁層の上に、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記開口部を覆う発光層を形成し、
前記発光層の上に、前記複数の画素電極に跨って共通電極を形成する、
有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際に重力の働く方向と交差する２つの辺が、前記重力の働く方向とは反対の方向に向かって円弧形状に湾曲している、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際、自重により撓んだ状態で略矩形となる、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記蒸着マスクは、前記２つの辺と交差する他の２つの辺が、それぞれ直線状である、
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
基板の上に複数の画素電極を形成し、
前記複数の画素電極の上に、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層を形成し、
前記有機絶縁層の上に、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記開口部を覆う発光層を形成し、
前記発光層の上に、前記複数の画素電極に跨って共通電極を形成する、
有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際に重力の働く方向と交差する２つの辺のうち、第１辺の端点を第１端点及び第２端点としたとき、前記第１端点及び前記第２端点を除く前記第１辺の上の任意の点は、前記第１端点と前記第２端点とを結ぶ仮想直線よりも、前記重力の働く方向とは反対の方向に位置する、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記任意の点は、前記第１端点又は前記第２端点から離れるにつれて前記仮想直線から遠ざかる、
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記任意の点は、前記第１辺の中点において前記仮想直線から最も遠ざかる、
請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記２つの辺のうち、第１辺と異なる第２辺の端点を第３端点及び第４端点としたとき、前記第３端点及び前記第４端点を除く前記第２辺の上の任意の点は、前記第３端点と前記第４端点とを結ぶ仮想直線よりも、前記重力の働く方向とは反対の方向に位置する、
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記任意の点は、前記第３端点又は前記第４端点から離れるにつれて前記仮想直線から遠ざかる、
請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記任意の点は、前記第２辺の中点において前記仮想直線から最も遠ざかる、
請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記蒸着マスクは、前記２つの辺のいずれか一方又は両方に沿って配置され、前記２つの辺のいずれか一方又は両方の変形を制止する制止部材を含む、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記蒸着マスクは、複数の電鋳マスクを含むメインフレームと、前記メインフレームを溶接したマスクフレームとを含み、
前記マスクフレームと前記メインフレームとの溶接位置の数は、前記蒸着マスクの上辺側に比べて下辺側が多い、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記重力の働く方向は、前記蒸着マスクの上辺側から下辺側に向かう方向である、
請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光材料として有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）とカソード（陰極）の間に、有機ＥＬ材料で構成される発光層を設けた構造を有する。有機ＥＬ素子は、アノードとカソードとを用いて発光層に電流を流すことにより発光する。有機ＥＬ材料としては、高分子材料及び低分子材料のいずれを用いることも可能であるが、現在においては、低分子の有機ＥＬ材料を用いる方法が主流となっている。
【０００３】
低分子の有機ＥＬ材料を用いた発光層は、通常、蒸着法を用いて基板上に形成される。つまり、有機ＥＬ材料に対して熱を加えて蒸発させ、蒸発した有機ＥＬ材料を基板上に付着させることにより薄膜を形成する。このような蒸着装置の１つとして、蒸着装置内に基板を立てて配置する縦型蒸着装置が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。このような縦型蒸着装置は、大型基板を立てて処理することができるため、占有面積を小さくすることができるという点で有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−８４５４４号公報
【特許文献２】特開２０１４−７０２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の縦型蒸着装置を用いた場合、基板に合わせて、蒸着マスクも立てて配置する必要がある。このとき、基板の大型化に伴い蒸着マスクも大型になるため、自重による蒸着マスクの撓みが問題となり得る。
【０００６】
図１０Ａは、縦型蒸着装置に用いる蒸着マスク９５の一例を示す正面図である。蒸着マスク９５は、インバー材等で構成されるマスクフレーム９５ａに複数の電鋳マスク９５ｂを有する。電鋳マスク９５ｂは、電鋳で形成された金属膜で構成されるマスクであり、金属膜に複数の開口部を有している。各電鋳マスク９５ｂは、それぞれ１枚の有機ＥＬ表示装置に対応している。図１０Ａにおいて、電鋳マスク９５ｂは、１つの開口部のように見えるが、実際には、前述の複数の開口部が、有機ＥＬ表示装置の各画素の位置に対応して配置されている。
【０００７】
図１０Ｂは、縦型蒸着装置に用いる蒸着マスク９５を立てて配置した場合の一例を示す正面図である。図１０Ｂに示されるように、蒸着マスク９５の中央付近は、自重により下方（重力の働く方向）に撓む。その結果、図１０Ｂに示される蒸着マスク９５の上辺及び下辺は、角部に比べて中央付近が湾曲した状態となっている。
【０００８】
ここで、図１１Ａは、蒸着マスク９５に撓みが生じていない場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。図１１Ａには、赤色に発光する発光領域２０Ｒａ、緑色に発光する発光領域２０Ｇａ及び青色に発光する発光領域２０Ｂａが示されている。ここで、「発光領域」とは、画素のうち実際に発光する領域を指す。具体的には、後述する画素電極の上面のうち、バンクの内側に位置する領域を指す。
【０００９】
また、図１１Ａに示す例では、電鋳マスク９５ｂを構成する金属膜９５ｃに設けられた複数の開口部９５ｄが、発光領域２０Ｒａに対して位置合わせされている。したがって、図１１Ａに示される状態で赤色に発光する有機ＥＬ材料の蒸着を行えば、発光領域２０Ｒａに対して赤色に発光する発光層が形成される。
【００１０】
次に、図１１Ｂは、蒸着マスク９５に撓みが生じた場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す正面図である。この場合、自重による蒸着マスク９５の撓みによって開口部９５ｄの位置がＤ１方向の下方側（重力の働く方向）にずれてしまい、発光領域２０Ｒａと開口部９５ｄの位置が合わなくなってしまっている。その結果、図１１Ｂでは、赤色に発光する発光層が、発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａに跨って形成されてしまう場合がある。このような発光層の形成不良は、画素の混色の発生、又は、製造プロセスの歩留まりの低下の原因となる。
【００１１】
本発明の課題の一つは、蒸着マスクの撓みに起因する発光層の形成不良を防止した有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態は、基板の上に複数の画素電極を形成し、前記複数の画素電極の上に、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上に、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記開口部を覆う発光層を形成し、前記発光層の上に、前記複数の画素電極に跨って共通電極を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際に重力の働く方向と交差する２つの辺が、前記重力の働く方向とは反対の方向に向かって円弧形状に湾曲している。
【００１３】
本発明の一実施形態は、基板の上に複数の画素電極を形成し、前記複数の画素電極の上に、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層を形成し、前記有機絶縁層の上に、蒸着マスクを用いた蒸着法により前記開口部を覆う発光層を形成し、前記発光層の上に、前記複数の画素電極に跨って共通電極を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、前記発光層を形成する際に重力の働く方向と交差する２つの辺のうち、第１辺の端点を第１端点及び第２端点としたとき、前記第１端点及び前記第２端点を除く前記第１辺の上の任意の点は、前記第１端点と前記第２端点とを結ぶ仮想直線よりも、前記重力の働く方向とは反対の方向に位置する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図３Ａ】第１実施形態の蒸着マスクの一例を示す正面図である。
【図３Ｂ】第１実施形態の蒸着マスクを立てて配置した場合の一例を示す正面図である。
【図４Ａ】略矩形の蒸着マスクが自重により撓んだときの様子を説明するための図である。
【図４Ｂ】予め求めた撓み量と蒸着マスクの辺の位置との関係を説明するための図である。
【図４Ｃ】第１実施形態の縦型蒸着装置に用いる蒸着マスクの上辺及び下辺の位置関係を示す図である。
【図５】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図８Ａ】第２実施形態の蒸着マスクの一例を示す正面図である。
【図８Ｂ】第２実施形態の蒸着マスクを立てて配置した場合の一例を示す正面図である。
【図８Ｃ】第２実施形態の蒸着マスクに含まれる制止部材の構成を示す斜視図である。
【図９Ａ】第３実施形態の蒸着マスクを構成するメインフレーム及び電鋳マスクを示す正面図である。
【図９Ｂ】、第３実施形態の蒸着マスクを構成するマスクフレームを示す正面図である。
【図９Ｃ】第３実施形態の蒸着マスクを示す正面図である。
【図１０Ａ】縦型蒸着装置に用いる蒸着マスクの一例を示す正面図である。
【図１０Ｂ】縦型蒸着装置に用いる蒸着マスクを立てて配置した場合の一例を示す正面図である。
【図１１Ａ】蒸着マスクに撓みが生じていない場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。
【図１１Ｂ】蒸着マスクに撓みが生じた場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１６】
本明細書および特許請求の範囲において、「上」及び「下」とは、基板における発光素子が形成される側の面（以下、単に「表面」という。）を基準とした相対的な位置関係を指す。例えば、本明細書では、基板の表面から発光素子に向かう方向を「上」と言い、その逆の方向を「下」と定義する。また、本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１７】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の構成を示す平面図である。図１において、アレイ基板１０１は、支持基板（図示せず）の表面側に有機ＥＬ素子を含む複数の画素が形成された基板である。アレイ基板１０１は、アクティブマトリクス基板と呼ばれる場合もある。
【００１８】
アレイ基板１０１は、画素領域２０及び周辺領域２２を含む。画素領域２０には、有機ＥＬ素子を含む画素２０ａが複数配置される。具体的には、画素２０ａは、図１に示されるＤ１方向（列方向）及びＤ２方向（行方向）に並び、全体としてマトリクス状に配置される。周辺領域２２には、画素２０ａに信号を伝達する回路（例えば、シフトレジスタ回路など）が配置される。ただし、本実施形態において、周辺領域２２にどのような回路要素が配置されるかについては、特に制限はない。なお、画素領域２０には、実際に映像表示に寄与する画素だけでなく、映像表示に寄与しないダミー画素が設けられていてもよい。この場合、映像表示に寄与する画素が設けられた領域を表示領域と呼ぶ場合がある。
【００１９】
アレイ基板１０１は、周辺領域２２の一部として端子領域２４を含む。端子領域２４には、複数の配線が集約され、それらの配線に対してフレキシブルプリント回路基板２６が電気的に接続される。フレキシブルプリント回路基板２６を介して外部装置から伝達された信号（例えば映像信号）は、端子領域２４から延びる複数の配線を介して画素２０ａに伝達される。
【００２０】
本実施形態では、フレキシブルプリント回路基板２６に対してＩＣチップ等で構成される駆動回路２８が実装されている。駆動回路２８は、周辺領域２２に配置されたシフトレジスタ回路等に対してスタートパルスなどの制御信号を送ったり、映像信号に対して所定の信号処理を施したりする役割を有する。ただし、駆動回路２８は必須の構成ではなく、省略することも可能である。
【００２１】
次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００の画素２０ａの構成について説明する。図１に示した画素２０ａは、実際には、ＲＧＢの３つ色に対応した３つの副画素（サブピクセル）で構成される。しかしながら、ここでは説明の便宜上、１つの副画素について説明する。
【００２２】
図２は、第１実施形態における画素２０ａの構成を示す断面図である。図２において、支持基板２０１上には、下地膜２０２を介して薄膜トランジスタ５０が設けられている。本実施形態では、支持基板２０１としてガラス基板を用いるが、アクリル、ポリイミド等の樹脂材料で構成される基板を用いてもよい。下地膜２０２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いる。
【００２３】
薄膜トランジスタ５０は、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタである。しかし、これに限らず、どのようなタイプの薄膜トランジスタを設けてもよい。図２に示す薄膜トランジスタ５０は、有機ＥＬ素子６０に対して電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。また、本実施形態では、薄膜トランジスタ５０として、Ｎチャネル型トランジスタを用いる。なお、薄膜トランジスタ５０の構造は、公知の構造であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００２４】
薄膜トランジスタ５０には、保持容量５５が接続される。保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０を構成する、２つの導電膜とその間に設けられた絶縁膜とを利用して構成することができる。例えば、本実施形態の保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０の活性層を構成する半導体層、ゲート絶縁膜、及び容量電極（ゲート電極と同時に形成される電極）を用いて形成することができる。ただし、保持容量５５の構造は、これに限られるものではない。
【００２５】
薄膜トランジスタ５０は、有機絶縁膜１２０で覆われている。有機絶縁膜１２０は、薄膜トランジスタ５０の形状に起因する起伏を平坦化する平坦化膜として機能する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を含む絶縁膜を用いる。
【００２６】
有機絶縁膜１２０には、開口部１２２が設けられる。開口部１２２は、酸化物導電膜１２４で覆われる。本実施形態では、酸化物導電膜１２４として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｉｘｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｉｘｄｅ）等の金属酸化物材料で構成される薄膜をパターン化したものを用いる。しかし、これに限らず、他の酸化物導電膜を用いてもよい。酸化物導電膜１２４は、開口部１２２によって露出した薄膜トランジスタ５０の一部（具体的には、ソース電極）に接続されている。
【００２７】
さらに、有機絶縁膜１２０の上面には、酸化物導電膜１２４と同時に形成された酸化物導電膜を用いて保持容量５７の下部電極１２６が形成されている。下部電極１２６は、有機ＥＬ素子６０の下方に設けられている。後述するように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、上方に向かって光を出射する構成となっているため、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を利用して保持容量５７を形成することが可能である。
【００２８】
酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６の上には、無機絶縁膜１２８が設けられている。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を用いるが、これに限らず、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの他の無機絶縁膜を用いることもできる。無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０を露出させる開口部１３０ａが設けられている。開口部１３０ａは、水抜き領域６５として機能する。水抜き領域６５は、有機絶縁膜１２０を形成した後の加熱工程により有機絶縁膜１２０から発生した水分等を外部に逃がす役割を果たす。
【００２９】
無機絶縁膜１２８の上には、画素電極１３２が設けられる。画素電極１３２は、無機絶縁膜１２８に設けられた開口部１３０ｂを介して酸化物導電膜１２４に接続される。すなわち、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０に接続される。また、画素電極１３２は、保持容量５７の上部電極としても機能すると共に、有機ＥＬ素子６０の陽極（アノード電極）としても機能する。
【００３０】
本実施形態では、画素電極１３２として、酸化物導電膜で銀を含む層を挟んだ積層構造の導電膜を用いる。具体的には、画素電極１３２は、ＩＺＯ層、銀層及びＩＺＯ層で構成される。ただし、ＩＺＯ層に代えてＩＴＯ層を用いることも可能である。有機ＥＬ素子６０から発した光が上方に出射するように構成するためには、画素電極１３２は、反射性を有する導電膜を含むことが望ましい。そのため、本実施形態では、画素電極１３２の一部に、反射率の高い銀又は銀合金を含む金属材料で構成された層を用いている。
【００３１】
また、本実施形態では、保持容量５７の誘電体が他の絶縁膜に比べて誘電率の高い窒化シリコン膜であるため、大きな容量を確保しやすいという利点を有する。さらに、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を有効活用して配置することができるため、保持容量５７の占有面積を大きく確保しやすいという利点を有する。
【００３２】
画素電極１３２は、その一部が、有機材料で構成されるバンク１３４に覆われている。具体的には、バンク１３４は、画素電極１３２の端部を覆うと共に、画素電極１３２の上面の一部を露出させる開口部１３６を有している。このようにして露出した画素電極１３２の上面の一部（すなわち、画素電極１３２の上面のうち、バンク１３４の開口部１３６の内側に位置する領域）が、画素２０ａの実質的な発光領域となる。つまり、バンク１３４は、画素２０ａの発光領域を画定する役割を持つ。バンク１３４を構成する有機材料としては、感光性アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００３３】
画素電極１３２の上面のうちバンク１３４に重畳しない領域（すなわち、開口部１３６の内側の領域）には、発光層１３８が設けられる。本実施形態では、発光層１３８は、縦型蒸着装置を用いた蒸着法により有機ＥＬ材料を蒸着して形成する。発光層１３８は、例えば赤色、青色、緑色のいずれかに発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。なお、図２では、発光層１３８のみを図示しているが、その他に、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層及び／又は正孔ブロッキング層を設けることもできる。その際、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層といった機能層については、複数の画素にわたって設けられていてもよい。
【００３４】
発光層１３８の上には、１族元素又は２族元素を含む導電膜で構成される共通電極１４０が設けられる。このような導電膜としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）膜、リチウム（Ｌｉ）膜などを用いることができる。本実施形態では、２族元素を含む導電膜として、マグネシウムと銀の合金であるＭｇＡｇ膜を用いる。共通電極１４０は、有機ＥＬ素子６０の陰極（カソード電極）として機能する。また、共通電極１４０は、複数の画素にわたって設けられる。
【００３５】
発光層１３８からの出射光を上面側、つまり共通電極１４０側に取り出すトップエミッション型の表示装置とする場合、共通電極１４０には光に対する透過性が要求される。共通電極１４０として前述の１族元素又は２族元素を含む導電膜を用いる場合、光に対する透過性を付与するために、共通電極１４０の膜厚を出射光が透過する程度に薄くする。具体的には、共通電極１４０の膜厚を１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることで光に対する透過性を付与することができる。
【００３６】
上述の画素電極１３２、発光層１３８及び共通電極１４０によって有機ＥＬ素子６０が構成される。
【００３７】
共通電極１４０の上（つまり、有機ＥＬ素子６０の上）には、封止膜１４２が設けられる。本実施形態の封止膜１４２は、下方から順に、無機材料で構成される第１封止膜１４２ａ、有機材料で構成される第２封止膜１４２ｂ及び無機材料で構成される第３封止膜１４２ｃの三層で構成されている。これらの封止膜は、外部からの水分等の侵入を防ぎ、発光層１３８及び共通電極１４０の劣化を防ぐ役割を果たす。
【００３８】
本実施形態では、第１封止膜１４２ａ及び第３封止膜１４２ｃとして、窒化シリコン膜を用いる。しかし、これに限らず、窒化シリコン膜に代えて酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜を用いてもよい。つまり、第１封止膜１４２ａとしては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、特にシリコン窒化物を含む絶縁膜を用いることが好ましい。
【００３９】
また、第２封止膜１４２ｂとして、樹脂材料で構成された有機絶縁膜を用いる。本実施形態では、第２封止膜１４２ｂとして樹脂材料で構成される有機絶縁膜を用いることにより、バンク１３４により形成された起伏を平坦化することができる。第１封止膜１４２ａは、膜厚が１μｍ前後であるため、バンク１３４の傾斜面に沿って形成される。これに対し、第２封止膜１４２ｂは、１０μｍ前後の膜厚で形成されるため、バンク１３４に設けられた開口部１３６等の段差を十分に埋めることが可能である。したがって、第２封止膜１４２ｂとして有機絶縁膜を用いることにより、第１封止膜１４２ａの上面に生じた凹凸よりも、第２封止膜１４２ｂの上面に生じた凹凸を小さくすることができる。
【００４０】
＜蒸着マスクの構成＞
図３Ａは、第１実施形態の蒸着マスク７０の一例を示す正面図である。蒸着マスク７０は、インバー材等で構成されるマスクフレーム７０ａに複数の電鋳マスク７０ｂを有する。電鋳マスク７０ｂは、電鋳技術を用いて形成された金属膜で構成されるマスクであり、金属膜に複数の開口部を有している。各電鋳マスク７０ｂは、それぞれ１枚の有機ＥＬ表示装置に対応している。図３Ａにおいて、電鋳マスク７０ｂは、１つの開口部のように見えるが、実際には、前述の複数の開口部が、有機ＥＬ表示装置の各画素の位置に対応して配置されている。
【００４１】
図３Ａに示されるように、本実施形態の蒸着マスク７０は、Ｄ１方向と交差する２つの辺７１及び７２が、重力の働く方向とは反対の方向に向かって凸形状（具体的には、円弧形状）に湾曲した構成となっている。すなわち、蒸着マスク７０は、Ｄ１方向のうち、上方向（辺７２から辺７１に向かう方向）に向かって円弧形状に湾曲するように予め変形させてある。このとき、Ｄ１方向のうち、下方向（辺７１から辺７２に向かう方向）は、蒸着マスク７０に対して重力の働く方向である。ここで、「Ｄ１方向」とは、水平面に対して略垂直な方向である。
【００４２】
図３Ｂは、第１実施形態の蒸着マスク７０を立てて配置した場合の一例を示す正面図である。図３Ｂに示されるように、本実施形態の蒸着マスク７０は、自重により重力の働く方向に撓んだ状態において略矩形となるように設計されている。すなわち、本実施形態の蒸着マスク７０は、重力の働く方向に撓んだ状態において基板上の発光領域との位置合わせが可能となるように、予め予想される撓み量の分だけ重力の働く方向とは反対の方向に変形させてある。
【００４３】
蒸着マスク７０は、縦型蒸着装置に立てて配置した際、自重による撓みにより図３Ｂの矢印で示す方向に変形する。図３Ｂに示す一点鎖線７１’及び７２’は、図３Ａに示した辺７１及び７２が元々あった位置を示している。このように、本実施形態の蒸着マスク７０は、自重により撓んだ状態において正常に蒸着マスク７０として使用可能となる。
【００４４】
本実施形態の蒸着マスク７０は、Ｄ２方向に沿う任意の基準線上の複数の位置において自重による撓み量を予め求めておき、その撓み量の分だけ、蒸着マスクを重力の働く方向とは反対の方向に変形させることにより形成することができる。具体的には、略矩形の蒸着マスク（つまり、撓みの無い状態における蒸着マスク）の自重による撓み量をシミュレーションにより予め求めておけばよい。勿論、実際に実験を行って撓み量を予め求めておくことも可能である。ここで、「Ｄ２方向」とは、Ｄ１方向と交差する方向であり、例えば、Ｄ１方向と略直交する方向である。
【００４５】
図４Ａは、略矩形の蒸着マスク７５が自重により撓んだときの様子を説明するための図である。本実施形態では、まず、図４Ａに示されるように、Ｄ２方向に沿う辺７６上の複数の点について、自重によりマスクフレーム７５ａが撓んだ際の辺７６からのずれ量を撓み量として計算する。図４Ａでは、撓みが生じた場合に予想される辺７６の位置を、二点鎖線で示される仮想曲線７６’を用いて示している。このとき、図４Ａに示されるように、撓み量は、蒸着マスク７５の角部（すなわち、辺７６の端部）から次第に大きくなり、辺７６の中央で最大値となる。本実施形態では、上述の複数の点の位置を細かく設定するほど、撓んだ後の蒸着マスク７０を、より精度の高い矩形に近づけることが可能である。
【００４６】
図４Ｂは、予め求めた撓み量と蒸着マスク７０の辺の位置との関係を説明するための図である。撓みが生じていないと仮定した場合の理想的な蒸着マスクの辺の位置を二点鎖線で示される仮想直線７１’’としたとき、蒸着マスク７０の辺７１上の各点は、図４Ａで説明した撓み量の分だけ、仮想直線７１’’の上の各点よりも上方向（重力の働く方向とは反対の方向）に位置する。したがって、図４Ｂに示されるように、蒸着マスク７０の辺７１は、蒸着マスク７０の角部から次第に仮想直線７１’’から遠ざかり、辺７１の中央で仮想直線７１’’から最も遠ざかる。
【００４７】
このように、蒸着マスク７０の辺７１は、蒸着マスク７０の角部（すなわち、辺７１の端部）から辺７１の中央にわたって円弧を描く。この様子について図４Ｃを用いて説明する。図４Ｃは、第１実施形態の縦型蒸着装置に用いる蒸着マスク７０の上辺及び下辺の位置関係を示す図である。ここで、蒸着マスク７０の「上辺」とは、Ｄ１方向において交差する２つの辺のうち、重力の働く方向に対して上流側に位置する辺である。図４Ｃにおいて、蒸着マスク７０の「上辺」は、辺７１である。逆に、蒸着マスク７０の「下辺」とは、Ｄ１方向において交差する２つの辺のうち、重力の働く方向に対して下流側に位置する辺である。図４Ｃにおいて、蒸着マスク７０の「下辺」は、辺７２である。
【００４８】
ここで、上辺である辺７１の２つの端点のうち、一方の端点を第１端点７１ａ、他方の端点を第２端点７１ｂとする。また、下辺である辺７２の２つの端点のうち、一方の端点を第３端点７２ａ、他方の端点を第４端点７２ｂとする。このとき、図４Ｃに示されるように、辺７１上の任意の点７１ｃは、第１端点７１ａと第２端点７１ｂとを結ぶ仮想直線７３ａよりも上方向に位置する。また、辺７２上の任意の点７２ｃは、第３端点７２ａと第４端点７２ｂとを結ぶ仮想直線７３ｂよりも上方向に位置する。
【００４９】
換言すれば、蒸着マスク７０において、第１端点７１ａ、第２端点７１ｂ、第３端点７２ａ及び第４端点７２ｂを頂点とする仮想的な矩形に対し、任意の点７１ｃは、仮想的な矩形の外側に位置し、任意の点７２ｃは、仮想的な矩形の内側に位置する。本実施形態の蒸着マスク７０では、このような関係が、任意の点７１ｃ及び７２ｃが、それぞれ辺７１及び７２のどこに位置していても成立する。
【００５０】
なお、図４Ｃに示されるように、辺７１及び７２と交差する他の辺７４ａ及び７４ｂは、それぞれ直線状である。つまり、蒸着マスク７０を構成する各辺のうち、重力の働く方向に沿った辺７４ａ及び７４ｂは、発光層を形成する際の撓みを考慮しなくてよいため、予め湾曲させておく必要がない。
【００５１】
本実施形態では、任意の点７１ｃ及び７２ｃが、それぞれ辺７１及び７２の中央（中点）に位置する状態を示している。したがって、上述の関係を別の観点から説明すれば、辺７１は、辺７１の中点（この場合、点７１ｃ）と第１端点７１ａとを結ぶ円弧と、辺７１の中点（点７１ｃ）と第２端点７１ｂとを結ぶ円弧とで構成されていると言える。同様に、辺７２は、辺７２の中点（この場合、点７２ｃ）と第３端点７２ａとを結ぶ円弧と、辺７２の中点（点７２ｃ）と第４端点７２ｂとを結ぶ円弧とで構成されていると言える。
【００５２】
以上のように、本実施形態の蒸着マスク７０は、重力の働く方向とは反対の方向に向かって凸形状を有するように予め変形させてある。そのため、本実施形態の蒸着マスク７０を縦型蒸着装置の内部に立てて配置したとき、蒸着マスク７０が自重により撓み、その結果として略矩形状の蒸着マスク７０として使用可能となる。したがって、本実施形態によれば、蒸着マスク７０と基板との位置合わせを正確に行うことが可能となり、蒸着マスク７０の撓みに起因する発光層の形成不良を防止することができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、上辺である辺７１と下辺である辺７２が同じ撓み量で撓む例を示したが、これに限らず、辺７１と辺７２が異なる撓み量で撓むことを想定して蒸着マスク７０を設計してもよい。例えば、蒸着マスク７０は、辺７１が形成する円弧の曲率と辺７２が形成する円弧の曲率とが異なっていてもよい。蒸着マスク７０の自重は、上辺である辺７１よりも下辺である辺７２へ大きく掛かるので、下辺である辺７２の方が大きく撓む場合がある。したがって、下辺である辺７２の方を、上辺である辺７１よりも予め大きく変形させた構造にしてもよい。
【００５４】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。図５〜図７は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程を示す断面図である。
【００５５】
まず、図５に示されるように、支持基板２０１上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５の形成方法は、特に限定されず、公知の方法で形成することができる。支持基板２０１として、本実施形態ではガラス基板を用いるが、他の絶縁基板を用いてもよい。
【００５６】
なお、支持基板２０１として、樹脂材料で構成されるフレキシブル基板を用いる場合は、ガラス基板等の支持基板上にポリイミド等の樹脂膜を形成し、その樹脂膜の上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。そして、最終的に、図２に示した第１封止膜１４２ａ、第２封止膜１４２ｂ及び第３封止膜１４２ｃを形成した後に支持基板から樹脂膜を剥離すればよい。
【００５７】
本実施形態では、支持基板２０１上に下地膜２０２を設け、その上に半導体膜５０ａを形成する。次に、半導体膜５０ａを覆うゲート絶縁膜５０ｂを形成する。ゲート絶縁膜５０ｂを形成したら、ゲート絶縁膜５０ｂ上の、半導体膜５０ａと重畳する領域にゲート電極５０ｃを形成する。さらに、ゲート電極５０ｃの形成と同時に、保持容量５５の一部を構成する容量電極５０ｄを形成する。
【００５８】
次に、ゲート電極５０ｃ及び容量電極５０ｄを覆う絶縁膜５０ｅを形成し、その後、絶縁膜５０ｅに形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して半導体膜５０ａに接続されるソース電極５０ｆ及びドレイン電極５０ｇを形成する。このとき、ソース電極５０ｆは、平面視において容量電極５０ｄと重なるように形成される。こうして、支持基板２０１上に、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５が形成される。
【００５９】
次に、図６に示されるように、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成した後、有機絶縁膜１２０を形成する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０を構成する材料として、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂材料を用いる。より詳細には、有機絶縁膜１２０を構成するアクリル樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィにより開口部１２２を形成する領域を選択的に感光させてパターニングを行い、不要なアクリル樹脂材料を除去する。これにより、エッチング処理を行うことなく、開口部１２２を有する有機絶縁膜１２０を形成することができる。なお、図６に示されるように、開口部１２２は、薄膜トランジスタ５０の一部（具体的にはソース電極５０ｆ）を露出させるように形成される。
【００６０】
次に、開口部１２２を形成した後、開口部１２２を覆ってＩＴＯ等の金属酸化物材料で構成される酸化物導電膜１２４及び保持容量５７の下部電極１２６を形成する。酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６は、有機絶縁膜１２０を覆って形成されたＩＴＯ等の酸化物導電膜をフォトリソグラフィによりパターン化して形成する。このとき、酸化物導電膜１２４は、薄膜トランジスタ５０のソース電極５０ｆに対して電気的に接続される。下部電極１２６は、後に有機ＥＬ素子６０が形成される領域に設けられる。
【００６１】
次に、酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６を形成した後、無機絶縁膜１２８を形成する。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を形成する。また、無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０の一部を露出させる開口部１３０ａと、酸化物導電膜１２４の一部を露出させる開口部１３０ｂとが形成される。なお、無機絶縁膜１２８は、有機絶縁膜１２０から発生する水分が有機ＥＬ素子６０に影響を与えることを防ぐ保護膜として機能すると共に、保持容量５７を構成する誘電体としても機能する。
【００６２】
無機絶縁膜１２８に対して開口部１３０ａ及び開口部１３０ｂを形成した後、無機絶縁膜１２８の上に画素電極１３２を形成する。画素電極１３２は、ＩＺＯ薄膜、銀薄膜及びＩＺＯ薄膜で構成される積層構造を有する。画素電極１３２は、開口部１３０ｂの内側で酸化物導電膜１２４と電気的に接続される。換言すれば、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０と電気的に接続される。
【００６３】
このとき、開口部１３０ａの内側において、有機絶縁膜１２０が露出した領域は、図２に示した水抜き領域６５として機能する。つまり、開口部１３０ａを形成した以降に加熱処理があった場合に、有機絶縁膜１２０の内部で蒸発した水分は、水抜き領域６５を介して外部に放出される。
【００６４】
また、画素電極１３２を形成することにより、下部電極１２６、無機絶縁膜１２８及び画素電極１３２で構成される保持容量５７が形成される。本実施形態において、図示は省略するが、保持容量５７は、Ｎチャネル型トランジスタで構成された薄膜トランジスタ５０のゲート電極５０ｃとソース電極５０ｆとの間に配置される。すなわち、保持容量５７の一方の電極である下部電極１２６は、ゲート電極５０ｃに接続される。また、保持容量５７の他方の電極である画素電極１３２は、ソース電極５０ｆに接続される。
【００６５】
次に、画素電極１３２を形成した後、樹脂材料で構成されるバンク１３４を形成する。本実施形態では、バンク１３４を構成する材料として、感光性のアクリル樹脂材料を用いる。バンク１３４は、画素電極１３２の外縁を覆うと共に、画素電極１３２の上面の一部を露出させるようにパターニングされる。このパターニングにより形成される開口部１３６は、画素電極１３２の上面に、有機ＥＬ素子６０として機能する領域（発光領域）を画定する。
【００６６】
バンク１３４を形成したら、次に、発光層１３８を形成する。本実施形態では、発光層１３８の形成に縦型蒸着装置を用いた蒸着法を用い、画素ごとに分けて形成する。なお、発光層１３８以外の電子輸送層又は正孔輸送層などの機能層については、複数の画素に対して共通に設けてもよい。本実施形態において使用し得る発光層１３８については特に制限はなく、公知の材料を用いることが可能である。
【００６７】
本実施形態では、蒸着法による発光層１３８の形成に際して、図３Ａに示した蒸着マスク７０を用いる。図３に示されるように、蒸着マスク７０は、マスクフレーム７０ａに複数の電鋳マスク７０ｂを有する。マスクフレーム７０ａの材料としては、例えばインバー、炭素繊維強化プラスチック（Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ：ＣＦＰＲ）等を用いることができる。
【００６８】
特に、炭素繊維強化プラスチックは、線膨張係数及び比重がインバーよりも低く、ヤング率がインバーよりも高いため、マスクフレーム７０ａの材料として優れている。すなわち、炭素繊維強化プラスチックでマスクフレーム７０ａを構成することにより、インバーで構成するよりも蒸着マスク７０の撓みを低減することができる。また、炭素繊維強化プラスチックでマスクフレーム７０ａを形成した場合、金属メッキでコーティングすることが望ましい。これにより、減圧下（例えば蒸着時）における炭素繊維強化プラスチックからのアウトガスを減らすことができる。
【００６９】
本実施形態では、縦型蒸着装置による発光層１３８の形成に際して、図３Ａに示した蒸着マスク７０を用いるため、蒸着マスク７０が自重により撓んでも、蒸着マスク７０と基板との位置合わせを正確に行うことが可能である。その結果、本実施形態によれば、蒸着マスク７０の撓みに起因する発光層１３８の形成不良及び発光色の混色の問題を生じることなく、有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【００７０】
以上のように縦型蒸着装置を用いた蒸着法により発光層１３８を形成したら、図７に示されるように、共通電極１４０を形成する。本実施形態では、共通電極１４０としてマグネシウムと銀とを含む合金で構成された導電膜（ＭｇＡｇ膜）を用いる。このような２族元素を含む導電膜は、発光層１３８と同様に水分等に弱い。そのため、発光層１３８の蒸着と共通電極１４０の蒸着は、大気開放せずに行うことが望ましい。この場合、真空を維持したまま連続的に蒸着処理を行うことが好ましいが、これに限らず、窒素雰囲気等の不活性雰囲気を維持したままに連続的に蒸着処理を行うことも有効である。
【００７１】
この時点において、バンク１３４に設けられた開口部１３６の内側には、画素電極１３２、発光層１３８及び共通電極１４０で構成される有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００７２】
次に、窒化シリコン膜で構成される第１封止膜１４２ａ、樹脂材料で構成される第２封止膜１４２ｂ、及び窒化シリコン膜で構成される第３封止膜１４２ｃをこの順に積層して図２に示した構造を得る。このとき、第２封止膜１４２ｂは、バンク１３４に形成された開口部１３６に起因する起伏を平坦化することができる。
【００７３】
さらに、パーティクル等の異物が共通電極１４０の上に存在していたとしても、第２封止膜１４２ｂによって起伏を平坦化できるため、第２封止膜１４２ｂの上に形成される第３封止膜１４２ｃが異物の影響で剥がれたりカバレッジ不良を起こしたりする可能性を低減することができる。
【００７４】
（第２実施形態）
本実施形態では、蒸着マスクの撓み量に制限を設ける構成について図８Ａ及び図８Ｂを用いて説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の蒸着マスク７０と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００７５】
図８Ａは、第２実施形態の蒸着マスク８０の一例を示す正面図である。蒸着マスク８０は、インバー材等で構成されるマスクフレーム８０ａに複数の電鋳マスク８０ｂを有する。第１実施形態の蒸着マスク７０における電鋳マスク７０ｂと同様に、各電鋳マスク８０ｂはそれぞれ１枚の有機ＥＬ表示装置に対応している。また、蒸着マスク８０の辺８１及び辺８２は、いずれも重力の働く方向（辺８１から辺８２に向かう方向）とは反対の方向に向かって湾曲するように予め変形させてある。
【００７６】
ここで、本実施形態では、蒸着マスク８０の辺８１の中央付近に、制止部材８３が設けられている。制止部材８３の材料に特に制限はないが、蒸着マスク８０の材料よりも剛性の高い材料（具体的には、ヤング率が高い材料）を用いることが好ましい。例えば、蒸着マスク８０のマスクフレーム８０ａがインバーで構成されている場合、制止部材８３の材料としては、ステンレス又はＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）を用いることが好ましい。
【００７７】
本実施形態では、制止部材８３を全体としてＴ字形状とした例を示している。制止部材８３の第１部分８３ａは、直線状のバーである。第１部分８３ａは、蒸着マスク８０の辺８１が、重力の働く方向に向かって凸形状となることを防ぐストッパーとして機能する。制止部材８３の第２部分８３ｂは、制止部材８３を蒸着マスク８０に固定する役割を果たす。例えば、制止部材８３は、第１部分８３ａを蒸着マスク８０のマスクフレーム８０ａに溶接等を用いて固定することにより取り付けられる。
【００７８】
図８Ａに示されるように、本実施形態の蒸着マスク８０は、辺８１が重力の働く方向とは反対の方向に向かって湾曲するように予め変形させてある。具体的には、図４Ｃを用いて説明したように、辺８１は、蒸着マスク８０の角部（すなわち、辺８１の両端）から辺８１の中央にわたって円弧を描いている。したがって、蒸着マスク８０に撓みの無い状態において、制止部材８３の第１部分８３ａと辺８１は、第２部分８３ｂの近傍（本実施形態では、辺８１の中点付近）において互いに接し、辺８１の中点付近から蒸着マスク８０の角部に近づくにつれて徐々に離れる。
【００７９】
図８Ｂは、第２実施形態の蒸着マスク８０を立てて配置した場合の一例を示す正面図である。本実施形態の蒸着マスク８０は、縦型蒸着装置に立てて配置した場合、重力の働く方向（辺８１から辺８２に向かう方向）に撓み、中央付近を中心として全体的に変形する。その際、制止部材８３は、第２部分８３ｂにおいて蒸着マスク８０に固定されているため、蒸着マスク８０の中央付近が撓んで重力の働く方向に下がるのに伴って移動する。
【００８０】
そして、制止部材８３の第１部分８３ａ（具体的には、第１部分８３ａにおける、マスクフレーム８０ａの側面と向かい合う面）とマスクフレーム８０ａの側面８０ａ−１（図８Ｃ参照）が全体的に接すると、それ以上、蒸着マスク８０は変形しなくなる。つまり、直線状のバーである第１部分８３ａが、蒸着マスク８０の辺８１が重力の働く方向に向かって変形しないように機能する。その結果、縦型蒸着装置に設置された蒸着マスク８０は、略矩形の形状を維持した状態で使用可能となる。
【００８１】
図８Ｃは、第２実施形態の蒸着マスク８０に含まれる制止部材８３の構成を示す斜視図である。前述のとおり、本実施形態の蒸着マスク８０を縦型蒸着装置に設置すると、制止部材８３の第１部分８３ａは、第２部分８３ｂがマスクフレーム８０ａの表面８０ａ−２に固定されているため、蒸着マスク８０の撓みに伴って重力の働く方向に移動する。そして、図８Ｃに示されるように、第１部分８３ａの全体がマスクフレーム８０ａの側面８０ａ−１に当接したとき、第１部分８３ａがストッパーとなってマスクフレーム８０ａの撓みが制止される。なお、前述のとおり、制止部材８３の材料として、蒸着マスク８０の材料よりも剛性の高い材料を用いれば、制止部材８３は、より適切にストッパーとしての機能を果たすことができる。
【００８２】
以上のように、本実施形態では、蒸着マスク８０の辺８１及び辺８２を、重力の働く方向とは反対の方向に向かって湾曲するように予め変形させておくことに加えて、上辺である辺８１の中央付近に制止部材８３を配置する。本実施形態によれば、制止部材８３の機能により、マスクフレーム８０ａが過剰に撓んでしまうことを防ぐことができ、基板と蒸着マスク８０との位置合わせの精度を向上させることができる。
【００８３】
なお、本実施形態では、蒸着マスク８０の上辺である辺８１に制止部材８３を配置する例を示したが、下辺である辺８２に配置することも可能である。この場合、制止部材８３の第２部分８３ｂは、マスクフレーム８０ａに対して撓み量の分だけスライド可能にしておく。例えば、マスクフレーム８０ａに対して、重力の働く方向に撓み量の分の長さを有する長孔を設ける。そして、長孔の中を移動可能となるように挿通したボルト等の固定具を用いて、マスクフレーム８０ａと第２部分８３ｂを結合すればよい。
注）請求項１０に「２つの辺のいずれか一方又は両方」と書く都合上、下辺に設けた場合についても実施可能要件を満たす程度に実施形態を記載しておく必要があると考えて、構成例を考えてみました。上辺とまったく同じ構造では機能しないと思われ、おそらく可動式に結合しないと難しいのではないかと思います。発明者様にご検討頂き、実施できるレベルになければご指摘下さい。その場合、段落［００８３］の実施形態を削除した上で、請求項１０も書き直す必要があります。
【００８４】
このように、制止部材８３は、辺８１及び辺８２のいずれか一方又は両方に配置することができる。これにより、辺８１及び辺８２のいずれか一方又は両方の変形を制止することができる。
【００８５】
（第３実施形態）
本実施形態では、蒸着マスクの構造を第１実施形態とは異なる構造とした例について図９Ａ〜図９Ｃを用いて説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の蒸着マスク７０と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００８６】
図９Ａは、第３実施形態の蒸着マスク９０を構成するメインフレーム９１及び電鋳マスク９０ｂを示す正面図である。図９Ｂは、第３実施形態の蒸着マスク９０を構成するマスクフレーム９０ａを示す正面図である。図９Ｃは、第３実施形態の蒸着マスク９０を示す正面図である。なお、図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、説明の便宜上、外形を略矩形として説明するが、実際には、第１実施形態で説明したように、重力の働く方向とは反対の方向に予め変形させてある。
【００８７】
図９Ａにおいて、複数の電鋳マスク９０ｂは、それぞれメインフレーム９１に対してそれぞれ固着されている。メインフレーム９１は、複数の開口部９２を有している。図９Ａに示されるように、複数の電鋳マスク９０ｂは、それぞれ複数の開口部９２を覆うように配置される。
【００８８】
メインフレーム９１は、例えばインバー、ステンレス、ＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）から選択された材料で構成することができる。本実施形態では、メインフレーム９１の材料としてインバーを用いる。本実施形態では、複数の電鋳マスク９０ｂは、メッキによりメインフレーム９１に固着される。しかし、これに限らず、他の方法によって電鋳マスク９０ｂをメインフレーム９１に取り付けてもよい。
【００８９】
図９Ｂに示されるように、本実施形態のマスクフレーム９０ａは、４つの開口部９３を有する。ただし、開口部９３の数は、４つに限る必要はなく、任意の数とすることが可能である。マスクフレーム９０ａは、例えばインバー、ステンレス、ＣＦＲＰ（炭素繊維強化プラスチック）から選択された材料で構成することができる。
【００９０】
図９Ｃに示されるように、本実施形態の蒸着マスク９０は、マスクフレーム９０ａに対してメインフレーム９１を固着して形成される。これらのメインフレーム９１は、それぞれマスクフレーム９０ａに設けられた複数の開口部９３を覆うように配置される。本実施形態では、マスクフレーム９０ａに対して４枚のメインフレーム９１が、溶接により固着される。また、本実施形態では、１つのメインフレーム９１に対して９枚の電鋳マスク９０ｂが固着されているため、全体として、蒸着マスク９０は、３６枚の電鋳マスク９０ｂを備える。
【００９１】
図９Ｃに示されるように、マスクフレーム９０ａに対するメインフレーム９１の溶接は、複数の位置で行われる。基本的には、溶接位置９４は、メインフレーム９１の枠部分９１ａの延長線上に設定される。枠部分９１ａの延長線上は、他の部分に比べて強度が高いため、溶接に適しているからである。
【００９２】
また、本実施形態では、上辺側（辺９０ａ−１に近い側）に配置する溶接位置９４に比べて下辺側（辺９０ａ−２近い側）に配置する溶接位置９４の方が多い。重力の働く方向（すなわち、辺９０ａ−１から辺９０ａ−２に向かう方向）に蒸着マスク９０は撓むため、下辺側において、強固に溶接しておく方が望ましいからである。
【００９３】
以上のように、本実施形態の蒸着マスク９０は、複数の電鋳マスク９０ｂを備えたメインフレーム９１を複数用意しておき、それらをマスクフレーム９０ａに対して溶接することにより形成されている。その際、本実施形態では、使用時において蒸着マスク９０が自重により撓むことを想定し、溶接位置９４の数をマスクフレーム９０ａの上辺側と下辺側とで異ならせている。具体的には、前述の溶接位置９４を、マスクフレーム９０ａの上辺側に比べて下辺側に多く配置することにより、蒸着マスク９０の強度を向上させる構成となっている。
注）第３実施形態については、溶接の話を出す都合上、提案書の記載に倣って「メインフレーム」と「マスクフレーム」を登場させました（打合せの際、「サポート」については記載しないようにとのご指示がありました。）。問題があるようであればご指摘下さい。
【００９４】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の蒸着マスクを基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９５】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９６】
２０…画素領域、２０ａ…画素、２０Ｒａ、２０Ｇａ、２０Ｂａ、２０Ｒｂ、２０Ｇｂ、２０Ｂｂ…発光領域、２２…周辺領域、２４…端子領域、２６…フレキシブルプリント回路基板、２８…駆動回路、５０…薄膜トランジスタ、５０ａ…半導体膜、５０ｂ…ゲート絶縁膜、５０ｃ…ゲート電極、５０ｄ…容量電極、５０ｅ…絶縁膜、５０ｆ…ソース電極、５０ｇ…ドレイン電極、５５、５７…保持容量、６０…有機ＥＬ素子、６５…水抜き領域、７０、８０、９０、９５…蒸着マスク、７０ａ、８０ａ、９０ａ、９５ａ…マスクフレーム、７０ｂ、８０ｂ、９０ｂ、９５ｂ…電鋳マスク、８３…制止部材、９５ｃ…金属膜、９５ｄ…開口部、１００…表示装置、１０１…アレイ基板、１２０…有機絶縁膜、１２２…開口部、１２４…酸化物導電膜、１２６…下部電極、１２８…無機絶縁膜、１３０ａ、１３０ｂ…開口部、１３２、１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ…画素電極、１３４…バンク１３４…開口部、１３８、１３８Ｒ、１３８Ｇ、１３８Ｂ…発光層、１４０…共通電極、１４２…封止膜、１４２ａ…第１封止膜、１４２ｂ…第２封止膜、１４２ｃ…第３封止膜、２０１…支持基板、２０２…下地膜
【図１】
2019160399.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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