(57)【要約】【課題】蒸着マスクの撓みに起因する発光層の形成不良を防止した有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に設けられ、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に設けられ、前記開口部を覆う発光層と、前記発光層の上に設けられ、前記複数の画素電極に跨って設けられた共通電極と、を備え、平面視において、前記画素電極のうち前記開口部の内側に位置する領域を発光領域とするとき、第１方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ１は、前記第１方向と交差する第２方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ２よりも長い。【選択図】図３
2019160393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上に設けられ、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上に設けられ、前記開口部を覆う発光層と、
前記発光層の上に設けられ、前記複数の画素電極に跨って設けられた共通電極と、
を備え、
平面視において、前記画素電極のうち前記開口部の内側に位置する領域を発光領域とするとき、第１方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ１は、前記第１方向と交差する第２方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ２よりも長い、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素電極は、第１画素電極と、前記第１方向において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極と、前記第１画素電極の前記第２画素電極とは反対側で前記第１画素電極と隣接する第３画素電極とを含み、
前記発光層は、前記第１画素電極と対向すると共に、前記有機絶縁層と重なる第１発光層を含み、
平面視において、前記第１画素電極から前記第２画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ１は、前記第１画素電極から前記第３画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ２よりも長い、
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上に設けられ、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上に設けられ、前記開口部を覆う発光層と、
前記発光層の上に設けられ、前記複数の画素電極に跨って設けられた共通電極と、
を備え、
前記複数の画素電極は、第１画素電極と、第１方向において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極と、前記第１画素電極の前記第２画素電極とは反対側で前記第１画素電極と隣接する第３画素電極とを含み、
前記発光層は、前記第１画素電極と対向すると共に、前記有機絶縁層と重なる第１発光層を含み、
平面視において、前記画素電極のうち前記開口部の内側に位置する領域を発光領域とするとき、前記第１画素電極から前記第２画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ１は、前記第１画素電極から前記第３画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ２よりも長い、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
さらに、前記複数の画素電極は、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１画素電極と隣接する第４画素電極と、前記第１画素電極の前記第４画素電極とは反対側で前記第１画素電極と隣接する第５画素電極とを含み、
平面視において、前記第１画素電極から前記第４画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ３及び前記第１画素電極から前記第５画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ４は、前記距離ｄ１よりも短い、
請求項２又は３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
平面視において、前記距離ｄ３と前記距離ｄ４とは略等しい、
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
平面視において、前記距離ｄ３及び前記距離ｄ４は、前記距離ｄ２と略等しい、
請求項４又は５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記第１発光層の発光色と、前記第２画素電極又は前記第３画素電極の上に設けられた発光層の発光色とが異なる、
請求項２乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記第１発光層の発光色と、前記第４画素電極又は前記第５画素電極の上に設けられた発光層の発光色とが異なる、
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記第２画素電極の上に設けられた発光層の発光色と、前記第３画素電極の上に設けられた発光層の発光色とが同じである、
請求項２乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記第４画素電極の上に設けられた発光層の発光色と、前記第５画素電極の上に設けられた発光層の発光色とが同じである、
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光材料として有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）材料を用いた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置が備える有機ＥＬ素子は、アノード（陽極）とカソード（陰極）の間に、有機ＥＬ材料で構成される発光層を設けた構造を有する。有機ＥＬ素子は、アノードとカソードとを用いて発光層に電流を流すことにより発光する。有機ＥＬ材料としては、高分子材料及び低分子材料のいずれを用いることも可能であるが、現在においては、低分子の有機ＥＬ材料を用いる方法が主流となっている。
【０００３】
低分子の有機ＥＬ材料を用いた発光層は、通常、蒸着法を用いて基板上に形成される。つまり、有機ＥＬ材料に対して熱を加えて蒸発させ、蒸発した有機ＥＬ材料を基板上に付着させることにより薄膜を形成する。このような蒸着装置の１つとして、蒸着装置内に基板を立てて配置する縦型蒸着装置が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。このような縦型蒸着装置は、大型基板を立てて処理することができるため、占有面積を小さくすることができるという点で有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−８４５４４号公報
【特許文献２】特開２０１４−７０２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の縦型蒸着装置を用いた場合、基板に合わせて、蒸着マスクも立てて配置する必要がある。このとき、基板の大型化に伴い蒸着マスクも大型になるため、自重による蒸着マスクの撓みが問題となり得る。
【０００６】
図１２Ａは、縦型蒸着装置に用いる蒸着マスク８０の一例を示す正面図である。蒸着マスク８０は、インバー材等で構成されるマスクフレーム８０ａに複数の電鋳マスク８０ｂを有する。電鋳マスク８０ｂは、電鋳で形成された金属膜で構成されるマスクであり、金属膜に複数の開口部を有している。各電鋳マスク８０ｂは、それぞれ１枚の有機ＥＬ表示装置に対応している。図１２Ａにおいて、電鋳マスク８０ｂは、１つの開口部のように見えるが、実際には、前述の複数の開口部が、有機ＥＬ表示装置の各画素の位置に対応して配置されている。
【０００７】
図１２Ｂは、縦型蒸着装置に用いる蒸着マスク８０を立てて配置した場合の一例を示す正面図である。図１２Ｂに示されるように、蒸着マスク８０の中央付近は、自重により下方（重力の働く方向）に撓む。その結果、図１２Ｂに示される蒸着マスク８０の上辺及び下辺は、角部に比べて中央付近が湾曲した状態となっている。
【０００８】
ここで、図１３Ａは、蒸着マスク８０に撓みが生じていない場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。図１３Ａには、赤色に発光する発光領域２０Ｒａ、緑色に発光する発光領域２０Ｇａ及び青色に発光する発光領域２０Ｂａが示されている。ここで、「発光領域」とは、画素のうち実際に発光する領域を指す。具体的には、後述する画素電極の上面のうち、バンクの内側に位置する領域を指す。
【０００９】
また、図１３Ａに示す例では、電鋳マスク８０ｂを構成する金属膜８０ｃに設けられた複数の開口部８０ｄが、発光領域２０Ｒａに対して位置合わせされている。したがって、図１３Ａに示される状態で赤色に発光する有機ＥＬ材料の蒸着を行えば、発光領域２０Ｒａに対して赤色に発光する発光層が形成される。
【００１０】
次に、図１３Ｂは、蒸着マスク８０に撓みが生じた場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。この場合、自重による蒸着マスク８０の撓みによって開口部８０ｄの位置がＤ１方向の下方側（重力の働く方向）にずれてしまい、発光領域２０Ｒａと開口部８０ｄの位置が合わなくなってしまっている。その結果、図１３Ｂでは、赤色に発光する発光層が、発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａに跨って形成されてしまう場合がある。このような発光層の形成不良は、画素の混色の発生、又は、製造プロセスの歩留まりの低下の原因となる。
【００１１】
本発明の課題の一つは、蒸着マスクの撓みに起因する発光層の形成不良を防止した有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態における有機ＥＬ表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に設けられ、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に設けられ、前記開口部を覆う発光層と、前記発光層の上に設けられ、前記複数の画素電極に跨って設けられた共通電極と、を備え、平面視において、前記画素電極のうち前記開口部の内側に位置する領域を発光領域とするとき、第１方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ１は、前記第１方向と交差する第２方向において隣接する前記発光領域の間の距離Ｌ２よりも長い。
【００１３】
本発明の一実施形態における有機ＥＬ表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上に設けられ、平面視において前記複数の画素電極それぞれの上面の一部と重なる位置に開口部を有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の上に設けられ、前記開口部を覆う発光層と、前記発光層の上に設けられ、前記複数の画素電極に跨って設けられた共通電極と、を備え、前記複数の画素電極は、第１画素電極と、第１方向において前記第１画素電極と隣接する第２画素電極と、前記第１画素電極の前記第２画素電極とは反対側で前記第１画素電極と隣接する第３画素電極とを含み、前記発光層は、前記第１画素電極と対向すると共に、前記有機絶縁層と重なる第１発光層を含み、平面視において、前記画素電極のうち前記開口部の内側に位置する領域を発光領域とするとき、前記第１画素電極から前記第２画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ１は、前記第１画素電極から前記第３画素電極に向かう方向における前記第１画素電極の前記発光領域と前記第１発光層の端との間の距離ｄ２よりも長い。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を示す平面図である。
【図２】第１実施形態における画素の構成を示す断面図である。
【図３】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置における画素の構成を示す平面図である。
【図４】図３に示される表示領域を、Ｄ１方向に沿った一点鎖線ＩＶ−ＩＶで切断した断面図である。
【図５】図３に示される表示領域を、Ｄ２方向に沿った一点鎖線Ｖ−Ｖで切断した断面図である。
【図６】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置における表示領域の一部を拡大した平面図である。
【図７】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図９Ａ】第１実施形態の蒸着マスクの一例を示す正面図である。
【図９Ｂ】蒸着法を用いて発光層（具体的には、赤色に発光する発光層）を形成する様子を示す平面図である。
【図９Ｃ】蒸着法を用いて発光層（具体的には、赤色に発光する発光層）を形成する様子を示す平面図である。
【図１０】第１実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１１Ａ】第２実施形態の有機ＥＬ表示装置における画素の構成を示す平面図である。
【図１１Ｂ】第２実施形態の有機ＥＬ表示装置における画素の構成を示す平面図である。
【図１２Ａ】縦型蒸着装置に用いる蒸着マスクの一例を示す正面図である。
【図１２Ｂ】縦型蒸着装置に用いる蒸着マスクを立てて配置した場合の一例を示す正面図である。
【図１３Ａ】蒸着マスクに撓みが生じていない場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。
【図１３Ｂ】蒸着マスクに撓みが生じた場合における蒸着マスクの位置合わせの様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１６】
本明細書および特許請求の範囲において、「上」及び「下」とは、基板における発光素子が形成される側の面（以下、単に「表面」という。）を基準とした相対的な位置関係を指す。例えば、本明細書では、基板の表面から発光素子に向かう方向を「上」と言い、その逆の方向を「下」と定義する。また、本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１７】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ表示装置の構成＞
図１は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の構成を示す平面図である。図１において、アレイ基板１０１は、支持基板（図示せず）の表面側に有機ＥＬ素子を含む複数の画素が形成された基板である。アレイ基板１０１は、アクティブマトリクス基板と呼ばれる場合もある。
【００１８】
アレイ基板１０１は、画素領域２０及び周辺領域２２を含む。画素領域２０には、有機ＥＬ素子を含む画素２０ａが複数配置される。具体的には、画素２０ａは、図１に示されるＤ１方向（列方向）及びＤ２方向（行方向）に並び、全体としてマトリクス状に配置される。周辺領域２２には、画素２０ａに信号を伝達する回路（例えば、シフトレジスタ回路など）が配置される。ただし、本実施形態において、周辺領域２２にどのような回路要素が配置されるかについては、特に制限はない。なお、画素領域２０には、実際に映像表示に寄与する画素だけでなく、映像表示に寄与しないダミー画素が設けられていてもよい。この場合、映像表示に寄与する画素が設けられた領域を表示領域と呼ぶ場合がある。
【００１９】
アレイ基板１０１は、周辺領域２２の一部として端子領域２４を含む。端子領域２４には、複数の配線が集約され、それらの配線に対してフレキシブルプリント回路基板２６が電気的に接続される。フレキシブルプリント回路基板２６を介して外部装置から伝達された信号（例えば映像信号）は、端子領域２４から延びる複数の配線を介して画素２０ａに伝達される。
【００２０】
本実施形態では、フレキシブルプリント回路基板２６に対してＩＣチップ等で構成される駆動回路２８が実装されている。駆動回路２８は、周辺領域２２に配置されたシフトレジスタ回路等に対してスタートパルスなどの制御信号を送ったり、映像信号に対して所定の信号処理を施したりする役割を有する。ただし、駆動回路２８は必須の構成ではなく、省略することも可能である。
【００２１】
次に、本実施形態における有機ＥＬ表示装置１００の画素２０ａの構成について説明する。図１に示した画素２０ａは、実際には、ＲＧＢの３つ色に対応した３つの副画素（サブピクセル）で構成される。しかしながら、ここでは説明の便宜上、１つの副画素について説明する。
【００２２】
図２は、第１実施形態における画素２０ａの構成を示す断面図である。図２において、支持基板２０１上には、下地膜２０２を介して薄膜トランジスタ５０が設けられている。本実施形態では、支持基板２０１としてガラス基板を用いるが、アクリル、ポリイミド等の樹脂材料で構成される基板を用いてもよい。下地膜２０２としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いる。
【００２３】
薄膜トランジスタ５０は、いわゆるトップゲート型の薄膜トランジスタである。しかし、これに限らず、どのようなタイプの薄膜トランジスタを設けてもよい。図２に示す薄膜トランジスタ５０は、有機ＥＬ素子６０に対して電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。また、本実施形態では、薄膜トランジスタ５０として、Ｎチャネル型トランジスタを用いる。なお、薄膜トランジスタ５０の構造は、公知の構造であるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００２４】
薄膜トランジスタ５０には、保持容量５５が接続される。保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０を構成する、２つの導電膜とその間に設けられた絶縁膜とを利用して構成することができる。例えば、本実施形態の保持容量５５は、薄膜トランジスタ５０の活性層を構成する半導体層、ゲート絶縁膜、及び容量電極（ゲート電極と同時に形成される電極）を用いて形成することができる。ただし、保持容量５５の構造は、これに限られるものではない。
【００２５】
薄膜トランジスタ５０は、有機絶縁膜１２０で覆われている。有機絶縁膜１２０は、薄膜トランジスタ５０の形状に起因する起伏を平坦化する平坦化膜として機能する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を含む絶縁膜を用いる。
【００２６】
有機絶縁膜１２０には、開口部１２２が設けられる。開口部１２２は、酸化物導電膜１２４で覆われる。本実施形態では、酸化物導電膜１２４として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｉｘｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｉｘｄｅ）等の金属酸化物材料で構成される薄膜をパターン化したものを用いる。しかし、これに限らず、他の酸化物導電膜を用いてもよい。酸化物導電膜１２４は、開口部１２２によって露出した薄膜トランジスタ５０の一部（具体的には、ソース電極）に接続されている。
【００２７】
さらに、有機絶縁膜１２０の上面には、酸化物導電膜１２４と同時に形成された酸化物導電膜を用いて保持容量５７の下部電極１２６が形成されている。下部電極１２６は、有機ＥＬ素子６０の下方に設けられている。後述するように、本実施形態の有機ＥＬ素子６０は、上方に向かって光を出射する構成となっているため、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を利用して保持容量５７を形成することが可能である。
【００２８】
酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６の上には、無機絶縁膜１２８が設けられている。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を用いるが、これに限らず、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの他の無機絶縁膜を用いることもできる。無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０を露出させる開口部１３０ａが設けられている。開口部１３０ａは、水抜き領域６５として機能する。水抜き領域６５は、有機絶縁膜１２０を形成した後の加熱工程により有機絶縁膜１２０から発生した水分等を外部に逃がす役割を果たす。
【００２９】
無機絶縁膜１２８の上には、画素電極１３２が設けられる。画素電極１３２は、無機絶縁膜１２８に設けられた開口部１３０ｂを介して酸化物導電膜１２４に接続される。すなわち、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０に接続される。また、画素電極１３２は、保持容量５７の上部電極としても機能すると共に、有機ＥＬ素子６０の陽極（アノード電極）としても機能する。
【００３０】
本実施形態では、画素電極１３２として、酸化物導電膜で銀を含む層を挟んだ積層構造の導電膜を用いる。具体的には、画素電極１３２は、ＩＺＯ層、銀層及びＩＺＯ層で構成される。ただし、ＩＺＯ層に代えてＩＴＯ層を用いることも可能である。有機ＥＬ素子６０から発した光が上方に出射するように構成するためには、画素電極１３２は、反射性を有する導電膜を含むことが望ましい。そのため、本実施形態では、画素電極１３２の一部に、反射率の高い銀又は銀合金を含む金属材料で構成された層を用いている。
【００３１】
また、本実施形態では、保持容量５７の誘電体が他の絶縁膜に比べて誘電率の高い窒化シリコン膜であるため、大きな容量を確保しやすいという利点を有する。さらに、有機ＥＬ素子６０の下方の空間を有効活用して配置することができるため、保持容量５７の占有面積を大きく確保しやすいという利点を有する。
【００３２】
画素電極１３２は、その一部が、有機材料で構成されるバンク１３４に覆われている。具体的には、バンク１３４は、画素電極１３２の端部を覆うと共に、画素電極１３２の上面の一部を露出させる開口部１３６を有している。このようにして露出した画素電極１３２の上面の一部（すなわち、画素電極１３２の上面のうち、バンク１３４の開口部１３６の内側に位置する領域）が、画素２０ａの実質的な発光領域となる。つまり、バンク１３４は、画素２０ａの発光領域を画定する役割を持つ。バンク１３４を構成する有機材料としては、感光性アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の樹脂材料を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００３３】
画素電極１３２の上面のうちバンク１３４に重畳しない領域（すなわち、開口部１３６の内側の領域）には、発光層１３８が設けられる。本実施形態では、発光層１３８は、縦型蒸着装置を用いた蒸着法により有機ＥＬ材料を蒸着して形成する。発光層１３８は、例えば赤色、青色、緑色のいずれかに発光する有機ＥＬ材料を用いることができる。なお、図２では、発光層１３８のみを図示しているが、その他に、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層及び／又は正孔ブロッキング層を設けることもできる。その際、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層といった機能層については、複数の画素にわたって設けられていてもよい。
【００３４】
発光層１３８の上には、１族元素又は２族元素を含む導電膜で構成される共通電極１４０が設けられる。このような導電膜としては、例えばマグネシウム（Ｍｇ）膜、リチウム（Ｌｉ）膜などを用いることができる。本実施形態では、２族元素を含む導電膜として、マグネシウムと銀の合金であるＭｇＡｇ膜を用いる。共通電極１４０は、有機ＥＬ素子６０の陰極（カソード電極）として機能する。また、共通電極１４０は、複数の画素にわたって設けられる。
【００３５】
発光層１３８からの出射光を上面側、つまり共通電極１４０側に取り出すトップエミッション型の表示装置とする場合、共通電極１４０には光に対する透過性が要求される。共通電極１４０として前述の１族元素又は２族元素を含む導電膜を用いる場合、光に対する透過性を付与するために、共通電極１４０の膜厚を出射光が透過する程度に薄くする。具体的には、共通電極１４０の膜厚を１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることで光に対する透過性を付与することができる。
【００３６】
上述の画素電極１３２、発光層１３８及び共通電極１４０によって有機ＥＬ素子６０が構成される。
【００３７】
共通電極１４０の上（つまり、有機ＥＬ素子６０の上）には、封止膜１４２が設けられる。本実施形態の封止膜１４２は、下方から順に、無機材料で構成される第１封止膜１４２ａ、有機材料で構成される第２封止膜１４２ｂ及び無機材料で構成される第３封止膜１４２ｃの三層で構成されている。これらの封止膜は、外部からの水分等の侵入を防ぎ、発光層１３８及び共通電極１４０の劣化を防ぐ役割を果たす。
【００３８】
本実施形態では、第１封止膜１４２ａ及び第３封止膜１４２ｃとして、窒化シリコン膜を用いる。しかし、これに限らず、窒化シリコン膜に代えて酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜を用いてもよい。つまり、第１封止膜１４２ａとしては、無機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、特にシリコン窒化物を含む絶縁膜を用いることが好ましい。
【００３９】
また、第２封止膜１４２ｂとして、樹脂材料で構成された有機絶縁膜を用いる。本実施形態では、第２封止膜１４２ｂとして樹脂材料で構成される有機絶縁膜を用いることにより、バンク１３４により形成された起伏を平坦化することができる。第１封止膜１４２ａは、膜厚が１μｍ前後であるため、バンク１３４の傾斜面に沿って形成される。これに対し、第２封止膜１４２ｂは、１０μｍ前後の膜厚で形成されるため、バンク１３４に設けられた開口部１３６等の段差を十分に埋めることが可能である。したがって、第２封止膜１４２ｂとして有機絶縁膜を用いることにより、第１封止膜１４２ａの上面に生じた凹凸よりも、第２封止膜１４２ｂの上面に生じた凹凸を小さくすることができる。
【００４０】
＜画素の構成＞
図３は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００における画素の構成を示す平面図である。具体的には、図３は、図２を用いて説明した画素電極１３２の上面の一部（すなわち、発光領域）及びバンク１３４の上に、発光層１３８が形成された状態を平面的に見た図に相当する。図３に示されるように、画素領域２０には、赤色に発光する発光領域２０Ｒａ、緑色に発光する発光領域２０Ｇａ及び青色に発光する発光領域２０Ｂａが配置されている。発光領域２０Ｒａ、発光領域２０Ｇａ及び発光領域２０Ｂａの上には、それぞれ、赤色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｇ及び青色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｂが形成されている。
【００４１】
このとき、図３に示されるように、例えばＤ１方向において隣接する発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａとの間の距離Ｌ１は、Ｄ２方向において隣接する発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｂａとの間の距離Ｌ２よりも長い。このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、Ｄ１方向（具体的には、重力の働く方向に平行な方向）における発光領域間（画素間と言ってもよい。）には、発光層の位置ずれに対する裕度がある。そのため、上述のように、縦型蒸着装置において自重による蒸着マスクの撓みが発生したとしても、発光層の形成不良を生じることなく、有機ＥＬ表示装置１００を形成することができる。
【００４２】
ここで、図４は、図３に示される画素領域２０を、Ｄ１方向に沿った一点鎖線ＩＶ−ＩＶで切断した断面図である。図５は、図３に示される画素領域２０を、Ｄ２方向に沿った一点鎖線Ｖ−Ｖで切断した断面図である。ただし、図４及び図５のいずれも図２を用いて説明した有機絶縁膜１２０より上層の構造を示している。
【００４３】
図４において、画素電極１３２Ｒ及び画素電極１３２Ｇの端部は、バンク１３４で覆われている。画素電極１３２Ｒは、赤色に発光する画素の画素電極であり、画素電極１３２Ｇは、緑色に発光する画素の画素電極である。バンク１３４の開口部１３６の内側に位置する領域、すなわち画素電極１３２Ｒ及び画素電極１３２Ｇのそれぞれの上面の一部は、発光領域２０Ｒａ又は発光領域２０Ｇａとして機能する。
【００４４】
発光領域２０Ｒａ、発光領域２０Ｇａ及びバンク１３４の上には、正孔輸送層３２が設けられている。図４に示されるように、本実施形態の正孔輸送層３２は、複数の画素に跨って設けられている。正孔輸送層３２は、画素電極１３２Ｒ及び画素電極１３２Ｇから注入された正孔を効率良く発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇに供給する目的で配置される。
【００４５】
発光領域２０Ｒａ及びその周囲のバンク１３４の上には、赤色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｒが設けられる。また、発光領域２０Ｇａ及びその周囲のバンク１３４の上には、緑色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｇが設けられる。本実施形態の発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇは、いずれも縦型蒸着装置を用いた蒸着法を用いて形成されている。
【００４６】
発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇの上には、電子輸送層３６が設けられている。図４に示されるように、本実施形態の電子輸送層３６は、複数の画素に跨って設けられている。電子輸送層３６は、共通電極１４０から注入された電子を効率良く発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇに供給する目的で配置される。
【００４７】
電子輸送層３６の上には、共通電極１４０が設けられる。また、共通電極１４０の上には、封止膜１４２が設けられる。共通電極１４０及び封止膜１４２の詳細については図２を用いて説明したとおりである。
【００４８】
なお、図４では、画素電極１３２Ｒと発光層１３８Ｒ（又は画素電極１３２Ｇと発光層１３８Ｇ）との間に正孔輸送層３２のみを示しているが、正孔注入層又は電子ブロッキング層のいずれか一方又は両方を配置してもよい。また、共通電極１４０と発光層１３８Ｒ（又は発光層１３８Ｇ）との間に電子輸送層３６のみを示しているが、電子注入層又は正孔ブロッキング層のいずれか一方又は両方を配置してもよい。
【００４９】
図４に示されるように、Ｄ１方向における発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａとの間の距離はＬ１である。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、Ｄ１方向において発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇの位置ずれに対する裕度があるため、発光領域２０Ｒａ及び発光領域２０Ｇａに対して、それぞれ発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇの位置が非対称になる場合がある。
【００５０】
例えば、図４に示す発光層１３８Ｒの場合、画素電極１３２Ｒから画素電極１３２Ｇに向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ１は、画素電極１３２Ｒから反対側の画素電極１３２Ｇ（図３参照）に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ２よりも長い。この距離ｄ１と距離ｄ２の関係は、発光層１３８Ｇ、発光層１３８Ｂの場合についても同様に成り立つ。
【００５１】
以上のように、本実施形態では、Ｄ１方向における発光領域間（すなわち画素間）の距離を、Ｄ２方向よりも長く確保している。そのため、蒸着マスクの撓みに起因する蒸着マスクと画素電極との間の位置ずれが生じて発光層の形成位置がずれたとしても、発光層が隣接する発光領域に跨って形成されることがない。したがって、蒸着法を用いた有機ＥＬ材料の蒸着時における発光層の形成不良を防ぐことができる。
【００５２】
他方、Ｄ１方向と交差するＤ２方向については、着マスクの撓みに起因する蒸着マスクと画素電極との間の位置ずれの問題が生じないため、上述のＤ１方向のような発光層の位置ずれに対する裕度を設ける必要がない。
【００５３】
図５において、画素電極１３２Ｒ及び画素電極１３２Ｂの端部は、バンク１３４で覆われている。画素電極１３２Ｂは、青色に発光する画素の画素電極である。バンク１３４の開口部１３６の内側に位置する領域、すなわち画素電極１３２Ｒ及び画素電極１３２Ｂのそれぞれの上面の一部は、発光領域２０Ｒａ又は発光領域２０Ｂａとして機能する。
【００５４】
発光領域２０Ｒａ、発光領域２０Ｂａ及びバンク１３４の上には、正孔輸送層３２が設けられている。また、発光領域２０Ｒａ及びその周囲のバンク１３４の上には、赤色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｒが設けられる。発光領域２０Ｂａ及びその周囲のバンク１３４の上には、青色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｂが設けられる。
【００５５】
発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｇの上には、電子輸送層３６、共通電極１４０及び封止膜１４２が設けられている。電子輸送層３６、共通電極１４０及び封止膜１４２の詳細については図４を用いて説明したとおりである。
【００５６】
図５に示されるように、Ｄ２方向における発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｂａとの間の距離はＬ２であり、図４に示したＬ１よりも短い。また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００では、Ｄ２方向において発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｂの位置ずれに対する裕度を確保する必要がないため、発光領域２０Ｒａ及び発光領域２０Ｂａに対して、それぞれ発光層１３８Ｒ及び発光層１３８Ｂの位置は対称であってもよい。
【００５７】
例えば、図５に示す発光層１３８Ｒの場合、画素電極１３２Ｒから画素電極１３２Ｂに向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ３は、画素電極１３２Ｒから反対側の画素電極１３２Ｂ（図３参照）に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ４と略等しい。この距離ｄ３と距離ｄ４の関係は、発光層１３８Ｇ、発光層１３８Ｂの場合についても同様に成り立つ。
【００５８】
ここで、図４及び図５を用いて説明した距離ｄ１〜ｄ４の関係について、図６を用いて説明する。図６は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００における画素領域２０の一部を拡大した平面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、赤色に発光する副画素、緑色に発光する副画素及び青色に発光する副画素を組み合わせて１つの主画素として機能させる。
【００５９】
図６に示されるように、第１方向（Ｄ１方向）において隣接する発光領域間（例えば、発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａとの間）の距離Ｌ１は、第１方向と交差する第２方向（Ｄ２方向）において隣接する発光領域間（例えば、発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｂａとの間）の距離Ｌ２よりも長い。ここで、「第１方向」とは、水平面に対して略垂直な方向である。また、「第２方向」とは、第１方向と交差する方向であり、例えば、第１方向と略直交する方向である。
【００６０】
また、図６の発光領域２０Ｒａに着目した場合、図面に向かってＤ１方向の下方側に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ１は、図面に向かってＤ１方向の上方側に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ２よりも長い。
【００６１】
また、図面に向かってＤ２方向の右側に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ３と、図面に向かってＤ２方向の左側に向かう方向における発光領域２０Ｒａと発光層１３８Ｒの端との間の距離ｄ４とは、略等しい。
【００６２】
さらに、図６に示されるように、距離ｄ２〜ｄ４は、いずれも距離ｄ１よりも短い。このとき、距離ｄ２は、距離ｄ３又は距離ｄ４と略等しくなるように設計されていてもよい。
【００６３】
なお、図６に示す距離ｄ１〜ｄ４の関係は、すべての画素について成り立つものとは限らない。前述のとおり、縦型蒸着装置の内部に蒸着マスクを立てた場合、蒸着マスクの中央付近が特に大きく撓むため、蒸着マスクの開口部と発光領域との間の位置ずれが生じやすい。逆に言えば、蒸着マスクの撓みが少なければ、距離ｄ１よりも距離ｄ２の方が長い場合もあり得るし、距離ｄ１と距離ｄ２が略等しくなる場合もあり得る。しかしながら、本実施形態のように、Ｄ１方向において発光層の位置ずれに対する裕度を与えた場合、図６に示す関係の成立する発光領域が画素領域２０のどこかに存在すると言える。
【００６４】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。図７、図８及び図１０は、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００の製造工程を示す断面図である。
【００６５】
まず、図７に示されるように、支持基板２０１上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５の形成方法は、特に限定されず、公知の方法で形成することができる。支持基板２０１として、本実施形態ではガラス基板を用いるが、他の絶縁基板を用いてもよい。
【００６６】
なお、支持基板２０１として、樹脂材料で構成されるフレキシブル基板を用いる場合は、ガラス基板等の支持基板上にポリイミド等の樹脂膜を形成し、その樹脂膜の上に薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成する。そして、最終的に、図２に示した第１封止膜１４２ａ、第２封止膜１４２ｂ及び第３封止膜１４２ｃを形成した後に支持基板から樹脂膜を剥離すればよい。
【００６７】
本実施形態では、支持基板２０１上に下地膜２０２を設け、その上に半導体膜５０ａを形成する。次に、半導体膜５０ａを覆うゲート絶縁膜５０ｂを形成する。ゲート絶縁膜５０ｂを形成したら、ゲート絶縁膜５０ｂ上の、半導体膜５０ａと重畳する領域にゲート電極５０ｃを形成する。さらに、ゲート電極５０ｃの形成と同時に、保持容量５５の一部を構成する容量電極５０ｄを形成する。
【００６８】
次に、ゲート電極５０ｃ及び容量電極５０ｄを覆う絶縁膜５０ｅを形成し、その後、絶縁膜５０ｅに形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して半導体膜５０ａに接続されるソース電極５０ｆ及びドレイン電極５０ｇを形成する。このとき、ソース電極５０ｆは、平面視において容量電極５０ｄと重なるように形成される。こうして、支持基板２０１上に、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５が形成される。
【００６９】
次に、図８に示されるように、薄膜トランジスタ５０及び保持容量５５を形成した後、有機絶縁膜１２０を形成する。本実施形態では、有機絶縁膜１２０を構成する材料として、ポジ型の感光性を有するアクリル樹脂材料を用いる。より詳細には、有機絶縁膜１２０を構成するアクリル樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィにより開口部１２２を形成する領域を選択的に感光させてパターニングを行い、不要なアクリル樹脂材料を除去する。これにより、エッチング処理を行うことなく、開口部１２２を有する有機絶縁膜１２０を形成することができる。なお、図８に示されるように、開口部１２２は、薄膜トランジスタ５０の一部（具体的にはソース電極５０ｆ）を露出させるように形成される。
【００７０】
次に、開口部１２２を形成した後、開口部１２２を覆ってＩＴＯ等の金属酸化物材料で構成される酸化物導電膜１２４及び保持容量５７の下部電極１２６を形成する。酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６は、有機絶縁膜１２０を覆って形成されたＩＴＯ等の酸化物導電膜をフォトリソグラフィによりパターン化して形成する。このとき、酸化物導電膜１２４は、薄膜トランジスタ５０のソース電極５０ｆに対して電気的に接続される。下部電極１２６は、後に有機ＥＬ素子６０が形成される領域に設けられる。
【００７１】
次に、酸化物導電膜１２４及び下部電極１２６を形成した後、無機絶縁膜１２８を形成する。本実施形態では、無機絶縁膜１２８として、窒化シリコン膜を形成する。また、無機絶縁膜１２８には、有機絶縁膜１２０の一部を露出させる開口部１３０ａと、酸化物導電膜１２４の一部を露出させる開口部１３０ｂとが形成される。なお、無機絶縁膜１２８は、有機絶縁膜１２０から発生する水分が有機ＥＬ素子６０に影響を与えることを防ぐ保護膜として機能すると共に、保持容量５７を構成する誘電体としても機能する。
【００７２】
無機絶縁膜１２８に対して開口部１３０ａ及び開口部１３０ｂを形成した後、無機絶縁膜１２８の上に画素電極１３２を形成する。画素電極１３２は、ＩＺＯ薄膜、銀薄膜及びＩＺＯ薄膜で構成される積層構造を有する。画素電極１３２は、開口部１３０ｂの内側で酸化物導電膜１２４と電気的に接続される。換言すれば、画素電極１３２は、酸化物導電膜１２４を介して薄膜トランジスタ５０と電気的に接続される。
【００７３】
このとき、開口部１３０ａの内側において、有機絶縁膜１２０が露出した領域は、図２に示した水抜き領域６５として機能する。つまり、開口部１３０ａを形成した以降に加熱処理があった場合に、有機絶縁膜１２０の内部で蒸発した水分は、水抜き領域６５を介して外部に放出される。
【００７４】
また、画素電極１３２を形成することにより、下部電極１２６、無機絶縁膜１２８及び画素電極１３２で構成される保持容量５７が形成される。本実施形態において、図示は省略するが、保持容量５７は、Ｎチャネル型トランジスタで構成された薄膜トランジスタ５０のゲート電極５０ｃとソース電極５０ｆとの間に配置される。すなわち、保持容量５７の一方の電極である下部電極１２６は、ゲート電極５０ｃに接続される。また、保持容量５７の他方の電極である画素電極１３２は、ソース電極５０ｆに接続される。
【００７５】
次に、画素電極１３２を形成した後、樹脂材料で構成されるバンク１３４を形成する。本実施形態では、バンク１３４を構成する材料として、感光性のアクリル樹脂材料を用いる。バンク１３４は、画素電極１３２の外縁を覆うと共に、画素電極１３２の上面の一部を露出させるようにパターニングされる。このパターニングにより形成される開口部１３６は、画素電極１３２の上面に、有機ＥＬ素子６０として機能する領域（発光領域）を画定する。
【００７６】
バンク１３４を形成したら、次に、発光層１３８を形成する。本実施形態では、発光層１３８の形成に縦型蒸着装置を用いた蒸着法を用い、画素ごとに分けて形成する。なお、発光層１３８以外の電子輸送層又は正孔輸送層などの機能層については、複数の画素に対して共通に設けてもよい。本実施形態において使用し得る発光層１３８については特に制限はなく、公知の材料を用いることが可能である。
【００７７】
本実施形態では、蒸着法による発光層１３８の形成に際して、図９Ａに示される蒸着マスク９０を用いる。図９Ａは、第１実施形態の蒸着マスク９０の一例を示す正面図である。蒸着マスク９０は、マスクフレーム９０ａに複数の電鋳マスク９０ｂを有する。マスクフレーム９０ａの材料としては、例えばインバー、炭素繊維強化プラスチック（Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ：ＣＦＰＲ）等を用いることができる。
【００７８】
特に、炭素繊維強化プラスチックは、線膨張係数及び比重がインバーよりも低く、ヤング率がインバーよりも高いため、マスクフレーム９０ａの材料として優れている。すなわち、炭素繊維強化プラスチックでマスクフレーム９０ａを構成することにより、インバーで構成するよりも蒸着マスク９０の撓みを低減することができる。また、炭素繊維強化プラスチックでマスクフレーム９０ａを形成した場合、金属メッキでコーティングすることが望ましい。これにより、減圧下（例えば蒸着時）における炭素繊維強化プラスチックからのアウトガスを減らすことができる。
【００７９】
上述の各電鋳マスク９０ｂは、それぞれ１枚の有機ＥＬ表示装置に対応している。図９Ａにおいて、電鋳マスク９０ｂは、１つの開口部のように見えるが、実際には、後述する複数の開口部９０ｄが、有機ＥＬ表示装置の各画素の位置に対応して配置されている。
【００８０】
図９Ｂは、蒸着法を用いて発光層１３８（具体的には、赤色に発光する発光層１３８Ｒ）を形成する様子を示す平面図である。ただし、図９Ｂでは、蒸着マスク９０に撓みの生じていない状態を示している。
【００８１】
本実施形態の蒸着マスク９０に設けられた電鋳マスク９０ｂには、電鋳で形成された金属膜９０ｃに対して複数の開口部９０ｄが設けられている。開口部９０ｄは、Ｄ１方向に長軸を有する矩形形状を有する。蒸着マスク９０は、図８に示したバンク１３４の上方に、開口部９０ｄと発光領域２０Ｒａの位置とを合わせて配置される。このとき、図９Ｂに示されるように、蒸着マスク９０は、図面に向かって開口部９０ｄの下方側に発光領域２０Ｒａが位置するように配置される。図９Ｂにおいて、図面に向かって下方向は、重力の働く方向である。つまり、本実施形態では、蒸着マスク９０を配置するに当たり、あらかじめ発光領域２０Ｒａの上方側（重力が働く方向とは反対側）に、蒸着マスク９０の撓みを考慮したスペースを空けておく。
【００８２】
図９Ｃは、蒸着法を用いて発光層１３８（具体的には、赤色に発光する発光層１３８Ｒ）を形成する様子を示す平面図である。ただし、図９Ｃでは、蒸着マスク９０に自重による撓みが生じている状態を示している。
【００８３】
上述のように、本実施形態では、蒸着マスク９０を配置するに当たり、あらかじめ発光領域２０Ｒａの上方側（重力が働く方向とは反対側）に、蒸着マスク９０の撓みを考慮したスペースを空けてある。したがって、図９Ｃに示されるように、蒸着マスク９０が自重により撓んで開口部９０ｄの位置がずれたとしても、開口部９０ｄの内側に発光領域２０Ｒａが収まる。また、Ｄ１方向では発光領域２０Ｒａと発光領域２０Ｇａとの間の距離（図６に示した距離Ｌ１）を十分に長く確保しているため、赤色に発光する発光層１３８Ｒが、発光領域２０Ｇａの上に形成される形成不良を防ぐことができる。
【００８４】
以上のように縦型蒸着装置を用いた蒸着法により発光層１３８を形成したら、図１０に示されるように、共通電極１４０を形成する。本実施形態では、共通電極１４０としてマグネシウムと銀とを含む合金で構成された導電膜（ＭｇＡｇ膜）を用いる。このような２族元素を含む導電膜は、発光層１３８と同様に水分等に弱い。そのため、発光層１３８の蒸着と共通電極１４０の蒸着は、大気開放せずに行うことが望ましい。この場合、真空を維持したまま連続的に蒸着処理を行うことが好ましいが、これに限らず、窒素雰囲気等の不活性雰囲気を維持したままに連続的に蒸着処理を行うことも有効である。
【００８５】
この時点において、バンク１３４に設けられた開口部１３６の内側には、画素電極１３２、発光層１３８及び共通電極１４０で構成される有機ＥＬ素子６０が形成される。
【００８６】
次に、窒化シリコン膜で構成される第１封止膜１４２ａ、樹脂材料で構成される第２封止膜１４２ｂ、及び窒化シリコン膜で構成される第３封止膜１４２ｃをこの順に積層して図２に示した構造を得る。このとき、第２封止膜１４２ｂは、バンク１３４に形成された開口部１３６に起因する起伏を平坦化することができる。
【００８７】
さらに、パーティクル等の異物が共通電極１４０の上に存在していたとしても、第２封止膜１４２ｂによって起伏を平坦化できるため、第２封止膜１４２ｂの上に形成される第３封止膜１４２ｃが異物の影響で剥がれたりカバレッジ不良を起こしたりする可能性を低減することができる。
【００８８】
（第２実施形態）
本実施形態では、発光領域の配置を第１実施形態とは異ならせた例について図１１Ａ及び図１１Ｂを用いて説明する。具体的には、本実施形態では、画素をストライプ状に配置した例について説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１００と共通する部分には、同一の符号を付して説明を省略することがある。
【００８９】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置における画素の構成を示す平面図である。具体的には、図１１Ａ及び図１１Ｂは、画素電極１３２の上面の一部（すなわち、発光領域）及びバンク１３４の上に、発光層１３８が形成された状態を平面的に見た図に相当する。
【００９０】
図１１Ａに示されるように、画素領域２０−１には、赤色に発光する発光領域２０Ｒｂ、緑色に発光する発光領域２０Ｇｂ及び青色に発光する発光領域２０Ｂｂがストライプ状に配置されている。発光領域２０Ｒｂ、発光領域２０Ｇｂ及び発光領域２０Ｂｂの上には、それぞれ、赤色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｇ及び青色に発光する有機ＥＬ材料で構成される発光層１３８Ｂが形成されている。
【００９１】
本実施形態においても、図１１Ａに示されるように、例えばＤ１方向において隣接する発光領域２０Ｒｂの間の距離Ｌ１は、Ｄ２方向において隣接する発光領域２０Ｒｂと発光領域２０Ｇｂとの間の距離Ｌ２よりも長い。したがって、第１実施形態と同様に、縦型蒸着装置において自重による蒸着マスクの撓みが発生したとしても、発光層の形成不良を生じることなく、有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【００９２】
図１１Ｂに示されるように、画素領域２０−２には、赤色に発光する発光領域２０Ｒｂ、緑色に発光する発光領域２０Ｇｂ及び青色に発光する発光領域２０Ｂｂがストライプ状に配置されている。そして、これらの発光領域が、行ごとに互い違いになるように配列されている。
【００９３】
この場合においても、図１１Ｂに示されるように、例えばＤ１方向において隣接する発光領域２０Ｒｂの間の距離Ｌ１は、Ｄ２方向において隣接する発光領域２０Ｒｂと発光領域２０Ｇｂとの間の距離Ｌ２よりも長い。したがって、第１実施形態と同様に、縦型蒸着装置において自重による蒸着マスクの撓みが発生したとしても、発光層の形成不良及び発光色の混色の問題を生じることなく、有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【００９４】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の有機ＥＬ表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９５】
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００９６】
２０…画素領域、２０ａ…画素、２０Ｒａ、２０Ｇａ、２０Ｂａ、２０Ｒｂ、２０Ｇｂ、２０Ｂｂ…発光領域、２２…周辺領域、２４…端子領域、２６…フレキシブルプリント回路基板、２８…駆動回路、５０…薄膜トランジスタ、５０ａ…半導体膜、５０ｂ…ゲート絶縁膜、５０ｃ…ゲート電極、５０ｄ…容量電極、５０ｅ…絶縁膜、５０ｆ…ソース電極、５０ｇ…ドレイン電極、５５、５７…保持容量、６０…有機ＥＬ素子、６５…水抜き領域、８０、９０…蒸着マスク、８０ａ、９０ａ…マスクフレーム、８０ｂ、９０ｂ…電鋳マスク、８０ｃ、９０ｃ…金属膜、８０ｄ、９０ｄ…開口部、１００…表示装置、１０１…アレイ基板、１２０…有機絶縁膜、１２２…開口部、１２４…酸化物導電膜、１２６…下部電極、１２８…無機絶縁膜、１３０ａ、１３０ｂ…開口部、１３２、１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂ…画素電極、１３４…バンク１３４…開口部、１３８、１３８Ｒ、１３８Ｇ、１３８Ｂ…発光層、１４０…共通電極、１４２…封止膜、１４２ａ…第１封止膜、１４２ｂ…第２封止膜、１４２ｃ…第３封止膜、２０１…支持基板、２０２…下地膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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