(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ表示装置において、リーク電流による不具合を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、基板７０と、基板上に位置する複数の画素と、複数の画素のそれぞれが備える下部電極１００と、複数の画素を区画し、隣接する下部電極の間に位置するバンク１１２と、下部電極上およびバンク上に配置される有機材料層１０２と、有機材料層上に配置される上部電極１０４と、を有し、前記バンク上において、有機材料層と上部電極との間に、上部電極から有機材料層へのキャリアの移動を阻止するキャリア移動阻止層１０８が形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画し、隣接する前記下部電極の間に位置するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、
前記バンク上において、前記有機材料層と前記上部電極との間に、前記上部電極から前記有機材料層へのキャリアの移動を阻止するキャリア移動阻止層が形成されている、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記キャリア移動阻止層は、前記有機材料層および前記上部電極に直に接している、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機材料層は複数の層を含み、前記有機材料層の少なくとも一部の層は前記複数の画素に跨っている、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が前記有機材料層を構成する電子注入層または電子輸送層よりも電子の移動度が小さい層である、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が前記有機材料層を構成するホール輸送層に含まれる材料を含む、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記上部電極がカソードであり、前記キャリア移動阻止層が４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）および２−ＴＮＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記キャリア移動阻止層が絶縁材料を含む、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記バンクの端部と前記キャリア移動阻止層の端部とが、平面的に見て重なっている、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記キャリア移動阻止層は、少なくとも前記バンクの端部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記バンクは、隣接する前記下部電極の間に位置する上面を有し、
前記キャリア移動阻止層は、少なくとも前記上面の中央部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記キャリア移動阻止層は前記バンクを覆い、前記キャリア移動阻止層の端部は前記開口部の一部と対向する、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に位置する複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、
前記複数の画素を区画し、隣接する前記下部電極の間に位置するバンクと、
前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、
前記バンク上において、前記有機材料層と前記上部電極との間に、絶縁層が形成されている、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記バンクは、隣接する前記下部電極の間に位置する上面を有し、
前記上面の一部は、前記絶縁層と対向し、
前記上面の前記一部とは異なる他の一部は、前記絶縁層と対向しない、請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記絶縁層の端部と前記開口部の端部とが、平面的に見て重なっている、請求項１２または１３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記バンクは、前記下部電極の一部を露出する開口部を有し、
前記絶縁層は前記バンクを覆い、前記絶縁層の端部は前記開口部の一部と対向する、請求項１２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）などが形成された表示パネルを有する。ＯＬＥＤは、一対の電極間に有機材料層を備える。有機材料層は、例えば、ホール輸送層、発光層、電子輸送層等が積層されて構成される。このような有機材料層は、代表的には、画素を区画するために予め設けられた凸状のバンクで囲まれた領域に形成される。例えば、下記特許文献１では、有機材料層を画素毎に形成（塗り分け）しているが、高精細化された場合や発光効率を上げるために上記バンクの開口率を高くした場合、塗り分けの制御が難しいという問題がある。その一方で、例えば、ホール輸送層等の導電性の材料を複数の画素間で共通に設けると、隣接する画素間でリーク電流が流れてしまうという問題がある。具体的には、リーク電流により本来発光すべきでない隣接の画素が発光し、色純度の低下や画質の劣化を招くという問題がある。このような問題は、高精細化や駆動電圧の低減化（例えば、高移動度材料の採用）が進むほど、顕著に発生し得る。
【０００３】
上記のような問題に対し、例えば、下記特許文献２では、バンク上の有機材料層に分断領域を形成して、隣接する画素間のキャリアの移動を阻止することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８３２０号公報
【特許文献２】特開２０１６−１０３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記リーク電流は、隣接する画素を発光させるだけでなく、例えば、上記バンク上においても発光を生じさせていると考えられる。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、リーク電流による不具合が抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に位置する複数の画素と、前記複数の画素のそれぞれが備える下部電極と、前記複数の画素を区画し、隣接する前記下部電極の間に位置するバンクと、前記下部電極上および前記バンク上に配置される有機材料層と、前記有機材料層上に配置される上部電極と、を有し、前記バンク上において、前記有機材料層と前記上部電極との間に、前記上部電極から前記有機材料層へのキャリアの移動を阻止するキャリア移動阻止層が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４】図３に示す表示パネルのバンク付近の一例の拡大断面図である。
【図５Ａ】バンクとキャリア移動阻止層との位置関係を説明するための図である。
【図５Ｂ】バンクとキャリア移動阻止層との位置関係を説明するための図である。
【図５Ｃ】バンクとキャリア移動阻止層との位置関係を説明するための図である。
【図５Ｄ】バンクとキャリア移動阻止層との位置関係を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板上にＴＦＴやＯＬＥＤなどの構造が積層されて構成された表示パネルを有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１１】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１２】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１３】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１４】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１５】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１６】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１７】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１８】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００１９】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基板７０の上にＴＦＴ７２などからなる回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基板７０は、例えば、ガラス板、樹脂膜（例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜）で構成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基板７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。
【００２０】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２１】
図３に示すように、基板７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２２】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基板７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基板７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２３】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基板７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２６】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２７】
上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置されている。バンク１１２は、各画素に対応して設けられた下部電極１００を電気的に分離するものであり、下部電極１００の周縁を上面からから側面にかけて覆うように形成されている。具体的には、バンク１１２は下部電極１００の一部を露出する開口部を有している。バンク１１２は、代表的には、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂等の樹脂材料で形成される。バンク１１２の側面は下部電極１００側（外側）に向かうにつれて基板７０側に傾斜する斜面を有している。
【００２８】
例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２（後述の発光層１０２ｂを除く場合がある）および上部電極１０４は、各画素間で共通に設けられ、下部電極１００の上面だけでなくバンク１１２の上にも設けられている。
【００２９】
有機材料層１０２は、代表的には、複数の層を含む。具体的には、有機材料層１０２は、アノード側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を含み得る。その他の層としては、例えば、アノードと発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソードと発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。
【００３０】
上部電極１０４上には、封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、例えば、ＯＬＥＤ６を水分等から保護する保護層として機能し得るため、表示領域４２の全体を覆うように形成される。封止層１０６は、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ等の無機絶縁材料膜を成膜することにより形成される。また、図示しないが、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面には保護膜が配置される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状あるいはフィルム状の保護膜を貼り合わせる。この場合、部品実装領域４６では、ＩＣやＦＰＣを接続し易くするため、通常、保護膜は設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４８の端子は、例えば、配線１１６に電気的に接続される。
【００３１】
バンク１１２上には、有機材料層１０２と上部電極１０４との間にキャリア移動阻止層１０８が形成されている。キャリア移動阻止層１０８は、有機材料層１０２および上部電極１０４に直に接している。有機材料層１０２と上部電極１０４との間にキャリア移動阻止層１０８を配置させることで、バンク１１２上において、上部電極１０４から有機材料層１０２へのキャリアの注入を抑制し、バンク１１２上の発光が防止され、発光効率の向上、表示特性（例えば、正面色度、視覚特性）の向上に寄与し得る。
【００３２】
図４は、図３に示す表示パネルのバンク付近の一例の拡大断面図であり、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の下地層８０からパッシベーション膜９８までの積層構造を上部構造層１１４として簡略化して示し、封止層１０６は省略している。有機材料層１０２は、例えば、下部電極（アノード）１００およびバンク１１２上にホール輸送層１０２ａを連続的に形成し（複数の画素間で共通に設け）、ホール輸送層１０２ａ上に、各画素の色に対応した発光層１０２ｂを各画素領域に形成し、発光層１０２ｂを覆うように（複数の画素間で共通に）電子輸送層１０２ｃを形成することにより形成される。上記バンク１１２上の発光は、図４に示すように、バンク１１２上に発光層１０２ｂが存在する場合に生じ得る。具体的には、アノード１００からホールが有機材料層１０２に注入され、カソード１０４から電子が有機材料層１０２に注入され、発光層１０２ｂにおいてホールと電子とが再結合して発光層１０２ｂが発光するが、バンク１１２上に発光層１０２ｂが存在すると、バンク１１２上においても発光し得る。バンク１１２上の発光は、比較的弱いが（例えば、顕微鏡観察で確認できる程度の発光、あるいは、顕微鏡観察では確認されず、顕微分光で確認可能なレベルであるが）、発光効率や表示特性に影響し得る。上述のように、バンク１１２上において、有機材料層１０２と上部電極１０４との間にキャリア移動阻止層１０８を配置させることで、上部電極（カソード）１０４から有機材料層１０２へのキャリア（電子）の注入を抑制し、バンク１１２上の発光が防止され得る。
【００３３】
キャリア移動阻止層１０８は、上部電極１０４から有機材料層１０２へのキャリアの移動を阻止し得る任意の適切な材料で形成される。１つの実施形態においては、キャリア移動阻止層１０８の構成は、上部電極１０４に応じて決定される。例えば、上述のとおり、上部電極１０４がカソードである場合、キャリア移動阻止層１０８は、上部電極１０４から有機材料層１０２への電子の移動を阻止し得る材料で形成される。例えば、有機材料層１０２に含まれ得る電子注入層または電子輸送層よりも電子の移動度が小さい層を形成する材料で形成される。このような層の具体例としては、有機材料層１０２を構成し得るホール輸送層が挙げられる。この場合、有機材料層１０２を形成する材料でキャリア移動阻止層１０８を形成することができ、製造効率に優れ得る。ホール輸送層を形成する材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、２−ＴＮＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）が挙げられる。別の実施形態においては、キャリア移動阻止層１０８は、絶縁材料で形成される。すなわち、キャリア移動阻止層１０８は絶縁層であってもよい。絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体に代表される無機絶縁材料、樹脂等が用いられる。
【００３４】
キャリア移動阻止層１０８は、任意の適切な方法で形成され得る。形成方法としては、例えば、パターンを有するマスクを用いたマスク蒸着による成膜、レーザー転写法による成膜等が挙げられる。キャリア移動阻止層１０８の厚みは、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００３５】
図５Ａから図５Ｄは、バンクとキャリア移動阻止層との位置関係を説明するための図である。好ましい実施形態では、図５Ａに示すように、キャリア移動阻止層１０８は、バンク１１２の全体を覆い、その端部とバンク１１２の端部が揃ってバンク１１２の開口部に重ならないように形成される。別の実施形態では、図５Ｂに示すように、キャリア移動阻止層１０８は、少なくともバンク１１２の端部（斜面）１１２ａを覆うように形成され、バンク１１２の端部と対向する。そして、バンク１１２の中央部１１２ｂには形成されていない。バンク１１２の中央部１１２ｂは、隣接する下部電極１００間に位置するバンク１１２の上面の中央部ということもできる。バンク１１２上の発光はバンク１１２の開口部に近いほど強く、この形態では、発光の強い箇所に選択的にキャリア移動阻止層１０８が形成されている。さらに別の実施形態では、図５Ｃに示すように、キャリア移動阻止層１０８は、少なくともバンク１１２の中央部１１２ｂに覆うように形成され、バンク１１２の端部（斜面）１１２ａには形成されていない。この形態は、例えば、キャリア移動阻止層１０８の形成の困難性は低いという点で好ましい。さらに別の実施形態では、図５Ｄに示すように、キャリア移動阻止層１０８は、バンク１１２の全体を覆い、その端部はバンク１１２の開口部も覆うように形成されている。この形態では、バンク１１２の開口領域（発光領域）が小さくなるが、バンク１１２上の発光を効果的に防止し得る。
【００３６】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００３７】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３８】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、６０  粘着シート、７０  基板、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１０８  キャリア移動阻止層、１１０  コンタクトホール、１１２  バンク、１１４  上部構造層、１１６  配線。
【図１】
2019160863.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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