(57)【要約】【課題】簡便に均一で大面積のＳｉＣ薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板の所定領域に炭素をイオン注入し、炭素がイオン注入されたシリコン基板を熱処理してシリコン基板に炭化シリコン層を形成し、シリコン基板の少なくとも一部を除去し、炭化シリコン層を露出させる。【選択図】図１
2019108233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の所定領域に炭素をイオン注入し、
前記炭素がイオン注入された前記シリコン基板を熱処理して前記シリコン基板に炭化シリコン層を形成し、
前記シリコン基板の少なくとも一部を除去し、前記炭化シリコン層を露出させる、
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の所定領域に第１のプロジェクテッドレンジで酸素をイオン注入し、
前記所定領域に、前記第１のプロジェクテッドレンジよりも浅い第２のプロジェクテッドレンジで炭素をイオン注入し、
前記酸素がイオン注入された前記シリコン基板に第１の熱処理をして前記シリコン基板中に酸化シリコン層を形成し、
前記炭素がイオン注入された前記シリコン基板に第２の熱処理をして前記シリコン基板に炭化シリコン層を形成し、
前記シリコン基板の少なくとも一部を除去し、前記酸化シリコン層を露出させた後に、前記酸化シリコン層を除去して前記炭化シリコン層を露出させる、
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸素をイオン注入した後、前記炭素をイオン注入する、請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の熱処理と前記第２の熱処理は同時に行われる、
請求項２又は請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記炭素のイオン注入のドーズ量は１×１０２２ｃｍ−２以上である、
請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化シリコン（ＳｉＣ）はワイドギャップ半導体である。そのため、ＳｉＣは、紫外線から赤外線までの幅広い波長を有する光の透過性に優れている。また、ＳｉＣは機械的強度及び熱的強度が高いという長所を有する。
【０００３】
これまでは、例えば焼結体を形成し、焼結体の表面を平滑に研磨する等の複雑な工程を経なければ、均一で大面積のＳｉＣ薄膜を形成することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７０５０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、簡便に均一で大面積のＳｉＣ薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、シリコン基板の所定領域に炭素をイオン注入し、炭素がイオン注入されたシリコン基板を熱処理してシリコン基板に炭化シリコン層を形成し、シリコン基板の少なくとも一部を除去し、炭化シリコン層を露出させる。
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、さらに、シリコン基板の所定領域に第１のプロジェクテッドレンジで酸素をイオン注入し、所定領域に、第１のプロジェクテッドレンジよりも浅い第２のプロジェクテッドレンジで炭素をイオン注入し、酸素がイオン注入されたシリコン基板に第１の熱処理をしてシリコン基板中に酸化シリコン層を形成し、炭素がイオン注入されたシリコン基板に第２の熱処理をしてシリコン基板に炭化シリコン層を形成し、シリコン基板の少なくとも一部を除去し、酸化シリコン層を露出させた後に、酸化シリコン層を除去して炭化シリコン層を露出させる。
【０００８】
上記態様の半導体装置の製造方法において、酸素をイオン注入した後、炭素をイオン注入することが好ましい。
【０００９】
上記態様の半導体装置の製造方法において、第１の熱処理と第２の熱処理は同時に行われることが好ましい。
【００１０】
上記態様の半導体装置の製造方法において、炭素のイオン注入のドーズ量は１×１０２２ｃｍ−２以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、簡便に均一で大面積のＳｉＣ薄膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態の半導体装置の製造方法の模式断面図である。
【図２】実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
（実施形態）
図１は、実施形態の半導体装置１００の製造方法の模式断面図である。図２は、実施形態の半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【００１５】
まず、シリコン基板２の表面４の所定領域に、所定のプロジェクテッドレンジ（以下、Ｒｐと記す）で酸素（Ｏ）のイオン注入を行い、酸素イオン注入領域１０を形成する（図１（ａ）、図２の（Ｓ１０））。
【００１６】
イオン注入を行う領域は、例えば図示しないフォトレジストを用いて形成したマスクの開口により決定することができる。
【００１７】
また、酸素イオン注入のプロジェクテッドレンジは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましい。
【００１８】
酸素イオン注入のＲｐは、加速電圧により制御することができる。
【００１９】
シリコン基板２の面方位は、｛１００｝面、｛１１０｝面、｛１１１｝面等のいずれの面方位であっても良い。
【００２０】
酸素のイオン注入を、Ｒｐを変化させながら複数回に分けて行うことにより、イオン注入される領域における深さ方向の酸素濃度をより厳密に制御することができる。
【００２１】
次に、シリコン基板２の表面４の所定領域に、所定のＲｐで炭素（Ｃ）のイオン注入を行い、炭素イオン注入領域１２を形成する（図１（ｂ）、図２の（Ｓ１２））。
【００２２】
炭素イオン注入のＲｐは、例えば２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。炭素イオン注入のＲｐは、酸素イオン注入のＲｐより浅くする必要がある。
【００２３】
炭素のイオン注入のドーズ量は、１×１０２２ｃｍ−２以上であることが好ましい。
【００２４】
炭素のイオン注入のＲｐは、例えば加速電圧により制御することができる。
【００２５】
炭素のイオン注入を、Ｒｐ等を変化させながら複数回に分けて行うことにより、イオン注入される領域における深さ方向の炭素濃度をより厳密に制御することができる。
【００２６】
次に、熱処理を行う（図１（ｃ）、図２の（Ｓ１４））。
【００２７】
熱処理により、酸素イオン注入領域１０では、注入された酸素とシリコン基板２中のシリコンが反応して酸化シリコン層２０が形成される。また炭素イオン注入領域１２では、注入された炭素とシリコン基板２中のシリコンが反応して炭化シリコン層２２が形成される。
【００２８】
このとき、酸化シリコン層２０の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００２９】
また、炭化シリコン層２２の膜厚は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００３０】
熱処理は、良質な炭化シリコン層２２の形成のため、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気で行われることが好ましい。また、熱処理の温度は、良質な炭化シリコン層２２の形成のため、８００℃以上１２００℃以下であることが好ましい。なお、炭素イオンを注入する前に、熱処理により酸化シリコン層２０を形成してもよい。
【００３１】
なお、形成される炭化シリコン層２２は単結晶であっても、アモルファス、多結晶であってもよい。
【００３２】
次に、裏面６よりシリコン基板２の少なくとも一部を除去する（図１（ｄ）、図２の（Ｓ１６））。例えば、裏面６側からフッ硝酸（フッ酸と硝酸の混合液）を用いてシリコン基板２の一部をエッチングによって除去し、酸化シリコン層２０を露出させる。酸化シリコン層２０と炭化シリコン層２２の周囲には、エッチングによって除去されなかったシリコン基板２の一部がシリコン基板残部８となる。
【００３３】
次に、酸化シリコン層２０を、例えばフッ酸によるエッチング等により除去し、炭化シリコン層２２を露出させる（図１（ｅ）、図２の（Ｓ１８））。これにより、実施形態の半導体装置１００を得る。
【００３４】
実施形態の半導体装置１００は、膜厚が２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の炭化シリコン薄膜である炭化シリコン層２２と、炭化シリコン層２２の周囲に設けられたシリコン基板残部８と、を備える。
【００３５】
なお、酸素のイオン注入を行わず、炭素のみをイオン注入し、熱処理後、シリコン基板２をエッチングして炭化シリコン層２２を露出させてもよい。
【００３６】
次に、実施形態の半導体装置の製造方法の作用効果について記載する。
【００３７】
炭素をシリコン基板２にイオン注入して熱処理を行うことにより、簡便に大面積の炭化シリコン層２２を形成することができる。
【００３８】
シリコン基板２は、エッチングにより容易に除去できる。そのため、実施形態の半導体装置の製造方法により、容易に炭化シリコンの薄膜を形成することができる。
【００３９】
また、炭素のイオン注入を行う前に、酸素のイオン注入を行い、熱処理により酸化シリコン層２０を形成することにより、炭化シリコン層２２の下層に酸化シリコン層２０を形成することができる。
【００４０】
酸化シリコンとシリコンの選択比は、炭化シリコンとシリコンのエッチングの選択比よりも高い。そのため、酸化シリコン層２０を設けることにより、ストッパ層として機能し、より容易にシリコン基板２を除去することができる。
【００４１】
なお、酸化シリコン層２０の除去にはフッ酸によるエッチングが好ましく用いられる。炭化シリコンはフッ酸に侵されにくいため、炭化シリコン層２２に対して選択的に酸化シリコン層２０を除去することは容易である。
【００４２】
また、酸素のイオン注入は、炭素のイオン注入の前に行われることが好ましい。酸素のイオン注入を炭素のイオン注入の後に実施すると、炭素イオン注入領域１２中の炭素が酸素によって反跳（ノックオン）され、炭素が本来の炭素イオン注入領域よりも裏面６に近い領域に分布することになる。また、炭素イオン注入領域１２と酸素イオン注入領域１０の間に、炭素と酸素が混合した領域が形成されることになる。
【００４３】
炭化シリコン層２２を形成する上でＳｉ原子の数と同等の炭素原子を供給することが望ましい。このため、炭素のイオン注入のドーズ量は、１×１０２２ｃｍ−２以上であることが好ましい。
【００４４】
本実施形態の半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置は、光学レンズ、高圧放電灯管球、リソグラフィマスク用保護膜、各種のフィルター等に好ましく用いることができる。
【００４５】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上記の実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。
【００４６】
実施形態では、半導体装置の構成やその製造方法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる半導体装置の構成やその製造方法等を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全て半導体装置の製造方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲によって定義されるものである。
【符号の説明】
【００４７】
２        シリコン基板
４        表面
６        裏面
８        シリコン基板残部
１０        酸素イオン注入領域
１２        炭素イオン注入領域
２０        酸化シリコン層
２２        炭化シリコン層
１００        半導体装置
【図１】
2019108233.tif 000003
【図２】
2019108233.tif 000004