(57)【要約】      （修正有）【課題】向上した共形性を有する窒素含有層を形成する方法を提供する。【解決手段】３次元構造を有する第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置する工程と、第１層基板を、摂氏約２５０度から摂氏約５００度の第１温度に加熱する工程と、第１層を窒素含有層に変換するために、第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露する工程とを含む。処理ガスは、全ガス流に基づいて約０．５％から約９９．５％のアンモニア（ＮＨ３）を含み、その残部は希ガスであり、かつ、プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素含有層を形成する方法であって、
第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置することと、
前記基板を第１温度に加熱することと、
前記第１層を前記窒素含有層へと変換するために、前記第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露することとを含み、前記プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する、方法。
【請求項２】
前記第１層は３次元構造である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマは約４ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記処理ガスは希ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記処理ガスは、全ガス流に基づいて約０．５％から約９９．５％のアンモニア（ＮＨ３）を含み、その残部は希ガスである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記希ガスはアルゴンである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記アンモニア（ＮＨ３）は約１５ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍで流される、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１温度は摂氏約２５０度から摂氏約５００度である、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記処理チャンバを約５ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの圧力に維持しつつ、前記第１層を高周波（ＲＦ）プラズマに曝露することを更に含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
約１３．５６ＭＨｚの周波数を有するパルスにされたＲＦ電源を使用して、ＲＦプラズマを形成することを更に含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記パルスにされたＲＦ電源は、最大３０％のデューティサイクルで最大２０００ワットの電力を供給する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記パルスにされたＲＦ電源は、約５％から約１０％のデューティサイクルで電力を供給する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１層は、半導体材料、金属、又は金属酸化物を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１層はシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＩＩＩ−Ｖ化合物、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、又は窒化タンタル（ＴａＮ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、或いは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
指令が記憶されている非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記指令は、実行されると、処理チャンバに、窒素含有層を形成する方法を実行させ、前記方法は、
第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置することと、
前記基板を第１温度に加熱することと、
前記第１層を前記窒素含有層へと変換するために、前記第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露することとを含み、前記プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する、非一時的コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は概して、半導体処理に関し、より具体的には、窒素含有層を形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、論理デバイスなどの半導体デバイスのスケーリングは、ゲートリーク（Ｊｇ）によって限定されうる。例えば、ゲート誘電体層の厚みがスケーリングされる時に、チャネルとトランジスタデバイスのゲートとの間に電流が漏出して、デバイス障害を引き起こしうる。誘電体層に窒素をゲート取り込むことによって、ゲートリークは低減しうる。例えば、３２ｎｍノードのゲート誘電体層は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）を含んでよく、窒素の存在がデバイスにおけるゲートリークを低減させる。
【０００３】
典型的には、ゲートリークの低減を提供するかわりに、例えばフラットバンド電圧（Ｖｆｂ）、閾値電圧（Ｖｔ）、及び可動性といった他の所望の特性を犠牲にするプラズマ窒化プロセスによって、窒素はゲート誘電体層に取り込まれる。例えば、ゲート誘電体層における窒素含有量の増加は、Ｖｔの望ましくない増加、及び可動性の過減少をもたらしうる。更に、酸素は、典型的な処理条件の下でゲート誘電体層から拡散し、ひいては、例えばゲート誘電体層の誘電体特性の劣化によって、デバイス性能を更に減少させうる。
【０００４】
また更に、半導体構造での使用のために半導体ウエハ上の誘電体層を窒化することは、プラズマ窒化又は熱窒化を使用して、平面の半導体構造に窒素を添加することを伴う。しかし、ＦｉｎＦＥＴデバイスなどのような３次元（「３Ｄ」）半導体構造の使用により、３Ｄ半導体構造の上面上に取り込まれた窒素の量が３Ｄ半導体構造の側壁に沿って取り込まれた窒素の量に実質的に等しい状態（本書では「共形性」と称される）の、窒化された層が、３Ｄ半導体構造を包み込むために必要とされる。共形性は、３Ｄ半導体構造の側壁に沿った深さに伴う窒素降下の割合として算出される。
【０００５】
窒化された層を形成する１つの方法は、アンモニア（ＮＨ３）を使用する熱窒化によるものである。アンモニア（ＮＨ３）を使用する熱窒化は、好適な共形性を提供する一方で、そのプロセスは、誘電体層の上面において所望の窒素プロファイルを提供することができない。窒化された層を形成する別の方法は、窒素ガス（Ｎ２）から形成されたイオンを用いる誘導結合プラズマ窒化を使用することである。この手法は誘電体膜内に所望の窒素プロファイルを提供するが、結果として得られる共形性が不十分である。遠隔プラズマ窒化という別の方法は、好適な共形性を提供することが可能であるが、そのプロセスは、摂氏約６００度から摂氏約１０００度を超過する温度を必要とし、結果として、ゲートスタックにおける酸化物層の厚みを過剰かつ望ましくないものにする。
【０００６】
従って発明者は、向上した共形性を有する窒素含有層を形成する方法を提供している。
【発明の概要】
【０００７】
本書では、窒素含有層を形成するための方法及び装置が提供される。いくつかの実施形態では、方法は、第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置することと、基板を第１温度に加熱することと、第１層を窒素含有層に変換するために、第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露することとを含み、プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する。
【０００８】
いくつかの実施形態では、窒素含有層を形成する方法は、第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置することを含み、第１層は３次元構造であり、基板を、摂氏約２５０度から摂氏約５００度の第１温度に加熱することと、第１層を窒素含有層に変換するために、第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露することとを含み、処理ガスは、全ガス流に基づいて約０．５％から約９９．５％のアンモニア（ＮＨ３）を含み、その残部は希ガスであり、かつ、プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する。
【０００９】
上記の概要は、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本発明の他の実施形態及び更なる実施形態について、以下で説明する。
【００１０】
本発明の上述の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約されている本発明のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の一部は付随する図面に示されている。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの発明の典型的な実施形態のみを例示しており、従って発明の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のいくつかの実施形態による、窒素含有層を形成する方法を示すフロー図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による、ゲート誘電体層を製造する段階を示す。
【図３】本発明のいくつかの実施形態による使用に好適なプラズマ窒化リアクタを示す。
【図４】本発明のいくつかの実施形態による、プラズマ窒化リアクタにおける使用に好適な基板支持体を示す。  理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりには描かれておらず、明確性のために簡略化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定される。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本書では、窒素含有層を形成するための方法及び装置が提供される。本発明の方法及び装置は、有利には、例えば窒素含有量の増加、及び、ターゲット層（第１層など）とポリシリコンゲート等の別のデバイス層との間の界面における酸素保持の向上を促進することによって、ターゲット層の窒化の向上を提供しうる。本発明の方法及び装置はまた、有利には、３Ｄ半導体構造上の窒化された誘電体膜の共形性を向上させうる。
【００１３】
図１は、本発明のいくつかの実施形態による、窒素含有層を形成するための方法１１０を示す。通常、方法１１０は、第１層が上に配置されている基板を含む、部分的に製造された半導体構造を提供することを含む。半導体構造は、部分的に製造された、論理デバイス、ＤＲＡＭデバイス、又はフラッシュメモリデバイスのような半導体デバイスでありうる。このプロセスによって形成された窒素含有層は、ゲート誘電体層、トンネル酸化物層、スペーサ層、又は、例えば接合リーク、ゲートリークなどを低減させるように窒化による恩恵を受けうる、半導体構造の任意の好適な層、のうちの一又は複数でありうる。
【００１４】
基板の上に形成された第１層を含む半導体構造の製造の段階をそれぞれ示す、図２Ａから図２Ｄの部分的に製造された半導体構造に関連して、方法１１０を本書で説明する。例えば誘導結合プラズマ又は遠隔プラズマなどを提供するよう構成されたリアクタといった、本書で開示されているような、低エネルギープラズマを提供することが可能な任意の好適なプラズマリアクタ内で、方法１１０は実行されうる。本発明の方法と共に利用されうる好適なプラズマリアクタの実施形態を、図３に関連して以下で説明する。プラズマリアクタは、単独で利用されるか、又はより典型的には、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）ＤＰＮ  Ｇａｔｅ  Ｓｔａｃｋ一体型半導体ウエハ処理システムのような、一体型の半導体基板処理システム又はクラスタツールの処理モジュールとして、利用されうる。他の製造業者から入手可能なものを含む、他のツールも使用されうる。
【００１５】
方法１１０は、図２Ａに示すように、窒化されるべき第１層が上に配置されている基板２０２が提供される、１０２において始まる。基板２０２及び第１層２０４は、完全に又は部分的に製造された半導体デバイス２００の部分でありうる。第１層２０４は、３次元構造すなわち３Ｄ構造であるか、又はかかる３Ｄ構造の一部でありうる。本書で使用する場合、３次元（又は３Ｄ）構造とは、主にゲートの下に導電チャネルを形成する従来型の２Ｄ平面トランジスタと比較して、垂直構造の３つの辺にトランジスタが導電チャネルを形成する、半導体構造を表す。基板２０２は、直径２００又は３００ｍｍのウエハ、並びに長方形又は正方形のパネルなどの、様々な寸法を有しうる。基板２０２は、結晶シリコン（例えばＳｉ＜１００＞又はＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン（ＩＢＭが開発したもの）、シリコンゲルマニウム、ドープされた又はドープされていないポリシリコン、ドープされた又はドープされていないシリコンウエハ、パターン化された又はパターン化されていないウエハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素がドープされた酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープされたシリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガラス、サファイアなどといった材料を含みうる。
【００１６】
半導体デバイス２００は、基板２０２上で完全に又は部分的に形成されてよく、少なくとも、窒化されるべき第１層２０４を含む。半導体デバイス２００は（完成時には）、例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリデバイス、３Ｄ  ＦＩＮＦＥＴデバイスなどになりうる。第１層２０４は、例えば、トランジスタデバイスのゲート誘電体層、フラッシュメモリデバイスのトンネル酸化物層、ゲート構造上のスペーサ層、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体（ＩＰＤ）層などとして、利用されうる第１層２０４は、第１層２０４が利用されうる特定の応用に従って、任意の好適な厚みを有しうる。例えば、第１層２０４は、約０．５から約１０ｎｍの厚みを有しうる。第１層２０４は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、又は、半導体デバイスにおいて使用され、かつ窒化を必要とする任意の好適な酸化物層のような、酸化物層を備えうる。例えば、いくつかの実施形態では、酸化物層は、自然酸化物層であるか、又は、以下で論じる酸化プロセスを含む任意の好適な酸化プロセスによって形成されうる。第１層２０４は酸化物層に必ずしも限定されず、他の好適な層も、本書で開示されている本発明の方法による恩恵を受けうる。例えば、第１層２０４の他の好適な実施形態は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＩＩＩ−Ｖ化合物といった他の好適な半導体材料、或いは、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などのような金属、金属窒化物又は金属酸化物を含みうる。第１層２０４はまた、ＳｉＯ２の第１副層とＨｆＯ２の第２副層、又は、ＳｉＯ２の第１副層とＨｆＳｉＯｘの第２副層などのような、層の積み重ねでありうる。
【００１７】
次に１０４において、基板２０２は窒化の前に、及び窒化中に加熱されうる。基板２０２の加熱により、第１層２０４内の窒素含有量の増加、及びデバイス特性の向上の提供が促進される。例えば、基板２０２を少なくとも摂氏約２５０度、又は少なくとも摂氏約３５０度の温度に加熱することにより、第１層２０４における窒素含有量の増加（例えば約５から約３５の原子パーセント含有量）が促進される。基板は、いくつかの実施形態では摂氏約２５０から約５５０度の温度に、又はいくつかの実施形態では摂氏約３５０から約４５０度の温度に、加熱されうる。いくつかの実施形態では、基板は、摂氏約４００度の温度に加熱されうる。実際の最高基板温度は、ハードウェア限度及び／又は処理される基板の熱収支に基づいて変動しうる。
【００１８】
第１層２０４が酸化物層である実施形態では、有利には、温度の上昇により、層からの酸素の発生が抑制され（例えば約２０％を下回る）、更に、第１層２０４と基板２０２との界面における酸素の蓄積が促進されうる。いくつかの実施形態では、基板２０２は、摂氏約２５０から約５５０度の温度に加熱される。第１層２０４が酸化物層であるいくつかの実施形態では、基板２０２は、摂氏約３００から約５５０度、又は摂氏約３５０から約５００度の温度に加熱されうる。
【００１９】
いくつかの実施形態では、基板２０２は、例えば基板２０２と方法１１０の最中に基板２０２が上に置かれる基板支持体との間に、基板への熱伝達が最大化するように、リアクタ内で位置付けられうる。そのため、基板２０２は、電動チャック（ＥＳＣ）、真空チャック、又は他の好適な装置のようなチャック装置を使用して基板支持体に固定されうる。基板２０２をチャックすることにより、有利には、たとえ、約４ｍＴｏｒｒから約１Ｔｏｒｒというような低圧下（プロセス圧力領域）でも、或いは、約１０から約８０ｍＴｏｒｒ、約１０から約４０ｍＴｏｒｒ、又は約１０から約２０ｍＴｏｒｒにおいても、再現可能な熱伝達が促進されうる。任意には、基板２０２を固定するために電動チャックが提供される実施形態では、基板がチャックされている時に基板温度の安定化を促進するために、基板２０２の上に第２プラズマが形成されうる。例えば、第２プラズマは、基板２０２を基板支持体にチャックし、プラズマを消滅させる際に、プロセス変動及び／又はウエハ破壊をもたらしかねない温度の劇的変化が基板２０２に起こらないように、基板２０２を予備加熱するために、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）などのうちの少なくとも１つを含む非反応性ガスから形成されうる。本書で使用する場合、非反応性ガスとは、基板と実質的に反応しない（例えば、実質的に基板上に堆積しないか、又は基板をエッチングしない）ガスを含む。
【００２０】
基板２０２は、基板温度を摂氏約２５０度かそれ以上、又は、いくつかの実施形態では摂氏約３５０度かそれ以上に上昇させ、維持することが可能な、任意の好適な加熱機構によって加熱されうる。好適な加熱機構は、抵抗加熱、放射加熱などを含みうる。例えば下記で論じるように、リアクタ３００の実施形態では、基板２０２に熱を提供するために、基板支持体内に一又は複数の抵抗ヒータが配置されうる。代替的には、例えば、基板２０２の上及び／又は下に配置された一又は複数のランプ、又は他のエネルギー源によって、基板が加熱されうる。
【００２１】
一加熱手法においては、静電チャック内にヒータ要素が埋設され、それにより、基板は静電チャックから直接加熱される。かかる手法により、いくつかの利点が発現しうる。（１）基板がチャックされている限り、たとえプロセス圧力が４ｍＴｏｒｒにまで低くなっても、プロセス全体にわたり基板は一定した温度に維持されうる。（２）プロセス中の基板温度の厳格な制御により、プロセス結果（窒素供与量及び取り込まれた窒素の質量パーセント（Ｎ％））が基板毎に再現可能でありうる。（３）静電チャックのヒータ要素における慎重に設計された加熱均一性パターンによって、又は、個別制御を有するマルチゾーンのヒータ要素を提供することによって、基板内窒化の均一性パターンを変化させる（例えば補償する）ことが可能である。
【００２２】
静電チャックヒータを使用する場合、チャック／加熱プロセスの特質により、基板温度の上昇が、最大で毎秒摂氏約３０度というように、非常に迅速になりうる。かかる高速の加熱速度の下では、ウエハの全ての部分が同一の速度で加熱されることにならない可能性があり、それにより、ある時点で、基板内の温度の相違が、（半導体ウエハのような）基板に亀裂を引き起こしかねない限界値（例えば＞摂氏７５度）に到達しうる。かかる障害を防止するために、基板をチャックする前に予備加熱のステップが実施されうる。予備加熱ステップは、基板が静電チャックヒータの表面上に配置されているがチャックされてはいない状態で、静電チャックヒータを所望の温度（例えば摂氏約４００度）に維持しつつ、約１〜１０Ｔｏｒｒ（例えば約８Ｔｏｒｒ）の圧力下で、約２０から約６０秒間又はそれ以上（例えば約５０秒間）にわたり、約４００ｓｃｃｍから毎分約４リットルの速度で、窒素（Ｎ２）又はヘリウム（Ｈｅ）などのような非反応性ガスを流すことを含みうる。予備加熱ステップにより、チャックする前の、基板温度の静電チャック温度への接近（例えば、基板のターゲット温度から摂氏約１５０度以内）、ひいては、基板をチャックする際の基板への熱衝撃の発生可能性の低減が促進される。いくつかの実施形態では、小接点静電チャック（約５％以下の接点領域を有する静電チャックなど）が、基板を支持するために利用され、裏側ガスがウエハを予備加熱するために利用されうる。いくつかの実施形態では、基板は、例えば接触法又は非接触法（ランプなど）によって、処理チャンバ内へと搬送される前に予備加熱されうる。
【００２３】
任意には、第１層２０４の窒化の前に、処理チャンバは、処理容積内の残留酸素含有量を低減するよう事前設定されうる。例えば、湿気、水（Ｈ２Ｏ）等によるものなどの残留酸素含有量は、結果として、基板２０２又は第１層２０４の望ましくない寄生酸化をもたらしうる。これが発生することを防止するために、処理チャンバの内部（蓋、側壁、及びペデスタル又はチャックを含む）は、事前設定ガスから形成された事前設定プラズマを用いて事前設定されうる。事前設定ガスは、例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、又は、アンモニア（ＮＨ３）とアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガス、或いは任意の好適なガス、及び／又は、含水量を低減し、かつチャンバ内部を乾燥させうるガスの組み合わせを含みうる。いくつかの実施形態では、事前設定ガスは、窒素（Ｎ２）、又はアンモニア（ＮＨ３）、又は、アンモニア（ＮＨ３）とアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスで構成されうるか、或いは基本的にそれらで構成されうる。いくつかの実施形態では、事前設定は、チャックする（例えばチャックに基板を固定する）前に、又はチャック中に実行されうる。いくつかの実施形態では、事前設定は、基板を加熱する前に、又は第１層２０４を窒化する前に、実行されうる。
【００２４】
次に１０６において、第１層２０４は、アンモニア（ＮＨ３）で構成された、又は基本的にアンモニア（ＮＨ３）で構成された、或いはアンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成された、高周波（ＲＦ）プラズマに曝露されうる。いくつかの実施形態では、図２Ｃに示すように、窒素含有層２０８を形成するために、処理チャンバを約５ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒ、又は、約１０から約８０ｍＴｏｒｒ、又は、約１０ｍＴｏｒｒから約４０ｍＴｏｒｒ、又は、約１０ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒの圧力に維持しつつ、第１層２０４はＲＦプラズマに曝露されうる。例えば、いくつかの実施形態では、処理ガスは純粋アンモニア（ＮＨ３）であるか、又は、アンモニア（ＮＨ３）と希ガスとの混合物でありうる。希ガスは、例えばアルゴン（Ａｒ）でありうる。いくつかの実施形態では、処理ガスはアンモニア（ＮＨ３）及びアルゴン（Ａｒ）を含む。いくつかの実施形態では、処理ガスはアンモニアとアルゴンのみで構成されうる。いくつかの実施形態では、処理ガスは主にアンモニア及びアルゴンから成るか、又は、基本的にアンモニアとアルゴンで構成されうる。
【００２５】
いくつかの実施形態では、処理ガスは、約１００から約１０００ｓｃｃｍ、又は、約４００ｓｃｃｍの全ガス流で供給されうる（ただし、処理チャンバの応用及び構成に応じて他の流量も使用されうる）。いくつかの実施形態では、処理ガスは、約１０〜１００パーセントのＮＨ３（例えば約１０〜１０００ｓｃｃｍのＮＨ３の流れ）、その残部は基本的にアルゴン（Ａｒ）等の希ガスである（例えば約０〜約９０パーセントの希ガス割合）。いくつかの実施形態では、処理ガスは、約０．５〜９９パーセントのＮＨ３を含んでよく（例えば約０．５〜９９０ｓｃｃｍのＮＨ３の流れ）、その残部は基本的にアルゴン（Ａｒ）等の希ガスである（例えば約１〜約９９．５パーセントの希ガス割合）。いくつかの実施形態では、処理ガスは、約１．５〜５０パーセントのＮＨ３を含んでよく（例えば約１５〜５００ｓｃｃｍのＮＨ３の流れ）、その残部は基本的にアルゴン（Ａｒ）等の希ガスである（例えば約５０〜約９８．５パーセントの不活性ガス割合）。いくつかの実施形態では、処理ガスは、約１０〜９９パーセントの希ガスを含みうる（例えば約１００〜９９０ｓｃｃｍ希ガスの流れ）。いくつかの実施形態では、処理ガスは、約８０〜９９パーセントの希ガスを含みうる（例えば約８００〜９９０ｓｃｃｍ希ガスの流れ）。
【００２６】
処理ガスは、プラズマリアクタ３００のようなプラズマリアクタ内へと導入され、プラズマ２０６を形成するために使用されうる。いくつかの実施形態では、プラズマ密度は約１０１０から約１０１２イオン／ｃｍ３でありうる。プラズマ２０６は、ＲＦソース電力を使用することによって形成されうる。いくつかの実施形態では、形成されたプラズマ２０６は８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する。いくつかの実施形態では、形成されたプラズマ２０６は４ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する。いくつかの実施形態では、形成されたプラズマ２０６は約１ｅＶから約４ｅＶのイオンエネルギーを有する。いくつかの実施形態では、ＲＦソース電力は、最大２５００ワット、又はそれを上回るワット数を発生させることが可能である。ＲＦソース電力は、任意の好適なＲＦ周波数で提供されうる。例えば、いくつかの実施形態では、ＲＦソース電力は、約２から約６０ＭＨｚ、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数で提供されうる。
【００２７】
プラズマ２０６は、パルスにされるか、又は、最大約１０００ワットの有効電力で常時適用されうる。例えば、プラズマ２０６は、約１０から約４００秒、又は約１００秒の期間にわたり、最大約４００ワットで常時適用されうる。期間は、半導体デバイス２００への損傷を限定するために調整（例えば短縮）されうる。代替的には、プラズマ２０６は、約４ｋＨｚから約１５ｋＨｚのパルス周波数でパルスにされうる。パルスにされたプラズマは、最大２５００ワットのピーク電力で、約２％から約３０％のデューティサイクルを有してよく、デューティサイクル及び／又はソース電力は、半導体デバイス２００への損傷を限定するために調整されうる。いくつかの実施形態では、プラズマ２０６は、最大２０００ワットのピーク電力で、最大２０％のデューティサイクルでパルスにされうる。いくつかの実施形態では、プラズマ２０６は、最大２０００ワットのピーク電力で、約５％から約１０％のデューティサイクルでパルスにされうる。
【００２８】
ＮＨ＊ラジカルで構成された、例えば８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する低イオンエネルギープラズマ２０６内での、アンモニア（ＮＨ３）か希ガス内で希釈されたアンモニア（ＮＨ３）のいずれかで基本的に構成される処理ガスの使用により、有利には、窒素含有層２０８の上面２１０に取り込まれた窒素の量が窒素含有層２０８の側壁２１４に沿って取り込まれた窒素の量に実質的に等しくなるように、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）層のような第１層２０４がより共形的に窒化されることを、発明者は認めている。
【００２９】
純粋なものであれ、例えばアルゴン内で希釈されたものであれ、アンモニアガス（ＮＨ３）の、低イオンエネルギープラズマ２０６の形成における使用は、アンモニア（ＮＨ３）形成プラズマ２０６内のＮＨラジカルがプラズマシース全体にわたるフィールドの影響を受けないことから、典型的な窒化プロセスよりも有利である。その結果として、ＮＨラジカルは、第１層２０４に望ましくない厚み付けをせずに第１層２０４を共形的に窒化するために、いかなる優先的な方向付けもなく基板２０２に到達して、第１層２０４の上面２１０及び側壁２１４などの、いかなる配向の基板表面とも反応する。
【００３０】
いくつかの実施形態では、基板２０２の曝露された表面は、プラズマ２０６への曝露を防止するため（例えば、プラズマへの曝露を基板２０２及び／又は第１層２０４の所望の部分に限定するため）のマスキング層のような犠牲層（図示せず）で、少なくとも部分的に覆われうる。いくつかの実施形態では、プラズマリアクタ内の圧力は、第１層２０４のプラズマ２０６への曝露中に、最大で約８０ｍＴｏｒｒか、約１０ｍＴｏｒｒから約８０ｍＴｏｒｒか、約１０ｍＴｏｒｒから約４０ｍＴｏｒｒか、又は、約１０から約３０ｍＴｏｒｒでありうる。
【００３１】
上述のような、第１層２０４のプラズマ２０６への曝露により形成された窒素含有層２０８は、例えば、トランジスタデバイスのゲート誘電体層、フラッシュメモリデバイスのトンネル酸化物層、ゲート構造上のスペーサ層として、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体（ＩＰＤ）層において、などに利用されうる窒素含有層２０８は、約０．３から約１０ｎｍの厚みを有しうる。窒素含有層２０８は、約３から約２５原子パーセントの窒素含有量を有しうる。窒素含有層２０８は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯＮ）、窒化されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、又は、半導体デバイスにおいて使用され、かつ窒化を必要とする任意の好適な酸化物層のような、酸化物層を備えうる。窒素含有層２０８は酸化物層に必ずしも限定されず、他の好適な層も、本書で開示されている本発明の方法による恩恵を受けうる。例えば、他の好適な実施形態では、窒素含有層２０８は、ＳｉＣＮ又は他のシリコン（Ｓｉ）含有化合物、酸化チタン又は窒化チタン、酸化タンタル又は窒化タンタル、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムなどの金属含有化合物を含みうるか、又はそれらに置換されうる。
【００３２】
窒素含有層２０８を形成すると、方法１１０は通常終了し、半導体デバイス２００及び／又は基板２０２上の他のデバイス（図示せず）の製造を完了するために、追加のプロセスステップ（図示せず）が実行されうる。
【００３３】
本書で説明されている本発明の方法、例えば方法１１０は、プラズマリアクタ内で実行されうる。例えば、図３は、本書で論じているような本発明の実施形態を実践するために使用されるよう適合している、発明のプラズマリアクタ３００の概略図を示している。リアクタ３００は、単独で利用されるか、又はより典型的には、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）ＤＰＮ  Ｇａｔｅ  Ｓｔａｃｋ一体型半導体ウエハ処理システムのような、一体型の半導体基板処理システム又はクラスタツールの処理モジュールとして、利用されうる。
【００３４】
リアクタ３００は、導電体（壁）３３０の中に配置された基板支持体３１６を有する処理チャンバ３１０と、コントローラ３４０とを含む。いくつかの実施形態では、基板支持体（カソード）３１６は、第１マッチングネットワーク３２４を通じて、バイアス電源３２２に結合される。バイアス電源３２２は通常、常時電力かパルス電力のいずれかを発生させることが可能なおよそ１３．５６ＭＨｚの周波数での、最大５００Ｗの電源である。他の実施形態では、電源３２２は、直流電源、又はパルス直流電源でありうる。いくつかの実施形態では、バイアス電力は提供されない。
【００３５】
いくつかの実施形態では、処理チャンバ３１０は、処理チャンバ３１０の内部表面を覆うために、ライナ（図示せず）を含みうる。いくつかの実施形態では、ライナは、例えば冷却剤を流通させるためにライナの中に提供された冷却剤チャネルを用いて、冷却されうる。いくつかの実施形態では、処理チャンバ３１０（及び、処理中にプラズマに曝露される他の構成要素）は、プラズマに耐性を有する材料でコーティングされうる。例えば、いくつかの実施形態では、処理チャンバ３１０は、プラズマによる腐食に耐性を有する材料でコーティングされうる。いくつかの実施形態では、コーティングは、石英、又は、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）ベースのセラミック組成物のようなセラミック材料、酸化アルミニウムなどを含みうる。本発明の実施形態により、有利には窒化速度を維持しつつ、水素ラジカルによるチャンバ構成要素の腐食が、有利には、本書で説明されるような処理中に低減されうる。
【００３６】
チャンバ３１０は、実質的に平坦な誘電体天井部３２０と共に供給されうる。チャンバ３１０の他の修正形態は、例えばドーム形の天井部又は他の形状などの、他の種類の天井部を有しうる。少なくとも１つの誘導コイルアンテナ３１２が、天井部３２０の上に配置される（外側コイル３１２Ａと内側コイル３１２Ｂとを含むデュアル同軸アンテナ３１２を図３に示す）。各アンテナ３１２は、第２マッチングネットワーク３１９を通じて、ＲＦ電源３１８に結合される。ＲＦ電源３１８は、典型的には、２ＭＨｚから１３．５６ＭＨｚの範囲内の調節可能な周波数で、最大約５０００Ｗを発生させることが可能であり、常時プラズマかパルスにされたプラズマのいずれかを発生させうる。典型的には、壁３３０は電気接地３３４に結合されうる。
【００３７】
いくつかの実施形態では、電力分配器３０４が、外側コイル３１２Ａ及び内側コイル３１２ＢをＲＦ電源３１８に結合するライン内に配置されうる。電力分配器３０４は、各アンテナコイルに提供されるＲＦ電力の量を制御する（それによって、内側コイル及び外側コイルに対応するゾーン内のプラズマ特性の制御を促進する）ために利用されうる。デュアルコイルアンテナ構成は、有利には、方法１１０において上述したように、例えば第１層２０４への、各ゾーンの中での窒素供与量の制御を向上させる。
【００３８】
任意には、アンテナ３１２のいずれか及び／又は両方は、チルトされ、かつ／又は、天井部３２０に対して上昇し下降しうる。アンテナ３１２の位置及び／又は角度の変化は、例えば、処理チャンバ内で形成されたプラズマの、均一性のような特性を変えるために利用されうる。
【００３９】
更に、かつ任意には、方法１１０において上述したように、例えば第１層２０４の窒化の制御の向上を提供するために、プラズマシールド／フィルタが基板支持体の上に含まれうる。プラズマシールド／フィルタは、石英のような材料を含み、かつ、処理チャンバ内で形成されたプラズマからイオン核種を除去するために、チャンバ３１０に接地されうる。例えば、イオンラジカルシールド３２７が、チャンバ３１０内の基板支持体３１６の上に配置されうる。イオンラジカルシールド３２７は、チャンバ壁３３０及び基板支持体３１６から電気的に隔離されており、通常、複数の開孔３２９を有する実質的に平坦なプレート３３１を含む。図３に示す実施形態では、イオンラジカルシールド３２７は、複数の脚部３２５によって、チャンバ３１０内のペデスタルの上に支持される。開孔３２９は、処理チャンバ３１０の上部処理容積３７８内で形成されたプラズマから、イオンラジカルシールド３２７と基板３１４との間に位置する下部処理容積３８０へと通過するイオンの分量を制御する、イオンラジカルシールド３２７の表面における所望の開区域を画定する。開区域が広くなるほど、多くのイオンがイオンラジカルシールド３２７を通過しうる。そのため、開孔３２９のサイズ及び分布が、プレート３３１の厚みと共に、容積３８０内のイオン濃度を制御する。結果的に、シールド３２８はイオンフィルタとなる。本発明による恩恵を受けるよう適合しうる好適なシールドの一例が、「フォトマスクプラズマエッチングのための方法及び装置（ＭＥＴＨＯＤ  ＡＮＤ  ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ  ＦＯＲ  ＰＨＯＴＯＭＡＳＫ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＴＣＨＩＮＧ）」と題された、Ｋｕｍａｒ氏等によって２００４年６月３０日に出願された米国特許出願第１０／８８２，０８４号で説明されている。ウエハ表面近辺のイオン濃度を変えることによって、イオン／ラジカル比を制御することが可能であり、ひいては、窒化プロファイルを制御することが可能になる。
【００４０】
いくつかの実施形態では、基板支持体３１６は、処理中に基板３１４を支持体のペデスタルに固定するためのチャック装置３１７を含みうる。例えば、チャック装置３１７は、静電チャック又は真空チャックを含みうる。チャック装置３１７は、基板３１４と、基板支持体３１６内に配置された一又は複数の抵抗ヒータ３２１との間の熱伝達の向上を促進しうる。図示するように、一又は複数の抵抗ヒータ３２１は、基板支持体３１６内の、通常は基板３１４の位置の下に配置され、かつ、複数のゾーンにおいて基板３１４の加熱の制御を促進するよう構成されうる。いくつかの実施形態では、基板支持体３１６は、静電チャックを含み、かつ、静電チャックの中又は下に配置された一又は複数の抵抗ヒータを含む。いくつかの実施形態では、基板支持体３１６は、静電チャックを含まないが、基板支持体の支持体表面の近位に配置された一又は複数の抵抗ヒータを有しうる。かかる実施形態では、抵抗ヒータを有する基板支持体は、例えば窒化アルミニウムの表面コーティングを有しうる（例えば、基板支持体は窒化アルミニウムなどから製造されうるか、又は、窒化アルミニウムなどの外側コーティングを有しうる）。
【００４１】
いくつかの実施形態では、図４に示すように、基板支持体３１６は、静電チャックを有さずに、抵抗ヒータを含むことがある。図４に示す基板支持体３１６は、基板３１４の温度を調節するよう構成された抵抗ヒータ３２１を含む。ヒータ３２１は、一又は複数のゾーンに含まれうる（図４に示す外側ゾーン４０２及び内側ゾーン４０４）。ヒータ３２１は、電源４１２に結合され、かつ、基板３１４を最高で摂氏約５００度の温度に維持することが可能である。いくつかの実施形態では、基板３１４が基板支持体３１６の表面４１６に固着することを防止するために、接地メッシュ４０６が、一又は複数のヒータ３２１と基板支持体３１６の上部表面４１６との間に配置されうる。上述の不活性コーティングは、基板支持体３１６の表面４１６にも適用されうる。
【００４２】
静電チャックをヒータと共に使用する場合、窒素供与量及びＮ％（例えば、窒素含有層２０８を形成するために第１層２０４内に取り込まれた窒素の質量パーセント）は、プラズマプロセス中のウエハ温度に正比例することが実証された。そのため、ウエハ上の窒素供与量及びＮ％の均一性を制御し、かつ／又は調節するために、２つの手法が利用可能である。（１）ウエハの温度均一性パターンがプラズマ均一性パターンを補償するように、ヒータ要素のための電力密度の事前設定されたパターンを用いる、固定的ゾーン加熱、又は、（２）プラズマ均一性パターンを補償するためにウエハ温度均一性が調節されうるように、種々のヒータゾーンための調節可能な電力供給を用いる、調節可能複数ゾーン加熱、である。いずれの手法においても、ウエハ内窒化均一性の向上、及び／又は、基板における所望の窒素供与量パターンの提供を達成するための手がかりとして、温度が利用されうる。いくつかの実施形態では、窒素供与量パターンは実質的に均一でありうる（例えば約１パーセントの範囲内）。
【００４３】
運動アセンブリ４１０が、処理中に基板支持体３１６の、従って基板３１４の上昇を制御するために提供されうる。運動アセンブリ４１０は、可撓性ベローズ４０８を使用して、密封するようにチャンバ本体３３０に結合される。代替的には、又は組み合わせにおいて、運動アセンブリ４１０は、基板支持体３１６を回転させるよう構成されうる。
【００４４】
図３に立ち戻るに、代替的には、又は組み合わせにおいて、基板３１４を加熱するために、ランプ３２３のような一又は複数の放射源が提供されうる。ランプ３２３は、急速熱処理チャンバ内で利用される放射ランプと同様に構成されうる。上方から基板を加熱することを含む他の加熱方法又は設計も使用されうる。
【００４５】
基板３１４の温度は、基板支持体３１６の温度を安定化させることによって制御されうる。ガス源３４８からの熱伝達ガスが、基板３１４の背面によって形成されたチャネル、及び、支持体表面及び／又はチャック装置３１７内の溝（図示せず）へと、ガス導管３４９を介して提供される。熱伝達ガスは、基板支持体３１６と基板３１４との間の熱伝達を促進するために使用される。処理中に、基板支持体３１６は、一又は複数の抵抗ヒータ３２１によって定常状態温度に加熱されてよく、次いで、熱伝達ガスは、基板３１４の均一加熱を促進する。かかる熱制御を使用して、基板３１４は、摂氏約０度から摂氏約５５０度の温度で維持されうる。
【００４６】
いくつかの実施形態では、基板支持体３１６は、例えば急速冷却のための基板ダイへの熱衝撃を防止するために、低熱質量を有しうる。例えば、基板支持体３１６は、ヒートシンク又はそれに結合された冷却プレートなしで構成されてよく、それによって、基板支持体３１６から熱が除去されうる速度を限定しうる。
【００４７】
典型的な工程においては、基板３１４（例えば基板２０２）は、基板支持体３１６上に載置されてよく、天井部３２０内に配置され、かつ基板３１４の上方の中心にある入口ポート３２６を通じて、ガスパネル３３８から処理ガスが供給される。いくつかの実施形態では、ガスパネル３３８は、アンモニア（ＮＨ３）又は水素（Ｈ２）のような処理ガスを供給するよう構成される。処理ガスは、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）又はアルゴン（Ａｒ）のような追加のガスと組み合わされ、入口ポート３２６を介してチャンバ３１０へ流入しうる。入口ポート３２６は、基板３１４に向けて垂直に、かつ処理チャンバ３１０の中へと放射状に進むように処理ガスを提供しうる、例えばバッフル又は同様のガス入口装置を含みうる。入口ポート３２６を介して処理チャンバ３１０に入る際に、処理ガスは混合ガス３５０を形成する。混合ガス３５０は、ＲＦ電源３１８からアンテナ３１２へと電力を印加することによって、チャンバ３１０内で強熱されてプラズマ３５５になる。任意には、バイアス電源３２２からの電力も基板支持体３１６に提供されうる。チャンバ３１０の内部の圧力は、スロットルバルブ３６２及び真空ポンプ３３６を使用して制御される。チャンバ壁３３０の温度は、壁３３０を通過する液体含有導管（図示せず）を使用して制御される。
【００４８】
コントローラ３４０は、中央処理装置（ＣＰＵ）３４４と、メモリ３４２と、ＣＰＵ３４４のためのサポート回路３４６とを備え、本書で論じているように、窒化処理チャンバ３１０の構成要素の制御、従って窒化プロセスの制御を促進する。コントローラ３４０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業環境で使用されうる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサのうちの１つでありうる。ＣＰＵ３４４のメモリ又はコンピュータ可読媒体３４２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又は任意の他の形態のローカルデジタルストレージ或いは遠隔デジタルストレージなどの、容易に入手可能なメモリのうちの一又は複数でありうる。サポート回路３４６は、従来型の様態でプロセッサをサポートするためにＣＰＵ３４４に連結される。これらの回路は、キャッシュ、電力供給装置、クロック回路、入出力回路、及びサブシステムなどを含む。本発明の方法は、ソフトウェアルーチンとしてメモリ３４２に記憶され、上述された様態で実行さるか、又は発動されうる。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ３４４によって制御されるハードウェアの遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶され、かつ／又は実行されうる。
【００４９】
ゆえに、本書では、窒素含有層を形成するための方法及び装置が提供された。本発明の方法及び装置は、有利には、層の厚み付けの低減を伴う窒素含有量の増加、及び、ターゲット層（第１層など）とポリシリコンゲート等の別のデバイス層との間の界面における酸素保持の向上を促進することによって、ターゲット層の窒化の向上を提供しうる。
【００５０】
上記は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されうる。
【図１】
2019125798.tif 000003
【図２】
2019125798.tif 000004
【図３】
2019125798.tif 000005
【図４】
2019125798.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月29日(2019.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素含有層を形成する方法であって、
３次元構造である第１層が上に配置されている基板を、処理チャンバの基板支持体上に載置することと、
前記基板を第１温度に加熱することであって、前記第１温度は摂氏約２５０度から摂氏約５００度である、加熱することと、
前記第１層を前記窒素含有層へと変換するために、前記第１層を、アンモニア（ＮＨ３）を含む処理ガスから形成されたＲＦプラズマに曝露することであって、前記処理ガスは、全ガス流に基づいて約０．５％から約９９．５％のアンモニア（ＮＨ３）を含み、その残部は希ガスである、曝露することとを含み、前記プラズマは約８ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する、方法。
【請求項２】
前記プラズマは約４ｅＶを下回るイオンエネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理ガスは希ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記希ガスはアルゴンである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アンモニア（ＮＨ３）は約１５ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍで流される、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記処理チャンバを約５ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの圧力に維持しつつ、前記第１層を高周波（ＲＦ）プラズマに曝露することを更に含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
約１３．５６ＭＨｚの周波数を有するパルスにされたＲＦ電源を使用して、ＲＦプラズマを形成することを更に含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記パルスにされたＲＦ電源は、最大３０％のデューティサイクルで最大２０００ワットの電力を供給する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記パルスにされたＲＦ電源は、約５％から約１０％のデューティサイクルで電力を供給する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１層は、半導体材料、金属、又は金属酸化物を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１層はシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＩＩＩ−Ｖ化合物、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、又は窒化タンタル（ＴａＮ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、或いは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記窒素含有層の上面に取り込まれた窒素の量は、前記窒素含有層の側壁に沿って取り込まれた窒素の量に実質的に等しい、請求項１に記載の方法。
【外国語明細書】
2019125798000001.pdf