(57)【要約】【課題】マイクロレンズの表面に透明樹脂が配置された撮像素子における入射光の反射を軽減する。【解決手段】撮像素子は、画素、マイクロレンズ、透明樹脂層および封止ガラスを具備する。画素は、半導体基板に形成されて照射された光に応じた画像信号を生成する。マイクロレンズは、画素に隣接して配置されて入射光を集光して画素に照射するとともに画素の表面を平坦化する。透明樹脂層は、マイクロレンズに隣接して配置されてマイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される。封止ガラスは、透明樹脂に隣接して配置されて半導体基板を封止する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されて照射された光に応じた画像信号を生成する画素と、
前記画素に隣接して配置されて入射光を集光して前記画素に照射するとともに前記画素の表面を平坦化するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズに隣接して配置されて前記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層と、
前記透明樹脂に隣接して配置されて前記半導体基板を封止する封止ガラスと
を具備する撮像素子。
【請求項２】
前記透明樹脂層は、前記所定の差分が０．４乃至０．６となる屈折率に構成される請求項１記載の撮像素子。
【請求項３】
前記透明樹脂層は、前記マイクロレンズに隣接して配置されて前記マイクロレンズの屈折率に対して前記所定の差分だけ異なる屈折率に構成される第１の透明樹脂層と前記第１の透明樹脂層とは異なる屈折率に構成される第２の透明樹脂層とにより構成される請求項１記載の撮像素子。
【請求項４】
前記透明樹脂層は、前記第１の透明樹脂層および前記第２の透明樹脂層の間に反射防止層を備える請求項３記載の撮像素子。
【請求項５】
前記マイクロレンズは、有機材料により構成される請求項１記載の撮像素子。
【請求項６】
前記マイクロレンズは、無機材料により構成されるレンズ部と当該レンズ部と略同じ屈折率に構成されて前記画素に隣接して配置される平坦化部とにより構成される請求項１記載の撮像素子。
【請求項７】
前記マイクロレンズは、反射防止膜を備える請求項１記載の撮像素子。
【請求項８】
前記マイクロレンズは、表面の凹凸により構成された領域を前記反射防止膜として備える請求項７記載の撮像素子。
【請求項９】
前記透明樹脂層が配置される面とは異なる前記封止ガラスの面に隣接して配置される撮影レンズをさらに具備する請求項１記載の撮像素子。
【請求項１０】
照射された光に応じた画像信号を生成する画素を半導体基板に形成する画素形成工程と、
入射光を集光して前記画素に照射するとともに前記画素の表面を平坦化するマイクロレンズを前記形成された画素に隣接して配置するマイクロレンズ配置工程と、
前記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層を前記配置されたマイクロレンズに隣接して配置する透明樹脂層配置工程と、
前記半導体基板を封止する封止ガラスを前記配置された透明樹脂層に隣接して配置する封止工程と
を具備する撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、撮像素子および撮像素子の製造方法に関する。詳しくは、マイクロレンズを備える撮像素子および当該撮像素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、撮像を行う半導体チップがガラス窓を有する中空パッケージ内に納められて構成された撮像素子が使用されている。信頼性を向上させるため、この中空パッケージはセラミック等により構成される。撮像素子には、照射された光を電気信号に変換する画素が２次元格子状に配置される。これら複数の画素には、マイクロレンズがそれぞれ配置され、入射光の集光を行う。上述の中空パッケージでは、パッケージに封入された空気とマイクロレンズとが接することとなる。空気の屈折率は比較的小さいため、マイクロレンズとの間の屈折率の差を大きくすることができ、マイクロレンズの表面において入射光を大きく屈折させることができる。このため、マイクロレンズによる入射光の集光効率を向上させることができる。
【０００３】
これに対し、半導体チップの受光面に透明樹脂を介して封止ガラスを接着して構成することにより、構成を簡略化した撮像素子が提案されている。この撮像素子の場合、マイクロレンズは透明樹脂と接することとなる。透明樹脂は空気より屈折率が大きいため、マイクロレンズ材として屈折率がより大きな窒化シリコン（ＳｉＮ）を採用することにより、マイクロレンズの表面における屈折率の差を確保することができ、集光率の低下を軽減することができる。例えば、光電変換部を有する半導体基板に光透過性絶縁層、第１平坦化層、カラーフィルタ、第２平坦化層、応力緩和層、ＳｉＮからなるマイクロレンズおよび透明樹脂層が順に積層されて構成された固体撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この固体撮像素子では、第２平坦化層が有機材料により構成されるため、無機材料により構成されるマイクロレンズとの間に応力緩和層が配置される。この応力緩和層は、第２平坦化膜およびマイクロレンズの中間の膜応力に構成され、第２平坦化膜およびマイクロレンズの応力差を緩和する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１６８０９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の従来技術では、マイクロレンズとカラーフィルタとの間に屈折率が異なる複数の層が配置されるため、これらの界面において入射光が反射されるという問題がある。この反射された入射光は、封止ガラスと空気（外気）との界面において再び反射されて画素に入射するため、画質が低下するという問題がある。
【０００６】
本開示は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、マイクロレンズの表面に透明樹脂が配置された撮像素子における入射光の反射を軽減することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の態様は、半導体基板に形成されて照射された光に応じた画像信号を生成する画素と、上記画素に隣接して配置されて入射光を集光して上記画素に照射するとともに上記画素の表面を平坦化するマイクロレンズと、上記マイクロレンズに隣接して配置されて上記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層と、上記透明樹脂に隣接して配置されて上記半導体基板を封止する封止ガラスとを具備する撮像素子である。
【０００８】
また、この第１の態様において、上記透明樹脂層は、上記所定の差分が０．４乃至０．６となる屈折率に構成されてもよい。
【０００９】
また、この第１の態様において、上記透明樹脂層は、上記マイクロレンズに隣接して配置されて上記マイクロレンズの屈折率に対して上記所定の差分だけ異なる屈折率に構成される第１の透明樹脂層と上記第１の透明樹脂層とは異なる屈折率に構成される第２の透明樹脂層とにより構成されてもよい。
【００１０】
また、この第１の態様において、上記透明樹脂層は、上記第１の透明樹脂層および上記第２の透明樹脂層の間に反射防止層を備えてもよい。
【００１１】
また、この第１の態様において、上記マイクロレンズは、有機材料により構成されてもよい。
【００１２】
また、この第１の態様において、上記マイクロレンズは、無機材料により構成されるレンズ部と上記レンズ部と略同じ屈折率に構成されて上記画素に隣接して配置される平坦化部とにより構成されてもよい。
【００１３】
また、この第１の態様において、上記マイクロレンズは、反射防止膜を備えてもよい。
【００１４】
また、この第１の態様において、上記マイクロレンズは、表面の凹凸により構成された領域を上記反射防止膜として備えてもよい。
【００１５】
また、この第１の態様において、上記透明樹脂層が配置される面とは異なる上記封止ガラスの面に隣接して配置される撮影レンズをさらに具備してもよい。
【００１６】
また、本技術の第２の態様は、照射された光に応じた画像信号を生成する画素を半導体基板に形成する画素形成工程と、入射光を集光して上記画素に照射するとともに上記画素の表面を平坦化するマイクロレンズを上記形成された画素に隣接して配置するマイクロレンズ配置工程と、上記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層を上記配置されたマイクロレンズに隣接して配置する透明樹脂層配置工程と、上記半導体基板を封止する封止ガラスを上記配置された透明樹脂層に隣接して配置する封止工程とを具備する撮像素子の製造方法である。
【００１７】
このような態様により、透明樹脂層の屈折率に対して所定の差分の屈折率のマイクロレンズを使用しながら当該マイクロレンズにより画素の表面を平坦化するという作用をもたらす。画素の表面を平坦化する膜を省略することができ、画素に配置されたマイクロレンズに隣接して透明樹脂層および封止ガラスが配置される撮像素子において、画素表面における入射光の反射の軽減が想定される。
【発明の効果】
【００１８】
本開示によれば、マイクロレンズの表面に透明樹脂が配置された撮像素子における入射光の反射を軽減するという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本開示の実施の形態に係る撮像素子の構成例を示す図である。
【図２】本開示の実施の形態に係る画素の構成例を示す図である。
【図３】本開示の実施の形態に係る撮像素子の構成例を示す断面図である。
【図４】本開示の第１の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。
【図５】本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子の製造方法の一例を示す図である。
【図６】本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子の製造方法の一例を示す図である。
【図７】本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子の製造方法の一例を示す図である。
【図８】本開示の第２の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。
【図９】本開示の第３の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。
【図１０】本開示の第４の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。
【図１１】本開示の第４の実施の形態に係る反射防止膜の構成例を示す図である。
【図１２】本開示の第５の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。
【図１３】本技術が適用され得る撮像装置の一例であるカメラの概略的な構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、図面を参照して、本開示を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）を説明する。以下の図面において、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は、模式的なものであり、各部の寸法の比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれることは勿論である。また、以下の順序で実施の形態の説明を行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．第４の実施の形態
５．第５の実施の形態
６．カメラへの応用例
【００２１】
＜１．第１の実施の形態＞
［撮像素子の構成］
図１は、本開示の実施の形態に係る撮像素子の構成例を示す図である。同図の撮像素子１は、画素アレイ部１０と、垂直駆動部２０１と、カラム信号処理部２０２と、制御部２０３とを備える。
【００２２】
画素アレイ部１０は、画素１００が２次元格子状に配置されて構成されたものである。ここで、画素１００は、照射された光に応じた画像信号を生成するものである。この画素１００は、照射された光に応じた電荷を生成する光電変換部を有する。また画素１００は、画素回路をさらに有する。この画素回路は、光電変換部により生成された電荷に基づく画像信号を生成する。画像信号の生成は、後述する垂直駆動部２０１により生成された制御信号により制御される。画素アレイ部１０には、信号線１０９および１０８がＸＹマトリクス状に配置される。信号線１０９は、画素１００における画素回路の制御信号を伝達する信号線であり、画素アレイ部１０の行毎に配置され、各行に配置される画素１００に対して共通に配線される。信号線１０８は、画素１００の画素回路により生成された画像信号を伝達する信号線であり、画素アレイ部１０の列毎に配置され、各列に配置される画素１００に対して共通に配線される。これら光電変換部および画素回路は、半導体基板に形成される。
【００２３】
垂直駆動部２０１は、画素１００の画素回路の制御信号を生成するものである。この垂直駆動部２０１は、生成した制御信号を同図の信号線１０９を介して画素１００に伝達する。カラム信号処理部２０２は、画素１００により生成された画像信号を処理するものである。このカラム信号処理部２０２は、同図の信号線１０８を介して画素１００から伝達された画像信号の処理を行う。カラム信号処理部２０２における処理には、例えば、画素１００において生成されたアナログの画像信号をデジタルの画像信号に変換するアナログデジタル変換が該当する。カラム信号処理部２０２により処理された画像信号は、撮像素子１の画像信号として出力される。制御部２０３は、撮像素子１の全体を制御するものである。この制御部２０３は、垂直駆動部２０１およびカラム信号処理部２０２を制御する制御信号を生成して出力することにより、撮像素子１の制御を行う。制御部２０３により生成された制御信号は、信号線２０９および２０８により垂直駆動部２０１およびカラム信号処理部２０２に対してそれぞれ伝達される。
【００２４】
以上説明した垂直駆動部２０１、カラム信号処理部２０２および制御部２０３は、画素アレイ部１０とは異なる半導体チップに構成される。具体的には、垂直駆動部２０１、カラム信号処理部２０２および制御部２０３は、信号処理チップ２０に構成される。後述するように、この信号処理チップ２０は、画素アレイ部１０を構成する半導体チップに張り合わされて積層され、１つの半導体パッケージに構成される。
【００２５】
［画素の回路構成］
図２は、本開示の実施の形態に係る画素の構成例を示す図である。同図は、画素１００の構成例を表す回路図である。同図の画素１００は、光電変換部１０１と、電荷保持部１０２と、ＭＯＳトランジスタ１０３乃至１０６とを備える。
【００２６】
光電変換部１０１のアノードは接地され、カソードはＭＯＳトランジスタ１０３のソースに接続される。ＭＯＳトランジスタ１０３のドレインは、ＭＯＳトランジスタ１０４のソース、ＭＯＳトランジスタ１０５のゲートおよび電荷保持部１０２の一端に接続される。電荷保持部１０２の他の一端は、接地される。ＭＯＳトランジスタ１０４および１０５のドレインは電源線Ｖｄｄに共通に接続され、ＭＯＳトランジスタ１０５のソースはＭＯＳトランジスタ１０６のドレインに接続される。ＭＯＳトランジスタ１０６のソースは、信号線１０８に接続される。ＭＯＳトランジスタ１０３、１０４および１０６のゲートは、それぞれ転送信号線ＴＲ、リセット信号線ＲＳＴおよび選択信号線ＳＥＬに接続される。なお、転送信号線ＴＲ、リセット信号線ＲＳＴおよび選択信号線ＳＥＬは、信号線１０９を構成する。
【００２７】
光電変換部１０１は、前述のように照射された光に応じた電荷を生成するものである。この光電変換部１０１には、フォトダイオードを使用することができる。また、電荷保持部１０２およびＭＯＳトランジスタ１０３乃至１０６は、画素回路を構成する。
【００２８】
ＭＯＳトランジスタ１０３は、光電変換部１０１の光電変換により生成された電荷を電荷保持部１０２に転送するトランジスタである。ＭＯＳトランジスタ１０３における電荷の転送は、転送信号線ＴＲにより伝達される信号により制御される。電荷保持部１０２は、ＭＯＳトランジスタ１０３により転送された電荷を保持するキャパシタである。ＭＯＳトランジスタ１０５は、電荷保持部１０２に保持された電荷に基づく信号を生成するトランジスタである。ＭＯＳトランジスタ１０６は、ＭＯＳトランジスタ１０５により生成された信号を画像信号として信号線１０８に出力するトランジスタである。このＭＯＳトランジスタ１０６は、選択信号線ＳＥＬにより伝達される信号により制御される。
【００２９】
ＭＯＳトランジスタ１０４は、電荷保持部１０２に保持された電荷を電源線Ｖｄｄに排出することにより電荷保持部１０２をリセットするトランジスタである。このＭＯＳトランジスタ１０４によるリセットは、リセット信号線ＲＳＴにより伝達される信号により制御され、ＭＯＳトランジスタ１０３による電荷の転送の前に実行される。なお、このリセットの際、ＭＯＳトランジスタ１０３を導通させることにより、光電変換部１０１のリセットをさらに行うことができる。このように、画素回路は、光電変換部１０１により生成された電荷を画像信号に変換する。
【００３０】
［撮像素子の断面構成］
図３は、本開示の実施の形態に係る撮像素子の構成例を示す断面図である。同図は、撮像素子１の構成を表す断面図である。同図の撮像素子１は、画素アレイ部１０と、信号処理チップ２０と、撮影レンズ１８１とを備える。
【００３１】
同図の画素アレイ部１０は、半導体基板１２と、配線領域１３と、透明樹脂層１６１と、封止ガラス１７１とを備える。
【００３２】
半導体基板１２は、画素アレイ部１０に配置される画素１００の素子のうち半導体領域部分が形成される半導体基板である。この半導体基板１２は、シリコンにより構成することができる。
【００３３】
配線領域１３は、画素１００の素子同士を接続する配線や信号線１０９等を構成する配線が形成される領域である。配線領域１３には、チップ間接続パッド１３４が配置される。このチップ間接続パッド１３４は、後述する信号処理チップ２０に配置されたチップ間接続パッド２３４と接続されて信号等のやり取りを行う電極である。チップ間接続パッド１３４は、金属（例えば銅（Ｃｕ））により構成することができる。
【００３４】
半導体基板１２における配線領域１３が配置される表面とは異なる面である裏面には、マイクロレンズ１５１が形成される。このマイクロレンズ１５１は、入射光を集光して画素アレイ部１０に配置された画素１００に照射させるレンズである。このように、半導体基板１２の裏面に照射された入射光の撮像を行う形式の撮像素子は、裏面照射型の撮像素子と称される。
【００３５】
封止ガラス１７１は、撮像素子１を封止するとともに撮像素子１を保護するガラスである。この封止ガラス１７１には、例えば、屈折率が１．５のガラスを使用することができる。
【００３６】
透明樹脂層１６１は、半導体基板１２および封止ガラス１７１の間に配置される透明な樹脂である。この透明樹脂層１６１は、半導体基板１２の表面のマイクロレンズ１５１に隣接して配置され、封止ガラス１７１を半導体基板１２に接着する樹脂である。また、透明樹脂層１６１は、マイクロレンズ１５１の屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される。また、透明樹脂層１６１の屈折率を封止ガラス１７１と同じ１．５にすることにより、封止ガラス１７１および透明樹脂層１６１の界面における入射光の反射を軽減することができる。透明樹脂層１６１およびマイクロレンズ１５１の構成の詳細については後述する。
【００３７】
信号処理チップ２０は、半導体基板２２と、配線領域２３と、貫通電極２４３と、裏面側パッド２４２と、樹脂層２４１と、半田ボール２４４とを備える。
【００３８】
半導体基板１２は、シリコン等により構成され、信号処理チップ２０に含まれる垂直駆動部２０１、カラム信号処理部２０２および制御部２０３を構成する素子のうち半導体領域部分が形成される半導体基板である。
【００３９】
配線領域２３は、信号処理チップ２０に含まれる素子同士を接続する配線等が形成される領域である。配線領域２３には、画素アレイ部１０のチップ間接続パッド１３４と接続されるチップ間接続パッド２３４が配置される。また、配線領域２３には、表面側パッド２３５が配置される。この表面側パッド２３５は、後述する貫通電極２４３を介して裏面側パッド２４２と接続される電極である。
【００４０】
半導体基板２２の裏面には、裏面側パッド２４２が配置される。この裏面側パッド２４２は、撮像素子１に接続される画像処理装置等の外部の回路と接続するための電極である。貫通電極２４３は、表面側パッド２３５および裏面側パッド２４２の間に配置され、表面側パッド２３５および裏面側パッド２４２を電気的に接続するものである。裏面側パッド２４２および貫通電極２４３は、金属（例えばＣｕ）により構成することができる。
【００４１】
半田ボール２４４は、裏面側パッド２４２に隣接して配置される半球状に構成された半田である。この半田ボール２４４は、撮像素子１を外部回路の基板に実装するための半田である。樹脂層２４１は、信号処理チップ２０および裏面側パッド２４２を保護するための樹脂である。この樹脂層２４１には、例えば、ソルダレジストを使用することができる。
【００４２】
画素アレイ部１０の配線領域１３および信号処理チップ２０の配線領域２３が接合されて、画素アレイ部１０および信号処理チップ２０が積層される。この際、チップ間接続パッド１３４および２３４が隣接して接合される。具体的には、チップ間接続パッド１３４および２３４が隣接するように位置合わせして画素アレイ部１０および信号処理チップ２０を接触させ、画素アレイ部１０および信号処理チップ２０を加熱圧接する。これにより、配線領域１３および２３が接続されるとともに、チップ間接続パッド１３４および２３４が機械的および電気的に接続される。これにより、画素アレイ部１０および信号処理チップ２０の間の信号の伝達を行うことが可能となる。このような半導体チップ同士の接続は、Ｃｕ−Ｃｕ接続と称される。図１において説明した信号線１０８および１０９はこのＣｕ−Ｃｕ接続を含んで構成される。
【００４３】
撮影レンズ１８１は、ウェハレベルレンズと称され、撮像素子１と一体として形成される撮影レンズである。
【００４４】
なお、撮像素子１の構成は、この例に限定されない。例えば、半田ボール２４４の代わりに半田接続のためのパッドが樹脂層２４１に対して島状に配置される構成にすることもできる。また、撮影レンズ１８１を省略した撮像素子１にすることもできる。
【００４５】
［画素の構成］
図４は、本開示の第１の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。同図は、画素アレイ部１０の画素１００が形成される領域を表した断面図である。
【００４６】
同図の画素１００は、半導体基板１２と、配線領域１３と、絶縁膜１２３と、遮光膜１４２と、カラーフィルタ１４１と、マイクロレンズ１５１とを備える。
【００４７】
半導体基板１２には、例えば、ｐ型に構成されたウェル領域１２１が形成され、このウェル領域１２１中に画素１００を構成する素子の半導体領域が形成される。便宜上、同図の半導体基板１２は、ウェル領域１２１により構成されるものと想定する。同図には、画素１００を構成する素子として図２において説明した光電変換部１０１を例として記載した。同図の半導体領域１２２は、ｎ型に構成された半導体領域であり、半導体領域１２２と半導体領域１２２の周囲のウェル領域とにより光電変換部１０１が構成される。ｎ型の半導体領域１２２およびｐ型のウェル領域の界面のｐｎ接合によりフォトダイオードが形成される。
【００４８】
配線領域１３には、絶縁層１３１、配線層１３２およびビアプラグ１３３が配置される。配線層１３２は、信号を伝達する配線である。この配線層１３２により、画素１００を構成する素子相互の配線が行われる。この配線層１３２は、Ｃｕ等の金属により構成することができる。
【００４９】
絶縁層は、配線層１３２を絶縁するものである。この絶縁層１３１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の絶縁物により構成することができる。配線層１３２および絶縁層１３１は、多層に構成することができる。同図は、３層に構成された配線層１３２および絶縁層１３１の例を表したものである。ビアプラグ１３３は、異なる層に形成された配線層１３２を接続するものである。このビアプラグ１３３は、例えば、Ｃｕやタングステン（Ｗ）により構成することができる。
【００５０】
配線層１３２は、ビアプラグ１３３を介して配線領域１３の表面に配置されたチップ間接続パッド１３４と接続される。このように、配線層１３２、ビアプラグ１３３およびチップ間接続パッド１３４により、画素アレイ部１０における信号線１０９等が構成される。
【００５１】
絶縁膜１２３は、半導体基板１２を絶縁する膜である。この絶縁膜１２３は、例えば、ＳｉＯ２により構成することができる。
【００５２】
カラーフィルタ１４１は、画素１００に入射する光のうち所定の波長の光を透過させる光学的なフィルタである。このカラーフィルタ１４１として、赤色光、緑色光および青色光の何れかを透過するカラーフィルタを配置することができる。カラーフィルタ１４１は、有機材料、例えば、顔料や染料を分散させた樹脂により構成することができる。この際、カラーフィルタ１４１は、透過させる光の波長に応じて異なる厚さおよび異なる屈折率に構成される。カラーフィルタ１４１の屈折率は、例えば、１．６乃至１．８に構成される。
【００５３】
遮光膜１４２は、画素１００の間に配置されて入射光を遮光するものである。この遮光膜１４２は、隣接する画素１００から斜めに入射する光を遮光する。これにより、隣接する画素１００の異なる色に対応するカラーフィルタ１４１を透過した光の入射を防止し、混色の発生を防ぐことができる。
【００５４】
マイクロレンズ１５１は、半球形状に構成されて入射光を画素１００の光電変換部１０１に集光するレンズである。このマイクロレンズ１５１は、画素１００毎に配置され、画素１００に隣接して配置される。同図の画素１００では、カラーフィルタ１４１に隣接して配置される。また、マイクロレンズ１５１は、画素１００の表面の平坦化をさらに行う。同図においては、マイクロレンズ１５１は、カラーフィルタ１４１の表面を平坦化する。上述のように、カラーフィルタ１４１は、対応する色に応じて異なる厚さに形成される。同図のマイクロレンズ１５１は、カラーフィルタ１４１の表面を平坦化しながら半球形状に形成される。これにより、マイクロレンズ１５１の高さを隣接する画素１００の間で揃えることができる。また、同図のマイクロレンズ１５１は、有機材料により構成することができ、２．０の屈折率のレンズに構成することができる。具体的には、フィラーとして酸化チタン（ＴｉＯ２）を分散させたアクリル樹脂により構成することができる。
【００５５】
透明樹脂層１６１は、マイクロレンズ１５１に隣接して配置され、マイクロレンズ１５１と異なる屈折率に構成される。これにより、透明樹脂層１６１およびマイクロレンズ１５１の界面において入射光を屈折させることができる。この透明樹脂層１６１は、例えば、アクリル樹脂やエポキシ樹脂により構成することができる。これらの樹脂を使用して、例えば、１．５の屈折率に構成することができる。
【００５６】
透明樹脂層１６１およびマイクロレンズ１５１の屈折率の差分が大きいほど、マイクロレンズ１５１を透過する入射光を大きく屈折させることができ、焦点距離を短縮することができる。この屈折率の差分として、例えば、０．４乃至０．６を採用し、この屈折率の差分に基づく焦点距離に応じた画素１００を形成することができる。上述のマイクロレンズ１５１および透明樹脂層１６１の例では、屈折率の差分は０．５となる。このように、簡略化したパッケージを採用したことによりマイクロレンズ１５１の表面に空気の層が配置されない構成の撮像素子１において、入射光を集光することができる。比較的大きな屈折率の透明樹脂層１６１を屈折率が１．０の空気の代わりに配置することが可能となる。
【００５７】
また、有機材料により形成されたマイクロレンズ１５１は、カラーフィルタ１４１の表面を平坦化しながら形成される。このため、カラーフィルタ１４１およびマイクロレンズ１５１の間の平坦化膜を省略することができる。また、カラーフィルタ１４１およびマイクロレンズ１５１は樹脂により構成されるため、カラーフィルタ１４１およびマイクロレンズ１５１のそれぞれの熱膨張係数が比較的近い値となる。このため、熱膨張係数の違いによる応力の発生が軽減され、応力を緩和する膜の配置も省略することができる。
【００５８】
平坦化膜等がカラーフィルタ１４１およびマイクロレンズ１５１の間に配置される場合には、平坦化膜等により反射された入射光が空気と接する封止ガラス１７１の表面において再度反射し、画素１００に入射する現象を生じる。これは、例えば、撮像した光源の周囲に同心円状の光が写り込む、いわゆるリング状フレアを生じ、画質の低下を招くこととなる。同図の撮像素子１では、このような平坦化膜等が不要であるため画素１００の膜構成を簡略化することができ、入射光の反射を軽減することができる。画質の低下の防止が可能となる。
【００５９】
［撮像素子の製造方法］
図５乃至７は、本開示の第１の実施の形態に係る撮像素子の製造方法の一例を示す図である。図５乃至７は、撮像素子１の製造工程の例を表した図である。まず、半導体基板１２を構成する半導体ウェハ３０１にウェル領域１２１および半導体領域１２２等を形成する。次に、半導体基板１２の表面に配線領域１３を形成する（図５におけるａ）。
【００６０】
次に、半導体基板１２を構成する半導体ウェハ３０１を反転し、配線領域２３が形成された半導体基板２２を構成する半導体ウェハ３０２と貼り合わせる。この際、チップ間接続パッド１３４および２３４の間においてＣｕ−Ｃｕ接続が形成される。次に、半導体基板１２を構成する半導体ウェハ３０１の表面を研削して薄肉化する（図５におけるｂ）。
【００６１】
次に、半導体基板１２の表面に絶縁膜１２３、遮光膜１４２およびカラーフィルタ１４１を順に積層する（図５におけるｃ）。図５におけるａからｃに表した工程により、画素１００を半導体基板１２に形成することができる。
【００６２】
次に、カラーフィルタ１４１の表面にマイクロレンズ１５１の材料となる樹脂層４０１を塗布し、レジスト４０２を樹脂層４０１の表面に配置する。このレジスト４０２は、マイクロレンズ１５１と同様の半球形状に構成される。これは、例えば、レジスト材を塗布して露光および現像を行い、島状のレジストを形成する。その後、リフロー炉等によりレジストの軟化温度以上の温度に加熱してレジストを半球形状にすることにより形成することができる（図６におけるｄ）。
【００６３】
次に、レジスト４０２をマスクとして使用し、樹脂層４０１をエッチングする。このエッチングには、ドライエッチングを使用することができる。これにより、レジスト４０２の形状を樹脂層４０１に転写し、マイクロレンズ１５１を形成することができる。このようなマイクロレンズ１５１の製造方法は、エッチバック法と称される（図６におけるｅ）。この工程により、画素１００のカラーフィルタ１４１に隣接してマイクロレンズ１５１を配置することができる。
【００６４】
次に、透明樹脂層１６１をマイクロレンズ１５１の表面に塗布する（図７におけるｆ）。これにより、マイクロレンズ１５１に隣接して透明樹脂層１６１を配置することができる。次に、塗布された透明樹脂層１６１の表面に封止ガラス１７１を配置し、透明樹脂層１６１を硬化させる（図７におけるｇ）。これにより、封止ガラス１７１を透明樹脂層１６１に隣接して配置することができ、半導体基板１２を封止ガラス１７１により封止することができる。
【００６５】
次に、半導体基板２２に貫通電極２４３および裏面側パッド２４２を形成し、樹脂層２４１を塗布する。塗布した樹脂層２４１にエッチングを行って裏面側パッド２４２に隣接する開口部を形成し、この開口部に半田ボール２４４を形成する。次に、封止ガラス１７１の表面に撮影レンズ１８１を配置し、ダイシングを行って個片化する。以上の工程により、撮像素子１を製造することができる。
【００６６】
なお、撮像素子１の製造方法は、この例に限定されない。例えば、マイクロレンズ１５１を形成する際、マイクロレンズ１５１の材料の樹脂をカラーフィルタ１４１の表面にスピンコート等により塗布してカラーフィルタ１４１の表面を平坦化することもできる。その後、マイクロレンズ１５１の材料の樹脂を厚塗りして樹脂層４０１を形成することができる。
【００６７】
以上説明したように、本開示の第１の実施の形態の撮像素子１は、透明樹脂層１６１の屈折率と所定の差分の屈折率に構成される有機材料からなるマイクロレンズ１５１を使用する。これにより、マイクロレンズの表面に透明樹脂が配置された撮像素子における入射光の反射を軽減することができる。
【００６８】
＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態の撮像素子１は、有機材料より構成されたマイクロレンズ１５１を使用していた。これに対し、本開示の第２の実施の形態の撮像素子１は、無機材料により構成されたマイクロレンズを使用する点で、上述の第１の実施の形態と異なる。
【００６９】
［画素の構成］
図８は、本開示の第２の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。同図の撮像素子１は、マイクロレンズ１５１の代わりにマイクロレンズ１５６を備える点で、図４において説明した撮像素子１と異なる。
【００７０】
マイクロレンズ１５６は、レンズ部１５２および平坦化部１５３により構成される。レンズ部１５２は、無機材料により構成されるレンズである。レンズ部１５２を構成する材料には、例えば、屈折率が２．０以上の酸化物等を使用することができる。このレンズ部１５２を使用することにより、透明樹脂層１６１との屈折率の差分を０．５以上にすることができる。
【００７１】
平坦化部１５３は、画素１００の表面に隣接して配置されて画素１００の表面を平坦化するものである。同図においては、平坦化部１５３は、カラーフィルタ１４１の表面を平坦化する。この平坦化部１５３には、透明な樹脂を使用することができる。また、平坦化部１５３の屈折率をレンズ部１５２と略同じ値にすることにより、レンズ部１５２および平坦化部１５３の界面における入射光の反射を軽減することができる。
【００７２】
また、平坦化部１５３の膜応力をレンズ部１５２およびカラーフィルタ１４１のそれぞれの膜応力の間の値に構成した場合には、レンズ部１５２およびカラーフィルタ１４１の膜応力を緩和することができる。
【００７３】
これ以外の撮像素子１の構成は本開示の第１の実施の形態において説明した撮像素子１の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００７４】
以上説明したように、本開示の第２の実施の形態の撮像素子１は、平坦化部１５３をカラーフィルタ１４１との間に配置することにより、無機材料により構成されたレンズ部１５２を使用する場合において、入射光の反射を軽減することができる。
【００７５】
＜３．第３の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態の撮像素子１は、単層の透明樹脂層１６１を使用していた。これに対し、本開示の第３の実施の形態の撮像素子１は、複数の層により構成される透明樹脂層を使用する点で、上述の第１の実施の形態と異なる。
【００７６】
［画素の構成］
図９は、本開示の第３の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。同図の撮像素子１は、マイクロレンズ１５１の代わりにマイクロレンズ１５４を備え、透明樹脂層１６２および反射防止層１６３をさらに備える点で、図４において説明した撮像素子１と異なる。
【００７７】
マイクロレンズ１５４は、マイクロレンズ１５１より小さい値、例えば１．９の屈折率に構成されるレンズである。このマイクロレンズ１５４は、例えば、樹脂等の有機材料により構成することができる。マイクロレンズ１５１のように屈折率が高い樹脂を使用しないため、比較的容易にマイクロレンズを構成することができる。
【００７８】
透明樹脂層１６２は、マイクロレンズ１５４に隣接して配置されてマイクロレンズ１５４の屈折率とは前述の所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層である。また、透明樹脂層１６１は、透明樹脂層１６２とは異なる値の屈折率に構成される透明樹脂層である。この透明樹脂層１６１の屈折率は、例えば、封止ガラス１７１と同じ屈折率である１．５にすることができる。
【００７９】
屈折率が１．９のマイクロレンズ１５４を使用し、透明樹脂層の屈折率との差分として０．５の値を採用する場合には、１．４以下の屈折率の透明樹脂層を使用する必要がある。しかし、１．４以下の屈折率の透明樹脂層を配置した場合には、封止ガラス１７１とは異なる屈折率となるため、透明樹脂層および封止ガラス１７１との間の界面において入射光の反射を生じることとなる。そこで、封止ガラス１７１と隣接する透明樹脂層として封止ガラス１７１と同じ屈折率の透明樹脂層１６１を使用し、屈折率が１．４以下の透明樹脂層１６２をさらに配置する。これにより、封止ガラス１７１との間の入射光の反射を防止しながら、マイクロレンズ１５４との間の屈折率の差分として前述の所定の差分を確保することができる。なお、透明樹脂層１６２は、特許請求の範囲に記載の第１の透明樹脂層の一例である。透明樹脂層１６１は、特許請求の範囲に記載の第２の透明樹脂層の一例である。
【００８０】
反射防止層１６３は、透明樹脂層１６１および１６２の間に配置されて透明樹脂層１６１および１６２の間の界面における入射光の反射を軽減するものである。この反射防止層１６３は、入射光の波長の１／４の厚さに構成することにより、透明樹脂層１６１との界面からの反射光に対して透明樹脂層１６２との界面からの反射光の位相を反転させることができる。これにより、透明樹脂層１６１および１６２と反射防止層１６３との界面からの反射光が打ち消され、反射が軽減される。このような反射防止層１６３は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＳｉＯＮにより構成することができる。この反射防止層１６３をさらに備えることにより、透明樹脂層１６１および１６２の界面における入射光の反射を軽減することができる。なお、反射防止層１６３は、省略することも可能である。
【００８１】
これ以外の撮像素子１の構成は本開示の第１の実施の形態において説明した撮像素子１の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００８２】
以上説明したように、本開示の第３の実施の形態の撮像素子１は、屈折率が異なる透明樹脂層１６１および１６２を配置する。これにより、封止ガラス１７１との間の反射を防止しながらマイクロレンズ１５４に対して所定の差分の屈折率の透明樹脂層を配置することができ、比較的小さな屈折率のマイクロレンズ１５４を使用する場合であっても、入射光の反射を軽減することができる。
【００８３】
＜４．第４の実施の形態＞
上述の第３の実施の形態の撮像素子１は、反射防止層１６３を使用していた。これに対し、本開示の第４の実施の形態の撮像素子１は、反射防止膜を備えるマイクロレンズを使用する点で、上述の第３の実施の形態と異なる。
【００８４】
［画素の構成］
図１０は、本開示の第４の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。同図の撮像素子１は、マイクロレンズ１５４の表面に反射防止膜１５５をさらに備える点で、図９において説明した撮像素子１と異なる。
【００８５】
反射防止膜１５５は、マイクロレンズ１５４の表面に形成されて、マイクロレンズ１５４と透明樹脂層１６２との間の界面における入射光の反射を軽減する膜である。この反射防止膜１５５を配置することにより、撮像素子１における入射光の反射をさらに軽減することができる。
【００８６】
［反射防止膜の構成］
図１１は、本開示の第４の実施の形態に係る反射防止膜の構成例を示す図である。同図の反射防止膜１５５は、マイクロレンズ１５４の表面に形成された凹凸により構成される。このような凹凸により反射光が散乱されて、画素１００への再度の入射が抑制される。このような反射防止膜１５５は、例えば、マイクロレンズ１５４に含まれる金属を選択的にエッチングすることにより形成することができる。なお、反射防止膜１５５の凹凸部の大きさは１５０ｎｍ以下にすると好適である。隣接する画素１００への回折の影響を軽減することができるためである。なお、反射防止膜１５５の構成はこの例に限定されない。例えば、反射防止層１６３と同様の構成の反射防止膜１５５にすることもできる。
【００８７】
これ以外の撮像素子１の構成は本開示の第３の実施の形態において説明した撮像素子１の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００８８】
以上説明したように、本開示の第４の実施の形態の撮像素子１は、反射防止膜１５５を備えるマイクロレンズ１５４を使用することにより、入射光の反射をさらに抑制することができる。
【００８９】
＜５．第５の実施の形態＞
上述の第２の実施の形態の撮像素子１は、屈折率が２．０以上の無機材料により構成されたレンズ部１５２を使用していた。これに対し、本開示の第５の実施の形態の撮像素子１は、屈折率が比較的小さな無機材料により構成レンズ部を使用する点で、上述の第２の実施の形態と異なる。
【００９０】
［画素の構成］
図１２は、本開示の第５の実施の形態に係る画素の構成例を示す断面図である。同図の撮像素子１は、マイクロレンズ１５６の代わりにマイクロレンズ１５９を使用し、図９において説明した透明樹脂層１６２および反射防止層１６３をさらに備える点で、図８において説明した撮像素子１と異なる。
【００９１】
同図のマイクロレンズ１５９は、レンズ部１５７および平坦化部１５８により構成される。レンズ部１５７は、無機材料により構成され、屈折率が、例えば、１．９に構成される。また、同図の平坦化部１５８は、レンズ部１５７と略同じ屈折率に構成される。これ以外のレンズ部１５７および平坦化部１５８の構成は、図８において説明したレンズ部１５２および平坦化部１５３と同様であるため説明を省略する。
【００９２】
同図の撮像素子１では、屈折率が１．９の無機材料により構成されたレンズ部１５７を使用した場合であっても、平坦化部１５８によりカラーフィルタ１４１の表面を平坦化するとともに、透明樹脂層１６２に対する屈折率の差分を０．５にすることができる。すなわち、図４において説明した屈折率が２．０の有機材料により構成されたマイクロレンズ１５１を使用した場合と同様の効果を得ることができる。また、反射防止層１６３を配置することにより、透明樹脂層１６１および１６２の界面における入射光の反射を軽減することができる。
【００９３】
これ以外の撮像素子１の構成は本開示の第３の実施の形態において説明した撮像素子１の構成と同様であるため、説明を省略する。
【００９４】
以上説明したように、本開示の第５の実施の形態の撮像素子１では、透明樹脂層１６２および反射防止層１６３が配置される。これにより、無機材料により構成されたレンズ部１５７を使用する場合において、透明樹脂層１６２およびレンズ部１５７の屈折率の差分として値０．５を確保しながら透明樹脂層１６１および１６２の界面における反射を軽減することができる。
【００９５】
＜６．カメラへの応用例＞
本技術は、様々な製品に応用することができる。例えば、本技術は、カメラ等の撮像装置に搭載される撮像素子として実現されてもよい。
【００９６】
図１３は、本技術が適用され得る撮像装置の一例であるカメラの概略的な構成例を示すブロック図である。同図のカメラ１０００は、レンズ１００１と、撮像素子１００２と、撮像制御部１００３と、レンズ駆動部１００４と、画像処理部１００５と、操作入力部１００６と、フレームメモリ１００７と、表示部１００８と、記録部１００９とを備える。
【００９７】
レンズ１００１は、カメラ１０００の撮影レンズである。このレンズ１００１は、被写体からの光を集光し、後述する撮像素子１００２に入射させて被写体を結像させる。
【００９８】
撮像素子１００２は、レンズ１００１により集光された被写体からの光を撮像する半導体素子である。この撮像素子１００２は、照射された光に応じたアナログの画像信号を生成し、デジタルの画像信号に変換して出力する。
【００９９】
撮像制御部１００３は、撮像素子１００２における撮像を制御するものである。この撮像制御部１００３は、制御信号を生成して撮像素子１００２に対して出力することにより、撮像素子１００２の制御を行う。また、撮像制御部１００３は、撮像素子１００２から出力された画像信号に基づいてカメラ１０００におけるオートフォーカスを行うことができる。ここでオートフォーカスとは、レンズ１００１の焦点位置を検出して、自動的に調整するシステムである。このオートフォーカスとして、撮像素子１００２に配置された位相差画素により像面位相差を検出して焦点位置を検出する方式（像面位相差オートフォーカス）を使用することができる。また、画像のコントラストが最も高くなる位置を焦点位置として検出する方式（コントラストオートフォーカス）を適用することもできる。撮像制御部１００３は、検出した焦点位置に基づいてレンズ駆動部１００４を介してレンズ１００１の位置を調整し、オートフォーカスを行う。なお、撮像制御部１００３は、例えば、ファームウェアを搭載したＤＳＰ（Digital Signal Processor）により構成することができる。
【０１００】
レンズ駆動部１００４は、撮像制御部１００３の制御に基づいて、レンズ１００１を駆動するものである。このレンズ駆動部１００４は、内蔵するモータを使用してレンズ１００１の位置を変更することによりレンズ１００１を駆動することができる。
【０１０１】
画像処理部１００５は、撮像素子１００２により生成された画像信号を処理するものである。この処理には、例えば、画素毎の赤色、緑色および青色に対応する画像信号のうち不足する色の画像信号を生成するデモザイク、画像信号のノイズを除去するノイズリダクションおよび画像信号の符号化等が該当する。画像処理部１００５は、例えば、ファームウェアを搭載したマイコンにより構成することができる。
【０１０２】
操作入力部１００６は、カメラ１０００の使用者からの操作入力を受け付けるものである。この操作入力部１００６には、例えば、押しボタンやタッチパネルを使用することができる。操作入力部１００６により受け付けられた操作入力は、撮像制御部１００３や画像処理部１００５に伝達される。その後、操作入力に応じた処理、例えば、被写体の撮像等の処理が起動される。
【０１０３】
フレームメモリ１００７は、１画面分の画像信号であるフレームを記憶するメモリである。このフレームメモリ１００７は、画像処理部１００５により制御され、画像処理の過程におけるフレームの保持を行う。
【０１０４】
表示部１００８は、画像処理部１００５により処理された画像を表示するものである。この表示部１００８には、例えば、液晶パネルを使用することができる。
【０１０５】
記録部１００９は、画像処理部１００５により処理された画像を記録するものである。この記録部１００９には、例えば、メモリカードやハードディスクを使用することができる。
【０１０６】
以上、本発明が適用され得るカメラについて説明した。本技術は以上において説明した構成のうち、撮像素子１００２に適用され得る。具体的には、図１において説明した撮像素子１は、撮像素子１００２に適用することができる。撮像素子１００２に撮像素子１を適用することにより、簡便な構成のパッケージを採用した撮像素子において、入射光の反射を軽減することができる。カメラ１０００により生成される画像の画質の低下を防止することが可能となる。
【０１０７】
なお、ここでは、一例としてカメラについて説明したが、本発明に係る技術は、その他、例えば監視装置等に適用されてもよい。
【０１０８】
最後に、上述した各実施の形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【０１０９】
なお、本開示は以下のような構成もとることができる。
（１）半導体基板に形成されて照射された光に応じた画像信号を生成する画素と、
前記画素に隣接して配置されて入射光を集光して前記画素に照射するとともに前記画素の表面を平坦化するマイクロレンズと、
前記マイクロレンズに隣接して配置されて前記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層と、
前記透明樹脂に隣接して配置されて前記半導体基板を封止する封止ガラスと
を具備する撮像素子。
（２）前記透明樹脂層は、前記所定の差分が０．４乃至０．６となる屈折率に構成される前記（１）に記載の撮像素子。
（３）前記透明樹脂層は、前記マイクロレンズに隣接して配置されて前記マイクロレンズの屈折率に対して前記所定の差分だけ異なる屈折率に構成される第１の透明樹脂層と前記第１の透明樹脂層とは異なる屈折率に構成される第２の透明樹脂層とにより構成される前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）前記透明樹脂層は、前記第１の透明樹脂層および前記第２の透明樹脂層の間に反射防止層を備える前記（３）に記載の撮像素子。
（５）前記マイクロレンズは、有機材料により構成される前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（６）前記マイクロレンズは、無機材料により構成されるレンズ部と当該レンズ部と略同じ屈折率に構成されて前記画素に隣接して配置される平坦化部とにより構成される前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（７）前記マイクロレンズは、反射防止膜を備える前記（１）から（６）のいずれかに記載の撮像素子。
（８）前記マイクロレンズは、表面の凹凸により構成された領域を前記反射防止膜として備える前記（７）に記載の撮像素子。
（９）前記透明樹脂層が配置される面とは異なる前記封止ガラスの面に隣接して配置される撮影レンズをさらに具備する前記（１）から（８）のいずれかに記載の撮像素子。
（１０）照射された光に応じた画像信号を生成する画素を半導体基板に形成する画素形成工程と、
入射光を集光して前記画素に照射するとともに前記画素の表面を平坦化するマイクロレンズを前記形成された画素に隣接して配置するマイクロレンズ配置工程と、
前記マイクロレンズの屈折率に対して所定の差分だけ異なる屈折率に構成される透明樹脂層を前記配置されたマイクロレンズに隣接して配置する透明樹脂層配置工程と、
前記半導体基板を封止する封止ガラスを前記配置された透明樹脂層に隣接して配置する封止工程と
を具備する撮像素子の製造方法。
【符号の説明】
【０１１０】
１  撮像素子
１０  画素アレイ部
１２、２２  半導体基板
１３、２３  配線領域
２０  信号処理チップ
１００  画素
１２３  絶縁膜
１４１  カラーフィルタ
１４２  遮光膜
１５１、１５４、１５６、１５９  マイクロレンズ
１５２、１５７  レンズ部
１５３、１５８  平坦化部
１５５  反射防止膜
１６１、１６２  透明樹脂層
１６３  反射防止層
１７１  封止ガラス
１８１  撮影レンズ
１００２  撮像素子
【図１】
2019160830.tif 000003
【図２】
2019160830.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2019160830.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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