(57)【要約】【課題】メダル通路内の滞留物を検知し、セキュリティー性向上できるメダル選別装置および遊技機を提供する。【解決手段】メダル通路（２０）を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置（１００）であって、発光素子と受光素子を備えたセンサ部（２１）を複数備え、センサ部（２１）は、メダル通路（２０）の流路方向に沿って複数埋設され、複数のセンサ部（２１）のセンサ面が、メダル通路（２０）に露出して配置されている。【選択図】図１
2019162246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メダル通路を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置であって、
発光素子と受光素子を備えたセンサ部を複数備え、
前記センサ部は、前記メダル通路の流路方向に沿って複数埋設され、
前記複数のセンサ部のセンサ面が、前記メダル通路に露出して配置されていることを特徴とするメダル選別装置。
【請求項２】
請求項１に記載のメダル選別装置であって、
前記複数のセンサ部は表面実装型の端子を備え、前記メダル通路の裏面側に形成された配線層によって前記端子が電気的に接続されていることを特徴とするメダル選別装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のメダル選別装置であって、
前記流路方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の３３％以上４０％以下であることを特徴とするメダル選別装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一つに記載のメダル選別装置であって、
前記複数のセンサ部は、前記メダル通路の幅方向に複数配置されていることを特徴とするメダル選別装置。
【請求項５】
請求項４に記載のメダル選別装置であって、
前記幅方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の４０％以上４５％以下であることを特徴とするメダル選別装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一つに記載のメダル選別装置を備える遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メダル選別装置および遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から回胴式遊技機では、投入されたメダルを選別してカウントするメダル選別装置が用いられている。メダル選別装置では、メダル等の遮蔽物が検知位置を通過したか否かの信号を出力し、当該出力に基づいて遊技機側で正規のメダルが通過したか否かを判断しメダルのカウントを行っている。
【０００３】
このようなメダル選別装置としては、発光要素から発した光を反射板で反射させて光の進行方向を変えて受光し、メダルの通過を検知する通過検知センサを備えたセンサ装置（例えば特許文献１等を参照）が提案されている。
【０００４】
しかし特許文献１の投入メダル選別装置では、発光要素からの光軸を直接メダルが遮ることでセンサが検知状態となるため、メダルを投入することなく不正器具等によって遊技機にメダルが通過したと認識させる不正行為が問題となる。
【０００５】
この不正行為を防止するために、メダル選別装置の投入口付近に受入検知片を配置し、不正器具が投入口から挿入された場合、受入検知片が閉じた状態が継続することで不正器具の挿入を検知するものが提案されている。（例えば特許文献２等を参照）。
【０００６】
図１３は、従来から提案されているメダル選別装置の概要を説明する模式図である。図１３に示すようにメダル選別装置は、基板部１０とレール部５０によりメダル通路２０が形成され、メダル通路２０に沿って移動するメダル６０を基板部１０の裏側に配置したセンサ装置３０で検知するものである。また、メダル通路２０のうちメダル６０の投入口側には、異物検知部２５が配置されている。また、メダル通路２０の上部には、通過するメダル６０の上端部分をガイドする可動式のガイド部４０が配置されている。
センサ装置３０は、基板部１０の裏面側に配置されてメダル通路２０を通過する検知対象のメダル６０の有無を検知可能となっている。異物検知部２５は、投入口から不正器具が挿入されるとレバーが閉じた状態が継続し、異物挿入を検知できる。メダル選別装置では、異物検知部２５やセンサ装置３０の検知結果に応じて正規品のメダル６０であるかを判断し、ガイド部４０の開閉によってメダル６０の排出を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４８２１０号公報
【特許文献２】特開２００９−１８９６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
これらの従来技術では、投入口付近に異物検知部２５があり、長尺の不正器具を挿入して不正行為を実施した場合の検知はできるが、正規メダルサイズの不正器具をメダル選別装置１００の異物検知部２５より下流のメダル通路２０に滞留されると、器具の存在を検知できなくなるという問題がある。  本発明はかかる問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、メダル通路内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できるメダル選別装置および遊技機を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明のメダル選別装置は、メダル通路を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置であって、メダル通路を通過するメダルの選別を行うメダル選別装置であって、発光素子と受光素子を備えたセンサ部を複数備え、  前記センサ部は、前記メダル通路の流路方向に沿って複数埋設され、前記複数のセンサ部のセンサ面が、前記メダル通路に露出して配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の一実施態様では、前記複数のセンサ部は表面実装型の端子を備え、前記メダル通路の裏面側に形成された配線層によって前記端子が電気的に接続されている。
【００１１】
また、本発明の一実施態様では、前記流路方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の３３％以上４０％以下である。
【００１２】
また、本発明の一実施態様では、前記複数のセンサ部は、前記メダル通路の幅方向に複数配置されている。
【００１３】
また、本発明の一実施態様では、前記幅方向における前記センサ部の間隔は、前記メダルの直径の４０％以上４５％以下である。
【００１４】
また、本発明の遊技機は、上記何れか一つの発明に記載のセンサ装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、メダル通路内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できるメダル選別装置および遊技機を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態１にかかるメダル選別装置１００の概要を示す模式平面図である。
【図２】図１で示したメダル選別装置１００の模式断面図であり、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ位置での模式断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ位置での模式断面図である。
【図３】実施形態１にかかるセンサ装置３０の製造方法を模式的に示す工程図である。
【図４】メダル選別装置１００のメダル通路２０をメダル６０が通過する様子を示す模式図である。
【図５】複数のセンサ部２１の前をメダル６０が通過する際の様子を拡大して示す模式図である。
【図６】メダル６０が個別に通過する際の信号検出について説明するための図であり、図６（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図６（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。
【図７】メダル６０が連続して通過する際の信号検出について説明するための図であり、図７（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図７（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。
【図８】メダル６０が所定位置に滞留した際の信号検出について説明するための図であり、図８（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図８（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。
【図９】異形状器具７０がメダル通路２０に挿入された際の信号検出について説明するための図であり、図９（ａ）は異形状器具７０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図９（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。
【図１０】実施形態１におけるメダル選別装置１００の動作例を示すフローチャートである。
【図１１】実施形態２にかかるメダル選別装置１１０の概要を示す模式平面図である。
【図１２】実施形態３にかかるメダル選別装置１２０の概要を示す模式断面図である。
【図１３】従来から提案されているメダル選別装置の概要を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施形態１＞
以下、本発明の実施形態１について、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態にかかるメダル選別装置１００の概要を示す模式平面図である。図２は、図１で示したメダル選別装置１００の模式断面図であり、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ位置での模式断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ位置での模式断面図である。図１３に示すようにメダル選別装置１００は、基板部１０と、メダル通路２０と、センサ装置３０と、ガイド部４０と、レール部５０を備えている。
【００１８】
基板部１０は、メダル通路２０が一体に形成される樹脂で構成され、センサ装置３０、ガイド部４０およびレール部５０を保持するための部材である。基板部１０を構成する材料は特に限定されず、通常の電子機器の筐体や基板に用いられる樹脂を用いることができ、後述するように射出成形できるものを用いることが好ましい。また、樹脂材料としては光硬化型や熱硬化型、熱可塑型など公知のものを用いることができる。具体的な基板部１０を構成する樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂やポリカーボネート樹脂、ＡＢＳ樹脂が挙げられる。
【００１９】
メダル通路２０は、基板部１０の所定位置にメダル投入口ＩＮからメダル取出口ＯＵＴまで形成されたメダルの流路であり、流路方向に沿って複数のセンサ部２１が埋設されている。また、メダル通路２０は、メダル当接部２２ａと凹部２２ｂと側面部２２ｃで構成されている。図１に示した例では、メダル投入口ＩＮはメダル選別装置１００の上方（図面上方）に設けられ、メダル取出口ＯＵＴは側方（図面右下方向）に設けられている。また、メダル通路２０はメダル投入口ＩＮから鉛直下方に伸びた後に所定の曲率で屈曲し、略一定の傾斜角度でメダル取出口ＯＵＴにまで直線状に伸びて形成されている。
【００２０】
メダル当接部２２ａは、側面部２２ｃ近傍の略平坦面の領域と、凹部２２ｂの間で流路に沿って形成された線状の突起上面とで構成された部分である。メダル当接部２２ａは、メダル通路２０を通過するメダルの一方の面に当接して、メダル通路２０の流路に沿ってメダルが摺動もしくは回転移動するのを支える。
【００２１】
凹部２２ｂは、メダル当接部２２ａの間に形成された凹形状の部分であり、メダル当接部２２ａよりも肉薄に形成されている。また、凹部２２ｂの底面からは基板部１０に埋設されたセンサ部２１のセンサ面が露出している。本実施形態では、凹部２２ｂからセンサ部２１のセンサ面が露出しているので、基板部１０の樹脂によってセンサ部２１の受発光が妨げられない。側面部２２ｃは、メダル通路２０の流路両側に立設された壁面であり、２つの側面部２２ｃで挟まれた領域は正規品のメダルより若干幅広く形成されている。
【００２２】
センサ部２１は、一対の発光素子２１ａと受光素子２１ｂが一体化されて表面実装型の端子を備えた電子部品であり、メダル通路２０に埋設されている。発光素子２１ａの発光面と、受光素子２１ｂの受光面は、センサ部２１のセンサ面を構成している。図１に示すように、センサ部２１はメダル通路２０内において、流路に沿った方向と流路の幅方向とにそれぞれ複数配置されている。また、図２（ａ）（ｂ）に示したように、センサ部２１の裏面側では基板部１０の裏側から端子が露出しており、基板部１０裏面において各端子が露出しており、これらの端子が配線層２３で電気的に接続されている。
【００２３】
センサ部２１では、配線層２３を介して発光素子２１ａに電圧が印加されると赤外光を発光し、受光素子２１ｂに赤外光が入射すると電圧が発生する。したがって、センサ部２１のセンサ面の前にメダル等の検知対象物が存在すると、発光素子２１ａで発光した赤外光が検知対象物で反射されて受光素子２１ｂに入射し、配線層２３を介して電圧変化が出力されて検知対象物の有無を検知することができる。
【００２４】
配線層２３は、基板部１０の裏面側に形成された配線パターンであり、複数のセンサ部２１の端子を電気的に接続して回路を構成する。配線層２３は、金属蒸着やフォトリソグラフィー等で形成することもできるが、導電性インクを基板部１０の裏面にインクジェット印刷装置で塗布して硬化させる方法を用いることが好ましい。また、配線層２３の一端は図示しない制御部に接続されており、制御部に含まれる演算手段によって予め定められたプログラムに基づいてメダル選別装置１００が駆動制御される。
【００２５】
また、図２（ａ）（ｂ）では、配線層２３を流路に沿って線状に形成した例を示しているが、複数のセンサ部２１における端子を接続して回路を構成するものであれば、どのようなパターンであってもよい。絶縁性保護膜２４は、レジスト等の絶縁性物質で構成されており、少なくとも配線層２３を被覆して電気的絶縁を確保している。
【００２６】
センサ装置３０は、必要に応じてセンサ部２１とは別に用意された検知装置である。後述するように、複数のセンサ部２１を用いてメダルの検知を行うことで、センサ装置３０を省略することもできる。ガイド部４０は、メダル通路２０を通過するメダルの上端に当接するレバーを必要に応じて開閉することで、メダル６０の通過と排出を切替える部材である。レール部５０は、メダル通路２０の下端を形成する金属製の部材である。
【００２７】
次に、本実施形態のメダル選別装置の製造方法について図３を用いて説明する。図３は、本実施形態にかかるセンサ装置３０の製造方法を模式的に示す工程図である。この製造方法では、特開２０１５−２０７７０３号公報に記載されたものと同様の電子部品を埋設した樹脂構造体の技術を用いることができる。
【００２８】
はじめに、図３（ａ）に示すように仮保持基板１１を用意する。仮保持基板１１はシート状の部材であり、紫外線を透過し柔軟性を有する材料で構成されることが好ましく、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等を用いることができる。また、仮保持基板１１の一方の表面には、紫外線硬化型の接着層（図示せず）が形成されている。
【００２９】
次に図３（ｂ）に示すように、仮保持基板１１の接着層上に、センサ部２１を所定の位置となるように配置し、表面実装型の端子を接着層側に接触させる。説明を簡便にするために、図３ではセンサ部２１を１つだけ示している。センサ部２１を位置決めした後、仮保持基板１１側から紫外線を照射して接着層を硬化させ、センサ部２１を固定する。
【００３０】
次に図３（ｃ）に示すように、センサ部２１を固定した仮保持基板１１を金型１２内に収容する。次に図３（ｄ）に示すように、公知の射出成形技術等で樹脂材料を金型１２内に流し込み、樹脂材料を硬化させて基板部１０を形成する。このとき金型１２の形状は、図１，２に示した基板部１０の形状に対応しており、メダル当接部２２ａと凹部２２ｂに対応した形状となっている。また、センサ部２１のセンサ面は、凹部２２ｂに対応した位置で金型１２に接触しており、仮保持基板１１と金型１２によってセンサ部２１が挟まれている。
【００３１】
次に図３（ｅ）に示すように、仮保持基板１１と金型１２を取り外し、基板部１０の裏面を露出させる。最後に図３（ｆ）に示すように、基板部１０の裏面にインクジェット印刷装置を用いて導電性インクを印刷して配線層２３を形成し、基板部１０の裏面から露出したセンサ部２１の端子を電気的に接続する。導電性インクの印刷と硬化が終了した後に、基板部１０の裏面にレジストを塗布して絶縁性保護膜２４を形成する。
【００３２】
本実施形態のメダル選別装置１００では、基板部１０の裏面に導電性インクで配線層２３を形成し、絶縁性保護膜２４で被覆しているため、新たな電子回路や配線をハンダ付けしようとすると、基板部１０が損傷してメダル選別装置１００が破損する。これにより、新たな電子回路や配線を追加して誤った検知結果を出力させるような不正行為の改造難易度が向上する。
【００３３】
また、メダル通路２０に凹部２２ｂを設けて、凹部２２ｂの底面からセンサ部２１のセンサ面を露出させることで、基板部１０の樹脂によってセンサ部２１の受発光が妨げられない。また、回路基板を用いず、発光素子２１ａ、受光素子２１ｂ、ケースなどを個別にパッケージする必要も無い。さらに、仮保持基板１１上にセンサ部２１を配置し、導電性インクの印刷で配線層２３を形成するため、各要素の位置を自由に変更できる。したがって、メダル選別装置１００のうちセンサ部２１を配置する位置の自由度が高くなり、例えば顧客や機種ごとに配置を変えることが容易となる。
【００３４】
図４は、メダル選別装置１００のメダル通路２０をメダル６０が通過する様子を示す模式図である。メダル投入口ＩＮから投入されたメダル６０は、メダル通路２０のメダル当接部２２ａと側面部２２ｃおよびレール部５０に沿って移動し、メダル取出口ＯＵＴから取り出される。このとき、メダル通路２０の凹部２２ｂから露出した複数のセンサ部２１の前を順次メダル６０が遮るため、発光素子２１ａで発光した赤外光がメダル６０で反射されて受光素子２１ｂに入射する。したがってフォトトランジスタである受光素子２１ｂがオンされ、配線層２３を介してＨｉ信号が出力される。また、メダル等の検知対象がない場合には、配線層２３を介してＬｏｗ信号が出力される。
【００３５】
図４では、メダル６０の上端近傍にガイド部４０の先端が当接しており、メダル通路２０のメダル当接部２２ａとガイド部４０とでメダル６０が挟まれている。図４では図示を省略しているが、基板部１０に対向してオシイタ部が配置されており、オシイタ部にもメダル当接部２２ａと同様のメダル当接部が設けられている。これによりガイド部４０が配置された領域以外では、オシイタ部のメダル当接部と基板部１０のメダル当接部２２ａとの間にメダル６０が挟まれる。したがってメダル６０は、オシイタ部のメダル当接部と基板部１０のメダル当接部２２ａの間、およびメダル通路２０のメダル当接部２２ａとガイド部４０先端の間を通過して、メダル取出口ＯＵＴまで到達する。
【００３６】
メダルを受付けない場合等には、基板部１０の裏面側に配置された駆動部によってガイド部４０が駆動されて開状態となり、メダル当接部２２ａの図中紙面方向に対する傾斜によって、メダル６０がメダル通路２０から外れてオシイタ部に設けられた開口部から排出される。
【００３７】
図５は、複数のセンサ部２１の前をメダル６０が通過する際の様子を拡大して示す模式図である。図中では、メダル６０の背後に隠れているセンサ部２１については、メダル６０を透視して破線で描いている。図５に示すように、メダル６０の周辺領域に含まれている９つのセンサ部２１をそれぞれＳ１〜Ｓ９で表している。各センサ部２１は、メダル通路２０の流路方向に沿って（Ｓ１，Ｓ４，Ｓ７）、（Ｓ２，Ｓ５，Ｓ８）、（Ｓ３，Ｓ６，Ｓ９）の順にそれぞれ間隔Ａで配置されるとともに、メダル通路２０の幅方向に（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３）、（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）、（Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９）が間隔Ｂに配置されている。また、センサ部２１のＳ２，Ｓ５，Ｓ８は、３列のセンサ部２１の中央に位置しており、メダル６０の下端がレール部５０に沿って移動する際に、メダル６０の中心に位置するように配置されている。
【００３８】
図５では、メダル通路２０の面全体に渡って複数のセンサ部２１を配置した例を示したが、複数のセンサ部２１をメダル通路２０の一部領域に配置するとしてもよい。例えば、センサ装置３０の直前にセンサ部２１を複数配置することで、メダル投入口ＩＮからセンサ部２１までの距離を確保し、不正器具を挿入しての不正行為の難易度を高めて、セキュリティー性を向上できる。
【００３９】
図６は、メダル６０が個別に通過する際の信号検出について説明するための図であり、図６（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図６（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。図６（ａ）に示したように、メダル通路２０に沿ってメダル６０が一つずつ間隔を空けて図中矢印方向に移動する。センサ部２１のＳ１〜Ｓ９では、図６（ｂ）に示したようにメダル６０がセンサ面を覆っている時間はＨｉ信号が継続し、その他の時間はＬｏｗ信号が継続する。
【００４０】
図６（ｂ）に示したように、メダル６０が通過するとメダル通路２０の上流側からセンサ部２１の（Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３）、（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）、（Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９）の順にＨｉ信号となる。このとき、メダル６０の中央を検知するＳ２，Ｓ５，Ｓ８では、メダル６０の上端を検知するＳ１，Ｓ４，Ｓ７や下端を検知するＳ３，Ｓ６，Ｓ９よりも検知時間が長い。また、上流側のＳ２でＨｉ信号となる時間の最後は、下流側のＳ８でＨｉ信号となる時間の最初と重なっており、Ｓ２，Ｓ５，Ｓ８の３つが同時にＨｉ信号となる時間が存在している。
【００４１】
メダル６０が各センサ部２１を通過する速さは、レール部５０の傾斜角度等に依存しているが、センサ部２１のＳ１〜Ｓ９におけるＨｉ信号が継続する時間の比率によって、メダル６０が正規品であるか否かを判別することができる。また、１枚目のメダル６０が通過した際のＨｉ信号と、２枚目のメダル６０が通過した際のＨｉ信号とは、メダル６０の通過する間隔に応じて信号が分離しており、互いに独立してメダル６０を検知できる。
【００４２】
図５で示した各センサ部２１の流路方向に沿った間隔Ａは、例えばメダル６０の直径がφ２５ｍｍの場合には１０ｍｍであり、メダル６０の直径の４０％に相当している。間隔Ａの好ましい範囲は、正規品のメダル６０の直径の３３％以上４０％以下である。間隔Ａがこの範囲であると、メダル６０が通過した際にセンサ部２１のＳ２，Ｓ５，Ｓ８が同時にメダル６０に覆われてＨｉ信号を出力する時間が存在する。また、１つのメダル６０の通過で、流路方向に沿った４つのセンサ部２１が同時にＨｉ信号を出力することもない。
【００４３】
図７は、メダル６０が連続して通過する際の信号検出について説明するための図であり、図７（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図７（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。図７（ａ）に示したように、メダル通路２０に沿ってメダル６０が間隔を空けず連続して図中矢印方向に移動する。センサ部２１のＳ１〜Ｓ９では、図７（ｂ）に示したようにメダル６０がセンサ面を覆っている時間はＨｉ信号が継続し、その他の時間はＬｏｗ信号が継続する。
【００４４】
図７（ａ）に示したように、メダル６０が２枚連続していると、メダル６０の中心に位置するＳ２，Ｓ５，Ｓ８では、２枚のメダル６０が通過し終わるまでＨｉ信号が継続する。メダル６０の上端を検知するＳ１，Ｓ４，Ｓ７や下端を検知するＳ３，Ｓ６，Ｓ９では、１枚目のメダル６０通過でのＨｉ信号と、２枚目のメダル６０通過でのＨｉ信号との間に、Ｌｏｗ信号となる時間が存在している。したがって、センサ部２１（Ｓ２，Ｓ５，Ｓ８）で１枚のメダル６０よりもＨｉ信号が長く検知された場合にも、（Ｓ１，Ｓ４，Ｓ７）と（Ｓ３，Ｓ６，Ｓ９）でのＨｉ信号とＬｏｗ信号の比率が正規品のメダル６０での間隔に相当しているかにより、メダル６０が正規品であるかを判別できる。
【００４５】
図５で示した各センサ部２１の幅方向の間隔Ｂは、例えばメダル６０の直径がφ２５ｍｍの場合には１０．８ｍｍであり、メダル６０の直径の４３．３％に相当している。間隔Ａの好ましい範囲は、正規品のメダル６０の直径の４０％以上４５％以下である。間隔Ｂがこの範囲であると、メダル６０の上端と下端を検出するセンサ部２１のＳ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ９において、メダル６０が連続して通過した場合に、Ｈｉ信号とＬｏｗ信号のパルス幅が１：１に近くなる。Ｈｉ信号とＬｏｗ信号のどちらかのパルス幅が短くなりすぎると、チャタリングによる誤検出との区別が困難になるため、Ｈｉ信号とＬｏｗ信号のパルス幅が１：１に近づけることで、チャタリングとの混同を防止することができる。
【００４６】
図８は、メダル６０が所定位置に滞留した際の信号検出について説明するための図であり、図８（ａ）はメダル６０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図８（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。図８（ａ）に示したように、メダル通路２０を移動してきたメダル６０が途中で滞留している。センサ部２１のＳ１〜Ｓ９では、図８（ｂ）に示したようにメダル６０がセンサ面を覆っている時間はＨｉ信号が継続し、その他の時間はＬｏｗ信号が継続する。
【００４７】
図８（ａ）に示したように、メダル６０が通過したＳ１とＳ３ではＨｉ信号の後にＬｏｗ信号となっている。しかし、メダル６０が滞留することでセンサ面が覆われたままのＳ２，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８では、Ｈｉ信号の後にＬｏｗ信号にならずＨｉ信号が継続し続けている。また、メダル６０が到達していないＳ７，Ｓ９ではＨｉ信号にならずＬｏｗ信号が継続し続けている。
【００４８】
このとき、Ｓ１とＳ３でＨｉ信号が継続する時間と、Ｓ２，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ８でＨｉ信号になったタイミングとを比較することで、滞留している物体が正規品のメダル６０であるかを判別することもできる。したがって、センサ部２１のＳ１〜Ｓ９のうち、Ｈｉ信号が継続するものが複数存在し、正規品のメダル６０に該当する信号検出である場合には、メダル６０がメダル通路２０内で滞留していることを検知することができる。また、円形ではない滞留物や非正規のメダルを検知することもできる。
【００４９】
図９は、異形状器具７０がメダル通路２０に挿入された際の信号検出について説明するための図であり、図９（ａ）は異形状器具７０とＳ１〜Ｓ９の位置関係を示す模式図であり、図９（ｂ）はＳ１〜Ｓ９における信号を示すタイミングチャートである。図９（ａ）に示したように、メダル通路２０に異形状器具７０が挿入されて途中で滞留している。センサ部２１のＳ１〜Ｓ９では、図９（ｂ）に示したように異形状器具７０がセンサ面を覆っている時間はＨｉ信号が継続し、その他の時間はＬｏｗ信号が継続する。
【００５０】
図９ａ）に示したように、異形状器具７０で覆われたＳ２，Ｓ５，Ｓ８では、Ｈｉ信号の後にＬｏｗ信号にならずＨｉ信号が継続し続けている。また、異形状器具７０が到達していないＳ１，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ９ではＨｉ信号にならずＬｏｗ信号が継続し続けている。したがって、センサ部２１のＳ１〜Ｓ９のうち、Ｈｉ信号が継続するものが複数存在し、Ｈｉ信号にならないものが存在する場合には、異形状器具７０がメダル通路２０内に挿入されていることを検知することができる。異形状器具７０の形状によって、Ｓ１〜Ｓ９で検知されるＨｉ信号のパターンは変化するが、何れの場合でもＨｉ信号が継続し続ける場合には異形状器具７０を検知できる。
【００５１】
図５〜図９では、９つのセンサ部２１を用いた例を示したが、メダル通路２０に埋設された複数のセンサ部２１を用いてＨｉ信号とＬｏｗ信号の組み合わせパターンにより判別でき、センサ部２１の個数や具体的な配置は限定されない。例えば、図１に示したようにメダル通路２０の全域にわたって配置したセンサ部２１の全てを用いて、メダル投入口ＩＮからメダル取出口ＯＵＴまでメダル６０の通過を常に把握するとしてもよい。
【００５２】
図１０は、本実施形態におけるメダル選別装置１００の動作例を示すフローチャートである。ここでは、図５〜図９に示したようにセンサ部２１のＳ１〜Ｓ９を用いた検知と動作について述べる。これらの動作には、情報処理手段や記憶装置を用い、予め用意されたプログラムに従って各部が制御される。メダル選別装置１００と情報処理手段とは、情報通信が可能に接続されており、メダル選別装置１００での検知結果が情報処理手段に伝達され、情報処理手段からの制御信号がメダル選別装置１００に伝達される。
【００５３】
はじめにステップ１では、メダル選別装置１００のメダル投入口ＩＮに板状物体が挿入される。板状物体は、オシイタ部のメダル当接部と基板部１０のメダル当接部２２ａとの間隔以下の厚さの物体であり、例えば厚さ２．３ｍｍ以下のメダル６０や不正器具等が挙げられる。
【００５４】
次にステップ２では、メダル通路２０の幅方向の中央で先頭であるＳ２位置でのセンサ部２１が遮られてＯＮ信号（Ｈｉ信号）となっているかを判断する。ＯＮ信号である場合にはステップ３に移行し、ＯＮ信号でない場合にはステップ８に移行する。
【００５５】
ステップＳ３では、Ｓ１とＳ３の位置でのセンサ部２１が遮られて同時にＯＮ信号（Ｈｉ信号）となっているかを判断する。ここで同時にＯＮ信号とは、両者がＯＮ信号になるタイミングの違いが例えば１０ｍ秒以下の場合をいう。両者が同時にＯＮ信号である場合にはステップ４に移行し、同時にＯＮ信号でない場合にはステップ８に移行する。
【００５６】
ステップ４では、Ｓ５位置でのセンサ部２１が遮られてＯＮ信号となっているかを判断する。ＯＮ信号である場合にはステップ５に移行し、ＯＮ信号でない場合にはステップ８に移行する。
【００５７】
ステップ５では、Ｓ１位置でのセンサ部２１のＯＮ信号が所定時間以下であるかを判断する。所定時間は、メダル通路２０の傾斜角度等によって決定されるメダル６０の通過に要する時間であり、例えば５０ｍ秒以下などを設定する。所定時間以下である場合にはステップ６に移行し、所定時間を超える場合にはステップ９に移行する。
【００５８】
ステップ６では、Ｓ３位置でのセンサ部２１のＯＮ信号が所定時間以下であるかを判断する。所定時間は、例えば５０ｍ秒以下などを設定する。所定時間以下である場合にはステップ７に移行し、所定時間を超える場合にはステップ９に移行する。
【００５９】
ステップ７では、挿入された板状物体をメダル６０であると情報処理手段が認識し、その後にステップ１に戻る。ステップ８では、挿入された板状物体をメダル６０ではないと情報処理手段が認識し、ステップ１０に移行する。ステップ９では、挿入された板状物体が滞留物であると情報処理手段が認識し、ステップ１０に移行する。
【００６０】
ステップ１０では、情報処理手段はエラー信号を生成して、ステップ１１に移行する。ステップ１１では、遊技機側に設けられた遊技機制御基板にエラー信号を送出し、エラーを報知し制御を終了する。
【００６１】
上述したように、本実施形態のメダル選別装置１００およびこれを用いた遊技機では、メダル通路２０内の滞留物を検知し、セキュリティー性を向上できる。
【００６２】
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２について、図面を参照して説明する。実施形態１と重複する内容は説明を省略する。図１１は、本実施形態にかかるメダル選別装置１１０の概要を示す模式平面図である。本実施形態では、メダル通路２０のうちメダル投入口ＩＮに近い領域にのみセンサ部２１が配置されている点が実施形態１と異なっている。
【００６３】
本実施形態では、図１１のように複数のセンサ部２１を配置して、図１３で示した従来の異物検知部２５の代わりに用いることができる。複数のセンサ部２１は、メダル６０と非接触に配置されているため、機械式の異物検知部２５よりも耐久性を向上させることが可能となる。
【００６４】
＜実施形態３＞
次に、本発明の実施形態３について、図面を参照して説明する。実施形態１と重複する内容は説明を省略する。図１２は、本実施形態にかかるメダル選別装置１２０の概要を示す模式断面図である。本実施形態では、通常の回路基板１３上に配線層２３を形成した後に、複数のセンサ部２１を回路基板１３上に搭載して配線層２３と電気的に接続する。また、基板部１０に形成した開口部１４にセンサ部２１を配置して、メダル通路２０からセンサ部２１のセンサ面を露出させる。
【００６５】
本実施形態でも、開口部１４を介してセンサ部２１のセンサ面がメダル通路２０に露出しているため、基板部１０の樹脂によってセンサ部２１の受発光が妨げられない。また、発光素子２１ａ、受光素子２１ｂ、ケースなどを個別にパッケージする必要も無い。
【００６６】
なお、今回開示した実施形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。従って、本発明の技術的範囲は、上記した実施形態のみによって解釈されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
１００，１１０，１２０…メダル選別装置
１０…基板部
２０…メダル通路
３０…センサ装置
４０…ガイド部
５０…レール部
６０…メダル
７０…異形状器具
１１…仮保持基板
１２…金型
１３…回路基板
１４…開口部
２１…センサ部
２１ａ…発光素子
２１ｂ…受光素子
２２ａ…メダル当接部
２２ｂ…凹部
２２ｃ…側面部
２３…配線層
２４…絶縁性保護膜
２５…異物検知部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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