(57)【要約】      （修正有）【課題】研磨加工中にウェハ厚を高精度で測定することができる研磨装置を提供する。【解決手段】ウェハＷの上面を研磨する研磨装置１は、研磨パッド３０と研磨パッド３０の研磨面３１に開口する収容部１２とを備えている研磨ヘッド１０と、収容部１２内に設けられたセンサヘッド６１を備え、前記開口を介してウェハＷの厚みを非接触で測定する光学式の厚み測定手段６０と、研磨面３１に開口する供給孔を介してウェハＷの上面にスラリーを供給する配管５０と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの研磨装置であって、
前記ウェハの上面を研磨する研磨パッドと、前記研磨パッドの研磨面に開口する収容部と、を備えている研磨ヘッドと、
前記収容部内に設けられたセンサヘッドを備え、前記開口を介して前記ウェハの厚みを非接触で測定する光学式の厚み測定手段と、
前記収容部を経由することなく前記ウェハの上面にスラリーを供給するスラリー供給手段と、
を備えていることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記厚み測定手段は、前記センサヘッドからウェハに向けて光を照射し、前記ウェハの上面及び下面で反射した光を受光する分光干渉式の膜厚測定器であることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】
前記開口を塞ぐ透光窓をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２記載の研磨装置。
【請求項４】
前記センサヘッドと前記透光窓との間に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段をさらに備えていることを特徴とする請求項３記載の研磨装置。
【請求項５】
前記スラリー供給手段は、前記研磨パッドの研磨面に開口する供給孔を介して前記ウェハの上面にスラリーを供給することを特徴とする請求項１から４の何れか１項記載の研磨装置。
【請求項６】
前記研磨ヘッドを水平方向に移動させる移動手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項記載の研磨装置。
【請求項７】
前記研磨パッドは、前記ウェハより大径に形成され、平面から視て前記ウェハを覆うように配置されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項記載の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハを研磨する研磨装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）に残存するクラッチを除去するためにウェハを研磨する研磨装置が知られている。
【０００３】
特許文献１記載の研磨装置は、ウェハ及び研磨パッドを回転させながら、研磨パッドをウェハに押圧することによりウェハの上面を研磨する研磨装置である。このような研磨装置では、研磨装置の外部で研磨ヘッドの回転軸上にウェハの厚みを測定する厚み測定手段を配置し、研磨ヘッド中央の空洞を通ってウェハの上面にスラリーを供給しながら、厚み測定手段が空洞を介してウェハの厚みを非接触で測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１３４３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１記載の研磨装置では、厚み測定手段が発する測定光及びウェハの上面及び下面からの反射光が空洞の中央に残存したスラリーを通過するため、ウェハ厚を精度良く測定できない虞があった。
【０００６】
そこで、研磨加工中にウェハ厚を高精度で測定するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る研磨装置は、ウェハの研磨装置であって、前記ウェハの上面を研磨する研磨パッドと、前記研磨パッドの研磨面に開口する収容部と、を備えている研磨ヘッドと、前記収容部内に設けられたセンサヘッドを備え、前記開口を介して前記ウェハの厚みを非接触で測定する光学式の厚み測定手段と、前記収容部を経由することなく前記ウェハの上面にスラリーを供給するスラリー供給手段と、を備えている。
【０００８】
この構成によれば、スラリーが収容部を経由することなくウェハの上面に供給され、収容部内に設けられたセンサヘッドを用いて厚み測定手段が、開口を介してウェハの厚みを非接触で測定することにより、厚み測定手段の光路を遮ることなくウェハの上面に供給されるため、光の散乱を抑制して精度良くウェハの厚みを測定することができる。
【０００９】
また、本発明に係る研磨装置は、前記厚み測定手段は、前記センサヘッドからウェハに向けて光を照射し、前記ウェハの上面及び下面で反射した光を受光する分光干渉式の膜厚測定器であることが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、厚み測定手段に分光干渉式の膜厚測定器を用いることにより、振動等の外乱による悪影響を抑制して、高精度でウェハの厚みを測定することができる。
【００１１】
また、本発明に係る研磨装置は、前記開口を塞ぐ透光窓をさらに備えていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、透光窓が開口を塞ぐことにより、ウェハの上面に供給されたスラリーが開口を介して収容部内に侵入することが回避されるため、スラリーによる光の散乱を抑制して精度良くウェハの厚みを測定することができる。
【００１３】
また、本発明に係る研磨装置は、前記センサヘッドと前記透光窓との間に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段をさらに備えていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、収容部内の湿度が乾燥空気によって一定に維持されるため、研磨加工中に生じた摩擦熱によってスラリーが昇温された場合であっても、ウェハＷの厚みを精度良く測定することができる。
【００１５】
また、本発明に係る研磨装置は、前記スラリー供給手段が、前記研磨パッドの研磨面に開口する供給孔を介して前記ウェハの上面にスラリーを供給することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、スラリーが、厚み測定手段の光路を遮ることなくウェハの上面に供給されるため、光の散乱を抑制して精度良くウェハの厚みを測定することができる。
【００１７】
また、本発明に係る研磨装置は、前記研磨ヘッドを水平方向に移動させる移動手段をさらに備えていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、移動手段が厚み測定手段を水平方向に移動させることにより、独立したウェハの厚みを測定する装置を用意することなく、ウェハ全体の厚みプロファイルも測定することができるため、スループットを向上させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る研磨装置は、前記研磨パッドは、前記ウェハより大径に形成され、平面から視て前記ウェハを覆うように配置されていることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、研磨パッドが、研磨加工中にウェハ全面を常に覆うことにより、ウェハ全面を均一に研磨することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、研磨加工中にウェハ厚を高精度で測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に係る研磨装置を模式的に示す縦断面図。
【図２】研磨ヘッドの要部を模式的に示す縦断面図。
【図３】研磨パッド及びウェハの位置関係を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
【００２４】
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
【００２５】
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係る研磨装置１を模式的に示す縦断面図である。図２は、研磨ヘッド１０の要部を模式的に示す縦断面図である。研磨装置１は、ウェハチャック２に吸着保持されたウェハＷの上面を研磨して、研削加工時に発生したマイクロクラックを含むダメージ層を除去するものである。
【００２７】
ウェハチャック２は、ウェハチャック２の中央を通る回転軸ａ１回りに回転可能に設けられている。ウェハチャック２は、上面にアルミナ等の多孔質材料からなる図示しない吸着体が埋設されている。ウェハチャック２は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、ウェハチャック２に載置されたウェハＷがウェハチャック２に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ウェハＷとウェハチャック２との吸着が解除される。
【００２８】
ウェハチャック２は、図示しないインデックステーブル上に複数配置されている。各ウェハチャック２は、インデックステーブルの回転軸を中心に同心円周上で所定の間隔を離間して配置されている。これにより、研磨装置１とウェハWの上面を研削する研削装置とを併用する場合に、インデックステーブルを回転させて、研削後のウェハＷを研磨装置１に搬送することにより、ウェハＷを連続して加工することができる。
【００２９】
ウェハＷは、バッググラインドテープや、ガラス基板、シリコン基板等のサポート基板にマウントされた状態でウェハチャック２に吸着保持される。特に、ウェハＷが薄く、大口径化するにつれて、サポート基板が用いられることが多い。
【００３０】
研磨装置１は、ウェハチャック２の上方に設けられた研磨ヘッド１０を備えている。研磨ヘッド１０のスピンドル２０の下端には、研磨パッド３０が水平に取り付けられている。
【００３１】
スピンドル２０は、モータ２１と、モータ２１に接続された中空円筒状の回転部２２と、回転部２２を収容する固定部２３と、回転部２２と固定部２３との間に介装されたベアリング２４と、を備えている。回転部２２は、モータ２１によって回転軸ａ２を中心として回転する。
【００３２】
研磨パッド３０は、回転部２２と一体化されており、回転部２２の回転に伴って回転する。研磨パッド３０は、図示しない加圧シリンダによって研磨パッド３０の研磨面３１が下方に押し付けられる。このようにして、研磨パッド３０が回転しながら加圧シリンダによって下方に押し付けられることにより、ウェハＷの上面が研磨される。研磨パッド３０による研磨量は、例えばウェハＷの上面から２μｍに設定される。
【００３３】
研磨パッド３０には、研磨面３１に開口する供給孔３２が形成されている。供給孔３２は、研磨ヘッド１０の径方向の内側から外側に向かって３列設けられている。供給孔３２は、各列８個ずつ設けられている。各列の供給孔３２は、研磨ヘッド１０の回転軸ａ２を中心に同心円上で互いに所定距離を離間して配置されている。
【００３４】
研磨装置１は、送り機構４０を備えている。送り機構４０は、モータ４１と、ボールネジ４２と、スライダ４３と、を備えている公知のボールネジスライダ機構である。ボールネジ４２は、モータ４１によって回転し、スライダ４３は、ボールネジ４２の回転方向に応じて鉛直方向に昇降する。スライダ４３は、固定部２３の外周から突設された被支持部２５を載せるように支持している。
【００３５】
回転部２２内の空洞２６には、内部にスラリーを流す螺旋状の配管５０が設けられている。配管５０の上端は、ロータリージョイント５１を介して外部のスラリー供給源５２に接続されている。配管５０の下端は、図２の破線に示すように供給孔３２に接続されている。ウェハＷの上面に供給されたスラリーは、ウェハＷの回転に伴う遠心力でウェハＷ全面に拡散する。
【００３６】
研磨ヘッド１０の中央には、研磨面３１の中央に開口する収容部１２が形成されている。具体的には、収容部１２は、空洞２６の下部から研磨パッド３０の下端に亘って形成されている。
【００３７】
収容部１２の開口１３には、透光窓１４が装着されている。透光窓１４は、収容部１２を塞ぐように接着されている。これにより、ウェハＷの上面に供給されたスラリーが収容部１２内に侵入することが回避される。
【００３８】
研磨装置１は、研磨加工中に非接触でウェハＷの厚みを測定する厚み測定手段６０を備えている。厚み測定手段６０は、例えば、分光干渉式の膜厚測定器が好ましい。分光干渉式の膜厚測定器は、振動等の外乱に強く、高精度でウェハWの厚みを測定することができる。以下では、厚み測定手段６０として、分光干渉式の膜厚測定器を採用した場合を例に説明する。
【００３９】
厚み測定手段６０は、収容部１２内に配置されるセンサヘッド６１を備えている。センサヘッド６１は、ブラケット６２を介してスライダ４３に接続されている。センサヘッド６１は、開口１３を介して、ウェハＷに向けて光を照射し、ウェハＷの上面及び下面で反射した光が干渉した反射光を受光する。センサヘッド６１が受光した反射光は、図示しない分光器によって分光され、後述する制御装置７０が、ウェハＷの上面で反射した光とウェハＷの下面で反射した光との光路差を算出し、この光路差に基づいてウェハＷの厚みを算出する。
【００４０】
センサヘッド６１が厚みを測定するウェハW上の測定点は、平面から視て研磨ヘッド１０の回転軸ａ２と略一致する（光学的に一致するとみなせる範囲内を含む）ように設定されている。すなわち、センサヘッド６１が照射する光の光路及びウェハWから反射する光の光路は、センサヘッド６１とウェハW上の測定点とを結んだ経路に設定される。なお、センサヘッド６１の測定点は、平面から視て研磨ヘッド１０の回転軸ａ２と略一致する場合に限定されないことは言うまでもない。
【００４１】
なお、透光窓１４とセンサヘッド６１との間に乾燥空気を供給する乾燥空気供給手段３を設けるのが好ましい。これにより、収容部１２内の湿度が乾燥空気によって一定に維持されるため、研磨加工中に生じた摩擦熱によってスラリーが昇温された場合であっても、ウェハＷの厚みを精度良く測定することができる。
【００４２】
また、研磨装置１を水平方向に移動させる移動手段４を設けるのが好ましい。これにより、独立したウェハの厚みを測定する装置を用意することなく、研磨装置１を用いてウェハＷ全体の厚みプロファイルも測定することができるため、スループットを向上させることができる。
【００４３】
研磨装置１の動作は、制御装置７０によって制御される。制御装置７０は、研磨装置１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御装置７０は、例えば、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、制御装置７０の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
【００４４】
次に、研磨パッド３０とウェハＷとの配置関係について図３に基づいて説明する。図３は、研磨パッド３０及びウェハWを下方から視た模式図である。研磨パッド３０は、ウェハＷよりも大径に形成されている。研磨パッド３０及びウェハWの直径は、例えば、４５０ｍｍ、３００ｍｍにそれぞれ設定される。
【００４５】
また、研磨パッド３０とウェハＷの回転方向が一致しており、研磨パッド３０の外周とウェハＷの外周とが１点で重なっている。これにより、ウェハＷ面内の速度ベクトルが一致する。また、研磨パッド３０は、加工中にウェハＷ全面を常に覆うことにより、ウェハＷ全面を均一に研磨することができる。
【００４６】
図３に示すように、研磨パッド３０がウェハＷを覆うように配置されると、研磨装置１の外部からスラリーをウェハWの上面に供給したり研磨加工中にウェハWの厚みを測定することが困難であるが、研磨装置１は、スラリーが供給孔３２を介してウェハWの上面に供給しながら、研磨ヘッド１０内に収容された厚み測定手段６０が、開口１３を介してウェハＷの厚みを非接触で測定することができる。
【００４７】
このようにして、本実施形態に係る研磨装置１は、スラリーが、研磨パッド３０の回転中心から径方向の外側に離れた供給孔３２からウェハＷの表面に供給され、収容部１２を経由することなくウェハWの上面に供給される、換言すれば、スラリーは、厚み測定手段６０の照射光及びウェハWからの反射光の光路を遮ることなくウェハWの上面に供給されるため、光の散乱が抑制されて、精度良くウェハWの厚みを測定することができる。
【００４８】
また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【符号の説明】
【００４９】
１    ・・・研磨装置
２    ・・・ウェハチャック
３    ・・・乾燥空気供給手段
４    ・・・移動手段
１０  ・・・研磨ヘッド
１２  ・・・収容部
１３  ・・・開口
１４  ・・・透光窓
２０  ・・・スピンドル
２１  ・・・モータ
２２  ・・・回転部
２３  ・・・固定部
２４  ・・・ベアリング
２５  ・・・被支持部
２６  ・・・空洞
３０  ・・・研磨パッド
３１  ・・・研磨面
３２  ・・・供給孔
４０  ・・・送り機構
４１  ・・・モータ
４２  ・・・ボールネジ
４３  ・・・スライダ
５０  ・・・配管
５１  ・・・ロータリージョイント
５２  ・・・スラリー供給源
６０  ・・・厚み測定手段
６１  ・・・センサヘッド
６２  ・・・ブラケット
７０  ・・・制御装置
Ｗ    ・・・ウェハ
ａ１  ・・・（ウェハチャックの）回転軸
ａ２  ・・・（研磨ヘッドの）回転軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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