(57)【要約】      （修正有）【課題】高い表示品質を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。【解決手段】表示装置は、第１の発光素子、第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、第１の無機膜２２０、第１の着色層、および第２の着色層を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の画素電極上の対向電極２１４、および第１の画素電極と対向電極間の第１の電界発光層を含む。第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の画素電極上の対向電極、および第２の画素電極と対向電極間の第２の電界発光層を含む。第１の無機膜は、対向電極上に位置し、第１の画素電極と第２の画素電極と重なる。第１の着色層は、第１の無機膜上に位置し、第１の無機膜と接し、第１の画素電極の一部と重なる。第２の着色層は、第１の無機膜上に位置し、第１の無機膜と接し、第２の画素電極の一部と重なる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素電極、前記第１の画素電極上の対向電極、および前記第１の画素電極と前記対向電極間の第１の電界発光層を含む第１の発光素子、
第２の画素電極、前記第２の画素電極上の前記対向電極、および前記第２の画素電極と前記対向電極間の第２の電界発光層を含み、前記第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、
前記対向電極上に位置し、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と重なる第１の無機膜、
前記第１の無機膜上に位置し、前記第１の無機膜と接し、前記第１の画素電極の一部と重なり、前記第１の発光素子から射出される第１の光の少なくとも一部を吸収する第１の着色剤を含有する第１の着色層、ならびに
前記第１の無機膜上に位置し、前記第１の無機膜と接し、前記第２の画素電極の一部と重なり、前記第２の発光素子から射出される第２の光の少なくとも一部を吸収する第２の着色剤を含有する第２の着色層を有する表示装置。
【請求項２】
前記第１の無機膜は前記対向電極と接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の無機膜は開口を有し、前記開口において前記第１の着色層が前記対向電極と接する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記対向電極と前記第１の無機膜の間にキャップ層をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の無機膜は開口を有し、前記開口において前記第１の着色層が前記キャップ層と接する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の光と前記第２の光は色度が異なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１の着色剤は前記第２の着色剤と吸収波長が異なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の無機膜、前記第１の着色層、および前記第２の着色層上に第２の無機膜をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の無機膜は、前記第１の無機膜、前記第１の着色層、および前記第２の着色層と接する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２の無機膜の上に位置し、前記第２の無機膜と接する有機膜をさらに有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機膜の上に位置し、前記有機膜と接する第３の無機膜をさらに有する、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の着色層と前記第２の無機膜の間、および前記第２の着色層と前記第２の無機膜の間に挟持される有機膜をさらに有する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１の着色層と前記第２の着色層は、単一の着色層として一体化される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１の画素電極の端部と前記第２の画素電極の端部を覆う隔壁をさらに有し、
前記第１の着色層と前記第２の着色層の少なくとも一つが前記隔壁と重なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ第１の発光領域と第２の発光領域を有し、
前記第１の発光領域と重なる前記第１の着色層の面積の前記第１の発光領域に対する比は、前記第２の発光領域と重なる前記第２の着色層の面積の前記第２の発光領域に対する比と同一である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１６】
第３の画素電極、前記第３の画素電極上の前記対向電極、および前記第３の画素電極と前記対向電極間の第３の電界発光層を含み、前記第２の発光素子に隣接し、前記第１の無機膜に覆われる第３の発光素子、ならびに
前記第１の無機膜上に位置し、前記第１の無機膜と接し、前記第３の画素電極の一部と重なり、前記第３の発光素子から射出される第３の光の少なくとも一部を吸収する第３の着色剤を含有する第３の着色層をさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ第１の発光領域と第２の発光領域を有し、
前記第１の発光領域は、前記第１の着色層と重なる領域と、前記第１の着色層と重ならない領域と、を有し、
前記第２の発光領域は、前記第２の着色層と重なる領域と、前記第２の着色層と重ならない領域と、を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
第１の画素電極、および前記第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を形成すること、
第１の電界発光層と第２の電界発光層を前記第１の画素電極と前記第２の画素電極上にそれぞれ形成すること、
前記第１の電界発光層と前記第２の電界発光層上に対向電極を形成すること、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極と重なるように、前記対向電極上に第１の無機膜を形成すること、ならびに
前記第１の無機膜上に、前記第１の画素電極の一部と前記第２の画素電極の一部とそれぞれ重なる第１の着色層と第２の着色層を形成することを含み、
前記第１の着色層と前記第２の着色層は、前記第１の電界発光層から射出される第１の光の少なくとも一部を吸収する第１の着色剤、および前記第２の電界発光層から射出される第２の光の少なくとも一部を吸収する第２の着色剤をそれぞれ含む、表示装置を製造する方法。
【請求項１９】
前記対向電極を形成した後、かつ、前記第１の着色層と前記第２の着色層の形成前に、異物を検出するための検査を行うことをさらに含み、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極から選択される第ｎの画素電極と重なる前記異物が検出された場合、前記第１の着色層と前記第２の着色層から選択される第ｎの着色層は、前記異物を覆うように形成され、
ｎは１か２である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の着色層と前記第２の着色層は、第１の発光領域と重なる前記第１の着色層の面積の前記第１の発光領域に対する比が、第２の発光領域と重なる前記第２の着色層の面積の前記第２の発光領域に対する比と同一となるように形成される、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、発光素子を有する表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機化合物の電界発光を利用した有機ＥＬ表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、それぞれ電界発光素子（以下、発光素子）が設けられた複数の画素を基板上に有しており、発光素子は一対の電極、およびこれらに挟持される電界発光層（以下、ＥＬ層）を含む。一対の電極間に電流を供給することでＥＬ層が発光し、この発光を電極から取り出すことで表示装置としての機能が発現される。
【０００３】
ＥＬ層は発光性の有機化合物を含み、発光素子が駆動される際に有機化合物は酸化、あるいは還元され、電荷を有する状態をとりうる。また、これらの活性種が再結合することによって励起状態が生成する。このような活性種や励起状態にある分子は電気的に中性の状態、あるいは基底状態にある分子と比べて反応性が高いため、他の有機化合物と反応したり、発光素子に浸入した水や酸素などの不純物と容易に反応したりする。こうした反応は発光素子の特性に悪影響を与え、発光素子の効率の低下や寿命の低減の原因となる。
【０００４】
上述した特性劣化を抑制する方法として、発光素子上に不純物の侵入を抑制するための封止膜（以下、パッシベーション膜）を形成することが知られている。例えば特許文献１、２には、無機化合物や有機化合物を含む複数の膜で構成されるパッシベーション膜が発光素子上に設けられた表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２２０００１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７９２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは、高い表示品質を有する表示装置を提供することを目的の一つとする。あるいは、本発明の実施形態の一つは、高い表示品質を有する表示装置を歩留まり良く、低コストで製造する方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の発光素子、第１の発光素子に隣接する第２の発光素子、第１の無機膜、第１の着色層、および第２の着色層を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の画素電極上の対向電極、および第１の画素電極と対向電極間の第１の電界発光層を含む。第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の画素電極上の対向電極、および第２の画素電極と対向電極間の第２の電界発光層を含む。第１の無機膜は対向電極上に位置し、第１の画素電極と第２の画素電極と重なる。第１の着色層は第１の無機膜上に位置し、第１の無機膜と接し、第１の画素電極の一部と重なる。第２の着色層は第１の無機膜上に位置し、第１の無機膜と接し、第２の画素電極の一部と重なる。第１の無機膜は、第１の発光素子から射出される第１の光の少なくとも一部を吸収する第１の着色剤を含有する。第２の無機膜は、第２の発光素子から射出される第２の光の少なくとも一部を吸収する第２の着色剤を含有する。
【０００８】
本発明に係る実施形態の一つは、表示装置を製造する方法である。この方法は、第１の画素電極と第１の画素電極に隣接する第２の画素電極とを形成すること、第１の電界発光層と第２の電界発光層を第１の画素電極と第２の画素電極上にそれぞれ形成すること、第１の電界発光層と第２の電界発光層上に対向電極を形成すること、第１の画素電極と第２の画素電極と重なるように、対向電極上に第１の無機膜を形成すること、および第１の無機膜上に、第１の画素電極の一部と第２の画素電極の一部とそれぞれ重なる第１の着色層と第２の着色層を形成することを含む。第１の着色層と第２の着色層は、第１の電界発光層から射出される第１の光の少なくとも一部を吸収する第１の着色剤、および第２の電界発光層から射出される第２の光の少なくとも一部を吸収する第２の着色剤をそれぞれ含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図３】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図４】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図、および着色層の上面模式図。
【図５】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図６】本発明の実施形態の一つである表示装置の上面模式図。
【図７】本発明の実施形態の一つである表示装置の副画素に設けられる画素回路の等価回路。
【図８】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図９】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１０】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１１】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１２】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１３】本発明の実施形態の一つである表示装置の断面模式図。
【図１４】本発明の実施形態の一つである表示装置の製造方法を示す断面模式図。
【図１５】本発明の実施形態の一つである表示装置の製造方法を示す断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１５】
本明細書および図面において、同一、あるいは類似する複数の構成を総じて表記する際には同一の符号を用い、これら複数の構成のそれぞれを区別して表記する際には、さらにハイフンと自然数を用いる。
【００１６】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置１００の構造を説明する。
【００１７】
１．全体構造
表示装置１００の模式的上面図を図１に示す。表示装置１００は基板１０２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、複数の画素１０４や画素１０４を駆動するための駆動回路（走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０）が形成される。複数の画素１０４によって表示領域１０６が定義される。後述するように、各画素１０４には複数の副画素１１８が設けられ、各副画素１１８に発光素子１３０が配置される。
【００１８】
走査線側駆動回路１０８や信号線側駆動回路１１０は、表示領域１０６外（周辺領域、あるいは額縁領域）に配置される。表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０からはパターニングされた導電膜で形成される種々の配線１１２が基板１０２の一辺へ延び、配線１１２は基板１０２の端部付近で露出されて端子（図示しない）を形成する。端子はフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）１１４と電気的に接続される。ここで示した例では、ＦＰＣ１１４上に、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ１１６がさらに搭載される。駆動ＩＣ１１６、ＦＰＣ１１４を介して外部回路（図示しない）から映像信号や電源が供給され、映像信号や電源は配線１１２を通して表示領域１０６、走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０へ与えられる。駆動回路や駆動ＩＣ１１６の態様については図１に示したそれに限られず、例えば駆動ＩＣ１１６は基板１０２上に実装されてもよいし、信号線側駆動回路１１０の機能が駆動ＩＣ１１６に統合されていてもよい。
【００１９】
２．画素
２−１．副画素
図２（Ａ）に表示領域１０６の拡大上面図を模式的に示す。上述したように、表示領域１０６は複数の画素１０４によって構成され、各画素１０４には複数の副画素１１８が設けられ、図２（Ａ）には各画素１０４に三つの副画素（第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３）が設けられ、第２の副画素１１８−２が第１の副画素１１８−１と第３の副画素１１８−３に隣接する例が示されている。ここで、副画素１１８とは、色情報を与える最小単位であり、後述するように発光素子１３０やそれを駆動するための画素回路を含む領域である。画素１０４とは、複数の副画素１１８から得られる光を混合することで白色が得られる最も少ない数の副画素１１８で構成される領域である。したがって例えば図２（Ａ）で示した例では、第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３には、それぞれ赤色、緑色、青色の光を与える発光素子１３０を設けることができる。あるいは、第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３の全てに白色を与える発光素子１３０を設け、これらの副画素にそれぞれ赤色、緑色、青色の色を透過するカラーフィルタを配置してもよい。
【００２０】
２−２．着色層
（１）特性
図２（Ａ）に示すように、複数の画素１０４のうち少なくとも一つには、それに含まれる副画素１１８の少なくとも一つに着色層１２０が設けられる。図２（Ａ）に示した例では、２行３列に配列された画素１０４のうち、左下の画素１０４（第２行第１列の画素）に配置された第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３に、第１の着色層１２０−１、第２の着色層１２０−２、第３の着色層１２０−３がそれぞれ配置されている。各着色層１２０は、対応する副画素１１８の一部を覆う。したがって、着色層１２０が設けられる副画素１１８では、副画素１１８の一部は着色層１２０から露出する。
【００２１】
各着色層１２０は樹脂と着色剤を含む。樹脂としては、例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂などの硬化性樹脂や、ポリエステルやポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリスチレン、ポリシロキサンなどを主骨格とする可塑性樹脂でもよい。
【００２２】
着色剤は、着色層１２０が配置される副画素１１８から得られる光の少なくとも一部を吸収する顔料、あるいは染料であり、樹脂中に分散、あるいは溶解される。例えば第１の副画素１１８−１が赤色を与える場合、すなわち、第１の副画素１１８−１に設けられる発光素子１３０が赤色に発光する場合、第１の着色層１２０−１が赤色領域の波長の光の少なくとも一部を吸収するよう、着色剤（第１の着色剤）が選択される。換言すると、着色剤の吸収スペクトルが発光素子１３０のスペクトルと重なるよう、着色剤が選択される。同様に、第２の副画素１１８−２が緑色を与える場合、すなわち、第２の副画素１１８−２に設けられる発光素子１３０が緑色に発光する場合、第２の着色層１２０−２が緑色領域の波長の光の少なくとも一部を吸収するよう、着色剤（第２の着色剤）が選択される。第３の副画素１１８−３が青色を与える場合、すなわち、第３の副画素１１８−３に設けられる発光素子１３０が青色に発光する場合、第３の着色層１２０−３が青色領域の波長の光の少なくとも一部を吸収するよう、着色剤（第３の着色剤）が選択される。
【００２３】
なお、本明細書と請求項において、青色領域、緑色領域、赤色領域とはそれぞれ４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長範囲であり、青色発光、緑色発光、赤色発光とはそれぞれ、上記範囲に発光ピークを少なくとも一つ有する発光である。
【００２４】
着色剤は、可視光領域のほぼ全域に吸収を有してもよい。例えばクロムなどの黒色、もしくは黒色に近い色を有する顔料などを用いることで、着色剤は可視光領域のほぼ全域に吸収を持つことができる。この場合、第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３から得られる発光スペクトルはいずれも、着色剤の吸収スペクトルと重なり、これらの副画素１１８からの発光の一部が着色剤によって吸収される。なお、複数の副画素１１８にそれぞれ着色層１２０を設ける場合、着色層１２０の組成、具体的には樹脂や着色剤の材料、着色剤の吸収スペクトル、吸収波長、および着色剤の濃度は、副画素１１８間で同一でも良く、異なってもよい。
【００２５】
着色層１２０の厚さ、および着色層１２０中の着色剤の濃度は、各副画素１１８の発光素子１３０からの発光に対する透過率が０％以上５０％以下、０％以上２０％以下、０％以上１０％以下となるように調整することができる。
【００２６】
（２）配置と形状
着色層１２０の配置に特に制約は無く、連続して設けられる複数の副画素１１８にそれぞれ設けてもよい。例えば図２（Ａ）に示すように、一つの画素１０４中の副画素１１８のすべてに着色層１２０を設けることができる。あるいは、一連の着色層１２０が複数の画素１０４にわたって設けられてもよい。例えば図２（Ｂ）に示すように、一つの画素１０４−１の副画素１１８の二つ、およびこの画素１０４−１に隣接する画素１０４−２の副画素１１８の一つあるいは複数に着色層１２０を配置してもよい。このような配置では、一連の着色層１２０は、互いに異なる発光色を与える副画素１１８に形成することができる。例えば赤色、緑色、青色をそれぞれ与える第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３に、それぞれ第１の着色層１２０−１、第２の着色層１２０−２、第３の着色層１２０−３を配置することができる。
【００２７】
あるいは図３（Ａ）から図３（Ｃ）に示すように、一つの着色層１２０を複数の副画素１１８にわたって形成してもよい。図３（Ａ）では第１の副画素１１８−１の一部と重なり、他の副画素１１８とは重ならない第１の着色層１２０−１、および第２の副画素１１８−２の一部と第３の副画素１１８−３の一部と重なる第２の着色層１２０−２が配置される例が示されている。この場合、二つの副画素１１８にそれぞれ重なる二つの着色層１２０が一体化して単一の着色層１２０を形成し、これが二つの副画素１１８と重なると認識することも可能である。一方、図３（Ｂ）では、一連の副画素１１８と重なるように、単一の着色層１２０が一つの画素１０４に設けられる。一つの着色層１２０と重なる複数の副画素１１８は、異なる画素１０４に配置されてもよい（図３（Ｃ））。
【００２８】
個々の着色層１２０の形状にも制約は無い。例えば図３（Ａ）から図３（Ｃ）に示すように、画素１０４が設けられる平面、すなわち基板１０２の上面に平行な平面において四角形などの多角形を与えるよう、着色層１２０を形成してもよい。この場合、多角形の角は丸みを帯びていてもよい。あるいは図２（Ａ）、図２（Ｂ）に示すように、上記平面において円や楕円などの直線部を持たない形状を有してもよい。この場合、図４（Ａ）に示すように、上記平面における輪郭が複数の円によって表されるように着色層１２０を形成してもよい。図４（Ａ）に示した例では、着色層１２０は、二つ円１２２ａ、１２２ｃ、およびこれらと重なる一つの円１２２ｂによってその輪郭が表される（図４（Ｂ））。なお、着色層１２０の輪郭が多角形の場合でも、図４（Ｃ）に示すように、その辺は複数の円の一部によって表されるように着色層１２０を形成してもよい。副画素１１８間で着色層１２０の形状は互いに同一でも異なってもよく、面積も同一でも異なってもよい。
【００２９】
画素１０４や副画素１１８の配置も任意に決定することができる。例えば図２（Ａ）などに示すように、画素１０４、副画素１１８がともにマトリクス状に配列し、かつ、全ての副画素１１８が実質的に同一の面積を有するように表示領域１０６を形成してもよく、あるいは図５に示すように、画素１０４はマトリクス状に配置されるものの、副画素１１８の全体はマトリクス配列せず、かつ、一つの画素１０４に設けられる副画素１１８の面積が互いに異なるよう、画素１０４を形成してもよい。図５の例では、第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３の順で面積が大きくなり、これらの副画素１１８に一群の着色層１２０が設けられる。
【００３０】
詳細は後述するが、各副画素１１８に設けられる発光素子１３０は、画素電極２１０、画素電極２１０上の対向電極２１４、画素電極２１０と対向電極２１４の間のＥＬ層２１２を基本的な構成として有する。また、画素電極２１０上には、画素電極２１０に接し、画素電極２１０の端部を覆う隔壁２０６が設けられる。隔壁２０６は画素電極２１０と重なる開口２０８を有し、この開口２０８において画素電極２１０が露出し、ＥＬ層２１２と接する。したがって、画素電極２１０とＥＬ層２１２が接する領域が、副画素１１８および発光素子１３０の発光領域１１９である（図８参照）。
【００３１】
ここで、一連、もしくは一群の着色層１２０がそれぞれ重なる複数の副画素１１８の発光色が互いに異なる場合、発光領域１１９の面積に対する、着色層１２０が発光領域１１９と重なる面積の比は、これらの副画素１１８間で同一であることが好ましい。具体的には図６に模式的に示すように、第１の副画素１１８−１から第３の副画素１１８−３の発光領域（第１の発光領域１１９−１から第３の発光領域１１９−３）の面積をそれぞれＡem1、Ａem2、Ａem3、第１の着色層１２０−１から第３の着色層１２０−３がそれぞれ第１の発光領域１１９−１から第３の発光領域１１９−３と重なる部分の面積をＡcl1、Ａcl2、Ａcl3とすると、比Ａcl1／Ａem1、Ａcl2／Ａem2、Ａcl3／Ａem3は互いに同一、あるいは実質的に同一であることが好ましい。
【００３２】
上述したように、少なくとも一つの画素１０４の副画素１１８に着色層１２０が設けられる。着色層１２０は、それが設けられる副画素１１８からの発光を吸収するため、着色層１２０が設けられる副画素１１８の発光強度は減少する。一つの画素１０４において副画素１１８の発光強度の減少量が異なると、この画素１０４におけるカラーバランスが変化し、意図する色が得られない。しかしながら、比Ａcl1／Ａem1、Ａcl2／Ａem2、Ａcl3／Ａem3を同一、あるいは実質的に同一とすることで、着色層１２０が設けられる画素１０４の輝度は減少するもののカラーバランスは変化しないため、意図する色を得ることができ、表示品質への影響を防ぐことができる。
【００３３】
２−３．画素回路
副画素１１８に形成される画素回路の一例を図７に等価回路として示す。図７に示すように、画素回路は発光素子１３０に加え、駆動トランジスタ１３２、発光制御トランジスタ１４０、補正トランジスタ１３８、初期化トランジスタ１３４、書込トランジスタ１３６、保持容量１７０、付加容量１７２を有している。高電位電源線１４４には高電位ＰＶＤＤが与えられ、この電位が電流供給線１４６を介して各列に接続される副画素１１８に供給される。低電位電源線１４８には低電位ＰＶＳＳが与えられる。
【００３４】
駆動トランジスタ１３２の一方の端子は発光制御トランジスタ１４０と補正トランジスタ１３８を介して高電位電源線１４４と電気的に接続され、他方の端子は発光素子１３０と電気的に接続される。駆動トランジスタ１３２のゲートは、初期化トランジスタ１３４を介して第１の信号線１５０と電気的に接続されるとともに、書込トランジスタ１３６を介して第２の信号線１５２と電気的に接続される。第１の信号線１５０には初期化信号Ｖｉｎｉが与えられ、第２の信号線１５２には映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。書込トランジスタ１３６は、そのゲートに接続される書込制御走査線１５４に与えられる走査信号ＳＧによって動作が制御される。初期化トランジスタ１３４のゲートは、初期化制御信号ＩＧが与えられる初期化制御走査線１５６と接続され、初期化制御信号ＩＧにより動作が制御される。書込トランジスタ１３６がオン、初期化トランジスタ１３４がオフのとき、映像信号Ｖｓｉｇの電位が駆動トランジスタ１３２のゲートに与えられる。一方、書込トランジスタ１３６がオフ、初期化トランジスタ１３４がオンのとき、初期化信号Ｖｉｎｉの電位が駆動トランジスタ１３２のゲートに与えられる。
【００３５】
補正トランジスタ１３８と発光制御トランジスタ１４０のゲートにはそれぞれ、補正制御信号ＣＧが印加される補正制御走査線１５８、発光制御信号ＢＧが印加される発光制御走査線１６２が接続される。駆動トランジスタ１３２の一方の端子には、補正トランジスタ１３８を介し、リセット制御線１６０が接続される。リセット制御線１６０は、走査線側駆動回路１０８に設けられるリセットトランジスタ１４２と接続される。リセットトランジスタ１４２はリセット制御信号ＲＧによって制御され、これによりリセット信号線１６４に与えられるリセット電位Ｖｒｓｔを補正トランジスタ１３８を介して駆動トランジスタ１３２の一方の端子に印加することができる。
【００３６】
駆動トランジスタ１３２の他方の端子とゲートとの間には、保持容量１７０が設けられる。付加容量１７２の一方の端子は駆動トランジスタ１３２の他方の端子に接続され、他方の端子が高電位電源線１４４に接続される。付加容量１７２は、他方の端子が低電位電源線１４８に接続されるように設けてもよい。保持容量１７０と付加容量１７２は、映像信号Ｖｓｉｇを駆動トランジスタ１３２のゲートに与えるとき、映像信号Ｖｓｉｇに応じたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを保持するために設けられる。
【００３７】
信号線側駆動回路１１０、もしくは駆動ＩＣ１１６は、第１の信号線１５０と第２の信号線１５２に初期化信号Ｖｉｎｉと映像信号Ｖｓｉｇをそれぞれ出力する。一方、走査線側駆動回路１０８は書込制御走査線１５４に走査信号ＳＧを出力し、初期化制御走査線１５６に初期化制御信号ＩＧを出力し、補正制御走査線１５８に補正制御信号ＣＧを出力し、発光制御走査線１６２に発光制御信号ＢＧを出力し、リセットトランジスタ１４２のゲートにリセット制御信号ＲＧを出力する。
【００３８】
図示しないが、表示装置１００の画素回路の構成は図７の等価回路で示した構成に限られず、任意の構成を有する回路を適用することができる。
【００３９】
２−４．断面構造
表示装置１００の構造を図８に示した断面模式図を用いて説明する。図８は、画素１０４中の三つの副画素（第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３）の断面模式図である。ここでは、各副画素１１８に含まれる素子のうち、駆動トランジスタ１３２、保持容量１７０、付加容量１７２、発光素子１３０の断面構造が示されている。
【００４０】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート１８０を介し、基板１０２上に設けられる。基板１０２はガラスや石英、あるいはプラスチックを含むことができる。プラスチックとしては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子が挙げられ、中でも耐熱性の高いポリイミドが好ましい。プラスチックを用いることで基板１０２に可撓性を付与することができる。可撓性を有する１０２を用いることで表示装置１００を折り曲げる、あるいは折りたたむことができ、種々の三次元構造を有する表示装置を提供することが可能となる。アンダーコート１８０は、図８に示すように単層構造を有していてもよく、複数の膜から構成されていてもよい。複数の膜を用いる場合、例えば酸化シリコンを含む膜、窒化シリコンを含む膜、および酸化シリコンを含む膜を順次基板１０２上に形成すればよい。
【００４１】
駆動トランジスタ１３２は、半導体膜１８２、ゲート絶縁膜１８４、ゲート電極１８６、ドレイン電極１９２、ソース電極１９４を含む。ゲート電極１８６は、ゲート絶縁膜１８４を介して半導体膜１８２の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜１８２とゲート電極１８６が重なる領域にチャネル領域１８２ａが形成される。半導体膜１８２はさらに、チャネル領域１８２ａを挟持する低濃度不純物領域１８２ｃ、およびチャネル領域１８２ａと低濃度不純物領域１８２ｃを挟持する高濃度不純物領域１８２ｂを有する。
【００４２】
ゲート絶縁膜１８４を介し、ゲート電極１８６と同一の層に存在する容量電極１８８が高濃度不純物領域１８２ｂと重なるように設けられる。ゲート電極１８６、容量電極１８８の上には層間絶縁膜１９０が配置される。層間絶縁膜１９０とゲート絶縁膜１８４には、高濃度不純物領域１８２ｂに達する開口が形成され、この開口を覆うようにドレイン電極１９２、ソース電極１９４が配置される。ソース電極１９４の一部は、層間絶縁膜１９０を介して高濃度不純物領域１８２ｂの一部と容量電極１８８と重なり、高濃度不純物領域１８２ｂの一部、ゲート絶縁膜１８４、容量電極１８８、層間絶縁膜１９０、およびソース電極１９４の一部によって保持容量１７０が形成される。
【００４３】
駆動トランジスタ１３２や保持容量１７０の上にはさらに平坦化膜１９６が設けられる。平坦化膜１９６は、ソース電極１９４に達する開口を有し、この開口と平坦化膜１９６の上面の一部を覆う接続電極１９８がソース電極１９４と接するように形成される。平坦化膜１９６上にはさらに付加容量電極２００が設けられる。接続電極１９８と付加容量電極２００を覆うように付加容量絶縁膜２０２が配置される。付加容量絶縁膜２０２は、平坦化膜１９６の開口では接続電極１９８の一部を覆わず、接続電極１９８の上面を露出する。これにより、接続電極１９８を介し、その上に設けられる画素電極２１０とソース電極１９４間の電気的接続が可能となる。付加容量絶縁膜２０２には、その上に設けられる隔壁２０６と平坦化膜１９６の接触を許容するための開口２０４を設けてもよい。開口２０４を通して平坦化膜１９６中の不純物を除去することができ、これによって発光素子１３０の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極１９８や開口２０４の形成は任意である。
【００４４】
付加容量絶縁膜２０２上には、接続電極１９８と付加容量電極２００を覆うように、画素電極２１０が設けられる。付加容量絶縁膜２０２は付加容量電極２００と画素電極２１０によって挟持され、この構造によって付加容量１７２が構築される。画素電極２１０は、付加容量１７２と発光素子１３０によって共有される。
【００４５】
画素電極２１０の上には、画素電極２１０の端部を覆う隔壁２０６が備えられる。画素電極２１０の一部は、隔壁２０６に設けられる開口２０８から露出する。画素電極２１０と隔壁２０６を覆うようにＥＬ層２１２、およびその上の対向電極２１４が設けられる。ＥＬ層２１２の構成は任意に選択することができ、電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷ブロッキング層、励起子ブロッキング層などを適宜組み合わせてＥＬ層２１２が構成される。図８では見やすさを考慮し、ＥＬ層２１２の構造が全ての副画素１１８において同一となる例が示されているが、隣接する副画素１１８間においてＥＬ層２１２の構造が異なってもよい。例えば発光層の構造や材料を第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３の間で異なるようにＥＬ層２１２を形成することで、これらの副画素１１８に異なる色の発光を与える発光素子（すなわち、発光スペクトルや発光の色度が異なる発光素子）１３０を配置することができる。あるいは、第１の副画素１１８−１、第２の副画素１１８−２、第３の副画素１１８−３に同一の構造を有し、かつ、白色を与えるようにＥＬ層２１２を形成してもよい。この場合、これらの副画素１１８から異なる色が取り出されるよう、図示しないカラーフィルタを用いて発光が適宜吸収される。
【００４６】
各副画素１１８では、画素電極２１０、ＥＬ層２１２、および対向電極２１４によって発光素子１３０が形成される。画素電極２１０は発光素子１３０間で絶縁され、それぞれ独立に電位が与えられる。ＥＬ層２１２は画素電極２１０と隔壁２０６上に、これらに接するように設けられる。ＥＬ層２１２が画素電極２１０と接することでキャリア（例えばホール）がＥＬ層２１２に注入される。一方、対向電極２１４はＥＬ層２１２と接するように、表示領域１０６内の複数の画素１０４にわたって設けられる。換言すると、対向電極２１４は隣接する副画素１１８や発光素子１３０に共有される。対向電極２１４からキャリア（例えば電子）がＥＬ層２１２に注入され、ＥＬ層２１２内において画素電極２１０から注入されたキャリアと再結合し、ＥＬ層２１２内に含まれる有機化合物の励起状態が形成される。この励起状態が基底状態に緩和する過程で発光が得られる。したがって、画素電極２１０とＥＬ層２１２が接する領域、すなわち、隔壁２０６の開口２０８が副画素１１８、および発光素子１３０の発光領域１１９である（図６参照）。
【００４７】
表示装置１００はさらに、パッシベーション膜の一部として機能する第１の無機膜２２０を対向電極２１４上に有する。第１の無機膜２２０も複数の副画素１１８上に形成され、複数の副画素１１８に共有される。したがって、第１の無機膜２２０は画素１０４内の複数の画素電極２１０と重なる。第１の無機膜２２０は無機化合物を含み、無機化合物としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などのケイ素含有無機化合物が例示される。第１の無機膜２２０は図８に示すように単層構造を有してもよく、これらの化合物を含む複数の膜が積層された構造を有していてもよい。上述した材料を含む第１の無機膜２２０は高いブロッキング性を示すため、外部から水や酸素などの不純物が発光素子１３０へ侵入することを防ぐことができる。その結果、高い信頼性を表示装置１００に付与することができる。
【００４８】
上述した着色層１２０は、図８に示すように、発光素子１３０、およびそれと重なる第１の無機膜２２０の上に設けられる。より具体的には、各副画素１１８に設けられる着色層１２０は、第１の無機膜２２０の上に位置し、第１の無機膜２２０と接し、かつ、対応する画素電極２１０の一部と重なる。着色層１２０は隔壁２０６と重なってもよく、図示しないものの隔壁２０６とは重ならず、底面の全体が対応する画素電極２１０と重なるように形成してもよい。各発光素子１３０で得られる発光は、ほぼ等方的にＥＬ層２１２から射出される。したがって、ＥＬ層２１２で得られる発光の一部は着色層１２０によって吸収される。
【００４９】
任意の構成として、表示装置１００はさらに、第１の無機膜２２０と着色層１２０上に第２の無機膜２２２を有してもよい。図８に示すように、この第２の無機膜２２２は第１の無機膜２２０や着色層１２０と接するように設けてもよい。第１の無機膜２２０と同様、第２の無機膜２２２も上述したケイ素含有無機化合物を含み、単層構造、積層構造のいずれを有していてもよい。着色層１２０に含まれる樹脂は、上述したシリコン含有無機化合物と比較して水や酸素に対する親和性が高いため、不純物を取り込みやすい。このため、高いブロッキング性を示すケイ素含有無機化合物を含む第２の無機膜２２２を設けることで不純物の着色層１２０への侵入を抑制することができる。
【００５０】
２−５．変形例
図８で示した例では、第１の無機膜２２０は対向電極２１４と接するが、図９に示すように、表示装置１００は、対向電極２１４と第１の無機膜２２０の間にキャップ層２１６を任意の構成としてさらに備えることができる。この場合、キャップ層２１６は、第１の無機膜２２０と対向電極２１４と接するように設けられる。
【００５１】
キャップ層２１６は光学調整層として働き、ＥＬ層２１２から対向電極２１４を介して出射される光を共振する機能を有する。キャップ層２１６を対向電極２１４上に設けることにより出射光の狭線化や正面方向の強度を向上させることができる。キャップ層２１６は図９に示すように単一の層構造を有していてもよく、複数の層を含む積層構造を有していてもよい。また、副画素１１８間で構造や材料が異なるようにキャップ層２１６を設けてもよい。
【００５２】
例えばキャップ層２１６が二つの層を有する場合、対向電極２１４に近く配置される層（第１のキャップ層）は、可視光領域における透過率が高く、かつ、屈折率が比較的高い材料を含むように形成することができる。このような材料の一例として有機化合物が挙げられる。有機化合物としては高分子材料が代表例であり、たとえば硫黄、ハロゲン、リンを含む高分子材料が挙げられる。硫黄を含む高分子としては、主鎖や側鎖にチオエーテル、スルホン、チオフェンなどの置換基を有する高分子が挙げられる。リンを含む高分子材料としては、主鎖や側鎖に亜リン酸基、リン酸基などが含まれる高分子材料、あるいはポリフォスファゼンなどが挙げられる。ハロゲンを含む高分子材料としては、臭素やヨウ素、塩素を置換基として有する高分子材料が挙げられる。上記高分子材料は、分子間あるいは分子内で架橋していてもよい。他の例としては無機材料が挙げられ、酸化チタン、酸化ジリコニウム、酸化クロム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、硫化鉛、硫化亜鉛、窒化ケイ素などが例示される。これらの無機材料と高分子材料の混合物を用いてもよい。
【００５３】
第１の無機膜２２０に近い層（第２のキャップ層）は、可視光領域における透過率が高く、かつ、屈折率が比較的低い材料を含むことができる。このような材料の一例としてフッ素を含有する高分子材料が挙げられる。フッ素を含有する高分子材料としては、例えばポリテトラフルオロエチレンやポリフッ化ビニリデン、これらの誘導体、主鎖あるいは側鎖にフッ素を有するポリビニルエーテルやポリイミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、ポリシロキサンなどが挙げられる。これらの高分子は分子内あるいは分子間で架橋していてもよい。低い屈折率を有する無機材料としては、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウムなどの金属フッ化物、酸化ホウ素や酸化リンを含有する酸化ケイ素などが挙げられる。
【００５４】
図８、図９に示す構造では、対向電極２１４よりも上に位置する主な有機化合物は着色層１２０を構成する樹脂だけである。このため、着色層１２０を形成する副画素１１８が全副画素１１８の一部に限られる場合、屈折率が大きく異なる無機化合物と有機化合物との界面（すなわち、第１の無機膜２２０と着色層１２０の界面、および着色層１２０と第２の無機膜２２２の界面）は表示領域１０６のごく一部に限られる。このため、表示領域１０６の光学反射を大幅に抑制することができ、発光素子１３０の光取出し効率が向上するだけでなく、表示領域１０６における外光反射が抑制され、コントラストの高い表示が可能となる。
【００５５】
あるいは図１０に示すように、表示装置１００は、第２の無機膜２２２に加え、第２の無機膜２２２上に有機膜２２４を備えてもよい。有機膜２２４は第２の無機膜２２２と接するように設けてもよい。有機膜２２４は可視光に対して高い透過率を示す材料を含むことができ、材料としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリカルボナート、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリオレフィンなどの高分子が例示される。有機膜２２４を形成することにより、第２の無機膜２２２が保護されるとともに、平坦な表面を得ることができる。したがって、この平坦な表面を利用し、タッチパネルなどを搭載することも可能である。
【００５６】
有機膜２２４上に第３の無機膜２２６をさらに設けてもよい（図１１）。第３の無機膜２２６は有機膜２２４と接してもよい。第３の無機膜２２６もケイ素含有無機化合物を含み、単層構造、あるいは積層構造を有するように形成される。第３の無機膜２２６を形成することにより、有機膜２２４への不純物の侵入が抑制され、高い信頼性を表示装置１００に付与することができる。
【００５７】
あるいは図１２に示すように、第１の無機膜２２０や着色層１２０と接するように、第１の無機膜２２０と着色層１２０上に有機膜２２４を形成し、その上に第２の無機膜２２２を設けてもよい。図１１や図１２に示した構造を採用することで、平坦な表面上に高いブロッキング性を示す無機膜を形成することができるため、ピンホールやクラックなどの欠陥密度が非常に小さい無機膜を有機膜２２４上に形成することができる。
【００５８】
なお、本明細書や図面、請求項において、パッシベーション膜とは、第１の無機膜２２０、第２の無機膜２２２、第３の無機膜２２６、および有機膜２２４の一部、あるいは全てを含む積層構造を指す。
【００５９】
３．表示品質の向上
上述した構造を適用することで、高い表示品質を有する表示装置を提供することができる。この理由を図１３を用いて説明する。
【００６０】
表示装置の製造工程においては、種々の絶縁膜や導電膜、半導体膜がスパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法などを利用して形成される。このような成膜工程では、図１３に例示されるように、成膜に用いられる材料を含む微粒子が副生し、意図しない異物２３０として基板１０２上に残存することがある。対向電極２１４やキャップ層２１６、あるいは第１の無機膜２２０上に異物２３０が残存した場合、パッシベーション膜の一部である第１の無機膜２２０の一部の厚さが低下する、あるいは第１の無機膜２２０にピンホールやクラックなどの開口２３２が発生する。このような欠陥を有する第１の無機膜２２０上に第２の無機膜２２２を形成しても、異物２３０を完全に覆って開口２３２を塞ぐことは困難である。開口２３２が存在すると、開口２３２を介して不純物が発光素子１３０へ侵入し、発光素子１３０の劣化を招く。
【００６１】
このため、通常、厚い膜厚で成膜可能な樹脂を用いて異物２３０を覆い、開口２３２を塞いだ後に、無機膜を形成することでパッシベーション膜が形成される。しかしながらＥＬ層２１２からの発光が透過可能な樹脂を用いると、異物２３０を覆った樹脂がレンズ形状を有するためマイクロレンズとして働く。このため、樹脂を透過する発光の出射方向が変化し、その結果、副画素の輝度が部分的に上昇する。このような局所的な輝度の上昇が生じると、異物２３０とその周辺の領域は輝度の高い欠陥（輝点欠陥）として認識され、表示品質と製造歩留りの大幅な低下に至る。
【００６２】
しかしながら本実施形態の表示装置１００では、着色層１２０が第１の無機膜２２０上に設けられる。この時、異物２３０が残存した副画素１１８において着色層１２０を設けることで、異物２３０を覆い、開口２３２を塞ぐことができる。さらに、異物２３０を覆う着色層１２０の着色剤として、異物２３０が残存した副画素１１８の発光素子１３０からの発光の少なくとも一部を吸収可能な材料を用いることで、着色層１２０がマイクロレンズとして働くことを防ぐことができる。その結果、輝点欠陥の発生を防ぐことができる。したがって、本実施形態を適用することにより、表示装置の製造歩留りが向上し、かつ、高い表示品質を有する表示装置を提供することが可能となる。
【００６３】
なお、第１の無機膜２２０が開口２３２を有する場合、この開口２３２において第１の着色層１２０−１は対向電極２１４、あるいはキャップ層２１６と接する。このような構造を有する表示装置も本実施形態の表示装置１００に含まれる。
【００６４】
（第２実施形態）
本実施形態では、表示装置１００の製造方法について説明する。具体的には、図８で例示した表示装置１００の製造方法を説明する。第１実施形態の構成と同一、あるいは類似する構成に関しては説明を省略することがある。
【００６５】
付加容量絶縁膜２０２までが基板１０２上に形成された状態を図１４（Ａ）に示す。図１４（Ａ）に示した構造は、公知の材料や方法を適宜適用することで形成できるため、説明は割愛する。
【００６６】
付加容量絶縁膜２０２上に、付加容量電極２００と重なり、かつ、接続電極１９８と電気的に接続されるように発光素子１３０の画素電極２１０を形成する（図１４（Ｂ））。発光素子１３０からの発光を基板１０２とは反対側から取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を画素電極２１０に用いることができる。あるいは上記金属や合金、およびインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物との積層を採用することができる。典型的には、上記金属をＩＴＯ、あるいはＩＺＯで挟持した積層構造（例えばＩＴＯ／銀／ＩＴＯなど）が用いられる。一方、発光素子１３０からの発光を基板１０２を通して取り出す場合には透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を画素電極２１０に用いることができる。これらの材料の膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法を適用して形成すればよい。この段階で画素電極２１０と付加容量電極２００、およびこれらに挟まれた付加容量絶縁膜２０２を有する付加容量１７２が形成される。
【００６７】
画素電極２１０の形成後、絶縁膜である隔壁２０６を形成する（図１４（Ｂ））。隔壁２０６は画素電極２１０の端部を覆い、かつ、画素電極２１０の一部を露出する開口２０８を有するように形成される。具体的には、感光性のアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミドなどを画素電極２１０上に塗布し、フォトマスクを介した露光を行い、その後現像、熱処理を行うことで隔壁２０６が形成される。隔壁２０６は画素電極２１０の端部、ならびに平坦化膜１９６に設けられた画素電極２１０と駆動トランジスタ１３２との接続のための開口に起因する段差を吸収して平坦な表面を与え、かつ、隣接する画素電極２１０を互いに電気的に絶縁する機能を有する。
【００６８】
隔壁２０６の形成後、ＥＬ層２１２を画素電極２１０、および隔壁２０６を覆うように形成する（図１５（Ａ））。ＥＬ層２１２は蒸着法、あるいはインクジェット法やスピンコーティング法などの湿式成膜法を適用して形成することができる。
【００６９】
ＥＬ層２１２の形成後、対向電極２１４を複数の画素電極２１０と重なるように形成する（図１５（Ａ））。画素電極２１０、ＥＬ層２１２、対向電極２１４によって発光素子１３０が形成される。発光素子１３０からの発光を基板１０２を通して取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属あるいはこれらの合金を対向電極２１４に用いることができる。一方、発光素子１３０からの発光を対向電極２１４を通して取り出す場合には、上記金属や合金を用い、可視光を透過する程度の膜厚を有するように対向電極２１４を形成する。あるいは対向電極２１４には、透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。また、上記金属や合金と導電性酸化物との積層構造（例えばＭｇ−Ａｇ／ＩＴＯなど）を対向電極２１４に採用することができる。対向電極２１４は蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成すればよい。
【００７０】
その後、第１の無機膜２２０を対向電極２１４上に形成する（図１５（Ａ））。第１の無機膜２２０はＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成すればよい。
【００７１】
この後、異物検査を実行してもよい。異物検査は光学顕微鏡を用いる目視による外観検査で行うことができる。あるいは電荷結合素子（ＣＣＤ）などの画像取得素子を用いて第１の無機膜２２０の画像を取得し、隣接する副画素１１８間の画像パターンを比較する、もしくは副画素１１８の設計データと比較することで異物検査を行ってもよい。これにより、異物２３０が残存した副画素１１８、およびその副画素１１８が含まれる画素１０４が特定される。なお、異物検査は第１の無機膜２２０の形成前に行ってもよい。例えば対向電極２１４の形成後、あるいはキャップ層２１６の形成後に行うことができる。
【００７２】
異物２３０が検出された場合、この異物２３０が残存する副画素１１８（図１５（Ｂ）に示した例では第１の副画素１１８−１）、および第１の副画素１１８−１を含む画素１０４に配置される他の副画素１１８（図１５における第２の副画素１１８−２と第３の副画素１１８−３）に第１の着色層１２０−１、第２の着色層１２０−２、第３の着色層１２０−３をそれぞれ形成する。第１実施形態で述べたように、これらの着色層１２０に含まれる着色剤は、対応する副画素１１８の発光の少なくとも一部を吸収するように選択される。着色層１２０は対応する副画素１１８の画素電極２１０の一部と重なるように形成される。副画素１１８の発光領域１１９の面積に対する、着色層１２０が発光領域１１９と重なる面積の比が画素１０４内でほぼ同一となるよう、着色層１２０を形成することが好ましい。
【００７３】
着色層１２０は、例えばインクジェット法を適用して形成される。この場合、着色層１２０を形成する樹脂の原料となるオリゴマーと着色剤の混合物を射出し、その後オリゴマーを光照射、あるいは加熱によって重合して硬化する。異物２３０の位置が表示装置１００ごとに異なっても、インクジェット法を適用することで容易に着色層１２０を異物２３０を覆うように形成することができる。なお、異物２３０が検知されなかった場合でも、一部の画素１０４に着色層１２０を設けてもよい。
【００７４】
引き続き、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用し、第１の無機膜２２０と着色層１２０に重なるように第２の無機膜２２２が形成される。これにより、図８に示す表示装置１００が製造される。この製造方法では、表示領域１０６の全体を覆う有機膜（例えば有機膜２２４）が形成されない。したがって、低い製造コストで表示装置を提供することができる。なお、有機膜２２４を形成する場合には、湿式成膜法を適用すればよい。あるいは有機膜２２４の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第２の無機膜２２２、あるいは第１の無機膜２２０上に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって形成してもよい。
【００７５】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００７６】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００７７】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００７８】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０４−１：画素、１０４−２：画素、１０６：表示領域、１０８：走査線側駆動回路、１１０：信号線側駆動回路、１１２：配線、１１４：ＦＰＣ、１１８：副画素、１１８−１：第１の副画素、１１８−２：第２の副画素、１１８−３：第３の副画素、１１９：発光領域、１１９−１：第１の発光領域、１１９−２：第２の発光領域、１１９−３：第３の発光領域、１２０：着色層、１２０−１：第１の着色層、１２０−２：第２の着色層、１２０−３：第３の着色層、１２２ａ：円、１２２ｂ：円、１２２ｃ：円、１３０：発光素子、１３２：駆動トランジスタ、１３４：初期化トランジスタ、１３６：書込トランジスタ、１３８：補正トランジスタ、１４０：発光制御トランジスタ、１４２：リセットトランジスタ、１４４：高電位電源線、１４６：電流供給線、１４８：低電位電源線、１５０：第１の信号線、１５２：第２の信号線、１５４：書込制御走査線、１５６：初期化制御走査線、１５８：補正制御走査線、１６０：リセット制御線、１６２：発光制御走査線、１６４：リセット信号線、１７０：保持容量、１７２：付加容量、１８０：アンダーコート、１８２：半導体膜、１８２ａ：チャネル領域、１８２ｂ：高濃度不純物領域、１８２ｃ：低濃度不純物領域、１８４：ゲート絶縁膜、１８６：ゲート電極、１８８：容量電極、１９０：層間絶縁膜、１９２：ドレイン電極、１９４：ソース電極、１９６：平坦化膜、１９８：接続電極、２００：付加容量電極、２０２：付加容量絶縁膜、２０４：開口、２０６：隔壁、２０８：開口、２１０：画素電極、２１２：ＥＬ層、２１４：対向電極、２１６：キャップ層、２２０：第１の無機膜、２２２：第２の無機膜、２２４：有機膜、２２６：第３の無機膜、２３０：異物、２３２：開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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