(57)【要約】【課題】電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、交換頻度の低減による実装効率の向上を可能とする圧着ヘッドおよび実装装置を提供する。【解決手段】実装装置に設けられる圧着ヘッド１４は、ヘッド本体１６と押圧部材１７との間に介在する弾性部材１９とを備える。弾性部材１９とヘッド本体１６との間には板状の変位阻止部材２０を備え、弾性部材１９と押圧部材１７との間には板状の変位阻止部材２１を備えている。変位阻止部材２０および２１は弾性部材１９と強い密着性を有する材料で構成されるので、弾性部材１９とヘッド本体１６との接触面、および弾性部材１９と押圧部材１７との接触面にはより強い摩擦力が発生する。従って、これら接触面に沿って、押圧方向に対して垂直な方向へ弾性部材１９が滑るように変位することを阻止できる。【選択図】図４
2019050341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備えたことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間に介在しており、
前記阻止部材と前記弾性部材との間における密着力が、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記押圧部材と前記弾性部材との間に介在しており、
前記阻止部材は、前記弾性部材との間における密着力が、前記押圧部材と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は板状の金属材で構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項５】
請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の圧着ヘッドにおいて、
前記弾性部材はフッ素ゴムで構成され、
前記阻止部材は板状のステンレス鋼で構成される
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項６】
請求項１に記載の圧着ヘッドにおいて、
前記阻止部材は、前記弾性部材へ外力を加えて前記押圧方向へ圧縮して前記押圧方向に対する反発力を前記弾性部材に発生させ、前記圧着ヘッドが前記電子部品を押圧しない場合であっても前記反発力を維持した状態で前記弾性部材を前記ヘッド本体と前記押圧部材との間に介在させる垂直抗力維持手段である
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の圧着ヘッドにおいて、前記阻止部材は前記弾性部材を８０％以上９９％以下の厚みに圧縮させた状態を維持する
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項８】
電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備え、
前記ヘッド本体と前記弾性部材との接触面、および前記押圧部材と前記弾性部材との接触面において、それぞれ同一の凹凸パターンを有する凹凸部が形成されている
ことを特徴とする圧着ヘッド。
【請求項９】
電子部品を基板に実装する実装装置であって、
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の圧着ヘッドと、
前記圧着ヘッドを昇降させる昇降機構と、
前記基板を載置保持する保持ステージと、
と備えたことを特徴とする実装装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の実装装置であって、
前記電子部品がバンプを有する半導体装置であって、熱硬化性樹脂を介して前記基板に実装することを特徴とする実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、シリコンインターポーザー、シリコン基板などの回路基板にＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装置やその他の電子部品を接着、直接に電気的接合または積層状態のまま実装するための圧着ヘッドおよび実装装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをはじめとする電子部品の小型化と高密度化に伴い、電子部品を回路基板に実装する方法としてフリップチップ実装、さらには電子部品を貫通する貫通電極によって３次元的に積層する三次元積層実装が急速に広まってきている。そこで、実装における接合の信頼性確保が重要になってきている。
【０００３】
半導体チップの接合部分の接続信頼性を確保するための方法としては、半導体チップ上に形成されたバンプと回路基板の電極パッドを接合した後に、半導体チップと回路基板との隙間に液状封止接着剤を注入し硬化させることが一般的な方法として採られている。このような実装装置において、半導体チップを押圧および加熱しながら基板に接合させるヘッド本体を備えることにより、電気的接合と樹脂封止を同時に行う構成が提案されている。
【０００４】
また、チップ実装の生産効率を向上すべく複数個の半導体チップを同時に基板に圧着させる実装装置が用いられている。このような実装装置では、基板の面積に相当する比較的大面積の加熱圧着ヘッド（ヘッド本体）に対して、複数個の半導体チップを同時かつ個別に押圧する複数個の押圧用ブロックが形成されている。基板上に配置された複数個の半導体チップに対して当該ヘッド本体を下降させることにより、複数個の半導体チップに対して同時に電気的接合と樹脂封止とを実行できる。
【０００５】
近年ではこのような複数個の半導体チップを同時に基板に圧着させる実装装置において、半導体チップの高さのバラツキを吸収して全ての半導体チップに対して均一に押圧力を作用させる構成が提案されている。具体的には、複数個の押圧用ブロックがヘッド本体に形成されており、当該押圧用ブロックの各々とヘッド本体との間に弾性体を挿入し、押圧用ブロックの各々をヘッド本体の下方で弾性支持している（特許文献１、２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−３４４２３号公報
【特許文献２】特開２０１１−９３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の従来構成では次のような問題がある。
すなわち、弾性体をヘッド本体と押圧用ブロックとの間に備えるような従来の実装装置を用いて半導体チップを基板に実装させる場合、ヘッド本体による半導体チップの押圧操作を繰り返すことによって、弾性体の位置が当初に配置された位置から押圧方向と垂直な方向へずれるという事態が高い頻度で発生することが判明した。
【０００８】
弾性体が押圧方向と垂直な方向へずれることにより、弾性体と押圧用ブロックとの相対的な位置関係がずれ、押圧用ブロック全面のうち一部において弾性体が接触しなくなる。この場合、ヘッド本体を下降させて半導体チップを基板に実装させる際に、押圧用ブロックのうち弾性体と接触している部分が受ける反発力と弾性体と接触していない部分が受ける反発力との間に差が生じる。その結果、半導体チップの全面に対して均一に押圧力を作用させることが困難となるので、半導体チップを基板へ均一に圧着させることが困難となる。
【０００９】
また、弾性体が押圧方向と垂直な方向へずれることにより、弾性体の下方に設けられている押圧用ブロックの位置も押圧方向と垂直な方向へずれる場合もある。押圧方向と垂直な方向へ位置がずれた押圧用ブロックは、半導体チップに対して均一に押圧することが困難となる。その結果、押圧用ブロックの位置ずれに起因する実装不良（実装位置のずれ等）が容易に発生する。このような実装不良の発生を回避するには、押圧用ブロックの位置ずれが発生する前に押圧用ブロックを少なくともヘッド本体ごと交換する必要がある。従って、ヘッド本体の交換頻度の上昇に起因する実装効率の低下という問題が懸念される。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、交換頻度の低減による実装効率の向上を可能とする圧着ヘッドおよび実装装置を提供することを主たる目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００１２】
すなわち、電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備えたことを特徴とする
【００１３】
（作用・効果）この構成によれば、電子部品を押圧する押圧部材とヘッド本体の間に弾性部材が介在するとともに、阻止部材を備えている。当該阻止部材は、電子部品を押圧する方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する。そのため、弾性部材とともに押圧部材が変位し、変位した押圧部材が電子部品を不均一に押圧することによって電子部品の実装不良が発生するといった事態を回避できる。
【００１４】
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間に介在しており、前記阻止部材と前記弾性部材との間における密着力が、前記ヘッド本体と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成されることが好ましい。
【００１５】
（作用・効果）この構成によれば、阻止部材はヘッド本体と弾性部材との間に介在しており、阻止部材と弾性部材との間における密着力が、ヘッド本体と弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される。密着力の向上により、接触面における摩擦係数が増大するので、阻止部材と弾性部材との間で発生する摩擦力はヘッド本体と弾性部材との間で発生する摩擦力より大きくなる。従って、弾性部材とヘッド本体とが直接接触している場合と比べて、阻止部材が介在する場合は摩擦力が増大するので、阻止部材は弾性部材の変位を阻止できる。
【００１６】
すなわち、圧着ヘッドによる加圧を繰り返しても、弾性部材の変位に起因して電子部品と押圧部材とが相対的位置関係を好適に維持できる。すなわち電子部品と押圧部材とが相対的に位置ズレすることによって圧着ヘッドを交換する事態を防止できる。従って、圧着ヘッドの交換頻度を低減し、電子部品の実装効率を向上させることができる。
【００１７】
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記押圧部材と前記弾性部材との間に介在しており、前記阻止部材は、前記弾性部材との間における密着力が、前記押圧部材と前記弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成されることが好ましい。
【００１８】
（作用・効果）この構成によれば、阻止部材は押圧部材と弾性部材との間に介在しており、阻止部材と弾性部材との間における密着力が、押圧部材と弾性部材との間における密着力と比べて高くなるように構成される。密着力の向上により、接触面における摩擦係数が増大するので、阻止部材と弾性部材との間で発生する摩擦力は押圧部材と弾性部材との間で発生する摩擦力より大きくなる。従って、弾性部材と押圧部材とが直接接触している場合と比べて、阻止部材が介在する場合は摩擦力が増大するので、阻止部材は弾性部材の変位を阻止できる。
【００１９】
なお、上記構成において、前記阻止部材は板状の金属材で構成されることが好ましい。この場合、阻止部材は容易に平坦な構成にすることができる。そのため、阻止部材の下方に配設されている押圧部材は電子部材に対して高い精度の平行性を維持できる。また金属製の阻止部材は押圧に適する堅さを有するので、押圧方向における厚みを薄くできる。
【００２０】
なお、上記構成において、前記弾性部材はフッ素ゴムで構成され、前記阻止部材は板状のステンレス鋼で構成されることが好ましい。この場合、弾性部材と阻止部材とは高い密着性を有するので、弾性部材および阻止部材の表面を平坦な構成としつつ、弾性部材と阻止部材とを好適に密着させて摩擦係数を増大させることができる。すなわち、弾性部材と阻止部材との間の摩擦力を向上させて弾性部材の変位を好適に阻止できるとともに、弾性部材の厚みを精度良く均一にできる。また、電子部品に対する押圧部材の平行性を高い精度で維持できる。従って、電子部品を均一に押圧できるとともに、均一な厚みを有する弾性部材によって電子部品の高さのバラツキを好適に吸収できる。
【００２１】
なお、上記構成において、前記阻止部材は、前記弾性部材へ外力を加えて前記押圧方向へ圧縮して前記押圧方向に対する反発力を前記弾性部材に発生させ、前記圧着ヘッドが前記電子部品を押圧しない場合であっても前記反発力を維持した状態で前記弾性部材を前記ヘッド本体と前記押圧部材との間に介在させる垂直抗力維持手段であることが好ましい。
【００２２】
（作用・効果）この構成によれば、阻止部材は垂直抗力維持手段であり、弾性部材へ外力を加えて押圧方向へ圧縮し、押圧方向に対する反発力を弾性部材に発生させ、圧着ヘッドが電子部品を押圧しない場合であっても反発力を維持した状態で弾性部材をヘッド本体と押圧部材との間に介在させる。この場合、圧着ヘッドが電子部品を押圧しない場合であっても、反発力に応じた大きさの垂直抗力が弾性部材において発生している。そのため、圧着ヘッドによる押圧が行われる際に、当該垂直抗力の大きさに応じて、弾性部材の表面に発生する摩擦力が増大する。従って、押圧方向と垂直な方向における弾性部材の変位は阻止部材によって阻止される。
【００２３】
また、前記阻止部材は前記弾性部材を８０％以上９９％以下の厚みに圧縮させた状態を維持することが好ましい。この場合、弾性部材を予め適度に圧縮させて反発力を発生させた状態とすることができる。そのため、圧着ヘッドによる押圧が行われる際に、弾性部材の表面に発生する摩擦力を適切な大きさに増大できるので、押圧方向と垂直な方向における弾性部材の変位をより確実に阻止できる。
【００２４】
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００２５】
すなわち、電子部品を基板に実装する圧着ヘッドであって、
ヘッド本体と、
前記ヘッド本体の下部に装着され電子部品を押圧する押圧部材と、
前記ヘッド本体と押圧部材との間に介在する弾性部材と、
前記電子部品を押圧する押圧方向に対して垂直な方向へ前記弾性部材が変位することを阻止する阻止部材と、
を備え、
前記ヘッド本体と前記弾性部材との接触面、および前記押圧部材と前記弾性部材との接触面において、それぞれ同一の凹凸パターンを有する凹凸部が形成されている
ことを特徴とする。
【００２６】
（作用・効果）この構成によれば、ヘッド本体と弾性部材との接触面、および押圧部材と弾性部材との接触面において、それぞれ同一パターンの凹凸面が形成されている。凹凸面の凹凸パターンにより、ヘッド本体と弾性部材との接触面、および押圧部材と弾性部材との接触面における摩擦力が増大する。従って、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材が変位することをより確実に阻止できる。また、各凹凸部の凹凸パターンが同一であるので、弾性部材の厚みは全面にわたって均一となる。従って、電子部品の高さのバラツキを吸収する力は、弾性部材の全面にわたって均一となるので、弾性部材のバラツキ吸収の不均一化に起因する実装エラーの発生を回避できる。
【００２７】
また、この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【００２８】
すなわち、電子部品を基板に実装する実装装置であって、
上記記載のいずれかの圧着ヘッドと、
前記圧着ヘッドを昇降させる昇降機構と、
前記基板を載置保持する保持ステージと、
と備えたことを特徴とする。
【００２９】
（作用・効果）  この構成によれば、保持ステージ上に載置保持された基板に電子部品を実装する際に過度の押圧による破損を防止するとともに、基板と電子部品の界面を短時間で確実に昇温させることができる。
【００３０】
なお、上記構成で、電子部品がバンプを有する半導体装置であって、熱硬化性樹脂を介して基板に実装するものであってもよい。この場合、半導体装置のバンプと基板の電極を接続するとともに、半導体装置と基板の間に介在する熱硬化性樹脂を短時間で熱硬化させることが出来る。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の圧着ヘッドおよび実装装置によれば、電子部品に適切な押圧を作用させて電子部品の高さバラツキを吸収し破損を防止するとともに、圧着ヘッドの交換頻度を低減させることにより電子部品の実装効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施例１に係る実装装置の概略全体構成を示す斜視図である。
【図２】実施例１に係る搬送機構の平面図である。
【図３】実施例１に係る搬送機構の正面図である。
【図４】実施例１に係る圧着ヘッドの縦断面図である。
【図５】実施例１に係る実装装置の一巡の動作を示すフローチャートである。
【図６】プレートおよび基板の搬送動作を示す正面図である。
【図７】基板に半導体装置を本圧着する動作を示す図である。
【図８】基板に半導体装置を本圧着する動作を示す図である。
【図９】従来の装置における問題点を説明する図である。（ａ）は半導体装置を押圧する前の状態を示す図であり、（ｂ）は半導体装置を押圧する際に弾性体とヘッド本体との間で広がりが発生する状態を示す図であり、（ｃ）は押圧解除時において弾性体の変位が発生する状態を示す図であり、（ｄ）は弾性体の変位によって実装不良が発生する状態を示す図である。
【図１０】従来の装置における問題点を説明する図である。（ａ）は弾性体および押圧用ブロックが回転変位する状態を示す圧着ヘッドの斜視図であり、（ｂ）は弾性体の回転変位が発生する前の状態における、半導体装置と押圧用ブロックの位置関係を示す平面図であり、（ｃ）は弾性体の回転変位が発生した後の状態における、半導体装置と押圧用ブロックの位置関係を示す平面図である。
【図１１】従来の装置における問題点を説明する図である。（ａ）は半導体装置を押圧する前の状態を示す図であり、（ｂ）は半導体装置を押圧する際に弾性体と押圧用ブロックとの間で広がりが発生する状態を示す図であり、（ｃ）は押圧解除時において押圧用ブロックが弾性体に対して相対的に変位する状態を示す図であり、（ｄ）は押圧用ブロックと弾性体との位置ずれによって実装不良が発生する状態を示す図である。
【図１２】従来の装置における問題点を説明する図である。（ａ）は半導体装置を押圧する際に弾性体と押圧用ブロックとの間で広がりが発生する状態を示す図であり、（ｂ）は押圧解除時において、押圧用ブロックおよびヘッド本体の各々に対して弾性体が相対的に変位する状態を示す図であり、（ｃ）は押圧解除時において弾性体が水平方向に変位して隣接する弾性体に接触する状態を示す図であり、（ｄ）は通常の状態において押圧時に弾性体の一部が水平方向へ放射状に突出する状態を示す図であり、（ｅ）は隣接する弾性体に接触することにより、弾性体の突出が阻害されて不均一な押圧が発生する状態を示す図である。
【図１３】実施例１に係る装置における効果を説明する図である。（ａ）は半導体装置を押圧する前の状態を示す図であり、（ｂ）は半導体装置を押圧する際に弾性体とヘッド本体との間で広がりが阻止される状態を示す図であり、（ｃ））は半導体装置を押圧する際に弾性体と押圧部材との間で広がりが阻止される状態を示す図であり、（ｄ）は押圧解除時において弾性体の変位が阻止される状態を示す図である。
【図１４】実施例２に係る圧着ヘッドの構成を示す図である。  （ａ）は実施例２に係る圧着ヘッドの初期状態における縦断面図であり、（ｂ）はボルトの構成を示す斜視図であり、（ｃ）は突出部および切り欠き部の構成を説明する、押圧部材の斜視図である。
【図１５】弾性部材の各状態を説明する図である。（ａ）は非圧縮状態を示す図であり、（ｂ）は準圧縮状態を示す図であり、（ｃ）は圧縮限界状態を示す図である。
【図１６】実施例２における圧着ヘッドにおいて、弾性部材を配設する過程を示す図である。（ａ）はボルトの締め付け前において、弾性部材が非圧縮状態である構成を示す縦断面図であり、（ｂ）はボルトを締め付け、弾性部材を準圧縮状態で固定させることによって、図１４（ａ）に示す初期状態とさせた構成を示す縦断面図である。
【図１７】実施例２に係る構成の効果を示す図である。
【図１８】実施例３に係る圧着ヘッドの構成を示す図である。（ａ）は圧着ヘッドの概略構成を説明する縦断面図であり、（ｂ）は圧着ヘッド、弾性部材、および押圧部材の各々を分離して示す縦断面図であり、（ｃ）は弾性部材に形成されている凹凸面の凹凸パターンの特徴を示す縦断面図である。
【図１９】変形例に係る圧着ヘッドの構成を説明する縦断面図である。
【図２０】変形例に係る圧着ヘッドの構成を説明する縦断面図である。
【図２１】変形例における圧着ヘッドにおいて、弾性部材を配設する過程を示す図である。（ａ）は支持ホルダの締め付け前において、弾性部材が非圧縮状態である構成を示す縦断面図であり、（ｂ）は支持ホルダを締め付けて、弾性部材を準圧縮状態で固定させる構成を示す縦断面図である。
【図２２】変形例に係る圧着ヘッドの構成を説明する図である。（ａ）は変位阻止部材が複数枚の板状部材で構成される状態を示す斜視図であり、（ｂ）は複数枚の板状部材で構成される変位阻止部材によって、弾性部材や押圧部材などの高さのバラツキを解消する状態を示す縦断面図である。
【図２３】変形例に係る実装装置の全体構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。
【００３４】
実施例１では、熱硬化性樹脂としてＮＣＰ（Non-Conductive Paste）、ＮＣＦ（Non-Conductive Film）などを使用して、電子部品としての半導体装置を基板に実装する場合を例に採って説明する。また本発明の実装方法においては、熱硬化性樹脂は、ＮＣＦ（非導電性接着剤フィルム）であることが好ましい。
【００３５】
なお、本発明における「半導体装置」としては、例えば、ＩＣチップ、半導体チップ、光素子、表面実装部品、チップ、ウエハ、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などバンプを有するものである。また、これら半導体装置は、種類や大きさに関係なく、基板と接合させる側の全ての形態を示し、例えばフラット表示パネルへのチップボンディングであるＣＯＧ（Chip On Glass）、ＴＣＰ、およびＦＰＣのボンディングであるＯＬＢ（Outer Lead Bonding）などが使用される。
【００３６】
また、本発明における「基板」とは、例えば、フレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、シリコンインターポーザー、シリコン基板などが使用される。
【００３７】
先ず、実施例１に使用する装置について図面を参照して具体的に説明する。図１は実施例１に係る実装装置を構成する本圧着装置の概略構成を示した斜視図、図２は搬送機構の要部構成を示した平面図である。
【００３８】
図１および図２に示すように、実施例１における実装装置は、搬送機構１および本圧着装置２から構成されている。以下、各構成について詳述する。
【００３９】
搬送機構１は、可動台３および搬送アーム４を備えている。可動台３は、ガイドレール５に沿って水平軸方向に移動するよう構成されている。
【００４０】
搬送アーム４は、基端側を可動台３の昇降駆動機構に連結されており、上下方向（ｚ方向）、およびｚ軸周り方向（θ方向）に、それぞれ移動自在に構成されている。また、搬送アーム４は、先端に保持フレーム６を備えている。保持フレーム６は、図２および図３に示すように、馬蹄形をしており、熱伝導遅延用のプレートおよび基板Ｗを係止する複数個の係止爪７を角部に備えている。
【００４１】
本圧着装置２は、可動テーブル８および押圧機構９を備えている。
【００４２】
可動テーブル８は、基板Ｗを吸着保持する保持ステージ１０を備えている。保持ステージ１０は、水平２軸方向（ｘ方向およびｙ方向）、ｚ方向、およびθ方向に、それぞれ移動自在に構成されている。なお、保持ステージ１０の外形は、保持フレーム６の内側に収まるサイズに設定されている。また、保持ステージ１０は、内部にヒータ１１が埋設されている。
【００４３】
押圧機構９は、シリンダ１３および圧着ヘッド１４を備えている。圧着ヘッド１４の上方にシリンダ１３が連結されており、圧着ヘッド１４が上下方向であるｚ方向に移動するよう構成されている。すなわち実施例１において、圧着ヘッド１４の押圧方向はｚ方向となるように構成されている。シリンダ１３は昇降する機構の一例であり、圧着ヘッド１４を押圧方向に移動させる構成であれば、適宜他の駆動機構を用いてもよい。
【００４４】
圧着ヘッド１４は、図４に示すように、ヒータ１５の埋設されたヘッド本体１６と、当該ヘット本体１６の下部に複数本の押圧部材１７を収納した支持ホルダ１８を備えている。なお、ヒータ１５は、本発明の加熱器に相当する。ヘッド本体１６の材料としては、熱伝導率が高い材料であることが好ましく、好ましい材料の一例としてはアルミや銅などが挙げられる。ヘッド本体１６の熱伝導性を高めることにより、ヒータ１５による熱を効率良く押圧部材１７へ伝導できるので、より好適な加熱押圧を実現できる。
【００４５】
押圧部材１７は、下向き凸形状をしている。その先端は、半導体装置Ｃと略同じサイズの当接面を有しており、基板Ｗに配置された複数個の半導体装置Ｃを個々に押圧するよう位置合わせされている。なお、押圧部材１７は、支持ホルダ１８に形成された当該凸部より僅かに大きい貫通孔に先端を通すことにより、基端側が支持ホルダ１８によって支持されるよう構成されている。支持ホルダ１８をネジ締めすることにより、押圧部材１７の基端部１７Ｓが、支持ホルダ１８とヘッド本体１６によって把持される。
【００４６】
押圧部材１７の材料としては、熱伝導率が高い材料であることが好ましく、好ましい材料の一例としてはアルミや銅などが挙げられる。押圧部材１７の熱伝導性を高めることにより、ヒータ１５の熱は押圧部材１７の先端部１７Ｔを介して、後述する熱硬化性樹脂Ｇへ効率良く伝導されるので、より好適に半導体装置Ｃを基板Ｗへ実装できる。なお、本実施例では半導体装置ＣのバンプＢに対してはんだが用いられている。
【００４７】
圧着ヘッド１４は図４に示すように、ヘッド本体１６と押圧部材１７との間に弾性部材１９を備えている。押圧方向における弾性部材１９の厚みは一定となっており、高い平行度を有するように構成されている。弾性部材１９の材料としては、一般的なゴムを使用することができるが、ヒータ１１およびヒータ１５による加熱が行われるという観点から耐熱性のフッ素ゴムを使用することが好ましい。特に半導体装置ＣのバンプＢにはんだを用いる実施例の構成では、耐熱性を有するフッ素ゴムを用いることにより、はんだが溶融する温度に加熱する場合であっても好適に半導体装置Ｃを実装できる。押圧方向における弾性部材１９の厚みは、一例として５００μｍ〜１０００μｍである。
【００４８】
また、圧着ヘッド１４は図４に示すように、変位阻止部材２０を備えている。変位阻止部材２０は、ヘッド本体１６の押圧面１６ａと弾性部材１９との間に設けられている。変位阻止部材２０は弾性部材１９を構成する弾性体との密着性が高い材料で構成される。すなわち弾性部材１９の構成材料とヘッド本体１６の構成材料との間の摩擦係数より、弾性部材１９の構成材料と変位阻止部材２０の構成材料との間の摩擦係数が大きくなるように構成される。そのため、弾性部材１９とヘッド本体１６との間で発生する摩擦力Ｖ１と比べて、弾性部材１９と変位阻止部材２０との間で発生する摩擦力Ｖ２の方が大きくなるように構成される。
【００４９】
変位阻止部材２０を構成する材料の具体的な例として、プレート状のステンレス鋼（ＳＵＳ）など、板状の金属材が挙げられる。押圧方向における変位阻止部材２０の厚みは、一例として１０μｍ〜１００μｍである。弾性部材１９やヘッド本体１６などと比べて変位阻止部材２０の厚みは非常に薄いので、ヒータ１５の熱は変位阻止部材２０によって妨げられることなく好適に押圧部材１７へ伝導される。
【００５０】
ヘッド本体１６を構成する材料と弾性部材１９との密着性と比べて、変位阻止部材２０と弾性部材１９との密着性がより高い。そのため、弾性部材１９および変位阻止部材２０の表面がそれぞれ平坦な構成であっても、摩擦係数の増大によって、ヘッド本体１６と弾性部材１９との間で発生する摩擦力と比べて、弾性部材１９と変位阻止部材２０との間で発生する摩擦力を大きくすることができる。
【００５１】
その結果、変位阻止部材２０をヘッド本体１６の押圧面１６ａと弾性部材１９との間に設けることにより、弾性部材１９がヘッド本体１６に対して押圧方向と垂直な方向（ｘ方向、ｙ方向、およびθ方向）へ相対的に変位することを阻止できる。実施例１において、変位阻止部材２０は本発明における阻止手段に相当する。
【００５２】
さらに圧着ヘッド１４は図４に示すように、弾性部材１９と押圧部材１７の基端部１７Ｓとの間に変位阻止部材２１を備えている。変位阻止部材２１は変位阻止部材２０と同様に、弾性部材１９を構成する弾性体と密着性の高い材料で構成されている。すなわち弾性部材１９および変位阻止部材２１の表面がそれぞれ平坦な構成であっても、弾性部材１９と押圧部材１７との間における摩擦係数より、弾性部材１９と変位阻止部材２１との間における摩擦係数が大きくなるように構成される。
【００５３】
従って、摩擦係数の増大により、弾性部材１９の構成材料と押圧部材１７の構成材料との間で発生する摩擦力Ｖ３と比べて、弾性部材１９の構成材料と変位阻止部材２１の構成材料との間で発生する摩擦力Ｖ４の方が大きくなる。摩擦力が増大することによって、弾性部材１９と変位阻止部材２１とが接触面において相対的に位置ズレすることを回避できる。
【００５４】
変位阻止部材２１と押圧部材１７との相対的な位置関係は変位しないので、変位阻止部材２１を弾性部材１９と押圧部材１７との間に設けることにより、弾性部材１９が押圧部材１７に対して押圧方向と垂直な方向（ｘ方向、ｙ方向、およびθ方向）へ相対的に変位することを阻止できる。変位阻止部材２１を構成する材料の具体的な例として、プレート状のステンレス鋼（ＳＵＳ）などが挙げられる。押圧方向における変位阻止部材２１の厚みは、一例として１０μｍ〜１００μｍである。
【００５５】
なお、圧着ヘッド１４による押圧を行う際に、各半導体装置Ｃの全体にわたって均一に押圧力が作用するように、ヘッド本体１６、押圧部材１７、弾性部材１９、変位阻止部材２０、変位阻止部材２１の各々は半導体装置Ｃの表面（ｘｙ平面）に平行な構造となっている。
【００５６】
制御部２３は、圧着ヘッド１４のヒータ１５および保持ステージ１０のヒータ１１の温度が、熱硬化性樹脂Ｇを硬化させる温度と同等またはそれ以上の温度となるよう制御している。
【００５７】
＜動作の説明＞
次に上述の実施例１に係る実装装置を用いて半導体装置Ｃを当該基板Ｗに本圧着する一巡の動作について、図５に示すフローチャートおよび図６から図８を参照しながら説明する。なお、本実施例では、前工程の仮圧着工程でＮＣＦによって複数個の半導体装置Ｃが基板Ｗに予め仮圧着された状態で搬送されたものに対し、熱硬化性樹脂を完全に硬化させ本圧着する場合を例に採って説明する。
【００５８】
ステップＳ１（条件の設定）
先ず、保持ステージ１０および圧着ヘッド１４に備わった両ヒータ１１、１５の温度を、操作部２４を操作して設定する。ここで、両ヒータ１１、１５の温度は、熱伝導遅延用のプレートＰと基板Ｗの界面および圧着ヘッド１４と半導体装置Ｃの界面の温度が熱硬化性樹脂Ｇの硬化温度よりも高く設定される。すなわち、保持ステージ１０に吸着保持された基板Ｗが、圧着ヘッド１４の下側の実装位置に達した時点で、半導体装置ＣおよびプレートＰを介して熱硬化性樹脂Ｇに伝達される熱が、硬化温度になるように設定される。
【００５９】
また、本実施例では、プレートＰにステンレス鋼が使用される。なお、プレートＰは、ステンレス鋼に限定されず、圧着ヘッド１４の押圧によって変形しない材質であればよく、金属、セラミック、カーボンおよび多孔質材などであってもよい。
【００６０】
ステップＳ２（装置の作動開始）
初期設定を完了した後、実装装置に設けられている図示しない入力部（ボタンなど）を適宜操作して、装置の作動を開始させる。本圧着装置側では、制御部２３がヒータ１１およびヒータ１５をオンの状態にして、初期設定の温度を一定に保つように温度制御を開始する。
【００６１】
ステップＳ３（基板の搬送）
仮圧着工程側に配備された図示しない搬送ロボットによって、図３に示すように、搬送機構１の保持フレーム６にプレートＰが載置され、その後に当該プレートＰ上に基板Ｗが載置される。
【００６２】
ステップＳ４（基板の保持）
プレートＰと基板Ｗが重ね合わされた状態で、本圧着装置２へと搬送される。このプレートＰを下にして基板Ｗは、図６の二点鎖線で示すように、保持ステージ１０に移載される。プレートＰには、複数個の貫通孔が形成されおり、貫通孔を介して保持ステージ１０に吸着保持される。また、保持ステージ１０は図示しない駆動機構によって、圧着ヘッド１４の下方における予め決められた実装位置に移動する。
【００６３】
ステップＳ５（基板裏面側の加熱）
保持ステージ１０にプレートＰおよび基板Ｗが吸着保持された時点からヒータ１１によって加熱が開始される。
【００６４】
ステップＳ６（半導体装置の加熱押圧）
保持ステージ１０が実装位置に達すると、図７に示すように、シリンダ１３の作動により圧着ヘッド１４が下降し、複数個の半導体装置Ｃが同時に挟み込まれる。このとき、加熱されている圧着ヘッド１４によって、半導体装置Ｃは、加熱されながら押圧される。
【００６５】
すなわち、圧着ヘッド１４が所定の高さまで下降したとき、熱硬化性樹脂Ｇは、未硬化状態にあるので、図８に示すように、圧着ヘッド１４の加圧によって半導体装置ＣのバンプＢが熱硬化性樹脂Ｇに押し込まれる。すなわち、半導体装置ＣのバンプＢが基板Ｗの電極に達した後に、熱硬化性樹脂が硬化する。なお、半導体装置ＣのバンプＢにはんだを用いている本実施例では、接着剤が完全に硬化する前に、はんだを溶融するようヒータの温度が制御される。半導体装置ＣのバンプＢにはんだを用いない場合、はんだの溶融温度にさせるヒータの温度制御を省略できる。
【００６６】
また、押圧部材１７によって半導体装置Ｃが押圧され、バンプＢが基板Ｗに達する際に、弾性部材１９が圧縮される。このとき、変位阻止部材２０および変位阻止部材２１によって、押圧方向（ｚ方向）に対して垂直な方向へ弾性部材１９が変位することが阻止される。
【００６７】
すなわち、変位阻止部材２０と弾性部材１９とは密着性が高いので、圧着ヘッド１４の加圧によって、弾性部材１９は変位阻止部材２０に対して好適に密着して接触面における摩擦係数が増大する。そのため、接触面における摩擦力が増大するので、変位阻止部材２０に対して弾性部材１９が押圧方向に対して垂直な方向（ｘ、ｙ、θの各方向）に滑る事態を回避できる。その結果、押圧方向に対して垂直な方向について、弾性部材１９と変位阻止部材２０とが相対的に変位する事態が阻止される。従って、半導体装置Ｃに対する押圧部材１７の位置ズレが発生するなどの不利益な事態を回避できる。
【００６８】
また、圧着ヘッド１４の加圧によって、弾性部材１９は変位阻止部材２１に対しても好適に密着する。そのため、弾性部材１９と変位阻止部材２１との接触面における摩擦係数が増大するので、変位阻止部材２１に対して弾性部材１９が押圧方向に対して垂直な方向に滑る事態を回避できる。その結果、押圧方向に対して垂直な方向について、弾性部材１９と変位阻止部材２１とが相対的に変位する事態が阻止される。従って、押圧部材１７に対する弾性部材１９の相対的位置が押圧方向に対して垂直な方向にずれることに起因して、弾性部材１９が不均一に圧縮されるなどの不利益な事態を回避できる。ステップＳ６に係る加熱押圧によって本圧着が行われ、複数の半導体装置Ｃの各々は基板Ｗへ同時に実装される。
【００６９】
ステップＳ７（基板の搬出）
熱硬化性樹脂Ｇが硬化する所定時間（設定時間）が経過するまで半導体装置Ｃに対する加熱押圧を行った後、圧着ヘッド１４を上方の待機位置に復帰させて加圧を解除するとともに、搬送機構１によってプレート、および半導体装置Ｃが実装された基板Ｗを搬出させる。所定の位置まで搬送されたプレートＰおよび基板Ｗは、他の搬送ロボットなどを介して、ストッカに収納される。
【００７０】
以上で１枚の基板Ｗ上に半導体装置Ｃを実装させる工程が終了する。以後、所定枚数の基板について同じ動作が繰り返される。
【００７１】
＜実施例１の構成による効果＞
実施例１に係る実装装置において、圧着ヘッド１４は変位阻止部材２０および変位阻止部材２１を備えている。変位阻止部材２０は、圧着ヘッド１４の押圧方向に対して垂直な方向について、ヘッド本体１６に対して弾性部材１９が相対的に変位することを阻止する。変位阻止部材２１は、圧着ヘッド１４の押圧方向に対して垂直な方向について、押圧部材１７に対して弾性部材１９が相対的に変位することを阻止する。
【００７２】
変位阻止部材２０および変位阻止部材２１の各々が弾性部材１９の変位を阻止することにより、半導体装置Ｃに対する押圧部材１９の位置がズレるなどの不利益な事態が発生することを回避できる。以下、従来の実装装置と実施例１に係る実装装置とを比較しつつ、実施例１の構成による効果を説明する。
【００７３】
複数の半導体装置における高さ方向（押圧方向）のバラツキを吸収すべく、弾性体を加熱圧着ヘッド（ヘッド本体）と押圧用ブロックとの間に備える実装装置が従来の構成として存在している。しかし、このような弾性体を備える従来の実装装置を用いて半導体チップを基板に実装させる場合、加熱圧着ヘッドによる半導体チップの押圧操作を繰り返すことによって、弾性体の位置が当初に配置された位置から押圧方向と垂直な方向へ徐々にずれるという問題が発生する。
【００７４】
発明者の鋭意検討により、このような従来装置において発生する弾性体の位置ズレは、加熱圧着ヘッドおよび押圧用ブロックの構成材料、および加熱圧着ヘッドと弾性体と押圧用ブロックとの位置関係のズレに起因することが判明した。図９（ａ）に示すように、弾性体を加熱圧着ヘッドと押圧用ブロックとの間に備える従来の実装装置Ｍにおいて、弾性体Ｄは加熱圧着ヘッドＨおよび押圧用ブロックＲの各々に対して、それぞれ直接接触している。
【００７５】
半導体装置に対して加熱しつつ押圧を行う実装装置では、加熱圧着ヘッドに内蔵されているヒータの熱と、加熱圧着ヘッドによる押圧力とを押圧対象である半導体装置へ効率良く伝える必要がある。そのため、加熱圧着ヘッドや押圧用ブロックの材料としては、熱伝導率が高くかつ一定以上の堅さを有する材料を用いることが要求される。そこで加熱圧着ヘッドや押圧用ブロックの構成材料として、アルミや銅を例とする熱伝導性の高い金属が用いられることが一般的である。
【００７６】
ここで発明者の鋭意検討により、弾性体を構成する材料は、銅やアルミを例とする熱伝導性の高い金属に対して密着性が低く、当該密着性の低さに起因して弾性体の位置ズレが発生することが判明した。すなわち従来の構成において、弾性体Ｄは密着性の低い加熱圧着ヘッドＨと直接接触している。そして密着性の低さに起因して、弾性体Ｄと加熱圧着ヘッドＨとの接触面における摩擦係数は低くなる。従って、弾性体Ｄと加熱圧着ヘッドＨとが接触する面において発生する摩擦力Ｖ１は低くなる。
【００７７】
従って、従来の実装装置Ｍを用いて半導体装置Ｃを押圧した場合、図９（ｂ）に示すように、押圧時において弾性体Ｄがヘッド本体Ｈとの接触面に沿って広がろうとする力Ｊ１およびＪ２の各々は摩擦力Ｖ１を上回る。その結果、符号ＳＬで示すように、弾性体Ｄはヘッド本体Ｈとの接触面に沿って滑るように広がる。すなわち、ｚ方向に圧縮された弾性体Ｄは厚み方向における中央部分のみならず、ヘッド本体Ｈとの接触面においても押圧方向と垂直な方向（図ではｘ方向）へ突出するように広がる。このとき、弾性体Ｄがｘ方向における左右方向のそれぞれに広がろうとする力Ｊ１およびＪ２の大きさは均一とは限らない。
【００７８】
そして押圧を解除して加熱圧着ヘッドＨを上昇させることにより、力Ｊ１および力Ｊ２の大きさに応じて、弾性体Ｄに対して押圧方向と垂直な方向に反発力が作用する。従って、力Ｊ１およびＪ２の大きさが均一でない場合、図９（ｃ）に示すように、力Ｊ１に基づく反発力と力Ｊ２に基づく反発力の差に起因して、弾性体Ｄは押圧方向と垂直な方向（図では左方向）へと変位する。
【００７９】
弾性体Ｄの変位に従って、弾性体Ｄの下方に位置する押圧用ブロックＲの位置も変位する。その結果、当初は正対するように配置されていた押圧用ブロックＲと半導体装置Ｃとの位置関係は（図９（ａ））、加熱圧着ヘッドＨによる押圧を繰り返すことによって徐々に相対的にずれることとなる（図９（ｃ））。
【００８０】
押圧用ブロックＲと半導体装置Ｃとの位置ズレが発生すると、押圧用ブロックＲは半導体装置Ｃを均一に押圧できなくなる。従って、半導体装置Ｃに対する押圧用ブロックＲの押圧ミスや、不均一な押圧によって実装された半導体装置Ｃが傾くなどといった、基板に対する半導体装置Ｃの実装不良が発生する（図９（ｄ））。なお、半導体装置Ｃに対する押圧用ブロックＲの位置ズレの許容範囲は、一例としてバンプＢの直径の長さの１０％以下であり、押圧実装時における押圧用ブロックＲの位置については高い精度が要求される。
【００８１】
従来の実装装置Ｍにおいて、加熱圧着ヘッドＨと弾性体Ｄの接触面における滑りの発生により、弾性体Ｄの位置はｘ方向のみならずｙ方向においてもずれることとなる。さらに図１０（ａ）に示すように、弾性体Ｄはｚ軸を中心とするθ方向へ回転するように変位することがある。実装装置の平面視において、点線で示される押圧用ブロックＲの各々は、実線で示される半導体装置Ｃの各々と正対するように配置される（図１０（ｂ））。
【００８２】
しかし図１０（ａ）に示すような回転方向の変位が発生した場合、弾性体Ｄの変位に従って押圧用ブロックＲもθ方向に回転変位する。その結果、図１０（ｃ）に示すように、押圧用ブロックＲと半導体装置Ｃとが正確に正対しなくなるので、押圧用ブロックＲは半導体装置Ｃの全面を均一に押圧することが困難となる。従って、半導体装置Ｃの実装不良が発生しやすくなる。
【００８３】
さらに従来の実装装置Ｍにおいて、弾性体Ｄは押圧用ブロックＲと直接接触しており、一般的な弾性体Ｄの構成材料と一般的な押圧用ブロックＲの構成材料とは密着性が低い。そのため、弾性体Ｄと押圧用ブロックＲとの間で発生する摩擦力Ｖ３は小さくなる。従って、押圧時において弾性体Ｄが押圧用ブロックＲとの接触面に沿って広がろうとする力Ｊ１およびＪ２の各々は摩擦力Ｖ３を上回るので、図１１（ｂ）において符号ＳＬで示すように、弾性体Ｄは押圧用ブロックＲとの接触面に沿って滑るように広がる。すなわち、ｚ方向に圧縮された弾性体Ｄは厚み方向における中央部分のみならず、押圧用ブロックＲとの接触面においても押圧方向と垂直な方向へ突出するように広がる。
【００８４】
その結果、押圧が解除されてヘッド本体Ｈが上昇する際に、力Ｊ１およびＪ２に起因する反発力の差などによって、押圧用ブロックＲと弾性体Ｄとの位置は相対的に変位する。すなわち、当初は正対するように配置されていた押圧用ブロックＲと弾性体Ｄとの位置関係は（図１１（ａ））、加熱圧着ヘッドＨによる押圧を繰り返すことによって徐々に相対的にずれることとなる（図１１（ｃ））。
【００８５】
押圧用ブロックＲの位置と弾性体Ｄの位置とが押圧方向と垂直な方向へ相対的にずれる場合、弾性体Ｄは押圧用ブロックＲの全面に対して均一に接触しなくなる事態や、押圧用ブロックＲと半導体装置Ｃとの位置がずれるなどといった事態が発生する。このような状態で加熱圧着ヘッドＨによる押圧を行うことにより、押圧用ブロックＲがｘｙ平面に対して傾く事態や半導体装置Ｃの実装不良といった事態が発生する（図１１（ｄ））。
【００８６】
また、摩擦力Ｖ１およびＶ３が小さいことに起因して、弾性体Ｄのみが押圧方向と垂直な方向へずれることにより、押圧用ブロックＲおよびヘッド本体Ｈに対する、弾性体Ｄの相対的な位置関係がずれることがある（図１２（ａ））。この場合、押圧用ブロックＲの全面のうち一部において弾性体Ｄが接触しなくなる。そのため、ヘッド本体Ｈを下降させて半導体チップを基板に実装させる際に、押圧用ブロックＲのうち弾性体と接触している部分Ｒａが受ける反発力と弾性体と接触していない部分Ｒｂが受ける反発力との間に差が生じる（図１２（ｂ））。その結果、半導体チップの全面に対して均一に押圧力を作用させることが困難となるので、半導体チップを基板へ均一に圧着させることが困難となる。
【００８７】
さらに弾性体Ｄが押圧方向と垂直な方向へずれることにより、図１２（ｃ）に示すように弾性体Ｄが隣接する弾性体Ｄｓと接触する場合が考えられる。このような接触により、押圧力のバラツキがさらに発生する。すなわち、弾性体Ｄが隣接する弾性体Ｄｓと接触しない場合、ヘッド本体Ｈを下降させて半導体チップを押圧させると、弾性体Ｄはｚ方向に圧縮されて厚みが薄くなるとともに、ｚ方向と直交する水平方向へ放射状に拡大変位する。言い換えると図１２（ｄ）に示すように、弾性体Ｄは少なくとも厚み方向の中央部分において水平方向へ拡大し、押圧前と比べて水平方向へ拡大した拡大部ＤＬが形成される。
【００８８】
その一方で、図１２（ｃ）のように弾性体Ｄのズレにより弾性体Ｄと弾性体Ｄｓが接触した状態でヘッド本体を下降させた場合、弾性体Ｄのうち弾性体Ｄｓと接触していない部分においては、弾性体Ｄの一部が水平方向へ拡大変位して拡大部ＤＬを形成できる。しかし、弾性体Ｄのうち弾性体Ｄｓと接触している部分においては、弾性体Ｄｓに遮られて弾性体Ｄは拡大変位できないので、拡大部ＤＬを形成できない（図１２（ｅ））。従って、弾性体Ｄｓと接触していない部分において弾性体Ｄはｚ方向へ圧縮しにくくなるので、押圧用ブロックＲに対して反発力のバラツキが発生する。その結果、押圧用ブロックＲによる押圧を均一に行うことが困難となる。
【００８９】
そこで実施例１に係る実装装置では図１３（ａ）に示すように、弾性部材１９とヘッド本体１６との間に変位阻止部材２０を備えている。変位阻止部材２０はステンレス鋼（ＳＵＳ）などによって構成されている。発明者の鋭意検討の結果、ステンレス鋼によって構成される変位阻止部材２０をフッ素ゴムによって構成される弾性部材１９とヘッド本体１６との間に挿入して圧着ヘッド１４による押圧を行った場合、平坦な変位阻止部材２０と平坦な弾性部材１９との間に強い密着力が発生することが分かった。
【００９０】
すなわち実施例１に係る圧着ヘッド１４を用いて押圧を行った場合、図１３（ｂ）に示すように、変位阻止部材２０を有する実施例１の構成では、変位阻止部材２０と弾性部材１９との接触面において強い摩擦力Ｖ２が発生する。銅やアルミなどの素材からなるヘッド本体１６と弾性部材１９との間で発生する摩擦力（摩擦力Ｖ１、図９（ｂ）参照）と比べて、変位阻止部材２０と弾性部材１９との間で発生する摩擦力Ｖ２は大きい。
【００９１】
そのため、変位阻止部材２０を備えることにより、押圧時において弾性部材１９が変位阻止部材２０との接触面に沿って、押圧方向に垂直な方向へ滑るように変位するという事態は、摩擦力Ｖ１より増大している摩擦力Ｖ２によって阻止される（図１３（ｂ）、符号ＳＴ）。その結果、弾性部材１９の変位に起因する押圧部材１７の位置ズレを防止できるので、半導体装置Ｃの各々は、押圧部材１７の各々によって均一に押圧される。従って、半導体装置Ｃの実装を好適に完了できる。
【００９２】
さらに実施例１に係る実装装置では図１３（ａ）に示すように、弾性部材１９と押圧部材１７との間に変位阻止部材２１を備えている。変位阻止部材２１は変位阻止部材２０と同様に、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などによって構成されている。すなわち実施例１に係る圧着ヘッド１４を用いて押圧を行った場合、図１３（ｃ）に示すように、変位阻止部材２１と弾性部材１９との接触面において強い摩擦力Ｖ４が発生する。銅やアルミなどの素材からなる押圧部材１７と弾性部材１９との間で発生する摩擦力（摩擦力Ｖ３、図１１（ｂ）参照）と比べて、変位阻止部材２１と弾性部材１９との間で発生する摩擦力Ｖ４は大きい。
【００９３】
そのため、変位阻止部材２０を備えることにより、押圧時において弾性部材１９が変位阻止部材２１との接触面に沿って、押圧方向に垂直な方向へ滑るように変位するという事態は、摩擦力Ｖ３より増大している摩擦力Ｖ４によって阻止される（図１３（ｃ）、符号ＳＴ）。その結果、図１１（ｃ）に示すような、弾性部材１９と押圧部材１７との位置関係が変化する事態を防止できる。これにより図１３（ｄ）に示すように、ｘｙ平面（水平方向）における半導体装置Ｃの位置および押圧部材１７の位置が相対的に変位することを回避できるので、半導体装置Ｃの実装を好適に完了できる。
【００９４】
なお、弾性部材１９を圧着ヘッド１６または押圧部材１７へ単に密着させる方法としては、樹脂などを例とする接着剤を用いて弾性部材１９を圧着ヘッド１６または押圧部材１７に接着させる構成が例として挙げられる。しかし公知の接着剤を用いて接着を行った場合、高い耐熱性を実現しつつ、半導体装置Ｃの表面に対する弾性部材１９および押圧部材１７の平行性を精度良く維持することが困難である。すなわち比較的可塑性の高い接着剤の層において細かい凹凸が容易に発生するので、半導体装置Ｃの表面（ｘｙ平面）に対して弾性部材１９および押圧部材１７は傾斜することとなる。その結果、接着剤を用いて接着を行う構成では押圧部材１７を用いて半導体装置Ｃの各々を同時かつ均一に押圧させることが困難となる。
【００９５】
これに対して実施例１において、変位阻止部材２０および２１の各々は、ステンレス鋼など弾性体と密着性の高い金属で構成される、板状の部材である。樹脂などの接着剤と異なり、板状の金属部材は精度の高い平面状とすることが容易である。そのため、変位阻止部材の各々と弾性部材１９との密着力を高めて摩擦係数を増大させつつ、半導体装置Ｃの表面に対する押圧部材１７の平行性を精度良く維持できる。その結果、高精度の平行性を有する押圧部材１７によって、半導体装置Ｃを均一に押圧できる。
【００９６】
また、弾性部材１９の表面を平坦とすることにより、弾性部材１９全体において弾性体の厚みを精度良く均一にできる。従って、厚みが均一である弾性部材１９によって、半導体装置Ｃの各々における高さのバラツキを、より好適に吸収できる。
【実施例２】
【００９７】
次に、本発明の実施例２を説明する。実施例１に係る圧着ヘッド１４では弾性部材１９との密着性が大きい材料で構成される、変位阻止部材２０および変位阻止部材２１を備える。すなわち、密着性の向上に起因して摩擦係数を増大させることによって、弾性部材１９と他の構成との接触面における摩擦力を上昇させる。摩擦力が上昇することによって、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材１９が滑るように変位することを阻止させる。
【００９８】
一方、実施例２では弾性部材１９の垂直抗力を上げることにより、弾性部材１９と他の構成との接触面における摩擦力を上昇させ、その結果、押圧方向と垂直な方向へ弾性部材１９が変位することを阻止させる構成となっている。以下、図面を用いて実施例２の構成を説明する。なお実施例２において、実施例１と共通する構成については同符号を付して詳細な説明を省略する。
【００９９】
実施例２に係る圧着ヘッド１４Ａは図１４（ａ）に示すように、ヘッド本体１６は板状のプレート部１６Ｐと、プレート部１６Ｐの下面に取り付けられているブロック部１６Ｑとを備えている。プレート部１６Ｐには押圧方向へ貫通する貫通孔２５が形成されており、ブロック部１６Ｑには押圧方向へ貫通する貫通孔２７が形成されている。
【０１００】
貫通孔２５および貫通孔２７の各々は、押圧部材１７が配置される位置に応じて形成されている。貫通孔２５および貫通孔２７はそれぞれ連通形成されている。実施例２において、押圧部材１７は、上方へ突出した形状の突出部１７ａを有しており、突出部１７ａは貫通孔２７の内部に嵌合配置される。貫通孔２７の上部には、後述する規制部３０を嵌合させる窪み部３１が設けられている
【０１０１】
圧着ヘッド１４Ａは、変位阻止部材２０および変位阻止部材２１の代わりにボルト２９を備えている。ボルト２９は、押圧部材１７の各々が配設される数および位置に応じて配設される。ボルト２９の各々は、頭部２９ａと軸部２９ｂとリング２９ｃとを備えている。ボルト２９の頭部２９ａは、プレート部１６Ｐに形成される貫通孔２５の内部にそれぞれ個別配置されている。
【０１０２】
ボルト２９の頭部２９ａはリング２９ｃの上面に受け止められており、リング２９ｃは貫通孔２７の外側でブロック部１６Ｑの上面に受け止められている。ボルト２９の軸部２９ｂは、貫通孔２７の内部に配置されるとともに、押圧部材１７の突出部１７ａの上面に形成されているネジ穴３３にねじ込まれる。
【０１０３】
圧着ヘッド１４Ａはさらに規制部３０を備えている。規制部３０は図１４（ｂ）に示すように、リング２９ｃの下面においてその一端側に接するような位置に設けられている。また、押圧部材１７の突出部１７ａは図１４（ｃ）に示すように、その上端側面の一部が規制部３０の形状に応じて切り欠かれることにより、切り欠き部１７ｂを形成している。規制部３０は窪み部３１および切り欠き部１７ｂに嵌合するように配設されており、リング２９ｃおよび押圧部材１７の各々について、θ方向への回転を規制する。なお、図１４（ａ）に示される押圧部材１７は、図１４（ｃ）におけるＡ−Ａ断面の図である。
【０１０４】
実施例２に係る圧着ヘッド１４Ａの特徴として、ネジ穴３３に対するボルト２９のねじ込みにより、押圧方向へ予め圧縮された状態の弾性部材１９Ａを、ヘッド本体１６と押圧部材１７との間に配設させる構成を有している。具体的には、外力が作用していない非圧縮状態の弾性部材１９（図１５（ａ））に対して外力Ｔを作用させると、当該弾性部材１９は非圧縮状態から、さらに圧縮が可能な状態である準圧縮状態を経て（図１５（ｂ））、これ以上の圧縮が不可能な状態である圧縮限界状態へと達する（図１５（ｃ））。非圧縮状態の弾性部材１９は押圧方向への反発力が発生しない一方、準圧縮状態の弾性部材１９Ａまたは圧縮限界状態の弾性部材１９Ｂの内部では、外力Ｔの大きさに応じた反発力Ｆが発生する。
【０１０５】
実施例２に係る圧着ヘッド１４Ａにおいて、半導体装置Ｃに対する押圧を行わない状態すなわち初期状態の時点で、予め準圧縮状態となっている弾性部材１９Ａがヘッド本体１６と押圧部材１７との間に配設されている。すなわち非圧縮状態の弾性部材１９をボルト２９がネジ留めしている状態（図１６（ａ））からさらにボルト２９を強く締め付けることにより厚みｈ１を有していた弾性部材１９はｚ方向へ圧縮され、厚みｈ２を有する準圧縮状態の弾性部材１９Ａが初期状態の圧着ヘッド１４Ａに配設された構成となる（図１６（ｂ）、図１４（ａ））。準圧縮状態で圧着ヘッド１４に固定されている弾性部材１９Ａの内部では、ボルト２９の締め付け力の大きさに応じた反発力Ｆが常に発生する。
【０１０６】
従って、反発力Ｆの大きさに応じて、弾性部材１９Ａとヘッド本体１６との接触面、および弾性部材１９Ａと押圧部材１７との接触面の各々に対する弾性部材１９の垂直抗力は常に増大することとなる。なお実施例２において、弾性部材１９Ａは１％以上２０％以下の減衰率で圧縮された準圧縮状態で圧着ヘッド１４Ａに配設されることが好ましい。すなわち、図１６（ｂ）に示すような、準圧縮状態における弾性部材１９Ａの厚みｈ２は、図１６（ａ）に示すような非圧縮状態における厚みｈ１と比べて８０％以上９９％以下の厚みとなることが好ましい。実施例２において、ボルト２９は本発明における阻止部材および垂直抗力維持手段に相当する。
【０１０７】
実施例２に係る実装装置を用いて半導体装置Ｃを当該基板Ｗに本圧着する一巡の動作は、実施例１における動作と共通である。但し、半導体装置Ｃに対する押圧を行う前の工程、例えばステップＳ１からステップＳ５までの工程において、実施例１に係る実装装置では弾性部材１９が非圧縮状態である一方、実施例２に係る実装装置では弾性部材１９Ａが準圧縮状態である点で相違する。
【０１０８】
すなわち、実施例２において弾性部材１９Ａは予め押圧方向に外力が加わった準圧縮状態であるので、半導体装置Ｃに対する押圧を行う前の初期状態であっても、所定値Ｎ１の大きさの反発力Ｆが、押圧部材１７の接触面およびヘッド本体１６の接触面に作用している。
【０１０９】
実施例２に係るステップＳ６が開始されると、シリンダ１３の作動により圧着ヘッド１４Ａが下降し、加熱されている圧着ヘッド１４Ａによって、複数個の半導体装置Ｃは同時に加熱されながら押圧される。このとき、圧着ヘッド１４Ａに埋設されているヒータ１５の熱は、弾性部材１９Ａを介して押圧部材１７へ伝導されるとともに、貫通孔２７に嵌合されている突出部１７ａを介して押圧部材１７へ伝導される。突出部１７ａは押圧部材１７の一部であり、特に熱伝導性の高い材料で構成されている。そのため、ヒータ１５の熱は突出部１７ａを介してより効率よく押圧部材１７へと伝えられるので、半導体装置Ｃや熱硬化性樹脂Ｇをより効率よく加熱できる。
【０１１０】
図１７に示すように圧着ヘッド１４Ａのヘッド本体１６を下降させることによって半導体装置Ｃが押圧されると、厚みｈ２を有し準圧縮状態となっている弾性部材１９Ａはさらにｚ方向へ圧縮され、その厚みはｈ３となる。このとき、弾性部材１９Ａは予め準圧縮状態となっているので、圧着ヘッド１４Ａによる押圧が実行される際に、弾性部材１９Ａは押圧方向に対してさらに薄くなる余地が残されている。そのため、複数個の半導体装置Ｃの各々が押圧方向のおける高さにバラツキがあっても当該バラツキは弾性部材１９Ａによって吸収される。
【０１１１】
そして弾性部材１９Ａを準圧縮状態からさらに圧縮すべく、弾性部材１９Ａに対してさらに押圧方向に外力が加わる。この際に、既に所定値Ｎ１の大きさの反発力Ｆが押圧部材１７の接触面およびヘッド本体１６の接触面に作用している。そのため、これら接触面に対する垂直抗力は反発力Ｆの大きさＮ１に応じて大きくなっている。
【０１１２】
接触面に作用する摩擦力は接触面における垂直抗力と摩擦係数の各々に比例する。そのため、非圧縮状態の弾性部材１９を圧縮させる場合と比べて、準圧縮状態の弾性部材１９Ａをさらに圧縮させる場合は、押圧部材１７の接触面およびヘッド本体１６の接触面に作用する摩擦力Ｖ２およびＶ４が大きくなる（図１７）。
【０１１３】
従って、弾性部材１９Ａがヘッド本体１６との接触面に沿って滑るように広がることは、従来装置における摩擦力Ｖ１と比べて増大している摩擦力Ｖ２によって阻止される。また、弾性部材１９Ａが押圧部材１７との接触面に沿って滑るように広がることは、従来装置における摩擦力Ｖ３と比べて増大している摩擦力Ｖ４によって阻止される。
【０１１４】
言い換えれば、ボルト２９によって弾性部材１９Ａを予め準圧縮状態とすることによって弾性部材１９Ａの垂直抗力が増大するので、弾性部材１９Ａが押圧方向に対して垂直な方向へ変位することを阻止できる。ボルト２９は実施例２における阻止部材に相当する。
【０１１５】
従来例および実施例１に係る圧着ヘッドでは、半導体装置の上方で待機している状態である初期状態において、ヘッド本体と押圧部材との間に配設される弾性部材は非圧縮状態となるように構成されている。一方、実施例２に係る圧着ヘッド１４Ａでは、初期状態の時点で、ヘッド本体１６と押圧部材１７との間に配設される弾性部材１９Ａが準圧縮状態となるように構成されている。
【０１１６】
このように、実施例２では弾性部材１９Ａの垂直抗力を増大させることによって、弾性部材１９Ａと他部材との接触面において発生する摩擦力を増大させる。従って、ヘッド本体１６および押圧部材１７を、熱伝導性が高い一方で弾性部材１９Ａの構成材料との摩擦係数が比較的小さな材料（アルミや銅など）で構成しても、弾性部材１９Ａが押圧方向に対して垂直な方向へ滑るように変位することを回避できる。
【０１１７】
すなわち実施例２では、変位阻止部材２０や変位阻止部材２１を弾性部材１９Ａの上面または下面に備えなくとも、弾性部材１９Ａの変位を回避できるので、半導体装置Ｃの位置ズレや傾きが発生することなく、好適に半導体装置Ｃの各々を基板Ｗに実装できる。なお、押圧部材１７の下面高さが個々にバラツいていても、バラツキが数μｍ程度であれば、ボルト２９の締め上げ具合を調整することにより、同一面内に揃えることも可能である。
【０１１８】
さらに、ヘッド本体と押圧部材１６の間に介したボルト２９（及びリング２９ｃ）は熱伝導性の高い金属性であるため、ヒータ１５の熱は押圧部材１７へより効率よく伝導される。弾性部材１９Ａは熱伝導性の高い材料で構成されるヘッド本体１６および押圧部材１７の各々と直接接触しており、弾性部材１９Ａは準圧縮状態であるので、非圧縮状態の弾性部材１９より厚みが薄くなっている。そのため、弾性部材１９Ａにおけるヒータ１５の熱の伝導効率をより向上できる。
【０１１９】
ところで、弾性部材１９Ａに押圧外力が加わることにより弾性部材１９Ａが横方向に膨らむ。このため、設計に際しては、仕様上最大の押圧外力においても、弾性部材１９Ａが押圧部材１７の突出部１７ａに接触しないよう寸法を配慮する必要がある。仮に、弾性部材１９Ａが押圧部材１７の突出部１７ａに接触すると、突出部１７ａに水平方向に不均一な力が加わり、不都合が生じる。
【実施例３】
【０１２０】
次に、本発明の実施例３を説明する。図１８（ａ）は、実施例３に係る圧着ヘッド１４Ｂの概略構成を示している。圧着ヘッド１４Ｂにおいて、弾性部材１９はヘッド本体１６と押圧部材１７との間に設けられており、弾性部材１９は実施例２と同様にヘッド本体１６および押圧部材１７の各々と直接接触している。但し、弾性部材１９とヘッド本体１６との接触面において凹凸部４１が形成されており、弾性部材１９と押圧部材１７との接触面において凹凸部４３が形成されているという点において他の実施例と相違する。
【０１２１】
凹凸部４１および凹凸部４３の構成について、図１８（ｂ）を用いて説明する。ヘッド本体１６の下面、すなわちヘッド本体１６において弾性部材１９と接触する面には凹凸面１６ｊが形成されている。弾性部材１９の上面、すなわち弾性部材１９においてヘッド本体１６と接触する面には凹凸面１９ｈが形成されている。凹凸面１６ｊと凹凸面１９ｈは互いに嵌合するように凹凸パターンが形成されており、凹凸面１６ｊと凹凸面１９ｈとが嵌合することによって凹凸部４１が形成される。
【０１２２】
弾性部材１９の下面、すなわち弾性部材１９において押圧部材１７と接触する面には凹凸面１９ｊが形成されている。押圧部材１７の上面、すなわち押圧部材１７において弾性部材１９と接触する面には凹凸面１７ｈが形成されている。凹凸面１９ｊと凹凸面１７ｈは互いに嵌合するように凹凸パターンが形成されており、凹凸面１９ｊと凹凸面１７ｈとが嵌合することによって凹凸部４３が形成される。なお、凹凸部４１および凹凸部４３は、凹凸形状に限ることはなく、弾性部材１９の表面における摩擦係数を向上させるような形状であれば、適宜形状を変更してもよい。
【０１２３】
凹凸部４１を構成する凹凸パターンにより、弾性部材１９とヘッド本体１６との接触面における摩擦係数が上昇する。また、凹凸部４３を構成する凹凸パターンにより、弾性部材１９と押圧部材１７との接触面における摩擦係数が上昇する。従って、凹凸部４１および凹凸部４３を形成させることにより、弾性部材１９の各接触面における摩擦力が向上するので、弾性部材１９が押圧方向と直交する水平方向へ滑るように変位することをより確実に回避できる。
【０１２４】
また実施例３の特徴として、押圧方向において凹凸部４１の凹凸パターンと凹凸部４３の凹凸パターンとは一致するように構成される（図１８（ｃ）の点線を参照）。そのため図１８（ｃ）に示すように、弾性部材１９は水平方向における全面にわたって、ｚ方向における厚みは一定の値ｈａとなる。弾性部材１９の全面にわたってその厚みが均一であるので、半導体装置Ｃの高さのバラツキを弾性部材１９が吸収する力は、弾性部材１９の水平方向全面にわたって同じとなる。従って、凹凸部４１および４３によって水平方向における弾性部材１９の変位を抑制できるとともに、ヘッド本体１６を下降させて半導体装置Ｃの押圧を行う際に押圧部材１７が水平面に対して傾くといった事態の発生を確実に回避できる。
【０１２５】
実施例３に係る圧着ヘッドでは、ヘッド本体１６、弾性部材１９、および押圧部材１７の各々に凹凸面が形成されている。ヘッド本体１６の凹凸面１６ｊと弾性部材１９の凹凸面１９ｈとを嵌合させて形成される凹凸部４１により、弾性部材１９とヘッド本体１６との接触面における摩擦係数は、平坦なヘッド本体Ｈと弾性体Ｄとを接触させるような従来の構成と比べて大きく向上する。また、凹凸部４３により、弾性部材１９と押圧部材１７との接触面における摩擦係数が大きく向上する。
【０１２６】
摩擦係数の向上により摩擦力が大きくなるので、押圧方向に対して垂直な方向へ弾性部材１９が変位することを回避できる。このように、実施例３では弾性部材１９がヘッド本体１６および押圧部材１７と直接接触する構成であるにも関わらず、凹凸部４１および４３を形成させることによって、実施例１と同様に摩擦係数の向上に起因する弾性部材１９の摩擦力上昇を実現できる。
【０１２７】
本発明は上述した実施例のものに限らず、次のように変形実施することもできる。
【０１２８】
（１）上記の本発明において、実施例１および実施例２の構成を組み合わせてもよい。すなわち図１９に示すように、当該変形例に係る圧着ヘッド１４Ｃは実施例２のように、準圧縮状態となっている弾性部材１９Ａをヘッド本体１６と押圧部材１７との間に備えている。さらに当該変形例では実施例１のように、変位阻止部材２０が弾性部材１９Ａとヘッド本体１６との間に設けられ、変位阻止部材２１が弾性部材１９Ａと押圧部材１７との間に設けられている。
【０１２９】
このような変形例では、弾性部材１９Ａを予め準圧縮状態にして反発力Ｆを発生させるとともに、弾性部材１９Ａの構成材料との摩擦係数が高い材料（ステンレス鋼など）で構成される変位阻止部材２０および２１を備えている。すなわち本変形例では弾性部材１９Ａとの接触面における垂直抗力および摩擦係数の両方を高める構成となっている。
【０１３０】
そのため、弾性部材１９Ａと変位阻止部材２０との接触面、および弾性部材１９Ａと変位阻止部材２１との接触面において発生する摩擦力は、垂直抗力および摩擦係数の向上により飛躍的に高められる。その結果、押圧方向に垂直な方向へ弾性部材１９Ａが変位する事態をより確実に阻止できる。従って、ｘｙ平面における弾性部材１９Ａおよび押圧部材１７の位置および体勢が固定されるので、半導体装置Ｃの位置ズレや傾きが発生することなく、押圧部材１７による半導体装置Ｃの加熱押圧実装を完了できる。
【０１３１】
（２）上記各実施例および各変形例に係る実装装置において、押圧対象である半導体装置Ｃは説明の便宜上、図７などに示すように１層のバンプＢを有する単層構造としている。押圧実装の対象は単層構造に限ることはなく、図２０に示すように多層のバンプＢが積層された、多層構造の半導体装置Ｃを基板Ｗへ実装させる場合にも本発明に係る実装装置を利用できる。
【０１３２】
（３）上記各実施例２および各変形例に係る実装装置において、ヘッド本体１６を貫通するようなボルト２９を新たに設け、当該ボルト２９の締め付け力によって弾性部材１９Ａを準圧縮状態で固定させている。しかし、弾性部材１９Ａを準圧縮状態で固定する構成はボルト２９に限ることはない。一例として実施例１に係る支持ホルダ１８を流用し、当該支持ホルダ１８を実施例１の締め付け力よりも強い力で弾性部材１９を締め付け固定する構成が挙げられる。
【０１３３】
支持ホルダ１８で強く締め付けることによって、弾性部材１９は非圧縮状態（図２１（ａ））から準圧縮状態（図２１（ｂ））となるようにｚ方向へ圧縮され、当該準圧縮状態で固定される。準圧縮状態となった弾性部材１９Ａには締め付け力Ｎ２の強さに応じた反発力Ｆが発生し、当該反発力に起因して弾性部材１９における垂直抗力は増大する。このような変形例において、支持ホルダ１８は本発明における阻止部材および垂直抗力維持手段に相当する。
【０１３４】
（４）上記各実施例１および各変形例に係る実装装置において、変位阻止部材２０または２１として１枚板の構成を例示したが、これに限られない。すなわち図２２（ａ）に示すように、変位阻止部材２０および２１の各々は複数枚の板状の素材Ｓを重ねる構成であってもよい。素材Ｓの構成材料は、一例としてステンレス鋼（ＳＵＳ）である。
【０１３５】
このような変形例では図２２（ｂ）に示すように、素材Ｓの枚数を適宜変更することによって、隣接する押圧部材１７Ｐと押圧部材１７Ｑとの間でｚ方向の高さを独立選択的に適宜変更できる。従って、図２２（ｂ）に示すように隣接する弾性部材１９Ｐと弾性部材１９Ｑとの厚みにバラツキが発生している場合であっても、変位阻止部材を構成する素材Ｓの枚数を調節することによって、押圧部材１７Ｐの下面の高さと押圧部材１７Ｑの下面の高さとを均一にできる。その結果、弾性部材１９の厚みのバラツキに起因する実装エラーの発生を確実に回避できる。
【０１３６】
なお、隣接する押圧部材１７Ｐと押圧部材１７Ｑとの厚みにバラツキが発生している場合についても、弾性部材１９Ｐの上下面に配設する素材Ｓの枚数と弾性部材１９Ｑの上下面に配設する素材Ｓの枚数とを適宜調整することにより、複数個の押圧部材１７について、それぞれの先端部の高さを均一化できる。従って、複数個の押圧部材１７の厚みのバラツキに起因する実装エラーの発生を確実に回避できる。
【０１３７】
（５）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、複数個の押圧部材１７を備えた１個の圧着ヘッド１４を備え、当該圧着ヘッド１４によって複数の半導体装置Ｃを本圧着する構成に限ることはない。すなわち実装装置は図２３に示すように、押圧部材１７を備えた圧着ヘッド１４を複数個備えた構成であってもよい。
【０１３８】
（６）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、圧着ヘッド１４のヒータ１５は、ヘッド本体１６に埋設された構成となっているが、ヘッド本体１６の外部から加熱する構成であっても良い。また、上記実施例において、ヒータを高温に加熱することとしたが、工程中に温度を変化させるパルスヒータを使用することもでき、熱伝導遅延用のプレートを介さず実装を行うこともできる。
【０１３９】
（７）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、変位阻止部材２０および変位阻止部材２１の一方を省略してもよい。変位阻止部材２０を設けることによって弾性部材１９とヘッド本体１６とが相対的に位置ズレする事態を回避できる。また、当該位置ズレとは別に、変位阻止部材２１を設けることによって弾性部材１９と押圧部材１７とが相対的に位置ズレする事態を回避できる。このように、いずれか一方の変位阻止部材の配設によっても、半導体装置Ｃに対する押圧部材１７の位置ズレが発生することを防止する効果を奏することができる。また、変位阻止部材２０および変位阻止部材２１の両方を備える場合、相乗効果によって、半導体装置Ｃに対する押圧部材１７の位置ズレが発生することをより確実に回避できる。
【０１４０】
（８）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、熱硬化性樹脂を介して、バンプを有する複数の半導体装置を基板に実装する例を示したが、本発明は半導体装置に適切な押圧を作用させて高さバラツキの吸収が必要とされる実装であれば有効に適用できる。例えば、熱硬化性樹脂を介在させないフリップチップ実装や、熱硬化性樹脂を介して半導体チップの非電極面を基板に実装するダイボンディング等に用いても良い。更に、半導体装置以外の電子部品（抵抗器、キャパシタ、圧電素子、等）を基板に実装するのに際して、本発明を用いても良い。
【０１４１】
（９）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、保持フレーム６を備えた搬送アーム４によって基板Ｗを係止保持した状態で保持ステージ１０の上に搬送・載置し、基板Ｗを保持ステージ１０で吸着保持させる構成を例にとって説明した。しかし、基板Ｗを適切に搬送・載置・保持できる構成であれば、搬送アーム４および保持ステージ１０などの構成は適宜変更してよい。基板Ｗを搬送・載置する構成の他の例としては、搬送アーム４で基板を吸着保持して搬送する構成や、手動で基板Ｗを搬送して保持ステージ１０の上に載置させる構成などが挙げられる。また、保持ステージ１０は基板Ｗを吸着する構成を省略してもよい。
【０１４２】
（１０）上記実施例および各変形例に係る実装装置において、ヒータ１５はヘッド本体１６に内蔵されている構成を例示したが、半導体装置Ｃを加熱押圧できる構成であればこれに限られない。すなわちヘッド本体１６の外部にヒータ１５を配設し、ヘッド本体１６の外部からヘッド本体１６などに対して加熱を行う構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１４３】
１  …  搬送機構
２  …  本圧着装置
４  …  搬送アーム
６  …  保持フレーム
９  …  押圧機構
１０  …  保持ステージ
１１  …  ヒータ
１３  …  シリンダ
１４  …  圧着ヘッド
１５  …  ヒータ
１６  …  ヘッド本体
１７  …  押圧部材
１８  …  支持ホルダ
１９  …  弾性部材
２０  …  変位阻止部材
２１  …  変位阻止部材
２９  …  ボルト
Ｗ  …  基板
Ｃ  …  半導体装置
Ｇ  …  熱硬化性樹脂
Ｐ  …  熱伝達遅延用のプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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