(57)【要約】【課題】プラズマ生成室の内表面における腐食を抑えることを可能とした真空処理装置を提供する。【解決手段】底部と開口した筒端とを含む筒状を有したプラズマ生成室１０Ａであって、プラズマ生成室１０Ａの内表面がアルミニウムを含む材料で形成され、プラズマが生成される生成空間１０ＡＳを区画するプラズマ生成室１０Ａと、生成空間１０ＡＳにフッ素含有ガスを供給するガス供給部２１と、生成空間１０ＡＳに向けてマイクロ波を照射するマイクロ波源２２と、プラズマ生成室１０Ａの筒端を塞ぎ、生成空間１０ＡＳに向けてマイクロ波源２２が照射したマイクロ波を透過する透過窓１１とを備える。透過窓１１における生成空間１０ＡＳに面した表面１１ａからプラズマ生成室１０Ａの底部までの距離が、プラズマ生成室１０Ａの高さであり、プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ以上である。【選択図】図１
2019160896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と開口した筒端とを含む筒状を有したプラズマ生成室であって、前記プラズマ生成室の内表面がアルミニウムを含む材料で形成され、プラズマが生成される生成空間を区画する前記プラズマ生成室と、
前記生成空間にフッ素含有ガスを供給するガス供給部と、
前記生成空間に向けてマイクロ波を照射するマイクロ波源と、
前記プラズマ生成室の前記筒端を塞ぎ、前記生成空間に向けて前記マイクロ波源が照射したマイクロ波を透過する透過窓と、を備え、
前記透過窓における前記生成空間に面した表面から前記プラズマ生成室の前記底部までの距離が、前記プラズマ生成室の高さであり、
前記プラズマ生成室の高さが、２０ｍｍ以上である
真空処理装置。
【請求項２】
前記プラズマ生成室の高さが、５０ｍｍ以下である
請求項１に記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記マイクロ波源の出力が、１０００Ｗ以上２５００Ｗ以下である
請求項１または２に記載の真空処理装置。
【請求項４】
処理対象が収容され、前記プラズマの少なくとも一部が通過する通路を有した処理槽と、
前記処理槽に固定されることによって前記通路に接続される筒状部材と、をさらに備え、
前記プラズマ生成室は、前記筒状部材と、前記処理槽の一部とを含み、
前記筒状部材のなかで、前記処理槽に固定された筒端とは反対側の筒端が、前記透過窓が塞ぐ前記筒端であり、
前記筒状部材は、前記処理槽に対する着脱が可能に構成されている
請求項１から３のいずれか一項に記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記通路内に位置する形状を有し、前記プラズマの少なくとも一部が通過する貫通孔を有した通路部材をさらに備え、
前記プラズマ生成室は、前記通路部材の一部をさらに含み、
前記通路部材のなかで、前記生成空間に面する端部が、前記プラズマ生成室の前記底部であり、
前記筒状部材および前記通路部材は、接地電位である
請求項４に記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
アッシング装置は、プラズマ生成室を備えている。プラズマ生成室が区画する生成空間には、プラズマを生成するためのフッ素含有ガスが供給され、かつ、マイクロ波が照射される。これにより、フッ素含有ラジカルおよびフッ素含有イオンが含まれるプラズマが生成空間内に生成される。フッ素含有ラジカルは、プラズマ生成室から処理室に移動することによって、処理室に配置された基板の表面に位置するレジスト層をアッシングする（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２９５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、生成空間を区画するプラズマ生成室の内表面は、アルミニウムを含む材料によって形成されている。そのため、生成空間においてプラズマが生成されると、プラズマ中に含まれるフッ素含有イオンによってプラズマ生成室の内表面がフッ化される。内表面のフッ化によって内表面が腐食され、これによって、アルミニウムおよびフッ素を含むパーティクルが生じてしまう。
【０００５】
なお、こうした課題は、レジスト層をアッシングするアッシング装置に限らず、プラズマ生成室の内表面がアルミニウムを含む材料によって形成され、かつ、プラズマ生成室においてフッ素含有ガスからプラズマが生成される真空処理装置において共通している。
【０００６】
本発明は、プラズマ生成室の内表面における腐食を抑えることを可能とした真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための真空処理装置は、底部と開口した筒端とを含む筒状を有したプラズマ生成室であって、前記プラズマ生成室の内表面がアルミニウムを含む材料で形成され、プラズマが生成される生成空間を区画する前記プラズマ生成室と、前記生成空間にフッ素含有ガスを供給するガス供給部と、前記生成空間に向けてマイクロ波を照射するマイクロ波源と、前記プラズマ生成室の前記筒端を塞ぎ、前記生成空間に向けて前記マイクロ波源が照射したマイクロ波を透過する透過窓と、を備える。前記透過窓の前記生成空間に面した表面から前記プラズマ生成室の前記底部までの距離が、前記プラズマ生成室の高さであり、前記プラズマ生成室の高さが、２０ｍｍ以上である。
【０００８】
上記構成によれば、プラズマ生成室の高さが２０ｍｍ以上であるため、プラズマ生成室の底部と、透過窓の近傍の領域、すなわちフッ素含有イオンが高密度に存在する領域との距離が大きい。これにより、プラズマ生成室の底部における腐食が抑えられる分だけ、プラズマ生成室の高さが２０ｍｍ未満である場合と比べて、プラズマ生成室の内表面における腐食を抑えることが可能である。
【０００９】
上記真空処理装置において、前記プラズマ生成室の高さが、５０ｍｍ以下であってもよい。上記構成によれば、プラズマ生成室の高さが５０ｍｍ以下であるため、プラズマ中に含まれるラジカルが処理対象まで到達する確実性を高めることができる。
【００１０】
上記真空処理装置において、前記マイクロ波源の出力が、１０００Ｗ以上２５００Ｗ以下であってもよい。上記構成によれば、マイクロ波源の出力がより小さい場合に比べて、プラズマ生成室の高さが２０ｍｍ以上であることにより腐食を抑える効果をより顕著に得ることができる。
【００１１】
上記真空処理装置において、処理対象が収容され、前記プラズマの少なくとも一部が通過する通路を有した処理槽と、前記処理槽に固定されることによって前記通路に接続される筒状部材と、をさらに備え、前記プラズマ生成室は、前記筒状部材と、前記処理槽の一部とを含み、前記筒状部材のなかで、前記処理槽に固定された筒端とは反対側の筒端が、前記透過窓が塞ぐ前記筒端であり、前記筒状部材は、前記処理槽に対する着脱が可能に構成されてもよい。
【００１２】
上記構成によれば、プラズマ生成室を構成する部材のなかで、高密度のプラズマに暴露される筒状部材が処理槽に対する着脱が可能な構成であるため、筒状部材の内表面が腐食したときには、筒状部材を新しい筒状部材に交換することが可能である。
【００１３】
上記真空処理装置において、前記通路内に位置する形状を有し、前記プラズマの少なくとも一部が通過する貫通孔を有した通路部材をさらに備え、前記プラズマ生成室は、前記通路部材の一部をさらに含み、前記通路部材のなかで、前記生成空間に面する端部が、前記プラズマ生成室の前記底部であり、前記筒状部材および前記通路部材は、接地電位であってもよい。
【００１４】
上記構成によれば、電荷を有するイオンが筒状部材および通路部材によって補足される。しかも、筒状部材と透過窓との間の距離が、通路部材と透過窓との間の距離よりも小さいため、筒状部材が優先的にイオンを補足しやすい。結果として、プラズマ生成室の底部である通路部材の端部にイオンが到達しにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】真空処理装置の一例であるアッシング装置の構造を示す断面図。
【図２】アッシング装置の構造を示す部分断面図。
【図３】アッシング装置の作用を説明するための作用図。
【図４】アッシング装置の作用を説明するための作用図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１から図４を参照して、真空処理装置をアッシング装置として具体化した一実施形態を説明する。以下では、アッシング装置の構成、アッシング装置の作用、および、試験例を順に説明する。
【００１７】
［アッシング装置の構成］
図１および図２を参照して、アッシング装置の構成を説明する。
図１が示すように、アッシング装置１０は、プラズマ生成室１０Ａと、処理室１０Ｂとを備えている。プラズマ生成室１０Ａは、フッ素含有ガスからプラズマが生成される空間を区画し、処理室１０Ｂは、処理対象である基板Ｓに対するアッシングが行われる空間を区画している。
【００１８】
プラズマ生成室１０Ａは、底部と開口した筒端とを含む筒状を有している。プラズマ生成室１０Ａの内表面がアルミニウムを含む材料で形成されている。プラズマ生成室１０Ａは、プラズマが生成される生成空間１０ＡＳを区画している。アッシング装置１０は、ガス供給部２１とマイクロ波源２２とを備えている。ガス供給部２１は、生成空間１０ＡＳにフッ素含有ガスを供給する。マイクロ波源２２は、生成空間１０ＡＳに向けてマイクロ波を照射する。
【００１９】
アッシング装置１０は、透過窓１１をさらに備えている。透過窓１１は、プラズマ生成室１０Ａの筒端を塞いでいる。透過窓１１は、生成空間１０ＡＳに向けてマイクロ波源２２が照射したマイクロ波を透過する。透過窓１１における生成空間１０ＡＳに面する表面１１ａから、プラズマ生成室１０Ａの底部までの距離が、プラズマ生成室１０Ａの高さである。プラズマ生成室１０Ａの高さは、２０ｍｍ以上である。
【００２０】
プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ以上であるため、プラズマ生成室１０Ａの底部と、透過窓１１の近傍の領域、すなわちフッ素含有イオンが高密度に存在する領域との距離が大きい。これにより、プラズマ生成室１０Ａの底部における腐食が抑えられる分だけ、プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ未満である場合と比べて、プラズマ生成室１０Ａの内表面における腐食を抑えることが可能である。
【００２１】
以下、アッシング装置１０の構成をより詳しく説明する。
アッシング装置１０は、処理槽１２を備えている。処理槽１２は、基板Ｓが収容され、プラズマ生成室１０Ａで生成されたプラズマの少なくとも一部が通過する通路１２ａを有している。処理槽１２は処理空間１０ＢＳを区画し、処理空間１０ＢＳにおいて、基板Ｓに対するアッシング処理が行われる。処理槽１２は、排気口１２ｂを有している。排気口１２ｂには、処理空間１０ＢＳ内を排気する排気部が接続されている。処理室１０Ｂは、少なくとも処理槽１２を含んでいる。
【００２２】
処理槽１２のなかで、少なくとも内表面がアルミニウムを含む材料で形成されている。アルミニウムを含む材料には、アルミニウム、アルミニウム合金、および、酸化アルミニウムなどを挙げることができる。
【００２３】
処理槽１２内には、基板Ｓを支持する支持部１３が位置している。支持部１３は、例えば基板Ｓを支持するステージである。支持部１３は、処理槽１２のなかで、処理槽１２に形成された通路１２ａと対向する位置に配置されている。基板Ｓは、支持部１３によって支持される面とは反対側の面に、アッシング処理によってアッシングされるレジスト層を有している。
【００２４】
処理槽１２の通路１２ａ内には、通路部材１４が位置している。通路部材１４は、処理槽１２に固定されている。通路部材１４は、通路部材１４を厚さ方向に沿って貫通する貫通孔１４ａを有している。通路部材１４は、生成空間１０ＡＳにおいて生成されたプラズマの通路を構成している。通路部材１４のなかで、少なくとも内表面がアルミニウムを含む材料で形成されている。アルミニウムを含む材料には、アルミニウム、アルミニウム合金、および、酸化アルミニウムなどを挙げることができる。
【００２５】
通路部材１４には、シャワープレート１５が固定されている。シャワープレート１５は、通路部材１４の貫通孔１４ａを通じてシャワープレート１５に到達したラジカルを処理空間１０ＢＳ内に拡散させる。
【００２６】
処理槽１２には筒状部材１６が固定され、筒状部材１６は処理槽１２の通路１２ａに接続されている。筒状部材１６なかで、処理槽１２に固定された筒端とは反対側の筒端に、透過窓１１が位置している。透過窓１１は筒状部材１６の筒端を塞いでいる。透過窓１１は、平板状である。透過窓１１を形成する材料には、例えば石英（ＳｉＯ２）などを挙げることができる。
【００２７】
透過窓１１には、導波管１７が接続されている。導波管１７には、マイクロ波源２２が接続されている。導波管１７は、マイクロ波源２２が照射したマイクロ波を透過窓１１に導く。マイクロ波源２２の出力は、１０００Ｗ以上２５００Ｗ以下であることが好ましい。
【００２８】
レジスト層をアッシングするレートを高め、かつ、透過窓１１の発熱による損傷を防ぐためには、マイクロ波源２２の出力が、１０００Ｗ以上２５００Ｗ以下であることが好ましい。マイクロ波源２２の出力が１０００Ｗ以上であることによって、マイクロ波源２２の出力が１０００Ｗ未満である場合に比べて、透過窓１１の近傍には、より高い密度のプラズマが生成される。この場合に、透過窓とプラズマ生成室１０Ａの底部との距離、言い換えればプラズマ生成室１０Ａ内でのフッ素含有イオンの滞在時間が、活性な状態のフッ素含有イオンが底部に到達することが可能な程度に短ければ、底部における腐食がより進行してしまう。
【００２９】
それゆえに、マイクロ波源２２の出力が、１０００Ｗ以上２５００Ｗ以下である場合に、マイクロ波源２２の出力がより小さい場合に比べて、プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ以上であることにより腐食を抑える効果をより顕著に得ることができる。
【００３０】
ガス供給部２１は、上述したようにフッ素含有ガスを生成空間１０ＡＳに供給する。フッ素含有ガスには、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）ガスを挙げることができる。なお、ガス供給部２１が供給するガスは、フッ素含有ガスであれば、１種のガスのみから構成されてもよいし、複数種のガスから構成されてもよい。ガス供給部２１は、処理槽１２に形成されたガスの通路に接続されている。
【００３１】
図２を参照して、プラズマ生成室１０Ａの構成をより詳しく説明する。
図２が示すように、プラズマ生成室１０Ａは、筒状部材１６と処理槽１２の一部とを含んでいる。上述したように、筒状部材１６は、処理槽１２に固定されることによって、通路１２ａに接続される。筒状部材１６のなかで、処理槽１２に固定された筒端とは反対側の筒端１６ａが、透過窓１１が塞ぐプラズマ生成室１０Ａの筒端である。筒状部材１６は、処理槽１２に対する着脱が可能に構成されている。
【００３２】
筒状部材１６のなかで、少なくとも内表面が、アルミニウムを含む材料によって形成されている。アルミニウムを含む材料には、アルミニウム、アルミニウム合金、および、酸化アルミニウムなどを挙げることができる。処理槽１２は、例えば筒状部材１６に嵌め込まれる嵌合凸部を有し、筒状部材１６は、例えば処理槽１２の嵌合部が嵌め込まれる嵌合凹部を有している。処理槽１２の嵌合凸部が筒状部材１６の嵌合凹部に嵌め込まれることによって、筒状部材１６が処理槽１２に固定される。処理槽１２の嵌合凸部が筒状部材１６の嵌合凹部から取り外されることによって、筒状部材１６が処理槽１２から取り外される。
【００３３】
プラズマ生成室１０Ａを構成する部材のなかで、高密度のプラズマに暴露される筒状部材１６が処理槽１２に対する着脱が可能な構成であるため、筒状部材１６の内表面が腐食したときには、筒状部材１６を新しい筒状部材１６に交換することが可能である。
【００３４】
プラズマ生成室１０Ａは、通路部材１４の一部をさらに含んでいる。通路部材１４は、上述したように処理槽１２の通路１２ａ内に位置する形状を有している。通路部材１４は、プラズマの少なくとも一部が通過する貫通孔１４ａを有している。通路部材１４のなかで、生成空間１０ＡＳに面する端部１４ｂが、プラズマ生成室１０Ａの底部である。通路部材１４の端部１４ｂは、処理槽１２の外表面よりも窪んでいる。
【００３５】
すなわち、透過窓１１の表面１１ａ、言い換えれば筒状部材１６の筒端１６ａと、通路部材１４の端部１４ｂとの間の距離が、プラズマ生成室１０Ａの高さＨである。プラズマ生成室１０Ａの高さは５０ｍｍ以下であることが好ましい。プラズマ生成室１０Ａの高さＨが高いほど、透過窓１１と通路部材１４の端部１４ｂとの間の距離が大きくなる。そのため、活性状態のフッ素含有イオンが滞在することが可能な時間が、フッ素含有イオンが端部１４ｂに到達する前に経過する可能性が高まる。しかしながら、フッ素含有ラジカルが活性である状態を維持できる時間も有限であるため、基板Ｓに到達するフッ素含有ラジカルの量も減少する。
【００３６】
この点で、プラズマ生成室１０Ａの高さＨが５０ｍｍ以下であれば、フッ素含有ラジカルが活性である間に、フッ素含有ラジカルを基板Ｓに到達させやすくなり、フッ素含有ラジカルが基板Ｓに到達する確実性を高めることができる。結果として、レジスト層がアッシングされるレートが低くなることが抑えられる。
【００３７】
通路部材１４は、筒状部１４ｃとフランジ部１４ｄとを備えている。フランジ部１４ｄは、筒状部１４ｃの径方向に沿って筒状部１４ｃの外側に向けて広がっている。フランジ部１４ｄと処理槽１２との間には、通路部材１４が処理槽１２に取り付けられた状態において隙間が形成されている。ガス供給部２１が生成空間１０ＡＳに供給するフッ素含有ガスは、処理槽１２内に形成された通路を通った後、フランジ部１４ｄと処理槽１２との間の隙間に到達する。そして、フッ素含有ガスは、通路部材１４が備える端部１４ｂの縁において窪む溝を通じて、生成空間１０ＡＳに供給される。
【００３８】
筒状部材１６および通路部材１４は、接地電位であることが好ましい。これにより、電荷を有するフッ素含有イオンが筒状部材１６および通路部材１４によって補足される。しかも、筒状部材１６と透過窓１１との間の距離が、通路部材１４と透過窓との間の距離よりも小さいため、筒状部材１６が優先的にフッ素含有イオンを補足しやすい。結果として、プラズマ生成室１０Ａの底部である通路部材１４の端部１４ｂにフッ素含有イオンが到達しにくくなる。
【００３９】
［アッシング装置の作用］
図３および図４を参照して、アッシング装置１０の作用を説明する。
図３が示すように、本実施形態のアッシング装置１０では、ガス供給部２１から生成空間１０ＡＳにフッ素含有ガスが供給された後、透過窓１１を通じて生成空間１０ＡＳにマイクロ波が照射される。これにより、生成空間１０ＡＳ内に、フッ素含有イオンＩと、フッ素含有ラジカルＲとを含むプラズマが生成される。
【００４０】
このとき、透過窓１１の近傍には高密度のプラズマが生成されるため、プラズマ中のフッ素含有イオンＩが、筒状部材１６の内表面のうち、筒状部材１６の延びる方向において、筒状部材１６の中央よりも透過窓１１寄りの部分に衝突する。これにより、筒状部材１６の内表面の一部がフッ化、言い換えれば腐食される。一方で、生成空間１０ＡＳにて生成されたフッ素含有イオンＩの多くは、筒状部材１６を通過する間に失活するため、通路部材１４の端部１４ｂには、フッ素含有イオンＩがほぼ到達しない。これにより、通路部材１４の端部１４ｂが腐食されることが抑えられる。結果として、プラズマ生成室１０Ａの高さがより低い場合と比べて、通路部材１４を交換する頻度を低くすることができる。また、フッ素含有イオンＩのほとんどは、シャワープレート１５を通過するまでに失活する。そのため、基板Ｓには、フッ素含有イオンＩがほぼ到達しない。
【００４１】
これに対して、図４が示すように、比較例のアッシング装置は、筒状部材１６を備えていない。言い換えれば、比較例のアッシング装置では、透過窓１１が処理槽１２に固定されている。比較例のアッシング装置において、透過窓１１の表面１１ａ、言い換えれば処理槽１２のなかで透過窓１１が固定された面と、通路部材１４の端部１４ｂとの間の距離が、プラズマ生成室１０Ａの高さである。プラズマ生成室１０Ａの高さは２０ｍｍ未満であり、例えば１０ｍｍである。
【００４２】
こうしたアッシング装置では、生成空間１０ＡＳにて生成されたプラズマに含まれるフッ素含有イオンＩが、フッ素含有ラジカルＲとともに通路部材１４の端部１４ｂにまで到達する頻度が高い。そのため、通路部材１４の端部１４ｂが、フッ素含有イオンＩの衝突によって腐食されるまでにかかる期間が短い。
【００４３】
［試験例］
プラズマ生成室の高さを異ならせた複数のアッシング装置において、以下の条件にて加速試験を行った。なお、試験例１ではプラズマ生成室の高さを１０ｍｍに設定し、試験例２ではプラズマ生成室の高さを２０ｍｍに設定し、試験例３ではプラズマ生成室の高さを３０ｍｍに設定した。試験例４ではプラズマ生成室の高さを４０ｍｍに設定し、試験例５ではプラズマ生成室の高さを５０ｍｍに設定し、試験例６ではプラズマ生成室の高さを６０ｍｍに設定した。また、各加速試験では、マイクロ波源の出力を、５００Ｗ、１０００Ｗ、１５００Ｗ、２０００Ｗ、および、２５００Ｗの５通りに変更した。各試験例において、加速試験後における通路部材の筒端を目視によって観察した。
【００４４】
［処理条件］
・フッ素含有ガス                Ｏ２／Ｎ２／ＣＦ４混合ガス
・マイクロ波周波数              ２．５ＧＨｚ
・処理時間（１サイクルあたり）  ６０分
・サイクル数                    １０００サイクル
【００４５】
観察結果は、以下の表１に示す通りであった。なお、表１では、通路部材の交換が必要な程度に通路部材が腐食された場合を「×」に設定し、通路部材がほとんど腐食されていない場合を「○」に設定した。また、通路部材がほとんど腐食されていない一方で、アッシングレートが、試験例１においてマイクロ波源の出力が同一である場合のアッシングレート対して３／４程度である場合を「△」に設定した。
【００４６】
【表１】
2019160896.tif 000003
【００４７】
表１が示すように、試験例１では、マイクロ波源の出力が５００Ｗであるときには、通路部材がほとんど腐食されていないことが認められた。一方で、試験例１では、マイクロ波源の出力が１０００Ｗ以上であるときには、通路部材が腐食されていることが認められた。
【００４８】
これに対して、試験例２から試験例５では、マイクロ波源の出力に関わらず、通路部材がほとんど腐食されていないことが認められた。なお、試験例３から試験例５では、マイクロ波源の出力が同一である場合には、サイクル数が１０００サイクルであっても、試験例１においてサイクル数を５０サイクルに設定した場合と同程度にしか通路部材が腐食されないことが認められた。
【００４９】
なお、試験例６では、通路部材はほとんど腐食されていない一方で、各出力において、アッシングレートが、試験例１のアッシングレートに対して３／４程度であることが認められた。
【００５０】
このように、プラズマ生成室の高さを２０ｍｍ以上に設定することによって、通路部材の筒端における腐食を抑えることが可能であることが認められた。また、プラズマ生成室の高さを５０ｍｍ以下に設定することによって、通路部材の筒端における腐食を抑えつつ、アッシングレートの低下も抑えることが可能であることが認められた。
【００５１】
以上説明したように、真空処理装置の一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ以上であるため、プラズマ生成室１０Ａの底部と、透過窓１１の近傍の領域、すなわちフッ素含有イオンＩが高密度に存在する領域との距離が大きい。これにより、プラズマ生成室１０Ａの底部における腐食が抑えられる分だけ、プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ未満である場合と比べて、プラズマ生成室１０Ａの内表面における腐食を抑えることが可能である。
【００５２】
（２）プラズマ生成室１０Ａの高さが５０ｍｍ以下であるため、プラズマ中に含まれるフッ素含有ラジカルＲが基板Ｓまで到達する確実性を高めることができる。
【００５３】
（３）マイクロ波源２２の出力がより小さい場合に比べて、プラズマ生成室１０Ａの高さが２０ｍｍ以上であることにより腐食を抑える効果をより顕著に得ることができる。
【００５４】
（４）プラズマ生成室１０Ａを構成する部材のなかで、高密度のプラズマに暴露される筒状部材１６が処理槽１２に対する着脱が可能であるため、筒状部材１６の内表面が腐食したときには、筒状部材１６を新しい筒状部材１６に交換することが可能である。
【００５５】
（５）電荷を有するイオンが筒状部材１６および通路部材１４によって補足される。しかも、筒状部材１６と透過窓１１との間の距離が、通路部材１４と透過窓との間の距離よりも小さいため、筒状部材１６がイオンを優先的に補足しやすい。結果として、プラズマ生成室１０Ａの底部である通路部材１４の端部１４ｂにイオンが到達しにくくなる。
【００５６】
なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
［プラズマ生成室］
・プラズマ生成室１０Ａは、上述したように３つの部材によって構成されていなくてもよい。プラズマ生成室１０Ａは、例えば、透過窓１１が取り付けられる筒状部材と、筒状部材が取り付けられる処理槽との２つの部材から構成されてもよい。また、プラズマ生成室１０Ａは、１つの部材から構成されてもよい。この場合には、例えば、透過窓１１が取り付けられる筒状部を有した処理槽からプラズマ生成室を構成することができる。
【００５７】
［透過窓］
・透過窓１１は平板状に限らず、透過窓１１に対して処理槽１２とは反対側に向けて突出する形状を有してもよいし、透過窓１１に対して処理槽１２側に向けて突出する形状を有してもよい。この場合には、通路部材１４の腐食を抑える上では、透過窓１１の表面１１ａと通路部材１４の端部１４ｂとの間の距離における最小値が、２０ｍｍ以上であることが好ましい。また、フッ素含有ラジカルを基板Ｓまで到達しやすくする上では、透過窓１１の表面１１ａと端部１４ｂとの間の距離における最大値が、５０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
・透過窓１１は、筒状部材１６の筒端によって区画される空間内に位置することによって、筒状部材１６の筒端を塞いでもよい。この場合には、プラズマ生成室１０Ａの高さＨは、筒状部材１６の高さよりも小さい。
【００５９】
［真空処理装置］
・真空処理装置は、アッシング装置１０以外の他の真空処理装置として具体化されてもよい。例えば、真空処理装置は、フッ素を含有するガスから生成されたフッ素を含有するラジカルを処理対象のエッチングに用いるエッチング装置として具体化されてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０…アッシング装置、１０Ａ…プラズマ生成室、１０ＡＳ…生成空間、１０Ｂ…処理室、１０ＢＳ…処理空間、１１…透過窓、１１ａ…表面、１２…処理槽、１２ａ…通路、１２ｂ…排気口、１３…支持部、１４…通路部材、１４ａ…貫通孔、１４ｂ…端部、１４ｃ…筒状部、１４ｄ…フランジ部、１５…シャワープレート、１６…筒状部材、１６ａ…筒端、１７…導波管、２１…ガス供給部、２２…マイクロ波源、Ｓ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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