(57)【要約】【課題】マーキングを行っても、絶縁体層とシールド層との密着性の低下を抑制できる信号伝送用ケーブルの製造装置及び信号伝送用ケーブルの製造方法を提供すること。【解決手段】信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面を被覆するめっき層と、を備える信号伝送用ケーブルの製造装置である。製造装置は、前処理ユニットと、めっきユニットとを備える。前処理ユニットは、前記外周面に、第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さ及び／又は撥水性が大きい第２領域とを、前記信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に形成する。めっきユニットは、前記第１領域及び前記第２領域が形成された前記外周面にめっき処理を行うことで、前記第１領域に選択的に前記めっき層を形成する。【選択図】図１
2019160484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面を被覆するめっき層と、を備える信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記外周面に、第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さ及び／又は撥水性が大きい第２領域とを、前記信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に形成する前処理ユニットと、
前記第１領域及び前記第２領域が形成された前記外周面にめっき処理を行うことで、前記第１領域に選択的に前記めっき層を形成するめっきユニットと、
を備える信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記前処理ユニットは、
前記外周面の一部を粗化及び／又は撥水化する表面改質ユニットと、
前記めっき層が未形成である前記信号伝送用ケーブルを、前記表面改質ユニットに対し相対的に、前記長手方向に移動させる移動ユニットと、
前記第２領域が選択的に粗化及び／又は撥水化されるように、前記表面改質ユニットによる粗化及び／又は親水化を制御する制御ユニットと、
を備える信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項３】
請求項２に記載の信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、ドライアイスブラスト装置を備える信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項４】
請求項３に記載の信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記制御ユニットは、（ａ）前記ドライアイスブラスト装置が備えるドライアイス射出ノズルの開閉、（ｂ）前記ドライアイスブラスト装置へのドライアイスの供給の断続、又は、（ｃ）前記ドライアイス射出ノズルと前記外周面との間に設けられたシャッターの開閉を行うように構成された信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項５】
請求項１に記載の信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記前処理ユニットは、
前記外周面の一部を親水化する表面改質ユニットと、
前記めっき層が未形成である前記信号伝送用ケーブルを、前記表面改質ユニットに対し相対的に、前記長手方向に移動させる移動ユニットと、
前記第１領域が選択的に親水化されるように、前記表面改質ユニットによる親水化を制御する制御ユニットと、
を備える信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項６】
請求項５に記載の信号伝送用ケーブルの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、及び電子線照射から成る群から選択される１以上を行うように構成された信号伝送用ケーブルの製造装置。
【請求項７】
信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面を被覆するめっき層と、を備える信号伝送用ケーブルの製造方法であって、
前記外周面に、第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さ及び／又は撥水性が大きい第２領域とを、前記信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に形成し、
前記第１領域及び前記第２領域が形成された前記外周面にめっき処理を行うことで、前記第２領域に選択的に前記めっき層を形成する信号伝送用ケーブルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の信号伝送用ケーブルの製造方法であって、
ドライアイスブラストにより、前記第２領域を選択的に粗化及び／又は撥水化する信号伝送用ケーブルの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の信号伝送用ケーブルの製造方法であって、
コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、及び電子線照射から成る群から選択される１以上を行うことにより、前記第１領域を選択的に親水化する信号伝送用ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は信号伝送用ケーブルの製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
信号伝送用ケーブルは、例えば、信号線と、信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、絶縁体層を被覆するシールド層とを備える。従来、絶縁体層にマーキングを行う技術が知られている。特許文献１に記載の技術では、インクジェットプリンタを用い、絶縁体層の外周面にマーキングを行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３２１２５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術では、インクの飛散物が、マーキングを行うべき部分以外を汚染することがある。その場合、絶縁体層とシールド層との密着性が低下する。
本開示の一局面は、マーキングを行っても、絶縁体層とシールド層との密着性の低下を抑制できる信号伝送用ケーブルの製造装置及び信号伝送用ケーブルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一局面は、信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面を被覆するめっき層と、を備える信号伝送用ケーブルの製造装置であって、前記外周面に、第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さ及び／又は撥水性が大きい第２領域とを、前記信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に形成する前処理ユニットと、前記第１領域及び前記第２領域が形成された前記外周面にめっき処理を行うことで、前記第１領域に選択的に前記めっき層を形成するめっきユニットと、を備える信号伝送用ケーブルの製造装置である。
【０００６】
本開示の一局面である信号伝送用ケーブルの製造装置により製造した信号伝送用ケーブルには、めっき層が形成された部分と、めっき層が形成されていない部分とが、信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に存在する。めっき層が形成された部分は第１領域に対応する部分である。めっき層が形成されていない部分は、第２領域に対応する部分である。めっき層が形成されていない部分はマーキングとして機能する。よって、本開示の一局面である信号伝送用ケーブルの製造装置は、製造した信号伝送用ケーブルにマーキングを形成することができる。
【０００７】
本開示の一局面である信号伝送用ケーブルの製造装置は、絶縁体層の外周面を汚染するおそれがある処理を必ずしも行わなくても、マーキングを形成することができる。そのため、本開示の一局面である信号伝送用ケーブルの製造装置により製造した信号伝送用ケーブルでは、絶縁体層とシールド層との密着性が高い。
【０００８】
本開示の別の局面は、信号線と、前記信号線の周囲を被覆する絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面を被覆するめっき層と、を備える信号伝送用ケーブルの製造方法であって、前記外周面に、第１領域と、前記第１領域よりも表面粗さ及び／又は撥水性が大きい第２領域とを、前記信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に形成し、前記第１領域及び前記第２領域が形成された前記外周面にめっき処理を行うことで、前記第１領域に選択的に前記めっき層を形成する信号伝送用ケーブルの製造方法である。
【０００９】
本開示の別の局面である信号伝送用ケーブルの製造方法により製造した信号伝送用ケーブルには、めっき層が形成された部分と、めっき層が形成されていない部分とが、信号伝送用ケーブルの長手方向に沿って交互に存在する。めっき層が形成された部分は第１領域に対応する部分である。めっき層が形成されていない部分は、第２領域に対応する部分である。めっき層が形成されていない部分はマーキングとして機能する。よって、本開示の別の局面である信号伝送用ケーブルの製造方法によれば、製造した信号伝送用ケーブルにマーキングを形成することができる。
【００１０】
本開示の別の局面である信号伝送用ケーブルの製造方法によれば、絶縁体層の外周面を汚染するおそれがある処理を必ずしも行わなくても、マーキングを形成することができる。そのため、本開示の別の局面である信号伝送用ケーブルの製造方法により製造した信号伝送用ケーブルでは、絶縁体層とシールド層との密着性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１Ａは、シャッターユニット１９が遮蔽状態にある前処理ユニット１の構成を表す側面図であり、図１Ｂは、シャッターユニット１９が開放状態にある前処理ユニット１の構成を表す側面図である。
【図２】図２Ａは、シャッターユニット１９が遮蔽状態にある前処理ユニット１の構成を表す上面図であり、図２Ｂは、シャッターユニット１９が開放状態にある前処理ユニット１の構成を表す上面図である。
【図３】めっきユニット３の構成を表す説明図である。
【図４】未めっきケーブル２３の構成を表す斜視図である。
【図５】前処理ユニット１の電気的構成を表すブロック図である。
【図６】前処理済みケーブル５６の構成を表す説明図である。
【図７】信号伝送用ケーブル６１の構成を表す斜視図である。
【図８】図８Ａは、未めっきケーブル２３における第１領域５７の状態を表す写真であり、図８Ｂは、未めっきケーブル２３における第２領域５９の状態を表す写真である。
【図９】未めっきケーブル２３における第１領域５７と第２領域５９との境界付近の状態を表す写真である。
【図１０】図１０Ａは、第１領域５７上の滴下水を表す写真であり、図１０Ｂは、第２領域５９上の滴下水を表す写真である。
【図１１】信号伝送用ケーブル６１のうち、第１領域５７と第２領域５９との境界付近を表す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示の例示的な実施形態を、図面を参照しながら説明する。
＜第１実施形態＞
１．信号伝送用ケーブルの製造装置の構成
信号伝送用ケーブルの製造装置（以下ではケーブル製造装置とする）の構成を説明する。ケーブル製造装置は、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂに示す前処理ユニット１と、図３に示すめっきユニット３と、を備える。
【００１３】
（１−１）前処理ユニット１の構成
前処理ユニット１は、導入リール５と、送出リール７と、引取リール９と、巻取コイル１１と、送出ガイド治具１３と、引取ガイド治具１５と、ドライアイスブラスト装置１７と、シャッターユニット１９と、支持部２１と、を備える。ドライアイスブラスト装置１７は表面改質ユニットに対応する。導入リール５、送出リール７、引取リール９、及び巻取コイル１１は移動ユニットに対応する。シャッターユニット１９、後述する制御部４５及びシャッター駆動部４９は制御ユニットに対応する。
【００１４】
導入リール５、送出リール７、引取リール９、及び巻取コイル１１は、搬送方向Ｔに沿って並んでいる。導入リール５、送出リール７、及び引取リール９は、それぞれＲ方向に回転し、後述する未めっきケーブル２３を搬送方向Ｔに搬送する。搬送方向Ｔは、未めっきケーブル２３の長手方向と平行である。搬送される未めっきケーブル２３は、ドライアイスブラスト装置１７に対し、相対的に移動する。
【００１５】
搬送された未めっきケーブル２３は、巻取コイル１１に巻き取られる。送出ガイド治具１３及び引取ガイド治具１５は、搬送される未めっきケーブル２３をガイドする。支持部２１は、送出リール７及び引取リール９を支持する。
【００１６】
未めっきケーブル２３は、めっき層が未形成である信号伝送用ケーブルである。図４に示すように、未めっきケーブル２３は、信号線２５及び絶縁体層２７から成る。絶縁体層２７は信号線２５の周囲を被覆する。信号線２５は、例えば、素線により構成される。信号線２５は、例えば、複数の素線を撚って形成された撚線であってもよい。撚線である場合、信号線２５の屈曲性が向上する。
【００１７】
絶縁体層２７の材質として、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、パーフロロアルコキシ（ＰＦＡ）、パーフルオロエチレンプロペンコポリマー（ＦＥＰ）、エチレン・テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）、テトラフルオロエチレンーパーフルオロジオキソールコポリマー（ＴＦＥ／ＰＤＤ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン-クロロトリフロオロエチレンコポリマー（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、シリコーン、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。
【００１８】
絶縁体層２７の材質は、発泡性樹脂であってもよい。絶縁体層２７の材質が発泡性樹脂である場合、絶縁体層２７の誘電率と誘電正接とが小さくなる。発泡性樹脂から成る絶縁体層２７の製造方法として、例えば、樹脂と発泡剤とを混練しておき、絶縁体層２７を成型するときに温度や圧力を制御して発泡させる方法がある。また、発泡性樹脂から成る絶縁体層２７の他の製造方法として、例えば、絶縁体層２７を高圧成型するときに窒素ガス等を注入しておき、後に減圧して発泡させる方法がある。
【００１９】
また、発泡性樹脂から成る絶縁体層２７を以下のように製造してもよい。押出機に、所望の形状の押出口金を設置する。その押出機を用いて、信号線２５と、発泡性樹脂とを同時に押し出す。発泡性樹脂が絶縁体層２７を形成する。
【００２０】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、ドライアイスブラスト装置１７はドライアイス射出ノズル２９を備える。ドライアイス射出ノズル２９の先端は、搬送される未めっきケーブル２３のうち、送出リール７と、引取リール９との間の部分に向いている。ドライアイスブラスト装置１７は、ドライアイス射出ノズル２９からドライアイス粒子を射出することができる。シャッターユニット１９によってドライアイス粒子の流れが遮られない場合、ドライアイス粒子は未めっきケーブル２３に衝突する。その結果、絶縁体層２７の外周面２７Ａにドライアイスブラスト処理が行われる。外周面２７Ａのうち、ドライアイスブラスト処理が行われた部分は、それ以外の部分に比べて、粗化し、撥水化する。
【００２１】
ドライアイスブラスト装置１７として、例えば、株式会社協同インターナショナル製のドライアイス洗浄装置である、スーパーブラストDSC-V Reborn、DSC-I等が挙げられる。ドライアイスブラストの処理条件として、以下の条件が好ましい。
【００２２】
エアー圧力：０．１〜１．０ＭＰａ
ドライアイス粒子の粒径φ：０．３〜３ｍｍ
外周面２７Ａからドライアイス射出ノズル２９の先端までの距離：０〜１０ｃｍ
ドライアイスブラスト処理を行うときの未めっきケーブル２３の温度：−８０℃〜室温
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、シャッターユニット１９は、ドライアイスブラスト装置１７と、未めっきケーブル２３との間に位置する。シャッターユニット１９は、一対の固定板３１、３３と、シャッター３５と、を備える。固定板３１、３３は、上下方向に並んでおり、それらの間に空間３７を備える。固定板３１、３３は、それぞれ、貫通孔３９、４１を備える。ドライアイス射出ノズル２９、及び貫通孔３９、４１は上下方向に並んでいる。
【００２３】
シャッター３５は、空間３７に収容されている。シャッター３５は、複数のローラ４３により、搬送方向Ｔ及びその反対方向に移動できるように保持されている。シャッター３５は、図１Ａに示すように、貫通孔３９、４１を塞ぐ位置と、図１Ｂに示すように、貫通孔３９、４１を開放する位置とのいずれにも移動することができる。以下では、シャッター３５が貫通孔３９、４１を塞ぐ位置にある状態を遮蔽状態とする。また、シャッター３５が貫通孔３９、４１を開放する位置にある状態を開放状態とする。
【００２４】
シャッターユニット１９が遮蔽状態にあるとき、ドライアイス射出ノズル２９から射出されたドライアイス粒子は、シャッター３５により遮られ、未めっきケーブル２３に到達できない。シャッターユニット１９が開放状態にあるとき、ドライアイス射出ノズル２９から射出されたドライアイス粒子は、シャッター３５により遮られず、貫通孔３９、４１を通り、未めっきケーブル２３に到達する。
【００２５】
前処理ユニット１の電気的構成を図５に示す。前処理ユニット１は、制御部４５と、リール駆動部４７と、シャッター駆動部４９と、ドライアイスブラスト装置１７と、を備える。制御部４５は、ＣＰＵ５３と、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等の半導体メモリ（以下、メモリ５５とする）と、を有する周知のマイクロコンピュータを中心に構成される。
【００２６】
制御部４５の各種機能は、ＣＰＵ５３が非遷移的実体的記録媒体に格納されたプログラムを実行することにより実現される。この例では、メモリ５５が、プログラムを格納した非遷移的実体的記録媒体に該当する。また、このプログラムが実行されることで、プログラムに対応する方法が実行される。なお、制御部４５を構成するマイクロコンピュータの数は１つでも複数でもよい。
【００２７】
制御部４５は、前処理ユニット１の各部を制御する。制御部４５が有する機能の一部又は全部は、一つ又は複数のＩＣ等を用いてハードウェア的に実現されてもよい。また、制御部４５は、コンピュータに代えて、又は、コンピュータに加えて、電子回路等のハードウェアを有していてもよい。電子回路は、デジタル回路及びアナログ回路のうち少なくとも一方を含み得る。
【００２８】
リール駆動部４７は、導入リール５、送出リール７、引取リール９、及び巻取コイル１１を駆動する。シャッター駆動部４９は、シャッター３５を駆動する。ドライアイスブラスト装置１７は上述したものである。
【００２９】
（１−２）めっきユニット３
めっきユニット３は、図３に示す構成を有する。めっきユニット３は、脱脂ユニット１０３と、表面改質ユニット１０５と、第１活性化ユニット１０７と、第２活性化ユニット１０９と、無電解めっきユニット１１１と、電解めっきユニット１１３と、搬送ユニット１１５と、を備える。
【００３０】
脱脂ユニット１０３は、脱脂槽１１７と、脱脂液１１９とから成る。脱脂液１１９は脱脂槽１１７に収容されている。脱脂液１１９は、例えば、ホウ酸ソーダ、リン酸ソーダ、界面活性剤等のうちの１種以上を含む。脱脂液１１９の温度は、例えば、４０〜６０℃である。
【００３１】
めっきのための表面改質処理を行うための表面改質ユニット１０５は、処理槽１２１と、処理液１２３とから成る。処理液１２３は処理槽１２１に収容されている。処理液１２３は、例えば、過マンガン酸溶液等を含む。処理液１２３の温度は、例えば、６５〜９０℃である。
【００３２】
第１活性化ユニット１０７は、第１活性化槽１２５と、第１活性化液１２７とから成る。第１活性化液１２７は第１活性化槽１２５に収容されている。第１活性化液１２７は、例えば、塩化パラジウム、塩化第一錫、濃塩酸等のうちの１種以上を含む。第１活性化液１２７の温度は、例えば、３０〜４０℃である。
【００３３】
第２活性化ユニット１０９は、第２活性化槽１２９と、第２活性化液１３１とから成る。第２活性化液１３１は第２活性化槽１２９に収容されている。第２活性化液１３１は、例えば、硫酸等を含む。第２活性化液１３１の温度は、例えば、０〜５０℃である。
【００３４】
無電解めっきユニット１１１は、無電解めっき槽１３３と、無電解めっき液１３５とから成る。無電解めっき液１３５は無電解めっき槽１３３に収容されている。無電解めっき液１３５は、例えば、硫酸銅、ロッシエル塩、ホルムアルデヒド、水酸化ナトリウム等を含む。無電解めっき液１３５の温度は、例えば、２０〜３０℃である。
【００３５】
電解めっきユニット１１３は、電解めっき槽１３７と、電解めっき液１３９と、一対のアノード１４１と、電源ユニット１４３と、を備える。電解めっき液１３９は電解めっき槽１３７に収容されている。電解めっき液１３９は、例えば、表１又は表２に示す組成を有する。電解めっき液１３９の温度は、例えば、２０〜２５℃である。
【００３６】
【表１】
2019160484.tif 000003
【００３７】
【表２】
2019160484.tif 000004
アノード１４１は電解めっき液１３９の中に浸漬されている。アノード１４１は、例えば、銅湯から作製した溶融銅を圧延鋳造したものである。あるいは、アノード１４１は、以下のように製造されたものであってもよい。粗銅をアノードとし、ステンレス又はチタンをカソードとして種板電解を行う。カソード表面に析出した純銅板を剥ぎ取って、アノード１４１とする。電源ユニット１４３は、アノード１４１と、後述するボビン１６５、１６９との間に直流電圧を印加する。
【００３８】
搬送ユニット１１５は、複数のボビン１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５、１５７、１５９、１６１、１６３、１６５、１６７、１６９を備える。以下ではこれらをまとめてボビン群と呼ぶこともある。ボビン１６５、１６９は導電性を有する。ボビン１６７は絶縁性を有する。
【００３９】
ボビン群は、基本的に、図３に示す搬送方向Ｄに沿って直列に配置されている。搬送方向Ｄは、脱脂ユニット１０３から、表面改質ユニット１０５、第１活性化ユニット１０７、第２活性化ユニット１０９、及び無電解めっきユニット１１１を順次経て、電解めっきユニット１１３に向かう方向である。
【００４０】
ボビン１４７の一部は脱脂液１１９に浸漬されている。ボビン１５１の一部は処理液１２３に浸漬されている。ボビン１５５の一部は第１活性化液１２７に浸漬されている。ボビン１５９の一部は第２活性化液１３１に浸漬されている。ボビン１６３の一部は無電解めっき液１３５に浸漬されている。ボビン１６７の全体は電解めっき液１３９に浸漬されている。
【００４１】
２．ケーブル製造装置が実行するケーブルの製造方法
ケーブルの製造方法は、前処理の工程と、めっき処理の工程とを有する。
（２−１）前処理の工程
前処理の工程は、前処理ユニット１を用いて行う。導入リール５、送出リール７、及び引取リール９を、それぞれＲ方向に回転させ、未めっきケーブル２３を搬送方向Ｔに搬送する。搬送速度は、０．２〜５ｍ／ｍｉｎが好ましく、１〜５ｍ／ｍｉｎが一層好ましい。
【００４２】
未めっきケーブル２３を搬送しているとき、ドライアイスブラスト装置１７は、ドライアイスの粒子を連続的に射出する状態とする。また、未めっきケーブル２３を搬送しているとき、シャッターユニット１９は、遮蔽状態と、開放状態とを周期的に繰り返す。
【００４３】
前処理工程が終了し、巻取コイル１１に巻き取られた未めっきケーブル２３(以下では前処理済みケーブル５６とする）の外周面２７Ａには、図６に示すように、第１領域５７と、第２領域５９とが、前処理済みケーブル５６の長手方向に沿って交互に形成される。第１領域５７は、シャッターユニット１９が遮蔽状態のときに貫通孔３９、４１の下を通過した領域である。第１領域５７は、ドライアイスブラスト処理を受けていない。第１領域５７は、第２領域５９よりも、表面粗さが小さく、撥水性が小さい。
【００４４】
第２領域５９は、シャッターユニット１９が開放状態のときに貫通孔３９、４１の下を通過した領域である。第２領域５９は、ドライアイスブラスト処理を受けている。第２領域５９は、第１領域５７よりも、表面粗さが大きく、撥水性が大きい。第２領域５９の幅は、例えば、２０ｍｍ程度とすることができる。
【００４５】
第１領域５７の状態を表す写真を図８Ａに示す。第２領域５９の状態を表す写真を図８Ｂに示す。第１領域５７と第２領域５９との境界付近の状態を表す写真を図９に示す。第２領域５９は、第１領域５７よりも、表面粗さが大きい。
【００４６】
第１領域５７上の滴下水を図１０Ａに示す。第２領域５９上の滴下水を図１０Ｂに示す。第２領域５９は、第１領域５７よりも撥水性が大きい。
（２−２）めっき処理の工程
めっき処理は、めっきユニット３を用いて行う。搬送ユニット１１５は、ボビン群により、前処理済みケーブル５６を搬送方向Ｄに沿って連続的に搬送する。
【００４７】
搬送される前処理済みケーブル５６は、まず、脱脂ユニット１０３において脱脂液１１９に３〜５分間浸漬される。このとき、外周面２７Ａ表面に付着していた油脂が除去される。
【００４８】
次に、前処理済みケーブル５６は、表面改質ユニット１０５において、処理液１２３に８〜１５分間浸漬される。
次に、前処理済みケーブル５６は、第１活性化ユニット１０７において、第１活性化液１２７に１〜３分間浸漬される。このとき、外周面２７Ａに触媒層が形成される。
【００４９】
次に、前処理済みケーブル５６は、第２活性化ユニット１０９において、第２活性化液１３１に３〜６分間浸漬される。このとき、触媒層の表面が洗浄される。
次に、前処理済みケーブル５６は、無電解めっきユニット１１１において、無電解めっき液１３５に浸漬される。浸漬時間は、例えば、１０分間以下である。このとき、外周面２７Ａに無電解めっき層が形成される。無電解めっき液１３５中の浸漬時間が長いほど、無電解めっき層の厚みは大きくなる。
【００５０】
次に、前処理済みケーブル５６は、電解めっきユニット１１３において、電解めっき液１３９に浸漬される。浸漬時間は、例えば、３分間以下である。このとき、無電解めっき層の外周面に電解めっき層が形成される。無電解めっき層及び電解めっき層はシールド層に対応する。電解めっき液１３９中の浸漬時間が長いほど、電解めっき層の厚みは大きくなる。電解めっきユニット１１３における電解めっきの具体的な条件は表３に示すとおりである。
【００５１】
【表３】
2019160484.tif 000005
なお、図３では記載を省略しているが、各ユニットの間では、前処理済みケーブル５６を純水で洗浄する。洗浄の方法として、超音波洗浄、揺動洗浄、流水洗浄等がある。純水で洗浄することにより、前のユニットで付着した残留薬剤が後のユニットに持ち込まれることを抑制できる。
【００５２】
以上の工程により、図７に示す信号伝送用ケーブル６１が完成する。信号伝送用ケーブル６１は、外周面２７Ａのうち、第１領域５７に選択的にめっき層６３が形成されている。外周面２７Ａのうち、第２領域５９にはめっき層６３は形成されていない。
【００５３】
図１１は、信号伝送用ケーブル６１のうち、第１領域５７と第２領域５９との境界付近を表す写真である。第１領域５７にはめっき層６３が形成されている。第２領域５９にはめっき層６３が形成されていない。
【００５４】
信号伝送用ケーブル６１は、例えば、電子機器間の信号伝送、又は、電子機器内の基板間の信号伝送等に使用することができる。電子機器として、例えば、数Ｇｂｐｓ以上の高速信号を扱うサーバ、ルータ、ストレージ製品等が挙げられる。また、信号伝送用ケーブル６１は、例えば、音響用ケーブルとして使用することができる。信号伝送用ケーブル６１は、例えば、２５ＧＨｚ以上の高速信号を伝送するケーブルである。
【００５５】
３．ケーブル製造装置及びケーブル製造方法が奏する効果
（１Ａ）本開示のケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法により製造した信号伝送用ケーブル６１には、めっき層６３が形成された部分と、めっき層６３が形成されていない部分とが、信号伝送用ケーブル６１の長手方向に沿って交互に存在する。めっき層が形成されていない部分はマーキングとして機能する。よって、本開示のケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法は、製造した信号伝送用ケーブル６１にマーキングを形成することができる。
【００５６】
（１Ｂ）本開示のケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法は、外周面２７Ａを汚染するおそれがある処理を必ずしも行わなくても、マーキングを形成することができる。そのため、信号伝送用ケーブル６１では、絶縁体層２７とめっき層６３との密着性が高い。
【００５７】
（１Ｃ）本開示のケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法によれば、信号伝送用ケーブル６１の伝送特性が劣化しにくい。
それに対し、例えば、絶縁体層へレーザを照射することによりマーキングを行う場合は、絶縁体層が熱変質し、絶縁体層の誘電率が変化する。その結果、信号伝送用ケーブルの伝送特性が劣化する。
【００５８】
（１Ｄ）本開示のケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法によれば、絶縁体層２７が変形し難い。その結果、信号伝送用ケーブル６１の製造工程において、信号伝送用ケーブル６１を適切に搬送することが容易になる。
【００５９】
それに対し、絶縁体層２７に打刻することによりマーキングを行う場合は、打刻によって絶縁体層が変形してしまう。その結果、信号伝送用ケーブルの製造工程において、信号伝送用ケーブルを適切に搬送することが困難になる。
＜他の実施形態＞
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上述の実施形態に限定されることなく、種々変形して実施することができる。
【００６０】
（１）ドライアイスブラスト装置１７の代わりに、他の表面改質ユニットを用いて、第２領域５９を選択的に粗化及び撥水化してもよい。他の表面改質ユニットは、粗化及び撥水化のうち、一方のみを行ってもよい。
【００６１】
（２）前処理ユニット１は、シャッターユニット１９以外の手段により、ドライアイスブラスト処理を制御してもよい。例えば、ドライアイス射出ノズル２９を開閉することにより、第２領域５９に選択的にドライアイスブラスト処理を行ってもよい。
【００６２】
また、ドライアイスブラスト装置１７へのドライアイスの供給を断続することにより、第２領域５９に選択的にドライアイスブラスト処理を行ってもよい。
（３）前処理ユニット１は、ドライアイスブラスト装置１７の代わりに、外周面２７Ａを親水化する表面改質ユニットを備えていてもよい。この場合、第１領域５７に対し、選択的に表面改質処理を行い、第２領域５９に対しては、表面改質処理を行わないようにすることができる。その結果、第１領域５７が選択的に親水化される。
【００６３】
第１領域５７は、シャッターユニット１９が開放状態のときに貫通孔３９、４１の下を通過した領域である。第２領域５９は、シャッターユニット１９が遮蔽状態のときに貫通孔３９、４１の下を通過した領域である。
【００６４】
外周面２７Ａを親水化する表面改質ユニットとして、例えば、コロナ放電暴露、プラズマ暴露、紫外線照射、及び電子線照射等を行うものが挙げられる。
第１領域５７が選択的に親水化する場合でも、第１領域５７に選択的にめっき層を形成し、第２領域５９にはめっき層が形成されないようにすることができる。
【００６５】
（４）上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【００６６】
（５）上述したケーブルの製造装置及びケーブルの製造方法の他、当該ケーブルの製造装置を構成要素とするシステム、当該ケーブルの製造装置の制御部としてコンピュータを機能させるためのプログラム、このプログラムを記録した半導体メモリ等の非遷移的実態的記録媒体、ケーブルの表面改質方法等、種々の形態で本開示を実現することもできる。
【符号の説明】
【００６７】
１…前処理ユニット、３…めっきユニット、５…導入リール、７…送出リール、９…引取リール、１１…巻取コイル、１３…送出ガイド治具、１５…引取ガイド治具、１７…ドライアイスブラスト装置、１９…シャッターユニット、２１…支持部、２３…未めっきケーブル、２５…信号線、２７…絶縁体層、２７Ａ…外周面、２９…ドライアイス射出ノズル、３１、３３…固定板、３５…シャッター、３７…空間、３９、４１…貫通孔、４３…ローラ、４５…制御部、４７…リール駆動部、４９…シャッター駆動部、５３…ＣＰＵ、５５…メモリ、５６…前処理済みケーブル、５７…第１領域、５９…第２領域、６１…信号伝送用ケーブル、６３…めっき層、１０３…脱脂ユニット、１０５…表面改質ユニット、１０７…第１活性化ユニット、１０９…第２活性化ユニット、１１１…無電解めっきユニット、１１３…電解めっきユニット、１１５…搬送ユニット、１１７…脱脂槽、１１９…脱脂液、１２１…処理槽、１２３…処理液、１２５…第１活性化槽、１２７…第１活性化液、１２９…第２活性化槽、１３１…第２活性化液、１３３…無電解めっき槽、１３５…無電解めっき液、１３７…電解めっき槽、１３９…電解めっき液、１４１…アノード、１４３…電源ユニット、１４５、１４７、１４９、１５１、１５３、１５５、１５７、１５９、１６１、１６３、１６５、１６７、１６９…ボビン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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