(57)【要約】【課題】色純度と発光効率に優れた発光素子を備え、色再現性に優れた高精細な表示装置、ならびに表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】表示装置は、第１の画素、および第１の画素に隣接する第２の画素を有する。第１の画素は、第１の画素電極、第１の画素電極上に位置し、第１の画素と第２の画素にわたって延在する第１のホール輸送層、記第１のホール輸送層上の第１の発光層、および第１の発光層上に位置し、第１の画素と第２の画素にわたって延在する対向電極を備える。第２の画素は、第２の画素電極、第２の画素電極上の第１のホール輸送層、第１のホール輸送層上の第２のホール輸送層、第２のホール輸送層上の第２の発光層、および第２の発光層上の対向電極を備える。第１のホール輸送層の屈折率は、第２のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第１の発光層の発光波長は、第２の発光層の発光波長よりも短い。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素、および
前記第１の画素に隣接する第２の画素を有し、
前記第１の画素は、
第１の画素電極、
前記第１の画素電極上に位置し、前記第１の画素と前記第２の画素にわたって延在する第１のホール輸送層、
前記第１のホール輸送層上の第１の発光層、および
前記第１の発光層上に位置し、前記第１の画素と前記第２の画素にわたって延在する対向電極を備え、
前記第２の画素は、
第２の画素電極、
前記第２の画素電極上の前記第１のホール輸送層、
前記第１のホール輸送層上の第２のホール輸送層、
前記第２のホール輸送層上の第２の発光層、および
前記第２の発光層上の前記対向電極を備え、
前記第１のホール輸送層の屈折率は、前記第２のホール輸送層の屈折率よりも大きく、
前記第１の発光層の発光波長は、前記第２の発光層の発光波長よりも短い表示装置。
【請求項２】
前記第２のホール輸送層のホール移動度は、前記第１のホール輸送層のホール移動度よりも高い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の発光層は、前記第１の画素において前記第１のホール輸送層と接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１のホール輸送層上に、前記第１の画素と前記第２の画素にわたって延在する電子ブロック層をさらに含み、
前記電子ブロック層は、前記第１のホール輸送層と前記第１の発光層の間、および前記第２のホール輸送層と前記第２の発光層の間に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１の画素は、前記第２のホール輸送層を含まない、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２の画素と隣接する第３の画素を有し、
前記第３の画素は、
第３の画素電極、
前記第３の画素電極上に位置し、前記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素にわたって延在する前記第１のホール輸送層、
前記第１のホール輸送層上の第３のホール輸送層、
前記第３のホール輸送層上の第３の発光層、ならびに
前記第３の発光層上に位置し、記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素にわたって延在する前記対向電極を備え、
前記第３のホール輸送層の屈折率は、前記第１のホール輸送層の前記屈折率よりも小さく、前記第２のホール輸送層の前記屈折率と同一であり、
前記第３の発光層の発光波長は、前記第２の発光層の発光波長よりも長い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２のホール輸送層と前記第３のホール輸送層は同一の化合物を含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３のホール輸送層のホール移動度は、前記第１のホール輸送層のホール移動度よりも高く、前記第２のホール輸送層のホール移動度と同一である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２の画素に隣接する第３の画素をさらに有し、
前記第３の画素は、
第３の画素電極、
前記第３の画素電極上に位置し、前記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素にわたって延在する前記第１のホール輸送層、
前記第１のホール輸送層上に位置し、前記第２の画素と前記第３の画素にわたって延在する前記第２のホール輸送層、
前記第２のホール輸送層上の第３のホール輸送層、
前記第３のホール輸送層上の第３の発光層、ならびに
前記第３の発光層上に位置し、前記第１の画素、前記第２の画素、および前記第３の画素にわたって延在する前記対向電極を備え、
前記第３のホール輸送層の屈折率は、前記第１のホール輸送層の前記屈折率よりも小さく、前記第２のホール輸送層の前記屈折率と同一であり、
前記第３の発光層の発光波長は、前記第２の発光層の発光波長よりも長い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２のホール輸送層と前記第３のホール輸送層は同一の化合物を含む、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第３のホール輸送層のホール移動度は、前記第１のホール輸送層のホール移動度よりも高く、前記第２のホール輸送層のホール移動度と同一である、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の画素と前記第２の画素が位置する基板をさらに有し、
前記第１のホール輸送層に含まれる材料の分子は、前記基板の主面に平行な方向に配向する、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
第１の画素電極と、前記第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を形成すること、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、
前記第２の画素電極を覆い、かつ、前記第１の画素電極上で前記第１のホール輸送層が露出するように第２のホール輸送層を前記第１のホール輸送層上に形成すること、
前記第１のホール輸送層を介して前記第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、
前記第１のホール輸送層と前記第２のホール輸送層を介して前記第２の画素電極上に第２の発光層を形成すること、ならびに
前記第１の発光層と前記第２の発光層上に対向電極を形成することを含み、
前記第１のホール輸送層の屈折率は、前記第２のホール輸送層の屈折率よりも大きく、
前記第１の発光層の発光波長は、前記第２の発光層の発光波長よりも短い、表示装置の作製方法。
【請求項１４】
前記第２のホール輸送層のホール移動度は、前記第１のホール輸送層のホール移動度よりも高い、請求項１３に記載の作製方法。
【請求項１５】
前記第１の発光層の形成は、前記第１の画素電極上において前記第１の発光層が前記第１のホール輸送層と接するように行う、請求項１３に記載の作製方法。
【請求項１６】
前記第１の発光層と前記第２の発光層の形成前に、前記第１の画素電極上において前記第１のホール輸送層と接し、前記第２の画素電極上において前記第２のホール輸送層と接するように電子ブロック層を形成することをさらに含む、請求項１３に記載の作製方法。
【請求項１７】
第１の画素電極、前記第１の画素電極に隣接する第２の画素電極、および前記第２の画素電極に隣接する第３の画素電極を形成すること、
前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、および前記第３の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、
前記第２の画素電極を覆い、かつ、前記第１の画素電極と前記第３の画素電極上で前記第１のホール輸送層が露出するように第２のホール輸送層を前記第１のホール輸送層上に形成すること、
前記第３の画素電極を覆い、かつ、前記第１の画素電極上で前記第１のホール輸送層が露出し、前記第２の画素電極上で前記第２のホール輸送層が露出するように第３のホール輸送層を前記第１のホール輸送層上に形成すること、
前記第１のホール輸送層を介して前記第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、
前記第１のホール輸送層と前記第２のホール輸送層を介して前記第２の画素電極上に第２の発光層を形成すること、
前記第１のホール輸送層と前記第３のホール輸送層を介して前記第３の画素電極上に第３の発光層を形成すること、ならびに
前記第１の発光層、前記第２の発光層、および前記第３の発光層上に対向電極を形成することを含み、
前記第１のホール輸送層の屈折率は、前記第２のホール輸送層の屈折率と前記第３のホール輸送層の屈折率よりも大きく、
前記第２の発光層の発光波長は、前記第１の発光層の発光波長よりも長く、前記第３の発光層の発光波長よりも短い、表示装置の作製方法。
【請求項１８】
前記第２のホール輸送層のホール移動度と前記第３のホール輸送層のホール移動度は同一であり、かつ、前記第１のホール輸送層のホール移動度よりも高い、請求項１７に記載の作製方法。
【請求項１９】
前記第１の発光層の形成は、前記第１の画素電極上において前記第１の発光層が前記第１のホール輸送層と接するように行う、請求項１７に記載の作製方法。
【請求項２０】
前記第１の発光層、前記第２の発光層、および前記第３の発光層の形成前に、前記第１の画素電極上において前記第１のホール輸送層と接し、前記第２の画素電極上において前記第２のホール輸送層と接し、前記第３の画素電極上において前記第３のホール輸送層と接するように電子ブロック層を形成することをさらに含む、請求項１７に記載の作製方法。
【請求項２１】
前記第１の画素電極を、基板の上に形成し、
前記第１のホール輸送層に含まれる材料の分子を、前記基板の主面に平行な方向に配向して、前記第１のホール輸送層を形成する、請求項１３から請求項２０のいずれか１項に記載の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、発光素子を有する表示装置、およびその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された複数の有機発光素子（以下、発光素子）を有し、各発光素子は一対の電極（陰極、陽極）間に有機化合物を含む電界発光層（以下、ＥＬ層と記す）を基本構造として有している。一対の電極間に電位差を与えることで陽極と陰極からＥＬ層に対してそれぞれホールと電子が供給される。ホールと電子はＥＬ層内で再結合して有機化合物の励起状態を形成する。この励起状態が基底状態に輻射失活する際の発光を利用することで、発光素子としての機能が発現される。
【０００３】
発光素子の効率や発光色は、ＥＬ層の構造やＥＬ層に含まれる発光材料によって制御される。例えば、発光材料を適宜選択することによって種々の色の発光を得ることができる。また、発光素子内部、あるいは外部における光の干渉効果を利用することで、正面方向の発光強度を増大させるとともに発光スペクトルを狭線化することもできる。例えば特許文献１では、発光波長の異なる発光素子ごとにＥＬ層に含まれるホール輸送層の厚さを調整し、これによってＥＬ層と一対の電極によって形成される共振構造を制御することが開示されている。この方法により、発光素子ごとに発光強度や発光色の最適化が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３２３２７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態の一つは、色純度と発光効率に優れた発光素子を備え、色再現性に優れた高精細な表示装置、および表示装置の作製方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、第１の画素、および第１の画素に隣接する第２の画素を有する。第１の画素は、第１の画素電極、第１の画素電極上に位置し、第１の画素と第２の画素にわたって延在する第１のホール輸送層、第１のホール輸送層上の第１の発光層、および第１の発光層上に位置し、第１の画素と第２の画素にわたって延在する対向電極を備える。第２の画素は、第２の画素電極、第２の画素電極上の第１のホール輸送層、第１のホール輸送層上の第２のホール輸送層、第２のホール輸送層上の第２の発光層、および第２の発光層上の対向電極を備える。第１のホール輸送層の屈折率は第２のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第１の発光層の発光波長は第２の発光層の発光波長よりも短い。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、第１の画素電極と、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極を形成すること、第１の画素電極と第２の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、第２の画素電極を覆い、かつ、第１の画素電極上で第１のホール輸送層が露出するように第２のホール輸送層を第１のホール輸送層上に形成すること、第１のホール輸送層を介して第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、第１のホール輸送層と第２のホール輸送層を介して第２の画素電極上に第２の発光層を形成すること、ならびに第１の発光層と第２の発光層上に対向電極を形成することを含む。第１のホール輸送層の屈折率は第２のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第１の発光層の発光波長は第２の発光層の発光波長よりも短い。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、第１の画素電極、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極、および第２の画素電極に隣接する第３の画素電極を形成すること、第１の画素電極、第２の画素電極、および第３の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、第２の画素電極を覆い、かつ、第１の画素電極と第３の画素電極上で第１のホール輸送層が露出するように第２のホール輸送層を第１のホール輸送層上に形成すること、第３の画素電極を覆い、かつ、第１の画素電極上で第１のホール輸送層が露出し、第２の画素電極上で第２のホール輸送層が露出するように第３のホール輸送層を第１のホール輸送層上に形成すること、第１のホール輸送層を介して第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、第１のホール輸送層と第２のホール輸送層を介して第２の画素電極上に第２の発光層を形成すること、第１のホール輸送層と第３のホール輸送層を介して第３の画素電極上に第３の発光層を形成すること、ならびに第１の発光層、第２の発光層、および第３の発光層上に対向電極を形成することを含む。第１のホール輸送層の屈折率は、第２のホール輸送層の屈折率と第３のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第２の発光層の発光波長は、第１の発光層の発光波長よりも長く、第３の発光層の発光波長よりも短い。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、第１の画素電極、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極、および第２の画素電極に隣接する第３の画素電極を形成すること、第１の画素電極、第２の画素電極、および第３の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、第２の画素電極と第３の画素電極を覆い、かつ、第１の画素電極上で第１のホール輸送層が露出するように第２のホール輸送層を第１のホール輸送層上に形成すること、第３の画素電極を覆い、かつ、第１の画素電極上で第１のホール輸送層が露出し、第２の画素電極上で第２のホール輸送層が露出するように第３のホール輸送層を第２のホール輸送層上に形成すること、第１のホール輸送層を介して第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、第１のホール輸送層と第２のホール輸送層を介して第２の画素電極上に第２の発光層を形成すること、第１のホール輸送層、第２のホール輸送層、および第３のホール輸送層を介して第３の画素電極上に第３の発光層を形成すること、ならびに第１の発光層、第２の発光層、および第３の発光層上に対向電極を形成することを含む。第１のホール輸送層の屈折率は、第２のホール輸送層の屈折率と第３のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第２の発光層の発光波長は、第１の発光層の発光波長よりも長く、第３の発光層の発光波長よりも短い。
【００１０】
本発明の実施形態の一つは、表示装置の作製方法である。この作製方法は、第１の画素電極、第１の画素電極に隣接する第２の画素電極、および第２の画素電極に隣接する第３の画素電極を形成すること、第１の画素電極、第２の画素電極、および第３の画素電極を覆うように第１のホール輸送層を形成すること、第１のホール輸送層を介して第１の画素電極上に第１の発光層を形成すること、第２の画素電極を選択的に覆うように第２のホール輸送層と第２の発光層を第１のホール輸送層上に連続的に形成すること、第３の画素電極を選択的に覆うように第３のホール輸送層と第３の発光層を第１のホール輸送層上に形成すること、ならびに第１の発光層、第２の発光層、および第３の発光層上に対向電極を形成することを含む。第１のホール輸送層の屈折率は、第２のホール輸送層の屈折率と第３のホール輸送層の屈折率よりも大きく、第２の発光層の発光波長は、第１の発光層の発光波長よりも長く、第３の発光層の発光波長よりも短い。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の上面模式図。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置の表示素子の断面模式図。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の表示素子の断面模式図。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置の表示素子の断面模式図。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置の表示素子の断面模式図。
【図６】本発明の実施形態に係る表示装置の画素の等価回路の一例。
【図７】本発明の実施形態に係る表示装置の断面模式図。
【図８】本発明の実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図９】本発明の実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１０】本発明の実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【図１１】本発明の実施形態に係る表示装置の作製方法を説明する断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１３】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１４】
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行って複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１５】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１６】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置１００、および表示装置１００に含まれる発光素子１０５の構造を説明する。
【００１８】
［１．全体構造］
図１に表示装置１００の上面模式図を示す。表示装置１００は基板１０２を有し、その上にパターニングされた種々の絶縁膜、半導体膜、導電膜を有する。これらの絶縁膜、半導体膜、導電膜により、複数の画素１０４や画素１０４を駆動するための駆動回路（走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０）が形成される。複数の画素１０４によって表示領域１０６が定義される。後述するように、各画素１０４に発光素子１０５が配置される。
【００１９】
走査線側駆動回路１０８や信号線側駆動回路１１０は、表示領域１０６外（周辺領域、あるいは額縁領域）に配置される。表示領域１０６や走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０からはパターニングされた導電膜で形成される種々の配線１１２が基板１０２の一辺へ延び、配線１１２は基板１０２の端部付近で露出されて端子（図示せず）を形成する。これらの端子はフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）１１４と電気的に接続される。ここで示した例では、ＦＰＣ１１４上に、半導体基板上に形成された集積回路を有する駆動ＩＣ１１６がさらに搭載される。駆動ＩＣ１１６、ＦＰＣ１１４を介して外部回路（図示しない）から映像信号や電源が供給され、映像信号や電源は配線１１２を通して表示領域１０６、走査線側駆動回路１０８、信号線側駆動回路１１０へ与えられる。駆動回路や駆動ＩＣ１１６の態様については図１に示したそれに限られず、例えば駆動ＩＣ１１６は基板１０２上に実装されても良いし、信号線側駆動回路１１０の機能が駆動ＩＣ１１６に統合されていても良い。
【００２０】
［２．発光素子の構造］
表示装置１００には、異なる発光色を与える複数の発光素子１０５が設けられ、各画素１０４にこれらの発光素子１０５のいずれか一つが配置される。図２（Ａ）に示すように、例えば各画素には、青色発光、緑色発光、および赤色発光を与える発光素子１０５のいずれかが配置される。このように三原色の発光を与える複数の発光素子１０５を制御することで、フルカラー表示が可能となる。発光素子１０５の発光色には制約は無く、例えば白色発光を与える発光素子をさらに設けてもよい。
【００２１】
図２（Ａ）は、隣接する三つの画素（以下、第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃ）にそれぞれ異なる発光色を与える第１の発光素子１０５ａ、第２の発光素子１０５ｂ、第３の発光素子１０５ｃが配置された例を示す。ここでは、発光素子１０５の断面構造が模式的に示されている。ここで示した例では、第２の発光素子１０５ｂの発光波長は、第１の発光素子１０５ａのそれよりも長く、第３の発光素子１０５ｃのそれよりも短い。例えば第１の発光素子１０５ａ、第２の発光素子１０５ｂ、第３の発光素子１０５ｃはそれぞれ、青色発光、緑色発光、赤色発光を与えるよう、発光素子１０５を構成することができる。本明細書では、青色発光とは４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光であり、緑色発光とは５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光であり、赤色発光とは６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲に発光ピーク波長を有する発光である。
【００２２】
各発光素子１０５は画素電極１２０を備える。ここでは便宜上、第１の発光素子１０５ａ、第２の発光素子１０５ｂ、第３の発光素子１０５ｃの画素電極をそれぞれ第１の画素電極１２０ａ、第２の画素電極１２０ｂ、第３の画素電極１２０ｃと呼ぶ。画素電極１２０は陽極、あるいは陰極として機能することができるが、以下の説明では画素電極１２０は陽極として機能する場合を説明する。第１の画素電極１２０ａ、第２の画素電極１２０ｂ、第３の画素電極１２０ｃにはそれぞれ独立して電位が供給されるよう、画素１０４が構成される。
【００２３】
各発光素子１０５は、画素電極１２０と重なる対向電極１３８を備える。対向電極１３８も陽極、あるいは陰極として機能することができるが、以下の説明では対向電極１３８が陰極として機能する場合を説明する。対向電極１３８は第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃにわたって延在する。すなわち、対向電極１３８は第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃにわたって連続的に設けられ、これらの画素によって共有される。したがって、複数の画素１０４において対向電極１３８には同一の電位が印加される。各画素１０４では、画素電極１２０と対向電極１３８の間に種々の機能層が設けられ、画素電極１２０と対向電極１３８から機能層に対してホールと電子がそれぞれ注入される。なお、本明細書と請求項では、ＥＬ層とは、画素電極１２０と対向電極１３８に挟持される機能層の全体を指す。
【００２４】
図２（Ａ）に示すように、第１の画素１０４ａには、第１のホール輸送層１２４、および第１のホール輸送層１２４上の第１の発光層１２８ａが設けられる。すなわち、第1の画素１０４ａには一つのホール輸送層が設けられる。任意の構成として、第１の画素１０４ａは、第１の画素電極１２０ａに接するホール注入層１２２、第１の発光層１２８ａ上の電子輸送層１３２、電子輸送層１３２上の電子注入層１３４を有してもよい。第１の画素１０４ａにはさらに、第１の発光層１２８ａと電子輸送層１３２の間にホールブロック層１３０を設けてもよい。
【００２５】
一方、第２の画素１０４ｂには二つの積層したホール輸送層が配置される。具体的には、第２の画素１０４ｂは、第１のホール輸送層１２４に加え、第１のホール輸送層１２４と接する第２のホール輸送層１２６ｂが第１のホール輸送層１２４上に設けられ、その上に第２の発光層１２８ｂが形成される。第１の画素１０４ａと同様、第２の画素１０４ｂにも任意の構成として、ホール注入層１２２や電子輸送層１３２、電子注入層１３４、ホールブロック層１３０などを設けてもよい。
【００２６】
第２の画素１０４ｂと同様、第３の画素１０４ｃも複数のホール輸送層が形成される。すなわち、第１のホール輸送層１２４と接するように第３のホール輸送層１２６ｃが第１のホール輸送層１２４上に配置され、その上に第３の発光層１２８ｃが設けられる。第３のホール輸送層１２６ｃの厚さＴ3は、第２のホール輸送層１２６bの厚さＴ2よりも大きい。第１の画素１０４ａと同様、第３の画素１０４ｃにも任意の構成として、ホール注入層１２２や電子輸送層１３２、電子注入層１３４、ホールブロック層１３０などを形成してもよい。
【００２７】
このように、第１の画素１０４ａには第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃを設けず、第２のホール輸送層１２６ｂは第２の画素１０４ｂ内に選択的に配置し、第３のホール輸送層１２６ｃを第３の画素１０４ｃ内に選択的に配置することができる。この場合、第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃはそれぞれ第２の画素１０４ｂと第３の画素１０４ｃ内に閉じ込められる。したがって、図２（Ａ）に示した例では、第１の発光素子１０５ａ内では、第１のホール輸送層１２４と第１の発光層１２８ａとは第１の画素電極１２０ａ上において接し、第２の発光層１２８ｂと第３の発光層１２８ｃはそれぞれ、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃを介して第１のホール輸送層１２４上に設けられる。
【００２８】
しかしながら、発光素子１０５の構造はこれに限定されず、例えば電子ブロック層１３６を第１のホール輸送層１２４上に設けてもよい。すなわち図２（Ｂ）に示すように、第１の画素１０４ａでは第１のホール輸送層１２４と第１の発光層１２８ａの間に、これらに接するように電子ブロック層１３６を設けることができる。この場合、第２の画素１０４ｂでは第２のホール輸送層１２６ｂと第２の発光層１２８ｂの間に電子ブロック層１３６が設けられ、第３の画素１０４ｃでは第３のホール輸送層１２６ｃと第３の発光層１２８ｃの間に電子ブロック層１３６が設けられる。
【００２９】
あるいは図２（Ｃ）に示すように、ホールブロック層１３０を設けない構成を採用することもできる。この場合、各画素１０４において、発光層１２８と電子輸送層１３２が互いに接する。
【００３０】
画素１０４間の構造を含む表示装置１００の断面模式図を図３（Ａ）に示す。図３（Ａ）に示した発光素子１０５の構造は図２（Ａ）のそれに対応するが、ここでは見やすさを考慮し、電子注入層１３４は示していない。図３（Ａ）に示すように、画素電極１２０は絶縁表面１４２上に設けられる。絶縁表面１４２は、例えば基板１０２や基板１０２上に設けられる絶縁膜によって構成される面である。隣接する画素電極１２０の間には隔壁１４０が設けられる。隔壁１４０は絶縁膜であり、隣接する画素電極１２０間を絶縁するとともに、画素電極１２０の端部に起因する凹凸を緩和する機能を有する。
【００３１】
ホール注入層１２２や第１のホール輸送層１２４は、第１の画素電極１２０ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃにわたって連続的に設けることができる。したがって、ホール注入層１２２や第１のホール輸送層１２４は隔壁１４０の上面も覆い、第１の画素電極１２０ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃによって共有される。同様に、ホールブロック層１３０や電子輸送層１３２、電子注入層１３４、および対向電極１３８も第１の画素電極１２０ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃにわたって連続的に設けることができる。したがって、これらも第１の画素電極１２０ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃによって共有される。電子ブロック層１３６を設ける場合、図３（Ｂ）に示すように、電子ブロック層１３６は第１の画素電極１２０ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃにわたって連続的に設けられる。
【００３２】
これに対し、上述したように、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃはそれぞれ第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃ内に選択的に形成することができる。この場合、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃは第１の画素１０４ａに含まれない。また、第２のホール輸送層１２６ｂは第１の画素１０４ａや第３の画素１０４ｃに含まれず、第３のホール輸送層１２６ｃは第１の画素１０４ａや第２の画素１０４ｂに含まれない。同様に、各発光層１２８も対応する画素１０４内に選択的に形成される。第１の画素１０４ａでは、第１の発光層１２８ａは第１のホール輸送層１２４を介して第１の画素電極１２０ａと重なる。第２の画素１０４ｂでは、第２の発光層１２８ｂは第１のホール輸送層１２４と第２のホール輸送層１２６ｂを介して第２の画素電極１２０ｂと重なる。第３の画素１０４ｃでは、第３の発光層１２８ｃは第１のホール輸送層１２４と第３のホール輸送層１２６ｃを介して第３の画素電極１２０ｃと重なる。
【００３３】
あるいは、図４に示すように、第２のホール輸送層１２６ｂは、第１の画素１０４ａには配置されないものの、第２の画素１０４ｂと第３の画素１０４ｃにわたって延在するように設けてもよい。この場合、第２のホール輸送層１２６ｂは第２の画素１０４ｂと第３の画素１０４ｃによって共有され、第３の画素１０４ｃにおいて第３のホール輸送層１２６ｃは、第１のホール輸送層１２４と第２のホール輸送層１２６ｂを介して第３の画素電極１２０ｃと重なる。
【００３４】
［３．材料］
３−１．画素電極
画素電極１２０は、ＥＬ層にホールを注入するために設けられる電極であり、その表面が比較的高い仕事関数を有することが好ましい。具体的な材料としてはインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの可視光を透過可能な導電性酸化物が挙げられ、これらにはさらにケイ素が含まれていてもよい。この構造によって、発光層１２８から得られる発光を画素電極１２０を通じて取り出すことができる。一方、発光層１２８から得られる発光を対向電極１３８を通して取り出す場合、画素電極１２０は銀やアルミニウムなどの可視光の反射率が高い金属を含む膜をさらに含んでもよい。例えば画素電極１２０は、導電性酸化物を含む第１の導電膜、銀、アルミニウムなどの金属を含む第２の導電膜、導電性酸化物を含む第３の導電膜がこの順に積層された構造を有することができる。
３−２．ホール注入層
ホール注入層１２２には画素電極１２０からホールが注入しやすい、すなわち酸化されやすい化合物（電子供与性化合物）を用いることができる。換言すると最高占有分子軌道（ＨＯＭＯ）準位の浅い化合物を用いることができる。例えばベンジジン誘導体やトリアリールアミンなどの芳香族アミン、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体などを用いることができる。あるいは、ポリチオフェンやポリアニリン誘導体を用いることができ、一例としてポリ（２，３−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）が挙げられる。あるいは、上述した芳香族アミンやカルバゾール誘導体、あるいは芳香族炭化水素などの電子供与性化合物と電子受容体との混合物を用いてもよい。電子受容体としては、酸化バナジウムや酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物や、含窒素ヘテロ芳香族化合物、シアノ基などの強い電子吸引基を有するヘテロ芳香族化合物などが挙げられる。これらの材料や混合物はイオン化ポテンシャルが小さいため、画素電極１２０からのホール注入障壁が小さく、表示装置１００の駆動電圧の低減に寄与する。
【００３５】
３−３．ホール輸送層
第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃは、ホール注入層１２２に注入されたホールを発光層１２８側へ輸送する機能を有する。これらの輸送層には、ホール注入層１２２で使用可能な材料と同様、あるいは類似する材料を用いることができる。例えば、ホール注入層１２２と比較して、ＨＯＭＯ準位が深いが、その差が約０．５ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいはそれ以下の材料を用いることができる。上述した材料は電子輸送性よりもホール輸送性が高いため、ホールを効率よく発光層１２８側へ輸送することができ、表示装置１００を低い電圧で駆動することを可能にする。
【００３６】
ここで、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の屈折率が、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料の屈折率よりも大きくなるよう、材料が選択される。より具体的には、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の屈折率と第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料の屈折率の差が０．０５以上０．３以下、０．１以上０．２以下、あるいは０．１以上０．１５以下となるよう、材料が選択される。第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料は互いに屈折率が同一でも良く、異なってもよい。あるいは、第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料は同一でもよい。
【００３７】
同時に、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料のホール移動度が、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料のホール移動度よりも小さくなるよう、材料が選択される。より具体的には、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料のホール移動度が、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料のホール移動度の２倍以上１００倍以下、５倍以上５０倍以下、あるいは１０倍以上２５倍以下となるよう、材料が選択される。
【００３８】
また、第１のホール輸送層１２４に用いる材料の分子、あるいは含まれる材料の分子は、水平方向に、あるいは基板１０２の主面に平行な方向に配向していることが望ましい。第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の分子が棒状の分子である場合、当該分子の長軸が水平方向に、あるいは基板１０２の主面に平行な方向に配向していることが望ましい。なお、当該分子が配向する方向は、略水平方向や、基板１０２の主面に略平行な方向でもよい。上記の方向に第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の分子の長軸が配向している場合、ランダムな方向に配向している場合と比べ、水平方向における、あるいは基板１０２の主面に平行な方向における第１のホール輸送層１２４の屈折率が大きくなる。また、水平方向、あるいは基板１０２の主面に平行な方向における第１のホール輸送層１２４の移動度が小さくなる。よって、第１のホール輸送層１２４において、略水平方向に、あるいは基板１０２の主面に略平行な方向に配向する分子の数が、他の方向に配向する分子の数よりも多くてもよい。
【００３９】
３−４．発光層
発光層１２８はホールと電子が再結合する空間を提供する層であり、この層に含まれる発光材料から発光が得られる。発光層１２８は単一の化合物で形成されていてもよく、あるいは、いわゆるホスト―ゲスト型の構成を有していもよい。ホスト―ゲスト型の場合、ホスト材料としては、例えばスチルベン誘導体、アントラセン誘導体などの縮合芳香族化合物、カルバゾール誘導体、キノリノール配位子を含む金属錯体、芳香族アミン、フェナントロリン誘導体などの含窒素ヘテロ芳香族化合物などを用いることができる。ゲストは発光材料として機能し、クマリン誘導体、ピラン誘導体、キノクリドン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、アントラセン誘導体などの蛍光材料、あるいはイリジウム系オルトメタル錯体などの燐光材料をゲストとして用いることができる。発光層１２８を単一の化合物で構成する場合、上述したホスト材料を用いることができる。この場合、ホスト材料が発光材料として働く。
【００４０】
本実施形態の表示装置１００では、第２の発光素子１０５ｂの発光波長が第１の発光素子１０５ａの発光波長よりも長く、第３の発光素子１０５ｃの発光波長よりも短くなるよう、発光層１２８の材料が選択される。例えば、第１の発光層１２８ａの発光材料が４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲に発光ピークを与え、第２の発光層１２８ｂの発光材料が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲に発光ピークを与え、第３の発光層１２８ｃの発光材料が６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲に発光ピークを与えるよう、発光材料が選択される。
【００４１】
３−５．ホールブロック層
ホールブロック層１３０は、画素電極１２０から注入されたホールが再結合に寄与することなく発光層１２８を通過して電子輸送層１３２へ注入されることを防ぐことでホールを発光層１２８内に閉じ込めるとともに、発光層１２８で得られる励起エネルギーが電子輸送層１３２内の分子にエネルギー移動することを防ぐ機能を有する。これにより、発光効率の低下を防ぐことができる。
【００４２】
ホールブロック層１３０には、ホール輸送性よりも電子輸送性が高い、あるいは同程度であり、発光層１２８内の分子よりもＨＯＭＯ準位が深く、バンドギャップが大きい材料を用いることが好ましい。具体的には、ホールブロック層１３０に含まれる分子のＨＯＭＯ準位と発光層１２８に含まれる分子のそれとの差は、０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上が好ましい。また、ホールブロック層１３０に含まれる分子のバンドギャップと発光層１２８に含まれる分子のそれとの差は０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上が好ましい。発光材料が燐光材料の場合、発光材料よりも０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上三重項準位の高い材料を用いることが好ましい。より具体的には、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）アルミニウムなどの比較的バンドギャップの大きい（例えば２．８ｅＶ以上）金属錯体などが挙げられる。
【００４３】
３−６．電子ブロック層
電子ブロック層１３６は、対向電極１３８から注入された電子が再結合に寄与することなく発光層１２８を通過して第１のホール輸送層１２４や第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃへ注入されることを防ぐことでホールを発光層１２８内に閉じ込めるとともに、発光層１２８で得られる励起エネルギーが上記ホール輸送層の分子にエネルギー移動することを防ぐ機能を有する。これにより、発光効率の低下を防ぐことができる。
【００４４】
電子ブロック層１３６には、電子輸送性よりもホール輸送性が高い、あるいは同程度であり、発光層１２８内の分子よりも最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）準位が浅く、バンドギャップが大きい材料を用いることが好ましい。具体的には、電子ブロック層１３６に含まれる分子のＬＵＭＯ準位と発光層１２８に含まれる分子のそれとの差は、０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上が好ましい。また、電子ブロック層１３６に含まれる分子のバンドギャップと発光層１２８に含まれる分子のそれとの差は０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上が好ましい。発光材料が燐光材料の場合、発光材料よりも０．２ｅＶ、０．３ｅＶ、あるいは０．５ｅＶ以上三重項準位の高い材料を用いることが好ましい。より具体的には、芳香族アミン誘導体、カルバゾール誘導体、９，１０−ジヒドロアクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体などが挙げられる。
【００４５】
３−７．電子輸送層
電子輸送層１３２は対向電極１３８から電子注入層１３４に注入された電子を発光層１２８側へ輸送する機能を有する。電子輸送層１３２はホール輸送性よりも電子輸送性の高い化合物（電子輸送性化合物）を含み、このような化合物としては、アルミニウム錯体、リチウム錯体、ベリリウムなどの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シラシクロペンタジエン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ぺリレン誘導体などの縮合芳香族化合物、フェナントロリン誘導体などの含窒素縮合ヘテロ芳香族化合物などが挙げられる。上記金属錯体としては、例えば８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ）やビス（８−キノリノラト）ベリリウムなどの、８−キノリノール配位子を有する金属錯体が例示される。これらの化合物は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１から４のアルキル基、あるいはフェニル基やナフチル基などのアリール基が挙げられる。
【００４６】
３−８．電子注入層
電子注入層１３４は、対向電極１３８からの電子注入を促進する機能を有する。電子注入層１３４に用いることのできる材料としては、例えばフッ化リチウムやフッ化カルシウムなどの無機化合物が挙げられる。あるいは、電子輸送層１３２に用いることが可能な電子輸送性化合物と、リチウムなどの第１族金属やマグネシウム、カルシウムなどの第２族金属、あるいはイッテルビウムなどのランタノイド金属などに例示される電子供与性化合物との混合物を用いることができる。典型的には、ＡｌｑとＬｉの混合物やＬｉｑとＬｉの混合物が挙げられる。電子輸送性化合物と電子供与性化合物の混合層内には電子輸送性化合物のアニオンラジカルが存在するため、キャリアとしての電子の密度が高い。このため、電子輸送層１３２の電子輸送性が増大し、対向電極１３８から注入される電子を効率よく発光層１２８へ輸送することができ、その結果、表示装置１００の駆動電圧が低減する。
【００４７】
３−９．対向電極
対向電極１３８は、ＥＬ層へ電子を注入する機能を有する。これと同時に、発光層１２８からの発光を画素電極１２０から取り出す場合には反射電極として、発光を対向電極１３８から取り出す場合には、発光の一部を反射し、一部を透過する光取出し電極として機能する。対向電極１３８を反射電極として用いる場合には、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を含み、可視光を効率よく反射する厚さを有する膜を対向電極１３８として用いる。一方、対向電極１３８を光取出し電極用いる場合には、ＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物を含むよう、対向電極１３８が構成される。あるいは、上述した金属を含み、かつ、可視光が透過する程度の厚さを有する金属膜を用いてもよい。この場合、さらに透光性を有する導電性酸化物が積層された積層体を用いてもよい。
【００４８】
［４．光学設計］
表示装置１００では、適切な光学設計をＥＬ層に施すことにより、発光効率を増大させ、かつ、発光の色純度を向上させることができる。上述したように、発光層１２８からの発光を対向電極１３８から取り出す場合（トップエミッション）、画素電極１２０は反射電極として機能し、対向電極１３８は発光層１２８からの発光を一部を反射し、一部を透過する。一方、発光層１２８からの発光を画素電極１２０から取り出す場合には（ボトムエミッション）、画素電極１２０は可視光を透過し、対向電極１３８は反射電極として機能する。したがって、いずれの場合でも画素電極１２０と対向電極１３８の反射面の間に微小共振器が形成され、発光層１２８で生成した光が干渉する。ここでは、図１に示した画素電極１２０の上面と対向電極１３８の底面がそれぞれの反射面とし、この間で微小共振器が形成されるとして説明を行う。
【００４９】
微小共振器内における光の干渉効果は、画素電極１２０の上面と対向電極１３８の底面間の光学距離と発光層１２８からの発光のスペクトルによって決まる。この光学距離は、各機能層の屈折率と厚さの積の和である。トップエミッションの場合には光学距離が目的とする発光の波長の４分の１（λ／４）の奇数倍と一致するように、ボトムエミッションの場合には発光層１２８における発光中心と画素電極１２０の上面間の光学距離が目的とする発光の波長の２分の１（λ／２）の整数倍と一致するようにＥＬ層を調整することで、発光が強め合うように光が干渉する。これにより、発光層１２８の発光強度が増大し、発光スペクトルが狭線化される。
【００５０】
表示装置１００では、各発光素子１０５のホール輸送層、すなわち、第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃの厚さや屈折率を制御することで光学距離の調整を容易に行うことができる。例えば第１の発光素子１０５ａにおいては、第１のホール輸送層１２４の厚さと屈折率を制御することで光学調整が行われる。第２の発光層１２８ｂは第１の発光層１２８ａよりも長波長側に発光を与えるため、光学距離は第１の発光素子１０５ａよりも第２の発光素子１０５ｂの方が長い。このため、第２の発光素子１０５ｂでは、第１のホール輸送層１２４に加え、第２のホール輸送層１２６ｂの厚さと屈折率を調整することで光学調整が行われる。同様に、第３の発光層１２８ｃは第２の発光層１２８ｂよりも長波長側に発光を与えるため、光学距離は第３の発光素子１０５ｃの方が第２の発光素子１０５ｂよりも長い。このため、第３の発光素子１０５ｃでは、第１のホール輸送層１２４を配置するだけでなく、第２のホール輸送層１２６ｂよりも大きな厚さを有する第３のホール輸送層１２６ｃを配置し、第３のホール輸送層１２６ｃの厚さを調整することで光学調整が行われる。
【００５１】
上述したように、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の屈折率が、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料の屈折率よりも大きくなるよう、第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃの材料が選択される。このため、第１のホール輸送層１２４の屈折率は第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃの屈折率よりも大きい。膜の光学距離は屈折率と厚さの積であるため、第１のホール輸送層１２４を第１の画素１０４ａから第３の画素１０４ｃに共有されるように形成することで、各発光素子１０５において大きな光学距離を得ることができる。すなわち、第１のホール輸送層１２４で用いる材料の使用量を低減することができるため、表示装置１００を低コストで製造することが可能となる。
【００５２】
これに対し、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃの屈折率は第１のホール輸送層１２４よりも小さい。このため、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃの厚さのばらつきは、第１のホール輸送層１２４の厚さばらつきよりも光学距離に対して大きな影響を与えにくい。光学距離のばらつきは光学キャビティ効果を変調させることによって各発光素子の輝度を変調させるが、表示装置にとって特に問題となるのは各発光素子間の相対輝度の変調による白色色度の変化である。第１のホール輸送層１２４の光学距離のばらつきは、第１の発光素子１０５ａ、第２の発光素子１０５ｂや第３の発光素子１０５ｃの光学距離を一斉に変化させるため、白色色度の変化を生じ難い。一方で第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃの厚さのばらつきは、いずれか１種の発光素子の光学距離を変化させるため、白色色度の変化を生じ易い。そこで本実施例においては、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃの屈折率を第１のホール輸送層１２４よりも小さくすることで、ホール輸送層のプロセス上の厚さのばらつきに対して白色色度の変化を生じ難くすることで、ディスプレイの製造歩留りを向上させ、より低コストで表示装置１００を提供することができる。
【００５３】
さらに表示装置１００では、上述したように、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料のホール移動度が、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃに用いられる材料のホール移動度よりも小さくなるよう、第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃの材料が選択される。このため、第１のホール輸送層１２４のホール移動度は、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃのホール移動度よりも小さい。このような構成を採用することで、いわゆるクロストークによる混色を防止することができ、色再現性に優れた表示装置を提供することができる。より詳細な説明を図５を用いて行う。
【００５４】
表示装置１００を駆動する際、画素１０４は独立に制御される。具体的には、表示装置１００の駆動中、複数の画素１０４に共有される対向電極１３８に対しては一定電位が与えられる。一方、選択された画素１０４（例えば図５では第１の画素１０４ａ）では、映像信号に対応する電位が画素電極１２０（図５では第１の画素電極１２０ａ）に印加される。第１の画素電極１２０ａと対向電極１３８間の電位差が第１の発光素子１０５ａの閾値を超えると、第１の画素電極１２０ａからはホールが、対向電極１３８からは電子がＥＬ層へ注入される（矢印１４４、１４５参照）。注入されたホールと電子がＥＬ層内に輸送されることによって、ＥＬ層内に電流が流れる。ここで流れる電流は空間電荷制限電流と呼ばれるものであり、第１の画素電極１２０ａから対向電極１３８に向かって、第１の画素電極１２０ａの表面に対して垂直な方向に流れる。注入されたホールと電子は第１の発光層１２８ａ内で再結合し、発光に至る。
【００５５】
空間電荷制限電流の大きさは膜厚（ここでは、ＥＬ層の厚さ）の３乗に反比例する。したがって、空間電荷制限電流はＥＬ層内を画素電極１２０の表面に平行な方向に流れることはできず、この方向に流れる電流にはオーム則が適用される。ＥＬ層を構成する各層は、通常、絶縁膜と見做せる程度の導電性しか持たない。したがって、ＥＬ層内では、通常、画素電極１２０の表面に平行な方向に流れるオーム電流は無視することができ、注入されたホールと電子は隣接する画素へ輸送されることはなく、選択された画素１０４において選択的に発光が生じる。
【００５６】
しかしながら、ＥＬ層を構成する層の全て、あるいは一部の導電性を増大させると、オーム電流を無視することができなくなる。特に表示装置の高精細化のために隔壁１４０の幅を減少させ、隣接する画素１０４間の距離を小さくする場合、オーム電流の影響を無視することができなくなる。表示装置１００では、上述したように、第１のホール輸送層１２４は第１の画素１０４ａから第３の画素１０４ｃにわたって連続的に配置される。したがって、第１のホール輸送層１２４のホール輸送性が高い場合、第１の画素電極１２０ａから注入されたホールの一部が隔壁１４０上の第１のホール輸送層１２４内を経由して隣接する発光素子（図５の例では第２の発光素子１０５ｂ）へ輸送される（矢印１４６参照）。その結果、第１の画素１０４ａのみを選択した場合でも、ホールが隣接する第２の画素１０４ｂへ輸送され、対向電極１３８から注入された電子（矢印１４７）と再結合することで第２の発光層１２８ｂが発光する。この現象がクロストークであり、選択した画素１０４以外の画素１０４からの発光が混合されるため、映像の輪郭がぼやける、あるいは発光色の色純度の低下が生じ、表示装置が表現可能な色域が減少する。その結果、表示される画像の品質が低下する。
【００５７】
しかしながら表示装置１００では、複数の画素１０４にわたって形成される第１のホール輸送層１２４は、第２のホール輸送層１２６ｂや第３のホール輸送層１２６ｃと比較してホール移動度が小さい。このため、選択された画素電極１２０から注入されたホールが隣接する画素１０４へ輸送されることが防止され、クロストークが発生しない。したがって、本実施形態を適用することで、色再現性に優れた高精細な表示装置を提供することが可能となる。
【００５８】
なお、ホール注入層１２２や電子輸送層１３２、ホールブロック層１３０、電子注入層１３４なども複数の画素１０４にわたって形成される。しかしながら、電子輸送層１３２、ホールブロック層１３０、電子注入層１３４の電子輸送性は、ホール注入層１２２や第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃのホール移動度よりも小さいため、クロストークは発生しにくい。また、ホール注入層１２２の厚さは第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃよりも小さいため抵抗が高く、ホール注入層１２２を流れるオーム電流は無視することが可能である。
【００５９】
（第２実施形態）
本実施形態では、発光素子１０５、およびこれを含む表示装置１００の作製方法について説明する。第１実施形態と同一、あるいは類似する構成については説明を割愛することがある。
【００６０】
［１．画素回路］
各画素１０４には、パターニングされた種々の絶縁膜や半導体膜、導電膜によって発光素子１０５を含む画素回路が形成される。画素回路の構成は任意に選択することができ、その一例を等価回路として図６に示す。
【００６１】
図６の等価回路で示す画素回路は、発光素子１０５に加え、駆動トランジスタ１８２、発光制御トランジスタ１９０、補正トランジスタ１８８、初期化トランジスタ１８４、書込トランジスタ１８６、保持容量１９４、付加容量１９６を有している。容量１９８は独立した容量素子ではなく、発光素子１０５の寄生容量である。高電位電源線１６０には高電位ＰＶＤＤが与えられ、この電位が電流供給線１６２を介して各列に接続される画素１０４に供給される。発光素子１０５、駆動トランジスタ１８２、発光制御トランジスタ１９０、補正トランジスタ１８８は、高電位電源線１６０と低電位電源線１６４との間で直列に接続される。低電位電源線１６４には低電位ＰＶＳＳが与えられる。
【００６２】
駆動トランジスタ１８２の一方の端子は発光制御トランジスタ１９０と補正トランジスタ１８８を介して高電位電源線１６０と電気的に接続され、他方の端子は発光素子１０５と電気的に接続される。駆動トランジスタ１８２のゲートは、初期化トランジスタ１８４を介して第１の信号線１６６と電気的に接続されるとともに、書込トランジスタ１８６を介して第２の信号線１６８と電気的に接続される。第１の信号線１６６には初期化信号Ｖｉｎｉが与えられ、第２の信号線１６８には映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。初期化信号Ｖｉｎｉは一定レベルの初期化電位を与える信号である。書込トランジスタ１８６は、そのゲートに接続される書込制御走査線１７０に与えられる走査信号ＳＧによって動作（オン／オフ）が制御される。初期化トランジスタ１８４のゲートは、初期化制御信号ＩＧが与えられる初期化制御走査線１７２と接続され、初期化制御信号ＩＧにより動作が制御される。書込トランジスタ１８６がオン、初期化トランジスタ１８４がオフのとき、映像信号Ｖｓｉｇの電位が駆動トランジスタ１８２のゲートに与えられる。一方、書込トランジスタ１８６がオフ、初期化トランジスタ１８４がオンのとき、初期化信号Ｖｉｎｉの電位が駆動トランジスタ１８２のゲートに与えられる。
【００６３】
補正トランジスタ１８８と発光制御トランジスタ１９０のゲートにはそれぞれ、補正制御信号ＣＧが印加される補正制御走査線１７４、発光制御信号ＢＧが印加される発光制御走査線１７８が接続される。駆動トランジスタ１８２の一方の端子には、補正トランジスタ１８８を介し、リセット制御線１７６が接続される。リセット制御線１７６は、走査線側駆動回路１０８に設けられるリセットトランジスタ１９２と接続される。リセットトランジスタ１９２はリセット制御信号ＲＧによって制御され、これによりリセット信号線１８０に与えられるリセット電位Ｖｒｓｔを補正トランジスタ１８８を介して駆動トランジスタ１８２の一方の端子に印加することができる。
【００６４】
駆動トランジスタ１８２の他方の端子とゲートとの間には、保持容量１９４が設けられる。付加容量１９６の一方の端子は駆動トランジスタ１８２の他方の端子に接続され、他方の端子が高電位電源線１６０に接続される。付加容量１９６は、他方の端子が低電位電源線１６４に接続されるように設けてもよい。保持容量１９４と付加容量１９６は、映像信号Ｖｓｉｇを駆動トランジスタ１８２のゲートに与えるとき、映像信号Ｖｓｉｇに応じたゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを保持するために設けられる。
【００６５】
信号線側駆動回路１１０、もしくは駆動ＩＣ１１６は、第１の信号線１６６と第２の信号線１６８に初期化信号Ｖｉｎｉと映像信号Ｖｓｉｇをそれぞれ出力する。一方、走査線側駆動回路１０８は書込制御走査線１７０に走査信号ＳＧを出力し、初期化制御走査線１７２に初期化制御信号ＩＧを出力し、補正制御走査線１７４に補正制御信号ＣＧを出力し、発光制御走査線１７８に発光制御信号ＢＧを出力し、リセットトランジスタ１９２のゲートにリセット制御信号ＲＧを出力する。
［２．断面構造］
図７に表示装置１００の断面模式図を示す。図７は、基板１０２上に形成された隣接する三つの画素１０４（第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、第３の画素１０４ｃ）の断面模式図である。ここでは、各画素１０４に含まれる素子のうち、駆動トランジスタ１８２、保持容量１９４、付加容量１９６、発光素子１０５の断面構造が示されている。
【００６６】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート２００を介し、基板１０２上に設けられる。基板１０２はガラスや石英、あるいはプラスチックを含むことができる。プラスチックを用いることで基板１０２に可撓性を付与することができる。プラスチックとしては、ポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカルボナートなどの高分子が挙げられ、中でも耐熱性の高いポリイミドが好適である。アンダーコート２００は、単層構造を有していてもよく、図７に示すように複数の膜から構成されていてもよい。複数の膜を用いる場合、例えば酸化シリコンを含む膜２００ａ、窒化シリコンを含む膜２００ｂ、および酸化シリコンを含む膜２００ｃを含む膜を順次基板１０２上に形成すればよい。
【００６７】
駆動トランジスタ１８２は、半導体膜２０２、ゲート絶縁膜２０４、ゲート電極２０６、ドレイン電極２１２、ソース電極２１４を含む。ゲート電極２０６は、ゲート絶縁膜２０４を介して半導体膜２０２の少なくとも一部と交差するように配置され、半導体膜２０２とゲート電極２０６が重なる領域にチャネル領域２０２ａが形成される。半導体膜２０２はさらに、チャネル領域２０２ａを挟持する低濃度不純物領域２０２ｃ、およびチャネル領域２０２ａと低濃度不純物領域２０２ｃを挟持する高濃度不純物領域２０２ｂを有する。
【００６８】
ゲート絶縁膜２０４を介し、ゲート電極２０６と同一の層に存在する容量電極２０８が高濃度不純物領域２０２ｂと重なるように設けられる。ゲート電極２０６、容量電極２０８の上には層間絶縁膜２１０が配置される。層間絶縁膜２１０とゲート絶縁膜２０４には、高濃度不純物領域２０２ｂに達する開口が形成され、この開口を覆うようにドレイン電極２１２、ソース電極２１４が配置される。ソース電極２１４の一部は、層間絶縁膜２１０を介して高濃度不純物領域２０２ｂの一部と容量電極２０８と重なり、高濃度不純物領域２０２ｂの一部、ゲート絶縁膜２０４、容量電極２０８、層間絶縁膜２１０、およびソース電極２１４の一部によって保持容量１９４が形成される。
【００６９】
駆動トランジスタ１８２や保持容量１９４の上にはさらに平坦化膜２１６が設けられる。平坦化膜２１６は、ソース電極２１４に達する開口を有し、この開口と平坦化膜２１６の上面の一部を覆う接続電極２２０がソース電極２１４と接するように形成される。平坦化膜２１６上にはさらに付加容量電極２２２が設けられる。接続電極２２０と付加容量電極２２２を覆うように容量絶縁膜２２４が配置される。容量絶縁膜２２４は、平坦化膜２１６の開口では接続電極２２０の一部を覆わず、接続電極２２０の上面を露出する。これにより、接続電極２２０を介し、その上に設けられる画素電極１２０とソース電極２１４間の電気的接続が可能となる。容量絶縁膜２２４には、その上に設けられる隔壁１４０と平坦化膜２１６の接触を許容するための開口２２６を設けてもよい。開口２２６を通して平坦化膜２１６中の不純物を除去することができ、これによって発光素子１０５の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極２２０や開口２２６の形成は任意である。
【００７０】
容量絶縁膜２２４上には、接続電極２２０と付加容量電極２２２を覆うように、画素電極１２０が設けられる。容量絶縁膜２２４は付加容量電極２２２と画素電極１２０によって挟持され、この構造によって付加容量１９６が構築される。画素電極１２０は、付加容量１９６と発光素子１０５によって共有される。
【００７１】
画素電極１２０の上には、画素電極１２０の端部を覆う隔壁１４０が設けられる。画素電極１２０、隔壁１４０を覆うようにＥＬ層、およびその上の対向電極１３８が設けられる。ＥＬ層には第１実施形態で述べた構造を適用することができる。対向電極１３８は複数の画素１０４を覆い、複数の画素１０４によって共有される。図７では、見やすさを考慮し、ＥＬ層のうちホール注入層１２２、第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃ、発光層１２８、および電子輸送層１３２が示されている。
【００７２】
表示装置１００は、任意の構成として、発光素子１０５保護するためのパッシベーション膜２３０を備えてもよい。パッシベーション膜２３０の構造も任意に決定することができ、単層構造、積層構造のいずれを採用してもよい。積層構造を有する場合、図７に示すように、例えばケイ素含有無機化合物を含む第１の層２３０ａ、樹脂を含む第２の層２３０ｂ、ケイ素含有無機化合物を含む第３の層２３０ｃが順次積層した構造を採用することができる。ケイ素含有無機化合物としては窒化ケイ素や酸化ケイ素が挙げられる。樹脂としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリエステル、ポリカルボナートなどが挙げられる。
【００７３】
［３．作製方法］
図８（Ａ）に、隔壁１４０までが形成された表示装置１００の断面模式図を示す。ここに示した構造は、公知の方法を適宜適用することで作製することができるため、説明は割愛する。
【００７４】
まず、画素電極１２０と隔壁１４０を覆うように、かつ、第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、および第３の画素１０４ｃに共有されるようにホール注入層１２２を形成する（図８（Ｂ））。ホール注入層１２２はスピンコート法、印刷法、インクジェット法などの湿式性膜法、あるいは蒸着法を適用して形成される。
【００７５】
引き続き、画素電極１２０と隔壁１４０を覆うように、かつ、第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、および第３の画素１０４ｃに共有されるように第１のホール輸送層１２４を形成する（図８（Ｂ））。第１のホール輸送層１２４も湿式性膜法、あるいは蒸着法を適用して形成される。第１のホール輸送層１２４は、第１の画素１０４ａ中の第１の発光素子１０５ａに最適な光学距離をＥＬ層が有するよう厚さが調節され、例えば５０ｎｍから１５０ｎｍ、６０ｎｍから１３０ｎｍ、あるいは８０ｎｍから１２０ｎｍの厚さとなるよう形成される。
【００７６】
引き続き、第２のホール輸送層１２６ｂを形成する。具体的には図９（Ａ）に示すように、第２の画素電極１２０ｂと重なるように、第１のホール輸送層１２４上に第２のホール輸送層１２６ｂを形成する。第２のホール輸送層１２６ｂは、開口を有するメタルマスクを、開口が第２の画素１０４ｂと重なるように、かつ非開口部が第１の画素１０４ａと第３の画素１０４ｃに重なるように基板１０２上に配置し、蒸着法を適用して形成することができる。これにより、第２のホール輸送層１２６ｂは第１の画素１０４ａと第３の画素１０４ｃには形成されず、第２の画素１０４ｂのみに選択的に形成される。第２のホール輸送層１２６ｂは、第２の画素１０４ｂ中の第２の発光素子１０５ｂに最適な光学距離をＥＬ層が有するよう厚さが調節され、例えば第１のホール輸送層１２４と第２のホール輸送層１２６ｂの厚さの合計が１００ｎｍから２００ｎｍ、１２０ｎｍから２００ｎｍ、あるいは１５０ｎｍから１８０ｎｍとなるように形成される。
【００７７】
同様に、第３のホール輸送層１２６ｃを形成する。具体的には図９（Ｂ）に示すように、第３の画素電極１２０ｃと重なるように、第１のホール輸送層１２４上に第３のホール輸送層１２６ｃを形成する。第３のホール輸送層１２６ｃは、開口を有するメタルマスクを、開口が第３の画素１０４ｃと重なるように、かつ非開口部が第１の画素１０４ａと第２の画素１０４ｂに重なるように基板１０２上に配置し、蒸着法を適用して形成することができる。これにより、第３のホール輸送層１２６ｃは第１の画素１０４ａと第２の画素１０４ｂには形成されず、第３の画素１０４ｃのみに選択的に形成される。第３のホール輸送層１２６ｃは、第３の画素１０４ｃ中の第３の発光素子１０５ｃに最適な光学距離をＥＬ層が有するよう厚さが調節され、例えば第１のホール輸送層１２４と第３のホール輸送層１２６ｃの厚さの合計が１２０ｎｍから２５０ｎｍ、１４０ｎｍから２２０ｎｍ、あるいは１６０ｎｍから２００ｎｍとなるように形成される。ただし、図４に示した構造を第３の発光素子１０５ｃが有する場合には、第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、および第３のホール輸送層１２６ｃの厚さの合計が上述した範囲になるよう、第３のホール輸送層１２６ｃが形成される。第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃの形成順序は上述した順序に限られず、後者を前者よりも先に形成してもよい。
【００７８】
第１のホール輸送層１２４、第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃの形成においては、上述したように、第１のホール輸送層１２４の屈折率が第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃの屈折率よりも大きくなるように、各層の材料が選択される。また、第１のホール輸送層１２４のホール移動度が第２のホール輸送層１２６ｂと第３のホール輸送層１２６ｃのホール移動度よりも小さくなるように、各層の材料が選択される。また、第１のホール輸送層１２４に用いられる材料の分子を、水平方向に、あるいは基板１０２の主面に平行な方向に配向させて、第１のホール輸送層１２４を形成してもよい。
【００７９】
次に、発光層１２８を形成する（図１０（Ａ））。例えば第１の画素１０４ａに第１の発光層１２８ａを形成する場合、開口を有するメタルマスクを、開口が第１の画素１０４ａと重なるように、かつ非開口部が第２の画素１０４ｂと第３の画素１０４ｃに重なるように基板１０２上に配置し、第１の発光層１２８ａに含まれる材料を蒸着することで第１の発光層１２８ａが形成される。これにより、第１の画素１０４ａと重なる第１の発光層１２８ａが第１のホール輸送層１２４上に形成される。第２の発光素子１０５ｂと第３の発光素子１０５ｃの形成も同様の手法によって形成される。なお、発光層１２８の形成順序に限定は無い。
【００８０】
第２のホール輸送層１２６ｂ、第３のホール輸送層１２６ｃ、第１の発光層１２８ａ、第２の発光層１２８ｂ、および第３の発光層１２８ｃは、上述した方法と異なる順序で形成してもよい。例えば図１１（Ａ）に示すように、第２のホール輸送層１２６ｂを形成した後、引き続き第２の発光層１２８ｂを連続的に形成してもよい。同様に、第３のホール輸送層１２６ｃを形成した後、引き続き第３の発光層１２８ｃを連続的に形成してもよい（図１１（Ｂ））。この場合、第２のホール輸送層１２６ｂを形成するメタルマスクを基板１０２上に配置したまま第２のホール輸送層１２６ｂと第２の発光層１２８ｂを形成することができ、第３のホール輸送層１２６ｃを形成するメタルマスクを基板１０２上に配置したまま第３のホール輸送層１２６ｃと第３の発光層１２８ｃを形成することができるため、表示装置１００の作製時間を短縮することができる。この場合においても、第１の発光層１２８ａ、第２の発光層１２８ｂ、第３の発光層１２８ｃの形成順序は任意に決定することができる。
【００８１】
引き続き、画素電極１２０と隔壁１４０と重なり、第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、および第３の画素１０４ｃに共有されるように電子輸送層１３２、および対向電極１３８が順次形成される（図１０（Ｂ））。電子輸送層１３２は蒸着法を用いて形成することができる。対向電極１３８は蒸着法、あるいはスパッタリング法を用いて形成することができる。図示しないが、電子ブロック層１３６、ホールブロック層１３０、電子注入層１３４も適宜蒸着法を利用し、第１の画素１０４ａ、第２の画素１０４ｂ、および第３の画素１０４ｃに共有されるように形成される。
【００８２】
引き続き、パッシベーション膜２３０が形成される。図７に示すように、パッシベーション膜２３０が三層の構造を有している場合、まず第１の層２３０ａを対向電極１３８を覆うように形成する（図７）。第１の層２３０ａは、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機材料を含み、化学気相堆積（ＣＶＤ）法やスパッタリング法を適用して形成される。
【００８３】
引き続き第２の層２３０ｂを形成する。第２の層２３０ｂは、図７に示すように、隔壁１４０に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。具体的には、第２の層２３０ｂは、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子を用い、印刷法やインクジェット法、スピンコート法などによって形成することができる。あるいは、これらの高分子の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層２３０ａに吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって第２の層２３０ｂを形成してもよい。
【００８４】
その後、第３の層２３０ｃを第２の層２３０ｂと接するように形成する（図７）。第３の層２３０ｃは、第１の層２３０ａで使用可能な材料を含むことができ、第１の層２３０ａの形成に適用可能な方法で形成することができる。
【００８５】
以上の工程により、図７に示した表示装置１００を作製することができる。
【００８６】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８７】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８８】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０４ａ：第１の画素、１０４ｂ：第２の画素、１０４ｃ：第３の画素、１０５：発光素子、１０５ａ：第１の発光素子、１０５ｂ：第２の発光素子、１０５ｃ：第３の発光素子、１０６：表示領域、１０８：走査線側駆動回路、１１０：信号線側駆動回路、１１２：配線、１１４：ＦＰＣ、１２０：画素電極、１２０ａ：第１の画素電極、１２０ｂ：第２の画素電極、１２０ｃ：第３の画素電極、１２２：ホール注入層、１２４：第１のホール輸送層、１２６ｂ：第２のホール輸送層、１２６ｃ：第３のホール輸送層、１２８：発光層、１２８ａ：第１の発光層、１２８ｂ：第２の発光層、１２８ｃ：第３の発光層、１３０：ホールブロック層、１３２：電子輸送層、１３４：電子注入層、１３６：電子ブロック層、１３８：対向電極、１４０：隔壁、１４２：絶縁表面、１４４：矢印、１４５：矢印、１４６：矢印、１４７：矢印、１６０：高電位電源線、１６２：電流供給線、１６４：低電位電源線、１６６：第１の信号線、１６８：第２の信号線、１７０：書込制御走査線、１７２：初期化制御走査線、１７４：補正制御走査線、１７６：リセット制御線、１７８：発光制御走査線、１８０：リセット信号線、１８２：駆動トランジスタ、１８４：初期化トランジスタ、１８６：書込トランジスタ、１８８：補正トランジスタ、１９０：発光制御トランジスタ、１９２：リセットトランジスタ、１９４：保持容量、１９６：付加容量、１９８：容量、２００：アンダーコート、２００ａ：酸化シリコンを含む膜、２００ｂ：窒化シリコンを含む膜、２００ｃ：酸化シリコンを含む膜、２０２：半導体膜、２０２ａ：チャネル領域、２０２ｂ：高濃度不純物領域、２０２ｃ：低濃度不純物領域、２０４：ゲート絶縁膜、２０６：ゲート電極、２０８：容量電極、２１０：層間絶縁膜、２１２：ドレイン電極、２１４：ソース電極、２１６：平坦化膜、２２０：接続電極、２２２：付加容量電極、２２４：容量絶縁膜、２２６：開口、２３０：パッシベーション膜、２３０ａ：第１の層、２３０ｂ：第２の層、２３０ｃ：第３の層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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