(57)【要約】【課題】可撓性基材を用いた表示装置の製造において、表示パネルの品質の低下を抑制する。【解決手段】表示装置の製造方法であって、基板上の所定の位置に犠牲層を形成すること、前記基板上に、前記犠牲層を介して、樹脂を含む基材を形成すること、前記基材上に複数の画素を備える表示領域を形成すること、前記基板の前記基材が形成されていない側からレーザー光を照射すること、および、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、前記基材の端部の少なくとも一部に、前記基材と前記基板とが接触する領域が存在する。【選択図】図５Ａ
2019020509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の所定の位置に犠牲層を形成すること、
前記基板上に、前記犠牲層を介して、樹脂を含む基材を形成すること、
前記基材上に複数の画素を備える表示領域を形成すること、
前記基板の前記基材が形成されていない側からレーザー光を照射すること、および、
前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、
前記基材の端部の少なくとも一部に、前記基材と前記基板とが接触する領域が存在する、表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記基材の前記端部は、第１の辺を有し、
前記基材と前記基板とが接触する前記領域は、前記第１の辺に沿って位置する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記端部の前記一部とは異なる他の一部に、前記犠牲層が配置されている、請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記基材が部品実装領域を備え、
前記基材の部品実装領域が位置する側の辺、および、前記部品実装領域が位置する側の辺と対向する辺に、前記基材と前記基板とが接触する領域が存在する、請求項１から３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記基材の前記表示領域を覆うように前記犠牲層を形成する、請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記基材が部品実装領域を備え、
前記基材の部品実装領域が位置する側の辺、又は前記部品実装領域が位置する側の辺と対向する辺の、いずれか一方の辺に、前記基材と前記基板とが接触する領域が存在する、請求項１から３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記基材の端から、前記基材と前記基板とが接触する第１領域と、前記犠牲層が存在する領域と、前記基材と前記基板とが接触する第２領域とをこの順で配置し、
前記第２領域が前記表示領域を含む、請求項１から３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記犠牲層と前記表示領域とが隣接する、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記基材の端から、前記端を含む前記犠牲層が存在する第１領域と、前記基材と前記基板とが接触する第２領域とをこの順で配置し、
前記第２領域が前記表示領域を含む、請求項１から３の何れかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基材の外縁の少なくとも一部に前記犠牲層を配置し、
前記表示領域では、前記基材と前記基板とが接触する、請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基材の対向する２辺に沿って、前記犠牲層を配置し、
前記レーザー光の照射後に、前記犠牲層を切断除去することをさらに含む、請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記犠牲層が金属を含む、請求項１０または１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲層は、前記基板を透過したレーザー光を０％〜９９％透過する、請求項１から１２のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記犠牲層が、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体からなる群から選ばれる一種以上を含む、請求項１から１３のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記犠牲層が、アモルファスシリコンを含む、請求項１から１４のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基材がポリイミドを含む、請求項１から１５のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板がガラス基板である、請求項１から１６のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
樹脂を含み、可撓性を有する基材と、
前記基材の上に位置する複数の画素と、を有し、
前記基材の前記複数の画素が形成される側とは反対側の主面に、他の部位よりも表面が粗い部位が形成されている、
表示装置。
【請求項１９】
前記複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域を囲む額縁領域と、を有し、
前記基材の前記額縁領域と重なる部分の少なくとも一部に、前記表面が粗い部位が形成されている、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記複数の画素を含む表示領域を有し、
前記基材の前記表示領域と重なる部分の全域に、前記表面が粗い部位が形成されている、請求項１８または１９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置や液晶表示装置など、表示領域を備える表示装置において、近年、可撓性を有する基材を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
【０００３】
例えば、下記特許文献１に開示されるように、上記可撓性を有する基材は、ハンドリング性等の観点から、表示パネルの製造工程では基板（例えば、ガラス基板）に支持されており、任意の適切なタイミングで基板から剥離される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１８７４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記基板は、例えば、レーザー光を照射して基材との密着力を低下させた後に剥離される。しかし、レーザー光照射から基板の剥離までの搬送工程において、基板が落下するなどの不具合が生じる場合がある。基板がない状態で搬送されると、得られる表示パネルの品質の低下（例えば、表示パネルへのダメージや異物の付着）を引き起こす場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、表示パネルの品質の低下が抑制された表示装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る製造方法は、基板上の所定の位置に犠牲層を形成すること、前記基板上に、前記犠牲層を介して、樹脂を含む基材を形成すること、前記基材上に複数の画素を備える表示領域を形成すること、前記基板の前記基材が形成されていない側からレーザー光を照射すること、および、前記基材から前記基板を剥離すること、をこの順で含み、前記基材の端部の少なくとも一部に、前記基材と前記基板とが接触する領域が存在する。
【０００８】
本発明の別の局面によれば、表示装置が提供される。本発明に係る表示装置は、樹脂を含み、可撓性を有する基材と、前記基材の上に位置する複数の画素と、を有し、前記基材の前記複数の画素が形成される側とは反対側の主面に、他の部位よりも表面が粗い部位が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】本発明の第一実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｂ】本発明の第一実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｃ】本発明の第一実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｄ】本発明の第一実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図５Ａ】本発明の第一実施形態における犠牲層の形成領域を示す平面図である。
【図５Ｂ】レーザー光照射後における図５ＡのI−I断面の一例を示す図である。
【図６】本発明の第二実施形態における犠牲層の形成領域を示す平面図である。
【図７】本発明の第三実施形態における犠牲層の形成領域を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１２】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１３】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１４】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１５】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１６】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１７】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１８】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１９】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００２０】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、例えば、樹脂フィルム（樹脂膜）で構成された可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。基材７０を構成する樹脂としては、例えば、ポリイミド系樹脂が挙げられる。基材７０は、例えば、ポリイミドなどの樹脂材料を含む樹脂膜を塗布にて成膜して形成される。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状、あるいはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせる。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護膜１１４との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２１】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２２】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２３】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２５】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２６】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２７】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２８】
上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、例えば、ＭｇとＡｇの極薄合金やＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料で形成される。
【００２９】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
【００３０】
例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４を設けない。
【００３１】
図４Ａ〜図４Ｄおよび図５Ａ〜図５Ｂを参照しながら、本発明の第一実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお、図４Ａ〜図４Ｄにおいては、図３の構造を基材７０と上部構造層１０８と保護膜１１４との３層構造に簡略化して示している。図５Ａ〜図５Ｂにおいては上部構造層１０８および保護膜１１４は省略し、図５Ａにおいてはさらに基材７０を省略している。
【００３２】
まず、図４Ａに示すように、ガラス基板２００（基板または支持基板ともいう）上に、所望の厚み（例えば、１０μｍ程度）を有する犠牲層１２０を形成する。犠牲層１２０は後述するレーザー光の一部を遮蔽する。具体的には、図５Ａに示すように、矩形のガラス基板２００の部品実装領域４６側の一辺２００ａと部品実装領域４６と対向する一辺２００ｂとを除く領域に犠牲層１２０を形成する。図示例では、辺２００ａと辺２００ｂの全長を除く領域に犠牲層１２０を形成しているが、例えば、辺２００ａおよび／または辺２００ｂの一部に犠牲層１２０を形成してもよい。ここで、表示領域４２および表示領域４２を囲む額縁領域４４に対応する領域に、犠牲層１２０を連続的に形成するのが好ましい。表示領域４２内で、犠牲層１２０が存在しない領域があると、例えば、得られる表示パネルの品質（表面性状）の均一性が低下するおそれがあるからである。具体的には、後述のレーザー光照射において、犠牲層１２０が存在しない領域では、レーザー光が基材７０に直接的に作用し得る。その結果、犠牲層１２０が存在しない領域では、犠牲層１２０が存在する領域に比べて、基材７０の表面が粗くなり得る。なお、この表面の粗さの違いは、例えば、ＳＥＭ観察により確認することができる。
【００３３】
犠牲層１２０は、後述するレーザー光を吸収し得る材料で形成される。犠牲層１２０のレーザー光の透過率は、代表的には、０％〜９９％である。犠牲層１２０の形成材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体、シリコン、金属などが用いられる。形成材料や厚みを適宜選択することで、所望の透過率や後述のレーザー光照射後の基材７０との密着状態を満足する犠牲層１２０を形成し得る。犠牲層１２０の透過率やレーザー光照射後の基材７０との密着状態は、例えば、犠牲層１２０の形成領域に応じて調整される。具体的には、表示領域４２を覆うように犠牲層１２０を形成する本実施形態では、例えば、後述のレーザー光照射後の犠牲層１２０と基材７０との密着状態を完全に剥離しない程度に調整する。具体的には、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）で犠牲層１２０を形成して、レーザー光の透過率を７０％〜９９％とし、レーザー光照射により基材７０表面を直接的にアブレーションさせ得る。
【００３４】
次に、図４Ｂに示すように、表示領域４２、額縁領域４４および部品実装領域４６を有する基材７０をガラス基板２００上に形成する。具体的には、ガラス基板２００上で犠牲層１２０が形成されている側に、基材７０の形成材料（例えば、樹脂組成物）を塗布し、必要に応じて加熱等の各種処理を施すことにより、所望の厚み（例えば、２０μｍ程度）を有する基材７０を形成する。基材７０の形成材料の塗布方法としては、スピンコート法等の公知の方法が採用され得る。
【００３５】
本実施形態では、辺２００ａおよび辺２００ｂに、基材７０とガラス基板２００とが接触する領域が存在する。このように基材７０の外縁に犠牲層１２０が欠落している箇所が存在する（基材７０の外縁に対応して枠状に犠牲層１２０を形成しない）ことで、当該欠落部分が後述のレーザー光照射により基材７０から生じるガスの抜け口の役割を果たし得る。その結果、例えば、得られる表示パネルの品質の低下を防止し得る。
【００３６】
次に、図４Ｃ示すように、基材７０上に、ＴＦＴ７２を含む回路層７４と、平坦化膜９６と、パッシベーション膜９８と、ＯＬＥＤ６と、封止層１０６とをこの順に形成して上部構造層１０８を形成後、上部構造層１０８上に粘着剤を用いて保護膜１１４（例えば、ＰＥＴフィルム等の樹脂フィルム）を積層する。なお、額縁領域４４は、表示領域４２と比較して、例えば、ＴＦＴ７２と、ＯＬＥＤ６とを含まない点で異なっている。
【００３７】
次に、図４Ｄに示すように、基材７０からガラス基板２００を剥離する。ここで、犠牲層１２０は、ガラス基板２００側に付着する。なお、図示例とは異なり、上部構造層１０８上に保護膜１１４を積層する前に、ガラス基板２００を剥離してもよい。
【００３８】
ガラス基板２００は、例えば、レーザー光を照射して（例えば、エキシマレーザーを用いて）、ガラス基板２００と基材７０との密着性を低下させることにより剥離される。例えば、基板および／または基材の材質に応じて、適切な波長を有するレーザー光が選択される。具体的には、基板を透過し（実質的に透過率１００％）、基板と基材との密着性を低下させ得る波長を有するレーザー光が選択される。また、レーザー光を適切に選択することにより、犠牲層１２０の透過率やレーザー光照射後の基材７０との密着状態を制御し得る。
【００３９】
レーザー光照射は、ガラス基板２００の基材７０（犠牲層１２０）が形成されていない側からレーザー光源をスキャンさせることにより行う。例えば、表示領域の長辺に対応したレーザー光源を、図５Ａに示す矢印の方向に沿ってスキャンさせる。
【００４０】
図５Ｂは、レーザー光照射後における図５ＡのI−I断面の一例を示す図である。レーザー光照射後は、犠牲層１２０が形成されていない領域では、ガラス基板２００と基材７０との密着力は低下して、ガラス基板２００は基材７０から剥離している。一方、犠牲層１２０が形成されている領域では、ガラス基板２００は、基材７０と部分的に密着した状態（低密着状態）である。したがって、ガラス基板２００の対向する二辺２００ａ，２００ｂ上に位置し、ガラス基板２００から剥離している基材７０の両端部をクランプして引っ張ることで、機械的に基材７０からガラス基板２００を剥離することができる。このように、レーザー照射直後に、基材７０にガラス基板２００が部分的に付着していることにより、ガラス基板２００が落下することが防止される。また、適切なタイミングでガラス基板２００を剥離できるので、レーザー照射直後の表示パネルの搬送性も確保され得る。その結果、表示パネルへのダメージや異物の付着を抑制でき、品質に優れた表示パネルを得ることができる。
【００４１】
ガラス基板２００を剥離して得られた表示パネルでは、基材７０の上部構造層１０８が形成されていない側の主面において、他の部位よりも表面が粗い部位が対向する短辺に形成されている。
【００４２】
図６は、本発明の第二実施形態における犠牲層の形成領域を示す平面図である。なお、第二実施形態では、犠牲層の形成領域を変更したこと以外は第一実施形態と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造する。
【００４３】
第二実施形態では、矩形のガラス基板２００の部品実装領域４６側の端部（部品実装領域４６に対応する領域）と、部品実装領域４６と反対側の端部に犠牲層１２０を形成し、表示領域４２に対応する領域には犠牲層１２０を形成しない。部品実装領域４６と反対側の端部では、ガラス基板２００の端２００ｃから離間して犠牲層１２０を形成している。具体的には、基材７０の端から、基材７０とガラス基板２００とが接触する第１領域２０１と、犠牲層１２０が存在する領域と、基材７０とガラス基板２００とが接触する第２領域２０２とをこの順で配置する。第１領域２０１を形成することで、第一実施形態と同様に、レーザー光照射後に基材７０の端部をクランプすることができる。なお、図示例では、第２領域２０２が表示領域４２を含み、表示領域４２から離間して犠牲層１２０を配置しているが、表示領域４２に隣接して犠牲層１２０を配置してもよい。ここで、表示領域４２に、犠牲層１２０の一部が重ならないのが好ましい。表示領域４２内に、犠牲層１２０が存在すると、例えば、得られる表示パネルの品質（表面性状）の均一性が低下するおそれがあるからである。
【００４４】
本実施形態のように、表示領域４２に犠牲層１２０を配置しない場合、図示するように、基材７０（表示パネル）の剥離方向（図６に示す矢印の方向）と交差する方向に沿って犠牲層１２０を形成するのが好ましい。剥離方向と実質的に直交する方向に犠牲層１２０を形成するのがさらに好ましい。剥離方向に沿って犠牲層１２０が形成されていると、剥離の際に、表示領域４２にクラックが生じるおそれがあるからである。なお、図示例では、犠牲層１２０を、矩形のガラス基板２００の短辺方向に連続的に形成しているが、断続的に形成してもよい。
【００４５】
本実施形態においても、犠牲層１２０は、レーザー光を吸収し得る任意の適切な構成が採用され得る。例えば、犠牲層１２０は、アモルファスシリコンで形成される。この場合、犠牲層１２０は、レーザー光をほぼ吸収し得る（透過率は、実質的に０％）。アモルファスシリコンは、レーザー光照射により発熱し、その熱で結晶化して体積膨張し得る。その結果、基材７０が犠牲層１２０から部分的に剥離した低密着状態が得られ得る。
【００４６】
本実施形態では、ガラス基板２００を剥離して得られた表示パネルでは、基材７０の上部構造層１０８が形成されていない側の主面において、他の部位よりも表面が粗い部位が表示領域４２を覆うように形成されている。
【００４７】
図７は、本発明の第三実施形態における犠牲層の形成領域を示す平面図である。なお、第三実施形態では、犠牲層の形成領域を変更したこと以外は第一実施形態と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造する。
【００４８】
第三実施形態では、矩形のガラス基板２００の対向する二辺（長辺）２００ｅ，２００ｆに、犠牲層１２０を形成し、表示領域４２には犠牲層１２０を配置しない。犠牲層１２０は、ガラス基板２００の端から所定の幅を有するように形成される。こうして、基材７０の外縁の少なくとも一部に（長辺に）、犠牲層１２０を配置する。図示例では、表示領域４２に対応する領域から離間して犠牲層１２０を形成している。具体的には、表示領域４２と犠牲層１２０との間に、基材７０とガラス基板２００とが接触する第３領域２０３を配置する。なお、図示例では、犠牲層１２０を、矩形のガラス基板２００の長辺方向に連続的に形成しているが、断続的に形成してもよい。
【００４９】
本実施形態のように、表示領域４２に犠牲層１２０を配置しない場合においても、犠牲層１２０は、レーザー光を吸収し得る任意の適切な形態が採用され得る。例えば、犠牲層１２０は、金属を含む金属層で構成される。この場合、犠牲層１２０は、レーザー光を透過させず（透過率は、実質的に０％）、レーザー光照射により基材７０と犠牲層１２０との密着性は大きく変化し得ない。よって、レーザー光照射後に、犠牲層１２０が形成された端部を切断（例えば、レーザー光照射による切断）により除去した後に、ガラス基板２００と基材７０とを、ピックアップ等により簡単に分離することができる。
【００５０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。例えば、上記実施形態のように、個々のパネル（個片）に分割された後に基板を剥離するのではなく、個片化前に基材から基板を剥離する形態を採用してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１０８  上部構造層、１１０  コンタクトホール、１１２  リブ、１１４  保護膜、１１６  配線、１２０  犠牲層、２００  ガラス基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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