(57)【要約】【課題】量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンで高濃度となる影響を含む評価を、ビーカースケールの試験で可能とすることを目的とする。【解決手段】支持体となる支持基材と、この支持基材上に配置された凸形状の導体パターンと、を有するめっき析出性試験用のテスト基板であって、前記支持基材が、前記導体パターンから露出した露出部を有し、前記導体パターンが、前記露出部との境界に、前記露出部と前記導体パターンとの段差により形成される段差部を有し、前記導体パターンが、前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において前記露出部の上方となる、複数の上方パターン成分を備える、めっき析出性試験用のテスト基板、これを用いためっき析出性試験方法及びめっき析出性試験装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体となる支持基材と、この支持基材上に配置された凸形状の導体パターンと、を有するめっき析出性試験用のテスト基板であって、
前記支持基材が、前記導体パターンから露出した露出部を有し、
前記導体パターンが、前記露出部との境界に、前記露出部と前記導体パターンとの段差により形成される段差部を有し、
前記導体パターンが、前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において前記露出部の上方となる、複数の上方パターン成分を備える、めっき析出性試験用のテスト基板。
【請求項２】
前記導体パターンが、前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において水平方向になる、複数の水平パターン成分を備える、請求項１に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
【請求項３】
前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のそれぞれの下方に隣接し、前記露出部によって形成される間隙の間隙幅が、前記間隙のそれぞれの上方に隣接する前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のパターン幅よりも大きくなるように形成される、請求項１又は２に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
【請求項４】
前記露出部の面積が、前記導体パターンの面積よりも大きくなるように形成される、請求項１から３の何れか１項に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
【請求項５】
請求項１から４に記載のめっき析出性試験用のテスト基板を用いるめっき析出性試験方法であって、
めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板を、前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、前記露出部の上方となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっきを形成するめっき工程（１）と、
前記導体パターン上にめっき皮膜を形成した前記めっき析出性試験用のテスト基板のめっき析出性を評価する評価工程（２）と、を有する、めっき析出性試験方法。
【請求項６】
前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板を、前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、水平となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、請求項５に記載のめっき析出性試験方法。
【請求項７】
前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板が垂直となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、請求項５又は６に記載のめっき析出性試験方法。
【請求項８】
前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に浸漬した前記めっき析出性試験用のテスト基板を、垂直方向に揺動させながら、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、請求項５から７の何れか１項に記載のめっき析出性試験方法。
【請求項９】
前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液が、無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液、無電解パラジウム液又は無電解金めっき液の何れかである、請求項５から８の何れか１項に記載のめっき析出性試験方法。
【請求項１０】
請求項１から４に記載のめっき析出性試験用のテスト基板と、このめっき析出性試験用のテスト基板を浸漬するためのめっき槽と、このめっき槽内に貯蔵された無電解めっき液と、前記めっき析出性試験用のテスト基板を前記めっき槽内に貯蔵された無電解めっき液中に浸漬した状態で保持するためのテスト基板保持手段と、を備える、めっき析出性試験用のめっき装置であって、
前記テスト基板保持手段が、前記めっき析出試験用のテスト基板の前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分を、前記露出部の上方となるように浸漬して保持する、めっき析出性試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき析出性試験用のテスト基板、これを用いためっき析出性試験方法及びめっき析出性試験装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線基板のスルーホール形成や、電子部品の実装端子の保護膜形成等に用いられる各種無電解めっき液（以下、「めっき液」ということがある。）を用いためっき処理は、電解めっき液に比べて、めっき浴の温度が６０〜９０℃と高く、めっき時間も長いのが一般的である。このことから、めっき液に浸漬される配線基板の支持体となる樹脂基材からの溶出物（以下、「汚染物質」ということがある。）が多くなり、このような汚染物質によって、めっき速度やめっき皮膜組成、めっき皮膜組織等（以下、「めっき析出性」ということがある。）に影響を受け易い傾向がある。
【０００３】
このような配線基板の樹脂基材からの溶出物の影響についての試験方法としては、配線基板の樹脂基材として用いるフィルム硬化物単体（導体パターンなし）を、ビーカー内のめっき液に７日間浸漬した後、そのめっき液を用いて、金属板にめっき処理を行ったときのめっき皮膜の組成変化により評価する方法（特許文献１）、ビーカー内のめっき液建浴用の水に配線基板の樹脂基材として用いるフィルム単体（導体パターンなし）を６時間浸漬し、フィルムを取り出した後、その水を用いて建浴しためっき液を用いて、金属板にめっき処理を行ったときのめっき速度により評価する方法（特許文献２）等が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−０１８１１７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１７７７７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来技術では、被めっき体である配線基板に用いる樹脂基材を、単体として取り出し、この樹脂基材を、ビーカー内のめっき液自体又はその建浴に用いる水の中に長時間浸漬することによって、樹脂基材からの溶出物を抽出して、めっき析出性試験に用いるめっき液又はその建浴に用いる水を準備する。また、析出性試験に用いるテスト基板は、全面にめっきが析出する金属板を用いている。
【０００６】
しかし、これらのビーカースケールで行う従来のめっき析出性の試験方法では、実際に量産で配線基板にめっき処理を行う際に生じる、めっきふり等のめっき析出性の不具合の可能性を、事前に評価することが難しかった。それは、実際に量産で配線基板をめっき処理する場合、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物による影響は、配線基板の部位によって異なり、樹脂基材との境界近傍の導体パターンでは、樹脂基材からの溶出物が高濃度となり、影響が大きくなることを再現できなかったためである。
【０００７】
つまり、従来の試験方法では、予め、樹脂基板からの溶出物を抽出するので、溶出物の濃度がめっき液全体で均一になってしまう。また、めっき析出性試験用のテスト基板として、全体にめっきが析出する金属板を用いるため、樹脂基材近傍に位置する導体パターンへの影響を評価できない問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンで高濃度となる影響を含む評価を、ビーカースケールの試験で可能とする、めっき析出性試験用のテスト基板、これを用いためっき析出性試験方法及びめっき析出性試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下に関する。
１．  支持体となる支持基材と、この支持基材上に配置された凸形状の導体パターンと、を有するめっき析出性試験用のテスト基板であって、前記支持基材が、前記導体パターンから露出した露出部を有し、前記導体パターンが、前記露出部との境界に、前記露出部と前記導体パターンとの段差により形成される段差部を有し、前記導体パターンが、前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において前記露出部の上方となる、複数の上方パターン成分を備える、めっき析出性試験用のテスト基板。
２．  前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において、前記導体パターンが、水平方向になる複数の水平パターン成分を備える、項１に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
３．  前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のそれぞれの下方に隣接し、前記露出部によって形成される間隙の間隙幅が、前記間隙のそれぞれの上方に隣接する前記凸形状の導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のパターン幅よりも大きくなるように形成される、項１又は２に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
４．  前記露出部の面積が、前記導体パターンの面積よりも大きくなるように形成される、項１から３の何れか１項に記載のめっき析出性試験用のテスト基板。
５．  項１から４に記載のめっき析出性試験用のテスト基板を用いるめっき析出性試験方法であって、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板を、前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、前記露出部の上方となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成するめっき工程（１）と、前記導体パターン上にめっきを形成した前記めっき析出性試験用のテスト基板のめっき析出性を評価する評価工程（２）と、を有する、めっき析出性試験方法。
６．  前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板を、前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、水平となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、５に記載のめっき析出性試験方法。
７．  前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、前記めっき析出試験用のテスト基板が垂直となるように浸漬し、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、項５又は６に記載のめっき析出性試験方法。
８．  前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液中に浸漬した前記めっき析出性試験用のテスト基板を、垂直方向に揺動させながら、前記導体パターン上にめっき皮膜を形成する、項５から７の何れか１項に記載のめっき析出性試験方法。
９．  前記めっき工程（１）において、前記めっき槽に建浴した無電解めっき液が、無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液、無電解パラジウム液又は無電解金めっき液の何れかである、項５から８の何れか１項に記載のめっき析出性試験方法。
１０．  項１から４に記載のめっき析出性試験用のテスト基板と、このめっき析出性試験用のテスト基板を浸漬するためのめっき槽と、このめっき槽内に貯蔵された無電解めっき液と、前記めっき析出性試験用のテスト基板を前記めっき槽内に貯蔵された無電解めっき液中に浸漬した状態で保持するためのテスト基板保持手段と、を備える、めっき析出性試験用のめっき装置であって、前記テスト基板保持手段が、前記めっき析出試験用のテスト基板の前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分を、前記露出部の上方となるように浸漬して保持する、めっき析出性試験装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンで高濃度となる影響を含む評価を、ビーカースケールの試験で可能とする、めっき析出性試験用のテスト基板、これを用いためっき析出性試験方法及びめっき析出性試験装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態のめっき析出性試験用のテスト基板を示す。
【図２】本発明の一実施形態のめっき析出性試験用のテスト基板の作用原理及びめっき析出性試験装置を示す。
【図３】本発明の一実施形態のめっき析出性試験方法を表す。
【図４】比較例（従来）のめっき析出性試験方法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（めっき析出性試験用のテスト基板）
図１及び図２に示すように、本実施の形態のめっき析出性試験用のテスト基板１は、支持体となる支持基材と、この支持基材上に配置された凸形状の導体パターンと、を有するめっき析出性試験用のテスト基板であって、前記支持基材が、前記導体パターンから露出した露出部を有し、前記導体パターンが、前記露出部との境界に、前記露出部と前記導体パターンとの段差により形成される段差部を有し、前記導体パターンが、前記めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において前記露出部の上方となる、複数の上方パターン成分を備える。以下、この本発明の一実施形態のめっき析出性試験用のテスト基板１（以下、単に「テスト基板１」ということがある。）について説明する。
【００１３】
上記のとおり、本実施の形態のテスト基板１は、まず、支持体となる支持基材２と、この支持基材２上に配置された凸形状の導体パターン３と、を有する。
【００１４】
支持基材２とは、導体パターン３等を支持する支持体となる基材をいい、基材とは、絶縁層を形成する材料のことをいい、補強材に絶縁樹脂を含浸させ硬化させたものや補強材を有さない絶縁樹脂を硬化させたものが挙げられる。
【００１５】
絶縁樹脂としては、配線基板の絶縁材料として用いられる公知慣例の樹脂組成物を用いることができる。通常、耐熱性、耐薬品性の良好な熱硬化性樹脂がベースとして用いられ、フェノ−ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素樹脂等の樹脂の１種類又は２種類以上を混合して用い、必要に応じてタルク、クレー、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、水酸化アルミニウム、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン等の無機質粉末充填剤、ガラス繊維、アスベスト繊維、パルプ繊維、合成繊維、セラミック繊維等の繊維質充填剤を添加したものが挙げられる。
【００１６】
導体パターン３とは、支持基材２上に配置され、電気的に導電性を有し、パターンが形成されたものをいう。凸形状とは、支持基材２の表面よりも支持基材２の厚さ方向に飛び出した形状をいう。凸形状の導体パターン３として、電気めっきや圧延等によって作製された金属箔、又は、電気めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタリング等によって形成された金属膜などを支持基材２上に配置し、これらの金属箔又は金属膜をエッチング等の回路加工によって部分的に除去したものが使用できる。金属箔として、銅箔、ニッケル箔、アルミニウム箔等を用いることができるが、通常は銅箔を使用する。
【００１７】
本実施の形態のテスト基板１は、支持基材２が、導体パターン３から露出した露出部１５を有する。露出部２とは、支持基材２が、導体パターン３から露出した部分をいう。露出部１５に露出した支持基材２は、めっき液に直接晒され、この部分から支持基材２の溶出物がめっき液に溶出する。溶出物とは、支持基材２を構成する成分のうち、めっき液に溶解又は分散した成分をいう。
【００１８】
本実施の形態のテスト基板１は、導体パターン３が、露出部１５との境界に、露出部１５と導体パターン３との段差７により形成される段差部６を有している。段差７とは、露出部１５（支持基材２の表面）を基準とした導体パターン３端部の高さをいい、段差部６とは、導体パターン３の端面（側面）及びその近傍をいう。
【００１９】
本実施の形態のテスト基板１は、導体パターン３が、無電解めっき析出性試験用のテスト基板１をめっき液１０に浸漬して行うめっき析出性試験において、導体パターン３が、露出部１５の上方となる複数の上方パターン成分を備える。めっき析出性試験とは、テスト基板１を無電解めっき液１０に浸漬してめっき処理を行い、形成しためっき皮膜の形状、組織、厚さ等を調べるために行う、ビーカースケールの試験である。無電解めっき液とは、金属塩、鎖化剤、還元剤等を有し、触媒上で連続的にめっき反応を継続する、いわゆる自己触媒型のめっき液をいい、このようなものとして、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解金めっきが挙げられる。ビーカースケールとは、量産よりも少ない容量の無電解めっき液、又は少ない枚数の基板を用いることをいう。また、上方パターン成分とは、導体パターン３のうち、無電解めっき液１０に浸漬した際に露出部１５の上方となる部分をいう。つまり、本実施の形態のテスト基板１は、めっき析出性試験において、無電解めっき液１０に浸漬した際に、必ず露出部１５の上方となる複数の導体パターン３を有している。
【００２０】
本実施の形態のテスト基板１によれば、まず、めっき析出性試験において、無電解めっき液１０に浸漬するので、導体パターン３上で無電解めっき反応が起こり、導体パターン３の近傍では、生成する気体によって上方に向かう液流が生じている。ここで、導体パターン３が、露出部１５の上方となる複数の上方パターン成分を備えるので、無電解めっき液１０に露出している露出部１５から溶出した支持基材２からの溶出物が、上方に向かう液流に載って拡散し難く、濃厚な状態のままで、導体パターン３の上方パターン成分に達する。また、導体パターン３が、露出部１５との境界に、露出部１５と導体パターン３との段差７により形成される段差部６を有するので、濃厚な溶出物を載せた液流の上昇がこの段差部６で妨げられ、滞留が生じる。つまり、導体パターン３の上方パターン成分は、濃厚な溶出物に長時間晒される。しかも、この上方パターン成分は、複数設けられているため、濃厚な溶出物を載せた液流が、段差部６を乗り越えたとしても、次の段差部６で再び上昇が妨げられて滞留するとともに、この段差部６で露出部１５から溶出した溶出物と合流することによって、さらに溶出物が濃縮される。このように、導体パターン３の上方パターン成分が複数あることによって、溶出物の濃縮が累積され、その結果、支持基材２からの溶出物による影響を加速しためっき析出性試験を行うことができる。
【００２１】
したがって、本発明によれば、量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンでは高濃度となり影響が出易いことも含めた評価を、ビーカースケールの試験で可能とする、めっき析出性試験用のテスト基板を提供できる。
【００２２】
本実施の形態のテスト基板１は、めっき析出性試験用のテスト基板を無電解めっき液に浸漬して行うめっき析出性試験において、導体パターンが、水平方向になる複数の水平パターン成分を備えてもよい。
【００２３】
本実施の形態のテスト基板１の水平パターン成分とは、導体パターン３のうち、無電解めっき液１０に浸漬した際に水平となる部分をいう。つまり、本実施の形態のテスト基板１は、めっき析出性試験において、無電解めっき液１０に浸漬した際に、必ず水平となる部分を有する導体パターン３を有している。
【００２４】
これにより、導体パターン３が、露出部１５の上方に水平パターン成分を備えるので、上方に向かう液流が、この水平パターン成分によって妨げられる。この結果、無電解めっき液１０に露出している露出部１５から溶出した支持基材２の溶出物が、上方に向かう液流に載って拡散し難く、濃厚な状態のままで、導体パターン３の上方パターン成分に達するようにできる。
【００２５】
本実施の形態のテスト基板１は、導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のそれぞれの下方に隣接し、露出部によって形成される間隙の間隙幅が、間隙のそれぞれの上方に隣接する導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分のパターン幅よりも大きくなるように形成されるのが好ましい。
【００２６】
これにより、テスト基板１のうち、導体パターンの上方パターン成分又は水平パターン成分に隣接する支持基材２からの無電解めっき液１０への溶出物の溶出を促進することができる。
【００２７】
本実施の形態のテスト基板１は、露出部の面積が、導体パターンの面積よりも大きくなるように形成されるのが好ましい。
【００２８】
これにより、テスト基板１のうち、支持基材２が無電解めっき液１０に晒される面積が、導体パターンの上方パターン成分又は水平パターン成分よりも大きくなるため、支持材材２から無電解めっき液１０への溶出物の溶出を促進することができる。
【００２９】
（めっき析出性試験方法）
図３に示すように、本実施の形態のめっき析出性試験方法は、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、めっき析出試験用のテスト基板を、導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、露出部の上方となるように浸漬し、導体パターン上にめっきを形成するめっき工程（１）と、導体パターン上にめっき皮膜を形成しためっき析出性試験用のテスト基板のめっき析出性を評価する評価工程（２）と、を有する。以下、この本発明の一実施形態のめっき析出性試験方法について説明する。
【００３０】
まず、図３（Ａ）に示すように、本実施の形態のめっき析出性試験方法は、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、めっき析出試験用のテスト基板を、導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、露出部の上方となるように浸漬し、導体パターン上にめっきを形成するめっき工程（１）を有している。
【００３１】
テスト基板１を導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、露出部の上方となるように浸漬する方法としては、例えば、テスト基板１の周囲を取り囲む額縁形状の骨格を有し、この骨格にテスト基板１の外周となる端部を固定することで、テスト基板１の変形を抑えつつ、テスト基板１を無電解めっき液に浸漬する方向を規定することが可能なテスト基板保持手段１４を用いる方法が挙げられる。
【００３２】
次に、図３（Ｂ）に示すように、本実施の形態のめっき析出性試験方法は、導体パターン上にめっき皮膜を形成しためっき析出性試験用のテスト基板のめっき析出性を評価する評価工程（２）を有している。
【００３３】
めっき析出性を評価する評価工程（２）では、めっき析出性の評価（以下、「析出性評価」ということがある。）を行う。めっき析出性の評価とは、配線基板における導体パターンの支持基材からの溶出物が、めっき析出性に与える影響を評価することをいい、この析出性評価は、テスト基板１の導体パターン上に析出しためっき皮膜の厚さから、１時間あたりに析出するめっき皮膜の厚さであるめっき速度（単位：μｍ／ｈｒ）を求めることによって行うことができる。
【００３４】
本実施の形態のめっき析出性試験方法によれば、めっき工程（１）において、テスト基板を、導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、露出部の上方となるように浸漬し、導体パターン上にめっきする。このため、上述したテスト基板１と同様に、支持基材２の溶出物が濃厚な状態で導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分に達し、段差部６によって滞留が生じることで、導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分が濃厚な溶出物に長時間晒される。しかも、この上方パターン成分は、複数設けられているため、濃厚な溶出物が滞留と濃縮が累積され、その結果、支持基材２からの溶出物による影響を加速しためっき析出性試験を行うことができる。
【００３５】
したがって、本発明によれば、量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンでは高濃度となり影響が出易いことも含めた評価を、ビーカースケールの試験で可能とする、めっき析出性試験方法を提供できる。
【００３６】
本実施の形態のめっき析出性試験方法においては、めっき工程（１）において、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、めっき析出試験用のテスト基板を、導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分が、水平となるように浸漬し、導体パターン上にめっき皮膜を形成する。
【００３７】
これにより、導体パターン３が、露出部１５の上方に上方パターン成分又は水平パターン成分を備えるので、上方に向かう液流が、この上方パターン成分又は水平パターン成分によって妨げられる。この結果、無電解めっき液１０に露出している露出部１５から溶出した支持基材２の溶出物が、上方に向かう液流に載って拡散し難く、濃厚な状態のままで、導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分に達するようにできる。
【００３８】
本実施の形態のめっき析出性試験方法においては、めっき工程（１）において、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に、めっき析出試験用のテスト基板が垂直となるように浸漬し、導体パターン上にめっき皮膜を形成するのが好ましい。
【００３９】
これにより、テスト基板１の表裏面では、上方に向かう液流が、乱れ難く、層流を形成しやすくなるため、テスト基板１の表面に沿って移動しやすくなる。このため、無電解めっき液１０に露出している露出部１５から溶出した支持基材２の溶出物が、上方に向かう液流に載って拡散し難く、濃厚な状態のままで、導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分に達するようにできる。
【００４０】
本実施の形態のめっき析出性試験方法においては、めっき工程（１）において、めっき槽に建浴した無電解めっき液中に浸漬した前記めっき析出性試験用のテスト基板を、垂直方向に揺動させながら、導体パターン上にめっき皮膜を形成してもよい。
【００４１】
これにより、テスト基板１の表裏面近傍の無電解めっき液１０が、上下方向以外には拡散し難い状態を保ったままで、支持基材２からの溶出物を、確実に導体パターン３に接触させることができる。
【００４２】
本実施の形態のめっき析出性試験方法においては、めっき工程（１）において、めっき槽に建浴した無電解めっき液が、無電解銅めっき液、無電解ニッケルめっき液、無電解パラジウム液又は無電解金めっき液の何れかであるのが好ましい。
【００４３】
これにより、配線基板の製造工程で一般的に用いられる無電解めっき液に対する支持基材２の影響を、量産スケールの実験を行うことなく、ビーカースケールの実験だけで、調べることができる。
【００４４】
（めっき析出性試験装置）
図２に示すように、本実施の形態のめっき析出性試験装置１６は、めっき析出性試験用のテスト基板と、このめっき析出性試験用のテスト基板を浸漬するためのめっき槽と、このめっき槽内に貯蔵された無電解めっき液と、前記めっき析出性試験用のテスト基板を前記めっき槽内に貯蔵された無電解めっき液中に浸漬した状態で保持するためのテスト基板保持手段と、を備える、めっき析出性試験用のめっき装置であって、前記テスト基板保持手段が、前記めっき析出試験用のテスト基板の前記導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分を、前記露出部の上方となるように浸漬して保持する。以下、この本発明の一実施形態のめっき析出性試験装置について説明する。
【００４５】
本実施の形態のめっき析出性試験装置によれば、テスト基板保持手段が、めっき析出試験用のテスト基板の導体パターンの複数の上方パターン成分又は複数の水平パターン成分を、露出部の上方となるように浸漬して保持する。このため、上述したテスト基板１と同様に、支持基材２の溶出物が濃厚な状態で導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分に達し、段差部６によって滞留が生じることで、導体パターン３の上方パターン成分又は水平パターン成分が濃厚な溶出物に長時間晒される。しかも、この上方パターン成分は、複数設けられているため、濃厚な溶出物が滞留と濃縮が累積され、その結果、支持基材２からの溶出物による影響を加速しためっき析出性試験を行うことができる。
【００４６】
したがって、本発明によれば、量産で配線基板をめっき処理する場合に発生する、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンでは高濃度となり影響が出易いことも含めた評価を、ビーカースケールの試験で可能とする、めっき析出性試験方法を提供できる。
【実施例】
【００４７】
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明は、実施例に限定されない。
【００４８】
（実施例１）
（テスト基板の作製）
実施例１用のテスト基板の材料として、銅箔厚さ３５μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍ、厚さ０．１３ｍｍの両面銅張り積層板（日立化成株式会社製、製品名：ＭＣＬ−ＦＸ２、基材：ガラスエポキシ）を準備した。また、ブランク用の材料として、厚さ１８μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍの銅箔（日本電解製、製品名ＹＧＰ−１８）を準備した。
【００４９】
実施例１用のテスト基板１の両面の銅箔をエッチングして、図１に示すように、導体パターン４を有するテスト基板１を作製した。
【００５０】
（めっき処理）
次に、実施例１用及びブランク用に、それぞれ１Ｌのビーカーに、無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業株式会社製、製品名：ＩＣＰ二コロンＵＳＤ）を建浴し、浴温８５℃とした。
【００５１】
次に、実施例１用のテスト基板及びブランク用の銅箔に対して、前処理として、置換パラジウムめっきを行い、導体パターン３上に、触媒となるパラジウムを付与した。
【００５２】
次に、図２に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、実施例１用のテスト基板及びブランク用の銅箔を垂直に保持した状態で、それぞれのビーカーの無電解ニッケルめっき液中に浸漬して、所定時間（３０分）のめっき処理を行った。
【００５３】
（めっき析出性の評価）
次に、実施例１用のテスト基板及びブランク用の銅箔を取り出し、水洗、乾燥した後、ニッケルめっきの厚さを、蛍光Ｘ線膜厚測定器を用いて測定した。
【００５４】
次に、めっき厚さの測定結果から、めっき析出性を評価した。
【００５５】
（実施例２）
（テスト基板の作製）
実施例２用のテスト基板の材料として、実施例1と同様に、銅箔厚さ３５μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍ、厚さ０．１３ｍｍの両面銅張り積層板（日立化成株式会社製、製品名：ＭＣＬ−ＦＸ２、基材：ガラスエポキシ）を準備した。また、ブランク用の材料として、実施例１と同様に、厚さ１８μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍの銅箔（日本電解株式会社製、製品名ＹＧＰ−１８）を準備した。
【００５６】
（めっき処理）
次に、実施例２用及びブランク用に、それぞれ１Ｌのビーカーに、無電解厚付金めっき液（日立化成株式会社製、製品名：ＨＧＳ−２０００）を建浴し、浴温６５℃とした。
【００５７】
次に、実施例２用のテスト基板及びブランク用の銅箔に対して、前処理として、置換パラジウムめっきを行い、導体パターン３上に、触媒となるパラジウムを付与した。さらに、無電解ニッケルめっき、置換金めっきを付与した。
【００５８】
次に、図２に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、実施例２用のテスト基板及びブランク用の銅箔を垂直に保持した状態で、それぞれのビーカーの無電解厚付金めっき液中に浸漬して、所定時間（１時間）のめっき処理を行った。
【００５９】
（めっき析出性の評価）
次に、実施例１用のテスト基板及びブランク用の銅箔を取り出し、水洗、乾燥した後、金めっきの厚さを、蛍光Ｘ線膜厚計を用いて測定した。
【００６０】
次に、めっき厚さの測定結果から、めっき析出性を評価した。
【００６１】
（比較例１）
（基材からの溶出物を抽出しためっき液の準備）
めっき析出性への影響を調べる対象となる支持基材用の材料として、銅箔厚さ３５μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍ、厚さ０．１３ｍｍの両面銅張り積層板（日立化成株式会社製、製品名：ＭＣＬ−ＦＸ２、基材：ガラスエポキシ）を準備した。
【００６２】
両面の銅箔を全面エッチングして、支持基材２を全面露出させた。
【００６３】
次に、比較例１用及びブランク用に、それぞれ１Ｌのビーカーに、無電解ニッケルめっき液（奥野製薬工業株式会社製、製品名：ＩＣＰ二コロンＵＳＤ）を建浴し、浴温８５℃とした。
【００６４】
次に、比較例１用の無電解ニッケルめっき液については、図４（Ａ）に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、支持基材２を垂直に保持した状態で、無電解ニッケルめっき液中に浸漬して、５時間放置した。ブランク用の無電解ニッケルめっき液については、この操作を行わなかった。
【００６５】
次に、比較例１用として、図４（Ｂ）に示すように、支持基材２を取り出し、支持基材２からの溶出物を抽出しためっき液（以下、「抽出液」ということがある。）を準備した。また、ブランク用として、建浴したままで、支持基材２からの溶出物を含まないめっき液を準備した。
【００６６】
（テスト基板の作製）
比較例１及びブランク用のテスト基板用の材料として、厚さ３００μｍ、縦１００ｍｍ、横６７ｍｍの銅板（株式会社山本鍍金試験器製、製品名：ハルセル用銅板）を準備した。
【００６７】
（めっき処理）
次に、先に比較例１用に準備した、基材からの溶出物を抽出しためっき液（抽出液）及びブランク用に準備した支持基材２からの溶出物を含まないめっき液の浴温を８５℃とした。
【００６８】
次に、比較例１及びブランク用のテスト基板に対して、前処理として、置換パラジウムめっきを行い、銅板上に、触媒となるパラジウムを付与した。
【００６９】
次に、図４（Ｃ）に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、テスト基板を垂直に保持した状態で、比較例１用に準備した無電解ニッケルめっき液中（抽出液中）及びブランク用に準備した無電解ニッケルめっき液中に浸漬して、所定時間（３０分）のめっき処理を行った。
【００７０】
（めっき析出性の評価）
実施例１と同様にして行った。
【００７１】
（比較例２）
（基材からの溶出物を抽出しためっき液の準備）
めっき析出性への影響を調べる対象となる支持基材用の材料として、銅箔厚さ３５μｍ、縦１００ｍｍ、横６０ｍｍ、厚さ０．１３ｍｍの両面銅張り積層板（日立化成株式会社製、製品名：ＭＣＬ−ＦＸ２、基材：ガラスエポキシ）を準備した。
【００７２】
両面の銅箔を全面エッチングして、支持基材２を全面露出させた。
【００７３】
次に、比較例２用及びブランク用に、それぞれ１Ｌのビーカーに、無電解厚付金めっき液（日立化成株式会社製、製品名：ＨＧＳ−２０００）を建浴し、浴温６５℃とした。
【００７４】
次に、比較例２用の無電解厚付金めっき液については、図４（Ａ）に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、支持基材２を垂直に保持した状態で、無電解厚付金めっき液中に浸漬して、５時間放置した。ブランク用の無電解銅めっき液については、この操作を行わなかった。
【００７５】
次に、比較例２用として、図４（Ｂ）に示すように、支持基材２を取り出し、支持基材２からの溶出物を抽出しためっき液（抽出液）を準備した。また、ブランク用として、建浴したままで、支持基材２からの溶出物を含まないめっき液を準備した。
【００７６】
（テスト基板の作製）
比較例１と同様にして行った。
【００７７】
（めっき処理）
次に、先に比較例２用に準備した、基材からの溶出物を抽出しためっき液（抽出液）及びブランク用に準備した支持基材２からの溶出物を含まないめっき液の浴温を６５℃とした。
【００７８】
次に、比較例２及びブランク用のテスト基板に対して、前処理として、置換パラジウムめっきを行い、銅板上に、触媒となるパラジウムを付与した。さらに、無電解ニッケルめっき、置換金めっきを付与した。
【００７９】
次に、図４（Ｃ）に示すように、テスト基板保持手段１４を用いて、テスト基板を垂直に保持した状態で、比較例１用に準備した無電解厚付金めっき液中（抽出液中）及びブランク用に準備した無電解厚付金めっき液中に浸漬して、所定時間（１時間）のめっき処理を行った。
【００８０】
（めっき析出性の評価）
実施例１と同様にして行った。
【００８１】
実施例１、２、比較例１、２の結果を、表１に纏めた。
【表１】
2019014934.tif 000003
【００８２】
表１に示したとおり、実施例１と比較例１、実施例２と比較例２とをそれぞれ比較すると、ブランクに対するめっき析出性は、何れも実施例の方が比較例よりも小さく、この結果から、実施例の方が比較例よりも、支持基材からの溶出物の影響が大きく出ている。したがって、樹脂基材からめっき液に抽出される溶出物が、樹脂基材近傍の導体パターンで高濃度となる影響を、ビーカースケールの試験であっても、より精度よく評価することが可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１．テスト基板
２．支持基材
３．導体パターン
４．パターン幅
５．間隙幅
６．段差部
７．段差
８．液流
９．めっき槽
１０．めっき液
１１．溶出液（均一）
１２．溶出液（濃厚液）
１３．銅板
１４．テスト基板保持手段
１５．露出部
１６．めっき析出性試験装置
【図１】
2019014934.tif 000004
【図２】
2019014934.tif 000005
【図３】
2019014934.tif 000006
【図４】
2019014934.tif 000007