(57)【要約】【課題】Ａｇの分布の均一性が高いＡｇＩｎスパッタリングターゲット材を提供すること。【解決手段】Ａｇを含有し、残部がＩｎ及び不可避的不純物から成るスパッタリングターゲット材であって、  Ａｇの厚み方向の均一性が以下の式で表される、スパッタリングターゲット材：｜Ｂ−Ｃ｜／Ａ×１００≦３０（％）ここで、Ａ：スパッタリングターゲット材全体におけるＡｇの含有量（原子％）Ｂ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの一方のＡｇの含有量（原子％）Ｃ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの他方のＡｇの含有量（原子％）。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇを含有し、残部がＩｎ及び不可避的不純物から成るスパッタリングターゲット材であって、
Ａｇの厚み方向の均一性が以下の式で表される、スパッタリングターゲット材：
｜Ｂ−Ｃ｜／Ａ×１００≦３０（％）
ここで、
Ａ：スパッタリングターゲット材全体におけるＡｇの含有量（原子％）
Ｂ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの一方のＡｇの含有量（原子％）
Ｃ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの他方のＡｇの含有量（原子％）。
【請求項２】
Ａｇを１〜１０原子％含有する請求項１のスパッタリングターゲット材。
【請求項３】
酸素濃度が１５０質量ｐｐｍ以下である、請求項１又は２のスパッタリングターゲット材。
【請求項４】
Ｆｅ濃度が３質量ｐｐｍ以下である、請求項１〜３いずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項５】
ＡｇＩｎ2が存在することを特徴とする、請求項１〜４いずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材であって、Ｃｕ及び／又はＧａを更に含有する、スパッタリングターゲット材。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材であって、
バッキングプレート又はバッキングチューブと接合層とを更に備え、
前記接合層は、Ｉｎ、ＩｎＡｇ合金、ＩｎＳｎ合金、ＩｎＧａ合金、ＩｎＢｉ合金、及びＩｎＺｎ合金から選択される１種以上を含む、スパッタリングターゲット材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、
ＡｇとＩｎとを合金化する工程と、
合金化した材料を鋳造する工程と、
を含み、
前記鋳造する工程は、鋳型を水により冷却することを含む、
該方法。
【請求項９】
請求項８の方法であって、酸化物スラグを除去する工程を更に含む、該方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、スパッタリングターゲット材及びその製造方法に関する。より具体的には、ＩｎとＡｇを含むスパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＩＧＳ系太陽電池は、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）の４種類の元素を主原料とする化合物半導体系太陽電池である。ＣＩＧＳの成膜方法としては、印刷法、同時蒸着法、スパッタ法などが挙げられる。
【０００３】
非特許文献１では、ＣＩＧＳ太陽電池の吸収層へＡｇを添加することで高効率化が実現できることが報告されている。当該文献では、成膜する方法として、Ａｇ前駆体をＳＬＧ／Ｍｏ基板上に蒸着させた後、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅの各単体を用いて同時蒸着する方法を開示している。
【０００４】
特許文献１では、光学高反射鏡鏡、ろう付け材料、銀製装飾品の製造、および半導体パッケージ用の極細銀合金線に用いるＩｎＡｇ合金材料を開示している。当該合金材料は、銀顆粒およびインジウム顆粒を混合し、真空加熱を行い、真空装置で冷却を行い、そして、アニーリングを行うことで得られることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０３７６６８４号明細書
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｓｏｌａｒ  ＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ１４６（２０１６）１１４−１２０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように成膜方法としては、同時蒸着法やスパッタ法等が挙げられるが、蒸着法は、小面積で組成を変化させる場合には優れている。一方で、大面積の成膜では、膜厚分布の良さの観点から、スパッタ法の方が優れている。しかし、Ａｇを添加したＣＩＧＳの薄膜をスパッタ法により形成する場合おいて、当該スパッタ法に用いることのできるＡｇ及びＩｎを含有するスパッタリングターゲット材は未だ開発されていない。実用化するためには、ターゲットのライフを通して、一定のＡｇ濃度でスパッタできるようにすることが望ましい。そのためには、Ａｇが厚さ方向で均一に分布したＡｇ及びＩｎを含有するスパッタリングターゲット材が望まれる。そこで、本開示の目的は、スパッタ法に用いることができ、Ａｇの分布の均一性の高いＡｇ及びＩｎを含有するスパッタリングターゲット材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者が鋭意研究したところ、合金化、鋳造、急冷等を行うことで、Ａｇが均一に分布したＩｎＡｇスパッタリングターゲット材を得ることができることを見出した。こうした知見に基づいて、一実施形態に係る発明は以下のように特定される。
【０００９】
（発明１）
Ａｇを含有し、残部がＩｎ及び不可避的不純物から成るスパッタリングターゲット材であって、
Ａｇの厚み方向の均一性が以下の式で表される、スパッタリングターゲット材：
｜Ｂ−Ｃ｜／Ａ×１００≦３０（％）
ここで、
Ａ：スパッタリングターゲット材全体におけるＡｇの含有量（原子％）
Ｂ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの一方のＡｇの含有量（原子％）
Ｃ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの他方のＡｇの含有量（原子％）。
（発明２）
Ａｇを１〜１０原子％含有する発明１のスパッタリングターゲット材。
（発明３）
酸素濃度が１５０質量ｐｐｍ以下である、発明１又は２のスパッタリングターゲット材。
（発明４）
Ｆｅ濃度が３質量ｐｐｍ以下である、発明１〜３いずれか１つに記載のスパッタリングターゲット材。
（発明５）
ＡｇＩｎ2が存在することを特徴とする、発明１〜４いずれか１つに記載のスパッタリングターゲット材。
（発明６）
発明１〜５のいずれか１つに記載のスパッタリングターゲット材であって、Ｃｕ及び／又はＧａを更に含有する、スパッタリングターゲット材。
（発明７）
発明１〜５のいずれか１つに記載のスパッタリングターゲット材であって、
バッキングプレート又はバッキングチューブと接合層とを更に備え、
前記接合層は、Ｉｎ、ＩｎＡｇ合金、ＩｎＳｎ合金、ＩｎＧａ合金、ＩｎＢｉ合金、及びＩｎＺｎ合金から選択される１種以上を含む、スパッタリングターゲット材。
（発明８）
発明１〜７のいずれか１つに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、
ＡｇとＩｎとを合金化する工程と、
合金化した材料を鋳造する工程と、
を含み、
前記鋳造する工程は、鋳型を水により冷却することを含む、
該方法。
（発明９）
発明８の方法であって、酸化物スラグを除去する工程を更に含む、該方法。
【発明の効果】
【００１０】
一側面において、本開示の発明は、Ａｇが特定の分布状態であるＩｎＡｇスパッタリングターゲット材である。これにより、スパッタの開始から、ライフエンドまで、一定の銀濃度で大面積にスパッタすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】スパッタリングターゲット材全体におけるＡｇの含有量を測定する際のサンプル採取の位置を表す。
【図２】スパッタリングターゲット材全体及び一部におけるＡｇの含有量を測定する際のサンプル採取の範囲を表す。
【図３】スパッタリングターゲット材における各成分のＸＲＤにおけるピークを表す。各曲線は、上から順に、Ａｇ１０ａｔ％、Ａｇ８ａｔ％、Ａｇ６ａｔ％、Ａｇ３ａｔ％、Ｉｎ、ＡｇＩｎ2を表す。
【図４】円筒形スパッタリングターゲット材の製造方法を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示の発明を実施するための具体的な実施形態について説明する。以下の説明は、本開示の発明の理解を促進するためのものである。即ち、本開示の発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【００１３】
１．ターゲット材
１−１．組成
一実施形態において、本開示のスパッタリングターゲット材は、Ａｇを含有し、残部がＩｎ及び不可避的不純物から成るスパッタリングターゲット材であってもよい。
【００１４】
Ａｇの含有量の下限値は１原子％以上（より好ましくは、２原子％以上）であってもよい。一方で、Ａｇの含有量の上限値は１０原子％以下（より好ましくは、８原子％以下）であってもよい。１原子％以上であることで、ＣＩＧＳ層へのＡｇ添加による効果を十分に得ることができる。一方で、１０原子％を超えるＡｇを配合しても、ＣＩＧＳ層へのＡｇ添加による効果が大きく増えず、ターゲットを作製するコストが増加してしまう。また、Ａｇ分布均一性確保の観点からも１０原子％以下であることが好ましい。
【００１５】
上記Ａｇ及びＩｎ以外に、ＣＩＧＳの構成成分である、Ｃｕおよび／またはＧａを配合してもよい。Ｃｕの含有量の下限値については、例えば、質量ｐｐｍであれば、３０質量ｐｐｍ以上、より好ましくは、５０質量ｐｐｍ以上であってもよい。また、Ｃｕの含有量の上限値については、質量ｐｐｍであれば、２０００質量ｐｐｍ以下、より好ましくは、１０００質量ｐｐｍ以下であってもよい。Ｇａの含有量の下限値については、質量ｐｐｍであれば、１０質量ｐｐｍ以上、より好ましくは、２０質量ｐｐｍ以上であってもよい。また、Ｇａの含有量の上限値については、質量ｐｐｍであれば、１０００質量ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００質量ｐｐｍ以下であってもよい。
【００１６】
１−２．不純物
一般的に、スパッタリングターゲット材において、不純物が少ない方が望ましい。一例として、酸素濃度は、１５０質量ｐｐｍ以下（より好ましくは、１２０質量ｐｐｍ以下）であってもよい。１５０質量ｐｐｍ以下であることで、吸収層における不純物起因の効率低下の可能性を抑えることができる。酸素濃度の下限値については、特に限定されないが、典型的には０質量ｐｐｍ以上である。
また、不純物として、Ｆｅを５質量ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。より好ましくは、３質量ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。下限値については、特に限定されないが、典型的には０質量ｐｐｍ以上である。Ｆｅは特にＣＩＧＳ太陽電池の効率を低下させる元素である。
【００１７】
１−３．合金化
本開示の一実施形態におけるスパッタリングターゲット材において、ＡｇＩｎ2の化合物が形成されてもよい。即ち、少なくともＩｎ相と、ＡｇＩｎ2相とが形成されてもよい。ＡｇＩｎ2相が形成されることで、スパッタリングターゲット材において、Ａｇの分布の均一化を実現することができる。なお、ＡｇＩｎ2相等の存在は、ＸＲＤ測定で固有のピークの存在を検出することで確認することができる。
上記ＸＲＤの測定条件は、例えば、以下の通りであってもよい。
・Ｘ線回折装置：株式会社リガク製の全自動水平型多目的Ｘ線回折装置ＳｍａｒｔＬａｂ（Ｘ線源：Ｃｕ線）
・ゴニオメータ：Ｕｌｔｉｍａ  ＩＶ
・管電圧：４０ｋＶ
・管電流：３０ｍＡ
・スキャンスピード：１０°／ｍｉｎ
・ステップ：０．０２°
例えば、ＸＲＤで測定することで図３に示すＡｇＩｎ2固有のピークが検出できる。
【００１８】
１−４．Ａｇの分布
本開示の一実施形態におけるスパッタリングターゲット材において、厚み方向におけるＡｇの均一性が高いことが好ましい。より具体的には、当該均一性は、以下の式で表すことができる。
｜Ｂ−Ｃ｜／Ａ×１００≦３０（％）（より好ましくは、１６％以下）
ここで、
Ａ：スパッタリングターゲット材全体におけるＡｇの含有量（原子％）
Ｂ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの一方のＡｇの含有量（原子％）
Ｃ：スパッタリングターゲット材を厚み方向に二分割したときの他方のＡｇの含有量（原子％）
【００１９】
ここで、Ａの値については、材料の複数の箇所からサンプルをとり測定する。サンプルを採取する箇所を図１に示す（図１の斜線部）。スパッタリングターゲット材の形状が円形の平板である場合には、円周を４等分する場所からサンプルをとる。スパッタリングターゲット材の形状が矩形の平板である場合には、角部４か所からサンプルをとる。スパッタリングターゲット材の形状が円筒形である場合には、両端部の円周を４等分する場所（合計８か所）からサンプルをとる。ＢとＣの値についても、同様である。
【００２０】
次に、Ａの値、Ｂの値、Ｃの値について、厚み方向でのサンプルの取り方を図２を参照しながら説明する。ターゲット材の厚みをＴ（ｍｍ）とする。当該厚みは、バッキングプレート（又はバックチューブ）側の１ｍｍを除外した長さとする。除外する理由は、スパッタリングターゲット材とバッキングプレートの界面には接合層が存在し、当該接合層の成分（例：Ｉｎ、ＩｎＡｇ合金、ＩｎＳｎ合金、ＩｎＺｎ合金、ＩｎＢｉ合金、ＩｎＧａ合金など）がスパッタリングターゲット材に拡散する可能性があるからである（即ち、ろう材からのコンタミネーション部分を除外するため）。
【００２１】
Ａの値は、サンプルの厚みがＴ（ｍｍ）となるようサンプルを取得することで測定する。一方で、Ｂ及びＣの値は、サンプルの厚みがＴ／２（ｍｍ）となるようサンプルを取得することで測定する。
【００２２】
上述した厚みとなるように採取する限り、それ以外のサンプルの寸法については、特に限定されない。分析可能な重量となるようにすることが好ましい（例えば、ＩＣＰ分析であれば１ｇ以上、典型的には１０ｇ以内）。
【００２３】
均一性の下限値については特に限定されないが、典型的には０％以上であってもよい。
【００２４】
１−５．形状・サイズ等
本開示の一実施形態におけるスパッタリングターゲット材は、例えば、平板（例えば、円形、矩形など）であってもよく、又は、円筒形であってもよい。平板の場合に、厚さは、例えば、４〜２５ｍｍであってもよい。ここでいう厚さは、ロウ材のコンタミネーション部分（１ｍｍ、図２）を含めた長さである。円形の平板の場合には直径は、φ１０１．６〜４６０ｍｍであってもよい。矩形の平板の場合には、長辺は３００〜３５００ｍｍであってもよく、短辺は１００〜５００ｍｍであってもよい。円筒形の場合には、長さはＬ３００〜３５００ｍｍであってもよく、内径はＩ．Ｄ１００〜１４０ｍｍであってもよく、外径Ｏ．Ｄ１０６〜１９０ｍｍであってもよい。
【００２５】
２．製造方法
上述したスパッタリングターゲット材の製造方法について以下説明する。当該方法は、少なくとも以下の工程を包含することができる。
・ＡｇとＩｎとを合金化する工程。
・合金化した材料を鋳造する工程。
【００２６】
好ましい実施形態において（例えば、ターゲット材が平板の場合）、上記製造方法は、鋳造した後材料を圧延する工程を更に含むことができる。別の好ましい実施形態において、酸化物スラグを除去する工程を更に含むことができる。
【００２７】
これらの各工程について以下詳述する。
【００２８】
２−１．合金化
まず、銀のショットあるいはインゴットとインジウムのショットあるいはインゴットを混合する。原料の形状は特に規定されないが、リボン状の場合表面積が多くなるため、酸化されている部分が多く、スラグが多く発生してしまうため、鋳造の工程でスラグ除去を念入りに実施することが好ましい。両者の混合比率は、上述した組成になるよう調整すればよい。得られた混合物は、不活性雰囲気下又は真空下で加熱することができる。これにより、銀とインジウムの化合物（例：ＡｇＩｎ2など）が形成される。加熱条件としては、４００℃以上が好ましく、５００℃以上がより好ましい。一方で、あまりに加熱温度を高くし過ぎても効果が変わらず、エネルギーロスが多くなることから、７００℃以下であることが好ましく、６００℃以下であることが好ましい。また、保持時間は、１時間以上であることが好ましく２時間以上であることがより好ましく、長くし過ぎても効果は変わらないことから１０時間以下であることが好ましく、９時間以下であることがより好ましい。例えば５００℃、２時間とすることができる。合金化した後は、不活性雰囲気下又は真空下で放置冷却を行い、ＡｇＩｎ合金インゴットを得ることができる。この工程を経由することで、インジウムと銀の合金化をより確実に進めることができ、銀単体相が存在することによる組成ばらつきを防ぐことができる。
【００２９】
２−２．鋳造
得られた上述のインゴットを大気中で再溶解させることができる。再溶解させる際の温度条件としては、インジウムと銀の組成に応じた融点よりも、＋２０℃〜５０℃（好ましくは、＋２０℃〜３０℃、例えば、＋２５℃）であってもよい。
【００３０】
次に、溶湯温度±２０℃の範囲内、且つ上記組成の融点以上の温度になるよう鋳型を加熱することができ、例えば＋５℃とすることができる。そして、当該鋳型に、インゴットを流し込むことができる。
【００３１】
鋳型は、冷却効率が良いものが好ましく、例えば、冷却水路を設けることが好ましい。鋳型にインゴットを流し込んだ後は、冷却水を循環させ、インゴットを急冷させることが好ましい。
【００３２】
急冷させることで、ＡｇＩｎ2等の合金の粒径を細かくすることができる。また、ＩｎとＡｇＩｎ2の２相状態の場合、先にＡｇＩｎ2が析出し沈降、あるいは鋳型壁面に析出する可能性がある。その結果、Ａｇの濃度が偏る可能性がある。しかし、急冷させることで、析出したＡｇＩｎ2が沈降するのを抑制することができる。これにより、厚み方向でのＡｇの均一性を高めることができる。
【００３３】
２−３．圧延
上記鋳造されたＡｇＩｎ材料は、好ましくは圧延（例えば、冷間圧延）を行うことができる。圧延条件は特に限定されないが、例えば、加工度が１０〜９０％（好ましくは、３０〜７０％）であってもよい。
【００３４】
２−４．酸化物スラグ除去
溶湯ＡｇＩｎインゴットを鋳型に入れた後、酸化物スラグ除去を行うことが好ましい。これにより、材料中の酸素濃度を低減させることができる。鋳型に溶湯を流し込むと、酸化物スラグは密度が低いため、溶湯上に浮上する。この浮上したスラグを、治具ですくい取ることができる。
【００３５】
２−５．他の不純物制御
上述したように、不純物の１つとしてＦｅが挙げられる。スパッタリングターゲット材のＦｅ量を低減させるため、鋳型表面の表面粗さ低減およびスラグ除去を行うことが好ましい。本鋳造プロセスのような低温（〜３００℃）では、Ｉｎ中にＦｅは固溶しないため、Ｆｅのコンタミ源は、主には鋳造鋳型の表面などからの微小片の混入によるものと考えている。そのため、鋳型表面の表面粗さを、例えばＲａ＜４μｍにするなどが対応として好ましい。また、本発明者らの研究の結果、Ｆｅは、酸化物スラグ側に多く分配するという知見が得られている。スラグ除去をよく行うことで、Ｆｅのコンタミ抑制が可能である。
【００３６】
２−６．加工（研削・切断など）
ＡｇＩｎ材料は、所望の形状に加工することができる。例えば、円筒形のスパッタリングターゲット材であれば、所望の同芯度や、厚さの均一性を達成するために、長手方向端部及び外表面部に対して研削等を行ってもよい。例えば、矩形の平板又は円形の平板のスパッタリングターゲット材であれば、所望の矩形又は円形になるよう端部を切断してもよい。また、厚さの均一性を達成するために両面を研削してもよい。ＡｇＩｎは軟らかいため、予めバッキングプレートやバッキングチューブにボンディングしたのち、最終寸法まで研削するのが好ましい。なお、円筒ターゲットの場合、図４の鋳型断面図に示すように、ボンディング領域にメッキ等でＩｎ層又はＩｎＡｇ層を設けたバッキングチューブを鋳型の一部とし、鋳造とボンディングを同時に行うことも可能である。この場合、引け巣抑制の観点から、チューブ内を冷却水路に活用し、円筒の内側から外側に向かい凝固が進むように設計するのが望ましい。また、接合層としてＩｎＡｇ層を予め設けるのではなく、Ｉｎ層を設けて、ＩｎＡｇ溶湯から拡散するＡｇにより、接合層としてのＩｎＡｇ層を形成してもよい。
【００３７】
３．スパッタリング
上記方法で得られたスパッタリングターゲット材は、安定したスパッタリングを行うことを可能にする。限定されるものではないが、以下の条件でスパッタリングを行って薄膜を形成することができる。
・スパッタガス：  Ａｒ
・スパッタガス圧：  ０．４〜０．７Ｐａ（例：０．５Ｐａ）
・スパッタガス流量：  ５〜２０ＳＣＣＭ（例：１０ＳＣＣＭ）
・スパッタリング温度：  Ｒ．Ｔ．（無加熱）
・投入スパッタパワー密度：  １．０〜３．０Ｗ／ｃｍ2（例：１．５Ｗ／ｃｍ2）
・基板：  コーニング社製イーグル２０００、φ４インチ×０．７ｍｍｔ
【実施例】
【００３８】
表１に記載の仕込みＡｇ濃度となるよう、ＡｇショットとＩｎインゴットを混合した（一部の実施例では、更にＣｕショット及びＧａショットを混合した）。これらを、５００℃の温度で２時間、Ａｒ雰囲気下で加熱し合金化した。そして、放置冷却してＡｇＩｎインゴットを得た。
【００３９】
その後、インゴットを表１の温度で再溶解し、表１の温度に加熱した鋳型に流し込んだ。その後、酸化物スラグの除去を行った。更に、鋳型に備え付けた冷却水路に冷却水を循環させ急冷を行った（ただし、一部の例では放置冷却した）。
【００４０】
冷却後は、表１の形状になるよう切断・研削等の加工を行った。また、一部の例では圧延を実施した（冷間圧延、加工度６０％）。
【００４１】
得られたターゲット材を上述した方法で部分的に切断し、材料全体のＡｇ濃度測定用のサンプルを採取した（サンプルＡ）。更に、厚さ方向１／２の位置で切断片を二分割し、厚さ方向に二分割したサンプルを採取した（サンプルＢ及びＣ）。そして、これらの材料について、ＩＣＰ分析を用いてＡｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｆｅの組成を分析した。具体的には、採取した材料を酸などで溶解し、ＩＣＰ発光分光分析装置（日立ハイテクサイエンス社製のＳＰＳ３１００ＨＶ）を用いて分析した。Ｏについてはターゲットの切断片を加熱しガス化した後に赤外吸光法（ＬＥＣＯ社製のＴＣ６００）を用いて測定した。
【００４２】
次に、得られたスパッタリングターゲット部材を銅製のバッキングプレートもしくはバッキングチューブにボンディングし、下記条件でスパッタを実施した。
【００４３】
・スパッタガス：  Ａｒ
・スパッタガス圧：  ０．５Ｐａ
・スパッタガス流量：  ２５ＳＣＣＭ
・スパッタリング温度：  Ｒ．Ｔ．（無加熱）
・投入スパッタパワー密度：  １．５Ｗ／ｃｍ2
・基板：  コーニング社製イーグル２０００、φ４インチ×０．７ｍｍｔ
【００４４】
いずれもＤＣスパッタリングが可能であった。
【００４５】
結果を表１に示す。なお、スパッタリングされる面を上側とし、反対側の面（バッキングプレート又はバッキングチューブと接する面）を下側とした。
【表１】
2019167586.tif 000002
【００４６】
実施例１〜１０では、いずれもＡｇが厚さ方向に均一に分布していた。一方で、比較例１〜２では、放置冷却を行ったため、厚さ方向でのＡｇ濃度の偏りが大きくなった。また、比較例３〜４では、Ａｇ濃度が大きすぎたため、Ａｇの分布の偏りが大きくなってしまった。
【００４７】
本明細書において、「又は」や「若しくは」という記載は、選択肢のいずれか１つのみを満たす場合や、いくつかの選択肢を満たす場合や、全ての選択肢を満たす場合を含む。例えば、「Ａ、Ｂ又はＣ」「Ａ、Ｂ若しくはＣ」という記載の場合、Ａのみを満たす場合と、Ｂのみを満たす場合と、Ｃのみを満たす場合と、ＡとＢのみを満たす場合と、ＢとＣのみを満たす場合と、ＡとＣのみを満たす場合と、Ａ〜Ｃすべてを満たす場合等を包含することを意図する。
【００４８】
以上、本開示の具体的な実施形態について説明してきた。上記実施形態は、具体例に過ぎず、本開示の発明は上記実施形態に限定されない。例えば、上述の実施形態の１つに開示された技術的特徴は、他の実施形態に提供することができる。また、特定の方法については、一部の工程を他の工程の順序と入れ替えることも可能であり、特定の２つの工程の間に更なる工程を追加してもよい。本開示の発明の範囲は、特許請求の範囲によって規定される。
【図１】
2019167586.tif 000003
【図２】
2019167586.tif 000004
【図３】
2019167586.tif 000005
【図４】
2019167586.tif 000006