(57)【要約】【課題】コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生を低減する電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置１００は、基板１０ｓ上に設けられた画素電極９ａと、基板１０ｓと画素電極９ａとの間に設けられたＴＦＴ３０と、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜のうちの第３層間絶縁膜４３に設けられ、内壁が導電膜８０３ａ，８０３ｂで覆われたコンタクトホール８０３と、を備え、コンタクトホール８０３には、導電膜８０３ａ，８０３ｂを覆うように保護膜８０３ｃが設けられている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた画素電極と、
前記基板と前記画素電極との間に設けられたトランジスターと、
前記画素電極と前記トランジスターとの間に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に設けられ、内壁が導電膜で覆われたコンタクトホールと、を備え、
前記コンタクトホールには、前記導電膜を覆うように保護膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記保護膜の膜厚は、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールにおけるアスペクト比は、１．２５以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記保護膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールの内側に設けられた導電膜は、金属膜と、前記金属膜に積層された金属窒化膜とを含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
基板上にトランジスターを形成する工程と、
前記トランジスターの上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上に画素電極を形成する工程と、を有し、
前記コンタクトホールを形成する工程は、
前記層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内壁を覆うように導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を覆うように保護膜を形成する工程と、
前記コンタクトホールに剥離液処理をする工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜を形成する工程は、膜厚が１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の前記保護膜を形成することを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記凹部を形成する工程は、アスペクト比が１．２５以上の前記凹部を形成することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護膜を形成する工程は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含む前記保護膜を形成することを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導電膜を形成する工程は、金属膜を形成する工程と、前記金属膜に積層して金属窒化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項６から請求項９のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の１つとして、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備えた、アクティブ駆動型の液晶装置が知られていた。このような液晶装置では、トランジスターのゲート、ソース、ドレインなどの電極を、それぞれ対応する配線に接続するためにコンタクトホールが形成されている。例えば、特許文献１には、高濃度ソース領域とデータ線とを電気的に接続するコンタクトホールや、シールド層用中継層または第２中継電極に対して形成されたコンタクトホールなどを備えた電気光学装置が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８６００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の電気光学装置では、微細なコンタクトホールを形成する場合に、コンタクトホールにおけるコンタクト不良が発生しやすくなるという課題があった。詳しくは、電気光学装置の製造工程において、コンタクトホール内側の導電膜の付き回り性が低下しやすかった。これによって、パターニング工程で導電膜の一部が剥離液によってエッチングされて電気的な接続が不安定になることがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の電気光学装置は、基板上に設けられた画素電極と、基板と画素電極との間に設けられたトランジスターと、画素電極とトランジスターとの間に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられ、内壁が導電膜で覆われたコンタクトホールと、を備え、コンタクトホールには、導電膜を覆うように保護膜が設けられていることを特徴とする。
【０００６】
上記の電気光学装置において、保護膜の膜厚は、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０００７】
上記の電気光学装置において、コンタクトホールにおけるアスペクト比は、１．２５以上であることが好ましい。
【０００８】
上記の電気光学装置において、保護膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含むことが好ましい。
【０００９】
上記の電気光学装置において、コンタクトホールの内側に設けられた導電膜は、金属膜と、金属膜に積層された金属窒化膜とを含むことが好ましい。
【００１０】
本願の電気光学装置の製造方法は、基板上にトランジスターを形成する工程と、トランジスターの上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜の上に画素電極を形成する工程と、を有し、コンタクトホールを形成する工程は、層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内壁を覆うように導電膜を形成する工程と、導電膜を覆うように保護膜を形成する工程と、コンタクトホールに剥離液処理をする工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
上記の電気光学装置の製造方法において、保護膜を形成する工程は、膜厚が１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の保護膜を形成することが好ましい。
【００１２】
上記の電気光学装置の製造方法において、凹部を形成する工程は、アスペクト比が１．２５以上の凹部を形成することが好ましい。
【００１３】
上記の電気光学装置の製造方法において、保護膜を形成する工程は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含む保護膜を形成することが好ましい。
【００１４】
上記の電気光学装置の製造方法において、導電膜を形成する工程は、金属膜を形成する工程と、金属膜に積層して金属窒化膜を形成する工程とを含むことが好ましい。
【００１５】
本願の電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態１に係る電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】隣接する複数の画素の各層における要部の成膜パターンを示す平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図６Ａ】コンタクトホールの構造を示す模式断面図。
【図６Ｂ】コンタクトホールの構造を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法のうち、コンタクトホールなどの製造方法を示す工程フロー図。
【図８】実施形態３に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。以下に説明する実施の形態は、本発明の一例を説明するものである。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も、本発明に含まれる。
【００１８】
なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。また、以下の説明において、例えば基板に対して、「基板上に」との記載は、基板の上に接して配置される場合、基板の上に他の構造物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接して配置され、一部が他の構造物を介して配置される場合のいずれかを表すものとする。
【００１９】
（実施形態１）
本実施形態では、電気光学装置として、画素ごとに薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：以降、「ＴＦＴ」と略す。）を備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２０】
＜液晶装置の構成＞
まず、本実施形態の液晶装置の構成について、図１から図３を参照して説明する。図１は、実施形態１に係る電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２１】
図１および図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、素子基板１０と、素子基板１０と対向配置された対向基板２０と、素子基板１０および対向基板２０の間に挟持された液晶を含む液晶層５０と、を有している。
【００２２】
素子基板１０の基板１０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの基板が用いられる。対向基板２０の基板２０ｓには、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられる。
【００２３】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。素子基板１０と対向基板２０と（以降、「一対の基板」ということもある。）は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール材５２を介して接合されている。一対の基板の隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて、液晶層５０が形成されている。
【００２４】
シール材５２には、例えば、熱硬化性または電子線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材５２には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）が混入されている。
【００２５】
シール材５２の内側には、マトリクス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅが設けられている。シール材５２と表示領域Ｅとの間には、表示領域Ｅを取り囲んで見切り部２４が設けられている。見切り部２４には、例えば、遮光性の金属または金属酸化物などが用いられる。
【００２６】
表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素領域（図示せず）が設けられている。なお、図１および図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリクス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００２７】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１辺部とシール材５２との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１辺部に対向する第２辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。
【００２８】
第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。また、第２辺部のシール材５２と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００２９】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間に設けてもよい。ここで、本明細書では、第１辺部に沿った方向をＸ方向とし、第１辺部と直交し、互いに対向する第３辺部および第４辺部に沿った方向をＹ方向とする。また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し、対向基板２０の法線方向から見ることを「平面視」あるいは「平面的」という。さらに、該法線方向において、対向基板２０から遠ざかる方向を上方、上方と逆の方向を下方という。
【００３０】
図２に示すように、基板１０ｓの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極９ａおよびスイッチング素子であるＴＦＴ３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
【００３１】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。素子基板１０は、基板１０ｓと、基板１０ｓ上に形成された画素電極９ａ、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。
【００３２】
基板２０ｓの液晶層５０側の表面には、見切り部２４と、これを覆うように成膜された絶縁層２５と、絶縁層２５を覆うように設けられた対向電極２１と、対向電極２１を覆う配向膜２２とが設けられている。本実施形態における対向基板２０は、見切り部２４、対向電極２１、配向膜２２を含むものである。
【００３３】
見切り部２４は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３４】
絶縁層２５は、例えば、光透過性を有する酸化シリコンなどの無機材料からなり、見切り部２４を覆うように設けられている。このような絶縁層２５の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３５】
対向電極２１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁層２５を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３６】
画素電極９ａを覆う配向膜１８、および対向電極２１を覆う配向膜２２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜し、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３７】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が、電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０において、光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されている。
【００３８】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２２として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００３９】
図３に示すように、液晶装置１００は、表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線１１および複数のデータ線６ａと、データ線６ａに沿って平行に配置された容量線３ｂとを有している。走査線１１が延在する方向はＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向はＹ方向である。
【００４０】
走査線１１、データ線６ａ、および容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極９ａと、トランジスターとしてのＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられて、画素Ｐの画素回路が構成されている。
【００４１】
走査線１１はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（一方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（他方のソースドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａは、データ線駆動回路１０１（図１参照）に電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線１１は、走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４３】
データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、この順番に線順次にて供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線１１に対して、走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次にて供給する。
【００４４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１から走査信号ＳＣｍの入力により、一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎが、所定のタイミングで画素電極９ａに書き込まれる。そして、画素電極９ａを介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎは、画素電極９ａと、液晶層５０を介して対向配置された対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４５】
保持された画像信号Ｄ１から画像信号Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。蓄積容量７０は、２つの容量電極の間に誘電体層を有している。
【００４６】
＜液晶装置を構成する画素の構造＞
次に、液晶装置１００を構成する画素の構造について、図４および図５を参照して説明する。図４は、隣接する複数の画素の各層における要部の成膜パターンを示す平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す模式断面図である。なお、図５は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４７】
図４に示すように、画素電極９ａは、画素Ｐ（図１参照）の配置に対応してマトリクス状に複数設けられている。隣り合う画素電極９ａの間に、Ｘ方向に延在して走査線１１が設けられ、Ｙ方向に延在してデータ線６ａが設けられている。ここで、図４においては４個の画素Ｐのみを示している。
【００４８】
データ線６ａは、後述するように、例えばアルミニウム膜などを含む積層構造を有している。走査線１１は、例えば、導電性のポリシリコン膜などを含む積層構造を有している。走査線１１は、ＴＦＴ３０の半導体層１ａのうちチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されている。すなわち、走査線１１とデータ線６ａとが交差する箇所には、それぞれ走査線１１に接続されたゲート電極３ａと半導体層１ａのチャネル領域１ａ’とが対向配置されて、ＴＦＴ３０（図３参照）が形成されている。
【００４９】
図５に示すように、素子基板１０には、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他に、各種の構成が積層されて積層構造が形成されている。該積層構造は下から順に、走査線１１を含む第１層、ゲート電極３ａを有するＴＦＴ３０などを含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａなどを含む第４層、シールド層４００などを含む第５層、画素電極９ａおよび配向膜１８などを含む第６層を備えている。
【００５０】
第１層と第２層との間には下地絶縁膜１２が、第２層と第３層との間には第１層間絶縁膜４１が、第３層と第４層との間には第２層間絶縁膜４２が、第４層と第５層との間には第３層間絶縁膜４３が、第５層と第６層との間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられて、各種の構成間における短絡の発生が抑制されている。第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３、第４層間絶縁膜４４（以降、これらを総称して「層間絶縁膜」ともいう。）、下地絶縁膜１２には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄと、データ線６ａとを電気的に接続する、第１層間絶縁膜４１のコンタクトホール８１のように、複数のコンタクトホールが形成されている。
【００５１】
液晶装置１００は、基板１０ｓ上に設けられた画素電極９ａと、基板１０ｓと画素電極９ａとの間に設けられたＴＦＴ３０と、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間に設けられた複数の層間絶縁膜と、複数の層間絶縁膜のいずれかに設けられ、内壁が導電膜で覆われたコンタクトホールと、を備え、コンタクトホールには、導電膜を覆うように保護膜が設けられている。
【００５２】
本実施形態では、本発明の保護膜を、第３層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール８０３，８０４へ適用した例を挙げて説明する。なお、本発明の保護膜が適用されるコンタクトホールは、コンタクトホール８０３，８０４に限定されない。以下、素子基板１０に含まれる各種の構成について、図４および図５を参照して説明する。
【００５３】
第１層には、走査線１１が形成されている。走査線１１の形成材料としては、遮光性を有し、例えば、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、Ｗ（タングステン）Ｔａ（タンタル）、モリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属のうちの１種類以上を含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したものと、導電性ポリシリコンまたはアモルファスシリコンなどのシリコン膜と、を積層したものが挙げられる。走査線１１は、平面的には図４に示すように、Ｘ方向に沿うようにストライプ状にパターニングされていると共に、データ線６ａに沿ってＹ方向に延びる突出部を有している。走査線１１から延びる突出部は、Ｙ方向に隣り合う走査線１１同士で接続されることはなく、走査線１１のそれぞれは独立している。
【００５４】
以上の構成により、走査線１１は、同一行に設けられたＴＦＴ３０のオン、オフを一斉に制御する機能を有している。また、走査線１１は、画素電極９ａが形成されない領域を略占めるように形成されている。そのため、ＴＦＴ３０に下側から入射する光を遮る機能も有している。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａにおける光リーク電流の発生が抑制され、フリッカーなどが低減された高品質な画像表示が可能となる。
【００５５】
本実施形態の液晶装置１００では、走査線１１として、下地膜のポリシリコン膜またはアモルファスシリコン膜などのシリコン膜１１ｂと、シリコン膜１１ｂの上層にタングステンシリサイドなどの高融点金属膜１１ａとが形成されている。
【００５６】
タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などの高融点金属は、加熱により内部の余剰なシリコンを放出し、その後、２０℃程度の室温に冷却されると、収縮作用によってクラックなどが生じやすい。そのため、本実施形態では、タングステンシリサイドなどの高融点金属膜１１ａの下層にシリコン膜１１ｂを形成する。シリコン膜１１ｂと高融点金属膜１１ａとの界面はシリコンリッチとなるため、高融点金属膜１１ａからの余剰なシリコンの放出が抑制される。そのため、走査線１１の耐クラック性が向上する。
【００５７】
第２層には、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。ＬＤＤ構造は、構成要素として、ゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜を含み、ゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、半導体層１ａにおける、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５８】
また、第２層には、ゲート電極３ａと同一膜として、中継電極７１９が形成されている。中継電極７１９は、平面視で各画素電極９ａの一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは、同一膜で形成するため、ゲート電極３ａが、例えば導電性ポリシリコン膜である場合、中継電極７１９も導電性ポリシリコン膜で形成される。
【００５９】
ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造であることが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂおよび低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造であってもよく、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６０】
また、本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲート電極３ａを、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅの間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上のＴＦＴとすれば、チャネルとソースおよびドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【００６１】
ＴＦＴ３０に含まれる半導体層１ａは、非単結晶層でもよく、単結晶層でもよい。単結晶層の形成には、貼り合わせ法などの公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすると、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００６２】
上述した走査線１１の上方、かつ、ＴＦＴ３０の下方は、例えばシリコン酸化膜などを含む下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１とＴＦＴ３０とを絶縁する機能を有している。また、下地絶縁膜１２は、基板１０ｓの全面に形成されることにより、基板１０ｓの表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れなどに起因するＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有している。
【００６３】
本実施形態においては、下地絶縁膜１２は、下層にＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）膜１２ａを有し、上層にＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜１２ｂを有する２層構造である。ＴＥＯＳ膜１２ａは、成膜性が高く、比較的に厚い膜厚で良好な被覆状態で形成することが可能であって、十分な絶縁性を有している。ＨＴＯ膜１２ｂは、耐クラック性に優れると共に、ＴＥＯＳ膜１２ａに残留する有機ガスのＴＦＴ３０への影響を軽減する汚染防止膜としても機能する。ＴＥＯＳ膜１２ａは、ＴＥＯＳ以外のシリケートガラスまたは酸化シリコンで代替してもよい。
【００６４】
下地絶縁膜１２には、平面視で半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長と同じ幅の溝（コンタクトホール）１２ｃｖが形成されている。溝１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは、下側に凹状に形成された部分を有している。また、溝１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることから、ゲート電極３ａには、ゲート電極３ａと一体的に形成された側壁部４ｂが延設されている。そのため、半導体層１ａは、平面視で側方から覆われるようになっており、半導体層１ａに入射する光が低減される。
【００６５】
側壁部４ｂは、溝１２ｃｖを埋めるように、かつ、下端が走査線１１と接するように形成されている。そのため、同一行の走査線１１とゲート電極３ａとは、同電位となる。なお、走査線１１と平行に、ゲート電極３ａを含む別の走査線を形成してもよい。この場合には、走査線１１と別の走査線とは、冗長的な配線構造となる。したがって、例えば、走査線１１の一部に何らかの欠陥があって、正常な通電が不可能となったような場合でも、該走査線１１と同一の行に存在する別の走査線が健全である限り、それを介してＴＦＴ３０の動作制御を正常に行うことが可能となる。
【００６６】
第３層には、蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０では、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅおよび画素電極９ａに接続された、画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、蓄積容量７０は、平面視で、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されている。言い換えれば、蓄積容量７０は、遮光領域内に収まるように形成されている。そのため、液晶装置１００における画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００６７】
蓄積容量７０については、下方から順に下部電極７１（画素電位側容量電極）、誘電体膜７５および容量電極３００（固定電位側容量電極）という３層構造を例示したが、これに限定されず、上記３層構造とは逆順の３層構造としてもよい。
【００６８】
下部電極７１は、例えば、導電性のポリシリコン膜を含み、画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属または合金を含む単一層膜または多層膜から形成されていてもよい。また、下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有している。この中継接続する機能は、後述するように、中継電極７１９を介して行われる。
【００６９】
容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。容量電極３００を固定電位とするために、固定電位とされた、後述するシールド層４００と容量電極３００とが、電気的に接続されている。
【００７０】
容量電極３００は、各画素Ｐ（図４参照）に対応するように島状に形成され、下部電極７１は、容量電極３００とほぼ同一形状を有するように形成されている。そのため、蓄積容量７０は、平面的に無駄な広がりを有さず、すなわち画素開口率を低下させることなく、かつ、当該状況下で最大限の容量値を実現し得ることになる。したがって、蓄積容量７０は、より小面積で、より大きな容量値をもつ。
【００７１】
誘電体膜７５は、例えば、膜厚５ｎｍから２００ｎｍ程度の比較的に薄いＨＴＯ膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜などの酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜などを含んでいる。蓄積容量７０を増大させる観点から、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄い方が好ましい。誘電体膜７５は、下層の酸化シリコン膜７５ａ、上層の窒化シリコン膜７５ｂから成る２層構造を有している。比較的誘電率が大きい窒化シリコン膜７５ｂを含むことから、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる。また、酸化シリコン膜７５ａを含むことから、蓄積容量７０の耐圧性が低下しにくくなる。このように、誘電体膜７５を２層構造とすることにより、相反する２つの作用効果を得ることが可能となる。
【００７２】
また、窒化シリコン膜７５ｂによって、ＴＦＴ３０に対する水の浸入が抑えられる。これにより、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇が起きにくくなり、液晶装置１００において比較的長期間の使用が可能となる。なお、本実施形態では、誘電体膜７５は２層構造を有するものとしたが、これに限定されない。誘電体膜７５は、例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜などの３層構造や、あるいは、それ以上の層構造を有する積層構造としてもよい。
【００７３】
ＴＦＴ３０からゲート電極３ａおよび中継電極７１９の上方、かつ、蓄積容量７０の下方には、第１層間絶縁膜４１が形成されている。本実施形態では、第１層間絶縁膜４１についても、下層にＴＥＯＳ膜４１ａを、上層にＨＴＯ膜４１ｂを、それぞれ有する２層構造を採用している。
【００７４】
第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと、後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が形成されている。コンタクトホール８１は、第１層間絶縁膜４１と、後述する第２層間絶縁膜４２とを貫通して形成されている。第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと、蓄積容量７０に含まれる下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が形成されている。
【００７５】
また、第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０における画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が形成れている。さらに、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が、後述する第２層間絶縁膜４２をも貫通して形成されている。
【００７６】
コンタクトホール８８２は、蓄積容量７０以外の領域に形成されており、下部電極７１を一旦下層の中継電極７１９に迂回させてから、コンタクトホール８８２を介して上層に引き出している。そのため、下部電極７１を上層の画素電極９ａに接続する場合でも、誘電体膜７５および容量電極３００に対して、下部電極７１を広く形成する必要がない。したがって、下部電極７１、誘電体膜７５および容量電極３００を、１つのエッチング工程で同時にパターニングすることが可能となる。これにより、下部電極７１、誘電体膜７５、容量電極３００の各エッチングレートの制御が容易となり、膜厚などの設計の自由度を増大させることが可能となる。
【００７７】
誘電体膜７５は、下部電極７１および容量電極３００と同一形状に形成されて、広がりを有していないことから、半導体層１ａに対する水素化処理を行うような場合に、水素化処理に用いる水素を、蓄積容量７０周辺の開口部を通じて半導体層１ａにまで容易に到達させることが可能となる。
【００７８】
なお、第１層間絶縁膜４１に対して、約１０００℃の焼成を行って、半導体層１ａやゲート電極３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【００７９】
第４層には、データ線６ａが形成されている。データ線６ａは、半導体層１ａの延在する方向に一致するように（Ｙ方向に重なるように）、ストライプ状に形成されている。このデータ線６ａは、下層より順に、アルミニウムから成る層４１Ａ、窒化チタンから成る層４１ＴＮ、窒化シリコン膜から成る層４０１の３層構造を有する膜として形成されている。
【００８０】
窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。データ線６ａは、比較的に低抵抗な材料であるアルミニウムを含むことにより、ＴＦＴ３０、画素電極９ａに対する画像信号の供給を滞りなく実現することができる。また、データ線６ａ上に水分の浸入をせき止める作用に比較的優れた窒化シリコン膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性が向上し、ＴＦＴ３０における寿命の長期化が可能となる。窒化シリコン膜は、プラズマ窒化シリコン膜であることが好ましい。
【００８１】
また、第４層には、データ線６ａと同一膜である、シールド層用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図４に示すように、平面視で、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、シールド層用中継層６ａ１と第２中継電極６ａ２との間は、パターニングで分断されるように形成されている。すなわち、図４において、最左方に位置するデータ線６ａに着目すると、該データ線６ａのすぐ右方に略矩形状のシールド層用中継層６ａ１、さらにその右方に、シールド層用中継層６ａ１よりも若干大きめの面積であって略矩形状の第２中継電極６ａ２が形成されている。
【００８２】
シールド層用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一工程で、下層より順に、アルミニウムから成る層、窒化チタンから成る層、プラズマ窒化膜から成る層の３層構造を有する膜として形成されている。そして、プラズマ窒化膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。窒化チタン層は、シールド層用中継層６ａ１、第２中継電極６ａ２に対して形成されるコンタクトホール８０３，８０４のエッチングの突き抜け防止のためのバリアメタルとして機能する。また、シールド層用中継層６ａ１および第２中継電極６ａ２上に、水分の浸入をせき止める作用に比較的優れたプラズマ窒化膜が形成されることにより、ＴＦＴ３０の耐湿性が向上し、ＴＦＴ３０の寿命長期化が可能となる。プラズマ窒化膜は、プラズマ窒化シリコン膜であることが好ましい。
【００８３】
図５に戻り、蓄積容量７０の上方、かつ、データ線６ａの下方には、第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２としては、例えば、ＮＳＧ（ノンドープシリケートガラス）、ＰＳＧ（フォスフォシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロフォスフォシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などが挙げられ、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成されることが好ましい。
【００８４】
第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が形成されると共に、シールド層用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極である容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が形成されている。また、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するコンタクトホール８８２が形成されている。
【００８５】
第５層には、シールド層４００が形成されている。このシールド層４００は、平面視で、Ｘ方向およびＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。シールド層４００のうち、Ｙ方向に延在する部分については、特にデータ線６ａを覆うように、かつ、データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、Ｘ方向に延在する部分については、後述する第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。
【００８６】
さらには、Ｘ方向およびＹ方向それぞれに延在するシールド層４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。シールド層４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制して、フリッカーなどがない高品質な画像を表示することが可能となる。
【００８７】
シールド層４００は、画素電極９ａが配置された表示領域Ｅ（図１参照）からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、定電位源としては、後述するデータ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源が挙げられる。
【００８８】
このように、シールド層４００は、データ線６ａの全体を覆うように形成されていると共に、固定電位とされている。そのため、データ線６ａと画素電極９ａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上にデータ線６ａに沿った表示ムラなどの発生を抑えることができる。シールド層４００は、格子状に形成されていることから、走査線１１が延在する部分についても、無用な容量カップリングの発生を抑制することが可能となっている。
【００８９】
図５に戻り、第４層には、シールド層４００と同一膜として、中継層としての第３中継電極４０２が形成されている。第３中継電極４０２は、後述するコンタクトホール８９を介して、第２中継電極６ａ２と画素電極９ａとの間の電気的接続を中継する機能を有している。シールド層４００と第３中継電極４０２との間は、平面的に連続して形成されているのではなく、パターニングによって分断されている。
【００９０】
また、シールド層４００および第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムから成る層、上層に窒化チタンから成る層の２層構造を有している。第３中継電極４０２において、下層のアルミニウムから成る層は、第２中継電極６ａ２と接続され、上層の窒化チタンから成る層は、ＩＴＯなどから成る画素電極９ａと接続されている。アルミニウムとＩＴＯとを直接に接続した場合には、両者間において電蝕が生じやすく、アルミニウムの断線、あるいはアルミナの形成による絶縁などが生じる場合がある。これに対し、本実施形態では、窒化チタンとＩＴＯとが接続されていることから、コンタクト抵抗が低く、良好な接続が成される。
【００９１】
このように、第３中継電極４０２と画素電極９ａとの電気的接続が良好に成されるため、画素電極９ａに対する電圧印加、あるいは画素電極９ａにおける電位保持特性を良好に維持することができる。
【００９２】
さらには、シールド層４００および第３中継電極４０２は、光反射性が比較的優れたアルミニウムを含み、かつ、光吸収性が比較的優れた窒化チタンを含むことから、遮光層として機能する。そのため、半導体層１ａに対する入射光Ｌの進行を、その上方でさえぎることが可能である。なお、このような遮光機能は、上述した容量電極３００およびデータ線６ａも有している。シールド層４００、第３中継電極４０２、容量電極３００、データ線６ａが、基板１０ｓに構築される積層構造の一部を構成しつつ、ＴＦＴ３０に対する上方からの光入射を遮る上側遮光膜として機能する。
【００９３】
データ線６ａの上方、かつ、シールド層４００の下方には、第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層間絶縁膜４３としては、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などが挙げられ、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成されることが好ましい。第３層間絶縁膜４３には、シールド層４００とシールド層用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、および、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ形成されている。コンタクトホール８０３，８０４の詳細は後述する。
【００９４】
なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、上述した第１層間絶縁膜４１に対する約１０００℃の焼成を実施せず、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図ってもよい。
【００９５】
第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、画素電極９ａ上に配向膜１８が形成されている。画素電極９ａの下方には、第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４としては、例えば、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などが挙げられ、ＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成されることが好ましい。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａと第３中継電極４０２との間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が形成されている。
【００９６】
第３層間絶縁膜４３および第４層間絶縁膜４４の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などによって平坦化されている。該平坦化によって、第３層間絶縁膜４３および第４層間絶縁膜４４の下方に存在する、各種配線や素子などの段差に起因する液晶層５０の配向不良が低減される。また、上記平坦化の処理に代えて、または加えて、基板１０ｓ、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第３層間絶縁膜４３のうちの一つ以上に溝を形成し、データ線６ａなどの配線やＴＦＴ３０などを埋め込むことにより平坦化を行ってもよい。
【００９７】
素子基板１０に設けられた配向膜１８、および対向基板２０に設けられた配向膜２２は、無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から、例えば斜め蒸着して柱状に成長させたカラムの集合体から成る。
【００９８】
配向膜１８，２２に対して負の誘電異方性を有する液晶分子は、配向膜面の法線方向に対して上記カラムの傾斜方向に３°から５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）する。画素電極９ａと対向電極２１との間に、交流電圧（駆動信号、交流信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって、液晶分子が画素電極９ａと対向電極２１との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。本実施形態では、負の誘電異方性を有する液晶として、Ｔｎｉ（ネマティック−等方相転移温度）が１１０℃のネマティック液晶を用いている。
【００９９】
＜コンタクトホールの構造＞
次に、本実施形態のコンタクトホールの構造について、図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。図６Ａおよび図６Ｂは、コンタクトホールの構造を示す模式断面図である。ここで、上述したように本実施形態では、本発明の保護膜を適用したコンタクトホール８０３，８０４を例示する。なお、コンタクトホール８０３，８０４は類似した構造を有していることから、コンタクトホール８０３を代表例として説明する。
【０１００】
図６Ａに示すように、コンタクトホール８０３は、第３層間絶縁膜４３の凹部としての貫通孔に形成されている。コンタクトホール８０３の上方には、コンタクトホール８０３を埋めるように、第４層間絶縁膜４４が設けられている。コンタクトホール８０３内側の第４層間絶縁膜４４には、ボイドｖが発生する場合がある。ボイドｖは、第３層間絶縁膜４３の膜厚が厚い程、言い換えれば、コンタクトホール８０３の貫通孔の深さが深い程、発生しやすくなる。
【０１０１】
コンタクトホール８０３におけるアスペクト比（ｄ１／ｄ２）は、１．２５以上である。本実施形態においては、第３層間絶縁膜４３の膜厚（貫通孔の深さ）ｄ１を約１．２μｍとし、貫通孔の最大幅ｄ２を約０．９μｍとして、アスペクト比を約１．３３としている。
【０１０２】
コンタクトホール８０３は、内壁が導電膜８０３ａで覆われている。さらに、導電膜８０３ａを被覆して上層に導電膜８０３ｂが設けられている。導電膜８０３ａが金属膜、導電膜８０３ｂが金属窒化膜を含む。
【０１０３】
導電膜８０３ａ，８０３ｂは、第３層間絶縁膜４３の上層に引き出されて延伸され、シールド層４００（図５参照）となる。そのため、コンタクトホール８０３は、シールド層用中継層６ａ１を介してＴＦＴ３０（図５参照）と、シールド層４００を介して画素電極９ａと、を電気的に接続している。
【０１０４】
導電膜８０３ａ，８０３ｂは、シールド層４００と同様な構成を有している。本実施形態においては、導電膜８０３ａをアルミニウムから成る層とし、導電膜８０３ｂを窒化チタンから成る層としている。
【０１０５】
導電膜８０３ａがアルミニウムから成る層であることにより、導電膜８０３ａにおける導電性が確保される。導電膜８０３ｂが窒化チタンから成る層であることにより、導電膜８０３ｂより下層への水分の侵入が抑制される。また、導電膜８０３ｂは、液晶装置１００の製造工程において、シールド層４００（導電膜８０３ａ，８０３ｂ）のパターニング後のレジストを剥離する際に、導電膜８０３ａのバリアメタルとしても機能する。
【０１０６】
詳しくは、導電膜８０３ａは、アルミニウムから成るため、レジストの剥離液の種類によっては溶解される場合がある。導電膜８０３ｂは、該剥離液に溶解されにくい窒化チタンから成るため、導電膜８０３ｂを導電膜８０３ａの上層に積層して導電膜８０３ａの溶解を抑制している。導電膜８０３ａの一部が溶解されると、導電膜８０３ａにおける導通が不安定となり、液晶装置１００においてコンタクト不良（導通不良）が発生することがある。
【０１０７】
導電膜８０３ａ，８０３ｂの膜厚は、特に限定されないが、例えば、導電膜８０３ａでは約３５０ｎｍであり、導電膜８０３ｂでは１５０ｎｍである。
【０１０８】
導電膜８０３ｂ（コンタクトホール８０３）の上層には、コンタクトホール８０３（導電膜８０３ａ，８０３ｂ）を覆うように保護膜８０３ｃが設けられている、すなわち、コンタクトホール８０３と第４層間絶縁膜４４との間には、保護膜８０３ｃが設けられている。
【０１０９】
保護膜８０３ｃは、導電膜８０３ａ，８０３ｂを保護する機能を有している。詳しくは、図６Ｂに示すように、コンタクトホール８０３を形成する工程において、導電膜８０３ｂの膜厚が所望の厚さよりも薄い領域Ｎが発生することがある。領域Ｎにおいては、導電膜８０３ａよりも膜厚が薄い導電膜８０３ｂが影響を受けやすく、導電膜８０３ｂの一部が不連続となる場合がある。導電膜８０３ｂが不連続となると、導電膜８０３ａのバリアメタルとしての機能が発現しにくくなる。すなわち、導電膜８０３ａ，８０３ｂが直に剥離液に触れると、導電膜８０３ａの一部が剥離液によって浸食され、コンタクトホール８０３においてコンタクト不良が発生しやすくなる。そこで、保護膜８０３ｃを設けることにより、領域Ｎのような導電膜８０３ｂの膜厚が薄い部位において、剥離液などによる導電膜８０３ａ，８０３ｂの浸食の発生を抑えることができる。
【０１１０】
領域Ｎの発生は、導電膜８０３ａ，８０３ｂ成膜時のターゲットに対するコンタクトホール８０３用の貫通孔（凹部）の配置に起因する。複数の液晶装置１００を１枚のウェハーから作製する場合に、貫通孔とターゲットとが対向配置されて、導電膜８０３ａ，８０３ｂが成膜される。このとき、貫通孔とターゲットとの位置関係は、正対のみならず偏って対向する場合がある。この位置関係の相違によって、貫通孔における導電膜８０３ａ，８０３ｂの付き回り性が変化する。そのため、付き回り性が低下した部位に領域Ｎが発生しやすくなる。保護膜８０３ｃは、領域Ｎのように、付き回り性が低下して導電膜８０３ａ，８０３ｂの膜厚が薄くなった部位に対して、特に有効に導電膜８０３ａ，８０３ｂを保護することができる。
【０１１１】
保護膜８０３ｃは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含んでいる。本実施形態では、保護膜８０３ｃの形成材料として、二酸化ケイ素を用いている。
【０１１２】
保護膜８０３ｃの膜厚は、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である。保護膜８０３ｃの膜厚が１５ｎｍ以上であることから、剥離液などによる導電膜８０３ａ，８０３ｂの浸食をさらに抑えることができる。保護膜８０３ｃの膜厚が３０ｎｍ以下であることから、導電膜８０３ａ，８０３ｂに続くシールド層４００をパターニングする際に、加工時間を短縮することができる。これに加え、該パターニングに用いるレジストがエッチングされることを抑えることができる。本実施形態においては、保護膜８０３ｃの膜厚を約２０ｎｍとしている。保護膜８０３ｃについては、ＨＦ（フッ酸）などで処理した後、薄片化した試料を用いてＳＴＥＭ（走査型透過顕微鏡）などにより観察することが可能である。
【０１１３】
なお、図６Ａおよび図６Ｂは、コンタクトホール８０３の構造について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いた構造観察の結果を模式的に図示したものである。したがって、必ずしも実際の状態と一致するものではない。
【０１１４】
コンタクトホール８０４は、第２中継電極６ａ２と第３中継電極４０２とを電気的に接続する他は、コンタクトホール８０３と同様な構造を有している。したがって、コンタクトホール８０４の詳細な説明は省略する。
【０１１５】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、液晶装置１００の製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、液晶装置の製造方法のうち、コンタクトホールなどの製造方法を示す工程フロー図である。図７を用いた以下の説明では、図５および図６Ａも参照することとする。なお、図７に示した工程フローは一例であって、これに限定されるものではない。
【０１１６】
本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０上にＴＦＴ３０を形成する工程と、ＴＦＴ３０の上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜の上に画素電極を形成する工程と、を有し、コンタクトホールを形成する工程は、層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内壁を覆うように導電膜を形成する工程と、導電膜を覆うように保護膜を形成する工程と、コンタクトホールに剥離液処理をする工程と、を有している。
【０１１７】
本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、以下に述べるコンタクトホールの製造方法を含み、該コンタクトホールの製造方法および付帯する工程以外には、公知の技術が採用可能である。そのため、以下の説明では、コンタクトホールの製造方法および付帯する工程についてのみ述べることとする。なお、コンタクトホールの製造方法として、コンタクトホール８０３の製造方法を例に挙げて説明する。また、コンタクトホール８０４の製造には、コンタクトホール８０３と同様な製造方法が採用可能である。
【０１１８】
本実施形態のコンタクトホールの製造方法は、図７に示すように、第３層間絶縁膜４３を形成する工程Ｓ１に次いで、第３層間絶縁膜４３に、ＴＦＴ３０と画素電極９ａとを電気的に接続するコンタクトホール８０３を形成する工程Ｓ２から工程Ｓ５を有している。
【０１１９】
工程Ｓ２（貫通孔の形成）では、シールド層用中継層６ａ１上の層間絶縁膜を貫通する凹部としての貫通孔を形成する。工程Ｓ３（導電膜の形成）では、貫通孔の内壁を覆うように導電膜８０３ａ，８０３ｂを形成する。工程Ｓ４では、導電膜８０３ａ，８０３ｂを覆うように、膜厚が１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の保護膜８０３ｃを形成する。工程Ｓ５では、第３層間絶縁膜４３上のシールド層４００（導電膜８０３ａ，８０３ｂ）にパターニングを施して、シールド層用中継層６ａ１に接続される第２の配線としてのシールド層４００を形成する。
【０１２０】
図７に示すように、まず、コンタクトホール８０３形成の前工程として、工程Ｓ１にて第３層間絶縁膜４３を形成する。具体的には、シールド層用中継層６ａ１（データ線６ａ）などの上方を覆うように、第３層間絶縁膜４３を形成する。成膜の方法としては、例えばＴＥＯＳガスなどを用いた、常圧あるは減圧ＣＶＤ法、好ましくは低温成膜が可能なプラズマＣＶＤ法が採用可能である。これにより、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などを含む第３層間絶縁膜４３を成膜する。
【０１２１】
次いで、ＣＭＰなどを用いて、第３層間絶縁膜４３の上面に平坦化処理を施す。平坦化処理後の第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば、約０．５μｍから約３．５μｍとする。本実施形態では、上述したように、第３層間絶縁膜４３の膜厚を約１．２μｍとしている。そして、工程Ｓ２へ進む。
【０１２２】
工程Ｓ２では、アスペクト比が１．２５以上の貫通孔を形成する。具体的には、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングなどのドライエッチングを用いて、第３層間絶縁膜４３を貫通し、シールド層用中継層６ａ１に通じる貫通孔を形成する。該貫通孔は、上述したように本実施形態では、開口部の直径（貫通孔の最大幅）を約０．９μｍ、アスペクト比を約１．３３としている。そして、工程Ｓ３へ進む。
【０１２３】
工程Ｓ３は、金属膜としての導電膜８０３ａを形成する工程と、導電膜８０３ａに積層して金属窒化膜としての導電膜８０３ｂを形成する工程とを含む。導電膜８０３ａ，８０３ｂは、シールド層４００の金属膜および金属窒化膜と一体に形成される。まず、導電膜８０３ａの形成では、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などを用いて、上記貫通孔（第３層間絶縁膜４３）の上に金属膜を形成する。本実施形態では、導電膜８０３ａの形成材料として、アルミニウムを採用している。導電膜８０３ａの膜厚は、上述した通り、約３５０ｎｍとしている。
【０１２４】
次いで、導電膜８０３ａの上層に、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などを用いて導電膜８０３ｂを形成する。本実施形態では、導電膜８０３ｂの形成材料として窒化チタンを採用し、導電膜８０３ｂの膜厚は、約１５０ｎｍとしている。
【０１２５】
ここで、工程Ｓ３では上述したように、貫通孔に対する導電膜８０３ａ，８０３ｂの付き回り性にばらつきが生じやすい。シールド層用中継層６ａ１（貫通孔の底部）側の付き回り性は、貫通孔の位置がウェハーの中心に近い程、低下しやすい傾向がある。換言すれば、成膜ターゲットと貫通孔とが正対に近い程、上記付き回り性が低下しやすくなる。そして、工程Ｓ４へ進む。
【０１２６】
工程Ｓ４では、導電膜８０３ｂの上層に、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含む保護膜８０３ｃを形成する。本実施形態では、保護膜８０３ｃの形成材料として二酸化ケイ素を採用している。保護膜８０３ｃの形成方法としては、プラズマＣＶＤ法などが採用可能である。ここで、保護膜８０３ｃは、後述する工程Ｓ５の加工時間を勘案し、第３層間絶縁膜４３と比べて膜厚を薄くする。保護膜８０３ｃの膜厚は、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下とし、本実施形態では、約２０ｎｍとしている。そして、工程Ｓ５へ進む。
【０１２７】
工程Ｓ５では、導電膜８０３ａ，８０３ｂと一体に形成されたシールド層４００に、剥離液処理を含むパターニングを施す。例えば、まず、シールド層４００（導電膜８０３ａ，８０３ｂ）上の保護膜８０３ｃにレジスト液を塗布し、ベークすることによりレジスト膜を形成する。次いで、マスクを用いてレジスト膜を露光し、現像してレジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして、シールド層４００を所望の配線形状にドライエッチングする。このとき、エッチングされる領域のシールド層４００の上方にも、保護膜８０３ｃが形成されている。そのため、保護膜８０３ｃの膜厚が厚くなると、エッチングに要する加工時間が長くなることがある。また、加工時間が長くなると、レジストパターンがエッチングされやすくなる。このような観点から、保護膜８０３ｃの膜厚は、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２８】
その後、剥離液処理を施してレジストを除去する。このとき、有機アミンおよび有機溶媒を含む剥離液が用いられる場合がある。このような剥離液はレジストの除去能に優れるが、アルミニウムなどに対する溶解力も高くなる。そのため、従来のコンタクトホールにおいては、金属窒化膜の付き回り性が不十分な部位では、下層のアルミニウムから成る層（導電膜）が剥離液によって溶解されることがあった。これに対し、保護膜８０３ｃは、上記剥離液によって浸食されにくく、導電膜８０３ｂの付き回りが不十分な部位においても、下層の導電膜８０３ａを保護することができる。そして、工程Ｓ６に進む。
【０１２９】
工程Ｓ６では、コンタクトホール８０３の内部を含む、シールド層４００の上層に、第４層間絶縁膜４４を形成する。第４層間絶縁膜４４には、第３層間絶縁膜４３と同様な形成方法、形成材料が採用可能である。以上の工程により、コンタクトホール８０３およびシールド層４００、第４層間絶縁膜４４が形成される。
【０１３０】
以上に述べたように、本実施形態に係る液晶装置１００、および液晶装置１００の製造方法によれば、以下の効果を得ることができる。
【０１３１】
従来よりも微細なコンタクトホール８０３を形成しても、コンタクトホール８０３などにおけるコンタクト不良の発生を低減することができる。詳しくは、液晶装置１００の製造工程において、コンタクトホール８０３における導電膜８０３ａ，８０３ｂの付き回り性が低下しても、保護膜８０３ｃによって導電膜８０３ａ，８０３ｂが保護される。そのため、工程Ｓ５（パターニング）において、導電膜８０３ａが剥離液で浸食されにくくなる。これにより、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間のコンタクトホール８０３にて電気的な接続が確保され、コンタクトホール８０３におけるコンタクト不良の発生が低減される。すなわち、高精細化に対応した微細なコンタクトホール８０３に対してコンタクト不良の発生が低減され、信頼性を向上させた液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法を提供することができる。
【０１３２】
保護膜８０３ｃの膜厚が１５ｎｍ以上であることから、剥離液などによる導電膜８０３ａの浸食をより抑えることができる。保護膜８０３ｃの膜厚が３０ｎｍ以下であることから、シールド層４００をパターニングする際に、加工時間を短縮することができる。これに加え、パターニングに用いるレジストがエッチングされることを抑えることができる。
【０１３３】
導電膜８０３ａ，８０３ｂの付き回り性が低下しやすい、スペクト比１．２５以上のコンタクトホール８０３などにおいて、コンタクト不良の発生を低減することができる。
【０１３４】
保護膜８０３ｃは二酸化ケイ素を含むことから、剥離液による導電膜８０３ａの浸食がさらに抑えられ、コンタクトホール８０３におけるコンタクト不良の発生をより低減することができる。
【０１３５】
導電膜８０３ａ，８０３ｂは、アルミニウムと、窒化チタンとを含むことから、アルミニウムによって良好な導電性を確保すると共に、窒化チタンによって水分などの浸透を抑制することができる。
【０１３６】
（実施形態２）
＜液晶装置の構成＞
本実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図５を参照して説明する。なお、実施形態２の液晶装置は、上記実施形態の液晶装置１００に対して、本発明の保護膜をコンタクトホール８０３，８０４以外のコンタクトホールにも適用したものである。したがって、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
【０１３７】
本発明の保護膜が適用されるコンタクトホールは、コンタクトホール８０３，８０４に限定されない。本実施形態の液晶装置においては、本発明の保護膜を、画素電極９ａとＴＦＴ３０との間に設けられた複数の層間絶縁膜である、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２、第４層間絶縁膜４４にそれぞれ設けられたコンタクトホールに対して適用可能である。これらのコンタクトホールとしては、具体的には、第１層間絶縁膜４１に設けられたコンタクトホール８３，８８１、第１層間絶縁膜４１および第２層間絶縁膜４２を貫通する凹部としての貫通孔に設けられたコンタクトホール８１，８８２、第２層間絶縁膜４２に設けられたコンタクトホール８０１、第４層間絶縁膜４４に設けられたコンタクトホール８９などが挙げられ、これらのうちの１個以上のコンタクトホールに保護膜を適用する。また、コンタクトホール８０３，８０４にも併せて適用してもよい。
【０１３８】
上記のコンタクトホールに適用される保護膜には、実施形態１の保護膜８０３ｃと同様な形成材料、製造方法が適用可能である。
【０１３９】
以上に述べたように、本実施形態の液晶装置によれば、実施形態１と同様な効果が得られる。さらに、保護膜が適用されるコンタクトホールの数を増やすことにより、液晶装置におけるコンタクト不良の発生をさらに抑えることができる。
【０１４０】
（実施形態３）
＜電子機器＞
本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図８を参照して説明する。図８は、実施形態３に係る電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１４１】
本実施形態の投射型表示装置１０００には、上記実施形態の電気光学装置としての液晶装置が搭載されている。
【０１４２】
図８に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１４３】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源から成る光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１４４】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１４５】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とから成る導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１４６】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１４７】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１４８】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００（図１参照）が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と出射側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１４９】
このような投射型表示装置１０００によれば、上記実施形態１の液晶装置１００が用いられているため、液晶装置１００における微細なコンタクトホールに対してコンタクト不良の発生が低減される。これにより、電気的な信頼性が向上した投射型表示装置１０００を提供することができる。なお、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、液晶装置１００に替えて上述した実施形態２の液晶装置を採用しても同様な効果が得られる。
【０１５０】
なお、液晶装置１００は、投射型表示装置１０００の他に、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などの各種電子機器に搭載されてもよい。
【０１５１】
（変形例１）
本発明の電子機器（投射型表示装置）に用いられる電子光学装置としての液晶装置は、透過型であることに限定されず、反射型の液晶装置であってもよい。すなわち、反射型の液晶装置を備えた投射型表示装置であってもよい。
【０１５２】
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
【０１５３】
電気光学装置は、基板上に設けられた画素電極と、基板と画素電極との間に設けられたトランジスターと、画素電極とトランジスターとの間に設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜に設けられ、内壁が導電膜で覆われたコンタクトホールと、を備え、コンタクトホールには、導電膜を覆うように保護膜が設けられていることを特徴とする。
【０１５４】
この構成によれば、微細なコンタクトホールを形成しても、コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生を低減することができる。詳しくは、電気光学装置の製造工程において、コンタクトホールにおける導電膜の付き回り性が低下しても、保護膜によって導電膜が保護される。そのため、パターニング工程において、導電膜が剥離液で浸食されにくくなる。これにより、画素電極とトランジスターとの間のコンタクトホールにて電気的な接続が確保され、該コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生が低減される。すなわち、高精細化に対応した微細なコンタクトホールに対してコンタクト不良の発生が低減され、信頼性を向上させた電気光学装置を提供することができる。
【０１５５】
上記の電気光学装置において、保護膜の膜厚は、１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１５６】
この構成によれば、保護膜の膜厚が１５ｎｍ以上であることから、剥離液などによる導電膜の浸食をより抑えることができる。保護膜の膜厚が３０ｎｍ以下であることから、コンタクトホールの外側に引き出された導電膜をパターニングする際に、加工時間を短縮することができる。これに加え、パターニングに用いるレジストがエッチングされることを抑えることができる。
【０１５７】
上記の電気光学装置において、コンタクトホールにおけるアスペクト比は、１．２５以上であることが好ましい。
【０１５８】
この構成によれば、導電膜の付き回り性が低下しやすい、スペクト比１．２５以上のコンタクトホールにおいて、コンタクト不良の発生を低減することができる。
【０１５９】
上記の電気光学装置において、保護膜は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含むことが好ましい。
【０１６０】
この構成によれば、剥離液による導電膜の浸食がさらに抑えられ、コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生をより低減することができる。
【０１６１】
上記の電気光学装置において、コンタクトホールの内側に設けられた導電膜は、金属膜と、金属膜に積層された金属窒化膜とを含むことが好ましい。
【０１６２】
この構成によれば、金属膜によって良好な導電性を確保すると共に、金属窒化膜によって水分などの浸透を抑制することができる。
【０１６３】
本願の電気光学装置の製造方法は、基板上にトランジスターを形成する工程と、トランジスターの上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、層間絶縁膜の上に画素電極を形成する工程と、を有し、コンタクトホールを形成する工程は、層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内壁を覆うように導電膜を形成する工程と、導電膜を覆うように保護膜を形成する工程と、コンタクトホールに剥離液処理をする工程と、を有することを特徴とする。
【０１６４】
この構成によれば、微細なコンタクトホールを形成しても、コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生を低減した電気光学装置を製造することができる。詳しくは、導電膜を形成する工程において、凹部における導電膜の被覆の付き回り性が低下しても、保護膜によって導電膜が保護される。そのため、導電膜が剥離液で浸食されにくくなり、画素電極とトランジスターとの間のコンタクトホールにて電気的な接続が確保され、該コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生が低減される。したがって、微細なコンタクトホールにおいて、コンタクト不良の発生が低減され、信頼性を向上させる電気光学装置の製造方法を提供することができる。
【０１６５】
上記の電気光学装置の製造方法において、保護膜を形成する工程は、膜厚が１５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の保護膜を形成することが好ましい。
【０１６６】
この構成によれば、保護膜の膜厚が１５ｎｍ以上であることから、剥離液による導電膜の浸食をより抑えることができる。保護膜の膜厚が３０ｎｍ以下であることから、コンタクトホールの外側に引き出された導電膜をパターニングする際に、加工時間を短縮することができる。これに加え、パターニングに用いるレジストがエッチングされることを抑えることができる。
【０１６７】
上記の電気光学装置の製造方法において、凹部を形成する工程は、アスペクト比が１．２５以上の凹部を形成することが好ましい。
【０１６８】
この構成によれば、導電膜を形成する工程において、導電膜の付き回り性が低下しやすい、スペクト比１．２５以上のコンタクトホールに対して、コンタクト不良の発生を低減することができる。
【０１６９】
上記の電気光学装置の製造方法において、保護膜を形成する工程は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素のうちの１種類以上を含む保護膜を形成することが好ましい。
【０１７０】
この構成によれば、第２の配線を形成する工程において、剥離液による導電膜の浸食がさらに抑えられ、コンタクトホールにおけるコンタクト不良の発生をより低減することができる。
【０１７１】
上記の電気光学装置の製造方法において、導電膜を形成する工程は、金属膜を形成する工程と、金属膜に積層して金属窒化膜を形成する工程とを含むことが好ましい。
【０１７２】
この構成によれば、金属膜が金属窒化膜によって保護されるため、第２の配線を形成する工程において、剥離液による導電膜の浸食がさらに抑えられる。
【０１７３】
電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【０１７４】
この構成によれば、微細なコンタクトホールに対してコンタクト不良の発生が低減された電気光学装置を備え、電気的な信頼性が向上した電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【０１７５】
１０…素子基板、１０ｓ，２０ｓ…基板、６ａ１…第１の配線としてのシールド層用中継層、９ａ…画素電極、３０…トランジスターとしてのＴＦＴ、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜、４４…第４層間絶縁膜、８１，８３，８９，８０１，８０３，８０４，８８１，８８２…コンタクトホール、８０３ａ，８０３ｂ…導電膜、８０３ｃ…保護膜、１００…電気光学装置としての液晶装置、４００…第２の配線としてのシールド層、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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