(57)【要約】      （修正有）【課題】残留塩素量を低減できるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法は、多価ヒドロキシビフェニル化合物と、下記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物とを反応させることによって、下記式（３）により示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物を得る工程を含む。2019167397.tif 0000312019167397.tif 000032【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）と、下記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）と、を反応させることによって、下記式（３）により示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）を得る工程を含む、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化１】
2019167397.tif 000024
（前記式（１）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【化２】
2019167397.tif 000025
（前記式（２）において、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｘはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１以上６以下のアルキルスルホニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数６以上１０以下のアリールスルホニル基を表す。）
【化３】
2019167397.tif 000026
（前記式（３）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
【請求項２】
請求項１に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
得られた前記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）からなる液状物質または固体状物質中の塩素元素の含有量が１０００ｐｐｍ以下であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
前記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）の使用量が、多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）中のフェノール性水酸基１．０モルに対し、０．５モル以上１０．０モル以下であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
前記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）は、前記式（２）において、Ｘがトリフルオロメタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基およびメタンスルホニル基から選択される化合物を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
前記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）は、前記式（２）において、Ｘがｐ−トルエンスルホニル基である化合物を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
前記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）は、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化４】
2019167397.tif 000027
（前記式（３−１）において、ａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
前記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）は、下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ２）を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化５】
2019167397.tif 000028
【請求項８】
下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
【化６】
2019167397.tif 000029
（前記式（３−１）において、ａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
【請求項９】
請求項８に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物であって、
下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
【化７】
2019167397.tif 000030
【請求項１０】
塩素元素の含有量が１０００ｐｐｍ以下である請求項８または９に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物を含む硬化性組成物。
【請求項１２】
硬化促進剤（Ｅ）および硬化剤（Ｆ）からなる群より選択される少なくとも一種をさらに含む請求項１１に記載の硬化性組成物。
【請求項１３】
請求項１２に記載の硬化性組成物において、
前記硬化促進剤（Ｅ）がイミダゾール類を含む硬化性組成物。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の硬化性組成物において、
前記硬化促進剤（Ｅ）の含有量が、前記硬化性組成物に含まれるエポキシ化合物の全体を１００質量部としたとき、０．１質量部以上６０質量部以下である硬化性組成物。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の硬化性組成物において、
前記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物以外のエポキシ化合物（Ｄ）をさらに含む硬化性組成物。
【請求項１６】
請求項１５に記載の硬化性組成物において、
前記エポキシ化合物（Ｄ）が、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物およびビスフェノールＡ型エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む硬化性組成物。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の硬化性組成物において、
前記硬化性組成物に含まれるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）と前記エポキシ化合物（Ｄ）の合計含有量を１００質量部としたとき、前記エポキシ化合物（Ｄ）の含有量が、１０質量部以上９０質量部以下である硬化性組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物および硬化性組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
エポキシ樹脂は工業的に幅広い用途で使用されており、その要求性能は近年ますます高度化している。例えばエポキシ樹脂を主剤とする硬化性組成物の代表的分野に半導体封止材料がある。近年、半導体素子の集積度の向上に伴い、パッケージサイズが大面積化、薄型化に向かうとともに、実装方式も実面実装化への移行が進展しており、より耐熱性に優れ、低熱膨張率である半導体封止材料の開発が望まれている。
【０００３】
硬化性組成物に用いられるエポキシ化合物として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のエポキシ化合物が知られている。しかし、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のエポキシ化合物を含む液状硬化性組成物は、粘度が高く、取扱い難かった。
【０００４】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が有する問題の解決策として、透明性に優れ、低粘度の脂環式エポキシド化合物が提案されている。しかし、脂環式エポキシド化合物の硬化物の耐熱性は十分でなく、また硬化時の反応性が低いという問題点があった（特許文献１）。また、シクロヘキサン骨格にオキシメチレン基を有するエポキシ樹脂が提案されているが、耐熱性の点で十分でなかった（特許文献２）。
【０００５】
ここで、ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂は、低融点かつ低粘度で溶剤溶解性が高く、その硬化物は高耐熱性、低熱膨張率を示すとされている。
このようなビフェニル骨格含有エポキシ樹脂に関する技術としては、例えば、特許文献３（特許第５８１２２２２号公報）に記載のものが挙げられる。
【０００６】
特許文献３には、位置選択的クロスカップリング反応を含む製造工程により得られた多価ヒドロキシビフェニルと、エピハロヒドリンとを反応させる工程とを有することを特徴とするビフェニル骨格含有エポキシ樹脂の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０７５９０７号公報
【特許文献２】特許第３３３９０８３号公報
【特許文献３】特許第５８１２２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者らの検討によれば、特許文献３に記載されているような、従来のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法では、塩素原子を有するエピクロルヒドリンを使用するため、得られるビフェニル骨格含有エポキシ化合物中の残留塩素量が多いという問題があることが明らかになった。ビフェニル骨格含有エポキシ化合物中の残留塩素量が多いと、例えば、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物を半導体封止材料に適用した場合に、得られる封止層の絶縁性等が悪化する懸念がある。
すなわち、従来のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法には、目的とするビフェニル骨格含有エポキシ化合物中の残留塩素量を低減するという観点において改善の余地があった。
本件第一発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、残留塩素量を低減できるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法を提供するものである。
【０００９】
また、特許文献３に記載されているようなビフェニル骨格含有エポキシ化合物は、従来のエポキシ化合物に比べて低粘度であり、かつ、耐熱性を有するものであったが、まだ十分に満足するものではなかった。
本件第二発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、流動性および耐熱性のバランスに優れたビフェニル骨格含有エポキシ化合物および硬化性組成物を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは本件第一発明に関する上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、多価ヒドロキシビフェニル化合物と、スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物と、を反応させる工程を含む製造方法によって、残留塩素量が低減されたビフェニル骨格含有エポキシ化合物を得ることができることを見出し、本件第一発明を完成させた。
また、本発明者らは本件第二発明に関する上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、ビフェニル骨格上のオキシグリシジル基が特定の位置にあるトリグリシジルオキシビフェニル化合物、および当該トリグリシジルオキシビフェニル化合物を用いた硬化性組成物が流動性および耐熱性のバランスに優れることを見出し、本件第二発明を完成させた。
【００１１】
すなわち、本件第一発明および本件第二発明によれば、以下に示すビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物および硬化性組成物がそれぞれ提供される。
【００１２】
［１］
下記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）と、下記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）と、を反応させることによって、下記式（３）により示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）を得る工程を含む、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化１】
2019167397.tif 000002
（上記式（１）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
【化２】
2019167397.tif 000003
（上記式（２）において、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｘはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１以上６以下のアルキルスルホニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数６以上１０以下のアリールスルホニル基を表す。）
【化３】
2019167397.tif 000004
（上記式（３）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
［２］
上記［１］に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
得られた上記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）からなる液状物質または固体状物質中の塩素元素の含有量が１０００ｐｐｍ以下であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
［３］
上記［１］または［２］に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
上記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）の使用量が、多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）中のフェノール性水酸基１．０モルに対し、０．５モル以上１０．０モル以下であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
［４］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
上記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）は、上記式（２）において、Ｘがトリフルオロメタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基およびメタンスルホニル基から選択される化合物を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
［５］
上記［１］乃至［３］のいずれか一つに記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
上記スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）は、上記式（２）において、Ｘがｐ−トルエンスルホニル基である化合物を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
［６］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
上記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）は、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化４】
2019167397.tif 000005
（上記式（３−１）において、ａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
［７］
上記［１］乃至［５］のいずれか一つに記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法において、
上記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）は、下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ２）を含むビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法。
【化５】
2019167397.tif 000006
［８］
下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
【化６】
2019167397.tif 000007
（上記式（３−１）において、ａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表す。）
［９］
上記［８］に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物であって、
下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
【化７】
2019167397.tif 000008
［１０］
塩素元素の含有量が１０００ｐｐｍ以下である上記［８］または［９］に記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物。
［１１］
上記［８］乃至［１０］のいずれか一つに記載のビフェニル骨格含有エポキシ化合物を含む硬化性組成物。
［１２］
硬化促進剤（Ｅ）および硬化剤（Ｆ）からなる群より選択される少なくとも一種をさらに含む上記［１１］に記載の硬化性組成物。
［１３］
上記［１２］に記載の硬化性組成物において、
上記硬化促進剤（Ｅ）がイミダゾール類を含む硬化性組成物。
［１４］
上記［１２］または［１３］に記載の硬化性組成物において、
上記硬化促進剤（Ｅ）の含有量が、上記硬化性組成物に含まれるエポキシ化合物の全体を１００質量部としたとき、０．１質量部以上６０質量部以下である硬化性組成物。
［１５］
上記［１１］乃至［１４］のいずれか一つに記載の硬化性組成物において、
上記ビフェニル骨格含有エポキシ化合物以外のエポキシ化合物（Ｄ）をさらに含む硬化性組成物。
［１６］
上記［１５］に記載の硬化性組成物において、
上記エポキシ化合物（Ｄ）が、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物およびビスフェノールＡ型エポキシ化合物からなる群より選択される少なくとも一種を含む硬化性組成物。
［１７］
上記［１５］または［１６］に記載の硬化性組成物において、
上記硬化性組成物に含まれるビフェニル骨格含有エポキシ化合物と上記エポキシ化合物（Ｄ）の合計含有量を１００質量部としたとき、上記エポキシ化合物（Ｄ）の含有量が、１０質量部以上９０質量部以下である硬化性組成物。
【発明の効果】
【００１３】
本件第一発明によれば、残留塩素量を低減できるビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法を提供することができる。
また、本件第二発明によれば、流動性および耐熱性のバランスに優れたビフェニル骨格含有エポキシ化合物および硬化性組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本実施形態では、数値範囲を示す「Ａ〜Ｂ」はとくに断りがなければ、Ａ以上Ｂ以下を表す。
【００１５】
１．第一発明
＜ビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法＞
第一発明に係る実施形態のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法は、下記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）と、下記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）と、を反応させることによって、下記式（３）により示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）を得る工程を含む。
【００１６】
前述したように、本発明者らの検討によれば、特許文献３に記載されているような、従来のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法では、塩素原子を有するエピクロルヒドリンを使用するため、得られるビフェニル骨格含有エポキシ化合物中の残留塩素量が多いという問題があることが明らかになった。ビフェニル骨格含有エポキシ化合物中の残留塩素量が多いと、例えば、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物を半導体封止材料に適用した場合に、得られる封止層の絶縁性等が悪化する懸念がある。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、多価ヒドロキシビフェニル化合物と、スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物と、を反応させる工程を含む製造方法によって、残留塩素量が低減されたビフェニル骨格含有エポキシ化合物を得ることができることを見出した。
本実施形態のビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法によれば、多価ヒドロキシビフェニル化合物と反応させるエポキシ化合物としてスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物を用いることによって、塩素原子を有するエピクロルヒドリン等の塩素含有エポキシ化合物の使用量を低減できる、あるいは塩素含有エポキシ化合物を使用する必要がなくなるため、得られるビフェニル骨格含有エポキシ化合物に含まれる残留塩素量を低減することが可能となる。
【００１７】
より具体的には、本実施形態に係るビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法によれば、例えば、塩素元素の含有量が好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは３００ｐｐｍ以下であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）からなる液状物質または固体状物質を得ることができる。
【００１８】
【化８】
2019167397.tif 000009
上記式（１）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、好ましくはそれぞれ０以上２以下の整数であり、より好ましくはそれぞれ０または１の整数であり、特に好ましくはそれぞれ０である。
上記式（１）において、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、好ましくはそれぞれ１以上３以下の整数であり、より好ましくはそれぞれ１または２の整数であり、特に好ましくはｍが２で、かつ、ｎが１である。
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１以上１０以下の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、シクロプロペニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基等のアルキニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
また、上記置換基は、本実施形態に係るビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法に著しい影響を与えるものでなければいかなる置換基を有していてもよい。得られるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）の溶融粘度の低下と、得られる硬化物における架橋密度の増加の観点から、置換基としては、水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、水素原子、メチル基およびアリル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
【００１９】
【化９】
2019167397.tif 000010
上記式（２）において、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、好ましくは炭素数１以上５以下の炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１以上３以下の炭化水素基であり、特に好ましくはメチレン基である。
Ｘはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１以上６以下のアルキルスルホニル基またはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数６以上１０以下のアリールスルホニル基を表す。
【００２０】
また、本実施形態において、Ｒ１およびＲ２は一価の炭化水素基を表し、Ｒ３は二価の炭化水素基を表す。
【００２１】
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１以上６以下のアルキルスルホニル基としては、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ｎ−プロパンスルホニル基、イソプロパンスルホニル基、ｎ−ブタンスルホニル基、イソブタンスルホニル基、ｓｅｃ−ブタンスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル基、シクロブタンスルホニル基、ｎ−ペンタンスルホニル基、イソペンタンスルホニル基、ｓｅｃ−ペンタンスルホニル基、ｔｅｒｔ−ペンタンスルホニル基、ネオペンタンスルホニル基、２−メチルブタンスルホニル基、１，２−ジメチルプロパンスルホニル基、１−エチルプロパンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、ｎ−ヘキサンスルホニル基、イソヘキサンスルホニル基（４―メチルペンタンスルホニル基とも呼ぶ）、ｓｅｃ−ヘキサンスルホニル基（１−メチルペンタンスルホニル基とも呼ぶ）、ｔｅｒｔ−ヘキサンスルホニル基（１、１−ジメチルブタンスルホニル基とも呼ぶ。）、ネオヘキサンスルホニル基（３、３−ジメチルブタンスルホニル基とも呼ぶ。）、２−メチルペンタンスルホニル基、１，２−ジメチルブタンスルホニル基、２，３−ジメチルブタンスルホニル基、１−エチルブタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基等が挙げられる。
【００２２】
フッ素原子で置換されていてもよい炭素数６以上１０以下のアリールスルホニル基としては、例えば、ベンゼンスルホニル基、ｏ−トルエンスルホニル基、ｍ−トルエンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、２，３−キシレンスルホニル基、２，４−キシレンスルホニル基、２，５−キシレンスルホニル基、２，６−キシレンスルホニル基、３，４−キシレンスルホニル基、３，５−キシレンスルホニル基、１−ナフタレンスルホニル基、２−ナフタレンスルホニル基等が挙げられる。
【００２３】
これらの中でも、上記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）との反応性の観点から、上記式（２）におけるＸとしては、トリフルオロメタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基およびメタンスルホニル基から選択されるスルホニル基が好ましく、ｐ−トルエンスルホニル基がより好ましい。すなわち、上記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）との反応性の観点から、スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）としては、上記式（２）において、Ｘがトリフルオロメタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基およびメタンスルホニル基から選択される化合物を含むことが好ましく、上記式（２）において、Ｘがｐ−トルエンスルホニル基である化合物を含むことがより好ましい。
【００２４】
上記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）の製造方法は、特に制限はなく、公知慣用の方法で製造することができる。例えば、下記式（２−１）により示されるエポキシ化合物に、トリエチルアミンやピリジン等の塩基存在下、メタンスルホニルクロリド、トリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはｐ−トルエンスルホニルクロリド等を作用させることにより製造することができる。
【００２５】
【化１０】
2019167397.tif 000011
【００２６】
【化１１】
2019167397.tif 000012
上記式（３）において、ａおよびｂはそれぞれ０以上４以下の整数を表し、好ましくはそれぞれ０以上２以下の整数であり、より好ましくはそれぞれ０または１の整数であり、特に好ましくはそれぞれ０である。
上記式（３）において、ｍおよびｎはそれぞれ１以上５以下の整数を表し、好ましくはそれぞれ１以上３以下の整数であり、より好ましくはそれぞれ１または２の整数であり、特に好ましくはｍが２で、かつ、ｎが１である。
Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１以上１０以下の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、シクロプロペニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基等のアルキニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）の溶融粘度の低下と、得られる硬化物における架橋密度の増加の観点から、置換基としては、水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、水素原子、メチル基およびアリル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
上記式（３）において、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、好ましくは炭素数１以上５以下の炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１以上３以下の炭化水素基であり、特に好ましくはメチレン基である。
【００２７】
これらの中でも、流動性および耐熱性のバランスにより一層優れた硬化性組成物を得ることができることから、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）としては、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）を含むことが好ましく、下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ２）を含むことがより好ましい。
【００２８】
【化１２】
2019167397.tif 000013
上記式（３−１）におけるａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３としては上記式（３）におけるＲ１、Ｒ２およびＲ３と同じものを例示することができる。
【００２９】
【化１３】
2019167397.tif 000014
【００３０】
本実施形態に係るビフェニル骨格含有エポキシ化合物の製造方法は、上記式（１）により示される多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）と、上記式（２）により示されるスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）と、を反応させることによって、上記式（３）により示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）を得る工程を含む。
【００３１】
この工程における反応条件としては、例えば、多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）中のフェノール性水酸基１．０モルに対し、スルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）を０．５モル以上１０．０モル以下となる割合で添加し、さらにフェノール性水酸基１．０モルに対し、０．１モル以上５．０モル以下の割合で塩基性触媒を一括添加または徐々に添加しながら２０〜１２０℃の温度で０．５〜１０時間反応させる条件が挙げられる。
【００３２】
また、塩基性触媒としては、例えば、アルカリ土類金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩およびアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ化合物の合成反応の触媒活性に優れる点から、炭酸セシウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムが好ましい。
【００３３】
多価ヒドロキシビフェニル化合物（Ａ）とスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）との反応後、例えば、得られた反応物を水と酢酸エチル等の有機溶媒で分液し、次いで、水洗と脱水をおこない、次いで、蒸留によって未反応のスルホニルオキシ基含有エポキシ化合物（Ｂ）や溶媒を留去する。必要に応じて、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等で精製をおこない、その後、乾燥することによって、目的とするビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）からなる液状物質または固体状物質を得ることができる。
【００３４】
２．第二発明
＜エポキシ化合物＞
第二発明に係る実施形態のビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）は、下記式（３−１）で示される。中でも、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）は、グリシジル基以外の置換基が水素であるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ２）が好ましい。
本実施形態に係るトリグリシジルオキシビフェニル化合物（Ｃ１）は、流動性に優れ、また硬化物の耐熱性に優れる。本実施形態に係るトリグリシジルオキシビフェニル化合物（Ｃ１）は、例えば、フィルム状成形体、シート状成形体、プリプレグ等として用いることができる。さらには金属積層体として回路基板もしくは電子部品用途に好適に用いることができる。
【００３５】
＜硬化性組成物＞
第二発明に係る実施形態の硬化性組成物は、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）を含む。
本実施形態に係る硬化性組成物は、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）の他に、必要に応じて、硬化促進剤（Ｅ）、硬化剤（Ｆ）を含んでもよい。
また、本実施形態に係る硬化性組成物は、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）を含んでいればよく、エポキシ化合物として（Ｃ１）単独でもよいが、（Ｃ１）以外のエポキシ化合物（Ｄ）を含んでも構わない。
また、本実施形態に係る硬化性組成物は、下記式（３−１）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）、必要に応じて、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）以外のエポキシ化合物（Ｄ）、硬化促進剤（Ｅ）、硬化剤（Ｆ）等を混合することにより得ることができる。
【００３６】
【化１４】
2019167397.tif 000015
上記式（３−１）において、ａは０以上３以下の整数を表し、ｂは０以上４以下の整数を表し、好ましくはそれぞれ０以上２以下の整数であり、より好ましくはそれぞれ０または１の整数であり、特に好ましくはそれぞれ０である。
上記式（３−１）において、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１以上１０以下の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、シクロプロペニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基等のアルキニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が挙げられる。
ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ）の溶融粘度の低下と、得られる硬化物における架橋密度の増加の観点から、置換基としては、水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、水素原子、メチル基およびアリル基がより好ましく、水素原子が特に好ましい。
上記式（３−１）において、Ｒ３はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい炭素数１以上１０以下の炭化水素基を表し、好ましくは炭素数１以上５以下の炭化水素基であり、より好ましくは炭素数１以上３以下の炭化水素基であり、特に好ましくはメチレン基である。
【００３７】
これらの中でも、流動性および耐熱性のバランスにより一層優れた硬化性組成物を得ることができることから、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）としては、下記式（３−２）で示されるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ２）を含むことが好ましい。
【００３８】
【化１５】
2019167397.tif 000016
【００３９】
前述したように、特許文献３に記載されているようなビフェニル骨格含有エポキシ化合物は、従来のエポキシ化合物に比べて低粘度であり、かつ、耐熱性を有するものであったが、まだ十分に満足するものではなかった。
そこで、本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した。その結果、ビフェニル骨格上のオキシグリシジルが特定の位置にあるトリグリシジルオキシビフェニル化合物、および当該トリグリシジルオキシビフェニル化合物を用いた硬化性組成物が流動性および耐熱性のバランスに優れることを見出し、本件第二発明を完成させた。
【００４０】
本実施形態において、例えば、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）中の塩素元素の含有量は好ましくは１０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは３００ｐｐｍ以下である。これにより、より一層絶縁性に優れた硬化物を得ることができ、例えば回路部材に好適に用いることができる。
【００４１】
本実施形態に係る硬化性組成物は、硬化速度を向上するために、硬化促進剤（Ｅ）および硬化剤（Ｆ）からなる群より選択される少なくとも一種をさらに含んでもよい。さらに本実施形態に係る硬化性組成物は、得られる硬化物の耐熱性や機械的特性を調整ないしより良好にする観点から、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）以外のエポキシ化合物（Ｄ）をさらに含んでもよい。
【００４２】
ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）以外のエポキシ化合物（Ｄ）としては特に限定されないが、例えば、グリシジルエーテル型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物およびビスフェノールＡ型エポキシ化合物等が挙げられる。これらのエポキシ化合物（Ｄ）は一種単独でも用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４３】
本実施形態に係る硬化性組成物において、硬化性組成物に含まれるビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）とエポキシ化合物（Ｄ）の合計含有量を１００質量部としたとき、エポキシ化合物（Ｄ）の含有量は、好ましくは１０質量部以上９０質量部以下であり、より好ましくは２０質量部以上８０質量部以下であり、さらに好ましくは３０質量部以上７０質量部以下である。
【００４４】
硬化促進剤（Ｅ）としては特に限定されないが、例えば、イミダゾール類、第３級アミン類、ホスフィン類、金属化合物等が挙げられる。
イミダゾール類としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等が挙げられる。第３級アミンとしては、例えば、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等が挙げられる。ホスフィン類としては、例えば、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。金属化合物としては、例えば、オクチル酸スズ等が挙げられる。
これらの中でも、硬化促進剤（Ｅ）としては、イミダゾール類が好ましい。
また、硬化促進剤（Ｅ）を使用する場合、硬化促進剤（Ｅ）の含有量は、硬化促進剤の種類や硬化条件によって変わり得るが、本実施形態に係る硬化性組成物に含まれるエポキシ化合物の全体（すなわち、ビフェニル骨格含有エポキシ化合物（Ｃ１）およびエポキシ化合物（Ｄ）の合計含有量）を１００質量部としたとき、０．１〜６０質量部であることが好ましく、０．５〜５０質量部であることがより好ましい。
【００４５】
硬化剤（Ｆ）としては特に限定されないが、例えば、アミン系化合物、酸無水物系化合物、アミド系化合物、フェノール系化合物等を用いることができる。
より具体的には、ジアミノジフェニルメタン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソホロンジアミン、ジシアンジアミド、リノレン酸の２量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、フェノールノボラック樹脂及びこれらの変性物、イミダゾール、ＢＦ３−アミン錯体、グアニジン誘導体等が挙げられる。
また、硬化剤（Ｆ）を使用する場合、硬化剤（Ｆ）の含有量は、例えば、本実施形態に係る硬化性組成物に含まれるエポキシ化合物のエポキシ基に対して、硬化剤（Ｆ）全量中の活性水素の当量比が、例えば０．３〜２．０の範囲であり、０．５〜１．５の範囲であることが好ましい。
【００４６】
さらに、本実施形態に係る硬化性組成物には、必要に応じて、シリカ、アルミナ、タルク等の充填材やシランカップリング剤、離型剤、顔料等の種々の配合剤を添加することができる。
本実施形態に係る硬化性組成物は、例えば、スピンコーターやバーコーターを用いた塗布によりフィルムまたはシート状に成形して各種用途に用いることができる。
また、本実施形態の硬化性組成物とシート状繊維基材とを含浸等により複合し、プリプレグして各種用途に用いることもできる。
さらに上記フィルム状成形体、シート状成形体、またはプリプレグは、金属と積層し、積層体としてもしくは回路基板として用いることもできる。
【００４７】
本実施形態に係る硬化性組成物は、各成分を均一に混合することにより得ることができる。また、本実施形態に係る硬化性組成物は従来知られている方法と同様の方法で容易に硬化物とすることができる。例えば、本実施形態に係る硬化性組成物を溶融後注型あるいはトランスファー成形機等を用いて成形し、さらに８０〜２００℃で２〜１０時間に加熱することにより硬化物を得ることができる。
【００４８】
本実施形態に係る硬化性組成物は、流動性および耐熱性のバランスに優れている。また、このような硬化性組成物から得られる硬化物は耐熱性、耐水性および機械的強度に優れている。そのため、本実施形態に係る硬化性組成物は、例えば、耐熱性、耐水性、高機械強度等が要求される広範な分野で用いることができる。具体的には半導体封止材料、積層板、絶縁材料等の電気・電子材料として用いることができる。また、成型材料、接着剤、複合材料、塗料等にも用いることができる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより何等制限されるものではない。
【００５１】
［実施例１］
（１）トリメトキシビフェニル化合物（４）の合成
温度計、撹拌機、滴下装置および還流管を備えた反応容器に、窒素気流下で、トルエンを１００ｍＬ、水を９０ｇ、下記式（５）で示されるジメトキシヨードベンゼン化合物を１０．０７ｇ、下記式（６）で示されるメトキシフェニルボロン酸を６．３８ｇ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを２．１ｇ、炭酸水素ナトリウムを７．９７ｇそれぞれ加え、１０５℃で４時間反応を行った。その後、反応容器に１Ｍ塩酸を１００ｍＬ加え、分液操作を行った。得られた有機層に対して、硫酸マグネシウムを用いて脱水操作を行った後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。次いで、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、目的のトリメトキシビフェニル化合物（４）を９．８０ｇ、９８％の収率で白色固体物として得た。
得られた白色固体物に対して、１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）の測定をおこなったところ、７．３３−７．２０ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、７．１０−７．０６ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、６．８７−６．８３ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、６．５８−６．５４ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．８５ｐｐｍ（ｓ、３Ｈ）、３．８３ｐｐｍ（ｓ、３Ｈ）、３．８０ｐｐｍ（ｓ、３Ｈ）が観測された。これにより、得られた白色固体物は下記式（４）を満たす目的のトリメトキシビフェニル化合物であることが確認できた。
【００５２】
【化１６】
2019167397.tif 000017
【００５３】
（２）トリヒドロキシビフェニル化合物（２）の合成
温度計、撹拌機、滴下装置および還流管を備えた反応容器に、窒素気流下で、シクロヘキサンを１００ｍＬ、三ヨウ化アルミニウムを２０．６３ｇ、ヨウ化テトラノルマルブチルアンモニウムを０．０６９ｇそれぞれ加え、氷浴で冷却した。下記式（４）で示されるトリメトキシビフェニル化合物４．１２ｇをシクロヘキサン２５ｍＬに懸濁させ、滴下装置に装入し、反応容器に９０分かけて滴下した。その後、９０℃で９時間反応を行い、反応容器を氷冷し、２Ｍ水酸化ナトリウムを３０ｍL加えた。その後、１Ｍ塩酸を加え、水層を弱酸性とし、酢酸エチル１５０ｍＬを加え、分液操作を行った。得られた有機層に対して、硫酸マグネシウムを用いて脱水操作を行った後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。得られた固体物からトルエン熱抽出を８回実施し、目的のトリヒドロキシビフェニル化合物（２）を３．８３ｇ、収率８１％で白色固体物として得た。
得られた白色固体物に対して、１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤ３ＯＤ＋ｄ６−ＤＭＳＯ）の測定により、７．１７−７．１１ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、７．０６―７．０１ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、６．９７−６．９２ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、６．６８−６．６４ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、６．３６−６．３２ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）が観測された。これにより、得られた白色固体物は下記式（２）を満たす目的のトリヒドロキシビフェニル化合物であることが確認できた。得られた白色固体物の融点は１３５℃であった。
【００５４】
【化１７】
2019167397.tif 000018
【００５５】
（３）トリグリシジルオキシビフェニル化合物（１）の合成
温度計、撹拌機および還流管を備えた反応容器に、窒素気流下、ジメチルホルムアミド５０ｍＬ、下記式（２）で表されるトリヒドロキシビフェニル化合物を０．５０ｇ、下記式（３）で表されるグリシジル基を有するスルホン酸エステル化合物を１．９０ｇ、炭酸セシウムを２．９７ｇそれぞれ装入した。次いで、７０℃で３時間反応を行った後、水を１００ｍＬ加え反応を停止させ、酢酸エチルを２００ｍＬ用いて分液操作を行った。有機層を純水１００ｍＬで洗浄し、硫酸マグネシウムによって脱水操作を行った後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行い、減圧真空ポンプにて減圧下、４５℃、２４時間乾燥させることにより、下記式（１）を満たす目的のトリグリシジルオキシビフェニル化合物を０．８４ｇ、収率９２％の淡黄色油状物質として得た。
得られた油状物質に対して、１Ｈ−ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）の測定をおこなったところ、７．３３−７．２４ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、７．１２−７．０９ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、６．９０−６．８０ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、６．６２−６．５８ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、４．２９−４．２４ｐｐｍ（ｍ、３Ｈ）、４．０５−３．９０ｐｐｍ（ｍ、３Ｈ）、３．４５−３．３５ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、３．３０−３．２５ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）、２．９４−２．８９ｐｐｍ（ｍ、２Ｈ）、２．８３−２．７６ｐｐｍ（ｍ、３Ｈ）、２．７０−２．６７ｐｐｍ（ｍ、１Ｈ）が観測された。また、フィールドデソープションイオン化法で測定した質量分析により、理論構造に相当する［Ｍ］＋＝３７０．２が得られたことから、得られた油状物質は下記式（１）を満たす目的のトリグリシジルオキシビフェニル化合物であることを確認した。
得られた淡黄色油状物質中の塩素含有量をイオン分析法を用いて以下の条件で測定した。その結果、淡黄色油状物質中の塩素含有量は、２４０ｐｐｍであった。
測定装置名：イオンクロマトグラフＩＣＳ−１５００（サーモフィッシャーサイエンティフィック社）
測定条件：得られた油状物質を試料ボードに精秤し、アルゴン／酸素気流中、９００℃（燃焼炉設定温度）で燃焼分解した。発生ガスを吸収液に吸収させ、定容として検液とした。イオンクロマトグラフ法にて塩素含有量を定量した。
【００５６】
【化１８】
2019167397.tif 000019
【００５７】
［実施例２］
（１）硬化性組成物の調製
下記式（１）で示されるトリグリシジルオキシビフェニル化合物を５０質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０Ｓ）を５０質量部配合し、さらに硬化促進剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール、四国化成工業社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ）を１質量部配合することにより、硬化性組成物を調製した。
【００５８】
【化１９】
2019167397.tif 000020
【００５９】
（２）硬化物の物性評価
上記（１）で得られた硬化性組成物を、熱循環オーブンにより、１８０℃６０分間加熱することにより硬化させ、硬化性組成物の硬化物を得た。
上記のようにして得た硬化物のガラス転移温度を、セイコーインスツル社製のＤＭＳ６１００により、２５℃から３５０℃まで、５℃／分で昇温して測定し、硬化物の耐熱性の指標とした。
また、上記のようにして得られた硬化物の線膨張率を、セイコーインスツル社製の熱機械的装置ＴＭＡ／ＳＳ６０００を用いて、３０℃から２２０℃まで、５℃／分で昇温して引張りモードで測定し、ガラス領域状態（４０〜６０℃）での線膨張率とした。
得られた結果を表１に示す。
【００６０】
（３）硬化性組成物の粘度
Ｅ型粘度計を用いて、上記式（１）で示されるトリグリシジルオキシビフェニル化合物５０質量部とビスフェノールＦ型エポキシ化合物（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０Ｓ）５０質量部とを配合して得られた硬化性組成物（硬化促進剤を含まない）の粘度を測定した。測定温度は２５℃とした。なお、後述の比較例１および比較例２についても、硬化性組成物の粘度は硬化促進剤を含まない状態で粘度を測定した。
得られた結果を表１に示す。
【００６１】
［比較例１］
下記式（７）で示されるテトラグリシジル化合物（新日鉄化学社製、商品名：ＹＨ−４３４）を５０質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物（ＤＩＣ社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０Ｓ）を５０質量部配合し、さらに硬化促進剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール、四国化成工業社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ）を１質量部配合することにより、硬化性組成物を調製した。
得られた硬化性組成物に対して実施例２と同様の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
【００６２】
【化２０】
2019167397.tif 000021
【００６３】
［比較例２］
下記式（８）で示されるトリグリシジル化合物（住友化学社製、商品名：ＥＬＭ−１００）を５０質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物（ＤＩＣ社製、商品名：ＥＰＩＣＬＯＮ  ８３０Ｓ）を５０質量部配合し、さらに硬化促進剤（２−エチル−４−メチルイミダゾール、四国化成工業社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ）を１質量部配合することにより、硬化性組成物を調製した。
得られた硬化性組成物に対して実施例２と同様の評価をおこなった。得られた結果を表１に示す。
【００６４】
【化２１】
2019167397.tif 000022
【００６５】
以上の結果を表１に示す。
【００６６】
【表１】
2019167397.tif 000023