(57)【要約】      （修正有）【課題】マイクロフォン用途では、MEMSセンサ用の内部フリップチップアセンブリを使用するボトムポートマイクロフォンに対して、有害な応力を発生させない電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイス１００は、上面１１を有する担体基板１と、担体基板の上面に実装された電子チップ２と、担体基板の上面に対向する実装面２１と、担体基板の上面から遠ざかる頂面２２と、実装面と頂面とを接続する側壁とを備える。電子チップは、実装面に、実装面のベース面積１平方ミリメートル当たり５個以下のスタッドバンプ２４と、電子チップの上面を少なくとも部分的に覆い、担体基板の上面に延在する積層ポリマーフード４とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス(100)であって、
上面(11)を有する担体基板(1)と、
前記担体基板の上面に搭載される電子チップ(2)であって、前記担体基板の上面に対向する搭載面(21)と、前記担体基板の上面から離れる方向に面する頂面(22)と、前記搭載面を前記頂面に接続する側壁(23)とを有する電子チップと、
を備え、
前記電子チップは、前記実装面において、実装面のベース面積1平方ミリメートル当たり5個以下のスタッドバンプ(24)を有し、
積層ポリマーフード(4)が、前記電子チップの頂面を少なくとも部分的に覆い、前記担体基板の上面上に延在する、
電子デバイス(100)。
【請求項２】
前記ポリマーフードは、前記電子チップの少なくとも3つの側壁を覆う、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記スタッドバンプは、導電性接着剤によって前記担体基板の上面に接続される、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記導電性接着剤のヤング率が、500MPa以下、好ましくは100MPa以下であることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記電子チップの前記実装面は、前記担体基板の前記上面からある距離を置いて配置され、それによって、前記実装面と前記上面との間に隙間を画定し、前記隙間は、いかなるアンダーフィル材料も含まない、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記担体基板は、前記上面に少なくとも1つの凹部を有し、前記凹部に到達する少なくとも1つのスタッドバンプを有する、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記スタッドバンプのうちの少なくとも1つは、形状ロックプロファイルを有する、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記スタッドバンプのうちの少なくとも1つは、30μm以上180μm以下の高さを有する、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記ポリマーフードは、Bステージ材料を含む、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記ポリマーフードは、80μm以下の10μm以上の厚さを有する、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記ポリマーフードは、室温で1GPa以下のヤング率を有する、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記電子チップは、センサチップである、請求項1に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記電子チップがMEMSチップである、請求項1項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子デバイス、特に、担体と、担体上に実装された電子チップとを備える電子デバイスに関する。電子デバイスは、例えば、MEMS (microelectromechanical system)チップを含むセンサデバイスとすることができる。例えば、電子デバイスは、MEMSマイクロフォンとすることができる。
【背景技術】
【０００２】
MEMSマイクロフォンは、微細構造の、主にシリコンベースの音響電気トランスデューサを利用する。これらの高感度センサチップは、薄い可動膜を備え、保護パッケージ内のそれらのアセンブリからの機械的応力にも非常に感度の高いものとなっている。このような応力を低レベルに保つ最も一般的な方法は、軟質で厚いボンドラインを用いた従来のダイ・アタッチを使用することである。その場合、膜、したがって電気接点は直立して配置され、パッケージおよび/または補完ASIC (application-specific integrated circuit)への内部電気相互接続は、ワイヤボンディングによって行われる。これは、2つの主要な欠点をもたらす。支配的なボトムポート構成の場合、MEMS内部キャビティは、(有益な)音響バックボリュームに寄与することはできず、(寄生)フロントボリュームを増加させ、両方ともマイクロフォンの性能を損なう。さらに、ボンドワイヤは、(基板ランディングのための)非常に多くの横方向の空間と(ワイヤループのための)ヘッドルームと(キャップに向かう安全マージンのための)ヘッドルームとを必要とし、両方とも、構成要素の寸法を増加させ、これは、一般的な小型化の努力を損なう。
【０００３】
はんだバンプ上のフリップチップアセンブリは、マイクロエレクトロニクスにおける共通の傾向であり、両方の前記問題の解決策を提供し得る。しかし、この場合、センサチップは、パッケージ基板に堅固に結合され、静的アセンブリ応力、はんだ再溶融からのオフセット、センサ材料とパッケージ材料との間のCTE不整合による温度誘発応力、および外部衝撃からの動的応力によって影響を受けやすくなる。
【０００４】
したがって、例えば、上述したマイクロフォン用途では、MEMSセンサ用の内部フリップチップアセンブリを使用するボトムポートマイクロフォンに対して、有害な応力を発生させることなくパッケージングする解決策が必要とされる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする課題は、上記の問題を回避または少なくとも低減する電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的は、特に、独立請求項1に記載の電子装置によって達成される。さらなる実施形態および構成は、従属請求項の主題である。
【０００７】
少なくとも1つの実施形態によれば、電子デバイスは、上面を有する担体基板を備える。担体基板の上面には、電子チップが実装されている。電子チップは、例えば、センサチップとすることができる。好ましい実施形態では、電子チップはMEMSチップとすることができる。
【０００８】
担体基板は、好ましくは、電子チップを接続するための電気接続を提供することができる。特に、担体基板は、HTCC (高温同時焼成セラミック)、LTCC (低温同時焼成セラミック)、ポリマー材料および/またはガラスをベースとすることができる積層多層基板とすることができる。導体線および/またはビアは、担体基板上に実装された素子と外部はんだパッドとの間の電気的ルーティングを提供することができる。
【０００９】
電子チップは、担体基板の上面に対向する実装面を有することができる。特に、チップは、実装面に接続要素を有することができ、接続要素は、チップを担体基板の上面に電気接続し、実装するために具現される。さらに、電子チップは、担体基板の上面から離れて面する頂面と、実装面を頂面に接続する側壁とを有することができる。
【００１０】
さらなる実施形態によれば、電子チップは、実装面の接続要素として、スタッドバンプを有する。スタッドバンプは、例えば、電子チップの電極パッド上に配置することができる。スタッドバンプを作るために、ボールは、標準的なボールバンピングプロセスを用いて形成される。ボールが電極パッドに接着された後、リード線クランプが閉じられ、ボンドヘッドが移動してリード線を引き裂く。移動が取付け側に対して実質的に垂直に向けられる場合、「テール部」をバンプの上に残すことができる。移動パラメータに応じて、テール部の幅および長さ、したがってスタッドバンプのサイズおよび形状を調整することができる。スタッドバンプの各々は、固有の可撓性、低い外形、および小さいフットプリントを組み合わせることができる電気機械的接合要素を形成することができる。
【００１１】
実装面は、チップ外形によって境界を定めることができ、その結果、チップ外形によって囲まれた領域は、電子チップのベース領域として表すことができる。特に、電子チップは、実装面のベース面積1平方ミリメートル当たり5個以下のスタッドバンプを有することが特に好ましい。簡単に言えば、電子チップは、僅かなスタッドバンプ、例えば10個以下のスタッドバンプを備えることができる。例として、正方形または長方形の電子チップは、4つのスタッドバンプを有することができ、各スタッドバンプは、正方形または長方形のベース領域のコーナーの1つに配置される。さらに、角部のそれぞれに、例えば2つのスタッドバンプを適用することもでき、この場合、8つのスタッドバンプを有する電子チップが得られる。
【００１２】
さらなる実施形態によれば、スタッドバンプは、導電性接着剤によって担体の上面に接続される。導電性接着剤は、電子チップを担体基板上に配置する前に、スタッドバンプを制御された厚さの「ウエット」な接着剤層に浸漬することによって塗布することができる。さらに、印刷、噴射、または塗工による導電性接着剤の堆積方法は、より良好な再現性で、より大量のものを提供することができる。導電性接着剤の使用は、適度な温度プロファイルを提供するので有利である。鉛フリーはんだバンプは、リフロープロセスのために典型的には約250℃の温度を必要とするのに対して、典型的な導電性接着剤は、約150℃以下で硬化し、約60℃の温度でさえ硬化することができる。したがって、低い初期応力レベルがチップ実装中に加わるだけである。
【００１３】
導電性接着剤は、シリコーン、アクリレート、エポキシ、及び他の樹脂材料から選択される1つ以上を含み、導電性粒子で充填された熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂とすることができる。典型的には、Agおよび/またはPdを用いることができる。MEMSマイクロフォンまたは他の容量性センサの場合、最大1kオームの範囲の比較的高いジョイント抵抗率が許容可能であり得る。この場合、炭素のような他の充填材料も可能である。また、本質的に導電性のポリマーを導電性接着剤として選択することができる。
【００１４】
さらなる実施形態によれば、担体基板は、上面に少なくとも1つの凹部を有し、少なくとも1つのスタッドバンプが凹部に達する。特に、スタッドバンプのテール部を凹部に収容することができる。好ましくは、担体基板は、スタッドバンプの各々のための凹部を含む。凹部(複数可)は、導電性接着剤によって充填することができる。
【００１５】
さらに、スタッドバンプの少なくとも1つ、またはいくつか、またはすべては、形状ロックプロフィールを有する。スタッドバンプ、特にそのテール部のこのような形状固定プロファイルは、比較的軟質の導電性接着剤により強固に固定することができる。例えば、テール部は、端部で曲げることができ、またはフックまたはブラケットとして形成することができる。また、テール部をマッシュルーム形状に鍛造加工することも可能である。
【００１６】
好ましくは、スタッドバンプの少なくとも1つ又は複数又は全ては、30μm以上180μm以下の高さを有する。高さは、特に、テール部と、担体基板の凹部に収容される任意の部分とを含むことができる。スタッドバンプは、例えば、12μm以上30μm以下の直径を有する金ワイヤから製造することができる。このようなスタッドバンプは、修正されたワイヤボンディング装置によって上述したように製造することができ、例えばAlパッドのような電極パッドに直接最大約30/sの高速でセットすることができ、高価なUBM (under bump metallization)処理を必要としない。UBMは例えばMEMSウエハプロセスに関連して望ましくないことが多い。
【００１７】
さらなる実施形態によれば、電子デバイスは、積層ポリマーフードを含む。ポリマーフードは、電子チップの上側を少なくとも部分的に覆い、担体基板の上面上に延在する。これは、特に、ポリマーフードが、例えば接着力によって、上面の一部に固定的に接続されることを意味する。ポリマーフードは、担体基板上に電子チップを機械的に保持するように具体化することができる。
【００１８】
さらに、ポリマーフードは、電子チップの側壁の大部分を覆うことができる。正方形または長方形のチップの場合、ポリマーフードは、好ましくは、電子チップの4つの側壁の少なくとも3つを覆うことができる。
【００１９】
ポリマーフードは、少なくとも部分的に、担体基板上に実装された電子チップ上に、および部分的に、担体基板の上面上に、ポリマー箔をラミネートすることによって製造することができる。積層プロセスは、好ましくは、フォイルの上下の空気圧差によって駆動される熱強化深絞りプロセスに基づくことができる。積層箔のポリマー材料、したがってポリマーフードは、広範囲の熱可塑性ポリマーまたは熱硬化性ポリマーから選択することができる。特に好ましくは、ポリマーフードは、当業者に知られており、熱可塑性条件下での作業性と、最終的な熱硬化および/または放射硬化中の熱硬化状態への変換とを組み合わせたBステージ材料を含む。好ましくは、ポリマーフードは、10μm以上80μm以下の厚さを有する。好ましい厚さは、約20μmであり得る。アセンブリ、すなわち電子デバイスの可撓性を損なわないように、ポリマーフード、すなわちポリマーフードを構成する硬化および最終状態にある積層箔は、室温で1GPa以下のヤング率を有することが好ましい。
【００２０】
さらなる実施形態によれば、電子チップの実装面は、担体基板の上面からある距離を置いて配置され、それによって、実装面と上面との間に隙間を画定する。クリアランスの高さは、スタッドバンプの高さから、適用可能であれば、凹部に位置するスタッドバンプのその部分の高さを引いたものによって実質的に決定することができる。特に、クリアランスは、アンダーフィル材料を含まなくてもよい。言い換えれば、電子チップは、導電性接着剤およびポリマーフード並びにスタッドバンプだけによってのみ担体基板上に実装および固定することができ、例えば、チップと基板との間にしばしば適用される接着剤材料などのさらなるアンダーフィル材料を回避することができる。
さらなる特徴、利点、および便宜は、図面と併せた例示的な実施形態の以下の説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】１つの実施形態による電子デバイスを示す。
【図２】他の実施形態による電子デバイスを示す。
【図３Ａ】さらなる実施形態による電子デバイスのさらなる特徴を示す。
【図３Ｂ】さらなる実施形態による電子デバイスのさらなる特徴を示す。
【図４】他の実施形態による電子デバイスの詳細を示す。
【図５Ａ】さらなる実施形態による電子デバイスのスタッドバンプの詳細を示す。
【図５Ｂ】さらなる実施形態による電子デバイスのスタッドバンプの詳細を示す。
【図５Ｃ】さらなる実施形態による電子デバイスのスタッドバンプの詳細を示す。
【００２２】
図面において、同じ設計および/または機能の要素は、同じ参照番号によって識別される。図面に示される実施形態は、例示的な表現であり、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことを理解されたい。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図1は、一実施形態による電子デバイス100を示す。電子デバイス100は、電子パッケージとして形成され、電子チップ2が搭載される上面11と、電子デバイス100と外部接触するための接点が設けられる上面11から遠い下面12とを有する担体基板1を含む。電子チップ2は、例えば、センサチップ、好ましくは、MEMSマイクロフォンのようなMEMSチップとすることができる。以下の説明は、そのような用途に関連しているが、本発明は、MEMSマイクロフォンに限定されず、他のタイプの応力感知センサ、ならびに一般に電子構成要素にも有用であり得る。
【００２４】
例えばHTCC、LTCC、ポリマーまたはガラスをベースとする積層多層基板は、担体基板1として、したがってパッケージ基板として機能する。導体線およびビアは、素子と外部はんだパッドとの間の電気的ルーティングを提供する。接地面は、適当な接続材料30、例えばはんだまたは導電性接着剤によって担体基板1に取り付けられたキャップ3、好ましくは金属キャップと組み合わせて、電磁シールドを改善することができる。
【００２５】
電子チップ2は、担体基板1の上面11に対向する実装面21を有する。さらに、電子チップ2は、上面11から離れて面する頂面22と、実装面21を頂面22に接続する側壁23とを有する。上述したようにMEMSマイクロフォンチップとして具現化された電子チップ2は、チップ2の膜及びバックプレートがサウンドポート開口として機能する担体基板1の開口13に面するように担体基板1上に取り付けられる。図1に示すように、付加的かつ任意選択の要素として、バリア層14を開口部13上に適用することができる。バリア層14は、塵埃または水の侵入を防止するために開口部13を密封することができる粒子および/または湿度バリアとすることができる。特に、任意選択のバリア層14は、メッシュによって形成することができる。他の実施形態は、担体基板1ではなく、電子チップ2に取り付けられる構造を包含する。あるいは、バリア層14が存在しなくてもよい。
【００２６】
音響上の理由から、最上部の担体基板層上の音響ポート開口は可能な限り広くなければならない。これは、電子チップ2の下の残りの領域を大幅に制限する。したがって、電子チップ2は、電極パッド上にスタッドバンプ24を備え、スタッドバンプ24は、固有の可撓性、薄型、および小さなフットプリントを有する電気機械接合素子を形成する。スタッドバンプ24の各々は、バンプの頂部にテール部を有し、担体基板1の上面11上の導電性接着剤5の液滴内に少なくとも部分的に収容され、それによって、担体基板1と電子チップ2との間の応力のデカップリングに寄与する。スタッドバンプの好ましい高さは、前記テール部と、以下に説明する凹部に収容される任意の部分とを含み、30μmから180μmの間にあり、当該数値限定の限界値も範囲に含まれる。スタッドバンプ24は、直径12μm以上30μm以下のAuリード線を用いて製造することができる。スタッドバンプ24は、改良されたワイヤボンディング装置によって製造される。これらは、高速(約30/sまで)で直接Alパッドにセットすることができ、しかも高価なUBM処理を必要としない。そのため、このUBM処理はMEMSウエハプロセスではしばしば望ましくないとなっている。
【００２７】
導電性接着剤5との界面における良好な電気的接触に関連する全ての表面は、好ましくは、低く安定した抵抗を提供するために、貴金属、例えば、Au、Pt、Pd、Ag又はそれらの合金でコーティングされる。導電性接着剤5は、例えば、シリコーン、アクリレート、エポキシ、または他の適切な樹脂などの熱可塑性または熱硬化性樹脂とすることができ、導電性粒子、例えば、Agおよび/またはPd粒子、または、MEMSマイクロフォンまたは他の容量性センサの場合、炭素などの他の充填材料で充填される。また、本質的に導電性のポリマーも代替物である。導電性接着剤5は、電子チップ2を担体基板1上に配置する前に、スタッドバンプ24を制御された厚さの「ウエット」層に浸漬することによって塗布することができる。また、印刷、噴射、または塗工による堆積方法を用いることができ、より良好な再現性でより大量のものを提供することができる。
【００２８】
硬化した接着剤5の所望の機械的特性は、予想される応力レベルおよび感度、関与する材料のCTE (熱膨張係数)不整合、チップ当たりのスタッドバンプの数、スタッドバンプの高さなどのパラメータに大きく依存する。多くの構成において、接着剤5のヤング率は500MPa以下、好ましくは100MPa以下が好適である。担体基板CTEは、8ppm/K以下、より好ましくは5ppm/K以下を目標とする。しかし、14ppm/KまでのCTEを有する低性能基板材料でさえも使用することができる。
【００２９】
スタッドバンプ24のおかげで、他の接続方法の問題を回避することができる。例えば、属ばね要素を実装することで、所要の応力デカップリングを実現することは実際上不可能である。このような場合、従来のチップはんだバンプは、バネ要素の自由端子に取り付けられ、バネ要素の他方の端子は、担体基板接点に固定される。チップの実装面と担体基板の上面との間のギャップ高さは、おおよそ100μmに制限され、垂直方向に複雑なバネ構造を設けることはできない。さらに、スプリング構造の部分がチップ外形から突き出て、フロントボリュームとバックボリュームを分離するために使用されるいかなる手段によってもスプリング構造が妨害されることは避けられない。さらに、従来のフリップチップ方式におけるアンダーフィルは、この点に関してさらに悪くなる。もちろん、完全なアンダーフィルは、MEMSマイクロフォンには適用できないが、チップエッジに沿ったダムの形態のアンダーフィルでさえ、スプリングを完全にブロックする。
【００３０】
従来のはんだバンプと比較して、特に、MEMSマイクロフォンのような、チップ当たりの接合部の数が少ない場合には、スタッドバンプ24は、より低い接合強度の接合部を形成する。しかしながら、アンダーフィル法による補強は、アンダーフィル材料の塗工中に機能部品に向かって流れそしてこれらを流出させてしまうので、MEMSマイクロフォンには使用できない。したがって、電子チップの実装面と担体基板の上面との間の隙間6には、いかなるアンダーフィル材料もない。アンダーフィルを使用するのではなく、代わりに電子デバイス100は、積層ポリマーフード4を備える。ポリマーフードは、電子チップ2の頂面22を少なくとも部分的に覆い、担体基板1の上面11上に延在する。特に、高分子フード4は、積層高分子フード4が電子チップ2を機械的に保持し支持するように、上面11の一部に接着により固着されている。図示の実施形態では、ポリマーフード4は、チップ2の全ての側壁23上に電子チップ2を機械的に保持し、支持する。特に好ましくは、ポリマーフード4は、熱可塑性条件下での作業性と、最終的な熱および/または放射硬化中の熱硬化性状態への変化とを組み合わせた、10μm以上80μm以下の厚さを有するBステージ材料を含む。好ましい厚さは、約20μmであり得る。電子デバイス100の可撓性を損なわないように、ポリマーフード4、すなわち、ポリマーフード4を構成する硬化および完成した状態の積層箔は、室温で1GPa以下のヤング率を有することが好ましい。
【００３１】
積層プロセスは、ポリマー箔の上下の空気圧差によって駆動される熱強化深絞りに基づく。その結果、スタッドバンプ24に対する唯一の有効な力は、真っ直ぐ下向きに、すなわち、担体基板1の上面11に向かって方向付けられ、これは、それらの単一の弾性荷重方向である。その理由は、スタッドバンプ24のテール部が担体基板1上に載り、それによって機械的なストッパを提供することができるからである。スタッドバンプジョイントを容易に破壊し得る他の全ての負荷シナリオ、例えば、曲げ、剪断、及び/又は引っ張りによって引き起こされる力は、硬化プロセス後にポリマーフード4によって取り扱うことができる。このアセンブリのさらなる利点は、適度な温度プロファイルである。鉛フリーはんだバンプは、リフロープロセスのために約250℃を必要とするが、典型的な導電性接着剤は、約150℃で硬化し、約60℃も可能である。従って、チップ2の実装時には、低い初期応力レベルが導入される。
【００３２】
ポリマーフード4はまた、電子チップ2の前方容積と後方容積との間の分離を提供することができる。説明されたMEMSマイクロフォンの場合、ポリマーフード4は、キャップ3によって提供される拡張されたバックボリュームへの接続として、MEMSキャビティの領域に開口部40を有することができる。
【００３３】
図2は、電子デバイス100のさらなる実施形態を示し、この電子デバイスは、前の実施形態とは対照的に、担体基板1上に実装されるASIC7をさらに備える。ASIC7は、電子チップ2、ひいては電子装置100の機能をサポートし、制御することができる。ASIC7は、図2に示すように、ポリマーフード4の下の電子チップ2の横に、またはその外側に取り付けることができる。それは、スタッドバンプ、又は、例えば、はんだボールによるフリップチップ取付け、ワイヤボンドによる従来のダイ取付け、又はその他といった、任意の他の取付け及び相互接続方法の形態で、記載された接合要素を利用することができる。図示の実施形態では、ポリマーフード4は、ポリマーフード4の下のASIC7の存在下でも、電子チップ2の4つの側壁23のうち少なくとも3つを覆い、それによって電子チップ2を十分に機械的に保持する。
【００３４】
図1および図2の実施形態では、電子チップ2は、実装面のベース領域の1平方ミリメートル当たり5個以下のスタッドバンプをそれぞれ備える。MEMチップの典型的なサイズを考慮すると、これは、特に、電子チップ2が10個以下のスタッドバンプを有することを意味する。図3Aおよび図3Bには、電子デバイス100のレイアウトに関する2つの例示的な実施形態が示されている。両方の図において、電子チップの輪郭25は、一例として正方形の形状を有し、破線で示されている。また、スタッドバンプ24、導電性接着剤5、および担体基板の開口部を覆う(任意の)バリア層14の位置が示されている。図3Aは、サウンドポート開口部13およびバリア層14のための領域をできるだけ失わないように、電子チップの外形25によって制限される、利用可能なフィールドのコーナーに押し込まれた4つのスタッドバンプ24を有するレイアウトを示す。スタッドバンプ24の周りのそれぞれの最も外側の円は、担体基板上の導電性接着剤5のサイズを示し、このサイズは、この非常に高いインピーダンスの回路における可能な漏れ電流を最小化するために、ポリマーフードと接触しないことが好ましい。図3Bは、2つのスタッドバンプ24が接続を強化するために各コーナーにおいて1つの接合部を形成する更なる実施形態を示す。また、各コーナーに2つ以上のスタッドバンプを設けることもが可能である。
【００３５】
図4は、別の実施形態による電子デバイスの詳細を示す。この実施形態では、担体基板1は、少なくとも1つの凹部15を有し、この凹部15内に、少なくとも1つのスタッドバンプ24、または少なくともその細長いテールワイヤが収容される。凹部15には導電性接着剤5が充填されている。図示の実施形態の代わりに、凹部15は、他の手段、例えば、担体基板1の上面上の構造、特にはんだマスクパターンによって形成することもできる。
【００３６】
スタッドバンプの少なくとも1つ又は幾つか又は全て、特に、それらのテール部が、比較的軟質の導電性接着剤により強固に固定するための形状固定プロファイルを有する場合、更なる改善が達成され得る。形状固定プロファイルの例示的な実施形態を図5A〜5Cに示す。例えば、テール部は、図5Aに示すように端部で曲がることができ、または図5Bに示すようにフックまたはブラケットとして形成することができる。あるいは、図5Cに示されるように、テール部をマッシュルーム形状に鍛造することは１つの好ましい可能例である。
【００３７】
図面に関連して記載された特徴の代わりに、またはそれに加えて、図面に示された実施形態は、説明の一般的な部分に記載されたさらなる特徴を含むことができる。さらに、図面の特徴および実施形態は、たとえそのような組み合わせが明示的に説明されていなくても、互いに組み合わせることができる。
【００３８】
本発明は、例示的な実施形態に基づく説明によって制限されない。むしろ、本発明は、たとえこの特徴またはこの組合せ自体が特許請求の範囲または例示的な実施形態において明示的に指定されていなくても、特に特許請求の範囲の特徴の任意の組合せを含む任意の新しい特徴および特徴の任意の組合せをも包含する。
【符号の説明】
【００３９】
1            担体基板
2            電子チップ
3            キャップ
4            ポリマーフード
5            導電性接着剤
6            隙間
7            ASIC
11           担体基板の上面
12           担体基板の下面
13           開口部
14           バリア層
15           凹部
21           電子チップの実装面
22           電子チップの頂面
23           電子チップの側壁
24           スタッドバンプ
25           電子チップの輪郭
30           接続材料
40           開口部
100          電子デバイス
【図１】
2019165209.tif 000003
【図２】
2019165209.tif 000004
【図３Ａ】
2019165209.tif 000005
【図３Ｂ】
2019165209.tif 000006
【図４】
2019165209.tif 000007
【図５Ａ】
2019165209.tif 000008
【図５Ｂ】
2019165209.tif 000009
【図５Ｃ】
2019165209.tif 000010
【外国語明細書】
2019165209000001.pdf