(57)【要約】【課題】粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保できるとともに、高いインダクタンスを有する配線回路基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】磁性配線回路基板１は、第１絶縁層２と、配線部３と、第２絶縁層４と、アスペクト比が２以上である形状を有する導電性粒子を含有し、第２絶縁層４を介して、配線部３を被覆する磁性層５とを備える。配線部３が、略湾曲形状を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線と、
前記配線を被覆する第２絶縁層と、
アスペクト比が２以上である形状を有する導電性粒子を含有しており、前記第２絶縁層を介して、前記配線を被覆する粒子含有層とを備え、
前記配線が、略湾曲形状を有することを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記導電性粒子が、磁性粒子であり、
前記粒子含有層が、磁性層であり、
磁性配線回路基板であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第２絶縁層が、電着層であることを特徴とする、請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第２絶縁層の平均厚みＴが、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項２または３に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記配線は、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に接触する厚み方向他方面と、前記厚み方向一方面および前記厚み方向他方面の両端縁を連結する側面とを有し、
前記第２絶縁層は、前記厚み方向一方面および前記側面を被覆しており、
前記配線が、前記厚み方向一方面および前記側面によって形成される角部を有し、
前記角部が、略湾曲形状を有することを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記角部の曲率半径Ｒが、９μｍ以上であることを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記磁性層は、前記第１絶縁層において前記第２絶縁層から露出する前記厚み方向一方面を被覆しており、
前記配線は、前記厚み方向他方面および前記側面によって形成される第２角部を有し、
前記第２角部が、互いに向かい合う２つの前記側面間の長さが前記厚み方向他方側に近づくに従って長くなる部分を有することを特徴とする、請求項５または６に記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記配線は、略円形状を有し、
前記第２絶縁層が、前記配線の周面を被覆し、
前記粒子含有層が、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記周面を被覆することを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項９】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線とを準備する第１工程と、
第２絶縁層により前記配線を被覆する第２工程と、
前記第２絶縁層を介して、前記配線を被覆し、アスペクト比が２以上である形状を有する導電性粒子を含有する粒子含有層を形成する第３工程とを備え、
前記配線は、略湾曲形状を形成し、
前記第２工程では、前記厚み方向に直交する方向に配向される前記導電性粒子を含有する粒子含有シートを、前記第２絶縁層に対して熱プレスすることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性粒子が、磁性粒子であり、
前記粒子含有層が、磁性層であり、
粒子含有シートが、磁性シートであり、
磁性配線回路基板の製造方法であることを特徴とする、請求項９に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１工程における前記配線は、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に接触する厚み方向他方面と、前記厚み方向一方面および前記厚み方向他方面の両端縁を連結する側面とを有しており、さらに、前記厚み方向一方面および前記側面に、略湾曲形状の角部が形成され、
前記第２工程では、前記絶縁層により、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面を被覆し、
前記第３工程では、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面を被覆する粒子含有層を形成することを特徴とする、請求項１０に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１工程は、
サブトラクティブ法により、厚み方向一方面および側面によって形成される尖り部を有する配線基部を形成する第４工程、および、
めっきにより、前記配線基部を被覆するめっき層であって、前記尖り部を被覆する被覆部を有する前記めっき層を形成することにより、前記角部を、前記被覆部から略湾曲形状に形成する第５工程
を備えることを特徴とする、請求項１１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１工程における前記配線は、略円形状を有し、
前記第２工程では、前記絶縁層により、前記配線の周面を被覆し、
前記第３工程では、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記周面を被覆する粒子含有層を形成することを特徴とする、請求項１０に記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力を無線により伝送する無線通信や無線電力伝送に、コイルモジュールが用いられることが知られている。
【０００３】
例えば、コイルパターンと、それを埋設し、扁平形状の磁性粒子（導電性粒子）を含有する磁性層とを備えるコイルモジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
このようなコイルモジュールは、例えば、まず、導体パターンニングによってコイルパターンを形成し、次いで、磁性粒子を含有する磁性シートをコイルパターンに対して熱プレスすることにより得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−００５１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかるに、コイルパターンに大電流を流す場合があり、その場合には、絶縁層に含有される扁平形状の磁性粒子がコイルパターン間を短絡させることがあるため、コイルパターンと磁性層との間における絶縁性が求められる。
【０００７】
そこで、コイルパターンと磁性層との間に、絶縁層を形成することが試案される。
【０００８】
しかし、上記したコイルパターンの上面および側面の稜線部には、上側斜め側方（外側）に向かって尖る尖り部が形成されるため、この場合に、絶縁層を形成すれば、尖り部に対向する絶縁層の厚みが過度に薄くなり易い。そのため、磁性粒子を含有する磁性シートを、絶縁層を介して、尖り部を含むコイルパターンに対して熱プレスすれば、磁性粒子が、尖り部に対向する絶縁層を貫通して、尖り部に接触してしまい、その結果、かかる接触によって、磁性層とコイルパターンとの絶縁性を確保できないという不具合がある。
【０００９】
一方で、コイルモジュールには、高いインダクタンスも求められる。
【００１０】
本発明は、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保できるとともに、高いインダクタンスを有する配線回路基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明（１）は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線と、前記配線を被覆する第２絶縁層と、アスペクト比が２以上である形状を有する導電性粒子を含有しており、前記第２絶縁層を介して、前記配線を被覆する粒子含有層とを備え、前記配線が、略湾曲形状を有する、配線回路基板を含む。
【００１２】
この配線回路基板では、配線が、略湾曲形状を有するので、配線において略湾曲形状に対応する部分を被覆する第２絶縁層を、過度に薄くなることを抑制しながら、形成することができる。そのため、導電性粒子が、第２絶縁層を貫通して配線に接触することを抑制することができる。その結果、第２絶縁層によって、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる。
【００１３】
従って、この配線回路基板は、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００１４】
本発明（２）は、前記導電性粒子が、磁性粒子であり、前記粒子含有層が、磁性層であり、磁性配線回路基板である、（１）に記載の配線回路基板を含む。
【００１５】
磁性配線回路基板である配線回路基板では、配線において略湾曲形状に対応する部分を第２絶縁層を介して被覆する磁性層においては、アスペクト比が２以上である磁性粒子が、配線の湾曲形状に沿って配向することができる。つまり、磁性粒子は、配線において略湾曲形状に対応する部分に対向する磁性層においては、厚み方向および直交方向に対して傾斜する方向に配向することができる。そのため、磁性層において配線の略湾曲形状に対応する部分に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【００１６】
従って、この配線回路基板は、高いインダクタンスを有しながら、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００１７】
本発明（３）は、前記第２絶縁層が、電着層である、（２）に記載の配線回路基板を含む。
【００１８】
この配線回路基板では、第２絶縁層が、電着層であるので、第２絶縁層の厚みを薄くすることができる。そのため、かかる第２絶縁層を介して配線を被覆する磁性層の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【００１９】
一方で、第２絶縁層の厚みが薄い場合には、磁性粒子が、薄い第２絶縁層を貫通して配線に接触し易い。しかし、この配線回路基板において、略湾曲形状を有する配線を被覆する第２絶縁層では、過度に薄い厚みで形成されることが抑制されているので、磁性粒子による第２絶縁層の貫通を抑制して、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００２０】
本発明（４）は、前記第２絶縁層の平均厚みＴが、１０μｍ以下である、（２）または（３）に記載の配線回路基板を含む。
【００２１】
この配線回路基板では、第２絶縁層の平均厚みＴが、１０μｍ以下と薄いので、磁性層の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【００２２】
本発明（５）は、前記配線は、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に接触する厚み方向他方面と、前記厚み方向一方面および前記厚み方向他方面の両端縁を連結する側面とを有し、前記第２絶縁層は、前記厚み方向一方面および前記側面を被覆しており、前記配線が、前記厚み方向一方面および前記側面によって形成される角部を有し、前記角部が、略湾曲形状を有する、（２）〜（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【００２３】
この配線回路基板では、配線の角部が、略湾曲形状を有するので、かかる角部を被覆する第２絶縁層を、過度に薄くなることを抑制しながら、形成することができる。そのため、導電性粒子が、第２絶縁層を貫通して配線の角部に接触することを抑制することができる。その結果、第２絶縁層によって、粒子含有層の配線に対する絶縁性を確保することができる。従って、この配線回路基板は、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【００２４】
本発明（６）は、前記角部の曲率半径Ｒが、９μｍ以上である、（５）に記載の配線回路基板を含む。
【００２５】
この配線回路基板では、角部の曲率半径Ｒが、９μｍ以上と大きいと、角部の円弧面が緩やかであるため、かかる角部に対応する第２絶縁層を十分な厚みで形成することができる。また、角部に対向する第２磁性層において、磁性粒子が、角部の円弧面に沿って確実に配向することができる。
【００２６】
本発明（７）は、前記磁性層は、前記第１絶縁層において前記第２絶縁層から露出する前記厚み方向一方面を被覆しており、前記配線は、前記厚み方向他方面および前記側面によって形成される第２角部を有し、前記第２角部が、互いに向かい合う２つの前記側面間の長さが前記厚み方向他方側に近づくに従って長くなる部分を有する、（５）または（６）に記載の配線回路基板を含む。
【００２７】
この配線回路基板では、磁性層が、第１絶縁層において第２絶縁層から露出する厚み方向一方面を被覆しているので、かかる磁性層における磁性粒子は、直交方向に沿って配向することができる。
【００２８】
また、他方面および側面によって形成される第２角部が、互いに向かい合う２つの側面間の長さが他方面に近づくに従って長くなる部分を有するので、第２絶縁層を介してその部分を被覆する磁性層においては、第２角部における部分に対応して、磁性粒子が、直交方向に対して傾斜する方向に配向することができる。
【００２９】
従って、第２角部の周囲において、滑らかな磁路を形成することができる。そのため、配線回路基板は、より一層高いインダクタンスを有する。
【００３０】
本発明（８）は、前記配線は、略円形状を有し、前記第２絶縁層が、前記配線の周面を被覆し、前記粒子含有層が、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記周面を被覆する、（２）〜（４）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【００３１】
配線の周囲における磁性層において、磁性粒子は、配線の周面に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、配線回路基板は、高いインダクタンスを有する。
【００３２】
本発明（９）は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方面に配置される配線とを準備する第１工程と、第２絶縁層により前記配線を被覆する第２工程と、前記第２絶縁層を介して、前記配線を被覆し、アスペクト比が２以上である形状を有する導電性粒子を含有する粒子含有層を形成する第３工程とを備え、前記配線は、略湾曲形状を形成し、前記第２工程では、前記厚み方向に直交する方向に配向される前記導電性粒子を含有する粒子含有シートを、前記第２絶縁層に対して熱プレスする、配線回路基板の製造方法を含む。
【００３３】
しかるに、第２工程において、粒子含有シートを、第２絶縁層に対して熱プレスするときに、粒子含有シートに含有される導電性粒子が、第２絶縁層を貫通して配線に接触し易い。
【００３４】
しかしながら、この配線回路基板の製造方法では、第１工程において、配線が略湾曲形状を形成するので、配線において略湾曲形状に対応する部分を被覆する第２絶縁層を厚く形成することができる。
【００３５】
そのため、導電性粒子の第２絶縁層への貫通、および、導電性粒子の配線への接触を抑制することができる。
【００３６】
従って、この製造方法は、第２絶縁層の絶縁性を確保した配線回路基板を得ることができる。
【００３７】
本発明（１０）は、前記導電性粒子が、磁性粒子であり、前記粒子含有層が、磁性層であり、磁性配線回路基板の製造方法である、（９）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００３８】
磁性配線回路基板の製造方法である配線回路基板の製造方法の第２工程では、厚み方向に直交する方向に配向される導電性粒子を含有する磁性シートを、第２絶縁層に対して熱プレスするので、第２絶縁層を介して、配線において略湾曲形状に対応する部分を被覆する磁性層において、磁性粒子が、配線の湾曲形状に沿って配向することができる。つまり、磁性粒子を、配線の略湾曲形状に対応する部分に対向する磁性層においては、厚み方向および直交方向に対して傾斜する方向に配向させることができる。そのため、磁性層において配線の略湾曲形状に対応する部分に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、高いインダクタンスを有する配線回路基板を製造することができる。
【００３９】
本発明（１１）は、前記第１工程における前記配線は、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面と、前記第１絶縁層の前記厚み方向一方面に接触する厚み方向他方面と、前記厚み方向一方面および前記厚み方向他方面の両端縁を連結する側面とを有しており、さらに、前記厚み方向一方面および前記側面に、略湾曲形状の角部が形成され、前記第２工程では、前記絶縁層により、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面を被覆し、前記第３工程では、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記厚み方向一方面および前記側面を被覆する粒子含有層を形成する、（１０）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００４０】
この配線回路基板の製造方法では、第１工程の配線に、略湾曲形状の角部が形成されているので、かかる角部を被覆する第２絶縁層を厚く形成することができる。
【００４１】
そのため、導電性粒子の第２絶縁層への貫通、および、導電性粒子の配線への接触を抑制することができる。
【００４２】
従って、この製造方法は、第２絶縁層の絶縁性を確保した配線回路基板を得ることができる。
【００４３】
本発明（１２）は、前記第１工程は、サブトラクティブ法により、厚み方向一方面および側面によって形成される尖り部を有する配線基部を形成する第４工程、および、めっきにより、前記配線基部を被覆するめっき層であって、前記尖り部を被覆する被覆部を有する前記めっき層を形成することにより、前記角部を、前記被覆部から、略湾曲形状に形成する第５工程を備える、（１１）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００４４】
しかるに、第１工程において、尖り部を有する配線を形成すると、第２工程において、尖り部に対向する絶縁層の厚みが過度に薄くなる場合がある。その後、第３工程において、磁性層を形成すれば、磁性粒子が、尖り部に対向する絶縁層を貫通して、尖り部に接触してしまい、その結果、かかる接触によって、磁性層と配線との絶縁性を確保できない場合がある。
【００４５】
しかし、この第４工程において、尖り部を有する配線基部を形成しても、第５工程において、尖り部を被覆する被覆部を有するめっき層を形成して、角部を、被覆部から、略湾曲形状に形成する。そのため、第２工程において、かかる角部を被覆する第２絶縁層を、過度に薄くなることを抑制しながら、形成することができる。
【００４６】
第３工程において、磁性層を形成することにより、磁性層における磁性粒子が、第２絶縁層を貫通して配線に接触することを抑制することができる。
【００４７】
本発明（１３）は、前記第１工程における前記配線は、略円形状を有し、前記第２工程では、前記絶縁層により、前記配線の周面を被覆し、前記第３工程では、前記第２絶縁層を介して、前記配線の前記周面を被覆する粒子含有層を形成する、（１０）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００４８】
第３工程では、配線の周囲における磁性層において、磁性粒子は、配線の略湾曲形状に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、高いインダクタンスを有する配線回路基板を製造することができる。
【発明の効果】
【００４９】
本発明の配線回路基板の製造方法により得られる本発明の配線回路基板は、第２絶縁層の絶縁性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である磁性配線回路基板の断面図およびその一部拡大断面図を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｄは、図１に示す磁性配線回路基板の製造工程図であり、図２Ａが、配線基部を形成する第４工程（第１工程）、図２Ｂが、めっき層を形成して、配線を形成する第５工程（第１工程）、図２Ｃが、第２絶縁層を形成する第２工程、図２Ｄが、磁性層を形成する第３工程を示す。
【図３】図３は、図１において、第１角部の湾曲面を通過する円弧面の円を説明する断面図である。
【図４】図４は、図１に磁性配線回路基板の変形例（めっき層が薄く、配線側面がくびれ部を有しない態様）の一部拡大断面図を示す。
【図５】図５は、図１に磁性配線回路基板の変形例（第２角部が垂直面を有する態様）の一部拡大断面図を示す。
【図６】図６は、図１に磁性配線回路基板の変形例（第２角部が第１窄み面を有する態様）の一部拡大断面図を示す。
【図７】図７は、図１に磁性配線回路基板の変形例（第２角部が第２窄み面を有する態様）の一部拡大断面図を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｃは、図１に示す磁性配線回路基板の変形例（配線部が断面略円形状である態様）の製造工程図であり、図８Ａが、第１絶縁層、配線部および第２絶縁層を準備する工程、図８Ｂが、配線部および第２絶縁層を、第１絶縁層に配置する工程、図８Ｃが、磁性シートを、第１絶縁層、配線部および第２絶縁層に対して熱プレス工程を示す。
【図９】図９Ａ〜図９Ｂは、比較例の磁性配線回路基板の製造工程図であり、図９Ａが、第２絶縁層を形成する第２工程、図９Ｂが、磁性層を形成する第３工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
＜一実施形態＞
本発明の配線回路基板の一実施形態である磁性配線回路基板１を、図１を参照して説明する。
【００５２】
磁性配線回路基板１は、厚み方向に互いに対向する厚み方向一方面および他方面を有し、面方向（厚み方向に直交する方向）に延びる形状を有する。磁性配線回路基板１は、絶縁層の一例である第１絶縁層２と、配線の一例としての配線部３と、第２絶縁層４と、粒子含有層の一例としての磁性層５とを備える。
【００５３】
第１絶縁層２は、面方向に延びる形状を有する。第１絶縁層２は、次に説明する配線部３を支持する支持材であり、ひいては、磁性配線回路基板１を支持する支持層でもある。第１絶縁層２は、厚み方向一方面である第１絶縁面７および他方面である第２絶縁面８を有する。第１絶縁面７および第２絶縁面８のそれぞれは、面方向に沿う平坦面である。また、第１絶縁層２は、可撓性を有する。
【００５４】
第１絶縁層２の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などの樹脂が挙げられる。また、第１絶縁層２は、単層および複層のいずれであってもよい。第１絶縁層２の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、１０００μｍ以下である。
【００５５】
配線部３は、第１絶縁層２の第１絶縁面７において、例えば、厚み方向および第１方向（図１における左右方向に相当し、面方向に含まれる方向）に沿って切断した切断面において、第１方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。配線部３の平面視（厚み方向に見たときの）形状としては、特に限定されず、例えば、ループ形状（コイル形状など）を含む。
【００５６】
配線部３は、第１絶縁層２の第１絶縁面７に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて対向配置される厚み方向一方面である第１配線面９と、第１絶縁層２の第１絶縁面７に接触する第２配線面１０と、第１配線面９および第２配線面１０の第１方向両端縁を連結する側面である配線側面１１とを備える。
【００５７】
第１配線面９は、第１方向に沿う平坦面である。
【００５８】
第２配線面１０は、第１配線面９と厚み方向に間隔を隔てて対向配置されており、第１配線面９に平行する平坦面である。
【００５９】
配線側面１１は、厚み方向に沿って延びる。配線側面１１は、１つの配線部３に２つ備えられる。２つの配線側面１１は、第１方向に互いに間隔を隔てて対向（互いに向かい合って）配置される。
【００６０】
この配線部３は、角部の一例としての第１角部２１と、第２角部２２とを有する。
【００６１】
第１角部２１は、配線部３において、第１配線面９および配線側面１１によって形成される稜線部（第１稜線部）である。詳しくは、第１角部２１は、第１配線面９の第１方向両端部のそれぞれと、それらに連続する配線側面１１の厚み方向一端部にわたって形成される。第１角部２１は、１つの配線部３につき、２つ形成されている。
【００６２】
そして、この第１角部２１は、断面（厚み方向および第１方向に沿う切断面）視において、略湾曲形状を有する。具体的には、第１角部２１は、第１方向外側および厚み方向一方側に向かって膨らむ湾曲面（詳しくは、略円弧面）２３を有する。
【００６３】
湾曲面２３（円弧面）をなす円Ｃの中心ＣＰは、例えば、配線部３の内部に位置する。
【００６４】
湾曲面２３をなす円Ｃの半径（曲率半径）Ｒは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上、より好ましくは、１５μｍ以上、さらに好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下である。湾曲面２３の曲率半径Ｒが上記した下限以上であれば、湾曲面２３を緩やかにすることができ、次に説明する第２絶縁層４をより確実に十分な厚みＴで形成することができる。また、磁性粒子１８（後述）が、第１角部２１に対向する第２絶縁層４において、湾曲面２３に沿って確実に配向することができる。
【００６５】
第１角部２１の曲率半径Ｒが上記した上限以下であれば、配線側面１１の厚み方向中央部５０（後述）に隙間（ボイド）なく磁性層５を充填することができる。
【００６６】
湾曲面２３の中心角αは、円弧の一端および中心ＣＰを結ぶ線分と、円弧の他端および中心ＣＰを結ぶ線分との成す角度であり、例えば、１８０度未満である。具体的には、湾曲面２３の中心角αは、例えば、４５度以上、好ましくは、６０度以上、より好ましくは、８０度以上であり、また、例えば、１５０度以下、好ましくは、１３５度以下、より好ましくは、１２０度以下である。湾曲面２３の中心角αが上記した下限以上であれば、湾曲面２３の長さを長くすることができ、そのため、磁性粒子１８が湾曲面２３に確実に沿う（配向する）ことができる。湾曲面２３の中心角αが上記した下限以上であれば、湾曲面２３の長さを長くすることができ、そのため、磁性粒子１８が湾曲面２３に確実に沿う（配向する）ことができる。湾曲面２３の中心角αが上記した上限以下であれば、配線側面１１の厚み方向中央部５０（後述）に隙間（ボイド）なく磁性層５を充填することができる。
【００６７】
なお、図１の拡大図で示すように、湾曲面２３をなす円Ｃは、第１角部２１において湾曲面２３を最大限通過（重複）する円弧をなすように、中心ＣＰを決定し、かかる中心ＣＰに基づく円Ｃとして定義される。一方、図３に示すように、第１角部２１において湾曲面２３をわずかに（最小限で）通過（重複）する円弧をなすような中心ＣＰ’を決定し、かかる中心ＣＰ’に基づく円Ｃ’ではない。
【００６８】
第２角部２２は、配線部３において、第２配線面１０および配線側面１１によって形成される稜線部（第２稜線部）である。詳しくは、第２角部２２は、第２配線面１０の第１方向両端部のそれぞれと、それらに連続する配線側面１１の厚み方向他端部にわたって形成される。第２角部２２は、１つの配線部３につき、２つ形成されている。
【００６９】
２つの第２角部２２のそれぞれは、２つの第１角部２１のそれぞれに対して厚み方向他方側に配置されている。
【００７０】
第２角部２２は、第１方向外側（第１方向外側斜め第１方向他方側）に向かって尖る第２尖り部である。第２角部２２は、傾斜面２４と、平坦面２６とを有する（により区画されている。）。
【００７１】
傾斜面２４は、テーパ面２７を主要部として有する。好ましくは、傾斜面２４は、テーパ面２７のみからなる。傾斜面２４は、配線側面１１の厚み方向中央部（詳しくは、中央部と他端部との間付近）５０から連続しており、第１方向外側に面している。２つの第２角部２２に対応する２つの傾斜面２４は、第１方向に互いに対向して（互いに向かい合って）配置されている。
【００７２】
テーパ面２７は、厚み方向および第１方向に対して傾斜している。つまり、テーパ面２７は、厚み方向および第１方向に対して傾斜し、かつ、厚み方向他方側に進むに従って第１方向外側に傾斜する傾斜方向（第１傾斜方向）（拡大図と併せて示される方向矢印参照）に沿っている。２つの傾斜面２４に対応する２つのテーパ面２７は、それらの間の長さが厚み方向他方側に近づくに従って長くなる２つのテーパ面（部分の一例）である。具体的には、テーパ面２７は、配線側面１１の厚み方向中央部（詳しくは、中央部と他端部との間付近）５０から、第２配線面１０の第１方向両端縁（第１絶縁層２の第１絶縁面７）に向かうに従って、第１方向外側に向かって末広状に広がるように傾斜する。なお、テーパ面２７における、第１方向長さを厚み方向長さで除したテーパ比（第１方向長さ／厚み方向長さ）は、例えば、０．００１以上、好ましくは、０．０１以上、より好ましくは、０．１以上であり、また、例えば、１．０以下、好ましくは、０．７５以下である。
【００７３】
平坦面２６は、傾斜面２４の厚み方向他方側他端縁から第１方向内側に向かって真っ直ぐ延びる平面である。平坦面２６は、第２配線面１０の第１方向両端縁に相当する。平坦面２６は、第１絶縁面７に接触している。
【００７４】
第２角部２２の傾斜面２４と、第１角部２１の湾曲面２３とは、例えば、配線側面１１の厚み方向中央部５０を隔てて配置されている。
【００７５】
なお、この第２角部２２は、後述する配線基部３６における第２尖り部４５（図２Ａ参照）と同一形状であってもよい。
【００７６】
配線側面１１は、第１角部２１の湾曲面２３のうち第１方向外側に面する部分と、厚み方向中央部５０と、湾曲面２３の傾斜面２４のうち第１方向外側に面する部分とを連続して備える。
【００７７】
なお、２つの配線側面１１の厚み方向中央部５０のそれぞれは、第１方向内側に向かってくびれる形状を有する。具体的には、配線側面１１は、それらの間における長さが、第１方向中央部において最短となる形状（くびれ部）を有する。
【００７８】
なお、配線部３は、図２Ｂの仮想線で示すように、例えば、配線基部３６と、その厚み方向一方面および両側面に形成されるめっき層３０とを備える。
【００７９】
配線部３の材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだなどの金属やそれら金属の合金などの導体が挙げられ、好ましくは、銅が挙げられる。
【００８０】
配線部３の厚みは、第１配線面９および第２配線面１０間の長さであって、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【００８１】
配線部３の幅は、互いに向かい合う２つの第１角部２１の第１方向における端縁間の距離として、例えば、２０μｍ以上、、好ましくは、５０μｍ以上、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【００８２】
隣り合う配線部３間の間隔は、第２絶縁層４（後述）および磁性層５（後述）を隔てて隣り合う第１角部２１の第１方向端縁間の間隔として、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。
配線部３の厚みの、配線部３の幅に対する比（厚み／幅）は、例えば、０．００５以上、好ましくは、０．０３以上であり、また、例えば、２５以下、好ましくは、５以下である。配線部３の厚みの、隣り合う配線部３間の間隔に対する比（厚み／間隔）は、例えば、０．０１以上、好ましくは、０．０６以上であり、また、例えば、２５以下、好ましくは、５以下である。配線部３の幅の、隣り合う配線部３間の間隔に対する比（幅／間隔）は、例えば、０．０２以上、好ましくは、０．０１以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、２０以下である。
【００８３】
なお、配線部３は、上記した第１絶縁層２とともに、配線回路基板準備体６に備えられる。つまり、配線回路基板準備体６は、次に説明する第２絶縁層４および磁性層５を備えず、第１絶縁層２と、配線部３とを備える。好ましくは、配線回路基板準備体６は、第１絶縁層２と、配線部３とのみからなる。
【００８４】
第２絶縁層４は、複数の配線部３に対応して複数設けられている。第２絶縁層４は、配線部３の第１配線面９および配線側面１１（湾曲面２３および傾斜面２４を含む）に沿って薄膜状に形成されている。第２絶縁層４は、第１配線面９および配線側面１１に接触する第４絶縁面１３と、第４絶縁面１３の厚み方向一方側または第１方向外側に間隔を隔てて配置される第３絶縁面１２とを備える。
【００８５】
第４絶縁面１３は、第１配線面９および配線側面１１に対応する（具体的には、同一の）形状を有する。
【００８６】
第３絶縁面１２は、第２絶縁層４の厚みＴが確保されるように、第４絶縁面１３に追従する形状を有する。第３絶縁面１２は、第４絶縁面１３に並行する形状を有する。
【００８７】
また、第２絶縁層４は、例えば、電着層（後述）、塗布層（後述）などであり、好ましくは、電着層である。
【００８８】
第２絶縁層４は、例えば、比較的軟らかく（とりわけ、後述する第３工程（図２Ｄ参照）における熱プレスにおいて、軟らかくなる性質を有し）、一方、磁性を有さない。具体的には、第２絶縁層４の材料としては、磁性粒子１８（後の磁性層５で詳述される）を含有しない樹脂などが挙げられる。第２絶縁層４の樹脂としては、好ましくは、水中でイオン性を有する樹脂であって、具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、それらの混合物などが挙げられる。
【００８９】
第２絶縁層４の厚みＴは、比較的薄く、その平均厚みとして、例えば、２０μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下、より好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、７．５μｍ、とりわけ好ましくは、５μｍ以下、最も好ましくは、３μｍ以下であり、また、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上、より好ましくは、１μｍ以上である。
【００９０】
第２絶縁層４の厚みＴが上記した上限以下と薄ければ、次に説明する磁性層５の実効透磁率を向上させて、磁性配線回路基板１のインダクタンスを高くすることができる。
【００９１】
一方、第２絶縁層４が過度に薄いと、後述する磁性層５における磁性粒子が第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触し易い。
【００９２】
しかし、この磁性配線回路基板１では、配線部３の第１角部２１が、略湾曲形状を有することから、第２絶縁層４の厚みＴは、第２絶縁層４が、過度に薄くなることを抑制して、第２絶縁層４が磁性粒子１８に貫通されることを抑制して、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【００９３】
なお、第２絶縁層４において第１角部２１を被覆する部分の厚みＴ１は、第２絶縁層４において上記した第１角部２１以外の部分（例えば、配線側面１１の厚み方向中央部５０、および／または、第１配線面９の第１方向中央部）を被覆する部分の厚みＴ０と同一であり、あるいは、厚みＴ０に対してわずかに小さいことが許容される。
【００９４】
第２絶縁層４において、第１角部２１を被覆する部分の厚みＴ１の、第１角部２１以外の部分を被覆する部分の厚みＴ０に対する比（Ｔ１／Ｔ０）は、例えば、１以下、好ましくは、１未満、より好ましくは、０．９５以下、さらに好ましくは、好ましくは、０．９以下であり、また、例えば、０．７以上、好ましくは、０．８以上である。
【００９５】
第２絶縁層４において第１角部２１を被覆する部分の厚みＴ１は、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。
【００９６】
第２絶縁層４において他の部分を被覆する部分の厚みＴ０は、例えば、０．５２μｍ以上、好ましくは、１．０４μｍ以上であり、また、例えば、１４．４９μｍ以下、好ましくは、１０．１４μｍ以下である。
【００９７】
なお、第２絶縁層４の平均厚みは、上記した厚みＴ１およびＴ０を、その面積比で按分することによって、算出される。
【００９８】
磁性層５は、磁性配線回路基板１のインダクタンスを向上させるために、配線回路基板準備体６に対して設けられている。磁性層５は、面方向に延びる形状を有する。
【００９９】
磁性層５は、第２絶縁層４を介して配線部３を埋設している。具体的には、磁性層５は、第２絶縁層４を介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１（湾曲面２３および傾斜面２４を含む）を被覆している。また、磁性層５は、第１絶縁層２の第１絶縁面７において、第２絶縁層４から露出する露出面１６を被覆している。
【０１００】
磁性層５は、第１磁性面１４と、第２磁性面１５とを有する。
【０１０１】
第１磁性面１４は、第２絶縁層４の第３絶縁面１２に対して厚み方向一方側に間隔を隔てて配置されている。第１磁性面１４は、厚み方向一方側に露出している。第１磁性面１４は、複数の配線部３に対応して厚み方向一方側に向かって隆起する複数の凸部２８と、互いに隣り合う凸部１３の間に配置され、凸部２８に対して厚み方向他方側に向かって沈下する凹部２９とを有する。
【０１０２】
第２磁性面１５は、第１磁性面１４の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置されている。第２磁性面１５は、第３絶縁面１２と、露出面１６とに連続して接触している。
【０１０３】
磁性層５は、例えば、磁性粒子１８を含有する。具体的には、磁性層５の材料としては、例えば、アスペクト比が２以上である磁性粒子１８および樹脂成分１９を含有する磁性組成物などが挙げられる。
【０１０４】
磁性粒子１８を構成する磁性材料としては、例えば、軟磁性体、硬磁性体が挙げられる。好ましくは、インダクタンスの観点から、軟磁性体が挙げられる。
【０１０５】
軟磁性体としては、例えば、１種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体（混合物）である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。
【０１０６】
単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素（第１金属元素）のみからなる金属単体が挙げられる。第１金属元素としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、その他、軟磁性体の第１金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。
【０１０７】
また、単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および／または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第１金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解（熱分解など）された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第１金属元素として鉄を含む有機鉄化合物（具体的には、カルボニル鉄）が熱分解された鉄粉（カルボニル鉄粉と称される場合がある）などが挙げられる。なお、１種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および／または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。
【０１０８】
合金体は、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。
【０１０９】
第１金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。なお、第１金属元素がＦｅであれば、合金体は、Ｆｅ系合金とされ、第１金属元素がＣｏであれば、合金体は、Ｃｏ系合金とされ、第１金属元素がＮｉであれば、合金体は、Ｎｉ系合金とされる。
【０１１０】
第２金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する金属元素であって、例えば、鉄（Ｆｅ）（第１金属元素がＦｅ以外である場合）、コバルト（Ｃｏ）（第１金属元素がＣｏ以外である場合）、ニッケル（Ｎｉ）（第１金属元素Ｎｉ以外である場合）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
【０１１１】
非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する非金属元素であって、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
【０１１２】
合金体の一例であるＦｅ系合金として、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）（電磁ステンレスを含む）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）（スーパーセンダストを含む）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｐ合金、フェライト（ステンレス系フェライト、さらには、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトを含む）、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ合金）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ合金、Ｆｅ基アモルファス合金などが挙げられる。
【０１１３】
合金体の一例であるＣｏ系合金としては、例えば、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、コバルト（Ｃｏ）基アモルファス合金などが挙げられる。
【０１１４】
合金体の一例であるＮｉ系合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが挙げられる。
【０１１５】
これら軟磁性体の中でも、磁気特性の点から、好ましくは、合金体、より好ましくは、Ｆｅ系合金、さらに好ましくは、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、とりわけ好ましくは、高い透磁率を得る観点から、Ｓｉ含有割合が９〜１５質量％であるセンダストが挙げられる。また、軟磁性体として、好ましくは、単一金属体、より好ましくは、鉄元素を純物質の状態で含む単一金属体、さらに好ましくは、鉄単体、あるいは、鉄粉（カルボニル鉄粉）が挙げられる。
【０１１６】
磁性粒子１８の形状としては、例えば、厚みが薄くて面が広い扁平形状（板形状）、例えば、針形状など、異方性を有する形状が挙げられる。また、非異方性の磁性粒子をさらに含有することもできる。非異方性の磁性粒子は、例えば、球状、顆粒状、塊状、ペレット状などの形状を有していてもよい。磁性粒子１８の形状として、好ましくは、異方性を有する形状が挙げられる。
【０１１７】
磁性粒子１８が扁平状である場合における磁性粒子のアスペクト比は、２以上、好ましくは、５以上、より好ましくは、１０以上、さらに好ましくは、２０以上であり、また、１００以下である。
【０１１８】
なお、磁性粒子１８が扁平状である場合における扁平率（扁平度）は、例えば、８以上、好ましくは、１５以上であり、また、例えば、５００以下、好ましくは、４５０以下である。扁平率は、例えば、磁性粒子１８の平均粒子径（平均長さ）を磁性粒子１８の平均厚さで除したアスペクト比である。
【０１１９】
磁性粒子１８の磁性層５（磁性組成物）における含有割合は、例えば、５０体積％以上、好ましくは、５５体積％以上であり、また、例えば、９５体積％以下、好ましくは、９０体積％以下である。
【０１２０】
樹脂成分１９としては、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含有するエポキシ樹脂組成物などの熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、このような磁性組成物は、例えば、特開２０１７−００５１１５号公報、特開２０１５−０９２５４３号公報などに記載されている。
【０１２１】
磁性配線回路基板１の厚みは、その最大厚み（凸部２８に対応する厚み）として、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。
【０１２２】
次に、この磁性配線回路基板１の製造方法を、図２Ａ〜図２Ｄを参照して説明する。
【０１２３】
この製造方法は、第１絶縁層２と配線部３とを準備する工程の一例としての第１工程（図２Ａおよび図２Ｂ参照）と、第２絶縁層４を形成する第２工程（図２Ｃ参照）と、磁性層５を形成する工程の一例としての第３工程（図２Ｄ参照）とを備える。
【０１２４】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、第１工程では、第１絶縁層２および配線部３を備える配線回路基板準備体６を準備する。この第１工程は、第１絶縁層２を準備する工程（図２Ａ参照）、配線基部３６を形成する第４工程（図２Ａ参照）、および、めっき層３０を形成する第５工程（図２Ｂ参照）を備える。
【０１２５】
第４工程では、配線基部３６を、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法などの導体パターンニング方法により、第１絶縁層２の第１絶縁面７に、形成する。
【０１２６】
配線基部３６をサブトラクティブ法により形成するには、まず、第１絶縁層２および導体層（金属層）からなる積層体（図示せず）を準備し、続いて、導体層の厚み方向一方面に、エッチングレジストを、配線基部３６と同一パターンで形成する。次いで、エッチングレジストから露出する導体層を、例えば、ウエットエッチング、ドライエッチングなどのエッチングによりパターンニングして、配線基部３６を形成する。好ましくは、ウエットエッチングにより、配線基部３６を形成する。その後、エッチングレジストを、例えば、剥離などによって、除去する。
【０１２７】
配線基部３６をアディティブ法により形成するには、まず、第１絶縁層２の第１絶縁面７に導体薄膜（種膜）を形成し、続いて、導体薄膜の厚み方向一方面に、配線基部３６と逆パターンのめっきレジストを形成する。次いで、めっきレジストから露出する導体薄膜に、めっきにより配線基部３６を形成する。その後、めっきレジストおよびそれに対応する導体薄膜を除去する。
【０１２８】
導体パターンニング方法として、好ましくは、サブトラクティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法であれば、アディティブ法に比べて、厚い厚みを有する配線基部３６を迅速に形成することができる。
【０１２９】
一方、サブトラクティブ法で配線基部３６を形成すれば、配線基部３６に第１尖り部２５が形成されてしまうが、後述するように、第１尖り部２５に起因して第２絶縁層４が薄くなることは、後述する第５工程により形成するめっき層３０によって解消することできる。
【０１３０】
なお、この配線基部３６は、配線部３を形成するための基部（土台）であって、後述するめっき層３０とともに、配線部３を形成する。つまり、図２Ａに示す配線基部３６のみで、配線部３を構成しない。
【０１３１】
配線基部３６は、第１角部２１に対応する第１尖り部２５と、厚み方向中央部５０に対応する基部中央側面５１と、第２角部２２に対応する第２尖り部４５とを有する。
【０１３２】
第１尖り部２５は、配線基部３６における厚み方向一方面および側面によって形成される稜線部である。第１尖り部２５は、第１方向外側斜め第１方向一方側に向かって鋭く尖る。第１尖り部２５における角度（第１配線面９および配線側面１１の端部によって形成される角度）β１は、例えば、１３５度以下、好ましくは、１２０度以下、より好ましくは、９０度以下であり、また、例えば、３０度以上、好ましくは、４５度以上である。
【０１３３】
第２尖り部４５は、配線基部３６における厚み方向他方面および側面によって形成される稜線部である。第２尖り部４５は、第１方向外側斜め第１方向他方側に向かって鋭く尖る。第２尖り部４５における角度（第２配線面１０および配線側面１１の端部によって形成される角度）β２は、例えば、３５度以上、好ましくは、４５度以上、より好ましくは、８０度超過であり、また、例えば、１５０度以下、好ましくは、１３５度以下である。
【０１３４】
基部中央側面５１は、第１尖り部２５および第２尖り部４５を厚み方向に連結する連結面である。
【０１３５】
配線基部３６の材料は、上記した配線部３の材料と同一である。
【０１３６】
第５工程では、図２Ｂに示すように、その後、めっき層３０を配線基部３６に形成する。
【０１３７】
めっき層３０の材料としては、配線基部３６の材料から適宜選択され、好ましくは、配線基部３６の材料と同一である。
【０１３８】
めっきにより、めっき層３０が形成される。
【０１３９】
めっきとしては、例えば、電解めっき、無電解めっきなどが挙げられる。好ましくは、めっき層３０を厚く形成する観点から、電解めっき（より好ましくは、電解銅めっき）が挙げられる。
【０１４０】
めっきにより、配線基部３６における厚み方向一方面および両側面に、めっき層３０が、積層される。めっきでは、めっき層３０が、配線基部３６における厚み方向一方面および両側面において析出状に形成される。
【０１４１】
このめっきによって、第１尖り部２５には、厚み方向一方側および第１方向外側に向かって成長（めっき成長）する被覆部の一例としての第１被覆部３１が析出する。この第１被覆部３１は、湾曲面２３を備える第１角部２１を形成する。
【０１４２】
一方、配線基部３６において第１尖り部２５以外の部分（第２尖り部４５および厚み方向中央部５０を含む部分）では、厚み方向一方側または第１方向外側に向かって成長（めっき成長）する第２被覆部３２が析出する。この第２被覆部３２は、配線基部３６の厚み方向一方面および両側面（但し、第１角部２１を除く部分であり、厚み方向中央部５０および傾斜面２４を含む部分。）を形成する。
【０１４３】
つまり、このめっき層３０は、第１被覆部３１および第２被覆部３２を備える。好ましくは、めっき層３０は、第１被覆部３１および第２被覆部３２のみからなる。
【０１４４】
第１被覆部３１は、第１尖り部２５から断面視略放射状（第１尖り部２５の内部の方向を除く、扇状）にめっき成分がめっき成長することにより形成される。そのため、第１被覆部３１は、湾曲面２３を有する。
【０１４５】
一方、第２被覆部３２は、第１尖り部２５以外の部分において、各面から直交する方向、具体的には、配線基部３６の厚み方向一方面においては、厚み方向上側に向かって面状にめっき成分がめっき成長するとともに、配線基部３６の両側面（第２尖り部４５における側面を含む）においては、第１方向両外側に向かって面状にめっき成分がめっき成長する。そのため、第２被覆部３２は、上記した湾曲面２３を有さず、第１配線面９および配線側面１１（厚み方向中央部５０を含むが、湾曲面２３を除く）を有する。
【０１４６】
この第２被覆部３２は、第２角部２２を含んでおり、この第２角部２２は、上記しためっき成長に基づいて、傾斜面２４を含む。
【０１４７】
めっき層３０において、第１被覆部３１の厚み（成長厚み、あるいは、めっき厚み）は、好ましくは、第２被覆部３２のそれに比べて厚い。めっきが電解めっきであれば、第１尖り部２５における電流密度は、配線基部３６における第１尖り部２５以外の電流密度に比べて、高い。そのため、第１被覆部３１のめっき成長が第２被覆部３２のめっき成長に比べて速く、そのため、第１被覆部３１の厚みが、第２被覆部３２の厚みに比べて厚くなる。
【０１４８】
めっき層３０の厚みは、めっきの成長速度およびめっき時間によって適宜設定される。なお、それらは、例えば、めっきで用いられるめっき液における金属（導体）濃度、温度など、例えば、めっきが電解めっきであれば、電流密度、極間距離、浴内撹拌度（速度）、硫酸銅濃度、硫酸濃度、塩化物イオン濃度、添加剤（レベラー、ブライトナー、ポリマー）の種類や量、例えば、めっきが無電解めっきであれば、配線基部３６の表面に付着される触媒の種類、量などによって、適宜設定される。
【０１４９】
なお、図２Ｂに示すように、配線基部３６と、めっき層３０との間に、仮想線で示す境界が示されているが、上記しためっき層３０の材料が配線基部３６の材料と同一であれば、上記した境界が不明瞭となり、あるいは、存在しない（観察されない）。
【０１５０】
このめっき層３０において、第１被覆部３１は、上記しためっきにより形成されるので、上記した湾曲面２３を有する。一方、第２被覆部３２は、傾斜面２４を有する。
【０１５１】
第２工程では、図２Ｃに示すように、続いて、第２絶縁層４を、上記した配線回路基板準備体６に形成する。具体的には、第２絶縁層４により、配線部３の第１配線面９および配線側面１１を被覆する。
【０１５２】
第２絶縁層４を形成する方法としては、例えば、電着（電着塗装）、例えば、印刷などの塗布などが挙げられる。
【０１５３】
電着では、配線回路基板準備体６（製造途中の磁性配線回路基板１）を、樹脂（好ましくは、電着塗料）を含有する電着液に浸漬し、続いて、配線部３に電流を印加することによって、配線部３の第１配線面９および配線側面１１に樹脂の被膜を析出させる。その後、必要により、被膜を乾燥させる。これにより、第２絶縁層４が電着層として形成される。その後、必要により、第２絶縁層４（電着層）を、焼き付けにより、加熱硬化させる。
【０１５４】
塗布の一例である印刷では、樹脂を含有するワニスを、スクリーンを介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１に被膜を塗布する（スクリーン印刷）。その後、被膜を乾燥する。
【０１５５】
第２絶縁層４を形成する方法として、好ましくは、電着が挙げられる。電着であれば、第２絶縁層４を厚みＴを薄く（但し、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる程度の厚みに設定）することができる。また、電着であれば、第２絶縁層４が、露出面１６を確実に露出することができ、そのため、隣り合う配線部３間において、次の第３工程において、磁性層５を、厚み方向全体にわたって配置することができるので、磁性層５の実効透磁率を向上させて、磁性配線回路基板１のインダクタンスが高くなる。
【０１５６】
第３工程では、その後、図２Ｄに示すように、磁性層５を配線回路基板準備体６に形成する。具体的には、磁性層５により、第２絶縁層４を介して、配線部３の第１配線面９および配線側面１１を被覆する。
【０１５７】
第３工程では、例えば、図２Ｃに示すように、まず、粒子含有シートの一例としての磁性シート１７を準備する。磁性シート１７を準備するには、例えば、上記した磁性粒子および樹脂成分（好ましくは、Ｂステージの熱硬化性樹脂）を含有する磁性組成物から、シート形状に形成する。磁性シート１７において、磁性粒子１８は、磁性シート１７の面方向（厚み方向に直交する方向）に配向（配列）されている。
【０１５８】
その後、図２Ｃの矢印に示すように、磁性シート１７を、配線回路基板準備体６の第２絶縁層４に対して熱プレスする。磁性シート１７を、配線回路基板準備体６の厚み方向一方側に配置し、磁性シート１７を配線回路基板準備体６の厚み方向一方面に対して熱プレスする。
【０１５９】
これにより、磁性シート１７は、第２絶縁層４を介して配線部３を埋設する。具体的には、磁性シート１７は、第２絶縁層４の第１配線面９を、第２絶縁層４を介して被覆するとともに、互いに隣り合う配線部３の間（露出面１６に対向する部分）に、進入（沈下）して、かかる間（部分）を充填する。
【０１６０】
熱プレスの前後における磁性シート１７では、配線部３の第１配線面９に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、変動しない。また、熱プレスの前後における磁性シート１７では、露出面１６に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、変動しない。
【０１６１】
一方、熱プレスの前後における磁性シート１７では、第１角部２１に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、湾曲面２３に沿う方向（つまり、厚み方向他方側に向かうに従って第１方向外側に傾斜する斜め方向）に変動する。つまり、上記した磁性粒子１８は、湾曲面２３に沿って配向される。
【０１６２】
また、熱プレスの前後における磁性シート１７では、第２角部２２に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、傾斜面２４に沿う方向（つまり、厚み方向他方側に向かうに従って第１方向外側に傾斜する斜め方向）に変動する。つまり、上記した磁性粒子１８は、傾斜面２４に沿って配向される。
【０１６３】
他方、熱プレスの前後における磁性シート１７では、配線側面１１における第１角部２１および第２角部２２間に対向する磁性粒子１８の配向方向（具体的には、面方向）は、厚み方向に沿う方向に変動する。つまり、上記した磁性粒子１８は、厚み方向に沿って配向される。
【０１６４】
これによって、磁性シート１７は、第２絶縁層４を介して、配線部３を被覆し、凸部２８および凹部２９を有する磁性層５として形成（成型）される。
【０１６５】
磁性層５において上記したように配向される磁性粒子１８は、配線部３を囲む円滑な磁路を形成する。
【０１６６】
これによって、配線回路基板準備体６および磁性層５を備える磁性配線回路基板１が得られる。磁性配線回路基板１は、好ましくは、配線回路基板準備体６および磁性層５のみからなる。
【０１６７】
その後、磁性層５がＢステージの熱硬化性樹脂を含む場合には、必要により、磁性層５を、例えば、加熱により、Ｃステージ化（完全硬化）させる。
【０１６８】
この磁性配線回路基板１は、例えば、無線電力伝送（無線給電および／または無線受電）、無線通信、センサ、受動部品などに用いられる。
【０１６９】
そして、この磁性配線回路基板１では、配線部３の第１角部２１（配線部３において略湾曲形状に対応する部分）が、略湾曲形状を有するので、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を、過度に薄くなることを抑制しながら、形成することができる。そのため、磁性粒子１８が、第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触することを抑制することができる。その結果、第２絶縁層４によって、磁性層５の配線部３に対する絶縁性を確保することができる。
【０１７０】
また、第１角部２１を第２絶縁層４を介して被覆する磁性層５においては、磁性粒子１８が、第１角部２１の湾曲形状に沿って配向することができる。つまり、磁性粒子１８は、配線部３の第１配線面９に対向する磁性層５においては、面方向に配向し、配線部３の配線側面１１に対向する磁性層５においては、厚み方向に配向し、第１角部２１に対向する磁性層５においては、厚み方向および第１方向に対して傾斜する方向に配向する。そのため、磁性層５において配線部３を囲む滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０１７１】
従って、この磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有しながら、第２絶縁層４の絶縁性に優れる。
【０１７２】
また、この磁性配線回路基板１では、第２絶縁層４が、電着層であれば、第２絶縁層４の厚みを薄くすることができる。そのため、かかる第２絶縁層４を介して配線部３を被覆する磁性層５の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０１７３】
一方で、図９Ａに示すように、第２絶縁層４の厚み、具体的には、第１尖り部２５に対向する第２絶縁層４の厚みＴ１が薄い場合には、図９Ｂに示すように、磁性粒子１８が、薄い第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触し易い。しかし、この磁性配線回路基板１では、図１に示すように、配線部３の第１角部２１が、略湾曲形状を有し、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を、過度に薄い厚みで形成されることが抑制されているので、磁性粒子１８による第２絶縁層４の貫通を抑制して、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【０１７４】
また、この磁性配線回路基板１では、第１角部２１の曲率半径Ｒが、９μｍ以上と大きければ、湾曲面２３が緩やかであるため、第１角部２１に対応する第２絶縁層４を十分な厚みＴ１で形成することができる。また、第１角部２１に対向する第２絶縁層４において、磁性粒子１８が、湾曲面２３に沿って確実に配向することができる。
【０１７５】
また、第２絶縁層４の平均厚みＴが、１０μｍ以下と薄ければ、磁性層４の実効透磁率の低下を抑制することができる。その結果、この磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０１７６】
また、この磁性配線回路基板１では、磁性層５が、露出面１６を被覆しているので、かかる磁性層５における磁性粒子１８は、面方向に沿って配向することができる。
【０１７７】
また、配線部３の第２配線面１０および配線側面１１によって形成される第２角部２２が、互いに向かい合う２つの配線側面１１間の長さが第２配線面１０に近づくに従って長くなるテーパ面２７を有するので、第２絶縁層４を介して被覆する磁性層５においては、テーパ面２７に対応して、磁性粒子１８が、第１方向方向に対して傾斜する方向に配向することができる。
【０１７８】
従って、第２角部２２の周囲において、滑らかな磁路を形成することができる。そのため、磁性配線回路基板１は、より一層高いインダクタンスを有する。
【０１７９】
しかるに、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、第２工程において、磁性シート１７を、第２絶縁層４に対して熱プレスするときに、磁性シート１７に含有される磁性粒子１８が、第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触し易い。
【０１８０】
しかしながら、図２Ｂに示すように、この磁性配線回路基板１の製造方法では、第１工程において、配線部３に、略湾曲形状の第１角部２１を形成するので、図２Ｃに示すように、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を厚く形成することができる。
【０１８１】
そのため、磁性粒子１８の第２絶縁層４への貫通、および、磁性粒子１８の配線への接触を抑制することができる。
【０１８２】
従って、この製造方法は、第２絶縁層４の絶縁性に優れる磁性配線回路基板１を得ることができる。
【０１８３】
また、第２工程では、面方向に配向される磁性粒子１８を含有する磁性シート１７を、第２絶縁層４に対して熱プレスするので、第２絶縁層４を介して第１角部２１を被覆する磁性層５において、磁性粒子１８が、第１角部２１の湾曲形状に沿って配向することができる。つまり、磁性粒子１８を、配線部３の第１配線面９に対向する磁性層５においては、面方向に配向させ、配線部３の配線側面１１に対向する磁性層５においては、厚み方向に配向させ、第１角部２１に対向する磁性層５においては、厚み方向および第１方向に対して傾斜する方向に配向させることができる。そのため、磁性層５において配線部３を囲む滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、高いインダクタンスを有する磁性配線回路基板１を製造することができる。
【０１８４】
従って、この製造方法は、高いインダクタンスを有しながら、第２絶縁層４の絶縁性に優れる磁性配線回路基板１を得ることができる。
【０１８５】
しかるに、図２Ａに示すように、第１工程において、尖り部を有する配線部３を形成すると、図９Ａに示すように、第２工程において、第１尖り部２５に対向する第２絶縁層４の厚みＴ１が過度に薄くなり易い。その後、図９Ｂに示すように、第３工程において、磁性層５を形成すれば、磁性粒子１８が配線部３に接触するので、磁性層５と配線部３との絶縁性を確保できない。
【０１８６】
しかし、図２Ａに示すように、この第４工程において、第１尖り部２５を有する配線基部３６を形成しても、図２Ｂに示すように、第５工程において、第１尖り部２５を被覆する第１被覆部３１を有するめっき層３０を形成して、第１角部２１を、第１被覆部３１から、略湾曲形状に形成する。そのため、図２Ｃに示すように、第２工程において、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を、過度に薄くなることを抑制しながら、つまり、厚みＴ１（図１の拡大図参照）で形成することができる。
【０１８７】
図２Ｄに示すように、第３工程において、磁性層５を形成することにより、磁性層５における磁性粒子１８が、第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触することを抑制することができる。
【０１８８】
＜変形例＞
以下の各変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
【０１８９】
一実施形態では、本発明の配線回路基板の一例として、磁性層５を備える磁性配線回路基板１を挙げて説明している。しかし、図示しないが、これに限定されず、磁性層５以外の粒子含有層を備える配線回路基板を挙げることもできる。
【０１９０】
粒子含有層は、上記した磁性粒子以外の導電性粒子を適宜の割合で含有する。導電性粒子としては、特に限定されず、銅粒子、銀粒子、金粒子、鉄粒子、半田粒子などの金属粒子などが挙げられる。
【０１９１】
粒子含有層を備える配線回路基板を得るには、図２Ｃが参照されるように、磁性シート１７に代えて、上記した粒子含有シートを準備し、粒子含有シートを配線回路基板準備体６に熱プレスする。
【０１９２】
そして、この配線回路基板では、配線部３の第１角部２１が、略湾曲形状を有するので、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を、過度に薄くなることを抑制しながら、形成することができる。そのため、導電性粒子が、第２絶縁層４を貫通して配線部３に接触することを抑制することができる。その結果、第２絶縁層４によって、粒子含有層の配線部３に対する絶縁性を確保することができる。
【０１９３】
しかるに、第２工程において、粒子含有シートを、第２絶縁層４に対して熱プレスするときに、粒子含有シートに含有される導電性粒子が、第２絶縁層４を貫通して配線に接触し易い。
【０１９４】
しかしながら、この配線回路基板の製造方法では、第１工程において、配線部３に、略湾曲形状の第１角部２１を形成するので、かかる第１角部２１を被覆する第２絶縁層４を厚く形成することができる。
【０１９５】
そのため、導電性粒子の第２絶縁層４への貫通、および、導電性粒子の配線部３への接触を抑制することができる。
【０１９６】
従って、この製造方法は、第２絶縁層４の絶縁性を確保した配線回路基板を得ることができる。
【０１９７】
従って、この配線回路基板は、第２絶縁層４の絶縁性を確保できる。
【０１９８】
図１に示すように、一実施形態では、１つの配線部３において、２つの配線側面１１間における長さが、第１方向中央部において最短となるくびれ部を有する。しかし、図４に示すように、配線部３は、くびれ部を有さない配線側面１１を有することもできる。
【０１９９】
また、一実施形態における図１は、めっき層３０の厚みが比較的厚い一例を示す。図４に示すように、この変形例は、めっき層３０の厚みが一実施形態のそれに比べて薄い例である。
【０２００】
この変形例では、湾曲面２３をなす円Ｃの曲率半径Ｒが比較的小さく、また、中心角αも小さい。曲率半径Ｒが、例えば、９μｍ未満、さらには、５μｍ以下、さらには、２μｍ以下であり、中心角αが１１０度未満である。
【０２０１】
この変形例における曲率半径Ｒは、一実施形態の曲率半径Ｒに比べて小さいが、一実施形態と同様に、湾曲面２３に対応する第２絶縁層４を十分な厚みで形成することができる。
【０２０２】
また、図１に示すように、一実施形態では、第２角部２２は、テーパ面２７を有する傾斜面２４を有する。しかし、図５に示すように、第２角部２２は、傾斜面２４に代えて、平坦面２６に対して垂直に形成される垂直面３３を有してもよい。
【０２０３】
互いに向かい合う２つの垂直面３３は、その間の長さが、厚み方向他方側に向かうに従って同一である。
【０２０４】
また、図６に示すように、傾斜面２４は、第２配線面１０に向かうに従って、第１方向外側に向かって末広状に広がるテーパ面２７に代えて、第１絶縁面７に向かうに従って、第１方向内側に向かって窄む（すぼむ）第２テーパ面（第１窄み面）３４を有することもできる。
【０２０５】
このような第２テーパ面（第１窄み面）３４は、例えば、アディティブ法によって形成される。
【０２０６】
図１に示すように、一実施形態では、傾斜面２４は、テーパ面２７のみからなる。しかし、図７に示すように、例えば、傾斜面２４の厚み方向他端縁は、第２湾曲面３５であってもよい。互いに隣り合う第２湾曲面３５は、第１絶縁面７に向かうに従って、その間の長さが短くなる第２窄み面３７である。この場合には、配線側面１１は、第１角部２１の湾曲面２３のうち第１方向外側に面する部分と、厚み方向中央部５０と、傾斜面２４におけるテーパ面２７および第２窄み面３７とを連続して備える。
【０２０７】
一実施形態では、図１Ａ〜図１Ｂに示すように、配線部３は、平坦面（例えば、第１配線面９および第２配線面１０）を含むが、この変形例では、図８Ｃに示すように、平坦面を含まない、断面略円形状を有する。
【０２０８】
詳しくは、配線部３は、電流を伝送する方向（伝送方向）（紙面奥行き方向）に直交する断面で切断したときに、略円形状を有する。配線部３は、外周面である配線周面４６を有する。
【０２０９】
配線部３の半径は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【０２１０】
第２絶縁層４は、配線部３の配線周面３７を被覆している。第２絶縁層４は、第１周面３７に沿う均一な厚みで形成されており、具体的には、断面略円環形状を有する。第２絶縁層４は、配線部３の配線周面４６に接触する内周面と、外周面である絶縁周面４７とを有する。絶縁周面４７の厚み方向他端縁は、第１絶縁層２の第１絶縁面７に接触している。
【０２１１】
第２絶縁層４の厚みＴは、内周面および絶縁周面４７の距離であって、一実施形態で開示した通りである。
【０２１２】
磁性層５は、配線部３の配線周面４６を、第２絶縁層４を介して被覆している。
【０２１３】
磁性層５において、磁性粒子１８は、第２絶縁層４の近傍においては、配線部３の配線周面４６、具体的には、第２絶縁層４の絶縁周面４７に沿って配向している。なお、第２絶縁層４の近傍領域は、例えば、配線部３の半径の１．５倍以内の領域と定義される。
【０２１４】
図８Ａに示すように、この磁性配線回路基板１を製造するには、まず、第１絶縁層２を準備する。別途、配線部３および第２絶縁層４を準備する。配線部３および第２絶縁層４は、市販のエナメル線として準備することができる。
【０２１５】
次いで、図８Ｂに示すように、第２絶縁層４の厚み方向他端縁を、第１絶縁層２の第１絶縁面７に配置する。これにより、第１工程および第２工程が同時に実施される。
【０２１６】
その後、磁性シート１７を、第１絶縁層２、配線部３および第２絶縁層４に対して熱プレスする（第３工程の実施）。
【０２１７】
これにより、第２絶縁層４において、第２絶縁層４の近傍領域において、磁性粒子１８が、配線部３の配線周面４６、具体的には、第２絶縁層４の絶縁周面４７に沿って配向する。
【０２１８】
これにより、第１絶縁層２、配線部３、第２絶縁層４および磁性層５を備える磁性配線回路基板１を得る。
【０２１９】
そして、この磁性配線回路基板１では、配線部３（第２絶縁層４）の周囲（近傍領域）における磁性層５において、磁性粒子１８は、配線周面４６、具体的には、絶縁周面４７に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、この磁性配線回路基板１は、高いインダクタンスを有する。
【０２２０】
また、磁性配線回路基板１の製造方法では、第３工程では、配線部３（第２絶縁層４）の周囲（近傍領域）における磁性層５において、磁性粒子１８は、配線部３の略湾曲形状に沿う滑らかな磁路を形成することができる。従って、配線部３の周囲の実効透磁率を向上させることができる。その結果、高いインダクタンスを有する磁性配線回路基板１を製造することができる。
【０２２１】
なお、磁性層５における磁性粒子１８の割合は、磁性層５において一様でもよく、また、各配線部３から離れるに従って、高くなってもよく、あるいは、低くなってもよい。
【０２２２】
なお、図８Ａ〜図８Ｃに示す変形例では、配線部３は、断面略円形状を有するが、断面視において、略湾曲形状を有すれば、特に限定されず、例えば、図示しないが、略湾曲形状の角部を少なくとも１つ有する略矩形状、略台形状であってもよい。この変形例において、絶縁層４は、図示しないが、配線部３の配線周面４６全面を被覆する。
【符号の説明】
【０２２３】
１     磁性配線回路基板（配線回路基板の一例）
２     第１絶縁層
３     配線部（配線の一例）
４     第２絶縁層
５     磁性層（粒子含有層の一例）
７     第１絶縁面
９     第１配線面
１０   第２配線面
１１   配線側面
１６   露出面
１７   磁性シート（粒子含有シートの一例）
１８   磁性粒子
２１   第１角部
２２   第２角部
２４   傾斜面
２５   尖り部
２７   テーパ面
３０   めっき層
３１   第１被覆部
３６   配線基部
４６   配線周面
４７   絶縁周面
Ｔ     第２絶縁層の厚み（平均厚み）
【図１】
2019165222.tif 000003
【図２】
2019165222.tif 000004
【図３】
2019165222.tif 000005
【図４】
2019165222.tif 000006
【図５】
2019165222.tif 000007
【図６】
2019165222.tif 000008
【図７】
2019165222.tif 000009
【図８】
2019165222.tif 000010
【図９】
2019165222.tif 000011