(57)【要約】      （修正有）【課題】光の吸収を少なくして、温度上昇、劣化を抑え、ハイパワー光の伝送においても伝送ロスの増加を抑えることのできる充填樹脂、接続構造、及び導波路溝充填構造を提供する。【解決手段】導波路（光ファイバ）５０１、５０５間の接続（接合）部、導波路溝の充填剤５０７として、シロキサン結合を基本とするシリコーンの水素をＦに置き換えたフロロシリコーン、シリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを持つ樹脂（フッ素ゲル）を用いる。【選択図】図５
2019020489.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域の１００ｍＷ以上のハイパワー光を通過させる対向する導波路間用の充填樹脂において、
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域においてロスが０．７ｄＢ／ｃｍ以下であることを特徴とする充填樹脂。
【請求項２】
酸素、炭素、水素の他に、シリコン及びフッ素を１モル％以上含むことを特徴とする請求項１に記載の充填樹脂。
【請求項３】
主鎖がパーフルオロポリエーテルの部位を含み、構造が以下の化学式で表されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の充填樹脂。
【化１】
2019020489.tif 000011
【請求項４】
前記対向する導波路は、
光ファイバと光ファイバ、
基板上に形成された導波路であり溝により切断された２つの導波路、または
光ファイバと基板上に形成された導波路
であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の充填樹脂。
【請求項５】
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域の１００ｍＷ以上のハイパワー光を通過させる対向する導波路間の接続機構において、
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域においてロスが０．７ｄＢ／ｃｍ以下である樹脂が前記対向する導波路間に充填された状態で導波路を対向して固定することを特徴とする接続構造。
【請求項６】
前記対向する導波路は光ファイバと基板上に形成された導波路であり、
前記接続構造は、前記光ファイバが固定され、接着剤により前記基板に接合されるファイバブロックであり、前記対向する導波路間の前記樹脂が充填された領域に前記接着剤が流入するのを防止する溝を有するファイバブロックである、または、
前記対向する導波路は光ファイバと光ファイバであり、
前記接続構造は前記光ファイバを対向して固定するコネクタである
ことを特徴とする請求項５に記載の接続構造。
【請求項７】
前記対向する導波路は基板上に形成され導波路であり、
前記接続構造は、前記基板上に形成され導波路を切断するように設けられた溝であり、前記樹脂が充填された溝である
ことを特徴とする請求項５に記載の接続構造。
【請求項８】
前記対向する導波路の端面に、ＭｇＦ、ＣａＦ、又はＬｉＦの膜を下記の条件で備えたことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の接続構造。
【数１】
2019020489.tif 000012
【数２】
2019020489.tif 000013
ｎ0は導波路コアの屈折率、ｎ1はＭｇＦ, ＣａＦ,又はＬｉＦの屈折率、ｎ2は導波路間、ファイバ間充填樹脂の屈折率である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信の分野に属し、特に、１００ｍＷ以上のハイパワーをファイバ、導波路に伝送する際の導波路、ファイバ間、導波路溝に充填する樹脂に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信の分野においては、ファイバ同士を接続する場合にはコネクタを用い、ファイバと導波路、導波路同士を接続する場合には接着剤を用い、導波路に掘った溝に波長板やアサーマル樹脂を充填する場合は樹脂を充填する。
【０００３】
しかし、入力するパワーが１００ｍＷ〜数Ｗのハイパワーとなると、接着剤、樹脂の吸収により温度が上昇して、劣化が見られ、ロスの増大が見られる。
【０００４】
例えば、ＭＴ（Mechanical Transferable）コネクタでファイバ同士を接続する場合には、マッチングゲルを充填するが、数Ｗのパワーを入れると樹脂が燃えるという欠点がある。
【０００５】
また、導波路とファイバを接続するには、ファイバを固定したファイバブロックと導波路を接続するが、その間にはエポキシあるいはアクリルの接着剤を使用する。しかし数Ｗのハイパワーを入れると接着剤が燃えてしまい、ロスが非常に大きくなるという問題がある。
【０００６】
まだ導波路に掘った溝に波長板を挿入したり、アサーマルＡＷＧのアサーマル用の溝に樹脂を充填し、数Ｗの光を入力すると樹脂の吸収により、屈折率が変化してしまって、ＡＷＧの特性が劣化するという問題があった。
【０００７】
従来のアクリル接着剤のロスの波長依存性を図１に示す。１２００ｎｍおよび１４００ｎｍに大きな吸収によるロスの増大があり、１．５５μm帯Ｃバンド（１５３５ｎｍ〜１５６５ｎｍ）においてロスは１．５ｄＢ／ｃｍのロスがある。ＥＤＦＡの最もハイパワーが得られる帯域はＣバンドであり、この帯域に数Ｗの光を入れることができるが、数Ｗの光を入れるとアクリルの接着剤が燃えてしまい、最悪ファイバがファイバフューズを起こす。
【０００８】
従来のアサーマルのＡＷＧは樹脂の屈折率の温度係数ｄｎ／ｄＴとガラスの屈折率の温度係数ｄｎ／ｄＴの極性が逆であることを利用して、波長の温度依存性を相殺するため、溝に樹脂を充填する。特許文献１に、その例を示す。
【０００９】
樹脂はｄｎ／ｄＴの大きなシリコーン樹脂を充填する。アサーマル溝に充填するジメチルシリコーンのロスのスペクトルを図２に示す。Ｃバンドにおけるロスは１．８ｄＢ/cmである。１０ｍＷ以下の光を伝送する場合には、この程度のロスは問題がないが、１００ｍＷ以上のハイパワーを伝送する際には、この程度のロスでも樹脂部分の温度上昇により、温度補償がうまく作用しなくなり、さらにハイパワーを入れると接着剤、樹脂が劣化する。
【００１０】
このように通信波長帯において、ファイバ、導波路間に充填するためのロスの小さな樹脂の開発が望まれていた。
【００１１】
通信波長帯における樹脂のロスは、非特許文献１に詳しく開示されている。
【００１２】
この中でフッ素化ポリイミド、重水素化シリコーン、ＵＶアクリレートが１５５０ｎｍにおいてロスが少ない材料としてあげられている。フッ素化ポリイミドが１．５５μｍにおいて、０．４ｄＢ／ｃｍ、重水素化シリコーンが０．４２ｄＢ/ｃｍ、UVアクリレートが０．２４ｄＢ/ｃｍである。しかしこれらの材料はファイバ、導波路の接続に使うには問題が多い。即ちポリイミドは３００℃程度で加熱してイミド化する必要があり、加熱によってファイバ、導波路が劣化してしまう。シリコーンの重水素化は非常にコストがかかり、重水素化シリコーンの市販はされていない。
【００１３】
導波路に溝を掘って種々のロスを持った樹脂を充填し、光入力のパワーを変えた場合の温度を簡単な計算でシミュレーションした。その結果を図３に示す。溝の幅は３７μｍ、導波路コア幅は１３μｍ，コア厚は６μｍとした。例えばシリコーンゲル１．８ｄＢ／ｃｍの場合１Ｗ入力すると温度は８０℃にもなり、温度無依存化を達成できない。また２Ｗ入力すると温度は１４０℃なり、樹脂の劣化が生じる。樹脂の劣化が生じないためには、１Ｗ入力で５０℃以下にする必要がある。
【００１４】
従って充填する樹脂の吸収係数を０．７ｄＢ/ｃｍ以下とすればよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許第３４３６９７号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】丸野「ポリマー光導波路の形成とそのデバイス特性」光学３１巻２号（２００２）８１(１１)〜８７(１７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
従来の導波路間又はファイバ間用の充填樹脂では、光の吸収を少なくして、温度上昇、劣化を抑え、ハイパワー光の伝送においても伝送ロスの増加を抑えるという課題があった。
【００１８】
本発明は、以上の問題を鑑みてなされたものであり、光の吸収を少なくして、温度上昇、劣化を抑え、ハイパワー光の伝送においても伝送ロスの増加を抑えることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、通信波長帯においてハイパワーを入れた場合でも、樹脂が劣化しないために、必要な樹脂の吸収係数を明らかにし、それを満足する樹脂を発見したことにある。従来のエポキシ接着剤、アクリル接着剤、シリコーン樹脂よりも、小さなロスを持つ樹脂に代えることにより、光の吸収を少なくして、温度上昇、劣化を抑え、ハイパワー入力時でも、ロスの増加がない。
【００２０】
温度上昇を抑えるには、通信波長帯におけるロスの低い樹脂を充填すればよい。樹脂の通信波長帯のロスを測定した報告は少なく、光通信用のポリマー導波路用材料としての報告が数件しかない。そこで約１００種類の材料の透過スペクトルを測定し、１５３５ｎｍ〜１５６５ｎｍでのロスの少ない材料を探した。
【００２１】
水素をフッ素化、あるいは重水素化した材料の吸収スペクトルを測定した。図４にその結果を示す。重水素化シリコーンは、Ｃ−Ｄの吸収が１５００ｎｍ辺りにくるのでかえって、重水素化前よりもロスが大きくなる。シロキサン結合を基本とするシリコーンの水素をＦに置き換えたフロロシリコーンはＣ−ＨがＣ−Ｆに代わることにより、上記の１２００ｎｍ、１４００ｎｍ、１５３５ｎｍの吸収が少なくなり、１５３５ｎｍ〜１５６５ｎｍにおいては、０．７ｄＢ／ｃｍの吸収を達成し、本発明の課題であるハイパワー耐性を持つ。
【００２２】
さらにフッ素化を進め、シリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを持ち、下記の式で書かれる通称「フッ素ゲル」はＣ−Ｈの吸収である１２００ｎｍ、１４００ｎｍ、１５３５ｎｍの吸収を殆ど持たず、通信波長帯１５３５ｎｍ〜１５６５ｎｍにおいては、０．１ｄＢ／ｃｍという驚異的な低ロスを示した。
【００２３】
【化１】
2019020489.tif 000003
【００２４】
これらの材料のロスをまとめて表１に示す。この中でロスが0.７ｄＢ／ｃｍ以下のものは、酸素と炭素と水素の他にシリコンとフッ素の両方を含むフッ素ゲルとフロロシリコーンのみであることがわかった。
【００２５】
【表１】
2019020489.tif 000004
【００２６】
フッ素を含む樹脂はフッ素ゴムやテフロンがあるが、フッ素を含むだけでは、ロスは低くならない。またシリコンを含む樹脂は、シリコーンを代表として、種々あるが、シリコンを含むだけではロスは低くならない。シリコーンとフッ素を両方含み、なおかつその量が１モル％以上の場合において、ロスの低減が見られた。
【００２７】
シリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを含む樹脂（通称フッ素ゲル）を溝に充填した場合の温度上昇を見積もった。シミュレーションの結果を示す図３から、２Ｗのハイパワーを入力してもシリコーンからフッ素ゲルに代えることにより、温度が１３０℃→２８℃に抑えられる。ハイパワーを入力してもロスの増大もなく、劣化もないことがわかる。
【００２８】
本発明は、上記の目的を達成するために、以下のような構成を備えることを特徴とする。
【００２９】
本発明の充填樹脂の一様態は、１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域の１００ｍＷ以上のハイパワー光を通過させる対向する導波路間用の充填樹脂において、
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域においてロスが０．７ｄＢ／ｃｍ以下であることを特徴とする。
【００３０】
前記充填樹脂は、酸素、炭素、水素の他に、シリコン及びフッ素を１モル％以上含むことを特徴とする。
【００３１】
前記充填樹脂は、主鎖がパーフルオロポリエーテルの部位を含み、構造が以下の化学式で表されることを特徴とする。
【００３２】
【化２】
2019020489.tif 000005
【００３３】
前記対向する導波路は、
光ファイバと光ファイバ、
基板上に形成された導波路であり溝により切断された２つの導波路、または
光ファイバと基板上に形成された導波路
であることを特徴とする。
【００３４】
前記接続構造は、１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域の１００ｍＷ以上のハイパワー光を通過させる対向する導波路間の接続機構において、
１１００から１６００ｎｍの通信波長帯域においてロスが０．７ｄＢ／ｃｍ以下である樹脂が前記対向する導波路間に充填された状態で導波路を対向して固定することを特徴とする。
【００３５】
前記接続構造は、前記対向する導波路は光ファイバと基板上に形成された導波路であり、
前記接続構造は、前記光ファイバが固定され、接着剤により前記基板に接合されるファイバブロックであり、前記対向する導波路間の前記樹脂が充填された領域に前記接着剤が流入するのを防止する溝を有するファイバブロックである、または、
前記対向する導波路は光ファイバと光ファイバであり、
前記接続構造は前記光ファイバを対向して固定するコネクタである
ことを特徴とする。
【００３６】
前記接続構造は、前記対向する導波路は基板上に形成され導波路であり、
前記接続構造は、前記基板上に形成され導波路を切断するように設けられた溝であり、前記樹脂が充填された溝である
ことを特徴とする。
【００３７】
前記対向する導波路の端面に、ＭｇＦ、ＣａＦ、又はＬｉＦの膜を下記の条件で備えたことを特徴とする。
【００３８】
【数１】
2019020489.tif 000006
【００３９】
【数２】
2019020489.tif 000007
【００４０】
ｎ0は導波路コアの屈折率、ｎ1はＭｇＦ, ＣａＦ,又はＬｉＦの屈折率、ｎ2は導波路間、ファイバ間充填樹脂の屈折率である。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、従来のシロキサンを架橋させたシリコーン、アクリル接着剤、エポキシ接着剤に代えて、シリコーンのＨをフッ素化したもの、あるいはさらにフッ素化を進めたシリコーンの主鎖をパーフルオロエーテルに置き換えたものが、１１００ｎｍ〜１６００ｎｍの波長領域において、ロスが低く（０．７ｄＢ／ｃｍ〜０．１ｄＢ／ｃｍ）、１００ｍＷ以上のハイパワーの光を入力した場合にアサーマルＡＷＧの樹脂の温度上昇を抑える効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来のアクリル接着剤のロスの波長依存性を示す図である。
【図２】ジメチルシリコーンのロスのスペクトルを示す図である。
【図３】導波路溝に樹脂を充填して、ハイパワーの光を入力した場合の温度（シミュレーション）を示す図である。
【図４】重水素化シリコーン、フッ素化シリコーン、フッ素ゲルのロスの波長依存性を示す図である。
【図５】（a）本発明の実施例１の導波路溝充填構造を示す上面図である。（ｂ）本発明の実施例１の導波路溝充填構造を示す立体図である。
【図６】本発明の実施例２のＭＴコネクタを示す図である。
【図７】（a）樹脂を充填する導波路溝を示す上面図である。（ｂ）樹脂を充填する導波路溝を示す立体図である。
【図８】樹脂を充填する溝を備えたマッハツェンダ干渉計（ＭＺＩ）を備えたアサーマルＡＷＧを示す図である。
【図９】本発明の実施例４の温度無依存アレイ導波路回折格子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の充填樹脂、光波長合分波回路、温度無依存アレイ導波路回折格子、接続構造、及び導波路溝充填構造の形態について、図を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下に示す実施例の記載内容に限定されず、本明細書等において開示する発明の趣旨から逸脱することなく形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者にとって自明である。また、異なる実施例に係る構成は、適宜組み合わせて実施することが可能である。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４４】
［実施例１］
本実施例では、フッ素ゲルを導波路とファイバの接続に用いた場合、溝付きファイバブロックを用い、コア部にフッ素ゲル、接着部にアクリル接着剤を用いた例を示す。
【００４５】
ファイバと導波路を接続する実施例１の構造を図５に示す。図５（a）は、導波路溝充填構造を示す上面図である。図５（ｂ）は、導波路溝充填構造を示す立体図である。この構造は、導波路５０１、導波路５０１内に設けられた導波路コア５０２、ファイバを固定するファイバブロック５０３、アクリル系接着剤５０４、ファイバブロック５０３内を通るファイバ５０５、ファイバブロック５０３に設けられた接着剤流入防止用溝５０６、及びシリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを含む樹脂５０７（通称フッ素ゲル）からなる。導波路５０１とファイバブロック５０３は、アクリル系接着剤５０４及びシリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを含む樹脂５０７を介して接合している。
【００４６】
通常はファイバ５０５と導波路５０１はアクリル系接着剤で全面を接着するが、１Ｗ以上のハイパワーの光を入れると燃えてしまうという欠点があった。そこでシリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを含む樹脂（フッ素ゲル）をファイバと導波路の間に充填する。フッ素ゲルは接着強度が不足しているため、接着剤として使えない。そこで接着剤流入防止溝５０６をファイバブロック５０３に設けて、両脇に接着剤であるアクリル系接着剤５０４、中央部にフッ素ゲル５０７を充填した。このようにすることにより、１５３５ｎｍで１Ｗ以上のハイパワーの光を入れても樹脂５０７は劣化することなく、接続することが可能となった。１１００ｎｍ〜１６００ｎｍの光を入れても温度上昇が少なく、樹脂５０７が劣化せず、ロスが増大することはなかった。
【００４７】
［実施例２］
ＭＴコネクタの接着部にパーフルオロポリエーテルを主鎖に持つ樹脂フッ素ゲルを用い、フッ素ゲルを充填した例を示す。
【００４８】
多芯のファイバを接続する場合には、図６に示すＭＴコネクタを使用する。図６に示すように、ＭＴコネクタは、樹脂により一体成形されたフェルール６０４に多心の光ファイバを固定し、２本のガイドピン６０３で整列する構造を有する。フェルール６０４は、シングルモード光ファイバの接続に使用できる性能を有している。さらに、ＭＴコネクタは、ブーツ６０２、リボンファイバ６０５、クリップ６０６を有する。多芯の場合ファイバのコア同士をフィジカルコンタクトすることが難しいため、ファイバ間にシリコーンを主材とするマッチングジェル６０１を端面に塗る必要がある。しかしこのマッチングジェルは１Ｗ以上のハイパワーを入れると燃えてしまうという欠点があった。そこでマッチングジェルの代わりフッ素ゲルを塗った。シリコーンマッチングジェルをフッ素ゲルに代えることにより、１Ｗ以上のハイパワーを入れてもロスの増大が見られなかった。
【００４９】
［実施例３］
導波路溝にフッ素ゲルを充填した場合、及びパーフルオロポリエーテルを主鎖に持つ樹脂（フッ素ゲル）をＡ−ＡＷＧ（アレイ導波路回折格子）に充填した場合を示す。
【００５０】
導波路溝は図７に示すように導波路を切断するように掘られている。導波路は、樹脂を充填する溝７０１、表面に溝７０１を有する導波路７０２、導波路内を通る導波路コア７０３、及び充填した樹脂７０４からなる。この溝に従来はジメチルシリコーン樹脂が充填されてきた。しかし先に述べたようにジメチルシリコーンはロスが１．８ｄＢ／ｃｍあり、数１００ｍＷを入れると温度が上昇して、アサーマルの条件を満足できなくなる。このためフッ素ゲルに代えた。
【００５１】
図８に示すＭＺ干渉計を前段に備えたアサーマルＡＷＧ（特許文献３：特開２０１０−４４３４９）のアサーマル溝に通称フッ素ゲルとよぶパーフルオロエーテルを主鎖に持つ樹脂を充填した。アサーマルＡＷＧは、第一のスラブ導波路８０１、アレイ導波路８０２、第二のスラブ導波路８０３、第二の入出力導波路８０４、分割三角溝（樹脂挿入）８０５、第一の入出力導波路８０６、温度依存型位相差生成カプラ８０７、第一のアーム導波路８０８、第二のアーム導波路８０９、方向性結合器８１０、温度補償材料充填溝８１１、及び温度補償材料充填溝８１２からなる。なお、分割三角溝（樹脂挿入）８０５、温度補償材料充填溝８１１、及び温度補償材料充填溝８１２がアサーマル溝に相当する。
【００５２】
比較のために通常のジメチルシリコーンを充填したサンプルも準備した。入力パワーを１ｍＷと２００ｍＷとして、透過スペクトルと透過波長の温度依存性を測定した。その結果を従来のシリコーンを充填したものは、２００ｍＷのハイパワーを入れるとスペクトル形状がフラットトップとならず、なおかつ波長の温度依存性は１ｍＷ入力時の温度依存性よりも３００ｐｍ程度短くなる。このため温度依存性を解消しようとしても入力パワーによって大きく波長が変化してしまう。
【００５３】
これに対して、フッ素ゲルを充填したものは、２００ｍＷのハイパワーを入力してもスペクトルの形状は崩れず、波長の温度依存性も殆ど変化しなかった。
【００５４】
同様に通常のジメチルシリコーンのＨをＦに置き換えたフロロシリコーンを充填した場合にも、ほぼ同様の効果が見られた。
【００５５】
このように従来のシリコーンの主鎖部をパーフルオロポリエーテルで置き代えたものを充填することにより、ハイパワーの光を入力した場合にも、アサーマルＡＷＧの温度上昇を抑えることができ、透過スペクトルの形状、透過波長の温度依存性にも変化をもたらさないという効果がある。上記に示した構造式のみでなく、シロキサンを架橋したシリコーンのＨをフッ素に置き換えたものでも効果があった。
【００５６】
厳密に構造式を記載することはできないが、酸素、炭素、水素の他に、Ｓｉの含有量且つＦの含有量が1モル％以上の樹脂は、上記の効果が見られた。
【００５７】
［実施例４］
実施例１で充填したフッ素ゲル、フロロシリコーンは屈折率が１．３１〜１．３３とガラスの屈折率１４．５と比べると低い。このため溝の壁面部で屈折率ミスマッチによるロスが生じるという欠点がある。この欠点を解決するために、壁面にＡＲコートを形成するのが有効である。
【００５８】
屈折率ｎ1とｎ2の材料界面の、反射率は下記の式で与えられ、
【００５９】
【数３】
2019020489.tif 000008
【００６０】
例えば、フッ素ゲルと石英ガラスの間では０．３３％の反射がある。溝は通常５〜１０個程度設けられるので、０．３３×２×（５〜１０）＝３〜６％の反射ロスが生じることになる。これを押さえるためには、温度無依存アレイ導波路回折格子の溝壁面にＡＲコートを付けることが有効である。
【００６１】
フッ素ゲル、フロロシリコーンは１．３〜１．３３の屈折率ｎ2を持ち、１．４６の屈折率ｎ0のガラス材料の間にＡＲを付ける場合の材料は、下記の式を満足する屈折率ｎ1を持つ材料を選択する必要があり、
【００６２】
【数４】
2019020489.tif 000009
【００６３】
であり、１．３８〜１．３９の屈折率を持つ材料、即ちＣａＦ, ＭｇＦ, 又は ＬｉＦが適している。
【００６４】
これらの材料を
【００６５】
【数５】
2019020489.tif 000010
【００６６】
の条件の膜厚ｄで形成すればよい。１．５５μｍの場合、ＣａＦ, ＭｇＦ, 又は ＬｉＦを２８０ｎｍ程度形成すればよい。
【００６７】
通常ＡＲコートは反射面に対して、垂直に形成するが、溝壁面に付ける場合には、スパッタリング法が有効である。図９のように、スパッタターゲット９０６、プラズマ９０７を用いたスパッタリングにより、壁面全体にＡＲコートを付けた。温度無依存アレイ導波路回折格子は、Ｓｉ基板９０１、導波路クラッド（石英ガラス）９０２、ＡＲコート膜９０３、フッ素ゲルあるいはフロロシリコーン９０４、導波路コア９０５からなる。
【００６８】
ＡＲを壁面に付着することにより、ロスを０．３ｄＢ低減することができた。
【００６９】
本実施例では、導波路溝の壁面にＡＲコートを形成したが、ファイバあるいは導波路の端面にＡＲコートを形成してもよい。
【符号の説明】
【００７０】
５０１  導波路
５０２  導波路コア
５０３  ファイバを固定するファイバブロック
５０４  アクリル系接着剤
５０５  ファイバ
５０６  接着剤流入防止用溝
５０７  シリコーンの主鎖にパーフルオロポリエーテルを含む樹脂
６０１  マッチングジェル
６０２  ブーツ
６０３  ガイドビン
６０４  フェルール
６０５  リボンファイバ
６０６  クリップ
７０１  樹脂を充填する溝
７０２  導波路
７０３  導波路コア
７０４  充填した樹脂
８０１  第一のスラブ導波路
８０２  アレイ導波路
８０３  第二のスラブ導波路
８０４  第二の入出力導波路
８０５  分割三角溝（樹脂挿入）
８０６  第一の入出力導波路
８０７  温度依存型位相差生成カプラ
８０８  第一のアーム導波路
８０９  第二のアーム導波路
８１０  方向性結合器
８１１, ８１２  温度補償材料充填溝
９０１  Ｓｉ基板
９０２  導波路クラッド（石英ガラス）
９０３  ARコート膜
９０４  フッ素ゲルあるいはフロロシリコーン
９０５  導波路コア
９０６  スパッタターゲット
９０７  プラズマ
【図１】
2019020489.tif 000014
【図２】
2019020489.tif 000015
【図３】
2019020489.tif 000016
【図４】
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【図５】
2019020489.tif 000018
【図６】
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【図７】
2019020489.tif 000020
【図８】
2019020489.tif 000021
【図９】
2019020489.tif 000022