(57)【要約】【課題】高周波化を図った場合においても、アイソレーション特性が良好な複合マルチプレクサを提供する。【解決手段】第１のマルチプレクサ１１と、第２のマルチプレクサ２１と、第２のＬＣ回路１６とを備える複合マルチプレクサ１。第１のマルチプレクサ１１は、複数の帯域通過型フィルタ回路１２，１３と、帯域通過型フィルタ回路１２，１３の第１の端子３とは反対側の端部にそれぞれ接続されている複数の第１のＬＣ回路１４，１５とを有する。第２のマルチプレクサ２１は、複数の帯域通過型フィルタ回路２２，２３を有する。第２のＬＣ回路１６は、第１の端子３と、第２のマルチプレクサ２１との間に接続されている。【選択図】図１
2019165435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ端子に接続される第１の端子と、入出力端子である複数の第２の端子とを有する複合マルチプレクサであって、
前記第１の端子に一端が接続されている複数の帯域通過型フィルタ回路と、前記複数の帯域通過型フィルタ回路にそれぞれ接続されている複数の第１のＬＣ回路とを有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第１の端子と反対側の端部が前記各第１のＬＣ回路を介して前記複数の第２の端子にそれぞれ接続されている、第１のマルチプレクサと、
前記第１の端子に一端が接続されている、複数の帯域通過型フィルタ回路を有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第１の端子と反対側の端部が、前記複数の第２の端子にそれぞれ接続されている第２のマルチプレクサと、
前記第１の端子と、前記第２のマルチプレクサの間に接続されている第２のＬＣ回路とを備える、複合マルチプレクサ。
【請求項２】
前記複数の第１のＬＣ回路は、前記帯域通過型フィルタ回路の通過帯域を構成するための減衰極を形成している、請求項１に記載の複合マルチプレクサ。
【請求項３】
前記第２のＬＣ回路は、伝搬される信号の位相を９０度遅延させる９０度遅延回路である、請求項１または２に記載の複合マルチプレクサ。
【請求項４】
前記第１のＬＣ回路は、伝搬される信号の位相を９０度遅延させる９０度遅延回路である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合マルチプレクサ。
【請求項５】
前記帯域通過型フィルタ回路が、弾性波フィルタにより構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合マルチプレクサ。
【請求項６】
前記第１のマルチプレクサ及び前記第２のマルチプレクサが、それぞれ、第１及び第２のデュプレクサである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の複合マルチプレクサ。
【請求項７】
前記第１のマルチプレクサの１つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第２のマルチプレクサの１つの前記帯域通過型フィルタ回路が、同一のＢａｎｄの帯域通過型フィルタ回路であり、前記第１のマルチプレクサの他の１つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第２のマルチプレクサの他の１つの前記帯域通過型フィルタ回路が、他の同一のＢａｎｄの帯域通過型フィルタ回路である、請求項６に記載の複合マルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器などに用いられる複合マルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代通信規格である５Ｇでは、３ＧＨｚ〜６ＧＨｚの周波数帯が用いられる。そのため、帯域通過型フィルタとしても、この周波数帯で利用し得るものが求められる。特許文献１には、このような周波数帯で用いられるＬＣフィルタが開示されている。
【０００３】
もっとも、ＬＣフィルタでは、急峻性が十分でない。そのため、ＬＣフィルタは、５Ｇの通信規格におけるキャリアアグリゲーション用のマルチプレクサには不適当である。
【０００４】
他方、弾性波フィルタは、フィルタ特性の急峻性に優れている。中でも、板波のＳ０モードを利用した弾性波フィルタの場合は、高周波化が容易である。例えば、特許文献２に記載の弾性波フィルタでは、支持基板上に、音響多層膜及び圧電膜が積層されている。この圧電膜を伝搬する板波のＳ０モードは、音速が約６０００ｍ／秒と高速である。そのため、３ＧＨｚ〜６ＧＨｚ帯で用いた場合であっても、電極指の線幅や電極指間のギャップをさほど狭くする必要がない。従って、高周波数帯でも、生産時のばらつきや耐電力性の低下などの問題が生じない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−０９２５４６号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１７／０６８８２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、３ＧＨｚ〜６ＧＨｚ帯の通過帯域を有するフィルタを用いてマルチプレクサを構成すると、フィルタ間のアイソレーション特性が十分でないという新たな問題が生じることがわかった。これは、周波数が高くなると、残留インダクタや寄生容量による影響が、周波数が低い場合に比べて大きくなるためと考えられる。
【０００７】
本発明の目的は、高周波化を図った場合であっても、アイソレーション特性が良好な複合マルチプレクサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る複合マルチプレクサは、アンテナ端子に接続される第１の端子と、入出力端子である複数の第２の端子とを有する複合マルチプレクサであって、前記第１の端子に一端が接続されている複数の帯域通過型フィルタ回路と、前記複数の帯域通過型フィルタ回路にそれぞれ接続されている複数の第１のＬＣ回路とを有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第１の端子と反対側の端部が前記各第１のＬＣ回路を介して前記複数の第２の端子にそれぞれ接続されている、第１のマルチプレクサと、前記第１の端子に一端が接続されている、複数の帯域通過型フィルタ回路を有し、前記各帯域通過型フィルタ回路の前記第１の端子と反対側の端部が、前記複数の第２の端子にそれぞれ接続されている第２のマルチプレクサと、前記第１の端子と、前記第２のマルチプレクサの間に接続されている第２のＬＣ回路とを備える。
【０００９】
本発明に係る複合マルチプレクサでは、好ましくは、前記複数の第１のＬＣ回路は、前記帯域通過型フィルタ回路の通過帯域を構成するための減衰極を形成している。この場合には、第１のマルチプレクサにおけるフィルタ特性の急峻性を効果的に高めることができる。
【００１０】
本発明に係る複合マルチプレクサでは、前記第２のＬＣ回路は、伝搬される信号の位相を９０度遅延させる９０度遅延回路である。この場合には、第１のマルチプレクサと第２のマルチプレクサとを伝搬する信号間において、位相を９０度異ならせることができる。
【００１１】
本発明に係る複合マルチプレクサでは、より好ましくは、前記第１のＬＣ回路は、伝搬される信号の位相を９０度遅延させる９０度遅延回路である。この場合には、アイソレーション特性をより一層改善することができる。
【００１２】
本発明に係る複合マルチプレクサのある特定の局面では、前記帯域通過型フィルタ回路が、弾性波フィルタにより構成されている。この場合には、高周波化を容易に実現することができる。
【００１３】
本発明に係る複合マルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１のマルチプレクサ及び前記第２のマルチプレクサが、それぞれ、第１及び第２のデュプレクサである。
【００１４】
本発明に係る複合マルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１のマルチプレクサの１つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第２のマルチプレクサの１つの前記帯域通過型フィルタ回路が、同一のＢａｎｄの帯域通過型フィルタ回路であり、前記第１のマルチプレクサの他の１つの前記帯域通過型フィルタ回路及び前記第２のマルチプレクサの他の１つの前記帯域通過型フィルタ回路が、他の同一のＢａｎｄの帯域通過型フィルタ回路である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高周波化を進めた場合であっても、アイソレーション特性が良好な複合マルチプレクサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施形態の複合マルチプレクサの回路図である。
【図２】図１に示した複合マルチプレクサにおける第１のデュプレクサの帯域通過型フィルタ回路の構成を示す回路図である。
【図３】第１の実施形態の複合マルチプレクサで用いられる弾性波フィルタを構成している弾性波共振子を説明するための正面断面図である。
【図４】（ａ）は、第１，第２のＬＣ回路の一例を示す回路図であり、（ｂ）は、第１，第２のＬＣ回路の他の例を示す回路図である。
【図５】（ａ）は、第１，第２のＬＣ回路のさらに他の例を示す回路図であり、（ｂ）は、第１，第２のＬＣ回路の別の例を示す回路図である。
【図６】比較例及び実施例のＢａｎｄ７７の通過特性を示す図である。
【図７】比較例及び実施例のＢａｎｄ７９の通過特性を示す図である。
【図８】比較例及び実施例の複合マルチプレクサにおけるＢａｎｄ７７からＢａｎｄ７９へのアイソレーション特性を示す図である。
【図９】比較例及び実施例におけるアンテナ端子におけるＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１０】比較例及び実施例におけるＢａｎｄ７７側の端子におけるＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１１】比較例及び実施例におけるＢａｎｄ７９側の端子におけるＶＳＷＲ特性を示す図である。
【図１２】第１の実施形態の複合マルチプレクサにおけるＢａｎｄ７７の送信信号の伝送状態を説明するための回路図である。
【図１３】第１の実施形態の複合マルチプレクサにおけるＢａｎｄ７９の受信信号の伝送状態を説明するための回路図である。
【図１４】第１の実施形態の複合マルチプレクサにおけるアイソレーション信号の伝送状態を説明するための回路図である。
【図１５】第２の実施形態に係る複合マルチプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１８】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る複合マルチプレクサの回路図である。複合マルチプレクサ１は、アンテナ端子２に接続される第１の端子３を有する。また、複合マルチプレクサ１は、複数の第２の端子４，５を有する。第２の端子４，５は入出力端子として用いられる。第１の端子３に第１のマルチプレクサとしての第１のデュプレクサ１１が接続されている。第１の端子３には、第２のマルチプレクサとしての第２のデュプレクサ２１が、第２のＬＣ回路１６を介して接続されている。
【００２０】
複合マルチプレクサ１は、５Ｇで使用されるＢａｎｄ７７及びＢａｎｄ７９で使用される。Ｂａｎｄ７７の通信帯域は、３３００ＭＨｚ〜４２００ＭＨｚであり、Ｂａｎｄ７９の通信帯域は、４４００ＭＨｚ〜５０００ＭＨｚである。複合マルチプレクサ１は、キャリアアグリゲーションで使用されるものであるため、第１，第２のデュプレクサ１１，２１の各一端が第１の端子３に共通接続されている。また、第２の端子４が、Ｂａｎｄ７７の入出力端子として用いられる。第２の端子５が、Ｂａｎｄ７９の入出力端子として用いられる。
【００２１】
なお、本発明の複合マルチプレクサは、Ｂａｎｄ７７及びＢａｎｄ７９の組み合わせに限らず、様々なＢａｎｄ同士の組み合わせに適用することができる。
【００２２】
第１のデュプレクサ１１は、複数の帯域通過型フィルタ回路１２，１３を有する。帯域通過型フィルタ回路１２は、Ｂａｎｄ７７用の帯域通過型フィルタ回路であり、帯域通過型フィルタ回路１３は、Ｂａｎｄ７９用の帯域通過型フィルタ回路である。複数の帯域通過型フィルタ回路１２，１３の一端同士が第１の端子３に共通接続されている。第１のデュプレクサ１１では、帯域通過型フィルタ回路１２と第２の端子４との間に、第１のＬＣ回路１４が接続されている。第１のＬＣ回路１４は、帯域通過型フィルタ回路１２とともに、Ｂａｎｄ７７の通過帯域を形成している。特に、第１のＬＣ回路１４により、減衰極が形成され、Ｂａｎｄ７７の通過帯域の急峻性が高められている。
【００２３】
同様に、帯域通過型フィルタ回路１３と第２の端子５との間に、第１のＬＣ回路１５が接続されている。第１のＬＣ回路１５は減衰極を形成している。従って、帯域通過型フィルタ回路１３と第１のＬＣ回路１５とにより、Ｂａｎｄ７９における通過帯域の急峻性が高められている。
【００２４】
上記のように、第１のデュプレクサ１１では、複数の帯域通過型フィルタ回路１２，１３の第１の端子３と接続されている側とは反対側の端部が、それぞれ第１のＬＣ回路１４，１５を介して、複数の第２の端子４，５にそれぞれ接続されている。
【００２５】
また、本実施形態では、第１のＬＣ回路１４は、位相を９０度遅延させる機能も有している。第１のＬＣ回路１５も同様に、伝搬される信号の位相を９０度遅延させる。
【００２６】
第２のデュプレクサ２１は、複数の帯域通過型フィルタ回路２２，２３を有する。帯域通過型フィルタ回路２２は、Ｂａｎｄ７７用の帯域通過型フィルタ回路である。帯域通過型フィルタ回路２３は、Ｂａｎｄ７９用の帯域通過型フィルタ回路である。帯域通過型フィルタ回路２２及び帯域通過型フィルタ回路２３の一端同士が第２のＬＣ回路１６を介して第１の端子３に共通接続されている。帯域通過型フィルタ回路２２の第１の端子３に接続される側とは反対側の端部は、Ｂａｎｄ７７用の第２の端子４に接続されている。帯域通過型フィルタ回路２３の第１の端子３に接続されている側とは反対側の端部は、Ｂａｎｄ７９用の送受信端子である第２の端子５に接続されている。
【００２７】
第２のＬＣ回路１６は、伝搬される信号の位相を９０度遅延するように構成されている。すなわち、第２のＬＣ回路１６は、第１のＬＣ回路１４，１５と同様に、９０度遅延回路である。
【００２８】
複合マルチプレクサ１では、上記のように構成されているため、Ｂａｎｄ７７と、Ｂａｎｄ７９との間のアイソレーション特性を効果的に高めることができる。この効果については、実施例を挙げ、後程より詳細に説明する。
【００２９】
図２は、複合マルチプレクサ１における第１のデュプレクサ１１の帯域通過型フィルタ回路１２，１３の回路構成を説明するための回路図である。第２のデュプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路２２，２３も同様の回路構成を有する。
【００３０】
なお、図２では、第１のデュプレクサ１１における第１のＬＣ回路１４，１５よりも第１の端子３側の部分が図示されており、第１のＬＣ回路１４，１５は図示されていない。
【００３１】
図２に示すように、第１の端子３に帯域通過型フィルタ回路１２及び帯域通過型フィルタ回路１３の一端同士が共通接続されている。第１の端子３とグラウンド電位との間に、インピーダンス整合用のインダクタＬ１が接続されている。
【００３２】
帯域通過型フィルタ回路１２及び帯域通過型フィルタ回路１３は、ラダー型フィルタである。帯域通過型フィルタ回路１２では、複数の直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３と、複数の並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３とが、ラダー型回路を構成するように接続されている。
【００３３】
並列腕共振子Ｐ１とグラウンド電位との間にインダクタＬ４が接続されている。並列腕共振子Ｐ１とインダクタＬ４との間の接続点と、直列腕との間にインダクタＬ２が接続されている。
【００３４】
また、直列腕共振子Ｓ２，Ｓ３間の接続点とグラウンド電位との間に、インダクタＬ３が接続されている。並列腕共振子Ｐ２，Ｐ３の各一端は共通接続されており、インダクタＬ５を介してグラウンド電位に接続されている。
【００３５】
帯域通過型フィルタ回路１３では、複数の直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１４と、複数の並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１４がラダー型回路を構成するように接続されている。並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２の一端同士が共通接続されて、グラウンド電位に接続されている。並列腕共振子Ｐ１３，Ｐ１４の一端同士も共通接続され、グラウンド電位に接続されている。また、直列腕共振子Ｓ１１の第１の端子３とは反対側に、インダクタＬ６が接続されている。並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１２の共通接続されている部分と、グラウンド電位との間にインダクタＬ７が接続されている。
【００３６】
帯域通過型フィルタ回路１２において、インダクタＬ２及びインダクタＬ３は、通過帯域外に減衰極を形成するために接続されている。インダクタＬ４及びインダクタＬ５は、並列腕共振子の共振周波数と反共振周波数との間の周波数間隔を広げるために接続されている。
【００３７】
帯域通過型フィルタ回路１３において、インダクタＬ６は、図１に示した第２の端子５とのインピーダンスマッチングを図るために接続されている。インダクタＬ７は、通過帯域外に減衰極を形成するために接続されている。
【００３８】
なお、第２のデュプレクサ２１の帯域通過型フィルタ回路２２及び帯域通過型フィルタ回路２３も上記帯域通過型フィルタ回路１２及び帯域通過型フィルタ回路１３と同様に構成されている。
【００３９】
図１に戻り、複合マルチプレクサでは、帯域外に減衰極をさらに形成するために、帯域通過型フィルタ回路１２に第１のＬＣ回路１４が接続されており、帯域通過型フィルタ回路１３に第１のＬＣ回路１５が接続されている。それによって、フィルタ特性の急峻性がより一層高められている。
【００４０】
図２に示した直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ３、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３、直列腕共振子Ｓ１１〜Ｓ１４及び並列腕共振子Ｐ１１〜Ｐ１４は、いずれも弾性波共振子からなる。従って、帯域通過型フィルタ回路１２及び帯域通過型フィルタ回路１３や、帯域通過型フィルタ回路２２及び帯域通過型フィルタ回路２３は、いずれもラダー型の弾性波フィルタ回路である。
【００４１】
図３は、上記弾性波共振子の一例を示す正面断面図である。弾性波共振子３１は、支持基板３２を有する。支持基板３２上に音響多層膜３３が積層されている。音響多層膜３３上に圧電板３４が積層されている。圧電板３４上に、ＩＤＴ電極３５が設けられている。ＩＤＴ電極３５の弾性波伝搬方向両側に、反射器が配置されている。なお、この反射器の図示は省略してある。
【００４２】
支持基板３２は、シリコンなどの半導体材料、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素またはアルミナなどの圧電性材料などの適宜の材料からなる。
【００４３】
音響多層膜３３は、低音響インピーダンス層３３ａ，３３ｃ，３３ｅと、高音響インピーダンス層３３ｂ，３３ｄ，３３ｆとを有する。低音響インピーダンス層３３ａ，３３ｃ，３３ｅと、高音響インピーダンス層３３ｂ，３３ｄ，３３ｆとが交互に積層されている。低音響インピーダンス層３３ａ，３３ｃ，３３ｅの音響インピーダンスは、高音響インピーダンス層３３ｂ，３３ｄ，３３ｆの音響インピーダンスよりも低い。上記音響インピーダンスの高低の関係を満たす限り、低音響インピーダンス層３３ａ，３３ｃ，３３ｅ及び高音響インピーダンス層３３ｂ，３３ｄ，３３ｆの材料として適宜の材料を用いることができる。このような材料の例としては、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナなどの絶縁性材料、シリコンなどの半導体材料またはＡｌ、Ｐｔ、ＡｌＣｕ合金などの金属を挙げることができる。
【００４４】
圧電板３４は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの適宜の圧電材料からなる。ＩＤＴ電極３５についても、適宜の金属もしくは合金からなる。また、積層金属膜によりＩＤＴ電極３５が形成されていてもよい。
【００４５】
複合マルチプレクサ１では、複数の弾性波共振子３１を用いて、帯域通過型フィルタ回路１２，１３及び帯域通過型フィルタ回路２２，２３が構成されている。従って、板波Ｓ
０モードなどを利用することにより、高周波化を容易に図ることができる。
【００４６】
図１に戻り、第１のＬＣ回路１４，１５及び第２のＬＣ回路１６は、インダクタＬとキャパシタＣを接続した回路構成を有する。図４（ａ）は、このような、ＬＣ回路の一例の回路図であり、図５（ａ）は他の例を示す回路図である。
【００４７】
図４（ａ）に示すＬＣ回路４１では、出力端が接続された伝送経路にインダクタＬ１１，Ｌ１１が接続されており、すなわちラダー型フィルタの直列腕に直列にインダクタＬ１１，Ｌ１１が接続されており、この伝送経路とグラウンド電位との間にキャパシタＣ１１が接続されている。
【００４８】
なお、図４（ａ）に示すＬＣ回路４１に代えて、図４（ｂ）に示すＬＣ回路４１Ａを用いてもよい。
【００４９】
逆に、図５（ａ）に示すＬＣ回路４２では、信号が伝送される経路にキャパシタＣ１２，Ｃ１２が接続されている。この信号が伝送される経路とグラウンド電位との間にインダクタＬ１２が接続されている。
【００５０】
なお、図５（ａ）に示すＬＣ回路４２に代えて、図５（ｂ）に示すＬＣ回路４２Ａを用いてもよい。
【００５１】
ＬＣ回路４１またはＬＣ回路４２により、前述した第１，第２のＬＣ回路１４，１５，１６が構成されている。
【００５２】
複合マルチプレクサ１では、Ｂａｎｄ７７の送信信号及びＢａｎｄ７９の受信信号が伝送される。この場合、上記第１，第２のＬＣ回路１４〜１６が設けられているため、アイソレーション特性を効果的に改善することができる。これを、以下の実施例及び比較例を説明することにより明らかにする。
【００５３】
以下の設計パラメータにしたがって、第１の実施形態の実施例における第１のデュプレクサ１１の帯域通過型フィルタ回路１２を作成した。
【００５４】
【表１】
2019165435.tif 000003
【００５５】
また、帯域通過型フィルタ回路１３を、以下の表２に示す設計パラメータにしたがって、構成した。
【００５６】
【表２】
2019165435.tif 000004
【００５７】
また、インダクタＬ１〜Ｌ７のインダクタンス値は、下記の表３に示すとおりとした。
【００５８】
【表３】
2019165435.tif 000005
【００５９】
第１，第２のＬＣ回路における回路構成としては、図４（ａ）に示したＬＣ回路４１を用いた。インダクタＬ１１のインダクタンス値は１．９ｎＨ、キャパシタＣ１１の容量は０．８ｐＦとした。
【００６０】
なお、第２のデュプレクサ２１における帯域通過型フィルタ回路２２，２３の設計パラメータも同様とした。
【００６１】
比較のために、第１，第２のＬＣ回路１４〜１６を用いずに、かつ第１のデュプレクサと第２のデュプレクサの一端同士を共通接続していないことを除いては、上記実施形態と同様にして、マルチプレクサ回路を構成した。
【００６２】
なお、比較例では、第１，第２のデュプレクサが並列接続されていないため、実施例に比べ、共振子の静電容量は全て２倍とし、インダクタンス値は全て１／２倍とした。
【００６３】
図６は、Ｂａｎｄ７７における送信信号の通過特性を示す。図７は、Ｂａｎｄ７９の受信信号の通過特性を示す。また、図８は、Ｂａｎｄ７７からＢａｎｄ７９側へのアイソレーション特性を示す図である。図９は、アンテナ端子におけるＶＳＷＲ特性を示し、図１０はＢａｎｄ７７側の端子におけるＶＳＷＲ特性を示し、図１１は、Ｂａｎｄ７９側の端子におけるＶＳＷＲ特性を示す図である。
【００６４】
図６〜図１１において、実線を実施例の結果を、破線が比較例の結果を示す。
【００６５】
図８に示すように、比較例に対し、実施例によれば、アイソレーション特性が効果的に改善されていることがわかる。すなわち、Ｂａｎｄ７７帯におけるアイソレーションが、比較例では４８．６ｄＢに対し、実施例では５２．２ｄＢと改善している。Ｂａｎｄ７９帯では、比較例では５２．４ｄＢに対し、実施例では５４．２ｄＢと改善されている。
【００６６】
また、図６及び図７から明らかなように、Ｂａｎｄ７７及びＢａｎｄ７９のいずれの帯域においても、通過特性についても、比較例に対し、実施例によれば改善されていることがわかる。さらに、図９〜図１１に示すように、ＶＳＷＲ特性も、比較例に対し、実施例によれば、改善されていることがわかる。
【００６７】
上記のように、実施例において比較例に対してアイソレーション特性が改善されている理由は、以下の通りと考えられる。
【００６８】
図１２は、Ｂａｎｄ７７側端子である第２の端子４から第１の端子３側にＢａｎｄ７７の送信信号が伝送される状態を示す図である。矢印Ａ１で示すように、第１のデュプレクサ１１側では、第１のＬＣ回路１４及び帯域通過型フィルタ回路１２を介して送信信号が第１の端子３に伝送される。この場合、第１のＬＣ回路１４により、送信信号の位相が９０度遅延される。
【００６９】
他方、矢印Ａ２で示すように、Ｂａｎｄ７７の送信信号は、第２のデュプレクサ２１の帯域通過型フィルタ回路２２及び第２のＬＣ回路１６を介して第１の端子３に伝送される。この場合、伝送される信号の位相が、第２のＬＣ回路１６で９０度遅延される。従って、第１の端子３では、矢印Ａ１及び矢印Ａ２で示す双方の送信信号の位相が揃うことになる。従って、両伝送経路を伝搬してきた信号が打ち消し合うことなく合成され、第１の端子３かつアンテナ端子２に出力される。
【００７０】
図１３に示すように、第１の端子３からＢａｎｄ７９の端子である第２の端子５にＢａｎｄ７９の受信信号が伝送される。この場合、矢印Ｂ１で示す伝送経路では、受信信号が、第１のデュプレクサ１１の帯域通過型フィルタ回路１３及び第１のＬＣ回路１５を通過する。従って、受信信号は、この位相が９０度遅延される。他方、矢印Ｂ２で示す伝送経路では、第２のＬＣ回路１６及び帯域通過型フィルタ回路２３を経由して第２の端子５に伝送される。この場合においても、第２のＬＣ回路１６により信号の位相が９０度遅延される。従って、第２の端子５では、矢印Ｂ１で示す伝送経路及び矢印Ｂ２で示す伝送経路により伝送されてきた信号の位相が揃うことになる。従って、受信信号が打ち消し合うことなく、合成される。
【００７１】
他方、図１４に示すように、Ｂａｎｄ７７側端子である第２の端子４と、Ｂａｎｄ７９側の第２の端子５との間のアイソレーションについては、矢印Ｃ１，Ｃ２で示す経路により、第２の端子４から第２の端子５側に漏洩した信号は、第１のＬＣ回路１４及び第１のＬＣ回路１５を通過する。そのため、位相が１８０度遅延されることになる。これに対して、矢印Ｄ１，Ｄ２で示す伝送経路により漏洩してきた信号は、その信号の位相が遅延されない。従って、第２の端子５において、矢印Ｃ１，Ｃ２に示す経路で伝送されてきた信号の位相と、矢印Ｄ１，Ｄ２で示す伝送経路で伝送されてきた信号の位相とが１８０度異なることになる。よって、両者の信号が打ち消し合い、アイソレーション特性が改善されることになる。
【００７２】
以上の理由により、上記実施例では、第２の端子４と第１の端子３との間の伝送特性及び第２の端子５と第１の端子３との間の伝送特性を劣化させることなく、Ｂａｎｄ７７用の第２の端子４と、Ｂａｎｄ７９用の第２の端子５との間のアイソレーション特性を効果的に改善することができる。
【００７３】
なお、第１の実施形態の複合マルチプレクサ１では、第１，第２のデュプレクサ１１，２１が第１の端子３に共通接続されていたが、図１５に示す第２の実施形態の複合マルチプレクサ５１のように、第１のマルチプレクサ６１及び第２のマルチプレクサ６２がそれぞれ、４つの帯域通過型フィルタ回路６１ａ〜６１ｄ，６２ａ〜６２ｄを有するクワドプレクサであってもよい。この場合、第１のマルチプレクサ６１において、帯域通過型フィルタ回路６１ａ〜６１ｄの第１の端子３とは反対側の端部にそれぞれ、第１のＬＣ回路６３ａ〜６３ｄが接続される。また、第２のＬＣ回路１６が、第２のマルチプレクサ６２と第１の端子３との間に接続される。第２のマルチプレクサ６２も、上記のとおりクワドプレクサである。
【００７４】
このように、本発明においては、第１，第２のマルチプレクサは、デュプレクサに限らず、トリプレクサ、クワドプレクサあるいは５以上の帯域通過型フィルタ回路を有するマルチプレクサであってもよい。また、マルチプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路の数をＮとした場合、第１のマルチプレクサにおいて、Ｎ個のフィルタにそれぞれ、第１のＬＣ回路が接続され、さらに第２のＬＣ回路１６が第１の端子３と第２のマルチプレクサとの間に接続されることになる。従って、第１及び第２のマルチプレクサにおける帯域通過型フィルタ回路の数がＮである場合、全体としてＮ＋１個のＬＣ回路が用いられることになる。
【符号の説明】
【００７５】
１…複合マルチプレクサ
２…アンテナ端子
３…第１の端子
４，５…第２の端子
１１…第１のデュプレクサ
１２，１３，２２，２３…帯域通過型フィルタ回路
１４，１５…第１のＬＣ回路
１６…第２のＬＣ回路
２１…第２のデュプレクサ
３１…弾性波共振子
３２…支持基板
３３…音響多層膜
３３ａ，３３ｃ，３３ｅ…低音響インピーダンス層
３３ｂ，３３ｄ，３３ｆ…高音響インピーダンス層
３４…圧電板
３５…ＩＤＴ電極
４１，４１Ａ，４２，４２Ａ…ＬＣ回路
５１…複合マルチプレクサ
６１…第１のマルチプレクサ
６１ａ〜６１ｄ…帯域通過型フィルタ回路
６２…第２のマルチプレクサ
６２ａ〜６２ｄ…帯域通過型フィルタ回路
６３ａ〜６３ｄ…第１のＬＣ回路
Ｃ１１，Ｃ１２…キャパシタ
Ｌ１〜Ｌ７，Ｌ１１，Ｌ１２…インダクタ
Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ１１〜Ｐ１４…並列腕共振子
Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ１１〜Ｓ１４…直列腕共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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