(57)【要約】【課題】アライメントパターンが特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度の低下を抑制することができるアライメントパターンの設定方法を提供すること。【解決手段】アライメントパターンの設定方法は、ウエーハのストリートの交差部を含む画像を撮像する撮像ステップＳＴ１と、交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面のうちのストリートと互いに異なるデバイスとの境界を含む領域を２つ以上指定する指定ステップＳＴ２と、指定した領域の全てを含む全体図を作成する全体図作成ステップＳＴ３と、全体図のうち、指定した領域以外をマスクするマスクステップＳＴ４と、マスクされた全体図をアライメントパターンとして設定する設定ステップＳＴ５と、アライメントパターンとトリートの幅方向の中心との距離を記憶する記憶ステップＳＴ６とを備える。【選択図】図３
2019050258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートで格子状に区画されたデバイスが形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割する際に、該ストリートの位置を検出するためのアライメントパターンの設定方法であって、
該ストリートの交差部を含む画像を撮像する撮像ステップと、
該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面のうちの該ストリートとデバイスとの境界を含む領域を少なくとも２つ以上指定する指定ステップと、
指定した領域の全てを含む全体図を作成する全体図作成ステップと、
該全体図のうち、指定した領域以外をマスクするマスクステップと、
該マスクされた全体図をアライメントパターンとして設定する設定ステップと、
該アライメントパターンのいずれかの領域と、該ストリートとの距離を記憶する記憶ステップと、
を備える事を特徴とする、アライメントパターンの設定方法。
【請求項２】
該指定ステップは、該ストリートに形成された部品又は加工痕を避けた位置を該領域として指定することを特徴とする請求項１に記載のアライメントパターンの設定方法。
【請求項３】
該指定ステップは、該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面をなぞることにより該領域を指定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のアライメントパターンの設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを分割する際に加工位置を検出する際に用いるアライメントパターンを設定するアライメントパターンの設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハは、表面の格子状の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されている。ウエーハは、レーザー加工装置又は切削装置等の加工装置により分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１等に示された加工装置は、前述したウエーハをフルオート加工で分割する際に、予め設定されたアライメントパターンと加工対象のウエーハを撮像した画像とにパターンマッチング等の画像処理を施して、ウエーハに対する加工手段の位置合わせを行なうアライメントを遂行するとともに、加工手段が加工した加工位置が適切か否かの判定を行うカーフチェックを遂行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２０３８３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１等に示された加工装置の加工対象のウエーハは、前述したアライメント及びカーフチェックを遂行するために、全てのデバイス毎にアライメントパターンが形成されていることと、他の部分と誤認識されることを避けるためにアライメントパターンが他の部分にはない特徴的な部分を含むことが好まれる。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アライメントパターンが特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度の低下を抑制することができるアライメントパターンの設定方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のアライメントパターンの設定方法は、表面に複数のストリートで格子状に区画されたデバイスが形成されたウエーハを該ストリートに沿って分割する際に、該ストリートの位置を検出するためのアライメントパターンの設定方法であって、該ストリートの交差部を含む画像を撮像する撮像ステップと、該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面のうちの該ストリートとデバイスとの境界を含む領域を少なくとも２つ以上指定する指定ステップと、指定した領域の全てを含む全体図を作成する全体図作成ステップと、該全体図のうち、指定した領域以外をマスクするマスクステップと、該マスクされた全体図をアライメントパターンとして設定する設定ステップと、該アライメントパターンのいずれかの領域と、該ストリートの幅方向の中心との距離を記憶する記憶ステップと、を備える事を特徴とする。
【０００８】
前記アライメントパターンの設定方法において、該指定ステップは、該ストリートに形成された部品又は加工痕を避けた位置を該領域として指定しても良い。
【０００９】
前記アライメントパターンの設定方法において、該指定ステップは、該交差部を含む画像が表示された装置のオペレーション画面をなぞることにより該領域を指定しても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明のアライメントパターンの設定方法は、アライメントパターンが特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法が実施されるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３で示されたアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。
【図５】図５は、図４に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した一例を示す図である。
【図６】図６は、図５に示す画像の要部を拡大して示す図である。
【図７】図７は、図５に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法の全体図作成ステップを実施した一例を示す図である。
【図８】図８は、図７に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法のマスクステップを実施した一例を示す図である。
【図９】図９は、アライメントパターンの設定方法の記憶ステップにおいて記憶されるアライメントパターンとストリートとの距離等の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップの画像の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した後の画像の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像に指定ステップを実施した一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法が実施されるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたレーザー加工装置の加工対象のウエーハの斜視図である。
【００１４】
実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法は、半導体製造工程等で用いられる加工装置が、図１及び図２に示すウエーハ１００を分割する際に実施する方法である。加工装置は、ウエーハ１００をレーザー加工により分割する図１に示すレーザー加工装置１、又はウエーハ１００を切削して分割する切削装置である。
【００１５】
ウエーハ１００は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１００は、図２に示すように、表面１０１に複数のストリート１０２によって格子状に区画されたデバイス１０３が形成されている。また、ウエーハ１００は、ストリート１０２に部品であるＴＥＧ（Test  Element  Group）１０４を形成している。ＴＥＧ１０４は、金属等で形成され、デバイス１０３の設計、製造上の問題を見つけ出すためのテストパターンである。ＴＥＧ１０４は、ウエーハ１００のストリート１０２の予め定められた所定位置に配置されている。
【００１６】
また、実施形態１において、ＴＥＧ１０４の配置された位置は、ストリート１０２同士で異なるが、本発明では、ウエーハ１００は、ＴＥＧ１０４の配置された位置が同じストリート１０２を複数備えても良い。なお、図２は、一部のストリート１０２に配置されたＴＥＧ１０４を示し、他のストリート１０２に配置されたＴＥＧ１０４を省略している。また、実施形態１では、ウエーハ１００は、ストリート１０２に部品であるＴＥＧ１０４を形成したが、本発明では、ＴＥＧ１０４に限定されることなく、部品としてＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）用のダミーパターンを形成しても良い。ＣＭＰのダミーパターンは、ＣＭＰ研磨時にウエーハ１００が均一に削れて、厚みのばらつきを抑制するために、ストリート１０２に形成されるものであり、金属、酸化膜又は樹脂等から構成される。また、実施形態１において、ウエーハ１００は、表面１０１の裏側の裏面１０５に粘着テープ１１０が貼着され、粘着テープ１１０の外周に環状フレーム１１１が貼着されることで、環状フレーム１１１と一体となっている。
【００１７】
加工装置の一例としてのレーザー加工装置１は、図１に示すように、ウエーハ１００を保持面１１で吸引保持するとともに回転駆動源により軸心回りに回転可能なチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００が吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハ１００に照射するレーザー光線照射ユニット２０と、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させる図示しないＸ軸移動ユニットと、チャックテーブル１０をＹ軸方向に移動させる図示しないＹ軸移動ユニットとを備える。また、レーザー加工装置１は、レーザー加工前後のウエーハ１００を収容したカセット３０を載置するとともにカセット３０をＺ軸方向に昇降させるカセットエレベータ４０と、カセット３０とチャックテーブル１０との間でウエーハ１００を搬送する図示しない搬送ユニットと、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００を撮像する撮像ユニット５０と、各構成要素を制御するコンピュータである制御ユニット６０とを備える。
【００１８】
レーザー光線照射ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００に対して対向し、かつレーザー光線を照射する加工ヘッド２１を備える。撮像ユニット５０は、レーザー光線照射ユニット２０の加工ヘッド２１に取り付けられている。撮像ユニット５０は、チャックテーブル１０に保持したウエーハ１００の表面１０１を撮影するＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）撮像素子等を備えている。撮像ユニット５０は、撮像して得た画像を制御ユニット６０に出力する。
【００１９】
制御ユニット６０は、レーザー加工装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハ１００に対する加工動作をレーザー加工装置１に実施させるものである。なお、制御ユニット６０は、コンピュータである。制御ユニット６０は、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。
【００２０】
制御ユニット６０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット６０は、加工動作の状態や画像などを表示する表示ユニット７０及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニット８０とが接続されている。
【００２１】
表示ユニット７０は、液晶ディスプレイ（liquid  crystal  display）、有機ＥＬディスプレイ（organic  electro-luminescence  display）、又は無機ＥＬディスプレイ（Inorganic  electro-luminescence  display）等の表示デバイスを含む。表示デバイスの画面７１は、オペレーション画面である。表示ユニット７０は、文字、画像、記号及び図形等を画面内に表示する。また、表示ユニット７０は、撮像ユニット５０が撮像して得た画像を表示する。
【００２２】
入力ユニット８０は、表示ユニット７０を構成する表示デバイスの画面７１に重ねられているタッチパネル８１と、キーボード等の図示しない外部入力装置とを備える。タッチパネル８１は、指、ペン、又はスタイラスペン等の接触又は近接を検出する。タッチパネル８１は、複数の指、ペン、又はスタイラスペン等が接触又は近接したときのタッチパネル８１上の位置を検出することができる。以下の説明において、タッチパネル８１が検出する複数の指、ペン、及びスタイラスペン等が接触又は近接した位置を「検出位置」と表記する。入力ユニット８０は、指等の接触又は近接を、検出位置とともに制御ユニット６０に出力する。
【００２３】
レーザー加工装置１は、レーザー光線照射ユニット２０の加工ヘッド２１からウエーハ１００にレーザー光線を照射しながら、Ｘ軸移動ユニット、回転駆動源、及びＹ軸移動ユニットにチャックテーブル１０と加工ヘッド２１とをストリート１０２に沿って相対的に移動させながらアブレーション加工を施して、ストリート１０２にレーザー加工溝を形成する。実施形態１において、レーザー加工装置１によりストリート１０２にレーザー加工溝が形成されたウエーハ１００は、レーザー加工溝に沿って破断されることなどにより個々のデバイス１０３に分割される。
【００２４】
また、レーザー加工装置１は、制御ユニット６０が、撮像ユニット５０が撮像して得た画像を、表示ユニット７０に出力し、表示ユニット７０に表示させる。制御ユニット６０は、ウエーハ１００のレーザー加工前にウエーハ１００と加工ヘッド２１との位置合わせを行なうアライメントを遂行し、ウエーハ１００のレーザー加工中にストリート１０２に実際に形成されたレーザー加工溝の位置及びレーザー加工溝の幅方向の両縁に形成されるチッピングの大きさを許容できるか否かの判定を行うカーフチェックを遂行する。レーザー加工装置１は、アライメントを遂行する際に、制御ユニット６０が、記憶装置に予め記憶したアライメントパターン２００と撮像ユニット５０が撮像して得た画像とにパターンマッチングなどの画像処理を施す。
【００２５】
次に、実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法を説明する。図３は、実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法の流れを示すフローチャートである。図４は、図３で示されたアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。図５は、図４に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した一例を示す図である。図６は、図５に示す画像の要部を拡大して示す図である。図７は、図５に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法の全体図作成ステップを実施した一例を示す図である。図８は、図７に示された画像に図３で示されたアライメントパターンの設定方法のマスクステップを実施した一例を示す図である。図９は、アライメントパターンの設定方法の記憶ステップにおいて記憶されるアライメントパターンとストリートとの距離等の一例を示す図である。
【００２６】
実施形態１に係るアライメントパターンの設定方法（以下、単に設定方法と記す）は、ウエーハ１００のストリート１０２にレーザー加工溝を形成して、ウエーハ１００をストリート１０２に沿って個々のデバイス１０３に分割する際に、ストリート１０２の位置を検出するためのアライメントパターン２００を設定する方法である。アライメントパターン２００は、レーザー加工装置１の制御ユニット６０がストリート１０２にレーザー加工溝を加工する位置（座標情報）を検出する（即ち、アライメントを遂行する）際のパターンマッチングで用いられる画像情報であって、実施形態１に係る設定方法により設定されて、記憶装置に記憶される。なお、実施形態１において、位置（座標情報）は、ウエーハ１００の予め設定された基準位置からのＸ軸方向及びＹ軸方向の座標を示している。
【００２７】
設定方法は、まず、オペレータが環状フレーム１１１と一体になったウエーハ１００を収容したカセット３０をレーザー加工装置１のカセットエレベータ４０に載置し、オペレータが入力ユニット８０を操作して、アライメントを遂行する際に撮像ユニット５０が撮像するウエーハ１００の表面１０１の位置を制御ユニット６０に登録する。なお、実施形態１において、アライメントを遂行する際に撮像するウエーハ１００の表面１０１の位置は、ストリート１０２同士が交差する交差部１０６（図２に示す）を撮像できる位置である。設定方法は、図３に示すように、撮像ステップＳＴ１と、指定ステップＳＴ２と、全体図作成ステップＳＴ３と、マスクステップＳＴ４と、設定ステップＳＴ５と、記憶ステップＳＴ６とを備える。
【００２８】
撮像ステップＳＴ１は、ウエーハ１００のストリート１０２の交差部１０６を含む画像３００（図４に示す）を撮像するステップである。撮像ステップＳＴ１では、オペレータが入力ユニット８０を操作して、アライメントパターン２００の設定開始指示を入力すると、制御ユニット６０が、搬送ユニットにカセット３０からレーザー加工前のウエーハ１００を１枚取り出させてチャックテーブル１０の保持面１１に載置させ、チャックテーブル１０の保持面１１にウエーハ１００を吸引保持する。
【００２９】
次に、制御ユニット６０は、Ｘ軸移動ユニットによりチャックテーブル１０をレーザー光線照射ユニット２０の加工ヘッド２１の下方に向かって移動させて、加工ヘッド２１に取り付けられた撮像ユニット５０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハ１００のアライメント遂行時に撮像する位置を配置し、撮像ユニット５０にウエーハ１００の表面１０１を撮像させる。制御ユニット６０は、図４に示すように、撮像ユニット５０が撮像して得たウエーハ１００の表面１０１のストリート１０２の交差部１０６を含む画像３００を表示ユニット７０のオペレーション画面である画面７１に表示する。なお、画像３００は、撮像ユニット５０が撮像して得た画像であるために、所定の階調で光の強弱が示された画像、即ち、濃淡を有する画像となっている。設定方法は、画像３００を表示ユニット７０の画面７１に表示すると、指定ステップＳＴ２に進む。
【００３０】
指定ステップＳＴ２は、交差部１０６を含む画像３００が表示された装置である表示ユニット７０の画面７１のうちのストリート１０２と互いに異なるデバイス１０３との境界を含む領域４００を少なくとも２つ以上指定するステップである。実施形態において、指定ステップＳＴ２では、オペレータが表示ユニット７０の画面７１に表示された画像３００のストリート１０２と各デバイス１０３との境界を含み、ストリート１０２に配置されたＴＥＧ１０４を避けた位置を囲む領域４００の外縁にスタイラスペン９０を接触させて移動させて、スタイラスペン９０でなぞる。
【００３１】
指定ステップＳＴ２では、制御ユニット６０は、入力ユニット８０のタッチパネル８１のスタイラスペン９０の検出位置から、スタイラスペン９０が画面７１上を移動した軌跡を領域４００の外縁の位置として検出し、記憶装置に記憶する。なお、実施形態１において、指定ステップＳＴ２において、スタイラスペン９０でなぞったが、本発明では、スタイラスペン９０に限らず、指、又はペンでなぞっても良い。
【００３２】
なお、制御ユニット６０は、領域４００の外縁の位置を検出し記憶する際には、表示ユニット７０の画面７１のピクセル単位で入力ユニット８０のタッチパネル８１がスタイラスペン９０の位置を検出するとともに、タッチパネル８１のスタイラスペン９０の検出位置のピクセルを例えば「１」とし、検出位置を除くピクセルを例えば「０」と数値化する。制御ユニット６０は、前述したように数値化したピクセルの位置、及び登録されたアライメントを遂行する際に撮像ユニット５０が撮像するウエーハ１００の表面１０１の位置等から領域４００の外縁の位置を算出して、領域４００を指定する。また、指定ステップＳＴ２では、制御ユニット６０は、図５に示すように、表示ユニット７０の画面７１に指定された領域４００を表示する。また、実施形態１において、指定ステップＳＴ２では、４つの領域４００を指定するが、本発明では、４つに限らず、２つ以上の領域４００を指定すれば良い。
【００３３】
なお、制御ユニット６０は、領域４００の外縁が図６に示すように途切れている場合には、途切れた両端４０１，４０２同士を図６中の点線のように最短を通る線で結んで、領域４００の外縁の位置を算出する。こうして、指定ステップＳＴ２では、オペレータが表示ユニット７０の画面７１に表示された画像３００のストリート１０２とデバイス１０３との境界を含みかつストリート１０２に配置されたＴＥＧ１０４を避けた位置を、領域４００として少なくとも２つ以上指定する。また、指定ステップＳＴ２では、オペレータが表示ユニット７０の画像３００が表示された画面７１をスタイラスペン９０でなぞることにより領域４００を指定する。設定方法は、オペレータが入力ユニット８０を操作して、領域４００の指定が完了した旨を入力すると、全体図作成ステップＳＴ３に進む。
【００３４】
全体図作成ステップＳＴ３は、指定ステップＳＴ２において指定した領域４００の全てを含む全体図５００を作成するステップである。全体図作成ステップＳＴ３では、制御ユニット６０は、指定された各領域４００のＸ軸方向及びＹ軸方向それぞれの座標のうち最大の座標と最小の座標とを算出する。制御ユニット６０は、全ての領域４００のＸ軸方向の複数の最大の座標のうちの最大のＸ軸方向座標５０１と、複数の最小の座標のうちの最小のＸ軸方向座標５０２とを算出するとともに、全ての領域４００のＹ軸方向の複数の最大の座標のうちの最大のＹ軸方向座標５０３と、複数の最小の座標のうちの最小のＹ軸方向座標５０４とを算出する。
【００３５】
制御ユニット６０は、最大のＸ軸方向座標５０１と、最小のＸ軸方向座標５０２と、最大のＹ軸方向座標５０３と、最小のＹ軸方向座標５０４とで囲まれた領域を全体図５００として作成する。全体図作成ステップＳＴ３では、制御ユニット６０は、図７に示すように、表示ユニット７０の画面７１に全体図５００を表示する。設定方法は、制御ユニット６０が全体図５００を作成すると、マスクステップＳＴ４に進む。
【００３６】
マスクステップＳＴ４は、全体図５００のうち、指定した領域４００以外をマスクするステップである。マスクステップＳＴ４では、制御ユニット６０は、表示ユニット７０に表示された全体図５００のうちの全ての領域４００の外側を図８に網掛けで示すように黒色にする画像処理を行ってマスク５１０を形成する。即ち、マスクステップＳＴ４では、制御ユニット６０は、全体図５００のうちの全ての領域４００の外側をマスク５１０として形成する。なお、本発明では、マスクステップＳＴ４において、制御ユニット６０は、表示ユニット７０に表示された全体図５００のうちの全ての領域４００の外側を白色にする画像処理を行ってマスク５１０を形成しても良い。設定方法は、制御ユニット６０がマスク５１０を形成すると、設定ステップＳＴ５に進む。
【００３７】
設定ステップＳＴ５は、マスク５１０が形成された全体図５００をアライメントパターン２００として設定するステップである。設定ステップＳＴ５では、制御ユニット６０は、所定の階調の光の強弱で示された各領域４００とマスク５１０とを含む全体図５００をアライメントパターン２００として設定し、記憶装置に記憶する。設定方法は、制御ユニット６０がアライメントパターン２００を記憶すると、記憶ステップＳＴ６に進む。
【００３８】
記憶ステップＳＴ６は、アライメントパターン２００のいずれの領域４００と、ストリート１０２の幅方向の中心１０７との距離２０１（図９に示す）を記憶するステップである。なお、本発明は、記憶ステップＳＴ６において、いずれの領域４００と、ストリート１０２の端との距離を記憶しても良く、要するに、いずれの領域４００と、ストリート１０２の任意の位置との距離を記憶すれば良い。記憶ステップＳＴ６では、オペレータが入力ユニット８０を操作し、アライメントパターン２００の複数の領域４００のうちのいずれか一つとストリート１０２の幅方向の中心１０７との距離２０１を入力し、制御ユニット６０は、入力された距離２０１を記憶装置に記憶するとともに、図９に示すように、表示ユニット７０の画面７１にストリート１０２の中心１０７を表示する。設定方法は、制御ユニット６０が、距離２０１を記憶すると終了する。
【００３９】
前述したようにアライメントパターン２００が設定されたレーザー加工装置１の制御ユニット６０は、アライメントを遂行する際に、ウエーハ１００の表面１０１のうちの予め登録されたアライメント遂行時に撮像する位置を撮像ユニット５０に撮像させる。制御ユニット６０は、アライメントを遂行する際に、撮像ユニット５０が撮像して得た画像と、アライメントパターン２００の領域４００の画像とにパターンマッチングなどの画像処理を施す。制御ユニット６０は、画像処理の結果に基づいて、撮像ユニット５０が撮像して得た画像等からストリート１０２の位置を割り出す。
【００４０】
制御ユニット６０は、互いに直交するストリート１０２のうち一方がＸ軸方向と平行になるようにチャックテーブル１０を軸心回りに回転させ、領域４００から記憶ステップＳＴ６で記憶された距離２０１となる位置にレーザー光線が照射されるように、ウエーハ１００とレーザー光線照射ユニット２０の加工ヘッド２１との位置合わせを行う。そして、制御ユニット６０は、回転駆動源にウエーハ１００を軸心回りに９０度回転して、互いに直交するストリート１０２のうちの他方のアライメントを一方と同様に遂行する。そして、制御ユニット６０は、加工条件に基づいて、Ｘ軸移動ユニットとＹ軸移動ユニットと回転駆動源により、レーザー光線照射ユニット２０の加工ヘッド２１とウエーハ１００とをストリート１０２に沿って相対的に移動させて、ストリート１０２にレーザー加工溝を形成する。
【００４１】
実施形態１に係る設定方法は、指定ステップＳＴ２において、ストリート１０２と互いに異なるデバイス１０３との境界を含む領域４００を４つ指定する。このために、設定方法は、複数のストリート１０２とデバイス１０３との境界を含む領域４００をアライメントパターン２００に含めることとなる。その結果、設定方法は、複数のストリート１０２とデバイス１０３との境界を含む領域４００を複数用いてアライメントを行うことを可能とするので、領域４００即ちアライメントパターン２００が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
【００４２】
また、実施形態１に係る設定方法は、指定ステップＳＴ２において、ストリート１０２に配設されたＴＥＧ１０４を避けた位置を領域４００として指定し、マスクステップＳＴ４において全体図５００の領域４００の外側をマスク５１０に形成する。このために、設定方法で設定されたアライメントパターン２００がストリート１０２に配設されたＴＥＧ１０４を含むことを抑制することができる。その結果、設定方法は、アライメントパターン２００が光を反射するＴＥＧ１０４を含むことを抑制することができるので、アライメントの精度の低下を抑制することができる。
【００４３】
また、実施形態１に係る設定方法は、表示ユニット７０の画面７１をなぞって領域４００を指定するので、領域４００を容易に指定することができ、アライメントパターン２００を容易に設定することができる。
【００４４】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基いて説明する。図１０は、実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップの画像の一例を示す図である。図１１は、実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法の指定ステップを実施した後の画像の一例を示す図である。なお、図１０及び図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
実施形態２に係るアライメントパターンの設定方法（以下、単に設定方法と記す）は、実施形態１と指定ステップＳＴ２が異なること以外、実施形態１の設定方法と同じである。
【００４６】
実施形態２に係る設定方法の指定ステップＳＴ２では、制御ユニット６０は、図１０に示すように、表示ユニット７０の画面７１の表示された画像３００内に指定領域６００を表示し、入力ユニット８０からのオペレータの操作通りに指定領域６００を画像３００上で移動させる。制御ユニット６０は、入力ユニット８０から指定領域６００の位置を決定するオペレータの操作が入力すると、図１１に示すように、決定された指定領域６００を前述した領域４００として実施形態１と同様に指定する（外縁の位置を算出して記憶する）。なお、実施形態２において、指定領域６００の平面形状を矩形状とし、画像３００上に指定領域６００の各隅部６０１のみ表示しているが、本発明では、指定領域６００の形状及び表示方法は、実施形態２に示されているものに限定されない。
【００４７】
実施形態２に係る設定方法は、指定ステップＳＴ２において、ストリート１０２と互いに異なるデバイス１０３との境界を含む領域４００を４つ指定する。このために、設定方法は、複数のストリート１０２とデバイス１０３との境界を含む領域４００をアライメントパターン２００に複数含めることとなり、実施形態１と同様に、領域４００即ちアライメントパターン２００が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
【００４８】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法を図面に基いて説明する。図１２は、実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像の一例を示す図である。図１３は、実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法の撮像ステップで得た画像に指定ステップを実施した一例を示す図である。なお、図１２及び図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
実施形態３に係るアライメントパターンの設定方法（以下、単に設定方法と記す）は、図１２に示すように、ウエーハ１００の各ストリート１０２に加工痕であるレーザーグルービング痕が配置されていること以外、実施形態１の設定方法と同じである。レーザーグルービング痕１０８は、ウエーハ１００の表面１０１に低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が形成されている場合に、切削加工によって低誘電率絶縁体被膜が剥がれることなどを抑制するために、各ストリート１０２の幅方向の両端それぞれに形成される。レーザーグルービング痕１０８は、各ストリート１０２の幅方向の両端にレーザー光線を用いたアブレーション加工が施されて、ストリート１０２と平行に形成された所謂レーザー加工溝である。なお、低誘電率絶縁体被膜は、ＳｉＯＦ又はＢＳＧ（ＳｉＯＢ）のような無機物系の膜とポリイミド系又はパリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜とから構成されている。
【００５０】
実施形態３に係る設定方法の指定ステップＳＴ２では、オペレータが表示ユニット７０の画面７１に表示された画像３００のストリート１０２と各デバイス１０３との境界を含み、ストリート１０２に配置されたＴＥＧ１０４及びレーザーグルービング痕１０８を避けた位置を囲む領域４００の外縁をスタイラスペン９０でなぞって、制御ユニット６０が、領域４００の外縁の位置を算出して、領域４００を指定する。また、指定ステップＳＴ２では、制御ユニット６０は、図１３に示すように、表示ユニット７０の画面７１に指定された領域４００を表示する。このように、実施形態３に係る設定方法の指定ステップＳＴ２では、ＴＥＧ１０４及びレーザーグルービング痕１０８を避けた位置を領域４００として指定するが、本発明は、ストリート１０２にＴＥＧ１０４が配置されていなく、レーザーグルービング痕１０８のみが配置されている場合、指定ステップＳＴ２では、レーザーグルービング痕１０８を避けた位置を領域４００として指定するのが望ましい。即ち、本発明は、指定ステップＳＴ２では、ＴＥＧ１０４やＣＭＰ用のダミーパターンなどの部品と、加工痕であるレーザーグルービング痕１０８との少なくとも一方を避けた位置を領域４００として指定する。
【００５１】
実施形態３に係る設定方法は、指定ステップＳＴ２において、ストリート１０２と互いに異なるデバイス１０３との境界を含む領域４００を４つ指定する。このために、設定方法は、実施形態１と同様に、領域４００即ちアライメントパターン２００が特徴的な部分を含まなくても、アライメントの精度が低下することを抑制することができる。
【００５２】
また、実施形態３に係る設定方法は、指定ステップＳＴ２において、ストリート１０２に配設されたＴＥＧ１０４及びレーザーグルービング痕１０８を避けた位置を領域４００として指定する。その結果、設定方法は、アライメントパターン２００が光を反射するＴＥＧ１０４及びレーザーグルービング痕１０８を含むことを抑制することができるので、アライメントの精度の低下を抑制することができる。
【００５３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、前述した実施形態１及び実施形態２では、加工装置の一例としてレーザー加工装置１を記載しているが、本発明のアライメントパターンの設定方法は、切削装置に用いられても良い。
【符号の説明】
【００５４】
７０  表示ユニット（装置）
７１  画面（オペレーション画面）
１００  ウエーハ
１０１  表面
１０２  ストリート
１０３  デバイス
１０４  ＴＥＧ（部品）
１０６  交差部
１０７  中心
２００  アライメントパターン
２０１  距離
３００  画像
４００  領域
５００  全体図
ＳＴ１  撮像ステップ
ＳＴ２  指定ステップ
ＳＴ３  全体図作成ステップ
ＳＴ４  マスクステップ
ＳＴ５  設定ステップ
ＳＴ６  記憶ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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