(57)【要約】【課題】絶縁破壊が起こりにくい半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】半導体レーザモジュール１は、基板１０と、レーザ光Ｌを出射する半導体レーザ素子５０と、半導体レーザ素子５０に電力を供給する導電部７０とを備える。導電部７０は、本体部３１，４１と、本体部３１，４１から延出する延出部３２，４２とを有する。また、半導体レーザモジュール１は、その上面２０Ａ側に半導体レーザ素子５０と導電部７０とが設けられるとともに、その下面が基板１０に固定されるサブマウント２０とを備える。基板１０は、サブマウント配置領域１３と、サブマウント配置領域１３の縁部から下方に窪む溝領域（溝１１，１２）とを含む。平面視において、延出部３２，４２の仮想延出部Ｓ３２，Ｓ４２が溝１１，１２上を通る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子に電力を供給する導電部であって、本体部と、前記本体部から延出する少なくとも１つの延出部とを有する導電部と、
その上面側に前記半導体レーザ素子と前記導電部とが設けられるとともに、その下面が前記基板に固定されるサブマウントと
を備え、
前記基板は、
前記サブマウントが配置されるサブマウント配置領域と、
前記サブマウント配置領域の縁部から下方に窪む溝領域と
を含み、
前記少なくとも１つの延出部の延出端からその延出方向に延出させた仮想延出部が平面視において前記溝領域上を通る、
半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記少なくとも１つの延出部は、平面視において前記サブマウントの前記縁部まで延びる、請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記仮想延出部の全幅が平面視において前記溝領域上を通る、請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記サブマウントは、前記溝領域上に張り出す張出部を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
平面視において、前記溝領域が前記導電部の前記本体部の外側に位置している、請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記少なくとも１つの延出部は同一方向に延出する少なくとも２つの延出部を含み、
前記溝領域は単一の溝から形成されており、
前記少なくとも２つの延出部のそれぞれからの延長線上に前記単一の溝が位置している、
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記少なくとも１つの延出部は、前記導電部を電気めっきにより形成するために設けられたシード層の一部である、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記少なくとも１つの延出部の上下方向における厚さが、前記本体部の前記上下方向における厚さよりも薄い、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
前記サブマウントの側面には、空気よりも絶縁抵抗値の大きい樹脂が形成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
前記樹脂が、前記少なくとも１つの延出部を覆っている、請求項９に記載の半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュールに係り、特にレーザ光を発する半導体レーザ素子を備える半導体レーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
このような半導体レーザモジュールは、一般的に、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子に電力を供給する導電部と、半導体レーザ素子や導電部が実装されるサブマウントと、半導体レーザ素子から発せられた光を光ファイバに結合させるためのレンズと、サブマウントやレンズなどが固定される基板とを備える。
【０００３】
このような半導体レーザモジュールとして、樹脂を用いてレンズをサブマウントの側面に固定した半導体レーザモジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体レーザモジュールでは、レンズをサブマウントに固定する際に樹脂が半導体レーザ素子の出力側端に流れ込むことを防止するために、出力側のサブマウントの縁部（端面）に向かって延出する延出部が導電部の出力側端部に形成される。
【０００４】
しかしながら、このような構成では、導電部の端部に延出部が形成されているため、サブマウントを基板に固定する際に用いられる半田がサブマウントの上記端面を這い上がってくると、延出部からの空間距離が短くなって絶縁破壊が起こる問題が生じる。なお、このような問題は、特許文献１に記載された半導体レーザモジュールだけでなく、導電部に延出部が形成されたその他の半導体レーザモジュールにも生じるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６０９７８２７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、絶縁破壊が起こりにくい半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、絶縁破壊が起こりにくい半導体レーザモジュールが提供される。この半導体レーザモジュールは、基板と、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、上記半導体レーザ素子に電力を供給する導電部とを備える。この導電部は、本体部と、上記本体部から延出する少なくとも１つの延出部とを有する。この半導体レーザモジュールは、その上面側に上記半導体レーザ素子と上記導電部とが設けられるとともに、その下面が上記基板に固定されるサブマウントとを備える。上記基板は、上記サブマウントが配置されるサブマウント配置領域と、上記サブマウント配置領域の縁部から下方に窪む溝領域とを含む。上記少なくとも１つの延出部の延出端からその延出方向に延出させた仮想延出部が平面視において上記溝領域上を通る。
【０００８】
このような構成によれば、少なくとも１つの延出部の延出端からその延出方向に延出させた仮想延出部が、平面視においてサブマウント配置領域の縁部から下方に窪む溝領域上を通るため、サブマウントを基板に固定する際に例えば半田などの導電性の固定材料がはみ出しても、はみ出した固定材料が上方に這い上がってくることが抑制され、溝領域に流れ落ちる。したがって、延出部からの空間距離が短くなってしまうことが抑制され、絶縁破壊が起こりにくくなる。
【０００９】
ここで、上記少なくとも１つの延出部が、平面視において上記サブマウントの上記縁部まで延びていてもよい。このような場合であっても、上記溝領域が基板に形成されているため、固定材料が這い上がってくることが抑制され、絶縁破壊が起こりにくくなる。
【００１０】
ところで、上記仮想延出部の全幅が平面視において上記溝領域上を通ることが好ましい。このような構成によれば、延出部の全幅にわたって固定材料が溝領域に流れ落ちるため、絶縁破壊がより起こりにくくなる。
【００１１】
また、上記サブマウントは、上記溝領域上に張り出す張出部を含むことが好ましい。このような構成によれば、延出部から基板までの空間距離が広がるため、絶縁破壊がより起こりにくくなる。
【００１２】
なお、サブマウントの一部に上記張出部が含まれる場合には、平面視において、上記溝領域が上記導電部の上記本体部の外側に位置していることが好ましい。このような構成により、サブマウントの一部が溝領域上に張り出している場合でも、放熱を効果的に行うことができる。
【００１３】
ところで、上記少なくとも１つの延出部は同一方向に延出する少なくとも２つの延出部を含んでもよい。また、上記溝領域は単一の溝から形成されてもよい。この場合において、上記少なくとも２つの延出部のそれぞれからの延長線上に上記単一の溝が位置してもよい。このような構成によれば、単一の溝で複数の延出部において絶縁破壊が起こることを抑制することができる。
【００１４】
ところで、上記少なくとも１つの延出部は、上記導電部を電気めっきにより形成するために設けられたシード層の一部であってもよい。或いは、上記少なくとも１つの延出部の上下方向における厚さが、上記本体部の上記上下方向における厚さよりも薄くてもよい。すなわち、本発明によれば、延出部が電気めっきのためのシード層の一部であっても、上記溝領域が基板に形成されていることにより、絶縁破壊が効果的に抑制される。
【００１５】
ところで、上記サブマウントの側面には、空気よりも絶縁抵抗値の大きい樹脂が形成されていることが好ましい。このような構成によれば、延出部から基板までの空間距離が広がるため、絶縁破壊がより起こりにくくなる。
【００１６】
なお、上記サブマウントの側面に上記樹脂を形成する場合には、上記樹脂が、上記少なくとも１つの延出部を覆っていることが好ましい。このような構成によれば、絶縁破壊がより効果的に防止される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、絶縁破壊が起こりにくい半導体レーザモジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、図２に示される半導体レーザモジュールの導電部の製造方法を例示的に示す図である。
【図４】図４は、図２に示される半導体レーザモジュールの導電部の製造方法を例示的に示す図である。
【図５】図５は、図１に示される半導体レーザモジュールの作用を説明するための図である。
【図６】図６は、図１に示される半導体レーザモジュールの変形例を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。
【図８】図８は、図７のＢ−Ｂ線断面のうち溝領域の一部を拡大して示す部分拡大断面図である。
【図９】図９は、本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュールを示す平面図である。
【図１０】図１０は、図９のＣ−Ｃ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る半導体レーザモジュールの実施形態について図１から図１０を参照して詳細に説明する。なお、図１から図１０において、同一又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、図１から図１０においては、各構成要素の縮尺や寸法が誇張されて示されている場合や一部の構成要素が省略されている場合がある。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態における半導体レーザモジュール１を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１は、基板１０と、基板１０上に固定されたサブマウント２０と、サブマウント２０上に実装された導電部７０と、導電部７０上に設けられた半導体レーザ素子５０と、半導体レーザ素子５０から＋Ｘ方向に出射されたレーザ光Ｌをコリメートするコリメートレンズ６０とを備えている。このコリメートレンズ６０は、基板１０上に固定されたレンズ固定ブロック６１に片持ち梁状に固定されている。なお、以下、本明細書において、＋Ｘ方向側を「前方」、−Ｘ方向側を「後方」と言うことがある。
【００２１】
基板１０は、熱伝導性に優れた金属（例えば、銅）から形成されており、その上面１０Ａには、下方（−Ｚ方向）に窪む２つの溝１１，１２が形成されている。すなわち、基板１０には、２つ溝１１，１２からなる溝領域が形成されている。
【００２２】
サブマウント２０は、略直方体の外形を有しており、熱伝導性に優れかつ少なくとも空気よりも絶縁抵抗値（絶縁破壊が生じる電圧）が大きい材料（例えば、窒化アルミニウム）から形成されている。このサブマウント２０の下面は、導電性の固定材料の一例としての半田を介して基板１０の上面１０Ａに固定されている。一方、サブマウント２０の上面２０Ａには導電部７０が実装されている。本明細書では、図１の平面視において、サブマウント２０が基板１０に重なる領域を「サブマウント配置領域」という。図２に示すように、上述の溝領域（溝１１，１２）は、サブマウント配置領域１３の縁部から下方に窪んでいる。
【００２３】
図１に示すように、導電部７０は、サブマウント２０の上面２０Ａの大部分に実装されている。この導電部７０は、互いにＹ方向に離間する２つの導電部（すなわち、−Ｙ方向側に位置する第１の導電部３０及び＋Ｙ方向側に位置する第２の導電部４０）を含んでいる。第１の導電部３０は、略短冊状の本体部３１と、本体部３１の前方端部３１Ａから前方に延出する延出部３２とを有している。本実施形態において、この延出部３２は、サブマウント２０の前方縁部２１まで延びている。同様に、第２の導電部４０は、略短冊状の本体部４１と、本体部４１の前方端部４１Ａから前方に延出する延出部４２とを有している。本実施形態において、この延出部４２は、サブマウント２０の前方縁部２１まで延びている。
【００２４】
第２の導電部４０の本体部４１の上面４１Ｂには、半導体レーザ素子５０が実装されている。この半導体レーザ素子５０は、本体部４１の前方端部４１Ａから後方端部近傍まで延びており、複数のボンディングワイヤ５１を介して第１の導電部３０と電気的に接続されている。すなわち、第１の導電部３０と、第２の導電部４０と、半導体レーザ素子５０とは、ボンディングワイヤ５１を介して電気的に接続されており、第１の導電部３０及び第２の導電部４０のそれぞれに接続されたリード線（図示せず）を介して電力が供給されることにより、半導体レーザ素子５０からレーザ光Ｌが出射されるようになっている。なお、図２では、理解を容易にするために、ボンディングワイヤ５１の図示が省略されている。
【００２５】
図１及び図２に示すように、第１の導電部３０は、サブマウント２０の上面２０Ａに形成されたシード層３４上に導電層３３が形成された積層構造をなしている。シード層３４は、サブマウント２０の前方縁部２１から後方縁部２２の近傍まで延びている。一方、導電層３３は、本体部３１の前方端部３１Ａからシード層３４の後端部まで延びている。すなわち、シード層３４は、導電層３３の直下に位置する第１の部分３４Ａと、導電層３３から外側にはみ出す第２の部分３４Ｂとを含んでいる。本実施形態において、第１の導電部３０の本体部３１は、導電層３３とシード層３４の第１の部分３４Ａとから形成されており、延出部３２はシード層３４の第２の部分３４Ｂから形成されている。
【００２６】
図１に示すように、第２の導電部４０は、第１の導電部３０と同様に、シード層４４上に導電層４３が形成された積層構造をなしている。シード層４４は、導電層４３の直下に位置する第１の部分４４Ａと、導電層４３から外側にはみ出す第２の部分４４Ｂとを含んでいる。本実施形態において、第２の導電部４０の本体部４１は、導電層４３とシード層４４の第１の部分４４Ａとから形成されており、延出部４２はシード層４４の第２の部分４４Ｂから形成されている。
【００２７】
このようなサブマウント２０と導電部７０とから構成されるアセンブリ９０は、例えば以下のようにして製造することができる。まず、図３に示すように、サブマウント２０の約２倍の寸法を有するアセンブリマウント９２０を用意する。次に、アセンブリマウント９２０の上面９２０Ａの略半分の領域に、面積の小さい第１の部分９３４Ａと、面積の大きい第３の部分９３４Ｃと、第１の部分９３４Ａと第３の部分９３４Ｃとを連結する第２の部分９３４Ｂとを有する第１のアセンブリシード層９３４を形成する。また、アセンブリマウント９２０の上面９２０Ａの残り略半分の領域に、上面９２０Ａの中心に対して第１のアセンブリシード層９３４と略点対称な第２のアセンブリシード層９４４を形成する。すなわち、この第２のアセンブリシード層９４４は、第１のアセンブリシード層９３４の第１の部分９３４Ａに隣接する第１の部分９４４Ａと、第１のアセンブリシード層９３４の第３の部分９３４Ｃに隣接する第３の部分９４４Ｃと、第１の部分９４４Ａと第３の部分９４４Ｃとを連結する第２の部分９４４Ｂとを有している。
【００２８】
次に、このようなアセンブリマウント９２０とアセンブリシード層９３４，９４４とからなるめっき前アセンブリ９１０を、導電層を形成する金属のイオンを含むめっき液に浸す。また、導電層を形成する金属からなる金属棒を上記めっき液に浸す。そして、アセンブリシード層９３４，９４４の第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂと、上記金属棒との双方に電極を接続して電圧を印加すると、金属棒（めっきしようとする金属）側が陽極、第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂ側が陰極となって、アセンブリシード層９３４，９４４で還元反応が起こり、めっきしようとする金属がアセンブリシード層９３４，９４４上に析出する。その結果、図４に示すように、電極が接続されている第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂ以外の部分（すなわち、第１の部分９３４Ａ，９４４Ａ及び第３の部分９３４Ｃ，９４４Ｃ）に導電層が形成される（電気めっき）。そして、導電層が形成されためっき後アセンブリ９１１を、第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂの真ん中で切断して２分割することにより、アセンブリ９０が２つ形成される。
【００２９】
このような工程によれば、単一のアセンブリマウント９２０から２つのアセンブリ９０を同時に形成することができるため、スループットが向上する。
【００３０】
本実施形態において、第１の導電部３０の延出部３２及び第２の導電部４０の延出部４２は、上述の電気めっき工程において電極が接続された第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂに相当する部分であり、シード層が露出した状態になっている。また、サブマウント２０の前方縁部２１は、めっき後アセンブリ９１１を２分割した際のアセンブリマウント９２０の切断面に相当する部分である。また、延出部３２，４２の延出端３２Ａ，４２Ａは、めっき後アセンブリ９１１を２分割した際の第２の部分９３４Ｂ，９４４Ｂの切断面に相当する部分である。
【００３１】
図１及び図２に戻って、サブマウント２０の前方縁部２１のうち延出端３２Ａ，４２Ａが位置する部分よりも前方側には、基板１０の上面１０Ａから下方に窪む溝１１，１２が所定の範囲にわたって形成されている。図１の平面視において、溝１１は、延出端３２ＡのＹ方向における外側まで広がっている。より具体的には、延出部３２の延出端３２Ａからさらに前方に延出する仮想延出部Ｓ３２を規定した場合において、図１の平面視において、仮想延出部Ｓ３２の全幅（Ｙ方向の全長）が溝１１上を通っている。
【００３２】
同様に、図１の平面視において、溝１２は、延出端４２ＡのＹ方向における外側まで広がっている。より具体的には、延出部４２の延出端４２Ａからさらに前方に延出する仮想延出部Ｓ４２を規定した場合において、図１の平面視において、仮想延出部Ｓ４２の全幅が溝１２上を通っている。
【００３３】
ところで、半導体レーザモジュール１に高電圧が印加されると、導電部７０と基板１０との間で絶縁破壊が起こるおそれがある。ここで、導電部７０を実装するサブマウント２０は、上述のように、空気よりも絶縁抵抗値が大きい材料から形成されるため、サブマウント２０を媒体とした絶縁破壊は起こりにくく、実質的に空気が絶縁破壊の媒体となる。そのため、絶縁破壊の発生を抑制するためには、導電部７０と基板１０との間の空間距離（２つの導電性部分間の空間を通る最短距離）をある程度広げる必要がある。本実施形態では、上述の電気めっき工程によって、本体部３１，４１から前方縁部２１まで延出する延出部３２，４２が導電部７０に形成されている（図１参照）。したがって、図２に示すように、導電部７０から基板１０までの空間距離は、延出端３２Ａ，４２Ａのそれぞれの下端部から基板１０の上面１０Ａまでの垂直距離Ｃ１（換言すれば、サブマウント２０のＺ方向における厚さ）に相当する。本実施形態では、この垂直距離Ｃ１が絶縁破壊の発生が抑制される距離（抑制距離）以上になるように設計される。
【００３４】
しかしながら、垂直距離Ｃ１を抑制距離以上に設計した場合でも、以下のような問題が生じ得る。すなわち、上述のように、サブマウント２０は基板１０に半田付けされるが、この半田付けの際に、図５に示すように、半田８０がサブマウント２０の前方縁部２１を這い上がってくる場合がある。この場合、延出端３２Ａ，４２Ａのそれぞれの下端部から、這い上がってきた半田８０の上端部８０Ａまでの空間距離は、垂直距離Ｃ２（＜垂直距離Ｃ１）であるため、垂直距離Ｃ１を抑制距離以上としても、導電部７０と半田８０との間で絶縁破壊が起こってしまう。
【００３５】
この点に関し、本実施形態における半導体レーザモジュール１によれば、図１及び図２に示すように、前方縁部２１のうち延出端３２Ａ，４２Ａが位置する部分の直下に、基板１０の上面１０Ａから下方に窪む溝１１，１２が形成されている。このような構成によれば、半田がはみ出してきても、はみ出してきた半田は、前方縁部２１を這い上がることが抑制されて溝１１，１２に流れ落ちていく。このため、図５の場合と異なり、導電部７０からの空間距離が短くなってしまうことが抑制され、絶縁破壊が起こりにくくなる。
【００３６】
また、本実施形態によれば、溝１１，１２が延出端３２Ａ，４２Ａのそれぞれの外側まで広がっていることにより、はみ出してきた半田が延出端３２Ａ，４２ＡのＹ方向の全幅にわたって溝１１，１２に流れ落ちるため、絶縁破壊がより起こりにくくなる。
【００３７】
なお、上述の実施形態では、延出部３２，４２が平面視においてサブマウント２０の前方縁部２１まで延びている例を説明したが（図１参照）、必ずしも延出部３２，４２が前方縁部２１まで延びている必要はない。すなわち、図６に示すように、延出部７３２が前方縁部２１まで延びていない場合でも、延出部７３２の延出端７３２Ａから前方に延出する仮想延出部Ｓ７３２が、平面視において溝７１１を通っていれば、半田が延出端７３２Ａに向かって這い上がってくることが抑制されるため、絶縁破壊が起こりにくくなる。同様に、延出部７４２が前方縁部２１まで延びていない場合でも、延出部７４２の延出端７４２Ａから前方に延出する仮想延出部Ｓ７４２が、平面視において溝７１２を通っていればからの仮想延長線Ｍ６上に位置する前方縁部２１の部分から下方に窪む溝７１２が基板７１０に形成されていれば、半田が延出端７４２Ａに向かって這い上がってくることが抑制されるため、絶縁破壊が起こりにくくなる。
【００３８】
また、上述の実施形態では、平面視において仮想延出部Ｓ３２，Ｓ４２の全幅が溝１１，１２上を通っている例を説明したが（図１参照）、必ずしも仮想延出部Ｓ３２，Ｓ４２の全幅が溝１１，１２上を通っている必要はない。すなわち、図６に示すように、平面視において仮想延出部Ｓ７３２の全幅の一部が溝７１１を通っていれば、仮想延出部Ｓ７３２と溝７１１との重複部分Ｓ７３２Ａにおいて半田の這い上がりが抑制されるため、絶縁破壊が起こりにくくなる。同様に、仮想延出部Ｓ７４２の全幅の一部が溝７１２を通っていれば、仮想延出部Ｓ７４２と溝７１２との重複部分Ｓ７４２Ａにおいて半田の這い上がりが抑制されるため、絶縁破壊が起こりにくくなる。
【００３９】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態における半導体レーザモジュール１０１について説明する。ここで、図７は半導体レーザモジュール１０１を示す平面図、図８は図７のＢ−Ｂ線断面のうち溝１１１の近傍を拡大して示す部分拡大断面図である。なお、図８では、図２と同様にボンディングワイヤ５１の図示が省略されている。
【００４０】
図７及び図８に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１は、基板１１０を有している。この基板１１０には、半導体レーザモジュール１の溝１１，１２に比べて大きな溝１１１，１１２が形成されている。本実施形態において、サブマウント２０は、これらの溝１１１，１１２上に一部が張り出すように基板１１０に固定されている。換言すれば、本実施形態におけるサブマウント２０は、溝１１１，１１２上に張り出す張出部１２３，１２４を含んでいる。
【００４１】
このように、サブマウント２０の一部が溝１１１，１１２上に張り出し、図７の平面視において、延出部３２，４２が溝１１１，１１２の内側まで突出することにより、図８に示すように、延出端３２Ａ，４２Ａのそれぞれから基板１１０までの空間距離Ｃ５が、半導体レーザモジュール１の空間距離（垂直距離Ｃ１）に比べて長くなる。より具体的には、サブマウント２０の張出長さＣ３が溝１１１，１１２の溝深さＣ４以下の場合には、空間距離Ｃ５は、張出長さＣ３の分だけ垂直距離Ｃ１よりも長くなる。また、張出長さＣ３が溝深さＣ４よりも大きい場合には、空間距離Ｃ５は、溝深さＣ４の分だけ垂直距離Ｃ１よりも長くなる。図８では、張出長さＣ３＜溝深さＣ４の場合が示されており、この場合の空間距離Ｃ５は、Ｃ５＝Ｃ１＋Ｃ３となる。
【００４２】
このように、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１によれば、導電部７０と基板１１０との間の空間距離が半導体レーザモジュール１に比べて長くなるため、絶縁破壊がより起こりにくくなる。なお、本実施形態における半導体レーザモジュール１０１によっても、半田が前方縁部を這い上がってくることが抑制されることは言うまでもない。
【００４３】
ところで、サブマウント２０が溝１１１，１１２上に張り出し過ぎると、導電部３０，４０の本体部３１，４１の直下に溝１１１，１１２（空間）が位置してしまい、これらの空間（空気）によって、本体部３１，４１や半導体レーザ素子５０からの熱の放熱が阻害される（図８参照）。したがって、このような問題を抑制するために、図７の平面視において、溝１１１は第１の導電部３０の本体部３１の外側に位置することが好ましく、溝１１２は第２の導電部４０の本体部４１の外側に位置することが好ましい。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態における半導体レーザモジュール２０１について説明する。ここで、図９は半導体レーザモジュール２０１を示す平面図、図１０は図９のＣ−Ｃ線断面図である。なお、図１０では、図２及び図８と同様にボンディングワイヤ５１の図示が省略されている。
【００４５】
図９及び図１０に示すように、本実施形態における半導体レーザモジュール２０１は、コリメートレンズ２６０を含んでいる。このコリメートレンズ２６０は、サブマウント２０の前方縁部２１（側面）に設けられた２つの固定樹脂２６１，２６２を介して前方縁部２１に固定されている。固定樹脂２６１，２６２は、空気よりも絶縁抵抗値が大きい材料から形成されており、レーザ光Ｌを挟んで互いに離間して設けられている。本実施形態において、固定樹脂２６１は第１の導電部３０の延出部３２の全体を覆うように形成されており、固定樹脂２６２は第２の導電部４０の延出部４２の全体を覆うように形成されている。
【００４６】
このような構成によれば、延出部３２，４２の全体が空気よりも絶縁抵抗値が大きい固定樹脂２６１，２６２によって覆われるため、導電部７０から基板１０までの空間距離が長くなり、絶縁破壊がより起こりにくくなる。なお、本実施形態における半導体レーザモジュール２０１によっても、半田が前方縁部を這い上がってくることが抑制されることは言うまでもない。
【００４７】
なお、固定樹脂２６１，２６２は必ずしも延出部３２，４２の全体を覆っている必要はない。例えば、前方縁部２１のうち延出端３２Ａ，４２Ａの直下に固定樹脂２６１，２６２を設けることで、延出端３２Ａ，４２Ａから基板１０までの空間距離を長くすることができる（図１０参照）。ただし、延出部３２，４２を固定樹脂２６１，２６２で覆うことで、空間距離をより長くすることができる（図１０参照）。
【００４８】
また、この半導体レーザモジュール２０１において、第２の実施形態のようにサブマウント２０を溝１１，１２上に張り出すことで、空間距離をさらに長くすることができる。
【００４９】
さてこれまで本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいものである。以下、他の実施形態の一例を説明する。
【００５０】
上述の実施形態では、導電部が導電層とシード層との２層から形成された例を説明したが、他の実施形態では、導電部を導電層のみから形成してもよい。
【００５１】
上述の実施形態では、２つの延出部のそれぞれに対応して溝を設けた例（すなわち、溝領域が２つの溝から形成された例）を説明したが、他の実施形態では、溝領域を単一の溝から形成し、この単一の溝が２つの延出部のそれぞれからの延長線上に位置するように構成してもよい。
【００５２】
上述の実施形態では、延出部が２つ存在する例を説明したが、他の実施形態では、このような延出部の数は２つに限定されるものではなく、１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。また、別の実施形態では、延出部は前方に延びている必要はなく、後方に延びていてもよいし、Ｙ方向に延びていてもよい。さらに言えば、延出部が複数存在する場合には、該複数の延出部が同一方向に延びている必要はなく、互いに別方向に延びていてもよい。
【００５３】
また、上述の実施形態において、導電部７０が、上述した延出部３２，４２，７３２，７４２とは別に本体部３１，４１から延出する部分を有していてもよく、そのような部分に対応して溝領域を形成する必要はない。また、上述の実施形態では、延出部３２，４２，７３２，７４２が平面視において矩形状に形成されている例を説明したが（図１、図６、及び図７参照）、これらの延出部の形状は、本体部３１，４１から延出しているのであればどのような形状であってもよい。例えば、平面視においてサブマウント２０の縁部に向かって先細になる形状を有していてもよい。
【００５４】
上述の実施形態では、電気めっきをする際に電極に接続されたリード層の部分が延出部を構成している例を説明したが、導電部の本体部からサブマウントの縁部に向かって延出する部分が存在するのであれば、本発明はあらゆる半導体レーザモジュールに適用することが可能である。例えば、マルチチップ半導体レーザモジュールに適用することも可能である。
【００５５】
なお、本明細書において使用した用語「下」、「上」、「上方」、「下方」、「上側」、「下側」、その他の位置関係を示す用語は、図示した実施形態との関連において使用されているのであり、装置の相対的な位置関係によって変化するものである。
【符号の説明】
【００５６】
１        半導体レーザモジュール
１０        基板
１１，１２  溝（溝領域）
１３        サブマウント配置領域
２０        サブマウント
２１        前方縁部
３０        第１の導電部
３１，４１  本体部
３２，４２  延出部
３２Ａ，４２Ａ        延出端
３３，４３  導電層
３４，４４  シード層
３４Ａ，４４Ａ        第１の部分
３４Ｂ，４４Ｂ        第２の部分
４０        第２の導電部
５０        半導体レーザ素子
５１        ボンディングワイヤ
６０        コリメートレンズ
６１        レンズ固定ブロック
７０        導電部
８０        半田
９０        アセンブリ
１０１        半導体レーザモジュール
１１０        基板
１１１，１１２        溝（溝領域）
１２３，１２４        張出部
２０１        半導体レーザモジュール
２６０        コリメートレンズ
２６１，２６２        固定樹脂
７１０        基板
７１１，７１２        溝（溝領域）
７３２，７４２        延出部
７３２Ａ，７４２Ａ    延出端
９１０        めっき前アセンブリ
９１１        めっき後アセンブリ
９２０        アセンブリマウント
９３４        第１のアセンブリシード層
９４４        第２のアセンブリシード層
Ｓ３２，Ｓ４２，Ｓ７３２，Ｓ７４２        仮想延出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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