(57)【要約】【課題】検出精度が低下することを抑制する。【解決手段】可動部２０における電極構成部３２において、トーション梁３３を通り、当該トーション梁３３の延設方向に沿って延びる仮想線Ｖ１よりも長手方向における一方側に位置する部位を第１部位３４、仮想線Ｖ１よりも長手方向における他方側に位置する部位を第２部位３５とすると、第１部位３４は、仮想線Ｖ１と仮想線Ｖ１側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さＬ１が、第２部位３５における仮想線Ｖ１と仮想線Ｖ１側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さＬ２と等しくされた主部３４ａと、主部３４ａに備えられ、電極構成部３２の面方向であって、長手方向と交差する方向に突出する錘部３４ｂとを有する構成とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１可動電極部（３６）と第１固定電極部（７１ａ）とが対向して配置されていると共に、第２可動電極部（３７）と第２固定電極部（７２ａ）とが対向して配置されている加速度センサにおいて、
前記第１固定電極部を有する第１固定部（７１）と、
前記第２固定電極部を有する第２固定部（７２）と、
前記第１固定電極部と対向する部分にて前記第１可動電極部が構成されると共に、第２固定電極部と対向する部分にて前記第２可動電極部が構成される電極構成部（３２）と、前記電極構成部とアンカー部（２１）とを連結し、前記第１固定電極部と前記第１可動電極部との配列方向および前記第２固定電極部と前記第２可動電極部との配列方向に沿った加速度が印加されるとねじれることで前記電極構成部を可動させるトーション梁（３３）と、を有する可動部（２０）と、を備え、
前記電極構成部は、長手方向を有する板状であって、内縁側に開口部（３１）が形成され、前記開口部における対向部位に前記長手方向と交差する方向に延設された前記トーション梁が備えられることで前記アンカー部に支持されており、前記トーション梁を通り、当該トーション梁の延設方向に沿って延びる仮想線（Ｖ１）よりも前記長手方向における一方側に位置する部位を第１部位（３４）、前記仮想線よりも前記長手方向における他方側に位置する部位を第２部位（３５）とすると、前記第１部位が前記第１固定電極部と対向すると共に前記第２部位が前記第２固定電極部と対向して配置されており、
前記第１部位は、前記仮想線と前記仮想線側と反対側の端部との間の前記長手方向に沿った長さ（Ｌ１）が、前記第２部位における前記仮想線と前記仮想線側と反対側の端部との間の前記長手方向に沿った長さ（Ｌ２）と等しくされた主部（３４ａ）と、前記主部に備えられ、前記電極構成部の面方向であって、前記長手方向と交差する方向に突出する錘部（３４ｂ）とを有し、前記第２部位より質量が重くされている加速度センサ。
【請求項２】
前記錘部は、２つ備えられ、前記主部を挟んで互いに反対方向に突出している請求項１に記載の加速度センサ。
【請求項３】
２つの前記錘部は、突出方向の長さ（Ｌ３、Ｌ４）が等しくされている請求項２に記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記電極構成部は、前記トーション梁が備えられる部位に対して前記アンカー部と反対側の部位に、前記電極構成部の面方向であって、前記長手方向と交差する方向に突出した補強部（３８）を有する請求項１ないし３のいずれか１つに記載の加速度センサ。
【請求項５】
前記補強部は、前記錘部の突出方向に沿って突出しており、かつ、突出方向の長さ（Ｌ５、Ｌ６）が前記錘部の突出方向の長さ（Ｌ３、Ｌ４）以下とされている請求項４に記載の加速度センサ。
【請求項６】
前記電極構成部は、前記第１部位および前記第２部位のうちの前記アンカー部に対して前記長手方向と交差する方向に位置する部分に窪み部（３１ａ）が形成され、
前記トーション梁は、前記窪み部の底面と前記アンカー部とを連結するように備えられている請求項１ないし５のいずれか１つに記載の加速度センサ。
【請求項７】
前記電極構成部は、前記第１部位および前記第２部位のうちの前記アンカー部に対して前記長手方向と交差する方向に位置する部分であって、前記窪み部が形成されている部分と異なる部分における前記アンカー部側の端部と当該端部と反対側の端部との前記長手方向と交差する方向の間隔（ａ１）が最も狭くされている請求項６に記載の加速度センサ。
【請求項８】
第１基板（１０）と、
前記第１基板上に積層されて前記可動部、前記第１固定部、および前記第２固定部を気密封止し、前記第１基板と反対側の他面（５０ｂ）を有する第２基板（５０）と、
前記第２基板の他面から前記第１基板と前記第２基板との積層方向に沿って形成され、所定領域を露出させる貫通孔（１１１ａ〜１１５ａ）の壁面上に配置された金属材料で構成される貫通配線層（１１１ｃ〜１１５ｃ）と、前記第２基板の他面上に形成されたパッド部（１１１ｄ〜１１５ｄ）と、前記パッド部と前記貫通配線層とを接続する引出配線層（１１１ｅ〜１１５ｅ）と、を有する複数の貫通電極部（１１１〜１１５）と、を備え、
前記複数の貫通電極部は、前記第２基板の他面から視たとき、前記可動部の最も外縁側に位置する部分を通り、前記面方向の一方向に沿って延びる２つの仮想線（Ｋ１、Ｋ３）および前記一方向と直交する２つの仮想線（Ｋ２、Ｋ４）で囲まれる矩形状の仮想領域（Ａ）内に配置されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の加速度センサ。
【請求項９】
前記複数の貫通電極部は、３個以上備えられており、前記第２基板の他面から視たとき、１つの前記貫通電極部が前記第２基板の他面における中心を含む位置に形成され、残りの前記貫通電極部が前記中心に対して回転対称となるように形成されている請求項８に記載の加速度センサ。
【請求項１０】
前記第１基板は、支持基板（１１）、絶縁膜（１２）、半導体層（１３）が順に積層されて構成され、
前記可動部は、前記半導体層に形成されており、
前記支持基板は、前記アンカー部を支持する支持領域（１１ａ）を有し、
前記支持基板および前記絶縁膜には、前記可動部と対向する部分を含む領域に窪み部（１５）が形成され、
前記窪み部は、前記支持領域を通り、前記第１基板の面方向における一方向に延びる仮想線（Ｖ３）、および当該仮想線と直交する仮想線（Ｖ４）に対して、それぞれ線対称となる形状とされている請求項１ないし９のいずれか１つに記載の加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可動電極と固定電極とを有し、可動電極と固定電極との配列方向に沿った加速度を検出する加速度センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、特許文献１には、板状の電極構成部がトーション梁を介してアンカー部に支持された可動部を有し、当該可動部に対向するように第１、第２固定電極が配置された加速度センサが提案されている。
【０００３】
具体的には、このような加速度センサでは、電極構成部は、内縁側に開口部が形成されており、トーション梁を介してアンカー部に支持されている。そして、電極構成部は、トーション梁を回転軸として回転することができるように、トーション梁を通る仮想線に対し、仮想線で分割される一方の第１部位と、他方の第２部位とが非対称な形状とされている。より詳しくは、第１部位および第２部位は、仮想線側の端部と当該端部と反対側の端部の間の長さが互いに異なるように構成されている。
【０００４】
第１、第２固定電極は、第１部位と対向するように第１固定電極が配置されていると共に、第２部位と対向するように第２固定電極が配置されている。これにより、電極構成部のうちの第１固定電極と対向する部分にて第１可動電極が構成され、電極構成部のうちの第２固定電極と対向する部分にて第２可動電極が構成される。
【０００５】
このような加速度センサでは、第１可動電極と第１固定電極との配列方向、および第２可動電極と第２固定電極との配列方向に沿った加速度が印加されると、トーション梁を回転軸として電極構成部が回転する。これにより、第１可動電極と第１固定電極との間の静電容量、および第２可動電極と第２固定電極との間の静電容量が変化する。したがって、これらの静電容量の変化に基づいて加速度が検出される。
【０００６】
なお、第１固定電極および第２固定電極は、加速度が印加されていない状態では、第１可動電極および第２可動電極との間に等しい静電容量が構成されるように、互いに同じ平面形状とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−１６１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記加速度センサでは、第１部位および第２部位は、仮想線側の端部と当該端部と反対側の端部の間の長さが互いに異なるように構成されている。つまり、第１部位および第２部位は、回転軸側の端部と当該端部と反対側の端部との間の長さが互いに異なるように構成されている。
【０００９】
このため、電極構成部が歪んでしまう場合、トーション梁と連結される部分を基準に歪むことになるが、第１部位と第２部位とで歪み方が異なってしまう。つまり、第１可動電極と第１固定電極との間の静電容量と、第２可動電極と第２固定電極との間の静電容量の変化の仕方が異なってしまう。したがって、検出精度が低下する可能性がある。
【００１０】
本発明は上記点に鑑み、検出精度が低下することを抑制できる加速度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための請求項１では、第１可動電極部（３６）と第１固定電極部（７１ａ）とが対向して配置されていると共に、第２可動電極部（３７）と第２固定電極部（７２ａ）とが対向して配置されている加速度センサにおいて、第１固定電極部を有する第１固定部（７１）と、第２固定電極部を有する第２固定部（７２）と、第１固定電極部と対向する部分にて第１可動電極部が構成されると共に、第２固定電極部と対向する部分にて第２可動電極部が構成される電極構成部（３２）と、電極構成部とアンカー部（２１）とを連結し、第１固定電極部と第１可動電極部との配列方向および第２固定電極部と第２可動電極部との配列方向に沿った加速度が印加されるとねじれることで電極構成部を可動させるトーション梁（３３）と、を有する可動部（２０）と、を備え、電極構成部は、長手方向を有する板状であって、内縁側に開口部（３１）が形成され、開口部における対向部位に長手方向と交差する方向に延設されたトーション梁が備えられることでアンカー部に支持されており、トーション梁を通り、当該トーション梁の延設方向に沿って延びる仮想線（Ｖ１）よりも長手方向における一方側に位置する部位を第１部位（３４）、仮想線よりも長手方向における他方側に位置する部位を第２部位（３５）とすると、第１部位が第１固定電極部と対向すると共に第２部位が第２固定電極部と対向して配置されており、第１部位は、仮想線と仮想線側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さ（Ｌ１）が、第２部位における仮想線と仮想線側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さ（Ｌ２）と等しくされた主部（３４ａ）と、主部に備えられ、電極構成部の面方向であって、長手方向と交差する方向に突出する錘部（３４ｂ）とを有し、第２部位より質量が重くされている。
【００１２】
これによれば、電極構成部は、第１部位における仮想線と当該仮想線側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さと、第２部位における仮想線と当該仮想線側と反対側の端部との間の長手方向に沿った長さとが等しくされている。このため、第１部位と第２部位との歪み方がばらつくことを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。
【００１３】
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態における加速度センサの断面図である。
【図２】第１実施形態における図１とは別の加速度センサの断面図である。
【図３】第１実施形態における図１とは別の加速度センサの断面図である。
【図４】第１基板の一面側の平面図である。
【図５】第２基板の一面側の平面図である。
【図６】第２基板の他面側の平面図である。
【図７】第２実施形態における第１基板の一面側の平面図である。
【図８】第３実施形態における第１基板の一面側の平面図である。
【図９】第４実施形態における第１基板の一面側の平面図である。
【図１０】第５実施形態における第１支持基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１６】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図１〜図６を参照しつつ説明する。本実施形態の加速度センサは、第１基板１０と第２基板５０とが積層され、内部に加速度に応じた検出信号を出力するセンシング部８０が収容された構成とされている。
【００１７】
なお、図１は、図４〜図６中のI−I線に沿った断面に相当し、図２は、図４〜図６中のII−II線に沿った断面に相当し、図３は、図４〜図６中のIII−III線に沿った断面に相当している。また、以下では、第１基板１０および第２基板５０の面方向における一方向をｘ軸方向とし、第１基板１０および第２基板５０の面方向における一方向であり、ｘ軸方向と直交する方向をｙ軸方向として説明する。また、ｘ軸方向およびｙ軸方向と直交する方向をｚ軸方向として説明する。なお、各図には、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向を矢印で示してある。
【００１８】
第１基板１０は、本実施形態では、第１支持基板１１上に第１絶縁膜１２を介して第１半導体層１３が配置されたＳＯＩ（すなわち、Silicon on Insulator）構造を用いて構成されている。そして、第１基板１０は、一面１０ａが第１半導体層１３のうちの第１絶縁膜１２側と反対側の表面で構成されている。なお、本実施形態では、第１支持基板１１および第１半導体層１３はシリコン基板で構成され、第１絶縁膜１２は酸化膜や窒化膜等で構成される。
【００１９】
そして、第１半導体層１３には、図１〜図４に示されるように、マイクロマシン加工が施されて溝部１４が形成され、溝部１４によって可動部２０および周辺領域４０が区画形成されている。なお、図４は、第１基板１０の一面１０ａ側の平面図であるが、理解をし易くするため、後述する第１固定電極部７１ａおよび第２固定電極部７２ａを点線で示してある。
【００２０】
また、第１支持基板１１および第１絶縁膜１２には、図１〜図３に示されるように、可動部２０が第１支持基板１１および第１絶縁膜１２と接触することを防止するため、可動部２０と対向する部分に窪み部１５が形成されている。なお、この窪み部１５は、後述するアンカー部２１を支持する支持領域１１ａと異なる部分において、可動部２０に対応する形状となるように形成されている。
【００２１】
可動部２０は、図１および図４に示されるように、アンカー部２１と、第１基板１０と第２基板５０との積層方向（以下では、単に積層方向という）に沿った加速度に応じて可動可能な状態でアンカー部２１に支持されている可動領域２２とを有している。
【００２２】
アンカー部２１は、本実施形態では、当該アンカー部２１の中心と第１基板１０の一面１０ａにおける中心とが一致するように形成されている。また、アンカー部２１は、第１基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、略正方形状となるように形成されている。
【００２３】
可動領域２２は、内縁側にアンカー部２１の外形に沿った開口部３１が形成され、ｘ軸方向を長手方向とする板状の電極構成部３２と、電極構成部３２とアンカー部２１とを連結するトーション梁３３とを有している。
【００２４】
トーション梁３３は、積層方向の加速度が印加されたとき、電極構成部３２（すなわち、可動領域２２）の回転中心となる回転軸となる部材である。本実施形態では、トーション梁３３は、開口部３１における一対の対向部位に備えられ、アンカー部２１と電極構成部３２とを連結するように、ｙ軸方向に沿って延設されている。詳しくは、トーション梁３３は、当該トーション梁３３の延設方向に沿った第１仮想線Ｖ１がアンカー部２１の中心と交差するように形成されている。
【００２５】
電極構成部３２は、第１仮想線Ｖ１よりも長手方向の一方側に位置する第１部位３４と、当該第１仮想線Ｖ１よりも他方側に位置する第２部位３５とを有している。つまり、トーション梁３３は、電極構成部３２のうちの第１部位３４と第２部位３５との境界部に連結されているともいえる。なお、図４中では、電極構成部３２のうちの紙面左側の部位が第１部位３４となり、電極構成部３２のうちの紙面右側の部位が第２部位３５となる。
【００２６】
第２部位３５は、アンカー部２１の外形に沿って形成される開口部３１の半分を構成する略Ｕ字状とされている。第１部位３４は、第１仮想線Ｖ１に対して第２部位３５と線対称となる主部３４ａを有している。つまり、第１部位３４は、第２部位３５と同一の平面形状とされた主部３４ａを有している。
【００２７】
また、第１部位３４は、主部３４ａと共に、主部３４ａと一体化された錘部３４ｂを有している。具体的には、錘部３４ｂは、電極構成部３２の面方向であって、ｙ軸方向に突出するように主部３４ａに備えられている。すなわち、錘部３４ｂは、主部３４ａと同一平面を構成するように当該主部３４ａに備えられている。本実施形態では、錘部３４ｂは、２つ備えられ、主部３４ａを挟んで互いに反対方向に突出するように、主部３４ａに備えられている。
【００２８】
ここで、第１部位３４における第１仮想線Ｖ１側と反対側の端部を第１部位３４の一端部、第２部位３５における第１仮想線Ｖ１側と反対側の端部を第２部位３５の一端部とする。この場合、本実施形態では、第１部位３４および第２部位３５は、第１仮想線Ｖ１から第１部位３４の一端部までの長さＬ１（以下では、単に長さＬ１ともいう）と、第１仮想線Ｖ１から第２部位３５の一端部までの長さＬ２（以下では、単に長さＬ２ともいう）とが等しくされているともいえる。なお、ここでの等しいとは、長さＬ１と長さＬ２とが完全に等しい場合に加えて、若干の製造誤差を含むものである。
【００２９】
本実施形態では、このように、第１部位３４は、第２部位３５と同一形状とされた主部３４ａと、主部３４ａに備えられた錘部３４ｂとを有する構成とされることにより、第２部位３５より質量が重くされている。これにより、積層方向の加速度が印加されると、トーション梁３３を回転軸として電極構成部３２が回転する。
【００３０】
なお、本実施形態では、２つの錘部３４ｂは、ｙ軸方向に沿った長さＬ３、Ｌ４が互いに等しくなるように備えられている。つまり、電極構成部３２は、アンカー部２１の中心を通り、ｘ軸方向に沿った第２仮想線Ｖ２に対して線対称に形成されている。また、本実施形態では、錘部３４ｂの長さＬ３、Ｌ４は、主部３４ａにおけるｙ軸方向に沿った長さよりも短くされている。
【００３１】
また、特に図示しないが、電極構成部３２、トーション梁３３、アンカー部２１は、第１半導体層１３に対してドライエッチング等を行って溝部１４を形成することにより、一体的に形成される。このため、電極構成部３２の第１部位３４における主部３４ａおよび錘部３４ｂは、同一平面を構成するように形成される。また、錘部３４ｂはトーション梁３３等と一体的に形成されるため、当該錘部３４ｂを備えることによって製造工程が特に増加することもない。
【００３２】
第２基板５０は、図１〜図３に示されるように、キャップ基板６０を有している。本実施形態では、キャップ基板６０は、第２支持基板６１上に第２絶縁膜６２を介して第２半導体層６３が配置されたＳＯＩ構造を用いて構成されている。そして、第２基板５０の一面５０ａは、第２半導体層６３のうちの第２絶縁膜６２側と反対側の表面で構成されている。なお、本実施形態では、第２支持基板６１および第２半導体層６３はシリコン基板で構成され、第２絶縁膜６２は酸化膜や窒化膜等で構成される。
【００３３】
第２基板５０の第２半導体層６３には、図１〜図３、図５に示されるように、マイクロマシン加工が施されて溝部６４が形成されている。そして、第２半導体層６３は、溝部６４によって第１固定部７１、第２固定部７２、周辺領域７３、第１接合領域７４、および第２接合領域７５が区画形成されている。
【００３４】
具体的には、第１固定部７１は、電極構成部３２のうちの第１部位３４と対向する部分に形成されて当該第１部位３４との間に所定の静電容量を構成する第１固定電極部７１ａと、第１固定電極部７１ａから引き出された第１固定配線部７１ｂとを有している。また、第２固定部７２は、電極構成部３２のうちの第２部位３５と対向する部分に形成されて当該第２部位３５との間に所定の静電容量を構成する第２固定電極部７２ａと、第２固定電極部７２ａから引き出された第２固定配線部７２ｂとを有している。
【００３５】
第１、第２固定電極部７１ａ、７２ａは、加速度が印加されていない状態では、第１、第２部位３４、３５との間に等しい静電容量が構成されるように、互いに同じ平面形状とされている。より詳しくは、第１、第２固定電極部７１ａ、７２ａは、第１基板１０の一面１０ａに対する法線方向から視たとき、第１仮想線Ｖ１および第２仮想線Ｖ２に対して線対称となるように形成されている。そして、電極構成部３２では、図４に示されるように、第１部位３４のうちの第１固定電極部７１ａと対向する部分が第１可動電極部３６となり、第２部位３５のうちの第２固定電極部７２ａと対向する部分が第２可動電極部３７となる。本実施形態では、このように可動部２０および第１、第２固定部７１、７２が形成されていることによってセンシング部８０が構成される。そして、積層方向に加速度が印加されると、電極構成部３２がトーション梁３３を回転軸として回転するため、第１可動電極部３６と第１固定電極部７１ａとの間の静電容量と、第２可動電極部３７と第２固定電極部７２ａとの間の静電容量が変化する。したがって、これらの静電容量の変化に応じた検出信号が出力される。なお、第１固定電極部７１ａおよび第２固定電極部７２ａは、電極構成部３２（すなわち、第１可動電極部３６および第２可動電極部３７）と対向するように配置されている。つまり、本実施形態における積層方向に加速度が印加されるとは、言い換えると、第１可動電極部３６と第１固定電極部７１ａとの配列方向、および第２可動電極部３７と第２固定電極部７２ａとの配列方向に沿った加速度が印加されることである。
【００３６】
また、第１固定配線部７１ｂは、後述するように、第２貫通孔１１２ａに配置された第２貫通配線層１１２ｃと電気的に接続される。第２固定配線部７２ｂは、後述するように、第３貫通孔１１３ａに配置された第３貫通配線層１１３ｃと電気的に接続される。このため、第１、第２固定配線部７１ｂ、７２ｂは、それぞれ第２、第３貫通配線層１１２ｃ、１１３ｃと電気的に接続されるように、第１、第２固定電極部７１ａ、７２ａから所定位置まで引き出されている。
【００３７】
第１接合領域７４は、後述する第１貫通電極部１１１をアンカー部２１に到達させるための領域であり、アンカー部２１と接合される領域である。第２接合領域７５は、後述する第４貫通電極部１１４を第１半導体層１３における周辺領域４０に到達させるための領域である。
【００３８】
また、第２基板５０は、図１〜図３に示されるように、キャップ基板６０における第１基板１０側と反対側に形成された他面絶縁膜９０を有している。本実施形態では、第２基板５０の他面５０ｂは、他面絶縁膜９０のうちのキャップ基板６０と反対側の表面で構成されている。
【００３９】
そして、このように構成された第２基板５０は、一面５０ａが第１基板１０の一面１０ａと対向するように、接合部材１００を介して第１基板１０と接合されている。より詳しくは、センシング部８０が気密封止されるように、第２基板５０が第１基板１０と接合されている。なお、本実施形態では、接合部材１００は酸化膜等で構成されている。
【００４０】
また、本実施形態では、外部回路と所定の領域との接続を図る第１〜第５配線部１１１ｆ〜１１５ｆを有する第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５が形成されている。まず、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５の構成について図１〜図３および図６を参照して説明する。なお、図６では、後述する保護膜１２０を省略して示してある。なお、第１〜第５配線部１１１ｆ〜１１５ｆは、金属材料であるアルミニウム等を用いて構成されている。
【００４１】
第１貫通電極部１１１は、図１および図６に示されるように、第２基板５０を積層方向に貫通し、第１半導体層１３におけるアンカー部２１を露出させる第１貫通孔１１１ａの壁面に形成された第１壁面絶縁膜１１１ｂを有している。また、第１貫通電極部１１１は、第１壁面絶縁膜１１１ｂ上に形成され、アンカー部２１、つまり可動部２０と電気的に接続される第１貫通配線層１１１ｃを有している。さらに、第１貫通電極部１１１は、他面絶縁膜９０上に形成されて外部回路と接続される第１パッド部１１１ｄと、第１パッド部１１１ｄと第１貫通配線層１１１ｃとを電気的に接続する第１引出配線層１１１ｅとを有している。このため、第１貫通電極部１１１における第１配線部１１１ｆは、第１貫通配線層１１１ｃ、第１パッド部１１１ｄ、第１引出配線層１１１ｅを有する構成とされている。
【００４２】
第２貫通電極部１１２は、図２および図６に示されるように、他面絶縁膜９０、第２支持基板６１、第２絶縁膜６２を積層方向に貫通し、第２半導体層６３における第１固定配線部７１ｂを露出させる第２貫通孔１１２ａの壁面に形成された第２壁面絶縁膜１１２ｂを有している。また、第２貫通電極部１１２は、第２壁面絶縁膜１１２ｂ上に形成されて第１固定配線部７１ｂと電気的に接続される第２貫通配線層１１２ｃを有している。さらに、第２貫通電極部１１２は、他面絶縁膜９０上に形成されて外部回路と接続される第２パッド部１１２ｄと、第２パッド部１１２ｄと第２貫通配線層１１２ｃとを電気的に接続する第２引出配線層１１２ｅとを有している。このため、第２貫通電極部１１２における第２配線部１１２ｆは、第２貫通配線層１１２ｃ、第２パッド部１１２ｄ、第２引出配線層１１２ｅを有する構成とされている。
【００４３】
第３貫通電極部１１３は、第２貫通電極部１１２と同様の構成とされている。すなわち、他面絶縁膜９０、第２支持基板６１、第２絶縁膜６２を積層方向に貫通し、第２半導体層６３における第２固定配線部７２ｂを露出させる第３貫通孔１１３ａの壁面に形成された第３壁面絶縁膜１１３ｂを有している。また、第３貫通電極部１１３は、第３壁面絶縁膜１１３ｂ上に形成されて第２固定配線部７２ｂと電気的に接続される第３貫通配線層１１３ｃを有している。さらに、第３貫通電極部１１３は、他面絶縁膜９０上に形成されて外部回路と接続される第３パッド部１１３ｄと、第３パッド部１１３ｄと第３貫通配線層１１３ｃとを電気的に接続する第３引出配線層１１３ｅとを有している。このため、第３貫通電極部１１３における第３配線部１１３ｆは、第３貫通配線層１１３ｃ、第３パッド部１１３ｄ、第３引出配線層１１３ｅを有する構成とされている。
【００４４】
第４貫通電極部１１４は、図３および図６に示されるように、第２基板５０を積層方向に貫通し、第１半導体層１３における周辺領域４０を露出させる第４貫通孔１１４ａの壁面に形成された第４壁面絶縁膜１１４ｂを有している。また、第４貫通電極部１１４は、第４壁面絶縁膜１１４ｂ上に形成されて第１半導体層１３における周辺領域４０と電気的に接続される第４貫通配線層１１４ｃを有している。さらに、第４貫通電極部１１４は、他面絶縁膜９０上に形成されて外部回路と接続される第４パッド部１１４ｄと、第４パッド部１１４ｄと第４貫通配線層１１４ｃとを電気的に接続する第４引出配線層１１４ｅとを有している。このため、第４貫通電極部１１４における第４配線部１１４ｆは、第４貫通配線層１１４ｃ、第４パッド部１１４ｄ、第４引出配線層１１４ｅを有する構成とされている。
【００４５】
第５貫通電極部１１５は、他面絶縁膜９０、第２支持基板６１、第２絶縁膜６２を積層方向に貫通し、第２半導体層６３における周辺領域７３を露出させる第５貫通孔１１５ａの壁面に形成された第５壁面絶縁膜１１５ｂを有している。また、第５貫通電極部１１５は、第５壁面絶縁膜１１５ｂ上に形成されて第２半導体層６３における周辺領域７３と電気的に接続される第５貫通配線層１１５ｃを有している。さらに、第５貫通電極部１１５は、他面絶縁膜９０上に形成されて外部回路と接続される第５パッド部１１５ｄと、第５パッド部１１５ｄと第５貫通配線層１１５ｃとを電気的に接続する第５引出配線層１１５ｅとを有している。このため、第５貫通電極部１１５における第５配線部１１５ｆは、第５貫通配線層１１５ｃ、第５パッド部１１５ｄ、第５引出配線層１１５ｅを有する構成とされている。
【００４６】
なお、本実施形態では、第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃは、それぞれ第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａの内部と外部との連通が維持される状態で形成されている。つまり、第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃは、それぞれ第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａを埋め込まない状態で形成されている。
【００４７】
また、本実施形態では、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａは、それぞれ互いに開口部の形状、大きさが等しくされている。具体的には、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａは、それぞれ開口部が円状とされ、互いに直径が等しくされている。
【００４８】
以上が本実施形態における第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５の構成である。そして、各パッド部１１１ｄ〜１１５ｄがそれぞれ外部回路と接続されることにより、可動部２０、第１固定部７１、第２固定部７２、第１半導体層１３における周辺領域４０、第２半導体層６３における周辺領域７３がそれぞれ外部回路と接続される。なお、本実施形態では、第１半導体層１３における周辺領域４０および第２半導体層６３における周辺領域７３は、外部回路と接続されて所定の電位に維持される。これにより、センシング部８０と、周辺領域４０、７３との間に形成される寄生容量が変化することが抑制され、検出精度が低下することが抑制される。
【００４９】
次に、本実施形態における第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５の配置箇所について説明する。
【００５０】
まず、図６に示されるように、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、可動部２０の最も外縁側に位置する部分を通り、ｙ軸方向に延びる第１、第３区画仮想線Ｋ１、Ｋ３、ｘ軸方向に延びる第２、第４区画仮想線Ｋ２、Ｋ４で囲まれる矩形状の仮想領域を仮想領域Ａとする。
【００５１】
詳しくは、本実施形態では、第１部位３４の一端部からｙ軸方向に沿って延びる第１区画仮想線Ｋ１、錘部３４ｂにおける主部３４ａ側と反対側の各端部からｘ軸方向に沿って延びる第２、第４区画仮想線Ｋ２、Ｋ４、第２部位３５の一端部からｙ軸方向に沿って延びる第３区画仮想線Ｋ３で囲まれる矩形状の仮想領域が仮想領域Ａとなる。
【００５２】
そして、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５は、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、仮想領域Ａ内に位置するように形成されている。なお、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５が仮想領域Ａ内に配置されているということは、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５を構成する第１〜第５パッド部１１１ｄ〜１１５ｄ等も仮想領域Ａ内に配置されているということである。
【００５３】
また、より詳しくは、本実施形態では、上記のようにアンカー部２１が第１基板１０の一面１０ａの中心に形成されている。このため、図６に示されるように、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、第１貫通電極部１１１における第１貫通配線層１１１ｃが配置される第１貫通孔１１１ａは、第２基板５０の他面５０ｂの中心に形成される。
【００５４】
そして、第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５は、仮想領域Ａ内において、第２基板５０の他面５０ｂにおける中心に対して回転対称となるように形成されている。つまり、第２〜第５配線部１１２ｆ〜１１５ｆは、第２基板５０の他面５０ｂにおける中心に対して回転対称となるように形成されている。なお、上記のように、第１、第２固定配線部７１ｂ、７２ｂは、第２、第３貫通孔１１２ａ、１１３ａが上記形状となるように、それぞれ第１、第２固定電極部７１ａ、７２ａから引き出されている。
【００５５】
以上が本実施形態における第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５の配置箇所である。そして、図１〜図３に示されるように、第２基板５０の他面５０ｂ上には、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５を覆う保護膜１２０が形成されている。保護膜１２０には、特に図示しないが、第１〜第５パッド部１１１ｄ〜１１５ｄを露出させる開口部が形成され、外部回路と各パッド部１１１ｄ〜１１５ｄとの電気的な接続が図られるようになっている。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態では、電極構成部３２は、第１部位３４にｙ軸方向に沿って突出する錘部３４ｂを備えることにより、長さＬ１と長さＬ２とが等しくされつつ、第１部位３４と第２部位３５とが異なる質量とされている。このため、第１部位３４と第２部位３５との歪み方がばらつくことを抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。
【００５７】
また、錘部３４ｂは、第１部位３４を構成する主部３４ａと同一平面を構成するように備えられている。このため、例えば、第１部位３４を構成する主部３４ａ上に別の錘部を配置することで第１部位３４と第２部位３５との質量を異ならせる場合と比較して、簡素な構成で第１部位３４と第２部位３５との質量を異ならせることができる。また、第１部位３４を構成する主部３４ａと同一平面に錘部３４ｂを備えるため、例えば、第１半導体層１３に対して行うドライエッチング等のマスクを変更するのみでよく、製造工程が複雑化することもない。
【００５８】
さらに、本実施形態では、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５は、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、仮想領域Ａ内に配置されている。このため、錘部３４ｂを備えることによって広くなる領域を有効に利用でき、加速度センサが大型化することを抑制できる。
【００５９】
また、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、第１貫通電極部１１１は、第２基板５０の中心を含む位置に形成されている。そして、第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５は、仮想領域Ａ内において、第２基板５０の他面５０ｂにおける中心に対して回転対称となるように形成されている。このため、第２〜第５貫通配線層１１２ｃ〜１１５ｃに起因する応力が均等化され易くなる。したがって、本実施形態では、加速度センサが歪み難くなり、検出精度が低下することをさらに抑制できる。
【００６０】
さらに、第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃは、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａの内部と外部とが連通する状態で形成されている。つまり、第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃは、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａを埋め込まない状態で形成されている。このため、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａが第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃで埋め込まれている場合と比較して、当該埋め込まれていない部分で第１〜第５貫通配線層１１１ｃ〜１１５ｃに起因する応力を緩和できる。したがって、加速度センサを歪ませる応力自体の大きさを低減できる。
【００６１】
また、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａは、開口部の径が等しくされている。このため、第１〜第５貫通孔１１１ａ〜１１５ａの径が異なっている場合と比較して、特に各貫通孔１１１ａ〜１１５ａを埋め込まない場合の緩和する応力の大きさがばらつくことを抑制できる。したがって、加速度センサが歪むことをさらに抑制できる。
【００６２】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、電極構成部３２に補強部を追加したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６３】
本実施形態では、図７に示されるように、電極構成部３２には、トーション梁３３と連結される部位に対してアンカー部２１側と反対側の各部位にそれぞれ補強部３８が備えられている。本実施形態では、補強部３８は、それぞれｙ軸方向に沿って突出するように備えられている。
【００６４】
詳しくは、各補強部３８は、当該補強部３８によって第１部位３４と第２部位３５との質量関係が変化しないように、第１仮想線Ｖ１に対して線対称となるように備えられている。また、各補強部３８は、ｙ軸方向の長さＬ５、Ｌ６が互いに等しくなるように備えられている。つまり、各補強部３８は、第２仮想線Ｖ２に対して線対称となるように備えられている。さらに、各補強部３８は、錘部３４ｂのｙ軸方向の長さＬ３、Ｌ４以下の長さとされている。つまり、補強部３８は、仮想領域Ａ内に位置するように、備えられている。
【００６５】
なお、このように構成される場合、特に図示しないが、第２基板５０の他面５０ｂから視たとき、第２、第４貫通孔１１２ａ、１１４ａは、錘部３４ｂと補強部３８との間に形成されているともいえる。また、第３貫通孔１１３ａは、第１仮想線Ｖ１に対して第２貫通孔１１２ａと線対称に形成され、第５貫通孔１１５ａは、第１仮想線Ｖ１に対して第４貫通孔１１４ａと線対称に形成されているともいえる。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態では、電極構成部３２には、補強部３８が備えられている。このため、電極構成部３２が折れ曲がってしまうことを抑制できる。すなわち、電極構成部３２は、トーション梁３３がねじれることによって可動するが、トーション梁３３との連結部に大きな応力が生成される。したがって、トーション梁３３と連結される部分と反対側に補強部３８を備えることにより、トーション梁３３と連結される部分の剛性を高くでき、電極構成部３２が折れ曲がってしまうことを抑制できる。
【００６７】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して、トーション梁３３の長さを変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６８】
本実施形態では、図８に示されるように、電極構成部３２には、トーション梁３３と連結される部分に窪み部３１ａが形成されている。詳しくは、電極構成部３２には、開口部３１を構成する壁面のうちのトーション梁３３と連結される部分に窪み部３１ａが形成されている。そして、トーション梁３３は、窪み部３１ａの底面とアンカー部２１とを繋ぐように配置されている。つまり、本実施形態のトーション梁３３は、上記第２実施形態のトーション梁３３より長くされている。
【００６９】
また、電極構成部３２は、第１部位３４および第２部位３５のうちのアンカー部２１に対してｙ軸方向に位置する部分であって、窪み部３１ａが形成される部分と異なる部分におけるアンカー部２１側の端部と当該端部と反対側の端部とのｙ軸方向に沿った間隔ａ１が最も狭くされている。つまり、電極構成部３２は、間隔ａ１が、対向する窪み部３１ａの側面と補強部３８の側面との間隔ａ２、窪み部３１ａの底面と補強部３８の突出方向の先端部との間隔ａ３、長さＬ１〜Ｌ６より短くなるように形成されている。
【００７０】
以上説明したように、本実施形態では、窪み部３１ａを形成することにより、トーション梁３３の長さを大きくしている。このため、トーション梁３３のバネ定数の自由度を向上できる。つまり、設計の自由度を向上できる。
【００７１】
また、間隔ａ１が最も短くなるように形成している。このため、可動部２０として必要な機能を発揮する部分の設計をそのまま流用でき、窪み部３１ａを形成することによって新たに可動部２０の設計をし直す必要がない。したがって、設計の自由度を向上できる。
【００７２】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対して錘部３４ｂの配置箇所を変更したものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７３】
本実施形態では、図９に示されるように、錘部３４ｂは、第１部位３４の一端部側に配置されておらず、補強部３８と一体化されて配置されている。このように、錘部３４ｂは、補強部３８と一体化されていても、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
なお、このような構成では、錘部３４ｂを第１部位３４の一端部側に備える場合と比較して、錘部３４ｂが第１仮想線Ｖ１（すなわち、回転軸）の近くに配置される構成となる。このため、例えば、上記第１実施形態と同じ検出感度を有するようにする場合には、上記第３実施形態で説明した窪み部３１ａをさらに大きくし、トーション梁３３の長さを長くすることでトーション梁３３のバネ定数を小さくするようにすればよい。
【００７５】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、第１支持基板１１および第１絶縁膜１２に形成される窪み部１５の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７６】
本実施形態では、図１０に示されるように、第１支持基板１１に形成される窪み部１５は、支持領域１１ａの中心を通り、ｙ軸方向に沿って延びる第３仮想線Ｖ３に対し、線対称に形成されている。また、窪み部１５は、支持領域１１ａの中心を通り、ｘ軸方向に沿って延びる第４仮想線Ｖ４に対し、線対称に形成されている。つまり、第１支持基板１１には、可動部２０と対向する部位に加えて、ダミー窪み部１５ａが形成されることにより、第３仮想線Ｖ３および第４仮想線Ｖ４に対して線対称となる窪み部１５が形成されている。
【００７７】
本実施形態では、ダミー窪み部１５ａは、第３仮想線Ｖ３に対し、支持基板１１のうちの可動部２０における錘部３４ｂと対向する部分と線対称となる位置に形成される。また、特に図示しないが、第１絶縁膜１２に形成される窪み部１５は、第１支持基板１１に形成される窪み部１５と同様の形状とされている。
【００７８】
なお、第３仮想線Ｖ３は、第２基板５０の他面５０ｂから視たとき、第１仮想線Ｖ１と一致する仮想線である。同様に、第４仮想線Ｖ４は、第２基板５０の他面５０ｂから視たとき、第２仮想線Ｖ２と一致する仮想線である。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態では、窪み部１５は、第３仮想線Ｖ３および第４仮想線Ｖ４に対して線対称となるように形成されている。このため、第１支持基板１１および第１絶縁膜１２は、第３仮想線Ｖ３および第４仮想線Ｖ４に対して歪みが対称になる。このため、第１可動電極部３６と第１固定電極部７１ａとの間の静電容量と、第２可動電極部３７と第２固定電極部７２ａとの間の静電容量との差が変化することを抑制でき、検出精度が低下することをさらに抑制できる。
【００８０】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００８１】
例えば、上記各実施形態において、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５の配置場所を変更してもよい。例えば、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５は、仮想領域Ａの外側に一部、または全てが配置されていてもよい。この場合、例えば、第２基板５０の他面５０ｂ側から視たとき、仮想領域Ａの外側において、第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５が回転対称となるように形成されていてもよい。このような構成としても、可動部２０を上記各実施形態と同様の構成とすることにより、検出精度が低下することを抑制できる。
【００８２】
また、アンカー部２１は、中心が第１基板１０の一面１０ａにおける中心と一致するように形成されていなくてもよい。
【００８３】
さらに、第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５は、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、第２基板５０の他面５０ｂの中心に対して回転対称に形成されておらず、次のように形成されていてもよい。例えば、第２基板５０の他面５０ｂに対する法線方向から視たとき、第１仮想線Ｖ１に対し、第２、第４貫通電極部１１２、１１４と第３、第５貫通電極部１１３、１１５とが線対称となるようにし、第２仮想線Ｋ２に対し、第２、第３貫通電極部１１２、１１３と第４、第５貫通電極部１１４、１１５とが線対称となるようにしてもよい。また、第２〜第５貫通電極１１２〜１１５は、第１仮想線Ｖ１および第２仮想線Ｖ２に対し、一方の仮想線に対してのみ線対称となるように形成されていてもよい。
【００８４】
このように第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５を形成したとしても、第２〜第５貫通電極部１１２〜１１５が不規則に形成されている場合と比較して、各貫通電極部１１２〜１１５に起因する応力が均等化され易くなる。
【００８５】
また、上記各実施形態において、第１〜第５貫通電極部１１１〜１１５は、回転対称や線対称とならず、不規則に配置されていてもよい。このような加速度センサとしても、可動部２０が上記各実施形態と同様の構成とすることにより、検出精度が低下することを抑制できる。
【００８６】
さらに、上記各実施形態において、第４、第５貫通電極部１１４、１１５は備えられていなくてもよい。
【００８７】
また、上記各実施形態において、例えば、第１支持基板１１と電気的に接続される配線部を有する貫通電極部を備えるようにしてもよい。これによれば、第１支持基板１１も所定電位に維持されるため、さらに検出精度が低下することを抑制できる。
【００８８】
そして、例えば、他面絶縁膜９０のうちの第４貫通孔１１４ａ、または第５貫通孔１１５ａの近傍に第２支持基板６１を露出させるコンタクトホールを形成し、第４引出配線部１１４ｅまたは第５引出配線部１１５ｅが当該コンタクトホール内に埋め込まれるようにしてもよい。これによれば、第２支持基板６１も所定電位に維持されるため、さらに検出精度が低下することを抑制できる。
【００８９】
また、上記各実施形態において、第２半導体層６３は、周辺領域７３、第１接合領域７４、第２接合領域７５が溝部６４で区画されていなくてもよい。このような構成としても、第１、第４、第５貫通配線層１１１ｃ、１１４、１１５ｃは、それぞれ壁面絶縁膜１１１ｂ、１１４ｂ、１１５ｂを介して配置されるため、各領域の絶縁は維持される。
【００９０】
さらに、上記各実施形態において、錘部３４ｂは、２つ備えられておらず、１つのみであってもよい。また、２つの錘部３４ｂは、ｙ軸方向に沿った長さＬ３、Ｌ４が互いに異なっていてもよい。そして、上記第２〜第４実施形態において、補強部３８は、１つのみであってもよいし、ｙ軸方向に沿った長さＬ５、Ｌ６が互いに異なっていてもよい。さらに、補強部３８は、長さＬ５、Ｌ６が錘部３４ｂの長さＬ３、Ｌ４より長くされていてもよい。
【００９１】
また、上記第１〜第３、第５実施形態において、錘部３４ｂは、第１部位３４の一端部ではなく、例えば、第１部位３４の一端部と第１仮想線Ｖ１との中間位置に備えられていてもよい。つまり、錘部３４ｂが備えられる箇所は、特に限定されるものではない。
【００９２】
そして、上記第３、第４実施形態において、窪み部３１ａは、アンカー部２１側に形成されていてもよい。つまり、アンカー部２１側に窪み部３１ａを形成することにより、トーション梁３３の長さを大きくするようにしてもよい。このようにしても、トーション梁３３のバネ定数を変更でき、設計の自由度を向上できる。但し、アンカー部２１は、第１貫通配線層１１１ｃと直接接続される部分であり、アンカー部２１に窪み部３１ａを形成すると、アンカー部２１と第１貫通配線層１１１ｃとの接触面積が減少する可能性がある。つまり、電気的な接続不良が発生する可能性がある。このため、窪み部３１ａは、電極構成部３２側に形成される方が好ましい。
【００９３】
さらに、上記各実施形態において、第２部位３５に貫通孔を形成し、第２部位３５の質量を小さくするようにしてもよい。これによれば、例えば、上記各実施形態より錘部３４ｂの質量を小さくしたとしても、上記各実施形態と同様の第１部位３４と第２部位３５との質量差を維持できる。つまり、上記各実施形態より錘部３４ｂのｙ軸方向の長さＬ３、Ｌ４を短くしたとしても、第１部位３４と第２部位３５との質量差が小さくなることを抑制できる。このため、加速度センサの平面方向における小型化を図りつつ、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
また、上記各実施形態において、第２基板５０の他面５０ｂ上に、第１貫通孔１１１ａを中心とし、第１パッド部１１１ｄおよび第１引出配線層１１１ｅと対称となるダミーパッド部およびダミー引出配線層を形成するようにしてもよい。これによれば、第１パッド部１１１ｄおよび第１引出配線層１１１ｅにて発生する応力とダミーパッド部およびダミー引出配線層にて発生する応力とが均等化される。このため、第１配線部１１１ｆに起因する応力によって加速度センサが歪むことも抑制できる。
【００９５】
そして、上記各実施形態を適宜組み合わせた加速度センサとしてもよい。例えば、上記第５実施形態を第２〜第４実施形態に組み合わせ、第１支持基板１１および第１絶縁膜１２に、第３仮想線Ｖ３および第４仮想線Ｖ４に対して線対称となる窪み部１５を形成するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
２０    可動部
２１    アンカー部
３１    開口部
３２    電極構成部
３３    トーション梁
３４    第１部位
３４ａ  主部
３４ｂ  錘部
３５    第２部位
３６    第１可動電極
３７    第２可動電極
７１    第１固定部
７１ａ  第１固定電極
７２    第２固定部
７２ａ  第２固定電極
Ｖ１    第１仮想線
【図１】
2019020169.tif 000003
【図２】
2019020169.tif 000004
【図３】
2019020169.tif 000005
【図４】
2019020169.tif 000006
【図５】
2019020169.tif 000007
【図６】
2019020169.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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