(57)【要約】【課題】磁界検出素子によって広範囲な電流を低コストで検出することができるようにする透磁部材および電流検出装置を提供する。【解決手段】透磁部材４が閉塞部４Ａと開放部４Ｂとを有していることで、バスバ２に大電流が流れた場合に、開放部４Ｂにおいて磁界が強くなりにくく、開放部４Ｂに配置した磁界検出素子３Ｂによって大電流を検出しやすい。また、バスバ２に小電流が流れた場合に、閉塞部４Ａにおいて磁界が強くなりやすく、閉塞部４Ａに配置した磁界検出素子３Ａによって小電流を検出しやすい。これにより、磁界検出素子３Ａ、３Ｂを共通化して低コスト化するとともに、広範囲な電流を検出することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯板状のバスバと、前記バスバに流れる電流によって生じる磁界を検出する複数の磁界検出素子と、を備えた電流検出装置に設けられる透磁部材であって、
前記バスバに対向するように配置される底板部と、
前記バスバの幅方向両側に位置するように前記底板部から立設された一対の立設壁部と、
前記一対の立設壁部の上端のうち前記バスバの長手方向における一部から互いに近づくように延びて前記底板部に対向する一対の対向板部と、を有し、
前記底板部、前記一対の立設壁部および前記一対の対向板部によって構成される断面Ｃ字状またはＯ字状の閉塞部と、前記底板部および前記一対の立設壁部によって構成される断面Ｕ字状の開放部と、が前記長手方向に沿って並んでいることを特徴とする透磁部材。
【請求項２】
前記立設壁部には、前記閉塞部と前記開放部との間に、前記底板部の反対側に開口した切欠き部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の透磁部材。
【請求項３】
前記立設壁部は、前記開放部において、前記閉塞部よりも壁高さが高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の透磁部材。
【請求項４】
帯板状のバスバと、前記バスバに流れる電流によって生じる磁界を検出する複数の磁界検出素子と、請求項１〜３のいずれか１項に記載の透磁部材と、を備えることを特徴とする電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯板状のバスバと複数の磁界検出素子とを備えた電流検出装置に設けられる透磁部材、及び、この電流検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、バッテリ等の電源と、モータ等の電装品と、が車両に設けられるとともに、電源から電装品に電力が供給されることがある。そこで、電源と電装品との間に流れる電流を検出するための電流検出装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された電流検出装置では、電源と電装品とを電気的に接続するバスバの周囲に電磁シールド枠部材（透磁部材）が設けられており、バスバに電流が流れてその周囲に磁界が発生した際に、磁束が電磁シールド枠部材を通過しやすくなっている。さらに、ホール素子（磁界検出素子）が電磁シールド枠部材に対して適宜な位置に配置され、ホール効果を利用して磁界を検出することにより、ホール素子の位置と検出した磁界の強さとによって、バスバの電流を検出するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２７８９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたようなホール素子は、検出可能な磁界の範囲が限られている。即ち、バスバと電磁シールド枠部材とホール素子との相対位置が決まっている状態においては、バスバに流れる電流が所定の範囲内である場合に磁界が検出され、その結果として電流が検出される。従って、バスバを流れる電流の値が大きく変動する場合、発生する磁界の強さも大きく変動し、電流を検出するためには複数のホール素子を用いる必要があった。
【０００５】
このとき、検出可能な磁界の範囲が異なる複数のホール素子を用いれば、広範囲な電流を検出することができる。しかしながら、性能の異なる複数のホール素子を用いると、電流検出装置の構成部品の種類が増加して高コスト化してしまう。そこで、共通の複数のホール素子を用いるとともに、これらを磁界の強さが異なる位置に配置する構成が考えられる。即ち、磁束が通過しにくい位置（例えば断面Ｕ字状の電磁シールド枠部材の底板部から離れた位置）にホール素子を配置することにより、大電流を検出しやすくし、磁束が通過しやすい位置（例えば電磁シールド枠部材の底板部の近傍）にホール素子を配置することにより、小電流を検出しやすくする構成が考えられる。しかしながら、ホール素子の底板部からの距離を単に調節するだけでは、充分に広範囲な電流を検出することは困難である。
【０００６】
本発明の目的は、磁界検出素子によって広範囲な電流を低コストで検出することができるようにする透磁部材および電流検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の透磁部材は、帯板状のバスバと、前記バスバに流れる電流によって生じる磁界を検出する複数の磁界検出素子と、を備えた電流検出装置に設けられる透磁部材であって、前記バスバに対向するように配置される底板部と、前記バスバの幅方向両側に位置するように前記底板部から立設された一対の立設壁部と、前記一対の立設壁部の上端のうち前記バスバの長手方向における一部から互いに近づくように延びて前記底板部に対向する一対の対向板部と、を有し、前記底板部、前記一対の立設壁部および前記一対の対向板部によって構成される断面Ｃ字状またはＯ字状の閉塞部と、前記底板部および前記一対の立設壁部によって構成される断面Ｕ字状の開放部と、が前記長手方向に沿って並んでいることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
このような本願発明の透磁部材によれば、断面Ｃ字状またはＯ字状の閉塞部は、電流の通過方向（バスバの長手方向）を軸とする環状（閉環状および開環状を含む）となっており、バスバに電流が流れた際に、磁束が通過しやすい。従って、閉塞部には磁束が集中しやすく、その内側において磁界が強くなりやすい。一方、Ｕ字状の開放部においては、一対の立設壁部同士が離れておりこれらの間の磁気抵抗が大きいため、閉塞部と比較して磁束が通過しにくい。従って、開放部では、閉塞部と比較して、特に底板部から離れた位置において磁束が集中しにくく、磁界が強くなりにくい。
【０００９】
これにより、バスバに大電流が流れた場合に、開放部において磁界が強くなりにくく、開放部に配置した磁界検出素子によって大電流を検出しやすい。また、バスバに小電流が流れた場合に、閉塞部において磁界が強くなりやすく、閉塞部に配置した磁界検出素子によって小電流を検出しやすい。このとき、閉塞部および開放部のそれぞれに配置した磁界検出素子を共通化しても広範囲な電流を検出することができ、低コスト化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る電流検出装置を示す斜視図である。
【図２】前記電流検出装置を示す分解斜視図である。
【図３】前記電流検出装置の透磁部材を示す斜視図である。
【図４】前記電流検出装置の要部を示す上面図である。
【図５】前記電流検出装置の要部を示す正面図である。
【図６】前記透磁部材の閉塞部に磁束が通過する様子を示す正面図である。
【図７】前記透磁部材の開放部に磁束が通過する様子を示す正面図である。
【図８】前記透磁部材における磁束密度の位置依存性を示すグラフである。
【図９】前記透磁部材における磁束密度の他の位置依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電流検出装置１を示す斜視図であり、図２は、電流検出装置１を示す分解斜視図であり、図３は、電流検出装置１の透磁部材４を示す斜視図であり、図４は、電流検出装置１の要部を示す上面図であり、図５は、電流検出装置１の要部を示す正面図であり、図６は、透磁部材４の閉塞部４Ａに磁束が通過する様子を示す正面図であり、図７は、透磁部材４の開放部４Ｂに磁束が通過する様子を示す正面図であり、図８は、透磁部材４における磁束密度の位置依存性を示すグラフであり、図９は、透磁部材４における磁束密度の他の位置依存性を示すグラフである。
【００１２】
本実施形態の電流検出装置１は、車載された電源と電装品（例えばモータ）と間に流れる電流を検出するためのものであって、帯板状のバスバ２と、２つの磁界検出素子３Ａ、３Ｂが設けられたプリント基板３０と、透磁部材４と、ハウジング５と、を備え、電源と電装品とがバスバ２によって電気的に接続され、バスバ２に流れる電流を検出するようになっている。本実施形態では、バスバ２の長辺方向をＸ方向とし、短辺方向をＹ方向とし、板厚方向をＺ方向とする。また、バスバ２とプリント基板３０とがＺ方向に対向しており、Ｚ方向におけるプリント基板３０側を上側とし、バスバ２側を下側とする。
【００１３】
バスバ２は、例えば銅やアルミニウム等の導電性金属によって構成され、長手方向の両端に接続部２１、２２を有する。接続部２１、２２のそれぞれが電源および電装品に対して電気的に接続される。バスバ２は、透磁部材４の後述する底板部４１に対してＺ方向において対向するように配置される。尚、バスバ２と底板部４１とは、適宜な寸法だけ離隔して互いに絶縁されている。
【００１４】
プリント基板３０は、ＸＹ平面に沿うとともにＸ方向を長辺方向とする長方形板状に形成されている。２つの磁界検出素子３Ａ、３Ｂは、プリント基板３０の同一の面（本実施形態では上面）に設けられるとともに、Ｘ方向において所定の間隔をあけて並設されている。尚、２つの磁界検出素子３Ａ、３Ｂは、プリント基板３０の下面に設けられていてもよい。
【００１５】
磁界検出素子３Ａ、３Ｂは、例えばホールＩＣであって、自身が配置された位置における磁界の強さを検出する。即ち、バスバ２に電流が流れることにより発生した磁界のもとで半導体に電圧を印加することにより、ホール効果を利用して磁界の強さを検出する。磁界検出素子３Ａ、３Ｂは、それぞれ同一の性能を有するものであり、所定範囲の磁束密度（磁界の強さ）を検出可能に構成されている。このように同一性能の磁界検出素子３Ａ、３Ｂを用いることにより、部品の種類が増加することによる高コスト化を抑制している。
【００１６】
透磁部材４は、例えば強磁性体金属によって構成されており、電流検出装置１における他の構成部品よりも透磁率が高く、磁束が優先的に通過するようになっている。透磁部材４は、例えば１枚の板状部材を打ち抜き加工および曲げ加工することにより形成され、底板部４１と、一対の立設壁部４２、４３と、一対の対向板部４４、４５と、一体に有する。
【００１７】
底板部４１は、ＸＹ平面に沿うとともにＸ方向を長辺方向とする長方形板状に形成され、その上面が、バスバ２の下面に対向するように配置される。一対の立設壁部４２、４３は、底板部４１のＹ方向両端に連続しつつＺ方向上側に向かって立設されている。即ち、一対の立設壁部４２、４３は、ＺＸ平面に沿って延びるとともに、バスバ２のＹ方向両側に位置する。
【００１８】
立設壁部４２、４３は、それぞれ、Ｘ方向の一方側（後述するコネクタ接続部５１側）に形成された高壁部４２１、４３１と、他方側に形成された低壁部４２２、４３２と、高壁部４２１、４３１と低壁部４２２、４３２との間に形成された切欠き部４２３、４３３と、を有する。切欠き部４２３、４３３は、後述するように閉塞部４Ａを通過する磁束によって生じる磁界と、開放部４Ｂを通過する磁束によって生じる磁界と、の干渉を抑制するものであって、Ｚ方向上側（底板部４１の反対側）に開口した形状を有している。立設壁部４２、４３において、高壁部４２１、４３１が低壁部４２２、４３２よりも壁高さが高く（Ｚ方向寸法が大きく）、低壁部４２２、４３２が切欠き部４２３、４３３よりも壁高さが高くなっている。
【００１９】
本実施形態では、高壁部４２１、４３１が低壁部４２２、４３２の１．５倍程度のＺ方向寸法を有しており、低壁部４２２、４３２が切欠き部４２３、４３３の１．５倍程度のＺ方向寸法を有している。尚、これらのＺ方向寸法は適宜に設定されていればよく、高壁部４２１、４３１が低壁部４２２、４３２の１．３〜１．７倍程度のＺ方向寸法を有していることが好ましく、低壁部４２２、４３２が切欠き部４２３、４３３の１．３〜１．７倍程度のＺ方向寸法を有していることが好ましい。
【００２０】
本実施形態では、高壁部４２１、４３１と低壁部４２２、４３２と切欠き部４２３、４３３とがそれぞれ略等しいＸ方向寸法を有している。尚、高壁部４２１、４３１、低壁部４２２、４３２及び切欠き部４２３、４３３のＸ方向寸法は、適宜な大きさであればよく、例えば立設壁部４２、４３全体のＸ方向寸法に対し、それぞれ２０〜４０％程度であることが好ましい。
【００２１】
一対の対向板部４４、４５は、それぞれ低壁部４２２、４３２の上端に連続しつつ、Ｙ方向において互いに近づくように延びている。即ち、一対の対向板部４４、４５は、ＸＹ平面に沿って延びるとともに、底板部４１に対して所定の間隔をあけつつＺ方向において対向する。本実施形態では、一対の対向板部４４、４５の先端同士がＹ方向において互いに離隔している。また、対向板部４４、４５は、長方形板状に形成されるとともに、先端側の角部には面取り部４４１、４５１が形成されている。
【００２２】
このような透磁部材４において、底板部４１と一対の低壁部４２２、４３２と一対の対向板部４４、４５とによって断面Ｃ字状（Ｘ方向から見てＣ字状）の閉塞部４Ａが構成されるとともに、底板部４１と一対の高壁部４２１、４３１とによって断面Ｕ字状（Ｘ方向から見てＵ字状）の開放部４Ｂが構成されている。閉塞部４Ａと開放部４ＢとはＸ方向に沿って並んでいる。閉塞部４Ａが低壁部４２２、４３２を有し、開放部４Ｂが高壁部４２１、４３１を有することから、立設壁部４２、４３は、開放部４Ｂにおいて閉塞部４Ａよりも壁高さが高い。
【００２３】
ハウジング５は、絶縁性の合成樹脂によって形成され、コネクタ接続部５１と、基板収容部５２と、バスバ保持手段５３と、透磁部材保持手段５４と、を備え、バスバ２とプリント基板３０と透磁部材４とを互いに絶縁しつつ保持するものである。即ち、バスバ２とプリント基板３０と透磁部材４との相対位置が、ハウジング５によって維持されるようになっている。
【００２４】
コネクタ接続部５１は筒状に形成され、適宜なコネクタが接続されることにより、磁界検出素子３Ａ、３Ｂの測定値が外部出力されるようになっている。基板収容部５２は、Ｚ方向下側に開口した凹状となっており、プリント基板３０を収容した状態でモールド材が充填されることにより、プリント基板３０が保持されるようになっている。
【００２５】
バスバ保持手段５３は、バスバ２の下面及び側端面を押圧するリブと、バスバ２の側端面に形成された切欠きに係合する係合部と、を有し、バスバ２をハウジング５に対してＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向のいずれにも移動しないようにするものである。透磁部材保持手段５４は、透磁部材４を切欠き部４２３、４３３において係止する係止アーム５４１と、対向板部４４、４５をＺ方向から挟み込んで押圧する挟持部５４２と、を有し、透磁部材４をハウジング５に対してＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向のいずれにも移動しないようにするものである。尚、バスバ保持手段および透磁部材保持手段は、ハウジングを構成する樹脂の溶着によってバスバや透磁部材を保持するものであってもよい。
【００２６】
ここで、バスバ２とプリント基板３０と透磁部材４との詳細な位置関係について、図４、５に基づいて説明する。まず、バスバ２およびプリント基板３０は、Ｚ方向においてバスバ２と対向板部４４、４５との間に配置されており、即ち閉塞部４Ａの内側を通過するようになっている。底板部４１を基準としたバスバ２の配置高さは、低壁部４２２、４３２の壁高さの２０〜４０％程度となっており、底板部４１を基準としたプリント基板３０における磁界検出素子３Ａ、３Ｂの配置高さは、低壁部４２２、４３２の壁高さの６０〜８０％程度となっている。
【００２７】
上記のような配置においてバスバ２に電流が流れて磁界が発生する際、図６、７に示すように磁束が通過する。図示の例では、紙面奥側から手前側に向かうようにバスバ２に電流が流れ、磁束が反時計回りの向きに進行しようとする。まず、透磁部材４は他の部分よりも透磁率が高いことから、磁束は透磁部材４を優先的に通過しようとする。このとき、閉塞部４Ａにおいては、対向板部４４、４５の先端同士が離れているものの、これらの間を通過する経路が他の経路と比較して低い磁気抵抗を有している。従って、Ｃ字状の閉塞部４Ａを含む仮想的な閉環に沿って多くの磁束が通過する。即ち、一方の低壁部４３２から底板部４１を通過して他方の低壁部４２２に到達した磁束が、再び一方の低壁部４３２に戻ろうとする際、対向板部４４、４５を優先して通過し、磁束が集中する。
【００２８】
一方、開放部４Ｂにおいては、一対の高壁部４２１、４３１同士の間隔がＺ方向位置によらず略一定であることから、一方の高壁部４３１から底板部４１を通過して他方の高壁部４２１に到達した磁束が、再び一方の高壁部４３１に戻ろうとする際、優先して通過する経路がなく、磁束が集中しにくい。
【００２９】
このように、閉塞部４Ａにおいては磁束が集中しやすく、開放部４Ｂにおいては集中しにくいことから、閉塞部４Ａの内側においては磁界が強くなりやすく、開放部４Ｂの内側においては磁界が強くなりにくい。尚、開放部４Ｂの内側とは、一対の高壁部４２１、４３１及び底板部４１によって三方から囲まれた領域を指す。
【００３０】
ここで、バスバ２に電流が流れた際の磁束密度の位置依存性について図８に基づいて説明する。本測定は、閉塞部４Ａおよび開放部４Ｂのそれぞれにおいて、Ｘ方向およびＹ方向の測定位置を固定し、Ｚ方向の測定位置（バスバ２からの高さ）を変化させたものである。バスバに小電流Ｉ１が流れた際の閉塞部４Ａにおける磁束密度を実線で示し、バスバに大電流Ｉ２が流れた際の開放部４Ｂにおける磁束密度を破線で示す。
【００３１】
閉塞部４Ａにおいて、バスバ２に近い位置においては、底板部４１を通過する磁束の影響を受けやすく、バスバ２から離れていくにしたがって、底板部４１を通過する磁束の影響を受けにくくなる一方、対向板部４４、４５を通過する磁束の影響を受けやすくなる。その結果、閉塞部４Ａにおける磁束密度は、バスバ２から所定の距離だけ離れた位置において極大となる。
【００３２】
ここで、閉塞部を有しておらず開放部のみを有する透磁部材を用いた場合には、バスバから離れた（底板部から離れた）位置ほど磁束密度が低くなるが、本実施形態の透磁部材４は閉塞部４Ａおよび開放部４Ｂの両方を有するため、開放部４Ｂにおいて閉塞部４Ａの磁束の影響を受ける。このため、開放部４Ｂにおける磁束密度の曲線は、閉塞部４Ａにおける磁束密度の曲線と同様の傾向を示す。
【００３３】
磁界検出素子３Ａ、３Ｂは、所定範囲の磁束密度（本実施形態では１１〜４５ｍＴ、一点鎖線で図示）を検出可能に構成されている。このとき、小電流Ｉ１が流れた際の閉塞部４Ａにおける磁束密度と、大電流Ｉ２が流れた際の開放部４Ｂにおける磁束密度と、のいずれもが上記範囲に含まれる（図８において両曲線が一点鎖線で示す範囲に含まれる）ように磁界検出素子３Ａ、３ＢのＺ方向位置を設定する（ハッチングで示した範囲の位置とする）ことにより、共通の磁界検出素子３Ａ、３Ｂをプリント基板３０の同一面に配置しつつ、小電流Ｉ１によって生じる磁界の強さを、閉塞部４Ａに配置した磁界検出素子３Ａによって検出するとともに、大電流Ｉ２によって生じる磁界の強さを、開放部４Ｂに配置した磁界検出素子３Ｂによって検出することができる。
【００３４】
次に、磁束密度のＸ方向位置依存性について図９に基づいて説明する。図９の横軸である「奥行」は、立設壁部４２、４３のＸ方向他方側端部を０とし、一方側に向かうにしたがって大きくなるものとする。本実施形態の電流検出装置１においてバスバ２に電流が流れた際の磁束密度を実線で示す。ここで、閉塞部および開放部を有するとともに切欠き部が形成されていない透磁部材を用いた電流検出装置を、本発明の第２実施形態に係る電流検出装置とする。第２実施形態の電流検出装置において、バスバに電流が流れた際の磁束密度を破線で示す。
【００３５】
本実施形態においては、透磁部材４の立設壁部４２、４３に切欠き部４２３、４３３が形成されていることから、閉塞部４Ａを通過する磁束によって生じる磁界と、開放部４Ｂを通過する磁束によって生じる磁界と、が互いに干渉しにくい。従って、閉塞部４Ａに対応する領域と、開放部４Ｂに対応する領域と、のそれぞれにおいて、奥行の変化量に対する磁束密度の変化量が小さく（即ちグラフの傾きの絶対値が小さく）なっている。
【００３６】
一方、第２実施形態においては、透磁部材の立設壁部に切欠き部が形成されていないことから、閉塞部を通過する磁束によって生じる磁界と、開放部を通過する磁束によって生じる磁界と、が互いに干渉しやすい。従って、開放部に対応する領域において、奥行の変化量に対する磁束密度の変化量が大きい（即ちグラフの傾きの絶対値が大きい）位置が生じる。
【００３７】
以上のような電流検出装置１では、磁界検出素子３Ａ、３Ｂのそれぞれが配置される位置において、バスバ２を流れる電流と磁界の強さ（磁束密度）との関係を、測定により予め把握しておくとともに、この関係を適宜な記憶部に記憶しておき、磁界検出素子３Ａ、３Ｂにより検出した磁界の強さと、記憶した電流と磁界との関係と、に基づいてバスバ２を流れる電流を検出する。
【００３８】
このような本実施形態によれば、以下のような効果がある。即ち、透磁部材４が閉塞部４Ａと開放部４Ｂとを有していることで、バスバ２に大電流が流れた場合に、開放部４Ｂにおいて磁界が強くなりにくく、開放部４Ｂに配置した磁界検出素子３Ｂによって大電流を検出しやすい。また、バスバ２に小電流が流れた場合に、閉塞部４Ａにおいて磁界が強くなりやすく、閉塞部４Ａに配置した磁界検出素子３Ａによって小電流を検出しやすい。これにより、磁界検出素子３Ａ、３Ｂを共通化して低コスト化するとともに、広範囲な電流を検出することができる。
【００３９】
また、立設壁部４２、４３において閉塞部４Ａと開放部４Ｂとの間に切欠き部４２３、４３３が形成されていることで、磁界同士が干渉しにくく、閉塞部４Ａに対応する領域と、開放部４Ｂに対応する領域と、のそれぞれにおいて、Ｘ方向位置の変化量に対する磁束密度の変化量が小さくなる。これにより、電流検出装置１の組み立て時に、透磁部材４と磁界検出素子３Ａ、３Ｂとの間にＸ方向の位置ずれが生じても磁界の検出値が変化しにくく、位置ずれによる電流の検出誤差を小さくすることができる。
【００４０】
また、立設壁部４２、４３が開放部４Ｂにおいて閉塞部４Ａよりも壁高さが高いことで、一対の高壁部４２１、４３１同士の対向面積を大きくすることができる。一対の高壁部４２１、４３１では、対向する部分において磁束が行き来することができ、対向面積を大きくすることにより開放部４Ｂにおける磁束の集中を抑制し、大電流を検出しやすくすることができる。
【００４１】
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成できる他の構成等を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。
【００４２】
例えば、前記実施形態では、立設壁部４２、４３が開放部４Ｂにおいて閉塞部４Ａよりも壁高さが高いものとしたが、これらの壁高さは、検出する電流の大きさや範囲に応じて適宜に設定されればよく、開放部において閉塞部よりも壁高さが低くてもよいし、同程度であってもよい。また、開放部における壁高さを低くすれば、透磁部材を小型化することができる。
【００４３】
また、前記実施形態では、立設壁部４２、４３において閉塞部４Ａと開放部４Ｂとの間に切欠き部４２３、４３３が形成されているものとしたが、切欠き部４２３、４３３の幅（Ｘ方向寸法）や深さ（Ｚ方向寸法）は適宜に設定されていればよい。例えば、切欠き部が底板部まで到達し、閉塞部と開放部とで立設壁部が完全に分断される構成としてもよい。また、磁界検出素子と透磁部材とがＸ方向において位置ずれしにくい場合には、切欠き部が形成されていなくてもよい。
【００４４】
また、前記実施形態では、一対の対向板部４４、４５の先端同士がＹ方向において互いに離隔し、断面Ｃ字状の閉塞部４Ａが形成されるものとしたが、一対の対向板部の先端同士の離隔寸法は、検出する電流の大きさや範囲に応じて適宜に設定されればよく、離隔寸法を０とし、一対の対向板部の先端同士を当接させて断面Ｏ字状の閉塞部を形成してもよい。
【００４５】
また、前記実施形態では、２つの磁界検出素子３Ａ、３Ｂが１枚のプリント基板３０の同一の面に配置されるものとしたが、２つの磁界検出素子は、１枚のプリント基板における互いに異なる面に配置されてもよいし、２枚のプリント基板のそれぞれに配置されてもよい。２つの磁界検出素子が異なるプリント基板に配置される場合、これらのプリント基板は、Ｚ方向位置が同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００４６】
また、前記実施形態では、２つの磁界検出素子３Ａ、３Ｂがそれぞれ閉塞部４Ａと開放部４Ｂとに配置されるものとしたが、磁界検出素子は、閉塞部４Ａと開放部４Ｂとの境界部分（切欠き部４２３、４３３が形成された領域）に配置されてもよい。また、３つ以上の磁界検出素子がそれぞれ適宜な位置に配置されてもよい。
【００４７】
その他、本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。従って、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部、もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４８】
１                 電流検出装置
２                 バスバ
３Ａ、３Ｂ         磁界検出素子
４                 透磁部材
４１               底板部
４２、４３         立設壁部
４２３、４３３     切欠き部
４４、４５         対向板部
４Ａ               閉塞部
４Ｂ               開放部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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