(57)【要約】      （修正有）【課題】薄膜においても高い位相差を有するフィルムに適した新規な共重合体を効率良く経済的に製造する方法に関する。【解決手段】α−シアノケイ皮酸エステル、ベンザルマロノニトリル、ニトロベンザルマロノニトリル、シンナモニトリル、カルコン、アルコキシカルコン、ベンジリデンマロン酸ジエステル、Ｎ，Ｎ−ジアルキルシンナムアミドからなる群より選択される１種以上の単量体Ａおよび単量体Ｂ（ビニルカルバゾール）を含む単量体を、一般式（３）で示される溶媒中で油溶性ラジカル開始剤を用いて重合することを特徴とする共重合体の製造方法。2019167466.tif 000008ここで、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基、炭素数１〜１２のアシル基を示し、Ｒ１１は水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される単量体Ａおよび一般式（２）で表される単量体Ｂを含む単量体を、一般式（３）で示される溶媒中で油溶性ラジカル開始剤を用いて重合することを特徴とする共重合体の製造方法。
【化１】
2019167466.tif 000005
（ここで、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ１、Ｒ２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ１)、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ２）（Ｘ３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ４)（ここで、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。Ｒ３〜Ｒ７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜１４の環状基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ７）（Ｘ８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ１０）（Ｘ１１））、またはスルホン酸基（−ＳＯＯＸ１２）（ここで、Ｘ５〜Ｘ８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ９〜Ｘ１２はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。また、Ｒ３〜Ｒ７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。）
【化２】
2019167466.tif 000006
（ここで、Ｒ８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は縮合環構造を形成してもよい。）
【化３】
2019167466.tif 000007
（ここで、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜６の環状アルキル基、または炭素数１〜１２のアシル基を示し、Ｒ１１は水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）
【請求項２】
Ｒ１がシアノ基、エステル基、アミド基、アシル基からなる群より選択されることを特徴とする請求項１に記載の共重合体の製造方法。
【請求項３】
Ｒ２がシアノ基であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の共重合体の製造方法。
【請求項４】
一般式（１）で表される単量体Ａがα−シアノケイ皮酸エステル、ベンザルマロノニトリル、ニトロベンザルマロノニトリル、シンナモニトリル、カルコン、アルコキシカルコン、ベンジリデンマロン酸ジエステル、Ｎ，Ｎ−ジアルキルシンナムアミドからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１に記載の共重合体の製造方法。
【請求項５】
Ｒ８がヘテロ原子として窒素原子または酸素原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基（前記５員環複素環残基および前記６員環複素環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい）であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
【請求項６】
一般式（１）で表される単量体Ａの残基単位と一般式（２）で表される単量体Ｂの残基単位とのモル比Ａ／Ｂが０．０５〜６の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
【請求項７】
標準ポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５００，０００であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
【請求項８】
一般式（３）で示される溶媒が、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群より選択される１種以上であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
一般式（３）で示される溶媒１００重量部に対し、単量体Ａおよび単量体Ｂの合計１０〜１５０重量部、ならびに油溶性ラジカル重合開始剤０．００１〜５重量部を用いることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の共重合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な共重合体の製造方法に関するものであり、さらに詳細には、薄膜においても高い位相差を有する位相差フィルム、特に液晶表示素子用の光学補償フィルムまたは有機ＥＬ用円偏光板の位相差フィルムに適した新規な共重合体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイは、マルチメディア社会における最も重要な表示デバイスとして、スマートフォン、コンピュータ用モニター、ノートパソコン、テレビまで幅広く使用されている。
【０００３】
液晶ディスプレイには表示特性向上のため多くの光学フィルムが用いられており、特に位相差フィルムは正面や斜めから見た場合のコントラストの向上、色調の補償等大きな役割を果たしている。従来の位相差フィルムとしては、ポリカーボネートや環状ポリオレフィンが使用されており、これらの高分子はいずれも正の複屈折を有する高分子である。ここで、複屈折の正負は以下に示すように定義される。
【０００４】
延伸等で分子配向した高分子フィルムの光学異方性は、フィルムを延伸した場合のフィルム面内の進相軸方向の屈折率をｎｘ、それと直交するフィルム面内方向の屈折率をｎｙ、フィルムの厚み方向の屈折率をｎｚとした屈折率楕円体で表すことができる。
【０００５】
つまり、負の複屈折を有する高分子の一軸延伸では延伸軸方向の屈折率が小さく（進相軸：延伸方向）、正の複屈折を有する高分子の一軸延伸では延伸軸と直交する軸方向の屈折率が小さい（進相軸：延伸方向と垂直方向）。
【０００６】
多くの高分子は正の複屈折を有する。負の複屈折を有する高分子としてはアクリル樹脂やポリスチレンがあるが、アクリル樹脂は位相差が小さく、位相差フィルムとしての特性は十分でない。ポリスチレンは、低温領域での光弾性係数が大きいためにわずかな応力で位相差が変化するなど位相差の安定性の課題、さらに耐熱性が低いという実用上の課題があり、現状用いられていない。
【０００７】
負の複屈折を示す高分子の延伸フィルムではフィルムの厚み方向の屈折率が高く、従来にない位相差フィルムとなるため、例えばスーパーツイストネマチック型液晶ディスプレイ（ＳＴＮ−ＬＣＤ）や垂直配向型液晶ディスプレイ（ＶＡ−ＬＣＤ）、面内配向型液晶ディスプレイ（ＩＰＳ−ＬＣＤ）、反射型液晶ディスプレイ（反射型ＬＣＤ）等のディスプレイの視角特性の補償用位相差フィルムや偏向板の視野角補償フィルムとして有用であり、負の複屈折を有する位相差フィルムに対して市場の要求は強い。
【０００８】
正の複屈折を有する高分子を用いてフィルムの厚み方向の屈折率を高めたフィルムの製造方法が提案されている。ひとつは高分子フィルムの片面または両面に熱収縮性フィルムを接着し、その積層体を加熱延伸処理して、高分子フィルムのフィルム厚み方向に収縮力をかける処理方法（例えば、特許文献１〜３参照）である。また、高分子フィルムに電場を印加しながら面内に一軸延伸する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００９】
それ以外にも負の光学異方性を有する微粒子と透明性高分子からなる位相差フィルムが提案されている（例えば、特許文献５参照）。
【００１０】
しかし、特許文献１〜４において提案された方法は、製造工程が非常に複雑になるために生産性が劣る課題がある。また位相差の均一性等の制御も従来の延伸による制御と比べると著しく難しくなる。
【００１１】
特許文献５で得られる位相差フィルムは、負の光学異方性を有する微粒子を添加することによって負の複屈折を示す位相差フィルムであり、製造方法の簡便化や経済性の観点から、微粒子を添加する必要のない位相差フィルムが求められている。
【００１２】
また、フマル酸ジエステル系共重合体及びそれよりなるフィルムが提案されている（例えば、特許文献６〜１２参照）。
【００１３】
特許文献６〜１２で提案されたフマル酸ジエステル系共重合体及びそれよりなるフィルムは高い位相差を有しているものの、現状においては、より薄膜においても高い位相差を発現する重合体及びその製造方法、並びに該重合体を用いてなるフィルムが求められている。
【００１４】
我々は特定の芳香族系重合体が薄膜で高い位相差を発現することを見出し、該重合体の製造方法を見出している。ただし、さらにこれを効率よく経済的に製造する方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特許２８１８９８３号公報
【特許文献２】特開平５−２９７２２３号公報
【特許文献３】特開平５−３２３１２０号公報
【特許文献４】特開平６−８８９０９号公報
【特許文献５】特開２００５−１５６８６２号公報
【特許文献６】特開２００８−１１２１４１号公報
【特許文献７】特開２０１２−０３２７８４号公報
【特許文献８】ＷＯ２０１２／００５１２０号公報
【特許文献９】特開２００８−１２９４６５号公報
【特許文献１０】特開２００６-１９３６１６号公報
【特許文献１１】ＷＯ２０１４／０１３９８２号公報
【特許文献１２】ＷＯ２０１４／０８４１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薄膜においても高い位相差を有する光学特性に優れたフィルムに適した新規な共重合体を効率良く経済的に製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の共重合体の製造方法が上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１８】
すなわち、本発明は、一般式（１）で表される単量体Ａおよび一般式（２）で表される単量体Ｂを含む単量体を、一般式（３）で示される溶媒中で油溶性ラジカル開始剤を用いて重合することを特徴とする共重合体の製造方法に関するものである。
【００１９】
【化１】
2019167466.tif 000002
【００２０】
（ここで、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ１、Ｒ２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ１)、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ２）（Ｘ３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ４)（ここで、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。Ｒ３〜Ｒ７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜１４の環状基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ７）（Ｘ８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ１０）（Ｘ１１））、またはスルホン酸基（−ＳＯＯＸ１２）（ここで、Ｘ５〜Ｘ８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ９〜Ｘ１２はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。また、Ｒ３〜Ｒ７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。）
【００２１】
【化２】
2019167466.tif 000003
【００２２】
（ここで、Ｒ８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい。）
【００２３】
【化３】
2019167466.tif 000004
【００２４】
（ここで、Ｒ９、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜６の環状アルキル基、または炭素数１〜１２のアシル基を示し、Ｒ１１は水素、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２５】
本発明の共重合体の製造方法は、一般式（１）で表される単量体Ａおよび一般式（２）で表される単量体Ｂを含む単量体を、一般式（３）で示される溶媒中で油溶性ラジカル開始剤を用いて重合を行うものである。
【００２６】
本発明の共重合体は、一般式（１）で表される単量体Ａおよび一般式（２）で表される単量体Ｂを含むことを特徴とする共重合体である。そして、該共重合体は、該残基単位Ａ及び該残基単位Ｂを含んでなることにより、より薄膜においても高い位相差を発現するものである。
【００２７】
本発明の一般式（１）におけるＲ１、Ｒ２はそれぞれ独立して水素（ただし、Ｒ１、Ｒ２が共に水素である場合を除く。）、シアノ基、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ１）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ２）（Ｘ３））、またはアシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ４)（ここで、Ｘ１〜Ｘ３はそれぞれ独立して、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ４は炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜１４の環状基を示す。）を示す。
【００２８】
Ｘ１〜Ｘ４における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられ、Ｘ１〜Ｘ３における炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられ、Ｘ４における炭素数３〜１４の環状基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２９】
本発明の一般式（１）におけるＲ１としては、より高い位相差を発現することから、シアノ基;メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基等のエステル基;ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基等のアミド基;アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基であることが好ましく、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ベンゾイル基であることがさらに好ましく、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基であることが特に好ましい。
【００３０】
本発明の一般式（１）におけるＲ２としては、より高い位相差を発現することから、水素;シアノ基;メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基等のエステル基であることが好ましく、水素、シアノ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ−プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、イソブチルエステル基であることがさらに好ましく、シアノ基、イソブチルエステル基であることが特に好ましい。
【００３１】
本発明の一般式（１）におけるＲ３〜Ｒ７はそれぞれ独立して水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、炭素数３〜６の環状アルキル基、ハロゲン、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ基（−ＯＸ５）、エステル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＸ６）、アミド基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｘ７）（Ｘ８））、アシル基（−Ｃ（＝Ｏ）Ｘ９）、アミノ基（−Ｎ（Ｘ１０）（Ｘ１１））、またはスルホニル基（−ＳＯＯＸ１２）（ここで、Ｘ５〜Ｘ８は、それぞれ独立して炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示し、Ｘ９〜Ｘ１２はそれぞれ独立して、水素、炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基、分岐状アルキル基、または炭素数３〜６の環状アルキル基を示す。）を示す。
また、Ｒ３〜Ｒ７は隣接する置換基同士で縮合環構造を形成してもよい。
【００３２】
Ｒ３〜Ｒ７における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００３３】
Ｒ３〜Ｒ７におけるハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素等が挙げられる。
【００３４】
Ｘ５〜Ｘ１２における炭素数１〜１２の直鎖状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられ、炭素数１〜１２の分岐状アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられ、炭素数３〜６の環状アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００３５】
本発明の一般式（１）におけるＲ３〜Ｒ７としては、より高い位相差を発現することから、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、シクロヘキシル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ホルミル基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、メチルエステル基、エチルエステル基、ｎ―プロピルエステル基、イソプロピルエステル基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジｎ−プロピルアミド基、ジイソプロピルアミド基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、スルホン酸基、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基が好ましい。
【００３６】
具体的な一般式（１）で表される残基単位Ａとしては、例えば、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ｎ−プロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−イソプロピル−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単
位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単
位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−��ロモ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピ
ル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、２−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−メチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−エチル−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−フルオロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−クロロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ブロモ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−シアノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ニトロ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−メトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−エトキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ジメチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、２−ジエチルア���ノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、３−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、４−ジエチルアミノ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位、ベンザルマロノニトリル残基単位、２−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、３−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、４−メチルベンザルマロノニトリル残基単位、２−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、３−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、４−エチルベンザルマロノニトリル残基単位、２−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、３−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、４−フルオロベンザルマロノニトリル残基単位、２−クロロベンザルマロノニトリル残基単位、３−クロロベンザルマロノニトリル残基単位、４−クロロベンザルマロノニトリル残基単位、２−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、３−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、４−ブロモベンザルマロノニトリル残基単位、２−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−ヒドロキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、３−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、４−シアノベンザルマロノニトリル残基単位、２−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、３−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、４−ニトロベンザルマロノニトリル残基単位、２−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−メトキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、３−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、４−エトキシベンザルマロノニトリル残基単位、２−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、３−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、４−ジメチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、２−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、３−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、４−ジエチルアミノベンザルマロノニトリル残基単位、シンナモニトリル残基単位、２−メチルシンナモニトリル残基単位、３−メチルシンナモニトリル残基単位、４−メチルシンナモニトリル残基単位、２−エチルシンナモニトリル残基単位、３−エチルシンナモニトリル残基単位、４−エチルシンナモニトリル残基単位、２−フルオロシンナモニトリル残基単位、３−フルオロシンナモニトリル残基単位、４−フルオロシンナモニトリル残基単位、２−クロロシンナモニトリル残基単位、３−クロロシンナモニトリル残基単位、４−クロロシンナモニトリル残基単位、２−ブロモシンナモニトリル残基単位、３−ブロモシンナモニトリル残基単位、４−ブロモシンナモニトリル残基単位、２−メトキシシンナモニトリル残基単位、３−メトキシシンナモニトリル残基単位、４−メトキシシンナモニトリル残基単位、２−エトキシシンナモニトリル残基単位、３−エトキシシンナモニトリル残基単位、４−エトキシシンナモニトリル残基単位、カルコン残基単位、２−メチルカルコン残基単位、３−メチルカルコン残基単位、４−メチルカルコン残基単位、２−エチルカルコン残基単位、３−エチルカルコン残���単位、４−エチルカルコン残基単位、２−メトキシカルコン残基単位、３−メトキシカルコン残基単位、４−メトキシカルコン残基単位、２−エトキシカルコン残基単位、３−エトキシカルコン残基単位、４−エトキシカルコン残基単位、ベンジリデンマロン酸ジメチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジエチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジｎ−プロピル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジイソプロピル残基単位、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジｎ−プロピルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルシンナムアミド残基単位等が挙げられる。
【００３７】
これらの中でも高い位相差を発現することから、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位等のα−シアノケイ皮酸エステル残基単位；ベンザルマロノニトリル残基単位；ニトロベンザルマロノニトリル残基単位；シンナモニトリル残基単位；カルコン残基単位；２−メトキシカルコン残基単位、３−メトキシカルコン残基単位、４−メトキシカルコン残基単位、２−エトキシカルコン残基単位、３−エトキシカルコン残基単位、４−エトキシカルコン残基単位等のアルコキシカルコン残基単位；ベンジリデンマロン酸ジメチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジエチル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジｎ−プロピル残基単位、ベンジリデンマロン酸ジイソプロピル残基単位等のベンジリデンマロン酸ジエステル残基単位；Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジｎ−プロピルシンナムアミド残基単位、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルシンナムアミド残基単位が好ましく、α−シアノケイ皮酸メチル残基単位、α−シアノケイ皮酸エチル残基単位、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル残基単位、α−シアノケイ皮酸イソプロピル残基単位等のα−シアノケイ皮酸エステル残基単位；ベンザルマロノニトリル残基単位がさらに好ましい。
【００３８】
本発明の一般式（２）におけるＲ８はヘテロ原子を１つ以上含むｍ員環複素環残基またはヘテロ原子を含まない５員環残基を示し、ｍは５〜１０の整数を示す。前記ｍ員環複素環残基および前記５員環残基は他の環状構造と縮合環構造を形成してもよい。本発明の一般式（２）におけるＲ８は、より高い位相差が発現することから、ヘテロ原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基であることが好ましく、窒素原子または酸素原子を１つ以上含む５員環複素環残基または６員環複素環残基であることがさらに好ましい。なお、本発明の一般式（２）におけるＲ８に係るヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられるものである。
【００３９】
具体的な一般式（２）で表される残基単位Ｂとしては、例えば、１−ビニルピロール残基単位、２−ビニルピロール残基単位、１−ビニルインドール残基単位、９−ビニルカルバゾール残基単位、２−ビニルキノリン残基単位、４−ビニルキノリン残基単位、１−ビニルイソキノリン残基単位、２−ビニルピリジン残基単位、３−ビニルピリジン残基単位、４−ビニルピリジン残基単位、１−ビニルイミダゾール残基単位、２−ビニルイミダゾール残基単位、４−ビニルイミダゾール残基単位、５−ビニル−２−ピラゾリン残基単位、２−ビニルピラジン残基単位、ビニル−ｓ−トリアジン残基単位、１０−ビニル−９−ヒドロアクリジン残基単位、１−ビニルテトラゾール残基単位、５−ビニルテトラゾール残基単位、Ｎ−ビニルピロリドン残基単位、Ｎ−ビニル−ε−カプロラクタム残基単位、Ｎ−ビニルスクシンイミド残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位、Ｎ−ビニルサッカリン残基単位、２−ビニルフラン残基単位、３−ビニルフラン残基単位、２-ビニルベンゾフラン残基単位、２−ビニルチオフェン残基単位、３−ビニルチオフェン残基単位、２−ビニルベンゾチオフェン残基単位、２−ビニルベンゾオキサゾール残基単位、Ｎ−ビ
ニルオキサゾリドン残基単位、２−ビニルチアゾール残基単位、２−ビニルベンゾチアゾール残基単位等およびその置換基付加物等が挙げられる。
【００４０】
これらの中でも、高い位相差を発現することから、１−ビニルピロール残基単位、２−ビニルピロール残基単位、１−ビニルインドール残基単位、９−ビニルカルバゾール残基単位、２−ビニルキノリン残基単位、４−ビニルキノリン残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位、Ｎ−ビニルスクシンイミド残基単位、２−ビニルフラン残基単位、２-ビニルベンゾフラン残基単位が好ましく、９−ビニルカルバゾール残基単位、Ｎ−ビニルフタルイミド残基単位がさらに好ましい。
【００４１】
本発明の共重合体は、一般式（１）で表される残基単位Ａおよび一般式（２）で表される残基単位Ｂを含む限り特に制限はないが、薄膜とした際に位相差に優れるフィルムがより容易に得られることから、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−１−ビニ
ルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルピロール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルインドール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−４−ビニルキノリン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−２-ビニルベンゾ
フラン共重合体、α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸メチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸エチル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−プロピル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソプロピル１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピルＮ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピルＮ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソプロピル２-ビニルベンゾフラン共重合体、α−シアノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルピロール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シア
ノケイ皮酸イソブチル−１−ビニルインドール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２−ビニルフラン共重合体、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンザルマロノニトリル−１−ビニルピロール共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルピロール共重合体、ベンザルマロノニトリル−１−ビニルインドール共重合体、ベンザルマロノニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンザルマロノニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンザルマロノニトリル−２−ビニルフラン共重合体、ベンザルマロノニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−１−ビニルピロール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルピロール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−１−ビニルインドール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２−ビニルフラン共重合体、４−ニトロベンザルマロノニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、シンナモニトリル−１−ビニルピロール共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルピロール共重合体、シンナモニトリル−１−ビニルインドール共重合体、シンナモニトリル−９−ビニルカルバゾール共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルキノリン共重合体、シンナモニトリル−４−ビニルキノリン共重合体、シンナモニトリル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、シンナモニトリル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、シンナモニトリル−２−ビニルフラン共重合体、シンナモニトリル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、カルコン−１−ビニルピロール共重合体、カルコン−２−ビニルピロール共重合体、カルコン−１−ビニルインドール共重合体、カルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、カルコン−２−ビニルキノリン共重合体、カルコン−４−ビニルキノリン共重合体、カルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、カルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、カルコン−２−ビニルフラン共重合体、カルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−メトキシカルコン−１−ビニルピロール共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルピロール共重合体、４��メトキシカルコン−１−ビニルインドール共重合体、４−メトキシカルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルキノリン共重合体、４−メトキシカルコン−４−ビニルキノリン共重合体、４−メトキシカルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−メトキシカルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−メトキシカルコン−２−ビニルフラン共重合体、４−メトキシカルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、４−エトキシカルコン−１−ビニルピロール共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルピロール共重合体、４−エトキシカルコン−１−ビニルインドール共重合体、４−エトキシカルコン−９−ビニルカルバゾール共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルキノリン共重合体、４−エトキシカルコン−４−ビニルキノリン共重合体、４−エトキシカルコン−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、４−エトキシカルコン−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、４−エトキシカルコン−２−ビニルフラン共重合体、４−エトキシカルコン−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−１−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−１−ビニルインドール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２−ビニルフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジメチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−１−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルピロール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−１−ビニルインドール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−９−ビニルカルバゾール共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−４−ビニルキノリン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２−ビニルフラン共重合体、ベンジリデンマロン酸ジエチル−２-ビニルベンゾフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−１−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−１−ビニルインドール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−９−ビニルカルバゾール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−４−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２−ビニルフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジメチルシンナムアミド−２-ビニルベンゾフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−１−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルピロール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−１−ビニルインドール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−９−ビニルカルバゾール共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−４−ビニルキノリン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルフタルイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−Ｎ−ビニルスクシンイミド共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２−ビニルフラン共重合体、Ｎ，Ｎ−ジエチルシンナムアミド−２-ビニルベンゾフラン共重合体が好ましい。
【００４２】
本発明の共重合体は、本発明の範囲を超えない限り、他の単量体残基単位を含有していてもよく、他の単量体残基単位としては、例えば、スチレン残基単位、α−メチルスチレン残基単位等のスチレン類残基単位；（メタ）アクリル酸残基単位；（メタ）アクリル酸メチル残基単位、（メタ）アクリル酸エチル残基単位、（メタ）アクリル酸ブチル残基単位等の（メタ）アクリル酸エステル残基単位；酢酸ビニル残基単位、プロピオン酸ビニル残基単位等のビニルエステル類残基単位；アクリロニトリル残基単位；メタクリロニトリル残基単位；メチルビニルエーテル残基単位、エチルビニルエーテル残基単位、ブチルビニルエーテル残基単位等のビニルエーテル類残基単位；フマル酸ジエチル残基単位、フマル酸エステル残基単位;Ｎ−メチルマレイミド残基単位、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド残基単位、Ｎ−フェニルマレイミド残基単位等のＮ−置換マレイミド類残基単位；エチレン残基単位、プロピレン残基単位等のオレフィン類残基単位等より選ばれる１種または２種以上を挙げることができる。
【００４３】
本発明の共重合体の組成は、位相差フィルムとしたときの位相差特性が優れたものとなることから、一般式（１）で表される残基単位Ａと一般式（２）で表される残基単位Ｂとのモル比Ａ／Ｂが０．０５〜６であることが好ましく、０．１〜３であることがさらに好ましく、０．１８〜２であることが特に好ましく、０．２５〜１であることが最も好ましい。
【００４４】
本発明の共重合体は、機械特性に優れたものとなることから、ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した溶出曲線より得られる標準ポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５００，０００であることが好ましく、５，０００〜４００，０００であることがさらに好ましく、１０，０００〜３００，０００であることが特に好ましい。
【００４５】
本発明の共重合体の製造方法は、一般式（３）で示される溶媒中で油溶性ラジカル開始剤を用いて重合することを特徴とする。そして、本発明では、該溶媒中かつ油溶性ラジカル開始剤を用いて重合することで、特に効率良く経済的に本発明に係る共重合体を製造するものである。
【００４６】
一般式（３）で示される溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
【００４７】
これらの中でも、収率良く共重合体が得られることから、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが好ましい。
【００４８】
油溶性ラジカル開始剤としては、例えば、ベンゾイルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン等の有機過酸化物；２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス（２−ブチロニトリル）、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、ジメチル−２’−アゾビスイソブチレート、１，１’−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）等のアゾ系開始剤等が挙げられる。
【００４９】
また、ラジカル重合を行う際の重合温度は、重合開始剤の分解温度に応じて適宜設定することができ、反応の制御が容易であることから、一般的には３０〜１５０℃の範囲で行うことが好ましい。
【００５０】
本発明の共重合体の製造方法では、反応の制御が容易であることから、一般式（３）で示される溶媒１００重量部に対し、単量体Ａおよび単量体Ｂの合計１０〜１５０重量部、ならびに油溶性ラジカル重合開始剤０．００１〜５重量部を用いることが好ましい。
【００５１】
本発明の製造方法により、光学材料として好適な共重合体を効率良く経済的に製造することが可能となり、その産業的価値は極めて高いものである。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、断りのない限り用いた試薬は市販品を用いた。
【００５３】
なお、実施例により示す諸物性は、以下の方法により測定した。
【００５４】
＜数平均分子量の測定＞
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）装置（東ソー製、商品名：Ｃ０−８０１１（カラムＧＭＨＨＲ―Ｈを装着））を用い、テトラヒドロフランを溶媒として、４０℃で測定し、標準ポリスチレン換算値として求めた。
＜重合体の解析＞
重合体の構造解析は核磁気共鳴測定装置（日本電子製、商品名：ＪＮＭ−ＧＸ２７０）を用い、プロトン核磁気共鳴分光（１Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル分析より求めた。
【００５５】
実施例１（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル６．４ｇ（０．０２６モル）、９−ビニルカルバゾール５．０ｇ（０．０２６モル）、油性ラジカル開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８５ｇ（０．０００４３モル）およびエチレングリコールモノエチルエーテル１７．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを５５℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２８ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体７．５ｇを得た（収率：９５％）。
【００５６】
得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は２１７，０００であった。
【００５７】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４７／５３（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．８９）であることを確認した。
【００５８】
実施例２（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル５．６ｇ（０．０２６モル）、９−ビニルカルバゾール５．０ｇ（０．０２６モル）、油性ラジカル開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８５ｇ（０．０００４３モル）およびエチレングリコールモノメチルエーテル１７．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを５５℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２８ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体１０．０ｇを得た（収率：９４％）。
【００５９】
得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は２０８，０００であった。
【００６０】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４８／５２（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．９２）であることを確認した。
【００６１】
実施例３（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−ブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−ブチル６．４ｇ（０．０２６モル）、９−ビニルカルバゾール５．０ｇ（０．０２６モル）、油性ラジカル開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８５ｇ（０．０００４３モル）およびエチレングリコールモノブチルエーテル１７．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを５５℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２８ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−ブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体１０．８ｇを得た（収率：９５％）。
【００６２】
得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−ブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は１９９，０００であった。
【００６３】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸ｎ−ブチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４７／５３（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．８９）であることを確認した。
【００６４】
実施例４（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル６．４ｇ（０．０２６モル）、９−ビニルカルバゾール５．０ｇ（０．０２６モル）、油性ラジカル開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８５ｇ（０．０００４３モル）およびエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート１７．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを５５℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２８ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体１０．７ｇを得た（収率：９４％）。
【００６５】
得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は２０５，０００であった。
【００６６】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸イソブチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４８／５２（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．９２）であることを確認した。
【００６７】
実施例５（４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の合成）
容量５０ｍＬのガラスアンプルに４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル６．４ｇ（０．０２６モル）、９−ビニルカルバゾール５．０ｇ（０．０２６モル）、油性ラジカル開始剤である２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン０．１８５ｇ（０．０００４３モル）およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１７．０ｇを入れ、窒素置換と抜圧を繰り返したのち減圧状態で熔封した。このアンプルを５５℃の恒温槽に入れ、２４時間保持することによりラジカル重合を行った。重合反応終了後、アンプルから重合物を取り出し、テトラヒドロフラン２８ｇで溶解させた。このポリマー溶液を５００ｍＬのメタノール／水＝８０／２０（体積％／体積％）混合溶媒中に滴下して析出させた後、６０℃で１０時間真空乾燥することにより、４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体１０．６ｇを得た（収率：９３％）。
【００６８】
得られた４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル／９−ビニルカルバゾール共重合体の数平均分子量は２２３，０００であった。
【００６９】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、共重合体組成は４−ヒドロキシ−α−シアノケイ皮酸エチル残基単位／９−ビニルカルバゾール残基単位＝４８／５２（モル％）（残基単位Ａ／残基単位Ｂ＝０．９２）であることを確認した。