(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳｉＧｅＸ（シリコンゲルマニウム）を用いたＭＥＭＳ構造体の反りを抑制する。【解決手段】ＳｉＧｅＸ膜のＭＥＭＳ構造体３０を有するＭＥＭＳ素子であって、ＳｉＧｅＸ膜は、厚さ方向に異なる水素濃度分布を持つ。前記ＭＥＭＳ構造体３０としての電極部では、基板１０上のアンカー部２０側に設けられたＳｉＧｅＸのシード層３１と、シード層３１上に設けられたＳｉＧｅＸのバルク層３２と、前記バルク層３２上に設けられ、前記バルク層よりも水素濃度の高いＳｉＧｅＸの応力補償層３３とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＧｅＸ膜のＭＥＭＳ構造体を有するＭＥＭＳ素子であって、
前記ＳｉＧｅＸ膜は、厚さ方向に異なる水素濃度分布を持つ、ＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
前記ＳｉＧｅＸ膜は、一端側がアンカー部に固定され、他端側が自由な状態にある、請求項１に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項３】
前記ＳｉＧｅＸ膜は、１μｍ以上の厚さである、請求項１又は２に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項４】
基板上に設けられたアンカー部と、
前記アンカー部に一部が固定された電極部と、
を具備し、
前記電極部は、前記アンカー部側に設けられたＳｉＧｅＸのシード層と、前記シード層上に設けられたＳｉＧｅＸのバルク層と、前記バルク層上に設けられ、前記バルク層よりも水素濃度の高いＳｉＧｅＸの応力補償層とを有する、ＭＥＭＳ素子。
【請求項５】
基板上に設けられたアンカー部と、
前記アンカー部に一部が固定された電極部と、
を具備し、
前記電極部は、前記アンカー部側に設けられたＳｉＧｅＸのシード層と、前記シード層上に設けられたＳｉＧｅＸのバルク層とを有し、前記バルク層の前記シード層と反対側の表面部の水素濃度は前記バルク層の厚さ方向の中央部の水素濃度よりも高い、ＭＥＭＳ素子。
【請求項６】
前記電極部は、一端側が前記アンカー部に固定され、他端側が自由な状態にある、請求項４又は５に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項７】
前記バルク層は、１μｍ以上の厚さである、請求項４乃至６の何れかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項８】
前記アンカー部は、絶縁体又は導電体である、請求項４乃至７の何れかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項９】
前記シード層は、前記アンカー部側が非晶質であり、反対側が多結晶である、請求項４乃至８の何れかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項１０】
前記基板上に固定電極が設けられ、前記電極部の前記アンカー部に固定された部分以外の少なくとも一部は前記固定電極に対向配置されている、請求項４乃至９の何れかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項１１】
前記電極部は櫛歯状に設けられている、請求項４乃至１０の何れかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項１２】
基板上に犠牲層を形成する工程と、
シリコンを含むガス、ゲルマニウムを含むガス、及び水素を含むガスを用いたＣＶＤ法で、前記水素を含むガスの流量を成膜中に変えることにより、前記犠牲層上に膜厚方向の水素濃度の異なるＳｉＧｅＸ膜を成膜する工程と、
前記ＳｉＧｅＸ膜を所望パターンに加工する工程と、
前記ＳｉＧｅＸ膜の加工後に前記犠牲層の一部を除去する工程と、
を含む、ＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記ＳｉＧｅＸ膜の水素濃度を、膜厚方向の中央部よりも前記シード層と反対側の方を高くした、請求項１２に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＧｅＸ膜を成膜する工程として、前記犠牲層上にＳｉＧｅＸのシード層を形成した後、前記水素を含むガスの流量を低くした状態で前記シード層上にＳｉＧｅＸのバルク層を形成し、次いで前記水素を含むガスの流量を高くした状態で前記バルク層上にＳｉＧｅＸの応力補償層を形成する、請求項１２に記載のＭＥＭＳ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いたＭＥＭＳ素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＥＭＳ技術を用いて製造されたＭＥＭＳ加速度センサにおいては、ＭＥＭＳ構造体の材料としてシリコン（Ｓｉ）が用いられている。近年、特にＣＭＯＳ構造上にＭＥＭＳ構造体を作製する場合は、低温で形成可能なＣＶＤによるシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅＸ）膜を用いることが検討されている。
【０００３】
しかし、この種のＳｉＧｅＸ膜は膜厚方向に膜応力が異なっている。このため、ＭＥＭＳ技術を用いて形成した構造体、特に片持ち支持の梁（カンチレバー）などは、水平に形成できずに反ってしまうといった問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１６−５３６８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明が解決しようとする課題は、ＭＥＭＳ構造体の材料としてＳｉＧｅＸを用いた場合の反りを抑制することのできるＭＥＭＳ素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態のＭＥＭＳ素子は、ＳｉＧｅＸ膜のＭＥＭＳ構造体を有し、前記ＭＥＭＳ構造体のＳｉＧｅＸ膜は、厚さ方向に異なる水素濃度分布を持つ。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す断面図。
【図２】第１の実施形態のＭＥＭＳ素子の製造工程を示す断面図。
【図３】第１の実施形態のＭＥＭＳ素子の別の製造工程を示す断面図。
【図４】第１の実施形態のＭＥＭＳ素子の効果を説明するための模式図。
【図５】第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す断面図。
【図６】第３の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す平面図。
【図７】図６の矢視Ｉ−Ｉ’及び矢視II−II’断面図。
【図８】第４の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す断面図。
【図９】図８のＭＥＭＳ素子の製造工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態のＭＥＭＳ素子を、図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す断面図である。
【００１０】
Ｓｉ等の基板１０上に、ＡｌやＳｉＯＸ等のアンカー部２０が設けられている。このアンカー部２０に一部が固定され、他の部分がフリーとなる電極部（ＭＥＭＳ構造体）３０が設けられている。即ち、電極部３０は片持ち支持の梁となっている。電極部３０は、ＳｉＧｅＸのシード層３１，ＳｉＧｅＸのバルク層３２，及びＳｉＧｅＸの応力補償層３３を順に積層したものである。
【００１１】
シード層３１は、その上に形成するバルク層３２の結晶性を良くするためのもので、１００ｎｍ程度と極めて薄く形成されている。シード層３１は、下側が非晶質であり、上側が多結晶となっている。バルク層３２は電極部３０の主体を成すものであり、ＣＶＤ法等で例えば１０μｍの厚さに形成されている。そして、バルク層３２の水素濃度は低くなっている（例えば、１×1020ｃｍ-3）。応力補償層３３は、ＣＶＤ法等で数μｍの厚さに形成され、バルク層３２よりも水素濃度が高くなっている（例えば、１×1021ｃｍ-3）。バルク層３２を形成する時と応力補償層３３を形成する時とでＣＶＤの条件を変え、応力補償層３３の水素濃度がバルク層３２のそれよりも高くなるようにすれば良い。
【００１２】
なお、本実施形態のＭＥＭＳ構造体で縦方向の静電容量の変化を検出する場合は、図１中に破線で示すように、基板１０側に対向電極として固定電極５０を設けるようにしても良い。
【００１３】
本実施形態のＭＥＭＳ素子を製造するには、例えば図２（ａ）に示すように、基板１０上に、犠牲層としてのＳｉＯＸ等の絶縁膜２０’を形成した後、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜２０’上にシード層３１，バルク層３２，及び応力補償層３３をＣＶＤ法等で順に堆積する。次いで、パターニングを行った後、アンカー部とする部分を除いて、絶縁膜２０’を除去することにより、前記図１に示す構造が得られる。
【００１４】
シード層３１，バルク層３２，及び応力補償層３３のＳｉＧｅＸ膜は、例えばシランなどのシリコンを含んだガス、ゲルマニウムを含んだガス、水素を含んだガス、を使ってＣＶＤ法で形成する。電気抵抗を下げるためのボロンを含んだガスを含ませても良い。バルク層３２を形成する際に比べ、応力補償層３３を形成する際には水素ガスの流量を増やす。これにより、応力補償層３３の含有水素濃度はバルク層３２のそれよりも高くなる。
【００１５】
また、アンカー部として金属膜を用いる場合は、図３（ａ）に示すように、基板１０上にアンカー部２０となる金属膜４０’を設けた後、図３（ｂ）に示すように、金属膜４０’の不要部分を除去することによりアンカー部４０を形成する。そして、金属膜４０’を除去した部分にＳｉＯＸ等の犠牲層４５を形成する。次いで、図３（ｃ）に示すように、アンカー部２０及び犠牲層４５上にシード層３１，バルク層３２，及び応力補償層３３を形成する。次いで、図３（ｄ）に示すように、犠牲層４５を除去することにより、前記図１と同様の構造が得られる。
【００１６】
本実施形態の構成においては、絶縁膜２０’（金属膜４０’）の一部を除去してアンカー部２０（４０）を形成した際に、電極部３０が反るのを防止することができる。これは、次のような理由による。
【００１７】
図４（ａ）に示すように、ＳｉＧｅＸのシード層３１上にＳｉＧｅＸのバルク層３２を形成した構造では、一般にシード層３１が圧縮応力を有しているため、犠牲層としての絶縁膜２０の一部を除去した際に、電極部３０の可動端側が上方向に反ることになる。
【００１８】
ＳｉＧｅＸにおける水素濃度と膜応力との関係は、水素濃度が高いと膜応力が小さくなる。例えば、ＳｉＧｅＸの含有水素量が3.5×1021ｃｍ-3では膜応力は22.8MPa、含有水素量が１×1020ｃｍ-3では膜応力は69.2MPaであった。
【００１９】
本実施形態のように、ＳｉＧｅＸバルク層３２上にそれよりも水素濃度の高いＳｉＧｅＸ応力補償層３３を設けた場合、応力補償層３３もシード層３１と同様に圧縮応力を有するため、バルク層３２は両側を圧縮応力を有する層で挟まれた構造となる。従って、犠牲層としての絶縁膜２０の一部を除去した場合も、バルク層３２が反るのを未然に防止することができる。即ち、シード層３１の存在によりバルク層３２に加わる反りの力を応力補償層３３で相殺することができ、バルク層３２の反りを抑制することができる。
【００２０】
従って本実施形態では、対向電極間の容量で加速度を検出する容量型のＭＥＭＳ加速度センサやジャイロセンサにおいて、それぞれの電極が反ってしまうことによる実効面積の減少を抑制することができ、これにより検出感度の向上をはかることができる。また、ＳｉＧｅＸ膜を用いた容量型の圧力センサにおいては、上下間の対向電極間距離が変化して所望の感度が得られないといった問題を防止することができる。
【００２１】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係わるＭＥＭＳ素子の概略構成を示す断面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００２２】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、応力補償層３３を設ける代わりに、ＳｉＧｅＸバルク層３５の水素濃度を膜厚方向で変えたことである。即ち、バルク層３５の水素濃度はシード層３１と反対側が高くなっている。
【００２３】
より具体的には、ＳｉＧｅＸバルク層３５の水素濃度分布は、シード層３１と反対側の表面から１／１０までが表面から１／２の深さよりも高くなっている。先に説明したように、水素濃度が高いほど圧縮応力は大きくなる。このため、本実施形態の構造は、バルク層３２のシード層３１と反対側に圧縮応力の高い応力補償層３３を設置した第１の実施形態の構造と実質的に同じになる。
【００２４】
ＳｉＧｅＸバルク層３５の形成方法は、例えばシランなどのシリコンを含んだガス、ゲルマニウムを含んだガス、水素を含んだガス、を使ってＣＶＤ法で形成する。電気抵抗を下げるためのボロンを含んだガスを含ませても良い。そのとき、水素ガスの流量をコントロールしてＳｉＧｅＸバルク層３５に含まれる水素量を調整する。水素量を調整することで膜応力を変化させることができるので、ＳｉＧｅＸ膜で形成された電極部３０の固定端以外がリリースされた後にも膜厚方向の応力バランスを保ち、水平な状態を保つことができる。
【００２５】
このとき、典型的には最表面と膜中央部とで水素濃度が異なるように調整し、その濃度は例えば表面の濃度の方を、中央部の水素濃度よりも相対的に高くする。ＳｉＧｅＸバルク層３５の膜厚は１μｍ以上、典型的には１０μｍ以上になる。成膜途中で水素ガス流量を変化させることで、１回の成膜プロセスで水素の濃度を変えたＳｉＧｅＸ膜を形成してもよいし、異なる水素ガス流量で形成したＳｉＧｅＸ膜を複数回に分けて積層してもよい。
【００２６】
このように本実施形態では、ＳｉＧｅＸバルク層３５の水素濃度分布を膜厚方向で変える事により、電極部３０の反りを未然に防止することができる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００２７】
（第３の実施形態）
図６及び図７は、第３の実施形態に係わるＭＥＭＳ加速度センサの概略構成を説明するためのもので、図６は平面図、図７（ａ）は図６の矢視Ｉ−Ｉ’断面図、図７（ｂ）は図６の矢視II−II’断面図である。
【００２８】
図中の１００はＳｉ等の基板、１２０は絶縁膜又は導電膜からなる固定電極用のアンカー部である。１３０は基端部と櫛歯部を有する固定電極であり、基端部がアンカー部１２０上に固定されている。
【００２９】
２２０は導電膜からなる可動電極用のアンカー部、２４０はバネ部である。２３０は基端部と櫛歯部を有する可動電極であり、基端部がバネ部２４０によりアンカー部２２０に固定され、櫛歯部は固定電極１３０の櫛歯部と交互に配置されるようになっている。そして、この可動電極２３０は、図６の紙面の上下又は表裏方向に移動可能となっている。
【００３０】
固定電極１３０は第１の実施形態と同様に、ＳｉＧｅＸのシード層３１、ＳｉＧｅＸのバルク層３２、及びＳｉＧｅＸの応力補償層３３で形成されている。さらに、可動電極２３０も第１の実施形態と同様に、ＳｉＧｅＸのシード層３１、ＳｉＧｅＸのバルク層３２、及びＳｉＧｅＸの応力補償層３３で形成されている。そして、固定電極１３０及び可動電極２３０は、シード層３１，バルク層３２，及び応力補償層３３をＣＶＤ法で堆積した後にこれらを一括してパターニングすることにより、同時に形成することができる。
【００３１】
本実施形態のような構成においては、センサに加わる加速度に応じて可動電極２３０が移動し、固定電極１３０と可動電極２３０との間の距離又は面積が変化するため、固定電極１３０と可動電極２３０との間の容量が変化する。従って、固定電極１３０と可動電極２３０との間の容量を検出することにより、加速度を検出することができる。
【００３２】
そしてこの場合、固定電極１３０及び可動電極２３０は第１の実施形態と同様に、ＳｉＧｅＸのシード層３１、ＳｉＧｅＸのバルク層３２、及びＳｉＧｅＸの応力補償層３３で形成されているため、固定電極１３０及び可動電極２３０の反りを抑制することができる。従って、電極が反ってしまうことによる実効面積の減少を抑制することができる。このため、加速度センサとしての検出感度の向上をはかることができる。
【００３３】
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態に係わるＣＭＯＳ混載型のＭＥＭＳ素子の概略構成を断面図である。
【００３４】
図中の３００はＣＭＯＳ部であり、ＣＭＯＳ部３００はＳｉ基板３１０、ＭＯＳトランジスタ３２０、埋め込み絶縁膜３３０、層間絶縁膜３４０、配線層３５０、コンタクトビア３６０等を有する。
【００３５】
４００は接続配線部であり、配線層４１０、コンタクトビア４２０、ストッパ絶縁膜４３０等を有する。
【００３６】
５００はＭＥＭＳ部であり、固定電極５３１、可動電極５３２、更には別の固定電極５３３，５３４等を有する。これらの電極５３１〜５３４は、第１又は第２の実施形態と同様に、シード層、バルク層及び応力補償層の３層、又はＳｉＧｅＸのシード層及びバルク層の２層となっている。なお、図中の５２０はアンカー部、５４０は電極パッドを示している。
【００３７】
本実施形態のＭＥＭＳ素子を作製するには、まず図９（ａ）に示すように、Ｓｉ基板３１０上にＭＯＳトランジスタ３２０からなる駆動回路や演算回路、検出回路などのＣＭＯＳ回路を形成する。埋め込み絶縁膜３３０は、基板１０に設けた素子分離用溝内にＳｉＯＸ等を埋め込めばよい。層間絶縁膜３４０は、ＣＶＤで形成した後ＣＭＰ等で平坦化すればよい。配線層３５０は、ＣｕやＡｌ等で形成すればよい。コンタクトビア３６０は、Ｗの埋め込みやＣｕ、Ａｌなどのメタル工程で形成するが、特に形成方法に制限はない。
【００３８】
次いで、前記図８に示すＣＭＯＳ部とＭＥＭＳ部を接続するための配線層４１０及びコンタクトビア４２０を形成する。続いて、図９（ｂ）に示すように、ストッパ絶縁膜４３０を形成し、更にその上にＳｉＯＸ等の犠牲層５１０を形成する。犠牲層５１０としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯＸ）のほか、ポリイミドといった有機膜を用いることもできる。そして、犠牲層５１０の必要箇所にアンカー部５２０を埋め込み形成する。アンカー部５２０は、ＡｌやＷなどの金属や、不純物をドープしたＳｉやＳｉＧｅＸなどの半導体材料などで形成される。
【００３９】
次いで、図９（ｃ）に示すように、ＭＥＭＳ部（メンブレン、上部電極）となるＳｉＧｅＸ膜５３０を形成する。なお、図では省略しているが、ＳｉＧｅＸ膜５３０を形成する前に、犠牲層５１０及び電極５２０上にＳｉＧｅＸのシード層（図示せず）を形成するものとなっている。ＳｉＧｅＸ膜５３０は第１の実施形態のようにバルク層３２と応力補償層３３の２層でも良いし、第２の実施形態のバルク層３５のような１層でも良い。
【００４０】
ＳｉＧｅＸ膜５３０の形成には、第２の実施形態と同様に、ＣＶＤ法を用いる。そして、水素ガスの流量をコントロールしてＳｉＧｅＸ膜に含まれる水素量を調整する。さらに、第２の実施形態と同様に、表面の濃度の方が、中央部の水素濃度より相対的に高くなるようにすれば良い。
【００４１】
次いで、図９（ｄ）に示すように、ＳｉＧｅＸ膜５３０をパターニングすることにより電極５３１，５３２，５３３，５３４を形成する。具体的には、レジストによるパターニングと異方性エッチングで、各電極５３１〜５３４が形成される。この後に、犠牲層５１０を除去する。犠牲層５１０にＳｉＯＸを用いている場合は、例えばフッ酸ベイパー処理（Vapor ＨＦ処理）を行う。有機系犠牲膜の場合はアッシング処理で除去することができる。これにより、ＭＥＭＳ中空構造が形成された。
【００４２】
このとき、本実施形態ではＳｉＧｅＸ膜５３０の膜厚方向の水素濃度を第２の実施形態と同様にしているので、犠牲層５１０を除去した際に電極５３１〜５３４が反るのを未然に防止することができる。従って、第１及び第２の実施形態と同様に、ＳｉＧｅＸの電極が反ってしまうことによる実効面積の減少を抑制することができ、ＭＥＭＳ素子の特性向上をはかることができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、必要に応じて他の基板と接続するためにメタルパッドを形成することもできる。例えばＳｉＧｅＸ膜をパターニングする前に、ＡｌなどのメタルをＳｉＧｅＸ表面に成膜し、例えばレジストによるパターニングとエッチングによりパッド電極を形成する。パターニングで用いたレジストを除去後に、レジストとエッチングによりＳｉＧｅＸ膜を加工し犠牲層を除去することで、上面にパッド電極が形成されたＭＥＭＳ構造体が形成される。他の配線基板と接続するためには例えばワイヤーボンディングなどを用いることができる。
【００４４】
また、必要に応じてＭＥＭＳ部を保護するドーム構造を形成することができる。例えば第１の犠牲層を除去する前に、パターニングしたＳｉＧｅＸ膜上に第２の犠牲層として第１の犠牲層と同じくシリコン酸化膜（ＳｉＯＸ）のほか、ポリイミドといった有機犠牲膜で形成する。代表的には全面に形成したのちリソグラフィとエッチングによるパターニングで形成される。
【００４５】
なお、容量型の圧力センサを形成するには、例えばドーム部と中空（メンブレン）電極とを物理的に接続する場合がある。この場合は、予め第２の犠牲層の所望の箇所をパターニングしておく。また、必要に応じてＣＭＰなどの平坦化プロセスを入れてもよい。次にキャップ膜を形成する。例えばＳｉＧｅＸ膜、ＳｉＮＸ膜、ＳｉＯＸ膜などを全面に形成した後にパターニングする。犠牲層を抜くためのベントホールも同時に形成してもよい。次いで、第１及び第２の犠牲層を除去して中空構造を形成する。
【００４６】
次いで、ＳｉＮＸ膜又はＳｉＧｅＸ膜などの封止膜（半導体無機材料）などを例えばＣＶＤ法により形成することでベントホールを封止する。続いて、封止されたドームから電極配線を形成するために封止膜、ドーム膜のパターニングとエッチングを行う。開口部に必要に応じてメタルパッドを形成することで電極配線を形成することができた。キャップの形成方法は前記にも限らず、ＭＥＭＳを別の基板上に貼り付けた後に基板ごと金属キャップで封止する方法もある。
【００４７】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
【００４８】
第１の実施形態におけるＳｉＧｅＸのバルク層や応力補償層等の膜厚は、仕様に応じて適宜変更可能である。
【００４９】
ＭＥＭＳ素子としては、加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、磁気センサ等のセンサに限るものではなく、ＲＦキャパシタやＭＥＭＳスイッチ、光素子などＭＥＭＳ加工技術で形成される素子に適用することができる。
【００５０】
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５１】
１０，１００…基板
２０，４０，１２０，２２０…アンカー部
２０’…絶縁膜（犠牲層）
３０…電極部（ＭＥＭＳ構造体）
３１…シード層
３２…バルク層
３３…応力補償層
４０’…金属膜
４５…犠牲層
５０，１３０…固定電極
２３０…可動電極
２４０…バネ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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