(57)【要約】【課題】半導体基板の裏面研削よって発生する外周のナイフエッジ形状の影響を低減し、半導体集積回路装置の取れ個数の増加と品質低下を抑制する、半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】外周に面取り部１０４を備えた半導体基板１０１と、面取り部１０４の表面に備えられ、断面視において略長方形の形状をなすように形成された面取り補償部１０７と、を有する。【選択図】図１
2019165152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周に面取り部を備えた半導体基板と、
前記面取り部の表面に備えられ、断面視において略長方形の形状をなすように形成された面取り補償部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記面取り補償部が、シリカフィラーを含む樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体集積回路装置が表面に形成され外周に面取り部を備えた半導体基板を、凹部を有する半導体基板支持装置の前記凹部の底面に、前記半導体基板の表面が対向するように設置し、前記半導体基板支持装置の前記凹部の内側面と前記半導体基板の外周との間の隙間に薬液を供給する工程と、
前記薬液を硬化させ、断面視において略長方形の形状となすように面取り補償部を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面を研削し、厚さを減じる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記薬液がシリカフィラーを含む樹脂であり、前記薬液に対し熱の印加を行うことよって硬化させることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記薬液が熱硬化付与型紫外線樹脂であり、前記薬液に対し熱の印加と紫外線照射を行うことによって硬化させること特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置の表面の前記半導体集積回路が形成されている領域の間の領域をダイシングする工程と、を含むことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子部品の小型化に伴い、その電子部品に搭載される半導体集積回路装置も、小型化の要請を常に受けている。そのような要請に答えるために、半導体集積回路装置の製造においては、平面方向におけるチップサイズの縮小と同時に高さ方向の厚さの縮小が図られる。半導体集積回路装置の高さ方向の縮小を実現するために、半導体基板を個々の半導体集積回路装置に分割する前に、半導体基板の裏面を研削して厚さが薄くなるように加工される。
【０００３】
図６（ａ）に示すように、一般に半導体基板２０１の外周には半円弧状の面取り部２０４が形成されている。そのため、半導体基板２０１の裏面をその厚さの半分の量を越えて研削し厚さを薄くすると、図６（ｂ）に示すように残存する面取り部２０４が鋭利な、所謂ナイフエッジ形状が発生する。そのため、半導体基板の裏面を研削している間、もしくは後の工程において、この面取り部に周囲への接触や振動によって亀裂や欠けが発生し、その亀裂や欠けによって半導体基板２０１表面の外周に形成されている半導体集積回路装置の品質が低下する恐れがある。
【０００４】
特許文献１には、半導体基板の裏面を研削する前に、面取り部を切削ブレードによって除去し、面取り部の形状を表面と裏面に対して直角の形状に加工することで、半導体基板の裏面研削後におけるナイフエッジ形状の発生を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１０３３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示される加工方法は、面取り部の除去時に半導体基板の最外周より内側の領域であって、半導体集積回路装置が形成されている領域の外側の領域を切削することで、切削中の振動等による亀裂や欠けの発生を抑制する。しかしながら、切削における振動が完全に抑制されるわけではないので、半導体集積回路装置の亀裂や欠けによる品質の低下を完全になくすことは困難である。また、この加工方法において切削する領域は、半導体基板の最外周から内側の領域であるので、そのような余裕領域確保のために半導体集積回路装置を余裕領域のさらに内側に設置する必要がある。従って、１枚の半導体基板から得られる半導体集積回路装置の個数を増加させることが困難である。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑み、半導体装置の裏面研削後のナイフエッジ形状の影響を低減し、亀裂や欠けによる品質低下の抑制と半導体集積回路装置の取れ個数の増加が実現できる、半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明は以下のような半導体装置及び半導体装置の製造方法及び半導体集積回路装置の製造方法とする。
【０００９】
すなわち、外周に面取り部を備えた半導体基板と、前記面取り部の表面に備えられ、断面視において略長方形の形状をなすように形成された面取り補償部と、を有することを特徴とする、半導体装置とする。
【００１０】
また、半導体集積回路装置が表面に形成され外周に面取り部を備えた半導体基板を、凹部を有する半導体基板支持装置の前記凹部の底面に、前記半導体基板の表面が対向するように設置し、前記半導体基板支持装置の前記凹部の内側面と前記半導体基板の外周との間の隙間に薬液を供給する工程と、前記薬液を硬化させ、断面視において略長方形の形状となすように面取り補償部を形成する工程と、前記半導体基板の裏面を研削し、厚さを減じる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。
【００１１】
さらに、前記半導体装置の表面の前記半導体集積回路が形成されている領域の間の領域をダイシングする工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体基板の外周の面取り部の表面に面取り補償部を備え、断面視において略長方形の形状の半導体装置とし、ナイフエッジ形状の影響を低減することによって、半導体集積回路装置の亀裂や欠けによる品質低下を抑制できる。また半導体基板の外周に面取り部を加工するための余裕領域を確保する必要が無く、半導体集積回路装置を半導体基板の外周にまで形成する事が出来る。そのため、半導体集積回路装置の取れ個数の増加を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態における半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ’の要部における裏面研削前の断面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示すＡ−Ａ’の要部における裏面研削後の断面図である。
【図２】本発明の実施形態における半導体基板の外周加工装置である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態における半導体基板を設置した型枠の平面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）に示すＢ−Ｂ’における断面図である。
【図４】本発明の実施形態における半導体装置及び半導体集積回路装置の製造方法の主要工程を示すフローチャート図である。
【図５】図３（ａ）に示すＢ−Ｂ’の要部における樹脂充填後の断面図であり、（ｂ）は、図３（ａ）に示すＢ−Ｂ’の要部における樹脂充填後の別の断面図である。
【図６】（ａ）は、従来の半導体基板の要部における裏面研削前の断面図であり、（ｂ）は、従来の半導体基板の要部における裏面研削後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、一部省略または拡大して示している場合があり、実際の寸法比とは異なっていることがある。
【００１５】
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る表面に半導体集積回路装置（不図示）を備えた半導体装置１０の平面図である。また、図１（ｂ）は、図１（ａ）において、半導体装置１０をＡ−Ａ’線に沿って切断したときの外周部分を拡大した裏面研削前の断面図であり、図１（ｃ）は、裏面研削後の断面図である（半導体基板１０１の裏面を紙面上側としている）。図１（ｃ）においては、図１（ｂ）の状態から、紙面上側の半導体基板１０１の裏面が研削され、その厚さが減じられている。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１０は、半導体基板１０１と、その外周に付加された面取り補償部１０７とを備える。
【００１７】
半導体基板１０１は、平面視において円形形状を有し、その外周の一部にオリエンタルフラットやノッチなどの不連続部分１０５が形成されている。半導体基板１０１の表面には、格子状に形成されたダイシングラインと呼ばれる分割予定ラインと、そのダイシングラインに区画された領域に半導体集積回路装置とが形成されている（不図示）。半導体基板１０１の外周には断面視において角部が丸められ、半円弧状の形状をなす面取り部が備えられている。この面取り部の形状は、図６（ａ）に示す面取り部２０４と同様である。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、半導体基板１０１の外周には、半導体基板１０１の中心から外周に向かう方向の面取り部の表面に、面取り補償部１０７が備えられている。面取り補償部１０７は、平面視において半導体基板１０１の外周の円形形状の部分と不連続部分１０５とに沿って切れ目無く形成されている。半導体基板１０１と面取り補償部１０７を合わせた半導体装置１０は、断面視において略長方形の形状をなし、裏面研削を行った後でもその形状が略長方形であることは変わらない。すなわち、その形状は、全ての角部が９０度である完全な長方形である必要は無く、例えば角部が丸められている形状であっても構わない。
【００１９】
面取り補償部１０７は、樹脂などの薬液を硬化させたものであり、その物理的強度は、半導体基板１０１とほぼ等しい。そのため、後の半導体基板１０１の裏面の研削時には、同時に研削される面取り補償部１０７によってその研削速度や研削途中の形状が変化する事はない。
【００２０】
図１（ｃ）に示すように、裏面が研削されたあとの半導体装置１０において、半導体基板１０１は、その外周の面取り部１０４が鋭利な所謂ナイフエッジ形状となっている。図１（ｃ）に示す面取り部１０４の形状は、図６（ｂ）に示す面取り部２０４と同様である。
【００２１】
面取り部１０４の表面には、このナイフエッジ形状を解消するように半導体基板１０１とともに厚さが減じられた面取り補償部１０７が付加されている。この半導体基板１０１と面取り補償部１０７を合わせた全体の形状は、裏面研削後も断面視において略長方形の形状をなしている。本実施形態の半導体装置１０は、裏面の研削によって厚さをどのように変えても、断面視においてその形状が略長方形であることは変わらず、ナイフエッジ形状が発生することもない。
【００２２】
裏面研削によってナイフエッジ形状が発生しない本実施形態の半導体装置１０は、裏面研削やダイシング中の振動等による亀裂や欠けの発生を抑制できる。そのため、半導体基板１０１の表面の外周付近に形成された半導体集積回路装置の品質の低下が抑制される。また、面取り部１０４を除去する必要が無いので、半導体集積回路装置を半導体基板１０１の外周から余裕領域を設けて内側に設置する特許文献１に比べ、１枚の半導体基板から得られる半導体集積回路装置の個数の増加が実現できる。
【００２３】
図２は、本発明の実施形態に係る半導体基板の外周加工装置１００の主要構成の断面図である。半導体基板の外周加工装置１００は、チャンバ１７、回転ステージ１６、型枠１０２、供給ノズル１２、バルブ１３、薬液供給装置１４、薬液が充填されている薬液タンク１５を備える。
【００２４】
回転ステージ１６は、チャンバ１７内に設置され、回転ステージ１６上に設置された型枠１０２を固定し、回転させる。回転ステージ１６は、型枠１０２を例えば真空吸着によって固定する。その場合、回転ステージ１６は、その表面に空気を吸引するための吸着穴を多数備えている。
【００２５】
型枠１０２は、半導体基板１０１を設置できる大きさの凹部１０６を備えている。そして、回転ステージ１６が回転している間、回転ステージ１６に設置された型枠１０２と同時に型枠１０２の凹部１０６内に設置された半導体基板１０１が回転する。
【００２６】
供給ノズル１２は、型枠１０２の凹部１０６における外周領域の上部に設置され、凹部１０６内の半導体基板１０１の外周と、凹部１０６の内側面の間の隙間に薬液１１を供給する。供給ノズル１２は、回転ステージ１６が回転する間の数秒から数１０秒程度の一定期間に薬液１１を供給し、半導体基板１０１の外周部と型枠１０２の凹部１０６の内側面の間の隙間を全て薬液１１で満たす。後にこの薬液１１は、半導体基板研削後のナイフエッジ形状の影響を低減するための面取り補償部となる。
【００２７】
バルブ１３、薬液供給装置１４は、回転ステージ１６が回転している間に薬液タンク１５から薬液１１を供給するように制御される。薬液供給装置１４は、例えばポンプ方式や加圧方式により薬液１１を薬液タンク１５からバルブ１３に送る。薬液供給装置１４からバルブ１３に送られた薬液１１は、バルブ１３が閉から開に切り替わることで供給ノズル１２に供給される。
【００２８】
薬液１１は、可塑性をもち、供給ノズル１２からの供給によって半導体基板１０１の外周と型枠１０２の凹部１０６の内側面の間の隙間全てに充填される。また、同時に薬液１１は、硬化性をもち、後の熱の印加よって半導体基板１０１の外周に固着し、半導体基板１０１と同程度の物理強度まで硬化させることができる。
【００２９】
薬液１１は、このような性質をもつものであればどの材質のものでも構わない。例えば、加熱によって硬化するポリイミド樹脂を採用してもよい。また、熱硬化付与型紫外線樹脂でもよい。熱硬化付与型紫外線樹脂を採用した場合、加熱と紫外線照射によって硬化させるので、硬化時間を加熱だけの場合よりも短縮でき、製造コストを削減することができる。あるいは、ＳｉＯ2を材質とする粒状のシリカフィラーを含むプラスチック樹脂でもよい。このようなプラスチック樹脂を採用した場合、シリカフィラーの含有割合を適宜変えることによって、硬化後の物理強度を調整することができ、半導体基板１０１の物理強度と合わせることが容易となる。従って、半導体基板１０１の裏面研削の際、半導体基板１０１と硬化させた薬液１１との物理強度の違いによる研削むらと、それによる半導体集積回路装置の厚さばらつきを低減しやすい。
【００３０】
次に、半導体基板１０１の外周における面取り補償部の形成について詳細に説明する。図３（ａ）は、型枠１０２に半導体基板１０１を設置したときの平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す半導体基板１０１が設置された型枠１０２をＢ−Ｂ’線に沿って切断したときの断面図である。
【００３１】
型枠１０２は、外周部にオリエンタルフラットやノッチなどの不連続部分１０５が形成された半導体基板１０１を設置できる凹部１０６を備えている。この凹部１０６の円形形状における半径は、半導体基板１０１の円形形状の半径より１ｍｍ程度まで大きく形成される。また、半導体基板１０１の不連続部分１０５においては、その部分の形状に合わせ、１ｍｍ程度まで大きくした平面形状としている。半導体基板１０１の外周と凹部１０６の内側面の隙間の大きさは任意に変えてよく、その隙間の大きさによって面取り補償部の大きさが変えられる。
【００３２】
また、凹部１０６の深さは裏面研削を施す前の半導体基板１０１の厚さと同一もしくはそれより浅い深さとなっている。凹部１０６の深さが半導体基板１０１の厚さよりも深いと、その後の薬液１１の供給時に半導体基板１０１の裏面に薬液１１が溜まり、半導体基板１０１を含めた厚さが、半導体基板１０１の厚さを越えてしまう。半導体基板１０１の厚さに対し付着した薬液１１の分の厚さが増すと、半導体基板１０１の裏面研削に要する時間が長くなる。そのため、凹部１０６の深さは半導体基板１０１の厚さと同一もしくはそれより浅い深さであることが好ましい。
【００３３】
また型枠１０２は、凹部１０６の底面に、型枠１０２の裏面まで貫通する吸着穴１０８を複数備えている。この吸着穴１０８により、回転ステージ１６の真空吸着において、半導体基板１０１が型枠１０２に吸着固定される。型枠１０２の吸着穴１０８以外の裏面においては、回転ステージ１６の吸着穴による型枠１０２の真空吸着のため、型枠１０２が回転ステージ１６に固定化される。型枠１０２は、回転ステージ１６が回転している間に半導体基板１０１の位置ずれが発生しないように固定化する役割をもつ、半導体基板支持装置と言える。
【００３４】
型枠１０２における凹部１０６の底面は、セラミックや有機高分子、樹脂などによる多孔質構造としても構わない。その場合、型枠１０２は、多数個の吸着穴１０８を１つずつ加工形成するよりも安価となり、しかも高い吸着力を備えることができる。
【００３５】
半導体基板１０１は、この型枠１０２の凹部１０６内に、半導体集積回路装置が形成された表面を紙面下側に向けて、凹部１０６の底面に対向するように設置される。そのため、後の半導体基板１０１の外周部における薬液１１の充填時には、半導体基板１０１の表面が露出しておらず、また真空吸着によって凹部１０６の底面に強固に密着しているので、薬液１１の半導体基板１０１表面への付着が抑制される。従って、半導体基板１０１表面のボンディングパッドや、レーザートリミング、光検出素子への光透過などが必要な部分に樹脂が付着し、ボンディング不良等、半導体集積回路装置に対し様々な不具合が発生することを防止することが出来る。
【００３６】
一方、半導体基板１０１の裏面においては、その厚さが過剰に厚くなるほどでなければ薬液１１が付着しても構わない。半導体基板１０１の裏面に薬液１１が付着しても、半導体基板１０１の裏面の研削時に同時に除去されるので、半導体集積回路装置の機能を損なうようなことはない。
【００３７】
図４（ａ）、（ｂ）は、半導体基板１０１の外周と型枠１０２の凹部１０６における内側面との間の隙間に薬液１１を充填した後の面取り部１０４付近を拡大した断面図である。図４（ａ）に示すように、この隙間を全て薬液１１で満たすと、半円弧状の面取り部１０４が薬液１１で補われ、半導体基板１０１を含めた全体の断面形状が略長方形となる。このため、後の工程において半導体基板１０１を裏面から研削してもナイフエッジ形状が発生することはない。
【００３８】
本発明の実施形態における半導体装置及び半導体集積回路装置の製造方法の主要工程を表すフローチャートを図５に示す。図５に示すように、本発明の実施形態における半導体装置の製造方法は、半導体基板支持装置設置工程（Ｓ１０１）と薬液供給工程（Ｓ１０２）と薬液硬化工程（Ｓ１０３）と裏面研削工程（Ｓ１０４）という一連の工程を含む。本発明の実施形態における半導体集積回路の製造方法は、さらにダイシング工程（Ｓ１０５）を含む。
【００３９】
まず、半導体基板支持装置設置工程（Ｓ１０１）として、半導体集積回路装置が表面に形成され、外周に面取り部を備えた半導体基板１０１が凹部１０６に設置された型枠１０２を、回転ステージ１６上に設置する。凹部１０６は、平面形状が半導体基板１０１と同様の円形形状と不連続形状を有しており、深さが半導体基板１０１の厚さと同一もしくはそれより浅い。半導体基板１０１は、その凹部１０６の底面に、半導体基板１０１において半導体集積回路装置が形成された表面を対向するように設置する。
【００４０】
次に、薬液供給工程（Ｓ１０２）として、型枠１０２の凹部１０６の内側面と、半導体基板１０１の外周との間の隙間に薬液１１を供給する。薬液１１は、凹部１０６の内側面と、半導体基板１０１の外周との間の隙間に入り込む可塑性と、後の処理で半導体基板１０１と同程度の物理強度が得られる硬化性を併せ持つ樹脂等を採用する。薬液１１は、型枠１０２の凹部１０６における外周の上部に設置された供給ノズル１２から、回転ステージ１６を回転させながら供給されることで、半導体基板１０１との隙間に満遍なく均一に充填される。
【００４１】
薬液１１の供給量の調整は、型枠１０２の凹部１０６の内側面と、半導体基板１０１の外周との間の隙間における薬液１１の高さが検出できる液面センサを設置することで高精度に行う事ができる（不図示）。そしてその供給量は、半導体基板１０１の裏面の高さをやや越える程度までとする事が好ましい。このようにして薬液１１を半導体基板１０１との隙間に充填した後に、供給ノズル１２からの薬液１１の供給を止め、回転ステージ１６を回転し続けることで、その遠心力により半導体基板１０１の裏面上に残る薬液１１を除去する。このようにすることで薬液供給工程終了後には、図４（ａ）に示すように、型枠１０２の凹部１０６の内側面と、半導体基板１０１の外周の面取り部１０４との間の隙間に薬液１１が充填される。この薬液１１は、面取り部１０４近傍において型枠１０２の内側面に沿った形状となる。すなわち、断面視において半導体基板１０１を含めた全体として略長方形の形状を形成する事ができる。また、紙面の上側となる半導体基板１０１の裏面には、薬液１１は、残留しない。
【００４２】
次に、薬液硬化工程（Ｓ１０３）として、半導体基板１０１が設置された型枠１０２に対し加熱処理や紫外線照射等を行い、薬液１１を半導体基板１０１と同程度の物理強度になるまで硬化させ、面取り補償部１０７を形成する。この加熱は、加熱された炉の中に設置する方法でもよく、ホットプレートに設置する方法でも構わない。またはレーザー照射による薬液１１の部分のみの局所的な加熱でもよい。
【００４３】
薬液１１を硬化させた後は、面取り部１０４に面取り補償部１０７が固着した半導体基板１０１を、型枠１０２から取り外す。通常、樹脂からなる薬液１１に熱を印加した場合、硬化させる過程で同時に体積収縮が発生し、型枠１０２の凹部１０６内側面から樹脂が内側に離れる。従って、その後に型枠１０２から、面取り補償部１０７が固着した半導体基板１０１を取り外すことは容易である。但し、シリカフィラーを含むプラスチック樹脂の場合は、シリカフィラーの含有割合が大きくなるほど体積収縮の発生が抑制される。その場合は、型枠１０２からの面取り補償部１０７の剥離を容易にするために樹脂を充填する前に離型剤を付加する等の対策を行っておくことが望ましい。この半導体装置１０は、通常の半導体基板１０１と同様に処理することが出来る。
【００４４】
次に、裏面研削工程（Ｓ１０４）として、半導体装置１０を、裏面から研削し、所望の厚さまで薄くする。このとき、半導体装置１０の断面視における外周の形状は略長方形形状となっているので、どのような厚さまで減じたとしてもナイフエッジ形状が発生することはない。
【００４５】
次に、半導体集積回路装置の製造のためのダイシング工程（Ｓ１０５）として、半導体装置１０の、半導体集積回路装置が形成されている領域の間の領域をダイシングし、分割する。このとき、半導体基板１０１と同様に面取り補償部１０７がダイシングブレード等によって分割される。面取り補償部１０７は、半導体基板１０１と同様の物理強度を有するので、チッピングなどのダイシング不良が抑制される。この面取り補償部１０７は、半導体基板１０１の外周の残骸などとともにダイシング工程後に廃棄される。
【００４６】
以上のような半導体装置及び半導体集積回路装置の製造方法を採用することで、半導体装置において、半導体基板１０１の裏面を研削した後のナイフエッジ形状の影響を面取り補償部１０７によって低減でき、半導体集積回路装置の亀裂や欠けによる品質低下を抑制できる。また半導体基板１０１の外周に面取り部１０４を加工するための余裕領域を確保する必要が無く、半導体集積回路装置を半導体基板１０１表面の外周にまで形成する事ができる。そのため、１枚の半導体基板から得られる半導体集積回路装置の個数を増加させ、半導体集積回路装置のコストの低減を実現できる。
【００４７】
本発明については、上記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【００４８】
例えば、半導体装置の製造方法における薬液供給工程（Ｓ１０２）において、薬液１１の供給量は、半導体基板１０１の裏面の高さをやや越える程度までとしたが、その方法に限られない。
【００４９】
図４（ｂ）は、薬液１１の供給量を、半導体基板１０１の厚さの半分をやや越える程度までとした場合の半導体基板１０１の外周の要部を示す断面図である。薬液１１の供給量を減らすことで、材料コストを抑制することができる。一方、薬液１１が充填されている半導体基板１０１の外周における面取り部１０４の下側表面において、薬液１１が型枠１０２の凹部１０６の内側面の形状に沿った矩形の形状をなしている。そのため、半導体基板１０１の裏面研削において、半導体基板１０１の厚さの半分を越える量の研削を行っても、この矩形の薬液１１を硬化させることによってできる面取り補償部１０７によってナイフエッジ形状が発生することはない。
【００５０】
また、型枠１０２の凹部１０６は、半導体基板１０１の厚さと同一の深さであることが
好ましいとした。しかしながら、図４（ｂ）のように薬液１１の供給量を半導体基板１０１の裏面の高さまで充填しない場合は、その充填高さに応じて凹部１０６の深さを半導体基板１０１の厚さよりも浅くしても構わない。
【符号の説明】
【００５１】
１１  薬液
１２  供給ノズル
１３  バルブ
１４  薬液供給装置
１５  薬液タンク
１６  回転ステージ
１７  チャンバ
１０１、２０１  半導体基板
１０２  型枠
１０４、２０４  面取り部
１０５  不連続部分
１０６  凹部
１０７  面取り補償部
１０８  吸着穴
【図１】
2019165152.tif 000003
【図２】
2019165152.tif 000004
【図３】
2019165152.tif 000005
【図４】
2019165152.tif 000006
【図５】
2019165152.tif 000007
【図６】
2019165152.tif 000008