(57)【要約】      （修正有）【課題】大きなタップ密度を有する酸化錫粉末の提供。【解決手段】（１）４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＶ）粉末。さらに、（２）４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＩ）粉末。（３）上記（１）に記載の酸化錫（ＩＶ）粉末と上記（２）に記載の酸化錫（ＩＩ）粉末とを含有する酸化錫混合粉末を原料粉末として用いると、比較的高い相対密度を有する焼結体が得られる。原料粉末のタップ密度が大きければ、焼結用の容器に原料粉末を充填する際の充填率を高めることが出来、理論密度により近い密度を有する酸化錫焼結体が得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＶ）粉末。
【請求項２】
４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＩ）粉末。
【請求項３】
請求項１に記載の酸化錫（ＩＶ）粉末と請求項２に記載の酸化錫（ＩＩ）粉末とを含有する酸化錫混合粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化錫（ＩＩ）粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、高い導電性と可視光領域での高い透過率とを有するため、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルなどのディスプレイの電極、太陽電池の電極、窓ガラスの熱線反射膜、帯電防止膜、電磁波遮蔽膜などに用いられている。太陽電池や液晶表示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されているばかりでなく、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、あるいは冷凍ショーケースなどの防曇用透明発熱体としても利用されている。
【０００３】
酸化錫系の透明導電膜は高い導電性と優れた透光性、優れた化学的耐久性（耐熱性、耐薬品性、耐酸化性、耐還元性など）を有するので、ＩＴＯとともに、透明導電膜として利用されている。このような透明導電膜の製造方法として、スパッタリング法（例えば、ＤＣスパッタリング法）がよく用いられている。特にスパッタリング法は、蒸気圧の低い材料の成膜の際や、精密な膜厚制御を必要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であるため、工業的に広範に利用されている。
【０００４】
スパッタリング法に使用されるスパッタリングターゲットは、酸化錫系の透明導電膜の場合、酸化錫系焼結体を加工して得られる。スパッタリングターゲットには、高電力で行ってもスパッタリング異常が起きず、安定した成膜を実現するために、高密度および低抵抗という要件が要求される。特に高密度を有するスパッタリングターゲット（焼結体）を得るためには、原料である酸化錫粉末のタップ密度が大きいほど好ましい。例えば、特許文献１には、３．６ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有する酸化錫が記載されている。しかし、より高密度を有するスパッタリングターゲットを得るためには、原料としてより大きなタップ密度を有する酸化錫粉末が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２７３３２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、従来の酸化錫粉末と比べてより大きなタップ密度を有する酸化錫粉末を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
（１）４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＶ）粉末。
（２）４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＩ）粉末。
（３）上記（１）に記載の酸化錫（ＩＶ）粉末と上記（２）に記載の酸化錫（ＩＩ）粉末とを含有する酸化錫混合粉末。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、従来の酸化錫粉末と比べてより大きなタップ密度を有する酸化錫粉末が提供される。本発明の酸化錫粉末を原料粉末として用いると、比較的高い相対密度を有する焼結体が得られる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化錫（ＩＩ）粉末（以下、「高密度酸化錫粉末」と記載する場合がある）は、いずれも４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する。本発明において「タップ密度」とは、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に基づき、一定容積の容器に粉末を自然落下により目一杯充填した後、さらに該容器に一定の振動（タッピング）による衝撃を加え、粉末の体積変化がなくなったときの単位体積当たりの粉末の質量と定義する。
【００１０】
通常の酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化錫（ＩＩ）粉末のタップ密度は、いずれも４．０ｇ／ｃｍ3未満である。具体的には、通常の酸化錫（ＩＶ）粉末は１．９５ｇ／ｃｍ3程度のタップ密度を有し、通常の酸化錫（ＩＩ）粉末は３．１ｇ／ｃｍ3程度のタップ密度を有している。
【００１１】
酸化錫（ＩＶ）粉末や酸化錫（ＩＩ）粉末は、例えば酸化錫系焼結体の原料として使用される。このような酸化錫系焼結体は、スパッタリング法（例えば、ＤＣスパッタリング法など）のターゲットとして使用されることを考慮すると、比較的高い相対密度を有していることが好ましい。酸化錫系焼結体の相対密度は、下記の式により算出される。
相対密度（％）＝（得られた酸化錫系焼結体の密度／酸化錫系焼結体の理論密度）×１００
【００１２】
酸化錫系焼結体の相対密度を高めるためには、タップ密度の大きい原料粉末を用いることが有用である。すなわち、原料粉末のタップ密度が大きければ、焼成用の容器に原料粉末を充填する際の充填率を高めることができ、理論密度により近い密度を有する酸化錫系焼結体が得られる。
【００１３】
一実施形態に係る高密度酸化錫粉末の平均粒子径は特に限定されない。一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は、好ましくは２００μｍ以下の平均粒子径を有し、より好ましくは１５０μｍ以下の平均粒子径を有する。平均粒子径の下限は特に限定されず、一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は、例えば１０μｍ以上の平均粒子径を有する。
【００１４】
一実施形態に係る高密度酸化錫粉末を製造する方法は特に限定されない。原料としては、最終的に酸化錫（ＩＶ）および酸化錫（ＩＩ）となる化合物であれば限定されない。このような化合物としては、例えば、酸化錫（ＩＶ）および酸化錫（ＩＩ）の他に、メタ錫酸（Ｈ2ＳｎＯ3）、水酸化錫（ＩＩ）、塩化錫（ＩＩ）、臭化錫（ＩＩ）、フッ化錫（ＩＩ）、ヨウ化錫（ＩＩ）、ジメチル塩化錫（ＩＶ）、ジメチル錫（ＩＩ）、ジエチル錫（ＩＩ）、ジプロピル錫（ＩＩ）、テトラプロピル錫（ＩＶ）、テトラエトキシ錫（ＩＶ）、テトラプロポキシ錫（ＩＶ）、テトラブトキシ錫（ＩＶ）、ジエトキシ錫（ＩＩ）、ジプロポキシ錫（ＩＩ）、ジブトキシ錫（ＩＩ）などが挙げられる。これらの原料は、通常、粉末状態で使用される。
【００１５】
一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は、上記の原料に対して、焼成、加圧成型などの処理を施すことによって得られる。処理方法や後述の処理条件などは、使用する原料に応じて適宜設定される。これらの処理方法のうち、好ましくは焼成または加圧成型が採用される。
【００１６】
焼成の場合、焼成する装置は特に限定されず、例えば、縦型電気炉、管状炉、マッフル炉、チューブ炉、炉床昇降式電気炉、ボックス型電気炉などが挙げられる。焼成する際の雰囲気は特に限定されず、例えば、酸素含有雰囲気（大気雰囲気など）、不活性雰囲気などが挙げられる。不活性雰囲気としては、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、ヘリウム雰囲気、真空雰囲気、二酸化炭素雰囲気などが挙げられる。大気雰囲気よりも酸素濃度を高めた酸化雰囲気であってもよい。
【００１７】
焼成温度は好ましくは１４００℃以上であり、より好ましくは１４５０℃以上である。焼成温度の上限は特に限定されず、通常１６５０℃程度である。焼成時間は好ましくは３時間以上であり、より好ましくは５時間以上である。焼成時間の上限は特に限定されず、通常２４時間程度である。
【００１８】
焼成処理によって得られた焼成物は、必要に応じて、上述の平均粒子径となるように粉砕工程に供されてもよい。粉砕方法は特に限定されず、ジョージクラッシャー、ロールクラッシャー、スタンプミル、ハンマーミル、乳鉢などの通常の粉砕方法が採用される。
【００１９】
次に、加圧成型について説明する。加圧成型の場合、加圧成型する装置は特に限定されず、例えば、冷間成型機、ホットプレス機、一軸プレス機などが挙げられる。これらの成型機のうち、冷間成型機を用いたＣＩＰ成型（冷間等方圧成型）が好ましい。成型の際に加える圧力は特に限定されず、好ましくは２０００ｋｇ／ｃｍ2以上であり、より好ましくは２５００ｋｇ／ｃｍ2以上である。圧力の上限は、通常４５００ｋｇ／ｃｍ2程度である。加圧時間は好ましくは２分以上であり、より好ましくは５分以上である。加圧時間の上限は特に限定されず、通常３０分程度である。また、成型時の圧力の値は、１ｋｇ／ｃｍ2＝９．８０６６５×１０-2ＭＰａと変換することができる。
【００２０】
加圧成型処理によって得られた成型物は、必要に応じて、上述の平均粒子径となるように粉砕工程に供されてもよい。粉砕方法は特に限定されず、ジョージクラッシャー、ロールクラッシャー、スタンプミル、ハンマーミル、乳鉢などの通常の粉砕方法が採用される。
【００２１】
以下、一実施形態に係る高密度酸化錫粉末を製造する方法の一例を説明する。まず、タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ3未満の酸化錫（ＩＩ）粉末を原料として用いて、一実施形態に係る酸化錫（ＩＶ）粉末を製造する方法を説明する。
【００２２】
タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ3未満の酸化錫（ＩＩ）粉末を、るつぼなどの耐熱性の容器に入れる。容器は密閉せずに開放している状態が好ましい。その後、容器を炉に入れて大気雰囲気中で焼成する。焼成温度は上述の温度であればよく、酸化錫（ＩＩ）粉末を用いた例では、好ましくは１４００℃以上、より好ましくは１６００℃以上で焼成される。焼成時間も焼成温度は上述の温度であればよく、この例では好ましくは３時間以上である。得られた焼成物を必要に応じて微粉砕してもよい。このようにして、４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＶ）粉末が得られる。得られた焼成物の分析方法は、酸化錫（ＩＶ）と同定できる方法であれば、特に限定されない。
【００２３】
次に、タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ3未満の酸化錫（ＩＩ）粉末を原料として用いて、一実施形態に係る酸化錫（ＩＩ）粉末を製造する方法を説明する。タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ3未満の酸化錫（ＩＩ）粉末を、変形抵抗の少ないクロロプレンゴム、天然ゴム、ウレタンゴム、ニトリルゴム、スチレンゴム、エチレンプロピレンゴムなどのゴム製の容器に充填する。粉末を充填した容器をＣＩＰ成型に供して、上述の加圧条件で加圧する。この例では、好ましくは２０００〜４５００ｋｇ／ｃｍ2、より好ましくは、２５００〜４５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力を２〜３０分加える。得られた成型物を微粉砕して、４．０ｇ／ｃｍ3以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＩ）粉末が得られる。圧力の値の変換については、上述のとおりである。
【００２４】
一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は種々の用途で使用され、例えば、上述のように酸化錫系焼結体の原料として使用される。一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は、いずれも４．０ｇ／ｃｍ3以上という高いタップ密度を有しているため、比較的高い相対密度を有する酸化錫系焼結体が得られる。これらの粉末を用いると、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上の相対密度を有する酸化錫系焼結体が得られる。
【００２５】
一実施形態に係る酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化錫（ＩＩ）粉末は、それぞれ単独で使用してもよく、両方を混合して酸化錫混合粉末の形態で使用してもよい。酸化錫混合粉末に含まれる一実施形態に係る酸化錫（ＩＶ）粉末と酸化錫（ＩＩ）粉末との割合は任意であり、例えば、一実施形態に係る酸化錫（ＩＶ）粉末が好ましくは０〜９９質量％、より好ましくは２０〜９０質量％、さらに好ましくは３０〜８０質量％の割合で含まれ、一実施形態に係る酸化錫（ＩＩ）粉末が好ましくは１〜１００質量％、より好ましくは２０〜８０質量％、さらに好ましくは２０〜７０質量％の割合で含まれる。
【００２６】
さらに、一実施形態に係る高密度酸化錫粉末は高いタップ密度を有しているため、例えば、カプセルＨＩＰ処理に好適に供される。これらの粉末は、カプセルＨＩＰ用の金属カプセルに高い充填率で充填することができるため、金属カプセルの収縮率を小さく（例えば５０％以下）することができる。その結果、金属カプセルが破壊されずに焼結反応が進行し、原料粉末が揮発するのを抑制することができる。
【００２７】
本願発明の酸化錫（ＩＶ）粉末、酸化錫（ＩＩ）粉末および酸化錫（ＩＶ）粉末と酸化錫（ＩＩ）粉末とを含有する酸化錫混合粉末のタップ密度は、４．１ｇ／ｃｍ3以上が好ましく、４．２ｇ／ｃｍ3以上がより好ましく、４．３ｇ／ｃｍ3以上がより好ましい。これら酸化錫粉末のタップ密度は、通常６．０ｇ／ｃｍ3以下である。
【００２８】
このようにして得られた酸化錫系焼結体は、スパッタリング法（例えば、ＤＣスパッタリング法など）で使用されるターゲットの材料などとして好適である。また、本発明の酸化錫（ＩＶ）粉末、酸化錫（ＩＩ）粉末、およびこれらの混合粉末について、酸化錫焼結体製造を例に説明した。しかし、本発明の酸化錫（ＩＶ）などは、酸化錫焼結体だけでなく、燃料電池、非水電解液、二次電池材料用の二次電池用電極材や水電解用電極触媒、釉薬、乳白ガラスなどの原料としても好適に用いることができる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
２５０ｇの酸化錫（ＩＩ）粉末（ＳｎＯ、タップ密度：３．１ｇ／ｃｍ3、和光純薬工業（株）製）をるつぼに入れた。るつぼには蓋をせず開放した状態で、大気雰囲気下１６００℃で４時間焼成した。次いで、得られた焼成物を粉末状に粉砕して、分析すると酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。分析は、粉末Ｘ線回折（リガクＵｌｔｉｍａＩＩＩ、（株）リガク製）によって行った。具体的には、得られた粉末を、粉末測定用ホルダーにセットし、２θ＝２０〜８０°の範囲のＸ線回折パターンを下記の条件で測定し、ＳｎＯ2の回折パターンと比較した。得られた粉末（酸化錫（ＩＶ））のタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．４ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
＜測定条件＞
走査方法：ステップスキャン法（ＦＴ法）
Ｘ線源：ＣｕＫα
パワー：４０ｋＶ、４０ｍＡ
ステップ幅：０．０２°
２θ：２０〜８０°
【００３１】
（比較例１：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
１３００℃で焼成した以外は実施例１と同様の手順で焼成物を得た。得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．９４ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３２】
（比較例２：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
酸化錫（ＩＩ）粉末の代わりに酸化錫（ＩＶ）粉末（ＳｎＯ2、タップ密度：１．９５ｇ／ｃｍ3、昭和化工（株）製）を用いて８時間焼成した以外は、実施例１と同様の手順で焼成物を得た。得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．７２ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３３】
（比較例３：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
酸化錫（ＩＶ）粉末（ＳｎＯ2、タップ密度：１．９５ｇ／ｃｍ3、昭和化工（株）製）を、ゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＶ）粉末を充填した容器を成形圧４０００ｋｇ/ｃｍ2にてＣＩＰ成形（冷間等方圧成形）に供して、成形物を得た。得られた成形物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた成形物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．２１ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３４】
（比較例４：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
メタ錫酸（Ｈ2ＳｎＯ3）を焼成すると脱水反応によって酸化錫（ＩＶ）が得られる。そこで、２５０ｇのメタ錫酸粉末（Ｈ2ＳｎＯ3、タップ密度：１．８１ｇ／ｃｍ3、昭和化工（株）製）をるつぼに入れた。るつぼには蓋をせず開放した状態で、大気雰囲気下１６００℃で８時間焼成した。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．７１ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３５】
（実施例２：酸化錫（ＩＩ）粉末の調製）
２５０ｇの酸化錫（ＩＩ）粉末（ＳｎＯ、タップ密度：３．３６ｇ／ｃｍ3、和光純薬工業（株）製）を、ゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末を充填した容器を成形圧４０００ｋｇ/ｃｍ2にてＣＩＰ成型に供して、成型物を得た。得られた成型物（酸化錫（ＩＩ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＩ）粉末は４．０８ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３６】
（実施例３：酸化錫（ＩＩ）粉末の調製）
実施例２で用いた酸化錫（ＩＩ）粉末２５０ｇを、ゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末を充填した容器を成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ2にてＣＩＰ成型に供して、成型物を得た。得られた成型物（酸化錫（ＩＩ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＩ）粉末は４．０８ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３７】
（比較例５：酸化錫（ＩＩ）粉末の調製）
実施例２で用いた酸化錫（ＩＩ）粉末２５０ｇを、ゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末を充填した容器を成形圧１５００ｋｇ/ｃｍ2にてＣＩＰ成型に供して、成型物を得た。得られた成型物（酸化錫（ＩＩ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＩ）粉末は３．８ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３８】
（実施例４：酸化錫（ＩＩ）粉末の調製）
実施例２で用いた酸化錫（ＩＩ）粉末２５０ｇを、一軸プレスにより成形圧５００ｋｇ／ｃｍ2にて成形し、直径１００ｍｍおよび厚さ１０ｍｍの円盤状の成形体を得た。得られた成形体をゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末を充填した容器を成形圧４０００ｋｇ／ｃｍ2にてＣＩＰ成型に供して、成型物を得た。得られた成型物（酸化錫（ＩＩ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＩ）粉末は４．０４ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００３９】
（実施例５）
実施例１で得られた酸化錫（ＩＶ）粉末と実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末とを、９８：２の質量比で混合して酸化錫混合粉末を得た。得られた酸化錫混合粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫混合粉末のタップ密度は４．３９ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫混合粉末の理論密度は６．９４ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．３％であった。
【００４０】
本明細書において「充填率」とは、理論密度に対する実際に得られた粉末のタップ密度の割合のことである。充填率は下記の式で求められる。
充填率（％）＝［（粉末のタップ密度）／（理論密度）］×１００
【００４１】
理論密度は次の方法で求めることができる。粉末の製造に用いた各成分の理論密度に、粉末の製造に用いた各成分の合計質量を１とした場合の各成分の混合割合（混合質量比）を掛ける。用いた全ての成分について同様の計算を行い、算出された値の合計を理論密度とする。酸化錫（ＩＶ）粉末と酸化錫（ＩＩ）粉末との混合粉末の理論密度は、下記の式で求められる。酸化錫（ＩＶ）の理論密度は６．９５ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫（ＩＩ）の理論密度は６．４５ｇ／ｃｍ3である。
理論密度（ｇ／ｃｍ3）＝（Ａ１×Ｂ１）＋（Ａ２×Ｂ２）
Ａ１：酸化錫（ＩＶ）の理論密度
Ｂ１：酸化錫（ＩＶ）の混合質量比
Ａ２：酸化錫（ＩＩ）の理論密度
Ｂ２：酸化錫（ＩＩ）の混合質量比
【００４２】
酸化錫混合粉末を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、さらに上蓋とカプセル容器とを溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れの有無を確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。漏れ量は１×１０-6Ｔｏｒｒ・Ｌ／秒以下であった。３００℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じてカプセル容器を封止した。次いで、封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）に設置して、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理は、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体として１１８ＭＰａ加圧条件下、９００℃で２時間行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。
【００４３】
得られた酸化錫系焼結体は９７％の相対密度を有し、６．９×１０-2Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。比抵抗は、抵抗率計（三菱化学（株）製「ＬＯＲＥＳＴＡ−ＧＰ、ＭＣＰ−Ｔ６１０」)を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに４本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間と内側の二探針間とに一定の電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を求めた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、６５．０ＭＰａであった。
【００４４】
（実施例６）
実施例１で得られた酸化錫（ＩＶ）粉末と実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末とを、９０：１０の質量比で混合して酸化錫混合粉末を得た。得られた酸化錫混合粉末を、実施例５で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫混合粉末のタップ密度は４．３６ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫混合粉末の理論密度は６．９ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．２％であった。
【００４５】
８７０℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９７％の相対密度を有し、５．９×１０-2Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、６２．５ＭＰａであった。
【００４６】
（実施例７）
実施例１で得られた酸化錫（ＩＶ）粉末と実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末とを、７０：３０の質量比で混合して酸化錫混合粉末を得た。得られた酸化錫混合粉末を、実施例５で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫混合粉末のタップ密度は４．３ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫混合粉末の理論密度は６．８ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．２％であった。
【００４７】
８００℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９７％の相対密度を有し、４．３×１０-2Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、５８．８ＭＰａであった。
【００４８】
（実施例８）
実施例１で得られた酸化錫（ＩＶ）粉末と実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末とを、５０：５０の質量比で混合して酸化錫混合粉末を得た。得られた酸化錫混合粉末を、実施例３で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫混合粉末のタップ密度は４．２４ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫混合粉末の理論密度は６．７ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．０％であった。
【００４９】
７８０℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９７％の相対密度を有し、３．３×１０-2Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、５３．５ＭＰａであった。
【００５０】
（実施例９）
実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末を、実施例５で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末のタップ密度は４．０８ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫（ＩＩ）粉末の理論密度は６．４５ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．３％であった。
【００５１】
７５０℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９９％の相対密度を有し、８．０×１０-4Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、３７．６ＭＰａであった。
【００５２】
（実施例１０：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
実施例１で用いた酸化錫（ＩＩ）粉末５００ｇをるつぼに入れた。るつぼには蓋をせず開放した状態で、大気雰囲気下１６００℃で４時間焼成した。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．４６ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００５３】
（実施例１１：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
１５００℃で６時間焼成した以外は実施例１０と同様の手順で焼成物を得た。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．１ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００５４】
（比較例６）
実施例１で用いた酸化錫（ＩＩ）粉末２５０ｇをるつぼに入れた。るつぼに蓋をして、大気雰囲気下１６００℃で６時間焼成した。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．８６ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００５５】
（実施例１２）
実施例１で得られた酸化錫（ＩＶ）粉末と実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末とを、２０：８０の質量比で混合して酸化錫混合粉末を得た。得られた酸化錫混合粉末を、実施例５で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫混合粉末のタップ密度は４．１７ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫混合粉末の理論密度は６．５５ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．７％であった。
【００５６】
７６０℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９８％の相対密度を有し、１．２×１０-3Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、４９．８ＭＰａであった。
【００５７】
（実施例１３）
実施例２で得られた酸化錫（ＩＩ）粉末を、実施例５で用いたカプセル容器に、粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末のタップ密度は４．０８ｇ／ｃｍ3であり、酸化錫（ＩＩ）粉末の理論密度は６．４５ｇ／ｃｍ3であることから、充填率は６３．３％であった。
【００５８】
７７０℃で２時間処理を行った以外は、実施例５と同様の手順で円柱型の酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は９７．４％の相対密度を有し、２．３×１０-4Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ強度）を測定したところ、４１．２ＭＰａであった。
【００５９】
（実施例１４：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
１４９０℃で４時間焼成した以外は実施例１と同様の手順で焼成物を得た。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．２２ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００６０】
（実施例１５：酸化錫（ＩＶ）粉末の調製）
１５００℃で１２時間焼成した以外は実施例１と同様の手順で焼成物を得た。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．１９ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００６１】
（比較例７）
１１００℃で６時間焼成した以外は実施例１と同様の手順で焼成物を得た。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．３２ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。
【００６２】
（比較例８）
２５０ｇの水酸化錫（ＩＩ）粉末（Ｓｎ（ＯＨ）2、タップ密度：１．８ｇ／ｃｍ3、和光純薬工業（株）製）をるつぼに入れた。るつぼには蓋をした状態で、大気雰囲気下１６００℃で６時間焼成した。次いで、得られた焼成物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。得られた焼成物（酸化錫（ＩＶ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は３．６９ｇ／ｃｍ3のタップ密度を有していた。