(57)【要約】【課題】比較的安全に、かつ、半導体素子を損傷させずに、半導体素子のパッドとリードを接続するＡｕワイヤを除去することのできる半導体素子のパッケージ解体方法を提供する。【解決手段】パッケージ１０のリード２と半導体素子１のパッドを接続するＡｕワイヤ３にリード２を介して電源８の正の電極を接続し、ノズル５に負の電極を接続して電圧を印加しながら、ノズル５から濃硫酸と発煙硝酸の混酸を吐出してＡｕワイヤ３に接触させることにより、Ａｕワイヤ３を溶解させるＡｕ除去工程を行う。電圧が印加されていないとＡｕワイヤ３は溶解しない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードに半導体素子の端子がＡｕで接続されたパッケージを解体するパッケージ解体方法であって、
前記Ａｕに硫酸を含有する溶液を接触させながら、前記溶液に対して正の電圧を前記Ａｕに印加することにより、前記Ａｕを溶解させるＡｕ除去工程を行い、
前記電圧が印加されていないと、前記Ａｕが前記溶液に溶解しないことを特徴とするパッケージ解体方法。
【請求項２】
前記溶液は硝酸をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載のパッケージ解体方法。
【請求項３】
前記Ａｕ除去工程は、前記リードに外部電源の正極を接続することによって、前記Ａｕに前記電圧を印加することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパッケージ解体方法。
【請求項４】
前記Ａｕ除去工程の前に、前記パッケージのモールドを除去して前記Ａｕを露出させるモールド除去工程を行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のパッケージ解体方法。
【請求項５】
前記モールド除去工程は、前記Ａｕ除去工程の溶液に前記モールドを溶解させることを特徴とする請求項４に記載のパッケージ解体方法。
【請求項６】
リードに半導体素子の端子がＡｕで接続されたパッケージの接続不良箇所を検出するボンディング不良検出方法であって、
前記Ａｕに硫酸を含有する溶液を接触させながら、前記溶液に対して正の電圧を前記リードに印加するＡｕ除去工程と、
前記リードに接続していたＡｕが溶解した接続箇所を正常と判定し、前記リードに接続していたＡｕが溶解しなかった接続箇所を不良と判定する判定工程と、を行うことを特徴とするボンディング不良検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のパッケージ解体方法およびボンディング不良検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージに実装された半導体素子（チップ）は、信頼性評価等の試験で不良とされた場合に原因を解析されることがある。解析において、チップ外観の観察等のために、必要に応じて、チップを被覆するパッケージのモールドを、硝酸等の薬液やレーザーを使用して除去（開封）される（例えば特許文献１，２参照）。さらに、パッケージのリードと半導体素子のパッド（端子）とを接続するボンディングワイヤを除去することがある。
【０００３】
半導体素子の多ピン化により、多数のボンディングワイヤを切断等の機械的手段で除去することは非効率的であり、また、チップを傷付ける虞がある。また、フリップチップ実装の場合は、チップを傷付けないようにパッドとリードを機械的手段で引き離すことはさらに困難である。そこで、ボンディングワイヤやバンプを薬液に溶解させる化学的手段が適用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３３４０６７５号公報
【特許文献２】特許第５１４２２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ボンディングワイヤやバンプは、一般に、接合性（ボンディング）等に特に優れたＡｕ（金）からなるものが多く使用されている。しかし、Ａｕを溶解させる薬液は、強酸の王水や毒性の強いシアン化物溶液等、限定的であり、安全性の問題上、廃液も含めて取扱いが容易ではない。また、耐薬品性の特に優れたＡｕを溶解させる薬液は、Ｃｕ（銅）、さらにはＡｌ（アルミニウム）等の他の金属も溶解させる場合があり、半導体素子のパッドがこれらの金属で形成されていると腐食する場合があり、パッドに直接にプローブ針を接触させて行うような解析に不具合を生じる。
【０００６】
また、解析のために、特定の一部のボンディングワイヤを切断することがあるが、半導体素子のパッドの狭ピッチ化や多ピン化により、密集した多数のボンディングワイヤから、所望の１本を選別して切断することは困難である。また、不良原因の一つにボンディング不良が挙げられるが、半導体素子の多ピン化等により、外観の観察等では検出困難な場合があり、より効率的な検出方法が要求されている。
【０００７】
本発明は前記問題点に鑑み創案されたものであり、比較的安全に、かつ、半導体素子を損傷させずに、Ａｕからなるボンディングワイヤやバンプを除去することのできるパッケージ解体方法、および効率的なボンディング不良検出方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明に係るパッケージ解体方法は、リードに半導体素子の端子がＡｕで接続されたパッケージを解体する方法であって、前記溶液に対して正の電圧を前記Ａｕに印加することにより、前記Ａｕを溶解させるＡｕ除去工程を行い、前記電圧が印加されていないと、前記Ａｕが前記溶液に溶解しないことを特徴とする。さらに前記溶液が硝酸を含有することが好ましい。また、前記Ａｕ除去工程は、前記リードに外部電源の正極を接続することによって、前記Ａｕに前記電圧を印加することができる。また、本発明に係るパッケージ解体方法は、前記Ａｕ除去工程の前に、前記パッケージのモールドを除去して前記Ａｕを露出させるモールド除去工程を行ってもよく、さらに前記モールド除去工程は、前記Ａｕ除去工程の溶液に前記モールドを溶解させることによって行うことができる。
【０００９】
かかる構成により、電圧無印加状態ではＡｕを溶解し得ない溶液を使用するので、Ａｕを効率的に除去し、さらに特定のリードに接合したＡｕを除去することができる。また、同じ溶液でパッケージのモールドを除去することができるので、半導体素子をモールドで封止したパッケージを効率的に解体することができる。
【００１０】
本発明に係るボンディング不良検出方法は、リードに半導体素子の端子がＡｕで接続されたパッケージの接続不良箇所を検出する方法であって、前記Ａｕに硫酸を含有する溶液を接触させながら、前記溶液に対して正の電圧を前記リードに印加するＡｕ除去工程と、前記リードに接続していたＡｕが溶解した接続箇所を正常と判定し、前記リードに接続していたＡｕが溶解しなかった接続箇所を不良と判定する判定工程と、を行うことを特徴とする。
【００１１】
かかる構成により、半導体素子の端子の数や配列ピッチにかかわらず、接続不良箇所を容易に検出することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るパッケージ解体方法によれば、比較的安全に、かつ、半導体素子を損傷させずに、Ａｕからなるボンディングワイヤやバンプを除去することができる。本発明に係るボンディング不良検出方法によれば、接続不良箇所を効率的に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るパッケージ解体方法を行うための装置の模式図である。
【図２】実施例の試料の処理前の外観写真である。
【図３】実施例の外観写真であり、（ａ）は試料Ｎｏ．６、（ｂ）は試料Ｎｏ．１２、（ｃ）は試料Ｎｏ．２１、（ｄ）は試料Ｎｏ．３１である。
【図４】実施例の外観写真であり、（ａ）は試料Ｎｏ．５４、（ｂ）は試料Ｎｏ．５８、（ｃ）は試料Ｎｏ．５９である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明に係るパッケージ解体方法およびボンディング不良検出方法を実現するための形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
〔パッケージ解体方法〕
本発明に係るパッケージ解体方法は、パッケージのモールドを除去して、Ａｕワイヤ（ボンディングワイヤ）を露出させるモールド除去工程と、Ａｕワイヤを溶解して除去するＡｕ除去工程と、を行う。まず、本発明に係るパッケージ解体方法で解体されるパッケージの一例の構造について説明する。
【００１６】
（パッケージ）
本発明に係るパッケージ解体方法で解体されるパッケージ１０は、半導体素子（チップ）１を、パッド（端子、図示省略）を形成された面（表側）を上に向けてリードフレーム上に搭載（マウント）して、リードフレームのリード２の１本毎にチップ１のパッドをＡｕワイヤ３でボンディングして接続した後、モールド（樹脂）４でチップ１やＡｕワイヤ３を封止してなる。なお、図１において、パッケージ１０は、プリント基板等への実装面（裏側）を上に、チップ１の搭載面（表側）を下に向けて示され、また、モールド４のチップ１の表側およびＡｕワイヤ３を被覆する部分が除去されている。Ａｕワイヤ３は、ＡｕまたはＡｕ合金（以下、まとめてＡｕと表す）からなる公知のボンディングワイヤ（金線）であり、線径が１０μｍ〜数十μｍ程度である。リードフレーム（リード２）およびモールド４は、それぞれパッケージに適用される公知の部材である。リードフレームは、Ｃｕ合金板からなり、必要に応じて、全体やパッケージ１０の外に露出する部分（アウターリード）の表面に錫（Ｓｎ）やパラジウム（Ｐｄ）等のめっき膜が被覆されている。モールド４は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が適用される。
【００１７】
（パッケージ解体装置）
本発明に係るパッケージ解体方法は、一例として、図１に示すパッケージ解体装置５０を使用して、実行することができる。パッケージ解体装置５０は、上に向けて薬液を吐出するノズル５（図１には吐出口（先端）の部分を示す）、ノズル５を収容し上面に孔の空いた筐体６、筐体６に載置されたパッケージ１０を上から押さえ付けて固定する固定板７、ノズル５と固定板７に接続する電源８、およびシール材９を備え、さらに、ノズル５に供給する薬液の容器（薬液タンク）、ノズル５から吐出した薬液を回収して貯蔵する廃液タンク、薬液を吐出したり回収するポンプ機構、薬液を加熱するヒータ等を備える（図示省略）。固定板７は、下面で、リード２（アウターリード）を押し当てるようにパッケージ１０を筐体６に固定する。さらに、本発明においては、固定板７はリード２に接続する電極（正極）であり、そのためにアルミニウム合金板等の導電性の板材からなり、電源８の正（＋）極が接続される。一方、電源８の負（−）極はノズル５に接続され、そのためにノズル５は、導電性材料で形成され、必要に応じて耐酸性等を有する皮膜を表面に備える。電源８の負極は、ノズル５を通る薬液に接触すればよく、例えば薬液タンク内に設置されていてもよい。シール材９は、パッケージ１０と筐体６の間を塞ぐシール材であり、パッケージ１０の薬液を接触させる領域を区画するために孔が空けられている。そして、ノズル５から吐出された薬液が、図１に上向きの白抜き矢印で表すように、筐体６の孔を通ってパッケージ１０のモールド４等に吹き付けられ、その後、ノズル５の外側を流れ落ちて回収される。パッケージ解体装置５０は、このように薬液の供給、排出の経路を有する形状であればよく、例えば、筐体６の上面を含む部分をノズル５と一体として、薬液の供給用の孔と排出用の１以上の孔が形成されていてもよい。このようなパッケージ解体装置５０は、パッケージ１０のモールド４を局所的に溶解させてチップ１を露出させるパッケージ開封装置を流用することができる。以下、パッケージ解体装置５０を使用して、本発明の実施形態に係るパッケージ解体方法について説明する。
【００１８】
（モールド除去工程）
パッケージ１０のモールド４は、硝酸（ＨＮＯ3）で溶解させることができ、溶解速度を高速にするために、濃硝酸や発煙硝酸を使用することが好ましい。そこで、パッケージ解体装置５０にパッケージ１０を設置し、ノズル５から発煙硝酸を吐出させることにより、図１に示すように、チップ１とその周囲を被覆するモールド４を除去して、チップ１の表側とすべてのＡｕワイヤ３を露出させる。温度（発煙硝酸の温度）は、高いほどモールド４の溶解速度が高速になり、室温以上であることが好ましく、一方、安全性の観点から、気化しないように約９０℃以下であることが好ましい。このような方法により、発煙硝酸の使用量を少量に抑えつつ、所望の範囲において偏りなく発煙硝酸を接触させることができ、効率的かつ経済的で、安全性にも優れる。また、パッケージ解体装置５０にパッケージ１０を設置したまま、引き続いてＡｕ除去工程を行うことができる。また、硝酸だけでなく、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）との混合液、特に発煙硝酸と濃硫酸との混酸を使用してもよく、連続してまたは並行してＡｕ除去工程を行うことができる。硝酸の配合が低いとモールド４の溶解速度が低速になるため、体積比で発煙硝酸１に対して濃硫酸１以下とすることが好ましい。一方、混酸は、濃硫酸の配合が多いほど、温度を高くしても気化しないため、高温に設定することができる。
【００１９】
モールド除去工程は、公知のレーザー開封装置を使用して、パッケージ１０の表側からモールド４を除去することもできる。また、レーザーによる除去の後に、前記の発煙硝酸による除去を行ってもよい。レーザーを使用することで、より高速にモールド４を除去することができ、さらに発煙硝酸による除去を組み合わせることで、レーザーの到達し難いＡｕワイヤ３の影等におけるモールド４を除去することができる。
【００２０】
モールド除去工程において、モールド４を除去する範囲は、すべてのＡｕワイヤ３のそれぞれについて少なくとも一部が露出していればよい。例えば発煙硝酸で溶解する場合には、シール材９の孔径を小さくしてモールド４の発煙硝酸が接触する領域を狭くなるようにして、チップ１の表側を被覆する部分またはさらにその近傍に限定してモールド４を除去する。すると、後続のＡｕ除去工程で、Ａｕワイヤ３は、露出した部分が溶解する。
【００２１】
（Ａｕ除去工程）
Ａｕは、硫酸に対して正の電圧を印加されているとき、この硫酸に溶解し、濃硫酸により溶解し易く、濃硫酸と濃硝酸または発煙硝酸との混酸にさらに溶解し易い。言い換えると、Ａｕは、負の電位分布が付与されている硫酸または混酸に溶解する。そこで、電源８の負の電極をノズル５に接続し、正の電極を固定板７に接続して、リード２を介してＡｕワイヤ３に正の電圧を印加する。これにより、Ａｕワイヤ３に正の電荷（図中、○に「＋」）が、ノズル５に接触する硫酸または混酸に負の電荷（図中、○に「−」）が、それぞれ帯電する。濃硫酸または発煙硝酸との混酸の配合は、Ａｕの溶解速度を十分に高くするために、体積比で濃硫酸１に対して、発煙硝酸１／６〜６であることが好ましく、発煙硝酸１／５〜５であることがより好ましく、発煙硝酸１／４〜３がさらに好ましい。また、並行してモールド４を除去する場合には、濃硫酸１に対して発煙硝酸１以上であることが好ましい。また、濃硫酸または混酸（ノズル５の濃硫酸または混酸との接触面）に対するＡｕワイヤ３の電圧は、高いほど溶解速度が高速になり、２Ｖ以上が好ましく、３Ｖ以上がより好ましく、５Ｖ以上がさらに好ましい。また、温度（濃硫酸または混酸の温度）が高いほどＡｕの溶解速度が高速になり、室温以上であることが好ましく、ただし、濃硫酸または混酸が気化しない温度とする。
【００２２】
Ａｕの溶解が進行すると、Ａｕワイヤ３が次第に細くなって最終的に断線するが、チップ１のパッドに接続した側のＡｕワイヤ３は、電源８から正の電荷を供給されなくなるため、それ以上は溶解が進行せずに残存する。Ａｕワイヤ３の残存を低減するためには、ある程度以上にＡｕの溶解速度が高速になるように、混酸の配合や電圧等を設定することが好ましい。すべての（または必要な）Ａｕワイヤ３が断線したら、混酸の供給（ノズル５からの吐出）を停止して、パッケージ１０をパッケージ解体装置５０から取り出して純水で洗浄する。
【００２３】
モールド４の除去には電圧の印加は影響しないが、Ａｕワイヤ３の影となる部分、特にチップ１の近傍等の多数のＡｕワイヤ３が密集している部分のモールド４には、発煙硝酸が接触し難く、モールド４が残存し易い。このような場合、モールド４が完全に除去される前に、Ａｕ除去工程を開始することが好ましい。Ａｕ除去工程は、モールド除去工程の開始時から並行して行ってもよいし、チップ１やリード２が露出する手前で開始してもよい。なお、モールド除去工程とＡｕ除去工程とで、薬液（混酸）は同じものを使用することができるが、切り換えて、モールド４の溶解により好適な発煙硝酸の配合の多いものと、Ａｕワイヤ３の溶解により好適な配合のものとを使い分けてもよく、さらには温度を切り換えてもよい。
【００２４】
Ａｕ除去工程において、Ａｕワイヤ３への電圧印加は、リード２を介した方法に限られず、例えば、モールド除去工程で露出させたＡｕワイヤ３を１ないし複数の束にして、クリップ等で電源８の正極に接続してもよい。
【００２５】
本発明に係るパッケージ解体方法のＡｕ除去工程は、パッケージ１０の一部のＡｕワイヤ３を限定的に除去することもできる。具体的には、除去しようとするＡｕワイヤ３に接続しているリード２にのみ電源８の正極を接続する。そのために、固定板７を絶縁材料からなるものに替え、または、固定板７とパッケージ１０の間に絶縁部材（例えば、ゴム）を挟み、設置したパッケージ１０の１ないし２以上のリード２に電源８の正極を接続する。あるいは、パッケージ１０のピン（アウターリード）形状に対応したソケットを使用してもよい。このような状態でＡｕ除去工程を順次行うと、電源８を接続したリード２にボンディングされたＡｕワイヤ３のみが除去される。なお、Ａｕワイヤ３のそれぞれが全体またはそれに近い長い部分がモールド４から露出していると、Ａｕワイヤ３のループ形状やレイアウト等によっては、近傍の他のＡｕワイヤ３に接触して短絡する虞がある。そのため、前記したように、モールド除去工程で、チップ１の表側を被覆する部分に限定してモールド４を除去することが好ましい。
【００２６】
（ボンディング不良検出方法）
本発明に係るパッケージ解体方法のＡｕ除去工程は、前記したように、電源８の正極に電気的に接続されたＡｕワイヤ３のみが選択的に溶解、除去される。したがって、固定板７を介してすべてのリード２を電源８に接続しても、リード２に接続されていないＡｕワイヤ３は除去されない。このことから、本発明に係るパッケージ解体方法によって、ボンディング不良、詳しくは、Ａｕワイヤ３とリード２（インナーリード）との接合不良を検出することができる。すなわち、Ａｕ除去工程を行って、溶解せずに（細くならずに）残存したＡｕワイヤ３が、リード２に接続していなかったことが判定できる。
【００２７】
（変形例）
本発明に係るパッケージ解体方法のＡｕ除去工程は、Ａｕからなる部材であればボンディングワイヤに限られず、例えばバンプ（Ａｕバンプ）を溶解させることもできる。すなわち、フリップチップ実装されたパッケージを解体することができる。そのために、前記のワイヤボンディング実装されたパッケージ１０の解体方法と同様に、モールド除去工程でチップ１を被覆するモールドを除去する。なお、パッケージの仕様等にもよるが、チップ１の裏側から混酸等を吹き付けるので、チップ１の裏側から側面、さらに表側（実装面）にかけて被覆するモールドを除去して、Ａｕバンプを露出させる。このように、チップ１のノズル５に対向する側の反対側の面に混酸を接触させるために、吐出量等を調整することが好ましい。Ａｕ除去工程では、バンプが表面から溶解され、リード２との接続部分が除去されると溶解の進行が停止する。すべてのＡｕバンプについてリード２との接続が断たれると、チップ１をパッケージ１０から取り外すことができる。なお、Ａｕバンプは、寸法や形状等にもよるが、最大径が大きいため、チップ１から完全に除去することは困難である。
【００２８】
本発明に係るパッケージ解体方法のＡｕ除去工程において、混酸等をＡｕワイヤ３やＡｕバンプに接触させる方法は、ノズルからの局所的な吹付けに限定されない。例えば、混酸を槽に溜めて、Ａｕワイヤ３を露出させたパッケージ１０を、リード２（アウターリード）に電源８を接続し、必要に応じて表側以外をシールし、混酸に浸漬させたり、表側を下に向けて混酸の水面に接触させてもよい。また、フリップチップ実装されたパッケージから取り外したチップ１について、次の方法で、残存するＡｕバンプを除去することができる。チップ１の表側（Ａｕバンプが形成された面）にカーボンを含有した導電性のスポンジを押し当てて固定し、スポンジに電源８の正極を接続し、チップ１をスポンジごと混酸に浸漬させる。スポンジによって、チップ１の表側に混酸が接触し、また、Ａｕバンプが溶解して小さくなっても電源８との導通が維持されているので、Ａｕバンプを完全に溶解してチップ１から除去することができる。
【００２９】
以上のように、本発明の実施形態に係るパッケージ解体方法によれば、比較的安全に、かつ、半導体素子を損傷させずに、リードと半導体素子の端子とを接続するＡｕからなるボンディングワイヤやバンプを除去することができる。
【実施例１】
【００３０】
本発明の効果を確認するために、図１に示すパッケージ解体装置を使用して、ワイヤボンディング実装されたパッケージの解体を実行した。
【００３１】
（試料、試薬）
２０ピンのＳＯＰパッケージに線径２５μｍのＡｕ（純度９９．９９％以上）ワイヤでチップ（パッド最小間隔７０μｍ）をボンディング実装したパッケージを、チップおよびＡｕワイヤが完全に露出するように、これらを内包する領域（３．５ｍｍ×９．０ｍｍ）のモールドを、当該領域のリードが露出するまでレーザーで除去した。レーザーによるモールド除去後のパッケージの外観写真を図２に示す。また、濃硫酸（Ｈ2ＳＯ4）は硫酸濃度９５質量％、発煙硝酸（ＨＮＯ3）は硝酸濃度９７質量％のものを使用した。
【００３２】
前記パッケージを表１および表２に示す配合の混酸、電圧、温度、および時間にて処理した後、純水で洗浄し、乾燥させて、目視でＡｕワイヤの残存状態を観察した。２０本すべてのＡｕワイヤが断線するまで溶解したものを「◎」とし、以下、良好なものから順に、１０本を超えるＡｕワイヤが断線したものを「○」、１〜１０本のＡｕワイヤが断線したものを「△」、断線に至らなかったが溶解が明確に確認されたものを「▲」、１本以上のＡｕワイヤが視認可能な程度に細くなったものを「×」、いずれのＡｕワイヤにも変化が確認されないものは「××」として、段階的に評価した。また、試料Ｎｏ．６，１２，２１，３１の外観写真を図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示す。
【００３３】
【表１】
2019047044.tif 000003
【００３４】
【表２】
2019047044.tif 000004
【００３５】
表１に示すように、電圧を印加しない（０Ｖ）試料Ｎｏ．１〜７は、混酸の配合にかかわらず、Ａｕワイヤがまったく溶解しなかった。なお、発煙硝酸の配合の高い試料Ｎｏ．６，７は、Ａｕワイヤの影となってレーザーで除去されていなかったモールドが完全に除去された（図３（ａ）参照）。また、電圧が４Ｖ以下の試料Ｎｏ．８〜１１も、室温（３０℃）ではＡｕワイヤの溶解は確認できなかったが、５Ｖの試料Ｎｏ．１２，１３，１９は完全に断線に至り（図３（ｂ）参照）、さらに１０Ｖ以上の試料Ｎｏ．１３，１９は完全に溶解した。
【００３６】
表１に示すように、発煙硝酸のみの試料Ｎｏ．１４は、１０Ｖの電圧を印加してもＡｕワイヤがまったく溶解せず、モールドのみが除去された。混酸の配合を変化させた試料Ｎｏ．１５〜２５においては、濃硫酸１に対して発煙硝酸１／４〜３の試料Ｎｏ．１８〜２３が良好に溶解した。さらに、処理時間を２００秒間から１５０秒間に短縮しても、Ａｕワイヤは溶解した（試料Ｎｏ．３０）。ただし、電圧を２０Ｖに上げても処理時間を１００秒間に短縮すると、Ａｕワイヤの残存が多かった（試料Ｎｏ．３１、図３（ｄ）参照）。また、濃硫酸の配合比が低くＡｕワイヤの残存が多い試料Ｎｏ．１６に対して、電圧を２０Ｖに上げてもほとんど変化しなかった（試料Ｎｏ．２９）。なお、発煙硝酸の配合比の低い試料Ｎｏ．２１〜２５は、Ａｕワイヤの影のモールドが除去されずに残存した（図３（ｃ）参照）。一方、濃硫酸のみの試料Ｎｏ．２６は、処理時間を２００秒間から３５０秒間に延長することで、Ａｕワイヤが断線に至らなかったものの溶解することを確認することができた。また、１５０℃の高温で処理することで溶解量が増大し（試料Ｎｏ．２７）、さらに電圧を２０Ｖに上げることでいっそう多く溶解した（試料Ｎｏ．２８）。
【００３７】
温度の影響をさらに詳細に観察するため、表２に示すように処理時間１５０秒間で評価した。電圧が２Ｖ以下の試料Ｎｏ．３２〜３５は、温度を３０℃から５０℃に上げてもＡｕワイヤがまったく溶解しなかった。これに対して、電圧が３Ｖでは、３０℃の試料Ｎｏ．３６はＡｕワイヤがまったく溶解しなかったが、温度を４０〜６０℃に上げた試料Ｎｏ．３７〜４０では、僅かながら溶解することが確認された。さらに、温度を６０℃に上げたことで、電圧５Ｖ以上の試料Ｎｏ．４１〜４３において、処理時間１５０秒間で十分にＡｕワイヤが溶解することが確認された。
【実施例２】
【００３８】
電圧等によるＡｕの溶解の程度をより詳細に観察するために、Ａｕ薄膜に対して、実施例１と同様の方法でＡｕを除去した。
【００３９】
銅板に、Ａｕ（純度９９．９９％以上）を約２μｍ厚さにめっきしたものを試料とした。この試料を表３に示す配合の混酸、電圧、温度で４００秒間処理した後、純水で洗浄し、乾燥させて、目視で表面を観察した。混酸の接触領域は６ｍｍ×６ｍｍとした。前記領域内のすべてのＡｕ薄膜が完全に消失したものを「◎」、Ａｕ薄膜が僅かに残存したものを「○」、Ａｕ薄膜がまとまった面積で残存したものを「△」、領域の輪郭が視認可能な跡が観察されたものを「×」、前記の跡が観察されないものは「××」とした。また、試料Ｎｏ．５４，５８，５９の外観写真を図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。
【００４０】
【表３】
2019047044.tif 000005
【００４１】
表３および図４（ａ）に示すように、電圧１．５Ｖ以上であればＡｕが溶解可能であることが確認されたが、溶解が顕著に確認されたのは、図４（ｂ）に示すように１．９Ｖ以上である。そして、Ａｕワイヤと同様、図４（ｃ）に示すように１０Ｖで安定して溶解することが確認された。
【実施例３】
【００４２】
実施例１と同様にパッケージのＡｕワイヤを除去する際に、リードの１本を電源に接続しなかった。処理条件は、試料Ｎｏ．１９と同じとした。その結果、電源に接続しなかったリードに接続したＡｕワイヤのみが残存した。このことから、ボンディング不良箇所を判定可能なことが確認された。
【００４３】
以上、本発明のパッケージ解体方法およびボンディング不良検出方法を実施するための実施形態について述べてきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    パッケージ
１      チップ（半導体素子）
２      リード
３      Ａｕワイヤ
５０    パッケージ解体装置
５      ノズル
６      筐体
７      固定板
８      電源
９      シール材
【図１】
2019047044.tif 000006
【図２】
2019047044.tif 000007
【図３】
2019047044.tif 000008
【図４】
2019047044.tif 000009