(57)【要約】【課題】表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形の中心点に交互に位置する複数の第１発光領域、複数の第２発光領域及び仮想の四角形の頂点にそれぞれ位置する複数の第３発光領域を含み、第１発光領域、第２発光領域及び第３発光領域の平面面積の差は、最も広い発光領域の平面面積の２５％未満である表示装置である。第３発光領域の平面面積は、第１発光領域の平面面積と、第２発光領域の平面面積との何れか大きい平面面積の７５％以上であってもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形の中心点に交互に位置する複数の第１発光領域及び複数の第２発光領域と、
前記仮想の四角形の頂点にそれぞれ位置する複数の第３発光領域と、を含み、
前記第１発光領域、第２発光領域及び第３発光領域の平面面積の差は、最も広い発光領域の平面面積の２５％未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第３発光領域の平面面積は、前記第１発光領域の平面面積と、前記第２発光領域の平面面積とのうち何れか大きい平面面積の７５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層と、
前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第２開口部及び前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第３開口部を有する画素定義層と、
それぞれが前記第１画素電極上に位置し、前記第１開口部に対応する前記第１発光領域を有する複数の第１発光層と、
それぞれが前記第２画素電極上に位置し、前記第２開口部に対応する前記第２発光領域を有する複数の第２発光層と、
それぞれが前記第３画素電極上に位置し、前記第３開口部に対応する前記第３発光領域を有する複数の第３発光層と、
前記複数の第１発光層、第２発光層及び第３発光層を覆う対向電極と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示装置が最大輝度で白色を表示するとき、前記第３発光層に供給される電流量は、前記第１発光層に供給される電流量と、前記第２発光層に供給される電流量の何れか大きい電流量の７５％以上であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１発光領域の平面形状と、前記第２発光領域との平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い正八角形状であり、
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離の差は、何れか大きい距離の５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第３発光領域の平面形状は、角が丸い八角形状であり、
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離は、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離と、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第３発光領域の第１方向の長さと、前記第３発光領域の第２方向の長さの差は、いずれか大きい長さの５％以下であり、
前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であり、
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離の差は、いずれか大きい距離の５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い四角形または角が丸い長方形状であり、
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離は、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離と、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第３発光領域の第１方向の長さと、前記第３発光領域の第２方向の長さの差は、何れか大きい長さの５％以下であり、
前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離に対する、前記第３発光領域の第１方向の長さの比率と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離に対する、前記第３発光領域の第２方向の長さの比率の差は、何れか大きい比率の５％以下であり、
前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１発光領域と、前記第２発光領域との平面形状は、互いに実質的に同一形状であり、
前記第３発光領域の平面形状は、前記第１発光領域の平面形状と、前記第２発光領域の平面形状とは異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第３発光領域の第１方向の長さと前記第３発光領域の第２方向の長さとの差は、何れか大きい長さの１０％であり、
前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記複数の第３発光領域のうち、前記仮想の四角形それぞれの中心点に隣接するように位置する４個の前記第３発光領域は、前記中心点を基準に、互いに上下対称であり、かつ、互いに左右対称であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記仮想の四角形の対角線方向１インチ内に、５００個以上の第３発光領域が配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１発光領域は、赤色光を放出し、前記第２発光領域は、緑色光を放出し、前記第３発光領域は、青色光を放出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記仮想の四角形は、実質的に長方形または正方形であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１９】
行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列されて同一形状を有する仮想の第１四角形及び第２四角形を含む基板と、
前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層と、
前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第１四角形のそれぞれの中心点に位置する複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第２四角形のそれぞれの中心点に位置する複数の第２開口部及び前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第１四角形及び第２四角形の頂点にそれぞれ位置する複数の第３開口部を有する画素定義層と、
前記第１画素電極上にそれぞれ位置し、少なくともそれぞれの一部分が、前記第１開口部を充填する複数の第１発光層と、
前記第２画素電極上にそれぞれ位置し、少なくともそれぞれの一部分が、前記第２開口部を充填する複数の第２発光層と、
前記第３画素電極上にそれぞれ位置し、少なくともそれぞれの一部分が、前記第３開口部を充填する複数の第３発光層と、
前記複数の第１発光層、第２発光層及び第３発光層を覆う対向電極と、を含み、
前記第１開口部、第２開口部及び第３開口部の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満であることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
前記複数の第１発光層のそれぞれが前記第１開口部に対応する第１発光領域を有し、
前記複数の第２発光層のそれぞれが前記第２開口部に対応する第２発光領域を有し、
前記複数の第３発光層のそれぞれが前記第３開口部に対応する第３発光領域を有することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列される第１の仮想の四角形及び第２の仮想の四角形を含む基板を準備する段階と、
前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層を形成する段階と、
前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記第１の仮想の四角形の中心点に位置する複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記第２の仮想の四角形の中心点に位置する複数の第２開口部並びに前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記第１の仮想の四角形及び前記第２の仮想の四角形の頂点に位置する複数の第３開口部を有する画素定義層を形成する段階と、
第１マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第１開口部を選択的に充填する複数の第１発光層を形成する段階と、
第２マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第２開口部を選択的に充填する複数の第２発光層を形成する段階と、
第３マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第３開口部の一部を選択的に充填する複数の第３発光層の一部を形成する段階と、
第４マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第３開口部の残りを選択的に充填する複数の第３発光層の残りを形成する段階と、を含み、
前記第１開口部、第２開口部及び第３開口部の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１開口部の平面形状と、前記第２開口部の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第３開口部の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であり、
互いに隣接した前記第３開口部と前記第１開口部との距離と、互いに隣接した前記第３開口部と前記第２開口部との距離との差は、何れか大きい距離の５％以下であることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第３開口部の平面形状は、互いに対向する二辺間の距離と互いに対向する他の二辺間の距離との差が何れか大きい距離の５％以下である実質的に角が丸い長方形状であり、
互いに隣接した前記第３開口部と前記第１開口部との距離は、互いに隣接した前記第３開口部と前記第２開口部との距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第３開口部の平面面積は、前記第２開口部の平面面積より狭く、かつ、前記第２開口部の平面面積の７５％以上であり、
前記第１開口部の平面面積は、前記第２開口部の平面面積より狭く、かつ、前記第２開口部の平面面積の９０％以上であることを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、有機発光表示装置の副画素配列構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は、イメージを表示する装置であって、最近、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）が注目されている。有機発光表示装置は、それ自体が発光する特性を有し、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）とは異なり、別途の光源を必要としないので、厚みと重量とを減らすことができる。有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び迅速な反応速度などの高品質な特性を示す。
【０００３】
有機発光表示装置は、それぞれが互いに異なる色の光を発光する副画素を含み、副画素が発光し、イメージを表示する。ここで、副画素とは、イメージを表示するために光を放出する最小単位を意味し、隣接する副画素間には、各副画素を駆動するためのゲート線、データ線、駆動電源線などの電源線及び各副画素の形状または領域などを定義するための画素定義層のような絶縁層などが位置する。
【０００４】
副画素を構成する有機発光層は、ファインメタルマスク（ＦＭＭ：ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ）などのマスクを利用して、有機発光物質を蒸着することによって形成される。副画素の開口率を確保するために隣接する有機発光層間の間隔を短く設計する場合、蒸着の信頼性が低下する。蒸着の信頼性向上のために隣接する有機発光層間の間隔を長く設計する場合、副画素の開口率が低下する。副画素の開口率は、イメージが表示される表示領域の全体面積に対して、有機発光層が位置して実際に光が放出される面積の比率を意味する。
【０００５】
一方、高品質なイメージを表示する装置への需要の高まりに応じて、表示装置の解像度は、だんだんと高まっている。表示装置は、例えば、２個の副画素が１つの画素を構成するペンタイル方式の副画素配列構造を有し、有機発光層の面積及び駆動電流量は、だんだん小さくなっている。各副画素の有機発光物質の違いにより、各副画素の有機発光素子は、異なる寄生キャパシタンス及び駆動電流量を有する。寄生キャパシタンス及び駆動電流量の差により、低輝度において、特定の色相の副画素は、意図した量の光を遅く放出するという問題が生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一実施形態は、前述の問題点を解決するためのものであり、高解像度画素配列構造を有する表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述の技術的課題を達成するための本発明の一側面による表示装置は、行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形の中心点に交互に位置する複数の第１発光領域、複数の第２発光領域、及び前記仮想の四角形の頂点にそれぞれ位置する複数の第３発光領域を含む。前記第１発光領域、第２発光領域及び第３発光領域の平面面積の差は、最も広い発光領域の平面面積の２５％未満である。
【０００８】
前記第３発光領域の平面面積は、前記第１発光領域の平面面積と、前記第２発光領域の平面面積との何れか大きい平面面積の７５％以上であってもよい。
【０００９】
前記表示装置は、基板と、前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層と、前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第２開口部及び前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させる複数の第３開口部を有する画素定義層と、それぞれが前記第１画素電極上に位置し、前記第１開口部に対応する前記第１発光領域を有する複数の第１発光層、それぞれが前記第２画素電極上に位置し、前記第２開口部に対応する前記第２発光領域を有する複数の第２発光層、それぞれが前記第３画素電極上に位置し、前記第３開口部に対応する前記第３発光領域を有する複数の第３発光層と、前記複数の第１発光層、第２発光層及び第３発光層を覆う対向電極を含んでもよい。
【００１０】
前記表示装置が最大輝度で白色を表示するとき、前記第３発光層に供給される電流量は、前記第１発光層に供給される電流量と、前記第２発光層に供給される電流量との何れか大きい電流量の７５％以上であってもよい。
【００１１】
前記第１発光領域の平面形状と、前記第２発光領域の平面形状とは、実質的に角が丸い直角菱形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ  ｒｈｏｍｂｕｓ）状であってもよい。
【００１２】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い正八角形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｒｅｇｕｌａｒ  ｏｃｔａｇｏｎ）状であってもよい。互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離の差は、何れか大きい距離のおよそ５％以下であってもよい。
【００１３】
前記第３発光領域の平面形状は、角が丸い八角形（ｒｏｕｎｄｅｄ ｏｃｔａｇｏｎ）状であってもよい。互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離は、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離と実質的に同一である。
【００１４】
前記第３発光領域の第１方向の長さと、前記第３発光領域の第２方向の長さとの差は、何れか大きい長さの５％以下であってもよい。前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であってもよい。
【００１５】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離との差は、何れか大きい距離の５％以下であってもよい。
【００１６】
前記第３発光領域の平面形状は、実質的に角が丸い四角形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｑｕａｄｒａｎｇｌｅ）、または角が丸い長方形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｒｅｃｔａｎｇｌｅ）状であってもよい。互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離は、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離と実質的に同一である。
【００１７】
前記第３発光領域の第１方向の長さと、前記第３発光領域の第２方向の長さとの差は、何れか大きい長さの５％以下であってもよい。前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であってもよい。
【００１８】
互いに隣接した前記第３発光領域と前記第１発光領域との距離に対する前記第３発光領域の第１方向の長さの比率と、互いに隣接した前記第３発光領域と前記第２発光領域との距離に対する前記第３発光領域の第２方向の長さの比率との差は、何れか大きい比率の５％以下であってもよい。前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であってもよい。
【００１９】
前記第１発光領域と、前記第２発光領域との平面形状は、互いに実質的に同一形状であってもよい。前記第３発光領域の平面形状は、前記第１発光領域の平面形状と、前記第２発光領域の平面形状とは異なっていてもよい。
【００２０】
前記第３発光領域の第１方向の長さと前記第３発光領域の第２方向の長さとの差は、何れか大きい長さの５％以下であってもよい。前記第１方向は、前記第１発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であり、前記第２方向は、前記第２発光領域の中心から、前記第３発光領域の中心に延びる方向であってもよい。
【００２１】
前記複数の第３発光領域のうち、前記仮想の四角形それぞれの中心点に隣接するように位置する４個の前記第３発光領域は、前記中心点を基準に、互いに上下対称であり、かつ、互いに左右対称であってもよい。
【００２２】
前記仮想の四角形の対角線方向に１インチ内に、５００個以上の第３発光領域が配置されてもよい。
【００２３】
前記第１発光領域は、赤色光を放出し、前記第２発光領域は、緑色光を放出し、前記第３発光領域は、青色光を放出することができる。
【００２４】
前記仮想の四角形は、実質的に長方形または正方形であってもよい。
【００２５】
本発明の他の側面による表示装置は、行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列されて同一形状を有する仮想の第１四角形及び第２四角形を含む基板と、前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層と、前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第１四角形のそれぞれの中心点に位置する複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第２四角形のそれぞれの中心点に位置する複数の第２開口部及び前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第１四角形及び第２四角形の頂点にそれぞれ位置する複数の第３開口部を有する画素定義層と、それぞれ前記第１画素電極上に位置し、少なくとも一部分が前記第１開口部を充填（ｆｉｌｌｉｎｇ）する複数の第１発光層と、前記第２画素電極上にそれぞれ位置し、少なくとも一部分が、前記第２開口部を充填する複数の第２発光層と、前記第３画素電極上にそれぞれ位置し、少なくとも一部分が、前記第３開口部を充填する複数の第３発光層と、前記複数の第１発光層、第２発光層及び第３発光層を覆う対向電極を含む。前記第１開口部、第２開口部及び第３開口部の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【００２６】
前記複数の第１発光層のそれぞれは、前記第１開口部に対応する第１発光領域を有してもよい。前記複数の第２発光層のそれぞれは、前記第２開口部に対応する第２発光領域を有してもよい。前記複数の第３発光層のそれぞれは、前記第３開口部に対応する第３発光領域を有してもよい。
【００２７】
本発明の一側面による表示装置の製造方法は、行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列される第１の仮想の四角形及び第２の仮想の四角形を含む基板を準備する段階と、前記基板上に位置し、複数の第１画素電極、複数の第２画素電極及び複数の第３画素電極を有する画素電極層を形成する段階と、前記画素電極層上に位置し、前記第１画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記第１の仮想の四角形の中心点に位置する複数の第１開口部、前記第２画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記仮想の第２四角形の中心点に位置する複数の第２開口部並びに前記第３画素電極の一部分をそれぞれ露出させ、前記第１の仮想の四角形及び前記第２の仮想の四角形の頂点に位置する複数の第３開口部を有する画素定義層を形成する段階と、第１マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第１開口部を選択的に充填する複数の第１発光層を形成する段階と、第２マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第２開口部を選択的に充填する複数の第２発光層を形成する段階と、第３マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第３開口部の一部を選択的に充填する複数の第３発光層の一部を形成する段階と、第４マスクを利用し、前記複数の第１開口部、第２開口部及び第３開口部のうち、前記複数の第３開口部の残りを選択的に充填する複数の第３発光層の残りを形成する段階とを含む。前記第１開口部、第２開口部及び第３開口部の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【００２８】
前記第１開口部の平面形状と、前記第２開口部の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【００２９】
前記第３開口部の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。互いに隣接した前記第３開口部と前記第１開口部との距離と、互いに隣接した前記第３開口部と前記第２開口部との距離との差は、何れか大きい距離の５％以下であってもよい。
【００３０】
前記第３開口部の平面形状は、互いに対向する二辺間の距離と互いに対向する他の二辺間の距離との差が何れか大きい距離の５％以下であって、実質的に角が丸い長方形状であってもよい。互いに隣接した前記第３開口部と前記第１開口部との距離は、互いに隣接した前記第３開口部と、前記第２開口部との距離と実質的に同一である。
【００３１】
前記第３開口部の平面面積は、前記第２開口部の平面面積より狭く、かつ、前記第２開口部の平面面積の７５％以上であってもよい。前記第１開口部の平面面積は、前記第２開口部の平面面積より狭く、かつ、前記第２開口部の平面面積の９０％以上であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩに沿って切り取った断面を概略的に図示する図面である。
【図３】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶに沿って切り取った断面を概略的に図示する図面である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。
【図６Ａ】図５の有機発光表示装置を製造するための第１マスクの一部を図示する図面である。
【図６Ｂ】図５の有機発光表示装置を製造するための第２マスクの一部を図示する図面である。
【図６Ｃ】図５の有機発光表示装置を製造するための第３マスクの一部を図示する図面である。
【図６Ｄ】図５の有機発光表示装置を製造するための第４マスクの一部を図示する図面である。
【図７】図６Ａから図６Ｄに図示された第１マスクから第４マスクを重畳したときの参考図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明は、多様に変形され、さまざまな実施形態を有することができるので、特定の実施形態を図面に図示し、詳細に説明する。本発明の特徴、効果、及びそれらを達成する方法は、図面と共に、以下で詳細に説明する実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態においても具体化されるのである。
【００３４】
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。本発明について明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略する。図面を参照して説明するとき、同一または対応する構成要素には、同一の図面の符号を付し、それに係わる重複する説明は省略する。
【００３５】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとする場合、他の部分の真上にある場合だけではなく、その間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。図面においては、説明の便宜のために、構成要素はその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に図示された各構成要素の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に選択されたものなので、本発明は、必ずしも図示された形態に限定されるものではない。
【００３６】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが接続されたとする場合、膜、領域、構成要素が直接接続された場合だけではなく、膜、領域、構成要素の間に他の膜、領域、構成要素が介在し、間接的に接続された場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に接続されたとする場合、膜、領域、構成要素などが直接電気的に接続された場合だけではなく、その間に、他の膜、領域、構成要素などが介在され、間接的に電気的接続された場合も含む。
【００３７】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用される。明細書全体において、単数の表現は、文脈上明白に異なることを意味しない限り、複数の表現を含む。ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、それは、特別に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含んでもよいということを意味する。
【００３８】
添付図面において、例えば、製造技術及び／または公差により、図示された形状の変形が予想されうる。従って、本発明の実施形態は、本明細書に示された特定の形状に制限されるものであると解釈されてはならず、例えば、製造過程でもたらされる形状の変化を含まなければならない。
【００３９】
以下、図１及び図２を参照し、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の副画素配列構造について説明する。
【００４０】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。図１は、説明の便宜のために、副画素の発光領域と、発光領域の形態や大きさなどを定義する画素定義層とを主として図示する。図２は、図１のＩＩ−ＩＩに沿って切り取った断面を概略的に図示する。
【００４１】
図１及び図２に図示されているように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板ＳＵＢ、回路層ＣＬ、画素電極ＥＬ１を含む画素電極層ＥＬＬ、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３、対向電極ＥＬ２、及び画素定義層ＰＤＬを含む。
【００４２】
基板ＳＵＢは、ガラス、石英、セラミックス、金属及びプラスチックなどからなる絶縁性基板であってもよい。基板ＳＵＢがプラスチックなどで作られる場合、有機発光表示装置は、可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、伸縮性（ｓｔｒｅｔｃｈａｂｌｅ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、巻き取れる特性（ｒｏｌｌａｂｌｅ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）を有してもよい。
【００４３】
回路層ＣＬは、基板ＳＵＢ上に位置し、走査線、データ線、駆動電源線などを含む配線、配線に接続される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やキャパシタのような画素回路などを含んでもよい。１つの副画素は、２以上の薄膜トランジスタとキャパシタとを含み、走査線、データ線及び駆動電源線に接続される画素回路を含んでもよい。１つの副画素に含まれる２以上の薄膜トランジスタは、例えば、走査線を介して印加される走査信号に応じて、データ線を介して伝達されるデータ電圧をキャパシタに伝達するスイッチングトランジスタ及びキャパシタに保存された電圧に応じて駆動電源線と発光素子との間の駆動電流を生成する駆動トランジスタを含んでもよい。回路層ＣＬは、公知の多様な構造を有してもよく、画素回路も、公知の多様な回路配置を有してもよい。
【００４４】
画素電極ＥＬ１を含む画素電極層ＥＬＬは、回路層ＣＬ上に位置し、画素電極ＥＬ１は、回路層ＣＬ内のトランジスタに接続される。図２に図示された画素電極ＥＬ１の上部には、第３発光層ＥＭＬ３が位置する。上部に第３発光層ＥＭＬ３が位置する画素電極ＥＬ１は、第３画素電極とも称される。このように、上部に第１発光層ＥＭＬ１が位置する画素電極ＥＬ１は、第１画素電極と称され、上部に第２発光層ＥＭＬ２が位置する画素電極ＥＬ１は、第２画素電極とも称される。画素電極層ＥＬＬは、第１画素電極、第２画素電極及び第３画素電極を含む。画素電極ＥＬ１の平面形状は、回路層ＣＬ内の画素回路の配置及び画素電極ＥＬ１上の発光領域ＥＭ１からＥＭ３の配置によって、多様に設計されうる。
【００４５】
画素定義層ＰＤＬは、画素電極層ＥＬＬと回路層ＣＬとの上に位置し、画素電極ＥＬ１の一部分を露出させる開口部ＯＰ１からＯＰ３を有する。第１開口部ＯＰ１は、第１画素電極の一部分を露出させ、第２開口部ＯＰ２は、第２画素電極の一部分を露出させ、第３開口部ＯＰ３は、第３画素電極の一部分を露出させてもよい。
【００４６】
画素定義層ＰＤＬの開口部ＯＰ１からＯＰ３を介して露出される第１画素電極、第２画素電極及び第３画素電極の一部分の上には、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３が位置する。
【００４７】
第１開口部ＯＰ１を介して露出される第１画素電極の一部分の上には、第１発光層ＥＭＬ１が位置し、第１発光層ＥＭＬ１は、第１開口部ＯＰ１内に充填される（ｆｉｌｌｅｄ）。第１開口部ＯＰ１に充填された第１発光層ＥＭＬ１は、第１画素電極の一部分と接触し、電流が流れると、第１色相の光を放出することができる。その場合、第１発光層ＥＭＬ１の全体の領域から第１色相の光が放出され、第１発光層ＥＭＬ１は、第１発光領域ＥＭ１と実質的に一致する。従って、第１発光領域ＥＭ１は、第１開口部ＯＰ１に対応する。
【００４８】
第２開口部ＯＰ２を介して露出される第２画素電極の一部分の上には、第２発光層ＥＭＬ２が位置し、第２発光層ＥＭＬ２は、第２開口部ＯＰ２内に充填される。第２開口部ＯＰ２に充填された第２発光層ＥＭＬ２は、第２画素電極の一部分と接触し、電流が流れると、第２色相の光を放出することができる。その場合、第２発光層ＥＭＬ２の全体の領域から第２色相の光が放出され、第２発光層ＥＭＬ２は、第２発光領域ＥＭ２と実質的に一致する。従って、第２発光領域ＥＭ２は、第２開口部ＯＰ２に対応する。
【００４９】
第３開口部ＯＰ３を介して露出される第３画素電極の一部分の上には、第３発光層ＥＭＬ３が位置し、第３発光層ＥＭＬ３は、第３開口部ＯＰ３内に充填される。第３開口部ＯＰ３に充填された第３発光層ＥＭＬ３は、第３画素電極の一部分と接触し、電流が流れると、第３色相の光を放出することができる。その場合、第３発光層ＥＭＬ３の全体の領域から第３色相の光が放出され、第３発光層ＥＭＬ３は、第３発光領域ＥＭ３と実質的に一致する。従って、第３発光領域ＥＭ３は、第３開口部ＯＰ３に対応する。
【００５０】
第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３の断面プロファイル並びに第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ３及び第３発光層ＥＭＬ３の発光物質に応じて、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３は、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３とそれぞれ正確に対応しなくてもよい。例えば、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３は、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３よりやや広かったり狭かったりする。
【００５１】
画素定義層ＰＤＬの第１開口部ＯＰ１は、第１発光層ＥＭＬ１の第１発光領域ＥＭ１の平面形状、大きさ及び領域などを定義してもよい。画素定義層ＰＤＬの第２開口部ＯＰ２は、第２発光層ＥＭＬ２の第２発光領域ＥＭ２の平面形状、大きさ及び領域などを定義してもよい。画素定義層ＰＤＬの第１開口部ＯＰ１は、第３発光層ＥＭＬ３の第３発光領域ＥＭ３の平面形状、大きさ及び領域などを定義してもよい。
【００５２】
画素電極ＥＬ１の端部は、画素定義層ＰＤＬによって覆われる。画素電極ＥＬ１は、正孔注入電極として機能するアノード（ａｎｏｄｅ）電極や、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）電極であってもよい。画素電極ＥＬ１は、光透過性電極または光反射性電極によって形成されてもよい。
【００５３】
第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の上には、対向電極ＥＬ２が位置する。対向電極ＥＬ２は、基板ＳＵＢの全面にわたって、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３を覆ってもよい。対向電極ＥＬ２は、それぞれ電子注入電極として機能するカソード電極や、アノード電極でもあってもよい。対向電極ＥＬ２は、光透過性電極または光反射性電極によって形成されてもよい。
【００５４】
図２に図示されていないが、画素電極ＥＬ１は、回路層ＣＬの絶縁層を貫通するビアプラグを介して（ｖｉａ  ｐｌｕｇ）、回路層ＣＬ内のトランジスタに接続されてもよい。画素定義層ＰＤＬの開口部ＯＰ１からＯＰ３の境界は、ビアプラグから所定の距離だけ離れて位置してもよい。
【００５５】
画素電極ＥＬ１と、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３のうち１つ並びに対向電極ＥＬ２は、１つの発光素子を構成する。発光素子は、画素電極ＥＬ１に接続されたトランジスタを介して流れる駆動電流を用いて、駆動電流量によって決定される輝度で光を放出する。第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３それぞれの物質特性によって必要な駆動電流量が異なるだけではなく、発光効率も異なるため、目的とする輝度の光を放出するための平面面積も異なる。例えば、第２発光層ＥＭＬ２の発光効率が、第１発光層ＥＭＬ１や第３発光層ＥＭＬ３の発光効率より高い場合、実際に光を放出する第２発光領域ＥＭ２の平面面積は、実際に光を放出する第１発光領域ＥＭ１及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積より狭くても、第２色相の光を放出するために第２発光層ＥＭＬ２が必要とする駆動電流量は、第１発光層ＥＭＬ１及び第３発光層ＥＭＬ３が必要とする駆動電流量よりも少ない。
【００５６】
図１には、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３と、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３にそれぞれ対応する第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３とを有する画素定義層ＰＤＬが図示されている。図１には、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３、並びに第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３がそれぞれ互いに対応するように図示されているが、互いに正確に一致しなくてもよい。
【００５７】
他の実施形態によれば、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である図３及び図３のＩＶ−ＩＶに沿って切り取った断面を概略的に図示する図４に図示されているように、第１発光層ＥＭＬ１の一部分が第１開口部ＯＰ１内に充填され、第１発光層ＥＭＬ１の残りの部分は、第１開口部ＯＰ１に隣接した画素定義層ＰＤＬ上に位置してもよい。第１開口部ＯＰ１に充填された第１発光層ＥＭＬ１の一部分だけが、第１開口部ＯＰ１によって露出される第１画素電極の一部分と接触し、電流が流れたときに第１色相の光を放出してもよい。その場合、第１発光層ＥＭＬ１の一部分だけが第１色相の光を放出し、第１発光層ＥＭＬ１の当該一部分が第１発光領域ＥＭ１に対応する。従って、第１発光領域ＥＭ１は、第１開口部ＯＰ１によって露出される第１画素電極の一部分または第１開口部ＯＰ１に対応する。
【００５８】
第２発光層ＥＭＬ２の一部分が第２開口部ＯＰ２内に充填され、第２発光層ＥＭＬ２の残りの部分は、第２開口部ＯＰ２に隣接した画素定義層ＰＤＬ上に位置してもよい。第２開口部ＯＰ２に充填された第２発光層ＥＭＬ２の一部分だけが、第２開口部ＯＰ２によって露出される第２画素電極の一部分と接触し、電流が流れたときに第２色相の光を放出してもよい。その場合、第２発光層ＥＭＬ２の一部分だけが第２色相の光を放出し、第２発光層ＥＭＬ２の当該一部分が第２発光領域ＥＭ２に対応する。従って、第２発光領域ＥＭ２は、第２開口部ＯＰ２によって露出される第２画素電極の一部分または第２開口部ＯＰ２に対応する。
【００５９】
第３発光層ＥＭＬ３の一部分が第３開口部ＯＰ３内に充填され、第３発光層ＥＭＬ３の残りの部分は、第３開口部ＯＰ３に隣接した画素定義層ＰＤＬ上に位置してもよい。第３開口部ＯＰ３に充填された第３発光層ＥＭＬ３の一部分だけが、第３開口部ＯＰ３によって露出される第３画素電極の一部分と接触し、電流が流れたときに第３色相の光を放出してもよい。その場合、第３発光層ＥＭＬ３の一部分だけが第３色相の光を放出し、第３発光層ＥＭＬ３の当該一部分が第３発光領域ＥＭ３に対応する。従って、第３発光領域ＥＭ３は、第３開口部ＯＰ３によって露出される第３画素電極の一部分または第３開口部ＯＰ３に対応する。
【００６０】
ただし、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３の断面プロファイル並びに第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ３及び第３発光層ＥＭＬ３の発光物質に応じて、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３は、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３とそれぞれ正確に対応しなくてもよい。例えば、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３は、第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３よりやや広かったり狭かったりしてもよい。
【００６１】
図３においては、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の平面形状は、それぞれ第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面形状と実質的に同一であり、それらに比べて、所定の大きさだけさらに大きいように図示されているが、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の平面形状は、それぞれ第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面形状と同一でなくてもよい。
【００６２】
図３に図示されているように、画素定義層ＰＤＬの第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３は、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面形状、大きさ及び領域などをそれぞれ定義してもよい。画素電極ＥＬ１の端部は、画素定義層ＰＤＬによって覆われる。
【００６３】
第２発光層ＥＭＬ２の発光効率が、第１発光層ＥＭＬ１や第３発光層ＥＭＬ３の発光効率より高い場合、実際に光を放出する第２発光領域ＥＭ２の平面面積は、実際に光を放出する第１発光領域ＥＭ１及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積より狭くても、第２色相の光を放出するために第２発光層ＥＭＬ２が必要とする駆動電流量は、第１色相及び第３色相の光をそれぞれ放出するために、第１発光層ＥＭＬ１及び第３発光層ＥＭＬ３が必要とする駆動電流量よりも少ない。
【００６４】
図３には、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３と、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３にそれぞれ対応する第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３とを有する画素定義層ＰＤＬが図示されているが、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３、並びに第１開口部ＯＰ１、第２開部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３は、互いに正確に一致しなくてもよい。
【００６５】
再び図１を参照すると、行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形ＶＲが図示されている。図１には、仮想の四角形ＶＲが正方形であるように図示されているが、それは、例示的なものであり、実質的に正方形に近い長方形、または実質的に正方形に近い平行四辺形であってもよい。以下では、仮想の四角形ＶＲが正方形であると仮定して説明するが、本発明は、それに限定されるものではない。
【００６６】
複数の第１発光領域ＥＭ１と、複数の第２発光領域ＥＭ２は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３発光領域ＥＭ３は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積の差は、最も広い発光領域の平面面積の２５％未満である。
【００６７】
第１発光層ＥＭＬ１を含む第１副画素の個数と、第２発光層ＥＭＬ２を含む第２副画素の個数は、実質的に同一であり、第３発光層ＥＭＬ３を含む第３副画素の個数は、第１副画素の個数の２倍、または第２副画素の個数の２倍であってもよい。しかし、イメージが表示される表示領域の最外部における副画素の配置並びに表示領域の形状及び大きさにより、特定の色相の発光層が追加して配列されてもよい。その場合、第１副画素の個数と、第２副画素の個数とが正確には同一ではなかったり、第３副画素の個数が、第１副画素の個数、または第２副画素の個数の正確な２倍ではなかったりしてもよい。本実施形態によれば、有機発光表示装置のインチ当たりのピクセル数（ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）は、５００以上であってもよい。例えば、仮想の四角形ＶＲの対角線方向１インチ内に、５００個以上の第３発光領域ＥＭ３または第３発光層ＥＭＬ３を含む第３副画素が配置されてもよい。
【００６８】
仮想の四角形ＶＲは、行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列される第１の仮想の四角形ＶＲ１と、第２の仮想の四角形ＶＲ２とを含む。第１の仮想の四角形ＶＲ１と、第２の仮想の四角形ＶＲ２は、いずれも同一形状を有してもよく、具体的には、実質的に正方形または長方形の形状を有してもよい。第１の仮想の四角形ＶＲ１は、その中心点に第１発光領域ＥＭ１が位置する仮想の四角形ＶＲと定義されてもよく、第２の仮想の四角形ＶＲ２は、その中心点に第２発光領域ＥＭ２が位置する仮想の四角形ＶＲと定義されてもよい。
【００６９】
第１発光領域ＥＭ１は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点にそれぞれ位置してもよい。第１発光領域ＥＭ１の中心は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点と実質的に一致する。
【００７０】
第１発光領域ＥＭ１の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ  ｒｈｏｍｂｕｓ）状であってもよい。本明細書において直角菱形状とは、正方形が約４５度回転し、対角線に対して行方向と列方向とで対称である形状を意味する。第１発光領域ＥＭ１の平面形状は、直角菱形に近い角が丸い菱形の形状や、面取りされた直角菱形の形状、または直角菱形の形状であってもよい。本明細書において、直角菱形に近い角が丸い菱形の形状や、面取りされた直角菱形の形状、または直角菱形の形状は、実質的に角が丸い直角菱形の形状に含まれる。
【００７１】
第２発光領域ＥＭ２は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点にそれぞれ位置してもよい。第２発光領域ＥＭ２の中心は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点と実質的に一致する。第２発光領域ＥＭ２の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【００７２】
図１には、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と、第２発光領域ＥＭ２の平面面積とが互いに実質的に同一であるように図示されるが、本発明は、それに限定されるものではない。一例によれば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と、第２発光領域ＥＭ２の平面面積との差は、何れか大きい平面面積の１０％以下であってもよい。第１発光領域ＥＭ１の平面面積が、第２発光領域ＥＭ２の平面面積より狭くてもよい。他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と、第２発光領域ＥＭ２の平面面積との差は、何れか大きい平面面積の５％以下であってもよい。さらに他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と、第２発光領域ＥＭ２の平面面積との差は、何れか大きい平面面積の３％以下であってもよい。
【００７３】
一例によれば、第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差は、何れか大きい距離のおよそ５％以下であってもよい。他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差は、何れか大きい距離のおよそ２．５％以下であってもよい。さらに他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差は、何れか大きい距離のおよそ１．５％以下であってもよい。
【００７４】
第３発光領域ＥＭ３は、行方向と列方向とで互いに隣接するように整列される第１の仮想の四角形ＶＲ１及び第２の仮想の四角形ＶＲ２の頂点にそれぞれ位置してもよい。第３発光領域ＥＭ３の中心は、仮想の四角形ＶＲの頂点とそれぞれ実質的に一致する。
【００７５】
一実施形態によれば、第３発光領域ＥＭ３の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い正八角形（ｒｏｕｎｄｅｄ  ｒｅｇｕｌａｒ  ｏｃｔａｇｏｎ）状であってもよい。第３発光領域ＥＭ３の平面形状は、正八角形の形状、または面取りされた正八角形の形状であってもよく、これらの形状は、実質的に角が丸い正八角形状と称されてもよい。
【００７６】
第３発光領域ＥＭ３の平面形状が、実質的に角が丸い正八角形状である場合、第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間との距離Ｌ２の差に応じて、互いに隣接する第１発光領域ＥＭ１と第３発光領域ＥＭ３との距離Ｌａと、互いに隣接する第２発光領域ＥＭ２と第３発光領域ＥＭ３との距離Ｌｂとの差は、何れか大きい距離のおよそ５％未満であってもよい。他の例によれば、距離Ｌａと距離Ｌｂとの差は、何れか大きい距離のおよそ２％未満であってもよい。さらに他の例によれば、距離Ｌａと距離Ｌｂとの差は、何れか大きい距離のおよそ１％未満であってもよい。距離Ｌａは、第１発光領域ＥＭ１のエッジと、第３発光領域ＥＭ３のエッジとの最短距離と定義されてもよく、距離Ｌｂは、第２発光領域ＥＭ２のエッジと、第３発光領域ＥＭ３のエッジとの最短距離と定義されてもよい。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、いずれも１０μｍより大きく２０μｍ未満であってもよい。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、いずれもおよそ１８μｍほどであってもよい。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、それぞれ約１８．４３μｍと約１８．３５μｍであり、距離Ｌａは、距離Ｌｂに比べ、およそ１％さらに長くてもよい。
【００７７】
他の実施形態によれば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、実質的に同一である。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、いずれも１０μｍより大きく２０μｍ未満であってもよい。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、いずれもおよそ１８μｍほどであってもよい。例えば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、いずれも約１８．３５μｍであってもよい。距離Ｌａと距離Ｌｂは、それぞれ第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３を有する第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３を形成するための工程の臨界規格（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）として、互いに同一であってもよい。このとき、第３発光領域ＥＭ３の平面形状は、例えば、実質的に角が丸い八角形状、八角形状、または面取りされた八角形の形状であってもよい。
【００７８】
第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差に応じて、第３発光領域ＥＭ３の第１方向の長さＬ３ａと、第３発光領域ＥＭ３の第２方向の長さＬ３ｂとの差は、何れか大きい長さのおよそ５％以下であってもよい。他の例によれば、長さＬ３ａと長さＬ３ｂとの差は、何れか大きい長さのおよそ３％未満であってもよい。さらに他の例によれば、長さＬ３ａと長さＬ３ｂとの差は、何れか大きい長さのおよそ２％未満であってもよい。第１方向は、第１発光領域ＥＭ１の中心から、第３発光領域ＥＭ３の中心に延びる方向と定義されてもよい。第２方向は、第２発光領域ＥＭ２の中心から、第３発光領域ＥＭ３の中心に延びる方向と定義されてもよい。第１発光領域ＥＭ１及び第２発光領域ＥＭ２に対する第３発光領域ＥＭ３の相対的な位置に応じて、第１方向と第２方向は、変化してもよい。長さＬ３ａと長さＬ３ｂとに差が存在することにより、第３発光領域ＥＭ３の平面形状は、実質的に角が丸い正八角形状が第１方向または第２方向に潰れた形状であってもよい。
【００７９】
多様な実施形態によれば、第１発光領域ＥＭ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光領域ＥＭ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差が小さいために、互いに隣接した第３発光領域ＥＭ３と第１発光領域ＥＭ１との距離Ｌａに対する第３発光領域ＥＭ３の第１方向の長さＬ３ａの比率（Ｌ３ａ／Ｌａ）と、互いに隣接した第３発光領域ＥＭ３と第２発光領域ＥＭ２との距離Ｌｂに対する第３発光領域ＥＭ３の第２方向の長さＬ３ｂの比率（Ｌ３ｂ／Ｌｂ）の差は、何れか大きい比率のおよそ５％以下であってもよい。他の例によれば、比率（Ｌ３ａ／Ｌａ）と比率（Ｌ３ｂ／Ｌｂ）との差は、何れか大きい比率のおよそ３％未満であってもよい。さらに他の例によれば、比率（Ｌ３ａ／Ｌａ）と比率（Ｌ３ｂ／Ｌｂ）との差は、何れか大きい比率のおよそ２％未満であってもよい。第１方向は、第１発光領域ＥＭ１の中心から、第３発光領域ＥＭ３の中心に延びる方向であり、第２方向は、第２発光領域ＥＭ２の中心から、第３発光領域ＥＭ３の中心に延びる方向と定義されてもよい。
【００８０】
一実施形態によれば、第３発光領域ＥＭ３の平面形状が実質的に角が丸い八角形の形状を有することにより、互いに隣接した第３発光領域ＥＭ３間の距離Ｌｃは、それぞれ第３発光領域ＥＭ３を有する第３発光層ＥＭＬ３をいずれも１つのマスク、例えば、ファインメタルマスクを利用して形成する工程の臨界規格よりも長い。例えば、距離Ｌｃは、２０μｍより大きく４０μｍ未満であってもよい。例えば、距離Ｌｃは、およそ３２．３５μｍであってもよい。
【００８１】
一実施形態によれば第１発光領域ＥＭ１及び第２発光領域ＥＭ２の平面形状がいずれも実質的に角が丸い直角菱形状であり、第１発光領域ＥＭ１及び第２発光領域ＥＭ２の中心が、それぞれ第１の仮想の四角形ＶＲ１及び第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点と一致する場合、第１発光領域ＥＭ１と第２発光領域ＥＭ２との距離Ｌｄは、行方向と列方向とにいずれも一定である。
【００８２】
本実施形態によれば、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の間に、距離Ｌａ、距離Ｌｂ及び距離Ｌｃを確保することができるので、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３をそれぞれ有する第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３のそれぞれを、それらに対応するファインメタルマスクを利用して形成するだけではなく、ファインメタルマスクを利用した蒸着工程時における蒸着の信頼性が向上する。それにより、本実施形態によれば、蒸着の信頼性が向上した有機発光表示装置が提供される。
【００８３】
第３発光領域ＥＭ３の平面面積は、第１発光領域ＥＭ１の平面面積及び第２発光領域ＥＭ２の平面面積よりも狭くてもよい。一例によれば、第３発光領域ＥＭ３の平面面積は、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と第２発光領域ＥＭ２の平面面積の何れか大きい平面面積の７５％以上であってもよい。他の例によれば、第３発光領域ＥＭ３の平面面積は、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と第２発光領域ＥＭ２の平面面積の何れか大きい平面面積の８０％以上であってもよい。
【００８４】
第１発光領域ＥＭ１の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２の平面面積の９０％以上であってもよい。他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２の平面面積の９５％以上であってもよい。さらに他の例によれば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２の平面面積の９７％以上であってもよい。
【００８５】
例えば、第１発光領域ＥＭ１の平面面積、第２発光領域ＥＭ２の平面面積及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積の比率は、０．９７５：１：０．７７１であってもよい。例えば、第１発光領域ＥＭ１を含む第１副画素の開口率は、約１９．５％であり、第２発光領域ＥＭ２を含む第２副画素の開口率は、約２０．０％であり、第３発光領域ＥＭ３を含む第３副画素の開口率は、約１５．４２％であってもよい。
【００８６】
有機発光表示装置が、本実施形態による副画素配列構造を有することにより、有機発光表示装置が最大輝度で白色を表示するとき、すなわち、フルホワイト（ｆｕｌｌ  ｗｈｉｔｅ）を表示するとき、第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量は、第１発光層ＥＭＬ１に供給される電流量と第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量の何れか多い電流量の７５％以上であってもよい。他の例によれば、有機発光表示装置がフルホワイトを表示するとき、第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量は、第１発光層ＥＭＬ１に供給される電流量と第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量の何れか多い電流量の８０％以上であってもよい。例えば、有機発光表示装置がフルホワイトを表示するとき、第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量を１とすれば、第１発光層ＥＭＬ１に供給される電流量は、およそ１．２８であり、第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量は、およそ１．０５であってもよい。
【００８７】
本実施形態と異なり、第１発光領域ＥＭ１と第３発光領域ＥＭ３とが仮想の四角形ＶＲの中心点に位置し、第２発光領域ＥＭ２が仮想の四角形ＶＲの頂点に位置し、第２発光領域ＥＭ２の個数が、第１発光領域ＥＭ１または第３発光領域ＥＭ３の個数の２倍である場合には、第３発光領域ＥＭ３の平面面積とそこに供給される電流量は２倍になり、第２発光領域ＥＭ２の平面面積とそこに供給される電流量は１／２倍になる。このとき、第３発光領域ＥＭ３の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２の平面面積のおよそ３倍になり、フルホワイトに表示されるとき、第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量は、第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量は、およそ４倍になる。このように、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積の偏りと、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量の偏りとが大きくなると、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３が不均一に配置されるので、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の間に要求される間隔のため、有機発光表示装置の解像度を上げたりインチ当たりのピクセル数を増加させたりすることについての限界がある。それだけではなく、第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量が減少するため、白色に表示されなければならないにもかかわらず、意図せず、他の副画素に比べ遅く発光したり、赤色または紫色が一時的に表示されたりする問題が発生する。
【００８８】
有機発光表示装置が、本実施形態による副画素配置構造を有することにより、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３の平面面積と、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３に供給される電流量とが相対的に均一になる。従って、有機発光表示装置の解像度を上げることができ、白色の代わりに赤色または紫色が一時的に表示される問題が解消される。本実施形態による有機発光表示装置は、さらに高品質のイメージを表示することができる。
【００８９】
本実施形態によれば、第１発光層ＥＭＬ１は、赤色光を放出し、第２発光層ＥＭＬ２は、緑色光を放出し、第３発光層ＥＭＬ３は、青色光を放出してもよい。しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、第１発光層ＥＭＬ１は、緑色光、青色光または白色光を放出し、第２発光層ＥＭＬ２は、赤色、青色または白色光を放出し、第３発光層ＥＭＬ３、は赤色、緑色光または白色光を放出し、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３が放出する光の色相は、互いに異なっていてもよい。
【００９０】
第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３は、画素定義層ＰＤＬの第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３にそれぞれ対応する。複数の第１開口部ＯＰ１と、複数の第２開口部ＯＰ２は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３開口部ＯＰ３は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【００９１】
第１開口部ＯＰ１の個数と、第２開口部ＯＰ２の個数は、実質的に同一であってもよく、第３開口部ＯＰ３の個数は、第１開口部ＯＰ１の個数の２倍、または第２開口部ＯＰ２の個数の２倍であってもよい。ただし、第１開口部ＯＰ１の個数と、第２開口部ＯＰ２の個数は、正確に同一でなくてもよい。また、第３開口部ＯＰ３の個数は、第１開口部ＯＰ１の個数、または第２開口部ＯＰ２の個数の正確な２倍であってもよい。
【００９２】
第１開口部ＯＰ１は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点にそれぞれ位置してもよい。第１開口部ＯＰ１の中心は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点と実質的に一致してもよい。第１開口部ＯＰ１の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【００９３】
第２開口部ＯＰ２は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点にそれぞれ位置してもよい。第２開口部ＯＰ２の中心は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点と実質的に一致する。第２開口部ＯＰ２の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【００９４】
図１には、第１開口部ＯＰ１の平面面積と、第２開口部ＯＰ２の平面面積とが互いに実質的に同一であるように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。一例によれば、第１開口部ＯＰ１の平面面積と、第２開口部ＯＰ２の平面面積との差は、何れか大きい平面面積の１０％以下、５％以下または３％以下であってもよい。第１開口部ＯＰ１の平面面積が、第２開口部ＯＰ２の平面面積よりも狭くてもよい。第１開口部ＯＰ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２開口部ＯＰ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差は、いずれか大きい距離のおよそ５％以下、およそ２．５％以下またはおよそ１．５％以下であってもよい。
【００９５】
第３開口部ＯＰ３は、行方向と列方向とに互いに隣接するように整列される第１の仮想の四角形ＶＲ１及び第２の仮想の四角形ＶＲ２の頂点にそれぞれ位置してもよい。第３開口部ＯＰ３の中心は、仮想の四角形ＶＲの頂点とそれぞれ実質的に一致する。
【００９６】
一実施形態によれば、第３開口部ＯＰ３の平面形状は、図１に図示されているように、実質的に角が丸い正八角形状であってもよい。その場合、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差により、互いに隣接する第１開口部ＯＰ１と第３開口部ＯＰ３との距離Ｌａと、互いに隣接する第２開口部ＯＰ２と第３開口部ＯＰ３との距離Ｌｂとの差は、何れか大きい距離の差のおよそ５％未満、およそ２％未満またはおよそ１％未満であってもよい。距離Ｌａは、第１開口部ＯＰ１のエッジと、第３開口部ＯＰ３のエッジとの最短距離と定義されてもよく、距離Ｌｂは、第２開口部ＯＰ２のエッジと第３開口部ＯＰ３のエッジとの最短距離と定義されてもよい。
【００９７】
他の実施形態によれば、距離Ｌａと距離Ｌｂは、実質的に同一である。その場合、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差により、第３開口部ＯＰ３の平面形状は、実質的に角が丸い八角形状、例えば、八角形状、または面取りされた八角形の形状であってもよい。第３開口部ＯＰ３の平面形状は、実質的に角が丸い正八角形状が、第１方向または第２方向に潰れた形状であってもよい。
【００９８】
距離Ｌ１と距離Ｌ２との差に応じて、第３開口部ＯＰ３の第１方向の長さＬ３ａと、第３開口部ＯＰ３の第２方向の長さＬ３ｂとの差は、何れか大きい長さのおよそ５％以下、およそ３％以下またはおよそ２％以下であってもよい。第１方向は、第１開口部ＯＰ１の中心から、第３開口部ＯＰ３の中心に延びる方向と定義されてもよい。第２方向は、第２開口部ＯＰ２の中心から、第３開口部ＯＰ３の中心に延びる方向と定義されてもよい。第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２に対する第３開口部ＯＰ３それぞれの相対的な位置に応じて、第３開口部ＯＰ３の第１方向と第２方向は、変化してもよい。
【００９９】
多様な実施形態によれば、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差が大きくないために、距離Ｌａに対する長さＬ３ａの比率（Ｌ３ａ／Ｌａ）と、距離Ｌｂに対する長さＬ３ｂの比率（Ｌ３ｂ／Ｌｂ）との差は、何れか大きい比率のおよそ５％以下、およそ３％未満またはおよそ２％未満であってもよい。
【０１００】
第３開口部ＯＰ３の平面面積は、第１開口部ＯＰ１の平面面積及び第２開口部ＯＰ２の平面面積よりも狭くてもよい。第３開口部ＯＰ３の平面面積は、第１開口部ＯＰ１の平面面積と第２開口部ＯＰ２の平面面積の何れか大きい平面面積の７５％以上または８０％以上であってもよい。第１開口部ＯＰ１の平面面積は、第２開口部ＯＰ２の平面面積の９０％以上または９５％以上であってもよい。
【０１０１】
図１に図示されていないが、画素定義層ＰＤＬ上に、有機発光物質の蒸着工程に使用されるマスクによって生成された構造物の表面が損傷されることを防止するためのスペーサが配置されてもよい。スペーサは、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の間に位置し、所定の高さまたは厚みを有してもよく、その平面形状は、実質的に長方形または正方形であってもよい。
【０１０２】
以下、図５を参照し、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の副画素配列構造について説明する。
【０１０３】
図５は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。図５に図示された有機発光表示装置は、第３発光領域ＥＭ３’及び第３発光層ＥＭＬ３’を除いては、図１に図示された有機発光表示装置と実質的に同一である。同一構成要素に係わる説明は、反復しない。
【０１０４】
図５には、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’をそれぞれ有する第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３’並びに第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’にそれぞれ対応する第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３’を有する画素定義層ＰＤＬが図示されている。図５には、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’が、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３’と実質的にそれぞれ一致するように図示されている。しかし、それは、例示的なものであり、図３に図示されているように、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’が、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３’の一部領域にそれぞれ対応してもよい。
【０１０５】
図５を参照すれば、行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形ＶＲが図示されている。仮想の四角形ＶＲは、正方形、実質的に正方形に近い長方形、または実質的に正方形に近い平行四辺形であってもよい。
【０１０６】
複数の第１発光領域ＥＭ１と、複数の第２発光領域ＥＭ２は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３発光領域ＥＭ３’は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【０１０７】
複数の第１開口部ＯＰ１と、複数の第２開口部ＯＰ２は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３開口部ＯＰ３’は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３’の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【０１０８】
第１発光層ＥＭＬ１を含む第１副画素と、第２発光層ＥＭＬ２を含む第２副画素は、互いに同一個数で存在し、第３発光層ＥＭＬ３を含む第３副画素は、第１副画素の個数の２倍、または第２副画素の個数の２倍ほど存在してもよい。ただし、第１副画素の個数と、第２副画素の個数は、異なってもよい。第３副画素の個数は、第１副画素または第２副画素の個数の正確な２倍でなくてもよい。本実施形態によれば、有機発光表示装置のインチ当たりのピクセル数は、５２０以上であってもよい。例えば、仮想の四角形ＶＲの対角線方向１インチ内に、５２０個以上の第３発光領域ＥＭ３または第３発光層ＥＭＬ３を含む第３副画素が配置されてもよい。
【０１０９】
仮想の四角形ＶＲは、行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列される第１の仮想の四角形ＶＲ１と、第２の仮想の四角形ＶＲ２とを含む。第１の仮想の四角形ＶＲ１及び第２の仮想の四角形ＶＲ２は、いずれも同一形状を有してもよい。
【０１１０】
第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点にそれぞれ位置してもよい。第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１の中心は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点と実質的に一致する。第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１の平面形状は、図５に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【０１１１】
第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点にそれぞれ位置してもよい。第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２の中心は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点と実質的に一致する。第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２の平面形状は、図５に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【０１１２】
図５には、第１発光領域ＥＭ１及び第２発光領域ＥＭ２、または第１開口部ＯＰ１及び第２開口部ＯＰ２が互いに実質的に同一平面面積を有するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１の平面面積と、第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２の平面面積との差は、何れか大きい平面面積の１０％以下、５％以下または３％以下であってもよい。第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１の平面面積が、第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２の平面面積より狭くてもよい。第１発光層ＥＭＬ１または第１開口部ＯＰ１の対向する二辺間の距離Ｌ１と、第２発光層ＥＭＬ２または第２開口部ＯＰ２の対向する二辺間の距離Ｌ２との差は、何れか大きい距離のおよそ５％以下、およそ２．５％以下またはおよそ１．５％以下であってもよい。距離Ｌ１は、距離Ｌ２より短くてもよい。
【０１１３】
第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’は、仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置してもよい。第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の中心は、仮想の四角形ＶＲの頂点とそれぞれ実質的に一致する。一実施形態によれば、第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の平面形状は、図５に図示されているように、実質的に角が丸い直角菱形状であってもよい。
【０１１４】
第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の平面面積は、図１に図示される第３発光領域ＥＭ３または第３開口部ＯＰ３の平面面積と実質的に同一である。しかし、第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の平面形状が、実質的に角が丸い直角菱形状であるので、第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の第１方向の長さＬ３ａ’と、第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の第２方向の長さＬ３ｂ’は、図１に図示される第３発光領域ＥＭ３または第３開口部ＯＰ３の第１方向の長さＬ３ａ、及び第３発光領域ＥＭ３または第３開口部ＯＰ３の第２方向の長さＬ３ｂに比べ、およそ７％ないし９％短くてもよい。例えば、図５の長さＬ３ａ’及び長さＬ３ｂ’は、図１の長さＬ３ａ及び長さＬ３ｂに比べ、およそ８％減少してもよい。
【０１１５】
それにより、互いに隣接する第１発光領域ＥＭ１と第３発光領域ＥＭ３’との距離Ｌａ’と、互いに隣接する第２発光領域ＥＭ２と第３発光領域ＥＭ３’との距離Ｌｂ’は、図３の距離Ｌａと距離Ｌｂとに比べ、５％ないし７％ほど短くなってもよい。例えば、図５の距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、図１の距離Ｌａと距離Ｌｂとに比べ、それぞれおよそ６％短くなってもよい。従って、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’とが、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’をそれぞれ有する第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３’を形成するための工程の臨界規格と同一になるように設計すると、図５の実施形態による有機発光表示装置は、図１の実施形態に比べ、さらに高い解像度、またはインチ当たりのピクセル数を有することができる。
【０１１６】
第３発光領域ＥＭ３’または第３開口部ＯＰ３’の平面形状が、実質的に角が丸い直角菱形状である場合、距離Ｌ１と距離Ｌ２との差に応じて、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’との差は、何れか大きい距離のおよそ５％未満、およそ２％未満またはおよそ１％未満であってもよい。距離Ｌａ’は、第１発光領域ＥＭ１のエッジと、第３発光領域ＥＭ３’のエッジとの最短距離と定義されてもよく、距離Ｌｂ’は、第２発光領域ＥＭ２のエッジと、第３発光領域ＥＭ３’のエッジとの最短距離と定義されてもよい。例えば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、いずれも１０μｍより大きく２０μｍ未満であってもよい。例えば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、いずれもおよそ１８μｍまたは１９μｍほどであってもよい。例えば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、それぞれ約１８．７８μｍ及び約１８．６μｍであり、距離Ｌａ’は、距離Ｌｂ’に比べ、およそ１％さらにさらに長くてもよい。
【０１１７】
他の実施形態によれば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、実質的に同一である。例えば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、いずれも１０μｍより大きく２０μｍ未満であってもよい。例えば、距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、いずれも約１８．６μｍであってもよい。距離Ｌａ’と距離Ｌｂ’は、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３’を形成するための工程の臨界規格として、互いに同一である。第３発光領域ＥＭ３’の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形が、第１方向または第２方向に潰れた形状であってもよい。例えば、第３発光領域ＥＭ３’の平面形状は、実質的に角が丸い長方形が、およそ４５度回転した形状であってもよい。
【０１１８】
距離Ｌ１と距離Ｌ２との差に応じて、第３発光領域ＥＭ３’の第１方向の長さＬ３ａ’と、第３発光領域ＥＭ３’の第２方向の長さＬ３ｂ’との差は、何れか大きい長さのおよそ５％以下、およそ３％未満またはおよそ２％未満であってもよい。
【０１１９】
一実施形態によると、第３発光領域ＥＭ３’の平面形状が、実質的に角が丸い直角菱形状を有することにより、互いに隣接した第３発光領域ＥＭ３’間の距離Ｌｃ’は、図１の距離Ｌｃに比べて減少する。それにより、距離Ｌｃ’は、第３発光領域ＥＭ３’を有する第３発光層ＥＭＬ３’を１つのマスク、例えば、ファインメタルマスクを利用して形成する工程の臨界規格よりも短い。例えば、距離Ｌｃ’は、およそ２９．４４μｍほどであってもよい。その場合、第３発光層ＥＭＬ３’は、２枚のマスクを利用して、２回の工程を経て形成されてもよい。第３発光層ＥＭＬ３’を含む有機発光表示装置を製造する方法は、図６Ａないし図６Ｄを参照し、追ってさらに詳細に説明する。
【０１２０】
第３発光領域ＥＭ３’の平面面積は、第１発光領域ＥＭ１の平面面積及び第２発光領域ＥＭ２の平面面積よりも狭い。一例によれば、第３発光領域ＥＭ３’の平面面積は、第１発光領域ＥＭ１の平面面積と第２発光領域ＥＭ２の平面面積の何れか大きい平面面積の７５％以上または８０％以上であってもよい。有機発光表示装置が、本実施形態による副画素配列構造を有することにより、有機発光表示装置が、フルホワイトを表示するとき、第３発光層ＥＭＬ３’に供給される電流量は、第１発光層ＥＭＬ１に供給される電流量と、第２発光層ＥＭＬ２に供給される電流量とのうちいずれか大きい電流量の７５％以上または８０％以上であってもよい。
【０１２１】
有機発光表示装置が本実施形態による副画素配置構造を有することにより、第１発光層ＥＭＬ１、第２発光層ＥＭＬ２及び第３発光層ＥＭＬ３の平面面積と、それらに供給される電流量とが相対的に均一になる。従って、有機発光表示装置の解像度を高めることができ、白色の代わりに赤色または紫色が一時的に表示される問題が解消される。本実施形態による有機発光表示装置は、さらに高品質のイメージを表示することができる。
【０１２２】
本実施形態によれば、第１発光層ＥＭＬ１は、赤色光を放出し、第２発光層ＥＭＬ２は、緑色光を放出し、第３発光層ＥＭＬ３’は、青色光を放出してもよい。しかし、本発明は、それに限定されるものではない。
【０１２３】
図６Ａないし図６Ｄは、図５の有機発光表示装置を製造するための第１マスクないし第４マスクの一部を図示している。
【０１２４】
図６Ａないし図６Ｄにそれぞれ図示される第１マスクＭＳＫ１ないし第４マスクＭＳＫ４は、ファインメタルマスクであってもよい。
【０１２５】
図６Ａに図示される第１マスクＭＳＫ１は、図５の第１発光層ＥＭＬ１を形成するためのマスクであり、第１発光領域ＥＭ１または第１開口部ＯＰ１の位置に対応する第１マスク開口部ＭＯＰ１を有する。第１マスク開口部ＭＯＰ１を通過した第１有機発光物質が蒸着されることにより、第１発光層ＥＭＬ１が形成される。
【０１２６】
図６Ｂに図示される第２マスクＭＳＫ２は、図５の第２発光層ＥＭＬ２を形成するためのマスクであり、第２発光領域ＥＭ２または第２開口部ＯＰ２の位置に対応する第２マスク開口部ＭＯＰ２を有する。第１マスク開口部ＭＯＰ２を通過した第２有機発光物質が蒸着されることにより、第２発光層ＥＭＬ２が形成される。
【０１２７】
図６Ｃに図示される第３マスクＭＳＫ３は、図５の第３発光層ＥＭＬ３’の一部を形成するためのマスクであり、第３発光領域ＥＭ３’の一部、または第３開口部ＯＰ３’の一部の位置に対応する第３マスク開口部ＭＯＰ３ａを有する。第３マスク開口部ＭＯＰ３ａを通過した第３有機発光物質が蒸着されることにより、第３発光層ＥＭＬ３’の一部が形成される。
【０１２８】
図６Ｄに図示される第４マスクＭＳＫ４は、図５の第３発光層ＥＭＬ３’の残りを形成するためのマスクであり、第３発光領域ＥＭ３’の残りまたは第３開口部ＯＰ３’の残りの位置に対応する第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂを有する。第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂを通過した第３有機発光物質が蒸着されることにより、第３発光層ＥＭＬ３’の残りが形成される。
【０１２９】
図６Ｃ及び図６Ｄを参照すると、第３マスクＭＳＫ３を介して形成される第３発光層ＥＭＬ３の一部と、第４マスクＭＳＫ４を介して形成される第３発光層ＥＭＬ３の残りは、行方向と列方向とに沿って交互に位置する。それにより、第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ間の間隔と、第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂ間の間隔は、第３発光層ＥＭＬ３’を１つのマスクを利用して形成するための臨界規格より大きい。従って、第３マスクＭＳＫ３と第４マスクＭＳＫ４とを利用して蒸着を２回行うことにより、実質的に角が丸い直角菱形の平面形状を有する第３発光領域ＥＭ３’を有する第３発光層ＥＭＬ３’が形成される。
【０１３０】
図７は、図６Ａないし図６Ｄに図示された第１マスクないし第４マスクを重畳した参照図である。
【０１３１】
図７を参照すると、図６Ａないし図６Ｄに図示される第１マスクＭＳＫ１ないし第４マスクＭＳＫ４の第１マスク開口部ＭＯＰ１、第２マスク開口部ＭＯＰ２、第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ及び第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂの相対的な位置を示すために、第１マスク開口部ＭＯＰ１、第２マスク開口部ＭＯＰ２、第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ及び第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂが重畳して示されている。
【０１３２】
図７に図示された第１マスク開口部ＭＯＰ１は、図５に図示された第１発光層ＥＭＬ１にそれぞれ対応する位置に配置される。図７に図示された第２マスク開口部ＭＯＰ２は、図５に図示された第２発光層ＥＭＬ２にそれぞれ対応する位置に配置される。図７に図示された第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ及び第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂは、図５に図示された第３発光層ＥＭＬ３’にそれぞれ対応する位置に配置される。
【０１３３】
一例によれば、蒸着の信頼性を高めるために、第１マスク開口部ＭＯＰ１、第２マスク開口部ＭＯＰ２、第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ及び第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂは、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’または第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３’より大きい平面面積をそれぞれ有してもよく、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’、または第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３’と異なる平面形状をそれぞれ有してもよい。
【０１３４】
他の例によれば、第１マスク開口部ＭＯＰ１、第２マスク開口部ＭＯＰ２、第３マスク開口部ＭＯＰ３ａ及び第４マスク開口部ＭＯＰ３ｂは、第１発光領域ＥＭ１、第２発光領域ＥＭ２及び第３発光領域ＥＭ３’または第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３’と実質的に同一平面形状及び面積をそれぞれ有してもよい。
【０１３５】
図８は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置の一部の平面図である。
【０１３６】
図８に図示された有機発光表示装置は、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”の平面形状を除いては、図１に図示された有機発光表示装置と実質的に同一である。同一構成要素に係わる説明は、反復しない。
【０１３７】
図８には、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”と、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”にそれぞれ対応する第１開口部ＯＰ１”、第２開口部ＯＰ２”及び第３開口部ＯＰ３”と、を有する画素定義層ＰＤＬが図示される。図８には、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”が、第１発光層ＥＭＬ１”、第２発光層ＥＭＬ２”及び第３発光層ＥＭＬ３”と実質的にそれぞれ一致するように図示されている。しかし、それは、例示的なものであり、図３に図示されているように、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”が、第１発光層ＥＭＬ１”、第２発光層ＥＭＬ２”及び第３発光層ＥＭＬ３”の一部領域にそれぞれ対応してもよい。
【０１３８】
行方向と列方向とに隣接して整列される仮想の四角形ＶＲが図示されている。仮想の四角形ＶＲは、正方形、実質的に正方形に近い長方形、または実質的に正方形に近い平行四辺形であってもよい。
【０１３９】
複数の第１発光領域ＥＭ１”と、複数の第２発光領域ＥＭ２”は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３発光領域ＥＭ３”は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【０１４０】
複数の第１開口部ＯＰ１”と、複数の第２開口部ＯＰ２”は、仮想の四角形ＶＲの中心点に交互に位置する。複数の第３開口部ＯＰ３”は、行方向と列方向とに互いに隣接した仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置する。第１開口部ＯＰ１”、第２開口部ＯＰ２”及び第３開口部ＯＰ３”の平面面積の差は、最も広い平面面積の２５％未満である。
【０１４１】
第１発光層ＥＭＬ１”を含む第１副画素と、第２発光層ＥＭＬ２”を含む第２副画素は、互いに同一個数であってもよい。第３発光層ＥＭＬ３”を含む第３副画素は、第１副画素の個数の２倍、または第２副画素の個数の２倍ほど存在してもよい。ただし、第１副画素の個数と、第２副画素の個数は、異なっていてもよいし、第３副画素の個数は、第１副画素または第２副画素の個数の正確な２倍でなくてもよい。
【０１４２】
仮想の四角形ＶＲは、行方向と列方向とに互いに隣接し、交互に整列される第１の仮想の四角形ＶＲ１と、第２の仮想の四角形ＶＲ２と、を含む。第１の仮想の四角形ＶＲ１及び第２の仮想の四角形ＶＲ２は、いずれも同一形状を有してもよい。
【０１４３】
第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点にそれぞれ位置してもよい。第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”の中心は、第１の仮想の四角形ＶＲ１の中心点と実質的に一致する。
【０１４４】
第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点にそれぞれ位置してもよい。第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”の中心は、第２の仮想の四角形ＶＲ２の中心点と実質的に一致する。
【０１４５】
第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”は、仮想の四角形ＶＲの頂点にそれぞれ位置してもよい。第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”の中心は、仮想の四角形ＶＲの頂点とそれぞれ実質的に一致する。
【０１４６】
第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”の平面形状は、第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”の平面形状と実質的に同一であり、第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”の平面形状と異なっていてもよい。例えば、第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”の平面形状と、第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”の平面形状は、実質的に角が丸い直角菱形状であり、第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”の平面形状は、実質的に角が丸い八角形状、または実質的に角が丸い正八角形が第１方向に伸張し、第２方向に圧縮された形状であってもよい。第１方向は、第１発光領域ＥＭ１”の中心から、第３発光領域ＥＭ３”の中心に延びる方向と定義されてもよい。第２方向は、第２発光領域ＥＭ２”の中心から、第３発光領域ＥＭ３”の中心に延びる方向と定義されてもよい。第１発光領域ＥＭ１”及び第２発光領域ＥＭ２”に対する第３発光領域ＥＭ３”それぞれの相対的な位置により、第３発光領域ＥＭ３”それぞれの第１方向と第２方向は、異なっていてもよい。
【０１４７】
第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”は、第３発光領域ＥＭ３ａ”または第３開口部ＯＰ３ａ”と、第３発光領域ＥＭ３ｂ”または第３開口部ＯＰ３ｂ”とに区分される。第３発光領域ＥＭ３ａ”または第３開口部ＯＰ３ａ”は、右上−左下方向に伸張した平面形状を有し、第３発光領域ＥＭ３ｂ”または第３開口部ＯＰ３ｂ”は、左上−右下方向に伸張した平面形状を有する。
【０１４８】
第３発光領域ＥＭ３ａ”と第３発光領域ＥＭ３ｂ”は、行方向と列方向とに交互に配置されてもよい。第３発光領域ＥＭ３ａ”と第３発光領域ＥＭ３ｂ”は、互いに上下対称であり、かつ、左右対称であってもよい。それにより、仮想の四角形ＶＲの中心点を基準に、中心点に隣接した４個の第３発光領域ＥＭ３”または第３開口部ＯＰ３”は、互いに上下対称であり、かつ、左右対称であってもよい。
【０１４９】
図８に図示されているように、第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”の平面面積よりも狭い。第１発光領域ＥＭ１”または第１開口部ＯＰ１”の平面面積は、第２発光領域ＥＭ２”または第２開口部ＯＰ２”の平面面積の８０％以上、９０％以上または９５％以上であってもよい。第１発光層ＥＭＬ１”または第１開口部ＯＰ１”の対向する二辺間の距離Ｌ１”は、第２発光層ＥＭＬ２”または第２開口部ＯＰ２”の対向する二辺間の距離Ｌ２のおよそ９０％以上、およそ９５％以上またはおよそ９７．５％以上であってもよい。
【０１５０】
互いに隣接する第１発光領域ＥＭ１”と第３発光領域ＥＭ３”との距離Ｌａ”と、互いに隣接する第２発光領域ＥＭ２”と第３発光領域ＥＭ３”との距離Ｌｂ”は、互いに実質的に同一である。例えば、距離Ｌａ”と距離Ｌｂ”は、第１発光領域ＥＭ１”、第２発光領域ＥＭ２”及び第３発光領域ＥＭ３”をそれぞれ有する第１発光層ＥＭＬ１”、第２発光層ＥＭＬ２”及び第３発光層ＥＭＬ３”を形成するための工程の臨界規格と同一である。
【０１５１】
距離Ｌ１”が距離Ｌ２”に比べて短く、距離Ｌａ”が距離Ｌｂ”と同一であるので、第３発光領域ＥＭ３”の第１方向の長さＬ３ａ”は、第３発光領域ＥＭ３”の第２方向の長さＬ３ｂ”よりも長い。第２方向の長さＬ３ｂ”は、第１方向の長さＬ３ａ”の９０％以上、９５％以上または９７．５％以上であってもよい。第３発光領域ＥＭ”の第１方向の長さと、第３発光領域ＥＭ”の第２方向の長さの差は、何れか大きい長さの１０％未満、５％未満または２．５％未満であってもよい。
【０１５２】
本発明の多様な実施形態によれば、副画素の開口率を確保しながらも、隣接する発光層間の間隔が効率的に設定される高解像度画素配列構造を有する表示装置が提供される。
【０１５３】
このように本発明は、図面に図示された一実施形態を参照にして説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野の当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明の、表示装置及びその製造方法は、例えば、イメージ表示関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１５５】
ＥＭ１，ＥＭ１”    第１発光領域
ＥＭ２，ＥＭ２”    第２発光領域
ＥＭ３，ＥＭ３’，ＥＭ３”    第３発光領域
ＯＰ１，ＯＰ１”    第１開口部
ＯＰ２，ＯＰ２”    第２開口部
ＯＰ３，ＯＰ３’，ＯＰ３”    第３開口部
ＰＤＬ    画素定義層
【図１】
2019045841.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2019045841.tif 000009
【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８】
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