(57)【要約】【課題】  基板表面にダストが付着ことを抑制して白ポチ等の画像不良を防止する堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】  該基体搬入前に、処理容器内を真空排気し、該ゲートチャンバ内を大気圧力に戻す第１のステップと、  処理容器内を排気している状態で、該ゲートチャンバ内を真空排気する第２のステップと、  該ゲートチャンバ内を真空排気開始してから、該処理容器の圧力と、該ゲートバルブの弁体の該ゲートチャンバ内のー圧力が同圧になるまで、該ゲートチャンバ内の圧力の変化を測定する第３のステップと、  前記第３のステップで測定された圧力の変化を、予め設定された基準値と比較して、リークの有無を判定する第４のステップと、  を有することを特徴とする堆積膜形成方法。【選択図】  図３
2019147989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、該処理容器に接続されたゲートバルブを有する堆積膜形成装置を用いて、基体上に堆積膜を形成する方法において、
該ゲートバルブは、弁体とゲートチャンバを有し
該基体を該処理容器内に搬入前に、該弁体を閉じた後、該処理容器内を真空排気し、該ゲートチャンバ内を大気圧力に戻す第１のステップと、
該処理容器内を排気している状態で、該ゲートチャンバ内を真空排気する第２のステップと、
該ゲートチャンバ内を真空排気開始してから、該処理容器の圧力と、該ゲートチャンバ内の圧力が同圧になるまで、該ゲートチャンバ内の圧力の変化を測定する第３のステップと、
前記第３のステップで測定された圧力の変化を、予め設定された基準値と比較して、リークの有無を判定する第４のステップとを有し、
リーク無しの場合は、該基体を該処理容器内に搬入し、堆積膜を形成し、
リーク有りの場合は、該ゲートバルブのメンテナンスを実施して該第１のステップから再度実施することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項２】
前記ゲートチャンバ内を真空排気する前記第２のステップにおいて、前記ゲートチャンバ内の圧力と前記処理容器内の圧力差が１３３Ｐａ以下に達した後の前記ゲートチャンバ内の圧力の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下、０．１Ｐａ／ｓｅｃ以上とすることを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、堆積膜形成方法に関し、特に、光（ここでは、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等の広義の光を指す。）のような電磁波に感受性のある光受容部材を安定して形成するのに適した堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置、あるいは像形成分野における電子写真感光体や原稿読み取り装置における光導電層を形成する材料には、以下の（１）〜（３）の特性が要求される。（１）高感度でＳＮ比［光電流（Ｉｐ）／（Ｉｄ）］が高く、照射する電磁波のスペクトル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する。（２）光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時において人体に無害である。（３）固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理することができる。特に事務機としてオフィスで使用される電子写真感光体の場合には、上記の使用時における無害性は重要な点である。このような観点に立脚して注目されている材料に、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）が電子写真感光体へ応用されている。
【０００３】
電子写真感光体としては種々の形態が知られているが、いわゆるドラム状の形態とするものが一般的である。この場合、円筒状の基体の表面に光導電層などの所望とする層、すなわち光受容層を形成して光受容部材を形成する。円筒状基体の上にａ−Ｓｉからなる光受容層を形成する方法としては以下の（１）〜（４）の方法が知られている。（１）スパッタリング法、（２）熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、（３）光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、（４）プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）。なかでもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスに、ＤＣ電力やＲＦ高周波電力を引加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の上に堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体の形成方法等において、現在、実用化が進んでいる。
【０００４】
特にａ−Ｓｉ電子写真感光体の更なる高画質化のために、電気特性に優れ、微小な画像欠陥の発生を抑制することが行われている。
【０００５】
例えば、各種処理工程毎に専用の真空容器と、これらの真空容器間で移動可能な搬送専用の真空容器を設け、処理専用の真空容器と搬送専用の真空容器間で基体の出し入れ及び移動を行う。その結果、処理専用の真空容器内の大気中の湿気やガスの吸着を低減させることで、堆積膜の膜質の向上を図る技術が開示されている。（特許文献１参照）
更に、搬送専用の真空容器を２個とする事で、搬送効率の向上と、２個の搬送専用の真空容器を用途分けして使用する事で堆積膜の膜質の向上を図る技術が開示されている。（特許文献２参照）
更に、真空処理容器の壁面に設けられた開閉可能なゲー卜弁の該真空処理容器と反対側に密閉された空間を形成し、該空間内を減圧にし堆積膜形成中に真空処理容器内の大気を引き込むことを防止することで、堆積膜の膜質の向上を図る技術が開示されている。（特許文献３参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特公昭６３−１２１３８号公報
【特許文献２】特開平４−３２９８８３号公報
【特許文献３】特開２００２−１２９３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、上記のような方策により、堆積膜形成方法の向上が図られてきた。その結果、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の更なる高画質化がなされてきた。しかし近年、例えば、電子写真装置の画像特性向上のために電子写真装置内の光学露光装置、現像装置、転写装置等の改良がなされた結果、電子写真感光体においても従来以上の画像特性の向上が求められるようになった。
【０００８】
上記の感光体の製造工程で発生する画像欠陥とは次のようなものである。
【０００９】
ａ−Ｓｉ電子写真感光体のａ−Ｓｉ膜を形成する際、円筒状基体表面に数μｍオーダーのダスト（以下「塵埃又はごみ」とも呼ぶ）が付着すると、成膜中にそのダストを核として異常成長するいわゆる「球状突起」が成長してしまう現象が生じる場合がある。球状突起は、ダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常堆積部分と球状突起部分の界面では局在準位が非常に多いために低抵抗化するため、球状突起上の帯電電荷が、界面を通って円筒状基体側に抜けてしまう。このため、球状突起が存在する部分は、画像形成後の画像では、ベタ黒画像で白い点となり（反転現像の場合は、ベタ白画像で、黒い点となる）。このいわゆる「ポチ」と呼ばれる画像欠陥は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても感光体として不良として扱われることがある。さらには、カラー複写機ではさらに規格は厳しくなり、Ａ３用紙に１個存在していても感光体として不良として扱われる場合がある。
【００１０】
この球状突起は、ダストを起点としているため、そのダストの発生を抑制するために、努力されてきている。
【００１１】
例えば、成膜前に円筒状基体表面にダストが付着するのを防止するために、使用する円筒状基体は成膜前に精密に洗浄され、成膜装置に設置する行程は全てクリーンルームあるいは真空下で作業が行われる。
【００１２】
このようにして、成膜開始前および成膜中に円筒状基体上に付着するダストは極力少なくするよう努力されてきており、この努力は、球状突起の発生抑制に関して効果を上げてきた。
【００１３】
しかし、例えば、球状突起の発生数には製造ロット毎にバラツキが発生する場合があり、その結果画像特性が低下する場合がある。
【００１４】
本発明は、製造工程の見直しを行って、装置構成の仕様を大幅に変更することなく、画像特性を向上させる方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した目的を達成するため、本発明に係る堆積膜形成方法は、
処理容器と、該処理容器に接続されたゲートバルブを有する堆積膜形成装置を用いて、基体上に堆積膜を形成する方法において、
該ゲートバルブは、弁体とゲートチャンバを有し
該基体を該処理容器内に搬入前に、該弁体を閉じた後、該処理容器内を真空排気し、該ゲートチャンバ内を大気圧力に戻す第１のステップと、
処理容器内を排気している状態で、該ゲートチャンバ内を真空排気する第２のステップと、
該ゲートチャンバ内を真空排気開始してから、該処理容器の圧力と、該ゲートチャンバ内の圧力が同圧になるまで、該ゲートチャンバ内の圧力の変化を測定する第３のステップと、
前記第３のステップで測定された圧力の変化を、予め設定された基準値と比較して、リークの有無を判定する第４のステップとを有し、
リーク無しの場合は、該基体を該処理容器内に搬入し、堆積膜を形成し、
リーク有りの場合は、該ゲートバルブのメンテナンスを実施して該第１のステップから再度実施することを特徴とする。
【００１６】
さらに、前記ゲートチャンバ内を真空排気する前記第２のステップにおいて、前記ゲートチャンバ内の圧力と前記処理容器内の圧力差が１３３Ｐａ以下に達した後の前記ゲートチャンバ内の圧力の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下、０．１  Ｐａ／ｓｅｃ以上とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、基体搬入前に、ゲートバルブの弁体からのリークが発生する場合を検知することで、基板表面にダストが付着することを抑制することが可能となる。
【００１８】
また、本発明によれば、画像ポチの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の堆積膜形成方法で用いることができる製造装置の一例を示す模式図である。
【図２】本発明の堆積膜形成方法で用いることができるゲートバルブと真空搬送容器についての一例を示す模式図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）  本発明の堆積膜形成方法における、単位時間における圧力の変化（圧力変化の曲線）の測定結果の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の堆積膜形成方法で用いることができるａ−Ｓｉ電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
（堆積膜形成装置）
図１は各種処理工程毎に専用の真空容器と、これらの真空容器間で移動可能な搬送専用の真空容器を２個用いた場合の製造装置の一例を示す装置の全体配置図である。
【００２２】
図１中、１００は清浄な雰囲気で基体を基体ホルダに装着し、真空にするための投入用真空処理容器である。同図において２００は基体を所定の温度に加熱、保持するための加熱用真空処理容器、３００は堆積膜を形成するための堆積膜形成用真空処理容器、４００は堆積膜形成後の基体等を冷却し、取り出すための冷却用真空処理容器である。
【００２３】
各真空処理容器にはゲートバルブ１０１、２０１、３０１、４０１が設けられ、ゲートバルブ３０１では真空処理容器とは反対側に蓋３９０が設けられている。５００、６００は基体ホルダを各真空処理容器１００、２００、３００、４００の各位置に移動するための第１の真空搬送容器と第２の真空搬送容器である。第１の真空搬送容器５００、第２の真空搬送容器６００はレール７００上を移動することにより、処理容器１００、２００、３００、４００上に移動することが可能である。
【００２４】
２０２、３０２、４０２は各真空処理容器を真空にするための排気装置である。
【００２５】
排気装置１０２、２０２、３０２、４０２と、処理容器１００、２００、３００、４００は、排気配管１０７、２０７、３０７、４０７で接続されている。
【００２６】
排気配管１０７、２０７、３０７、４０７の途中には、排気バルブ１０４、２０４、３０４、４０４が設けられている。
【００２７】
１０３、２０３、３０３、４０３は第１の真空搬送容器５００又は第２の真空搬送容器６００が各真空処理容器１００、２００、３００、４００に接続される。そして、ゲートバルブ５０１又はゲートバルブ６０１とゲートバルブ１０１、２０１、３０１、４０１の空間を真空にする。又は堆積膜形成中に蓋３９０と、ゲートバルブ３０１の真空処理容器側とは反対側の密閉された空間を真空にするための排気装置である。
【００２８】
排気装置１０３、２０３、３０３、４０３と、ゲートバルブ１０１、２０１、３０１、４０１は、排気配管１０８、２０８、３０８、４０８で接続されている。
【００２９】
排気配管１０８、２０８、３０８、４０８の途中には、排気バルブ１０５、２０５、３０５、４０５および、真空計１０６、２０６、３０６、４０６が設けられている。
【００３０】
図２はゲートバルブ３０１と第２の真空搬送容器６００についての模式的説明図である。
【００３１】
図２中、３１０は処理容器、６１０は搬送容器である。
【００３２】
３３０、６３０はゲートチャンバで、ゲートバルブ３０１とゲートバルブ６０１が接続するゲート接続フランジ３３２、６３２が設けられている。ゲートバルブ３０１の下側には処理容器３１０と接続する処理容器接続フランジ３３３が設けられている。ゲートバルブ６０１の上側には第２の真空搬送容器６００と接続する搬送容器接続フランジ６３３が設けられている。
【００３３】
３３４、６３４は弁体で、弁体３３４にはローラー３３５、Ｏリング３３６が、弁体６３４にはローラー６３５、Ｏリング６３６が設けられている。弁体３３４、６３４はリンク機構３３７、６３７を介してゲートベース３３８、６３８に支持されている。ゲートベース３３８、６３８は、ロッド３３９、６３９に取り付けられており、ロッド３３９、６３９は、エアーシリンダー３３１、６３１に接続している。
【００３４】
ゲートバルブ３０１には、排気配管３０８が接続されており、ゲートチャンバ３３０内（単に「ゲートチャンバ内」ともいう）を排気装置３０３により真空排気可能となっている。排気配管３０８には、真空計３０６が設置されており、ゲートチャンバ３３０の圧力をモニタ可能となっている。さらに排気配管３０８には、ベントバルブ３０９を介してＮ２ガスが導入可能となっている。
【００３５】
ゲートバルブ３０１上には、蓋３９０が設置されている。６１１は蓋３９０を持ち上げるための真空パッドであり、真空エジェクタユニット（図示せず）に接続されている。
【００３６】
（堆積膜形成方法）
清浄な雰囲気で基体を基体ホルダに装着し、大気の状態に置かれた投入用真空処理容器１００内に基体ホルダを入れ、投入用真空処理容器１００を排気装置１０２により排気バルブ１０４を介して真空にする。次に、第１の真空搬送容器５００を移動させ、第１の真空搬送容器５００のゲートバルブ５０１および投入用真空処理容器１００のゲートバルブ１０１を互いに接続する。これら両ゲートバルブ５０１、１０１の接続部を排気装置１０３により、排気バルブ１０５を介して真空にする。その後、ゲートバルブ５０１，ゲートバルブ１０１を開けて第１の真空搬送容器５００に設けられた昇降機構（図示せず）により基体ホルダを投入用真空処理容器１００から第１の真空搬送容器５００に移す。そして、ゲートバルブ５０１、ゲートバルブ１０１を閉じて投入用真空処理容器１００、第１の真空搬送容器５００を互いに切り離す。
【００３７】
基体ホルダを移し収めた第１の真空搬送容器５００を加熱用真空処理容器２００の上へ移動させ、一方投入用真空処理容器１００は大気を導入後、次の基体の搬入に備える。
【００３８】
加熱用真空処理容器２００上に移動された第１の真空搬送容器５００に、投入用真空処理容器１００から基体ホルダを取り出すときと同様な操作を行って、第１の真空搬送容器５００から加熱用真空処理容器２００へ基体ホルダを搬入する。そして、加熱用真空処理容器２００内の加熱用ヒーター（図示せず）により基体を所定温度に加熱、保持する。
【００３９】
一方、堆積膜形成用真空処理容器３００においては、まず図２に示す様に、ゲートバルブ３０１の弁体を閉じた後、排気装置３０２を駆動し、排気バルブ３０４を開けることで、堆積膜形成用真空処理容器３００を真空排気する。一方、排気バルブ３０５を閉じ、ベントバルブ３０９を開けることで、ゲートチャンバ３３０にＮ２ガスを導入し、ゲートチャンバ３３０内を大気圧力に戻す。
【００４０】
この時、堆積膜形成用真空処理容器３００の真空排気と、ゲートチャンバ３３０内を大気圧力に戻すのは、同時に実施しても良いし、どちらかを先に実施し、所定の圧力に達した後、他方を実施しても良い。
【００４１】
ゲートチャンバ３３０内を大気圧力に達したら、ベントバルブ３０９を閉じゲートチャンバ３３０内へのＮ２ガスの導入を停止し、ゲートバルブ３０１のリークチェックを行う。堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力が所定の値（例えば１３．３Ｐａ）に達したら、排気装置３０３を駆動し、排気バルブ３０５を開けることでゲートチャンバ３３０内を真空排気する。蓋３９０が設置されている状態では、弁体３３４と蓋３９０で囲まれた空間が真空排気されることになる。そして、真空計３０６により、弁体３３４と蓋３９０で囲まれた空間の圧力の変化を測定する。圧力の測定は、堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力と、ゲートチャンバ３３０（この場合、弁体３３４と蓋３９０で囲まれた空間）の圧力が同圧になるまで、実施する。
【００４２】
そして、測定された圧力の変化を、予め設定された基準値と比較してリークの有無を判定する。
【００４３】
この時の圧力の変化の測定結果を、図３（ａ）、（ｂ）に示す。図３中横軸は、ゲートチャンバ３３０内の真空排気を開始してからの経過時間で、縦軸は、圧力を示す。また図中実線は、ゲートチャンバ３３０の圧力を示し、点線は、堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力を示す。
【００４４】
図３中１点鎖線は、基準値を示す。
【００４５】
図３（ａ）においては、実線と１点鎖線が重なっている。
【００４６】
基準値は、弁体３３４と処理容器接続フランジ３３３がＯリング３３６にて正常に真空シールされている状態の時に測定したゲートチャンバ３３０の圧力の変化である。
【００４７】
図３（ａ）は、正常な状態を示している。つまり、弁体３３４と処理容器接続フランジ３３３は、Ｏリング３３６にて正常に真空シールされている状態を示している。
【００４８】
一方、図３（ｂ）は、正常に真空シールされていない状態、つまり、Ｏリング３３６からリークが発生した状態を示している。
【００４９】
図３（ｂ）に実線で示すゲートチャンバ３３０の圧力の変化には、変曲点が存在する。変曲点ではゲートチャンバ３３０の圧力が急に低下している。さらに変曲点では、点線で示す堆積膜形成用真空処理容器３００の内圧も僅かであるが上昇を示している。図３（ｂ）に一点鎖線で示すゲートチャンバ３３０の圧力の変化は、排気装置３０３からのみ排気されている状態である。それに対し、実線の様に内圧が変曲点で急激に低下しているのは、他の部分から排気がされていることになる。
【００５０】
この現象は、Ｏリング３３６による真空シールが充分でなく、ゲートチャンバ３３０の圧力より高真空である堆積膜形成用真空処理容器３００内に、ゲートチャンバ３３０からＮ２ガスが引き込まれたことを表している。つまり、Ｏリング３３６あるいは、Ｏリング３３６が接する処理容器接続フランジ３３３のシール面に何らかの（例えば、微小なごみの付着）リーク発生要因が存在していることになる。
【００５１】
この様に、気体を処理容器内に引き込んだ場合には、弁体３３４や処理容器接続フランジ３３３および堆積膜形成用真空処理容器３００の上壁３１４の表面に付着している塵挨（例えば、後述のドライエッチィング後のエッチィング残査、極微小な有機物等）が離脱する場合が有る。その結果、塵挨が基体表面に付着する確率が大幅に増加してしまう。そして、基体表面に塵挨が付着すると、その塵埃を起点として前述した球状突起が成長し、画像上で「ポチ」と呼ばれる画像欠陥となってしまう。
【００５２】
一方、この様にリーク発生要因が存在している状況であっても、ゲートチャンバ３３０の圧力が高い場合には、この様な変曲点は観測されていない。この場合弁体３３４は、ゲートバルブ３０１内の弾性バネによる押しつけ力と、ゲートチャンバ３３０と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差による押しつけ力により、処理容器接続フランジ３３３に押しつけられている状態である。一方ゲートチャンバ３３０の圧力が処理容器接続フランジ３３３の圧力に近づいてくると、弁体３３４は、ゲートバルブ３０１内の弾性バネによる押しつけ力のみで処理容器接続フランジ３３３に押しつけられている状態となる。この様に、弁体３３４の押しつけ圧力が低下したため、リークが発生したと考えられる。
【００５３】
また、ゲートチャンバ３３０の容積と、堆積膜形成用真空処理容器３００の容積を比較した場合、ゲートチャンバ３３０の容積の方が圧倒的に小さい場合が一般的である。そのため、上記の様なリークが発生した場合、圧力の変化の大きさはゲートチャンバ３３０の方が大きくなるため、変曲点を正確に検知できると考えられる。
【００５４】
ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が大きい場合は、リークの発生を、圧力変化の曲線における変曲点から、比較的正確に検知することが可能である。しかし、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が小さくなった場合は、例えば排気装置３０３の排気速度を大きくしてゲートチャンバ３３０内の減圧速度を速くする。その場合圧力変化の曲線から正確に変曲点が検知できない場合が有る。よって、圧力差が小さくなった場合には、ゲートチャンバ３３０の単位時間における内圧の変化は緩やかな方が正確に検知する点からは好ましい。しかし、ゲートチャンバ３３０の単位時間における内圧の変化を緩やかにすれば、所望の圧力まで到達する時間が長くなり、リークの有無の検知に時間が掛かり生産のタクトアップとなってしまう。
【００５５】
我々が鋭意検討した結果、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａ以下に達した後のゲートチャンバ３３０の圧力の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下、０．１Ｐａ／ｓｅｃ以上とする。その結果、大幅にタクトアップすることなしに、正確にリークの有無の検知が可能となる。
【００５６】
この様な、リークの有無の検知は、堆積膜形成前の基体の搬入前に実施することが効果的である。特に、堆積膜形成用真空処理容器３００の様に、堆積膜処理工程によって堆積膜形成用真空処理容器３００の内壁面にも堆積膜や副生成物が形成されるよう場合には、効果的である。さらに、堆積膜形成用真空処理容器３００のみではなく、投入用真空処理容器１００、加熱用真空処理容器２００への基体の搬入前に実施しても良い。
【００５７】
堆積膜形成用真空処理容器３００において、図３（ａ）に示す様に、リーク無しの場合は、基体を該処理容器内に搬入し、次の様に基体上に堆積膜形成が実施される。
【００５８】
加熱用真空処理容器２００内の基体が所定の温度に達したら、第１の真空搬送容器５００により前述と同様なゲートバルブ操作および搬送を行い、基体を第１の真空搬送容器５００の中へ搬入する。一方、加熱用真空処理容器２００は引き続き真空排気を行い、次の基体の搬入に備える。
【００５９】
基体が第１の真空搬送容器５００の中へ搬入された後、第２の真空搬送容器６００を堆積膜形成用真空処理容器３００上に移動さる。そして堆積膜形成用真空処理容器３００においては、排気バルブ３０５を閉じ、ベントバルブ３０９を開けることで、ゲートチャンバ３３０にＮ２ガスを導入し、ゲートチャンバ３３０内を大気圧力に戻す。次に真空パッド６１１を下降させ、蓋３９０に密着させる。真空エジェクタユニット（図示せず）を駆動させ、真空パッド６１１に蓋３９０を吸着させ、真空パッド６１１を上昇させることでゲートバルブ３０１から蓋３９０を取り外す。
【００６０】
その後、第１の真空搬送容器５００を堆積膜形成用真空処理容器３００上に移動し、加熱用真空処理容器２００に基体ホルダを搬入するときと同様な操作を行って、第１の真空搬送容器５００から堆積膜形成用真空処理容器３００へ基体ホルダを搬入する。
【００６１】
搬入が終了したら、第２の真空搬送容器６００を堆積膜形成用真空処理容器３００上に移動させ、真空パッド６１１を下降させ、真空パッド６１１に吸着されている蓋３９０をゲートバルブ３０１に取り付ける。そして、排気装置３０３を駆動し、排気バルブ３０５を開けることでゲートチャンバ３３０内を真空排気する。
【００６２】
その後、所定の処理が基体に実施される。
【００６３】
一方、堆積膜形成用真空処理容器３００において、図３（ｂ）に示す様に、リーク有りの場合は、ゲートバルブ３０１のメンテナンス（塵挨等の除去目的の清掃、弁体の押し付け圧力の点検）を実施し、リークの発生要因を除去する。その後、上記の第１のステップから再度実施し、上記の様なリークの発生の有無を判定し、図３（ａ）に示す様に、リークが無いと判定された後、上記と同様に基体上に堆積膜形成が形成される。
【００６４】
堆積膜形成用真空処理容器３００における、堆積膜形成の一例として、電子写真感光体を形成する場合について説明する。
【００６５】
図４は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）−ＰＣＶＤ（Ｐｒａｓｍａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置３５０の一例を模式的に示した図である。堆積膜形成装置３５０は、プラズマ処理によって円筒状基体３１１に堆積膜を形成する装置である。円筒状カソード電極３１２、絶縁体３１３、上壁３１４、ゲートバルブ３０１、底壁３１５により、減圧可能な堆積膜形成用真空処理容器３００を形成している。
【００６６】
堆積膜形成用真空処理容器３００には底壁３１５の排気部３１６、排気配管３０７、排気バルブ３０４を介して真空ポンプユニット３０２が接続され、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部を減圧可能としている。他に、堆積膜形成用真空処理容器３００の下部には、真空計３１７さらには、受台３１８を回転可能にするモータ３１９が取り付けられている。
【００６７】
円筒状基体３１１は、上補助基体３２０、下補助基体３２１と共に基体ホルダ３２２に装着された状態で、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部の受台３１８の上に載置される。
【００６８】
さらに、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部には、基体ホルダ３２２を内部から加熱するヒータ３２３、および原料ガス導入管３２４が設置されている。原料ガス導入管３２４は、円筒状基体３１１を取り囲むように複数本配設され、その側面には、長手方向に沿って多数の細孔（不図示）が設けられている。更に、原料ガス導入管３２４は、ガス供給系に接続されている。そのガス供給系には、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在させたミキシング装置３２５が設けられている。またガス供給系には、原料ガス供給管３２６を介して原料ガス導入管３２４に原料ガスを供給するための原料ガス流入バルブ３２７が設けられている。
【００６９】
また、円筒状カソード電極３１２はマッチングボックス３２８を介して高周波電源３２９に接続されている。
【００７０】
円筒状基体３１１の材質は、使用目的に応じた材質であればよい。円筒状基体３１１の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００７１】
次に、排気バルブ３０２を開いて堆積膜形成用真空処理容器３００の内部のガスを排気する。そして、真空計３１７の読みが例えば、１Ｐａ以下になった時点で、原料ガス導入バルブ３２７を開け、堆積膜形成用の所定の原料ガスを、原料ガス供給装置からミキシング装置３２５により混合する。その後に、原料ガスを堆積膜形成用真空処理容器３００の内部に徐々に導入する。原料ガスとしては、例えばＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＮＯ等の材料ガスと、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３等のドーピングガスとして、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒ等の希釈ガスを用いる。次に、不図示であるが、マスフローコントローラーによって、原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部が例えば０．１Ｐａから数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計３１７を見ながら真空ポンプユニット３０２の排気速度を調整する。
【００７２】
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、堆積膜の形成を行う。堆積膜形成用真空処理容器３００の内部の圧力が安定したことを確認した後、高周波電源３２９を所定の電力に設定して高周波電力を円筒状カソード電極３１２に印加し、高周波グロー放電を励起させる。このときマッチングボックス３２８を高周波の反射電力が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値が所定の値となるように調整する。この放電エネルギーによって堆積膜形成用真空処理容器３００の内部に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体３１１の上に所定の堆積膜が形成される。なお、堆積膜の形成を行っている間は、モータ３１９を運転し、円筒状基体３１１を所定の速度、例えば１ｒｐｍで回転させる。
【００７３】
所定の膜厚の堆積膜が形成された後、高周波電力の供給を止め、原料ガス導入バルブ３２７を閉じて、堆積膜形成用真空処理容器３００への原料ガスの流入を止め、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部を一旦高真空に排気して堆積膜の形成を終える。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ電子写真感光体が形成できる。
【００７４】
堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ３２３の電力の供給を停止し、堆積膜形成用真空処理容器３００の中を排気する。その後、堆積膜形成用真空処理容器３００および原料ガス導入管３２４内をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理する。
【００７５】
成膜処理を終えた段階で第２の真空搬送容器６００を堆積膜形成用真空処理容器３００の上に移動させ、前述のように、ゲートチャンバ３３０を大気圧力に戻し、吸着パッド６１１を用いて、蓋３３９をゲートバルブ３０１から取り外す。
【００７６】
その後、第２の真空搬送容器６００のゲートバルブ６０１と堆積膜形成用真空処理容器３００のゲートバルブ３０１を互いに接続し、これら両ゲートバルブ６０１、３０１の接続部を真空排気装置３０３により真空バルブ３０５を介して真空にする。ゲートバルブ６０１、ゲートバルブ３０１を開けて第２の真空搬送容器６００に設けられた昇降機構（図示せず）により基体ホルダを堆積膜形成用真空処理容器３００から第２の真空搬送容器６００に移す。そして、ゲートバルブ６０１、ゲートバルブ３０１を閉じて堆積膜形成用真空処理容器３００、第２の真空搬送容器６００を互いに切り離す。
【００７７】
基体ホルダを移し収めた第２の真空搬送容器６００を冷却用真空処理容器４００の上へ移動させ、一方堆積膜形成用真空処理容器３００に対して引き続き真空排気を行い、次の基体の搬入に備える。冷却用真空処理容器４００上に移動した第２の真空搬送容器６００に、堆積膜形成用真空処理容器３００に基体ホルダを搬入するときと同様な操作を行って、第２の真空搬送容器６００から冷却用真空処理容器４００へ基体ホルダを搬入する。冷却用真空処理容器４００内で基体が冷却された後、冷却用真空処理容器４００内を大気圧にし、基体を取り出す。
【００７８】
一方、基体ホルダが取出されたら、堆積膜形成用真空処理容器３００は、堆積膜形成用真空処理容器３００の中に堆積した堆積膜およびポリシランをクリーニング処理する。クリーニング処理の一例として、ドライエッチィング処理を図４に示した電子写真感光体を製造するための堆積膜形成装置４００を用いて以下に示す。手順としては、まず、円筒状基体３１１の替わりに、略同一形状のクリーニング用ダミー基体（不図示）を装着した基体ホルダ３２２を、堆積膜形成用真空処理容器３００に第２の真空搬送容器６００を用いて搬入、設置する。
【００７９】
次に、真空ポンプユニット３０２により堆積膜形成用真空処理容器３００の中を排気する。続いて、堆積膜形成用真空処理容器３００の中にミキシング装置３２５および原料ガス導入管３２４を介してクリーニング処理に必要なクリーニング性ガスを導入する。そして、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部の圧力を所定の圧力になるように真空計３１７を確認しながら真空ポンプユニット３０２の回転周波数を調整する。
【００８０】
クリーニング処理時に使用するクリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）が挙げられるが、本実施形態では、クリーニング時間を短縮する面から有効であるＣｌＦ３を用いる。また、本実施形態においては、クリーニング性ガスの濃度を調整するためにも、希釈用の不活性ガスを用いることが有効である。この不活性ガスとしては、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒが挙げられるが、なかでもＡｒを用いることが好ましい。
【００８１】
堆積膜形成用真空処理容器３００の内部の圧力が安定した後、高周波電源３２９を所望の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス３２８を介して円筒状カソード電極３１２に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、堆積膜形成用真空処理容器３００の中に導入されたクリーニング性ガスが分解され、堆積膜形成用真空処理容器３００の内部のクリーニング処理が開始される。
【００８２】
その後、例えば所定の時間が経過後、クリーニング処理用の原料ガスおよび高周波電力の供給を停止し、堆積膜形成用真空処理容器３００の中を排気する。その後、堆積膜形成用真空処理容器３００および原料ガス導入管３２４の内部をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、クリーニング用のダミー基体（不図示）が装着された基体ホルダ３２２を堆積膜形成用真空処理容器３００から搬出する。
【００８３】
以上の様に、本発明によれば、基体を処理容器に搬入する前に、減圧状態において処理容器とゲートバルブの弁体から処理容器と反対側の空間の内圧差が小さい状態でリークの有無を判定する。その結果、処理前の基体の表面に塵挨が付着する確率を大幅に低減することが可能となる。
【００８４】
その結果、塵挨が原因となる品質の低下を減少させることができ、製造ロット毎のバラツキの低減することや、画像特性を向上することが可能である。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。なお、以下の説明では上述した実施形態において示したのと同じ部分に対しては同じ符号を用いて説明する。
【００８６】
＜実施例１＞
図１に示す製造装置を用い、図４に示す堆積膜形成装置３５０を用いて、アルミニウムよりなる直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体３１１の表面に、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
【００８７】
本実施例では、堆積膜形成用真空処理容器３００内に円筒状基体３１１を搬入する前に、堆積膜形成用真空処理容器３００内を真空排気し、ゲートバルブ３０１の弁体３３４から堆積膜形成用真空処理容器３００と反対側は、一度大気圧力に戻した。堆積膜形成用真空処理容器３００内を排気している状態で、ゲートバルブ３０１の弁体３３４と蓋３９０の間を真空排気した。真空排気開始してから、堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力と、ゲートチャンバ３３０の圧力が同圧（本実施例では０．１３Ｐａ）になるまで、真空計３０６で用いてゲートチャンバ３３０の圧力の変化を測定した。
【００８８】
測定された圧力の変化を、予め設定された基準値と比較した。この場合、堆積膜形成用真空処理容器３００とゲートバルブ３０１の間でリークが無い状態で測定したゲートチャンバ３３０の圧力の変化を基準値とした。ゲートチャンバ３３０の圧力の変化は、大気圧からゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａとなるまでは、１２０ｓｅｃ（＝平均で８４３Ｐａ／ｓｅｃ）で排気した。その後、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力が同圧となる０．１３Ｐａまでは、１８０ｓｅｃ（＝平均で０．７Ｐａ／ｓｅｃ）で排気した。
【００８９】
そして、図３（ａ）に示す様に、基準値と測定値がほぼ重なり、図３（ｂ）に示すような変曲点が検知されないことを確認後、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、円筒状基体３１１の搬入を実施し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を実施した。
【００９０】
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「白ポチ」の評価を以下のように実施した。
【００９１】
「白ポチ」の評価
作製したａ−Ｓｉ電子写真感光体をキヤノン（株）製、複写機ｉＲＣ６８８０Ｎに設置し、Ａ３サイズの全面黒くべタ画像を出力し、感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチ（画像欠陥の部分）の個数を数えた。
【００９２】
得られた結果を、比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で表２に示す。
【００９３】
【表１】
2019147989.tif 000003
【００９４】
＜比較例１＞
実施例１と同様の手順で、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を行った。
【００９５】
本比較例では、実施例１のようなゲートチャンバ３３０の圧力の変化の測定によるリークの有無の判定は行わず、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、円筒状基体３１１の搬入を実施し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作成を実施した。
【００９６】
この時、円筒状基体３１１を堆積膜形成用真空処理容器３００内に搬入した。蓋３９０をゲートバルブ３０１に取り付けゲートチャンバ３３０内を真空排気しているときに、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が２０Ｐａで、図３（ｂ）の様な、変曲点が存在していた。
【００９７】
得られた子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
【００９８】
【表２】
2019147989.tif 000004
【００９９】
表２から明らかなように、本発明の堆積膜形成方法によれば、画像特性の向上が達成可能であることが判った。
【０１００】
＜実施例２＞
実施例１と同様の手順で、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を１５回行った。
【０１０１】
そして、図３（ａ）に示す様に、基準値と測定値がほぼ重なり、図３（ｂ）に示すような変曲点が検知されない場合は、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、円筒状基体３１１の搬入を実施し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を実施した。
【０１０２】
一方、図３（ｂ）に示す様に変曲点が検知され場合は、堆積膜形成用真空処理容器３００内に円筒状基体３１１の搬入は行わず、ゲートバルブ３０１のメンテナンスを実施した。そして、リーク発生要因を除去し図３（ａ）に示す様に、リーク発生無いと判定された後、円筒状基体３１１の搬入を実施し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を実施した。
【０１０３】
作製されたａ−Ｓｉ電子写真感光体に関して、「白ポチ」の評価を以下のように実施した。
【０１０４】
「白ポチ」の評価
作製したａ−Ｓｉ電子写真感光体をキヤノン（株）製、複写機ｉＲＣ６８８０Ｎに設置し、Ａ３サイズの全面黒くべの画像を出力し、感光体１周分当たりの、直径０．１０ｍｍ以上の白ポチ（画像欠陥の部分）の個数を数えた。得られた１５本分の個数の平均値と、標準偏差を求めた。
【０１０５】
得られた結果を表３に示す。いずれの評価も比較例１で得られた結果を１００としたときの、相対評価で行った。
【０１０６】
＜比較例２＞
実施例２と同様の手順で、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を１５回行った。
【０１０７】
本比較例では、実施例１のようなゲートバルブ３０１の弁体３３４と蓋３９０の間の圧力の変化の測定によるリークの有無の判定は行わず、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、円筒状基体３１１の搬入を実施し、ａ−Ｓｉ電子写真感光体の作成を実施した。
【０１０８】
得られた、電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
【０１０９】
実施例１、比較例１の結果を合わせて表３に示す。
【０１１０】
【表３】
2019147989.tif 000005
【０１１１】
表３から明らかなように、本発明の堆積膜形成方法によれば、製造ロット毎のバラツキを低減し、画像特性の向上が達成可能であることが判った。
【０１１２】
この理由に関しては、以下のように推測される。
【０１１３】
比較例２の場合、白ポチの個数が数回増加するロットが発生していた。増加したロットの白ポチの電子写真感光体上の発生位置を調べると、底壁３１５側での白ポチの増加は観察されていないが、上壁３１４側で白ポチの増加が観察された。さらに、白ポチ部分の断面観察を行ったところ、白ポチの原因となっている、球状突起は、全て、円筒状基体３１１の堆積膜形成前のアルミニウム表面に存在する異物から、異常成長していた。また、白ポチが増加したロットの真空計３０６の内圧の変化を見直してみた。まず、円筒状基体３１１を堆積膜形成用真空処理容器３００内に搬入後、蓋３９０をゲートバルブ３０１に取り付けゲートチャンバ３３０内を真空排気した。その結果、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａ、９Ｐａ、１Ｐａで、図３（ｂ）の様な、変曲点が存在していることが判った。
【０１１４】
以上ことから、従来は、円筒状基体３１１を堆積膜形成用真空処理容器３００内に搬入後に、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａ以下のときに、Ｏリング３３６による真空シールが充分でない場合が有った。その場合、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、ゲートチャンバ３３０からＮ２ガスが引き込まれたと考えられる。そして、弁体３３４や処理容器接続フランジ３３３および堆積膜形成用真空処理容器３００の上壁３１４の表面に付着している塵挨が離脱し、基体表面に付着したと考えられる。
【０１１５】
本発明の様な堆積膜形成方法を実施することで、ゲートバルブからのリークの発生を、基体が処理容器に搬入される前に無くすことが可能となる。その結果、処理前の基体の表面に塵挨が付着する確率が大幅に低減するので、塵挨が原因となる品質の低下を減少させることができ、製造ロット毎のバラツキの低減し、画像特性が向上したと考えられる。
【０１１６】
＜実施例３＞
実施例１と同様の手順で、表１に示す条件で、堆積膜を形成してａ−Ｓｉ電子写真感光体の作製を１５回行った。
【０１１７】
本実施例においては、ゲートチャンバ３３０の圧力の変化は、大気圧力からゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａとなるまでは、実施例１と同様に１２０ｓｅｃ（＝平均で８４３Ｐａ／ｓｅｃ）で排気した。そして、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力が同圧となる０．１３Ｐａまでは排気時間を変化させた。
【０１１８】
得られた、電子写真感光体の評価は、実施例２と同様に行った。
【０１１９】
得られた結果を、比較例２で得られた結果を１００としたときの、相対評価で表４に示す。
【０１２０】
【表４】
2019147989.tif 000006
【０１２１】
表４から明らかなように、ゲートチャンバ内の圧力と処理容器内の圧力差が１３３Ｐａ以下に達した後のゲートバルブの弁体から反応容器と反対側の圧力（＝ゲートチャンバ３３０の圧力）の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下とした。その結果、製造ロット毎のバラツキを低減と、画像特性の向上により効果的であることが判った。
【０１２２】
この原因に関しては以下の様に考える。
【０１２３】
排気時間が２０／ｓｅｃの場合、白ポチの個数が増加するロットが存在した白ポチの電子写真感光体上の発生位置を調べると、底壁３１５側での白ポチの増加は観察されていないが、上壁３１４側で白ポチの増加が観察された。さらに、白ポチ部分の、断面観察を行ったところ、白ポチの原因となっている、球状突起は、全て、円筒状基体３１１の堆積膜形成前のアルミニウム表面に存在する異物から、異常成長していた。
【０１２４】
このことから原因は、比較例２のように、Ｏリング３３６による真空シールが充分でない場合が有り、堆積膜形成用真空処理容器３００内に、ゲートチャンバ３３０からＮ２ガスが引き込まれたことによる塵挨の増加が原因と考えられる。しかし、そのロットにおいては、円筒状基体３１１を堆積膜形成用真空処理容器３００内に搬入前のリークの有無の判定工程では、図３（ｂ）に示すような変曲点が検知されていなかった。
【０１２５】
これは、ゲートチャンバ３３０の内圧の変化が急峻であるため、正確に変曲点が検知できなかったと考えられる。
【０１２６】
よって、ゲートバルブの弁体から反応容器と反対側の圧力（＝ゲートチャンバ３３０の圧力）の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下とし、ゲートチャンバ３３０の内圧の変化を緩やかにすることで、正確に変曲点が検知できると考えられる。
【０１２７】
一方、ゲートチャンバ３３０の内圧の変化を緩やかにすれば、所望の圧力まで到達する時間が長くなり、リークの有無の検知に時間が掛かり生産のタクトアップとなってしまう。
【０１２８】
よって、ゲートチャンバ３３０の圧力と堆積膜形成用真空処理容器３００の圧力差が１３３Ｐａ以下に達した後のゲートチャンバ３３０の圧力の変化を５．０Ｐａ／ｓｅｃ以下、０．１Ｐａ／ｓｅｃ以上とした。それによって、大幅にタクトアップすることなしに、正確にリークの検知が可能となることが判った。
【符号の説明】
【０１２９】
１００  投入用真空処理容器
２００  加熱用真空処理容器
３００  堆積膜形成用真空処理容器
４００  冷却用真空処理容器
５００  第１の真空搬送容器
６００  第２の真空搬送容器
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１  ゲートバルブ
１０２、２０２、３０２、４０２  排気装置
１０３、２０３、３０３、４０３  排気装置
１０４、２０４、３０４、４０４  排気バルブ
１０５、２０５、３０５、４０５  排気バルブ
１０６、２０６、３０６、４０６  真空計
１０７、２０７、３０７、４０７  排気配管
１０８、２０８、３０８、４０８  排気配管
３０９  ベントバルブ
３１０  処理容器
３１１  円筒状基体
３１２  円筒状カソード電極
３１３  絶縁体
３１４  上壁
３１５  底壁
３１６  排気部
３１８  受台
３１９  モータ
３２０  上補助基体
３２１  下補助基体
３２２  基体ホルダ
３２３  ヒータ
３２４  原料ガス導入管
３２５  ミキシング装置
３２６  原料ガス供給管
３２７  原料ガス流入バルブ
３２８  マッチングボックス
３２９  高周波電源
３３０、６３０  ゲートチャンバ
３３２、６３２  ゲート接続フランジ
３３４、６３４  弁体
３３５、６３５  ローラー
３３６、６３６  Ｏリング
３３７、６３７  リンク機構
３３８、６３８  ゲートベース
３３９、６３９  ロッド
３４０、６４０  エアーシリンダー
３５０  堆積膜形成装置
３９０  蓋
６１０  搬送容器
６１１  真空パッド
６３３  搬送容器接続フランジ
【図１】
2019147989.tif 000007
【図２】
2019147989.tif 000008
【図３】
2019147989.tif 000009
【図４】
2019147989.tif 000010