(57)【要約】【課題】潜在的な不良が生じている半導体レーザを好適に特定可能とする。【解決手段】半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについての光学的パラメータを測定して半導体レーザＬＤの状態を特定可能な測定結果データＤ３を生成する処理部６を備え、処理部６は、レーザ光Ｌの出力開始時点を始点とする時間Ａａを含む時間Ａｂ、レーザ光Ｌの出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含む時間Ｂｂ、およびレーザ光Ｌの出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含む時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、レーザ光Ｌの光量、重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを予め規定された周期で測定する第１の処理、測定した測定値と測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに測定値と基準値との少なくとも一方に比較の結果を関連付けて測定結果データＤ３を生成する第３の処理を実行可能に構成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する処理部を備えた光測定装置であって、
前記処理部は、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の光量、当該レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行可能に構成されている光測定装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記第１の処理において、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして測定する請求項１記載の光測定装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記第１の処理において、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号のいずれかの信号を当該半導体レーザの制御装置から取得し、当該いずれかの信号に対応する前記測定期間内の前記予め規定された光学的パラメータを測定する請求項１または２記載の光測定装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の光測定装置と、前記半導体レーザについての良否判定の結果を報知する報知装置とを備えた検査装置であって、
前記処理部は、前記第２の処理において良品の前記半導体レーザから予め取得された前記基準値と前記測定値とを比較して当該基準値に対する当該測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、当該相違量が当該許容相違量以内のときには前記半導体レーザが正常であると判定すると共に、当該相違量が当該許容相違量を超えているときには当該半導体レーザが不良であると判定し、前記第３の処理において前記比較の結果として前記第２の処理における判定の結果を前記測定値および前記基準値の少なくとも一方に関連付けて前記測定結果データを生成すると共に、前記測定結果データに基づき、前記判定の結果を前記報知装置に報知させる検査装置。
【請求項５】
半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する光測定方法であって、
前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の光量、当該レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行する光測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する光測定装置および光測定方法、並びに、そのような光測定装置を備えて半導体レーザの良否を判定可能に構成された検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、下記の特許文献には、半導体レーザチップ（半導体レーザ）を所定時間に亘って動作させる通電エージングを実行して良品／不良品を選別可能に構成された半導体レーザ測定装置（半導体レーザエージング装置：以下、単に「測定装置」ともいう）が開示されている。この測定装置は、エージング対象の半導体レーザを接続可能なＩｎ電極（試験用電極）がそれぞれ形成された試験用基板および押圧板と、各Ｉｎ電極に接続された定電流回路と、半導体レーザからの光出力をモニタするための受光素子とを備えている。
【０００３】
この測定装置による半導体レーザの選別に際しては、まず、試験用基板および押圧板の間に半導体レーザを挟み込み、各Ｉｎ電極を半導体レーザに接触（接続）させる。次いで、温度調整器によって測定温度に温度調整しながら定電流回路から半導体レーザに所定時間に亘って電流を供給することで半導体レーザからレーザ光を出力させる（エージング処理の実行）。続いて、半導体レーザをレーザチップ特性選別装置（以下、単に「選別装置」ともいう）によって良品／不良品に選別する。
【０００４】
なお、この特許文献には、上記の構成における定電流回路に代えて各Ｉｎ電極に定光出力回路を接続し、半導体レーザからレーザ光を出力させつつ、そのレーザ光をモニタ用受光素子によってモニタすることにより、半導体レーザに対して供給している駆動電流と出力されるレーザ光の量（光量）との関係を測定して定光出力エージング試験を行い、試験結果に基づいて良品／不良品に選別する構成および方法も開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１９４４０５号公報（第２−４頁、第１−２図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記の特許文献に開示されている測定装置およびその測定方法には、以下のような解決すべき課題が存在する。具体的には、上記の特許文献に開示されている測定装置および測定方法では、測定対象（選別対象）の半導体レーザに対して所定時間に亘って通電する通電エージングの後に選別装置によって良品／不良品に選別したり、半導体レーザに対して定光出力回路から電力を供給しつつ、半導体レーザからのレーザ光をモニタ用受光素子によってモニタすることにより、良品／不良品に選別したりする構成および方法が採用されている。
【０００７】
この場合、上記の特許文献には、選別装置の具体的な構成や選別装置による選別方法の具体的な手順に関する明示は存在しないが、一般的には、通電エージングが完了した半導体レーザに電力を供給してレーザ光を出力させ、予め規定された許容光量範囲内の光量でレーザ光が出力されているか否かに基づいて半導体レーザの良否が選別される。
【０００８】
また、上記の特許文献には、定光出力エージング試験についての具体的な明示も存在しないが、一般的には、定光出力回路から半導体レーザに予め規定された電流値の電力を供給している状態において、予め規定された許容光量範囲内の光量でレーザ光が継続的に出力されている場合には良品と選別され、許容光量範囲を外れた光量でレーザ光が出力されている場合や、光量が許容量を超えて大きく変動した場合には、不良品と選別される。
【０００９】
このように、上記の特許文献に開示の測定装置では、パッケージ組立前に半導体レーザに対する通電エージングを行うことにより、不良品が製品に組み込まれるのを回避しようとしている。しかしながら、上記の測定装置におけるエージング処理によって良品と選別された半導体レーザのなかにも、製品組込み後の実使用時に、使用開始から短期間で動作不良や性能低下が生じる製品、すなわち、潜在的な不良品が存在することがある。
【００１０】
このような潜在的な不良品が出荷される事態を回避するには、エージング処理の時間を延長したり、通常使用状態よりも強いストレスが加わるように過負荷エージング処理を実行したりする構成および方法が考えられる。しかしながら、エージング処理の時間を延長した場合には、半導体レーザの生産性が低下して製造コストが高騰するおそれがあり、過負荷エージング処理を行った場合には、良品の半導体レーザを含むすべての半導体レーザが性能低下（劣化）するおそれがある。
【００１１】
また、本願発明の発明者は、エージング処理において良品と選別され、その後の実使用時に動作不良や性能低下が生じた半導体レーザについてのエージング処理時の測定値を、実使用時にも動作不良や性能低下を生じることのなかった良品の半導体レーザについてのエージング処理時の測定値と比較したところ、双方の測定値に大きな相違点が存在していないことがあるのを確認した。つまり、エージング処理の時間を延長したり、過負荷エージング処理を行ったりしたとしても、潜在的な不良品であるか否かを確実に選別するのが困難であるという現状があり、この点を解決する必要がある。
【００１２】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、潜在的な不良が生じている半導体レーザを好適に特定し得る光測定装置、検査装置および光測定方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成すべく、請求項１記載の光測定装置は、半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する処理部を備えた光測定装置であって、
前記処理部は、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の光量、当該レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行可能に構成されている。
【００１４】
また、請求項２記載の光測定装置は、請求項１記載の光測定装置において、前記処理部は、前記第１の処理において、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして測定する。
【００１５】
さらに、請求項３記載の光測定装置は、請求項１または２記載の光測定装置において、前記処理部は、前記第１の処理において、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号のいずれかの信号を当該半導体レーザの制御装置から取得し、当該いずれかの信号に対応する前記測定期間内の前記予め規定された光学的パラメータを測定する。
【００１６】
また、請求項４記載の検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の光測定装置と、前記半導体レーザについての良否判定の結果を報知する報知装置とを備えた検査装置であって、前記処理部は、前記第２の処理において良品の前記半導体レーザから予め取得された前記基準値と前記測定値とを比較して当該基準値に対する当該測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、当該相違量が当該許容相違量以内のときには前記半導体レーザが正常であると判定すると共に、当該相違量が当該許容相違量を超えているときには当該半導体レーザが不良であると判定し、前記第３の処理において前記比較の結果として前記第２の処理における判定の結果を前記測定値および前記基準値の少なくとも一方に関連付けて前記測定結果データを生成すると共に、前記測定結果データに基づき、前記判定の結果を前記報知装置に報知させる。
【００１７】
また、請求項５記載の光測定方法は、半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する光測定方法であって、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の光量、当該レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行する。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１記載の光測定装置、および請求項５記載の光測定方法では、半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含む予め規定された時間Ａｂ、レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含む予め規定された時間Ｂｂ、およびレーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含む予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、レーザ光の光量、重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、第１の処理において測定した測定値と基準値とを比較する第２の処理、並びに測定値と基準値との少なくとも一方に第２の処理における比較の結果を関連付けて測定結果データを生成する第３の処理を実行する。
【００１９】
したがって、請求項１記載の光測定装置、および請求項５記載の光測定方法によれば、制御装置から供給される電力の電流値が急激に変化する時点を含んで任意の光学的パラメータを測定することにより、一般的なエージング処理では良品の半導体レーザと大きく相違する測定値が得られない潜在的な不良が生じている不良品の半導体レーザについて、その状態を好適に特定可能な測定結果データを容易に取得することができる。これにより、その測定結果データに基づいて半導体レーザを評価することで、潜在的な不良を含む不良品の半導体レーザと、そのような不良が生じていない良品の半導体レーザとを的確に選別することができる。
【００２０】
請求項２記載の光測定装置、およびその光測定方法によれば、第１の処理において、レーザ光の重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つとレーザ光の光量とを予め規定された光学的パラメータとして測定することにより、不良品の半導体レーザにおいて良品の半導体レーザとは相違する測定値が得られることが多い光量を必須の測定項目とし、そのうえで、光量に次いで不良品の半導体レーザにおいて良品の半導体レーザとは相違する測定値が得られることが多い重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを測定することで、半導体レーザの状態を一層的確に特定可能な測定結果データを提供することができる。
【００２１】
請求項３記載の光測定装置、およびその光測定方法によれば、第１の処理において、半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号、レーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号、およびレーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号のいずれかの信号を半導体レーザの制御装置から取得し、いずれかの信号に対応する測定期間内の予め規定された光学的パラメータを測定することにより、制御装置から供給される電力の電流値が急激に変化した時点を含む必要最低限の時間内の測定値だけを好適に取得することができる結果、測定値を記憶するのに必要な記憶部の容量を低減することができ、また、取得した測定値から光量、重心波長、波長幅および歪度などを演算するのに要する事項も充分に短縮することができる。
【００２２】
請求項４記載の検査装置、およびその半導体レーザの検査方法では、第２の処理において良品の半導体レーザから予め取得された基準値と測定値とを比較して基準値に対する測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、相違量が許容相違量以内のときには半導体レーザが正常であると判定すると共に、相違量が許容相違量を超えているときには半導体レーザが不良であると判定し、第３の処理において比較の結果として第２の処理における判定の結果を測定値および基準値の少なくとも一方に関連付けて測定結果データを生成すると共に、測定結果データに基づき、判定の結果を報知装置に報知させる。
【００２３】
したがって、請求項４記載の検査装置、およびその半導体レーザの検査方法によれば、半導体レーザが良品であるか不良品であるかを好適に選別することができ、その結果を的確に把握させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】光測定装置１の構成を示す構成図である。
【図２】受光部２における各受光センサ２０ａ〜２０ｄの光学フィルタ２１ａ〜２１ｄによって付与される分光感度特性について説明するための説明図である。
【図３】良品の半導体レーザＬＤおよび不良品の半導体レーザＬＤにおける光量、重心波長および波長幅の変化の一例について説明するための説明図である。
【図４】良品の半導体レーザＬＤおよび不良品の半導体レーザＬＤにおける光量、重心波長および波長幅の変化の一例について説明するための他の説明図である。
【図５】他の構成の受光部における各受光センサの光学フィルタ２１ａ〜２１ｄ，２１ｘによって付与される分光感度特性について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、光測定装置、検査装置および光測定方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００２６】
図１に示す光測定装置１は、「光測定装置」および「報知装置」を備えた「検査装置」の一例であって、半導体レーザＬＤから出力されるレーザ光Ｌについての各種の光学的パラメータを測定して半導体レーザＬＤの良否を検査可能な（状態を特定可能な）測定結果データＤ３を生成すると共に、良否判定の結果を報知することができるように構成されている。
【００２７】
具体的には、光測定装置１は、受光部２、信号変換部３、操作部４、表示部５、処理部６および記憶部７を備え、レーザ光Ｌの光量（光パワー）の測定に加え、レーザ光Ｌの重心波長、レーザ光Ｌの波長幅（スペクトル波長幅）、およびレーザ光Ｌの歪度などの各種の光学的パラメータ（「予め規定された光学的パラメータ」の一例）を測定可能に構成されている。なお、本例の光測定装置１は、実際には、受光部２に対するレーザ光Ｌの入射方向や入射量を規制するための光拡散部や、アパーチャおよび導光用の光ファイバなどを備えているが、これらの構成および機能については公知のため、図示および詳細な説明を省略する。
【００２８】
受光部２は、一例として、受光センサ２０ａ〜２０ｄを備えて構成されている。また、受光センサ２０ａは、光学フィルタ２１ａおよび光電変換部２２ａを備え、受光センサ２０ｂは、光学フィルタ２１ｂおよび光電変換部２２ｂを備え、受光センサ２０ｃは、光学フィルタ２１ｃおよび光電変換部２２ｃを備え、受光センサ２０ｄは、光学フィルタ２１ｄおよび光電変換部２２ｄを備えて構成されている。
【００２９】
この場合、本例の光測定装置１における受光部２では、各受光センサ２０ａ〜２０ｄ（以下、区別しないときには「受光センサ２０」ともいう）毎に、光学的特性が異なる光学フィルタ２１ａ〜２１ｄ（以下、区別しないときには「光学フィルタ２１」ともいう）が配設されている。具体的には、光学フィルタ２１ａは、光電変換部２２ａの受光面側に光学フィルタ２１ａだけを配設したときに、受光センサ２０ａが一点鎖線Ｌ２１ａのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。また、光学フィルタ２１ｂは、光電変換部２２ｂの受光面側に光学フィルタ２１ｂだけを配設したときに、受光センサ２０ｂが二点鎖線Ｌ２１ｂのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。
【００３０】
さらに、光学フィルタ２１ｃは、光電変換部２２ｃの受光面側に光学フィルタ２１ｃだけを配設したときに、受光センサ２０ｃが三点鎖線Ｌ２１ｃのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタ２１ｃで構成されている。また、光学フィルタ２１ｄは、光電変換部２２ｄの受光面側に光学フィルタ２１ｄだけを配設したときに、受光センサ２０ｄが破線Ｌ２１ｄのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタ２１ｄで構成されている。
【００３１】
この場合、上記の各光学フィルタ２１は、各受光センサ２０の分光感度が波長毎に互いに相違し、かつ各受光センサ２０の分光感度が波長に対してｍ次関数的（ｍは、測定すべき光学的パラメータの種類に応じて任意に規定される２以上の自然数）に変化するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。これにより、本例の光測定装置１では、受光部２における受光センサ２０ａの分光感度に対する受光センサ２０ｂ〜２０ｄの分光感度の比、受光センサ２０ｂの分光感度に対する受光センサ２０ａ，２０ｃ，２０ｄの分光感度の比、受光センサ２０ｃの分光感度に対する受光センサ２０ａ，２０ｂ，２０ｄの分光感度の比、および受光センサ２０ｄの分光感度に対する受光センサ２０ａ〜２０ｃの分光感度の比が、各波長の光（レーザ光Ｌ）毎に相違する状態となっている。
【００３２】
また、光電変換部２２ａ〜２２ｄ（以下、区別しないときには「光電変換部２２」ともいう）は、図１に示すように、光学フィルタ２１を透過したレーザ光Ｌを受光可能に配設されて受光量に応じた検出信号Ｓａ〜Ｓｄ（一例として、レーザ光Ｌの受光量に応じて値が大きくなる電流信号：以下、区別しないときには「検出信号Ｓ」ともいう）を出力する。
【００３３】
信号変換部３は、処理部６と相俟って「処理部」を構成する要素であって、Ｉ／Ｖ変換部およびＡ／Ｄ変換部（図示せず）を備えて検出信号Ｓを信号処理可能に構成されている。具体的には、信号変換部３は、各受光センサ２０（各光電変換部２２）から出力される検出信号ＳをそれぞれＩ／Ｖ変換することで得られる電圧信号を予め規定された周期（一例として、１ｎｓ〜１ｍｓ間隔の周期：例えば、１μｓ間隔の周期）でＡ／Ｄ変換することによって検出信号データＤ１を生成し、生成した検出信号データＤ１を処理部６に順次出力する。
【００３４】
操作部４は、測定処理の条件の設定操作や、測定処理の開始／停止を指示する各種の操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を処理部６に出力する。表示部５は、処理部６の制御に従い、図示しない測定結果表示画面などを表示することにより、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについての測定結果や、半導体レーザＬＤの良否の判定結果などを報知する。
【００３５】
処理部６は、「処理部」の一例であって、光測定装置１を総括的に制御する。具体的には、処理部６は、一例として、半導体レーザＬＤの動作を制御する制御装置Ｘからタイミング報知信号Ｓｔが出力されたときに、各信号変換部３から出力されている検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始すると共に、記録開始から予め規定された時間（一例として、５０ｎｓ〜５０ｍｓ程度の時間：例えば、６０μｓ）が経過した時点において記録を終了する。また、処理部６は、検出信号データＤ１の記録と並行して、検出信号データＤ１と記憶部７に記憶されている係数データＤ２とに基づき、レーザ光Ｌの光量、重心波長、波長幅および歪度などの各種光学的パラメータの値（測定値）を演算する（「予め規定された光学的パラメータの予め規定された周期での測定」の一例）。
【００３６】
また、処理部６は、演算した測定値と、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値とを比較し、その比較の結果を測定値と共に記録して測定結果データＤ３を生成する。さらに、処理部６は、測定結果データＤ３に基づき、半導体レーザＬＤの良否を判定して判定結果を表示部５に表示させることで報知する。なお、処理部６による上記の各処理については、後に詳細に説明する。
【００３７】
記憶部７は、処理部６の動作プログラムや、上記の検査用基準値データＤ０、検出信号データＤ１、係数データＤ２および測定結果データＤ３などを記憶する。この場合、検査用基準値データＤ０には、良品の半導体レーザＬＤについての測定処理によって予め取得された測定値（上記の各光学的パラメータの値）に基づいて規定された基準値が記録されている。また、係数データＤ２は、各受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め規定された「測定値演算用係数」が記録されたデータであって、処理部６が上記の各検出信号データＤ１の値に基づいて各光学的パラメータの値を演算する際に用いる係数が記録されている。
【００３８】
次に、光測定装置１を用いたレーザ光Ｌについての測定処理（半導体レーザＬＤの検査処理）について説明する。なお、光測定装置１の用途は、以下に説明するような用途に限定されるものではないが、「光測定装置」および「検査装置」の構成や「光測定方法」の手順に関する理解を容易にするために、一例として、半導体レーザＬＤを備えた各種光学装置（図示せず）の製造工程において、製造した半導体レーザＬＤを装置に組み込むのに先立って良否を検査する際に光測定装置１を使用した測定処理（検査処理）を実施する形態を例に挙げて説明する。
【００３９】
まず、検査対象の半導体レーザＬＤを制御装置Ｘ（図１参照）に接続すると共に、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌが受光部２に対して照射されるように受光部２の受光面を半導体レーザＬＤに向けて光測定装置１を設置する。この場合、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤに対して電力を供給することでレーザ光Ｌを出力させる装置であって、一例として、半導体レーザＬＤに供給する電力の電流値を可変させることで半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を任意に変化させることが可能に構成されている。
【００４０】
また、本例において使用する制御装置Ｘでは、一例として、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の開始時点）の１０ｎｓ〜１０ｍｓ前（例えば、１０μｓ前）、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量変更時点（半導体レーザＬＤに対して供給している電力における電流値の変更時点）の１０μｓ前、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の停止時点）の１０μｓ前に光測定装置１に対してタイミング報知信号Ｓｔを出力することができるように構成されている。
【００４１】
このようなディレイタイムを設けることにより、制御装置Ｘおよび光測定装置１の間においてタイミング報知信号Ｓｔの送受信に要する時間や、光測定装置１においてタイミング報知信号Ｓｔを受信してから検出信号データＤ１の記録が開始されるまでの処理時間等に起因して、レーザ光Ｌの出力開始時点、出力量変更時点、出力停止時点の検出信号データＤ１が記録されない事態が生じるのを好適に回避することが可能となっている。
【００４２】
次いで、光測定装置１の操作部４を操作して半導体レーザＬＤについての検査処理を開始させると共に、制御装置Ｘの図示しない操作部を操作して半導体レーザＬＤの試験動作を開始させる。
【００４３】
これに応じて、制御装置Ｘは、光測定装置１に対して半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始する旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を開始する。この際に、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を開始することにより、非動作状態（レーザ光Ｌを出力していない状態）から、図３に示す値Ａ１の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤがレーザ光Ｌを出力できない不良品である場合を除き、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてレーザ光Ｌが出力される。
【００４４】
一方、光測定装置１では、操作部４の操作によって検査処理の開始を指示された時点以降、受光部２の各受光センサ２０から受光量に応じた検出信号Ｓがそれぞれ出力されると共に、信号変換部３によって検出信号データＤ１が周期的に生成されて処理部６に対して出力される。
【００４５】
また、処理部６は、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
【００４６】
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力開始時における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等については、後に詳細に説明する。
【００４７】
次いで、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始した時点から予め規定された時間（１ｓ〜１ｍ：一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を増加させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対して供給している電流値を上昇させる。この際に、制御装置Ｘは、図３に示す値Ａ１の光量でレーザ光Ｌを出力している状態から同図に示す値Ａ２の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌが出力量（光量）が増加する。
【００４８】
一方、光測定装置１では、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時における上記の検出信号データＤ１の記録等を完了した後にも、受光部２の各受光センサ２０から受光量に応じた検出信号Ｓが継続的に出力されると共に、信号変換部３から検出信号データＤ１が周期的に出力された状態が維持される。
【００４９】
また、処理部６は、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
【００５０】
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力量の変更時（本例では、出力量の増加時）における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」の他の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等についても、後に詳細に説明する。
【００５１】
続いて、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（本例では、出力量を増加させる変更）を開始した時点から予め規定された時間（一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を減少させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対して供給している電流値を低下させる。この際に、制御装置Ｘは、図４に示す値Ａ２の光量でレーザ光Ｌを出力している状態から同図に示す値Ａ３の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌが出力量（光量）が減少する。
【００５２】
一方、光測定装置１では、処理部６が、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号」の他の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
【００５３】
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力量の変更時（本例では、出力量の減少時）における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」のさらに他の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等についても、後に詳細に説明する。
【００５４】
次いで、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（本例では、出力量を減少させる変更）を開始した時点から予め規定された時間（一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を停止させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を停止する。この際に、制御装置Ｘは、図４に示す値Ａ３の光量でレーザ光Ｌを出力している状態からレーザ光Ｌの出力を停止した状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌの出力が停止される。
【００５５】
一方、光測定装置１では、処理部６が、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量が徐々に低下し、レーザ光Ｌの出力量が「０」となるまで、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
【００５６】
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力停止時における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」のさらに他の一例）が完了する。
【００５７】
この場合、上記の「第１の処理」としての各測定処理において、処理部６は、記憶部７に記録した各検出信号データＤ１に基づき、レーザ光Ｌの光量（Ｐ）、レーザ光Ｌの重心波長（λｇ）、レーザ光Ｌの波長幅（σ＝√((λ２)ｇ−(λｇ)２)）、およびレーザ光Ｌの歪度（Ｓｋ＝((λ−λｇ)３)ｇ／σ３＝((λ３)ｇ−３(λ２)ｇ・λｇ＋２(λｇ)３)／σ３）を「予め規定された光学的パラメータ」として演算する。具体的には、処理部６は、記憶部７に記録した各検出信号データＤ１の値、および受光部２における各受光センサ２０の分光感度特性に応じて作成されて記憶部７に記憶させられている係数データＤ２の値に基づいてレーザ光Ｌについての測定値を演算して特定する。
【００５８】
この場合、本例の光測定装置１では、受光センサ２０ａ〜２０ｄの４つを備えて受光部２が構成されているが、「光測定装置」の構成として、どのような光学的パラメータを測定するかによって、受光部２が備えているべき受光センサ２０の数が相違する。例えば、受光部２に配設された「分光感度特性が互いに相違する受光センサ２０」の数を「ｎ（ｎは、２以上の自然数）」としたときに、ｎ個のうちの１個目の受光センサ２０ａからの検出信号Ｓａを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓａ」とし、かつｎ個のうちの２個目〜ｎ個目の受光センサ２０からの検出信号Ｓｎを変換した検出信号データＤ１の値をそれぞれ「Ｓｂ」〜「Ｓｎ」としたときに、上記の各測定値における「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「(λ３)ｇ」は、
Ｓａ＝（ａ１１（λｎ−１）ｇ＋ａ１２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａ１ｎ）Ｐ
Ｓｂ＝（ａ２１（λｎ−１）ｇ＋ａ２２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａ２ｎ）Ｐ
・
・
Ｓｎ＝（ａｎ１（λｎ−１）ｇ＋ａｎ２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａｎｎ）Ｐ
との連立方程式を解くことによって求めることができる。
【００５９】
なお、上記の式における「ａ１１」〜「ａ１ｎ」は、１個目の受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め取得された「測定値演算用係数」であり、上記の式における「ａｎ１」〜「ａｎｎ」は、ｎ個目の受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め取得された「測定値演算用係数」である。これらの「測定値演算用係数」は、各受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め規定されて係数データＤ２に記録されている。
【００６０】
したがって、上記の「ｎ」が「４」の本例では、受光部２の受光センサ２０ａからの検出信号Ｓａを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓａ」とし、受光部２の受光センサ２０ｂからの検出信号Ｓｂを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｂ」とし、受光部２の受光センサ２０ｃからの検出信号Ｓｃを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｃ」とし、かつ受光部２の受光センサ２０ｄからの検出信号Ｓｄを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｄ」としたときに、
Ｓａ＝（ａ１１（λ３）ｇ＋ａ１２(λ２)ｇ＋ａ１３(λ)ｇ＋ａ１４）Ｐ
Ｓｂ＝（ａ２１（λ３）ｇ＋ａ２２(λ２)ｇ＋ａ２３(λ)ｇ＋ａ２４）Ｐ
Ｓｃ＝（ａ３１（λ３）ｇ＋ａ３２(λ２)ｇ＋ａ３３(λ)ｇ＋ａ３４）Ｐ
Ｓｄ＝（ａ４１（λ３）ｇ＋ａ４２(λ２)ｇ＋ａ４３(λ)ｇ＋ａ４４）Ｐ
との連立方程式を解くことによって上記の各測定値における「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「(λ３)ｇ」を求めることができる。
【００６１】
この場合、各波長のステップ幅を「Δλ」とし、かつ「波長：λ」における光量（光パワー）を「Ｐ(λ)」としたときに、上記の「Ｐ」、「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」については、［数１］のように表すことができる。
【００６２】
【数１】
2019047074.tif 000003
【００６３】
すなわち、「Ｐ」は、「波長λに関する０次モーメント」であり、「λｇ」は、「波長λに関する１次モーメント」であり、「(λ２)ｇ」は、「波長λに関する２次モーメント」であり、かつ「（λ３）ｇ」は、「波長λに関する３次モーメント」である。したがって、分光感度特性が互いに相違する４個の受光センサ２０を備えて光測定装置１を構成し、各受光センサ２０からの検出信号Ｓの信号レベル値に対応する４個の連立方程式を解くことにより、「０次モーメント」の「Ｐ（光量）」、「１次モーメント」の「λｇ（重心波長）」、「２次モーメント」の「(λ２)ｇ」を利用して演算される「波長幅」、および「３次モーメント」の「（λ３）ｇ」を利用して演算される「歪度」を特定することができる。
【００６４】
なお、本例の光測定装置１の構成とは相違するが、分光感度特性が互いに相違する５種類以上のｎ個の受光センサ２０を備えて光測定装置１を構成してその検出信号Ｓの信号レベル値に対応するｎ個の連立方程式を解くことにより、「０次モーメント」の「Ｐ（光量）」、「１次モーメント」の「λｇ（重心波長）」、「２次モーメント」の「(λ２)ｇ」を利用して演算される「波長幅」、および「３次モーメント」の「（λ３）ｇ」を利用して演算される「歪度」だけでなく、「（Ｎ−１）＝（Ｍ−１）≧４次モーメント」の「（λＮ−１）ｇ」＝「（λＭ−１）ｇ」を利用して演算される光学的パラメータの値（測定値）などを特定することもできる。
【００６５】
以上のように、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時の各検出信号データＤ１、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量増加時の各検出信号データＤ１、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量減少時の各検出信号データＤ１、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時の各検出信号データＤ１毎に、各検出信号データＤ１の値と対応する係数データＤ２の値とに基づき、「Ｐ（光量）」、「λｇ（重心波長）」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」を特定すると共に、「Ｐ」、「λｇ」および「(λ２)ｇ」を用いて波長幅を演算し、かつ「Ｐ」、「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」を用いて歪度を演算する。また、処理部６は、演算結果（各光学的パラメータについての測定値）を測定結果データＤ３として記憶部７にそれぞれ記憶させる。
【００６６】
一方、処理部６は、上記の処理によって「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」等の測定値の演算が完了したときに、演算した測定値と、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値とを比較する処理（「第２の処理」の一例）を実行する。以下、測定値と基準値との比較の処理について、図３，４を参照して具体的に説明する。なお、両図では、良品の半導体レーザＬＤから出力されたレーザ光Ｌについての測定値（実線ＬＡ〜ＬＣで示す値）と、不良品の半導体レーザＬＤから出力されたレーザ光Ｌについての測定値（破線ＬＡｘ〜ＬＣｘで示す値））との関係についての理解を容易とするために、各測定値の各時点毎の変化の状態をデフォルメして図示している。
【００６７】
この場合、図３に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始する旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ１ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ１ｃまでの時間Ｔ１ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ａｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力が開始された時点ｔ１ｂから上記の時点ｔ１ｃまでの時間Ｔ１ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａ」に相当する。以下、この時間Ｔ１ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力開始時の検出信号データＤ１」ともいう。
【００６８】
また、同図に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を増加させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ２ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ２ｃまでの時間Ｔ２ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｂｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（増加）が開始された時点ｔ２ｂから上記の時点ｔ２ｃまでの時間Ｔ２ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａ」に相当する。以下、この時間Ｔ２ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力量増加時の検出信号データＤ１」ともいう。
【００６９】
さらに、図４に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を減少させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ３ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ３ｃまでの時間Ｔ３ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｂｂ」の他の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（減少）が開始された時点ｔ３ｂから上記の時点ｔ３ｃまでの時間Ｔ３ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａ」の他の例に相当する。以下、この時間Ｔ３ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力量減少時の検出信号データＤ１」ともいう。
【００７０】
また、同図に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を停止させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ４ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ４ｃまでの時間Ｔ４ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｃｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止が開始された時点ｔ４ｂから上記の時点ｔ４ｃまでの時間Ｔ４ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａ」に相当する。以下、この時間Ｔ４ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力停止時の検出信号データＤ１」ともいう。
【００７１】
まず、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ａ１まで上昇し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における光量が正常範囲内の値であると判定する。
【００７２】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ１に達するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ１よりも多い光量となった後に値Ａ１となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における光量が異常な値であると判定する。
【００７３】
また、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ｂ１となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。
【００７４】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ１となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ１よりも長い波長や値Ｂ１よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における重心波長が異常な値であると判定する。
【００７５】
さらに、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ｃ１となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。
【００７６】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ１となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ１よりも広い幅や値Ｃ１よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における波長幅が異常な値であると判定する。
【００７７】
また、図示を省略するが、処理部６は、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における値が異常な値であると判定する。
【００７８】
また、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ａ２まで上昇し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における光量が正常範囲内の値であると判定する。
【００７９】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ２に達するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ２よりも多い光量となった後に値Ａ２となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における光量が異常な値であると判定する。
【００８０】
また、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ｂ２となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。
【００８１】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ２となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ２よりも長い波長や値Ｂ２よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における重心波長が異常な値であると判定する。
【００８２】
さらに、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ｃ２となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。
【００８３】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ２となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ２よりも広い幅や値Ｃ２よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における波長幅が異常な値であると判定する。
【００８４】
また、図示を省略するが、処理部６は、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における値が異常な値であると判定する。
【００８５】
さらに、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ａ３まで低下し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における光量が正常範囲内の値であると判定する。
【００８６】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ３に低下するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ３よりも少ない光量となった後に値Ａ３となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における光量が異常な値であると判定する。
【００８７】
また、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ｂ３となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。
【００８８】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ３となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ３よりも長い波長や値Ｂ３よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における重心波長が異常な値であると判定する。
【００８９】
さらに、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ｃ３となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。
【００９０】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ３となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ３よりも広い幅や値Ｃ３よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における波長幅が異常な値であると判定する。
【００９１】
また、図示を省略するが、処理部６は、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における値が異常な値であると判定する。
【００９２】
また、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値が「０」まで減少する。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における光量が正常範囲内の値であり、その半導体レーザＬＤが良品であると判定する。
【００９３】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動しながら減少するものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が「０」となるまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における光量が異常な値であると判定する。
【００９４】
また、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値Ｂ４となる。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。
【００９５】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ４となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ４よりも長い波長や値Ｂ４よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における重心波長が異常な値であると判定する。
【００９６】
さらに、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値Ｃ４となる。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。
【００９７】
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ４となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ４よりも広い幅や値Ｃ４よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における波長幅が異常な値であると判定する。
【００９８】
また、図示を省略するが、処理部６は、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における値が異常な値であると判定する。
【００９９】
次いで、処理部６は、上記の各判定の結果（「比較の結果」の一例）を測定結果データＤ３内の対応する測定値（光学的パラメータの値）に関連付けて記録する（「測定値と基準値との少なくとも一方」が「測定値」である「第３の処理」の一例）。
【０１００】
また、本例の光測定装置１では、「レーザ光Ｌの出力開始時」、「レーザ光Ｌの出力量変更時（出力量増加時）」、「レーザ光Ｌの出力量変更時（出力量減少時）」および「レーザ光Ｌの出力停止時」の各「測定期間」毎に、「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」を「予め規定された光学的パラメータ」としてそれぞれ測定した後に、処理部６が、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対して許容相違量を超えて相違しているときに、検査対象の半導体レーザＬＤが不良品であると判定すると共に、すべての「測定期間」におけるすべての「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲内のときに、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であると判定する（「検査装置」における「第２の処理」の一例）。
【０１０１】
続いて、処理部６は、半導体レーザＬＤの良否判定の結果を測定結果データＤ３に記録する（「検査装置」における「第３の処理」の一例）。また、処理部６は、一例として、検査用基準値データＤ０に記録された良品についての「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（基準値）と、検査対象についての測定結果データＤ３に記録された「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（測定値）と、検査対象についての測定結果データＤ３に記録された「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（測定値）が正常か異常かの判定結果とを上記の各「測定期間」毎に表示部５にそれぞれ表示すると共に、半導体レーザＬＤが良品か不良品かの判定結果を表示部５に表示する（「判定の結果を報知装置に報知させる」との処理の一例）。これにより、表示部５の表示を見た者は、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であるか不良品であるかを確実かつ容易に認識することができ、また、不良品と判定された場合には、どのような理由で不良品と判定されたかを確実かつ容易に認識することができる。以上により、半導体レーザＬＤについての検査処理が完了する。
【０１０２】
この場合、上記したように、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であった場合には、上記の各「測定期間」毎の各「光学的パラメータ」のすべてが、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値（良品の半導体レーザＬＤから取得した測定値）に対する許容相違量の範囲内の値となる。これに対して、検査対象の半導体レーザＬＤが不良品であった場合には、その不良の種類や不良の度合いに応じて、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態となる。
【０１０３】
具体的には、出願人は、複数個の半導体レーザＬＤを対象として、上記の検査処理と同様の手順で各「測定期間」毎に各「光学的パラメータ」の測定を行ってその測定結果を保存しておき、その後に、前述した特許文献に開示の測定装置と同様にして各半導体レーザＬＤに対するエージング処理を行い、エージング処理によって不良が生じた半導体レーザＬＤについての保存されている測定結果を調べたところ、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態であったことを確認している。
【０１０４】
また、エージング処理において良品と判定され、製品に組み込まれて出荷された後に、レーザ光Ｌの出力量が大幅に低下したり出力量が安定しない状態となったりした半導体レーザＬＤについて、保存されている測定結果と、エージング処理時の判定結果とを調べたところ、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態であった半導体レーザＬＤが多数存在することも確認している。つまり、上記の各「測定期間」毎の各「光学的パラメータ」を検査用基準値データＤ０に記録されている「基準値」と比較することで、エージング処理によって検出することができない潜在的な不良品についても検出し得ることが確認されている。
【０１０５】
このように、この光測定装置１および光測定方法では、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点を始点とする「時間Ａａ（本例では、図３に示す時間Ｔ１ｂｃ）」を含む「時間Ａｂ（本例では、図３に示す時間Ｔ１ａｃ）」、レーザ光Ｌの出力量変更時点を始点とする「時間Ｂａ（本例では、図３に示す時間Ｔ２ｂｃ、および図４に示す時間Ｔ３ｂｃ）を含む「時間Ｂｂ（本例では、図３に示す時間Ｔ２ａｃ、および図４に示す時間Ｔ３ａｃ）」、およびレーザ光Ｌの出力停止時点を始点とする「時間Ｃａ（本例では、図４に示す時間Ｔ４ｂｃ）」を含む「時間Ｃｂ（本例では、図４に示す時間Ｔ４ａｃ）」のうちの少なくとも１つ（本例では、すべて）を「測定期間」として、レーザ光Ｌの光量、重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを「予め規定された光学的パラメータ」として予め規定された周期で測定する「第１の処理」、「第１の処理」において測定した測定値と基準値とを比較する「第２の処理」、並びに測定値と基準値との少なくとも一方（本例では、「測定値」）に「第２の処理」における比較の結果を関連付けて測定結果データＤ３を生成する「第３の処理」を実行する。
【０１０６】
したがって、この光測定装置１および光測定方法によれば、制御装置Ｘから供給される電力の電流値が急激に変化する時点を含んで任意の光学的パラメータを測定することにより、一般的なエージング処理では良品の半導体レーザＬＤと大きく相違する測定値が得られない潜在的な不良が生じている不良品の半導体レーザＬＤについて、その状態を好適に特定可能な測定結果データＤ３を容易に取得することができる。これにより、その測定結果データＤ３に基づいて半導体レーザＬＤを評価することで、潜在的な不良を含む不良品の半導体レーザＬＤと、そのような不良が生じていない良品の半導体レーザＬＤとを的確に選別することができる。
【０１０７】
また、この光測定装置１および光測定方法によれば、「第１の処理」において、レーザ光Ｌの重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つとレーザ光Ｌの光量とを「予め規定された光学的パラメータ」として測定することにより、不良品の半導体レーザＬＤにおいて良品の半導体レーザＬＤとは相違する測定値が得られることが多い「光量」を必須の測定項目とし、そのうえで、「光量」に次いで不良品の半導体レーザＬＤにおいて良品の半導体レーザＬＤとは相違する測定値が得られることが多い「重心波長」、「波長幅」および「歪度」のうちの少なくとも１つを測定することで、半導体レーザＬＤの状態を一層的確に特定可能な測定結果データＤ３を提供することができる。
【０１０８】
さらに、この光測定装置１および光測定方法では、「第１の処理」において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点を特定可能な「第１の信号（本例では、図３に示す時点ｔ１ａにおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」、レーザ光Ｌの出力量変更時点を特定可能な「第２の信号（本例では、図３に示す時点ｔ２ａ、および図４に示す時点ｔ３ａおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」、およびレーザ光Ｌの出力停止時点を特定可能な「第３の信号（本例では、図４に示す時点ｔ４ａにおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」のいずれかの信号を半導体レーザＬＤの制御装置Ｘから取得し、いずれかの信号に対応する「測定期間」内の「予め規定された光学的パラメータ」を測定する。
【０１０９】
したがって、この光測定装置１および光測定方法によれば、制御装置Ｘから供給される電力の電流値が急激に変化した時点を含む必要最低限の時間内の測定値だけを好適に取得することができる結果、検出信号データＤ１を記憶するのに必要な記憶部７の容量を低減することができ、また、取得した検出信号データＤ１から光量、重心波長、波長幅および歪度などを演算するのに要する事項も充分に短縮することができる。
【０１１０】
また、この光測定装置１および検査方法では、「第２の処理」において良品の半導体レーザＬＤから予め取得された基準値と測定値とを比較して基準値に対する測定値の相違量が「許容相違量」を超えているか否かを判別し、相違量が「許容相違量」以内のときには半導体レーザＬＤが正常であると判定すると共に、相違量が「許容相違量」を超えているときには半導体レーザＬＤが不良であると判定し、「第３の処理」において比較の結果として「第２の処理」における判定の結果を測定値および基準値の少なくとも一方（本例では「測定値」）に関連付けて測定結果データＤ３を生成すると共に、測定結果データＤ３に基づき、判定の結果を表示部５に表示させる（報知の一例）。したがって、この光測定装置１および検査方法によれば、半導体レーザＬＤが良品であるか不良品であるかを好適に選別することができ、その結果を的確に把握させることができる。
【０１１１】
なお、「光測定装置」および「検査装置」の構成や、「光測定方法」の手順については、上記の光測定装置１の構成およびその処理手順の例に限定されない。例えば、記憶部７に対する検出信号データＤ１の記録と並行して光学的パラメータの値（測定値）を演算する処理を実行する構成および方法について説明したが、このような構成および方法に代えて、規定時間分の検出信号データＤ１の記録を完了した後に光学的パラメータの値（測定値）を演算する処理を実行する構成および方法を採用することができる。同様にして、光学的パラメータの値（測定値）が正常か異常かの判定の処理や、半導体レーザＬＤが良品か不良品かの判定の処理についても、必要な測定処理のすべてを完了した後に実行する構成および方法を採用することができる。
【０１１２】
また、半導体レーザＬＤを制御する制御装置Ｘからタイミング報知信号Ｓｔを受信して検出信号データＤ１の記録を開始する構成および方法を例に挙げて説明したが、このような構成および方法に代えて、光測定装置１から制御装置Ｘに対して、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の開始時点）、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量変更時点（半導体レーザＬＤに対して供給している電力における電流値の変更時点）、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の停止時点）を指示する制御信号を出力すると共に、制御装置Ｘがそのような制御信号を受信したときに対応する制御を行い、かつ光測定装置１がそのような制御信号の出力に合わせて検出信号データＤ１の記録を開始する構成を採用することもできる。
【０１１３】
また、「光測定装置」に対して複数種類の波長のレーザ光が入射する可能性があるときには、各受光センサ２０への入射を許容する波長範囲を制限するための光学フィルタ（図示せず）を各受光センサ２０の前面側に配設すればよい。具体的には、図５に実線Ｌ２１ｘで示すように、波長範囲Ｈ（波長λａ〜λｂ）内の光の透過を許容し、かつ波長λａより短い波長の光や、波長λｂより長い波長の光の透過を規制する光学フィルタを備えて各受光センサ２０を構成することにより、各受光センサ２０の光電変換部２２に対して波長範囲Ｈ内の波長の光（レーザ光Ｌ）だけが入射させられる構成を採用すればよい。なお、波長範囲を制限する光学フィルタについては、１つの光学フィルタを各受光センサ２０によって共用する構成、および各受光センサ２０毎に別個独立させて同じ光学的特性の光学フィルタをそれぞれ配設する構成のいずれでもよい。
【０１１４】
さらに、ｎ個（上記の例では、ｎ＝４個）の受光センサ２０を有する受光部２を備えた光測定装置１の構成を例に挙げて説明したが、このような構成の受光部２に代えて、ポリクロメータを備え（図示せず）、ポリクロメータによる測定値に基づいて各種の光学的パラメータを測定する構成および方法を採用することもできる。
【０１１５】
また、「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」の４種類の光学的パラメータを測定して半導体レーザＬＤについての測定結果データＤ３を生成し、生成した測定結果データＤ３に基づいてその半導体レーザＬＤを検査する構成および方法について説明したが、これらのパラメータのうちの任意の１つや、任意の２つ、または任意の３つを測定して測定結果データＤ３を生成して半導体レーザＬＤを検査する構成および方法を採用することもできる。また、上記の各光学的パラメータのうちの少なくとも１つと、「４次モーメント」以上の高次モーメントに基づく任意の光学的パラメータを測定して測定結果データＤ３を生成する構成および方法を採用することもできる。
【０１１６】
また、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」のすべてを「測定期間」として各光学的パラメータの値（測定値）を測定して基準値と比較する構成および方法を例に挙げて説明したが、これらのうちの１つまたは２つの時間を「測定期間」として任意の光学的パラメータを測定する構成および方法を採用することもできる。なお、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」については、同じ時間に規定した上記の例に限定されず、互いに相違する時間に規定することもできる。また、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」に含まれるべき「時間Ａａ」、「時間Ｂａ」および「時間Ｃａ」についても、同じ時間に規定した上記の例に限定されず、互いに相違する時間に規定することもできる。
【０１１７】
さらに、良否判定の結果（半導体レーザＬＤの状態）を表示部５に表示させることで報知する構成および方法を例に挙げて説明したが、このような構成および方法に代えて（または、このような構成および方法に加えて）、良否判定の結果（半導体レーザＬＤの状態）を示すメッセージをスピーカから出力することで報知する構成および方法を採用することもできる。
【０１１８】
また、「第３の処理」において「第２の処理」の判定結果を「測定値」に関連付けて「測定結果データ」としての測定結果データＤ３を生成する例について説明したが、「第２の処理」の判定結果を「基準値」に関連付けて「測定結果データ」を生成したり、「第２の処理」の判定結果を「基準値」および「測定値」の双方に関連付けて「測定結果データ」を生成したりすることもできる。加えて、測定結果データＤ３に基づいて半導体レーザＬＤの良品を検査する構成および方法を例に挙げて説明したが、良否を判定可能な測定結果データＤ３を生成するだけで一連の処理を終了する構成および方法を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１１９】
１  光測定装置
２  受光部
３  信号変換部
４  操作部
５  表示部
６  処理部
７  記憶部
Ｄ０  検査用基準値データ
Ｄ１  検出信号データ
Ｄ２  係数データ
Ｄ３  測定結果データ
Ｌ  レーザ光Ｌ
ＬＤ  半導体レーザ
Ｓｔ  タイミング報知信号
ｔ１ａ〜ｔ１ｃ，ｔ２ａ〜ｔ２ｃ，ｔ３ａ〜ｔ３ｃ，ｔ４ａ〜ｔ４ｃ  時点
Ｔ１ｂｃ，Ｔ１ａｃ，Ｔ２ｂｃ，Ｔ２ａｃ，Ｔ３ｂｃ，Ｔ３ａｃ，Ｔ４ｂｃ，Ｔ４ａｃ  時間
Ｘ  制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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