(57)【要約】【課題】予備発光の光量積分値を得るための光量監視手段において、被写体に照射する光量と積分光量に差分が発生し、発光毎に光量ばらつきが生じるため閃光撮影の露出ばらつきとなる。【解決手段】閃光撮影用の発光量決定のために予め発光する予備発光の光量ずれを判定し補正を行うことで、閃光撮影の露出精度を向上する。予備発光に関する光量積分値と放電エネルギーである降下電圧値の基準値データを記憶しておき、予備発光時に基準データと比較し、適正値からずれていると判定した場合は撮影用の本発光に対して差分量補正を行う。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
閃光撮影の光量決定のために予備発光を被写体に照射する閃光撮影システムにおいて、
予備発光の基準となる基準積分ＡＤ値を記憶する手段（Ｓ６１０）と、
予備発光の基準となる基準降下電圧値を記憶する手段（Ｓ６１１）と、
予備発光時の積分ＡＤ値と基準積分ＡＤ値とを比較判定する第１の判定手段（Ｓ７０９）と、
予備発光時の降下電圧値と基準降下電圧値とを比較判定する第２の判定手段（Ｓ７１１）と、
第１と第２の判定手段によって閃光撮影時の光量を補正する補正手段（Ｓ７０９〜Ｓ７１３）を備えた、閃光撮影装置。
【請求項２】
前記第１の判定手段（Ｓ７０９）での差分量を閃光撮影時の光量として補正する（Ｓ７１３）、請求項１に記載の閃光撮影装置。
【請求項３】
前記第１の判定手段（Ｓ７０９）の判定結果と、前記第２の判定手段（Ｓ７１１）の判定結果から、予備発光時の降下電圧値の差分量を閃光撮影時の光量として補正する（Ｓ７１２〜Ｓ７１３）、請求項１に記載の閃光撮影装置。
【請求項４】
閃光撮影の光量決定のために予備発光を被写体に照射する閃光撮影システムにおいて、
予備発光用のコンデンサ（１２３）にて予備発光の放電を行う手段と、
予備発光での放電量を計測する電圧検出回路（１１１）手段と、
予備発光の基準となる基準積分ＡＤ値を記憶する手段（Ｓ６１０）と、
予備発光の基準となる基準降下電圧値を記憶する手段（Ｓ６１１）と、
予備発光時の積分ＡＤ値と基準積分ＡＤ値とを比較判定する第１の判定手段（Ｓ７０９）と、
予備発光時の降下電圧値と基準降下電圧値とを比較判定する第２の判定手段（Ｓ７１１）と、
第１と第２の判定手段によって閃光撮影時の光量を補正する補正手段（Ｓ７０９〜Ｓ７１３）を備えた、閃光撮影装置。
【請求項５】
前記第１の判定手段（Ｓ７０９）での差分量を閃光撮影時の光量として補正する（Ｓ７１３）、請求項４に記載の閃光撮影装置。
【請求項６】
前記第１の判定手段（Ｓ７０９）の判定結果と、前記第２の判定手段（Ｓ７１１）の判定結果から、予備発光時の降下電圧値の差分量を閃光撮影時の光量として補正する（Ｓ７１２〜Ｓ７１３）、請求項４に記載の閃光撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カメラに使用される閃光装置の発光制御方法であり、特に発光部に設けられた光量監視手段を使用し、被写体への予備発光制御を行い、その反射光から撮影本発光の発光量の決定を行うカメラシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラの閃光撮影において、撮影用の本発光前に予め設定された所定光量の予備発光を被写体に向けて照射し、その反射光量の輝度値より本発光の発光光量を決定して画像を取得する閃光調光システムがある（特許文献１）。
【０００３】
予備発光を基に撮影用本発光が決定される調光システムであるため、予備発光量に変動や差異があると撮影用本発光に影響を及ぼし、閃光撮影画像に露出変動が生じる。予備発光は決められた所定光量を安定して発光する条件が必要となる。よって従来は、閃光発光部近辺に光量監視手段を設け、発光量を積分値化して、予備発光時の所定光量と実際に光った発光量を対応付けて制御する手段を用いている。
【０００４】
図２は閃光発光部の概略構成を示す一例である。図２において、発光体となるキセノン管は光輝性アルミニウム合金で加工された反射傘内部に設置され、その反射光は前面に設置されたパネルを通して、カメラが撮影する略同等の被写体面を照射する。図中のパネルは透明性のあるアクリルで加工されており、フレネル状に成形されたパネル前面からキセノン管の発光光線を集光して所定の照射角度で閃光を照射する。
【０００５】
パネルには光ファイバーを挿入する筒状の穴が成形され、パネル前面に照射された光はパネル内部を光伝搬し、光ファイバーを経由して閃光制御部に光伝搬され、フォトダイオードＰＤで受光される。閃光制御部では受光した光を積分用コンデンサに蓄積することで、所定光量の到達判定が行われ、予備発光の発光停止制御を行う。予備発光の光量制御は、閃光発光部近辺に設けられた光量監視手段の光量積分値を基に発光制御が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２８３９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前途の如く、予備発光量監視制御を行う構成にて、被写体照射面となるパネル前面部には光量監視手段は設けられず、パネルの照射部から離れた位置での光量確認を行う構成となる。
【０００８】
その場合は、パネル前面の照射光量と光量監視部の光量が同一である前提条件が必要であるが、パネルを光伝搬部材として利用する光量監視部では光量検出位置の関係から必ずしも光量が同一ではない。
【０００９】
位置関係による光量差が一定であれば実際に発光した光量に補正を加えることで補えるが、光量監視部では近接したキセノン管自体の直接光も監視することとなり、照射面とは異なる発光毎のキセノン管光量ばらつきによる僅かなずれ量が発生する。
【００１０】
光量監視部でのずれ量は光伝搬された閃光制御部で積分値のずれ量となり、発光停止制御が誤判定し、撮影用本発光の光量に影響し、同一シーンの連続閃光撮影の露出ばらつきとなってしまう。
【００１１】
本発明では、光量監視手段で取得する光量の検証と光量ずれ補正を行う閃光制御手段を提案し、閃光撮影の精度向上を可能とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
閃光撮影の光量決定のために予備発光を被写体に照射する閃光撮影システムにおいて、
予備発光の基準となる基準積分ＡＤ値を記憶する手段（Ｓ６１０）と、
予備発光の基準となる基準降下電圧値を記憶する手段（Ｓ６１１）と、
予備発光時の積分ＡＤ値と基準積分ＡＤ値とを比較判定する第１の判定手段（Ｓ７０９）と、
予備発光時の降下電圧値と基準降下電圧値とを比較判定する第２の判定手段（Ｓ７１１）と、
第１と第２の判定手段によって閃光撮影時の光量を補正する補正手段（Ｓ７０９〜Ｓ７１３）を備えた、閃光撮影装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の閃光制御手段によれば、予備発光の光量監視手段の積分値と実際に発光した放電量を基に予備発光量を判定し、光量にずれ量があった場合は差分量として撮影用本発光に補正をかけることを可能とした。
【００１４】
これにより、予備発光の光量ばらつきを含んで誤判定した結果の本発光量ばらつきが未然に防げ、閃光撮影の露出精度が向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施例の閃光回路を含むシステム構成図
【図２】本実施例の閃光発光部の概略構成図
【図３】本実施例の閃光動作を示すタイミングチャート
【図４】本実施例の閃光時の積分ＡＤ状態を表す一例
【図５】本実施例の閃光時の充電電圧の降下状態を表す一例
【図６】本実施例の基準データ記憶動作のフローチャート
【図７】本実施例の閃光動作のフローチャート
【図８】本実施例２の閃光回路を含むシステム構成図
【図９】本実施例２の充電電圧の降下状態を表す一例
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に関わる、システム制御部と閃光制御部と閃光回路との関係を示す図である。図中１０１は、本実施例での閃光動作プログラムを行うシステム制御部であり、撮像装置全体およびカメラ動作制御もこのシステム制御部１０１で各部との通信を行い制御する。
【００１８】
システム制御部１０１は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、および内蔵メモリ、を有するマイクロコンピュータで構成される。被写体に照射された閃光を輝度値として取得する測光センサ１０２は、システム制御部１０１で通信制御される。電源が遮断されてもデータ記憶を継続可能な不揮発性メモリであるＥＥＰＲＯＭ１０３は、システム制御部１０１で通信制御され、後述する閃光発光に関わる基準データはこのＥＥＰＲＯＭ１０３で記憶される。
【００１９】
図中１０４は、本実施例での閃光回路の制御を行う閃光制御部であり、内部にはロジック制御回路とＡ／Ｄ変換回路と積分回路１０５で構成され、システム制御部１０１と相互通信し閃光発光制御を行う。積分回路１０５にはフォトダイオードＰＤ１０６が含まれ、発光した閃光は後述する光ファイバーを経由してＰＤ１０６で受光され、積分回路内部のコンデンサに蓄積されて、発光量を積分ＡＤ値として捉える。後述する実施例プログラムでの積分ＡＤ値はこの積分回路での取得結果であり、閃光制御部１０４からシステム制御部１０１へ情報伝達されＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶される。
【００２０】
図中１０７のＶＩＮと１０８のＧＮＤは閃光用の入力電源であり、本実施例では撮像装置に使用している電池電源（ＶＩＮとＧＮＤ間にＤＣ電源８Ｖ相当）を充電回路１０９で発光可能な電圧（例えば３３０Ｖ）に昇圧する。その際の充電制御は閃光制御部１０４の制御信号Chargeで行われ、充電回路１０９内部の昇圧トランスで昇圧される。
【００２１】
整流ダイオード１１０とコンデンサ１１２、および、整流ダイオード１１５とメインコンデンサ１１６にて、閃光発光可能な電圧３３０Ｖまで充電され、電圧検出回路１１１の検出結果により充電停止命令の制御と保持電圧制御を可能としている。
【００２２】
図中の電圧検出回路１１１ではコンデンサ１１２の電圧を検出しており、分圧抵抗１１３と１１４の抵抗値比率で低電圧化された電圧が閃光制御部１０４のVmc端子に入力される。
例えば、抵抗１１３は１ＭΩで抵抗１１４を１０ＫΩに設定すれば、その差１／１００倍の電圧値であるので、充電電圧３３０Ｖが３．３ＶとしてVmc端子に入力される。Vmc端子の内部回路はＡ／Ｄ変換回路で構成され、入力された電圧はＡ／Ｄ変換され、閃光制御部１０４とシステム制御部１０１と両方で判定可能である。
【００２３】
Vmc端子で充電電圧の変動が把握できるので、フル充電の電圧制御はCharge信号を制御することで可能である。また、後述する予備発光時の降下電圧取得は、この電圧検出回路１１１で得られた結果のVmc電圧値で判定される。メインコンデンサ１１６に充電された電圧は、発光回路１１７とキセノン管１１９に供給される。
【００２４】
発光回路１１７内部ではキセノン管１１９を励起するトリガ電圧を生成する高電圧発生回路を有し、ＩＧＢＴ１２０の発光開始命令と共にトリガ出力部１１８にトリガ電圧を発生させる。発光開始命令と発光停止命令の制御信号は閃光制御部１０４の制御信号IGBT on-offで行われ、キセノン管１１９は発光制御される。本実施例での光量監視手段として、発光部のパネルに照射された閃光光を光ファイバー１２１で閃光制御部１０４のフォトダイオードＰＤ１０６まで光伝達している。
【００２５】
図２は、本発明の実施形態に関わる閃光発光部の概略構成を示す図である。図２において、発光体となるキセノン管は光輝性アルミニウム合金で加工された反射傘内部に設置され、その反射光は前面に設置されたパネルを通して、カメラが撮影する略同等の被写体面を照射する。図中のパネルは透明性のあるアクリルで加工されており、パネル前面にフレネル状に成形された凹凸によりキセノン管の発光光線を集光して所定の照射角度で閃光を照射する。
【００２６】
パネルには光ファイバーを挿入する筒状の穴が成形され、パネル前面に照射された光はパネル内部を光伝搬し、光ファイバーを経由して、閃光制御部の積分回路フォトダイオードに光伝搬され受光される。閃光制御部の内部では、フォトダイオードで受光した光を積分用コンデンサに蓄積して積分ＡＤ値として変換され、所定光量の到達判定が行われる。
【００２７】
図３は、本発明の実施形態に関わる閃光制御システムのタイムチャートの一例を示す。IGBT on-offは、閃光回路のＩＧＢＴ１２０のゲート信号であり、onで発光開始となりoffで発光停止となる。発光量は、実際に発光した光量積分値を表し、予備発光と撮影本発光の一例を示す。積分ＡＤは、閃光制御部内部の積分回路で判定される積分ＡＤ値を示す。
充電電圧は、閃光回路の電圧検出回路のVmcを示す。
【００２８】
図３はシステム制御部１０１で閃光撮影動作を開始し充電され、フル充電に到達している状態である。閃光撮影開始のタイミングでIGBT on-offがon信号となり、ＩＧＢＴ１２０がオンされて予備発光を開始する。予備発光は予め決められた所定の発光量を被写体に向けて照射する。所定の発光量は閃光制御部１０４内部の積分回路で設定されており、予備発光の積分ＡＤ値（ADpre）に到達するまで発光を継続する。
【００２９】
予備発光の積分ＡＤ値（ADpre）に到達すれば、直ちにIGBT on-offがoff信号となり、ＩＧＢＴ１２０をオフする。ＩＧＢＴ１２０がオフした時点でもキセノン管１１９は発光が継続してしまい、発光量として僅かながら残光が発生する。この残光は、キセノン管内部のキセノンガスの状態や発熱状態やトリガ励起条件などの様々な条件により一定性が無く、発光の度に毎回異なる。予備発光は、この残光を含んだ発光量が被写体に照射され、その反射光を測光センサ１０２で測光し、所定のアルゴリズムにより本発光の発光量が決定される。
【００３０】
予備発光での放電量は充電電圧から算出でき、フル充電であるVmaxから予備発光で降下した電圧Vpreの差分量をエネルギー換算すればよい。例えば、｛（コンデンサ容量×(Vmax-Vpre)×(Vmax-Vpre)）÷２｝により予備発光で消費した放電量が求められる。
【００３１】
後述する閃光制御のプログラムでは、積分ＡＤ値と放電量から差分量を判定し、予備発光の降下電圧値から補正量を決定している。予備発光が終了すれば測光センサ１０２で被写体輝度を判定し、再びIGBT on-offを制御して撮影用本発光を行う。このときの本発光積分ＡＤ値は、予備発光の降下電圧により差分量補正された本発光ＡＤ値が目標到達光量となって発光制御される。本発光での発光量残光補正は、露出に合わせて発光量補正としてもよく、また、画像による露出補正を行ってもよい。本実施例では、本発光量を決定する露出に関わる予備発光量の補正を行うシステムとして提案する。
【００３２】
図４は、本発明の実施形態に関わる予備発光時の積分ＡＤ値の詳細の一例を示す。図中グラフは、縦軸に積分ＡＤ値、横軸に経過時間を表す。IGBT_onの発光開始とともに積分回路１０５に受光された光量は積分ＡＤ値として上昇し、予備発光の目標ＡＤ値まで上昇したら直ちにIGBT_offによって発光停止となる。
【００３３】
前途したように、発光部に設けた光量監視手段の光量情報にずれ量が発生すると、図のように適正な時間に対して目標ＡＤ値に到達する時間にずれ量が発生し、発光停止命令のタイミングがずれて発光量の光量ばらつきとなる。この場合は、到達した積分ＡＤ値は適正値でありながら実際の発光量にずれが生じる結果となる。よって、後述する閃光動作モードの光量適正ずれ判定では、積分ＡＤ値が適正であっても放電量の適正値判定を加えて補正判断を行う。
【００３４】
図５は、本発明の実施形態に関わる予備発光の降下電圧の詳細の一例を示す。図中グラフは、縦軸に充電電圧、横軸に経過時間を表す。図３で説明したように、充電電圧は予備発光時に発光した光量と同一の使用したエネルギー放電量となる降下電圧を示す。
【００３５】
図のように、予備発光降下電圧の適正値に対して、降下電圧が低いときは放電量が少ないため発光量が少ない場合であり、降下電圧が高いときは放電量が多いため発光量が多い場合である。予備発光の充電電圧からの光量ずれ量判定は、発光時のフル充電から降下電圧までを放電エネルギーとして換算し、その放電量を発光光量として判断する。
【００３６】
図６は、本実施例カメラでの閃光動作に使用する基準データの取得と記憶を表す、基準値データ記憶動作のフローチャートの一例を示す。カメラは事前に基準データを記憶してあり、発光時に基準データと比較することで光量のずれ分量を判定する。
【００３７】
Ｓ６０１はシステム制御部１０１と閃光制御部１０４が起動している状態で、基準値データ記憶動作を開始する。
【００３８】
Ｓ６０２では閃光回路のメインコンデンサ１１６に充電を開始する。
【００３９】
Ｓ６０３では発光条件に合った所定の充電電圧（フル充電）判定を行い、フル充電電圧に未達であれば充電を継続し、フル充電になればＳ６０４に移行する。
【００４０】
Ｓ６０４では全エネルギーを放電するフル発光を行い、Ｓ６０５では積分回路１０５での積分ＡＤ値を取得し、フル発光積分値ADmaxをＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶する。
【００４１】
Ｓ６０６では再度充電を行い、Ｓ６０７では再度フル充電電圧の判定確認を行い、フル充電電圧に未達であれば充電を継続し、フル充電になればＳ６０８に移行する。
【００４２】
Ｓ６０８ではフル充電時の電圧Vmax値を取得し、フル充電電圧VmaxをＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶する。
【００４３】
Ｓ６０９では所定光量の予備発光を行い、Ｓ６１０では積分回路１０５で予備発光の積分ＡＤ値を取得し、予備発光積分値ADpreをＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶する。
【００４４】
Ｓ６１１では予備発光での降下電圧Vpre値を取得し、予備発光降下電圧VpreをＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶する。
【００４５】
Ｓ６１２ではＳ６０８で取得したフル充電電圧値VmaxとＳ６１１で取得した予備発光降下電圧Vpreの差分量をΔVPRE＝Vmax−Vpreで算出し、ΔVPREとしてＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶する。
【００４６】
ΔVPREは予備発光で使用する発光エネルギーの基準値であり、後述する閃光撮影動作時の予備発光時の放電エネルギーと比較される。
【００４７】
図６の基準値データ記憶動作フローチャートでは、予備発光したときの光量積分値と放電する電圧値とを基準値として記憶する。また、基準値となる各データは基本設定値としてＥＥＰＲＯＭ１０３に記憶されており、システム制御部１０１がデータ読み出しと更新を可能としている。
【００４８】
図７は、本実施例カメラでの閃光動作モードのフローチャートの一例を示す。図７での実施例は、図６で説明した積分ＡＤ値と充電電圧値のデータ記憶が行われている場合の閃光動作モードフローを示している。
【００４９】
閃光撮影を行う場合はＳ７０１から開始し、閃光制御部１０４が起動する。
【００５０】
Ｓ７０２では、閃光回路のメインコンデンサ１１６に充電を開始する。
【００５１】
Ｓ７０３では、発光条件に合った所定の充電電圧（フル充電）判定を行い、フル充電電圧に未達であれば充電を継続し、フル充電になればＳ７０４に移行する。
【００５２】
Ｓ７０４ではフル充電状態での発光待機を行い、システム制御部１０１で閃光撮影開始の発動によりＳ７０５の発光開始命令を閃光制御部１０４が受ける。
【００５３】
Ｓ７０６では予備発光開始前のフル充電電圧Vmax値を取得し、後述する降下電圧差分量判定の演算数値とする。
【００５４】
Ｓ７０７では被写体に向けて所定光量の予備発光を行う。
【００５５】
Ｓ７０８では予備発光での積分回路１０５での積分ＡＤ値を取得し、予備発光積分値ADpreを取得する。
【００５６】
Ｓ７０９ではＳ７０８での予備発光積分値ADpreとＳ６１０で記憶した基準値ADpreとの差を判定し、基準値との差が大きい場合はＳ７１３へ移行し、その差分量を本発光に補正する。
【００５７】
Ｓ７０９で予備発光積分値ADpre結果と基準値ADpreとの差が小さい場合は、Ｓ７１０に移行し、予備発光降下電圧Vpre値を取得する。
【００５８】
Ｓ７１１では、Ｓ７０６で取得したフル充電電圧VmaxからＳ７１０で取得した予備発光降下電圧Vpreを減算した結果と、Ｓ６１２で記憶した基準値ΔVPREとを比較する。
【００５９】
Ｓ７１１で基準値ΔVPREとの差が小さい場合は、予備発光の放電エネルギーは基準値相当であると判定し、Ｓ７１４へ移行し、本発光に対して補正をかけない処理とする。
【００６０】
Ｓ７１１で基準値ΔVPREとの差が大きい場合は、Ｓ７１２へ移行する。
【００６１】
Ｓ７１２では、予備発光積分値ADpre結果と予備発光降下電圧値Vpre結果の差分量を検証し、差分が正しい場合は適正結果として判定し、Ｓ７１４へ移行し、本発光に対して補正をかけない処理とする。
【００６２】
Ｓ７１２で予備発光積分値ADpre結果と予備発光降下電圧値Vpre結果の差分量が適正値よりずれていたら、Ｓ７１３へ移行し、その差分量を本発光に補正する。
【００６３】
Ｓ７１３での本発光量に対する差分量補正は、Ｓ７０９判定では積分ＡＤ値から求められる光量の補正であり、Ｓ７１２判定では降下電圧のずれ量をエネルギー換算した補正が行われる。
【００６４】
Ｓ７１４では、被写体に照射した予備発光の反射光を測光センサ１０２で受光し、閃光発光用の測光アルゴリズム演算にて本発光量が設定される。
【００６５】
その際は、本発光量に対して補正が行われた結果で本発光量が決定され、閃光撮影が行われる。
【００６６】
図７の閃光動作モードでは、予備発光時の積分ＡＤ値の基準値とのずれ量を判定し補正をかける手段と、予備発光時の降下電圧値の基準値とのずれ量を判定し補正をかける手段を可能としている。
【００６７】
以上説明したように、実施例１の構成により、閃光撮影の発光量を決定する予備発光の光量に変動があっても撮影本発光に対して補正を行える閃光システムを可能としている。これにより同一シーンの連続閃光撮影において、露出変動を抑制する効果がある。
【実施例２】
【００６８】
図８は、本発明の実施形態に関わる、システム制御部と閃光制御部と閃光回路との関係を示す図である。図１の構成図内容に、予備発光用のコンデンサ１２３を追加し、メインコンデンサ１１６と分離して発光切換えを行う構成にしている。図中、整流ダイオード１２２を経由して予備発光用コンデンサ１２３は充電され、その充電電圧は、電圧検出回路１１１で計測される。
【００６９】
予備発光用コンデンサ１２３のコンデンサ容量は予備発光で使用される発光量に合わせて設定されており、メインコンデンサ１１６より少ないコンデンサ容量となっている。電圧検出回路１１１は、予備発光用コンデンサ１２３の降下電圧Vmcを検出する。予備発光と本発光の発光切換えは、発光回路１１７内部に発光コンデンサ切換え部１２４を付加し、予備発光と本発光のタイミングで放電するコンデンサを切り換える回路を設けている。
【００７０】
発光切換えはシステム制御部１０１からの命令で行われ、プログラム動作は図６図７で説明した内容で閃光発光制御を行う。メインコンデンサ容量は閃光照射の発光エネルギーに合わせて容量設定されているので、全放電エネルギーの中で予備発光の放電量の割合は僅かな結果となる。
【００７１】
実施例１では共通のコンデンサで予備発光と本発光の放電量を検出する手段を説明したが、図８の構成では発光に合わせたコンデンサ放電を行う構成としている。これは、フル充電から予備発光の降下電圧を取得する場合において、降下電圧量の変位量が大きい数値であるほど放電量の変位量を精度よく検出できる構成となっている。例えば、メインコンデンサ１１６のフル充電発光量に対して予備発光の所定光量を１０％で設定した場合は、予備発光用コンデンサ１２３はメインコンデンサ１１６の容量比１０％で設定可能である。
【００７２】
具体的には、メインコンデンサ１１６の容量を仮に３００μＦとした場合、予備発光用コンデンサ１２３の容量は３０μＦで所定光量が発光可能である。予備発光に合わせたコンデンサの放電は予備発光エネルギーに対する全エネルギーの放電となるので、図９のように降下電圧の比率も大きくなる。
【００７３】
図９では図５と同様に、縦軸に充電電圧、横軸に経過時間を表しており、予備発光用コンデンサ１２３の降下電圧状態を表している。図９の降下電圧値Vmcの変位量は、予備発光用コンデンサ１２３の放電状態に合わせて大きくなるので、降下電圧の適正値のずれ判定と補正量の数値判定に優位となり精度向上となる。
【００７４】
以上説明したように、実施例２では予備発光用コンデンサ１２３の降下電圧のみを計測する構成としたことで、Vmc端子に入力される電圧は予備発光のみの放電量を計測する電圧判定が行える。これにより、予備発光時の降下電圧による放電量判定が精度向上し、適正値のずれ量と光量補正量の数値信頼度が向上する。
【符号の説明】
【００７５】
１０１：システム制御部
１０２：測光センサ
１０３：ＥＥＰＲＯＭ
１０４：閃光制御部
１０５：積分回路
１０６：ＰＤ（フォトダイオード）
１１１：電圧検出回路
１１６：メインコンデンサ
１１９：キセノン管
１２０：ＩＧＢＴ
１２１：光ファイバー
１２３：予備発光用コンデンサ
１２４：発光コンデンサ切換え部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2019045695.tif 000005
【図４】
2019045695.tif 000006
【図５】
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【図６】
2019045695.tif 000008
【図７】
2019045695.tif 000009
【図８】
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【図９】
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