(57)【要約】【課題】基板の一面に処理膜を適切に形成することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００においては、密着強化処理ユニット、全面露光処理ユニットおよび塗布処理ユニットに基板が搬送される。密着強化処理ユニットにおいて、基板の一面に有機材料からなる密着強化剤を供給される。続いて、全面露光処理ユニットにおいて、基板の一面に紫外線が照射される、その後、塗布処理ユニットにおいて、基板の一面に処理液が供給されることにより処置膜が形成される。【選択図】図１１
2019047040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面に有機材料からなる密着強化剤を供給する密着強化部と、
前記密着強化部により前記密着強化剤が供給された基板の前記一面に紫外線を照射する照射部と、
前記照射部により紫外線が照射された基板の前記一面に処理液を供給することにより基板の前記一面に処理膜を形成する成膜部とを備えた、基板処理装置。
【請求項２】
前記有機材料は、ヘキサメチルジシラザンを含む、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記密着強化部は、基板の前記一面上のヒドロキシ基がトリメチルシロキシ基に変化するように前記密着強化剤を基板の前記一面に供給し、
前記照射部は、基板の前記一面上のトリメチルシロキシ基がヒドロキシ基とヘキサメチルジロキサンとに分離するように、基板の前記一面に紫外線を照射する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液は、感光性材料を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記照射部は、基板の前記一面における前記処理液に対する接触角が予め定められた値以下となるように、紫外線の照射量を調整する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記照射部により紫外線が照射された後であって前記成膜部により前記処理膜が形成される前の基板を冷却する冷却部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記密着強化部は、基板が載置される載置部を含み、
基板を保持しつつ前記載置部上に基板を受け渡すための受け渡し位置と前記受け渡し位置から離れた外部位置との間で移動可能に設けられた搬送部をさらに備え、
前記密着強化部は、前記載置部に載置される基板に密着強化剤を供給し、
前記照射部は、前記搬送部が基板を保持して前記受け渡し位置から前記外部位置に移動する際に前記搬送部により保持される基板に紫外線を照射する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板の一面に有機材料からなる密着強化剤を供給するステップと、
前記密着強化部により前記密着強化剤が供給された基板の前記一面に紫外線を照射するステップと、
前記照射部により紫外線が照射された基板の前記一面に処理液を供給することにより基板の前記一面に処理膜を形成するステップとを含む、基板処理方法。
【請求項９】
前記有機材料は、ヘキサメチルジシラザンを含む、請求項８記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記密着強化剤を供給するステップは、基板の前記一面上のヒドロキシ基をトリメチルシロキシ基に変化させることを含み、
前記紫外線を照射するステップは、基板の前記一面上のトリメチルシロキシ基をヒドロキシ基とヘキサメチルジロキサンとに分離させることを含む、請求項８または９記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記処理液は、感光性材料を含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記紫外線を照射するステップは、基板の前記一面における前記処理液に対する接触角が予め定められた値以下となるように、紫外線の照射量を調整することを含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記紫外線を照射するステップの後であって前記処理膜を形成するステップの前に基板を冷却するステップをさらに含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板の被処理面上にレジスト液が塗布されることにより、基板の被処理面上にレジスト膜が形成される。この場合、基板の被処理面の親水性が高い状態でレジスト膜が形成されると、基板の被処理面とレジスト膜との密着性が低くなる。そのため、基板の被処理面からレジスト膜が剥離する可能性がある。そこで、レジスト膜の形成前に、基板の被処理面にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）等の密着強化剤が供給されることにより、基板の被処理面の疎水性が高められる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−９３９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、基板の被処理面の疎水性が高いと、レジスト液の塗布時に、被処理面上でレジスト液が凝集しやすい。そのため、レジスト液の種類によっては、被処理面の所望の領域を覆うようにレジスト液を塗布することができない場合がある。その結果、レジスト膜を適切に形成することができず、処理不良が発生する。
【０００５】
本発明の目的は、基板の一面に処理膜を適切に形成することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板の一面に有機材料からなる密着強化剤を供給する密着強化部と、密着強化部により密着強化剤が供給された基板の一面に紫外線を照射する照射部と、照射部により紫外線が照射された基板の一面に処理液を供給することにより基板の一面に処理膜を形成する成膜部とを備える。
【０００７】
この基板処理装置においては、密着強化剤の供給によって基板の一面の疎水性が高められた後、紫外線の照射により基板の一面の疎水性が調整される。それにより、基板に一面に処理液が塗布される際に、基板の一面における処理液に対する接触角が適切な範囲に制御される。それにより、基板の一面の所望の領域に適切に処理液を塗布することができかつ基板の一面と処理膜との密着性を確保することができる。したがって、基板の一面に処理膜を適切に形成することができる。
【０００８】
（２）有機材料は、ヘキサメチルジシラザンを含んでもよい。この場合、コストの増大を抑制しつつ基板の一面の疎水性を高めることができる。
【０００９】
（３）密着強化部は、基板の一面上のヒドロキシ基がトリメチルシロキシ基に変化するように密着強化剤を基板の一面に供給し、照射部は、基板の一面上のトリメチルシロキシ基がヒドロキシ基とヘキサメチルジロキサンとに分離するように、基板の一面に紫外線を照射してもよい。この場合、基板の一面の疎水性を適切に調整することができる。
【００１０】
（４）処理液は、感光性材料を含んでもよい。この場合、基板の一面に感光性材料からなる感光性膜を適切に形成することができる。
【００１１】
（５）照射部は、基板の一面における処理液に対する接触角が予め定められた値以下となるように、紫外線の照射量を調整してもよい。この場合、基板の一面上に処理液を適切に塗布することができるように、基板の一面の疎水性を所望の度合いに調整することができる。
【００１２】
（６）基板処理装置は、照射部により紫外線が照射された後であって成膜部により処理膜が形成される前の基板を冷却する冷却部をさらに備えてもよい。この場合、基板の温度を処理膜の形成に適した温度に調整することができる。それにより、より良好に処理膜を形成することができる。
【００１３】
（７）密着強化部は、基板が載置される載置部を含み、基板処理装置は、基板を保持しつつ載置部上に基板を受け渡すための受け渡し位置と受け渡し位置から離れた外部位置との間で移動可能に設けられた搬送部をさらに備え、密着強化部は、載置部に載置される基板に密着強化剤を供給し、照射部は、搬送部が基板を保持して受け渡し位置から外部位置に移動する際に搬送部により保持される基板に紫外線を照射してもよい。
【００１４】
この場合、載置部に載置された基板に密着強化剤が供給され、載置部から搬送される基板に紫外線が照射される。それにより、基板に対する密着強化剤の供給および紫外線の照射を効率良く行うことができ、スループットを向上させることができる。
【００１５】
（８）第２の発明に係る基板処理方法は、基板の一面に有機材料からなる密着強化剤を供給するステップと、密着強化部により密着強化剤が供給された基板の一面に紫外線を照射するステップと、照射部により紫外線が照射された基板の一面に処理液を供給することにより基板の一面に処理膜を形成するステップとを含む。
【００１６】
この基板処理方法によれば、密着強化剤の供給によって基板の一面の疎水性が高められた後、紫外線の照射により基板の一面の疎水性が調整される。それにより、基板に一面に処理液が塗布される際に、基板の一面における処理液に対する接触角が適切な範囲に制御される。それにより、基板の一面の所望の領域に適切に処理液を塗布することができかつ基板の一面と処理膜との密着性を確保することができる。したがって、基板の一面に処理膜を適切に形成することができる。
【００１７】
（９）有機材料は、ヘキサメチルジシラザンを含んでもよい。この場合、コストの増大を抑制しつつ基板の一面の疎水性を高めることができる。
【００１８】
（１０）密着強化剤を供給するステップは、基板の一面上のヒドロキシ基をトリメチルシロキシ基に変化させることを含み、紫外線を照射するステップは、基板の一面上のトリメチルシロキシ基をヒドロキシ基とヘキサメチルジロキサンとに分離させることを含んでもよい。この場合、基板の一面の疎水性を適切に調整することができる。
【００１９】
（１１）処理液は、感光性材料を含んでもよい。この場合、基板の一面に感光性材料からなる感光性膜を適切に形成することができる。
【００２０】
（１２）紫外線を照射するステップは、基板の一面における処理液に対する接触角が予め定められた値以下となるように、紫外線の照射量を調整することを含んでもよい。この場合、基板の一面上に処理液を適切に塗布することができるように、基板の一面の疎水性を所望の度合いに調整することができる。
【００２１】
（１３）基板処理方法は、紫外線を照射するステップの後であって処理膜を形成するステップの前に基板を冷却するステップをさらに含んでもよい。この場合、基板の温度を処理膜の形成に適した温度に調整することができる。それにより、より良好に処理膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板の一面に処理膜を適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部，および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】主として図１の搬送部を示す模式的側面図である。
【図５】密着強化処理および全面露光処理による基板の被処理面の疎水性の変化について説明するための図である。
【図６】密着強化処理ユニットの具体的な構成例を示す模式的断面図である。
【図７】全面露光処理ユニットの具体的な構成例を示す外観斜視図である。
【図８】全面露光処理ユニットの具体的な構成例を示す模式的側面図である。
【図９】基板処理装置の制御系の構成例について説明するための図である。
【図１０】図９の各制御部の動作を示すフローチャートである。
【図１１】疎水性調整ユニットの構成例を示す模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板または太陽電池用基板等をいう。
【００２５】
［１］基板処理装置に構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の図面には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００２６】
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。本例の露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００２７】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、主制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。主制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。
【００２８】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。
【００２９】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００３０】
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には、現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１３９が設けられる。
【００３１】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。
【００３２】
塗布処理ユニット１２９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動され、その処理液ノズル２８から処理液が吐出される。本例では、処理液として感光性材料からなるレジスト液が用いられる。基板Ｗの被処理面にレジスト液が塗布されることにより、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【００３３】
現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００３４】
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【００３５】
洗浄乾燥処理部１６１には、洗浄乾燥処理室８１，８２，８３，８４が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室８１〜８４の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００３６】
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図３に示すように、熱処理部１２３は、上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の加熱ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび全面露光処理ユニットＯＷＥが設けられる。
【００３７】
加熱ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＡＨＰにおいては、基板Ｗに密着強化処理が行われる。全面露光処理ユニットＯＷＥにおいては、基板Ｗに全面露光処理が行われる。密着強化処理および全面露光処理の詳細については後述する。
【００３８】
熱処理部１３３は、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【００３９】
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる加熱ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００４０】
洗浄乾燥処理部１６２には、洗浄乾燥処理室９１，９２，９３，９４，９５が階層的に設けられる。洗浄乾燥処理室９１〜９５の各々には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００４１】
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す模式的側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構（搬送ロボット）１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１，Ｈ２を有する。搬送機構１１５は、ハンドＨ１，Ｈ２により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００４２】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００４３】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００４４】
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００４５】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＡＨＰ（図３）、全面露光処理ユニットＯＷＥ（図３）および冷却ユニットＣＰ（図３）に順に搬送し、さらにその基板Ｗを塗布処理室２１，２２（図２）のいずれかに搬送する。また、搬送機構１２７は、塗布処理室２１または塗布処理室２２によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、加熱ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００４６】
この場合、密着強化処理ユニットＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、全面露光処理ユニットＯＷＥにおいて、基板Ｗに全面露光処理が行われる。続いて、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却された後、塗布処理室２１，２２のいずれかにおいて、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００４７】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。
【００４８】
搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＡＨＰ（図３）、全面露光処理ユニットＯＷＥ（図３）および冷却ユニットＣＰ（図３）に順に搬送し、さらにその基板Ｗを塗布処理室２３，２４（図２）のいずれかに搬送する。また、搬送機構１２８は、塗布処理室２３または塗布処理室２４によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、加熱ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。
【００４９】
また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００５０】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われた後、その基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【００５１】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する加熱ユニットＰＨＰ（図３）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）に搬送した後に現像処理室３１，３２（図２）のいずれかに搬送し、さらにその基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００５２】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１または現像処理室３２において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００５３】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する加熱ユニットＰＨＰ（図３）から露光装置１５による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）に搬送した後に現像処理室３３，３４（図２）のいずれかに搬送し、さらにその基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２（図２）および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００５４】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）に搬送する。続いて、搬送機構１４１は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００５５】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送する。また、搬送機構１４２は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の加熱ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の加熱ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、加熱ユニットＰＨＰにおいて、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００５６】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００５７】
［２］密着強化処理および全面露光処理
上記のように、本実施の形態では、密着強化処理ユニットＡＨＰにおいて基板Ｗに密着強化処理が行われた後、全面露光処理ユニットＯＷＥにおいて基板Ｗの全面露光処理が行われる。その後、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗの被処理面上にレジスト膜が形成される。
【００５８】
密着強化処理では、基板Ｗの被処理面に有機材料からなる密着強化剤が供給される。有機材料としては、例えばＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が用いられる。この場合、基板Ｗの被処理面の疎水性が高まることにより、基板Ｗの被処理面とレジスト膜との密着性が高まる。
【００５９】
一方、レジスト膜を適切に形成するためには、基板Ｗの被処理面の所望の領域（例えば被処理面の全体）を覆うようにレジスト液を塗布する必要がある。しかしながら、基板Ｗの被処理面の疎水性が高いほど、被処理面におけるレジスト液に対する接触角が大きくなる。レジスト液に対する接触角が大きすぎると、被処理面上でレジスト液が凝集することにより、レジスト液が塗布されるべき被処理面の部分にレジスト液が塗布されない現象（以下、塗布欠けと呼ぶ。）が生じることがある。特に、高い凝集性を有するレジスト液が用いられる場合に、このような塗布欠けが生じやすい。その場合、被処理面にレジスト膜を適切に形成することができない。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、密着強化処理後であってレジスト液の塗布前に、全面露光処理が行われる。全面露光処理では、基板Ｗの被処理面の全体に紫外線が照射される。これにより、基板Ｗの被処理面の疎水性を調整することができる。
【００６１】
紫外線の照射によって基板Ｗの被処理面の疎水性が低下する理由は、次のように考えられる。図５は、密着強化処理および全面露光処理による基板Ｗの被処理面の疎水性の変化について説明するための図である。
【００６２】
図５（ａ）には、ＨＭＤＳの化学式が示される。図５（ｂ）には、密着強化処理による基板Ｗの被処理面上での化学的変化が示される。図５（ｃ）には、全面露光処理による基板Ｗの被処理面上での化学的変化が示される。本例において、基板Ｗは半導体基板である。
【００６３】
図５（ｂ）に示すように、密着強化処理前の基板Ｗの被処理面には多数のヒドロキシル基（−ＯＨ）が存在する。密着強化処理によって基板Ｗの被処理面にＨＭＤＳが供給されると、ＨＭＤＳが一部のヒドロキシル基（−ＯＨ）と反応する。それにより、ヒドロキシル基（−ＯＨ）がトリメチルシロキシ基（−ＯＳｉ（ＣＨ３）３）に変化する。その結果、基板Ｗの被処理面の疎水性が高まる。
【００６４】
図５（ｃ）に示すように、全面露光処理によって基板Ｗの被処理面に紫外線が照射されると、雰囲気中の水蒸気（Ｈ２Ｏ）が一部のトリメチルシロキシ基（−ＯＳｉ（ＣＨ３）３）と反応する。それにより、トリメチルシロキシ基（−ＯＳｉ（ＣＨ３）３）がヒドロキシル基（−ＯＨ）とヘキサメチルジロキサン（Ｏ［Ｓｉ（ＣＨ３）３］２）とに分離する。これにより、基板Ｗの被処理面の疎水性が低下する。
【００６５】
密着強化処理では、密着強化剤の供給量がわずかであっても、基板Ｗの被処理面の疎水性は急激に高くなる。そのため、密着強化処理時に基板Ｗの被処理面の疎水性を所望の度合いに調整することは極めて難しい。一方、全面露光処理では、基板Ｗの被処理面への紫外線の照射量（被処理面の露光量）に依存して、基板Ｗの被処理面の疎水性が低下する。したがって、紫外線の照射量を調整することにより、基板Ｗの被処理面の疎水性を所望の度合いに調整することができる。この場合、基板Ｗの被処理面におけるレジスト液に対する接触角が予め定められた範囲となるように、紫外線の照射量が調整されることが好ましい。
【００６６】
発明者は、密着強化処理のみを行った場合と密着強化処理および全面露光処理の両方を行った場合との各々において、基板Ｗの被処理面の疎水性の変化を調べた。ここでは、簡易的に、ベアウエハの被処理面における純水に対する接触角を計測した。その結果、密着強化処理のみを行った場合には、ベアウエハの被処理面における純水に対する接触角の平均値が約６３度であった。一方、密着強化処理後にベアウエハの被処理面の露光量が１００ｍＪとなるように全面露光処理を行った場合、純水に対する接触角の平均値が約４７度であった。また、密着強化処理後にベアウエハの被処理面の露光量が３００ｍＪとなるように全面露光処理を行った場合、純水に対する接触角の平均値が約３１度であった。
【００６７】
このように、密着強化処理後に全面露光処理を行うことにより、ベアウエハの被処理面における純水に対する接触角を低下させることができた。また、紫外線の照射量を調整することにより、ベアウエハの被処理面における純水に対する接触角を調整することができた。これらの結果から、密着強化処理後に全面露光処理を行うことにより、基板Ｗの被処理面の疎水化を抑制することができることがわかった。また、紫外線の照射量を調整することにより、基板Ｗの被処理面の疎水性を調整することができることがわかった。ベアウエハと純水との関係は基板Ｗとレジスト液との関係と同様であるので、密着強化処理後に全面露光処理を行うことにより、基板Ｗの被処理面におけるレジスト液に対する接触角を制御可能であることがわかった。
【００６８】
［３］密着強化処理ユニット
図６は、密着強化処理ユニットＡＨＰの具体的な構成例を示す模式的断面図である。図６の密着強化処理ユニットＡＨＰは、プレート２０５、カバー２０７、カバー昇降機構２０９、複数の支持ピン２４３および支持ピン昇降機構２４７を備える。
【００６９】
プレート２０５の上面には、複数（例えば３つ）のプロキシミティボール２４１が設けられる。複数のプロキシミティボール２４１上に、基板Ｗが水平姿勢で載置される。カバー２０７は、プレート２０５上の基板Ｗの上方を覆うように設けられる。カバー２０７は、カバー昇降機構２０９に接続されている。カバー昇降機構２０９は、例えばエアシリンダであり、カバー２０７を上方位置と下方位置との間で昇降させる。図６においては、カバー２０７が下方位置にある。カバー２０７が下方位置にあるときに、カバー２０７とプレート２０５との間に気密な処理空間ＰＳを形成される。
【００７０】
カバー２０７には、ガス流路２１３が設けられる。ガス流路２１３には、ガス供給管２６１の一端が接続される。ガス供給管２６１の他端は、処理ガスおよび不活性ガスを選択的に供給可能なガス供給部（図示せず）が接続される。処理ガスは、密着強化剤を含む。不活性ガスは、例えば窒素ガスである。
【００７１】
プレート２０５を上下方向に貫通するように、複数（例えば３つ）の貫通孔２４５が設けられる。複数（例えば３つ）の支持ピン２４３は、それぞれプレート２０５の貫通孔２４５に挿入される。プレート２０５の下方において、各支持ピン２４３の下端部が、支持ピン昇降機構２４７に接続されている。支持ピン昇降機構２４７は、複数の支持ピン２４３を昇降させる。各支持ピン２４３の上端部には、円板上の封止部２４３ａが取り付けられている。プレート２０５の各貫通孔２４５の上端部には、封止部２４３ａを収容可能な凹部２４５ａが形成されている。封止部２４３ａが凹部２４５ａの底面と密着することにより、処理空間ＰＳの気密性が確保される。
【００７２】
プレート２０５の内部には、基板Ｗの温度を調整する温調部２４９が設けられている。温調部２４９は、例えばヒータである。温調部２４９は、プレート２０５の温度を調整することにより、プレート２０５に載置された基板Ｗに熱処理を施す。
【００７３】
プレート２０５には、基板Ｗが載置される領域の外方で周方向に延びるように、排気スリット２５１が形成されている。また、排気スリット２５１にそれぞれ連通するように複数の排気ポート２５３が形成されている。複数の排気ポート２５３には、排気管２５５が接続されている。排気管２５５には、ポンプ２５６が介挿される。ポンプ２５６によって処理空間ＰＳ内の気体が排気管２５５を通して密着強化処理ユニットＡＨＰから排出される。これにより、処理空間ＰＳが減圧される。
【００７４】
図６を参照しながら密着強化処理ユニットＡＨＰにおける密着強化処理について説明する。ここでは、図３の上段熱処理部３０１に設けられる密着強化処理ユニットＡＨＰの動作を説明する。
【００７５】
まず、カバー２０７が上方位置にある状態で、図４の搬送機構１２７がプレート５の上方に基板Ｗを搬送する。複数の支持ピン２４３が上昇することにより、搬送機構１２７から複数の支持ピン２４３に基板が渡される。支持ピン２４３が下降すると、複数のプロキシミティボール２４１上に基板Ｗが載置される。
【００７６】
カバー２０７が下方位置に移動することによって気密な処理空間ＰＳが形成された後、ポンプ２５６が処理空間ＰＳから気体を排出する。これにより、処理空間ＰＳが減圧される。また、温調部２４９によってプレート２０５上の基板Ｗの温度が調整される。
【００７７】
その状態で、ガス供給管２６１およびガス流路２１３を通して処理空間ＰＳに処理ガスが供給される。これにより、基板Ｗの被処理面に密着強化剤が塗布される。基板Ｗの外方に流れた処理ガスは、排気管２５５を通して密着強化処理ユニットＡＨＰから排出される。続いて、ガス供給管２６１およびガス流路２１３を通して処理空間ＰＳに不活性ガスが供給される。これにより、処理空間ＰＳ内の処理ガスが不活性ガスで置換される。
【００７８】
その後、ポンプ２５６の動作が停止され、カバー２０７が上方位置に移動する。また、複数の支持ピン２４３が上昇することにより、基板Ｗが複数のプロキシミティボール２４１から複数の支持ピン２４３に渡される。図４の搬送機構１２７は、複数の支持ピン２４３から基板Ｗを受け取り、密着強化処理ユニットＡＨＰから搬出する。
【００７９】
［４］全面露光処理ユニット
図７および図８は、全面露光処理ユニットＯＷＥの具体的な構成例を示す外観斜視図および模式的側面図である。図７に示すように、全面露光処理ユニットＯＷＥは、光出射部３００、基板移動部４００および搬入搬出部５００を備える。基板移動部４００は略直方体形状を有するケーシング４１０を含む。以下の説明においては、図７に矢印で示すように、水平面に平行でかつケーシング４１０の一面から他面に向かう方向を前方と呼び、水平面に平行でかつケーシング４１０の他面から一面に向かう方向を後方と呼ぶ。また、水平面に平行でかつ前方および後方と直交する方向を幅方向と呼ぶ。
【００８０】
光出射部３００は、幅方向に延びるように設けられ、ケーシング４１０の中央上部に取り付けられる。光出射部３００の後方に搬入搬出部５００が設けられる。搬入搬出部５００は、蓋部材５１０、蓋駆動部５９０、支持板５９１を含む。支持板５９１は、ケーシング４１０に水平姿勢で固定される。支持板５９１の下面に蓋駆動部５９０が取り付けられる。蓋駆動部５９０の下方に蓋部材５１０が設けられる。ケーシング４１０の後部の上面には開口部４１２が形成されている。蓋駆動部５９０は、蓋部材５１０を上下方向に移動させる。それにより、開口部４１２が閉塞されまたは開放される。
【００８１】
図８に示すように、光出射部３００は、ケーシング３１０、紫外線ランプ３２０および不活性ガス供給部３３０を含む。図８において、ケーシング３１０は一点鎖線で示される。ケーシング３１０内に、紫外線ランプ３２０および不活性ガス供給部３３０が収容される。
【００８２】
紫外線ランプ３２０および不活性ガス供給部３３０は、それぞれ幅方向に延びるように設けられる。本例では、紫外線ランプ３２０として、波長１７２ｎｍの真空紫外線を発生するキセノンエキシマランプが用いられる。なお、紫外線ランプ３２０は、波長２３０ｎｍ以下の真空紫外線を発生するランプであればよく、キセノンエキシマランプに代えて他のエキシマランプまたは重水素ランプ等が用いられてもよい。
【００８３】
紫外線ランプ３２０の下面に出射面３２１が形成されている。紫外線ランプ３２０の点灯時には、出射面３２１から下方に向かって真空紫外線が出射される。紫外線ランプ３２０から出射される真空紫外線は、進行方向（本例では上下方向）に直交する帯状の断面を有する。
【００８４】
不活性ガス供給部３３０には、下方に向けて複数の噴射孔（図示せず）が形成されている。基板Ｗの露光処理時に、不活性ガス供給部３３０は、複数の噴射孔を通して下方に向けて不活性ガスを噴射する。これにより、紫外線ランプ３２０の出射面３２１と基板Ｗとの間の空間における酸素濃度を低下させることができる。したがって、基板Ｗに照射される真空紫外線の減衰を抑制することができる。
【００８５】
基板移動部４００のケーシング４１０内には、受渡機構４２０、ローカル搬送機構４３０、不活性ガス供給部４５０および照度センサＳＥ１が設けられる。受渡機構４２０は、複数の昇降ピン４２１、ピン支持部材４２２およびピン昇降駆動部４２３を含む。
【００８６】
ピン支持部材４２２に上下方向に延びる複数の昇降ピン４２１がそれぞれ取り付けられる。ピン昇降駆動部４２３は、ピン支持部材４２２を上下方向に移動可能に支持する。複数の昇降ピン４２１は、開口部４１２の下方に配置される。ピン昇降駆動部４２３により、複数の昇降ピン４２１の上端部が、開口部４１２よりも上方の受渡位置と後述するローカル搬送ハンド４３４よりも下方の待機位置との間を移動する。
【００８７】
ローカル搬送機構４３０は、送り軸４３１、送り軸モータ４３２、一対のガイドレール４３３、ローカル搬送ハンド４３４および一対のハンド支持部材４３５を含む。送り軸モータ４３２は、ケーシング４１０の前部に設けられる。送り軸モータ４３２から後方に延びるように送り軸４３１が設けられる。送り軸４３１は、例えばボールねじであり、送り軸モータ４３２の回転軸に接続される。
【００８８】
一対のガイドレール４３３は、互いに平行に前後方向に延びるようにケーシング４１０の内部の下面に設けられる。一対のガイドレール４３３上に一対のハンド支持部材４３５がそれぞれ前後方向に移動可能に設けられる。図８においては、一方のガイドレール４３３および一方のハンド支持部材４３５のみが示される。一対のハンド支持部材４３５によりローカル搬送ハンド４３４が支持される。ローカル搬送ハンド４３４は、図示しない連結部材を介して送り軸４３１と連結される。ローカル搬送ハンド４３４には、受渡機構４２０の複数の昇降ピン４２１がそれぞれ挿入可能な複数の孔部（図示せず）が設けられる。ローカル搬送ハンド４３４上に基板Ｗが載置される。
【００８９】
送り軸モータ４３２により送り軸４３１が回転される。それにより、ローカル搬送ハンド４３４が光出射部３００よりも後方の後方位置と光出射部３００よりも前方の前方位置との間で前後方向に移動する。なお、図８では、後方位置にあるローカル搬送ハンド４３４が実線で示され、前方位置にあるローカル搬送ハンド４３４が二点鎖線で示される。
【００９０】
紫外線ランプ３２０から帯状の真空紫外線が出射された状態でローカル搬送ハンド４３が前方位置から後方位置に一定の移動速度で移動することにより、基板Ｗの一端部から他端部に向かって真空紫外線が走査される。それにより、基板Ｗの上面の全ての領域に真空紫外線が照射される。
【００９１】
不活性ガス供給部４５０は、幅方向に延びるようにケーシング４１０の後部に設けられる。不活性ガス供給部４５０には複数の噴射孔が形成されており、その複数の噴射孔から不活性ガスが噴射される。
【００９２】
ケーシング４１０内には、さらに照度センサＳＥ１が設けられる。照度センサＳＥ１は、光出射部３００の出射面３２１に対向する位置に設けられる。照度センサＳＥ１は、フォトダイオード等の受光素子を含み、受光素子の受光面に照射される光の照度を検出する。ここで、照度とは、受光面の単位面積当たりに照射される光の仕事率である。照度の単位は、例えば「Ｗ／ｍ２」で表される。照度センサＳＥ１は、図示しないセンサ駆動部により上方位置と下方位置との間で昇降される。照度センサＳＥ１は、上方位置において、基板Ｗに照射されるべき真空紫外線の照度を検出する。
【００９３】
露光量は基板Ｗの処理内容に基づいて基板Ｗごとまたは基板Ｗの種類ごとに予め定められている。予め定められた露光量は、基板Ｗの露光処理前に設定露光量として後述の全面露光制御部５２に予め記憶される。設定露光量は、例えば、基板Ｗの被処理面におけるレジスト液に対する接触角が予め定められた範囲となる値である。
【００９４】
上記のように、基板Ｗの一端部から他端部に帯状の真空紫外線が一定の速度で走査される。その場合、基板Ｗの移動速度を制御することにより基板Ｗの被処理面の露光量を調整することができる。例えば、基板Ｗの移動速度を高くすることにより露光量を減少させることができ、基板Ｗの移動速度を低くすることにより露光量を増加させることができる。
【００９５】
本実施の形態では、基板Ｗの全面露光処理前に予め照度センサＳＥ１により真空紫外線の照度が検出され、その検出結果に基づいて、基板Ｗの移動速度が調整される。これにより、基板Ｗの被処理面の露光量が設定露光量に調整される。
【００９６】
図８を参照しながら全面露光処理ユニットＯＷＥにおける全面露光処理について説明する。ここでは、図３の上段熱処理部３０１に設けられる全面露光処理ユニットＯＷＥの動作を説明する。
【００９７】
まず、ケーシング４１０の開口部４１２が蓋部材５１０によって閉塞された状態で、不活性ガス供給部４５０からケーシング４１０内に不活性ガスが供給される。それにより、ケーシング４１０内の酸素濃度が例えば１％よりも低く保持される。
【００９８】
次に、蓋部材５１０が上昇されることにより開口部４１２が開放されるとともに、受渡機構４２０の複数の昇降ピン４２１が上昇される。それにより、複数の昇降ピン４２１の上端部が待機位置から受渡位置まで移動する。その状態で、図４の搬送機構１２７によって水平姿勢の基板Ｗが蓋部材５１０と開口部４１２との間に水平方向に挿入され、複数の昇降ピン４２１上に載置される。続いて、受渡機構４２０の複数の昇降ピン４２１が下降される。それにより、複数の昇降ピン４２１の上端部が受渡位置から待機位置まで移動し、水平姿勢の基板Ｗが複数の昇降ピン４２１からローカル搬送ハンド４３４に渡される。次いで、蓋部材５１０が下降されることにより開口部４１２が閉塞される。
【００９９】
次に、ローカル搬送ハンド４３４が後方位置から前方位置に移動される。このとき、紫外線ランプ３２０は消灯状態にある。そのため、基板Ｗは露光されない。次に、紫外線ランプ３２０が消灯状態から点灯状態に切り替えられる。また、不活性ガス供給部３３０からケーシング４１０内に不活性ガスが供給される。
【０１００】
続いて、ローカル搬送ハンド４３４が前方位置から後方位置に移動される。このときの移動速度は、予め照度センサＳＥ１により検出された真空紫外線の照度に基づいて調整される。それにより、上記のように、基板Ｗの被処理面が設定露光量で露光される。その後、紫外線ランプ３２０が点灯状態から消灯状態に切り替えられる。また、不活性ガス供給部３３０による不活性ガスの供給が停止される。
【０１０１】
次に、蓋部材５１０が上昇されることにより開口部４１２が開放されるとともに、受渡機構４２０の複数の昇降ピン４２１が上昇される。それにより、ローカル搬送ハンド４３４から複数の昇降ピン４２１に基板Ｗが渡され、開口部４１２の上方に基板Ｗが移動される。その状態で、図４の搬送機構１２７によって基板Ｗが受け取られ、全面露光処理ユニットＯＷＥから搬出される。
【０１０２】
［５］制御系
図９は、基板処理装置１００の制御系の構成例について説明するための図である。図９に示すように、基板処理装置１００は、主制御部１１４に加えて、密着強化制御部５１、全面露光制御部５２、成膜制御部５３、現像制御部５４、エッジ露光制御部５５、洗浄乾燥制御部５６、加熱冷却制御部５７および搬送制御部５８を含む。主制御部１１４は、密着強化制御部５１、全面露光制御部５２、成膜制御部５３、現像制御部５４、エッジ露光制御部５５、洗浄乾燥制御部５６、加熱冷却制御部５７および搬送制御部５８を制御することにより、基板処理装置１００の動作を統括的に制御する。
【０１０３】
密着強化制御部５１は、密着強化処理ユニット群Ｇ１の動作を制御する。密着強化処理ユニット群Ｇ１は、図３の複数の密着強化処理ユニットＡＨＰを含む。全面露光制御部５２は、全面露光処理ユニット群Ｇ２の動作を制御する。全面露光処理ユニット群Ｇ２は、図３の複数の全面露光処理ユニットＯＷＥを含む。成膜制御部５３は、塗布処理ユニット群Ｇ３の動作を制御する。塗布処理ユニット群Ｇ３は、図２の複数の塗布処理ユニット１２９を含む。現像制御部５４は、現像処理ユニット群Ｇ４の動作を制御する。現像処理ユニット群Ｇ４は、図２の複数の現像処理ユニット１３９を含む。
【０１０４】
エッジ露光制御部５５は、エッジ露光部群Ｇ５の動作を制御する。エッジ露光部群Ｇ５は、図３の複数のエッジ露光部ＥＥＷを含む。洗浄乾燥制御部５６は、洗浄乾燥処理ユニット群Ｇ６の動作を制御する。洗浄乾燥処理ユニット群Ｇ６は、図２の複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１および図３の複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。加熱冷却制御部５７は、熱処理ユニット群Ｇ７の動作を制御する。熱処理ユニット群Ｇ７は、図３の複数の加熱ユニットＰＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰならびに図４の複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰを含む。搬送制御部５８は、搬送機構群Ｇ８の動作を制御する。搬送機構群Ｇ８は、図１の搬送機構１１５，１４２，１４１，１４６および図４の搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８を含む。
【０１０５】
なお、図９の例では、種々の処理内容に対応するように複数の制御部が設けられるが、基板処理装置１００が複数の処理領域に区画され、その処理領域毎に制御部が設けられてもよい。また、主制御部１１４のみによって基板処理装置１００全体の動作が制御されてもよい。
【０１０６】
図１０は、図９の各制御部の動作を示すフローチャートである。ここでは、図４の搬送機構１２７，１３７により搬送される１枚の基板Ｗに対する動作を説明する。図４の搬送機構１２８，１３８により搬送される基板Ｗに対しても同様の動作が行われる。
【０１０７】
まず、搬送制御部５８が図４の搬送機構１１５，１２７を制御して、キャリア１１３内の未処理の基板Ｗを図３の上段熱処理部３０１のいずれかの密着強化処理ユニットＡＨＰに搬送する。密着強化制御部５１は、基板Ｗが搬送された密着強化処理ユニットＡＨＰを制御して、基板Ｗの被処理面に密着強化剤を供給する密着強化処理を行う（ステップＳ１）。
【０１０８】
次に、搬送制御部５８が図４の搬送機構１２７を制御して、密着強化処理後の基板Ｗを密着強化処理ユニットＡＨＰから図３の上段熱処理部３０１の全面露光処理ユニットＯＷＥに搬送する。全面露光制御部５２は、基板Ｗが搬送された全面露光処理ユニットＯＷＥを制御して、基板Ｗの被処理面に紫外線を照射する全面露光処理を行う（ステップＳ２）。
【０１０９】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１２７を制御して、全面露光処理後の基板Ｗを全面露光処理ユニットＯＷＥから図３の上段熱処理部３０１のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。加熱冷却制御部５７は、基板Ｗが搬送された冷却ユニットＣＰを制御して、基板Ｗを冷却する（ステップＳ３）。
【０１１０】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１２７を制御して、冷却後の基板Ｗを冷却ユニットＣＰから図２の塗布処理室２１，２２のいずれかの塗布処理ユニット１２９に搬送する。成膜制御部５３は、基板Ｗが搬送された塗布処理ユニット１２９を制御し、基板Ｗの被処理面上にレジスト液を塗布することによりレジスト膜を形成する（ステップＳ４）。
【０１１１】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１２７を制御して、レジスト膜が形成された基板Ｗを塗布処理ユニット１２９から図３の上段熱処理部３０１のいずれかの加熱ユニットＰＨＰに搬送する。加熱冷却制御部５７は、基板Ｗが搬送された加熱ユニットＰＨＰを制御して、基板Ｗを加熱する（ステップＳ５）。
【０１１２】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１２７，１３７を制御して、加熱後の基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰから図３の上段熱処理部３０３のエッジ露光部ＥＥＷに搬送する。エッジ露光制御部５５は、基板Ｗが搬送されたエッジ露光部ＥＥＷを制御して、基板Ｗにエッジ露光処理を行う（ステップＳ６）。
【０１１３】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１３７，１４１を制御して、エッジ露光処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷから図２の洗浄乾燥処理部１６１のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送する。洗浄乾燥制御部５６は、基板Ｗが搬送された洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１を制御して、基板Ｗに洗浄および乾燥処理を行う（ステップＳ７）。
【０１１４】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１４１を制御して、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から図４のいずれかの載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送する。加熱冷却制御部５７は、基板Ｗが搬送された載置兼冷却部Ｐ−ＣＰを制御して、基板Ｗを冷却する（ステップＳ８）。
【０１１５】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１４６を制御して、冷却後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰから図１の露光装置１５に搬入する（ステップＳ９）。露光装置１５において基板Ｗに露光処理が行われた後、搬送制御部５８は、搬送機構１４６，１４２を制御して、露光処理後の基板Ｗを露光装置１５から搬出し（ステップＳ１０）、その基板Ｗを図３の洗浄乾燥処理部１６２のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送する。洗浄乾燥制御部５６は、基板Ｗが搬送された洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２を制御して、基板Ｗに洗浄および乾燥処理を行う（ステップＳ１１）。
【０１１６】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１４２を制御して、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から図３の上段熱処理部３０３のいずれかの加熱ユニットＰＨＰに搬送する。加熱冷却制御部５７は、基板Ｗが搬送された加熱ユニットＰＨＰを制御して、基板ＷにＰＥＢ処理を行う（ステップＳ１２）。
【０１１７】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１３７を制御して、ＰＥＢ処理後の基板Ｗを図３の上段熱処理部３０３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。加熱冷却制御部５７は、基板Ｗが搬送された冷却ユニットＣＰを制御して、基板Ｗを冷却する（ステップＳ１３）。
【０１１８】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１３７を制御して、冷却後の基板Ｗを図２の現像処理室３１，３２のいずれかの現像処理ユニット１３９に搬送する。現像制御部５４は、基板Ｗが搬送された現像処理ユニット１３９を制御して、基板Ｗに現像処理を行う（ステップＳ１４）。
【０１１９】
次に、搬送制御部５８は、搬送機構１３７，１２７，１１５を制御して、現像処理後の基板Ｗを現像処理ユニット１３９から図１のキャリア１１３に戻す。これにより、基板Ｗの一例の処理が終了する。
【０１２０】
［６］効果
上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、密着強化処理ユニットＡＨＰにおいて基板Ｗの被処理面に有機材料からなる密着強化剤が供給された後、全面露光処理ユニットＯＷＥにおいて基板Ｗの被処理面に紫外線が照射される。この場合、密着強化剤の供給によって基板Ｗの被処理面の疎水性が高められた後、紫外線の照射により基板Ｗの被処理面の疎水性が調整される。それにより、その後のレジスト液の塗布の際に、基板Ｗの被処理面におけるレジスト液に対する接触角が適切な範囲に制御される。したがって、塗布欠けの発生を防止することができ、基板Ｗの被処理面の所望の領域に適切にレジスト液を塗布することができる。また、基板Ｗの被処理面とレジスト膜との密着性を確保することができる。その結果、基板Ｗの被処理面にレジスト膜を適切に形成することができる。
【０１２１】
また、本実施の形態では、密着強化処理によって基板Ｗの被処理面上のヒドロキシ基がトリメチルシロキシ基に変化し、その後の全面露光処理によって基板Ｗの一面上のトリメチルシロキシ基がヒドロキシ基とヘキサメチルジロキサンに分離される。これにより、基板Ｗの被処理面の疎水性を適切に調整することができる。
【０１２２】
［７］密着強化処理ユニットおよび全面露光処理ユニットの他の例
上記実施の形態では、互いに別体の密着強化処理ユニットＡＨＰおよび全面露光処理ユニットＯＷＥにおいて密着強化処理および全面露光処理がそれぞれ行われるが、一体のユニットにおいて密着強化処理および全面露光処理の両方が行われてもよい。図１１は、密着強化処理および全面露光処理を行うための疎水性調整ユニットの構成例を示す模式的側面図である。図１１の疎水性調整ユニット６００は、例えば、図３の上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々に設けられる。
【０１２３】
図１１の疎水性調整ユニット６００は、筐体６０１、密着強化部６１０、光出射部６２０およびローカル搬送機構６３０を含む。密着強化部６１０および光出射部６２０は、それぞれ筐体６０１内に設けられる。密着強化部６１０は、図６の密着強化処理ユニットＡＨＰと同様の構成を有し、プレート２０５およびカバー２０７を含むとともに、図示しない他の種々の構成要素を備える。密着強化部６１０は、気密な処理空間内で基板Ｗに密着強化剤を供給する。
【０１２４】
光出射部６２０は、図８の光出射部３００と同様の構成を有し、真空紫外線を出射する。ローカル搬送機構６３０は、図８のローカル搬送機構４３０と同様の構成を有し、送り軸４３１、送り軸モータ４３２、一対のガイドレール４３３、ローカル搬送ハンド４３４および一対のハンド支持部材４３５を含む。ローカル搬送ハンド４３４は、密着強化部６１０に基板Ｗを受け渡すための受け渡し位置と、密着強化部６１０の外部の外部位置との間で移動する。図１１においては、外部位置にあるローカル搬送ハンド４３４が示される。
【０１２５】
図１１の疎水性調整ユニット６００における密着強化処理および全面露光処理について説明する。ここでは、図３の上段熱処理部３０１に設けられる疎水性調整ユニット６００の動作を説明する。まず、図４の搬送機構１２７が、筐体６０１内に基板Ｗを搬入し、外部位置にあるローカル搬送ハンド４３４に基板Ｗを渡す。ローカル搬送ハンド４３４が外部位置から受け渡し位置に移動し、ローカル搬送ハンド４３４から図示しない支持ピン２４３（図６参照）に基板Ｗが渡される。続いて、ローカル搬送ハンド４３４が外部位置に退避し、支持ピン２４３によってプレート２０５上に基板Ｗが載置されるとともに、カバー２０７が下方位置に移動する。その後、密着強化部６１０において、図６の密着強化処理ユニットＡＨＰと同様に密着強化処理が行われる。
【０１２６】
密着強化処理が終了すると、図示しない不活性ガス供給部により筐体６０１内に不活性ガスが供給される。続いて、ローカル搬送ハンド４３４が受け渡し位置に移動し、図示しない支持ピン２４３（図６参照）からローカル搬送ハンド４３４に基板Ｗが渡される。続いて、光出射部６２０が下方に向けて真空紫外線を出射しながら、ローカル搬送ハンド４３４が受け渡し位置から外部位置に移動する。これにより、密着強化剤が供給された基板Ｗの被処理面の全体に真空紫外線が照射される。この場合、図示しない照度センサＳＥ１（図８参照）によって予め真空紫外線の照度が検出され、その検出結果に基づいて、基板Ｗの移動速度が調整されることが好ましい。
【０１２７】
このように、図１１の疎水性調整ユニット６００においては、共通の筐体６０１内で、密着性強化処理および全面露光処理が順に行われる。これにより、密着強化処理ユニットＡＨＰおよび全面露光処理ユニットＯＷＥが別個に設けられる場合に比べて、密着強化処理および全面露光処理を効率良く行うことができ、スループットを向上させることができる。また、小さいスペースで密着強化処理および全面露光処理の両方を実施可能であるので、基板処理装置１００の小型化が可能となる。
【０１２８】
［８］他の実施の形態
上記実施の形態では、有機材料としてＨＭＤＳからなる密着強化剤が用いられるが、基板Ｗの疎水性を高めることが可能であれば、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）等の他の有機材料からなる密着強化剤が用いられてもよい。
【０１２９】
上記実施の形態では、レジスト膜の形成前に基板Ｗの被処理面に密着強化処理および全面露光処理が行われるが、他の処理膜の形成前に同様の処理が行われてもよい。例えば、露光処理時に発生する定在波またはハレーションを減少させるための反射防止膜の形成前に、基板Ｗの被処理面に密着強化処理および全面露光処理が行われてもよい。この場合、基板Ｗの被処理面と反射防止膜との密着性を確保しつつ基板Ｗの被処理面の所望の領域に反射防止膜用の処理液を適切に塗布することができる。あるいは、ＤＳＡ（Directed Self Assembly；誘導自己組織化）技術によって微細パターンを形成するための誘導自己組織化材料からなる処理膜の形成前に、基板Ｗの被処理面に密着強化処理および全面露光処理が行われてもよい。
【０１３０】
［９］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３１】
上記の実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、密着強化処理ユニットＡＨＰが密着強化部の例であり、光出射部３００，６２０が照射部の例であり、塗布処理ユニット１２９が成膜部の例であり、冷却ユニットＣＰが冷却部の例である。また、筐体６０１が筐体の例であり、プレート２０５が載置部の例であり、ローカル搬送ハンド４３４が搬送部の例である。
【０１３２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【符号の説明】
【０１３３】
１１…インデクサブロック，１２…第１の処理ブロック，１３…第２の処理ブロック，１４Ａ…洗浄乾燥処理ブロック，１４Ｂ…搬入搬出ブロック，１４…インターフェイスブロック，２１，２２，２３，２４…塗布処理室，３１，３２，３３，３４…現像処理室，１００…基板処理装置，１２９…塗布処理ユニット，１３９…現像処理ユニット，ＡＨＰ…密着強化処理ユニット，ＣＰ…冷却ユニット，ＯＷＥ…全面露光処理ユニット，ＰＨＰ…加熱ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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