(57)【要約】【課題】  平面方向の大きさが小さい非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  下ヨーク１と、下側主面と上側主面と少なくとも１つの側面とを有するフェライト４と、中心電極６と、磁石７と、上ヨーク８と、を備え、下ヨーク１と上ヨーク８とが、フェライト４を間に挟んで対向して配置され、フェライト４の側面が、下ヨーク１および上ヨーク８のいずれによっても覆われていないものとする。たとえば、板状の下ヨーク１と、上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとが、フェライト４を間に挟んで対向して配置される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下ヨークと、下側主面と上側主面と少なくとも１つの側面とを有するフェライトと、中心電極と、磁石と、上ヨークと、を備えた非可逆回路素子であって、
前記下ヨークと前記上ヨークとが、前記フェライトを間に挟んで対向して配置され、
前記フェライトの前記側面が、前記下ヨークおよび前記上ヨークのいずれによっても覆われていない、非可逆回路素子。
【請求項２】
前記下ヨークが板状であり、
前記上ヨークが、天面部と、前記天面部に対して垂直に設けられた垂直部とを備え、
板状の前記下ヨークと、前記上ヨークの前記垂直部とが、前記フェライトを間に挟んで対向して配置された、請求項１に記載された非可逆回路素子。
【請求項３】
前記下ヨークの平面方向の大きさが、前記フェライトの平面方向の大きさと同じであるか、または、大きく、
前記上ヨークの平面方向の大きさが、前記フェライトの平面方向の大きさと同じであるか、または、小さい、請求項１または２に記載された非可逆回路素子。
【請求項４】
前記下ヨークの平面方向の大きさが、前記上ヨークの平面方向の大きさよりも大きい場合において、
平面方向に見たとき、
前記上ヨークからはみ出した前記下ヨークの最大はみ出し量が、
前記下ヨークの厚み、および、前記上ヨークの厚みの、いずれか小さい方の厚みよりも、さらに小さい、請求項３に記載された非可逆回路素子。
【請求項５】
前記磁石の側面と、前記上ヨークの前記垂直部の側面との間隔が、０．１５ｍｍ以上である、請求項２ないし４のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【請求項６】
前記磁石の側面と、前記上ヨークの前記垂直部の側面との間隔が、０．３０ｍｍ以下である、請求項５に記載された非可逆回路素子。
【請求項７】
前記フェライトの前記下側主面と前記上側主面との間を貫通してスルーホール導体が形成され、
前記スルーホール導体によって、前記上ヨークの前記垂直部の底面が、前記下ヨークに接続された、請求項２ないし６のいずれか１項に記載された非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やスマートフォンなどの電子機器に、信号を伝送方向のみに通過させ、逆方向への伝送を阻止する、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子が広く使用されている。
【０００３】
特許文献１（特開２０１２-５４８６４号公報）に、そのような非可逆回路素子が開示されている。図７に、特許文献１に開示された非可逆回路素子１０００を示す。
【０００４】
非可逆回路素子１０００は、下ヨーク（金属ケース）１０１と、フェライト（ガーネット部材）１０２、１０３と、中心電極（ストリップライン部材）１０４と、磁石（永久磁石）１０５と、上ヨーク（鉄板）１０６と、を備えている。非可逆回路素子１０００は、さらに、アース材１０７、１０８、別の鉄板１０９、誘電体セラミック１１０を備えている。
【０００５】
下ヨーク１０１は、底面部１０１ａと、底面部１０１ａに対して垂直に設けられた垂直部（壁部）１０１ｂとを備えている。垂直部１０１ｂは底面部１０１ａの周縁に沿って設けられており、底面部１０１ａと垂直部１０１ｂとで、収納部１０１ｃが構成されている。
【０００６】
非可逆回路素子１０００は、下ヨーク１０１の収納部１０１ｃに、フェライト１０２、１０３、中心電極１０４、磁石１０５、アース材１０７、１０８、鉄板１０９、誘電体セラミック１１０を収容したうえで、下ヨーク１０１の垂直部１０１ｂと、上ヨーク１０６とを接合している。
【０００７】
非可逆回路素子１０００は、下ヨーク１０１と上ヨーク１０６とで磁気回路を構成し、磁石１０５が発生させた直流磁界をフェライト１０２、１０３に対して印加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２-５４８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近時、携帯電話やスマートフォンなどの電子機器において、小型化が急速に進んでいる。電子機器の小型化にともない、電子機器に使用される、非可逆回路素子を含めた各電子部品にも、小型化が強く求められている。しかしながら、上述した非可逆回路素子１０００は、フェライト１０２、１０３の側面を、下ヨーク１０１の垂直部１０１ｂが覆っているため、垂直部１０１ｂの厚みの分だけ、平面方向の大きさが大きいという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものである。すなわち、本件出願人は、非可逆回路素子の小型化に取り組み、種々の検討を重ねた。その結果、下ヨークと上ヨークとを直接に接合させなくても、フェライトの比透磁率が１以上あるために磁気抵抗が小さく、下ヨークと上ヨークとをフェライトを間に挟んで対向して配置させれば、磁石から発生する磁束を上ヨークと下ヨークとの間で十分回流させることができる磁気回路を構成できることに想到した。そして、この知見を活用して、非可逆回路素子の平面方向の大きさを小さくすることができる本発明を完成させた。
【００１１】
上述した従来の課題を解決するため、本発明の非可逆回路素子は、下ヨークと、下側主面と上側主面と少なくとも１つの側面とを有するフェライトと、中心電極と、磁石と、上ヨークと、を備え、下ヨークと上ヨークとが、フェライトを間に挟んで対向して配置され、フェライトの側面が、下ヨークおよび上ヨークのいずれによっても覆われていないものとする。
【００１２】
下ヨークが板状であり、上ヨークが、天面部と、天面部に対して垂直に設けられた垂直部とを備え、板状の下ヨークと、上ヨークの垂直部とが、フェライトを間に挟んで対向して配置されたものとすることも好ましい。この場合には、本発明の非可逆回路素子を容易に構成することができる。
【００１３】
下ヨークの平面方向の大きさが、フェライトの平面方向の大きさと同じであるか、または、大きく、上ヨークの平面方向の大きさが、フェライトの平面方向の大きさと同じであるか、または、小さいことも好ましい。非可逆回路素子の製造工程においては、通常、下ヨークにフェライトを積み重ね、フェライトに上ヨークを積み重ねる。そのため、下ヨークの平面方向の大きさを、フェライトの平面方向の大きさと同じか、または、大きくしておけば、下ヨークにフェライトを積み重ねる工程において位置合わせが容易になるからである。同様に、上ヨークの平面方向の大きさを、フェライトの平面方向の大きさと同じか、または、小さくしておけば、フェライトに上ヨークを積み重ねる工程において位置合わせが容易になるからである。
【００１４】
下ヨークの平面方向の大きさが、上ヨークの平面方向の大きさよりも大きい場合において、平面方向に見たとき、上ヨークからはみ出した下ヨークの最大はみ出し量が、下ヨークの厚み、および、上ヨークの厚みの、いずれか小さい方の厚みよりも、さらに小さいことが好ましい。下ヨークのはみ出し量が、下ヨークの厚み、および、上ヨークの厚みの、いずれか小さい方の厚みよりも大きくなると、非可逆回路素子の平面方向の大きさを小さくするという、本発明の効果を奏さなくなるからである。
【００１５】
磁石の側面と、上ヨークの垂直部の側面との間隔が、０．１５ｍｍ以上であることが好ましい。この間隔が０．１５ｍｍ以上であると、フェライトに十分な磁束密度の直流磁界が印加されるからである。この場合において、磁石の側面と、上ヨークの垂直部の側面との間隔が、０．３０ｍｍ以下であることが好ましい。この間隔が０．３０ｍｍを超えても、フェライトに印加される直流磁界の磁束密度は、それ以上には大きくならず、非可逆回路素子の平面方向の大きさが大きくなってしまうだけだからである。
【００１６】
フェライトの下側主面と上側主面との間を貫通してスルーホール導体が形成され、スルーホール導体によって、上ヨークの垂直部の底面が、下ヨークに接続されることも好ましい。この場合には、下ヨークをグランドに接続することによって、上ヨークもグランドに接続されることになり、上ヨークに非可逆回路素子の電気シールドとしての機能を持たせることができるからである。そして、上ヨークに非可逆回路素子の電気シールドとしての機能を持たせることができれば、上ヨークによって、非可逆回路素子と、非可逆回路素子を実装した電子機器に実装された他の電子部品、装置、シールド板との電気的な相互干渉が抑制されるため、非可逆回路素子および電子機器を安定して動作させることができるからである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の非可逆回路素子は、下ヨークと上ヨークとが、フェライトを間に挟んで対向して配置され、フェライトの側面が、下ヨークおよび上ヨークのいずれによっても覆われていないため、平面方向の大きさをフェライトの大きさだけで決定することができる。このため、従来に比べて平面方向の大きさを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（Ａ）は、実施形態にかかる非可逆回路素子１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、非可逆回路素子１００の断面図である。
【図２】非可逆回路素子１００の分解斜視図である。
【図３】図２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、磁石とヨークとの間隔Ｄを変化させた非可逆回路素子を示す断面図である。
【図４】非可逆回路素子において、磁石とヨークとの間隔と磁束密度との関係を示すグラフである。
【図５】下ヨーク用のマザー金属板１１を示す斜視図である。
【図６】マザーフェライト板１４を示す斜視図である。
【図７】特許文献１に開示された非可逆回路素子１０００の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】
なお、実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００２１】
［実施形態］
（非可逆回路素子１００の構造）
図１（Ａ）、（Ｂ）、図２に、実施形態にかかる非可逆回路素子１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、非可逆回路素子１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、非可逆回路素子１００の断面図であり、図１（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。図２は、非可逆回路素子１００の分解斜視図である。
【００２２】
本実施形態の非可逆回路素子１００は、サーキュレータである。ただし、本発明の非可逆回路素子は、サーキュレータには限られず、アイソレータなどであっても良い。
【００２３】
非可逆回路素子１００は、下ヨーク１を備えている。下ヨーク１の材質は任意であるが、後述する磁石７が発生させる磁束を効率的に回流させるためには、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏなどの強磁性体であることが望ましい。
【００２４】
また、下ヨーク１の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。
【００２５】
本実施形態においては、下ヨーク１の形状を、四角形の板状とした。ただし、下ヨーク１の形状は任意であり、四角形に代えて、円形、楕円形、四角形以外の多角形などであっても良い。また、単純な板状ではなく、垂直部などを備えていても良い。
【００２６】
下ヨーク１の４つの辺のうち、３つの辺に、それぞれ切欠きが設けられ、それらの切欠きに、それぞれ絶縁体２が埋め込まれている。絶縁体２の材質は任意であるが、たとえば、樹脂を使用することができる。
【００２７】
各絶縁体２に、それぞれ入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃが形成されている。本実施形態においては、入出力端子３ａ〜３ｃとして、絶縁体２に、ＣｕやＡｇなどを主成分とする導電性樹脂を埋め込んだ。入出力端子３ａ〜３ｃは、絶縁体２を貫通して形成されており、絶縁体２の上面、側面、下面の３つの面において外部に露出している。なお、入出力端子３ａ〜３ｃの構造は任意であり、上記に代えて、たとえば、ＣｕやＡｇなどの金属片を絶縁体２に埋め込んで、入出力端子としても良い。あるいは、絶縁体２の上面、側面、下面の３つの面にわたって、ＣｕやＡｇなどの金属膜を形成して、入出力端子としても良い。
【００２８】
非可逆回路素子１００は、フェライト４を備えている。フェライト４の組成は任意であるが、たとえば、ＮｉＺｎ系、ＭｎＺｎ系、ＹＩＧ系、ＣＶＧ系のフェライト等を使用することができる。
【００２９】
本実施形態においては、フェライト４の形状を、四角形の板状とした。フェライト４は、下側主面と上側主面と４つの側面とを備えている。ただし、フェライト４の形状は任意であり、四角形に代えて、円形、楕円形、四角形以外の多角形などであっても良い。
【００３０】
本実施形態においては、フェライト４の平面方向の大きさを、下ヨーク１の大きさと同じにしている。なお、非可逆回路素子１００の製造の容易さを考慮すると、フェライト４の平面方向の大きさは、下ヨーク１の大きさと、同じか、または、一回り小さいことが好ましい。非可逆回路素子１００の製造工程においては、通常、下ヨーク１にフェライト４を積み重ねるが、フェライト４の平面方向の大きさが下ヨーク１の平面方向の大きさよりも大きいと、位置合わせが困難になるからである。
【００３１】
フェライト４の下側主面と上側主面とを貫通して、６つのスルーホール導体５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆが形成されている。スルーホール導体の材質は任意であるが、たとえば、ＣｕやＡｇなどを使用することができる。
【００３２】
フェライト４の上側主面に、膜状の中心電極６が形成されている。中心電極６の形状は任意である。中心電極６の材質も任意であるが、たとえば、ＣｕやＡｇなどを使用することができる。中心電極６は、３つのポート部６ａ、６ｂ、６ｃを備えている。そして、ポート部６ａがスルーホール導体５ａに電気的に接続され、ポート部６ｂがスルーホール導体５ｃに電気的に接続され、ポート部６ｃがスルーホール導体５ｅに電気的に接続されている。
【００３３】
なお、中心電極６は、フェライト４の上側主面に膜状に形成されたものではなく、金属板を加工して作製した、フェライト４とは別体の中心電極であっても良い。
【００３４】
非可逆回路素子１００は、磁石７を備えている。磁石７の材質は任意であるが、たとえば、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン系のフェライト磁石、サマリウムコバルト系、ネオジム系の希土類磁石などを使用することができる。本実施形態においては、磁石７を、四角柱とした。ただし、磁石７の形状は任意であり、四角柱に代えて、円柱、楕円柱、四角柱以外の多角柱などの形状であっても良い。
【００３５】
非可逆回路素子１００は、上ヨーク８を備えている。上ヨーク８の材質は任意であるが、磁石７が発生させる磁束を効率的に回流させるためには、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏなどの強磁性体であることが望ましい。
【００３６】
また、上ヨーク８の表面は、高周波電流が流れるため、挿入損失を低減させるために、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔなどの高導電率材料でメッキされていることが望ましい。
【００３７】
本実施形態においては、上ヨーク８は、四角形で板状の天面部８ａと、天面部８ａに対して垂直な板状の２つの垂直部８ｂ、８ｃを備えている。ただし、上ヨーク８の形状は任意であり、種々の変更を加えることができる。なお、垂直部８ｂには、ポート部６ｂとの接触を避けるために切欠き８ｂｘが形成され、垂直部８ｃには、ポート部６ｃとの接触を避けるために切欠き８ｃｘが形成されている。
【００３８】
本実施形態においては、上ヨーク８の平面方向の大きさを、下ヨーク１およびフェライト４の大きさよりも、一回り小さくしている。なお、非可逆回路素子１００の製造の容易さを考慮すると、上ヨーク８の平面方向の大きさは、フェライト４の大きさと、同じか、または、一回り小さいことが好ましい。非可逆回路素子１００の製造工程においては、通常、フェライト４に上ヨーク８を積み重ねるが、上ヨーク８の平面方向の大きさがフェライト４の平面方向の大きさよりも大きいと、位置合わせが困難になるからである。
【００３９】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、下ヨーク１の上側主面に、フェライト４が接合されている。また、入出力端子３ａとスルーホール導体５ａ、入出力端子３ｂとスルーホール導体５ｃ、入出力端子３ｃとスルーホール導体５ｅが、それぞれ電気的に接続されている。また、下ヨーク１とスルーホール導体５ｂ、５ｄ、５ｆが、それぞれ電気的に接続されている。
【００４０】
中心電極６が形成されたフェライト４の上側主面に、磁石７が接合されている。
【００４１】
磁石７を覆うように、フェライト４の上側主面に、上ヨーク８が接合されている。より具体的には、上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃの底面が、フェライト４の上側主面に接合されている。また、上ヨーク８の垂直部８ｂの底面とスルーホール導体５ｂ、上ヨーク８の垂直部８ｃの底面とスルーホール導体５ｆが、それぞれ電気的に接続されている。
【００４２】
この結果、中心電極６のポート部６ａが、スルーホール導体５ａを経由して、入出力端子３ａと電気的に接続されている。同様に、中心電極６のポート部６ｂが、スルーホール導体５ｃを経由して、入出力端子３ｂと電気的に接続されている。中心電極６のポート部６ｃが、スルーホール導体５ｅを経由して、入出力端子３ｃと電気的に接続されている。
【００４３】
また、上ヨーク８が、スルーホール導体５ｂ、５ｆを経由して、下ヨーク１と電気的に接続されている。非可逆回路素子１００は、下ヨーク１をグランドと電気的に接続することによって、上ヨーク８もグランドと電気的に接続されることになり、上ヨーク８に非可逆回路素子１００の電気シールドとしての機能を持たせることができる。なお、本実施形態においては、フェライト４に形成されたスルーホール導体５ｄは、電気的な接続には利用されていない。
【００４４】
非可逆回路素子１００は、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃと下ヨーク１とが、フェライト４を間に挟んで対向して配置されている。そして、フェライト４の側面が、上ヨーク８および下ヨーク１のいずれによっても覆われていない。非可逆回路素子１００は、上ヨーク８と下ヨーク１とが直接には接合されていないが、フェライト４の比透磁率が１以上あるために磁気抵抗が小さく、図１（Ｂ）に一点鎖線の矢印で示すように、磁石から発生する磁束を上ヨーク８と下ヨーク１との間で十分回流させることができるような磁気回路が構成される。したがって、非可逆回路素子１００は、磁石７が発生させた磁束を上ヨーク８および下ヨーク１に効率的に回流させることができ、フェライト４に対して十分な直流磁界を印加することができる。
【００４５】
また、非可逆回路素子１００は、フェライト４の側面が、上ヨーク８および下ヨーク１のいずれによっても覆われていないため、平面方向の大きさが小さくなっている。
【００４６】
（磁石７と上ヨーク８との間隔）
磁石７が発生させた磁束を上ヨーク８および下ヨーク１に十分に回流させ、フェライト４に十分な直流磁界を印加するためには、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄが、ある程度大きいことが望ましい。
【００４７】
すなわち、図３（Ａ）に示すように、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄがある程度大きいと、磁石７が発生させた磁束が上ヨーク８および下ヨーク１に十分に回流し、フェライト４に十分な直流磁界が印加される。これに対し、図３（Ｂ）に示すように、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄが小さくなると、磁石７が発生させた磁束が十分に下ヨーク１に回流しなくなり、フェライト４に十分な直流磁界が印加されなくなる。すなわち、間隔Ｄが小さくなると、磁石７が発生させた磁束の一部が、上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃから、フェライト４を横断することなく磁石７に戻ってしまい、下ヨーク１に回流しなくなってしまう。
【００４８】
磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄを変化させて、フェライト４に印加される磁束密度（Gauss）を測定した。測定結果を、表１と、図４に示す。
【表１】
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【００４９】
表１および図４から分かるように、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄが０．１５ｍｍ以上であると、フェライト４に、２９１０Ｇａｕｓｓ以上の十分に大きな磁束密度の直流磁界を印加することができる。したがって、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄは、０．１５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００５０】
一方、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄが０．３０ｍｍを超えても、フェライト４に印加される直流磁界の磁束密度は、それ以上には大きくならない。したがって、０．３０ｍｍを超えても非可逆回路素子１００の平面方向の大きさが大きくなってしまうだけであるから、磁石７と上ヨーク８の垂直部８ｂ、８ｃとの間隔Ｄは、０．３０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
（平面方向に見た上ヨーク８からの下ヨーク１のはみ出し量）
本実施形態においては、製造の容易さを考慮して、下ヨーク１の平面方向の大きさを、フェライト４の平面方向の大きさと同じにし、上ヨーク８の平面方向の大きさを、下ヨーク１およびフェライト４の平面方向の大きさよりも小さくしている。
【００５２】
上述したとおり、下ヨーク１の平面方向の大きさは、フェライト４の平面方向の大きさと同じであるか、または、大きく、上ヨーク８の平面方向の大きさが、フェライト４の平面方向の大きさと同じであるか、または、小さいことが好ましい。非可逆回路素子の製造工程においては、通常、下ヨーク１にフェライト４を積み重ね、フェライト４に上ヨーク８を積み重ねる。そのため、下ヨーク１の平面方向の大きさを、フェライト４の平面方向の大きさと同じか、または、大きくしておけば、下ヨーク１にフェライト４を積み重ねる工程において位置合わせが容易になるからである。同様に、上ヨーク８の平面方向の大きさを、フェライト４の平面方向の大きさと同じか、または、小さくしておけば、フェライト４に上ヨーク８を積み重ねる工程において位置合わせが容易になるからである。
【００５３】
上記の好ましい条件を適用した場合には、平面方向に見たとき、下ヨーク１が上ヨーク８からはみ出すことになる。なお、フェライト４の平面方向の大きさは、上ヨーク８の平面方向の大きさ以上、下ヨーク１の平面方向の大きさ以下になる。
【００５４】
図３（Ａ）に、上ヨーク８からの下ヨーク１のはみ出し量Ｅを示す。このはみ出し量Ｅは、最大値において、下ヨーク１の厚み、および、上ヨーク８の厚みの、いずれか小さい方の厚みよりも、さらに小さいことが好ましい。最大のはみ出し量Ｅが、下ヨーク１の厚み、および、上ヨーク８の厚みの、いずれか小さい方の厚みよりも大きくなると、非可逆回路素子１００の平面方向の大きさを小さくするという、本発明の効果を奏さなくなってしまうからである。
【００５５】
（非可逆回路素子１００の製造方法の一例）
非可逆回路素子１００は、たとえば、次の方法で製造することができる。
【００５６】
まず、図５に示す、複数の下ヨーク１をマトリックス状に含んだ下ヨーク用のマザー金属板１１を作製する。マザー金属板１１は、下ヨーク１の材質によって作製する。必要があれば、マザー金属板１１の表面に、予め高導電率材料をメッキしておく。
【００５７】
まず、マザー金属板１１の隣接する下ヨーク１と下ヨーク１との境界線上に、たとえばエッチングなどの方法により、絶縁体２を作製するための貫通孔を形成する。続いて、形成した各貫通孔に、未硬化の樹脂を充填し、続いて加熱して樹脂を硬化させて絶縁体２を形成する。
【００５８】
次に、各絶縁体２に、たとえばレーザ光を照射するなどの方法によって、入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃを形成するための貫通孔を形成する。続いて、各貫通孔に、未硬化の導電性樹脂を充填し、加熱して導電性樹脂を硬化させて入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃを形成する。マザー金属板１１を後の工程において個々の下ヨーク１に分割することにより、各下ヨーク１の３つの辺に、絶縁体２で絶縁された入出力端子３ａ、３ｂ、３ｃが得られる。
【００５９】
以上の工程と並行して、図６に示す、複数のフェライト４をマトリックス状に含んだマザーフェライト板１４を作製する。
【００６０】
具体的には、まず、所定の組成からなるフェライト粉末を、バインダー、溶剤とともに混練し、混練物を得る。続いて、混練物を、たとえばドクターブレード法などの方法によって膜状に加工し、フェライトのマザーグリーンシートを作製する。
【００６１】
次に、マザーグリーンシートに、レーザ光を照射するなどの方法によって、各フェライト４にスルーホール導体５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆを形成するための貫通孔を形成する。続いて、形成した各貫通孔に、導電性ペーストを充填する。
【００６２】
次に、マザーグリーンシートを所定のプロファイルで焼成して、マザーフェライト板１４を得る。マザーフェライト板１４に作製された個々のフェライト４には、スルーホール導体５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆが形成されている。
【００６３】
次に、マザーフェライト板１４に作製された個々のフェライト４の上側主面に、中心電極６を形成する。具体的には、各フェライト４の上側主面に、導電性ペーストを所望の形状にスクリーン印刷したうえで、加熱して焼付け、中心電極６を形成する。なお、スクリーン印刷に代えて、フォトリソグラフィー技術によって、各フェライト４の上側主面に導電性ペーストを所望の形状に塗布しても良い。
【００６４】
次に、下ヨーク用のマザー金属板１１と、マザーフェライト板１４とを、接着剤によって接合する。ただし、電気的な接続が必要になる、入出力端子３ａとスルーホール導体５ａ、入出力端子３ｂとスルーホール導体５ｃ、入出力端子３ｃとスルーホール導体５ｅ、下ヨーク１とスルーホール導体５ｂ、下ヨーク１とスルーホール導体５ｄ、下ヨーク１とスルーホール導体５ｆの間は、それぞれ、たとえば、導電性接着剤によって接合（接続）する。ただし、導電性接着剤に代えて、これらの部分にクリームはんだを塗布しておき、後から加熱して、これらの部分の電気的な接続をはかっても良い。
【００６５】
次に、相互に接合されたマザー金属板およびマザーフェライト板を、相互に接合された個々の下ヨーク１およびフェライト４に分割する。
【００６６】
次に、中心電極６が形成されたフェライト４の上側主面に、接着剤によって、磁石７を接合する。
【００６７】
次に、磁石７を覆うように、フェライト４の上側主面に、接着剤によって、上ヨーク８を接合する。上ヨーク８は、予め、所定の形状に加工され、必要に応じて表面に高導電率材料がメッキされている。なお、電気的な接続が必要になる、上ヨーク８の垂直部８ｂの底面とスルーホール導体５ｂとの間、上ヨーク８の垂直部８ｃの底面とスルーホール導体５ｆとの間は、それぞれ、接着剤に代えて、たとえば、導電性接着剤によって接合（接続）する。ただし、導電性接着剤に代えて、これらの部分にクリームはんだを塗布しておき、後から加熱して、これらの部分の電気的な接続をはかっても良い。
【００６８】
以上により、非可逆回路素子１００が完成する。なお、ここに記載した非可逆回路素子１００の製造方法は一例であり、他の方法によって非可逆回路素子１００を製造しても良い。
【００６９】
以上、実施形態にかかる非可逆回路素子１００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００７０】
たとえば、非可逆回路素子１００はサーキュレータであったが、これに代えて、アイソレータであっても良い。なお、アイソレータを構成するためには、中心電極６の３つのポート部６ａ、６ｂ、６ｃのうちの１つを、抵抗を挿入したうえでグランドに接続し、終端させれば良い。
【００７１】
また、非可逆回路素子１００では、中心電極６がフェライト４の上側主面に膜状に形成されたものであったが、これに代えて、フェライト４とは別体の、金属板を加工して作製した中心電極を使用しても良い。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・下ヨーク
２・・・絶縁体
３ａ、３ｂ、３ｃ・・・入出力端子
４・・・フェライト
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ・・・スルーホール導体
６・・・中心電極
６ａ、６ｂ、６ｃ・・・ポート部
７・・・磁石
８・・・上ヨーク
８ａ・・・天面部
８ｂ、８ｃ・・・垂直部
８ｂｘ、８ｃｘ・・・切欠き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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