(57)【要約】【課題】信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、前記基板に重ねて配設される密着層と、前記密着層に重ねて配置されるシード層と、前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜とを含む。【選択図】図１
2019071322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を含む、配線基板。
【請求項２】
前記金属膜は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐ、又はＮｉ−Ｂ製である、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記密着層と前記金属膜との合わせ目は、前記配線層の最も電界が集中する部位からずらされた位置にある、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
配線基板と、
前記配線基板に接続されるチップ部品と、
前記配線基板と前記チップ部品とを電気的に接続するバンプと
を含む電子装置であって、
前記配線基板は、
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を有する、電子装置。
【請求項５】
配線基板と、
前記配線基板に接続され、再配線層を有するチップ部品と、
前記配線基板と前記再配線層とを電気的に接続するバンプと
を含む電子装置であって、
前記配線基板は、
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を有する、電子装置。
【請求項６】
絶縁材料製又は半導体材料製の基板に重ねて密着層を形成する工程と、
前記密着層に重ねてシード層を形成する工程と、
前記シード層に重ねて配線層を形成する工程であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層を形成する工程と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜を形成する工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁膜に配線が埋め込まれた埋込配線構造において、配線下部の各部の曲率半径が、５０オングストローム以上であることを特徴とする配線構造がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０５−０９０２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来の配線構造の上面は平坦であり、また、配線の内部における電界分布のバランスを調整することは開示されていない。配線の内部における電界分布のバランスが悪いと、電界が集中する部分において、イオンマイグレーション、又は、配線の銅成分が漏れ出すことによる腐食等の問題が生じ、配線の信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
そこで、信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施の形態の配線基板は、絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、前記基板に重ねて配設される密着層と、前記密着層に重ねて配置されるシード層と、前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
信頼性の高い配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態の配線基板１００の断面図を示す図である。
【図２】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図３】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図４】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図５】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図６】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図７】配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。
【図８】配線層１５０と配線層１０Ａとの電界分布のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】配線層１５０と、比較用の配線層１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃとの電界強度の最大値のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】電子装置２００の断面構造を示す図である。
【図１１】電子装置２００Ａの断面構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法を適用した実施の形態について説明する。
【００１０】
＜実施の形態＞
図１は、実施の形態の配線基板１００の断面図を示す図である。以下では、直交座標系の一例であるＸＹＺ座標系を用いて説明する。配線基板１００は、ＸＹ平面視では矩形状であり、図１には、配線基板１００をＸＺ平面に沿って切断した断面構造を示す。
【００１１】
以下ではＸＺ断面構造を用いて説明するが、ＹＺ断面等のＸＺ断面以外の断面においても同様の構造があってよい。また、以下では、説明の便宜上、Ｚ軸正方向側を上側、Ｚ軸負方向側を下側とする上下関係を用いて説明するが、普遍的な上下関係を表すものではない。
【００１２】
配線基板１００は、基板１１０、絶縁膜１２０、密着層１３０、シード層１４０、配線層１５０、メタルキャップ層１６０、及び樹脂層１７０を含む。このような配線基板１００の配線層１５０は、Semi Additive Process(SAP法)によって作製される。SAP法を用いると、線幅が数ｎｍ以下の配線層１５０を作製することが可能である。
【００１３】
基板１１０は、ＦＲ−４(Flame Retardant type 4)規格の配線基板、又は、インターポーザである。インターポーザは、シリコン等の半導体、ガラス等のセラミック、又は樹脂等で作製される複数の絶縁層の間等に配線及びビア等で作製される回路を組み込んだものである。また、基板１１０は、Ｓｉ（シリコン）等の半導体材料製の基板であってもよく、この場合には、基板１１０の内部に回路が設けられていてもよい。
【００１４】
絶縁膜１２０は、基板１１０の上面に設けられている絶縁層である。絶縁膜１２０は、例えば、基板１１０の上面に配線等の導電パターンが含まれている場合に上面を絶縁する絶縁層である。絶縁膜１２０の上には、密着層１３０、シード層１４０、配線層１５０、メタルキャップ層１６０、及び樹脂層１７０が設けられる。
【００１５】
なお、絶縁膜１２０を基板１１０の一部（最上層）として取り扱ってもよい。また、基板１１０の上面に配線等の導電パターンが存在しない場合には、配線基板１００は、絶縁膜１２０を含まなくてもよい。この場合には、基板１１０の上面に密着層１３０を設ければよい。
【００１６】
密着層１３０は、絶縁膜１２０の上面に設けられ、絶縁膜１２０とシード層１４０を密着させる層である。密着層１３０としては、例えば、Ｔｉ（チタン）又はＣｒ（クロム）等の金属層を用いることができる。ここでは、一例として、密着層１３０がＴｉ層である形態について説明する。密着層１３０は、スパッタ法等で絶縁膜１２０の上面にＴｉ層を形成することによって作製され、厚さは、一例として、１００ｎｍ以下である。密着層１３０は、絶縁膜１２０を介して、基板１１０に重ねて配設される。
【００１７】
シード層１４０は、密着層１３０の上の領域のうち、配線層１５０と密着層１３０とに挟まれた部分に設けられている。すなわち、シード層１４０は、配線層１５０がアンダーカット部１５２によって削られていない部分（基部１５３）の下に設けられる。図１では、シード層１４０のＸ軸方向の幅は、基部１５３の幅と等しいが、シード層１４０のＸ軸方向の幅は、基部１５３の幅Ｗ０と等しいが、幅Ｗ０よりも狭くてもよい。
【００１８】
シード層１４０は、配線層１５０を電解めっき処理で作製する際に用いられる。シード層１４０は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）等の金属製である。シード層１４０は、例えば、スパッタ法、無電解めっき処理、又は電解めっき処理によって形成され、厚さは、一例として、２００ｎｍ以下である。
【００１９】
配線層１５０は、シード層１４０の上に設けられ、配線基板１００の配線として機能する金属層である。配線層１５０には、配線基板１００がＩＣ(Integrated Circuit:集積回路)チップ等に接続されることにより、様々な電気信号が流れ得る。配線層１５０のうち、密着層１３０に接続される下部は、第１部の一例である。また、配線層１５０のうち、密着層１３０に接続される下部とは反対側の上部は、第２部の一例である。
【００２０】
配線層１５０は、幅Ｗ１を有する。配線層１５０が延在する長手方向はＹ軸方向であり、幅方向はＸ軸方向である。配線層１５０は、一例として、Ｃｕ製である。配線層１５０は、シード層１４０を用いて電解めっき処理で銅めっき層を形成することによって作製される。
【００２１】
配線層１５０は、電解めっき処理で作製されるため、断面において幅方向の中央部の上部が上向きに突出した凸部１５１を有する。換言すれば、配線層１５０の断面における上部では、凸部１５１を挟んだ両端が徐々に低くなっている。すなわち、凸部１５１の幅は、幅Ｗ１よりも細く、上部に行くに従って徐々に細くなっている。
【００２２】
ＳＡＰ法で配線層１５０を形成すると、幅方向の中央部におけるめっき層の成長が速いため、両端に比べて上向きに突出した凸部１５１が幅方向の中央部に形成される。なお、図１には、説明の便宜上、角張った断面形状の凸部１５１を示すが、実際には曲線的に湾曲した形状になる。凸部１５１は、突出部の一例である。
【００２３】
また、配線層１５０は、下部の幅方向における両側に設けられるアンダーカット部１５２と、アンダーカット部１５２によって削られていない部分（基部１５３）とを有する。基部１５３の幅はＷ０であり、幅Ｗ０は幅Ｗ１よりも狭い。
【００２４】
アンダーカット部１５２は、電解めっき処理で銅めっき層を形成した後に、配線層１５０の下部の幅方向における両側を切り取るように除去した切り取り部の一例である。例えば、銅めっき層の下部のＣｕをソフトエッチングすることによってアンダーカット部１５２を形成することができる。
【００２５】
アンダーカット部１５２を形成する前の配線層１５０の断面は、下端の幅方向における両端において、下面に対して両側面が垂直に立ち上がった形状を有しており、下端の幅はＷ１である。すなわち、基部１５３が幅Ｗ１の全体にわたって延在しているような形状である。また、配線層１５０の上部の幅方向の中央部には凸部１５１がある。
【００２６】
このため、アンダーカット部１５２を形成する前の配線層１５０の断面は、上下の形状が非対称であり、上部の幅方向の両端側における電界強度は緩和されるが、アンダーカット部１５２を作製しない状態における下部では、下面に対して両側面が垂直に立ち上がっているため、幅方向の両角に電界が集中する。
【００２７】
この結果、アンダーカット部１５２を形成する前の配線層１５０では、上部と下部の電界分布がアンバランスになる。実施の形態の配線基板１００は、このような電界分布のアンバランスを解消するために、アンダーカット部１５２を設けて上下の形状の非対称性を緩和することによって、電界分布のバランスを取っている。
【００２８】
アンダーカット部１５２を設けると、配線層１５０の下部に、下向きに突出する凸部が得られる。このような下向きの凸部は、基部１５３の部分である。配線層１５０は、上部に上向きの凸部１５１があるため、下部に下向きの凸部を設けることにより、上下の断面形状を対称な状態に近づけることができ、上下における電界分布の差を緩和することができる。
【００２９】
また、配線層１５０は、上述のようなアンダーカット部１５２を有することにより、下部の両角における電界分布の差を緩和しているが、下部で最も電界が集中する部分は、側面とアンダーカット部１５２との境界である。アンダーカット部１５２を形成すると、配線層１５０の断面形状において、最も角度が大きい（最も直角に近い）部分は、側面とアンダーカット部１５２との境界になるからである。
【００３０】
この側面とアンダーカット部１５２との境界には、メタルキャップ層１６０が連続的に形成されているため、密着層１３０とメタルキャップ層１６０との合わせ目からはずらされている。密着層１３０とメタルキャップ層１６０との合わせ目は、アンダーカット部１５２の一番奥であり、シード層１４０の両端に位置する部分である。
【００３１】
密着層１３０とメタルキャップ層１６０との合わせ目は、Ｃｕ漏れ出しの観点からは最も弱い部分であるため、最も電界が集中する部分からずらしてあることは、配線基板１００の信頼性を向上させる観点から非常に有効的である。
【００３２】
メタルキャップ層１６０は、Ｎｉ、Ｃｏ（コバルト）、Ｐｄ（パラジウム）、若しくはＳｎ（錫）等の金属、又は、Ｎｉ−Ｐ（ニッケル−リン）若しくはＮｉ−Ｂ（ニッケル−ボロン）のような合金で作製され、配線層１５０を保護するために設けられる。ここでは、メタルキャップ層１６０がＮｉ−Ｐ層である形態について説明する。
【００３３】
メタルキャップ層１６０は、配線層１５０にアンダーカット部１５２を形成した後に、無電解めっき処理によって作製される。メタルキャップ層１６０は、配線層１５０の断面の周囲（上下左右の周囲）のうち、基部１５３の下にシード層１４０が設けられている部分以外の部分を覆っている。すなわち、配線層１５０の断面における周囲は、メタルキャップ層１６０とシード層１４０とによって連続的に覆われている。メタルキャップ層１６０は、金属膜の一例である。
【００３４】
また、メタルキャップ層１６０は、密着層１３０の上には形成されないため、密着層１３０とメタルキャップ層１６０の合わせ目は、上述したように、アンダーカット部１５２の一番奥の部分（換言すれば、シード層１４０の両端の部分）になる。
【００３５】
樹脂層１７０は、絶縁膜１２０の上において、密着層１３０、シード層１４０、メタルキャップ層１６０を覆う絶縁層である。配線層１５０は、シード層１４０及びメタルキャップ層１６０を介してメタルキャップ層１６０によって覆われている。樹脂層１７０は、配線層１５０等を外部からの腐食又は物理的な衝撃から保護するために形成されており、保護層として設けられている。
【００３６】
次に、図２乃至図７を用いて、配線基板１００の製造方法について説明する。図２乃至図７は、配線基板１００の製造工程における断面構造を示す図である。以下では、Ｚ軸正方向側の面を上面と称す。
【００３７】
まず、図２に示すように、絶縁膜１２０が上面に形成された基板１１０を用意し、絶縁膜１２０の上面の全体に、スパッタ法等でＴｉ層を形成することによって密着層１３０Ａを作製し、さらに、密着層１３０Ａの上面の全体に、スパッタ法又は無電解めっき処理でＮｉ層を形成することにより、シード層１４０Ａを作製する。
【００３８】
密着層１３０Ａの厚さは、一例として、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。密着層１３０Ａは、後にエッチングされて図１に示す密着層１３０になるものであり、この段階では絶縁膜１２０の上面の全体に形成される。
【００３９】
また、シード層１４０Ａの厚さは、一例として、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。シード層１４０Ａは、後にエッチング処理を行うことによって図１に示すシード層１４０にされるものであり、この段階では、密着層１３０Ａの上面の全体に形成される。
【００４０】
次に、図３に示すように、シード層１４０Ａの上にフォトレジスト５０を作製し、さらに電解めっき処理を行うことにより、シード層１４０Ａの上のフォトレジスト５０が作製されていない部分（配線パターンの部分）に、配線層１５０Ａを作製する。配線層１５０Ａは、アンダーカット部１５２（図１参照）が形成される前の状態のものであり、下端の両角が直角になっている。
【００４１】
フォトレジスト５０は、シード層１４０Ａの上にフォトレジスト材料を塗布し、露光工程及び現像工程により配線パターンを形成する。フォトレジスト５０は、配線層１５０Ａを作製する際のマスクとして用いられるものであり、フォトレジスト５０を残す部分は、配線層１５０Ａを形成しない部分である。
【００４２】
配線層１５０Ａは、図１乃至図３に示す工程によってＳＡＰ法で作製される。フォトレジスト５０同士の間では、幅方向の中央部におけるめっき層の成長が速いため、両端に比べて上向きに突出した凸部１５１が幅方向の中央部に形成される。
【００４３】
次に、図４に示すように、フォトレジスト５０を除去する。フォトレジスト５０の除去は、専用のエッチング溶液を用いてウェットエッチング処理で行えばよい。
【００４４】
次に、Ｎｉを選択的にエッチングするエッチング溶液を用いてシード層１４０Ａをエッチングし、図５に示すように、配線層１５０Ａの幅方向の中央部にシード層１４０を作製する。エッチング時間は、約２０秒から約１２０秒であり、シード層１４０Ａの厚さに応じて決定すればよい。
【００４５】
エッチング溶液としては、例えば、日本化学産業社製の選択Ｎｉエッチング液ＮＣを用いることができる。なお、エッチング溶液の種類及び／又はエッチング時間により、配線層１５０Ａの下部の両角周辺がエッチングされる場合がある。
【００４６】
次に、Ｃｕを選択的にエッチングするエッチング溶液を用いて配線層１５０Ａの下部の両角周辺をエッチングし、図６に示すように、アンダーカット部１５２を形成することにより、配線層１５０を作製する。このとき、アンダーカットされずに下部に残る部分が基部１５３になる。エッチング溶液としては、例えば、メルテックス社製液のメルストリップＣｕ３９３１液を用いることができる。
【００４７】
次に、密着層１３０Ａのうち、幅方向において配線層１５０の下に位置する部分以外をドライエッチング処理で除去することによって密着層１３０を作製し、配線層１５０の周囲に無電解めっき処理でメタルキャップ層１６０を作製し、さらに樹脂層１７０を作製することにより、図７に示すように配線基板１００が完成する。なお、密着層１３０Ａのドライエッチング処理には、ＣＦ４（四フッ化炭素）ガス等のフッ化炭素系のガスを用いればよい。
【００４８】
なお、図５に示すようにシード層１４０Ａをエッチングする際に、配線層１５０Ａの下部の両角周辺がエッチングされることによって、アンダーカット部１５２が形成される場合には、図６に示すＣｕを選択的にエッチングするエッチング溶液を用いて配線層１５０Ａの下部の両角周辺をエッチングは行わなくてもよい。
【００４９】
図８は、配線層１５０と配線層１０Ａとの電界分布のシミュレーション結果を示す図である。図８（Ａ）には、アンダーカット部１５２を有する配線層１５０の電界分布を示し、図８（Ｂ）には、比較用にアンダーカット部１５２を有しない配線層１０Ａの電界分布を示す。
【００５０】
配線層１０Ａは、図３乃至図５に示したように、製造工程においてアンダーカット部１５２を作製する前の配線層１５０Ａと同様のものである。配線層１０Ａは、下部の両角が直角であるため、下部の両角に電界が最も集中する。また、下部の両角は、密着層１３０に対応する密着層と、メタルキャップ層１６０に対応するメタルキャップ層との合わせ目でもある。
【００５１】
このため、配線層１０Ａは、特に下部の両角において、イオンマイグレーション又はＣｕ漏れ出しによる腐食等の問題が発生し得るものである。このような配線層１０Ａを含む配線基板を比較用に用いた。
【００５２】
配線層１５０は、凸部１５１の上面の幅が０．６μｍ、幅Ｗ１の部分（凸部１５１とアンダーカット部１５２とが形成されていない部分）の高さが０．６μｍである。また、配線層１０Ａは、凸部１５１と同様の凸部が形成されていない部分の高さが０．８μｍであり、幅は配線層１５０Ａと同様である。
【００５３】
図８（Ａ）、（Ｂ）では、電界強度が高い部分を濃く示し、電界強度が低い部分を薄く示す。図８（Ａ）、（Ｂ）では、それぞれ、配線層１５０、１０Ａが横方向に１１本平行に配列されている。
【００５４】
図８（Ｂ）の比較用の配線層１０Ａに比べると、図８（Ａ）に示す配線層１５０を用いた場合の方が、色が濃い部分が少なく、かつ、配線層１５０、１０Ａよりも下側で電界分布が緩やかになっていることが分かる。
【００５５】
また、複数の配線層１５０、１０Ａ間での電界強度の最大値は、配線層１５０では６．９０９×１０６Ｖであったのに対して、配線層１０Ａでは１．０６７×１０７Ｖであり、アンダーカット部１５２を設けることにより、配線層１５０よりも下側で電界分布が緩やかになるとともに、複数の配線層１５０間での電界強度の最大値が低減されることが分かった。
【００５６】
図９は、配線層１５０と、比較用の配線層１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃとの電界強度の最大値のシミュレーション結果を示す図である。電界強度の最大値は、配線層１５０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃをそれぞれ横方向に１１本平行に配置した場合に、複数の配線層１５０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの間で得られる最大値である。
【００５７】
配線層１０Ｂは、配線層１０Ａの上部の両角も直角にした断面形状（矩形状）を有し、配線層１０Ｃは、配線層１０Ｃの下部にアンダーカット部１５２と同様のアンダーカット部を設けた断面形状を有する。このため、配線層１０Ｂは上下の両角に電界が集中してイオンマイグレーション又はＣｕ漏れ出しによる腐食等の問題が発生し得るものであり、配線層１０Ｃは上部の両角に電界が集中してイオンマイグレーション又はＣｕ漏れ出しによる腐食等の問題が発生し得るものである。
【００５８】
図９に示すように、比較用の配線層１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの電界強度の最大値は、１．０×１０７Ｖ以上であったのに対して、配線層１５０は６．９０９×１０６Ｖであり、電解めっき処理で作製することによって上部に凸部１５１を有する場合に、下部にアンダーカット部１５２を形成することにより、上下の電界分布の差が緩和されることにより、電界強度の最大値が低減されたものと考えられる。
【００５９】
以上のような配線基板１００は、図１０に示すような電子装置２００に用いることができる。図１０は、電子装置２００の断面構造を示す図である。
【００６０】
電子装置２００は、回路基板２１０、バンプ２２０、インターポーザ２３０、バンプ２４０、及びＩＣ(Integrated Circuit：集積回路)チップ２５０を含む。
【００６１】
回路基板２１０は、例えば、ＦＲ−４規格の多層型の配線基板である。回路基板２１０は、配線層と絶縁層（例えば、コア層又はプリプレグ層）を交互に重ね合わせて熱圧着した多層基板である。
【００６２】
回路基板２１０は、Ｚ軸正方向側の表面に配置される端子２１１を有する。端子２１１は、銅めっき処理で形成され、回路基板２１０の最上層に位置する配線層である。なお、回路基板２１０の最上層よりも下の構成についての説明は省略する。また、回路基板２１０を配線基板として捉えてもよい。
【００６３】
バンプ２２０は、回路基板２１０の端子２１１と、インターポーザ２３０の端子２３４とを接続するはんだバンプであり、一例としてＣ４はんだバンプである。
【００６４】
インターポーザ２３０は、シリコン、ガラス、樹脂等の半導体基板２３１と、半導体基板２３１の下側に設けられる絶縁層２３２との内部に配線層２３３等を形成したものであり、Ｚ軸負方向側の面に配設される端子２３４と、Ｚ軸正方向側の面に配設される端子２３５とを有する。
【００６５】
配線層２３３、端子２３４、及び端子２３５は、ビア等を介して接続されている。また、図１０では図示を省略するが、半導体基板２３１の表面には絶縁膜１２０に相当する樹脂層が設けられていてもよい。
【００６６】
バンプ２４０は、Ｃｕ製のマイクロＣバンプであり、インターポーザ２３０の端子２３５と、ＩＣチップ２５０のＺ軸負方向側の面に設けられる端子２５１とを接続する。
【００６７】
ＩＣチップ２５０は、Ｚ軸負方向側の面に設けられる端子２５１を有する。端子２５１は、ＩＣチップ２５０の内部に設けられる集積回路に接続されている。ＩＣチップ２５０は、半導体素子の一例である。また、ここでは、半導体素子の一例としてのＩＣチップ２５０が電子装置２００に含まれるものとして説明するが、例えば、複数のＩＣチップ２５０を含む半導体装置のように、半導体素子よりも大規模なものが電子装置２００に含まれていてもよい。
【００６８】
このような電子装置２００において、配線基板１００は、例えば、インターポーザ２３０を基板１１０及び絶縁膜１２０として用い、端子２３５に接続される配線を配線層１５０として用いたものとして捉えることができる。この場合に、密着層１３０、シード層１４０、配線層１５０、メタルキャップ層１６０、及び樹脂層１７０は、絶縁膜１２０として用いられる半導体基板２３１の表面の樹脂層のＺ軸正方向側の面に設けられ、配線層２３３が配線層１５０に対応し、半導体基板２３１が樹脂層１７０に対応する。図１に示すような配線層１５０の断面形状は、Ｘ軸方向に延在する配線層２３３のＹＺ平面に平行な断面に現れる。
【００６９】
このように、配線基板１００は、一例として、インターポーザ２３０の内部の高密度化及び／又は微細化が必要な部分に用いることができる。
【００７０】
近年では半導体装置に様々な機能が求められ、複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）を1つの半導体装置に搭載する傾向にある。このため、1つの回路基板２１０に複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）を微細な配線層（配線層１５０等）を介して、半導体素子（ＩＣチップ２５０）同士を近接接合及び高密度実装する技術が開発されている。
【００７１】
半導体素子（ＩＣチップ２５０）と回路基板２１０との間に、微細配線を持つインターポーザ２３０を介して接合することで半導体素子（ＩＣチップ２５０）同士を高密度実装することが行われている。インターポーザ２３０に微細配線層を形成し、複数の半導体素子（ＩＣチップ２５０）と接合することで高密度に実装でき半導体装置の高機能化が実現できる。
【００７２】
また、以上のような配線基板１００は、図１１に示すような電子装置２００Ａに用いることができる。図１１は、電子装置２００Ａの断面構造を示す図である。電子装置２００Ａは、ファンアウトウェアレベルパッケージ(FOWLP: Fan Out Wafer Level Package)を用いたマルチチップパッケージである。
【００７３】
電子装置２００Ａは、回路基板２１０、バンプ２２０、及びＦＯＷＬＰチップ２６０を含む。、回路基板２１０及びバンプ２２０は、図１０に示す電子装置２００の回路基板２１０及びバンプ２２０と同様である。
【００７４】
ＦＯＷＬＰチップ２６０は、ＩＣチップ２５０、モールド樹脂２６１、及び再配線層２６２を有する。ＩＣチップ２５０は、図１０に示すＩＣチップ２５０と同様に、端子２５１を有する。２つのＩＣチップ２５０は、モールド樹脂２６１によって固定されており、下面側には再配線層２６２が設けられている。
【００７５】
再配線層２６２は、端子２６２Ａ、端子２６２Ｂ、配線層２６２Ｃ、ビア２６２Ｄ、及び樹脂層２６２Ｅを有する。端子２６２Ａは樹脂層２６２Ｅの下面に設けられており、端子２６２Ｂは樹脂層２６２Ｅの上面に設けられている。端子２６２Ａと端子２６２Ｂの間は、樹脂層２６２Ｅの中に設けられた配線層２６２Ｃ及びビア２６２Ｄによって接続されている。
【００７６】
バンプ２２０は、回路基板２１０の端子２１１と再配線層２６２の端子２６２Ａとを接続しており、再配線層２６２の端子２６２Ｂは、ＩＣチップ２５０の端子２５１に接続されている。
【００７７】
例えば、配線層２６２Ｃが配線層１５０に対応し、樹脂層２６２Ｅが樹脂層１７０に対応する。図１に示すような配線層１５０の断面形状は、Ｘ軸方向に延在する配線層２６２ＣのＹＺ平面に平行な断面に現れる。このように、配線基板１００の構造は、ＦＯＷＬＰチップ２６０の再配線層２６２のような高密度化及び／又は微細化が必要な部分に用いることができる。
【００７８】
本実施の形態の配線基板１００は、上述のように、ＳＡＰ法で作製されることによって上部に凸部１５１を有する配線層１５０の下部の両側に、アンダーカット部１５２を設ける。これにより、配線層１５０の断面形状は、上下に凸部を有し、上下の非対称性が緩和され、対称な形状に近づけることができる。
【００７９】
このような配線層１５０を用いることにより、上下における電界分布の差を抑制できるとともに、配線層１５０同士の間における電界強度の最大値を低減することができるので、比較用の配線層１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ（図９参照）で生じうるイオンマイグレーション又はＣｕの漏れ出しによる腐食等の問題の発生を抑制することができる。
【００８０】
従って、実施の形態によれば、信頼性の高い配線基板１００、電子装置２００、及び、配線基板１００の製造方法を提供することができる。
【００８１】
また、配線層１５０は、下部で最も電界が集中する部分と、密着層１３０及びメタルキャップ層１６０の合わせ目との位置がずらされていることからも、Ｃｕの漏れ出しを抑制でき、配線基板１００の信頼性をより一層向上させることができる。
【００８２】
また、配線基板１００は、インターポーザ２３０及びＦＯＷＬＰチップ２６０の内部の高密度化及び／又は微細化が必要な部分に用いることができるため、高密度化及び／又は微細化が必要な配線基板１００における信頼性をより一層向上させることができる。例えば、5μm〜1μm Line/Space程度の高密度化及び／又は微細化が必要な配線に適用することができる。
【００８３】
以上、本発明の例示的な実施の形態の配線基板、電子装置、及び、配線基板の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
以上の実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を含む、配線基板。
（付記２）
前記金属膜は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｎｉ−Ｐ、又はＮｉ−Ｂ製である、付記１記載の配線基板。
（付記３）
前記密着層と前記金属膜との合わせ目は、前記配線層の最も電界が集中する部位からずらされた位置にある、付記１又は２記載の配線基板。
（付記４）
配線基板と、
前記配線基板に接続されるチップ部品と、
前記配線基板と前記チップ部品とを電気的に接続するバンプと
を含む電子装置であって、
前記配線基板は、
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を有する、電子装置。
（付記５）
配線基板と、
前記配線基板に接続され、再配線層を有するチップ部品と、
前記配線基板と前記再配線層とを電気的に接続するバンプと
を含む電子装置であって、
前記配線基板は、
絶縁材料製又は半導体材料製の基板と、
前記基板に重ねて配設される密着層と、
前記密着層に重ねて配置されるシード層と、
前記シード層に重ねて配置される配線層であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜と
を有する、電子装置。
（付記６）
絶縁材料製又は半導体材料製の基板に重ねて密着層を形成する工程と、
前記密着層に重ねてシード層を形成する工程と、
前記シード層に重ねて配線層を形成する工程であって、前記シード層に接続される第１部とは反対側の第２部における幅方向の中央部が前記第１部から前記第２部に向かう方向に突出した突出部と、前記第１部において、断面視における幅方向の両側を切り取った切り取り部とを有する配線層を形成する工程と、
断面視で、前記配線層の前記第２部及び側面の部分と、前記切り取り部とを連続的に覆う金属膜を形成する工程と
を含む、配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００８４】
１００  配線基板
１１０  基板
１２０  絶縁膜
１３０  密着層
１４０  シード層
１５０  配線層
１５１  凸部
１５２  アンダーカット部
１５３  基部
１６０  メタルキャップ層
１７０  樹脂層
２００、２００Ａ  電子装置
２１０  回路基板
２２０  バンプ
２３０  インターポーザ
２４０  バンプ
２５０  ＩＣチップ
２６０  ＦＯＷＬＰチップ
２６２  再配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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