(57)【要約】【課題】コストの増大を抑制しながら集積回路の異常動作を誘起する様々な事象から集積回路装置を保護するための技術を提供する。【解決手段】集積回路装置が、柔軟性がある樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接合され、特定方向に並んで配置された複数の配線と、樹脂フィルムの表面に接合され、該配線に対して該特定方向に垂直な方向にずれて位置し、該配線に接続されたＩＣチップと、樹脂フィルムの表面に形成され、ＩＣチップ及び／又は該配線が配置されている配置領域に対して該特定方向に位置しており、該配線と同一の材料で形成された保護パターンとを具備している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟性がある樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの表面に接合され、第１方向に並んで配置された複数の配線と、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に対して前記第１方向に垂直な方向にずれて位置し、前記複数の配線に接続されたＩＣチップと、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記ＩＣチップ及び／又は前記複数の配線が配置されている配置領域に対して前記第１方向に位置しており、前記複数の配線と同一の材料で形成された第１保護パターン
とを備える
集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から前記第１方向に突出する第１突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記樹脂フィルムの前記第１突出部分に接合された
集積回路装置。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路装置であって、
更に、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記配置領域に対して前記第１方向と反対の第２方向に位置しており、前記複数の配線と同一の材料で形成された第２保護パターン
を備える
集積回路装置。
【請求項４】
請求項３に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から前記第１方向に突出する第１突出部分と、
前記本体部分から前記第２方向に突出する第２突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記樹脂フィルムの前記第１突出部分に接合され、
前記第２保護パターンは、前記樹脂フィルムの前記第２突出部分に接合された
集積回路装置。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路装置であって、
前記第１保護パターンは、
前記第１方向に延伸する第１パターン部分と、
前記第１パターン部分の前記第１方向の端から前記第１方向と垂直な方向に突出する第２パターン部分と、
前記第２パターン部分の前記第１パターン部分から離れた位置から前記第１方向と反対の第２方向に突出する第３パターン部分
とを備える
集積回路装置。
【請求項６】
請求項２に記載の集積回路装置であって、
前記第１保護パターンは、
前記第１方向に延伸する第１パターン部分と、
前記第１パターン部分の前記第１方向の端から前記第１方向と垂直な方向に突出する第２パターン部分と、
前記第２パターン部分の前記第１パターン部分から離れた位置から前記第１方向と反対の第２方向に突出する第３パターン部分
とを備え、
前記第１突出部分は、
前記本体部分に接合し、前記本体部分から前記第１方向に突出する第１部分と、
前記第１部分の前記第１方向の端から前記第１方向と垂直な方向に突出する第２部分と、
前記第２部分の前記第１部分から離れた位置から前記第２方向に突出する第３部分
とを備え、
前記第１保護パターンの前記第１パターン部分が前記第１突出部分の前記第１部分に接合され、
前記第１保護パターンの前記第２パターン部分が前記第１突出部分の前記第２部分に接合され、
前記第１保護パターンの前記第３パターン部分が前記第１突出部分の前記第３部分に接合される
集積回路装置。
【請求項７】
請求項２又は６に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂フィルムに、前記第１突出部分の端が挿入可能な差込穴が形成された
集積回路装置。
【請求項８】
請求項７に記載の集積回路装置であって、
前記第１突出部分の端に、前記差込穴から前記第１突出部分の端が抜けることを防止する抜け止め構造が形成された
集積回路装置。
【請求項９】
請求項４に記載の集積回路装置であって、
前記第１突出部分に、第１嵌合構造が形成され、
前記第２突出部分に、第２嵌合構造が形成され、
前記第１嵌合構造と前記第２嵌合構造が、互いに嵌合可能に構成された
集積回路装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の集積回路装置であって、
前記第１突出部分は、
前記本体部分と接合する根元部分と、
前記根元部分に前記第１方向に接合する突出本体部分
とを備え、
前記根元部分の前記第１方向に垂直な垂直方向の幅が、前記突出本体部分の前記垂直方向の幅よりも狭い
集積回路装置。
【請求項１１】
請求項２に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂フィルムの前記本体部分と前記第１突出部分とが接合する位置に凹部が形成された
集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積回路装置であって、
前記複数の配線が、接地線を備え、
前記第１保護パターンが前記接地線に接続された
集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の集積回路装置であって、
前記第１保護パターンが、樹脂皮膜によって被覆された
集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂皮膜に開口が形成された
集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかに記載の集積回路装置であって、
前記第１保護パターンが、特定方向に延伸する複数の導電体を含む
集積回路装置。
【請求項１６】
柔軟性がある樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの表面に接合され、第１方向に並んで配置された複数の配線と、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に対して前記第１方向に垂直な方向にずれて位置し、前記複数の配線に接続されたＩＣチップ
とを備え、
前記樹脂フィルムが、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記ＩＣチップに対して前記第１方向に位置し、前記本体部分から前記第１方向に突出する第１突出部分
とを含む
集積回路装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の集積回路装置であって、
前記樹脂フィルムが、更に、前記ＩＣチップに対して前記第１方向と反対の第２方向に位置し、前記本体部分から前記第２方向に突出する第２突出部分を含む
集積回路装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の集積回路装置であって、
前記第１突出部分に開口が設けられた
集積回路装置。
【請求項１９】
柔軟性がある樹脂フィルムと、
前記樹脂フィルムの表面に接合され、第１方向に並んで配置された複数の配線と、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線に対して前記第１方向に垂直な方向にずれて位置し、前記複数の配線に接続されたＩＣチップとを備え、
前記樹脂フィルムは、
前記複数の配線と前記ＩＣチップとが接合された本体部分と、
前記本体部分から突出する第１突出部分
とを備え、
前記第１保護パターンは、前記樹脂フィルムの前記第１突出部分に接合され、
前記樹脂フィルムが、前記第１突出部分が前記本体部分に対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子機器であって、
更に、前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線と同一の材料で形成された第１保護パターンを備え、
前記第１保護パターンが前記複数の配線の少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように前記樹脂フィルムが折り曲げられた
電子機器。
【請求項２１】
請求項２０に記載の電子機器であって、
更に、
前記樹脂フィルムの前記表面に接合され、前記複数の配線と同一の材料で形成された第２保護パターンを備え、
前記樹脂フィルムは、更に、
前記本体部分から突出する第２突出部分
を備え、
前記第２突出部分は、前記第１突出部分が前記本体部分に接合する位置に対向する位置で前記本体部分に接合され、
前記第２保護パターンは、前記第２突出部分に接合され、
前記樹脂フィルムが、前記第１保護パターン及び前記第２保護パターンが、前記複数の配線の少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項２２】
請求項２０に記載の電子機器であって、
更に、
前記樹脂フィルムの前記本体部分に対向するように配置されたフレキシブル配線基板を備え、
前記樹脂フィルムが、前記第１保護パターンが前記フレキシブル配線基板を挟んで前記少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項２３】
請求項２１に記載の電子機器であって、
更に、
前記樹脂フィルムの前記本体部分に対向するように配置されたフレキシブル配線基板を備え、
前記樹脂フィルムが、前記第１保護パターン及び前記第２保護パターンが前記フレキシブル配線基板を挟んで前記少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように折り曲げられた
電子機器。
【請求項２４】
請求項２０に記載の電子機器であって、
前記第１保護パターンは、
第２方向に延伸する第１パターン部分と、
前記第１パターン部分の前記第２方向の端から前記第２方向と垂直な方向に突出する第２パターン部分と、
前記第２パターン部分の前記第１パターン部分から離れた位置から前記第２方向と反対の第３方向に突出する第３パターン部分
とを備え、
前記第１突出部分は、
前記本体部分に接合し、前記本体部分から前記第２方向に突出する第１部分と、
前記第１部分の前記第２方向の端から前記第２方向と垂直な方向に突出する第２部分と、
前記第２部分の前記第１部分から離れた位置から前記第３方向に突出する第３部分
とを備え、
前記第１保護パターンの前記第１パターン部分が前記第１突出部分の前記第１部分に接合され、
前記第１保護パターンの前記第２パターン部分が前記第１突出部分の前記第２部分に接合され、
前記第１保護パターンの前記第３パターン部分が前記第１突出部分の前記第３部分に接合され、
前記第１保護パターンの前記第１パターン部分と前記第３パターン部分とが前記複数の配線の少なくとも一部の配線及び／又は前記ＩＣチップに対向するように、前記樹脂フィルムが、前記本体部分と前記第１突出部分の前記第１部分とが接合する位置、及び、前記第１突出部分の前記第２部分と前記第３部分とが接合する位置で折り曲げられた
電子機器。
【請求項２５】
請求項１９に記載の電子機器であって、
更に、前記第１突出部分に前記ＩＣチップと対向するように接合されたスティフナーを備える
電子機器。
【請求項２６】
請求項１９に記載の電子機器であって、
更に、スティフナーを備え、
前記樹脂フィルムが、更に、前記ＩＣチップに対して前記第１方向と反対の第２方向に位置し、前記本体部分から前記第２方向に突出する第２突出部分を含み、
前記スティフナーが、前記第１突出部分及び前記第２突出部分に前記ＩＣチップと対向するように接合された
電子機器。
【請求項２７】
請求項２５に記載の電子機器であって、
前記第１突出部分に開口が設けられ、
前記スティフナーが前記開口を塞ぐように前記第１突出部分に接合された
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路の異常動作を誘起する様々な事象から集積回路装置を保護する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の異常動作を誘起する様々な事象が当業者に知られている。集積回路の異常動作を誘起する事象の例としては、例えば、ＥＭＩ（electromagnetic interference）、ＥＳＤ（electro-static discharge）、集積回路の発熱による温度上昇、集積回路への光入射、集積回路に印加される機械的力が挙げられる。特に、携帯端末では、実装の困難性により、これらの事象による異常動作の発生が課題になっている。
【０００３】
このような異常動作の発生を防ぐための手法の一つは、導電体、良熱伝導体、遮光体等で形成された保護構造を設けることである。例えば、ＥＭＩ、ＥＳＤから集積回路を保護するために、導電体で形成されたシールドパターンを備えるシールドテープが集積回路の近傍に貼付されることがある。また、集積回路からの放熱効率を向上させるためには、放熱テープが貼付されることがある。一方、集積回路への光入射を抑制するためには、遮光テープが貼付されることがある。
【０００４】
しかしながら、異常動作の発生を防ぐために保護構造を設ける技術を採用すると、追加のコストが不所望に発生する。
【０００５】
コストの増大を抑制しながら集積回路の異常動作を誘起する様々な事象から集積回路装置を保護するための技術を提供することには、技術的ニーズが存在する。
【発明の概要】
【０００６】
一の観点では、集積回路装置が、柔軟性がある樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接合され特定方向に並んで配置された複数の配線と、樹脂フィルムの表面に接合され、該配線に対して該特定方向に垂直な方向にずれて位置し、該配線に接続されたＩＣチップと、樹脂フィルムの表面に形成され、ＩＣチップ及び／又は配線が配置されている配置領域に対して該特定方向に位置しており、該配線と同一の材料で形成された保護パターンとを具備している。
【０００７】
他の観点では、電子機器が、柔軟性がある樹脂フィルムと、樹脂フィルムの表面に接合され、特定方向に並んで配置された複数の配線と、樹脂フィルムの表面に接合され、該配線に対して該特定方向に垂直な方向にずれて位置し、該配線に接続されたＩＣチップとを具備する。樹脂フィルムは、配線とＩＣチップとが接合された本体部分と、本体部分から突出する突出部分とを含む。樹脂フィルムは、前記第１突出部分が前記本体部分に対向するように折り曲げられている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図２】一実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３】樹脂フィルムが折り曲げられた状態でのＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図５】図３のＡ−Ａ断面におけるＣＯＦパッケージの他の構造を示す断面図である。
【図６】ＩＣチップの高速インターフェースが保護パターンから離れて位置している集積回路装置の構成を示す平面図である。
【図７】高速インターフェースが、ＩＣチップの保護パターンに近い半分に位置している集積回路装置の構成を示す平面図である。
【図８】他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図９】図８の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図１０】樹脂フィルムが折り曲げられた状態における図９のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図１１】樹脂フィルムを２回折りする集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図１２】図１１の集積回路装置の保護パターンの構造を示す平面図である。
【図１３】図１１の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図１４】図１１の集積回路装置の突出部分の構造を示す拡大平面図である。
【図１５】図１１の集積回路装置の突出部分における保護パターンの配置を示す拡大平面図である。
【図１６Ａ】樹脂フィルムが突出部分の根元の位置で折り曲げられたときの図１３のＣＯＦパッケージの構造を図示している。
【図１６Ｂ】更に突出部分が折り曲げられたときの図１３のＣＯＦパッケージの構造を図示している。
【図１７】更に他の実施形態における集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図１８】図１７の集積回路装置の保護パターンの構造を示す拡大平面図である。
【図１９】図１７の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図２０Ａ】図１７の集積回路装置の突出部分の構造を示す拡大平面図である。
【図２０Ｂ】図１７の集積回路装置の突出部分における保護パターンの配置を示す拡大平面図である。
【図２１】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図２２】図２１の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図２３】樹脂フィルムが折り曲げられた状態での図２２のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図２４】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図２５】図２４の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図２６】樹脂フィルムが折り曲げられた状態での図２５のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図２７】図２６のＢ−Ｂ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図２８】更に他の実施形態の集積回路装置の構造を示す平面図である。
【図２９】図２８の集積回路装置をカットラインで切断して得られるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３０】図２５に図示されているＣＯＦパッケージの保護パターンが、ＦＰＣに含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を抑制する電磁シールドとして用いられる場合のＦＰＣの配置を示す平面図である。
【図３１】図３０に図示されているＣＯＦパッケージ及びＦＰＣの電子機器への実装において樹脂フィルムが折り曲げられた状態のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３２】図３１のＣ−Ｃ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図３３】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３４】他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３５】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３６】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３７】図３６のＣＯＦパッケージの樹脂フィルムの突出部分の構造を示す平面図である。
【図３８】更に他の変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図３９】一変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図４０】他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図４１】更に他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図４２】更に他の変形例における保護パターンの実装を示す平面図である。
【図４３】更に他の実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図４４】樹脂フィルムが突出部分の根元の位置で折り曲げられたときの図４３のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図４５】図４４のＤ−Ｄ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図４６】スティフナーが本体部分に直接に接合されたときのＣＯＦパッケージの構造の例を示す断面図である。
【図４７】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図４８】樹脂フィルムが突出部分の根元の位置で折り曲げられたときの図４７のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図４９】図４８のＥ−Ｅ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図５０】更に他の実施形態におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図５１】樹脂フィルムが突出部分の根元の位置で折り曲げられたときの図５０のＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【図５２】図５１のＦ−Ｆ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図５３】図５１のＧ−Ｇ断面におけるＣＯＦパッケージの構造を示す断面図である。
【図５４】一変形例におけるＣＯＦパッケージの構造を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付図面を参照しながら、一実施形態の集積回路装置及び電子機器について説明する。なお、図面において、同一又は類似の構成要素は、同一又は対応する参照番号で参照されることがある。また、添付図面においては、以下の開示の技術的内容を理解しやすくするために、各部材の寸法が正確な縮尺で描かれていないことがある。
【００１０】
以下では、ＣＯＦ（chip on film）技術が適用されている集積回路装置及び電子機器の実施形態が説明される。なお、ＣＯＦは、柔軟性がある樹脂フィルムの表面に配線とＩＣチップとを実装する技術の一例であり、ここに開示される技術は、他の実装技術にも適用可能であることに留意されたい。
【００１１】
図１は、一実施形態の集積回路装置１０の構造を示す平面図である。集積回路装置１０は、樹脂フィルム１と、ＩＣチップ２と、複数の配線３と、複数の配線４とを備えている。樹脂フィルム１は、柔軟性があり、折りたたむことが可能である（foldable）ように形成される。一実施形態では、樹脂フィルム１は、ポリイミドで形成される。配線３、４は、金属、例えば、銅（Ｃｕ）で形成される。
【００１２】
ＩＣチップ２は、樹脂フィルム１の表面に表面実装技術によって接合されている。一実施形態では、ＩＣチップ２には、ＡＳＩＣ（application specific IC）、例えば、表示パネルを駆動する表示ドライバが集積化される。
【００１３】
配線３、４は、樹脂フィルム１の表面に接合されており、バンプ（図示されない）を介してＩＣチップ２に形成された外部接続パッド（図示されない）に接続されている。配線３は、ＩＣチップ２の−Ｙ方向に位置する領域にＸ軸方向に並んで配置されており、配線４は、ＩＣチップ２の＋Ｙ方向に位置する領域にＸ軸方向に並んで配置されている。ＩＣチップ２は、複数の配線３に対して＋Ｙ方向にずれて位置しており、複数の配線４に対して−Ｙ方向にずれて位置していることになる。
【００１４】
例えば、図１に図示されている構造は、Ｙ軸方向に繰り返されてテープ状構造体を形成し、これがリールに巻回される。当該テープ状構造体は、所定の搬送方向（一実施形態では、Ｙ軸方向に平行な方向）に搬送されながら、樹脂フィルム１に規定されたカットライン５で集積回路装置１０が切断され、ＩＣチップ２を含む部分６が、ＣＯＦパッケージとして取り出される。樹脂フィルム１の両端には、搬送穴７が搬送方向に並んで配置されており、樹脂フィルム１は、搬送穴７を用いて当該搬送方向に搬送される。以下では、ＩＣチップ２を含む部分６を、ＣＯＦパッケージ６と記述することがある。取り出されたＣＯＦパッケージ６が、最終的に携帯機器等の電子機器に実装される。
【００１５】
ＩＣチップ２には、高速インターフェース２ａが集積化されている。高速インターフェース２ａの例としては、ＭＩＰＩ−ＤＳＩ（mobile industry processor interface-digital serial interface）に準拠したインターフェース、TIA/EIA-644規格、TIA/EIA-644-A規格又はTIA/EIA-899規格に準拠したＬＶＤＳ（low voltage differential signaling）インターフェースが挙げられる。符号３ａは、配線３のうち、高速インターフェース２ａに接続されているものを示している。
【００１６】
本実施形態では、電磁シールドを設置して配線３に印加されるノイズが低減される。詳細には、配線３が配置されている配線配置領域８に対して＋Ｘ方向にずれた位置に保護パターン９が形成され、この保護パターン９が電磁シールドとして用いられる。保護パターン９は、樹脂フィルム１の表面に配線３、４を形成するプロセスにおいて同時に形成される。一実施形態では、樹脂フィルム１の表面に、銅薄膜等の導電体薄膜が形成され、その導電体薄膜がエッチングされることにより、配線３、４が形成される。保護パターン９は、このプロセスにおいて配線３、４と同時に形成される。この場合、保護パターン９は、配線３、４と同一の材料で形成されることになる。配線３、４が銅で形成される場合、保護パターン９も銅で形成される。
【００１７】
この集積回路装置１０を電子機器に実装する場合、まず、樹脂フィルム１が配線３、４と共にカットライン５で切断され、図２に示すようにＣＯＦパッケージ６が取り出される。
【００１８】
ＣＯＦパッケージ６の樹脂フィルム１は、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えている。本体部分１１にはＩＣチップ２と配線３、４が形成されている。詳細には、本体部分１１は、Ｘ軸に平行で互いに対向する一組のエッジ１１ａ、１１ｂを備えている。配線３のそれぞれは、その一端がエッジ１１ａに近接して位置しており、他端がＩＣチップ２に接続されている。配線３は、エッジ１１ａに沿ってＸ軸方向に並んで配置されている。また、配線４のそれぞれは、その一端がエッジ１１ｂに近接して位置しており、他端がＩＣチップ２に接続されている。配線４は、エッジ１１ｂに沿ってＸ軸方向に並んで配置されている。保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に形成されている。
【００１９】
取り出されたＣＯＦパッケージ６は、図３、図４に示すように、樹脂フィルム１の突出部分１２がその根元の位置において折り曲げられる。図２では、突出部分１２の根元の位置は、突出部分１２が本体部分１１に接合する位置として破線１３で示されている。この折り曲げにより、図３に示すように、保護パターン９が配線３の少なくとも一部に対向する。このように、電子機器への実装時、保護パターン９が配線３に対向することにより、配線３の電磁シールドとして機能し、配線３に印加されるノイズが低減される。例えば、高速インターフェース２ａに接続される配線３ａに印加されるノイズの低減は、データ転送の信頼性の向上に有効である。
【００２０】
更に、保護パターン９は、樹脂フィルム１の廃棄される部分に形成されており、また、保護パターン９は、配線３、４を形成するプロセスにおいて同時に形成可能である。したがって、保護パターン９を配線３に対向するように樹脂フィルム１を折り曲げ、保護パターン９を電磁シールドとして使用することにより、低コストでノイズ低減を実現できる。
【００２１】
保護パターン９は、全ての配線３に対向してもよく、一部の配線３のみに対向していてもよい。一実施形態では、保護パターン９が、樹脂フィルム１が折り曲げられた後において、全ての配線３に対向していないが、配線３ａを含む一部の配線３に対向するように配置されてもよい。
【００２２】
図５の一実施形態では、保護パターン９及び／又は配線３の少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト１４で被覆されている。この樹脂皮膜は、保護パターン９と配線３との接触を防ぐ。この場合、例えば、配線３は、他の電子部品、例えば、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ：flexible printed circuit board）に接続される部分を除き、ソルダーレジスト１４で被覆される。配線３の全体がソルダーレジスト１４で被覆されてもよい。
【００２３】
保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の幅寸法は、配線配置領域８のＸ軸方向の寸法に依存している。例えば、配線配置領域８に多くの配線３がＸ軸方向に並んで配置されている場合には、配線配置領域８のＸ軸方向の寸法が増大し、保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の寸法は小さくなる。
【００２４】
保護パターン９及び樹脂フィルム１の突出部分１２のＸ軸方向の許容される最大の寸法が小さい場合には、樹脂フィルム１を突出部分１２の根元の位置で折り曲げても、保護パターン９が、電磁シールドを設けることが望ましい配線３を覆うように配置されないことが生じ得る。例えば、図６に図示されているように、高速インターフェース２ａが、保護パターン９から離れて位置している場合には、樹脂フィルム１を突出部分１２の根元の位置で折り曲げても、高速インターフェース２ａに接続されている配線３ａを保護パターン９で覆うことができない場合が生じ得る。
【００２５】
このような問題に対応するために、一実施形態では、電磁シールドを設けることが望ましい配線３が保護パターン９の近くの位置に配置される。例えば、高速インターフェース２ａ及び配線３ａが、保護パターン９の近くの位置に配置される。一実施形態では、図７に示すように、ＩＣチップ２について、ＩＣチップ２のＸ軸方向における中心の位置を境界として第１半分部分２ｂ及び第２半分部分２ｃを定義したとき、高速インターフェース２ａは、保護パターン９に近い第１半分部分２ｂに位置している。これに伴い、高速インターフェース２ａに接続される配線３ａも保護パターン９の近くに配置され、保護パターン９が、配線３ａの電磁シールドとして使用される。
【００２６】
他の実施形態では、図８及び図９に図示されているように、配線配置領域８の＋Ｘ方向に位置する保護パターン９１と、−Ｘ方向に位置する保護パターン９２とが設けられる。カットライン５は、保護パターン９１、９２がＣＯＦパッケージ６Ａに含まれるように規定される。
【００２７】
このＣＯＦパッケージ６Ａでは、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、本体部分１１から−Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。保護パターン９１、９２は、樹脂フィルム１の突出部分１２１、１２２に形成されている。
【００２８】
ＣＯＦパッケージ６の電子機器への実装時、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられ、図１０に示すように配線３に対向する。図９では、突出部分１２１、１２２の根元の位置は、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【００２９】
この構造では、図３の構造と比較して、より多くの配線３に電磁シールドを提供することができる。例えば、全ての配線３が、保護パターン９１、９２のうちの少なくとも一方に対向しており、これにより、全ての配線３についてノイズを低減することができる。
【００３０】
図１１〜図１６Ｂは、突出部分１２を２回折りする一実施形態を示す。
【００３１】
図１１の集積回路装置１０Ｂに設けられるカットライン５は、保護パターン９Ｂの形状に合わせた形状に規定される。保護パターン９Ｂは、図１２に示すように、＋Ｘ方向に延伸する第１パターン部分２１と、第１パターン部分２１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２パターン部分２２と、第２パターン部分２２の第１パターン部分２１から離れた位置（本実施形態では、第２パターン部分２２の＋Ｙ方向の端）から−Ｘ方向に突出する第３パターン部分２３とを有している。
【００３２】
図１１の集積回路装置１０Ｂをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｂは、図１３に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２Ｂを備えている。
【００３３】
突出部分１２Ｂは、保護パターン９Ｂに対応する形状に構成されている。詳細には、図１４に示すように、突出部分１２Ｂは、本体部分１１に接合し、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する第１部分３１と、第１部分３１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２部分３２と、第２部分３２の第１部分３１から離れた位置（本実施形態では、第２部分３２の＋Ｙ方向の端）から−Ｘ方向に突出する第３部分３３とを有している。
【００３４】
保護パターン９Ｂは、図１５に示すように、突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合される部分と、第２部分３２に接合される部分と、第３部分３３に接合される部分とを有している。詳細には、保護パターン９Ｂの第１パターン部分２１は、突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合されている。保護パターン９Ｂの第２パターン部分２２は、−Ｙ方向に位置する端部が突出部分１２Ｂの第１部分３１に接合され、残部は、突出部分１２Ｂの第２部分３２に接合されている。保護パターン９Ｂの第３パターン部分２３は、＋Ｘ方向に位置する端部が突出部分１２Ｂの第２部分３２に接合され、残部は、突出部分１２Ｂの第３部分３３に接合されている。
【００３５】
図１３に戻り、ＣＯＦパッケージ６Ｂが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が２回折りされる。まず、樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｂの根元の位置において折り曲げられる。図１３では、突出部分１２Ｂの根元の位置が、突出部分１２Ｂが本体部分１１に接合する位置として破線１３Ｂで示されている。図１６Ａは、この折り曲げ状態を示す。
【００３６】
更に、図１６Ｂに図示されているように、樹脂フィルム１の突出部分１２Ｂが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置で、保護パターン９Ｂのうち第３部分３３に接合されている部分が配線３に対向するように折り曲げられる。この状態では、保護パターン９Ｂの第３部分３３の端は、突出部分１２Ｂの第２部分３２よりも突出部分１２Ｂの根元の位置から離れており、保護パターン９Ｂの端から突出部分１２Ｂの根元の位置までの距離を増大させることができる。このような構造によれば、保護パターン９Ｂを多くの配線３に、例えば突出部分１２の根元から−Ｘ方向に離れた位置にある配線３にも対向させることができ、よって、多くの配線３に電磁シールドを設けることができる。
【００３７】
樹脂フィルム１を３回以上折り畳むことで、保護パターンの端から突出部分の根元の位置までの距離を更に増大することも可能である。図１７〜図２０Ｂは、樹脂フィルム１を３回折り畳む一実施形態を示す。
【００３８】
図１７に図示された集積回路装置１０Ｃに設けられるカットライン５の形状も、図１１と同様に、保護パターン９Ｃの形状に合わせて変更される。図１８に示すように、保護パターン９Ｃは、＋Ｘ方向に延伸する第１パターン部分２１と、第１パターン部分２１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２パターン部分２２と、第２パターン部分２２の第１パターン部分２１から離れた位置（本実施形態では、第２パターン部分２２の＋Ｙ方向の端）から−Ｘ方向に突出する第３パターン部分２３と、第３パターン部分２３の−Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第４パターン部分２４と、第４パターン部分２４の第３パターン部分２３から離れた位置（本実施形態では、第４パターン部分２４の＋Ｙ方向の端）から＋Ｘ方向に突出する第５パターン部分２５とを有している。
【００３９】
図１７の集積回路装置１０Ｃをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｃは、図１９に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２Ｃを備えている。
【００４０】
図２０Ａに図示されているように、突出部分１２Ｃは、保護パターン９Ｃに対応する形状に構成されている。詳細には、突出部分１２Ｃは、本体部分１１に接合し、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する第１部分３１と、第１部分３１の＋Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第２部分３２と、第２部分３２の第１部分３１から離れた位置（本実施形態では、第２部分３２の＋Ｙ方向の端）から−Ｘ方向に突出する第３部分３３と、第３部分３３の−Ｘ方向の端から＋Ｙ方向に突出する第４部分３４と、第４部分３４の第３部分３３から離れた位置（本実施形態では、第４部分３４の＋Ｙ方向の端）から＋Ｘ方向に突出する第５部分３５とを有している。
【００４１】
保護パターン９Ｃは、図２０Ｂに示すように、突出部分１２Ｃの第１〜第５部分３１〜３５にまたがって配置されており、突出部分１２Ｃの第１〜第５部分３１〜３５に接合される部分を有している。
【００４２】
図１９に戻り、ＣＯＦパッケージ６Ｃが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が３回折りされる。樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｃの根元の位置において折り曲げられる。更に、突出部分１２Ｃが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置において折り曲げられ、更に、突出部分１２Ｃが、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられる。このような構造では、保護パターン９Ｃの端から突出部分１２Ｃの根元の位置までの距離を増大させることができ、保護パターン９Ｃを多くの配線３に対向させることができる。これは、多くの配線３に電磁シールドを設けることができることを意味している。
【００４３】
上述の実施形態では、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃが、配線３の電磁シールドとして用いられるが、保護パターンは、ＩＣチップ２の保護のために用いられてもよい。例えば、保護パターンは、ＩＣチップ２の電磁シールドとしても使用可能である。また、保護パターンは、金属で形成されているので熱伝導性がよい。この性質を利用して、保護パターンは、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体として利用可能である。また、保護パターンは、金属で形成されているので遮光性が高い。この性質を利用して、保護パターンは、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体としても利用可能である。
【００４４】
図２１に示す一実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２が配置されているＩＣ配置領域２０に対して＋Ｘ方向にずれた位置に形成されている。カットライン５の形状は、保護パターン９の位置に合わせて変更される。図２１の構造では、保護パターン９は、ＩＣチップ２へのノイズの印加を抑制するための電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として用いられる。
【００４５】
図２１の集積回路装置１０Ｄをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｄは、図２２に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えており、保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に接合される。
【００４６】
ＣＯＦパッケージ６Ｄを電子機器に実装する場合、図２２に示されている破線１３にて、樹脂フィルム１が、保護パターン９がＩＣチップ２に対向するように折り曲げられる。
【００４７】
図２３は、折り曲げ後の状態を示し、ＩＣチップ２が保護パターン９で覆われている。この実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２の電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として機能する。
【００４８】
ＩＣチップ２のうち保護パターンで覆われる部分を増大させるためには、図２４に図示されているように、ＩＣ配置領域２０の＋Ｘ方向に位置する保護パターン９１と、−Ｘ方向に位置する保護パターン９２とを設けてもよい。カットライン５は、保護パターン９１、９２がＣＯＦパッケージ６Ｅに含まれるように規定される。
【００４９】
図２４の集積回路装置１０Ｅをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｅは、図２５に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、本体部分１１から−Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。保護パターン９１、９２は、それぞれ突出部分１２１、１２２に形成される。
【００５０】
ＣＯＦパッケージ６Ｅを電子機器に実装する場合、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられる。図２５では、突出部分１２１、１２２の根元の位置が、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【００５１】
図２６、図２７に示すように、樹脂フィルム１は、保護パターン９１、９２がＩＣチップ２に対向するように折り曲げられる。この構造では、図２３の構造と比較して、ＩＣチップ２の、より多くの部分を保護パターン９１、９２で被覆することができる。例えば、ＩＣチップ２の全体が、保護パターン９１、９２のうちの少なくとも一方によって覆われており、これにより、ＩＣチップ２の全体について、ＩＣチップ２の電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体のうちの少なくとも一の機能を提供することができる。なお、図５に図示されている構造と同様に、保護パターン９１、９２がＩＣチップ２に接触することを防ぐためには、保護パターン９１、９２の少なくとも一部が樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジストによって被覆されていてもよい。
【００５２】
保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、樹脂フィルム１が折り曲げられたときにＩＣチップ２が配置されている領域及び配線３が配置されている領域の両方を覆うように形成されてもよい。図２８に示す一実施形態では、保護パターン９が、ＩＣチップ２と配線３とが配置されているＩＣ配線配置領域３０に対して＋Ｘ方向にずれた位置に形成されている。カットライン５の形状は、保護パターン９の形状及び位置に合わせて変更される。この構造では、保護パターン９は、配線３へのノイズの印加を抑制するための電磁シールドとして用いられ、更に、ＩＣチップ２へのノイズの印加を抑制するための電磁シールド、ＩＣチップ２が発生する熱を放出するための放熱体、ＩＣチップ２への外光の入射を抑制する遮光体の少なくとも一として用いられる。
【００５３】
図２８の集積回路装置１０Ｆをカットライン５で切断して得られるＣＯＦパッケージ６Ｆは、図２９に示すように、樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えており、保護パターン９は、樹脂フィルム１の突出部分１２に接合される。
【００５４】
ＣＯＦパッケージ６Ｆを電子機器に実装する場合、樹脂フィルム１が、保護パターン９がＩＣチップ２及び配線３に対向するように折り曲げられる。図２９では、突出部分１２の根元の位置、即ち、樹脂フィルム１が折り曲げられる位置が破線１３で示されている。
【００５５】
ＣＯＦパッケージ６、６Ａ〜６Ｆの配線３がフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）に接合される場合には、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、ＦＰＣに含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を抑制する電磁シールドとして用いられてもよい。図２５に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｅの保護パターン９１、９２が、ＦＰＣ４０に含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を抑制する電磁シールドとして用いられる場合、図３０に示すように、樹脂フィルム１が、突出部分１２１、１２２の根元の位置において折り曲げられる。図３０では、突出部分１２１の根元の位置が、突出部分１２１、１２２が本体部分１１に接合する位置として、それぞれ破線１３１、１３２で示されている。
【００５６】
樹脂フィルム１は、図３１、図３２に示すように、保護パターン９１、９２がＦＰＣ４０を挟んでＩＣチップ２及び／又は配線３に対向するように折り曲げられる。このような構造では、保護パターン９１、９２が、ＦＰＣ４０の少なくとも一部を覆っており、ＦＰＣ４０に含まれる配線及び／又は回路素子へのノイズの印加を有効に抑制することができる。
【００５７】
一実施形態では、上述されたＣＯＦパッケージにおいて、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃを保持するための保持構造が樹脂フィルム１に形成される。
【００５８】
一実施形態では、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃの先端が差し込まれる差込穴が樹脂フィルム１に形成されてもよい。突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃは、その先端が差込穴に挿入されて保持される。このような構造は、特に、保護パターン９、９Ｂ、９Ｃ及び樹脂フィルム１の突出部分１２、１２Ｂ、１２Ｃが、ＩＣチップ２及び／又は配線３が配置される領域８、２０、３０に対して、特定方向にのみ配置されており、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに突出部分の先端がＩＣチップ２及び配線３の反対方向の位置に到達する場合に有効である。
【００５９】
図３３に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｇが、図１９に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｃと同様に、３回折りに対応している。ＩＣ配線配置領域３０に対して＋Ｘ方向に位置する保護パターン９Ｃが樹脂フィルム１の突出部分１２Ｃに形成されている。保護パターン９Ｃの構造は図１８に図示されており、樹脂フィルム１の突出部分１２Ｃの構造は図２０Ａ、２０Ｂに図示されている。
【００６０】
ＣＯＦパッケージ６Ｇでは、樹脂フィルム１に差込穴４１が形成されている。差込穴４１は、突出部分１２Ｃの先端が挿入可能な形状を有している。
【００６１】
ＣＯＦパッケージ６Ｇが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が３回折りされる。詳細には、樹脂フィルム１が、突出部分１２Ｃの根元の位置において折り曲げられ、突出部分１２Ｃが、第２部分３２と第３部分３３とが接合する位置において折り曲げられ、更に、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられる。突出部分１２Ｃが、第４部分３４と第５部分３５とが接合する位置において折り曲げられた後、突出部分１２Ｃの先端が差込穴４１に挿入される。これにより、突出部分１２Ｃの先端が保持される。
【００６２】
突出部分の先端をより確実に保持するために、一実施形態では、突出部分の先端に、差込穴から突出部分の先端の抜けを防ぐための抜け止め構造が形成される。図３４に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｇが、図３３に図示されているＣＯＦパッケージ６Ｇと類似した構造を有しているが、突出部分１２Ｃの先端に抜け止め構造が形成されている。
【００６３】
突出部分１２Ｃの先端に幅広部分４２が形成されており、突出部分１２Ｃの先端が差込穴４１に差し込まれると、幅広部分４２が差込穴４１に引っかかることで突出部分１２Ｃの先端が保持される。このような構造によれば、突出部分１２Ｃの先端をより確実に保持することができる。
【００６４】
樹脂フィルム１が１回折りされる場合、２回折りされる場合、及び、４回又はそれ以上の回数折り曲げられる場合についても、樹脂フィルム１の突出部分の先端を差込穴で保持する構造は採用され得る。
【００６５】
２つの保護パターン９１、９２及び２つの突出部分１２１、１２２が、ＩＣチップ２及び／又は配線３が配置される領域８、２０、３０を挟んで互いに対向するように配置されている場合、一実施形態では、当該２つの突出部分が、樹脂フィルム１が折り曲げられたときに互いに嵌合して互いを保持するように構成されてもよい。
【００６６】
図３５に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｈは、突出部分１２１、１２２に、互いに嵌合可能な嵌合構造４３１、４３２がそれぞれ設けられている。嵌合構造４３１として突出部分１２１の−Ｙ方向のエッジに設けられた凹部が形成されており、嵌合構造４３１は、第１のフックを構成している。嵌合構造４３２として突出部分１２２の＋Ｙ方向のエッジに設けられた凹部が形成されており、第２のフックを構成している。
【００６７】
ＣＯＦパッケージ６Ｈが電子機器に実装される場合、樹脂フィルム１が、本体部分１１と突出部分１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げられる。更に、突出部分１２１、１２２にそれぞれに設けられた第１のフックと第２のフックが互いに引っ掛けられて嵌合構造４３１、４３２が互いに嵌合され、これにより、突出部分１２１、１２２が保持される。
【００６８】
樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃとが接合する位置で折り曲げることを容易にするためには、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成してもよい。
【００６９】
図３６に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｊは、突出部分１２１、１２２の本体部分１１と接合する部分が、Ｙ軸方向における幅が細く形成されている。
【００７０】
図３７に示すように、突出部分１２１は、樹脂フィルム１の本体部分１１と接合する根元部分１２ａと、根元部分１２ａに＋Ｘ方向に接合する突出本体部分１２ｂとを有している。根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅よりも狭い。樹脂フィルム１の突出部分１２１の＋Ｙ方向の縁と−Ｙ方向の縁にそれぞれ凹部１５ａ、１５ｂが形成されることで、根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅より狭くされている。ただし、凹部１５ａ、１５ｂは、その一方のみが形成されてもよい。突出部分１２２についても、突出部分１２１と同様に構成されている。
【００７１】
このような構造によれば、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げることが容易になる。これは、工数の低減のために好ましい。なお、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成する構造は、他の実施形態についても適用可能である。
【００７２】
保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃの電磁シールドとしての機能を強化するためには、保護パターンが接地線と接続されてもよい。図３８に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｊの保護パターン９１が配線４４１によって接地線３ｂに接続され、保護パターン９２が配線４４２によって接地線３ｃに接続される。このような構造によれば、保護パターン９１、９２が接地されるので、保護パターン９１、９２が電磁シールドとしてより有効に機能する。
【００７３】
上述の実施形態において、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、様々な形態で実装され得る。図３９に示す一実施形態では、保護パターン９の少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト４５によって被覆される。このような構造によれば、保護パターン９が、ＩＣチップ２や配線３と直接に接触することを防ぐことができる。
【００７４】
また、図４０に示すように、ソルダーレジスト４５に開口４５ａが設けられてもよい。このような構造では、保護パターン９が開口４５ａを介して保護対象に直接に接触可能である。例えば、保護パターン９をＩＣチップ２の放熱体として用いる場合には、保護パターン９がＩＣチップ２に直接に接してもよい。
【００７５】
また、図４１に図示されているように、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃは、互いに分離され、特定方向に延伸する複数の導電体４６の集合体として形成されてもよい。この場合も、図４２に示すように、保護パターン９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃの少なくとも一部が、樹脂皮膜、例えば、ソルダーレジスト４５によって被覆されてもよい。
【００７６】
図４３に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｋの樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１のＩＣチップ２が配置されているＩＣ配置領域２０から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２とを備えている。なお、図４３は、ＣＯＦパッケージ６Ｋを、樹脂フィルム１の裏面、即ち、ＩＣチップ２が接合されている面と反対の面から見た図であり、このため、ＩＣチップ２、配線３、４が点線により示されている。突出部分１２は、ＩＣチップ２に対して＋Ｘ方向に位置している。
【００７７】
ＣＯＦパッケージ６Ｋが電子機器に実装される場合、図４４、図４５に示すように、樹脂フィルム１が、突出部分１２の根元の位置において、突出部分１２が本体部分１１の裏面１１ａに対向するように樹脂フィルム１が折り曲げられる。更に、スティフナー５１がＩＣチップ２に対向する位置において突出部分１２に接合される。スティフナー５１は、機械的力が作用したときにＩＣチップ２の破損を防ぐために設けられる保護構造であり、一実施形態では、金属の板として形成される。一実施形態では、突出部分１２が、本体部分１１の裏面１１ａに接着材５２により接着され、スティフナー５１が、突出部分１２の、本体部分１１の裏面１１ａに接合する面と反対側の面に接着剤５３により接着される。
【００７８】
このような構造は、スティフナー５１をＣＯＦパッケージ６Ｋに搭載する工程で生じ得るダメージの影響を抑制するために有効である。例えば図４６に図示されているような、本体部分１１の裏面１１ｃに金属製のスティフナー５１が直接に接合される構造では、スティフナー５１のエッジに形成されるバリ５１ａが、樹脂フィルム１を突き抜ける可能性がある。これは、電子機器の動作に影響するダメージを生じさせ得る。一方、図４３〜図４５に示す本実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｋでは、スティフナー５１のエッジに形成されるバリが樹脂フィルム１の本体部分１１を貫通しにくく、電子機器の動作に影響するダメージの発生を抑制できる。
【００７９】
図４７に示すように、突出部分１２に開口５４が設けられてもよい。この場合、図４８、図４９に示すように、突出部分１２の根元の位置において樹脂フィルム１が折り曲げられ、スティフナー５１は、開口５４を塞ぐように突出部分１２に接合される。開口５４を設けることは、スティフナー５１の位置合わせを容易化し、スティフナー５１のズレを抑制するために有効である。
【００８０】
図５０に示す一実施形態では、ＣＯＦパッケージ６Ｌの樹脂フィルム１が、本体部分１１と、本体部分１１のＩＣ配置領域２０から＋Ｘ方向に突出する突出部分１２１と、ＩＣ配置領域２０から−Ｘ方向に突出する突出部分１２２とを備えている。なお、図４７は、ＣＯＦパッケージ６Ｌを、樹脂フィルム１の裏面から見た図である。
【００８１】
ＣＯＦパッケージ６Ｌが電子機器に実装される場合、図５１〜図５３に示すように、突出部分１２１、１２２が本体部分１１の裏面１１ｃに向けて折り曲げられ、スティフナー５１が突出部分１２に接合される。樹脂フィルム１は、突出部分１２の根元の位置において、突出部分１２が本体部分１１の裏面１１ａに対向するように折り曲げられ、更に、スティフナー５１が突出部分１２１、１２２に接合される。
【００８２】
このような構造も、スティフナー５１をＣＯＦパッケージ６Ｋに搭載する工程で生じ得るダメージの影響を抑制するために有効である。加えて、２つの突出部分１２１、１２２が設けられる本実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｌの構造は、突出部分１２１、１２２のＸ軸方向の許容される最大の寸法が小さい場合に有効である。
【００８３】
なお、図４３〜図４５に示す実施形態、図４７〜図４９に示す実施形態及び図５０及び図５１に示す実施形態においても、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２、１２１、１２２とが接合する位置で折り曲げることを容易にするために、突出部分の本体部分と接合する部分を細く形成してもよい。
【００８４】
例えば図５４に示す一実施形態のＣＯＦパッケージ６Ｍでは、突出部分１２の本体部分１１と接合する部分が、Ｙ軸方向における幅が細く形成されている。突出部分１２は、樹脂フィルム１の本体部分１１と接合する根元部分１２ａと、根元部分１２ａに＋Ｘ方向に接合する突出本体部分１２ｂとを有している。根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅よりも狭い。樹脂フィルム１の突出部分１２の＋Ｙ方向の縁と−Ｙ方向の縁にそれぞれ凹部１５ａ、１５ｂが形成されることで、根元部分１２ａのＹ軸方向の幅は、突出本体部分１２ｂのＹ軸方向の幅より狭くされている。ただし、凹部１５ａ、１５ｂは、その一方のみが形成されてもよい。このような構造によれば、樹脂フィルム１を本体部分１１と突出部分１２とが接合する位置で折り曲げることが容易になる。
【００８５】
以上には、本開示の実施形態が具体的に記述されているが、本開示が種々の変更と共に実施され得ることは、当業者には理解されよう。上記の実施形態は、技術的な矛盾がない限り、組み合わせて実施され得る。
【符号の説明】
【００８６】
１０、１０Ａ−１０Ｆ：集積回路装置
１      ：樹脂フィルム
２      ：ＩＣチップ
２ａ    ：高速インターフェース
２ｂ    ：第１半分部分
２ｃ    ：第２半分部分
３      ：配線
３ａ    ：配線
３ｂ    ：接地線
３ｃ    ：接地線
４      ：配線
５      ：カットライン
６、６Ａ−６Ｍ：ＣＯＦパッケージ
７      ：搬送穴
８      ：配線配置領域
９、９１、９２、９Ｂ、９Ｃ：保護パターン
１１    ：本体部分
１１ａ  ：エッジ
１１ｂ  ：エッジ
１２、１２１、１２２、１２Ｂ、１２Ｃ：突出部分
１２ａ  ：根元部分
１２ｂ  ：突出本体部分
１３、１３１、１３２、１３Ｂ  ：破線
１４    ：ソルダーレジスト
１５ａ、１５ｂ：凹部
２０    ：ＩＣ配置領域
２１    ：第１パターン部分
２２    ：第２パターン部分
２３    ：第３パターン部分
２４    ：第４パターン部分
２５    ：第５パターン部分
３０    ：ＩＣ配線配置領域
３１    ：第１部分
３２    ：第２部分
３３    ：第３部分
３４    ：第４部分
３５    ：第５部分
４０    ：ＦＰＣ
４１    ：差込穴
４２    ：幅広部分
４３１、４３２：嵌合構造
４４１、４４２：配線
４５    ：ソルダーレジスト
４５ａ  ：開口
４６    ：導電体
５１    ：スティフナー
５２、５３：接着剤
５４    ：開口
１００  ：集積回路装置
１０１  ：樹脂フィルム
１０２  ：ＩＣチップ
１０３  ：配線
１０４  ：配線
１０５  ：カットライン
１０６  ：部分
１０７  ：搬送穴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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