(57)【要約】【課題】  低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】  表面１１Ａ、裏面および側面１１Ｃを有する半導体素子１１と、前記裏面および側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ金属粒子が含有された導電層１２と、半導体素子１１に導通する複数の端子２と、表面１１Ａと同じ向きを向く第１面、および前記第１面とは反対側を向く第２面を有し、かつ半導体素子１１を覆う封止樹脂３と、を備え、厚さ方向ｚから視て、導電層１２の周縁は、半導体素子１１の周縁よりも外側に位置し、複数の端子２の各々は、表面１１Ａと同じ向きを向く主面２１と、主面２１とは反対側を向く底面２２と、主面２１につながり、かつ封止樹脂３に接する内側面２３と、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６と、を有し、導電層１２および複数の底面２２は、いずれも前記第２面から露出している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面、並びに前記表面および前記裏面の双方につながる側面、を有する半導体素子と、
前記裏面および前記側面の双方に接して設けられ、かつ金属粒子が含有された導電層と、
前記半導体素子から離間して配置され、かつ前記半導体素子に導通する複数の端子と、
前記表面と同じ向きを向く第１面、および前記第１面とは反対側を向く第２面、を有し、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記厚さ方向から視て、前記導電層の周縁は、前記半導体素子の周縁よりも外側に位置し、
複数の前記端子の各々は、前記表面と同じ向きを向く主面と、前記主面とは反対側を向く底面と、前記主面につながり、かつ前記封止樹脂に接する内側面と、前記底面および前記内側面の双方から凹む陥入部と、を有し、
前記導電層および複数の前記底面は、いずれも前記第２面から露出していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
複数の前記陥入部は、前記封止樹脂に接する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止樹脂は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向く第３面を有し、
複数の前記端子の各々は、前記主面、前記底面および前記内側面のいずれにもつながり、かつ前記第１方向を向く第１外側面を有し、
複数の前記第１外側面は、いずれも前記第３面から露出している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂は、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第２方向を向く第４面を有し、
複数の前記端子の各々は、前記主面、前記底面および前記内側面のいずれにもつながり、かつ前記第２方向を向く第２外側面を有し、
複数の前記第２外側面は、いずれも前記第４面から露出している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の前記端子の各々において、前記陥入部は、前記底面および前記第２外側面の双方から凹んでいる、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の前記端子の各々は、前記主面から前記底面に到達し、かつ前記第１外側面、前記第２外側面および前記陥入部のいずれにもつながる貫通部を有し、
複数の前記貫通部には、前記封止樹脂の一部が位置する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記厚さ方向から視て、前記半導体素子の周縁は、前記第１方向および前記第２方向の双方に対して傾斜した四辺により構成され、
複数の前記内側面は、前記半導体素子の周縁と平行である領域を含む、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記厚さ方向から視て、前記導電層の周縁は、複数の前記主面から離間している、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記厚さ方向から視て、前記導電層の一部は、複数の前記主面の少なくともいずれかに重なっている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記厚さ方向に対して直交し、かつ前記第２面を含む基面から、前記側面に接する前記導電層の部分のうち前記基面から最も離れた最遠部までの距離は、前記基面から前記内側面と前記陥入部との境界までの距離よりも短い、請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記厚さ方向に対して直交し、かつ前記第２面を含む基面から、前記側面に接する前記導電層の部分のうち前記基面から最も離れた最遠部までの距離は、前記基面から前記内側面と前記陥入部との境界までの距離よりも長く、
前記厚さ方向から視て、前記最遠部は、複数の前記主面から離間している、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
複数の前記端子は、複数の前記底面を覆う外部導電層を備える、請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項１３】
複数の前記端子の各々において、前記外部導電層は、前記第１外側面を覆っている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体素子と、複数の前記端子とを相互に導通させるワイヤをさらに備える、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記厚さ方向から視て、複数の前記端子の各々において、前記底面に重なる前記主面の領域上に、前記ワイヤが接続されている、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
複数の前記端子は、複数の前記主面を覆う内部導電層をさらに備える、請求項１５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子がホール素子である半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子がホール素子である半導体装置は、携帯電話など様々な電子機器に用いられている。たとえば、携帯電話のディスプレイの光源を制御する際、当該半導体装置用いることで、携帯電話の本体の開閉により、光源を点灯、または消灯するといった制御を行うことができる。当該半導体装置が用いられる電子機器の薄型化に伴い、当該半導体装置についても、より一層の低背化が要求されている。
【０００３】
特許文献１には、ホール素子であるペレット（半導体素子）を備える半導体装置の一例が開示されている。当該半導体装置においては、ペレットの裏面に絶縁層を密着させ、かつ封止樹脂の裏面から露出させる構成としたことで低背化が図られた構成となっている。ただし、当該絶縁ペーストは、その材料特性により放熱性が比較的低いため、ペレット動作時に半導体装置内に熱がこもることでペレットの駆動性が低下する問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５６７６８２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記事情に鑑み、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面、並びに前記表面および前記裏面の双方につながる側面、を有する半導体素子と、前記裏面および前記側面の双方に接して設けられ、かつ金属粒子が含有された導電層と、前記半導体素子から離間して配置され、かつ前記半導体素子に導通する複数の端子と、前記表面と同じ向きを向く第１面、および前記第１面とは反対側を向く第２面、を有し、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、前記厚さ方向から視て、前記導電層の周縁は、前記半導体素子の周縁よりも外側に位置し、複数の前記端子の各々は、前記表面と同じ向きを向く主面と、前記主面とは反対側を向く底面と、前記主面につながり、かつ前記封止樹脂に接する内側面と、前記底面および前記内側面の双方から凹む陥入部と、を有し、前記導電層および複数の前記底面は、いずれも前記第２面から露出していることを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明にかかる半導体装置によれば、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【０００８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の斜視図（封止樹脂を透過）である。
【図２】図１に示す半導体装置の平面図（内部導電層および封止樹脂を透過）である。
【図３】図１に示す半導体装置の底面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の右側面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の正面図である。
【図６】図２のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図６の部分拡大断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の変形例にかかる半導体装置の断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置を構成要素に含む回路のブロック図である。
【図１０】図２の部分拡大図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１４】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】図１に示す半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の平面図（内部導電層および封止樹脂を透過）である。
【図２０】図１９に示す半導体装置の底面図である。
【図２１】図１９に示す半導体装置の右側面図である。
【図２２】図１９に示す半導体装置の正面図である。
【図２３】図１９のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図２４】本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の平面図（内部導電層および封止樹脂を透過）である。
【図２５】図２４に示す半導体装置の底面図である。
【図２６】図２４に示す半導体装置の部分拡大断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態の変形例にかかる半導体装置の部分拡大断面図である。
【図２８】本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の平面図（内部導電層および封止樹脂を透過）である。
【図２９】図２８に示す半導体装置の底面図である。
【図３０】図２８に示す半導体装置の右側面図である。
【図３１】図２８に示す半導体装置の正面図である。
【図３２】図２８のＸＸＸＩＩ−ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図３３】図２８に示す半導体装置を配線基板に実装したときの状態を示す断面図である。
【図３４】本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図３５】図３４に示す半導体装置の平面図（内部導電層および封止樹脂を透過）である。
【図３６】図３４に示す半導体装置の底面図である。
【図３７】図３６の部分拡大図である。
【図３８】図３４に示す半導体装置の右側面図である。
【図３９】図３４に示す半導体装置の右側面図（封止樹脂を透過）である。
【図４０】図３４に示す半導体装置の正面図である。
【図４１】図３４のＸＬＩ−ＸＬＩ線に沿う断面図である。
【図４２】図４１の部分拡大図である。
【図４３】図４１の部分拡大図である。
【図４４】図３５のＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ線に沿う断面図（封止樹脂の図示を省略）である。
【図４５】図３４に示す半導体装置を配線基板に実装したときの状態を示す断面図である。
【図４６】本発明の第５実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図である。
【図４７】図４６のＸＬＶＩＩ−ＸＬＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図４８】本発明の第６実施形態にかかる半導体装置の平面図である。
【図４９】図４８に示す半導体装置の右側面図（封止樹脂を透過）である。
【図５０】図４８のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。
【図５１】図４８に示す半導体装置の断面図（封止樹脂の図示を省略）である。
【図５２】本発明の第６実施形態の変形例にかかる半導体装置の平面図である。
【図５３】図５２のＬＩＩＩ−ＬＩＩＩ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について、添付図面に基づいて説明する。
【００１１】
〔第１実施形態〕
図１〜図７に基づき、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１、導電層１２、複数の端子２、封止樹脂３および複数のワイヤ４を備える。
【００１２】
図１は、理解の便宜上、封止樹脂３を透過している。図２は、理解の便宜上、内部導電層２８（詳細は後述）および封止樹脂３を透過している。図１および図２において、透過した封止樹脂３の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２に示すＶＩ−ＶＩ線の通過位置を一点鎖線で示している。図８の断面位置は、図６の断面位置と同一である。また、図１〜図７に示す複数の端子２においては、重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００１３】
これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１がホール素子である磁気センサ（ホールＩＣ）である。後述する半導体装置Ａ２０〜半導体装置Ａ６０も、半導体素子１１がホール素子である磁気センサである。半導体装置Ａ１０は、携帯電話など様々な電子機器の配線基板に表面実装される形式のものである。半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１の厚さ方向ｚ（以下、単に「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。）から視て矩形状である。ここで、説明の便宜上、半導体素子１１の厚さ方向ｚに対して直交する半導体装置Ａ１０の短手方向を第１方向ｘと、厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する半導体装置Ａ１０の長手方向を第２方向ｙと呼ぶ。
【００１４】
半導体素子１１は、図２に示すように、厚さ方向ｚから視て矩形状のホール素子である。半導体素子１１の主要材料は、たとえば、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）である。ヒ化ガリウムを主要材料とするホール素子は、磁束密度の変化に対するホール電圧の直線性に優れるとともに、温度変化の影響を受けにくいという利点を有する。半導体素子１１の主要材料は、その他に、シリコン（Ｓｉ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）およびアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）のいずれかを選択してもよい。なお、半導体素子１１の主要材料は、これらに限定されない。図６に示すように、半導体素子１１は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く表面１１Ａおよび裏面１１Ｂを有する。表面１１Ａは、封止樹脂３に覆われている。図２および図６に示すように、表面１１Ａには、複数の電極１１１が設けられている。複数の電極１１１は、たとえば、チタン（Ｔｉ）層に金（Ａｕ）層を積層させた金属層から構成される。複数の電極１１１の各々に、ワイヤ４が接続されている。裏面１１Ｂは、導電層１２に接している。
【００１５】
図１、図２および図６に示すように、半導体素子１１は、表面１１Ａおよび裏面１１Ｂの双方につながる側面１１Ｃを有する。側面１１Ｃは、４つの領域を含む。当該４つの領域の各々に、導電層１２の一部が接している。表面１１Ａと側面１１Ｃとの境界が、厚さ方向ｚから視た半導体素子１１の周縁に該当する。図２に示すように、厚さ方向ｚから視た半導体素子１１の周縁は、第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対して傾斜した四辺により構成される。半導体装置Ａ１０が示す例においては、第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対する各々の辺の傾斜角は、４５°である。
【００１６】
導電層１２は、図１〜図６（図４および図５を除く）に示すように、半導体素子１１の裏面１１Ｂに接して設けられている。図６に示す導電層１２の下端は、封止樹脂３から露出している。導電層１２は、裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃ（半導体素子１１）の双方に接して設けられている。図２に示すように、導電層１２の周縁１２１は、半導体素子１１の周縁よりも外側に位置する。導電層１２は、たとえば、銀（Ａｇ）などの金属粒子が含有されたダイアタッチペーストを乾燥および硬化させたものである。このように、導電層１２には金属粒子が含有されているため、導電層１２の熱伝導率は比較的大である。
【００１７】
複数の端子２は、図１〜図６に示すように、半導体素子１１と半導体装置Ａ１０が実装される配線基板との導電経路を構成している。複数の端子２は、半導体素子１１から離間して配置されている。複数の端子２の各々は、ワイヤ４を介して半導体素子１１の表面１１Ａ（電極１１１）に導通している。複数の端子２は、４つから構成され、これらを端子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄと呼ぶ。説明の便宜上、図２の右上に位置する端子２を端子２Ａと呼ぶ。あわせて、図２の右下に位置する端子２を端子２Ｂと、図２の左下に位置する端子２を端子２Ｃと、図２の左上に位置する端子２を端子２Ｄと呼ぶ。なお、後述する半導体装置Ａ２０〜半導体装置Ａ６０においても、複数の端子２は、端子２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの４つから構成され、これらの実施形態の複数の端子２の位置は、いずれも半導体装置Ａ１０と同様である。複数の端子２の各々は、主面２１、底面２２、内側面２３、第１外側面２４、第２外側面２５および陥入部２６を有する。さらに複数の端子２は、内部導電層２８および外部導電層２９を備える。内部導電層２８および外部導電層２９を除いた複数の端子２は、いずれも同一の金属材料から形成される。当該金属材料は、たとえば銅（Ｃｕ）を含む。なお、当該金属材料は、導電性を有し、かつ非磁性体であればいずれでもよい。
【００１８】
図１、図２および図６に示すように、主面２１は、半導体素子１１の表面１１Ａと同じ向きを向く。複数の主面２１の各々には、内部導電層２８を介してワイヤ４が接続されている。本明細書においては、端子２Ａの主面２１を主面２１Ａと、端子２Ｂの主面２１を主面２１Ｂと、端子２Ｃの主面２１を主面２１Ｃと、端子２Ｄの主面２１を主面２１Ｄと呼ぶ。主面２１Ｃの形状は、主面２１Ａと同様である。主面２１Ｄの形状は、主面２１Ｂの形状と同様である。
【００１９】
図１〜図６に示すように、底面２２は、主面２１とは反対側を向く。底面２２は、封止樹脂３から露出している。本明細書においては、端子２Ａの底面２２を底面２２Ａと、端子２Ｂの底面２２を底面２２Ｂと、端子２Ｃの底面２２を底面２２Ｃと、端子２Ｄの底面２２を底面２２Ｄと呼ぶ。底面２２Ｃの形状は、底面２２Ａと同様である。底面２２Ｄの形状は、底面２２Ｂの形状と同様である。
【００２０】
図１〜図６（図３を除く）に示すように、内側面２３は、主面２１につながり、かつ封止樹脂３に接している。本明細書においては、端子２Ａの内側面２３を内側面２３Ａと、端子２Ｂの内側面２３を内側面２３Ｂと、端子２Ｃの内側面２３を内側面２３Ｃと、端子２Ｄの内側面２３を内側面２３Ｄと呼ぶ。内側面２３Ｃの形状は、内側面２３Ａと同様である。内側面２３Ｄの形状は、内側面２３Ｂの形状と同様である。複数の端子２の各々において、内側面２３（内側面２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄ）は、第１領域２３１、第２領域２３２および第３領域２３３を含む。第１領域２３１は、第１方向ｘおよび厚さ方向ｚの双方に沿って配置されている。第１方向ｘにおいて、第１領域２３１の一端は、第１外側面２４につながっている。第２領域２３２は、第２方向ｙおよび厚さ方向ｚの双方に沿って配置されている。第２方向ｙにおいて、第２領域２３２の一端は、第２外側面２５につながっている。第３領域２３３は、厚さ方向ｚに沿って配置され、第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対して傾斜している。第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対する第３領域２３３の傾斜角は４５°であることが最も好ましく、当該傾斜角の許容される誤差範囲は±５°である。厚さ方向ｚから視て、第３領域２３３の一端は、第１領域２３１につながり、第３領域２３３の他端は、第２領域２３２につながっている。図２に示すように、第３領域２３３は、半導体素子１１の周縁と平行である。
【００２１】
図１〜図５に示すように、第１外側面２４は、主面２１、底面２２および内側面２３（第１領域２３１）のいずれにもつながり、かつ第１方向ｘを向く。第１外側面２４は、封止樹脂３から露出している。本明細書においては、端子２Ａの第１外側面２４を第１外側面２４Ａと、端子２Ｂの第１外側面２４を第１外側面２４Ｂと、端子２Ｃの第１外側面２４を第１外側面２４Ｃと、端子２Ｄの第１外側面２４を第１外側面２４Ｄと呼ぶ。第１外側面２４Ｃの形状は、第１外側面２４Ａと同様である。第１外側面２４Ｄの形状は、第１外側面２４Ｂの形状と同様である。
【００２２】
図１〜図６に示すように、第２外側面２５は、主面２１、底面２２および内側面２３（第２領域２３２）のいずれにもつながり、かつ第２方向ｙを向く。第２外側面２５は、封止樹脂３から露出している。第２外側面２５は、第１外側面２４につながっている。厚さ方向から視て、第１外側面２４を含む面と、第２外側面２５を含む面とが交差する部分が、半導体装置Ａ１０の角に該当する。本明細書においては、端子２Ａの第２外側面２５を第２外側面２５Ａと、端子２Ｂの第２外側面２５を第２外側面２５Ｂと、端子２Ｃの第２外側面２５を第２外側面２５Ｃと、端子２Ｄの第２外側面２５を第２外側面２５Ｄと呼ぶ。第２外側面２５Ｃの形状は、第２外側面２５Ａと同様である。第２外側面２５Ｄの形状は、第２外側面２５Ｂの形状と同様である。
【００２３】
図１〜図６に示すように、陥入部２６は、底面２２および内側面２３の双方から凹んでいる。厚さ方向ｚから視て陥入部２６に重なる主面２１の領域と、内側面２３とを含む端子２の部分は、庇状をなしている。陥入部２６は、封止樹脂３に接する。半導体装置Ａ１０が示す例においては、陥入部２６に封止樹脂３が充填された構成となっている。本明細書においては、端子２Ａの陥入部２６を陥入部２６Ａと、端子２Ｂの陥入部２６を陥入部２６Ｂと、端子２Ｃの陥入部２６を陥入部２６Ｃと、端子２Ｄの陥入部２６を陥入部２６Ｄと呼ぶ。
【００２４】
図２および図７に示すように、厚さ方向ｚから視て導電層１２の周縁１２１は、複数の端子２の主面２１および陥入部２６の双方から離間（図７に示す離間ＡＰ）している。ここで、図７に示すように、封止樹脂３の第２面３Ｂ（詳細は後述）を含み、かつ厚さ方向ｚに対して直交する基面ＢＳを設定する。基面ＢＳは、第２面３Ｂに加え、導電層１２の下端と、複数の端子２の底面２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄとを含む。図７に示すように、基面ＢＳから最遠部１２２までの距離Ｂ１は、基面ＢＳから内側面２３と陥入部２６との境界２６１までの距離Ｂ２よりも短い。なお、最遠部１２２とは、側面１１Ｃに接する導電層１２の部分のうち、基面ＢＳから最も離れた部分を指す。また、内側面２３と陥入部２６との境界２６１は、基面ＢＳに対して平行である。
【００２５】
図１〜図６（図２および図３を除く）に示すように、内部導電層２８は、複数の端子２の主面２１を覆っている。内部導電層２８の組成は、たとえばＡｇである。なお、内部導電層２８は、ニッケル（Ｎｉ）層、パラジウム（Ｐｄ）層および金層の順に積層された構成や、ニッケル層にパラジウム層が積層された構成でもよい。なお、内部導電層２８の構成は、これらに限定されない。内部導電層２８は、封止樹脂３に覆われている。図１〜図６（図２を除く）に示すように、外部導電層２９は、複数の端子２の底面２２を覆っている。外部導電層２９の組成は、錫（Ｓｎ）を含む合金である。当該合金は、たとえば錫−アンチモン系合金、または錫−銀系合金などの鉛フリーはんだ合金である。なお、外部導電層２９の組成は、銀層に当該合金層が積層された構成や、銀層に金層が積層された構成でもよい。なお、外部導電層２９の構成は、これらに限定されない。外部導電層２９は、露出している。
【００２６】
封止樹脂３は、図３〜図６に示すように、半導体素子１１およびワイヤ４と、導電層１２および複数の端子２のそれぞれ一部ずつとを覆っている。封止樹脂３の組成は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂である。当該合成樹脂は、たとえば黒色のエポキシ樹脂である。封止樹脂３は、第１面３Ａ、第２面３Ｂ、第３面３Ｃおよび第４面３Ｄを有する。
【００２７】
図４〜図６に示すように、第１面３Ａは、半導体素子１１の表面１１Ａと同じ向きを向く。第２面３Ｂは、第１面３Ａとは反対側を向く。導電層１２と、複数の端子２の底面２２とは、いずれも第２面３Ｂから露出している。導電層１２と、複数の底面２２とは、いずれも第２面３Ｂと面一である。
【００２８】
図３〜図５に示すように、第３面３Ｃは、第１面３Ａおよび第２面３Ｂの双方につながり、かつ第１方向ｘを向く。第３面３Ｃは、第１方向ｘにおいて互いに離間した一対の領域を含む。複数の端子２の第１外側面２４は、いずれも第３面３Ｃから露出している。各々の第１外側面２４は、いずれも第３面３Ｃと面一である。
【００２９】
図３〜図６に示すように、第４面３Ｄは、第１面３Ａおよび第２面３Ｂの双方につながり、かつ第２方向ｙを向く。第４面３Ｄは、第２方向ｙにおいて互いに離間した一対の領域を含む。第４面３Ｄの各々の領域の第１方向ｘの両端は、第３面３Ｃにつながっている。複数の端子２の第２外側面２５は、いずれも第４面３Ｄから露出している。各々の第２外側面２５は、いずれも第４面３Ｄと面一である。
【００３０】
複数のワイヤ４は、図１、図２および図６に示すように、半導体素子１１の複数の電極１１１と、複数の端子２とを相互に導通させる。複数のワイヤ４は、４本から構成される。複数のワイヤ４の構成材料は、たとえば金である。複数のワイヤ４は、ワイヤボンディングにより形成される。複数のワイヤ４の各々は、第１接続部４１および第２接続部４２を有する。第１接続部４１は、ワイヤ４の形成過程において最初に形成されるボールボンディング（Ball Bonding）部である。第１接続部４１が、半導体素子１１の複数の電極１１１に接続されている。第２接続部４２は、ワイヤ４の形成過程において最後に形成されるステッチボンディング（Stitch Bonding）である。第２接続部４２が、複数の端子２の主面２１を覆う内部導電層２８に接続されている。この場合においては、厚さ方向ｚから視て、底面２２に重なる主面２１の領域上に位置する内部導電層２８に、第２接続部４２が接続されている。
【００３１】
＜第１実施形態の変形例＞
次に、図８に基づき、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１について説明する。半導体装置Ａ１１は、複数のワイヤ４の第１接続部４１が、複数の端子２の主面２１を覆う内部導電層２８に接続されている。複数のワイヤ４の第２接続部４２が、半導体素子１１の複数の電極１１１に接続されている。この場合においては、厚さ方向ｚから視て、底面２２に重なる主面２１の領域上に位置する内部導電層２８に、第１接続部４１が接続されている。このように、複数のワイヤ４の接続形態は、半導体装置Ａ１０による形態と、半導体装置Ａ１１による形態との両者をとることができる。
【００３２】
次に、図９に基づき、半導体装置Ａ１０を構成要素に含む回路の一例について説明する。
【００３３】
図９に示すように、当該回路は、半導体装置Ａ１０、集積回路５１および制御対象５２によって構成されている。制御対象５２は、たとえば携帯電話のディスプレイの光源や、ＤＣモータなどが挙げられる。集積回路５１は、装置駆動領域５１１、電圧検出領域５１２および制御領域５１３を備える。装置駆動領域５１１は、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１に電流を流す領域である。電圧検出領域５１２は、ホール効果により半導体素子１１に現れた起電力（ホール電圧）を検出する領域である。制御領域５１３は、制御対象５２の動作を制御する領域である。半導体装置Ａ１０に磁石５３を近づけたとき、半導体素子１１が磁束密度の変化を検出し、ホール効果により半導体素子１１に起電力が現れる。当該起電力は、電圧検出領域５１２により検出される。電圧検出領域５１２は、この検出結果を制御領域５１３に伝達する。制御領域５１３は、伝達された当該検出結果に基づき、制御対象５２の動作を制御（起動や停止など）する。
【００３４】
次に、図１１〜図１８に基づき、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について説明する。
【００３５】
図１１〜図１８は、半導体装置Ａ１０の製造方法を説明する断面図であり、これらの断面位置は、いずれも図６の断面位置と同一である。なお、図１１〜図１８において示される導電板８１の厚さ方向ｚと、第２方向ｙとは、図１〜図７において示される厚さ方向ｚと、第２方向ｙとに相当する。
【００３６】
最初に、図１１に示すように、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く主面２１および底面２２を有する導電板８１を準備する。導電板８１から、半導体装置Ａ１０の複数の端子２が形成される。導電板８１は、たとえば、銅を含む金属薄板である。導電板８１の厚さは、たとえば１００μｍである。主面２１および底面２２は、ともに一様な平坦面である。主面２１は、全体が内部導電層２８に覆われている。内部導電層２８は、電解めっきにより形成される。
【００３７】
次いで、図１２に示すように、導電板８１において内部導電層２８および底面２２の双方にフォトリソグラフィによりマスクを形成した後、ウェットエッチングにより導電板８１および内部導電層２８のそれぞれ一部ずつを除去する。エッチング液は、たとえば、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）および過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）の混合溶液である。エッチングは、導電板８１において内部導電層２８および底面２２の双方から行われる。先に、底面２２からハーフエッチングにより導電板８１の一部を除去する。その後、内部導電層２８からエッチングを行い、厚さ方向ｚにおいて導電板８１および内部導電層２８の一部を貫通させる。本工程によって、導電板８１に内側面２３および陥入部２６が形成される。
【００３８】
次いで、図１３に示すように、導電板８１の底面２２に基材８２を貼り付ける。基材８２は、電気絶縁性を有する部材であり、たとえばテープである。
【００３９】
次いで、図１４に示すように、基材８２に半導体素子１１を搭載した後、半導体素子１１と導電板８１とを導通させる複数のワイヤ４を形成する。半導体素子１１の搭載にあたっては、まず、基材８２に接合材８３を塗布する。接合材８３は、たとえばＡｇを含む導電性ペーストである。次いで、コレットなどで吸着した半導体素子１１を基材８２の上に移送して、接合材８３に接着する。最後に、接合材８３をキュア炉などで熱硬化させる。熱硬化した接合材８３が、半導体装置Ａ１０の導電層１２に相当する。複数のワイヤ４は、ワイヤボンディングにより形成される。
【００４０】
次いで、図１５に示すように、導電板８１、半導体素子１１およびワイヤ４を覆う封止樹脂８４を形成する。封止樹脂８４は、電気絶縁性を有する熱硬化性の合成樹脂をトランスファモールド成形により熱硬化させることによって形成される。封止樹脂８４は、基材８２に接し、かつ導電板８１に形成された陥入部２６に充填された状態となる。
【００４１】
次いで、図１６に示すように、導電板８１および封止樹脂８４から基材８２を剥離し、かつ厚さ方向ｚにおいて導電板８１の主面２１寄りに位置する封止樹脂８４の一部を、機械研磨により厚さ方向ｚに対して直交する方向において一様に除去する。本工程によって、封止樹脂８４の厚さ方向ｚの長さが短くなり、半導体装置Ａ１０の低背化を図ることができる。この状態において、封止樹脂８４には、第１面３Ａおよび第２面３Ｂが形成される。第２面３Ｂから、導電板８１の底面２２と、接合材８３（導電層１２）とが、ともに露出した状態となる。
【００４２】
次いで、図１７に示すように、導電板８１の底面２２を覆う外部導電層２９を形成する。外部導電層２９は、電解めっきにより形成される。
【００４３】
次いで、導電板８１（内部導電層２８および外部導電層２９を含む）と、封止樹脂８４とを、第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に沿って切断し、個片に分割する。切断にあたっては、たとえばダイシングソーを用いて導電板８１の底面２２が向く方から切断する。たとえば、第１方向ｘに沿って切断する際は、図１８に示す切断線ＣＬに沿って切断する。本工程において分割された個片が半導体装置Ａ１０となる。このとき、導電板８１には、第１外側面２４および第２外側面２５が形成され、導電板８１が複数の端子２となる。あわせて、封止樹脂８４には、第３面３Ｃおよび第４面３Ｄが形成され、封止樹脂８４が封止樹脂３となる。以上の工程を経ることによって、半導体装置Ａ１０が製造される。
【００４４】
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
【００４５】
半導体装置Ａ１０は、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ１０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２によって効率よく外部に放出させることができる。
【００４６】
半導体装置Ａ１０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。図１０に示すように、導電層１２の放熱性をより向上させるため、厚さ方向ｚから視て導電層１２の周縁１２１が半導体素子１１の周縁よりも外側に位置する。このような構成において、周縁１２１が複数の端子２の主面２１および陥入部２６から離間することによって、導電層１２と複数の端子２との短絡（ショート）を回避できる。一方、半導体装置Ａ１０の製造において、導電層１２となる接合材８３（図１４参照）の塗布量が多い場合、接合材８３を硬化させたとき導電層１２の周縁１２１の一部が端子２の主面２１に重なることが起こり得る。このような状態であっても、導電層１２の一部が陥入部２６に収容され、かつ導電層１２が端子２に接触しない構成となるため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ１０によれば、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【００４７】
なお、導電層１２は、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられている。このような構成をとることによって、半導体素子１１に対する導電層１２の接触面積が広くなり、半導体装置Ａ１０の放熱性をより向上させることができる。
【００４８】
陥入部２６には、封止樹脂３が充填されている。このような構成をとることによって、厚さ方向ｚから視て陥入部２６に重なる主面２１の領域と、内側面２３とを含む端子２の庇状の部分は、厚さ方向ｚにおいて封止樹脂３に挟まれた状態となる。このため、複数の端子２が封止樹脂３の第２面３Ｂから脱落することを防止できる。
【００４９】
厚さ方向ｚから視て、底面２２に重なる主面２１の領域上にワイヤ４が接続されている。このような構成をとることによって、ワイヤ４を複数の端子２に接続する際、底面２２に反力が作用するため、端子２に対するワイヤ４の接合強度を確保することができる。
【００５０】
複数の端子２は、主面２１を覆う内部導電層２８を備える。内部導電層２８によって、主面２１にワイヤ４を導通させるときに発生する熱衝撃から端子２を保護することができる。
【００５１】
複数の端子２は、底面２２を覆う外部導電層２９をさらに備える。外部導電層２９によって、配線基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度を向上させることができる。
【００５２】
厚さ方向ｚから視て、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１の周縁は、第１方向ｘおよび第２方向ｙの双方に対して傾斜した四辺により構成されている。あわせて、複数の端子２の内側面２３は、半導体素子１１の周縁と平行である領域（第３領域２３３）を有する。このような構成をとることによって、半導体素子１１に対する複数の端子２の離間距離が短くなり、半導体装置Ａ１０のより一層の小型化を図ることができる。
【００５３】
〔第２実施形態〕
次に、図１９〜図２３に基づき、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図１９は、理解の便宜上、内部導電層２８および封止樹脂３を透過している。図１９において、透過した封止樹脂３の外形を想像線で示している。図１９に示すＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線の通過位置を一点鎖線で示している。また、図１９〜図２３において、複数の端子２について重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００５４】
半導体装置Ａ２０は、複数の端子２、および封止樹脂３の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。
【００５５】
図１９〜図２３（図２１を除く）に示すように、複数の端子２の各々において、陥入部２６は、底面２２および第２外側面２５の双方からも凹むように形成されている。図１９〜図２２に示すように、複数の端子２の各々は、貫通部２７をさらに有する。貫通部２７は、主面２１から底面２２に到達している。貫通部２７は、第１外側面２４、第２外側面２５および陥入部２６につながっている。貫通部２７には、封止樹脂３の一部が位置している。半導体装置Ａ２０が示す例においては、貫通部２７に封止樹脂３が充填された構成となっている。本明細書においては、端子２Ａの貫通部２７を貫通部２７Ａと、端子２Ｂの貫通部２７を貫通部２７Ｂと、端子２Ｃの貫通部２７を貫通部２７Ｃと、端子２Ｄの貫通部２７を貫通部２７Ｄと呼ぶ。
【００５６】
次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
【００５７】
半導体装置Ａ２０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ２０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２により効率よく外部に放出させることができる。半導体装置Ａ２０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。このため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【００５８】
複数の端子２の各々には、貫通部２７が形成されている。貫通部２７には、封止樹脂３の一部が位置している。このような構成をとることによって、複数の端子２が、第１方向ｘおよび第２方向ｙの外側にずれようとすると、貫通部２７に位置する封止樹脂３の一部に端子２が接触する。このため、複数の端子２が、封止樹脂３の第３面３Ｃおよび第４面３Ｄの双方から抜け出すことを防止できる。複数の端子２の各々において、陥入部２６は、底面２２および第２外側面２５の双方からも凹むように形成されている。このような構成をとることによって、半導体装置Ａ２０の製造の際、貫通部２７に形成される封止樹脂３が、より密な状態となるため、複数の端子２が封止樹脂３から抜け出すことを、より効果的に防止できる。
【００５９】
〔第３実施形態〕
図２４〜図２６に基づき、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２４は、理解の便宜上、内部導電層２８および封止樹脂３を透過している。図２４において透過した封止樹脂３の外形を想像線で示している。図２６は、半導体装置Ａ３０の拡大断面図であり、その断面位置は、図７の断面位置と同一である。また、図２４および図２５において、複数の端子２について重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００６０】
半導体装置Ａ３０は、導電層１２の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。なお、複数の端子２、および封止樹脂３の構成は、半導体装置Ａ１０の構成と同様であるが、これらを半導体装置Ａ２０の構成としてもよい。
【００６１】
図２４〜図２６に示すように、厚さ方向ｚから視て導電層１２は、複数の端子２の主面２１に重なる領域を含む。このため、図２５に示すように、封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２の面積は、半導体装置Ａ１０の当該面積よりも大である。図２６に示すように、導電層１２は、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられている。基面ＢＳ（先述した半導体装置Ａ１０を参照）から最遠部１２２（先述した半導体装置Ａ１０を参照）までの距離Ｂ１は、基面ＢＳから内側面２３と陥入部２６との境界２６１までの距離Ｂ２よりも短い。なお、厚さ方向ｚから視て、最遠部１２２は、主面２１および陥入部２６の双方から離間（図２６に示す離間ＡＰ）している。
【００６２】
＜第３実施形態の変形例＞
次に、図２７に基づき、半導体装置Ａ３０の変形例である半導体装置Ａ３１について説明する。半導体装置Ａ３１においては、基面ＢＳから最遠部１２２までの距離Ｂ１は、基面ＢＳから内側面２３と陥入部２６との境界２６１までの距離Ｂ２よりも長い。このため、半導体素子１１に対する導電層１２の接触面積は、半導体装置Ａ３０の当該面積よりも大である。なお、厚さ方向ｚから視て、最遠部１２２は、主面２１および陥入部２６の双方から離間（図２７に示す離間ＡＰ）している。
【００６３】
半導体装置Ａ３０および半導体装置Ａ３１の導電層１２の構成は、ともに導電層１２となる接合材８３（図１４参照）の塗布量を増加させることにより得ることができる。
【００６４】
次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
【００６５】
半導体装置Ａ３０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ３０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２により効率よく外部に放出させることができる。半導体装置Ａ３０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。このため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ３０によっても、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【００６６】
一方、半導体装置Ａ３０は、厚さ方向ｚから視て導電層１２は、複数の端子２の主面２１に重なる領域を含む。このような状態であっても、図２６に示すように、導電層１２の一部が陥入部２６に収容され、かつ導電層１２が端子２に接触しない構成となるため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避することができる。半導体装置Ａ３０は、封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２の面積が半導体装置Ａ１０の当該面積よりも大であるため、半導体装置Ａ１０よりも放熱性をさらに向上させることができる。
【００６７】
他方、半導体装置Ａ３１は、半導体装置Ａ３０と同様に、厚さ方向ｚから視て導電層１２は、複数の端子２の主面２１に重なる領域を含む。半導体素子１１に対する導電層１２の接触面積は、半導体装置Ａ３０の当該面積よりも大である。このような状態であっても、図２７に示すように、導電層１２の一部が陥入部２６に収容され、かつ導電層１２が端子２に接触しない構成となるため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避することができる。なお、半導体装置Ａ３１は、半導体装置Ａ３０よりも放熱性がさらに向上するという利点がある。
【００６８】
〔第４実施形態〕
図２８〜図３２に基づき、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図２８は、理解の便宜上、内部導電層２８および封止樹脂３を透過している。図２８において透過した封止樹脂３の外形を想像線で示している。また、図２８〜図３２において、端子２について重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００６９】
半導体装置Ａ４０は、複数の端子２の外部導電層２９の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。なお、複数の端子２、および封止樹脂３との構成は、半導体装置Ａ１０の構成と同様であるが、これらを半導体装置Ａ２０の構成としてもよい。
【００７０】
図２８〜図３２に示すように、複数の端子２の各々において、外部導電層２９は、底面２２および第１外側面２４の双方を覆っている。さらに、外部導電層２９は、複数の端子２の第２外側面２５と、封止樹脂３の第２面３Ｂから露出した導電層１２とを覆っている。外部導電層２９は、電解バレルめっきにより形成される。具体的には、半導体装置Ａ４０の製造工程において、電解めっきにより外部導電層２９を形成する工程（図１７参照）を省略し、導電板８１および封止樹脂８４を個片に分割する工程（図１８参照）の後に、外部導電層２９を電解バレルめっきにより形成する。
【００７１】
次に、半導体装置Ａ４０の作用効果について説明する。
【００７２】
半導体装置Ａ４０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ４０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２により効率よく外部に放出させることができる。半導体装置Ａ４０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。このため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ４０によっても、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【００７３】
複数の端子２の各々において、外部導電層２９は、底面２２および第１外側面２４の双方を覆っている。図３３は、リフロー方式により半導体装置Ａ４０を配線基板６１に実装したときの状態を示す断面図（断面位置は図３１と同一）である。図３３に示すように、たとえばクリームはんだである導電接合層６２は、底面２２を覆う外部導電層２９のみならず、第１外側面２４を覆う外部導電層２９にも付着する。したがって、配線基板６１に対する半導体装置Ａ４０の実装強度を、半導体装置Ａ１０の実装強度よりもさらに向上させることができる。
【００７４】
〔第５実施形態〕
次に、図３４〜図４５に基づき、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図３５は、理解の便宜上、内部導電層２８および封止樹脂３を透過している。図３９は、理解の便宜上、封止樹脂３を透過している。図３５および図３９において透過した封止樹脂３の外形を想像線で示している。図３４に示すＸＬＩ−ＸＬＩ線、および図３５に示すＸＬＩＶ−ＸＬＩＶ線のそれぞれの通過位置を一点鎖線で示している。図４３の断面位置は、図４２の断面位置と同一である。また、図３４〜図４１において、端子２について重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００７５】
半導体装置Ａ５０は、半導体素子１１、導電層１２、複数の端子２、封止樹脂３および複数のワイヤ４の構成が、先述した半導体装置Ａ１０と異なる。半導体素子１１の構成は、半導体装置Ａ１０の半導体素子１１の構成に対して、より実物に即したものとなっている。導電層１２、複数の端子２および複数のワイヤ４の形状は、半導体装置Ａ２０のこれらの形状に対して、より実物に即したものとなっている。
【００７６】
図４４に示すように、半導体素子１１は、凹部１１Ｄ、半導体基板１１２、検出層１１３、配線層１１４および絶縁膜１１５をさらに有する。
【００７７】
半導体基板１１２は、複数の電極１１１、検出層１１３、配線層１１４および絶縁膜１１５を支持している。半導体基板１１２の構成材料は、ドーパントが含有されていないヒ化ガリウムである。厚さ方向ｚにおいて導電層１２に接する半導体基板１１２の面が、裏面１１Ｂに相当する。
【００７８】
検出層１１３は、半導体基板１１２に対して厚さ方向ｚに積層されている。検出層１１３が、半導体素子１１の機能の中枢となる。検出層１１３は、たとえば、ｎ型ドーパントが含有され、かつ半導体基板１１２に積層されたヒ化ガリウム層と、それに積層されたキャップ膜としてのヒ化ガリウム層から構成される。ｎ型ドーパントは、たとえばケイ素（Ｓｉ）である。なお、キャップ膜としてのヒ化ガリウム層は、ドーパントが含有されていない。検出層１１３は、エピタキシャル成長により形成される。厚さ方向ｚにおいて複数の端子２の主面２１と同じ向きを向く検出層１１３の面が、表面１１Ａに相当する。表面１１Ａから裏面１１Ｂに至る半導体素子１１の厚さは、たとえば７０μｍ〜９０μｍである。
【００７９】
凹部１１Ｄは、表面１１Ａから凹んでいる。厚さ方向ｚから視て、凹部１１Ｄは、半導体素子１１の周縁を含み、かつ枠状である。凹部１１Ｄは、半導体基板１１２および検出層１１３の一部をエッチングにより除去することによって形成される。凹部１１Ｄにより、半導体基板１１２にはメサ構造が構成される。当該メサ構造の上端に検出層１１３が位置する。
【００８０】
配線層１１４は、表面１１Ａおよび凹部１１Ｄのそれぞれ一部ずつを覆っている。配線層１１４は、検出層１１３に導通している。配線層１１４は、たとえば、金、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびニッケルを含む合金層から構成される。
【００８１】
絶縁膜１１５は、配線層１１４に覆われていない表面１１Ａおよび凹部１１Ｄを覆っている。絶縁膜１１５の構成材料は、たとえば窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）である。
【００８２】
複数の電極１１１は、配線層１１４を覆っている。これにより、複数の電極１１１は、配線層１１４を介して検出層１１３に導通している。
【００８３】
図３７に示すように、複数の端子２の主面２１の各々は、第１縁２１１をさらに有する。第１縁２１１は、主面２１の周縁の一部である。第１縁２１１は、内側面２３の第１領域２３１と、第１外側面２４との双方につながっている。第１縁２１１は、第１方向ｘに対して傾斜角α１で傾斜している。
【００８４】
図３７に示すように、複数の端子２の底面２２の各々は、第２縁２２１および平行縁２２２をさらに有する。第２縁２２１および平行縁２２２は、底面２２の周縁の一部である。第２縁２２１は、第１外側面２４および陥入部２６の双方につながっている。第２縁２２１は、第１方向ｘに対して傾斜角α２で傾斜している。傾斜角α２は、傾斜角α１よりも小である。平行縁２２２は、第１方向ｘに延び、かつ第１外側面２４、陥入部２６および貫通部２７につながっている。図３７に示す底面２２の第１方向ｘの最大幅Ｗｍは、平行縁２２２の長さよりも大である。
【００８５】
主面２１から底面２２に至る複数の端子２の各々の厚さは、たとえば８０μｍ〜１００μｍである。複数の主面２１から封止樹脂３の第１面３Ａに至る封止樹脂３の厚さ方向ｚの各々の寸法は、たとえば５５μｍ〜７５μｍである。
【００８６】
図３４および図４１に示すように、封止樹脂３は、標印３１を有する。標印３１は、第１面３Ａに形成されている。半導体装置Ａ５０が示す例においては、標印３１は、第２方向ｙにおいて互いに離間した２つの領域を含む。厚さ方向ｚから視て、これらの領域の間に半導体素子１１が位置する。標印３１は、凹部３１１および平坦部３１２を有する。凹部３１１は、第１面３Ａから凹んでいる。平坦部３１２は、第１面３Ａから凹んでいない。厚さ方向ｚから視て、凹部３１１および平坦部３１２により、標印３１は、厚さ方向ｚから視てコード標記をなしている。当該コード標記は、型式番号など、半導体装置Ａ５０の製品情報を表示している。標印３１を画像読み取りすることにより、半導体装置Ａ５０の製品情報を把握することができる。なお、凹部３１１は、レーザにより形成される。
【００８７】
図３４、図３８および図４１に示すように、封止樹脂３は、判別溝３２をさらに有する。判別溝３２は、第１面３Ａに形成されている。厚さ方向ｚから視て、判別溝３２は、標印３１に対して第２方向ｙに離間し、かつ第１方向ｘに延びている。判別溝３２の第１方向ｘの両端は、第３面３Ｃの一対の領域に到達している。判別溝３２は、半導体装置Ａ５０を配線基板に実装する際、半導体装置Ａ５０の極性を判別するために用いられる。
【００８８】
第１面３Ａから第２面３Ｂに至る封止樹脂３の厚さは、たとえば１３５μｍ〜１７５μｍである。
【００８９】
図３５に示すように、複数のワイヤ４は、一対の第１ワイヤ４Ａおよび一対の第２ワイヤ４Ｂを含む。厚さ方向ｚから視て、一対の第１ワイヤ４Ａおよび一対の第２ワイヤ４Ｂのそれぞれの対は、半導体素子１１の中心Ｃに対して点対称となるように配置されている。厚さ方向ｚから視て、第１ワイヤ４Ａの長さＬ１は、第２ワイヤ４Ｂの長さＬ２よりも大である。
【００９０】
図３４、図３９および図４２に示すように、一対の第１ワイヤ４Ａおよび一対の第２ワイヤ４Ｂの各々は、頂部Ｔを有する。頂部Ｔは、第１接続部４１の底から厚さ方向ｚに最も離れて位置する部分である。一対の第１ワイヤ４Ａの各々のループ高さｈ１は、一対の第２ワイヤ４Ｂの各々のループ高さｈ２よりも大である。なお、ループ高さｈ１，ｈ２は、複数のワイヤ４の各々において、第１接続部４１の底から頂部Ｔに至る厚さ方向ｚの長さである。
【００９１】
図３４および図４１に示すように、厚さ方向ｚから視て、標印３１の外縁は、複数のワイヤ４の頂部Ｔに対して第２方向ｙに所定の間隔ＩＴで離間している。図４２に示すように、標印３１の凹部３１１の最大深さＤｍは、封止樹脂３の第１面３Ａから複数の頂部Ｔに至る封止樹脂３の各々の被覆厚さＣＴよりも小である。被覆厚さＣＴは、たとえば１８μｍ〜２１μｍである。なお、図４３に示すように、凹部３１１の最大深さＤｍは、封止樹脂３の各々の被覆厚さＣＴよりも大である構成でもよい。
【００９２】
図４４に示すように、一対の第２ワイヤ４Ｂの第１接続部４１は、下層部４１１および上層部４１２を有する。下層部４１１は、電極１１１に接する略円盤状である。下層部４１１の上端の幅Ｗ１は、その下端の幅Ｗ２よりも大である。なお、幅Ｗ１，Ｗ２は、厚さ方向ｚに対して直交する方向の下層部４１１の寸法である。上層部４１２は、下層部４１１の上端に接する略円錐台状である。なお、図示はしていないが、一対の第１ワイヤ４Ａの第１接続部４１も、下層部４１１および上層部４１２を有する。
【００９３】
図４５は、リフロー方式により半導体装置Ａ５０を配線基板６１に実装したときの状態を示す断面図（断面位置は図４１と同一）である。図４５に示すように、たとえばクリームはんだである導電接合層６２は、複数の端子２の底面２２を覆う外部導電層２９に付着している。なお、導電接合層６２の体積を増加させることにより、導電接合層６２が外部導電層２９と、複数の端子２の第１外側面２４との双方に付着する構成（図３３参照）でもよい。
【００９４】
＜第５実施形態の変形例＞
次に、図４６および図４７に基づき、半導体装置Ａ５０の変形例である半導体装置Ａ５１について説明する。図４７に示すように、半導体装置Ａ５１は、複数のワイヤ４の第１接続部４１が、複数の端子２の主面２１を覆う内部導電層２８に接続されている。複数のワイヤ４の第２接続部４２が、半導体素子１１の複数の電極１１１に接続されている。この場合においては、厚さ方向ｚから視て、底面２２に重なる主面２１の領域上に位置する内部導電層２８に、第１接続部４１が接続されている。図４６に示すように、封止樹脂３の標印３１および判別溝３２は、厚さ方向ｚから視て半導体素子１１に重なっている。このように、複数のワイヤ４の接続形態は、半導体装置Ａ５０による形態と、半導体装置Ａ５１による形態との両者をとることができる。
【００９５】
次に、半導体装置Ａ５０の作用効果について説明する。
【００９６】
半導体装置Ａ５０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ５０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２により効率よく外部に放出させることができる。半導体装置Ａ５０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。このため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ５０によっても、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【００９７】
封止樹脂３は、第１面３Ａに形成された標印３１を有する。標印３１の外縁は、複数のワイヤ４の頂部Ｔに対して第２方向ｙに所定の間隔ＩＴで離間している。これにより、標印３１を構成する凹部３１１が複数のワイヤ４に干渉することを回避できる。
【００９８】
〔第６実施形態〕
次に、図４８〜図５１に基づき、本発明の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図４８は、理解の便宜上、内部導電層２８および封止樹脂３を透過している。図４９は、理解の便宜上、封止樹脂３を透過している。図４８および図４９において透過した封止樹脂３の外形を想像線で示している。図４８に示すＬ−Ｌ線の通過位置を一点鎖線で示している。図５１の断面位置は、図４４の断面位置と同一である。また、図４８〜図５０において、端子２について重複する同様な要素の符号の記載を省略している。
【００９９】
半導体装置Ａ５０は、封止樹脂３の厚さ、および複数のワイヤ４の構成が、先述した半導体装置Ａ５０と異なる。
【０１００】
第１面３Ａから第２面３Ｂに至る封止樹脂３の厚さは、たとえば１２５μｍ〜１６５μｍである。このため、封止樹脂３の厚さは、半導体装置Ａ５０の封止樹脂３の厚さよりも小である。
【０１０１】
図４９〜図５１に示すように、複数のワイヤ４は、屈曲部４３をさらに有する。屈曲部４３は、第１接続部４１の上端につながっている。屈曲部４３は、厚さ方向ｚにおいてＶ字状に屈曲している。複数のワイヤ４の各々における頂部Ｔの位置は、第１接続部４１の底から厚さ方向ｚに最も離れた屈曲部４３の先端に位置する。図４８に示すように、厚さ方向ｚから視て複数の頂部Ｔは、いずれも半導体素子１１に重なっている。図５１に示すように、一対の第２ワイヤ４Ｂの第１接続部４１の上端（屈曲部４３につながる面）の幅Ｗ１は、その下端（電極１１１に接する面）の幅Ｗ２よりも大である。なお、図示はしていないが、一対の第１ワイヤ４Ａの第１接続部４１においても、幅Ｗ１は、幅Ｗ２よりも大である。
【０１０２】
図４９〜図５１に示すように、一対の第１ワイヤ４Ａの各々のループ高さｈ１は、一対の第２ワイヤ４Ｂの各々のループ高さｈ２に略等しい。ループ高さｈ１，ｈ２は、たとえば３２μｍ〜５２μｍである。ループ高さｈ１，ｈ２は、これらに対応する半導体装置Ａ５０のループ高さｈ１，ｈ２の各々よりも小である。
【０１０３】
図４８および図５０に示すように、厚さ方向ｚから視て、複数のワイヤ４の頂部Ｔから標印３１の外縁に至る２つの間隔ＩＴの長さは、これらに対応する半導体装置Ａ５０の間隔ＩＴの各々の長さよりも小である。
【０１０４】
＜第６実施形態の変形例＞
次に、図５２および図５３に基づき、半導体装置Ａ６０の変形例である半導体装置Ａ６１について説明する。図５３に示すように、半導体装置Ａ６１は、複数のワイヤ４の第１接続部４１が、複数の端子２の主面２１を覆う内部導電層２８に接続されている。複数のワイヤ４の第２接続部４２が、半導体素子１１の複数の電極１１１に接続されている。この場合においては、厚さ方向ｚから視て、底面２２に重なる主面２１の領域上に位置する内部導電層２８に、第１接続部４１が接続されている。図５２に示すように、封止樹脂３の標印３１および判別溝３２は、厚さ方向ｚから視て半導体素子１１に重なっている。複数のワイヤ４の頂部Ｔは、厚さ方向ｚから視て複数の端子２に重なっている。このように、複数のワイヤ４の接続形態は、半導体装置Ａ６０による形態と、半導体装置Ａ６１による形態との両者をとることができる。
【０１０５】
次に、半導体装置Ａ６０の作用効果について説明する。
【０１０６】
半導体装置Ａ６０は、先述した半導体装置Ａ１０と同様に、半導体素子１１の裏面１１Ｂおよび側面１１Ｃの双方に接して設けられ、かつ封止樹脂３の第２面３Ｂから露出する導電層１２を備える。このため、半導体装置Ａ６０の使用時に半導体素子１１から発生した熱を、導電層１２により効率よく外部に放出させることができる。半導体装置Ａ６０の複数の端子２には、底面２２および内側面２３の双方から凹む陥入部２６が形成されている。このため、導電層１２と複数の端子２との短絡を回避できる。したがって、半導体装置Ａ６０によっても、低背化を図りつつ、より放熱性を向上させることが可能となる。
【０１０７】
複数のワイヤ４の各々は、屈曲部４３を有する。屈曲部４３は、第１接続部４１につながり、かつ厚さ方向ｚにおいてＶ字状に屈曲している。これにより、一対の第１ワイヤ４Ａの各々のループ高さｈ１を、一対の第２ワイヤ４Ｂの各々のループ高さｈ２に略等しくすることができる。さらにループ高さｈ１，ｈ２を、これらに対応する半導体装置Ａ５０のループ高さｈ１，ｈ２の各々よりも小とすることができる。したがって、第１面３Ａから第２面３Ｂに至る封止樹脂３の厚さを、半導体装置Ａ５０の封止樹脂３の厚さよりも小とすることができるため、半導体装置Ａ６０を、より低背化とすることが可能である。
【０１０８】
厚さ方向ｚから視て複数のワイヤ４の頂部Ｔは、いずれも半導体素子１１に重なっている。これにより、厚さ方向ｚから視て、複数のワイヤ４の頂部Ｔから標印３１の外縁に至る２つの間隔ＩＴの長さを、これらに対応する半導体装置Ａ５０の間隔ＩＴの各々の長さよりも小とすることができる。したがって、厚さ方向ｚから視た封止樹脂３の標印３１の領域をより拡大することができるため、標印３１に表示される半導体装置Ａ６０の製品情報量を、より大とすることが可能である。
【０１０９】
本発明は、先述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【０１１０】
本発明は、以下の付記に関する構成を含む。
【０１１１】
［付記１］
厚さ方向において互いに反対側を向く表面および裏面、並びに前記表面および前記裏面の双方につながる側面、を有する半導体素子と、
前記裏面および前記側面の双方に接して設けられ、かつ金属粒子が含有された導電層と、
前記半導体素子から離間して配置され、かつ前記半導体素子に導通する複数の端子と、
前記表面と同じ向きを向く第１面、および前記第１面とは反対側を向く第２面、を有し、かつ前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記厚さ方向から視て、前記導電層の周縁は、前記半導体素子の周縁よりも外側に位置し、
複数の前記端子の各々は、前記表面と同じ向きを向く主面と、前記主面とは反対側を向く底面と、前記主面につながり、かつ前記封止樹脂に接する内側面と、前記底面および前記内側面の双方から凹む陥入部と、を有し、
前記導電層および複数の前記底面は、いずれも前記第２面から露出していることを特徴とする、半導体装置。
［付記２］
複数の前記陥入部は、前記封止樹脂に接する、付記１に記載の半導体装置。
［付記３］
前記封止樹脂は、前記厚さ方向に対して直交する第１方向を向く第３面を有し、
複数の前記端子の各々は、前記主面、前記底面および前記内側面のいずれにもつながり、かつ前記第１方向を向く第１外側面を有し、
複数の前記第１外側面は、いずれも前記第３面から露出している、付記２に記載の半導体装置。
［付記４］
前記封止樹脂は、前記厚さ方向および前記第１方向の双方に対して直交する第２方向を向く第４面を有し、
複数の前記端子の各々は、前記主面、前記底面および前記内側面のいずれにもつながり、かつ前記第２方向を向く第２外側面を有し、
複数の前記第２外側面は、いずれも前記第４面から露出している、付記３に記載の半導体装置。
［付記５］
複数の前記端子の各々において、前記陥入部は、前記底面および前記第２外側面の双方から凹んでいる、付記４に記載の半導体装置。
［付記６］
複数の前記端子の各々は、前記主面から前記底面に到達し、かつ前記第１外側面、前記第２外側面および前記陥入部のいずれにもつながる貫通部を有し、
複数の前記貫通部には、前記封止樹脂の一部が位置する、付記５に記載の半導体装置。
［付記７］
前記厚さ方向から視て、前記半導体素子の周縁は、前記第１方向および前記第２方向の双方に対して傾斜した四辺により構成され、
複数の前記内側面は、前記半導体素子の周縁と平行である領域を含む、付記４ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
［付記８］
前記厚さ方向から視て、前記導電層の周縁は、複数の前記主面から離間している、付記７に記載の半導体装置。
［付記９］
前記厚さ方向から視て、前記導電層の一部は、複数の前記主面の少なくともいずれかに重なっている、付記７に記載の半導体装置。
［付記１０］
前記厚さ方向に対して直交し、かつ前記第２面を含む基面から、前記側面に接する前記導電層の部分のうち前記基面から最も離れた最遠部までの距離は、前記基面から前記内側面と前記陥入部との境界までの距離よりも短い、付記８または９に記載の半導体装置。
［付記１１］
前記厚さ方向に対して直交し、かつ前記第２面を含む基面から、前記側面に接する前記導電層の部分のうち前記基面から最も離れた最遠部までの距離は、前記基面から前記内側面と前記陥入部との境界までの距離よりも長く、
前記厚さ方向から視て、前記最遠部は、複数の前記主面から離間している、付記９に記載の半導体装置。
［付記１２］
複数の前記端子は、複数の前記底面を覆う外部導電層を備える、付記８または９に記載の半導体装置。
［付記１３］
複数の前記端子の各々において、前記外部導電層は、前記第１外側面を覆っている、付記１２に記載の半導体装置。
［付記１４］
前記半導体素子と、複数の前記端子とを相互に導通させるワイヤをさらに備える、付記１２に記載の半導体装置。
［付記１５］
前記厚さ方向から視て、複数の前記端子の各々において、前記底面に重なる前記主面の領域上に、前記ワイヤが接続されている、付記１４に記載の半導体装置。
［付記１６］
複数の前記端子は、複数の前記主面を覆う内部導電層をさらに備える、付記１５に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【０１１２】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ２０，Ａ３０，Ａ３１，Ａ４０：半導体装置
Ａ５０，Ａ５１，Ａ６０，Ａ６１：半導体装置
１１：半導体素子（ホール素子）
１１Ａ：表面
１１Ｂ：裏面
１１Ｃ：側面
１１Ｄ：凹部
１１１：電極
１１２：半導体基板
１１３：検出層
１１４：配線層
１１５：絶縁膜
１２：導電層
１２１：周縁
１２２：最遠部
２（２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ）：端子
２１（２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２１Ｄ）：主面
２１１：第１縁２１１
２２（２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ）：底面
２２１：第２縁
２２２：平行縁
２３（２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２３Ｄ）：側面
２３１：第１領域
２３２：第２領域
２３３：第３領域
２４（２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄ）：第１外側面
２５（２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄ）：第２外側面
２６（２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄ）：陥入部
２６１：境界
２７（２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ，２７Ｄ）：貫通部
２８：内部導電層
２９：外部導電層
３：封止樹脂
３Ａ：第１面
３Ｂ：第２面
３Ｃ：第３面
３Ｄ：第４面
３１：標印
３１１：凹部
３１２：平坦部
３２：判別溝
４：ワイヤ
４１：第１接続部
４１１：下層部
４１２：上層部
４２：第２接続部
４３：屈曲部
５１：集積回路
５１１：装置駆動領域
５１２：電圧検出領域
５１３：制御領域
５２：制御対象
５３：磁石
６１：配線基板
６２：導電接合層
８１：導電板
８２：基材
８３：接合材
８４：封止樹脂
ＡＰ：離間
ＢＳ：基面
Ｂ１，Ｂ２：距離
ＣＬ：切断線
Ｔ：頂部
Ｃ：中心
Ｌ１，Ｌ２：長さ
α１，α２：傾斜角
Ｗｍ：最大幅
ｈ１，ｈ２：ループ高さ
Ｄｍ：最大深さ
ＣＴ：被覆厚さ
Ｗ１，Ｗ２：幅
ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019047112.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
2019047112.tif 000054
【図５３】
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