(57)【要約】【課題】  引出電極の数の削減が図られた薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  薄膜コンデンサ１の積層体２２では、第１領域２３Ａに形成された引出電極３０Ａに接続された電極層２０（すなわち、第２電極層２０Ｂ）と、第２領域２３Ｂに形成された引出電極３０Ｂに接続された電極層２０（すなわち、第１電極層２０Ａ）とが、誘電体層２１を介して交互に積層されている。そのため、薄膜コンデンサ１においては、電極層２０の数が多い場合であっても一対の引出電極３０Ａ、３０Ｂで足り、引出電極の数を増やす必要はない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極層と複数の誘電体層とを有し、前記電極層と前記誘電体層とが交互に積層された積層体と、
前記積層体の積層方向に関する一端面から該積層方向に沿って延びる一対の窪み部と、
前記各窪み部の側面および前記一端面の一部を連続的に覆う一対の引出電極と
を備え、
前記各電極層が、卑金属で構成された卑金属領域と、貴金属で構成されるとともに前記卑金属領域に接する貴金属領域とを有し、
前記積層体が、前記一端面から近い順に前記卑金属領域と前記貴金属領域とが交互に並ぶ第１領域と、前記一端面から近い順に、前記第１領域とは反対に、前記貴金属領域と前記卑金属領域とが交互に並ぶ第２領域とを有し、
前記一対の窪み部の一方が前記第１領域に形成されるとともに他方が前記第２領域に形成されており、
前記各電極層の前記卑金属領域は前記窪み部から離れるように退行する退行部を有し、該退行部により前記卑金属領域と前記各引出電極とが絶縁されている、薄膜コンデンサ。
【請求項２】
前記複数の電極層が、複数の第１電極層と複数の第２電極層とを含み、
前記第１電極層が、前記一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む前記卑金属領域と、他方の窪み部の全縁部を囲む前記貴金属領域とを有し、
前記第２電極層が、前記一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む前記貴金属領域と、他方の窪み部の全縁部を囲む前記卑金属領域とを有し、
前記積層体において前記第１電極層と前記第２電極層とが前記誘電体層を介して交互に積層されている、請求項１に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項３】
前記退行部が絶縁体で充たされている、請求項１または２に記載の薄膜コンデンサ。
【請求項４】
複数の電極層と複数の誘電体層とを有し、前記電極層と前記誘電体層とが交互に積層された積層体と、
前記積層体の積層方向に関する一端面から該積層方向に沿って延びる一対の窪み部と、
前記各窪み部の側面および前記一端面の一部を連続的に覆う一対の引出電極と
を備える薄膜コンデンサの製造方法であって、
卑金属で構成された卑金属領域と、貴金属で構成されるとともに前記卑金属領域に接する貴金属領域とをそれぞれ有する前記電極層と、前記誘電体層とが交互に積層された積層体を準備する工程と、
前記一端面から近い順に前記卑金属領域と前記貴金属領域とが交互に並ぶ前記積層体の第１領域、および、前記一端面から近い順に、前記第１領域とは反対に、前記貴金属領域と前記卑金属領域とが交互に並ぶ前記積層体の第２領域のそれぞれに前記窪み部を形成する工程と、
前記窪み部に露出した前記各電極層の前記卑金属領域を除去して、前記卑金属領域が前記窪み部から離れるように退行する退行部を形成する工程と、
前記一対の窪み部のそれぞれに前記引出電極を形成する工程と
を含む、薄膜コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記退行部を形成する工程では、前記卑金属が溶解するエッチャントを用いて前記卑金属を溶解除去する、請求項４に記載の薄膜コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜コンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電極層と誘電体層とが交互に積層された積層構造を有し、電極層に接続された複数の引出電極（コンタクトホール）を有する薄膜コンデンサが知られている。（たとえば下記特許文献１、２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−７２３９号公報
【特許文献２】国際公開０７／０４６１７３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術に係る薄膜コンデンサは、１層の電極層に対して１つの引出電極を形成した構成であるため、電極層の数が増えると引出電極の数が増える。その結果、特に積層数の多い薄膜コンデンサを作製する場合において、引出電極の形成領域を容量部として用いることができないため、容量が著しく低下してしまう。
【０００５】
本発明は、引出電極の数の削減が図られた薄膜コンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る薄膜コンデンサは、複数の電極層と複数の誘電体層とを有し、電極層と誘電体層とが交互に積層された積層体と、積層体の積層方向に関する一端面から該積層方向に沿って延びる一対の窪み部と、各窪み部の側面および一端面の一部を連続的に覆う一対の引出電極とを備え、各電極層が、卑金属で構成された卑金属領域と、貴金属で構成されるとともに卑金属領域に接する貴金属領域とを有し、積層体が、一端面から近い順に卑金属領域と貴金属領域とが交互に並ぶ第１領域と、一端面から近い順に、第１領域とは反対に、貴金属領域と卑金属領域とが交互に並ぶ第２領域とを有し、一対の窪み部の一方が第１領域に形成されるとともに他方が第２領域に形成されており、各電極層の卑金属領域は窪み部から離れるように退行する退行部を有し、該退行部により卑金属領域と各引出電極とが絶縁されている。
【０００７】
上記薄膜コンデンサの積層体では、第１領域に形成された引出電極に接続された電極層と、第２領域に形成された引出電極に接続された電極層とが、誘電体層を介して交互に積層されている。そのため、上記薄膜コンデンサにおいては、電極層の数が多い場合であっても一対の引出電極で足り、引出電極の数を増やす必要はない。
【０００８】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサは、複数の電極層が、複数の第１電極層と複数の第２電極層とを含み、第１電極層が、一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む卑金属領域と、他方の窪み部の全縁部を囲む貴金属領域とを有し、第２電極層が、一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む貴金属領域と、他方の窪み部の全縁部を囲む卑金属領域とを有し、積層体において第１電極層と第２電極層とが誘電体層を介して交互に積層されている。この場合、貴金属領域および卑金属領域をパターニングする作業を効率化できる。
【０００９】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサにおいて、退行部が絶縁体で充たされている。この場合、卑金属領域と各引出電極との絶縁性向上が図られる。
【００１０】
本発明の一態様に係る薄膜コンデンサの製造方法は、複数の電極層と複数の誘電体層とを有し、電極層と誘電体層とが交互に積層された積層体と、積層体の積層方向に関する一端面から該積層方向に沿って延びる一対の窪み部と、各窪み部の側面および一端面の一部を連続的に覆う一対の引出電極とを備える薄膜コンデンサの製造方法であって、卑金属で構成された卑金属領域と、貴金属で構成されるとともに卑金属領域に接する貴金属領域とをそれぞれ有する電極層と、誘電体層とが交互に積層された積層体を準備する工程と、一端面から近い順に卑金属領域と貴金属領域とが交互に並ぶ積層体の第１領域、および、一端面から近い順に、第１領域とは反対に、貴金属領域と卑金属領域とが交互に並ぶ積層体の第２領域のそれぞれに窪み部を形成する工程と、窪み部に露出した各電極層の卑金属領域を除去して、卑金属領域が窪み部から離れるように退行する退行部を形成する工程と、一対の窪み部のそれぞれに引出電極を形成する工程とを含む。
【００１１】
上記薄膜コンデンサの製造方法によれば、第１領域に形成された引出電極に接続された電極層と、第２領域に形成された引出電極に接続された電極層とが、誘電体層を介して交互に積層された積層体が得られる。そのため、上記製造方法により作製された薄膜コンデンサにおいては、電極層の数が多い場合であっても一対の引出電極で足り、引出電極の数を増やす必要はない。
【００１２】
本発明の他の態様に係る薄膜コンデンサの製造方法において、退行部を形成する工程では、卑金属が溶解するエッチャントを用いて卑金属を溶解除去する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の様々な態様によれば、引出電極の数の削減が図られた薄膜コンデンサおよびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る薄膜コンデンサを示した断面図である。
【図２】図２は、図１に示した薄膜コンデンサの第１電極層を示した平面図である。
【図３】図３は、図１に示した薄膜コンデンサの第２電極層を示した平面図である。
【図４】図４は、図１に示した薄膜コンデンサの平面図である。
【図５】図５は、図１に示した薄膜コンデンサの製造方法の各工程を示した図である。
【図６】図６は、図１に示した薄膜コンデンサの製造方法の各工程を示した図である。
【図７】図７は、図１に示した薄膜コンデンサの製造方法に係る積層体を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１６】
図１に示すように、実施形態に係る薄膜コンデンサ１は、積層構造を有しており、基板１０と、基板１０上において電極層２０と誘電体層２１とが交互に積層された積層体２２とを有している。
【００１７】
基板１０は、主成分としてＮｉを含有する。本実施形態では、基板１０を構成するＮｉの純度は９９．９９重量％以上である。なお、基板１０に微量の不純物が含まれていてもよい。基板１０に含まれ得る不純物としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ケイ素（Ｓｉ）またはクロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セシウム（Ｃｅ）等の遷移金属元素あるいは希土類元素等、塩素（Ｃｌ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）等が挙げられる。
【００１８】
基板１０の厚さは、５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜７０μｍであることがより好ましく、５０μｍ程度であることがさらに好ましい。基板１０の厚さが薄過ぎる場合、薄膜コンデンサ１の製造時に基板１０をハンドリングし難くなる傾向があり、下地電極２の厚さが厚過ぎる場合、リーク電流を抑制する効果が小さくなる傾向がある。なお、下地電極２の面積は、一例として１×０．５ｍｍ２程度である。
【００１９】
積層体２２は、複数の電極層２０（本実施形態では４層）と複数の誘電体層２１（本実施形態では５層）とを含み、電極層２０と誘電体層２１とが交互に積層されている。具体的には、基板１０の直上には誘電体層２１が積層されており、その誘電体層２１の上に電極層２０と誘電体層２１とが交互に積層されている。
【００２０】
各電極層２０は、導電性を有する金属材料または合金材料で構成されている。各電極層２０の厚さは、たとえば１０〜１０００ｎｍ程度である。また、電極層２０の面積は、たとえば０．９×０．４ｍｍ２程度である。
【００２１】
各誘電体層２１は、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、（Ｂａ１−ｘＣａＸ）ＴｉＯ３、（Ｂａ１−ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３（チタン酸バリウムストロンチウム）、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（ＺｒＸＴｉ１−Ｘ）３等のペロブスカイト構造を持った（強）誘電体材料や、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３等に代表される複合ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料や、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９等に代表されるビスマス層状化合物、（Ｓｒ１−ＸＢａＸ）Ｎｂ２Ｏ６、ＰｂＮｂ２Ｏ６等に代表されるタングステンブロンズ型強誘電体材料等から構成される。ここで、これらのペロブスカイト構造、ペロブスカイトリラクサー型強誘電体材料、ビスマス層状化合物、タングステンブロンズ型強誘電体材料において、ＡサイトとＢサイト比は、通常整数比であるが、特性向上のため、意図的に整数比からずらしても良い。なお、誘電体層２１の特性制御のため、誘電体層２１に適宜、副成分として添加物質が含有されていてもよい。誘電体層２１の各厚さは、たとえば１０〜１０００ｎｍである。また、誘電体層２１の各面積は、たとえば０．９×０．５ｍｍ２程度である。
【００２２】
積層体２２には、上面２２ａ（すなわち、積層方向における一端面）から下面２２ｂ（すなわち、積層方向における他端面）に向かうように、積層方向に沿って延びる一対の穴部２６Ａ、２６Ｂ（窪み部）が形成されている。一方の穴部２６Ａは、後述する積層体２２の第１領域２３Ａに形成されており、他方の穴部２６Ｂは、後述する積層体２２の第２領域２３Ｂに形成されている。各穴部２６Ａ、２６Ｂは、積層体２２の上面２２ａから基板１０の直上の誘電体層２１に達する深さまで延びている。
【００２３】
また、一対の穴部２６Ａ、２６Ｂにはそれぞれ引出電極３０Ａ、３０Ｂが設けられている。各引出電極３０Ａ、３０Ｂは、対応する穴部２６Ａ、２６Ｂの全ての内側面と、穴部２６Ａ、２６Ｂ周辺の一部の積層体上面２２ａとを連続的に覆っている。各引出電極３０Ａ、３０Ｂは、たとえばＣｕ等の導電性材料から構成される。
【００２４】
続いて、上述した電極層２０について、図２、３を参照しつつ説明する。
【００２５】
複数の電極層２０は、複数の第１電極層２０Ａ（本実施形態では２層）と複数の第２電極層２０Ｂ（本実施形態では２層）とで構成されている。第１電極層２０Ａは、図２に示すように、Ｎｉで構成された卑金属領域２４と、Ｐｔで構成された貴金属領域２５とで構成されている。本実施形態では、卑金属領域２４と貴金属領域２５とは、長方形状を有する第１電極層２０Ａの長辺の中間位置において２分割（等分割）されている。
【００２６】
卑金属領域２４は、主にＮｉで構成されている。また、卑金属領域２４は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ及びＡｇからなる群より選ばれる少なくとも一種（以下、「添加元素」と記す。）、好ましくは、Ｐｄ、Ｉｒより選ばれる少なくとも一種を更に含有する。添加元素を含有することによって、卑金属領域２４の途切れが防止されると共に、卑金属領域２４の誘電体層２１との界面における酸化が抑制される。貴金属領域２５は、高純度のＰｔ、または、Ｐｔ合金で構成され得る。卑金属領域２４および貴金属領域２５のパターニングには、公知の方法を採用することができる。パターニングには、たとえばリフトオフ法やメタルマスク法を用いることができる。
【００２７】
第２電極層２０Ｂも、第１電極層２０Ａ同様、卑金属領域２４と貴金属領域２５とで構成されているが、図３に示すように、卑金属領域２４と貴金属領域２５との配置が第１電極層２０Ａとは異なっている。すなわち、第２電極層２０Ｂにおいては、卑金属領域２４と貴金属領域２５とが長方形状を有する第２電極層２０Ｂの長辺の中間位置において２分割されているが、卑金属領域２４と貴金属領域２５との配置が第１電極層２０Ａとは逆になっている。
【００２８】
積層体２２では、上述した第１電極層２０Ａと第２電極層２０Ｂとが誘電体層２１を介して交互に積層されている。本実施形態では、図１に示すように、上面２２ａから近い順に第１電極層２０Ａ、第２電極層２０Ｂ、第１電極層２０Ａ、第２電極層２０Ｂと並んでいる。そのため、最上の電極層２０である第１電極層２０Ａの卑金属領域２４に対応する積層体２２の第１領域２３Ａでは、上面２２ａから近い順に卑金属領域２４、貴金属領域２５、卑金属領域２４、貴金属領域２５と並んでいる。一方、最上の電極層２０である第１電極層２０Ａの貴金属領域２５に対応する積層体２２の第２領域２３Ｂでは、上面２２ａから近い順に貴金属領域２５、卑金属領域２４、貴金属領域２５、卑金属領域２４と並んでいる。
【００２９】
そして、図４に示すように、一対の穴部２６Ａ、２６Ｂのうちの一方の穴部２６Ａが、第１領域２３Ａに形成されており、他方の穴部２６Ｂは、積層体２２の第２領域２３Ｂに形成されている。
【００３０】
ここで、各電極層２０の卑金属領域２４には、各穴部２６Ａ、２６Ｂから離れるように退行する退行部２７が形成されている。本実施形態では、退行部２７には絶縁体で充たされている。なお、各電極層２０の貴金属領域２３には、上記退行部２７は形成されていない。積層体２２においては、退行部２７により、卑金属領域２４と穴部２６Ａ、２６Ｂに設けられた各引出電極３０Ａ、３０Ｂとが絶縁されている。そのため、積層体２２の第１領域２３Ａにおいては、引出電極３０Ａは、第１電極層２０Ａとは絶縁されており、第２電極層２０Ｂとは導通されている。また、積層体２２の第２領域２３Ｂにおいては、引出電極３０Ｂは、第２電極層２０Ｂとは絶縁されており、第１電極層２０Ａとは導通されている。
【００３１】
次に、図５、６を参照しつつ、上述した薄膜コンデンサ１を製造する製造方法について説明する。
【００３２】
薄膜コンデンサ１を製造する際には、まず、上述した基板１０を準備する（図５（ａ））。そして、基板１０上に、積層体２２の第１層目である誘電体層２１を形成する（図５（ｂ））。誘電体層２１の形成には、ゾルゲル法やＭＯＤ法（有機金属化合物堆積法）等の溶液塗布焼成法、スパッタリング法等のＰＶＤ法又はＣＶＤ法等の成膜技術を用いることができる。これらの成膜技術のうち、特にスパッタリング法が好適に用いられる。上記の方法により形成された誘電体層２１は、一般的に誘電体がアモルファスの状態にある。
【００３３】
次に、誘電体層２１の表面全体に、電極層２０として第２電極層２０Ｂを形成する（図５（ｃ））。電極層２０の組成は、完成後の薄膜コンデンサ１が備える電極層２０と同様とすればよい。また、電極層２０の形成には、ＤＣスパッタリング等を用いることができる。第２電極層２０Ｂにおける卑金属領域２４と貴金属領域２５とのパターニングには、上述したリフトオフ法やメタルマスク法等を用いることができる。さらに、第２電極層２０Ｂの表面全体に誘電体層２１を形成し（図５（ｄ））、その誘電体層２１の表面全体に、電極層２０として第１電極層２０Ａを形成する（図５（ｅ））。
【００３４】
その後、上述した誘電体層２１の形成と電極層２０の形成とを繰り返し、４層の電極層２０と５層の誘電体層２１とからなる積層体２２を形成する（図６（ａ））。そして、図７に示すように、積層体２２の第１領域２３Ａに穴部２６Ａを形成するとともに、第２領域２３Ｂに穴部２６Ｂを形成する（図６（ｂ））。穴部２６Ａ、２６Ｂの形成には、ドライエッチング（ＤｅｅｐＲＩＥ）を用いることができる。一例として、誘電体層２１のドライエッチングにはアルゴンガスを用い、電極層２０の卑金属領域２４のドライエッチングにはアルゴンガスを用い、電極層２０の貴金属領域２５のドライエッチングにはアルゴンガスを用いることができる。穴部２６Ａ、２６Ｂの形成には、塩化第二鉄によるウェットエッチングを用いることもできる。
【００３５】
穴部２６Ａ、２６Ｂを形成した後、穴部２６Ａ、２６Ｂに露出した卑金属領域２４の一部をエッチング処理により溶解除去して、上述した退行部２７を形成する（図６（ｃ））。このエッチング処理には、一例として塩化第二鉄等のエッチャントを用いることができる。さらに、積層体２２の全体を上方からアルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン等からなる絶縁体膜２９で覆い、穴部２６Ａ、２６Ｂの内側面および底面が全体的に絶縁体で被覆される（図６（ｄ））。このとき、退行部２７が絶縁体で充たされる。絶縁体膜２９の形成には、ＣＶＤやＴＥＯＳ等を用いることができる。そして、退行部２７を充たす絶縁体以外の絶縁体膜２９を、エッチング処理により除去する（図６（ｅ））。最後に、各穴部２６Ａ、２６Ｂに対応する引出電極３０Ａ、３０ＢをスパッタリングやＣＶＤで形成することで、上述した薄膜コンデンサ１が完成する。
【００３６】
以上において説明したとおり、上述した薄膜コンデンサ１は、複数の電極層２０と複数の誘電体層２１とを有し、電極層２０と誘電体層２１とが交互に積層された積層体２２と、積層体２２の上面２２ａから積層方向に沿って延びる一対の穴部２６Ａ、２６Ｂと、各穴部２６Ａ、２６Ｂの側面および上面２２ａの一部を連続的に覆う一対の引出電極３０Ａ、３０Ｂとを備えている。そして、各電極層２０が、Ｎｉで構成された卑金属領域２４と、Ｐｔで構成されるとともに卑金属領域２４に接する貴金属領域２５とを有する。また、積層体２２が、上面２２ａから近い順に卑金属領域２４と貴金属領域２５が交互に並ぶ第１領域２３Ａと、上面２２ａから近い順に、第１領域２３Ａとは反対に、貴金属領域２５と卑金属領域２４とが交互に並ぶ第２領域２３Ｂとを有する。さらに、一対の穴部２６Ａ、２６Ｂのうちの穴部２６Ａが第１領域２３Ａに形成されるとともに穴部２６Ｂが第２領域２３Ｂに形成されている。そして、電極層２０の卑金属領域２４は穴部２６Ａ、２６Ｂから離れるように退行する退行部２７を有し、該退行部２７により卑金属領域２４と各引出電極３０Ａ、３０Ｂとが絶縁されている。
【００３７】
このような薄膜コンデンサ１の積層体２２では、第１領域２３Ａに形成された引出電極３０Ａに接続された電極層２０（すなわち、第２電極層２０Ｂ）と、第２領域２３Ｂに形成された引出電極３０Ｂに接続された電極層２０（すなわち、第１電極層２０Ａ）とが、誘電体層２１を介して交互に積層されている。そのため、薄膜コンデンサ１においては、電極層２０の数が多い場合であっても一対の引出電極３０Ａ、３０Ｂで足り、引出電極の数を増やす必要はない。
【００３８】
引出電極の数が増えると、特に積層数の多い薄膜コンデンサを作製する場合において、引出電極の形成領域を容量部として用いることができないため、容量が著しく低下してしまう。加えて、引出電極の数が増えると、製造工程における手間とコストが増えてしまう。
【００３９】
また、薄膜コンデンサ１では、第１電極層２０Ａが、穴部２６Ａの全縁を囲む卑金属領域２４と、穴部２６Ｂの全縁部を囲む貴金属領域２５とを有し、第２電極層２０Ｂが、穴部２６Ａの全縁を囲む貴金属領域２５と、穴部２６Ｂの全縁部を囲む卑金属領域２４とを有し、積層体２２において第１電極層２０Ａと第２電極層２０Ｂとが誘電体層２１を介して交互に積層されている。この場合、卑金属領域２４および貴金属領域２５をパターニングする作業を効率化できる。特に、上述した実施形態のように、卑金属領域２４と貴金属領域２５とは、長方形状を有する第１電極層２０Ａの長辺の所定位置において２分割されている場合には、平板状のマスクを長辺方向にスライドさせることで、卑金属領域２４および貴金属領域２５を容易にパターニング形成することができる。
【００４０】
さらに、薄膜コンデンサ１では、退行部２７が絶縁体で充たされているため、絶縁体で充たされていない場合に比べて、卑金属領域２４と各引出電極３０Ａ、３０Ｂとの絶縁性が向上している。
【００４１】
なお、薄膜コンデンサは、上述した形態に限らず、様々に変更可能である。
【００４２】
たとえば、卑金属領域は、必ずしもＮｉで構成される必要はなく、ＣｏもしくはＣｏ合金であってもよい。また、貴金属領域は、必ずしもＰｔで構成される必要はなく、ＡｕもしくはＡｕ合金であってもよい。薄膜コンデンサにおいて、基板１０は適宜省略することができる。
【００４３】
窪み部は、穴部に限らず、積層体の上面に形成された溝部や、積層体の端面に形成された切り欠き部であってもよい。また、卑金属領域と貴金属領域とは、必ずしも等分割されている必要はなく、一方の領域が他方の領域より大きくなるように設計してもよい。この場合、第１電極層が一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む卑金属領域と他方の窪み部の全縁部を囲む貴金属領域とを有し、かつ、第２電極層が一対の窪み部の一方の窪み部の全縁を囲む貴金属領域と他方の窪み部の全縁部を囲む卑金属領域とを有するように設計し得る。
【符号の説明】
【００４４】
１…薄膜コンデンサ、２０…電極層、２０Ａ…第１電極層、２０Ｂ…第２電極層、２１…誘電体層、２２…積層体、２３Ａ…第１領域、２３Ｂ…第２領域、２４…卑金属領域、２５…貴金属領域、２６Ａ、２６Ｂ…穴部、２７…退行部、３０Ａ、３０Ｂ…引出電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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