(57)【要約】【課題】現像処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことの抑制に有効な現像処理装置を提供する。【解決手段】現像処理装置２０は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、ウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４３及びこれに開口する吐出口４２を含むノズル４１を有する現像液供給部４０と、コントローラ１００とを備え、コントローラ１００は、ウェハＷが回転しているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３を表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの外周側から回転中心側に移動させる制御と、その実行後、接液面４３を表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの回転中心側から外周側に移動させる制御と、その実行中に、接液面４３の中心が外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を徐々に低下させる制御とを実行する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された前記基板の表面に対向する接液面及び前記接液面に開口する吐出口を含むノズルを有する第一供給部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記吐出口から現像液を吐出させ、前記接液面を前記基板の表面の前記現像液に接触させながら前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させるように前記第一供給部を制御するスキャンイン制御と、
前記スキャンイン制御の実行後、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記吐出口から前記現像液を吐出させ、前記接液面を前記基板の表面の前記現像液に接触させながら前記ノズルを前記基板の回転中心側から外周側に移動させるように前記第一供給部を制御するスキャンアウト制御と、
前記スキャンアウト制御の実行中に、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転速度を徐々に低下させるように前記回転保持部を制御する減速制御と、を実行するように構成されている、現像処理装置。
【請求項２】
前記減速制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転の減速度を徐々に低下させるように前記回転保持部を制御する、請求項１記載の現像処理装置。
【請求項３】
前記減速制御において、前記制御部は、前記接液面内のいずれか一点が前記基板の表面に対して一定の速さで移動するように前記回転保持部を制御する、請求項２記載の現像処理装置。
【請求項４】
前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記減速制御における前記基板の回転速度の変化量に比較して、前記スキャンイン制御の終了時から前記減速制御の開始時までの間における前記基板の回転速度の変化を小さくするように前記回転保持部を制御する、請求項１〜３のいずれか一項記載の現像処理装置。
【請求項５】
前記減速制御において、前記制御部は、前記スキャンイン制御の実行時間に比較して長い時間にわたって前記基板の回転速度の減速を継続するように前記回転保持部を制御する、請求項１〜４のいずれか一項記載の現像処理装置。
【請求項６】
前記スキャンアウト制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の回転中心から離れて外周側に向かう途中で前記吐出口からの前記現像液の吐出を開始するように前記第一供給部を制御する、請求項１〜５のいずれか一項記載の現像処理装置。
【請求項７】
前記スキャンイン制御において、前記制御部は、前記接液面の中心が前記基板の回転中心に到達する前に前記吐出口からの前記現像液の吐出を停止するように前記第一供給部を制御する、請求項６記載の現像処理装置。
【請求項８】
前記回転保持部に保持された前記基板の表面に前記現像液とは異なるプリウェット液を供給する第二供給部を更に備え、
前記制御部は、前記スキャンイン制御の実行前、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記プリウェット液を前記基板の表面に供給するように前記第二供給部を制御するプリウェット制御を更に実行するように構成されている、請求項１〜７のいずれか一項記載の現像処理装置。
【請求項９】
基板を保持して回転させることと、
接液面及び前記接液面に開口する吐出口を含むノズルの吐出口から現像液を吐出させ、回転する基板の表面の前記現像液に前記接液面を接触させながら前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させることと、
前記ノズルを前記基板の外周側から回転中心側に移動させた後、前記吐出口から前記現像液を吐出させ、回転する基板の表面の現像液に前記接液面を接触させながら前記ノズルを前記基板の回転中心側から外周側に移動させることと、
前記ノズルが前記吐出口から前記現像液を吐出しながら前記基板の回転中心側から外周側に移動しているときに、前記接液面の中心が前記基板の外周に近付くのに応じて前記基板の回転速度を低下させることと、を含む現像処理方法。
【請求項１０】
請求項９記載の現像処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板の表面に対向する接触部を含む現像液ノズルを用い、基板の表面の一部に液溜りを形成する工程と、接触部が液溜りに接触した状態で液溜りに現像液を供給しながら、回転している基板の中央部及び周縁部の一方側から他方側に現像液ノズルを移動させる工程と、を含む現像方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−５８７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、現像処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な現像処理装置及び現像処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る現像処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、回転保持部に保持された基板の表面に対向する接液面及び接液面に開口する吐出口を含むノズルを有する第一供給部と、制御部と、を備え、制御部は、回転保持部が基板を回転させているときに、吐出口から現像液を吐出させ、接液面を基板の表面の現像液に接触させながらノズルを基板の外周側から回転中心側に移動させるように第一供給部を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の実行後、回転保持部が基板を回転させているときに、吐出口から現像液を吐出させ、接液面を基板の表面の現像液に接触させながらノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させるように第一供給部を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の実行中に、接液面の中心が基板の外周に近付くのに応じて基板の回転速度を徐々に低下させるように回転保持部を制御する減速制御と、を実行するように構成されている。
【０００６】
この現像処理装置によれば、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行により、基板の表面に現像液が二度塗布される。一度目の塗布により、基板の表面に対する現像液の接触角が低下するので、二度目の塗布において現像液がスムーズに塗り広げられる。
【０００７】
一度目の塗布においてはノズルが基板の外周側から回転中心側に移動するので、現像液は基板の外周側から先に塗布される。一方、二度目の塗布においてはノズルが基板の回転中心側から外周側に移動するので、現像液は基板の回転中心側から先に塗布される。このため、一度目の塗布と二度目の塗布との組合せによって、現像液の塗布タイミングの違いに起因する現像処理の進行度（進行の程度）の差異が生じ難くなる。更に、二度目の塗布においては、ノズルが基板の回転中心側から外周側に移動することにより、古い現像液を外側に押し出しながら新しい現像液が塗り広げられる。
【０００８】
スキャンアウト制御の実行中には、接液面の中心が基板の外周に近付くのに応じて基板の回転速度を徐々に低下させる減速制御が実行される。回転速度の低下により、現像液の過剰な振り切りが防止され、基板の表面に適切な液膜が形成される。更に、基板の回転速度が徐々に低下するので、急減速に起因するプルバック（外周側に広がっていた現像液が回転中心側に戻る現象）が抑制され、現像液がよりスムーズに塗り広げられる。
【０００９】
以上より、均一性の高い現像液の液膜を形成することができる。従って、この現像処理装置は、現像処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効である。
【００１０】
減速制御において、制御部は、接液面の中心が基板の外周に近付くのに応じて基板の回転の減速度を徐々に低下させるように回転保持部を制御してもよい。この場合、ノズルから吐出された処理液に作用する遠心力を適切に調節し、処理液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００１１】
減速制御において、制御部は、接液面内のいずれか一点が基板の表面に対して一定の速さで移動するように回転保持部を制御してもよい。この場合、ノズルから吐出された処理液に作用する遠心力をより適切に調節し、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００１２】
スキャンアウト制御において、制御部は、減速制御における基板の回転速度の変化量に比較して、スキャンイン制御の終了時から減速制御の開始時までの間における基板の回転速度の変化を小さくするように回転保持部を制御してもよい。この場合、減速制御の開始時における基板の回転速度を、スキャンイン制御の終了時における基板の回転速度に近い高さとすることにより、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００１３】
減速制御において、制御部は、スキャンイン制御の実行時間に比較して長い時間にわたって基板の回転速度の減速を継続するように回転保持部を制御してもよい。この場合、基板の回転速度をより緩やかに減速させることで、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００１４】
スキャンアウト制御において、制御部は、接液面の中心が基板の回転中心から離れて外周側に向かう途中で吐出口からの現像液の吐出を開始するように第一供給部を制御してもよい。この場合、基板の回転中心における現像処理の進行を抑えることができる。
【００１５】
スキャンイン制御において、制御部は、接液面の中心が基板の回転中心に到達する前に吐出口からの現像液の吐出を停止するように第一供給部を制御してもよい。この場合、基板の回転中心における現像処理の進行をより確実に抑えることができる。
現像処理装置は、回転保持部に保持された基板の表面に現像液とは異なるプリウェット液を供給する第二供給部を更に備え、制御部は、スキャンイン制御の実行前、回転保持部が基板を回転させているときに、プリウェット液を基板の表面に供給するように第二供給部を制御するプリウェット制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、スキャンイン制御において、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００１６】
本開示の他の側面に係る現像処理方法は、基板を保持して回転させることと、接液面及び接液面に開口する吐出口を含むノズルの吐出口から現像液を吐出させ、回転する基板の表面の現像液に接液面を接触させながらノズルを基板の外周側から回転中心側に移動させることと、ノズルを基板の外周側から回転中心側に移動させた後、吐出口から現像液を吐出させ、回転する基板の表面の現像液に接液面を接触させながらノズルを基板の回転中心側から外周側に移動させることと、ノズルが吐出口から現像液を吐出しながら基板の回転中心側から外周側に移動しているときに、接液面の中心が基板の外周に近付くのに応じて基板の回転速度を低下させることと、を含む。
【００１７】
本開示の更に他の側面に係る記憶媒体は、上記現像処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１８】
本開示によれば、現像処理の進行の程度が基板上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効な現像処理装置及び現像処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】基板処理システムの概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】現像処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図５】ノズルの一例を示す斜視図である。
【図６】制御部のハードウェア構成を例示する模式図である。
【図７】現像処理手順のフローチャートである。
【図８】プリウェット制御手順のフローチャートである。
【図９】プリウェット制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１０】スキャンイン制御手順のフローチャートである。
【図１１】スキャンイン制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１２】スキャンアウト制御及び減速制御手順のフローチャートである。
【図１３】スキャンアウト制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【図１４】洗浄・乾燥制御手順のフローチャートである。
【図１５】洗浄・乾燥制御の実行中におけるウェハの状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２１】
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００２２】
〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１〜図３に示すように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、コントローラ１００（制御部）とを備える。
【００２３】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２４】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１４，１５，１６，１７を有する。図２及び図３に示すように、処理モジュール１４，１５，１６，１７は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を経ずにウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６を更に内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に供給する。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
【００２５】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２６】
処理モジュール１５は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１５の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１５の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２７】
処理モジュール１６は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１６の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１６の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２８】
処理モジュール１７は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００２９】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００３０】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００３１】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００３２】
コントローラ１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まずコントローラ１００は、キャリア１１内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１４用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３３】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１４内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１５用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３４】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１５内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１６用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３５】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１６内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１７用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００３６】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように直接搬送アームＡ６を制御し、このウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後コントローラ１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて棚ユニットＵ１１に戻すように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００３７】
次にコントローラ１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１７内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後コントローラ１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリア１１内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００３８】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、現像処理用の液処理ユニットＵ１（処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１）と、これを制御可能なコントローラ１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００３９】
〔現像処理装置〕
続いて、塗布・現像装置２が含む現像処理装置２０について説明する。図４に示すように、現像処理装置２０は、上述した処理モジュール１７の液処理ユニットＵ１と、コントローラ１００とを備える。液処理ユニットＵ１は、回転保持部３０と、現像液供給部４０（第一供給部）と、リンス液供給部５０（第二供給部）とを有する。
【００４０】
回転保持部３０は、ウェハＷを保持して回転させる。例えば回転保持部３０は、保持機構３１と回転機構３２とを有する。保持機構３１は、水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転機構３２は、例えば電動モータ等を動力源として内蔵し、鉛直な回転中心ＲＣまわりに保持機構３１を回転させる。これにより、回転中心ＲＣまわりにウェハＷが回転する。
【００４１】
現像液供給部４０は、保持機構３１に保持されたウェハＷの表面Ｗａに現像液を供給する。現像液は、露光後のレジスト膜の除去対象部分を除去するための処理液である。レジスト膜の除去対象部分は、露光処理後において現像液に対し可溶な部分である。現像液がポジ型である場合には、露光処理において露光された部分が現像液に対して可溶である。現像液がネガ型である場合には、露光処理において露光されなかった部分が現像液に対して可溶である。ポジ型の現像液の具体例としては、アルカリ溶液が挙げられる。ネガ型の現像液の具体例としては、有機溶剤が挙げられる。現像液供給部４０は、例えばノズル４１と、タンク４４と、ポンプ４６と、バルブ４７と、ノズル搬送機構４８とを有する。
【００４２】
ノズル４１は、ウェハＷの表面Ｗａに向かって現像液を吐出する。図５に示すように、ノズル４１は、保持機構３１に保持されたウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４３と、接液面４３に開口する吐出口４２とを含む。例えばノズル４１は、円形の接液面４３を有し、吐出口４２は接液面４３の中央部に開口している。接液面４３の面積は、ウェハＷの表面Ｗａの面積に比べ小さい。接液面４３の面積は、ウェハＷの表面Ｗａの面積に比べ例えば１〜１１％であり、１〜３％であってもよい。ノズル４１は、例えばＰＴＦＥ等の樹脂材料により構成可能である。なお、ノズル４１は、接液面４３に点在する複数の吐出口４２を含んでいてもよい。
【００４３】
図４に戻り、ノズル４１は、管路４５を介してタンク４４に接続されている。タンク４４は現像液を収容する。ポンプ４６及びバルブ４７は管路４５に設けられている。ポンプ４６は、例えばベローズポンプであり、タンク４４からノズル４１に現像液を圧送する。バルブ４７は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路４５内の開度を調節する。バルブ４７を制御することにより、ノズル４１から現像液を吐出する状態と、ノズル４１から現像液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ４６及びバルブ４７の少なくとも一方を制御することにより、ノズル４１からの現像液の吐出量（単位時間あたりの吐出量）を調節することも可能である。
【００４４】
ノズル搬送機構４８は、ノズル４１の位置を調節する。より具体的に、ノズル搬送機構４８は、接液面４３を下方に向けた状態で、ウェハＷの上方を横切るようにノズル４１を搬送し、ノズル４１を昇降させる。例えばノズル搬送機構４８は、電動モータ等を動力源としてウェハＷの上方を横切るようにノズル４１を搬送する機構と、電動モータ等を動力源としてノズル４１を昇降させるための機構とを有する。
【００４５】
ノズル搬送機構４８は、ウェハＷの回転中心ＲＣを通る経路に沿ってノズル４１を搬送してもよいし、回転中心ＲＣに対してずれた経路に沿ってノズル４１を搬送してもよい。ノズル搬送機構４８は、直状の経路に沿ってノズル４１を搬送してもよいし、曲がった経路に沿ってノズル４１を搬送してもよい。
【００４６】
リンス液供給部５０は、保持機構３１に保持されたウェハＷの表面Ｗａに、現像液とは異なるリンス液を供給する。リンス液は、現像液を洗い流すために用いられる。また、リンス液は、現像液の供給前に表面Ｗａに塗布されるプリウェット液としても用いられる。リンス液は、例えば純水である。リンス液供給部５０は、例えばノズル５１と、タンク５２と、ポンプ５４と、バルブ５５と、ノズル搬送機構５６（位置調節部）とを有する。
【００４７】
ノズル５１は、ウェハＷの表面Ｗａに向かってリンス液を吐出する。ノズル５１は、管路５３を介してタンク５２に接続されている。タンク５２はリンス液を収容する。ポンプ５４及びバルブ５５は管路５３に設けられている。ポンプ５４は、例えばベローズポンプであり、タンク５２からノズル５１にリンス液を圧送する。バルブ５５は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路５３内の開度を調節する。バルブ５５を制御することにより、ノズル５１からリンス液を吐出する状態と、ノズル５１からリンス液を吐出しない状態との切り替えが可能である。また、ポンプ５４及びバルブ５５の少なくとも一方を制御することにより、ノズル５１からのリンス液の吐出量を調節することも可能である。
【００４８】
ノズル搬送機構５６は、例えば電動モータ等を動力源としてノズル５１を搬送する。具体的に、ノズル搬送機構５６は、ノズル５１の吐出口を下方に向けた状態で、ウェハＷの上方を横切るようにノズル５１を搬送する。
【００４９】
コントローラ１００は、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３をウェハＷの表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動させるように現像液供給部４０を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の実行後、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３を表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１を回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の実行中に、接液面４３の中心が外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御する減速制御と、を実行するように構成されている。
【００５０】
例えばコントローラ１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、プリウェット制御部１１１と、スキャンイン制御部１１２と、スキャンアウト制御部１１３と、減速制御部１１４と、洗浄・乾燥制御部１１５とを有する。
【００５１】
プリウェット制御部１１１は、プリウェット制御を実行する。プリウェット制御は、ウェハＷを保持した保持機構３１を回転機構３２により回転させるように回転保持部３０を制御することと、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、リンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給するようにリンス液供給部５０を制御することとを含む。
【００５２】
スキャンイン制御部１１２は、上述したスキャンイン制御を実行する。スキャンイン制御は、ウェハＷを保持した保持機構３１を回転機構３２により回転させるように回転保持部３０を制御することと、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３をウェハＷの表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動させるように現像液供給部４０を制御することとを含む。スキャンイン制御部１１２は、接液面４３の中心がウェハＷの回転中心ＲＣに到達する前に吐出口４２からの現像液の吐出を停止するように現像液供給部４０を制御してもよい。
【００５３】
スキャンアウト制御部１１３は、上述したスキャンアウト制御を実行する。スキャンアウト制御は、ウェハＷを保持した保持機構３１を回転機構３２により回転させるように回転保持部３０を制御することと、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３をウェハＷの表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御することとを含む。スキャンアウト制御部１１３は、上述した減速制御におけるウェハＷの回転速度の変化量に比較して、スキャンイン制御の終了時から減速制御の開始時までの間におけるウェハＷの回転速度の変化を小さくするように回転保持部３０を制御してもよい。例えば、スキャンアウト制御部１１３は、減速制御の開始時までのウェハＷの回転速度を、スキャンイン制御の終了時におけるウェハＷの回転速度と同等に保つように回転保持部３０を制御する。スキャンアウト制御部１１３は、接液面４３の中心がウェハＷの回転中心ＲＣから離れて外周Ｗｂ側に向かう途中で吐出口４２からの現像液の吐出を開始するように現像液供給部４０を制御してもよい。
【００５４】
減速制御部１１４は、スキャンアウト制御の実行中に、上述した減速制御を実行する。減速制御は、接液面４３の中心がウェハＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御することを含む。なお、徐々に低下させることは、複数段階で段階的に低下させることを含む。減速制御部１１４は、接液面４３の中心がウェハＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転の減速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。例えば減速制御部１１４は、接液面４３内のいずれか一点（例えば接液面４３の中心点）がウェハＷの表面Ｗａに対して一定の速さで移動する（すなわち、表面Ｗａに対する当該一点の線速度が一定となる）ように回転保持部３０を制御してもよい。減速制御部１１４は、スキャンイン制御の実行時間に比較して長い時間にわたってウェハＷの回転速度の減速を継続するように回転保持部３０を制御してもよい。
【００５５】
洗浄・乾燥制御部１１５は、現像処理後にウェハＷの表面Ｗａを洗浄し、乾燥させる洗浄・乾燥制御を実行する。洗浄・乾燥制御は、ウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、ウェハＷの表面Ｗａにリンス液を供給するようにリンス液供給部５０を制御することと、リンス液の供給が完了した後に、ウェハＷの回転を継続させるように回転保持部３０を制御することとを含む。
【００５６】
コントローラ１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えばコントローラ１００は、図６に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４と、タイマー１２５とを有する。入出力ポート１２４は、回転保持部３０、現像液供給部４０及びリンス液供給部５０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマー１２５は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。
【００５７】
ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の現像処理手順を現像処理装置２０に実行させるためのプログラムを記録している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記録する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。
【００５８】
なお、コントローラ１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えばコントローラ１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００５９】
〔現像処理手順〕
続いて、現像処理方法の一例として、現像処理装置２０が実行する現像処理手順を説明する。この現像処理手順は、ウェハＷを保持して回転させることと、吐出口４２から現像液を吐出させ、回転するウェハＷの表面Ｗａの現像液に接液面４３を接触させながらノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動させることと、ノズル４１を外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動させた後、吐出口４２から現像液を吐出させ、回転するウェハＷの表面Ｗａの現像液に接液面４３を接触させながらノズル４１を回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動させることと、ノズル４１が吐出口４２から現像液を吐出しながら回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動しているときに、接液面４３の中心が外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を低下させることと、を含む。
【００６０】
例えば、この現像処理手順は、図７に示すステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３，Ｓ０４を含む。ステップＳ０１では、コントローラ１００が上述したプリウェット制御を実行する。ステップＳ０２では、コントローラ１００が上述したスキャンイン制御を実行する。ステップＳ０３では、コントローラ１００が上述したスキャンアウト制御及び減速制御を実行する。ステップＳ０４では、コントローラ１００が上述した洗浄・乾燥制御を実行する。以下、各ステップの内容を詳細に例示する。
【００６１】
（プリウェット制御）
図８は、ステップＳ０１の内容を例示するフローチャートである。図８に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ１１を実行する。ステップＳ１１では、プリウェット制御部１１１が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部３０を制御する。例えばプリウェット制御部１１１は、保持機構３１がウェハＷを保持した状態にて、回転機構３２による保持機構３１の回転を開始するように回転保持部３０を制御する。以後、プリウェット制御部１１１は、予め設定された回転速度ω１にてウェハＷの回転を継続するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω１は、例えば１０００〜２０００ｒｐｍであり、１２００〜１８００ｒｐｍであってもよく、１４００〜１６００ｒｐｍであってもよい。
【００６２】
次に、コントローラ１００はステップＳ１２，Ｓ１３，Ｓ１４を順に実行する。ステップＳ１２では、プリウェット制御部１１１が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させてリンス液の供給用の第一位置に配置するようにリンス液供給部５０を制御する。第一位置は、例えばノズル５１の中心がウェハＷの回転中心ＲＣに位置するように設定されている。ステップＳ１３では、プリウェット制御部１１１が、リンス液ＲＦの供給を開始するようにリンス液供給部５０を制御する（図９参照）。例えばプリウェット制御部１１１は、バルブ５５を開放してタンク５２からノズル５１へのリンス液ＲＦの供給を開始し、ノズル５１から表面Ｗａへのリンス液ＲＦの吐出を開始するようにリンス液供給部５０を制御する。ステップＳ１４では、プリウェット制御部１１１が、予め設定されたプリウェット時間の経過を待機する。プリウェット時間は、リンス液がウェハＷの表面Ｗａの全域に行き渡るように設定されている。
【００６３】
次に、コントローラ１００はステップＳ１５，Ｓ１６を順に実行する。ステップＳ１５では、プリウェット制御部１１１が、リンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。例えばプリウェット制御部１１１は、バルブ５５を閉じてタンク５２からノズル５１へのリンス液の供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。ステップＳ１６では、プリウェット制御部１１１が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させてウェハＷの上方から退避させるようにリンス液供給部５０を制御する。以上でプリウェット制御が完了し、ウェハＷの表面Ｗａ上にリンス液ＲＦの液膜が形成される。
【００６４】
（スキャンイン制御）
図１０は、上記ステップＳ０２の内容を例示するフローチャートである。図１０に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ２１を実行する。ステップＳ２１では、スキャンイン制御部１１２が、ウェハＷの回転速度を予め設定された回転速度ω２に調整するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω２は、回転速度ω１よりも低い値に設定されている。回転速度ω２は、例えば４００〜１２００ｒｐｍであり、６００〜１０００ｒｐｍであってもよく、７００〜９００ｒｐｍであってもよい。
【００６５】
次に、コントローラ１００は、ステップＳ２２，Ｓ２３を順に実行する。ステップＳ２２では、スキャンイン制御部１１２が、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させてスキャンイン開始用の第二位置に配置するように現像液供給部４０を制御する。第二位置は、接液面４３の中心が表面Ｗａの外周部（外周Ｗｂの近傍部分）上に位置するように設定されている。ステップＳ２３では、スキャンイン制御部１１２が、現像液ＤＦの供給を開始するように現像液供給部４０を制御する（図１１の（ａ）参照）。例えばスキャンイン制御部１１２は、バルブ４７を開放してタンク４４からノズル４１への現像液ＤＦの供給を開始し、吐出口４２からの現像液ＤＦの吐出を開始するように現像液供給部４０を制御する。
【００６６】
次に、コントローラ１００は、ステップＳ２４，Ｓ２５，Ｓ２６を順に実行する。ステップＳ２４では、スキャンイン制御部１１２が、ノズル搬送機構４８によって回転中心ＲＣ側へのノズル４１の移動を開始するように現像液供給部４０を制御する。以後、スキャンイン制御部１１２は、予め設定された移動速度ｖ１にてノズル４１の移動を継続するように現像液供給部４０を制御する（図１１の（ｂ）参照）。移動速度ｖ１は、例えば１５〜１００ｍｍ／ｓであり、２０〜７０ｍｍ／ｓであってもよい。ステップＳ２５では、スキャンイン完了用の第三位置にノズル４１が到達するのをスキャンイン制御部１１２が待機する。第三位置は、接液面４３内のいずれか一点（例えば接液面４３の中心点）が回転中心ＲＣ上に位置するように設定されている。ステップＳ２６では、スキャンイン制御部１１２が、ノズル搬送機構４８によるノズル４１の移動を停止させるように現像液供給部４０を制御する。以上でスキャンイン制御が完了し、表面Ｗａに現像液ＤＦが塗布される（図１１の（ｃ）参照）。なお、スキャンイン制御部１１２は、ノズル４１が第三位置に到達する前に、吐出口４２からの現像液の吐出を停止するように現像液供給部４０を制御してもよい。
【００６７】
（スキャンアウト制御及び減速制御）
図１２は、上記ステップＳ０３の内容を例示するフローチャートである。図１２に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ３１を実行する。ステップＳ３１では、スキャンアウト制御部１１３が、ウェハＷの回転速度を予め設定された回転速度ω３に調整するように回転保持部３０を制御する（図１３の（ａ）参照）。回転速度ω３は、後の減速制御におけるウェハＷの回転速度の変化量に比較して、上記回転速度ω２との差が小さくなるように設定されている。例えば、回転速度ω３は、回転速度ω２と同じであってもよい。
【００６８】
次に、コントローラ１００はステップＳ３２，Ｓ３３を順に実行する。ステップＳ３２では、スキャンアウト制御部１１３が、ノズル搬送機構４８によって外周Ｗｂ側へのノズル４１の移動を開始するように現像液供給部４０を制御する。以後、スキャンアウト制御部１１３は、予め設定された移動速度ｖ２にてノズル４１の移動を継続するように現像液供給部４０を制御する（図１３の（ｂ）参照）。これにより、スキャンイン制御において塗布された現像液ＤＦ１を外周側に押し出しながら新たな現像液ＤＦ２が塗り広げられる（図１３の（ｂ）及び（ｃ）参照）。移動速度ｖ２は、上記移動速度ｖ１よりも低い値に設定されている。これにより、スキャンアウト制御及び減速制御の実行時間はスキャンイン制御の実行時間よりも長くなる。移動速度ｖ２は、スキャンアウト制御及び減速制御の実行時間がスキャンイン制御の実行時間の２〜１０倍になるように設定されていてもよい。移動速度ｖ２は、例えば５〜１５ｍｍ／ｓである。ステップＳ３３では、減速制御部１１４が、ウェハＷの回転速度の減速を開始するように回転保持部３０を制御する。
【００６９】
次に、コントローラ１００はステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、ノズル４１がスキャンアウト完了用の第四位置にノズル４１が到達したか否かをスキャンアウト制御部１１３が確認する。第四位置は、例えば上記第二位置と同様に、接液面４３の中心が表面Ｗａの外周部上に位置するように設定されている。ステップＳ３４において、ノズル４１が第四位置に到達していないと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３５を実行する。ステップＳ３５では、減速制御部１１４が、ウェハＷの回転の減速度を所定のピッチで低下させるように回転保持部３０を制御する。その後、コントローラ１００は処理をステップＳ３４に戻す。以後、ノズル４１が第四位置に到達するまでは、減速度を徐々に低下させながらウェハＷの回転速度を徐々に低下させることが繰り返される。ステップＳ３５における減速度の低下ピッチは、例えば、接液面４３内のいずれか一点（例えば接液面４３の中心点）の表面Ｗａに対する線速度が実質的に一定となるように設定されている。
【００７０】
ステップＳ３４において、ノズル４１が第四位置に到達したと判定した場合、コントローラ１００はステップＳ３６，Ｓ３７，Ｓ３８，Ｓ３９を順に実行する。ステップＳ３６では、スキャンアウト制御部１１３が、ノズル搬送機構４８によるノズル４１の移動を停止させるように現像液供給部４０を制御する（図１３の（ｃ）参照）。ステップＳ３７では、スキャンアウト制御部１１３が、現像液の供給を停止するように現像液供給部４０を制御する。例えばスキャンアウト制御部１１３は、バルブ４７を閉じてタンク４４からノズル４１への現像液の供給を停止するように現像液供給部４０を制御する。ステップＳ３８では、スキャンアウト制御部１１３が、ノズル搬送機構４８によりノズル４１を移動させてウェハＷの上方から退避させるように現像液供給部４０を制御する。ステップＳ３９では、スキャンアウト制御部１１３が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御する。以上でスキャンアウト制御が完了し、表面Ｗａに現像液ＤＦ２のパドルが形成される（図１３の（ｄ）参照）。なお、スキャンイン制御の完了時点で吐出口４２からの現像液の吐出が停止している場合、スキャンアウト制御部１１３は、ノズル４１が第三位置から離れて第四位置に向かう途中で吐出口４２からの現像液の吐出を開始するように現像液供給部４０を制御してもよい。
【００７１】
（洗浄・乾燥制御）
図１４は、上記ステップＳ０４の内容を例示するフローチャートである。図１４に示すように、コントローラ１００は、まずステップＳ５１を実行する。ステップＳ５１では、洗浄・乾燥制御部１１５が、現像時間の経過を待機する。現像時間は、現像処理の進行の程度を適正化するように予め設定されている。
【００７２】
次に、コントローラ１００はステップＳ５２，Ｓ５３，Ｓ５４，Ｓ５５，Ｓ５６，Ｓ５７を順に実行する。ステップＳ５２では、洗浄・乾燥制御部１１５が、ノズル搬送機構５６によりノズル５１を移動させて洗浄用の第五位置に配置するようにリンス液供給部５０を制御する。第五位置は、例えば上記第一位置と同様に、ノズル５１の中心がウェハＷの回転中心ＲＣに位置するように設定されている。ステップＳ５３では、洗浄・乾燥制御部１１５が、ウェハＷの回転を開始するように回転保持部３０を制御する。以後、洗浄・乾燥制御部１１５は、予め設定された回転速度ω４にてウェハＷの回転を継続するように回転保持部３０を制御する。回転速度ω４は、例えば５００〜２０００ｒｐｍであり、１０００〜１５００ｒｐｍであってもよい。ステップＳ５４では、洗浄・乾燥制御部１１５が、リンス液ＲＦの供給を開始するようにリンス液供給部５０を制御する（図１５の（ａ）参照）。ステップＳ５５では、洗浄・乾燥制御部１１５が、リンス時間の経過を待機する。リンス時間は、現像液ＤＦ２及び現像処理による溶解物を十分に洗い流せるように設定されている（図１５の（ｂ）参照）。ステップＳ５６では、洗浄・乾燥制御部１１５が、リンス液ＲＦの供給を停止するようにリンス液供給部５０を制御する。ステップＳ５７では、洗浄・乾燥制御部１１５が、ノズル５１をウェハＷの上方から退避させるようにリンス液供給部５０を制御する。
【００７３】
次に、コントローラ１００は、ステップＳ５８，Ｓ５９，Ｓ６１を順に実行する。ステップＳ５８では、洗浄・乾燥制御部１１５が、ウェハＷの回転速度を回転速度ω４から回転速度ω５に変化させるように回転保持部３０を制御する。回転速度ω５は、回転速度ω４よりも大きい値に設定されている。回転速度ω５は、例えば１５００〜４５００ｒｐｍであり、２０００〜４０００ｒｐｍであってもよい。ステップＳ５９では、洗浄・乾燥制御部１１５が、乾燥時間の経過を待機する。乾燥時間は、表面Ｗａ上の残液を十分に除去できるように設定されている（図１５の（ｃ）参照）。ステップＳ６１では、洗浄・乾燥制御部１１５が、ウェハＷの回転を停止させるように回転保持部３０を制御する。以上で洗浄・乾燥制御が完了する。
【００７４】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、現像処理装置２０は、ウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、回転保持部３０に保持されたウェハＷの表面Ｗａに対向する接液面４３及び接液面４３に開口する吐出口４２を含むノズル４１を有する現像液供給部４０と、コントローラ１００と、を備え、コントローラ１００は、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３をウェハＷの表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動させるように現像液供給部４０を制御するスキャンイン制御と、スキャンイン制御の実行後、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、吐出口４２から現像液を吐出させ、接液面４３をウェハＷの表面Ｗａの現像液に接触させながらノズル４１をウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動させるように現像液供給部４０を制御するスキャンアウト制御と、スキャンアウト制御の実行中に、接液面４３の中心がウェハＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御する減速制御と、を実行するように構成されている。
【００７５】
この現像処理装置２０によれば、スキャンイン制御及びスキャンアウト制御の実行により、ウェハＷの表面Ｗａに現像液が二度塗布される。一度目の塗布により、ウェハＷの表面Ｗａに対する現像液の接触角が低下するので、二度目の塗布において現像液がスムーズに塗り広げられる。
【００７６】
一度目の塗布においてはノズル４１がウェハＷの外周Ｗｂ側から回転中心ＲＣ側に移動するので、現像液はウェハＷの外周Ｗｂ側から先に塗布される。一方、二度目の塗布においてはノズル４１がウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動するので、現像液はウェハＷの回転中心ＲＣ側から先に塗布される。このため、一度目の塗布と二度目の塗布との組合せによって、現像液の塗布タイミングの違いに起因する現像処理の進行度（進行の程度）の差異が生じ難くなる。更に、二度目の塗布においては、ノズル４１がウェハＷの回転中心ＲＣ側から外周Ｗｂ側に移動することにより、古い現像液を外側に押し出しながら新しい現像液が塗り広げられる。
【００７７】
スキャンアウト制御の実行中には、接液面４３の中心がウェハＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転速度を徐々に低下させる減速制御が実行される。回転速度の低下により、現像液の過剰な振り切りが防止され、ウェハＷの表面Ｗａに適切な液膜が形成される。更に、ウェハＷの回転速度が徐々に低下するので、急減速に起因するプルバック（外周Ｗｂ側に広がっていた現像液が回転中心ＲＣ側に戻る現象）が抑制され、現像液がよりスムーズに塗り広げられる。
【００７８】
以上より、均一性の高い現像液の液膜を形成することができる。従って、この現像処理装置２０は、現像処理の進行の程度がウェハＷ上の位置によってばらつくことを抑制するのに有効である。
【００７９】
減速制御において、コントローラ１００は、接液面４３の中心がウェハＷの外周Ｗｂに近付くのに応じてウェハＷの回転の減速度を徐々に低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、ノズル４１から吐出された処理液に作用する遠心力を適切に調節し、処理液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００８０】
減速制御において、コントローラ１００は、接液面４３内のいずれか一点がウェハＷの表面Ｗａに対して一定の速さで移動するように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、ノズル４１から吐出された処理液に作用する遠心力をより適切に調節し、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００８１】
スキャンアウト制御において、コントローラ１００は、減速制御におけるウェハＷの回転速度の変化量に比較して、スキャンイン制御の終了時から減速制御の開始時までの間におけるウェハＷの回転速度の変化を小さくするように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、減速制御の開始時におけるウェハＷの回転速度を、スキャンイン制御の終了時におけるウェハＷの回転速度に近い高さとすることにより、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００８２】
減速制御において、コントローラ１００は、スキャンイン制御の実行時間に比較して長い時間にわたってウェハＷの回転速度の減速を継続するように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、ウェハＷの回転速度をより緩やかに減速させることで、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００８３】
スキャンアウト制御において、コントローラ１００は、接液面４３の中心がウェハＷの回転中心ＲＣから離れて外周Ｗｂ側に向かう途中で吐出口４２からの現像液の吐出を開始するように現像液供給部４０を制御してもよい。この場合、ウェハＷの回転中心ＲＣにおける現像処理の進行を抑えることができる。
【００８４】
スキャンイン制御において、コントローラ１００は、接液面４３の中心がウェハＷの回転中心ＲＣに到達する前に吐出口４２からの現像液の吐出を停止するように現像液供給部４０を制御してもよい。この場合、ウェハＷの回転中心ＲＣにおける現像処理の進行をより確実に抑えることができる。
【００８５】
現像処理装置２０は、回転保持部３０に保持されたウェハＷの表面Ｗａに現像液とは異なるリンス液を供給するリンス液供給部５０を更に備え、コントローラ１００は、スキャンイン制御の実行前、回転保持部３０がウェハＷを回転させているときに、リンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給するようにリンス液供給部５０を制御するプリウェット制御を更に実行するように構成されていてもよい。この場合、スキャンイン制御において、現像液をよりスムーズに塗り広げることができる。
【００８６】
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。処理対象の基板は半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００８７】
２０…現像処理装置、３０…回転保持部、４０…現像液供給部（第一供給部）、４１…ノズル、４２…吐出口、４３…接液面、５０…リンス液供給部（第二供給部）、１００…コントローラ（制御部）、ＤＦ，ＤＦ１，ＤＦ２…現像液、ＲＣ…回転中心、ＲＦ…リンス液（プリウェット液）、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…外周、ω１，ω２，ω３，ω４，ω５…回転速度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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