(57)【要約】【課題】基板が有する被塗布面の端からの膜厚不良範囲をできるだけ狭くする。【解決手段】塗布器１０が有する幅方向に細長い吐出口１１と、基板Ｗの被塗布面８とを接近させ、塗布器１０と基板Ｗとを前記幅方向に直交する方向に相対移動させながら、被塗布面８に対して吐出口１１から塗布液Ｒを吐出して行う塗布方法である。基板Ｗは、外周面５２と直角又は鋭角で交差する平面状の被塗布面８を有する。被塗布面８の前記幅方向の一方側及び他方側の両端８ｅを含む全幅において、被塗布面８と吐出口１１との間に形成される隙間Ｋが一定となって、基板Ｗと塗布器１０とを相対移動させながら、吐出口１１から塗布液Ｒを吐出する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布器が有する幅方向に細長い吐出口と、基板の被塗布面とを接近させ、当該塗布器と当該基板とを前記幅方向に交差する方向に相対移動させながら、当該被塗布面に対して当該吐出口から塗布液を吐出して行う塗布方法であって、
前記基板は、外周面と直角又は鋭角で交差する平面状の前記被塗布面を有し、
前記被塗布面の前記幅方向の一方側及び他方側の両端を含む全幅において、当該被塗布面と前記吐出口との間に形成される隙間が一定となって、前記基板と前記塗布器とを前記相対移動させながら、当該吐出口から塗布液を吐出して行う、塗布方法。
【請求項２】
前記吐出口から吐出され前記被塗布面に付着した塗布液が、当該吐出口が開口する前記塗布器の先端面と当該被塗布面との隙間に浸透することにより、塗布液が当該吐出口から引き出されることで塗布を行う、請求項１に記載の塗布方法。
【請求項３】
平面状の被塗布面と、当該被塗布面と直角又は鋭角で交差する外周面と、を有する基板と、
前記被塗布面と前記外周面との交線の全周を含んで当該被塗布面を覆う塗布膜と、を有する、塗布膜付き基板。
【請求項４】
塗布液が塗布される被塗布面を一面側に有する基板であって、
外周縁部が段付き形状であることにより、基板外周面として、前記被塗布面側の第一外周面と、当該被塗布面と反対の他面側に設けられ当該第一外周面と比べて外径が異なる第二外周面と、を有し、
前記被塗布面と前記第一外周面とは直角又は鋭角で交差している、基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布液を塗布する方法、この方法により得られる塗布膜付き基板、及び、前記方法のために用いられる基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程では、円形の半導体ウエハ（シリコンウエハ）のおもて面側にフォトレジスト液が塗布され、集積回路が形成される。この製造工程において、半導体ウエハの損傷、欠け、及び割れ等を防止するため、図８（Ａ）の断面図に示されるように、外周側に面取り部９２が設けられる。このため、フォトレジスト液が塗布される半導体ウエハのおもて面、つまり被塗布面９４は、円形状の平面部９３と、この平面部９３を囲む環状の面取り部９２とにより構成される。
【０００３】
半導体ウエハにフォトレジスト液を塗布する方法として、スピンコートが知られているが、近年、フォトレジスト液の利用効率向上の観点から、細長い吐出口を備えた塗布器によるスリットコートが提案されている。スリットコートの技術の一つとして、キャピラリ塗布が知られており、キャピラリ塗布は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９２９８４公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図９は、塗布器９９によりキャピラリ塗布を行なう様子を示す斜視図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の半導体ウエハ（以下、基板Ｗという。）の側部、及び塗布器９９を示す拡大断面図である。キャピラリ塗布は、塗布器９９の先端面９５で開口する細長い吐出口９８（スリットの開口）と、基板Ｗ（被塗布面９４）とを接近させた状態とし、吐出口９８からフォトレジスト液Ｒ（以下、塗布液Ｒという。）が先端面９５と被塗布面９４との間における毛細管現象（表面張力）によって引き出されることで、塗布液Ｒを基板Ｗに塗布する方法である。つまり、吐出口９８からの塗布液Ｒが基板Ｗの被塗布面９４に接触すると、これら吐出口９８と被塗布面９４との間に塗布液ＲのビードＲｂ（図８（Ｂ）参照）が形成される。この状態で、塗布器９９と基板Ｗとを相対移動させると、先端面９５と被塗布面９４との隙間に塗布液Ｒが浸透することで、吐出口９８から塗布液Ｒが引き出され、基板Ｗに対して連続的に塗布液Ｒが塗布される。
【０００６】
キャピラリ塗布によれば、細長い吐出口９８に対向して基板Ｗが存在すると、吐出口９８から塗布液Ｒが引き出される（吐出される）が、吐出口９８に対して基板Ｗが存在しない領域Ｘでは、吐出口９８から塗布液は引き出されない（吐出されない）。このため、キャピラリ塗布によれば、例えば円形である基板Ｗに対して、塗布液Ｒを無駄に消費することなく、必要な部分に塗布液Ｒを塗布することが可能となり、塗布液Ｒの利用効率が高い。
【０００７】
図１０は、基板（半導体ウエハ）Ｗの平面図である。半導体の製造工程では、基板Ｗの利用効率を高めるため、基板Ｗの外周端９１付近までが半導体チップの形成領域Ｐとされる。このため、基板Ｗでは、外周端９１からの塗布液Ｒの膜厚不良範囲Ｑをできるだけ狭くする必要がある。
【０００８】
キャピラリ塗布の場合、図８（Ｂ）に示されるように、基板Ｗに設けられている面取り部９２においても塗布液が塗布される。面取り部９２では平面部９３よりも塗布液Ｒが多く付着する。このため、面取り部９２上に塗布された塗布液Ｒは、塗布後（塗布器９９が通過すると）図８（Ｃ）に示されるように、平面部９３側へ流動し盛り上がる。塗布液Ｒが盛り上がった部分（隆起部Ｓａ）は膜厚不良となる。以上より、基板Ｗの被塗布面９４において、外周端９１からの膜厚不良範囲Ｑが広くなってしまい、半導体チップの形成領域Ｐとすべきである範囲、つまり、膜厚ｔが均一となる範囲が減ってしまう。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、基板が有する被塗布面の端からの膜厚不良範囲をできるだけ狭くすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の塗布方法は、塗布器が有する幅方向に細長い吐出口と、基板の被塗布面とを接近させ、当該塗布器と当該基板とを前記幅方向に交差する方向に相対移動させながら、当該被塗布面に対して当該吐出口から塗布液を吐出して行う塗布方法であって、前記基板は、外周面と直角又は鋭角で交差する平面状の前記被塗布面を有し、前記被塗布面の前記幅方向の一方側及び他方側の両端を含む全幅において、当該被塗布面と前記吐出口との間に形成される隙間が一定となって、前記基板と前記塗布器とを前記相対移動させながら、当該吐出口から塗布液を吐出して行う。
【００１１】
この塗布方法によれば、被塗布面の幅方向の一方側及び他方側の両端を含む全幅において、被塗布面と吐出口との間に形成される隙間が一定となることから、基板が有する被塗布面の全幅にわたって同じ厚さで吐出口から塗布液が吐出されるので、被塗布面の端からの膜厚不良範囲をできるだけ狭くすることが可能となる。
【００１２】
前記塗布方法によって得られる塗布膜付き基板は、平面状の被塗布面と、当該被塗布面と直角又は鋭角で交差する外周面と、を有する基板と、前記被塗布面と前記外周面との交線の全周を含んで当該被塗布面を覆う塗布膜と、を有する。
この塗布膜付き基板では、被塗布面の端からの膜厚不良範囲が狭くなる。
【００１３】
前記塗布方法のために用いられる基板は、塗布液が塗布される被塗布面を一面側に有する基板であって、外周縁部が段付き形状であることにより、基板外周面として、前記被塗布面側の第一外周面と、当該被塗布面と反対の他面側に設けられ当該第一外周面と比べて外径が異なる第二外周面と、を有し、前記被塗布面と前記第一外周面とは直角又は鋭角で交差している。
この基板によれば、被塗布面と第一外周面とが直角又は鋭角で交差していることから、この被塗布面に接近させた塗布器の吐出口から塗布液を吐出して塗布作業を行うと、被塗布面と第一外周面との交線の全周を含む被塗布面の全面に塗布膜が形成される。この結果、被塗布面の端からの膜厚不良範囲が狭くなる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、被塗布面の端からの膜厚不良範囲をできるだけ狭くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の塗布方法を実行する塗布装置の概略構成図である。
【図２】塗布方法のために用いられる基板を含む塗布膜付き基板の斜視図である。
【図３】（Ａ）は、図２の基板（塗布膜付き基板）の一部を示す断面図であり、（Ｂ）は、図２の基板に対して行われる塗布方法を説明する図である。
【図４】図３（Ａ）の塗布膜付き基板の変形例を示す断面図である。
【図５】塗布方法のために用いられる基板（第二の形態）を含む塗布膜付き基板の斜視図である。
【図６】（Ａ）は、図５の基板（塗布膜付き基板）の一部を示す断面図であり、（Ｂ）は、図５の基板に対して行われる塗布方法を説明する図である。
【図７】図６（Ａ）の塗布膜付き基板の変形例を示す断面図である。
【図８】従来の基板を説明するための断面図である。
【図９】塗布器によりキャピラリ塗布を行なう様子を示す斜視図である。
【図１０】基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
〔塗布装置、及び塗布方法について〕
図１は、本発明の塗布方法を実行する塗布装置５の概略構成図である。塗布装置５は、塗布器（スリットダイともいう）１０、移動手段２０、装置基台３０、供給手段４０、及び制御装置４５を備える。装置基台３０は、基板Ｗを保持するステージ３１を有する。制御装置４５はコンピュータ装置により構成される。本実施形態の基板Ｗは、半導体ウエハ（シリコンウエハ）であり、塗布液（フォトレジスト液）Ｒが塗布される被塗布面８をおもて面側に有する。
【００１７】
塗布器１０は、幅方向（図１において紙面に直交する方向）に長い部材により構成されており、また、図１に示されるように横断面において、先端面１７側に向かって先細りとなる形状を有する。塗布器１０は、その内部に、塗布液Ｒが溜められる溜め部１３と、この溜め部１３と繋がるスリット状の流路１２とを有する。スリット状の流路１２は、先端面１７において開口し、この開口が吐出口１１となる。溜め部１３の塗布液Ｒは、スリット状の流路１２を通じて吐出口１１から吐出される。溜め部１３、及びスリット状の流路１２は、塗布器１０の幅方向に沿って長く設けられる。よって、塗布器１０は、幅方向に細長い吐出口１１を有する。塗布器１０は基板Ｗの上方に位置し、吐出口１１から塗布液Ｒは下向きに吐出される。基板Ｗの上面側（おもて面側）が、塗布液Ｒが塗布される被塗布面８となる。塗布器１０は、圧力センサ４６を有する。圧力センサ４６は、塗布器１０内（溜め部１３）の塗布液Ｒの圧力を計測する。
【００１８】
移動手段２０は、塗布器１０の幅方向に交差する方向（本実施形態では直交する方向）、つまり、図１では左右方向に移動可能である移動体２２と、移動体２２を移動させるリニアアクチュエータ２３とを有する。移動体２２に塗布器１０が搭載される。移動手段２０は、基板Ｗ（被塗布面８）と吐出口１１（先端面１７）との隙間Ｋを幅方向の各位置で一定に保ちつつ、塗布器１０を基板Ｗに対して移動させる。本実施形態の移動手段２０は、塗布器１０が移動する構成であるが、移動手段２０は、塗布器１０と基板Ｗとを相対移動させる構成であればよく、図示しないが、固定状態にある塗布器１０に対してステージ３１（基板Ｗ）が移動する構成であってもよい。
【００１９】
供給手段４０は、タンク４１と圧力調整器４２とを有する。タンク４１は、塗布液Ｒを溜めると共に、配管４３を通じて塗布器１０（溜め部１３）と接続される。タンク４１は、塗布器１０よりも高い位置に設けられる。配管４３には開閉切り換えバルブ４４が設けられ、バルブ４４が開状態で、タンク４１と塗布器１０（溜め部１３）との間で塗布液Ｒが流通可能となる。つまり、塗布器１０から塗布液Ｒが吐出され塗布液Ｒが消費されると、タンク４１から塗布器１０へ塗布液Ｒが補充される。圧力調整器４２は、制御装置４５によって制御されるレギュレータからなり、タンク４１の塗布液Ｒの圧力を変化させる（圧力を調整する）。タンク４１と塗布器１０とは配管４３を通じて接続されていることから、タンク４１の塗布液Ｒの圧力が調整されると、塗布器１０（溜め部１３）の塗布液Ｒの圧力が所定の値に調整される（つまり制御される）。本実施形態では、タンク４１内が吸引されており、圧力調整器４２によって、タンク４１の塗布液Ｒの圧力（ゲージ圧）が負圧に調整されることで、塗布器１０（溜め部１３）の塗布液の圧力（ゲージ圧）が負圧になる。圧力調整器４２は、塗布器１０内の塗布液Ｒの圧力を所定の値（負圧）に保つように、タンク４１に溜めている塗布液Ｒの圧力を調整する。この調整は、圧力センサ４６の検出結果に基づいて行われる。
【００２０】
塗布器１０内の塗布液Ｒの圧力が（大気圧に対して）負圧の所定の値に調整されることで、塗布装置５は、基板Ｗに対してキャピラリ塗布が可能となる。本実施形態の塗布方法は、下向きのキャピラリ塗布方法となる。つまり、塗布器１０の先端面１７に形成された細長い吐出口１１と基板Ｗ（被塗布面８）とを接近させた状態とする。この吐出口１１からの塗布液Ｒが先端面１７と被塗布面８との間における毛細管現象（表面張力）によって引き出されることで、塗布液Ｒが基板Ｗに塗布される。更に詳しく説明すると、吐出口１１からの塗布液Ｒが被塗布面８に接触すると、これら吐出口１１と被塗布面８との間に塗布液ＲのビードＲｂが形成される。この状態で、基板Ｗに対して塗布器１０を移動させると、先端面１７と被塗布面８との隙間Ｋに塗布液Ｒが浸透することで、吐出口１１から塗布液Ｒが引き出され、基板Ｗに対して連続的に塗布液Ｒが塗布される。
【００２１】
〔基板（塗布膜付き基板）について〕
図２は、前記塗布方法のために用いられる基板Ｗを含む塗布膜付き基板の斜視図である。図３（Ａ）は、図２の基板Ｗ（塗布膜付き基板）の一部を示す断面図である。図３（Ｂ）は、図２の基板Ｗに対して行われる塗布方法を説明する図である。基板Ｗは、半導体ウエハであり、円柱状の半導体結晶から切り出された円板状の部材である。基板Ｗは、おもて面５０と、このおもて面５０と反対側の裏面５１と、周囲を囲む外周面５２とを有する。おもて面５０には、従来のような面取り部９２（図８（Ａ）参照）が形成されておらず、おもて面５０は全面にわたって平面である。このおもて面５０に対して、前記塗布装置５による塗布が行われる。本実施形態では、おもて面５０の全面が、塗布液Ｒが塗布される被塗布面８であり、被塗布面８が全面にわたって平面状である。被塗布面８（おもて面５０）には面取り部が形成されていないことから、被塗布面８と外周面５２とは直角で交差する。なお、外周面５２と裏面５１とにおいても直角で交差する。
【００２２】
図２及び図３（Ａ）に示される基板Ｗ（第一の形態）では、被塗布面８の全体に塗布液Ｒによる塗布膜Ｓが形成されている。つまり、基板Ｗが有するおもて面５０全体が、塗布膜Ｓが形成された被塗布面８である。第一の形態の基板Ｗでは「おもて面５０」と「被塗布面８」とが一致し、基板Ｗの外周輪郭形状と、被塗布面８に形成された塗布膜Ｓの外周輪郭形状とが一致する。
【００２３】
塗布膜Ｓは、被塗布面８を覆う。特に、塗布膜Ｓは、被塗布面８（おもて面５０）と外周面５２との交線Ｌの全周を含んで被塗布面８を覆う。図３（Ａ）に示されるように、塗布膜Ｓのうち、前記交線Ｌに近い領域に、隆起部Ｓａが形成されていて、隆起部Ｓａの膜厚Ｔａは、中央側の膜厚一定部Ｓｂの膜厚Ｔｂよりも大きい（Ｔａ＞Ｔｂ）。なお、隆起部Ｓａは、図３（Ｂ）に示されるように、吐出口１１と被塗布面８との間に形成される塗布液ＲのビードＲｂの幅方向端部Ｒｂｅが、塗布後（塗布器１０の通過後）中央側へ流動することで形成される。図３（Ａ）において、塗布膜Ｓのうち、隆起部Ｓａを含む所定領域（膜厚が一定ではない領域）が、膜厚不良範囲Ｑとなる。塗布膜Ｓのうち、膜厚不良範囲Ｑ以外では、膜厚Ｔｂが一定であり、膜厚不良範囲Ｑ以外の領域が、半導体チップの形成領域Ｐとなる。このような塗布膜Ｓを有する基板Ｗ（これを「塗布膜付き基板」という。）は、前記塗布装置５により、次のようにして製造される。
【００２４】
すなわち、前記塗布装置５により実行される塗布方法では（図３（Ｂ）参照）、前記のとおり、基板Ｗと塗布器１０の吐出口１１との隙間Ｋを、塗布器１０の移動方向に沿って幅方向の各位置で一定に保ちつつ、塗布器１０を基板Ｗに対して移動させる。第一の形態の基板Ｗでは、被塗布面８（おもて面５０）は外周面５２と直角で交差している。このため塗布器１０の幅方向と同じ方向である被塗布面８の幅方向の一方側及び他方側の両端８ｅを含む全幅において、被塗布面８と吐出口１１との間に形成される隙間Ｋが一定となって、基板Ｗに対して塗布器１０を移動させながら、吐出口１１から塗布液Ｒを吐出して行う塗布方法となる。
【００２５】
この基板Ｗでは、被塗布面８において塗布液Ｒが多く付着する領域（従来の面取り部９２、図８（Ｂ）参照）が無いため、図３（Ａ）に示されるように、この塗布膜付き基板では、被塗布面８の端８ｅ（外周端）からの膜厚不良範囲Ｑが狭くなり、従来よりも、半導体チップの形成領域Ｐを広くすることが可能となる。
【００２６】
〔変形例〕
図４は、図３（Ａ）に示される塗布膜付き基板の変形例を示す断面図である。この塗布膜付き基板では、全体が被塗布面８となるおもて面５０と、外周面５２とが鋭角で交差する。この交差する角度がα（α＜９０°）で示されている。そして、外周面５２と裏面５１とが鈍角で交差する。この塗布膜付き基板は、図３（Ａ）の塗布膜付き基板と同じ方法によって製造される。図４に示される変形例においても、塗布膜Ｓは、被塗布面８と外周面５２との交線Ｌの全周を含んで被塗布面８を覆う。
【００２７】
〔基板（塗布膜付き基板）の第二の形態〕
図５は、前記塗布方法のために用いられる基板Ｗ（第二の形態）を含む塗布膜付き基板の斜視図である。図６（Ａ）は、図５の基板Ｗ（塗布膜付き基板）の一部を示す断面図である。図６（Ｂ）は、図５の基板Ｗに対して行われる塗布方法を説明する図である。図５及び図６（Ａ）に示される基板Ｗは、外周縁部Ｗｂ（のおもて面５０側）に段付き形状を有する。つまり、おもて面５０は、平面状である被塗布面８と、この被塗布面８の外周側であって被塗布面８よりも裏面５１側に位置する環状の面９とを有する。環状の面９には、その外周側の領域に、面取り部９ａが形成されている。なお、裏面５１側にも面取り部５１ｂが形成されている。
【００２８】
この基板Ｗに対して、前記塗布装置５により塗布液Ｒの塗布を行なうと（図６（Ｂ）参照）、おもて面５０の全面に塗布膜Ｓが形成されず、おもて面５０の一部である被塗布面８にのみ塗布膜Ｓが形成される。これは、被塗布面８においては、塗布液ＲのビードＲｂが形成されることで塗布液Ｒが塗布されるのに対し、環状の面９においては、吐出口１１から遠く、塗布液ＲのビードＲｂが形成不能であり、この結果、塗布液Ｒが塗布されないためである。被塗布面８は、外周面５２との交線Ｌの全周を含んで塗布膜Ｓにより覆われる。
【００２９】
以上のように、第二の形態の基板Ｗは、その一面側であるおもて面５０において、平面からなる被塗布面８と、この被塗布面８よりも裏面５１側の位置に設けられかつ平面的に見て被塗布面８を全周にわたって囲む位置に設けられる環状の面９とを有する。基板Ｗの外周縁部Ｗｂが段付き形状であることにより、基板Ｗは、その外周面（基板外周面）５２として、被塗布面８側の第一外周面６１と、被塗布面８と反対の他面側（裏面５１側）の第二外周面６２とを有する。第二外周面６２は、第一外周面６１と比べて外径が異なる（外径が大きい）。そして、被塗布面８と第一外周面６１とは直角で交差する。第一外周面６１と、環状の面９とは直角で交差する。
【００３０】
このため、この基板Ｗ２のおもて面５０に対して行われる塗布方法は、塗布器１０の幅方向と同じ方向である被塗布面８の幅方向の一方側及び他方側の両端８ｅを含む全幅において、被塗布面８と吐出口１１との間に形成される隙間Ｋが一定となって、基板Ｗに対して塗布器１０を移動させながら、吐出口１１から塗布液Ｒを吐出して行う方法となる。この基板Ｗでは、被塗布面８において塗布液Ｒが多く付着する領域（従来の面取り部９２、図８（Ｂ）参照）が無いため、図６（Ａ）に示されるように、この塗布膜付き基板では、被塗布面８の端８ｅ（外周端）からの膜厚不良範囲Ｑが狭くなり、従来よりも、半導体チップの形成領域Ｐを広くすることが可能となる。
【００３１】
〔変形例〕
図７は、図６（Ａ）に示される塗布膜付き基板の変形例を示す断面図である。この塗布膜付き基板では、被塗布面８と第一外周面６１とが鋭角で交差する。この交差する角度がα（α＜９０°）で示されている。このため、第一外周面６１と環状の面９とも鋭角で交差する。この塗布膜付き基板は、図７に示す塗布膜付き基板と同じ方法によって製造される。図７に示される変形例においても、塗布膜Ｓは、被塗布面８と第一外周面６１との交線Ｌの全周を含んで被塗布面８を覆う。
【００３２】
なお、図６及び図７に示される基板Ｗの更に別の変形例として、図示しないが、第二外周面６２が、第一外周面６１よりも外径が小さくなる基板Ｗであってもよい。この場合においても、被塗布面８と第一外周面とが直角又は鋭角で交差する。そして、塗布膜Ｓは、被塗布面８と第一外周面６１との交線Ｌの全周を含んで被塗布面８を覆う。
【００３３】
〔前記各形態の基板Ｗ、及び塗布方法について〕
前記第一の形態及び前記第二の形態、並びにこれらの変形例について説明したとおり、基板Ｗは、平面状の被塗布面８を有しており、この被塗布面８は、外周面５２(前記第二の形態の場合、外周面５２のうちの少なくとも被塗布面８側の面である第一外周面６１)と直角（又は鋭角）で交差する。
【００３４】
このような基板Ｗに対して行なう本実施形態の塗布方法は、塗布器１０が有する幅方向に細長い吐出口１１と、基板Ｗの被塗布面８とを接近させ、基板Ｗと塗布器１０とを前記幅方向に直交する方向に相対移動させながら、被塗布面８に対して吐出口１１から塗布液Ｒを吐出して行う方法である。更に、図３（Ｂ）及び図６（Ｂ）に示されるように、基板Ｗ上を塗布器１０が移動している間、被塗布面８の前記幅方向の一方側及び他方側の両端８ｅを含む全幅において、被塗布面８と吐出口１１との間に形成される隙間Ｋが一定となって、吐出口１１から塗布液Ｒが吐出される。
【００３５】
これに対して、従来の方法では、図８（Ｂ）により説明したように、基板Ｗと塗布器９９とを相対移動させる際に、被塗布面９４と吐出口９８との間に形成される隙間Ｋが、面取り部９２において他の平面部９３と比べて大きくなっていて、隙間Ｋが、幅方向の端（外周端９１）を含む全幅において一定とならない。
【００３６】
本実施形態の前記塗布方法によれば、図３（Ｂ）及び図６（Ｂ）に示されるように、基板Ｗと塗布器１０とが相対移動している際に、基板Ｗが有する被塗布面８の全幅にわたって同じ厚さで吐出口１１から塗布液Ｒが吐出される。このため、被塗布面８の端８ｅ（外周端）からの膜厚不良範囲Ｑをできるだけ狭くすることが可能となる。
【００３７】
また、本実施形態の塗布方法では、吐出口１１から吐出され基板Ｗの被塗布面８に付着した塗布液Ｒが、吐出口１１が開口する塗布器１０の先端面１７と被塗布面８との隙間Ｋに浸透することで、塗布液Ｒが吐出口１１から引き出され、塗布が行われる。つまり、本実施形態の塗布方法は、キャピラリ塗布方法である。よって、塗布液Ｒの利用効率がよい。
【００３８】
〔その他〕
今回開示した実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の権利範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲に記載された構成と均等の範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、前記実施形態では、基板Ｗが円形である場合について説明したが、矩形であってもよい。この場合、基板Ｗと塗布器１０とが相対移動している際に、基板Ｗの被塗布面８の全幅にわたって同じ厚さで吐出口１１から塗布液Ｒが吐出される。この結果、被塗布面８の幅方向の端からの膜厚不良範囲をできるだけ狭くすることが可能となる。
【符号の説明】
【００３９】
５：塗布装置            ８：被塗布面            ８ｅ：端
１０：塗布器            １１：吐出口            １７：先端面
５２：外周面            ６１：第一外周面        ６２：第二外周面
Ｋ：隙間                Ｌ：交線                Ｒ：塗布液
Ｓ：塗布膜              Ｗ：基板                Ｗｂ：外周縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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