(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップに割れおよび欠け等の不良を発生させることなく、半導体チップとマウントテープを剥離できる技術を提供する。【解決手段】半導体ピックアップ装置は、半導体チップの下面に貼り付けられたマウントテープを介して半導体チップが載置されるピックアップステージ１００と、マウントテープ２を保持し引き延ばすエキスパンド部と、ピックアップステージ１００の上面から突出し、マウントテープを介して半導体チップを突き上げ可能な突き上げニードルと、突き上げニードルを渦巻き状に動作させながら突き上げる機構とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの下面に貼り付けられたマウントテープを介して前記半導体チップが載置されるピックアップステージと、
前記マウントテープを保持し引き延ばすエキスパンド部と、
前記ピックアップステージの上面から突出し、前記マウントテープを介して前記半導体チップを突き上げ可能な突き上げ部と、
前記突き上げ部を渦巻き状またはジグザグ状に動作させながら突き上げる機構と、
を備えた、半導体ピックアップ装置。
【請求項２】
前記突き上げ部の動作範囲は、前記ピックアップステージの上面の範囲を最大とする、請求項１記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項３】
前記突き上げ部の動作速度は可変である、請求項１または請求項２記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項４】
前記突き上げ部の突き上げ量は可変である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項５】
前記突き上げ部は、前記渦巻き状または前記ジグザグ状において一端側から他端側に向かう方向に動作し、前記他端側に到達した後、前記他端側から前記一端側に向かう方向に動作する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項６】
前記突き上げ部は複数である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項７】
前記突き上げ部は、突き上げ量を徐々に増やしながら動作する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項８】
前記ピックアップステージの上面に設けられた前記渦巻き状または前記ジグザグ状の孔と、
前記孔を介して前記マウントテープを吸着する機構とをさらに備え、
前記突き上げ部は前記孔に沿って動作し、
前記マウントテープを吸着する機構による吸着力は可変である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項９】
前記孔はＲ面取り加工またはＣ面取り加工による面取り部を有する、請求項８記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記突き上げ部は金属製である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記突き上げ部は樹脂製である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記突き上げ部の先端は球面状または平面状であり、前記先端のエッジ部はＲ面取り加工またはＣ面取り加工による面取り部を有する、請求項１０または請求項１１記載の半導体ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造工程におけるダイシングされた半導体チップのピックアップ技術、具体的にはマウントテープからの半導体チップの剥離技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電力用の半導体素子は、デバイスの特性改善による高効率化を達成するため、ウエハの薄厚化が課題となっている。ウエハを薄くすることにより、ウエハの強度低下に起因したウエハプロセス中のウエハ割れおよび欠け等の不良が生じる。この問題は、製造の歩留りを低下させ、生産性を悪化させる要因となるため、ウエハプロセスの改善が必要である。
【０００３】
ウエハプロセスにより最後に裏面電極等が形成されたウエハは、半導体チップに個片化するため、一旦マウントテープに貼り付けられる。マウントテープに貼り付されたウエハは、複数の半導体チップが繋がった状態で整列しており、このマウントテープに貼り付けられた状態でブレードまたはレーザを用いた切削工程を経て、半導体チップ毎に分断される。次に、マウントテープに貼り付けられた半導体チップをピックアップするため、例えばＵＶ照射によりダイシング後のマウントテープの粘着材を硬化させ、半導体チップとダイシングテープとの間の粘着力を低下させる。
【０００４】
その後、半導体チップはマウントテープからピックアップされる。マウントテープから半導体チップを剥離するピックアップ工程では、ウエハ裏側からマウントテープを介してニードルを突き上げ、マウントテープと半導体チップとを分離する剥離方法が一般的である。この方法では、マウントテープから半導体チップを剥離させる際に生じる局所的な外力が原因で、半導体チップに種々の応力が作用し、半導体チップに割れおよび欠け等の不良が生じる場合がある。
【０００５】
特に、薄厚化された半導体チップを用いる場合には半導体チップの強度が低下するため、ピックアップ時の割れおよび欠け等の不良が非常に発生し易いという問題がある。
【０００６】
薄厚化された半導体チップにおけるピックアップの割れおよび欠けによる不良を低減するために、様々なピックアップ装置および方法が提案されている。例えば、特許文献１には半導体チップを突き上げるニードルに超音振動を印加して、超音波エネルギーによって半導体チップをシートから剥離させる技術が記載されている。
【０００７】
特許文献２には、半導体チップを突き上げるニードルを時差的に突き上げることで、対象半導体チップをシートから剥離させる技術が記載されている。
【０００８】
特許文献３には、ウエハのダイシングがハーフカットのものについて、そのままでは隣接する半導体チップと繋がっているため、半導体チップの分離を目的に、ウエハ裏面側のマウントテープを介してニードルでウエハ裏面側全体を均一に擦る方法が記載されている。
【０００９】
特許文献４には、対象半導体チップの外周端と隣接半導体チップの外周端にマウントテープ吸着溝の段差をつくることで対象半導体チップの外周端のマウントテープを剥離させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２６４２０３号公報
【特許文献２】特開２００７−１５８１０３号公報
【特許文献３】特開平１１−２５１４０８号公報
【特許文献４】特開２０１２−２５６９３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１〜４のように、従来の一般的な半導体チップのピックアップ方法および装置では、ニードルでマウントテープの下面側から半導体チップを突き上げるため、ニードルで突き上げられる部分に局所的に力が加わる構成になっている。薄厚化が進んでいる半導体チップでは、切削工程での製造のばらつきにより、マウントテープに粘着力のばらつきが生じるため、半導体チップの撓みが大きくなり、割れに至る場合がある。また、マウントテープの剥離が進行せずに割れに至るという問題もあった。
【００１２】
そこで、本発明は、半導体チップに割れおよび欠け等の不良を発生させることなく、半導体チップとマウントテープを剥離できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体ピックアップ装置は、半導体チップの下面に貼り付けられたマウントテープを介して前記半導体チップが載置されるピックアップステージと、前記マウントテープを保持し引き延ばすエキスパンド部と、前記ピックアップステージの上面から突出し、前記マウントテープを介して前記半導体チップを突き上げ可能な突き上げ部と、前記突き上げ部を渦巻き状またはジグザグ状に動作させながら突き上げる機構とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体ピックアップ装置は、半導体チップの下面に貼り付けられたマウントテープを介して半導体チップが載置されるピックアップステージと、マウントテープを保持し引き延ばすエキスパンド部と、ピックアップステージの上面から突出し、マウントテープを介して半導体チップを突き上げ可能な突き上げ部と、突き上げ部を渦巻き状またはジグザグ状に動作させながら突き上げる機構とを備えた。
【００１５】
したがって、突き上げ部を半導体チップの外周部から内側に向けて動作させながら突き上げることができる。これにより、半導体チップとマウントテープとの剥離を徐々に進行させるため、半導体チップに割れおよび欠け等の不良が発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１に係る半導体ピックアップ装置の断面図である。
【図２】ピックアップステージの斜視図である。
【図３】ピックアップステージの平面図である。
【図４】ピックアップステージの断面図である。
【図５】正方形形状（大サイズ）の旋回領域を有するピックアップステージの平面図である。
【図６】正方形形状（小サイズ）の旋回領域を有するピックアップステージの平面図である。
【図７】長方形形状の旋回領域を有するピックアップステージの平面図である。
【図８】（ａ）実施の形態２に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージの平面図である。（ｂ）ピックアップステージの側面図である。（ｃ）ピックアップステージの４つの領域を示す図である。
【図９】(ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１０】(ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１１】（ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１２】（ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１３】（ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１４】（ａ）半導体チップのピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロックの動作を示す平面図である。（ｂ）突き上げブロックの動作を示す側面図である。
【図１５】実施の形態３に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージの斜視図である。
【図１６】ピックアップステージの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体ピックアップ装置５００の断面図である。図２は、ピックアップステージ１００の斜視図である。図３は、ピックアップステージ１００の平面図である。図４は、ピックアップステージ１００の断面図である。図５は、正方形形状（大サイズ）の旋回領域を有するピックアップステージ１００の平面図である。図６は、正方形形状（小サイズ）の旋回領域を有するピックアップステージ１００の平面図である。図７は、長方形形状の旋回領域を有するピックアップステージ１００の平面図である。
【００１８】
最初に、図１を用いて半導体ピックアップ装置５００の構成を説明する。半導体ピックアップ装置５００は、ピックアップステージ１００およびエキスパンド部２００を備えている。ピックアップステージ１００は、複数の半導体チップ１の下面に貼り付けられたマウントテープ２を介して、少なくともピックアップすべき１つの半導体チップ１を中央部に載置するためのステージである。複数の半導体チップ１は、マウントテープ２上に貼り付けられたウエハがダイシングされて個々に分離されたものである。エキスパンド部２００は、ピックアップステージ１００の上側に設けられ、かつ、マウントテープ２を保持し引き延ばす。
【００１９】
次に、ピックアップステージ１００およびその周辺の構成について説明する。図２〜図４に示すように、半導体ピックアップ装置５００は、突き上げ部としての突き上げニードル３、ニードルホルダ４を含む突き上げ機構（図示省略）、渦巻き状の孔５、および吸着機構（図示省略）をさらに備えている。
【００２０】
ピックアップステージ１００は略円柱状であり、ピックアップステージ１００の内部に吸着機構を備えている。ニードルホルダ４の一部は、ピックアップステージ１００の内部に配置されている。突き上げ機構は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、Ｚ軸モータ、およびθ軸モータを有している。Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、Ｚ軸モータ、およびθ軸モータは、これらの駆動によりニードルホルダ４をＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θ軸方向にそれぞれ移動させる。なお、Ｘ軸方向は左右方向、Ｙ軸方向は前後方向、Ｚ軸方向は上下方向、θ軸方向はＺ軸方向周りの回転方向である。
【００２１】
突き上げニードル３は、基端部（換言すると他端部）がピックアップステージ１００の内部に配置されたニードルホルダ４のニードル保持穴４ａに固定されている。突き上げニードル３は、ピックアップステージ１００の上面に設けられた渦巻き状の孔５から先端部（換言すると一端部）が突き出し可能であり、マウントテープ２を介して半導体チップ１の下面を突き上げる。なお、渦巻き状とは、旋回するにつれ中心から遠ざかる曲線である。
【００２２】
ニードルホルダ４は、半導体ピックアップ装置５００が備える制御部（図示省略）による制御に従って上下方向、および渦巻き状に動作する構成を有している。より具体的には、ニードルホルダ４は、Ｘ軸モータ、Ｙ軸モータ、Ｚ軸モータ、およびθ軸モータの駆動により上下方向、および渦巻き状に動作する。ニードルホルダ４が上方向に移動すると、ニードル３が孔５に沿って、ピックアップステージ１００の上面より上側へ突き出る。
【００２３】
孔５は、ピックアップステージ１００の上面に渦巻き状に設けられている。突き上げニードル３の動作範囲は、ピックアップステージ１００の上面の範囲を最大とし、半導体チップ１のサイズに応じて突き上げニードル３の動作範囲を設定可能である。孔５は、面取り加工による面取り部を有している。より具体的には、孔５のエッジ部は、面取り加工が施されている。面取り加工としては、例えばＲ面取り加工またはＣ面取り加工が可能である。突き上げニードル３の突き上げ量は可変であり、突き上げニードル３は突き上げ量を徐々に増やしながら動作することも可能である。
【００２４】
突き上げニードル３は、渦巻き状の孔５に沿って動作可能である。より具体的には、突き上げニードル３は、渦巻き状の孔５において一端側である最外周部から他端側である最内周部に向かう方向に動作する。
【００２５】
突き上げニードル３の先端は、球面状または平面状である。また、平面状の先端のエッジ部には、面取り加工が施されている。面取り加工としては、例えばＲ面取り加工またはＣ面取り加工が可能である。球面状の先端は単にＲではなく、突き上げニードル３の直径に対してかなり大きなＲを適用することで、半導体チップ１の撓みを解消している。また、突き上げニードル３を金属製とすることで、突き上げニードル３が摩耗しにくくなり高寿命となる。また、突き上げニードル３を樹脂製とすることで、材料費が安価なため製造コストを低減できる。
【００２６】
孔５の大きさおよび形状は、半導体チップ１のチップサイズおよびアスペクト比に応じてピックアップステージ１００を数種類準備することで、数品種共用とすることが可能である。半導体チップ１が正方形形状（大サイズ）の場合は図５、正方形形状（小サイズ）の場合は図６、長方形形状の場合は図７に示すような形状となる。また、図５と図６は、突き上げニードル３の突き上げ開始位置の変更で共用可能となる。
【００２７】
孔５には、ピックアップステージ１００の外部に配置された吸着機構が接続されている。吸着機構による吸着動作をＯＮおよびＯＦＦすることで、マウントテープ２を介した半導体チップ１の吸着保持および保持解除が可能である。
【００２８】
次に、半導体ピックアップ装置５００の動作について説明する。マウントテープ２を介して半導体チップ１をピックアップステージ１００の上面に吸着保持した状態で、突き上げニードル３は、渦巻き状の孔５において最外周部から最内周部に向かう方向に動作する。図４に示すように、吸着されたマウントテープ２を介して半導体チップ１が突き上がり、半導体チップ１の最外周部からマウントテープ２の剥離起点が作られ、徐々に剥離が開始される。突き上げニードル３がピックアップステージ１００の上面の中央部へ移動するに従い、半導体チップ１とマウントテープ２の剥離が進行する。
【００２９】
以上のように、実施の形態１に係る半導体ピックアップ装置５００は、半導体チップ１の下面に貼り付けられたマウントテープ２を介して半導体チップ１が載置されるピックアップステージ１００と、マウントテープ２を保持し引き延ばすエキスパンド部２００と、ピックアップステージ１００の上面から突出し、マウントテープ２を介して半導体チップ１を突き上げ可能な突き上げニードル３と、突き上げニードル３を渦巻き状に動作させながら突き上げる機構とを備えた。
【００３０】
したがって、突き上げニードル３を半導体チップ１の外周部から内側に向けて動作させながら突き上げることができる。これにより、半導体チップ１とマウントテープ２との剥離を徐々に進行させるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することを抑制できる。
【００３１】
突き上げニードル３の動作範囲は、ピックアップステージ１００の上面の範囲を最大とするため、半導体チップ１のチップサイズおよびアスペクト比に応じてピックアップステージ１００の上面のサイズを変更することで、突き上げニードル３の動作範囲を選択可能である。そのため、ピックアップステージ１００を数種類準備することで、数品種共用とすることが可能である。
【００３２】
突き上げニードル３の動作速度は可変であるため、マウントテープ２の粘着力が強い場合、ゆっくり突き上げることで半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良を発生させることをさらに抑制できる。他方、マウントテープ２の粘着力が弱い場合、速く突き上げることで工程時間を短縮できる。
【００３３】
突き上げニードル３の突き上げ量は可変であるため、マウントテープ２の粘着力が強い場合は突き上げ量を大きくすることで、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良を発生させることをさらに抑制できる。他方、マウントテープ２の粘着力が弱い場合は突き上げ量を小さくすることで半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００３４】
上記では、突き上げニードル３が、渦巻き状において一端側から他端側に向かう方向に動作する場合について説明した。これに限定されることなく、突き上げニードル３は、渦巻き状において一端側から他端側に向かう方向に動作し、他端側に到達した後、他端側から一端側に向かう方向に動作することも可能である。この場合、突き上げニードル３が繰り返し動作することで半導体チップ１とマウントテープ２の剥離を促すため、突き上げニードル３は突き上げ量を小さくした状態で動作可能である。これにより、マウントテープ２の粘着力が強い場合と弱い場合に対応可能である。
【００３５】
マウントテープ２の粘着力が強い場合、突き上げニードル３が動作している最中に半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生する可能性がある。突き上げニードル３は、突き上げ量を徐々に増やしながら動作するため、半導体チップ１への圧力を低減でき、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００３６】
半導体ピックアップ装置５００は、ピックアップステージ１００の上面に設けられた渦巻き状の孔５と、孔５を介してマウントテープ２を吸着する機構とをさらに備え、突き上げニードル３は孔５に沿って動作し、マウントテープ２を吸着する機構による吸着力は可変である。したがって、半導体チップ１を強く吸着し過ぎることを抑制できるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００３７】
孔５はＲ面取り加工またはＣ面取り加工による面取り部を有するため、孔５のエッジ部を取り除くことができる。これにより、半導体チップ１に対する局所的な圧力を低減できるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００３８】
突き上げニードル３は金属製であるため、突き上げニードル３が摩耗しにくくなり高寿命となる。また、突き上げニードル３の形状変化に起因する半導体チップ１への割れおよび欠け等の不良の発生を抑制できる。
【００３９】
突き上げニードル３は樹脂製であるため、材料費が安価なため製造コストを低減できる。
【００４０】
突き上げニードル３の先端は球面状または平面状であり、先端のエッジ部はＲ面取り加工またはＣ面取り加工による面取り部を有する。したがって、突き上げニードル３のエッジ部をなくすことで、半導体チップ１に加わる局所的な力が低減されるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００４１】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージ１００Ａおよびその周辺について説明する。図８（ａ）は、実施の形態２に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージ１００Ａの平面図である。図８（ｂ）は、ピックアップステージ１００Ａの側面図である。図８（ｃ）は、ピックアップステージ１００Ａの４つの領域を示す図である。図９（ａ）〜図１４（ａ）は、半導体チップ１のピックアップ時の各ステップにおける突き上げブロック１１の動作を示す平面図である。図９（ｂ）〜図１４（ｂ）は、突き上げブロック１１の動作を示す側面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４２】
図８（ａ），（ｂ）に示すように、実施の形態２では、ピックアップステージ１００Ａは角筒状であり、突き上げ部として複数の突き上げブロック１１が設けられている。
【００４３】
突き上げブロック１１は平面視にてＬ字状である。図８(ａ），（ｃ）に示すように、ピックアップステージ１００Ａは、I〜IVの４つの領域に分割され、各領域ごとにＬ字状の突き上げブロック１１が水平方向に所定個数ずつ並べて配置されている。複数の突き上げブロック１１の先端は、ピックアップステージ１００Ａの上面を形成している。これにより、複数の突き上げブロック１１の先端にマウントテープ２を介して半導体チップ１が載置される。また、突き上げブロック１１の動作範囲はピックアップステージ１００Ａの上面の範囲を最大としている。
【００４４】
突き上げブロック１１は、ピックアップステージ１００Ａの外周側へ行く程Ｌ字状の長さが長くなり、ピックアップステージ１００Ａの内周側へ行く程Ｌ字状の長さが短くなっている。各突き上げブロック１１は突き上げ機構により上昇および下降が個別に制御される。また、突き上げブロック１１の突き上げ量は可変であり、ピックアップステージ１００Ａの内周側へ行く程、突き上げブロック１１の突き上げ量は大きくなっている。また、突き上げブロック１１の動作速度も可変である。
【００４５】
ピックアップステージ１００Ａと最外周に位置する突き上げブロック１１との間と、突き上げブロック１１と隣接する突き上げブロック１１との間には吸着口１２が設けられている。吸着口１２には吸着機構が接続されている。
【００４６】
次に、半導体ピックアップ装置の動作について説明する。マウントテープ２を介して半導体チップ１を複数の突き上げブロック１１の先端に吸着保持した状態で、突き上げ機構により複数の突き上げブロック１１を渦巻き状に動作させる。より具体的には、図９〜図１４に示すように、I〜IVの４つの領域において、最外周の突き上げブロック１１を順に動作させた後、１つずつ内側の突き上げブロック１１を順に動作させる。例えばI領域の最外周側の突き上げブロック１１（図１０参照）、II領域の最外周側の突き上げブロック１１（図１１参照）、III領域の最外周側の突き上げブロック１１（図１２参照）、IV領域の最外周側の突き上げブロック１１（図１３参照）、I領域の１つ内側の突き上げブロック１１（図１４参照）の順に動作させる。
【００４７】
なお、例えばI領域とIII領域、II領域とIV領域というように対角の領域に配置された突き上げブロック１１を１つずつ同時に動作させること、または４つの領域に配置された突き上げブロック１１を１つずつ同時に動作させることなども可能である。但し、必ず半導体チップ１の端部から突き上げを開始する。また、突き上げブロック１１のＬ字状の長さは、半導体チップ１の短辺が１ｍｍ以上である場合、半導体チップ１のサイズに応じて変更可能である。
【００４８】
以上のように、実施の形態２に係る半導体ピックアップ装置では、突き上げブロック１１は複数であるため、複数の突き上げブロック１１で突き上げることにより半導体チップ１が傾くことを抑制できる。これにより、突き上げられた半導体チップ１が隣接する半導体チップ１に接触することを抑制できる。また、半導体チップ１とマウントテープ２との剥離起点が複数箇所となり、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することを抑制できる。
【００４９】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージ１００Ｂおよびその周辺について説明する。図１５は、実施の形態３に係る半導体ピックアップ装置が備えるピックアップステージ１００Ｂの斜視図である。図１６は、ピックアップステージ１００Ｂの平面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５０】
実施の形態１では、孔５は渦巻き状であったのに対し、図１５と図１６に示すように、実施の形態３では、ピックアップステージ１００Ｂの上面に設けられた孔１５はジグザグ状である。ピックアップステージ１００Ｂは、ピックアップステージ１００と同様に略円柱状であり、下面がなく下方が開放されている。なお、ジグザグ状とは直線が左右に複数回、折れ曲がった形状である。突き上げニードル３がジグザグ状の孔１５に沿って動作することで、半導体チップ１のサイズに合わせて半導体チップ１の一辺の端部からこれに対向する辺の端部までの突き上げが可能となる。
【００５１】
孔１５は、面取り加工による面取り部を有している。より具体的には、孔１５のエッジ部は、面取り加工が施されている。面取り加工としては、例えばＲ面取り加工またはＣ面取り加工が可能である。突き上げニードル３の突き上げ量も可変である。
【００５２】
孔１５の大きさおよび形状は、実施の形態１の場合と同様に、半導体チップ１のチップサイズおよびアスペクト比に応じてピックアップステージ１００を数種類準備することで、数品種共用とすることが可能である。
【００５３】
次に、実施の形態３に係る半導体ピックアップ装置の動作について説明する。マウントテープ２を介して半導体チップ１をピックアップステージ１００Ｂの上面に吸着保持した状態で、突き上げニードル３は、ジグザグ状の孔１５において一端部から他端部に向かう方向に動作する。図４に示すように、吸着されたマウントテープ２を介して半導体チップ１が突き上がり、半導体チップ１の最外周部からマウントテープ２の剥離起点が作られ、徐々に剥離が開始される。突き上げニードル３が孔１５の他端部に向かう方向へ移動するに従い、半導体チップ１とマウントテープ２の剥離が進行する。
【００５４】
以上のように、実施の形態３に係る半導体ピックアップ装置は、半導体チップ１の下面に貼り付けられたマウントテープ２を介して半導体チップ１が載置されるピックアップステージ１００Ｂと、マウントテープ２を保持し引き延ばすエキスパンド部２００と、ピックアップステージ１００Ｂの上面から突出し、マウントテープ２を介して半導体チップ１を突き上げ可能な突き上げニードル３と、突き上げニードル３をジグザグ状に動作させながら突き上げる機構とを備えた。
【００５５】
したがって、突き上げニードル３を半導体チップ１の外周部から内側に向けて動作させながら突き上げることができる。これにより、半導体チップ１とマウントテープ２との剥離を徐々に進行させるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することを抑制できる。
【００５６】
上記では、突き上げニードル３が、ジグザグ状において一端側から他端側に向かう方向に動作する場合について説明した。これに限定されることなく、突き上げニードル３は、ジグザグ状において一端側から他端側に向かう方向に動作し、他端側に到達した後、他端側から一端側に向かう方向に動作することも可能である。この場合、突き上げニードル３が繰り返し動作することで半導体チップ１とマウントテープ２の剥離を促すため、突き上げニードル３は突き上げ量を小さくした状態で動作可能である。これにより、マウントテープ２の粘着力が強い場合と弱い場合に対応可能である。
【００５７】
半導体ピックアップ装置は、ピックアップステージ１００Ｂの上面に設けられたジグザグ状の孔１５と、孔１５を介してマウントテープ２を吸着する機構とをさらに備え、突き上げニードル３は孔１５に沿って動作し、マウントテープ２を吸着する機構による吸着力は可変である。したがって、半導体チップ１を強く吸着し過ぎることを抑制できるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００５８】
孔１５はＲ面取り加工またはＣ面取り加工による面取り部を有するため、孔１５のエッジ部を取り除くことができる。これにより、局所的な圧力を低減できるため、半導体チップ１に割れおよび欠け等の不良が発生することをさらに抑制できる。
【００５９】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１  半導体チップ、２  マウントテープ、３  突き上げニードル、５  孔、１１  突き上げブロック、１５  孔、１００，１００Ａ，１００Ｂ  ピックアップステージ、２００  エキスパンド部、５００  半導体ピックアップ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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