(57)【要約】      （修正有）【課題】バックグラインド又は基板の分離プロセスにおいて損傷なく搬送できる収容装置及びこれに対応する搬送方法を提供する。【解決手段】収容装置は、構造化された基板１を収容面に収容する軟性の材料層５を備えている。基板の構造化部３は、少なくとも部分的に材料層５内へ収容される。収容面に、構造化された基板１を固定する固定手段が設けられている。【選択図】図３
2019071466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造化部（３）が構造化された半導体基板（１）を搬送する収容装置（４）であって、
前記構造化された半導体基板（１）を収容面（５ｏ）に収容する軟性の材料層（５）を備え、
前記構造化部（３）は、少なくとも部分的に、前記材料層（５）内へ収容可能である、
収容装置（４）において、
前記構造化された半導体基板（１）を固定する固定手段が、前記収容面（５ｏ）に設けられており、
前記収容装置（４）は、直径Ｄ１を有する円筒形状を有し、
前記収容装置（４）は、複数の開口（７）を有し、
前記複数の開口（７）は、前記収容装置（４）の中心と同じ直径Ｄ２の円周上に配置されており、
前記直径Ｄ１に対する前記直径Ｄ２の比は、０．９超１未満である、
ことを特徴とする収容装置（４）。
【請求項２】
前記複数の開口（７）に負圧が印加されており、
前記構造化部（３）は、前記材料層（５）内に完全に沈降し、
前記構造化された半導体基板（１）の前面（２ｖ）は、前記収容面（５ｏ）に一致する、
請求項１記載の収容装置（４）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１記載の構造化された基板を搬送する収容装置、及び、請求項６記載の構造化された基板の搬送方法、並びに、請求項８記載の収容装置の使用に関する。
【０００２】
サンプルホルダとも称される収容装置は、半導体産業では特に、収容装置上で薄膜化又は他のプロセスにかけられる基板の固定に用いられている。薄膜化のプロセスはバックグラインドプロセスとも称され、バックグラインド後の基板の目標厚さは、部分的には１００μｍ未満、例えば５０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満である。微細化の度合が増すにつれて、基板の搬送に対し、とりわけこの目的で使用されるサンプルホルダがきわめて平坦な表面を有するために、こうした表面に構造化された基板を固定することが困難乃至不可能であるという大きな技術的問題が生じている。さらに、基板のうち、構造化部を有する前面とは反対側の後面は、大抵の場合に平坦であるべきであり、前面のパターニングによって波打ったり及び／又は湾曲したりしてはならない。特に、基板の後面の薄膜化の際には、後面はきわめて平坦でなければならない。そうでないと、破断や不均等な薄膜化が生じたり、又は、基板の他の部分に損傷が及んだりする。
【０００３】
したがって、本発明の課題は、上述の構造化された基板を、バックグラインド又は他のプロセス、特に基板の分離プロセスにおいて損傷なく搬送できる収容装置及びこれに対応する搬送方法を提供することである。
【０００４】
この課題は、請求項１，６，８に記載の特徴によって解決される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項に記載されている。ただし、明細書及び／又は特許請求の範囲及び／又は図面に示されている個々の特徴は、少なくとも２つを任意に組み合わせても、本発明の対象となる。また、記載されている数値範囲は、上述した意味における限界値としての値を示したものであり、同様に任意に組み合わせ可能である。
【０００５】
本発明は、特に構造化された基板を搬送する際に、主に１μｍを上回る高さを有する構造化部、好ましくは主に１０μｍを上回る高さを有する構造化部、さらに好ましくは主に５０μｍを上回る高さを有する構造化部、特に好ましくは主に１００μｍを上回る高さを有する、基板の前面の構造化部を、軟性の材料層、好ましくは接着性の低い材料層内に完全に沈降するように収容するという思想を基礎としている。これにより、基板の後面は平坦なままとなり、処理後の基板を容易に再び取り外すことができる。
【０００６】
軟性の材料層とは、本発明によれば、特に構造化部を収容できるように構成された可塑性の材料層であると理解されたい。「軟性」の定義としては、材料の可塑性がフックの法則の意味で規定される弾性率の物理的パラメータに必ずしも関連せず、むしろ、構造化部を収容する機能に関連する。有利な実施形態では、多孔性及び／又はファイバ状の材料層に構造化部が沈降する。「軟性」の定義がフックの法則の意味での可塑性を有する材料を指す実施形態では、弾性率は１００ＧＰａ未満、例えば１ＧＰａ未満、好ましくは１００ＭＰａ未満、さらに好ましくは１ＭＰａ未満、特に好ましくは１ＫＰａ未満である。
【０００７】
接着性の低い材料層とは、本発明によれば、特にナノ技術によって形成された、他の材料に対する接着性の低い表面を有する材料層であると理解されたい。本発明の低い接着性を有する表面とは、マイクロ領域及び／又はナノ領域における不均一性を有しており、そのモルフォロジーによって低い接着性を呈するか又は低い接着性を生じる。本発明によれば、いわゆるロータス効果を利用することもできる。
【０００８】
本発明では、こうした接着性につき、特に、１ｍ２当たりの所定の支持力で表す。接着性は本発明によればできる限り小さくなるべきであり、固定手段によって基板を収容面に固定した箇所の大部分が固定セクション内に生じることになる。
【０００９】
相互に接続される２つの固体間の接着性を求める場合、これらの固体どうしを引き離すのに必要なエネルギを測定する。半導体産業では、いわゆる「ダブルカンチレバーテスト」「マサーラのダブルカンチレバーテスト」がしばしば利用されている。このテストは、２つの固体間の接着力を求める手法である。大抵の場合、固体は相互に溶接されている。
【００１０】
ただし、できるだけ多くの他の材料に対して低い接着性を有するべき層の接着性を求める際には、他の測定法を使用しなければならない。最も良く用いられている測定法は、接触角度法である。
【００１１】
接触角度法は、検査液を使用して固体の表面エネルギに関するデータを取得するために、ヤングの方程式とともに用いられる。
【００１２】
接触角度法により、所定の表面の表面エネルギが所定の検査液（大抵の場合、水）によって定性評価される。当業者にとって、相応の測定法乃至評価法が公知である。接触角度法によって求められる接触角度は、表面エネルギ［Ｎ／ｍ又はＪ／ｍ２］へ変換される。同じ検査液で種々の表面を対照させることにより表面の接着力の相対評価を行うには、接触角度のデータがあれば充分である。つまり、水が検査液として使用される場合、水滴に対する約３０°の接触角度をなす濡れ面は、水滴に対して約１２０°の接触角度をなす濡れ面よりも高い接着性（厳密には水に対する接着性）を有する。
【００１３】
本発明の一実施形態は、限定的な態様ではなく主要な態様としてであるが、Ｓｉ薄膜基板の一時的固定に対して用いられる。したがって、本発明で使用される、Ｓｉに対する接着率の低い任意の層の表面エネルギが計算されることが望ましい。Ｓｉは室温では流動性を有さないので、上述したように、検査液（水）を使用して、当該検査液に対する本発明の低接着率層の特性を求めることができる。以下に示す全ての接触角度値及び／又は表面エネルギ値は、本発明の低接着率層を検査液に基づいて定性評価し、他の物質、好ましくは固体、特に好ましくはＳｉに対する接着力に関する少なくとも１つの相対データを取得するための値である。
【００１４】
材料層は、相応の化学物質によるウェットケミカルプロセス、又は、電解堆積法、又は、物理気相蒸着法ＰＶＤ、又は、化学気相蒸着法ＣＶＤ、又は、ラミネーション法、又は、めっき法、又は、接着法、又は、注型成形法などによって製造される。材料層は、例えばポリマー、好ましくはシリコーン、さらに好ましくはフッ化物ポリマー、特に好ましくはSwivelもしくはViton（登録商標）の２材料のいずれかから形成される。
【００１５】
本発明の有利かつ好ましい実施形態によれば、基板の付加的固定が、特に材料層内の体積流を形成する固定手段を用い、特に軟性の材料層内に真空部を形成することによって、行われる。したがって、材料層は好ましくは多孔性及び／又はファイバ状に形成され、これにより、基板を吸着するための材料層そのものの真空化が行われる。ただし、本発明の吸引圧を形成乃至増幅できるホール及び／又は吸込孔及び／又は吸込管を有するものであれば、他の材料層も可能である。また、多孔性及び／又はファイバ状に形成された層と、ホール及び／又は吸込孔及び／又は吸込管とを組み合わせてもよい。材料層の真空化によって形成される吸引圧（周囲圧と材料層内の圧力との差）は、０．０００１ｂａｒ超、好ましくは０．００１ｂａｒ超、さらに好ましくは０．１ｂａｒ超、特に好ましくは１ｂａｒ超である。吸引力は吸引圧と面積との乗算によって得られる。
【００１６】
本発明にとって特に重要なのは、基板の吸着に体積流を利用するということである。よって、本発明では、体積流は、基板の構造化部を材料層に埋め込むのに必要な吸引力を形成するのに充分な量を有さなければならない。本発明によれば、当該体積流が材料層の弾性抵抗に対して反対に作用する。ここでの体積流とは、時間単位当たりで吸引されるガス体積量として定められる。圧力差が一定に維持される場合、体積流は特に、孔密度及び／又はホール径及び／又は吸込孔幅を大きくすることによって、及び／又は、ファイバ密度を小さくすることによって、及び／又は、吸込管の径を大きくすることによって、最大化される。体積流は、１ｍｌ／ｓ超、例えば１００ｍｌ／ｓ超、好ましくは１０００ｍｌ／ｓ超、さらに好ましくは１０ｌ／ｓ超、特に好ましくは１００ｌ／ｓを有する。基板の構造化部が材料層への圧力差によって吸引されるので、相応の吸引力が充分に高くなる。体積流がきわめて小さい場合、基板と材料層との間の真空部の形成が阻害され、構造化部が材料層内に充分には引き込まれなくなるか又は全く引き込まれなくなる。大きな体積流ひいては相応に高い吸引力によって、基板の吸引が達成され、ひいては構造化部が材料層内に埋め込まれることが保証される。体積流量を増大するために、本発明によれば、多孔性材料及び／又はファイバ材料からの空気の効率的な除去を保証するホール及び／又は吸込孔及び／又は吸込管が材料層に設けられる。
【００１７】
本発明によれば、基板が材料層の表面及び／又は側面を完全に覆わない場合、特に大きな体積流が印加され、これにより、覆われていない領域上方の空気を真空化プロセスによって真空化することができる。基板の確実な搬送及び固定を保証するために、この場合、不完全な被覆によって生じる漏れを補償できる充分な体積流量が用いられる。
【００１８】
したがって、本発明の基礎とする着想は、収容装置の材料層にホール及び／又は吸込孔及び／又は吸込管を設け、材料層の全体積にわたって均等かつできるかぎり均質な吸引作用（吸引圧）を基板に作用させるということである。言い換えれば、本発明の収容装置は、特に線形に可変の均質な平面状の力を基板に加えるので、好ましくは基板に均質に圧力が印加される。好ましくは、基板に作用する平面状の力が吸引圧の変化によって線形の依存性で制御される。これに代えて、本発明の別の実施形態として、固定手段により静電固定を行ってもよい。これは、材料層を静電固定のために相応に形成することにより行われる。好ましくは、当該静電固定は、特にソフトウェア支援される制御装置によって制御される。
【００１９】
ここでの基板は、大抵の場合、処理の前及び／又は後を通して、好ましくは厚さ１００μｍ未満、さらに好ましくは厚さ５０μｍ未満の、きわめて薄い薄膜基板である。
【００２０】
この場合、スイッチオン時に固定が行われ、スイッチオフ時又は不活性化時に基板と材料層表面との接触のみが維持され、基板の構造化部が特には材料層内に埋め込まれるように、固定手段が特に制御可能に構成される。
【００２１】
本発明の別の有利な実施形態によれば、固定手段の不活性化状態において、特に材料層の上述した弾性によって生じる、基板の構造化部へ作用する力は、全体として材料層表面に対して垂直に作用し、少なくとも部分的に構造化部を材料層から押し離すように形成される。
【００２２】
言い換えれば、基板の収容装置への固定は、実際には、真空部を設けることにより、及び／又は、構造化部を材料層に沈潜乃至沈降させることにより、行われる。当該沈潜乃至沈降は、２０％超、例えば４０％超、好ましくは６０％超、さらに好ましくは８０％超、特に好ましくは１００％まで行われ、これにより、構造化部が周囲の材料によって固定される。
【００２３】
好ましくは、材料層の下方及び／又は内部に相応の真空状態を形成及び／又は維持する真空供給部を使用することにより、固定力が高められる。このため、外側にかかる空気圧により、基板は（固定手段の）材料層の表面に対して垂直に押圧される。
【００２４】
本発明によれば、収容装置のうち、基板に向かう側の材料層の面全体が収容面と見なされる。本発明によれば、有効接触面とは、基板と接触する面である。真空部が存在する場合、固定は、殊に、少なくとも有効接触面の上方で、好ましくは収容面すなわち材料層の表面全体に沿って行われる。
【００２５】
本発明の実施形態は、本発明を限定するものでないが、基板、特に薄膜基板の一時的固定に用いられる。
【００２６】
本発明の有利な実施形態によれば、固定手段の取り外し後、好ましくは真空部のスイッチオフ後に基板（特にはきわめて微細に加工された基板前面の構造化部）の分離を容易にするための材料層の接着力は、０．１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、例えば０．０１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、好ましくは０．００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、さらに好ましくは０．０００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、理想的には０．００００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギによって定められる。
【００２７】
これに代えてもしくはこれに加えて、本発明の有利な実施形態によれば、接触面の接着力は、２０°超、例えば５０°超、好ましくは９０°超、特に好ましくは１５０°超の接触角度によって定められる。なお、他の材料に対する表面の接着力は、上述した接触角度法によって求めることができる。この場合、既知の液滴、好ましくは水滴（本発明の各値は水についての値である）が、測定すべき表面に析出される。顕微鏡により、側面の角度、すなわち、滴のタンジェントと表面とのなす角度が精密に測定される。
【００２８】
研究によって、Viton（登録商標）又はSwivelなどの材料がこうした特性を有することが判明している。一般には、シリコーンを基礎とする材料が特に適している。ただし、ポリマーもしくはカーボンファイバ又はその他を基礎とした、軟性乃至変形可能性乃至弾性を有する、特にファイバを形成可能な材料も使用可能である。これに代えてもしくはこれに加えて、本発明の有利な実施形態によれば、接触面の接着力は、２０°超、例えば５０°超、好ましくは９０°超、特に好ましくは１５０°超の接触角度によって定められる。なお、他の材料に対する表面の接着力は、上述した接触角度法によって求めることができる。この場合、既知の液滴、好ましくは水滴（本発明の各値は水についての値である；ただし、水に代えて、グリセリン又はヘクサデカンを用いてもよい）が、測定すべき表面に析出される。顕微鏡により、側面の角度、すなわち、滴のタンジェントと表面とのなす角度が精密に測定される。
【００２９】
収容装置について上述した特徴は、以下に述べる方法についての特徴にも当てはまり、逆も同様である。
【００３０】
本発明の方法は、構造化部が構造化された基板の搬送方法に関する。この方法は、特に、
・構造化部が軟性の材料層内に収容されるように、構造化された基板を軟性の材料層の収容面上に収容するステップと、
・例えば付加的な固定手段、好ましくは制御可能な固定手段によって強化された状態で、構造化された基板を材料層に固定するステップと、
・構造化部が設けられているのとは反対側の基板後面を例えば加工するステップと
を含む。
【００３１】
好ましくは、本発明の方法の実施形態では、固定手段の不活性化、例えば収容面の開口での圧力補償によって、例えば主として、特には排他的に、分離が行われる。
【００３２】
さらに有利な本発明の実施形態では、構造化された基板を材料層から分離させるために、特に真空装置として構成された固定手段によって、材料層内に、構造化された基板を材料層から押し外すための正圧が形成される。
【００３３】
特に、材料層からの基板構造化部の取り外し／分離は、材料層の弾性によって材料層から離れる方向に生じる力により行われるか又は支援される。
【００３４】
材料層は、軟性及び／又は多孔性及び／又はガス透過性及び／又は変形可能性及び／又は可撓性及び／又は可塑性を有する材料から形成される。当該材料は例えばポリマーであり、好ましくはシリコーン、特に好ましくはSwivelもしくはViton（登録商標）その他類似の材料のいずれかである。当該技術分野の技術者にとって、開放面の構造化部を特には完全に収容する能力を有する材料は明らかである。好ましくは、本発明によれば、最小限の接着力、特にきわめて小さい接着力を有する材料を用いることができる。材料内への構造化部の収容とは、構造化部の周囲の材料の完全な弾性変形、又は、材料内への構造化部の沈降を意味する。材料内への構造化部の沈降は、好ましくは、構造化部が導入される際に材料が「軟化」するファイバ状材料及び／又は多孔性材料によって可能となる。収容すべき構造化された基板における構造化部のこのような沈降は、特に、上述したSwivelもしくはViton（登録商標）などの材料によって保証される。
【００３５】
本発明の装置の有利な適用分野として考えられるのは、分離装置、好ましくはスライドオフデボンダである。デボンダとは、一時的に相互にボンディングされている２つの基板を分離させるように構成された装置である。この場合、構造化された基板の固定には、特にスライドオフデボンダにおいて、規則的に問題が発生する。特にスライドオフデボンダでは２つの基板がせん断プロセスによって相互に分離されるので、せん断面がデボンディングプロセス全体にわたってできるかぎり平坦でなければならない。このために、本発明によれば、分離プロセス中、構造化部が埋め込まれるように構成されるが、このことは本発明の実施形態によって容易に実行可能である。本発明の実施形態により、ZoneBond(TM)プロセスなどの他のデボンディングプロセスにおいて、並びに、構造化部の埋め込みが必須乃至有意な他の全てのプロセスにおいても、構造化された基板の固定が容易となる。なお、当該技術分野の技術者にとって、こうした分離プロセスは公知である。
【００３６】
本発明の装置は、搬送装置の一部として、構造化された基板及び／又は薄膜基板を種々の位置の間、特には種々のモジュール間で搬送するのに用いられる。例えば、本発明の装置は、ロボットアームの一部として使用される。
【００３７】
本発明の他の特徴及び利点及び具体例を、以下に、図示の有利な実施例に則して詳細に説明する。図はそれぞれ概略図である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】構造化された基板の断面図である。
【図２】本発明の収容装置の断面図である。
【図３】加工ステップ前に構造化された基板を固定する本発明の収容装置の断面図である。
【図４】加工ステップ後に構造化された基板を固定する本発明の収容装置の断面図である。
【図５】分離プロセス中に構造化された基板を固定する本発明の収容装置の断面図である。
【００３９】
図では、本発明の実施例にしたがって、特徴及び利点及び具体例に、識別のための参照番号を付した。ここで、同じ要素もしくは同様の機能を有する要素には同じ参照番号を付してある。
【００４０】
図は個々の要素の機能を説明するためのものであり、縮尺通りに描かれていないことに注意されたい。個々の要素の寸法比も正確でない部分がある。
【００４１】
図１には、構造化された基板１、すなわち、厚さｄの基板２に高さｈの相応の構造化部３が構造化されているデバイスが示されている。構造化部３はチップ、導体路、バンプ、ＭＥＭＳデバイス、又は、基板２の前面２ｖの表面に切り込まれた他のあらゆるタイプのパターンであってよい。
【００４２】
図２には、構造化された基板１（図１を参照）を収容するための収容面５ｏを有する材料層５と、複数の開口７を含むベースボディ上面６ｏを有するベースボディ６とを含む収容装置４が示されている。
【００４３】
収容装置４は、特には、複数の開口７を有する円筒形状を有する。各開口は、図２によれば特に収容装置４の中心と同じ直径Ｄ２の円周上に配置されているが、又は、表面上に任意に、特には均等に分布していてもよい。収容装置４は、この実施例でのように殊に円筒形状を有する場合、直径Ｄ１を有する。特に、直径Ｄ１に対する直径Ｄ２の比は０．９超１未満であり、特には０．９５超１未満である。
【００４４】
本発明によれば、少なくとも３個の開口７、好ましくは少なくとも１０個の開口７、特に好ましくは２０個の開口７が設けられている。さらに、ベースボディ６のベースボディ上面６ｏの横断チャネルは、開口７を介して真空化可能であり、材料層５の真空部が均等に分布するように設けられている。材料層５には、１ｂａｒ未満の負圧、例えば８００ｍｂａｒ未満の負圧、好ましくは５００ｍｂａｒ未満の負圧、さらに好ましくは２００ｍｂａｒ未満の負圧、特に好ましくは１００ｍｂａｒ未満の負圧が絶対的に形成される。
【００４５】
各開口７は、材料層５とは反対側のベースボディ６の下面で、図示されていない圧力印加装置に接続されているか又は接続可能である。ここで、圧力印加装置は、図１のような構造化された基板１が収容装置４に収容される際に、各開口７に負圧ができるだけ均等に分配されるように負圧を印加し、これにより構造化された基板１が収容面５ｏに固定される。好ましくは、各開口７を介して、多孔性の材料層５又は少なくともガス透過性の材料層５のバルク全体も真空化されるので、固定すべき構造化された基板１と材料層５との間に均等な負圧が発生する。材料層５の微細構造化部により、構造化部３は材料層５へ押し込まれる。このとき、構造化部３は好ましくは完全に材料層５内へ沈降するので、基板前面２ｖは収容面５ｏに一致する。本発明によれば、構造化された基板１の構造化部３は、特に圧力印加に代えて又はこれに加えて、外部から基板の後面２ｒに作用する力により、材料層５内へ押し込まれる。
【００４６】
基板２の後面２ｒが加工された後、特に、１００μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満、特に好ましくは２０μｍ未満の厚さｄ’の基板へのバックグラインドが行われた後に、構造化された基板は再び収容装置４から取り外される。これは、当業者に公知の手法で固定されていた基板後面２ｒ，２ｒ’に垂直にかかる相応の力によって、構造化された基板１，１’の構造化部３を材料層５から引き離し、分離させることによって行われる。
【００４７】
図５には本発明の第２の実施例が示されており、ここでは、収容装置４がデボンディングに用いられている。構造化された基板１は、接着層９を介して、支持体基板８に接続されている。支持体基板８を構造化された基板１から分離させるために、本発明によれば、構造化された基板１が収容装置４に固定される。支持体基板８は、第２の固定装置１０により、せん断力τによって基板からデボンディング（分離）される。
【００４８】
複数の開口７によって材料層５に真空部が設けられる場合、構造化された基板１の取り外しの前に、材料層５が最初に真空化される。好ましくは、各開口７によって材料層５に正圧が形成される。これにより、構造化された基板１，１’の構造化部３の材料層５からの解放及び／又は取り外しが正圧によって支援される。
【００４９】
以下、親出願（特願２０１５−５５３０４３）の出願当初の請求項である。
[請求項１]
構造化部（３）が構造化された基板（１）を搬送する収容装置であって、
前記構造化された基板（１）を収容面（５ｏ）に収容する軟性の材料層（５）を備え、
前記構造化された基板（１）の構造化部（３）は、少なくとも部分的に、前記材料層（５）内へ収容可能である、
収容装置において、
前記構造化された基板（１）を固定する固定手段が、前記収容面に設けられている
ことを特徴とする収容装置。
[請求項２]
前記材料層（５）は、前記収容面（５ｏ）に、０．１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、例えば０．０１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、好ましくは０．００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、さらに好ましくは０．０００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギ、理想的には０．００００１Ｊ／ｍ２未満の表面エネルギを有する、
請求項１記載の収容装置。
[請求項３]
前記収容面（５ｏ）の、少なくとも前記構造化された基板（１）との有効接触面に、前記材料層（５）を通る体積流が印加される、
請求項１又は２記載の収容装置。
[請求項４]
前記材料層は、例えば大部分が、好ましくは完全に、ポリマー、例えばシリコーンから形成されている、
請求項１から３までのいずれか１項記載の収容装置。
[請求項５]
前記固定手段として、例えばソフトウェア支援されている制御装置によって制御可能な圧力印加装置が、前記材料層へ負圧および／または正圧を印加するために設けられている、
請求項１から４までのいずれか１項記載の収容装置。
[請求項６]
構造化部（３）が構造化された基板（１）の搬送方法であって、例えば、
前記構造化部（３）が軟性の材料層（５）内に収容されるように、前記構造化された基板（１）を前記軟性の材料層（５）の収容面（５ｏ）に収容するステップと、
例えば付加的な固定手段、好ましくは制御可能な固定手段によって強化された状態で、前記構造化された基板（１）を前記材料層（５）に固定するステップと
を含む
ことを特徴とする方法。
[請求項７]
加工ステップの後に、固定の不活性化によって、例えば前記収容面での圧力補償もしくは圧力印加によって、例えば主として、好ましくは排他的に、分離を行う、
請求項６記載の方法。
[請求項８]
請求項１から５までのいずれか１項記載の収容装置を、厚さｄが１００μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満、特に好ましくは２０μｍ未満の構造化された基板（１）、例えば半導体基板の搬送に用いる、使用。
[請求項９]
前記収容装置を分離装置において用いる、
請求項８記載の使用。
【符号の説明】
【００５０】
１，１’  構造化された基板、  ２，２’  基板、  ２ｖ  基板前面、  ２ｒ，２ｒ’  基板後面、  ３  構造化部、  ４  収容装置、  ５  材料層、  ５ｏ  収容面、  ６  ベースボディ、  ６ｏ  ベースボディ上面、  ７  開口、  ８  支持体基板、  ９  接着層、  １０  固定装置、  Ｄ，ｄ’  厚さ、  ｈ  高さ、  Ｄ１，Ｄ２  直径、  τ  せん断力
【図１】
2019071466.tif 000003
【図２】
2019071466.tif 000004
【図３】
2019071466.tif 000005
【図４】
2019071466.tif 000006
【図５】
2019071466.tif 000007
【外国語明細書】
2019071466.tif 000008
2019071466.tif 000009
2019071466.tif 000010
2019071466.tif 000011
2019071466.tif 000012
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