(57)【要約】【課題】帯電防止性が高いオニウム塩及びそれを含有する帯電防止剤を提供すること。【解決手段】下記式（１）で表されるオニウム塩。式（１）：【化１】2019147771.tif 000018（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ、Ａ-及びＱ+は明細書に規定するとおり。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表されるオニウム塩。
式（１）：
【化１】
2019147771.tif 000014
（式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキレン基、Ｒ2及びＲ3は炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数６〜１０のアリール基、Ｘは炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基、Ａ-はアニオンを示す。Ｑ+は下記式（２）〜（４）のいずれかで表されるカチオン性基である。
式（２）：
【化２】
2019147771.tif 000015
（Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ4とＲ5は末端で互いに結合し、置換基を有してもよいピロリジン環、置換基を有してもよいピペリジン環又は置換基を有してもよいピリジン環を形成してもよい。但し、Ｒ4とＲ5が末端で互いに結合してピリジン環を形成する場合は、Ｒ6は存在しない。）
式（３）：
【化３】
2019147771.tif 000016
（Ｒ7〜Ｒ9は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ7とＲ8は末端で互いに結合し、置換基を有してもよいホスホラン環、置換基を有してもよいホスホリナン環又は置換基を有してもよいホスホリン環を形成してもよい。但し、Ｒ7とＲ8が末端で互いに結合してホスホリン環を形成する場合は、Ｒ9は存在しない。）
式（４）：
【化４】
2019147771.tif 000017
（Ｒ10は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ11〜Ｒ13は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）
但し、Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１〜４のアルコキシ基の場合、Ｒ4は炭素数３〜９のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１のアルコキシ基の場合、Ｒ7は炭素数２〜９のアルキル基又は炭素数７〜２０のアリール基であり、Ｒ10は炭素数２〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸがヒドロキシ基の場合、Ｒ4は炭素数２〜１７のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸがハロゲン原子の場合、Ｒ7は炭素数４〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）。）
【請求項２】
前記式（１）において、Ｘがハロゲン原子である請求項１に記載のオニウム塩。
【請求項３】
前記式（１）において、Ａ-が含フッ素アニオン又はハロゲンイオンである請求項１又は２に記載のオニウム塩。
【請求項４】
前記式（１）において、Ａ-が、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンである請求項１〜３のいずれかに記載のオニウム塩。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩を含有する帯電防止剤。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩を含むコーティング剤組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オニウム塩、並びに、それを含有する帯電防止剤及びコーティング組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
カチオンがトリアルコキシシリルアルキル基を有するアンモニウム又はホスホニウムであり、アニオンがパーフルオロアルキルスルホニルイミドであるオニウム塩は、フッ素樹脂用の低分子型帯電防止剤として用いることができる旨の報告がなされている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４８１６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載のオニウム塩は、帯電防止剤としての使用用途によっては帯電防止性が不十分であった。例えば、後述の比較例において示すように、特許文献１に記載の１−（３−トリメトキシシリルプロピル）−１，１，１−トリブチルホスホニウム  ビス(トリフルオロメタンスルホニル）イミドを含むコーティング剤によりガラスをコーティングし、その帯電防止性について評価したところ、表面抵抗率が３．４×１０12Ω／□であった（後述の比較例１参照）。
【０００５】
このように、帯電防止剤に用いるオニウム塩には、さらなる改善の余地がある。
【０００６】
従って、本発明は帯電防止性が高いオニウム塩及びそれを含有する帯電防止剤を提供することを課題とする。
【０００７】
本発明者が上記課題を解決するために鋭意検討を行ったところ、式（１）で表わされるオニウム塩を見出し、さらに当該オニウム塩を帯電防止剤としてガラスにコーティングして使用したところ、ガラスに対して高い帯電防止性を付与できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の態様を包含する：
項１、下記式（１）で表されるオニウム塩。
式（１）：
【０００９】
【化１】
2019147771.tif 000002
【００１０】
（式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキレン基、Ｒ2及びＲ3は炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数６〜１０のアリール基、Ｘは炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基、Ａ-はアニオンを示す。Ｑ+は下記式（２）〜（４）のいずれかで表されるカチオン性基である。
式（２）：
【００１１】
【化２】
2019147771.tif 000003
【００１２】
（Ｒ4〜Ｒ6は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ4とＲ5は末端で互いに結合し、置換基を有してもよいピロリジン環、置換基を有してもよいピペリジン環又は置換基を有してもよいピリジン環を形成してもよい。但し、Ｒ4とＲ5が末端で互いに結合してピリジン環を形成する場合は、Ｒ6は存在しない。）
式（３）：
【００１３】
【化３】
2019147771.tif 000004
【００１４】
（Ｒ7〜Ｒ9は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ7とＲ8は末端で互いに結合し、置換基を有してもよいホスホラン環、置換基を有してもよいホスホリナン環又は置換基を有してもよいホスホリン環を形成してもよい。但し、Ｒ7とＲ8が末端で互いに結合してホスホリン環を形成する場合は、Ｒ9は存在しない。）
式（４）：
【００１５】
【化４】
2019147771.tif 000005
【００１６】
（Ｒ10は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ11〜Ｒ13は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）
但し、Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１〜４のアルコキシ基の場合、Ｒ4は炭素数３〜９のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１のアルコキシ基の場合、Ｒ7は炭素数２〜９のアルキル基又は炭素数７〜２０のアリール基であり、Ｒ10は炭素数２〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸがヒドロキシ基の場合、Ｒ4は炭素数２〜１７のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、
Ａ-がハロゲンイオンかつＸがハロゲン原子の場合、Ｒ7は炭素数４〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。）。）
【００１７】
項２、前記式（１）において、Ｘがハロゲン原子である項１に記載のオニウム塩。
【００１８】
項３、前記式（１）において、Ａ-が含フッ素アニオン又はハロゲンイオンである項１又は２に記載のオニウム塩。
【００１９】
項４、前記式（１）において、Ａ-が、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、塩化物イオン、臭化物イオン又はヨウ化物イオンである項１〜３のいずれかに記載のオニウム塩。
【００２０】
項５、項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩を含有する帯電防止剤。
【００２１】
項６、項１〜４のいずれかに記載のオニウム塩を含むコーティング剤組成物。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のオニウム塩（１）は、ガラスに対して優れた帯電防止性を付与できるため、有用な化合物である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体的に説明する。
式（１）中、Ｒ1は、独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基を示す。Ｒ1は、好ましくは、炭素数１〜１０のアルキレン基、より好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基である。アルキレン基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキレン基である。炭素数１〜２０のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、へプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、エイコサデシレン基等が挙げられる。
【００２４】
式（１）中、Ｒ2及びＲ3は、独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、または炭素数６〜１０のアリール基を示す。Ｒ2及びＲ3は、好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、より好ましくは炭素数１のアルキル基である。炭素数１〜１０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜１０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。炭素数６〜１０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００２５】
Ｘは炭素数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子又はヒドロキシル基（−ＯＨ基）を示す。炭素数１〜１０のアルコキシ基として、好ましくは、炭素数１〜３のアルコキシ基、より好ましくは炭素数１のアルコキシ基である。炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、へプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、より好ましくはメトキシ基である。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【００２６】
Ａ-はアニオンを示し、ハロゲンイオン又は含フッ素アニオンが挙げられる。ハロゲンイオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンが挙げられ、塩化物イオンが好ましい。含フッ素アニオンとしてはトリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオンが挙げられ、好ましくは、ビス（フルオロスルホニル）イミドアニオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオン、特に好ましくはビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドアニオンが好ましい。
【００２７】
式（１）中、Ｑ+は式（２）〜（４）のいずれか１つで表されるカチオン性基である。
【００２８】
式（２）で表されるアンモニウム基（以下、アンモニウム基（２）という。）において、Ｒ4〜Ｒ6は、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００２９】
炭素数１〜２０のアルキル基は好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イコシル基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。
【００３０】
アンモニウム基（２）において、Ｒ4とＲ5は末端で互いに結合し、下記式（２ａ）で表される置換基を有してもよいピロリジン環、下記式（２ｂ）で表される置換基を有してもよいピペリジン環又は下記式（２ｃ）で表される置換基を有してもよいピリジン環を形成してもよい。ただし、Ｒ4とＲ5が末端で互いに結合してピリジン環を形成する場合は、Ｒ6は存在しない。
【００３１】
【化５】
2019147771.tif 000006
【００３２】
置換基Ｒa、Ｒb及びＲcはそれぞれ炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍは０〜４の整数、ｎ及びｏはそれぞれ０〜５の整数を示す。ピロリジン環、ピペリジン環又はピリジン環上の炭素原子は置換されていてもよく、置換されている場合は、下記式（２ａ）のｍは１〜４の整数、式（２ｂ）のｎ及び式（２ｃ）のｏはそれぞれ１〜５の整数である。炭素数１〜２０のアルキル基として好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イコシル基等が挙げられる。
【００３３】
式（３）で表されるホスホニウム基（以下、ホスホニウム基（３）という。）において、Ｒ7〜Ｒ9は、互いに独立して、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００３４】
炭素数１〜２０のアルキル基は好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イコシル基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。
【００３５】
ホスホニウム基（３）において、Ｒ7とＲ8は末端で互いに結合し、下記式（３ａ）で表されるホスホラン環、下記式（３ｂ）で表されるホスホリナン環又は下記式（３ｃ）で表される置換基を有してもよいホスホリン環を形成してもよい。ただし、Ｒ7とＲ8が末端で互いに結合してホスホリン環を形成する場合は、Ｒ9は存在しない。
【００３６】
【化６】
2019147771.tif 000007
【００３７】
置換基Ｒd、ＲeびＲfはそれぞれ炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｐは０〜４の整数、ｑ及びｒはそれぞれ０〜５の整数を示す。ホスホラン環、ホスホリナン環又はホスホリン環上の炭素原子は置換されていてもよく、置換されている場合は、下記式（３ａ）のｐは１〜４の整数、式（３ｂ）のｑ及び式（３ｃ）のｒはそれぞれ１〜５の整数である。炭素数１〜２０のアルキル基として好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イコシル基等が挙げられる。
【００３８】
式（４）で表されるイミダゾリウム基（以下、イミダゾリウム基（４）という。）において、Ｒ10は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ11〜Ｒ13は、互いに独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００３９】
炭素数１〜２０のアルキル基は好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖及び分枝鎖状のいずれであってもよく、好ましくは直鎖状のアルキル基である。炭素数１〜２０のアルキルとしては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。炭素数６〜２０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基等が挙げられる。
【００４０】
本発明の態様の１つにおいて、Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１〜４のアルコキシ基の場合、Ｒ4は炭素数３〜９のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００４１】
本発明の態様の１つにおいて、Ａ-がハロゲンイオンかつＸが炭素数１のアルコキシ基の場合、Ｒ7は炭素数２〜９のアルキル基又は炭素数７〜２０のアリール基、Ｒ10は炭素数２〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００４２】
本発明の別の態様の１つにおいて、Ａ-がハロゲンイオンかつＸがヒドロキシ基の場合、Ｒ4は炭素数２〜１７のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００４３】
本発明の別の態様の１つにおいて、Ａ-がハロゲンイオンかつＸがハロゲン原子の場合、Ｒ7は炭素数４〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基である。
【００４４】
オニウム塩（１）の具体例としては、
トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  クロリド、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  クロリド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  クロリド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  クロリド、トリデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリドデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  クロリド、トリドデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリドデシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝アンモニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピロリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピロリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピロリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピペリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピペリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルピペリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ピリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ピリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ピリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−２−メチルピリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−２−メチルピリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−２−メチルピリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−３−メチルピリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−３−メチルピリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−３−メチルピリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−４−メチルピリジニウム  クロリド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−４−メチルピリジニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、１−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−４−メチルピリジニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリヘキシル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルイミダゾリウム  クロリド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルイミダゾリウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−メチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−エチルイミダゾリウム  クロリド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−エチルイミダゾリウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−エチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−オクチルイミダゾリウム  クロリド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−オクチルイミダゾリウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１−オクチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１，２−ジメチルイミダゾリウム  クロリド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１，２−ジメチルイミダゾリウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、３−｛（クロロジメチルシリル）メチル｝−１，２−ジメチルイミダゾリウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛３−（クロロジメチルシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛８−（クロロジメチルシリル）オクチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛（メトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛（エトキシジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリブチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリブチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリブチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリオクチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  クロリド、トリオクチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  ビス（フルオロスルホニル）イミド、トリオクチル｛（ジメチルシラノール）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４５】
本発明のオニウム塩（１）は、例えば次の製造方法１に従って製造できる。
【００４６】
【化７】
2019147771.tif 000008
【００４７】
［式中、Ｒ1〜Ｒ3、Ｘ、Ａ-、Ｑ+は前記に同じ。Ｙはハロゲン原子を示し、Ｍ+はアルカリ金属イオンを示す。］
【００４８】
ここで、Ｑは下記アミン類（５ａ）、ホスフィン類（５ｂ）またはイミダゾール類（５ｃ）のいずれかである。
【００４９】
【化８】
2019147771.tif 000009
【００５０】
［式中、Ｒ4〜Ｒ13は前記に同じ］
【００５１】
式（５）で表される化合物（以下、化合物（５）という。）と、式（６）で表されるハロアルキル基およびシリル基を有するシラン化合物類（以下ハロアルキルシラン類（６）という。）とを四級化反応させることにより、式（７）で表されるオニウム  ハライド類（以下オニウム  ハライド類（７）という。）が製造される。
【００５２】
Ａ-がハロゲンイオンである場合、オニウム  ハライド類（７）を、オニウム塩（１）として使用することができる。
【００５３】
アミン類（５ａ）としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリイソペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、
【００５４】
Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン、Ｎ，Ｎ-ジメチル−ｍ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｏ−トルイジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルベンジルアミン、トリベンジルアミン
【００５５】
１−メチルピロリジン、１−メチルピペリジン、１−エチルピロリジン、１−エチルピペリジン、１−プロピルピロリジン、１−プロピルピペリジン、１−イソプロピルピロリジン、１−イソプロピルピペリジン、１−ブチルピロリジン、１−ブチルピペリジン、１−ペンチルピロリジン、１−ペンチルピペリジン、１−ヘキシルピロリジン、１−ヘキシルピペリジン、１−メチル−２−メチルピロリジン、１−メチル−２−メチルピペリジン、１−メチル−３−メチルピロリジン、１−メチル−３−メチルピペリジン、１−メチル−４−メチルピペリジン、１−メチル−２−エチルピロリジン、１−メチル−２−プロピルピロリジン、１−メチル−２−イソプロピルピロリジン、１−メチル−２−ブチルピロリジン、１−メチル−２−イソブチルピロリジン、１−メチル−２−ｓｅｃ−ブチルピロリジン、１−メチル−２−ｔｅｒｔ−ブチルピロリジン、
【００５６】
ピリジン、２−メチルピリジン、３−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、３−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−プロピルピリジン、３−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、２−プロピルピリジン、３−プロピルピリジン、４−プロピルピリジン、２−イソプロピルピリジン、３−イソプロピルピリジン、４−イソプロピルピリジン、２−ブチルピリジン、３−ブチルピリジン、４−ブチルピリジン、２−イソブチルピリジン、３−イソブチルピリジン、４−イソブチルピリジン、２−ｓｅｃ−ブチルピリジン、３−ｓｅｃ−ブチルピリジン、４−ｓｅｃ−ブチルピリジン、２−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、３−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン等が挙げられる。
【００５７】
ホスフィン類（５ｂ）としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリペンチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリヘプチルホスフィン、トリオクチルホスフィン、
【００５８】
１−メチルホスホラン、１−メチルホスホリナン、１−エチルホスホラン、１−エチルホスホリナン、１−プロピルホスホラン、１−プロピルホスホリナン、１−イソプロピルホスホラン、１−イソプロピルホスホリナン、１−ブチルホスホラン、１−ブチルホスホリナン、１−ペンチルホスホラン、１−ペンチルホスホリナン、１−ヘキシルホスホラン、１−ヘキシルホスホリナン、１−メチル−２−メチルホスホラン、１−メチル−２−メチルホスホリナン、１−メチル−３−メチルホスホラン、１−メチル−３−メチルホスホリナン、１−メチル−４−メチルホスホリナン、１−メチル−２−エチルホスホラン、１−メチル−２−プロピルホスホラン、１−メチル−２−イソプロピルホスホラン、１−メチル−２−ブチルホスホラン、１−メチル−２−イソブチルホスホラン、１−メチル−２−ｓｅｃ−ブチルホスホラン、１−メチル−２−ｔｅｒｔ−ブチルホスホラン、
【００５９】
ホスホリン、２−メチルホスホリン、３−メチルホスホリン、４−メチルホスホリン、２−エチルホスホリン、３−エチルホスホリン、４−エチルホスホリン、２−プロピルホスホリン、３−プロピルホスホリン、４−プロピルホスホリン、２−プロピルホスホリン、３−プロピルホスホリン、４−プロピルホスホリン、２−イソプロピルホスホリン、３−イソプロピルホスホリン、４−イソプロピルホスホリン、２−ブチルホスホリン、３−ブチルホスホリン、４−ブチルホスホリン、２−イソブチルホスホリン、３−イソブチルホスホリン、４−イソブチルホスホリン、２−ｓｅｃ−ブチルホスホリン、３−ｓｅｃ−ブチルホスホリン、４−ｓｅｃ−ブチルホスホリン、２−ｔｅｒｔ−ブチルホスホリン、３−ｔｅｒｔ−ブチルホスホリン、４−ｔｅｒｔ−ブチルホスホリン等が挙げられる。
【００６０】
イミダゾール類（５ｃ）としては、１−メチルイミダゾール、１−エチルイミダゾール、１−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール、１−イソプロピルイミダゾール、１−プロピルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、１−ヘキシルイミダゾール、１−オクチルイミダゾール、１−デシルイミダゾール、１−フェニルイミダゾール、１−ベンジルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール
等が挙げられる。
【００６１】
ハロアルキルシラン類（６）としては、クロロメチルジメチルクロロシラン、３−クロロプロピルジメチルクロロシラン、４−クロロブチルジメチルクロロシラン、６−クロロヘキシルジメチルクロロシラン、８−クロロオクチルジメチルクロロシラン、１１−クロロウンデシルジメチルクロロシラン、クロロメチルジメチルメトキシシラン、３−クロロプロピルジメチルメトキシシラン、４−クロロブチルジメチルメトキシシラン、６−クロロヘキシルジメチルメトキシシラン、８−クロロオクチルジメチルメトキシシラン、１１−クロロウンデシルジメチルメトキシシラン、クロロメチルジメチルエトキシシラン、３−クロロプロピルジメチルエトキシシラン、４−クロロブチルジメチルエトキシシラン、６−クロロヘキシルジメチルエトキシシラン、８−クロロオクチルジメチルエトキシシラン、１１−クロロウンデシルジメチルエトキシシラン、クロロメチルジメチルシラノール、３−クロロプロピルジメチルシラノール、４−クロロブチルジメチルシラノール、６−クロロヘキシルジメチルシラノール、８−クロロオクチルジメチルシラノール、１１−クロロウンデシルジメチルシラノール等が挙げられる。
【００６２】
化合物（５）と、ハロアルキルシラン類（６）との四級化反応は、溶媒を使用してもしなくてもよい。溶媒を使用するときの溶媒としては、反応に影響を与えないものであれば特に制限されない。具体的にはアセトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等が挙げられ、好ましくは、アセトニトリルである。
【００６３】
ハロアルキルシラン類（６）の使用量は、化合物（５）１モルに対して０．７モル以上であればよく、好ましくは０．９〜１．５モルである。
【００６４】
四級化反応における反応温度は、通常２５℃以上、好ましくは３０〜８０℃、特に好ましくは３０〜５０℃である。
【００６５】
次に、オニウム  ハライド類（７）と、式（８）で表されるアルキル金属塩（以下アルキル金属塩（８）という。）とのイオン交換反応により、オニウム塩（１）が製造できる。
【００６６】
アルカリ金属塩（８）としては、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドナトリウム、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドカリウム、テトラフルオロボレートリチウム、テトラフルオロボレートナトリウム、テトラフルオロボレートカリウム、ヘキサフルオロホスフェートリチウム、ヘキサフルオロホスフェートナトリウム、ヘキサフルオロホスフェートカリウム等の含フッ素アニオンのアルカリ金属塩が挙げられる。
【００６７】
上記含フッ素アニオンのカウンターカチオンを形成するアルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウムが挙げられる。
【００６８】
イオン交換反応におけるアルカリ金属塩（８）の使用量は、オニウム  ハライド類（７）１モルに対して、通常０．８モル以上、好ましくは０．９モル〜１．２モルであり、より好ましくは１〜１．０５モルである。
【００６９】
イオン交換反応は通常溶媒中で行われる。溶媒を使用する場合、溶媒としては、反応に影響を与えないものであれば特に制限されない。具体的にはアセトニトリル、酢酸エチル、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等が挙げられ、好ましくは、アセトニトリルである。使用量は特に制限はないが、オニウム  ハライド類（７）１重量部に対して通常１０重量部以下、好ましくは０．１〜１０重量部であり、特に好ましくは０．２〜６重量部である。
【００７０】
オニウム  ハライド類（７）、アルカリ金属塩（８）及び溶媒の混合順序は特に限定されず、オニウム  ハライド類（７）と溶媒を混合した後にアルカリ金属塩（８）を添加してもよいし、アルカリ金属塩（８）と溶媒を混合した後にオニウム  ハライド類（７）を添加してもよい。
【００７１】
イオン交換反応における反応温度は、通常１０℃以上、好ましくは１０〜６０℃、特に好ましくは１５〜５０℃である。
【００７２】
反応終了後の反応液からオニウム塩（１）を分離するには、溶媒及び生成する無機塩を反応液から除去する。得られた反応液中に無機塩が析出していれば、反応液を濾過して析出の無機塩を除き、次いで濃縮、ろ過、抽出等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（１）を単離する。また、得られた反応液中に無機塩が析出していない場合には、反応液を濃縮して無機塩を析出させ、ろ過で無機塩を除去した後、濃縮、ろ過、抽出等の単位操作を適宜組み合わせて、オニウム塩（１）を単離する。
【００７３】
本発明は、オニウム塩（１）を少なくとも１種含有する帯電防止剤を提供する。本発明において、オニウム塩（１）を単独で帯電防止剤として使用することもできるが、任意選択で、本発明が属する分野において使用される安定化剤等の添加剤、溶媒等を混合して使用することもできる。添加剤、溶媒等を配合する場合、帯電防止剤中のオニウム塩（１）の含有量は特に限定されず、例えば、９０重量％以上、７０重量％以上、５０重量％以上、３０重量％以上、１０重量％以上、５重量％以上、１重量％以上等の条件から適宜設定できる。
【００７４】
溶媒としては、オニウム塩（１）と反応せず、かつオニウム塩（１）の溶解能を有していれば特に限定されるものではないが、オニウム塩（１）との非反応性、溶解性および揮発性等の観点から、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等のエステル系溶剤；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶剤；アセトニトリル等が挙げられ、中でも、トルエン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、アセトニトリルが好ましく、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンがより好ましい。
【００７５】
本発明の帯電防止剤を使用できる絶縁物としてはガラス製品等が挙げられる。帯電防止性を付与するには、本発明の帯電防止剤をガラス製品等に塗布する方法等が挙げられる。従って、本発明は、上記帯電防止剤を含有するコーティング剤組成物をも提供する。
【実施例】
【００７６】
つぎに、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。以下の実施例中、1Ｈ−ＮＭＲは日本電子データム株式会社製ＡＬ−４００を使用し、溶媒に重クロロホルムを用いて４００ＭＨｚで測定した。
【００７７】
実施例１  トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド（化合物１）の合成
【００７８】
【化９】
2019147771.tif 000010
【００７９】
窒素雰囲気下、クロロメチルジメチルクロロシラン７０ｇ（４８９ミリモル）、脱水アセトニトリル７０ｇを混合し、４０℃まで昇温した。トリブチルホスフィン９７ｇ（４８１ミリモル）を４０℃まで昇温した溶液中に５時間かけて滴下して、４０℃で２４時間反応し、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液２２９ｇ（濃度７２％、収率１００％）を得た。
【００８０】
トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液の一部を濃縮によって溶媒を除去した。以下に、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリドの1Ｈ−ＮＭＲデータを示す。
【００８１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）２．７６（ｄ，Ｊ＝１８Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ2−Ｐ），２．４６−２．３９（ｍ，６Ｈ，Ｐ−ＣＨ2−ＣＨ2），１．６１−１．５０（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ3），０．９９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ3），０．７７（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ3）
実施例２  トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物２）の合成
【００８２】
【化１０】
2019147771.tif 000011
【００８３】
窒素雰囲気下、実施例１で得られたトリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液１４７ｇ（３０９ミリモル）にビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム９０ｇ（３１５ミリモル）を３０分かけて添加し、４０℃で４時間反応した。
【００８４】
反応液をろ過した後、得られたろ液を濃縮し、脱水トルエン１６５ｇを加えた。混合液をろ過し、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド／トルエン溶液３２５ｇ（濃度４９％、収率８８％）を得た。
【００８５】
トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド／トルエン溶液の一部を濃縮によって溶媒を除去した。以下に、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの1Ｈ−ＮＭＲデータを示す。
【００８６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）２．２１−２．１３（ｍ，６Ｈ，Ｐ−ＣＨ2−ＣＨ2），１．９２（ｄ，Ｊ＝１８Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ2−Ｐ），１．５４−１．５０（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ3），０．９８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ3），０．６９（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ3）
【００８７】
実施例３  トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド（化合物３）の合成
【００８８】
【化１１】
2019147771.tif 000012
窒素雰囲気下、クロロメチルジメチルクロロシラン７０ｇ（４８９ミリモル）、脱水アセトニトリル７０ｇを混合し、４０℃まで昇温した。トリオクチルホスフィン１７９ｇ（４８６ミリモル）を４０℃まで昇温した溶液中に５時間かけて滴下して、４０℃で１３時間反応し、トリブチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液３１８ｇ（濃度７８％、収率１００％）を得た。
【００８９】
トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液の一部を濃縮によって溶媒を除去した。以下に、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリドの1Ｈ−ＮＭＲデータを示す。
【００９０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）２．７５（ｄ，Ｊ＝１８Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ2−Ｐ），２．４５−２．３７（ｍ，６Ｈ，Ｐ−ＣＨ2−ＣＨ2），１．５９−１．２８（ｍ，３６Ｈ，ＣＨ2−（ＣＨ2）6−ＣＨ3），０．８８（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ3），０．７６（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ3）
【００９１】
実施例４  トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド（化合物４）の合成
【００９２】
【化１２】
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窒素雰囲気下、実施例３で得られたトリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  クロリド／アセトニトリル溶液１７８ｇ（２７０ミリモル）にビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドリチウム８３ｇ（２８９ミリモル）を３０分かけて添加し、４０℃で４時間反応した。
【００９３】
反応液をろ過した後、得られたろ液を濃縮し、脱水トルエン１８０ｇを加えた。混合液をろ過し、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド／トルエン溶液３６３ｇ（濃度５１％、収率９０％）を得た。
【００９４】
トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド／トルエン溶液の一部を濃縮によって溶媒を除去した。以下に、トリオクチル｛（クロロジメチルシリル）メチル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの1Ｈ−ＮＭＲデータを示す。
【００９５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）２．１９−２．１０（ｍ，６Ｈ，Ｐ−ＣＨ2−ＣＨ2），１．８９（ｄ，Ｊ＝１８Ｈｚ，２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ2−Ｐ），１．５４−１．２９（ｍ，３６Ｈ，ＣＨ2−（ＣＨ2）6−ＣＨ3），０．８９（ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ，９Ｈ，ＣＨ2−ＣＨ3），０．６８（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ3）
【００９６】
＜評価例＞
評価例中、表面抵抗率は、株式会社三菱ケミカルアナリテック製ハイレスターＵＰ（ＭＣＰ−ＨＴ４５０）を用いて、２３±３℃、湿度４５±５％、印加電圧５００Ｖの条件下で測定した。
【００９７】
評価例１  化合物１の帯電防止性
メチルイソブチルケトン４９．７５ｇ、帯電防止剤として実施例１で得た化合物１のアセトニトリル溶液（化合物１の純分０．２５ｇ）を混合した。得られた混合物をガラス板の片面に第一理化株式会社製バーコーター（Ｎｏ．０５）を用いて塗布した後、１５０℃で３０分乾燥させ、試験片を作製した。得られた試験片の塗布面の表面抵抗率は１．３×１０8（Ω／□）であった。
【００９８】
評価例２  化合物２の帯電防止性
化合物１のアセトニトリル溶液を、実施例２で得た化合物２のトルエン溶液（化合物２の純分０．２５ｇ）に変更した以外は、評価例１と同様にして試験片を作製し、表面抵抗率を測定した。得られた試験片の塗布面の表面抵抗率は８．０×１０10（Ω／□）であった。
【００９９】
評価例３  化合物３の帯電防止性
化合物１のアセトニトリル溶液を、実施例３で得た化合物３のアセトニトリル溶液（化合物３の純分０．２５ｇ）に変更した以外は、評価例１と同様にして試験片を作製し、表面抵抗率を測定した。得られた試験片の塗布面の表面抵抗率は２．２×１０11（Ω／□）であった。
【０１００】
評価例４  化合物４の帯電防止性
化合物１のアセトニトリル溶液を、実施例４で得た化合物４のトルエン溶液（化合物４の純分０．２５ｇ）に変更した以外は、評価例１と同様にして試験片を作製し、表面抵抗率を測定した。得られた試験片の塗布面の表面抵抗率は２．７×１０10（Ω／□）であった。
【０１０１】
比較例１  トリブチル｛（トリメトキシシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドの帯電防止性
化合物１のアセトニトリル溶液を、トリブチル｛（トリメトキシシリル）プロピル｝ホスホニウム  ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド０．２５ｇに変更した以外は、評価例１と同様にして試験片を作製し、表面抵抗率を測定した。得られた試験片の塗布面の表面抵抗率は３．４×１０12（Ω／□）であった。
【０１０２】
以上の結果から本発明のオニウム塩は優れた帯電防止性を有することが分かった。