(57)【要約】【課題】光電モジュールを提供する。【解決手段】光電モジュール（１７００）は、光電ユニット（１４）と、第一透明構造（１６）と、第一接触層（１７０）と含む。光電ユニット（１４）は、第一上表面（１４１）と第一金属層（１４２）を具備し、かつ第一金属層（１４２）が該第一上表面（１４１）の上に位置する。第一透明構造（１６）は、該光電ユニット（１４）を囲むとともに、該第一上表面（１４１）を露出させる。第一接触層（１７０）は、該第一透明構造（１６）の上に位置し、かつ該第一金属層（１４２）と電気接続する接続部（１７０ａ）を含む。【選択図】図２Ｂ
2019071498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電モジュールであって、
上表面を有し、かつ上面視において仮想中心線を有する光電ユニットと、
前記上表面に位置し、かつ第一延伸部を含む第一金属層と、
前記上表面に位置する第二金属層と、
前記光電ユニットを囲み、かつ前記上表面を露出させる透明構造と、
前記第一延伸部および前記透明構造を覆う絶縁散乱層と、を含み、
前記第一延伸部が前記仮想中心線を越えて前記第二金属層へ延伸する、光電モジュール。
【請求項２】
前記第二金属層は、前記仮想中心線を越えて前記第一金属層へ延伸する第二延伸部を含む、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項３】
一部の前記第一金属層および前記第一延伸部を覆う保護層をさらに含む、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項４】
前記保護層の上に位置し、かつ前記第一金属層と直接接触する導電層をさらに含む、請求項３に記載の光電モジュール。
【請求項５】
前記導電層と前記第一延伸部が部分的に重なる、請求項４に記載の光電モジュール。
【請求項６】
前記絶縁散乱層は前記第一金属層と前記第二金属層との間に位置する、請求項４に記載の光電モジュール。
【請求項７】
前記透明構造は蛍光体を含む、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項８】
前記絶縁散乱層は反射材料を含む、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項９】
前記光電ユニットは側表面および下表面を含み、
前記透明構造は前記側表面および前記下表面を覆う、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項１０】
前記絶縁散乱層は前記透明構造の側表面を覆わない、請求項９に記載の光電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電モジュールに関し、特に導電構造を有する光電モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、発光ダイオード（Light  Emitting  Diode、ＬＥＤ）のような光電モジュールは、現在光学表示装置、交通標識、データ記録装置、通信装置、照明装置及び医療器材に広く使用されている。産業電子製品が軽薄短小型化する傾向にあるとおり、光電モジュールの発展も微小実装の時代に入っている。半導体と光電モジュールの最新の実装技術が、晶粒レベルの実装である。
【０００３】
上述したＬＥＤに対して、更に晶粒レベルの実装を実施して、ＬＥＤパッケージを形成するとともに、かつＬＥＤパッケージと他のモジュールとを組合せ・連結させることにより発光装置を形成する。図１５は、従来の発光装置の構造を示す図である。図１５に示すとおり、発光装置１５０は、少なくとも１つの回路１５４を含むサブマウント（sub−mount）１５２と、該サブマウント１５２の上に位置し、かつ該ＬＥＤ１５１を該サブマウント１５２の上に粘着固定して、ＬＥＤ１５１の基板１５３とサブマウント１５２の回路１５４とを電気接続させる半田（solder）１５６と、ＬＥＤ１５１の電極１５５とサブマウント１５２の上の回路１５４とを電気接続させる電気接続構造１５８とを含む。上述したサブマウント１５２がリードフレーム（lead  frame）、ダブルサイズの基板実装（mounting  substrate）であることにより、発光装置１５０の回路を容易に配置し、その放熱効果を向上させることができる。
【発明の概要】
【０００４】
光電モジュールにおいて、第一上表面を具備し、かつ第一金属層が該第一上表面の上に位置する光電ユニットと、該光電ユニットを囲むとともに、該第一上表面を露出させる第一透明構造と、該第一透明構造の上に位置し、かつ該第一金属層と電気接続する接続部を含む第一接触層と含む光電モジュール。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】本発明の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１Ｃ】本発明の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図２Ｂ】本発明の図２Ａに示す光電ユニットを示す断面図である。
【図２Ｃ】本発明の図２Ａに示す光電ユニットを示す平面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図３Ｄ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図３Ｅ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図３Ｆ】本発明の実施例において光電モジュールの上に電極を電着する製造流れを示す図である。
【図４】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図９Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図９Ｃ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１０Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１０Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１１】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例の光源生成装置を示す図である。
【図１４】本発明の実施例のバックライトモジュールを示す図である。
【図１５】従来技術の発光装置の構造を示す図である。
【図１６Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１６Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１６Ｃ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１７Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１７Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１７Ｃ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１７Ｄ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１８Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１８Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１８Ｃ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１８Ｄ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図１９】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図２０Ａ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２０Ｂ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２０Ｃ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２０Ｄ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２０Ｅ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２０Ｆ】本発明の他の実施例の光電モジュールの製造流れを示す図である。
【図２１】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【図２２】本発明の他の実施例の光電モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本発明の実施例は、以下に詳細に記載されているとともに、図面に示されている。同様又は類似する部分は、同様な番号にて各図面及び明細書に記載されている。
【０００７】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の実施例に係る光電モジュール１の製造流れを示す図である。図１Ａに示すとおり、ウェハーは、臨時マウント１０と、臨時マウント１０の上に形成される粘着層１２と、粘着層１２の上に形成される複数の光電ユニット１４とを含む。図１Ｂに示すとおり、粘着層１２と複数の光電ユニット１４の上に第一透明構造１６を形成して、少なくとも１つの光電ユニット１４の少なくとも２つの表面を覆うようにし、かつ第一透明構造１６の上に第二透明構造１８を形成する。図１Ｃに示すとおり、臨時マウント１０と粘着層１２を除去し、第一透明構造１６と複数の光電ユニット１４の上に複数の導電構造２を形成した後、ウェハーを分割して複数の光電モジュール１を形成する。
【０００８】
臨時マウント１０と第二透明構造１８は、光電ユニット１４と第一透明構造１６を載置することができる。臨時マウント１０の材料は、導電材料、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（Diamond  Like  Carbon、ＤＬＣ）、石墨、炭素繊維、金属基複合材料（Metal  Matrix  Composite、ＭＭＣ）、セラミック基複合材料（Ceramic  Matrix  Composite、ＣＭＣ）、高分子基複合材料（Polymer  Matrix  Composite、ＰＭＣ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ガリウム酸リチウム（ＬｉＧａＯ２）、アルミン酸リチウム（ＬｉＡｌＯ２）又はそれらの組み合わせを含むか、或いは絶縁材料、例えば、ダイヤモンド（Diamond）、ガラス（Glass）、エポキシ（Epoxy）、石英（Quartz）、アクリル（Acryl）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チッ化アルミ（ＡｌＮ）又は上述材料の組合せを含む。
【０００９】
第二透明構造１８は、光電ユニット１４が発する光に対しては透明である。第二透明構造１８の材料は、透明材料、例えば、ダイヤモンド（Diamond）、ガラス（Glass）、エポキシ（Epoxy）、石英（Quartz）、アクリル（Acryl）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ZnO）、シリカゲル又は上述材料の組合せを含む。他の実施例において、第二透明構造１８は、自然環境からの光、例えば、陽光に対しては透明であることもできる。第二透明構造１８の厚さが約３００ミクロン〜５００ミクロンである。
【００１０】
粘着層１２は、臨時マウント１０と光電ユニット１４とを粘着可能に連結することができ、かつ第二透明構造１８を第一透明構造１６に形成した後、粘着層１２を容易に除去することができる。粘着層１２の材料は、絶縁材料、ＵＶテープ又は熱解除テープであることができる。絶縁材料は、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene、ＢＣＢ）、Ｓｕ８、エポキシ（Epoxy）又はスピンオンガラス（ＳＯＧ）を含むが、それらに限定されるものではない。
【００１１】
第一透明構造１６は、光電ユニット１４を包むことで、光電ユニット１４を固定及び載置し、かつ光電モジュール１の機械強度を向上させる。第一透明構造１６は、光電ユニット１４が発する光に対しては透明である。第一透明構造１６の材料と第二透明構造１８の材料とが同様又は相違し、第一透明構造１６の熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃〜４００ｐｐｍ／℃である。第一透明構造１６の材料は、透明材料、例えば、エポキシ（Epoxy）、ポリイミド（ＰＩ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、パーフルオロシクロブタンポリマー（ＰＦＣＢ）、Ｓｕ８、アクリル樹脂（Acrylic  Resin）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルイミド（Polyetherimide）、フルオロカーボン重合体（Fluorocarbon  Polymer）、ガラス（Glass）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ＳＩＮＲ、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、テフロン（登録商標）又は上述材料の組合せを含む。第一透明構造１６の屈折係数と第二透明構造１８の屈折係数とが同様又は相違し、第一透明構造１６の厚さが約２００ミクロン〜３００ミクロンである。第一透明構造１６は、自然環境からの光、例えば、陽光に対しては透明である。
【００１２】
光電ユニット１４は、例えば、発光ダイオード又は太陽エネルギー電池のように、光エネ、電気エネ又は両者の組合せを発することができる。光電ユニット１４が発光する発光ダイオードである場合、第一透明構造１６の屈折係数を第二透明構造１８の屈折係数より大きくして、光が光電モジュール１から出る確率を増加させる。光電ユニット１４が吸光する太陽エネルギー電池である場合、第一透明構造１６の屈折係数を第二透明構造１８の屈折係数より小さくして、光が光電モジュール１に入る確率を増加させる。
【００１３】
図２Ａは、本発明の第一実施例の光電モジュール１を示す断面図である。光電モジュール１は、第二透明構造１８と、第二透明構造１８の上に位置する第一透明構造１６と、第一透明構造１６の上に位置する光電ユニット１４と、光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に位置する導電構造２とを含む。光電ユニット１４は、第一上表面１４１の上に位置する第一金属層１４２及び第二金属層１４４と、第一上表面１４１と相対するとともに第二透明構造１８に接近する第一下表面１４３と、第一上表面１４１と第一下表面１４３との間に位置する少なくとも２つの側面１４０とを含む。導電構造２は、光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に位置し、かつ一部分の第一金属層１４２と第二金属層１４４を覆う第一絶縁層２２と、第一絶縁層２２の上に位置する反射層２４と、第一絶縁層２２と反射層２４の上に位置し、かつ反射層２４を覆う第二絶縁層２６と、第一絶縁層２２と第二絶縁層２６とに形成され、かつそれぞれ第一金属層１４２及び第二金属層１４４とを露出させる第一開口２１２及び第二開口２１４と、第二絶縁層２６の上に位置する第一導電層２８２及び第二導電層２８４を具備するとともに、それぞれ第一開口２１２及び第二開口２１４に形成されて、第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続される電極２８とを含む。第一金属層１４２と第二金属層１４４との間に位置する、一部分の第一絶縁層２２と第二絶縁層２６との間には反射層２４がない。
【００１４】
第一絶縁層２２は、光電ユニット１４と反射層２４を電気絶縁させるとともに、反射層２４の材料から拡散して来る元素により光電ユニット１４が破損することを防ぐことができる。第一透明構造１６は、第一絶縁層２２の下に位置する第二上表面１６２と、第二透明構造１８に接近する第二下表面１６６とを含む。実際の第二上表面１６２は、第一上表面１４１より低い。第二上表面１６２は、第一上表面１４１に接近する斜面１６４を具備し、かつ該斜面１６４が第一金属層１４２及び第二金属層１４４と側面１４０との間の区域上に位置することが好ましい。他の実施例において、一部分の第二上表面１６２と第二下表面１６６との間の距離と、第二下表面１６６と第一上表面１４１との間の距離とが同様であることができる。
【００１５】
第一絶縁層２２は、第一透明構造１６及び／又は反射層２４に対する粘着性を有し、かつ光電ユニット１４及び／自然環境からの光に対する透光率が８５％より大きい。第一絶縁層２２の熱膨張係数は、第一透明構造１６の熱膨張係数より大きく、好ましくは第一透明構造１６の熱膨張係数と反射層２４との熱膨張係数との間にある。第一絶縁層２２の熱膨張係数は、約３ｐｐｍ／℃〜２００ｐｐｍ／℃であり、好ましくは２０ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃の間にある。第一絶縁層２２の材料と第一透明構造１６の材料とが同様又は相違し、かつ第一絶縁層２２を開口形成用フォトマスク材料として用いることができるので、リソグラフィ工程において第一絶縁層２２を固化しなければならない。第一絶縁層２２の固化温度が３５０℃°を超えないようにして、高温で第一透明構造１６が破損することを避ける。フォトマスク材料は、Al−polymer、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ＳＩＮＲ、Ｓｕ８又はスピンオンガラス（ＳＯＧ）を含むが、それらに限定されるものではない。第一絶縁層２２の粗さが第一上表面１４１の粗さより粗く、第一絶縁層２２の厚さは変わらず、約２ミクロン〜３ミクロンである。
【００１６】
反射層２４は、光電ユニット１４又は自然環境からの光を反射する。反射層２４の厚さは変わらず、約１ミクロン〜３ミクロンである。反射層２４は、一部分の第一金属層１４２及び第二金属層１４４に積み重なり、さらに複数の付属層（図示せず）を含み、反射層２４の熱膨張係数は、約３ｐｐｍ／℃〜２００ｐｐｍ／℃である。反射層２４が、光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光を反射する反射率が７０％以上である。反射層２４の材料は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀チタン（Ａｇ−Ｔｉ）、ニッケルスズ（Ｎｉ−Ｓｎ）、金合金（Ａｕ  alloy）、ニッケル銀（Ｎｉ−Ａｇ）、又はチタンアルミニウム（Ｔｉ−Ａｌ）などを含むことができる。反射層２４は、粗さが第一上表面１４１より粗い表面を具備することができる。
【００１７】
第二絶縁層２６は、第一導電層２８２及び第二導電層２８４と、反射層２４とを電気絶縁させるとともに、反射層２４が第一導電層２８２及び第二導電層２８４により破損することを避けることができる。第二絶縁層２６は、反射層２４を固定するとともに、導電構造２の機械強度を増加させることができる。第二絶縁層２６の材料と第一絶縁層２２の材料とが同様又は相違することができる。第二絶縁層２６の材料は、Al−polymer、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ＳＩＮＲ、Ｓｕ８、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、ポリイミド（ＰＩ）、又はダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）を含むが、それらに限定されるものではない。第二絶縁層２６の粗さが第一上表面１４１の粗さより粗く、第一絶縁層２２の厚さは変わらず、約４ミクロン〜５ミクロンである。
【００１８】
電極２８は、蒸着又は電着で一体成型することができる。電極２８の上表面の面積は、第二透明構造１８の上表面の面積の５０％より小さくない。第一導電層２８２及び第二導電層２８４には、外部の電圧が印加され、両者の材料は、金属材料、例えば、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、銅スズ（Ｃｕ−Ｓｎ）、銅亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）、銅カドミウム（Ｃｕ−Ｃｄ）、スズ鉛アンチモン（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ）、スズ鉛亜鉛（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ）、ニッケルスズ（Ｎｉ−Ｓｎ）、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）、金合金（Ａｕ  alloy）、金銅ニッケル金（Ａｕ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕ）、又は上述材料の組合せなどを含む。第一導電層２８２及び／又は第二導電層２８４は、さらに複数の付属層（図示せず）を含み、かつ光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光を反射する反射率が７０％以上である。第一導電層２８２の厚さは変わらず、約１２ミクロンである。第二導電層２８４の厚さは変わらず、約１２ミクロンである。第一導電層２８２及び第二導電層２８４の面積は、第二下表面１６６の面積の５０％より大きい。
【００１９】
図２Ｂに示すとおり、発光ユニット１４が発光ダイオードであり、発光構造１４５と、第一誘電層１４９ａと、保護層１４７と、第一ワイヤパッド１４６と、第二ワイヤパッド１４８と、第一金属層１４２と、第二金属層１４４と、第二誘電層１４９ｂとを含む。発光構造１４５は、基板１４５ａと、第一電気層１４５ｂ、活性層１４５ｃ、第二電気層１４５ｄとを含む。前記活性層１４５ｃは、第一電気層１４５ｂの上に位置する発光層であり、第二電気層１４５ｄは、活性層１４５ｃの上に位置する。第一ワイヤパッド１４６は、発光構造１４５の上に位置するとともに、第一電気層１４５ｂに電気接続され、第二ワイヤパッド１４８は、発光構造１４５の上に位置するとともに、第二電気層１４５ｄに電気接続される。保護層１４７は、発光構造１４５の上に位置し、第一ワイヤパッド１４６と活性層１４５ｃ及び第二電気層１４５ｄとを電気絶縁させる。第一誘電層１４９ａは、発光構造１４５の上に位置する。第一金属層１４２は、発光構造１４５の上に位置するとともに、第一電気層１４５ｂに電気接続され、一部分の第一金属層１４２は、第一誘電層１４９ａの上に位置する。第二金属層１４４は、発光構造１４５の上に位置するとともに、第二電気層１４５ｄに電気接続され、一部分の第二金属層１４４は、第一誘電層１４９ａの上に位置する。第二誘電層１４９ｂは、第一誘電層１４９ａの上に位置し、第一誘電層１４９ａと第二誘電層１４９ｂが、第一金属層１４２と第二金属層１４４を電気絶縁させる。一部分の第一誘電層１４９ａは、透明層であり、第一金属層１４２及び／又は第二金属層１４４と接触する第一誘電層１４９ａの表面は、発光構造１４５が発する光を反射することができる。他の実施例において、第一誘電層１４９ａが反射構造を具備し、該反射構造が分布ブラッグ反射層（ＤＢＲ）及び／又は反射薄膜を含むことができる。反射薄膜は、金属材料、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀チタン（Ａｇ−Ｔｉ）、ニッケルスズ（Ｎｉ−Ｓｎ）、金合金（Ａｕ  alloy）、ニッケル銀（Ｎｉ−Ａｇ）、又はチタンアルミニウム（Ｔｉ−Ａｌ）などを含むことができる。
【００２０】
図２Ｂに示すとおり、第一ワイヤパッド１４６と第二ワイヤパッド１４８との間には、第一間隔ｄ１があり、第一金属層１４２と第二金属層１４４との間には、第二間隔ｄ２があり、第一導電層２８２と第二導電層２８４との間には、第三間隔ｄ３がある。第一間隔ｄ１は、第二間隔ｄ２及び／又は第三間隔ｄ３より大きく、第二間隔ｄ２と第三間隔ｄ３は、同様又は相違することができる。本実施例において、第二間隔ｄ２が第三間隔ｄ３より大きいが、他の実施例において、第二間隔ｄ２が第三間隔ｄ３より小さくてもよい。第三間隔ｄ３が約１００ミクロン〜３００ミクロンである。第二透明構造１８は、第一幅ｗ１を有し、光電ユニット１４は、第二幅ｗ２を有する。第一幅ｗ１と第二幅ｗ２の比率が約１．５〜３であり、好ましくは２〜２．５である。
【００２１】
図２Ｃは、図２Ａの光電モジュール１を示す平面図である。第一導電層２８２は、第二導電層２８４から離れる一辺に形成される斜面角２８６を具備する。第一開口２１２と反射層２４との間には、約２５ミクロン〜７５ミクロンである第四間隔がある。
【００２２】
他の実施例において、光電モジュール１は、光電モジュール１を粘着材料によりベースに粘着させることができる。粘着材料が、金属材料、透明材料又は非同方向性導電薄膜であることができる。金属材料は、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、銅スズ（Ｃｕ−Ｓｎ）、銅亜鉛（Ｃｕ−Ｚｎ）、銅カドミウム（Ｃｕ−Ｃｄ）、スズ鉛アンチモン（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ）、スズ鉛亜鉛（Ｓｎ−Ｐｂ−Ｚｎ）、ニッケルスズ（Ｎｉ−Ｓｎ）、ニッケルコバルト（Ｎｉ−Ｃｏ）、金合金（Ａｕ  alloy）、金銅ニッケル金（Ａｕ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｕ）、又は上述材料の組合せなどを含むが、それれら限定されるものではない。透明材料は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、Ｓｕ８、エポキシ（Epoxy）又はスピンオンガラス（ＳＯＧ）を含むが、それらに限定されるものではない。
【００２３】
図３Ａ〜図３Ｆは、光電ユニット１４の上に電極２８を電着することを示す製造流れ図である。図３Ａに示すとおり、光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に晶種層３０を形成する。図３Ｂに示すとおり、一部分の晶種層３０が露出するように、晶種層３０の上に第一フォトマスク３２を形成する。図３Ｃに示すとおり、第一フォトマスク３２に覆われていない一部分の晶種層３０の上に電着層３４を電着する。図３Ｄに示すとおり、第一フォトマスク３２を除去して、晶種層３０の他の部分を露出させる。図３Ｅに示すとおり、電着層３４の上に第二フォトマスク３６を形成した後、露出している晶種層３０の一部分を除去する。図３Ｆに示すとおり、第二フォトマスク３６を除去して電着層３４を露出させることにより、電極２８を形成する。
【００２４】
図４は、本発明の他の実施例の光電モジュール４を示す断面図である。光電モジュール４と光電モジュール１が類似するが、光電モジュール４が更に凹部４０を含む。凹部４０は、第二透明構造１８に形成されて、光学モジュールのように光電ユニット１４又は自然環境からの光を処理することができる。本実施例の凹部４０は、断面図に示すとおり三角形にすることができる。
【００２５】
図５に示すとおり、他の実施例に係る光電モジュール５の第二透明構造１８を逆立ち台形にすることができる。第二透明構造１８は、第三下表面１８２を含むことができ、かつ該第三下表面１８２は、粗さが第一上表面１４１の粗さより粗い表面、又は平坦な表面であることができる。断面図に示される第二透明構造１８の形状は、三角形、半円形、１／４円形、逆立ち台形、五角形又は四角形であることができるが、それらに限定されるものではない。第一透明構造１６の形状と第二透明構造１８の形状とが同様又は相違することができる。他の実施例において、第二下表面１６６は、粗さが第一上表面１４１の粗さより粗い表面、又は平坦な表面であることができる。
【００２６】
図６に示すとおり、光電モジュール６と光電モジュール１が類似するが、光電モジュール６が第三下表面１８２の下に位置する鏡面６０を更に含む。鏡面６０は、光電ユニット１４又は自然環境からの光を反射することができる。図７に示すとおり、他の実施例において、光電モジュール７は、光電ユニット１４と、導電構造２と、第一透明構造１６と、第二透明構造１８とを含む。第二透明構造１８は、第一上表面１４１と平行ではない第一辺１８４を具備し、第一辺１８４の下に形成される鏡面７０は、光電ユニット１４又は自然環境からの光を反射する。断面図に示される第一辺１８４は、第一上表面１４１に相対する放物曲線、円弧又は斜辺であることができる。図８に示すとおり、他の実施例の光電モジュール８と光電モジュール７が類似するが、光電モジュール８の第一透明構造１６が、第一上表面１４１と平行ではない第二辺１６８を更に具備する。第一辺１８４と第二辺１６８の下に形成される鏡面８０は、光電ユニット１４又は自然環境からの光を反射する。
【００２７】
図９Ａ〜図９Ｃは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール９の製造流れを示す図である。図９Ａ〜図９Ｂに示すとおり、光電ユニット１４と第一透明構造１６は、第二透明構造１８の上に位置し、光電ユニット１４の保護層１４７を第一上表面１４１の上に形成する。保護層１４７は、第一金属層１４２と第二金属層１４４を露出させると共に、一部分の第一金属層１４２と第二金属層１４４を覆う。他の実施例において、保護層１４７は、すべての第一金属層１４２と第二金属層１４４を露出させるだけではなく、第一上表面１４１さえも露出させることができる。光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に絶縁拡散層９０を形成する。該絶縁拡散層９０は、少なくとも一部分の光電ユニット１４と第一透明構造１６を覆い、かつ第一金属層１４２及び第二金属層１４４を囲む。図９Ｃに示すとおり、一部分の絶縁拡散層９０を除去して、第一開口２１２と第二開口２１４を形成し、第一金属層１４２と第二金属層１４４を露出させる。つぎは、絶縁拡散層９０の上と、第一開口２１２及び第二開口２１４の中とに、第一導電層２８２及び第二導電層２８４を形成する。第一導電層２８２と第二導電層２８４をそれぞれ、第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続することにより、光電モジュール９を形成する。絶縁拡散層９０は、第一導電層２８２と第二導電層２８４を電気絶縁させ、かつ光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光を反射する反射率が５０％以上である、単層構造であることができる。絶縁拡散層９０は、第一導電層２８２から離れる一面に形成される発散表面９２を含む。該発散表面９２は、複数の顆粒を含み、光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光を発散させることができる。発散とは、光線が粗い表面に照射されるとき、不規則的に周囲に反射される現象をいう。他の実施例において、絶縁拡散層９０が複数の絶縁層スタック（図面せず）が含むことにより、分布ブラッグ反射層を形成することができる。絶縁拡散層９０の厚さは、４ミクロン〜２０ミクロンであり、好ましくは５ミクロン〜１０ミクロンである。絶縁拡散層９０の材料は、エポキシ（Epoxy）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、シリコーン（silicone）、樹脂（Resin）又は上述材料の組合せであることができる。絶縁拡散層９０を形成する方法は、スピンオン、スティール印刷又はスクリーン印刷があり、絶縁拡散層９０を除去する方法は、エッチングがある。絶縁拡散層９０は、光線を拡散及び反射する機能と、電気絶縁の機能とを同時提供することができる。それにより、拡散材料、反射材料及び絶縁材料の使用を減少させるとともに、かつ材料特性により発生する各材料の間の消耗を避けることができる。例えば、熱膨張係数又は機械強度の差異を無くすことにより、良品率を向上させるとともに、コストを引き下げることができる。また、水気が光電ユニット１４に入ることを防止することができるので、安定度を増加させることができる。第一導電層２８２の上表面は、第一金属層１４２の真上に位置し、かつ一部分の第一金属層１４２と重畳する第一沈下区域２８１と、一部分の絶縁拡散層９０と重畳する第一平坦区域２８３とを含む。そこで、第一沈下区域２８１と第一上表面１４１との間の距離が、第一平坦区域２８３と第一上表面１４１との間の距離より小さい。他の実施例において、第一沈下区域２８１と第一上表面１４１との間の距離が、絶縁拡散層９０の上表面と第一上表面１４１との間の距離より小さくてもよい。第二導電層２８４の上表面は、第二金属層１４４の真上に位置し、かつ一部分の第二金属層１４４と重畳する第二沈下区域２８５と、一部分の絶縁拡散層９０と重畳する第二平坦区域２８７とを含む。そこで、第二沈下区域２８５と第一上表面１４１との間の距離が、第二平坦区域２８７と第一上表面１４１との間の距離より小さい。他の実施例において、第二沈下区域２８５と第一上表面１４１との間の距離が、絶縁拡散層９０の上表面と第一上表面１４１との間の距離より小さくてもよい。第一導電層２８２は、絶縁拡散層９０と光電ユニット１４との間の沈下場所に形成され、好ましくは第一金属層１４２と絶縁拡散層９０との間に形成される第一充填部２８８を更に含む。第二導電層２８４は、絶縁拡散層９０と光電ユニット１４との間の沈下場所に形成され、好ましくは第二金属層１４４と絶縁拡散層９０との間に形成される第二充填部２８９を更に含む。
【００２８】
図１０Ａ〜図１０Ｂは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１００の製造流れを示す図である。図１０Ａに示すとおり、光電ユニット１４と第一透明構造１６は、第二透明構造１８の上に位置し、光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に第一絶縁層２２を形成する。第一絶縁層２２は、少なくとも一部分の光電ユニット１４と第一透明構造１６を覆うとともに、光電ユニット１４と第一透明構造１６を囲む。第一絶縁層２２の上に反射層２４を形成し、反射層２４の上に第二絶縁層２６を形成する。図１０Ｂに示すとおり、第一絶縁層２２、第二絶縁層２６及び反射層２４を除去して、第一開口２１２と第二開口２１４を形成し、第一金属層１４２と第二金属層１４４を露出させる。つぎは、第二絶縁層２６の上と、第一開口２１２及び第二開口２１４の中とに電極２８を形成し、電極２８を第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続することにより、光電モジュール１００を形成する。第一金属層１４２と第二金属層１４４との間に位置する、一部分の第一絶縁層２２と第二絶縁層２６との間に反射層２４があるので、光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光が反射される確率を増加させることにより、発光効率を向上させ、かつ水気が光電ユニット１４に入ることを防止することにより、安定度を増加させることができる。反射層２４は、電極２８及び／又は第一金属層１４２及び第二金属層１４４に電気接続することができる。他の実施例において、第二絶縁層２６で反射層２４を覆うことで、反射層２４と電極２８との間及び／又は第一金属層１４２と第二金属層１４４との間を電気絶縁させることができる。
【００２９】
図１１は、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１１０を示す断面図である。光電モジュール１１０は、導電構造２と、光電ユニット１４と、第二透明構造１８の上に位置する第一透明構造１６とを含む。第一透明構造１６は、光電ユニット１４を囲むようにその下に位置する第一透明層１６１と、第一透明層１６１を囲むようにその下に位置する第二透明層１６３と、第二透明層１６３を囲むようにその下に位置する第三透明層１６５と、第一透明層１６１と第二透明層１６３との間に位置する第一波長変換層１１２と、第二透明層１６３と第三透明層１６５との間に位置する第二波長変換層１１４とを含む。第一波長変換層１１２は、光電ユニット１４が発した光に励起されるとき、第一波長を有する光を発し、第二波長変換層１１４は、光電ユニット１４が発した光に励起されるとき、第二波長を有する光を発する。光電ユニット１４が発する光は、第三波長を有する。第三波長は、第一波長と第二波長より小さく、第一波長は、第二波長より大きい。第一波長のエネルギー準位が、第二波長変換層１１４に吸収される光のエネルギー準位より小さいので、第一波長を有する光が第二波長変換層１１４に吸収されることを下げ、波長の変換により第一波長を有する光が消耗されることを減少させ、光電モジュール１１０の発光効率を向上させることができる。第一波長変換層１１２及び／又は第二波長変換層１１４は、光電ユニット１４が発した光を吸収した後に、励起光を生成することができ、かつ光電ユニット１４が発した光と、第一波長変換層１１２及び／又は第二波長変換層１１４が生成した光とを拡散させることもできる。第一波長変換層１１２及び／又は第二波長変換層１１４の構造は、単異質構造、両異質構造、両側両異質構造、多層量子井戸又は量子ドットを具備することができ、その材料は、蛍光粉又は半導体材料であることができる。蛍光粉は、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、ケイ酸塩、バナジン酸塩、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属セレン化物、アルカリ土類金属硫化ガリウム、金属窒化物、金属窒素酸化物、タングステン・モリブデン酸塩族の混合物、酸化物の混合物、ガラス蛍光粉の混合物又は上述材料の組合せを含むが、それらに限定されるものではない。半導体材料は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びセレン（Ｓｅ）で構成される群から一種以上の元素を選ぶことができる。
【００３０】
図１２は、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１２０を示す断面図である。光電モジュール１２０は、導電構造２と、光電ユニット１４と、第二透明構造１８の上に位置する第一透明構造１６と、第二透明構造１８の下に位置する窓口層１２２とを含む。光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光は、窓口層１２２を透過することができ、窓口層１２２の屈折係数が、第二透明構造１８の屈折係数と自然環境のの屈折係数との間にあるので、第二透明構造１８と自然環境との隣接面で全反射が発生する確率を減少させることができる。窓口層１２２の屈折係数が１より大きいとともに／或いは２より小さいが、好ましくは１．１〜１．４の間にある。リフロー(reflow)で、窓口層１２２を光学モジュール、例えばレンズにする場合、窓口層１２２が光電ユニット１４又は自然環境からの光を処理することができる。断面図に示される窓口層１２２の形状は、三角形、半円形、１／４円形、逆立ち台形、五角形又は四角形であることができるが、それらに限定されるものではない。窓口層１２２の材料は、エポキシ（Epoxy）、スピンオンガラス（ＳＯＧ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、シリコーン（silicone）、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）又は上述材料の組合せであることができる。
【００３１】
図１６Ａ〜図１６Ｃは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１６００の製造流れを示す図である。図１６Ａは、本実施例の平面図であり、図１６Ｂと図１６Ｃは、本実施例の断面図である。図１６Ａに示すとおり、光電ユニット１４の一部分の保護層１４７を除去して、第一金属層１４２及びその第一延伸部１４２ａと／又は第二金属層１４４及びその第二延伸部１４４ａを露出させる。つぎは、図１６Ｂに示すとおり、光電ユニット１４と第一透明構造１６の上に絶縁拡散層９０を形成する。一部分の絶縁拡散層９０を除去して、第一金属層１４２及びその第一延伸部１４２ａと／又は第二金属層１４４及びその第二延伸部１４４ａを露出させ、かつ絶縁拡散層９０と光電ユニット１４の上に第一導電層２８２と第二導電層２８４を形成することにより、光電モジュール１６００を形成する。第一導電層２８２と第二導電層２８４はそれぞれ、第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続する。例えば、図１６Ｃに示すとおり、第一導電層２８２と第二導電層２８４を、直接第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続することができる。光電モジュール１６００の第一金属層１４２が第一延伸部１４２ａを具備し、第二金属層１４４が第二延伸部１４４ａを具備することにより、光電ユニット１４の電流拡散能力を増加させ、光電ユニット１４の発光効率を向上させることができる。第一導電層２８２と第一延伸部１４２ａが接触することと／又は第二導電層２８４と第二延伸部１４４ａが接触することにより、第一金属層１４２と第二金属層１４４の接触面積を増加させることができるので、光電モジュール１６００の放熱と電流伝導の経路を増加させ、その放熱効率を向上させることができる。
【００３２】
図１７Ａ〜図１７Ｄは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１７００の製造流れを示す図である。図１７Ａ、図１７Ｂ及び図１７Ｃは、本実施例の平面図であり、図１７Ｄは、本実施例の断面図である。図１７Ａに示すとおり、光電ユニット１４の一部分の保護層１４７を除去して、第一金属層１４２と第二金属層１４４と第二延伸部１４４ａとを露出させる。第一透明構造１６の上に第一接触層１７０を形成する。第一接触層１７０は、光電ユニット１４に延伸され、かつ第一金属層１４２に電気接続される接続部１７０ａを具備する。本実施例において、接続部１７０ａと第一金属層１４２が直接接触される。図１７Ｂに示すとおり、一部分の第一接触層１７０が露出するように、第一透明構造１６と第一接触層１７０の上に絶縁拡散層１７２を形成する。図１７Ｃ及び図１７Ｄに示すとおり、絶縁拡散層１７２と第一接触層１７０の上に第一導電層２８２を形成して、第一導電層２８２が第一接触層１７０に電気接続するようにする。かつ、絶縁拡散層１７２、第二金属層１４４及び第二延伸部１４４ａの上に第二導電層２８４を形成して、第二導電層２８４が第二金属層１４４と第二延伸部１４４ａに電気接続するようにすることにより、光電モジュール１７００を形成する。そこで、第二導電層２８４と第一接触層１７０が電気絶縁する。光電モジュール１７００の第二金属層１４４が第二延伸部１４４ａを具備することにより、光電ユニット１４の電流拡散能力を増加させ、光電ユニット１４の発光効率を向上させることができる。第二導電層２８４が第二延伸部１４４ａに接触することにより、第二金属層１４４の接触面積を増加させることができるので、光電モジュール１７００の放熱と電流伝導の経路を増加させ、その放熱効率を向上させることができる。第一接触層１７０の上を覆う絶縁拡散層１７２が、第二導電層２８４と第一金属層１４２を電気絶縁させるので、第二導電層２８４を第一金属層１４２の上まで延伸し、第二導電層２８４の上表面の面積を拡大し、かつ光電モジュール１７００の放熱と電流伝導の経路を増加させ、その放熱効率を向上させることができる。第一導電層２８２と第二導電層２８４の上表面の面積が異なる場合、例えば、第一導電層２８２の上表面の面積が第二導電層２８４の上表面の面積より大きい場合、後続の位置決め工程を容易に行うことができるので、良品率を向上させることができる。第一接触層１７０が光電ユニット１４及び／自然環境からの光を反射するので、光電モジュール１７００の発光効率向上させることができる。第一接触層１７０の材料は、上述第一金属層又は反射層の材料であることができる。
【００３３】
図１８Ａ〜図１８Ｄは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１８００の製造流れを示す図である。図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃは、本実施例の平面図であり、図１８Ｄは、本実施例の断面図である。図１８Ａに示すとおり、光電ユニット１４の一部分の保護層１４７を除去して、第一金属層１４２と第二金属層１４４と第二延伸部１４４ａとを露出させる。第一透明構造１６の上に第一接触層１７０を形成する。第一接触層１７０は、光電ユニット１４に延伸され、かつ第一金属層１４２に電気接続される接続部１７０ａと、第一透明構造１６と保護層１４７の上に形成され、かつ第二金属層１４４及び／又は第二延伸部１４４ａに電気接続される第二接触層１８０２とを具備する。図１８Ｂに示すとおり、第一接触層１７０と第二接触層１８０２が離れている。図１８Ｃに示すとおり、第一接触層１７０と第二接触層１８０２の上に第一隔離層１８０４を形成することにより、光電モジュール１８００を形成する。図１８Ａと図１８Ｄに示すとおり、光電モジュール１８００の第二金属層１４４が第二延伸部１４４ａを具備することにより、光電ユニット１４の電流拡散能力を増加させ、光電ユニット１４の発光効率を向上させることができる。第二接触層１８０２が第二延伸部１４４ａに接触することにより、第二金属層１４４の接触面積を増加させることができるので、光電モジュール１８００の放熱と電流伝導の経路を増加させ、その放熱効率を向上させることができる。第一接触層１７０と第二接触層１８０２の上に覆われている第一隔離層１８０４のサイズを調節することができるので、第一接触層１７０が露出する上表面の面積と第二接触層１８０２が露出する上表面の面積とを調節して、両者を同様又は相違にすることができる。第一接触層１７０が露出する上表面の面積と第二接触層１８０２が露出する上表面の面積とが相違する場合、本実施例においては、第二接触層１８０２が露出する上表面の面積を第一接触層１７０が露出する上表面の面積より大きくする。それにより、後続の位置決め工程を容易に行うことができるので、良品率を向上させることができる。図１８Ｄに示すとおり、第一隔離層１８０４を第一接触層１７０と第二接触層１８０２との間に形成することにより、第一接触層１７０と第二接触層１８０２を電気絶縁させ、短絡の確率を低下させ、良品率を向上させることができる。第二接触層１８０２の材料は、上述第一金属層の材料であることができ、第一隔離層１８０４の材料は、上述第一絶縁層又は絶縁拡散層の材料などであることができる。
【００３４】
図１９は、本発明の他の実施例に係る光電モジュール１９００を示す断面図である。光電モジュール１９００は、導電構造２と、光電ユニット１４と、第二透明構造１８の上に位置する第一透明構造１６とを含む。第二透明構造１８は、面取り１８６を具備し、該面取り１８６は、光電ユニット１４からの光を処理、例えば、屈折させるか、或いは反射する。光電モジュール１９００は更に、第二透明構造１８を囲むようにその下に位置する第一包み層１９０２と、第一包み層１９０２を囲むようにその下に位置する第二包み層１９０６と、第一包み層１９０２と第二包み層１９０６との間に位置する第三波長変換層１９０４とを含む。光電ユニット１４からの光が第三波長変換層１９０４で拡散され、かつ第三波長変換層１９０４に拡散されて光電ユニット１４に戻る光は、第二透明構造１８と第一包み層１９０２との隣接面で全反射される。したがって、拡散により光電ユニット１４に戻る光が光電ユニット１４に吸収されることを減らし、光電モジュール１９００の発光効率を向上させることができる。第三波長変換層１９０４は、波長変換粒子を具備し、波長変換粒子の構造は、量子ドットを具備し、その材料は、蛍光粉又は半導体材料であることができる。蛍光粉は、ＹＡＧ、ケイ酸塩、バナジン酸塩、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属セレン化物、アルカリ土類金属硫化ガリウム、金属窒化物、金属窒素酸化物、タングステン・モリブデン酸塩族の混合物、酸化物の混合物、ガラス蛍光粉の混合物又は上述材料の組合せを含むが、それらに限定されるものではない。半導体材料は、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、リン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びセレン（Ｓｅ）で構成される群から一種以上の元素を選ぶことができる。
【００３５】
図２０Ａ〜図２０Ｆは、本発明の他の実施例に係る光電モジュール２０００の製造流れを示す図である。図２０Ａに示すとおり、臨時マウント１０の上に粘着層１２を形成し、粘着層１２の上に光電ユニット１４を形成する。光電ユニット１４は、第一金属層１４２と第二金属層１４４を含む。粘着層１２の上には光電ユニット１４から離れる２つの第一導線構造２００２を形成する。２つの第一導線構造２００２は、光電ユニット１４の同側に位置するか、或いはそれぞれ光電ユニット１４の両側に位置することができる。図２０Ｂに示すとおり、粘着層１２と光電ユニット１４の上に第一包み構造２００４を形成する。第一包み構造２００４は、粘着層１２と光電ユニット１４を覆い、かつ光電ユニット１４と第一導線構造２００２との間に位置する。図２０Ｃに示すとおり、一部分の第一包み構造２００４を除去して、第一金属層１４２と第二金属層１４４と第一導線構造２００２とを露出させる。かつ、第一金属層１４２と第二金属層１４４と第一導線構造２００２とが露出するように、第一包み構造２００４の上に第一隔離層２００６を形成する。図２０Ｄに示すとおり、第一隔離層２００６の上に第二導線構造２００８を形成し、第二導線構造２００８をそれぞれ第一金属層１４２と第二金属層１４４に電気接続させる。図２０Ｅに示すとおり、第一隔離層２００６と第二導線構造２００８の上に第一透明構造１６を形成する。第一透明構造１６は、発光ユニット１４が発した光が向かう経路に位置する第一波長変換層２０１０と、第一透明構造１６の上に位置する第二透明構造１８とを含む。図２０Ｆに示すとおり、臨時マウント１０と粘着層１２を除去した後、第一導線構造２００２と第一下表面１４３が露出するように、第一包み構造２００４と光電ユニット１４の下に第二隔離層２０１２を形成し、かつ第二隔離層２０１２の下に第一導電層２０１４と第二導電層２０１６を形成することで、光電モジュール２０００を形成する。そこで、第一導電層２０１４と第二導電層２０１６はそれぞれ、第一導電構造２００２に電気接続される。第二導電層２０１６と第一下表面１４３とが直接接触することにより、光電ユニット１４の放熱を改善し、光電モジュール２０００の放熱効果を向上させる。
【００３６】
第一導電構造２００２は、電流が流れるように、第一金属層１４２と第一導電層２０１４との間と、第二金属層１４４と第二導電層２０１６との間とを電気接続させる。第一導電構造２００２は、光電ユニット１４及び／又は自然環境からの光を反射する反射率が７０％以上であり、その材料は、上述第一導電層及び反射層の材料と同様であることができる。第一包み構造２００４は、第一包み構造２００４は、光電ユニット１４を包むことで、光電ユニット１４を固定及び載置し、かつ光電モジュール２０００の機械強度を向上させる。第一包み構造２００４は、光電ユニット１４が発する光に対しては透明であり、その材料は、第二透明構造１８と同様又は相違にすることができる。第一隔離層２００６は、第一導電構造２００２と光電ユニット１４を電気絶縁させ、その材料は、上述第一絶縁層の材料であることができる。第二隔離層２０１２は、第一導電層２０１４と第二導電層２０１６を電気絶縁させるとともに、光電ユニット１４が発する光を反射又は拡散することができる。第二隔離層２０１２の材料は、上述第一絶縁層又は絶縁拡散層の材料などであることができる。第二導線構造２００８は、電流が流れるように、第一金属層１４２と第一導電層２０１４との間と、第二金属層１４４と第二導電層２０１６との間とを電気接続させる。第二導線構造２００８の材料は、上述第一導電層の材料と同様であることができる。
【００３７】
図２１に示すとおり、他の実施例において、断面図に示される光電モジュール２１００の第二透明構造１８が円弧であることができる。図２２に示すとおり、他の実施例において、断面図に示される光電モジュール２１００の第二透明構造１８が台形であることができる。第二透明構造１８は、その形状を調節することで、光電モジュールが発する光により形成される光形状を改変することができる。断面図に示されるその形状は、三角形、１／４円形、逆立ち台形、五角形又は四角形であることができるが、それらに限定されるものではない。第一透明構造１６の形状と第二透明構造１８の形状が同様又は相違することができる。
【００３８】
図１３は、光源生成装置を示す図である。光源生成装置１３０は、晶粒を生成する上述複数の実施例のいずれかの１つに記載の光電モジュールを含む。光源生成装置１３０は、一種の照明装置、例えば、街路灯、車ライト、室内照明光源であるか、或いは交通標識、平面表示装置のバックライトモジュールのバックライトであることができる。光源生成装置１３０は、発光モジュールで構成される光源１３１と、光源１３１に電流を供給するための電源供給システム１３２と、電源供給システム１３２を制御するための制御モジュール１３３とを含む。
【００３９】
図１４は、バックライドモジュールの断面を示す図である。バックライドモジュール１４００は、上述実施例中の光源生成装置１３０と、光学モジュール１４０１とを含む。光学モジュール１４０１は、光源生成装置１３０が発する光を処理して、平面表示装置に提供する。例えば、光源生成装置１３０が発する光を拡散する。
【００４０】
上述した実施例は、例示として本発明の原理及びその効果を説明するものであるが、本発明を限定するものではない。本発明に属する技術分野における通常の知識を有する者が、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても、当然にこの発明に含まれる。すなわち、本発明の特許請求の範囲は、後述する特許請求の範囲が記載するとおりである。
【符号の説明】
【００４１】
１、４、５、６、７、８、９、１００、１１０、１２０、１６００、１７００、１８００、１９００、２０００、２１００、２２００  光電モジュール
１０  臨時マウント
１２  粘着層
１４  光電ユニット
１４０  側面
１４１  第一上表面
１４２  第一金属層
１４２ａ  第一延伸部
１４３  第一下表面
１４４  第二金属層
１４４ａ  第二延伸部
１４５  発光構造
１４５ａ  基板
１４５ｂ  第一電気層
１４６  第一ワイヤパッド
１４７  保護層
１４８  第二ワイヤパッド
１４９ａ  第一誘電層
１４９ｂ  第二誘電層
１６  第一透明構造
１６１  第一透明層
１６２  第二上表面
１６３  第二透明層
１６４  斜面
１６５  第三透明層
１６６  第二下表面
１６８  第二辺
１７０  第一接触層
１７０ａ  接続部
１８  第二透明構造
１８２  第三下表面
１８４  第一辺
１８６  面取り
１８０２  第二接触層
１８０４、２００６  第一隔離層
１９０２  第一包み層
１９０４  第三波長変換層
１９０６  第二包み層
２  導電構造
２１２  第一開口
２１４  第二開口
２２  第一絶縁層
２４  反射層
２６  第二絶縁層
２８  電極
２８１  第一沈下区域
２８２、２０１４  第一導電層
２８３  第一平坦区域
２８４、２０１６  第二導電層
２８５  第二沈下区域
２８６  斜面角
２８７  第二平坦区域
２８８  第一充填部
２８９  第二充填部
２００２  第一導線構造
２００４  第一包み構造
２００８  第二導線構造
２０１２  第二隔離層
３０  晶種層
３２  第一フォトマスク
３４  電着層
３６  第二フォトマスク
４０  凹部
６０、７０、８０  鏡面
９０、１７２  絶縁拡散層
９２  発散表面
１１２、２０１０  第一波長変換層
１１４  第二波長変換層
１２２  窓口層
１３０  光源生成装置
１３１  光源
１３２  電源供給システム
１３３  制御モジュール
１４００  バックライトモジュール
１４０１  光学モジュール
１５０  発光装置
１５１  ＬＥＤ
１５２  サブマウント
１５３  基板
１５６  半田
１５８  電気接続構造
１５５  電極
ｄ１  第一間隔
ｄ２  第二間隔
ｄ３  第三間隔
ｄ４  第四間隔
Ｗ１  第一幅
Ｗ２  第二幅
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１８Ｄ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２０Ｆ】
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【図２１】
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【図２２】
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