(57)【要約】【課題】基板、センサチップ、複数の金属ワイヤ、支持枠、透光カバー及びモールドパッケージを備えるセンサパッケージ構造を提供する。【解決手段】基板１は、チップ実装エリア１１及びその外側に配置される複数の第１のパッド１２を有する。センサチップ２は、チップ実装エリアに配置され、感知エリア２１及びその外側に配置される複数の第２のパッド２２を有する。複数の金属ワイヤ３の一端がそれぞれ複数の第１のパッドと接続され、その他端がそれぞれ複数の第２のパッドと接続される。支持枠４が基板及び／又はセンサチップの上方に設けられ、支持枠の内側の縁に位置決め部４２が形成される。透光カバー６が支持枠に配置され、位置決め部によりセンサチップの上方に固定されると共に、センサチップとの間に垂直距離Ｄが維持される。モールドパッケージ９が基板と支持枠との間に充填されて支持枠の上面の一部を覆う。【選択図】図３
2019047103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ実装エリアと、前記チップ実装エリアの外側に配置される複数の第１のパッドとを含む基板と、
前記チップ実装エリアに配置され、感知エリアと、前記感知エリアの外側に配置される複数の第２のパッドとを含むセンサチップと、
各一端がそれぞれ前記複数の第１のパッドと接続され、各他端がそれぞれ前記複数の第２のパッドと接続される複数の金属ワイヤと、
前記基板及び／又は前記センサチップの上方に設けられると共に内側の縁に位置決め部が形成される支持枠と、
前記支持枠に設けられ、前記位置決め部により前記センサチップの上方に固定されて、前記センサチップとの間に垂直距離を維持するように構成される透光カバーと、
前記基板と前記支持枠の間に充填されると共に、前記支持枠の上面の一部を覆うモールドパッケージ（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と
を備えることを特徴とする、センサパッケージ構造。
【請求項２】
前記垂直距離は、２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項３】
前記基板は、正方形状又は長方形状を呈し、
前記基板の少なくとも一つの側縁の長さは、７．５ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項４】
前記支持枠は、前記基板と接触せず、前記支持枠と前記基板と間に距離が空いていることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項５】
前記支持枠の一部の側面はカット面であり、
前記支持枠の前記一部の側面は、前記モールドパッケージの側面と面一となることを特徴とする、請求項４に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項６】
前記支持枠は、基板と接触していることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項７】
前記支持枠の一部の側面はカット面であり、
前記支持枠の前記一部の側面は、前記モールドパッケージの側面と面一になることを特徴とする、請求項６に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項８】
シール材をさらに備え、
前記支持枠は、前記シール材により前記センサチップと粘着され、
前記シール材の少なくとも一部は、感知エリアと第２のパッドとの間に介在するか、又は前記複数の第２のパッドを覆うことを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項９】
前記モールドパッケージは、前記複数の第１のパッド、前記複数の第２のパッド、及び前記複数の金属ワイヤを覆うことを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項１０】
少なくとも一つの電子部品をさらに備え、
前記少なくとも一つの電子部品は、前記基板に配置されると共に前記モールドパッケージに埋め込まれ、
前記支持枠は、前記センサチップの側縁の上方に設けられるインナーリンクと、前記インナーリンクの外側に配置されるアウターリンクとをさらに備え、
前記少なくとも一つの電子部品は、前記アウターリンクの下方に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項１１】
前記支持枠における対向する各内側に内凹部が設けられ、
前記複数の金属ワイヤがそれぞれ前記内凹部に収納され、
前記支持枠における対向する各外側の底部に外凹部が設けられ、
前記基板に実装されて前記モールドパッケージに埋め込まれた複数の電子部品がそれぞれ前記複数の外凹部に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項１２】
前記透光カバーの天面における側縁と近接する部分に設けられ、その一部が前記透光カバーの天面の少なくとも一部を覆う阻止壁をさらに備え、
前記モールドパッケージは、前記阻止壁の外側と隣接され、
前記モールドパッケージの天面と前記基板との間の距離は、前記透光カバーの天面と前記基板との間の距離よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセンサパッケージ構造。
【請求項１３】
前記位置決め部は、切欠きを有するリング溝であり、
前記切欠きの側壁と前記透光カバーとの間に、前記感知エリアと前記透光カバーとの間に形成された空間と連通する気流通路が形成されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセンサパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ構造に関し、特にセンサパッケージ構造（ＳＥＮＳＯＲ ＰＡＣＫＡＧＥ ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、センサパッケージ構造には、パッケージサイズを縮めるために、イメージセンサオンセラミックリードレスチップキャリアパッケージ（ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒ  ｍｏｌｄｅｄ  ｏｎ  ｌｅａｄｌｅｓｓ  ｃｈｉｐ  ｃａｒｒｉｅｒ，ｉＭＬＣＣ）というパッケージ構造が主に採用されている。イメージセンサオンセラミックリードレスチップキャリアパッケージ構造は、透光カバーとセンサチップとの間にフレームが設けられることにより、透光カバーとセンサチップとの垂直距離を確保している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
なお、透光カバーとセンサチップとの間の距離を確保することについて、従来のセンサのパッケージ構造は、まだ改善の余地がある。
【０００４】
そこで、本発明者は、デメリットを改善できると考え、鋭意検討し、また、学理を活用し、設計が合理的で、且つデメリットを効果的に改善する本発明をようやく提案した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る実施形態は、従来のセンサパッケージ構造に生じ易いデメリットを効果的に改善できるセンサパッケージ構造を提供する。
【０００６】
本発明に係る実施形態は、センサパッケージ構造が開示されている。センサパッケージ構造は、チップ実装エリア、及び該チップ実装エリアの外側に配置される複数の第１のパッドを含む基板と、チップ実装エリアに配置され、感知エリア及び該感知エリアの外側に配置される複数の第２のパッドを含むセンサチップと、各一端がそれぞれ複数の第１のパッドと接続され、各他端がそれぞれ複数の第２のパッドと接続される複数の金属ワイヤと、基板及び／又はセンサチップの上方に設けられると共に内側の縁に位置決め部が形成される支持枠と、支持枠に配置され、センサチップと一定の距離を離れて維持されるように位置決め部によりセンサチップの上方に固定される透光カバーと、基板と支持枠との間に充填され、支持枠の上面の一部を覆うモールドパッケージとを備えている。
【発明の効果】
【０００７】
上記を纏めて、本発明に係る実施形態により開示されたセンサパッケージ構造は、支持枠をほぼモールドパッケージ内に埋め込む（例えば、モールドパッケージが基板と支持枠の間に充填され、支持枠の上面の一部を覆うように設けられる）ことにより、透光カバーとセンサチップとの間の垂直距離を効果的に維持することができる。また、支持枠には透光カバーを固定する位置決め部が設けられ、これにより、透光カバーとセンサチップとの相対位置を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態１に係る、カットされていないセンサパッケージ構造を示す模式平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った模式断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿った模式断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係るセンサパッケージ構造の支持枠を模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る、カットされたセンサパッケージ構造を示す模式断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る、カットされていないセンサパッケージ構造を示す模式平面図である。
【図７】図６のＶII−ＶII線に沿った模式断面図である。
【図８】図６のＶIII−ＶIII線に沿った模式断面図である。
【図９】本発明の実施形態２に係る、カットされたセンサパッケージ構造を示す模式断面図である。
【図１０】本発明の実施形態３に係る、カットされていないセンサパッケージ構造を示す模式平面図である。
【図１１】図１０のＸI−ＸI線に沿った模式断面図である。
【図１２】図１０のＸII−ＸII線に沿った模式断面図である。
【図１３】本発明の実施形態３に係る、カットされたセンサパッケージ構造を示す模式断面図である。
【図１４Ａ】本発明の実施形態４に係るセンサパッケージ構造を示す模式断面図（１）である。
【図１４Ｂ】本発明の実施形態４に係るセンサパッケージ構造を示す模式断面図（２）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態を述べる図１ないし図１４Ｂを参照する。なお、本実施形態の対応する図面に言及している、関連する数と外形とは、本発明の実施の態様を具体的に説明し、本発明を理解しやすくするためのものに過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではない。
【００１０】
本発明に開示されたセンサパッケージ構造は、その設計者の要望に応じて選択的にカット（切断）ができることについてまず説明しておく。すなわち、本発明に係るセンサパッケージ構造はカットされていなくてもよく、カットされていてもよい。なお、本発明をより理解しやすくするために、下記の各実施形態については、まず、カットされていないセンサパッケージ構造を説明してから、カットされていないセンサパッケージ構造がカットされた後に生じる差異について説明することとする。
【００１１】
［実施形態１］
本発明の実施形態１を述べる図１ないし図５を参照する。図１ないし図３に示すように、センサパッケージ構造１００は、基板１と、該基板１に配置されるセンサチップ２と、基板１とセンサチップ２とを電気的に接続する複数の金属ワイヤ３と、基板１及び／又はセンサチップ２の上方に設けられる支持枠４と、センサチップ２と支持枠４との間に接着されるシール材５と、支持枠４に配置される透光カバー６と、該透光カバー６の天面に配置される阻止壁７と、基板１と支持枠４との間に充填されると共に、支持枠４の上面の一部を覆うモールドパッケージ（ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）９と、基板１に配置されると共にモールドパッケージ９に埋め込まれる少なくとも一つの電子部品８とを備えている。下記において、本実施形態に係るセンサパッケージ構造１００の各部材構造及び接続関係についてそれぞれ説明する。
【００１２】
本実施形態において、基板１は正方形状又は長方形状を呈しており、少なくとも一つの側縁の長さが７．５ｍｍ以下となる。なお、基板１の側縁の何れの長さも７．５ｍｍ以下となることが好ましい。なかでも、基板１の天面には、チップ実装エリア１１、及び該チップ実装エリア１１の外側に位置するように複数の第１のパッド１２が設けられている。チップ実装エリア１１の形状は、センサチップ２と対応するように形成されている。また、チップ実装エリア１１が本実施形態においては長方形とされて、それは対向する二つの短辺側縁及び対向する二つの長辺側縁（図１に示すように）を有する。複数の第１のパッド１２はそれぞれチップ実装エリア１１における二つの短辺側縁及び一方の長辺側縁の外側に設けられる。
【００１３】
本実施形態において、センサチップ２はイメージセンサチップである。センサチップ２の天面には、感知エリア２１、及び該感知エリア２１の外側に位置するように複数の第２のパッド２２が設けられる。なかでも、本実施形態においては、感知エリア２１が長方形とされており、対向する二つの短辺側縁及び対向する二つの長辺側縁（図１に示すように）を有する。なお、複数の第２のパッド２２はそれぞれ感知エリア２１における二つの短辺側縁及び一方の長辺側縁の外側に設けられる。
【００１４】
また、センサチップ２は基板１のチップ実装エリア１１に配置されており、且つ複数の第２のパッド２２の位置がそれぞれ複数の第１のパッド１２の位置と対応する。別の観点から見ると、基板１のチップ実装エリア１１における他方の長辺側縁の外側にはいずれの第１のパッド１２も設けていない。また、センサチップ２の感知エリア２１における他方の長辺側縁の外側には何れの第２のパッド２２も設けていない上に、外側に何れの第１のパッド１２も設けていない該チップ実装エリア１１の該長辺側縁と近接するように構成されている。
【００１５】
複数の金属ワイヤ３の一端がそれぞれ複数の第１のパッド１２と接続されて、他端がそれぞれ複数の第２のパッド２２と接続される。これにより、基板１とセンサチップ２とが複数の金属ワイヤ３を介して電気的に接続されるようにすることができる。なかでも、金属ワイヤ３はその高さを低くするようにボールボンディング（エレクトロン・フレーム・オフ（ＥＦＯ））の方式により形成されることが好ましい。
【００１６】
本実施形態において、支持枠４は環状を呈し、且つ、その外側部には複数の支持足４１（図１又は図４に示すように）が設けられている。また、支持枠４の内側の縁に位置決め部４２が設けられている。なかでも、本実施形態において、位置決め部４２はリング溝に形成され、且つ、該リング溝は支持枠４の内側の縁の頂部に形成される。
【００１７】
また、支持枠４の複数の支持足４１は基板１の天面上に配置される。基板１における複数の支持足４１と接触する位置はそれぞれ、チップ実装エリア１１の外側に位置すると共に、チップ実装エリア１１の二つの短辺側縁と、外側の何れの第１のパッド１２も設けていない長辺側縁と対応するように設けられている。支持枠４の内側部分の下縁はシール材５によりセンサチップ２に粘着され、該シール材５の一部は感知エリア２１と複数の第２のパッド２２との間に介在されている（他の実施形態として、シール材５が複数の第２のパッド２２を覆ってもよい）。これにより、支持枠４とセンサチップ２との間にほぼ隙間がない接続構造が実現する。
【００１８】
本実施形態において、透光カバー６は平板構造とされており、その外形が位置決め部４２の外形と対応するようになっている（例えば、同じ又は略小さい）。また、透光カバー６の厚さが位置決め部４２の厚さ（即ち、リング溝の深さ）よりも大きくなることが好ましい。言い換えれば、本実施形態において、透光カバー６のサイズはセンサチップ２のサイズ（又はチップ実装エリア１１）よりも大きい。
【００１９】
また、透光カバー６の底部は支持枠４の位置決め部４２内に配置されている。すなわち、本実施形態の透光カバー６の頂部は位置決め部４２から突き出ている。また、該透光カバー６は、位置決め部４２によりセンサチップ２の上方に固定されることにより、センサチップ２との間に垂直距離Ｄを維持する。従って、本実施形態に係るセンサパッケージ構造１００は、位置決め部４２を変更（調整）することにより、透光カバー６とセンサチップ２との間の垂直距離Ｄをより精度良く制御することができる。なかでも、本実施形態の垂直距離Ｄは２００μｍであることが好ましい。他の好ましい実施形態として、垂直距離Ｄは３００μｍであることが好ましい。
【００２０】
追加で説明しなければならないことでは、図３及び図４に示すように、支持枠４が位置決め部４２（又はリング溝）に切欠き４２１が設けられる。該切欠き４２１の側壁と透光カバー６との間には気流通路Ｃが設けられ、該気流通路Ｃは、感知エリア２１と透光カバー６の間に形成された空間と連通するように形成されている。これにより、本実施形態に係るセンサパッケージ構造１００は、その製造過程において、気流通路Ｃにより、感知エリア２１と透光カバー６との間にある空気が膨張することによって透光カバー６を変位させてしまうことを効果的に避けることができる。
【００２１】
また、切欠き４２１の一部は、チップ実装エリア１１の一方の短辺側縁の支持足４１と対応するように構成され、且つ、気流通路Ｃの出口は、支持足４１の上方に配置されている。
【００２２】
阻止壁７は、透光カバー６の天面における側縁と近接する位置に設けられると共に、少なくとも透光カバー６の天面の一部を覆うように構成されている。なかでも、本実施形態においては、阻止壁７は環状を呈し、且つ透光カバー６の側縁から距離をおいて設けられることが好ましい。さらに言えば、阻止壁７がセンサチップ２の天面に投影されて投影エリアを形成する場合には、その投影エリアは、感知エリア２１の外側を囲むようにすることが好ましい。
【００２３】
本実施形態において、少なくとも一つの電子部品８の数は、複数として説明するが、各々の電子部品８の類型について、設計者の要望に応じて変更することができ、ここについて本発明は制限しない。なかでも、複数の電子部品８が基板１に配置されて、それぞれがチップ実装エリア１１の二つの長辺側縁の外側に位置する。なお、複数の電子部品８におけるいくつかの電子部品８は、上記のように、外側に何れの第１のパッド１２も設けていない長辺側縁と対応する（又は近接する）ように設けられると共に、支持枠４の下方に配置される。
【００２４】
モールドパッケージ９の大部分は、基板１上のチップ実装エリア１１以外のエリアに配置され、即ち、モールドパッケージ９が基板１の天面に向かって正投影されて投影エリアを形成すれば、その投影エリアの大部分がチップ実装エリア１１の外側に位置することが好ましい。なかでも、モールドパッケージ９の側面が基板１の側縁とほぼ面一となり、且つ、モールドパッケージ９の天面が阻止壁７の上縁とほぼ面一となるようにする。
【００２５】
詳しく言うと、モールドパッケージ９は、複数の第１のパッド１２、複数の第２のパッド２２、複数の金属ワイヤ３、及び複数の電子部品８を覆うように設けられている。モールドパッケージ９は、支持枠４の上面を覆って、阻止壁７の外側と隣接している。また、モールドパッケージ９は、透光カバー６における支持枠４の上面と阻止壁７との間に位置する上縁と外側縁とを覆っている。なかでも、モールドパッケージ９の天面と基板１との間の距離は、透光カバー６の天面と基板１との間の距離よりも大きくなるように設定されている。
【００２６】
以上は、本実施形態に係る、カットされていないセンサパッケージ構造１００についての説明であるが、上記のように、カットされていないセンサパッケージ構造１００を、図３（又は図１）に示すような二つのカット経路Ｓに沿ってカットを行った結果、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造１００’（図５に示すように）を形成することができる。これにより、パッケージのサイズを縮めることができる。下記において、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造１００’の差異について説明する。
【００２７】
具体的に言えば、図５に示すように、支持枠４の一部の側面がカット面４７である。また、支持枠４の一部の側面がモールドパッケージ９の側面と面一となっている。なかでも、支持枠４の対応する位置に二つのカット面４７が形成されるように、チップ実装エリア１１における二つの短辺側縁と対応する二つの支持足４１が切除され、また、気流通路Ｃの出口が一方のカット面４７に位置するように変更される。
【００２８】
［実施形態２］
本発明に係る実施形態２を述べる図６ないし図９を参照する。なお、本実施形態に係るセンサパッケージ構造２００の一部の部材が、実施形態１の部材と類似するため、ここではその説明を省略する。
【００２９】
具体的に言えば、図６ないし図８に示すように、本実施形態に係るセンサパッケージ構造２００は、基板１と、該基板１に配置されるセンサチップ２と、基板１とセンサチップ２と電気的に接続される複数の金属ワイヤ３と、センサチップ２の上方に設けられ、基板１と接触しない支持枠４と、センサチップ２と支持枠４との間に接着されるシール材５と、支持枠４に配置される透光カバー６と、該透光カバー６の天面に配置される阻止壁７と、基板１と支持枠４との間に充填されると共に、支持枠４の上面の一部を覆うモールドパッケージ９と、基板１に配置されると共にモールドパッケージ９に埋め込まれる少なくとも一つの電子部品８とを備えている。下記において、本実施形態に係るセンサパッケージ構造２００の各部材構造及び接続関係についてそれぞれ説明する。
【００３０】
本実施形態において、支持枠４は環状を呈し、且つ支持足４１を設けていない。また、支持枠４の内側の縁には、位置決め部４２が形成されている。なお、本実施形態に係る位置決め部４２の構成は実施形態１とほぼ同一であるため、ここでは説明を省略する。なかでも、支持枠４には、インナーリンク４３とアウターリンク４４とが含まれる。アウターリンク４４はインナーリンク４３の外側と連結され、位置決め部４２がインナーリンク４３の上方に形成される。
【００３１】
また、支持枠４のインナーリンク４３がセンサチップ２の上方に設けられ（即ち、センサチップ２の側縁の上方に位置付けられ）、センサチップ２がインナーリンク４３と接触する位置は、チップ実装エリア１１の外側にされている。さらに言えば、支持枠４が基板１と接触されていない上に、双方の間に距離が設けられている。なお、支持枠４のインナーリンク４３の下縁は、シール材５によってセンサチップ２と粘着されており、該シール材５の一部は感知エリア２１と複数の第２のパッド２２の間に介在されている（他の実施形態として、シール材５が複数の第２のパッド２２を覆ってもよい）。これにより、支持枠４とセンサチップ２との間にほぼ隙間がない接続構造が実現される。さらに言えば、感知エリア２１の二つの短辺側縁と対応する（又は近接する）アウターリンク４４は、本実施形態において、基板１から外方に突き出しており、各々の側縁に露出部４４１を定義するようになっている。
【００３２】
また、支持枠４と透光カバー６との間には、気流通路Ｃが形成されている。本実施形態に係る気流通路Ｃは、実施形態１と類似しているものの、本実施形態に係る支持枠４における切欠き４２１の一部は、アウターリンク４４における一つの露出部４４１と対応するように構成されている。また、気流通路Ｃの出口は、露出部４４１の上面に設けられている。
【００３３】
少なくとも一つの電子部品８の数は、複数として説明するが、各々の電子部品８の類型について、設計者の要望に応じて変更することができ、ここについて本発明は制限しない。なかでも、複数の電子部品８が基板１に配置されて、上記のように、外側に何れの第１のパッド１２も設けていない長辺側縁と対応する（又は近接する）ように設けられると共に、支持枠４の下方に配置される。
【００３４】
モールドパッケージ９は、複数の第１のパッド１２、複数の第２のパッド２２、複数の金属ワイヤ３、及び複数の電子部品８を覆うように設けられている。モールドパッケージ９は、支持枠４の上面を覆って、阻止壁７の外側と隣接している。また、モールドパッケージ９は、透光カバー６における支持枠４の上面と阻止壁７との間に位置する上縁と外側縁とを覆っている。ここで、図８に示すように、支持枠４における短辺側の二つの露出部４４１がモールドパッケージ９から突き出している。
【００３５】
以上は、本実施形態に係る、カットされていないセンサパッケージ構造２００についての説明であるが、上記のように、カットされていないセンサパッケージ構造２００を、図８（又は図６）に示すような二つのカット経路Ｓに沿ってカットを行った結果、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造２００’（図９に示すように）を形成することができる。これにより、パッケージのサイズを縮めることができる。下記において、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造２００’の差異について説明する。
【００３６】
具体的に言えば、図９に示すように、支持枠４の一部の側面がカット面４７である。また、支持枠４の一部の側面がモールドパッケージ９の側面と面一となっている。なかでも、支持枠４の対応する部分に二つのカット面４７が形成されるように、支持枠の二つの露出部４４１が切除され、また、気流通路Ｃの出口が一方のカット面４７に位置するように変更される。
【００３７】
［実施形態３］
本発明に係る実施形態３を述べる図１０ないし図１３を参照する。なお、本実施形態に係るセンサパッケージ構造３００の一部の部材が、実施形態１、２の部材と類似するため、ここではその説明を省略する。
【００３８】
具体的に言えば、図１０ないし図１２に示すように、本実施形態に係るセンサパッケージ構造３００は、基板１と、該基板１に配置されるセンサチップ２と、基板１とセンサチップ２と電気的に接続される複数の金属ワイヤ３と、基板１に配置される支持枠４と、支持枠４に配置される透光カバー６と、該透光カバー６の天面に配置される阻止壁７と、基板１と支持枠４との間に充填されると共に、支持枠４の上面の一部を覆うモールドパッケージ９と、基板１に配置されると共にモールドパッケージ９に埋め込まれる複数の電子部品８とを備えている。下記において、本実施形態に係るセンサパッケージ構造３００の各部材構造及び接続関係についてそれぞれ説明する。
【００３９】
基板１における複数の第１のパッド１２は、それぞれチップ実装エリア１１の二つの短辺側縁の外側に設けられている。また、センサチップ２の複数の第２のパッド２２は、それぞれ感知エリア２１の二つの短辺側縁の外側に設けられると共に、それぞれ複数の第１のパッド１２の位置と対応するように配置されている。言い換えれば、基板１におけるチップ実装エリア１１の二つの長辺側縁の外側に何れの第１のパッド１２も設けていない。また、センサチップ２における感知エリア２１の長辺側縁の外側に何れの第２のパッド２２も設けていない。
【００４０】
本実施形態において、支持枠４は環状を呈し、且つ、支持枠４の外側部分には少なくとも二つの長形の支持足４１が設けられている。また、支持枠４の内側の縁に位置決め部４２が設けられている。なお、本実施形態における位置決め部４２の構成は実施形態１とほぼ同じであるため、ここでは説明を省略する。なかでも、支持枠４が対向する各内側に内凹部４５が設けられ、また、支持枠４が対向する各外側の底部に外凹部４６が設けられている。
【００４１】
また、支持枠４の複数の支持足４１が基板１と接触して設けられている。基板１における複数の支持足４１と接触する位置は、それぞれチップ実装エリア１１の外側であり、且つ、それぞれがチップ実装エリア１１の二つの短辺側縁と対応するように構成されている。なかでも、支持枠４の内凹部４５がそれぞれチップ実装エリア１１の二つの短辺側縁と対応し、支持枠４の外凹部４６がそれぞれチップ実装エリア１１の二つの長辺側縁と対応している。また、複数の金属ワイヤ３は、それぞれ複数の内凹部４５に収納されている。なお、複数の電子部品８が基板１に設けられると共に、それぞれの電子部品８が外凹部４６に配置されている。
【００４２】
また、支持枠４と透光カバー６との間には、気流通路Ｃが形成されている。気流通路Ｃは、実施形態１と類似しているものの、本実施形態に係る支持枠４における切欠き４２１の一部は、支持枠４における一つの支持足４１と対応するように構成されている。また、気流通路Ｃの出口は、支持足４１の上方に設けられている。
【００４３】
モールドパッケージ９は、支持枠４の外側及び上側に配置されている。即ち、モールドパッケージ９は、支持枠４の複数の外凹部４６に充填され、一方、複数の内凹部４５には充填されていない。これにより、モールドパッケージ９は、複数の電子部品８を覆うものの、複数の第１のパッド１２、複数の第２のパッド２２及び複数の金属ワイヤ３は覆っていない。なかでも、モールドパッケージ９の側面が基板１の側縁とほぼ面一となり、モールドパッケージ９の天面が阻止壁７の上縁とほぼ面一となるようにする。
【００４４】
以上は、本実施形態に係る、カットされていないセンサパッケージ構造３００についての説明であるが、上記のように、カットされていないセンサパッケージ構造３００を、図１２（又は図１０）に示すような二つのカット経路Ｓに沿ってカットを行った結果、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造３００’（図１３に示すように）を形成することができる。これにより、パッケージのサイズを縮めることができる。下記において、本実施形態に係る、カットされたセンサパッケージ構造３００’の差異について説明する。
【００４５】
具体的に言えば、図１３に示すように、支持枠４の一部の側面がカット面４７である。また、支持枠４のその一部の側面がモールドパッケージ９の側面と面一になっている。なかでも、支持枠４の対応する部分に二つのカット面４７が形成されるように、支持枠の二つの支持足４１が切除され、また、気流通路Ｃの出口が一方のカット面４７に位置するように変更される。
【００４６】
［実施形態４］
本発明に係る実施形態４を述べる図１４Ａ、図１４Ｂを参照する。なお、本実施形態に係るセンサパッケージ構造４００、５００の一部の部材が、上記の実施形態と類似するため、ここではその説明を省略する。
【００４７】
具体的に言えば、本実施形態に係るセンサパッケージ構造４００、５００の透光カバー６の天面が支持枠４の天面と面一となっている。なお、図１４Ｂに示すセンサパッケージ構造５００において、阻止壁７が透光カバー６の天面の外縁及び支持枠４の天面の内縁を共に覆うように構成されている。
【００４８】
［本発明に係る実施形態の技術的な効果］
上記を纏めて、本発明に係る実施形態により開示されたセンサパッケージ構造は、支持枠をほぼモールドパッケージ内に埋め込む（例えば、モールドパッケージが基板と支持枠の間に充填され、支持枠の上面の一部を覆うように設けられる）ことにより、透光カバーとセンサチップとの間の垂直距離を効果的に維持することができる。また、支持枠には透光カバーを固定する位置決め部が設けられ、これにより、透光カバーとセンサチップとの相対位置を保持することができる。
【００４９】
また、本発明に係る実施形態により開示されたセンサパッケージ構造は、支持枠における位置決め部を変更（調整）することにより、透光カバーとセンサチップとの間の垂直距離Ｄをより精度良く制御することができる。例えば、垂直距離を２００μｍ及び３００μｍの間にあるように制御する。また、センサパッケージ構造は、支持枠がほぼモールドパッケージに埋め込まれた後にカットを行うことができる。これにより、パッケージのサイズを縮めることができる。
【００５０】
また、本発明に係る実施形態１、実施形態２及び実施形態４が開示されるセンサパッケージ構造は、支持枠をほぼモールドパッケージに埋め込むことにより、ＭＯＣ（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｏｎ  ｃｈｉｐ）の技術的な障壁を越えて、センサパッケージ構造のサイズを効果的に縮めることができる。
【００５１】
上述したのは、本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、本発明の保護範囲を限定するためのものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づき為された均等の変形と変更とは、全て本発明の請求項の保護範囲に属するものとする。
【符号の説明】
【００５２】
１００、１００’、２００、２００’、３００、３００’、４００、５００  センサパッケージ構造
１  基板
１１  チップ実装エリア
１２  第１のパッド
２  センサチップ
２１  感知エリア
２２  第２のパッド
３  金属ワイヤ
４  支持枠
４１  支持足
４２  位置決め部（リング溝）
４２１  切欠き
４３  インナーリンク
４４  アウターリンク
４４１  露出部
４５  内凹部
４６  外凹部
４７  カット面
５  シール材
６  透光カバー
７  阻止壁
８  電子部品
９  モールドパッケージ
Ｄ  垂直距離
Ｃ  気流通路
Ｓ  カット経路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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