(57)【要約】【課題】シリコン半導体の物性は解明されていることが多いが、酸化物半導体の物性は不明な点が多い。特に、不純物が酸化物半導体に及ぼす影響について未だ明らかにされていない。以上に鑑み、酸化物半導体層を用いた半導体装置の電気特性に影響を与える不純物を防止又は排除した構成を以下に開示する。【解決手段】ゲート電極と、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置である。【選択図】図９
2019071494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第１の電極と、
前記酸化物半導体層上の第２の電極と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の電極上及び前記第２の電極上の絶縁層と、を有し、
前記酸化物半導体層の窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は酸化物半導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、酸化物半導体を用いた半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シリコン半導体の物性は解明されていることが多いが、酸化物半導体の物性は不明な点
が多い。
【０００５】
特に、不純物が酸化物半導体に及ぼす影響について未だ明らかにされていない。
【０００６】
以上に鑑み、酸化物半導体層を用いた半導体装置の電気特性に影響を与える不純物を防
止又は排除した構成を以下に開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
まず、酸化物半導体層のキャリアの要因は２つある。
【０００８】
一つ目は、酸化物半導体層中の酸素欠損に起因するキャリアである。
【０００９】
二つ目は、酸化物半導体層中のドナー元素又はアクセプター元素に起因するキャリアで
ある。
【００１０】
そして、水素元素は酸化物半導体層中においてキャリア（ドナー）となる。
【００１１】
また、水素元素は還元性を有するので酸素欠損を誘発する元素でもある。
【００１２】
よって、水素元素はキャリアを誘発する２つの要因を双方有しているため、水素元素を
含む物質は酸化物半導体層を高純度化してＩ型に近づけることを妨げる元素であるといえ
る。これは本発明者らが研究により見出した新規な知見である。
【００１３】
なお、水素元素を含む物質とは、例えば、水素、水分、水酸化物、水素化物等である。
【００１４】
ここで本発明者らが研究を進めた結果、驚くべきことに窒素が酸化物半導体層中に多量
に含有されていると、水素が酸化物半導体層中に侵入しやすくなることを見出した。
【００１５】
逆にいえば、窒素濃度を低減させた酸化物半導体層は、水素が侵入しにくい酸化物半導
体層であるといえる。
【００１６】
具体的には、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓ
ｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で計測した酸化物半導体層中の窒素濃度を１×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）とすることによ
って、水素が侵入しにくい酸化物半導体層を形成することができる。
【００１７】
つまり、ゲート電極と、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート電極
と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領域
に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供す
ることができる。
【００１８】
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶
縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に
設けられた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度
は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
【００１９】
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶
縁層上に設けられた一対のコンタクト電極と、前記ゲート絶縁層上及び前記一対のコンタ
クト電極上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、を有し、前記チャネ
ル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装
置を提供することができる。
【００２０】
または、ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶
縁層上に設けられチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に
設けられたチャネル保護層と、前記酸化物半導体層上及び前記チャネル保護層上に設けら
れた一対のコンタクト電極と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１
×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
【００２１】
または、上記半導体装置において、前記チャネル形成領域に含まれる水素濃度が６×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置を提供することができる。
【００２２】
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を３５０℃以上且つ１時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２３】
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を４５０℃以上且つ１時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２４】
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を５５０℃以上且つ１時間以
上で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
【００２５】
または、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との
間に挟まれたゲート絶縁層と、を有する半導体装置の作製方法であって、窒素濃度が１×
１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である前記酸化物半導体層を６５０℃以上且つ３分以上
で加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００２６】
酸化物半導体層中の窒素濃度を低減させることによって、水素が侵入しにくい酸化物半
導体層を形成することができる。
【００２７】
つまり、酸化物半導体層中の窒素濃度を低減させることによって、水素が酸化物半導体
層中に侵入することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】半導体装置の作製方法の一例
【図２】半導体装置の作製方法の一例
【図３】半導体装置の作製方法の一例
【図４】半導体装置の一例
【図５】半導体装置の作製方法の一例
【図６】半導体装置の作製方法の一例
【図７】半導体装置の作製方法の一例
【図８】半導体装置の作製方法の一例
【図９】スパッタ装置の一例
【図１０】ＳＩＭＳデータ
【図１１】ＳＩＭＳデータ
【図１２】ＳＩＭＳデータ
【図１３】ＳＩＭＳデータ
【図１４】ＴＤＳデータ
【図１５】半導体装置の一例
【図１６】ＴＥＭ写真
【発明を実施するための形態】
【００２９】
実施の形態及び実施例について、図面を用いて詳細に説明する。
【００３０】
但し、発明の趣旨から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、
当業者であれば容易に理解される。
【００３１】
従って、発明の範囲は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容に限定して解釈され
るものではない。
【００３２】
なお、以下に説明する構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の
符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３３】
また、以下の実施の形態及び実施例は、いくつかを適宜組み合わせて実施することがで
きる。
【００３４】
（実施の形態１）
半導体装置の作製方法の一例について説明する。
【００３５】
まず、絶縁表面を有する基板１００上にゲート電極２００を形成し、ゲート電極２００
上にゲート絶縁層３００を形成し、ゲート絶縁層３００上に酸化物半導体層４００を形成
する（図１（Ａ））。
【００３６】
基板は、どのような材料でも良い。例えば、ガラス基板、石英基板、金属基板、プラス
チック基板、半導体基板等を用いることができるがこれらに限定されない。
【００３７】
基板として絶縁性の基板を用いる場合は、絶縁表面を有しているといえる。
【００３８】
一方、基板として金属基板、半導体基板等を用いる場合は、基板上に下地絶縁層を形成
することにより、絶縁表面を形成することができる。
【００３９】
なお、基板として絶縁性の基板を用いる場合にも、基板上に下地絶縁層を形成しても良
い。
【００４０】
ゲート電極は導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、
アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、金、銀、銅、シリコン、様々な合金
、酸化物導電層（代表的にはインジウム錫酸化物等）等を用いることができるがこれらに
限定されない。ゲート電極は、単層構造でも積層構造でも良い。
【００４１】
ゲート絶縁層は、絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。例え
ば、酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アル
ミニウム膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等を用いることができるがこれらに
限定されない。ゲート絶縁層は、単層構造でも積層構造でも良い。
【００４２】
但し、酸化物半導体層へのキャリア注入を防止するためゲート絶縁層として水素含有量
及び窒素含有量が少ない膜とすることが好ましい。
【００４３】
水素含有量の少ないゲート絶縁層は、成膜ガスとして水素（Ｈ）又は水素化物（例えば
、ＳｉＨ４等）を含ませないで形成することが好ましい。
【００４４】
窒素含有量の少ないゲート絶縁層は、成膜ガスとして窒素（Ｎ）又は窒素化物（例えば
、Ｎ２Ｏ、ＮＨ４等）を含ませないで形成することが好ましい。
【００４５】
したがって、水素含有量が少ないという点に着目すると、プラズマＣＶＤ法は水素化物
（例えば、ＳｉＨ４等）を用いるので、スパッタ法により形成したゲート絶縁膜が好まし
い。
【００４６】
また、窒素含有量が少ないという点に着目すると、窒素を含まない酸化膜の方が好まし
い。
【００４７】
但し、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層はスパッタ法で形成したゲート絶縁層
よりも欠陥が少なく膜質に優れる。
【００４８】
そのため、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層を用いた方がトランジスタの特性
が高い場合もある。
【００４９】
よって、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、又は他の方法を必要に応じて適宜使い分けれ
ば良い。
【００５０】
なお、プラズマＣＶＤ法で形成したゲート絶縁層を用いる場合、加熱処理を行えば水素
元素を含む物質がゲート絶縁層から離脱するため、プラズマＣＶＤ法を用いるときはゲー
ト絶縁層形成後に加熱処理（２００℃以上１０００℃以下（好ましくは３００℃以上８０
０℃以下））を行うことが好ましい。
【００５１】
なお、水素元素を含む物質とは、例えば、水素、水分、水酸化物、水素化物等である。
【００５２】
酸化物半導体層は、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとガリウムと亜
鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと錫と亜鉛と
酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムとアルミニウムと
亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とガリウムと亜鉛と
酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（アルミニウムとガリウムと亜
鉛と酸素とを主成分とする）、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫とアルミニウムと亜鉛
と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（インジウムと亜鉛と酸素とを主成
分とする）、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物（錫と亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ａｌ−Ｚｎ
−Ｏ系酸化物（アルミニウムと亜鉛と酸素とを主成分とする）、Ｉｎ−Ｏ系酸化物（イン
ジウム酸化物（酸化インジウム））、Ｓｎ−Ｏ系酸化物（錫酸化物（酸化錫））、Ｚｎ−
Ｏ系酸化物（亜鉛酸化物（酸化亜鉛））等の酸化物半導体を用いることができるがこれら
に限定されない。
【００５３】
酸化物半導体層は、例えば、スパッタ法、蒸着法等で形成することができる。
【００５４】
酸化物半導体層の膜厚は、５ｎｍ〜１μｍ（好ましくは２０〜８０ｎｍ）が好ましい。
【００５５】
酸化物半導体層を形成する場合、酸化物半導体層中に窒素が含まれないように充分注意
する。
【００５６】
具体的には、成膜時の酸化物半導体層の窒素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ
：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で計測した窒素
濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未
満）、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未
満）、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未
満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未
満）、若しくは、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１８ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３未満）が好ましい。
【００５７】
なお、酸化物半導体層に加熱処理を行っても酸化物半導体層中に窒素が侵入しにくい傾
向がある。
【００５８】
したがって、半導体装置が完成した後の酸化物半導体層の窒素濃度も、二次イオン質量
分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ
）で計測した窒素濃度が１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
【００５９】
なお、窒素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏ
ｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における平均値を採用できる。
【００６０】
また、窒素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏ
ｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における最大値も採用できる。
（有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該
所定の値よりも小さくなる。）
【００６１】
ここで、スパッタ装置の一例を図９に示す。
【００６２】
図９のスパッタ装置は、成膜室２００１、蓋２００２、ターゲット２００３、ポンプ２
００４を有する。
【００６３】
なお、蓋２００２に基板を設置して、ターゲット２００３をスパッタリングして成膜を
行う構成になっている。
【００６４】
成膜室２００１と蓋２００２とは連結されており、連結部にはＯリング２００５が設け
られている。
【００６５】
成膜室２００１とターゲット２００３とは連結されており、連結部にはＯリング２００
６が設けられている。
【００６６】
成膜室２００１とポンプ２００４とは連結されており、連結部にはメタルガスケット２
００７及びメタルガスケット２００８が設けられている。
【００６７】
Ｏリング及びメタルガスケットは、いずれも連結部のリークを防止する部材である。つ
まり、Ｏリング及びメタルガスケットにより大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入し
てしまうことを防止している。
【００６８】
Ｏリングは、環状のパッキンである。材質は例えばゴム等である。
【００６９】
メタルガスケットは、環状の固定用シール材である。材質は例えば金属等である。
【００７０】
蓋２００２及びターゲット２００３は頻繁に開閉されるため着脱が容易なＯリングを用
いている。
【００７１】
一方、ポンプは開閉の頻度が非常に稀であるため着脱が困難であるがＯリングよりも気
密性を向上できるメタルガスケットを設けている。
【００７２】
よって、Ｏリング又はメタルガスケットに傷、ヒビ等がある場合は、リークが生じてし
まうので、成膜室２００１内に成膜室２００１外の大気が侵入してしまう。
【００７３】
大気は多量に窒素を含んでいるので、Ｏリング又はメタルガスケットに傷、ヒビ等がな
いように常に留意し、Ｏリング又はメタルガスケットに起因する大気（特に窒素）が成膜
室２００１へ侵入してしまうことを防止する必要がある。
【００７４】
また、メンテナンスの手間が増えるが、Ｏリングを全て気密性の高いメタルガスケット
に置換することも大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止する上
では有効である。
【００７５】
一方、大気（特に窒素）が成膜室２００１へ侵入してしまうことを防止しても、成膜室
２００１の内壁、ターゲット２００３表面に窒素が付着又は侵入している場合、若しくは
、成膜室２００１内に窒素が浮遊している場合は酸化物半導体層中に窒素が混入してしま
う場合がある。
【００７６】
そこで、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素を除去するために成膜室を２００℃
以上５００℃以下の温度で加熱する。
【００７７】
成膜室の加熱によって、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素が成膜室内に放出さ
れる。
【００７８】
そして、ポンプ２００４を用いて成膜室の加熱によって放出された窒素が排気されるこ
とによって、成膜室の内壁に付着又は侵入している窒素を除去できる。
【００７９】
さらに、成膜室の加熱処理及び排気処理を行った後であって、半導体装置に用いる酸化
物半導体層を成膜する前にダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理を行うことが好ま
しい。
【００８０】
ダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理を行えば、ターゲット表面に付着又は侵入
している窒素を除去できる。
【００８１】
また、ダミー基板に酸化物半導体層を成膜する処理によって成膜室内に残存した窒素が
ダミー基板上の酸化物半導体層に取り込まれるため、半導体装置に用いる酸化物半導体層
を成膜する前に成膜室内に残存した窒素を除去できることになる。
【００８２】
その後、ダミー基板を取り出して、半導体装置に用いる酸化物半導体層を成膜する。
【００８３】
なお、ダミー基板への成膜は複数回行った方が効果が高い。
【００８４】
以上のように、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減、ダミー基板への成
膜等を充分行うことによって、窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排除す
ることができる。
【００８５】
次に、フォトリソグラフィ法を用いて酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸
化物半導体層４１０を形成する（図１（Ｂ））。
【００８６】
次に、酸化物半導体層の第１の加熱処理（Ｘ℃以上Ｙ℃未満）を行う。
【００８７】
第１の加熱処理の雰囲気は、窒素雰囲気、希ガス雰囲気、酸素雰囲気、酸素と窒素を含
む雰囲気、酸素と希ガスを含む雰囲気、窒素と希ガスを含む雰囲気、酸素と窒素と希ガス
を含む雰囲気等から適宜選択できる。
【００８８】
第１の加熱処理は酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０
を形成する前に行っても良い。
【００８９】
一方、フォトリソグラフィ法を用いて酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸
化物半導体層４１０を形成する工程で酸化物半導体層がフォトレジスト並びに剥離液の水
分に曝される。
【００９０】
したがって、フォトレジスト並びに剥離液に起因する水分を除去するため、酸化物半導
体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成した後に第１の加熱処理
を行った方が好ましいといえる。
【００９１】
第１の加熱処理の下限値（Ｘ℃）は、３５０℃以上（又は３５０℃超過）、４００℃以
上（又は４００℃超過）、４５０℃以上（又は４５０℃超過）、５００℃以上（又は５０
０℃超過）、５５０℃以上（又は５５０℃超過）、６００℃以上（又は６００℃超過）、
６５０℃以上（又は６５０℃超過）、７００℃以上（又は７００℃超過）、７５０℃以上
（又は７５０℃超過）から選ぶことができる。
【００９２】
第１の加熱処理は、炉、オーブン、ガスＲＴＡ等を用いる加熱方法を用いることが好ま
しい。
【００９３】
ガスＲＴＡとは、高温に暖めたガス内に被処理物を短時間（数分〜数十分）入れること
により急速に被処理物を加熱する方式をいう。
【００９４】
第１の加熱処理の温度は高い方が好ましいので特に上限を設ける必要はない。
【００９５】
但し、第１の加熱処理の上限値（Ｙ℃）は、基板の耐熱性温度よりも低い温度であると
好ましい。
【００９６】
また、第１の加熱処理の上限値（Ｙ℃）を、１０００℃以下（又は１０００℃未満）、
９００℃以下（又は９００℃未満）、８００℃以下（又は８００℃未満）、７００℃以下
（又は７００℃未満）から選ぶこともできる。
【００９７】
第１の加熱処理の時間は１時間以上が好ましい。上限は特に限定されないが、処理時間
削減の観点から１０時間以下、９時間以下、８時間以下から選ぶことができる。
【００９８】
第１の加熱処理の時間をガスＲＴＡで行う場合は３分以上が好ましい。上限は特に限定
されないが、処理時間削減の観点から１時間以下、５０分以下、４０分以下から選ぶこと
ができる。
【００９９】
なお、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅ
ｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で測定したところ、４５０℃、１時間のベークを行ったサンプルは
３００℃付近の水分のピークがなくなっていた。ガスＲＴＡで６５０℃、３分でベークを
行ったサンプルも３００℃付近の水分のピークがなくなっていた。一方、３５０℃、１時
間のベークを行ったサンプルは３００℃付近の水分のピークが残存していた。
【０１００】
また、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓ
ｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定したところ、５５０℃、１時間のベークを行ったサンプ
ルは、４５０℃、１時間のベークを行ったサンプルと比較して、１桁近く水素濃度が減少
していた。
【０１０１】
つまり、窒素濃度を低減した酸化物半導体層に所定条件の第１の加熱処理を加えること
によって、トランジスタの電気特性に悪影響を与える水素元素を含む物質を激減させるこ
とができることがわかった。
【０１０２】
なお、酸化物半導体に与えられるエネルギーが大きいほど水素元素を含む物質が離脱し
やすくなるので、加熱温度は高い方が好ましく、加熱時間も多い方が好ましい。
【０１０３】
第１の加熱処理後の酸化物半導体層の水素濃度は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以
下（又は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０１２ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３以下（又は、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい。
【０１０４】
なお、窒素濃度を低減した酸化物半導体層には、第１の加熱処理以降の工程において水
素の侵入を防止することができる特性がある。
【０１０５】
よって、半導体装置が完成した後の酸化物半導体層の水素濃度も、６×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、５×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、４×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、３×１０１８ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、３×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１６ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、１×１０１４ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）、若しくは、１×１０
１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（又は、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）が好ましい
。
【０１０６】
なお、水素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏ
ｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における平均値を採用できる。
【０１０７】
また、水素濃度の値は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏ
ｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の有効範囲内における最大値も採用できる。
（有効範囲内における最大値が所定の値より小さければ、有効範囲内における平均値も該
所定の値よりも小さくなる。）
【０１０８】
なお、酸化物半導体層中に含まれる水素元素を含む物質の量が少ないほど、酸化物半導
体層を用いたトランジスタの電気特性は向上する。
【０１０９】
次に、酸化物半導体層４１０上に導電層５００を形成する（図１（Ｃ））。
【０１１０】
導電層は導電性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、アル
ミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、イットリウム、インジウム、金、銀、銅
、シリコン、これらの金属を含む様々な合金、酸化物導電層（代表的にはインジウム錫酸
化物等）等を用いることができるがこれらに限定されない。導電層は、単層構造でも積層
構造でも良い。
【０１１１】
なお、酸化物半導体層と接する導電層をチタン、インジウム、イットリウム、インジウ
ムと亜鉛との合金、ガリウム合金（窒化ガリウム等）等とすることによって、導電層をエ
ッチングして形成される電極（配線）と酸化物半導体層との接触抵抗を低減することがで
きる。
【０１１２】
接触抵抗を低減することができる理由は、チタン、インジウム、イットリウム、インジ
ウムと亜鉛との合金、ガリウム合金（窒化ガリウム等）等の電子親和力が、酸化物半導体
層の電子親和力よりも低いからである。
【０１１３】
つまり、単層の場合には、酸化物半導体層の電子親和力より低い金属（又は合金、化合
物）が好ましい。
【０１１４】
一方、積層の場合には、酸化物半導体層の電子親和力より低い金属（又は合金、化合物
）を酸化物半導体層と接する位置に配置することが好ましい。
【０１１５】
チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、イットリウム（Ｙ）、インジウム（Ｉｎ）と亜
鉛（Ｚｎ）との合金、ガリウム（Ｇａ）合金（窒化ガリウム等）等は抵抗率が高いので、
アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、これらの金属を含む様々
な合金等の抵抗率の低い材料を酸化物半導体層と接する位置に配置された導電層上に積層
することが好ましい。
【０１１６】
具体的には、Ｔｉ、Ａｌを順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ合金を順次積層した構造、Ｙ
、Ａｌを順次積層した構造、Ｙ、Ａｌ合金を順次積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔｉを順次
積層した構造、Ｔｉ、Ａｌ合金、Ｔｉを順次積層した構造、Ｉｎ、Ａｌ、Ｍｏを順次積層
した構造、Ｙ、Ａｌ、Ｔｉを順次積層した構造、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉを順次積層した構造、
Ｔｉ、Ａｌ合金、Ｍｏ、Ｔｉを順次積層した構造等の多くのバリエーションがあるがこれ
らに限定されない。
【０１１７】
なお、抵抗率の低い合金としては、アルミニウム、金、銀、銅等と、他の物質と、の合
金をいう。（例えば、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｄ、Ｃｕ−Ｐｂ−Ｆｅ、Ｃｕ−
Ｎｉ等）
【０１１８】
なお、酸化物導電層の材料として酸化物半導体層と同様の材料を用いることができる。
【０１１９】
酸化物導電層はチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層よりも抵抗率が低ければ良い
。
【０１２０】
ここで、酸化物導電層は、水素元素を含む物質又は酸素欠損を意図的に多く含有させた
酸化物である。水素元素を含む物質及び酸素欠損はキャリアを誘発するので酸化物の導電
性を上昇させることができる。
【０１２１】
また、酸化物半導体層は、水素元素を含む物質又は酸素欠損を意図的には含有させてい
ない酸化物である。
【０１２２】
つまり、酸化物半導体層中の水素元素を含む物質の含有量の調整又は酸素欠損の調整に
より抵抗率の調整が可能である。
【０１２３】
なお、酸化物導電層とチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層との材料が異なること
に起因して、酸化物導電層がチャネル形成領域に用いる酸化物半導体層よりも抵抗率が低
くなるのであれば、酸化物半導体層中の水素元素を含む物質の含有量の調整又は酸素欠損
の調整による抵抗率の調整は不要である。
【０１２４】
次に、導電層５００をエッチングして複数の電極又は複数の配線（ソース電極（コンタ
クト電極）、ドレイン電極（コンタクト電極）、配線等）を形成する（図２（Ａ））。な
お、図２（Ａ）はコンタクト電極５１０、コンタクト電極５２０等を図示している。
【０１２５】
図２（Ａ）の工程によりトランジスタが完成する（チャネルエッチ型トランジスタ）。
【０１２６】
なお、図２の破線８０００の部分は導電層５００のエッチング時に若干エッチングされ
る。
【０１２７】
破線８０００の部分は、チャネル形成領域の裏側に配置されているためバックチャネル
と呼ばれる。
【０１２８】
次に、トランジスタを覆う絶縁層６００（保護膜、層間絶縁膜）を形成する（図２（Ｂ
））。
【０１２９】
絶縁層は絶縁性を有していればどのような材料でも用いることができる。例えば、酸化
珪素膜、窒化珪素膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、窒化アルミニウム
膜、酸化アルミニウム膜、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜等を用いることがで
きるがこれらに限定されない。層間絶縁膜は、単層構造でも積層構造でも良い。
【０１３０】
ここで、絶縁層の種類を変えてトランジスタの電気特性を比較したところ、バックチャ
ネル（破線８０００の部分）と接する部分の絶縁層はスパッタガスとして水素元素を含む
物質を用いないで形成した膜が良いことが判明した。
【０１３１】
バックチャネルに水素元素を含む物質が含まれると、トランジスタの閾値電圧（Ｖｔｈ
）がマイナス側にシフトする。
【０１３２】
よって、プラズマＣＶＤ法では水素元素を含むガス（代表的にはＳｉＨ４等）を用いて
いるので、プラズマＣＶＤ法で絶縁層を形成するとバックチャネルに水素元素を含む物質
が添加されてしまう。
【０１３３】
また、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜等は水分を多量に含有しているため、
バックチャネルに水素元素を含む物質が常に供給された状態となってしまう。
【０１３４】
よって、バックチャネルと接する絶縁層は水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用
いることが好ましいといえる。
【０１３５】
なお、図２（Ｂ）の工程は、コンタクト電極５１０上、コンタクト電極５２０上、バッ
クチャネル（破線８０００の部分）上に絶縁層６００を形成する工程ともいえる。
【０１３６】
図２（Ｂ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図３（Ａ））。
【０１３７】
図２（Ｂ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
画素電極９１０を形成しても良い（図３（Ｂ））。
【０１３８】
図３（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
【０１３９】
図３（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）
を形成することによって、表示装置を形成することができる。
【０１４０】
また、図３（Ａ）の工程又は図３（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ま
しい。
【０１４１】
図２（Ｂ）の工程と、図３（Ａ）の工程又は図３（Ｂ）の工程と、の間に第２の加熱処
理を行っても良い。
【０１４２】
つまり、第２の加熱処理は絶縁層６００形成後であればいつ行っても良い。
【０１４３】
第２の加熱処理の加熱温度は１５０℃以上５００℃以下（好ましくは２００℃以上３０
０℃以下）が好ましい。
【０１４４】
第２の加熱処理の加熱時間は１時間以上１０時間以下が好ましい。
【０１４５】
第２の加熱処理は、炉、オーブン、ガスＲＴＡ等を用いることが好ましい。
【０１４６】
ところで、先に行った第１の加熱処理により酸化物半導体層中の水素が放出されるとと
もに、酸化物半導体層中の酸素も放出される。
【０１４７】
つまり、第１の加熱処理によって酸化物半導体層中に酸素欠損が形成されている。
【０１４８】
そこで、第２の加熱処理を行う際、絶縁層を酸素過剰な状態にしておくことによって、
酸化物半導体層中に酸素を供給することができるので、酸化物半導体層中の酸素欠損を低
減することができる。
【０１４９】
酸素過剰な絶縁層の形成方法は、例えば、スパッタターゲットとして非酸化物ターゲッ
ト（珪素、アルミニウム等）を用い且つスパッタガスとして酸素を用いた反応性スパッタ
を行う場合において酸素流量を多くする方法、スパッタターゲットとして酸化物ターゲッ
ト（酸化珪素、酸化アルミニウム等）を用い且つスパッタガスとして酸素を用いる方法（
酸化物ターゲットを用いる場合通常はスパッタガスとして酸素を用いない。）、絶縁層を
形成後に絶縁層に酸素をイオン注入又はイオンドーピングする方法等を用いることができ
るがこれらに限定されない。（なお、反応性スパッタを行う場合、アルゴン等のガスを用
いず酸素１００％のスパッタガスとすることが好ましい。）
【０１５０】
つまり、絶縁層形成時の成膜ガスに酸素を用いる方法、絶縁層に事後的に酸素を添加す
る方法等を用いれば良い。勿論、絶縁層形成時の成膜ガスに酸素を用い、且つ、絶縁層に
事後的に酸素を添加しても良い。
【０１５１】
なお、コンタクト電極としてチタンを用いている場合、絶縁層６００を形成後、第２の
加熱処理を行うことによって、酸化物半導体層とチタンとの間にチタン酸化物を形成する
ことができる。
【０１５２】
そして、チタン酸化物を形成することによって、酸化物半導体層とチタンとの間のコン
タクト抵抗を低減することができる。
【０１５３】
なお、酸化物半導体層とチタンとの間にチタン酸化物が存在すれば酸化物半導体層とチ
タンとの間のコンタクト抵抗を低減することができるため、コンタクト電極を形成する際
にチタン酸化物とチタンとを順次積層した構造を形成しても良い。
【０１５４】
この場合、チタン酸化物はスパッタ法、蒸着法等により形成することができる。
【０１５５】
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせ
て実施することができる。
【０１５６】
（実施の形態２）
本実施の形態では実施の形態１と異なる構造のトランジスタを有する半導体装置につい
て説明する。
【０１５７】
なお、各層の材料等は実施の形態１と同様である。
【０１５８】
図４（Ａ）のトランジスタはボトムゲートボトムコンタクト型（ＢＧＢＣ）であり、絶
縁表面を有する基板１００上に設けられたゲート電極２００と、ゲート電極２００上に設
けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたコンタクト電極５１
０及びコンタクト電極５２０と、ゲート絶縁層３００上及びコンタクト電極５１０上及び
コンタクト電極５２０上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、を有するトラン
ジスタである。
【０１５９】
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
【０１６０】
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
【０１６１】
図４（Ｂ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタであり、絶縁表面を有する
基板１００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上に
設けられたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００
とを有するトランジスタである。
【０１６２】
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられており、前記絶縁層に設けられたコ
ンタクトホールを介して配線８１０、配線８２０、配線８３０が設けられている。
【０１６３】
図４（Ｃ）のトランジスタはチャネルストップ型のトランジスタであり、絶縁表面を有
する基板１００上に設けられたゲート電極２００と、ゲート電極２００上に設けられたゲ
ート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）
と、酸化物半導体層４１０上に設けられたチャネル保護層７００と、酸化物半導体層４１
０上及びチャネル保護層７００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極
５２０と、を有するトランジスタである。
【０１６４】
なお、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
【０１６５】
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
【０１６６】
ここで、チャネル保護層７００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料
と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層７００と絶縁層６００の材料は同じ
でも異なっていても良い。
【０１６７】
そして、チャネルストップ型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶
縁層６００ではなくチャネル保護層７００である。
【０１６８】
よって、チャネル保護層７００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いるこ
とが好ましい。
【０１６９】
図１５（Ａ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタ（ＴＧＢＣ）であり、下
地絶縁層９００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０と、下地
絶縁層９００上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に設けられた酸
化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０上に設けられたゲート絶縁層３０
０と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００とを有するトランジスタであ
る。
【０１７０】
なお、下地絶縁層９００は、基板１００上に設けられている。
【０１７１】
また、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
【０１７２】
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
【０１７３】
ここで、下地絶縁層９００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同
様の材料を用いることができる。下地絶縁層９００と絶縁層６００の材料は同じでも異な
っていても良い。
【０１７４】
そして、トップゲート型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層
６００ではなく下地絶縁層９００である。
【０１７５】
よって、下地絶縁層９００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが
好ましい。
【０１７６】
また、実施の形態１に記載した方法と同様の方法を用いて、下地絶縁層９００を酸素過
剰な絶縁層とすると好ましい。この場合、第１の加熱処理を行うと、酸化物半導体層から
酸素が放出されると同時に、下地絶縁層から酸素が酸化物半導体層に供給されることにな
る。
【０１７７】
図１５（Ｂ）のトランジスタはトップゲート型のトランジスタ（ＴＧＴＣ）であり、下
地絶縁層９００上に設けられた酸化物半導体層４１０（島状）と、酸化物半導体層４１０
上及び下地絶縁層９００上に設けられたコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０
と、酸化物半導体層上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上に設けら
れたゲート絶縁層３００と、ゲート絶縁層３００上に設けられたゲート電極２００とを有
するトランジスタである。
【０１７８】
なお、下地絶縁層９００は、基板１００上に設けられている。
【０１７９】
また、トランジスタを覆う絶縁層６００が設けられている。
【０１８０】
また、破線８０００の部分がバックチャネルになる。
【０１８１】
ここで、下地絶縁層９００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料と同
様の材料を用いることができる。下地絶縁層９００と絶縁層６００の材料は同じでも異な
っていても良い。
【０１８２】
そして、トップゲート型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶縁層
６００ではなく下地絶縁層９００である。
【０１８３】
よって、下地絶縁層９００には水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いることが
好ましい。
【０１８４】
なお、図４（Ｂ）のトランジスタでは、チャネル形成領域（ゲート電極と酸化物半導体
層とが重なる領域）と、接触領域（配線と酸化物半導体が接触している領域）と、の間に
数μｍのオフセット領域が形成されている。
【０１８５】
オフセット領域は、トランジスタのオフ電流を下げる点でメリットがあるが、トランジ
スタのオン電流も下げてしまうという点でデメリットがある。
【０１８６】
一方、図１５（Ａ）及び図１５（Ｂ）では、図４（Ｂ）のようなオフセット領域が存在
しないので、図４（Ｂ）と比較してトランジスタのオン電流を向上することができるとい
うメリットがある。
【０１８７】
以上のように、トランジスタはどのような構造でも良い。
【０１８８】
つまり、トランジスタは、少なくともゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電
極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層を有する構造であればどのような
構造を用いても良い。
【０１８９】
また、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１のゲート絶縁層と、第１のゲー
ト絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の第２のゲート絶縁層と、第２のゲー
ト絶縁層上の第２のゲート電極と、を有するデュアルゲート型トランジスタを用いても良
い。
【０１９０】
したがって、トランジスタの構造は、実施の形態１及び実施の形態２に列挙した構造に
限定されないことを付言しておく。
【０１９１】
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせ
て実施することができる。
【０１９２】
（実施の形態３）
図４（Ａ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
【０１９３】
なお、材料、加熱処理条件等は他の実施の形態と同様である。
【０１９４】
絶縁表面を有する基板１００上にゲート電極２００を形成し、ゲート電極２００上にゲ
ート絶縁層３００を形成し、ゲート絶縁層３００上にコンタクト電極５１０及びコンタク
ト電極５２０を形成する（図５（Ａ））。
【０１９５】
次に、ゲート絶縁層３００上及びコンタクト電極５１０上及びコンタクト電極５２０上
に酸化物半導体層４００を形成する（図５（Ｂ））。
【０１９６】
次に、酸化物半導体層の第１の加熱処理を行う。
【０１９７】
第１の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
【０１９８】
第１の加熱処理は酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０
を形成した後に行っても良い。
【０１９９】
しかしながら、島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成した後であると、コ
ンタクト電極が露出している。
【０２００】
コンタクト電極が露出した状態で第１の加熱処理を行うとコンタクト電極表面が酸化し
て表面の導電性が低下する。
【０２０１】
よって、コンタクト電極が酸化物半導体層４００で覆われた状態で第１の加熱処理を行
うことが好ましい。
【０２０２】
次に、酸化物半導体層４００を島状にエッチングして酸化物半導体層４１０を形成し、
トランジスタを覆う絶縁層６００を形成する（図５（Ｃ））。
【０２０３】
なお、破線８０００の部分がバックチャネルとなる。
【０２０４】
図５（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図６（Ａ））。
【０２０５】
図５（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
画素電極９１０を形成しても良い（図６（Ｂ））。
【０２０６】
図６（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
【０２０７】
図６（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）
を形成することによって、表示装置を形成することができる。
【０２０８】
また、図６（Ａ）の工程又は図６（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ま
しい。
【０２０９】
なお、図５（Ｃ）の工程と、図６（Ａ）の工程又は図６（Ｂ）の工程と、の間に第２の
加熱処理を行っても良い。
【０２１０】
第２の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
【０２１１】
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせ
て実施することができる。
【０２１２】
（実施の形態４）
図４（Ｃ）に示す半導体装置の作製方法の一例を示す。
【０２１３】
なお、材料、加熱処理条件等は他の実施の形態と同様である。
【０２１４】
まず、実施の形態１と同様に図１（Ｂ）の構造を形成する。
【０２１５】
なお、実施の形態１と同様に第１の加熱処理もおこなっておく。
【０２１６】
次に、チャネル保護層７００（島状）を形成し、チャネル保護層を覆う導電層５００を
形成する（図７（Ａ））。
【０２１７】
次に、導電層５００をエッチングしてコンタクト電極５１０及びコンタクト電極５２０
を形成する（図７（Ｂ））。
【０２１８】
なお、破線８０００の部分がバックチャネルである。
【０２１９】
そして、チャネル保護層７００が存在することによって、コンタクト電極形成時にバッ
クチャネルがエッチングされないため、バックチャネルのダメージを低減することができ
る。
【０２２０】
ここで、チャネル保護層７００の材料は、実施の形態１で説明した絶縁層６００の材料
と同様の材料を用いることができる。チャネル保護層７００と絶縁層６００の材料は同じ
でも異なっていても良い。
【０２２１】
そして、チャネルストップ型のトランジスタにおいてバックチャネルと接する部分は絶
縁層６００ではなくチャネル保護層７００である。
【０２２２】
よって、チャネル保護層７００は水素元素を含む物質の含有量が少ない膜を用いること
が好ましい。
【０２２３】
また、実施の形態１に記載した方法と同様の方法を用いて、チャネル保護層７００を酸
素過剰な絶縁層とすると好ましい。
【０２２４】
次に、トランジスタを覆う絶縁層６００を形成する（図７（Ｃ））。
【０２２５】
図７（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
配線８１０、配線８２０等を形成しても良い（図８（Ａ））。
【０２２６】
図７（Ｃ）の工程の後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層６００上に
画素電極９１０を形成しても良い（図８（Ｂ））。
【０２２７】
図８（Ａ）のように絶縁層６００上に配線を形成した後、配線上に更に絶縁層、配線、
トランジスタ、表示素子、又はアンテナ等を形成しても良い。
【０２２８】
図８（Ｂ）のように画素電極９１０を形成した後、表示素子（ＥＬ素子、液晶素子等）
を形成すると表示装置を形成することができる。
【０２２９】
また、図８（Ａ）の工程又は図８（Ｂ）の工程の後、第２の加熱処理を行うことが好ま
しい。
【０２３０】
なお、図７（Ｃ）の工程と、図８（Ａ）の工程又は図８（Ｂ）の工程と、の間に第２の
加熱処理を行っても良い。
【０２３１】
第２の加熱処理の条件は実施の形態１と同様である。
【０２３２】
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせ
て実施することができる。
【０２３３】
（実施の形態５）
半導体装置としては、各種集積回路がある。
【０２３４】
例えば、表示装置（液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置（発光装置）等
）、アンテナを介して無線通信を行う半導体装置（ＲＦＩＤタグ、無線タグ、ＩＣチップ
、無線チップ、非接触信号処理装置、半導体集積回路チップ）等があるが、これらに限定
されない。
【０２３５】
本実施の形態の内容の一部又は全部は、他の全ての実施の形態及び実施例と組み合わせ
て実施することができる。
【実施例１】
【０２３６】
酸化物半導体中の窒素濃度の影響を調査した。
【０２３７】
まず、ガラス基板上に酸化物半導体層を形成した。
【０２３８】
そして、酸化物半導体層形成後に加熱処理を行っていない場合と、酸化物半導体層形成
後に加熱処理を行った場合と、を比較した。
【０２３９】
比較方法は二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ
Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いた。
【０２４０】
なお、加熱処理は３５０℃、１時間とした。
【０２４１】
加熱雰囲気は大気雰囲気又は窒素雰囲気とした。
【０２４２】
ここで、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ
３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタ
して形成した。
【０２４３】
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
【０２４４】
（サンプル１）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝４０／０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合０％）のサンプルをサ
ンプル１とした。なお、サンプル１は３つ用意した。
【０２４５】
サンプル１のＳＩＭＳの測定結果を図１０に示す。
【０２４６】
（サンプル２）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝３５／５ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１２．５％）のサンプ
ルをサンプル２とした。なお、サンプル２は３つ用意した。
【０２４７】
サンプル２のＳＩＭＳの測定結果を図１１に示す。
【０２４８】
（サンプル３）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｎ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｎ２割合１００％）のサンプル
をサンプル３とした。なお、サンプル３は３つ用意した。
【０２４９】
サンプル３のＳＩＭＳの測定結果を図１２に示す。
【０２５０】
（考察）
図１０〜図１２において、点線３００１が加熱処理を行っていないサンプル（ａｓ−ｄ
ｅｐｏ）、太い実線３００２が窒素雰囲気で加熱したサンプル（Ｎ２ベーク）、細い実線
３００３が大気雰囲気で加熱したサンプル（大気ベーク）を示している。
【０２５１】
また、図１０〜図１２において、（Ａ）は水素濃度であり、（Ｂ）は窒素濃度である。
【０２５２】
図１０〜図１２において、縦軸は濃度であり、横軸は酸化物半導体層表面からの深さ（
膜厚）である。
【０２５３】
なお、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）の測定結果には有効範囲がある。
【０２５４】
そして、本実施例の場合、酸化物半導体層の表面付近（図１０〜図１２だと深さが０ｎ
ｍ〜３０ｎｍ付近）及び酸化物半導体層とガラス基板との界面付近（図１０〜図１２だと
深さが８０ｎｍ〜１００ｎｍ付近）について正確な値を算出しにくくなっている。
【０２５５】
したがって、本実施例の場合は、深さが３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲をＳＩＭＳの測定結
果の有効範囲とした。
【０２５６】
ここで、図１０（Ａ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、図１１（Ａ）の点線３００
１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、及び図１２（Ａ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）の有効範囲
における水素濃度の平均値を比較すると、図１１（Ａ）の方が図１０（Ａ）よりも高く、
図１２（Ａ）の方が図１１（Ａ）よりも高いことがわかる。
【０２５７】
さらに、図１０（Ｂ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、図１１（Ｂ）の点線３００
１（ａｓ−ｄｅｐｏ）、及び図１２（Ｂ）の点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）の有効範囲
における窒素濃度の平均値を比較すると、図１１（Ｂ）の方が図１０（Ｂ）よりも高く、
図１２（Ｂ）の方が図１１（Ｂ）よりも高いことがわかる。
【０２５８】
つまり、ａｓ−ｄｅｐｏ条件において、酸化物半導体層中の窒素濃度が多いほど、酸化
物半導体層中の水素濃度が多くなることがわかる。
【０２５９】
したがって、酸化物半導体層中の窒素濃度が多いほど、酸化物半導体層中に水素が混入
しやすくなることがわかった。
【０２６０】
また、図１０（Ａ）を参照すると加熱処理を行うことによって水素濃度が低下している
ことがわかる。
【０２６１】
一方、図１１（Ａ）、図１２（Ａ）を参照すると加熱処理を行うことによって水素濃度
が上昇していることがわかる。
【０２６２】
なお、図１２（Ａ）において、３０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲では点線３００１（ａｓ−ｄ
ｅｐｏ）、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）、細い実線３００３（大気ベーク）の水素濃
度にあまり差がない。
【０２６３】
しかしながら、有効範囲である３０ｎｍ〜８０ｎｍでの水素濃度の平均値は、太い実線
３００２（Ｎ２ベーク）及び細い実線３００３（大気ベーク）の方が、点線３００１（ａ
ｓ−ｄｅｐｏ）よりも高い。
【０２６４】
よって、酸化物半導体層中の水素の総量を比較した場合、太い実線３００２（Ｎ２ベー
ク）及び細い実線３００３（大気ベーク）の方が、点線３００１（ａｓ−ｄｅｐｏ）より
も多いことは明らかである。
【０２６５】
また、図１２（Ａ）において、太い実線３００２（Ｎ２ベーク）及び細い実線３００３
（大気ベーク）の形状がＶ字のような形になった理由は、膜表面及びガラス基板から水素
が注入されたためであると考察した。
【０２６６】
ここで、サンプル１において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最大
値は、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）で
あった。（図１０（Ｂ））
【０２６７】
よって、サンプル１において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均
値も１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であ
った（平均値が最大値より大きな値になることはない）。
【０２６８】
なお、サンプル１のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における窒素濃度の最大値は９．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は６．１×１０１９
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２６９】
また、サンプル１のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における水素濃度の最大値は６．９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は４．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は５．６×１０１９
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７０】
また、サンプル１のＮ２ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は９．７×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は６．０×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７１】
また、サンプル１のＮ２ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は２．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は１．２×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７２】
また、サンプル１の大気ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は３．１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は４．４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．８×１０１９ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７３】
また、サンプル１の大気ベーク条件（図１０）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は６．７×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は２．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は３．８×１０１８ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７４】
一方、サンプル２及びサンプル３において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒
素濃度の最小値は、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であった（図１１（Ｂ）、図１
２（Ｂ））。
【０２７５】
よって、サンプル２及びサンプル３において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における
窒素濃度の平均値も、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であった（平均値が最小値よ
り小さな値になることはない）。
【０２７６】
なお、サンプル２のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．５×１０２２
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７７】
また、サンプル２のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における水素濃度の最大値は１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．３×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は７．８×１０１９
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７８】
また、サンプル２のＮ２ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．４×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．５×１０２２ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２７９】
また、サンプル２のＮ２ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は１．２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は６．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は７．７×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８０】
また、サンプル２の大気ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は１．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は１．６×１０２２ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８１】
また、サンプル２の大気ベーク条件（図１１）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は６．９×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は４．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は５．３×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８２】
また、サンプル３のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における窒素濃度の最大値は３．４×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．３×１０２２
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８３】
また、サンプル３のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有
効範囲における水素濃度の最大値は１．９×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭ
Ｓの測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は１．１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は１．４×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８４】
また、サンプル３のＮ２ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は３．３×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．２×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．２×１０２２ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８５】
また、サンプル３のＮ２ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は８．６×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は１．４×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は２．７×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８６】
また、サンプル３の大気ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における窒素濃度の最大値は３．５×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は３．３×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は３．４×１０２２ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８７】
また、サンプル３の大気ベーク条件（図１２）において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範
囲における水素濃度の最大値は１．０×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの
測定結果の有効範囲における水素濃度の最小値は７．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で
あり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における水素濃度の平均値は２．８×１０２０ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０２８８】
以上のように、窒素を含有した酸化物半導体層は水素を取り込みやすい性質を有してい
ることがわかった。
【０２８９】
逆にいえば、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値が１×１０２０
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）である酸化物半導体層
は、水素に対して緻密な層であるといえる。
【０２９０】
また、サンプル１乃至３において、加熱処理を行っても酸化物半導体層中の窒素濃度は
増加しなかった。サンプル１において大気ベークを行ったものでは酸化物半導体層中の窒
素濃度は減少していた。
【０２９１】
ここで、酸化物半導体層中に窒素が取り込まれるメカニズムは、酸化物半導体層の成膜
時において酸化物半導体層中の酸素結合の一部が切れてしまい、切れた結合の位置に窒素
結合が形成されるためであると推測した。
【０２９２】
よって、切れた結合の位置に酸素結合が形成されれば、酸化物半導体層中に取り込まれ
る窒素濃度を低減できるという仮説を立てた。なお、この推測及び仮説が正しければ、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系以外の酸化物半導体においても窒素は影響を及ぼすことになる。
【実施例２】
【０２９３】
実施例１の推測及び仮説が正しいか実証するためにスパッタガスに酸素を用いて酸化物
半導体層を形成した。
【０２９４】
酸素を供給すれば切れた結合の位置に酸素結合が形成される確率が上がるはずである。
【０２９５】
酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ
２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成
した。
【０２９６】
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
【０２９７】
（サンプル４）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ（Ｏ２割合３３．３％）のサン
プルをサンプル４（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
【０２９８】
サンプル４のＳＩＭＳの測定結果（窒素）を図１３（Ａ）に示す。
【０２９９】
（サンプル５）
スパッタガスの流量がＡｒ／Ｏ２＝０／４０ｓｃｃｍ（Ｏ２割合１００％）のサンプル
をサンプル５（ａｓ−ｄｅｐｏ）とした。
【０３００】
サンプル５のＳＩＭＳの測定結果（窒素）を図１３（Ｂ）に示す。
【０３０１】
（考察）
ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲は実施例１と同じである。
【０３０２】
ここで、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲におけ
る窒素濃度の最大値は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（５×１０１９ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３未満）である。
【０３０３】
よって、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲におけ
る窒素濃度の平均値も５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（５×１０１９ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３未満）である（平均値が最大値より大きな値になることはない）。
【０３０４】
また、サンプル４（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における
窒素濃度の平均値を計算したところ、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０１
９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満）であった。
【０３０５】
また、サンプル５（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における
窒素濃度の最大値は、２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（２×１０１９ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３未満）であった。
【０３０６】
よって、サンプル５（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲におけ
る窒素濃度の平均値は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（１×１０１９ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３未満）であった。
【０３０７】
そして、酸素を添加しなかったサンプル１（図１０（Ｂ））と比較すると、サンプル４
（図１３（Ａ））及びサンプル５（図１３（Ｂ））の方が窒素濃度が低い。
【０３０８】
なお、サンプル４のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１３（Ａ））において、ＳＩＭＳの測定結
果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、
ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は２．２×１０１８ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は４．６×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０３０９】
なお、サンプル５のａｓ−ｄｅｐｏ条件（図１３（Ｂ））において、ＳＩＭＳの測定結
果の有効範囲における窒素濃度の最大値は１．６×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、
ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の最小値は２．３×１０１８ａｔｏｍｓ
／ｃｍ３であり、ＳＩＭＳの測定結果の有効範囲における窒素濃度の平均値は７．７×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
【０３１０】
したがって、実施例１の推測及び仮説が正しいことを実証することができた。
【実施例３】
【０３１１】
絶縁層６００の材料の違いによるトランジスタの電気特性の違いを調査した。
【０３１２】
（共通条件）
図２（Ｂ）に記載のチャネルエッチ型トランジスタを作製した。
【０３１３】
酸化物半導体層４１０は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３
：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を島状にエッチングしたサンプルを用いた。
【０３１４】
また、図１（Ｂ）の工程の終了後、大気雰囲気で３５０℃、１時間の第１の加熱処理を
行った。
【０３１５】
また、図２（Ｂ）の工程の終了後、絶縁層６００にコンタクトホールを形成し、絶縁層
６００上に配線を形成した。
【０３１６】
配線を形成後、大気雰囲気で３５０℃、１時間の第２の加熱処理を行った。
【０３１７】
（サンプル６）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
【０３１８】
成膜条件は、基板温度１００℃、Ａｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍとした。
【０３１９】
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
【０３２０】
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０３２１】
（サンプル７）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
【０３２２】
成膜条件は、基板温度２５０℃、Ａｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍで形成した。
【０３２３】
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
【０３２４】
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０３２５】
（サンプル８）
絶縁層６００は、酸化珪素ターゲットを用いてスパッタ法で形成した。
【０３２６】
成膜条件は、基板温度１００℃、Ａｒ／Ｈ２＝４６／４ｓｃｃｍで形成した。
【０３２７】
また、ＲＦ電源を用い、電力を１．５ｋＷとした。
【０３２８】
また、成膜圧力は０．４Ｐａとした。
【０３２９】
（サンプル９）
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
【０３３０】
成膜条件は、基板温度２００℃、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝２５／１０００ｓｃｃｍとした。
【０３３１】
（サンプル１０）
絶縁層６００は、プラズマＣＶＤ法で形成した。
【０３３２】
成膜条件は、基板温度３２５℃、ＳｉＨ４／Ｎ２Ｏ＝２７／１０００ｓｃｃｍとした。
【０３３３】
（サンプル１１）
絶縁層６００は、シロキサン膜を用いた。
【０３３４】
（サンプル１２）
絶縁層６００は、アクリル膜を用いた。
【０３３５】
（サンプル１３）
絶縁層６００は、ポリイミド膜を用いた。
【０３３６】
（考察）
サンプル８乃至サンプル１３は、サンプル６及びサンプル７と比較して、閾値電圧Ｖｔ
ｈがマイナス側にシフトしていた。
【０３３７】
ここで、スパッタガスとして意図的に水素元素を含む物質を用いた絶縁層６００は水素
元素を含んでいる。
【０３３８】
すると、水素を含んだ絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
【０３３９】
また、プラズマＣＶＤ法で形成した絶縁層６００は水素及び窒素を含んでいる。
【０３４０】
すると、水素を含んだ絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
【０３４１】
また、シロキサン膜、アクリル膜、ポリイミド膜は、水分を吸収しやすく且つ水分を放
出しやすい性質を持つ。
【０３４２】
すると、水分を放出する絶縁層６００がバックチャネルに接した状態になる。
【０３４３】
ここで、計算科学（厳密には異なるがシミュレーションと呼ばれる場合もある）により
、バックチャネルにドナーが存在する場合にどのような挙動をするか計算を行ったところ
、ドナーが存在すると閾値電圧がマイナス側にシフトすることがわかった。
【０３４４】
したがって、スパッタガスとして水素を用いない条件で形成した絶縁層６００を用いる
ことによって閾値電圧のマイナスシフトを防止できることがわかった。
【０３４５】
また、酸化珪素ターゲットを用い且つスパッタガスとして酸素を用いた酸素過剰な絶縁
層６００を用いた場合（サンプル６及びサンプル７）、第２の加熱処理により酸素がバッ
クチャネルに供給されバックチャネルの酸素欠損が低下したと考察した。
【０３４６】
なお、本実施例では第２の加熱処理として３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【０３４７】
ここで、絶縁層６００として酸素過剰な絶縁層を用いた場合において、第２の加熱処理
を行わなかったサンプルＡと、第２の加熱処理として２５０℃、１時間の加熱処理を行っ
たサンプルＢと、を用意した。そして、サンプルＡとサンプルＢとを比較した結果、第２
の加熱処理として２５０℃、１時間の加熱処理を行ったサンプルＢの方がトランジスタの
電気特性が優れていた。
【０３４８】
また、シリコンターゲットを用いスパッタガスとして酸素のみを用いて形成した絶縁層
６００を用いたトランジスタを別途作製した。
【０３４９】
シリコンターゲットを用いスパッタガスとして酸素のみを用いて形成した絶縁層６００
を形成する際、基板温度を１００℃にした場合と基板温度を２００℃にした場合とで比較
すると、基板温度を２００℃にした場合の方がゲートＢＴストレス試験の結果が優れてい
た。
【０３５０】
ゲートＢＴストレス試験の結果が優れていた理由は、絶縁層６００形成時の基板温度を
上げることによって、バックチャネル表面の水分を除去できたためであると考察した。
【０３５１】
したがって、絶縁層６００形成時の基板温度は２００℃以上が好ましい。（上限は限定
されないが、３００℃以下、４００℃以下、５００℃以下、６００℃以下、７００℃以下
から選択することができる。）
【実施例４】
【０３５２】
図２（Ａ）に記載のチャネルエッチ型トランジスタ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のトラン
ジスタ）を作製した。なお、絶縁層６００は形成していない。
【０３５３】
そして、トランジスタが形成された基板を浸水した。
【０３５４】
トランジスタが形成された基板を浸水する前の特性と、トランジスタが形成された基板
を浸水した直後の特性と、を比較したところ、トランジスタを浸水した直後ではトランジ
スタを浸水する前と比較して閾値電圧がマイナス側にシフトし且つオフ電流も上昇してい
た。
【０３５５】
次に、浸水した基板を大気雰囲気で１２０℃で３分間加熱して乾燥したところ、若干ト
ランジスタの特性の回復が見られた。
【０３５６】
次に、３分間乾燥した基板を大気雰囲気で１２０℃で１０分間加熱したところ（計１３
分）、さらにトランジスタの特性の回復が見られた。
【０３５７】
次に、１３分間乾燥した基板を大気雰囲気で１２０℃で４０分間加熱したところ（計５
３分）、トランジスタの特性が浸水前とほぼ同じになった。
【０３５８】
よって、バックチャネルの表面に水分が付着するとトランジスタの特性に影響を与える
ことがわかった。
【０３５９】
また、バックチャネルの表面に付着した程度の水分であれば１２０℃以上で５３分以上
加熱すれば除去できることが分かった。
【０３６０】
なお、水分が蒸発できれば良いので温度を上げればより短い時間の乾燥で済むことは明
らかである。
【実施例５】
【０３６１】
酸化物半導体層の加熱処理の効果について昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａ
ｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて調査した。
【０３６２】
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ）は、サンプルを昇温していったときの放出ガスを分析する方法である。
【０３６３】
本実施例では水蒸気の放出を調べた。
【０３６４】
（サンプル１４）
サンプル１４としてガラス基板を用意した。
【０３６５】
（サンプル１５）
サンプル１５として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（
Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
【０３６６】
サンプル１５は加熱処理を行っていない（ａｓ−ｄｅｐｏ）。
【０３６７】
（サンプル１６）
サンプル１５と同一のサンプルをもう一つ用意し、サンプル１６とした。
【０３６８】
（サンプル１７）
サンプル１７として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（
Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
【０３６９】
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で２５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【０３７０】
（サンプル１８）
サンプル１８として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（
Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
【０３７１】
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で３５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【０３７２】
（サンプル１９）
サンプル１９として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（
Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットを
スパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
【０３７３】
酸化物半導体層形成後、窒素雰囲気で４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【０３７４】
（考察）
サンプル１４及びサンプル１５との昇温脱離ガス分析法の結果を図１４（Ａ）に示す。
【０３７５】
なお、図１４（Ａ）において、グラフ１４１４がサンプル１４（ガラス基板のみ）のグ
ラフに対応し、グラフ１４１５がサンプル１５（ガラス基板及び酸化物半導体層（ａｓ−
ｄｅｐｏ））のグラフに対応する。
【０３７６】
図１４（Ａ）において、５０℃付近の水分のピーク１４０１、１００℃付近の水分のピ
ーク１４０２、３００℃付近の水分のピーク１４０３が存在することがわかる。
【０３７７】
ガラス基板のみのサンプル１４は、５０℃付近の水分のピーク１４０１、１００℃付近
の水分のピーク１４０２だけがあり、３００℃付近の水分のピーク１４０３は存在しない
。
【０３７８】
一方、酸化物半導体層を有するサンプル１５では、５０℃付近の水分のピーク１４０１
、１００℃付近の水分のピーク１４０２、及び３００℃付近の水分のピーク１４０３が存
在する。
【０３７９】
したがって、３００℃付近の水分のピーク１４０３は酸化物半導体層特有の水分のピー
クである。
【０３８０】
よって、３００℃付近の水分のピーク１４０３が検出された場合、酸化物半導体層に水
分が含まれていると判断できる。
【０３８１】
サンプル１６〜サンプル１９の比較結果を図１４（Ｂ）に示す。
【０３８２】
なお、図１４（Ｂ）において、グラフ１４１６がサンプル１６（ａｓ−ｄｅｐｏ）のグ
ラフに対応し、グラフ１４１７がサンプル１７（２５０℃）のグラフに対応し、グラフ１
４１８がサンプル１８（３５０℃）のグラフに対応し、グラフ１４１９がサンプル１９（
４５０℃）のグラフに対応する。
【０３８３】
サンプル１７（２５０℃）及びサンプル１８（３５０℃）では３００℃付近の水分のピ
ーク１４０３が確認された。
【０３８４】
また、サンプル１７（２５０℃）及びサンプル１８（３５０℃）では３００℃付近の水
分のピーク１４０３のカウント数が、サンプル１６（ａｓ−ｄｅｐｏ）よりも下がってい
た。
【０３８５】
よって、加熱処理によってある程度の水分が減少することがわかった。
【０３８６】
さらに、サンプル１９（４５０℃）では３００℃付近の水分のピーク１４０３が存在し
ていない。
【０３８７】
よって、４５０℃以上且つ１時間以上の加熱処理を行えば水分が完全に離脱するといえ
る。
【０３８８】
（サンプル２０）
また、サンプル２０として、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子
比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲ
ットをスパッタして形成した酸化物半導体層を形成したサンプルを用意した。
【０３８９】
そして、サンプル２０はガスＲＴＡ装置を用い窒素雰囲気で６５０℃、３分の加熱処理
を行った。
【０３９０】
サンプル２０（６５０℃）では３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
【０３９１】
よって、６５０℃以上且つ３分以上の加熱処理を行えば水分が完全に離脱するといえる
。
【０３９２】
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２
Ｏ３：ＺｎＯが１：１：２（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験（ａｓ−ｄｅｐｏ、２５０℃
、３５０℃、４５０℃の比較）を行った結果、窒素雰囲気で４５０℃１時間の加熱処理を
行ったサンプルのみ３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
【０３９３】
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：４（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２
Ｏ３：ＺｎＯが１：１：８（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを用意して同様の実験（ａｓ−ｄｅｐｏ、２５０℃
、３５０℃、４５０℃の比較）を行った結果、窒素雰囲気で４５０℃１時間の加熱処理を
行ったサンプルのみ３００℃付近の水分のピークが存在していなかった。
【０３９４】
よって、昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しない酸化物
半導体層（１００℃以上４００℃以下（好ましくは、２５０℃以上３００℃以下）におい
てカウント数が２×１０−１１以下）は、４５０℃以上且つ１時間以上、若しくは、６５
０℃以上且つ３分以上で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
【０３９５】
昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しないということは、
昇温脱離ガス分析法において１００℃以上４００℃以下の水分のピークが存在しないとも
いえる。
【０３９６】
昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在しないということは、
酸化物半導体層に起因する水分のピークが存在しないともいえる。
【０３９７】
また、第１の加熱処理のみの条件を替えて図２（Ａ）の構造のトランジスタを作製した
ところ、昇温脱離ガス分析法において３００℃付近の水分のピークが存在する酸化物半導
体層を用いたトランジスタ（２５０℃、３５０℃）は、昇温脱離ガス分析法において３０
０℃付近の水分のピークが存在しない酸化物半導体層を用いたトランジスタ（４５０℃）
よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートＢＴストレス試験におけ
る劣化が大きかった。
【０３９８】
なお、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３
：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を用いた。
【０３９９】
また、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
【０４００】
よって、酸化物半導体層中の水分がトランジスタの電気特性に影響を与えていることが
分かった。
【実施例６】
【０４０１】
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ）を用いて以下のサンプルの脱ガス（水分）を測定した。
【０４０２】
（サンプル２１）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
【０４０３】
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流
量で成膜を行った。
【０４０４】
サンプル２１は加熱処理を行っていない。
【０４０５】
（サンプル２２）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
【０４０６】
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流
量で成膜を行った（スパッタガスとして酸素を用いた）。
【０４０７】
その後、窒素雰囲気で２５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
【０４０８】
（サンプル２３）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
【０４０９】
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流
量で成膜を行った。（スパッタガスとして酸素を用いた。）
【０４１０】
その後、窒素雰囲気で３５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
【０４１１】
（サンプル２４）
ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ
３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成した
酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上にスパッタ法で形成した酸化珪素膜を形成し
たサンプルを用意した。
【０４１２】
酸化珪素膜は、酸化珪素をターゲットとしてＡｒ／Ｏ２＝４０／１０ｓｃｃｍのガス流
量で成膜を行った。（スパッタガスとして酸素を用いた。）
【０４１３】
その後、窒素雰囲気で４５０℃、１時間の加熱処理（炉）を行った。
【０４１４】
（考察）
昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒ
ｏｓｃｏｐｙ）で計測したところ、いずれのサンプルも３００℃付近の水分のピークが観
測されなかった。
【０４１５】
実施例５の結果からすると、少なくとも３５０℃以下の加熱では水分が完全に離脱しな
い。
【０４１６】
つまり、サンプル２３及びサンプル２４は３００℃付近の水分のピークが観測されるは
ずであるのに、３００℃付近の水分のピークが確認されなかったことになる。
【０４１７】
この理由は、スパッタガスとして酸素を用いた酸化珪素膜（酸素過剰な酸化珪素膜）が
水分の放出をブロックしてしまったためであると考察した。
【０４１８】
したがって、スパッタガスとして酸素を用いた酸化珪素膜（酸素過剰な酸化珪素膜）に
は水分の拡散を防止することがわかった。
【０４１９】
つまり、酸素過剰な酸化珪素膜は水分のブロッキング効果があることがわかった。
【０４２０】
逆に考えれば、第１の加熱処理を行い水分を放出させた酸化物半導体層上に酸素過剰な
酸化珪素膜を形成すれば、外部からの水分の混入を防止することができるということにな
る。
【実施例７】
【０４２１】
実施例５より４５０℃以上、１時間以上の加熱で水分が完全に除去されることがわかっ
た。
【０４２２】
そこで、４５０℃より高い温度で加熱したサンプルの水素濃度について、二次イオン質
量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒ
ｙ）を用いて調べた。
【０４２３】
まず、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇ
ａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形
成した酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
【０４２４】
また、ガラス基板上にＩｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２
Ｏ３：ＺｎＯが１：１：２（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタして形成し
た酸化物半導体層を形成したサンプルを複数用意した。
【０４２５】
なお、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素が酸化物半導体層中に混入することを徹底的に排
除した。
【０４２６】
また、スパッタガスはＡｒ／Ｏ２＝３０／１５ｓｃｃｍ（Ｏ２割合３３．３％）とした
。
【０４２７】
そして、加熱処理を４５０℃、５５０℃、６００℃、６５０℃と条件を変えた複数のサ
ンプルを用意した。なお、複数のサンプルの加熱時間は１時間である。
【０４２８】
また、加熱処理の雰囲気を、窒素雰囲気、酸素雰囲気、窒素と酸素を含む雰囲気（ｄｒ
ｙ  Ａｉｒ（窒素：酸素＝４：１である雰囲気））と条件を変えたサンプルを用意した。
【０４２９】
比較結果を表１に示す。
【０４３０】
【表１】
2019071494.tif 000003
【０４３１】
表１において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａ
ｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の値はＳＩＭＳの有効範囲の平均値を示した。
【０４３２】
表１から、５５０℃以上且つ１時間以上で加熱を行うと酸化物半導体層中の水素濃度が
大幅に減少することがわかった。
【０４３３】
つまり、水素濃度が６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の酸化物半導体層は高温（５
５０℃以上且つ１時間以上）で加熱された酸化物半導体層であるということができる。
【０４３４】
なお、第１の加熱処理の条件のみを替えて図２（Ａ）の構造のトランジスタを作製した
ところ、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上の水素を含有する酸化物半導体層を用いた
トランジスタ（４５０℃）は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満の水素を含有する酸
化物半導体層を用いた酸化物半導体層を用いたトランジスタ（５５０℃、６００℃、６５
０℃）よりも、閾値電圧がマイナス側にシフトしており、且つ、ゲートＢＴストレス試験
における劣化が大きかった。
【０４３５】
なお、酸化物半導体層は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：０．５（原子比）（Ｉｎ２Ｏ３
：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯが１：１：１（モル比））の酸化物半導体ターゲットをスパッタし
て形成した酸化物半導体層を用いた。
【０４３６】
また、酸化物半導体層の成膜前に、成膜室のリークの低減、成膜室の内壁の窒素の低減
、ダミー基板への成膜等を充分行い窒素の影響を徹底的に排除した。
【０４３７】
よって、酸化物半導体層中の水素がトランジスタの電気特性に影響を与えていることが
分かった。
【実施例８】
【０４３８】
図１６は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの断面を、
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ，Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｈ−９０００ＮＡＲ，３００ｋＶ）で観察
した写真である。
【０４３９】
図１６に示す薄膜トランジスタは、酸化物半導体層１６０１としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−
Ｏ系酸化物半導体層を５０ｎｍ成膜後、窒素雰囲気下において第１の加熱処理（６５０℃
、１時間）を行い、その後金属膜としてチタン層１６０４を１５０ｎｍ成膜し、さらに窒
素雰囲気下において第２の加熱処理（２５０℃、１時間）を行ったサンプルである。
【０４４０】
図１６において、酸化物半導体層１６０１とチタン層１６０４との界面には、インジウ
ムリッチ層１６０２およびチタン酸化物層１６０３が確認できる。
【０４４１】
なお、インジウムリッチ層１６０２およびチタン酸化物層１６０３の確認は、ＦＦＴＭ
（Ｆａｓｔ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｍａｐｐｉｎｇ）法を用いて行った
。
【０４４２】
チタン層１６０４と酸化物半導体層１６０１が接した状態において第２の加熱処理を行
うことによって、酸化物半導体層から酸素が引き抜かれてチタン酸化物層１６０３が形成
されたと考察した。
【０４４３】
また、酸化物半導体層１６０１において酸素が引き抜かれた箇所はインジウムの結晶が
析出したインジウムリッチ層１６０２になったと考察した。
【０４４４】
このように、チタン層１６０４と酸化物半導体層１６０１が接した状態において第２の
加熱処理を行うことによってチタン酸化物層１６０３を形成することができる。
【０４４５】
なお、本実施例の反応は酸素とチタン（Ｔｉ）の反応であるので、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−
Ｏ系の酸化物半導体層以外でも同様の反応が生じることは明らかである。
【０４４６】
したがって、第２の加熱処理は２５０℃以上で行うことが好ましい。（上限は限定され
ないが、３００℃以下、４００℃以下、５００℃以下、６００℃以下、７００℃以下から
選択することができる。）
【０４４７】
なお、チタン層１６０４上に低抵抗な材料（アルミニウムを主成分とする膜、銅を主成
分とする膜等）を形成すると配線抵抗を下げることができるので好ましい。
【符号の説明】
【０４４８】
１００  基板
２００  ゲート電極
３００  ゲート絶縁層
４００  酸化物半導体層
４１０  酸化物半導体層
５００  導電層
５１０  コンタクト電極
５２０  コンタクト電極
６００  絶縁層
７００  チャネル保護層
８１０  配線
８２０  配線
８３０  配線
９００  下地絶縁層
１４０１  ピーク
１４０２  ピーク
１４０３  ピーク
１４１４  グラフ
１４１５  グラフ
１４１６  グラフ
１４１７  グラフ
１４１８  グラフ
１４１９  グラフ
１６０１  酸化物半導体層
１６０２  インジウムリッチ層
１６０３  チタン酸化物層
１６０４  チタン層
２００１  成膜室
２００２  蓋
２００３  ターゲット
２００４  ポンプ
２００５  Ｏリング
２００６  Ｏリング
２００７  メタルガスケット
２００８  メタルガスケット
３００１  点線
３００２  太い実線
３００３  細い実線
８０００  破線
【図１】
2019071494.tif 000004
【図２】
2019071494.tif 000005
【図３】
2019071494.tif 000006
【図４】
2019071494.tif 000007
【図５】
2019071494.tif 000008
【図６】
2019071494.tif 000009
【図７】
2019071494.tif 000010
【図８】
2019071494.tif 000011
【図９】
2019071494.tif 000012
【図１０】
2019071494.tif 000013
【図１１】
2019071494.tif 000014
【図１２】
2019071494.tif 000015
【図１３】
2019071494.tif 000016
【図１４】
2019071494.tif 000017
【図１５】
2019071494.tif 000018
【図１６】
2019071494.tif 000019