(57)【要約】【課題】排気系設備の内部における副生成物の残留量を減らして、排気系設備の稼働率を、さらに向上をさせた排気系設備を提供する。【解決手段】半導体製造装置１２のチャンバ１４内を排気するために、チャンバ１４の下流に真空ポンプ１０を設置する。ガス供給装置１８は、真空ポンプ１０に接続されて、ハロゲン化水素と窒素を含むガスを真空ポンプ１０に供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造装置のチャンバ内を排気するために、前記チャンバの下流に設置可能な排気系設備と、
前記排気系設備に接続されて、ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素、フッ素ラジカルのうちの少なくとも１つを含むガスを前記排気系設備に供給可能なガス供給装置とを有することを特徴とする排気系設備システム。
【請求項２】
前記排気系設備は、前記製造装置との接続部を有し、
前記ガス供給装置は、前記接続部において、前記排気系設備に接続されることを特徴とする請求項１記載の排気系設備システム。
【請求項３】
前記ガス供給装置は、ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素のうちの少なくとも１つが充填されたボンベを有することを特徴とする請求項１または２記載の排気系設備システム。
【請求項４】
前記ガスの温度を制御するガス温度制御装置を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項５】
前記ガス温度制御装置は、前記ガスの温度を５０℃〜２５０℃の範囲に制御することを特徴とする請求項４記載の排気系設備システム。
【請求項６】
前記排気系設備は、複数個あり、１個の前記ガス供給装置から前記複数の排気系設備に前記ガスを供給することを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項７】
前記排気系設備システムは、気体もしくはミストである水を前記ガスに供給する水供給装置を有し、前記水と前記ガスとの混合物が前記排気系設備に供給されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項８】
前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、前記制御部は、前記製造装置が出力する前記製造装置の動作状態を示す状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項９】
前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、
前記排気系設備の下流に設置され、前記排気系設備から排出された排ガスを処理して無害化する除害装置に対して、前記製造装置は、前記製造装置の動作状態を示す状態信号を出力し、
前記制御部は、前記状態信号を前記除害装置から受信し、受信した前記状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１０】
前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、前記制御部は、前記排気系設備が出力する前記排気系設備の動作状態を示す状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１１】
前記排気系設備は、前記チャンバから排出された排ガスを処理して無害化する除害装置
を含むことを特徴とする、請求項１ないし８、および１０のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１２】
前記排気系設備は、真空ポンプを含むことを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１３】
前記製造装置は、半導体を製造するための半導体製造装置であることを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１４】
前記ガス供給装置はプラズマ発生器を有し、前記フッ素ラジカルは、前記プラズマ発生器によって生成されることを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の排気系設備システム。
【請求項１５】
前記フッ素ラジカルは、前記プラズマ発生器において三フッ化窒素または四フッ化炭素から生成されることを特徴とする、請求項１４記載の排気系設備システム。
【請求項１６】
前記ガス供給装置は、三フッ化窒素、四フッ化炭素のうちの少なくとも１つが充填されたボンベを有することを特徴とする請求項１５記載の排気系設備システム。
【請求項１７】
製造装置のチャンバ内を排気するために、前記チャンバの下流に設置可能な排気系設備のクリーニング方法であって、
ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素、フッ素ラジカルのうちの少なくとも１つを含むガスを供給可能なガス供給装置を設けるステップと、
前記ガス供給装置を前記排気系設備に接続するステップと、
前記ガス供給装置から、前記ガスを前記排気系設備に供給するステップとを有することを特徴とするクリーニング方法。
【請求項１８】
前記排気系設備は、真空ポンプ、および／または、前記チャンバから排出された排ガスを処理して無害化する除害装置を含むことを特徴とする、請求項１７記載のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排気系設備システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶パネル、ＬＥＤ、太陽電池等を製造する製造装置においては、真空に排気されたプロセスチャンバ内にプロセスガスを導入して成膜処理やエッチング処理等の各種処理を行っている。製造装置のチャンバ内を排気するために、製造装置のチャンバの下流に排気系設備が設置される。排気系設備には、真空ポンプ、除害装置、これらを互いに接続する配管、チャンバと真空ポンプまたは除害装置を接続する配管等がある。
【０００３】
真空ポンプは、成膜処理やエッチング処理等の各種処理を行うプロセスチャンバを真空排気する。プロセスガスは、シラン系ガス（ＳｉＨ４，ＴＥＯＳ等）等を含み、人体に悪影響を及ぼしたり、地球温暖化の原因になる等の地球環境に悪影響を及ぼすので、大気にそのまま放出することは好ましくない。そこで、これらの排ガスを真空ポンプの下流側に設置された除害装置によって無害化処理を行った後に大気に放出している。
【０００４】
真空ポンプは、半導体製造装置のチャンバを真空状態に維持するために、チャンバ内部のガスを排気する。チャンバ内部に供給される成膜用のガスは、副生成物を生成するガスが含まれるために、排気ガスとともに副生成物が真空ポンプ等に流入し、またはポンプ内部等で副生成物の発生が生じる。真空ポンプ内部に持ち込まれる副生成物またはポンプ内部で生成する副生成物が、真空ポンプのロータ同士またはロータとロータを収納するケーシングとの隙間等に挟まる。このため、副生成物は、真空ポンプの正常な回転を阻害する。
【０００５】
副生成物を生成するガスは半導体製造装置の目的であるウェハ成膜工程（製造工程）等に必要なガスである。真空ポンプの機能は製造装置に供給される全てのガスを排気することが前提であり、副生成物の生成を回避することはできない。半導体製造装置のユーザは、半導体製造装置が製品を製造しているとき（成膜工程中）に真空ポンプが停止しないことを要望している。成膜工程中に真空ポンプが停止すると、製造中の製品をすべて廃棄しなければならず、望ましくないコストが発生するからである。また、ユーザは、製造装置の稼働率を向上するために、ポンプメンテナンス時期（例えば、真空ポンプの定期交換時期）まで、真空ポンプを停止しないように、真空ポンプの連続運転時間の延長を望んでいる。
【０００６】
特許第5562144号に記載の技術では、プロセスガスの副生成物がロータの回転を阻害するまでに堆積してしまうことを防止するために、堆積物を掻き落とす生成物対策運転を行うことを提案している。
【０００７】
別の防止策として、ポンプの低温化または高温化によって、副生成物の生成抑制、または副生成物の固体化の防止を行っている。具体的には真空ポンプが生成する圧縮熱、真空ポンプに設置したヒータ、真空ポンプ外部を循環する冷却水を利用して、生成物の低減を行っている。この場合、生成物固有の温度（反応温度や昇華温度）を考慮して、ポンプの低温化または高温化を行う。以上の従来技術においては、ポンプの低温化または高温化では固形化を防止できない副生成物が残留しており、残留量を減らして、真空ポンプ等の稼働率を、さらに向上することが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第5562144号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一形態は、このような問題点を解消すべくなされたもので、その目的は、真空ポンプのロータまたはケーシング表面に堆積した副生成物の堆積量を減らして、排気系設備の稼働率を、さらに向上させた排気系設備を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１の形態では、製造装置のチャンバ内を排気するために、前記チャンバの下流に設置可能な排気系設備と、前記排気系設備に接続されて、ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素、フッ素ラジカルのうちの少なくとも１つを含むガスを前記排気系設備に供給可能なガス供給装置とを有することを特徴とする排気系設備システムという構成を採っている。
【００１１】
本実施形態では、排気系設備に残留する副生成物のうち、その大部分を占める二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をハロゲン化水素、フッ素、三フッ化塩素のうちの少なくとも１つを含むガスにより分解する。例えば、フッ化水素（ＨＦ）を用いて、以下の反応を起こさせる。
ＳｉＯ２＋  ４ＨＦ    →  ＳｉＦ４＋  ２Ｈ２Ｏ
生成されるフッ化ケイ素（ＳｉＦ４）は、沸点が低く、−９５．５℃で昇華するため、常温においては気体として、容易に除去できる。従って、排気系設備の内部における副生成物の残留量を減らして、排気系設備の稼働率を、さらに向上をさせることができる。
【００１２】
実験によれば、排気系設備の１つである真空ポンプ内に残量していた二酸化ケイ素の大部分が、フッ化水素により、フッ化ケイ素になり、真空ポンプから除去することができた。ここで、ハロゲン化水素とは、水素とハロゲン（周期表第１７族元素、すなわち、フッ素Ｆ、塩素Ｃｌ、臭素Ｂｒ、ヨウ素Ｉ、アスタチンＡｔ）との化合物である。ハロゲン化水素の一般式は、ＨＸ（Ｘはハロゲン）である。
【００１３】
排気系設備システムには、真空ポンプ、ガス供給装置、除害装置、これらを互いに接続する配管、チャンバと真空ポンプまたは除害装置を接続する配管等がある。真空ポンプ、ガス供給装置、除害装置の組合せとしては、（１）ガス供給装置+真空ポンプ+除害装置、（２）ガス供給装置+真空ポンプ、（３）ガス供給装置+除害装置等がある。
【００１４】
ハロゲン化水素ガス等を用いた真空ポンプのクリーニングによる副生成物の除去は、クリーニング用ガスとの化学反応によって、例えば、ロータの回転を阻害する生成物の除去を行うものである。副生成物の除去は、副生成物の生成を低減することや生成を抑制することではなく、「生成された副生成物の除去」である。副生成物の除去は、クリアランス部（すなわち、ポンプ本体と回転体との間隙）を副生成物の除去により確保するものである。なお、クリアランス部が確保できれば、全ての副生成物を分解または除去する必要はない。前記排気系設備に係わる付帯機器や、排気系配管内のメンテナンスは基本的に不要である。
【００１５】
第２の形態では、前記排気系設備は、前記製造装置との接続部を有し、前記ガス供給装置は、前記接続部において、前記排気系設備に接続されることを特徴とする第１の形態の排気系設備システムという構成を採っている。
【００１６】
第３の形態では、前記ガス供給装置は、ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素
のうちの少なくとも１つが充填されたボンベを有することを特徴とする第１または２の形態の排気系設備システム、という構成を採っている。
【００１７】
第４の形態では、前記ガスの温度を制御するガス温度制御装置を有することを特徴とする第１ないし３の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００１８】
第５の形態では、前記ガス温度制御装置は、前記ガスの温度を５０℃〜２５０℃の範囲に制御することを特徴とする第４の形態の排気系設備システム、という構成を採っている。
【００１９】
第６の形態では、前記排気系設備は、複数個あり、１個の前記ガス供給装置から前記複数の排気系設備に前記ガスを供給することを特徴とする、第１ないし５の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２０】
第７の形態では、前記排気系設備システムは、気体もしくはミストである水を前記ガスに供給する水供給装置を有し、前記水と前記ガスとの混合物が前記排気系設備に供給されることを特徴とする、第１ないし６の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。ここで、ミストとは、気体中に分散した液体の微粒子のことを指し、霧・液滴とも呼ばれる。
【００２１】
第８の形態では、前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、前記制御部は、前記製造装置が出力する前記製造装置の動作状態を示す状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、第１ないし７の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２２】
第９の形態では、前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、
前記排気系設備の下流に設置され、前記排気系設備から排出された排ガスを処理して無害化する除害装置に対して、前記製造装置は、前記製造装置の動作状態を示す状態信号を出力し、
前記制御部は、前記状態信号を前記除害装置から受信し、受信した前記状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、第１ないし７の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２３】
第１０の形態では、前記排気系設備システムは、前記ガス供給装置から前記排気系設備への前記ガスの供給を制御する制御部を有し、前記制御部は、前記排気系設備が出力する前記排気系設備の動作状態を示す状態信号に基づいて、前記制御を行うことを特徴とする、第１ないし７の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２４】
第１１の形態では、前記排気系設備は、前記チャンバから排出された排ガスを処理して無害化する除害装置を含むことを特徴とする、第１ないし８、および１０の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２５】
第１２の形態では、前記排気系設備は、真空ポンプを含むことを特徴とする、第１ないし１１の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２６】
ハロゲン化水素ガス等を用いたクリーニングによる副生成物の除去は、真空ポンプ以外にも、真空ポンプと、真空ポンプの下流に設けた除害装置とを接続する排気配管内部の副生成物の除去にも適用できる。これにより真空ポンプの背圧上昇防止のための配管メンテナンスが不要になる、またはメンテナンス頻度が低減する。
【００２７】
ハロゲン化水素ガス等を用いたクリーニングによる生成物の除去は、真空ポンプ以外にも、真空ポンプの排気側に（下流に）設置される除害装置内部の副生成物の除去にも適用できる。これにより除害装置の構成部品に付着した副生成物を除去するためのメンテナンスが不要になる、またはメンテナンス頻度が低減する。
【００２８】
第１３の形態では、前記製造装置は、半導体を製造するための半導体製造装置であることを特徴とする、第１ないし１２の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００２９】
第１４の形態では、前記ガス供給装置はプラズマ発生器を有し、前記フッ素ラジカルは、前記プラズマ発生器によって生成されることを特徴とする、第１ないし１３の形態のいずれか１つの排気系設備システム、という構成を採っている。
【００３０】
フッ素ラジカルを用いた実施形態では、排気系設備に残留する副生成物のうち、その大部分を占める二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を、フッ素ラジカルを含むガスにより分解する。例えば、以下の反応を起こさせる。次式では、フッ素ラジカル１分子をＦＲで示す。
ＳｉＯ２＋  ４ＦＲ  →  ＳｉＦ４＋  Ｏ２
フッ化水素（ＨＦ）ガスを用いた場合と、フッ素ラジカルを三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスから生成した場合を比較すると以下の相違がある。
ガス使用量に関しては、１分子のＨＦ中にＦは１原子であり、１分子のＮＦ３中にＦは３原子あるため、三フッ化窒素を用いた場合の方が、等量の副生成物を除去するために必要なガス量は少ない。別の表現をすると、三フッ化窒素を用いた場合の方が、同じガス量で、より多くの副生成物を除去できる。
エッチング効率（すなわち、同体積のガスによる副生成物の除去効率）に関しては、フッ化水素（ＨＦ）を用いた場合、理論反応量の５倍のガスが必要であったが、三フッ化窒素を用いた場合は、ラジカルな分子を用いているためガスの必要量は、より少なく良好であった。
【００３１】
フッ化水素（ＨＦ）を用いたガスクリーニング（すなわち、副生成物の除去）が適するプロセスは以下のようなものである。
フッ化水素ガスの供給手段はガスボンベ等であり、フッ素ラジカルの供給手段より簡便な反面、エッチング効率が低いため、フッ化水素（ＨＦ）を用いたガスクリーニングは、
１）フッ化水素ガスを供給できる時間が長い（供給できる時間に余裕がある）バッチプロセスや、
２）ポンプ内部の副生成物の生成物量が少ないプロセス等に適する。
【００３２】
一方、フッ素ラジカルを用いたガスクリーニングが適するプロセスは以下のようなものである。
フッ素ラジカルを用いたガスクリーニングは、エッチング効率が高い反面、プラズマ発生装置が必要であるため、
１）クリーニング用ガスを供給できる時間が短い（供給できる時間に余裕がない）枚葉プロセスや
２）ポンプ内部の副生成物の生成物量が多いプロセス等に適する。
【００３３】
第１５の形態では、前記フッ素ラジカルは、前記プラズマ発生器において三フッ化窒素または四フッ化炭素から生成されることを特徴とする、第１４の形態の排気系設備システム、という構成を採っている。
【００３４】
第１６の形態では、前記ガス供給装置は、三フッ化窒素、四フッ化炭素のうちの少なく
とも１つが充填されたボンベを有することを特徴とする、第１５の形態の排気系設備システム、という構成を採っている。
【００３５】
第１７の形態では、製造装置のチャンバ内を排気するために、前記チャンバの下流に設置可能な排気系設備のクリーニング方法であって、
ハロゲン化水素、フッ素、塩素、三フッ化塩素、フッ素ラジカルのうちの少なくとも１つを含むガスを供給可能なガス供給装置を設けるステップと、
前記ガス供給装置を前記排気系設備に接続するステップと、
前記ガス供給装置から、前記ガスを前記排気系設備に供給するステップとを有することを特徴とするクリーニング方法、という構成を採っている。
【００３６】
第１８の形態では、前記排気系設備は、真空ポンプおよび／または除害装置を含むことを特徴とする、第１７の形態のクリーニング方法、という構成を採っている。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係る排気系設備システムを示すブロック図である。
【図２】図１に示す真空ポンプの断面図である。
【図３】図３は、ガス供給装置の構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、ガスの温度を制御するガス温度制御装置を有するガス供給装置の構成を示すブロック図である。
【図５】図５は、気体もしくはミストである水をガスに供給する水供給装置を有する排気系設備システムの構成を示すブロック図である。
【図６】図６は、真空ポンプ内の固形の副生成物に含まれる成分と、真空ポンプ内の固形の副生成物の全重量に対する各成分の重量比を示す。
【図７】図７は、真空ポンプ内の固形の副生成物に含まれる成分と、真空ポンプ内の固形の副生成物の全重量に対する各成分の重量比を示す。
【図８】図８は、複数の排気系設備としての複数の真空ポンプを有する一実施形態のブロック図である。
【図９】図９は、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程を半導体製造装置が繰り返すときの状態信号を示す。
【図１０】図１０の表は、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程と、バルブの開閉との関係を示す。
【図１１】図１１は、半導体製造装置がプロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程にあるときの真空ポンプの駆動電流値を示す。
【図１２】図１２は、真空ポンプの駆動電流値の大きさと、各工程と、ＨＦガスの供給の有無との関係を示す。
【図１３】本発明の一実施形態に係る排気系設備システムを示すブロック図である。
【図１４】図１４は、ガス供給装置の構成を示すブロック図である。
【図１５】図１５は、プラズマ発生器の構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同一または相当する部材には同一符号を付して重複した説明を省略する。図１は、本発明の一実施形態に係る排気系設備システムを示すブロック図である。本実施形態では、排気系設備システムは、真空ポンプ、ガス供給装置、除害装置、これらを互いに接続する配管、及びチャンバと真空ポンプを接続する配管等を含む。排気系設備は、真空ポンプ、除害装置、これらを互いに接続する配管、及びチャンバと真空ポンプを接続する配管等を含む。また、本実施形態では、製造装置は、半導体を製造するための半導体製造装置である。
【００３９】
図１では、真空ポンプ１０を半導体製造装置１２の真空チャンバ１４に接続した例を示す。排気系設備システム１６は、半導体製造装置１２の真空チャンバ１４内を排気するために、真空チャンバ１４の下流に設置可能な真空ポンプ１０と、真空ポンプ１０に接続されて、ハロゲン化水素を含むガスを真空ポンプ１０に供給可能なガス供給装置１８とを有する。
【００４０】
図１には、図示しないが、真空チャンバ１４の上流側には真空チャンバ１４にプロセスガスを供給するプロセスガス供給源が配置されている。真空チャンバ１４は配管２２によって真空ポンプ１０に接続されている。
【００４１】
図２に示すように、真空ポンプ１０の例として、ブースターポンプとしての第１の真空ポンプ３０と、メインポンプとしての第２の真空ポンプ３２と、第１の真空ポンプ３０及び第２の真空ポンプ３２を収容するハウジング３４とを備えている。真空ポンプ１０の詳細については後述する。
【００４２】
図１において、真空ポンプ１０の下流側には排ガス２０（プロセスガス）を無害化するための排ガス除害装置２４（除害装置）が配置されている。この排ガス除害装置２４には、乾式吸着方式、湿式吸収（または溶解）方式、及び燃焼分解方式及び触媒式などのタイプがある。触媒式は、乾式吸着方式、湿式吸収（または溶解）方式、及び燃焼分解方式のいずれの方式にも除害効率を上げるために適用可能である。その他の例としては、加熱式（ヒータ式）分解とプラズマによる分解がある。排ガス除害装置としては、これらのうちのいずれか１つの方式を選択することもできるが、組み合わせて使用しても良い。例えば触媒式は、乾式吸着方式、湿式吸収（または溶解）方式、及び燃焼分解方式のいずれかの方式と組み合せることでも除害効率を上げることが可能である。除害装置にどのような方式を採用するかは、例えば、処理対象ガスの種類や量、使えるユーティリティーを考慮して、適切に選択することができる。真空チャンバ１４には第１の制御部２６が接続されており、この第１の制御部２６により、真空チャンバ１４における基板処理（以下、本プロセスという）のプロセス条件が制御される。プロセス条件としては、例えば真空チャンバ１４に供給されるプロセスガスの通気時間、種類や温度などが挙げられる。本実施形態では、第１の制御部２６の運転制御項目としては、ガス種を決めた場合、ガスを流すタイミング、ガスの流量、温度等である。本実施形態では、特に、ガスの流量、温度等を固定しているため、制御に必要な情報は、ガスを流すタイミングである。
【００４３】
第２の制御部２８は、真空ポンプ１０及びバルブ８２に接続されており、第２の制御部２８によって真空ポンプ１０の運転条件及びバルブ８２の開閉が制御される。真空ポンプ１０の運転条件としては、例えばポンプロータの回転速度や第１の真空ポンプ３０及び第２の真空ポンプ３２の起動タイミングなどが挙げられる。
【００４４】
なお、半導体製造装置、真空ポンプ、除害装置は独立して運転可能である。装置間の連携は必須ではない。ポンプと除害装置を１度起動すれば、半導体製造装置は単独で運転することが可能である。ただし、標準的な半導体工場では省エネ、性能向上、機器保護の観点から運転信号による連携運転を行うケースがある。その場合、信号（制御）の起点となるのは半導体製造装置である。半導体製造装置の指令によって真空ポンプ、除害装置は運転状態を変更する。また真空ポンプ、除害装置からの信号（異常、故障信号等）によって半導体製造装置は運転を変更する。その意味で通信信号は、一般的には双方向信号である。
【００４５】
本実施形態では、第２の制御部２８を真空ポンプ１０とは別箇独立としているが、第２の制御部２８は、真空ポンプ１０が有している制御装置、あるいはガス供給装置１８に付帯した制御部としてもよい。第２の制御部２８は、別置きの装置である必要はない。
【００４６】
第２の制御部２８は第１の制御部２６に接続されており、第１の制御部２６からプロセス条件が状態信号として第２の制御部２８に送られるようになっている。第２の制御部２８は、状態信号に基づいて真空ポンプ１０及びバルブ８２を制御する。本実施形態では、第２の制御部２８は、真空ポンプ１０の上位にある制御装置ではなく、真空ポンプ１０の下位にある制御部である。すなわち、ガス供給装置１８は真空ポンプ１０の付帯設備という位置づけであり、ガス供給装置１８の制御部である第２の制御部２８は、真空ポンプ１０の下位の制御部となる。
【００４７】
図２において、第１の真空ポンプ３０は、一対のルーツ型ポンプロータ３６（図２では１つのポンプロータのみを示す）を有するルーツ型真空ポンプの例であり、第２の真空ポンプ３２は、一対のルーツ型ポンプロータ３８（図２では１つのポンプロータのみを示す）を有するルーツ型真空ポンプである。第１の真空ポンプ３０及び第２の真空ポンプ３２は、異なる段数のポンプロータをそれぞれ有している。第１の真空ポンプ３０と第２の真空ポンプ３２とはハウジング３４内で互いに平行に設置され、第１の真空ポンプ３０は第２の真空ポンプ３２の上方に配置されている。
【００４８】
第１の真空ポンプ３０の吸気口には吸気配管４０が設けられており、この吸気配管４０は、配管２２を経由して真空チャンバ１４に接続されている。なお、半導体製造装置１２としては、半導体ウェハや液晶パネルなどの基板に成膜処理やエッチング処理を施す成膜装置やエッチング装置などが挙げられる。第１の真空ポンプ３０の下部には排気口が設けられており、この排気口は接続配管４２を介して第２の真空ポンプ３２の吸気口に接続されている。第２の真空ポンプ３２の排気口には排気配管４４が接続され、この排気配管４４を介して気体（プロセスガス等）が外部に排気される。気体には、プロセスガス以外にもクリーニングガス、希釈用の不活性ガスが含まれる。このように、第１の真空ポンプ３０と第２の真空ポンプ３２とは直列に接続され、第２の真空ポンプ３２は、第１の真空ポンプ３０よりも下流側に配置されている。すなわち、第１の真空ポンプ３０は第２の真空ポンプ３２よりも真空側に配置され、第２の真空ポンプ３２は大気側に配置されている。
【００４９】
図２に示すように、第１の真空ポンプ３０は、互いに対向する一対の多段ポンプロータ３６を備えている。それぞれのポンプロータ３６は、吸気側に配置される１段目のルーツロータ３６ａ（吸気側ロータ）と、排気側に配置される２段目のルーツロータ３６ｂ（排気側ロータ）と、これらのルーツロータ３６ａ，３６ｂが固定される回転軸４６とを備えている。第１の真空ポンプ３０を駆動するモータＭ１は、回転軸４６の端部に固定されている。（コメント:タイミングギヤ４８と５２に関する記載を、明細書と図２から削除致します。）
【００５０】
第２の真空ポンプ３２は、５段のポンプロータを備える点で第１の真空ポンプ３０と異なっている。その他の第２の真空ポンプの構成は第１の真空ポンプと同様であり、その重複する説明を省略する。図２に示すように、第２の真空ポンプ３２は、互いに対向する一対の多段ポンプロータ３８を備えている。それぞれのポンプロータ３８は、吸気側から排気側に向かって順に配置される１段目のルーツロータ３８ａと、２段目のルーツロータ３８ｂと、３段目のルーツロータ３８ｃと、４段目のルーツロータ３８ｄと、５段目のルーツロータ３６ｅと、これらのルーツロータが固定される回転軸５０とを備えている。第２の真空ポンプ３２を駆動するモータＭ２は、回転軸５０の端部に固定されている。
【００５１】
ポンプロータ３６，３８同士、及びポンプロータ３６，３８とロータケーシング３４の内面との間には微小な隙間が形成されており、これによりポンプロータ３６，３８がロータケーシング３４内で、非接触で回転可能となっている。微小な隙間に、ＳｉＯ２等の副生成物が挟まると、ポンプロータ３６，３８の回転が不良になる、もしくは停止する。なお、本実施形態では、ロータとしてルーツ型を使用しているが、これに限らずスクリュー
型やクロー型などを用いてもよい。いずれの場合でも、複数段のロータが軸方向に配列された多段型のポンプロータが用いられる。また、ポンプロータ３６、３８の段数は２段、５段に限られず、それぞれ３段以上、又は、５段以上または５段以下であってもよい。
【００５２】
排気系設備システム１６は、半導体製造装置１２との接続部である吸気配管４０を有する。ガス供給装置１８は、吸気配管４０において、排気系設備システム１６に接続される。吸気配管４０に接続する理由は、吸気配管４０は真空ポンプ１０の上流に位置するため、吸気配管４０からＨＦガスを供給すると、真空ポンプ１０の全体をクリーニングすることができるからである。
【００５３】
ＨＦガスを供給する場所としては、第１の真空ポンプ３０と第２の真空ポンプ３２を連結する接続配管４２からＨＦガスを供給してもよい。また、メインポンプである第２の真空ポンプ３２の任意の場所からＨＦガスを供給してもよい。第２の真空ポンプ３２のみにＨＦガスを供給する理由は、第２の真空ポンプ３２は、第１の真空ポンプ３０よりも、内部圧力及び内部温度が高く、生成物が生成しやすい場合があるからである。なお、半導体製造装置１２の製造プロセス等に依存して、副生成物が挟まりやすい場所、もしくは、副生成物が生成しやすい場所は変化する。
【００５４】
次に、図３により、ガス供給装置１８について説明する。図３は、ガス供給装置１８の構成を示すブロック図である。図３（ａ）は、ガス供給装置１８に、排気系設備システム１６の外部からＨＦガス及びＮ２ガスが供給される場合を示す。ＨＦガスは、配管５６を介して、Ｎ２ガスは、配管５８を介して供給される。図３（ｂ）は、ガス供給装置１８が、ハロゲン化水素が充填されたボンベ５４を有し、排気系設備システム１６の外部からＮ２ガスが供給される場合を示す。
【００５５】
Ｎ２ガスは、ＨＦガスの濃度を調整するために用いられる。ＨＦガス供給装置１８は、ガス供給装置１８に供給されたＨＦガス及びＮ２ガスを、最適なＨＦ濃度、流量、最適な供給タイミングで、真空ポンプ１０にＨＦガスを供給する。ＨＦガスとＮ２ガスは混合された後に、真空ポンプ１０に送られる。図中のＭＦＣは、マスフローコントローラである。ＭＦＣの前後には、配管を開閉するためのバルブ９０を設ける。ＭＦＣの代わりに、同様の機能を、マスフローメータ及び遠隔操作される電磁弁等のＯＮＯＦＦ弁と流量調整弁とを用いて、実現してもよい。ボンベ５４を利用する場合、排気系設備システム１６の外部からＨＦガスを供給することが不要になり、外部からＨＦガスを供給するための長い配管が不要になる。このため、設置工事が容易になり、またコストが低減する。
【００５６】
次に、図４により、ガス供給装置１８の別の実施形態について説明する。図４は、ガスの温度を制御する加熱用ヒータ６０（ガス温度制御装置）を有するガス供給装置１８の構成を示すブロック図である。図４（ａ）は、ガス供給装置１８に、排気系設備システム１６の外部からＨＦガス及びＮ２ガスが供給される場合を示す。図４（ｂ）は、ガス供給装置１８が、ハロゲン化水素が充填されたボンベ５４を有し、排気系設備システム１６の外部からＮ２ガスが供給される場合を示す。
【００５７】
加熱用ヒータ６０は、ＨＦガスをクリーニングに最適な温度に、自動的に加熱制御する。クリーニングに最適な温度とは、既述の二酸化ケイ素からフッ化ケイ素を生成する反応の場合、５０℃〜２５０℃である。この温度範囲よりも低いと、反応が弱く、この温度範囲よりも高いと、装置の運転に影響を与える。反応が弱いと、二酸化ケイ素を十分に除去できない。装置への影響とは、装置の各部が、局所的に加熱されることによる変形や腐食による損傷を受ける可能性があることを意味する。
【００５８】
加熱用ヒータ６０は、配管６２の外周に巻く。ＨＦガス温度を温度センサにより測定し
て、第２の制御部２８は、測定温度に基づいて、加熱用ヒータ６０の出力を制御する。ガス温度制御装置は、ガス供給装置１８に配置する以外に、真空ポンプ１０に配置してもよい。
【００５９】
次に、図５により、排気系設備システム１６の別の実施形態について説明する。図５は、気体もしくはミストである水をガスに供給する水供給装置を有する排気系設備システム１６の構成を示すブロック図である。この排気系設備システム１６では、水とガスとの混合物が真空ポンプ１０に供給される。真空ポンプ１０に供給するＨＦガスに水を同伴させて、真空ポンプ１０の内部の副生成物を、水を利用してHFガスと反応させる。適度な量の水分により、既述の二酸化ケイ素からフッ化ケイ素を生成する反応の効率が改善される。
【００６０】
図５（ａ）では、ガス供給装置１８と真空ポンプ１０を接続する配管６２に、ミストである水を放出するスプレーノズル６４を配置する。水供給装置は、スプレーノズル６４と、スプレーノズル６４から放出する水量を調節する流量コントローラ７４（ＦＩＣ）と弁７６とを有する。水は、排気系設備システム１６の外部から、流量コントローラ７４に供給される。スプレーノズル６４は、ＨＦガスの流れる方向６６と反対の方向６８に向けて、水を放出する。反対の方向６８に向けて、水を放出する理由は、ＨＦガスと水を、よく混合させるためである。
【００６１】
図５（ｂ）では、水供給装置は、加熱装置７０を備えた水槽７２を有する。水は、排気系設備システム１６の外部から、水槽７２に供給される。ガス供給装置１８と真空ポンプ１０を接続する配管６２に、加熱装置７０を備えた水槽７２の上部から出ている配管８８を接続する。真空ポンプ１０により、配管６２内が真空になるため、水槽７２の内部は真空に保たれる。このために、水槽７２内では、水蒸気が発生し、蒸発熱により、水槽７２内は低温になる。水が氷に変化するまで水が低温化することを防ぐために、加熱装置７０を設ける。水蒸気は、ＨＦガスとともに真空ポンプ１０の内部の副生成物に供給される。
【００６２】
次に、本実施形態において、ハロゲン化水素を含むガスを真空ポンプ１０に供給したときに、真空ポンプ１０の内部に残留している副生成物がハロゲン化水素によって、どの程度、除去されるかを試験により確認した結果を図６に示す。この試験では、実際に使用されていた真空ポンプ１０の内部から、残留していた固形の副生成物を容器内に収集した。容器内の副生成物に、ハロゲン化水素を含むガスを供給した。容器内の固形の副生成物の重量を、ガスを供給する前と、試験が終了した後に測定した。試験では、設定された時間にわたって、ハロゲン化水素を含むガスを供給した。
【００６３】
図６に、ガスを供給する前の、容器内の固形の副生成物に含まれる成分と、容器内の固形の副生成物の全重量に対する各成分の重量比を示す。ガスを供給する前は、二酸化ケイ素が、９５％を占めていた。ガスとの反応が終了した後に、二酸化ケイ素の重量を測定したところ、二酸化ケイ素の重量は、検知可能な重量以下に、大幅に低下していた。容器内の固形の副生成物は、目視では、ほとんど消滅していた。固体の二酸化ケイ素の大部分は、気体のフッ化ケイ素（ＳｉＦ４）とケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）に変化したと考えられる。
【００６４】
図６とは、別のプロセスに関する試験結果を図７に示す。この試験は、図６とは異なる半導体製造プロセスに使用されていた真空ポンプ１０の内部に残留していた固形の副生成物を用いた試験である。図６とは異なる半導体製造プロセスに使用されていた真空ポンプ１０の内部に残留していた固形の副生成物を容器内に収集した。容器内に、ハロゲン化水素を含むガスを供給して、容器内の固形の副生成物の重量を、ガスを供給する前と、ガスとの反応が終了した後に測定した。
【００６５】
図７に、ガスを充てんする前の、ガラス容器内の固形の副生成物に含まれる成分と、容器内の固形の副生成物の全重量に対する各成分の重量比を示す。ガスを供給する前は、二酸化ケイ素が、７１％を占めていた。ガスとの反応が終了した後に、二酸化ケイ素の重量を測定したところ、二酸化ケイ素の重量は、検知可能な重量以下に、大幅に低下していた。Ｓｉ，Ｆ，Ｏ含有物は、１７％を占めていた。ガスとの反応が終了した後に、Ｓｉ，Ｆ，Ｏ含有物の重量を測定したところ、Ｓｉ，Ｆ，Ｏ含有物の重量は、検知可能な重量以下に、大幅に低下していた。容器内の固形の副生成物は、目視では、ほとんど消滅していた。固体の二酸化ケイ素、及びＳｉ，Ｆ，Ｏ含有物の大部分は、気体のフッ化ケイ素（ＳｉＦ４）等に変化したと考えられる。
【００６６】
次に、１個のガス供給装置から複数の排気系設備にガスを供給する排気系設備システムの実施形態について、図８により説明する。図８は、複数の排気系設備として複数の真空ポンプ１０を有する実施形態のブロック図である。１台のＨＦガス供給装置１８から複数台の真空ポンプ１０にＨＦガスを供給する。真空ポンプ１０は、ＨＦガスを受け入れるために、配管６２との接続部を有する。接続部は、ねじ式のコネクタ等である。
【００６７】
次に、ガス供給装置から排気系設備にガスを供給するときの制御方法について、図１により説明する。排気系設備システム１６は、ガス供給装置１８から真空ポンプ１０へのガスの供給を制御する第２の制御部２８を有する。第２の制御部２８は、半導体製造装置１２が出力する半導体製造装置１２の動作状態を示す状態信号７８に基づいて、制御を行う。
【００６８】
半導体製造装置１２の動作状態を示す状態信号７８について、以下説明する。例えば、ウェハ上に成膜を行う半導体製造装置１２が行う工程には、成膜を行う「プロセス工程」と、「プロセス工程」により汚染された半導体製造装置１２内の環境を、清浄な状態に復帰させるために実施する「クリーニング工程」、及びそれら以外の待機状態である「アイドル工程」がある。ＨＦガスによる真空ポンプ１０内部の副生成物の除去は、半導体製造装置１２の運転状態には影響を受けない。真空ポンプ１０内部の副生成物の除去は、上記のどの工程においても可能である。しかし、プロセス工程中は、真空ポンプ１０内部の副生成物の除去が、半導体製造装置１２の運転状態に（成膜品質に）影響を与える可能性を排除する必要がある。このため、真空ポンプ１０から半導体製造装置１２へのＨＦガスの混入を防止する必要がある。プロセス工程中は、ＨＦガスによる真空ポンプ１０のクリーニングを実施することは望ましくない。そこで、半導体製造装置１２がプロセス工程であるときの真空ポンプ１０へのＨＦガス供給を避けるため、プロセス工程以外で、真空ポンプ１０のＨＦガスによるクリーニングを実施することが望ましい。プロセス工程であるかどうかを判断するために、半導体製造装置１２の動作状態を示す状態信号７８を用いる。
【００６９】
ところで、状態信号７８については、以下のような使用方法も可能である。半導体製造装置１２において用いられるガス種、ガス流量は、「プロセス工程」、「クリーニング工程」、「アイドル工程」によって異なる。ガス種、ガス流量に応じて排ガス除害装置２４、特に燃焼式除害装置の場合は、最適な燃焼条件で燃焼を行う必要がある。すなわち、排ガス除害装置２４における処理対象ガスの除去効率を最適化する必要がある。従って排ガス除害装置２４は、半導体製造装置１２の第１の制御部２６から、半導体製造装置１２がどの工程を実施しているかを示す状態信号７８を入力されて、半導体製造装置１２の運転状態を把握し、それに応じた燃焼条件を実現している。
【００７０】
状態信号７８の例を、図９に示す。図９（ａ）は、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程をこの順に半導体製造装置１２が繰り返すときの状態信号７８を示す。状態信号７８は、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程を識別するために、例えば、デジタル信号の「０」、「１」、「２」とすることができる。また、状態信号７８をア
ナログ信号とし、アナログ信号の信号レベルが３段階の信号とすることができる。図９（ｂ）では、プロセス工程とアイドル工程を複数回（図９（ｂ）では、４回の場合を示す。）繰り返した後に、半導体製造装置１２は、クリーニング工程を行う。半導体製造装置１２が、この順番を繰り返すときの状態信号７８を図９（ｂ）は示す。図９（ｃ）は、プロセス工程とアイドル工程のみを、この順に半導体製造装置１２が繰り返すときの状態信号７８を示す。
【００７１】
半導体製造装置１２がプロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程のそれぞれを行っているときに、真空ポンプ１０にＨＦガスを供給するかどうかを、図１０に示す表により説明する。図１０の表は、各工程と、ＨＦガスの供給の有無と、バルブ８２の開閉との関係を示す。図１０の表に示すように、プロセス工程では、ＨＦガスを供給しない。クリーニング工程とアイドル工程では、ＨＦガスを供給する。各工程では、第２の制御部２８は、ＨＦガスを供給する弁であるバルブ８２の開閉を制御する信号８６をバルブ８２に出力する。第２の制御部２８は、信号８６によって、プロセス工程ではバルブ８２を閉とし、クリーニング工程とアイドル工程では開とする。
【００７２】
第２の制御部２８は、状態信号７８を第１の制御部２６から受信するが、第２の制御部２８は、別の経路で状態信号７８を受信することもできる。すなわち、排ガス除害装置２４は第１の制御部２６から状態信号７８を受信しているため、第２の制御部２８は、排ガス除害装置２４から、状態信号７８と同一である状態信号８４を受信することができる。第２の制御部２８は、排ガス除害装置２４が出力する状態信号８４に基づいて、図１０に示すようにバルブ８２の制御を行う。
【００７３】
次に、第２の制御部２８による制御方法の別の実施形態について図１１により説明する。この実施形態では、ガス供給装置１８からＨＦガスを真空ポンプ１０に供給または停止する制御は、半導体製造装置１２の運転状態を真空ポンプ１０の状態信号から判断して行う。第２の制御部２８は、排気系設備、例えば真空ポンプ１０が出力する真空ポンプ１０の動作状態を示す状態信号８８に基づいて、ＨＦガスの供給制御を行う。図１１は、半導体製造装置１２がプロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程にあるときの真空ポンプ１０の駆動電流値を示す。図の横軸は時間、縦軸は駆動電流値（Ａ:アンペア）である。本実施形態では、駆動電流値が真空ポンプ１０の状態信号８８である。
【００７４】
真空ポンプ１０の駆動電流値の大きさは、プロセス工程ではＡ３、クリーニング工程ではＡ２、アイドル工程ではＡ１であり、本実施形態では、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程の順に小さくなる。半導体の製造工程とポンプ電流の関係は、図１１において、概念的に示されている。実際には、図１１に示すような単純なパルス波形に必ずしもなるわけではない。しかし、プロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程を、真空ポンプ１０の駆動電流値の大きさによって区別することは可能である。
【００７５】
半導体製造装置１２がプロセス工程、クリーニング工程、アイドル工程のそれぞれを行っているときに、真空ポンプ１０にＨＦガスを供給するかどうかを、図１２に示す表により説明する。図１２の表は、真空ポンプ１０の駆動電流値の大きさと、各工程と、ＨＦガスの供給の有無と、バルブ８２の開閉との関係を示す。図１２の表に示すように、プロセス工程では、ＨＦガスを供給しない。クリーニング工程とアイドル工程では、ＨＦガスを供給する。各工程では、第２の制御部２８は、バルブ８２の開閉を制御する信号８６をバルブ８２に出力する。第２の制御部２８は、信号８６によって、プロセス工程ではバルブ８２を閉とし、クリーニング工程とアイドル工程では開とする。
【００７６】
図１に示す排気系設備システム１６において、半導体製造装置１２のチャンバ１４内を排気するために、チャンバ１４の下流に設置可能な真空ポンプ１０のクリーニング方法は
、次のようなものである。ハロゲン化水素を含むガスを供給可能なガス供給装置１８を排気系設備システム１６に設ける。ガス供給装置１８を真空ポンプ１０に接続する。ガス供給装置１８から、ガスを真空ポンプ１０に供給する。
【００７７】
次に、ガス供給装置がプラズマ発生器を有し、フッ素ラジカルは、プラズマ発生器によって生成される実施形態について図１３〜１５により説明する。フッ素ラジカルは、プラズマ発生器において、例えば、三フッ化窒素または四フッ化炭素から生成される。図１３において、排気系設備システム１６は、フッ素ラジカルを含むガスを真空ポンプ１０に供給可能なガス供給装置１１８を有する。
【００７８】
次に、図１４により、ガス供給装置１１８について説明する。図１４は、ガス供給装置１８の構成を示すブロック図である。ガス供給装置１１８に、排気系設備システム１６の外部からＮＦ３ガス、及びＮ２ガス（およびまたはＡｒガス）が供給される場合を示す。ＮＦ３ガスは、配管１５６を介して、Ｎ２ガスは、配管５８を介して供給される。Ｎ２ガスは、ＮＦ３ガスの濃度を調整するために用いられる。
【００７９】
ガス供給装置１８に供給されたＮＦ３ガス及びＮ２ガスを、最適なＮＦ３濃度、流量、最適な供給タイミングで、プラズマ発生器９２にＮＦ３ガスを供給する。ＮＦ３ガスとＮ２ガスは混合された後に、プラズマ発生器９２に送られる。プラズマ発生器９２は、フッ素ラジカルガス９４を生成して、真空ポンプ１０にフッ素ラジカルガス９４を供給する。
【００８０】
次に、プラズマ発生器９２について図１５により説明する。プラズマを発生する方式には種々ある。任意のプラズマを発生する方式を本実施形態に適用できる。プラズマを発生する方式としては、例えば、バリア放電方式、沿面放電方式、高周波放電方式等がある。図１５は、バリア放電方式の一種である。プラズマ発生器９２は，Ｖ形のトレンチ溝１０２を設けた高圧電極９６と、誘電板９８と、アース電極１００を有する。高圧電極９６のトレンチ溝１０２と、誘電板９８との間には微小なすきま（ギャップ）を設けて、放電空間１０４を形成する。トレンチ溝１０２内には誘電体が充填されている。放電空間１０４には、ＮＦ３ガスとＮ２ガスが供給される。
【００８１】
高圧電極９６とアース電極１００の間に高圧交流電源１０６により高周波高電圧を印加する。高周波高電圧を印加すると，放電空間１０４内にコロナ放電（無声放電）が起こる。放電空間１０４に導かれたＮＦ３ガスは，放電エルネギーにより、フッ素がフッ素ラジカルとなる。バリア放電方式は、放電開始電圧が低く、フッ素ラジカルの発生量が多く、フッ素ラジカルの濃度が高いという利点がある。
【００８２】
以上、本発明の実施形態の例について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明には、その均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１０…真空ポンプ
１２…半導体製造装置
１４…真空チャンバ
１６…排気系設備システム
１８…ガス供給装置
２０…排ガス
２２…配管
２４…排ガス除害装置
２６…第１の制御部
２８…第２の制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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