(57)【要約】      （修正有）【課題】減衰を確保した所望の周波数特性を有する弾性波デバイス及び弾性波アセンブリを提供する。【解決手段】弾性波デバイス１０において、通過帯域フィルタを構成する薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）１２及びＦＢＡＲ１２に結合し、特定の周波数において標的信号に逆位相信号を生成するべく構成されたループ回路としてのラム波素子１４は、共通基板１９上の圧電層１５に実装される。ＦＢＡＲ１２は、圧電層１５の対向する側面に電極１３Ａ及び１３Ｂを含む。ラム波素子１４は、圧電層１５上のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ）電極１６と、電極１７とを含む。【選択図】図１Ａ
2019154031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波デバイスであって、
無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに結合されたループ回路と
を含み、
前記ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成され、
前記ループ回路はラム波素子を含む弾性波デバイス。
【請求項２】
前記弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含む請求項１の弾性波デバイス。
【請求項３】
前記バルク弾性波共振器及び前記ラム波素子はそれぞれが同じ圧電材料を含む請求項２の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記圧電材料は窒化アルミニウムを含む請求項３の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは一つのキャビティを共有する請求項２の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記バルク弾性波共振器は薄膜圧電共振器である請求項２の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記ラム波素子は窒化アルミニウム層を含む請求項１の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記ラム波素子は、
圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記インターディジタルトランスデューサ電極の対向側部において前記圧電層上に配置された格子と
を含む請求項１の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記ラム波素子は、圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は自由エッジを有する請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記ラム波素子と前記弾性波フィルタの少なくとも一つの共振器とは共通半導体基板上に存在する請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１１】
第２弾性波フィルタをさらに含み、
前記弾性波フィルタ及び前記第２弾性波フィルタは一つのデュプレクサに含まれる請求項１の弾性波デバイス。
【請求項１２】
無線周波数モジュールであって、
弾性波デバイスを含むデュプレクサと、
前記デュプレクサの一ポートに関連付けられる無線周波数信号を通過させるように配列された無線周波数スイッチと
を含み、
前記弾性波デバイスは、
弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに結合されたループ回路と
を含み、
前記ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成され、
前記ループ回路はラム波素子を含む無線周波数モジュール。
【請求項１３】
前記弾性波フィルタは薄膜バルク弾性波共振器を含む請求項１２の無線周波数モジュール。
【請求項１４】
前記薄膜バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは共通基板上に存在する請求項１３の無線周波数モジュール。
【請求項１５】
前記共通基板はシリコン基板である請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１６】
前記ラム波素子は窒化アルミニウム層を含む請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１７】
電力増幅器をさらに含み、
前記無線周波数スイッチは、前記電力増幅器と前記デュプレクサとの間の信号経路において結合される請求項１２の無線周波数モジュール。
【請求項１８】
前記無線周波数スイッチはアンテナスイッチであり、
前記デュプレクサの前記一ポートは、前記無線周波数スイッチに結合されたアンテナポートである請求項１２の無線周波数モジュール。
【請求項１９】
無線通信デバイスであって、
弾性波デバイスを含む無線周波数フロントエンドと、
前記無線周波数フロントエンドと通信するアンテナと
を含み、
前記弾性波デバイスは、
無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタに結合されたループ回路と
を含み、
前記ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成され、
前記ループ回路はラム波素子を含む無線通信デバイス。
【請求項２０】
前記弾性波フィルタは薄膜バルク弾性波共振器を含み、
前記薄膜バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは共通シリコン基板上に存在する請求項１９の無線通信デバイス。
【請求項２１】
弾性波アセンブリであって、
第１電極と第２電極との間に位置決めされた圧電層を含むバルク弾性波共振器と、
ラム波素子と
を含み、
前記バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは、ダイの共通基板上に実装される弾性波アセンブリ。
【請求項２２】
前記共通基板上に付加的バルク弾性波共振器をさらに含み、
前記バルク弾性波共振器及び前記付加的バルク弾性波共振器は、一つの帯域通過フィルタに含まれ、
前記帯域通過フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項２３】
前記ラム波素子は、前記帯域通過フィルタに結合されたループ回路に含まれ、
前記ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相信号を生成するべく構成される請求項２２の弾性波アセンブリ。
【請求項２４】
前記バルク弾性波共振器は薄膜圧電共振器である請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項２５】
前記共通基板はシリコンを含む請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項２６】
前記ラム波素子は、前記バルク弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含む請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項２７】
前記材料は窒化アルミニウムを含む請求項２６の弾性波アセンブリ。
【請求項２８】
前記バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは一つのキャビティを共有する請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項２９】
前記バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは別個のキャビティを有する請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項３０】
前記バルク弾性波共振器はソリッドマウント共振器である請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項３１】
前記ラム波素子はブラッグ反射器を含む請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項３２】
前記ラム波素子は、
圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、
前記インターディジタルトランスデューサ電極の対向側部において前記圧電層上に配置された格子と
を含む請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項３３】
前記ラム波素子は、圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極を含み、
前記インターディジタルトランスデューサ電極は自由エッジを有する請求項２１の弾性波アセンブリ。
【請求項３４】
無線周波数モジュールであって、
ラム波素子及びバルク弾性波共振器を含む弾性波アセンブリと、
無線周波数スイッチと
を含み、
前記バルク弾性波共振器と前記ラム波素子とは、ダイの共通基板上に実装され、
前記バルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタに含まれ、
前記無線周波数スイッチは前記帯域通過フィルタに結合され、
前記無線周波数スイッチは、前記無線周波数信号を通過させるべく配列される無線周波数モジュール。
【請求項３５】
前記バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である請求項３４の無線周波数モジュール。
【請求項３６】
前記共通基板はシリコン基板である請求項３４の無線周波数モジュール。
【請求項３７】
前記ラム波素子は窒化アルミニウム層を含む請求項３４の無線周波数モジュール。
【請求項３８】
無線通信デバイスであって、
弾性波アセンブリを含む無線周波数フロントエンドと、
アンテナと
を含み、
前記弾性波アセンブリはラム波素子及びバルク弾性波共振器を含み、
前記ラム波素子と前記バルク弾性波素子とは、ダイの共通基板上に実装され、
前記バルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタに含まれ、
前記アンテナは前記帯域通過フィルタと通信する無線通信デバイス。
【請求項３９】
前記バルク弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である請求項３８の無線通信デバイス。
【請求項４０】
前記共通基板はシリコン基板であり、
前記ラム波素子は窒化アルミニウム層を含む請求項３９の無線通信デバイス。
【請求項４１】
弾性波フィルタであって、
ラム波共振器と、
前記ラム波共振器に電気的に結合された第２の弾性波共振器と
を含み、
前記第２の弾性波共振器は、前記ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器であり、
前記弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される弾性波フィルタ。
【請求項４２】
前記ラム波共振器と前記第２弾性波共振器とは、ダイの共通基板上に実装される請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項４３】
前記共通基板はシリコン基板である請求項４２の弾性波フィルタ。
【請求項４４】
前記ラム波共振器は、前記第２弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含む請求項４２の弾性波フィルタ。
【請求項４５】
前記ラム波共振器の圧電層は窒化アルミニウム層である請求項４４の弾性波フィルタ。
【請求項４６】
前記第２弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項４７】
前記ラム波共振器と前記薄膜バルク弾性波共振器とは一つのキャビティを共有する請求項４６の弾性波フィルタ。
【請求項４８】
前記ラム波共振器と前記薄膜バルク弾性波共振器とは別個のキャビティを含む請求項４６の弾性波フィルタ。
【請求項４９】
前記第２弾性波共振器は弾性表面波共振器である請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項５０】
前記ラム波共振器は直列共振器であり、
前記第２弾性波共振器はシャント共振器である請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項５１】
前記ラム波共振器はシャント共振器であり、
前記第２弾性波共振器は直列共振器である請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項５２】
複数の付加的弾性波共振器をさらに含み、
前記付加的弾性波共振器は、前記第２弾性波共振器と同じタイプの弾性波共振器である請求項４１の弾性波フィルタ。
【請求項５３】
前記弾性波フィルタは、前記第２弾性波共振器と同じタイプの弾性波共振器である第１数の弾性波共振器を含み、
前記第１数は、前記弾性波フィルタの一つ以上ラム波共振器の第２数の少なくとも２倍である請求項５２の弾性波フィルタ。
【請求項５４】
無線通信デバイスであって、
無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、
前記弾性波フィルタと通信するアンテナと
を含み、
前記弾性波フィルタはラム波共振器及び第２の弾性波共振器を含み、
前記ラム波共振器と前記第２弾性波共振器とは共通基板上に実装され、
前記第２弾性波共振器は、前記ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器である無線通信デバイス。
【請求項５５】
前記第２タイプの弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器であり、
前記ラム波共振器は、前記薄膜バルク波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含む請求項５４の無線通信デバイス。
【請求項５６】
弾性波フィルタアセンブリであって、
第１無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第１弾性波フィルタと、
第２無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された第２弾性波フィルタと
を含み、
前記第１弾性波フィルタは、ダイの基板上に実装されたラム波共振器を含み、
前記第２弾性波フィルタは、前記ラム波共振器と同じダイ基板上に実装された弾性波共振器を含み、
前記弾性波共振器は、前記ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器である弾性波フィルタアセンブリ。
【請求項５７】
前記弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器である請求項５６の弾性波フィルタアセンブリ。
【請求項５８】
前記ラム波共振器は、前記第２弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含む請求項５６の弾性波フィルタアセンブリ。
【請求項５９】
前記第１弾性波フィルタと前記第２弾性波フィルタとは、マルチプレクサの共通ノードにおいて一緒に結合される請求項５６の弾性波フィルタアセンブリ。
【請求項６０】
前記マルチプレクサはデュプレクサである請求項５９の弾性波フィルタアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は弾性波フィルタに関する。
【０００２】
関連出願の相互参照
本願は、２０１８年３月２日に出願された「弾性波フィルタ用のラム波ループ回路」との名称の米国仮特許出願第６２／６３７，６４１号に係る米国特許法第１１９条（ｅ）の優先権の利益を主張する。その開示は、その全体がここに参照により組み入れられる。
【背景技術】
【０００３】
弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングすることができる。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された複数の共振器を含み得る。共振器は、ラダー回路として配列することができる。弾性波フィルタ例は、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ、バルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタ及びラム波共振器フィルタを含む。薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）フィルタは、ＢＡＷフィルタの一例である。ソリッドマウント共振器（ｓｏｌｉｄｌｙ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ（ＳＭＲ））フィルタは、ＢＡＷフィルタのもう一つの例である。
【０００４】
無線周波数電子システムには弾性波フィルタを実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、弾性波フィルタを含み得る。２つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。
【発明の概要】
【０００５】
特許請求の範囲に記載のイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、その単独の一つのみが、その所望の属性に対して関与するわけではない。特許請求の範囲を制限することなく、本開示のいくつかの卓越した特徴の概要が以下に記載される。
【０００６】
本開示の一つの側面は、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、当該弾性波フィルタに結合されたループ回路とを含む弾性波デバイスである。ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成される。ループ回路はラム波素子を含む。
【０００７】
弾性波フィルタはバルク弾性波共振器を含み得る。バルク弾性波共振器及びラム波素子はそれぞれが、同じ圧電材料を含み得る。圧電材料は、窒化アルミニウムとしてよい。バルク弾性波共振器とラム波素子とは一つのキャビティを共有してよい。バルク弾性波共振器及びラム波素子は、別個のキャビティを有してよい。バルク弾性波共振器は、薄膜圧電共振器としてよい。
【０００８】
弾性波フィルタは、弾性表面波共振器を含み得る。弾性波フィルタは、ラム波共振器を含み得る。弾性波フィルタは、受信フィルタとしてよい。弾性波フィルタは、送信フィルタとしてよい。
【０００９】
ラム波素子は、窒化アルミニウム層を含み得る。ラム波素子は、ニオブ酸リチウム層を含み得る。ラム波素子は、タンタル酸リチウム層を含み得る。ラム波素子は、圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の対向側部において当該圧電層上に配置された格子とを含み得る。ラム波素子は、圧電層上においてエッジが存在しないインターディジタルトランスデューサ電極を含み得る。ラム波素子は、最低次非対称モード、最低次対称モード、最低次せん断水平モード、１次非対称モード、１次対称モード、又は１次せん断水平モードで動作してよい。
【００１０】
弾性波フィルタのラム波素子と少なくとも一つの共振器とは、共通半導体基板上に存在し得る。半導体基板はシリコン基板としてよい。
【００１１】
弾性波デバイスはさらに、当該弾性波フィルタとともにデュプレクサに含まれる第２弾性波フィルタを含む。
【００１２】
本開示の他の側面は、デュプレクサ及び無線周波数スイッチを含む無線周波数モジュールである。デュプレクサは弾性波デバイスを含む。弾性波デバイスは、弾性波フィルタと、当該弾性波フィルタに結合されたループ回路とを含む。ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成される。ループ回路はラム波素子を含む。無線周波数スイッチは、デュプレクサの一ポートに関連付けられる無線周波数信号を通過させるように配列される。
【００１３】
弾性波フィルタは、薄膜バルク弾性波共振器を含み得る。薄膜バルク弾性波共振器とラム波素子とは、共通基板上に存在してよい。共通基板はシリコン基板としてよい。ラム波素子は、窒化アルミニウム層を含み得る。
【００１４】
無線周波数モジュールはさらに電力増幅器を含む。ここで、無線周波数スイッチは、電力増幅器とデュプレクサとの間の信号経路に結合される。
【００１５】
無線周波数スイッチはアンテナスイッチとしてよく、デュプレクサの当該一ポートは、当該無線周波数スイッチに結合されたアンテナポートとしてよい。
【００１６】
本開示の他の側面は、無線周波数フロントエンドと当該無線周波数フロントエンドと通信するアンテナとを含む無線通信デバイスである。無線周波数フロントエンドは弾性波デバイスを含む。弾性波デバイスは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性波フィルタと、当該弾性波フィルタに結合されたループ回路とを含む。ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相を生成するべく構成される。ループ回路はラム波素子を含む。
【００１７】
弾性波フィルタは、薄膜バルク弾性波共振器を含み得る。薄膜バルク弾性波共振器とラム波素子とは、共通基板上に存在してよい。
【００１８】
本開示の他の側面は、バルク弾性波共振器及びラム波素子を含む弾性波アセンブリである。バルク弾性波共振器は、第１電極と第２電極との間に位置決めされた圧電層を含む。バルク弾性波共振器とラム波素子とは、ダイの共通基板上に実装される。
【００１９】
弾性波アセンブリはさらに、共通基板上の付加的バルク弾性波共振器を含み得る。バルク弾性波共振器及び付加的バルク弾性波共振器は、帯域通過フィルタに含まれ得る。帯域通過フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列してよい。ラム波素子は、帯域通過フィルタに結合されたループ回路に含まれ得る。ループ回路は、特定の周波数において標的信号に逆位相信号を生成するように構成してよい。
【００２０】
バルク弾性波共振器は、薄膜圧電共振器としてよい。共通基板はシリコンを含み得る。ラム波素子は、バルク弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含み得る。その材料は窒化アルミニウムを含み得る。バルク弾性波共振器とラム波素子とは一つのキャビティを共有してよい。バルク弾性波共振器及びラム波素子は、別個のキャビティを有してよい。
【００２１】
バルク弾性波共振器は、ソリッドマウント共振器としてよい。ラム波素子はブラッグ反射器を含み得る。
【００２２】
ラム波素子は、圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極と、当該インターディジタルトランスデューサ電極の反対側部において当該圧電層上に配置された格子とを含み得る。ラム波素子は、圧電層上においてエッジが存在しないインターディジタルトランスデューサ電極を含み得る。
【００２３】
本開示の他の側面は、弾性波アセンブリ及び無線周波数スイッチを含む無線周波数モジュールである。弾性波アセンブリは、ラム波素子及びバルク弾性波共振器を含む。バルク弾性波共振器とラム波素子とは、ダイの共通基板上に実装される。バルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタに含まれる。無線周波数スイッチは、帯域通過フィルタに結合される。無線周波数スイッチは、無線周波数信号を通過させるべく配列される。
【００２４】
バルク弾性波共振器は、薄膜バルク弾性波共振器としてよい。共通基板はシリコン基板としてよい。ラム波素子は、窒化アルミニウム層を含み得る。
【００２５】
本開示の他の側面は、無線周波数フロントエンド及びアンテナを含む無線通信デバイスである。無線周波数フロントエンドは弾性波アセンブリを含む。弾性波アセンブリは、ラム波素子及びバルク弾性波共振器を含む。ラム波素子とバルク弾性波共振器とは、ダイの共通基板上に実装される。バルク弾性波共振器は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタに含まれる。アンテナは帯域通過フィルタと通信する。
【００２６】
バルク弾性波共振器は、薄膜バルク弾性波共振器としてよい。共通基板はシリコン基板としてよい。ラム波素子は、窒化アルミニウム層を含み得る。
【００２７】
本開示の他の側面は、ラム波共振器と、当該ラム波共振器に電気的に結合された第２弾性波共振器とを含む弾性波フィルタである。第２弾性波共振器は、ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器である。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。
【００２８】
ラム波共振器と第２弾性波共振器とは、ダイの共通基板上に実装することができる。共通基板はシリコン基板としてよい。ラム波共振器は、第２弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含み得る。ラム波共振器の圧電層は窒化アルミニウム層としてよい。
【００２９】
第２弾性波共振器は、薄膜バルク弾性波共振器としてよい。ラム波共振器と薄膜バルク弾性波共振器とは一つのキャビティを共有し得る。ラム波共振器及び薄膜バルク弾性波共振器は、別個のキャビティを含み得る。
【００３０】
第２弾性波共振器は、弾性表面波共振器としてよい。
【００３１】
ラム波共振器を直列共振器としてよく、第２弾性波共振器をシャント共振器としてよい。ラム波共振器をシャント共振器としてよく、第２弾性波共振器を直列共振器としてよい。
【００３２】
弾性波フィルタはさらに、複数の付加的弾性波共振器を含み得る。付加的弾性波共振器は、第２弾性波共振器と同じタイプの弾性波共振器としてよい。
【００３３】
弾性波フィルタは、第２弾性波共振器と同じタイプの弾性波共振器である第１数の弾性波共振器を含み得る。ここで、第１数は、弾性波フィルタの一つ以上のラム波共振器の第２数の少なくとも２倍である。
【００３４】
本開示の他の側面は、弾性波フィルタと当該弾性波フィルタと通信するアンテナとを含む無線通信デバイスである。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。弾性波フィルタは、ラム波共振器及び第２の弾性波共振器を含む。ラム波共振器と第２弾性波共振器とは、共通基板上に実装される。第２弾性波共振器は、ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器である。
【００３５】
第２タイプの弾性波共振器は薄膜バルク弾性波共振器としてよく、ラム波共振器は、当該薄膜バルク波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含み得る。
【００３６】
本開示の他の側面は、第１弾性波フィルタ及び第２弾性波フィルタを含む弾性波フィルタアセンブリである。第１弾性波フィルタは、第１無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。第１弾性波フィルタは、ダイの基板上に実装されたラム波共振器を含む。第２弾性波フィルタは、第２無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される。第２弾性波フィルタは、ラム波共振器と同じダイ基板上に実装された弾性波共振器を含む。第２弾性波共振器は、ラム波共振器とは異なるタイプの弾性波共振器である。
【００３７】
弾性波共振器は、薄膜バルク弾性波共振器としてよい。ラム波共振器は、弾性波共振器の圧電層と同じ材料を含む圧電層を含み得る。
【００３８】
第１弾性波フィルタと第２弾性波フィルタとは、マルチプレクサの共通ノードにおいて一緒に結合され得る。マルチプレクサはデュプレクサとしてよい。
【００３９】
本開示をまとめる目的で本イノベーションの所定の側面、利点及び新規な特徴が、ここに記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態において達成されるというわけではない。よって、本技術革新は、ここに教示される一つの利点又は一群の利点を、ここに教示又は示唆される他の利点を必ずしも達成することなしに、達成又は最適化する態様で、具体化し又は実行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
本開示の複数の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。
【００４１】
【図１Ａ】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及び薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図１Ｂ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びＦＢＡＲを含む弾性波デバイスの断面図である。
【図１Ｃ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びＦＢＡＲを含む弾性波デバイスの断面図である。
【図１Ｄ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びＦＢＡＲを含む弾性波デバイスの断面図である。
【図２】一実施形態に係る基板上にラム波素子及びソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図３Ａ】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及び弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図３Ｂ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びＳＡＷ共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図４Ａ】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図４Ｂ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図５Ａ】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びソリッドマウントラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図５Ｂ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びソリッドマウントラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図５Ｃ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びソリッドマウントラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図５Ｄ】他実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びソリッドマウントラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図６】一実施形態に係る共通基板上にソリッドマウントラム波素子及びＦＢＡＲを含む弾性波デバイスの断面図である。
【図７】一実施形態に係る共通基板上にソリッドマウントラム波素子及びＳＭＲを含む弾性波デバイスの断面図である。
【図８】一実施形態に係る共通基板上にソリッドマウントラム波素子及びＳＷＲ共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図９】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図１０】一実施形態に係る共通基板上にラム波素子及びソリッドマウントラム波共振器を含む弾性波デバイスの断面図である。
【図１１−１】図１１Ａ〜１１Ｆは、格子付きラム波素子の断面図である。図１１Ａは、接地電極を有するラム波素子を例示する。図１１Ｂは、浮遊電極を有するラム波素子を例示する。図１１Ｃは、インターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極に対向する圧電層の一側における電極なしラム波素子を例示する。
【図１１−２】図１１Ｄは、他のラム波素子を例示する。図１１Ｅは、他のラム波素子を例示する。図１１Ｆは、他のラム波素子を例示する。
【図１２−１】図１２Ａ〜１２Ｆは、自由エッジを有するラム波素子の断面図である。図１２Ａは、接地電極を有するラム波素子を例示する。図１２Ｂは、浮遊電極を有するラム波素子を例示する。図１２Ｃは、ＩＤＴ電極に対向する圧電層の一側における電極なしラム波素子を例示する。
【図１２−２】図１２Ｄは、他のラム波素子を例示する。図１２Ｅは、他のラム波素子を例示する。図１２Ｆは、他のラム波素子を例示する。
【図１３】一実施形態に係る送信フィルタ用のループ回路を有するデュプレクサの模式図である。
【図１４】図１３のデュプレクサの分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。
【図１５】一実施形態に係る受信フィルタ用のループ回路を有するデュプレクサの模式図である。
【図１６】図１６Ａは、図１５のデュプレクサの分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。図１６Ｂは、図１５のデュプレクサの受信帯域阻止性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。
【図１７】一実施形態に係る送信フィルタ用の第１ループ回路と受信フィルタ用の第２ループ回路とを有するデュプレクサの模式図である。
【図１８】図１７のデュプレクサの分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。
【図１９】一実施形態に係る送信フィルタの送信ポートと受信フィルタの受信ポートとの間に結合されたループ回路を有するデュプレクサの模式図である。
【図２０】一実施形態に係るラム波共振器を有する第１フィルタと、異なるタイプの弾性波共振器を有する第２フィルタとを含む弾性波フィルタアセンブリの模式図である。ここで、ラム波共振器と異なるタイプの共振器とは、同じ基板上に実装される。
【図２１−１】図２１Ａは、一実施形態に係る直列ラム波共振器と他のシャント弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。図２１Ｂは、一実施形態に係るシャントラム波共振器と他の直列弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。
【図２１−２】図２１Ｃは、一実施形態に係る直列ラム波共振器と、当該直列ラム波共振器を介してアンテナポートに結合された他の弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。図２１Ｄは、一実施形態に係る直列ラム波共振器と、当該直列ラム波共振器を介して無線周波数ポートに結合された他の弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。
【図２１−３】図２１Ｅは、一実施形態に係る直列ラム波共振器と他の弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。図２１Ｆは、一実施形態に係るシャントラム波共振器と他の弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。
【図２２−１】図２２Ａは、一実施形態に係るアンテナスイッチとラム波ループ回路を有するデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。図２２Ｂは、一実施形態に係るアンテナスイッチとラム波ループ回路を有する複数のフィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２２−２】図２２Ｃは、一実施形態に係る電力増幅器と、スイッチと、ラム波ループ回路を有するデュプレクサとを含むモジュールの模式的なブロック図である。図２２Ｄは、一実施形態に係る電力増幅器と、スイッチと、ラム波ループ回路を有するデュプレクサと、アンテナスイッチとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２３】図２３Ａは、一実施形態に係るアンテナスイッチと、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を含む一つ以上フィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。図２３Ｂは、一実施形態に係る電力増幅器と、スイッチと、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を含む一つ以上フィルタとを含むモジュールの模式的なブロック図である。図２３Ｃは、一実施形態に係る電力増幅器と、スイッチと、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を含む一つ以上フィルタと、アンテナスイッチとを含むモジュールの模式的なブロック図である。
【図２４】一実施形態に係るラム波素子を有するフィルタを含む無線通信デバイスの模式的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
所定の実施形態の以下の説明は、特定の実施形態の様々な記載を表す。しかしながら、ここに記載のイノベーションは、例えば特許請求の範囲によって画定され及びカバーされる多数の異なる態様で具体化することができる。本記載において、参照される図面では、同じ参照番号が同一の又は機能的に類似の要素を示し得る。理解されることだが、図面に例示される要素は必ずしも縮尺どおりではない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に例示されるよりも多くの要素を含んでよく、及び／又は図面に例示される要素の部分集合を含んでよい。さらに、いくつかの実施形態は、２以上の図面からの特徴の任意の適切な組み合わせを組み入れてよい。
【００４３】
弾性波フィルタは、不要な周波数成分をキャンセルするループ回路を含み得る。ループ回路は、特定の周波数範囲に対する送信／受信分離及び減衰を高めることができる。ループ回路は、近似的に同じ振幅及び逆位相を有する信号を、キャンセル対象の信号成分に適用することができる。弾性表面波（ＳＡＷ）ループ回路は、ＳＡＷフィルタにおける分離及び減衰を抑制するべく使用されている。薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）フィルタ及び他のバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタのためのいくつかのループ回路は、ＬＣ回路を含む。かかるＬＣ回路は、相対的に大きな物理的設置面積を有するキャパシタ及び／又はインダクタを含み、及び／又は、ループ回路に結合されたＢＡＷフィルタを含むチップの外部に実装され得る。
【００４４】
ラム波ループ回路が開示される。ラム波ループ回路は、ＢＡＷフィルタ及び／又はデュプレクサと一体化することができる。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）ラム波ループ回路を、窒化アルミニウムＦＢＡＲフィルタと一体化することができる。かかるラム波ループ回路は、任意の所望の周波数範囲における送信／受信（Ｔｘ／Ｒｘ）分離及び減衰を抑制することができる。ラム波ループ回路は、所望の周波数における標的信号をキャンセルする逆位相無線周波数（ＲＦ）信号を生成することができる。ここに説明されるラム波ループ回路は、ＢＡＷフィルタ（例えばＦＢＡＲフィルタ又はＳＭＲフィルタ）、ＳＡＷフィルタ及びラム波フィルタのようなＲＦ弾性波フィルタの分離及び減衰を改善することができる。
【００４５】
ラム波素子は、ラム波共振器又はラム波遅延線としてよい。ラム波素子は、ＳＡＷ素子の特徴とＢＡＷ素子の特徴とを結び付けることができる。ラム波共振器は典型的に、ＳＡＷ共振器と同様にインターディジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）電極を含む。したがって、ラム波共振器の周波数は、リソグラフィーにより画定することができる。ラム波素子は、ＢＡＷフィルタと同様に、相対的に高い品質係数（Ｑ）及び相対的に高い位相速度を達成することができる。ラム波共振器の相対的に高いＱは、例えば、懸架構造に起因し得る。窒化アルミニウム圧電層を含むラム波素子は、他の回路と一体化するのが相対的に容易である。これは、窒化アルミニウムプロセス技術が、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）プロセス技術と互換性があるからである。窒化アルミニウムラム波共振器は、ＳＡＷ共振器に関連付けられる相対的に低い共振周波数限界及び一体化困難性を克服することができ、ＢＡＷ共振器に関連付けられる多重周波数能力困難性も克服することができる。いくつかのラム波共振器トポロジは、周期的反射格子からの音響反射に基づく。いくつかの他のラム波共振器トポロジは、圧電層の懸架自由エッジからの音響反射に基づく。
【００４６】
弾性波フィルタのラム波ループ回路とＢＡＷ共振器とは、共通基板に実装することができる。窒化アルミニウムラム波ループ回路は、窒化アルミニウムＦＢＡＲフィルタ及び／又は他のＢＡＷフィルタと、かかるフィルタを形成するプロセス中に直接一体化することができる。かかる一体化は、他の適切な圧電薄膜のために達成することもできる。したがって、ラム波ループ回路は、ＢＡＷフィルタ用のループ回路を含むためのコスト効果が高くかつ効率的な方法を与えることができる。ＢＡＷフィルタと一体化されたラム波ループ回路は、コスト効果が高い態様で、ループ回路にとって十分な特性を有するように製造することができる。ＢＡＷフィルタ用のラム波ループ回路は、相対的に小さな物理的設置面積に実装することができる。例えば、ラム波ループ回路は、ＬＣ回路系のループ回路よりも小さな物理的設置面積を有し得る。小さな物理的設置面積により、電力消費を低減し及び／又は製造コストを低減することができる。
【００４７】
ここに説明されるループ回路におけるラム波素子は、任意の適切な弾性波モードで動作することができる。ここに説明されるラム波素子において利用され得る弾性波モードの例は、最低次非対称（Ａ０）モード、１次最低次対称（Ｓ０）モード、最低次せん断水平（ＳＨ０）モード、１次非対称（Ａ１）モード、１次対称（Ｓ１）モード、１次せん断水平（ＳＨ１）モード、２次非対称（Ａ２）モード、２次対称（Ｓ２）モード、２次せん断水平（ＳＨ２）モード等を含む。
【００４８】
ラム波素子及び異なるタイプの弾性波共振器は、ダイの同じ基板上に実装することができる。ラム波素子はループ回路に含まれ、異なる素子は、当該ループ回路に結合された弾性波フィルタに含まれ得る。共通基板上のラム波素子及び異なるタイプの弾性波素子は、様々な他のアプリケーションにおいて実装することができる。所定の例において、弾性波フィルタは、同じダイ上に実装されたラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器を含み得る。例えば、弾性波フィルタは、共通基板上に実装されたラム波共振器及びＦＢＡＲを含み得る。所定のアプリケーションによれば、第１弾性波フィルタがラム波共振器を含み、第２弾性波フィルタが異なるタイプの弾性波共振器を含み得る。ここで、ラム波共振器と異なるタイプの弾性波共振器とは、共通基板上に実装される。
【００４９】
ループ回路は、独立型ラム波素子を含み得る。例えば、かかるラム波素子と、ループ回路に結合された弾性波フィルタの共振器とは、図１Ａ〜５Ｄの弾性波デバイスの任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。図１Ａ〜５Ｄの弾性波デバイスはまた、他のアプリケーションにおいて実装してもよい。図１Ａ〜５Ｄの弾性波デバイスの特徴の、任意の適切な組み合わせを、互いに一緒に実装することができる。
【００５０】
図１Ａは、一実施形態に係る薄膜圧電共振器（ＦＢＡＲ）１２及びラム波素子１４を含む弾性波デバイス１０の断面図である。ＦＢＡＲ１２及びラム波素子１４は共通基板１９上に実装される。ＦＢＡＲ１２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子１４はループ回路に含まれてよい。ＦＢＡＲ１２は、圧電基板１５の対向する側面に電極１３Ａ及び１３Ｂを含む。ラム波素子１４は、所定の例においてラム波共振器としてよい。ラム波共振器は、一定タイプの弾性波共振器である。ラム波素子１４は、いくつかの例において遅延線としてよい。ラム波遅延線は、２セットのインターディジタルトランスデューサを含み得る。
【００５１】
ラム波素子１４は、ＳＡＷ共振器及びＦＢＡＲの特徴を含む。例示のように、ラム波素子１４は、圧電層１５と、圧電層１５上のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ）電極１６と、電極１７とを含む。圧電層１５は薄膜としてよい。圧電層１５は窒化アルミニウム層としてよい。他の例において、圧電層１５は、任意の適切な圧電層としてよい。例えば、圧電層１５は、ニオブ酸リチウム層又はタンタル酸リチウム層としてよい。ラム波共振器の周波数は、ＩＤＴ電極１６の寸法に基づき得る。いくつかの例において、ラム波素子１４の例示のＩＤＴは、２セットのＩＤＴを表す。電極１７は、所定の例において接地してよい。いくつかの他の例において、電極１７は浮遊としてよい。電極１７と基板１９との間に、空気キャビティ１８が配置される。空気キャビティ１８の代わりに、任意の適切なキャビティを実装してよい。基板１９は半導体基板としてよい。例えば、基板１９はシリコン基板としてよい。基板１９は、任意の他の適切な基板、例えば水晶基板、サファイア基板又はスピネル基板としてよい。
【００５２】
弾性波デバイス１０において、ラム波共振器１４とＦＢＡＲ１２とは、圧電層１５を共有する。圧電層１５の第１部分はＦＢＡＲ１２の圧電層とみなしてよく、圧電層１５の第２部分は、ラム波素子１４の圧電層とみなしてよい。またも図１Ａに例示されるように、ラム波共振器１４とＦＢＡＲとは、空気キャビティ１８も共有する。所定のアプリケーションにおいて、空気キャビティ１８を共有することにより、別個の空気キャビティを実装することと比べ、弾性波デバイスのサイズを低減することができる。ラム波共振器１４及びＦＢＡＲ１２は、共通半導体基板１９上に配置してよい。半導体基板１９はシリコン基板としてよい。
【００５３】
図１Ｂは、一実施形態に係るＦＢＡＲ１２’及びラム波素子１４’を含む弾性波デバイス１０’の断面図である。弾性波デバイス１０’は、ＦＢＡＲ１２’及びラム波素子１４’それぞれの弾性波デバイス１０’に別個の空気キャビティ１８Ａ及び１８Ｂが含まれる点を除き、図１Ａの弾性波デバイス１０と同様である。弾性波デバイス１０’において、第１空気キャビティ１８ＡがＦＢＡＲ１２’に設けられ、第２空気キャビティ１８Ｂがラム波素子１４’に設けられる。所定の例において、別個の空気キャビティを有することは、弾性波デバイス１０’の機械的完全性を保持するべく及び／又はＦＢＡＲ１２とラム波素子１４とのクロストークを低減するべく有益となり得る。
【００５４】
図１Ｃは、一実施形態に係るＦＢＡＲ１２’’及びラム波素子１４’’’を含む弾性波デバイス１０’’の断面図である。弾性波デバイス１０’’は、空気キャビティが図１Ａの基板１９の上方ではなく基板１９’の中に実装される点を除き、図１Ａの弾性波デバイス１０と同様である。弾性波デバイス１０’’に対し、基板１９’の一部分をエッチングすることによって空気キャビティ１８’を実装することができる。
【００５５】
図１Ｄは、一実施形態に係るＦＢＡＲ１２’’’及びラム波素子１４’’’を含む弾性波デバイス１０’’’の断面図である。弾性波デバイス１０’’’は、空気キャビティが図１Ｂの基板１９の上方ではなく基板１９’’の中に実装される点を除き、図１Ｂの弾性波デバイス１０’と同様である。弾性波デバイス１０’’’に対し、基板１９’’の複数部分をエッチングすることによって空気キャビティ１８Ａ’及び１８Ｂ’を実装することができる。
【００５６】
図２は、一実施形態に係るラム波素子１４及びソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）２２を含む弾性波デバイス２０の断面図である。弾性波デバイス２０において、ＳＭＲ２２とラム波素子１４とは、共通基板１９上に実装される。ＳＭＲ２２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子１４はループ回路に含まれてよい。ＳＭＲ２２及びラム波素子１４は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のような同じ圧電材料を含み得る。弾性波デバイス２０の圧電層１５’は、ラム波素子１４の圧電層としての役割を果たす第１部分と、ＳＭＲ２２の圧電層としての役割を果たす第２部分とを含み得る。圧電層１５’は、図１Ａの弾性波デバイス１０における圧電層１５とは異なる形状を有してよい。
【００５７】
ＳＭＲ２２は、基板１９と電極１３Ｂとの間に配置された音響ミラーを含む。例示の音響ミラーはブラッグ反射器２４を含む。例示のように、ブラッグ反射器２４は、低インピーダンス層２５及び高インピーダンス層２６それぞれの交互層を含む。一例として、ブラッグ反射器２４は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層及びタングステン（Ｗ）層を含み得る。他例として、ブラッグ反射器２４は、二酸化シリコン層及びモリブデン（Ｍｏ）層を含み得る。任意の他の適切なブラッグ反射器を、代替的に又は付加的にＳＭＲ２２に含めてよい。図２のラム波素子１４は、自身の空気キャビティ１８Ｂを含む。ラム波素子１４とＳＭＲ２２とは、共通基板１９上に配置してよい。基板１９は半導体基板としてよい。例えば、基板１９はシリコン基板としてよい。基板１９は、ここに開示される任意の他の適切な基板としてよい。
【００５８】
図３Ａは、一実施形態に係るラム波素子１４及び弾性表面波（ＳＡＷ）共振器３２を含む弾性波デバイス３０の断面図である。弾性波デバイス３０において、ＳＡＷ共振器３２とラム波素子１４とは、共通基板１９上に実装される。ＳＡＷ共振器３２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子はループ回路に含まれてよい。ＳＡＷ共振器３２は、任意の適切な圧電層、例えば窒化アルミニウム層、ニオブ酸リチウム層、タンタル酸リチウム層、又はこれらの任意の適切な組み合わせ、を含み得る。ＳＡＷ共振器３２及びラム波素子１４は、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのような同じ圧電材料を含み得る。弾性波デバイス３０の圧電層１５’’は、ラム波素子１４の圧電層としての役割を果たす第１部分と、ＳＡＷ共振器３２の圧電層としての役割を果たす第２部分とを含み得る。ＳＡＷ共振器３２は、圧電層１５’上にＩＤＴ電極３４を含む。圧電層１５’’は、図１Ａの弾性波デバイス１０における圧電層１５とは異なる形状を有してよい。ラム波素子１４とＳＡＷ３２とは、共通基板１９上に配置してよい。基板１９は、シリコン基板のような半導体基板としてよい。
【００５９】
図３Ｂは、一実施形態に係るラム波素子１４及びＳＡＷ共振器３２を含む弾性波デバイス３０の断面図である。弾性波デバイス３０’は、ラム波素子１４及びＳＡＷ共振器３２’それぞれの圧電層１５’’及び３５が異なる圧電材料を含む点を除き、図３Ａの弾性波デバイス３０と同様である。例えば、ＳＡＷ共振器３２’はニオブ酸リチウム圧電層３５を含み、ラム波素子１４はニオブ酸リチウム圧電層１５’’を含み得る。他例として、ＳＡＷ共振器３２’はタンタル酸リチウム圧電層３５を含み、ラム波素子１４はタンタル酸リチウム圧電層１５’’を含み得る。
【００６０】
弾性波デバイス３０及び３０’が、基板１９の上方にキャビティ１８Ｂを含むラム波素子を有するように例示されるにもかかわらず、同様の弾性波デバイスは、基板の中にキャビティを有するように（例えば図１Ｂのキャビティ１８Ｂ’のように）実装することもできる。
【００６１】
図４Ａは、一実施形態に係るラム波素子１４及びラム波共振器４２を含む弾性波デバイス４０の断面図である。弾性波デバイス４０において、ラム波共振器４２とラム波素子１４とは、共通基板１９上に実装される。ラム波共振器４２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子１４はループ回路に含まれてよい。ラム波共振器４２は、ラム波素子１４と同じ又は同様の構造を有してよい。いくつかの例において、ラム波素子１４は２セットのＩＤＴを含み、ラム波共振器４２は単数セットのＩＤＴを含み得る。ラム波素子１４とラム波共振器４２とは圧電層１５を共有してよい。図４Ａに示されるように、ラム波素子１４とラム波共振器４２とは、空気キャビティ１８を共有してよい。所定のアプリケーションにおいて、空気キャビティ１８を共有することにより、別個の空気キャビティを実装することと比べ、弾性波デバイスのサイズを低減することができる。
【００６２】
図４Ｂは、一実施形態に係るラム波素子１４及びラム波共振器４２を含む弾性波デバイス４０’の断面図である。弾性波デバイス４０’は、ラム波共振器４２及びラム波素子１４それぞれの弾性波デバイス４０’に別個の空気キャビティ１８Ａ及び１８Ｂが含まれる点を除き、図４０Ａの弾性波デバイス４０と同様である。弾性波デバイス４０’において、第１空気キャビティ１８Ａがラム波共振器４２に設けられ、第２空気キャビティ１８Ｂがラム波素子１４に設けられる。所定の例において、別個の空気キャビティを有することは、弾性波デバイス４０’の機械的完全性を保持するべく及び／又はラム波共振器４２とラム波素子１４とのクロストークを低減するべく有益となり得る。
【００６３】
図５Ａは、一実施形態に係るラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２を含む弾性波デバイス５０の断面図である。弾性波デバイス５０において、ソリッドマウントラム波共振器５２とラム波素子１４とは、共通基板１９上に実装される。ラム波共振器５２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子１４はループ回路に含まれてよい。ソリッドマウントラム波共振器５２及びラム波素子１４は、窒化アルミニウムのような同じ圧電材料を含み得る。弾性波デバイス５０の圧電層１５’は、ラム波素子１４の圧電層としての役割を果たす第１部分と、ソリッドマウントラム波共振器５２の圧電層としての役割を果たす第２部分とを含み得る。
【００６４】
ソリッドマウントラム波共振器５２は、ＳＡＷ共振器及びＳＭＲの特徴を含む。ソリッドマウントラム波共振器５２は、下側電極５３、圧電層、当該圧電層上のＩＤＴ電極５４、基板１９と電極５３との間に配置された音響ミラーを含む。例示の音響ミラーはブラッグ反射器５６を含む。例示のように、ブラッグ反射器５６は、低インピーダンス層５７及び高インピーダンス層５８それぞれの交互層を含む。一例として、ブラッグ反射器５６は、二酸化シリコン層及びタングステン層を含み得る。任意の他の適切なブラッグ反射器を、代替的に又は付加的にソリッドマウントラム波共振器５２に含めてよい。ソリッドマウントラム波共振器５２は、例えば、窒化アルミニウム圧電層を含み得る。
【００６５】
図５Ｂは、一実施形態に係るラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２を含む弾性波デバイス５０’の断面図である。弾性波デバイス５０’は、ラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２それぞれの圧電層１５’及び５９が異なる圧電材料を含む点を除き、図５Ａの弾性波デバイス５０と同様である。
【００６６】
図５Ｃは、一実施形態に係るラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２を含む弾性波デバイス５０’’の断面図である。弾性波デバイス５０’’は、空気キャビティが図５Ａの基板１９の上方ではなく基板１９の中に実装される点を除き、図５Ａの弾性波デバイス５０と同様である。弾性波デバイス５０’’に対し、基板１９’の一部分をエッチングすることによって空気キャビティ１８Ｂ’を実装することができる。
【００６７】
図５Ｄは、一実施形態に係るラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２を含む弾性波デバイス５０’’’の断面図である。弾性波デバイス５０’’’は、ラム波素子１４及びソリッドマウントラム波共振器５２それぞれの圧電層１５’及び５９が異なる圧電材料を含む点を除き、図５Ｃの弾性波デバイス５０’’と同様である。
【００６８】
ループ回路は、ソリッドマウントラム波素子を含み得る。例えば、かかるラム波素子と、ループ回路に結合された弾性波フィルタの共振器とは、図６〜１０の弾性波デバイスの任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。図６〜１０の弾性波デバイスはまた、他のアプリケーションにおいても実装できる。図６〜１０の弾性波デバイスの特徴の、任意の適切な組み合わせを、互いに一緒に実装することができる。
【００６９】
図６は、一実施形態に係るソリッドマウントラム波素子６４及びＦＢＡＲ１２’を含む弾性波デバイス６０の断面図である。ＦＢＡＲ１２’とソリッドマウントラム波素子６４とは、共通基板１９上に実装される。ＦＢＡＲ１２’は弾性波フィルタに含まれてよく、ソリッドマウントラム波素子６４はループ回路に含まれてよい。ソリッドマウントラム波素子６４は、所定の例においてソリッドマウントラム波共振器としてよい。ソリッドマウントラム波素子６４は、いくつかの例において遅延線としてよい。ラム波遅延線は、２セットのインターディジタルトランスデューサを含み得る。
【００７０】
ラム波素子６４は、ＳＡＷ共振器及びＳＭＲの特徴を含む。例示のように、ラム波素子６４は、圧電層１５’’’と、圧電層１５’’’上のインターディジタルトランスデューサ電極（ＩＤＴ）電極１６と、電極１７とを含む。圧電層１５’’’は窒化アルミニウム層としてよい。他の例において、圧電層１５’’’は、任意の適切な圧電層としてよい。ラム波素子６４の周波数は、ＩＤＴ電極１６の寸法に基づき得る。電極１７は、所定の例において接地してよい。いくつかの他の例において、電極１７は浮遊としてよい。ラム波素子６４は、基板１９と電極１７との間に配置された音響ミラーを含む。例示の音響ミラーはブラッグ反射器６５を含む。例示のように、ブラッグ反射器６５は、低インピーダンス層６６及び高インピーダンス層６７それぞれの交互層を含む。一例として、ブラッグ反射器６５は、二酸化シリコン層及びタングステン層を含み得る。他例として、ブラッグ反射器６５は、二酸化シリコン層及びモリブデン層を含み得る。任意の他の適切なブラッグ反射器を、代替的に又は付加的にラム波素子６４に含めてよい。
【００７１】
弾性波デバイス６０において、ラム波素子６４とＦＢＡＲ１２’とは、圧電層１５’’’を共有してよい。いくつかの他の実施形態において、ラム波素子６４及びＦＢＡＲ１２’は、異なる材料の圧電層を含み得る。圧電層１５’’’は、異なる共振器の組み合わせを有する他の実施形態における圧電層とは異なる形状を有してよい。ラム波素子６４とＦＢＡＲ１２’とは、共通基板１９上に配置してよい。基板１９は半導体基板としてよい。例えば、基板１９は半導体基板としてよい。基板１９は、任意の他の適切な基板、例えば水晶基板、サファイア基板又はスピネル基板としてよい。
【００７２】
図７は、一実施形態に係るソリッドマウントラム波素子６４及びＳＭＲ２２を含む弾性波デバイス７０の断面図である。弾性波デバイス７０において、ＳＭＲ２２とラム波素子６４とは、共通基板１９上に実装される。ＳＭＲ２２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子６４はループ回路に含まれてよい。ソリッドマウントラム波素子６４は、ソリッドマウントラム波素子６４がＩＤＴ電極１６を含み、ＳＭＲ２２が、圧電層１５’’’’の上方のＩＤＴ電極１６とは異なる形状の電極１３Ａを含む点を除き、構造的にＳＭＲ２２と同様である。ソリッドマウントラム波素子６４用のブラッグ反射器６５とＳＭＲ２２用のブラッグ反射器２４とは、基板１９の材料によって別個にすることができる。例えば、半導体基板１９の半導体材料により、ブラッグ反射器２４をブラッグ反射器６５とは別個にすることができる。ブラッグ反射器６５及び２４は、所定のアプリケーションにおいて同じ材料を含み得る。ブラッグ反射器６５及び２４は、所定のアプリケーションにおいて異なる材料を含み得る。いくつかのアプリケーションにおいて、ブラッグ反射器は、ラム波素子６４及びＳＭＲ２２の下方に共通音響ミラーを形成し得る。ソリッドマウントラム波素子６４及びＳＭＲ２２それぞれの圧電層１５’’’及び６８は、所定のアプリケーションにおいて同じ圧電材料を含み得る。ソリッドマウントラム波素子６４及びＳＭＲ２２それぞれの圧電層１５’’’及び６８は、様々なアプリケーションにおいて異なる圧電材料を含み得る。
【００７３】
図８は、一実施形態に係るソリッドマウントラム波素子６４及びＳＡＷ３２を含む弾性波デバイス８０の断面図である。ソリッドマウントラム波素子６４とＳＡＷ共振器３２とは、共通基板１９上に存在してよい。ＳＡＷ共振器３２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子６４はループ回路に含まれてよい。ソリッドマウントラム波素子６４及びＳＡＷ共振器３２それぞれの圧電層１５’’’’及び３５は、所定のアプリケーションにおいて同じ圧電材料を含み得る。ソリッドマウントラム波素子６４及びＳＡＷ共振器３２それぞれの圧電層１５’’’’及び３５は、様々なアプリケーションにおいて異なる圧電材料を含み得る。
【００７４】
図９は、一実施形態に係るソリッドマウントラム波素子６４及びラム波共振器４２’を含む弾性波デバイス９０の断面図である。ラム波共振器４２’は独立型ラム波共振器である。ソリッドマウントラム波素子６４及びラム波共振器４２’は、窒化アルミニウム、ニオブ酸リチウム又はタンタル酸リチウムのような同じ圧電材料を含み得る。いくつかの他のアプリケーションにおいて、ソリッドマウントラム波素子６４及びラム波共振器４２’は、異なる材料の圧電層を含み得る。ソリッドマウントラム波素子６４とラム波共振器４２’とは、共通基板１９上に配置してよい。ラム波共振器４２’は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子６４はループ回路に含まれてよい。
【００７５】
図１０は、一実施形態に係るソリッドマウントラム波素子６４及びソリッドマウントラム波共振器５２を含む弾性波デバイス１００の断面図である。これらのソリッドマウントラム波素子は、構造的に同様又は同一としてよい。弾性波デバイス１００において、ソリッドマウントラム波共振器５２とラム波素子６４とは、共通基板１９上に実装される。ラム波共振器５２は弾性波フィルタに含まれてよく、ラム波素子６４はループ回路に含まれてよい。半導体基板１９の半導体材料は、これらのソリッドマウントラム波素子のブラッグ反射器を分離し得る。ブラッグ反射器６５及び５６は、所定のアプリケーションにおいて同じ材料を含み得る。ブラッグ反射器６５及び５６は、所定のアプリケーションにおいて異なる材料を含み得る。いくつかのアプリケーションにおいて、ブラッグ反射器は、ラム波素子６４及びソリッドマウントラム波共振器５２の下方に共通音響ミラーを形成し得る。ソリッドマウントラム波素子６４及びソリッドマウントラム波共振器５２それぞれの圧電層１５’’’及び５９は、所定のアプリケーションにおいて同じ圧電材料を含み得る。ソリッドマウントラム波素子６４及びソリッドマウントラム波共振器５２それぞれの圧電層１５’’’及び６８は、様々なアプリケーションにおいて異なる圧電材料を含み得る。
【００７６】
ラム波素子は、圧電層上のＩＤＴ電極と、当該ＩＤＴ電極の対向側部の圧電層上に配置された反射格子とを含み得る。反射格子は、ＩＤＴ電極によって誘起された弾性波を反射して共振キャビティを形成することができる。反射格子は、圧電層上に金属の周期的パターンを含み得る。図１１Ａ〜１１Ｆは、格子付きラム波素子の断面図である。ループ回路におけるラム波素子は、図１１Ａ〜１１Ｆのラム波素子のいずれかの、任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。フィルタにおけるラム波共振器は、図１１Ａ〜１１Ｆのラム波素子のいずれかの、任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。図１１Ａ〜１１Ｆのラム波素子が独立型共振器であるにもかかわらず、これらのラム波共振器の任意の適切な原理及び利点は、任意の他の適切なラム波素子に適用することができる。
【００７７】
図１１Ａは、ＩＤＴ電極１１２と、格子１１３及び１１４と、圧電層１１５と、電極１１６とを含むラム波素子１１０を例示する。ＩＤＴ電極１１２は圧電層１１５上に存在する。例示の断面において、ＩＤＴ電極には、交互のグランド金属及び信号金属が含まれる。格子１１３及び１１５は、圧電層１１５上に存在し、かつ、ＩＤＴ電極１１２の対向側部に配置される。例示の格子１１３及び１１５は、グランドに接続されるように示される。代替的に、格子の一つ以上を、信号伝達用及び／又は浮遊とすることができる。電極１１６とＩＤＴ電極１１２とは、圧電層１１５の対向側面に存在する。圧電層１１５は、例えば窒化アルミニウムとしてよい。電極１１６は接地されてよい。
【００７８】
図１１Ｂはラム波素子１１０’を例示する。ラム波素子１１０’は、ラム波素子１１０’が浮遊電極１１６’を含む点を除き、図１１Ａのラム波素子１１０と同様である。
【００７９】
図１１Ｃは、ＩＤＴ電極１１２に対向する圧電層１１５の一側面に電極が存在しないラム波素子１１０’’を例示する。ラム波素子１１０’’は、それ以外の点では図１１Ａのラム波素子１１０と同様である。
【００８０】
図１１Ｄは、ＩＤＴ電極１１２と格子１１３及び１１４が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面に、ＩＤＴ電極１１７と格子１１８及び１１９とを含むラム波素子１１０’’’を例示する。ＩＤＴ電極１１２及び１１７のための信号電極とグランド電極とが、互いに対してずらされる。
【００８１】
図１１Ｅは、ＩＤＴ電極１１２と格子１１３及び１１４が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面に、ＩＤＴ電極１１７’と格子１１８及び１１９とを含むラム波素子１１０’’’’を例示する。ＩＤＴ電極１１２及び１１７’のための信号電極とグランド電極とが、互いに対して整合される。
【００８２】
図１１Ｆは、ＩＤＴ電極１１２’と格子１１３及び１１４が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面に、ＩＤＴ電極１１７’’と格子１１８及び１１９とを含むラム波素子１１０’’’’’を例示する。例示の断面において、ＩＤＴ１１２’は信号電極のみを含み、ＩＤＴ電極１１７’’はグランド電極のみを含む。
【００８３】
ラム波素子は、自由エッジを有するＩＤＴ電極を含み得る。圧電層の懸架された自由エッジが、共振キャビティを形成するべく弾性波の反射を与えることができる。図１２Ａ〜１２Ｆは、自由エッジを有するラム波素子の断面図である。ループ回路におけるラム波素子は、図１２Ａ〜１２Ｆのラム波素子のいずれかの、任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。フィルタにおけるラム波共振器は、図１２Ａ〜１２Ｆのラム波素子のいずれかの、任意の適切な原理及び利点によって実装することができる。図１２Ａ〜１２Ｆのラム波素子が独立型素子であるにもかかわらず、これらのラム波素子の任意の適切な原理及び利点は、他のラム波素子に適用することができる。
【００８４】
図１２Ａは、ＩＤＴ電極１１２、圧電層１１５及び電極１１６を含むラム波素子１２０を例示する。ＩＤＴ電極１１２は圧電層１１５上に存在する。例示の断面において、ＩＤＴ電極には、交互のグランド電極及び信号電極が含まれる。圧電層１１５は、ＩＤＴ電極１１２の対向側部に自由エッジを有する。電極１１６とＩＤＴ電極１１２とは、圧電層１１５の対向側面に存在する。圧電層１１５は、例えば窒化アルミニウムとしてよい。電極１１６は接地されてよい。
【００８５】
図１２Ｂはラム波素子１２０’を例示する。ラム波素子１２０’は、ラム波素子１２０’が浮遊電極１１６’を含む点を除き、図１２Ａのラム波素子１２０と同様である。
【００８６】
図１２Ｃは、ＩＤＴ電極１１２に対向する圧電層１１５の一側面に電極が存在しないラム波素子１２０’’を例示する。ラム波素子１２０’’は、それ以外の点では図１２Ａのラム波素子１２０と同様である。
【００８７】
図１２Ｄは、ＩＤＴ電極１１２が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面にＩＤＴ電極１１７を含むラム波素子１２０’’’を例示する。ＩＤＴ電極１１２及び１１７のための信号電極とグランド電極とが、互いに対してずらされる。
【００８８】
図１２Ｅは、ＩＤＴ電極１１２が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面にＩＤＴ電極１１７’を含むラム波素子１２０’’’’を例示する。ＩＤＴ電極１１２及び１１７’のための信号電極とグランド電極とが、互いに対して整合される。
【００８９】
図１２Ｆは、ＩＤＴ電極１１２’が配置された第１側面に対向する圧電層１１５の第２側面にＩＤＴ電極１１７’’を含むラム波素子１２０’’’’’を例示する。例示の断面において、ＩＤＴ電極１１２’は信号電極のみを含み、ＩＤＴ電極１１７’’はグランド電極のみを含む。
【００９０】
ここに説明されるラム波ループ回路は、弾性波フィルタに結合されてよい。例えば、ラム波素子を、一のデュプレクサ又は他のマルチプレクサ（例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等）の弾性波フィルタに結合してよい。図１３、１５、１７及び１９は、弾性波フィルタに結合されたラム波ループ回路を含むデュプレクサ例を例示する模式図である。図１Ａ〜１２Ｆを参照して説明された及び／又は図１Ａ〜１２Ｆに例示された任意の適切な原理及び利点を、図１３、１５、１７及び１９のデュプレクサ例のいずれかに適用することができる。図１３、１５、１７及び１９の実施形態の任意の適切な原理及び利点を、互いに一緒に実装することができる。
【００９１】
図１３は、送信フィルタ１３２用のループ回路１３３を有するデュプレクサ１３０の模式図である。デュプレクサ１３０は、送信フィルタ１３２、受信フィルタ１３４及びループ回路１３３を含む。送信フィルタ１３２と受信フィルタ１３４とは、図１３においてはアンテナノードである共通ノードにおいて一緒に結合される。アンテナ１３５は、デュプレクサ１３０の共通ノードに結合される。シャントインダクタＬ１を、アンテナ１３５とグランドとの間に結合することができる。
【００９２】
送信フィルタ１３２は、送信ポートＴＸにおいて受信したＲＦ信号を、アンテナ１３５を介した送信を目的としてフィルタリングすることができる。直列インダクタＬ２を、送信ポートＴＸと送信フィルタ１３２の弾性波共振器との間に結合することができる。送信フィルタ１３２は、ラダーフィルタとして配列された弾性波共振器を含む弾性波フィルタである。送信フィルタ１３２は、直列共振器Ｔ０１、Ｔ０３、Ｔ０５、Ｔ０７、Ｔ０９と、シャント共振器Ｔ０２、Ｔ０４、Ｔ０６、Ｔ０８とを含む。送信フィルタ１３２は、任意の適切な数の直列共振器と、任意の適切な数のシャント共振器とを含み得る。送信フィルタ１３２の弾性波共振器は、ＦＢＡＲ及び／又はＳＭＲのようなＢＡＷ共振器を含み得る。いくつかの例において、送信フィルタ１３２の弾性波共振器は、ＳＡＷ共振器又はラム波共振器を含み得る。所定のアプリケーションにおいて、送信フィルタ１３２の共振器は、２つ以上のタイプの共振器（例えば一つ以上のＳＡＷ共振器及び一つ以上ＢＡＷ共振器）を含み得る。
【００９３】
ループ回路１３３が送信フィルタ１３２に結合される。ループ回路１３３は、送信フィルタの入力共振器Ｔ０１及び出力共振器Ｔ０９に結合することができる。いくつかの他の例において、ループ回路１３３は、ラダー回路の、例示とは異なるノードに結合することができる。ループ回路１３３は、近似的に同じ振幅及び逆位相を有する信号を、キャンセル対象の信号成分に適用することができる。ループ回路１３３は、キャパシタＣＡＰ０２及びＣＡＰ０１それぞれを介して送信フィルタ１３２に結合されたラム波素子１３６及び１３７を含む。ラム波素子１３６及び１３７は一緒になって、ここに開示されるいずれかの適切なラム波素子に対応し得る。例えば、ラム波素子１３６及び１３７は一緒になって、図１Ａのラム波素子１４に対応し得る。ここで、ラム波素子１３６及び１３７はそれぞれが、ラム波素子１４の異なるＩＤＴ電極に対応する。この例において、送信フィルタ１３２は、ラム波素子１４と同じダイの基板上に実装されたＦＢＡＲを含み得る。キャパシタＣＡＰ０１及びＣＡＰ０２は、送信フィルタ１３２をループ回路１３３に結合し得る減衰素子の例である。様々なアプリケーションにおいて、減衰素子は、抵抗器、インダクタ、キャパシタ又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ここに説明されるループ回路のラム波素子の任意の適切な原理及び利点を、ループ回路１３３に実装することができる。ループ回路１３３は、Ｕ米国特許第９，２４６，５３３号明細書及び／又は米国特許第９，５２０，８５７に記載される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。これらの特許の開示はここに、その全体が参照により組み入れられる。
【００９４】
受信フィルタ１３４は、アンテナ１３５により受信した受信ＲＦ信号をフィルタリングし、フィルタリング済みＲＦ信号を受信ポートＲＸに与えることができる。受信フィルタ１３４は、ラダーフィルタとして配列された弾性波共振器を含む弾性波フィルタである。送信フィルタ１３４は、直列共振器Ｒ０１、Ｒ０３、Ｒ０５、Ｒ０７、Ｒ０９と、シャント共振器Ｒ０２、Ｒ０４、Ｒ０６、Ｒ０８とを含む。受信フィルタ１３４は、任意の適切な数の直列共振器と、任意の適切な数のシャント共振器とを含み得る。受信フィルタ１３４の弾性波共振器は、ＦＢＡＲ及び／又はＳＭＲのようなＢＡＷ共振器を含み得る。いくつかの例において、受信フィルタ１３４の弾性波共振器は、ＳＡＷ共振器又はラム波共振器を含み得る。所定のアプリケーションにおいて、受信フィルタ１３４の共振器は、２つ以上のタイプの共振器（例えば一つ以上のＳＡＷ共振器及び一つ以上ＢＡＷ共振器）を含み得る。直列インダクタＬ３を、受信フィルタ１３４の弾性波共振器と、受信ポートＲＸとの間に結合することができる。
【００９５】
図１４は、図１３のデュプレクサ１３０の分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。窒化アルミニウム圧電層を有するラム波共振器に対する最低次対称（Ｓ０）ラム波モードの弾性波特性が、ＢＡＷフィルタ用のループ回路を検討するべく使用された。シミュレーションにおける当該共振器のラム波Ｓ０モードは、約９０００ｍ／ｓの速度及び約２％のＫ２を有すると仮定された。シミュレーションにおいて、バンド７のＢＡＷデュプレクサが使用された。図１４におけるグラフは、ループ回路１３３が受信分離性を改善することを示す。改善は、図１４により示される所定の例において約５デシベル（ｄＢ）となり得る。
【００９６】
図１５は、受信フィルタ１３４用のループ回路を有するデュプレクサ１５０の模式図である。デュプレクサ１５０は、デュプレクサ１５０が受信フィルタ１３４用のループ回路１５３を含む点を除き、図１３のデュプレクサ１３０と同様である。ループ回路１５３は受信フィルタ１３４に結合される。ループ回路１５３は、受信フィルタ１３４の入力共振器Ｒ０９及び出力共振器Ｒ０１に結合することができる。いくつかの他の例において、ループ回路１５３は、受信フィルタ１３４のラダー回路の、例示とは異なるノードに結合することができる。ループ回路１５３は、キャパシタＣＡＰ０４及びＣＡＰ０３それぞれを介して受信フィルタ１３４に結合されたラム波素子１５６及び１５７を含む。ここに説明されるループ回路のラム波素子の任意の適切な原理及び利点を、ループ回路１５３に実装することができる。例えば、ラム波素子１５６及び１５７は一緒になって、図１４Ａのラム波素子１４に対応し得る。
【００９７】
図１６Ａは、図１５のデュプレクサ１５０の分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。図１６Ａ及び図１６Ｂのグラフを生成するべく、図１４のグラフを生成するためのと同じシミュレーション仮定が使用された。図１６Ａのグラフは、ループ回路１５３が送信分離性を改善することを示す。
【００９８】
図１６Ｂは、図１５のデュプレクサ１５０の受信帯域阻止性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。このグラフは、ループ回路１５３が、受信帯域用の低い周波数範囲における阻止性を抑制し得ることを例示する。
【００９９】
図１７は、送信フィルタ１３２用の第１ループ回路１３３及び受信フィルタ１３４用の第２ループ回路１５３を有するデュプレクサ１７０の模式図である。図１７は、別個のループ回路が、送信フィルタ及び受信フィルタのために実装可能なことを示す。ループ回路は、弾性波フィルタに対し、当該弾性波フィルタのパラメータを仕様内に収めるべく実装することができる。例えば、ループ回路は弾性波フィルタの分離性を、そうでもしなければ弾性波フィルタが分離性の仕様を満たさない場合に、分離性の仕様を満たすように−６０ｄＢ未満に収めるべく実装することができる。
【０１００】
図１８は、図１７のデュプレクサ１７０の分離性を、ループ回路なしの対応デュプレクサと比較するグラフである。このグラフは、デュプレクサ１７０のループ回路１３３及び１５３が、送信及び受信双方の分離性を改善することを示す。
【０１０１】
図１９は、ループ回路１９３を有するデュプレクサ１９０の模式図である。デュプレクサ１９０は、デュプレクサ１９０が、送信フィルタ１３２及び受信フィルタ１３４にわたってループ回路１９３を含む点を除き、図１３のデュプレクサ１３０と同様である。ループ回路１９３は、受信ポートＲＸ及び送信ポートＴＸに結合される。いくつかの他の例において、ループ回路１９３は、受信フィルタ１３４のラダー回路の、例示とは異なるノード及び／又は送信フィルタ１３２の、例示とは異なるノードに結合することができる。ループ回路１９３はラム波素子１９６及び１９７を含む。ラム波素子１９６は、キャパシタＣＡＰ０１を介して送信フィルタに結合される。ラム波素子１９７は、キャパシタＣ０２を介して受信フィルタ１３４に結合される。抵抗器及びインダクタのような任意の他の適切減衰素子を、キャパシタＣ０１及び／又はキャパシタＣ０２の代わりに又はこれらに加えて実装することができる。ここに説明されるループ回路のラム波素子の任意の適切な原理及び利点を、ループ回路１９３に実装することができる。例えば、ラム波素子１９６及び１９７は一緒になって、図１４Ａのラム波素子１４に対応し得る。
【０１０２】
ここに開示される弾性波デバイスは、弾性波フィルタに実装することができる。かかる弾性波フィルタは、ミリメートル波周波数までの無線周波数信号を含む及びミリメートル波周波数を含む無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタとしてよい。所定のアプリケーションにおいて、弾性波フィルタアセンブリが、ラム波共振器を含む第１フィルタと、異なるタイプの共振器、例えばＦＢＡＲを含む第２フィルタとを含み得る。第１フィルタと第２フィルタとは、単数のダイ上に含めることができる。弾性波フィルタアセンブリの例の模式図が、図２０を参照して説明される。例示を目的として２つのフィルタを有する弾性波アセンブリが記載されるにもかかわらず、２つを超えるフィルタを有する弾性波フィルタアセンブリに対して任意の適切な原理及び利点を適用することもできる。
【０１０３】
図２０は、一実施形態に係るラム波共振器を有する第１フィルタ２０２と、異なるタイプの弾性波共振器を有する第２フィルタ２０４とを含む弾性波フィルタアセンブリ２００の模式図である。ここで、ラム波共振器と異なるタイプの共振器とは、同じ基板上に実装される。弾性波フィルタアセンブリ２００は、図１Ａ〜１０の弾性波デバイスのいずれかを含み得る。
【０１０４】
第１フィルタ２０２は、ＲＦポートＲＦ１とアンテナポートＡＮＴとの間に、ラダーフィルタとして配列されたラム波共振器Ｌ０１、Ｌ０２、Ｌ０３、Ｌ０４、Ｌ０５、Ｌ０６、Ｌ０７、Ｌ０８及びＬ０９を含む。ＲＦポートＲＦ１は、送信ポート又は受信ポートとしてよい。第１フィルタ２０２は、第１通過帯域を有して第１ＲＦ信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタである。
【０１０５】
第２フィルタ２０４は、ＲＦポートＲＦ２とアンテナポートＡＮＴとの間に、ラダーフィルタとして配列された弾性波共振器Ｂ０１、Ｂ０２、Ｂ０３、Ｂ０４、Ｂ０５、Ｂ０６、Ｂ０７、Ｂ０８及びＢ０９を含む。ＲＦポートＲＦ２は、送信ポート又は受信ポートとしてよい。第２フィルタ２０４は、第２通過帯域を有して第２ＲＦ信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタである。第２フィルタ２０４の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０９は、第１フィルタ２０２のラム波共振器Ｌ０１〜Ｌ０９とは異なるタイプの弾性波共振器である。例えば、第２フィルタ２０４の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０９は、ＦＢＡＲのようなＢＡＷ共振器としてよい。
【０１０６】
第１フィルタ２０２のラム波共振器Ｌ０１〜Ｌ０９のいくつか又はすべてを、第２フィルタ２０４の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０９のいくつか又はすべてダイの同じ基板に実装してよい。所定の例において、ラム波共振器Ｌ０１〜Ｌ０９の一つ以上の共振器が、弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０９の一つ以上の圧電層と同じ材料（例えば窒化アルミニウム）を含む圧電層を含む。いくつかのアプリケーションにおいて、マルチプレクサ（例えばデュプレクサ）が、共通ノード（例えばアンテナノードＡＮＴ）において一緒に結合された第１フィルタ２０２及び第２フィルタ２０４を含み得る。
【０１０７】
ここに開示される弾性波デバイスは、ラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器を含む弾性波フィルタに実装することができる。かかる弾性波フィルタは、ここに開示される任意の適切な弾性波デバイスを含み得る。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列された帯域通過フィルタとしてよい。ラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器は、ダイの同じ基板上に実装することができる。基板は、例えばシリコン基板としてよい。いくつかの例において、異なるタイプの弾性波共振器はＦＢＡＲとしてよい。異なるタイプの弾性波共振器とラム波共振器とは、所定のアプリケーションにおいて、それぞれ同じ圧電材料（例えば窒化アルミニウム）の圧電層を含み得る。ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する弾性波フィルタの例が、図２１Ａ〜２１Ｆを参照して説明される。これらの弾性波フィルタの例は、所定のアプリケーションに対し、望ましい性能及び／又は負荷特性を達成することができる。これらの弾性波フィルタの任意の適切な原理及び利点を、互いに一緒に実装することができる。さらに、図２１Ａ〜２１Ｆの弾性波フィルタの例はいずれも、図１Ａ〜１０の任意の適切な原理及び利点に従う弾性波デバイスを含み得る。
【０１０８】
図２１Ａは、一実施形態に係る直列ラム波共振器及び他のシャント弾性波共振器を含む弾性波フィルタ２１０の模式図である。直列ラム波共振器ＬＳ０１、ＬＳ０２、ＬＳ０３、ＬＳ０４及びＬＳ０５と、他のシャント弾性波共振器ＢＰ０１、ＢＰ０２、ＢＰ０３、ＢＰ０４及びＢＰ０５とは、ＲＦポートＲＦとアンテナポートＡＮＴとの間に結合されたラダーフィルタとして配列される。ＲＦポートＲＦは、送信フィルタの送信ポートとしてよい。ＲＦポートは、受信フィルタの受信ポートとしてよい。任意の適切な数の直列共振器及び任意の適切な数のシャント共振器を、弾性波フィルタ２１０に含めてよい。他のシャント弾性波共振器ＢＰ０１、ＢＰ０２、ＢＰ０３、ＢＰ０４及びＢＰ０５はＦＢＡＲとしてよい。いくつかの他の例において、他のシャント弾性波ＢＰ０１、ＢＰ０２、ＢＰ０３、ＢＰ０４及びＢＰ０５は、ＳＡＷ共振器又はＳＭＲとしてよい。
【０１０９】
図２１Ｂは、一実施形態に係るシャントラム波共振器と他の直列弾性波共振器とを含む弾性波フィルタの模式図である。シャントラム波共振器ＬＰ０１、ＬＰ０２、ＬＰ０３、ＬＰ０４及びＬＰ０５と、他の直列弾性波共振器ＢＳ０１、ＢＳ０２、ＢＳ０３、ＢＳ０４及びＢＳ０５とは、ＲＦポートＲＦとアンテナポートＡＮＴとの間に結合されたラダーフィルタとして配列される。ＲＦポートＲＦは、送信フィルタの送信ポートとしてよい。ＲＦポートは、受信フィルタの受信ポートとしてよい。任意の適切な数の直列共振器及び任意の適切な数のシャント共振器を、弾性波フィルタ２１２に含めてよい。他の直列弾性波共振器ＢＳ０１、ＢＳ０２、ＢＳ０３、ＢＳ０４及びＢＳ０５はＦＢＡＲとしてよい。いくつかの他の例において、他のシャント弾性波ＢＰ０１、ＢＰ０２、ＢＰ０３、ＢＰ０４及びＢＰ０５は、ＳＡＷ共振器又はＳＭＲとしてよい。
【０１１０】
図２１Ｃは、一実施形態に係る直列ラム波共振器ＬＳと、直列ラム波共振器ＬＳを介してアンテナポートＡＮＴに結合された他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０８とを含む弾性波フィルタ２１４の模式図である。他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０８は、ＳＡＷ共振器又はＢＡＷ共振器としてよい。
【０１１１】
図２１Ｄは、一実施形態に係る直列ラム波共振器ＬＳと、直列ラム波共振器ＬＳを介して無線周波数ポートＲＦに結合された他の弾性波共振器Ｂ０２〜Ｂ０９とを含む弾性波フィルタ２１６の模式図である。他の弾性波共振器Ｂ０２〜Ｂ０９は、ＳＡＷ共振器又はＢＡＷ共振器としてよい。
【０１１２】
図２１Ｅは、一実施形態に係る直列ラム波共振器ＬＳと、他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０４及びＢ０６〜Ｂ０９とを含む弾性波フィルタ２１８の模式図である。弾性波フィルタ２１８において、第１の他の直列共振器Ｂ０１が、直列ラム波共振器ＬＳとＲＦポートＲＦとの間に結合される。第２の他の直列共振器Ｂ０９は、弾性波フィルタ２１８において直列ラム波共振器ＬＳとアンテナポートＡＮＴとの間に結合される。他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０４及びＢ０６〜Ｂ０９は、ＳＡＷ共振器又はＢＡＷ共振器としてよい。
【０１１３】
図２１Ｆは、一実施形態に係るシャントラム波共振器ＬＰと、他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０５及びＢ０７〜Ｂ０９とを含む弾性波フィルタ２１９の模式図である。
【０１１４】
弾性波フィルタ２１９において、第１の他の直列共振器Ｂ０１が、シャントラム波共振器ＬＰとＲＦポートＲＦとの間に結合される。第２の他のシャント共振器Ｂ０９は、弾性波フィルタ２１９において直列ラム波共振器ＬＰとアンテナポートＡＮＴとの間に結合される。他の弾性波共振器Ｂ０１〜Ｂ０５及びＢ０７〜Ｂ０９は、ＳＡＷ共振器又はＢＡＷ共振器としてよい。
【０１１５】
ここに説明される弾性波デバイス及び／又はループ回路は、様々なパッケージ状モジュールに実装することができる。ここに説明されるラム波ループ回路の任意の適切な原理及び利点が実装可能ないくつかのパッケージ状モジュールの例が、以下に説明される。図２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ及び２２Ｄは、所定の実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。
【０１１６】
図２２Ａは、ラム波ループ回路及びアンテナスイッチ２２３を有するデュプレクサ２２２を含むモジュール２２０の模式的なブロック図である。モジュール２２０は、例示の素子を封入するパッケージを含み得る。ラム波ループ回路を有するデュプレクサ２２２と、アンテナスイッチ２２３とを、共通パッケージ基板上に配置してよい。パッケージ基板は、例えば積層基板としてよい。デュプレクサ２２２は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従うラム波ループ回路を含み得る。アンテナスイッチ２２３は、多投無線周波数スイッチとしてよい。アンテナスイッチ２２３は、デュプレクサ２２２の共通ノードを、モジュール２２０のアンテナポートに選択的かつ電気的に結合することができる。
【０１１７】
図２２Ｂは、ラム波ループ回路を有する第１フィルタ２２２Ａと、ラム波ループ回路を有する第２フィルタ２２２Ｂと、アンテナスイッチ２２３’とを含むモジュール２２０’の模式的なブロック図である。モジュール２２０’は、ラム波ループ回路を有する２つ異なるフィルタがモジュールに含まれ得ることを例示する。ラム波ループ回路を有する第１フィルタ２２２Ａは、ラム波ループ回路を有する第２フィルタ２２２Ｂとは異なるダイに実装することができる。アンテナスイッチ２２３’は、第１フィルタ２２２Ａ及び／又は第２フィルタ２２２Ｂのポートを、モジュール２２０’のアンテナポートに選択的かつ電気的に結合することができる。
【０１１８】
図２２Ｃは、電力増幅器２２５と、スイッチ２２６と、ラム波ループ回路を有するデュプレクサ２２２とを含むモジュール２２４の模式的なブロック図である。電力増幅器２２５は無線周波数信号を増幅することができる。スイッチ２２６は、電力増幅器２２５の出力をデュプレクサ２２２の送信ポートに選択的かつ電気的に結合することができる。デュプレクサ２２２は、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従うラム波ループ回路を含み得る。
【０１１９】
図２２Ｄは、電力増幅器２２５と、スイッチ２２６と、ラム波ループ回路を有するデュプレクサ２２２と、アンテナスイッチ２２３とを含むモジュール２２７の模式的なブロック図である。モジュール２２７は、モジュール２２７が付加的にアンテナスイッチ２２３を含む点を除き、図２２Ｃのモジュール２２４と同様である。
【０１２０】
ここに開示されるラム波共振器及び／又は他のタイプの弾性波共振器を有する弾性波フィルタは、様々なパッケージ状モジュールに実装することができる。ここに説明されるラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器を有する弾性波フィルタの、任意の適切な原理及び利点が実装可能ないくつかのパッケージ状モジュールの例が、以下に説明される。図２３Ａ、２３Ｂ及び２３Ｃは、所定の実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。
【０１２１】
図２３Ａは、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する一つ以上フィルタ２３２を含むモジュール２３０の模式的なブロック図である。一つ以上のフィルタ２３２は、図２０〜２１Ｆに関連して開示された特徴の任意の適切な組み合わせを含み得る。モジュール２３０は、例示の素子を封入するパッケージを含み得る。ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する一つ以上のフィルタ２３２と、アンテナスイッチ２３３とは、共通パッケージ基板上に配置してよい。パッケージ基板は、例えば積層基板としてよい。アンテナスイッチ２３３は、多投無線周波数スイッチとしてよい。アンテナスイッチ２３３は、フィルタ２３２の一つ以上の任意の適切な数を、モジュール２３０のアンテナポートに選択的かつ電気的に結合することができる。
【０１２２】
図２３Ｂは、電力増幅器２３５と、スイッチ２３６と、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する一つ以上のフィルタ２３２とを含むモジュール２３４の模式的なブロック図である。電力増幅器２３５は無線周波数信号を増幅することができる。スイッチ２３６は、電力増幅器２３５の出力をデュプレクサ２３２の送信ポートに選択的かつ電気的に結合することができる。ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する一つ以上のフィルタ２３２を、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。
【０１２３】
図２３Ｃは、電力増幅器２３５と、スイッチ２３６と、ラム波共振器及び他のタイプの弾性波共振器を有する一つ以上のフィルタ２３２と、アンテナスイッチ２３３とを含むモジュール２３７の模式的なブロック図である。モジュール２３７は、モジュール２３７が付加的にアンテナスイッチ２３３を含む点を除き、図２３Ｂのモジュール２３４と同様である。
【０１２４】
図２４は、一つ以上実施形態に従って一つ以上ラム波素子を有するフィルタ２４３を含む無線通信デバイス２４０の模式的なブロック図である。例えば、フィルタ２４３は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従ってラム波ループ回路を有するデュプレクサを含み得る。フィルタ２４３は、ラム波共振器を有する第１フィルタと、異なるタイプの弾性波共振器を有する第２フィルタとを含み得る。ここで、ラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器は、ダイの共通基板上に実装される。所定の例において、フィルタ２４３は、ラム波共振器及び異なるタイプの弾性波共振器を含むフィルタを含み得る。
【０１２５】
無線通信デバイス２４０は、任意の適切な無線通信デバイスとしてよい。例えば、無線通信デバイス２４０は、スマートフォンのような携帯電話機としてよい。例示のように、無線通信デバイス２４０は、アンテナ２４１と、フィルタ２４３を含むＲＦフロントエンド２４２と、ＲＦ送受信器２４４と、プロセッサ２４５と、メモリ２４６と、ユーザインタフェイスとを含む。アンテナ２４１は、ＲＦフロントエンド２４２が与えるＲＦ信号を送信することができる。アンテナ２４１はＲＦ信号を受信し、処理を目的として受信済みＲＦ信号をＲＦフロントエンド２４２に与える。
【０１２６】
ＲＦフロントエンド２４２は、一つ以上電力増幅器、一つ以上の低雑音増幅器、ＲＦスイッチ、受信フィルタ、送信フィルタ、デュプレクスフィルタ、マルチプレクサのフィルタ、デュプレクサ又は他の周波数マルチプレクシング回路のフィルタ、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。ＲＦフロントエンド２４２のフィルタ２４３は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。ＲＦフロントエンド２４２は、任意の適切な通信規格に関連付けられたＲＦ信号を送信及び受信することができる。ここに説明される弾性波デバイス及び／又はラム波ループ回路のいずれかを、ＲＦフロントエンド２４２に実装することができる。
【０１２７】
ＲＦ送受信器２４４は、増幅及び／又は他の処理を目的としてＲＦ信号をＲＦフロントエンド２４２に与えることができる。ＲＦ送受信器２４４は、ＲＦフロントエンド２４２の低雑音増幅器が与えるＲＦ信号も処理することができる。ＲＦ送受信器２４４は、プロセッサ２４５と通信する。プロセッサ２４５は、ベース帯域プロセッサとしてよい。プロセッサ２４５は、無線通信デバイス２４０のための任意の適切なベース帯域処理機能を与えることができる。メモリ２４６は、プロセッサ２４５によりアクセス可能である。メモリ２４６は、無線通信デバイス２４０のための任意の適切なデータを記憶することができる。ユーザインタフェイス２４７は、タッチスクリーン性能を有するディスプレイのような、任意の適切なユーザインタフェイスとしてよい。
【０１２８】
上述された実施形態はいずれも、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに関連して実装することができる。実施形態の原理及び利点は、任意のアップリンク無線通信デバイスのような、ここに記載される実施形態のいずれかからの利益が得られる任意のシステム又は装置に対して使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用することができる。本開示がいくつかの実施形態の例を含むにもかかわらず、ここに記載される教示は、様々な構造物に適用することができる。ここに説明される原理及び利点はいずれも、約４５０ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚの範囲のような、約３０ｋＨｚ〜３００ＧＨｚの範囲にある信号を処理するＲＦ回路構成に関連して実装することができる。
【０１２９】
本開示の複数の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。電子デバイスの例は、消費者用電子製品、パッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含み得るがこれらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯電話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、電子レンジ、冷蔵庫、自動車用電子システムのような車載電子システム、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤー、ラジオ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、コピー機、ファクシミリ機、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置き時計等を含むがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。
【０１３０】
本明細書及び特許請求の範囲全体にわたり、文脈上そうでないことが明らかでない限り、「含む」等の用語は、排他的又は網羅的な意味とは反対の包括的意味に、すなわち「〜を含むがこれらに限られない」との意味に解釈すべきである。ここで一般に使用される用語「結合」は、直接接続されるか又は一つ以上の中間要素を介して接続されるかいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。同様に、ここで一般に使用される単語「接続」は、直接接続されるか又は一以上の中間要素を介して接続されるかのいずれかとなり得る２つ以上の要素を言及する。加えて、単語「ここ」、「上」、「下」及び同様の趣旨の単語は、本アプリケーションにおいて使用される場合、本アプリケーション全体を言及し、本アプリケーションの任意の固有部分を言及するわけではない。文脈が許容する場合、単数又は複数を使用する上述の詳細な説明における用語はそれぞれ、複数又は単数をも含み得る。２つ以上の項目のリストを言及する単語「又は」及び「若しくは」は、当該単語の以下の解釈のすべてをカバーする。すなわち、当該リストの任意の項目、当該リストのすべての項目、及び当該リストの項目の任意の組み合わせである。
【０１３１】
さらに、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここに記載の条件付き言語は一般に、特にそうでないことが述べられ、又は使用の文脈上そうでないことが理解される場合を除き、所定の実施形態が所定の特徴、要素及び／又は状態を含む一方で他の実施形態がこれらを含まないことを伝えるように意図される。すなわち、かかる条件的言語は、特徴、要素及び／若しくは状態が一つ以上の実施形態にとって必要な任意の態様にあること、又は一つ以上の実施形態が必ず、筆者のインプット若しくは促しありで若しくはなしで、これらの特徴、要素及び／若しくは状態が任意の固有実施形態に含まれ若しくは当該実施形態で行われるか否かを決定するロジックを含むこと、を示唆することを一般には意図しない。
【０１３２】
所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は、例により提示されたにすぎないので、本開示の範囲を制限することを意図しない。実際のところ、ここに記載される新規な方法、装置及びシステムは、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される方法及びシステムの形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。例えば、ブロックが所与の配列で提示されるが、代替実施形態は、異なるコンポーネント及び／又は回路トポロジで同様の機能を果たすことができ、いくつかのブロックは削除、移動、追加、細分化、結合、及び／又は修正することができる。これらのブロックはそれぞれが、様々な異なる態様で実装することができる。上述した様々な実施形態の要素及び工程の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるように組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１２−１】
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【図１２−２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１−１】
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【図２１−２】
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【図２１−３】
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【図２２−１】
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【図２２−２】
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【図２３】
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【図２４】
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【外国語明細書】
2019154031000001.pdf