(57)【要約】【課題】周辺形状の影響を考慮してエンボス加工された面材の仕上がりのシミュレーションを可能とするエンボス加工シミュレーション装置及びエンボス加工シミュレーション方法を提供する。【解決手段】画像情報として記録された凹凸形状データを有する記憶部１０２と、エンボス加工によって面材の表面に形成される凹凸形状の仕上がりをシミュレーションする処理部１０３とを備え、処理部１０３は、記憶部１０２に画像情報として記録された凹凸形状データを用いて行われるエンボス加工の加工後の凹凸形状の仕上がりを、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響を考慮してシミュレーションを行い画像情報として出力する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像情報として記録された凹凸形状データを有する記憶部と、エンボス加工によって面材の表面に形成される凹凸形状の仕上がりをシミュレーションする処理部とを備え、
前記処理部は、前記記憶部に画像情報として記録された凹凸形状データを用いて行われるエンボス加工の加工後の凹凸形状の仕上がりを、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響を考慮してシミュレーションを行い画像情報として出力することを特徴とするエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項２】
前記画像情報は画素の値により凹凸形状の高さの値が示されることを特徴とする請求項１に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項３】
前記画像情報はグレースケール値により凹凸形状の高さの値が示されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項４】
前記処理部は、特定の箇所に対する周辺の範囲と、特定の箇所に対する周辺の範囲の凹凸形状の影響の度合いとを指定可能な式により加工後の凹凸形状の仕上がりをシミュレーションすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項５】
前記処理部は、圧力の加工条件を考慮して加工後の凹凸形状の仕上がりをシミュレーションすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項６】
前記記憶部に元の凹凸形状データとそれに対応する加工後の凹凸形状データが記憶され、前記処理部は、特定の箇所及び特定の箇所の周辺を含んだ範囲と同一の画素構成の範囲を、前記記憶部に記憶されたエンボス加工後の凹凸形状データが存在する元の凹凸形状データから探索して、同一の画素構成の範囲の中心画素に対応する、エンボス加工後の凹凸形状データの対応画素値をエンボス加工後の凹凸形状予測値とすることによりシミュレーションを行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項７】
前記加工後の凹凸形状データは、加工後の凹凸形状を実際に測定されたデータであることを特徴とする請求項６に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項８】
三次元形状を測定可能な凹凸形状取得部を備え、前記処理部は、前記凹凸形状取得部により測定されたエンボス加工後の凹凸形状のデータを画像情報として出力すること特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項９】
前記処理部は、前記凹凸形状取得部により測定されたエンボス加工後の凹凸形状のデータに対して、計測エラーの除去を行うことを特徴とする請求項８に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項１０】
凹凸形状出力部を備え、前記凹凸形状出力部は、前記記憶部に記憶されている凹凸形状データを実際のエンボス膜として出力をする装置であり、前記凹凸形状取得部は、前記凹凸形状出力部で出力されたエンボス膜の高さを測定することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項１１】
前記シミュレーションの条件を入力できる入力部を備えることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項１２】
前記シミュレーションの結果を画像情報として表示可能な表示部を備えることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション装置。
【請求項１３】
記憶部に画像情報として記憶された凹凸形状データを用いて行われるエンボス加工の加工後の凹凸形状の仕上がりを、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響を考慮して処理部によりシミュレーションを行い画像情報として出力するステップを有することを特徴とするエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１４】
前記画像情報は画素の値により凹凸形状の高さの値が示されることを特徴とする請求項１３に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１５】
前記画像情報はグレースケール値により凹凸形状の高さの値が示されることを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１６】
特定の箇所に対する周辺の範囲と、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響の度合いを指定可能な式により加工後の凹凸形状の仕上がりをシミュレーションすることを特徴とする請求項１３から請求項１５のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１７】
圧力の加工条件を考慮して加工後の凹凸形状の仕上がりを処理部によりシミュレーションするステップを有することを特徴とする請求項１３からから請求項１６のいずれか一項に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１８】
特定の箇所及び特定の箇所の周辺を含んだ範囲と同一の画素構成の範囲を、記憶部に記憶されたエンボス加工後の凹凸形状データが存在する元の凹凸形状データから探索して、同一の画素構成の範囲の中心画素に対応する、エンボス加工後の凹凸形状データの対応画素値をエンボス加工後の凹凸形状予測値とすることによりシミュレーションを行うことを特徴とする請求項１３に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項１９】
前記加工後の凹凸形状データは、加工後の凹凸形状を実際に測定されたデータであることを特徴とする請求項１８に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項２０】
実際のエンボス膜の高さを凹凸形状取得部で測定するステップと、測定されたエンボス加工後の凹凸形状データを画像情報として処理部で出力するステップとを有することを特徴とする請求項１３に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項２１】
測定されたエンボス膜の高さの計測エラーの除去を行うステップを有することを特徴とする請求項２０に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【請求項２２】
記憶部に記憶されている凹凸形状データを実際のエンボス膜として凹凸形状出力部により出力をするステップを有することを特徴とする請求項２０又は請求項２１に記載のエンボス加工シミュレーション方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンボス加工された壁紙や皮革など面材表面の凹凸形状をシミュレーションするエンボス加工シミュレーション装置及びエンボス加工シミュレーション方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エンボス加工は、壁紙や皮革など面材表面に模様などを浮き出すことにより凹凸形状を形成する加工方法である。例えば、壁紙や合成皮革などの媒体、車の内装材、床や家具に用いられる化粧シート、工業製品表面の加飾材などの面材表面に凹凸形状を形成する。このとき、面材表面に絵柄に沿った凹凸形状を形成する。このために、最初に面材表面に対する絵柄の印刷を行い、その次に、表面を浮き上がらせるエンボス加工を行うことで、絵柄に凹凸形状の模様をともなった面材が制作される。
【０００３】
このエンボス加工を伴った模様を確認するためには、実際に絵柄の印刷と、エンボス加工を行う工程を経た試作品を作製する必要があった。しかしながら、試作品の作製は、絵柄の印刷及びエンボス加工をするためのエンボス版（エンボス加工版）の作製が必要なため、作製費用及び作製時間が多くかかってしまう。これにともない、エンボス加工を施した面材価格が増大してしまう欠点があった。
【０００４】
特許文献１には、この欠点を解決するため、実際に試作品を作成せずにエンボス加工された面材の模様の仕上がりをシミュレーションするための装置が記載されている。特許文献１では、エンボス加工後の凹凸形状を予測する際、樹脂層の高さや熱など変動要因を仮定し、加工後の対象物とハイトフィールドデータとの凹凸形状の誤差の関係を記録したプロファイルを用いるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−７１５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の手法は流体のシミュレーションのように非常に大容量のメモリを必要としない点において簡便ではあるものの、実際に加工を行うハイトフィールドデータに含まれない範囲が含まれており、加工後の凹凸形状の高さや広がりを予め予測する必要がある。さらに、単一の凹凸形状に注目した誤差予測であるため、周辺形状の影響は含まれていない。実際のエンボス加工工程においては、周辺形状による影響があるため、加工時の変動要因が単一の凹凸形状に注目した誤差予測のみでは、正確なシミュレーションをすることは難しい。
【０００７】
例えば、特許文献１では、エンボス版を押し当てる際の圧力差に伴う誤差として、注目形状の深度及び押し当てる圧力の関係による、樹脂の押し出しや膨張について記載されている。しかし、これらの現象が周辺形状に影響を与えることについては特許文献１には記載されていない。仮定したエンボス版を押し当てる際の圧力差や樹脂層の熱などによる誤差には、周辺形状による影響が生じる可能性が考えられる。すなわち、エンボス版を押し当てる際の圧力差や樹脂層の熱などの現象は、周辺形状に影響を与えることは明らかであり、また周辺形状から注目形状に影響を与えることも明らかである。
【０００８】
さらに、特許文献１では、樹脂層の熱による誤差においては、エンボス版と樹脂層の接地面積の関係を考慮して、冷却時における樹脂層の変形に言及している。しかし、エンボス加工面全体に凹凸形状を有する場合、連続的に接地面積が変化し、その影響により冷却に要する時間も変化する。このため、単一の凹凸形状に注目した予測値であると実際の形状とは一致しない結果となる。
【０００９】
もし、このような周辺形状の影響を特許文献１に記載の手法を用いて行う場合には、周辺形状の高さや、注目する形状に対して影響を与える周辺形状の範囲等を、さらなる変動要因として仮定する必要がある。このため、それに応じた膨大な数のプロファイルを作成するといった作業が必要となる。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みて、周辺形状の影響を考慮してエンボス加工された面材の仕上がりのシミュレーションを可能とするエンボス加工シミュレーション装置及びエンボス加工シミュレーション方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、代表的な本発明のエンボス加工シミュレーション装置の一つは、画像情報として記録された凹凸形状データを有する記憶部と、エンボス加工によって面材の表面に形成される凹凸形状の仕上がりをシミュレーションする処理部とを備え、前記処理部は、前記記憶部に画像情報として記録された凹凸形状データを用いて行われるエンボス加工の加工後の凹凸形状の仕上がりを、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響を考慮してシミュレーションを行い画像情報として出力することを特徴とする。
【００１２】
さらに本発明のエンボス加工シミュレーション方法の一つは、記憶部に画像情報として記憶された凹凸形状データを用いて行われるエンボス加工の加工後の凹凸形状の仕上がりを、特定の箇所に対する周辺の凹凸形状の影響を考慮して処理部によりシミュレーションを行い画像情報として出力するステップを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、エンボス加工シミュレーション装置及びエンボス加工シミュレーション方法において、エンボス加工された面材表面の仕上がり凹凸形状を、周辺形状の影響を含めより正確にシミュレーションすることができる。
上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における構成の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態におけるシミュレーション対象の一例である面材の構成例を示す図である。
【図３】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における記憶部に記憶されるシミュレーション情報テーブルの構成の一例を示す図である。
【図４】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【図５】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における圧力の影響を考慮したエンボス加工シミュレーション処理の第１の例を示すグラフである。
【図６】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における圧力の影響を考慮したエンボス加工シミュレーション処理の第２の例を示すグラフである。
【図７】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態における構成の一例を示すブロック図である。
【図８】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態における記憶部に記憶されるシミュレーション情報テーブルの構成の一例を示す図である。
【図９】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【図１０】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理におけるシミュレーション対象画素に対する対応点の探索方法の例を示す図である。
【図１１】本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第３の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を実施するための形態を説明する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における構成の一例を示すブロック図である。図１において、エンボス加工シミュレーション装置１は、入力部１０１、記憶部１０２、処理部１０３、表示部１０４を備えている。
【００１７】
入力部１０１は、情報を入力する手段である。例えば、キーボード、マウス、タッチパネルなどの入力手段から得られる情報を入力するものである。これらの手段を用いて、ユーザーが確認したいエンボス加工後の凹凸形状データを生成するための凹凸形状データの選択や変更などの操作の入力が行われる。また、入力部１０１では、エンボス加工を施す際に加工条件（例えば、エンボス版に加える圧力や、加工後の対象物の高さの条件）などの情報も入力される。
【００１８】
記憶部１０２は、必要な情報を記憶する記憶部である。記憶する情報としては、入力部１０１から得られる、ユーザーに選択されたエンボス加工の凹凸形状データやそのファイル名、さらに、ユーザーが入力したエンボス加工における加工条件などが挙げられる。さらに、記憶部１０２には、下記に示す処理部１０３にてエンボス加工により生じる誤差がシミュレートされた凹凸形状データやそのファイル名も記憶される。また、凹凸形状データ（凹凸形状画像）のファイル名、圧力や高さなどの加工条件、シミュレートされた凹凸形状データ（加工後の凹凸形状画像）のファイル名は、シミュレーション情報テーブルとして記憶される。この点については後述する図３でも説明する。
【００１９】
処理部１０３は、予測されるエンボス加工後の凹凸形状データを生成する処理部である。予測されるエンボス加工後の凹凸形状データの生成は、ユーザーが入力部１０１で入力した加工条件と選択した凹凸形状データを基に、エンボス加工により生じる誤差を考慮して生成される。また、処理部１０３は、表示部１０４に表示させるための処理なども行う。処理部１０３は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等により構成される。
【００２０】
表示部１０４は、ユーザーが入力部１０１において、エンボス加工後の誤差シミュレーションの対象とする凹凸形状データや加工条件の選択の際に用いるインターフェイス、ユーザーが入力部１０１で選択した凹凸形状データ、予測される加工後の凹凸形状データ及び、誤差を仮定する変換方法などを映像表示する。表示部１０４としては、液晶や有機ＥＬなどによる画像装置などを適用できる。
【００２１】
図２は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態におけるシミュレーション対象の一例である面材の構成例を示す図である。図２では、下側の絵柄層１１の上に面材表面として樹脂層１２を形成した例が示されている。樹脂層１２は、凹凸形状を有するエンボス膜となっている。
【００２２】
エンボス加工は、例えば、図２に示すように、絵柄層１１の上に面材表面として樹脂層１２からなる面材を用いる場合がある。このとき、エンボス加工は樹脂層１２に施し、凹凸形状データは、エンボス膜となる樹脂層１２に対するエンボス加工後の凹凸形状のデータを用いる。例えば、ここで、樹脂層１２は、透明樹脂で形成されており、絵柄層１１の表面側（樹脂層１２側）には絵柄が記載されている。このため、絵柄層１１の絵柄は、樹脂層１２の表面から透けて見える構成である。このことにより、樹脂層１２によるエンボス膜の凹凸と、絵柄層１１の絵柄が合わさり、面材に対して多様なデザインが可能となる構成となっている。
【００２３】
第１の実施形態においては、図２に示すよう絵柄層１１と、表面側に凹凸形状を有するエンボス膜が設けられている樹脂層１２から構成される面材に対して、エンボス加工シミュレーションを行うことができる。
【００２４】
さらに、エンボス加工シミュレーション装置１は、図２のような絵柄層１１と樹脂層１２によらない構成でも適用可能である。すなわち、面材表面でエンボス加工による凹凸形状を備えている構成であればよく、例えば、樹脂のみで構成された面材に対しても適用することができる。この場合、面材の表面自体にエンボス加工による凹凸を形成することができ、それに対して、エンボス加工シミュレーション装置１によってエンボス加工シミュレーションを行うことが可能となる。
【００２５】
図３は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における記憶部に記憶されるシミュレーション情報テーブルの構成の一例を示す図である。図３に示されるシミュレーション情報テーブル２０は、記憶部１０２に記憶されている。そして、シミュレーション情報テーブル２０は、凹凸形状画像ファイル名２１、加工条件圧力２２、加工条件高さ２３、加工後の凹凸形状画像ファイル名２４の各情報を備えている。シミュレーション情報テーブル２０では、凹凸形状画像ファイル名２１を１以上有しており、凹凸形状画像ファイル名２１ごとに、加工条件圧力２２、加工条件高さ２３、加工後の凹凸形状画像ファイル名２４の情報が格納されている。
【００２６】
凹凸形状画像ファイル名２１は、凹凸形状画像データのファイル名である。凹凸形状画像データは、壁紙や皮革など面材表面に付与する凹凸形状の高さを表す凹凸形状データであり、凹凸形状における高さをグレースケールで一定範囲毎に表したものである。グレースケールは、例えば、８ｂｉｔ（階調値０〜２５５）で指定されるものである。
【００２７】
加工条件圧力２２は、対応する凹凸形状画像ファイル名２１のデータに対して用いた加工条件としての圧力の情報である。この圧力の情報は、例えば後述する図５、６の処理に用いられる。
【００２８】
加工条件高さ２３は、対応する凹凸形状画像ファイル名２１のデータに対して用いた加工条件としての高さの情報である。上述した凹凸形状における高さのグレースケールによる情報は、相対値であるので、凹凸を可視化するときに加工条件としての高さの情報を用いることができる。例えば、可視化画像を作成するときにこの情報を用いることができる。
【００２９】
加工後の凹凸形状画像ファイル名２４は、加工後の凹凸形状画像データのファイル名である。加工後の凹凸形状画像データは、対応する凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状画像データに対する、エンボス加工後の凹凸形状の高さを表す凹凸形状データであり、凹凸形状における高さをグレースケールで一定範囲毎に表したものである。例えば、凹凸形状画像ファイル名２１に対応する凹凸形状画像データに対して、図４による処理を行った結果を、加工後の凹凸形状画像データとして記憶しておく。グレースケールは、例えば、８ｂｉｔ（階調値０〜２５５）で指定されるものである。
【００３０】
図４は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【００３１】
まず、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工を施す際の加工条件を入力する。入力した情報を記憶部１０２に記憶する（Ｓ１０１）。ここで記憶される加工条件とは、エンボス加工を施す際にエンボス版に加える圧力や、加工後に予想される対象物の高さなどの条件である。また、これら記憶された条件は、後述のエンボス加工シミュレーションを行う際に用いる。図３のシミュレーション情報テーブル２０であれば、凹凸形状画像ファイル名２１に対応する加工条件圧力２２と加工条件高さ２３の情報として保存される。
【００３２】
次に、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーションを行うための元の凹凸形状データを選択して、記憶部１０２に記憶する（Ｓ１０２）。
【００３３】
ここでの、凹凸形状データは、壁紙や皮革など面材表面に付与する凹凸形状の高さを表すデータであり、その高さはグレースケールで８ｂｉｔ（階調値０〜２５５）で指定される。ここで、高さは１軸による情報であるのでグレースケールで指定することができる。この凹凸形状データは、予め設定される目標の凹凸形状データであり、このデータをもとにエンボス版の型の高さが決定される。ここでの、凹凸形状データは、上述した図３のシミュレーション情報テーブル２０においては、凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状画像データが相当する。
【００３４】
次に、処理部１０３は、Ｓ１０１で選択され記憶部１０２に記憶された元の凹凸形状データのグレースケール値から、エンボス加工により生じる周辺形状の影響による誤差を考慮したエンボス加工シミュレーションを行う（Ｓ１０３）。
【００３５】
ここでのエンボス加工シミュレーションは、Ｓ１０２で選択された元の凹凸形状データを用いてエンボス加工を施した際の周辺画素の影響を受けた注目画素のシミュレーションを行う。すなわち、注目画素に対して、その周りの周辺画素の高さ（グレースケール値）による影響について、その影響を調整して処理を行うものである。注目画素に対して周辺画素のどの範囲までの影響を考慮するか、また、周辺画素に対する注目画素の影響をどの程度の影響とするかは、ユーザーが条件を指定することにより決定することができる。
【００３６】
例えば、Ｓ１０２で選択された凹凸形状データのグレースケール値をｆ（ｉ，ｊ）、エンボス加工シミュレーション後のグレースケール値をｇ（ｉ，ｊ）とし、式１による変換処理を行う。
【数１】
2019012378.tif 000003
・・・（式１）
【００３７】
ここで、式１中のｉ，ｊは注目画素（特定の箇所）の座標を示す。すなわち、２次元平面において、ｘ方向がｉ、ｙ方向がｊの画素が注目画素となる。式１中のｉ＋ｍ，ｊ＋ｎは、周辺画素の座標を示すものであり、ここでのｍ、ｎは、注目画素の座標ｉ，ｊに対するｘ方向、ｙ方向の差を表す。また、ｗを指定することによって、ｍ、ｎの範囲が指定される。すなわち、注目画素の座標ｉ，ｊに対してｗ〜−ｗの範囲で、注目座標に対する周辺画素の範囲を指定できる。これにより、影響を考慮する周辺画素の範囲はユーザーが指定するｗによって決定することができる。例えば、ｗが「１」を指定すれば、注目画素の座標ｉ，ｊに対して、ｘ方向が、「ｉ−１」〜「ｉ＋１」の範囲、ｙ方向が、「ｊ−１」〜「ｊ＋１」の範囲で指定され、注目画素の周囲８画素の影響が考慮される。例えば、ｗが「２」を指定すれば、注目画素の座標ｉ，ｊに対して、ｘ方向が、「ｉ−２」〜「ｉ＋２」の範囲、ｙ方向が、「ｊ−２」〜「ｊ＋２」の範囲で指定され、注目画素の周囲２４画素の影響が考慮される。なお、ｉ、ｊ、ｍ、ｎ、ｗは整数が適用できる。
【００３８】
また、σ１、σ２は、重み付けを表す変数である。σ１は、空間方向に対する重み付けを行う変数であり、σ２は、グレースケール値方向に対して重み付けを行う変数である。式１は、注目画素と周辺画素の距離に対してσ１で重み付けを行うとともに、注目画素のグレースケール値と周辺画素のグレースケール値の差に対してσ２で重み付けを行うことが特徴である。
【００３９】
ユーザーは、入力部１０１から、ｗを入力して指定することで、シミュレーションで考慮する周辺画素の範囲を決定することができる。また、ユーザーは、入力部１０１から、σ１、σ２を入力して指定することで、式１における重み付けの程度を決定することができる。ここでの、ｗやσ１、σ２の値は、今までのエンボス加工による結果やユーザーの経験値などに基づき決定することができる。このことにより、周辺画素の影響も考慮したより正確なエンボス加工後のシミュレーションを行うことができる。
【００４０】
さらに、処理部１０３では、加工条件として圧力の影響を考慮したシミュレーションを行うことができる。ここでは、Ｓ１０１で入力したエンボス版に加える圧力の加工条件をもとに、式１等を用いて行った周辺画素の影響をふまえたシミュレーション結果に対して、さらなるシミュレーション処理を行うものである。
【００４１】
例えば、加工条件の圧力が高い場合、凹凸形状データのハイライト部、すなわち高さを高く加工する部分（エンボス版においては、深度が大きい部分）では、エンボス版による加工後は、面材表面側の樹脂（図２では樹脂層１２側の透明樹脂）が反発する。このことにより、面材表面に形成されたエンボスの高さは目標よりも低くなり、その部分では、エンボス版の凹凸は再現されずに平坦な出力となる可能性がある。この場合、グレースケールにおける加工後のハイライト部の階調も、実際は、凹凸形状データに基づいて再現されないこととなる。
【００４２】
一方、加工条件の圧力が低い場合、凹凸形状データのシャドウ部、すなわち高さを低く加工する部分（エンボス版においては、深度が小さい部分）では、エンボス版による加圧不足が発生する。このことにより、面材表面では、エンボス版の凹凸は意図したとおりに再現されず平坦な出力となる可能性がある。この場合、グレースケールにおける加工後のシャドウ部の階調も、実際は、凹凸形状データに基づいて再現されないこととなる。
【００４３】
このようなことをふまえたシミュレーション処理の一例を図５、６に示す。図５は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第１の実施形態における圧力の影響を考慮したエンボス加工シミュレーション処理の第１の例を示すグラフであり、図６は同じく第２の例を示すグラフである。
【００４４】
図５、６では、横軸が圧力の影響を考慮する前のグレースケール値である。例えば、式１によるｇ（ｉ，ｊ）の結果をこれに適用することができる。また、縦軸が圧力の影響を考慮したグレースケール値であり、圧力の影響を考慮したシミュレーション後の値である。このグラフ中の直線３１は圧力の影響がない場合の結果であり、圧力の影響を考慮する前のグレースケール値と圧力の影響を考慮したグレースケール値は同じになる。
【００４５】
図５では、圧力の低い場合の影響を考慮したグラフであり、圧力の影響を考慮した状態は線３２で示される。この場合、グレースケール値が低い部分（高さの低い部分）では、元のグレースケール値の値が増加しても、圧力の影響を考慮したグレースケール値は増加していかずに０のまま一定の値となる（下部平坦部３２ａ）。そして、元のグレースケール値がシャドウグレースケール変曲点３５まで達すると、そこから、圧力の影響を考慮したグレースケール値も元のグレースケール値の増加と共に増加していき、直線３１上に達する（直線部３２ｂ）。このように、グレースケール値が低い部分（高さの低い部分）で、シャドウグレースケール変曲点３５を設定することで、圧力の低い場合の影響を考慮してシミュレーションすることができる。ここで、シャドウグレースケール変曲点３５は、圧力の影響を考慮する前のグレースケール値が増加しても、その値までは、圧力の影響を考慮したグレースケール値は増えずに一定の低い値のままとなる点である。
【００４６】
図６は、圧力が高い場合の影響を考慮したグラフであり、圧力の影響を考慮した状態は線３３で示される。この場合、ハイライトグレースケール変曲点３６までは、元のグレースケール値の増加と共に、圧力の影響を考慮したグレースケール値も直線３１に沿って増加していく（直線部３３ａ）。しかし、グレースケール値が高い部分（高さの高い部分）において、ハイライトグレースケール変曲点３６に達すると、圧力の影響を考慮する前のグレースケール値が増加しても、圧力の影響を考慮したグレースケール値は増えずに一定の値となる（上部平坦部３３ｂ）。ここで、ハイライトグレースケール変曲点３６は、直線３１上に設定されている。このように、グレースケール値が高い部分（高さの高い部分）で、ハイライトグレースケール変曲点３６を設定することで、圧力の高い場合の影響を考慮してシミュレーションすることができる。ここで、ハイライトグレースケール変曲点３６は、圧力の影響を考慮する前のグレースケール値が増加しても、その値以降は、圧力の影響を考慮したグレースケール値は増えずに一定の値となる点である。なお、これらのハイライトグレースケール変曲点３６やシャドウグレースケール変曲点３５は加工条件としての圧力に応じて設定される。
【００４７】
図４において、Ｓ１０３エンボス加工シミュレーション処理が終了すると、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーション後の凹凸形状データの保存名を入力し、記憶部１０２にシミュレーション結果を保存する（Ｓ１０４）。このとき、図３のシミュレーション情報テーブル２０であれば、凹凸形状画像ファイル名２１に対応する加工後の凹凸形状画像ファイル名２４として保存される。
【００４８】
以上の処理により、エンボス加工後の凹凸形状データのシミュレーションが完了する。また、表示部１０４に結果を表示することにより、シミュレーション結果をユーザーが確認できる。ここでの表示は、グレースケールによる濃淡表示とすれば、ユーザーはシミュレーション結果を分かり易く確認することができる。
【００４９】
なお、第１の実施形態では、凹凸形状データのグレースケール値を用いて相対的な高さによるエンボス加工後のシミュレーションを実施することを説明した。さらに、Ｓ１０１において記憶された、加工後に予想される対象物の高さの情報を用いて、絶対的な高さに変換したのちにエンボス加工後のシミュレーションを実施してもよい。その際には、Ｓ１０１において記憶された加工後に予想される対象物の高さと、凹凸形状データのグレースケール値を最大値（本実施例では２５５）において除した値を掛け合わせた値を絶対的な高さとして用いる。
【００５０】
このように、第１の実施形態では、注目画素に対する、周辺画素の高さに対する影響を考慮してより正確にエンボス加工後のシミュレーションをすることができる。さらに、周辺画素を考慮する範囲やその影響の度合いを設定することで的確なシミュレーションを可能とする。さらに、圧力の影響を考慮した場合のエンボス加工のシミュレーションを行うことで、圧力の影響による誤差も考慮して正確なシミュレーションとすることができる。
【００５１】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態と異なる点について主に説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。
【００５２】
図７は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態における構成の一例を示すブロック図である。図７において、エンボス加工シミュレーション装置２は、入力部１０１、記憶部１０２、処理部１０３、表示部１０４を備えている。さらに、必要に応じて凹凸形状出力部２０１、凹凸形状取得部２０２を備えている。
【００５３】
入力部１０１は、ユーザーが確認したいエンボス加工後の凹凸形状データを生成するための凹凸形状データの選択や変更などの操作の入力が行われる。また、入力部１０１では、エンボス加工を施す際に加工条件（例えば、エンボス版に加える圧力や、加工後の対象物の高さの条件）などの情報も入力される。
【００５４】
記憶部１０２に記憶する情報としては、入力部１０１から得られる、ユーザーに選択されたエンボス加工の元の凹凸形状データやそのファイル名、さらに、ユーザーが入力したエンボス加工における加工条件が挙げられる。さらに、記憶部１０２には、下記に示す処理部１０３にてエンボス加工により生じる誤差がシミュレートされた凹凸形状データやそのファイル名も記憶される。さらに、記憶部１０２は、過去の実測による凹凸形状データの結果のデータも記憶されている。すなわち、元のエンボス加工の凹凸形状データに対応する、実際にエンボス加工を行った後の結果の凹凸形状データについて、それぞれグレースケール値等を用いて記憶されている。また、凹凸形状データ（凹凸形状画像）のファイル名、圧力や高さなどの加工条件、シミュレートされた凹凸形状データ（加工後の凹凸形状画像）のファイル名は、図３のシミュレーション情報テーブルとして記憶される。
【００５５】
処理部１０３は、予測されるエンボス加工後の凹凸形状データを生成する処理部である。予測されるエンボス加工後の凹凸形状データの生成は、ユーザーが入力部１０１で入力した加工条件と選択した凹凸形状データを基に、過去の実測による結果の凹凸形状データ（グレースケール値）を用いて、エンボス加工により生じる誤差を考慮して生成される。また、凹凸形状出力部２０１の制御や、凹凸形状取得部２０２の測定情報に基づくエンボス加工後の凹凸形状データを生成する処理や、表示部１０４に表示させるための処理なども行う。
【００５６】
凹凸形状出力部２０１は、ユーザーが入力部１０１にて取得し記憶部１０２に保存された凹凸形状データをエンボス膜として出力をする実際の装置である。例えば、凹凸形状データを彫刻したエンボス版シリンダを備えて、塩化ビニルシートに対してエンボス版シリンダに圧着することにより、エンボス膜を生成することができる。
【００５７】
凹凸形状取得部２０２は、三次元形状情報が取得可能な計測器である。凹凸形状出力部２０１にて生成された実際のエンボス膜に対して、加工後のエンボス膜の高さを位置毎に測定してその情報を取得する。取得した情報は記憶部１０２に記憶される。なお、測定は、凹凸形状出力部２０１で生成した以外の、他で生成された実際のエンボス膜に対して行ってもよい。そのとき、測定した実際の凹凸形状データを元の凹凸形状データと合わせて記憶することで、後述する処理部１０３でのシミュレーションに用いることができる。
【００５８】
このように、凹凸形状出力部２０１は実際にエンボス膜を生成する手段であり、凹凸形状取得部２０２は、実際のエンボス膜を測定する手段であるので、実測したデータが取得してあれば、これらの手段は、備えていなくても後述する処理部１０３での処理は可能である。
【００５９】
なお第２の実施形態においても、第１の実施形態の図３で説明したシミュレーション情報テーブル２０を同様に適用できる。すなわち、選択された凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状データに対してシミュレーション後のエンボス加工後の凹凸形状データを加工後の凹凸形状画像ファイル名２４として保存できる。さらに、第２の実施形態においては、図８に示すシミュレーション情報テーブル３０も利用することができる。
【００６０】
図８は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態における記憶部に記憶されるシミュレーション情報テーブルの構成の一例を示す図である。ここでは、シミュレーション情報がシミュレーション情報テーブル３０として記憶部１０２に格納されている。シミュレーション情報がシミュレーション情報テーブル３０は、実測による加工後の凹凸形状画像ファイル名３４を備えており、それに対応する凹凸形状画像ファイル名３１、加工条件圧力３２、加工条件高さ３３が記憶されている。なお、凹凸形状画像ファイル名３１、加工条件圧力３２、加工条件高さ３３の構成は、図３で説明した凹凸形状画像ファイル名２１、加工条件圧力２２、加工条件高さ２３の構成と同様である。
【００６１】
実測による加工後の凹凸形状画像ファイル名３４は、実測による加工後の凹凸形状画像データのファイル名である。実測による加工後の凹凸形状画像データは、実際に過去に実測した加工後の凹凸形状の高さの情報をグレースケールで表したものである。グレースケールは、例えば、８ｂｉｔ（階調値０〜２５５）で指定されるものである。
【００６２】
図９は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【００６３】
まず、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工を施す際の加工条件を入力する。入力した情報を記憶部１０２に記憶する（Ｓ２０１）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０１と同様である。
【００６４】
次に、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーションを行うための元の凹凸形状データを選択して、記憶部１０２に記憶する（Ｓ２０２）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０２と同様である。
【００６５】
次に、処理部１０３は、Ｓ２０２で選択され記憶部１０２に記憶された凹凸形状データのグレースケール値から、過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データを用いて、周辺形状の影響を考慮したエンボス加工シミュレーションを行う（Ｓ２０３）。ここでは、入力部１０１にて選択された凹凸形状データに対してエンボス加工後の凹凸形状の高さを予測するものである。
【００６６】
記憶部１０２には、過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データと、それに対応する元の凹凸形状データと、さらに、そのときの圧力、高さ、厚さなどの加工条件が記憶されている。ここでの処理は、入力部１０１で選択された凹凸形状データに対し、加工条件が一致する、過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データを有する、元の凹凸形状データとの比較を行う。Ｓ２０２で選択された凹凸形状データにおける、ある１つの注目画素（特定の箇所）に対して周辺画素を含めた範囲を決める。この範囲内の画素構成に対して、同一の画素構成である範囲を、過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データに対応する元の凹凸形状データから検索する。同一の画素構成の範囲がある場合、その範囲内の中心画素に対して、対応する過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データの対応画素のグレースケール値をエンボス加工後の凹凸形状予測値とする。
【００６７】
これらを図３と８を用いて説明すれば、今回シミュレーションを行うＳ２０２で選択された凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状画像データに対して、加工条件が一致する凹凸形状画像ファイル名３１の凹凸形状画像データとの比較を行う。そして、凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状画像データにおける、ある１つの注目画素（特定の箇所）に対して予め定めた周辺画素の範囲を決める。この範囲内の画素構成に対して、凹凸形状画像ファイル名３１の凹凸形状画像データにおいて、同一の画素構成の範囲があるかを検索する。同一の画素構成の範囲がある場合、凹凸形状画像ファイル名３１の凹凸形状画像データの同一の画素構成の範囲における中心画素に対して、対応する実測による加工後の凹凸形状画像ファイル名３４の凹凸形状画像データの対応画素の値をエンボス加工後の凹凸形状予測値とするものである。
【００６８】
さらに、これらについて、図１０を用いて具体的に説明する。図１０は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第２の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理におけるシミュレーション対象画素に対する対応点の探索方法の例を示す図である。図１０の（ａ）（左側）が、選択された凹凸形状データによる凹凸形状画像を示す。また、図１０の（ｂ）（右側）が、記憶部１０２に保存された凹凸形状データによる凹凸形状画像を示す。
【００６９】
図１０（ａ）は、Ｓ２０２で選択された凹凸形状データの一例を示している。図３のシミュレーション情報テーブル２０であれば、Ｓ２０２で選択された凹凸形状画像ファイル名２１の凹凸形状画像データが相当する。ここで、注目画素４１を中心として周辺を含んだ範囲４２を指定する。指定は、網掛けした部分であり、ここでは、３×３の画素指定されている例を示している。
【００７０】
図１０（ｂ）は、記憶部１０２に保存された実際に測定されたエンボス加工後の凹凸形状データ凹凸形状データに対応する、元の凹凸形状データの一例を示している。図８のシミュレーション情報テーブル３０であれば、凹凸形状画像ファイル名３１の凹凸形状画像データが相当する。ここで、処理部１０３は、範囲４２の画素構成と同じ画素構成である範囲を検索する。そして、図１０（ｂ）では、範囲５２がそれに該当する。すなわち、左右上下のそれぞれの画素におけるグレースケール（高さ）の値が、範囲４２と範囲５２では同一となっている。そして範囲５２の中心画素５１は、範囲４２の注目画素４１と対応している。
【００７１】
その後、処理部１０３は、範囲５２の中心画素５１に対応する過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データの対応画素の値を、エンボス加工後の凹凸形状予測値とする。図８のシミュレーション情報テーブル３０であれば、実測による加工後の凹凸形状画像ファイル名３４の凹凸形状画像データの対応画素の値が該当する。
【００７２】
このようにして、Ｓ２０２で選択された凹凸形状データの各画素について処理を進めていけば、エンボス加工後の凹凸形状データを作成することができる。
【００７３】
図９において、Ｓ２０３のエンボス加工シミュレーション処理が終了すると、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーション後の凹凸形状データの保存名を入力し、記憶部１０２にシミュレーション結果を保存する（Ｓ２０４）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０４と同様である。
【００７４】
以上の処理により、エンボス加工後の凹凸形状データのシミュレーションが完了する。また、表示部１０４の表示は、第１の実施形態と同様である。
【００７５】
このように、第２の実施形態では、注目画素に対する、周辺画素まで含めた高さの予想を、実際の測定値の結果に基づき、同じ画素構成のデータを探すことで、周辺の形状の影響も考慮してより正確にエンボス加工のシミュレーションをすることができる。
【００７６】
また、範囲４２、５２は３×３の画素の例を示したが、これに限られない。例えば、５×５等でもよい。ここで、注目画素に対する囲まれた周囲全体をバランスよく考慮することで、より正確なシミュレーションが可能になる。しかし、例えば、縦横比が異なる場合でも、一定以上の正確なシミュレーションは可能である。例えば、印刷方向を考慮して３×５、１×３とするなどである。この場合、印刷方向の範囲を長くするとよい。本実施形態では、少なくとも１以上の周囲の画素は考慮する必要があるがその範囲は必要に応じて指定することができる。これらの範囲の指定は入力部１０１で入力することができる。
【００７７】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態又は第２の実施形態と異なる点について主に説明し、同一の箇所には同一の符号を付してある。
【００７８】
第３の実施形態のブロック図は、図７で示した第２の実施形態におけるブロック図と同様である。第３の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション装置は、入力部１０１、記憶部１０２、処理部１０３、表示部１０４、凹凸形状出力部２０１、凹凸形状取得部２０２を備えている。
【００７９】
入力部１０１は、ユーザーが確認したいエンボス加工後の凹凸形状データを生成するための凹凸形状データの選択や変更などの操作の入力が行われる。また、入力部１０１では、エンボス加工を施す際に加工条件（例えば、エンボス版に加える圧力や、加工後の対象物の高さの条件）などの情報も入力される。さらに、入力部１０１では、測定の際の取得対象となる領域の大きさ、解像度、高さ分解能等の取得条件を入力できる。
【００８０】
記憶部１０２に記憶する情報としては、入力部１０１から得られる、ユーザーに選択されたエンボス加工の元の凹凸形状データやそのファイル名、さらに、ユーザーが入力したエンボス加工における加工条件が挙げられる。さらに、記憶部１０２には、実際にエンボス加工を行って測定した結果の凹凸形状データやそのファイル名も記憶される。また、凹凸形状データ（凹凸形状画像）のファイル名、圧力や高さなどの加工条件、実際に測定された凹凸形状データ（加工後の凹凸形状画像）のファイル名は、シミュレーション情報テーブルとして記憶される。
【００８１】
処理部１０３は、選択されたエンボス加工の元の凹凸形状データに対する凹凸形状出力部２０１の制御や、凹凸形状取得部２０２の測定情報に基づくエンボス加工後の凹凸形状データを生成する処理や、表示部１０４に表示させるための処理などを行う。
【００８２】
凹凸形状出力部２０１は、ユーザーが入力部１０１にて取得し記憶部１０２に保存された凹凸形状データをエンボス膜として出力をする実際の装置である。例えば、凹凸形状データを彫刻したエンボス版シリンダを備えて、塩化ビニルシートに対してエンボス版シリンダに圧着することにより、エンボス膜を生成することができる。
【００８３】
凹凸形状取得部２０２は、三次元形状情報が取得可能な計測器である。凹凸形状出力部２０１にて生成された実際のエンボス膜に対して、加工後のエンボス膜の高さを位置毎に測定してその情報を取得する。取得した情報は記憶部１０２に記憶される。なお、測定は、凹凸形状出力部２０１で生成した以外の、他で生成された実際のエンボス膜に対して行ってもよい。そのとき、測定した実際の凹凸形状データを元の凹凸形状データと合わせて記憶することで、後述する処理部１０３でのシミュレーションに用いることができる。
【００８４】
なお第３の実施形態においても、第１の実施形態の図３で説明したシミュレーション情報テーブル２０を同様に適用できる。この場合、加工後の凹凸形状画像ファイル名２４は、凹凸形状取得部２０２で測定された実際の凹凸形状データに基づく結果が保存される。
【００８５】
図１１は、本発明のエンボス加工シミュレーション装置の第３の実施形態におけるエンボス加工シミュレーション処理の例を示すフローチャートである。
【００８６】
まず、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工を施す際の加工条件を入力する。入力した情報を記憶部１０２に記憶する（Ｓ３０１）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０１と同様である。
【００８７】
次に、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーションを行うための元の凹凸形状データを選択して、記憶部１０２に記憶する（Ｓ３０２）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０２と同様である。
【００８８】
次に、凹凸形状出力部２０１は、ユーザーが入力部１０１にて取得し記憶部１０２に保存された凹凸形状データをエンボス膜として出力をする（Ｓ３０３）。ここでは、実際に凹凸形状出力部２０１において、Ｓ３０２で選択された元の凹凸形状データから、Ｓ３０１で入力した加工条件に基づきエンボス膜の加工を行う。例えば、凹凸形状データを彫刻したエンボス版シリンダを用いる場合は、Ｓ３０２で選択された元の凹凸形状データに対応するエンボス版シリンダを選択して、塩化ビニルシートにエンボス版シリンダを圧着することによりエンボス膜が生成される。ここで、図２で示した面材の構成であれば、絵柄層１１の表面に形成された樹脂層１２が塩化ビニルシートに相当し、ここにエンボス版シリンダでエンボス膜が生成される。ここでの制御は処理部１０３で行うことができる。
【００８９】
次に、凹凸形状取得部２０２において凹凸形状出力部２０１にて凹凸形状データから実際に生成したエンボス膜の高さ情報を取得する（Ｓ３０４）。ここでは、凹凸形状取得部２０２で凹凸形状出力部２０１により生成されたエンボス膜の高さを三次元的に測定する。この際、ユーザーは入力部１０１において、取得対象となる領域の大きさや解像度、高さ情報の分解能等の取得条件を指定する。例えば、領域の大きさ：３００×２００ｍｍ、解像度：６００ｄｐｉ、高さ方向の分解能：１０μｍとなどと指定する。そうすると処理部１０３により、指定された領域の大きさ、解像度、分解能等の条件に従い、測定された測定結果が取得される。また、取得される生成物の高さ情報は、凹凸形状情報と同様にグレースケールとして記憶部１０２に保存される。
【００９０】
次に、処理部１０３は、記憶部１０２に保存されたエンボス膜の高さ情報画像から計測エラーの除去を行う（Ｓ３０４）。ここでは、凹凸形状取得部２０２による測定にともなうエラーの除去を行う。
【００９１】
エラーの除去は、１つの例としては、凹凸形状取得部２０２による対象物の高さ情報を取得する際に生じた計測によるノイズ除去を行う。ここでは、計測時に全体として高さが高く取得される場合等もあるので、高さの基準を合わせる補正を行う。例えば、ユーザーが保存された高さ情報における計測によるノイズレベルをグレースケール値で指定し（例えば、グレースケール値５）、全ての画素からその指定値を減算することにより行われる。これにより、全体としてグレースケール値５分の高さが減算される。その際、減算により画素値が負の値となる場合は、負の値となった画素は、減算結果にかかわらず画素値を０とする処理を行う。ノイズ除去後の高さ情報として再び記憶部１０２に保存する。
【００９２】
エラーの除去の次の例としては、必要に応じて凹凸形状取得部２０２による対象物の高さ情報取得画像の平行化処理を行う。ここでは、計測時に実際の面よりも全体として傾斜面に対して高さ情報が取得される場合もあるので、平行化処理による補正を行う。平行化処理は、高さ情報取得の際の幾何条件によって生じた傾きを補正する処理である。例えば、取得画像において対象物の四隅に対応する点を抽出し、四隅の点が正対した状態（水平な状態）から記録されたように補正する。
【００９３】
Ｓ３０４の計測エラーの除去の処理が終了すると、入力部１０１によりユーザーがエンボス加工シミュレーション後の凹凸形状データの保存名を入力し、記憶部１０２にシミュレーション結果を保存する（Ｓ３０５）。ここでの処理は、第１の実施形態におけるＳ１０４と同様である。
【００９４】
以上の処理により、第３の実施形態のエンボス加工後の凹凸形状データのシミュレーションが完了する。第３の実施形態では、実際の測定により、エンボス加工後の凹凸形状データを取得する。そして、この凹凸形状データは、表示部１０４で表示することも可能であるが、さらなるシミュレーションに利用することができる。例えば、図２に示したように絵柄層１１と樹脂層１２が分かれている場合、樹脂層１２のエンボス膜の情報は、第３の実施形態によるエンボス加工後の凹凸形状データを利用する。そして、絵柄層１１の絵柄を変えることで、３次元グラフィックなどを用いて様々なデザインをシミュレーションすることが可能である。これらの結果を、表示部１０４に表示することにより、シミュレーション結果をユーザーが確認できる。
【００９５】
第３の実施形態では、実際の測定に基づくものであり、実際に周辺形状の影響も含めた結果としてより正確なエンボス加工のシミュレーションをすることができる。さらに計測エラーの除去をすることで、より正確なエンボス加工のシミュレーションとなる。
【００９６】
以上の様に、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、上述した以外の様々な変形例も含まれる。例えば、上記した実施形態に設けられた全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を削除したり、他の構成に置き換えたりすることも可能である。
【００９７】
例えば、第１の実施形態であれば、周辺画素の影響を考慮する式は式１に限られず、注目画素（特定の箇所）に対する周辺画素の高さに対する影響を考慮することにより、エンボス加工後のシミュレーションを行うことができれば、これ以外の式でも適用可能である。この際、周囲の画素を指定する範囲は、注目画素に対する囲まれた周囲全体をバランスよく考慮することで、より正確なシミュレーションが可能になるが、縦横比が異なる場合でも、一定以上の正確なシミュレーションは可能である。少なくとも１以上の周囲の画素は考慮する必要があるが、その範囲は必要に応じて決定するようにしてもよい。
【００９８】
また、第２の実施形態であれば、対応する過去に実測したエンボス加工後の凹凸形状データがない場合は、他のシミュレーションの結果を用いてもよい。例えば、第１の実施形態におけるシミュレーションの結果を、実測したエンボス加工後の凹凸形状データに代えて、補足的に用いることも可能である。
【００９９】
また、第３の実施形態で説明した、凹凸形状取得部２０２で取得されてエラーが除去された実際の測定に基づくエンボス加工後の凹凸形状データは、第２の実施形態で実測したエンボス加工後の凹凸形状データとして使用することもできる。
【０１００】
また、各実施形態では、凹凸形状データをグレースケール値で表すことを説明した。これにより、白黒情報で高さを表すことができるが、グレースケール値以外の画素値であっても、各実施形態に適用することは可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１１      絵柄層
１２      樹脂層
１０１    入力部
１０２    記憶部
１０３    処理部
１０４    表示部
２０１    凹凸形状出力部
２０２    凹凸形状取得部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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