(57)【要約】【課題】吸収に起因する光の損失を低減することができる面発光レーザーを提供する。【解決手段】基体と、前記基体に設けられた積層体と、を含み、前記積層体は、第１ミラー層と、第２ミラー層と、前記第１ミラー層と前記第２ミラー層との間に設けられた活性層と、を有し、前記積層体は、前記活性層で発生する光を出射する光出射部を有し、前記光出射部は、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層の最表面である、面発光レーザー。【選択図】図１
2019012721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体に設けられた積層体と、
を含み、
前記積層体は、
第１ミラー層と、
第２ミラー層と、
前記第１ミラー層と前記第２ミラー層との間に設けられた活性層と、
を有し、
前記積層体は、前記活性層で発生する光を出射する光出射部を有し、
前記光出射部は、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層の最表面である、面発光レーザー。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１ミラー層は、前記基体と前記第２ミラー層との間に設けられ、
前記第２ミラー層は、電極と接続しているコンタクト層を有し、
前記コンタクト層は、ＧａＡｓ層である、面発光レーザー。
【請求項３】
請求項２において、
前記積層体は、前記第１ミラー層と前記活性層との積層方向からみて、前記コンタクト層と重なっている電流狭窄層を有する、面発光レーザー。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記第１ミラー層は、前記基体と前記第２ミラー層との間に設けられ、
前記第２ミラー層は、
第１層、および前記第１層よりも屈折率の小さい第２層が、交互に積層された積層構造体と、
前記積層構造体と前記最表面を有する第３層との間に設けられた半導体層と、
を有し、
前記第３層のバンドギャップは、前記半導体層のバンドギャップよりも小さい、面発光レーザー。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２ミラー層は、
前記積層構造体と前記半導体層との間に設けられ、前記積層構造体から前記半導体層に向かうに従って組成が徐々に変化する組成変調層を有し、
前記活性層で発生する光の波長をλとすると、
前記組成変調層の光路長の半分と、前記半導体層の光路長と、前記第３層の光路長と、の合計は、λ／４の奇数倍であり、
前記コンタクト層の光路長は、λ／４の奇数倍である、面発光レーザー。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＩｎＰ層の最表面であり、
前記ＡｌＧａＩｎＰ層の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰであり、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≧０．３４ｘ＋０．３６、０≦ｘ＜１、かつ、ｙ＜１
の関係を満たす、面発光レーザー。
【請求項７】
請求項６において、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≦０．３３ｘ＋０．４２、かつ、ｙ≦０．６１
の関係を満たす、面発光レーザー。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＡｓＰ層の最表面であり、
前記ＡｌＧａＡｓＰ層の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰであり、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≦−３．９０ｘ＋１．９５、０＜ｘ＜１、かつ、０≦ｙ≦０．３９
の関係を満たす、面発光レーザー。
【請求項９】
請求項８において、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≧−１．３９ｘ＋０．３９
の関係を満たす、面発光レーザー。
【請求項１０】
基体に、第１ミラー層、活性層、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層とコンタクト層とを有する第２ミラー層を、この順で成膜して積層体を形成する工程と、
前記コンタクト層と接続する電極を形成する工程と、
前記電極を形成する工程の後に、前記ＡｌＧａＩｎＰ層または前記ＡｌＧａＡｓＰ層を露出するように、前記コンタクト層をパターニングする工程と、
を含み、
前記積層体は、前記活性層で発生する光を出射する光出射部を有し、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＩｎＰ層または前記ＡｌＧａＡｓＰ層の最表面である、面発光レーザーの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の面発光レーザーを含む、電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の面発光レーザーを含む、プリンター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザーおよびその製造方法、電子機器、ならびにプリンターに関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、例えば、レーザープリンターの光源として用いられる。
【０００３】
例えば特許文献１には、基板上に、下部反射ミラーと、活性層と、上部反射ミラーと、を備えた面発光レーザーにおいて、光出射領域が高反射率領域と低反射率領域とを有する表面レリーフ構造を有し、高反射率領域の最表面は、ＧａＡｓコンタクト層であることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１９５５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された面発光レーザーでは、ＧａＡｓコンタクト層において活性層で発生した光が吸収される。このような吸収に起因する光の損失は、発振閾値の上昇や出力の低下の原因となる。
【０００６】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、吸収に起因する光の損失を低減することができる面発光レーザーを提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、吸収に起因する光の損失を低減することができる面発光レーザーの製造方法を提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の面発光レーザーを含む電子機器を提供することにある。あるいは、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記の面発光レーザーを含むプリンターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る面発光レーザーは、
基体と、
前記基体に設けられた積層体と、
を含み、
前記積層体は、
第１ミラー層と、
第２ミラー層と、
前記第１ミラー層と前記第２ミラー層との間に設けられた活性層と、
を有し、
前記積層体は、前記活性層で発生する光を出射する光出射部を有し、
前記光出射部は、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層の最表面である。
【０００８】
このような面発光レーザーでは、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層である光出射層のバンドギャップは、ＧａＡｓ層のバンドギャップよりも大きい。したがって、この
ような面発光レーザーでは、光出射層の最表面がＧａＡｓ層である場合に比べて、光出射層の最表面における光の吸収に起因する光の損失を低減することができる。
【０００９】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記第１ミラー層は、前記基体と前記第２ミラー層との間に設けられ、
前記第２ミラー層は、電極と接続しているコンタクト層を有し、
前記コンタクト層は、ＧａＡｓ層であってもよい。
【００１０】
このような面発光レーザーでは、第２ミラー層と電極との接触抵抗を低くすることができる。
【００１１】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記積層体は、前記第１ミラー層と前記活性層との積層方向からみて、前記コンタクト層と重なっている電流狭窄層を有してもよい。
【００１２】
このような面発光レーザーでは、活性層で発生した光の共振モードがより高次になるほどコンタクト層において吸収され損失を受ける。したがって、このような面発光レーザーでは、活性層で発生した光の共振モードのうち、より低次のモードの出力向上を図ることができる。より具体的には、シングルモード出力の向上を図ることができる。
【００１３】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記第１ミラー層は、前記基体と前記第２ミラー層との間に設けられ、
前記第２ミラー層は、
第１層、および前記第１層よりも屈折率の小さい第２層が、交互に積層された積層構造体と、
前記積層構造体と前記最表面を有する第３層との間に設けられた半導体層と、
を有し、
前記第３層のバンドギャップは、前記半導体層のバンドギャップよりも小さくてもよい。
【００１４】
このような面発光レーザーでは、光出射層と半導体層との間の障壁（電位障壁）を小さくすることができ、低抵抗化を図ることができる。
【００１５】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記第２ミラー層は、
前記積層構造体と前記半導体層との間に設けられ、前記積層構造体から前記半導体層に向かうに従って組成が徐々に変化する組成変調層を有し、
前記活性層で発生する光の波長をλとすると、
前記組成変調層の光路長の半分と、前記半導体層の光路長と、前記第３層の光路長と、の合計は、λ／４の奇数倍であり、
前記コンタクト層の光路長は、λ／４の奇数倍であってもよい。
【００１６】
このような面発光レーザーでは、第２ミラー層の平面視において電流狭窄層と重なる領域の反射率（活性層で発生する光に対する反射率）を小さくすることができる。これにより、このような面発光レーザーでは、さらに、活性層で発生した光の共振モードのうち、より低次のモードの出力向上を図ることができる。より具体的には、さらにシングルモード出力の向上を図ることができる。
【００１７】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＩｎＰ層の最表面であり、
前記ＡｌＧａＩｎＰ層の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰであり、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≧０．３４ｘ＋０．３６、０≦ｘ＜１、かつ、ｙ＜１
の関係を満たしてもよい。
【００１８】
このような面発光レーザーでは、光出射層のバンドギャップを、半導体層のバンドギャップよりも小さくすることができる。
【００１９】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≦０．３３ｘ＋０．４２、かつ、ｙ≦０．６１
の関係を満たしてもよい。
【００２０】
このような面発光レーザーでは、光出射層のバンドギャップが小さくなりすぎず、光出射層における光の損失を低減することができ、かつ、光出射層の結晶性を高くすることができる。
【００２１】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＡｓＰ層の最表面であり、
前記ＡｌＧａＡｓＰ層の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰであり、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≦−３．９０ｘ＋１．９５、０＜ｘ＜１、かつ、０≦ｙ≦０．３９
の関係を満たしてもよい。
【００２２】
このような面発光レーザーでは、光出射層のバンドギャップを、半導体層のバンドギャップよりも小さくすることができる。
【００２３】
本発明に係る面発光レーザーにおいて、
前記ｘおよび前記ｙは、
ｙ≧−１．３９ｘ＋０．３９
の関係を満たしてもよい。
【００２４】
このような面発光レーザーでは、光出射層のバンドギャップが小さくなりすぎず、光出射層における光の損失を低減することができる。
【００２５】
本発明に係る面発光レーザーの製造方法は、
基体に、第１ミラー層、活性層、ＡｌＧａＩｎＰ層またはＡｌＧａＡｓＰ層とコンタクト層とを有する第２ミラー層を、この順で成膜して積層体を形成する工程と、
前記コンタクト層と接続する電極を形成する工程と、
前記電極を形成する工程の後に、前記ＡｌＧａＩｎＰ層または前記ＡｌＧａＡｓＰ層を露出するように、前記コンタクト層をパターニングする工程と、
を含み、
前記積層体は、前記活性層で発生する光を出射する光出射部を有し、
前記光出射部は、前記ＡｌＧａＩｎＰ層または前記ＡｌＧａＡｓＰ層の最表面である。
【００２６】
このような面発光レーザーの製造方法では、光出射部である光出射層の最表面が、例えば、電極を形成するための現像液に接触することがない。しがたって、光出射層が該現像液によって削られることがなく、光出射層の厚さが維持され、かつ最表面は高い平坦性を有することができる。
【００２７】
本発明に係る電子機器は、
本発明に係る面発光レーザーを含む。
【００２８】
このような電気機器では、本発明に係る面発光レーザーを含むことができる。
【００２９】
本発明に係るプリンターは、
本発明に係る面発光レーザーを含む。
【００３０】
このようなプリンターでは、本発明に係る面発光レーザーを含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。
【図２】本実施形態に係る面発光レーザーを模式的に示す断面図。
【図３】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰのｘとｙとの関係を示すグラフ。
【図４】本実施形態に係る面発光レーザーの製造方法を説明するためのフローチャート。
【図５】本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係る面発光レーザーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰのｘとｙとの関係を示すグラフ。
【図１０】本実施形態に係る生体情報取得装置を模式的に示す斜視図。
【図１１】本実施形態に係る生体情報取得装置を模式的に示す平面図。
【図１２】本実施形態に係る生体情報取得装置を模式的に示す平面図。
【図１３】本実施形態に係る生体情報取得装置の機能ブロック図。
【図１４】本実施形態に係る生体情報取得装置の機能ブロック図。
【図１５】本実施形態に係るプリンターを模式的に示す図。
【図１６】本実施形態に係るプリンターに備えられた露光ユニットを模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３３】
１．  面発光レーザー
まず、本実施形態に係る面発光レーザーについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る面発光レーザー１００を模式的に示す断面図である。
【００３４】
面発光レーザー１００は、図１に示すように、基体１０と、基体１０上に設けられた積層体１０２と、を含む。積層体１０２は、第１ミラー層２０と、活性層３０と、第２ミラー層４０と、電流狭窄層５０と、を有している。さらに、面発光レーザー１００は、絶縁層６０と、第１電極７０と、第２電極７２と、を有している。以下では、一例として、赤色光（例えば、６６０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長の光）を出射する面発光レーザー１００について説明する。
【００３５】
基体１０は、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板である。
【００３６】
第１ミラー層２０は、基体１０上に設けられている。第１ミラー層２０は、基体１０と
第２ミラー層４０との間に設けられている。第１ミラー層２０は、第１導電型の半導体層である。第１ミラー層２０は、高屈折率層、および該高屈折率層よりも屈折率の小さい低屈折率層が、交互に積層された積層構造体を有している。第１ミラー層２０は、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層は、例えば、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ層である。低屈折率層は、例えば、Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である。高屈折率層と低屈折率層との積層数（ペア数）は、例えば、４０ペア以上８０ペア以下であり、好ましくは６０ペアである。
【００３７】
活性層３０は、第１ミラー層２０上に設けられている。活性層３０は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間に設けられている。活性層３０は、電流が注入されることで光を発することができる。
【００３８】
なお、本発明において、「上」とは、第１ミラー層２０と活性層３０との積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、積層体１０２からみて基体１０から遠ざかる方向のことであり、「下」とは、積層方向において、積層体１０２からみて基体１０に近づく方向のことである。
【００３９】
活性層３０は、例えば、ｉ型のＧａＩｎＰ層（ウェル層）と、ｉ型のＡｌＧａＩｎＰ層（バリア層）と、から構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有している。活性層３０は、さらに、多重量子井戸構造を挟む第１コンファインメント層および第２コンファインメント層を有していてもよい。第１コンファインメント層および第２コンファインメント層は、例えば、ｉ型のＡｌＧａＩｎＰ層である。
【００４０】
第２ミラー層４０は、活性層３０上に設けられている。第２ミラー層４０は、第２導電型（例えばｐ型）の半導体層である。積層体１０２は、活性層３０で発生する光を出射する光出射部１０４を有している。図示の例では、第２ミラー層４０は、光出射部１０４を有している。ここで、図２は、面発光レーザー１００の光出射部１０４近傍を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図２では、絶縁層６０および第２電極７２の図示を省略している。
【００４１】
第２ミラー層４０は、図２に示すように、高屈折率層（第１層）４１および低屈折率層（第２層）４２を有する積層構造体４３と、組成変調（Ｇｒａｄｅｄ  Ｉｎｄｅｘ）層４４と、半導体層４５と、光出射層（第３層）４６と、コンタクト層４７と、を有している。
【００４２】
積層構造体４３は、活性層３０上に設けられている。積層構造体４３は、高屈折率層４１、および高屈折率層４１よりも屈折率の小さい低屈折率層４２が、交互に積層された積層構造を有している。第２ミラー層４０は、分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。高屈折率層４１は、例えば、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ層である。低屈折率層４２は、例えば、Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である。高屈折率層４１と低屈折率層４２との積層数（ペア数）は、例えば、２０ペア以上６０ペア以下であり、好ましくは３０ペア以上５０ペア以下である。図示の例では、積層構造体４３の最上層は、低屈折率層４２である。
【００４３】
組成変調層４４は、積層構造体４３上に設けられている。組成変調層４４は、積層構造体４３から半導体層４５に向かうに従って（上方に向かうに従って）、組成が徐々に変化する層である。具体的には、積層構造体４３の低屈折率層４２がＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層であり、半導体層４５がＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓである場合、組成変調層４４は、上方に向けて、組成がＡｌ０．９Ｇａ０．１ＡｓからＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓに徐々に変化する層である。組成変調層４４は、例えば、下面の組成が積層構造体４３の低屈折率層４２と同じであり、上面の組成が半導体層４５と同じである。組成変調層４４の厚さは
、例えば、１０ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。組成変調層４４を設けることにより、第２ミラー層４０の低抵抗化を図ることができる。
【００４４】
半導体層４５は、組成変調層４４上に設けられている。半導体層４５は、積層構造体４３と光出射層４６との間に設けられている。半導体層４５は、例えば、積層構造体４３の高屈折率層４１と同じ組成を有している。半導体層４５は、例えば、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ層である。半導体層４５を設けることにより、安定した組成を有する層上に、光出射層４６を設けることができる。
【００４５】
光出射層４６は、半導体層４５上に設けられている。光出射部１０４は、光出射層４６の最表面である。具体的には、光出射部１０４は、光出射層４６の最表面（上面）であって、コンタクト層４７と接触していない領域である。光出射部１０４の平面形状（積層方向からみた形状）は、例えば、円形である。
【００４６】
光出射層４６は、ＡｌＧａＩｎＰ層である。光出射層４６の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰである。光出射層４６の組成（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ）のｘおよびｙは、例えば、下記式（１）を満たし、好ましくは、さらに下記式（２）を満たす。
【００４７】
ｙ≧０．３４ｘ＋０．３６、０≦ｘ＜１、かつ、ｙ＜１  ・・・（１）
ｙ≦０．３３ｘ＋０．４２、かつ、ｙ≦０．６１        ・・・（２）
【００４８】
式（１）および式（２）を満たすことにより、光出射層４６の組成のｘおよびｙは、図３に示すように、横軸ｘ、縦軸ｙとしたとき、斜線で示した範囲の値をとることができる。このように、ｘは、ゼロでもよい。すなわち、ＡｌＧａＩｎＰ層である光出射層４６は、Ａｌを含まなくてもよい。
【００４９】
光出射層４６のバンドギャップは、コンタクト層４７のバンドギャップよりも大きい。光出射層４６のバンドギャップは、半導体層４５のバンドギャップよりも小さい。光出射層４６の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。
【００５０】
コンタクト層４７は、光出射部１０４を避けて、光出射層４６上に設けられている。コンタクト層４７は、第２電極７２と接続している。コンタクト層４７の厚さは、例えば、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。コンタクト層４７は、ＧａＡｓ層である。
【００５１】
活性層３０で発生する光の波長をλとすると、積層構造体４３の最上層の低屈折率層４２の光路長と、組成変調層４４の光路長の半分と、の合計は、λ／４の奇数倍である。組成変調層４４の光路長の半分と、半導体層４５の光路長と、光出射層４６の光路長と、の合計は、λ／４の奇数倍である。コンタクト層４７の光路長は、λ／４の奇数倍である。図２に示すように、積層構造体４３の最上層の低屈折率層４２の厚さと、組成変調層４４の厚さの半分と、の合計の厚さＴ１は、λ／（４ｎ）の奇数倍である。組成変調層４４の厚さの半分と、半導体層４５の厚さと、光出射層４６の厚さと、の合計の厚さＴ２は、λ／（４ｎ）の奇数倍である。コンタクト層４７の厚さＴ３は、λ／（４ｎ）の奇数倍である。これにより、第２ミラー層４０は、高反射率領域４８と、低反射率領域４９と、を有することができる。
【００５２】
なお、図示はしないが、積層構造体４３の最上層の低屈折率層４２と、該低屈折率層４２の下（直下）に位置する高屈折率層４１と、の間に、組成変調層を有していてもよい。該組成変調層は、高屈折率層４１から低屈折率層４２に向かうに従って、組成がＡｌ０．５Ｇａ０．５ＡｓからＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓに徐々に変化する層であってもよい。該
組成変調層の厚さの半分と、積層構造体４３の最上層の低屈折率層４２の厚さと、組成変調層４４の厚さの半分と、の合計の厚さは、λ／（４ｎ）の奇数倍であってもよい。
【００５３】
高反射率領域４８は、平面視において（積層方向からみて）、コンタクト層４７と重なっていない領域（光出射部１０４と重なっている領域）である。高反射率領域４８の上面は、光出射部１０４である。低反射率領域４９は、平面視において、コンタクト層４７と重なっている領域である。活性層３０で発生する光に対する低反射率領域４９の反射率は、活性層３０で発生する光に対する高反射率領域４８の反射率よりも低い。活性層３０で発生する光は、高反射率領域４８において、主に多重反射する。
【００５４】
なお、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３を示す上記λ／（４ｎ）において、λは、活性層３０で発生する光の波長である。厚さＴ１，Ｔ２のそれぞれにおいて、ｎは、厚さを構成している層の平均屈折率（光路長の割合を考慮した平均屈折率）である。厚さＴ３において、ｎは、コンタクト層４７の屈折率である。
【００５５】
ただし、厚さＴ１，Ｔ２，Ｔ３において、例えば、設定値（λ／（４ｎ）の奇数倍）に対して±１０％以内であれば、高反射率領域４８と低反射率領域４９との反射率の差を、十分に確保することができる。
【００５６】
第２ミラー層４０、活性層３０、および第１ミラー層２０の一部は、図１に示すように、柱状部１０６を構成している。図示の例では、柱状部１０６の側面は、基体１０の上面に対して傾斜している。
【００５７】
第２ミラー層４０、活性層３０、および第１ミラー層２０は、垂直共振器型のｐｉｎダイオードを構成している。電極７０，７２間にｐｉｎダイオードの順方向の電圧を印加すると、活性層３０において電子と正孔との再結合が起こり、発光が生じる。活性層３０で発生した光は、第１ミラー層２０と第２ミラー層４０との間を往復し（多重反射し）、その際に誘導放出が起こって、強度が増幅される。そして、光利得が光損失を上回ると、レーザー発振が起こり、光出射部１０４から積層方向にレーザー光が出射する。
【００５８】
電流狭窄層５０は、第２ミラー層４０の積層構造体４３を構成する層（例えば高屈折率層４１）に挟まれて設けられている。電流狭窄層５０は、例えば、第２ミラー層４０を構成する層のうちの少なくとも１層を酸化することによって形成される。高反射率領域４８は、平面視において、電流狭窄層５０と重なっていない。低反射率領域４９は、平面視において、電流狭窄層５０と重なっている。電流狭窄層５０は、平面視において、コンタクト層４７と重なっている。
【００５９】
電流狭窄層５０は、開口部５２が形成された絶縁層である。開口部５２の平面形状は、例えば、円形である。電流狭窄層５０は、例えば、リング状に形成されている。図示の例では、光出射部１０４の幅（積層方向と直交する方向の大きさ）と開口部５２の幅とは、同じである。平面視において、光出射部１０４と開口部５２との直径は、同じであり、光出射部１０４と開口部５２とは、完全に重なっていてもよい。
【００６０】
絶縁層６０は、柱状部１０６の周囲およびコンタクト層４７上に設けられている。絶縁層６０は、例えば、ポリイミド層、酸化シリコン層などである。
【００６１】
第１電極７０は、基体１０の下に設けられている。第１電極７０は、基体１０とオーミックコンタクトしている。第１電極７０は、基体１０を介して、第１ミラー層２０と電気的に接続されている。第１電極７０としては、例えば、基体１０側から、Ｃｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第１電極７０は、活性層３０に電
流を注入するための一方の電極である。
【００６２】
第２電極７２は、コンタクト層４７上および絶縁層６０上に設けられている。第２電極７２は、コンタクト層４７とオーミックコンタクトしている。第２電極７２は、第２ミラー層４０と電気的に接続されている。第２電極７２としては、例えば、コンタクト層４７側から、Ｃｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順序で積層したものを用いる。第２電極７２は、活性層３０に電流を注入するための他方の電極である。
【００６３】
面発光レーザー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６４】
面発光レーザー１００では、積層体１０２は、活性層３０で発生する光を出射する光出射部１０４を有し、光出射部１０４は、ＡｌＧａＩｎＰ層である光出射層４６の最表面である。そのため、光出射層４６のバンドギャップは、ＧａＡｓ層のバンドギャップよりも大きい。したがって、面発光レーザー１００では、光出射層の最表面がＧａＡｓ層である場合に比べて、光出射層４６の最表面における光の吸収に起因する光の損失を低減することができる。その結果、面発光レーザー１００では、発振閾値の低下（高効率化）および高出力化を図ることができる。
【００６５】
面発光レーザー１００では、第２ミラー層４０は、第２電極７２と接続しているコンタクト層４７を有し、コンタクト層４７は、ＧａＡｓ層である。そのため、面発光レーザー１００では、第２ミラー層４０と第２電極７２との接触抵抗を低くすることができる。
【００６６】
面発光レーザー１００では、積層体１０２は、平面視において、コンタクト層４７と重なっている電流狭窄層５０を有する。ここで、活性層３０で発生した光の共振モードのうち、より高次のモードほど光電磁界が、平面視において電流狭窄層５０と重なる領域（低反射率領域４９）にしみ出す。そのため、面発光レーザー１００では、活性層３０で発生した光の共振モードのうち、より高次のモードほどコンタクト層４７において吸収され損失を受ける。したがって、面発光レーザー１００では、活性層３０で発生した光の共振モードのうち、より低次のモードの出力向上を図ることができる。より具体的には、シングルモード出力の向上を図ることができる。さらに、面発光レーザー１００では、高次モードが損失を受けるため、ＦＦＰ（Ｆａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｐａｔｔｅｒｎ）の変化（モードの変化に起因する放射パターンの変化）を抑えることができる。
【００６７】
面発光レーザー１００では、積層構造体４３と、積層構造体４３と光出射層４６との間に設けられた半導体層４５と、を有し、光出射層４６のバンドギャップは、半導体層４５のバンドギャップよりも小さい。そのため、面発光レーザー１００では、光出射層４６と半導体層４５との間の障壁（電位障壁）を小さくすることができ、低抵抗化を図ることができる。
【００６８】
面発光レーザー１００では、活性層３０で発生する光の波長をλとすると、組成変調層４４の光路長の半分と、半導体層４５の光路長と、光出射層４６の光路長と、の合計は、λ／４の奇数倍である。コンタクト層４７の光路長は、λ／４の奇数倍である。そのため、面発光レーザー１００では、第２ミラー層４０の平面視において電流狭窄層５０と重なる領域（低反射率領域４９）の反射率（活性層３０で発生する光に対する反射率）を小さくすることができる。これにより、面発光レーザー１００では、さらに、活性層３０で発生した光の共振モードのうち、より低次のモードの出力向上を図ることができる。より具体的には、さらにシングルモード出力の向上を図ることができる。
【００６９】
面発光レーザー１００では、光出射層４６の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰであり、ｘおよびｙは、式（１）の関係を満たす。そのため、面発光レーザー１００
では、光出射層４６のバンドギャップを、半導体層４５のバンドギャップよりも小さくすることができる。
【００７０】
さらに、面発光レーザー１００では、ｘおよびｙは、式（２）の関係を満たす。そのため、面発光レーザー１００では、ｙ≦０．３３ｘ＋０．４２の関係を満たすことにより、光出射層４６のバンドギャップが小さくなりすぎず、光出射層４６における光の損失を低減することができる。さらに、面発光レーザー１００では、ｙ≦０．６１の関係を満たすことにより、光出射層４６の結晶性を高くすることができる。
【００７１】
なお、図１に示す例では、開口部５２の幅と光出射部１０４の幅とは、同じであるが、開口部５２の幅は、光出射部１０４の幅よりも狭くてもよいし、光出射部１０４の幅よりも広くてもよい。ただし、開口部５２の幅が光出射部１０４の幅より狭いと、高次モードが受ける損失は小さくなる。したがって、より高次のモードが発生しやすくなる。開口部５２の幅が光出射部１０４の幅より広い場合は、低次のモードが受ける損失も大きくなるが、発光領域を大きくすることができる。そのため、面発光レーザー１００の高出力化を図ることができる。
【００７２】
２．  面発光レーザーの製造方法
次に、本実施形態に係る面発光レーザーの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。図５〜図８は、本実施形態に係る面発光レーザー１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００７３】
図５に示すように、基体１０に、第１ミラー層２０、活性層３０、および第２ミラー層４０を、この順で成膜して積層体１０２を形成する（ステップＳ１）。第２ミラー層４０は、積層構造体４３、組成変調層４４、半導体層４５、光出射層４６、およびコンタクト層４７を、この順で成膜して形成される。積層体１０２の各層は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法などによって、エピタキシャル成長される。
【００７４】
ここで、一般的には、ＡｌＧａＩｎＰ層は、ＡｌＧａＡｓ層よりも高温（例えば７００℃程度）で成膜される。これは、超格子の抑制、ドーパント（例えば、Ｍｇ、Ｚｎなど）の活性化、成膜時に用いられるガスに含まれるＰＨ３（ホスフィン）の分解効率等のためである。しかし、面発光レーザー１００では、ＡｌＧａＩｎＰ層である光出射層４６の厚さは、例えばλ／（４ｎ）未満と小さいため、温度を変更しなくても、ＡｌＧａＡｓ層である積層構造体４３等の成膜と同じ温度で、光出射層４６を成膜することができる。
【００７５】
さらに、ＧａＡｓ層であるコンタクト層４７は、一般的に、砒素（Ａｓ）の材料にＴＢＡ（ターシャリーブチルアルコール）を用い、材料に含まれる炭素（Ｃ）を自動的にドーピングすることで形成される。これにより、ハイドープなコンタクト層４７を成膜することができる。Ａｓの材料にＴＢＡを用いる場合、コンタクト層４７の成長温度は、５５０℃〜５６０℃程度と低い。しかし、面発光レーザー１００では、ＧａＡｓ層であるコンタクト層４７の厚さは、例えばλ／（４ｎ）と小さいため、意図的にドーパント（例えば、Ｍｇ、Ｚｎなど）を入れることで、温度を変更しなくても、ＡｌＧａＡｓ層である積層構造体４３等の成膜と同じ温度で、コンタクト層４７を成膜することができる。
【００７６】
図６に示すように、積層体１０２をパターニングして、柱状部１０６を形成する（ステップＳ２）。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。
【００７７】
次に、例えば積層構造体４３の１層を酸化して、電流狭窄層５０を形成する（ステップＳ３）。該１層は、例えば、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≧０．９５）層である。例えば、４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、積層体１０２が形成された基体１０を投入することにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≧０．９５）層を側面から酸化して、電流狭窄層５０を形成する。
【００７８】
図７に示すように、柱状部１０６の周囲およびコンタクト層４７上に、絶縁層６０を形成する（ステップＳ４）。絶縁層６０は、例えば、スピンコート法による塗布、ならびに、フォトリソグラフィーおよびエッチングによるパターニングによって形成される。
【００７９】
次に、コンタクト層４７と接続する第２電極７２を形成する（ステップＳ５）。第２電極７２は、絶縁層６０上に形成される。第２電極７２は、例えば、真空蒸着法によって形成される。
【００８０】
図８に示すように、光出射層４６を露出するように、コンタクト層４７をパターニングする（ステップＳ６）。コンタクト層４７のパターニングは、フォトリソグラフィーにより所定形状のレジスト層８０をコンタクト層４７上および第２電極７２上に形成し、レジスト層８０をマスクとして、例えばアンモニア過水（アンモニアと過酸化水素との混合液）などでエッチングすることにより行われる。その後、レジスト層８０を除去する。
【００８１】
図１に示すように、基体１０の下に第１電極７０を形成する（ステップＳ７）。第１電極７０は、例えば、真空蒸着法によって形成される。その後、例えば、熱処理により、第１電極７０および第２電極７２をアロイ化させる。
【００８２】
以上の工程により、面発光レーザー１００を製造することができる。
【００８３】
面発光レーザー１００の製造方法では、第２電極７２を形成する工程（ステップＳ５）の後に、光出射層４６を露出するように、コンタクト層４７をパターニングする工程（ステップＳ６）を行う。そのため、面発光レーザー１００の製造方法では、光出射部１０４である光出射層４６の上面が、例えば、第２電極７２を形成するための現像液に接触することがない。しがたって、光出射層４６が該現像液によって削られることがなく、光出射層４６の上面は、高い平坦性を有することができる。さらに、光出射層４６の厚さが所望の値からずれることを抑制することができる。その結果、面発光レーザー１００の製造方法では、高反射率領域４８の反射率の安定化を図ることができ、歩留まりを向上させることができる。
【００８４】
３．  面発光レーザーの変形例
次に、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーについて説明する。以下、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーにおいて、上述した本実施形態に係る面発光レーザー１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００８５】
本実施形態の変形例に係る面発光レーザーでは、光出射層４６がＡｌＧａＡｓＰ層である点において、上述した面発光レーザー１００と異なる。本実施形態の変形例に係る面発光レーザーでは、光出射層４６の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰである。光出射層４６の組成（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰ）のｘおよびｙは、例えば、下記式（３）を満たし、好ましくは、さらに下記式（４）を満たす。
【００８６】
ｙ≦−３．９０ｘ＋１．９５、０＜ｘ＜１、かつ、０≦ｙ≦０．３９  ・・・（３）
ｙ≧−１．３９ｘ＋０．３９                                      ・・・（４）
【００８７】
式（３）および式（４）を満たすことにより、光出射層４６の組成のｘおよびｙは、図９に示すように、横軸ｘ、縦軸ｙとしたとき、斜線で示した範囲の値をとることができる。このように、ｙは、ゼロでもよい。すなわち、ＡｌＧａＡｓＰ層である光出射層４６は、Ａｓを含まなくてもよい。
【００８８】
本実施形態の変形例に係る面発光レーザーは、上述した面発光レーザー１００と同様の効果を有することができる。
【００８９】
本実施形態の変形例に係る面発光レーザーは、光出射層４６の組成は、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＡｓｙＰであり、ｘおよびｙは、式（３）の関係を満たす。そのため、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーでは、光出射層４６のバンドギャップを、半導体層４５のバンドギャップよりも小さくすることができる。
【００９０】
さらに、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーでは、ｘおよびｙは、式（４）の関係を満たす。そのため、本実施形態の変形例に係る面発光レーザーでは、光出射層４６のバンドギャップが小さくなりすぎず、光出射層４６における光の損失を低減することができる。
【００９１】
４．  電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。以下では、本実施形態に係る電子機器の一例としての生体情報取得装置について説明する。図１０は、本実施形態に係る生体情報取得装置２００を模式的に示す斜視図である。図１１および図１２は、本実施形態に係る生体情報取得装置２００を模式的に示す平面図である。図１３は、本実施形態に係る生体情報取得装置２００の機能ブロック図である。
【００９２】
なお、図１１は、生体情報取得装置２００の、人体Ｍ側とは反対側（表側）を示す平面図であり、図１２は、生体情報取得装置２００の、人体Ｍ側（裏側）を示す平面図である。
【００９３】
本発明に係る生体情報取得装置は、本発明に係る面発光レーザーを含む。以下では、本発明に係る面発光レーザーとして上述した面発光レーザー１００を含む生体情報取得装置２００について説明する。
【００９４】
生体情報取得装置２００は、人体Ｍの手首（リスト）に装着する携帯型の情報端末装置である。生体情報取得装置２００では、非侵襲で光学的に当該血管の血液中の特定成分、例えば、グルコースなどの含有量を検出することで血糖値を特定したり、ヘモグロビンに吸収されずに戻ってきた光を検出することでＳｐＯ２（経皮的動脈血酸素飽和度）を特定したり、脈動によるヘモグロビンの光の吸収の変化を検出して脈拍を特定したりすることができる。
【００９５】
生体情報取得装置２００は、図１０〜図１２に示すように、手首に装着可能な環状のベルト２１０と、ベルト２１０に取り付けられた本体ケース２２０と、を含む。
【００９６】
本体ケース２２０には、表示部２２２、およびセンサー部２３０が組み込まれている。表示部２２２は、本体ケース２２０の人体Ｍ側とは反対側に設けられる。センサー部２３０は、本体ケース２２０の人体Ｍ側に設けられる。センサー部２３０は、例えば、人体Ｍと接して設けられる。本体ケース２２０には、さらに、操作ボタン２２３や、制御部２２４などの回路系、電源としての電池などが組み込まれている。
【００９７】
生体情報取得装置２００は、図１３に示すように、表示部２２２と、制御部２２４と、記憶部２２５と、出力部２２６と、通信部２２７と、センサー部２３０と、を有している。
【００９８】
センサー部２３０は、面発光レーザー１００と、受光部２３１と、を有している。面発光レーザー１００および受光部２３１は、それぞれ制御部２２４に電気的に接続されている。制御部２２４は、面発光レーザー１００を駆動して光Ｌ１を出射させる。光Ｌ１は、人体Ｍの内部に伝播して散乱したり吸収を受けたりする。センサー部２３０は、人体Ｍの内部で散乱された光Ｌ１の一部を光Ｌ２として受光部２３１で受光することができる構成となっている。受光部２３１は、例えば、フォトダイオードを含んで構成されている。
【００９９】
制御部２２４は、受光部２３１により受光した光Ｌ２の情報を記憶部２２５に記憶させることができる。そして、制御部２２４は、当該光Ｌ２の情報を出力部２２６で処理させる。出力部２２６は、当該光Ｌ２の情報を、血液中の特定成分の含有情報に変換して出力したり、脈拍に変換して出力したりする。制御部２２４は、血液中の特性成分の情報や脈拍の情報を表示部２２２に表示させることができる。生体情報取得装置２００は、例えば、これらの情報を通信部２２７から他の情報処理装置に送信することができる。
【０１００】
制御部２２４は、通信部２２７を介して他の情報処理装置からプログラムなどの情報を受け取って記憶部２２５に記憶させることができる。通信部２２７は、有線によって他の情報処理装置と接続される有線通信手段でもよいし、ブルートゥース（Ｂｌｕｅ  ｔｏｏｔｈ（登録商標））などの無線通信手段であってもよい。なお、制御部２２４は、取得した血管や血液に纏わる情報を表示部２２２に表示させるだけでなく、記憶部２２５に予め記憶させたプログラムなどの情報や、現在時刻などの情報を表示部２２２に表示させてもよい。記憶部２２５は、脱着可能なメモリーであってもよい。
【０１０１】
表示部２２２の機能は、例えば、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やＥＬディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）などにより実現できる。制御部２２４および出力部２２６の機能は、例えば、各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ等）などのハードウェアや、プログラムにより実現できる。記憶部２２５の機能は、ハードディスク、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などにより実現できる。
【０１０２】
生体情報取得装置２００がＳｐＯ２測定機器の場合、センサー部２３０は、図１４に示すように、面発光レーザー１００以外に、面発光レーザー２３２を有している。面発光レーザー１００は、赤色光Ｌ１を出射し、面発光レーザー２３２は、赤外光Ｌ３を出射する。受光部２３１は、人体Ｍの内部で散乱された光Ｌ１の一部を光Ｌ２として受光し、人体Ｍの内部で散乱された光Ｌ３の一部を光Ｌ４として受光する。出力部２２６は、光Ｌ２と光Ｌ４との強度比を、ＳｐＯ２に変換して出力する。制御部２２４は、ＳｐＯ２の情報を表示部２２２に表示させることができる。
【０１０３】
ここで、赤色光に対して、血液中の酸化ヘモグロビンは、血液中の還元ヘモグロビンに比べて、赤色光に対する吸収量が大きい。一方、還元ヘモグロビンは、酸化ヘモグロビンに比べて、赤色光に対する吸収量が小さい。したがって、生体情報取得装置２００は、光Ｌ２と光Ｌ４との、脈動によって生じる吸収量変化の比率から、ＳｐＯ２値を算出することができる。
【０１０４】
なお、図示の例では、生体情報取得装置２００を人体Ｍの手首に装着される腕時計型として説明したが、本発明に係る生体情報取得装置は、上腕に装着される上腕型、耳たぶに装着される耳たぶ型、指先に装着される指先型であってもよい。
【０１０５】
また、本発明に係る電子機器は、生体情報取得装置に限らず、例えば光通信機などの電子機器であってもよい。
【０１０６】
５．  プリンター
次に、本実施形態に係るプリンターについて、図面を参照しながら説明する。図１５は、本実施形態に係るプリンター（画像形成装置）３００を模式的に示す図である。図１６は、本実施形態に係るプリンター３００に備えられた露光ユニット３１３を模式的に示す図である。
【０１０７】
本発明に係るプリンターは、本発明に係る面発光レーザーを含む。以下では、本発明に係る面発光レーザーとして上述した面発光レーザー１００を含むプリンター３００について説明する。
【０１０８】
プリンター３００は、露光・現像・転写・定着を含む一連の画像形成プロセスによって、トナーからなる画像を紙やＯＨＰシートなどの記録媒体に記録するものである。プリンター３００は、図１５に示すように、図示矢印方向に回転する感光体３１１を有し、その回転方向に沿って順次、帯電ユニット３１２、露光ユニット３１３、現像ユニット３１４、転写ユニット３１５、クリーニングユニット３１６が配設されている。また、プリンター３００は、図１５に示すように、下部に、紙などの記録媒体Ｐを収容する給紙トレイ３１７が設けられ、上部に、定着装置３１８が設けられている。
【０１０９】
プリンター３００では、まず、図示しないホストコンピュータからの指令により、感光体３１１、現像ユニット３１４に設けられた現像ローラー（図示せず）、および中間転写ベルト３５１が回転を開始する。そして、感光体３１１は、回転しながら、帯電ユニット３１２により順次帯電される。
【０１１０】
感光体３１１の帯電された領域は、感光体３１１の回転に伴って露光位置に至り、露光ユニット３１３によって、第１色目、例えばイエローＹの画像情報に応じた潜像が前記領域に形成される。
【０１１１】
感光体３１１上に形成された潜像は、感光体３１１の回転に伴って現像位置に至り、イエロー現像のための現像装置３４４によってイエロートナーで現像される。これにより、感光体３１１上にイエロートナー像が形成される。このとき、現像ユニット３１４は、現像装置３４４が選択的に前記現像位置にて感光体３１１と対向している。なお、この選択は、保持体３４５の軸３４６まわりの回転により、現像装置３４１，３４２，３４３，３４４の相対位置関係を維持しつつそれぞれの位置を変えることで行う。
【０１１２】
感光体３１１上に形成されたイエロートナー像は、感光体３１１の回転に伴って一次転写位置（すなわち、感光体３１１と一次転写ローラー３５２との対向部）に至り、一次転写ローラー３５２によって、中間転写ベルト３５１に転写（一次転写）される。このとき、一次転写ローラー３５２には、トナーの帯電極性とは逆の極性の一次転写電圧（一次転写バイアス）が印加される。なお、この間、二次転写ローラー３５５は、中間転写ベルト３５１から離間している。
【０１１３】
前述の処理と同様の処理が、第２色目、第３色目および第４色目について繰り返して実行されることにより、各画像信号に対応した各色のトナー像が、中間転写ベルト３５１に重なり合って転写される。これにより、中間転写ベルト３５１上には、フルカラートナー像が形成される。
【０１１４】
一方、記録媒体Ｐは、給紙トレイ３１７から、給紙ローラー３７１、レジローラー３７２によって二次転写位置（すなわち、二次転写ローラー３５５と駆動ローラー３５４との対向部）へ搬送される。
【０１１５】
中間転写ベルト３５１上に形成されたフルカラートナー像は、中間転写ベルト３５１の回転に伴って二次転写位置に至り、二次転写ローラー３５５によって記録媒体Ｐに転写（二次転写）される。このとき、二次転写ローラー３５５は、中間転写ベルト３５１に押圧されるとともに二次転写電圧（二次転写バイアス）が印加される。また、中間転写ベルト３５１は、駆動ローラー３５４を回転させることで一次転写ローラー３５２および従動ローラー３５３を従動回転させながら回転する。
【０１１６】
記録媒体Ｐに転写されたフルカラートナー像は、定着装置３１８によって加熱および加圧されて記録媒体Ｐに融着される。その後、片面プリントの場合には、記録媒体Ｐは、排紙ローラー対３７３によってプリンター３００の外部へ排出される。
【０１１７】
一方、感光体３１１は一次転写位置を経過した後に、クリーニングユニット３１６のクリーニングブレード３６１によって、その表面に付着しているトナーが掻き落とされ、次の潜像を形成するための帯電に備える。掻き落とされたトナーは、クリーニングユニット３１６内の残存トナー回収部に回収される。
【０１１８】
両面プリントの場合には、定着装置３１８によって一方の面に定着処理された記録媒体Ｐを一旦排紙ローラー対３７３により挟持した後に、排紙ローラー対３７３を反転駆動するとともに、搬送ローラー対３７４，３７６を駆動して、当該記録媒体Ｐを、搬送路３７５を通じて表裏反転して二次転写位置へ帰還させ、前述と同様の動作により、記録媒体Ｐの他方の面に画像を形成する。
【０１１９】
このようなプリンター３００に備えられた露光ユニット３１３は、図示しないパーソナルコンピュータなどのホストコンピュータから画像情報を受けこれに応じて、一様に帯電された感光体３１１上に、レーザーを選択的に照射することによって、静電的な潜像を形成する装置である。
【０１２０】
より具体的に説明すると、露光ユニット３１３は、図１６に示すように、光スキャナである光学デバイス３０１と、面発光レーザー１００と、コリメーターレンズ３３２と、ｆθレンズ３３３と、を有している。
【０１２１】
露光ユニット３１３では、面発光レーザー１００からコリメーターレンズ３３２を介して光学デバイス３０１（光反射部３２１）にレーザー光Ｌが照射される。そして、光反射部３２１で反射したレーザー光Ｌがｆθレンズ３３３を介して感光体３１１上に照射される。
【０１２２】
その際、光学デバイス３０１の駆動（可動板３２２の回動中心軸Ｘまわりの回動）により、光反射部３２１で反射した光（レーザー光Ｌ）は、感光体３１１の軸線方向に走査（主走査）される。一方、感光体３１１の回転により、光反射部３２１で反射した光（レーザー光Ｌ）は、感光体３１１の周方向に走査（副走査）される。また、面発光レーザー１００から出力されるレーザー光Ｌの強度は、図示しないホストコンピュータから受けた画像情報に応じて変化する。
【０１２３】
このようにして露光ユニット３１３は、感光体３１１上を選択的に露光して画像形成（描画）を行う。面発光レーザー１００によれば、例えば高出力までシングルモードで維持できるため、レーザー光Ｌの強度が変わっても、同一のパターン（ＦＦＰ）で感光体３１
１を照射することができる。すなわち、レーザー光Ｌの強度に依存した、画像の諧調表現を容易に実現することができる。
【０１２４】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２５】
１０…基体、２０…第１ミラー層、３０…活性層、４０…第２ミラー層、４１…高屈折率層、４２…低屈折率層、４３…積層構造体、４４…組成変調層、４５…半導体層、４６…光出射層、４７…コンタクト層、４８…高反射率領域、４９…低反射率領域、５０…電流狭窄層、５２…開口部、６０…絶縁層、７０…第１電極、７２…第２電極、８０…レジスト層、１００…面発光レーザー、１０２…積層体、１０４…光出射部、１０６…柱状部、２００…生体情報取得装置、２１０…ベルト、２２０…本体ケース、２２２…表示部、２２３…操作ボタン、２２４…制御部、２２５…記憶部、２２６…出力部、２２７…通信部、２３０…センサー部、２３１…受光部、２３２…面発光レーザー、３００…プリンター、３０１…光学デバイス、３１１…感光体、３１２…帯電ユニット、３１３…露光ユニット、３１４…現像ユニット、３１５…転写ユニット、３１６…クリーニングユニット、３１７…給紙トレイ、３１８…定着装置、３２１…光反射部、３２２…可動板、３３２…コリメーターレンズ、３３３…ｆθレンズ、３４１，３４２，３４３，３４４…現像装置、３４５…保持体、３４６…軸、３５１…中間転写ベルト、３５２…一次転写ローラー、３５３…従動ローラー、３５４…駆動ローラー、３５５…二次転写ローラー、３６１…クリーニングブレード、３７１…給紙ローラー、３７２…レジローラー、３７３…排紙ローラー対、３７４…搬送ローラー対、３７５…搬送路、３７６…搬送ローラー対
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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