(57)【要約】【課題】  複数個の光アイソレータを近接させた場合でも、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止することができる光アイソレータモジュールを提供する。【解決手段】  ファラデー回転子を含んで構成され、磁場が印加されたときに光アイソレータ機能を有する光学素子を複数個と、  前記複数個の光学素子に含まれるファラデー回転子に対して磁場を印加する磁石と、を含んで構成され、  前記複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、互いに異なる方向について光アイソレータ機能を有し、前記磁石が印加する磁場方向が同一方向であることを特徴とする光アイソレータモジュール。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファラデー回転子を含んで構成され、磁場が印加されたときに光アイソレータ機能を有する光学素子を複数個と、
前記複数個の光学素子に含まれるファラデー回転子に対して磁場を印加する磁石と、
を含んで構成され、
前記複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、互いに異なる方向について光アイソレータ機能を有し、前記磁石が印加する磁場方向が同一方向であることを特徴とする光アイソレータモジュール。
【請求項２】
前記光学素子は、更に偏光子を含んで構成されるものであることを特徴とする請求項１に記載の光アイソレータモジュール。
【請求項３】
前記複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、相反する方向について光アイソレータ機能を有するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光アイソレータモジュール。
【請求項４】
前記光学素子の個数が二個であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の光アイソレータモジュール。
【請求項５】
前記磁石は、単一の磁石であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の光アイソレータモジュール。
【請求項６】
前記光学素子は、平板状基台の平面上に固定され、順方向における出射光の偏光方向が、前記基台の設置平面に対して平行であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の光アイソレータモジュール。
【請求項７】
前記複数個の光学素子の入射面は、それぞれ光の透過方向に垂直な面に対して傾斜しており、複数個の光学素子の各々の傾斜方向は、同一方向であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の光アイソレータモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光アイソレータモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信や光計測において、光源となる半導体レーザから出た光が、伝送路途中に設けられた部材表面、ファイバ端、又はレンズ端からの反射によって半導体レーザに戻ってくると、レーザ発振が不安定になってしまう。このような反射戻り光を遮断するために、偏光面を非相反で回転させるファラデー回転子を用いた光アイソレータが使用される（特許文献１）。
【０００３】
偏光依存光アイソレータの基本構成の一例を図１３に示す。偏光依存光アイソレータは、通常、２枚の偏光子（第１の偏光子１、第２の偏光子２）の間にファラデー回転子３を配置し、磁石によって、ファラデー回転子３に進行方向と平行な磁場を印加する構成となっている。
【０００４】
図１３の（ａ）のように順方向から光を入射すると、入射光は第１の偏光子１によって直線偏光にされ、ファラデー回転子３を透過する。入射直線偏光は、このファラデー回転子３によって４５°回転され、透過方向が鉛直から４５°傾斜するように設けられた第２の偏光子２を通して射出される。
【０００５】
一方、図１３の（ｂ）のように逆方向から光を入射すると、戻り光の様々な偏光成分のうち、鉛直から４５°傾斜した成分のみが第２の偏光子２を透過する。この偏光成分は、ファラデー回転子３によって更に４５°の旋光を受けて、第１の偏光子１の透過方向とは垂直に向いた偏光となるため、光源側には光が戻らない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１５０２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、半導体レーザモジュールの小型化が図られる一方で、モジュール内部では多様な偏光処理が求められている。なかには、今まで想定されていなかったような、近接する光アイソレータによって相反する方向の透過光を処理する要求もある。
【０００８】
しかしながら、複数個の光アイソレータを近接させた場合、各光アイソレータに含まれる磁石による磁場干渉が問題となる。このことは、挿入損失の増大やアイソレーションの劣化など、光アイソレータ本来の性能を発揮できなくなる要因となる。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、複数個の光アイソレータを近接させた場合でも、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止することができる光アイソレータモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題を解決するために、本発明では、ファラデー回転子を含んで構成され、磁場が印加されたときに光アイソレータ機能を有する光学素子を複数個と、
前記複数個の光学素子に含まれるファラデー回転子に対して磁場を印加する磁石と、
を含んで構成され、
前記複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、互いに異なる方向について光アイソレータ機能を有し、前記磁石が印加する磁場方向が同一方向である光アイソレータモジュールを提供する。
【００１１】
このような光アイソレータモジュールであれば、複数個の光アイソレータを近接させた場合でも、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止することができる光アイソレータモジュールとなる。
【００１２】
この場合、前記光学素子は、更に偏光子を含んで構成されるものであることが好ましい。
【００１３】
このような偏光子を含んで構成された光学素子であれば、本発明の光アイソレータモジュールにおいて好適に用いることができる。
【００１４】
また、前記複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、相反する方向について光アイソレータ機能を有するものであることが好ましい。
【００１５】
このような光学素子を含んで構成されていても、本発明の光アイソレータモジュールであれば、いずれの光学素子も高い性能を発揮することができる。
【００１６】
また、前記光学素子の個数を二個とすることができる。
【００１７】
本発明の光アイソレータモジュールの構成は、光学素子の個数が二個であるときに好適に用いることができる。
【００１８】
また、前記磁石は、単一の磁石であることが好ましい。
【００１９】
このような単一の磁石を用いれば、本発明の光アイソレータモジュールは組み立てが容易なものとなる。
【００２０】
また、前記光学素子は、平板状基台の平面上に固定され、順方向における出射光の偏光方向が、前記基台の設置平面に対して平行であることが好ましい。
【００２１】
このような光学素子を含んで構成される光アイソレータモジュールであれば、入射偏光方向依存性がある導波路型変調器等と併せて使用する際に、組み込みが容易なものとなる。
【００２２】
また、前記複数個の光学素子の入射面は、それぞれ光の透過方向に垂直な面に対して傾斜しており、複数個の光学素子の各々の傾斜方向は、同一方向であることが好ましい。
【００２３】
このような構成を有する、光学素子を含んで構成される光アイソレータモジュールであれば、一方の光学素子の残存反射による他方の光学素子への影響を防止できるものとなる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のような光アイソレータモジュールであれば、半導体レーザモジュール等において、小型化・省スペース化に貢献でき、磁場干渉による性能劣化なく、近接する位置で異なる方向の透過光処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の光アイソレータモジュールの構成の一例を示す上面模式図である。
【図２】図１の光学素子（Ｉ）における透過偏光方向の一例を示す模式図である。
【図３】図１の光学素子（ＩＩ）における透過偏光方向の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の光アイソレータモジュールの構成の別の例を示す上面模式図である。
【図５】図４の光学素子（ＩＩＩ）における透過偏光方向の一例を示す模式図である。
【図６】図４の光学素子（ＩＶ）における透過偏光方向の一例を示す模式図である。
【図７】本発明の光アイソレータモジュールの構成の一例を示す正面模式図である。
【図８】本発明の光アイソレータモジュールの構成の別の例を示す正面模式図である。
【図９】比較例１の光アイソレータモジュールの上面模式図である。
【図１０】比較例１の光アイソレータモジュールの正面模式図である。
【図１１】比較例１の光アイソレータ（Ｖ）における透過偏光方向を示す模式図である。
【図１２】比較例１の光アイソレータ（ＶＩ）における透過偏光方向を示す模式図である。
【図１３】偏光依存光アイソレータの構成を説明する模式図であり、（ａ）は偏光依存光アイソレータに順方向から光を入射した時を示す模式図であり、（ｂ）は偏光依存光アイソレータに逆方向から光を入射した時を示す模式図である。
【図１４】偏光無依存光アイソレータの構成を説明する模式図であり、（ａ）は偏光無依存光アイソレータに順方向から光を入射した時を示す模式図であり、（ｂ）は偏光無依存光アイソレータに逆方向から光を入射した時を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、磁場を印加したときに光アイソレータ機能を有する複数個の光学素子に対して、同一方向の磁場を印加して、各光学素子による光アイソレータ機能の方向が互いに異なるようにすれば、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止できることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【００２７】
即ち、本発明は、ファラデー回転子を含んで構成され、磁場が印加されたときに光アイソレータ機能を有する光学素子を複数個と、複数個の光学素子に含まれるファラデー回転子に対して磁場を印加する磁石と、を含んで構成され、複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、互いに異なる方向について光アイソレータ機能を有し、磁石が印加する磁場方向が同一方向である光アイソレータモジュールである。
【００２８】
以下、本発明について図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２９】
図１は、本発明の光アイソレータモジュールの構成例を示す上面模式図である。また、本発明の光アイソレータモジュールの構成例を示す正面模式図を図７、図８に示した。
【００３０】
本発明の光アイソレータモジュールは、磁場が印加されたときに光アイソレータ機能を有する光学素子を複数個含んで構成される。光学素子の個数は、二個とすることができるし、それ以上であってもよい。
【００３１】
光学素子の具体的な構成は限定されないが、例えば、磁場を印加したときに偏光依存光アイソレータとして機能するように構成される。この場合、図１に示されるように、光学素子１０１、１０２はファラデー回転子３と２枚の偏光子（第１の偏光子１、第２の偏光子２）とを含んで構成され、通常、２枚の偏光子の間にファラデー回転子３を配置した構成となる。便宜上、図１中の光学素子１０１を光学素子（Ｉ）、光学素子１０２を光学素子（ＩＩ）と呼ぶ。
【００３２】
また、光アイソレータに続いて入射偏光方向依存性のある導波路型変調器を配置する場合に、出射光の偏光方向を調整するために出射側に１／２波長板４を配置するなど、光学素子に任意の要素を加えてもよい。
【００３３】
図１における光学素子（Ｉ）、（ＩＩ）の透過偏光方向の一例を示す模式図を、それぞれ図２、３に示した。図２、３の双方向矢印は、光学素子を順方向から見た時の透過偏光方向を模式的に示している。図１中の点ａ〜ｅは図２中の点ａ〜ｅに対応し、図１中の点ｆ〜ｊは図３中の点ｆ〜ｊに対応する。図２、３に示すように、本発明のいずれの光学素子も、順方向においては光を透過し、逆方向においては光を透過しないように構成されている。
【００３４】
光学素子は１．５段型や２段型の構成とすることもできる。１．５段型の光学素子を含んで構成される本発明の光アイソレータモジュールの構成例の上面模式図を図４に示し、図４における光学素子（ＩＩＩ）、（ＩＶ）（図４中の光学素子１０３を便宜上光学素子（ＩＩＩ）、光学素子１０４を光学素子（ＩＶ）と呼ぶ。）の透過偏光方向の一例を示す模式図を、それぞれ図５、６に示した。図５、６の双方向矢印は、光学素子を順方向から見た時の透過偏光方向を模式的に示している。図４中の点ｋ〜ｑは図５中の点ｋ〜ｑに対応し、図４中の点ｒ〜ｘは図６中の点ｒ〜ｘに対応する。１．５段型の構成は、光の透過経路上に、第１の偏光子１、第１のファラデー回転子６、第２の偏光子２、第２のファラデー回転子７、第３の偏光子５の順に配置した構成である。また、２段型の構成は、光の透過経路上に、第１の偏光子、第１のファラデー回転子、第２の偏光子、第３の偏光子、第２のファラデー回転子、第４の偏光子の順に配置した構成である。
【００３５】
１．５段型や２段型の光学素子を含んで構成される本発明の光アイソレータモジュールは、波長可変レーザ光源を用いる場合や高いアイソレーションが必要な場合に好ましく用いられる。
【００３６】
光学素子は、磁場を印加したときに偏光無依存光アイソレータとして機能するように構成されていてもよい。偏光無依存光アイソレータの基本構成の一例を図１４に示す。偏光無依存光アイソレータは、通常、２枚の複屈折結晶（第１の複屈折結晶１０、第２の複屈折結晶１１）の間にファラデー回転子３と１／２波長板４を配置した構成となっている。
【００３７】
図１４の（ａ）のように、順方向から光を入射すると、入射光は第１の複屈折結晶１０によって常光線と、常光線と垂直な偏光方向の異常光線に分離される。これらの光線はファラデー回転子３によって４５°回転され、更に１／２波長板４で同一方向に４５°回転して第２の複屈折結晶１１に入射する。このとき、常光線と異常光線の偏光方向が入れ替わることになるため、第２の複屈折結晶１１を通すと分離されていた光が合成されて出射する。
【００３８】
一方、図１４の（ｂ）のように逆方向から光を入射すると、戻り光は、第２の複屈折結晶１１で常光線と、常光線と垂直な偏光方向の異常光線に分離され、１／２波長板４で４５°回転されるが、ファラデー回転子３では１／２波長板４と逆方向に４５°回転して第１の複屈折結晶１０に入射する。このとき、常光線と異常光線の偏光方向は第２の複屈折結晶１１で分離された時と同じとなるため、両光線の分離はさらに進み、光は光源に戻らない。
【００３９】
なお、光学素子を、磁場を印加したときに偏光無依存光アイソレータとして機能するように構成する場合でも１．５段型や２段型の構成を採用することができる。
【００４０】
本発明の光学素子に用いるファラデー回転子の材料は、ファラデー効果を示す材料であれば特に限定されない。例えば、ビスマス置換希土類鉄ガーネット（（ＲＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２）、イットリウム鉄ガーネット（Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２）、テルビウムガリウムガーネット（Ｔｂ３Ｇａ５Ｏ１２）、ファラデー回転ガラス等が挙げられる。ファラデー回転子を短くすることができるため、ファラデー回転係数又はベルデ定数の大きな材料が好ましい。
【００４１】
また、本発明の光学素子に用いる偏光子の種類は特に限定されず、偏光ガラス、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、複屈折性結晶を用いたプリズム型偏光子、ワイヤーグリッド型偏光子等を用いることができる。中でも偏光ガラスは、光路長を短縮できるため好ましい。
【００４２】
光学素子の要素（ファラデー回転子、偏光子、１／２波長板、複屈折結晶等）は、接着剤等を介して固定されていてもよい。また、各要素の光の透過面には、隣接する材料に応じた反射防止膜を設けることが好ましい。
【００４３】
本発明の光アイソレータモジュールに含まれる複数個の光学素子の構成は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００４４】
本発明の光アイソレータモジュールは、複数個の光学素子のファラデー回転子に対して、磁場を印加する磁石８を含んで構成される（図７、８参照）。磁石８は、単一の磁石を用いても、複数の磁石を組み合わせて用いてもよいが、印加する磁場方向が同一方向である必要がある。なお、単一の磁石を用いることが好ましい。
【００４５】
磁石の種類は特に限定されず、ＳｍＣｏ磁石、Ｎｄ‐Ｆｅ‐Ｂ磁石、射出成型磁石（ボンド磁石）等を用いることができる。中でもＳｍＣｏ磁石は、キュリー温度が高く、錆びにくいため好ましい。また、磁石の形状も特に限定されないが、組み立ての容易さから平板形状の磁石を用いることが好ましい。
【００４６】
磁石８は、光学素子の上端や光学素子間など、任意の場所に配置できる。例えば図７に示されるように、磁石８を光学素子の上端に配置すれば組み立てが非常に容易である。また、図８に示されるように、光学素子間に磁石８を配置すれば迷光を遮断できる利点がある。
【００４７】
本発明の光アイソレータモジュールにおいて、複数個の光学素子のうち少なくとも二個の光学素子は、互いに異なる方向について光アイソレータ機能を有する。ここで、光アイソレータ機能の方向とは、入射光が透過可能な順方向のことを指す。
【００４８】
また、光学素子のうち少なくとも二個の光学素子について、光アイソレータ機能の方向は、相反する方向であることが好ましい。このとき、これらの光学素子の光軸が互いに平行であれば、同一方向の磁場に対して何れも高い性能を発揮することができるため、好ましい。
【００４９】
光学素子は、図１、図４、図７、図８のように、平板状基台９の平面上に固定されることが好ましい。このとき、図２、３、５、及び６のように、順方向における出射光の偏光方向が、基台９の設置平面に対して平行であることがより好ましい。このようにすれば、入射偏光方向依存性がある導波路型変調器等と併せて使用する際に、組み込みが容易となる。
【００５０】
なお、基台９に用いる材料は特に限定されないが、放熱性の観点から、アルミナ等の熱伝導率の高い材料を用いることが好ましい。
【００５１】
また、図１、図４のように、光学素子の入射面は、それぞれ光の透過方向に垂直な面に対して傾斜していることが好ましく、光学素子の入射面の各々の傾斜方向は同一方向であることがより好ましい。このとき、各光学素子の入射面の傾斜方向と傾斜角度は、一方の光学素子の残存反射による他方の光学素子への影響を防止できるように、適宜選択される。
【００５２】
このような本発明の光アイソレータモジュールであれば、複数個の光アイソレータを近接させた場合でも、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５４】
［実施例１］
実施例１では、ファラデー回転子として（ＴｂＥｕＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２結晶を、偏光子として偏光ガラス（コーニング社製ポーラコア）を用い、図１に示される光アイソレータモジュールを作製した。また、各光学素子（Ｉ）、（ＩＩ）における透過偏光方向がそれぞれ図２、３に示されるような透過偏光方向になるよう構成した。以下に実施例１の光アイソレータモジュールの詳細な作製手順を記す。
【００５５】
まず、１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．２ｍｍの偏光ガラス（第１の偏光子１）を準備して、一方の面には対空気の反射防止コーティングを、もう一方の面には対接着剤の反射防止コーティングを施した。次に、第１の偏光子１の対接着剤の反射防止コーティングを施した面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．５４ｍｍのファラデー回転子３を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００５６】
ファラデー回転子３の、第１の偏光子１を貼り合わせていない方の面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．２ｍｍの偏光ガラス（第２の偏光子２）を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００５７】
続いて、一方の面に対空気の反射防止コーティングを、もう一方の面に対接着剤の反射防止コーティングを施した水晶１／２波長板４を準備した。第２の偏光子２の、ファラデー回転子３を貼り合わせていない方の面に、１／２波長板４の対接着剤の反射防止コーティングを施した面を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００５８】
その後、１．０ｍｍ×１．０ｍｍのサイズに切断して光学素子を作製した。ここでは、第１の偏光子１と第２の偏光子２の透過偏光方向は、相対的に４５°異なるようにした。
【００５９】
作製した光学素子のうち、二個を平板状のアルミナ製基台９の平面上に配置した。このとき、二個の光学素子１０１、１０２について、光アイソレータ機能の方向は、相反する方向となるようにした。また、光学素子１０１、１０２の入射面は、光の透過方向に垂直な面に対して傾斜しており、各光学素子１０１、１０２の入射面のそれぞれの傾斜方向は同一方向とした。
【００６０】
二個の光学素子１０１、１０２の上端に、平板形状のＳｍＣｏ磁石（磁石８）を配置して、図７に示すような表面実装（ＳＭＴ）構成の光アイソレータモジュールを作製した。なお、ファラデー回転子３と磁場の強さは、温度２５℃で、波長１５５０ｎｍの光が透過した際のファラデー回転角度が４５°となるように設定した。
【００６１】
図２、３のように、何れの光アイソレータも順方向においては光を透過し、逆方向においては光を透過しないように構成した。また、順方向における射出光の偏光方向は、１／２波長板４によって基台９の設置平面に対して平行になるよう構成した。
【００６２】
作製した光アイソレータモジュールの挿入損失とアイソレーションを評価した。光学素子（Ｉ）１０１における順方向の挿入損失は０．１５ｄＢであった。また、アイソレーションを評価するために、１／２波長板４を透過した後に、第２の偏光子２の透過偏光方向と同一方向となるような偏光を、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失を測定したところ、４３ｄＢであった。
【００６３】
同様にして、光学素子（ＩＩ）１０２における順方向の挿入損失を評価したところ、０．１６ｄＢであった。また、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失は４３ｄＢであった。
【００６４】
［実施例２］
実施例２では、ファラデー回転子と偏光ガラスは実施例１で用いたものと同様のものを用い、図４に示される光アイソレータモジュールを作製した。また、各光学素子（ＩＩＩ）、（ＩＶ）における透過偏光方向がそれぞれ図５、６に示されるような透過偏光方向になるよう構成した。以下に実施例２の詳細な作製手順を記す。
【００６５】
まず、１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．２ｍｍの偏光ガラス（第１の偏光子１）を準備して、一方の面には対空気の反射防止コーティングを、もう一方の面には対接着剤の反射防止コーティングを施した。次に、第１の偏光子１の対接着剤の反射防止コーティングを施した面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．５４ｍｍの（ＴｂＥｕＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２結晶（第１のファラデー回転子６）を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００６６】
第１のファラデー回転子６の、第１の偏光子１を貼り合わせていない方の面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．２ｍｍの偏光ガラス（第２の偏光子２）を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００６７】
続いて、第２の偏光子２の、第１のファラデー回転子６を貼り合わせていない方の面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．５４ｍｍの（ＴｂＥｕＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２結晶（第２のファラデー回転子７）を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００６８】
更に、第２のファラデー回転子７の、第２の偏光子２を貼り合せていない方の面に、両面に対接着剤の反射防止コーティングを施した１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍ×０．２ｍｍの偏光ガラス（第３の偏光子５）を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００６９】
次に、一方の面に対空気の反射防止コーティングを、もう一方の面に対接着剤の反射防止コーティングを施した水晶１／２波長板４を準備した。第３の偏光子５の、第２のファラデー回転子７を貼り合せていない方の面に、１／２波長板４の対接着剤の反射防止コーティングを施した面を、接着剤を介して貼り合わせた。
【００７０】
その後、１．０ｍｍ×１．０ｍｍのサイズに切断して光学素子を作製した。ここでは、第１の偏光子１と第２の偏光子２、第２の偏光子２と第３偏光子５の透過偏光方向は、それぞれ相対的に４５°異なるようにした。
【００７１】
作製した光学素子のうち、二個を平板状のアルミナ製基台９の平面上に配置した。このとき、二個の光学素子１０３、１０４について、光アイソレータ機能の方向は、相反する方向となるようにした。また、光学素子１０３、１０４の入射面は、光の透過方向に垂直な面に対して傾斜しており、各光学素子１０３、１０４の入射面のそれぞれの傾斜方向は同一方向とした。
【００７２】
二個の光学素子１０３、１０４の上端に、平板形状のＳｍＣｏ磁石（磁石８）を配置して、図７に示すような表面実装（ＳＭＴ）構成の光アイソレータモジュールを作製した。なお、各ファラデー回転子６、７と磁場の強さは、温度２５℃で、波長１５５０ｎｍの光が透過した際のファラデー回転角度が４５°となるように設定した。
【００７３】
図５、図６のように、何れの光アイソレータも順方向においては光を透過し、逆方向においては光を透過しないように構成した。また、順方向における射出光の偏光方向は、１／２波長板４によって基台９の設置平面に対して平行になるよう構成した。
【００７４】
作製した光アイソレータモジュールの挿入損失とアイソレーションを評価した。光学素子（ＩＩＩ）１０３における順方向の挿入損失は０．２３ｄＢであった。また、アイソレーションを評価するために、１／２波長板４を透過した後に、第３の偏光子５の透過偏光方向と同一方向となるような偏光を、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失を測定したところ、５８ｄＢであった。
【００７５】
同様にして、光学素子（ＩＶ）１０４における順方向の挿入損失を評価したところ、０．２３ｄＢであった。また、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失は５８ｄＢであった。
【００７６】
［比較例１］
比較例１では、実施例１で作製した光学素子と同様のものを用いて、図９、１０に示した光アイソレータモジュールを作製した。一個の光学素子をアルミナ製基台９の平面上に配置し、更に光学素子の上端に、平板形状のＳｍＣｏ磁石（磁石８）を配置して、表面実装（ＳＭＴ）構成の光アイソレータを作製した。同様にして、光アイソレータを二個作製した。なお、ファラデー回転子３と磁場の強さは、温度２５℃で、波長１５５０ｎｍの光が透過した際のファラデー回転角度が４５°となるように設定した。
【００７７】
作製した二個の光アイソレータを図９、１０の模式図に示すように近接して設置した。また、図１１、１２に各光アイソレータ１０５、１０６における透過偏光方向を示す。便宜上、図９、図１０中の光アイソレータ１０５を光アイソレータ（Ｖ）と、光アイソレータ１０６を光アイソレータ（ＶＩ）と呼ぶ。図９中の点Ａ〜Ｅは図１１中の点Ａ〜Ｅに対応し、図９中の点Ｆ〜Ｊは図１２中の点Ｆ〜Ｊに対応する。何れの光アイソレータも順方向においては光を透過し、逆方向においては光を透過しないように構成した。また、順方向における射出光は、１／２波長板４によって偏光方向が基台９の設置平面に対して平行になるよう構成した。なお、光アイソレータ（Ｖ）１０５の磁石８による磁場方向と光アイソレータ（ＶＩ）１０６の磁石８による磁場方向は、互いに相反する方向になるよう構成した。
【００７８】
比較例１の光アイソレータの挿入損失とアイソレーションを評価した。光アイソレータ（Ｖ）１０５における順方向の挿入損失は０．３４ｄＢであった。また、アイソレーションを評価するために、１／２波長板４を透過した後に、第２の偏光子２の透過偏光方向と同一方向となるような偏光を、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失を測定したところ、２４ｄＢであった。
【００７９】
同様にして、光アイソレータ（ＶＩ）１０６における順方向の挿入損失を評価したところ、０．３６ｄＢであった。また、逆方向から入射したときの透過光の挿入損失は２２ｄＢであった。
【００８０】
以上の実施例１、２より、本発明の光アイソレータモジュールは、磁石８の磁場方向が同一であるため、挿入損失やアイソレーションの劣化が少なく、良好であることがわかった。それに対し、比較例１の二個の近接した光アイソレータでは、各光アイソレータの磁石８による磁場が干渉し合うため、本発明の光アイソレータモジュールと比べ、挿入損失が増大し、アイソレーションが劣化することがわかった。
【００８１】
以上のことから、本発明であれば、複数個の光アイソレータを近接させた場合でも、磁場干渉による挿入損失の増大やアイソレーションの劣化等の性能劣化を防止することができることが明らかになった。
【００８２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００８３】
１…第１の偏光子、  ２…第２の偏光子、  ３…ファラデー回転子、
４…１／２波長板、  ５…第３の偏光子、  ６…第１のファラデー回転子、
７…第２のファラデー回転子、  ８…磁石、  ９…平板状基台、
１０…第１の複屈折結晶、  １１…第２の複屈折結晶、
１０１…光学素子（Ｉ）、  １０２…光学素子（ＩＩ）、
１０３…光学素子（ＩＩＩ）、  １０４…光学素子（ＩＶ）、
１０５…光アイソレータ（Ｖ）、  １０６…光アイソレータ（ＶＩ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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