(57)【要約】【課題】小型化が可能な波長可変干渉フィルター、光学デバイス、電子機器、及び波長可変干渉フィルターの製造方法を提供する。【解決手段】波長可変干渉フィルターは、第一ミラーと、前記第一ミラーに対向する第二ミラーが設けられ、前記第一ミラーに対向する第一面及び前記第一面とは反対側の第二面を有する基板と、を備え、前記基板の前記第一面及び第二面の少なくともいずれか一方には、底部、及び前記底部の外周から前記基板の外周に向かって湾曲する湾曲部を有する第一凹部が設けられ、前記底部は、前記基板の厚み方向から見た平面視で、前記第一ミラー及び前記第二ミラーと重なるミラー領域、及び前記ミラー領域の外周に配置されるダイアフラム領域を含むことを特徴とする。【選択図】図２
2019015865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一ミラーと、
前記第一ミラーに対向する第二ミラーが設けられ、前記第一ミラーに対向する第一面及び前記第一面とは反対側の第二面を有する基板と、を備え、
前記基板の前記第一面及び第二面の少なくともいずれか一方には、底部、及び前記底部の外周から前記基板の外周に向かって湾曲する湾曲部を有する第一凹部が設けられ、
前記底部は、前記基板の厚み方向から見た平面視で、前記第一ミラー及び前記第二ミラーと重なるミラー領域、及び前記ミラー領域の外周に配置されるダイアフラム領域を含む
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記基板は、前記底部の前記ミラー領域において前記第一面から前記第一ミラーに向かって突出し、突出先端が前記第一ミラーに対向する平面となる突出部を有し、
前記第二ミラーは、前記突出部の前記第一ミラーに対向する平面に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記基板の前記第一面には、前記平面視で前記第一凹部と重なる領域内の前記ミラー領域以外の領域に、前記平面視における面積が前記第一凹部よりも小さい第二凹部が設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項４】
請求項３に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記基板の前記第一面に対向する対向基板と、
前記対向基板に設けられた第一電極と、
前記基板の前記第一面で、前記平面視で前記第一凹部と重なる領域内の前記ミラー領域以外の領域で、かつ、前記第一電極と重なる位置に設けられる第二電極と、
を備えることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記基板の前記第一凹部の前記ミラー領域以外の表面に、前記平面視における面積が前記第一凹部よりも小さい第三凹部が設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、
を備えることを特徴とする光学デバイス。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターの駆動を制御する制御部と、を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
第一ミラーと、前記第一ミラーに対向する第二ミラーが設けられ、前記第一ミラーに対向する第一面及び前記第一面とは反対側の第二面を有する基板と、を備える波長可変干渉フィルターの製造方法であって、
前記基板の前記第一面及び第二面の少なくともいずれか一方に、ウェットエッチングにより、底部、及び前記底部の外周から前記基板の外周に向かって湾曲する湾曲部を有する第一凹部を形成する凹部形成ステップと、
前記基板の厚み方向からみた平面視で、前記第一ミラーと重なる位置に前記第二ミラーを形成する第二ミラー形成ステップと、
を実施することを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、光学デバイス、電子機器、波長可変干渉フィルターの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、対向配置された一対のミラーを有し、ミラー間の寸法を変更可能な波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、第一反射膜（第一ミラー）が設けられる第一基板と、第二反射膜（第二ミラー）が設けられる第二基板とが接合され、第一反射膜と第二反射膜とがギャップを介して対向配置されている。また、第二基板は、第二反射膜が設けられる可動部と、可動部の外周を囲うように形成された保持部（ダイアフラム）とを備えている。そして、第一基板に設けられた第一電極と、第二基板に設けられて第一電極に対向する第二電極とにより静電アクチュエーターが構成され、この静電アクチュエーターに駆動電圧を印加すると静電引力により保持部が撓み、可動部が第一基板側に変位する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１７８３９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載のような波長可変干渉フィルターでは、ダイアフラムである保持部がウェットエッチング（等方性エッチング）を用いて形成される。このようなウェットエッチングでは、高いエッチングレートで第二基板を所望の深さまでエッチングすることができる。
【０００５】
しかしながら、ウェットエッチングは等方性エッチングとなるので、凹溝の底面に連続する側面が円弧状の湾曲面となる。上記特許文献１のような構成では、可動部を囲うようにウェットエッチングにより形成される保持部が設けられるので、保持部の底面（ダイアフラム部）と可動部との間の側面が第１の湾曲面となり、ダイアフラム部と基板外周部との間の側面が第２の湾曲面となる。また、波長可変干渉フィルターを厚み方向（一対の反射膜の対向方向）から見た平面視で、これらの湾曲面の幅寸法は、エッチング深さと略同じ幅寸法となる。ここで、特許文献１では、前記平面視における可動部の径方向に沿って、可動部、２つの第１の湾曲面、２つのダイアフラム部、第２の湾曲面、２つの基板外周部が設けられる。つまり、４つの湾曲面が設けられることになり、その幅寸法分だけ考慮して平面寸法を設定する必要があり、波長可変干渉フィルターの平面寸法が大きくなるとの課題がある。
【０００６】
本発明は、小型化が可能な波長可変干渉フィルター、光学デバイス、電子機器、及び波長可変干渉フィルターの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一適用例の波長可変干渉フィルターは、第一ミラーと、前記第一ミラーに対向する第二ミラーが設けられ、前記第一ミラーに対向する第一面及び前記第一面とは反対側の第二面を有する基板と、を備え、前記基板の前記第一面及び第二面の少なくともいずれか一方には、底部、及び前記底部の外周から前記基板の外周に向かって湾曲する湾曲部を有する第一凹部が設けられ、前記底部は、前記基板の厚み方向から見た平面視で、前記第一ミラー及び前記第二ミラーと重なるミラー領域、及び前記ミラー領域の外周に配置されるダイアフラム領域を含むことを特徴とする。
【０００８】
本適用例では、基板に形成される第一凹部の底部にミラー領域及びダイアフラム領域が設けられる。つまり、本適用例の波長可変干渉フィルターでは、１つの底部内にミラー領域とダイアフラム領域とが含まれる構成であり、従来のように、ミラー領域及びダイアフラム領域の間に、第二面から底部までの深さ寸法と略同じ幅寸法となる湾曲面が設けられる構成に比べて、波長可変干渉フィルターの平面寸法を小型化できる。
【０００９】
本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記基板は、前記底部の前記ミラー領域において前記第一面から前記第一ミラーに向かって突出し、突出先端が前記第一ミラーに対向する平面となる突出部を有し、前記第二ミラーは、前記突出部の前記第一ミラーに対向する平面に設けられていることが好ましい。
【００１０】
本適用例では、底部のミラー領域には、第一面から第一ミラー側に突出する突出部が設けられ、この突出部の突出先端に第二ミラーが設けられる。このような構成では、底部のうち、突出部が設けられるミラー領域の厚み寸法（基板厚み方向の寸法）は、突出部が設けられていないダイアフラム領域における厚み寸法より大きくなる。これにより、ミラー領域がダイアフラム領域よりも撓みにくくなり、ダイアフラム領域を変形させて第一ミラー及び第二ミラーの間の距離を変化させた際の第二ミラーの撓みを抑制できる。
【００１１】
本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記基板の前記第一面には、前記平面視で前記第一凹部と重なる領域内の前記ミラー領域以外の領域に、前記平面視における面積が前記第一凹部よりも小さい第二凹部が設けられていることが好ましい。
【００１２】
本適用例では、基板の第一ミラーに対向する第一面において、第一凹部のうちミラー領域以外の領域に、第一凹部よりも平面寸法が小さい第二凹部が設けられている。なお、第一凹部のうちミラー領域以外の領域とは、底部内のダイアフラム領域及び湾曲部の双方の領域であってもよく、ダイアフラム領域のみ、若しくは湾曲部の領域のみであってもよい。
このような構成では、第二凹部によって、ミラー領域以外の領域が、ミラー領域よりも撓みやすくなり、ミラー領域の撓みを抑制することができる。
【００１３】
本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記基板の前記第一面に対向する対向基板と、前記対向基板に設けられた第一電極と、前記基板の前記第一面で、前記平面視で前記第一凹部と重なる領域内の前記ミラー領域以外の領域で、かつ、前記第一電極と重なる位置に設けられる第二電極と、を備えることが好ましい。
【００１４】
本適用例では、基板の第二凹部が設けられる第一面に対向して対向基板が設けられ、対向基板に設けられる第一電極と、基板に設けられる第二電極とが対向する。このような構成では、第一電極及び第二電極により静電アクチュエーターが構成され、静電アクチュエーターに電圧を印加させることで、電圧に応じた静電引力で基板を撓ませることができる。つまり、第一ミラー及び第二ミラーの間（以降ミラーギャップと称する）の寸法を増減させる方向に第二ミラーを変位させることができる。
ここで、本適用例では、第二電極は、第一面の第二凹部が設けられる領域に形成されている。すなわち、第二電極は、第二凹部の凹面に沿って設けられる。したがって、平面上に第二電極を設ける場合に比べて、第二電極の表面積が増大し、保持可能な電荷も増大する。よって、静電アクチュエーターを所定量駆動させるための電力を小さくでき、省電力化を促進できる。
【００１５】
また、本適用例の波長可変干渉フィルターにおいて、前記基板の前記第一凹部の前記ミラー領域以外の表面に、前記平面視における面積が前記第一凹部よりも小さい第三凹部が設けられている構成としてもよい。
本適用例では、第一凹部の凹内周面、つまり、第一凹部の第一面とは反対側の面に、第一凹部よりも面積が小さい第三凹部が設けられる。このような構成では、第一面に第二凹部を設ける場合に比べて、ダイアフラム領域をより撓ませやすくできる。
【００１６】
本発明の一適用例に係る光学デバイスは、上述したような波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備えることを特徴とする。
本適用例では、上記適用例と同様、波長可変干渉フィルターの平面寸法を従来に比べて小型化できる。このため、当該波長可変干渉フィルターを収納する筐体も小型化することができ、光学デバイスの小型化を促進できる。
【００１７】
本発明の一適用例に係る電子機器は、上述したような波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターの駆動を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。
本適用例では、上記適用例と同様、波長可変干渉フィルターの平面寸法を従来に比べて小型化できる。このため、当該波長可変干渉フィルターを備える電子機器においても小型化できる。また、基板を軽量化できるので、波長可変干渉フィルターを駆動させる際の駆動電圧も小さくでき、電子機器における省電力化を図ることができる。さらに、波長可変干渉フィルターをキャリッジに搭載し、キャリッジをモーター等の駆動力によって駆動させる電子機器では、キャリッジの駆動に係る電力を低減できる。
【００１８】
本発明の一適用例に係る波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一ミラーと、前記第一ミラーに対向する第二ミラーが設けられ、前記第一ミラーに対向する第一面及び前記第一面とは反対側の第二面を有する基板と、を備える波長可変干渉フィルターの製造方法であって、前記基板の前記第一面及び第二面の少なくともいずれか一方に、ウェットエッチングにより、底部、及び前記底部の外周から前記基板の外周に向かって湾曲する湾曲部を有する第一凹部を形成する凹部形成ステップと、前記基板の厚み方向からみた平面視で、前記第一ミラーと重なる位置に前記第二ミラーを形成する第二ミラー形成ステップと、を実施することを特徴とする。
【００１９】
本適用例では、凹部形成ステップにおいて、基板の第二面側に底部及び湾曲部を有する第一凹部を形成し、第二ミラー形成ステップにおいて、その第一凹部の底部に第二ミラーを形成する。
この場合、第一凹部の底部内に、第一ミラー及び第二ミラーと重なるミラー領域と、第二ミラーを第一ミラー側に変位させるためのダイアフラム領域とが形成され、ミラー領域とダイアフラム領域との間には湾曲面が形成されない。よって、平面寸法が小さい波長可変干渉フィルターを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第一実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。
【図２】第一実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図３】第一実施形態におけるダイアフラム領域の拡大断面図。
【図４】第一実施形態の波長可変干渉フィルターと従来の波長可変干渉フィルターの平面寸法を比較する図。
【図５】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法を示すフローチャート。
【図６】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における第一基板を形成する各ステップを示す概略図。
【図７】第一実施形態の波長可変干渉フィルターの製造方法における第二基板を形成する各ステップを示す概略図。
【図８】第二実施形態における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図９】第一実施形態におけるダイアフラム領域において第二凹部に作用する力を模式的に示す図。
【図１０】第二実施形態におけるダイアフラム領域において第三凹部に作用する力を模式的に示す図。
【図１１】第三実施形態における光学デバイスの概略構成を示す断面図。
【図１２】第四実施形態における電子機器（プリンター）の概略構成を示す全体斜視図。
【図１３】第四実施形態における電子機器の概略構成を示すブロック図。
【図１４】第四実施形態における電子機器のキャリッジの概略構成を示す断面図。
【図１５】変形例１に係る波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図１６】変形例２に係る波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【図１７】変形例２に係る波長可変干渉フィルターの他の例を示す断面図。
【図１８】変形例３における波長可変干渉フィルターの概略構成を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
［第一実施形態］
以下、第一実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。
図１は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図である。図２は、図２をＡ−Ａ線で切断にした波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、図１及び図２に示すように、第一基板５１および第二基板５２を備えている。これらの第一基板５１及び第二基板５２は、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜等の接合膜５３により接合されて、一体的に構成されている。
第一基板５１には、第一ミラー５４が設けられ、第二基板５２には、第二ミラー５５が設けられ、これらの第一ミラー５４および第二ミラー５５は、ミラーギャップＧを介して対向配置されている。また、波長可変干渉フィルター５には、ミラーギャップＧの寸法を変更する静電アクチュエーター５６を備えている。
以下、各部の構成を詳細に説明する。
【００２２】
（第一基板の構成）
第一基板５１は、第一実施形態において本発明の対向基板に相当する。第一基板５１は、図２に示すように、第二基板５２に対向する面に、例えばエッチングにより形成された電極配置溝５１１及びミラー設置部５１２を備える。この第一基板５１は、例えば第二基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、静電アクチュエーター５６により静電引力を作用させた際の第一基板５１が抑制されている。
また、第一基板５１の一端側（例えば、図１における辺Ｃ５−Ｃ６）は、第二基板５２の一端側（辺Ｃ１−Ｃ２）よりも突出し、波長可変干渉フィルター５を例えばパッケージ筐体や基台等に固定する際の固定部として用いることができる。
【００２３】
電極配置溝５１１は、第一基板５１を基板厚み方向から見た平面視（以降、単に平面視と称する）において、所定のフィルター中心軸Ｏを中心とした略環状に形成されている。また、図示は省略するが、第一基板５１には、電極配置溝５１１から辺Ｃ３−Ｃ４に向かって、電極配置溝５１１と同一深さ寸法の引出溝が延設されている。
【００２４】
そして、電極配置溝５１１の溝底面には、静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１が配置されている。
第一電極５６１は、電極配置溝５１１の溝底面のうち、後述する第二電極５６２に対向する領域に設けられている。この第一電極５６１は、例えば電極配置溝に沿った略環状に形成される。
また、第一電極５６１には、引出溝に沿って辺Ｃ３−Ｃ４側に延設される第一引出電極５６３（図１参照）が接続されている。この第一引出電極５６３は、引出溝において、第二基板５２側に設けられた第一接続電極５６５に接続される。
なお、本実施形態では、１つの第一電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、フィルター中心軸Ｏを中心とした同心円となる２つ以上の電極が設けられる構成などとしてもよい。また、第一電極５６１の形状としては、例えば、一部に環内外を連通する切欠部が設けられる構成としてもよい。この場合、当該切欠部を通って、第一電極５６１から独立した他の電極（例えば第一ミラー５４と接続される電極等）を設けることもできる。
【００２５】
ミラー設置部５１２は、平面視において、電極配置溝５１１の内側（フィルター中心軸Ｏ側）に設けられ、図２に示すように、第二基板５２側に突出して形成されている。このミラー設置部５１２の突出先端面は平面であり、当該突出先端面に第一ミラー５４が設けられている。
第一ミラー５４は、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜、高屈折層（例えばＴｉＯ２）及び低屈折層（例えばＳｉＯ２）を積層した誘電体多層膜等を用いることができる。
【００２６】
また、第一基板５１の第二基板５２に対向する面のうち、電極配置溝５１１、ミラー設置部５１２及び引出溝が形成されない面には第一接合部５１３が設けられる。第一接合部５１３は、接合膜５３を介して第二基板５２に接合される。
【００２７】
なお、本実施形態では、電極配置溝５１１よりもミラー設置部５１２が第二基板５２側に位置する例を示すが、例えば、波長可変干渉フィルター５を透過させる光の波長域によっては、電極配置溝５１１がミラー設置部５１２より第二基板５２側に位置する構成としてもよい。つまり、平面視における電極配置溝５１１の内側（フィルター中心軸Ｏ側）に凹部を形成し、当該凹部の底面に第一ミラー５４を設けてもよい。
【００２８】
（第二基板の構成）
第二基板５２は、本発明の基板に相当する。第二基板５２は、第二基板５２の一端側（辺Ｃ３−Ｃ４側）は、第一基板５１の辺Ｃ７−Ｃ８よりも外側に突出し、電装部５６０を構成する。また、第二基板５２の第一基板５１に対向する面（第一面５２１）には、第二ミラー５５及び第二電極５６２が設けられている。
そして、第二基板５２の第一基板５１とは反対側の面（第二面５２２）には、第一基板５１側に凹状となる第一凹部５２３が設けられ、平面視において、第一凹部５２３の外側側には基板外周部５２４が設けられている。
【００２９】
第一凹部５２３は、第二基板５２の第二面５２２に対してウェットエッチングを実施することで形成され、平面視で略円形となる凹部である。この第一凹部５２３は、フィルター中心軸Ｏを中心とした所定径寸法の底部５２５と、底部５２５の外側に設けられて基板外周部５２４に連続する湾曲部５２６とを備える。
ここで、図１に示すような平面視において、底部５２５のうち、第一ミラー５４と重なる領域をミラー領域Ａｍと称し、ミラー領域Ａｍの外周縁から湾曲部５２６までの領域をダイアフラム領域Ａｄと称する。
【００３０】
本実施形態では、第一凹部５２３における第一基板５１とは反対側の表面のうち、底部５２５と重なる底面は、静電アクチュエーター５６に電圧を印加していない状態で、ミラー領域Ａｍからダイアフラム領域Ａｄに亘って平坦な平面となる。すなわち、本実施形態では、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとが平面視において隣接している。
また、第一凹部５２３における第一基板５１とは反対側の表面のうち、湾曲部５２６と重なる面は、底面５２５Ａの外周縁から基板外周部５２４における第一基板５１とは反対側の面（第二面５２２）までを連続する円弧状の曲面となる。
【００３１】
第二基板５２の第一面５２１には、平面視でミラー領域Ａｍと重なる位置で、第一面５２１よりも第一基板５１側に突出する突出部５２７を有する。この突出部５２７は、例えば第二基板５２を形成するための母材の、第一基板５１に対向させる一面のうち、当該突出部５２７以外の領域にドライエッチングを実施することで形成される。突出部５２７の突出先端面は、第一基板５１のミラー設置部５１２の突出先端面と平行であり、当該突出部５２７の突出先端面に第二ミラー５５が設けられる。
【００３２】
この突出部５２７の第一面５２１からの突出寸法は、底部５２５におけるダイアフラム領域Ａｄの厚み寸法の２〜３倍である。底部５２５において、ミラー領域Ａｍの厚み寸法は、ダイアフラム領域Ａｄの厚み寸法の３〜４倍程度となる。この場合、ダイアフラム領域Ａｄが第一基板５１側に撓んだ際の応力によって、ミラー領域Ａｍが撓む不都合を抑制でき、第二ミラー５５の撓みを抑制できる。
また、突出部５２７の突出寸法は、第一凹部５２３の深さ寸法（第二面５２２から底面５２５Ａまでの距離）よりも小さい。例えば、基板厚み寸法が５００μｍの第二基板５２に対して、例えば３５０μｍの深さ寸法で第一凹部５２３が形成されるのに対し、突出部５２７を形成する際のドライエッチングの深さ寸法は例えば１００μｍとなる。この場合、５０μｍの厚み寸法のダイアフラム領域Ａｄに対して、突出部５２７の突出寸法が１００μｍ、ミラー領域Ａｍの厚み寸法が１５０μｍとなる。
【００３３】
本実施形態では、第二基板５２の母材に上記ドライエッチングを実施した際に、エッチングされた部分により第一面５２１が構成される。そして、当該第一面５２１のうち、後述する第二凹部５２８が設けられる部分以外の面は、静電アクチュエーター５６に電圧を印加していない状態で平坦な平面となる。
第一面５２１は、基板外周部５２４から、湾曲部５２６、ダイアフラム領域Ａｄに亘って設けられる。第一面５２１のうち、基板外周部５２４を重なる領域で、かつ、第一基板５１の第一接合部５１３に対向する部分は、第二接合部５２４Ａを構成し、接合膜５３を介して第一基板５１の第一接合部５１３に接合される。
【００３４】
ところで、上記の例では、第二基板５２の母材の第一基板５１に対向させる面にドライエッチングを実施することで突出部５２７を形成した。この場合、異方性エッチングとなるので、突出部５２７の側面と第一面５２１との境界は、略直角に交差する角部となる。したがって、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとを略隣接させて配置することができる。しかしながら、ダイアフラム領域Ａｄを第一基板５１側に撓ませた際に、当該角部に応力が集中することで、クラックが発生する可能性がある。
したがって、突出部５２７を、第二基板５２の母材の第一基板５１に対向させる面にウェットエッチングを実施することで形成してもよい。この場合、突出部５２７の突出先端面から第一面５２１に亘って円弧状の湾曲面が形成され、上記のようなクラックの発生を抑制できる。
【００３５】
第二ミラー５５は、上述したように、突出部５２７の突出先端面に設けられる。突出先端面は、第一ミラー５４が設けられるミラー設置部５１２の突出先端面と平行な平面であるため、第一ミラー５４及び第二ミラー５５も平行となる。
この第二ミラー５５としては、上述した第一ミラー５４と同一の構成の反射膜を用いることができる。
【００３６】
図３は、第一凹部５２３のダイアフラム領域Ａｄの一部を拡大した断面図である。
本実施形態では、第二基板５２の第一面５２１には、図３に示すように、複数の第二凹部５２８（マイクロダイアフラム）が、例えばマトリクス状に設けられている。具体的には、第二凹部５２８は、第一面５２１のうち、第一凹部５２３と重なる領域内で、かつ、ミラー領域Ａｍ以外の領域に設けられている。
なお、本実施形態では、第二凹部５２８がダイアフラム領域Ａｄと湾曲部５２６とに重なる領域内に設けられる例を示すが、ダイアフラム領域Ａｄと重なる領域内のみに設けられる構成としてもよく、湾曲部５２６と重なる領域のみに設けられる構成としてもよい。
【００３７】
この第二凹部５２８は、略半球状の凹部であり、平面視における径寸法は、第一凹部５２３の径寸法に対して十分に小さい。また、第二凹部５２８の深さ寸法（半径寸法）は、図３に示すように、第一凹部５２３の底部５２５の厚み寸法（第二ミラー５５の法線方向に沿う寸法）よりも小さい。
このような第二凹部５２８を設けることで、当該第二凹部５２８での厚み寸法が小さくなるので、ダイアフラム領域Ａｄが第一基板５１側に撓みやすくなる。
【００３８】
そして、第二基板５２の第一面５２１には、ミラー領域Ａｍ以外の領域で、かつ、少なくともダイアフラム領域Ａｄと重なる位置に、第一電極５６１に対向する略環状の第二電極５６２が設けられている。
本実施形態では、第二電極５６２は、底部５２５のダイアフラム領域Ａｄから湾曲部５２６に亘って設けられている。また、第二凹部５２８と重なる部分では、第二電極５６２は第二凹部５２８の凹内周面に沿って形成されている。すなわち、第二電極５６２の第二凹部５２８と重なる部分は、第二凹部５２８の凹曲面と略同一形状の凹状（略半球状）となる。
【００３９】
なお、ここでは、ダイアフラム領域Ａｄと重なる領域から湾曲部５２６と重なる領域に亘って第二電極５６２が設けられる例を示すが、例えば、ダイアフラム領域Ａｄと重なる領域のみに第二電極５６２が設けられる構成としてもよい。
また、第二電極５６２としては、第一電極５６１と同様、例えば、フィルター中心軸Ｏを中心とした同心円となる２つ以上の電極が設けられる構成などとしてもよく、一部に環内外を連通する切欠部が設けられる構成としてもよい。
【００４０】
そして、第二基板５２には、第二電極５６２の外周縁から第一基板５１の引出溝に対向する領域を通り、電装部５６０まで延設される第二引出電極５６４（図１参照）を備えている。
さらに、第二基板５２には、第一基板５１の引出溝に対向する領域から電装部５６０に亘って設けられる第一接続電極５６５を備えている。この第一接続電極５６５は、第一基板５１の引出溝に設けられる第一引出電極５６３と、例えばバンプ電極を介して接続される。
【００４１】
以上のような波長可変干渉フィルター５では、第二引出電極５６４と第一接続電極５６５とを、波長可変干渉フィルター５を制御する制御回路（ドライバー回路）に接続し、当該制御回路により、静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１及び第二電極５６２の間に印加する電圧を制御する。これにより、第一電極５６１及び第二電極５６２の間で静電引力が作用し、第一凹部５２３のダイアフラム領域Ａｄが第一基板５１側に変位して、ミラーギャップＧの寸法を変更することが可能となる。
この際、第二電極５６２が、第一面５２１及び第二凹部５２８の凹内周面に沿って形成される。このような構成では、第一面５２１に沿って平坦な第二電極が形成される場合に比べて、第二電極５６２の表面積を増大でき、静電アクチュエーター５６に所定電圧を印加した際の第二電極５６２に保持される電荷量も増大する。よって、静電アクチュエーター５６に所定電圧を印加した際に発生する静電引力も増大する。
【００４２】
［波長可変干渉フィルターの平面寸法］
次に、上記のような本実施形態の波長可変干渉フィルター５の基板厚み方向に直交する方向の寸法（平面寸法）について説明する。
図４は、従来の波長可変干渉フィルター５ｆと、本実施形態の波長可変干渉フィルター５との寸法を比較した図である。なお、図４では、説明の簡略化のため、第二基板５２の一部のみを表示する。
図４において、上段は、従来の波長可変干渉フィルター５ｆの第二基板５２ｆを示している。従来の波長可変干渉フィルター５ｆでは、第二基板５２ｆは、フィルター中心軸Ｏを中心とした可動部５２０ｆを備え、可動部５２０ｆの周囲に環状の凹部５２３ｆが形成される。可動部５２０ｆにミラー領域Ａｍが設けられ、凹部５２３ｆの底部５２５ｆがダイアフラム領域Ａｄを構成する。このような構成では、凹部５２３ｆの底部５２５ｆと可動部５２０ｆとの間、及び、底部５２５ｆと基板外周部５２４ｆとの間のそれぞれに円弧面を有する湾曲部５２６ｆが設けられる。
このため、波長可変干渉フィルター５ｆの基板厚み方向に直交する方向の寸法Ｌ１（平面寸法）は、最小でも、ミラー領域Ａｍの寸法Ｌｍと、２つのダイアフラム領域Ａｄの寸法Ｌｄと、２つの基板外周部５２４ｆの寸法Ｌｏと、４つの湾曲部５２６ｆの寸法ＬＲとを合計した分（つまり、Ｌ１＝Ｌｍ＋２Ｌｄ＋２Ｌｏ＋４ＬＲ）だけ必要となる。
【００４３】
図４の中段に示す図は、本実施形態の波長可変干渉フィルター５の第二基板５２を示している。図４に示すように、波長可変干渉フィルター５は、従来の波長可変干渉フィルター５ｆと同じ寸法のミラー領域Ａｍ、ダイアフラム領域Ａｄ、基板外周部５２４を有するが、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとの間に湾曲部５２６が設けられない。したがって、本実施形態では、波長可変干渉フィルター５の基板厚み方向に直交する方向の寸法Ｌ２は、Ｌ２＝Ｌｍ＋２Ｌｄ＋２Ｌｏ＋２ＬＲとなり、２つの湾曲部５２６に相当する寸法（２ＬＲ）だけ、従来の波長可変干渉フィルター５ｆよりも小さくなる。
【００４４】
図４の下段は、突出部５２７をウェットエッチングにより形成した場合の、波長可変干渉フィルター５Ａである。突出部５２７をウェットエッチングにより形成する場合、突出部５２７と第一面５２１との間に湾曲面が形成され、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとの間にも湾曲部５２６Ａが形成される。
しかしながら、上述したように、突出部５２７の突出寸法（ウェットエッチング時のエッチング深さ）は、第一凹部５２３の深さ寸法に比べて小さい。よって、図４の下段に示すように、湾曲部５２６Ａの幅寸法ＬＲ２は、従来のミラー領域Ａｍｆ及びダイアフラム領域Ａｄｆの間の湾曲部５２６ｆの幅寸法ＬＲに比べて十分に小さくなる。このため、この場合でも、従来の波長可変干渉フィルター５ｆに比べて、波長可変干渉フィルター５Ａの平面寸法が小さくなる。
【００４５】
［波長可変干渉フィルター５の製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５の製造方法について説明する。
図５は、本実施形態における波長可変干渉フィルター５の製造方法におけるフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、図５に示すように、第一基板形成ステップＳ１、第一電極形成ステップＳ２、第一ミラー形成ステップＳ３、第二基板形成ステップＳ４、第二電極形成ステップＳ５、第二ミラー形成ステップＳ６、及び接合ステップＳ７により形成される。なお、第一基板形成ステップＳ１〜第一ミラー形成ステップＳ３の後に、第二基板形成ステップＳ４〜第二ミラー形成ステップＳ６を実施する例を示すが、例えば、第二基板形成ステップＳ４〜第二ミラー形成ステップＳ６の後に、第一基板形成ステップＳ１〜第一ミラー形成ステップＳ３を実施してもよい。
【００４６】
図６は、第一基板形成ステップＳ１から第一ミラー形成ステップＳ３の各ステップにおける第一基板５１（第一ガラス基板Ｍ１）の概略を示す図である。
なお、ここでは、第一基板５１及び第二基板５２として、ガラス基板を用いる例を説明する。
【００４７】
（第一基板形成ステップ）
第一基板形成ステップＳ１では、第一基板５１の母材となる第一ガラス基板Ｍ１の表面に対して、レジストＲ１を形成し、フォトリソグラフィー法によりレジストＲ１をパターニングして電極配置溝５１１及び引出溝の底面及びミラー設置部５１２の形成領域を開口させる。この後、図６の１番目に示すように、ウェットエッチングを実施して、ミラー設置部５１２の突出先端面の深さ寸法まで第一ガラス基板Ｍ１の一面を掘り下げる。ガラス基板に対するウェットエッチングでは、例えば、バッファードフッ酸（例えば、ＮＨ４ＨＦ２（２０．２重量％）、ＮＨ４Ｆ（２１．２重量％）の混合水溶液）をエッチング液とする。ガラス基板に対して、算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となる凹溝をエッチングにより形成する場合、例えばエッチング処理時の温度を３０度とし、例えば１０分程度のエッチング処理と、乾燥処理と、を交互に複数回実施する。
【００４８】
この後、ミラー設置部５１２を覆うレジストＲ２を形成する。例えば、レジストＲ１を除去した後、第一ガラス基板Ｍ１の表面にレジストＲ２を形成して、フォトリソグラフィー法を用いたパターニングにより電極配置溝５１１の底面部を開口させる。この後、例えばバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングを実施して、図６の２番目に示すように、電極配置溝５１１の底面の深さ寸法まで第一ガラス基板Ｍ１の一面を掘り下げる。この後、レジストＲ２を除去する。
【００４９】
（第一電極形成ステップ）
次に、第一電極形成ステップＳ２を実施して、図６の３番目に示すように、第一電極５６１及び第一引出電極５６３（図６では図示略）を形成する。また、第一電極形成ステップＳ２では、第一引出電極５６３と第一接続電極５６５とを接続するためのバンプ電極を形成する。
具体的には、引出溝の一部で、第一引出電極５６３と第一接続電極５６５とを接続させる位置に、引出溝の底面から第二基板５２側に向かって立ち上がるバンプ部（図示略）を形成する。このバンプ部としては、例えば、Ｔｉ薄膜等の形成素材を成膜した後、エッチングによりバンプ部以外の領域を除去してもよく、例えば、第一基板形成ステップＳ１の実施時にバンプ部を形成しておいてもよい。この後、第一電極５６１及び第一引出電極５６３を形成し、その際に、第一引出電極５６３をバンプ部の上面まで形成する。
【００５０】
第一電極５６１及び第一引出電極５６３の形成では、例えば、第一ガラス基板Ｍ１に電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて成膜する。この電極材料としては、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができ、その他、第一基板５１の素材（本実施形態ではガラス）と密着性が良好で、かつ導電性を有する各種膜材を用いることができる。
そして、第一ガラス基板Ｍ１に、例えば、第一電極５６１及び第一引出電極５６３の形成位置が開口したレジストパターンを形成して、ウェットエッチングを実施することで、第一電極５６１及び第一引出電極５６３を形成する。
【００５１】
（第一ミラー形成ステップ）
第一ミラー形成ステップＳ３では、図６の４番目に示すように第一ミラー５４を形成する。この第一ミラー形成ステップＳ３では、例えばスパッタリング法等により第一ミラー５４を第一ガラス基板Ｍ１上に形成し、第一ミラー５４の形成位置が開口したレジストパターンを形成して、ウェットエッチングを実施する。なお、第一ミラー５４上に、さらに、保護膜を形成してよい。
以上により第一基板５１が形成される。
【００５２】
（第二基板形成ステップ）
図７は、第二基板形成ステップＳ４から第二ミラー形成ステップＳ６の各ステップにおける第二基板５２（第二ガラス基板Ｍ２）の概略を示す図である。
第二基板形成ステップＳ４は、本発明の凹部形成ステップに相当する。なお、本実施形態では、第二ガラス基板Ｍ２の基板表面は、例えば算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満となるように予め表面処理されているものとする。この場合、第二ガラス基板Ｍ２の一部を第二面５２２、突出部５２７の突出先端面とすることができる。
第二基板形成ステップＳ４では、まず、第二基板５２の母材となる第二ガラス基板Ｍ２の表面に対して、レジストＲ３を形成し、フォトリソグラフィー法により、第二ガラス基板Ｍ２の一面（第二面５２２に相当する上面Ｍ２２）に、第一凹部５２３の底部５２５に相当する部分が開口するよう、レジストＲ３をパターニングする。
【００５３】
この後、ウェットエッチングを実施して、所定寸法の深さ寸法まで第二ガラス基板Ｍ２の上面Ｍ２２を掘り下げて、第一凹部５２３を形成する。このウェットエッチングでは、例えば、バッファードフッ酸をエッチング液としたエッチング処理を例示できる。このようなウェットエッチングでは、レジストＲ３の開口部分に対して、エッチング時間に応じて、第二ガラス基板Ｍ２の一面が均一に掘り下げられる。また、ウェットエッチングでは、レジストの下部にもエッチング液が回り込んで、エッチングが進行する（所謂サイドエッチング）。このため、図７の１番目に示すように、第一凹部５２３は、凹内部に面する平面状の底面を有する底部５２５と、当該底面から第二面５２２まで連続する円弧面を有する湾曲部５２６とを有する形状となる。
【００５４】
次に、第二ガラス基板Ｍ２の上面Ｍ２２とは反対側の下面Ｍ２１のうち、突出部５２７の形成位置を覆うレジストＲ４を、例えばフォトリソグラフィー等によって形成する。
この後、第二ガラス基板Ｍ２の下面Ｍ２１に対して、ドライエッチングを実施し、突出部５２７の突出寸法分だけ下面Ｍ２１を掘り下げる。このドライエッチングでは、例えば、ＩＣＰ（Inductive Coupled Plasma）エッチング装置を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、レジストＲ４が形成されていない範囲の下面Ｍ２１をエッチングする。この際、上述したように、ミラー領域Ａｍの厚み寸法が、ダイアフラム領域Ａｄの厚み寸法の３〜４倍となるように、エッチング深さを制御する。これにより、図７の２番目に示すように、突出部５２７及び第一面５２１が形成される。
【００５５】
この後、レジストＲ４を除去した後、第二ガラス基板Ｍ２の表面に対して、レジストＲ５を形成する。また、第一面５２１のうち、ダイアフラム領域Ａｄ及び湾曲部５２６と重なる領域で、第二凹部５２８の形成位置が開口するように、レジストＲ５をパターニングする。そして、第二ガラス基板Ｍ２に対して、例えばバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングを実施することで、図７の３番目に示すように、第二凹部５２８を形成する。
【００５６】
（第二電極形成ステップ）
第二電極形成ステップＳ５では、図７の４番目に示すように、第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５を形成する。
この第二電極形成ステップＳ５では、第一電極形成ステップＳ２と同様に、例えば、第二ガラス基板Ｍ２に形成された第一面５２１に電極材料を、蒸着法やスパッタリング法等を用いて均一に成膜する。これにより、第二凹部５２８に対して、凹内周面に沿って電極材料が形成される。つまり、第二凹部５２８に対して、表面形状が凹状となるように電極材料が製膜される。なお、電極材料は、第一電極５６１と同様、例えばＩＴＯ膜、ＴｉＷ膜及びＡｕ膜の積層体、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の積層体等を用いることができる。そして、第二ガラス基板Ｍ２に、第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５の形成位置が開口したレジストパターンを形成して、ウェットエッチングを実施することで、第二電極５６２、第二引出電極５６４、及び第一接続電極５６５を形成する。
【００５７】
（第二ミラー形成ステップ）
第二ミラー形成ステップＳ６では、図７の５番目に示すように第二ミラー５５を形成する。この第二ミラー形成ステップＳ６では、第一ミラー形成ステップＳ３と同様、例えばスパッタリング法等により第二ミラー５５を第二ガラス基板Ｍ２上に形成し、第二ミラー５５の形成位置が開口したレジストパターンを形成して、ウェットエッチングを実施する。なお、第二ミラー５５上に、さらに、保護膜を形成してよい。
以上により第二基板５２が形成される。
【００５８】
（接合ステップ）
以上の後、接合ステップＳ７を実施する。接合ステップＳ７では、第一基板５１の第一接合部５１３と、第二基板５２の第二接合部５２４Ａとに、接合膜５３を形成する。接合膜５３としては、例えばポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜を用いることができる。この場合、例えばプラズマＣＶＤ法等により接合膜５３（プラズマ重合膜）の表面に対して、Ｏ２プラズマ処理又はＵＶ処理を行い、表面を活性化させる。Ｏ２プラズマ処理の場合は、例えば、Ｏ２流量１．８×１０−３（ｍ３／ｈ）、圧力２７Ｐａ、ＲＦパワー２００Ｗの条件で３０秒間実施する。また、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いて３分間処理する。そして、第一基板５１及び第二基板５２のアライメント調整を行い、表面が活性化されたプラズマ重合膜を重ね合せ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一基板５１及び第二基板５２同士が接合される。この際、第一引出電極５６３と、第一接続電極５６５とが、バンプ部で接続される。
【００５９】
なお、接合膜５３としては、これに限定されず、例えばＡｕ等の金属膜を形成し、金属膜同士を接触させて荷重をかけることで金属結合させてもよく、その他、エポキシ樹脂等を用いた接着剤により第一基板５１及び第二基板５２を接合してもよい。
【００６０】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態では、第一ミラー５４に対向する第二ミラー５５を有する第二基板５２において、第一ミラー５４とは反対側となる第二面５２２から第一ミラー５４側に向かって凹状となる第一凹部５２３が設けられる。この第一凹部５２３は、底部５２５と底部５２５の外側に設けられる湾曲部５２６とにより構成され、底部５２５は、第一ミラー５４及び第二ミラー５５と重なり合うミラー領域Ａｍと、ミラー領域Ａｍを第一ミラー５４側に変位させるダイアフラム領域Ａｄとを備える。
このような構成では、ミラー領域Ａｍ及びダイアフラム領域Ａｄの間に湾曲面が形成されないため、図４に示すような従来の波長可変干渉フィルター５ｆに比べ、波長可変干渉フィルター５の平面寸法を小さくでき、小型の波長可変干渉フィルター５が得られる。
【００６１】
本実施形態では、第一凹部５２３の底部５２５のうちミラー領域Ａｍには、第一面５２１から第一ミラー５４側に突出する突出部５２７が設けられており、この突出部５２７の突出先端面に第二ミラー５５が設けられている。
このため、ミラー領域Ａｍは、突出部５２７の突出寸法分だけ、ダイアフラム領域Ａｄよりも厚み寸法が大きくなる。よって、ミラー領域Ａｍがダイアフラム領域Ａｄよりも撓みにくくなり、静電アクチュエーター５６を駆動させた際の第二ミラー５５の撓みを抑制できる。
【００６２】
本実施形態では、第二基板５２の第一面５２１で、第一凹部５２３と重なる領域のうち、ミラー領域Ａｍ以外の領域（本実施形態では、ダイアフラム領域Ａｄ及び湾曲部５２６）に、第二凹部５２８が設けられている。
このような構成では、第二凹部５２８の厚み寸法が、第二凹部５２８が設けられていないダイアフラム領域Ａｄや湾曲部５２６の他の領域の厚み寸法よりも小さくなる。よって、第二凹部５２８の形成位置において、ダイアフラム領域Ａｄを第一ミラー５４側に撓ませやすくなる。これにより、第二ミラー５５を第一ミラー５４側に引っ張る応力が作用した際に、ミラー領域Ａｍの撓みを抑制できる。
【００６３】
ここで、ダイアフラム領域Ａｄは、ミラーギャップＧを変更する際に、大きく撓む領域であり、上記のような第二凹部５２８を設けることで、第二ミラー５５を所定量変位させる際の静電アクチュエーター５６への駆動電圧を低減でき、省電力化を図れる。
また、湾曲部５２６は、ダイアフラム領域Ａｄに比べて静電アクチュエーター５６を駆動させた際の変形量が小さいが、この湾曲部５２６に対して第二凹部５２８が設けられることで、当該湾曲部５２６の変形量を増やすことができる。
【００６４】
そして、本実施形態では、第二電極５６２が、第二基板５２の第一面５２１で、第二凹部５２８が設けられる領域内に形成されている。
つまり、第二電極５６２が、第二凹部５２８の凹内周面に沿って形成される。これにより、例えば第二凹部５２８が設けられていない平坦な第一面５２１に第二電極５６２を設ける場合に比べて、第二電極５６２の表面積を大きくできる。このため、静電アクチュエーター５６に所定電圧を印加した際に、第二電極５６２にて保持可能な電荷量が増大し、小さい駆動電圧で大きい静電引力を作用させることができる。よって、ミラーギャップを所定寸法だけ変更するために必要な駆動電圧を小さくできる。
【００６５】
［第二実施形態］
次に、第二実施形態について説明する。
上記第一実施形態では、第二基板５２の第一基板５１に対向する第一面５２１に第二凹部５２８（マイクロダイアフラム）を設ける例を示した。これに対して、第二実施形態では、マイクロダイアフラムが設けられる位置が第一実施形態と相違する。
図８は、第二実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂの概略構成を示す断面図である。なお、以降の説明にあたり、既に説明した事項については同一符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００６６】
本実施形態では、図８に示すように、第一基板５１の構成は、第一実施形態と同様であるので、ここでの説明は省略する。
本実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂでは、第二基板５２Ｂは、図８に示すように、第一実施形態と同様に、第一基板５１とは反対側の第二面５２２にウェットエッチングを実施することで形成される第一凹部５２３Ｂが設けられている。
そして、この第一凹部５２３Ｂの凹内周面で、ダイアフラム領域Ａｄ及び湾曲部５２６と重なる位置に、複数の第三凹部５２８Ｂが設けられている。
【００６７】
［第二実施形態の作用効果］
図９は、第一実施形態におけるダイアフラム領域Ａｄにおいて、第二凹部５２８に作用する力を模式的に示す図であり、図１０は、第二実施形態におけるダイアフラム領域Ａｄにおいて、第三凹部５２８Ｂに作用する力を模式的に示す図である。
第一実施形態では、第二基板５２の第一面５２１に第二凹部５２８が設けられている。この場合、静電アクチュエーター５６を駆動させてダイアフラム領域Ａｄを変形させると、第二凹部５２８の位置の厚み寸法が、第二凹部５２８が設けられていない部分の厚み寸法よりも小さくなるので、ダイアフラム領域Ａｄを撓みやすくすることができる。しかしながら、図９に示すように、ダイアフラム領域Ａｄを撓ませる方向に応力Ｐ１が作用すると、第二凹部５２８の円弧状の内周面において、第一基板５１から離れる方向にモーメント力Ｐ２が作用する。
【００６８】
これに対して、第二実施形態では、図１０に示すように、ダイアフラム領域Ａｄを撓ませる方向に応力Ｐ１が作用すると、第三凹部５２８Ｂの底面部を第一基板５１側に沈み込ませるように、つまり、第一基板５１に向かってモーメント力Ｐ３が作用する。
したがって、応力Ｐ１とモーメント力Ｐ３との方向がどちらも第一基板５１に向かう方向となり、ダイアフラム領域Ａｄをより撓ませやすくできる。
【００６９】
［第三実施形態］
次に、第三実施形態として、上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター５を備えた光学デバイスについて説明する。
図１１は、第三実施形態における光学デバイス６００の概略構成を示す断面図である。
図１１に示すように、光学デバイス６００は、筐体６１０と、筐体６１０の内部に収納される波長可変干渉フィルター５を備えている。なお、ここでは、第一実施形態に示す波長可変干渉フィルター５を筐体６１０内に収納する例を示すが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター５Ｂが収納されてもよい。
【００７０】
筐体６１０は、図１１に示すように、ベース６２０と、リッド６３０と、を備えている。これらのベース６２０及びリッド６３０が接合されることで、内部に収容空間が形成され、この収容空間内に波長可変干渉フィルター５が収納される。
【００７１】
（ベースの構成）
ベース６２０は、例えばセラミック等により構成されている。このベース６２０は、台座部６２１と、側壁部６２２と、を備える。
台座部６２１は、フィルター平面視において例えば矩形状の外形を有する平板状に構成されており、この台座部６２１の外周部から筒状の側壁部６２２がリッド６３０に向かって立ち上がる。
【００７２】
台座部６２１は、厚み方向に貫通する開口部６２３を備えている。この開口部６２３は、台座部６２１に波長可変干渉フィルター５を収容した状態で、台座部６２１を厚み方向から見た平面視において、第一ミラー５４及び第二ミラー５５と重なる領域を含むように設けられている。
また、台座部６２１のリッド６３０とは反対側の面（ベース外側面６２１Ｂ）には、開口部６２３を覆うガラス部材６２７が接合されている。台座部６２１とガラス部材６２７との接合は、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリット（低融点ガラス）を用いた低融点ガラス接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。本実施形態では、収容空間内が減圧下に維持された状態で気密に維持する。したがって、台座部６２１及びガラス部材６２７は、低融点ガラス接合を用いて接合されることが好ましい。
【００７３】
また、台座部６２１のリッド６３０に対向する内面（ベース内側面６２１Ａ）には、波長可変干渉フィルター５の第一接続電極５６５や第二引出電極５６４に接続される内側端子部６２４が設けられている。内側端子部６２４と、第一接続電極５６５及び第二引出電極５６４とは、例えばＡｕ等のワイヤーを用いたワイヤーボンディングにより接続される。なお、本実施形態では、ワイヤーボンディングを例示するが、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）等を用いてもよい。
また、台座部６２１は、内側端子部６２４が設けられる位置に、貫通孔６２５が形成されている。内側端子部６２４は、貫通孔６２５を介して、台座部６２１のベース外側面６２１Ｂに設けられた外側端子部６２６に接続されている。
【００７４】
側壁部６２２は、台座部６２１の縁部から立ち上がり、ベース内側面６２１Ａの周囲を囲って設けられる側壁部６２２のリッド６３０に対向する面（端面６２２Ａ）は、例えばベース内側面６２１Ａに平行な平坦面となる。
【００７５】
そして、ベース６２０には、例えば接着剤等の固定材６４を用いて、波長可変干渉フィルター５が固定される。この際、波長可変干渉フィルター５は、台座部６２１に対して固定されていてもよく、側壁部６２２に対して固定されていてもよい。固定材６４を設ける位置としては、複数個所であってもよいが、固定材６４の応力が波長可変干渉フィルター５に伝達するのを抑制するべく、１か所で波長可変干渉フィルター５を固定することが好ましい。
【００７６】
（リッドの構成）
リッド６３０は、平面視において矩形状の外形を有する透明部材であり、例えばガラス等により構成される。
リッド６３０は、図１１に示すように、ベース６２０の側壁部６２２に接合されている。この接合方法としては、例えば、低融点ガラスを用いた接合等が例示できる。
【００７７】
［第三実施形態の作用効果］
上述したような本実施形態の光学デバイス６００では、筐体６１０により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。
また、上述したように、波長可変干渉フィルター５は、１つの第一凹部５２３の底部５２５内にミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとが設けられる構成であって、平面寸法を小型化できる。したがって、このような波長可変干渉フィルター５を収納するための筐体６１０も小型化することができるので、光学デバイス６００の小型化を図ることができる。
【００７８】
［第四実施形態］
次に、第四実施形態として、上記第一実施形態や第二実施形態の波長可変干渉フィルター５，５Ａ，５Ｂ又は第三実施形態の光学デバイス６００を備えた電子機器の一例として、印刷装置（プリンター）について説明する。
【００７９】
［プリンターの概略構成］
図１２は、第四実施形態のプリンター１０の外観の構成例を示す図である。図１３は、本実施形態のプリンター１０の概略構成を示すブロック図である。
図１２に示すように、プリンター１０は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２と、キャリッジ１３と、キャリッジ移動ユニット１４と、制御ユニット１５（図１３参照）と、を備えている。このプリンター１０は、例えばパーソナルコンピューター等の外部機器２０から入力された印刷データに基づいて、各ユニット１１，１２，１４及びキャリッジ１３を制御し、媒体Ａ上に画像を印刷する。また、本実施形態のプリンター１０は、予め設定された較正用印刷データに基づいて媒体Ａ上の所定位置に測色用のカラーパッチを形成し、かつ当該カラーパッチに対する分光測定を行う。これにより、プリンター１０は、カラーパッチに対する実測値と、較正用印刷データとを比較して、印刷されたカラーに色ずれがあるか否か判定し、色ずれがある場合は、実測値に基づいて色補正を行う。
以下、プリンター１０の各構成について具体的に説明する。
【００８０】
供給ユニット１１は、画像形成対象となる媒体Ａを、画像形成位置に供給するユニットである。この供給ユニット１１は、例えば媒体Ａが巻装されたロール体１１１（図１２参照）、ロール駆動モーター（図示略）、及びロール駆動輪列（図示略）等を備える。そして、制御ユニット１５からの指令に基づいて、ロール駆動モーターが回転駆動され、ロール駆動モーターの回転力がロール駆動輪列を介してロール体１１１に伝達される。これにより、ロール体１１１が回転し、ロール体１１１に巻装された紙面がＹ方向（副走査方向）における下流側（＋Ｙ方向）に供給される。
なお、本実施形態では、ロール体１１１に巻装された紙面を供給する例を示すがこれに限定されない。例えば、トレイ等に積載された紙面等の媒体Ａをローラー等によって例えば１枚ずつ供給する等、如何なる供給方法によって媒体Ａが供給されてもよい。
【００８１】
搬送ユニット１２は、供給ユニット１１から供給された媒体Ａを、Ｙ方向に沿って搬送する。この搬送ユニット１２は、搬送ローラー１２１と、搬送ローラー１２１と媒体Ａを挟んで配置され、搬送ローラー１２１に従動する従動ローラー（図示略）と、プラテン１２２と、を含んで構成されている。
搬送ローラー１２１は、図示略の搬送モーターからの駆動力が伝達され、制御ユニット１５の制御により搬送モーターが駆動されると、その回転力により回転駆動されて、従動ローラーとの間に媒体Ａを挟み込んだ状態でＹ方向に沿って搬送する。また、搬送ローラー１２１のＹ方向の下流側（＋Ｙ側）には、キャリッジ１３に対向するプラテン１２２が設けられている。
【００８２】
キャリッジ１３は、媒体Ａに対して画像を印刷する印刷部１６と、媒体Ａ上の所定の測定位置Ｔ（図１３参照）の分光測定を行う分光器１７と、を備えている。
このキャリッジ１３は、キャリッジ移動ユニット１４によって、Ｙ方向と交差する主走査方向に沿って移動可能に設けられている。
また、キャリッジ１３は、フレキシブル回路１３１により制御ユニット１５に接続され、制御ユニット１５からの指令に基づいて、印刷部１６による印刷処理及び、分光器１７による分光測定処理を実施する。
なお、キャリッジ１３の詳細な構成については後述する。
【００８３】
キャリッジ移動ユニット１４は、本発明における移動機構を構成し、制御ユニット１５からの指令に基づいて、キャリッジ１３をＸ方向に沿って往復移動させる。
このキャリッジ移動ユニット１４は、例えば、キャリッジガイド軸１４１と、キャリッジモーター１４２と、タイミングベルト１４３と、を含んで構成されている。
キャリッジガイド軸１４１は、Ｘ方向に沿って配置され、両端部がプリンター１０の例えば筐体に固定されている。キャリッジモーター１４２は、タイミングベルト１４３を駆動させる。タイミングベルト１４３は、キャリッジガイド軸１４１と略平行に支持され、キャリッジ１３の一部が固定されている。そして、制御ユニット１５の指令に基づいてキャリッジモーター１４２が駆動されると、タイミングベルト１４３が正逆走行され、タイミングベルト１４３に固定されたキャリッジ１３がキャリッジガイド軸１４１にガイドされて往復移動する。
【００８４】
次に、キャリッジ１３に設けられる印刷部１６及び分光器１７の構成について、図面に基づいて説明する。
［印刷部１６の構成］
印刷部１６は、媒体Ａと対向する部分に、インクを個別に媒体Ａ上に吐出して、媒体Ａ上に画像を形成する。
この印刷部１６は、複数色のインクに対応したインクカートリッジ１６１が着脱自在に装着されており、各インクカートリッジ１６１からインクタンク（図示略）にチューブ（図示略）を介してインクが供給される。また、印刷部１６の下面（媒体Ａに対向する位置）には、インク滴を吐出するノズル（図示略）が、各色に対応して設けられている。これらのノズルには、例えばピエゾ素子が配置されており、ピエゾ素子を駆動させることで、インクタンクから供給されたインク滴が吐出されて媒体Ａに着弾し、ドットが形成される。
【００８５】
［分光器の構成］
図１４は、分光器１７の概略構成を示す断面図である。
分光器１７は、本発明における光学モジュールであり、図１４に示すように、光源部１７１と、光学デバイス６００、受光部１７３と、導光部１７４と、を備えている。
この分光器１７は、光源部１７１から媒体Ａ上の測定位置Ｔに照明光を照射し、測定位置Ｔで反射された光成分を、導光部１７４により光学デバイス６００に入射させる。そして、光学デバイス６００は、第三実施形態の構成を有し、反射光から所定波長の光を出射（透過）させて、受光部１７３により受光させる。また、光学デバイス６００は、制御ユニット１５の制御に基づいて、透過波長を選択可能であり、可視光における各波長の光の光量を測定することで、媒体Ａ上の測定位置Ｔの分光測定が可能となる。
【００８６】
［光源部の構成］
光源部１７１は、光源１７１Ａと、集光部１７１Ｂとを備える。この光源部１７１は、光源１７１Ａから出射された光を媒体Ａの測定位置Ｔ内に、媒体Ａの表面に対する法線方向から照射する。
光源１７１Ａとしては、可視光域における各波長の光を出射可能な光源が好ましい。このような光源１７１Ａとして、例えばハロゲンランプやキセノンランプ、白色ＬＥＤ等を例示でき、特に、キャリッジ１３内の限られたスペース内で容易に設置可能な白色ＬＥＤが好ましい。集光部１７１Ｂは、例えば集光レンズ等により構成され、光源１７１Ａからの光を測定位置Ｔに集光させる。なお、図１４においては、集光部１７１Ｂでは、１つのレンズ（集光レンズ）のみを表示するが、複数のレンズを組み合わせて構成されていてもよい。
【００８７】
［受光部及び導光光学系の構成］
受光部１７３は、波長可変干渉フィルター５の光軸上に配置され、当該波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光する。そして、受光部１７３は、制御ユニット１５の制御に基づいて、受光量に応じた検出信号（電流値）を出力する。なお、受光部１７３により出力された検出信号は、Ｉ−Ｖ変換器（図示略）、増幅器（図示略）、及びＡＤ変換器（図示略）を介して制御ユニット１５に入力される。
導光部１７４は、反射鏡１７４Ａと、バンドパスフィルター１７４Ｂとを備えている。
この導光部１７４は、測定位置Ｔで、媒体Ａの表面に対して４５°で反射された光を反射鏡１７４Ａにより、波長可変干渉フィルター５の光軸上に反射させる。バンドパスフィルター１７４Ｂは、可視光域（例えば３８０ｎｍ〜７２０ｎｍ）の光を透過させ、紫外光及び赤外光の光をカットする。これにより、波長可変干渉フィルター５には、可視光域の光が入射されることになり、受光部１７３において、可視光域における波長可変干渉フィルター５により選択された波長の光が受光される。
【００８８】
［制御ユニットの構成］
制御ユニット１５は、本発明の制御部であり、図１３に示すように、Ｉ／Ｆ１５１と、ユニット制御回路１５２と、メモリー１５３と、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１５４と、を含んで構成されている。
Ｉ／Ｆ１５１は、外部機器２０から入力される印刷データをＣＰＵ１５４に入力する。
ユニット制御回路１５２は、供給ユニット１１、搬送ユニット１２、印刷部１６、光源１７１Ａ、波長可変干渉フィルター５、受光部１７３、及びキャリッジ移動ユニット１４をそれぞれ制御する制御回路を備えており、ＣＰＵ１５４からの指令信号に基づいて、各ユニットの動作を制御する。なお、各ユニットの制御回路が、制御ユニット１５とは別体に設けられ、制御ユニット１５に接続されていてもよい。
【００８９】
メモリー１５３は、プリンター１０の動作を制御する各種プログラムや各種データが記憶されている。
各種データとしては、例えば、波長可変干渉フィルター５を制御する際の、静電アクチュエーター５６への印加電圧に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光の波長を示したＶ−λデータ、印刷データとして含まれる色データに対する各インクの吐出量を記憶した印刷プロファイルデータ等が挙げられる。また、光源１７１Ａの各波長に対する発光特性（発光スペクトル）や、受光部１７３の各波長に対する受光特性（受光感度特性）等が記憶されていてもよい。
【００９０】
ＣＰＵ１５４は、メモリー１５３に記憶された各種プログラムを読み出し実行することで、各ユニット１１，１２，１４の駆動制御、印刷部１６の印刷制御、分光器１７による測定制御（波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６の駆動制御等）、分光器１７の分光測定結果に基づく測色処理や、印刷プロファイルデータの補正（更新）処理等を実施する。
【００９１】
［本実施形態の作用効果］
本実施形態の分光器１７は、上記第三実施形態にて説明した光学デバイス６００を備え、当該光学デバイス６００には、第一実施形態にて説明した波長可変干渉フィルター５が収納されている。
ここで、波長可変干渉フィルター５は、上述したように、１つの第一凹部５２３の底部５２５内にミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとが設けられる構成であって、平面寸法を小型化でき、これにより、光学デバイス６００も小型化できる。したがって、これを備えた分光器１７も小型化でき、キャリッジ１３の小型化を図れる。
キャリッジ１３の小型化により、キャリッジ１３の軽量化を図れるので、キャリッジ１３を副走査方向に走査する際の駆動電圧も小さくでき、プリンター１０の省電力化を図ることができる。
【００９２】
また、波長可変干渉フィルター５において、第二凹部５２８の凹内周面に沿って第二電極５６２を設ける構成とすることで、上記第一実施形態にて説明したように、ミラーギャップＧを所定量変化させるために必要な駆動電圧を低減できる。つまり、分光器１７にて、複数波長の光を順次駆動させる際の駆動電圧を低減できることになり、この点においてもプリンター１０の省電力化を図ることができる。
【００９３】
［変形例］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００９４】
［変形例１］
上記第一実施形態では、第二基板５２の第一基板５１とは反対側の第二面５２２に第一凹部５２３が設けられる構成を例示したが、第一面５２１側に第一凹部が設けられる構成としてもよい。
図１５は、変形例１に係る波長可変干渉フィルター５Ｃの概略構成を示す断面図である。
図１５に示す波長可変干渉フィルター５Ｃでは、第二基板５２Ｃは、第一基板５１に対向する第一面５２１Ｃにウェットエッチングを実施することで形成される第一凹部５２３Ｃを備えている。この第一凹部５２３Ｃは、第一実施形態と同様、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとを含む底部５２５Ｃと、底部５２５Ｃの底面の外周縁から基板外周部５２４の第一面５２１まで連続する円弧面を備える湾曲部５２６Ｃとを備える。
【００９５】
また、このような波長可変干渉フィルター５Ｃでは、第一ミラー５４から第二ミラー５５までのミラーギャップの初期値が大きくなる。これに対して、図１５に示すように、第一凹部５２３Ｃの凹内部側に、第一ミラー５４に向かって突出する突出部５２７Ｃを設け、その突出先端面に第二ミラー５５を設けることが好ましい。
さらに、波長可変干渉フィルター５Ｃでは、静電アクチュエーター５６を構成する第一電極５６１及び第二電極５６２の寸法も大きくなる。このため、第二実施形態に示すように、第二基板５２Ｃの第二面５２２Ｃ側に第三凹部５２８Ｃを設け、ダイアフラム領域Ａｄを撓ませやすくすることが好ましい。
【００９６】
［変形例２］
第一実施形態において、突出部５２７が第一面５２１よりも第一基板５１側に突出する例を示したが、これに限定されない。図１６は変形例２に係る波長可変干渉フィルター５Ｄの概略構成を示す断面図である。
図１６に示す波長可変干渉フィルター５Ｄでは、第二基板５２Ｄは、第一実施形態と同様に、第一基板５１とは反対側の第二面５２２にウェットエッチングを実施することで形成される第一凹部５２３Ｄを備えている。この第一凹部５２３Ｄでは、底部５２５Ｄの第一基板５１に対向する面は、平坦な第一面５２１を構成する。すなわち、第一面５２１から第一基板５１側に突出する突出部５２７が設けられていない。代わりに、底部５２５Ｄの第一面５２１とは反対側の面（第一凹部５２３Ｄの凹内周側）に第一基板５１から離れる方向に突出する突出部５２７Ｄが設けられている。
【００９７】
このような突出部５２７Ｄは、例えば、第二基板５２Ｄの母材である第二ガラス基板Ｍ２の上面Ｍ２２にウェットエッチングを行い、突出部５２７Ｄの深さ寸法まで掘り下げる。この後、ダイアフラム領域Ａｄが開口するレジストを用いて、更にエッチングを行うことで、第一凹部５２３Ｄを形成する。２回目のエッチング処理は、ドライエッチングであってもよく、ウェットエッチングであってもよい。ウェットエッチングを行う場合、ミラー領域Ａｍとダイアフラム領域Ａｄとの間に、湾曲部が形成されるが、突出部５２７Ｄの突出寸法は第一凹部５２３Ｄの深さ寸法と比べて小さい。このため、図４に示す波長可変干渉フィルター５Ａと同様に、従来の波長可変干渉フィルター５ｆに比べて、平面寸法を小さくできる。
【００９８】
また、図１７は、変形例２に係る他の波長可変干渉フィルター５Ｅの概略構成を示す断面図である。図１７に示すように、第二基板５２Ｅは、ミラー領域Ａｍの第一基板５１側に突出する突出部５２７と、第一基板５１から離れる側に突出する突出部５２７Ｄとの双方を備える構成としてもよい。
底部５２５Ｅのミラー領域Ａｍの撓みを抑制するためには、上述するように、ミラー領域Ａｍの厚み寸法をダイアフラム領域Ａｄの厚み寸法の３〜４倍とする。よって、これらの突出部５２７，５２７Ｄの突出寸法をそれぞれダイアフラム領域Ａｄの厚み寸法程度にすれば、ミラー領域Ａｍの厚み寸法を、第一実施形態や図１６に示す波長可変干渉フィルター５Ｄと同じ厚み寸法とすることができる。
図１７に示す波長可変干渉フィルター５Ｅでは、突出部５２７，５２７Ｄを形成するためのエッチング量をそれぞれ小さくすることができる。よって、ウェットエッチングにより突出部５２７，５２７Ｄを形成する場合でも、これらの突出部５２７，５２７Ｄとダイアフラム領域Ａｄとの間に形成される湾曲部の平面寸法をより小さくでき、図４の波長可変干渉フィルター５Ａに比べて、更に平面寸法が小さい波長可変干渉フィルター５Ｅを提供できる。
【００９９】
［変形例３］
第一実施形態では、第一基板５１が本発明の対向基板に相当し、第一基板５１に設けられた第一電極５６１と、第二基板５２に設けられた第二電極５６２とにより静電アクチュエーター５６が構成される例を示した。これに対して、対向基板としては、第二基板５２の第一面５２１に対向する第一基板５１に限定されない。
図１８は、変形例３に係る波長可変干渉フィルター５Ｇの一例を示す断面図である。
波長可変干渉フィルター５Ｇは、第一基板５１と、第一基板５１に対向して配置された第二基板５２Ｇと、第二基板５２Ｇの第一基板５１とは反対側に配置され、本発明の対向基板を構成する第三基板５１Ｇとを備えている。
本実施形態では、第二基板５２Ｇは、第二実施形態と同様に、第一凹部５２３Ｇの凹部内周面に第三凹部５２８Ｂが設けられている。そして、この第三凹部５２８Ｂに第二電極５６２Ｇが設けられている。したがって、第一実施形態と同様に、第二電極５６２Ｇの表面積を増大できる。
【０１００】
また、第三基板５１Ｇは、例えば厚み寸法が均一な平板形状を有し、第二基板５２Ｇの第二電極５６２Ｇに対向する位置に、第三電極５６６が設けられている。
このような構成では、第一電極５６１及び第二電極５６２Ｇにより、第１の静電アクチュエーター５６が構成される。また、第二電極５６２Ｇ及び第三電極５６６により、第２の静電アクチュエーター５６Ｇが構成される。
このような構成では、第１の静電アクチュエーター５６を駆動させることで、ミラーギャップＧを減少させる方向に第二ミラー５５を変位させることができ、第２の静電アクチュエーター５６Ｇを駆動させることで、ミラーギャップＧを増大させる方向に第二ミラー５５を変位させることができる。
なお、図１８に示す例では、第二電極５６２Ｇが第一凹部５２３Ｇの凹内周面に設けられているが、例えば、第二基板５２Ｇの第一面５２１に設けられていてもよい。また、第二電極５６２Ｇが第一凹部５２３Ｇの凹内周面と、第二基板５２Ｇの第一面５２１とにそれぞれ設けられていてもよい。この場合、第一面５２１の第二電極５６２Ｇと、第一電極５６１とにより第１の静電アクチュエーター５６が構成され、第一凹部５２３Ｇの凹内周面に設けられる第二電極５６２Ｇと第三電極５６６とにより第２の静電アクチュエーター５６Ｇを構成することができる。
【０１０１】
［変形例４］
第一実施形態では、第二基板５２の第一基板５１に対向する側の面（第一面５２１）に第二凹部５２８を設ける例、第二実施形態では、第二基板５２の第一基板５１とは反対側の面（第一凹部５２３Ｂの凹内周面）に第三凹部５２８Ｂを設ける例を示した。これに対して、第二凹部５２８及び第三凹部５２８Ｂの双方を設ける構成としてもよい。
【０１０２】
［変形例５］
第一実施形態において、突出部５２７として、第二ガラス基板Ｍ２の下面Ｍ２１をエッチングすることで形成される例を示したが、これに限定されない。例えば、第二基板５２の第一面５２１（第二ガラス基板Ｍ２の下面Ｍ２１）に対して第二基板５２（第二ガラス基板Ｍ２）と屈折率が略同じとなる透光性の膜材を積層することで突出部５２７を形成してもよい。
【０１０３】
［変形例６］
上記実施形態において、第二凹部５２８が設けられる位置として、第一凹部５２３におけるダイアフラム領域Ａｄ及び湾曲部５２６と重なる領域としたが、上述したように、ダイアフラム領域Ａｄと重なる領域のみに設けられていてもよく、湾曲部５２６と重なる領域のみに設けられていてもよい。なお、第三凹部５２８Ｂ，５２８Ｃにおいても同様である。
すなわち、第一実施形態のような波長可変干渉フィルター５では、ミラーギャップＧを変更する際に、ダイアフラム領域Ａｄを撓み易くすることで、ミラー領域Ａｍの撓みを抑制することができる。したがって、湾曲部５２６と重なる領域に第二凹部５２８が設けられていなくても、ダイアフラム領域Ａｄに第二凹部５２８を設ける構成とすることで、ミラー領域Ａｍの撓みを好適に抑制できる。
一方、ダイアフラム領域Ａｄは、第二基板５２の他部に比べて厚み寸法が小さく、強度が弱い。この部分に、さらに厚み寸法が小さくなる第二凹部５２８や第三凹部５２８Ｂ，５２８Ｃを設けるとクラックが発生するおそれがある。これに対して、湾曲部５２６は、ダイアフラム領域Ａｄに比べて厚み寸法が大きい。このため、湾曲部５２６と重なる位置のみに第二凹部５２８や第三凹部５２８Ｂ，５２８Ｃを設ける構成では、ダイアフラム領域Ａｄの破損を抑制できる。
【０１０４】
［変形例７］
第三実施形態において、光学デバイス６００の構成を例示したが、光学デバイス６００としては、第三実施形態の形状に限られない。例えば、筒状の筐体の筒内部に波長可変干渉フィルター５が保持される構成としてもよい。
また、第四実施形態において、電子機器の一例としてプリンター１０を例示したが、これに限られない。波長可変干渉フィルター５を備えた電子機器としては、例えば、所望の波長の光を出力する光源装置（例えばレーザー光源装置）や、被測定物の含有成分を分析する分光分析装置等であってもよく、ウェアラブル装置等にこれらの光源装置や分析装置を搭載させてもよい。
【０１０５】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【０１０６】
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ，５Ｅ，５Ｇ…波長可変干渉フィルター、１０…プリンター（電子機器）、１７…分光器、５１…第一基板（対向基板）、５１Ｇ…第三基板（対向基板）、５２、５２Ｂ，５２Ｃ，５２Ｄ，５２Ｅ，５２Ｇ…第二基板（基板）、５４…第一ミラー、５５…第二ミラー、５６…静電アクチュエーター、５６Ｇ…第２の静電アクチュエーター、５２１，５２１Ｃ…第一面、５２２，５２２Ｃ…第二面、５２３，５２３Ｂ，５２３Ｃ，５２３Ｄ，５２３Ｇ…第一凹部、５２５，５２５Ａ，５２５Ｃ，５２５Ｄ，５２５Ｅ…底部、５２６，５２６Ａ，５２６Ｃ…湾曲部、５２７，５２７Ｃ，５２７Ｄ…突出部、５２８…第二凹部、５２８Ｂ，５２８Ｃ…第三凹部、５６１…第一電極、５６２，５６２Ｇ…第二電極、５６６…第三電極、６００…光学デバイス、６１０…筐体、Ａｍ…ミラー領域、Ａｄ…ダイアフラム領域、Ｏ…フィルター中心軸。
【図１】
2019015865.tif 000003
【図２】
2019015865.tif 000004
【図３】
2019015865.tif 000005
【図４】
2019015865.tif 000006
【図５】
2019015865.tif 000007
【図６】
2019015865.tif 000008
【図７】
2019015865.tif 000009
【図８】
2019015865.tif 000010
【図９】
2019015865.tif 000011
【図１０】
2019015865.tif 000012
【図１１】
2019015865.tif 000013
【図１２】
2019015865.tif 000014
【図１３】
2019015865.tif 000015
【図１４】
2019015865.tif 000016
【図１５】
2019015865.tif 000017
【図１６】
2019015865.tif 000018
【図１７】
2019015865.tif 000019
【図１８】
2019015865.tif 000020