(57)【要約】【課題】厚み違いの複数のチップの放熱効果を均一にすること。【解決手段】厚み違う複数の半導体チップ（２１ａ、２１ｂ）が実装された半導体パッケージ（１０）の製造方法であって、配線基材（１１）上の複数の半導体チップを封止剤で一括封止したパッケージ基板（１５）の裏面を保持テープ（３５）で保持し、総型の整形砥石（４１）で樹脂層（１２）を薄化して、分割手段で分割予定ラインに沿って保持テープ途中まで切り込んでパッケージ基板を個々の半導体パッケージに分割するようにした。整形砥石の外周面には段差（４５）が形成されており、整形砥石の段差によって各チップ上面（２２ａ、２２ｂ）からパッケージ上面（２５ａ、２５ｂ）までの厚みが同じに形成される。【選択図】図４
2019012714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個片化された配線基材上に厚みの異なる複数チップが接続され封止剤で封止されてなる半導体パッケージの製造方法であって、
該配線基材上に形成された交差する分割予定ラインで区画された領域に該複数チップが配設され該封止剤で一括封止されたパッケージ基板の該配線基材側を保持テープ又は保持治具で保持する保持ステップと、
放熱性が同じになるように各チップに対応して所定厚みに該封止剤を薄化する段差が形成された整形砥石で該封止剤上面に段差を形成する段差形成ステップと、
分割手段で該分割予定ラインに沿って該保持テープ途中まで又は該保持治具内まで切り込み、個々の半導体パッケージに分割する分割ステップと、を備えた半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
該整形砥石及び該分割手段は、回転スピンドルに装着される装着穴を中心部に有する円環形状の基台と、該基台の外周面全面に亘り外周方向に向かって平行に複数の円環突起を備えた加工工具であって、
該複数の円環突起の間は、該円環突起を該保持テープ途中まで又は保持治具内まで切り込んだ際に、各半導体パッケージに対応して所定厚みに該封止剤を薄化する段差が形成されており、
該加工工具を使用して、該円環突起を該分割予定ラインに位置付けて該保持テープ途中まで又は該保持治具内まで切り込み加工を行うことで、該段差形成ステップと該分割ステップとを同時に実施することを特徴とする、請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚みの異なるチップを封止剤で封止した半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＩＰ（System  In  Package）等のように、複数のチップを１パッケージ内に封止したパッケージ技術が開発されている。このようなパッケージ技術では、配線基板が分割予定ラインで区画されており、分割予定ラインで区画された各領域に複数のチップがそれぞれ実装され、モールド樹脂で複数のチップを一括で封止することでパッケージ基板が作成される。そして、分割予定ラインに沿ってパッケージ基板が切削されることで、複数のチップをパッケージングした個々の半導体パッケージに分割される（例えば、特許文献１参照）。また近年では、パッケージ基板として、ファンアウト・ウェハレベルパッケージ等のように再配線層上にチップが実装されたものも知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−０２３９３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、配線基板や再配線層等の配線基材上に厚み違いの複数のチップが平置き状態で実装されている場合には、複数のチップをモールド樹脂によって一括で封止すると、チップ毎にモールド樹脂の厚みにバラツキが生じてしまう。このため、１パッケージ内におけるチップの放熱効果が異なるという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、厚み違いの複数のチップの放熱効果を均一にすることができる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体パッケージの製造方法は、個片化された配線基材上に厚みの異なる複数チップが接続され封止剤で封止されてなる半導体パッケージの製造方法であって、該配線基材上に形成された交差する分割予定ラインで区画された領域に該複数チップが配設され該封止剤で一括封止されたパッケージ基板の該配線基材側を保持テープ又は保持治具で保持する保持ステップと、放熱性が同じになるように各チップに対応して所定厚みに該封止剤を薄化する段差が形成された整形砥石で該封止剤上面に段差を形成する段差形成ステップと、分割手段で該分割予定ラインに沿って該保持テープ途中まで又は該保持治具内まで切り込み、個々の半導体パッケージに分割する分割ステップと、を備えている。
【０００７】
この構成によれば、段差が付いた整形砥石でパッケージ基板の封止剤上面が研削されて、各チップ上面から封止剤上面までの厚みが揃えられる。よって、パッケージ基板を個々の半導体パッケージに分割することで、１パッケージ内における厚み違いの複数のチップの放熱効果を均一にすることができる。また、整形砥石によって複数のチップ毎の封止剤の厚みを揃えることができるため、配線基材上の複数のチップを封止剤によって一括で封止してパッケージ基板を容易に作成することができる。なお、各チップ上面から封止剤上面までの厚みが揃えられるとは、樹脂の厚みが完全に一致している場合に限られない。放熱性が同じに近づくのであれば、各チップ上面から封止剤上面までの樹脂の厚みに多少のバラツキが生じていてもよい。
【０００８】
本発明の一態様の半導体パッケージの製造方法において、該整形砥石及び該分割手段は、回転スピンドルに装着される装着穴を中心部に有する円環形状の基台と、該基台の外周面全面に亘り外周方向に向かって平行に複数の円環突起を備えた加工工具であって、該複数の円環突起の間は、該円環突起を該保持テープ途中まで又は保持治具内まで切り込んだ際に、各半導体パッケージに対応して所定厚みに該封止剤を薄化する段差が形成されており、該加工工具を使用して、該円環突起を該分割予定ラインに位置付けて該保持テープ途中まで又は該保持治具内まで切り込み加工を行うことで、該段差形成ステップと該分割ステップとを同時に実施する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、整形砥石の段差によって各チップ上面から封止剤上面までの厚みを揃えることで、厚み違いの複数のチップの放熱効果を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態の半導体パッケージの断面模式図である。
【図２】比較例の半導体パッケージの断面模式図である。
【図３】本実施の形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。
【図４】本実施の形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。
【図５】他の実施の形態の加工ステップの一例を示す図である。
【図６】他の実施の形態の加工ステップの変形例を示す図である。
【図７】半導体パッケージの変形例を示す図である。
【図８】半導体パッケージの他の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態の半導体パッケージの製造方法について説明する。図１は、本実施の形態の半導体パッケージの断面模式図である。図２は、比較例の半導体パッケージの説明図である。なお、以下の実施の形態はあくまでも一例を示すものであり、各ステップ間に他のステップを備えてもよいし、ステップの順序を適宜入れ換えてもよい。
【００１２】
図１に示すように、半導体パッケージ１０は、複数の半導体チップ（チップ）２１ａ、２１ｂをパッケージングしたＳＩＰ（System  In  Package）等の半導体装置であり、樹脂層（封止剤）１２によって外部環境から半導体チップ２１ａ、２１ｂを保護している。半導体パッケージ１０は、配線基板（配線基材）１１の上面に実装された半導体チップ２１ａ、２１ｂが樹脂層１２によって封止され、配線基板１１の下面にバンプ１３が配設されている。配線基板１１には、半導体チップ２１ａ、２１ｂに接続される電極やグランドラインを含む各種配線が形成されている。
【００１３】
半導体チップ２１ａ、２１ｂは、デバイス毎に半導体ウェーハを個片化して形成されている。また、半導体チップ２１ａ、２１ｂは、異なる厚みで形成されており、配線基板１１の所定領域に平置き状態で実装されている。パッケージ内に複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂが内包されて半導体チップ２１ａ、２１ｂ同士が接続されることで、単一パッケージで複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂが統合されている。このような半導体パッケージ１０では、衝撃や異物等の外部環境からの半導体チップ２１ａ、２１ｂの保護の他にも、半導体チップ２１ａ、２１ｂで生じた熱を外部に逃がす放熱性が求められている。
【００１４】
ところで通常は、図２の比較例に示すように、配線基板９１上の半導体チップ９４ａ、９４ｂが樹脂層９２によって一括で封止され、半導体パッケージ９０のパッケージ上面９３が平坦に形成されている。このため、各半導体チップ９４ａ、９４ｂのチップ上面９５ａ、９５ｂからパッケージ上面９３までの樹脂層９２の厚みに違いが生じている。薄型の半導体チップ９４ａ上には樹脂層９２が厚く積層され、厚型の半導体チップ９４ｂ上には樹脂層９２が薄く積層される。よって、厚型の半導体チップ９４ａよりも薄型の半導体チップ９４ｂの放熱性が低下し、半導体パッケージ９０内で半導体チップ９４ａ、９４ｂの放熱性にバラツキが生じている。
【００１５】
そこで図１に示すように、本実施の形態では半導体パッケージ１０のパッケージ上面２５ａ、２５ｂに段差２７を形成し、厚み違いの半導体チップ２１ａ、２１ｂのチップ上面２２ａ、２２ｂからパッケージ上面２５ａ、２５ｂまでの厚みを一致させている。これにより、半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みに関わらず、パッケージ内で各半導体チップ２１ａ、２１ｂの放熱効果を均一にすることが可能になっている。このとき、段差４５付きの整形砥石４１（図４Ａ参照）で樹脂層１２を研削することで、各半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みに合わせて、半導体パッケージ１０の樹脂層１２の厚みを部分的に調整することが可能になっている。
【００１６】
以下、図３及び図４を参照して、本実施の形態の半導体パッケージの製造方法について説明する。図３及び図４は、本実施の形態の半導体パッケージの製造方法の説明図である。なお、図３Ａはマウントステップ、図３Ｂは基板作成ステップ、図３Ｃは保持ステップのそれぞれ一例を示す図である。また、図４Ａ及び図４Ｂは段差形成ステップ、図４Ｃは分割ステップのそれぞれ一例を示す図である。
【００１７】
図３Ａに示すように、先ずマウントステップが実施される。マウントステップでは、配線基板１１の表面が交差する分割予定ラインで格子状に区画されており、区画された各領域のそれぞれに複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂがマウントされる。この場合、配線基板１１上の各領域には、厚みが異なる２種類の半導体チップ２１ａ、２１ｂが平置き状態で配設され、半導体チップ２１ａ、２１ｂが配線基板１１上で種類毎に一方向（紙面奥方）に列を作るように並べられている。なお、厚みが異なる半導体チップ２１ａ、２１ｂは、同一機能を有していてもよいし、異なる機能を有していてもよい。
【００１８】
配線基板１１内にはグラインドライン等の配線が形成され、配線基板１１の下面にはバンプ１３が配設されている。半導体チップ２１ａ、２１ｂの上面の電極にワイヤ１４の一端が接続され、配線基板１１の表面の電極１６にワイヤ１４の他端が接続される。配線基板１１の配線を通じて半導体チップ２１ａ、２１ｂ同士が接続されることで、複数の機能を備えたシステムが構築されている。なお、マウントステップでは、ワイヤボンディングに限らず、半導体チップ２１ａ、２１ｂの下面の電極を配線基板１１の表面の電極に直接接続するフリップチップボンディングが実施されてもよい。
【００１９】
図３Ｂに示すように、マウントステップが実施された後に基板作成ステップが実施される。基板作成ステップでは、複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂがマウントされた配線基板１１の表面側に封止剤１７が供給され、各半導体チップ２１ａ、２１ｂが封止剤１７で一括封止されてパッケージ基板１５（図３Ｃ参照）が作成される。この場合、配線基板１１の下面が保持治具（不図示）に保持されており、配線基板１１の上面を覆うように枠型３１が配置されている。枠型３１の上壁には注入口３２が開口しており、注入口３２の上方には封止剤１７の供給ノズル３３が位置付けられている。
【００２０】
そして、供給ノズル３３から注入口３２を通じて、配線基板１１の上面に封止剤１７が供給されて半導体チップ２１ａ、２１ｂが封止される。この状態で、封止剤１７が加熱又は乾燥されることで硬化されて、配線基板１１の上面に樹脂層１２（図３Ｃ参照）を形成したパッケージ基板１５が作成される。なお、封止剤１７には、硬化性を有するものが用いられ、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリルウレタン樹脂、又はポリイミド樹脂等から選択することができる。また、封止剤１７は液状に限らず、シート状、パウダー状の樹脂を使用することもできる。このようにして、配線基板１１上の複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂが一括で封止される。なお、パッケージ基板１５が予め用意されている場合には、マウントステップ、基板作成ステップを省略してもよい。
【００２１】
図３Ｃに示すように、基板作成ステップが実施された後に保持ステップが実施される。保持ステップでは、リングフレーム（不図示）の中央を塞ぐように保持テープ３５が貼着されて、この保持テープ３５でパッケージ基板１５の配線基板１１側が保持される。この場合、パッケージ基板１５のバンプ１３が保持テープ３５の粘着層に入り込んで、保持テープ３５を介してパッケージ基板１５がリングフレームに良好に支持される。なお、保持ステップでは、上面視円形状のリングフレームが使用されてもよいし、上面視四角形状のリングフレームが使用されてもよい。
【００２２】
図４Ａに示すように、保持ステップが実施された後に段差形成ステップが実施される。段差形成ステップでは、半導体パッケージ１０（図４Ｃ参照）のパッケージ上面２５ａ、２５ｂの段差形状に対応した総型の整形砥石４１が回転スピンドルの先端に装着される。整形砥石４１は、大径部分４３と小径部分４４とから成る円筒状に形成されており、大径部分４３と小径部分４４の境目に段差４５が形成されている。大径部分４３は、小径部分４４よりも半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みの差分だけ突出している。整形砥石４１の外周面には、ダイヤモンド等の砥粒が電着されて砥粒層４６が形成されている。
【００２３】
パッケージ基板１５の配線基板１１側が保持テープ３５を介してチャックテーブル（不図示）に保持されると、整形砥石４１の段差４５が半導体チップ２１ａ、２１ｂの間に位置合わせされ、パッケージ基板１５の外側で樹脂層１２の厚み方向途中の深さまで降ろされる。そして、整形砥石４１に対してパッケージ基板１５が半導体チップ２１ａ、２１ｂの並び方向（紙面奥方）に加工送りされ、半導体チップ２１ａ、２１ｂのチップ上面２２ａ、２２ｂとパッケージ基板１５の基板上面１８との間の樹脂層１２が薄化される。これにより、チャックテーブル上でパッケージ基板１５の樹脂層１２が整形砥石４１で切り込まれてパッケージ基板１５が薄化される。
【００２４】
整形砥石４１の大径部分４３で薄型の半導体チップ２１ａ上の樹脂層１２が深く削られ、整形砥石４１の小径部分４４で厚型の半導体チップ２１ｂ上の樹脂層１２が浅く削られる。整形砥石４１の大径部分４３は半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みの差分だけ小径部分４４よりも突出しているため、各半導体チップ２１ａ、２１ｂのチップ上面２２ａ、２２ｂから研削後の樹脂層上面（パッケージ上面）２５ａ、２５ｂまでの厚みが揃えられる。このように、総型の整形砥石４１で樹脂層１２を切り込むことで、整形砥石４１の段差４５によって各半導体チップ２１ａ、２１ｂに対応して所定厚みに樹脂層１２が薄化されて段差２７が形成される。
【００２５】
図４Ｂに示すように、一列に並んだ半導体チップ２１ａ、２１ｂ上の樹脂層１２が研削されると、分割予定ラインを挟んで隣の列の半導体チップ２１ａ、２１ｂの間に整形砥石４１の段差４５が位置合わせされて樹脂層１２が研削される。この動作が繰り返されることで、パッケージ基板１５の基板上面１８に複数列の段差２７が形成され、パッケージ基板１５内の全ての半導体チップ２１ａ、２１ｂ上の樹脂層１２が同じ厚みに揃えられる。なお、樹脂層１２に対する整形砥石４１の切り込み量は、樹脂層１２を介して半導体チップ２１ａ、２１ｂが十分な放熱効果を得られる深さに調整されている。
【００２６】
図４Ｃに示すように、段差形成ステップの後に分割ステップが実施される。分割ステップでは、分割予定ラインに沿ってパッケージ基板１５が個々の半導体パッケージ１０に分割される。ダイヤモンド砥粒等を結合剤で固めて円板状に成形された切削ブレード４７が回転スピンドル（不図示）に装着され、パッケージ基板１５の配線基板１１側が保持テープ３５を介してチャックテーブル（不図示）に保持される。切削ブレード４７がパッケージ基板１５の分割予定ラインに対して位置合わせされ、パッケージ基板１５の外側で保持テープ３５途中まで切り込み可能な深さまで切削ブレード４７が降ろされる。
【００２７】
そして、切削ブレード４７に対してパッケージ基板１５が分割予定ラインに沿って水平方向に切削送りされる。一本の分割予定ラインに沿ってパッケージ基板１５がフルカットされると、隣の分割予定ラインに対して切削ブレード４７が位置合わせされてパッケージ基板１５がフルカットされる。この切断動作が繰り返されることで、パッケージ基板１５が分割予定ラインに沿って個々の半導体パッケージ１０に分割される。このようにして、配線基板１１上で厚みが異なる半導体チップ２１ａ、２１ｂを接続して、樹脂層１２で封止された半導体パッケージ１０が製造される。
【００２８】
以上のように、本実施の形態の半導体パッケージ１０の製造方法によれば、段差４５が付いた整形砥石４１でパッケージ基板１５の基板上面１８が研削されて、各チップ上面２２ａ、２２ｂからの樹脂層１２の厚みが揃えられる。よって、パッケージ基板１５を個々の半導体パッケージ１０に分割することで、１パッケージ内における厚み違いの複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂの放熱効果を均一にすることができる。また、整形砥石４１によって半導体チップ２１ａ、２１ｂ毎の樹脂層１２の厚みを揃えることができるため、配線基板１１上の複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂを樹脂層１２によって一括で封止してパッケージ基板１５を容易に作成することができる。
【００２９】
なお、本実施の形態では、段差形成ステップ後に分割ステップを実施する構成にしたが、この構成に限定されない。段差形成ステップ及び分割ステップは保持ステップ後に実施されればよく、例えば、分割ステップ後に段差形成ステップを実施してもよい。また、専用の加工工具を用いた加工ステップで段差形成ステップと分割ステップを同時に実施してもよい。ここで、図５を参照して、段差形成ステップと分割ステップを同時実施する加工ステップの一例について説明する。
【００３０】
図５に示すように、加工ステップでは、加工工具５１の円環形状の基台５２が回転スピンドルの先端に装着される。加工工具５１の基台５２には回転スピンドルに装着される装着穴を中心部に有し、基台５２の外周面全面に亘り外周方向に向かって平行に一対の円環突起５６が突出している。一対の円環突起５６の間は大径部分５３と小径部分５４とから成る円筒状に形成され、大径部分５３と小径部分５４の境目に段差５５が形成されている。大径部分５３は、小径部分５４よりも半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みの差分だけ突出し、加工工具５１の外周面にはダイヤモンド等の砥粒が電着されて砥粒層５７が形成されている。
【００３１】
パッケージ基板１５の配線基板１１側が保持テープ３５を介してチャックテーブル（不図示）に保持されると、加工工具５１の一対の円環突起５６が分割予定ラインに位置合わせされ、加工工具５１の段差５５が半導体チップ２１ａ、２１ｂの間に位置付けられる。また、パッケージ基板１５の外側において、円環突起５６で保持テープ３５途中まで切り込み可能であって、大径部分５３及び小径部分５４で基板上面１８を切り込み可能な深さまで加工工具５１が降ろされる。そして、加工工具５１に対してパッケージ基板１５が水平方向に加工送りされ、パッケージ基板１５が分割予定ラインに沿って加工される。
【００３２】
一対の円環突起５６によってパッケージ基板１５が分割され、一対の円環突起５６の間の大径部分５３及び小径部分５４でパッケージ基板１５の樹脂層１２が研削される。加工工具５１の大径部分５３で薄型の半導体チップ２１ａ上の樹脂層１２が深く削られ、加工工具５１の小径部分５４で厚型の半導体チップ２１ｂ上の樹脂層１２が浅く削られて、各半導体チップ２１ａ、２１ｂのチップ上面２２ａ、２２ｂからパッケージ上面２５ａ、２５ｂまでの厚みが揃えられる。円環突起５６を保持テープ３５まで切り込むことで、加工工具５１の段差５５によって各半導体チップ２１ａ、２１ｂに対応して所定厚みに樹脂層１２が薄化される。
【００３３】
このような加工ステップであっても、各チップ上面２２ａ、２２ｂからパッケージ上面２５ａ、２５ｂまでの厚みが揃えられ、１パッケージ内における厚み違いの複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂの放熱効果を均一にできる。また、加工ステップでは、段差形成ステップと分割ステップが同時に実施されるため、作業工数を減らすことが可能になっている。なお、ここでは基台５２の外周から一対の円環突起５６が突出する構成にしたが、この構成に限定されない。基台の外周から複数の円環突起が突出していればよく、例えば３つ以上の円環突起が基台の外周から突出していてもよい。
【００３４】
また、本実施の形態では、半導体チップのチップ上面からパッケージ上面までの樹脂層の厚みを薄化して放熱性を高める構成にしたが、この構成に限定されない。隣り合う半導体チップ間の樹脂層を薄くして、さらに放熱性を高めるようにしてもよい。この場合、加工工具の変形例を用いた加工ステップで、段差形成ステップ、分割ステップ、溝形成ステップを同時に実施してもよい。ここで、図６を参照して、加工ステップの変形例について説明する。
【００３５】
図６の変形例に示すように、加工工具６１の円筒状の基台６２の両端から径方向外側に一対の円環突起６６が突出し、一対の円環突起６６の間には基台６２から中間突起６７が突出している。中間突起６７は円環突起６６よりも突出量が抑えられており、外方に向かって突起幅が狭くなるように断面視台形状に形成されている。一方の円環突起６６と中間突起６７の間は円筒の大径部分６３になっており、一方の円環突起６６と大径部分６３の間には斜面が形成されている。また、他方の円環突起６６と中間突起６７の間は円筒の小径部分６４になっており、他方の円環突起６６と小径部分６４には斜面が形成されている。大径部分６３は、小径部分６４よりも半導体チップ２１ａ、２１ｂの厚みの差分だけ突出し、加工工具６１の外周面にはダイヤモンド等の砥粒が電着されて砥粒層６８が形成されている。
【００３６】
パッケージ基板１５の配線基板１１側が保持テープ３５を介してチャックテーブル（不図示）に保持されると、加工工具６１の一対の円環突起６６が分割予定ラインに位置合わせされ、加工工具６１の中間突起６７が半導体チップ２１ａ、２１ｂの間に位置付けられる。また、パッケージ基板１５の外側において、円環突起６６で保持テープ３５途中まで切り込み可能であって、大径部分６３及び小径部分６４で基板上面１８を切り込み可能な深さまで加工工具６１が降ろされる。そして、加工工具６１に対してパッケージ基板１５が水平方向に加工送りされ、パッケージ基板１５が分割予定ラインに沿って加工される。
【００３７】
一対の円環突起６６によってパッケージ基板１５が分割され、一対の円環突起６６の間の大径部分６３及び小径部分６４でパッケージ基板１５の樹脂層１２が研削される。加工工具６１の大径部分６３で薄型の半導体チップ２１ａ上の樹脂層１２が深く削られ、加工工具６１の小径部分６４で厚型の半導体チップ２１ｂ上の樹脂層１２が浅く削られて、各半導体チップ２１ａ、２１ｂのチップ上面２２ａ、２２ｂからパッケージ上面２５ａ、２５ｂまでの厚みが揃えられる。さらに、中間突起６７で半導体チップ２１ａ、２１ｂ間の樹脂層１２が切り込まれて、半導体チップ２１ａ、２１ｂ間の樹脂層１２に溝２９が形成される。
【００３８】
このような変形例の加工ステップであっても、各チップ上面２２ａ、２２ｂからパッケージ上面２５ａ、２５ｂまでの厚みが揃えられ、１パッケージ内における厚み違いの複数の半導体チップ２１ａ、２１ｂの放熱効果を均一にできる。また、加工ステップでは、段差形成ステップと分割ステップが同時に実施されるため、作業工数を減らすことが可能になっている。さらに、中間突起６７の側面及び円環突起６６の側面は傾斜によってワイヤ１４を避けているため、中間突起６７及び円環突起６６によってワイヤ１４が切断されることが防止されている。ここでは、段差形成ステップ、分割ステップ、溝形成ステップを同時に実施したが、それぞれ個別に実施してもよいし、いずれか２つを同時に実施してもよい。
【００３９】
また、本実施の形態では、配線基板に２つの半導体チップを実装した半導体パッケージを例示したが、この構成に限定されない。配線基板に複数の半導体チップが実装されていればよく、例えば、図７Ａの変形例に示すように、半導体パッケージ７０は、配線基板７１に３つの半導体チップ７２ａ−７２ｃが実装されていてもよい。また、図７Ｂの変形例に示すように、半導体パッケージ７５は、配線基板７６上に複数のチップを積層した積層チップ７７ａ、７７ｂが実装されていてもよい。
【００４０】
また、本実施の形態では、半導体チップがワイヤを介して配線基板の電極にワイヤボンディングされた半導体パッケージを製造する構成について説明したが、この構成に限定されない。図８の変形例に示すように、半導体パッケージ８０は、半導体チップ８２ａ、８２ｂが配線基板８１の電極に直接接続されてフリップチップボンディングされていてもよい。
【００４１】
また、本実施の形態では、分割工程が分割手段として切削ブレードを用いて実施されたが、この構成に限定されない。分割工程は、パッケージ基板を個々の半導体パッケージに分割する構成であればよい。例えば、分割手段としてレーザアブレーション用の加工ヘッドを用いて、アブレーション加工によってパッケージ基板を分割するようにしてもよい。なお、レーザアブレーションとは、レーザ光線の照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。
【００４２】
また、本実施の形態では、基板の裏面が保持テープで保持されて各工程が実施される構成にしたが、この構成に限定されない。例えば、基板の裏面が保持治具で保持された状態で各工程が実施されてもよい。また、保持治具は、基板を保持可能であればよく、例えば、チャックテーブルやサブストレートで構成されてもよい。
【００４３】
また、上記の実施の形態では、チップとして配線基材に半導体チップが実装される構成にしたが、この構成に限定されない。チップは配線基材に実装されるチップ部品であればよく、例えば、コンデンサや他のチップ部品で構成されてもよい。
【００４４】
また、上記の実施の形態では、配線基板上に厚みの異なる複数チップを実装する構成にしたが、この構成に限定されない。パッケージ基板は、いわゆるファンアウト・ウェハレベルパッケージでもよく、再配線層上に厚みの異なる複数チップを実装する構成にしてもよい。したがって、配線基材は、ＰＣＢ基板等の配線基板に限定されず、ファンアウト・ウェハレベルパッケージの再配線層でもよい。
【００４５】
また、上記の実施の形態では、各チップのチップ上面から研削後の樹脂層上面（パッケージ上面）までの厚みが同じになるように、整形砥石に段差が形成される構成にしたが、この構成に限定されない。整形砥石に段差は、各チップの放熱性が同じになるように、整形砥石に段差が形成されていればよい。したがって、各チップのチップ上面から研削後の樹脂層上面（パッケージ上面）までの厚みが完全に同じになる構成に限らず、放熱性が同じに近づくのであれば、厚みに多少のバラツキが生じていてもよい。
【００４６】
また、半導体パッケージは、携帯電話等の携帯通信機器に用いられる構成に限らず、カメラ等の他の電子機器に用いられてもよい。
【００４７】
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記各実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４８】
また、本発明の実施の形態は上記の各実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００４９】
また、本実施の形態では、本発明を半導体パッケージの製造方法に適用した構成について説明したが、複数のチップをパッケージングした他のパッケージ部品の製造方法に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
以上説明したように、本発明は、厚み違いの複数のチップの放熱効果を均一にすることができるという効果を有し、特に、携帯通信機器に用いられる半導体パッケージの製造方法に有用である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  半導体パッケージ
１１  配線基板（配線基材）
１２  樹脂層
１５  パッケージ基板
１７  封止剤
２１ａ、２１ｂ  半導体チップ
２２ａ、２２ｂ  チップ上面
２５ａ、２５ｂ  パッケージ上面（樹脂層上面）
２７  パッケージ上面の段差
３５  保持テープ
４１  整形砥石
４５  整形砥石の段差
４７  切削ブレード（分割手段）
５１  加工工具
５２  基台
５３  大径部分
５４  小径部分
５５  加工工具の段差
５６  円環突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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