(57)【要約】【課題】表面粗度の小さい導体層を覆う厚さがより薄い絶縁層を備える回路基板において、レーザー照射により小径のビアホールを形成した場合でも、経時的に生じる不具合を抑制することができる回路基板を提供する。【解決手段】導体層２４と導体層を覆う絶縁層３０とを備え、絶縁層から導体層の一部分を露出させるビアホール４０を備える回路基板１０であって、導体層の表面２４ａの算術平均粗さが３５０ｎｍ以下であり、ビアホールの深さが３０μｍ以下であり、ビアホールのトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下であり、ビアホールのトップ径（Ｚ）とビアホールの最小径（Ｙ）とビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている、回路基板。【選択図】図１
2019012865.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板であって、
前記導体層の表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下であり、
前記ビアホールの深さが３０μｍ以下であり、
前記ビアホールのトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下であり、
前記ビアホールのトップ径（Ｚ）と前記ビアホールの最小径（Ｙ）と前記ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に広く使用されている回路基板は、電子機器の小型化、高機能化のために、配線の微細化、高密度化が求められている。回路基板の製造方法としては、内層基板に絶縁層と導体層とを交互に積み重ねて多層配線構造を形成するビルドアップ方式による製造方法が知られている。
【０００３】
ビルドアップ方式による回路基板の製造方法において、絶縁層は、例えば支持体と樹脂組成物層とを含む支持体付き樹脂シート等を用いて樹脂組成物層を内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化させることにより形成される。次いで、形成された絶縁層に穴あけ加工してビアホールが形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
回路基板における電気信号の減衰の要因の一つとして、配線を含む導体層の表面粗度が大きいことが知られており、導体層の表面粗度が大きいことに起因する電気信号の減衰を抑制するためには、導体層の表面粗度をより小さくすることが望まれる。特に高周波の電気信号が用いられる場合においては導体層の表面粗度が大きいことによる伝送損失が顕著であり、サーバー向けなどの電気信号の高速伝送が求められるいわゆる高周波回路基板においては、特に導体層の表面粗度をより小さくすることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−３７９５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、上記の点に鑑みて導体層の表面粗度をより小さくし、この導体層を覆う絶縁層の厚さがより薄くされた回路基板の絶縁層に対し、レーザー照射によりビアホールを形成した場合、導体層の表面でレーザー光が反射、拡散することにより導体層の近傍の絶縁層が抉られて不可避的に抉れ部が形成されてしまい、特によりトップ径が小さいビアホールを形成した場合において顕著に、かかる抉れ部に起因して導体層、絶縁層にクラックが発生するなどの不具合が使用によって経時的に生じ得ることを見出した。
【０００７】
従って、本発明の課題は、より薄い絶縁層を備える薄型の回路基板において、導体層の表面粗度をより小さくした場合であって、レーザーの照射により小径のビアホールを絶縁層に形成した場合であっても、クラックの発生等の使用による経時的な不具合が生じにくい回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題につき鋭意検討した結果、上記課題が、回路基板の導体層と絶縁層との密着強度を０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上とし、ビアホールのトップ径（Ｚ）とビアホールの最小径（Ｙ）とビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９、Ｙ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たすことで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は下記［１］〜［２０］を提供する。
［１］  導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板であって、
前記導体層の表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下であり、
前記ビアホールの深さが３０μｍ以下であり、
前記ビアホールのトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下であり、
前記ビアホールのトップ径（Ｚ）と前記ビアホールの最小径（Ｙ）と前記ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている、回路基板。
［２］  前記最小径の位置が、前記ビアホールの深さを基準としたときに前記導体層寄りに位置している、［１］に記載の回路基板。
［３］  前記導体層の表面の算術平均粗さが３００ｎｍ以下である、［１］又は［２］に記載の回路基板。
［４］  前記ビアホールの深さが２５μｍ以下である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の回路基板。
［５］  前記導体層と前記絶縁層との密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上である、［１］〜［４］のいずれか１つに記載の回路基板。
［６］  前記導体層と前記絶縁層との密着強度が０．２ｋｇｆ／ｃｍ以上である、［１］〜［４］のいずれか１つに記載の回路基板。
［７］  前記ビアホールのトップ径（Ｚ）が４０μｍ以下である、［１］〜［６］のいずれか１つに記載の回路基板。
［８］  前記絶縁層が樹脂組成物の硬化物である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の回路基板。
［９］  前記ビアホールがレーザーを照射することにより形成されたビアホールである、［１］〜［８］のいずれか１つに記載の回路基板。
［１０］  ［１］〜［９］のいずれか１つに記載の回路基板を備える半導体装置。
［１１］  工程（Ａ）プラスチックフィルム支持体と、該プラスチックフィルム支持体と接合している樹脂組成物層とを含むプラスチックフィルム支持体付き樹脂シートを、表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下である導体パターンを含む導体層が設けられた配線基板の該導体層に接合する工程と、
工程（Ｂ）前記樹脂組成物層を熱硬化して、前記導体層上の厚さが３０μｍ以下である絶縁層であって該絶縁層と前記導体層との密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上である絶縁層を形成する工程と、
工程（Ｃ）前記プラスチックフィルム支持体側からレーザーを照射して、前記絶縁層にトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下のビアホールであって、該ビアホールのトップ径（Ｚ）と該ビアホールの最小径（Ｙ）と該ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たす前記ビアホールを形成する工程と、
工程（Ｄ）デスミア処理を行う工程と、
工程（Ｅ）前記プラスチックフィルム支持体を前記絶縁層から剥離する工程と、
工程（Ｆ）前記絶縁層にさらなる導体層を形成する工程と
を含む、回路基板の製造方法。
［１２］  前記工程（Ｃ）において、前記ビアホールが該ビアホールの深さを基準としたときに最小径（Ｙ）の位置が前記導体層寄りに位置するように形成される、［１１］に記載の回路基板の製造方法。
［１３］  前記工程（Ｄ）のデスミア処理が、湿式デスミア処理である、［１１］又は［１２］に記載の回路基板の製造方法。
［１４］  前記工程（Ｆ）が、前記絶縁層の表面に乾式めっきにより金属層を形成し、該金属層の表面に湿式めっきにより前記導体層を形成する工程である、［１１］〜［１３］のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
［１５］  前記プラスチックフィルム支持体が、離型層付きプラスチックフィルム支持体である、［１１］〜［１４］のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
［１６］  前記樹脂組成物層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む、［１１］〜［１５］のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
［１７］  前記無機充填材の平均粒径が、０．０１μｍ〜３μｍである、［１６］に記載の回路基板の製造方法。
［１８］  前記無機充填材の平均粒径が、０．０１μｍ〜０．４μｍである、［１６］に記載の回路基板の製造方法。
［１９］  前記樹脂組成物層中の前記無機充填材の含有量が、前記樹脂組成物層中の不揮発成分を１００質量％としたとき、４０質量％〜９５質量％である、［１６］〜［１８］のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
［２０］  前記無機充填材が、表面処理剤で表面処理されている、［１６］〜［１９］のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、表面粗度の小さい導体層を覆う厚さがより薄い絶縁層を備える回路基板において、レーザーの照射により小径のビアホールを形成した場合でも、導体層、絶縁層にクラックが発生するなどの使用による経時的な不具合が生じにくい回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、回路基板を平面的に示す概略的な図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ-ＩＩ一点鎖線で切断した端面を示す概略的な図である。
【図３】図３は、回路基板の製造方法を説明するための概略的な図である。
【図４】図４は、回路基板の製造方法を説明するための概略的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示された配置、形状で製造されたり、使用されたりするわけではない。
【００１３】
[導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備える回路基板]
本発明の回路基板は、導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板であって、導体層の表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下であり、ビアホールの深さが３０μｍ以下であり、ビアホールのトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下であり、ビアホールのトップ径（Ｚ）とビアホールの最小径（Ｙ）とビアホールの底部径（Ｘ）との関係において、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている。
【００１４】
図１及び図２を参照して、回路基板の構成例について説明する。
図１は、回路基板を平面的に示す概略的な図である。回路基板のうち１個のビアホールが設けられた領域を拡大して示してある。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ一点鎖線で切断した端面を示す概略的な図である。
【００１５】
図１及び図２に示されるように、本実施形態の回路基板１０は、配線基板（内層基板）２０を含んでいる。配線基板２０は、基板２２と、基板２２の主面に設けられた導体層２４を含んでいる。導体層２４が設けられている側には、該導体層２４と導体層２４から露出している基板２２の主面とを覆う絶縁層３０が設けられている。
【００１６】
図示例では基板２２の一方の主面側のみに導体層２４及び絶縁層３０が設けられている。しかしながら、本実施形態にかかる回路基板１０の構成は図示例に限定されず、基板２２の両面側に導体層２４及び絶縁層３０を設け、さらに基板２２の両面側にビルドアップ層が設けられる構成であってもよい。この場合には配線基板２０は、いわゆる内層回路基板に相当する。
【００１７】
以下の説明においては、説明を簡略にして理解をより容易にするために、基板２２の一方の主面側のみに導体層２４及び絶縁層３０が設けられている構成について説明する。
【００１８】
ここで導体層２４の表面２４ａの表面粗度、すなわち平均粗さ（算術平均粗さＲａ）は３５０ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下とされる。よって導体層２４は表面粗度が従来の導体層よりも小さくされている。
【００１９】
本実施形態にかかる絶縁層３０の導体層２４上の厚さは３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下とされる。よって絶縁層３０は従来の回路基板の絶縁層よりも薄くされている。すなわち本発明にかかる回路基板１０は全体としてより薄型とされる点に特徴を有している。
【００２０】
絶縁層３０の製造方法の詳細については後述するが、絶縁層３０は、樹脂組成物の硬化物として構成される。この硬化物は樹脂組成物とシート状繊維基材とを含むプリプレグを用いて形成されていてもよい。
【００２１】
回路基板１０には、絶縁層３０の表面３０ａから導体層２４の表面２４ａに至ってその一部分を露出させる１個以上のビアホール４０が設けられている。本実施形態においてビアホール４０は、絶縁層３０の表面３０ａに画成される略円形の輪郭の径（開口径）であるトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下とされる。換言すると本発明の回路基板１０に設けられるビアホール４０は、回路基板１０の厚さ方向で見たときの最大径であるトップ径（Ｚ）が従来のビアホールよりも小径のビアホールとして設けられる。
【００２２】
ビアホール４０の形成方法の詳細については後述するが、ビアホール４０はレーザーを照射することにより形成することが好ましい。
【００２３】
本実施形態のビアホール４０は、そのトップ径（Ｚ）と最小径（Ｙ）とビアホールの底部径（Ｘ）との関係において、Ｙ／Ｚが０．７〜０．９９の範囲（Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９）であり、及びＹ／Ｘが０．７〜１の範囲であってＺ＞Ｙ（Ｙ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ））である。
【００２４】
本実施形態のビアホール４０において、深さｄは、ビアホール４０内を絶縁層３０の表面３０ａ及び／又は導体層２４の表面２４ａに直交する方向に延伸し、一方の端部が表面２４ａにあり他方の端部が表面３０ａの高さと等しい位置にある線分の長さに相当する。ビアホール４０において、最小径（Ｙ）は、ビアホール４０の深さｄを基準としたときにその位置が導体層２４寄りに位置している。換言すると最小径（Ｙ）の位置は、ビアホール４０の深さｄを基準としてトップ径（Ｚ）の位置又は底部径（Ｘ）の位置からの距離が等しい位置、すなわちｄ／２の位置よりも導体層２４寄り、すなわちビアホール４０の深さｄを基準としたときに底部径（Ｘ）側であるビアホール４０の底部４４（０ｄ）からｄ／２の範囲内の位置、さらに換言するとトップ径（Ｚ）側から０．５ｄ〜１．０ｄの範囲内の位置に位置する。
【００２５】
ここで絶縁層３０がプリプレグ由来であってシート状繊維基材を含む場合には、通常、ビアホール４０内に絶縁層３０（ビアホール４０の側壁）からシート状繊維基材の一部が突出する位置が最小径（Ｙ）に相当することになる。
【００２６】
通常、ビアホール４０の輪郭の形状は、そのトップ径（Ｚ）が底部径（Ｘ）よりも大きい逆円錐台状の形状を有するが、図示例のビアホール４０には、導体層２４の表面２４ａから導体層２４の近傍の領域に抉れ部４２が形成されている。なお、本実施形態のビアホール４０は抉れ部４０を有さず、最小径（Ｙ）と底部径（Ｘ）とが一致しており、トップ径（Ｚ）が底部径（Ｘ）よりも大きい逆円錐台状の形状である場合もあり得る。
【００２７】
抉れ部４２は、ビアホール４０の形成に用いられるレーザー光が導体層２４の表面２４ａで反射、拡散されることにより形成される。
【００２８】
抉れ部４２は、図示例ではその輪郭の形状がその底面の径が上面の径よりも大きい円錐台状である。しかしながら、抉れ部４２の形状はこれに限定されない。抉れ部４２の最大径は、図示例ではビアホール４０の底部４４の底部径（Ｘ）に一致している。
【００２９】
回路基板１０においては、抉れ部４２はその輪郭の径（円錐台の底面及び上面の径）、サイズがより小さいことが好ましく、抉れ部４２が存在しない、すなわちＹ／Ｘが１となって、ビアホール４０の輪郭の形状が逆円錐台状の形状となることがより好ましい。
【００３０】
本実施形態にかかる導体層２４と絶縁層３０との密着強度は０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上、好ましくは０．１８ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．２０ｋｇｆ／ｃｍ以上とされる。このように導体層２４と絶縁層３０との密着強度を０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上とすることにより、ビアホール４０の輪郭の形状は上記の関係を満たす。これにより抉れ部４２を有しないか、又は不可避的に有するとしても抉れ部４２の径、抉れ部４２のサイズがより小さいビアホール４０を形成することができる。結果として、絶縁層３０、導体層２４におけるクラックの発生等の使用による経時的な不具合が生じにくいため長寿命であり、例えば高周波信号で動作させたとしても信頼性の高い回路基板１０を提供することができる。
他方、導体層２４と絶縁層３０との密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍより小さい場合にはビアホール４０の輪郭の形状は上記の関係を満たすことができず、抉れ部４２の径、サイズが大きくなってしまい絶縁層３０、導体層２４におけるクラックの発生等の使用による経時的な不具合が生じやすくなってしまうため、経時的に特性が劣化してしまったり、装置の寿命が短くなってしまうおそれがある。
【００３１】
図示例では絶縁層３０の表面３０ａに配線層７０が設けられている。配線層７０は複数の配線を含む配線パターンとして構成される。ここでは配線層７０の材料がビアホール４０内を充填するように、例えばフィルドビアとして、構成されており、これにより配線層７０は導体層２４の表面２４ａに至って、配線層７０と導体層２４とは電気的に接続される。
【００３２】
［回路基板の製造方法］
本実施形態にかかる回路基板の製造方法は、工程（Ａ）プラスチックフィルム支持体と、該プラスチックフィルム支持体と接合している樹脂組成物層とを含むプラスチックフィルム支持体付き樹脂シートを、表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下である導体パターンを含む導体層が設けられた配線基板の該導体層に接合する工程と、工程（Ｂ）樹脂組成物層を熱硬化して、導体層上の厚さが３０μｍ以下である絶縁層であって絶縁層と導体層との密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上である絶縁層を形成する工程と、工程（Ｃ）プラスチックフィルム支持体側からレーザーを照射して、絶縁層にトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下のビアホールであって、ビアホールのトップ径（Ｚ）とビアホールの最小径（Ｙ）とビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たすビアホールを形成する工程と、工程（Ｄ）デスミア処理を行う工程と、工程（Ｅ）プラスチックフィルム支持体を絶縁層から剥離する工程と、工程（Ｆ）絶縁層にさらなる導体層を形成する工程とを含む。
【００３３】
図３及び図４を参照して、本実施形態にかかる回路基板の製造方法について説明する。図３及び図４は、図２と同様にして示す回路基板の製造方法を説明するための概略的な図である。
【００３４】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、プラスチックフィルム支持体と、該プラスチックフィルム支持体と接合している樹脂組成物層とを含むプラスチックフィルム支持体付き樹脂シートを、表面の算術平均粗さが３５０ｎｍ以下である導体パターンを含む導体層が設けられた配線基板の該導体層に接合する工程である。
【００３５】
図３に示されるように、工程（Ａ）において、プラスチックフィルム支持体５０と、このプラスチックフィルム支持体５０と接合している樹脂組成物層３０Ｘとを含むプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０を用意し、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０の樹脂組成物層３０Ｘが配線基板２０の導体層２４の表面２４ａに接合するように積層する。
【００３６】
配線基板２０に含まれる基板２２としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。基板２２の片面（又は両面）には、既に説明したとおり、パターニングされた１以上の配線パターンを含む導体層（回路）２４が形成されている。
【００３７】
配線基板２０の導体層２４の表面２４ａの表面粗度は、電気信号の導体損の低減の観点から、平均表面粗さ（Ｒａ）が３５０ｎｍ以下とされ、好ましくは３００ｎｍ以下とされる。導体層２４の表面粗度は、導体層２４の表面処理により調整することができる。
【００３８】
導体層２４の表面２４ａの低粗度と、導体層２４及び絶縁層３０の密着性を両立させる観点から好ましい導体層２４の表面２４ａの表面処理の例としては、有機酸系マイクロエッチング剤である「メックエッチボンドＣＺ８１００」、「メックエッチボンドＣＺ８１０１」（メック（株）製）を用いる粗化処理、スズ系処理剤である「Ｓｅｃｕｒｅ  ＨＦｚ」（Ａｔｏｔｅｃｈ社製）、「フラットボンド」（メック（株）製）を用いるスズ系処理による表面処理などが挙げられる。ここでスズ系処理とは、少なくとも金属スズ又はスズ酸化物を含む層を導体層２４の表面２４ａに形成することを意味する。具体的には、配線基板２０に対し、置換スズめっきやスズ塩、有機及び／又は無機酸、還元剤等を含む処理液等を用いた浸漬等の処理を行うことにより表面処理が行われる。
【００３９】
工程（Ａ）において用いられるプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０の構成、製造方法の詳細については後述する。
【００４０】
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０と配線基板２０との接合（積層）は、例えば、プラスチックフィルム支持体５０側から、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０を配線基板２０に加熱圧着する加熱圧着工程により行うことができる。プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０を配線基板２０に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材をプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０に直接的にプレスするのではなく、回路基板２０の表面の凹凸に樹脂組成物層３０Ｘが十分に追随するよう、耐熱ゴム等を材料とする弾性材を介してプレスすることが好ましい。
【００４１】
加熱圧着工程の温度は、好ましくは８０℃〜１６０℃の範囲であり、より好ましくは９０℃〜１４０℃の範囲であり、さらに好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲である。加熱圧着工程の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａの範囲であり、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲である。加熱圧着工程の処理時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間の範囲であり、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、圧力を２６．７ｈＰａ以下とする減圧条件下で実施することが好ましい。
【００４２】
積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【００４３】
工程（Ａ）において、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０は、配線基板２０両主面のうちの片面のみに積層してもよく、両面に積層してもよい。
【００４４】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材をプラスチックフィルム支持体５０側からプレスすることにより、積層されたプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記加熱圧着工程における各条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【００４５】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、樹脂組成物層３０Ｘを熱硬化して、導体層２４上の厚さが３０μｍ以下である絶縁層３０であって絶縁層３０と導体層２４との密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上である絶縁層３０を形成する工程である。
【００４６】
工程（Ｂ）において、樹脂組成物層３０Ｘを熱硬化して絶縁層３０を形成する。熱硬化する前にプラスチックフィルム支持体５０を樹脂組成物層３０Ｘから剥離してもよい。プラスチックフィルム支持体５０の表面に離形処理がされ、離形処理された面と樹脂組成物層３０Ｘとが接している場合など、絶縁層３０の形成後、絶縁層３０の表面３０ａから容易にプラスチックフィルム支持体５０が剥離可能な場合は、プラスチックフィルム支持体５０を剥離せずにそのまま熱硬化して絶縁層３０を形成することもできる。
【００４７】
工程（Ｂ）において、樹脂組成物層３０Ｘの熱硬化条件は、特に限定されないが、例えば、硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１６０℃〜２００℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間の範囲、より好ましくは１５分間〜６０分間の範囲）とすることができる。また、熱硬化時の圧力は特に限定されず、常圧下、加圧下、減圧下のいずれであってもよい。
【００４８】
樹脂組成物層３０Ｘを熱硬化させる前に、樹脂組成物層３０Ｘを硬化温度よりも低い温度にて加熱処理する予備加熱処理を行ってもよい。例えば、樹脂組成物層３０Ｘを熱硬化させるのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下）の温度にて、樹脂組成物層３０Ｘを５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間）加熱処理する予備加熱処理を行ってもよい。
【００４９】
樹脂組成物層３０Ｘの熱硬化により形成される絶縁層３０の導体層２４上の厚さ、すなわち上述したビアホール４０の深さｄは薄型の回路基板１０とする観点から３０μｍ以下とされる。薄型化の観点から絶縁層３０の導体層２４上の厚さは２５μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層３０の導体層２４上の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、３μｍ以上である。絶縁層３０の厚さｔ及び絶縁層３０の導体層２４上の厚さ（ｄ）は、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０の樹脂組成物層３０Ｘの厚さを調整することにより、適宜調整することができる。
【００５０】
樹脂組成物層３０Ｘの熱硬化により形成された絶縁層３０と導体層２４との密着強度は、０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上とされる。絶縁層３０と導体層２４との密着強度は、好ましくは、０．２ｋｇｆ／ｃｍ以上である。密着強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ未満であると、レーザーの照射によるビアホール４０の形成時に、ビアホール４０の底部４４側に位置する導体層２４の表面２４ａにおけるレーザー光の反射、拡散により、絶縁層３０と導体層２４とがレーザーエネルギーの熱により剥離してしまうといった不具合を引き起こす場合がある。
【００５１】
形成された絶縁層３０と導体層２４との密着強度は、絶縁層３０を形成するための樹脂組成物の成分、絶縁層３０を形成する際の硬化条件（絶縁層３０を構成する樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ））、導体層２４の表面２４ａの表面粗度、導体層２４の表面２４ａの密着性を向上させるための処理等により調整することができる。
【００５２】
絶縁層３０と導体層２４との密着強度の調整の観点から、例えば樹脂組成物の成分において、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂組成物を用い、硬化剤としてフェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤を用いることが好ましい。このような樹脂組成物の硬化条件としては樹脂組成物の硬化物のＴｇが１００℃以上となるような硬化条件で硬化することが好ましい。樹脂組成物の材料としてトリアジン構造を有するエポキシ樹脂、トリアジン構造を有するフェノール系硬化剤を使用した場合、絶縁層３０と導体層２４との密着強度は向上する傾向にある。他方、エポキシ樹脂として脂環式エポキシ樹脂を使用すると絶縁層３０と導体層２４との密着強度は低下する傾向にあり、また樹脂組成物の成分としてビニル重合系の樹脂を使用する場合にも密着強度は低下する傾向にある。
【００５３】
導体層２４の表面２４ａの表面粗度が大きいほど、いわゆるアンカー効果により絶縁層３０と導体層２４との密着強度は向上する傾向にある。しかし、導体層２４の表面２４ａの表面粗度が大きいほど、信号の伝送損失も増大する傾向にある。よって、本実施形態にかかる回路基板１０では導体層２４の表面２４ａの表面粗度は３５０μｍ以下とされる。また導体層２４の表面２４ａに密着強度を向上させるための表面処理を行うことにより、絶縁層３０と導体層２４との密着強度を向上させることもできる。
【００５４】
導体層２４の表面２４ａを低粗度としつつ密着強度を向上させることができる表面処理の例としては、有機酸系マイクロエッチング剤である「メックエッチボンドＣＺ８１００」、「メックエッチボンドＣＺ８１０１」（メック（株）製）を用いる粗化処理が挙げられる。また導体層２４の表面２４ａの密着強度を向上させるための表面処理の例としては、スズ系処理剤である「Ｓｅｃｕｒｅ  ＨＦｚ」（Ａｔｏｔｅｃｈ社製）による表面処理などが挙げられる。また、粗化処理、密着強度を向上させるための処理を行った後、さらにカップリング剤を用いる処理を施すことにより、密着強度を向上させてもよい。用いられ得るカップリング剤の例としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤等が挙げられる。中でもシランカップリング剤が好ましく、シランカップリング剤の例としては、アミノシランカップリング剤、エポキシシランカップリング剤、スチレンシランカップリング剤等が挙げられる。このような表面処理としては、スズ系処理剤による処理とカップリング剤を用いる処理とを含む「フラットボンド」（メック（株）製）による表面処理が挙げられる。
【００５５】
本実施形態にかかる回路基板１０の製造方法では、絶縁層３０にビアホール４０が形成される。既に説明したとおり、形成されるビアホール４０のトップ径（Ｚ）は５０μｍ以下であり、ビアホール４０のトップ径（Ｚ）とビアホール４０の最小径（Ｙ）とビアホール４０の底部径（Ｘ）との関係は、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９とされ、Ｙ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）とされる。このときビアホール４０の最小径の位置は、ビアホール４０の深さｄを基準としたときに導体層２４寄りに位置する。
【００５６】
＜工程（Ｃ）＞
本実施形態にかかる回路基板１０は、例えば、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）の実施後、工程（Ｃ）を実施することにより製造することができる。
工程（Ｃ）は、プラスチックフィルム支持体５０側、すなわちプラスチックフィルム支持体５０の上方からレーザーを照射して、絶縁層３０にトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下のビアホール４０であって、該ビアホール４０のトップ径（Ｚ）と該ビアホール４０の最小径（Ｙ）と該ビアホール４０の底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たすビアホール４０を形成する工程である。
【００５７】
図４に示されるように、工程（Ｃ）では、レーザーを照射して、絶縁層３０にトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下のビアホール４０を形成する。図示例のようにプラスチックフィルム支持体５０が絶縁層３０に接合された状態で存在する場合には、プラスチックフィルム支持体５０の上方からプラスチックフィルム支持体５０に対してレーザーを照射してもよく、プラスチックフィルム支持体５０を剥離して絶縁層３０に対し直接的にレーザーを照射してもよい。ビアホール４０を精度よく形成する観点から、プラスチックフィルム支持体５０を剥離することなくその上方からレーザーを照射してビアホール４０を形成することが好ましい。
【００５８】
工程（Ｃ）において形成されるビアホール４０のトップ径（Ｚ）は、回路基板１０が備える配線パターンのさらなる高密度化の観点から、５０μｍ未満であることが好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましく、３５μｍ以下であることがさらに好ましく、３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００５９】
工程（Ｃ）において形成されるビアホール４０の個数は、特に限定されず、回路基板１０の設計に応じて任意好適な個数とすることができる。形成される複数のビアホール４０のトップ径（Ｚ）は同一であっても互いに異なっていてもよい。なお、工程（Ｃ）において形成されるビアホール４０の全てのトップ径（Ｚ）が５０μｍ以下である必要はない。回路基板１０の設計に応じて、５０μｍを超えるトップ径（Ｚ）を有するビアホール４０を併せて形成してもよい。
【００６０】
本実施形態にかかる回路基板１０の製造方法で形成されるビアホール４０のトップ径（Ｚ）とビアホール４０の最小径（Ｙ）とビアホール４０の底部径（Ｘ）との関係は、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９とされ、Ｙ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）とされる。そしてビアホール４０の最小径の位置は、ビアホール４０の深さｄを基準としたときに導体層２４寄りに位置する。
【００６１】
工程（Ｃ）において、レーザーの照射に用いられ得るレーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。プラスチックフィルム支持体５０、絶縁層３０の吸光特性等に応じて、任意好適なレーザー光源を使用することができる。
【００６２】
レーザーの照射条件は、既に説明した程度のトップ径（Ｚ）を有する小径のビアホール４０を形成し得る限りにおいて特に限定されず、レーザー光源の種類、プラスチックフィルム支持体５０の有無とその厚さ及び絶縁層３０の厚さ、種類等に応じて、適宜決定してよい。以下、レーザー光源として炭酸ガスレーザーを使用する場合の照射条件について説明する。レーザー光源として炭酸ガスレーザーを使用する場合、一般に９．３μｍ〜１０．６μｍの波長のレーザー光が使用される。ショット数は、形成すべきビアホール４０の深さｄ、トップ径（Ｚ）によっても異なるが、通常１ショット〜１０ショットの範囲で選択される。加工速度を高めて回路基板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、１ショット〜５ショットの範囲であることが好ましく、１ショット〜３ショットの範囲であることがより好ましい。なお、ショット数が２ショット以上である場合、バーストモード、サイクルモードの何れのモードでレーザーを照射してもよい。レーザーのエネルギーは、ショット数、ビアホール４０の深さｄ、プラスチックフィルム支持体５０の有無、その厚さにもよるが、好ましくは０．２ｍＪ以上、より好ましくは０．３ｍＪ以上、さらに好ましくは０．４ｍＪ以上に設定される。レーザーのエネルギーの上限は、好ましくは２０ｍＪ以下、より好ましくは１５ｍＪ以下、さらに好ましくは１０ｍＪ以下である。
【００６３】
工程（Ｃ）は、市販のレーザー装置を用いて実施することができる。市販のレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」（炭酸ガスレーザー装置）、三菱電機（株）製「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」（炭酸ガスレーザー装置）、ＥＳＩ社製「ＭＯＤＥＬ５３３０ｘｉ」、「ＭＯＤＥＬ５３３５」（ＵＶ−ＹＡＧレーザー装置）等が挙げられる。
【００６４】
工程（Ｃ）において形成されたビアホール４０の内部（特にビアホール４０の底部）には、一般に、樹脂残渣（スミア）が付着している。このようなスミアは、層間における電気的な接続不良の原因となるため、ビアホール４０の形成後には、通常スミアを除去するデスミア処理（工程（Ｄ））が行われる。
【００６５】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、デスミア処理を行う工程である。
工程（Ｄ）において、デスミア処理は、特に限定されず、任意好適な従来公知のデスミア処理を行うことができる。デスミア処理は、例えば、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせにより行ってよい。レーザーによるビアホール４０の形成をプラスチックフィルム支持体５０の上方から行う場合には、絶縁層３０にプラスチックフィルム支持体５０が接合した状態であるが、デスミア処理は、プラスチックフィルム支持体５０を剥離後に行ってもよいし、絶縁層３０に接合した状態で行ってもよい。
【００６６】
乾式デスミア処理の例としてはプラズマを用いたデスミア処理が挙げられる。プラズマを用いたデスミア処理は、市販のプラズマデスミア処理装置を使用して実施することができる。市販のプラズマデスミア処理装置の中でも、本発明の回路基板の製造用途に好適な例として、ニッシン（株）製のマイクロ波プラズマ装置、積水化学工業（株）製の常圧プラズマエッチング装置等が挙げられる。
【００６７】
乾式デスミア処理の例としてはまた、研磨材をノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る乾式サンドブラスト処理が挙げられる。乾式サンドブラスト処理は、市販の乾式サンドブラスト処理装置を用いて実施することができる。研磨材として、水溶性の研磨材を使用する場合には、乾式サンドブラスト処理後に水洗処理することにより、研磨材がビアホール４０の内部に残留することもなく、スミアを効果的に除去することができる。
【００６８】
湿式デスミア処理としては、例えば、酸化剤溶液を用いたデスミア処理等が挙げられる。酸化剤溶液を用いてデスミア処理する場合、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ」等を挙げることができる。膨潤処理は、ビアホール４０の形成された基板を、６０℃〜８０℃に加熱した膨潤液に５分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。酸化剤溶液としては、アルカリ性過マンガン酸水溶液が好ましく、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。酸化剤溶液による酸化処理は、膨潤処理後の基板を、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。アルカリ性過マンガン酸水溶液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ド−ジングソリューション・セキュリガンスＰ」等が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化処理後の基板を、３０℃〜５０℃の中和液に３分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」が挙げられる。
【００６９】
湿式デスミア処理としてはまた、研磨材と分散媒とをノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る湿式サンドブラスト処理を用いてもよい。湿式サンドブラスト処理は、市販の湿式サンドブラスト処理装置を用いて実施することができる。
【００７０】
乾式デスミア処理と湿式デスミア処理とを組み合わせて実施する場合、乾式デスミア処理を先に実施してもよく、湿式デスミア処理を先に実施してもよい。
【００７１】
本発明の効果をより享受し得る観点から、工程（Ｄ）のデスミア処理は、湿式デスミア処理であることが好ましい。
【００７２】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、プラスチックフィルム支持体５０を絶縁層３０から剥離する工程である。
プラスチックフィルム支持体５０の剥離の方法は、特に限定されず、従来公知の任意好適な方法により行うことができる。プラスチックフィルム支持体５０は、自動剥離装置により機械的に剥離することができる。
【００７３】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、絶縁層３０に配線層７０を形成する工程である。
デスミア処理の後、絶縁層３０の表面３０ａに配線層７０（ビルドアップ配線層）を形成する。
配線層７０に用いられ得る導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層７０は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を材料として含む。配線層７０は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。配線層７０は、中でも、配線層７０の形成の容易性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層であることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることがより好ましく、銅の単金属層であることがさらに好ましい。
【００７４】
配線層７０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。配線層７０が複層構造である場合、絶縁層３０と接合する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。
【００７５】
配線層７０の厚さは、所望の回路基板のデザインによるが、通常３５μｍ以下、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。配線層７０の厚さの下限は、特に限定されないが、通常３μｍ以上、好ましくは５μｍ以上である。
【００７６】
好適な実施形態において、工程（Ｆ）は、
絶縁層３０の表面に乾式めっきにより金属層を形成するステップと、
金属層の表面に湿式めっきにより配線層７０を形成するステップと
をこの順序で含む（以下、「工程（Ｆ−１）」という。）。
【００７７】
工程（Ｆ−１）においては、まず、絶縁層３０の表面３０ａに乾式めっきにより金属層を形成する。
【００７８】
乾式めっきとしては、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、レーザーアブレーション等の物理気相成長（ＰＶＤ）法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の化学気相成長（ＣＶＤ）法が挙げられ、中でも蒸着、スパッタリングが好ましい。金属層は、これら乾式めっきのうちの２種を組み合わせて形成してもよい。
【００７９】
形成される金属層の厚さは、特に限定されないが、好ましくは５ｎｍ〜２μｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜５００ｎｍである。なお、金属層は、単層構造であっても、複層構造であってもよい。金属層が複層構造である場合、金属層全体の厚さが上記範囲にあることが好ましい。
【００８０】
工程（Ｆ−１）においては、金属層の形成後、該金属層の表面に湿式めっきにより配線層７０を形成する。
【００８１】
金属層をめっきシード層として用い、セミアディティブ法で湿式めっきにより所望のパターンを有する配線パターンを含む配線層７０を形成することができる。詳細には、めっきシード層（金属層）上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより配線層７０を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを含む配線層７０を形成することができる。
【００８２】
なお、配線層７０を形成するにあたり、絶縁層３０の表面３０ａを粗化処理してもよい。この場合、工程（Ｆ−１）は、
絶縁層３０の表面３０ａを粗化処理するステップと、
絶縁層３０の表面３０ａに乾式めっきにより金属層を形成するステップと、
金属層の表面に湿式めっきにより配線層７０を形成するステップと
をこの順序で含む。
【００８３】
粗化処理としては、例えば、乾式粗化処理、湿式粗化処理が挙げられ、これらを組み合わせて粗化処理を実施してもよい。
【００８４】
乾式粗化処理は、既に説明した乾式デスミア処理と同様にして行うことができる。また、湿式粗化処理は、既に説明した湿式デスミア処理と同様にして行うことができる。乾式粗化処理と湿式粗化処理とを組み合わせて実施する場合、乾式粗化処理を先に実施してもよく、湿式粗化処理を先に実施してもよい。粗化処理は、絶縁層３０の露出している表面３０ａの粗化を目的とするものであるが、ビアホール４０の内部のスミア除去に関しても一定の効果を奏する。そのため、工程（Ｄ）を温和な条件で実施した場合にも、スミアの残留を防止することができる。
【００８５】
好適な他の実施形態において、工程（Ｆ）は、
絶縁層３０の表面３０ａを粗化処理するステップと、
絶縁層３０の表面３０ａに湿式めっきにより配線層７０を形成するステップと
をこの順序で含む（以下、「工程（Ｆ−２）」という。）。
【００８６】
粗化処理の詳細については、既に説明したとおりである。
【００８７】
工程（Ｆ−２）においては、絶縁層３０の表面３０ａを粗化処理した後、絶縁層３０の表面３０ａに湿式めっきにより配線層７０を形成する。
【００８８】
例えば、無電解めっきと電解めっきとを組み合わせてセミアディティブ法で所望のパターンを有する配線パターンを含む配線層７０を形成することができる。
【００８９】
得られる絶縁層３０の表面３０ａの表面粗度をより低くすることができ、配線の微細化、高密度化により寄与することから、工程（Ｆ）としては、工程（Ｆ−１）を行うことが好ましい。
【００９０】
以上の工程により回路基板１０が製造される。なお、ここでは絶縁層３０を１層のみ形成する例を説明したが、さらなる絶縁層及びこの絶縁層に設けられる配線層を含む、いわゆるビルドアップ層をさらに１層以上形成してもよい。
【００９１】
＜プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート＞
本発明の製造方法で使用されるプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０について説明する。
【００９２】
本発明の製造方法で使用されるプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０は、プラスチックフィルム支持体５０と、プラスチックフィルム支持体５０と接合する樹脂組成物層３０Ｘとを含む。以下、これらについて説明する。
【００９３】
（プラスチックフィルム支持体）
プラスチックフィルム支持体５０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（「ＰＥＴ」という。）、ポリエチレンナフタレート（「ＰＥＮ」という。）等のポリエステル、ポリカーボネート（「ＰＣ」という。）、ポリメチルメタクリレート（「ＰＭＭＡ」という。）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（「ＴＡＣ」という。）、ポリエーテルサルファイド（「ＰＥＳ」という。）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリイミドが好ましく、ＰＥＴ、ＰＥＮがより好ましい。好適な一実施形態において、プラスチックフィルム支持体５０は、ＰＥＴフィルム支持体又はＰＥＮフィルム支持体である。
【００９４】
本発明の回路基板１０を製造する際には、プラスチックフィルム支持体５０側の上方よりレーザーを照射して、絶縁層３０に小径のビアホール４０を形成することが好ましい。レーザーの照射によりビアホール４０を円滑に形成する観点から、プラスチックフィルム支持体５０は、レーザーエネルギーを吸収し得ることが好ましい。例えば、ＰＥＮフィルム支持体は、紫外線（ＵＶ）吸収性を有することから、ＵＶ照射によるビアホール４０の形成にプラスチックフィルム支持体５０として好適に使用できる。
【００９５】
プラスチックフィルム支持体５０にレーザーエネルギー吸収性成分を含有させることにより、レーザーエネルギー吸収性を賦与あるいは増大させてもよい。レーザーエネルギー吸収性成分としては、ビアホール４０の形成に使用されるレーザーを吸収し得る限り特に限定されず、例えば、カーボン粉、金属化合物粉、金属粉及び黒色染料等が挙げられる。レーザーエネルギー吸収性成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９６】
カーボン粉としては、例えば、ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、アントラセンブラック等のカーボンブラックの粉末、黒鉛粉末、及びこれらの混合物の粉末が挙げられる。金属化合物粉としては、例えば、酸化チタン等のチタニア類、酸化マグネシウム等のマグネシア類、酸化鉄等の鉄酸化物、酸化ニッケル等のニッケル酸化物、二酸化マンガン、酸化亜鉛等の亜鉛酸化物、二酸化珪素、酸化アルミニウム、希土類酸化物、酸化コバルト等のコバルト酸化物、酸化錫等のスズ酸化物、酸化タングステン等のタングステン酸化物、炭化珪素、炭化タングステン、窒化硼素、窒化珪素、窒化チタン、窒化アルミニウム、硫酸バリウム、希土類酸硫化物、及びこれらの混合物の粉末が挙げられる。金属粉としては、例えば、銀、アルミニウム、ビスマス、コバルト、銅、鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、アンチモン、ケイ素、錫、チタン、バナジウム、タングステン、亜鉛、及びこれらの合金若しくは混合物の粉末などが挙げられる。黒色染料としては、例えば、アゾ（モノアゾ、ジスアゾ等）染料、アゾ−メチン染料、アントラキノン系染料キノリン染料、ケトンイミン染料、フルオロン染料、ニトロ染料、キサンテン染料、アセナフテン染料、キノフタロン染料、アミノケトン染料、メチン染料、ペリレン染料、クマリン染料、ペリノン染料、トリフェニル染料、トリアリルメタン染料、フタロシアニン染料、インクロフェノール染料、アジン染料、及びこれらの混合物などが挙げられる。黒色染料は、分散性を向上させるため、溶剤に対して可溶性である黒色染料を用いることが好ましい。中でも、レーザーエネルギー吸収性成分としては、レーザーエネルギーの熱への変換効率や、汎用性等の観点から、カーボン粉が好ましく、特にカーボンブラックが好ましい。なお、レーザーエネルギー吸収性成分の平均粒径の上限は、レーザーエネルギーを効率よく吸収する観点から、好ましくは２０μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以下である。該平均粒径の下限は、分散性の観点から、好ましくは０．００１μｍ以上であり、より好ましくは０．００２μｍである。ここでいう「平均粒径」とは、粒度分布測定装置、ＢＥＴ法で測定することができる。ＢＥＴ法とは、粉体粒子の表面に吸着占有面積が既知の分子を液体窒素の温度で吸着させ、その量から試料の比表面積を求める方法である。さらにＢＥＴ法より求められた比表面積から平均粒径を算出することができる。
【００９７】
レーザーエネルギー吸収性成分の含有量は、プラスチックフィルム支持体５０を構成する全成分を１００質量％としたとき、ビアホール４０を円滑に形成する観点から、好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０３質量％であり、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。該含有量の上限は、良好な可撓性を有するプラスチックフィルム支持体５０を得る観点から、好ましくは４０質量％以下であり、より好ましくは２０質量％以下であり、さらに好ましくは１０質量％以下である。なお、レーザーエネルギー吸収性成分は、後述する離型層中に含まれていてもよい。
【００９８】
プラスチックフィルム支持体５０の市販品としては、例えば、東レ（株）製の「ルミラーＲ５６」、「ルミラーＲ８０」、「ルミラーＴ６ＡＭ」（ＰＥＴフィルム）、帝人デュポンフィルム（株）製の「Ｇ２ＬＡ」（ＰＥＴフィルム）、「テオネックスＱ８３」（ＰＥＮフィルム）、宇部興産（株）製の「ユーピレックス−Ｓ」（ポリイミドフィルム）、（株）カネカ製の「アピカルＡＨ」、「アピカルＮＰＩ」（ポリイミドフィルム）などが挙げられる。
【００９９】
プラスチックフィルム支持体５０は、樹脂組成物層３０Ｘと接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【０１００】
工程（Ｂ）において絶縁層３０とプラスチックフィルム支持体５０との間の密着強度を所望の範囲に調整し易いことから、プラスチックフィルム支持体５０としては、樹脂組成物層３０Ｘと接合する面に離型層を有する離型層付きのプラスチックフィルム支持体５０が好適である。離型層に使用し得る離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、メラミン樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂等の非シリコーン系離型剤、及びシリコーン系離型剤が挙げられる。離型剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０を作製するに際して樹脂ワニスに対して高い濡れ性を示し、樹脂組成物層３０Ｘとの接触状態が全面にわたって均一となり易いことから、離型層は、非シリコーン系離型剤を含む離型層であることが好ましく、アルキド樹脂及び／又はオレフィン樹脂を含む離型層であることがより好ましい。
【０１０１】
離型剤は、その構成成分の種類等に応じて、剥離強度が低い、いわゆる軽剥離型の離型剤、剥離強度が高い、いわゆる重剥離型の離型剤、軽剥離型の離型剤と重剥離型の離型剤との中間の剥離強度を示す、いわゆる中剥離型の離型剤に分類し得るが、工程（Ｂ）において密着強度を所望の範囲に調整し易いことから、重剥離型の離型剤が好ましい。絶縁層３０を形成するための樹脂組成物層３０Ｘの組成、工程（Ａ）の積層の条件、工程（Ｂ）の熱硬化の条件等によっても異なるが、離型剤としては、初期の密着強度が好ましくは１００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上であり、より好ましくは３００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上であり、さらに好ましくは５００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上であり、７００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上、８００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上、９００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上又は１０００（ｍＮ／２０ｍｍ）以上である離型剤を使用することができる。初期の密着強度の上限は、特に限定されないが、工程（Ｅ）においてプラスチックフィルム支持体５０を円滑に剥離する観点から、通常、８０００（ｍＮ／２０ｍｍ）以下であり、７５００（ｍＮ／２０ｍｍ）以下などとし得る。初期の密着強度は、離型剤で離型処理した面にアクリル粘着テープ（日東電工（株）製「３１Ｂ」）を２ｋｇローラーを用いて貼付し、３０分間放置した後、アクリル粘着テープの一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温下、３０ｃｍ／分の速度、剥離角度１８０°の条件で引き剥がしたときの荷重（ｍＮ／２０ｍｍ）を測定して求めることができる。測定は、例えば、（株）ＴＳＥ製「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」等の引っ張り試験機を使用して実施してよい。
【０１０２】
離型剤の市販品としては、例えば、リンテック（株）製の「Ｘ」（シリコーン含有アルキド樹脂系離型剤；４９０ｍＮ／２０ｍｍ）、「ＳＫ−１」（シリコーン含有アルキド樹脂系離型剤；１２５０ｍＮ／２０ｍｍ）、「ＡＬ−５」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；１４８０ｍＮ／２０ｍｍ）、「６０５０」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；２４００ｍＮ／２０ｍｍ）、「６０５１」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；２８００ｍＮ／２０ｍｍ）、「６０５２」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；４０００ｍＮ／２０ｍｍ）などが挙げられる（括弧内に初期の密着強度の値を示す）。離型剤の市販品としてはまた、リンテック（株）製の「ＡＬ−７」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；重剥離型）、藤森工業（株）製の「ＮＳＰ−４」（非シリコーン・アルキド樹脂系離型剤；重剥離型）などが挙げられる。
【０１０３】
プラスチックフィルム支持体５０の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ〜１００μｍの範囲であることが好ましく、１５μｍ〜７５μｍの範囲であることがより好ましい。特に小径ビアの形成がしやすくなるという観点から、２０μｍ〜５０μｍの範囲であることがさらに好ましい。なお、プラスチックフィルム支持体５０が離型層付きのプラスチックフィルム支持体５０である場合、離型層付きのプラスチックフィルム支持体５０全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１０４】
（樹脂組成物層）
樹脂組成物層３０Ｘに用いられる樹脂組成物は、その硬化物が、十分な硬度と絶縁性を有すると共に、プラスチックフィルム支持体５０との所望の密着強度をもたらす限りにおいて特に限定されない。樹脂組成物としては、例えば、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む樹脂組成物を用いることができる。樹脂組成物層３０Ｘに用いられる樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及び有機充填材等の添加剤を含んでいてもよい。以下、樹脂組成物の成分について説明する。
【０１０５】
−エポキシ樹脂−
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂及びトリメチロール型エポキシ樹脂等が挙げられる。例示したエポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０６】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状であるエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状であるエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。
【０１０７】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｈ」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との混合品）、ナガセケムテックス（株）製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル化学工業（株）製の「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０８】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学（株）製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５Ｖ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル（株）製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【０１０９】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：６の範囲とすることが好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比をかかる範囲とすることにより、i）プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii）プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができるなどの効果が得られる。上記i）〜iii）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：５の範囲であることがより好ましく、１：０．６〜１：４．５の範囲であることがさらに好ましい。
【０１１０】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、好ましくは３質量％〜４０質量％であり、より好ましくは５質量％〜３５質量％であり、さらに好ましくは１０質量％〜３０質量％である。
【０１１１】
本明細書において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、特記しない限り、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたときの値である。
【０１１２】
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【０１１３】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００、より好ましくは８０〜２０００、さらに好ましくは１１０〜１０００である。この範囲とすることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６で規定されている方法に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【０１１４】
−硬化剤−
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤及びカルボジイミド系硬化剤等が挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１５】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着強度の観点から、含窒素フェノール系硬化剤又は含窒素ナフトール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤又はトリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着強度を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック樹脂が好ましい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１６】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製の「ＳＮ−１７０」、「ＳＮ−１８０」、「ＳＮ−１９０」、「ＳＮ−４７５」、「ＳＮ−４８５」、「ＳＮ−４９５」、「ＳＮ−３７５」、「ＳＮ−３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−１３５６」等が挙げられる。
【０１１７】
導体層２４との密着強度を高める観点から、活性エステル系硬化剤も好ましい。活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えばハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【０１１８】
活性エステル系硬化剤としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンタレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【０１１９】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）などが挙げられる。
【０１２０】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【０１２１】
シアネートエステル系硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック型（フェノールノボラック型、アルキルフェノールノボラック型など）シアネートエステル系硬化剤、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル系硬化剤、ビスフェノール型（ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型など）シアネートエステル系硬化剤、及びこれらが一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。具体例としては、ビスフェノールＡジシアネート（ＢＡＤＣｙ、２，２−ビス（４−シアネートフェニル）プロパンとも称される。）、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート））、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、１，１−ビス（４−シアネートフェニル）メタン、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の市販品としては、ロンザ社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）、「Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）  ＢＡＤＣｙ」等が挙げられる。
【０１２２】
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル（株）製の「Ｖ−０３」、「Ｖ−０７」等が挙げられる。
【０１２３】
エポキシ樹脂と硬化剤との量比は、得られる絶縁層の機械強度や耐水性を向上させる観点から、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５の範囲がより好ましく、１：０．４〜１：１の範囲がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の不揮発成分の質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。
【０１２４】
−無機充填材−
無機充填材の材料は、特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。市販されている球形溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ３」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」、「ＹＡ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０１０Ｃ」等が挙げられる。
【０１２５】
無機充填材の平均粒径は、その上に微細な配線パターンを形成し得る絶縁層を得る観点から、３μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、０．７μｍ以下であることがさらに好ましく、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、又は０．３μｍ以下であることがさらにより好ましい。無機充填材の平均粒径の下限は、樹脂組成物を使用して樹脂ワニスを形成する際に適度な粘度を有し取り扱い性の良好な樹脂ワニスを得る観点から、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０３μｍ以上であることがより好ましく、０．０５μｍ以上であることがさらに好ましく、０．０７μｍ以上であることがさらにより好ましく、０．１μｍ以上であることが特に好ましい。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折式粒度分布測定装置としては、（株）堀場製作所製「ＬＡ−５００」、「ＬＡ−７５０」、「ＬＡ−９５０」等を使用することができる。
【０１２６】
本実施形態の製造方法において用いられる無機充填材としては、分級により粗大な粒子が除去された無機充填材を使用することが好ましい。一実施形態において、分級により粒径１０μｍ以上の粒子が除去された無機充填材を使用することが好ましく、分級により粒径５μｍ以上の粒子が除去された無機充填材を使用することがより好ましく、分級により粒径３μｍ以上の粒子が除去された無機充填材を使用することがさらに好ましい。
【０１２７】
無機充填材の平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ〜３μｍであり、より好ましくは０．０１μｍ〜０．４μｍである。
【０１２８】
無機充填材は、分散性、耐湿性を向上させる観点から、表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、例えば、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤が挙げられる。表面処理剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。
【０１２９】
無機充填材の表面処理後に、無機充填材の表面に結合している単位表面積当たりのカーボン量は、好ましくは０．０５ｍｇ／ｍ２以上であり、より好ましくは０．０８ｍｇ／ｍ２以上であり、さらに好ましくは０．１１ｍｇ／ｍ２以上であり、さらにより好ましくは０．１４ｍｇ／ｍ２以上であり、特に好ましくは０．１７ｍｇ／ｍ２以上、０．２０ｍｇ／ｍ２以上、０．２３ｍｇ／ｍ２以上、又は０．２６ｍｇ／ｍ２以上である。カーボン量の上限は、好ましくは１.００ｍｇ／ｍ２以下であり、より好ましくは０.７５ｍｇ／ｍ２以下であり、さらに好ましくは０．７０ｍｇ／ｍ２以下であり、さらにより好ましくは０．６５ｍｇ／ｍ２以下、０．６０ｍｇ／ｍ２以下、０．５５ｍｇ／ｍ２以下、０．５０ｍｇ／ｍ２以下である。
【０１３０】
無機充填材の表面に結合している単位面積当たりのカーボン量は、以下の手順で算出することができる。表面処理後の無機充填材に溶剤として十分な量のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）を加えて、超音波洗浄する。上澄液を除去し、得られた不揮発成分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の表面に結合しているカーボン量を測定する。得られたカーボン量を無機充填材の比表面積で除すことにより、無機充填材に結合している単位表面積当たりのカーボン量を算出する。カーボン分析計としては、例えば、（株）堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等が挙げられる。
【０１３１】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、絶縁層３０の熱膨張率を低下させて、絶縁層３０と導体層２４との熱膨張の差によるクラックや回路歪みの発生を防止する観点から、４０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましく、６０質量％以上であることがさらに好ましい。無機充填材含有量の高い樹脂組成物を用いて絶縁層３０を形成する場合、絶縁層３０と導体層２４との密着強度が低下する場合があるが、本発明の回路基板の製造方法によれば、無機充填材の含有量の高い樹脂組成物を用いる場合にも絶縁層３０と導体層２４との十分な密着強度を実現することができる。本発明の回路基板の製造方法においては、絶縁層３０と導体層２４との密着強度を低下させることなく、樹脂組成物中の無機充填材の含有量をさらに高めることができる。例えば、樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、６２質量％以上、６４質量％以上、６６質量％以上、６８質量％以上、又は７０質量％以上にまで高めてよい。
【０１３２】
無機充填材の含有量の上限は、絶縁層３０の機械強度の観点から、９５質量％以下であることが好ましく、９０質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。
【０１３３】
一実施形態において、樹脂組成物層３０Ｘに使用される樹脂組成物は、上述のエポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含む。中でも、樹脂組成物は、エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との混合物（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂の質量比は好ましくは１：０．１〜１：６、より好ましくは１：０．３〜１：５、さらに好ましくは１：０．６〜１：４．５）を、硬化剤としてフェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤からなる群から選択される１種以上を、無機充填材としてシリカを、それぞれ含むことが好ましい。かかる特定の成分を組み合わせて含む樹脂組成物層３０Ｘに関しても、エポキシ樹脂、硬化剤、及び無機充填材の好適な含有量は上述のとおりであるが、中でも、エポキシ樹脂の含有量が５質量％〜３５質量％、無機充填材の含有量が４０質量％〜９５質量％であることが好ましく、エポキシ樹脂の含有量が１０質量％〜３０質量％、無機充填材の含有量が５０質量％〜９０質量％であることがより好ましい。硬化剤の含有量に関しては、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数と、硬化剤の反応基の合計数との比が、１：０．２〜１：２となるように含有させることが好ましく、１：０．３〜１：１．５となるように含有させることがより好ましく、１：０．４〜１：１となるように含有させることがさらに好ましい。
【０１３４】
樹脂組成物層３０Ｘの形成に用いられる樹脂組成物は、必要に応じて、さらに熱可塑性樹脂、硬化促進剤、難燃剤及び有機充填材等を含んでいてもよい。以下、これらの成分について説明する。
【０１３５】
−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３６】
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８０００〜７００００の範囲であることが好ましく、１００００〜６００００の範囲であることがより好ましく、２００００〜６００００の範囲であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所（株）製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃として測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【０１３７】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【０１３８】
ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業（株）製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【０１３９】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（例えば特開２００６−３７０８３号公報に記載の線状ポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリシロキサン骨格含有ポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【０１４０】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【０１４１】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【０１４２】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【０１４３】
樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．１質量％〜２０質量％であり、より好ましくは０．５質量％〜１０質量％であり、さらに好ましくは１質量％〜５質量％である。
【０１４４】
−硬化促進剤−
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂と硬化剤との不揮発成分の合計を１００質量％としたとき、０．０５質量％〜３質量％の範囲で使用することが好ましい。硬化促進剤としては、例えば４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃｏ（ＩＩＩ）−１Ｍ）（東京化成（株））が挙げられる。
【０１４５】
−難燃剤−
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、１種単独で用いてもよく、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。樹脂組成物中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、好ましくは０．５質量％〜１０質量％であり、より好ましくは１質量％〜９質量％である。難燃剤としては、例えば、ＨＣＡ−ＨＱ（三光（株）製）が挙げられる。
【０１４６】
−有機充填材−
有機充填材としては、回路基板の絶縁層を形成するに際し使用し得る任意の有機充填材を使用してよく、例えば、ゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられ、ゴム粒子が好ましい。
【０１４７】
ゴム粒子としては、ゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体である限り特に限定されず、例えば、アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、ブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。ゴム粒子としては、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム（株）製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８１６Ｎ、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、アイカ工業（株）製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業（株）製）などが挙げられる。
【０１４８】
有機充填材の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（大塚電子（株）製「ＦＰＡＲ−１０００」）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは２質量％〜５質量％である。
【０１４９】
−他の成分−
樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、着色剤及び硬化性樹脂等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【０１５０】
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０において、樹脂組成物層３０Ｘは、２層以上の層からなる複層構造であってもよい。複層構造の樹脂組成物層３０Ｘとする場合、その全体の厚さが上記範囲にあることが好ましい。
【０１５１】
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０は、プラスチックフィルム支持体５０に接合するように樹脂組成物層３０Ｘを形成することによって製造することができる。
【０１５２】
樹脂組成物層３０Ｘは、従来公知の任意好適な方法で、プラスチックフィルム支持体５０に形成することができる。例えば、溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどの塗布装置を用いてプラスチックフィルム支持体５０の表面に塗布し、塗布膜を乾燥させて樹脂組成物層３０Ｘを形成することができる。
【０１５３】
樹脂ワニスの調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル系溶媒、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール系溶媒、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。溶剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１５４】
塗布膜の乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。樹脂組成物層３０Ｘ中に溶剤が多く残留すると、硬化後に膨れが発生する原因となるため、樹脂組成物中の残留溶剤量が通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層３０Ｘを形成することができる。
【０１５５】
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０において、樹脂組成物層３０Ｘのプラスチックフィルム支持体５０と接合していない面（即ち、プラスチックフィルム支持体５０とは反対側の面）には、プラスチックフィルム支持体５０に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されず、例えば、１μｍ〜４０μｍであってよい。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層３０Ｘの表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート６０は、ロール状に巻きとって保存することが可能であり、回路基板１０を製造する際には、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１５６】
［半導体装置］
本発明の製造方法により製造された回路基板１０を用いて、例えば所望の機能を有する半導体チップをこれに搭載することにより、回路基板１０を備える半導体装置を製造することができる。
【０１５７】
かかる半導体装置の例としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０１５８】
本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１５９】
以下、実施例１〜３及び比較例１〜４について説明する。
【０１６０】
〔サンプルの作成、並びに評価〕
（１）配線基板の下地処理
直径１５０μｍの円形の導体パターン（配線パターン）が両面に形成されたガラス布基材エポキシ樹脂積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板の厚さ０．３ｍｍ、サイズ５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、パナソニック（株）製「Ｒ５７１５ＥＳ」を用いて導体パターン（残銅率約７０％）を形成した配線基板）の両面に対し、処理（ｉ）メック（株）製「ＣＺ８１００」にて厚さにして約０．６μｍエッチングして除去し導体パターンの表面の粗化処理を行って得たサンプル（ｉ）と、処理（ｉ）の代わりに処理（ｉｉ）導体パターンの表面にメック（株）製「フラットボンド」処理を行って得たサンプル（ｉｉ）とを用意した。
【０１６１】
（導体層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定）
非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる数値としてＲａ値を求めた。なお、Ｒａ値はサンプル（ｉ）及びサンプル（ｉｉ）それぞれの１０点の測定値の平均値を求めることにより得た値である。ＣＺ８１００で処理したサンプル（ｉ）のＲａ値は２７０ｎｍであり、フラットボンド処理を行ったサンプル（ｉｉ）ではＲａ値は１６０ｎｍであった。このように本実施例では、Ｒａ値が従来の処理（厚さにして１μｍ〜２μｍ程度のエッチング）によるＲａ値（５００ｎｍ〜７００ｎｍ）と比較してより小さくされている。
【０１６２】
（２）プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートの積層工程
下記作製例に示されるとおりに作製されたプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート（プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ）（サイズ５０４ｍｍ×３３４ｍｍ）の保護フィルムを剥離し、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニチゴー・モートン（株）製、２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層が前記（１）で処理された配線基板と接するように、配線基板の両面に積層した。この積層工程は、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、温度１１０℃、圧力０．７４ＭＰａの条件にて３０秒間圧着させることにより実施した。次いで、温度１１０℃、圧力０．５ＭＰａの条件にて６０秒間熱プレス工程を行った。
【０１６３】
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートがプラスチックフィルム支持体付きプリプレグである場合には、配線基板の両面にプラスチックフィルム支持体付きプリプレグを接合した後、積層工程を、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、温度１２０℃、圧力０．７４ＭＰａの条件で６０秒間圧着させることにより実施した。次いで、温度を１２０℃、圧力０．５ＭＰａの条件で９０秒間熱プレス工程を行った。
【０１６４】
（導体層と絶縁層との密着強度（ピール強度）の測定及び評価）
下記（ａ）〜（ｃ）の処理によりピール強度を測定した。
（ａ）銅箔の下地処理
三井金属鉱山（株）製３ＥＣ−ＩＩＩ（電解銅箔、厚さ３５μｍ）の光沢面側を、処理（ｉ）メック（株）製「ＣＺ８１００」にて厚さにして０．６μｍエッチングして除去し銅箔の表面の粗化処理を行って得たサンプル（ｉ）と、前記処理（ｉ）の代わりに処理（ｉｉ）メック（株）製「フラットボンド」処理により、銅箔の表面の処理を行って得たサンプル（ｉｉ）とを用意した。銅箔の表面の粗度は、ＣＺ８１００で処理したサンプル（ｉ）についてはＲａ値が２７０（ｎｍ）であり、フラットボンド処理を行ったサンプル（ｉｉ）についてはＲａ値が１６０（ｎｍ）であった。
【０１６５】
（ｂ）銅箔のラミネート及び絶縁層の形成
上記（２）においてラミネートされたプラスチックフィルム支持体付き樹脂シート（プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ）からプラスチックフィルム支持体（ＰＥＴフィルム）を剥離し、上記（ａ）で処理された銅箔の光沢面側を樹脂組成物層側に向けて、上記（２）の積層工程と同様の条件で、銅箔を、配線基板の両面に形成された樹脂組成物層にラミネートした。１２０℃で３０分間、次いで１７５℃で３０分間加熱処理し、樹脂組成物層を熱硬化することにより絶縁層として評価用のサンプル（回路基板）を得た。得られた回路基板を「評価基板Ａ」と称する。またラミネートされた銅箔を導体層と称する。
【０１６６】
（ｃ）導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
上記（ｂ）で得られた評価基板Ａを１５０ｍｍ×３０ｍｍの小片に切断した。小片の銅箔部分に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの短冊状の切込みをいれ、銅箔のうちの短冊状の切込みの一端を剥がしてつかみ具（（株）ティー・エス・イー、オートコム型試験機  ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ）で掴み、インストロン万能試験機を用いて、室温で、５０ｍｍ／分の速度で評価基板Ａの表面に対して垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重を測定し、測定値をピール強度とした。
【０１６７】
測定されたピール強度が０．１５ｋｇｆ／ｃｍ以上であったサンプルを「○」と評価し、０．１５ｋｇｆ／ｃｍ未満であったサンプルを「×」と評価した。
【０１６８】
上記（２）のプラスチックフィルム支持体付き樹脂シートの積層工程に引き続き、下記（３）〜（７）を実施することにより評価基板Ｂ及び評価基板Ｃを得た。
【０１６９】
（３）樹脂組成物層の硬化
プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートが積層された配線基板を、１２０℃で３０分間、次いで１７５℃で３０分間、又は１６５℃で３０分間（比較例１及び２）加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層とした。
【０１７０】
（４）ビアホールの形成
プラスチックフィルム支持体側の上方からレーザーを照射して、内側にある直径１５０μｍの円形の導体パターンの直上の絶縁層に小径のビアホールを形成した。
【０１７１】
ビアホールの形成工程は、下記（Ａ）〜（Ｄ）に示したとおり条件を変えて行った。ここで実施例１〜３及び比較例１〜４との対応関係を説明する。
【０１７２】
実施例１、比較例１及び比較例３については下記（Ａ）の手順に従って、実施例２及び実施例４については下記（Ｂ）の手順に従って、実施例３及び比較例４については下記（Ｃ）の手順に従って、比較例２については下記（Ｄ）の手順に従って、それぞれの絶縁層に小径のビアホールを形成した。
【０１７３】
（Ａ）三菱電機（株）製ＣＯ２レーザー加工機「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」を使用して、プラスチックフィルム支持体側の上方からレーザーを照射して、絶縁層にトップ径（直径）３０又は３１μｍのビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が１ｍｍであり、パルス幅が１６μｓであり、エネルギーが０．２０ｍＪ／ショットであり、ショット数が２であり、バーストモード（１０ｋＨｚ）で行った。
（Ｂ）三菱電機（株）製ＣＯ２レーザー加工機「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」を使用して、プラスチックフィルム支持体側の上方からレーザーを照射して、絶縁層にトップ径（直径）２５μｍのビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が０．９ｍｍであり、パルス幅が１６μｓであり、エネルギーが０．１８ｍＪ／ショットであり、ショット数が２であり、バーストモード（１０ｋＨｚ）で行った。
（Ｃ）ビアメカニクス（株）製ＣＯ２レーザー加工機「ＬＣ−２ｋ２１２／２Ｃ」を使用して、プラスチックフィルム支持体側の上方からレーザーを照射して、絶縁層にトップ径（直径）４０又は４１μｍのビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が２．５ｍｍであり、パルス幅が４μｓであり、パワーが０．７Ｗであり、ショット数が３であり、サイクルモード（２ｋＨｚ）で行った。
（Ｄ）三菱電機（株）製ＣＯ２レーザー加工機「６０５ＧＴＷＩＩＩ（−Ｐ）」を使用して、プラスチックフィルム支持体側の上方からレーザーを照射して、絶縁層にトップ径（直径）２９μｍのビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径が０．９ｍｍであり、パルス幅が１６μｓであり、エネルギーが０．３６ｍＪ／ショットであり、ショット数が２であり、バーストモード（１０ｋＨｚ）で行った。
【０１７４】
実施例１、実施例２、実施例４及び比較例１〜３で形成されたビアホールの深さｄは１５μｍであり、実施例３及び比較例４で形成されたビアホールの深さｄは２３μｍであった。
【０１７５】
（５）デスミア処理
ビアホールの形成後、プラスチックフィルム支持体を剥離し、ビアホールが設けられた回路基板に対してデスミア処理を行った。なお、デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。
湿式デスミア処理：
ビアホールが設けられた回路基板を、膨潤液（アトテックジャパン（株）製「スウェリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液）に６０℃で１０分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、過マンガン酸カリウム濃度約６％、水酸化ナトリウム濃度約４％の水溶液）に８０℃で２０分間、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間、浸漬した後、８０℃で１５分間乾燥した。得られた基板を「評価基板Ｂ」と称する。
【０１７６】
（６）ビアホールの形状の確認
上記（５）で得られた評価基板Ｂについて、ビアホールの開口部を表面から走査型電子顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製ＳＭＩ３０５０ＳＥ  ＦＩＢ−ＳＥＭ  複合装置）にて観察した後、集束イオンビーム加工観察装置（ＦＩＢ）にて中央部断面を削り出し、得られた画像からビアホールのトップ径（Ｚ）、ビアホールの最小径（Ｙ）、ビアホールの底部径（Ｘ）及び最小径（Ｙ）のビアホール底部からの距離を測定し、１０個のビアホールの平均値をそれぞれ求めた。
【０１７７】
（７）導体層の形成
評価基板Ｂの表面に導体層を形成するため、下記１〜７の工程を含むめっき工程（アトテックジャパン（株）製の薬液を使用した銅めっき工程）を行って導体層を形成した。
【０１７８】
１．アルカリクリーニング（ビアホールが設けられた絶縁層の表面の洗浄と電荷調整）
商品名：Ｃｌｅａｎｉｎｇ  Ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２（商品名）を用いて６０℃で５分間洗浄した。
２．ソフトエッチング（ビアホール内の洗浄）
硫酸酸性ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液を用いて、３０℃で１分間処理した。
３．プレディップ（Ｐｄ付与のための絶縁層の表面の電荷の調整）
Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ（商品名）を用い、室温で１分間処理した。
４．アクティヴェーター付与（絶縁層の表面へのＰｄの付与）
Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４（商品名）を用い、３５℃で５分間処理した。
５．還元（絶縁層に付与されたＰｄを還元）
Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ（商品名）とＲｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．（商品名）との混合液を用い、３０℃で５分間処理した。
６．無電解銅めっき工程（Ｃｕを絶縁層の表面（Ｐｄ表面）に析出）
Ｂａｓｉｃ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｃｏｐｐｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ（商品名）と、Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ  Ｐｒｉｎｔｇａｎｔｈ  ＭＳＫ−ＤＫ（商品名）と、Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｃｕ（商品名）との混合液を用いて、３５℃で２０分間処理した。形成された無電解銅めっき層の厚さは１μｍであった。
【０１７９】
７．電解銅めっき工程
次いで、アトテックジャパン（株）製の薬液を使用して、ビアホール内に銅が充填される条件で電解銅めっき工程を行った。その後に、エッチングによるパターニングのためのレジストパターンとして、ビアホールに対応する直径８０μｍのランドパターンを形成し、このランドパターンを用いて絶縁層の表面に１５μｍの厚さで導体パターンを有する導体層を形成した。次に、アニール処理を１９０℃にて６０分間行って回路基板を得た。得られた回路基板を「評価基板Ｃ」と称する。
【０１８０】
＜サーマルサイクルテスト＞
上記（７）で得られた評価基板Ｃに対して、エスペック（株）製の小型冷熱衝撃装置「ＴＳＥ−１１」を用いて、−５５℃で３０分間の処理ａ及び１２０℃で３０分間の処理ｂを連続的に行う処理を１サイクルとしてこれを１０００サイクル行うサーマルサイクルテスト（ＴＣＢ）を行った。その後、上記めっき工程によりビアホール内に充填された銅により構成されるフィルドビアを表面から走査型電子顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製ＳＭＩ３０５０ＳＥ  ＦＩＢ−ＳＥＭ  複合装置）にて観察した後、ＦＩＢにて中央部断面を削り出し、１０カ所のフィルドビアに対して絶縁層及び導体層のクラック、及び導体層中のボイドを観察し、下記の評価基準により評価した。
評価基準：
○：全てのフィルドビアについてクラック又はボイドが確認されなかった。
×：１個以上のフィルドビアについてクラック又はボイドが確認された。
【０１８１】
＜調製例１＞樹脂ワニス１の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１６５、新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）６部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１８５、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」）１０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量約２９０、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液）１０部を、ソルベントナフサ２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（水酸基当量１４６、ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−１３５６」、不揮発成分６０質量％のＭＥＫ溶液）１０部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）１０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、不揮発成分２質量％のＭＥＫ溶液）４部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）２部、ゴム粒子（アイカ工業（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」、微粉砕品）２部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理されており、分級により３μｍ以上の粒子を除去した小径の球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ１」、平均粒径０．２５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を調製した。樹脂ワニス１の配合成分及び配合量を表１に示す。
【０１８２】
＜調製例２＞樹脂ワニス２の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１６５、新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）６部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ−４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）３部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１８５、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」）９部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量約２９０、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）８部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液）１０部を、ソルベントナフサ２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）３０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、不揮発成分２質量％のＭＥＫ溶液）１０部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）２部、ゴム粒子（アイカ工業（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」、微粉砕品）２部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理されており、分級により３μｍ以上の粒子を除去した小径の球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ１」、平均粒径０．２５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス２を調製した。樹脂ワニス２の配合成分及び配合量を表１に示す。
【０１８３】
＜調製例３＞樹脂ワニス３の調製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１６５、新日鉄住金化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品）２部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（エポキシ当量約１８５、三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」）１２部、ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量約２９０、日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」）１２部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、不揮発成分３０質量％のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）溶液）１０部を、ソルベントナフサ２０部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＨＰＣ８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）１０部、シアネートエステル系硬化剤（ＢＡＤＣｙ、ロンザ社製「Ｐｒｉｍａｓｅｔ（登録商標）  ＢＡＤＣｙ」）５部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、不揮発成分２質量％のＭＥＫ溶液）１部、硬化促進剤（東京化成（株）製、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（Ｃｏ（ＩＩＩ）−１Ｍ）、不揮発成分１質量％のＭＥＫ溶液）２部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナンスレン−１０−オキサイド、平均粒径１μｍ）２部、ゴム粒子（アイカ工業（株）製「スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ」、微粉砕品）２部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理されており、分級により３μｍ以上の粒子を除去した小径の球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ１」、平均粒径０．２５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３６ｍｇ／ｍ２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス３を調製した。樹脂ワニス３の配合成分及び配合量を表１に示す。
【０１８４】
＜作製例１＞プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート１の作製
プラスチックフィルム支持体として、非シリコーン系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ）を用意した。該プラスチック支持体の離型面に、ダイコーターにて樹脂ワニス１を塗布し、８０℃〜１１０℃（平均１００℃）にて３分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは２０μｍであった。次いで、樹脂組成物層のプラスチックフィルム支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の粗面側を貼り合わせて、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート１（樹脂シート１）を得た。
【０１８５】
＜作製例２＞プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ２の作製
ソルベント法により（株）有沢製作所製１０００ガラスクロス（厚さ１４μｍ）を前記樹脂ワニス１に浸漬、含浸し、加熱することにより溶剤を揮発させ、プリプレグ中に残存する溶剤量が０．５％となるように、かつ厚さが２８μｍとなるよう乾燥させ、両面から、非シリコーン系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ）の離型面と、ポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の粗面側を貼り合わせて、プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ２（プリプレグ２）を得た。
【０１８６】
＜作製例３＞プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート３の作製
プラスチックフィルム支持体として、非シリコーン系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ）を用意した。該プラスチック支持体の離型面に、ダイコーターにて樹脂ワニス２を塗布し、８０℃〜１１０℃（平均１００℃）にて３分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは２０μｍであった。次いで、樹脂組成物層のプラスチックフィルム支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の粗面側を貼り合わせて、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート３（樹脂シート３）を得た。
【０１８７】
＜作製例４＞プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート４の作製
プラスチックフィルム支持体として、非シリコーン系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ）を用意した。該プラスチック支持体の離型面に、ダイコーターにて樹脂ワニス３を塗布し、８０℃〜１１０℃（平均１００℃）にて３分間乾燥させ、樹脂組成物層を形成した。樹脂組成物層の厚さは２０μｍであった。次いで、樹脂組成物層のプラスチックフィルム支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の粗面側を貼り合わせて、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート４（樹脂シート４）を得た。
【０１８８】
＜作製例５＞プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ５の作製
ソルベント法により（株）有沢製作所製１０００ガラスクロス（厚さ１４μｍ）を樹脂ワニス３に浸漬、含浸し、加熱することにより溶剤を揮発させ、プリプレグ中に残存する溶剤量が０．５％となるように、かつ厚さが２８μｍとなるよう乾燥させ、両面から、非シリコーン系離型剤（リンテック（株）製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ（株）製「ルミラーＴ６ＡＭ」、厚さ３８μｍ）の離型面と、ポリプロピレンフィルム（王子特殊紙（株）製「アルファンＭＡ−４１１」、厚さ１５μｍ）の粗面側を貼り合わせて、プラスチックフィルム支持体付きプリプレグ５（プリプレグ５）を得た。
【０１８９】
なお、樹脂シート１、プリプレグ２、樹脂シート３、樹脂シート４及びプリプレグ５の樹脂組成物層の厚さ（プリプレグの場合にはガラスクロスを含む厚さ）は、接触式層厚計（（株）ミツトヨ製、ＭＣＤ−２５ＭＪ）を用いて測定した。
【０１９０】
【表１】
2019012865.tif 000003
【０１９１】
実施例１にかかるサンプルは、樹脂シート１を用い、導体層の表面のＲａ値（表面粗度）を上記の粗化処理により２７０（ｎｍ）とし、上記（３）の工程において１２０℃で３０分間、次いで１７５℃で３０分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層とすることにより作成した。
【０１９２】
また、実施例２にかかるサンプルは、導体層の表面のＲａ値をフラットボンド処理により１６０（ｎｍ）とした以外は実施例１と同様にして作成した。
【０１９３】
実施例３にかかるサンプルは、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートとしてプリプレグ２を用いた以外は実施例１と同様にして作成した。
【０１９４】
また、実施例４にかかるサンプルは、樹脂シート３を用いた以外は実施例２と同様にして作成した。
【０１９５】
比較例１にかかるサンプルは、上記（３）の工程において１６５℃で３０分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層とした以外は実施例１にかかるサンプルと同様にして作成した。
【０１９６】
比較例２にかかるサンプルは、導体層の表面のＲａ値（表面粗度）をフラットボンド処理により１６０（ｎｍ）とした以外は比較例１と同様にして形成した。
【０１９７】
比較例３にかかるサンプルは、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートとして樹脂シート４を用いた以外は実施例１と同様にして作成した。
【０１９８】
比較例４にかかるサンプルは、プラスチックフィルム支持体付き樹脂シートとしてプリプレグ５を用いた以外は実施例１と同様にして作成した。
【０１９９】
実施例１〜４にかかるサンプルの作成条件、態様及び評価結果を下記表２に示し、及び比較例１〜４にかかるサンプルの作成条件、態様及び評価結果を下記表３に示す。
【０２００】
【表２】
2019012865.tif 000004
【０２０１】
【表３】
2019012865.tif 000005
【０２０２】
表２及び表３から明らかなように、ビアホール４０のトップ径（Ｚ）と最小径（Ｙ）と底部径（Ｘ）が所定の関係を満たす実施例１〜４にかかる回路基板では、レーザーの照射により小径のビアホールを形成した場合でも、導体層、絶縁層にクラックが発生するなどの経時的な不具合の発生を効果的に抑制することができることがサーマルサイクルテストにより明らかとなった。よって本発明によれば、経時的な特性の劣化が抑制されるため信頼性を向上させることができ、製品寿命をより長くすることができ、かつ薄型化された回路基板を提供することができる。
【符号の説明】
【０２０３】
１０  回路基板
２０  配線基板
２２  基板
２４  導体層
２４ａ  導体層の表面
３０  絶縁層
３０Ｘ  樹脂組成物層
３０ａ  絶縁層の表面
４０  ビアホール
４２  抉れ部
４４  底部
５０  プラスチックフィルム支持体
６０  プラスチックフィルム支持体付き樹脂シート
７０  配線層
Ｘ  底部径
Ｙ  最小径
Ｚ  トップ径
ｔ  絶縁層の厚さ
ｄ  ビアホールの深さ
【図１】
2019012865.tif 000006
【図２】
2019012865.tif 000007
【図３】
2019012865.tif 000008
【図４】
2019012865.tif 000009