(57)【要約】【課題】薄膜の表面の状態を精度良く測定し、定量化することができる測定技術を提供する。【解決手段】薄膜測定方法は、シリコンの第１基板と１以上の貫通開口を有する第２基板の間に薄膜試料を配置し、前記第２基板で前記薄膜試料の第１の面を前記第１基板に対して押圧し、前記貫通開口から前記薄膜試料の前記第１の面と反対側の第２の面に少なくとも１種類の物質を含む気体または液体を供給しながら、前記第１基板を介して前記薄膜試料に中性子ビームを照射し、前記薄膜試料からの反射ビームを検出して前記薄膜試料の前記第１の面の表面の状態を測定する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンの第１基板と、１以上の貫通開口を有する第２基板の間に薄膜試料を配置し、
前記第２基板で、前記薄膜試料の第１の面を前記第１基板に対して押圧し、前記貫通開口から前記薄膜試料の前記第１の面と反対側の第２の面に少なくとも１種類の物質を含む気体または液体を供給しながら、前記第１基板を介して前記薄膜試料に中性子ビームを照射し、
前記薄膜試料からの反射ビームを検出して、前記薄膜試料の前記第１の面の表面の状態を測定する
ことを特徴とする測定方法。
【請求項２】
中性子反射率で評価される臨界反射の時間変化を測定し、
前記第１の面における水の濃度の時間変化を追跡して拡散係数を定量的に評価することを特徴とする請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
前記薄膜試料は、乾燥薄膜試料であり、
前記貫通開口から重水または軽水の蒸気を前記第２の面に供給し、
軽水素と重水素の同位体置換に基づいて前記第１の面における軽水素または重水素の組成を測定することを特徴とする請求項１または２に記載の測定方法。
【請求項４】
前記薄膜試料は、乾燥薄膜試料をあらかじめ軽水または重水に浸漬した試料であり、
前記貫通開口から、乾燥気流を前記第２の面に供給し、軽水素と重水素の同位体置換に基づいて前記第１の面における軽水素または重水素の組成を測定することを特徴とする請求項１または２に記載の測定方法。
【請求項５】
前記薄膜試料からの前記反射ビームと同時に、前記薄膜試料の透過ビームを検出し、
前記反射ビームと前記透過ビームの検出結果から、前記薄膜試料の前記第１の面の表面の組成に関する情報と、前記薄膜試料の内部の情報を同時に取得することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の測定方法。
【請求項６】
前記薄膜試料は、皮膚または人工生体膜であり、
前記貫通開口から重水の蒸気を供給しながら前記薄膜試料の前記第１の面に前記中性子ビームを照射し、
前記薄膜試料への水分子の浸透状態を測定する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の測定方法。
【請求項７】
前記薄膜試料は角層であり、
前記角層の表面を前記第１基板に押圧し、
前記貫通開口から前記角層の裏面に前記重水の蒸気を供給しながら、前記第１基板を介して前記角層の表面に前記中性子ビームを照射して、前記角層の表面の組成と水分子の浸透状態を測定することを特徴とする請求項６に記載の測定方法。
【請求項８】
前記薄膜試料は電解質膜であり、
前記貫通開口から電解液を供給しながら前記電解質膜に前記中性子ビームを照射し、
前記電解質膜への前記電解液の浸潤挙動を測定する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の測定方法。
【請求項９】
前記中性子ビームを、前記第１基板のエッジから前記薄膜試料に入射することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の測定方法。
【請求項１０】
シリコンの第１基板と、
１以上の貫通開口を有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板を、前記第１基板と前記第２基板の間に薄膜試料を配置した状態で保持するホルダと、
を有する中性子小角散乱測定キット。
【請求項１１】
本体と、
前記本体の前面の中性子照射領域で試料を支持可能な試料設置部と、
前記試料設置部に前記試料がセットされたときに、前記本体の内部に空間を形成するチャンバと、
前記チャンバと連通する供給口及び排出口と、
を有し、
前記チャンバから前記試料に気体または液体を供給しながら中性子散乱測定を可能にする測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜の測定に関し、特に中性子小角散乱法を用いた薄膜測定に関する。
【背景技術】
【０００２】
物質の非破壊検査に、Ｘ線、γ線、中性子線等の放射線が用いられている。Ｘ線は原子の持つ電子によって散乱されるのに対し、中性子線は原子核によって散乱される。Ｘ線小角散乱法は原子番号の大きい原子ほど感度が高くなるが、各原子の中性子に対する散乱能はほぼ同じオーダーの大きさである。一方、中性子による構造解析は、水素原子をはじめとする質量の軽い元素の観察に有効である。また、中性子は水素と重水素などの同位体を区別して評価することができる。
【０００３】
中性子散乱法を用いたタンパク質の形態変化に起因する疾患の診断方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。この方法は、重水中に溶解または分散した披検タンパク質に冷中性子を照射し、冷中性子の散乱から被検タンパク質の形態を測定する。
【０００４】
皮膚等の生体薄膜の表面特性の評価は、様々な分野で有用である。たとえば、皮膚の水分状態を測定することで、肌のうるおいの程度を評価することができる。皮膚の最外層にある角層は、生命活動の維持に必要なバリア機能や保湿機能を備えており、角層の正確な測定は美容・化粧品の分野だけでなく、医療、製薬の分野でも重要な課題である。
【０００５】
非生体の有機または無機の薄膜は、再生医療、燃料電池、光学ディスプレイ等、多様な分野に用いられている。これらの薄膜の表面構造は、適用される治療の効果やデバイスの性能に影響する。非生体の薄膜においても、生体薄膜と同様に、表面状態の正確な測定・評価が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２００６／０６４８１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
薄膜表面の組成、物質濃度等の状態を定量化して正確に測定することができれば、様々な分野で有用である。特に、水素のような軽元素を含む薄膜の表面状態を非破壊で精度良く測定、評価できる手法が望まれる。
【０００８】
本発明は、薄膜の表面の状態を精度良く測定し定量化することのできる手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、中性子線の小角散乱を利用して薄膜の表面の状態を測定する。具体的には、薄膜測定方法は、
シリコンの第１基板と、１以上の貫通開口を有する第２基板の間に薄膜試料を配置し、
前記第２基板で、前記薄膜試料の第１の面を前記第１基板に対して押圧し、
前記貫通開口から前記薄膜試料の前記第１の面と反対側の第２の面に少なくとも１種類の物質を含む気体または液体を供給しながら、前記第１基板を介して前記薄膜試料に中性子ビームを照射し、
前記薄膜試料からの反射ビームを検出して、前記薄膜試料の前記第１の面の表面の状態を測定する。
【発明の効果】
【００１０】
上記手法により、薄膜の表面の状態を精度良く測定し定量化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態で行う斜入射中性子小角散乱測定を説明する図である。
【図２】斜入射中性子小角散乱測定装置の側断面図と正面図である。
【図３】第１の実施形態で用いる薄膜測定キットの概略図である。
【図４】実施例１の薄膜測定の模式図である。
【図５】角層の斜入射中性子小角散乱測定の結果を示す図である。
【図６】角層の反射強度の時間変化を示す図である。
【図７】角層の表面から加湿したときの温度と湿度の時間変化を示す図である。
【図８】角層の裏面から加湿したときの温度と湿度の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
＜第１の実施形態＞
図１は、第１の実施形態で行う斜入射中性子小角散乱（GSANS：Grazing Incidence Small Angle Neutron Scattering）測定を説明する図である。中性子小角散乱測定は、測定装置１０に試料６０をセットし、試料６０の表面に中性子ビームを照射して、試料６０からの反射光を検出することで試料６０の表面の状態（特性）を測定し、評価する。試料６０からの反射光に加えて、透過光を検出してもよい。
【００１３】
第１の実施形態では、試料６０を薄膜測定キット５０で保持した状態で測定装置１０にセットする。詳細は後述するが、試料６０は、薄膜測定キット５０の２枚の基板の間に平坦に保持される。一方の基板には１以上の貫通開口が形成されており、貫通開口から試料６０に液体や気体を供給しながら試料６０の表面で散乱された中性子ビームを検出する。中性子ビームは、試料６０の表面に対して浅い角度で斜入射される。
【００１４】
中性子ビームは、図示しない中性子源から出力される。中性子源として、たとえば加速器による核破砕を利用したパルス中性子源を用いる。試料６０への入射中性子ビームＮＢinは、光学系３０のスリット３１で整形され、たとえば鏡面反射が起きる０．１°〜１．０°の入射角で試料６０に入射する。光学系３０のスリット３１の位置と幅は調整可能である。入射中性子ビームＮＢinは試料６０の表面で散乱され、散乱中性子ビームＮＢoutが検出器で検出される。
【００１５】
ここでは、飛行時間法を用いて散乱強度を測定する。飛行時間法は、入射角度を固定して広い波長範囲の中性子ビームを試料６０に入射して散乱強度を測定するものである。入射中性子は、単色化されずに白色のまま試料６０に入射し、散乱される。散乱強度は、波数ｑの関数として計測される。波数ｑは式（１）で表され、入射角度θに比例し、中性子の波長λに反比例する。
【００１６】
ｑ＝４π×ｓｉｎθ／λ            （１）
飛行時間法では検出器で検出された時間、すなわち中性子が検出器に到達した時間により波長を選別することができる。複数の検出器を広い散乱角にわたって配置することで、広範な波数ｑの範囲で散乱強度を測定することができる。
【００１７】
GＳＡＮＳ測定の間、薄膜測定キット５０に保持された試料６０に、重水素または軽水素を含む気体または液体を供給する。これを実現するため、測定装置１０は、供給口１５と排出口１６を有する。測定装置１０に試料６０または薄膜測定キット５０がセットされると、測定装置１０の内部に大気環境チャンバが形成され、大気環境チャンバ内に所望の物質（重水素、軽水素、酸素等）を含む液体または気体を供給することができる。
【００１８】
図２は、測定装置１０の側断面図（Ａ）と正面図（Ｂ）である。測定装置１０の本体１７の前面に支持部１２が設けられており、支持部１２に薄膜測定キット５０をセットすることができる。支持部１２は、試料設置部１０１の両側にスリットを形成して、縦方向に薄膜測定キット５０を挿入して定位置に支持する構成でもよいし、試料設置部１０１の上下にスリットを形成して、横方向に薄膜測定キット５０を挿入して定位置に支持する構成でもよい。あるいは薄膜測定キット５０の４隅を留める留め具で支持部１２を構成してもよい。
【００１９】
薄膜測定支持部１２に薄膜測定キット５０がセットされると、測定装置１０の内部にチャンバ１１が形成される。チャンバ１１は、供給口１５及び排出口１６と連通している。薄膜測定キット５０が測定装置１０にセットされた状態で、薄膜測定キット５０の裏面はチャンバ１１内を向いている。支持部１２とチャンバ１１を含む試料設置部１０１の高さｈはたとえば５０ｍｍ、幅Ｗは、たとえば５０ｍｍである。
【００２０】
使用時には、図１に示すように、供給口１５と排出口１６にチューブ１８等を接続して外部から所望の液体または気体をチャンバ１１内に導入し、排出する。チャンバ内１１に気体または液体を導入しながら、ＳＡＮＳ測定を行う。中性子ビームは、図１のスリット３１を介して、試料設置部１０１の照射領域Ｒに照射される。測定装置１０の内部に薄膜測定キット５０の角度を制御する回転ゴニオメータを配置してもよい。
【００２１】
図３は、薄膜測定キット５０の模式図である。図３（Ａ）に示すように、薄膜測定キット５０は、シリコン（Ｓｉ）の第１基板５１と、１つ以上の貫通孔５５を有する第２基板５２を有する。第１基板５１と第２基板５２は、第１基板５１と第２基板５２の間に試料６０を挟み込んだ状態で、ホルダ５３で保持される。ホルダ５３は、図３のようなラッチホルダでもよいし、測定装置１０の支持部１２に形成されたスリットまたは留め具をホルダ５３として使用してもよい。
【００２２】
第１基板５１は、第１基板５１に接触した薄膜の試料６０の表面に平滑面を形成することができれば、任意の厚さとすることができる。第１基板として、たとえば厚さ５ｍｍのシリコン基板を用いる。第２基板５２は、シリコン、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）など、中性子ビームに対して質量減衰係数が小さい材料で形成されている。第２基板５２の厚さは、試料６０を第１基板５１に対して押圧して試料６０の表面に平滑面を形成することができ、かつ貫通開口を形成できる厚さであれば、任意の厚さとすることができる。一例として、第２基板５２の厚さは２〜５ｍｍである。
【００２３】
第２基板５２としてシリコン基板を用いる場合は、ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いたレーザ加工、深堀ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）、光アシスト電解エッチングなどで貫通孔５５を形成することができる。第２基板としてアルミニウム基板を用いる場合は、ＹＡＧレーザ等を用いたレーザ加工で貫通孔５５を形成することができる。
【００２４】
試料６０は、皮膚、人工生体膜、高分子膜、電解質膜などの薄膜試料である。図３（Ｂ）に示すように、第１基板５１と第２基板５２の間に試料６０を挟み込んでホルダ５３で保持し、中性子ビームを照射する。入射中性子ビームＮＢinは、第１基板５１を介して浅い角度で試料６０の表面に入射する。中性子ビームの入射角度が０．１〜１．０°程度に設定される場合は、中性子ビームを第１基板５１のエッジから試料６０の表面に入射させてもよい。
【００２５】
入射中性子ビームＮＢinは、試料６０の表面で入射角度とほぼ同じ角度で反射される。異なる波長（λ）の中性子を照射して測定されたデータは、試料６０の表面または界面の組成、構造、状態等の情報を含んでいる。実施形態では、測定結果から試料６０の表面のミクロ構造の平衡状態を観測する手法を「静的観測」と呼ぶ。一方で、試料６０の薄膜の厚さ方向の水分子やプロトンの移動を観測する場合を「動的観測」と呼ぶ。これら２種類の計測は、中性子ビームの入射角度を制御するだけで、測定装置１０で実施することができる。
【実施例１】
【００２６】
図４は、実施例１の薄膜測定の模式図である。実施例１では薄膜の試料６０Ａとして、たとえば５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさの角層を用いる。角層は皮膚の最表面の層であり、その厚さは２０μｍ程度である。角層の表面は、皮溝と皮丘により細かい凹凸が形成されている。角層の表面側をシリコンの第１基板５１に接触させて第２基板５２で押圧し、角層の表面に平滑な面を形成する。これにより、角層の凹凸面は平滑な基板面上に再構築される。
（ａ）試料裏面への重水蒸気の供給
試料６０Ａとして用いる角層の表面側を第１基板５１側に配置する場合、第２基板５２の貫通孔５５から、角層の裏面に気体または液体が供給される。この例では、測定装置１０の供給口１５から重水（Ｄ２Ｏ）の蒸気をチャンバ１１内に導入し、第２基板５２の貫通孔５５から角層の裏面に重水の蒸気をあてる。重水の蒸気は角層の裏側から表面側へマイグレーションまたは拡散する。測定装置１０を用いたＧＳＡＮＳ測定により、角層の表面の組成（静的観測）と、湿潤過程（動的観測）を測定することができる。
【００２７】
図５は、ＧＳＡＮＳ測定結果を示す図である。入射角０．５°で角層（試料６０Ａ）に中性子ビームを照射し、反射中性子ビームＮＢrefを検出器で検出して反射方向の散乱プロファイルを得る。図５の横軸は０．１ｎｍ当たりの波数ｑ（Å-1）、縦軸は散乱強度（任意単位）である。
【００２８】
散乱強度プロファイルで、一定のレベルから強度変化（傾斜）が始まる地点の波数が、臨界反射波数ｑｃである。図５では、臨界反射波数ｑｃは０．０１６（Å-1）である。実施例１では、中性子ビームの入射角を一定にして波長λを変えているが（白色ビームの使用）、波長λを一定にして入射角を変えたときにも、同様の散乱強度プロファイルを得ることができる。この場合は、散乱強度の変化が始まるときの角度が、臨界反射角θｃになる。臨界反射波数ｑｃまたは臨界反射角θｃは、試料６０Ａの表面の組成と相関があり、試料６０Ａの表面状態を評価することができる。
【００２９】
臨界反射角θｃ（または臨界反射波数ｑｃ）よりも小さい領域であるθ＜θｃ（またはｑ＜ｑｃ）では、反射率が１になる（全反射）。臨界反射角θｃと組成の関係は、式（２）で与えられる。
【００３０】
θｃ＝λ（ρｂav／π）1/2            （２）
ここで、ρは密度、ｂavはフレネル界面における膜表面の組成で平均化された干渉散乱長である。
【００３１】
上述した例では、試料６０Ａとして用いた角層の裏面から重水素（デュウテロン）が拡散し、フレネル界面に到達する。そうすると角層表面の組成が変わり、干渉性散乱長ｂavが変化してθｃが変化する。臨界反射角θｃまたは臨界反射波数ｑｃを特定することで、そのときの膜表面の組成を識別することができる。
【００３２】
フレネル界面の組成で平均化された干渉性散乱長ｂavは、式（３）で定義される。
【００３３】
ｂav（ｔ）＝（１−Φ）ｂM＋Φ［φ（ｔ）ｂD＋（１−φ（ｔ））ｂH］  （３）
ここで、
ｂM：    膜の平均散乱長
ｂH：    水素（プロトン）の平均散乱長
ｂD：    重水素（デュウテロン）の平均散乱長
Φ ：    膜表面における含水率
φ（ｔ）：時間依存重水置換率
である。
【００３４】
薄膜のφ（ｔ）を求めることで、フィックの法則によるモデル解析を行い拡散係数（ｃｍ２／ｓｅｃ）を定量的に評価することができる。
【００３５】
図５に戻って、散乱強度プロファイルのピーク位置も試料６０Ａの表面の状態の評価に用いることができる。図５では、波数ｑ＝０．０５とｑ＝０．１にピークが観察される。波数ｑは、式（４）で実空間位置ｄに変換することができる。
【００３６】
ｄ＝２π／ｑ                （４）
０．０５（Å-1）は１２．５ｎｍの実空間位置に対応し、０．１（Å-1）は６．２ｎｍの実空間位置に対応する。
【００３７】
これらのピークは、角層細胞間資質のラメラ構造（層状構造体）における１３ｎｍの長周期ラメラ構造と、６ｎｍの短周期ラメラ構造にプールされた重水由来のピークと考えられる。すなわち、ラメラ構造に含まれている水（軽水）の水素（Ｈ）が、角層（試料６０Ａ）の裏面から供給された重水に含まれる重水素（Ｄ）に置換されたものであると考えられる。
【００３８】
短周期ラメラでのピークの方が大きいのは、短周期ラメラに含まれる水分量が長周期ラメラに含まれる水分量よりも多く、水分子は短周期ラメラ構造に優先的に入っていくことを示唆している。この現象は既報と一致している。
（ｂ）試料の表面への重水蒸気の供給
図４の薄膜測定キット５０で、角層の裏面を第１基板５１に接触させ、第２基板５２の貫通孔５５から角層の表面側に重水の蒸気を供給してＧＳＡＮＳ測定することもできる。中性子ビームは、シリコンの第１基板５１を介して、角層の裏面で散乱される。角層の裏面で反射された中性子の反射強度を検出することで、角層の裏面の組成、構造などの情報を取得することができる。
【００３９】
反射強度プロファイルから臨界反射波数ｑｃまたは臨界反射角θｃを特定することで、式（２）及び式（３）に基づいて、角層の裏面の組成を評価することができる。また、散乱強度プロファイルのピーク位置とピークの大きさから、短周期ラメラと長周期ラメラに存在する水分量を推定し、皮膚の表面から加湿したときの角層内部への水分の浸透を評価することができる。
（ｃ）透過ビームの利用
図３（Ｂ）に示すように、中性子ビームの試料６０への入射角を臨界反射角よりも大きく設定し、反射位置と透過位置に検出器を配置することで、反射中性子ビームＮＢrefと透過中性子ビームＮＢtrを同時に検出してもよい。中性子はシリコン、アルミ等の第２基板５２を透過する。反射中性子ビームＮＢrefは、試料６０の表面の組成、構造等の情報を載せている。透過中性子ビームＮＢtrは、試料６０の内部構造の情報を載せている。試料６０で反射された中性子と試料６０を透過した中性子をそれぞれ個別の検出器で検出することで、一度の測定で、試料６０の表面情報と内部情報の両方を検出することができる。
（ｄ）臨界反射の時間変化
図６は、臨界反射領域q<ｑｃにおける反射強度の時間変化を示す図である。室温でフル加湿（１００％）して、図５の臨界反射波数ｑｃ＝０．０１６（Å-1）の反射強度を一定時間にわたって測定したものである。図の上側の曲線は、角膜の表面から重水で加湿したときの測定結果、下側の曲線は角層の裏面から加湿したときの反射強度の測定結果である。
【００４０】
表面から加湿したときは、反射強度変化が緩やかであるが、裏面から加湿したときは飽和状態に至るまでの変化が急峻である。この測定結果は、角層中における水分浸透速度は、表面から裏面と比較して、裏面から表面の方がより速いと考えられる。即ち、角層の内側から表面への水分蒸散速度の方が、表面から内側への水分供給速度より速いことが示唆される。
【００４１】
図７は、角層の表面から加湿したときの温度と湿度の時間変化を示す図、図８は、角層の裏面から加湿したときの温度と湿度の時間変化を示す図である。図７と図８の双方で、湿度は数パーセント範囲でほぼフル加湿（１００％）である。温度も２℃の誤差範囲で一定である。温度と湿度からは、角層の表裏の差を見いだすことはできない。
【００４２】
これに対し、図６で角層の表側から加湿するか裏側から加湿するかで反射強度の時間変化に差が生じるのは、角層の裏面と表面での組成または構造の差によるものである。角層構造の表裏の差は、図６の時間変化で示される水の拡散挙動で捉えることができる。
【００４３】
薄膜の試料６０Ａの裏面から重水素を供給し、表面で中性子の散乱強度の時間変化を観測することで、重水素の表面への浸潤状態を追跡することができる（同位体を用いたトレーサ法）。
（ｅ）角層の測定の変形例
実施例１では、試料６０Ａとして通常の（乾燥した）角層を試料６０に用い、角層に重水の蒸気を供給して角層に存在する軽水素（プロトン）を重水素（デュウテロン）で置換して中性子反射率を測定した。試料６０Ａの裏面に重水の蒸気を供給する替わりに、軽水の蒸気を供給しながら、ＧＳＡＮＳ測定を行ってもよい。この場合は、試料６０Ａに含まれる重水素（デュウテロン）が軽水素（プロトン）に置換されることで表面の組成が変化する。臨界反射角（または臨界反射波数）での反射率の時間変化を観測することで、試料６０Ａへの軽水の浸潤状態を評価することができる。
【００４４】
さらに別の変形例として、角層をあらかじめ重水または軽水に浸漬した試料６０Ａを薄膜測定キット５０の第１基板５１と第２基板５２の間に挟み、第２基板５２の貫通孔５５から試料の裏面に乾燥気流を供給し、重水素と軽水素の同位体置換に基づいて試料６０の表面の組成と、膜厚方向への水分子の挙動を評価してもよい。
【００４５】
以上、特定の実施例に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した例に限定されない。たとえば、薄膜試料として電解質膜を第１基板５１と第２基板５２の間に挟み、第２基板５２の貫通孔５５から電解液を供給しながら電解質膜に前記中性子ビームを斜め照射し、電解質膜への電解液の浸潤挙動を測定してもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１０  測定装置
１１  チャンバ
１２  支持部
１５  供給口
１６  排出口
１７  本体
５０  薄膜測定キット
５１  第１基板
５２  第２基板
５３  ホルダ
５５  貫通孔（貫通開口）
６０、６０Ａ  試料
１０１  試料設置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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