(57)【要約】【課題】半導体素子部に接続される配線部材による浮遊インダクタンスの増加を抑制することができる電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置は、上アーム素子と下アーム素子とを有する半導体素子部と、コンデンサと、前記半導体素子部と前記コンデンサとを接続する導電体組とを備え、前記導電体組は、第１極側導電体と、前記第１極側導電体とは異なる極性を有する第２極側導電体と、前記半導体素子部に電気的に接続される半導体側接続部と、前記コンデンサに電気的に接続されるコンデンサ側接続部とを備え、前記導電体組は、前記半導体側接続部と前記コンデンサ側接続部との間において、前記第１極側導電体と前記第２極側導電体とがそれぞれ複数の層に分岐されて、交互に積層された積層部を有する。【選択図】図３
2019180116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上アーム素子と下アーム素子とを有する半導体素子部と、
コンデンサと、
前記半導体素子部と前記コンデンサとを接続する導電体組とを備え、
前記導電体組は、
第１極側導電体と、
前記第１極側導電体とは異なる極性を有する第２極側導電体と、
前記半導体素子部に電気的に接続される半導体側接続部と、
前記コンデンサに電気的に接続されるコンデンサ側接続部と、
を備え、
前記導電体組は、前記半導体側接続部と前記コンデンサ側接続部との間において、
前記第１極側導電体と前記第２極側導電体とがそれぞれ複数の層に分岐されて、交互に積層された積層部を有する、
電力変換装置。
【請求項２】
前記積層部の厚さが、前記半導体側接続部の厚さおよび前記コンデンサ側接続部の厚さよりも大きい、
請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
前記積層部は、前記第１極側導電体および前記第２極側導電体の厚さ方向に湾曲可能に構成された撓み部を有する、
請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
前記積層部は、
前記第１極側導電体が厚さ方向に分岐したものである複数の層状の第１極側導電体分岐部と、
前記第２極側導電体が厚さ方向に分岐したものである複数の層状の第２極側導電体分岐部と、
複数の層状の電気絶縁材とを含み、
前記複数の層状の第１極側導電体分岐部のそれぞれと、前記複数の層状の第２極側導電体分岐部のそれぞれとの間には、前記複数の層状の電気絶縁材のそれぞれが挟みこまれている、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を配置する際に半導体素子を上下反転する工程を不要にする半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された半導体装置では、第１半導体素子（上アーム素子）と第２半導体素子（下アーム素子）とが並列に配置されている。また、第１半導体素子の上面側の電極に電気的に接続された導電体の薄板部と、第２半導体素子の下面側の電極に電気的に接続された導電体の薄板部とを固着することによって、第１半導体素子の上面側の電極と、第２半導体素子の下面側の電極とが、電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２３５０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１には、第１半導体素子の下面側の電極に電気的に接続された導電体、および、第２半導体素子の上面側の電極に電気的に接続された導電体をどのように構成すべきかについて記載されていない。第１半導体素子の下面側の電極に電気的に接続された導電体、および、第２半導体素子の上面側の電極に電気的に接続された導電体の構成によっては、半導体装置の浮遊インダクタンスが増加するおそれがある。
【０００５】
上述した問題点に鑑み、本発明は、半導体素子部に接続される配線部材による浮遊インダクタンスの増加を抑制することができる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明の一態様に係る電力変換装置は、上アーム素子と下アーム素子とを有する半導体素子部と、コンデンサと、前記半導体素子部と前記コンデンサとを接続する導電体組とを備え、前記導電体組は、第１極側導電体と、前記第１極側導電体とは異なる極性を有する第２極側導電体と、前記半導体素子部に電気的に接続される半導体側接続部と、前記コンデンサに電気的に接続されるコンデンサ側接続部とを備え、前記導電体組は、前記半導体側接続部と前記コンデンサ側接続部との間において、前記第１極側導電体と前記第２極側導電体とがそれぞれ複数の層に分岐されて、交互に積層された積層部を有する。
【０００７】
（２）上記（１）に記載の電力変換装置では、前記積層部の厚さが、前記半導体側接続部の厚さおよび前記コンデンサ側接続部の厚さより大きくてもよい。
【０００８】
（３）上記（２）に記載の電力変換装置では、前記積層部は、前記第１極側導電体および前記第２極側導電体の厚さ方向に湾曲可能に構成された撓み部を有してもよい。
【０００９】
（４）上記（１）から（３）のいずれかに記載の電力変換装置では、前記積層部は、前記第１極側導電体が厚さ方向に分岐したものである複数の層状の第１極側導電体分岐部と、前記第２極側導電体が厚さ方向に分岐したものである複数の層状の第２極側導電体分岐部と、複数の層状の電気絶縁材とを含み、前記複数の層状の第１極側導電体分岐部のそれぞれと、前記複数の層状の第２極側導電体分岐部のそれぞれとの間には、前記複数の層状の電気絶縁材のそれぞれが挟みこまれていてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
上記（１）に記載の電力変換装置では、半導体素子部とコンデンサとを接続する導電体組が、第１極側導電体と、第２極側導電体と、半導体側接続部と、コンデンサ側接続部とを備え、導電体組は、半導体側接続部とコンデンサ側接続部との間において、第１極側導電体と第２極側導電体とがそれぞれ複数の層に分岐されて交互に積層された積層部を有する。
つまり、上記（１）に記載の電力変換装置では、積層部において、第１極側導電体の複数の層と第２極側導電体の複数の層とが交互に積層されることで、第１極側導電体と第２極側導電体とが、複数の層に亘って向かい合った状態で配置されることとなり、導電体組における浮遊インダクタンスを低減することができる。
その結果、上記（１）に記載の電力変換装置では、半導体素子部とコンデンサとを接続する配線部材による浮遊インダクタンスの増加を抑制することができる。
【００１１】
上記（２）に記載の電力変換装置では、積層部の厚さが、半導体側接続部の厚さおよびコンデンサ側接続部の厚さより大きくてもよい。
そのように構成される場合には、第１極側導電体と第２極側導電体とがそれぞれ厚さ方向に複数の層に分岐されることに伴って積層部の電流経路の断面積が、半導体側接続部またはコンデンサ側接続部の電流経路の断面積よりも小さくなってしまうおそれを抑制することができる。つまり、積層部における電流経路の断面積を確保することができる。
【００１２】
上記（３）に記載の電力変換装置では、積層部は、第１極側導電体および第２極側導電体の厚さ方向に湾曲可能に構成された撓み部を有してもよい。
そのように構成される場合には、積層部が第１極側導電体および第２極側導電体の厚さ方向に湾曲できない場合よりも、導電体組のレイアウトの自由度を向上させることができ、半導体モジュールおよびコンデンサの位置のばらつきを導電体組によって吸収することができる。
【００１３】
上記（４）に記載の電力変換装置では、複数の層状の第１極側導電体分岐部のそれぞれと、複数の層状の第２極側導電体分岐部のそれぞれとの間に、複数の層状の電気絶縁材のそれぞれが挟みこまれていてもよい。
そのように構成される場合には、第１極側導電体分岐部と第２極側導電体分岐部との間の電気絶縁を確保しつつ、導電体組における浮遊インダクタンスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の電力変換装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】第１実施形態の電力変換装置の一部を構成するパワーモジュール、正極側導電体および負極側導電体の一例を示す図である。
【図３】正極側導電体と負極側導電体とによって構成される導電体組の部品図である。
【図４】導電体組の中継部などを概念的に説明するための図である。
【図５】第１および第２実施形態の電力変換装置を適用可能な車両の一部の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の電力変換装置の実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
【００１６】
＜第１実施形態＞
図１は第１実施形態の電力変換装置１の概略構成の一例を示す図である。
図２は第１実施形態の電力変換装置１の一部を構成するパワーモジュール２１、正極側導電体ＰＩおよび負極側導電体ＮＩの一例を示す図である。詳細には、図２（Ａ）はパワーモジュール２１、正極側導電体ＰＩおよび負極側導電体ＮＩの斜視図である。図２（Ｂ）はパワーモジュール２１、正極側導電体ＰＩおよび負極側導電体ＮＩの平面図である。
図３は正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとによって構成される導電体組ＰＮの部品図である。詳細には、図３（Ａ）は導電体組ＰＮの左側面図である。図３（Ｂ）は導電体組ＰＮの平面図である。図３（Ｃ）は導電体組ＰＮの正面図である。図３（Ｄ）は図３（Ｃ）中のＺ部の拡大図である。
図４は導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭなどを概念的に説明するための図である。詳細には、図４（Ａ）は導電体組ＰＮを概念的に説明するための図である。図４（Ｂ）は中継部ＰＮＭを概念的に説明するための図である。
【００１７】
図１〜図４に示す例では、電力変換装置１が、パワーモジュール（半導体モジュール）２１と、コンデンサユニット２３と、パワーモジュール２１とコンデンサユニット２３とを接続する導電体組ＰＮとを備えている。
パワーモジュール２１は、Ｕ相の上アーム部分Ｈｉｇｈ（図１参照）と、Ｕ相の下アーム部分Ｌｏｗ（図１参照）と、Ｖ相の上アーム部分Ｈｉｇｈと、Ｖ相の下アーム部分Ｌｏｗと、Ｗ相の上アーム部分Ｈｉｇｈと、Ｗ相の下アーム部分Ｌｏｗとを備えている。Ｕ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＵＨ（図２（Ｂ）参照）を有し、Ｕ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＵＬ（図２（Ｂ）参照）を有する。Ｖ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＶＨを有し、Ｖ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＶＬを有する。Ｗ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＷＨを有し、Ｗ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＷＬを有する。
上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬは、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor）等のようなスイッチング素子である。
【００１８】
図１〜図４に示す例では、導電体組ＰＮが、正極導電体ＰＩと、負極導電体ＮＩとを備えている。
図２に示すように、正極導電体ＰＩは、上アーム素子ＵＨの下面電極（図示せず）と、上アーム素子ＶＨの下面電極（図示せず）と、上アーム素子ＷＨの下面電極（図示せず）とに電気的に接続されている。負極導電体ＮＩは、下アーム素子ＵＬの上面電極と、下アーム素子ＶＬの上面電極と、下アーム素子ＷＬの上面電極とに電気的に接続されている。
上アーム素子ＵＨの上面電極と下アーム素子ＵＬの下面電極（図示せず）とは、出力側導電体５１に電気的に接続されている。上アーム素子ＶＨの上面電極と下アーム素子ＶＬの下面電極（図示せず）とは、出力側導電体５１に電気的に接続されている。上アーム素子ＷＨの上面電極と下アーム素子ＷＬの下面電極（図示せず）とは、出力側導電体５１に電気的に接続されている。
他の例では、正極導電体ＰＩが、上アーム素子ＵＨの上面電極と、上アーム素子ＶＨの上面電極と、上アーム素子ＷＨの上面電極とに電気的に接続され、負極導電体ＮＩが、下アーム素子ＵＬの下面電極と、下アーム素子ＶＬの下面電極と、下アーム素子ＷＬの下面電極とに電気的に接続され、上アーム素子ＵＨの下面電極と下アーム素子ＵＬの上面電極とが、出力側導電体５１に電気的に接続され、上アーム素子ＶＨの下面電極と下アーム素子ＶＬの上面電極とが、出力側導電体５１に電気的に接続され、上アーム素子ＷＨの下面電極と下アーム素子ＷＬの上面電極とが、出力側導電体５１に電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
図３および図４に示すように、導電体組ＰＮは、パワーモジュール２１に電気的に接続される半導体側接続部ＰＮＳと、コンデンサユニット２３に電気的に接続されるコンデンサ側接続部ＰＮＣと、半導体側接続部ＰＮＳとコンデンサ側接続部ＰＮＣとの間の中継部ＰＮＭとを備えている。
図３（Ｃ）および図３（Ｄ）に示すように、中継部ＰＮＭでは、正極導電体ＰＩが、厚さ方向に分岐しており、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭを構成している。中継部ＰＮＭでは、負極導電体ＮＩが、厚さ方向に分岐しており、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭを構成している。中継部ＰＮＭでは、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭとが交互に積層されている。
詳細には、図３（Ｄ）および図４（Ｂ）に示すように、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭのそれぞれと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭのそれぞれとの間に、複数の層状の電気絶縁材（例えば、電気絶縁紙）ＥＩＰのそれぞれが挟みこまれている。
図３（Ｄ）に示すように、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭと、複数の層状の電気絶縁材ＥＩＰとは、積層部ＰＮＭＬを構成している。つまり、中継部ＰＮＭは、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとがそれぞれ厚さ方向に複数の層に分岐されて交互に積層された積層部ＰＮＭＬを有する。
【００２０】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）および図３（Ｄ）に示すように、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとが積層されている積層部ＰＮＭＬの厚さは、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとが積層されていない半導体側接続部ＰＮＳの厚さ、および、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとが積層されていないコンデンサ側接続部ＰＮＣの厚さよりも大きい。
詳細には、図３に示す例では、正極側導電体ＰＩの半導体側接続部ＰＩＳの厚さとコンデンサ側接続部ＰＩＣの厚さとが等しい。また、正極側導電体ＰＩの複数の正極側導電体分岐部ＰＩＭの合計の厚さが、半導体側接続部ＰＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＰＩＣの厚さと等しい。
また、負極側導電体ＮＩの半導体側接続部ＮＩＳの厚さとコンデンサ側接続部ＮＩＣの厚さとが等しい。また、負極側導電体ＮＩの複数の負極側導電体分岐部ＮＩＭの合計の厚さが、半導体側接続部ＮＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＮＩＣの厚さと等しい。
上述したように、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭのそれぞれと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭのそれぞれとの間に、複数の層状の電気絶縁材ＥＩＰのそれぞれが挟みこまれている。
そのため、図３に示す例では、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭと、複数の層状の電気絶縁材ＥＩＰとが積層されている中継部ＰＮＭ（積層部ＰＮＭＬ）の厚さが、少なくとも複数の層状の電気絶縁材ＥＩＰの分だけ、半導体側接続部ＰＮＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＰＮＣの厚さよりも大きい。
他の例では、正極側導電体ＰＩの複数の正極側導電体分岐部ＰＩＭの合計の厚さが、半導体側接続部ＰＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＰＩＣの厚さより大きく、負極側導電体ＮＩの複数の負極側導電体分岐部ＮＩＭの合計の厚さが、半導体側接続部ＮＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＮＩＣの厚さより大きくてもよい。
【００２１】
図３（Ｄ）に示すように、積層部ＰＮＭＬは、正極側導電体ＰＩおよび負極側導電体ＮＩの厚さ方向に湾曲可能に構成されている。詳細には、図３（Ｄ）に示す例では、導電体組ＰＮのコンデンサ側接続部ＰＮＣが図３（Ｄ）の左右方向に延びている。導電体組ＰＮの半導体側接続部ＰＮＳのうちの中継部ＰＮＭの側（図３（Ｄ）の右上側）の部分は、図３（Ｄ）の上下方向に延びている。コンデンサ側接続部ＰＮＣと半導体側接続部ＰＮＳとを接続する中継部ＰＮＭ（積層部ＰＮＭＬ）は、９０°湾曲している。つまり、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）は、湾曲可能に構成された撓み部ＰＮＭＬＦを有する。
図２および図３に示す例では、積層部ＰＮＭＬのうちの図３（Ｄ）の上下方向に延びている部分が、パワーモジュール２１のケーシング内に配置されている。積層部ＰＮＭＬのうちの図３（Ｄ）の左右方向に延びている部分は、パワーモジュール２１のケーシング内とケーシング外とにまたがっている。
【００２２】
本発明者は、鋭意研究において、同一面に並べられる配線の分割数を増加させると、配線の自己インダクタンスが低減することを見い出した。また、本発明者は、正極側導電体ＰＩの半導体側接続部ＰＩＳとコンデンサ側接続部ＰＩＣとの間の部分（正極側導電体分岐部ＰＩＭ）を厚さ方向に複数の層に分岐させることによって、表面積の減少による、１層分の正極側導電体分岐部ＰＩＭ当たりのインダクタンスの増加を抑えつつ、分岐（分割）に伴う正極側導電体分岐部ＰＩＭのインダクタンスの低減に期待できると考え、同様に、負極側導電体ＮＩの半導体側接続部ＮＩＳとコンデンサ側接続部ＮＩＣとの間の部分（負極側導電体分岐部ＮＩＭ）を厚さ方向に複数の層に分岐させることによって、表面積の減少による、１層分の負極側導電体分岐部ＮＩＭ当たりのインダクタンスの増加を抑えつつ、分岐（分割）に伴う負極側導電体分岐部ＮＩＭのインダクタンスの低減に期待できると考えた。
そこで、第１実施形態の電力変換装置１では、上述したように、導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭが、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとがそれぞれ厚さ方向に複数の層に分岐されて交互に積層された積層部ＰＮＭＬを有する。詳細には、第１実施形態の電力変換装置１の中継部ＰＮＭでは、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭとが対向状態で配置されている。つまり、第１実施形態の電力変換装置１では、対向配置の構成が導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭに採用されている。そのため、第１実施形態の電力変換装置１では、対向配置の構成が導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭに採用されていない場合よりも、半導体側接続部ＰＮＳとコンデンサ側接続部ＰＮＣとの間の中継部ＰＮＭにおける浮遊インダクタンスを低減することができる。
その結果、第１実施形態の電力変換装置１では、パワーモジュール２１とコンデンサユニット２３とを接続する配線部材による浮遊インダクタンスの増加を抑制することができる。
換言すれば、第１実施形態の電力変換装置１では、対向配置の構成が導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭに採用されていない場合よりも、電力変換装置１の回路の浮遊インダクタンスの増加を抑制することができる。
【００２３】
第１実施形態の電力変換装置１では、上述したように、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の厚さが、半導体側接続部ＰＮＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＰＮＣの厚さよりも大きい。
詳細には、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の一部を構成する複数の正極側導電体分岐部ＰＩＭの合計の厚さが、正極側導電体ＰＩの半導体側接続部ＰＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＰＩＣの厚さと等しく、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の位置における正極側導電体ＰＩの電流経路の断面積が十分に確保されている。
また、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の一部を構成する複数の負極側導電体分岐部ＮＩＭの合計の厚さが、負極側導電体ＮＩの半導体側接続部ＮＩＳの厚さおよびコンデンサ側接続部ＮＩＣの厚さと等しく、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の位置における負極側導電体ＮＩの電流経路の断面積が十分に確保されている。
そのため、第１実施形態の電力変換装置１では、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）の位置における電流経路の断面積を十分に確保しつつ、中継部ＰＮＭにおける浮遊インダクタンスを低減することができる。
【００２４】
第１実施形態の電力変換装置１では、上述したように、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）が、正極側導電体ＰＩおよび負極側導電体ＮＩの厚さ方向に湾曲可能に構成されている。そのため、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）が湾曲可能に構成されていない場合よりも、導電体組ＰＮのレイアウトの自由度を向上させることができる。
また、第１実施形態の電力変換装置１では、積層部ＰＮＭＬ（中継部ＰＮＭ）が湾曲可能に構成された導電体組ＰＮによって、パワーモジュール２１およびコンデンサユニット２３の位置のばらつきを吸収することができる。
【００２５】
第１実施形態の電力変換装置１では、上述したように、複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭのそれぞれと、複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭのそれぞれとの間に、複数の層状の電気絶縁材ＥＩＰのそれぞれが挟みこまれている。
そのため、第１実施形態の電力変換装置１では、電気絶縁材ＥＩＰによって正極側導電体分岐部ＰＩＭと負極側導電体分岐部ＮＩＭとの間の電気絶縁を十分に確保しつつ、導電体組ＰＮにおける浮遊インダクタンスを低減することができる。
【００２６】
詳細には、導電体組ＰＮの正極側導電体ＰＩの半導体側接続部ＰＩＳとコンデンサ側接続部ＰＩＣとは、厚い例えば銅によって形成されている。導電体組ＰＮの正極側導電体ＰＩの複数の層状の正極側導電体分岐部ＰＩＭのそれぞれは、薄い例えば銅によって形成されている。導電体組ＰＮの負極側導電体ＮＩの半導体側接続部ＮＩＳとコンデンサ側接続部ＮＩＣとは、厚い例えば銅によって形成されている。導電体組ＰＮの負極側導電体ＮＩの複数の層状の負極側導電体分岐部ＮＩＭのそれぞれは、薄い例えば銅によって形成されている。
導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭでは、例えば電気絶縁材ＥＩＰ、正極側導電体分岐部ＰＩＭ、電気絶縁材ＥＩＰ、負極側導電体分岐部ＮＩＭ、電気絶縁材ＥＩＰ、正極側導電体分岐部ＰＩＭ、電気絶縁材ＥＩＰ、負極側導電体分岐部ＮＩＭ、電気絶縁材ＥＩＰ…の順序で、複数の正極側導電体分岐部ＰＩＭと負極側導電体分岐部ＮＩＭと電気絶縁材ＥＩＰとが重ねられ、積層部ＰＮＭＬを構成している。
このようにすることによって、従来においては対向配置の構成が採用されていなかった導電体組ＰＮの半導体側接続部ＰＮＳとコンデンサ側接続部ＰＮＣとの間の中継部ＰＮＭに、対向配置の構成を採用することができ、浮遊インダクタンスを低減することができる。また、導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭとにおいて、正極側導電体ＰＩと負極側導電体ＮＩとが、それぞれ構造的に並列に配列されるため、自己インダクタンスを低減することができる。
また、導電体組ＰＮの中継部ＰＮＭが、薄い正極側導電体分岐部ＰＩＭと負極側導電体分岐部ＮＩＭと電気絶縁材（例えば電気絶縁紙）ＥＩＰとによって構成されるため、中継部ＰＮＭが湾曲可能であり、導電体組ＰＮのレイアウトの自由度を向上する。その結果、導電体組ＰＮの効率的なレイアウトを実行することによって、電力変換装置１を小型化することができる。
【００２７】
＜第２実施形態＞
以下、本発明の電力変換装置の第２実施形態について説明する。
第２実施形態の電力変換装置１は、後述する点を除き、上述した第１実施形態の電力変換装置１と同様に構成されている。従って、第２実施形態の電力変換装置１によれば、後述する点を除き、上述した第１実施形態の電力変換装置１と同様の効果を奏することができる。
【００２８】
第１実施形態の電力変換装置１では、上述したように、パワーモジュール２１が、Ｕ相の上アーム部分Ｈｉｇｈ（図１参照）と、Ｕ相の下アーム部分Ｌｏｗ（図１参照）と、Ｖ相の上アーム部分Ｈｉｇｈと、Ｖ相の下アーム部分Ｌｏｗと、Ｗ相の上アーム部分Ｈｉｇｈと、Ｗ相の下アーム部分Ｌｏｗとを備えている。Ｕ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＵＨ（図２（Ｂ）参照）を有し、Ｕ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＵＬ（図２（Ｂ）参照）を有する。Ｖ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＶＨを有し、Ｖ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＶＬを有する。Ｗ相の上アーム部分Ｈｉｇｈは上アーム素子ＷＨを有し、Ｗ相の下アーム部分Ｌｏｗは下アーム素子ＷＬを有する。
一方、第２実施形態の電力変換装置１では、パワーモジュール２１が、１相分の上アーム部分と下アーム部分とを備えている。上アーム部分は上アーム素子Ｓ１（図５参照）を有し、下アーム部分は下アーム素子Ｓ２（図５参照）を有する。
上アーム素子Ｓ１および下アーム素子Ｓ２は、上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬと同様に、例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等のようなスイッチング素子である。
【００２９】
第２実施形態の電力変換装置１では、正極導電体ＰＩが、上アーム素子Ｓ１の下面電極に電気的に接続されている。負極導電体ＮＩは、下アーム素子Ｓ２の上面電極に電気的に接続されている。
上アーム素子Ｓ１の上面電極と下アーム素子Ｓ２の下面電極とは、バスバー５３（図５参照）に電気的に接続されている。
他の例では、正極導電体ＰＩが、上アーム素子Ｓ１の上面電極に電気的に接続され、負極導電体ＮＩが、下アーム素子Ｓ２の下面電極に電気的に接続され、上アーム素子Ｓ１の下面電極と下アーム素子Ｓ２の上面電極とが、バスバー５３に電気的に接続されてもよい。
【００３０】
＜適用例＞
以下、本発明の電力変換装置の適用例について添付図面を参照しながら説明する。
図５は第１および第２実施形態の電力変換装置１を適用可能な車両１０の一部の一例を示す図である。
【００３１】
第１および第２実施形態の電力変換装置１が図５に示す例に適用される場合には、２個の第１実施形態の電力変換装置１と、１個の第２実施形態の電力変換装置１とが図５に示す車両１０に用いられる。
詳細には、２個の第１実施形態の電力変換装置１のパワーモジュール２１が、図５に示す第１電力変換回路部３１および第２電力変換回路部３２を構成する。１個の第２実施形態の電力変換装置１のパワーモジュール２１が、図５に示す第３電力変換回路部３３を構成する。２個の第１実施形態の電力変換装置１のコンデンサユニット２３と、１個の第２実施形態の電力変換装置１のコンデンサユニット２３とが並列接続されて、図５に示すコンデンサユニット２３を構成する。
【００３２】
第２実施形態の電力変換装置１のみが図５に示す例に適用される場合には、７個の第２実施形態の電力変換装置１が図５に示す車両１０に用いられる。
詳細には、７個のうちの３個の第２実施形態の電力変換装置１のパワーモジュール２１が、図５に示す第１電力変換回路部３１のＵ相とＶ相とＷ相とを構成する。７個のうちの３個の第２実施形態の電力変換装置１のパワーモジュール２１が、図５に示す第２電力変換回路部３２のＵ相とＶ相とＷ相とを構成する。７個のうちの残りの１個の第２実施形態の電力変換装置１のパワーモジュール２１が、図５に示す第３電力変換回路部３３を構成する。７個の第２実施形態の電力変換装置１のコンデンサユニット２３が並列接続されて、図５に示すコンデンサユニット２３を構成する。
【００３３】
図５に示す例では、車両１０が、電力変換装置１に加えて、バッテリ１１（ＢＡＴＴ）と、走行駆動用の第１モータ１２（ＭＯＴ）、発電用の第２モータ１３（ＧＥＮ）とを備えている。
バッテリ１１は、バッテリケースと、バッテリケース内に収容される複数のバッテリモジュールとを備えている。バッテリモジュールは、直列に接続される複数のバッテリセルを備えている。バッテリ１１は、電力変換装置１の直流コネクタ１ａに接続される正極端子ＰＢ及び負極端子ＮＢを備えている。正極端子ＰＢ及び負極端子ＮＢは、バッテリケース内において直列に接続される複数のバッテリモジュールの正極端及び負極端に接続されている。
【００３４】
第１モータ１２は、バッテリ１１から供給される電力によって回転駆動力（力行動作）を発生させる。第２モータ１３は、回転軸に入力される回転駆動力によって発電電力を発生させる。ここで、第２モータ１３には、内燃機関の回転動力が伝達可能に構成されている。例えば、第１モータ１２及び第２モータ１３の各々は、３相交流のブラシレスＤＣモータである。３相は、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相である。第１モータ１２及び第２モータ１３の各々は、インナーロータ型である。第１モータ１２及び第２モータ１３は、界磁用の永久磁石を有する回転子と、回転子を回転させる回転磁界を発生させるための３相のステータ巻線を有する固定子とをそれぞれ備えている。第１モータ１２の３相のステータ巻線は、電力変換装置１の第１の３相コネクタ１ｂに接続されている。第２モータ１３の３相のステータ巻線は、電力変換装置１の第２の３相コネクタ１ｃに接続されている。
【００３５】
図５に示す電力変換装置１は、パワーモジュール２１と、リアクトル２２と、コンデンサユニット２３と、抵抗器２４と、第１電流センサ２５と、第２電流センサ２６と、第３電流センサ２７と、電子制御ユニット２８（ＭＯＴ  ＧＥＮ  ＥＣＵ）と、ゲートドライブユニット２９（Ｇ／Ｄ  ＶＣＵ  ＥＣＵ）とを備えている。
パワーモジュール２１は、第１電力変換回路部３１と、第２電力変換回路部３２と、第３電力変換回路部３３とを備えている。
【００３６】
第１電力変換回路部３１の出力側導電体（出力バスバー）５１は、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、第１の３相コネクタ１ｂに接続されている。すなわち、第１電力変換回路部３１の出力側導電体５１は、第１の３相コネクタ１ｂを介して第１モータ１２の３相のステータ巻線に接続されている。
第１電力変換回路部３１の正極側導電体（Ｐバスバー）ＰＩは、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、バッテリ１１の正極端子ＰＢに接続されている。
第１電力変換回路部３１の負極側導電体（Ｎバスバー）ＮＩは、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、バッテリ１１の負極端子ＮＢに接続されている。
つまり、第１電力変換回路部３１は、バッテリ１１から第３電力変換回路部３３を介して入力される直流電力を３相交流電力に変換する。
【００３７】
第２電力変換回路部３２の出力側導電体（出力バスバー）５２は、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、第２の３相コネクタ１ｃに接続されている。すなわち、第２電力変換回路部３２の出力側導電体５２は、第２の３相コネクタ１ｃを介して第２モータ１３の３相のステータ巻線に接続されている。
第２電力変換回路部３２の正極側導電体（Ｐバスバー）ＰＩは、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、バッテリ１１の正極端子ＰＢと、第１電力変換回路部３１の正極側導電体ＰＩとに接続されている。
第２電力変換回路部３２の負極側導電体（Ｎバスバー）ＮＩは、Ｕ相、Ｖ相およびＷ相の３相分まとめられて、バッテリ１１の負極端子ＮＢと、第２電力変換回路部３２の負極側導電体ＮＩとに接続されている。
第２電力変換回路部３２は、第２モータ１３から入力される３相交流電力を直流電力に変換する。第２電力変換回路部３２によって変換された直流電力は、バッテリ１１及び第１電力変換回路部３１の少なくとも一方に供給可能である。
【００３８】
図５に示す例では、第１電力変換回路部３１のＵ相上アーム素子ＵＨ、Ｖ相上アーム素子ＶＨ、Ｗ相上アーム素子ＷＨ、および、第２電力変換回路部３２のＵ相上アーム素子ＵＨ、Ｖ相上アーム素子ＶＨ、Ｗ相上アーム素子ＷＨが、正極側導電体ＰＩに接続されている。正極側導電体ＰＩは、コンデンサユニット２３の正極端子（正極バスバー）５０ｐに接続されている。
第１電力変換回路部３１のＵ相下アーム素子ＵＬ、Ｖ相下アーム素子ＶＬ、Ｗ相下アーム素子ＷＬ、および、第２電力変換回路部３２のＵ相下アーム素子ＵＬ、Ｖ相下アーム素子ＶＬ、Ｗ相下アーム素子ＷＬが、負極側導電体ＮＩに接続されている。負極側導電体ＮＩは、コンデンサユニット２３の負極端子（負極バスバー）５０ｎに接続されている。
【００３９】
図５に示す例では、第１電力変換回路部３１のＵ相上アーム素子ＵＨとＵ相下アーム素子ＵＬとの接続点ＴＩと、Ｖ相上アーム素子ＶＨとＶ相下アーム素子ＶＬとの接続点ＴＩと、Ｗ相上アーム素子ＷＨとＷ相下アーム素子ＷＬとの接続点ＴＩとが、出力側導電体５１に接続されている。
第２電力変換回路部３２のＵ相上アーム素子ＵＨとＵ相下アーム素子ＵＬとの接続点ＴＩと、Ｖ相上アーム素子ＶＨとＶ相下アーム素子ＶＬとの接続点ＴＩと、Ｗ相上アーム素子ＷＨとＷ相下アーム素子ＷＬとの接続点ＴＩとは、出力側導電体５２に接続されている。
【００４０】
図５に示す例では、第１電力変換回路部３１の出力側導電体５１が、第１入出力端子Ｑ１に接続されている。第１入出力端子Ｑ１は、第１の３相コネクタ１ｂに接続されている。第１電力変換回路部３１の各相の接続点ＴＩは、出力側導電体５１、第１入出力端子Ｑ１、及び第１の３相コネクタ１ｂを介して第１モータ１２の各相のステータ巻線に接続されている。
第２電力変換回路部３２の出力側導電体５２は、第２入出力端子Ｑ２に接続されている。第２入出力端子Ｑ２は、第２の３相コネクタ１ｃに接続されている。第２電力変換回路部３２の各相の接続点ＴＩは、出力側導電体５２、第２入出力端子Ｑ２、及び第２の３相コネクタ１ｃを介して第２モータ１３の各相のステータ巻線に接続されている。
【００４１】
図５に示す例では、第１電力変換回路部３１の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれが、逆並列に接続されたフライホイールダイオードを備えている。
同様に、第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれが、逆並列に接続されたフライホイールダイオードを備えている。
【００４２】
図５に示す例では、ゲートドライブユニット２９が、第１電力変換回路部３１の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれにゲート信号を入力する。
同様に、ゲートドライブユニット２９は、第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれにゲート信号を入力する。
第１電力変換回路部３１は、バッテリ１１から第３電力変換回路部３３を介して入力される直流電力を３相交流電力に変換し、第１モータ１２の３相のステータ巻線に交流のＵ相電流、Ｖ相電流、及びＷ相電流を供給する。第２電力変換回路部３２は、第２モータ１３の回転に同期がとられた第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれのオン（導通）／オフ（遮断）駆動によって、第２モータ１３の３相のステータ巻線から出力される３相交流電力を直流電力に変換する。
【００４３】
第３電力変換回路部３３は、電圧コントロールユニット（ＶＣＵ）である。第３電力変換回路部３３は、１相分の上アーム素子Ｓ１と下アーム素子Ｓ２とを備えている。
【００４４】
上アーム素子Ｓ１の正極側の電極は、正極バスバーＰＶに接続されている。正極バスバーＰＶは、コンデンサユニット２３の正極端子（正極バスバー）５０ｐに接続されている。下アーム素子Ｓ２の負極側の電極は、負極バスバーＮＶに接続されている。負極バスバーＮＶは、コンデンサユニット２３の負極端子（負極バスバー）５０ｎに接続されている。コンデンサユニット２３の負極端子５０ｎは、バッテリ１１の負極端子ＮＢに接続されている。上アーム素子Ｓ１の負極側の電極は、下アーム素子Ｓ２の正極側の電極に接続されている。上アーム素子Ｓ１と、下アーム素子Ｓ２とは、フライホイールダイオードを備えている。
【００４５】
第３電力変換回路部３３の上アーム素子Ｓ１と下アーム素子Ｓ２との接続点を構成するバスバー５３は、リアクトル２２の一端に接続されている。リアクトル２２の他端は、バッテリ１１の正極端子ＰＢに接続されている。リアクトル２２は、コイルと、コイルの温度を検出する温度センサとを備えている。温度センサは、信号線によって電子制御ユニット２８に接続されている。
【００４６】
第３電力変換回路部３３は、ゲートドライブユニット２９から上アーム素子Ｓ１のゲート電極と下アーム素子Ｓ２のゲート電極とに入力されるゲート信号に基づき、上アーム素子Ｓ１と下アーム素子Ｓ２とのオン（導通）／オフ（遮断）を切り替える。
【００４７】
第３電力変換回路部３３は、昇圧時において、下アーム素子Ｓ２がオン（導通）及び上アーム素子Ｓ１がオフ（遮断）に設定される第１状態と、下アーム素子Ｓ２がオフ（遮断）及び上アーム素子Ｓ１がオン（導通）に設定される第２状態とを交互に切り替える。第１状態では、順次、バッテリ１１の正極端子ＰＢ、リアクトル２２、下アーム素子Ｓ２、バッテリ１１の負極端子ＮＢへと電流が流れ、リアクトル２２が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。第２状態では、リアクトル２２に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル２２の両端間に起電圧（誘導電圧）が発生する。リアクトル２２に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧はバッテリ電圧に重畳されて、バッテリ１１の端子間電圧よりも高い昇圧電圧が第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶと負極バスバーＮＶとの間に印加される。
【００４８】
第３電力変換回路部３３は、回生時において、第２状態と、第１状態とを交互に切り替える。第２状態では、順次、第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ、上アーム素子Ｓ１、リアクトル２２、バッテリ１１の正極端子ＰＢへと電流が流れ、リアクトル２２が直流励磁されて磁気エネルギーが蓄積される。第１状態では、リアクトル２２に流れる電流が遮断されることに起因する磁束の変化を妨げるようにしてリアクトル２２の両端間に起電圧（誘導電圧）が発生する。リアクトル２２に蓄積された磁気エネルギーによる誘導電圧は降圧されて、第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間の電圧よりも低い降圧電圧がバッテリ１１の正極端子ＰＢと負極端子ＮＢとの間に印加される。
【００４９】
コンデンサユニット２３は、第１平滑コンデンサ４１と、第２平滑コンデンサ４２と、ノイズフィルタ４３とを備えている。
【００５０】
第１平滑コンデンサ４１は、バッテリ１１の正極端子ＰＢと負極端子ＮＢとの間に接続されている。第１平滑コンデンサ４１は、第３電力変換回路部３３の回生時における上アーム素子Ｓ１及び下アーム素子Ｓ２のオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
第２平滑コンデンサ４２は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極側導電体ＰＩ及び負極側導電体ＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。第２平滑コンデンサ４２は、正極端子（正極バスバー）５０ｐ及び負極端子（負極バスバー）５０ｎを介して、複数の正極側導電体ＰＩ及び負極側導電体ＮＩ、並びに正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶに接続されている。第２平滑コンデンサ４２は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれのオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。第２平滑コンデンサ４２は、第３電力変換回路部３３の昇圧時における上アーム素子Ｓ１及び下アーム素子Ｓ２のオン／オフの切換動作に伴って発生する電圧変動を平滑化する。
【００５１】
ノイズフィルタ４３は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極側導電体ＰＩ及び負極側導電体ＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。ノイズフィルタ４３は、直列に接続される２つのコンデンサを備えている。２つのコンデンサの接続点は、車両１０のボディグラウンド等に接続されている。
抵抗器２４は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の各々の正極側導電体ＰＩ及び負極側導電体ＮＩ間、並びに第３電力変換回路部３３の正極バスバーＰＶ及び負極バスバーＮＶ間に接続されている。
【００５２】
第１電流センサ２５は、第１電力変換回路部３１の各相の接続点ＴＩを成し、第１入出力端子Ｑ１と接続される出力側導電体５１に配置され、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の各々の電流を検出する。第２電流センサ２６は、第２電力変換回路部３２の各相の接続点ＴＩを成すとともに第２入出力端子Ｑ２と接続される出力側導電体５２に配置され、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相の各々の電流を検出する。第３電流センサ２７は、上アーム素子Ｓ１及び下アーム素子Ｓ２の接続点を成すとともにリアクトル２２と接続されるバスバー５３に配置され、リアクトル２２に流れる電流を検出する。
第１電流センサ２５、第２電流センサ２６、及び第３電流センサ２７の各々は、信号線によって電子制御ユニット２８に接続されている。
【００５３】
電子制御ユニット２８は、第１モータ１２及び第２モータ１３の各々の動作を制御する。例えば、電子制御ユニット２８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサによって所定のプログラムが実行されることにより機能するソフトウェア機能部である。ソフトウェア機能部は、ＣＰＵ等のプロセッサ、プログラムを格納するＲＯＭ（Read Only Memory）、データを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）、及びタイマー等の電子回路を備えるＥＣＵ（Electronic Control Unit）である。なお、電子制御ユニット２８の少なくとも一部は、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路であってもよい。例えば、電子制御ユニット２８は、第１電流センサ２５の電流検出値と第１モータ１２に対するトルク指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット２９に入力する制御信号を生成する。例えば、電子制御ユニット２８は、第２電流センサ２６の電流検出値と第２モータ１３に対する回生指令値に応じた電流目標値とを用いる電流のフィードバック制御等を実行し、ゲートドライブユニット２９に入力する制御信号を生成する。制御信号は、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれをオン（導通）／オフ（遮断）駆動するタイミングを示す信号である。例えば、制御信号は、パルス幅変調された信号等である。
【００５４】
ゲートドライブユニット２９は、電子制御ユニット２８から受け取る制御信号に基づいて、第１電力変換回路部３１及び第２電力変換回路部３２の上アーム素子ＵＨ、ＶＨ、ＷＨおよび下アーム素子ＵＬ、ＶＬ、ＷＬのそれぞれを実際にオン（導通）／オフ（遮断）駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット２９は、制御信号の増幅及びレベルシフト等を実行して、ゲート信号を生成する。
ゲートドライブユニット２９は、第３電力変換回路部３３の上アーム素子Ｓ１及び下アーム素子Ｓ２の各々をオン（導通）／オフ（遮断）駆動するためのゲート信号を生成する。例えば、ゲートドライブユニット２９は、第３電力変換回路部３３の昇圧時における昇圧電圧指令又は第３電力変換回路部３３の回生時における降圧電圧指令に応じたデューティー比のゲート信号を生成する。デューティー比は、上アーム素子Ｓ１及び下アーム素子Ｓ２の比率である。
【００５５】
図５に示す例では、第１および第２実施形態の電力変換装置１が車両１０に適用されるが、他の例では、例えばエレベータ、ポンプ、ファン、鉄道車両、空気調和機、冷蔵庫、洗濯機などのような車両１０以外のものに対して第１および第２実施形態の電力変換装置１を適用してもよい。
【００５６】
本発明の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５７】
１…電力変換装置、ＵＨ…上アーム素子、ＵＬ…下アーム素子、２１…パワーモジュール、２３…コンデンサユニット、ＰＮ…導電体組、ＰＮＳ…半導体側接続部、ＰＮＣ…コンデンサ側接続部、ＰＮＭ…中継部、ＰＮＭＬ…積層部、ＰＮＭＬＦ…撓み部、ＰＩ…正極側導電体、ＰＩＳ…半導体側接続部、ＰＩＣ…コンデンサ側接続部、ＰＩＭ…正極側導電体分岐部、ＮＩ…負極側導電体、ＮＩＳ…半導体側接続部、ＮＩＣ…コンデンサ側接続部、ＮＩＭ…負極側導電体分岐部、ＥＩＰ…電気絶縁材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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