(57)【要約】      （修正有）【課題】成膜室の内壁に堆積した堆積物を、成膜室を開放することなく、短時間で除去することを可能とする研削装置および研削方法を提供する。【解決手段】研削装置１００は、成膜室１１内に配される被成膜基板用のサセプタ１０１と、平板状の基部１０２Ａとその表面に形成された凸部１０２Ｂとで構成される研削部材１０２と、研削部材１０２を、サセプタ１０１に載置されるように搬送する搬送手段１０３と、サセプタ１０１を中心軸１０１ｃの周りに回転させる回転手段１０４と、を有する。基部１０２Ａの片方の主面がサセプタ１０１と対向するように、研削部材１０２がサセプタ１０１に載置された状態において、サセプタ１０１および研削部材１０２を平面視した場合に、研削部材１０２の最外周部が、サセプタ１０１の最外周部の外側にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に配される被成膜基板用のサセプタと、
平板状の基部とその表面に形成された凸部とで構成される研削部材と、
前記研削部材を、前記サセプタに載置されるように搬送する搬送手段と、
前記サセプタを中心軸の周りに回転させる回転手段と、を有し、
前記基部の片方の主面が前記サセプタと対向するように、前記研削部材が前記サセプタに載置された状態において、
前記サセプタおよび前記研削部材を平面視した場合に、前記研削部材の最外周部が、前記サセプタの最外周部の外側にあることを特徴とする研削装置。
【請求項２】
前記凸部が、前記基部の少なくとも一方の主面の外周部に１つ以上形成されていることを特徴とする請求項１に記載の研削装置。
【請求項３】
前記凸部が、前記基部の側面に１つ以上形成されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の研削装置。
【請求項４】
前記凸部が、前記基部の他の片方の主面において、外周部以外の部分に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の研削装置。
【請求項５】
前記基部の片方の主面の外周部に形成された凸部、前記基部の他の片方の主面に形成された凸部、前記基部の側面に形成された凸部のうち、少なくとも１つが、前記基部の外周部に沿って隙間なく並んでいることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の研削装置。
【請求項６】
前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸に平行な方向に駆動させる駆動手段を、さらに有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の研削装置。
【請求項７】
前記研削部材が、前記基部の主面に平行に広がる構造を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の研削装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の研削装置を用いた研削方法であって、
前記搬送手段を用いて、前記研削部材を前記サセプタに載置する工程と、
前記回転手段を用いて、前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸の周りに回転させる工程と、を有していることを特徴とする研削方法。
【請求項９】
駆動手段を用いて、前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸に平行な方向に駆動させる工程を、さらに有していることを特徴とする請求項８に記載の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜室の内壁に堆積した堆積物の研削に用いる、研削装置および研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体材料である炭化珪素（ＳｉＣ）は、現在広くデバイス用基板として使用されているＳｉ（珪素）に比べてバンドギャップが広いことから、単結晶ＳｉＣ基板を使用してパワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等を作製する研究が行われている。
【０００３】
炭化珪素の単結晶膜を成膜する方法としては、化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法；ＣＶＤ法）を用いて、Ｃ含有ガス（プロパンガス等）とＳｉ含有ガス（シランガス等）との化学反応により、炭化珪素の単結晶膜を成長させる方法や、モノメチルシランをＣＶＤ法の原料として炭化珪素の単結晶膜を成長させる方法が知られている。
【０００４】
ところが、ＣＶＤ法を用いた場合、反応容器の内壁にも炭化珪素が付着し、堆積してしまう。内壁に堆積した炭化珪素の微粒子（ＳｉＣ堆積物）は、剥離、脱落し、炭化珪素薄膜の成長表面に落下付着し、結晶成長を阻害したり、欠陥を生じさせたりする原因となる。そのため、成膜室の内壁に堆積したＳｉＣ堆積物を定期的に取り除く必要がある。ＳｉＣ堆積物の除去方法としては、従来、炭化珪素が成膜室の内壁に堆積した場合には、エピタキシャル成長工程の合間の停止期間に、工具を用いて削り取る方法、成膜室の壁を定期的に交換する方法等が採用されている。
【０００５】
堆積した炭化珪素の手作業による研削や成膜室の壁の交換は、極めて長い作業時間を要し、また成膜室を長期間にわたって大気開放することになるため、歩留りが低下するなどして生産性に悪影響を及ぼすことが懸念されている。
【０００６】
そのため、装置を開放することなく堆積した炭化珪素付着物を除去する方法としては、化学的に除去するクリーニング方法があり、種々のエッチングガスを用いる方法が提案されている。（特許文献１）。しかし、エッチングガスは反応性が高いので、反応容器内の部材を損傷したり、またガスの成分が残存して汚染の原因になるなどの問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−１５４８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、成膜室の内壁に堆積した堆積物を、エッチングガスを使用せずに、成膜室を開放することなく、短時間で除去することを可能とする研削装置および研削方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は以下の手段を採用している。
【００１０】
（１）本発明の一態様に係る研削装置は、成膜室内に配される被成膜基板用のサセプタと、平板状の基部とその表面に形成された凸部とで構成される研削部材と、前記研削部材を、前記サセプタに載置されるように搬送する搬送手段と、前記サセプタを中心軸の周りに回転させる回転手段と、を有し、前記基部の片方の主面が前記サセプタと対向するように、前記研削部材が前記サセプタに載置された状態において、前記サセプタおよび前記研削部材を平面視した場合に、前記研削部材の最外周部が、前記サセプタの最外周部の外側にある。
【００１１】
（２）前記（１）に記載の研削装置において、前記凸部が、前記基部の少なくとも一方の主面の外周部に１つ以上形成されていることが好ましい。
【００１２】
（３）前記（１）または（２）のいずれかに記載の研削装置において、前記凸部が、前記基部の側面に１つ以上形成されていることが好ましい。
【００１３】
（４）前記（１）〜（３）のいずれか一つに記載の研削装置において、前記凸部が、前記基部の他の片方の主面において、外周部以外の部分に形成されていることが好ましい。
【００１４】
（５）前記（１）〜（４）のいずれか一つに記載の研削装置において、前記基部の片方の主面の外周部に形成された凸部、前記基部の他の片方の主面に形成された凸部、前記基部の側面に形成された凸部のうち、少なくとも１つが、前記基部の外周部に沿って隙間なく並んでいることが好ましい。
【００１５】
（６）前記（１）〜（５）のいずれか一つに記載の研削装置において、前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸に平行な方向に駆動させる駆動手段を、さらに有していることが好ましい。
【００１６】
（７）前記（１）〜（６）のいずれか一つに記載の研削装置において、前記研削部材が、前記基部の主面に平行に広がる構造を有していることが好ましい。
【００１７】
（８）本発明の一態様に係る研削方法は、前記（１）〜（７）のいずれか一つに記載の研削装置を用いた研削方法であって、基板への成膜処理を行う前または後に、前記搬送手段を用いて、前記研削部材を前記サセプタに載置する工程と、前記回転手段を用いて、前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸の周りに回転させる工程と、を有している。
【００１８】
（９）前記（８）に記載の研削方法において、駆動手段を用いて、前記サセプタまたは前記成膜室の側壁を、前記サセプタの中心軸に平行な方向に駆動させる工程を、さらに有していることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の研削装置および研削方法によれば、サセプタとともに研削部材を回転させることにより、研削部材の外周部に形成された凸部を、成膜室の内壁に堆積した堆積物に衝突させ、凸部に発生する回転力を利用してこの堆積物を研削することができる。したがって、極めて長い作業時間を要する手作業での堆積物の研削、成膜室の壁の交換等の作業が不要となり、その結果として、成膜室を長期間にわたって大気開放する必要がなくなるため、歩留り低下等の生産性に関する問題発生を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る研削装置を備えた、成膜装置の縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）図１の研削装置が有する、研削部材の構成例を示す上面図および側面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）図１の研削装置が有する、研削部材の他の構成例を示す上面図および側面図である。
【図４】図１の研削装置が有する研削部材の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等は実際とは異なっていることがある。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２２】
［研削装置の構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る研削装置１００を備えた、成膜装置１０の縦断面図であり、成膜処理等に伴って発生する炭化珪素等の堆積物（デポ物）Ｄが、成膜室１１の内壁１１ａに堆積した状態を示している。研削装置１００は、成膜室１１内に配される被成膜基板用のサセプタ１０１と、研削部材１０２と、研削部材１０２を搬送する搬送手段１０３と、サセプタ１０１を中心軸１０１ｃの周りに回転させる回転手段１０４と、を有している。
【００２３】
本発明においてサセプタとは、成膜を行う時に基板を支える部材を意味している。本発明のサセプタは、基板に直接接して支える部材であってもよいし、基板を台座に載せて搬送する場合の様に、基板に直接接する部材を支える部材であってもよい。
【００２４】
研削部材１０２は、少なくとも成膜室１１の内壁に堆積する堆積物（ＳｉＣ堆積物等）Ｄと接触した時に、破損しない強度を有するものであればよい。堆積物Ｄは炭化珪素を主体とするものであるが、細かい多結晶が析出凝固したものであり、機械的な衝撃に対してはもろいという性質がある。炭化珪素自体は硬度の高い物質であるが、それよりも低い硬度であっても、前記の性質を有するＣＶＤ法の堆積物への機械的な衝撃に対して破損しない程度に強ければ使用可能である。また、一部摩耗しても汚染源とはならないように、高純度であることが望ましい。そのような材料としては、例えば、ＴａＣコートカーボン、ＳｉＣコートカーボン、ＮｂＣコートカーボン、ＷＣコートカーボン、ＴａＣ、ＳｉＣ、ＮｂＣ、ＷＣ、その他の金属炭化物、ダイヤモンド、ＳｉＯ２等を挙げることができる。
【００２５】
研削部材１０２は、平板状（好ましくは円板状）の基部（基材）１０２Ａと、その表面に形成された凸部（突起部）１０２Ｂとで構成されている。基部１０２Ａの主面の面積は、サセプタ１０１の基板載置面１０１ａの面積より大きい。凸部１０２Ｂのサイズについては特に限定されないが、その先端部分が、少なくとも堆積物Ｄに接する位置まで延在しているものとする。
【００２６】
凸部１０２Ｂは、基部１０２Ａの表面に対して、垂直に突出する形状であってもよいし、斜めに突出する形状であってもよいし、屈曲部、湾曲部を有する形状であってもよい。また、凸部１０２Ｂは、長手方向において断面積が一定の形状（角柱、円柱等）、断面積が増減する形状（角錐、円錐、角錐台、円錐台等）のいずれを有していてもよい。
【００２７】
研削装置１００を動作させた状態、すなわちサセプタ１０１とともに研削部材１０２を回転させた状態において、研削部材１０２は、その基部１０２Ａの片方の主面がサセプタ１０１と対向するように、サセプタ１０１上に載置される。この状態で、サセプタ１０１および研削部材１０２を平面視した場合には、研削部材１０２の最外周部が、サセプタの最外周部の外側にある。つまり、同平面視において、研削部材１０２はサセプタ１０１より大きい。
【００２８】
また、研削部材１０２は、動作状態において回転半径が大きくなるように、基部１０２Ａの主面に平行であって回転中心から離れる方向に、放射状に広がる構造を有していることが好ましい。このような構造であれば、例えば、研削部材１０２の搬送時には回転半径を小さくして堆積物Ｄに当接（接触）しない状態とし、回転時になってから回転半径を大きくして堆積物Ｄに当接する状態とすることができる。この場合、搬送時に堆積物Ｄが研削されることはないため、研削された堆積物Ｄが搬送アームに再付着するのを回避することができる。研削部材１０２を放射状に広げる構造としては、例えば、回転する凸部１０２Ｂが、慣性によって回転中心から離れる方向に広がる性質を利用した構造が挙げられる。
【００２９】
搬送手段１０３による研削部材１０２の搬送方式について、特に限定されることはないが、例えば図１に示すように、基部１０２Ａの主面の中央部を搬送用のアーム１０３Ａで下側から支持しつつ、このアーム１０３Ａを屈曲、伸縮、回転等させて行う方式が挙げられる。この方式を用いる場合には、例えば図１に示すように、サセプタ１０１の表面（研削部材１０２の載置面）に、アーム１０３Ａが通るための凹部１０１Ａが形成されていることが好ましい。
【００３０】
成膜室１１には、成膜空間に基板又は基板を載せた台座を成長空間に搬入するための搬入口（図示せず）が設けられている。そして、基板又は基板を載せた台座をサセプタ１０１上に搬送するための基板搬送機構（図示せず）が設けられている。この基板搬送機構と搬入口を研削部材の搬送手段として使用してもよい。また、基板の搬送機構とは別に搬送手段１０３が設けられていてもよい。
【００３１】
なお、研削部材１０２の搬送時における基部１０２Ａの支持を、基部１０２Ａの外周部を厚み方向において両側から挟んで行う場合には、凹部１０１Ａを設ける必要がないため、研削部材１０２ををより広い面で支持することになり、サセプタ１０１に対して研削部材１０２をより強く固定することができる。
【００３２】
回転手段１０４によるサセプタ１０１および研削部材１０２の回転方式についても、特に限定されることはないが、例えば図１に示すように、サセプタ１０１の中心部分の下側に取り付けられた棒状部材１０４Ａをその中心軸１０１ｃの周りに回転させる方式が挙げられる。
【００３３】
成膜装置１０には、基板又は基板を載せた台座を回転させるために、サセプタ１０１を回転させる機構が付いている。このサセプタ回転機構を回転手段１０４としてもよい。また、同心円状の別の回転軸を設けるなどして、別の回転機構を回転手段１０４としてもよい。
【００３４】
研削部材１０２に対してサセプタ１０１の回転力を無駄なく伝えるため、研削部材１０２は、サセプタ１０１に対して強く固定されていることが好ましい。その為に、研削部材１０２は、接触部分で滑らない程度の重量を有していたり、サセプタ１０１との接触部分が粗面になっていることが好ましい。あるいは、研削部材１０２、サセプタ１０１のそれぞれの対向する位置に、凹凸構造を設けて互いに嵌め込む（嵌合する）方式も挙げられる。また、固定方式として、静電チャックを用いて、研削部材の基部１０２Ａをサセプタ１０１に吸着させてもよい。
【００３５】
研削装置１００は、サセプタ１０１または成膜室１１の側壁を、サセプタの中心軸１０１ｃに略平行な方向（略鉛直方向）に駆動させる駆動手段（不図示）を、さらに有していることが好ましい。この場合、成膜室の天井部分１１ｂ、床部分１１ｃに堆積した堆積物Ｄに対しても、回転させた凸部１０２Ｂを当接（衝突）させることができ、成膜室１１の内壁全体にわたって、堆積物Ｄの研削を行うことが可能となる。
【００３６】
成膜装置１０には、基板又は基板を載せた台座を搬送のために上下させるサセプタ昇降機構が付いている。このサセプタ昇降機構を前記駆動手段として用いてもよい。また、可動範囲を変えるために、別の昇降機構を設けて前記駆動手段としてもよい。
【００３７】
凸部１０２Ｂは、研削部材１０２の回転動作状態において、堆積物Ｄに当接する部分となる。凸部１０２Ｂは、基部１０２Ａの少なくとも一方の主面の外周部に、１つ以上形成されていることが好ましい。図１では、凸部１０２Ｂが、基部１０２Ａの両方の主面の外周部から突出するものを例示しているが、凸部１０２Ｂの構成はこの例に限られない。凸部１０２Ｂの構成例について、図２、３に示す。
【００３８】
図２（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、研削部材１０２の一方の主面側を平面視した形状（上側）、および研削部材１０２の凸部１０２Ｂを通る断面の形状（下側）を示す図である。ここでの研削部材１０２の一方の主面は、サセプタ１０１と対向する側（片方）の主面、その反対側（他の片方）の主面のいずれであってもよい。
【００３９】
凸部１０２Ｂは、基部１０２Ａのサセプタ１０１と対向する側の主面、その反対側の主面の一方または両方において、図２（ａ）に示すように外周部の一箇所のみに形成されていてもよいし、図２（ｂ）に示すように複数個所に形成されていてもよい。複数個所に形成される場合、凸部１０２Ｂの質量を均等に分布させ、研削部材１０２の回転面（回転方向）を維持させる観点から、凸部１０２Ｂは基部１０２Ａの外周に沿って等間隔で並んでいることが好ましい。
【００４０】
また、凸部１０２Ｂは、図２（ｃ）に示すように先端が尖った形状（角錐、円錐等）を有するものであってもよいし、先端に近づくほど細くなる形状（角錐台、円錐台等）を有するものであってもよい。
【００４１】
また、凸部１０２Ｂが複数個所に形成される場合には、図２（ｄ）に示すように、それらを隙間なく並べ、連続した壁（円環）を形成してもよい。この壁の形状については特に限定されるものではないが、例えば、一様な厚さを有するものとしてもよいし、高さ方向において厚さが変わるものとしてもよい。
【００４２】
研削装置１００が上述した駆動手段を有している場合、凸部１０２Ｂは、図２（ｅ）に示すように、基部１０２Ａのサセプタ１０１と対向しない側の主面（他の片方の主面）において、外周部だけでなく、外周部以外の部分（中央部、中間部）にも形成されていることが好ましい。この場合には、研削部材１０２をあるいは成膜室１１の側壁を、凸部１０２Ｂが天井部分１１ｂに堆積した堆積物Ｄに当接する位置まで駆動させることによって、天井部分１１ｂの堆積物Ｄをより広い範囲で研削することが可能となる。さらに、天井部分１１ｂから研削された堆積物Ｄは、基部１０２Ａ上に落下することになるため、搬送手段１０３を用いて、これを基部１０２Ａ上に載せたまま回収することができる。
【００４３】
また、研削装置１００が同駆動手段を有している場合、凸部１０２Ｂは、基部１０２Ａのサセプタ１０１と対向する側の主面において、外周部や、サセプタ１０１と当接する部分（中央部）を除いた部分（中間部）にも形成されていることが好ましい。この場合には、研削部材１０２をあるいは成膜室１１の側壁を、凸部１０２Ｂが床部分１１ｃに堆積した堆積物Ｄに当接する位置まで駆動させることによって、床部分１１ｃに堆積した堆積物Ｄを、より広い範囲で研削することが可能となる。
【００４４】
天井部分１１ｂおよび床部分１１ｃの堆積物Ｄを万遍なく研削するため、堆積している堆積物Ｄに対し、凸部１０２Ｂを万遍なく当接させる観点から、基部１０２Ａの各主面に形成される凸部１０２Ｂは、図２（ｆ）に示すようにランダムに分布しているのが好ましい。同じ観点から、例えば凸部１０２Ｂがスクリューを形成するように分布していれば、天井部分１１ｂおよび床部分１１ｃの全ての堆積物Ｄに対して、凸部１０２Ｂが確実に当接することになるため、より好ましい。
【００４５】
さらに、凸部１０２Ｂは、基部１０２Ａの側面に１つ以上形成されていることが好ましく、例えば図３（ａ）に示すように、基部１０２Ａの側面の一箇所のみに形成されていてもよいし、図３（ｂ）に示すように複数個所に形成されていてもよい。凸部１０２Ｂが側面の複数個所に形成される場合には、図２（ｂ）の場合と同様の観点から、基部１０２Ａの外周に沿って等間隔で並んでいることが好ましい。また、凸部１０２Ｂは、図３（ｃ）に示すように、先端が尖ったものであってもよい。また、凸部１０２Ｂが側面の複数個所に形成される場合には、図３（ｄ）に示すように、それらを隙間なく並べ、連続した壁状（円環状）をなす形状としてもよい。
【００４６】
図４は、研削部材１０２を基部１０２Ａの厚み方向に切断した際の断面図であり、上述した構成を組み合わせた一例を示している。図４に示すように、凸部１０２Ｂは、サセプタ１０１と当接する部分１０２Ａ１を除き、基部１０２Ａの主面、側面の両方に形成されていてもよい。
【００４７】
凸部１０２Ｂは、それぞれ複数の方向に分岐していてもよい。図４では、基部１０２Ａの外周部に形成された凸部１０２Ｂ１が、分岐している例を示している。凸部１０２Ｂ１が分岐している場合、堆積部Ｄに当接する部分が増えることにより、堆積物Ｄの研削効果を高めることができる。
【００４８】
［堆積物の研削方法］
本実施形態に係る研削装置１００を用いた、堆積物Ｄの研削方法の各工程について説明する。
【００４９】
（第１工程）
まず、基板への成膜処理が行われていない状態（成膜処理の前後等）で、搬送手段１０３を用いて、研削部材１０２をサセプタ１０１に載置し、凹凸構造の嵌合方式等を用いて研削部材１０２を固定する。
【００５０】
（第２工程）
次に、回転手段１０４を用いて、サセプタ１０１または成膜室１１の側壁を、サセプタの中心軸１０１ｃの周りに回転させる。このときの回転速度は、堆積物Ｄの除去に必要な回転力を発生させる程度、具体的には５〜１０００ｒｐｍ程度とすることが好ましい。回転数は、低速から徐々に高速にしてゆくことが好ましい。またこの時、回転駆動モーターの負荷をモニターしながら、回転数を制御することが好ましい。また、適宜、逆方向の回転を組み合わせることもできる。
【００５１】
（第３工程）
さらに、研削装置１００が駆動手段を備えている場合には、これを用いて、サセプタ１０１または成膜室１１の側壁を、サセプタの中心軸１０１ｃに略平行な方向に沿って駆動させる。
【００５２】
第１工程および第２工程、または、第１工程〜第３工程を経ることにより、成膜室の内壁面１１ａに堆積した堆積物Ｄの研削を行うことができる。
【００５３】
以上のように、本実施形態に係る研削装置１００および研削方法によれば、サセプタ１０１とともに研削部材１０２を回転させることにより、研削部材１０２の外周部に形成された凸部１０２Ｂを、成膜室１１の内壁に堆積した堆積物Ｄに衝突させ、凸部１０２Ｂに発生する回転力を利用してこの堆積物Ｄを研削することができる。したがって、極めて長い作業時間を要する手作業での堆積物Ｄの研削、成膜室１１の壁の交換等の作業が不要となり、その結果として、成膜室１１を長期間にわたって大気開放する必要がなくなるため、歩留り低下等の生産性に関する問題発生を回避することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、あらゆる成膜プロセスにおいて必要となる、成膜装置のクリーニングを行うための有効な手段として、広く利用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０・・・成膜装置
１１・・・成膜室
１１ａ・・・成膜室の内壁
１１ｂ・・・天井部分
１１ｃ・・・床部分
１００・・・研削装置
１０１・・・サセプタ
１０１ｃ・・・サセプタの中心軸
１０２・・・研削部材
１０２Ａ・・・基部
１０２Ａ１・・・サセプタと当接する部分
１０２Ｂ・・・凸部
１０２Ｂ１・・・外周部に形成された凸部
１０３・・・搬送手段
１０３Ａ・・・アーム
１０４・・・回転手段
１０４Ａ・・・棒状部材
Ｄ・・・堆積物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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