(57)【要約】【課題】被スパッタ面のなかで、磁気回路の遠隔部と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量が、被スパッタ面のなかで、磁気回路の他の部分と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量よりも小さくなることが抑えられるスパッタ装置を提供する。【解決手段】被スパッタ面と対向する平面視において、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心した形状を有するとともに、被スパッタ面の法線を中心として回転する磁気回路１２と、ターゲット１１よりも外側に位置する供給位置ＰｓにスパッタガスＧｓを供給する供給部１３とを備える。制御部１４は、被スパッタ面と対向する平面視において、径方向において供給位置Ｐｓが磁気回路１２の遠隔部１２ａを含む部分と向かい合うときに、径方向において遠隔部１２ａを含む部分以外の部分が供給位置Ｐｓと向かい合うときよりも大きい流量で、供給部１３に供給位置Ｐｓに対してスパッタガスＧｓを供給させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被スパッタ面を含む円板状を有したターゲットと、
前記被スパッタ面とは反対側の面上に位置し、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記ターゲットの中心に対して偏心した形状を有するとともに、前記被スパッタ面の法線を中心として回転する磁気回路と、
前記ターゲットの径方向における前記ターゲットよりも外側に位置する供給位置にスパッタガスを供給する供給部と、
前記磁気回路と前記供給部との駆動を制御する制御部と、を備え、
前記磁気回路のなかで、前記供給位置と前記径方向において向かい合ったときの前記供給位置からの距離が最も大きい部分が遠隔部であり、
前記制御部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記供給位置が前記径方向において前記遠隔部を含む部分と向かい合うときに、前記径方向において前記遠隔部を含む部分以外の部分が前記供給位置と向かい合うときよりも大きい流量で、前記供給部に前記供給位置に対して前記スパッタガスを供給させる
スパッタ装置。
【請求項２】
前記供給部は、前記ターゲットの周方向における複数の前記供給位置に前記スパッタガスを供給し、
前記制御部は、前記遠隔部を含む部分と向かい合う前記供給位置に供給される前記スパッタガスの流量が、全ての前記供給位置のなかで最も大きくなるように、前記供給部に前記スパッタガスを供給させる
請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記供給部は、前記周方向の全体にわたる環状を有した前記供給位置に前記スパッタガスを供給する
請求項２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記法線は第１法線であり、
前記供給部は、
前記周方向に沿う環状を有したガス通路と、
前記ガス通路の途中に位置し、前記周方向に沿う環状を有した調節部であって、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記径方向に沿う前記ガス通路の幅を調節することによって、前記調節部から下流のコンダクタンスを調節するとともに、前記被スパッタ面の第２法線を中心に回転する前記調節部と、を含み、
前記調節部のなかで、前記幅を最大にする部分が最大幅部であり、
前記制御部は、前記周方向において、前記最大幅部の位置が前記遠隔部の位置に追従するように前記調節部を回転させる
請求項３に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記ターゲットの主成分がチタンであり、
前記供給部は窒素を含む前記スパッタガスを供給する
請求項２から４のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
成膜対象に対する成膜が行われる空間を区画する処理槽と、成膜空間に露出する被スパッタ面を有したターゲットと、ターゲットに対して成膜空間とは反対側に位置し、被スパッタ面に漏洩磁場を形成する磁気回路とを備えるスパッタ装置が知られている。スパッタ装置のなかには、ターゲットおよび成膜対象が略円板状を有し、ターゲットと磁気回路とが重なる方向から見て、成膜対象の中心と磁気回路の中心とがほぼ一致し、かつ、磁気回路がターゲットの中心に対して偏心した形状を有した装置がある。こうしたスパッタ装置では、成膜対象に対する成膜が行われるときに、磁気回路が、ターゲットの中心を通る軸を回転軸として回転する。これにより、磁気回路がターゲットの中心に対して等方的な形状を有する構成と比べて、ターゲットの被スパッタ面において、漏洩磁場の形成される領域が拡がる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９４４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したスパッタ装置では、成膜対象に薄膜を形成するとき、ターゲットに対して径方向の外側に位置する供給位置にスパッタガスが供給される。上述したように、磁気回路はターゲットの中心に対して偏心した形状を有するため、供給位置と磁気回路との間の距離が大きい遠隔部ほど、供給位置に供給されたスパッタガスの流量に対して、被スパッタ面のなかで、磁気回路と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量の割合が小さい傾向を有する。これにより、被スパッタ面の周りに生成されるプラズマの状態にも、スパッタガスの流量に応じたばらつきが生じることがある。
【０００５】
本発明は、被スパッタ面のなかで、磁気回路の遠隔部と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量が、被スパッタ面のなかで、磁気回路の他の部分と重なる部分に供給されるスパッタガスの流量よりも小さくなることが抑えられるスパッタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するためのスパッタ装置は、被スパッタ面を含む円板状を有したターゲットと、前記被スパッタ面とは反対側の面上に位置し、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記ターゲットの中心に対して偏心した形状を有するとともに、前記被スパッタ面の法線を中心として回転する磁気回路と、前記ターゲットの径方向における前記ターゲットよりも外側に位置する供給位置にスパッタガスを供給する供給部と、前記磁気回路と前記供給部との駆動を制御する制御部とを備える。前記磁気回路のなかで、前記供給位置と前記径方向において向かい合ったときの前記供給位置からの距離が最も大きい部分が遠隔部である。前記制御部は、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記供給位置が前記径方向において前記遠隔部を含む部分と向かい合うときに、前記径方向において前記遠隔部を含む部分以外の部分が前記供給位置と向かい合うときよりも大きい流量で、前記供給部に前記供給位置に対して前記スパッタガスを供給させる。
【０００７】
上記構成によれば、ターゲットの径方向において供給位置と遠隔部を含む部分とが向かい合うときに、径方向において他の部分が供給位置と向かい合うときよりも大きい流量で供給位置にスパッタガスが供給される。そのため、被スパッタ面のなかで、磁気回路の遠隔部と重なる部分に向けて供給されるスパッタガスの流量が、被スパッタ面のなかで、磁気回路の他の部分に供給されるスパッタガスの流量よりも小さくなることが抑えられる。
【０００８】
上記スパッタ装置において、前記供給部は、前記ターゲットの周方向における複数の前記供給位置に前記スパッタガスを供給し、前記制御部は、前記遠隔部を含む部分と向かい合う前記供給位置に供給される前記スパッタガスの流量が、全ての前記供給位置のなかで最も大きくなるように、前記供給部に前記スパッタガスを供給させてもよい。
【０００９】
上記構成によれば、径方向において、磁気回路における遠隔部以外の部分と向かい合う供給位置にもスパッタガスが供給される分だけ、被スパッタ面のなかで、遠隔部と重なる部分に向けて供給されるスパッタガスの流量と、それ以外の部分に向けて供給されるスパッタガスの流量との差をより小さくすることができる。それゆえに、成膜対象の面内において薄膜の特性にばらつきが生じることが抑えられる。
【００１０】
上記スパッタ装置において、前記供給部は、前記周方向の全体にわたる環状を有した前記供給位置に前記スパッタガスを供給してもよい。
【００１１】
上記構成によれば、環状を有した供給位置にスパッタガスが供給されるため、被スパッタ面のなかで、遠隔部と重なる部分に向けて供給されるスパッタガスの流量と、それ以外の部分に向けて供給されるスパッタガスの流量との差を周方向の全体において小さくすることが可能である。それゆえに、成膜対象の面内において薄膜の特性にばらつきが生じることがより抑えられる。
【００１２】
上記スパッタ装置において、前記法線は第１法線である。前記供給部は、前記周方向に沿う環状を有したガス通路と、前記ガス通路の途中に位置し、前記周方向に沿う環状を有した調節部であって、前記被スパッタ面と対向する平面視において、前記径方向に沿う前記ガス通路の幅を調節することによって、前記調節部から下流のコンダクタンスを調節するとともに、前記被スパッタ面の第２法線を中心に回転する前記調節部とを含む。前記調節部のなかで、前記幅を最大にする部分が最大幅部であり、前記制御部は、前記周方向において、前記最大幅部の位置が前記遠隔部の位置に追従するように前記調節部を回転させてもよい。
【００１３】
上記構成によれば、ターゲットの周方向において、調節部材における最大幅部の位置が磁気回路の遠隔部の位置に追従するため、供給位置と遠隔部との間の距離が、供給位置と磁気回路における他の部分との間の距離よりも大きいことによって遠隔部に向けて供給されるスパッタガスの流量が小さくなることが抑えられる。それゆえに、磁気回路が形成した漏洩磁場によってターゲットの被スパッタ面の周りに形成されたプラズマの状態にばらつきが生じることが抑えられ、結果として、成膜対象の面内において薄膜の特性にばらつきが生じることが抑えられる。
【００１４】
上記スパッタ装置において、前記ターゲットの主成分がチタンであり、前記供給部は窒素を含む前記スパッタガスを供給してもよい。上記構成によれば、窒化チタン膜を形成するときに、ターゲットの被スパッタ面と対向する平面視において、供給位置から磁気回路までの距離が異なることによって、成膜対象に形成される窒化チタン膜の面内において比抵抗値にばらつきが生じることが、抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態のスパッタ装置における一部構造を示す平面図。
【図２】第１実施形態のスパッタ装置における一部構造を示す平面図。
【図３】第１実施形態のスパッタ装置における一部構造を示す平面図。
【図４】第２実施形態のスパッタ装置の概略構成を示すブロック図。
【図５】第２実施形態のスパッタ装置の一部構成を示す断面図。
【図６】第２実施形態のスパッタ装置における一部構造を示す平面図。
【図７】試験例におけるスパッタ装置の一部構造を模式的に示す断面図。
【図８】試験例における初期距離に対する移動距離の比と、総流量に対する流量差の比との関係を示すグラフ。
【図９】試験例における初期距離に対する移動距離の比と、総流量に対する流量差の比との関係を示すグラフ。
【図１０】試験例における比抵抗値の分布と位相差との関係を示すグラフ。
【図１１】試験例における比抵抗値の分布と対向角度の範囲との関係を示すグラフ。
【図１２】試験例における比抵抗値と基板における位置との関係を示すグラフ。
【図１３】試験例における比抵抗値と基板における位置との関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［第１実施形態］
図１から図３を参照して、スパッタ装置の第１実施形態を説明する。図１から図３では、スパッタ装置のうち、ターゲット、磁気回路、供給部、および、制御部のみが模式的に示されている。また、図１から図３では、ターゲットと磁気回路とが積み重なる方向から見たターゲットと磁気回路との平面構造が示されている。図１から図３では、磁気回路とターゲットとを区別しやすくする目的で、磁気回路にドットが付されている。
【００１７】
図１が示すように、スパッタ装置は、ターゲット１１、磁気回路１２、供給部１３、および、制御部１４を備えている。ターゲット１１は、被スパッタ面を含む円板状を有している。磁気回路１２は、被スパッタ面とは反対側の面の一例である裏面１１Ｒ上に位置し、被スパッタ面と対向する平面視において、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心した形状を有している。磁気回路１２は、第１法線の一例である被スパッタ面の法線を中心として回転する。より詳しくは、磁気回路１２は、被スパッタ面の法線のなかで、中心１１Ｃを通る法線を中心として回転する。なお、磁気回路１２は、被スパッタ面のなかで、中心１１Ｃ以外の部分を通る法線を中心として回転する構成でもよい。
【００１８】
供給部１３は、ターゲット１１の径方向におけるターゲット１１よりも外側に位置する供給位置ＰｓにスパッタガスＧｓを供給する。供給位置Ｐｓは、成膜対象が収容される処理槽の内部に設定することが可能な位置である。供給位置Ｐｓは、ターゲット１１の径方向においてターゲット１１よりも外側に位置していれば、スパッタ装置の高さ方向において、ターゲット１１よりも上方に位置してもよいし、ターゲット１１よりも下方に位置してもよい。
【００１９】
磁気回路１２のなかで、供給位置Ｐｓとターゲット１１の径方向において向かい合ったときにおいて供給位置Ｐｓからの距離Ｌが最も大きい部分が遠隔部１２ａである。本実施形態では、磁気回路１２は、円弧状を有する円弧部１２ｂと、Ｖ字状を有するＶ字部１２ｃとから構成されている。Ｖ字部１２ｃは、円弧部１２ｂの両端からの距離が等しい位置であって、円弧部１２ｂによって囲まれる位置において屈曲する形状を有している。Ｖ字部１２ｃにおける屈曲部が、磁気回路１２の遠隔部１２ａである。なお、磁気回路１２の形状は、図１に示される形状に限らず、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心した形状であればよい。言い換えれば、ターゲット１１の裏面１１Ｒにおいて、磁気回路１２によって区画される領域が、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心していればよい。磁気回路１２は、例えば、円環状を有し、かつ、磁気回路１２の中心がターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心した形状を有することができる。ターゲット１１の径方向における供給位置Ｐｓと磁気回路１２との間の距離Ｌは、遠隔部１２ａが供給位置Ｐｓと向かい合うときに、最大値Ｌｍａｘになる。
【００２０】
ターゲット１１の形成材料には、金属、金属化合物、半金属、および、半金属化合物などを挙げることができる。スパッタガスには、不活性ガス、および、不活性ガスと反応性ガスとを混合したガスを用いることができる。
【００２１】
制御部１４は、磁気回路１２と供給部１３との駆動を制御する。制御部１４は、被スパッタ面と対向する平面視において、供給位置Ｐｓが径方向において遠隔部１２ａを含む部分と向かい合うときに、径方向において遠隔部１２ａを含む部分以外の部分が供給位置Ｐｓと向かい合うときよりも大きい流量で、供給部１３に供給位置Ｐｓに対してスパッタガスＧｓを供給させる。
【００２２】
磁気回路１２がターゲット１１の中心１１Ｃに対して偏心した形状を有し、かつ、ターゲット１１の外側に位置する供給位置ＰｓにスパッタガスＧｓが供給される構成では、被スパッタ面に供給されるスパッタガスが以下の傾向を有する。すなわち、供給位置Ｐｓと磁気回路１２との間の距離が大きいほど、供給位置Ｐｓに供給されたスパッタガスＧｓの流量に対して、被スパッタ面のなかで、磁気回路１２と重なる位置に供給されるスパッタガスＧｓの流量の割合が小さくなる傾向を有する。この点で、ターゲット１１の径方向において供給位置Ｐｓと遠隔部１２ａを含む部分とが向かい合うときに、磁気回路１２における他の部分が供給位置Ｐｓと向かい合うときよりも大きい流量で供給位置Ｐｓにスパッタガスが供給されるため、遠隔部１２ａに向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量が小さくなることが抑えられる。
【００２３】
本実施形態では、ターゲット１１の径方向における供給位置Ｐｓと磁気回路１２との間の距離は、供給位置Ｐｓが円弧部１２ｂと向かい合っているときにはほぼ一定である。一方で、供給位置ＰｓがＶ字部１２ｃと向かい合っているときには、供給位置Ｐｓと磁気回路１２との間の距離Ｌは、供給位置Ｐｓが円弧部１２ｂと向かい合っているときよりも小さくなる。
【００２４】
そのため、制御部１４は、供給部１３に供給位置Ｐｓに対してスパッタガスＧｓを供給させる期間を、供給位置Ｐｓが径方向においてＶ字部１２ｃと対向する期間の全体としてもよいし、Ｖ字部１２ｃと対向する期間の一部であって、供給位置Ｐｓが遠隔部１２ａと対向する期間を含む期間としてもよい。
【００２５】
これに対して、図２が示すように、供給位置Ｐｓが径方向において円弧部１２ｂと対向する期間は、制御部１４は、供給部１３に供給位置Ｐｓに対してスパッタガスＧｓを供給させなくてもよい。あるいは、制御部１４は、供給位置Ｐｓが径方向において円弧部１２ｂと対向する期間も、供給部１３に供給位置Ｐｓに対してスパッタガスＧｓを供給させてもよい。この場合には、制御部１４は、供給位置Ｐｓが径方向において遠隔部１２ａを含む部分と対向する期間において供給部１３が供給位置Ｐｓに供給するスパッタガスＧｓの流量を、それ以外の期間において供給部１３が供給位置Ｐｓに供給するスパッタガスＧｓの流量よりも大きくすればよい。
【００２６】
あるいは、図３が示すように、供給部１３は、ターゲット１１の周方向における複数の供給位置ＰｓにスパッタガスＧｓを供給してもよい。この場合には、制御部１４は、遠隔部１２ａを含む部分と向かい合う供給位置Ｐｓに供給されるスパッタガスＧｓの流量が、全ての供給位置Ｐｓのなかで最も大きくなるように、供給部１３にスパッタガスＧｓを供給させる。なお、制御部１４は、遠隔部１２ａを含む部分と向かい合う供給位置Ｐｓに対して供給部１３にスパッタガスＧｓを供給させる一方で、それ以外の供給位置Ｐｓには、供給部１３にスパッタガスを供給させない構成でもよい。また、制御部１４は、供給位置Ｐｓのなかで、径方向における磁気回路１２との間の距離が大きい部分ほど、その供給位置Ｐｓに供給するスパッタガスＧｓの流量が大きくなるように、供給部１３の駆動を制御してもよい。なお、図３では、供給部１３を示す矢印の太さが太いほど、供給位置Ｐｓに対して供給されるスパッタガスＧｓの流量が大きいことを模式的に示している。
【００２７】
供給部１３が供給位置Ｐｓに向けてスパッタガスＧｓを供給する期間、および、供給位置Ｐｓに供給するスパッタガスＧｓの流量の少なくとも１つを変更する構成は、以下の構成によって具体化することができる。例えば、供給部１３は、スパッタガスＧｓの供給を制御するマスフローコントローラーと、スパッタガスＧｓが通るガス通路とを含む構成として具体化することができる。
【００２８】
以上説明したように、スパッタ装置の第１実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（１）ターゲット１１の径方向において供給位置Ｐｓと遠隔部１２ａを含む部分とが向かい合うときに、径方向において他の部分が供給位置Ｐｓと向かい合うときよりも大きい流量で供給位置ＰｓにスパッタガスＧｓが供給される。そのため、被スパッタ面のなかで、磁気回路１２の遠隔部１２ａと重なる部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量が、被スパッタ面のなかで、磁気回路１２の他の部分に供給されるスパッタガスＧｓの流量よりも小さくなることが抑えられる。
【００２９】
（２）ターゲット１１の径方向において、磁気回路１２における遠隔部１２ａ以外の部分と向かい合う供給位置ＰｓにもスパッタガスＧｓが供給される分だけ、被スパッタ面のなかで、遠隔部１２ａと重なる部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量と、それ以外の部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量との差を小さくすることができる。それゆえに、被スパッタ面の各部に供給されるスパッタガスＧｓの流量に起因して、成膜対象の面内において薄膜の特性にばらつきが生じることが抑えられる。
【００３０】
［第２実施形態］
図４から図１３を参照して、スパッタ装置の第２実施形態を説明する。第２実施形態は、第１実施形態と比べて、供給部がスパッタガスを供給する供給位置がターゲットの周方向における全体である点、および、こうした供給位置にスパッタガスを供給するための構成が主に異なっている。そのため、以下では、こうした相違点について詳しく説明する。また、以下では、スパッタ装置の構成、および、試験例を順に説明する。
【００３１】
［スパッタ装置の構成］
図４から図７を参照して、スパッタ装置の構成を説明する。
図４が示すように、スパッタ装置２０は、筒状を有する真空槽２１を備え、真空槽２１の内部には、成膜対象Ｓを支持する支持部２２が位置している。真空槽２１は、成膜対象Ｓに対する成膜処理が行われる処理空間２１Ｓを区画する。支持部２２は例えば成膜対象Ｓを支持するステージである。成膜対象Ｓには、例えば、シリコン基板、ガラス基板、および、樹脂基板などを用いることができる。
【００３２】
真空槽２１において、支持部２２の上方には、支持部２２と対向するようにターゲット１１が位置している。ターゲット１１は、バッキングプレート２３を介して真空槽２１に固定されている。なお、図３では、ターゲット１１とバッキングプレート２３とが真空槽２１内に位置しているが、これらのうち、少なくともターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓが真空槽２１に露出していればよい。バッキングプレート２３には、ターゲット電源２４が接続され、ターゲット電源２４はバッキングプレート２３に電力を供給することによって、ターゲット１１に電力を供給する。
【００３３】
真空槽２１の外側には、バッキングプレート２３に対してターゲット１１とは反対側に、磁気回路１２を含む磁気回路機構２５が位置している。磁気回路機構２５は筐体２６によって取り囲まれている。筐体２６は、真空槽２１の周方向において磁気回路機構２５の全体を取り囲む形状を有している。筐体２６と磁気回路機構２５との間に、処理空間２１Ｓに供給されるスパッタガスＧｓが通るガス通路が位置している。ガス通路には、処理空間２１Ｓに供給されるガスの流量を制御するマスフローコントローラー２７が接続されている。マスフローコントローラー２７は、スパッタ装置２０の外部に位置するボンベに接続されている。なお、本実施形態では、マスフローコントローラー２７とガス通路とが、スパッタガスＧｓを供給位置に供給する供給部に含まれる。
【００３４】
真空槽２１には、処理空間２１Ｓ内のガスを排気する排気部２８が接続されている。排気部２８は、処理空間２１Ｓの圧力を所定の圧力まで減圧する。排気部２８は、例えば、ポンプとバルブとを含んでいる。
【００３５】
スパッタ装置２０は、制御部１４を備えている。制御部１４は、スパッタ装置２０が備える各部の駆動を制御することによって、処理空間２１Ｓ内において成膜対象Ｓに対して所定の薄膜を形成する。上述したように、制御部１４は、磁気回路１２の駆動と、供給部の駆動とを制御する。
【００３６】
こうしたスパッタ装置２０では、成膜対象Ｓが支持部２２上に配置された後、制御部１４が、排気部２８に処理空間２１Ｓの圧力を所定の圧力まで減圧させる。次いで、制御部１４が、マスフローコントローラー２７に所定の流量でスパッタガスＧｓを処理空間２１Ｓに供給させる。そして、制御部１４は、ターゲット電源２４に電力をバッキングプレート２３に供給させる。これにより、スパッタガスＧｓからプラズマが生成され、プラズマ中のイオンによって、ターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓがスパッタされる。ターゲット１１から放出されたスパッタ粒子が成膜対象Ｓに付着することによって、成膜対象Ｓに薄膜が形成される。
【００３７】
図５は、真空槽２１の径方向と高さ方向とによって規定される平面に沿う断面構造を示している。こうした断面構造において、真空槽２１における径方向の中心を通る軸を対称軸とするとき、ガス通路は、対象軸に対する一方と他方とに対称な構成を有している。そのため、図５では、ガス通路において、対称軸に対する一方のみを示し、他方の図示が省略されている。
【００３８】
図５が示すように、筐体２６と磁気回路機構２５との間に、ガス通路３０が位置している。ガス通路３０は、処理空間２１Ｓにおける互いに異なる２以上の供給位置に向けてスパッタガスＧｓを通す通路であり、本実施形態では、ガス通路３０のなかで保持空間３０ａから処理空間２１Ｓまでの部分が真空槽２１の周方向に沿う環状を有することによって、環状を有した供給位置に向けてガスを通す。ガス通路３０と処理空間２１Ｓとが繋がる部分が供給位置である。これにより、供給部は、ターゲット１１の周方向の全体にわたる環状を有した供給位置にスパッタガスＧｓを供給する。
【００３９】
これにより、環状を有した供給位置にスパッタガスＧｓが供給されるため、遠隔部１２ａに向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量と、それ以外の部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量との差を周方向の全体において小さくすることが可能である。また、ターゲット１１の周方向における全体に対してスパッタガスＧｓが供給されるため、薄膜の形成速度を高めることができる。
【００４０】
ガス通路３０は、処理空間２１Ｓに通じる途中に保持空間３０ａを含んでいる。保持空間３０ａは、真空槽２１の周方向に沿う環状を有している。筐体２６は、筐体２６における他の部分に比べて、筐体２６の径方向における外側に突き出た部分である突出部２６ａを含む。突出部２６ａによって区画される空間が、ガス通路３０の一部である保持空間３０ａである。
【００４１】
保持空間３０ａ、すなわちガス通路３０の途中には、供給部に含まれる調節部材３１が位置している。調節部材３１は、ターゲット１１の周方向に沿う環状を有している。調節部材３１は、被スパッタ面１１Ｓと対向する平面視において、ターゲット１１の径方向に沿うガス通路３０の幅Ｗｇを調節することによって、調節部材３１から下流のコンダクタンスを調節する。また、調節部材３１は、第２法線の一例である被スパッタ面１１Ｓの法線を中心に回転する。調節部材３１は、被スパッタ面１１Ｓの法線のなかで、調節部材３１の中心を通る法線を中心に回転するが、調節部材３１の中心以外を通る法線を中心に回転する構成でもよい。また、調節部材３１の回転の中心である第２法線は、磁気回路１２の回転の中心である第１法線と互いに同じ法線であってもよいし、互いに異なる法線であってもよい。
【００４２】
調節部材３１は、保持空間３０ａ内での位置が変わることによって、ガス通路３０における保持空間３０ａから処理空間２１Ｓにおける１つの供給位置に向かう部分のコンダクタンスを、保持空間３０ａから処理空間２１Ｓにおける他の供給位置に向かう部分のコンダクタンスと異ならせるように構成されている。コンダクタンスは、スパッタガスＧｓが流れる方向と直交する方向に沿うガス通路３０の断面を単位時間に通過するスパッタガスＧｓの流量である。調節部材３１の位置は、図示されない位置変更部によって変更される。本実施形態では、位置変更部は、高さ方向Ｄｈにおける位置と、径方向Ｄｒにおける位置とを個別に変えるように構成されている。位置変更部は、少なくとも径方向Ｄｒにおける調節部材３１の位置を変えるように構成されていればよい。なお、本実施形態では、ターゲット１１の径方向と、真空槽２１の径方向Ｄｒとが等しい方向であるため、調節部材３１を径方向Ｄｒに沿って移動させることによって、ターゲット１１の径方向に沿うガス通路３０の幅Ｗｇを変えることができる。
【００４３】
調節部材３１の位置が変わることによって、１つの供給位置と他の供給位置との間において、保持空間３０ａから各供給位置に向かう部分のコンダクタンスを異ならせることができるため、真空槽２１の周方向において、スパッタガスＧｓの流量における分布を変えることが可能である。しかも、保持空間３０ａの周方向における全体に調節部材３１が位置し、かつ、ガス通路３０のなかで、保持空間３０ａから処理空間２１Ｓに向かう部分が周方向に沿う環状を有するため、真空槽２１における周方向の全体で、真空槽２１に供給されるスパッタガスの流量における分布を変えることができる。
【００４４】
位置変更部は、例えば、突出部２６ａの内周面に含まれる面のなかで、高さ方向Ｄｈにおける上面２６ａ１と下面２６ａ２との間において、調節部材３１の位置を変えることができる。位置変更部は、例えば、径方向Ｄｒにおける調節部材３１の位置を、磁気回路機構２５に接する位置と突出部２６ａに接する位置との間で変えることができる。
【００４５】
位置変更部はさらに、調節部材３１を上述した法線を中心に回転させる。位置変更部は、磁気回路１２が回転する方向と同じ方向に調節部材３１を回転させる。調節部材３１の回転速度は、磁気回路１２の回転速度と等しくてもよいし、異なってもよい。位置変更部は、調節部材３１の各部における高さ方向Ｄｈの位置と径方向Ｄｒの位置とを保った状態で、調節部材３１を回転させる。
【００４６】
真空槽２１には防着板２１ａが位置し、防着板２１ａは、ターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓと対向する平面視において、ターゲット１１の周方向における全体を取り囲む環状を有している。スパッタ装置２０では、ガス通路３０を流れるスパッタガスは、ガス通路３０における保持空間３０ａを通って、処理空間２１Ｓに供給される。この際に、保持空間３０ａにおける調節部材３１の位置によって、保持空間３０ａから処理空間２１Ｓに向かうコンダクタンスが調節される。スパッタガスＧｓは、保持空間３０ａを通った後に、バッキングプレート２３およびターゲット１１と、防着板２１ａとによって区画される空間であって、処理空間２１Ｓの一部に含まれる空間を通る。なお、防着板２１ａは省略されてもよい。
【００４７】
図６は、スパッタ装置２０のうち、ターゲット１１、磁気回路１２、および、調節部材３１をターゲット１１の裏面１１Ｒと対向する方向から見た平面構造を模式的に示している。なお、図６では、磁気回路１２の形状と調節部材３１の形状とを分かりやすくする目的で、磁気回路１２と調節部材３１とにドットが付されている。
【００４８】
図６が示すように、調節部材３１は、ターゲット１１の径方向においてターゲット１１の外側に位置している。調節部材３１は無端の円環状を有し、調節部材３１の中心３１Ｃは、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の上方に位置している。言い換えれば、調節部材３１の中心３１Ｃの位置と、ターゲット１１の中心１１Ｃの位置とが、互いに異なっている。
【００４９】
調節部材３１とターゲット１１との間の隙間がガス通路３０の一部である。上述したように、調節部材３１の中心３１Ｃは、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の上方に位置しているため、ガス通路３０の幅Ｗｇは、ターゲット１１の周方向において偏りを有している。本実施形態では、ガス通路３０のなかで、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の上方に位置する部分の幅Ｗｇは、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の下方に位置する部分の幅Ｗｇよりも大きい。これに対して、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の左側に位置する部分の幅Ｗｇは、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の右側に位置する部分の幅Ｗｇとほぼ等しい。また、ガス通路３０のなかで、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の上方に位置する部分の幅Ｗｇは、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の右側に位置する部分の幅Ｗｇ、および、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の左側に位置する部分の幅Ｗｇよりも大きい。
【００５０】
ガス通路３０のなかで、調節部材３１から下流の各部におけるコンダクタンスは、ガス通路３０の幅Ｗｇが大きいほど大きくなる。そのため、ガス通路３０において、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の上方に位置する部分のコンダクタンスが、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して紙面の下方に位置する部分のコンダクタンスよりも大きくなる。結果として、ターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓにおいて、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の上方に位置する部分に対して供給されるスパッタガスＧｓの流量が、ターゲット１１の中心１１Ｃよりも紙面の下方に位置する部分に対して供給されるスパッタガスＧｓの流量よりも大きくなる。
【００５１】
調節部材３１のなかで、ガス通路３０の幅Ｗｇを最大にする部分が最大幅部３１Ｍである。図６が示す調節部材３１とターゲット１１との状態では、調節部材３１のなかで、ターゲット１１の中心１１Ｃに対して直上に位置する部分が最大幅部３１Ｍである。制御部１４は、ターゲット１１の周方向において、最大幅部３１Ｍの位置が遠隔部１２ａの位置に追従するように調節部材３１を回転させる。制御部１４は、ターゲット１１の周方向において、最大幅部３１Ｍの位置と遠隔部１２ａの位置とが一致するように、言い換えれば、ターゲット１１における１つの径上に最大幅部３１Ｍが位置し、かつ、１つの径の延長上に遠隔部１２ａとが位置するように、磁気回路１２の回転と調節部材３１の回転とを制御してもよい。あるいは、制御部１４は、ターゲット１１の周方向において、最大幅部３１Ｍの位置と調節部材３１の位置とが所定の範囲内でずれを有するように、磁気回路１２の回転と調節部材３１の回転とを制御してもよい。
【００５２】
ターゲット１１の周方向において、調節部材３１における最大幅部３１Ｍの位置が磁気回路１２の遠隔部１２ａの位置に追従するため、供給位置と遠隔部１２ａとの間の距離Ｌが、供給位置と磁気回路１２における他の部分との間の距離Ｌよりも大きいために、遠隔部１２ａに向けて供給されるスパッタガスの流量が小さくなることが抑えられる。それゆえに、磁気回路１２が形成した漏洩磁場に応じてターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓの周りに形成されたプラズマの状態にばらつきが生じることが抑えられ、結果として、成膜対象Ｓに形成された薄膜の特性にばらつきが生じることが抑えられる。
【００５３】
磁気回路１２の開角θは、ターゲット１１の中心１１Ｃからターゲット１１の径方向に沿って延びる２つの直線によって規定される角度である。開角θを規定する２つの直線は、例えば、ターゲット１１の裏面１１Ｒにおいて、磁気回路１２が位置する領域と、磁気回路１２が位置しない領域との境界となる直線であってもよい。開角θを規定する２つの直線は、また例えば、ターゲット１１の裏面１１Ｒにおいて、磁気回路１２における遠隔部１２ａを含む部分と、磁気回路１２における遠隔部１２ａを含む部分以外の部分との境界となる直線であってもよい。
【００５４】
本実施形態では、開角θを規定する２つの直線は、ターゲット１１の裏面１１Ｒにおいて、磁気回路１２が位置する領域と、磁気回路１２が位置しない領域との境界となる直線である。より詳しくは、Ｖ字部１２ｃのなかで、遠隔部１２ａから遠隔部１２ａに対する一方側に向けて延びる辺と、遠隔部１２ａから遠隔部１２ａに対する他方側に向けて延びる辺とが形成する角度が開角θである。
【００５５】
開角θがターゲット１１の周方向に占める割合は、θ°／３６０°で表すことができる。ターゲット１１が、中心１１Ｃを通る法線を中心に１回転する間、言い換えれば３６０°回転する間において、遠隔部１２ａを含む部分であるＶ字部１２ｃが最大幅部３１Ｍと対向する角度は、開角θよりも大きいことが好ましい。Ｖ字部１２ｃが最大幅部３１Ｍと対向する角度が開角θよりも大きいことによって、調節部材３１を回転させることによる効果をより顕著に得ることができる。このように、制御部１４は、磁気回路１２の回転速度、および、調節部材３１の回転速度を、遠隔部１２ａを含む部分が最大幅部３１Ｍと対向する角度の範囲が、遠隔部１２ａよりも大きくなるように制御することが好ましい。
【００５６】
また、制御部１４は、磁気回路１２の回転速度、および、調節部材３１の回転速度は、以下を満たすように制御することが好ましい。すなわち、成膜対象Ｓに所定の厚さを有した薄膜を形成する際の磁気回路１２および調節部材３１の回転数をＮ回とするとき、磁気回路１２と調節部材３１との間の位相差は、θ°／（３６０・Ｎ）°であることが好ましい。言い換えれば、磁気回路１２および調節部材３１がＮ回回転する間に、磁気回路１２の回転角度と調節部材３１の回転角度との差が開角θ未満になるように、磁気回路１２の回転速度、および、調節部材３１の回転速度が設定されることが好ましい。すなわち、位相差とは、調節部材３１の全回転数あたりにおける磁気回路１２の回転角度と調節部材３１の回転角度との差のことである。
【００５７】
なお、ターゲット１１の径方向に沿う１つの方向が基準方向であり、磁気回路１２の外縁および調節部材３１の外縁の各々における任意の点とターゲット１１の中心１１Ｃとを結ぶ直線と、基準方向とが形成する角度が、その点における位相である。また、磁気回路１２および調節部材３１の各々において、回転が開始されるときの位置が初期位置である。磁気回路１２および調節部材３１の各々が初期位置に位置するとき、最大幅部３１Ｍにおける位相と、磁気回路１２のなかで、開角θを規定する一方の直線が通る点における位相とが等しい。
【００５８】
これにより、成膜対象Ｓに薄膜が形成される期間の全体にわたって、調節部材３１の最大幅部３１Ｍが、ターゲット１１の径方向において、遠隔部１２ａを含む部分と対向した状態に保たれる。
【００５９】
［試験例］
図７から図１３を参照して、試験例を説明する。
［ガス通路における流量差］
図７は、試験例のスパッタ装置における断面構造であって、真空槽２１の高さ方向Ｄｈと径方向Ｄｒとによって規定される平面に沿う断面構造を示している。
図７が示すように、試験例１のスパッタ装置２０Ｔにおいて、保持空間３０ａにおける高さ方向Ｄｈに沿う幅が第１幅Ｗａであり、径方向Ｄｒに沿う幅が第２幅Ｗｂである。第１幅Ｗａと第２幅Ｗｂとを等しい値とし、それぞれ２０ｍｍに設定した。保持空間３０ａが有する開口のうち、スパッタガスＧｓの流れる方向における下流に位置する開口が下流開口である。下流開口における径方向Ｄｒに沿う幅が第３幅Ｗｃであり、第３幅Ｗｃを２ｍｍに設定した。調節部材３１における高さ方向Ｄｈに沿う幅が第４幅Ｗｄであり、径方向Ｄｒに沿う幅が第５幅Ｗｅである。第４幅Ｗｄと第５幅Ｗｅとを等しい値とし、それぞれ１０ｍｍに設定した。
【００６０】
高さ方向Ｄｈと径方向Ｄｒとによって規定される平面に沿う断面において、調節部材３１のうち、紙面の中央よりも右側に位置する部分を第１部分３１ａに設定し、紙面の中央よりも左側に位置する部分を第２部分３１ｂに設定した。また、ガス通路３０のなかで、第１部分３１ａと磁気回路機構２５との間の距離、および、第２部分３１ｂと磁気回路機構２５との間の距離における初期値を初期距離ｄ０に設定し、径方向Ｄｒに沿って調節部材３１が移動した距離を移動距離Δｄに設定した。さらに、ガス通路３０のなかで、第１部分３１ａと突出部２６ａの内周面における下面との間の距離、および、第２部分３１ｂと下面との間の距離を第３距離ｄ３に設定した。
【００６１】
第１部分３１ａと磁気回路機構２５との間におけるスパッタガスの流量を第１流量Ｑ１に設定し、第２部分３１ｂと磁気回路機構２５との間における流量を第２流量Ｑ２に設定した。そして、第１部分３１ａと第２部分３１ｂとの両方において、各部分と突出部２６ａの内周面における下面との間における流量を第３流量Ｑ３に設定した。
【００６２】
また、ガス通路３０のうち第１部分３１ａが位置する空間を通って処理空間２１Ｓに供給されるスパッタガスＧｓの流量を第１総流量Ｑａに設定し、ガス通路３０のうち３１ｂが位置する空間を通って処理空間２１Ｓに供給されるスパッタガスＧｓの流量を第２総流量Ｑｂに設定した。第１総流量Ｑａおよび第２総流量Ｑｂは、それぞれ以下の式で表すことが可能である。
Ｑａ＝Ｑ１＋Ｑ３
Ｑｂ＝Ｑ２＋Ｑ３
【００６３】
また、第１総流量Ｑａと第２総流量Ｑｂとの和を全流量に設定し、第２総流量Ｑｂから第１総流量Ｑａを引いた差を流量差に設定した。このとき、初期距離ｄ０に対する移動距離Δｄの比と、総流量（Ｑａ＋Ｑｂ）に対する流量差（Ｑｂ−Ｑａ）の比との関係は、図８および図９に示す通りであることが認められた。図８および図９において、第１曲線から第７曲線Ｌ７は、それぞれ第３距離ｄ３が以下の条件を満たすときに得られる曲線である。なお、図９は、図８において二点鎖線で囲まれる領域を拡大したグラフである。
第１曲線Ｌ１  ｄ３＝０
第２曲線Ｌ２  ｄ３＝０．２ｄ０
第３曲線Ｌ３  ｄ３＝０．３ｄ０
第４曲線Ｌ４  ｄ３＝０．５ｄ０
第５曲線Ｌ５  ｄ３＝ｄ０
第６曲線Ｌ６  ｄ３＝２ｄ０
第７曲線Ｌ７  ｄ３＝３ｄ０
【００６４】
図８および図９が示すように、第３距離ｄ３が初期距離ｄ０よりも小さいときには、特に、第３距離ｄ３が初期距離の０．２倍以下であるときには、全流量に対する流量差の比が大きくなることが認められた。言い換えれば、調節部材３１を径方向Ｄｒに沿って移動させることに従って、第１流量Ｑ１と第２流量Ｑ２との差が大きくなることが認められた。これに対して、第３距離ｄ３が初期距離ｄ０以上であるときには、調節部材３１を径方向Ｄｒに沿って移動させたとしても、全流量に対する流量差の比が大きくは変わらないことが認められた。言い換えれば、調節部材３１を径方向Ｄｒに沿って移動させても、第１流量Ｑ１と第２流量Ｑ２との差が大きくなりにくいことが認められた。すなわち、調節部材３１を径方向Ｄｒに沿って移動させることによって、第１流量Ｑ１と第２流量Ｑ２との差を大きくしたい場合には、第３距離ｄ３が初期距離ｄ０よりも小さいことが好ましいことが認められた。
【００６５】
［磁気回路および調節部材の回転と比抵抗値との関係］
上述したスパッタ装置２０Ｔにおいて、主成分がチタンであるターゲット１１を用い、かつ、供給部が処理空間２１Ｓに供給するスパッタガスとして窒素を含むガスを用いた。なお、主成分であるとは、ターゲットにおいてチタンが９０質量％以上含まれることであり、窒素を含むガスには、アルゴンガスと窒素ガスとを混合したガスを用いた。これにより、シリコン基板上に窒化チタン膜を形成した。このとき、磁気回路１２と調節部材３１との各々を１０回回転させた。また、磁気回路１２と調節部材３１とが１０回回転した時点において、磁気回路１２と調節部材３１との位相差が互いに異なる複数の値となるように、磁気回路１２の回転速度と調節部材３１との回転速度とを複数の条件で設定した。そして、各条件下において形成された窒化チタン膜における比抵抗値の分布を算出した。なお、各窒化チタン膜において、複数の位置における比抵抗値を測定し、これらの比抵抗値から比抵抗値の分布を算出した。
【００６６】
図１０が示すように、磁気回路１２と調節部材３１との位相差がθ未満であるときには、窒化チタン膜の面内において比抵抗値の分布が小さくなることが認められた。これに対して、磁気回路１２と調節部材３１との位相差がθ以上になることによって、窒化チタン膜の面内において比抵抗値の分布が急激に大きくなることが認められた。
【００６７】
また、磁気回路１２が３６０°回転する間に、磁気回路１２において遠隔部１２ａを含む部分、すなわち磁気回路１２のＶ字部１２ｃと、調節部材３１の最大幅部３１Ｍとが径方向において対向する角度の範囲が対向範囲である。対向範囲が互いに異なる複数の値となるように、磁気回路１２の回転速度と調節部材３１の回転速度とを複数の条件で設定した。そして、各条件下において形成された窒化チタン膜における比抵抗値の分布を算出した。
【００６８】
図１１が示すように、調節部材３１の最大幅部３１ＭがＶ字部１２ｃと対向する角度の範囲がθを超えると、窒化チタン膜の面内において比抵抗値の分布が急激に小さくなることが認められた。
【００６９】
［比抵抗値の面内分布］
上述したスパッタ装置２０Ｔを用いて、シリコン基板上に窒化チタン膜を形成した。そして、第１例の窒化チタン膜を形成するときには、位相差がθ未満であり、かつ、上述した対向範囲がθ以上であるように、磁気回路１２の回転速度と、調節部材３１の回転速度とを設定した。これに対して、第２例の窒化チタン膜を形成するときには、位相差がθ以上であり、かつ、対向範囲がθ未満であるように、磁気回路１２の回転速度と、調節部材３１の回転速度とを設定した。そして、シリコン基板の面内における各位置において窒化チタン膜の比抵抗値を測定した。第１例における測定の結果は、図１２に示す通りであり、第２例における測定の結果は、図１３に示す通りであった。なお、各例において、シリコン基板の任意の直径における第１端部から第２端部までの間に含まれる複数の位置において窒化チタン膜の比抵抗値を測定した。
【００７０】
図１２が示すように、第１例の窒化チタン膜では、シリコン基板の中央における比抵抗値が、第１端部および第２端部の各々における比抵抗値よりも大きいものの、窒化チタン膜の面内において比抵抗値がほぼ一定であることが認められた。
【００７１】
これに対して、図１３が示すように、第２例の窒化チタン膜では、シリコン基板の中央における比抵抗値が、第１端部および第２端部の各々における比抵抗値よりも大幅に大きいことが認められた。なお、窒化チタン膜では、窒化チタン膜における窒化の度合いが小さいほど、窒化チタン膜における比抵抗値が高くなる傾向を有することが認められている。
【００７２】
このように、試験例のスパッタ装置２０Ｔによれば、窒化チタン膜を形成するときに、ターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓと対向する平面視において、供給位置から磁気回路１２までの距離が異なることによって、成膜対象Ｓに形成される窒化チタン膜の面内において比抵抗値にばらつきが生じることが抑えられた。なお、供給位置と磁気回路１２との距離が大きいほど、ターゲット１１よりも外側から供給される窒素を含むガスの流量を大きくすることによって、窒化チタン膜における窒化の度合いが窒化チタン膜の面内においてより均一になったことが、こうした効果の一因と考えられる。
【００７３】
以上説明したように、スパッタ装置の第２実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
（３）環状を有した供給位置にスパッタガスＧｓが供給されるため、被スパッタ面のなかで、遠隔部１２ａに重なる部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量と、それ以外の部分に向けて供給されるスパッタガスＧｓの流量との差を周方向の全体において小さくすることが可能である。それゆえに、成膜対象の面内において薄膜の特性にばらつきが生じることがより抑えられる。
【００７４】
（４）ターゲット１１の周方向において、調節部材３１における最大幅部３１Ｍの位置が磁気回路１２の遠隔部１２ａの位置に追従する。そのため、供給位置と遠隔部１２ａとの間の距離Ｌが、供給位置と磁気回路１２における他の部分との間の距離Ｌよりも大きいことによって遠隔部１２ａに向けて供給されるスパッタガスの流量が小さくなることが抑えられる。それゆえに、磁気回路１２が形成した漏洩磁場に応じてターゲットの被スパッタ面の周りに形成されたプラズマの状態にばらつきが生じることが抑えられ、結果として、成膜対象Ｓに形成された薄膜の特性にばらつきが生じることが抑えられる。
【００７５】
（５）窒化チタン膜を形成するときに、ターゲット１１の被スパッタ面１１Ｓと対向する平面視において、供給位置から磁気回路１２までの距離が異なることによって成膜対象Ｓに形成される窒化チタン膜の面内において比抵抗値にばらつきが生じることが抑えられる。
【００７６】
なお、上述した第２実施形態は、以下のように適宜変更して実施することができる。
・下流開口は、真空槽２１の周方向に沿う環状を有しているが、周方向における位置が互いに異なる２以上の供給位置にスパッタガスを供給することが可能なように、周方向における互いに異なる複数の位置に配置された複数の開口によって構成されてもよい。この場合には、複数の開口を有する通路部材が真空槽に対して回転が可能であり、かつ、複数の開口が、開口径が互いに異なる２種以上の開口を含み、通路部材のなかで、開口径が最も大きい開口が位置する部分が、最大幅部として設定されればよい。こうした構成によっても、上述した（４）に準じた効果を得ることはできる。
【００７７】
・スパッタ装置２０，２０Ｔは、スパッタガスＧｓが通り、かつ、調節部材３１を保持する保持空間３０ａを含むガス通路３０として、磁気回路機構２５と筐体２６とが形成するガス通路に限らず、スパッタ装置２０，２０Ｔを構成する他の部材によって形成されるガス通路を備えてもよい。
【００７８】
・上述した試験例では、チタンが主成分であるターゲットと、窒素を含むスパッタガスとを用いて窒化チタン膜を形成する例を示した。すなわち、試験例では、反応性スパッタ法によって薄膜を形成する例を示した。これに限らず、例えば、タングステンを主成分とするターゲットと、不活性のスパッタガスとを用いてタングステン膜を形成するときにも、上述したスパッタ装置２０，２０Ｔによれば、成膜対象に形成されたタングステン膜において、比抵抗値におけるばらつきを抑えることが可能である。すなわち、反応性スパッタではないスパッタ法によって薄膜を形成するときにも、上述した試験例に準じた効果を得ることができる。なお、不活性のスパッタガスには、例えばアルゴンガスなどの希ガスを用いることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１１…ターゲット、１１Ｃ，３１Ｃ…中心、１１Ｒ…裏面、１１Ｓ…被スパッタ面、１２…磁気回路、１２ａ…遠隔部、１２ｂ…円弧部、１２ｃ…Ｖ字部、１３…供給部、１４…制御部、２０，２０Ｔ…スパッタ装置、２１…真空槽、２１ａ…防着板、２１Ｓ…処理空間、２２…支持部、２３…バッキングプレート、２４…ターゲット電源、２５…磁気回路機構、２６…筐体、２６ａ…突出部、２６ａ１…上面、２６ａ２…下面、２７…マスフローコントローラー、２８…排気部、３０…ガス通路、３０ａ…保持空間、３１…調節部材、３１ａ…第１部分、３１ｂ…第２部分、３１Ｍ…最大幅部、Ｓ…成膜対象、Ｐｓ…供給位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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