(57)【要約】【課題】ソース材料流に対して平行にガスを流してガスシュラウドを形成するデバイス及び方法を開示する。【解決手段】ガスシュラウドは、ソース材料流が交差ガス流によって乱れることから守ることができる。また、ガスシュラウドは、ソース材料の照射中に形成されるプラズマバブルを変形させてプラズマバブルが物理シュラウドに近付き過ぎないようにすることで、ソース材料が通過する物理シュラウドの加熱を抑制すると共に、物理シュラウド上のソース材料の蓄積を抑制することができる。更に、追加の横断ガス流を確立することで、ソース材料照射中に発生する光を集めるために用いる光学部品のソース材料による汚染をガスシュラウドが引き起こさないようにするデバイス及び方法も開示する。【選択図】図９
2019012293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
ソース材料解放点を有し、前記ソース材料解放点と前記チャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを前記照射領域に送出するソース材料送出システムと、
前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す第１のガス送出システムと、
ＥＵＶ光学部品と、
前記ＥＵＶ光学部品の方向から前記ストリームの方へガスを流す第２のガス送出システムと、
を備える、デバイス。
【請求項２】
前記ソース材料送出システムが、前記ソース材料解放点から前記経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出して前記ストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含み、
前記第１のガス送出システムが、前記固体シュラウド端部と前記照射領域との間で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１のガス送出システムが前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す流量が、前記ストリーム内の前記ソース材料が照射された場合に前記照射領域の周囲に形成されるプラズマバブルを前記固体シュラウド端部から離れる方向に押しやるのに充分な大きさである、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの内部で及び前記固体シュラウド端部から出て前記照射領域の方へ、ガスを流す、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記固体シュラウドが、前記経路に平行な長さを有し、
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記固体シュラウドの外側へ、前記固体シュラウドの前記長さに平行に、前記照射領域の方へ、ガスを流す、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ソース材料が、スズを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１のガス送出システムが前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す流量が、前記第２のガス送出システムからの前記ガス流が前記ストリームを前記経路から著しく逸脱させないのに充分な大きさである、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ＥＵＶ光学部品が、コレクタミラーを含む、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第２のガス送出システムが、前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャを通してガスを流す、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２のガス送出システムが、前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインを備える、請求項５に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第２のガス送出システムが、第１のガス送出ラインを備え、
前記第１のガス送出ラインが、前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置され、半径方向ラインにおいて前記ＥＵＶ光学部品表面から離れる方向に沿ってガスを追い出すため前記経路に実質的に平行な方向に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する、請求項５に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第２のガス送出システムが、第２のガス送出ラインをも備え、
前記第２のガス送出ラインが、前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置され、前記経路に実質的に平行であり前記中央アパーチャからの前記第１のガス送出ラインの前記方向に対して半径方向に逆の方向で前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
内部に照射領域を有するチャンバと、
中央アパーチャを有するＥＵＶ光学部品と、
前記チャンバの内部と流体連通し、前記中央アパーチャを通して前記ストリームの方へガスを流す第１のガス送出システムと、
前記チャンバ内にソース材料解放点を有し、前記ソース材料解放点と前記照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを前記照射領域に送出するソース材料送出システムであって、前記ソース材料解放点から前記経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出して前記ストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを備える、ソース材料送出システムと、
前記チャンバの前記内部と流体連通し、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す第２のガス送出システムと、
を備える、デバイス。
【請求項１４】
前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置され、半径方向ラインにおいて前記ＥＵＶ光学部品表面から離れる方向に沿ってガスを追い出すため前記経路に実質的に平行な方向に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する第１のガス送出ラインを更に備える、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
チャンバ内のソース材料解放点と前記チャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを送出するステップと、
前記チャンバ内で前記経路に少なくとも一部に沿ってガスをストリーム化するステップと、
前記ストリーム化ステップと同時に、ＥＵＶ光学部品の方向から前記経路の方へガスを流すステップと、
を備える、方法。
【請求項１６】
前記ソース材料送出システムが、前記ソース材料解放点から前記経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出して前記ストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含み、
前記ストリーム化するステップが、前記固体シュラウド端部と前記照射領域との間で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスをストリーム化することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ソース材料を照射してプラズマバブルを形成させるステップを更に備え、
前記ストリーム化するステップが、前記プラズマバブルを前記固体シュラウド端部から離れる方向に押しやるのに充分な大きさの流量でガスを流すことを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ストリーム化するステップが、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの内部で及び前記固体シュラウド端部から出て前記照射領域の方へガスを流すことを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記固体シュラウドが、前記経路に平行な長さを有し、
前記ストリーム化するステップが、前記チャンバ内で前記固体シュラウドの外側へ、前記固体シュラウドの前記長さに平行に、前記照射領域の方へガスを流すことを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記ソース材料が、スズを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記ストリーム化するステップが、ＥＵＶ光学部品の方向から前記経路へ向かう前記ガス流が前記ソース材料の前記照射領域の通過を妨げないのに充分な大きさの流量でガスをストリーム化することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインの長さに沿って、前記チャンバ内にガスを流すことを更に備える、請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は、プラズマから極端紫外線（「ＥＵＶ」）光を供給するＥＵＶ光源に関する。このＥＵＶ光は、ターゲット材料から生成され、集光されて、例えばリソグラフィスキャナ／ステッパによってＥＵＶ光源チャンバの外側で利用するために中間領域に送出される。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  例えば約５０ｎｍ以下の波長を有する電磁放射であり（軟ｘ線と称されることもある）、波長が約１３．５ｎｍの光を含む極端紫外線（「ＥＵＶ」）光は、フォトリソグラフィプロセスで用いられ、シリコンウェーハ等の基板に極めて小さいフィーチャを生成することができる。ここでも他でも、「光」という言葉は、スペクトルの可視部分内にあるか否かにかかわらず電磁放射を包含するために用いられることは理解されよう。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶ光を発生させるための方法は、ソース材料を液体状態からプラズマ状態に変換することを含む。ソース材料は好ましくは、例えばキセノン、リチウム、又はスズ等、スペクトルのＥＵＶ部分に１つ以上の輝線を有する少なくとも１つの元素を含む。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いそのような方法の１つでは、レーザビームを用いて必要な輝線放出元素を有するソース材料を照射することによって、必要なプラズマを生成することができる。
【０００４】
[0004]  １つのＬＰＰ技法は、ソース材料小滴ストリームを発生させ、この小滴の少なくとも一部にレーザ光を照射することを伴う。もっと理論的に言えば、ＬＰＰ光源は、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）等の少なくとも１つのＥＵＶ放出元素を有するソース材料にレーザエネルギを堆積し、数十ｅＶの電子温度を有する高度に電離したプラズマを生成することによって、ＥＵＶ放射を発生させる。
【０００５】
[0005]  これらのイオンの下方遷移及び再結合の間に発生した高エネルギ放射が、プラズマから全方向に放出される。１つの一般的な構成では、近垂直入射ミラー（コレクタ又はコレクタミラーと称されるＥＵＶ光学部品の一例）が、この光を集めて中間位置へと送り出す（いくつかの構成では更に集束させる）ように位置決めされている。集められた光を次いで中間位置からスキャナ光学部品セットに中継し、最終的にはウェーハに送ることができる。
【０００６】
[0006]  いくつかのＬＰＰシステムでは、各小滴は多数の光パルスによって順次照明される。場合によっては、各小滴をいわゆる「プレパルス」に露光し、次いでいわゆる「メインパルス」に露光することができる。しかしながら、プレパルスの使用は任意選択的なものであること、２つ以上のプレパルスを使用可能であること、２つ以上のメインパルスを使用可能であること、及びプレパルスとメインパルスの機能はある程度重複し得ることは認められよう。
【０００７】
[0007]  数量的には、中間位置で約１００Ｗを生成することを目標として現在開発が進んでいる１つの構成において、小滴発生器と同期させて１０〜１２ｋＷパルス集束ＣＯ２駆動レーザを使用し、毎秒約１０，０００〜２００，０００のスズ小滴を順次照射することが考えられている。この目的のため、比較的高い繰り返し率（例えば１０〜２００ｋＨｚ以上）で安定した小滴ストリームを生成し、これらの小滴を比較的長時間にわたってタイミング及び位置について高い精度と良好な反復性で照射部位へと送出することが必要とされている。
【０００８】
[0008]  ＬＰＰ光源では、イオン阻止、デブリ軽減、光学部品の洗浄、及び／又は熱的な制御のために、チャンバ内で１つ以上のガスを用いることが望ましいことがある。場合によっては、これらのガスを流動性として、例えば蒸気及び／又は微粒子等のプラズマにより生成したデブリを所望の方向に移動させること、熱をチャンバの出口へ移動させること等を可能とする。場合によっては、これらの流動はＬＰＰプラズマ生成中に発生し得る。例えば２０１０年３月２日に発行された米国特許第７，６７１，３４９号を参照のこと。この全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする。他のセットアップでは、非流動性すなわち静的又はほぼ静的なガスの使用を必要とする場合がある。静的なものであろうと流動性のものであろうとこれらのガスの存在、及び／又はＬＰＰプラズマの生成／存在は、各小滴が照射領域へ移動する際にこれに変化／影響を与え、小滴の位置的安定性に悪影響を及ぼす可能性がある。これは線量性能を低下させ、従って出力パワーを低減させる恐れがある。
【０００９】
[0009]  ２０１１年１月１８日に発行された米国特許第７，８７２，２４５号（その全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする）では、小滴が小滴解放点から照射領域まで移動する小滴経路の一部を、チューブを用いて包囲することが記載されている。記載されたように、例えば小滴発生器の起動又はシャットダウン中に、小滴解放点と照射領域との間の所望の経路から外れた小滴／ターゲット材料からＥＵＶ光学部品を遮蔽し保護するため、チューブを設けている。
【００１０】
[0010]  ２０１２年９月１１日に発行された米国特許第８，２６３，９５３号（その全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする）が開示する構成では、ガスが小滴ストリームへ向かう方向に流れ、この小滴ストリームの一部に沿ってシュラウドが位置付けられている。このシュラウドは、ガスの流れから小滴を遮蔽する第１のシュラウド部分を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
[0011]  上記のことに留意した上で、出願人らは、レーザ生成プラズマＥＵＶ光源におけるターゲット材料送出保護のためのシステム及び方法、並びに対応した使用方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
[0012]  以下に、１つ以上の実施形態の基本的な理解を得るため、これらの実施形態の簡略化した概要を提示する。この概要は考えられる全ての実施形態の全体像ではなく、全ての実施形態の重要な又は不可欠な要素を識別することも、いずれか又は全ての実施形態の範囲を記述することも意図していない。その唯一の目的は、１つ以上の実施形態のいくつかの概念を、後に提示するもっと詳細な説明の前置きとして簡略化形態で提示することである。
【００１３】
[0013]  １つの態様によれば、ソース材料流に対して平行にガスを流してガスシュラウドを形成するデバイス及び方法が提供される。ガスシュラウドは、ソース材料流が交差ガス流によって乱れることから守ることができる。また、ガスシュラウドは、ソース材料の照射中に形成されるプラズマバブルを変形させてプラズマバブルが物理シュラウドに近付き過ぎないようにすることで、ソース材料が通過する物理シュラウドの加熱を抑制すると共に、物理シュラウド上のソース材料の蓄積を抑制することができる。更に、追加の横断ガス流を確立することで、ソース材料照射中に発生する光を集めるために用いる光学部品のソース材料による汚染をガスシュラウドが引き起こさないようにするデバイス及び方法も開示する。
【００１４】
[0014]  別の態様においては、チャンバと、ソース材料解放点を有し、ソース材料解放点とチャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを照射領域に送出するように適合されたソース材料送出システムと、チャンバ内で経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合された第１のガス送出システムと、を含むデバイスが提供される。ソース材料送出システムは、ソース材料解放点から経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出してストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含むことができ、第１のガス送出システムは、固体シュラウド端部と照射領域との間の経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合することができる。第１のガス送出システムがチャンバ内で経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す流量は、ストリーム内のソース材料が照射された場合に照射領域の周囲に形成されるプラズマバブルを固体シュラウド端部から離れる方向に押しやるのに充分な大きさとすることができる。第１のガス送出システムは、チャンバ内で経路の少なくとも一部に沿って、固体シュラウドの内部で及び固体シュラウド端部から出て照射領域の方へガスを流すように適合することができる。固体シュラウドは経路に平行な長さを有することができ、第１のガス送出システムはチャンバ内で固体シュラウドの外側へ、固体シュラウドの長さに平行に、照射領域の方へガスを流すように適合することができる。
【００１５】
[0015]  このデバイスは、コレクタ等のＥＵＶ光学部品と、ＥＵＶ光学部品の方向からストリームの方へガスを流すように適合された第２のガス送出システムと、を含むことができる。第１のガス送出システムがチャンバ内で経路の少なくとも一部に沿ってガスを流す流量は、第２のガス送出システムからのガス流がストリームの照射領域の通過を妨げないのに充分な大きさとすることができる。ガス送出システムは、ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャを通してガスを流すように適合することができる。
【００１６】
[0016]  このデバイスは、照射領域に面したＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共にＥＵＶ光学部品の中央アパーチャとＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインを含む第２のガス送出システムを含むことができる。第２のガス送出システムは、照射領域に面したＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に、半径方向ラインにおいてＥＵＶ光学部品表面から離れる方向に沿ってガスを追い出すため経路に実質的に平行な方向にＥＵＶ光学部品の中央アパーチャとＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する第１のガス送出ラインを含むことができる。第２のガス送出システムは、照射領域に面したＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に、経路に実質的に平行であり中央アパーチャからの第１のガス送出ラインの方向に対して半径方向に逆の方向でＥＵＶ光学部品の中央アパーチャとＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する第２のガス送出ラインを含むことができる。
【００１７】
[0017]  別の態様によれば、内部に照射領域を有するチャンバと、中央アパーチャを有するＥＵＶ光学部品と、チャンバの内部と流体連通し、中央アパーチャを通してストリームの方へガスを流すように適合された第１のガス送出システムと、チャンバ内にソース材料解放点を有し、ソース材料解放点と照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを照射領域に送出するように適合されたソース材料送出システムであって、ソース材料解放点から経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出してストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含む、ソース材料送出システムと、チャンバの内部と流体連通し、チャンバ内で経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合された第２のガス送出システムと、を含むデバイスが提供される。このデバイスは、照射領域に面したＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に、半径方向ラインにおいてＥＵＶ光学部品表面から離れる方向に沿ってガスを追い出すため経路に実質的に平行な方向にＥＵＶ光学部品の中央アパーチャとＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する第１のガス送出ラインを更に含むことができる。
【００１８】
[0018]  更に別の態様によれば、チャンバ内のソース材料解放点とチャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを送出するステップと、チャンバ内で経路に少なくとも一部に沿ってガスをストリーム化するステップと、を含む方法が提供される。ソース材料送出システムは、ソース材料解放点から経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出してストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含むことができ、ストリーム化するステップは、固体シュラウド端部と照射領域との間の経路の少なくとも一部に沿ってガスをストリーム化することを含むことができる。この方法は、ソース材料を照射してプラズマバブルを形成させるステップを更に含むことができ、ストリーム化するステップは、プラズマバブルを固体シュラウド端部から離れる方向に押しやるのに充分な大きさの流量でガスを流すことを含むことができる。
【００１９】
[0019]  ストリーム化するステップは、チャンバ内で経路の少なくとも一部に沿って、固体シュラウドの内部で及び固体シュラウド端部から出て照射領域の方へガスを流すことを含むことができる。固体シュラウドは経路に平行な長さを有することができ、ストリーム化するステップは、チャンバ内で固体シュラウドの外側へ、固体シュラウドの長さに平行に、照射領域の方へガスを流すことを含むことができる。
【００２０】
[0020]  この方法は、ストリーム化するステップと同時に、ＥＵＶ光学部品の方向から経路の方へガスを流すステップを更に含むことができる。ストリーム化するステップは、ＥＵＶ光学部品の方向から経路へ向かうガス流がソース材料の照射領域の通過を妨げないのに充分な大きさの流量でガスをストリーム化することを含むことができる。また、この方法は、照射領域に面したＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共にＥＵＶ光学部品の中央アパーチャとＥＵＶ光学部品の外縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインを通してチャンバ内にガスを流すことも含むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】[0021]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源の一実施形態の、一定の縮尺通りでない概略図を示す。
【図２】[0022]  ソース材料ディスペンサの簡略化した概略図を示す。
【図３】[0023]  小滴ストリームの一部に沿って位置付けられたシュラウドを示す簡略化した図を示し、このシュラウドは小滴ストリーム経路方向に垂直な面内でストリームを部分的に取り囲んで小滴の位置的安定性を向上させる。
【図４】[0024]  ターゲット材料を送出するシステム上に搭載され、そこから照射領域の方へ延出するように位置付けられたシュラウドの斜視図を示す。
【図５】[0025]  図４の線５−５に沿って見た、湾曲領域と平坦な延長部とを有する部分的なリングの形状のシュラウドの一実施形態の断面図を示す。
【図６】[0026]  ガスソースからチャンバ内へのガス流に対するシュラウドの適切な向きを示す。
【図７】[0027]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ＥＵＶ光学部品の方向からのガス流がどのように小滴ストリームを乱す可能性があるかを示す図である。
【図８】[0028]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、プラズマバブルがＥＵＶ光学部品の方向からのガス流による小滴ストリームの乱れを軽減することを示す図である。
【図９】[0029]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ガスシュラウドがＥＵＶ光学部品の方向からのガス流による小滴ストリームの乱れを軽減することを示す図である。
【図１０】[0030]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ガスシュラウドが物理シュラウドの加熱及び物理シュラウド上のソース材料の蓄積を軽減することを示す図である。
【図１１】[0031]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ガス流を物理シュラウド内に送出してガスシュラウドを形成するための可能なノズル構成の断面図である。
【図１２】[0032]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ガス流を物理シュラウドの外側に送出してガスシュラウドを形成するための別の可能なノズル構成の断面図である。
【図１３】[0033]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、別の可能な物理シュラウドの図である。
【図１４】[0034]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、別の可能な物理シュラウドである。
【図１５】[0035]  レーザ生成プラズマＥＵＶ光源において、ガスシュラウドを用いる場合にガス流を送出してＥＵＶ光学部品のデブリ汚染を軽減するための可能な構成の垂直面図である。
【図１６】[0036]  図１５の構成の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0037]  これより図面を参照して様々な実施形態について説明する。図面全体を通して、同様の参照番号を用いて同様の要素を示す。以下の記載では、説明の目的で、１つ以上の実施形態の完全な理解を促進するために多数の具体的な詳細事項を述べる。しかしながら、いくつかの又は全ての場合において、以下に記載する実施形態のいずれも、以下に記載するそのような具体的な設計上の詳細事項を採用することなく実施可能であることは明らかであろう。他の場合、１つ以上の実施形態の説明を容易にするため、周知の構造及びデバイスをブロック図形態で示す。
【００２３】
[0038]  まず図１を参照すると、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ光源２０のようなＥＵＶ光源の一実施形態の概略図が示されている。図１に示すように、また以下で更に詳しく記載するように、ＬＰＰ光源２０は、光パルス列を発生してこの光パルスをチャンバ２６内へと送出するためのシステム２２を含むことができる。以下で詳述するように、各光パルスはシステム２２からチャンバ２６内へビーム経路に沿って移動し、照射領域２８において各ターゲット小滴を照明することができる。本明細書で用いる場合、照射領域とはソース材料の照射が発生する領域であり、実際に照射が発生していない時でも照射領域であることに留意すべきである。
【００２４】
[0039]  図１に示すシステム２２で用いるのに適したレーザはパルスレーザデバイスを含むことができ、例えばＤＣ又はＲＦ励起によって、例えば９．３μｍ又は１０．６μｍの放射を生成するパルスガス放電ＣＯ２レーザデバイスであり、例えば１０ｋＷ以上の比較的高いパワーと、例えば５０ｋＨｚ以上の高いパルス繰り返し率で動作する。１つの特定の実施において、レーザは、多段増幅を備えた発振器−増幅器構成（例えば主発振器／電力増幅器（ＭＯＰＡ）又は電力発振器／電力増幅器（ＰＯＰＡ））を有すると共に、例えば１００ｋＨｚの動作が可能である比較的低いエネルギ及び高い繰り返し率のＱスイッチ発振器により開始されるシードパルスを有する軸流ＲＦ励起ＣＯ２レーザとすればよい。発振器からのレーザパルスは、次いで増幅、整形、及び／又は集束された後、照射領域２８に到達することができる。連続的に励起されるＣＯ２増幅器をシステム２２のために使用可能である。例えば、１つの発振器と３つの増幅器を有する（Ｏ−ＰＡ１−ＰＡ２−ＰＡ３構成）適切なＣＯ２レーザデバイスが、２００８年１０月２１日に発行された米国特許第７，４３９，５３０号に開示されている。その全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする。あるいは、レーザをいわゆる「自己ターゲット式」レーザシステムとして構成することも可能であり、この場合、小滴が光学キャビティの１つのミラーとして機能する。いくつかの「自己ターゲット式」構成では、発振器は必要ない場合がある。自己ターゲット式レーザシステムは、２００９年２月１７日に発行された米国特許第７，４９１，９５４号に開示され特許請求されている。その全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする。
【００２５】
[0040]  用途に応じて、例えば高パワー及び高パルス繰り返し率で動作するエキシマレーザ又は分子フッ素レーザ等のような他のタイプのレーザも適切であり得る。他の例には、例えばファイバ型、ロッド型、スラブ型、又はディスク型の活性媒質を有する固体レーザ、例えば発振器チャンバ及び１つ以上の増幅チャンバ（並列又は直列の増幅チャンバ）のように１つ以上のチャンバを有する他のレーザアーキテクチャ、主発振器／電力発振器（ＭＯＰＯ）構成、主発振器／電力リング増幅器（ＭＯＰＲＡ）構成が含まれ、又は、１つ以上のエキシマ、分子フッ素、又はＣＯ２増幅器もしくは発振器チャンバをシードする（ｓｅｅｄ）固体レーザが適切であり得る。他の設計が適切である場合もある。
【００２６】
[0041]  更に図１に示すように、ＥＵＶ光源２０は、ターゲット材料の小滴をチャンバ２６の内部の照射領域２８へと送出するターゲット材料送出システム２４も含むことができる。照射領域２８において小滴は、１つ以上の光パルス、例えばゼロ、１、又はそれ以上のプレパルス及びその後の１つ以上のメインパルスと相互作用して、最終的にプラズマを生成しＥＵＶ放出を発生する。ターゲット材料は、必ずしも限定ではないが、スズ、リチウム、キセノン、又はそれらの組み合わせを含む材料を含み得る。例えばスズ、リチウム、キセノン等のＥＵＶ放出元素は、液体小滴の形態とすることができ、及び／又は液体小滴内に含有された固体粒子とすることができる。例えば元素スズを、純粋なスズとして、例えばＳｎＢｒ４、ＳｎＢｒ２、ＳｎＨ４等のスズの化合物として、例えばスズ−ガリウム合金、スズ−インジウム合金、スズ−インジウム−ガリウム合金、又はそれらの組み合わせ等のスズ合金として使用可能である。使用する材料によるが、ターゲット材料は、室温又はほぼ室温（例えばスズ合金、ＳｎＢｒ４）、高温（例えば純粋なスズ）、又は室温未満の温度（例えばＳｎＨ４）を含む様々な温度で照射領域２８に送出することができ、場合によっては、例えばＳｎＢｒ４のように比較的揮発性であり得る。ＬＰＰ  ＥＵＶ光源におけるこれらの材料の使用についての更なる詳細は、２００８年１２月１６日に発行された米国特許第７，４６５，９４６号に与えられている。その内容は引用により本願にも含まれるものとする。場合によっては、ソース材料に電荷を与えて、ソース材料を照射領域２８に近付けるように又は照射領域２８から遠ざけるように方向操作することができる。
【００２７】
[0042]  引き続き図１を参照すると、光源２０はＥＵＶ光学部品３０のような１つ以上のＥＵＶ光学要素も含むことができる。ＥＵＶ光学部品３０は垂直入射リフレクタの形態のコレクタとすることができ、例えば多層ミラー（ＭＬＭ）として実施される。すなわち、ＳｉＣ基板をＭｏ／Ｓｉ多層で覆い、各界面に追加の薄いバリア層を堆積して、熱により誘発される層間拡散を効果的に阻止する。Ａｌ又はＳｉのような他の適切な材料も使用可能である。ＥＵＶ光学部品３０は、レーザ光が通過して照射領域２８に到達することを可能とするアパーチャを有する扁長楕円面（ｐｒｏｌａｔｅ  ｅｌｌｉｐｓｏｉｄ）の形態とすることができる。ＥＵＶ光学部品３０は、例えば、第１の焦点が照射領域２８にあると共に第２の焦点がいわゆる中間点４０（中間焦点４０とも呼ばれる）にある楕円面形状とすることができる。中間焦点４０においてＥＵＶ光はＥＵＶ光源２０から出力し、例えば集積回路リソグラフィツール５０に入力する。リソグラフィツール５０はこの光を用いて、例えばシリコンウェーハワークピース５２を既知の方法で処理する。次いで、シリコンウェーハワークピース５２は既知の方法で更に処理が行われて、集積回路デバイスを得る。
【００２８】
[0043]  光源２０は、端部が開口した中空円錐形シュラウド１５０（例えばガス円錐（ｇａｓ  ｃｏｎｅ））も含むことができる。これは、ＥＵＶ光学部品３０から照射領域２８に向かってテーパ状であり、増幅された光ビームが照射領域２８に到達することを可能としながら、焦点アセンブリ２２及び／又はビーム輸送システム内に入るプラズマ生成デブリの量を低減させる。この目的のため、シュラウド１５０において、照射領域２８の方へ向かう例えばＨ２のガス流を提供することができる。
【００２９】
[0044]  引き続き図１を参照すると、ＥＵＶ光源２０はＥＵＶコントローラ６０も含むことができ、これは、システム２２内の１つ以上のランプ及び／又はレーザデバイスをトリガすることでチャンバ２６内に送出される光パルスを発生させるための発光（ｆｉｒｉｎｇ）制御システム６５を含むことができる。また、ＥＵＶ光源２０は、１つ以上の小滴撮像器７０を含み得る小滴位置検出システムも含むことができる。これは例えば、照射領域２８に対する１つ以上の小滴の位置及び／又はタイミングを示す出力を与えるＣＣＤ及び／又はバックライトストロボ照明及び／又はライトカーテンを用いて画像を捕獲するためのシステム（複数のシステム）である。撮像器７０は、この出力を小滴位置検出フィードバックシステム６２に与えることができる。このシステム６２は、例えば小滴の位置及び軌道を計算し、そこから例えば小滴ごとに又は平均して小滴エラーを計算することができる。次いで小滴位置エラーはコントローラ６０に入力として与えられ、コントローラ６０は例えば位置、方向、及び／又はタイミングの補正信号をシステム２２に与えて、光源タイミング回路の制御及び／又はビーム位置及び整形システムの制御を行って、例えばチャンバ２６内の照射領域２８に送出される光パルスの軌道及び／又は焦点パワー（ｆｏｃａｌ  ｐｏｗｅｒ）を変更することができる。更なる詳細については、例えば２００６年８月８日に発行された米国特許第７，０８７，９１４号、及び２００７年１月１６日に発行された米国特許第７，１６４，１４４号に与えられているので、これらを参照のこと。これらの全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする。
【００３０】
[0045]  ＥＵＶ光源２０は、光源２０が発生したＥＵＶ光の様々な特性を測定するための１つ以上のＥＵＶ計測機器も含むことができる。これらの特性には、例えば強度（例えば全強度又は特定のスペクトル帯内の強度）、スペクトル帯域幅、分極、ビーム位置、ポインティング等が含まれ得る。ＥＵＶ光源２０では、この機器（複数の機器）は、例えばフォトリソグラフィスキャナ等の下流のツールの作動中（ｏｎ−ｌｉｎｅ）に、例えばピックオフミラー又を用いてＥＵＶ出力の一部をサンプリングすることで又は「制御されていない」ＥＵＶ光をサンプリングすることで動作するように構成することができ、及び／又は、例えばフォトリソグラフィツール等の下流のツールの停止中（ｏｆｆ−ｌｉｎｅ）に、例えばＥＵＶ光源２０の全ＥＵＶ出力を測定することで動作することができる。
【００３１】
[0046]  更に図１に示すように、ＥＵＶ光源２０は小滴制御システム８０も含むことができる。小滴制御システム８０は、コントローラ６０からの信号（いくつかの実施では上述の小滴エラー又は小滴エラーから得られた何らかの数量（ｑｕａｎｔｉｔｙ）を含み得る）に応答して動作可能であり、例えばソース材料ディスペンサ８２からのターゲット材料の解放点を変更する、及び／又は小滴形成タイミングを変更して所望の照射領域２８に到達する小滴のエラーを補正する、及び／又は小滴の発生とパルスレーザシステム２２を同期させる。
【００３２】
[0047]  また、図１は、ＥＵＶ光源２０が小滴の位置的安定性を向上させるためのシュラウド８４を含み得ることを概略的に示す。すなわち、本明細書で用いる場合、「小滴の位置的安定性」という言葉とその派生語は、各小滴が小滴解放点と照射領域との間の距離の一部又は全部を移動する際の、ある小滴とそれに続く小滴との間の経路の変動の尺度を意味する。ＥＵＶ光源２０で用いるのに適したシュラウドの例は、必ずしも限定ではないが、先に引用した米国特許第８，２６３，９５３号に記載されたものを含む。
【００３３】
[0048]  図１は、例えばＨ２、水素ラジカル、Ｈｅ、Ａｒ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、又はそれらの組み合わせのような１つ以上のガスを、ポート８６を介してチャンバ２６内に導入し、そこからポート８８を用いて排出し得ることも概略的に示す。これらのガスはチャンバ２６内において、例えばＬＰＰプラズマにより発生した高速移動イオンを低速化して近傍の光学部品を保護するため、限定ではないが蒸気及び他のデブリを光学部品又は他のコンポーネントから吹き払うことを含むデブリ軽減のため、光学部品又はコンポーネント上に堆積した材料のエッチング又は化学的変化のような光学部品の洗浄のため、及び／又は特定の光学部品／コンポーネントからの熱の除去もしくはチャンバ全体からの熱の除去のような熱的な制御のために使用可能である。場合によっては、これらのガスを流動性として、例えば蒸気及び／又は微粒子等のプラズマにより生成したデブリを所望の方向に移動させること、熱をチャンバ出口へ移動させること等を可能とする。場合によっては、これらの流動はＬＰＰプラズマ生成中に発生し得る。他のセットアップでは、非流動性すなわち静的又はほぼ静的なガスの使用を必要とすることがある。本明細書で用いる場合、「静的なガス」という言葉は、動作中のポンプと流体連通していないある体積のガスを意味する。いくつかの実施では、ガスはＬＰＰプラズマ生成中は静的であり、ＬＰＰプラズマ生成期間以外は流動させることができる。例えば流動は、ＥＵＶ光出力バースト以外でのみ行うことができる。静的なものであろうと流動性のものであろうとこれらのガスの存在、及び／又はＬＰＰプラズマの生成／存在は、各小滴が照射領域へ移動する際にこれに変化／影響を与え、小滴の位置的安定性に悪影響を及ぼす可能性がある。ＬＰＰプラズマチャンバ内のガスの使用についての更なる詳細は、２０１０年３月２日に発行された米国特許第７，６７１，３４９号、２０１１年１月１８日に発行された米国特許第７，８７２，２４５号、２０１０年２月２０日に発行された米国特許第７，６５５，９２５号、及び２００５年１２月６日に発行された米国特許第６，９７２，４２１号で見ることができる。これらの各々の全体的な内容は引用により本願にも含まれるものとする。
【００３４】
[0049]  図２は、本明細書に記載する実施形態のいくつか又は全てにおいて使用可能である簡略化ソース材料ディスペンサ９２のコンポーネントを概略図で示す。図示するように、ソース材料ディスペンサ９２は導管を含むことができ、これは図示する例では、例えば溶融スズのような流体９６を圧力Ｐ下に保持する貯蔵槽９４である。また、図示するように、貯蔵槽９４にはオリフィス９８を形成することができ、圧力のかかった流体９６がこのオリフィスを通って流れて連続ストリーム１００を生成し、これが次いで複数の小滴１０２ａ、ｂに分割することを可能とする。オリフィス９８はソース材料ディスペンサ９２の解放点を画定するが、これは数学的な意味での点でなくソース材料がソース材料ディスペンサ９２から出る位置を指すことは当業者には容易に認められよう。
【００３５】
[0050]  引き続き図２を参照すると、ソース材料ディスペンサ９２は流体に乱れを生成するサブシステムを更に含む。このサブシステムは、流体９６と動作可能に結合された電気作動式要素１０４と、電気作動式要素１０４を駆動する信号発生器１０６と、を有する。１つのセットアップでは、流体は圧力下で貯蔵槽から、例えば毛細管のような比較的直径が小さく長さが約１０〜５０ｍｍの導管を通って流され、導管のオリフィスから出る連続ストリームを生成し、次いで複数の小滴に分割する。導管の周りに、例えばリング又はチューブのような形状を有する電気作動式要素を位置付けることができる。電気作動式要素は、駆動されると選択的に導管を圧迫してストリームを乱すことができる。
【００３６】
[0051]  様々な小滴ディスペンサ構成及びそれらの相対的な利点についての更なる詳細は、２０１１年１月１８日に発行された米国特許第７，８７２，２４５号、２０１１年３月１日発行された米国特許第７，８９７，９４７号、２００６年２月２１日に出願された「ＬＡＳＥＲ  ＰＲＯＤＵＣＥＤ  ＰＬＡＳＭＡ  ＥＵＶ  ＬＩＧＨＴ  ＳＯＵＲＣＥ  ＷＩＴＨ  ＰＲＥ−ＰＵＬＳＥ」と題する米国特許出願第１１／３５８，９８８号（２００６年１１月１６日にＵＳ２００６／０２５５２９８Ａ−１として公開された）、２００８年７月２９日に発行された米国特許第７，４０５，４１６号、及び２００８年５月１３日に発行された米国特許第７，３７２，０５６号に見ることができる。これらの各々の内容は引用により本願にも含まれるものとする。
【００３７】
[0052]  ここで図３を参照すると、ＥＵＶ反射光学部品３００を有するデバイスが図示されている。ＥＵＶ反射光学部品３００は例えば近垂直入射ＥＵＶ光学ミラーであり、その反射面は回転楕円の形態で、モリブデン及びシリコンの層が交互に重なったグレーデッド（ｇｒａｄｅｄ）多層コーティングを有し、場合によっては１つ以上の高温拡散バリア層、平滑層、キャッピング層、及び／又はエッチストップ層も有する。図３は、このデバイスが、例えばターゲット材料小滴ストリーム等のターゲット材料送出システム３１０を更に含み得ることを示す。このシステムはターゲット材料解放点を有する。また、照射領域でターゲット材料を照射して一次プラズマ３１４を生成してＥＵＶ放射を発生するために、レーザビームを発生させるシステム（図１を参照のこと）も設けることができる。図３に示すように、ソース材料ディスペンサ９２は、ソース材料ディスペンサ９２を異なる方向に傾斜させてＥＵＶ光学ミラー３００の焦点に対する小滴の位置を調整することができる方向操作機構３１５上に搭載することができ、小滴発生器をストリーム軸に沿って小さい一定の間隔で平行移動させることができる。ソース材料ディスペンサ９２と照射領域２８との間のラインは、照射領域２８を通る経路の第１の部分を画定する。更に図３に示すように、プラズマ生成に使用されない小滴及びレーザ照射に露呈された材料は、照射領域を通り過ぎてある程度の距離を移動し、図示する例では例えば細長いチューブ３１６（円形、横長、楕円形、矩形、方形等の断面を有する）のような構造を含む捕獲部によって捕らえられる。更に詳細には、細長いチューブ３１６は、照射領域３１４を通過したターゲット材料を受容するように位置付けられて、受容した材料が飛び散ること及び反射光学部品に到達することを防ぎ得る。場合によっては、例えば約３を超える比較的大きいアスペクト比Ｌ／Ｗを有するチューブを用いることで、材料が飛び散ることの影響を軽減又は防止することができる。ここでＬはチューブ長であり、ＷはＬに垂直な最大チューブ内側寸法である。ターゲット材料小滴は、チューブ３１６の内壁に当たると速度が落ちる。この後、図示するような専用容器３１８内にターゲット材料を収集することができる。
【００３８】
[0053]  図３は、小滴ストリームの一部に沿って物理シュラウド３２０を位置決めし得ることも示す。物理シュラウド３２０は、経路方向に垂直な面内でストリームを部分的に取り囲んで、小滴の位置的安定性を向上させる。シュラウド３２０は、固体のシュラウドである、すなわち以下で詳述するガスシュラウドのようにガスから成るシュラウドとは対照的に固体材料から成るシュラウドであるという点で、物理的である。
【００３９】
[0054]  図４は物理シュラウド３２０の斜視図を示す。図示のように、物理シュラウド３２０は、ターゲット材料送出システム３１０上に搭載し、そこから照射領域の方へ延出するように位置付けることができる。図４は、このシュラウドに、矢印３２３の方向に延出する側方シュラウド開口３２１を形成し得ることを示す。物理シュラウド３２０は矢印３２３の方向に細長く、チャンバ２６（図４には示していない）内に最も長く延出する部分が固体シュラウド端部３２２を画定する。図５は物理シュラウド３２０の断面図を示す。図示するように、シュラウド３２０は、湾曲領域３２４と平坦な延長部３２６ａ、ｂとを有する「Ｕ」字形状の断面を含む部分的にリングの形状とすることができる。例えば物理シュラウド３２０はモリブデン又はステンレス鋼（例えば３１６ステンレス）で形成し、小滴ストリーム出力オリフィスから約３０ｍｍ延出することができる。
【００４０】
[0055]  図６は、ガスソース３５２からチャンバ２６内へのガス流（矢印３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃで示す）に対する物理シュラウド３２０の適切な向きを示す。この実施形態に示すように、ガスはＥＵＶ光学部品３０のアパーチャを通って照射部位３１４の方へ流れる。また、レーザシステム２２からの光がウィンドウ３５４を通ってチャンバ２６内へ入り、ＥＵＶ光学部品３０のアパーチャを通って照射部位３１４へ到達することがわかる。上述のように、ＥＵＶ光学部品３０のアパーチャを通る流れを図示のように案内するため円錐部材１５０を設けることができる。図６は、側方シュラウド開口をガス流の下流に位置付けるような向きに物理シュラウド３２０を配置し得ることを示している。
【００４１】
[0056]  上述のようにＨ２円錐流を用いるシステムでは、Ｈ２円錐流が小滴１０２の軌道を変えてその安定性を損なうことがある。これを図７に示す。図７において、小滴は意図する軌道７１０上に放出されている。物理シュラウド３２０は、矢印７３０として示すＨ２円錐流から小滴１０２を保護することで、小滴１０２を意図する軌道７１０に維持するのに役立つ。小滴１０２は、いったん物理シュラウド３２０から出たらＨ２円錐流に露呈される。するとＨ２円錐流によって小滴１０２は意図する軌道７１０から逸れて、矢印７３０で示すような流れの方向の偏向軌道７４０に偏向され得る。図７は簡略化のためにこのプロセスを線形として示すが、Ｈ２円錐流は個々の小滴１０２に様々な影響を与えるので、Ｈ２円錐流が小滴１０２の軌道を予測不可能に変化させることは当業者には理解されよう。
【００４２】
[0057]  図８を参照すると、いったん照射領域に一次プラズマ８００が開始されたら、その周りにプラズマボール又はプラズマバブル８１０が形成される。このプラズマバブル８１０はＨ２円錐流から小滴１０２をある程度保護し、図示のように偏向を軽減することができる。しかしながら図８は、プラズマバブル８１０の形成後であってもＨ２円錐流が小滴の軌道を変化させ得ることを示している。図８において、物理シュラウド３２０の端部とプラズマバブル８１０との間のギャップ８３０は、Ｈ２円錐流と小滴１０２との間で動的な不安定性の相互作用が起こり得る相互作用領域である。
【００４３】
[0058]  プラズマバブル８１０のもっと近くまで延出する長い物理シュラウドを用いると、相互作用領域８３０の幅が短くなり、プラズマバブル８１０の近くの小滴１０２が保護される。これは動的な小滴位置安定性を高め、従ってＥＵＶ線量を向上させることができる。しかしながら、物理シュラウドの長さを拡大することには問題がある。例えば、物理シュラウドの長さ（すなわち物理シュラウド内の小滴軌道に対して平行な寸法）を拡大すると、物理シュラウドを構成する材料に対する熱応力が増大する。また、物理シュラウドの長さを拡大すると、結果として追加のデブリがＥＵＶ光学部品の方へ向かう可能性がある。
【００４４】
[0059]  図９に示すように、物理シュラウド３２０の長さを拡大する必要なくプラズマバブル８１０に近い小滴１０２を保護するため、一実施形態における構成はガスシュラウド９１０を設けることを含む。ガスシュラウド９１０は、物理シュラウド３２０とプラズマバブル８１０との間の物理空間（相互作用領域）内の小滴１０２を保護するように構成されて、小滴１０２とＨ２ガス円錐との間の相互作用を軽減するか又は排除するようになっている。
【００４５】
[0060]  ガスシュラウド９１０は、Ｈ２等のいずれかの適切なガスで形成すればよい。これは好ましくは、意図する小滴軌道７１０に沿って高速の水素流を発生させることで生成される。意図する小滴軌道７１０に沿った水素流は、ＥＵＶ光学部品円錐からの横断水素流すなわちＨ２円錐流を乱し、意図する小滴移動方向に沿って一貫した力を与える。
【００４６】
[0061]  小滴軸に沿ったこの流れは、定常状態で照射領域にプラズマバブル８１０を生成する観察されるプラズマの物理的過程と連携して機能する。乱されたＨ２円錐流は、プラズマバブル８１０の周囲及びガスシュラウド９１０の周囲に押しやられる。プラズマバブル８１０とシュラウド流の組み合わせが、小滴の横方向変位（押し出し（ｐｕｓｈｏｕｔ））の変動及び横断Ｈ２円錐流に関連した動的な不安定性からの保護を与える。
【００４７】
[0062]  図９に示すように、ガスシュラウド９１０はある程度プラズマバブル８１０を変形させ得る。この効果を利用して、プラズマバブル８１０が物理シュラウド３２０に近付き過ぎるほど膨張しないようにすることができる。上述のように、物理シュラウド３２０がプラズマバブル８１０に近付き過ぎると、物理シュラウド３２０は過熱する可能性がある。また、物理シュラウド３２０は、例えばスズ等のソース材料の過剰な量をその表面上に蓄積することがある。この蓄積されたスズは次いで物理シュラウド３２０の表面からＥＵＶ光学部品３０（図示せず）に伝播するので、ＥＵＶ光学部品３０を汚染させる恐れがある。また、いったんプラズマバブル８１０が物理シュラウド３２０に達したら、物理シュラウド３２０の冷却が不充分となる。
【００４８】
[0063]  ガスシュラウド９１０はこのような影響を軽減することができる。物理シュラウド３２０の内部又は外部の一次プラズマ８００に向かう方向の流れは、物理シュラウド３２０から離れる方向にプラズマバブル８１０を押し、このため物理シュラウド３２０の加熱が抑制され、物理シュラウド３２０に向かうスズの流れ（ｆｌｕｘ）が低減する。これを図１０に示す。最適には、ガスシュラウド９１０を形成するガスの流量は、物理シュラウド端部３２２から所定の距離にプラズマバブル８１０を維持するために充分なものである。
【００４９】
[0064]  好適な実施形態において、Ｈ２流量は約１から約２０標準リットル／分（ｓｌｍ）の範囲内であり得るが、これより小さい流量及び大きい流量も使用可能である。また、ガス流は多数の小さい噴出によって送出することができる。
【００５０】
[0065]  ガスシュラウド９１０は、小滴の意図する軌道に沿って高速流を発生させるためのいずれかの適切な構成によって生成することができる。例えば物理シュラウド３２０に、ＥＵＶ光学部品３０を支持するアセンブリ上のベースアタッチメントからのガス供給ラインを設けることができ、物理シュラウド３２０の内部にノズル構造を追加することができる。このようなノズルアセンブリを図１１に示す。この場合、物理シュラウド３２０の長軸に沿って（図の面に対して垂直に）流れるガスはポート９５０を通ってプレナム９４０内に導入される。プレナム９４０の形状は、物理シュラウド３２０の内面及び物理シュラウド３２０における挿入部９６０によって画定される。見てわかるように、好適な実施形態では、挿入部９６０は実質的に鏡面対称であり、２つの側方ウィングが中央の丸い部分でつながっている。他の形状も可能である。
【００５１】
[0066]  図１１に示す構成では、ガスシュラウド９１０のためのガスが物理シュラウド３２０の内部を通って供給される。物理シュラウド３２０の外部を通してガスシュラウド９１０のためのガスを供給することも可能である。そのような構成を図１２に示す。この場合、物理シュラウド３２０の外部（すなわちＥＵＶ光学部品フロー（ｆｌｏｗ）に面する側）にノズルアレイ９５０が設けられている。ノズルアレイのノズルは、物理シュラウド３２０の対称軸についてほぼ対称的に位置付けられている。ノズルアレイ９５０は、意図する小滴軌道に対して平行にガス流を送出するような向きに配置されている。
【００５２】
[0067]  図１１及び図１２の実施形態では、物理シュラウド３２０は「Ｕ」又は「Ｃ」字形状に構成され、開口側が円錐流から遠い方に面している。物理シュラウド３２０は、開口側なしの閉鎖構成に構成することも可能である。このような実施形態を図１３に示す。この場合、物理シュラウドは中空の円筒として構成されている。図１３の実施形態では、ガスシュラウド９１０のためのガスは、小滴１０２が横断するのと同じ流路を介して中空の円筒の内部を通って供給される。図１４も中空の円筒として構成された物理シュラウド３２０を示すが、この場合、ガスシュラウド９１０のためのガスは円筒を取り囲む円筒壁又は外装内の流路９１１を介して供給される。
【００５３】
[0068]  他の構成も使用可能であることは当業者には理解されよう。ノズル及びポートの数、並びにそれらの位置付けは異なる場合がある。また、１つ以上の内部ノズル及び外部ノズルの組み合わせを用いることも可能である。
【００５４】
[0069]  ガスシュラウド９１０によって、デブリ及び他の汚染物質がＥＵＶ光学部品３０に衝突することがある。この影響を軽減するため、照射領域２８に面したＥＵＶ光学部品３０の表面の近傍に、１つ以上の半径方向に延出するガス伝導パイプを設置することができる。図１５は、２つのそのようなガス伝導パイプ９６０、９７０を備えた構成を示すが、ガス伝導パイプは１つだけ又は３つ以上用いてもよい。図示のように、ガス伝導パイプ９６０、９７０は好ましくは、物理シュラウド３２０によって生じるＥＵＶ光学部品３０の水平方向の遮蔽（ｏｂｓｃｕｒａｔｉｏｎ）９８０の影に設置される。ガス伝導パイプ９６０、９７０はオリフィス又は噴出口９６５、９７５（図１５には示さないが図１６で見ることができる）を含み、これらは縦の矢印で示すように、物理シュラウド３２０に近付きＥＵＶ光学部品３０から離れる方向にＨ２流を生成するように構成されている。ガス伝導パイプ９６０、９７０には、ガスソース９７６からガスを供給するためのガス供給ライン９７４からガスが供給される。ガス伝導パイプ９６０、９７０を通る流量は、約１から約２０標準リットル／分（ｓｌｍ）の範囲内であり得るが、これより小さい流量及び大きい流量も使用可能である。流量が大きくなると、より大きな保護が得られる傾向がある。ガス伝導パイプ９６０、９７０には同一流量でガスを供給するか、又は異なる流量でガスを供給することができる。また、図１５は、ガスソース９１６から物理シュラウド３２０内のノズル（図示せず）にガスを供給してガスシュラウド９１０を形成するためのガス供給ライン９１５も示す。
【００５５】
[0070]  図１６にいっそう明確に見られるように、ガス伝導パイプ９６０、９７０はＥＵＶ光学部品３０の前方で対向スポーク状構成に配置されて、Ｈ２を流し、ＥＵＶ光学部品３０から汚染物質を遠ざけておく。ガス伝導パイプ９６０、９７０は、照射領域２８に面したＥＵＶ光学部品３０の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接し、ＥＵＶ光学部品３０の中央アパーチャ３２とＥＵＶ光学部品３０の外周縁３４との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出する。ＥＵＶ光学部品３０のアパーチャの両側に対称構成で配置されたパイプは、アクティブなパージのため又は対称的な流れを維持するために好ましい。また、物理シュラウド３２０を通るガス流がデブリをＥＵＶ光学部品３０の対向側へ吹き払う傾向を有する限り、ＥＵＶ光学部品３０のこの側のガス伝導パイプはこの影響を軽減するように機能することができる。
【００５６】
[0071]  上述の説明は１つ以上の実施形態の例を含む。むろん、上記の実施形態を説明する目的でコンポーネント又は方法の考えられる組み合わせを全て記載することは不可能であるが、様々な実施形態の多くの別の組み合わせ及び並べ換えが可能であることは当業者には認められよう。従って、記載した実施形態は、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲内に該当する全てのそのような代替、変更、及び変形を包含することが意図される。更に、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」という言葉が発明を実施するための形態又は特許請求の範囲のいずれかで用いられる限り、そのような言葉は、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」という言葉が特許請求項において移行語として使用される場合に解釈されるのと同様に、包括的（ｉｎｃｌｕｓｉｖｅ）であることが意図される。更に、記載した態様及び／又は実施形態の要素は単数形で記載又は特許請求され得るが、単数に対する限定が明示的に述べられない限り、複数形も考えられる。更に、特にそれ以外の指示がない限り、いずれかの態様及び／又は実施形態の全て又は一部を、他のいずれかの態様及び／又は実施形態の全て又は一部と共に利用することができる。
【図１】
2019012293.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年11月5日(2018.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
ソース材料解放点を有し、前記ソース材料解放点と前記チャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを前記照射領域に送出するように適合されているソース材料送出システムと、
前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合されている第１のガス送出システムと、
を備える、デバイス。
【請求項２】
ＥＵＶ光学部品をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ＥＵＶ光学部品の方向から前記ストリームの方へガスを流すように適合されている第２のガス送出システムをさらに備える、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ＥＵＶ光学部品が、コレクタミラーを含み、
前記第２のガス送出システムが、前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャを通してガスを流すように適合されている、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第２のガス送出システムが、前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインを備える、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記ソース材料送出システムが、前記ソース材料解放点から前記経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出して前記ストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含み、
前記第１のガス送出システムが、前記固体シュラウド端部と前記照射領域との間で前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの内部で及び前記固体シュラウド端部から出て前記照射領域の方へ、ガスを流すように適合されている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記固体シュラウドの外側へ、前記固体シュラウドの前記長さに平行に、前記照射領域の方へ、ガスを流すように適合されている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項９】
チャンバと、
ソース材料解放点を有し、前記ソース材料解放点と前記チャンバ内の照射領域との間の経路に沿ってソース材料のストリームを前記照射領域内のプラズマバブルに送出するように適合され、前記ソース材料解放点から前記経路に対して平行に固体シュラウド端部まで延出して前記ストリームの少なくとも一部を保護する固体シュラウドを含む、ソース材料送出システムと、
前記固体シュラウド端部と前記プラズマバブルとの間に画定されるギャップであって、前記チャンバ内で前記固体シュラウド端部と前記照射領域との間の前記経路の少なくとも一部に沿ってガスを流すように適合されている第１のガス送出システムからの前記ガスによって所定の幅が維持される、ギャップと、
を備える、デバイス。
【請求項１０】
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの内部で及び前記固体シュラウド端部から出て前記照射領域の方へ、ガスを流すように適合されている、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１のガス送出システムが、前記チャンバ内で前記固体シュラウドの外側へ、前記固体シュラウドの前記長さに平行に、前記照射領域の方へ、ガスを流す、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１２】
ＥＵＶ光学部品と、前記ＥＵＶ光学部品の方向から前記ストリームの方へガスを流す第２のガス送出システムと、を備え、
前記ＥＵＶ光学部品が、コレクタミラーを含む、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２のガス送出システムが、前記照射領域に面した前記ＥＵＶ光学部品の実質的に半径方向に対称的な表面に隣接して配置されると共に前記ＥＵＶ光学部品の中央アパーチャと前記ＥＵＶ光学部品の外周縁との間の距離の少なくとも一部で実質的に半径方向に延出するガス送出ラインを備え、
前記ガス送出ラインは、前記ＥＵＶ光学部品の前記表面から実質的に直交して離れるようにガスを方向付けるオリフィスを有する、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ガス送出ラインは、前記固体シュラウドによって遮蔽される前記ＥＵＶ光学部品の前記表面の部分の近くに位置付けられる、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
チャンバ内のソース材料解放点と前記チャンバ内の照射領域との間の固体シュラウドを通る経路に沿ってソース材料のストリームを送出するステップと、
前記チャンバ内で前記経路に少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの端部と前記照射領域内のプラズマバブルとによって画定されるギャップへと、前記固体シュラウドの前記端部から前記プラズマバブルに向かう方向で、所定の幅の前記ギャップを維持するために、ガスをストリーム化するステップと、
を含む、方法。
【請求項１６】
前記ソース材料は、ＥＵＶソース材料を含み、
前記ストリーム化するステップが、前記チャンバ内で前記経路の少なくとも一部に沿って、前記固体シュラウドの内部で及び前記固体シュラウド端部から出て前記照射領域の方へガスを流すことを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ストリーム化ステップと同時に、ＥＵＶ光学部品の方向から前記経路の方へガスを流すステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【外国語明細書】
2019012293000001.pdf