(57)【要約】【課題】平滑性に優れ、高周波の電気信号の伝送損失を低減することが可能な回路基板を提供する。【解決手段】本発明に係る回路基板は、配線部と非配線部とを備え、前記配線部は金属層及び樹脂層を有し、前記非配線部は樹脂層を有し、２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が２〜３であり、前記配線部における厚さの最大値をＡ（μｍ）、前記非配線部における厚さの最小値をＢ（μｍ）としたときに、（Ａ−Ｂ）／Ｂ≦０．１の関係を満たすことを特徴とする。【選択図】図１
2019054242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線部と非配線部とを備え、
前記配線部は、金属層及び樹脂層を有し、
前記非配線部は、樹脂層を有し、
２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が２〜３であり、
前記配線部における厚さの最大値をＡ（μｍ）、前記非配線部における厚さの最小値をＢ（μｍ）としたときに、
（Ａ−Ｂ）／Ｂ≦０．１
の関係を満たす、回路基板。
【請求項２】
前記配線部における、前記金属層と前記樹脂層とが接して積層される、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１〜０．０１である、請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記樹脂層の弾性率が０．１〜３ＧＰａである、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
前記樹脂層と前記金属層との剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上である、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
前記樹脂層の厚さが１０〜１００μｍであり、かつ、前記金属層の厚さが１０〜５０μｍである、請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層と金属層とを有する配線部を備える回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報端末機器の高性能化やネットワーク技術の飛躍的進歩に伴い、情報通信分野で扱う電気信号は高速・大容量伝送に向けた高周波数化が進んでいる。これに対応するため、使用されるプリント配線板にも高周波信号や高速デジタル信号を伝送・処理する上で課題となる伝送損失を低減できる低誘電率（低εｒ）・低誘電正接（低ｔａｎδ）材料に対する要求が高まっている（例えば、特許文献１〜４参照）。
【０００３】
プリント配線板としては、フレキシブルプリント基板（以下、「ＦＰＣ」ともいう）やフレキシブルフラットケーブル（以下、「ＦＦＣ」ともいう）が、電子・電気機器に使用されている。ＦＰＣは、絶縁体層と銅箔層とからなる銅張積層体（ＣＣＬ）を加工して電気回路を形成した後、該回路部を保護するために絶縁層と接着剤層からなるカバーレイ（ＣＬ）の接着剤部を回路部へ取り付ける工程を経て製造される。また、ＦＦＣは、絶縁体層と接着剤層からなる基材と配線状に形成した銅箔等の導体を用い、基材の接着剤部同士の間に導体を複数本並べ、接着して得られる電気回路である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１９７６１１号公報
【特許文献２】特開２０１５−１７６９２１号公報
【特許文献３】特開２０１６−０８７７９９号公報
【特許文献４】特開２０１６−０３２０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電気信号は高周波になればなるほど減衰しやすく、伝送損失が大きくなる傾向にある。そのため、次世代高周波（１０ＧＨｚ以上）対応実装基板では、配線間クロストーク低減のための低誘電や電気信号の伝送損失を抑制するための低誘電損失特性が、絶縁体材料に必要不可欠な特性となっている。また、電気信号の伝送損失を抑制するためには、実装基板が平滑性に優れていることも重要である。特にＦＰＣやＦＦＣでは、樹脂層と金属層とを積層させるために接着剤が使用されるが、接着剤によって形成される接着層が実装基板の低誘電損失特性や平滑性を損なう一因であると考えられる。
【０００６】
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、平滑性に優れ、高周波信号の伝送損失を低減することが可能な回路基板を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本発明に係る回路基板の一態様は、
配線部と非配線部とを備え、
前記配線部は、金属層及び樹脂層を有し、
前記非配線部は、樹脂層を有し、
２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が２〜３であり、
前記配線部における厚さの最大値をＡ（μｍ）、前記非配線部における厚さの最小値をＢ（μｍ）としたときに、
（Ａ−Ｂ）／Ｂ≦０．１
の関係を満たすことを特徴とする。
【０００９】
［適用例２］
適用例１の回路基板において、
前記配線部における、前記金属層と前記樹脂層とが接して積層されることができる。
【００１０】
［適用例３］
適用例１または適用例２の回路基板において、
２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００１〜０．０１であることができる。
【００１１】
［適用例４］
適用例１ないし適用例３のいずれか一例の回路基板において、
前記樹脂層の弾性率が０．１〜３ＧＰａであることができる。
【００１２】
［適用例５］
適用例１ないし適用例４のいずれか一例の回路基板において、
前記樹脂層と前記金属層との剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上であることができる。
【００１３】
［適用例６］
適用例１ないし適用例５のいずれか一例の回路基板において、
前記樹脂層の厚さが１０〜１００μｍであり、かつ、前記金属層の厚さが１０〜５０μｍであることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の回路基板によれば、平滑性に大変優れると共に、高周波信号の伝送損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態に係る回路基板を模式的に示す断面図である。
【図２】図１のＣ−Ｃ’線に沿って切断した平面図である。
【図３】高周波回路用積層体の製造例Ａにおける各工程を模式的に示す断面図である。
【図４】高周波回路用積層体の製造例Ｂにおける各工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に記載された実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含むものとして理解されるべきである。
【００１７】
本明細書において、「〜」を用いて記載された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味である。
【００１８】
１．回路基板
本明細書で用いられる用語を以下のように定義する。
・「高周波信号」とは、１０ＧＨｚ以上の周波数の電気信号または電波のことをいう。
・「高周波回路用積層体」とは、１０ＧＨｚ以上の周波数で駆動する高周波回路を製造する際に使用するための積層体のことをいう。
・「Ｂステージ樹脂層」とは、樹脂が半硬化した状態の層のことをいう。
・「Ｃステージ樹脂層」とは、樹脂が完全に硬化した状態の層のことをいう。なお、本願発明において、「Ｃステージ樹脂層」を単に「樹脂層」ということもある。
【００１９】
また、本明細書において、方向を以下のように定義する。すなわち、互いに直交する３つの空間軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とする。鉛直方向はＺ軸方向に沿った方向（Ｚ方向）とし、鉛直下向きの方向を−Ｚ方向、鉛直上向きの方向を＋Ｚ方向とする。Ｚ軸に垂直な面を、ＸＹ平面とする。
【００２０】
本実施形態に係る回路基板は、配線部と非配線部とを備え、前記配線部は金属層及び樹脂層を有し、前記非配線部は樹脂層を有し、２３℃において前記樹脂層の周波数１０ＧＨｚにおける比誘電率が２〜３であり、前記配線部における厚さの最大値をＡ（μｍ）、前記非配線部における厚さの最小値をＢ（μｍ）としたときに、（Ａ−Ｂ）／Ｂ≦０．１の関係を満たすことを特徴とする。以下、本実施形態に係る回路基板について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る回路基板を模式的に示す断面図である。図２は、図１のＣ−Ｃ’線に沿って切断した平面図である。図１に示すように、回路基板１００は、基板１０の上（＋Ｚ方向）に樹脂層１２及び金属層１４を備える。図１の例では、金属層１４の上（＋Ｚ方向）に樹脂層１２が積層されるので、金属層１４の上方に存在する樹脂層１４は、それ以外の樹脂層１４よりも＋Ｚ方向に盛り上がった状態となる。
【００２２】
基板１０としては、特に限定されず、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板、フッ素樹脂基板等のほか、多層回路基板を作製する場合には、後述する高周波回路用積層体を基板としてもよい。
【００２３】
本実施形態に係る回路基板では、図１に示す金属層１４及び金属層１４の上方（＋Ｚ方向）に積層された樹脂層１２（すなわち領域１６）の部分を「配線部」と定義し、配線部以外の樹脂層１２の部分を「非配線部」と定義する。
【００２４】
本実施形態に係る回路基板は、配線部における厚さの最大値をＡ（μｍ）とし、非配線部における厚さの最小値をＢ（μｍ）としたときに、（Ａ−Ｂ）／Ｂ≦０．１の関係を満たす。（Ａ−Ｂ）は、図１におけるΔＨである。（Ａ−Ｂ）／Ｂは、０．０９以下であることが好ましく、０．０８以下であることがより好ましく、０．０７以下であることがさらにより好ましく、０．０６以下であることがさらにより好ましく、０．０５以下であることが特に好ましい。このような回路基板は、配線部の凸部である金属層１４の上（＋Ｚ方向）に積層される樹脂層１２が大きな段差にならず、樹脂層１４全体の表面が平滑な状態となる。このため、回路基板を積層しても高い位置決め精度を満足することができ、より多層の回路を集積することが可能となる。
【００２５】
なお、本願発明では、このような回路基板を積層して多層回路基板を作製する場合であっても、配線部における厚さの最大値Ａ（μｍ）及び非配線部における厚さの最小値Ｂ（μｍ）は、各樹脂層ごとに規定される。
【００２６】
本実施形態に係る回路基板は、金属層１４と樹脂層１２とが接して積層されることが好ましい。すなわち、金属層と樹脂層との間にプライマー樹脂層のような接着層を介在しな
いことが好ましい。一般的な回路基板は、導電機能を担う金属層と絶縁機能を担う樹脂層との密着性を向上させるために、樹脂層と金属層との間に接着層を介在させている。接着層は、主に極性官能基を有する重合体を含有する接着剤を用いて、塗布などの方法によって形成される。しかしながら、このような接着層は、電気特性が悪いので、絶縁機能を担う樹脂層の実効誘電率や実効誘電損失が大きくなってしまい、高周波回路には不適であった。これに対して、本実施形態に係る回路基板は、接着剤を使用しなくても金属層と樹脂層との密着性が良好であり、金属層と樹脂層とが接して積層されることによって、樹脂層の実効電気特性を劣化させずに高周波回路に適した回路基板を得ることに成功した。
【００２７】
本実施形態に係る回路基板は、樹脂層と金属層との剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上であることが好ましく、５．３Ｎ／ｃｍ以上であることがより好ましく、６Ｎ／ｃｍ以上であることが特に好ましい。本実施形態に係る回路基板は、上記範囲の剥離強度を有するため、接着剤を使用しなくても金属層と樹脂層との密着性が良好である。なお、剥離強度は、「ＩＰＣ−ＴＭ−６５０  ２．４．９」に記載されている方法に準じて測定することができる。
【００２８】
以下、本実施形態に係る回路基板を構成する各層の構成、製造方法について、詳細に説明する。
【００２９】
１．１．樹脂層
本実施形態に係る回路基板は、樹脂層を備える。樹脂層の弾性率は、０．１〜３ＧＰａであることが好ましく、０．２〜２．５ＧＰａであることがより好ましい。樹脂層の弾性率が前記範囲であると、柔軟性に優れた回路基板となるため、より自由な条件で回路基板を製造することができる。ここで、樹脂層の弾性率とは、引張弾性率のことであり、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１に準じて測定することができる。
【００３０】
樹脂層の２３℃における周波数１０ＧＨｚでの比誘電率は、２〜３であり、２．１〜２．８であることが好ましい。１０ＧＨｚにおける比誘電率が前記範囲であると、高周波特性に優れた回路基板を製造することができる。また、樹脂層の２３℃における周波数１０ＧＨｚでの誘電正接は、０．００１〜０．０１であることが好ましく、０．００２〜０．００９であることがより好ましい。１０ＧＨｚにおける誘電正接が前記範囲であると、高周波特性により優れた回路基板を製造することができる。１０ＧＨｚにおける比誘電率及び誘電正接は、空洞共振器摂動法誘電率測定装置を用いて測定することができる。
【００３１】
また、樹脂層の厚さは、１０〜１００μｍであることが好ましく、２０〜９０μｍであることがより好ましく、２５〜８０μｍであることが特に好ましい。
【００３２】
また、本願発明では、樹脂層は異なる複数の樹脂層から構成されている態様も含む。樹脂層が複数の樹脂層からなる場合、各樹脂単層の弾性率、比誘電率、誘電正接は、必ずしも上記で記載の好ましい範囲に限定される必要はなく、全体として好ましい範囲となっていればよい。
【００３３】
このような樹脂層の製造方法については、特に限定されないが、樹脂層用組成物を剥離層や金属箔等の基材に塗布したり、押出成形して自立フィルムを作製する等の方法により作製することができる。
【００３４】
樹脂層用組成物の組成は、得られる樹脂層が前記比誘電率を満たすような組成であれば特に限定されないが、重合体、硬化性化合物、必要に応じて硬化助剤、溶媒を含有することが好ましい。
【００３５】
１．１．１．樹脂層用組成物
＜重合体＞
樹脂層用組成物に含まれ得る重合体としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド、ポリアリーレン等、低誘電率かつ低誘電正接の特性を有する公知の材料を適時使用することができるが、特に、下記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位を有する重合体等を好ましく使用することができる。
【００３６】
【化１】
2019054242.tif 000003
〔式（１−１）〜（１−３）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の１価の炭化水素基、炭素数１〜２０の１価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、１〜３級アミノ基、又は１〜３級アミノ基の塩である。ｎは、それぞれ独立して、０〜２の整数である。ｎが２の場合、複数のＲ１は、同一であっても異なっていてもよく、任意の組み合わせで結合して環構造の一部を形成していてもよい。〕
【００３７】
Ｒ１としては、ハロゲン原子、炭素数１〜６の１価の炭化水素基、炭素数１〜６の１価のハロゲン化炭化水素基、ニトロ基、シアノ基、１〜３級アミノ基、又は１〜３級アミノ基の塩が好ましく、フッ素原子、塩素原子、メチル基、ニトロ基、シアノ基、ｔ−ブチル基、フェニル基、アミノ基がより好ましい。ｎとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
【００３８】
繰り返し単位の一方の結合手に対する他方の結合手の位置は特に限定されないが、繰り返し単位を与える単量体の重合反応性を向上させる観点からメタ位が好ましい。また、繰り返し単位としては、ピリミジン骨格を有する上記式（１−２）で表される構造単位が好ましい。
【００３９】
重合体は、必要に応じて上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を有することができるが、重合体中の上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位の含有割合は、重合体における全構造単位の合計を１００モル％とした場合に、５〜９５モル％であることが好ましく、１０〜６０モル％であることがより好ましい。
【００４０】
上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位を有する重合体の合成方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位を与える単量体と、必要に応じてその他の単量体とを、有機溶媒中、アルカリ金属等と共に加熱することで合成することができる。
【００４１】
上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位を有する重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、５００であることが好ましく、１，０００であることがより好ましく、１０，０００であることがさらにより好ましく、３０，０００であることが特に好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）の上限は、６００，０００であることが好ましく、４００，０００であることがより好ましく、３００，０
００であることがさらにより好ましく、２００，０００であることが特に好ましい。
【００４２】
上記式（１−１）、（１−２）及び（１−３）のうちの少なくとも１種で表される繰り返し単位を有する重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）の下限は、１５０℃が好ましく、１８０℃がより好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）の上限は、３２０℃が好ましく、３００℃がより好ましい。
【００４３】
重合体は、さらに下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有することが好ましい。
【００４４】
【化２】
2019054242.tif 000004
（式（２）中、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基又は炭素数１〜２０の１価の有機基、ｃ及びｄはそれぞれ独立して０〜８の整数、ｅ、ｆ、ｙはそれぞれ独立して０〜２の整数、Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−又は炭素数１〜２０の２価の有機基である。）
【００４５】
Ｒ３及びＲ４で表されるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００４６】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１〜２０の１価の炭化水素基としては、例えば、１価の鎖状炭化水素基、１価の脂環式炭化水素基、１価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００４７】
上記１価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等のアルキル基；エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基；エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。
【００４８】
上記１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基；ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基；シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基；ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。
【００４９】
上記１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
【００５０】
Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１〜２０の１価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、上記Ｒ３及びＲ４で表される基として例示した炭素数１〜２０の１価の炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換した基等が挙げられる。
【００５１】
Ｌで表される炭素数１〜２０の２価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の２価の鎖状炭化水素基、炭素数１〜２０の２価のフッ素化鎖状炭化水素基、炭素数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基又は炭素数６〜２０の２価のフッ素化芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００５２】
上記２価の鎖状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔ−ブチレン基、ネオペンチレン基、４−メチル−ペンタン−２，２−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基等が挙げられる。
【００５３】
上記２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基；ノルボルニル基、アダマンチル基等の多環のシクロアルキル基；シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基；ノルボルネニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。
【００５４】
上記２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
【００５５】
これら重合体としては、例えば、特開２０１５−２０９５１１号公報、国際公開第２０１６／１４３４４７号、特開２０１７−１９７７２５号公報、特開２０１８−０２４８２７号公報等に記載の重合体を例示できる。
【００５６】
樹脂層用組成物中の重合体の含有割合は、後述する硬化性化合物及び重合体の合計１００質量部に対して、１０質量部以上９０質量部以下であることが好ましい。
【００５７】
＜硬化性化合物＞
硬化性化合物は、熱や光（例えば、可視光、紫外線、近赤外線、遠赤外線、電子線等）の照射により硬化する化合物であり、後述する硬化助剤を必要とするものであってもよい。このような硬化性化合物としては、例えば、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、アリル化合物、アクリル化合物、メタクリル化合物、ウレタン化合物が挙げられる。これらは、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。これらの中でも、前記重合体との相溶性、耐熱性等の特性上の観点から、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、シリコーン化合物、オキサジン化合物、マレイミド化合物、及びアリル化合物のうちの少なくとも１種であることが好ましく、エポキシ化合物、シアネートエステル化合物、ビニル化合物、アリル化合物、及びシリコーン化合物のうちの少なくとも１種であることがより好ましい。
【００５８】
樹脂層用組成物中の硬化性化合物の含有割合は、樹脂層用組成物１００質量部に対して、１０質量部以上９０質量部以下であることが好ましく、２０質量部以上８０質量部以下であることがより好ましい。
【００５９】
＜硬化助剤＞
硬化助剤としては、例えば、光反応開始剤（光ラジカル発生剤、光酸発生剤、光塩基発生剤）等の重合開始剤を挙げることができる。硬化助剤の具体例としては、オニウム塩化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジスルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネート化合物、トリアジン化合物、ニトロベンジル化合物、ベンジルイミダ
ゾール化合物、有機ハロゲン化物類、オクチル酸金属塩、ジスルホン等が挙げられる。これらの硬化助剤は、種類を問わず、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６０】
樹脂層用組成物中の硬化助剤の含有割合は、樹脂層用組成物１００質量部に対して、５質量部以上２０質量部以下であることが好ましく、５質量部以上１０質量部以下であることがより好ましい。
【００６１】
＜溶媒＞
樹脂層用組成物は、必要に応じて溶媒を含有してもよい。溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等のアミド系溶媒；γ−ブチロラクトン、酢酸ブチル等のエステル系溶媒；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンゾフェノン等のケトン系溶媒、１，２−メトキシエタン、ジフェニルエーテル等のエーテル系溶媒、１−メトキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の多官能性溶媒；スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン等のスルホン系溶媒の他、塩化メチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１〜４）、トリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数；１〜４）等が挙げられる。これらの溶媒は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
樹脂層用組成物が溶媒を含有する場合、溶媒を除いた樹脂層用組成物１００質量部に対して、２０００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましい。
【００６３】
＜その他の成分＞
樹脂層用組成物は、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。その他の成分としては、例えば、酸化防止剤、強化剤、滑剤、難燃剤、抗菌剤、着色剤、離型剤、発泡剤、前記重合体以外の他の重合体等が挙げられる。
【００６４】
＜樹脂層用組成物の調製方法＞
樹脂層用組成物の調製方法は特に限定されないが、例えば、重合体、硬化性化合物、及び必要に応じて他の添加剤（例えば、硬化助剤、溶媒、酸化防止剤等の他の成分）を均一に混合することによって調製することができる。また、組成物の形態は、液状、ペースト状等とすることができる。
【００６５】
１．２．金属層
本実施形態に係る回路基板は、金属層を備える。金属層としては、金属箔やスパッタ膜を使用することが好ましい。金属箔としては銅箔が好ましい。銅箔の種類には電解箔と圧延箔とがあるが、どちらを用いてもよい。
【００６６】
金属層の表面粗さＲａは、１０〜３００ｎｍであることが好ましく、３０〜２００ｎｍであることがより好ましく、３０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。金属層の表面粗さＲａが前記範囲であると、本実施形態に係る回路基板を作成する際に、前記樹脂層と金属層との密着性をより向上させることができる。さらに、回路基板の面内での厚みをより均一にすることができ、回路基板を捲回させてロール状にする際に樹脂層と金属層の剥離を抑制することができる。なお、金属層の表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して測定した「算術平均粗さ」のことをいう。
【００６７】
金属層の厚みは、３〜５０μｍが好ましく、５〜４０μｍがより好ましく、７〜３５μ
ｍであることが特に好ましい。
【００６８】
金属層として金属箔を用いる場合、金属箔の表面粗さＲａが前記範囲であれば薄厚化したものをそのまま用いてもよいが、その表面を物理的または化学的に処理して表面粗さＲａを前記範囲に制御したものを用いてもよい。金属箔の表面の粗さを制御する方法としては、金属箔にエッチング処理（酸処理など）、レーザー処理、電解メッキ、無電解メッキ、スパッタ処理、サンドブラストなどの方法があるが、これらに限定されるものではない。
【００６９】
１．３．回路基板の製造方法
金属層と樹脂層とが積層された高周波回路用積層体を用いてＦＰＣ等の回路基板を製造することができる。高周波回路用積層体の製造方法は、樹脂層と金属層とを接して積層させることができればその方法は特に限定されない。「樹脂層と金属層とが接する」とは、樹脂層の一方の面が金属層と全面に接している場合に限られず、樹脂層の一方の面の少なくとも一部が金属層と接している場合を含む。
【００７０】
本実施形態で用いられる高周波回路用積層体の厚さは、５０〜２００μｍであることが好ましく、６０〜１８０μｍであることがより好ましく、７０〜１５０μｍであることが特に好ましい。高周波回路用積層体の厚さが前記範囲にあると、薄厚化された高周波回路基板を作製できるだけでなく、巻芯に捲回した場合に巻癖が付きにくくなる。
【００７１】
以下に、高周波回路用積層体の好ましい製造例について説明する。
【００７２】
＜製造例Ａ＞
図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、製造例Ａの各工程における断面を模式的に示す図である。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）を参照しながら、製造例Ａについて説明する。
【００７３】
（工程Ａ１）
図３（Ａ）に示すように、剥離層２０上へ樹脂層用組成物を塗工してＢステージ樹脂層２２を形成し、「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」（「Ｂステージシート」ともいう。）を作製する。剥離層２０としては、ＰＥＴフィルム等の公知のフィルムを使用することができる。ＰＥＴフィルムとしては、特に限定されないが、例えば、パナック株式会社製パナプロテクトＭＫ３８Ｓ等を使用することができる。樹脂層用組成物の塗工方法は、公知の塗工方法を使用することができるが、例えばバーコーターを用いて膜厚を調整して塗工することが好ましい。
【００７４】
このように剥離層２０へ樹脂層用組成物を塗工した後、オーブン等公知の加熱手段を用いて半硬化状態のＢステージ樹脂層２２を形成することが好ましい。加熱温度としては、５０〜１５０℃であることが好ましく、７０〜１３０℃であることがより好ましい。加熱する際、例えば５０〜１００℃と１００〜１５０℃等の二段階に加熱してもよい。また、加熱時間の合計は、３０分未満が好ましく、２０分未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、膜厚均一性の高いＢステージ樹脂層２２を作製することができ、また、剥離層２０の変質を抑制することにより、製造工程において良好に剥離層２０を剥離することができる。
【００７５】
表面に露出しているＢステージ樹脂層２２の表面粗さＲａは、１〜１００ｎｍであることが好ましく、１０〜５０ｎｍであることがより好ましい。Ｂステージ樹脂層２２の表面粗さＲａが前記範囲であると、高周波回路用積層体を製造する場合、樹脂層と金属層や、樹脂層同士の密着性をより向上させることができる。なお、本願発明におけるＢステージ樹脂層の表面粗さＲａとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して測定した「算術平
均粗さ」のことをいう。
【００７６】
Ｂステージ樹脂層２２の弾性率は、１Ｈｚの測定条件で、５０℃以上８０℃未満での弾性率（ＭＰａ）の最大値が１ＭＰａ以上であることが好ましく、３ＭＰａ以上であることがより好ましい。また、８０℃以上２００℃以下の温度範囲内での弾性率（ＭＰａ）の最小値が２０ＭＰａ以下であることが好ましく、１５ＭＰａ以下であることがより好ましい。Ｂステージ樹脂層の弾性率が各温度範囲であると、高周波回路用積層体を熱プレスして製造した場合に、配線部と非配線部の凹凸を抑制することができ、伝送損失を抑制することができる。
【００７７】
（工程Ａ２）
図３（Ｂ）に示すように、工程Ａ１で作製した「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」の露出した樹脂層面２３と金属層２４とを貼り合わせて「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」を作製する。樹脂層面２３と貼り合わせる金属層２４の表面粗さＲａは、１０〜３００ｎｍであることが好ましく、３０〜２００ｎｍであることがより好ましく、３０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００７８】
貼り合わせる際には、「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」の樹脂層面２３と金属層２４とを重ね合わせた後、さらに加熱したロール（本明細書中において「熱ロール」ともいう。）等を用いて加熱圧着することが好ましい。加熱圧着する際の線荷重は１〜１９ｋＮ／ｍが好ましく、５〜１８ｋＮ／ｍがより好ましい。加熱圧着の温度としては、５０〜２００℃が好ましく、５０〜１５０℃がより好ましく、７０〜１３０℃が特に好ましい。
【００７９】
また、工程Ａ２では、貼り合わせ直後の「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」を、引き続き、加熱されたロールに接触させたりまたは加熱炉を通したりすることで、アニール処理を行ってもよい。このようなアニール処理は、樹脂の融点以上の温度であればよいが、例えば１００〜２５０℃が好ましく、１１０〜２３０℃がより好ましい。加熱する時間は、特に限定されないが、好ましくは５〜６００秒間、より好ましくは１０〜３００秒間である。熱ロールを用いて、例えば５〜６００秒程度の短時間でアニール処理することにより、膜厚均一性の高いＢステージ樹脂層を作製することができ、また、剥離層の変質を抑制することにより、製造工程において良好に剥離層を剥離することができる。なお、上述した『貼り合わせ直後の「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」を、引き続き、』処理するとは、積層体の貼り合わせを行う製造ラインにおいて、貼り合わせを行った積層体を製造ラインから取り出すことなく、貼り合わせ処理後に引き続いてインラインで処理する工程である。
【００８０】
（工程Ａ３）
図３（Ｃ）に示すように、工程Ａ２で作製した「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から剥離層２０を剥離し、必要に応じて露出した樹脂層面２１と金属箔２６とを貼り合わせる。「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から、剥離層２０を剥離し、露出したＢステージ樹脂層面２１と金属層２６とを貼り合わせる場合、露出した樹脂層面２１と金属層２６とを重ね合わせ、さらに熱ロール等を用いて加熱圧着することが好ましい。加熱圧着は工程Ａ２と同様の条件が好ましい。
【００８１】
「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から、剥離層２０を剥離して露出した樹脂層面２１の表面粗さＲａは、１〜１００ｎｍであることが好ましく、１０〜５０ｎｍであることがより好ましい。Ｂステージ樹脂層の表面粗さＲａが前記範囲であると、高周波回路用積層体を製造する場合、樹脂層と金属層や、樹脂層同士の密着性をより向上させることができる。
【００８２】
（工程Ａ４）
図３（Ｄ）に示すように、Ｂステージ樹脂層２２を硬化させてＣステージ樹脂層２８とすることにより、高周波回路用積層体２００が得られる。Ｂステージ樹脂層１２を硬化させるために、工程Ａ３で得られた積層体をオーブン等の公知の加熱手段を用いて５０〜２００℃に加熱することが好ましく、１００〜２００℃に加熱することがより好ましい。加熱する際、例えば５０〜１００℃と１００〜２００℃等の二段階に加熱してもよい。また、加熱時間は５時間未満が好ましく、３時間未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、Ｂステージ樹脂層を硬化させた、膜厚均一性の高いＣステージ樹脂層を作製することができる。
【００８３】
＜製造例Ｂ＞
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、製造例Ｂの各工程における断面を模式的に示す図である。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）を参照しながら、製造例Ｂについて説明する。
【００８４】
（工程Ｂ１）
図４（Ａ）に示すように、金属層３０へ樹脂層用組成物を塗工してＢステージ樹脂層３２を形成し、「金属層／Ｂステージ樹脂層積層体」を作製する。樹脂層用組成物の塗工方法は、公知の塗工方法を使用することができるが、例えばバーコーターを用いて膜厚を調整して塗工することが好ましい。
【００８５】
このように金属層３０へ樹脂層用組成物を塗工した後、オーブン等公知の加熱手段を用いて半硬化状態のＢステージ樹脂層３２を形成することが好ましい。加熱温度としては、５０〜１５０℃であることが好ましく、７０〜１３０℃であることがより好ましい。加熱する際、例えば５０〜１００℃と１００〜１５０℃等の二段階に加熱してもよい。また、加熱時間の合計は３０分未満が好ましく、２０分未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、膜厚均一性の高いＢステージ樹脂層３２を作製することができる。
【００８６】
（工程Ｂ２）
図４（Ｂ）に示すように、工程Ｂ１で作製した「金属層／Ｂステージ樹脂層積層体」の露出した樹脂層面３３に金属層３４を貼り合わせて、「金属層／Ｂステージ樹脂層／金属層積層体」を作製する。露出した樹脂層面３３に金属層３４を貼り合わせる場合、露出した樹脂層面３３と金属層３４とを重ね合わせた後、さらに熱ロール等を用いて加熱圧着することが好ましい。また、加熱圧着は、上記工程Ａ２と同様の条件が好ましい。
【００８７】
また、工程Ｂ２では、貼り合わせ直後の「金属層／Ｂステージ樹脂層／金属層」を、引き続き、加熱されたロールに接触させたりまたは加熱炉を通したりすることで、アニール処理を行ってもよい。アニール処理は、上記工程Ａ２と同様の条件が好ましい。
【００８８】
露出した樹脂層面３３の表面粗さＲａは、１〜１００ｎｍであることが好ましく、１０〜５０ｎｍであることがより好ましい。Ｂステージ樹脂層の表面粗さＲａが前記範囲であると、高周波回路用積層体を製造する場合、樹脂層と金属層の密着性をより向上させることができる。また、樹脂層面３３と貼り合わせる金属層３４の表面粗さＲａは、１０〜３００ｎｍであることが好ましく、３０〜２００ｎｍであることがより好ましく、３０〜１００ｎｍであることが特に好ましい。
【００８９】
（工程Ｂ３）
図４（Ｃ）に示すように、Ｂステージ樹脂層３２を硬化させてＣステージ樹脂層３６とすることにより、高周波回路用積層体３００が得られる。工程Ｂ３では、工程Ｂ２で作製した「金属層／Ｂステージ樹脂層／金属層積層体」をオーブン等公知の加熱手段を用いて
５０〜２００℃に加熱することが好ましく、１００〜２００℃に加熱することがより好ましい。加熱する際、例えば５０〜１００℃と１００〜２００℃等の二段階に加熱してもよい。また、加熱時間は５時間未満が好ましく、３時間未満がより好ましい。前記範囲の温度と時間の条件で加熱することにより、Ｂステージ樹脂層３２を硬化させた、膜厚均一性の高いＣステージ樹脂層３６を作製することができる。
【００９０】
このようにして得られた高周波回路用積層体を用いてＦＰＣ等の回路基板を製造することができる。このような回路基板は、上述の高周波回路用積層体を積層構造の少なくとも一部とすることにより、高周波で駆動しても伝送損失を低減することができる。このような回路基板は、上述の高周波回路用積層体を積層構造の一部として備えていればよく、公知の方法により製造することができ、例えば国際公開第２０１２／０１４３３９号、特開２００９−２３１７７０号公報等に記載されている製造プロセスを適用して製造することができる。
【００９１】
具体的には、上述の高周波回路用積層体を積層したり、上述の高周波回路用積層体の金属層をエッチングによりパターニングしたり、穴を穿ったり、必要な大きさに切断する等により、回路基板を製造することができる。
【００９２】
このような回路基板は、接着層を介在しないために、凸部である金属配線層を被覆する樹脂層が大きな段差にならず、樹脂層表面が平滑となる。このため、回路を積層しても、高い位置決め精度を満足することができ、より多層の回路を集積することが可能となる。
【００９３】
このような回路基板は、例えば、
・工程（ａ）：回路用基板に樹脂フィルムを積層して樹脂層を形成する工程、
・工程（ｂ）：樹脂層を加熱・加圧して平坦化する工程、
・工程（ｃ）：樹脂層上に回路層をさらに形成する工程、
等を経て製造することができる。
【００９４】
工程（ａ）において回路用基板に樹脂フィルムを積層する方法は特に限定されないが、例えば、多段プレス、真空プレス、常圧ラミネーター、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いて積層する方法等が挙げられ、真空下で加熱加圧するラミネーターを用いる方法が好ましい。これにより、回路用基板が表面に微細配線回路を有していてもボイドがなく回路間を樹脂で埋め込むことができる。ラミネート条件は特に限定されないが、圧着温度が７０〜１３０℃、圧着圧力が１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２であって、減圧又は真空下で積層するのが好ましい。ラミネートは、バッチ式であってもよく、また、ロールでの連続式であってもよい。
【００９５】
回路用基板としては、特に限定されず、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板、フッ素樹脂基板等を使用することができる。回路用基板の樹脂フィルムが積層される面の回路表面は予め粗化処理されていてもよい。また、回路用基板の回路層数は限定されない。例えば、ミリ波レーダー用印刷配線板を作製する場合、その設計に応じて２層〜２０層等と自由に選択することができる。
【００９６】
工程（ｂ）では、工程（ａ）で積層した樹脂フィルムと回路用基板を加熱加圧し、平坦化する。条件は特に限定されないが、温度１００℃〜２５０℃、圧力０．２〜１０ＭＰａ、時間３０〜１２０分間の範囲が好ましく、１５０℃〜２２０℃がより好ましい。
【００９７】
工程（ｃ）では、樹脂フィルムと回路用基板を加熱加圧して作製した樹脂層上にさらに回路層を形成する。このように樹脂層上に作製される回路層の形成方法は特に限定されず
、例えば、サブトラクティブ法等のエッチング法、セミアディティブ法等によって形成してもよい。
【００９８】
サブトラクティブ法は、金属層の上に、所望のパターン形状に対応した形状のエッチングレジスト層を形成し、その後の現像処理によって、レジストの除去された部分の金属層を薬液で溶解し除去することによって、所望の回路を形成する方法である。
【００９９】
セミアディティブ法は、無電解めっき法により樹脂層の表面に金属被膜を形成し、金属被膜上に所望のパターンに対応した形状のめっきレジスト層を形成し、次いで、電解めっき法によって金属層を形成した後、不要な無電解めっき層を薬液等で除去し、所望の回路層を形成する方法である。
【０１００】
また、樹脂層には、必要に応じてビアホール等のホールを形成してもよい。ホールの形成方法は限定されないが、ＮＣドリル、炭酸ガスレーザー、ＵＶレーザー、ＹＡＧレーザー、プラズマ等を適用できる。
【０１０１】
２．実施例
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例、比較例中の「部」および「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【０１０２】
２．１．重合体の合成
＜合成例１＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６−ジクロロピリミジン（Ｐｙｍ）（８．９ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．１ｇ、８１．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（６４ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３６８ｇ）を加えて、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、真空乾燥機を用いて減圧下１２０℃で１２時間乾燥し、下記式（Ｐ−１）で表される構造単位を有する重合体Ｐ−１を得た（収量；２０．５ｇ、収率；９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３２，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２０６℃）。
【０１０３】
【化３】
2019054242.tif 000005
【０１０４】
なお、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、動的粘弾性測定装置（セイコーインスツル社製、「ＤＭＳ７１００」）を用いて、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分で測定し、損失正接が極大となる温度とした。損失正接は、貯蔵弾性率を損失弾性率で割った値とした。
【０１０５】
また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ装置（東ソー社の「ＨＬＣ−８３２０型」）
を使用し、下記条件で測定した。
カラム：東ソー社の「ＴＳＫｇｅｌ  α―Ｍ」と、東ソー社の「ＴＳＫｇｅｌ  ｇｕａｒｄｃоｌｕｍｎ  α」とを連結したもの
展開溶媒：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
カラム温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料濃度：０．７５質量％
試料注入量：５０μＬ
検出器：示差屈折計
標準物質：単分散ポリスチレン
【０１０６】
＜合成例２＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１０．７ｇ、３４．５ｍｍｏｌ）、３，６−ジクロロピリダジン（Ｐｙｄ）（５．１ｇ、３４．２ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（６．５ｇ、４７．０ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３６ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１４５℃で９時間反応させた。反応終了後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（１５０ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（３ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ−２）で表される構造単位を有する重合体Ｐ−２を得た（収量７．６ｇ、収率４８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；３０，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２３２℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【０１０７】
【化４】
2019054242.tif 000006
【０１０８】
＜合成例３＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１８．６ｇ、６０．０ｍｍｏｌ）、４，６−ジクロロ−２−フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ−３）で表される構造単位を有する重合体Ｐ−３を得た（収量２０．５ｇ、収率９０％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１８７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２２３℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【０１０９】
【化５】
2019054242.tif 000007
【０１１０】
＜合成例４＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−プロパン（ＢｉｓＡ）（２．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ノナン（ＢｉｓＰ−ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６−ジクロロ−２−フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ−４）で表される構造単位を有する重合体Ｐ−４を得た（収量２３．５ｇ、収率８７％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１６５，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９６℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【０１１１】
【化６】
2019054242.tif 000008
【０１１２】
＜合成例５＞
攪拌装置を備えた四つ口セパラブルフラスコに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（ＢｉｓＴＭＣ）（１２．４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、４，４’−（１，３−ジメチルブチリデン）ビスフェノール（ＢｉｓＰ−ＭＩＢＫ）（２．７ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ノナン（ＢｉｓＰ−ＤＥＤ）（３．３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、４，６−ジクロロ−２−フェニルピリミジン（ＰｈＰｙｍ）（１３．７ｇ、６１．１ｍｍｏｌ）、及び炭酸カリウム（１１．４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）を量り入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（７５ｇ）を加え、窒素雰囲気下、１３０℃で６時間反応させた。反応終了後、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（３６８ｇ）を加えて希釈し、濾過により塩を除去した後、この溶液をメタノール（９．１ｋｇ）に投入した。析出した固体を濾別し、少量のメタノールで洗浄し、再度濾別して回収した後、合成例１と同じ条件で乾燥し、下記式（Ｐ−５）で表される構造単位を有する重合体Ｐ−５を得た（収量２３．８ｇ、収率８８％、重量平均分子量（Ｍｗ）；１５７，０００、ガラス転移温度（Ｔｇ）；１９０℃）。なお、重量平均分子量及びガラス転移温度は合成例１と同様に測定した。
【０１１３】
【化７】
2019054242.tif 000009
【０１１４】
２．２．実施例１
２．２．１．Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体の作製
重合体Ｐ−１を５０部、硬化性化合物として２，２’−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業社製）を５０部、硬化助剤として１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（三菱化学社製、製品名「ＢＭＩ  １２」）を５部、及びシクロペンタノンを１６０部混合し、樹脂層用組成物を調製した。
【０１１５】
剥離層として、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（帝人フィルムソリューション社製、テイジンテトロンフィルムＧ２）上に、硬化後の膜厚が２５μｍとなるように上記で調製した樹脂層用組成物をバーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて７０℃で１０分加熱した後、さらに１３０℃で１０分加熱して、ＰＥＴフィルム上にＢステージ樹脂層が積層された「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」を得た。
【０１１６】
＜表面粗さＲａ＞
上記で得られた「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」の樹脂層の表面を、白色干渉顕微装置（ＺＹＧＯ社製  Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２）を用いて測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して１０μｍ×１０μｍの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さＲａとした。その結果を表１に示す。
【０１１７】
＜樹脂層の５０℃〜２００℃の弾性率測定＞
上記で得られた「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離し、試験片（幅３ｍｍ×長さ２ｃｍ）を切り出し、ＤＭＳ試験器（セイコーインスツル社製）にて、１Ｈｚ、１０℃／分の測定条件で、５０℃以上８０℃未満の温度範囲での弾性率（ＭＰａ）の最大値及び８０℃以上２００℃以下の温度範囲での弾性率（ＭＰａ）の最小値を測定した。その結果を表１に示す。
【０１１８】
２．２．２．金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体の作製
上記で得られた「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」の露出した樹脂層上に、厚さ１８μｍの銅箔（三井金属社製、型番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、表面粗さ１１０ｎｍ）を重ね合わせ、さらに１５０℃の熱ロールで線荷重１０ｋＮ／ｍの条件でプレスし、銅箔／Ｂステージ樹脂層／ＰＥＴフィルムの積層構造を有する「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」を作製した。なお、銅箔の表面粗さＲａは、白色干渉顕微装置（ＺＹＧＯ社製  Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２）を用いて測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して１０μｍ×１０μｍの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さＲａとした。その結果を表１に示す。
【０１１９】
＜剥離層剥離後の表面粗さＲａ＞
上記で得られた「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離し、露出した樹脂層の表面を、白色干渉顕微装置（ＺＹＧＯ社製  Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２）を用いて測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して１０μｍ×１０μｍの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さＲａとした。その結果
を表１に示す。
【０１２０】
２．２．３．高周波回路用積層体の作製及び評価
上記で得られた「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離し、露出した樹脂層面と厚さ１８μｍの銅箔（三井金属社製、型番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、表面粗さ１１０ｎｍ）とを重ね合わせて載置し、１５０℃の熱ロールで線荷重１０ｋＮ／ｍの条件でプレスし、その後オーブンを用いて２５０℃で３時間加熱して、Ｃステージ樹脂層の両面に銅箔が積層された「銅箔（膜厚１８μｍ）／Ｃステージ樹脂層（膜厚２５μｍ）／銅箔（膜厚１８μｍ）」の積層構造を有する高周波回路用積層体を作製した。なお、銅箔（金属層）の表面粗さＲａは、白色干渉顕微装置（ＺＹＧＯ社製
Ｎｅｗ  Ｖｉｅｗ  ５０３２）を用いて測定し、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−２００１に準拠して１０μｍ×１０μｍの範囲について算出した「算術平均粗さ」を表面粗さＲａとした。その結果を表１に示す。
【０１２１】
＜引張強度及び引張伸び＞
作製した高周波回路用積層体にエッチング処理して銅箔を除去し、評価用樹脂フィルムを作成した。作成した樹脂フィルムからＪＩＳ  Ｋ  ７１６１  ７号ダンベル形試験片を切り出し、島津製作所社製「Ｅｚ−ＬＸ」を用い、５ｍｍ／分で引っ張り、破断した際の応力を引張強度、伸びを引張伸びとして測定した。結果を表１に示す。
【０１２２】
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
作製した高周波回路用積層体にエッチング処理して銅箔を除去し、評価用樹脂フィルムを作成した。作成した樹脂フィルムから試験片（幅３ｍｍ×長さ１ｃｍ）を切り出し、ＤＭＳ試験器（セイコーインスツル社製、型番「ＥＸＳＴＡＲ４０００」）にてガラス転移温度（Ｔｇ）を測定した。結果を表１に示す。
【０１２３】
＜弾性率＞
作製した高周波回路用積層体にエッチング処理して銅箔を除去し、評価用樹脂フィルムを作成した。作成した樹脂フィルムからＪＩＳ  Ｋ  ７１６１  ７号ダンベルを切り出し、島津製作所社製「Ｅｚ−ＬＸ」を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１に準じて５ｍｍ／分で引張試験を行い、引張弾性率を測定した。結果を表１に示す。
【０１２４】
＜電気特性（比誘電率、誘電正接）＞
作製した高周波回路用積層体にエッチング処理して銅箔を除去し、評価用樹脂フィルムを作成した。作成した樹脂フィルムから試験片（幅２．６ｍｍ×長さ８０ｍｍ）を切り出し、空洞共振器摂動法誘電率測定装置（アジレントテクノロジー社製、型番「ＰＮＡ−ＬネットワークアナライザーＮ５２３０Ａ」、関東電子応用開発社製、型番「空洞共振器１０ＧＨｚ用ＣＰ５３１）を用いて１０ＧＨｚにおける比誘電率及び誘電正接の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１２５】
＜剥離強度＞
作製した高周波回路用積層体から試験片（幅１ｃｍ×長さ１０ｃｍ）を切り出し、インストロン社製「Ｉｎｓｔｒｏｎ５５６７」を用い、５００ｍｍ／分の条件で９０度方向に引っ張り、「ＩＰＣ−ＴＭ−６５０  ２．４．９」に準拠して剥離強度を測定した。結果を表１に示す。
【０１２６】
２．２．４．回路基板の作製及び評価
上記で作製した高周波回路用積層体の片面を、感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが１５０μｍで線幅がそれぞれ４０、４５、５０、５５、６０μｍ、及びピッチが７５０μｍで線幅がそれぞれ２００、２２０、２４０、２６０、２８０μ
ｍの銅配線パターンを作製した。次いで、作製した銅配線パターンの表面に、上記で作製した「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」をＢステージ樹脂層側がパターニングした高周波回路用積層体の銅配線に接するように載置した後、その上に鏡板を乗せ、１２０℃／３．０ＭＰａ／５分のプレス条件で加熱加圧成形後、剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離して２５０℃で３時間加熱して、回路基板を作製した。
【０１２７】
＜段差評価＞
上記で作製した回路基板の断面形状を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、配線部の樹脂層の厚さＡ（μｍ）及び非配線部の樹脂層の厚さＢ（μｍ）を測定した。結果を表１に示す。（Ａ−Ｂ）／Ｂが０．１以下の場合は平坦性が良好と判断でき、０．１超の場合には平坦性が不良と判断した。
【０１２８】
＜伝送損失評価＞
上記で作製した回路基板について、測定プローブ（カスケードマイクロテック社製、シングル（ＡＣＰ４０ＧＳＧ２５０）、ベクトル型ネットワークアナライザー（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｅ８３６３Ｂ）を用いて２５℃における周波数２０ＧＨｚの伝送損失を測定した。伝送損失が−５ｄＢ／１００ｍｍ以上の場合、良好と判断した。
【０１２９】
＜基板段差評価＞
上記で作製した高周波回路用積層体の両面を、銅箔の厚みが９μｍになるように両面エッチングを行い、さらに感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが１００μｍで線幅が５０μｍの銅配線パターンを作製した。
次に、上記で作製した「金属層／Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から、剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離し、剥離して露出した樹脂層と、作製した銅配線パターンが接するように両面に配置し、さらに鏡板で挟み込み、１２０℃／１．１ＭＰａ／２分のプレス条件で加熱加圧し、さらに２５０℃で３時間加熱した。
その後、感光性ドライフィルムを用いて銅箔をパターニングし、ピッチが１００μｍで線幅が５０μｍの銅配線パターンを両面に作製した。
最後に、上記で作製した「Ｂステージ樹脂層／剥離層積層体」から、剥離層（ＰＥＴフィルム）を剥離し、剥離面の樹脂層と、作製した銅配線パターンが接するように両面に配置し、さらに鏡板で挟み込み、１２０℃／１．１ＭＰａ／２分のプレス条件で加熱加圧成形後、さらに２５０℃で３時間加熱し、４層の銅配線を有する評価用基板を作製した。
【０１３０】
作製した評価用基板の断面形状を、走査型電子顕微鏡を用いて観察し、凹部と凸部の差が５％以下の場合、実用可能であり良好と判断、５％超の場合、実用不可でありと不良と判断した。結果を表１に示す。
【０１３１】
２．３．実施例２〜６、比較例１〜３
樹脂層用組成物を表１の組成に変更し、金属膜の種類や各種膜厚、積層条件を表１のように変更した以外は実施例１と同様の方法で回路基板を作製し評価した。結果を表１に示す。
【０１３２】
２．４．実施例７
厚さ１８μｍの銅箔（三井金属社製、型番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、表面粗さ１１０ｎｍ）上に、硬化後の膜厚が２５μｍとなるように、実施例１で作製した樹脂層用組成物をバーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて７０℃で１０分間加熱した後、さらに１３０℃で１０分間加熱して、銅箔／Ｂステージ樹脂層の積層構造を有する「金属層／Ｂステージ樹脂層積層体」を作製した。
【０１３３】
作製した「金属層／Ｂステージ樹脂層積層体」の露出した樹脂層面へ、厚さ１８μｍの銅箔（三井金属社製、型番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、表面粗さ１１０ｎｍ）を重ね合わせ、１５０℃の熱ロールを用いて線荷重１０ｋＮ／ｍの条件でプレスし、その後、オーブンを用いて２５０℃で３時間加熱し、Ｃステージ樹脂層の両面に銅箔が積層された、銅箔（膜厚１８μｍ）／Ｃステージ樹脂層（膜厚２５μｍ）／銅箔（膜厚１８μｍ）の積層構造を有する高周波回路用積層体を作製した。このようにして作製された高周波回路用積層体を用いて、実施例１と同様の方法で回路基板を作製し評価した。結果を表１に示す。
【０１３４】
２．５．比較例４
表１の組成となるように樹脂層用組成物を実施例１と同様に作製し、厚さ１８μｍの銅箔（三井金属社製、型番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」、表面粗さ１１０ｎｍ）上に、硬化後の膜厚が２５μｍとなるように、樹脂層用組成物をバーコーターを用いて塗工し、オーブンを用いて７０℃で１０分間加熱した後、１３０℃で１０分間加熱し、さらに２５０℃で３時間加熱した。
【０１３５】
その後、露出した樹脂層表面に銅スパッタを行い、樹脂層の両面に銅層が積層された、銅箔（膜厚１８μｍ）／樹脂層（２５μｍ）／銅層（１μｍ）の積層構造を有する高周波回路用積層体を作製した。このようにして作製された高周波回路用積層体を用いて、実施例１と同様の方法で回路基板を作製し評価した。結果を表１に示す。
【０１３６】
２．６．評価結果
表１に、各実施例及び各比較例で使用した樹脂層用組成物の組成、高周波回路用積層体及び回路基板の評価結果を示す。
【０１３７】
【表１】
2019054242.tif 000010
【０１３８】
上表１中、下記の略称等について補足する。
＜重合体＞
・Ｐ−６：Ｓａｂｉｃ社製、型番「ＰＰＯレジンパウダー」、ガラス転移温度（Ｔｇ）；２１５℃
＜硬化性化合物＞
・化合物Ａ：２，２’−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン（東京化成工業社製）
・化合物Ｂ：ＳＲ−１６Ｈ（坂本薬品工業社製、エポキシ当量；１６０ｇ／ｅｑ）
・化合物Ｃ：ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、エポキシ当量；１４１ｍｅｑ／ｇ）
＜硬化助剤＞
・硬化助剤Ａ：１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（三菱化学社製、製品名「ＢＭＩ
１２」）
・硬化助剤Ｂ：２−エチルオクチル酸亜鉛（和光純薬工業社製）
＜溶媒＞
・溶媒Ａ：シクロペンタノン（東京化成工業社製）
・溶媒Ｂ：塩化メチレン（東京化成工業社製）
＜金属層種類＞
・電解銅箔Ａ：三井金属株式会社製、品番「ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ」
・電解銅箔Ｂ：三井金属株式会社製、品番「３ＥＣ−Ｍ３Ｓ−ＨＴＥ」
・圧延銅箔Ａ：ＪＸ金属株式会社製、品番「ＧＨＹ５−ＨＡ」
【０１３９】
表１の結果より、実施例１〜７で得られた回路基板は、高周波回路における電気信号の伝送損失が低減され、平滑性に優れていることがわかった。
【符号の説明】
【０１４０】
１０…基板、１２…樹脂層、１４…金属層、１６…配線部、２０…剥離層、２１…樹脂層面（露出面）、２２…Ｂステージ樹脂層、２３…樹脂層面（露出面）、２４…金属層、２６…金属層、２８…Ｃステージ樹脂層、３０…金属層、３２…Ｂステージ樹脂層、３３…樹脂層面（露出面）、３４…金属層、３６…Ｃステージ樹脂層、１００…回路基板、２００…高周波回路用積層体、３００…高周波回路用積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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