(57)【要約】【課題】小型化しやすく、揮発性不純物を含む加湿空気中の可燃性ガスを充分に分離検知することが可能なガスセンサ群を提供する。【解決手段】ガスセンサ群は、可燃性ガスの検知に用いられる。ガスセンサ群は、複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子を有する。ガスセンサ群は、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種と、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種が同一の基板上に配置されているガスセンサを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
可燃性ガスの検知に用いられるガスセンサ群であって、
複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子を有し、
前記ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種と、前記ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種が同一の基板上に配置されているガスセンサを含むことを特徴とするガスセンサ群。
【請求項２】
前記ガスセンサは、前記基板を直接加熱することが可能なヒータを有することを特徴とする請求項１に記載のガスセンサ群。
【請求項３】
前記ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、ｎ型半導体の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のガスセンサ群。
【請求項４】
前記ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、ｐ型半導体の金属酸化物粒子を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガスセンサ群。
【請求項５】
前記ｐ型半導体の金属酸化物は、ランタン鉄酸化物であることを特徴とする請求項４に記載のガスセンサ群。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のガスセンサ群を用いて、可燃性ガスを分析する方法であって、
前記複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子が１種以上の可燃性ガスを検知して応答した応答値を得る工程を含むことを特徴とする可燃性ガスの分析方法。
【請求項７】
前記複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の応答値を主成分分析する工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の可燃性ガスの分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスセンサ群及び可燃性ガスの分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
生活環境には、様々なニオイ成分が存在する。これらのニオイ成分の殆どは、極微量の有機分子であり、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）と呼ばれる。ＶＯＣには、様々な性質を有する化合物が存在する。室内には、建材、内装、家具等からの放散、居住者による化粧品、芳香剤等の使用等により、合計で数十から百数十ｐｐｂに相当する様々な低濃度のＶＯＣが存在する。このため、特定のＶＯＣを検知する生活環境には、通常、一定濃度の水蒸気と、低濃度の揮発性不純物が存在する。
【０００３】
例えば、医療分野において、呼気中に含まれるＶＯＣは、口臭、代謝、疾患との関連性が指摘されており、呼気中のＶＯＣと、健康状態に相関があるとされている。また、食品分野において、食品から発するニオイに相当するＶＯＣと、鮮度や品質に相関があるとされている。このため、特定のＶＯＣのモニタリングは、健康状態や食品の管理に有効である。ただし、特定のＶＯＣは、室内で検知されることになり、室内には、揮発性不純物が存在するため、揮発性不純物に影響されずに、特定のＶＯＣを検知する必要がある。
【０００４】
その一方、ＶＯＣに代表される可燃性ガスを検知するため、金属酸化物ｎ型半導体による半導体式ガスセンサが従来から利用されている。半導体式センサは、価格やランニングコストが低い。代表的な半導体式ガスセンサは、酸化スズセンサであり、感応部を構成する酸化スズ粒子の表面に大気中の酸素が吸着し、キャリア電子が吸着酸素に補足されることで、粒界のポテンシャル障壁が増大し、粒界の電気抵抗が増大する。このため、酸化スズ粒子の表面に可燃性ガスが到達し、表面の吸着酸素を消費することで、粒界のポテンシャル障壁が減少し、電気抵抗が減少する。ここで、酸化スズセンサは、所謂、粒界応答型半導体式ガスセンサに分類される。
【０００５】
しかしながら、粒界応答型半導体式ガスセンサは、その性質上、ガス選択性を発現するのが難しい。
【０００６】
このような状況で、揮発性不純物を含む室内で、特定の可燃性ガスを検知することが可能なガスセンサ群を開発することが望まれている。
【０００７】
そこで、半導体式ガスセンサを代表とするガスセンサを複数有するガスセンサ群から得られるシグナルの主成分分析等の統計解析を実施する方法が検討されている。
【０００８】
個々のガスセンサで、特定の可燃性ガスのみを検知するのは、その性質上、難しいが、複数のガスセンサから得られるシグナルの統計解析を実施すると、一定の傾向が得られる（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００９】
しかしながら、揮発性不純物を含む加湿空気中の可燃性ガスを充分に分離検知することができない。
【００１０】
特許文献４には、複数種の粒界応答型の半導体式ガスセンサと、１種以上のバルク応答型の半導体式ガスセンサを有するガスセンサ群が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−１７０４２２号公報
【特許文献２】特開２００６−５３０５９号公報
【特許文献３】特開２００４−１２１９３号公報
【特許文献４】特開２０１７−１５０９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
一般に、ガスセンサ群を小型化することが望まれている。ここで、ガスセンサ群を小型化するためには、ガスセンサ群を構成する複数のガスセンサを同一の基板上に配置することが考えられるが、このためには、複数のガスセンサの駆動温度が近いことが好ましい。
【００１３】
しかしながら、バルク応答型の半導体式ガスセンサは、一般に、粒界応答型の半導体式ガスセンサよりも駆動温度が高いため、ガスセンサ群を小型化しにくい。
【００１４】
本発明の一態様は、小型化しやすく、揮発性不純物を含む加湿空気中の可燃性ガスを充分に分離検知することが可能なガスセンサ群を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一態様は、可燃性ガスの検知に用いられるガスセンサ群であって、複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子を有し、前記ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種と、前記ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種が同一の基板上に配置されているガスセンサを含む。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様により、小型化しやすく、揮発性不純物を含む加湿空気中の可燃性ガスを充分に分離検知することが可能なガスセンサ群を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例で使用したガスセンサ用の基板を示す上面図である。
【図２】実施例で使用したガスセンサ用の基板を示す下面図である。
【図３】実施例で使用した計測システムのガスフロー図である。
【図４】実施例１の第１主成分及び第２主成分による主成分得点と固有ベクトルを示す図である。
【図５】比較例１の第１主成分及び第２主成分による主成分得点と固有ベクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
次に、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１９】
［ガスセンサ群］
本実施形態のガスセンサ群は、可燃性ガスの検知に用いられ、複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子を有する。本実施形態のガスセンサ群は、検知原理の異なる粒界応答型の半導体式ガスセンサ素子を用いることで、後述する主成分分析の精度を向上させることができる。また、本実施形態のガスセンサ群は、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の駆動温度の差が小さく、同一の基板上に配置することができる。
【００２０】
本願明細書及び特許請求の範囲において、可燃性ガスを、気体として存在し得る物質であり、半導体式ガスセンサ素子で検知することが可能なガスと定義する。即ち、可燃性ガスは、後述する半導体式ガスセンサ素子を構成する金属酸化物（粒子）の表面で酸化することが可能な物質である。
【００２１】
可燃性ガスとしては、ＶＯＣ等の有機化合物、硫化水素、水素、一酸化炭素等の無機化合物が挙げられる。
【００２２】
ＶＯＣとしては、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール、アルデヒド、ケトン、テルペン、ハロゲン化炭化水素等が挙げられる。中でも、ノナナール、デカン、アセトン、アセトイン等の患者の呼気に含まれる成分が好ましい。アセトイン、ノナナール、デカンは肺がん患者の呼気に、アセトンは糖尿病患者の呼気に相関があると報告されている。以下に報告例を示す：アセトイン（G. Songa, et al., Lung Cancer 67 (2010) 227-231）、ノナナール（P. Fuchs et al., Int. J. Cancer 126 (2010) 2663-2670.）、デカン（D. Poli et al., Respiratory Research 6 (2005) 71-80.）、アセトン（C. Wang, et al., IEEE Sens. J. 10 (2010) 54-63.）
本実施形態において、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、ｎ型半導体の金属酸化物粒子で感応部が構成されている。金属酸化物粒子の表面に、大気中の酸素が吸着してキャリア電子を補足することで、金属酸化物粒子の粒界の自由電子濃度が減少し、電気抵抗が増大した状態になる。金属酸化物粒子の表面に可燃性ガスが到達して酸化すると、その過程で表面の吸着酸素を消費するため、粒界の自由電子濃度が増大し、電気抵抗が減少した状態になる。電気抵抗の減少量は、到達する可燃性ガスの種類や濃度に依存する。このため、金属酸化物粒子の表面は、酸素だけでなく水分子も吸着する。大気中の湿度が変化すると、金属酸化物粒子の表面に吸着する水分子の量が変化し、金属酸化物粒子の表面に吸着する酸素分子の量に影響を与える。その結果、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、湿度の変化の影響を受けやすい。
【００２３】
本実施形態において、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、ｐ型半導体の金属酸化物粒子で感応部が構成されている。金属酸化物粒子の表面に、大気中の酸素が吸着してキャリア電子を補足することで、金属酸化物粒子の粒界の正孔濃度が増大し、電気抵抗が減少した状態になる。金属酸化物粒子の表面に可燃性ガスが到達して酸化すると、その過程で表面の吸着酸素を消費するため、粒界の正孔濃度が減少し、電気抵抗が増大した状態になる。電気抵抗の減少量は、到達する可燃性ガスの種類や濃度に依存する。金属酸化物粒子の表面における酸素のやりとりが電気抵抗に影響を与えることは、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と類似するが、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、水分子よりも酸素分子の方が吸着されやすいので、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子は、湿度の変化の影響を受けにくい。
【００２４】
ｐ型半導体型の金属酸化物は、ランタン鉄酸化物（ＬａＦｅＯ３）であることが好ましい。これにより、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の駆動温度と、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の駆動温度の差を特に小さくすることができる。
【００２５】
なお、ｐ型半導体型の金属酸化物粒子に、貴金属触媒粒子が担持されることで、可燃性ガスに対する応答特性を制御することができる。
【００２６】
貴金属としては、特に限定されないが、白金、パラジウム、金、銀、ロジウム、ルテニウム等が挙げられ、２種以上併用してもよい。これらの中でも、白金、金、パラジウムの併用が好ましい。
【００２７】
本実施形態のガスセンサ群は、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種と、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子のうちの少なくとも１種が同一の基板上に配置されているガスセンサを含む。
【００２８】
このとき、ガスセンサは、基板を直接加熱することが可能なヒータを有することが好ましい。これにより、同一の基板上に配置されている半導体式ガスセンサ素子を駆動することができる。
【００２９】
［可燃性ガスの分析方法］
本実施形態の可燃性ガスの分析方法は、本実施形態のガスセンサ群を用いて、可燃性ガスを分析する方法であり、複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子が１種以上の可燃性ガスを検知して応答した応答値を得る工程を含む。
【００３０】
本実施形態の可燃性ガスの分析方法は、複数種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子と、１種以上のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の応答値から成るデータを主成分分析する工程をさらに含むことが好ましい。これにより、加湿空気中の１種以上の可燃性ガスを充分に分離検知することができる。
【００３１】
本実施形態の可燃性ガスの分析方法は、例えば、医療分野では、呼気を検知することにより、健康状態を管理するシステム、食品分野では、食品を管理するシステムに適用することができる。
【実施例】
【００３２】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明は、以下の実施例によって、何ら限定されるものではない。
【００３３】
［実施例１］
実施例１では、６種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子（２種のＳｎＯ２＋Ｍ（ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２））、ＺｎＯ、ＺｎＯ＋Ｍ、ＦｅＺｒＯ、ＦｅＺｒＯ＋Ｍ）と、２種のｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子（ＬａＦｅＯ３、ＬａＦｅＯ３＋Ｍ）の合計８種のガスセンサ素子を用いた。具体的には、上面に櫛型電極を４個、下面にヒータパターンを有するガスセンサ用の基板（図１、２参照）２枚に、それぞれ異なる４個の半導体式ガスセンサ素子を搭載した小型のガスセンサ２個からなるガスセンサ群を作製した。
【００３４】
以下、用いた８種のガスセンサ素子について説明する。
【００３５】
ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）は、それぞれ産業技術総合研究所で作製した、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｕが各１質量％添加されているＳｎＯ２を感応部とするガスセンサ素子である（Sens. Actuators B 187(2013)135-141参照）。ここで、様々なＶＯＣに対して、一定の感度を示すようにするため、ＳｎＯ２にＰｔ、Ｐｄ及びＡｕを添加して高度化している。ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）は、製法を調整することにより、感応部の厚さが異なる。ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）の感応部の厚さを直接測定することはできないが、同様の製法で作製したＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）の厚さは、それぞれ４．６μｍ及び２．８μｍであった。このため、ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）は、応答特性が異なる。なお、ＳｎＯ２＋Ｍ（１）、ＳｎＯ２＋Ｍ（２）は、上記文献に記載されている方法に従って作製した。
【００３６】
ＺｎＯ、ＺｎＯ＋Ｍは、それぞれ産業技術総合研究所で作製した、ＺｎＯを感応部とするガスセンサ素子、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｕが各１質量％添加されているＺｎＯを感応部とするガスセンサ素子である。ここで、ＺｎＯは、酸化セリウム粒子の製法（Sensors 2015, 15, 9427-9437参照）を参考にして、硝酸亜鉛水溶液に水酸化ナトリウム水溶液を滴下して水酸化亜鉛の沈殿物を得た後、カーボンパウダーと均一に混合し、焼成することで、作製した。ＺｎＯ＋Ｍは、ＳｎＯ２＋Ｍと同様にして、作製した。
【００３７】
ＦｅＺｎＯ、ＦｅＺｎＯ＋Ｍは、それぞれ産業技術総合研究所で作製した、Ｆｅ２Ｏ３とＺｎＯの混合物を感応部とするガスセンサ素子、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｕが各１質量％添加されている、Ｆｅ２Ｏ３とＺｎＯの混合物を感応部とするガスセンサ素子である。ここで、ＦｅＺｎＯは、酸化セリウム粒子の製法（Sensors 2015, 15, 9427-9437参照）を参考にして、硝酸鉄と硝酸ジルコニルの混合水溶液にアンモニア水を滴下して混合水酸化物の沈殿物を得た後、カーボンパウダーを均一に混合し、焼成することで、作製した。ＦｅＺｎＯ＋Ｍは、ＳｎＯ２＋Ｍと同様にして、作製した。
【００３８】
ＬａＦｅＯ３、ＬａＦｅＯ３＋Ｍは、それぞれ産業技術総合研究所で作製した、ＬａＦｅＯ３を感応部とするガスセンサ素子、Ｐｔ、Ｐｄ及びＡｕが各１質量％添加されているＬａＦｅＯ３を感応部とするガスセンサ素子である。ここで、ＬａＦｅＯ３は、酸化セリウム粒子の製法（Sensors 2015, 15, 9427-9437参照）を参考にして、硝酸鉄と硝酸ランタンの混合水溶液にアンモニア水を滴下して混合水酸化物の沈殿物を得た後、カーボンパウダーを均一に混合し、焼成することで、作製した。ＬａＦｅＯ３＋Ｍは、ＳｎＯ２＋Ｍと同様にして、作製した。ＬａＦｅＯ３、ＬａＦｅＯ３＋Ｍは、可燃性ガスの存在下で電気抵抗が増大する応答を示すことから、ｐ型半導体型の半導体式センサに分類される。
【００３９】
以上の８種のガスセンサ素子は、基板の最高温度が概ね３００℃となるように駆動させた。図２に示す基板の下面のヒータパターンは、白金の厚膜であり、図中、左から３ｍｍ程度を境に、左側のパターンは、右側の２本の太い配線よりも配線が細くなっており、電流密度が増大するため、左のパターンは発熱する。なお、右側の２本の細い配線は、４端子法で電圧を制御する配線である。図１に示す基板の上面の４個の櫛型電極は、左側の２個の櫛型電極が発熱箇所の真上になり、右側の２個の櫛型電極が発熱箇所から外れた箇所にある。これにより、駆動温度に差をつけることができ、最適温度の高いガスセンサ素子を左側に、最適温度の低いガスセンサ素子を右側に配置することで、同一の基板に最適温度の異なるガスセンサ素子を配置することができる。
【００４０】
図３に、本実施例で使用した計測システムのガスフロー図を示す。
【００４１】
２個のガスセンサは、ガス雰囲気の制御が可能なセンサ室１に入れて密閉した。
【００４２】
次に、センサ室１へ流すガスについて具体的に説明する。
【００４３】
まず、計測中のセンサ室１に流す窒素・酸素混合ガスの総流量は、常に５００ｍＬ／ｍｉｎとなるようにした。次に、計測中のセンサ室１に流す窒素と酸素の体積比は、常に４：１となるようにした。即ち、窒素の流量は、４００ｍＬ／ｍｉｎとなり、酸素の流量は１００ｍＬ／ｍｉｎとなる。このうち、窒素は、２００ｍＬ／ｍｉｎを蒸留水の入った水バブラー２に通じ、酸素は、全量の１００ｍＬ／ｍｉｎを蒸留水の入った水バブラー２に通じた。ここで、水バブラー２は、水温が常に２０℃となるように制御した。即ち、窒素２００ｍＬ／ｍｉｎ及び酸素１００ｍＬ／ｍｉｎは、水蒸気で飽和されており、乾燥状態の窒素２００ｍＬ／ｍｉｎと混合されて、センサ室１に到達するため、センサ室１に到達した時の窒素・酸素混合ガスの湿度は、２０℃換算で６０％ＲＨに相当する（以下、これを合成空気と表記する）。
【００４４】
本実施例で用いたターゲットＶＯＣは、アセトイン、ノナナール、デカン、アセトンの４種であり、センサ室１に到達した時の濃度が１ｐｐｍとなるように調整した。
【００４５】
これらのターゲットＶＯＣは、窒素ベースのガスボンベからのガス、又は、溶媒からガスを作製するガス発生器３としての、パーミエーター（ガステック社製）に窒素ガスを通じて作製した。具体的には、アセトンが前者に該当し、アセトイン、ノナナール、デカンが後者に該当する。これらのターゲットＶＯＣを流す際には、流したガスの流量に相当する分、乾燥状態の窒素の流量を減じることで、ガスの総流量５００ｍＬ／ｍｉｎ、窒素と酸素の体積比４：１を常に維持した。
【００４６】
主成分分析は、ガスセンサの応答値Ｓを用いた。なお、ｎ型半導体型の半導体式センサ素子の応答値Ｓは、式
Ｓ＝Ｒａ／Ｒｇ
（式中、Ｒａは、合成空気を流したときのガスセンサの電気抵抗であり、Ｒｇは、１ｐｐｍのターゲットＶＯＣを含む合成空気を流したときのガスセンサの電気抵抗である。）
により定義される。
【００４７】
ｎ型半導体型の半導体式センサ素子は、ターゲットＶＯＣに対して、電気抵抗が減少する応答を示すのに対し、ｐ型半導体型の半導体式センサ素子は、ターゲットＶＯＣに対して、電気抵抗が増大する応答を示す。そのため、ｐ型半導体型の半導体式センサ素子の応答値Ｓは、式
Ｓ＝Ｒｇ／Ｒａ
により定義される。
【００４８】
８種の半導体式ガスセンサ素子を用いて、４種のターゲットＶＯＣをそれぞれ２回計測した。得られた６４個の応答値Ｓを用いて主成分分析を実施した。
【００４９】
図４に、第１主成分及び第２主成分による主成分得点と固有ベクトルを示す。各軸に各主成分の寄与率を示す。
【００５０】
図４から、第２主成分までの累積寄与率が８７．８％であることがわかる。これは、半導体式ガスセンサ素子８種のうち、７．０２４種分（＝８種×０．８７８）の価値が集約されていることを示す。図４に示す通り、アセトイン、ノナナール、デカン、アセトンの間の主成分得点が分離されており、充分に分離検知できることがわかる。
【００５１】
なお、図４中の矢印が示す各半導体式ガスセンサ素子の固有ベクトル（ただし、ＺｎＯとＳｎＯ２＋Ｍ（２）の矢印は重なっている）に着目すると、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子に分類される６種の固有ベクトルは、概ね第１主成分の軸に平行方向か、やや右肩下がりの方向に平行である。これに対し、ｐ型半導体の半導体式センサ素子に分類される２種の固有ベクトルは、ｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子の固有ベクトルに対し、概ね直交する方向で第２主成分の軸に概ね平行方向を示している。このことから、第２主成分の軸方向の分解能は、概ねｐ型半導体型の半導体式センサ素子が担っており、主成分得点の分離性の向上に寄与していると考えられる。
【００５２】
［比較例１］
比較例１では、６種のｎ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子（ＳｎＯ２＋Ｍの２種、ＺｎＯ、ＺｎＯ＋Ｍ、ＦｅＺｒＯ、ＦｅＺｒＯ＋Ｍ）を用いた。なお、比較例１は、実施例１から、ｐ型半導体型の半導体式ガスセンサ素子を除去したものに相当する。
【００５３】
図５に、第１主成分及び第２主成分による主成分得点と固有ベクトルを示す。各軸に各主成分の寄与率を示す。
【００５４】
図５から、第２主成分までの累積寄与率が９４．８％であることがわかる。これは、ガスセンサ６種のうち、５．６８８種分（＝６種×０．９４８）の価値が集約されていることを示す。また、図５から、実施例１（図４参照）と比較して、アセトンの主成分得点（▽）とノナナールの主成分得点（□）が近接していることがわかる。具体的には、アセトンとノナナールの主成分得点の第２主成分が、図４では正負に分かれていたが、図５では共に負であり、値もほぼ同一である。これは、実施例１で概ね第２主成分の軸方向の分解能を担っていたｐ型半導体型の半導体式ガスセンサの情報が失われたことに由来していると考えられる。
【符号の説明】
【００５５】
１    センサ室
２    水バブラー
３    ガス発生器
４    弁
５    ニードル弁を有する流量計
６    三方弁
７    クロスオーバー四方弁
【図１】
2019152566.tif 000002
【図２】
2019152566.tif 000003
【図３】
2019152566.tif 000004
【図４】
2019152566.tif 000005
【図５】
2019152566.tif 000006