(57)【要約】【課題】  安定した点灯を実現し得る車両用前照灯を提供することを目的とする。【解決手段】  車両用前照灯１は、ハイビームとなる光を出射する第１半導体発光素子Ｌ１と、ロービームとなる光を出射する第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂの少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるＰＴＣサーミスタＲ６と、一つ以上の半導体スイッチを有し第１半導体発光素子Ｌ１の点灯と非点灯とを切り換える切換回路ＳＣと、を備え、半導体スイッチの少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６とが同一の基板上に搭載される。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイビームとなる光を出射する第１半導体発光素子と、
ロービームとなる光を出射する第２半導体発光素子と、
前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるＰＴＣサーミスタと、
一つ以上の半導体スイッチを有し前記第１半導体発光素子の点灯と非点灯とを切り換える切換回路と、
を備え、
前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記ＰＴＣサーミスタとが同一の基板上に搭載される
ことを特徴とする車両用前照灯。
【請求項２】
前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の車両用前照灯。
【請求項３】
前記第１半導体発光素子と並列に接続される第１抵抗を更に備え、
前記切換回路は前記第１半導体発光素子と前記第１抵抗との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える
ことを特徴とする請求項１または２に記載の車両用前照灯。
【請求項４】
前記第１半導体発光素子と前記第１抵抗とが同一の基板上に搭載される
ことを特徴とする請求項３に記載の車両用前照灯。
【請求項５】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが直列に接続される
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項６】
前記ＰＴＣサーミスタと直列に接続される第２抵抗を更に備える
ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項７】
ハイビームとなる光を出射する第３半導体発光素子と、
ロービームとなる光を出射する第４半導体発光素子と、
前記第３半導体発光素子及び前記第４半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置される第２のＰＴＣサーミスタと、
を更に備え、
前記切換回路は前記第３半導体発光素子の点灯と非点灯とを切り換え、
前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記第２のＰＴＣサーミスタとが同一の基板上に搭載される
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項８】
前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記第２のＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の車両用前照灯。
【請求項９】
前記半導体スイッチと前記ＰＴＣサーミスタとの間のスリットと、前記半導体スイッチと前記第２のＰＴＣサーミスタとの間のスリットとが、異なるスリットである
ことを特徴とする請求項８に記載の車両用前照灯。
【請求項１０】
前記第３半導体発光素子と並列に接続される第３抵抗を更に備え、
前記切換回路は前記第３半導体発光素子と前記第３抵抗との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える
ことを特徴とする請求項７から９の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項１１】
前記第３半導体発光素子と前記第３抵抗とが同一の基板上に搭載される
ことを特徴とする請求項１０に記載の車両用前照灯。
【請求項１２】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記切換回路とが、同一の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項１３】
前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子が、前記切換回路が搭載される基板とは別の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項１４】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが、同一の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１３に記載の車両用前照灯。
【請求項１５】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが、互いに別の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１３に記載の車両用前照灯。
【請求項１６】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子と前記切換回路とが、同一の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項７から１１の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項１７】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが、前記切換回路と別の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項７から１１の何れか１項に記載の車両用前照灯。
【請求項１８】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが同一の基板に搭載され、
前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが同一の基板に搭載され、
前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子と、前記第３半導体発光素子及び前記第４半導体発光素子とが、互いに別の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１７に記載の車両用前照灯。
【請求項１９】
前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが、全て別の基板に搭載される
ことを特徴とする請求項１７に記載の車両用前照灯。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、安定した点灯を実現し得る車両用前照灯に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車用ヘッドライトに代表される車両用前照灯として、ロービームを出射する光源とハイビームを出射する光源とを有するものが知られている。下記特許文献１には、このような車両用前照灯が記載されている。
【０００３】
この車両用前照灯では、ロービームとなる光を出射する半導体発光素子及びハイビームとなる光を出射する半導体発光素子と、これら半導体発光素子の点灯の状態を制御する点灯制御部品とが同一の基板に配置され、点灯制御部品が搭載された領域と半導体発光素子が搭載された領域とが離間している。このような構成によりそれぞれの半導体発光素子と点灯制御部品とにおいて発生した熱の影響が相互に低減され、半導体発光素子を安定して発光させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１０５３７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載のように基板のレイアウトにより熱の影響を低減する場合以外に、回路の工夫により熱の影響を抑制する方法がある。回路における熱の影響を抑制する部品として、正温度係数を有するサーミスタ（ＰＴＣサーミスタ）が知られている。ＰＴＣサーミスタを用いる場合、半導体発光素子に電流を印加する経路にＰＴＣサーミスタを配置し、点灯制御部品の発熱量が大きくなったときにＰＴＣサーミスタにより半導体発光素子に印加する電流の量を低減することが考えられる。しかし、車両用前照灯の周囲温度が極端に低い場合には、点灯制御部品が発熱する場合であっても、ＰＴＣサーミスタの抵抗が上昇しづらく、半導体発光素子に流れる電流の量の調整が不十分となり、半導体発光素子の発光が不安定になるという懸念がある。
【０００６】
そこで、本発明は、安定した点灯を実現し得る車両用前照灯を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的の達成のため、本発明の車両用前照灯は、ハイビームとなる光を出射する第１半導体発光素子と、ロービームとなる光を出射する第２半導体発光素子と、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるＰＴＣサーミスタと、一つ以上の半導体スイッチを有し前記第１半導体発光素子の点灯と非点灯とを切り換える切換回路と、を備え、前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記ＰＴＣサーミスタとが同一の基板上に搭載されることを特徴とするものである。
【０００８】
このような車両用前照灯は、ＰＴＣサーミスタの温度が上昇して抵抗が高くなることで、ＰＴＣサーミスタが配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子に流れる電流の大きさを下げことができ、当該半導体発光素子から出射する光の量を調整することができる。また、切換回路の半導体スイッチとしては、バイポーラトランジスタや電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Field Effect Transistor）等を挙げることができ、これら半導体スイッチは発熱し易い。従って、ＰＴＣサーミスタと同一の基板上に配置された半導体スイッチから生じた熱がＰＴＣサーミスタまで伝導する。このため、周囲温度が低い場合であっても、ＰＴＣサーミスタを適切に動作させることができ、ＰＴＣサーミスタが配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子を安定して発光させることができる。このため、本発明の車両用前照灯によれば安定した点灯を実現し得る。
【０００９】
また、前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されていることが好ましい。
【００１０】
上記のように半導体スイッチの少なくとも一つとＰＴＣサーミスタとが同一の基板に搭載されることで、半導体スイッチからの熱をＰＴＣサーミスタに伝導することができる。その一方、半導体スイッチからの熱がＰＴＣサーミスタに伝導しすぎない方が良い場合がある。従って、上記のように半導体スイッチの少なくとも一つとＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間にスリットが形成されることで、伝導する熱量の調整を行うことができる。
【００１１】
また、前記第１半導体発光素子と並列に接続される第１抵抗を更に備え、前記切換回路は前記第１半導体発光素子と前記第１抵抗との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換えることが好ましい。
【００１２】
このような構成により、第１半導体発光素子に電流が流されない場合には、上記第１抵抗に電流が流れる。従って、第１半導体発光素子が発光する場合と発光しない場合とで、他の回路の負荷の変化を抑制することができ、より安定した点灯を実現し得る。
【００１３】
この場合、前記第１半導体発光素子と前記第１抵抗とが同一の基板上に搭載されることが好ましい。
【００１４】
第１半導体発光素子に電流が流される場合には第１半導体発光素子が発熱し、上記のように第１半導体発光素子に電流が流されない場合には第１抵抗に電流が流れるため、第１抵抗が発熱する。従って、第１半導体発光素子と第１抵抗とが同一の基板上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とハイビーム非点灯時とで、第１半導体発光素子が搭載される基板の温度の変化を抑制することができる。このため第１半導体発光素子の発光をより安定させ得る。
【００１５】
また、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが直列に接続されることが好ましい。
【００１６】
この場合、ＰＴＣサーミスタは第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子に印加される電流の経路に配置されることになる。従って、この場合、ロービーム及びハイビーム双方の点灯を安定させ得る。
【００１７】
また、前記ＰＴＣサーミスタと直列に接続される第２抵抗を更に備えることが好ましい。
【００１８】
ＰＴＣサーミスタは、所定の温度で急激に抵抗値が上昇する場合がある。しかし、上記第２抵抗を配置することで、ＰＴＣサーミスタの抵抗値が上昇する場合であっても、第２抵抗が無い場合と比べて、ＰＴＣサーミスタと第２抵抗とを合わせた抵抗値の上昇の割合を抑えることができ、ＰＴＣサーミスタの抵抗値の変化の影響が大きくなりすぎることを抑制することができる。
【００１９】
なお、前記第２抵抗の少なくとも一部と前記ＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されていることが好ましい。
【００２０】
上記のように第２抵抗はＰＴＣサーミスタと直列に接続されるため、第２抵抗から生じた熱が配線を介してＰＴＣサーミスタに伝導し易く、更に、この熱は基板の配線以外の部位からもＰＴＣサーミスタに伝導する傾向にある。そこで、基板に形成されたスリットにより、第２抵抗からＰＴＣサーミスタに熱が伝導することを抑制することができる。
【００２１】
また、上記車両用前照灯は、ハイビームとなる光を出射する第３半導体発光素子と、ロービームとなる光を出射する第４半導体発光素子と、前記第３半導体発光素子及び前記第４半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置される第２のＰＴＣサーミスタと、を更に備え、前記切換回路は前記第３半導体発光素子の点灯と非点灯とを切り換え、前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記第２のＰＴＣサーミスタとが同一の基板上に搭載されることが好ましい。
【００２２】
このように車両用前照灯が第３半導体発光素子及び第４半導体発光素子を有することで、半導体発光素子一つ当たりの発光量を低減することができる。また、この場合であっても、第２のＰＴＣサーミスタが配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子に流れる電流の電流値を下げることができ、当該半導体発光素子から出射する光の量を調整することができる。さらに、第２のＰＴＣサーミスタと同一の基板上に配置された半導体スイッチから生じた熱が第２のＰＴＣサーミスタまで伝導し、周囲温度が低い場合であっても、第２のＰＴＣサーミスタを適切に動作させることができる。従って、第２のＰＴＣサーミスタが配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子を安定して発光させることができる。
【００２３】
この場合、前記半導体スイッチの少なくとも一つと前記第２のＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されていることが好ましい。
【００２４】
この場合、半導体スイッチの少なくとも一つから第２のＰＴＣサーミスタに伝導する熱量の調整を行うことができる。
【００２５】
また、前記半導体スイッチと前記ＰＴＣサーミスタとの間のスリットと、前記半導体スイッチと前記第２のＰＴＣサーミスタとの間のスリットとが、異なるスリットであることが好ましい。
【００２６】
この場合、それぞれのスリットにより、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるＰＴＣサーミスタに半導体スイッチから伝導する熱量と、第３半導体発光素子及び第４半導体発光素子の少なくとも一方に印加される電流の経路に配置される第２のＰＴＣサーミスタに半導体スイッチから伝導する熱量とを、個別に調整することができる。
【００２７】
また、前記第３半導体発光素子と並列に接続される第３抵抗を更に備え、前記切換回路は前記第３半導体発光素子と前記第３抵抗との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換えることが好ましい。
【００２８】
この場合、第３半導体発光素子に電流が流されない場合には、上記第３抵抗に電流が流れる。従って、第３半導体発光素子が発光する場合と発光しない場合とで、他の回路の負荷の変化を抑制することができ、より安定した点灯を実現し得る。
【００２９】
この場合、前記第３半導体発光素子と前記第３抵抗とが同一の基板上に搭載されることが好ましい。
【００３０】
第３半導体発光素子に電流が流される場合には第３半導体発光素子が発熱し、上記のように第３半導体発光素子に電流が流されない場合には第３抵抗に電流が流れるため、第３抵抗が発熱する。従って、第３半導体発光素子と第３抵抗とが同一の基板上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とハイビーム非点灯時とで、第３半導体発光素子が搭載される基板の温度の変化を抑制することができる。このため第３半導体発光素子の発光をより安定させ得る。
【００３１】
また、前記第２のＰＴＣサーミスタと直列に接続される第４抵抗を更に備えることが好ましい。
【００３２】
このような第４抵抗が配置されることで、第２のＰＴＣサーミスタの抵抗値が上昇する場合であっても、第４抵抗が無い場合と比べて、第２のＰＴＣサーミスタと第４抵抗とを合わせた抵抗値の上昇の割合を抑えることができ、第２のＰＴＣサーミスタの抵抗値の変化の影響が大きくなりすぎることを抑制することができる。
【００３３】
なお、前記第４抵抗の少なくとも一部と前記第２のＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、前記基板にスリットが形成されていることが好ましい。
【００３４】
上記のように第４抵抗は第２のＰＴＣサーミスタと直列に接続されるため、第４抵抗から生じた熱が配線を介して第２のＰＴＣサーミスタに伝導し易く、更に、この熱は基板の配線以外の部位からもＰＴＣサーミスタに伝導する傾向にある。そこで、基板に形成されたスリットにより、第４抵抗から第２のＰＴＣサーミスタに熱が伝導することを抑制することができる。
【００３５】
また、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記切換回路とが、同一の基板に搭載されることとしても良い。
【００３６】
この場合、第１半導体発光素子、第２半導体発光素子、切換回路が複数の基板に分散して搭載されるよりも、簡易な構成とし得る。
【００３７】
また、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子が、前記切換回路が搭載される基板とは別の基板に搭載されることとしても良い。
【００３８】
この場合、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子から発生する熱が切換回路やＰＴＣサーミスタが搭載される基板に伝導することを抑制することができる。このため、第１半導体発光素子及び第２半導体発光素子から発生する熱によるＰＴＣサーミスタの動作への影響を抑制することができる。
【００３９】
また、上記のように、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子が前記切換回路が搭載される基板とは別の基板に搭載される場合、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが、同一の基板に搭載されることとしても良い。
【００４０】
この場合、第１半導体発光素子と第２半導体発光素子とが別の基板に搭載されるよりも簡易な構成とし得る。
【００４１】
或いは、上記のように、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子が前記切換回路が搭載される基板とは別の基板に搭載される場合、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが、互いに別の基板に搭載されることとしても良い。
【００４２】
この場合、車両用前照灯のデザイン等の設計自由度を上げることができる。また、第１半導体発光素子から発生する熱が第２半導体発光素子が搭載される基板に伝導することを抑制することができる。従って、第１半導体発光素子の発光と非発光とにより、第２半導体発光素子が搭載される基板の温度が変化することを抑制することができる。
【００４３】
また、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子と前記切換回路とが、同一の基板に搭載されることとしても良い。
【００４４】
この場合、第１半導体発光素子と第２半導体発光素子と第３半導体発光素子と第４半導体発光素子と切換回路とが別の基板に搭載されるよりも簡易な構成とすることができる。
【００４５】
また、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが、前記切換回路と別の基板に搭載されることとしても良い。
【００４６】
この場合、第１半導体発光素子と第２半導体発光素子と第３半導体発光素子と第４半導体発光素子とから発生する熱が切換回路やＰＴＣサーミスタが搭載される基板に伝導することを抑制することができる。このため、これら半導体発光素子から発生する熱によるＰＴＣサーミスタの動作への影響を抑制することができる。
【００４７】
この場合、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子とが同一の基板に搭載され、前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが同一の基板に搭載され、前記第１半導体発光素子及び前記第２半導体発光素子と、前記第３半導体発光素子及び前記第４半導体発光素子とが、互いに別の基板に搭載されることとしても良い。
【００４８】
或いは、前記第１半導体発光素子と前記第２半導体発光素子と前記第３半導体発光素子と前記第４半導体発光素子とが、全て別の基板に搭載されることとしても良い。
【００４９】
この場合、車両用前照灯のデザイン等の設計自由度を上げることができる。また、それぞれの半導体発光素子から発生する熱が他の半導体発光素子が搭載される基板に伝導することを抑制することができる。
【発明の効果】
【００５０】
以上のように、本発明によれば、安定した点灯を実現し得る車両用前照灯を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態における車両用前照灯を示す正面図である。
【図２】図１の車両用前照灯のII−IIにおける断面図である。
【図３】図１の車両用前照灯のIII−IIIにおける断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態における車両用前照灯の回路図である。
【図５】図１の基板を示す平面図である。
【図６】配光を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図８】本発明の第３実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図９】本発明の第４実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図１０】本発明の第５実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図１１】本発明の第６実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図１２】図１１の切換回路が搭載される基板を示す平面図である。
【図１３】図１１の全ての基板を示す平面図である。
【図１４】本発明の第７実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図１５】本発明の第８実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。
【図１６】図１５の切換回路が搭載される基板を示す平面図である。
【図１７】図１５の全ての基板を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、本発明に係る車両用前照灯を実施するための形態が添付図面とともに例示される。以下に例示する実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、以下の実施形態から変更、改良することができる。
【００５３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態における車両用前照灯を示す正面図であり、図２は、図１の車両用前照灯のII−IIにおける断面図であり、図３は、車両用前照灯のIII−IIIにおける断面図である。
【００５４】
図１から図３に示すように車両用前照灯１は、筐体１０と、当該筐体１０内に収容される灯具ユニットＬＵとを備える。なお、図１から図３では省略されているが、車両用前照灯１は、車両用前照灯１を正面視する場合に灯具ユニットＬＵの不要な部分を隠す目隠し部材を有する。
【００５５】
筐体１０は、ランプハウジング１１、フロントカバー１２を主な構成要素として備える。なお、図を見やすくする観点から図１では、フロントカバー１２の記載が省略されている。図２、図３に示すように、ランプハウジング１１の前方は開口しており、当該開口を塞ぐように光透過性のフロントカバー１２がランプハウジング１１に固定されている。
【００５６】
ランプハウジング１１と、当該ランプハウジング１１の前方の開口を塞ぐフロントカバー１２とによって形成される空間は灯室ＬＲとされ、この灯室ＬＲ内に灯具ユニットＬＵが収容されている。
【００５７】
図１に示すように灯具ユニットＬＵは、ハイビームを出射する第１灯具ＬＨと、ロービームを出射する一対の第２灯具ＬＬａ,ＬＬｂとを有する。それぞれの第１灯具ＬＨ及び第２灯具ＬＬａ,ＬＬｂは、基板５０を共有しており、基板５０の一方の面側に第１灯具ＬＨが配置され、基板５０の他方の面側に一対の第２灯具ＬＬａ,ＬＬｂが並べられて配置されている。
【００５８】
第１灯具ＬＨは、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等から成る第１半導体発光素子Ｌ１と、リフレクタ３１とを主な構成として有する。第１半導体発光素子Ｌ１は、基板５０の一方の面に搭載されている。また、リフレクタ３１は、樹脂から成るリフレクタ本体部上にめっき加工が施されて成り、当該めっきの表面が光の反射面３１ｒとされる。
【００５９】
反射面３１ｒは開口方向が前方側とされる放物線を基調とする自由曲面から成る凹状の形状とされる。より具体的には、反射面３１ｒの鉛直方向の断面における形状は、概ね放物線の頂点よりも下側の形状とされ、反射面３１ｒの水平方向の断面における形状は、概ね放物線の頂点を含む形状とされる。ただし、反射面３１ｒの鉛直方向の断面における放物線と、水平方向の断面における放物線とは互いに異なる放物線とされても良い。また、反射面３１ｒの鉛直方向、水平方向の断面における形状は、それぞれ放物線を基調とする形状とされなくても良く、例えば、楕円の一部を基調とする形状や他の凹状の形状とされても良い。
【００６０】
リフレクタ３１は、反射面３１ｒが第１半導体発光素子Ｌ１を囲うように配置されている。従って、第１半導体発光素子Ｌ１から出射する光は、リフレクタ３１の反射面３１ｒで反射して、リフレクタ３１の前方の開口から出射する。
【００６１】
第２灯具ＬＬａは、ＬＥＤ等から成る第２半導体発光素子Ｌ２ａと、リフレクタ３２ａとを主な構成として有し、第２灯具ＬＬｂは、ＬＥＤ等から成る第２半導体発光素子Ｌ２ｂと、リフレクタ３２ｂとを主な構成として有し、第２灯具ＬＬａと第２灯具ＬＬｂとは、互いに概ね左右対称の形状とされる。
【００６２】
第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂは、基板５０の他方の面に搭載されている。また、リフレクタ３２ａ，３２ｂは、樹脂から成るリフレクタ本体部上にめっき加工が施されて成り、それぞれのリフレクタ３２ａ，３２ｂのめっきの表面が光の反射面３２ａｒ，３２ｂｒとされる。
【００６３】
リフレクタ３２ａ，３２ｂにおけるそれぞれの反射面３２ａｒ，３２ｂｒは、リフレクタ３１と同様に開口方向が前方側とされる放物線を基調とする自由曲面から成る凹状の形状とされる。より具体的には、反射面３２ａｒ，３２ｂｒの鉛直方向の断面における形状は、概ね放物線の頂点よりも下側の形状とされ、反射面３２ａｒ，３２ｂｒの水平方向の断面における形状は、概ね放物線の頂点を含む形状とされる。ただし、リフレクタ３１と同様に反射面３２ａｒ，３２ｂｒの鉛直方向の断面における放物線と、水平方向の断面における放物線とは互いに異なる放物線とされても良い。また、反射面３２ａｒ，３２ｂｒの鉛直方向、水平方向の断面における形状は、それぞれ放物線を基調とする形状とされなくても良く、例えば、楕円の一部を基調とする形状や他の凹状の形状とされても良い。この様なリフレクタ３２ａとリフレクタ３２ｂとは互いに連結されており、反射面３２ａｒで囲われる空間と、反射面３２ｂｒで囲われる空間とが互いに左右方向に連結されている。
【００６４】
リフレクタ３２ａは、反射面３２ａｒが第２半導体発光素子Ｌ２ａを囲うように配置され、リフレクタ３２ｂは、反射面３２ｂｒが第２半導体発光素子Ｌ２ｂを囲うように配置されている。従って、第２半導体発光素子Ｌ２ａから出射する光はリフレクタ３２ａの反射面３２ａｒで反射してリフレクタ３２ａの前方の開口から出射し、第２半導体発光素子Ｌ２ｂから出射する光はリフレクタ３２ｂの反射面３２ｂｒで反射してリフレクタ３２ｂの前方の開口から出射する。
【００６５】
これらの第１灯具ＬＨ及び第２灯具ＬＬａ，ＬＬｂが一体とされた灯具ユニットＬＵは、光の出射方向の調整が可能なように筐体１０に固定されている。具体的には、図１から図３に示すように、車両用前照灯１は、灯具ユニットＬＵの向き調整可能な調整部６０を備えており、灯具ユニットＬＵは、調整部６０を介して筐体１０に固定されている。
【００６６】
調整部６０は、ピボット軸６１ａ及びボールジョイント部６１ｂを有するピボット部６１と、軸部６２ａ及び操作部６２ｂを有するエイミングスクリュー部６２とを備える。
【００６７】
ピボット軸６１ａは一方の端部が灯具ユニットＬＵに固定されており、他方の端部が球体状とされている。この球体状の端部が、筐体１０に固定されたボールジョイント部６１ｂに回転可能に嵌め込まれている。なお、本実施形態の車両用前照灯１は、このピボット部６１を灯具ユニットＬＵの左右の端部近傍にそれぞれ１つ備えている。
【００６８】
灯具ユニットＬＵにはナット６４が固定されており、エイミングスクリュー部６２の軸部６２ａの一端にはねじ溝が形成されており、このねじ溝がナット６４に螺合されている。また、軸部６２ａは回転可能に筐体１０に固定されており、軸部６２ａの他端は筐体１０の外側まで導出している。操作部６２ｂは軸部６２ａの他端に固定されており、操作部６２ｂを回転させると、操作部６２ｂの回転に伴って軸部６２ａが回転する。この軸部６２ａの回転により、ナット６４は軸部６２ａの長手方向に沿って移動する。この動作により、灯具ユニットＬＵは筐体１０に対して傾動することができる。この灯具ユニットＬＵの傾動により、灯具ユニットＬＵから出射する光の上下方向の角度を調整することができる。
【００６９】
次に、基板５０について詳細に説明する。なお、回路の説明における接続には、電気的な接続が含まれる場合がある。
【００７０】
図４は、基板５０上の配線と基板５０に搭載される電子部品とにより形成される回路を示す回路図である。図４では、破線により基板５０を概念的に示している。図４に示すように、本回路には、破線で示す切換回路ＳＣが含まれている。切換回路ＳＣは、一つ以上の半導体スイッチを有し、ハイビームを出射する第１灯具ＬＨの点灯と非点灯とを切り換える、すなわち第１半導体発光素子Ｌ１の発光と非発光とを切り換える回路である。
【００７１】
本回路では、第１半導体発光素子Ｌ１、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂを発光させるための電力が入力する端子ＬＯにＰＴＣサーミスタＲ６の一方の電極が接続され、端子ＬＯ及びＰＴＣサーミスタＲ６の一方の電極には、切換回路ＳＣの抵抗Ｒ２の一方の電極が接続されている。また、ＰＴＣサーミスタＲ６の他方の電極には第２抵抗としての抵抗Ｒ７の一方の電極が接続される。抵抗Ｒ７の他方の電極には第２半導体発光素子Ｌ２ａのアノードが接続され、第２半導体発光素子Ｌ２ａのカソードには第２半導体発光素子Ｌ２ｂのアノードが接続され、第２半導体発光素子Ｌ２ｂのカソードには第１半導体発光素子Ｌ１のアノードが接続される。つまり、端子ＬＯ、ＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７、第２半導体発光素子Ｌ２ａ、第２半導体発光素子Ｌ２ｂ、及び第１半導体発光素子Ｌ１が直列に接続されている。また、第２半導体発光素子Ｌ２ｂのカソードと第１半導体発光素子Ｌ１のアノードとに第１抵抗としての抵抗Ｒ８の一方の電極が接続されている。つまり、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とは、並列に接続されている。なお、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１の抵抗の大きさと、抵抗Ｒ８の抵抗の大きさとが概ね等しくされている。
【００７２】
また、切換回路ＳＣには、第１灯具ＬＨの点灯と非点灯とを制御する制御信号が入力する端子ＨＩが接続されている。端子ＨＩには、ダイオードＤ１のアノードが接続され、ダイオードＤ１にはツェナーダイオードＺＤ３が逆バイアス接続されている。このためダイオードＤ１のカソードには、ツェナーダイオードＺＤ３のカソードが接続されている。また、ダイオードＤ１のカソードとツェナーダイオードＺＤ３のカソードとには抵抗Ｒ１の一方の電極が接続され、抵抗Ｒ１の他方の電極はグランドＧＮＤに接続されている。ツェナーダイオードＺＤ３のアノードには半導体スイッチの一つであるバイポーラ型のトランジスタＴＲ１のベースが抵抗を介して接続されている。トランジスタＴＲ１のコレクタには、一方の電極が端子ＬＯとＰＴＣサーミスタＲ６の一方の電極に接続された抵抗Ｒ２の他方の電極が接続されている。また、トランジスタＴＲ１のエミッタは、グランドＧＮＤに接続されており、さらに抵抗を介してトランジスタＴＲ１のベースに接続されている。また、トランジスタＴＲ１のコレクタと抵抗Ｒ２の他方の電極には、半導体スイッチの一つである電界効果型のトランジスタＦＴ２のゲート及び抵抗Ｒ３の一方の電極が接続されており、抵抗Ｒ３の他方の電極はグランドＧＮＤに接続されている。トランジスタＦＴ２のドレインは、一方の電極が第２半導体発光素子Ｌ２ｂのカソード及び第１半導体発光素子Ｌ１のアノードに接続される抵抗Ｒ８の他方の電極に接続されている。トランジスタＦＴ２のソースはグランドＧＮＤに接続されている。また、ツェナーダイオードＺＤ３のアノード及びトランジスタＴＲ１のベースには抵抗Ｒ４の一方の電極が接続され、抵抗Ｒ４の他方の電極には半導体スイッチの一つである電界効果型のトランジスタＦＴ３のゲート及び抵抗Ｒ５の一方の電極が接続されており、抵抗Ｒ５の他方の電極はグランドＧＮＤに接続されている。トランジスタＦＴ３のドレインには、第１半導体発光素子Ｌ１のカソードが接続されており、トランジスタＦＴ３のソースはグランドＧＮＤに接続されている。
【００７３】
図５は、基板５０を示す平面図である。図５では、基板５０を一方の面側から示している。図５に示すように、本実施形態では、基板５０は、概ね五角形の外形をしており、基板５０には、切換回路ＳＣと、ＰＴＣサーミスタＲ６と、抵抗Ｒ７，Ｒ８と、第１半導体発光素子Ｌ１と、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが搭載される。また、基板５０は、両面に部品が搭載される基板とされ、一方の面には第１半導体発光素子Ｌ１、トランジスタＴＲ１、トランジスタＦＴ２，ＦＴ３、抵抗Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５、ダイオードＤ１、ツェナーダイオードＺＤ３、及びＰＴＣサーミスタＲ６が搭載されている。基板５０の他方の面には、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ、抵抗Ｒ１，Ｒ７，Ｒ８が搭載されている。
【００７４】
なお、図４に示す回路図では一つで示される抵抗が複数の素子から成る場合があり、例えば、抵抗Ｒ１，Ｒ７，Ｒ８等は、複数の抵抗素子が直列や並列に接続されて、回路図上で１つの抵抗として示されている。また、ＰＴＣサーミスタＲ６が複数の素子から成る場合があり、本実施形態では、ＰＴＣサーミスタＲ６が４つのＰＴＣサーミスタ素子が並列に接続されて成る例を示している。図５では、これら複数の素子を点線で囲んで符号を付している。
【００７５】
また、基板５０を平面視する場合において、基板５０には、半導体スイッチの一つであるトランジスタＴＲ１及び半導体スイッチの一つであるトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つと、ＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間にスリット５０Ｓが形成されている。本実施形態では、スリット５０Ｓが複数形成されている。これらスリット５０Ｓは図４においても概念的に記載されている。ただし、図４では複数のスリット５０Ｓが一つに纏めて記載されている。本実施形態では、トランジスタＴＲ１とＰＴＣサーミスタＲ６全体との間にスリット５０Ｓが形成され、トランジスタＦＴ２，ＦＴ３とＰＴＣサーミスタＲ６の一部との間にスリット５０Ｓが形成されている。また、このスリット５０Ｓは、ＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ６に直列に接続される抵抗Ｒ７の少なくとも一部との間にも形成されている。ただし、図４では、この位置にスリット５０Ｓが形成されている様子は省略されている。更に、本実施形態では、基板５０におけるＰＴＣサーミスタＲ６の周囲に複数の開口が形成されており、この開口は内壁面に導体が配置されるスルーホールとされている。なお、このようにＰＴＣサーミスタＲ６の周囲に複数の開口が形成される場合に、開口の内壁面に導体が非配置されても良い。
【００７６】
次に本実施形態の車両用前照灯１の動作及び作用効果について説明する。
【００７７】
＜ロービーム点灯時＞
ロービーム、ハイビームを点灯するそれぞれの場合において、端子ＬＯには半導体発光素子を発光させるための電圧が印加される。この電圧は例えば１２Ｖとされる。ロービーム発光時には、端子ＨＩの電圧がローとされる。このローの状態には電圧が０Ｖの状態が含まれる。端子ＨＩの電圧がローであるため、ツェナーダイオードＺＤ３はツェナーブレイクを起こさず、ツェナーダイオードＺＤ３のアノード側の電圧はローのままとなり、トランジスタＴＲ１のベースに印加される電圧もローとされる。従って、トランジスタＴＲ１はオフとなり、トランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間の電流の流れが抑制される。このため、端子ＬＯに印加される電圧は抵抗Ｒ２を介してトランジスタＦＴ２のゲートに印加され、トランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間は電流が流れる状態となる。また、ツェナーダイオードＺＤ３のアノード側の電圧がローとなることで、トランジスタＦＴ３のゲートの電圧がローとなり、トランジスタＦＴ３はオフとなる。従って、トランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制される。このような状態とされることで、端子ＬＯから流れる電流はＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７を介して第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れる。上記のようにトランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制され、トランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間は電流が流れる状態である。このため、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れる電流は、第１半導体発光素子Ｌ１へ流れることが抑制され、抵抗Ｒ８に流れ、トランジスタＦＴ２を介してグランドＧＮＤに流れる。
【００７８】
このように第１半導体発光素子Ｌ１の発光が抑制され、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが発光する。第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂから出射する光は、図１から図３に示すリフレクタ３２ａ，３２ｂの反射面３２ａｒ，３２ｂｒで反射して、フロントカバー１２を介して車両用前照灯１から出射する。こうして、ロービームの点灯状態となる。
【００７９】
図６は、配光を示す図である。具体的には、図６（Ａ）はロービームの配光を示し、図６（Ｂ）はハイビームの配光を示す。従って、上記ロービームの点灯状態では、図６（Ａ）に示す配光とされる。
【００８０】
＜ハイビーム点灯時＞
ハイビーム点灯時には、端子ＨＩの電圧がハイとされる。端子ＨＩの電圧がハイの状態では、端子ＨＩに例えば１２Ｖの電圧が印加される。端子ＨＩの電圧がＨＩであるため、ツェナーダイオードＺＤ３はツェナーブレイクを起こし、ツェナーダイオードＺＤ３のアノード側の電圧はハイとなる。このため、トランジスタＴＲ１のベースに印加される電圧がハイとされ、トランジスタＴＲ１はオンとなり、トランジスタＴＲ１のコレクタ−エミッタ間に電流が流れる状態となる。このため、端子ＬＯに印加される電圧は抵抗Ｒ２及びトランジスタＴＲ１を介してグランドＧＮＤに接続される。従って、トランジスタＦＴ２のゲートにかかる電圧がローとされ、トランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制される。また、ツェナーダイオードＺＤ３のアノード側の電圧がハイとなることで、トランジスタＦＴ３のゲートの電圧がハイとなり、トランジスタＦＴ３はオンとなる。従って、トランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間は電流が流れる状態となる。このような状態とされることで、端子ＬＯから流れる電流はＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７を介して第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れる。上記のようにトランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間は電流が流れる状態とされ、トランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制される状態であるため、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れる電流は、抵抗Ｒ８に流れることが抑制され、第１半導体発光素子Ｌ１に流れ、トランジスタＦＴ３介してグランドＧＮＤに流れる。
【００８１】
このように第１半導体発光素子Ｌ１、及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが発光する。第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂから出射する光は、上記のようにリフレクタ３２ａ，３２ｂの反射面３２ａｒ，３２ｂｒで反射して、フロントカバー１２を介して車両用前照灯１から出射する。第１半導体発光素子Ｌ１から出射する光は、図１から図３に示すリフレクタ３１の反射面３１ｒで反射して、フロントカバー１２を介して車両用前照灯１から出射する。こうして、ハイビームの点灯状態となり、図６（Ｂ）に示す配光とされる。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態の車両用前照灯１では、第１半導体発光素子Ｌ１、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに印加される電流の経路にＰＴＣサーミスタＲ６が配置されている。従って、ＰＴＣサーミスタＲ６の温度が上昇して抵抗が高くなることで、ＰＴＣサーミスタＲ６が配置された電流経路から電流が印加される第１半導体発光素子Ｌ１、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れる電流の電流値を下げることができ、第１半導体発光素子Ｌ１、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂから出射する光の量を調整することができる。
【００８３】
また、本実施形態の車両用前照灯１では、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３とＰＴＣサーミスタＲ６とが同一の基板５０上に搭載される。半導体スイッチとなるバイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ等の半導体スイッチは発熱し易い。従って、ＰＴＣサーミスタＲ６と同一の基板５０上に配置された半導体スイッチから生じた熱がＰＴＣサーミスタＲ６まで伝導する。このため、周囲温度が低い場合であっても、ＰＴＣサーミスタＲ６の温度が上がらずにＰＴＣサーミスタＲ６が適切に動作しないことを抑制することができる。従って、ＰＴＣサーミスタＲ６が配置された電流経路から電流が印加される第１半導体発光素子Ｌ１、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂを安定して発光させることができる。このため、本実施形態の車両用前照灯１によれば安定した点灯を実現し得る。
【００８４】
また、本実施形態の車両用前照灯１では、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５０Ｓが形成されている。上記のようにトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３とＰＴＣサーミスタＲ６とが同一の基板５０に搭載されることで、トランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３からの熱をＰＴＣサーミスタＲ６に伝導することができる。その一方、トランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３からの熱がＰＴＣサーミスタＲ６に伝導しすぎない方が良い場合がある。従って、上記のようにトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間にスリット５０Ｓが形成されることで、伝導する熱量の調整を行うことができる。
【００８５】
また、本実施形態の車両用前照灯１では、切換回路ＳＣは、第１半導体発光素子Ｌ１と第１抵抗である抵抗Ｒ８との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える。このため、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流されない場合には、抵抗Ｒ８に電流が流れ、抵抗Ｒ８で電力が消費される。従って、第１半導体発光素子Ｌ１が発光する場合と発光しない場合とで、他の回路の負荷の変化を抑制することができ、より安定した点灯を実現し得る。
【００８６】
更に、本実施形態の車両用前照灯１では、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５０上に搭載されている。第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流される場合には第１半導体発光素子Ｌ１が発熱し、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流されない場合には第１抵抗である抵抗Ｒ８に電流が流れ抵抗Ｒ８が発熱する。従って、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５０上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とロービーム点灯時とで、第１半導体発光素子Ｌ１が搭載される基板５０の温度の変化を抑制することができる。つまり、ロービーム点灯時に抵抗Ｒ８による熱が基板５０に伝導しているため、ロービームからハイビームに切り替えた直後において既に抵抗Ｒ８による熱で基板５０が暖められた状態とされる。このため、抵抗Ｒ８が基板５０と異なる基板に搭載される場合と比べて、ハイビームを点灯してから暫く経過してからの基板５０の温度と、ロービームからハイビームに切り替えた直後における基板５０の温度との差を小さくすることができる。従って、このため第１半導体発光素子Ｌ１の発光をより安定させ得る。
【００８７】
また、本実施形態の車両用前照灯１では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが直列に接続されている。従って、ＰＴＣサーミスタＲ６は第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに印加される電流の経路に配置されることになり、ロービーム及びハイビーム双方の点灯を安定させ得る。
【００８８】
また、本実施形態の車両用前照灯１は、前記ＰＴＣサーミスタと直列に接続される第２抵抗である抵抗Ｒ７を備える。ＰＴＣサーミスタＲ６は、所定の温度で急激に抵抗値が上昇する場合がある。しかし、本実施形態の車両用前照灯１のように抵抗Ｒ７が配置されることで、ＰＴＣサーミスタＲ６の抵抗値が上昇する場合であっても、抵抗Ｒ７が無い場合と比べて、ＰＴＣサーミスタＲ６と抵抗Ｒ７とを合わせた抵抗値の上昇の割合を抑えることができ、ＰＴＣサーミスタＲ６の抵抗値の変化の影響が大きくなりすぎることを抑制することができる。
【００８９】
また、本実施形態では、抵抗Ｒ７の少なくとも一部とＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５０Ｓが形成されている。この抵抗Ｒ７はＰＴＣサーミスタＲ６と直接に接続されるため、抵抗Ｒ７から生じた熱が配線を介してＰＴＣサーミスタＲ６に伝導し易く、更に、この熱は基板５０の配線以外の部位からもＰＴＣサーミスタＲ６に伝導する傾向にある。しかし、基板５０に形成されたスリット５０Ｓにより、抵抗Ｒ７からＰＴＣサーミスタＲ６に熱が伝導することを抑制し得る。
【００９０】
また、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと切換回路ＳＣとが、同一の基板５０に搭載されている。従って、これらが複数の基板に分散して搭載されるよりも、簡易な構成とし得る。
【００９１】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図７を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【００９２】
図７は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。図７に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図４に示す第１実施形態の回路と同様とされるが、本実施形態の車両用前照灯に用いられる基板は、基板５１と基板５２とから成る点において、第１実施形態の車両用前照灯１に用いられる基板と異なる。
【００９３】
基板５１は、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが、非搭載とされる点において第１実施形態における基板５０と異なる。また、本実施形態においても、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５１にスリット５１Ｓが形成されている。なお、図７では図示されていないが、スリット５１Ｓは、ＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ６に直列に接続される抵抗Ｒ７の少なくとも一部との間にも形成されている。
【００９４】
基板５２には、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが搭載されている。つまり、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが、切換回路ＳＣが搭載される基板５１とは別の基板５２に搭載され、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが、同一の基板に搭載されている。
【００９５】
本実施形態の車両用前照灯によれば、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが搭載される基板５２が、切換回路ＳＣやＰＴＣサーミスタＲ６が搭載される基板５１と別の基板とされるため、基板５１を第１灯具ＬＨや第２灯具ＬＬａ，ＬＬｂから離すことができる。従って、車両用前照灯のデザインの自由度を向上させ得る。また、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂから発生する熱が切換回路ＳＣやＰＴＣサーミスタＲ６が搭載される基板５１に伝導することを抑制することができる。このため、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂから発生する熱によるＰＴＣサーミスタＲ６の動作への影響を抑制することができる。
【００９６】
また、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが同一の基板に搭載されるため、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが別の基板に搭載されるよりも簡易な構成とすることができる。
【００９７】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について図８を参照して詳細に説明する。なお、第２実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【００９８】
図８は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。図８に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図７に示す第２実施形態の回路と同様とされるが、本実施形態の車両用前照灯では、第１抵抗である抵抗Ｒ８が基板５１に非搭載とされ基板５２に搭載される点において、第２実施形態の車両用前照灯に用いられる基板と異なる。
【００９９】
本実施形態の車両用前照灯によれば、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５２上に搭載されている。第１実施形態で説明したように、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流される場合には第１半導体発光素子Ｌ１が発熱し、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流されない場合には第１抵抗である抵抗Ｒ８に電流が流れ抵抗Ｒ８が発熱する。従って、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５０上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とロービーム点灯時とで、第１半導体発光素子Ｌ１が搭載される基板５２の温度の変化を抑制することができる。従って、抵抗Ｒ８が基板５２と異なる基板に搭載される場合と比べて、ハイビームを点灯してから暫く経過してからの基板５２の温度と、ロービームからハイビームに切り替えた直後における基板５２の温度との差を小さくすることができる。従って、このため第１半導体発光素子Ｌ１の発光をより安定させ得る。
【０１００】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について図９を参照して詳細に説明する。なお、第３実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０１】
図９は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。図９に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図８に示す第３実施形態の回路と同様とされるが、本実施形態の車両用前照灯では、第３実施形態の基板５２が二つの基板５３と基板５４に分割され、基板５３に第１半導体発光素子Ｌ１及び抵抗Ｒ８が搭載され、基板５４に第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが搭載される。つまり、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが、切換回路ＳＣが搭載される基板５１とは別の基板に搭載され、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが、互いに別の基板に搭載されている。
【０１０２】
本実施形態の車両用前照灯によれば、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５１上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とロービーム点灯時とで、第１半導体発光素子Ｌ１が搭載される基板５１の温度の変化を抑制することができ、第１半導体発光素子Ｌ１の発光をより安定させ得る。
【０１０３】
また、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが、互いに別の基板に搭載されることで、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとの熱の干渉を抑制することができる。
【０１０４】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について図１０を参照して詳細に説明する。なお、第１実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０５】
図１０は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。図１０に示すように、本実施形態の車両用前照灯は、ハイビームとなる光を出射する第３半導体発光素子Ｌ３と、ロービームとなる光を出射する第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂと、第３半導体発光素子Ｌ３及び第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂに印加される電流の経路に配置される第２のＰＴＣサーミスタであるＰＴＣサーミスタＲ９と、第４抵抗としての抵抗Ｒ１０と、第３抵抗としての抵抗Ｒ１１と、を更に備える点において、第１実施形態の車両用前照灯１と異なる。また、本実施径形態では、ＰＴＣサーミスタＲ９と、抵抗Ｒ１０，Ｒ１１と、第３半導体発光素子Ｌ３と、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが基板５０に搭載される点において、第１実施形態の基板５０と異なる。
【０１０６】
ＰＴＣサーミスタＲ９の一方の電極は端子ＬＯとＰＴＣサーミスタＲ６の一方の電極と抵抗Ｒ２の一方の電極とに接続され、ＰＴＣサーミスタＲ９の他方の電極は抵抗Ｒ１０の一方の電極に接続される。抵抗Ｒ１０の他方の電極には第４半導体発光素子Ｌ４ａのアノードが接続され、第４半導体発光素子Ｌ４ａのカソードには第４半導体発光素子Ｌ４ｂのアノードが接続され、第４半導体発光素子Ｌ４ｂのカソードには第３半導体発光素子Ｌ３のアノードが接続される。つまり、端子ＬＯ、ＰＴＣサーミスタＲ９、抵抗Ｒ１０、第４半導体発光素子Ｌ４ａ、第４半導体発光素子Ｌ４ｂ、及び第３半導体発光素子Ｌ３が直列に接続されている。第３半導体発光素子Ｌ３のアノードには、トランジスタＦＴ３のドレインが接続されている。従って、ＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７、第２半導体発光素子Ｌ２ａ、第２半導体発光素子Ｌ２ｂ、及び第１半導体発光素子Ｌ１と、ＰＴＣサーミスタＲ９、抵抗Ｒ１０、第４半導体発光素子Ｌ４ａ、第４半導体発光素子Ｌ４ｂ、及び第３半導体発光素子Ｌ３とが並列に接続されている。また、第４半導体発光素子Ｌ４ｂのカソードと第３半導体発光素子Ｌ３のアノードとに第３抵抗としての抵抗Ｒ１１の一方の電極が接続されており、抵抗Ｒ１１の他方の電極は、抵抗Ｒ８の他方の電極及びトランジスタＦＴ２のドレインに接続されている。つまり、第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１とは並列に接続されており、ＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７、第２半導体発光素子Ｌ２ａ、第２半導体発光素子Ｌ２ｂ、及び抵抗Ｒ８と、ＰＴＣサーミスタＲ９、抵抗Ｒ１０、第４半導体発光素子Ｌ４ａ、第４半導体発光素子Ｌ４ｂ、及び抵抗Ｒ１１とが並列に接続されている。なお、本実施形態では、第３半導体発光素子Ｌ３の抵抗の大きさと、抵抗Ｒ１１の抵抗の大きさとが概ね等しくされている。
【０１０７】
第１実施形態で説明したように、切換回路ＳＣは、第１半導体発光素子Ｌ１と第１抵抗である抵抗Ｒ８との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える。この電流の切換えにより、切換回路ＳＣは、第３半導体発光素子Ｌ３と第３抵抗である抵抗Ｒ１１との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える。
【０１０８】
また、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５０に第１実施形態のスリット５０Ｓと同様のスリット５０Ｓａが形成されている。更に本実施形態では、トランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５０Ｓｂが形成されている。また、このスリット５０Ｓａは、ＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ６に直列に接続される抵抗Ｒ７の少なくとも一部との間にも形成されており、スリット５０Ｓｂは、ＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ９に直列に接続される抵抗Ｒ１０の少なくとも一部との間にも形成されている。ただし、図１０では、これらの位置にスリット５０Ｓａ，５０Ｓｂが形成されている様子は省略されている。本実施形態では、スリット５０Ｓａとスリット５０Ｓｂとが、互いに繋がっておらず、異なるスリットとされる。
【０１０９】
このような本実施形態の回路を有する車両用前照灯は、次のように点灯する。
【０１１０】
ロービーム点灯時には、第１実施形態の車両用前照灯１と同様にして、端子ＬＯから流れる電流は、ＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７を介して第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れ、抵抗Ｒ８に流れる。更に本実施形態では、ロービーム点灯時において、端子ＬＯから流れる電流は、この電流の流れと並列に、ＰＴＣサーミスタＲ９、抵抗Ｒ１０を介して第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂに流れる。このときトランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制され、トランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間は電流が流れる状態である。このため、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂに流れる電流は、第３半導体発光素子Ｌ３へ流れることが抑制され、抵抗Ｒ１１に流れる。抵抗Ｒ８，Ｒ１１を流れる電流は、トランジスタＦＴ２を介してグランドＧＮＤに流れる。
【０１１１】
このように第１半導体発光素子Ｌ１、第３半導体発光素子Ｌ３の発光が抑制され、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ、及び第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂが発光する。こうして、ロービームの点灯状態となる。
【０１１２】
ハイビーム点灯時には、第１実施形態の車両用前照灯１と同様にして、端子ＬＯから流れる電流は、ＰＴＣサーミスタＲ６、抵抗Ｒ７を介して第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂに流れ、第１半導体発光素子Ｌ１に流れる。更に本実施形態では、ハイビーム点灯時において、端子ＬＯから流れる電流は、この電流の流れと並列に、ＰＴＣサーミスタＲ９、抵抗Ｒ１０を介して第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂに流れる。このときトランジスタＦＴ２のドレイン−ソース間の電流の流れが抑制され、トランジスタＦＴ３のドレイン−ソース間は電流が流れる状態である。このため、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂに流れる電流は、抵抗Ｒ１１へ流れることが抑制され、第３半導体発光素子Ｌ３に流れる。第１半導体発光素子Ｌ１、第３半導体発光素子Ｌ３を流れる電流は、トランジスタＦＴ３を介してグランドＧＮＤに流れる。
【０１１３】
このように第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ、及び第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂが発光すると共に、第１半導体発光素子Ｌ１及び第３半導体発光素子Ｌ３が発光して、ハイビームの点灯状態となる。
【０１１４】
本実施形態の車両用前照灯によれば、第３半導体発光素子Ｌ３及び第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂを有することで、半導体発光素子一つ当たりの発光量を低減することができる。また、この場合であっても、第２のＰＴＣサーミスタであるＰＴＣサーミスタＲ９が配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子に流れる電流の大きさをＰＴＣサーミスタＲ９により下げることができ、半導体発光素子から出射する光の量を調整することができる。さらに、ＰＴＣサーミスタＲ９と同一の基板上に配置されたトランジスタＴＲ１やトランジスタＦＴ２，ＦＴ３等の半導体スイッチから生じた熱がＰＴＣサーミスタＲ９まで伝導するため、周囲温度が低い場合であっても、ＰＴＣサーミスタＲ９を適切に動作させることができる。従って、ＰＴＣサーミスタＲ９が配置された電流経路から電流が印加される半導体発光素子を安定して発光させることができる。
【０１１５】
また、本実施形態では、トランジスタＴＲ１やトランジスタＦＴ２，ＦＴ３等の半導体スイッチの少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５０Ｓｂが形成されている。このため、トランジスタＴＲ１やトランジスタＦＴ２，ＦＴ３等の半導体スイッチの少なくとも一つからＰＴＣサーミスタＲ９に伝導する熱量の調整をスリット５０Ｓｂで行うことができる。
【０１１６】
また、本実施形態の車両用前照灯では、トランジスタＴＲ１やトランジスタＦＴ２，ＦＴ３等の半導体スイッチとＰＴＣサーミスタＲ６との間のスリット５０Ｓａと、これら半導体スイッチとＰＴＣサーミスタＲ９との間のスリット５０Ｓｂとが、異なるスリットとされる。このため、それぞれのスリット５０Ｓａ，５０Ｓｂにより、ＰＴＣサーミスタＲ６にトランジスタＴＲ１やトランジスタＦＴ２，ＦＴ３等の半導体スイッチから伝導する熱量と、ＰＴＣサーミスタＲ９にこれら半導体スイッチから伝導する熱量とを、個別に調整することができる。
【０１１７】
また、本実施形態の車両用前照灯では、第３半導体発光素子Ｌ３と並列に接続される第３抵抗としての抵抗Ｒ１１を備え、切換回路ＳＣは第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１との一方に電流が流れるように電流の経路を切り換える。このため、第３半導体発光素子Ｌ３に電流が流されない場合には、抵抗Ｒ１１に電流が流れ、第３半導体発光素子Ｌ３が発光する場合と発光しない場合とで、他の回路の負荷の変化を抑制することができ、より安定した点灯を実現し得る。さらに本実施形態では、第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１とが同一の基板上に搭載されている。第３半導体発光素子Ｌ３に電流が流される場合には第３半導体発光素子Ｌ３が発熱し、上記のように第３半導体発光素子Ｌ３に電流が流されない場合には抵抗Ｒ１１に電流が流れるため、抵抗Ｒ１１が発熱する。従って、第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１とが同一の基板５０上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とハイビーム非点灯時とで、基板５０の温度の変化を抑制することができる。このため第３半導体発光素子Ｌ３の発光をより安定させ得る。
【０１１８】
また、本実施形態の車両用前照灯では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂと切換回路ＳＣとが、同一の基板に搭載されている。従って、これら半導体発光素子と切換回路ＳＣとが別の基板に搭載されるよりも簡易な構成とすることができる。
【０１１９】
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について図１１から図１３を参照して詳細に説明する。なお、第５実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【０１２０】
図１１は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。また、図１２は、図１１の切換回路が搭載される基板を示す平面図であり、図１３は、図１１の全ての基板を示す平面図である。図１１に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図１０に示す第５実施形態の回路と同様とされるが、図１１から図１３に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる基板は、基板５１と基板５２ａ，５２ｂと、基板５３ａ，５３ｂとから成る点において、第５実施形態の車両用前照灯に用いられる基板と異なる。
【０１２１】
基板５１は、第１半導体発光素子Ｌ１と、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと、第３半導体発光素子Ｌ３と、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが、非搭載とされる点において第５実施形態における基板５０と異なる。
【０１２２】
基板５３ａには第１半導体発光素子Ｌ１が搭載され、基板５４ａには第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが搭載され、基板５３ｂには第３半導体発光素子Ｌ３が搭載され、基板５４ｂには第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂが搭載されている。つまり、本実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが、切換回路ＳＣが搭載される基板５１とは別の基板に搭載され、さらに、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが互いに異なる基板に搭載されている。なお、第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂは同一の基板５４ａに搭載され、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂは同一の基板５４ｂに搭載されている。
【０１２３】
図１２では、基板５１を一方の面側から示している。図１２に示すように、本実施形態では、基板５１は、概ね四角形の外形をしており、図１１、図１２に示すように、基板５１には、切換回路ＳＣと、ＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９と、抵抗Ｒ７，Ｒ８、Ｒ１０，Ｒ１１と、その他の抵抗等が搭載されている。また、本実施形態では、基板５０は、片面に部品が搭載される基板とされ、これらの部品が一方の面に搭載されている。
【０１２４】
なお、第１実施形態と同様に図１２に示す回路図では一つで示される抵抗が複数の素子から成る場合があり、例えば、抵抗Ｒ１，Ｒ７，Ｒ８、Ｒ１０，Ｒ１１は、複数の抵抗素子が直列や並列に接続されて、それぞれ回路図上で１つの抵抗として示されている。また、ＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９が複数の素子から成る場合があり、本実施形態では、ＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９がそれぞれ４つのＰＴＣサーミスタ素子が並列に接続されて成る例を示している。図１２では、これら複数の素子を点線で囲んで符号を付している。
【０１２５】
また、基板５１を平面視する場合において、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５１にスリット５１Ｓａが形成されている。さらに、基板５１を平面視する場合において、トランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部との間において、基板５１にスリット５１Ｓｂが形成されている。本実施形態では、スリット５１Ｓａとスリット５１Ｓｂとが、互いに繋がっておらず、互いに異なるスリットとされる。なお、本実施形態においても、このスリット５１Ｓａは、ＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ６に直列に接続される抵抗Ｒ７の少なくとも一部との間にも形成されている。また、スリット５１Ｓｂは、ＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部と当該ＰＴＣサーミスタＲ９に直列に接続される抵抗Ｒ１０の少なくとも一部との間にも形成されている。ただし、図１１では、スリット５１Ｓａ，５１Ｓｂがこれらの位置に形成されている様子は省略されている。
【０１２６】
また、本実施形態の車両用前照灯では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが、切換回路ＳＣと別の基板に搭載されている。このため、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとから発生する熱が切換回路ＳＣやＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９が搭載される基板５１に伝導することを抑制することができる。このため、これら半導体発光素子から発生する熱によるＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９の動作への影響を抑制することができる。
【０１２７】
さらに、本実施形態の車両用前照灯では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂと第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが、全て別の基板に搭載されている。このため、車両用前照灯のデザイン等の設計自由度を上げることができる。また、それぞれの半導体発光素子から発生する熱が他の半導体発光素子が搭載される基板に伝導することを抑制することができる。なお、第２半導体発光素子Ｌ２ａと第２半導体発光素子Ｌ２ｂとは同じ基板５４ａに搭載され、第４半導体発光素子Ｌ４ａと第４半導体発光素子Ｌ４ｂとは同じ基板５４ｂに搭載される。また、第２半導体発光素子Ｌ２ａと第２半導体発光素子Ｌ２ｂとは常に同時に発光するため、互いの熱の影響をあまり考慮する必要が無く、第４半導体発光素子Ｌ４ａと第４半導体発光素子Ｌ４ｂとは常に同時に発光するため、互いの熱の影響をあまり考慮する必要が無い。
【０１２８】
（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について図１４を参照して詳細に説明する。なお、第６実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【０１２９】
図１４は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。図１４に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図１１に示す第６実施形態の回路と同様とされるが、本実施形態の車両用前照灯では、第６実施形態の基板５３ａと基板５４ａとが一体とされて基板５２ａとされ、第６実施形態の基板５３ｂと基板５４ｂとが一体とされて基板５２ｂとされる。さらに、本実施形態では、第１抵抗である抵抗Ｒ８が基板５１に非搭載とされ基板５２ａに搭載され、第３抵抗である抵抗Ｒ１１が基板５１に非搭載とされ基板５２ｂに搭載される。
【０１３０】
本実施形態の車両用前照灯によれば、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５２ａ上に搭載され、第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１とが同一の基板５２ｂ上に搭載されている。第５実施形態で説明したように、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流される場合には第１半導体発光素子Ｌ１が発熱し、第１半導体発光素子Ｌ１に電流が流されない場合には第１抵抗である抵抗Ｒ８に電流が流れ抵抗Ｒ８が発熱する。また、第５実施形態で説明したように、第３半導体発光素子Ｌ３に電流が流される場合には第３半導体発光素子Ｌ３が発熱し、第３半導体発光素子Ｌ３に電流が流されない場合には第３抵抗である抵抗Ｒ１１に電流が流れ抵抗Ｒ１１が発熱する。従って、第１半導体発光素子Ｌ１と抵抗Ｒ８とが同一の基板５２ａ上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とロービーム点灯時とで、第１半導体発光素子Ｌ１が搭載される基板５２ａの温度の変化を抑制することができ、第３半導体発光素子Ｌ３と抵抗Ｒ１１とが同一の基板５２ｂ上に搭載されることで、ハイビーム点灯時とロービーム点灯時とで、第３半導体発光素子Ｌ３が搭載される基板５２ｂの温度の変化を抑制することができる。従って、抵抗Ｒ８が基板５２ａと異なる基板に搭載される場合や抵抗Ｒ１１が基板５２ｂと異なる基板に搭載される場合と比べて、ハイビームを点灯してから暫く経過してからの基板５２ａ、基板５２ｂの温度と、ロービームからハイビームに切り替えた直後における基板５２ａ、基板５２ｂの温度との差を小さくすることができる。従って、このため第１半導体発光素子Ｌ１、第３半導体発光素子Ｌ３の発光をより安定させ得る。
【０１３１】
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について図１５から図１７を参照して詳細に説明する。なお、第６実施形態と同一又は同等の構成要素については、特に説明する場合を除き、同一の参照符号を付して重複する説明は省略する。
【０１３２】
図１５は、本実施形態における車両用前照灯の回路図を図４と同様の方法で示す図である。また、図１６は、図１５の切換回路が搭載される基板を示す平面図であり、図１７は、図１５の全ての基板を示す平面図である。図１５に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる回路は図１１に示す第６実施形態の回路と同様とされ、図１５、図１７に示すように、本実施形態の車両用前照灯に用いられる基板は、第６実施形態と同様に、基板５１と基板５３ａと基板５４ａと基板５３ｂと基板５４ｂとされる。しかし、本実施形態の車両用前照灯では、第１抵抗である抵抗Ｒ８が基板５１に非搭載とされ基板５３ａに搭載され、第３抵抗である抵抗Ｒ１１が基板５１に非搭載とされ基板５３ｂに搭載される。
【０１３３】
抵抗Ｒ８が基板５３ａと異なる基板に搭載される場合や抵抗Ｒ１１が基板５３ｂと異なる基板に搭載される第６実施形態の車両用前照灯と比べて、ハイビームを点灯してから暫く経過してからの基板５３ａ、基板５３ｂの温度と、ロービームからハイビームに切り替えた直後における基板５３ａ、基板５３ｂの温度との差を小さくすることができる。従って、このため第１半導体発光素子Ｌ１、第３半導体発光素子Ｌ３の発光をより安定させ得る。
【０１３４】
以上、本発明について、第１実施形態から第８実施形態を例に説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３５】
例えば、上記実施形態において、第１半導体発光素子Ｌ１、第３半導体発光素子Ｌ３の数を１つで示したが、これらの発光素子の数は特に限定されない。また、第２半導体発光素子、第４半導体発光素子の数をそれぞれ２つとして第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ、第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとしたが、これらの発光素子の数はそれぞれ１つずつでも良く、特に限定されない。
【０１３６】
また、ＰＴＣサーミスタＲ６，Ｒ９がそれぞれ一つの素子から成っていても良く、各抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ１０，Ｒ１１がそれぞれ一つの素子から成っていても複数の素子から成っていても良い。
【０１３７】
また、第２実施形態の基板５２が二つの基板に分割され、一方の基板に第１半導体発光素子Ｌ１が搭載され、他方の基板に第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが搭載されても良い。また、第６実施形態において、基板５３ａと基板５４ａとが一体とされ一つの基板とされても良く、基板５３ｂと基板５４ｂとが一体とされ一つの基板とされても良い。この場合に、基板５３ａと基板５４ａとが一体とされた基板と、基板５３ｂと基板５４ｂとが一体とされた基板とが、更に一体とされても良い。また、第７実施形態の基板５２ａと基板５２ｂとが一体とされ一つの基板とされても良い。
【０１３８】
また、上記実施形態では、半導体スイッチとしてバイポーラ型のトランジスタＴＲ１と、電界効果型のトランジスタＦＴ２，ＦＴ３を用いて説明したが、半導体スイッチの形態は特に限定されない。
【０１３９】
また、上記実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが直列に接続され、第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが直接に接続される例を用いて説明した。しかし、本発明は、第１半導体発光素子Ｌ１と第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂとが並列に接続されて、ＰＴＣサーミスタＲ６が第１半導体発光素子Ｌ１及び第２半導体発光素子Ｌ２ａ，Ｌ２ｂの少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるものとしても良い。同様に、本発明は、第３半導体発光素子Ｌ３と第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂとが並列に接続されて、ＰＴＣサーミスタＲ９が第３半導体発光素子Ｌ３及び第４半導体発光素子Ｌ４ａ，Ｌ４ｂの少なくとも一方に印加される電流の経路に配置されるものとしても良い。
【０１４０】
また、上記実施形態では、半導体スイッチであるトランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ６の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５０Ｓやスリット５１Ｓａが形成される例や、トランジスタＴＲ１及びトランジスタＦＴ２，ＦＴ３の少なくとも一つとＰＴＣサーミスタＲ９の少なくとも一部との間において、基板５０にスリット５１Ｓｂが形成され例を示した。しかし、基板に形成されるスリットは必須ではない。ただし、半導体スイッチの少なくとも一つとＰＴＣサーミスタの少なくとも一部との間において、基板にスリットが形成される方が、半導体スイッチからＰＴＣサーミスタに伝導する熱量の調整を行うことができるため好ましい。
【０１４１】
また、上記実施形態では、第１半導体発光素子Ｌ１と並列に接続される第１抵抗である抵抗Ｒ８や、第３半導体発光素子Ｌ３と並列に接続される第３抵抗である抵抗Ｒ１１を備えるものとした。しかし、これらの抵抗は必須の構成ではない。
【０１４２】
また、上記実施形態では、ＰＴＣサーミスタＲ６と直列に接続される第２抵抗である抵抗Ｒ７や、ＰＴＣサーミスタＲ９と直列に接続される第４抵抗である抵抗Ｒ１０を備えるものとした。しかし、これらの抵抗は必須ではない。
【０１４３】
また、上記実施形態では、パラボラ型の灯具を例に説明したが、灯具は特にパラボラ型には限定されない。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明によれば、安定した点灯を実現し得る車両用前照灯を提供され、自動二輪車、自動四輪車等の車両用前照灯の分野などにおいて利用可能である。
【符号の説明】
【０１４５】
１・・・車両用前照灯
１０・・・筐体
３１，３２ａ，３２ｂ・・・リフレクタ
５０・・・基板
５０Ｓ，５０Ｓａ，５０Ｓｂ・・・スリット
５１・・・基板
５１Ｓ，５１Ｓａ，５１Ｓｂ・・・スリット
５２，５２ａ，５２ｂ，５３，５３ａ，５３ｂ，５４，５４ａ，５４ｂ・・・基板
ＦＴ２，ＦＴ３・・・トランジスタ（半導体スイッチ）
Ｌ１・・・第１半導体発光素子
Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ・・・第２半導体発光素子
Ｌ３・・・第３半導体発光素子
Ｌ４ａ，Ｌ４ｂ・・・第４半導体発光素子
ＬＨ・・・第１灯具
ＬＬａ，ＬＬｂ・・・第２灯具
ＬＵ・・・灯具ユニット
Ｒ６・・・ＰＴＣサーミスタ
Ｒ７・・・抵抗（第２抵抗）
Ｒ８・・・抵抗（第１抵抗）
Ｒ９・・・（第２の）ＰＴＣサーミスタ
Ｒ１０・・・抵抗（第４抵抗）
Ｒ１１・・・抵抗（第３抵抗）
ＳＣ・・・切換回路
ＴＲ１・・・トランジスタ（半導体スイッチ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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