(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマチャンバーの内側の処理領域内にプラズマを閉じ込めるための改善されたバッフルアセンブリを提供する。【解決手段】バッフルアセンブリ２００はリング２０２及びベース部分２０４を含む。また、ベース部分２０４は約１９インチと約２０インチとの間の第１の直径Ｄを有するフランジ２０６を含む。湾曲したウォールはフランジ２０６から、ベース部分２０４に結合された加熱アセンブリ２１４へと延びる。この湾曲したウォールは、リング２０２と共に、ベース部分２０４から延びるフランジ２０６を支持する。このベース部分２０４の最も内側に入り込んだ外側ウォール２２０は、約１４インチと約１６インチとの間の直径Ｇを有する。【選択図】図２Ａ
2019054274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチングチャンバ内でプラズマを閉じ込めるためのバッフルアセンブリであって、
リングと、
リングに結合されたベース部分であって、ベース部分は、
第１の直径を有するフランジであって、リングに結合され、フランジの第１の直径はエッチングチャンバの内側チャンバ壁から適切な距離を有し、プラズマの閉じ込め及び低いフロー抵抗を提供するフランジと、
第１の直径より小さい第２の直径を有する下側フレーム部分と、
フランジと下側フレーム部分の間に延在する第１のウォールであって、下側フレーム部分からフランジ部に湾曲している第１のウォールを有するベース部分を含むバッフルアセンブリ。
【請求項２】
リングはシリコンを含み、ベース部分はアルミニウムを含む請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項３】
ベース部分は、第１のウォールから半径方向内側に配置されたレッジを備える請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項４】
リングとベース部分の間に結合された１以上のスペーサーを含む請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項５】
ベース部分に結合された加熱アセンブリを含む請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項６】
リングは、
第３の直径まで延びるトップウォールと、
第３の直径よりも大きい第４の直径を有する外側のウォールと、
トップウォールと外側のウォールの間を結合する第２のウォールであって、第２のウォールは、第３の直径のトップウォールから第４の直径の外側のウォールまで湾曲し、第４の直径は第１の直径に実質的に等しい請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項７】
ベース部分は、
第２の直径より大きく、第１の直径よりも小さい第３の直径を有する底部のウォールと、
第３の直径と第１の直径の間で湾曲する第２のウォールとを含む請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項８】
第１ウォールから半径方向内側に配置されたレッジと、
加熱アセンブリと、
第２の直径より大きく、第１の直径よりも小さい第３の直径を有する底部のウォールと、
第３の直径と第１の直径の間で湾曲する第２のウォールとを含み、フランジ、下側フレーム部分、第１のウォール、レッジ、底部のウォール、及び、第２のウォールがアルミニウムを含む請求項１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項９】
エッチングチャンバ内にプラズマを閉じ込めるためのバッフルアセンブリであって、
リングと、
リングに結合され、軸方向に貫通して形成された開口部を有するベース部分であって、ベース部分は、
第１の直径を有するフランジであって、フランジの第１の直径は、エッチングチャンバの内側チャンバ壁から適切な距離を有し、プラズマの閉じ込め及び低いフロー抵抗を提供するフランジと、
開口部の表面に形成されたレッジと、
第１の直径より小さい第２の直径を有する下側フレーム部分と、
フランジを支持する支持部分を備えるバッフルアセンブリ。
【請求項１０】
リングはシリコンを含み、ベース部分はアルミニウムを含む請求項９記載のバッフルアセンブリ。
【請求項１１】
ベース部分を軸方向に貫通して軸方向に形成された開口は、レッジの上方の第１の内径と、レッジの下方に第２の内径を有し、第２の内径は第１の内径より小さい請求項９記載のバッフルアセンブリ。
【請求項１２】
リングは貫通して形成された中央開口部を有し、中央開口部は、ベース部分を貫通して軸方向に形成された開口部の第１の内径に等しい直径を有する請求項１１記載のバッフルアセンブリ。
【請求項１３】
ベース部分の下面に結合された加熱アセンブリを含む請求項９記載のバッフルアセンブリ。
【請求項１４】
支持部分はステップ部分を含む請求項９記載のバッフルアセンブリ。
【請求項１５】
支持部分は、フランジと下側フレーム部の間に延在する湾曲したウォールを含む請求項９記載のバッフルアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概ね、エッチングチャンバ内でプラズマを閉じ込めるためのバッ
フルアセンブリに関する。
（関連技術の説明）
【０００２】
電子機器の製造において、半導体基板をプラズマにより処理することは、誘電体のエッ
チング、金属のエッチング、化学蒸着（ＣＶＤ）及び他のプロセスにおいて用いられてい
る。半導体の基板の処理において、特徴部分の大きさ及びラインの幅がますます小さくな
る傾向の下、より正確に半導体基板上に材料をマスクし、エッチングし、若しくは、蒸着
する能力が重要となってきている。
【０００３】
エッチングは、支持部材により支持される基板にかけて処理領域に供給される作用ガス
に高周波（ＲＦ）パワーを印加することにより成し遂げられる。その結果、生成される電
界により、プラズマになる作用ガスを活性化する反応ゾーンが、処理領域内に形成される
。支持部材は、その上に支持される基板に向けてプラズマ内のイオンが引き付けられるよ
うにバイアスされる。イオンは、基板に隣接するプラズマの境界層の方向に移動し、境界
層を離れると加速する。この加速されたイオンは、基板の表面から物質を取り除く、若し
くは、エッチングするように求められるエネルギーをもたらす。加速されたイオンはプロ
セスチャンバー内の他の部品をもエッチングすることができるので、基板上の処理領域内
にプラズマを閉じ込めておくことは有益なことである。
【０００４】
閉じ込められていないプラズマはチャンバーの壁上にエッチングの副生成物（典型的に
は、ポリマー）をもたらし、チャンバーの壁を、さらにエッチングし得る。チャンバーの
壁上のエッチングの副生成物の堆積はプロセスにドリフトせしめる。チャンバーの壁から
のエッチングされた物質は再蒸着により基板を汚染し、及び／又は、チャンバーに対しパ
ーティクルを生成せしめうる。更に、閉じ込められていないプラズマは、下流方向での領
域でのエッチングの副生成物の堆積を引き起こし得る。堆積されたエッチングの副生成物
は剥がれ落ちてパーティクルとなるかもしれない。
【０００５】
従って、プラズマチャンバーの内側の処理領域内にプラズマを閉じ込めるための改善さ
れたバッフルアセンブリのための技術が必要となる。
【発明の概要】
【０００６】
エッチング装置のためのバッフルアセンブリが開示される。このバッフルアセンブリは
リングと、フランジ部分と下側フレーム部分との間に延びる湾曲した壁を有する下側のバ
ッフル部分とを含む。加熱アセンブリは、バッフルの温度を制御するために、下側のフレ
ーム部分の中に存在するかもしれない。このバッフルアセンブリはチャンバーの処理空間
内にプラズマを閉じ込めるのに役立つ。リングはシリコンカーバイドを含み、下側のバッ
フル部分はアルミニウムを含むかもしれない。
【０００７】
一実施形態において、バッフルアセンブリが開示される。バッフルアセンブリは、リン
グと、このリングに結合されたベース部分とを含むかもしれない。このベース部分は第１
の直径を有するフランジと、この第１の直径より小さい第２の直径を有する下側のフレー
ム部分と、フランジと下側フレーム部分との間に形成される第１の壁とを含む。第１の壁
は下側フレーム部分からフランジへと湾曲形状を呈している。
別の実施形態において、エッチングチャンバーのバッフルアセンブリに用いられるリン
グが開示される。このリングは第１の直径まで延びるトップウォールと、この第１の直径
より大きい第２の直径を有する外側のウォールと、前記トップウォールと前記外側のウォ
ールとの間に形成される第２のウォールとを含む。第２のウォールは、第１の直径のとこ
ろのトップウォールから、第２の直径のところの外側ウォールへと湾曲する。
【０００８】
他の実施形態において、バッフルのベース部分が開示される。このベース部分は、第１
の直径を有するフランジと、この第１の直径より小さい第２の直径を有する下側のフレー
ム部分と、フランジと下側のフレーム部分との間に形成される第１のウォールを含む。こ
の第１のウォールは下側のフレーム部分からフランジへとカーブして形成されている。
【０００９】
別の実施形態において、バッフルアセンブリが開示される。このバッフルアセンブリは
、リングと、このリングに結合されるベース部分とを含むかもしれない。このベース部分
は第１の直径を有するフランジと、第１の直径より小さい第２の直径を有する下側フレー
ム部分と、フランジを支持するための支持部分と、加熱アセンブリとを含む。
【００１０】
別の実施形態において、バッフルのベース部分が開示される。このベース部分は第１の
直径を有するフランジと、この第１の直径より小さい第２の直径を有する下側のフレーム
部分と、フランジを支持するための支持部分と、加熱アセンブリとを含むかもしれない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本発明の上記引用された特徴が詳細に理解されるように、上述に要約されるような、よ
り特定的な本発明の説明が実施形態を参照してなされ、それらのいくつかは添付図面に説
明されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態のみを説明するもの
であり、従って、この発明の範囲を制限するものではなく、本発明は他の同等に有効な実
施形態も含みうる。
【図１】本発明の一実施形態のプラズマプロセスチャンバの概略図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態のバッフルアセンブリの断面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡの部分の断面図である。
【図２Ｃ】図２ＢのＢの部分の断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態のリングの平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａのリングの断面図である。
【図４Ａ】〜
【図４Ｂ】本発明の一実施形態の下側のバッフル部分の概略斜視図である。
【図４Ｃ】図４ＡのＣの部分の断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃの断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態のバッフルアセンブリを示す図である。
【００１２】
理解を容易にするために、可能な限り、図に共通な同じ要素を指定するために同じ参照
番号が用いられている。一実施形態に開示された要素は特定して引用されることなく、他
の実施形態にも効果的に用いられうる。
【詳細な説明】
【００１３】
本発明はプラズマ処理装置内の処理領域内にプラズマを閉じ込めるためのバッフルアセ
ンブリを含む。本発明はカリフォルニア州サンタクララ市のアプライド・マテリアルズ・
社から市販されているイネーブラー（ＥＮＡＢＬＥＲ、商標名）エッチングシステムに関
連して、以下に説明されるが、本発明は他の製造者により販売されているチャンバーを含
む、物理的蒸着（ＰＶＤ）チャンバー、ＣＶＤチャンバーなどを含む他のプロセスチャン
バーに用いられ得ることは理解されるべきである。
【００１４】
図１はカリフォルニア州サンタクララ市のアプライド・マテリアルズ社により製造され
るイネーブラー（商標名）エッチングなどのプラズマリアクターの例を図示しており、こ
のリアクターは半導体基板を支持するチャンバー１００の底のところに基板支持体（若し
くは、ペデスタル）１０５を備えたリアクターチャンバー１００を含み、さらに、ウォー
ルを保護するためのライナーを含むかもしれない。チャンバー１００の上部は、誘電体（
石英）シール１３２により絶縁され、接地されたチャンバー本体１２７上の基板の上方で
、所定間隔の距離だけ離れて支持される円盤状の上部アルミニウム電極１２５により、塞
がれている。電源１５０は電極１２５に超高周波の電力（ＶＨＦ）を印加する。ＶＨＦは
、典型的には、約３０ＭＨｚと約３００ＭＨｚとの間であり、約１０ｋＨｚから約１０Ｇ
Ｈｚの間の範囲のＲＦバンドのうちの１つである。一実施形態において、ＶＨＦ電源の周
波数は、３００ミリの直径の基板に対しては、１６２ＭＨｚである。電源１５０からのＶ
ＨＦ電力は、電源１５０に対し整合がとられた、同軸ケーブル１６２により接続され、電
極１２５に接続された同軸のスタブ１３５に結合される。スタブ１３５は特性インピーダ
ンスと、共振周波数とを有し、電極１２５と同軸ケーブル１６２若しくはＶＨＦ電力源１
５０との間のインピーダンス整合をもたらす。チャンバー本体はＶＨＦ電源１５０のＶＨ
Ｆの折り帰し点（ＶＨＦの接地）に接続されている。バイアス電力は、従来のインピーダ
ンス整合回路１０４を介して基板支持体１０５に結合されるバイアス電力ＲＦ信号発生器
１０２により基板に印加される。（代表的には１３．５６ＭＨｚの）バイアス発生器１０
２の電力レベルは、代表的には、基板の表面近くのイオンエネルギーを制御するために用
いられ、他方、ＶＨＦ電力はプラズマの密度を制御するために上部電極に印加される。真
空ポンプシステム１１１はプレナム１１２を介してチャンバー１００を真空にする。
【００１５】
基板支持体１０５は、下側の絶縁層１０７を支持する金属ペデスタル層１０６と、この
下側の絶縁層１０７に重なる電気的導電メッシュ層１０８と、この導電メッシュ層１０８
をカバーする薄い上部の絶縁層１１０を含む。半導体のワークピース若しくは基板は、こ
の上部の絶縁層１１０の上部に置かれる。基板支持体１０５及び基板は基板処理の間、カ
ソードを形成する。もしこの基板が存在しなければ、基板支持体１０５がプラズマ処理の
間、カソードである。この電気的に導電性のメッシュ層１０８及び金属のペデスタル層１
０６はモリブデン及びアルミニウムなどの材料から形成されるかもしれない。絶縁層１０
７及び１１０は窒化アルミニウム若しくはアルミナなどの材料から形成されるかもしれな
い。導電性のメッシュ層１０８は基板の表面のところでイオンボンバードメントエネルギ
ーを制御するためのＲＦバイアス電圧を供給する。また、導電性のメッシュ１０８は基板
を静電的にチャッキング若しくはデチャッキングするために用いられ、そのような場合、
よく知られた態様によりチャッキング電源に接続されうる。従って、導電性のメッシュ１
０８は、必ずしも接地されておらず、選択的に、従来のチャッキング及びデチャッキング
の動作に従い、フローティング電位若しくは固定の直流電位を有し得る。基板支持体１０
５は、特に金属製のペデスタル層１０６は、典型的には（必ず必要でもないが）接地され
ており、上部電極１２５により放射されるＶＨＦ電力のための帰還路の一部を形成する。
【００１６】
基板支持体のインピーダンスの均一性を改善するための誘電性の円筒形のスリーブ１１
３はＲＦ導体１１４を取り囲むよう設計されている。同軸の長さ、および、スリーブ１１
３を構成する材料の誘電率は、ＲＦ導体１１４からＶＨＦ電力への給電点インピーダンス
を決定する。同軸の長さ及びスリーブ１１３を構成する材料の誘電率を調整することによ
りより、ＶＨＦ電源のより均一な容量性結合のために、インピーダンスのより均一な放射
分布が達成されうる。
【００１７】
スタブ１３５の遠方端部１３５ａのところの終端導体１６５は、内部及び外部の導体１
４０、１４５を共に終端し、スタブ１３５は、その遠方端部１３５ａのところで短絡され
る。スタブ１３５の近傍端部１３５ｂ（短絡されていない端）のところで、外側導体１４
５は環状の導電性筐体若しくは支持体１７５を介してチャンバー本体に接続され、内部の
導体１４４は導電性のシリンダー１７６を介して電極１２５の中央部分に接続される。誘
電性のリング１８０は導電性のシリンダー１７６と電極１２５との間に保たれ、それらを
隔絶する。
【００１８】
内部の導体１４０はプロセスガス及び冷媒などのユティリティのための導管をもたらす
。この特徴の主要な利点は、典型的なプラズマリアクターにはないようなものであり、ガ
スライン１７０は及び冷媒ライン１７３は相互に大きい電位差を生じない。従って、それ
らは、その目的のために、より安価で、より信頼性のある材料である、金属から形成され
るかもしれない。金属製のガスライン１７０は、上部電極１２５の中、若しくは、近傍に
あるガス入り口１７２にガス供給し、金属性の冷媒ライン１７３は、上部電極１２５内の
冷媒の通路、若しくは、ジャケット１７４に冷媒を供給する。
【００１９】
プラズマの密度は比較的ウォールの近くで低いので、内部のチャンバーウォール１２８
から所定の距離（若しくはギャップ）を伴った基板の周りに置かれたバッフルアセンブリ
１３１がプラズマを閉じ込めるかもしれない。バッフルアセンブリ１３１の端と内部のチ
ャンバーウォール１２８との間の距離（若しくはギャップ）は、小さいほどよい。もし、
このギャップの距離がチャンバーウォールの近くのプラズマシースの厚さより大きいので
あれば、基板の上の反応領域から引き出され、チャンバーウォールおよび下流方向へと引
き出されるプラズマの量は増加し、それにより、プラズマをより閉じ込めないこととなる
。また、チャンバーの圧力に影響をおよぼすフロー抵抗が許容不能なレベルまで増加する
ので、バッフルアセンブリ１３１の端と内部のチャンバーウォールとの間の距離（若しく
はギャップ）は、大きいほどよいとも言える。従って、バッフルアセンブリ１３１は、良
好なプラズマの閉じ込め、及び、低いフロー抵抗をもたらすために、内部のチャンバーウ
ォール１２８から適宜な距離をもって基板の周りに配置される。
【００２０】
図２Ａは本発明の一実施形態のバッフルアセンブリ２００の断面図である。バッフルア
センブリ２００はリング２０２及びベース部分２０４を含む。また、ベース部分２０４は
約１９インチと約２０インチとの間の第１の直径Ｄを有するフランジ２０６を含む。湾曲
したウォール２０８はフランジ２０６から、ベース部分２０４に結合された加熱アセンブ
リ２１４へと延びる。この湾曲したウォール２０８は、リング２０２と共に、ベース部分
２０４から延びるフランジ２０６を支持する。このベース部分２０４の最も内側に入り込
んだ外側ウォール２２０は、約１４インチと約１６インチとの間の直径Ｇを有する。また
、ノッチ２２２はベース部分２０４の底に存在するかもしれない。加熱アセンブリはバッ
フルアセンブリ２００の中に存在するかもしれない。この加熱アセンブリはベース部分２
０４の内部に溶接された加熱チューブを含むかもしれない。
【００２１】
図２Ｂは図２ＡのＡの部分の断面である。レッジ２１０はフランジ２０６の内側に放射
状に設けられるかもしれない。湾曲したウォール２１８はフランジ２０６の外側ウォール
２１８とフランジ２０６の底部のウォール２１６との間に延びるかもしれない。
【００２２】
図２Ｃは図２ＢのＢの部分の断面図である。リング２０２は、間に設けられた１つ以上
のスペーサー２１２を備えたベース２０４に結合されているかもしれない。１つ又はそれ
以上のＯ−リング２２４はリング２０２とベース部分２０４との間の結合密封状態を提供
するため、ベース部分２０４とリング２０２との間に設けられるかもしれない。Ｏ−リン
グ２２４はベース部分２０４に形成されたノッチ内に設けられるかもしれない。
【００２３】
図３Ａは本発明の一実施形態によるリング３００の平面図である。図３Ｂは図３Ａのリ
ング３００の断面図である。リング３００は約１８インチと約１９インチとの間の直径Ｅ
を有する上部のウォール３０２を含む。また、このリング３００は約１９インチと約２０
インチとの間の直径Ｆを有する外側のウォール３０８を有する。湾曲したウォール３０４
は外側のウォール３０８と上部のウォール３０２との間に延びるかもしれない。リング３
００は約１３インチと１４インチとの間に直径Ｉに有する開口３０６を含む。一実施形態
において、リングの外側のウォール３０８の直径は、フランジ２０６の直径に実質的に等
しいかもしれない。
【００２４】
図４Ａ及び図４Ｂは本発明の一実施形態による下側のバッフル部分の概略斜視図である
。図４Ａは底から見たバッフル部分の斜視図である。図４Ｂは上から見た下側バッフル部
分の斜視図である。図４Ａに図示されるように、下側のバッフル部分の底は加熱アセンブ
リーに電力をもたらすための給電レセクタプルを有する。図４Ｃはこの給電レセプタクル
４００を示す図４ＡのＣの部分の切り出し図である。図４Ｃに図示されるように、レセプ
タクルは電力プラグを受け入れるための３つのスロット４０２を含む。
【００２５】
図４Ｄは図４Ｃの断面図である。図４Ｄは図４Ｃに示された給電レセクタプル４００の
断面図を図示する。下側のバッフル部分はボトムの部分４０６に結合された上部部分４０
４を含む。締結機構４０８はボトムの部分４０６に給電レセクタプルを締結するために用
いられるかもしれない。一実施形態において、締結メカニズム４０８はネジであるがしか
し、他の締結メカニズム４０８が用いられてもよいことは理解されるべきである。２つの
電極端子４１２は下側のバッフル部分内に溶接された加熱チューブ４１４に電力を供給す
るためにレセプタクル４１０内に設けられる。
【００２６】
図５は本発明の他の実施形態によるバッフルアセンブリ５００を示す。図５に図示され
るように、バッフルアセンブリ５００は支持構造５０８に支持されるフランジ５０６を有
する下側の部分５０４に結合されたリング５０２を含む。一実施形態において、支持構造
５０８はステップ若しくは角形状を含むかもしれない。支持構造５０８としてステップ若
しくは角形状が示されているが、上述されたように湾曲したウォールを含むフランジ５０
６を支持するために機械的な強度をもたらすために他の形状が用いられるかもしれないこ
とは理解されるべきである。
【００２７】
本発明の実施形態に従って説明されてきたが、本発明の他の更なる実施形態は本発明の
基本範囲を逸脱することなく創作できるものであり、その範囲は添付の特許請求の範囲に
基づいて定められる。
【図１】
2019054274.tif 000003
【図２Ａ】
2019054274.tif 000004
【図２Ｂ】
2019054274.tif 000005
【図２Ｃ】
2019054274.tif 000006
【図３Ａ】
2019054274.tif 000007
【図３Ｂ】
2019054274.tif 000008
【図４Ａ】
2019054274.tif 000009
【図４Ｂ】
2019054274.tif 000010
【図４Ｃ】
2019054274.tif 000011
【図４Ｄ】
2019054274.tif 000012
【図５】
2019054274.tif 000013