(57)【要約】【課題】金属基材等と絶縁樹脂層との密着性及び絶縁樹脂層の耐摩耗性に優れた絶縁樹脂被覆金属基材、絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法、並びに、絶縁樹脂被覆金属基材を備える電気電子部品及び接点部品を提供すること。【解決手段】金属基材１と、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有し、金属基材１の表面の一部又は全面を直接、又は中間層を介して間接的に被覆する絶縁樹脂層２とを有し、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて、絶縁樹脂層２の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、該マッピング測定から算出される絶縁樹脂層２の表面に存在する酸素元素の割合が、１０〜９０％である、絶縁樹脂被覆金属基材１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材と、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有し、前記金属基材の表面の一部又は全面を直接、又は中間層を介して間接的に被覆する絶縁樹脂層とを有し、
飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて、前記絶縁樹脂層の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、該マッピング測定から算出される前記絶縁樹脂層の表面に存在する酸素元素の割合が、１０〜９０％である、絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項２】
前記絶縁樹脂層の厚さが、１μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項３】
前記金属基材が、第４族〜第１３族の元素から選択される１種又は２種以上を含有する金属材料で構成される、請求項１又は２に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項４】
前記絶縁樹脂層は、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂を含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項５】
前記金属基材の表面の一部又は全面が、前記絶縁樹脂層で前記中間層を介して間接的に被覆され、
前記中間層が、第４族〜第１３族の元素から選択される１種又は２種以上を含む第１金属層を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項６】
前記金属基材の表面の一部が、前記絶縁樹脂層で直接被覆され、
前記金属基材の表面の、前記絶縁樹脂層で直接被覆されていない領域の一部又は全面が、錫、銅、鉄、ニッケル、クロム、パラジウム、銀及び金から選択される１種又は２種以上を含む第２金属層で直接被覆されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項７】
前記金属基材が金属条である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材を備える、電気電子部品。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材を備える、接点部品。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法であって、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とを含有するワニスを、前記金属基材の表面に塗布するワニス塗布工程と、２５０℃〜４００℃で２秒〜５００秒の間で熱処理して前記金属基材の表面に前記絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程を有する、絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属基材表面が絶縁樹脂で被覆された絶縁樹脂被覆金属基材、絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法、並びに、絶縁樹脂被覆金属基材を備える電気電子部品及び接点部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属基板等の金属基材に絶縁樹脂層を被覆した絶縁樹脂被覆金属基材は、電気電子部品や接点部品の基材として使用されている。金属基材を絶縁樹脂で被覆することによって、金属基材が他の導電部材に接触することにより生じる短絡を防止することができる。
【０００３】
しかしながら、所望の形状を有する電気電子部品用部材等とするために、絶縁樹脂被覆金属基材に対して打ち抜き加工や曲げ加工等の加工を施す場合、金属基材に対する絶縁樹脂層の密着性が悪いと、金属基材から絶縁樹脂層が剥離してしまうおそれがある。このため、絶縁樹脂被覆金属基材には、それを構成する金属基材と樹脂被膜との密着性に優れていることが要求される。
【０００４】
金属基材と絶縁樹脂層との密着性に優れる技術として、ポリアミドイミド樹脂やポリイミド樹脂を含む樹脂組成物により形成される樹脂皮膜が金属基板上の少なくとも一部又は金属基板上に設けられた金属層上の少なくとも一部に直接形成された電気電子部品用材料が開示されている（例えば、本出願人が提案した特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００９／１０７７５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、スイッチ等のような可動部を有する電気電子部品や接点部品に絶縁樹脂被覆金属条を使用する場合には、絶縁樹脂層の耐摩耗性が劣ると、可動部が絶縁樹脂被膜に繰り返し接触することで絶縁樹脂被膜が経時的に摩耗し、金属基材が露出して短絡が生じるおそれがある。よって、絶縁樹脂層には優れた耐摩耗性を具備することが要求される。また、スイッチ等のような可動部を有する電気電子部品や接点部品においては、可動部が絶縁樹脂層の表面を円滑に動くようにするために、絶縁樹脂層の表面が優れた摩擦特性（低摩擦係数、滑り性）を有することが要求されるが、絶縁樹脂層の耐摩耗性が悪いと、可動部の接触により絶縁樹脂層が摩耗して表面が粗くなり摩擦特性が経時劣化する。
【０００７】
特に、近年、電気電子部品や接点部品の小型化、狭ピッチ化が進むことにより、絶縁樹脂層が薄膜化し、また、可動部の接触可能性が高くなっている。したがって、絶縁樹脂層には、より高いレベルの耐摩耗性が求められてきているものの、特許文献１の技術では、耐摩耗性については着目しておらず、改善の余地があった。
【０００８】
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたものであり、金属基材等と絶縁樹脂層との密着性及び絶縁樹脂層の耐摩耗性に優れた絶縁樹脂被覆金属基材、絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法、並びに、絶縁樹脂被覆金属基材を備える電気電子部品及び接点部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、金属基材に被覆する絶縁樹脂層を、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有するものとし、且つ、飛行時間型二次イオン質量分析を用いて、絶縁樹脂層の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、該マッピング測定から算出される絶縁樹脂層の表面に存在する酸素元素の割合が、１０〜９０％になるようにすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の要旨構成は以下のとおりである。
（１）  ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有し、前記金属基材の表面の一部又は全面を直接、又は中間層を介して間接的に被覆する絶縁樹脂層とを有し、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて、前記絶縁樹脂層の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、該マッピング測定から算出される前記絶縁樹脂層の表面に存在する酸素元素の割合が、１０〜９０％である、絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１１】
（２）  前記絶縁樹脂層の厚さが、１μｍ以上３０μｍ以下である、（２）に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１２】
（３）  前記金属基材が、第４族〜第１３族の元素から選択される１種又は２種以上を含有する金属材料で構成される、（１）又は（２）に記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１３】
（４）  前記絶縁樹脂層は、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂を含有する、（１）〜（３）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１４】
（５）  前記金属基材の表面の一部又は全面が、前記絶縁樹脂層で前記中間層を介して間接的に被覆され、前記中間層が、第４族〜第１３族の元素から選択される１種又は２種以上を含む第１金属層を含む、（１）〜（４）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１５】
（６）  前記金属基材の表面の一部が、前記絶縁樹脂層で直接被覆され、前記金属基材の表面の、前記絶縁樹脂層で直接被覆されていない領域の一部又は全面が、錫、銅、鉄、ニッケル、クロム、パラジウム、銀及び金から選択される１種又は２種以上を含む第２金属層で直接被覆されている、（１）〜（４）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１６】
（７）  前記金属基材が金属条である、（１）〜（６）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材。
【００１７】
（８）  （１）〜（７）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材を備える、電気電子部品。
【００１８】
（９）  （１）〜（７）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材を備える、接点部品。
【００１９】
（１０）  （１）〜（７）のいずれか１つに記載の絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法であって、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とを含有するワニスを、前記金属基材の表面に塗布するワニス塗布工程と、２５０℃〜４００℃で２秒〜５００秒の間で熱処理して前記金属基材の表面に前記絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程を有する、絶縁樹脂被覆金属基材の製造方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、金属基材等と絶縁樹脂層との密着性及び絶縁樹脂層の耐摩耗性に優れた絶縁樹脂被覆金属基材を提供することができる。本発明の絶縁樹脂被覆金属基材は、絶縁樹脂層の耐摩耗性が優れているため、長期に亘って、絶縁性や表面の摩擦特性（低摩擦係数、滑り性）が担保され、例えばスイッチ等の可動部が絶縁樹脂層に繰り返し接触する電気電子部品や接点部品の部材として使用されても、長期に亘って短絡を抑制することができる。また、本発明の絶縁樹脂被覆金属基材は、金属基材等と絶縁樹脂層との密着性にも優れているため、打ち抜き加工や曲げ加工によって所望の形状とすることができる。よって、電気電子部品や接点部品の小型化、狭ピッチ化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態１にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。
【図２】ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合の算出方法を説明する画像ある。
【図３】ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合の算出方法を説明する画像である。
【図４】ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合の算出方法を説明する画像である。
【図５】実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。
【図６】実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材の他の例を示す断面図である。
【図７】実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。
【図８】実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材の他の例を示す断面図である。
【図９】実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材の他の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施形態に基づいて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００２３】
［実施形態１］
図１は、実施形態１にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。図１に示すように、絶縁樹脂被覆金属基材１０は、金属基材１と、金属基材１の表面を被覆する絶縁樹脂層２とを有する。すなわち、絶縁樹脂被覆金属基材１０は、金属基材１の表面を、絶縁樹脂層２が直接被覆している。
【００２４】
＜金属基材＞
金属基材１を構成する金属材料は特に限定されないが、例えば第４族〜第１３族の元素が挙げられる。該金属材料としては、銅、鉄、アルミニウム、チタン等が好ましい。また、金属基材１の形態も特に限定されないが、例えば金属条、金属箔や金属板等が挙げられる。金属基材１の厚さは、例えば０．０１〜１ｍｍである。
【００２５】
図１においては、絶縁樹脂層２で金属基材１の一方の主面（図１においては上面）の全面を被覆した例を示したが、絶縁樹脂層２は金属基材１の表面の少なくとも一部を被覆していればよく、例えば、絶縁樹脂層２は金属基材１の主面の一部の領域のみを被覆していてもよく、また、金属基材１の両方の主面（図１においては、上面及び下面）の全面を被覆していてもよい。
【００２６】
＜絶縁樹脂層＞
絶縁樹脂層２は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアミド（ＰＡ）及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有する。絶縁樹脂被覆金属基材１０が、塗装処理や、リフロー実装処理等において熱処理を受ける可能性がある場合には、絶縁樹脂層２は、耐熱性に優れた樹脂を含有することが好ましく、ポリイミド及びポリアミドイミドの少なくとも一方を含有することがより好ましく、ポリアミドイミドを含有することがさらに好ましい。なお、絶縁樹脂層２は、絶縁樹脂被覆金属基材１０が他部材と繰り返し接触した際に短絡しない程度の絶縁性があればよく、例えば絶縁樹脂層２の電気抵抗率は１０１２Ω・ｍ以上である。
【００２７】
絶縁樹脂層２は、酸素元素を含有しない有機物である酸素元素非含有樹脂を含有することが好ましい。酸素元素非含有樹脂としては、例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）等が挙げられる。
【００２８】
そして、本発明においては、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）を用いて、絶縁樹脂層２の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、該マッピング測定から算出される絶縁樹脂層２の表面に存在する酸素元素の割合（以下、「ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合」とも記載する。）は、１０〜９０％である。ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０％より小さい場合は、金属基材１と絶縁樹脂層２との密着力が悪く、９０％より大きい場合は耐摩耗性が悪い。絶縁樹脂層２の耐摩耗性が特に優れているという観点で、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合は、８０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましい。金属基材１等と絶縁樹脂層２との密着力が特に優れているという観点で、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合は、２０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましい。なお、本発明においては、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０〜９０％であり、絶縁樹脂層２の、絶縁樹脂層２の表面とは反対側（金属基材１側）の面については、占める酸素元素の割合は１０〜９０％でなくてもよく、例えば、酸素非含有樹脂を有していなくてもよい。
【００２９】
ここで、特許文献１等の従来技術では、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂等の酸素元素含有樹脂からなる絶縁有機被膜で金属基材１が被覆されており、この絶縁有機被膜では、金属基材との密着力には問題がないが、耐摩耗性が不十分であった。これは、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂が有する酸素原子が吸着の役目を担うため、この絶縁有機被膜は金属基材との密着力に優れるが、吸着の役目を担うという性質がゆえに、可動部等の接触する他部材にも吸着してしまい、絶縁有機被膜の摩耗が進行してしまっていると推測される。そして、この従来技術にかかる絶縁有機被膜の表面をＴＯＦ−ＳＩＭＳで分析した際に特徴的な元素分布は見られず、例えば、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合は、９０％より大きかった。
【００３０】
これに対し、例えば酸素元素を含有しない酸素元素非含有樹脂を絶縁樹脂層２に含有させることによって、本発明においては、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合を、１０〜９０％になるように調整している。これにより、金属基材１と絶縁樹脂層２との密着性及び絶縁樹脂層２の耐摩耗性の双方に優れた絶縁樹脂被覆金属基材１０となる。これは、耐摩耗性が求められる絶縁樹脂被覆金属基材１０の表層、すなわち絶縁樹脂層２に、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いて算出される酸素原子がない部分、つまり、酸素原子が検出されない部分が、所定の割合（１０〜９０％）で生じるようにすることで、酸素原子が有する吸着の性質を適度に抑制することができ、密着性を維持しつつ、耐摩耗性を向上させることができたと推測される。
【００３１】
なお、絶縁樹脂層２を、酸素元素含有樹脂からなる下層と、酸素元素非含有樹脂からなる上層の２層の積層構造にすることも考えられるが、この場合は、酸素元素非含有樹脂からなる層の吸着性が乏しいため密着性が悪くなり、酸素元素非含有樹脂からなる層が脱落し、耐摩耗性が持続しないと考えられるため、好ましくない。また、酸素元素非含有樹脂からなる層（上層）を形成する工程が、さらに追加することが必要になるという観点でも、酸素元素非含有樹脂からなる層を積層することは好ましくない。
【００３２】
このように、本発明においては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂を含有し、且つ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０〜９０％となるようにすることにより、金属基材１と絶縁樹脂層２との密着性及び絶縁樹脂層２の耐摩耗性に優れた絶縁樹脂被覆金属基材１０とすることができる。絶縁樹脂層２の耐摩耗性が優れているため、絶縁樹脂層２の摩耗を抑制することができる。したがって、長期に亘って、絶縁性や表面の摩擦特性（低摩擦係数、滑り性）が担保され、例えばスイッチ等の可動部が絶縁樹脂層２に接触する電気電子部品や接点部品の部材として使用されても、長期に亘って短絡を抑制することができる。また、絶縁樹脂被覆金属基材１０は、金属基材１と絶縁樹脂層２との密着性にも優れているため、打ち抜き加工や曲げ加工によって所望の形状とすることができる。よって、電気電子部品の小型化、狭ピッチ化に貢献できる。
【００３３】
飛行時間型二次イオン質量分析法（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ：Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ  Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）は、固体試料にイオンビーム（一次イオン）を照射し、表面を構成する分子の一部がイオン化され放出されるイオン（二次イオン）を、その飛行時間差（飛行時間は重さの平方根に比例）を利用して質量分離する手法である。ここでは、一次イオンにＡｕ＋を用い、得られた二次イオンのｍ／ｚ＝１６をＯ−とし解析を行った。つまり、Ｏ−の得られた箇所に、酸素元素含有樹脂が存在することを意味する。
【００３４】
ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層２の表面を占める酸素元素の割合の算出方法を、例えば、実施例Ａ３を例に以下に説明する。
【００３５】
［ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合の算出方法］
まず、以下の測定条件でＴＯＦ−ＳＩＭＳにより、絶縁樹脂層２の表面分析によってＯ−のマッピング（面分析）を実施する。
装置：ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（ＴＲＩＦＴ−ＩＶ）  （アルバック・ファイ社製）
１次イオン種：１９７Ａｕ＋
１次イオン加速エネルギー：３０ｋｅＶ
測定面積：１００μｍ×１００μｍ
帯電中和補正：有
ｍ／ｚ＝１６  Ｏ−
測定面積１００μｍ×１００μｍの画像のうち、中央８０μｍ×８０μｍ視野を対象とする。画像の周囲は陰イオンの検出量が落ちて、分析精度が低いためである。マッピングにより得られるカラー画像は、Ｏ−がある部分は明るく表れて、Ｏ−がない部分は色が濃く現れるよう調整される。
次に、画像寸法計測ソフトＩｍａｇｅＪを用いて、中央８０μｍ×８０μｍのカラー画像を８−Ｂｉｔのグレースケール画像に変換する。中央８０μｍ×８０μｍのグレースケール画像例を図２に示す。さらに上記画像寸法計測ソフトで、このグレースケール画像を白黒の二値化し、８０μｍ×８０μｍに対する、白の面積割合を、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合とする。二値化した画像例を図３に示す。
二値化での閾値の設定方法は、図４に示すグレースケール画像における色調の分布を元にする。図４の横軸は８−Ｂｉｔグレースケール２５５階調で、左側に向かうにつれて黒が強く（濃く）なり、右側に向かうにつれて白が強くなることを示し、縦軸がそれぞれの色調位置での存在割合を示す。
図４では、左側に黒の色調を示す４つのピークがあり、左側から４つの目のピークの根元のグレースケール１０３を、黒と白の閾値とした。閾値の設定によって、左側の黒の面積率は６３％、そして右側の白の面積率は３７％と算出される。すなわちＯ−の占有率は３７％となる。
【００３６】
また、絶縁樹脂層２は、本発明の効果を損なわない範囲で、従来から絶縁樹脂層に用いられている各種の添加剤を含有していてもよい。このような添加剤としては、例えば、無機微粉末や、潤滑剤等が挙げられる。
【００３７】
また、絶縁樹脂層２の厚さは特に限定されない。絶縁樹脂層２の厚さは、薄くても、例えば１μｍ未満であっても、耐摩耗向上効果は十分に発揮されるが、絶縁性の観点から、１μｍ以上であることが好ましい。また、絶縁樹脂層２の厚さは、製造コストの観点から、３０μｍ以下が好ましい。絶縁樹脂層２の厚さは、マイクロメーター等の接触式厚み計により測定することができ、例えば、絶縁樹脂層２が設けられた領域の絶縁樹脂被覆金属基材１０の厚さと絶縁樹脂層２が設けられていない領域の絶縁樹脂被覆金属基材１０の厚さを計測し、差分を絶縁樹脂層２の厚さとする。
【００３８】
実施形態１にかかる絶縁樹脂被覆金属基材１０は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とを含有するワニスを、金属基材１の表面に塗布するワニス塗布工程と、２５０℃〜４００℃で２秒〜５００秒の間で熱処理して金属基材１の表面に絶縁樹脂層２を形成する絶縁樹脂層形成工程を有する製造方法により製造することができる。
【００３９】
ワニス塗布工程で金属基材１の表面に塗布するワニスは、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とを含有する。
【００４０】
ワニス塗布工程で金属基材１の表面に塗布するワニスは、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とを、得られる絶縁樹脂層２の上記ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０〜９０％になるように、例えば、酸素元素含有樹脂と酸素元素非含有樹脂の合計に占める酸素元素含有樹脂の合計が、１０〜９０質量％の範囲内で混合する。
【００４１】
ワニスが含有するポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体やポリフッ化ビニリデンは、従来公知の方法で合成することができる。なお、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体やポリフッ化ビニリデンを含有する市販の溶液を用いてもよい。
【００４２】
例えばポリアミドイミドは、以下の合成方法で合成することができる。酸成分として４，４’−ビフェニルジカルボン酸とトリメリット酸無水物との混合物を用い、ジイソシアネート成分として４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートを用いて、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性溶媒中で酸成分とジイソシアネート成分とを反応させることにより、ポリアミドイミド溶液を得ることができる。
【００４３】
また、上記の例において使用する４，４’−ビフェニルジカルボン酸を３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に変更しても、同様にポリアミドイミド溶液を得ることができる。前者のポリアミドイミドの場合はアミド成分がイミド成分より多くなり、後者のポリアミドイミドの場合は前者の逆となる。
【００４４】
ワニス塗布工程で金属基材１の表面に塗布するワニスは、溶媒やその他の添加剤を含有していてもよい。溶媒は特に限定されず、ワニスが含有する成分を溶解又は分散できる溶媒であればよく、例えばワニスが含有するポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体やポリフッ化ビニリデンを合成する際に用いた溶媒をそのまま用いてもよい。また、添加剤は特に限定されず、従来から絶縁樹脂層に用いられている各種の添加剤、例えば、無機微粉末や、潤滑剤等が挙げられる。
【００４５】
また、例えば、従来のポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミドや、エポキシ樹脂を含有する絶縁樹脂層形成用塗布液に、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体やポリフッ化ビニリデン等の酸素元素非含有樹脂を添加することで、ワニス塗布工程で金属基材１の表面に塗布するワニスを製造することができる。
【００４６】
ワニス塗布工程では、このようなワニスを、金属基材１の表面の絶縁樹脂層２を設ける領域に塗布する。
【００４７】
次いで、絶縁樹脂層形成工程では、２５０℃〜４００℃で２秒〜５００秒の間で熱処理して金属基材１の表面に絶縁樹脂層２を形成する。金属基材１の表面に形成されたワニスは、２５０℃〜４００℃で２秒〜５００秒の間で熱処理（「焼き付け」ともいう）されることにより、溶媒の除去や樹脂成分の硬化反応等が生じ、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド及びエポキシ樹脂から選択される１種又は２種以上の酸素元素含有樹脂と、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体及びポリフッ化ビニリデンから選択される１種又は２種以上の酸素元素非含有樹脂とが混合された単一複合層としての絶縁樹脂層２を形成することができる。
【００４８】
上記では、上記ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０〜９０％になるように調整するために、ポリエチレン、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体やポリフッ化ビニリデンを用いた場合の製造方法を示したが、その他の酸素元素非含有樹脂を用いる場合は、この酸素元素非含有樹脂をワニスに含有させればよい。
【００４９】
本実施の形態にかかる絶縁樹脂被覆金属基材１０は、種々の電気電子機器部品や接点部品として使用することができる。本実施の形態にかかる絶縁樹脂被覆金属基材１０は、密着性及び耐摩耗性に優れているため、特に可動部等の他部材が繰り返し接触する各種スイッチ、圧接コンタクト、電池ホルダー等の接点部品を構成する部材として使用するのが好適であり、長期に亘って短絡が抑制された信頼性の高い接点部品を提供することができる。
【００５０】
（実施形態２）
図５は、本発明の実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。なお、実施形態１と同じ部材には同じ符号を付す。また、以下に記載した実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材２０についての説明以外（例えば、金属基材１、絶縁樹脂層２、絶縁樹脂層２の形成方法や、用途等）は、実施形態１と同じであるため、その説明は省略する。
【００５１】
図５に示すように、実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材２０は、金属基材１と、金属基材１の両方の主面（図５においては、上面及び下面）の全面を被覆する第１金属層３と、一方の主面（図５においては、上面）を被覆する第１金属層３の全面を被覆する絶縁樹脂層２とを有する。すなわち、一方の主面（図５においては、上面）において、第１金属層３は中間層であり、金属基材１の表面を、第１金属層３からなる中間層を介して間接的に絶縁樹脂層２で被覆している。
【００５２】
中間層として第１金属層３を設けることにより、金属基材１に所望の機能を付与することができる。第１金属層３を構成する金属材料は特に限定されないが、例えば、第４族〜第１３族の元素が挙げられる。第１金属層３を構成する金属材料としては、銅、鉄、ニッケル、クロム、パラジウムや、銀等が好ましい。第１金属層３の厚さは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。実施形態２においては、この第１金属層３と絶縁樹脂層２との密着性に優れる。
【００５３】
第１金属層３を形成する方法は特に限定されず、例えば、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきや、物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）等の乾式めっき等で形成することができる。
【００５４】
図５においては、第１金属層３で金属基材１の両方の主面の全面を被覆した例を示したが、実施形態２においては、金属基材１の表面の少なくとも一部が中間層を介して絶縁樹脂層２で被覆されていればよい。図６に、中間層となる第１金属層３で金属基材１の一方の主面の全部及びもう一方の主面の一部を被覆し、両主面を被覆した第１金属層３の全面を絶縁樹脂層２でさらに被覆した例である絶縁樹脂被覆金属基材３０を示す。図６は、実施形態２にかかる絶縁樹脂被覆金属基材の他の例を示す断面図である。なお、中間層は、単層で構成しても、あるいは、複数層で構成してもよい。
【００５５】
（実施形態３）
図７は、本発明の実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材を示す断面図である。なお、実施形態１や実施形態２と同じ部材には同じ符号を付す。また、以下に記載した実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材４０についての説明以外（例えば、金属基材１、絶縁樹脂層２、絶縁樹脂層２の形成方法や、用途等）は、実施形態１や実施形態２と同じであるため、その説明は省略する。
【００５６】
図７に示すように、実施形態３かかる絶縁樹脂被覆金属基材４０は、金属基材１と、金属基材１の一方の主面（図７においては、上面）の一部を被覆する絶縁樹脂層２と、この絶縁樹脂層２で被覆された主面の絶縁樹脂層２で被覆されていない領域の一部を絶縁樹脂層２と接触しないように被覆する第２金属層４とを有する。すなわち、絶縁樹脂被覆金属基材４０は、金属基材１の一方の主面上の離隔した別個の領域に、絶縁樹脂層２及び第２金属層４が互いに接触しないようにそれぞれ直接被覆されている。
【００５７】
第２金属層４を構成する金属材料は、錫、銅、鉄、ニッケル、クロム、パラジウム、銀及び金から選択される１種又は２種以上である。第２金属層４を設けることにより、絶縁樹脂被覆金属基材４０の表面に所望の機能を付与することができる。第２金属層４は、単層で構成しても、あるいは、複数層で構成してもよい。
【００５８】
第２金属層４を形成する方法は、特に限定されず、例えば、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきや、物理蒸着（ＰＶＤ）や化学蒸着（ＣＶＤ）等の乾式めっき等で形成することができる。
【００５９】
図７においては、金属基材１の表面の絶縁樹脂層２で被覆された主面の絶縁樹脂層２で被覆されていない領域の一部を絶縁樹脂層２と接触しないように第２金属層４で被覆した例を示したが、実施形態３においては、金属基材１の表面の絶縁樹脂層２で直接被覆されていない領域の少なくとも一部が第２金属層４で被覆されていればよい。例えば、図８に示すように、金属基材１の両方の主面において、それぞれ一部が絶縁樹脂層２で直接被覆され、絶縁樹脂層２で直接被覆されていない領域の全部が第２金属層４で直接被覆されている絶縁樹脂被覆金属基材５０でもよい。また、図９に示すように、金属基材１の一方の主面が、表面の一部が絶縁樹脂層２で直接被覆され、絶縁樹脂層２で直接被覆されていない領域の全部が第２金属層４で直接被覆されており、もう一方の主面は、全部が第２金属層４で直接被覆されている絶縁樹脂被覆金属基材６０でもよい。図８及び図９は、それぞれ実施形態３にかかる絶縁樹脂被覆金属基材の他の例を示す断面図である。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔実施例Ａ１〜Ａ１４及び比較例Ａ１〜Ａ３〕
以下の方法で、図１に示す絶縁樹脂層２で金属基材１の一方の主面の全面を被覆した絶縁樹脂被覆金属基材１０を製造した。
厚さ０．１ｍｍ、幅２０ｍｍのりん青銅（ＪＩＳ  Ｈ３１３０：２０１２に規定される合金番号：Ｃ５２１０）製の条（古河電気工業株式会社製）を金属基材１とした。まず、この条に電解脱脂処理、酸洗処理、水洗処理、乾燥処理をこの順に行う前処理を施した。電解脱脂処理に用いた脱脂液は、濃度６０ｇ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液である。電解脱脂処理の条件は、電流密度２．５Ａ／ｄｍ２、温度６０℃、脱脂時間６０秒である。酸洗処理に用いた酸洗液は、濃度１０質量％の硫酸水溶液である。酸洗処理の条件は、室温の酸洗液への３０秒間の浸漬である。
【００６１】
また、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを溶媒とし、酸素元素含有樹脂であるポリアミドイミド（ＰＡＩ）及び表１に示す酸素元素非含有樹脂を含有する溶液（ワニス）を作製した。具体的には、溶媒がＮ−メチル−２−ピロリドンでありポリアミドイミドの濃度が２０質量％であるポリアミドイミド溶液に、得られる絶縁樹脂被覆金属基材１０の、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素（Ｏ−）の割合（占有率）が表１になるように平均粒径が０．１〜１．０μｍの酸素元素非含有樹脂を添加し、大気圧自転・公転ミキサー（ＡＲＥ−３１０、ＴＨＩＮＫＹ製）で十分に混ぜ合わせることで、ワニスを作製した。
【００６２】
次に、前処理を施した金属基材の一方の主面の全部に、作製したワニスを、Ｋコントロールコーター（ＲＫ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｏａｔ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｌｔｄ．  ＵＫ製）を用いて塗布して、ワニスの塗膜を形成した。なお、塗膜の厚さは、表１に示す絶縁樹脂層２の厚さ（μｍ）となるように調整した。
【００６３】
次に、ワニスを塗布した金属基材を、３５０℃で３０秒間加熱処理し、溶媒を乾燥させて絶縁樹脂層２を形成し、図１に示す絶縁樹脂被覆金属基材１０を製造した。
【００６４】
〔実施例Ｂ１〜Ｂ６〕
金属基材１を構成する金属材料の種類等を表２に示すように変更した以外は実施例Ａ１と同様にして、図１に示す絶縁樹脂被覆金属基材１０を製造した。表２において、金属基材１を構成する金属材料は、実施例Ｂ１ではＪＩＳ  Ｈ３１００：２０１８に規定される合金番号：Ｃ２６００（黄銅）であり、実施例Ｂ２〜Ｂ４では、それぞれ古河電気工業株式会社製の銅合金であるＥＦＣＵＢＥ−ＳＴ（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｍｇ−Ｃｒ系）、ＥＦＴＥＣ−５５０Ｔ（Ｃｕ−Ｃｒ−Ｍｇ系）、ＥＦＴＥＣ−６４Ｔ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｒ−Ｚｎ系）であり、実施例Ｂ５ではＪＩＳ  Ｈ４０００：２０１４に規定される合金番号：Ａ１０５０（純アルミニウム）であり、実施例Ｂ６ではＪＩＳ  Ｇ４３０５：２０１２に規定される合金番号：ＳＵＳ３０４（鉄合金（ステンレス鋼））である。
【００６５】
〔実施例Ｃ１〜Ｃ３〕
以下の方法で、図５に示す両方の主面の全面を直接被覆する第１金属層３と、一方の主面を被覆し中間層となる第１金属層３の全面を被覆する絶縁樹脂層２とを有し、第１金属層３が金属めっきからなる絶縁樹脂被覆金属基材２０を製造した。
【００６６】
実施例Ａ１と同様に、厚さ０．１ｍｍ、幅２０ｍｍのりん青銅（合金番号：Ｃ５２１０）製の条（古河電気工業株式会社製）を金属基材１とした。この金属基材に実施例Ａ１と同様にして前処理を施した後に、表３に示すパラジウムめっき、ニッケルめっき、又は銀めっきを施して、金属基材１の両方の主面の全面に、パラジウム、ニッケル、又は銀からなる厚さ１μｍの第１金属層を被覆した。
【００６７】
パラジウムめっきに用いためっき液は、Ｐｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２とアンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）と硫酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳＯ４）を含有するものである。めっき液におけるＰｄ（ＮＨ３）２Ｃｌ２の濃度は４５ｇ／Ｌであり、アンモニア水の濃度は９０ｍＬ／Ｌであり、硫酸アンモニウムの濃度は５０ｇ／Ｌである。パラジウムめっきのめっき条件は、電流密度１Ａ／ｄｍ２、温度３０℃である。
【００６８】
ニッケルめっきに用いためっき液は、Ｎｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏと塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２）とホウ酸（Ｈ３ＢＯ３）を含有するものである。めっき液におけるＮｉ（ＳＯ３ＮＨ２）２・４Ｈ２Ｏの濃度は５００ｇ／Ｌであり、塩化ニッケルの濃度は３０ｇ／Ｌであり、ホウ酸の濃度は３０ｇ／Ｌである。ニッケルめっきのめっき条件は、電流密度５Ａ／ｄｍ２、温度５０℃である。
【００６９】
銀めっきを施す場合には、まず銀ストライクめっきを施し、その後に銀めっきを施した。銀ストライクめっきに用いためっき液は、ＫＡｇ（ＣＮ）２とシアン化カリウム（ＫＣＮ）を含有するものである。めっき液におけるＫＡｇ（ＣＮ）２の濃度は４．４５ｇ／Ｌであり、シアン化カリウムの濃度は６０ｇ／Ｌである。銀ストライクめっきのめっき条件は、電流密度５Ａ／ｄｍ２、温度２５℃である。
【００７０】
銀めっきに用いためっき液は、シアン化銀（ＡｇＣＮ）とシアン化カリウムと炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）を含有するものである。めっき液におけるシアン化銀の濃度は５０ｇ／Ｌであり、シアン化カリウムの濃度は１００ｇ／Ｌであり、炭酸カリウムの濃度は３０ｇ／Ｌである。銀めっきのめっき条件は、電流密度１Ａ／ｄｍ２、温度３０℃である。
【００７１】
次に、めっきを施した金属基材の一方の主面の全面に（すなわち、第１金属層の上に）、表３に示す条件で実施例Ａ１と同様にして絶縁樹脂層２を形成し、図５に示す絶縁樹脂被覆金属基材２０を製造した。
【００７２】
〔実施例Ｄ１〜Ｄ４〕
以下の方法で、図９に示す金属基材１の一方の主面が、表面の一部が絶縁樹脂層２で直接被覆され、絶縁樹脂層２で直接被覆されていない領域の全部が第２金属層４で直接被覆されており、もう一方の主面は、全部が第２金属層４で直接被覆されている絶縁樹脂被覆金属基材６０を製造した。
【００７３】
実施例Ａ１と同様に、厚さ０．１ｍｍ、幅２０ｍｍのりん青銅（合金番号：Ｃ５２１０）製の条（古河電気工業株式会社製）を金属基材１とした。この金属基材に実施例Ａ１と同様にして前処理を施した後に、一方の主面の一部に、表４に示す条件で実施例Ａ１と同様にして絶縁樹脂層２を被覆した。
【００７４】
次に、上記のようにして絶縁樹脂層２を被覆した金属基材の一方の主面の絶縁樹脂層２が設けられていない残りの部分、及び、他方の主面の全面に、表４のめっきの種類に示しためっきを施して、金属基材の表面のうち絶縁樹脂層２が被覆されていない部分の全面に、厚さ１μｍの第２金属層４を被覆した。
【００７５】
錫めっきに用いためっき液は、硫酸錫（II）（ＳｎＳＯ４）と硫酸（Ｎ２ＳＯ４）を含有するものである。めっき液における硫酸錫（II）の濃度は８０ｇ／Ｌであり、硫酸の濃度は８０ｇ／Ｌである。錫めっきのめっき条件は、電流密度２Ａ／ｄｍ２、温度３０℃である。
【００７６】
ニッケルめっきや銀めっきに用いためっき液及びめっき条件は、実施例Ｃ２及びＣ３と同様である。
【００７７】
金めっきに用いためっき液は、Ｋ［Ａｕ（ＣＮ）２］とシアン化カリウムと炭酸カリウムとＫＨ２ＰＯ４を含有するものである。めっき液におけるＫ［Ａｕ（ＣＮ）２］の濃度は１０ｇ／Ｌであり、シアン化カリウムの濃度は３０ｇ／Ｌであり、炭酸カリウムの濃度は３０ｇ／Ｌであり、ＫＨ２ＰＯ４の濃度は３０ｇ／Ｌである。金めっきのめっき条件は、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２、温度５０℃である。
【００７８】
［ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層２の表面を占める酸素元素（Ｏ−）の割合（占有率）］
得られた絶縁樹脂被覆金属基材について、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素（Ｏ−）の割合を、上記［ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合の算出方法］で説明した手順に従って求めた。結果を表１〜４の「表面Ｏ−占有率」欄に記載する。
【００７９】
また、得られた絶縁樹脂被覆金属基材について、絶縁樹脂層２の厚さ、下地金属（金属基材又は第１金属層）に対する絶縁樹脂層２の密着力、及び、絶縁樹脂層２の表面における耐摩耗性の評価を、下記の方法で行った。結果を表１〜４に示す。
【００８０】
［密着力］
斜め切削装置（ダイプラ・ウィンテス（株）製サイカスＤＮ−２０Ｓ）を用いて、実施例Ａ１〜Ａ１４、Ｂ１〜Ｂ６及びＤ１〜Ｄ４、比較例Ａ１〜Ａ３については絶縁樹脂層２と金属基材１との密着力を、また、実施例Ｃ１〜Ｃ３については絶縁樹脂層２と第１金属層３との密着力を測定した。測定条件は、幅１ｍｍ、すくい角２０°、逃げ角１０°のダイヤ切刃を使用し、定速度モード、水平速度２．０μｍ／ｓ、垂直速度０．１μｍ／ｓで行った。刃幅あたりの水平力を密着力［ｋＮ／ｍ］とした。なお、本実施例では、密着力が、０．５０［ｋＮ／ｍ］以上を合格と判断した。
【００８１】
［耐摩耗性］
絶縁樹脂層２の表面において、表面性測定機（新東科学株式会社製、ＴＹＰＥ：１４）を用い、摺動距離片道１０ｍｍ、速度１００ｍｍ／ｍｉｎ、荷重２０ｇｆ、摺動子に接点部の曲率半径が３ｍｍの鋼球を用い、往復１０００回の繰り返し摺動を行った。なお、表には、摩擦抵抗力が初めて６ｇｆを超えたときの繰り返し摺動回数を記載し、１０００回摺動を行っても６ｇｆを超えなかったものを１０００回と表記した。なお、本実施例では、回数が３００回以上を合格と判断した。なお、実施例及び比較例はいずれも、摺動１回目の摩擦抵抗力は６ｇｆ未満であり、滑り性に優れていた。そして、摩擦抵抗力が初めて６ｇｆを超えたときの繰り返し回数が多いほど、耐摩耗性に優れ、絶縁樹脂層２が摩耗せず、滑り性が維持できているといえる。
【００８２】
表１〜４に示すように、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いて、絶縁樹脂層２の表面における酸素元素のマッピング測定を行い、マッピング測定から算出される絶縁樹脂層２の表面に存在する酸素元素の割合（ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合）が１０〜９０％の範囲内である実施例Ａ１〜Ａ１４、Ｂ１〜Ｂ６、Ｃ１〜Ｃ３及びＤ１〜Ｄ４は、密着力及び耐摩耗性のいずれにも優れていた。
【００８３】
一方、絶縁樹脂層２が酸素元素含有樹脂のみで構成されている比較例Ａ１や、絶縁樹脂層２が酸素元素含有樹脂と酸素元素非含有樹脂で構成されているものの、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が９０％を超える比較例３は、耐摩耗性が不合格であった。また、絶縁樹脂層２が酸素元素含有樹脂と酸素元素非含有樹脂で構成されているものの、ＴＯＦ−ＳＩＭＳを用いた、絶縁樹脂層の表面を占める酸素元素の割合が１０％未満である比較例２は、密着力が不合格であった。
【００８４】
【表１】
2019209657.tif 000003
【００８５】
【表２】
2019209657.tif 000004
【００８６】
【表３】
2019209657.tif 000005
【００８７】
【表４】
2019209657.tif 000006
【符号の説明】
【００８８】
１  金属基材
２  絶縁樹脂層
３  第１金属層
４  第２金属層
１０、２０、３０、４０、５０、６０  絶縁樹脂被覆金属基材
【図１】
2019209657.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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