(57)【要約】【課題】紫外線ランプの発光管の外表面や紫外線透過窓部材の表面に汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができ、汚染物質が付着した場合でも容易に除去することが可能なガス処理装置およびガス処理方法を提供する。【解決手段】本発明のガス処理装置は、内部に被処理ガスが流通する処理室を有するチャンバーと、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプとを備えてなるガス処理装置であって、前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理ガスが流通する処理室を有するチャンバーと、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプとを備えてなるガス処理装置であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理装置。
【請求項２】
前記発光管が石英ガラスよりなることを特徴とする請求項１に記載のガス処理装置。
【請求項３】
内部に被処理ガスが流通する処理室を有するチャンバーと、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材と、この紫外線透過窓部材を介して前記処理室内に紫外線を照射する紫外線ランプとを備えてなるガス処理装置であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理装置。
【請求項４】
前記紫外線透過窓部材が石英ガラスよりなることを特徴とする請求項３に記載のガス処理装置。
【請求項５】
前記ナノシリカ粒子は、平均粒径が１００ｎｍ未満のものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のガス処理装置。
【請求項６】
前記紫外線ランプがエキシマランプであることを特徴とする請求項２または請求項４に記載のガス処理装置。
【請求項７】
揮発性有機化合物を含む被処理ガスを処理するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のガス処理装置。
【請求項８】
処理室を流通する被処理ガスに、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプによって紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理方法。
【請求項９】
処理室を流通する被処理ガスに、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材を介して紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理方法。
【請求項１０】
被処理ガスが流通する処理室内に配置された光触媒に、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプから紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理方法。
【請求項１１】
被処理ガスが流通する処理室内に配置された光触媒に、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材を介して紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とするガス処理方法。
【請求項１２】
前記被処理ガスは、揮発性有機化合物を含むものであることを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれかに記載のガス処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線を利用して有害物質を含むガスを処理するガス処理装置およびガス処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有害物質を含むガスを処理する方法としては、紫外線を利用する方法が知られている。
例えば特許文献１には、被処理ガスが流通するハウジンク内に、波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を放射する紫外線ランプが配置されてなるガス処理装置が開示されている。このガス処理装置においては、被処理ガス中に含まれる酸素に真空紫外線が照射されることにより、オゾンや酸素ラジカルなどの活性種が発生し、この活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質が分解される。
また、特許文献２には、被処理ガスが流通する容器内に、光触媒部および紫外線ランプが配置されてなるガス処理装置が開示されている。このガス処理装置においては、光触媒部に紫外線が照射されることにより、光触媒が活性化され、活性化された光触媒によって、被処理ガス中に含まれる有害物質が分解される。
【０００３】
しかしながら、このようなガス処理装置においては、紫外線ランプの発光管の外表面に被処理ガスが接触するため、当該発光管の外表面に、被処理ガス中に含まれる塵埃、水溶性または油溶性の有機物質や、紫外線または光触媒による分解生成物などの汚染物質が付着する。特に、紫外線ランプが、波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を放射するものである場合には、真空紫外線が照射されることによって、発光管の外表面の親水化が進行しているため、そのような傾向が著しく生じる。その結果、紫外線ランプから放射される紫外線が発光管の外表面において遮蔽され、これにより、被処理ガスや光触媒に照射される紫外線の照度が低下する、という問題がある。また、このような汚染物質が発光管の外表面に付着すると、当該汚染物質を容易に除去することが困難であり、紫外線ランプのメンテナンスが非常に煩雑である、という問題がある。
【０００４】
また、特許文献３には、被処理ガスが流通するケーシングと、このケーシング内に設けられた筒状の紫外線透過窓部材と、この紫外線透過窓部材に収容された紫外線ランプとを有するガス処理装置が開示されている。このガス処理装置においては、紫外線透過窓部材によって、紫外線ランプが被処理ガスの流路から隔離されているため、紫外線ランプの発光管の外表面に被処理ガスが接触することがなく、従って、紫外線ランプの発光管の外表面に汚染物質が付着することが回避される。
しかしながら、紫外線透過窓部材の外表面に被処理ガスが接触するため、当該外表面には汚染物質等が付着する結果、被処理ガスや光触媒に照射される紫外線の照度が低下する、という問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２０７５３６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４７８７４号公報
【特許文献３】特開２００１−１７０４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、紫外線ランプの発光管の外表面や紫外線透過窓部材の表面に汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができ、汚染物質が付着した場合でも容易に除去することが可能なガス処理装置およびガス処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のガス処理装置は、内部に被処理ガスが流通する処理室を有するチャンバーと、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプとを備えてなるガス処理装置であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
このようなガス処理装置においては、前記発光管が石英ガラスよりなることが好ましい。
【０００９】
また、本発明のガス処理装置は、内部に被処理ガスが流通する処理室を有するチャンバーと、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材と、この紫外線透過窓部材を介して前記処理室内に紫外線を照射する紫外線ランプとを備えてなるガス処理装置であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
このようなガス処理装置においては、前記紫外線透過窓部材が石英ガラスよりなることが好ましい。
【００１１】
本発明のガス処理装置においては、前記ナノシリカ粒子は、平均粒径が１００ｎｍ未満のものであることが好ましい。
また、前記紫外線ランプがエキシマランプであることが好ましい。
また、本発明のガス処理装置は、揮発性有機化合物を含む被処理ガスを処理するものであってもよい。
【００１２】
本発明のガス処理方法は、処理室を流通する被処理ガスに、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプによって紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のガス処理方法は、処理室を流通する被処理ガスに、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材を介して紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明のガス処理方法は、被処理ガスが流通する処理室内に配置された光触媒に、少なくとも発光管の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線ランプから紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線ランプにおける前記発光管の外表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明のガス処理方法は、被処理ガスが流通する処理室内に配置された光触媒に、少なくとも表面の一部が前記処理室に露出するよう配置された紫外線透過窓部材を介して紫外線を照射するガス処理方法であって、
前記紫外線透過窓部材における前記処理室に露出する表面には、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
本発明のガス処理方法においては、前記被処理ガスは、揮発性有機化合物を含むものであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、被処理ガスが流通する処理室に露出する、紫外線ランプの発光管の外表面または紫外線透過窓部材の表面に、ナノシリカ粒子による表層が形成されていることにより、当該表面に汚染物質が付着することが抑制される。そのため、発光管の外表面または紫外線透過窓部材の表面に汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができ、しかも、発光管の外表面または紫外線透過窓部材の表面に汚染物質が付着した場合でも容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るガス処理装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２】図１に示すガス処理装置におけるエキシマ放電ランプの構成を示す説明図である。
【図３】本発明に係るガス処理装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明に係るガス処理装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
図１に示すガス処理装置は、被処理ガス中の酸素に波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射することによって、オゾンや酸素ラジカルなどの活性種が発生し、この活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質を分解するものである。
【００２０】
このガス処理装置は、内部に被処理ガスＧ１が流通する処理室Ｓを有する円筒状のチャンバー１を有する。このチャンバー１における周壁の一端側には、処理室Ｓ内に被処理ガスＧ１を導入するガス導入管２が設けられ、当該チャンバー１における周壁の他端側には、処理室Ｓ内から処理済みガスＧ２を排出するガス導入管３が設けられている。
チャンバー１の処理室Ｓ内には、直管状の発光管１０を有するエキシマ放電ランプ４が、当該チャンバー１の筒軸に沿って伸びるよう配置されている。
【００２１】
図２は、図１に示すガス処理装置におけるエキシマ放電ランプの一例における構成を示す説明図である。
図示の例の発光管１０は、円管状の発光部１１と、この発光部１１の一端に縮径部１２を介して連続する封止部１３とを有する。発光管１０の他端には、ランプの製造過程において発光管１０内を排気するための排気経路の残部であるチップ部１５が形成されている。
封止部１３は、金属箔１８を埋設して気密封止したいわゆる箔封止構造であって、例えば、発光管１０を構成する発光管形成材料の端部を加熱してピンチャーで圧潰することにより形成されている（ピンチシール構造）。
【００２２】
発光管１０の外表面１０ａには、ナノシリカ粒子による表層が形成されて構成されている。
ナノシリカ粒子による表層は、発光管１０の外表面全面にわたって形成されていることは必要ではなく、発光管１０の外表面１０ａにおいて防汚性が要求される一部の領域、すなわち処理室Ｓに露出する領域のみに形成されていてもよい。
【００２３】
発光管１０を構成するガラスとしては、発光管１０内において生成されたエキシマが発する光に対して透過性を有するものであれば特に限定されないが、石英ガラス（溶融石英ガラス、合成石英ガラス）、サファイアガラス、フッ化マグネシウムガラスなどを用いることが好ましい。
【００２４】
発光管１０における表層を構成するナノシリカ粒子としては、平均粒子径が１００ｎｍ未満のものを用いることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以下であるまた、ナノシリカ粒子の平均粒子径の下限値は特に限定されないが、製造上の観点から、平均粒子径が５ｎｍ以上のナノシリカ粒子が好ましい。
ナノシリカ粒子の平均粒子径が過大である場合には、紫外線に対する透過性が低下する虞がある。
【００２５】
発光管１０の外表面１０ａに表層を形成する方法としては、発光管１０の外表面１０ａにナノシリカ粒子を圧接する乾式法、ナノシリカ粒子が分散されてなる分散液を発光管１０の外表面１０ａに塗布して乾燥する湿式法を利用することができる。
【００２６】
乾式法の具体例としては、例えばボールミルのように、発光管１０およびナノシリカ粒子を円筒状の容器に入れ、この容器を筒軸が水平となる姿勢で配置し、当該筒軸を中心軸として回転させることにより、発光管１０の外表面１０ａにナノシリカ粒子を圧接する方法、ローラによって発光管１０の外表面１０ａにナノシリカ粒子を圧接する方法などが挙げられる。
【００２７】
湿式法において、分散液を調製するための液状の分散媒としては、例えばイソプロピルアルコール、メチルアルコール、エチレングリコール、エチレングリコールモノｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルアセトアミドなどの親水性有機溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサン、酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエンなどの疎水性有機溶媒を用いることができる。
分散液中のナノシリカ粒子の割合は、例えば１５〜５０質量％である。
また、発光管１０の外表面１０ａに分散液を塗布する方法としては、ディップ法、スプレーコート法、インクジェットプリンタによって塗布する方法、スクリーン印刷法などを利用することができる。
【００２８】
発光管１０の両端部の各々には、例えば無機絶縁性のセラミックス（例えばアルミナ）等からなる筒状のベース部材４０，４１が設けられている。ベース部材４０，４１は、例えば無機接着剤により発光管１０に対して固定されている。ベース部材４０，４１の外周面には、周方向の全周にわたって延びる溝部４２が形成されている。
【００２９】
発光管１０の内部には、エキシマを生成するための発光ガスが封入されていると共に、内側電極２０が発光管１０の管軸に沿って伸びるよう配置されている。
発光ガスとしては、例えばキセノンガス（Ｘｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）、クリプトンガス（Ｋｒ）などのエキシマ放電によってエキシマ分子を生成する放電媒質としての作用を有する希ガスが用いられる。また、放電媒質としては、希ガスと共に必要に応じて、フッ素ガス（Ｆ）、塩素ガス（Ｃｌ）、沃素ガス（Ｉ）および臭素ガス（Ｂｒ）などのハロゲンガスが封入されていてもよい。
【００３０】
内側電極２０は、例えばタングステンなどの耐熱性を有する金属よりなり、金属素線がコイル状に巻回されてなるコイル状部分２１と、当該コイル状部分２１の両端に設けられた略直線状に伸びるリード部分２２，２３とを有する。この内側電極２０は、コイル状部分２１の中心軸が発光管１０の管軸と一致する状態で配置されており、他方のリード部分２３の他端部がチップ部１５内に位置され、一方のリード部分２２の一端部が封止部１３に埋設された金属箔１８の他端部に電気的に接続されている。
金属箔１８の一端部には、封止部１３の外端から管軸方向外方に突出して延びる外部リード２５の他端部が電気的に接続されている。このようにして、内側電極２０は、金属箔１８を介して外部リード２５と電気的に接続されている。
【００３１】
発光管１０の外表面１０ａには、網状の外側電極３０が発光管１０の管軸方向に沿って延びるよう配設されている。外側電極３０は、一方のベース部材４０を貫通して延びる配線３５を介して図示しない電源に接続されており、例えば接地電極として機能する。
この例における外側電極３０は、例えば、導電性を有する複数本の金属素線を筒状の形態をなすよう編んで形成された網状の電極形成部材（以下、「網状電極形成部材」ともいう。）３１により構成されている。網状電極形成部材３１を構成する金属素線の素線径は、例えばφ０．０１〜φ１．０ｍｍである。
【００３２】
このようなガス処理装置においては、被処理ガスＧ１がチャンバー１のガス導入管２から処理室Ｓに導入される。そして、エキシマ放電ランプ４においては、図示しない電源によって、エキシマ放電ランプ４における内側電極２０と外側電極３０との間に高周波高電圧が印加されることにより、発光管１０の内部空間においてエキシマ放電が生じる。そして、エキシマ放電によってエキシマ分子が生成され、そのエキシマ分子から放出される真空紫外光が発光管１０を透過し、外側電極３０を構成する網状電極形成部材３１の網目の間隙を介して放射される。この真空紫外線が、被処理ガスＧ１中の酸素に照射されることにより、オゾンや酸素ラジカルなどの活性種が生成され、この活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質、例えば揮発性有機化合物が分解されてガス処理が達成される。そして、処理済みガスＧ２は、処理室Ｓからガス排出管３を介して外部に排出される。
【００３３】
以上において、チャンバー１の内面とエキシマ放電ランプ４における発光管１０の外表面１０ａとの離間距離は、５〜３０ｍｍであることが好ましい。この離間距離が過小である場合には、発光管１０の表面における被処理ガスＧ１の流速が大きすぎて、被処理ガスＧ１に十分なエネルギーを与えることができない虞がある。一方、この離間距離が過大である場合には、エキシマ放電ランプ４からの紫外線が被処理ガスＧ１に吸収されることにより、処理室Ｓにおける発光管１０の表面から最も離れた領域、例えばチャンバー１の内面近傍の領域に十分な量の紫外線が到達しない。そのため、当該領域を流通する被処理ガスＧ１中の有害物質が十分に分解されずに処理室Ｓから排出する虞がある。
【００３４】
処理室Ｓ内の被処理ガスに対するエキシマ放電ランプ４からの真空紫外線の照度は、例えば２０〜１００ｍＷ／ｃｍ2である。
また、処理室Ｓを流通する被処理ガスの流量は、処理室Ｓ内における被処理ガスの滞留時間などを考慮して設定されるが、例えば１〜１０００Ｌ／ｍｉｎである。
【００３５】
上記のガス処理装置によれば、エキシマ放電ランプ４における発光管１０の外表面１０ａにナノシリカ粒子による表層が形成されていることにより、当該発光管１０の外表面１０ａに汚染物質が付着することが抑制される。そのため、発光管１０の外表面１０ａに汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができる。また、発光管１０の外表面１０ａに汚染物質が付着しにくいため、発光管１０の外表面１０ａを洗浄する頻度が小さく、しかも、発光管１０の外表面１０ａに汚染物質が付着した場合でも容易に除去することができる。
【００３６】
図３は、本発明に係るガス処理装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。  図３に示すガス処理装置は、被処理ガス中の酸素に波長２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射することによって、オゾンや酸素ラジカルなどの活性種が発生し、この活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質を分解するものである。
【００３７】
このガス処理装置は、内部に被処理ガスＧ１が流通する処理室Ｓを有する円筒状のチャンバー５を有する。このチャンバー５における周壁の一端側には、処理室Ｓ内に被処理ガスＧ１を導入するガス導入管６が設けられ、当該チャンバー５における周壁の他端側には、処理室Ｓ内から処理済みガスＧ２を排出するガス導入管７が設けられている。
チャンバー５の処理室Ｓ内には、管状の紫外線透過窓部材８が、チャンバー５の両端壁を貫通して当該チャンバー５の筒軸に沿って伸びるよう配置されている。
紫外線透過窓部材８の内部には、直管状の発光管１０を有するエキシマ放電ランプ９が、当該紫外線透過窓部材８の管軸に沿って伸びるよう配置されている。すなわち、エキシマ放電ランプ９は、紫外線透過窓部材８によって、被処理ガスＧ１が流通する処理室Ｓと隔離された空間に配置されている。このエキシマ放電ランプ９は、発光管１０の外表面１０ａにナノシリカ粒子による表層が形成されていないことを除き、図２に示すエキシマ放電ランプ４と同様の構成である。
【００３８】
紫外線透過窓部材８は、エキシマ放電ランプ９からの紫外線に対して透過性を有するガラス材料によって構成されている。このようなガラス材料としては、石英ガラス（溶融石英ガラス、合成石英ガラス）、サファイアガラス、フッ化マグネシウムガラスなどを用いることが好ましい。
また、紫外線透過窓部材８における処理室Ｓに露出する外表面８ａには、ナノシリカ粒子による表層が形成されている。この紫外線透過窓部材８に形成された表層は、図２に示すエキシマ放電ランプ４の発光管１０の外表面１０ａに形成された表層と同様の構成である。
また、紫外線透過窓部材８の内部は、窒素ガスなどの不活性ガスによってパージされている。
【００３９】
このようなガス処理装置においては、被処理ガスＧ１がチャンバー５のガス導入管６から処理室Ｓに導入される。そして、エキシマ放電ランプ９からの真空紫外線が、紫外線透過窓部材８を介して被処理ガスＧ１中の酸素に照射されることにより、オゾンや酸素ラジカルなどの活性種が生成され、この活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質、例えば揮発性有機化合物が分解されてガス処理が達成される。そして、処理済みガスＧ２は、処理室Ｓからガス排出管３を介して外部に排出される。
【００４０】
以上において、チャンバー５の内面と紫外線透過窓部材８の外表面８ａとの離間距離は、５〜３０ｍｍであることが好ましい。
また、処理室Ｓ内の被処理ガスに対するエキシマ放電ランプ９からの真空紫外線の照度、および処理室Ｓを流通する被処理ガスの流量は、図１に示すガス処理装置と同様の条件である。
【００４１】
上記のガス処理装置によれば、処理室Ｓに露出する紫外線透過窓部材８の外表面８ａにナノシリカ粒子による表層が形成されていることにより、当該紫外線透過窓部材８の外表面８ａに汚染物質が付着することが抑制される。そのため、紫外線透過窓部材８の外表面８ａに汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができる。また、紫外線透過窓部材８の外表面８ａに汚染物質が付着しにくいため、紫外線透過窓部材８の外表面８ａを洗浄する頻度が小さく、しかも、紫外線透過窓部材８の外表面８ａに汚染物質が付着した場合でも容易に除去することができる。
【００４２】
本発明は、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
（１）紫外線ランプとしては、エキシマ放電ランプの代わりに低圧水銀ランプを用いることができる。
（２）上記の実施の形態は、被処理ガス中に含まれる酸素に真空紫外線を照射することにより生ずるオゾンや酸素ラジカルなどの活性種によって、被処理ガス中に含まれる有害物質を分解する構成のものであるが、紫外線を照射することにより活性化された光触媒によって、被処理ガス中に含まれる有害物質を分解する構成のものであってもよい。このような実施の形態においては、処理室内における適宜の個所に、二酸化チタン等よりなる光触媒を配置すると共に、紫外線ランプとして、光触媒を活性化し得る紫外線を放射するものを用いればよい。処理室内に光触媒を配置する手段としては、チャンバーの内壁面に光触媒を担持させる手段、光触媒が担持された担持体を処理室内に配置する手段などが挙げられる。
（３）被処理ガスは、揮発性有機化合物を含むものに限定されず、オゾンや酸素ラジカル等の活性種によって或いは活性化された光触媒によって分解し得る有害物質を含むものであればよい。
（４）図１に示すガス処理装置において、紫外線ランプ（エキシマ放電ランプ）は、発光管における発光部の表面全面が処理室に露出するよう配置されているが、発光部の表面の一部のみが処理室に露出するよう配置されていてもよい。
【００４３】
〈実験例〉
図２の構成に従い、下記の仕様のエキシマ放電ランプＡを作製した。
発光管（１０）：
ガラス基体の材質＝合成石英ガラス
表層の材質＝平均粒子径が１０ｎｍのナノシリカ粒子
発光部（１１）の外径＝１６ｍｍ
発光部（１１）の内径＝１４ｍｍ
発光部（１１）の長さ＝１３０ｍｍ
内側電極（２０）：
材質＝タングステン
素線径＝０．３ｍｍ
外側電極（３０）：
材質＝ステンレス（ＳＵＳ３０４）
素線径＝０．２ｍｍ
封入ガス：
ガス種：キセノンガス
封入圧：２０ｋＰａ
定格電圧：４ｋＶ
【００４４】
以上において、発光管における表層は、以下のようにして形成した。
内径が９０ｍｍ、長さが１５０ｍｍの円筒状の容器内に、発光管を構成するガラス基体と、平均粒子径が１０ｎｍのナノシリカ粒子１ｇを入れ、この容器を筒軸が水平となる姿勢で配置し、筒軸を中心軸として２００ｒｐｍで１０分間回転させることにより、発光管の表面にナノシリカ粒子を圧接することにより、発光管の外表面に表層を形成した。
また、エキシマ放電ランプＡにおける発光管の外表面について、原子間力顕微鏡（キーエンス社製、品番：ＶＮ−８０１０）によって表面解析し、その表面粗さＲａを測定したところ、５ｎｍであった。
【００４５】
また、ナノシリカ粒子として、平均粒子径が５０ｎｍのものを用いたこと以外は、エキシマ放電ランプＡと同様の仕様のエキシマ放電ランプＢを作製した。
エキシマ放電ランプＢにおける発光管の外表面の表面粗さＲａをエキシマ放電ランプＡと同様にして測定したところ、１２．１ｎｍであった。
【００４６】
また、発光管における表層を、以下のようにして形成したこと以外は、エキシマ放電ランプＡと同様の仕様のエキシマ放電ランプＣを作製した。
平均粒子径が１０ｎｍのナノシリカ粒子が３０質量％となる割合で分散されてなる分散液を、ディップ法によって発光管を構成するガラス基体の外表面に塗布し、７２時間放置して乾燥することにより、ガラス基体の外表面に表層を形成した。
【００４７】
また、ナノシリカ粒子による表層を形成しなかったこと以外はエキシマ放電ランプＡと同様の仕様のエキシマ放電ランプＤを作製した。
エキシマ放電ランプＤにおける発光管の外表面の表面粗さＲａをエキシマ放電ランプＡと同様にして測定したところ、１．７ｎｍであった。
【００４８】
［試験１］
エキシマ放電ランプＡ、エキシマ放電ランプＢおよびエキシマ放電ランプＤの各々について、放射される紫外線の照度を測定した。エキシマ放電ランプＡおよびエキシマ放電ランプＢの各々による紫外線の照度について、エキシマ放電ランプＤによる紫外線の照度を１００としたときの相対値を求めたところ、エキシマ放電ランプＡでは９９．８であり、エキシマ放電ランプＢでは４９．５であった。
【００４９】
［試験２］
エキシマ放電ランプＡ、エキシマ放電ランプＢおよびエキシマ放電ランプＤの各々について、粉体汚染物質（ＪＩＳ試験用粉体１１種を使用）、水溶性汚染物質（ＪＩＳ  Ｌ
１９１９  表３）、油溶性汚染物質（ＪＩＳ  Ｌ  １９１９  表４）を付着させた。各汚染物質の付着方法はＪＩＳ  Ｌ  １９１９に準拠し、汚染物質を付着した後に流水に１分間晒すことにより、各汚染物質に対する発光管の防汚性と洗浄性の評価を行った。
以上、結果を下記表１に示す。
【００５０】
【表１】
2019209246.tif 000003
【００５１】
［試験３］
１００Ｌデシケータ内に、トルエンで満たされたシャーレ（直径が約３７ｍｍ）２個と、エキシマ放電ランプＡ、エキシマ放電ランプＣおよびエキシマ放電ランプＤの各々を入れた。１００Ｌデシケータ内のトルエン濃度は約４０ｐｐｍを示した。その後、各エキシマ放電ランプを点灯した。そして、点灯を開始してから２４時間経過後および４８時間経過後において、各エキシマ放電ランプによる紫外線の照度を測定し、試験前の初期の照度に対する維持率を求めた。
以上、結果を下記表２に示す。
【００５２】
【表２】
2019209246.tif 000004
【００５３】
表１の結果から明らかなように、発光管の表面にナノシリカ粒子による表層が形成されたエキシマ放電ランプは、発光管の表面に汚染物質が付着することが抑制され、発光管の外表面に汚染物質が付着した場合でも容易に除去することができることが確認された。従って、このようなエキシマ放電ランプを備えたガス処理装置によれば、発光管の外表面に汚染物質が付着することによって生じる、紫外線の照度の低下を抑制することができ、汚染物質が付着した場合でも容易に除去することが可能であることが理解される。
これに対して、エキシマ放電ランプＤの発光管は、表面にナノシリカ粒子による表層が形成されていないため、粉体汚染物質、水溶性汚染物質および油溶性汚染物質のいずれの汚染物質に対しても防汚性および洗浄性が低いものであった。
【符号の説明】
【００５４】
１    チャンバー
２    ガス導入管
３    ガス排出管
４    エキシマ放電ランプ
５    チャンバー
６    ガス導入管
７    ガス排出管
８    紫外線透過窓部材
８ａ  外表面
９    エキシマ放電ランプ
１０    発光管
１０ａ  外表面
１１    発光部
１２    縮径部
１３    封止部
１５    チップ部
１８    金属箔
２０    内側電極
２１    コイル状部分
２２    一方のリード部分
２３    他方のリード部分
２５    外部リード
３０    外側電極
３１    網状電極形成部材
３５    配線
４０    一方のベース部材
４１    他方のベース部材
４２    溝部
Ｇ１  被処理ガス
Ｇ２  処理済みガス
Ｓ    処理室
【図１】
2019209246.tif 000005
【図２】
2019209246.tif 000006
【図３】
2019209246.tif 000007