(57)【要約】      （修正有）【課題】被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタすることができる高周波回路および磁気共鳴イメージング装置を提供する。【解決手段】高周波回路は、方向性結合器６０４と、処理回路６１０と、調整器とを備える。方向性結合器は、進行波の少なくとも一部を出力する第１のポートと、反射波の少なくとも一部を出力する第２のポートと、を有する。処理回路は、第１のポートおよび第２のポートからの出力に基づく電圧定在波比と、第２のポートからの出力に基づく反射波の位相と、を用いて方向性結合器から見た負荷側のインピーダンスを求める。調整器は、処理回路により求められたインピーダンスに基づいて、第１のポートおよび第２のポートの少なくとも一方からの出力を調整する。【選択図】図３
2019141575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
進行波の少なくとも一部を出力する第１のポートと、反射波の少なくとも一部を出力する第２のポートと、を有する方向性結合器と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートからの出力に基づく電圧定在波比と、前記第２のポートからの出力に基づく前記反射波の位相と、を用いて前記方向性結合器から見た負荷側のインピーダンスを求める処理回路と、
前記処理回路により求められたインピーダンスに基づいて、前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一方からの出力を調整する調整器と、
を備えた高周波回路。
【請求項２】
前記処理回路は、
求めた前記インピーダンスと前記調整器による調整度とを関連付けたテーブルに基づいて、求めた前記インピーダンスに基づいて前記調整器の調整度を調整する、
請求項１記載の高周波回路。
【請求項３】
前記処理回路は、
前記処理回路により求められた前記インピーダンスと前記負荷側のインピーダンスの規定値との差を出力する比較器の出力に基づいて、前記調整器の調整度を調整する、
請求項１記載の高周波回路。
【請求項４】
前記調整器により少なくとも一方が調整された、前記方向性結合器の前記第１のポートおよび前記第２のポートから出力された前記進行波の電力および前記反射波の電力を、それぞれ外部に出力する２つの電力モニタ用出力ポート、
をさらに備えた、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項５】
前記調整器は、
減衰器を有し、前記処理回路により求められた前記インピーダンスに基づいて、前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一方からの出力の減衰度を調整してアナログ出力し、
前記２つの電力モニタ用出力ポートは、
前記調整器により少なくとも一方が調整された前記進行波の電力と前記反射波の電力とを、それぞれアナログで外部に出力する、
請求項４記載の高周波回路。
【請求項６】
前記調整器は、
電圧調整器を有し、前記処理回路により求められた前記インピーダンスに基づいて、前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一方からの出力の電圧を調整してデジタル出力し、
前記２つの電力モニタ用出力ポートは、
前記調整器により少なくとも一方が調整された前記進行波の電力と前記反射波の電力とを、それぞれデジタルで外部に出力する、
請求項４記載の高周波回路。
【請求項７】
高周波信号を増幅して出力し、この増幅した高周波信号を前記進行波として前記方向性結合器に入力する高周波増幅器、
をさらに備えた、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の高周波回路。
【請求項８】
増幅器において増幅された高周波信号に基づいて、ＲＦパルスを被検体に印加するＲＦコイルと、
前記増幅器と前記ＲＦコイルとの間に設けられた方向性結合器であって、前記増幅器側から入力される進行波の少なくとも一部を第１のポートから出力し、反射波の少なくとも一部を第２のポートから出力する方向性結合器と、
前記第１のポートおよび前記第２のポートからの出力に基づく電圧定在波比と、前記第２のポートからの出力に基づく前記反射波の位相と、を用いて前記方向性結合器から見た負荷側のインピーダンスを求める第１処理回路と、
前記第１処理回路により求められたインピーダンスに基づいて、前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一方からの出力を調整する調整器と、
前記調整器の出力に基づいて、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate）を求める第２処理回路と、
を備えた磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
進行波の少なくとも一部を出力する第１のポートと、反射波の少なくとも一部を出力する第２のポートと、を有する方向性結合器の、前記第１のポートおよび前記第２のポートからの出力に基づく電圧定在波比と、前記第２のポートからの出力に基づく前記反射波の位相と、を用いて、前記方向性結合器から見た負荷側のインピーダンスを求めるステップと、
求められた前記インピーダンスに基づいて、前記第１のポートおよび前記第２のポートの少なくとも一方からの出力を調整するステップと、
を有するＲＦパルス電力モニタ方法。
【請求項１０】
少なくとも一方が調整された前記第１のポートおよび前記第２のポートの出力に基づいて、ＳＡＲ（Specific Absorption Rate）を求めるステップ、
をさらに有する請求項９記載のＲＦパルス電力モニタ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、高周波回路および磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ：Magnetic Resonance Imaging）装置では、高周波ＲＦ（Radio Frequency）パルスが被検体に与える温度上昇等の影響を抑制するため、ＩＥＣ（国際電気標準会議）の規定により、比吸収率（ＳＡＲ：Specific Absorption Rate、単位質量あたりのＲＦ吸収量）を閾値以下に抑える必要がある。
【０００３】
ＳＡＲに関する安全基準を満たすためには、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタすることが重要である。ＲＦパルスの電力は、たとえば、送信コイルへの出力端の手前で方向性結合器などを用いてＲＦパルスの一部を取り出すことにより、モニタされる。
【０００４】
しかし、ＭＲＩ装置では、被検体と送信コイルとの距離が近く、ＲＦパルスの負荷インピーダンスは、被検体の体格等に応じて変化してしまう。このため、ＲＦパルスの出力端でインピーダンス不整合が生じてしまい、ＲＦパルスの正確な電力をモニタすることが難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０７９５７３号公報
【特許文献２】特開２０１７−１０９１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る高周波回路は、方向性結合器と、処理回路と、調整器とを備える。方向性結合器は、進行波の少なくとも一部を出力する第１のポートと、反射波の少なくとも一部を出力する第２のポートと、を有する。処理回路は、第１のポートおよび第２のポートからの出力に基づく電圧定在波比と、第２のポートからの出力に基づく反射波の位相と、を用いて方向性結合器から見た負荷側のインピーダンスを求める。調整器は、処理回路により求められたインピーダンスに基づいて、第１のポートおよび第２のポートの少なくとも一方からの出力を調整する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る高周波回路を含むＭＲＩ装置の一構成例を示すブロック図。
【図２】従来の高周波回路の一構成例を示すブロック図。
【図３】本実施形態に係る高周波回路の一構成例を示すブロック図。
【図４】本実施形態に係る高周波回路の他の構成例を示すブロック図。
【図５】スミスチャートの一例を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、高周波回路、磁気共鳴イメージング装置、およびＲＦパルス電力モニタ方法の実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
図１は、一実施形態に係る高周波回路６００を含むＭＲＩ装置１の一構成例を示すブロック図である。ＭＲＩ装置１は、装置本体（磁石架台ともいう）１００、高周波回路６００を含む制御キャビネット３００、コンソール４００、寝台装置５００、およびＲＦ（Radio Frequency）コイル２０を有する。装置本体１００、制御キャビネット３００、および寝台装置５００は、一般に検査室に設置される。コンソール４００は一般に、検査室に隣接する制御室に設置される。
【００１１】
装置本体１００は、静磁場磁石１０、傾斜磁場コイル１１、およびＷＢ（Whole Body）コイル１２を有する。これらの構成品は円筒状の筐体に収納されている。寝台装置５００は、寝台本体５０と天板５１を有している。
【００１２】
制御キャビネット３００は、傾斜磁場電源３１（Ｘ軸用３１ｘ、Ｙ軸用３１ｙ、Ｚ軸用３１ｚ）、ＲＦ受信器３２、ＲＦ送信器３３、およびシーケンスコントローラ３４を有する。ＲＦ送信器３３は、高周波回路６００を有する。
【００１３】
コンソール４００は、処理回路４０、記憶回路４１、ディスプレイ４２、および入力インターフェース４３を有する。コンソール４００は、ホスト計算機として機能する。
【００１４】
装置本体１００の静磁場磁石１０は、概略円筒形状をなしており、被検体、たとえば患者、が搬送されるボア内に静磁場を発生させる。ボアとは、装置本体１００の円筒内部の空間のことである。静磁場磁石１０は超電導コイルを内蔵し、たとえば、液体ヘリウムによって超電導コイルが極低温に冷却されている。静磁場磁石１０は、励磁モードにおいて静磁場用電源（図示せず）から供給される電流を超電導コイルに印加することで静磁場を発生する。その後、永久電流モードに移行すると、静磁場用電源は切り離される。一旦永久電流モードに移行すると、静磁場磁石１０は長時間、たとえば１年以上に亘って、静磁場を発生し続ける。なお、静磁場磁石１０は超電導磁石に限定されるものではなく、例えば永久磁石であってもよい。
【００１５】
傾斜磁場コイル１１は、静磁場磁石１０と同様に概略円筒形状をなし、静磁場磁石１０の内側に固定される。傾斜磁場コイル１１は、傾斜磁場電源（３１ｘ、３１ｙ、３１ｚ）から供給される電流により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の方向に傾斜磁場を形成する。
【００１６】
寝台装置５００の寝台本体５０は、天板５１を上下方向および水平方向に移動することができる。たとえば、寝台本体５０は、天板５１に載置された被検体を撮像前に所定の高さまで移動させる。また、撮像時には、天板５１を水平方向に移動させて被検体をボア内に移動させる。
【００１７】
ＷＢコイル１２は、傾斜磁場コイル１１の内側に被検体を取り囲むように概略円筒形状に固定されている。ＷＢコイル１２は、ＲＦ送信器３３の高周波回路６００から伝送されるＲＦパルスを被検体に向けて送信する。ＷＢコイル１２は、ＲＦパルスを被検体に印加するＲＦコイルの一例である。また、水素原子核の励起によって被検体から放出される磁気共鳴信号、即ちＭＲ（Magnetic Resonance）信号を受信する。
【００１８】
ＭＲＩ装置１は、ＷＢコイル１２の他、図１に示すようにＲＦコイル（局所コイル）２０を備える。ＲＦコイル２０は、被検体の体表面に近接して載置されるコイルである。ＲＦコイル２０には様々な種別があり、たとえば、図１に示すような被検体の胸部や腹部、或いは脚部に設置されるボディコイル（Body Coil）や、被検体の背側に設置されるスパインコイル（Spine Coil）といった種別がある。ＲＦコイル２０は受信専用または送信専用、あるいは、送信と受信を双方行う。ＲＦコイル２０は、ＲＦパルスを被検体に印加するＲＦコイルの一例である。ＲＦコイル２０は、たとえば、ケーブルを介して天板５１と着脱可能に構成されている。
【００１９】
ＲＦ受信器３２は、ＷＢコイル１２やＲＦコイル２０からのチャンネル信号、即ち、ＭＲ信号をＡＤ（Analog to Digital）変換して、シーケンスコントローラ３４に出力する。デジタルに変換されたＭＲ信号は、生データ（Raw Data）と呼ばれることもある。
【００２０】
ＲＦ送信器３３は、高周波発振器、変調器、および高周波回路６００を有し、シーケンスコントローラ３４からの指示に基づいてＲＦパルスを生成する。生成したＲＦパルスはＷＢコイル１２に伝送され、被検体に印加される。ＲＦパルスの印加によって被検体からＭＲ信号が発生する。このＭＲ信号をＲＦコイル２０またはＷＢコイル１２が受信する。
【００２１】
高周波回路６００は、変調器が出力した高周波信号を増幅してＲＦパルスを生成するとともに、負荷インピーダンスの不整合の度合いに応じてＲＦパルスのモニタ対象電力を調整する。高周波回路６００の詳細については図３−５を用いて後述する。
【００２２】
ＲＦコイル２０で受信したＭＲ信号、より具体的には、ＲＦコイル２０内の各要素コイルで受信したＭＲ信号は、天板５１および寝台本体５０に設けられたケーブルを介してＲＦ受信器３２に入力される。
【００２３】
シーケンスコントローラ３４は、コンソール４００による制御のもと、傾斜磁場電源３１、ＲＦ受信器３２およびＲＦ送信器３３をそれぞれ駆動することによって被検体のスキャンを行う。スキャンによってＲＦ受信器３２から生データを受信すると、シーケンスコントローラ３４は、この生データをコンソール４００に送信する。
【００２４】
シーケンスコントローラ３４は、処理回路（図示を省略）を具備している。この処理回路は、たとえば所定のプログラムを実行するプロセッサや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等のハードウェアで構成される。 
【００２５】
コンソール４００は、記憶回路４１、ディスプレイ４２、入力インターフェース４３、および処理回路４０を備える。記憶回路４１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）の他、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）や光ディスク装置等の外部記憶装置を含む記憶媒体である。記憶回路４１は、各種の情報やデータを記憶する他、処理回路４０が具備するプロセッサが実行する各種のプログラムを記憶する。
【００２６】
ディスプレイ４２は、液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、有機ＥＬパネル等の表示デバイスである。入力インターフェース４３は、たとえば、マウス、キーボード、トラックボール、タッチパネル等であり、各種の情報やデータを操作者が入力するための種々のデバイスを含む。
【００２７】
処理回路４０は、たとえば、ＣＰＵや、専用または汎用のプロセッサを備える回路である。プロセッサは、記憶回路４１に記憶した各種のプログラムを実行することによって、各種の機能を実現する。処理回路４０は、ＦＰＧＡやＡＳＩＣ等のハードウェアで構成してもよい。これらのハードウェアによっても後述する各種の機能を実現することができる。また、処理回路４０は、プロセッサとプログラムによるソフトウェア処理と、ハードウェア処理とを組み合わせて、各種の機能を実現することもできる。
【００２８】
たとえば、処理回路４０は、高周波回路６００の調整器の出力に基づいてＳＡＲを求める機能を実現する。処理回路４０は、第２処理回路の一例である。
【００２９】
次に、高周波回路６００の構成および作用について説明する。
【００３０】
図２は、従来の高周波回路の一構成例を示すブロック図である。
【００３１】
被検体に印加されるＲＦパルスの電力は、従来、図２に示す高周波回路を用いてモニタされていた。従来の高周波回路は、変調器から入力端６１に入力されたＲＦパルスを増幅器６２で増幅する。また、従来の高周波回路は、ＷＢコイル１２へのＲＦパルス出力端６４の手前で方向性結合器６３により、増幅されたＲＦパルスの進行波電力の少なくとも一部（以下、モニタ用進行波電力ＦＷＤという）と、反射波電力の少なくとも一部（以下、モニタ用反射波電力ＲＦＬという）とを分離し、それぞれ進行波電力モニタ用出力端６５、反射波電力モニタ用出力端６６から出力するようになっている。
【００３２】
従来の技術では、この進行波電力モニタ用出力端６５から出力されたモニタ用進行波電力ＦＷＤと、反射波電力モニタ用出力端６６から出力されたモニタ用反射波電力ＲＦＬと、にもとづいて、ＲＦパルス出力端６４から出力されるＲＦパルスの電力をモニタする。
【００３３】
しかし、方向性結合器６３から見た負荷側のインピーダンス、すなわち、ＲＦパルス出力端６４に接続された負荷側のインピーダンスは、被検体の体格や、ＲＦコイル２０の種別等に応じて変化してしまう。一方で、方向性結合器６３の結合度は、負荷側のインピーダンス（以下、負荷インピーダンスという）Ｒ±ｊＸがたとえば５０Ω±０Ωなどの所定値に規定されている。このため、ＲＦパルス出力端６４において被検体の体格等に由来するインピーダンス不整合が生じると、方向性結合器６３の結合度が変化してしまい、ＲＦパルスの電力のモニタの精度に影響を及ぼす。
【００３４】
したがって、従来の技術では、インピーダンス不整合に起因するＲＦパルスのモニタ電力の誤差がＳＡＲの算出に影響を及ぼすことを考慮する必要がある。たとえば、安全のため、ＳＡＲの閾値（たとえばＩＥＣの規定にもとづく閾値）よりも低い値をＳＡＲの上限値に設定することが挙げられるが、この場合、ＲＦパルスの電力を本来出力可能な大きさよりも小さく設定しなければならずに撮像時間が長くなってしまうことがある。
【００３５】
そこで、本実施形態に係る高周波回路６００は、負荷インピーダンスの不整合の度合いに応じて、モニタ用進行波電力ＦＷＤとモニタ用反射波電力ＲＦＬの少なくとも一方を補正する。
【００３６】
図３は、本実施形態に係る高周波回路６００の一構成例を示すブロック図である。図４は、本実施形態に係る高周波回路６００の他の構成例を示すブロック図である。また、図５は、スミスチャートの一例を示す説明図である。
【００３７】
図３には、補正後のモニタ用進行波電力ＦＷＤとモニタ用反射波電力ＲＦＬをアナログ出力する場合の高周波回路６００の一構成例を示した。一方、図４には、補正後のモニタ用進行波電力ＦＷＤとモニタ用反射波電力ＲＦＬをデジタル出力する場合の高周波回路６００の一構成例を示した。
【００３８】
図３に示すように、本実施形態に係る高周波回路６００は、入力端６０１、入力モニタ用のカプラ６０２、増幅器６０３、方向性結合器６０４、ＲＦパルス出力端６０５、進行波電力モニタ用出力端６０６、反射波電力モニタ用出力端６０７、処理回路６１０、メモリ６２０、モニタ用進行波電力ＦＷＤを補正するための可変減衰器（アッテネータ（ＡＴＴ））６３１、およびモニタ用反射波電力ＲＦＬを補正するための可変ＡＴＴ６３２を有する。可変ＡＴＴ６３１および６３２は、調整器の一例である。
【００３９】
変調器から入力端６１に入力されたＲＦパルスは、カプラ６０２を介して処理回路６１０に入力タイミングをモニタされるとともに、増幅器６０３により増幅される。増幅されたＲＦパルスは、進行波として方向性結合器６０４に入力され、方向性結合器６０４を介してＲＦパルス出力端６０５から出力されて、ＷＢコイル１２を介して被検体に印加される。進行波は、方向性結合器６０４から見た負荷インピーダンスの不整合により、一部が反射される。
【００４０】
方向性結合器６０４は、増幅器６０３により増幅されたＲＦパルスの進行波電力の少なくとも一部（モニタ用進行波電力ＦＷＤ）を取り出して出力するポートと、反射波電力の少なくとも一部（モニタ用反射波電力ＲＦＬ）を取り出して出力するポートとを有する。以下の説明では、方向性結合器６０４の結合度が、負荷インピーダンス５０Ω±０Ωに規定される場合の例を示す。なお、モニタ用進行波電力ＦＷＤとモニタ用反射波電力ＲＦＬは、図３および図４に示すように１つの方向性結合器６０４によって取り出されてもよいし、それぞれが異なる方向性結合器によって取り出されてもよい。
【００４１】
処理回路６１０は、メモリ６２０に記憶されたプログラムを読み出して実行することにより、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタするために、負荷インピーダンスの不整合の度合いに応じてモニタ用進行波電力ＦＷＤおよびモニタ用反射波電力ＲＦＬ（以下適宜、モニタ用電力と総称する）の少なくとも一方を調整する処理を実行するプロセッサである。処理回路６１０は、第１処理回路の一例である。
【００４２】
メモリ６２０は、たとえば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等の、プロセッサにより読み取り可能な記録媒体を含んだ構成を有する。メモリ６２０は、たとえば、負荷インピーダンスとモニタ用電力の調整度とを関連付けたテーブルなどの各種情報を記憶する。なお、メモリ６２０に記憶されるこれらの情報は、ネットワークを介してまたは光ディスクなどの可搬型記憶媒体を介して更新されてもよい。
【００４３】
処理回路６１０のプロセッサは、ＶＳＷＲ検出機能６１１、位相角検出機能６１２、および補正機能６１３を実現する。これらの各機能は、それぞれプログラムの形態でメモリ６２０に記憶されている。
【００４４】
ＶＳＷＲ検出機能６１１は、モニタ用進行波電力ＦＷＤの振幅およびモニタ用反射波電力ＲＦＬの振幅にもとづいて、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を検出する（図５参照）。
【００４５】
位相角検出機能６１２は、モニタ用反射波電力ＲＦＬの位相にもとづいて、負荷の位相角を検出する（図５参照）。
【００４６】
なお、ＶＳＷＲ検出機能６１１および位相角検出機能６１２は、カプラ６０２に入力された信号の振幅にもとづいて、モニタ用進行波電力ＦＷＤの振幅とモニタ用反射波電力ＲＦＬの振幅、およびモニタ用反射波電力ＲＦＬの位相を検出するタイミングを決定するとよい。
【００４７】
補正機能６１３は、検出したＶＳＷＲ値と位相角にもとづいて、負荷インピーダンスを求める。ＶＳＷＲ値と位相角は、負荷の状態を反映している。補正機能６１３は、検出したＶＳＷＲ値と位相角を用いて計算により負荷インピーダンスを求めてもよいし、ＶＳＷＲ値と、位相角と、負荷インピーダンスとを関連付けたテーブルを用いて負荷インピーダンスを求めてもよい。
【００４８】
また、補正機能６１３は、求めた負荷インピーダンスにもとづいて、可変ＡＴＴ６３１および６３２の少なくとも一方の減衰度（調整度）を補正する。
【００４９】
より具体的には、補正機能６１３は、実際にＲＦパルス出力端６０５から出力されているＲＦパルスの電力に応じたモニタ用電力が進行波電力モニタ用出力端６０６および反射波電力モニタ用出力端６０７から出力されるように、負荷インピーダンスの規定値５０Ωと求めた負荷インピーダンスとの不整合の度合いに応じて、可変ＡＴＴ６３１および６３２の少なくとも一方の調整度を補正する。
【００５０】
このとき、補正機能６１３は、求めた負荷インピーダンスを用いて計算により可変ＡＴＴ６３１および６３２の少なくとも一方の調整度を求めてもよいし、負荷インピーダンスと調整度とを関連付けたテーブルを用いて調整度を求めてもよいし、求めた負荷インピーダンスと規定値との差を出力する比較器の出力にもとづいて調整度を求めてもよい。
【００５１】
また、モニタ用電力は、デジタル出力されてもよい。この場合、図４に示すように、高周波回路６００は、可変ＡＴＴ６３１にかえて検波器６４１および電圧調整器６４３を、可変ＡＴＴ６３２にかえて検波器６４２および電圧調整器６４４を、それぞれ備えるとよい。電圧調整器６４３および６４４は、調整器の一例である。
【００５２】
この場合、方向性結合器６０４から出力されたモニタ用進行波電力ＦＷＤおよびモニタ用反射波電力ＲＦＬは、それぞれ検波器６４１および６４２で検波されて直流信号に変換される。そして、補正機能６１３は、求めた負荷インピーダンスにもとづいて、電圧調整器６４３および６４４の少なくとも一方の調整度を補正する。補正後のモニタ用電力をデジタル出力することにより、後段のＡＤ変換処理を省略することができる。
【００５３】
本実施形態に係る高周波回路６００によれば、被検体の体格等に応じて変化しうる負荷インピーダンスを、実測することができる。また、負荷インピーダンスの実測値に応じて、方向性結合器６０４が出力するモニタ用進行波電力ＦＷＤおよびモニタ用反射波電力ＲＦＬを、可変アッテネータ６３１および６３２を用いて補正することができる。このため、負荷インピーダンスが規定値５０Ωからずれている場合であっても、正確にＲＦパルス電力をモニタすることができる。
【００５４】
したがって、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確に把握することができ、効率的にＲＦ電力をＲＦアンプから出力することができる。
【００５５】
また、負荷インピーダンスの不整合を考慮しない場合に比べ、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタすることができる。したがって、大きな電力のＲＦパルスを短時間に被検体に印加でき、撮像時間を大幅に短縮することができる。
【００５６】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、被検体に印加されるＲＦパルスの電力を正確にモニタすることができる。
【００５７】
なお、上記実施形態において、「プロセッサ」という文言は、たとえば、専用または汎用のＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、または、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（たとえば、単純プログラマブル論理デバイス（Simple Programmable Logic Device：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Complex Programmable Logic Device：ＣＰＬＤ）、およびＦＰＧＡ）等の回路を意味するものとする。プロセッサは、記憶媒体に保存されたプログラムを読み出して実行することにより、各種機能を実現する。
【００５８】
また、処理回路４０の機能および処理回路６１０の機能は、コンソール４００の処理回路４０のプロセッサなどの単一のプロセッサにより実現されてもよい。
【００５９】
また、上記実施形態では処理回路６１０の単一のプロセッサが各機能６１１−６１３を実現する場合の例について示したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路を構成し、各プロセッサが各機能を実現してもよい。また、プロセッサが複数設けられる場合、プログラムを記憶する記憶媒体は、プロセッサごとに個別に設けられてもよいし、１つの記憶媒体が全てのプロセッサの機能に対応するプログラムを一括して記憶してもよい。
【００６０】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６１】
１２  ＷＢコイル
２０  ＲＦコイル
３３  ＲＦ送信器
６００  高周波回路
６０３  増幅器
６０４  方向性結合器
６０５  ＲＦパルス出力端
６０６  進行波電力モニタ用出力端
６０７  反射波電力モニタ用出力端
６１０  処理回路
６１１  ＶＳＷＲ検出機能
６１２  位相角検出機能
６１３  補正機能
６３１、６３２  可変アッテネータ（調整器）
６４３、６４４  電圧調整器（調整器）
ＦＷＤ  モニタ用進行波電力
ＲＦＬ  モニタ用反射波電力
【図１】
2019141575.tif 000003
【図２】
2019141575.tif 000004
【図３】
2019141575.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019141575.tif 000007