(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性の点で有利なインプリント装置を提供すること。【解決手段】インプリント装置１００は、基板の上のインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことにより、インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、インプリント材の上または型のパターン部に離型剤を供給する供給部３２と、供給部による離型剤の供給の履歴を含む型の履歴情報に基づいてインプリント処理を制御する制御部４００とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から前記型を引き離すことにより、前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記インプリント材の上または前記型のパターン部に離型剤を供給する供給部と、
前記供給部による前記離型剤の供給の履歴を含む前記型の履歴情報に基づいて前記インプリント処理を制御する制御部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型と前記基板との相対位置を調整する駆動機構を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記基板の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域では、前記インプリント処理の前に、前記供給部により前記離型剤を供給し、前記離型剤の供給後に前記駆動機構により前記インプリント材と前記型とを接触させる接触動作と前記インプリント材から前記型を引き離す離型動作とを所定回数繰り返す
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記型と前記基板との相対位置を調整する駆動機構を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記基板の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域では、前記駆動機構により前記インプリント材から前記型を引き離す離型動作の速度を、前記塗布状態が不良であると判定されない場合よりも遅くして前記インプリント処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記基板は、前記基板の外周部において前記型のパターンの一部のみが転写される周辺ショット領域を有し、
前記制御部は、前記履歴情報から前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、前記周辺ショット領域よりも先に前記周辺ショット領域以外のショット領域に前記インプリント処理を行う
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記履歴情報に前記供給部による前記離型剤の供給が行われた履歴がない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記履歴情報は、前記供給部により前記離型剤の供給が行われた時刻を含み、
前記制御部は、最後に前記離型剤の供給が行われてからの経過時間が所定時間を超えている場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記履歴情報は、前記型の洗浄が行われた時刻を含み、
前記制御部は、最後に前記型の洗浄が行われてからの経過時間が所定時間を超えていない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項５または６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記履歴情報は、前記型のドライ洗浄が行われた時刻および前記型のウェット洗浄が行われた時刻とを含み、
前記制御部は、最後に前記型の前記ウェット洗浄が行われてからの経過時間が前記所定時間を超えていない場合に、前記型の前記パターン部における前記離型剤の塗布状態が不良であると判定する
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
物品を製造する物品製造方法であって、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を有し、前記加工された基板から前記物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、シリコンウエハやガラスプレート等の基板の上のインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことによって基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００３】
硬化したインプリント材から型を引き離す離型動作において、離型に要する力（離型力）が大きいと、基板に形成されたパターンが崩れたり、型あるいは基板が装置の保持部から剥がれる危険がある。そのため、離型力をなるべく小さくする必要がある。離型力を低減するために、型のパターン部に離型剤を塗布する、あるいは、離型剤を含むインプリント材に型を複数回接触させる動作（馴染ませ動作）を行う等が提案されている（例えば、特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００６−５２８０８８号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０５０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように型に離型剤を供給することは、離型力の低減に役立つが、離型剤の塗布処理や馴染ませ動作を過度に行うことは、コストの増大や生産性の低下につながる。したがって、型への離型剤の塗布状態を管理して適時に離型剤の塗布処理や馴染ませ動作を行うことが重要である。しかし、従来、このような管理は人手に任されており、誤判断が生じたり、コストや時間が余計にかかってしまうことがあった。
【０００６】
本発明は、例えば、生産性の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で前記インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から前記型を引き離すことにより、前記インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント材の上または前記型のパターン部に離型剤を供給する供給部と、前記供給部による前記離型剤の供給の履歴を含む前記型の履歴情報に基づいて前記インプリント処理を制御する制御部とを有することを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、生産性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態におけるインプリント処理を説明するフローチャート。
【図３】実施形態におけるインプリント装置を複数備える構成を示す図。
【図４】実施形態における型の履歴情報の例を示す図。
【図５】実施形態における、ロット内の複数の基板に対するインプリント処理を示すフローチャート。
【図６】基板上のショット領域のレイアウトを例示する図。
【図７】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１１】
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１２】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１３】
図１は、本実施形態における、転写部であるインプリント処理部１００（インプリント装置）の構成を示す図である。なお、現実的な実施形態として、複数のインプリント処理部１００が１つのチャンバ内に収容されて運用されうるが、そのような形態については図３を参照して後述する。
【００１４】
インプリント処理部１００は、基板の上のインプリント材に型を接触させた状態でインプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から型を引き離すこと（離型）により、インプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。ここでは、インプリント処理部１００は、インプリント材の硬化法として、紫外線（ＵＶ光）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するものとする。ただし、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用してもよい。また、図面中、基板上のインプリント材に対して照射する紫外線の光軸に平行な方向をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向をＸ軸およびＹ軸とする。
【００１５】
インプリント処理部１００において、型ヘッド１６は、パターン部Ｐを有する型１８を保持する型チャック１７を含む。型１８のパターン部Ｐには、基板１に形成すべきパターンに対応する凹凸パターンが形成されている。
【００１６】
検出部２６は、例えばＣＣＤカメラで構成され、型１８およびその周辺の画像を取得する。この取得された画像により、基板１上のインプリント材に対する型１８の接触状態、基板１上のインプリント材の型への充填状態、基板１上のインプリント材からの型１８の離型状態を観察することができる。
【００１７】
型チャック１７は、例えば、真空吸着によって型１８を保持する。型チャック１７は、型ヘッド１６と強固に結合している。型ヘッド１６は、ブリッジ構造体８を基準として、少なくとも、Ｚ、ωＸおよびωＹの３軸方向に駆動することが可能な型駆動機構を有する。型ヘッド１６は、連結部材１５を介してブリッジ構造体８に連結され、ブリッジ構造体８によって支持されている。また、アライメント計測部１２もブリッジ構造体８によって支持されている。
【００１８】
アライメント計測部１２は、型１８と基板１との位置合わせ（アライメント）のためのアライメント計測を行う。アライメント計測部１２は、本実施形態では、型１８に配置されたマークと基板ステージ７や基板１に配置されたマークとを検出してアライメント信号を生成するアライメント検出系を含む。
【００１９】
連結部材１５の上方には、ハーフミラー１３が配置されている。硬化用光源１１からの光はハーフミラー１３で反射され、型１８を透過して基板１の上のインプリント材に照射される。基板１の上のインプリント材は、硬化用光源１１からの光の照射によって硬化する。
【００２０】
ブリッジ構造体８は、床からの振動を絶縁するための空気ばね１９を介して、ベース定盤２０に支持されている。空気ばね１９は、アクティブ除振機能として露光装置等で一般的に採用されている構造を有しうる。ブリッジ構造体８には、ホルダ２２を介して基板１にインプリント材を供給するインプリント材供給部２３が取り付けられている。インプリント材供給部２３は、また、ブリッジ構造体８には、ホルダ３１を介して基板１に離型剤を供給（塗布または噴霧）する離型剤供給部３２が取り付けられている。離型剤は、硬化したインプリント材から前記型を引き離す離型動作を容易にするための組成物である。上述したように、離型剤はインプリント材に含有されうるものであるが、本実施形態では、離型剤供給部３２により基板１にインプリント材とは別に離型剤を追加的に供給できるようにしている。なお、本実施形態において、離型剤供給部３２は基板１の上に離型剤を供給（塗布または噴霧）する構成としているが、型１のパターン部Ｐに離型剤を供給（塗布）する構成としてもよい。
【００２１】
基板ステージ７は、不図示の基板チャックを有し、該基板チャックによって基板を保持する。基板ステージ７は、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹ及びωＺの６軸方向に移動することが可能な基板駆動機構を有する。本実施形態では、基板ステージ７は、Ｘ方向の移動機構を含むＸスライダー３、および、Ｙ方向の移動機構を含むＹスライダー５を介して、ブリッジ構造体８によって支持されている。Ｘスライダー３には、Ｘスライダー３とＹスライダー５との相対位置を計測する計測器４が設けられている。また、Ｙスライダー５には、Ｙスライダー５とブリッジ構造体８との相対位置を計測する計測器６が設けられている。したがって、計測器４および計測器６は、ブリッジ構造体８を基準として、基板ステージ７の位置を計測する。計測器４および計測器６のそれぞれは、エンコーダ（リニアエンコーダ）で構成されうる。
【００２２】
計測器９は、ブリッジ構造体８に設けられ、例えば干渉計で構成されている。計測器９は、基板ステージ７に向けて計測光１０を照射し、基板ステージ７の端面に設けられた干渉計用ミラーで反射された計測光１０を検出することで、基板ステージ７の位置を計測する。
【００２３】
ガス供給部２１は、型１８のパターン部Ｐへのインプリント材の充填性を向上させるために、型１８の近傍、具体的には、型１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。充填用ガスは、型１８とインプリント材との間にある充填用ガスを迅速に低減させ、型１８のパターンへのインプリント材の充填を促進させるために、透過性ガスおよび凝縮性ガスの少なくともいずれかを含む。ここで、透過性ガスとは、型１８に対して高い透過性を有し、基板１上のインプリント材に型１８を接触させた際に型１８を透過するガスである。また、凝縮性ガスとは、基板１上のインプリント材に型１８を接触させた際に液化（すなわち凝縮）するガスである。型１８と基板１との間に供給された充填用ガスは、型ヘッド１６の上部から排気ダクト１４を介して吸引されて、装置外部に排出される。また、型１８と基板１との間に供給された充填用ガスを外部に排出するのではなく、不図示のガス回収機構で回収するようにしてもよい。
【００２４】
オフアクシススコープ２４は、型１８を介さずに、基板ステージ７に配置された基準プレートに設けられた基準マークやアライメントマークを検出する。また、オフアクシススコープ２４は、基板の各ショット領域に関して配置されたアライメントマークを検出することも可能である。
【００２５】
圧力センサ２５は、基板ステージ７に設けられ、型１８を基板１上のインプリント材に接触させることで基板ステージ７に作用する圧力を検出する。圧力センサ２５は、型ヘッド１６に設けられてもよい。
【００２６】
制御部４００は、ＣＰＵやメモリ等を含み、インプリント処理部１００の動作を統括的に制御する。制御部４００は、インプリント処理およびそれに関連する処理を制御する。
【００２７】
次に、インプリント処理部１００によるインプリント処理の流れを説明する。図２のフローチャートは、基板ステージ７に保持されている一枚の基板１に対するインプリント処理の流れを示している。なお、基板１上には、それぞれが１回のインプリント処理でパターンが形成される領域であるショット領域が複数形成されている。
Ｓ１０１で、制御部４００は、基板１における、インプリント処理の対象とするショット領域である対象ショット領域がインプリント材供給部２３の下に位置するように基板ステージ７を移動させる。その後、制御部４００は、ガス供給部２１を制御して型１８と基板１との間の空間に充填用ガスを供給する。
【００２８】
Ｓ１０２で、制御部４００は、インプリント材供給部２３を制御して基板１の対象ショット領域にインプリント材を供給する。その後、制御部４００は、この対象ショット領域が型１８のパターン部Ｐの下に位置するように基板ステージ７を移動させる。
【００２９】
Ｓ１０３で、制御部４００は、型ヘッド１６を下降駆動させて、型１８のパターン部Ｐと基板上のインプリント材とを接触させる接触動作を行う。制御部４００はその後、型１８のパターン部Ｐと基板上のインプリント材とが接触した状態で、アライメント計測部１２によるアライメント計測の結果に基づき、型１８と基板１の対象ショット領域とのアライメントを行う。かかるアライメントは、基板１の各ショット領域（ダイ）ごとに行われるため、「ダイバイダイアライメント」と呼ばれる。
【００３０】
Ｓ１０４で、制御部４００は、型のパターン部Ｐと基板上のインプリント材とが接触した状態で（すなわち型１８を介して）、硬化用光源１１からの光を基板上のインプリント材に照射し、インプリント材を硬化させる。
【００３１】
Ｓ１０５で、制御部４００は、型ヘッド１６を上昇駆動させて、基板上で硬化したインプリント材から型１８を引き離す離型動作を行う。これにより、基板１の対象ショット領域には、型１８のパターン部Ｐに対応したインプリント材のパターンが残る。すなわち、型１８のパターン部Ｐに対応したパターンが基板１の対象ショット領域に形成される。なお、離型動作の際には、インプリント材のパターンが破断等しないように、型１８のパターン部Ｐにかかる剪断力がインプリント材のパターンの破断応力以下になるように、型ヘッド１６の上昇駆動を制御することが重要である。
【００３２】
Ｓ１０６で、制御部４００は、基板１の全てのショット領域へのパターン形成が完了したかを判定する。全てのショット領域へのパターン形成がまだ完了していなければ、次の対象ショット領域にパターン形成を行うべく、処理はＳ１０３に戻る。全てのショット領域へのパターン形成が完了したところで、この基板１へのインプリント処理が完了する。
【００３３】
なお、上記の説明では、型ヘッド１６の下降駆動により接触動作が行われ、型ヘッド１６の上昇駆動により離型動作が行われることを説明した。しかし、接触動作および離型動作は、型１８と基板１との相対位置が調整されるように型１８および基板１の少なくとも一方が駆動されればよい。したがって、型ヘッド１６の駆動に代えて基板ステージ７の駆動により接触動作および離型動作を行うようにしてもよい。あるいは、型ヘッド１６および基板ステージ７の両方の駆動により接触動作および離型動作を行うようにしてもよい。
【００３４】
本発明は、インプリント処理部１００を複数備える構成にも適用可能である。図３にその一例として、インプリント環境を一定の温度及び湿度に維持し、異物の侵入を排除するためのチャンバ２００内に、２台のインプリント処理部１００を収容した構成例を示す。この場合、制御部４００は各インプリント処理部で共有されうる。制御部４００は、例えば、同じロット内の基板は複数のインプリント処理部１００のうち同じ１台のインプリント処理部１００で処理されるように基板の供給を制御している。
【００３５】
型ストッカー２８は、複数の型を保管する。型搬送部２９は、ハンドを用いて、型ストッカー２８から新たな型を取り出してインプリント処理部１００の型保持位置である型チャック１７へと搬送し、型チャック１７から古い型を回収することができる。型搬送部２９は更に、不図示の型ポッドを介して型を装置内外に出し入れする機能も持つ。型搬送部２９は、回転機構、上下移動機構、水平方向移動機能、ハンドの伸縮機能等を有しうる。
【００３６】
制御部４００は、例えば、通知部４０１、型管理部４０２、基板管理部４０３を含みうる。通知部４０１は、ネットワークを介して制御コンピュータ５００および表示部３０に警告情報等を通知することができる。表示部３０はこれに応答して、装置状態を表示することができる。型管理部４０２は、型ストッカー２８に保管された型の情報を管理する。型の情報は、使用回数、洗浄回数、離型剤の塗布回数を含みうる。この他にも、型の情報は、型に描画されたパターンの描画誤差に関する情報や、型ヘッド１６と型とを位置合わせするためのアライメントマークの情報等も含みうる。基板管理部４０３は、不図示の基板保管部に保管された基板の情報を管理する。
【００３７】
図３の装置において、同一のロットを処理可能な同一のパターンが描画された複数の型が型ストッカー２８に保管されている。型管理部４０２は、型ストッカー２８に保管されている型それぞれに対する処理の履歴情報を保持している。図４に、型管理部４０２が保持する履歴情報の例を示す。型のそれぞれには、型を識別するＩＤが設定される。履歴情報は、型ごとに、累積処理数および履歴の項目を持つ。累積処理数は、累積のインプリント処理の実行回数（接触および離型の回数）でもよいし、インプリント処理が行われた基板の累積枚数でもよい。ここでは、累積処理数とはインプリント処理が行われた基板の累積枚数をいうものとする。履歴の欄では、特定の処理が行われた時刻および処理種別が記述される。処理種別は、離型剤の塗布、洗浄の実施を含みうる。離型剤供給部３２により離型剤の塗布が行われると、履歴が更新される。また、型の洗浄は、型をインプリント処理部から取り外して不図示の洗浄装置に搬入して行われる。洗浄装置は、例えば型に付着するゴミや汚れを薬液や純水等の液体を使用して洗浄するウェット洗浄と、エキシマＵＶや大気圧プラズマ等を使用して洗浄するドライ洗浄とを選択的にあるいは組み合わせて行いうる。洗浄が終了すると、履歴が更新される。
【００３８】
以下、図５のフローチャートを参照して、実施形態におけるロット内の複数の基板に対するインプリント処理を説明する。
制御部４００は、ジョブが投入されると、ロットで使用可能な型の情報を制御コンピュータ５００から取得する。Ｓ２０１で、制御部４００は、型搬送部２９を制御して、取得した型の情報に基づいて型ストッカー２８から型１８を取り出し、当該ロットに対応するインプリント処理部１００に搬入する。搬入された型１８は型チャック１７によって型ヘッド１６に保持される。Ｓ２０２で、制御部４００は、不図示の基板送部を制御して、ロット内の基板１を搬入する。搬入された基板１は不図示の基板チャックによって基板ステージ７に保持される。
【００３９】
Ｓ２０３で、制御部４００は、型管理部４０２に保持されている履歴情報を取得する。このとき、制御部４００は、型１８に配置されているＩＣタグを読み取る。ＩＣタグには型１８のＩＤが含まれており、制御部４００は、そのＩＤにより、取得した履歴情報の参照項目を特定することができる。なお、履歴情報は、型管理部４０２に保持されるのではなく、ＩＣタグの中に含まれていてもよい。
【００４０】
次に、制御部４００は、取得した履歴情報に基づいて基板１の特定のショット領域でインプリント処理の方法を変更するかどうかの判定を行う。制御部４００は、例えば、以下のいずれかの条件を満たす場合に、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態が不良であると判定する。
（１）離型剤供給部３２による離型剤の供給が行われた履歴がない場合（Ｓ２０４でＹＥＳ）
（２）最後に離型剤供給部３２による離型剤の供給が行われてからの経過時間が所定時間Ｔ１を超えている場合（Ｓ２０５でＹＥＳ）
（３）最後に型の洗浄が行われてからの経過時間が所定時間Ｔ２を超えていない場合（Ｓ２０６でＹＥＳ）
【００４１】
（１）の、離型剤供給部３２による離型剤の供給が行われた履歴がない場合とは、例えば、図４において、ＩＤがＭ００３の型のように、過去未使用の新しい型を使用する場合であり、初めに離型剤を供給する必要がある。また、（２）の、最後に離型剤の供給が行われてからの経過時間が所定時間Ｔ１を超えている場合は、離型剤の機能が消失していると判断される場合であり、離型剤の追加供給が必要である。また、（３）の、最後に型の洗浄が行われてからの経過時間が所定時間Ｔ２を超えていない場合とは、洗浄直後であって離型剤が供給されていない場合であり、離型剤の供給が必要である。なお、上記のとおり、型の洗浄にはドライ洗浄とウェット洗浄がある場合、（３）ではウェット洗浄のみを対象としてもよい。すなわち、ドライ洗浄を行っただけでは離型剤の機能は失われていないと判定することにしてもよい。
【００４２】
上記のいずれの条件も満たさない場合は、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態は良好であると判定され、Ｓ２０７で、制御部４００は、基板１の全てのショット領域で図２で示したインプリント処理（通常インプリント処理）を行う。一方、上記のいずれかの条件を満たす場合は、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態が不良であると判定されて、処理はＳ２０８に進む。Ｓ２０８では、制御部４００は、離型剤供給部３２を制御して、基板１の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域（第１〜第Ｎショット領域）（例えば、Ｎ＝３）のそれぞれで、次のような臨時インプリント処理を行う。
（１）まず、制御部４００は、インプリント材供給部２３を制御して、当該ショット領域にインプリント材を供給する。
（２）次に、制御部４００は、離型剤供給部３２を制御して、当該ショット領域に離型剤を供給する。このとき、制御部４００は、型管理部４０２に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。離型剤の供給後、制御部４００は、型ヘッド１６を制御して、そのショット領域に供給された離型剤およびインプリント材と型１８との接触動作と離型動作とを所定回数繰り返す（例えば５回）。これは、型１８のパターン部Ｐに離型剤を馴染ませるための馴染ませ動作である。
（３）その後、制御部４００は、当該ショット領域において、接触動作、インプリント材の硬化、および離型動作を含むインプリント処理を行う。
【００４３】
このような臨時インプリント処理を行うことで、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態が良好になりうる。その後、Ｓ２０９で、制御部４００は、残りのショット領域で通常インプリント処理を行う。
【００４４】
Ｓ２１０で、制御部４００は、不図示の基板搬送部を制御して、全ショット領域でインプリント処理を終えた基板１を搬出する。その後、Ｓ２１１で、制御部４００は、ロット内の全ての基板の処理を終えたかを判断し、残りの基板がある場合には、Ｓ２０２に戻り、次の基板について処理を繰り返す。ロット内の全ての基板の処理を終えた場合、処理はＳ２１２に進む。
【００４５】
Ｓ２１２では、制御部４００は、型の洗浄が必要か否かを判定する。例えば、履歴情報における累積処理数が所定数を超えている場合に洗浄が必要であると判断される。また、累積処理数に応じてドライ洗浄適用かウェット洗浄適用かを決定することもできる。型の洗浄の必要はないと判定された場合はそのまま処理を終了する。型の洗浄が必要と判定された場合、Ｓ２１３で、制御部４００は、型搬送部２９を制御して、型１８をインプリント処理部１００の外部に搬出し、洗浄装置に搬入する。Ｓ２１４で、洗浄装置により型の洗浄が実施される。このとき制御部４００は、型管理部４０２に保持されている履歴情報に洗浄の履歴を追記する。
【００４６】
以上の実施形態によれば、型への離型剤の塗布状態を管理して、適時に離型剤の供給を行うことができ、これにより生産性の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
第１実施形態における臨時インプリント処理は、基板１の最初にインプリント処理を行う所定数のショット領域のそれぞれで馴染ませ動作を行うものであった。しかし、このような馴染ませ動作を含まない臨時インプリント処理も考えられる。例えば、Ｓ２０８で、制御部４００は、離型剤供給部３２を制御して、基板１の複数のショット領域のうち処理順序が最初から所定数のショット領域（第１〜第Ｎショット領域）（例えば、Ｎ＝３）のそれぞれで、次のような臨時インプリント処理を行う。
（１）まず、制御部４００は、インプリント材供給部２３を制御して、当該ショット領域にインプリント材を供給する。
（２）次に、制御部４００は、離型剤供給部３２を制御して、当該ショット領域に離型剤を供給する。このとき、制御部４００は、型管理部４０２に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。その後、馴染ませ動作ではなく通常どおりインプリント処理を行う。ただし、このときの離型動作は、通常のインプリント処理における離型動作よりも遅い速度で行う。
【００４８】
このように離型動作を通常より遅くすることで、硬化したインプリント材に与えるダメージを小さくすることができ、パターン崩れや、型あるいは基板が保持部から剥がれる事態を防止することができる。
【００４９】
＜第３実施形態＞
図６は、基板１上のショット領域のレイアウトを例示する図である。図６に示されるように、基板１上には、複数のショット領域がマトリクス状に配列されている。本実施形態では、基板１の有効面積（パターンが形成される領域の面積）を最大にするため、基板１の内側のショット領域６１だけでなく、基板１の外周１Ｒを含む周辺ショット領域にもインプリント処理が行われる。周辺ショット領域とは、一部が基板１の外周１Ｒからはみ出していて、基板の外周部において型のパターン部の一部のみが転写されるショット領域であり、「欠けショット領域」とも呼ばれる。また、以下では、周辺ショット領域６２より内側のショット領域６１を「フルショット領域」と呼ぶ。
【００５０】
本実施形態において、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態は良好であると判定された場合、Ｓ２０７で基板１の全てのショット領域に通常インプリント処理が行われる。このとき、複数のショット領域にインプリント処理を行う順序は、レシピに記述されている順序に従うが、これは例えば、フルショット領域か周辺ショット領域かにかかわらず、基板ステージ７の移動距離が最も小さくなるような順序である。
【００５１】
これに対し、Ｓ２０４，Ｓ２０５，Ｓ２０６のいずれかにおいて条件を満たし、型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態が不良であると判定された場合、上記したＳ２０８およびＳ２０９の替わりに、次のようなインプリント処理を行う。
（１）まず、フルショット領域に、順にインプリント処理を実行する。このとき、例えば、制御部４００は、離型剤供給部３２を制御して、最初のショット領域（第１ショット領域）のみ離型剤を供給する。このとき、制御部４００は、型管理部４０２に保持されている履歴情報に離型剤供給の履歴を追記する。
（２）全てのフルショット領域へのインプリント処理を終えた後、周辺ショット領域６２に、順にインプリント処理を実行する。
【００５２】
周辺ショット領域６２では、型１８をインプリント材と接触させたときの型１８のパターン部Ｐへのインプリント材の充填速度がフルショット領域よりも遅く、未充填欠陥が生じやすく、また、離型動作時にパターン部の欠損を生じる可能性も高い。そこで本実施形態では、離型剤の塗布状態が不良であると判定されている場合には、上記した（２）のように、フルショット領域を優先してインプリント処理を行う。フルショット領域でのインプリント処理では欠陥を生じる可能性が低く、フルショット領域でのインプリント処理を繰り返しているうちに、（１）で供給された離型剤が型１８のパターン部Ｐに馴染むようになるからである。
【００５３】
このように、制御部４００は、履歴情報から型１８のパターン部Ｐにおける離型剤の塗布状態が不良であると判定される場合、周辺ショット領域よりも先に周辺ショット領域以外のショット領域にインプリント処理を行う。これにより、パターン欠陥の発生を抑制することができる。
【００５４】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００５５】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５６】
次に、物品製造方法について説明する。図７のステップＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５７】
図７のステップＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図７のステップＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５８】
図７のステップＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５９】
図７のステップＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図７のステップＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００６０】
（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１００：インプリント装置、１：基板、７：基板ステージ、１６：型ヘッド、１８：型、２３：インプリント材供給部、３２：離型剤供給部、４００：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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