(57)【要約】【課題】シールド層が凹部を有していても、シールド層の密着性が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供すること。【解決手段】配線回路基板１は、導体層３と、中間絶縁層４と、シールド層５とを上側に向かって順に備える。中間絶縁層４は、導体層３を被覆する。中間絶縁層４は、導体層３の一部の上面を露出する中間開口部１５を有する。シールド層５は、中間開口部１５内に配置され、導体層３に接触するように、下側に向かって凹む凹部２２を有する。シールド層５は、密着層８と、本体層９を上側に向かって順に備える。密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記絶縁層は、前記導体層を被覆しており、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有し、
前記シールド層は、前記絶縁開口部内に配置され、前記導体層に接触するように、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有し、
前記シールド層は、密着層と、本体層とを前記厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有することを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記絶縁層の材料が、ポリイミドであり、
前記密着層の材料が、クロムであり、
前記本体層の材料が、銅であることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
撮像装置用配線回路基板であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項５】
導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、
前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有することを特徴とする、配線回路基板。
【請求項６】
導体層を設ける第１工程と、
絶縁層を、前記導体層を被覆し、かつ、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有するように、設ける第２工程と、
シールド層を、前記絶縁開口部内に配置され、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有するように、前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程と
を備え、
前記第３工程は、
密着層を、前記絶縁層の前記厚み方向一方面、前記絶縁開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記絶縁開口部から露出する前記導体層の前記厚み方向一方面に設ける第４工程と、
本体層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に設ける第５工程とを備え、
前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設けることを特徴とする、請求項６に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程において、前記絶縁層を、ポリイミドから形成し、
前記第４工程において、前記密着層を、クロムから形成し、
前記第５工程において、前記本体層を、銅から形成する
ことを特徴とする、請求項６または７に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
撮像装置用配線回路基板の製造方法であることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
導体層を設ける第１工程と、
絶縁層を前記導体層を被覆するように設ける第２工程と、
シールド層を前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程と
を備え、
前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設けることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、グランド層と、絶縁層とを備える配線回路基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１では、グランド層は、下部グランド層と、絶縁層の開口部に充填され、下部グランド層に接触する側部グランド配線と、絶縁層の上面に配置され、側部グランド配線と一体的に形成される上部グランド配線とを備える。上部グランド層は、側部グランド配線を介して下部グランド配線と電気的に接続されており、シールド層として作用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−９１６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、側部グランド配線および上部グランド配線は、断面略Ｔ字形状を有しており、上部グランド配線の上面は、平坦形状を有する。そのため、グランド層は、優れた強度を有し、グランド層に応力が付与されても、形状維持性に優れる。従って、グランド層の絶縁層に対する密着性が低下しにくい。
【０００６】
一方、配線回路基板の用途および目的によっては、上部グランド配線の上面が、絶縁層の開口部に対応して下側に向かって凹む凹部を有する場合がある。その場合には、凹部に起因して、グランド層の強度が低く、そのため、グランド層に応力がかかると、上部グランド配線が面方向に伸縮し易く、そのため、上部グランド配線の絶縁層に対する密着性、さらには、側部グランド配線の下部グランド配線に対する密着性も低下するという不具合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本願発明者は、シールド層が凹部を有していても、シールド層の密着性が向上された配線回路基板を鋭意検討したところ、シールド層が、密着層と、本体層とを備え、さらに、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であれば、シールド層の密着性を向上させることができるという知見を見出した。
【０００８】
本発明（１）は、導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記絶縁層は、前記導体層を被覆しており、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有し、前記シールド層は、前記絶縁開口部内に配置され、前記導体層に接触するように、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有し、前記シールド層は、密着層と、本体層とを前記厚み方向一方側に向かって順に備え、前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である、配線回路基板を含む。
【０００９】
この配線回路基板では、シールド層は、凹部を有し、シールド層に応力がかかり、伸縮しても、シールド層は、密着層と、本体層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、絶縁層に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、導体層の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
【００１０】
本発明（２）は、前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有する、（１）に記載の配線回路基板を含む。
【００１１】
また、この配線回路基板では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設け、それ以外の部分において、シールド層によって電磁波を遮蔽することができる。
【００１２】
本発明（３）は、前記絶縁層の材料が、ポリイミドであり、前記密着層の材料が、クロムであり、前記本体層の材料が、銅である、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。
【００１３】
この配線回路基板では、密着層により、本体層の絶縁層に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
【００１４】
本発明（４）は、撮像装置用配線回路基板である、（１）〜（３）のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。
【００１５】
この配線回路基板は、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置を製造することができる。
【００１６】
本発明（５）は、導体層と、絶縁層と、シールド層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、前記シールド層は、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を有する、配線回路基板を含む。
【００１７】
また、この配線回路基板では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設け、それ以外の部分において、シールド層によって電磁波を遮蔽することができる。
【００１８】
本発明（６）は、導体層を設ける第１工程と、絶縁層を、前記導体層を被覆し、かつ、前記導体層の一部の前記厚み方向一方面を露出する絶縁開口部を有するように、設ける第２工程と、シールド層を、前記絶縁開口部内に配置され、前記厚み方向他方側に向かって凹む凹部を有するように、前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程とを備え、前記第３工程は、密着層を、前記絶縁層の前記厚み方向一方面、前記絶縁開口部に臨む前記絶縁層の内側面、および、前記絶縁開口部から露出する前記導体層の前記厚み方向一方面に設ける第４工程と、本体層を、前記密着層の前記厚み方向一方面に設ける第５工程とを備え、前記密着層の厚みＴａに対する前記本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上である、配線回路基板の製造方法を含む。
【００１９】
この配線回路基板の製造方法では、シールド層は、凹部を有し、シールド層に応力がかかり、伸縮しても、シールド層は、密着層と、本体層とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、絶縁層に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、導体層の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
【００２０】
また、密着層と、絶縁層とは、熱膨張率が相違する場合には、その後の工程の加熱によって、それらの熱膨張率の相違に起因して、密着層にクラックなどの損傷を生じ易い。
【００２１】
しかし、この配線回路基板の製造方法では、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、熱膨張率の相違に起因する上記した損傷を抑制することができる。
【００２２】
本発明（７）は、前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設ける、（６）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２３】
この製造方法によれば、その後の工程の加熱によって、絶縁層からガスが発生しても、かかるガスを効率よくシールド開口部から放出することができる。そのため、シールド層の絶縁層に対する密着性をより一層向上させることができる。
【００２４】
本発明（８）は、前記第２工程において、前記絶縁層を、ポリイミドから形成し、前記第４工程において、前記密着層を、クロムから形成し、前記第５工程において、前記本体層を、銅から形成する、（６）または（７）に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２５】
この配線回路基板の製造方法では、密着層により、本体層の絶縁層に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
【００２６】
また、ポリイミドの熱膨張係数は、銅の熱膨張係数に類似する一方、クロムの熱膨張係数と顕著に相違する。そのため、密着層が、その後の工程の加熱によって、絶縁層および本体層の伸びに追従できず、密着層にクラックなどの損傷を生じ易い。
【００２７】
しかし、この製造方法によれば、密着層の厚みＴａに対する本体層の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、シールド層の絶縁層に対する良好な密着性を確保することができる。
【００２８】
本発明（９）は、撮像装置用配線回路基板の製造方法である、（６）〜（８）のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法を含む。
【００２９】
この製造方法は、撮像装置用配線回路基板の製造方法であるので、得られた配線回路基板から、信頼性に優れる撮像装置を製造することができる。
【００３０】
本発明（１０）は、導体層を設ける第１工程と、絶縁層を前記導体層を被覆するように設ける第２工程と、シールド層を前記絶縁層の前記厚み方向一面に設ける第３工程とを備え、前記第３工程では、前記シールド層に、前記絶縁層の一部の前記厚み方向一方面を露出するシールド開口部を設ける、配線回路基板の製造方法を含む。
【００３１】
この配線回路基板の製造方法では、シールド層がシールド開口部を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設けることができる。
【００３２】
さらに、この製造方法によれば、その後の工程の加熱によって、絶縁層からガスが発生しても、かかるガスを効率よくシールド開口部から放出することができる。そのため、シールド層の絶縁層に対する密着性をより一層向上させることができる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の配線回路基板およびその製造方法では、絶縁層に対する密着性の低下を抑制できる。
【００３４】
本発明の配線回路基板およびその製造方法では、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部を設けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の配線回路基板の一実施形態を示し、図１Ａが、一部拡大平面図、図１Ｂが、図１ＡのＡ−Ａ線に沿う断面図（なお、丸囲みは、部分拡大図）を示す。
【図２】図２Ａ〜図２Ｃは、図１Ｂに示す配線回路基板の製造方法を説明する工程図であり、図２Ａが、ベース絶縁層を設ける工程、図２Ｂが、導体層を設ける第１工程、図２Ｃが、中間絶縁層を設ける第２工程を示す。
【図３】図３Ｄ〜図３Ｅは、図２Ｃに引き続き、図１Ｂに示す配線回路基板の製造方法を説明する工程図であり、図３Ｄが、シールド層を設ける第３工程、図３Ｅが、カバー絶縁層を設ける工程を示す。
【図４】図４は、図１Ｂに示す配線回路基板の変形例を示す。
【図５】図５は、図１Ｂに示す配線回路基板の変形例を示す。
【図６】図６は、図１Ｂの拡大図に示す配線回路基板の変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
［配線回路基板およびその製造方法の一実施形態］
図１Ａおよび図１Ｂにおいて、紙面左右方向は、左右方向（第１方向）を示す。図１Ｂにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向の一例）（第１方向に直交する第２方向）を示し、紙面上側が上側（厚み方向一方側の一例）（第２方向一方側）、紙面下側が下側（厚み方向他方側）（第２方向他方側）を示す。図１Ａにおいて、紙面上下方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）を示す。
【００３７】
具体的には、方向は、各図の方向矢印に準拠する。
【００３８】
これらの方向の定義により、配線回路基板１および撮像装置３０（後述）の製造時および使用時の向きを限定する意図はない。
【００３９】
なお、図１Ａにおいて、カバー絶縁層６（後述）は、シールド層５（後述）の配置および形状を明確に示すために、省略している。
【００４０】
また、以降の各図は、各部材の角度、寸法などが、本願発明を容易に理解するために誇張して描画されており、正確に表されていない場合を含む。
【００４１】
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、配線回路基板１は、所定の厚みＴを有し、面方向（左右方向および前後方向の両方）に延びるシート形状を有する。配線回路基板１は、下側に配置される撮像素子（図示せず）と電気的に接続されて、撮像装置（図示せず）に備えられる（組み込まれる）ための撮像装置用配線回路基板である。
【００４２】
配線回路基板１は、ベース絶縁層２と、導体層３と、絶縁層の一例としての中間絶縁層４と、シールド層５と、カバー絶縁層６とを上側に向かって順に備える。
【００４３】
ベース絶縁層２は、面方向に延びるシート形状を有する。ベース絶縁層２は、配線回路基板１の下面を形成する。ベース絶縁層２は、厚み方向を貫通するベース開口部１１を有する。
【００４４】
ベース絶縁層２の材料は、絶縁材料である。絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂などが挙げられる。好ましくは、ポリイミドなどが挙げられる。
【００４５】
ベース絶縁層２の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）以上、好ましくは、１５（ｐｐｍ／Ｋ）以上であり、また、例えば、５０（ｐｐｍ／Ｋ）以下である。ベース絶縁層２の熱膨張率は、面方向の線熱膨張係数であって、例えば、熱機械分析により、ＪＩＳ  Ｋ７１９７の条件にて測定することができる。
【００４６】
ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００４７】
導体層３は、ベース絶縁層２の上に配置されている。導体層３は、面方向に互いに間隔を隔てて配置される複数のパターンを有する。具体的には、導体層３は、撮像素子（図示せず）と電気的に接続される信号層１２と、グランド層１３とを、独立して備える。
【００４８】
信号層１２は、ベース絶縁層２の上面において、面方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。信号層１２は、撮像素子（後述、図示せず）と電気的に接続される。
【００４９】
グランド層１３は、グランド接点部１４と、グランド接点部１４から面方向に延びる延出部１６とを一体的に備える。
【００５０】
グランド接点部１４は、厚み方向に投影したときに、ベース開口部１１内に位置しており、上下方向に延びる。グランド接点部１４は、ベース開口部１１内に充填されるグランド下部１９と、グランド下部１９の上側に連続して設けられるグランド上部２０とを備える。
【００５１】
延出部１６は、グランド上部２０と一体的に形成されている。なお、延出部１６は、厚み方向に投影したときに、グランド接点部１４と隣接して配置される。
【００５２】
導体層３の材料としては、例えば、銅、銀、金、ニッケルまたはそれらを含む合金、半田などの金属材料が挙げられる。好ましくは、銅が挙げられる。導体層３の厚みは、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１５μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００５３】
中間絶縁層４は、面方向に延びるシート形状を有する。中間絶縁層４は、ベース絶縁層２の上面に、導体層３を被覆するように配置されている。具体的には、中間絶縁層４は、信号層１２と、グランド上部２０および延出部１６とを被覆する。中間絶縁層４は、延出部１６の一部の上面を露出する絶縁開口部の一例としての中間開口部１５を有する。
【００５４】
中間開口部１５は、中間絶縁層４（における延出部１６に対する上側部分）を厚み方向に貫通する。中間開口部１５は、その開口断面積（面方向に沿って切断したときの開口断面積）が下側に向かうに従って小さくなるテーパ形状を有する。また、中間開口部１５を仕切る中間絶縁層４の内側面１０は、厚み方向に沿って延びる円筒形状を有し、詳しくは、正断面視において（厚み方向および左右方向に沿って切断したときに）、左右方向において互いに対向するテーパ面（傾斜面）であって、下側に向かうに従ってそれらの対向距離が小さくなるように、形成されている。つまり、中間開口部１５は、下方に向かって縮径する略円錐台形状を有する。
【００５５】
中間絶縁層４の材料は、ベース絶縁層２の材料と同一である。中間絶縁層４の厚みは、ベース絶縁層２の上面と、中間絶縁層４の上面との距離であって、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００５６】
中間開口部１５の上端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。中間開口部１５の下端縁の最大長さ（最大径）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面との成す角度αは、例えば、９０度以上、好ましくは、１２０度以上であり、また、例えば、１７０度以下、好ましくは、１６０度以下である。
【００５７】
シールド層５は、外部からの電磁波を遮蔽する層である。シールド層５は、導体層３に対して上側に配置されている。シールド層５は、前後方向に延びるシート形状を有する。具体的には、シールド層５は、左右方向に間隔を隔てて複数配置されている。これにより、隣接するシールド層５間には、シールド開口部２７が設けられる。シールド開口部２７は、左右方向に間隔を隔てて複数設けられており、各シールド開口部２７は、中間絶縁層４の一部の上面を露出する。また、シールド層５は、上記したシールド開口部２７が設けられ、かつ、中間開口部１５を含むパターンを有する。
【００５８】
シールド層５におけるシールド開口部２７の面積割合は、例えば、１％以上、好ましくは、１０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、７０％以下である。
【００５９】
シールド層５は、平坦部２１と、凹部２２とを備える。
【００６０】
平坦部２１は、中間絶縁層４の上面に配置されている。また、平坦部２１は、中間開口部１５を囲むパターンを有する。平坦部２１は、所定の厚みを有し、面方向に延びるシート形状を有する。
【００６１】
凹部２２は、中間開口部１５内に配置されており、中間開口部１５の周囲における平坦部２１の内端縁から下側に向かって凹む形状を有する。凹部２２は、内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに連続して配置される断面略Ｕ字形状を有する。凹部２２は、側壁２３と、第２平坦部２４とを一体的に備える。
【００６２】
側壁２３は、中間開口部１５の周囲の凹部２２の内端縁から下方（具体的には、下方斜め内側）に向かって傾斜する傾斜壁である。側壁２３は、下方に向かって縮径する略円錐台筒（内部が空洞である円錐台）形状を有する。側壁２３は、内側面１０を被覆する。
【００６３】
第２平坦部２４は、側壁２３の下端縁を連結する底壁である。第２平坦部２４は、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面に接触している。第２平坦部２４は、内側面１０の下端縁に対応する形状、具体的には、平面視略円形状を有する。
【００６４】
平坦部２１の厚みと、側壁２３の厚みと、第２平坦部２４の厚みとは、略同一であり、シールド層５の厚みＴｓである。
【００６５】
また、シールド層５は、密着層８と、本体層９とを上側に向かって順に備える。シールド層５は、密着層８と、本体層９との積層体である。好ましくは、シールド層５は、密着層８と本体層９とのみからなる。詳しくは、シールド層５において、平坦部２１と、凹部２２（側壁２３および第２平坦部２４））とのそれぞれは、密着層８と本体層９とのそれぞれを備える。
【００６６】
平坦部２１において、本体層９は、密着層８を介して、中間絶縁層４の上面に密着する。
【００６７】
凹部２２において、本体層９は、密着層８を介して、中間絶縁層４の内側面１０に密着するとともに、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面に密着する。
【００６８】
密着層８の材料としては、本体層９の中間絶縁層４に対する密着力に比べて、密着層８の中間絶縁層４に対する密着力、および、密着層８の本体層９に対する密着力が大きくなるように、選択される。密着層８の材料としては、例えば、クロム、ニッケルなどが挙げられ、好ましくは、クロムが挙げられる。密着層８の材料がクロムであれば、本体層９の中間絶縁層４に対する密着性、および、本体層９の、中間開口部１５から露出する延出部１６に対する密着性を、より一層高めることができる。
【００６９】
密着層８の熱膨張率は、例えば、中間絶縁層４の熱膨張率と相違する。密着層８の熱膨張率は、具体的には、中間絶縁層４の熱膨張率に比べて、小さく、より具体的には、中間絶縁層４の熱膨張率に対して、例えば、９０％以下、好ましくは、７５％以下、より好ましくは、５０％以下、さらに好ましくは、４５％以下であり、また、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上である。
【００７０】
密着層８の熱膨張率の、中間絶縁層４の熱膨張率に対する百分率が上記した上限以下であれば、後述する製造工程における加熱によって、密着層８が、中間絶縁層４の面方向に伸びに対して追従し難く、密着層８におけるクラックの損傷を生じ易い。しかし、この配線回路基板１の製造方法（後述）では、後述するように、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、密着層８の損傷を抑制することができる。
【００７１】
具体的には、密着層８の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）未満、好ましくは、９（ｐｐｍ／Ｋ）以下、より好ましくは、８（ｐｐｍ／Ｋ）以下であり、また、例えば、１（ｐｐｍ／Ｋ）以上である。
【００７２】
密着層８の厚みＴａは、本体層９の厚みＴｂの密着層８の厚みＴａに対する後述する比（Ｔｂ／Ｔａ）を満足するように設定され、具体的には、例えば、１００ｎｍ未満、５０ｎｍ以下、好ましくは、４０ｎｍ以下、より好ましくは、３０ｎｍ以下であり、また、例えば、２ｎｍ以上である。
【００７３】
本体層９の材料としては、本体層９の中間絶縁層４に対する密着力に比べて、密着層８の本体層９に対する密着力が大きくなるように、選択される。また、本体層９の材料は、例えば、密着層８の材料と同一または相異なっていてもよく、好ましくは、相異なる。具体的には、本体層９の材料としては例えば、銅、クロム、ニッケル、金、銀、白金、パラジウム、チタン、タンタル、はんだ、またはこれらの合金などの金属が挙げられ、好ましくは、銅、ニッケル、より好ましくは、銅が挙げられる。
【００７４】
本体層９の熱膨張率は、例えば、中間絶縁層４の熱膨張率に近似する。本体層９の熱膨張率は、中間絶縁層４の熱膨張率に対して、例えば、７０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは、９０％以上、好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、１１０％以下、好ましくは、１００％以下である。
【００７５】
本体層９の熱膨張率の、中間絶縁層４の熱膨張率に対する百分率が上記した上限以下、上記した下限以上であれば、本体層９の熱膨張率が中間絶縁層４の熱膨張率と近似するので、密着層８の熱膨張率が中間絶縁層４の熱膨張率と顕著に相違しても、後述する製造工程における加熱において、中間絶縁層４の伸びと密着層８の伸びとを合致させて、密着層８の損傷を抑制することができる。
【００７６】
具体的には、本体層９の熱膨張率は、例えば、１０（ｐｐｍ／Ｋ）以上、好ましくは、１３（ｐｐｍ／Ｋ）以上、より好ましくは、１５（ｐｐｍ／Ｋ）以上であり、また、例えば、２０（ｐｐｍ／Ｋ）以下である。
【００７７】
本体層９の厚みＴｂは、後述する比（Ｔｂ／Ｔａ）を満足するように設定され、具体的には、例えば、５０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上、より好ましくは、１１０ｎｍ以上であり、また、例えば、２５０ｎｍ以下、好ましくは、２００ｎｍ以下である。
【００７８】
そして、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）は、４以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、２０以下、好ましくは、１０以下である。
【００７９】
比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限未満であれば、シールド層５の密着性を向上させることができない。換言すれば、この一実施形態では、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるので、シールド層５の密着性を向上させることができる。
【００８０】
詳説すれば、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるということは、密着層８が本体層９に比べて、十分に薄い。そのため、密着層８が中間絶縁層４および本体層９に追従でき、密着層８における損傷を抑制することができる。また、比（Ｔｂ／Ｔａ）が上記した下限以上であるということは、本体層９が密着層８に比べて十分に厚い。そのため、本体層９が密着層８を十分に押さえ付けることができるので、密着層８における損傷を抑制することができる。
【００８１】
シールド層５の厚みＴｓは、例えば、６０ｎｍ以上、好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、３０００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下である。なお、シールド層５の厚みＴｓは、密着層８の厚みＴａと、本体層９の厚みＴｂとの総和（Ｔａ＋Ｔｂ）である。
【００８２】
カバー絶縁層６は、面方向に延びるシート形状を有する。カバー絶縁層６は、配線回路基板１の上面を形成する。カバー絶縁層６は、シールド層５を被覆するように、中間絶縁層４の上面に配置されている。また、カバー絶縁層６は、凹部２２にも充填されている。カバー絶縁層６は、ベース絶縁層２の材料と同一である。カバー絶縁層６の熱膨張率は、ベース絶縁層２の熱膨張率と同一である。カバー絶縁層６の厚みは、特に限定されず、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。
【００８３】
配線回路基板１の厚みＴは、ベース絶縁層２、中間絶縁層４およびカバー絶縁層６の厚みの総和であり、具体的には、ベース絶縁層２の下面と、カバー絶縁層６の上面との距離である。具体的には、配線回路基板１の厚みＴは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００８４】
次に、配線回路基板１の製造方法を説明する。
【００８５】
配線回路基板１の製造方法は、図２Ａ〜図３Ｅおよび図１Ｂに示すように、ベース絶縁層２を支持基板２５に設ける工程と、導体層３を設ける第１工程と、中間絶縁層４を設ける第２工程と、シールド層５を設ける第３工程と、カバー絶縁層６を設ける工程と、支持基板２５を除去する工程とを順に備える。
【００８６】
図２Ａに示すように、ベース絶縁層２を設ける工程では、まず、支持基板２５を準備する。
【００８７】
支持基板２５は、面方向に延び、平坦な上面を有するシート形状を有する。支持基板２５の材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウムなどの金属、例えば、樹脂、例えば、セラミックスなどが挙げられ、好ましくは、金属が挙げられる。支持基板２５の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３０μｍ以下である。
【００８８】
ベース絶縁層２を支持基板２５に設けるには、例えば、フォト加工により、絶縁材料から、ベース開口部１１を有するベース絶縁層２を、支持基板２５の上面に形成する。あるいは、予め、ベース開口部１１が形成されたベース絶縁層２を、支持基板２５の上面に配置（載置）する。
【００８９】
これにより、ベース絶縁層２を支持基板２５の上面に設ける。
【００９０】
図２Ｂに示すように、次いで、第１工程では、導体層３を、ベース絶縁層２の上に設ける。具体的には、導体層３を、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターン形成法によって、信号層１２およびグランド層１３から形成する。
【００９１】
図２Ｃに示すように、次いで、第２工程では、中間絶縁層４を、導体層３を被覆し、かつ、延出部１６の一部の上面を露出する中間開口部１５を有するように、設ける。
【００９２】
例えば、フォト加工により、絶縁材料から、中間開口部１５を有する中間絶縁層４を、ベース絶縁層２の上面全面、および、導体層３の上面および側面に、形成する。あるいは、予め、中間開口部１５が形成された中間絶縁層４を、ベース絶縁層２および導体層３に対して配置（載置）する。
【００９３】
これにより、第２工程では、中間絶縁層４を、導体層３（延出部１６の一部を除く）を被覆し、かつ、中間開口部１５を有するように、設ける。
【００９４】
図３Ｄに示すように、第３工程では、シールド層５を、中間開口部１５内に配置され、下側に向かって凹む凹部２２を有するように、中間絶縁層４の上面に設ける。
【００９５】
第３工程では、例えば、スパッタリング、めっき（無電解めっきなど）などの薄膜形成方法により、密着層８を形成し（第４工程）、続いて、本体層９を形成すること（第５工程）により、密着層８および本体層９から、シールド層５を形成する。好ましくは、スパッタリングにより、シールド層５を形成する。スパッタリングであれば、均一な厚みのシールド層５（具体的には、均一な厚みの密着層８および均一な厚みの本体層９）を形成することができる。
【００９６】
密着層８の形成方法、および、本体層９の形成方法は、互いに同一または相異なっていてもよく、好ましくは、同一である。
【００９７】
好ましくは、密着層８および本体層９のそれぞれを、スパッタリングにより形成する。つまり、密着層８をスパッタリングで形成し（第４工程）、続いて、本体層９を密着層８の上面にスパッタリングで形成する（第５工程）。
【００９８】
その後、例えば、エッチング（ドライエッチング、ウエットエッチング）などの薄膜除去方法により、シールド層５にシールド開口部２７を形成する。
【００９９】
図３Ｅに示すように、次いで、カバー絶縁層６を、中間絶縁層４の上面と、シールド層５の上面および側面とに、設ける。
【０１００】
例えば、フォト加工により、カバー絶縁層６を設ける。具体的には、フォト加工では、まず、感光成分および絶縁材料を含有する感光絶縁組成物を調製し、続いて、感光絶縁組成物を、中間絶縁層４の上面、および、シールド層５の上面および側面に塗布し、その後、必要により乾燥して、皮膜を形成する。次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、現像して、カバー絶縁層６を形成する。その後、カバー絶縁層６を加熱（露光後加熱）する。加熱条件は、例えば、絶縁材料が十分に硬化（具体的には、イミド化など）できる条件であり、具体的には、温度が、例えば、２５０℃以上、好ましくは、３００℃以上であり、また、例えば、４００℃以下であり、また、時間が、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１００分以下である。
【０１０１】
あるいは、予め所定パターンに形成されたカバー絶縁層６を、中間絶縁層４およびシールド層５に対して配置（載置）する。
【０１０２】
好ましくは、確実なパターン形成および配置の観点から、フォト加工が用いられる。
【０１０３】
図１Ｂに示すように、その後、支持基板２５を、ベース絶縁層２の下面、および、グランド下部１９の下面から、例えば、剥離などによって、除去する。ベース絶縁層２の下面、および、グランド下部１９の下面を、下側に露出させる。
【０１０４】
これにより、配線回路基板１を製造する。
【０１０５】
その後、配線回路基板１の下側に、撮像素子（図示せず）を準備し、撮像素子（図示せず）を信号層１２と電気的に接続する。また、グランド接点部１４をアース接点（図示せず）と電気的に接続して、グランド層１３を接地する。
【０１０６】
これにより、配線回路基板１と、撮像素子（図示せず）とを備える撮像装置３０を得る。
【０１０７】
そして、この配線回路基板１１では、シールド層５は、凹部２２を有しており、図１Ｂの矢印Ｆに示す応力Ｆがシールド層５にかかり、伸縮しようとしても、シールド層５は、密着層８と、本体層９とを厚み方向一方側に向かって順に備え、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、中間絶縁層４に対する密着性の低下を抑制でき、さらには、延出部１６の一部に対する密着性の低下を抑制することができる。
【０１０８】
また、この配線回路基板１では、シールド層５がシールド開口部２７を有するので、電磁波の遮蔽を不要とする部分にシールド開口部２７を設け、それ以外の部分において、シールド層５によって電磁波を遮蔽することができる。
【０１０９】
この配線回路基板１では、中間絶縁層４の材料が、ポリイミドであり、密着層８の材料が、クロムであり、本体層９の材料が、銅であれば、密着層８により、本体層９の中間絶縁層４に対する密着性の低下をより一層有効に抑制することができる。
【０１１０】
この配線回路基板１は、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置３０を製造することができる。
【０１１１】
この配線回路基板１の製造方法によれば、密着層８と、中間絶縁層４とは、熱膨張率が相違する場合には、図３Ｅに示す、カバー絶縁層６の加熱（露光後加熱）によって、密着層８と中間絶縁層４との熱膨張率の相違に起因して、密着層８にクラックなどの損傷を生じ易い。
【０１１２】
しかし、この配線回路基板１の製造方法では、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、熱膨張率の相違に起因する上記した損傷を抑制することができる。
【０１１３】
また、ポリイミドの熱膨張係数（１７（ｐｐｍ／Ｋ））は、銅の熱膨張係数（１６．８（ｐｐｍ／Ｋ））に類似する一方、クロムの熱膨張係数（６．８（ｐｐｍ／Ｋ））と顕著に相違する。そのため、密着層８が、図３Ｅに示す、カバー絶縁層６の加熱（露光後加熱）によって、中間絶縁層４および本体層９の伸びに追従できず、密着層８にクラックなどの損傷を生じ易い。
【０１１４】
しかし、この製造方法によれば、密着層８の厚みＴａに対する本体層９の厚みＴｂの比（Ｔｂ／Ｔａ）が、４以上であるので、シールド層５の中間絶縁層４に対する良好な密着性を確保することができる。
【０１１５】
この製造方法では、撮像装置用配線回路基板であるので、信頼性に優れる撮像装置３０を製造することができる。
［変形例］
一実施形態では、配線回路基板１は、撮像装置用配線回路基板として説明したが、その用途はこれに限定されず、例えば、検査用基板（異方導電性シート）、フレキシブル配線回路基板などに用いることができる。
【０１１６】
また、一実施形態では、図１Ｂに示すように、中間開口部１５は、延出部１６の一部の上面を露出しているが、例えば、図示しないが、これに代えて、あるいは、これとともに、グランド上部２０（の一部または全部）の上面を露出することもできる。この場合には、凹部２２の第２平坦部２４は、グランド上部２０の上面に接触する。
【０１１７】
また、一実施形態では、シールド層５に、シールド開口部２７を形成している。
【０１１８】
しかし、例えば、図４に示すように、シールド開口部２７（図１Ａおよび図１Ｂ）を有さないシールド層５を、中間絶縁層４の上面全面、内側面１０、および、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに、連続して形成することもできる。
【０１１９】
好ましくは、図１Ｂに示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成する。
【０１２０】
図４に示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成しない場合には、図３Ｅに示す工程の加熱によって、中間絶縁層４からガス（中間絶縁層４が吸湿した水分に由来する水蒸気など）Ｇが発生しても、シールド層５がガスＧを遮蔽してしまい、そのため、中間絶縁層４の変形などの損傷を生じ、その結果、密着層８の中間絶縁層４に対する密着性が低下する。
【０１２１】
しかし、図１Ｂに示すように、シールド層５にシールド開口部２７を形成すれば、上記したガスＧを効率よくシールド開口部２７から放出することができる。そのため、シールド層５の中間絶縁層４に対する密着性をより一層向上させることができる。
【０１２２】
また、図５に示すように、例えば、凹部２２を設けず、シールド層５を構成することもできる。この場合には、シールド層５は、平坦部２１と、中間開口部１５に充填される充填部２８とを連続して有し、それらの上面は、平坦形状を有する。シールド層５の上面は、中間絶縁層４の上面に対して平行する。充填部２８は、中実であり、平坦な上面を有する。
【０１２３】
この構成であれば、上記したガスＧをシールド開口部２７を介して効率よく放出することができる。
【０１２４】
一実施形態では、図１Ｂに示すように、内側面１０は、テーパ形状を有するが、例えば、図６に示すように、厚み方向に沿うストレート形状を有することもできる。
【実施例】
【０１２５】
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
【０１２６】
実施例１
図２Ａに示すように、ステンレスからなる支持基板２５の上面に、ポリイミドからなるベース絶縁層２をフォト加工により形成した。
【０１２７】
図２Ｂに示すように、次いで、信号層１２およびグランド層１３を独立して備え、銅からなる導体層３を、アディティブ法により、ベース絶縁層２の上面に形成した（第１工程）。
【０１２８】
図２Ｃに示すように、次いで、中間開口部１５を有し、ポリイミド（熱膨張係数１７（ｐｐｍ／Ｋ））からなる中間絶縁層４を、ベース絶縁層２の上面に、導体層３を被覆するように、フォト加工により、形成した（第２工程）。中間絶縁層４の厚みは、１０μｍであった。
【０１２９】
図３Ｄの実線および仮想線で示すように、次いで、クロム（熱膨張係数６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴａが３０μｍである密着層８をスパッタリング法により形成し（第４工程）、続いて、銅（熱膨張係数１６．８（ｐｐｍ／Ｋ））からなり、厚みＴｂが１２０μｍである本体層９をスパッタリング法により形成した（第５工程）。これにより、平坦部２１および凹部２２を有するシールド層５を形成した。なお、シールド層５は、まだ、シールド開口部２７を有しておらず、つまり、密着層８を、中間絶縁層４の上面全面と、シールド層５の内側面１０と、中間開口部１５から露出する延出部１６の上面とに、連続して形成し、また、本体層９を、密着層８の上面全面に形成した。
【０１３０】
図３Ｄの実線で示すように、続いて、ウエットエッチングにより、シールド層５を、シールド開口部２７を有するパターンに形成した（第３工程）。
【０１３１】
図３Ｆに示すように、その後、フォト加工により、カバー絶縁層６を、中間絶縁層４の上面に、シールド層５を被覆するように、形成した。具体的には、感光性ポリイミド組成物を、中間絶縁層４の上面、および、シールド層５の上面および側面に塗布し、その後、乾燥して、皮膜を形成し、次いで、フォトマスクを介して皮膜を露光し、現像して、カバー絶縁層６を形成した。その後、カバー絶縁層６を、３２５℃で、２０分間、露光後加熱した。
【０１３２】
図１Ｂに示すように、その後、支持基板２５を剥離により除去した。
【０１３３】
これにより、配線回路基板１を製造した。
【０１３４】
実施例２〜比較例２
密着層８の厚みＴａおよび本体層９の厚みＴｂを、表１に従って変更した以外は、実施例１と同様に処理して、配線回路基板１を製造した。
【０１３５】
［密着層のクラック観察］
密着層８のクラックの発生の有無を光学顕微鏡により観察した。その結果を表１に示す。
【０１３６】
【表１】
2019054130.tif 000003
【符号の説明】
【０１３７】
１     配線回路基板（撮像装置用配線回路基板）
３     導体層
４     中間絶縁層
５     シールド層
８     密着層
９     本体層
１５   中間開口部
２２   凹部
３０   撮像装置
Ｔａ 密着層の厚み
Ｔｂ 本体層の厚み
【図１】
2019054130.tif 000004
【図２】
2019054130.tif 000005
【図３】
2019054130.tif 000006
【図４】
2019054130.tif 000007
【図５】
2019054130.tif 000008
【図６】
2019054130.tif 000009