(57)【要約】      （修正有）【課題】ガス切り替え時間を短縮できる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】シャワーヘッド２０は、バックプレート２６の外周部２６ａと外周部の内側に配置された複数のガス噴出孔２４ａとを有するフェースプレート２４と、フェースプレートに対向し、ガス導入路２５ａをもつ可動部２２と、フェースプレートの外周部と可動部との間に介在されるＯリングＯ４とを有する。可動部は、Ｏリングを介在させてフェースプレートに結合し、ガス導入路がガス噴出孔のみを介してチャンバー内に通じた第１位置と、フェースプレートから分離し、可動部とフェースプレートとの間の隙間を介してガス導入路がチャンバー内に通じた第２位置との間を第１方向に移動する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたペデスタルと、
前記ペデスタルに対して第１方向に離間して対向したシャワーヘッドと、
を備え、
前記シャワーヘッドは、
外周部と、前記外周部の内側に配置された複数のガス噴出孔と、を有するフェースプレートと、
前記フェースプレートに対向し、ガス導入路をもつ可動部と、
前記フェースプレートの前記外周部と、前記可動部との間に介在されるＯリングと、
を有し、
前記可動部は、
前記Ｏリングを介在させて前記フェースプレートに結合し、前記ガス導入路が前記ガス噴出孔を介して前記チャンバー内に通じた第１位置と、
前記フェースプレートから分離し、前記可動部と前記フェースプレートとの間の隙間を介して前記ガス導入路が前記チャンバー内に通じた第２位置と、の間を前記第１方向に移動する成膜装置。
【請求項２】
前記シャワーヘッドは、前記フェースプレートをチャンバー壁に対して支持する側壁部を有し、
前記側壁部に、前記隙間および前記チャンバー内に通じたスリットが形成されている請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたペデスタルと、
前記ペデスタルに対して第１方向に離間して対向したシャワーヘッドと、
を備え、
前記シャワーヘッドは、
外周部と、前記外周部の内側に配置された複数のガス噴出孔と、を有するフェースプレートと、
前記フェースプレートに対向し、ガス導入路をもつ固定部と、
前記フェースプレートの前記外周部と、前記固定部との間に介在されるＯリングと、
を有し、
前記フェースプレートは、
前記Ｏリングを介在させて前記固定部に結合し、前記ガス導入路が前記ガス噴出孔を介して前記チャンバー内に通じた第１位置と、
前記固定部から分離し、前記固定部と前記フェースプレートとの間の隙間を介して前記ガス導入路が前記チャンバー内に通じた第２位置と、の間を前記第１方向に移動する成膜装置。
【請求項４】
シャワーヘッドにおけるガス導入路から複数のガス噴出孔を通じてチャンバー内にプロセスガスを供給して、前記チャンバー内に配置された成膜対象に膜を形成し、
前記シャワーヘッドにおける前記ガス導入路をもつ第１部分と、前記ガス噴出孔をもつ第２部分とを分離して、前記複数のガス噴出孔が配置された領域の外周側に隙間を生じさせ、前記隙間を介して前記ガス導入路から前記チャンバー内にパージガスを流す成膜方法。
【請求項５】
第１プロセスガスを前記ガス導入路から前記複数のガス噴出孔を通じて前記チャンバー内に導入して、前記成膜対象に第１膜を形成し、
第２プロセスガスを前記ガス導入路から前記複数のガス噴出孔を通じて前記チャンバー内に導入して、前記成膜対象に第２膜を形成し、
前記第１膜の成膜と前記第２膜の成膜とが交互に複数回繰り返され、
前記第１膜の成膜と前記第２膜の成膜との間に、前記隙間を介して前記ガス導入路から前記チャンバー内に前記パージガスを流す請求項４記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）などにおいて、プロセスガス（成膜ガス）を切り替えるときに、シャワーヘッド内およびチャンバー内から残留気相反応物質を除去するパージ工程が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１５４６９号公報
【特許文献２】特許第４１５２８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、ガス切り替え時間を短縮できる成膜装置および成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバー内に配置されたペデスタルと、前記ペデスタルに対して第１方向に離間して対向したシャワーヘッドと、を備えている。前記シャワーヘッドは、外周部と、前記外周部の内側に配置された複数のガス噴出孔と、を有するフェースプレートと、前記フェースプレートに対向し、ガス導入路をもつ可動部と、前記フェースプレートの前記外周部と、前記可動部との間に介在されるＯリングと、を有する。前記可動部は、前記Ｏリングを介在させて前記フェースプレートに結合し、前記ガス導入路が前記ガス噴出孔を介して前記チャンバー内に通じた第１位置と、前記フェースプレートから分離し、前記可動部と前記フェースプレートとの間の隙間を介して前記ガス導入路が前記チャンバー内に通じた第２位置と、の間を前記第１方向に移動する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態の成膜装置の模式図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、実施形態のシャワーヘッドの模式断面図。
【図３】図２（ａ）及び（ｂ）に示すシャワーヘッドの固定部の模式斜視図。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、他の実施形態のシャワーヘッドの模式断面図。
【図５】実施形態の成膜方法のタイミングチャート。
【図６】成膜対象の一例の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
図１は、実施形態の成膜装置の模式図である。
【０００９】
実施形態の成膜装置は、例えばプラズマＣＶＤ装置であり、上部電極として機能するシャワーヘッド２０と、下部電極として機能するペデスタル５０とを有する。
【００１０】
ペデスタル５０はチャンバー１０内に配置され、シャワーヘッド２０はペデスタル５０に対して第１方向に離間して対向している。第１方向は例えば鉛直方向（または上下方向）である。
【００１１】
ペデスタル５０はヒーターを内蔵している。このペデスタル５０の上に、成膜対象として例えば半導体ウェーハが支持される。
【００１２】
シャワーヘッド２０はペデスタル５０の上方に配置され、シャワーヘッド２０の少なくとも後述するフェースプレートはチャンバー１０内に配置されている。
【００１３】
チャンバー１０に接続された図示しない排気系により、チャンバー１０内は所定の減圧雰囲気にされる。そして、シャワーヘッド２０を通じてチャンバー１０内にプロセスガス（成膜ガス）が導入された状態で、シャワーヘッド２０とペデスタル５０との間に電力（例えば高周波電力）が印加され、シャワーヘッド２０とペデスタル５０との間にプラズマが発生する。そのプラズマ雰囲気下で、成膜ガスに含まれる元素を含む膜がウェーハに形成される。
【００１４】
図２（ａ）及び（ｂ）は、実施形態のシャワーヘッド２０の模式断面図である。  
後述するように、シャワーヘッド２０は、図２（ａ）に示す第１位置と、図２（ｂ）に示す第２位置との間を第１方向（上下方向）に移動する可動部２２を有する。  
図３は、シャワーヘッド２０の固定部２１の模式斜視図である。
【００１５】
シャワーヘッド２０は、固定部（アウターピース）２１と、可動部（インナーピース）２２とを有する。
【００１６】
固定部２１は、フランジ部２９と、側壁部２７と、フェースプレート２４とを有する。固定部２１は、チャンバー壁に対して固定されている。
【００１７】
フランジ部２９はチャンバーリッド（または上壁）１１の上に配置されている。Ｏリング（ガスケット）Ｏ１がフランジ部２９とチャンバーリッド１１との間に介在され、フランジ部２９とチャンバーリッド１１との間の隙間を通じたチャンバー１０内外の連通が遮断されている。
【００１８】
チャンバーリッド１１には開口１１ａが形成され、その開口１１ａを通じて、側壁部２７がフランジ部２９から下方のチャンバー１０内に延びている。側壁部２７の下端にフェースプレート２４が設けられている。
【００１９】
図３に示すように、複数の柱状の側壁部２７がフランジ部２９とフェースプレート２４とをつないでおり、フェースプレート２４は複数の側壁部２７およびフランジ部２９によって、チャンバーリッド１１に対して支持されている。
【００２０】
複数の側壁部２７はリング状のフランジ部２９の周方向に沿って互いに離間して配置され、隣り合う側壁部２７の間にスリット２８が形成されている。
【００２１】
フェースプレート２４は、円板状に形成され、外周部２４ｂと、外周部２４ｂの内側に配置された複数のガス噴出孔２４ａとを有する。フェースプレート２４は、チャンバー１０内で図１に示すペデスタル５０に対向している。複数のガス噴出孔２４ａはフェースプレート２４を貫通し、ガス噴出孔２４ａの出口はチャンバー１０内におけるペデスタル５０上の空間に通じている。
【００２２】
図３に示す複数のスリット２８は、フェースプレート２４における複数のガス噴出孔２４ａが配置された領域よりも外側に位置する。
【００２３】
可動部２２は、固定部２１の内側に上下動可能に配置されている。固定部２１の内側の空間はリッド２３によって塞がれている。
【００２４】
リッド２３の外周部は、固定部２１のフランジ部２９の上に配置されている。ＯリングＯ２がリッド２３の外周部と固定部２１のフランジ部２９との間に介在されている。
【００２５】
可動部２２は、上下方向に延びるステム２５と、ステム２５の下端に設けられたバックプレート２６とを有する。上面視で円形状のバックプレート２６の中心にステム２５が配置されている。
【００２６】
ステム２５内にガス導入路２５ａが形成され、ガス導入路２５ａは図示しない配管を通じてガス供給源に接続している。
【００２７】
ステム２５は、リッド２３の中央に形成された開口を貫通している。ＯリングＯ３が、ステム２５の側面とリッド２３との間に介在している。
【００２８】
ＯリングＯ２およびＯリングＯ３によって、固定部２１の内側の空間と、シャワーヘッド２０の外側の空間との間の連通が遮断されている。
【００２９】
ＯリングＯ３はリッド２３に装着され、そのＯリングＯ３に対してステム２５の側面が気密に接触した状態で、ステム２５は上下動することができる。また、ＯリングＯ３は、ステム２５の横ずれを規制してステム２５の上下動をガイドする。
【００３０】
バックプレート２６は、固定部２１の内側の空間内でフェースプレート２４の上面（背面）に対向している。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、成膜時にはフェースプレート２４の外周部２４ｂと、バックプレート２６の外周部２６ａとの間にＯリングＯ４が介在して、バックプレート２６がフェースプレート２４に対して結合する。
【００３２】
この状態で、バックプレート２６とフェースプレート２４との間の空間（プレナム空間）３２は、ＯリングＯ４によって、図３に示すスリット２８と遮断される。ガス導入路２５ａは、ＯリングＯ４によって周方向の端が閉塞された上記空間３２に通じている。さらに、その空間３２は、複数のガス噴出孔２４ａに通じている。したがって、ガス導入路２５ａは、固定部２１の側壁に形成されたスリット２８にはつながらずに、バックプレート２６とフェースプレート２４との間の空間３２および複数のガス噴出孔２４ａのみを通じて、チャンバー１０内に通じている。
【００３３】
可動部２２は、例えば図示しない電動モータを動力源にもつ機構によって、上下動される。
【００３４】
図２（ａ）に示すように、第１位置にある可動部２２は、バックプレート２６とフェースプレート２４との間にＯリングＯ４を介在させてフェースプレート２４に結合している。
【００３５】
その第１位置から可動部２２を上方に移動させ、可動部２２は図２（ｂ）に示す第２位置に移動する。この第２位置で、可動部２２のバックプレート２６はフェースプレート２４から分離し、バックプレート２６の外周部２６ａとフェースプレート２４の外周部２４ｂとの間に隙間３５が形成される。その隙間３５は、図３に示すスリット２８を介してチャンバー１０内に通じている。この第２位置において、ガス導入路２５ａは、ガス噴出孔２４ａだけでなく、隙間３５およびスリット２８を通じてもチャンバー１０内に通じる。
【００３６】
ガス導入路２５ａから隙間３５およびスリット２８を介してチャンバー１０内に通じるガス流路のコンダクタンスは、ガス導入路２５ａから複数のガス噴出孔２４ａを介してチャンバー１０内に通じるガス流路のコンダクタンスよりも大きい。
【００３７】
例えば、隙間３５の高さは、ガス噴出孔２４ａの直径よりも大きい。隙間３５の周方向に沿ったトータルの断面積、および複数のスリット２８のトータルの断面積は、複数のガス噴出孔２４ａのトータルの断面積よりも大きい。
【００３８】
次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すシャワーヘッド２０を有する成膜装置による成膜方法について説明する。  
図５は、その成膜方法のタイミングチャートである。
【００３９】
図５において、シャワーヘッドのＵｐはバックプレート２６とフェースプレート２４が上下方向に分離した図２（ｂ）に示す状態を、Ｄｏｗｎはバックプレート２６とフェースプレート２４がＯリングＯ４を介して結合した図２（ａ）に示す状態を表す。  
プロセスガスのＯｎはガス導入路２５ａへのプロセスガスの供給を表し、プロセスガスのＯｆｆはガス導入路２５ａへのプロセスガスの供給停止を表す。  
同様に、パージガスのＯｎはガス導入路２５ａへのパージガスの供給を表し、パージガスのＯｆｆはガス導入路２５ａへのパージガスの供給停止を表す。
【００４０】
図２（ａ）に示す状態で、ガス導入路２５ａに第１プロセスガス（第１成膜ガス）が供給され、ペデスタル５０上のウェーハに第１膜が形成される（ステップＡ）。すなわち、バックプレート２６の外周部２６ａとフェースプレート２４の外周部２４ｂとの間がＯリングＯ４によって気密に閉塞され、ガス導入路２５ａに導入されたガスは、複数のガス噴出孔２４ａのみを通じてチャンバー１０内のウェーハに供給される。
【００４１】
第１膜の成膜が終わると、図２（ａ）に示す状態のまま、ガス導入路２５ａに供給されるガスが、成膜ガスからパージガス（例えば不活性ガス）に切り替えられる（ステップＢ）。ガス導入路２５ａに導入されたパージガスは、複数のガス噴出孔２４ａのみを通じてチャンバー１０内に供給される。
【００４２】
その後、可動部２２を上方に引き上げて、図２（ｂ）に示すように、バックプレート２６をフェースプレート２４から分離させる。バックプレート２６の外周部２６ａとフェースプレート２４の外周部２４ｂとの間に隙間３５が形成される。ガス導入路２５ａに供給されたパージガスは、上記隙間３５および図３に示す固定部２１の側壁のスリット２８を通じてチャンバー１０内に流れる（ステップＣ）。
【００４３】
このとき、パージガスはガス導入路２５ａからフェースプレート２４のガス噴出孔２４ａを通じてもチャンバー１０内に流れる。前述したように、隙間３５およびスリット２８を通るガス流のコンダクタンスは、ガス噴出孔２４ａを通るガス流のコンダクタンスよりも大きいため、パージガスのほとんどは、隙間３５およびスリット２８を通ってチャンバー１０内に流れる。
【００４４】
ステップＢおよびステップＣに示すパージ工程により、第１膜の成膜時に使用した残留気相反応物質がシャワーヘッド２０内から除去され、さらにチャンバー１０内からも残留気相反応物質が排気される。
【００４５】
このパージ工程の後、図２（ａ）に示すように可動部２２を押し下げて、次の成膜プロセスの準備状態となる（ステップＤ）。そして、再びステップＡに戻り、上記第１プロセスガスとは異なる第２プロセスガス（第２成膜ガス）を用いて第２膜の成膜を行う。その後、ステップＢ以降が繰り返される。
【００４６】
パージ工程（ステップＢ、Ｃ）および準備状態（ステップＤ）では、電圧印加は停止され、チャンバー１０内にプラズマは生起されない。
【００４７】
一般的なシャワーヘッドにおけるバックプレートとフェースプレートとの間のプレナム空間において、ガス噴出孔が形成された領域の外周領域（直下にガス噴出孔が無い領域）は、ガスが滞留しやすくガス置換時間（パージ時間）の短縮の妨げになる。
【００４８】
これに対して、実施形態によれば、パージ工程の際には、図２（ｂ）に示すように、バックプレート２６の外周部２６ａとフェースプレート２４の外周部２４ｂとを上下に離間させ、複数のガス噴出孔２４ａが配置された領域の外周側に隙間３５を生じさせる。そして、その隙間３５を介してパージガスをチャンバー１０内に流す。
【００４９】
このような実施形態によれば、プレナム空間３２の外周領域（直下にガス噴出孔２４ａが無い領域）でのガス滞留を生じさせることなく、迅速にシャワーヘッド内の残留ガスをシャワーヘッド内から掃気（パージ）することができる。これは、ガス切り替え時間を短縮するとともに、残留ガスによる成膜対象のコンタミネーションも防ぐことができる。
【００５０】
図６は、成膜対象の一例の模式断面図である。
【００５１】
基板７０上に、第１膜７１と、第１膜７１とは異種の第２膜７２とが交互に形成される。第１膜７１の成膜と第２膜７２の成膜とが交互に繰り返され、複数の第１膜７１と複数の第２膜７２を含む積層体１００が基板７０上に形成される。
【００５２】
図５におけるステップＡにおいて、例えば酸素とシリコンを含む第１プロセスガス（成膜ガス）を用いて第１膜７１としてシリコン酸化膜が形成される。その後、ステップＢおよびステップＣにて、パージガスを用いたパージ工程が行われ、ステップＤで次の第２膜７２の成膜に備える。
【００５３】
そして、再びステップＡにおいて、例えば窒素とシリコンを含む第２プロセスガス（成膜ガス）を用いて第２膜７２としてシリコン窒化膜が形成される。その後、ステップＢおよびステップＣにて、パージガスを用いたパージ工程が行われ、ステップＤで次の第１膜７１の成膜に備える。
【００５４】
このような第１膜７１の成膜、パージ工程、第２膜７２の成膜、パージ工程、第１膜７１の成膜、……が繰り返され、基板７０上に複数の第１膜７１と複数の第２膜７２を含む積層体１００が形成される。
【００５５】
図４（ａ）及び（ｂ）は、他の実施形態のシャワーヘッド４０の模式断面図である。  
このシャワーヘッド４０も、図４（ａ）に示す第１位置と、図４（ｂ）に示す第２位置との間を上下方向に移動する可動部４２を有する。
【００５６】
シャワーヘッド４０は、図１に示すペデスタル５０の上方に配置され、シャワーヘッド４０の少なくとも後述するフェースプレートはチャンバー１０内に配置されている。
【００５７】
シャワーヘッド４０は、チャンバー壁に対して固定された固定部４１と、可動部４２とを有する。
【００５８】
固定部４１は、フランジ部４７と、ステム４５と、バックプレート４６とを有する。
【００５９】
フランジ部４７はチャンバーリッド１１の上に配置されている。Ｏリング（ガスケット）Ｏ５がフランジ部４７とチャンバーリッド１１との間に介在され、フランジ部４７とチャンバーリッド１１との間の隙間を通じたチャンバー１０内外の連通が遮断されている。
【００６０】
チャンバーリッド１１には開口１１ａが形成され、その開口１１ａを通じて、ステム４５がフランジ部４７から下方のチャンバー１０内に延びている。ステム４５の下端にバックプレート４６が設けられている。上面視で円形状のバックプレート４６の中心にステム４５が配置されている。
【００６１】
ステム４５内にガス導入路４５ａが形成され、ガス導入路４５ａは図示しない配管を通じてガス供給源に接続している。
【００６２】
可動部４２は、ロッド４３とフェースプレート４４とを有する。ロッド４３の下端は、上面視で円形状のフェースプレート４４の中心に結合している。ロッド４３は、ステム４５の内側のガス導入路４５ａに上下動可能に配置されている。
【００６３】
フェースプレート４４は、円板状に形成され、外周部４４ｂと、外周部４４ｂの内側に配置された複数のガス噴出孔４４ａとを有する。フェースプレート４４は、チャンバー１０内で図１に示すペデスタル５０に対向している。複数のガス噴出孔４４ａはフェースプレート４４を貫通し、ガス噴出孔４４ａの出口はチャンバー１０内におけるペデスタル５０上の空間に通じている。
【００６４】
バックプレート４６は、フェースプレート４４の上面（背面）に対向している。図４（ａ）に示すように、成膜時にはフェースプレート４４の外周部４４ｂと、バックプレート４６の外周部４６ａとの間にＯリングＯ６が介在して、バックプレート４６がフェースプレート４４に対して結合する。
【００６５】
この状態で、バックプレート４６とフェースプレート４４との間の空間（プレナム空間）３３の周方向の端はＯリングＯ６によって気密に塞がれている。空間３３は、ガス導入路４５ａおよび複数のガス噴出孔４４ａに通じている。図４（ａ）に示す状態で、ガス導入路４５ａは、複数のガス噴出孔４４ａのみを通じて、チャンバー１０内に通じている。
【００６６】
ロッド４３は、例えば図示しない電動モータを動力源にもつ機構によって、上下動される。ロッド４３を下降させることで、フェースプレート４４は、図４（ａ）に示す第１位置から図４（ｂ）に示す第２位置に移動する。
【００６７】
この第２位置で、フェースプレート４４はバックプレート４６から分離し、バックプレート４６の外周部４６ａとフェースプレート４４の外周部４４ｂとの間に隙間３６が形成される。この第２位置において、ガス導入路４５ａは、ガス噴出孔４４ａだけでなく、隙間３６を介してもチャンバー１０内に通じる。
【００６８】
ガス導入路４５ａから隙間３６を介してチャンバー１０内に通じるガス流路のコンダクタンスは、ガス導入路４５ａから複数のガス噴出孔４４ａを介してチャンバー１０内に通じるガス流路のコンダクタンスよりも大きい。
【００６９】
例えば、隙間３６の高さは、ガス噴出孔４４ａの直径よりも大きい。隙間３６の周方向に沿ったトータルの断面積は、複数のガス噴出孔４４ａのトータルの断面積よりも大きい。
【００７０】
次に、図４（ａ）及び（ｂ）に示すシャワーヘッド４０を有する成膜装置による成膜方法について説明する。
【００７１】
図４（ａ）に示す状態で、ガス導入路４５ａに第１プロセスガス（第１成膜ガス）が供給され、ペデスタル５０上のウェーハに第１膜が形成される。すなわち、バックプレート４６の外周部４６ａとフェースプレート４４の外周部４４ｂとの間がＯリングＯ６によって気密に閉塞され、ガス導入路４５ａに導入されたガスは、複数のガス噴出孔４４ａのみを通じてチャンバー１０内のウェーハに供給される。
【００７２】
第１膜の成膜が終わると、図４（ａ）に示す状態のまま、ガス導入路４５ａに供給されるガスが、成膜ガスからパージガス（例えば不活性ガス）に切り替えられる（図５のステップＢに対応する）。ガス導入路４５ａに導入されたパージガスは、複数のガス噴出孔４４ａのみを通じてチャンバー１０内に供給される。
【００７３】
その後、可動部４２を下方に下げて、図４（ｂ）に示すように、フェースプレート４４をバックプレート４６から分離する。バックプレート４６の外周部４６ａとフェースプレート４４の外周部４４ｂとの間に隙間３６が形成される。ガス導入路４５ａに供給されたパージガスは、隙間３６を通じてチャンバー１０内に流れる（図５のステップＣに対応する）。
【００７４】
このとき、パージガスはガス導入路４５ａからフェースプレート４４のガス噴出孔４４ａを通じてもチャンバー１０内に流れる。前述したように、隙間３６を通るガス流のコンダクタンスは、ガス噴出孔４４ａを通るガス流のコンダクタンスよりも大きいため、パージガスのほとんどは、隙間３６を通ってチャンバー１０内に流れる。
【００７５】
上記パージ工程により、第１膜の成膜時に使用した残留気相反応物質がシャワーヘッド４０内から除去され、さらにチャンバー１０内からも残留気相反応物質が排気される。
【００７６】
このパージ工程の後、図４（ａ）に示すように可動部４２を引き上げて、次の成膜プロセスの準備状態となる（図５のステップＤに対応する）。そして、上記第１プロセスガスとは異なる第２プロセスガス（第２成膜ガス）を用いて第２膜の成膜を行う。その後、ステップＢ以降が繰り返される。
【００７７】
図４（ａ）及び（ｂ）に示す実施形態においても、パージ工程の際には、図４（ｂ）に示すように、バックプレート４６の外周部４６ａとフェースプレート４４の外周部４４ｂとを上下に離間させ、複数のガス噴出孔４４ａが配置された領域の外周側に隙間３６を生じさせる。そして、その隙間３６を介してパージガスをチャンバー１０内に流す。
【００７８】
このような実施形態によれば、プレナム空間３３の外周領域（直下にガス噴出孔４４ａが無い領域）でのガス滞留を生じさせることなく、迅速にシャワーヘッド内の残留ガスをシャワーヘッド内から掃気（パージ）することができる。これは、ガス切り替え時間を短縮するとともに、残留ガスによる成膜対象のコンタミネーションも防ぐことができる。
【００７９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１０…チャンバー、１１…チャンバーリッド、２０…シャワーヘッド、２１…固定部、２２…可動部、２４…フェースプレート、２４ａ…ガス噴出孔、２５ａ…ガス導入路、２６…バックプレート、２８…スリット、４０…シャワーヘッド、４１…固定部、４２…可動部、４４…フェースプレート、４４ａ…ガス噴出孔、４５ａ…ガス導入路、４６…バックプレート、５０…ペデスタル
【図１】
2019054189.tif 000003
【図２】
2019054189.tif 000004
【図３】
2019054189.tif 000005
【図４】
2019054189.tif 000006
【図５】
2019054189.tif 000007
【図６】
2019054189.tif 000008