(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制できる表示装置を提供する。【解決手段】スイッチング素子と、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極で挟持された無機絶縁膜と、遮光部と、を備え、前記画素電極は、第１方向に第１幅を有し、前記共通電極の開口部と前記無機絶縁膜のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続される基部と、それぞれ前記第１方向に前記第１幅より小さい第２幅を有し、前記第１方向に並んだ第１帯電極及び第２帯電極と、前記第１方向に前記第１幅より小さく前記第２幅より大きな第３幅を有し、前記第１帯電極及び前記第２帯電極を前記基部と接続する第１電極部と、を備え、前記第１電極部、前記第１帯電極及び前記第２帯電極は、前記共通電極に重畳し、前記遮光部は、前記基部及び前記第１電極部に重畳している、表示装置。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子と、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極で挟持された無機絶縁膜と、遮光部と、を備え、
前記画素電極は、
第１方向に第１幅を有し、前記共通電極の開口部と前記無機絶縁膜のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続される基部と、
前記第１方向に前記第１幅より小さい第２幅を有する第１帯電極と、
前記第１方向に前記第１幅より小さく前記第２幅より大きな第３幅を有し、前記第１帯電極と前記基部とを接続する第１電極部と、
を備え、
前記第１電極部及び前記第１帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記遮光部は、前記基部及び前記第１電極部に重畳している、表示装置。
【請求項２】
前記画素電極は、さらに、第２帯電極を備え、
前記第１帯電極及び前記第２帯電極は、前記第１方向に並び、
前記第１電極部は、前記第２帯電極と前記基部とを接続し、
前記第２帯電極は、前記第１方向に前記第２幅を有し、前記共通電極に重畳している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
さらに、第１信号線及び第２信号線を備え、
前記画素電極は、さらに、前記第１電極部及び前記第１帯電極に亘る第１エッジと、前記第１電極部及び前記第２帯電極に亘る第２エッジと、を備え、
前記第１エッジは、前記第１信号線と対向し、
前記第２エッジは、前記第２信号線と対向し、
前記第１エッジと前記遮光部とが重畳する長さは、前記第２エッジと前記遮光部とが重畳する長さより長い、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１帯電極の長さは、前記第２帯電極の長さよりも短い、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は、さらに、
前記第１方向に前記第３幅より大きい第４幅を有する第２電極部と、
前記第１方向に前記第３幅を有し、前記第１帯電極及び前記第２帯電極を前記第２電極部と接続する第３電極部と、を備え、
前記第３電極部は、前記共通電極に重畳している、請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、前記遮光部に重畳するスペーサを備え、
前記スペーサ及び前記基部は、前記第１方向に並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
さらに、前記画素電極と対向する緑カラーフィルタを備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置する信号線と、
開口部を有する共通電極と、を備え、
前記第１画素電極は、前記開口部に位置する第１基部と、第１帯電極と、前記第１帯電極と前記第１基部とを接続する第１電極部と、を備え、
前記第１電極部及び前記第１帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記第２画素電極は、前記開口部に位置する第２基部と、前記第２基部に接続された第２帯電極と、を備え、
前記第２帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記第１画素電極と前記共通電極とが重畳する面積は、前記第２画素電極と前記共通電極とが重畳する面積より大きい、表示装置。
【請求項９】
前記第１帯電極の長さは、前記第２帯電極の長さより短い、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
さらに、前記第１基部と前記第２基部との間に位置するスペーサと、
前記第１基部、前記第２基部、前記スペーサ、及び、前記第１電極部に重畳する遮光部と、を備える、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
さらに、前記第１画素電極と対向する第１カラーフィルタと、前記第２画素電極と対向し前記第１カラーフィルタとは異なる色の第２カラーフィルタと、を備える、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１カラーフィルタは、緑カラーフィルタである、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
さらに、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を覆う配向膜と、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、を備え、
前記スペーサは、前記オーバーコート層及び前記配向膜に接している、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
さらに、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を覆う配向膜と、
前記第１カラーフィルタ及び前記第２カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、を備え、
前記スペーサは、前記オーバーコート層に接し、前記配向膜から離間している、請求項１２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置の表示品位を向上するための技術が種々検討されている。一例では、赤カラーフィルタ及び緑カラーフィルタのそれぞれと対向する画素電極は、青カラーフィルタと対向する画素電極よりも短く、白カラーフィルタと対向する画素電極より長い、技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２２５３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
スイッチング素子と、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極で挟持された無機絶縁膜と、遮光部と、を備え、
前記画素電極は、
第１方向に第１幅を有し、前記共通電極の開口部と前記無機絶縁膜のコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続される基部と、
前記第１方向に前記第１幅より小さい第２幅を有する第１帯電極と、
前記第１方向に前記第１幅より小さく前記第２幅より大きな第３幅を有し、前記第１帯電極と前記基部とを接続する第１電極部と、
を備え、
前記第１電極部及び前記第１帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記遮光部は、前記基部及び前記第１電極部に重畳している、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置する信号線と、
開口部を有する共通電極と、を備え、
前記第１画素電極は、前記開口部に位置する第１基部と、第１帯電極と、前記第１帯電極と前記第１基部とを接続する第１電極部と、を備え、
前記第１電極部及び前記第１帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記第２画素電極は、前記開口部に位置する第２基部と、前記第２基部に接続された第２帯電極と、を備え、
前記第２帯電極は、前記共通電極に重畳し、
前記第１画素電極と前記共通電極とが重畳する面積は、前記第２画素電極と前記共通電極とが重畳する面積より大きい、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。
【図２】図２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの一例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した緑画素ＰＧ１２の主要部を示す平面図である。
【図５】図５は、図３に示した画素レイアウトの一部を拡大した平面図である。
【図６】図６は、図４に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図７】図７は、図５に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。
【図８】図８は、他の構成例を示す断面図である。
【図９】図９は、他の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図３に示した緑画素ＰＧ１２に適用可能な他の画素電極ＰＥ１２を示す平面図である。
【図１１】図１１は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。
【図１２】図１２は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。また、図１において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。
【００１０】
ここでは、Ｘ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、フレキシブルプリント回路基板１と、ＩＣチップ２と、を備えている。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、後述する液晶層ＬＣと、シールＳＥと、遮光層ＬＳと、を備えている。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示部ＤＡと、表示部ＤＡを囲む額縁状の非表示部ＮＤＡとを備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも第２方向Ｙに延出した実装部ＭＡを有している。  
シールＳＥは、非表示部ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。遮光層ＬＳは、非表示部ＮＤＡに位置している。シールＳＥは、平面視で、遮光層ＬＳと重畳する位置に設けられている。図１において、シールＳＥが配置された領域と、遮光層ＬＳが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールＳＥと遮光層ＬＳとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層ＬＳは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。
【００１２】
表示部ＤＡは、遮光層ＬＳによって囲まれた内側に位置している。表示部ＤＡは、第１方向（列方向）Ｘ及び第２方向（行方向）Ｙにマトリクス状（行列状）に配置された複数の画素ＰＸを備えている。図示した例では、第２方向Ｙに沿って奇数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ１に沿って延出している。また、第２方向Ｙに沿って偶数行目に位置する画素ＰＸは、方向Ｄ２に沿って延出している。なお、ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素ＭＰと称する場合がある。主画素ＭＰは、互いに異なる色を表示する複数の副画素ＰＸを備えて構成されるものである。一例では、主画素ＭＰは、副画素ＰＸとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、青色を表示する青画素、及び、白色を表示する白画素を備えている。
【００１３】
表示部ＤＡは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の縁部Ｅ１及びＥ２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の縁部Ｅ３及びＥ４と、４つのラウンド部Ｒ１乃至Ｒ４と、を有している。表示パネルＰＮＬは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の直線部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の直線部Ｅ１３及びＥ１４と、２つのラウンド部Ｒ１１及びＲ１２と、を有している。ラウンド部Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれラウンド部Ｒ１及びＲ２の外側に位置している。ラウンド部Ｒ１１の曲率半径は、ラウンド部Ｒ１の曲率半径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。直線部Ｅ１１及びＥ１２は、いずれも第１基板ＳＵＢ１の短辺に相当する。直線部Ｅ１３及びＥ１４は、いずれも第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の長辺に相当する。
【００１４】
フレキシブルプリント回路基板１及びＩＣチップ２は、実装部ＭＡに実装されている。なお、ＩＣチップ２は、フレキシブルプリント回路基板１に実装されてもよい。ＩＣチップ２は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。図示した例では、ＩＣチップ２は、表示装置ＤＳＰへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラＴＣを内蔵している。
【００１５】
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。  
また、表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。
【００１６】
図２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。複数本の信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。
【００１７】
共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤ及び図１に示したタッチコントローラＴＣに接続されている。表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、共通電極ＣＥにコモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラＴＣは、コモン電圧とは異なるタッチ駆動電圧を共通電極ＣＥに供給する。  
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１８】
図３は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの一例を示す平面図である。走査線Ｇ１乃至Ｇ３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って直線的に延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１乃至Ｓ６は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。
【００１９】
遮光層ＢＭは、格子状に形成されている。すなわち、遮光層ＢＭは、平面視で、信号線Ｓ１乃至Ｓ６の各々と重畳する遮光部Ｂ１１乃至Ｂ１６と、走査線Ｇ１乃至Ｇ３の各々と重畳する遮光部Ｂ２１乃至Ｂ２３と、を備えている。これらの遮光部Ｂ１１乃至Ｂ１６、及び、Ｂ２１乃至Ｂ２３は、光を透過する複数の開口部を形成する。複数の開口部は、行列状に配列される。各開口部は、赤画素ＰＲ、緑画素ＰＧ、青画素ＰＢ、白画素ＰＷのいずれかに相当する。遮光層ＢＭは、図１に示した非表示部ＮＤＡの遮光層ＬＳと同じ遮光性の材料で形成され、非表示部ＮＤＡにて遮光層ＬＳと接続される。
【００２０】
また、遮光層ＢＭは、メインスペーサＭＳＰと重畳する遮光部Ｂ３１と、サブスペーサＳＳＰと重畳する遮光部Ｂ３２と、を備えている。図示した例では、メインスペーサＭＳＰは、信号線Ｓ５と走査線Ｇ２との交差部に位置している。遮光部Ｂ３１は、メインスペーサＭＳＰと略同心円状に拡張されている。サブスペーサＳＳＰは、信号線Ｓ２と走査線Ｇ２との交差部に位置している。遮光部Ｂ３１は、サブスペーサＳＳＰと略同心円状に拡張されている。後述するが、メインスペーサＭＳＰとは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間にセルギャップを形成するものであり、サブスペーサＳＳＰとは、メインスペーサＭＳＰの高さより低い高さを有するものである。なお、サブスペーサＳＳＰは、走査線Ｇ１及びＧ３と信号線Ｓ２及びＳ５とのそれぞれの交差部にも位置し、サブスペーサＳＳＰと重畳する位置にはそれぞれ遮光部Ｂ３２が設けられている。
【００２１】
このような遮光層ＢＭは、赤画素ＰＲ１１乃至ＰＲ１４、緑画素ＰＧ１１乃至ＰＧ１４、青画素ＰＢ１２及びＰＢ１３、及び、白画素ＰＷ１１及びＰＷ１４をそれぞれ囲んでいる。赤画素ＰＲ１１、緑画素ＰＧ１１、白画素ＰＷ１１、赤画素ＰＲ１２、緑画素ＰＧ１２、及び、青画素ＰＢ１２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間において、第１方向Ｘに沿ってこの順に並び、それぞれ方向Ｄ２に沿って延出している。赤画素ＰＲ１３、緑画素ＰＧ１３、青画素ＰＢ１３、赤画素ＰＲ１４、緑画素ＰＧ１４、及び、白画素ＰＷ１４は、走査線Ｇ２及びＧ３の間において、第１方向Ｘに沿ってこの順に並び、それぞれ方向Ｄ１に沿って延出している。赤画素ＰＲ１１及びＰＲ１３、緑画素ＰＧ１１及びＰＧ１３、白画素ＰＷ１１及び青画素ＰＢ１３、赤画素ＰＲ１２及びＰＲ１４、緑画素ＰＧ１２及びＰＧ１４、及び、青画素ＰＢ１２及び白画素ＰＷ１４は、それぞれ第２方向Ｙに沿って並んでいる。
【００２２】
赤画素ＰＲ１１乃至ＰＲ１４には赤色のカラーフィルタＣＦＲが配置され、緑画素ＰＧ１１乃至ＰＧ１４には緑色のカラーフィルタＣＦＧが配置され、青画素ＰＢ１２及びＰＢ１３には青色のカラーフィルタＣＦＢが配置されている。白画素ＰＷ１１及びＰＷ１４には、後述する透明なオーバーコート層ＯＣが配置されている。
【００２３】
図４は、図３に示した緑画素ＰＧ１２の主要部を示す平面図である。スイッチング素子ＳＷは、走査線Ｇ２及び信号線Ｓ６と電気的に接続されている。図示した例のスイッチング素子ＳＷは、ダブルゲート構造を有している。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、ドレイン電極ＤＥ２と、を備えている。なお、スイッチング素子ＳＷにおいて、ドレイン電極ＤＥ２はソース電極と称される場合がある。半導体層ＳＣは、その一部分が信号線Ｓ６と重なるように配置され、他の部分が信号線Ｓ５及びＳ６の間に延出し、略Ｕ字状に形成されている。半導体層ＳＣは、信号線Ｓ６と重なる領域、及び、信号線Ｓ５及びＳ６の間において、それぞれ走査線Ｇ２と交差している。走査線Ｇ２において、半導体層ＳＣと重畳する領域がそれぞれゲート電極ＧＥ１及びＧＥ２として機能する。半導体層ＳＣは、その一端部ＳＣＡにおいて貫通孔ＣＨ１を通じて信号線Ｓ６と電気的に接続され、また、その他端部ＳＣＢにおいて貫通孔ＣＨ２を通じてドレイン電極ＤＥ２と電気的に接続されている。ドレイン電極ＤＥ２は、島状に形成され、信号線Ｓ５及びＳ６の間に配置されている。
【００２４】
緑画素ＰＧ１２は、画素電極ＰＥ１２を備えている。画素電極ＰＥ１２は、基部ＢＳ２と、帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２と、電極部ＥＬ１乃至ＥＬ３と、エッジＥＡ及びＥＢと、を備えている。第２方向Ｙを示す矢印とは逆向きに、基部ＢＳ２、電極部ＥＬ１、帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２、電極部ＥＬ３、及び、電極部ＥＬ２がこの順に並んでいる。電極部ＥＬ１乃至ＥＬ３とは、スリット、切欠、開口等を含まず、導電材料が占める部分に相当する。あるいは、電極部ＥＬ１乃至ＥＬ３とは、基部ＢＳ２と一体的に形成され、基部ＢＳ２と同等の電位を有する部分に相当する。
【００２５】
基部ＢＳ２は、幅Ｗ１１を有している。なお、本明細書において、幅とは第１方向Ｘに沿った長さに相当する。基部ＢＳ２は、ドレイン電極ＤＥ２と重畳し、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。基部ＢＳ２は、ドレイン電極ＤＥ２と電気的に接続するための貫通孔ＣＨ３と重畳している。画素電極ＰＥ１２とスイッチング素子ＳＷとを接続する接続部については後述する。
【００２６】
帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２は、間隔Ｄ１１をおいて第１方向Ｘに沿って並び、第１方向Ｘに対して斜めの方向Ｄ２に沿って延出している。帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２の各々は、等しい幅Ｗ１２を有している。幅Ｗ１２は、幅Ｗ１１より小さい。図示した例では、電極部ＥＬ１及びＥＬ３の間において、帯電極Ｐａ２１は長さＬ１１を有し、帯電極Ｐａ２２は長さＬ１２を有している。長さＬ１１は、長さＬ１２より短い。ここでの長さとは、方向Ｄ２に沿った長さに相当する。
【００２７】
電極部ＥＬ１は、帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２を基部ＢＳ２と接続する部分に相当する。電極部ＥＬ１は、幅Ｗ１３を有している。幅Ｗ１３は、幅Ｗ１１より小さく、幅Ｗ１２より大きい。幅Ｗ１３は、帯電極Ｐａ２１の幅Ｗ１２と、帯電極Ｐａ２２の幅Ｗ１２と、間隔Ｄ１１との和と同等である。
【００２８】
電極部ＥＬ２は、画素電極ＰＥ１２において基部ＢＳ２から最も離間し、第１方向Ｘに沿って延出している。電極部ＥＬ２は、幅Ｗ１４を有している。幅Ｗ１４は、幅Ｗ１３より大きい。  
電極部ＥＬ３は、帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２を電極部ＥＬ２と接続する部分に相当する。電極部ＥＬ３は、幅Ｗ１３を有している。
【００２９】
エッジＥＡ及びＥＢは、画素電極ＰＥ１２における最外周に位置している。エッジＥＡは、帯電極Ｐａ２１に含まれ、信号線Ｓ５と対向している。エッジＥＢは、帯電極Ｐａ２２に含まれ、信号線Ｓ６と対向している。エッジＥＡは、電極部ＥＬ１乃至ＥＬ３と、帯電極Ｐａ２１とに亘り、方向Ｄ２に沿って延出している。エッジＥＢは、電極部ＥＬ１と、帯電極Ｐａ２２と、電極部ＥＬ３とに亘り、方向Ｄ２に沿って延出している。電極部ＥＬ２は、エッジＥＢと交差し、エッジＥＢよりも信号線Ｓ６に向かって突出している。エッジＥＡとエッジＥＢとの第１方向Ｘに沿った間隔Ｄ１２は、幅Ｗ１３と同等である。
【００３０】
このような画素電極ＰＥ１２のうち、電極部ＥＬ１、帯電極Ｐａ２１、帯電極Ｐａ２２、及び、電極部ＥＬ３は、共通電極ＣＥに重畳している。  
メインスペーサＭＳＰ及び基部ＢＳ２は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。図３に示した遮光層ＢＭは、図中に一点鎖線で示した外形を有している。平面視で、帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２は、遮光層ＢＭの開口部ＡＰに重畳している。遮光部Ｂ３１は、メインスペーサＭＳＰに重畳するのに加えて、基部ＢＳ２及び電極部ＥＬ１に重畳している。また、遮光層ＢＭは、電極部ＥＬ２及びＥＬ３に重畳している。エッジＥＡと遮光部Ｂ３１とが重畳する長さＬ２１は、エッジＥＢと遮光部Ｂ３１とが重畳する長さＬ２２よりも長い。
【００３１】
緑画素ＰＧ１４に位置する画素電極ＰＥ１５は、遮光部Ｂ３１と重畳する電極部ＥＬ５を備えている。
【００３２】
図４に示した例において、帯電極Ｐａ２１は第１帯電極に相当し、帯電極Ｐａ２２は第２帯電極に相当し、電極部ＥＬ１は第１電極部に相当し、電極部ＥＬ２は第２電極部に相当し、電極部ＥＬ３は第３電極部に相当し、エッジＥＡは第１エッジに相当し、エッジＥＢは第２エッジに相当し、信号線Ｓ５は第１信号線に相当し、信号線Ｓ６は第２信号線に相当し、幅Ｗ１１は第１幅に相当し、幅Ｗ１２は第２幅に相当し、幅Ｗ１３は第３幅に相当し、幅Ｗ１４は第４幅に相当する。
【００３３】
図５は、図３に示した画素レイアウトの一部を拡大した平面図である。ここでは、説明に必要な構成のみを図示している。  
赤画素ＰＲ１２は画素電極ＰＥ１１を備え、緑画素ＰＲ１２は画素電極ＰＥ１２を備え、青画素ＰＢ１２は画素電極ＰＥ１３を備えている。画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、第１方向Ｘに沿ってこの順に並んでいる。信号線Ｓ５は画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２の間に位置し、信号線Ｓ６は画素電極ＰＥ１２及びＰＥ１３の間に位置している。画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置している。画素電極ＰＥ１３は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置するとともに、走査線Ｇ２と交差している。
【００３４】
画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、それぞれ、基部ＢＳ１乃至ＢＳ３と、帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３と、を有している。基部ＢＳ１乃至ＢＳ３は、共通電極ＣＥの開口部ＯＰに位置している。基部ＢＳ１及びＢＳ２は、第１方向Ｘに並んでいる。基部ＢＳ３は、走査線Ｇ２を挟んで、基部ＢＳ１及びＢＳ２とは反対側に位置している。帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３は、共通電極ＣＥに重畳している。帯電極Ｐａ１は、開口部ＯＰにおいて基部ＢＳ１に直接接続されている。帯電極Ｐａ２は、図４に示した帯電極Ｐａ２１及びＰａ２２を有し、電極部ＥＬ１を介して基部ＢＳ２に接続されている。電極部ＥＬ１は、共通電極ＣＥに重畳している。帯電極Ｐａ３は、開口部ＯＰにおいて基部ＢＳ３に直接接続されている。帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３の各々は、方向Ｄ２に沿って延出している。図示した例では、帯電極Ｐａ１及びＰａ２は２本であり、帯電極Ｐａ３は３本である。帯電極Ｐａ１乃至Ｐａ３は、走査線Ｇ１及びＧ２の間に位置している。
【００３５】
第１方向Ｘに沿った長さＬｘについて、画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２は等しい長さＬｘ１を有し、画素電極ＰＥ１３は長さＬｘ１より長い長さＬｘ２を有している。第２方向Ｙに沿った長さＬｙについて、画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２は等しい長さＬｙ１を有し、画素電極ＰＥ１３は長さＬｙ１より長い長さＬｙ２を有している。方向Ｄ２に沿った長さＬｄについて、帯電極Ｐａ１は長さＬｄ１を有し、帯電極Ｐａ２は長さＬｄ１より短い長さＬｄ２を有し、帯電極Ｐａ３は長さＬｄ１より長い長さＬｄ３を有している。なお、ここでの長さＬｘ、Ｌｙ、及び、Ｌｄは、いずれも共通電極ＣＥに重畳する領域での長さである。  
帯電極Ｐａ１及びＰａ２は等しい幅Ｗ１２を有し、帯電極Ｐａ３は幅Ｗ１２より小さい幅Ｗ１５を有している。  
このように、画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２は、同等の外形を有し、且つ、それぞれ同数の帯電極Ｐａ１及びＰａ２を有している一方で、画素電極ＰＥ１２は、画素電極ＰＥ１１と比較して、共通電極ＣＥに重畳する電極部ＥＬ１を有している点で相違している。このため、画素電極ＰＥ１２と共通電極ＣＥとが重畳する第１面積は、画素電極ＰＥ１１と共通電極ＣＥとが重畳する第２面積より大きい。したがって、画素電極ＰＥ１２と共通電極ＣＥとの容量ＣＳ２は、画素電極ＰＥ１１と共通電極ＣＥとの容量ＣＳ１よりも大きい。
【００３６】
メインスペーサＭＳＰは、基部ＢＳ１及びＢＳ２の間に位置している。図３に示した遮光層ＢＭは、図中に一点鎖線で示した外形を有している。遮光部Ｂ３１は、基部ＢＳ１及びＢＳ２、メインスペーサＭＳＰ、及び、電極部ＥＬ１に重畳する。
【００３７】
図５に示した例において、画素電極ＰＥ１２は第１画素電極に相当し、基部ＢＳ２は第１基部に相当し、帯電極Ｐａ２は第１帯電極に相当し、電極部ＥＬ１は第１電極部に相当する。また、画素電極ＰＥ１１は第２画素電極に相当し、基部ＢＳ１は第２基部に相当し、帯電極Ｐａ１は第２帯電極に相当する。
【００３８】
詳述しないが、赤画素ＰＲ１４は画素電極ＰＥ１４を備え、緑画素ＰＲ１４は画素電極ＰＥ１５を備え、白画素ＰＷ１４は画素電極ＰＥ１６を備えている。画素電極ＰＥ１４乃至ＰＥ１６は、走査線Ｇ２及びＧ３の間に位置している。画素電極ＰＥ１４乃至ＰＥ１６は、それぞれ共通電極ＣＥに重畳する帯電極Ｐｂ１乃至Ｐｂ３を有している。帯電極Ｐｂ１及びＰｂ２は等しい幅Ｗ１２を有し、帯電極Ｐｂ３は幅Ｗ１２より大きい幅Ｗ１６を有している。
【００３９】
図６は、図４に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。
【００４０】
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１６、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ５及びＳ６、金属配線ＭＬ５及びＭＬ６、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ１２、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。絶縁膜１１は、絶縁基板１０の上に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁膜１１の上に位置し、絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。図示しない走査線は、絶縁膜１２及び１３の間に位置している。
【００４１】
信号線Ｓ５及びＳ６は、絶縁膜１３の上に位置し、絶縁膜１４によって覆われている。なお、図示しない他の信号線も、信号線Ｓ６と同一層に位置している。一例では、信号線Ｓ５及びＳ６は、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層がこの順に積層された第１積層体、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む層がこの順に積層された第２積層体である。  
金属配線ＭＬ５及びＭＬ６は、絶縁膜１４の上に位置し、絶縁膜１５によって覆われている。一例では、金属配線ＭＬ５及びＭＬ６は、上記の第１積層体、あるいは、上記の第２積層体である。
【００４２】
共通電極ＣＥは、絶縁膜１５の上に位置し、絶縁膜１６によって覆われている。共通電極ＣＥは、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。  
画素電極ＰＥ１２は、絶縁膜１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。電極部ＥＬ１は、絶縁膜１６を介して共通電極ＣＥと対向し、容量ＣＳ１を形成している。
【００４３】
絶縁膜１１乃至１３、及び、絶縁膜１６は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機材料によって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜１５は、無機絶縁膜であってもよい。
【００４４】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２などを備えている。このような第２基板ＳＵＢ２は、カラーフィルタ基板と称される場合がある。絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。カラーフィルタ層ＣＦは、赤色のカラーフィルタＣＦＲ、緑色のカラーフィルタＣＦＧ、及び、青色のカラーフィルタＣＦＢを含んでいる。カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥ１２と対向している。他のカラーフィルタＣＦＲ及びＣＦＢも、それぞれ他の画素電極ＰＥと対向している。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な有機材料によって形成された有機絶縁膜である。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。
【００４５】
図示しないが、上記のメインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰは、樹脂材料によって形成され、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に配置されている。メインスペーサＭＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に所定のセルギャップを形成する。セルギャップは、例えば２〜５μｍである。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、所定のセルギャップが形成された状態でシールによって接着されている。
【００４６】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００４７】
偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。
【００４８】
このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥ１２と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された照明光は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥ１２と共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明光の一部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００４９】
図７は、図５に示したＣ−Ｄ線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。なお、絶縁膜１１と絶縁膜１２との間に位置する半導体層の図示は省略している。ここでは、画素電極ＰＥ１２の基部ＢＳ２とドレイン電極ＤＥ２とを接続する接続部の構造について説明する。
【００５０】
ドレイン電極ＤＥ２は、信号線Ｓ４乃至Ｓ６と同一層に位置し、信号線Ｓ６などと同一材料によって形成されている。絶縁膜１４は、ドレイン電極ＤＥ２まで貫通した貫通孔ＣＨ３１を有している。  
接続電極ＣＮ２１は、金属配線ＭＬ５及びＭＬ６と同一層に位置し、金属配線ＭＬ６などと同一材料によって形成されている。接続電極ＣＮ２１は、貫通孔ＣＨ３１においてドレイン電極ＤＥ２に接している。絶縁膜１５は、接続電極ＣＮ２１まで貫通した貫通孔ＣＨ３２を有している。  
接続電極ＣＮ２２は、共通電極ＣＥと同一層に位置し、共通電極ＣＥと同一材料によって形成された透明電極である。接続電極ＣＮ２２は、貫通孔ＣＨ３２において接続電極ＣＮ２１に接している。絶縁膜１６は、接続電極ＣＮ２２まで貫通した貫通孔ＣＨ３３を有している。図４に示した貫通孔ＣＨ３は、図示した貫通孔ＣＨ３１乃至ＣＨ３３を含むものである。  
画素電極ＰＥ１２の基部ＢＳ２は、貫通孔ＣＨ３３おいて接続電極ＣＮ２２に接している。なお、画素電極ＰＥ１２は、ドレイン電極ＤＥ２と互いに電気的に接続されていればよく、接続電極ＣＮ２１及びＣＮ２２のいずれか一方または双方が省略されてもよい。  
画素電極ＰＥ１１の基部ＢＳ１も同様に、接続電極ＣＮ１１及びＣＮ１２を介して、ドレイン電極ＤＥ１と電気的に接続されている。画素電極ＰＥ１１及びＰＥ１２は、配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００５１】
カラーフィルタＣＦＲは画素電極ＰＥ１１と対向し、カラーフィルタＣＦＧは画素電極ＰＥ１２と対向している。図７に示した例において、カラーフィルタＣＦＧは第１カラーフィルタに相当し、カラーフィルタＣＦＲは第２カラーフィルタに相当する。
【００５２】
メインスペーサＭＳＰは、信号線Ｓ５及び金属配線ＭＬ５の直上に位置し、オーバーコート層ＯＣ及び配向膜ＡＬ１に接触している。金属配線ＭＬ５とメインスペーサＭＳＰとの間では、絶縁膜１５及び１６は互いに接しており、また、絶縁膜１６及び配向膜ＡＬ１は互いに接している。
【００５３】
ところで、近年、高精細化の要求が高まり、画素電極が細線化する傾向にあり、画素電極と共通電極との間での容量確保が困難となりつつある。また、３０Ｈｚ以下の低周波数で画像を表示する場合には、画素電位の保持期間が長くなり、画素電位の変動に伴う表示品位の低下が懸念される。特に、カラー表示を実現するに際しては、緑色は赤色及び青色よりも比視感度が高いため、緑画素ＰＧの輝度の変化は赤画素ＰＲ及び青画素ＰＢと比較して視認されやすい。また、緑画素ＰＧにおける輝度の低下は、表示画像の輝度の低下として視認されやすい。
【００５４】
本実施形態によれば、遮光層ＢＭと重畳する領域において、画素電極ＰＥ１２は、共通電極ＣＥに重畳する面積を拡大するための電極部ＥＬ１及びＥＬ３を備えている。このため、電極部ＥＬ１及びＥＬ３を備えていない画素電極ＰＥ１１と比較して、画素電極ＰＥ１２は、共通電極ＣＥとの間により大きな容量ＣＳ２を形成することができる。このため、容量ＣＳ２の低下に伴う表示品位の低下を抑制することができる。  
特に、画素電極ＰＥ１２が緑画素ＰＧに配置されるため、緑画素ＰＧの容量ＣＳ２を増加することができ、緑画素ＰＧにおける表示品位の低下を抑制することができる。なお、上記構成例では、緑画素ＰＧに配置される画素電極ＰＥ１２の電極部が拡張される場合について説明したが、他の色画素の画素電極についても、遮光層ＢＭと重畳する領域において電極部が拡張されてもよい。これにより、緑画素のみならず、他の色画素においても容量を増加することができる。
【００５５】
遮光層ＢＭと重畳する領域は、照明光を透過しないため、表示に寄与しない。このため、遮光層ＢＭと重畳する領域において、画素電極ＰＥ１２の電極部を拡張しても、透過率はほとんど低下しない。したがって、画素電極ＰＥ１２が配置される緑画素ＰＧの輝度は、ほとんど低下しない。
【００５６】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
図８は、他の構成例を示す断面図である。図８に示した構成例は、図７に示した構成例と比較して、遮光部Ｂ３１と重畳するサブスペーサＳＳＰを備えている点で相違している。サブスペーサＳＳＰは、信号線Ｓ５及び金属配線ＭＬ５の直上に位置し、オーバーコート層ＯＣに接し、配向膜ＡＬ１から離間している。サブスペーサＳＳＰと配向膜ＡＬ１との間には、液晶層ＬＣが介在している。  
このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００５７】
図９は、他の構成例を示す断面図である。図９に示した構成例は、図３に示した構成例と比較して、サブスペーサＳＳＰと重畳する遮光部Ｂ３２についても、遮光部Ｂ３１と同等の面積に拡張されている点で相違している。このような構成例においては、緑画素ＰＧ１１に配置される画素電極として、図４に示した画素電極ＰＥ１２が適用可能であり、緑画素ＰＧ１３に配置される画素電極としては、図４に示した画素電極ＰＥ１５が適用可能である。  
このような構成例によれば、メインスペーサＭＳＰの近傍に位置する画素のみならず、サブスペーサＳＳＰの近傍に位置する画素においても、容量を増加することができる。
【００５８】
図１０は、図３に示した緑画素ＰＧ１２に適用可能な他の画素電極ＰＥ１２を示す平面図である。図１０に示した構成例は、図４に示した構成例と比較して、画素電極ＰＥ１２が３本の帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３を備えた点で相違している。また、画素電極ＰＥ１１も、３本の帯電極Ｐａ１１乃至Ｐａ１３を備えている。
【００５９】
画素電極ＰＥ１２は、基部ＢＳ２と、帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３と、電極部ＥＬ１乃至ＥＬ３と、エッジＥＡ及びＥＢと、を備えている。基部ＢＳ２は、幅Ｗ１１を有している。帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３は、間隔Ｄ１１をおいて第１方向Ｘに沿って並び、方向Ｄ２に沿って延出している。帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３の各々は、等しい幅Ｗ１２を有している。電極部ＥＬ１は、帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３を基部ＢＳ２と接続する部分に相当する。電極部ＥＬ１は、幅Ｗ１３を有している。幅Ｗ１３は、帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３の各々幅Ｗ１２と、各々の間隔Ｄ１１との和と同等である。エッジＥＡ及びＥＢは、画素電極ＰＥ１２における最外周に位置している。エッジＥＡは帯電極Ｐａ２１に含まれ、エッジＥＢは帯電極Ｐａ２３に含まれる。
【００６０】
このような画素電極ＰＥ１２のうち、電極部ＥＬ１及びＥＬ３、及び、帯電極Ｐａ２１乃至Ｐａ２３は、共通電極ＣＥに重畳している。遮光部Ｂ３１は、メインスペーサＭＳＰに重畳するのに加えて、基部ＢＳ１、基部ＢＳ２、及び、電極部ＥＬ１に重畳している。また、遮光層ＢＭは、電極部ＥＬ２及びＥＬ３に重畳している。  
このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００６１】
図１１は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。遮光層ＢＭは、格子状に形成されている。信号線Ｓ１乃至Ｓ６の各々と重畳する遮光部Ｂ１１乃至Ｂ１６は、第１方向Ｘに沿って等ピッチで配置されている。走査線Ｇ１及びＧ２の各々と重畳する遮光部Ｂ２１及びＢ２２は、第２方向Ｙに沿った間隔が一定である。メインスペーサＭＳＰと重畳する遮光部Ｂ３１は、サブスペーサＳＳＰと重畳する遮光部Ｂ３２よりも拡張されている。
【００６２】
このような遮光層ＢＭは、赤画素ＰＲ２１乃至ＰＲ２４、緑画素ＰＧ２１乃至ＰＧ２４、及び、青画素ＰＢ２１乃至ＰＢ２４をそれぞれ囲んでいる。赤画素ＰＲ２１、緑画素ＰＧ２１、青画素ＰＢ２１、赤画素ＰＲ２２、緑画素ＰＧ２２、及び、青画素ＰＢ２２は、走査線Ｇ１及びＧ２の間において、第１方向Ｘに沿ってこの順に並び、それぞれ方向Ｄ２に沿って延出している。赤画素ＰＲ２３、緑画素ＰＧ２３、青画素ＰＢ２３、赤画素ＰＲ２４、緑画素ＰＧ２４、及び、青画素ＰＢ２４は、第１方向Ｘに沿ってこの順に並び、それぞれ方向Ｄ１に沿って延出している。
【００６３】
赤画素ＰＲ２１乃至ＰＲ２４には赤色のカラーフィルタＣＦＲが配置され、緑画素ＰＧ２１乃至ＰＧ２４には緑色のカラーフィルタＣＦＧが配置され、青画素ＰＢ２１乃至ＰＢ２４には青色のカラーフィルタＣＦＢが配置されている。緑画素ＰＧ２１あるいはＰＧ２２には、図４に示した画素電極ＰＥ１２あるいは図１０に示した画素電極ＰＥ１２が配置される。  
このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００６４】
図１２は、画素レイアウト及び遮光層ＢＭの他の構成例を示す平面図である。図１２に示した構成例は、図１１に示した構成例と比較して、サブスペーサＳＳＰと重畳する遮光部Ｂ３２がメインスペーサＭＳＰと重畳する遮光部Ｂ３１と同等に拡張されている点で相違している。  
このような構成例においても、上記したのと同様の効果が得られる。
【００６５】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００６６】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル
ＳＵＢ１…第１基板  ＳＵＢ２…第２基板  ＬＣ…液晶層
ＣＥ…共通電極  ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極  ＢＳ…基部  Ｐａ…帯電極  ＥＬ１乃至ＥＬ３…電極部
ＢＭ…遮光層  ＣＦ…カラーフィルタ層  ＯＣ…オーバーコート層
ＭＳＰ…メインスペーサ  ＳＳＰ…サブスペーサ
【図１】
2019152746.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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