(57)【要約】【課題】センサー部と基板との接合に伴う歪みの影響が低減されているとともに、小型化が図られている物理量センサー、かかる物理量センサーの製造方法、ならびに、前記物理量センサーを備える電子機器および移動体を提供すること。【解決手段】物理量検出部と前記物理量検出部を収容する容器部とを備えるセンサーチップと、基部と前記基部から突出する突出部とを備え、前記突出部において前記センサーチップを支持する凸状支持部材と、前記凸状支持部材が接合されている基板と、を有し、前記センサーチップと前記凸状支持部材との積層方向からの平面視において、前記凸状支持部材と前記基板との接合面は、前記センサーチップと重なる位置に配置され、前記平面視において、前記突出部が前記センサーチップを支持する支持面は、前記接合面と重なることを特徴とする物理量センサー。【選択図】図２
2019152459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理量検出部と前記物理量検出部を収容する容器部とを備えるセンサーチップと、
基部と前記基部から突出する突出部とを備え、前記突出部において前記センサーチップを支持する凸状支持部材と、
前記凸状支持部材が接合されている基板と、
を有し、
前記センサーチップと前記凸状支持部材との積層方向からの平面視において、前記凸状支持部材と前記基板との接合面は、前記センサーチップと重なる位置に配置され、
前記平面視において、前記突出部が前記センサーチップを支持する支持面は、前記接合面と重なることを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記凸状支持部材は、樹脂材料を含む請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記基部および前記突出部は、互いに別の材料の部材である請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記凸状支持部材は、前記突出部と前記センサーチップとの間に設けられている被膜をさらに備える請求項１ないし３のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記凸状支持部材は、複数の前記突出部を備える請求項１ないし４のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記支持面の面積は、前記平面視において前記センサーチップの外縁で囲まれた領域の面積の９９％以下である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項７】
前記センサーチップの外面は、前記突出部に支持される支持底面と、前記支持底面と交差する側面と、を含み、
前記凸状支持部材は、前記基部から延出し、前記側面と接触可能な壁部を備える請求項１ないし６のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項８】
前記基板は、回路を含む半導体素子であり、
前記凸状支持部材は、前記半導体素子の保護膜を含んでいる請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項９】
前記突出部は、前記平面視において前記センサーチップの中央部と重なる位置に配置されている請求項１ないし８のいずれか１項に記載の物理量センサー。
【請求項１０】
基板の一方の面に基部を形成する工程と、
前記基部の前記基板とは反対側の面に、前記基板と前記基部との積層方向からの平面視で前記基部より小さい面積の突出部を形成する工程と、
前記突出部によって支持されるようにセンサーチップを載置する工程と、
を有することを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の物理量センサーを備えることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
物理量検出素子を用いて加速度や角速度等の物理量を検出する物理量センサーである物理量検出装置が知られている。これは、物理量検出素子を内蔵したパッケージを、検出した信号を処理する検出信号処理回路が設けられた実装基板に実装して構成されている。パッケージの外面には、物理量検出素子が検出した信号を取り出すための端子が形成されており、この端子を実装基板に形成された回路端子に半田付けすることで、電気的な導通が図られている。
【０００３】
ところが、パッケージを半田付けにより実装基板に実装する場合、パッケージと実装基板との熱膨張係数の違いにより発生する熱応力がパッケージに歪みを及ぼし、それに伴って物理量の検出特性が変動してしまうという問題がある。
【０００４】
そこで、特許文献１では、パッケージ搭載部とパッケージ搭載部の延在方向にくびれ部が設けられて突出する突出部とが設けられている中継基板を介して、実装基板にパッケージを実装することが提案されている。この特許文献１では、パッケージを実装基板に実装した際、パッケージと実装基板との熱膨張係数の違いによって発生する熱応力に伴う熱膨張・収縮による変化を、突出部の途中に設けられたくびれ部の弾性変形により吸収している。これにより、パッケージに熱応力による歪みが及ぶことが抑制されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９０８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の物理量センサーである物理量検出装置は、突出部に設けられたくびれ部の弾性変形により熱応力を低減することができるが、この突出部は、中継基板の延在方向に突出している。すなわち、特許文献１に記載の中継基板は、ジャイロセンサーのセラミックパッケージより若干大きい相似の矩形平面を持つ平板形状のパッケージ搭載部と、パッケージ搭載部から水平に延在する突出部である板状突起と、を備えており、そのうち突出部が実装基板に半田実装されている。
【０００７】
このため、突出部がパッケージ搭載部から張り出していることになり、それに伴い、物理量検出装置の小型化、すなわち省スペース化を図ることが難しいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、物理量検出部と前記物理量検出部を収容する容器部とを備えるセンサーチップと、
基部と前記基部から突出する突出部とを備え、前記突出部において前記センサーチップを支持する凸状支持部材と、
前記凸状支持部材が接合されている基板と、
を有し、
前記センサーチップと前記凸状支持部材との積層方向からの平面視において、前記凸状支持部材と前記基板との接合面は、前記センサーチップと重なる位置に配置され、
前記平面視において、前記突出部が前記センサーチップを支持する支持面は、前記接合面と重なる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記凸状支持部材は、樹脂材料を含む。
【００１１】
［適用例３］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基部および前記突出部は、互いに別の材料の部材である。
【００１２】
［適用例４］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記凸状支持部材は、前記突出部と前記センサーチップとの間に設けられている被膜をさらに備える。
【００１３】
［適用例５］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記凸状支持部材は、複数の前記突出部を備える。
【００１４】
［適用例６］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記支持面の面積は、前記平面視において前記センサーチップの外縁で囲まれた領域の面積の９９％以下である。
【００１５】
［適用例７］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記センサーチップの外面は、前記突出部に支持される支持底面と、前記支持底面と交差する側面と、を含み、
前記凸状支持部材は、前記基部から延出し、前記側面と接触可能な壁部を備える。
【００１６】
［適用例８］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基板は、回路を含む半導体素子であり、
前記凸状支持部材は、前記半導体素子の保護膜を含んでいる。
【００１７】
［適用例９］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記突出部は、前記平面視において前記センサーチップの中央部と重なる位置に配置されている。
【００１８】
［適用例１０］
本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、基板の一方の面に基部を形成する工程と、
前記基部の前記基板とは反対側の面に、前記基板と前記基部との積層方向からの平面視で前記基部より小さい面積の突出部を形成する工程と、
前記突出部によって支持されるようにセンサーチップを載置する工程と、
を有する。
【００１９】
［適用例１１］
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る物理量センサーを備える。
【００２０】
［適用例１２］
本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る物理量センサーを備える。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーの平面図である。
【図２】図１に示す物理量センサーの断面図であって、特に図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す物理量センサーが備えるセンサーチップの平面図である。
【図４】図３中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図３に示すセンサーチップが備えるセンサー素子の平面図である。
【図６】図３に示すセンサーチップが備えるセンサー素子の平面図である。
【図７】図１に示す物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。
【図８】図７中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】図８に示すセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造の変形例を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。
【図１１】図１０中のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１２】第３実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。
【図１３】図１２中のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１４】第４実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。
【図１５】図１４中のＦ−Ｆ線断面図である。
【図１６】図１５に示すセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造の変形例を示す断面図である。
【図１７】図１５に示すセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造の変形例を示す断面図である。
【図１８】実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための工程図である。
【図１９】実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図２０】実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図２１】実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の電子機器の実施形態（モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター）を示す斜視図である。
【図２３】本発明の電子機器の実施形態（携帯電話機）を示す平面図である。
【図２４】本発明の電子機器の実施形態（デジタルスチールカメラ）を示す斜視図である。
【図２５】本発明の移動体の実施形態（自動車）を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体の好適な実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している箇所や、模式的に示している箇所もある。
【００２３】
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーについて説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図２は、図１に示す物理量センサーの断面図であって、特に図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、各図では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。また、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、各軸方向の矢印先端側を「プラス側」、基端側を「マイナス側」とも言う。また、Ｚ軸方向プラス側を「上」、Ｚ軸方向マイナス側を「下」とも言う。
【００２５】
図１に示す物理量センサー１は、図１および図２に示すように、パッケージ２と、パッケージ２内に収納され、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の加速度を検出可能なセンサーチップ３と、半導体素子であるＩＣチップ８と、を有している。すなわち、物理量センサー１は、加速度センサーである。
【００２６】
パッケージ２は、キャビティーを含むベース２１と、ベース２１の上面に接合された蓋体２２と、を有している。ベース２１は、その上面に開口する凹部２１１を有している。また、凹部２１１は、ベース２１の上面に開口する第１凹部２１１ａと、第１凹部２１１ａの底面に開口する第２凹部２１１ｂと、を有している。
【００２７】
一方、蓋体２２は、板状であり、凹部２１１の開口を塞ぐようにしてベース２１の上面に接合されている。蓋体２２によって凹部２１１の開口を塞ぐことで、パッケージ２内に収納空間Ｓ２が形成され、この収納空間Ｓ２にセンサーチップ３が収納されている。そのため、パッケージ２によってセンサーチップ３を衝撃、埃、熱、湿気等から好適に保護することができる。なお、ベース２１と蓋体２２との接合方法としては、特に限定されないが、本実施形態では、シームリング２９を介したシーム溶接を用いている。
【００２８】
収納空間Ｓ２は、気密封止されている。収納空間Ｓ２の雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気に設定されている。
【００２９】
ベース２１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の各種セラミックスを用いることができる。この場合、グリーンシートのようなセラミックシートの積層体を焼成してベース２１を製造することができる。このように製造することで、凹部２１１を簡単に形成することができる。また、蓋体２２の構成材料としては、特に限定されないが、ベース２１の構成材料と線膨張係数が近似する部材であるとよい。例えば、ベース２１の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金を用いることが好ましい。
【００３０】
また、ベース２１は、第１凹部２１１ａの底面に配置された複数の内部端子２３１と、ベース２１の下面２１２に配置された複数の外部端子２４と、を有している。
【００３１】
また、第２凹部２１１ｂの底面には、ＩＣチップ８が配置されている。さらに、ＩＣチップ８の上面には、センサーチップ３が配置されている。
【００３２】
そして、各内部端子２３１は、ベース２１内に配置された図示しない内部配線を介して、外部端子２４と電気的に接続されている。また、各内部端子２３１は、ベース２１内に配置されたボンディングワイヤーＢＷを介して、ＩＣチップ８と電気的に接続されている。また、ＩＣチップ８は、その上面に配置されているセンサーチップ３に対し、ボンディングワイヤーＢＷを介して電気的に接続されている。これにより、センサーチップ３とＩＣチップ８とが電気的に接続されるとともに、内部端子２３１および外部端子２４を介して、パッケージ２の外側からＩＣチップ８との電気的な接続を行えるようになる。
【００３３】
以上、パッケージ２について説明したが、パッケージ２としては、センサーチップ３およびＩＣチップ８を収納することができれば、特に限定されない。
【００３４】
次に、センサーチップ３について説明する。
図３は、図１に示す物理量センサー１が備えるセンサーチップの平面図である。図４は、図３中のＢ−Ｂ線断面図である。図５は、図３に示すセンサーチップ３が備えるセンサー素子３４の平面図である。図６は、図３に示すセンサーチップ３が備えるセンサー素子３５の平面図である。
【００３５】
センサーチップ３は、Ｘ軸方向の加速度ＡｘおよびＹ軸方向の加速度Ａｙを検出することのできる２軸加速度センサーである。このようなセンサーチップ３は、図３に示すように、容器部の例であるパッケージ３１と、パッケージ３１に収納された２つの物理量検出部の例であるセンサー素子３４、３５と、を有している。このうち、センサー素子３４で加速度Ａｘを検出し、センサー素子３５で加速度Ａｙを検出する。
【００３６】
パッケージ３１は、図４に示すように、基板３２と、基板３２の上面に接合された蓋体３３と、を有している。基板３２としては、例えば、アルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成されたガラス基板を用いることができる。ガラス材料としては、例えば、パイレックスガラス（登録商標）、テンパックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス等が挙げられる。また、蓋体３３としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。ただし、基板３２および蓋体３３の構成材料としては、特に限定されず、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等を用いることができる。
【００３７】
パッケージ３１の内部空間Ｓ３は、気密空間であり、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入され、使用温度である−４０℃〜１２０℃程度において、ほぼ大気圧である０．１〜１気圧程度となっていることが好ましい。これにより、粘性抵抗が増してダンピング効果が発揮され、センサー素子３４、３５の振動を速やかに収束させることができる。そのため、センサーチップ３による加速度Ａｘ、Ａｙの検出精度が向上する。
【００３８】
また、基板３２の上面、すなわち一方側の主面には、凹部３２１、３２２が形成されている。凹部３２１は、センサー素子３４と重なって配置され、センサー素子３４との接触を防止する逃げ部として機能する。また、凹部３２２は、センサー素子３５と重なって配置され、センサー素子３５との接触を防止する逃げ部として機能する。
【００３９】
また、基板３２の上面には、複数の溝３２４が形成され、これら溝３２４には、配線７１、７２、７３、７４、７５が配置されている。配線７１、７２、７３、７４、７５は、センサー素子３４、３５と電気的に接続されている。また、配線７１、７２、７３、７４、７５は、その一端部がパッケージ３１の外側に位置しており、当該部分は、外部との電気的な接続を図るための接続パッドＰとして機能する。この接続パッドＰは、ボンディングワイヤーＢＷを介してＩＣチップ８と電気的に接続されている。
【００４０】
次に、センサー素子３４、３５について簡単に説明する。センサー素子３４、３５は、例えば、基板３２の上面に陽極接合され、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、砒素（Ａｓ）等の不純物がドープされたシリコン基板を、例えばボッシュ法のようなドライエッチング法を用いてパターニングすることで形成することができる。
【００４１】
センサー素子３４は、Ｘ軸方向の加速度Ａｘを検出するためのセンサー素子である。図５に示すように、センサー素子３４は、基板３２に固定された固定電極３４１と、基板３２に対してＸ軸方向に変位可能な可動電極３４２と、を有している。また、可動電極３４２は、基板３２の上面に固定された一対の固定部３４２１と、基板３２に対してＸ軸方向に変位可能な可動部３４２２と、各固定部３４２１と可動部３４２２とを接続する一対の接続ばね３４２３と、可動部３４２２からＹ軸方向両側に延出して配置された複数の可動電極指３４２４と、を有している。このような可動電極３４２は、導電性のバンプを介して配線７１と電気的に接続されている（図３参照）。
【００４２】
固定電極３４１は、複数の第１固定電極指３４１１と、複数の第２固定電極指３４１２と、を有している。各第１固定電極指３４１１は、Ｙ軸方向に延在し、その一端側において基板３２の上面に固定されている。また、各第１固定電極指３４１１は、対応する可動電極指３４２４に対してＸ軸方向プラス側に位置し、ギャップを介して対向している。同様に、各第２固定電極指３４１２は、Ｙ軸方向に延在し、その一端側において基板３２の上面に固定されている。また、各第２固定電極指３４１２は、対応する可動電極指３４２４に対してＸ軸方向マイナス側に位置し、ギャップを介して対向している。
【００４３】
各第１固定電極指３４１１は、導電性のバンプを介して配線７２と電気的に接続されており、各第２固定電極指３４１２は、導電性のバンプを介して配線７３と電気的に接続されている。そして、センサーチップ３の駆動時には、可動電極指３４２４と第１固定電極指３４１１との間および可動電極指３４２４と第２固定電極指３４１２との間にそれぞれ静電容量が形成される。
【００４４】
センサー素子３４に加速度Ａｘが加わると、加速度Ａｘの大きさに基づいて、可動部３４２２が接続ばね３４２３を弾性変形させながらＸ軸方向に変位する。この可動部３４２２の変位に伴って、可動電極指３４２４と第１固定電極指３４１１とのギャップおよび可動電極指３４２４と第２固定電極指３４１２とのギャップがそれぞれ変化し、この変位に伴って、可動電極指３４２４と第１固定電極指３４１１との間の静電容量および可動電極指３４２４と第２固定電極指３４１２との間の静電容量がそれぞれ変化する。したがって、これら静電容量の変化に基づいて加速度Ａｘを検出することができる。
【００４５】
センサー素子３５は、Ｙ軸方向の加速度Ａｙを検出するためのセンサー素子である。センサー素子３５は、Ｚ軸まわりに９０度回転して配置されていること以外は、前述したセンサー素子３４と同様の構成である。
【００４６】
センサー素子３５は、図６に示すように、基板３２の上面に固定された固定電極３５１と、基板３２に対してＸ軸方向に変位可能な可動電極３５２と、を有している。また、可動電極３５２は、基板３２の上面に固定された一対の固定部３５２１と、基板３２に対してＹ軸方向に変位可能な可動部３５２２と、各固定部３５２１と可動部３５２２とを接続する一対の接続ばね３５２３と、可動部３５２２からＸ軸方向両側に延出して配置された複数の可動電極指３５２４と、を有している。このような可動電極３５２は、導電性のバンプを介して配線７１と電気的に接続されている。
【００４７】
固定電極３５１は、複数の第１固定電極指３５１１と、複数の第２固定電極指３５１２と、を有している。各第１固定電極指３５１１は、Ｘ軸方向に延在し、その一端側において基板３２の上面に固定されている。また、各第１固定電極指３５１１は、対応する可動電極指３５２４に対してＹ軸方向プラス側に位置し、ギャップを介して対向している。同様に、各第２固定電極指３５１２は、Ｘ軸方向に延在し、その一端側において基板３２の上面に固定されている。また、各第２固定電極指３５１２は、対応する可動電極指３５２４に対してＹ軸方向マイナス側に位置し、ギャップを介して対向している。
【００４８】
各第１固定電極指３５１１は、導電性のバンプを介して配線７４と電気的に接続されており、各第２固定電極指３５１２は、導電性のバンプを介して配線７５と電気的に接続されている。そして、センサーチップ３の駆動時には、可動電極指３５２４と第１固定電極指３５１１との間および可動電極指３５２４と第２固定電極指３５１２との間にそれぞれ静電容量が形成される。
【００４９】
センサー素子３５に加速度Ａｙが加わると、加速度Ａｙの大きさに基づいて、可動部３５２２が接続ばね３５２３を弾性変形させながらＹ軸方向に変位する。この可動部３５２２の変位に伴って、可動電極指３５２４と第１固定電極指３５１１とのギャップおよび可動電極指３５２４と第２固定電極指３５１２とのギャップがそれぞれ変化し、この変位に伴って、これらの間の可動電極指３５２４と第１固定電極指３５１１との間の静電容量および可動電極指３５２４と第２固定電極指３５１２との間の静電容量がそれぞれ変化する。したがって、これら静電容量の変化に基づいて加速度Ａｙを検出することができる。
【００５０】
以上、センサーチップ３について説明したが、センサーチップ３は、上記のものに限定されず、例えば、Ｚ軸方向の加速度Ａｚを検出することのできるセンサー素子が追加されていてもよいし、センサー素子３４またはセンサー素子３５のいずれか一方が省略されていてもよい。
【００５１】
また、センサーチップ３に代えて、角速度を検出可能なジャイロセンサーチップ）が用いられてもよく、その他のセンサーチップが用いられてもよい。なお、センサー素子３４、３５の構成についても、同様の機能を発揮することができれば、それぞれ、特に限定されない。
【００５２】
なお、物理量センサー１は、パッケージ２内にセンサーチップ３とジャイロセンサーチップとが混載されたコンボセンサーであってもよい。
【００５３】
また、センサーチップ３は、傾斜計としても用いることができる。傾斜計としてのセンサーチップ３は、傾斜による姿勢の変化に応じて、センサーチップ３に対する重力加速度が加わる方向が変化するため、それに基づいて傾斜を検出することができる。
【００５４】
次に、ＩＣチップ８について説明する。
図１および図２に示すＩＣチップ８は、前述したセンサーチップ３を駆動する機能と、センサーチップ３からのセンサー出力を検出する機能と、を有する電子部品である。また、検出信号から加速度や角速度を算出する機能を有していてもよい。このようなＩＣチップ８は、図示しないが、センサーチップ３を駆動する駆動回路と、センサーチップ３からの出力として電荷を検出する検出回路と、を備える。また、ＩＣチップ８の上面には、複数の接続端子８１が設けられている。
【００５５】
ＩＣチップ８の構成材料としては、例えばシリコン、炭化ケイ素、化合物半導体等が挙げられる。したがって、ＩＣチップ８は、これらの半導体材料の基板に前述した駆動回路や検出回路等が形成されてなる。
【００５６】
複数の接続端子８１は、ボンディングワイヤーＢＷを介してパッケージ２の内部端子２３１と電気的に接続されている。なお、接続方法は、これに限定されず、ボンディングワイヤーＢＷ以外の部材を用いた接続方法で代替されてもよい。
【００５７】
次に、ＩＣチップ８とセンサーチップ３との接合構造について説明する。
図７は、図１に示す物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。図８は、図７中のＣ−Ｃ線断面図である。なお、図７では、説明の便宜のため、センサーチップを透視するように図示している。
【００５８】
図７および図８に示すセンサーチップ３は、ＩＣチップ８の上面に載置されている。そして、センサーチップ３とＩＣチップ８との間に凸状支持部材９が介挿されている。すなわち、図８では、ＩＣチップ８、凸状支持部材９およびセンサーチップ３がこの順で積層されている。
【００５９】
このうち、凸状支持部材９は、図８に示すように、平板状、すなわちシート状をなす基部９１と、基部９１から上方に向かって突出するように設けられた突出部９２と、を備えている。そして、センサーチップ３の下面３７の一部が突出部９２の上面に接している。これにより、センサーチップ３が突出部９２の上面によって支持されている。
【００６０】
このような支持構造によれば、ＩＣチップ８のサイズ、すなわちＩＣチップ８の上面の大きさによらず、センサーチップ３を支持する面積を小さくすることができる。すなわち、基部９１とＩＣチップ８との接合面の面積によらず、突出部９２とセンサーチップ３との接合面の面積を容易に変更することができ、例えば、平面視においてセンサーチップ３の外縁で囲まれた領域の面積より小さくすることができる。これにより、例えば熱膨張係数の差によってＩＣチップ８とセンサーチップ３との間に生じる伸縮量の差が、センサーチップ３に伝わってしまうのを抑制することができる。その結果、センサーチップ３のパッケージ３１に歪みが生じるのを抑制し、歪みがもたらす加速度の検出特性の低下を抑制することができる。すなわち、パッケージ３１に歪みが生じると、センサー素子３４、３５における電極指同士の距離が変化してしまうため、検出結果に影響を及ぼしてしまうおそれがあるところ、かかる影響を低減することができる。
【００６１】
なお、上記平面視とは、センサーチップ３と凸状支持部材９との積層方向からの平面視のことをいう。なお、以下の説明では、これを単に「平面視」ということもある。
【００６２】
一方、基部９１の下面は、ＩＣチップ８の上面に接している。これにより、センサーチップ３およびＩＣチップ８は、凸状支持部材９を介して互いに接合されている。
【００６３】
ここで、センサーチップ３と凸状支持部材９との積層方向からの平面視において、凸状支持部材９と基板の例であるＩＣチップ８との接合面９３は、センサーチップ３と重なる位置に配置されている。すなわち、本実施形態では、図７に示すように、センサーチップ３が接合面９３の範囲内、すなわちＩＣチップ８の外縁で囲まれた領域の範囲内に包含されるように位置しているため、センサーチップ３、凸状支持部材９およびＩＣチップ８の積層体のサイズは、ＩＣチップ８のサイズ以下となっている。このため、本実施形態では、凸状支持部材９によって前述したようなセンサーチップ３とＩＣチップ８との接合に伴う歪みの影響を抑制するという効果を得る一方、凸状支持部材９によって積層体のサイズが大きくなることが抑制されている。その結果、検出特性の低下を抑制しつつ、小型化が図られた物理量センサー１を実現することができる。
【００６４】
また、その結果、センサーチップ３と凸状支持部材９との積層方向からの平面視において、突出部９２がセンサーチップ３を支持する支持面は、接合面９３と重なることになる。これにより、支持面についても、ＩＣチップ８の外縁で囲まれた領域の範囲内に包含されることになり、物理量センサー１の小型化を図ることができる。
【００６５】
なお、凸状支持部材９と基板の例であるＩＣチップ８との接合面９３は、センサーチップ３と少なくとも一部で重なっていればよい。つまり、平面視においてセンサーチップ３の中心とＩＣチップ８の中心とがずれているような場合であっても、センサーチップ３の投影像と接合面９３とが重なっている部分があればよい。
【００６６】
以上のように、本実施形態に係る物理量センサー１は、物理量検出部の例であるセンサー素子３４、３５とセンサー素子３４、３５を収容する容器部の例であるパッケージ３１とを備えるセンサーチップ３と、基部９１とそこから突出する突出部９２とを備え、突出部９２においてセンサーチップ３を支持する凸状支持部材９と、凸状支持部材９が接合されているＩＣチップ８と、を有している。そして、センサーチップ３と凸状支持部材９との積層方向からの平面視において、凸状支持部材９とＩＣチップ８との接合面９３は、センサーチップ３と重なる位置に配置されている。
【００６７】
このような物理量センサー１によれば、センサーチップ３とＩＣチップ８との接合に伴う歪みの影響を抑制するとともに、小型化を図ることができる。
【００６８】
また、凸状支持部材９の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、樹脂材料、ガラス材料、セラミックス材料、金属材料、炭素材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６９】
このうち、凸状支持部材９は、樹脂材料を含むことが好ましい。樹脂材料は、弾性率が比較的小さいため、前述したような熱膨張係数の差に伴う伸縮量の差をセンサーチップ３に対してより伝えにくくするように作用する。また、凸状支持部材９を容易かつ高精度に形成することができる。
【００７０】
樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、シアネート樹脂のような熱硬化性樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂のような熱可塑性樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７１】
このうち、凸状支持部材９は、ポリイミド樹脂を含むことが好ましい。ポリイミド樹脂は、耐熱性および機械的特性に優れるため、高温環境下においてもセンサーチップ３を良好に支持することができ、物理量センサー１の信頼性を高めることができる。
【００７２】
また、樹脂材料を含む凸状支持部材９は、ＩＣチップ８の保護膜を兼ねることが好ましい。すなわち、センサーチップ３を支持する基板がＩＣチップ８である場合、凸状支持部材９は、ＩＣチップ８の保護膜を含むことが好ましい。これにより、凸状支持部材９を効率よく製造することができるとともに、凸状支持部材９の薄型化を図り、ひいては物理量センサー１の薄型化を図ることができる。
【００７３】
加えて、ＩＣチップ８の保護膜は、例えば露光、現像等の技術を用いて製造可能であるため、位置精度および形状精度の高い凸状支持部材９を効率よく製造することができる。また、突出部９２の形状の自由度も高めることができる。このため、突出部９２の位置や形状の最適化を図り、歪みの影響を最小限に抑えることが可能になる。
【００７４】
なお、ＩＣチップ８は、その他の基板で代替されてもよい。その他の基板としては、例えば任意の配線基板、支持基板、他のセンサーパッケージ等が挙げられる。
【００７５】
また、基部９１および突出部９２は、一体になっていてもよく、互いに別の部材であってもよい。
【００７６】
前者の場合、基部９１と突出部９２との間の接合強度が特に高くなるという利点がある。また、基部９１と突出部９２とが一体化したフィルム状部材を貼り付けるといった方法で凸状支持部材９を形成することができる。
【００７７】
一方、後者の場合、例えば、基部９１を形成した後、突出部９２を形成するといったように、製造プロセスの自由度を高めることができる。これにより、凸状支持部材９をより効率よく形成することができる。また、基部９１と突出部９２とで構成材料を異ならせることができる。すなわち、基部９１および突出部９２は、互いに別の材料の部材であってもよい。これにより、例えば基部９１の構成材料としてＩＣチップ８に対する接合強度が高い材料を選択し、突出部９２の構成材料として弾性率が小さい材料を選択するといった、材料の複合化を図ることができる。その結果、歪みの影響を抑制するという効果がより顕著になる。
【００７８】
また、前述したように、本実施形態では、突出部９２とセンサーチップ３との接合面の面積、すなわち突出部９２に支持される支持底面の面積を、平面視においてセンサーチップ３の外縁で囲まれた領域の面積より小さくすることができる。
【００７９】
このとき、突出部９２とセンサーチップ３との接合面の面積は、センサーチップ３の外縁で囲まれた領域の面積の９９％以下であるのが好ましく、１０％以上９０％以下であるのがより好ましく、２０％以上５０％以下であるのがさらに好ましい。双方の面積比を前記範囲内に設定することにより、センサーチップ３を十分な機械的強度で支持しつつ、熱膨張係数の差によって生じる伸縮量の差がセンサーチップ３に伝わってしまうのをより確実に抑制することができる。
【００８０】
なお、センサーチップ３の外縁で囲まれた領域（以下、省略して「センサーチップ３の領域」という。）において、突出部９２とセンサーチップ３との接合面、すなわち図７の破線で示す領域の位置は、平面視において、センサーチップ３の領域の中央部と重なる位置に配置されているのが好ましい。これにより、センサーチップ３をバランスよく支持することができる。このため、物理量センサー１の信頼性を高めることができる。
【００８１】
また、突出部９２の位置を、センサーチップ３の領域の中央部に集約することで、熱膨張係数の差によって生じる伸縮量の差が発生したとしても、センサーチップ３の伸縮量を小さく抑えることができる。このため、センサーチップ３のパッケージ３１に歪みが生じるのを抑制し、歪みがもたらす加速度の検出特性の低下を抑制することができる。
【００８２】
なお、「センサーチップ３の領域の中央部と重なる位置」とは、図７に示すように、センサーチップ３の領域でとり得る最大長さを長軸Ｌとしたとき、その中点Ｍと重なるように、突出部９２（図７の破線で示す領域）が配置されている状態を指す。
【００８３】
また、図９は、図８に示すセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造の変形例を示す断面図である。
【００８４】
変形例に係る凸状支持部材９は、突出部９２とセンサーチップ３との間に設けられている被膜９４をさらに備えている。このような被膜９４を設けることにより、凸状支持部材９の表面の物性を変更することができる。例えば、被膜９４の構成材料として、突出部９２よりも硬度の高い材料を用いることにより、凸状支持部材９の表面の硬度を高めることができる。これにより、例えば凸状支持部材９とセンサーチップ３との接合に際し、凸状支持部材９の表面にセンサーチップ３を押し付けたとき、その押圧力によって凸状支持部材９の表面が変形してしまうのを抑制することができる。
【００８５】
被膜９４の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、モリブデン、銀、金、タングステンのような金属単体またはそれらを含む合金、シリカ、アルミナ、ジルコニアのようなセラミックス、グラファイトのような炭素材料、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８６】
このうち、金属材料が好ましく用いられる。金属材料によれば、凸状支持部材９の表面の硬度を特に高め、変形を抑制することができる。
【００８７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る物理量センサーについて説明する。
【００８８】
図１０は、第２実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。図１１は、図１０中のＤ−Ｄ線断面図である。なお、図１０では、説明の便宜のため、センサーチップを透視するように図示している。
【００８９】
以下、第２実施形態について説明するが、以下の説明では第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図１０および図１１において、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００９０】
前述した第１実施形態では、突出部９２が１つであるのに対し、本実施形態は、複数の突出部９２Ａを備える以外、第１実施形態と同様である。このようにして複数の突出部９２Ａを備えることにより、例えばセンサーチップ３の構造に応じて最適化した位置に突出部９２Ａを選択的に配置することができる。
【００９１】
例えば、突出部９２Ａを、センサーチップ３の固定電極３４１、３５１のようなアンカー部に合わせて配置することが好ましい。すなわち、平面視において、固定電極３４１、３５１と重なる位置に突出部９２Ａを配置するのが好ましい。固定電極３４１、３５１は、パッケージ３１（基板３２）に固定されているアンカー部であることから、この部位に合わせて突出部９２Ａを配置することにより、センサーチップ３のパッケージ３１に歪みが生じるのを抑制し、歪みがもたらす加速度の検出特性の低下を抑制することができる。
【００９２】
なお、突出部９２Ａの数は、アンカー部の数に応じて適宜設定されるが、例えば２以上５０以下であるのが好ましく、３以上２０以下であるのがより好ましい。
【００９３】
このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、突出部９２Ａは、上記相違点以外、突出部９２と同様である。
【００９４】
なお、図１０および図１１に示す突出部９２Ａの位置、形状は、特に限定されない。また、図１０および図１１に示す突出部９２Ａは、一例であり、図３に示すセンサーチップ３に対応するものではない。
【００９５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る物理量センサーについて説明する。
【００９６】
図１２は、第３実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。図１３は、図１２中のＥ−Ｅ線断面図である。なお、図１２では、説明の便宜のため、センサーチップを透視するように図示している。
【００９７】
以下、第３実施形態について説明するが、以下の説明では第１、第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図１２および図１３において、前述した第１、第２実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００９８】
本実施形態は、１つの突出部９２Ｃと、２つの突出部９２Ｄと、を有する以外、第１実施形態と同様である。
【００９９】
このうち、突出部９２Ｃは、センサーチップ３の領域の中央部に配置されている。このため、第１実施形態に係る突出部９２と同様の効果を奏する。
【０１００】
一方、突出部９２Ｄは、図１および図１２に示すように、それぞれセンサーチップ３に対してボンディングワイヤーＢＷが接合されている位置に合わせて配置されている。つまり、平面視において、図１に示す接続端子８１と重なる位置に図１２に示す突出部９２Ｄを配置するのが好ましい。これにより、ボンディングワイヤーＢＷを接合する際に、その衝撃によってセンサーチップ３と凸状支持部材９との接合が外れてしまうのを抑制することができる。すなわち、ボンディングワイヤーＢＷを接合する際には、接続端子８１を図１３の下方に押下する力が付与されるところ、接続端子８１に合わせて突出部９２Ｄを下方から支持することにより、その押下力に対抗することができる。これにより、ボンディングワイヤーＢＷの接合位置や接合強度をより高め、信頼性の高いボンディングワイヤーＢＷを配置することができる。
【０１０１】
このような第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、突出部９２Ｃ、９２Ｄは、上記相違点以外、突出部９２と同様である。
なお、突出部９２Ｃ、９２Ｄの数や位置、形状は、それぞれ特に限定されない。
【０１０２】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る物理量センサーについて説明する。
【０１０３】
図１４は、第４実施形態に係る物理量センサーのセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造を示す平面図である。図１５は、図１４中のＦ−Ｆ線断面図である。なお、図１４では、説明の便宜のため、センサーチップを透視するように図示している。
【０１０４】
以下、第４実施形態について説明するが、以下の説明では第１〜第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図１４および図１５において、前述した第１〜第３実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【０１０５】
本実施形態は、１つの突出部９２に加え、４つの突出部９２Ｅが追加されている以外、第１実施形態と同様である。
【０１０６】
このうち、突出部９２Ｅは、それぞれ図１５に示すように、突出部９２よりも突出高さが高くなっている。また、突出部９２Ｅは、平面視においてセンサーチップ３と重ならない位置に配置されている。その上で、突出部９２Ｅは、センサーチップ３の側面と接触可能な位置に設けられている。すなわち、センサーチップ３の外面は、突出部９２に支持される支持底面すなわち下面３７の一部と、支持底面と交差する側面３８と、を含んでおり、凸状支持部材９は、基部９１から延出し、側面３８と接触可能な壁部の例である突出部９２Ｅを備えている。このような突出部９２Ｅが追加されていることにより、凸状支持部材９上にセンサーチップ３を配置するとき、センサーチップ３の位置を突出部９２Ｅによって規制することができる。すなわち、突出部９２Ｅによってセンサーチップ３の位置を精度よく合わせることができる。
【０１０７】
したがって、本実施形態に係る凸状支持部材９は、ＩＣチップ８に対するセンサーチップ３の位置を容易かつ高精度に合わせることができ、信頼性の高い物理量センサー１の実現に寄与する。
【０１０８】
なお、突出部９２Ｅの突出高さは、突出部９２のそれより高く、かつ、センサーチップ３の側面３８と接触し得る高さであれば、特に限定されない。
【０１０９】
また、本実施形態では、センサーチップ３の外面に含まれる４つの側面３８に合わせて、４つの突出部９２Ｅを備えている（図１４参照）。これにより、４つの突出部９２Ｅが突出部９２を取り囲むように配置されることとなり、その内側にセンサーチップ３を嵌めるように配置することができる。そして、４つの側面３８の位置がそれぞれ突出部９２Ｅによって規制されることとなり、センサーチップ３の位置をより高精度に合わせることができる。
【０１１０】
また、図１６および図１７は、それぞれ、図１５に示すセンサーチップおよびＩＣチップの積層構造の変形例を示す断面図である。
【０１１１】
図１６に示す凸状支持部材９は、突出部９２Ｅの上面９２１Ｅが傾斜面になっている以外、図１５に示す凸状支持部材９と同様である。
【０１１２】
上面９２１Ｅは、図１６に示すように、内側、すなわち突出部９２側の方が外側よりも突出高さが低くなるように傾斜している。このため、４つの突出部９２Ｅで囲まれた範囲内にセンサーチップ３を嵌める作業を行うとき、センサーチップ３の下面３７が突出部９２Ｅの上面９２１Ｅに沿って滑ることにより、その位置が案内されることとなる。これにより、センサーチップ３を配置する作業を容易に行うことができる。
【０１１３】
また、センサーチップ３が突出部９２Ｅの上面９２１Ｅに乗り上げる確率が低くなるため、それによってセンサーチップ３に損傷が及ぶのを抑制することができる。
【０１１４】
また、図１７に示す凸状支持部材９は、突出部９２Ｅの上面９２１Ｅの上に設けられた潤滑膜９２Ｆが追加されている以外、図１６に示す凸状支持部材９と同様である。
【０１１５】
潤滑膜９２Ｆは、上面９２１Ｅよりもセンサーチップ３の潤滑性が高い膜である。このような潤滑膜９２Ｆを設けることにより、センサーチップ３の位置が案内されるとき、センサーチップ３の下面３７が潤滑膜９２Ｆに対してより滑りやすくなる。その結果、センサーチップ３を配置する作業をより効率よく行うことができる。
【０１１６】
潤滑膜９２Ｆの構成材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）のようなフッ素樹脂、シリコーン樹脂のような有機ケイ素材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素材料、二硫化モリブデンのような金属材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１７】
このうち、フッ素樹脂が好ましく用いられる。フッ素樹脂によれば、凸状支持部材９の絶縁性を確保しつつ、潤滑性が特に良好な潤滑膜９２Ｆを実現することができる。
【０１１８】
このような第４実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、突出部９２Ｅは、上記相違点以外、突出部９２と同様である。
なお、突出部９２Ｅの数や位置、形状は、それぞれ特に限定されない。
【０１１９】
２．物理量センサーの製造方法
次に、本発明の物理量センサーの製造方法について説明する。
【０１２０】
図１８は、実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための工程図である。また、図１９ないし図２１は、それぞれ、実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明するための図である。以下、図８に示す積層構造に基づいて説明する。
【０１２１】
本実施形態に係る物理量センサーの製造方法は、図１８に示すように、基部形成工程Ｓ０１と、突出部形成工程Ｓ０２と、センサー部載置工程Ｓ０３と、を有する。以下、各工程について順次説明する。
【０１２２】
［１］基部形成工程Ｓ０１
まず、図１９に示すように、基板の例であるＩＣチップ８の上面すなわち一方の面に基部９１を形成する。
【０１２３】
基部９１は、例えば、スピンコート法、スクリーン印刷法、スプレー法、インクジェット法のような液相成膜法、スパッタリング法、蒸着法のような気相成膜法、めっき法等により形成することができる。
その後、必要に応じて、乾燥、焼成等の処理を施すようにしてもよい。
【０１２４】
また、基部９１は、ＩＣチップ８を保護するためのバッファーコートやα線防止膜、再配線層としての機能を有していてもよい。
【０１２５】
［２］突出部形成工程Ｓ０２
次に、図２０に示すように、基部９１の上面すなわちＩＣチップ８とは反対側の面に突出部９２を形成する。突出部９２は、基板の例であるＩＣチップ８と基部９１との積層方向からの平面視で基部９１よりも小さい面積となるように形成される。このようにして、基部９１と突出部９２とを備える凸状支持部材９が得られる。
【０１２６】
突出部９２は、例えば、前述した液相成膜法により、基部９１の上面全体を覆う被膜を形成した後、露光、現像によって目的とする形状にパターニングすることにより形成される。
【０１２７】
なお、上記観点からすると、突出部９２の構成材料は感光性を有することが好ましい。これにより、突出部９２の位置や形状の精度を特に高めることができ、かつ、凸状支持部材９の形成に要するプロセスを最小限に抑えることができる。
【０１２８】
［３］センサー部載置工程Ｓ０３
次に、図２１に示すように、凸状支持部材９の突出部９２に接するようにセンサーチップ３を載置する。これにより、凸状支持部材９を介してセンサーチップ３とＩＣチップ８とを積層することができる。
【０１２９】
なお、突出部９２とセンサーチップ３との接合は、突出部９２が有する接着性または粘着性によるものであってもよく、別途用意した接着剤によるものであってもよい。
【０１３０】
以上のようにして積層構造を得た後、かかる積層構造をパッケージ２内に収納し、物理量センサー１を製造することができる。
【０１３１】
すなわち、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法は、基板の例であるＩＣチップ８の上面すなわち一方の面に基部９１を形成する基部形成工程Ｓ０１と、基部９１の上面すなわちＩＣチップ８とは反対側の面に設けられ、平面視で基部９１より小さい突出部９２を形成し、基部９１と突出部９２とを備える凸状支持部材９を得る突出部形成工程Ｓ０２と、凸状支持部材９の突出部９２に接するようにセンサーチップ３（センサー部）を載置するセンサー部載置工程Ｓ０３と、を有する。
【０１３２】
このような製造方法によれば、検出特性の低下を抑制しつつ、小型化が図られた物理量センサー１を、容易に製造することができる。
【０１３３】
３．電子機器
図２２は、本発明の電子機器の実施形態（モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター）を示す斜視図である。
【０１３４】
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、前述した物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３５】
図２３は、本発明の電子機器の実施形態（携帯電話機）を示す平面図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、前述した物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３６】
図２４は、本発明の電子機器の実施形態（デジタルスチールカメラ）を示す斜視図である。
【０１３７】
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。そして、撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押すと、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、前述した物理量センサー１が内蔵されており、この物理量センサー１の計測結果は、例えば、手振れ補正に用いられる。
【０１３８】
以上のような電子機器は、物理量センサー１を備える。このような電子機器によれば、物理量センサー１の優れた特性を利用して、電子機器の特性（例えば信頼性）を向上させることができる。また、電子機器の小型化を図ることができる。
【０１３９】
なお、本発明の電子機器は、図２２のパーソナルコンピューター、図２３の携帯電話機、図２４のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計（スマートウォッチを含む）、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）等のウェアラブル端末、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、携帯端末用の基地局、フライトシミュレーター等に適用することができる。
【０１４０】
４．移動体
図２５は、本発明の移動体の実施形態（自動車）を示す斜視図である。
【０１４１】
自動車１５００には、前述した物理量センサー１が内蔵されており、例えば、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。
【０１４２】
その他、このような姿勢制御は、二足歩行ロボットやラジコンヘリコプター（ドローンを含む）で利用することができる。以上のように、各種移動体の姿勢制御の実現にあたって、物理量センサー１が組み込まれる。
【０１４３】
以上のように、移動体である自動車１５００は、物理量センサー１を備える。このような自動車１５００によれば、物理量センサー１の優れた特性を利用して、自動車１５００の特性（例えば信頼性）を向上させることができる。
【０１４４】
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１４５】
また、センサーチップにおける加速度の検出方式は、前記各実施形態の方式に限定されず、その他の方式であってもよい。
【符号の説明】
【０１４６】
１…物理量センサー、２…パッケージ、３…センサーチップ、８…ＩＣチップ、９…凸状支持部材、２１…ベース、２２…蓋体、２４…外部端子、２９…シームリング、３１…パッケージ、３２…基板、３３…蓋体、３４…センサー素子、３５…センサー素子、３７…下面、３８…側面、７１…配線、７２…配線、７３…配線、７４…配線、７５…配線、８１…接続端子、９１…基部、９２…突出部、９２Ａ…突出部、９２Ｃ…突出部、９２Ｄ…突出部、９２Ｅ…突出部、９２Ｆ…潤滑膜、９３…接合面、９４…被膜、２１１…凹部、２１１ａ…第１凹部、２１１ｂ…第２凹部、２１２…下面、２３１…内部端子、３２１…凹部、３２２…凹部、３２４…溝、３４１…固定電極、３４２…可動電極、３５１…固定電極、３５２…可動電極、９２１Ｅ…上面、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、３４１１…第１固定電極指、３４１２…第２固定電極指、３４２１…固定部、３４２２…可動部、３４２３…接続ばね、３４２４…可動電極指、３５１１…第１固定電極指、３５１２…第２固定電極指、３５２１…固定部、３５２２…可動部、３５２３…接続ばね、３５２４…可動電極指、Ａｘ…加速度、Ａｙ…加速度、Ａｚ…加速度、ＢＷ…ボンディングワイヤー、Ｌ…長軸、Ｍ…中点、Ｐ…接続パッド、Ｓ０１…基部形成工程、Ｓ０２…突出部形成工程、Ｓ０３…センサー部載置工程、Ｓ２…収納空間、Ｓ３…内部空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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