(57)【要約】【課題】ボトム径の小さい第２の金属ポスト５２においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避する。【解決手段】プリント配線板１０は、基部絶縁層２４と、基部絶縁層２４上に形成された、複数の導体パッドを含む導体層２６と、基部絶縁層２４上および導体層２６上に形成された被覆絶縁層４０とを備える。被覆絶縁層４０には、第１の開口４０ａおよび該第１の開口４０ａよりも径が小さい第２の開口４０ｂが形成される。複数の導体パッドには、第１の開口４０ａから露出する第１の導体パッド４４と、第１の導体パッド４４と同一面に形成され、第２の開口４０ｂから露出する第２の導体パッド４６とが含まれる。プリント配線板１０は、第１の導体パッド４４上に形成された中間層５０と、中間層５０上に形成され、第１のボトム径Ｒ１を有する第１の金属ポスト４８と、第２の導体パッド４６上に直接形成され、第１のボトム径Ｒ１よりも小さい第２のボトム径Ｒ２を有する第２の金属ポスト５２と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板であって、
基部絶縁層と、
前記基部絶縁層上に形成された、複数の導体パッドを含む導体層と、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を備え、
前記被覆絶縁層には、第１の開口および該第１の開口よりも径が小さい第２の開口が形成され、
前記複数の導体パッドには、前記第１の開口から露出する第１の導体パッドと、前記第１の導体パッドと同一面に形成され、前記第２の開口から露出する第２の導体パッドとが含まれ、
前記第１の導体パッド上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成され、第１のボトム径を有する第１の金属ポストと、
前記第２の導体パッド上に直接形成され、前記第１のボトム径よりも小さい第２のボトム径を有する第２の金属ポストと、を備える。
【請求項２】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１の金属ポスト、前記第２の金属ポスト、前記第１の導体パッド、および前記第２の導体パッドは、同種の金属からなる。
【請求項３】
請求項２記載のプリント配線板であって、前記第１の金属ポスト、前記第２の金属ポスト、前記第１の導体パッド、および前記第２の導体パッドは、銅からなる。
【請求項４】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記中間層は、無電解ニッケルめっき層を含む。
【請求項５】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１のボトム径に対する前記第２のボトム径の比は、０．２以上０．９以下である。
【請求項６】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有する。
【請求項７】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第２の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有する。
【請求項８】
請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１の金属ポストの高さと前記第２の金属ポストの高さは略同じである。
【請求項９】
プリント配線板の製造方法であって、
基部絶縁層を形成することと、
前記基部絶縁層上に、複数の導体パッドを含む導体層を形成することと、
前記基部絶縁層上および前記導体層上に被覆絶縁層を形成することと、
前記被覆絶縁層に第１の開口を形成して、前記導体層に含まれる第１の導体パッドを露出させることと、
前記第１の導体パッド上に中間層を形成することと、
前記被覆絶縁層に、前記第１の開口よりも径が小さい第２の開口を形成して、前記第１の導体パッドと同一面上に位置する、前記導体層に含まれる第２の導体パッドを露出させることと、
前記中間層上に第１のボトム径を有する第１の金属ポストを形成するとともに、前記第２の導体パッド上に前記第１のボトム径よりも小さい第２のボトム径を有する第２の金属ポストを直接形成することと、を含む。
【請求項１０】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の金属ポスト、前記第２の金属ポスト、前記第１の導体パッド、および前記第２の導体パッドは、同種の金属からなる。
【請求項１１】
請求項１０記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の金属ポスト、前記第２の金属ポスト、前記第１の導体パッド、および前記第２の導体パッドは、銅からなる。
【請求項１２】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記中間層は、無電解ニッケルめっき層を含む。
【請求項１３】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１のボトム径に対する前記第２のボトム径の比は、０．２以上０．９以下である。
【請求項１４】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有する。
【請求項１５】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第２の金属ポストの頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有する。
【請求項１６】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の金属ポストの高さと前記第２の金属ポストの高さは略同じである。
【請求項１７】
請求項９記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の開口を露光・現像により形成した後、前記第２の開口をレーザ照射により形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属ポストを有するプリント配線板、および金属ポストを有するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、表面に導体パッドが形成された基板本体と、該導体パッド上に形成された中間層と、基板本体上に配置されるとともに中間層に対応して開口が形成された被覆絶縁層と、中間層上に形成された金属ポストとを備えたパーケージ基板を開示している。金属ポストは中間層を介して導体パッドを電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３２３６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来のパッケージ基板では、金属ポストと中間層とが異なる金属から形成されているため金属ポストと中間層との接合強度が弱く、金属ポストを小径に形成すると、金属ポストと中間層との境界部を起点にクラックが生じたり金属ポストが破断したりするという問題が考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、基部絶縁層と、前記基部絶縁層上に形成された、複数の導体パッドを含む導体層と、前記基部絶縁層上および前記導体層上に形成された被覆絶縁層と、を備え、前記被覆絶縁層には、第１の開口および該第１の開口よりも径が小さい第２の開口が形成され、前記複数の導体パッドには、前記第１の開口から露出する第１の導体パッドと、前記第１の導体パッドと同一面に形成され、前記第２の開口から露出する第２の導体パッドとが含まれ、前記第１の導体パッド上に形成された中間層と、前記中間層上に形成され、第１のボトム径を有する第１の金属ポストと、前記第２の導体パッド上に直接形成され、前記第１のボトム径よりも小さい第２のボトム径を有する第２の金属ポストと、を備える。
【０００６】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、基部絶縁層を形成することと、前記基部絶縁層上に、複数の導体パッドを含む導体層を形成することと、前記基部絶縁層上および前記導体層上に被覆絶縁層を形成することと、前記被覆絶縁層に第１の開口を形成して、前記導体層に含まれる第１の導体パッドを露出させることと、前記第１の導体パッド上に中間層を形成することと、前記被覆絶縁層に、前記第１の開口よりも径が小さい第２の開口を形成して、前記第１の導体パッドと同一面上に位置する、前記導体層に含まれる第２の導体パッドを露出させることと、前記中間層上に第１のボトム径を有する第１の金属ポストを形成するとともに、前記第２の導体パッド上に前記第１のボトム径よりも小さい第２のボトム径を有する第２の金属ポストを直接形成することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。
【図２Ａ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｉ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｊ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｋ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｌ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｍ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｎ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｏ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｐ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｑ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｒ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｓ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｔ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図２Ｕ】本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法を示す断面図。
【図３】図１に示される実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図。
【図４】本発明の他の実施形態のプリント配線板を説明するための断面図。
【図５】図４に示される実施形態のプリント配線板の変形例を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明のプリント配線板の一実施形態が、図面を参照して説明される。本実施形態のプリント配線板１０は、図１に示されるように、コア基板１２と、コア基板１２の第１面側に設けられた第１ビルドアップ層１４と、コア基板１２の第１面とは反対側の第２面側に設けられた第２ビルドアップ層１６とを備えている。コア基板１２は、絶縁部材で構成される。コア基板１２の第１面上には第１導体回路層１８が形成されている。コア基板１２の第２面上には第２導体回路層２０が形成されている。第１導体回路層１８と第２導体回路層２０とは、コア基板１２を貫通するスルーホール導体２２によって電気的に接続されている。スルーホール導体２２の内側には樹脂充填材２３が充填されている。第１導体回路層１８、第２導体回路層２０およびスルーホール導体２２は導電性金属、例えば銅で形成される。
【０００９】
第１ビルドアップ層１４は、交互に積層された少なくとも１層の第１樹脂絶縁層２４および少なくとも１層の第１導体層２６を有している。図示例では、６層の第１樹脂絶縁層２４と６層の第１導体層２６が設けられている。第１樹脂絶縁層２４および第１導体層２６の層数は図示例に限定されず、５層以下あるいは７層以上とすることができる。第１導体層２６は、導電性金属、例えば銅で形成される。第１樹脂絶縁層２４は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成することができる。第１導体層２６同士は第１ビア導体２８を介して互いに電気的に接続されていてよい。第１ビア導体２８は第１導体層２６と同じ金属で形成され得る。
【００１０】
第１ビルドアップ層１４内には、表面に微細な配線や導体パッド３０が形成された埋込み基板３２が埋め込まれている。埋込み基板３２は、シリコンやガラス材料、有機材料で形成され得る。図示する一使用例において、埋込み基板３２は、プリント配線板１０の表面に互いに近接して実装され得る複数の半導体チップＤ１，Ｄ２同士を電気的に接続する。相互に電気的に接続される半導体チップＤ１，Ｄ２の一方Ｄ１は、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）やグラフィック処理装置（ＧＰＵ）などのロジックチップとすることができる。他方の半導体チップＤ２は、例えばダイナミックアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）やスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）などのメモリチップとすることができる。埋込み基板３２は、第１ビルドアップ層１４の積層方向でみて、相互に電気的に接続される複数の半導体チップＤ１，Ｄ２と部分的にオーバーラップする位置に配置されている。
【００１１】
第２ビルドアップ層１６は、交互に積層された少なくとも１層の第２樹脂絶縁層３４および少なくとも１層の第２導体層３６を有している。図示例では、６層の第２樹脂絶縁層３４と６層の第２導体層３６が設けられている。第２樹脂絶縁層３４および第２導体層３６の層数は図示例に限定されず、５層以下あるいは７層以上とすることができる。第２導体層３６は、導電性金属、例えば銅で形成される。第２樹脂絶縁層３４は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物からなる。第２導体層３６同士は第２ビア導体３８を介して互いに電気的に接続されていてよい。第２ビア導体３８は第２導体層３６と同じ金属で形成され得る。
【００１２】
プリント配線板１０は、複数の第１樹脂絶縁層２４のうちコア基板１２から最も遠くに位置する、基部絶縁層としての第１樹脂絶縁層（以下、「第１最外樹脂絶縁層」という。）２４と、複数の第１導体層２６のうちコア基板１２から最も遠い第１導体層（以下、「第１最外導体層」という。）２６の上に、被覆絶縁層としての第１被覆絶縁層（ソルダーレジスト層）４０を備えている。プリント配線板１０は、複数の第２樹脂絶縁層３４のうちコア基板１２から最も遠い第２樹脂絶縁層（以下、「第２最外樹脂絶縁層」という。）３４と、複数の第２導体層３６のうちコア基板１２から最も遠い第２導体層（以下、「第２最外導体層」という。）３６の上に第２被覆絶縁層（ソルダーレジスト層）４２を備えている。
【００１３】
第１被覆絶縁層４０には、第１最外導体層２６の一部を第１の導体パッド４４として露出させる第１の開口４０ａと、第１の開口４０ａよりも径が小さく第１最外導体層２６の他の一部を第２の導体パッド４６として露出させる第２の開口４０ｂが形成されている。第２の開口４０ｂは、埋込み基板３２に対応する位置に形成されている。
【００１４】
第１の開口４０ａから露出する第１の導体パッド４４上には、第１のボトム径Ｒ１を有する第１の金属ポスト４８が中間層５０を介して形成されている。第１の金属ポスト４８は、第１の導体パッド４４と同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第１の金属ポスト４８のピッチは、半導体チップＤ１，Ｄ２に設けられた比較的大径のバンプのピッチと一致する。第１の金属ポスト４８は、半導体チップＤ１，Ｄ２の比較的大径のバンプと第１の導体パッド４４とを中間層５０を介して電気的に接続する。
【００１５】
第１の金属ポスト４８は第１の導体パッド４４上に形成された中間層５０を介して第１の導体パッド４４と電気的に接続されている。中間層５０は、第１の導体パッド４４とは異なる金属からなる。中間層５０は、ニッケルめっき層を含んでいてよい。このニッケルめっき層は無電解ニッケルめっき層であってよい。中間層５０は、例えばニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されたＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層とすることができる。このＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層は、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層とすることができる。
【００１６】
第２の開口４０ｂから露出する第２の導体パッド４６上には、第１のボトム径Ｒ１よりも小さい第２のボトム径Ｒ２を有する第２の金属ポスト５２が上述の中間層５０を介さず直接形成されている。第２の金属ポスト５２は、第２の導体パッド４６と同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第２の金属ポスト５２のピッチは、半導体チップＤ１，Ｄ２に設けられた比較的小径のバンプのピッチと一致する。第２の金属ポスト５２は、半導体チップＤ１，Ｄ２の比較的小径のバンプと第２の導体パッド４６とを直接かつ電気的に接続する。
【００１７】
第１のボトム径Ｒ１に対する第２のボトム径Ｒ２の比は、０．２以上０．９以下とすることができる。第１の金属ポスト４８の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有することが好ましい。第２の金属ポスト５２の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有することが好ましい。第１の金属ポスト４８および第２の金属ポスト５２は、第１被覆絶縁層４０の表面から突出する高さを有している。第１の金属ポスト４８の高さ（第１被覆絶縁層４０の表面からの高さ）と第２の金属ポスト５２の高さ（第１被覆絶縁層４０の表面からの高さ）は略同じであることが好ましい。
【００１８】
第２被覆絶縁層４２には、第２最外導体層３６の一部を第３の導体パッド５４として露出させる複数の第３の開口５６が形成されている。第３の導体パッド５４の表面は、中間層５０と同じ材料からなる被覆金属層５８が形成されている。
【００１９】
本実施形態のプリント配線板１０によれば、第１の金属ポスト４８よりもボトム径の小さい第２の金属ポスト５２は、中間層５０を介さず第２の導体パッド４６上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第２の金属ポスト５２においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第２の金属ポスト５２と第２の導体パッド４６が同種または同一の金属で構成される場合には、第２の金属ポスト５２および第２の導体パッド４６間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。
【００２０】
図１に示されるプリント配線板１０の製造方法の一実施形態が、図２Ａ〜図２Ｕを参照して具体例により説明される。
【００２１】
図２Ａに示されるように、基板６０が準備される。基板６０としては特に限定されず、例えば、ガラスエポキシ基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、銅箔付き絶縁体シート（ＲＣＣ）などの樹脂基板や窒化アルミニウム基板などのセラミック基板、シリコン基板などが挙げられる。図２Ａでは、基板６０として、絶縁基板本体６０Ａの両面に銅箔６２を積層した両面銅張積層板を示している。
【００２２】
図２Ｂに示されるように、ドリルを用い基板６０を貫通する複数のスルーホール６１が形成される。スルーホール６１はレーザを用いて形成することができる。
【００２３】
その後、無電解めっき処理および電解めっき処理が行われ、スルーホール６１の側壁にスルーホール導体２２が形成される。同時に銅箔６２の表面上に無電解めっき層と電解めっき層とからなる導電膜６３が形成される。実施形態では、スルーホール６１が金属で充填されておらず、実施形態のプリント配線板１０はスルーホール導体２２の内側にスルーホール導体内貫通孔２２ａを有している。
【００２４】
スルーホール導体２２の表面に粗化面が形成される（図示せず）。
【００２５】
図２Ｃに示されるように、平均粒径が例えば３μｍ〜５μｍのガラス等の無機粒子を含む樹脂充填材２３がスルーホール導体内貫通孔２２ａに充填され、乾燥、硬化される。
【００２６】
その後、基板６０の表面に、パラジウム触媒が付与され、無電解銅めっきが施されることにより、無電解銅めっき膜が形成される。そして、電解銅めっきが施され、電解銅めっき膜が形成される。これにより、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなるめっき膜６４が導電膜６３上に形成される。同時に、めっき膜６４は、スルーホース導体２２と樹脂充填材２３を覆う。
【００２７】
めっき膜６４を有する基板６０の表面に、市販のドライフィルムが張り付けられる。その後、フォトリソにより、めっき膜６４上にエッチングレジスト（図示せず）が形成される。そして、エッチングレジストから露出するめっき膜６４、導電膜６３、銅箔６２が、エッチング液により溶解、除去される。エッチングレジストはその後除去される。第１導体回路層１８および第２導体回路層２０が形成される。そして、第１導体回路層１８および第２導体回路層２０の表面が粗化され、粗化面が形成される（図示せず）。コア基板１２が完成する。スルーホール６１は金属で充填されていてもよい。
【００２８】
図２Ｆに示されるように、コア基板１２の第１導体回路層１８上に、第１樹脂絶縁層２４として、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルム６５が積層されるとともに、コア基板１２の第２導体回路層２０上に、第２樹脂絶縁層３４として、同様のビルドアップ用絶縁樹脂フィルム６５が積層される。その際、第１導体回路層１８内の回路部分間および第２導体回路層２０内の回路部分間は絶縁樹脂フィルム６５で埋められる。絶縁樹脂フィルム６５は、熱硬化される。コア基板１２の第１面側に第１樹脂絶縁層２４が形成されるとともに、コア基板１２の第２面側に第２樹脂絶縁層３４が形成される。
【００２９】
図２Ｇに示されるように、コア基板１２の表裏の両側の第１樹脂絶縁層２４および第２樹脂絶縁層３４に炭酸ガスレーザまたはＵＶ−ＹＡＧレーザ等が照射されて、複数のビアホール６６が形成される。
【００３０】
無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、コア基板１２の表裏の両側の樹脂絶縁層２４，３４上と、ビアホール６６内とに無電解めっき膜（図示ぜず）が形成される。
【００３１】
図２Ｈに示されるように、コア基板１２の表裏の両側の樹脂絶縁層２４，３４上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト６７が形成される。
【００３２】
図２Ｉに示されるように、電解めっき処理が行われ、めっきがビアホール６６内に充填されて第１ビア導体２８および第２ビア導体３８が形成される。また、コア基板１２の表裏の両側の樹脂絶縁層２４，３４上の無電解めっき膜（図示せず）のうちめっきレジスト６７から露出している部分に電解めっき膜６９が形成される。
【００３３】
図２Ｊに示されるように、めっきレジスト６７が剥離されるとともに、めっきレジストの下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去され、残された電解めっき膜６９および無電解めっき膜により、第１樹脂絶縁層２４上に第１導体層２６が形成されるとともに、第２樹脂絶縁層３４上に第２導体層３６が形成される。
【００３４】
図２Ｆ〜図２Ｊの工程を繰り返し行うことで、図２Ｋに示されるように、５層の第１樹脂絶縁層２４と５層の第１導体層２６とが交互に積層されるとともに、５層の第２樹脂絶縁層３４と５層の第２導体層３６とが交互に積層された状態になる。５層の第１樹脂絶縁層２４のうちコア基板１２から最も遠くに位置する第１樹脂絶縁層２４には、図２Ｇを参照して説明したビアホール６６よりも大きな埋込み基板用穴７１が、例えば炭酸ガスレーザまたはＵＶ−ＹＡＧレーザ等により形成される。埋込み基板用穴７１の底面には、第１導体層２６の一部である平面状の導体パターンが露出する。
【００３５】
図２Ｌに示されるように、５層の第１樹脂絶縁層２４のうちコア基板１２から最も遠くに位置する第１樹脂絶縁層２４に形成された埋込み基板用穴７１内に、予め準備した埋込み基板３２が配置される。埋込み基板３２には、微細な配線や導体パッド３０が形成されている。
【００３６】
図２Ｍに示されるように、５層の第１導体層２６のうちコア基板１２から最も遠くに位置する第１導体層２６上に、第１最外樹脂絶縁層２４として、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含むビルドアップ用絶縁樹脂フィルム６５が積層されるとともに、５層の第２導体層３６のうちコア基板１２から最も遠くに位置する第２導体層３６上に、第２最外樹脂絶縁層３４として、同様のビルドアップ用絶縁樹脂フィルム６５が積層され、そして加熱プレスされる。その際、第１導体回路層１８内の回路部分間、第２導体回路層２０内の回路部分間、埋込み基板用穴７１と埋込み基板３２との隙間、および埋込み基板３２の導体パッド３０間は、絶縁樹脂フィルム６５で埋められる。
【００３７】
図２Ｇ〜図２Ｊで説明した工程と同様にして、図２Ｎに示されるように、コア基板１２側から５層目の第１導体層２６上に、第１ビア導体２８と、第１最外導体層２６としての第１導体層２６とが形成されるとともに、コア基板１２側から５層目の第２導体層３６上に、第２ビア導体３８と、第２最外導体層３６としての第２導体層３６とが形成される。
【００３８】
図２Ｏに示されるように、基部絶縁層としての第１最外樹脂絶縁層２４上および第１最外導体層２６上に第１被覆絶縁層４０が積層される。第２最外樹脂絶縁層３４および第２最外導体層３６上に第２被覆絶縁層４２が積層される。
【００３９】
図２Ｐに示されるように、第１被覆絶縁層４０に、露光・現像により、第１最外導体層２６の一部を第１の導体パッド４４として露出させる第１の開口４０ａが形成される。また、第２被覆絶縁層４２に、露光・現像により、第２最外導体層３６の一部を第３の導体パッド５４として露出させる第３の開口５６が形成される。
【００４０】
図２Ｑに示されるように、第１被覆絶縁層４０の第１の開口４０ａから露出する第１の導体パッド４４上に、例えば、ニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されて中間層５０が形成されるとともに、第２被覆絶縁層４２の第３の開口５６から露出する第３の導体パッド５４上に、中間層５０と同じ材料からなる被覆金属層５８が形成される。中間層５０と被覆金属層５８は、同時に形成することができる。
【００４１】
図２Ｒに示されるように、第１被覆絶縁層４０に、例えば炭酸ガスレーザまたはＵＶ−ＹＡＧレーザ等が照射され、第１の開口４０ａよりも径が小さく第１最外導体層２６の一部を第２の導体パッド４６として露出させる第２の開口４０ｂが形成される。
【００４２】
無電解銅めっき処理等の無電解めっき処理が行われ、第１被覆絶縁層４０上と、第１の開口４０ａ内と、第２の開口４０ｂ内に無電解めっき膜（図示ぜず）が形成される。
【００４３】
図２Ｓに示されるように、第１被覆絶縁層４０上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト７３が形成されるとともに、第２被覆絶縁層４２の全面上にめっきレジスト７４が形成される。
【００４４】
図２Ｔに示されるように、電解めっき処理、例えば電解銅めっき処理が行われ、めっきが第１の開口４０ａ内に充填されて、第１最外導体層２６の第１の導体パッド４４上に中間層５０を介して第１の金属ポスト４８が形成されるとともに、めっきが第２の開口４０ｂ内に充填されて、第１最外導体層２６の第２の導体パッド４６上に第２の金属ポスト５２が直接形成される。第１の金属ポスト４８は第１のボトム径Ｒ１を有し、第２のポストは、第１のボトム径Ｒ１よりも小さな第２のボトム径Ｒ２を有する（図１参照）。第１のボトム径Ｒ１に対する第２のボトム径Ｒ２の比は、０．２以上０．９以下とすることができる。第１の金属ポスト４８の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有するよう形成することが好ましい。一方で、第２の金属ポスト５２の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有するよう形成することが好ましい。第１および第２の金属ポスト５２はともに、第１被覆絶縁層４０の表面から突出する高さを有することが好ましい。第１の金属ポスト４８の高さ（第１被覆絶縁層４０の表面からの高さ）と第２の金属ポスト５２の高さ（第１被覆絶縁層４０の表面からの高さ）とが略同じとなるよう形成することが好ましい。
【００４５】
図２Ｕに示されるように、めっきレジスト７３，７４が剥離されるとともに、めっきレジスト７３，７４の下方の無電解めっき膜（図示せず）が除去される。以上で、プリント配線板１０が完成する。
【００４６】
本実施形態のプリント配線板１０の製造方法によれば、ボトム径の小さい第２の金属ポスト５２においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができるプリント配線板１０を容易に製造することができる。特に、第２の金属ポスト５２と第２の導体パッド４６が同種または同一の金属で構成される場合には、第２の金属ポスト５２および第２の導体パッド４６間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。
【００４７】
図３を参照して、図１に示したプリント配線板１０の変形例を説明する。
【００４８】
図１に示したプリント配線板１０では、第２の金属ポスト５２は、第１最外導体層２６の第２の導体パッド４６上に形成されていたが、図３に示される変形例のプリント配線板１０では、第２の金属ポスト５２は、埋込み基板３２上の導体パッド３０に直接形成されている。埋込み基板３２上の導体パッド３０は、第１最外導体層２６の第１の導体パッド４４と同一面上にあるので、ここでは本発明における「第２の導体パッド」に相当する。プリント配線板１０のその他の構成は、図１に示したプリント配線板１０と同じであるので、詳細な説明は省略する。また、プリント配線板１０は、図２Ａ〜図２Ｕを参照して説明した製造方法と同様の方法により製造することができる。
【００４９】
この変形例に係るプリント配線板１０によれば、図１に示したプリント配線板１０と同様に、第１の金属ポスト４８よりもボトム径の小さい第２の金属ポスト５２は、中間層５０を介さず埋込み基板３２の第２の導体パッド３０上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第２の金属ポスト５２においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第２の金属ポスト５２と埋込み基板３２上の第２の導体パッド３０が同種または同一の金属で構成される場合には、第２の金属ポスト５２および第２の導体パッド４６間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。
【００５０】
図４を参照して、本発明の他の実施形態のプリント配線板８０について説明する。
【００５１】
図４に示されるプリント配線板８０は、コア基板を有さないコアレス構造のプリント配線板である。プリント配線板８０は、複数の導体層８２と該導体層８２間に配置された層間樹脂絶縁層８４とを備える。図示例では、３層の導体層８２と、導体層８２間に配置された２層の層間樹脂絶縁層８４とを備えているが、導体層８２および層間樹脂絶縁層８４の数はこれに限定されない。導体層８２は、銅などの金属から形成することができる。層間樹脂絶縁層８４は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物から形成することができる。
【００５２】
導体層８２はビア導体８６を介して互いに接続されていてよい。ビア導体８６は導体層８２と同じ金属で形成され得る。
【００５３】
層間樹脂絶縁層８４内には、表面に微細な配線や導体パッドが形成された埋込み基板８８が埋め込まれている。埋込み基板８８は、シリコンやガラス材料、有機材料で形成され得る。図示例において、埋込み基板８８は、プリント配線板８０の表面に互いに近接して実装され得る複数の半導体チップＤ１，Ｄ２同士を電気的に接続する。相互に電気的に接続される半導体チップＤ１，Ｄ２の一方Ｄ１は、例えば中央処理装置（ＣＰＵ）やグラフィック処理装置（ＧＰＵ）などのロジックチップとすることができる。他方の半導体チップＤ２は、例えばダイナミックアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）やスタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、不揮発性メモリ（ＮＶＭ）などのメモリチップとすることができる。埋込み基板８８は、導体層８２および層間樹脂絶縁層８４の積層方向でみて、相互に電気的に接続される複数の半導体チップＤ１，Ｄ２と部分的にオーバーラップする位置に配置されている。
【００５４】
プリント配線板８０はまた、上記積層方向で最外に位置する基部絶縁層としての層間樹脂絶縁層８４上および導体層８２上に被覆絶縁層（ソルダーレジスト層）９０を備えている。
【００５５】
被覆絶縁層９０には、導体層８２の一部を第１の導体パッド８２ａとして露出させる第１の開口９０ａと、第１の開口９０ａよりも径が小さく導体層８２の他の一部を第２の導体パッド８２ｂとして露出させる第２の開口９０ｂが形成されている。第２の開口９０ｂは、埋込み基板８８に対応する位置に形成されている。
【００５６】
第１の開口９０ａから露出する第１の導体パッド８２ａ上には、第１のボトム径Ｒ１を有する第１の金属ポスト９２が中間層９４を介して形成されている。第１の金属ポスト９２は、第１の導体パッド８２ａと同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第１の金属ポスト９２のピッチは、半導体チップＤ１，Ｄ２に設けられた比較的大径のバンプのピッチと一致する。第１の金属ポスト９２は、半導体チップＤ１，Ｄ２の比較的大径のバンプと第１の導体パッド８２ａとを中間層９４を介して電気的に接続する。
【００５７】
第１の金属ポスト９２は第１の導体パッド８２ａ上に形成された中間層９４を介して第１の導体パッド８２ａと電気的に接続されている。中間層９４は、第１の導体パッド８２ａとは異なる金属からなる。中間層９４は、ニッケルめっき層を含んでいてよい。このニッケルめっき層は無電解ニッケルめっき層であってよい。中間層９４は、例えばニッケル層、パラジウム層、金層の順に積層されたＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層とすることができる。このＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層は、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層とすることができる。
【００５８】
第２の開口９０ｂから露出する第２の導体パッド８２ｂ上には、第１のボトム径Ｒ１よりも小さい第２のボトム径Ｒ２を有する第２の金属ポスト９６が上述の中間層９４を介さず直接形成されている。第２の金属ポスト９６は、第２の導体パッド８２ｂと同種または同一の金属からなり、例えば銅で形成される。図示例において、第２の金属ポスト９６のピッチは、半導体チップＤ１，Ｄ２に設けられた比較的小径のバンプのピッチと一致する。第２の金属ポスト９６は、半導体チップＤ１，Ｄ２の比較的小径のバンプと第２の導体パッド８２ｂとを直接かつ電気的に接続する。
【００５９】
第１のボトム径Ｒ１に対する第２のボトム径Ｒ２の比は、０．２以上０．９以下とすることができる。第１の金属ポスト９２の頂面は中央部が外周部よりも低い凹面形状を有することが好ましい。第２の金属ポスト９６の頂面は中央部が外周部よりも高い凸面形状を有することが好ましい。第１の金属ポスト９２および第２の金属ポスト９６は、被覆絶縁層９０の表面から突出する高さを有している。第１の金属ポスト９２の高さ（被覆絶縁層９０の表面からの高さ）と第２の金属ポスト９６の高さ（被覆絶縁層９０の表面からの高さ）は略同じであることが好ましい。
【００６０】
本実施形態のプリント配線板８０によれば、第１の金属ポスト９２よりもボトム径の小さい第２の金属ポスト９６は、中間層９４を介さず第２の導体パッド８２ｂ上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第２の金属ポスト９６においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第２の金属ポスト９６と第２の導体パッド８２ｂが同種または同一の金属で構成される場合には、第２の金属ポスト９６および第２の導体パッド８２ｂ間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。
【００６１】
なお、本実施形態のプリント配線板８０は、図２Ａ〜図２Ｕを参照して説明したプリント配線板１０の製造方法におけるコア基板１２の代わりに支持板（図示せず）を用いることで同様に製造することができる。導体層８２および層間樹脂絶縁層８４は支持板上で交互に積層することができる。支持板上で製造されたプリント配線板８０あるいはその中間体は、最終的に支持板から剥離することができる。支持板には、例えば、金属板や銅張積層板、両面銅張積層板を用いることができる。
【００６２】
図５を参照して、図４に示したプリント配線板８０の変形例を説明する。同種の部材または要素には同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６３】
図４に示したプリント配線板８０では、第２の金属ポスト９６は、導体層８２の第２の導体パッド８２ｂ上に形成されていたが、図５に示される変形例のプリント配線板８０では、第２の金属ポスト９６は、埋込み基板８８上の導体パッド８８ａに直接形成されている。埋込み基板８８上の導体パッド８８ａは、導体層８２の第１の導体パッド８２ａと同一面上にあるので、ここでは本発明における「第２の導体パッド」に相当する。プリント配線板８０のその他の構成は、図４に示したプリント配線板８０と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００６４】
この変形例に係るプリント配線板８０によれば、図４に示したプリント配線板８０と同様に、第１の金属ポスト９２よりもボトム径の小さい第２の金属ポスト９６は、中間層９４を介さず埋込み基板８８の第２の導体パッド８８ａ上に直接形成されている。したがって、ボトム径の小さい第２の金属ポスト９６においてクラックや破断の発生を低減もしくは回避することができる。特に、第２の金属ポスト９６と埋込み基板８８上の第２の導体パッド８８ａが同種または同一の金属で構成される場合には、第２の金属ポスト９６および第２の導体パッド８８ａ間で良好な接合強度が得られるので、上述したようなクラックや破断の発生をより一層低減もしくは回避することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１０，８０  プリント配線板
１２  コア基板
１４  第１ビルドアップ層
１６  第２ビルドアップ層
１８  第１導体回路層
２０  第２導体回路層
２２  スルーホール導体
２３  樹脂充填材
２４  第１樹脂絶縁層
２６  第１導体層
２８  第１ビア導体
３０  導体パッド
３２，８８  埋込み基板
３４  第２樹脂絶縁層
３６  第２導体層
３８  第２ビア導体
４０  第１被覆絶縁層
４０ａ，９０ａ  第１の開口
４０ｂ，９０ｂ  第２の開口
４２  第２被覆絶縁層
４４，８２ａ  第１の導体パッド
４６，８２ｂ，８８ａ  第２の導体パッド
４８，９２  第１の金属ポスト
５０，９４  中間層
５２，９６  第２の金属ポスト
５４  第３の導体パッド
５６  第３の開口
５８  被覆金属層
８２  導体層
８４  層間樹脂絶縁層
８６  ビア導体
Ｒ１  第１のボトム径
Ｒ２  第２のボトム径
【図１】
2019054111.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2019054111.tif 000005
【図２Ｃ】
2019054111.tif 000006
【図２Ｄ】
2019054111.tif 000007
【図２Ｅ】
2019054111.tif 000008
【図２Ｆ】
2019054111.tif 000009
【図２Ｇ】
2019054111.tif 000010
【図２Ｈ】
2019054111.tif 000011
【図２Ｉ】
2019054111.tif 000012
【図２Ｊ】
2019054111.tif 000013
【図２Ｋ】
2019054111.tif 000014
【図２Ｌ】
2019054111.tif 000015
【図２Ｍ】
2019054111.tif 000016
【図２Ｎ】
2019054111.tif 000017
【図２Ｏ】
2019054111.tif 000018
【図２Ｐ】
2019054111.tif 000019
【図２Ｑ】
2019054111.tif 000020
【図２Ｒ】
2019054111.tif 000021
【図２Ｓ】
2019054111.tif 000022
【図２Ｔ】
2019054111.tif 000023
【図２Ｕ】
2019054111.tif 000024
【図３】
2019054111.tif 000025
【図４】
2019054111.tif 000026
【図５】
2019054111.tif 000027