(57)【要約】【課題】膜を有する基板に対して選択的に増膜することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、基板処理装置は、支持部と、シランカップリング剤供給部と、有機官能基除去部と、駆動機構と、を備える。支持部は、膜のパターンを有する基板を支持する。シランカップリング剤供給部は、膜にシランカップリング剤を供給する。有機官能基除去部は、シランカップリング剤でシリル化された膜から有機官能基を除去する。駆動機構は、シランカップリングの供給と、光または気体の供給とが所定回数繰り返されるように支持部、シランカップリング剤供給部、および有機官能基除去部の少なくとも一つを駆動する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜のパターンを有する基板を支持する支持部と、
前記膜にシランカップリング剤を供給するシランカップリング剤供給部と、
前記シランカップリング剤でシリル化された前記膜から有機官能基を除去する光または気体を供給する有機官能基除去部と、
前記シランカップリング剤の供給と、前記光または前記気体の供給とが所定回数繰り返されるように前記支持部、前記シランカップリング剤供給部、および前記有機官能基除去部の少なくとも一つを駆動する駆動機構と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記シランカップリング剤が液体である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記光が紫外線であり、前記気体がオゾンである、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記有機官能基除去部の数が、前記シランカップリング剤供給部の数よりも多い、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記シランカップリング剤の供給後に、前記シランカップリング剤をリンスするリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記リンス液の供給後に、乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部と、
をさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記駆動機構は、前記支持部を回転させ、
前記シランカップリング剤供給部は、前記基板の外周部に位置する前記膜に前記シランカップリング剤を供給する、請求項１から５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記有機官能基除去部は、前記紫外線を前記基板に向けて照射し、
前記駆動機構は、前記シランカップリング剤の供給中に第１回転数で前記支持部を回転させ、前記紫外線の照射中に前記第１回転数よりも大きな第２回転数で前記支持部を回転させる、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記シランカップリング剤の供給中に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部をさらに備える、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記紫外線の照射中に酸化ガスを供給する酸化ガス供給部をさらに備える、請求項７または８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記膜が、少なくともシリコン酸化膜を含んでいる、請求項１から９のいずれかに基板処理装置。
【請求項１１】
膜のパターンを有する基板にシランカップリング剤を供給し、
前記シランカップリング剤でシリル化された前記膜から有機官能基を除去する光または気体を供給し、
前記シランカップリング剤の供給と、前記光または前記気体の供給とを所定回数繰り返す、基板処理方法。
【請求項１２】
前記シランカップリング剤が液体である、請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記光が紫外線であり、前記気体がオゾンである、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記シランカップリング剤の供給後に、前記シランカップリング剤をリンスするリンス液を供給し、
前記リンス液の供給後に、乾燥ガスを供給する、請求項１１から１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記基板を回転することによって、前記基板の外周部に位置する前記膜に前記シランカップリング剤を供給する、請求項１１から１４のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記紫外線を前記基板に向けて照射し、
前記シランカップリング剤の供給中に第１回転数で前記基板を回転し、
前記紫外線の照射中に前記第１回転数よりも大きな第２回転数で前記基板を回転する、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記シランカップリング剤の供給中に乾燥ガスを供給する、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記紫外線の照射中に酸化ガスを供給する、請求項１６または１７に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記膜が、少なくともシリコン酸化膜を含んでいる、請求項１６から１８のいずれかに基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に膜のパターンを形成するとき、膜の一部分が必要以上に除去されたり、他の部分に比べて細くなってしまったりする場合がある。この場合、その一部分を増膜すれば、膜の形状を修正することができる。
【０００３】
しかし、例えば、複数種の膜が基板に形成されている場合、特定種の膜に選択的に増膜することは困難である。また、膜が基板の複数個所に形成されている場合、特定箇所に位置する膜に選択的に増膜することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２３６１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、膜を有する基板に対して選択的に増膜することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態に係る基板処理装置は、支持部と、シランカップリング剤供給部と、有機官能基除去部と、駆動機構と、を備える。支持部は、膜のパターンを有する基板を支持する。シランカップリング剤供給部は、膜にシランカップリング剤を供給する。有機官能基除去部は、シランカップリング剤でシリル化された膜から有機官能基を除去する。駆動機構は、シランカップリングの供給と、光または気体の供給とが所定回数繰り返されるように支持部、シランカップリング剤供給部、および有機官能基除去部の少なくとも一つを駆動する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る基板の構造を示す断面図である。
【図３】第１実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、シリコン酸化膜の増膜の様子を示す模式図である。
【図５】（ａ）はＤＨＦ処理前の基板の断面図であり、（ｂ）はＤＨＦ処理後の基板の断面図である。
【図６】第２実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る基板の構造を示す断面図である。
【図８】図７に示す基板の増膜後の構造を示す断面図である。
【図９】第３実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。
【図１０】第３実施形態における乾燥処理および有機官能基除去処理を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００９】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。図１に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１は、支持部１０と、成膜部２０と、駆動機構３０と、を備える。
【００１０】
支持部１０は、駆動機構３０によって、成膜部２０に対して水平方向に往復移動するベルト状に形成されている。基板１００は、この支持部１０上で支持されている。支持部１０の往復移動に伴って、基板１００と成膜部２０との相対位置が変わる。本実施形態では、基板１００はウェハ状のシリコン基板である。
【００１１】
図２は、本実施形態に係る基板１００の構造を示す断面図である。図２に示すように、基板１００上には、積層体１１０が形成されている。積層体１１０では、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）１１１と、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）１１２とが交互に積層されている。また、積層体１１０には、ホール１２０が形成されている。積層体１１０が、例えば、３次元半導体メモリに用いられる場合、シリコン酸化膜１１１またはシリコン窒化膜１１２が電極膜に置き換えられ、かつ、ホール１２０内に電子を保持するための機能膜が形成される。なお、積層体１１０の構造は、図２に示すような構造に限定されない。例えば、積層体１１０は、シリコン窒化膜１１２の代わりに金属膜を有する構造であってもよい。
【００１２】
エッチング等で積層体１１０を貫通するホール１２０を加工すると、図２に示すように、シリコン酸化膜１１１がシリコン窒化膜１１２よりも多く除去される場合がある。この場合、ホール１２０において、シリコン酸化膜１１１の開口幅がシリコン窒化膜１１２の開口幅よりも広くなる。このような開口幅の差は、上記半導体メモリの電気的特性に影響を及ぼす可能性がある。
【００１３】
そこで、本実施形態に係る基板処理装置１は、シリコン酸化膜１１１を増膜するための成膜部２０を備える。成膜部２０は、図１に示すように、支持部１０に沿って配置されたノズル２１〜ノズル２５を有する。
【００１４】
ノズル２１は、ノズル列の一端に位置する。ノズル２１は、リンス液を供給する。このリンス液は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含んでいる。
【００１５】
ノズル２２（シランカップリング剤供給部）は、ノズル２１に隣接している。ノズル２２は、シランカップリング剤を供給する。このシランカップリング剤は、例えば、分子中に無機材料と親和性および反応性を有する加水分解基と、有機材料と化学結合する有機官能基とを有する液体である。具体的には、このシランカップリング剤は、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルジエチルアミン（ＴＭＳＤＥＡ）、またはトリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）等を含んだ液体である。
【００１６】
ノズル２３（リンス液供給部）は、ノズル２２に隣接している。ノズル２３も、ノズル２１と同様に、例えばイソプロピルアルコールを含んだリンス液を供給する。
【００１７】
ノズル２４（乾燥ガス供給部）は、ノズル２３に隣接している。ノズル２４は、乾燥ガスを供給する。この乾燥ガスは、例えば、ドライエアーまたは窒素（Ｎ２）ガスである。ここでは、露点が−６０℃付近のドライエアーを用いる。
【００１８】
ノズル２５（有機官能基除去部）は、ノズル２４に隣接し、ノズル列の他端に位置する。ノズル２５は、紫外線またはオゾン（Ｏ３）を供給する。本実施形態では、３本のノズル２５が配置されているが、ノズル２５の数は特に制限されない。
【００１９】
以下、本実施形態に係る基板処理方法について図３および図４を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、シリコン酸化膜１１１の増膜の様子を示す模式図である。
【００２０】
まず、図３に示すように第１リンス処理を行う（ステップＳ１）。第１リンス処理では、ノズル２１がリンス液を基板１００へ供給する。これにより、第１リンス処理の前に行われた処理で基板１００に残った物質が洗浄される。その後、駆動機構３０が支持部１０を直線移動させることによって、基板１００は、ノズル２２と対向する位置へ移動する。
【００２１】
次に、シリル化処理を行う（ステップＳ２）。シリル化処理では、ノズル２２がシランカップリング剤を基板１００へ供給する。シランカップリング剤は、基板１００の上面からホール１２０内に流れ込む。これにより、シランカップリング剤がシリコン酸化膜１１１と化学反応する。その結果、図４（ａ）に示すように、酸素（Ｏ２）、シリコン（Ｓｉ）、および有機官能基（Ｒ）からなるシリル化膜１２１ａが、ホール１２０内に露出したシリコン酸化膜１１１の表面に形成される。その後、駆動機構３０が支持部１０を直線移動させることによって、基板１００は、ノズル２３と対向する位置へ移動する。
【００２２】
次に、第２リンス処理を行う（ステップＳ３）。第２リンス処理では、ノズル２３がリンス液を基板１００へ供給する。これにより、上記シリル化処理で未反応のシランカップリング剤が、アルコールに置換されて洗浄される。その後、駆動機構３０が支持部１０を直線移動させることによって、基板１００は、ノズル２４と対向する位置へ移動する。
【００２３】
次に、乾燥処理を行う（ステップＳ４）。乾燥処理では、ノズル２４が、基板１００へ乾燥ガスを照射する。これにより、シリル化膜１２１ａの表面は乾燥する。その後、駆動機構３０が支持部１０を直線移動させることによって、基板１００は、ノズル２５と対向する位置へ移動する。
【００２４】
次に、有機官能基除去処理を行う（ステップＳ５）。有機官能基除去処理では、ノズル２５が、紫外線またはオゾンを基板１００へ照射する。その結果、図４（ｂ）に示すように、シリル化膜１２１ａから有機官能基を除去したシリコン酸化膜１２１ｂが形成される。
【００２５】
本実施形態では、ノズル２５の数は、ノズル２２の数よりも多い。ノズル２５は、紫外線またはオゾンを基板１００に照射する。そのため、ノズル２５を用いる処理時間は、液体のシランカップリング剤を供給するノズル２２を用いる処理時間よりも長くなる。そこで、ノズル２５の数を増やすと紫外線またはオゾンの照射領域が広くなるので、処理時間を短縮することができる。
【００２６】
有機官能基除去処理が終了すると、駆動機構３０が支持部１０を逆方向に直線移動させることによって、基板１００はノズル２１と対向する位置へ戻る。その後、上述したステップＳ１〜ステップＳ５の処理を再び行う。なお、駆動機構３０が環状のレールとして形成され、支持部１０がそのレール上を周回してもよい。
【００２７】
２回目のシリカ処理（ステップＳ２）では、図４（ｃ）に示すように、シリコン酸化膜１２１ｂ上にシリル化膜１２１ｃが形成される。また、２回目の有機官能基除去処理を行う（ステップＳ５）では、図４（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜１２１ｂよりも厚いシリコン酸化膜１２１ｄが形成される。これにより、シリコン酸化膜１１１が増膜される。
【００２８】
その後、増膜の厚さが予め設定された値に達するまで、上述したステップＳ１〜ステップＳ５の処理が繰り返される。処理の繰り返し回数が上限値に達すると、駆動機構３０は、支持部１０の駆動を停止する。なお、この上限値は、固定するのではなく、過去の増膜履歴等を考慮して、適宜変更してもよい。この場合、装置の状況に応じてより適切に増膜することが可能となる。
【００２９】
本実施形態では、シリコン酸化膜１２１は、シリコン酸化膜１１１に選択的に成膜されるものの、シリコン窒化膜１１２への成膜レートがゼロではない。そのため、図５（ａ）に示すように、シリコン酸化膜１２１の一部は、シリコン窒化膜１１２上に成膜される。そこで、図５（ｂ）に示すように、シリコン窒化膜１１２上に成膜されたシリコン酸化膜１２１を除去することが望ましい。このシリコン酸化膜１２１の除去方法として、例えば、希フッ酸を用いたＤＨＦ処理がある。
【００３０】
以上説明した本実施形態によれば、シランカップリング剤の供給と、紫外線またはオゾンの照射とを繰り返すことによって、シリコン酸化膜１１１表面にシリコン酸化膜１２１を選択的に成膜することができる。よって、シリコン酸化膜１１１とシリコン窒化膜１１２という２種類の膜を有する基板１００に対して、シリコン酸化膜１１１を選択的に増膜することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態において、半導体メモリの容量を大きくするためにシリコン酸化膜１１１とシリコン窒化膜１１２の積層数を増やすと、ホール１２０が深くなる。この場合、例えば、シランカップリング剤を含んだガスを用いると、ガスがホール１２０の底部まで到達せず、積層体１１０の上部と底部との間でローディング効果が起こり得る。
【００３２】
しかし、本実施形態では、液体のシランカップリング剤が用いられている。そのため、シランカップリング剤がホール１２０の底部まで十分に到達するので、上記ローディング効果の発生を防ぐことが可能となる。
【００３３】
なお、本実施形態では、駆動機構３０が、上述した各ステップの処理で支持部１０を駆動している。しかし、駆動機構３０は、支持部１０の代わりに、上記ノズル２１〜ノズル２５を水平方向に往復移動させてもよい。この場合も、各ノズルと基板１００との相対位置が変わり、各処理を行うことができる。
【００３４】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。ここでは、上述した第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００３５】
図６に示すように、本実施形態に係る基板処理装置２は、基板処理装置１と同様に、支持部１０と、成膜部２０と、駆動機構３０と、を備える。ただし、本実施形態では、支持部１０は、駆動機構３０によって、回転移動するテーブル状に形成されている。支持部１０の回転に伴って、支持部１０上に載置されている基板１００も回転する。
【００３６】
図７は、本実施形態に係る基板１００の構造を示す図である。図７に示すように、基板１００上には、シリコン酸化膜のパターンが形成されている。このパターンでは、基板１００の外周部に位置する柱状のシリコン酸化膜１１１ａは、基板１００の中心部に位置する柱状のシリコン酸化膜１１１ｂよりも細くなっている。この場合、シリコン酸化膜１１１ａとシリコン酸化膜１１１ｂとの寸法差を是正するため、あるいは、シリコン酸化膜１１１ｂの倒壊に対処するために、シリコン酸化膜１１１ａを増膜することが望ましい。
【００３７】
そこで、本実施形態に係る基板処理装置２は、シリコン酸化膜１１１ａを増膜するための成膜部２０を備える。成膜部２０は、第１実施形態と同様に、ノズル２１〜ノズル２５を有する。
【００３８】
以下、本実施形態に係る基板処理方法について説明する。本実施形態の基板処理も、第１実施形態と同様に、図３に示すフローチャートに沿って行われる。
【００３９】
第１リンス処理（ステップＳ１）および第２リンス処理（ステップＳ３）では、駆動機構３０が支持部１０を回転させながらノズル２１がリンス液を放出する。これにより、基板１００の外周部がリンス液で洗浄される。
【００４０】
シリル化処理（ステップＳ２）では、駆動機構３０が支持部１０を回転させながらノズル２２がシランカップリング剤を放出する。これにより、シランカップリング剤が基板１００の外周部へ供給され、シリコン酸化膜１１１ａの表面にシリル化膜が形成される。このとき、シランカップリング剤は、基板１００の中心部へ供給されないので、上記シリル化膜はシリコン酸化膜１１１ｂの表面には形成されない。
【００４１】
乾燥処理（ステップＳ４）では、駆動機構３０が支持部１０を回転させながらノズル２４が乾燥ガスを照射する。これにより、上記シリル化膜の表面は乾燥する。
【００４２】
有機官能基除去処理を行う（ステップＳ５）では、駆動機構３０が支持部１０を回転させながらノズル２５が紫外線またはオゾンを基板１００へ照射する。その結果、上記シリル化膜から有機官能基を除去したシリコン酸化膜が形成される。なお、ステップＳ５において紫外線を照射する場合、紫外線照射手段は、ノズル２５に限定されない。例えば、基板１００の全面に紫外線を照射可能な固定型の紫外線ランプを用いてもよい。この場合、照射領域が拡大するので処理効率が向上する。
【００４３】
その後、上述したステップＳ１〜ステップＳ５の処理を所定回数繰り返す。その結果、図８に示すように、シリコン酸化膜１１１ａが、シリコン酸化膜１２１で選択的に増膜される。
【００４４】
以上説明した本実施形態によれば、基板１００の回転中にシランカップリング剤の供給と、紫外線またはオゾンの照射とを繰り返すことによって、基板１００の外周部に位置するシリコン酸化膜１１１ａにシリコン酸化膜１２１を選択的に成膜することができる。よって、基板１００の外周部という特定箇所に増膜することが可能となる。また、基板１００(ウェハ)の内周部と外周部で成膜量をコントロールすることが可能となる。
【００４５】
なお、基板１００の内周部と外周部の両方で増膜する場合には、成膜部２０を基板１００（ウェハ）の中心にも配置する。これにより、第１実施形態で説明した積層体２００成膜することも可能となる。
【００４６】
また、基板１００の内周部と外周部で膜の補填が不要な場合には、図１に示す第１実施形態の方法を用いて、図７に示す処理も可能である。
【００４７】
(第３実施形態)
図９は、第３実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成を示す図である。ここでは、上述した第１実施形態および第２実施形態と同様の構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００４８】
図９に示すように、本実施形態に係る基板処理装置３では、上述した第２実施形態と同様に、支持部１０は、駆動機構３０によって、回転移動するテーブル状に形成されている。また、基板処理装置３には、ノズル２５の替わりに、平板状の紫外線照射部２５ａがノズルの上方に設けられている。紫外線照射部２５ａは、有機官能基除去部の一例である。さらに、基板処理装置３には、酸化ガスを供給するノズル２６も設けられている。ノズル２６は、酸化ガス供給部の一例である。
【００４９】
本実施形態では、ノズル２４およびノズル２６は、基板１００に対して横方向からガスを噴出できるように、支持部１０と紫外線照射部２５ａとの間に設置されている。また、図９では、ノズル２４およびノズル２６は１つずつ設けられ、ガスは各ノズルから一方向に噴出される構成となっているが、ノズル２４およびノズル２６を複数設置、複数の方向からガスを噴出する構成であってもよい。
【００５０】
また、本実施形態では、ノズル２４、２６および紫外線照射部２５ａは、上下に移動できる。さらに、ノズル２１〜ノズル２３は、アーム２７に連結されている。アーム２７が旋回することによって、ノズル２１〜ノズル２３を基板１００から退避できる。これにより、ノズル２１〜ノズル２３によって妨げられることなく紫外線照射部２５ａを上下に移動させることができる。
【００５１】
以下、本実施形態に係る基板処理方法について説明する。本実施形態では、第１リンス処理（ステップＳ１）および第２リンス処理（ステップＳ３）については、第２実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００５２】
シリル化処理（ステップＳ２）では、駆動機構３０が支持部１０を第１回転数で回転させながらノズル２２がシランカップリング剤３００を放出する。本実施形態では、シランカップリング剤３００の放出中に、ノズル２４が、乾燥ガス３０１を基板１００全体に吹き付けるように放出する。
【００５３】
乾燥ガス３０１には、−６０℃付近の露点を有するドライエアーまたは窒素ガス等の不活性ガスを用いることができる。乾燥ガス３０１によって、低湿度雰囲気を確保できるので、安定したシランカップリング剤の供給が可能となる。
【００５４】
図１０は、本実施形態における乾燥処理および有機官能基除去処理を説明するための図である。本実施形態では、第２リンス処理（ステップＳ３）が終了すると、乾燥処理（ステップＳ４）および有機官能基除去処理（ステップＳ５）を同時に実行する。具体的には、駆動機構３０が支持部１０を第２回転数で回転させると同時に紫外線照射部２５ａが、基板１００の全面に向けて紫外線３０２を照射する。このとき、紫外線照射部２５ａの上下の移動によって、紫外線照射部２５ａと基板１００との距離を制御できる。これにより、紫外線３０２の照射量や照射領域を調整できる。
【００５５】
上記第２回転数は、シランカップリング剤３００の供給時の第１回転数よりも大きい。これにより、基板１００に残ったシランカップリング剤３００を乾燥させることができる。
【００５６】
さらに、本実施形態では、紫外線照射部２５ａによる紫外線の照射中に、ノズル２６が酸化ガス３０３を放出する。酸化ガス３０３によって、酸化雰囲気を確保できるので、有機官能基（Ｒ）の除去能力が向上する。このとき、ノズル２６の上下の移動によって、ウェハ表面付近の酸素濃度を制御できる。
【００５７】
以上説明した本実施形態によれば、上述した第１実施形態および第２実施形態と同様に、シリコン酸化膜を選択的に増膜することができる。さらに、本実施形態では、乾燥処理および有機官能基除去処理を同時に実行するので、処理時間を短縮することができる。さらに、上述した各ステップを一つのチャンバー内で処理しているので、スループットが向上する。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５９】
１０  支持部、２２  ノズル（シランカップリング剤供給部）、２３  ノズル（リンス液供給部）、２４  ノズル（乾燥ガス供給部）、２５ノズル（有機官能基除去部）、３０  駆動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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