(57)【要約】【課題】共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置において、量子井戸層の電位制御性を向上させる技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置が備える共鳴トンネル積層体は、窒化物半導体の第１障壁層と、窒化物半導体の第２障壁層と、前記第１障壁層と前記第２障壁層の間に設けられており、前記第１障壁層及び前記第２障壁層のバンドギャップよりも小さいバンギャップの窒化物半導体の量子井戸層と、を有する。前記量子井戸層は、アンドープの第１量子井戸層と、ｎ型の第２量子井戸層と、を含む。前記ゲート電極が前記第２量子井戸層に電気的に接続している。【選択図】図１
2019054015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置であって、
第１主電極と、
前記第１主電極上に設けられている基板と、
前記基板上に設けられている共鳴トンネル積層体と、
前記共鳴トンネル積層体上に設けられている第２主電極と、
ゲート電極と、を備えており、
前記共鳴トンネル積層体は、
前記第１主電極側に配置されている窒化物半導体の第１障壁層と、
前記第２主電極側に配置されている窒化物半導体の第２障壁層と、
前記第１障壁層と前記第２障壁層の間に設けられており、前記第１障壁層及び前記第２障壁層のバンドギャップよりも小さいバンギャップの窒化物半導体の量子井戸層と、を有しており、
前記量子井戸層は、
アンドープの第１量子井戸層と、
ｎ型の第２量子井戸層と、を含み、
前記ゲート電極が前記第２量子井戸層に電気的に接続している、窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記第２量子井戸層の厚みは、前記第１量子井戸層の厚みよりも薄い、請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記第１量子井戸層と前記第２量子井戸層の材料が、窒化ガリウムである、請求項１又は２に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記基板は、真空空間を構成する絶縁層を有しており、
前記真空空間は、前記第１主電極と前記第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、前記共鳴トンネル積層体が存在する範囲を含むように配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記基板は、
ｎ型の窒化物半導体のｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層に接するｐ型のｐ型窒化物半導体層と、を有しており、
前記ｐ型窒化物半導体層は、前記第１主電極と前記第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、前記共鳴トンネル積層体が存在する範囲の周囲の少なくとも一部に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項６】
前記基板は、
ｎ型の窒化物半導体のｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層にショットキー接続するショットキー電極と、を有しており、
前記ショットキー電極は、前記第１主電極と前記第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、前記共鳴トンネル積層体が存在する範囲の周囲の少なくとも一部に配置されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項７】
共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置であって、
第１主電極と第２主電極の間を流れる電子が通過する共鳴トンネル積層体と、
ゲート電極と、を備えており、
前記共鳴トンネル積層体は、
窒化物半導体の第１障壁層と、
窒化物半導体の第２障壁層と、
前記第１障壁層と前記第２障壁層の間に設けられており、前記第１障壁層及び前記第２障壁層のバンドギャップよりも小さいバンギャップの窒化物半導体の量子井戸層と、を有しており、
前記量子井戸層は、
アンドープの第１量子井戸層と、
ｎ型の第２量子井戸層と、を含み、
前記ゲート電極が前記第２量子井戸層に電気的に接続している、窒化物半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１−３に開示されるように、共鳴トンネル現象を利用する半導体装置が知られている。なかでも、特許文献１に開示されるように、絶縁破壊電界強度の高い窒化物半導体を用いて製造される窒化物半導体装置は、高耐圧化が実現可能なことから、その開発が期待されている。
【０００３】
共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置は、量子井戸層が障壁層で挟まれた形態の共鳴トンネル積層体を有しており、その量子井戸層にゲート電極が電気的に接続するように構成されている。このような窒化物半導体装置では、ゲート電極に印加する電圧によって量子井戸層の量子準位が変動するように構成されており、量子井戸層の量子準位が電子のエネルギー準位に一致したときに、共鳴トンネル現象によって電子が量子井戸層を通過することができる。このように、窒化物半導体装置は、ゲート電極に印加する電圧によってオンとオフを切換えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１５０１６５号公報
【特許文献２】特開平９−３２１６１０号公報
【特許文献３】特開平５−１３６１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような窒化物半導体装置が安定して動作するためには、量子井戸層の電位を良好に制御できる技術が必要である。本明細書は、量子井戸層の電位制御性を向上させる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置の一実施形態は、第１主電極と、第１主電極上に設けられている基板と、基板上に設けられている共鳴トンネル積層体と、共鳴トンネル積層体上に設けられている第２主電極と、ゲート電極と、を備えることができる。共鳴トンネル積層体は、第１主電極側に配置されている窒化物半導体の第１障壁層と、第２主電極側に配置されている窒化物半導体の第２障壁層と、第１障壁層と第２障壁層の間に設けられており、第１障壁層及び第２障壁層のバンドギャップよりも小さいバンギャップの窒化物半導体の量子井戸層と、を有することができる。量子井戸層は、アンドープの第１量子井戸層と、ｎ型の第２量子井戸層と、を含むことができる。ゲート電極が第２量子井戸層に電気的に接続している。この実施形態の窒化物半導体装置では、量子井戸層がｎ型の第２量子井戸層を有することから、量子井戸層が低抵抗に構成されている。さらに、第２量子井戸層にゲート電極が電気的に接続している。このため、ゲート電極に印加する電圧に追随して量子井戸層の全体の電位が均一に変動することができる。このように、この実施形態の窒化物半導体装置では、量子井戸層の電位制御性が向上している。
【０００７】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、第２量子井戸層の厚みが、第１量子井戸層の厚みよりも薄くてもよい。この場合、第２量子井戸層を通過する電子の電子散乱による抵抗増加を抑えながら、電位制御性を向上させることができる。
【０００８】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、第１量子井戸層と第２量子井戸層の材料が、窒化ガリウムであってもよい。この場合、第１量子井戸層及び第２量子井戸層を通過する電子の電子散乱による抵抗増加が抑えられる。
【０００９】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、基板が、真空空間を構成する絶縁層を有していてもよい。真空空間は、第１主電極と第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、共鳴トンネル積層体が存在する範囲を含むように配置されている。この窒化物半導体装置は、基板に真空空間が設けられていることにより、高耐圧な特性を有することができる。
【００１０】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、基板が、ｎ型の窒化物半導体のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層に接するｐ型のｐ型窒化物半導体層と、を有していてもよい。ｐ型窒化物半導体層は、第１主電極と第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、共鳴トンネル積層体が存在する範囲の周囲の少なくとも一部に配置されている。この窒化物半導体装置は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層のｐｎ接合から伸びる空乏層によって基板が空乏化可能に構成されていることから、高耐圧な特性を有することができる。
【００１１】
上記実施形態の窒化物半導体装置では、基板が、ｎ型の窒化物半導体のｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層にショットキー接続するショットキー電極と、を有していてもよい。ショットキー電極は、第１主電極と第２主電極を結ぶ方向から観測したときに、共鳴トンネル積層体が存在する範囲の周囲の少なくとも一部に配置されている。この窒化物半導体装置は、ｎ型窒化物半導体層とショットキー電極のショトキー接合から伸びる空乏層によって基板が空乏化可能に構成されていることから、高耐圧な特性を有することができる。
【００１２】
本明細書が開示する共鳴トンネル現象を利用する窒化物半導体装置の一実施形態は、第１主電極と第２主電極の間を流れる電子が通過する共鳴トンネル積層体と、ゲート電極と、を備えることができる。共鳴トンネル積層体は、窒化物半導体の第１障壁層と、窒化物半導体の第２障壁層と、第１障壁層と第２障壁層の間に設けられており、第１障壁層及び第２障壁層のバンドギャップよりも小さいバンギャップの窒化物半導体の量子井戸層と、を有することができる。量子井戸層は、アンドープの第１量子井戸層と、ｎ型の第２量子井戸層と、を含むことができる。ゲート電極が第２量子井戸層に電気的に接続している。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示しており、図２のI-I線に対応した断面図である。
【図２】第１実施形態の窒化物半導体装置の要部平面図を模式的に示す。
【図３】第２実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図４】第３実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図５】第４実施形態の窒化物半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
図１及び図２に示されるように、第１実施形態の窒化物半導体装置１は、共鳴トンネル現象を利用する３端子型の半導体装置であり、基板１０、基板１０上に設けられている窒化物積層体２０、基板１０の裏面に設けられているドレイン電極３２、窒化物積層体２０の表面に設けられているソース電極３４、及び、ゲート電極３６を備える。
【００１５】
基板１０は、ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）のドレイン層１２及びアンドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）の高抵抗層１４を有する。ドレイン層１２は、ｎ型不純物を高濃度に含んでおり、その裏面にドレイン電極３２がオーミック接触している。ドレイン電極３２の材料は、例えばＴｉ/Ａｌ/Ｎｉ/Ａｕである。高抵抗層１４は、ドレイン層１２と窒化物積層体２０の間に設けられており、ドレイン層１２と窒化物積層体２０の双方に接して設けられている。この例では、高抵抗層１４がアンドープ（ｉ型）の窒化ガリウムで形成されていることから、窒化物半導体装置１が高耐圧な特性を有することができる。この例に代えて、高抵抗層１４がｎ型の窒化ガリウムで形成されていてもよい。この場合、窒化物半導体装置１は、低いオン抵抗を有することができる。
【００１６】
窒化物積層体２０は、高抵抗層１４の表面の一部に接するように高抵抗層１４の表面上に設けられており、第１障壁層２２、量子井戸層２４、第２障壁層２６及びソース層２８を有する。これら第１障壁層２２、量子井戸層２４、第２障壁層２６及びソース層２８は、高抵抗層１４の表面からこの順で積層されている。換言すると、第１障壁層２２、量子井戸層２４、第２障壁層２６及びソース層２８は、ドレイン電極３２とソース電極３４を結ぶ方向（基板１０の表面に直交する方向であり、紙面上下方向でもある）に沿って、高抵抗層１４の表面からこの順で積層されている。窒化物積層体２０のうちの第１障壁層２２と量子井戸層２４と第２障壁層２６が積層している部分を共鳴トンネル積層体２０Ａという。
【００１７】
第１障壁層２２は、高抵抗層１４の表面の一部に接するように高抵抗層１４の表面上に設けられており、その材料がアンドープのＩｎX1ＡｌY1Ｇａ1-X1-Y1Ｎである。第１障壁層２２のバンドギャップが量子井戸層２４のバンドギャップよりも大きくなるように、「Ｘ１」及び「Ｙ１」が調整されている。第１障壁層２２の厚みは、例えば２〜５ｎｍである。
【００１８】
量子井戸層２４は、第１障壁層２２と第２障壁層２６の間に設けられており、第１障壁層２２と第２障壁層２６の双方に接して設けられている。量子井戸層２４は、第１量子井戸層２４ａ及び第２量子井戸層２４ｂを有する。第１量子井戸層２４ａは、第１障壁層２２の表面に接して設けられており、その材料がアンドープの窒化ガリウム（ＧａＮ）である。第２量子井戸層２４ｂは、第１量子井戸層２４ａの表面に接して設けられており、その材料がｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）である。第２量子井戸層２４ｂに含まれるｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）が用いられており、その不純物濃度が１０16〜１０17ｃｍ-3である。第２量子井戸層２４ｂの表面の一部にゲート電極３６が接するように設けられており、第２量子井戸層２４ｂとゲート電極３６がオーミック接触している。ゲート電極３６は、ソース電極３４の周囲を一巡するように配設されており、環状の形態を有する（図２参照）。
【００１９】
第２量子井戸層２４ｂの厚みは、第１量子井戸層２４ａの厚みよりも薄い。第１量子井戸層２４ａの厚みは、例えば２〜１０ｎｍである。第２量子井戸層２４ｂの厚みは、例えば１〜２ｎｍである。第２量子井戸層２４ｂの厚みが１ｎｍ以上であると、後述するように、量子井戸層２４の電位制御性を向上させることができる。また、第２量子井戸層２４ｂの厚みが２ｎｍ以下であると、第２量子井戸層２４ｂを通過する電子の電子散乱による抵抗増加が抑えられる。
【００２０】
第２障壁層２６は、第２量子井戸層２４ｂの表面の一部に接するように第２量子井戸層２４ｂの表面上に設けられており、その材料がアンドープのＩｎX2ＡｌY2Ｇａ1-X2-Y2Ｎである。第２障壁層２６のバンドギャップが量子井戸層２４のバンドギャップよりも大きくなるように、「Ｘ２」及び「Ｙ２」が調整されている。第２障壁層２６の厚みは、例えば２〜５ｎｍである。
【００２１】
ソース層２８は、第２障壁層２６の表面に接するように第２障壁層２６の表面上に設けられており、ｎ型の窒化ガリウム（ＧａＮ）である。ソース層２８は、ｎ型不純物を高濃度に含んでおり、その表面にソース電極３４がオーミック接触している。ソース電極３４の材料は、例えばＴｉ/Ａｌ/Ｎｉ/Ａｕである。ソース層２８の厚みは、例えば０．０５〜０．１ｎｍである。
【００２２】
窒化物半導体装置１は、ドレイン層１２をｎ型ＧａＮ基板として準備し、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）を利用して、ドレイン層１２の表面から高抵抗層１４、第１障壁層２２、量子井戸層２４、第２障壁層２６及びソース層２８を順に結晶成長し、窒化物積層体２０をエッチング加工した後に、各種電極を配設することにより製造することができる。
【００２３】
次に、窒化物半導体装置１の動作を説明する。ソース電極３４よりも高い電圧がドレイン電極３２に印加され、ゲート電極３６に所定電圧よりも低い電圧（例えば、接地電圧）が印加されている状態では、ソース電極３４から注入されたソース層２８の電子のエネルギー準位と量子井戸層２４の量子準位が一致しない。このため、ソース層２８の電子は、第２障壁層２６、量子井戸層２４及び第１障壁層２２を通過することができない。このため、窒化物半導体装置１はオフである。ゲート電極３６に所定電圧が印加されると、ソース層２８の電子のエネルギー準位と量子井戸層２４の量子準位が一致し、ソース層２８の電子は、第２障壁層２６、量子井戸層２４及び第１障壁層２２を通過し、さらに、高抵抗層１４及びドレイン層１２を介してドレイン電極３２に流れる。窒化物半導体装置１がオンとなる。このように、窒化物半導体装置１は、ノーマリオフで動作することができる。
【００２４】
窒化物半導体装置１は、量子井戸層２４がアンドープの第１量子井戸層２４ａとｎ型の第２量子井戸層２４ｂで構成されていることを特徴とする。第２量子井戸層２４ｂが設けられているので、量子井戸層２４の抵抗が小さくなる。このため、ゲート電極３６に印加する電圧に追随して量子井戸層２４の全体の電位が均一に変動することができる。このように、窒化物半導体装置１では、量子井戸層２４の電位制御性が向上している。また、第２量子井戸層２４ｂの厚みが薄く形成されているので、第２量子井戸層２４ｂを通過する電子の電子散乱による抵抗増加も抑えられている。さらに、第１量子井戸層２４ａが設けられているので、量子井戸層２４の全体の厚みが確保され、量子準位を低く抑えることができる。また、第１量子井戸層２４ａはアンドープであることから、第１量子井戸層２４ａを通過する電子の電子散乱による抵抗増加も抑えられている。このように、量子井戸層２４がアンドープの第１量子井戸層２４ａとｎ型の第２量子井戸層２４ｂで構成されていることにより、量子井戸層２４の量子準位を低く抑えながら、電子散乱による抵抗増加の抑制と電位制御性の向上を両立させることができる。
【００２５】
また、窒化物半導体装置１では、第１障壁層２２及び第２障壁層２６がアンドープ（ｉ型）の窒化物半導体で形成されていることから、これら第１障壁層２２及び第２障壁層２６を通過する電子の電子散乱による抵抗増加が抑えられている。なお、第１障壁層２２及び第２障壁層２６は、必要に応じて、ｎ型であってもよい。
【００２６】
（第２実施形態）
図３に、第２実施形態の窒化物半導体装置２を示す。図１の第１実施形態の窒化物半導体装置１と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
【００２７】
図３に示されるように、窒化物半導体装置２の基板１０は、ドレイン層１２と高抵抗層１４の間に設けられている絶縁層１３を有することを特徴とする。絶縁層１３は真空空間１３ａを構成しており、その真空空間１３ａ内が真空に維持されている。真空空間１３ａは、ドレイン電極３２とソース電極３４を結ぶ方向から観測したときに、共鳴トンネル積層体２０Ａが存在する範囲Ｒ１を含むように配置されている。即ち、真空空間１３ａは、ドレイン電極３２とソース電極３４の間を流れる電流の電流経路を含むように配置されている。この例ではさらに、真空空間１３ａは、ドレイン電極３２とソース電極３４を結ぶ方向から観測したときに、ゲート電極３６の外周端よりも内側の範囲Ｒ２を含むように配置されている。絶縁層１３の材料は、絶縁体であれば特に限定されるものではないが、例えば高抵抗な窒化物半導体の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）でもよいし、酸化シリコン（ＳｉＯ2）でもよい。絶縁層１３の材料が高抵抗な窒化物半導体の場合、窒化物半導体装置２は、エッチング技術を利用して絶縁層１３に真空空間１３ａを形成した後に、有機金属気相成長法を利用して高抵抗層１４を横成長させる工程を経て製造され得る。
【００２８】
この窒化物半導体装置２がオンのとき、共鳴トンネル積層体２０Ａを通過した電子は、真空空間１３ａを通過し、ドレイン層１２を介してドレイン電極３２に流れる。窒化物半導体装置２がオフのとき、ドレイン・ソース間電圧は主に真空空間１３ａに印加される。このように、窒化物半導体装置２は、真空トランジスタとして動作することができ、高耐圧な特性を有することができる。真空空間１３ａが範囲Ｒ１を含むように配置されていると、ドレイン・ソース間電圧が主に真空空間１３ａに印加され、窒化物半導体装置２は高耐圧な特性を有することができる。真空空間１３ａが範囲Ｒ２も含むように配置されていると、ドレイン・ゲート間電圧も主に真空空間１３ａに印加され、窒化物半導体装置２はさらに高耐圧な特性を有することができる。
【００２９】
（第３実施形態）
図４に、第３実施形態の窒化物半導体装置２を示す。図１の第１実施形態の窒化物半導体装置１と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
【００３０】
図４に示されるように、窒化物半導体装置３の基板１０は、ｎ型の窒化ガリウムのｎ型窒化物半導体層１６及びｐ型の窒化ガリウムのｐ型窒化物半導体層１８を有することを特徴とする。ｎ型窒化物半導体層１６は、ドレイン層１２と窒化物積層体２０の間に設けられており、ドレイン層１２と窒化物積層体２０の双方に接している。ｐ型窒化物半導体層１８は、少なくとも範囲Ｒ１の周囲を一巡するように、ｎ型窒化物半導体層１６の表層部に設けられている。この例では、ｐ型窒化物半導体層１８は、範囲Ｒ２の周囲を一巡するように、より具体的には、窒化物積層体２０が設けられている範囲の周囲を一巡するように、ｎ型窒化物半導体層１６の表層部に設けられている。さらに、窒化物半導体装置３は、ｐ型窒化物半導体層１８の表面上に設けられているｐ型用電極４２を備える。ｐ型用電極４２は、ｐ型窒化物半導体層１８にオーミック接触しており、ソース電極３４と共通電位である。ｐ型用電極４２の材料は、例えばＮｉ/Ａｕ又はＰｄである。
【００３１】
窒化物半導体装置３がオフのとき、ｎ型窒化物半導体層１６とｐ型窒化物半導体層１８のｐｎ接合から伸びる空乏層が、共鳴トンネル積層体２０Ａの下方のｎ型窒化物半導体層１６に広がることができる。これにより、共鳴トンネル積層体２０Ａに電界が集中することが抑えられ、窒化物半導体装置３は高耐圧な特性を有することができる。
【００３２】
（第４実施形態）
図５に、第４実施形態の窒化物半導体装置４を示す。図４の第３実施形態の窒化物半導体装置３と共通する構成要素には共通の符号を付し、その説明を省略する。
【００３３】
図５に示されるように、窒化物半導体装置４は、図４の窒化物半導体装置３のｐｎ接合に代えて、ショットキー電極４４を備えていることを特徴とする。ショットキー電極４４は、少なくとも範囲Ｒ１の周囲を一巡するように、ｎ型窒化物半導体層１６の表面上に設けられており、ｎ型窒化物半導体層１６にショットキー接続している。この例では、ショットキー電極４４は、範囲Ｒ２の周囲を一巡するように、より具体的には、窒化物積層体２０が設けられている範囲の周囲を一巡するように、ｎ型窒化物半導体層１６の表面上に設けられている。ショットキー電極４４は、ソース電極３４と共通電位である。ショットキー電極４４の材料は、例えばニッケル、パラジウム又はプラチナである。
【００３４】
窒化物半導体装置４がオフのとき、ｎ型窒化物半導体層１６とショットキー電極４４のショットキー接合から伸びる空乏層が、共鳴トンネル積層体２０Ａの下方のｎ型窒化物半導体層１６に広がることができる。これにより、共鳴トンネル積層体２０Ａに電界が集中することが抑えられ、窒化物半導体装置４は高耐圧な特性を有することができる。
【００３５】
上記の各実施形態では、アンドープの第１量子井戸層２４ａが下側に配置され、ｎ型の第２量子井戸層２４ｂが上側に配置されているが、この例に代えて、第１量子井戸層２４ａが上側に配置され、第２量子井戸層２４ｂが下側に配置されてもよい。この場合、第１量子井戸層２４ａの一部に溝が形成され、その溝を介して第２量子井戸層２４ｂとゲート電極３６が接触するように構成される。
【００３６】
上記の各実施形態では、第１量子井戸層２４ａと第２量子井戸層２４ｂの双方の材料が窒化ガリウムであるが、第１障壁層２２及び第２障壁層２６のバンドギャップよりも小さいバンドギャップの材料である限り、第１量子井戸層２４ａと第２量子井戸層２４ｂの材料が異なっていてもよい。ただし、第１量子井戸層２４ａと第２量子井戸層２４ｂの双方の材料が窒化ガリウムであると、第１量子井戸層２４ａと第２量子井戸層２４ｂを通過する電子の電子散乱による抵抗増加が抑えられる。
【００３７】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３８】
１，２，３，４：窒化物半導体装置
１０：基板
１２：ドレイン層
１３：絶縁層
１３ａ：真空空間
１４：高抵抗層
１６：ｎ型窒化物半導体層
１８：ｐ型窒化物半導体層
２０：共鳴トンネル積層体
２２：第１障壁層
２４：量子井戸層
２４ａ：第１量子井戸層
２４ｂ：第２量子井戸層
２６：第２障壁層
２８：ソース層
３２：ドレイン電極
３４：ソース電極
３６：ゲート電極
４２：ｐ型用電極
４４：ショットキー電極
【図１】
2019054015.tif 000003
【図２】
2019054015.tif 000004
【図３】
2019054015.tif 000005
【図４】
2019054015.tif 000006
【図５】
2019054015.tif 000007