(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性を向上可能なテンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法を提供する。【解決手段】テンプレート１１０は、基体１０及び第１膜２１を含む。基体は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。第１面は、酸化シリコンを含み第１平面ＰＬ１に沿って広がる。第２面は、第１平面と交差する。第１膜は、酸化アルミニウムを含む。第２面から第１膜に向かう方向は、第２面に対して垂直な方向に沿う。第２面に対して垂直な前記方向に沿う第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下である。第１面は、凹凸を含む。【選択図】図１
2019054083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がる第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体と、
酸化アルミニウムを含む第１膜と、
を備え、
前記第２面から前記第１膜に向かう方向は、前記第２面に対して垂直な方向に沿い、
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下であり、
前記第１面は、凹凸を含む、テンプレート。
【請求項２】
シリコンを含む中間膜をさらに備え、
前記中間膜は、前記第２面と前記第１膜との間に位置し、
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記中間膜の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１記載の記載のテンプレート。
【請求項３】
フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含む第２膜をさらに備え、
前記第２膜と前記第２面との間に前記第１膜が位置した、請求項１または２に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載のテンプレート。
【請求項５】
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がる第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体を準備し、
酸化アルミニウムを含む第１膜、及び、第２膜を形成し、前記第２膜は、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含み、前記第２面と前記第２膜との間に前記第１膜が位置した、テンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記第１膜を形成した後に、加熱処理し、前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、請求項５記載のテンプレートの製造方法。
【請求項７】
前記加熱処理の後に、前記第１膜の表面に前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸を含む材料を接触させ、前記接触の後に加熱処理して、前記表面の少なくとも一部と、前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸の少なくとも一部と、を結合させる、請求項６記載のテンプレートの製造方法。
【請求項８】
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がり凹凸を有する第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体と、酸化アルミニウムを含む第１膜と、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含む第２膜と、を含み、前記第２膜と前記第２面との間に前記第１膜が位置した、テンプレートを準備し、
前記凹凸に樹脂液を接触させて、前記基体を介して前記樹脂液に第１電磁波を照射して前記樹脂液を固体化させる、パターン形成方法。
【請求項９】
前記テンプレートは、シリコンを含む中間膜をさらに含み、
前記中間膜は、前記第２面と前記第１膜との間に設けられた、請求項８記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
前記第２面に対して垂直な方向に沿う前記中間膜の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項９記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
前記第１電磁波のピーク波長は、３５０ｎｍ以上である、請求項９または１０に記載のパターン形成方法。
【請求項１２】
３００ｎｍ以下の波長の電磁波に対する前記中間膜の透過率は、１％以下である、請求項９〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下である、請求項１０記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、請求項８〜１３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記樹脂液の前記固体化の後に、前記第２膜の少なくとも一部を除去し、
前記第１膜の表面に前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸を含む材料を接触させ、新たな第２膜を形成する、請求項８〜１４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
前記新たな第２膜が形成された前記テンプレートを用いて、前記凹凸に別の樹脂液を接触させて、前記基体を介して前記別の樹脂液に前記第１電磁波を照射して前記別の樹脂液を固体化させる、請求項１５記載のパターン形成方法。
【請求項１７】
前記第２膜の前記少なくとも一部の前記除去は、硫酸及び過酸化水素を含む液に前記第２膜を接触させることを含む、請求項１５または１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１８】
前記第２膜の前記少なくとも一部の前記除去は、３００ｎｍ以下の波長を含む第２電磁波を前記第２膜に照射することを含む、請求項１５または１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１９】
前記凹凸に前記樹脂液を接触させたときに、前記第２膜は、前記樹脂液を弾く、請求項８〜１８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、テンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、テンプレートの凹凸を有する表面に樹脂液を押しつけて樹脂液に凹凸を転写するパターン形成方法がある。テンプレート及びパターン形成方法において、生産性の向上が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１４０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、生産性を向上可能なテンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、テンプレートは、基体及び第１膜を含む。前記基体は、第１面及び第２面を含む。前記第１面は、酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がる。前記第２面は、前記第１平面と交差する。前記第１膜は、酸化アルミニウムを含む。前記第２面から前記第１膜に向かう方向は、前記第２面に対して垂直な方向に沿う。前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下である。前記第１面は、凹凸を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るテンプレートを例示する模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第２実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｆ）は、第３実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）  
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係るテンプレートを例示する模式的断面図である。  
図１（ｂ）は、図１（ａ）の一部ＡＡの拡大図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係るテンプレート１１０は、基体１０及び積層膜２０を含む。テンプレート１１０は、例えば、ナノインプリントリソグイラフィ（ＮＩＬ）などに用いられる。
【００１０】
基体１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。第１面１０ａは、酸化シリコンを含む。第１面１０ａは、例えば、石英の表面である。第１面１０ａは、例えば、溶融シリカの表面である。例えば、基体１０の材料が、石英または溶融シリカでも良い。
【００１１】
第１面１０ａは、第１平面ＰＬ１に沿って広がる。第１面１０ａは、凹凸１０ｐｄを含む。後述するように、凹凸１０ｐｄが、樹脂液などに転写される。第１面１０ａは、転写面である。第１面１０ａの凹凸１０ｐｄは、例えば、形成する回路パターンに応じている。
【００１２】
第１平面ＰＬ１をＸ−Ｙ平面とする。Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。
【００１３】
第２面１０ｂは、第１平面ＰＬ１（Ｘ−Ｙ平面）と交差する。第２面１０ｂは、第１面１０ａに対して傾斜しても良い。第２面１０ｂは、例えば、「メサ面」である。第２面１０ｂは、転写面（第１面１０ａ）の外縁に沿って設けられる。
【００１４】
積層膜２０は、第２面１０ｂに設けられる。
【００１５】
図１（ｂ）に示すように、積層膜２０は、中間膜２３及び第１膜２１を含む。この例では、第２膜２２がさらに設けられる。
【００１６】
中間膜２３は、シリコンを含む。中間膜２３の少なくとも一部は、例えば、結晶シリコンを含んでも良い。中間膜２３の少なくとも一部は、例えば、多結晶シリコンを含んでも良い。中間膜２３の少なくとも一部は、例えば、微結晶シリコンを含んでも良い。中間膜２３の一部は、例えば、非晶質シリコンを含んでも良い。
【００１７】
第１膜２１は、酸化アルミニウムを含む。第１膜２１は、ＡｌＯｘ（ｘは任意）を含む。第１膜２１は、例えば、Ａｌ２Ｏ３を含んでも良い。
【００１８】
中間膜２３は、第２面１０ｂと第１膜２１との間に設けられる。
【００１９】
第２膜２２と第２面１０ｂとの間に第１膜２１が位置する。例えば、第２膜２２と中間膜２３との間に第１膜２１が位置する。例えば、第２面１０ｂの上に中間膜２３（例えばシリコン膜）が設けられる。中間膜２３の上に第１膜２１（酸化アルミニウム膜）が設けられる。第１膜２１の上に第２膜２２が設けられる。
【００２０】
第２膜２２は、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含む。
【００２１】
例えば、第２膜２２において、ホスホン酸に基づく基が、第１膜２１に付着する。例えば、ホスホン酸に基づく基が、第１膜２１に含まれるアルミニウムと結合しやすい。これにより、第２膜２２は、比較的強固に第１膜２１に付着できる。
【００２２】
一方、第２膜２２の表面には、フルオロアルキルがある。第２膜２２の表面は、撥液性（撥水性）である。一方、既に説明したように、基体１０の第１面１０ａは、酸化シリコンを含む。第２膜２２の表面の表面エネルギーは、第１面１０ａの表面エネルギーよりも小さい。第２膜２２の水に対する接触角は、第１面１０ａの水に対する接触角よりも大きい。
【００２３】
このように、転写面（第１面１０ａ）に比べて、転写面の外縁（第２面１０ｂ）において、撥液性を高くする。これにより、後述するように、第２面１０ｂに転写液（樹脂液）が付着し難くなる。これにより、生産性を向上可能なテンプレートが提供できる。
【００２４】
実施形態において、中間膜２３の厚さｔ３（第２面１０ｂに対して垂直な方向に沿う厚さ）は、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００２５】
第１膜２１の厚さｔ１（第２面１０ｂに対して垂直な方向に沿う厚さ）は、例えば、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下である。
【００２６】
第２膜２２は、例えば、１分子層である。第２膜２２の厚さｔ２（第２面１０ｂに対して垂直な方向に沿う厚さ）は、例えば、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。
【００２７】
以下、テンプレート１１０を用いたパターン形成方法の例について、第２実施形態として説明する。
【００２８】
（第２実施形態）  
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第２実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。  
図２（ａ）に示すように、被加工基板１０Ｂが用意される。被加工基板１０Ｂの上に、樹脂液３０が塗布される。塗布は、例えば、スピンコート法またはインジェット法などにより行われる。塗布の方法は、任意である。被加工基板１０Ｂと、テンプレート１１０の第１面１０ａと、を対向させる。樹脂液３０は、被加工基板１０Ｂと第１面１０ａとの間に位置する。
【００２９】
図２（ｂ）に示すように、第１面１０ａの凹凸１０ｐｄに樹脂液３０を接触させて、基体１０を介して樹脂液３０に、例えば第１電磁波４５（例えば、光）を照射する。照射により、樹脂液３０を固体化させる。固体化は、熱により行われても良い。樹脂液３０は、固体化により、樹脂層となる。樹脂層の表面に凹凸１０ｐｄの形状が転写される。樹脂層とテンプレート１１０とを離す。
【００３０】
このように、実施形態に係るパターン形成方法においては、テンプレート１１０が準備される。テンプレート１１０は、基体１０と、第１膜２１と、第２膜２２と、を含む。図１（ａ）に関して説明したように、基体１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。第１面１０ａは、酸化シリコンを含み第１平面ＰＬ１に沿って広がり凹凸１０ｐｄを有する。第２面１０ｂは、第１平面ＰＬ１と交差する。第１膜２１は、酸化アルミニウムを含む。第２膜２２は、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン化合物の少なくともいずれかを含む。第２膜２２と第２面１０ｂとの間に第１膜２１が位置する（図１（ｂ）参照）。
【００３１】
実施形態に係るパターン形成方法においては、凹凸１０ｐｄに樹脂液３０を接触させて、基体１０を介して樹脂液３０に第１電磁波４５を照射して樹脂液３０を固体化させる。
【００３２】
凹凸１０ｐｄに樹脂液３０を接触させるときに、第１面１０ａは、樹脂液３０に対して濡れやすい。一方、第１面１０ｂの外縁に位置する第２面１０ｂにおいては、第２膜２２が設けられている。第２面１０ｂは、樹脂液３０に対して濡れにくい。これにより、第２面１０ｂの部分に、樹脂液３０が付着することが抑制される。
【００３３】
第２膜２２を設けない参考例においては、第２面１０ｂの部分に樹脂液３０が付着し易い。付着した樹脂液３０は、第１電磁波４５の照射により固体化する。固体化した樹脂液３０（樹脂層）の一部が、飛散し、欠陥が生じる場合がある。欠陥により、歩留まりが低下する場合がある。
【００３４】
実施形態においては、第２膜２２を設けることで、第１面１０ａ以外の部分に、樹脂液３０が着することが抑制できる。欠陥が抑制される。これにより、高い生産性が得られる。
【００３５】
第２膜２２は、フッ素原子及びホスホン酸の両方を含む分子により形成される。この分子は、例えば、フルオロアルキルまたはフルオロフェニルなどを含むホスホン酸を含むことが良い。ホスホン酸は、酸化アルミニウムに付着できる。一方、ホスホン酸は、酸化シリコンには付着し難いことが分かった。これにより、ホスホン酸を、酸化アルミニウムに選択的に付着させることが分かった。ホスホン酸を含む材料を用いることで、所望の場所に、その材料の膜を形成できる。
【００３６】
フルオロアルキルを含むホスホン酸においては、一方の端にホスホン酸が設けられ、他方の端に、フルオロアルキルが設けられる。このため、下地に対して、制御された状態で、実質的に単分子の膜が形成できる。
【００３７】
フルオロアルキルを含むホスホン酸を用いることで、第２膜２２の表面エネルギーを効果的に低くすることができる。これにより、樹脂液３０を効果的に弾くことができる。
【００３８】
実施形態においては、例えば、第２膜２２の下地として酸化アルミニウムを含む第１膜２１が設けられる。第２膜２２と第１膜２１とは、ホスホン酸に基づくリン酸と、アルミニウムの酸素と、の結合により安定に結合できる。第２膜２２が安定に維持できる。
【００３９】
このとき、パターン形成において、上記のように第１電磁波４５が照射される。第１電磁波４５の波長によっては、この結合の少なくとも一部を破壊する可能性がある。
【００４０】
実施形態において、シリコンを含む中間膜２３を設けることが好ましい。シリコンは、１５０ｎｍ〜３５０ｎｍの範囲の波長の光を効果的に吸収できる。この中間膜２３は、第１電磁波４５の減衰膜（例えば遮蔽膜）として機能する。特に波長３００ｎｍ以下の紫外光を効率よく減衰（例えば遮蔽）することができる。既に説明したように、基体１０を介して、第１電磁波４５が照射されるため、この第１電磁波４５は、中間膜２３を通過した後に、第２膜２１及び第２膜２２に到達する。樹脂液３０の固体化に用いられる第１電磁波は、例えば、３５０ｎｍ以上の波長の光である。例えば、その光として、水銀灯のｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、及び、ｇ線（４３６ｎｍ）などが用いられる。一方、３００ｎｍ以下の波長の電磁波は、有機分子を結合を破壊してしまう。このため、３００ｎｍ以下の波長の電磁波を減衰することが好ましい。中間膜２３において第１電磁波４５のうちの３００ｎｍ以下の波長の成分が効果的に減衰される。このため、第２膜２１及び第２膜２２には、第１電磁波４５のうちの３００ｎｍ以下の波長の成分が実質的に到達しない。このように、中間膜２３により、結合の破壊が抑制できる。これにより、第２膜２２がより安定になる。
【００４１】
例えば、中間膜２３の厚さｔ３は、１０ｎｍ以上である。これにより、第１電磁波４５のうちの３００ｎｍ以下の波長の成分を減衰させることができる。厚さｔ３が厚いと、第１電磁波４５をより効果的に減衰させることができる。厚さｔ３が過度に厚いと、例えば、樹脂液３０の硬化のための第１電磁波が透過し難くなる。厚さｔ３は、１００ｎｍ以下が好ましい。
【００４２】
第１電磁波４５のピーク波長は、例えば、１８５ｎｍ、２５４ｎｍ、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、または、４３６ｎｍなどである。このようなピーク波長により、樹脂液３０を効率的に固体化させることができる。このような波長の第１電磁波４５のうちの３００ｎｍ以下の波長の成分は、中間膜２３により効果的に減衰することができる。
【００４３】
例えば、中間膜２３の第１電磁波４５に対する透過率は、２４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の波長の範囲で０．０２％以下である。例えば、３００ｎｍ以下の波長の電磁波に対する中間膜２３の透過率は、１％以下である。
【００４４】
（第３実施形態）  
以下、テンプレートの製造方法の例について、第３実施形態として説明する。  
図３（ａ）〜図３（ｆ）は、第３実施形態に係るテンプレートの製造方法を例示する模式的断面図である。  
図３（ａ）に示すように、基体１０を準備する。基体１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、例えば、第１面１０ａの上に、マスク４１を形成する。マスク４１は、例えば、第２面１０ｂの上には、形成されていない。例えば、第２面１０ｂを形成する際に用いられたマスクまたはクロム膜がマスク４１として利用される。
【００４６】
図３（ｃ）に示すように、第２面１０ｂの上に、中間膜２３となる膜を形成し、さらに、第１膜２１となる膜を形成する。中間膜２３となる膜は、例えば、アモルファスシリコン膜である。中間膜２３となる膜の形成には、例えば、スパッタ法、または、真空蒸着法などが用いられる。第１膜２１となる膜は、例えばアモルファス酸化アルミニウム膜である。第１膜２１となる膜の形成には、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、または、原子層積層（ＡＬＤ）法などが用いられる。中間膜２３となる膜の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍである。第１膜２１となる膜の厚さは、例えば、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００４７】
図３（ｄ）に示すように、マスク４１を除去し、加熱処理する。加熱処理における温度は、例えば、８００℃以上である。これにより、中間膜２３及び第１膜２１が得られる。中間膜２３の少なくとも一部は、結晶化したシリコンを含んでも良い。第１膜２１の少なくとも一部は、結晶化した酸化アルミニウムを含んでも良い。
【００４８】
図３（ｅ）に示すように、フルオロアルキルを含むホスホン酸を含む液２２Ｌを、第１膜２１と接触させる。例えば、中間膜２３及び第１膜２１が設けられた基体１０を、液２２Ｌに浸す。ホスホン酸は、酸化アルミニウム（第１膜２１）に選択的に付着する。ホスホン酸は、酸化シリコン（第１面１０ａ）には付着しない。
【００４９】
図３（ｆ）に示すように、加熱処理する。この加熱処理の温度は、例えば１２０℃以上１６０℃以下（例えば約１４０℃）である。これにより、第１膜２１に含まれるアルミニウムと、ホスホン酸と、の結合が安定化する。例えば、リン酸結合を含む結合が生成される。
【００５０】
このようにして、テンプレート１１０が製造できる。
【００５１】
テンプレート１１０を使用したパターン形成方法において、第２膜２２の特性が劣化する場合などがある。例えば、汚れまたは異物の付着、または、第２膜２２の一部の剥離などが生じる場合がある。このようなときに、第２膜２２を除去して、新たに第２膜２２を形成しても良い。例えば、パターン形成方法において、図２（ｂ）に関して説明した工程の後に、以下の工程を実施しても良い。
【００５２】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は、実施形態に係るパターン形成方法を例示する模式的断面図である。  
図４（ａ）に示すように、例えば、パターン形成方法において、図２（ｂ）に関して説明した工程の後に、硫酸及び過酸化水素を含む溶液４２（例えばピラニア溶液）に、第２膜２２を接触される。例えば、第２膜２２が設けられた基体１０を溶液４２に浸す。これにより、第２膜２２が除去される。図４（ａ）では、第２膜２２の除去の途中状態が描かれており、第２膜２２の一部２２ａがある。この後、第２膜２２が除去される。
【００５３】
このように、第２膜２２の少なくとも一部の除去は、例えば、硫酸及び過酸化水素を含む液に第２膜２２を接触させることを含む。第２膜２２の少なくとも一部の除去は、３００ｎｍ以下の波長を含む第２電磁波を第２膜２２に照射することを含んでも良い。この第２電磁波は、第２膜２２の側から第１膜２１に向かって照射される。第２電磁波により、第２膜２２の少なくとも一部が分解し、第２膜２２の少なくとも一部が除去される。
【００５４】
この工程において、中間膜２３及び第１膜２１は残る。図３（ｄ）に関して説明した熱処理により、中間膜２３の少なくとも一部は、結晶化する。第１膜２１の少なくとも一部は、結晶化する。これにより、中間膜２３及び第１膜２１は残る。上記において、有機物の除去は、硫酸及び過酸化水素を用いて行われる。実施形態において、有機物の除去は、オゾン処理、紫外光照射、及び、酸素プラズマ処理の少なくともいずれかを含む方法により行われても良い。
【００５５】
この後、例えば、リンスの後、紫外線照射により洗浄を行っても良い。
【００５６】
図４（ｂ）に示すように、フルオロアルキルを含むホスホン酸を含む液２２Ｌを、第１膜２１と接触させる。これにより、第１膜２１の上に、第２膜２２となる膜が選択的に形成される。
【００５７】
図４（ｃ）に示すように、熱処理（例えば約１４０℃）を行う。これにより、新たな第２膜２２が形成される。第１膜２１に含まれるアルミニウムと、ホスホン酸と、の結合が安定化する。例えば、リン酸結合を含む結合が生成される。
【００５８】
このように、実施形態に係るパターン形成方法は、樹脂液３０の固体化の後に、第２膜２２の少なくとも一部を除去しても良い。そして、第１膜２１の表面にフルオロアルキルを含むホスホン酸を含む材料を接触させ、新たな第２膜２２を形成しても良い。第２膜２２は、再生可能である。
【００５９】
この新たな第２膜２２が形成されたテンプレートを用いて、凹凸１０ｐｄに別の樹脂液３０を接触させて、基体１０を介して別の樹脂液３０に第１電磁波４５を照射して別の樹脂液３０を固体化させても良い。
【００６０】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がる第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体と、
酸化アルミニウムを含む第１膜と、
を備え、
前記第２面から前記第１膜に向かう方向は、前記第２面に対して垂直な方向に沿い、
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下であり、
前記第１面は、凹凸を含む、テンプレート。
（構成２）  
シリコンを含む中間膜をさらに備え、
前記中間膜は、前記第２面と前記第１膜との間に位置し、
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記中間膜の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、構成１記載の記載のテンプレート。
（構成３）  
フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含む第２膜をさらに備え、
前記第２膜と前記第２面との間に前記第１膜が位置した、構成１または２に記載のテンプレート。
（構成４）  
前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、構成１〜３のいずれか１つに記載のテンプレート。
（構成５）  
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がる第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体を準備し、
酸化アルミニウムを含む第１膜、及び、第２膜を形成し、前記第２膜は、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含み、前記第２面と前記第２膜との間に前記第１膜が位置した、テンプレートの製造方法。
（構成６）  
前記第１膜を形成した後に、加熱処理し、前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、構成５記載のテンプレートの製造方法。
（構成７）  
前記加熱処理の後に、前記第１膜の表面に前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸を含む材料を接触させ、前記接触の後に加熱処理して、前記表面の少なくとも一部と、前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸の少なくとも一部と、を結合させる、構成６記載のテンプレートの製造方法。
（構成８）  
酸化シリコンを含み第１平面に沿って広がり凹凸を有する第１面と、前記第１平面と交差する第２面と、を含む基体と、酸化アルミニウムを含む第１膜と、フルオロアルキルを含むホスホン酸、及び、フルオロアルキルを含むホスホン酸化合物の少なくともいずれかを含む第２膜と、を含み、前記第２膜と前記第２面との間に前記第１膜が位置した、テンプレートを準備し、
前記凹凸に樹脂液を接触させて、前記基体を介して前記樹脂液に第１電磁波を照射して前記樹脂液を固体化させる、パターン形成方法。
（構成９）  
前記テンプレートは、シリコンを含む中間膜をさらに含み、
前記中間膜は、前記第２面と前記第１膜との間に設けられた、構成８記載のパターン形成方法。
（構成１０）  
前記第２面に対して垂直な方向に沿う前記中間膜の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、構成９記載のパターン形成方法。
（構成１１）  
前記第１電磁波のピーク波長は、３５０ｎｍ以上である、構成９または１０に記載のパターン形成方法。
（構成１２）  
３００ｎｍ以下の波長の電磁波に対する前記中間膜の透過率は、１％以下である、構成９〜１１のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１３）  
前記第２面に対して垂直な前記方向に沿う前記第１膜の厚さは、０．３ｎｍ以上１０μｍ以下である、構成１０記載のパターン形成方法。
（構成１４）  
前記第１膜の少なくとも一部は、結晶を含む、構成８〜１３のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１５）  
前記樹脂液の前記固体化の後に、前記第２膜の少なくとも一部を除去し、
前記第１膜の表面に前記フルオロアルキルを含む前記ホスホン酸を含む材料を接触させ、新たな第２膜を形成する、構成８〜１４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
（構成１６）  
前記新たな第２膜が形成された前記テンプレートを用いて、前記凹凸に別の樹脂液を接触させて、前記基体を介して前記別の樹脂液に前記第１電磁波を照射して前記別の樹脂液を固体化させる、構成１５記載のパターン形成方法。
（構成１７）  
前記第２膜の前記少なくとも一部の前記除去は、硫酸及び過酸化水素を含む液に前記第２膜を接触させることを含む、構成１５または１６に記載のパターン形成方法。
（構成１８）  
前記第２膜の前記少なくとも一部の前記除去は、３００ｎｍ以下の波長を含む第２電磁波を前記第２膜に照射することを含む、構成１５または１６に記載のパターン形成方法。
（構成１９）  
前記凹凸に前記樹脂液を接触させたときに、前記第２膜は、前記樹脂液を弾く、構成８〜１８のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【００６１】
実施形態によれば、生産性を向上可能なテンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法が提供できる。
【００６２】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、テンプレートに含まれる基体、中間膜、第１膜及び第２膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００６３】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００６４】
その他、本発明の実施の形態として上述したテンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのテンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００６５】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【００６６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
１０…基体、  １０Ｂ…被加工基板、  １０ａ…第１面、  １０ｂ…第２面、  １０ｐｄ…凹凸、  ２０…積層膜、  ２１…第１膜、  ２２…第２膜、  ２２Ｌ…液、  ２２ａ…一部、  ２３…中間膜、  ３０…樹脂液、  ４１…マスク、  ４２…溶液、  ４５…第１電磁波、  １１０…テンプレート、  ＡＡ…一部、  ＰＬ１…第１平面、  ｔ１、ｔ２、ｔ３…厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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