(57)【要約】      （修正有）【課題】半田内にボイドが発生することを抑制する。【解決手段】発光面を備える上面と、外部接続端子が露出された下面とを備える発光装置であって、外部接続端子は発光装置の下面の端部から離間して配置される発光装置を準備する工程と、配線基板の配線上に、溶剤または活性剤を含むフラックスと、半田粒子と、を含む接合部材を配置する工程と、接合部材上に、発光装置を載置する工程と、配線基板と、接合部材と、発光装置とを、前記溶剤または活性剤の沸点より高く、かつ、半田粒子の融点より低い第１温度領域で加熱する第１加熱工程と、第１加熱工程の後、半田粒子の融点より高い第２温度領域で加熱する第２加熱工程と、を備え、第１加熱工程の加熱時間は、第２加熱工程の加熱時間よりも長い、発光モジュールの製造方法。【選択図】図６Ａ
2019208021.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面を備える上面と、外部接続端子が露出された下面とを備える発光装置であって、前記外部接続端子は前記発光装置の下面の端部から離間して配置される発光装置を準備する工程と、
配線基板の配線上に、溶剤または活性剤を含むフラックスと、半田粒子と、を含む接合部材を配置する工程と、
前記接合部材上に、前記発光装置を載置する工程と、
前記配線基板と、前記接合部材と、前記発光装置とを、前記溶剤または活性剤の沸点から該沸点よりも１０度前後低い温度の範囲の所定温度より高く、かつ、前記半田粒子の融点より低い第１温度領域で加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後、前記半田粒子の融点より高い第２温度領域で加熱する第２加熱工程と、を備え、
前記第１加熱工程の加熱時間は、前記第２加熱工程の加熱時間よりも長い、発光モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記半田粒子の融点は約２２０℃であり、前記溶剤または活性剤の沸点は約２００℃であり、前記第１温度領域は、１９０℃より高く２２０℃より低い領域であり、前記第２温度領域は、２２０℃より高く２４０℃より低い温度領域である、請求項１記載の発光モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記発光装置の外部接続端子は、前記発光装置の下面の幅の３０〜８０％である、請求項１又は請求項２に記載の発光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記配線基板は、前記配線上に開口を備える絶縁膜を備える、請求項１〜請求項３の発光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記絶縁膜は、前記接合部材の高さよりも低い、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子（以下、「発光素子」とも称する）を用いたＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの発光装置を、配線基板上に実装した発光モジュールが知られている。
【０００３】
このような発光モジュールは、配線基板上に載置された半田等の上に発光装置を載置し、その後、リフロー炉などによって加熱することで半田を溶融することで、配線基板と発光装置とを接合させて形成される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３１８５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半田はフラックスを含んでおり、フラックスは溶剤等の揮発成分を含む。接合時の熱により、接合対象となる金属の酸化膜とフラックスとが還元反応を起こす。この還元反応時に、発生する水分や、フラックス中の溶剤等の揮発成分が半田内に残留する場合がある。この残留した水分や揮発成分がボイドであり、このようなボイドが形成されることで接合性が低下するなどの問題が生じる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態は、以下の構成を含む。
発光面を備える上面と、外部接続端子が露出された下面とを備える発光装置であって、外部接続端子は前記発光装置の下面の端部から離間して配置される発光装置を準備する工程と、配線基板の配線上に、溶剤または活性剤を含むフラックスと、半田粒子と、を含む接合部材を配置する工程と、接合部材上に、発光装置を載置する工程と、配線基板と、接合部材と、発光装置とを、溶剤または活性剤の沸点から該沸点よりも１０度前後低い温度の範囲の所定温度より高く、かつ、半田粒子の融点より低い第１温度領域で加熱する第１加熱工程と、第１加熱工程の後、半田粒子の融点より高い第２温度領域で加熱する第２加熱工程と、を備え、第１加熱工程の加熱時間は、第２加熱工程の加熱時間よりも長い、発光モジュールの製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
以上により、配線基板と発光装置とを溶剤を含むフラックスと半田粒子とを用いた溶融性の接合部材を用いて接合する際に、接合部材内にボイドが形成されることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】実施形態に係る発光モジュールの製造方法によって得られる発光モジュールの一例を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】１Ａに示す発光モジュールの概略側面図である。
【図１Ｃ】１Ａに示す発光モジュールのＩＣ−ＩＣ線における概略側面図である。
【図２Ａ】実施形態に係る発光モジュールの製造方法で用いられる発光装置の一例を示す概略斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す発光装置を下面側から見た概略斜視図である。
【図２Ｃ】図２ＡのＩＩＣ−ＩＩＣ線における概略断面図である。
【図３Ａ】実施形態に係る発光モジュールの製造方法で用いられる発光装置の別の一例を示す概略斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す発光装置を下面側から見た概略斜視図である。
【図３Ｃ】図３ＡのＩＩＩＣ−ＩＩＩＣ線における概略断面図である。
【図４】実施形態に係る発光モジュールの製造方法で用いられる接合部材の概略拡大図である。
【図５】実施形態に係る発光モジュールの製造方法の一工程を説明する概略断面図である。
【図６Ａ】実施形態に係る発光モジュールの製造方法における温度プロファイルの一例を示すグラフである。
【図６Ｂ】実施形態に係る発光モジュールの製造方法における温度プロファイルの一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光モジュールの製造方法を例示するものであって、本発明は、発光モジュールの製造方法を以下に限定するものではない。
【００１０】
図１Ａは、実施形態に係る発光モジュールの製造方法によって得られる発光モジュール１００の一例を示す概略平面図である。図１Ｂは、図１Ａの概略側面図である。図１Ｃは、図１Ａの概略断面図である。発光モジュール１００は、発光装置１０と、配線基板２０と、発光装置１０と配線基板２０とを接合する接合部材３０と、を備える。発光装置１０の下面１０２には外部接続端子１４が露出されている。外部接続端子１４は、発光装置１０の下面１０２の端部から離間して配置されている。配線基板２０は、基台２１と、その上面に配置される配線２２と、を備える。配線基板２０の配線２２と、発光装置１０の外部接続端子１４とは、接合部材３０によって固定され、電気的に接合されている。また、電源から給電するためのコネクタ４０が、配線２２上に配置されていてもよい。コネクタ４０は、発光装置１０とは別の位置において露出された配線２２上に接続されている。
【００１１】
上述のような発光モジュール１００の製造方法は、フラックスと半田粒子とを含む接合部材３０によって、発光装置１０と配線基板２０とを接合させる工程を含む。フラックスは、ロジン（樹脂）を主成分とし、さらに活性剤、溶剤、チキソ剤（ワックス）等を含んでいる。この発光装置１０を接合させる工程は、接合部材３０を加熱して溶融させる工程を含み、詳細には、第１加熱工程と第２加熱工程と、を含む。第１加熱工程は、フラックスに含まれる溶剤の沸点から該沸点よりも１０度前後低い温度の所定温度より高く、かつ、半田粒子の融点より低い第１温度領域で加熱する工程である。第２加熱工程は、第１加熱工程の後に行われ、半田粒子の融点より高い第２温度領域で加熱する工程である。そして、第１加熱工程の加熱時間Ｔ１は、第２加熱工程の加熱時間Ｔ２よりも長い。換言すると、第２加熱工程の加熱時間Ｔ２は第１加熱工程の加熱時間Ｔ１よりも短い。このような温度プロファイルによって加熱する方法により、接合部材３０内にボイドが形成されることを抑制することができる。
【００１２】
接合部材３０は、加熱工程の前は、図４に示すようにフラックス３２及び半田粒子３１を含んでいる。また、接合部材３０は、加熱工程の後は、通常、半田粒子はその全部が溶融して塊化している。そして、フラックス３２はその一部が揮発し、揮発せずに残ったフラックス３２成分は、溶融した半田の表面を覆っている。つまり、加熱工程の前後において接合部材の構成は厳密には同じではないが、ここでは半田材料を含む部材について、加熱工程の前後において同じ名称「接合部材」を用いる。
【００１３】
接合部材内に形成されるボイドは、加熱によってフラックスに含有される溶剤等が揮発して生成された気体、あるいはフラックスと接合対象である金属の酸化膜との還元反応によって生成された水が、溶融した半田成分に内包されたものである。つまり、そもそも、フラックスを含まなければ、半田材料を溶融してもボイドは形成されない。しかしながら、半田材料がフラックスを含むことで、加熱時において、半田粒子表面および接合対象の金属の表面の酸化膜等を除去、洗浄することができるという作用を奏する。これにより、接合時の環境を還元雰囲気等の特殊な条件とすることなく接合することができる。つまり、フラックスを含むことで、通常の大気、あるいは、通常の大気に窒素ガスを導入した窒素雰囲気下で配線等の金属材料と半田材料とを接合することができる。
【００１４】
実施形態に係る方法では、半田が溶融せずフラックス中の溶剤または活性剤が揮発する第１加熱工程での加熱時間を長くすることで、まず、フラックスによって配線や外部接続端子の表面、さらには半田粒子の洗浄を行うと共に、その溶剤または活性剤の多くを揮発させておくことができる。この第１加熱工程では、半田粒子は、溶融せずに粒子形状を保持している。つまり、半田粒子間の隙間を保持した状態でフラックス中の溶剤または活性剤が揮発するため、その揮発成分は半田粒子間の隙間を介して外部に放出され易い。尚、第１加熱工程は、溶剤または活性剤の沸点よりも高い温度としてもよく、ここでは、リフロー炉内の温度のばらつき等を考慮して、沸点よりも１０度前後低い温度から沸点までの範囲の所定温度よりも高い温度としている。
【００１５】
そして、更に温度を上昇させて半田材料の融点より高い第２温度領域に達した段階では、接合部材中に残存するフラックス中の溶剤または活性剤の揮発成分の量は少なくなっているため、半田粒子が溶融する際にその内部に溶剤または活性剤の揮発成分が内包されにくくなる。つまり、ボイドが形成されにくくなる。
【００１６】
上述のように、第１加熱工程においては、フラックスに含まれる溶剤または活性剤の揮発成分の放出経路を確保した状態で、フラックスによって配線の表面や半田粒子の表面等を十分洗浄できるよう加熱時間を長くしている。そして、続く第２加熱工程において、半田粒子が溶融して新たに生成される酸化物、例えば、配線等の接合対象である金属の酸化物を、加熱時間の短い第２温度領域で加熱して残存しているフラックスと酸化還元反応させることで洗浄している。このような温度プロファイルで接合部材の加熱工程を行うことで、酸化膜等による接続不良を生じさせることなく、かつ、ボイドの発生を抑制することができる。
【００１７】
さらに、第１加熱工程の加熱時間を長くすることで、溶剤または活性剤の揮発成分の含有量が少なくなった状態で、第２加熱工程の温度を、半田材料の融点より高く、かつ、加熱時間Ｔ２を短くすることが好ましい。さらに、第２加熱工程の温度を、半田材料の融点より１０℃〜２０℃程度高い温度より低い温度とすることができる。これにより、ボイドの発生をより効率よく抑制することができ好ましい。
【００１８】
一般的には、ボイドの発生の抑制には半田成分の融点を超える温度領域で長く加熱する温度プロファイルが推奨されている。実施形態に係る温度プロファイルは、後述のような外部接続端子を備える発光装置を接合する際に有効なものであり、一般的な温度プロファイルとは大きく異なる。
【００１９】
以下、発光モジュールの製造方法の各工程について詳説する。
【００２０】
（発光装置を準備する工程）
図２Ａ〜図２Ｃは、発光装置１０の一例を示す図である。発光装置１０は、以下の構成を備える発光装置１０を購入等によって準備してもよく、あるいは、一部又は全部の製造工程を行って準備してもよい。
【００２１】
発光装置１０は、発光モジュール１００の光源となる部材であり、発光面を備える上面１０１と、外部接続端子１４の下面１４２を含む下面１０２と、上面１０１と下面１０２の間の側面１０３と、を備える。発光装置１０は、図２Ｃに示すように、凹部を備えるパッケージ１２と、凹部内に載置される発光素子１１と、発光素子１１を封止する透光性部材１５と、を備える。パッケージ１２は、絶縁性の基体１３と、電極として機能する外部接続端子１４と、を備える。
【００２２】
発光装置１０の下面１０２は、基体１３の下面１３２と、外部接続端子１４の下面１４２と、で構成される。外部接続端子１４は、発光装置１０の下面１０２において、端部から離間して配置されている。換言すると、外部接続端子１４は、発光装置１０の下面１０２において、外周よりも内側に配置されている。
【００２３】
例えば、図２Ｂに示すように、外部接続端子１４の下面１４２の幅Ｗ３は、発光装置１０の下面１０２の幅Ｗ１の３０％〜８０％とすることができる。図２Ｂでは、外部接続端子１４の下面１４２の幅Ｗ３は、発光装置１０の下面１０２の幅Ｗ１の約５５％である例を示している。また、図２Ｃに示すように、外部接続端子１４の下面１４２の長さＬ３は、発光装置１０の下面１０２の長さＬ１の１５％〜４０％とすることができる。ここでは、一対の外部接続端子１４の両方を切断する断面図における長さＬ３であるため、２つの外部接続端子１４の下面１４２の長さＬ３を足した全体の幅は、発光装置１０の下面１０２の幅Ｌ１の３０％〜８０％である。
【００２４】
発光装置１０の下面１０２における外部接続端子１４の下面１４２の占める割合は、１０％〜７０％である。このように、外部接続端子１４の下面１４２が、発光装置１０の下面１０２における占有面積が小さい場合、そもそも接合部材３０の量が少ないため、接合部材を多く用いる場合に比して、１つのボイドによる接合強度への影響が大きい。そのため、本実施形態に係る温度プロファイルで加熱工程を行うことで、接合強度の低下を抑制することができる。
【００２５】
また、発光装置１０の下面１０２の端部と、外部接続端子１４の下面１４２の間にある基体１３の下面１３２の幅Ｗ２は、発光装置１０の下面１０２の幅Ｗ１の２０％〜７０％である。また、発光装置１０の下面１０２の端部と、外部接続端子１４の下面１４２の間にある基体１３の下面１３２の長さＬ２は、発光装置１０の下面１０２の長さＬ１の１０％〜３５％である。このように、発光装置１０の下面１０２の端部から、内側に、外部接続端子１４の下面１４２が配置されるため、フラックスに含まれる溶剤や、フラックスと接合対象の金属の酸化膜との還元反応によって生成される水などの揮発成分が外部に放出される経路が長い。このような場合、発光装置の下面において外部接続端子が端部に接するか、端部近傍に配置されている場合比して、フラックスに含まれる溶剤等や水などの揮発成分が外部に放出されにくい。そのため、ボイドが形成され易い。本実施形態に係る温度プロファイルで加熱工程を行うことで、半田粒子が溶融する前に、フラックス３２を多く揮発させておくため、半田粒子が溶融する際に、ボイドを形成しにくくすることができる。
【００２６】
基体１３の下面１３２と外部接続端子１４の下面１４２とは略面一、又は、基体１３の下面１３２と外部接続端子１４の下面１４２とは、５０μｍ以下程度の高低差を備えていてもよい。上述のように、発光装置１０の下面１０２において、かなり内側に外部接続端子１４の下面１４２が位置する場合、配線基板２０の上面と、基体１３の下面１３２とが対向する面積が大きくなる。そして、配線２２の上に、レジスト等の絶縁膜２３が形成されている場合、その絶縁膜２３の上面２３１と、基体１３の下面１３２とが非常に近い距離で対向する。そのため、さらにフラックスの揮発成分が外部に放出されにくい構造であるが、本実施形態にかかる温度プロファイルで加熱工程を行うことで、ボイドを形成しにくくすることができる。
【００２７】
発光装置１０は、図２Ａ〜図２Ｃでは、基体１３が樹脂材料であり、外部接続端子１４が金属板である樹脂パッケージを例示している。パッケージ１２は、このような構成に限らず、基体１３がセラミックであり、外部接続端子１４が配線パターンであるセラミックパッケージを用いてもよい。また、パッケージ１２は、図２Ｃに示すような、凹部を備えるパッケージ１２のほか、平板状のパッケージであってもよい。発光素子１１は、凹部内に露出された外部接続端子１４の上面に配置されており、ワイヤ又は導電性接合材で、外部接続端子１４と電気的に接続されている。
【００２８】
さらに、発光装置として、上述のようなパッケージ１２を備える発光装置１０のほか、図３Ａ〜図３Ｃに示すような発光装置１０Ａを用いることもできる。発光装置１０Ａは、発光素子１１の素子電極１１２の下面を被覆する金属膜１８が外部に露出されており、この金属膜１８が外部接続端子として機能する。発光装置１０Ａは、発光素子１１の上面と透光性部材１５との間に、導光部材１６が配置されている。導光部材１６は、発光素子１１の側面にも配置されている。発光素子１１の側面は、導光部材１６を介して被覆部材１７で被覆されている。被覆部材１７は、発光素子１１等を保護する樹脂材料であり、図２Ａ等に示すパッケージ１２の基体１３に相当する部材である。
【００２９】
発光装置１０Ａにおいても、図２Ａ等に示す発光装置１０と同様に、発光装置１０Ａの下面１０２において、金属膜（外部接続端子）１８は、発光装置１０Ａの下面１０２の端部から離間している。発光装置１０Ａは、被覆部材（基体）１７と金属膜（外部接続端子）１８とは面一ではなく、金属膜１８の方が被覆部材（基体）１７よりも下側に突出している。このような構成の発光装置１０Ａを用いる場合も、図２Ａ等に示す発光装置１０と同様に、本実施形態にかかる温度プロファイルで加熱工程を行うことで、ボイドを形成しにくくすることができる。尚、図３Ｃに示す発光装置１０Ａにおいて、発光素子１１と透光性部材１５とが接していてもよく、また、発光素子１１の側面が、導光部材１６を介さずに被覆部材１７と接していてもよい。また、金属膜１８を備えず、素子電極１１２がそのまま外部接続端子として機能する発光装置としてもよい。
【００３０】
（配線基板上に接合部材を配置する工程）
配線基板上に接合部材を配置する工程は、発光装置を準備する工程の前、若しくは、同時に、若しくは、後に行うことができる。
【００３１】
配線基板２０は、基台２１と、基台２１の上面に配置された配線２２と、を、備える。さらに、配線２２の一部が露出するように被覆するレジスト等の絶縁膜２３を備えてもよい。配線２２は、発光装置１０を載置する位置において、絶縁膜２３から露出された実装領域を備える。実装領域は、発光装置１０の外部接続端子１４の下面１４２の面積に対して、１００％〜１５０％の大きさで、かつ、略同じ形状の領域とすることができる。この実装領域の周囲の配線２２は、絶縁膜２３で被覆されている。配線基板２０は、基台２１としては、例えば、セラミック、ガラエポ、紙フェノール等の絶縁性の基台２１を用いることができる。あるいは、基台２１として、アルミ等の金属を用いた導電性の基台２１を用いることもでき、その場合は、導電性の基台２１と配線２２との間に絶縁層を備える。また、配線基板２０の形状は、例えば、四角形や円形等とすることができる。配線２２の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇを用いることができる。さらに、配線２２の表面にはＡｕめっきや半田めっき等を用いることができる。また、配線２２は、上述のめっきに代えて、水溶性フラックスを備えていてもよい。絶縁膜２３は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン等を用いることができる。絶縁膜２３の厚みは、接合後の接合部材３０の高さよりも低くすることが好ましく、例えば、５μｍ〜３０μｍとすることができる。
【００３２】
接合部材３０は、図４に示すように、半田粒子３１と、それを被覆するフラックス３２と、を含む。半田粒子３１としては、例えば、ＡｕＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＺｎＢｉ等の半田材料が挙げられる。半田材料の融点は、例えば、ＡｎＡｇＣｕの場合２１７℃〜２２０℃である。また、フラックス３２としては、ロジンを主成分とし、添加材として活性剤や溶剤、チキソ剤等を含むものを用いることができる。フラックスの成分のうち、溶剤および活性剤の沸点は２００℃前後である。
【００３３】
このような接合部材３０を、図５に示すように、配線２２の実装領域上に配置する。接合部材３０を配置する方法としては、マスク版を用いての印刷塗布や、ディスペンスノズルを用いてのディスペンス等を用いることができる。接合部材３０は、配線２２の実装領域（絶縁膜２３の開口）の面積に対して、５０％〜１００％で配置することが好ましい。また、接合前の接合部材３０の高さは、例えば、絶縁膜２３の厚みより大きい厚みで設けることが好ましい。接合部材３０は、溶融することで体積が減少し、接合後は半田のみで構成されるため、その体積減少分を考慮することが好ましい。例えば、接合前の接合部材３０は、高さ５０μｍ〜１２０μｍの厚みとすることができる。
【００３４】
（第１加熱工程）
次に、第１加熱工程を行う。第１加熱工程は、フラックス３２に含まれる溶剤の沸点以上であって、半田粒子３１の融点より低い第１温度領域で加熱する工程である。まず、準備工程として、図５に示すように、配線基板２０上の配置した接合部材３０上に、外部接続端子１４が対向するようにして発光装置１０を載置する。外部接続端子１４が、発光装置１０の下面１０２において端部から離間しているため、発光装置１０の基体１３の下面１３２と、配線基板２０の絶縁膜２３の上面２３１とが対向して配置される。絶縁膜２３は、配線２２を被覆しているため、配線２２の上面よりも高さが高い。つまり、発光装置１０の基体１３の下面１３２と、絶縁膜２３の上面２３１間の隙間は非常に狭くなっている。例えば、発光装置１０の基体１３の下面１３２と、絶縁膜２３の上面２３１との距離は、０．０３ｍｍ〜０．１ｍｍである。
【００３５】
次に、配線基板２０と、その上に接合部材３０を介して配置された発光装置１０とを、加熱装置内に配置し、図６Ａに示す温度プロファイルに従って、第１加熱工程を行う。第１温度領域で加熱する第１加熱工程かかる時間を、加熱時間Ｔ１とする。
【００３６】
例えば、溶剤または活性剤の沸点が２００℃のフラックスと、融点が２２０℃の半田材料を用いる場合、第１温度領域は、１９０℃より高く２２０℃より低い温度領域であることが好ましい。また、第１加熱工程の加熱時間Ｔ１は、例えば４０秒〜１００秒とすることができる。
【００３７】
（第２加熱工程）
次に、第２加熱工程を行う。第２加熱工程は、半田粒子３１の融点よりも高い第２温度領域で加熱する工程である。第１加熱工程と第２加熱工程は、同じ加熱装置内において連続的に行う。第２温度領域で加熱する第２加熱工程にかかる時間を、加熱時間Ｔ２とする。
【００３８】
例えば、融点が２２０℃の半田材料を用いる場合、第２温度領域は、２２０℃以上より高く２４０℃より低い温度領域であることが好ましい。また、第２加熱工程の加熱時間Ｔ２は、例えば２０秒〜５０秒とすることができる。
【００３９】
図６Ａ、図６Ｂは、上述において例示した、溶剤または活性剤の沸点が約２００℃のフラックスと、融点が２２０℃の半田材料を用いる場合の温度プロファイルを例示したグラフである。いずれも、室温（約２５℃）から開始して、徐々に昇温していく。いずれも、第１温度領域Ｔ１が１９０℃以上２２０℃以下の領域であり、第２温度領域Ｔ２は、２２０℃より高い領域である。図６Ａでは、加熱時間Ｔ１は加熱開始後２１０秒〜２６５秒の５５秒、加熱時間Ｔ２は、加熱開始後２６５秒〜２９８秒の３３秒である。また、図６Ｂでは、加熱時間Ｔ１は加熱開始後２６５秒〜３４５秒の８０秒、加熱時間Ｔ２は、加熱開始後３４５秒〜３８６秒の４１秒、である。
【００４０】
このように、第１加熱工程における加熱時間Ｔ１は、第２加熱工程における加熱時間Ｔよりも長くする。これにより、発光装置１０と配線基板２０の間の接合部材３０内にボイドが形成されることを抑制することができる。
【００４１】
加熱時間Ｔ１、Ｔ２を含む全体の加熱時間は、接合部材の量等に応じて調整することができる。例えば、図６Ａと図６Ｂとは、同じ接合部材を用いる場合の温度プロファイルであり、より接合部材の量が多い場合は、図６Ｂに示すように、加熱時間Ｔ１、Ｔ２とも長くしている。図６Ａに示す例と、図６Ｂに示す例は、例えば、用いる半田の量を変化させたものである。図６Ａに示す例では、図６Ｂに示す例よりも、半田量が少ない場合の一例であり、図６Ｂに示す例よりも第１加熱工程が短くなっている。
【符号の説明】
【００４２】
１００…発光モジュール
１０、１０Ａ…発光装置
１０１…発光装置の上面
１０２…発光装置の下面
１０３…発光装置の側面
１１…発光素子
１１１…半導体積層体
１１２…素子電極
１２…パッケージ
１３…基体
１３２…基体の下面
１４…外部接続端子
１４２…外部接続端子の下面
１５…透光性部材
１６…導光部材
１７…被覆部材（基体）
１８…外部接続端子（金属膜）
２０…配線基板
２１…基台
２２…配線
２３…絶縁膜
２３１…絶縁膜の上面
３０…接合部材
３１…半田粒子
３２…フラックス
４０…コネクタ
【図１Ａ】
2019208021.tif 000003
【図１Ｂ】
2019208021.tif 000004
【図１Ｃ】
2019208021.tif 000005
【図２Ａ】
2019208021.tif 000006
【図２Ｂ】
2019208021.tif 000007
【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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