(57)【要約】      （修正有）【課題】フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法を提供する。【解決手段】シリコンチップを素材として、まず酸化、注入、ボンディング、ブレーク、フィルム貼付処理をこの順に実施する。フィルム貼付機器を用いてフィルム貼付を行う工程において、ＳＯＩチップの表裏面を傷付けることがなく、シリコンチップが機器に吸着される時に落下しないこと、ブルーフィルムを使用し、ブルーフィルムの必要な厚さが０〜０．５ｍｍであること、フィルムをシリコンチップの裏面に貼り付け、その後、濃フッ酸を用いてシリコンチップの正面縁酸化層を除去すること、濃ＳＣ１を介してＳＯＩ裏面フィルムを除去し、ＳＣ１とＳＣ２洗浄を経て、ＳＯＩの縁のＳＴＩＲをテストし、ＳＴＩＲが０．３μｍより小さいこと、とを有する。ブルーフィルム貼り付け方式により縁酸化層を除去することで、ＳＩＴＲが小さくなる。【選択図】図１
2019208003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法であって、
シリコンチップを素材として、まず酸化、注入、ボンディング、ブレーク、フィルム貼付処理をこの順に実施し、フィルム貼付の技術的要求は、フィルム貼付機器を用いてフィルム貼付を行う工程においてＳＯＩチップの表裏面を傷付けることがなく、シリコンチップが機器に吸着される時に落下できないこと、ブルーフィルムを使用し、ブルーフィルムの必要な厚さが０〜０．５ｍｍであること、フィルムをシリコンチップの裏面に貼り付け、このときシリコンチップの裏面にフィルムが存在すること、その後、濃フッ酸を用いてシリコンチップの正面縁酸化層を除去すること、このとき、シリコンチップの裏面にフィルムが存在し、ＳＯＩ裏面に傷付けないこと、濃ＳＣ１を介してＳＯＩ裏面フィルムを除去し、ＳＣ１とＳＣ２洗浄を経て、機器によりＳＯＩの縁のＳＴＩＲをテストし、このときのＳＴＩＲが０．３μｍより小さいことであることを特徴とするフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【請求項２】
前記酸化プロセスステップは、前記シリコンチップ素材の一側表面上で酸化を行って、酸化層を有するシリコンチップを取得し、その後、洗浄によって表面汚染物を除去してから、テスト機器を用いて当該酸化層を有するシリコンチップの表面粒子状況、酸化層の厚さ及び他の各パラメータをテストし、要求に合致するシリコンチップを選択して使用に備えることを特徴とする請求項１に記載のフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【請求項３】
前記注入プロセスステップは、酸化層を有するシリコンチップに対して、製品の必要な深さまでＨ＋を注入すること、具体的な注入条件であるエネルギー、線量、ビーム大きさ、角度の要求に応じて注入を行い、注入後に濃硫酸、ＳＣ１、ＳＣ２を用いて洗浄を行うこと、表面汚染物が除去された後、テスト機器を用いて当該注入酸化層を有するシリコンチップ表面粒子、幾何学的パラメータ及び他の各パラメータをテストし、条件に合致するシリコンチップを選択して使用に備えることを特徴とする請求項２に記載のフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【請求項４】
前記ボンディングプロセスステップは、もう１つのシリコンチップを準備し、当該シリコンチップは、酸化チップ又は光学チップであり、その電気抵抗率及び結晶配向は要求に応じて選択され、当該シリコンチップに対して表面洗浄を行って表面自然酸化層及び表層汚染物を除去した後、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、要求に合致するシリコンチップを注入されたシリコンチップにボンディングし、２つのシリコンチップについて一定の活性化時間を使用し、得られたボンディングチップについて１００〜３５０℃の低温アニールを行い、注入付きのボンディングチップを取得することを特徴とする請求項３に記載のフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【請求項５】
前記ブレーク工程は、ボンディングチップをブレーク機内に置いて、ブレークプロセスによって処理し、当該ブレークプロセスは、シリコンチップをチャンバー内で１００〜２００℃まで昇温し、１０〜３０ｍｉｎ温度保持すること、マイクロ波磁気制御ヘッドをオンにして、１〜１０ｍｉｎでブレークを行い、ブレーク後、ＳＯＩ製品を取得することを含むことを特徴とする請求項４に記載のフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【請求項６】
前記低温アニールの具体的な要求は、ボンディング後且つブレーク前に低温アニールを行い、低温アニール温度が１００〜３００℃であり、低温アニール時間が２〜５時間であることを特徴とする請求項５に記載のフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ‐Ｏｎ‐Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ、絶縁基板上のシリコン、当該技術では、最上層シリコンと裏基板の間に一層の埋め込み酸化層が導入される）の製造分野に関し、特にフィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲ（局所的な平坦度）を変更する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術では、近年、我が国のシリコン材料加工技術の継続的な発展に伴い、人々は、ウェハ加工工程における加工品質及び検査方法をますます重視している。加工工程における品質検査も非常に重要になっている。ウェハ加工パラメータを表す幾つかの重要な幾何学的パラメータ、即ち、湾曲度、厚さと総厚さ変化の検査及び検査方法は、特にシリコンチップメーカ、デバイスメーカに注目されている。自動化レベルの非常に高いウェハ検査システムが、次から次に誕生してきている。例えば、米国ＡＤＥ社、ＴＥＮＣＯＲ社、ＴＲＯＰＥＬ社及びＳＩＬＴＥＣ社等は、何れも、ユーザのウェハ検査に対する要求を満たせる自動検査システム（例えば、ＡＤＥ社の７００型ウェハ検査システム）を開発している。当該システムは、積み木式構造であり、ウェハの湾曲度、厚さ、総厚さの変化を検査可能であるとともに、湾曲度（ＴＩＲ）、厚さ（ＦＰＤ）、総厚さ変化（ＬＳＬ）等の複数種のパラメータを測定可能である。また、それは、電気抵抗率、ドーピングタイプ、表面光沢度検査等の複数種の検査を実施可能であり、その自動化レベルは高く、シリコンチップの処理能力は１時間あたり６０チップである。ＴＲＯＰＥＬ社の９００型Ａｕｔｏ Ｓｏｒｔウェハ検査システムのようなものもあり、現在検査機能が最も完備した唯一の自動ウェハ検査システムと言われている。ウェハの加工工程では、ウェハ検査の要求と応用レベルは、メーカの相違によって異なる。
【０００３】
したがって、人々は、操作性を有するＳＯＩの縁のＳＴＩＲを柔軟に変更可能な方法を取得することを期待している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法を提供する。当該方法は、シリコンチップを素材として、まず酸化、注入、ボンディング、ブレーク、フィルム貼付処理をこの順に実施し、フィルム貼付の技術的要求は、フィルム貼付機器を用いてフィルム貼付を行う工程においてＳＯＩチップの表裏面を傷付けることがなく、シリコンチップが機器に吸着される時に落下できないこと、ブルーフィルムの必要な厚さが０〜０．５ｍｍであり、半導体業界で用いられるブルーフィルムであればよいこと、フィルムをシリコンチップの裏面に貼り付け、このときシリコンチップの裏面にフィルムが存在すること、その後、濃フッ酸を用いてシリコンチップの正面縁酸化層を除去し（このときシリコンチップの裏面にフィルムが存在し、ＳＯＩ裏面に傷付けない）、濃ＳＣ１を介してＳＯＩ裏面フィルムを除去し、ＳＣ１とＳＣ２洗浄（ＳＣ１とＳＣ２は、業界標準での洗浄）を経て、９６００機器によりＳＯＩの縁のＳＴＩＲをテストし、このときのＳＴＩＲが０．３μｍより小さいことである。シリコンチップ素材の電気抵抗率及び結晶配向は、実際の要求に応じて選択される。
【０００６】
前記フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法は、好ましい技術的要求が下記のとおりである。
【０００７】
前記酸化プロセスステップは、前記シリコンチップ素材の一側表面上で酸化を行って、酸化層を有するシリコンチップを取得し、その後、洗浄によって表面汚染物を除去してから、テスト機器を用いて当該酸化層を有するシリコンチップの表面粒子状況、酸化層の厚さ及び他の各パラメータをテストし、要求に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【０００８】
前記注入プロセスステップは、酸化層を有するシリコンチップに対して、製品の必要な深さまでＨ＋を注入し、具体的な注入条件であるエネルギー、線量、ビーム大きさ、角度の要求に応じて注入を行い、注入後に濃硫酸、ＳＣ１、ＳＣ２を用いて洗浄を行い、表面汚染物が除去された後、テスト機器を用いて当該注入酸化層を有するシリコンチップ表面粒子、幾何学的パラメータ及び他の各パラメータをテストし、条件（製品によって異なり、統一できない）に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【０００９】
前記ボンディングプロセスステップは、具体的には、もう１つのシリコンチップを準備し、当該シリコンチップは、酸化チップ又は光学チップであり、その電気抵抗率及び結晶配向は要求に応じて選択され、当該シリコンチップに対して表面洗浄を行って表面自然酸化層及び表層汚染物を除去した後、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、要求（異なる製品の粒子に対する要求も異なるので、データの詳細は省略）に合致するシリコンチップを注入されたシリコンチップにボンディングし、２つのシリコンチップについて一定の活性化時間を使用し、得られたボンディングチップについて１００〜３５０℃の低温アニールを行い、注入付きのボンディングチップを取得する。
【００１０】
前記ブレーク工程は、ボンディングチップをブレーク機内に置いて、ブレークプロセスによって処理し、当該ブレークプロセスは、シリコンチップをチャンバー内で１００〜２００℃まで昇温し、１０〜３０ｍｉｎ温度保持すること、マイクロ波磁気制御ヘッドをオンにして、１〜１０ｍｉｎでブレークを行い、ブレーク後、ＳＯＩ製品を取得することを含む。
【００１１】
前記低温アニールの具体的な要求は、ボンディング後且つブレーク前に低温アニールを行い、低温アニール温度が１００〜３００℃であり、低温アニール時間が２〜５時間であることである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の設計原理及び有利な作用効果は、下記のとおりである。
【００１３】
１、本発明では、シリコンチップについて酸化、注入、ボンディング、低温アニール等のプロセス処理を行ってボンディングのシリコンチップを取得し、その後マイクロ波ブレーク技術によりボンディングチップに対してブレークを行ってＳＯＩ構造を形成し、ＳＯＩ裏面にフィルム貼付し、濃フッ酸を用いて正面縁酸化層を除去する。このとき、裏面酸化層は依然として保留され、その後、フィルムを再度除去して得られたＳＯＩのＳＴＩＲは０．３μｍより小さい。面取りに対してこのフローを行う普通の方式は、ＳＩＴＲが大きい。我々はブルーフィルム貼り付け方式により縁酸化層を除去するため、ＳＩＴＲが小さくなる。
【００１４】
２、本発明の前記フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法は、面取り技術よりも、突出した、明らかにより良好な技術的効果を有する。面取り工程後、ＳＯＩのＳＴＩＲは大きく、０．５μｍ以上である。本発明が面取り工程の代わりになり、得られたＳＯＩのＳＴＩＲもより良好になる。
【００１５】
３、本発明のフィルム貼付技術を用いてＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法は、工業的生産に向いており、量産可能である。本発明は、面取り工程の代わりにフィルム貼付技術を用いることにより、効率が向上し、生産能力が向上する。
【００１６】
従来技術よりも、本発明は、明らかにより良好な技術的効果を有し、有望で極めて大きな経済的価値及び社会的価値を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法プロセスのフローチャートである。
【図２】従来技術における比較例のプロセスのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
実施例１
フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法が提供される。当該方法は、シリコンチップを素材として、まず酸化、注入、ボンディング、ブレーク、フィルム貼付処理をこの順に実施し、フィルム貼付の技術的要求は、フィルム貼付機器を用いてフィルム貼付を行う工程においてＳＯＩチップの表裏面を傷付けることがなく、シリコンチップが機器に吸着される時に落下できないこと、ブルーフィルムの必要な厚さが０〜０．５ｍｍであり、半導体業界で用いられるブルーフィルムであればよいこと、フィルムをシリコンチップの裏面に貼り付け、このときシリコンチップの裏面にフィルムが存在すること、その後、濃フッ酸を用いてシリコンチップの正面縁酸化層を除去すること、このときシリコンチップの裏面にフィルムが存在し、ＳＯＩ裏面を傷付けず、濃ＳＣ１を介してＳＯＩ裏面フィルムを除去し、ＳＣ１とＳＣ２洗浄（ＳＣ１とＳＣ２は、業界標準での洗浄であり、ここでは繰り返し説明しない）を経て、９６００機器によりＳＯＩの縁のＳＴＩＲをテストし、このときのＳＴＩＲが０．３μｍより小さいことである。シリコンチップ素材の電気抵抗率及び結晶配向は、実際の要求に応じて選択される。
【００１９】
ＳＣ１洗浄液において、アンモニア水：過酸化水素水：水=１：１：５〜１：２：７、
ＳＣ２洗浄液において、塩化水素：過酸化水素水：水=１：１：６〜１：２：８
塩化水素濃度３７%、アンモニア水濃度２７%、 過酸化水素水３０%である。
【００２０】
前記酸化プロセスステップは、具体的には、前記シリコンチップ素材の一側表面上で酸化を行って、酸化層を有するシリコンチップを取得し、その後、洗浄によって表面汚染物を除去してから、テスト機器を用いて当該酸化層を有するシリコンチップの表面粒子状況、酸化層の厚さ及び他の各パラメータをテストし、要求に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【００２１】
前記注入プロセスステップは、酸化層を有するシリコンチップに対して、製品の必要な深さまでＨ＋を注入し、具体的な注入条件であるエネルギー、線量、ビーム大きさ、角度の要求に応じて注入を行い、注入後に濃硫酸、ＳＣ１、ＳＣ２を用いて洗浄を行い、表面汚染物が除去された後、テスト機器を用いて当該注入酸化層を有するシリコンチップ表面粒子、幾何学的パラメータ及び他の各パラメータをテストし、条件（製品によって異なり、統一できない）に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【００２２】
前記ボンディングプロセスステップは、具体的には、もう１つのシリコンチップを準備し、当該シリコンチップは、酸化チップ又は光学チップであり、その電気抵抗率及び結晶配向は要求に応じて選択され、当該シリコンチップに対して表面洗浄を行って表面自然酸化層及び表層汚染物を除去した後、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、要求（異なる製品の粒子に対する要求も異なるので、データの詳細は省略）に合致するシリコンチップを注入されたシリコンチップにボンディングし、２つのシリコンチップについて一定の活性化時間を使用し、得られたボンディングチップについて１００〜３５０℃の低温アニールを行い、注入付きのボンディングチップを取得する。
【００２３】
前記ブレーク工程は、ボンディングチップをブレーク機内に置いて、ブレークプロセスによって処理し、当該ブレークプロセスは、シリコンチップをチャンバー内で１００〜２００℃まで昇温し、１０〜３０ｍｉｎ温度保持すること、マイクロ波磁気制御ヘッドをオンにして、ブレークを行い、時間は１〜１０ｍｉｎであり、ブレーク後、ＳＯＩ製品を取得することを含む。
【００２４】
前記低温アニールの具体的な要求は、ボンディング後且つブレーク前に低温アニールを行い、低温アニール温度が１００〜３００℃であり、低温アニール時間が２〜５時間であることである。
【００２５】
本実施例の設計原理及び有利な作用効果は、下記のとおりである。
【００２６】
１、本実施例では、シリコンチップについて酸化、注入、ボンディング、低温アニール等のプロセス処理を行ってボンディングのシリコンチップを取得し、その後マイクロ波ブレーク技術によりボンディングチップに対してブレークを行ってＳＯＩ構造を形成し、ＳＯＩ裏面にフィルム貼付し、濃フッ酸を用いて正面縁酸化層を除去する。このとき、裏面酸化層は依然として保留され、その後、フィルムを再度除去して得られたＳＯＩのＳＴＩＲは０．３μｍより小さい。面取りに対してこのフローを行う普通の方式は、ＳＩＴＲが大きい。我々はブルーフィルム貼り付け方式により縁酸化層を除去するため、ＳＩＴＲが小さくなる。
【００２７】
２、本実施例の前記フィルム貼付によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法は、面取り技術よりも、突出した、明らかにより良好な技術的効果を有する。面取り工程後、ＳＯＩのＳＴＩＲは大きく、０．５μｍ以上である。本実施例は面取り工程の代わりになり、得られたＳＯＩのＳＴＩＲもより良好になる。
【００２８】
３、本実施例のフィルム貼付技術を用いてＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法は、工業的生産に向いており、量産可能である。本実施例は、面取り工程の代わりにフィルム貼付技術を用いることにより、効率が向上し、生産能力が向上する。
【００２９】
従来技術よりも、本実施例は、明らかにより良好な技術的効果を有し、有望で極めて大きな経済的価値及び社会的価値を有する。
【００３０】
実施例２
フィルム貼付技術によってＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法（図１に示すように、図における左下の大きなブロックにおける内容が本発明の重点となる創造的な内容である）が提供され、具体的な説明は下記のとおりである。
【００３１】
１、８インチのＰ型シリコンチップを取り、その結晶配向選択は＜１００＞或いは＜１１１＞であってもよく、電気抵抗率は低不純物濃度から高抵抗まで選択される。
【００３２】
２、シリコンチップに酸化層（二酸化ケイ素）が作製される。ステップ１におけるシリコンチップの一側表面上で酸化(または、両チップとも酸化可能であり、実際のプロセス条件に応じて実施する)を行い、酸化層を有するシリコンチップ（二酸化ケイ素をＳＯＩの酸化層とする）を取得し、酸化に通常のプロセスが採用され、作製された酸化層（酸化ケイ素）の厚さ＞０〜３０００ｎｍである。作製された酸化層を有するシリコンチップは、順にＳＣ１、ＳＣ２を用いて洗浄され、シリコンチップ表面汚染物を除去し、その後、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、テスト機器を用いて酸化ケイ素の厚さ及び他の各パラメータ（例えば、酸化ケイ素層の粒子、電学パラメータ）をテストし、要求に合致するシリコンチップを選択してステップに使用する。
【００３３】
３、酸化層を有するシリコンチップ又は光学チップに対して注入を行い、注入深さは要求に応じて決められる。
【００３４】
４、８インチのベアウェハ（ｂａｒｅ ｗａｆｅｒ）を選択し、その電気抵抗率及び結晶配向は要求に応じて選択され、ＤＨＦ、ＳＣ１、ＳＣ２表面洗浄をこの順に実施し、表面自然酸化層及び表層に存在可能な汚染物を除去し、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、要求に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【００３５】
５、ボンディングプロセスを実施する。ステップ３で水素イオンが注入されたシリコンチップとステップ４で要求に合致するシリコンチップとをボンディングし、一定の活性化時間を使用し、その後、低温アニールを一定のアニール時間行い、アニール温度が１００〜３５０℃の間で制御され、アニール後、注入付きのボンディングチップが得られる。
【００３６】
６、ボンディングチップに対してマイクロ波ブレークを行う。瀋陽シリコンベース科学技術会社のマイクロ波ブレーク技術を採用し、必要なブレークプロセスプログラムを選択してボンディングチップをブレークする。ＳＯＩ製品が得られる。
【００３７】
７、フィルム貼付プロセスを実施する。ステップ６により８インチのＳＯＩチップを取得し、専門のフィルム貼付機器を用いてシリコンチップの裏面に対してフィルム貼付し、その後濃フッ酸による腐食を行い、正面縁酸化層を除去し、その後濃ＳＣ１を通らせ、シリコンチップ裏面フィルムを除去し、その後シリコンチップに対して洗浄（ＳＣ１とＳＣ２洗浄）を行う。こうして得られたＳＯＩの縁のＳＴＩＲは０．３μｍより小さい。
【００３８】
８、ステップ６により８インチのＳＯＩを取得し、ＳＯＩペアチップは、会社の規定に応じて回収される。
【００３９】
比較例
ＳＯＩの縁のＳＴＩＲを変更する方法（図２に示す）が提供され、具体的な説明は下記のとおりである。
【００４０】
１、８インチのＰ型シリコンチップを取り、その結晶配向選択は＜１００＞或いは＜１１１＞であってもよく、電気抵抗率は低不純物濃度から高抵抗まで選択される。
【００４１】
２、シリコンチップに酸化層（二酸化ケイ素）が作製される。ステップ１におけるシリコンチップの一側表面上で酸化(または、両チップとも酸化可能であり、実際のプロセス条件に応じて実施する)を行い、酸化層を有するシリコンチップ（二酸化ケイ素をＳＯＩのＢＯＸ層とする）を取得し、酸化に通常のプロセスが採用され、作製された酸化層（酸化ケイ素）の厚さ＞０〜３０００ｎｍである。作製された酸化層を有するシリコンチップは、順にＳＣ１、ＳＣ２を用いて洗浄され、シリコンチップ表面汚染物を除去し、その後、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、テスト機器を用いて酸化ケイ素の厚さ及び他の各パラメータ（例えば、酸化ケイ素層の粒子、電学パラメータ）をテストし、要求に合致するシリコンチップを選択してステップに使用する。
【００４２】
３、酸化層を有するシリコンチップ又は光学チップに対して注入を行い、注入深さは要求に応じて決められる。
【００４３】
４、８インチのシリコンチップ（ｂａｒｅ ｗａｆｅｒ）を選択し、その電気抵抗率及び結晶配向は要求に応じて選択され、ＤＨＦ、ＳＣ１、ＳＣ２表面洗浄をこの順に実施し、表面自然酸化層及び表層に存在可能な汚染物を除去し、テスト機器を用いてシリコンチップの表面粒子状況をテストし、要求に合致するシリコンチップを選択して使用に備える。
【００４４】
５、ボンディングプロセスを実施する。ステップ３で水素イオンが注入されたシリコンチップとステップ４で要求に合致するシリコンチップとをボンディングし、一定の活性化時間を使用し、その後、低温アニールを一定のアニール時間行い、アニール温度が１００〜３５０℃の間で制御され、アニール後、注入付きのボンディングチップが得られる。
【００４５】
６、ボンディングチップに対してマイクロ波ブレークを行う。瀋陽シリコンベース科学技術会社のマイクロ波ブレーク技術を採用し、必要なブレークプロセスプログラムを選択してボンディングチップをブレークする。ＳＯＩ製品が得られる。
【００４６】
７、面取りプロセスを実施する。ステップ６によって８インチのＳＯＩチップを取得し、その後、面取りを行って縁酸化層を除去する。しかし、面取り機器の精度差、及び８インチのシリコンチップの特殊性により、位置決めノッチ（Ｎｏｔｃｈ）が存在する。位置決めノッチの位置は必ずフラットエッジ（シリコンベース特殊要求）であるため、面取り後のＳＯＩの縁ＳＩＴＲが０．３μｍより大きく、製品設計に合致しない。
【００４７】
８、ステップ６により８インチのＳＯＩを取得し、ＳＯＩペアチップは、会社の規定に応じて回収される。
【図１】
2019208003.tif 000003
【図２】
2019208003.tif 000004