(57)【要約】      （修正有）【課題】長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】第一基板１０と、上記第一基板に対向する第二基板２０と、上記第一基板及び上記第二基板の間に挟持された液晶層３０と、上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方の上記液晶層側の表面に設けられた配向膜４０、５０と、を備え、上記第一基板及び上記第二基板のうち、上記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜１３を有し、上記液晶層は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有し、上記配向膜は、化学式で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する液晶表示装置。【選択図】図１
2019070747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板及び前記第二基板の間に挟持された液晶層と、
前記第一基板及び前記第二基板の少なくとも一方の前記液晶層側の表面に設けられた配向膜と、を備え、
前記第一基板及び前記第二基板のうち、前記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜を有し、
前記液晶層は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有し、
前記配向膜は、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有することを特徴とする液晶表示装置。
【化１】
2019070747.tif 000073
（上記化学式（Ｓ−１）及び（Ｓ−２）の各々において、芳香環に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基、エチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、ビニル基に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよい。）
【請求項２】
前記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶材料のネマティック相−等方相転移点は、９０℃以上、１１５℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）で表される少なくとも一種の化合物を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【化２】
2019070747.tif 000074
【化３】
2019070747.tif 000075
【化４】
2019070747.tif 000076
（上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）中、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表し、Ｂ１は、上記化学式（ｂ１１）〜（ｂ１５）のいずれかを表し、Ｃ１は上記化学式（ｃ１１）〜（ｃ２４）のいずれかを表し、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ３１及びＬ３２は、互いに独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ２及びＸ３は、互いに独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基若しくはアルコキシ基、又は、炭素数２〜３のハロゲン化アルケニル基若しくはアルケニルオキシ基を表し、Ｚは、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＯＯ−、トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、トランス−ＣＦ＝ＣＦ−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、ｓ及びｔは、互いに独立して、３又は４を表し、ｕ及びｖは、互いに独立して、２又は３を表し、＊は、結合位置を表す。）
【請求項５】
前記配向膜は、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記芳香族複素環基は、２級アミノ基を有する複素環を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記芳香族複素環基は、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記配向膜は、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造からなる群より選択される少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、配向膜を備える液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示のために液晶材料を利用する表示装置である。その代表的な表示方式は、一対の基板間に液晶材料を封入した液晶パネルに対してバックライトから光を照射し、液晶材料に電圧を印加して液晶化合物の配向を変化させることにより、液晶パネルを透過する光の量を制御するものである。液晶表示装置は、スイッチング素子を備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板と、これに対向配置されるカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）基板と、からなる一対の基板間に、液晶材料を含む液晶層を備える。ＴＦＴ基板には画素電極が、ＴＦＴ基板又はＣＦ基板には共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶層に含まれる液晶化合物の配向を制御することができるようになっている。また、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の液晶層側には、電圧が印加されていない状態における液晶化合物の配向を制御する配向膜が設けられている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、トリアゾール環を少なくとも１つ含むテトラカルボン酸二無水物と、ジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸を用いた配向膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−４１６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
車載用、及び、デジタルサイネージ用途で使用される液晶表示装置は、車内又は屋外において高温環境下で使用される可能性があるため、車載用、及び、デジタルサイネージ用途で使用される液晶材料には、例えば９０℃以上の高いネマティック相−等方相転移点（Ｔｎｉ）が求められることがある。また、高速応答性が求められるＨＭＤ（Ｈｅａｄ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｄｉｓｐｌａｙ）では、セル厚を薄くして応答速度を高めることがあるが、セル厚を薄くしても充分な透過率が得られるよう、ＨＭＤで使用される液晶材料には高い屈折率異方性（Δｎ）が求められる場合がある。このような高いＴｎｉ又は高いΔｎを有する液晶材料を得るために、比較的分子量が大きく、分子の柔軟性の低いターフェニル化合物又はテトラフェニル化合物を、液晶材料に例えば５ｗｔ％以上導入することがある。ここで、上記ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物は、光（紫外光）を吸収し易いため、電子移動反応を起こしてラジカルイオンを発生させ易い。
【０００６】
また、ＴＦＴ基板には、ＴＦＴと表示部（画素電極）との間に、有機材料で構成された層間絶縁膜が配置される。この層間絶縁膜は、例えば、主に重合体、光酸発生剤及び感光剤で構成されるポジ型レジストである。上記感光剤については、下記式１の反応機構に示すように、ナフトキノンジアジド基を有する化合物（ナフトキノンジアジド（ｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ  ｄｉａｚｉｄｅ）化合物（以下、ＮＱＤともいう））が用いられることがある。
【０００７】
しかしながら、ＮＱＤに紫外光等の光照射が行われると、下記式１の反応機構に示すように、反応過程の途中段階でビラジカルが形成され、最終的にカルボン酸が形成される。
【０００８】
【化１】
2019070747.tif 000003
【０００９】
層間絶縁膜内に含まれるＮＱＤは、少なくとも一部が未反応のまま残存している。未反応のＮＱＤを層間絶縁膜内に含む液晶表示装置を長期に渡って使用する場合、未反応のＮＱＤの一部が電極及び配向膜を通過し、直接液晶層に溶出することがある。液晶層中に溶出したＮＱＤは、バックライト光中のわずかな紫外光に反応し、上記式１に示す反応機構によりビラジカルを形成する。このビラジカルは、比較的安定にラジカルを取り込み易いターフェニル化合物又はテトラフェニル化合物との間で下記式２に示すような電子移動を起こし、ラジカルイオンを形成する。
【００１０】
【化２】
2019070747.tif 000004
【００１１】
このようにして形成された液晶層中のラジカルイオンの存在により、液晶表示装置の使用中にＶＨＲ〔Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｈｏｌｄｉｎｇ  Ｒａｔｉｏ：電圧保持率〕低下、及び、残留ＤＣ（ｒＤＣ）増加が起こり、フリッカ及び焼き付きが発生する。ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物は、ポジ型液晶材料及びネガ型液晶材料のいずれにも含まれるが、特にネガ型液晶材料がＮＱＤを溶かし易く、フリッカ及び焼き付きの発生が顕著になる。
【００１２】
なお、ネガ型液晶材料の方がポジ型液晶材料よりＮＱＤを溶かし易いのは、次のように考えられる。ＮＱＤは、上記式１に示すように水分を取り込み（水に溶解し）、カルボン酸を形成する。すなわち、ＮＱＤは水への溶解性が高いといえる。一方、液晶材料に着目すると、ポジ型液晶材料に含まれるポジ型液晶化合物に比べて、ネガ型液晶材料に含まれるネガ型液晶化合物の方が、極性の高い−Ｏ−（酸素）、−Ｆ（フッ素）及び−Ｃｌ（塩素）を多く含み、ネガ型液晶化合物の極性がポジ型液晶化合物より高くなるため、ネガ型液晶材料の方が極性のある水分を取り込み易い。すなわち、ネガ型液晶材料の方が、ポジ型液晶材料より水分を多く取り込んでいるため、結果としてＮＱＤは、ポジ型液晶材料に比べてネガ型液晶材料により取り込まれ易くなると考えられる。なお、上記ポジ型液晶化合物とは、正の誘電率異方性を有する液晶化合物であり、上記ポジ型液晶材料とは、上記ポジ型液晶化合物を含む液晶材料である。また、上記ネガ型液晶化合物とは、負の誘電率異方性を有する液晶化合物であり、上記ネガ型液晶材料とは、上記ネガ型液晶化合物を含む液晶材料である。
【００１３】
以上のように、液晶材料がターフェニル化合物及び／又はテトラフェニル化合物を含む場合、ＮＱＤに光が照射されることにより生じるビラジカル生成物と、液晶材料中に含まれるターフェニル化合物及び／又はテトラフェニル化合物との間で、上記式２の反応機構に示すような電子移動が起こり、液晶層中にラジカルイオンが生成されるため、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きが発生する場合がある。
【００１４】
しかしながら、上記特許文献１では、ポジ型レジストを含む層間絶縁膜に関する開示は一切なく、ポジ型レジストを含む層間絶縁膜と、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有する液晶層と、を備える液晶表示装置において、長期に渡る使用により、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きが発生するという課題については何ら検討されていない。
【００１５】
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであり、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制することができる液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制することができる液晶表示装置について種々の検討を行った。そして、配向膜に、下記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は下記化学式（Ｓ−２）で表される基を導入することにより、層間絶縁膜に含まれるポジ型レジスト（例えば、ＮＱＤ）に由来するビラジカルと、下記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は下記化学式（Ｓ−２）で表される基と、の間で電子移動反応を起こし、液晶層に含まれるターフェニル化合物及び／又はテトラフェニル化合物と上記ビラジカルとの間で電子移動反応が起こるのを抑えることができることを見出した。更に、本発明者らは、配向膜に芳香族複素環基を導入することにより、層間絶縁膜に含まれるポジ型レジスト（例えば、ＮＱＤ）と上記芳香族複素環基との間で相互作用を起こし、未反応のポジ型レジストが配向膜を通過して液晶層に溶出することを抑制することができることを見出した。これらの結果、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達した。
【００１７】
すなわち、本発明の一態様は、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板と、上記第一基板及び上記第二基板の間に挟持された液晶層と、上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方の上記液晶層側の表面に設けられた配向膜と、を備え、上記第一基板及び上記第二基板のうち、上記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜を有し、上記液晶層は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有し、上記配向膜は、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する液晶表示装置であってもよい。
【００１８】
【化３】
2019070747.tif 000005
（上記化学式（Ｓ−１）及び（Ｓ−２）の各々において、芳香環に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基、エチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、ビニル基に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよい。）
【００１９】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド化合物を含んでもよい。
【００２０】
上記液晶材料のネマティック相−等方相転移点は、９０℃以上、１１５℃以下であってもよい。
【００２１】
上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）で表される少なくとも一種の化合物を含んでもよい。
【００２２】
【化４】
2019070747.tif 000006
【００２３】
【化５】
2019070747.tif 000007
【００２４】
【化６】
2019070747.tif 000008
（上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）中、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表し、Ｂ１は、上記化学式（ｂ１１）〜（ｂ１５）のいずれかを表し、Ｃ１は上記化学式（ｃ１１）〜（ｃ２４）のいずれかを表し、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ３１及びＬ３２は、互いに独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ２及びＸ３は、互いに独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基若しくはアルコキシ基、又は、炭素数２〜３のハロゲン化アルケニル基若しくはアルケニルオキシ基を表し、Ｚは、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＯＯ−、トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、トランス−ＣＦ＝ＣＦ−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、ｓ及びｔは、互いに独立して、３又は４を表し、ｕ及びｖは、互いに独立して、２又は３を表し、＊は、結合位置を表す。）
【００２５】
上記配向膜は、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有してもよい。
【００２６】
上記芳香族複素環基は、２級アミノ基を有する複素環を含んでもよい。
【００２７】
上記芳香族複素環基は、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基であってもよい。
【００２８】
上記配向膜は、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造からなる群より選択される少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有してもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制することができる液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】実施形態１の液晶表示装置の一例を示す図であり、ＵＶ２Ａモードの液晶表示装置の断面模式図である。
【図２】実施形態１の液晶表示装置の一例を示す図であり、ＦＦＳモードの液晶表示装置の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態の構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。
【００３２】
［実施形態１］
液晶表示装置の表示（液晶配向）モードとしては、正の誘電率異方性を有する液晶化合物を基板法線方向から見たときに９０°捩れた状態で配向させるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、負の誘電率異方性を有する液晶化合物を基板面に対して垂直配向させる垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの他、広視野角特性を得やすい等の理由から、正又は負の誘電率異方性を有する液晶化合物を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード及びフリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等が挙げられる。本実施形態では、表示モードは特に限定されないが、例として、ＶＡモードの液晶表示装置、特に、互いに対向する第一基板と第二基板とが、互いに９０°ずれて液晶化合物の配向を規制するようになっているＵＶ２Ａ（Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示装置、及び、ＦＦＳモードの液晶表示装置を取り上げて説明を行う。
【００３３】
図１は、実施形態１の液晶表示装置の一例を示す図であり、ＵＶ２Ａモードの液晶表示装置の断面模式図である。図２は、実施形態１の液晶表示装置の一例を示す図であり、ＦＦＳモードの液晶表示装置の断面模式図である。図２に示すＦＦＳモードの液晶表示装置１は、電極の構造が異なること以外は、図１に示すＵＶ２Ａモードの液晶表示装置１と同様の構成を有する。
【００３４】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶表示装置１は、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０と、第一基板１０に対向して配置された第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に挟持された液晶層３０と、を備える。層間絶縁膜１３は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む。液晶層３０は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有する。上記ターフェニル化合物はテルフェニル化合物ともいい、パラターフェニル（パラテルフェニル）すなわちｐ−ターフェニル（ｐ−テルフェニル）から１個以上の水素原子を除いた基を有する化合物である。上記テトラフェニル化合物は、クアテルフェニル化合物ともいい、中央の２つのベンゼン環の各々がその両隣のベンゼン環とパラ位で直接結合したテトラフェニル（クアテルフェニル）から１個以上の水素原子を除いた基を有する化合物である。なお、中央の２つのベンゼン環の各々がその両隣のベンゼン環とパラ位で直接結合したテトラフェニルは、パラテトラフェニルとも呼ばれる。
【００３５】
第一基板１０と液晶層３０との間、及び、第二基板２０と液晶層３０との間には、それぞれ配向膜４０、５０が設けられている。層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０は、１種又は２種以上のポリマーを含み、上記ポリマーのうち少なくとも一種のポリマーは、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する。すなわち、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０は、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する。
【００３６】
以下では、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を、単に「特定の基」ともいう。また、配向膜に含まれるポリマーを配向膜ポリマーともいう。すなわち、上記配向膜ポリマーの中でも、特に、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する配向膜ポリマーを、特定の基を有する配向膜ポリマーともいい、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基を有さない配向膜ポリマーを、特定の基を有さない配向膜ポリマーともいう。
【００３７】
【化７】
2019070747.tif 000009
（上記化学式（Ｓ−１）及び（Ｓ−２）の各々において、芳香環に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基、エチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、ビニル基に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよい。上記芳香環に含まれる少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換される場合、上記ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子であることが好ましい。また、上記ビニル基に含まれる少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子に置換される場合、上記ハロゲン原子としては、フッ素原子又は塩素原子であることが好ましい。）
【００３８】
ＮＱＤを含む層間絶縁膜を備える液晶表示装置を長期間（例えば、１０００時間）使用する場合、未反応のＮＱＤの一部が電極及び配向膜を通過し、液晶層に溶出することがある。液晶層に溶出したＮＱＤに紫外光等の光照射が行われると、上記式１に示す反応が起こり、ビラジカルが形成される。上記ビラジカルは、液晶層に含まれるターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物との間で電子移動反応を起こし、ラジカルイオンが形成される。そのため、ＮＱＤを含む層間絶縁膜を備える液晶表示装置を長期間使用すると、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きが発生する可能性がある。
【００３９】
本実施形態では、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０に、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を導入することにより、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基と、上記式１の反応機構により発生するビラジカルと、の間で下記式３の反応機構に示すような電子移動反応を起こして配向膜４０の内部でラジカルイオンを発生させ、液晶層３０に含まれるターフェニル化合物及び／又はテトラフェニル化合物と上記ビラジカルとの間で電子移動反応を抑えることができる。配向膜４０の内部で発生したラジカルイオンは、液晶層３０へ拡散等されない、又は、液晶層３０へほぼ拡散等されないため、液晶表示装置１を長期間使用する場合であっても、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑えることが可能となり、ラジカルイオンが液晶層３０中で拡散等の運動性を持つことにより生じる、経時的なＶＨＲ低下及びｒＤＣ増加を抑制することができる。その結果、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となる。
【００４０】
【化８】
2019070747.tif 000010
【００４１】
また、本実施形態では、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０に芳香族複素環基を導入することにより、上記芳香族複素環基とＮＱＤとの間でファンデルワールス相互作用（より具体的には、上記芳香族複素環基における芳香環とＮＱＤにおける芳香環との相互作用）を起こすことにより、未反応のＮＱＤが配向膜４０を通過し、液晶層３０に溶出することを抑制することができる。その結果、液晶表示装置１を長期間使用する場合であっても、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑えることが可能となり、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となる。本明細書において、芳香族複素環基とは、少なくとも１つの複素環を含み、かつ少なくとも１つの環が芳香族性を示す縮合環化合物から１個以上の水素原子を除いた基を意味する。上記縮合環化合物は、（１）芳香族性を示す環のみから構成されてもよいし、（２）芳香族性を示す環と、芳香族性を示さない環とから構成されてもよい。（１）の場合としては、（ａ）芳香族性を示す２以上の複素環のみから構成される場合（例えば、プリン）、（ｂ）芳香族性を示す１以上の複素環と、１以上の芳香族炭化水素とから構成される場合（例えば、インドール、ベンゾイミダゾール）が挙げられる。（２）の場合としては、（ａ）芳香族性を示さない１以上の複素環と、１以上の芳香族炭化水素とから構成される場合（フェノキサジン、フェノチアジン）、（ｂ）芳香族性を示さない１以上の複素環と、芳香族性を示す１以上の複素環とから構成される場合、（ｃ）芳香族性を示さない１以上の複素環と、芳香族性を示す１以上の複素環と、１以上の芳香族炭化水素とから構成される場合が挙げられる。上記芳香族炭化水素は、ベンゼン環等の単環でもあってもよいし、縮合環であってもよい。
【００４２】
以上のように、本実施形態では、層間絶縁膜１３が有するポジ型レジストにＮＱＤが含まれる場合であっても、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有することにより、液晶表示装置１を長期間使用する場合であっても、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑えることが可能となり、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となる。特に、高温下で長期間使用することにより、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加が発生し易いが、本実施形態では、そのような場合であってもＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を効果的に抑えることが可能である。液晶表示装置１について、以下で詳細を説明する。
【００４３】
図１及び図２に示す第一基板１０は、ガラス等の透明基材からなる絶縁基板１１と、ＴＦＴ層１２と、層間絶縁膜１３と、各画素に設けられた面状の画素電極１４と、を液晶層３０側に向かって順に備える。第一基板１０はＴＦＴ基板ともいう。
【００４４】
第二基板２０は、ガラス等の透明基材からなる絶縁基板２１と、カラーフィルタ層２２及びブラックマトリクス層２３と、共通電極２４と、を液晶層３０側に向かって順に有する。第二基板２０はＣＦ基板ともいう。
【００４５】
第一基板１０の液晶層３０と反対側の面には第一偏光板（図示省略）が設けられ、第二基板２０の液晶層３０と反対側の面には第二偏光板（図示省略）が設けられている。上記第一偏光板及び上記第二偏光板は、互いの偏光軸が直交したクロスニコルの配置関係にある。また、第二基板２０の外側（液晶層３０と反対側）にはバックライト（図示省略）が配置されている。
【００４６】
ＴＦＴ層１２は、走査線と、データ線と、上記走査線及び上記データ線に接続されたＴＦＴと、を有する。
【００４７】
層間絶縁膜１３は、ＴＦＴ層１２と画素電極１４とを互いに絶縁する機能を有するものである。層間絶縁膜１３は、単に絶縁膜とも言い、例えば、ＴＦＴ層１２におけるＴＦＴと画素電極１４とが互いにコンタクトを取ることができるように、フォトリソグラフィープロセスによりパターニングされたポジ型レジストから形成されている。上記ポジ型レジストには、例えば、エポキシポリマー等の絶縁性ポリマーと、ノボラック樹脂と、光酸発生剤と、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤと、が含まれる。層間絶縁膜１３の機能は、上記機能に特に限定されないが、層間絶縁膜１３としては、液晶表示装置１の表示領域全体、なかでも少なくとも各画素の開口部に設けられるものが好適である。
【００４８】
上記エポキシポリマー（エポキシ樹脂）は、エポキシ基を有するプレポリマーの硬化物であれば特に限定されない。上記エポキシ基を有するプレポリマーとしては、ポジ型レジストの分野で一般的に使用されているものを挙げることができる。上記エポキシ基を有するプレポリマーとしては、例えば、下記化学式（Ｅ）で表される化合物が挙げられる。
【００４９】
【化９】
2019070747.tif 000011
（上記化学式（Ｅ）中、ＲＥは、−ＯＨ基、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の飽和アルキル基若しくは飽和アルコキシ基、又は、炭素数２〜１２の不飽和アルキル基若しくは不飽和アルコキシ基を表し、ＸＥは、−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、又は、−Ｃ（ＣＨ３）２−を表し、ｍ１は１〜４の整数を表し、ｎ１は１〜６の整数を表す。上記化学式（Ｅ）中、ＲＥ及びＸＥは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。）
【００５０】
上記ノボラック樹脂としては、ポジ型レジストの分野で一般的に使用されているものを挙げることができる。上記ノボラック樹脂は、特に限定されないが、フェノール類１モルに対して、縮合剤、例えば、アルデヒド類を０．５〜１．０モルの割合で、酸性触媒下で縮合反応させることにより得られるものが好ましい。
【００５１】
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール類；ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール類、２−イソプロピルフェノール、３−イソプロピルフェノール、４−イソプロピルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール類；２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール等のトリアルキルフェノール類；レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール等の多価フェノール類；アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノン等のアルキル多価フェノール類（前記いずれのアルキル基も炭素数１〜４である）、α−ナフトール、β−ナフトール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ等が挙げられる。これらのフェノール類は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
上記縮合剤としては、アルデヒド類及びケトン類が挙げられるが、アルデヒド類、中でもホルムアルデヒド及びパラホルムアルデヒドが好ましい。
【００５３】
上記ノボラック樹脂としては、例えば、下記化学式（ＮＢ）で表される化合物が挙げられる。
【００５４】
【化１０】
2019070747.tif 000012
【００５５】
上記光酸発生剤は、上記エポキシポリマーのカチオン重合開始剤として用いられる。上記光酸発生剤としては、特に限定されず、ポジ型レジストの分野で一般的に使用されているものを挙げることができるが、例えば、下記化学式（ＬＡ）で表されるスルホニウム塩（ＩＲＧＡＣＵＲＥ（登録商標）２９０、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
【００５６】
【化１１】
2019070747.tif 000013
（上記化学式（ＬＡ）において、Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基又はイソブチル基を表し、Ｒ´は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基 、イソプロピル基、ｎ−ブチル基 又は イソブチル基を表す。）
【００５７】
層間絶縁膜１３は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含むことが好ましい。ここで、層間絶縁膜１３にポジ型レジストが含まれ、かつ、その光反応物が含まれない場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる全ての感光部（例えば、ＮＱＤにおけるナフトキノンジアジド基）が未反応のまま層間絶縁膜１３に残存する場合である。層間絶縁膜にポジ型レジストが含まれず、かつ、その光反応物が含まれる場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる感光部の全てが光照射により光反応物となり層間絶縁膜１３に残存する場合である。層間絶縁膜にポジ型レジスト及びその光反応物の両者が含まれる場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる感光部の一部が光照射により光反応物となり、未反応のポジ型レジスト及び上記光反応物の両者が層間絶縁膜１３に含まれる場合である。液晶表示装置１において、ブラックマトリクス等の遮光部材が形成されていない開口領域では、光照射の影響により上記ポジ型レジストの光反応物が生成し易く、遮光部材が形成された遮光領域では、上記ポジ型レジストが未反応のまま残存し易いと考えられる。
【００５８】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド化合物（ＮＱＤ）を含むことが好ましい。ＮＱＤは、感光部であるナフトキノンジアジド基（１，２−ナフトキノンジアジド基）を有する、反応性の高いポジ型レジスト用の化合物であるため、層間絶縁膜１３をパターニングして上記ＴＦＴと画素電極１４とを接触させる際に、上記ＴＦＴと画素電極１４とのコンタクト不良による欠陥発生を抑制することができる。
【００５９】
上記ＮＱＤは、下記化学式（Ｎ１）で表されるナフトキノンジアジド基を有する化合物であることが好ましい。
【００６０】
【化１２】
2019070747.tif 000014
【００６１】
上記ＮＱＤとしては、例えば、各種多価フェノールの少なくとも１つの水酸基が、上記ナフトキノンジアジド基を含む基で置換された化合物；上記ナフトキノンジアジド基を有するポリマー；等の化合物が挙げられる。上記ポリマーは特に限定されず、例えば、ネットワークポリマーを用いることができる。なお、本実施形態では、ＮＱＤがノボラック樹脂とは異なる材料であるとして説明を行うが、ＮＱＤは、ノボラック樹脂が有するフェノール性水酸基の一部がナフトキノンジアジド基を含む基で置換された化合物、すなわち、ナフトキノンジアジド基を有するノボラック樹脂であってもよい。この場合、ポジ型レジストは、ＮＱＤとは別に、ノボラック樹脂を含まなくてもよい。
【００６２】
上記ＮＱＤは、上記化学式（Ｎ１）で表されるナフトキノンジアジド基を備える、下記化学式（Ｎ２）で表される基（１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基）を有する化合物であることがより好ましい。
【００６３】
【化１３】
2019070747.tif 000015
【００６４】
ＮＱＤに紫外光等の光照射が行われると、上記式１の反応機構に示すように、反応過程の途中段階でビラジカルが形成され、最終的にカルボン酸（インデンカルボン酸）が形成される。
【００６５】
図１に示すように、ＵＶ２Ａモードの液晶表示装置１では、一対の電極を構成する画素電極１４及び共通電極２４の間に電圧を印加することによって液晶層３０に電界を発生させることができる。よって、画素電極１４と共通電極２４との間に印加する電圧を調整することにより、液晶層３０中の液晶化合物の配向を制御することができる。
【００６６】
また、図２に示すように、ＦＦＳモードの液晶表示装置１では、第一基板１０は、各画素に設けられた面状の画素電極１４と、第２絶縁膜１５と、スリットが形成された櫛歯状の共通電極２４と、を液晶層３０側に向かって順に有する。なお、画素電極１４と共通電極２４との配置を入れ替え、面状の共通電極２４の液晶層３０側に、スリットが形成された櫛歯状の画素電極１４を各画素に形成してもよい。図２に示すＦＦＳモードの液晶表示装置１では、第２絶縁膜１５を介して共通電極２４を画素電極１４の上層の配置している。第２絶縁膜１５としては、例えば、例えば、窒化珪素（ＳｉＮＸ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機膜（比誘電率ε＝５〜７）や、それらの積層膜を用いることができる。
【００６７】
図１及び図２に示す画素電極１４及び共通電極２４の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。
【００６８】
図１及び図２に示すカラーフィルタ層２２は、液晶表示装置の分野で一般的に用いられるカラーフィルタ層であり、複数色のカラーフィルタを有する。本実施形態におけるカラーフィルタ層２２は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタから構成されるが、これらのカラーフィルタに加えて、黄色カラーフィルタ等を用いることもできる。ブラックマトリクス層２３は、液晶表示装置の分野で一般的に用いられるブラックマトリクス層であり、液晶表示装置１に配置されたバックライトからの光や外光を遮る機能を有する。
【００６９】
液晶層３０は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有する。このような態様とすることにより、上記液晶材料のネマティック相−等方相転移点（Ｔｎｉ）を高める、又は、屈折率異方性（Δｎ）を高めることが可能となる。なお、上記ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物は、それぞれ、単独で液晶性を示すことができ、ターフェニル液晶化合物及びテトラフェニル液晶化合物ともいう。上記液晶材料は、上記ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含んでいればよく、液晶表示装置１の表示モード（ＵＶ２Ａモード、ＦＦＳモード又はこれら以外のモード）に合わせて、適宜、他の化合物（液晶化合物等）を含有することができる。上記液晶材料の誘電率異方性は正でも負でもよく、誘電率異方性の好ましい範囲は用途によって様々であるが、例えば、上記液晶材料の誘電率異方性の絶対値は、１．５〜１０である。本実施形態では、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きがより顕著に表れる、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いる場合であっても、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を効果的に抑制することができるため、本実施形態は、負の誘電率異方性を有する液晶材料を用いる場合に特に好適である。
【００７０】
上記液晶材料の全量に対する、上記ターフェニル化合物及び上記テトラフェニル化合物の総含有量は、０．５ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であることが好ましく、１ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下であることがより好ましい。このような態様とすることにより、上記液晶材料のＴｎｉ及びΔｎを向上させることができる。上記ターフェニル化合物及び上記テトラフェニル化合物の総含有量が２０ｗｔ％を超えると、上記液晶材料の回転粘度が大きくなり、応答特性が低下することがある。
【００７１】
また、上記液晶材料が、上記ターフェニル化合物及び上記テトラフェニル化合物の両方を含む場合、上記テトラフェニル化合物に対する上記ターフェニル液晶化合の重量比は、１以上、２０以下であることが好ましい。上記重量比が１未満であると、上記液晶材料の回転粘度が大きくなり、応答特性が低下する場合がある。一方、上記重量比が２０を超えると、Ｔｎｉ及びΔｎを増加させる効果が小さくなる場合がある。
【００７２】
上記液晶材料のＴｎｉは、９０℃以上、１１５℃以下であることが好ましく、９５℃以上、１１０℃以下であることがより好ましい。９０℃未満であると等方相に転移し易くなるため、高温環境下で使用する車載用やデジタルサイネージ用途では、転移による表示不良が発生する場合がある。一方、１１５℃を超えると、応答特性が低下する場合がある。上記液晶材料のＴｎｉは、温度制御装置（例えば、メトラー・トレド社製）を用いて直接観察により、又は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）により測定することができる。
【００７３】
上記液晶材料のΔｎは、０．０９以上、０．２５以下であることが好ましく、０．１２以上、０．１６以下であることがより好ましい。０．０９未満であると、充分な透過率を得るためにセル厚を厚くしなければならず、結果として応答特性が低下することがある。一方、０．２５を超えると、上記液晶材料の散乱が大きくなり、コントラストが低下することがある。上記液晶材料のΔｎは、アッベ屈折計を用いて測定することができる。
【００７４】
上記ターフェニル化合物及び上記テトラフェニル化合物は、それぞれ、ターフェニル（テルフェニル）から１個以上の水素原子を除いた基及びテトラフェニル（クアテルフェニル）から１個以上の水素原子を除いた基を有する限り、特に限定されないが、上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）で表される少なくとも一種の化合物を含むことが好ましい。すなわち、上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）で表される化合物の群から選択される少なくとも一種の化合物を含有することが好ましい。このような態様とすることにより、上記液晶材料のΔｎを高めつつ、低回転粘度を実現することができる。
【００７５】
【化１４】
2019070747.tif 000016
【００７６】
【化１５】
2019070747.tif 000017
【００７７】
【化１６】
2019070747.tif 000018
（上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）中、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表し、Ｂ１は、上記化学式（ｂ１１）〜（ｂ１５）のいずれかを表し、Ｃ１は上記化学式（ｃ１１）〜（ｃ２４）のいずれかを表し、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ３１及びＬ３２は、互いに独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ２及びＸ３は、互いに独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基若しくはアルコキシ基、又は、炭素数２〜３のハロゲン化アルケニル基若しくはアルケニルオキシ基を表し、Ｚは、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＯＯ−、トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、トランス−ＣＦ＝ＣＦ−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、ｓ及びｔは、互いに独立して、３又は４を表し、ｕ及びｖは、互いに独立して、２又は３を表し、＊は、結合位置を表す。）
【００７８】
上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）において、Ｂ１は、上記化学式（ｂ１１）〜（ｂ１５）のいずれかを表し、上記化学式（ｂ１１）、（ｂ１２）、（ｂ１３）及び（ｂ１５）のいずれかであることが好ましい。上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）のそれぞれにおいて、複数存在するＢ１は、互いに同一であってもよく、少なくとも１つが他と異なっていてもよい。
【００７９】
上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）において、Ｃ１は、上記化学式（ｃ１１）〜（ｃ２４）のいずれかを表し、上記化学式（ｃ１１）、（ｃ１５）、（ｃ１６）及び（ｃ１７）のいずれかであることが好ましい。上記化学式（Ａ−２ｆ）において、２つ存在するＣ１は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
【００８０】
上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）において、Ｌ２１及びＬ３１の少なくとも一方はフッ素原子を表すことが好ましい。上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）において、Ｘ２及びＸ３は、互いに独立して、フッ素原子、塩素原子、−ＯＣＦ３又は−ＣＦ３を表すことが好ましく、フッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ３を表すことがより好ましい。
【００８１】
上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）において、Ｚは、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−又はトランス−ＣＨ＝ＣＨ−を表すことが好ましく、−ＣＯＯ−又はトランス−ＣＨ＝ＣＨ−を表すことがより好ましい。上記化学式（Ａ−１ａ）において、ｓは３を表すことが好ましく、上記化学式（Ａ−２ａ）において、ｔは３を表すことが好ましく、（Ａ−２ｄ）において、ｕは２を表すことが好ましく、上記化学式（Ａ−２ｅ）において、ｖは２を表すことが好ましい。
【００８２】
上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−３）で表される少なくとも一種の化合物を含むことがより好ましい。
【００８３】
【化１７】
2019070747.tif 000019
（上記化学式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−３）におけるＲ２は、上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）におけるＲ２と、好ましい範囲も含めて同様であり、上記化学式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−３）におけるＸ２は、上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）におけるＸ２と、好ましい範囲も含めて同様である。）
【００８４】
上記化学式（Ａ−１−１）〜（Ａ−１−３）におけるＸ２は、フッ素原子であることが更に好ましい。
【００８５】
上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−２−１）〜（Ａ−２−１０）で表される少なくとも一種の化合物を含むことがより好ましい。
【００８６】
【化１８】
2019070747.tif 000020
（上記化学式（Ａ−２−１）〜（Ａ−２−１０）におけるＲ３は、上記化学式（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）におけるＲ３と、好ましい範囲も含めて同様であり、上記化学式（Ａ−２−１）〜（Ａ−２−１０）におけるＸ３は、上記化学式（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）におけるＸ３と、好ましい範囲も含めて同様である。）
【００８７】
上記化学式（Ａ−２−１）〜（Ａ−２−１０）におけるＸ３は、フッ素原子であることが更に好ましい。
【００８８】
上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−３）及び（Ａ−４）で表される少なくとも一種の化合物を含んでもよく、この態様もまた好ましい態様の一つである。
【００８９】
【化１９】
2019070747.tif 000021
（上記化学式（Ａ−３）において、Ｒ４１及びＲ４２は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表し、Ｌ４は、水素原子又はフッ素原子を表す。）
【００９０】
【化２０】
2019070747.tif 000022
（上記化学式（Ａ−４）において、Ｒ５１及びＲ５２は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表す。）
【００９１】
上記化学式（Ａ−４）において、Ｒ５１は、アルキル基であることが好ましい。上記化学式（Ａ−４）において、Ｒ５２は、アルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、−ＣＨ＝ＣＨ２、−（ＣＨ２）２−ＣＨ＝ＣＨ２又は−（ＣＨ２）２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３であることがより好ましい。
【００９２】
ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の具体例としては、例えば、下記化学式（ＡＥ１）〜（ＡＥ２２）で表される化合物が挙げられる。
【００９３】
【化２１】
2019070747.tif 000023
【００９４】
【化２２】
2019070747.tif 000024
（上記化学式（ＡＥ１）〜（ＡＥ２２）において、ｍ、ｎ及びｋはそれぞれ独立に、１〜８の整数を表す。）
【００９５】
配向膜４０、５０は、液晶表示装置１において、第一基板１０及び第二基板２０に挟持された液晶層３０における液晶化合物の配向を制御する機能を有するものである。液晶層３０への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のときには、主に配向膜４０、５０の働きによって液晶層３０中の液晶化合物の配向が制御される。この状態（以下、初期配向状態ともいう）において、第一基板１０及び第二基板２０の表面に対して液晶化合物の長軸が形成する角度が「プレチルト角」と呼ばれる。なお、本明細書において「プレチルト角」とは、基板面と平行な方向からの液晶化合物の傾きの角度を表し、基板面と平行な角度が０°、基板面の法線の角度が９０°である。
【００９６】
配向膜４０、５０は、液晶層３０中の液晶化合物を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）でもよいし、略水平に配向させるもの（水平配向膜）でもよい。垂直配向膜の場合、略垂直とは、プレチルト角が８５°以上、９０°以下であることが好ましい。水平配向膜の場合、略水平とは、プレチルト角が０°以上、５°以下であることが好ましい。
【００９７】
配向膜４０、５０には配向処理が施されていても、配向処理が施されていなくてもよい。配向膜４０、５０に配向処理を行う場合の配向処理方法は特に限定されず、例えばラビング処理、光配向処理等が挙げられる。
【００９８】
ラビング処理は、配向膜４０、５０を塗布した第一基板１０及び第二基板２０に対して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを一定圧力で押し込みながら回転させることによって、配向膜４０、５０の表面を一定方向に擦る方法である。
【００９９】
光配向処理は、配向膜４０、５０上に直線偏光紫外光を照射することによって、偏光方向の配向膜４０、５０の構造を選択的に変化させ、これによって配向膜４０、５０に異方性を発生させて液晶化合物に配向方位角を付与する方法である。この場合、配向膜４０、５０は、光配向性を示す材料から形成され、光配向膜とも呼ばれる。光配向性を示す材料とは、紫外光、可視光等の光（電磁波）が照射されることによって構造変化を生じ、その近傍に存在する液晶化合物の配向を規制する性質（配向規制力）を発現する材料や、配向規制力の大きさ及び／又は向きが変化する材料全般を意味する。光配向性を示す材料としては、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等の反応が光照射によって起こる光反応部位（光配向性官能基）を含むものが挙げられる。
【０１００】
光照射によって二量化及び異性化する光配向性官能基としては、例えば、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、スチルベン基等が挙げられる。光照射によって異性化する光配向性官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、トラン基等が挙げられる。光照射によって光フリース転移する光配向性官能基としては、例えば、フェノールエステル構造等が挙げられる。光照射によって分解する光配向性官能基としては、例えば、シクロブタン構造等が挙げられる。
【０１０１】
本実施形態では、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有していればよく、第二基板２０に設けられた配向膜５０は、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有していても、有していなくてもよく、第二基板２０に設けられた配向膜５０には一般的な配向膜を用いることができる。第二基板２０が、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜を有する場合、第二基板２０に設けられる配向膜５０は、第一基板１０に設けられる配向膜４０と同様、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有していることが好ましい。
【０１０２】
配向膜４０は、１種又は２種以上の配向膜ポリマーを含み、上記配向膜ポリマーのうち少なくとも一種の配向膜ポリマーは、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する配向膜ポリマー、すなわち、特定の基を有する配向膜ポリマーである。配向膜４０が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する配向膜ポリマーを用いて形成される場合、光配向処理によって、配向膜４０には、上記化学式（Ｓ−１）で表される基が二量化した構造及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基が二量化した構造が含まれることがあるが、そのような場合であっても、配向膜４０には、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基が残存している。配向膜４０は、上記特定の基を有する配向膜ポリマーのみを含んでいてもよく、上記特定の基を有する配向膜ポリマー以外に、特定の基を有さない配向膜ポリマーを含んでいてもよい。配向膜４０に含まれる配向膜ポリマーの総量に対して、特定の基を有する配向膜ポリマーは、３ｗｔ％以上、５０ｗｔ％以下であることが好ましく、５ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【０１０３】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーは、一分子中に、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する繰り返し単位を１つのみ有していてもよいし、一分子中の全ての繰り返し単位が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する繰り返し単位であってもよい。本実施形態の特定の基を有する配向膜ポリマー一分子に含まれる繰り返し単位のうち、４０モル％以上、１００モル％以下が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する繰り返し単位であることが好ましい。このような態様とすることにより、偏光紫外光を照射することによって配向膜４０に異方性を発生させて、上記液晶材料に対して適切な配向状態を付与することが可能となる。上記特定の基を有する配向膜ポリマー一分子に含まれる繰り返し単位のうち、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する繰り返し単位が４０モル％未満である場合、上記液晶材料に含まれる上記液晶化合物の配向が安定しない場合がある。一方、上記特定の基を有する配向膜ポリマー一分子に含まれる繰り返し単位のうち、上記化学式（Ｓ−１）で表される基、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する繰り返し単位が１００モル％であっても、上記液晶化合物を充分に配向させることができる。
【０１０４】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーの重量平均分子量は、好ましくは１，０００〜５００，０００であることが好ましく、１０，０００〜１００，０００であることがより好ましい。上記特定の基を有する配向膜ポリマーの重量平均分子量が１，０００未満の場合、上記特定の基を有する配向膜ポリマーを含む溶液を調製する際に溶液粘度を高くすることが困難となるため、インクジェット法又は印刷法で配向膜４０を形成する際に適切な膜厚を得ることができないことがある。一方、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの重量平均分子量が５００，０００を超える場合、上記特定の基を有する配向膜ポリマーを含む溶液を調製する際に溶液粘度が高粘度になり過ぎ、インクジェット法又は印刷法で配向膜４０を製膜することが困難となり、膜厚分布が大きくなる場合がある。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定することができる。
【０１０５】
配向膜４０は、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有することが好ましい。すなわち、配向膜４０に含まれる配向膜ポリマーは、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有することが好ましい。シンナメート基は、桂皮酸のカルボキシル基における水素原子を除いた１価の基、又は、桂皮酸のカルボキシル基における水素原子及びベンゼン環における１個の水素原子を除いた２価の基であり、シンナメート基は、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基の少なくとも一種の基を含むことが可能である。カルコン基は、カルコンの２つのベンゼン環の一方における１個の水素原子を除いた１価の基、又は、両方のベンゼン環のそれぞれにおいて１個の水素原子を除いた２価の基であり、カルコン基は、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基の少なくとも一種の基を含むことが可能である。
【０１０６】
また、シンナメート基及びカルコン基は、上述のように、光照射によって二量化及び異性化等する光配向性官能基である。したがって、配向膜４０が、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有することにより、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となると共に、配向膜４０に光配向処理を施すことができ、ラビング処理用の配向膜を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。また、非接触の配向処理が可能となり、ＴＦＴ等の素子を劣化させることなく、液晶の配向及び配向安定性を向上させることができる。
【０１０７】
上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基は、それぞれ、配向膜ポリマーの側鎖に含まれることが好ましい。上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基が配向膜ポリマーの主鎖に含まれる場合、ポリマーコンフォメーションにおける立体束縛が大きくなり、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基が光照射により光反応（二量化や異性化）を起こしにくくなる場合がある。
【０１０８】
上記芳香族複素環基は、２級アミノ基を有する複素環を含むことが好ましい。このような態様とすることにより、下記式４に示す相互作用（ファンデルワールス相互作用（より具体的には、上記芳香族複素環基におけるＮＨ基と、ＮＱＤにおけるケトン（−Ｃ＝Ｏ）基との間の相互作用、及び、上記芳香族複素環基における芳香環とＮＱＤにおける芳香環との相互作用））が起こり、未反応のＮＱＤが配向膜４０を通過し、液晶層３０に溶出することをより抑制することができる。その結果、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加をより抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きをより抑えることが可能となる。
【０１０９】
【化２３】
2019070747.tif 000025
【０１１０】
上記芳香族複素環基は、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基であることがより好ましい。このような態様とすることにより、層間絶縁膜にＮＱＤが含まれる場合であっても、上記芳香族複素環基が上記ＮＱＤと水素結合を形成し易くなり、未反応のＮＱＤが配向膜４０を通過し、液晶層３０に溶出することをより抑制することができる。また、一般的にポリマーの分子量分布は１より大きいため、配向膜４０には、１分子あたりの分子量が比較的小さい配向膜ポリマーが含まれる場合がある。上記特定の基を有する配向膜ポリマーのうち、分子量の比較的小さなポリマーは液晶層３０へ溶出し易く、光照射によりラジカルを発生することがあると考えられるが、上記芳香族複素環基を、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基とすることにより、上記芳香族複素環基内での相互作用を高め、上記特定の基を有する配向膜ポリマーのコンフォメーションにおける束縛を大きくして高分子鎖に剛直性を付与すると共に、上記特定の基を有する配向膜ポリマー間の相互作用を高めることが可能となり、上記特定の基を有する配向膜ポリマーが液晶層３０へ溶出するのを抑制することができる。その結果、上記特定の基を有する配向膜ポリマーに由来するラジカルが、液晶層３０に発生するのを抑制することが可能となる。特に、シンナメート基やカルコン基等のメソゲンに類似する構造を有する光配向性官能基は、液晶層３０と相互作用を起こし易いが、上記芳香族複素環基を、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基とすることにより、上記特定の基を有する配向膜ポリマーがシンナメート基やカルコン基等の光配向性官能基を有する場合であっても、液晶層３０に発生するラジカルの発生を効果的に抑制することができる。なお、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基は、それぞれ、インドール、ベンゾイミダゾール、プリン、フェノキサジン及びフェノチアジンから１個以上の水素原子を除いた基である。
【０１１１】
上記インドール基としては、下記化学式（Ｄ１）で表される芳香族複素環基が挙げられ、上記ベンゾイミダゾール基としては、下記化学式（Ｄ２）で表される芳香族複素環基が挙げられ、上記プリン基としては、下記化学式（Ｄ３）で表される芳香族複素環基が挙げられ、上記フェノキサジン基としては、下記化学式（Ｄ４）及び（Ｄ６）で表される芳香族複素環基が挙げられ、上記フェノチアジン基としては、下記化学式（Ｄ５）及び（Ｄ７）で表される芳香族複素環基が挙げられる。なお、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ７）で表される基は、置換基を有していても有していなくてもよいが、上記配向膜ポリマーの合成の観点から、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ７）で表される基は置換基を有していないことが好ましい。
【０１１２】
【化２４】
2019070747.tif 000026
【０１１３】
上記芳香族複素環基は、配向膜ポリマーの主鎖又は側鎖に含まれることが好ましい。上記芳香族複素環基が配向膜ポリマーの側鎖に含まれる場合、上記芳香族複素環基は上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）で表される芳香族複素環基であることが好ましく、上記芳香族複素環基が配向膜ポリマーの主鎖に含まれる場合、上記芳香族複素環基は上記化学式（Ｄ６）及び（Ｄ７）で表される芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１１４】
配向膜４０が上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基の少なくとも一種の基を有する場合、配向膜４０に含まれる配向膜ポリマーは、下記化学式（ＰＡ−１）及び（ＰＩ−１）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましい。下記化学式（ＰＡ−１）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリアミック酸構造が含まれ、下記化学式（ＰＩ−１）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリイミド構造が含まれる。
【０１１５】
【化２５】
2019070747.tif 000027
（上記化学式（ＰＡ−１）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１１６】
上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ及びＹＳは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１１７】
【化２６】
2019070747.tif 000028
（上記化学式（ＰＩ−１）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１１８】
上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、Ｘ及びＹＳは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１１９】
配向膜４０が上記芳香族複素環基を有する場合、配向膜４０に含まれる配向膜ポリマーは、下記化学式（ＰＡ−２）、（ＰＡ−３）、（ＰＩ−２）及び（ＰＩ−３）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましい。下記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＡ−３）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリアミック酸構造が含まれ、下記化学式（ＰＩ−２）及び（ＰＩ−３）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリイミド構造が含まれる。
【０１２０】
【化２７】
2019070747.tif 000029
（上記化学式（ＰＡ−２）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１２１】
上記化学式（ＰＡ−２）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ及びＹＤは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１２２】
【化２８】
2019070747.tif 000030
（上記化学式（ＰＩ−２）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１２３】
上記化学式（ＰＩ−２）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、Ｘ及びＹＤは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１２４】
【化２９】
2019070747.tif 000031
（上記化学式（ＰＡ−３）中、ＸＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基を有する４価の基であり、Ｙは同一又は異なって、２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１２５】
上記化学式（ＰＡ−３）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、ＸＤ及びＹは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１２６】
【化３０】
2019070747.tif 000032
（上記化学式（ＰＩ−３）中、ＸＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基を有する４価の基であり、Ｙは同一又は異なって、２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１２７】
上記化学式（ＰＩ−３）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、ＸＤ及びＹは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１２８】
配向膜４０が、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基と、上記芳香族複素環基とを有する場合、配向膜４０に含まれる配向膜ポリマーは、下記化学式（ＰＡ−４）、（ＰＡ−５）、（ＰＩ−４）及び（ＰＩ−５）で表される少なくとも一種の構造を有することがより好ましい。下記化学式（ＰＡ−４）及び（ＰＡ−５）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリアミック酸構造が含まれ、下記化学式（ＰＩ−４）及び（ＰＩ−５）で表される構造を有する配向膜ポリマーの主鎖構造にはポリイミド構造が含まれる。
【０１２９】
【化３１】
2019070747.tif 000033
（上記化学式（ＰＡ−４）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ＹＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する２価の基であり、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【０１３０】
上記化学式（ＰＡ−４）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ、ＹＳ及びＹＤは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１３１】
【化３２】
2019070747.tif 000034
（上記化学式（ＰＩ−４）中、Ｘは同一又は異なって、４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ＹＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する２価の基であり、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【０１３２】
上記化学式（ＰＩ−４）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、Ｘ、ＹＳ及びＹＤは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１３３】
【化３３】
2019070747.tif 000035
（上記化学式（ＰＡ−５）中、ＸＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基を有する４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１３４】
上記化学式（ＰＡ−５）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、ＸＤ及びＹＳは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１３５】
【化３４】
2019070747.tif 000036
（上記化学式（ＰＩ−５）中、ＸＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基を有する４価の基であり、ＹＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、ｐは１以上の整数である。）
【０１３６】
上記化学式（ＰＩ−５）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、ＸＤ及びＹＳは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１３７】
上記化学式（ＰＡ−１）におけるＸ、（ＰＩ−１）におけるＸ、（ＰＡ−２）におけるＸ、（ＰＩ−２）におけるＸ、（ＰＡ−４）におけるＸ及び（ＰＩ−４）におけるＸは、それぞれ、同一又は異なって、４価の基を表し、芳香族基及び脂環式基の少なくとも一方を有する炭素数４〜２０の４価の基であることがより好ましく、芳香族基を有する炭素数６〜２０の４価の基又は脂環式基を有する炭素数４〜２０の４価の基であることが更に好ましく、炭素数４〜６の脂環式基を有する炭素数４〜１０の４価の基であることが特に好ましい。２個以上の環状の構造を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１〜５の炭化水素基、−Ｏ−基、−Ｎ＝Ｎ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基等が挙げられる。
【０１３８】
Ｘの具体例としては、下記化学式（Ｘ−１）〜（Ｘ−１６）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも１つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【０１３９】
【化３５】
2019070747.tif 000037
【０１４０】
上記化学式（ＰＡ−３）におけるＸＤ、（ＰＩ−３）におけるＸＤ、（ＰＡ−５）におけるＸＤ及び（ＰＩ−５）におけるＸＤは、それぞれ、同一又は異なって、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基を有する４価の基であることが好ましく、上記化学式（Ｄ６）又は（Ｄ７）で表される芳香族複素環基であることがより好ましい。
【０１４１】
上記化学式（ＰＡ−３）におけるＹ及び（ＰＩ−３）におけるＹは、それぞれ、同一又は異なって、２価の基を表し、芳香族基及び脂環式基の少なくとも一方を有する炭素数４〜４０の２価の基であることがより好ましく、芳香族基及び脂環式基を有する炭素数１０〜４０の２価の基であることが更に好ましく、炭素数６〜１０の芳香族基及び炭素数１０〜３０の脂環式基を有する２価の基であることが特に好ましい。２個以上の環状の構造を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１〜５の炭化水素基、−Ｏ−基、−Ｎ＝Ｎ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基等が挙げられる。
【０１４２】
Ｙの具体例としては、下記化学式（Ｙ−１）〜（Ｙ−２５）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも１つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【０１４３】
【化３６】
2019070747.tif 000038
【０１４４】
【化３７】
2019070747.tif 000039
【０１４５】
上記化学式（ＰＡ−１）におけるＹＳ、（ＰＩ−１）におけるＹＳ、（ＰＡ−４）におけるＹＳ、（ＰＩ−４）におけるＹＳ、（ＰＡ−５）におけるＹＳ及び（ＰＩ−５）におけるＹＳは、それぞれ、同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する２価の基であり、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有し、かつ、炭素数９〜３０の２価の基であることがより好ましい。
【０１４６】
ＹＳの具体例としては、下記化学式（ＹＳ−１）〜（ＹＳ−１８）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも１つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【０１４７】
【化３８】
2019070747.tif 000040
【０１４８】
【化３９】
2019070747.tif 000041
【０１４９】
【化４０】
2019070747.tif 000042
【０１５０】
上記化学式（ＰＡ−２）におけるＹＤ、（ＰＩ−２）におけるＹＤ、（ＰＡ−４）におけるＹＤ及び（ＰＩ−４）におけるＹＤは、それぞれ、同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する２価の基であり、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有し、かつ、炭素数５〜４０の２価の基であることがより好ましい。
【０１５１】
ＹＤの具体例としては、下記化学式（ＹＤ−１）〜（ＹＤ−１０）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも１つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【０１５２】
【化４１】
2019070747.tif 000043
【０１５３】
【化４２】
2019070747.tif 000044
【０１５４】
上記化学式（ＰＡ−４）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）、及び（ＰＩ−４）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）は共重合比を表し、それぞれ、０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たし、０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．６を満たすことが好ましく、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．３を満たすことがより好ましい。上記化学式（ＰＡ−４）及び（ＰＩ−４）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．６を超えると、光配向処理における液晶配向安定性が低下する場合がある。一方、上記化学式（ＰＡ−４）及び（ＰＩ−４）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．０５未満であると、上記芳香族複素環基を導入することにより得られる効果、すなわち、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑える効果が得られ難い。
【０１５５】
上記では、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの主鎖がポリアミック酸構造又はポリイミド構造を有する場合について述べたが、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの主鎖構造としては、ポリアミック酸構造及びポリイミド構造の他、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造を挙げることができる。すなわち、配向膜４０は、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造からなる群より選択される少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有することが好ましい。ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造を主鎖構造として有するポリマーは、合成方法が確立しており、分子量制御もある程度可能であり、かつ、熱への安定性が高いためである。中でも、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造及びポリシロキサン構造を主鎖構造として有するポリマーは、熱安定性がより高く、ポリイミド構造を主鎖構造として有するポリマーの熱安定性は更に高い。
【０１５６】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーが、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基の少なくとも一種の基、及び、上記芳香族複素環基を有し、かつ、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの主鎖構造がポリシロキサン構造を有する場合、上記特定の基を有する配向膜ポリマーは、下記化学式（ＰＳ−１）で表される構造を有することが好ましく、下記化学式（ＰＳ−２）で表される構造を有することがより好ましい。
【０１５７】
【化４３】
2019070747.tif 000045
（上記化学式（ＰＳ−１）中、ＳＳ１は同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、ＳＤ１は同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、αは同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【０１５８】
上記化学式（ＰＳ−１）で表される構造を有するポリシロキサンの一分子において、ＳＳ１、ＳＤ１及びαは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１５９】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるＳＳ１は、同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有し、かつ、炭素数９〜３０の１価の基であることが好ましい。
【０１６０】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるＳＤ１は、同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有し、かつ、炭素数５〜４０の１価の基であることが好ましい。
【０１６１】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）は共重合比を表し、０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たし、０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．６を満たすことが好ましく、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．３を満たすことがより好ましい。上記化学式（ＰＳ−１）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．６を超えると、光配向処理における液晶配向安定性が低下する場合がある。一方、上記化学式（ＰＳ−１）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．０５未満であると、上記芳香族複素環基を導入することにより得られる効果、すなわち、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑える効果が得られ難い。
【０１６２】
【化４４】
2019070747.tif 000046
（上記化学式（ＰＳ−２）中、ＰＳＳは同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、ＰＳＤは同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、αは同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、ｍ、ｎ、ｒ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ、ｎ及びｒは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．５、及び、０＜ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．５を満たす。）
【０１６３】
上記化学式（ＰＳ−２）で表される構造を有するポリシロキサンの一分子において、ＰＳＳ、ＰＳＤ及びαは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１６４】
上記化学式（ＰＳ−２）におけるＰＳＳは、同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有し、かつ、炭素数９〜３０の１価の基であることが好ましい。
【０１６５】
上記化学式（ＰＳ−２）におけるＰＳＤは、同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有し、かつ、炭素数５〜４０の１価の基であることが好ましい。
【０１６６】
上記化学式（ＰＳ−２）におけるＰＳＳの具体例としては、下記化学式（ＰＳＳ−１）〜（ＰＳＳ−５）で表される化学構造等が挙げられる。
【０１６７】
【化４５】
2019070747.tif 000047
【０１６８】
上記化学式（ＰＳ−２）におけるＰＳＤの具体例としては、下記化学式（ＰＳＤ−１）〜（ＰＳＤ−５）で表される化学構造等が挙げられる。
【０１６９】
【化４６】
2019070747.tif 000048
【０１７０】
上記化学式（ＰＳ−２）におけるｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）及びｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）は共重合比を表し、０＜ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．５、及び、０＜ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．５を満たし、０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．５を満たし、かつ、０≦ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．１を満たすことが好ましく、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．３を満たし、かつ、０≦ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）≦０．０５を満たすことがより好ましい。上記化学式（ＰＳ−２）においてｒの割合（ｒ／（ｍ＋ｎ＋ｒ））は、少なければ少ないほど好ましく、これにより、上記特定の基の割合を高めることが可能である。また、ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）が０．０５未満であると、上記芳香族複素環基を導入することにより得られる効果、すなわち、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑える効果が得られ難く、ｍ／（ｍ＋ｎ＋ｒ）が０．５を超えると、光配向処理における液晶配向安定性が低下する場合がある。
【０１７１】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーが、上記記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基の少なくとも一種の基、及び、上記芳香族複素環基を有し、かつ、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの主鎖構造がポリビニル構造を有する場合、上記特定の基を有する配向膜ポリマーは、下記化学式（ＰＶ−１）で表される構造を有することが好ましい。
【０１７２】
【化４７】
2019070747.tif 000049
（上記化学式（ＰＶ−１）中、ＳＳ２は同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、ＳＤ２は同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、γは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【０１７３】
上記化学式（ＰＶ−１）で表される構造を有するポリビニルの一分子において、ＳＳ２、ＳＤ２及びγは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【０１７４】
上記化学式（ＰＶ−１）におけるＳＳ２は、同一又は異なって、上記化学式（Ｓ−１）で表される基又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｓ−１）又は上記化学式（Ｓ−２）で表される少なくとも一種の基を有し、かつ、炭素数９〜３０の１価の基であることが好ましい。
【０１７５】
上記化学式（ＰＶ−１）におけるＳＤ２は、同一又は異なって、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有する１価の基であり、上記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ５）のいずれかで表される芳香族複素環基を有し、かつ、炭素数５〜４０の１価の基であることが好ましい。
【０１７６】
上記化学式（ＰＶ−１）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）は共重合比を表し、０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たし、０．０５≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．６を満たすことが好ましく、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．３を満たすことがより好ましい。上記化学式（ＰＶ−１）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．６を超えると、光配向処理における液晶配向安定性が低下する場合がある。一方、上記化学式（ＰＶ−１）において、ｍ／（ｍ＋ｎ）が０．０５未満であると、上記芳香族複素環基を導入することにより得られる効果、すなわち、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑える効果が得られ難い。
【０１７７】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーが、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造からなる群より選択される少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有する場合、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記化学式（Ｓ−２）で表される基は、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの側鎖に含まれることが好ましい。
【０１７８】
上記特定の基を有する配向膜ポリマーが、ポリアミック酸構造及びポリイミド構造の少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有する場合、上記芳香族複素環基は、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの側鎖又は主鎖に含まれることが好ましい。上記特定の基を有する配向膜ポリマーが、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造の少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有する場合、上記芳香族複素環基は、上記特定の基を有する配向膜ポリマーの側鎖に含まれることが好ましい。
【０１７９】
上記化学式（ＰＡ−１）及び（ＰＩ−１）で表される構造を有する配向膜ポリマー（特定の基を有する配向膜ポリマー）は、例えば、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有するジアミン及び上記芳香族複素環基を有するジアミンの混合物を、酸無水物（好適にはカルボン酸二無水物）と反応させることにより得ることができる。
【０１８０】
上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）で表される構造を有する配向膜ポリマー（特定の基を有する配向膜ポリマー）は、例えば、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有するジアミンを、上記芳香族複素環基を有する酸無水物（好適にはカルボン酸二無水物）と反応させることにより得ることができる。
【０１８１】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【０１８２】
［実施例１−１〜１−５及び比較例１−１〜１−３］
（液晶配向剤の作製）
下記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー（上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び上記芳香族複素環基を有するポリアミック酸）を合成した。下記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマーの重量平均分子量は、略５０，０００であった。
【０１８３】
【化４８】
2019070747.tif 000050
【０１８４】
具体的には、下記化学式（ＹＭ１０）で表されるジアミン、すなわち、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を含有するジアミン（０．０７モル）と、下記化学式（ＹＭ２０）で表されるジアミン、すなわち、上記芳香族複素環基を有するジアミン（０．０３モル）とをγ−ブチロラクトンに溶解してγ−ブチロラクトン溶液を調製した後、上記γ−ブチロラクトン溶液に、下記化学式（ＸＭ１０）で表されるカルボン酸二無水物（０．１０モル）を加え、６０℃で１２時間反応させて縮合重合することにより、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー（ランダム構造のポリアミック酸）が得られた。なお、下記化学式（ＹＭ１０）で表されるジアミンにおいて、上記化学式（Ｓ−２）で表される基は、シンナメート基に含まれる基である。
【０１８５】
【化４９】
2019070747.tif 000051
【０１８６】
【化５０】
2019070747.tif 000052
【０１８７】
【化５１】
2019070747.tif 000053
【０１８８】
上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー（ただし、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．２５）をＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤１−２Ａを調製した。更に、上記化学式（ＰＡ−１−１）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）＝０、０．５０、０．７５及び１．０としたこと以外は、液晶配向剤１−２Ａと同様にして、液晶配向剤１−１Ａ、１−３Ａ、１−４Ａ及び１−５Ａを調製した。
【０１８９】
また、下記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）をＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤１Ｒを調製した。下記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマーの重量平均分子量は、略５０，０００であった。
【０１９０】
【化５２】
2019070747.tif 000054
【０１９１】
（液晶表示装置の作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を１Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、光酸発生剤、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上にＩＴＯからなる共通電極及びカラーフィルタ層を順に形成し、第二基板を作製した。
【０１９２】
上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤１−１Ａを塗布し、９０℃、５分の仮焼成、続いて２００℃、４０分の本焼成を行うことで配向膜を形成した。続いて上記第一基板及び上記第二基板に形成された配向膜に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を２０ｍＪ／ｃｍ２照射することで配向処理を施した。
【０１９３】
次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤を描画した。また、他方の基板上の所定の位置に、下記化学式（Ａ−ＥＸ１）で表される少なくとも一種のターフェニル化合物及び下記化学式（Ａ−ＥＸ２）で表される少なくとも一種のテトラフェニル化合物を合計で５ｗｔ％以上含み、かつ、Ｔｎｉが９０℃、Δｎが０．１２であるネガ型液晶材料を滴下した。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化させ、１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却して実施例１−１のＵＶ２Ａモード液晶表示装置を得た。液晶配向剤１−１Ａを、液晶配向剤１−２Ａ、１−３Ａ、１−４Ａ及び１−５Ａに変更したこと以外は、実施例１−１の液晶表示装置と同様にして実施例１−２、１−３、１−４及び１−５のＵＶ２Ａモードの液晶表示装置を得た。
【０１９４】
【化５３】
2019070747.tif 000055
（上記化学式（Ａ−ＥＸ１）中、Ｒ５１及びＲ５２は、互いに独立して、炭素数２、３又は４のアルキル基を表す。）
【０１９５】
【化５４】
2019070747.tif 000056
（上記化学式（Ａ−ＥＸ２）中、Ｒ１は、炭素数２、３又は４のアルキル基を表す。）
【０１９６】
液晶配向剤１−１Ａを、液晶配向剤１Ｒに変更し、かつ、直線偏光紫外光により配向処理をする代わりに、ラビングにより配向処理を施したこと以外は、実施例１−１の液晶表示装置と同様にして比較例１−１のＶＡモードの液晶表示装置を得た。また、液晶材料として、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物を含まないネガ型液晶材料を用いたこと以外は、比較例１−１の液晶表示装置と同様にして比較例１−２のＶＡモードの液晶表示装置を得た。更に、層間絶縁膜を設けなかったこと以外は、比較例１−１の液晶表示装置と同様にして比較例１−３のＶＡモードの液晶表示装置を得た。
【０１９７】
なお、実施例１−１〜１−５及び比較例１−１〜１−３では、上記液晶配向剤１−１Ａ〜１−５Ａ及び１Ｒを塗布した後、２００℃で本焼成を行うことにより配向膜を形成したため、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなり、上記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例１−１〜１−５の液晶表示装置の配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含み、比較例１−１〜１−３の液晶表示装置の配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０１９８】
（バックライト上高温試験）
実施例１−１〜１−５及び比較例１−１〜１−３の液晶表示装置の信頼性を評価するため、８０℃環境下でバックライト曝露試験を１０００時間行った。ＶＨＲは東陽テクニカ社製６２５４型ＶＨＲ測定システムを用いて、１Ｖ７０℃条件で測定した。残留ＤＣはフリッカ消去法により測定した。ＤＣオフセット電圧２Ｖ（ＡＣ電圧３Ｖ（６０Ｈｚ））を２時間印加後のｒＤＣを測定した。コントラスト測定は、トプコンＵＬ−１を用いて、２５℃環境下で測定した。結果を下表１に示す。
【０１９９】
【表１】
2019070747.tif 000057
【０２００】
上記化学式（ＰＡ−１−１）（ただし、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０）で表される配向膜ポリマーを配向膜に用いた実施例１−１では、上記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマーを用いた比較例１−１に比べて、高温環境下におけるバックライト曝露試験（バックライト上高温試験）における１０００時間後のＶＨＲの低下が抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加が抑制され、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを実現することができ、長期信頼性改善の効果が得られた。
【０２０１】
上記化学式（ＰＡＲ−１）で表される配向膜ポリマー配向膜を用いた場合、層間絶縁膜に含まれるＮＱＤ及びそのビラジカル体が液晶層中に溶出し、更に液晶層中でターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物との間で電子移動反応を起こし、ラジカルイオンが形成されるため、バックライト上高温試験において、１０００時間後のＶＨＲが低下し、かつ、ｒＤＣが増加したと考えられる。
【０２０２】
一方、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマーを配向膜に用いた場合、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有するシンナメート基が導入されることにより、上記ビラジカル体がシンナメート基との間で電荷移動錯体を形成したため、液晶層中でのラジカルイオン形成を抑制できたと考えられる。
【０２０３】
更に、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー中に、芳香族複素環基を導入した実施例１−２〜１−４では、実施例１−１に比べて、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下がより抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加がより抑制され、より高いＶＨＲ及びより低いｒＤＣを実現することができた。これは、ＮＱＤ（ビラジカル体では無い）と芳香族複素環基との相互作用により、ＮＱＤが液晶層に溶出する量を抑えることができたためと考えられる。
【０２０４】
実施例１−５のように、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマー中に、芳香族複素環基のみを導入し、光配向処理を施した場合、液晶化合物のプレチルト角は９０°のままであり、電圧印加による液晶化合物の応答は無く、結果としてコントラストは出なかったが、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下がより抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加がより抑制された。
【０２０５】
以上より、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基の一方を含む配向膜ポリマーを配向膜に導入することにより、ＮＱＤ及びそのビラジカル体が液晶層に溶出する量を抑えることができ、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下が抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加が抑えられることが分かった。更に、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基の両者を含む配向膜ポリマーを配向膜に導入することにより、ＮＱＤ及びそのビラジカル体が液晶層に溶出する量を更に抑えることができ、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下がより抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加がより抑えられることが分かった。
【０２０６】
なお、比較例１−２より、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物を含まない液晶材料を用いた場合は、ＶＨＲの低下、ｒＤＣの増加及びコントラストの悪化はほぼ見られないことが分かった。また、比較例１−３より、層間絶縁膜を配置しない場合、層間絶縁膜に含まれる成分（例えばＮＱＤ）の影響により液晶層中にラジカルイオンが生成することはなく、液晶表示装置を長期間使用した場合でも、ＶＨＲの低下及びｒＤＣの増加はほぼ見られないことが分かった。
【０２０７】
［実施例２−１〜２−２］
（液晶配向剤の作製）
下記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマー、及び、下記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマーをそれぞれ合成した。下記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマー及び下記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマーの重量平均分子量は、共に略５０，０００であった。下記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマーは、上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び上記芳香族複素環基を有するポリアミック酸であり、下記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマーは、上記芳香族複素環基を有するポリアミック酸である。
【０２０８】
【化５５】
2019070747.tif 000058
【０２０９】
【化５６】
2019070747.tif 000059
【０２１０】
上記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマーの具体的な合成方法を以下に説明する。下記化学式（ＹＭ１０）で表されるジアミン、すなわち、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を含有するジアミン（０．１０モル）をγ−ブチロラクトンに溶解してγ−ブチロラクトン溶液を調製した後、上記γ−ブチロラクトン溶液に、下記化学式（ＸＭ２０）で表されるカルボン酸二無水物（０．１０モル）、すなわち、上記芳香族複素環基を有するカルボン酸二無水物（０．１０モル）を加え、６０℃で１２時間反応させて縮合重合することにより、上記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマーが得られた。対応するジアミンの構造を変えることにより、上記化学式（ＰＡ−３−１）で表される構造を有する配向膜ポリマーも、同様に合成した。なお、下記化学式（ＹＭ１０）で表されるジアミンにおいて、上記化学式（Ｓ−２）で表される基は、シンナメート基に含まれる基である。
【０２１１】
【化５７】
2019070747.tif 000060
【０２１２】
【化５８】
2019070747.tif 000061
【０２１３】
上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマーを、上記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマーに変更したこと以外は、液晶配向剤１−１Ａと同様にして、液晶配向剤２−１Ａを調製した。同様に、上記化学式（ＰＡ−１−１）で表される配向膜ポリマーを、上記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマーに変更したこと以外は、液晶配向剤１−１Ａと同様にして、液晶配向剤２−２Ａを調製した。
【０２１４】
（液晶表示装置の作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を１Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、光酸発生剤、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上にＩＴＯからなる共通電極及びカラーフィルタ層を順に形成し、第二基板を作製した。
【０２１５】
上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤２−１Ａを塗布し、９０℃、５分の仮焼成、続いて２００℃、４０分の本焼成を行うことで配向膜を形成した。続いて上記第一基板及び上記第二基板に形成された配向膜に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を２５ｍＪ／ｃｍ２照射することで配向処理を施した。
【０２１６】
次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤を描画した。また、他方の基板上の所定の位置に、上記化学式（Ａ−ＥＸ１）で表される少なくとも一種のターフェニル化合物及び上記化学式（Ａ−ＥＸ２）で表される少なくとも一種のテトラフェニル化合物を合計で５ｗｔ％以上含み、かつ、Ｔｎｉが１００℃、Δｎが０．１２であるネガ型液晶材料を滴下した。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化させ、１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却して実施例２−１のＵＶ２Ａモード液晶表示装置を得た。液晶配向剤２−１Ａを、液晶配向剤２−２Ａに変更し、かつ、偏光紫外光による配向処理ではなくラビングにより配向処理を施したこと以外は、実施例２−１の液晶表示装置と同様にして実施例２−２のＶＡモードの液晶表示装置を得た。
【０２１７】
なお、実施例２−１〜２−２では、上記液晶配向剤２−１Ａ〜２−２Ａを塗布した後、２００℃で本焼成を行うことにより配向膜を形成したため、上記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなり、上記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例２−１の液晶表示装置の配向膜は、上記化学式（ＰＡ−５−１）で表される配向膜ポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含み、実施例２−２の液晶表示装置の配向膜は、上記化学式（ＰＡ−３−１）で表される配向膜ポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０２１８】
（バックライト上高温試験）
実施例１−１と同様にして、実施例２−１及び２−２の液晶表示装置についても、バックライト上高温試験を実施した。結果を下表２に示す。
【０２１９】
【表２】
2019070747.tif 000062
【０２２０】
上記実施例１−２〜１−５では、芳香族複素環基を配向膜ポリマー（ポリアミック酸）の側鎖に導入したが、実施例２−１〜２−２では、芳香族複素環基を配向膜ポリマーの主鎖に導入した。更に、実施例２−１では、上記配向膜ポリマーの側鎖に、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有するシンナメート基を導入した。
【０２２１】
上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基を有する配向膜ポリマーを用いた実施例２−１の方が、芳香族複素環基を有し、上記化学式（Ｓ−２）で表される基を有さない配向膜ポリマーを用いた実施例２−２より、バックライト上高温試験の１０００時間後におけるＶＨＲの低下を抑制する効果、及び、ｒＤＣの増加を抑制する効果が大きく、高いコントラストを実現することができた。また、実施例２−２の液晶表示装置は、比較例１−１の液晶表示装置よりも、バックライト上高温試験の結果が良好であることから、芳香族複素環基をポリマーに導入することにより、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下が抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加が抑制され、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを実現することができ、長期信頼性改善の効果が得られることが確認された。また、コントラストの低下を抑制することができることも確認された。
【０２２２】
［実施例３］
（液晶配向剤の作製）
下記化学式（ＰＳ−２−１）で表される配向膜ポリマー（上記化学式（Ｓ−２）で表される基及び上記芳香族複素環基を有するポリシロキサン）を合成した。下記化学式（ＰＳ−２−１）で表される配向膜ポリマーの重量平均分子量は、略５０，０００であった。
【０２２３】
【化５９】
2019070747.tif 000063
【０２２４】
上記化学式（ＰＳ−２−１）で表される構造を有する配向膜ポリマーをＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤３Ａを調製した。
【０２２５】
（液晶表示装置の作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を１Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、光酸発生剤、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上にＩＴＯからなる共通電極及びカラーフィルタ層を順に形成し、第二基板を作製した。
【０２２６】
上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤３Ａを塗布し、９０℃、５分の仮焼成、続いて２３０℃、４０分の本焼成を行うことで配向膜を形成した。続いて上記第一基板及び上記第二基板に形成された配向膜に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を２２ｍＪ／ｃｍ２照射することで配向処理を施した。
【０２２７】
次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤を描画した。また、他方の基板上の所定の位置に、上記化学式（Ａ−ＥＸ１）で表される少なくとも一種のターフェニル化合物及び上記化学式（Ａ−ＥＸ２）で表される少なくとも一種のテトラフェニル化合物を合計で５ｗｔ％以上含み、かつ、Ｔｎｉが１１０℃、Δｎが０．１２であるネガ型液晶材料を滴下した。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化させ、１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却して実施例３のＵＶ２Ａモード液晶表示装置を得た。
【０２２８】
（バックライト上高温試験）
実施例１−１と同様にして、実施例３の液晶表示装置についても、バックライト上高温試験を実施した。結果を下表３に示す。
【０２２９】
【表３】
2019070747.tif 000064
【０２３０】
主鎖構造としてポリシロキサン構造を含む配向膜ポリマーを用いた実施例３でも、主鎖構造としてポリアミック酸構造及びポリイミド構造の少なくとも一方を含む配向膜ポリマーを用いた実施例１−１〜１−５及び２−１〜２−２と同様の効果が確認された。
【０２３１】
［実施例４−１〜４−２及び比較例４］
（液晶配向剤の作製）
下記化学式（ＰＳ−２−２）で表される配向膜ポリマー（上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記芳香族複素環基を有するポリシロキサン）、下記化学式（ＰＳ−２−３）で表される配向膜ポリマー（上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記芳香族複素環基を有するポリシロキサン）、及び、下記化学式（ＰＡＲ−２）で表される配向膜ポリマー（ポリアミック酸）を合成した。下記化学式（ＰＳ−２−２）で表される配向膜ポリマー、下記化学式（ＰＳ−２−３）で表される配向膜ポリマー、及び、下記化学式（ＰＡＲ−２）で表される配向膜ポリマーの重量平均分子量は、いずれも略５０，０００であった。
【０２３２】
【化６０】
2019070747.tif 000065
【０２３３】
【化６１】
2019070747.tif 000066
【０２３４】
【化６２】
2019070747.tif 000067
【０２３５】
上記化学式（ＰＳ−２−２）で表されるポリシロキサンをＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤４−１Ａを調製した。また、同様に、上記化学式（ＰＳ−２−３）で表されるポリシロキサンをＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤４−２Ａを調製した。同様に、上記化学式（ＰＡＲ−２）で表されるポリアミック酸をＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤４Ｒを調製した。
【０２３６】
（液晶表示装置の作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を１Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなるＦＦＳモード用の画素電極、ＳｉＮからなる誘電体膜（第２絶縁膜、ともいう）及びＩＴＯからなる共通電極を順に積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、光酸発生剤、及び、ＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上に、カラーフィルタ層、及び、アクリル系樹脂から成るオーバーコート層を形成し、第二基板を作製した。
【０２３７】
上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤４−１Ａを塗布し、９０℃、５分の仮焼成、続いて２３０℃、４０分の本焼成を行うことで配向膜を形成した。続いて上記第一基板及び上記第二基板に形成された配向膜に、３３０ｎｍをセンターとする直線偏光紫外光を５０ｍＪ／ｃｍ２照射することで配向処理を施した。
【０２３８】
次に、一方の基板に、ディスペンサを使用して紫外線硬化性シール剤を描画した。また、他方の基板上の所定の位置に、上記化学式（Ａ−ＥＸ１）で表される少なくとも一種のターフェニル化合物及び上記化学式（Ａ−ＥＸ２）で表される少なくとも一種のテトラフェニル化合物を合計で５ｗｔ％以上含み、Ｔｎｉが９７℃、且つ、Δｎ＝０．１５であるポジ型液晶材料を滴下した。続いて、真空下にて両基板を貼り合わせ、シール剤を紫外光にて硬化させ、１３０℃で４０分間加熱し、液晶を等方相にする再配向処理を行い、その後室温まで冷却して実施例４−１のＦＦＳモード液晶表示装置を得た。液晶配向剤４−１Ａを、液晶配向剤４−２Ａに変更したこと以外は、実施例４−１と同様にして実施例４−２のＦＦＳモードの液晶表示装置を得た。また、液晶配向剤４−１Ａを、液晶配向剤４Ｒに変更して、上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤４Ｒを塗布し、９０℃、５分の仮焼成、続いて２００℃、４０分の本焼成を行うことで配向膜を形成した後、ラビングにより配向処理を施したこと以外は、実施例４−１と同様にして比較例４のＦＦＳモードの液晶表示装置を得た。
【０２３９】
（バックライト上高温試験）
実施例１−１と同様にして、実施例４−１〜４−２及び比較例４の液晶表示装置についても、バックライト上高温試験を実施した。結果を下表４に示す。
【０２４０】
【表４】
2019070747.tif 000068
【０２４１】
水平配向モードであるＦＦＳモードの液晶表示装置においても、配向膜ポリマーに上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び上記芳香族複素環基を導入することにより、バックライト上高温試験における１０００時間後のＶＨＲの低下が抑えられ、かつ、ｒＤＣの増加が抑制され、高いＶＨＲ及び低いｒＤＣを実現することができ、長期信頼性改善の効果が得られることが確認された。また、コントラストの低下を抑制することができることも確認された。
【０２４２】
一方、上記化学式（ＰＡＲ−２）で表される配向膜ポリマー配向膜を用いた場合、層間絶縁膜に含まれるＮＱＤ及びそのビラジカル体が液晶層中に溶出し、更に液晶層中でターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物との間で電子移動反応を起こし、ラジカルイオンが形成されるため、バックライト上高温試験において、１０００時間後のＶＨＲが低下し、かつ、ｒＤＣが増加したと考えられる。
【０２４３】
液晶材料に着目すると、ネガ型液晶材料を用いた場合、比較例１−１では、１０００時間後のＶＨＲが３．０％低下し、かつ、ｒＤＣが１２０ｍＶ増加しているのに対して、実施例１−１〜１−５では、１０００時間後のＶＨＲの低下が０．４％又は１．１％に抑えられ、ｒＤＣの増加は２０ｍＶ又は３０ｍＶに抑えられている。一方、ポジ型液晶材料を用いた場合、比較例４では、１０００時間後のＶＨＲが１．６％低下し、かつ、ｒＤＣが３０ｍＶ増加しているのに対して、実施例４−１及び４−２では、１０００時間後のＶＨＲの低下が、それぞれ、０．２％及び０．７％に抑えられ、ｒＤＣの増加は０ｍＶ又は２０ｍＶに抑えられている。以上のことから、上記特定の基を有する配向膜ポリマーは、ネガ型液晶材料においてより効果的に用いることができることが分かった。
【０２４４】
［付記］
本発明の一態様は、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に挟持された液晶層３０と、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の液晶層３０側の表面に設けられた配向膜４０と、を備え、第一基板１０及び第二基板２０のうち、配向膜４０が設けられた少なくとも一方の基板１０、２０は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜１３を有し、液晶層３０は、ターフェニル化合物及びテトラフェニル化合物の少なくとも一方の化合物を含む液晶材料を含有し、配向膜４０は、下記化学式（Ｓ−１）で表される基、下記化学式（Ｓ−２）で表される基及び芳香族複素環基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する液晶表示装置１であってもよい。
【０２４５】
【化６３】
2019070747.tif 000069
（上記化学式（Ｓ−１）及び（Ｓ−２）の各々において、芳香環に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基、エチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよく、ビニル基に含まれる少なくとも１つの水素原子は、互いに独立して、メチル基又はハロゲン原子に置換されていてもよい。）
【０２４６】
層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０に、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基を導入することにより、層間絶縁膜１３に含まれるポジ型レジスト（例えば、ＮＱＤ）に由来するビラジカルと、上記化学式（Ｓ−１）で表される基及び／又は上記化学式（Ｓ−２）で表される基と、の間で電子移動反応を起こして配向膜４０の内部でラジカルイオンを発生させ、液晶層３０に含まれるターフェニル化合物及び／又はテトラフェニル化合物と上記ビラジカルとの間で電子移動反応が起こるのを抑えることができる。配向膜４０の内部で発生したラジカルイオンは、液晶層３０へ拡散等されない、又は、液晶層３０へほぼ拡散等されないため、液晶表示装置１を長期間使用する場合であっても、液晶層３０中に発生するラジカルイオンの量を抑えることが可能となり、ラジカルイオンが液晶層３０中で拡散等の運動性を持つことにより生じる、経時的なＶＨＲ低下及びｒＤＣ増加を抑制することができる。その結果、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となる。
【０２４７】
また、層間絶縁膜１３を有する第一基板１０に設けられた配向膜４０に芳香族複素環基を導入することにより、層間絶縁膜１３に含まれるポジ型レジスト（例えば、ＮＱＤ）と上記芳香族複素環基との間でファンデルワールス相互作用を起こし、未反応のポジ型レジストが配向膜４０を通過して液晶層３０に溶出することを抑制することができる。その結果、液晶表示装置１を長期間使用する場合であっても、液晶層３０中に発生するラジカルの量を抑えることが可能となり、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となる。
【０２４８】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド化合物（ＮＱＤ）を含んでもよい。このような態様とすることにより、層間絶縁膜１３をパターニングして上記ＴＦＴと画素電極１４とを接触させる際に、上記ＴＦＴと画素電極１４とのコンタクト不良による欠陥発生を抑制することができる。
【０２４９】
上記液晶材料のネマティック相−等方相転移点は、９０℃以上、１１５℃以下であってもよい。上記液晶材料のＴｎｉが９０℃未満であると等方相に転移し易くなるため、高温環境下で使用する車載用やデジタルサイネージ用では、転移による表示不良が発生する場合がある。一方、上記液晶材料のＴｎｉが１１５℃を超えると、応答特性が低下する場合がある。
【０２５０】
上記液晶材料は、下記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）で表される少なくとも一種の化合物を含んでもよい。このような態様とすることにより、上記液晶材料のΔｎを高めつつ、低回転粘度を実現することができる。
【０２５１】
【化６４】
2019070747.tif 000070
【０２５２】
【化６５】
2019070747.tif 000071
【０２５３】
【化６６】
2019070747.tif 000072
（上記化学式（Ａ−１ａ）〜（Ａ−１ｃ）及び（Ａ−２ａ）〜（Ａ−２ｇ）中、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、炭素数１〜７のアルキル基、アルコキシ基、フッ素化アルキル若しくはフッ素化アルコキシ基、又は、炭素数２〜７のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルコキシアルキル基若しくはフッ素化アルケニル基を表し、Ｂ１は、上記化学式（ｂ１１）〜（ｂ１５）のいずれかを表し、Ｃ１は上記化学式（ｃ１１）〜（ｃ２４）のいずれかを表し、Ｌ２１、Ｌ２２、Ｌ３１及びＬ３２は、互いに独立して、水素原子又はフッ素原子を表し、Ｘ２及びＸ３は、互いに独立して、ハロゲン原子、炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基若しくはアルコキシ基、又は、炭素数２〜３のハロゲン化アルケニル基若しくはアルケニルオキシ基を表し、Ｚは、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＯＯ−、トランス−ＣＨ＝ＣＨ−、トランス−ＣＦ＝ＣＦ−又は−ＣＨ２Ｏ−を表し、ｓ及びｔは、互いに独立して、３又は４を表し、ｕ及びｖは、互いに独立して、２又は３を表し、＊は、結合位置を表す。）
【０２５４】
配向膜４０は、シンナメート基及びカルコン基の少なくとも一方を有してもよい。このような態様とすることにより、長期間の使用により発生するＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加を抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きを抑えることが可能となると共に、配向膜４０に光配向処理を施すことができ、ラビング処理用の配向膜を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。
【０２５５】
上記芳香族複素環基は、２級アミノ基を有する複素環を含んでもよい。このような態様とすることにより、ポジ型レジスト（例えば、ＮＱＤ）と配向膜ポリマーとの相互作用をより高めることが可能となり、例えば、未反応のＮＱＤが配向膜４０を通過し、液晶層３０に溶出することをより抑制することができる。その結果、ＶＨＲの低下及び残留ＤＣの増加をより抑制し、ＶＨＲ低下に由来するフリッカ及び残留ＤＣに由来する焼き付きをより抑えることが可能となる。
【０２５６】
上記芳香族複素環基は、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基であってもよい。このような態様とすることにより、層間絶縁膜にＮＱＤが含まれる場合であっても、上記芳香族複素環基が上記ＮＱＤと水素結合を形成し易くなり、未反応のＮＱＤが配向膜４０を通過し、液晶層３０に溶出することをより抑制することができる。また、一般的にポリマーの分子量分布は１より大きいため、配向膜４０には、１分子あたりの分子量が比較的小さい配向膜ポリマーが含まれる場合がある。上記特定の基を有する配向膜ポリマーのうち、分子量の比較的小さなポリマーは液晶層３０へ溶出し易く、光照射によりラジカルを発生することがあると考えられるが、上記芳香族複素環基を、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基とすることにより、上記芳香族複素環基内での相互作用を高め、上記特定の基を有する配向膜ポリマーのコンフォメーションにおける束縛を大きくして高分子鎖に剛直性を付与すると共に、上記特定の基を有する配向膜ポリマー間の相互作用を高めることが可能となり、上記特定の基を有する配向膜ポリマーが液晶層３０へ溶出するのを抑制することができる。その結果、上記特定の基を有する配向膜ポリマーに由来するラジカルが、液晶層３０に発生するのを抑制することが可能となる。特に、シンナメート基やカルコン基等のメソゲンに類似する光配向性官能基は、液晶層３０と相互作用を起こし易いが、上記芳香族複素環基を、インドール基、ベンゾイミダゾール基、プリン基、フェノキサジン基及びフェノチアジン基からなる群より選択される少なくとも一種の芳香族複素環基とすることにより、上記特定の基を有する配向膜ポリマーがシンナメート基やカルコン基等の光配向性官能基を有する場合であっても、液晶層３０に発生するラジカルの発生を効果的に抑制することができる。
【０２５７】
配向膜４０は、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造からなる群より選択される少なくとも一種のポリマー主鎖構造を有してもよい。ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリシロキサン構造及びポリビニル構造を主鎖構造として有するポリマーは、合成方法が確立しており、分子量制御もある程度可能であり、かつ、熱への安定性が高いため好ましく用いられる。
【符号の説明】
【０２５８】
１：液晶表示装置
１０：第一基板
１１、２１：絶縁基板
１２：ＴＦＴ層
１３：層間絶縁膜（絶縁膜）
１４：画素電極
１５：第２絶縁膜
２０：第二基板
２２：カラーフィルタ層
２３：ブラックマトリクス層
２４：共通電極
３０：液晶層
４０、５０：配向膜
【図１】
2019070747.tif 000077
【図２】
2019070747.tif 000078