(57)【要約】【課題】ガラス基板に対する成膜性をより高くすることが可能な液晶パネルの製造方法を提供する。【解決手段】液晶パネル１１用のガラス基板３１に対して、処理槽４１においてドライ洗浄を行う第１ドライ洗浄工程と、第１ドライ洗浄工程の後に実行され、処理槽４２においてガラス基板３１に対してウェット洗浄を行うウェット洗浄工程と、ウェット洗浄工程の後に実行され、処理槽４４においてガラス基板３１に対してドライ洗浄を行う第２ドライ洗浄工程と、を備えることに特徴を有する。【選択図】図２
2019070766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネル用のガラス基板に対して、ドライ洗浄を行う第１ドライ洗浄工程と、
前記第１ドライ洗浄工程の後に実行され、前記ガラス基板に対してウェット洗浄を行うウェット洗浄工程と、
前記ウェット洗浄工程の後に実行され、前記ガラス基板に対してドライ洗浄を行う第２ドライ洗浄工程と、を備える液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記ドライ洗浄は、大気圧プラズマ又はエキシマＵＶを用いた洗浄である請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２ドライ洗浄工程の後に実行され、前記ガラス基板の表面に配向膜を形成する配向膜形成工程を備える請求項１又は請求項２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記配向膜形成工程は、前記第２ドライ洗浄工程の終了後６００秒以内に実行される請求項３に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶パネル用のガラス基板の洗浄方法として、下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１では洗浄液を用いたウェット洗浄を行うことで、液晶用ガラス基板を洗浄する方法が記載されている。これにより、ガラス基板に対する成膜性を高くすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１７６７９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記ウェット洗浄については、異物を除去する能力や洗浄後の基板表面の濡れ性が低いという問題点があった。そこで、洗浄液にトリートメント剤を混ぜることで基板の接触角を小さくしたり、シランカップリング剤を用いて基板の表面に対する膜の密着性を高くしたりすることで、基板に対する成膜性を高くすることが行われている。しかしながら、このような薬剤を用いると、薬剤の影響（溶出）によって基板表面のイオン密度が高くなる場合があり、液晶の保持率が下がり信頼性が低下する（具体的には長期エージング試験や長期保存した際にムラやシミ等の発生原因となる）可能性がある。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、ガラス基板に対する成膜性をより高くすることが可能な液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の液晶パネルの製造方法は、液晶パネル用のガラス基板に対して、ドライ洗浄を行う第１ドライ洗浄工程と、前記第１ドライ洗浄工程の後に実行され、前記ガラス基板に対してウェット洗浄を行うウェット洗浄工程と、前記ウェット洗浄工程の後に実行され、前記ガラス基板に対してドライ洗浄を行う第２ドライ洗浄工程と、を備えることに特徴を有する。
【０００７】
ドライ洗浄（第１ドライ洗浄工程）を行うことで、ガラス基板の接触角を小さくすることができ、ウェット洗浄において、洗浄液をガラス基板に馴染ませることができるため、ウェット洗浄による異物の除去をより確実に行うことができる。また、ガラス基板の接触角を小さくすることで、第２ドライ洗浄工程後にガラス基板上に成膜作業を行う際に、膜部材を含む溶液をガラス基板に馴染ませることができ、成膜性を高くすることができる。ところで、ガラス基板の接触角は、ドライ洗浄後、時間が経過するにつれて大きくなる。このため、仮に第２ドライ洗浄工程を備えていない場合には、第１ドライ洗浄工程の後、ウェット洗浄工程の実行時間分だけ、ガラス基板の接触角が大きくなってしまい、成膜性が低下する。そこで、上記方法では、ウェット洗浄工程の後に、再度ドライ洗浄（第２ドライ洗浄工程）を行うことで、ガラス基板の接触角がより低い状態で次の工程に移ることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ガラス基板に対する成膜性をより高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る液晶表示装置を長手方向（Ｙ軸方向）に沿う切断線で切断した断面図
【図２】基板処理装置を示す側面図
【図３】ガラス基板の洗浄効果を示す図表
【図４】経過時間と基板接触角の相関関係を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態を図１から図４によって説明する。本実施形態の液晶表示装置１０は、図１に示すように、液晶パネル１１（表示パネル）と、液晶パネル１１が備えるドライバ１７に対して各種入力信号を供給する制御回路基板１２（外部の信号供給源）と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板１３（外部接続部品）と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置１４（照明装置）と、を備える。バックライト装置１４は、図１に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１８と、シャーシ１８内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１８の開口部を覆う形で配される図示しない光学部材と、を備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。液晶パネル１１は画像を表示することが可能な表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲む非表示領域Ａ２に区分されている。
【００１１】
また、液晶表示装置１０は、図１に示すように、相互に組み付けられた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容するための表裏一対の外装部材１５，１６を備えており、表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示領域Ａ１に表示された画像を外部から視認させるための開口部１９が形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、例えば、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、ウェアラブル端末（スマートウォッチなどを含む）、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、携帯型ゲーム機、デジタルフォトフレームなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。
【００１２】
液晶パネル１１は、図１に示すように、対向状に配される一対の基板２１，３０と、一対の基板２１，３０間に配され、電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層２３（媒質層）と、一対の基板２１，３０の間に配されると共に液晶層２３を囲むことで液晶層２３を封止するシール部材２４と、を備える。一対の基板２１，３０のうち表側（正面側、図１の上側）の基板がＣＦ基板２１（対向基板）とされ、裏側（背面側）の基板がアレイ基板３０（アクティブマトリクス基板、素子側基板）とされる。なお、液晶層２３に含まれる液晶分子は、例えば水平配向とされるが、これに限定されない。また、両基板２１，３０の外面側には、それぞれ図示しない偏光板が貼り付けられている。ＣＦ基板２１は、ガラス基板の内面側（液晶層２３側）に、カラーフィルタ、オーバーコート膜（いずれも図示せず）が積層されることで構成されている。カラーフィルタは、マトリクス状に配列されるＲ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の三色の着色部（図示せず）を備えている。各着色部は、アレイ基板３０の各画素と対向配置されている。
【００１３】
アレイ基板３０は、ガラス基板の内面側にフォトリソグラフィ法によって各種の膜が積層形成されてなるものとされる。アレイ基板３０は、ＴＦＴと、画素電極と、画素電極と対向状に配される共通電極（いずれも図示せず）と、を主に備える。また、アレイ基板３０の一辺には、液晶パネル１１を駆動するドライバ１７が設けられている。また、ＣＦ基板２１及びアレイ基板３０における液晶層２３側の面には、配向膜２２，２２がそれぞれ設けられている。より詳しくは、ＣＦ基板２１側の配向膜２２は、ＣＦ基板２１を構成するガラス基板の表面（例えばオーバーコート膜の表面）に配され、アレイ基板３０側の配向膜２２は、アレイ基板３０を構成するガラス基板の表面（例えば、共通電極の表面）に配されているが、これに限定されない。なお、オーバーコート膜の材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができるが、これに限定されず、窒化膜や酸化膜などの無機保護膜を用いてもよい。また、共通電極の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明電極材料を例示することができるが、これに限定されない。
【００１４】
液晶パネル１１の製造工程において、ガラス基板に配向膜を成形する前にはガラス基板の表面を洗浄することが行われている。図２に液晶パネル１１（表示パネル）を構成するガラス基板３１の製造に用いられる基板処理装置４０を例示する。基板処理装置４０は、ガラス基板３１の洗浄に係る処理を行う処理槽４１，４２，４３，４４と、ガラス基板３１の表面に配向膜２２を形成する配向膜塗布部４５と、処理槽４１，４２，４３，４４においてガラス基板３１を搬送する複数のローラ４６と、を備える。また、基板処理装置４０は、ステージ５１を備え、ガラス基板３１に配向膜２２を形成する際には、ステージ５１上にガラス基板３１が載置される。また、基板処理装置４０は、処理槽４４からステージ５１へのガラス基板３１の移動を行うためのアンローダー及びロボットアーム（図示せず）を備える。なお、ステージ５１は、例えば鋳物で形成され、その表面にはフッ素コーティングなどの帯電防止加工が施されている。
【００１５】
処理槽４１には、ガラス基板３１に対してエキシマＵＶを照射可能な放電ランプ４７が設けられている。これにより、処理槽４１では、ガラス基板３１に対してエキシマＵＶによるドライ洗浄を行うことが可能となっている。処理槽４２では、ガラス基板３１に対してウェット洗浄を行うことが可能となっている。処理槽４２には、ガラス基板３１に対して洗浄液を吐出することが可能な洗浄液吐出部４８と、ガラス基板３１の表面に高圧の空気（圧縮空気）を吹き付けることで、洗浄液を吹き飛ばして除去を図るエアナイフ４９が設けられている。なお、洗浄液吐出部４８としては、例えば、ラインシャワー、キャビテーションジェットノズル、メガソニック付きウォータージェットノズルなどを適宜組み合わせて用いることができる。また、洗浄液としては、例えば純水や超純水が用いられるが、これに限定されず、例えば、アルカリ薬液等を用いてもよい。
【００１６】
処理槽４３には、ＩＲヒータ５０が設けられ、ガラス基板３１に対して乾燥処理を行うことが可能となっている。処理槽４４には、ガラス基板３１に対してエキシマＵＶを照射可能な放電ランプ４７が設けられている。これにより、処理槽４４では、ガラス基板３１に対してエキシマＵＶによるドライ洗浄を行うことが可能となっている。なお、ドライ洗浄としては、エキシマＵＶを用いた方式に限定されず、例えば、大気圧プラズマを用いた方式であってもよい。なお、大気圧プラズマを用いた方式は、ガラス基板３１（オーバーコート膜など）に対するダメージが少ない点においてエキシマＵＶを用いる方式よりも優れる。配向膜塗布部４５は、例えば、インクジェット法によって配向膜を成膜するもので、配向膜形成用の液滴をガラス基板３１上に連続的に吐出しつつ、ガラス基板３１の上方を移動可能な構成となっている。
【００１７】
次に液晶パネル１１の製造方法について説明する。液晶パネル１１の製造方法は、ＣＦ基板２１及びアレイ基板３０を構成する各ガラス基板における内面に既知のフォトリソグラフィ法などによって各種の金属膜や絶縁膜などを積層形成して各種の構造物をそれぞれ形成する構造物形成工程（フォトリソ工程）と、ＣＦ基板２１及びアレイ基板３０における液晶層側の内面（ガラス基板３１の表面）をそれぞれ洗浄する洗浄工程と、ＣＦ基板２１及びアレイ基板３０における液晶層側の内面に配向膜を形成する配向膜形成工程と、ＣＦ基板２１とアレイ基板３０との間に液晶層２３を介在させた形でＣＦ基板２１とアレイ基板３０とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、ＣＦ基板２１及びアレイ基板３０における外面に対して偏光板を貼り付ける偏光板貼付工程と、を備える。以下の説明では、上記各工程のうち、洗浄工程と配向膜形成工程について詳しく説明する。
【００１８】
本実施形態の洗浄工程におけるガラス基板３１（液晶パネル用のガラス基板）の洗浄方法は、ガラス基板３１に対して、ドライ洗浄を行う第１ドライ洗浄工程と、第１ドライ洗浄工程の後に実行され、ガラス基板３１に対してウェット洗浄を行うウェット洗浄工程と、ウェット洗浄工程の後に実行され、ガラス基板３１に対してドライ洗浄を行う第２ドライ洗浄工程と、を備える。
（第１ドライ洗浄工程）
第１ドライ洗浄工程では、図２に示す処理槽４１内において、ローラ４６によって搬送されたガラス基板３１に対して、放電ランプ４７によってエキシマＵＶを照射する。
【００１９】
（ウェット洗浄工程）
ウェット洗浄工程では、処理槽４２内において、ローラ４６によって搬送されたガラス基板３１に対してウェット洗浄を行う。具体的には、各洗浄液吐出部４８を用いて、例えば、ラインシャワー洗浄、キャビテーションジェット洗浄、メガソニック洗浄を順次実行する。
（乾燥工程）
ウェット洗浄工程の後、処理槽４３において、ＩＲヒータ５０によって乾燥処理を実行する。
【００２０】
（第２ドライ洗浄工程）
第２ドライ洗浄工程では、処理槽４４内において、ローラ４６によって搬送されたガラス基板３１に対して、放電ランプ４７によってエキシマＵＶを照射する。
（配向膜形成工程）
配向膜形成工程では、洗浄したガラス基板３１の表面に対して配向膜塗布部４５（ノズルヘッド）から配向膜材料（例えばポリイミド）を含む溶液を液滴として吐出する（インクジェット方式）。これにより、ガラス基板３１上に滴下された各液滴が広がってつながることで膜が形成される。その後、この膜に乾燥処理（仮乾燥及び本焼成）及びラビングによる配向処理を行うことで配向膜２２が形成される。なお、図２では、配向膜塗布部４５をステージ５１に対して図２の左側から右側に移動させることでガラス基板３１の表面に膜を形成する方法を例示しているが、ステージ５１を配向膜塗布部４５に対して移動させてもよい。また、ガラス基板３１上に膜を形成する成膜方法は、上述したインクジェット方式に限定されず、例えば、フレキソ印刷版を用いたロールコーター方式を用いてもよい。なお、ガラス基板３１（マザーガラス）のサイズが小さい場合には、ロールコーター方式が用いられ、ガラス基板３１のサイズが大きい場合には、インクジェット方式が用いられる場合が多い。これは、ガラス基板３１のサイズが大きい程、フレキソ印刷版のサイズも大きくなり、フレキソ印刷版の伸縮の度合いが大きくなることに起因して印刷精度が低下するためである。また、配向処理方法としては、上述したラビング法に限定されず、例えば、偏光露光による種々の光配向処理を用いても構わない。光配向処理については、仮焼成後本焼成前に実行する方式もあれば、本焼成後に実行する方式もあるが、それらの方式も限定されない。
【００２１】
次に本実施形態の効果について説明する。本実施形態では、ドライ洗浄（第１ドライ洗浄工程）を行うことで、ガラス基板３１の接触角を小さくする（濡れ性を高くする）ことができ、ウェット洗浄において、洗浄液をガラス基板３１に馴染ませることができるため、ウェット洗浄による異物の除去をより確実に行うことができる。また、ガラス基板３１の接触角を小さくすることで、第２ドライ洗浄工程後にガラス基板３１上に成膜作業を行う際に、膜部材を含む溶液をガラス基板に馴染ませることができ、成膜性を高くすることができる。具体的には、配向膜２２を構成する溶液をガラス基板３１に馴染ませることができ、配向膜２２の成膜性をより高くすることができる。
【００２２】
また、ドライ洗浄として、エキシマＵＶを用いることでガラス基板３１の表面に存在する有機物等の汚染物を分解すると共に、エキシマＵＶの照射により生じた活性酸素によって分解物を酸化して除去することができる。また、ドライ洗浄として、大気圧プラズマを用いてもよく、大気圧プラズマを用いることでガラス基板３１の表面に存在する有機物等の汚染物を除去することができる。
【００２３】
図３は、例えばＣＦ基板２１を構成するガラス基板３１の表面（配向膜を塗布する面）に対して洗浄工程を実施した際の異物除去率及び洗浄工程後の水の基板接触角を測定した結果を示したものである。図３の比較例１、２は、第１及び第２ドライ洗浄工程を行わず、ウェット洗浄工程及び乾燥工程を実行した例である。図３の比較例３、４は、第２ドライ洗浄工程を行わず、ウェット洗浄工程及び乾燥工程を実行した例である。図３の比較例５は、第１ドライ洗浄工程を行わず、ウェット洗浄工程及び乾燥工程を実行した例である。なお、第１ドライ洗浄工程及び第２ドライ洗浄工程においては、それぞれ２０秒ずつドライ洗浄を行っている。なお、ここで言う「第１（又は第２）ドライ洗浄工程を行わず」とは、ガラス基板３１が処理槽４１（又は処理槽４４）を通過するものの、放電ランプ４７を動作させない状態のことである。
【００２４】
また、図３の左から３列目の項目（ウェット洗浄工程及び乾燥工程）は、ウェット洗浄工程と乾燥工程の合計時間であるが、乾燥工程の時間は、比較例１〜５、実施例において全て同じである。つまり、比較例２は、比較例１に対して７０秒だけウェット洗浄を多く実施している。また、図３に示す異物除去率は、（洗浄前異物数−洗浄後異物数）／洗浄前異物数（％）である。洗浄前異物数は、洗浄前のガラス基板３１の表面で検出された異物数であり、洗浄後異物数は、洗浄後のガラス基板３１の表面で検出された異物数である。また、図３の基板接触角は、ローラ４６で搬送されているガラス基板３１が処理槽４４を出た時点（第２ドライ洗浄工程が完了した時点）を基準（０秒）とし、所定時間が経過した後の基板接触角である。なお、比較例１〜５及び実施例において洗浄前の基板接触角は、２０°〜３０°の範囲とされるが、この範囲であれば、洗浄前の基板接触角の差は、洗浄後の基板接触角に殆ど影響がないことが本願発明者によって確認されている。
【００２５】
比較例１〜３の異物除去率を参照すると、比較例１に対してウェット洗浄を７０秒多く実施した比較例２よりも、ウェット洗浄工程の前にドライ洗浄を２０秒実施した比較例３の方が異物除去率が高くなっていることが分かる。また、比較例３及び実施例を参照すると、第２ドライ洗浄工程を実施することで、洗浄完了後の基板接触角がより小さくなっていることが分かる。また、図３に示すように、ガラス基板３１の接触角は、ドライ洗浄後、時間が経過するにつれて大きくなる。このため、第２ドライ洗浄工程を行わない場合には、第１ドライ洗浄工程の後、ウェット洗浄工程の実行時間分だけ、配向膜形成時のガラス基板の接触角が大きくなってしまい、成膜性が低下する。そこで、本実施形態では、ウェット洗浄工程の後に、再度ドライ洗浄（第２ドライ洗浄工程）を行うことで、ガラス基板３１の接触角がより低い状態で次の配向膜形成工程に移ることができる。言い換えると、第２ドライ洗浄工程を備えることで、ウェット洗浄の時間増加に起因して基板接触角が増大する事態を防止できるから、ウェット洗浄の時間をより長くすることが可能となり、異物除去率をより高くすることが可能となる。
【００２６】
次に、ガラス基板３１について、ドライ洗浄が完了した時点からの経過時間と基板接触角の相関関係を示すグラフを図４に示す。図４に示すグラフの横軸は、ドライ洗浄が完了した時点からの経過時間であり、縦軸は、ガラス基板３１の基板接触角である。なお、図４は、図３の比較例３〜５及び実施例の測定結果に基づいて作成したグラフである。図３では、ガラス基板３１が処理槽４４を出た時点を基準とした基板接触角を示しているが、図４では、最後に行われたドライ洗浄が完了した時点を基準とした基板接触角を示している。つまり、比較例３、４については、第１ドライ洗浄工程が完了した時点を経過時間の基準とし、比較例５及び実施例については、第２ドライ洗浄工程が完了した時点（処理槽４４を出た時点）を経過時間の基準とした上で図４のグラフを作成している。
【００２７】
例えば、図３の比較例３では、第１ドライ洗浄工程が完了した後、ウェット洗浄及び乾燥工程にて２８０秒が経過し、放電ランプ４７を動作させない状態の処理槽４４を通過する過程で２０秒が経過している。図３によれば、比較例３では、例えば、処理槽４４を出てから６０秒後の基板接触角が８．４°となっている。つまり、比較例３では、最後に行われたドライ洗浄（第１ドライ洗浄工程）が完了した時点から３６０秒（２８０秒＋２０秒＋６０秒）が経過した後に基板接触角が８．４°になっており、図４のグラフでは、これらの値を用いている。
【００２８】
図４に示すように、基板接触角は、ドライ洗浄が完了した直後は、時間経過に伴って比較的高い割合で上昇し、その後、緩やかに上昇するものとされる。そして、本願発明者によれば、図４に示すように、ドライ洗浄の終了後、６００秒経過するとガラス基板の接触角が１０°を超え、配向膜２２にピンホールが発生する場合があることが確認された。より具体的には、ドライ洗浄の終了後、６００秒経過すると配向膜に係る不良率が顕著に増え、１％を超えることが確認されている。そこで、本実施形態では、配向膜形成工程を第２ドライ洗浄工程の終了後６００秒以内に実行することで配向膜２２にピンホールが発生する事態をより確実に抑制することができる。より具体的には、処理槽４４におけるドライ洗浄が完了（第２ドライ洗浄工程が完了）してから、６００秒以内に配向膜塗布部４５から配向膜形成用の液滴をガラス基板３１に吐出することが好ましい。
【００２９】
また、本願発明者によれば、基板接触角が７°未満であれば、液晶表示装置１０にＮＤフィルタを装着した場合において配向膜のピンホールに伴う輝度欠陥が視認されないレベルの表示品質を確保することができ、基板接触角が５°未満であれば、液晶表示装置１０にＮＤフィルタを装着せず、より高い輝度の場合において配向膜のピンホールに伴う輝度欠陥が視認されないレベルの表示品質を確保できることが確認されている。なお、図４を参照すると、ドライ洗浄が完了してから、２４０秒以内に配向膜塗布部４５から配向膜形成用の液滴をガラス基板３１に吐出することで、基板接触角が７°未満の状態で配向膜２２の塗布を行うことができ、１５０秒以内に配向膜塗布部４５から配向膜形成用の液滴をガラス基板３１に吐出することで、基板接触角が５°未満の状態で配向膜２２の塗布を行うことができる。
【００３０】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態では、第２ドライ洗浄工程の後に配向膜形成工程が実行される方法を例示したが、これに限定されない。第２ドライ洗浄工程の後に配向膜形成工程以外の成膜工程が実行されてもよい。
（２）ウェット洗浄およびドライ洗浄の種類は、上記実施形態で例示したものに限定されない。
（３）上記実施形態では、第１ドライ洗浄工程及び第２ドライ洗浄工程において、エキシマＵＶによるドライ洗浄を行う場合を例示したが、これに限定されない。例えば、第１ドライ洗浄工程（処理槽４１）においてエキシマＵＶによるドライ洗浄を行い、第２ドライ洗浄工程（処理槽４４）において大気圧プラズマによるドライ洗浄を行ってもよく、その逆であってもよい。また、第１ドライ洗浄工程及び第２ドライ洗浄工程において、大気圧プラズマによるドライ洗浄を行ってもよい。
【符号の説明】
【００３１】
１１…液晶パネル、２２…配向膜、３１…ガラス基板
【図１】
2019070766.tif 000003
【図２】
2019070766.tif 000004
【図３】
2019070766.tif 000005
【図４】
2019070766.tif 000006