(57)【要約】      （修正有）【課題】帯電物質に電界を印加して表示を行う装置において、残像を低減するための構造及びその作製方法を提供する。【解決手段】複数の画素電極１０１と、画素電極１０１上に設けられた帯電層（帯電物質を含む層）とを有し、複数の画素電極１０１のうち隣接する２つの画素電極１０１の端部は、一方が端面方向に凹部を有し、他方が端面方向に凸部を有し、当該凹部と凸部とが対になることで、２つの画素電極１０１間に隙間が形成される表示装置である。【選択図】図１
2019070830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、前記画素電極上に設けられた帯電層とを有し、
前記複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の端部は、端面方向に屈曲している部分を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野は、表示装置及びその駆動方法に関する。また、表示装置の作製方法に関する
。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタル化技術の進歩に伴い、新聞、雑誌などの文字情報や画像情報を電子デー
タとして提供できるようになっている。この種の電子データは、一般に、テレビ、パーソ
ナルコンピュータ、または携帯型電子端末などが備える表示装置に表示されることで、そ
の内容が閲覧される。
【０００３】
そして、紙面と同等の高い視認性を有する表示装置として、電気泳動素子などの電子イ
ンクを用いたものが開発されている。電子インクを用いた表示装置としては、例えば、画
素電極と対向電極との間にマイクロカプセルを有するものが挙げられる。２つの電極間に
電圧を印加し、マイクロカプセル中に存在する着色された粒子を電界方向に移動させるこ
とで、表示を行うものである（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７６１５３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１では、表示画像を切り替える際に、残像が生じるという問題があった。
【０００６】
その原因の一つとして、図１３（Ａ）に示すように、画素電極５００１の端部５００３
が直線形状であることが挙げられる。端部５００３が直線形状であると、表示を行った際
に、図１３（Ｂ）に示すように、画素電極間の隙間５００５において電界が正しく印加さ
れない可能性があるため、残像が生じてしまう。なお、残像を消すために初期化処理を行
う場合、表示速度が遅くなってしまう。
【０００７】
上記問題に鑑み、残像の低減をはじめとする表示装置の諸性能を向上することを課題の
一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書で開示する表示装置は、帯電物質に電界を印加することで表示を行う装置であ
る。複数の画素電極を有し、隣接する２つの画素電極の端部の一部又は全部を直線形状と
しないことで、画素電極間の隙間において、帯電物質に正しく電界を印加するものである
。
【０００９】
本発明の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層（帯電物質を有
する層とも呼ぶ）とを有し、複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の端部は、端
面方向に屈曲している部分（屈曲部ともいう）を有する表示装置である。本明細書におい
て、端面方向とは、画素電極の上面に対して平行な方向を指す。また、屈曲している部分
は、頂点を有する形状（折れている形状ともいう）でもよく、頂点を有さない形状（曲が
っている形状ともいう）でもよい。そして、２つの画素電極における屈曲している部分が
、互いに噛み合っていることが好ましい。
【００１０】
本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、
複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部は端
面方向に凹部（又は凹凸部）を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部（又は凹凸
部）を有し、一方の画素電極の凹部（又は凹凸部）と、他方の画素電極の凸部（又は凹凸
部）とが対になることで、２つの画素電極の間に隙間が形成されている表示装置である。
本明細書において、凹部と凸部が対（又は凹凸部が対）になるとは、凹部に対し、凸部が
入り込んでいる状態を指す。また、この状態を、凹部と凸部が互いに噛み合っていると表
現してもよい。
【００１１】
本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、
複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間に隙間が形成されており、隙間は三カ
所以上の間隔が等しい部分を有し、三カ所以上の部分において、各々の間隔の中点を線分
で結ぶと、一つ以上の頂点を有する表示装置である。
【００１２】
本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、
複数の画素電極のうち隣接する２つの画素電極の間において、２つの画素電極の端部はと
もに屈曲し、且つ、隙間を形成しており、隙間は、三カ所以上の間隔が等しい部分を有す
る表示装置である。
【００１３】
本発明の他の一態様は、複数の画素電極と、画素電極上に設けられた帯電層とを有し、
複数の画素電極のうち一の画素電極の右辺の端部と、一の画素電極の右辺において隣接す
る画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、隙間を形成しており、一の画素電極の上辺の
端部と、一の画素電極の上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し、且つ、
隙間を形成しており、前記一の画素電極の右辺における隙間と、前記一の画素電極の上辺
における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有する表示装置である。
【発明の効果】
【００１４】
残像の低減など表示装置の性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】表示装置の一例を示す図。
【図２】表示装置の一例を示す図。
【図３】表示装置の一例を示す図。
【図４】表示装置の一例を示す図。
【図５】表示装置の一例を示す図。
【図６】表示装置の一例を示す図。
【図７】表示装置の一例を示す図。
【図８】表示装置の一例を示す図。
【図９】表示装置の一例を示す図。
【図１０】表示装置の一例を示す図。
【図１１】表示装置の一例を示す図。
【図１２】電子機器の一例を示す図。
【図１３】従来の表示装置の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、以下の実施の形態
は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従っ
て、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の
形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符
号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、表示装置の構造の一例について説明する。
【００１８】
図１は、表示装置の画素部の上面図である。なお、図１では画素部の一部を示している
。
【００１９】
画素部は、複数の画素を有し、該複数の画素は、それぞれ画素電極１０１を有している
。本発明の一態様は、画素電極１０１の端部の一部又は全部が直線形状ではないことを特
徴としている。すなわち、画素電極１０１の端部が、端面方向に屈曲している部分１０３
を有している。なお、直線形状である部分１０５を有していてもよい。そして、隣接する
２つの画素電極１０１における屈曲している部分１０３と部分１０４とが、互いに噛み合
っていることが好ましい。
【００２０】
ここで、画素電極１０１の構造の詳細な条件について、図１の拡大図である図２乃至図
５を用いて説明する。
【００２１】
まず条件１を説明する。隣接する２つの画素電極の間において、一方の画素電極の端部
は端面方向に凹部を有し、他方の画素電極の端部は端面方向に凸部を有している。そして
、一方の画素電極の凹部と他方の画素電極の凸部とが対になり、２つの画素電極の間に隙
間が形成されている。また、２つの画素電極の端部に凹凸部（凹部及び凸部とも呼ぶ）を
有し、一方の画素電極の凹凸部と他方の画素電極の凹凸部が対になっていてもよい。
【００２２】
条件１の具体例を、図２に示す。画素電極２０１は凹部２１１及び凸部２１３を有し、
画素電極２０３は凹部２１５及び凸部２１７を有している。そして、画素電極２０１の凹
部２１１と画素電極２０３の凸部２１７とが対になり、画素電極２０１の凸部２１３と画
素電極２０３の凹部２１５とが対になっている。すなわち、画素電極２０１の凹凸部と画
素電極２０３の凹凸部とが対になり、２つの画素電極２０１、２０３の間に隙間２１９が
形成されている。条件１を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３
が形成される。
【００２３】
また、別の条件２を説明する。隣接する２つの画素電極の間に隙間が形成されており、
該隙間は三カ所以上の間隔が等しい部分を有する。そして、該三カ所以上の部分において
、各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つ以上の頂点を有する。すなわち、該三カ所以上
の部分における各々の間隔の中点が、一直線上に並ばないことを意味している。
【００２４】
条件２の具体例を、図３に示す。隣接する２つの画素電極２０１、２０３の間に隙間２
１９が形成されており、隙間２１９は三カ所の間隔が等しい部分３０１、３０３、３０５
を有する。そして、三カ所における各々の間隔の中点を線分で結ぶと、一つの頂点３０７
を有する。条件２を適用することで、図１における画素電極の突出する部分１０３が形成
される。
【００２５】
また、別の条件３を説明する。隣接する２つの画素電極の間において、２つの画素電極
の端部はともに屈曲しており、且つ、隙間を形成している。そして、該隙間は三カ所以上
の間隔が等しい部分を有している。特に、２つの画素電極の一辺の半分以上の部分で間隔
が等しいことが好ましい。
【００２６】
条件３の具体例を、図４に示す。画素電極２０１、２０３の端部４０１と端部４０３と
はともに屈曲しており、隙間２１９が形成されている。そして、画素電極の一辺に渡り、
隙間２１９の間隔が等しい。条件３を適用することで、図１における画素電極の突出する
部分１０３が形成される。
【００２７】
また、別の条件４を説明する。一の画素電極の右辺の端部と、該右辺において隣接する
画素電極の左辺の端部とが屈曲し、且つ、両端部の間に隙間を形成している。そして、該
一の画素電極の上辺の端部と、該上辺において隣接する画素電極の下辺の端部とが屈曲し
、且つ、両端部の間に隙間を形成している。更に、該一の画素電極の右辺における隙間と
上辺における隙間とは、二カ所以上の間隔が等しい部分を有している。
【００２８】
条件４の具体例を、図５に示す。画素電極２０１の右辺の端部５０１及び画素電極２０
３の左辺の端部５０２がともに屈曲しており、隙間２１９が形成されている。そして、画
素電極２０１の上辺の端部５０３及び画素電極２０５の下辺の端部５０４がともに屈曲し
ており、隙間２２１が形成されている。そして、隙間２１９と隙間２２１とは、二カ所の
間隔が等しい部分５０５、５０７を有している。条件４を適用することで、図１における
画素電極の突出する部分１０３が形成される。
【００２９】
なお、上記において間隔が等しいとは、誤差を考慮し、間隔が概ね等しい場合も含むも
のとする。
【００３０】
上記のような画素電極の構造を適用することで奏する効果について、以下に説明する。
【００３１】
図６は、図１に示した画素部の断面図であり、３画素分を示している。また、表示素子
として、マイクロカプセル型電気泳動方式を用いる例を示している。
【００３２】
一の画素は、画素電極６０３、対向電極６０５、画素電極６０３と対向電極６０５との
間に設けられた帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を有する表示素子６０１を
有している。また、一の画素に隣接する画素は、画素電極６０３に隣接する画素電極６０
９、対向電極６０５、及び帯電層６０６を有する表示素子６０１を有している。
【００３３】
帯電層６０６は、複数のマイクロカプセル６０７を有する。そして、マイクロカプセル
６０７は、着色された粒子６２３、６２５を有している。粒子６２３、６２５は帯電物質
として機能する。
【００３４】
そして、画素電極６０３と画素電極６０９との間には、隙間６１１が形成されている。
【００３５】
画素電極６０３、６０９では、図１乃至図５のような画素電極の構造を用いている。そ
のため、図６の隙間６１１において紙面の奥行き方向を見ると、画素電極６０３が突出し
た部分６１３を有している。この突出した部分６１３は、図１の部分１０３又は図２の凸
部２１３等に該当する。
【００３６】
この状態で画素電極６０３、６０９と対向電極６０５との間に電圧を印加すると、矢印
６１５のように電界が発生する。
【００３７】
そして、画素電極６０３における突出した部分６１３にも電界が発生するため、隙間６
１１の一部または全部においても、粒子６２３、６２５に正しく電界を印加することがで
きる。そのため、図１３のような従来例において、隙間５００５で生じていた残像を低減
することができる。
【００３８】
なお、上記の隙間６１１の間隔は、画素電極６０３と対向電極６０５との隙間（セルギ
ャップとも呼ぶ）より狭いことが好ましい。
【００３９】
以下に、帯電層６０６の一例について詳細に説明する。
【００４０】
帯電層６０６は、複数のマイクロカプセル６０７と、樹脂６１７とを有する。マイクロ
カプセル６０７は、樹脂６１７中で分散して固定されている。樹脂６１７は、バインダと
しての機能を有する。
【００４１】
樹脂６１７は、透光性を有するとよい。樹脂６１７の代わりに、空気又は不活性ガスな
どの気体を充填してもよい。その場合、画素電極６０３と対向電極６０５との一方又は両
方に、粘着剤又は接着剤等を含む層を形成して、マイクロカプセル６０７を固定するとよ
い。
【００４２】
マイクロカプセル６０７は、膜６１９と、液体６２１と、粒子６２３と、粒子６２５と
を有する。液体６２１、粒子６２３と、粒子６２５とは、膜６１９の中に封入されている
。膜６１９は、透光性を有する。なお、マイクロカプセル６０７の断面形状は、円形に限
定されず、楕円形や、凹凸を有する形状であってもよい。
【００４３】
液体６２１は、分散液としての機能を有する。液体６２１により、粒子６２３及び粒子
６２５を膜６１９内に分散させることができる。なお、液体６２１は、透光性を有し、無
着色であることが好ましい。
【００４４】
粒子６２３と粒子６２５とは、互いに異なる色とする。例えば、一方は黒色であり、他
方は白色であるとよい。なお、粒子６２３と粒子６２５とは、互いの電荷密度が異なるよ
うに帯電されており、帯電物質として機能する。例えば、一方は正に帯電され、他方は負
に帯電されるとよい。これにより、画素電極６０３と対向電極６０５との間に電位差が生
じると、粒子６２３と粒子６２５とは、電界方向に応じて移動する。こうして、表示素子
６０１の反射率が変化することにより、階調を制御することができる。
【００４５】
なお、マイクロカプセル６０７の構造は、上記に限定されない。例えば、液体６２１は
、着色されていてもよい。また、粒子の色は、白色及び黒色だけでなく、赤色、緑色、青
色、シアン、マゼンタ、イエロー、エメラルドグリーン、朱色などの中から選択すること
が可能である。また、粒子の色の種類は、１種類であっても、３種類以上であってもよい
。
【００４６】
また、表示素子６０１は、マイクロカプセル型に限定されず、マイクロカップ型、水平
移動型、垂直移動型、ツイストボール型（球状又は円筒状等）、粉体移動型、電子粉流体
（登録商標）型、帯電トナー、エレクトロウェッティング方式、エレクトロクロミズム方
式、又はエレクトロデポジション方式などを適用することができる。帯電層６０６が有す
る粒子等の帯電物質の移動により、表示を行うことが可能な素子全般を指す。
【００４７】
なお、対向電極６０５側から表示画面を閲覧する場合、対向電極６０５は透光性を有す
る材料で形成する。透光性を有する材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ
）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、有機インジウム、有機スズ、酸化
亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化スズ
（ＳｎＯ２）、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むイン
ジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫
酸化物などを用いることができる。
【００４８】
この場合、画素電極６０３は、上記の透光性を有する材料、又は、金属材料を用いるこ
とができる。特に、可視光に対して反射率が低い金属材料、又は可視光に対して吸収率が
高い金属材料を用いて形成することが好ましい。そうすることで、画素電極６０３での反
射が生じにくくなるため、表示画面に対する視認度が向上する。反射率が低い金属として
は、例えばクロム等を用いることができる。
【００４９】
また、画素電極６０３側から表示画面を閲覧してもよく、その場合、画素電極６０３は
上記の透光性を有する材料で形成する。
【００５０】
この場合、対向電極６０５は、画素電極６０３より反射率が低い金属を用いて形成する
ことが好ましい。上記の反射率の低い金属を用いることができる。
【００５１】
また、対向電極６０５側及び画素電極６０３側の両方から表示画面を閲覧してもよく、
その場合、対向電極６０５及び画素電極６０３はともに、上記の透光性を有する材料で形
成する。そして、反対側への光の透過を防止するため、対向電極６０５側及び画素電極６
０３側に偏光板をクロスニコルに配置することが好ましい。
【００５２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、画素電極の構造として、図１と異なる一例を示す。
【００５４】
図７（Ａ）乃至（Ｄ）は、表示装置の画素部の上面図である。なお、図７（Ａ）乃至（
Ｄ）では画素部の一部を示している。
【００５５】
図７（Ａ）では、画素部は画素電極７０１を有している。画素電極７０１の端部は、端
面方向に、長方形状の突出した部分を有している。
【００５６】
図７（Ｂ）では、画素部は画素電極７０３を有している。画素電極７０３の端部は、端
面方向に、台形状の突出した部分を有している。
【００５７】
図７（Ｃ）では、画素部は画素電極７０５を有している。画素電極７０５の端部は、端
面方向に、三角形状の突出した部分を有している。
【００５８】
図７（Ｄ）では、画素部は画素電極７０７を有している。画素電極７０７の右辺の端部
は、端面方向に、三角形状の突出した部分を有している。更に画素電極７０７の上辺の端
部は端面方向に、突出した部分を有している。
【００５９】
そして、図７（Ａ）乃至図７（Ｄ）の構造とした場合においても、実施の形態１で示し
た条件１乃至条件４のいずれかを満たすことで、図１乃至図６と同様に、隣接する２つの
画素電極間の隙間において電界を印加することができる。そのため、隙間における残像を
低減することができる。
【００６０】
また、図１、図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）、及び図７（Ｄ）の構造のうち複数
を組み合わせてもよい。
【００６１】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００６２】
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置の構造の一例を説明する。
【００６３】
図８は、画素回路及び駆動回路の一例である。図８（Ａ）にパッシブマトリクス型の表
示装置、図８（Ｂ）にアクティブマトリクス型の表示装置を示す。それぞれマトリクス状
に配置された複数の画素８０１に表示素子６０１を有する。
【００６４】
表示素子の構造及び駆動方法は、上記実施の形態で示した表示素子の構成を適用するこ
とができる。
【００６５】
図８（Ａ）に示すパッシブマトリクス型では、画素８０１は、複数の交差する配線８０
３、８０５と、該交差する配線８０３、８０５に電気的に接続される表示素子６０１とを
有する。また、配線８０３は、駆動回路８１１に電気的に接続され、配線８０５は、駆動
回路８１３に電気的に接続されている。そして、表示素子６０１は、駆動回路８１１及び
駆動回路８１３から入力される電位に応じて、階調表示を行う。
【００６６】
また、図８（Ｂ）に示すアクティブマトリクス型では、画素８０１は、複数の交差する
配線８０３、８０５と、トランジスタ８０７と、表示素子６０１と、容量素子８０９とを
有する。そして、トランジスタ８０７のゲートが配線８０５に電気的に接続され、ソース
又はドレインの一方が配線８０３に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が表示
素子６０１及び容量素子８０９に電気的に接続されている。また、配線８０３は、駆動回
路８１１に電気的に接続され、配線８０５は駆動回路８１３に電気的に接続されている。
トランジスタ８０７は、駆動回路８１３から入力される電位に応じて導通又は非導通が制
御される。そして、表示素子６０１は、トランジスタ８０７が導通している際に駆動回路
８１１から入力される電位に応じて、階調表示を行う。なお、容量素子８０９は、表示素
子６０１に印加される電圧を保持する機能を有している。
【００６７】
次に、画素部の断面構造を示す。
【００６８】
図９（Ａ）はパッシブマトリクス型の断面構造である。基板９０１と対向基板９０３と
の間に表示素子６０１を有する。そして、基板９０１側に、画素電極６０３、６０９を紙
面と垂直方向に延伸して設けることで、図８（Ａ）に示す複数の配線８０３が形成されて
いる。そのため、画素電極６０３、６０９となる複数の配線８０３の端部において、上記
条件１乃至条件３のいずれかを満たしていればよい。一方、対向基板９０３側には、対向
電極６０５を紙面と平行方向に延伸して設けることで、図８（Ａ）に示す複数の配線８０
５が形成されている。なお、図９（Ａ）では対向電極６０５は１つしか示していないが、
複数の対向電極６０５が紙面に平行して存在している。すなわち、複数の配線８０３と複
数の配線８０５が交差する部分に表示素子６０１が形成されている。
【００６９】
図９（Ｂ）はアクティブマトリクス型の断面構造である。基板９０１と対向基板９０３
との間に、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を含む層と、該層上に表示素子６０１
とを有する。そして、トランジスタ８０７及び容量素子８０９は、画素電極６０３と電気
的に接続されている。なお、図９（Ｂ）では省略しているが、画素電極６０９にもトラン
ジスタ及び容量素子が電気的に接続されている。
【００７０】
基板９０１及び対向基板９０３は、ガラス基板、樹脂基板、半導体基板、金属基板、又
は、それらに窒化膜又は酸化膜等の絶縁膜を設けたものを適宜用いることができる。
【００７１】
トランジスタ８０７は、ボトムゲート構造の薄膜トランジスタであり、電極９１１、絶
縁膜９１３、電極９１５、電極９１７、及び半導体層９１９を有している。ここで、電極
９１１はゲート電極である。また、絶縁膜９１３はゲート絶縁膜である。そして、電極９
１５又は電極９１７は、一方がソース電極であり、他方がドレイン電極として機能する。
【００７２】
容量素子８０９は、電極９２１、電極９１７、及び絶縁膜９１３を有している。ここで
、電極９２１は、容量素子８０９の下部電極であり、電極９１１（上記ゲート電極）と同
層に形成された導電層である。また、絶縁膜９１３は、上記ゲート絶縁膜と容量素子８０
９の誘電体とを兼ねている。そして、電極９１７は、絶縁膜９１３上に延伸して形成され
た導電層であり、上記ソース電極又はドレイン電極の一方と容量素子８０９の上部電極と
を兼ねている。
【００７３】
電極９１１、電極９２１、電極９１５、及び電極９１７は、モリブデン、チタン、タン
タル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれ
らを主成分とする合金材料を用いて、導電層の単層又は積層により形成されている。
【００７４】
絶縁膜９１３は、酸化珪素膜又は窒化珪素膜等を用いて、単層又は積層で形成されてい
る。
【００７５】
半導体層９１９は、非晶質半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は微結晶半導体を
用いて形成することができる。また、半導体の材料としては、シリコン、ゲルマニウム、
有機半導体、又は酸化物半導体等を用いることができる。また、ｐ型トランジスタとして
もよく、ｎ型トランジスタとしてもよい。なお、チャネルエッチ型又はチャネルストップ
型としてもよく、トップゲート構造としてもよい。また、薄膜トランジスタとせずに、半
導体基板を用いたトランジスタ（バルクトランジスタとも呼ぶ）としてもよい。
【００７６】
また、トランジスタ８０７は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造
、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。
【００７７】
そして、トランジスタ８０７及び容量素子８０９と、画素電極６０３との間には絶縁膜
９２３が形成されている。
【００７８】
絶縁膜９２３は、酸化珪素若しくは窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、
ベンゾシクロブテン、アクリル、若しくはエポキシ等の有機材料、又はシロキサン材料等
を用いて、単層又は積層で形成されている。
【００７９】
また、基板９０１側又は対向基板９０３側に、カラーフィルタ（ＣＦ）を設ける構成や
、ブラックマトリクス（ＢＭ）を設ける構成等を適宜採用してもよい。なお、基板９０１
側及び対向基板９０３側の両方に、ＣＦやＢＭを設けてもよい。
【００８０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００８１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、表示装置の作製方法の一例を説明する。なお、材料や構造などは、
上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。
【００８２】
まず、図９（Ａ）を用いてパッシブマトリクス型の表示装置の作製方法を説明する。
【００８３】
基板９０１上に、紙面と垂直方向に延伸するように、画素電極６０３、６０９となる配
線を形成する。ここで、画素電極６０３、６０９は、該画素電極となる導電膜を成膜した
後、エッチング等を施し、上記の条件１乃至条件３のいずれかを満たすように加工する。
【００８４】
次に、画素電極６０３、６０９上に、帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を
形成する。例えば、画素電極６０３、６０９上に、マイクロカプセル６０７が分散されて
固定された樹脂６１７を設ける。
【００８５】
続いて、樹脂６１７上（帯電層６０６上）に、紙面と平行方向に延伸するように、対向
電極６０５となる配線を形成する。なお、予め対向電極６０５が形成された樹脂６１７を
、画素電極６０３、６０９上に設けてもよい。
【００８６】
次に、対向電極６０５上に、対向基板９０３を設ける。対向基板９０３は、シール材を
用いて基板９０１と貼り合わせる。
【００８７】
なお、対向電極６０５が形成された対向基板９０３を、シール材を用いて基板９０１と
貼り合わせてもよい。
【００８８】
また、マイクロカプセル型の代わりに電子粉流体型とする場合、正に帯電したある色の
高分子ポリマー微粒子と、負に帯電した異なる色の高分子ポリマー微粒子を画素電極６０
３と対向電極６０５の間に設ける構成とすればよい。このように、上述した他の方式を用
いて表示素子を構成することもできる。
【００８９】
以上のようにして、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することができる。
【００９０】
次に、図９（Ｂ）を用いて、アクティブマトリクス型の作製方法の一例を説明する。パ
ッシブマトリクス型と同様の工程については省略する。
【００９１】
基板９０１上に、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を形成する。
【００９２】
トランジスタ８０７及び容量素子８０９上に絶縁膜９２３を形成する。
【００９３】
絶縁膜９２３上に画素電極６０３、６０９を形成する。ここで、画素電極６０３、６０
９は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件１乃至条
件４のいずれかを満たすように加工する。
【００９４】
次に、画素電極６０３、６０９上に、帯電層６０６（帯電物質を有する層とも呼ぶ）を
形成する。例えば、画素電極６０３、６０９上に、マイクロカプセル６０７が分散されて
固定された樹脂６１７を設ける。
【００９５】
続いて、樹脂６１７上（帯電層６０６上）に、対向電極６０５を形成する。なお、予め
対向電極６０５が形成された樹脂６１７を、画素電極６０３、６０９上に設けてもよい。
【００９６】
次に、対向電極６０５上に、対向基板９０３を設ける。対向基板９０３は、シール材を
用いて基板９０１と貼り合わせる。
【００９７】
なお、対向電極６０５が形成された対向基板９０３を、シール材を用いて基板９０１と
貼り合わせてもよい。
【００９８】
以上のようにして、アクティブマトリックス型の表示装置を作製することができる。
【００９９】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１００】
（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置の作製方法について、実施の形態４と異なる一例を示す。
なお、材料や構造などは、上記実施の形態で示す構成を適宜用いることができる。
【０１０１】
まず、基板９０１上に剥離層９３１を形成する（図１０（Ａ）参照）。
【０１０２】
剥離層９３１は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、
コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリ
ジウム、珪素等の材料を用いて、単層又は積層させて形成することができる。又は、これ
らの元素を主成分とする合金材料を用いて形成してもよいし、これらの元素を主成分とす
る化合物材料を用いて形成してもよい。これらの材料を用いて、スパッタリング法、プラ
ズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍで剥離層９３１を形
成することができる。
【０１０３】
また、剥離層９３１上にバッファ層として機能する絶縁膜（窒化珪素膜又は酸化珪素膜
等）を形成してもよい。該絶縁膜を設けることで、後の剥離工程で剥離層９３１の表面で
の剥離が容易になる。
【０１０４】
次に、剥離層９３１上に画素電極６０３、６０９を形成する。ここで、画素電極６０３
、６０９は、該画素電極となる導電膜を成膜した後、エッチング等を施し、上記の条件１
乃至条件４のいずれかを満たすように加工する。
【０１０５】
画素電極６０３、６０９上に絶縁膜９３３を形成する。絶縁膜９３３としては、酸化珪
素又は窒化珪素等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル
、又はエポキシ等の有機材料、シロキサン材料等を用いて、単層又は積層で形成する。こ
れらの材料を用いて、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン印刷法
等により絶縁膜９３３を形成することができる。
【０１０６】
そして、絶縁膜９３３上にトランジスタ８０７及び容量素子８０９を形成する。また、
トランジスタ８０７及び容量素子８０９と、画素電極６０３とを電気的に接続する。なお
、図１０（Ａ）では、画素電極６０９に電気的に接続されるトランジスタ及び容量素子は
省略している。
【０１０７】
次に、基板９０１の端部に設けられた絶縁膜９３３の一部をエッチング等により除去し
た後、トランジスタ８０７及び容量素子８０９を覆って絶縁膜９３５を形成する。絶縁膜
９３５は、バリア層として機能し、窒素含有層（窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素
等を含む層）を用いて形成することができる。
【０１０８】
次に、絶縁膜９３５にレーザー光を照射して溝９３７を形成する（図１０（Ｂ）参照）
。そして、少なくとも溝９３７を覆うように、セパレートフィルム９３９を設ける（図１
０（Ｃ）参照）。
【０１０９】
次に、絶縁膜９３５上に、第１の有機樹脂９４１を形成する。セパレートフィルム９３
９を設けることで、第１の有機樹脂９４１が溝９３７に侵入して剥離層９３１と接着する
ことを防止できる。なお、第１の有機樹脂９４１は、基板（支持基板とも呼ぶ）として機
能する。
【０１１０】
続いて、溝９３７をきっかけとして、剥離層９３１の表面において、素子層９４３を基
板９０１から剥離する（図１０（Ｄ）参照）。そして、剥離後にセパレートフィルム９３
９を取り除く。
【０１１１】
次に、画素電極６０３、６０９上に、他の実施の形態で示したように、帯電層６０６（
帯電物質を有する層とも呼ぶ）を形成する（図１０（Ｅ）参照）。なお、剥離した素子層
９４３の上下を反転させて用いている。
【０１１２】
そして、帯電層６０６上に、対向電極６０５が形成された第２の有機樹脂９４５を設け
る。そして、加熱処理を行い、第１の有機樹脂９４１と第２の有機樹脂９４５とを接着さ
せる。第２の有機樹脂９４５は、対向基板として機能する。
【０１１３】
なお、帯電層６０６、対向電極６０５、及び対向基板の形成順序は、上記実施の形態と
同様に行ってもよい。
【０１１４】
上記第１の有機樹脂９４１及び第２の有機樹脂９４５は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエ
ステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂又はシアネート樹脂等の熱
硬化性樹脂を用いることができる。他にも、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテル
イミド樹脂又はフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いてもよい。有機樹脂を用いることで、
可撓性を有する表示装置を作製することができる。
【０１１５】
なお、以上の作製方法を応用して、パッシブマトリクス型の表示装置を作製することも
できる。
【０１１６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１１７】
（実施の形態６）
本実施の形態では、画素電極と他の配線との位置関係について説明する。
【０１１８】
図１１は、図１乃至図６で示した画素電極と、図８（Ｂ）で示した配線８０３、８０５
との位置関係の一例である。
【０１１９】
図１１では、画素電極２０１と配線８０３、８０５とが重なっている。すなわち、配線
８０３は隙間９５０と重ならず、配線８０５は隙間９６０と重ならない位置関係にある。
【０１２０】
このような位置関係にすることで、隙間９５０において、配線８０３の電位に起因する
電界が帯電物質に加わることを防止できる。そのため、隙間９５０において残像を低減で
きる。
【０１２１】
同様に、隙間９６０において、配線８０５の電位に起因する電界が帯電物質に加わるこ
とを防止できる。そのため、隙間９６０において残像を低減できる。
【０１２２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２３】
（実施の形態７）
本実施の形態では、電子機器の一例を説明する。
【０１２４】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、電子ペーパー（電子書籍、電子ブック等ともいう）
である。それぞれ本体４００１の表示部４１０１及び本体４００２の表示部４１０２に、
本明細書で開示した表示装置を適用することができる。
【０１２５】
また、電子ペーパーに限らず、図１２（Ｃ）のテレビ、図１２（Ｄ）の携帯電話、図１
２（Ｅ）のパーナルコンピュータ、又は図１２（Ｆ）のゲーム機器等の電子機器において
、本体４００３〜４００６の表示部４１０３〜４１０６に、本明細書で開示した表示装置
を適用することができる。
【０１２６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１０１  画素電極
１０３  部分
１０４  部分
１０５  部分
２１１  凹部
２１５  凹部
２１３  凸部
２１７  凸部
２０１  画素電極
２０３  画素電極
２０５  画素電極
２１９  隙間
２２１  隙間
３０１  部分
３０３  部分
３０５  部分
３０７  頂点
４０１  端部
４０３  端部
５０１  端部
５０２  端部
５０３  端部
５０４  端部
５０５  部分
５０７  部分
６０１  表示素子
６０３  画素電極
６０５  対向電極
６０６  帯電層
６０７  マイクロカプセル
６０９  画素電極
６１１  隙間
６１３  部分
６１５  矢印
６１７  樹脂
６１９  膜
６２１  液体
６２３  粒子
６２５  粒子
７０１  画素電極
７０３  画素電極
７０５  画素電極
７０７  画素電極
８０１  画素
８０３  配線
８０５  配線
８０７  トランジスタ
８０９  容量素子
８１１  駆動回路
８１３  駆動回路
９０１  基板
９０３  対向基板
９１１  電極
９１５  電極
９１７  電極
９２１  電極
９１３  絶縁膜
９２３  絶縁膜
９１９  半導体層
９３１  剥離層
９３３  絶縁膜
９３５  絶縁膜
９３７  溝
９３９  セパレートフィルム
９４１  第１の有機樹脂
９４３  素子層
９４５  第２の有機樹脂
９５０  隙間
９６０  隙間
４００１〜４００６  本体
４１０１〜４１０６  表示部
５００１  画素電極
５００３  端部
５００５  隙間
【図１】
2019070830.tif 000003
【図２】
2019070830.tif 000004
【図３】
2019070830.tif 000005
【図４】
2019070830.tif 000006
【図５】
2019070830.tif 000007
【図６】
2019070830.tif 000008
【図７】
2019070830.tif 000009
【図８】
2019070830.tif 000010
【図９】
2019070830.tif 000011
【図１０】
2019070830.tif 000012
【図１１】
2019070830.tif 000013
【図１２】
2019070830.tif 000014
【図１３】
2019070830.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成31年1月8日(2019.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素電極と、
前記第１の画素電極に隣接して配置された、第２の画素電極乃至第５の画素電極と、
前記第１の画素電極乃至前記第５の画素電極上の、帯電層と、を有し、
前記第１の画素電極は、第１の端部乃至第４の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第３の端部と対向し、
前記第２の端部は、前記第４の端部と対向し、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第１の端部側に隙間を介して配置され、
前記第３の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第２の端部側に隙間を介して配置され、
前記第４の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第３の端部側に隙間を介して配置され、
前記第５の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第４の端部側に隙間を介して配置され、
前記第１の端部及び前記第４の端部は、それぞれ、凹凸形状を有し、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極側に第５の端部を有し、
前記第５の端部は、凹凸形状を有し、
前記第１の端部の凹凸形状は、前記第５の端部の凹凸形状と噛み合い、
前記第５の画素電極は、前記第１の画素電極側に第６の端部を有し、
前記第６の端部は、凹凸形状を有し、
前記第４の端部の凹凸形状は、前記第６の端部の凹凸形状と噛み合う表示装置。
【請求項２】
第１の画素電極と、
前記第１の画素電極に隣接して配置された、第２の画素電極乃至第５の画素電極と、
前記第１の画素電極乃至前記第５の画素電極上の、帯電層と、を有し、
前記第１の画素電極は、第１の端部乃至第４の端部を有し、
前記第１の端部は、前記第３の端部と対向し、
前記第２の端部は、前記第４の端部と対向し、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第１の端部側に隙間を介して配置され、
前記第３の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第２の端部側に隙間を介して配置され、
前記第４の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第３の端部側に隙間を介して配置され、
前記第５の画素電極は、前記第１の画素電極の前記第４の端部側に隙間を介して配置され、
前記第１の端部は、凹凸形状を有し、
前記第２の画素電極は、前記第１の画素電極側に第５の端部を有し、
前記第５の端部は、凹凸形状を有し、
前記第１の端部の凹凸形状は、前記第５の端部の凹凸形状と噛み合う表示装置。