(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理装置を提供する。【解決手段】基板載置領域ＭＲを有する支持台１４を備え、シャッター１６を支持した回転軸１８が支持台１４から離れて鉛直方向に延び、回転軸１８の中心軸線ＡＸＣ周りの回転によりシャッター１６は支持台１４の上方の第１領域と支持台１４から離れた第２領域Ｒ２との間で移動し、シャッター１６は管４６を有し、下方に向けて開口した複数のガス出力孔を提供し、シャッター１６が第１領域内に配置されているとき、複数のガス出力孔の配列は、第２領域Ｒ２から第１領域に向かう回転方向において、載置領域ＭＲに対して外側に位置し、中心軸線ＡＸＣと複数のガス出力孔との間の最小距離は、中心軸線ＡＸＣと載置領域ＭＲとの間の最小距離以下で、中心軸線ＡＸＣと複数のガス出力孔との間の最大距離は、中心軸線ＡＸＣと載置領域との間の最大距離以上である基板処理装置１０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を提供するチャンバと、
その上に円盤形状を有する基板を載置可能な載置領域を有し、前記内部空間の中に配置された支持台と、
下方に向けて開口した複数のガス出力孔を提供する管を有し、前記支持台の上方の第１領域内に配置されているときに、前記載置領域を覆うように構成されたシャッターと、
前記シャッターを支持する回転軸であり、前記支持台から離れており、鉛直方向に延在する、該回転軸と、
前記回転軸をその中心軸線の周りで回転させて、前記第１領域と前記支持台から離れた第２領域との間で前記シャッターを移動させるように構成された駆動装置と、
を備え、
前記複数のガス出力孔は、前記シャッター内の基準点と前記中心軸線を含む基準平面に対して、前記第２領域から前記第１領域に向かう回転方向の側に設けられており、
前記基準点は、前記第１領域内に前記シャッターが配置されているときに、前記載置領域の中心に対面し、
前記複数のガス出力孔の開口端は、前記回転方向に突出する曲線、又は、該回転方向に突出する折れ線上で配列されており、
前記基準点を含み鉛直方向に延びる基準線と前記複数のガス出力孔の各々との間の距離は、前記載置領域の半径よりも大きく、
前記中心軸線と前記複数のガス出力孔との間の最小距離は、前記中心軸線と前記載置領域との間の最小距離以下であり、
前記中心軸線と前記複数のガス出力孔との間の最大距離は、前記中心軸線と前記載置領域との間の最大距離以上である、
基板処理装置。
【請求項２】
前記管は、円弧に沿って延びる管であり、
前記複数のガス出力孔の開口端は、前記基準線をその曲率中心として有する円弧上で配列されている、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記管は、そこから該管の中にガスが導入される入口を、前記複数のガス出力孔に対して前記中心軸線の側に提供しており、
前記複数のガス出力孔のうち任意の二つの隣り合うガス出力孔である二つの第１のガス出力孔の間の所定方向における距離は、前記複数のガス出力孔のうち前記二つの第１のガス出力孔よりも前記管内で前記入口に近い任意の二つの隣り合うガス出力孔である第２のガス出力孔の間の前記所定方向における距離よりも小さく、前記所定方向は、前記基準平面に平行であり且つ前記中心軸線に直交する方向である、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支持台及び前記第１領域の上方でターゲットを保持するホルダと、
前記ホルダに電圧を印加する電源と、
を更に備える、請求項１〜３の何れか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては、基板処理が行われる。基板処理では、基板がチャンバ内に設けられた支持台上に載置される。そして、支持台上の基板にガスが供給される。基板処理では、基板の全面、即ち支持台側の裏面とは反対側の基板の表面を処理するために、基板の全面に対してガスが供給される必要がある。
【０００３】
基板処理のための基板処理装置は、特許文献１及び特許文献２に記載されている。特許文献１の基板処理装置では、支持台である基板ホルダ上に基板が載置される。基板ホルダ上の基板には、複数のガス出力孔からガスが供給される。複数のガス出力孔の開口端は、基板に対面しており、直線上に配列されている。複数のガス出力孔からのガスが基板の全面に供給されるよう、基板ホルダは、回転される。
【０００４】
特許文献２の基板処理装置は、物理蒸着による成膜装置である。特許文献２の基板処理装置では、チャンバ、支持台、及びヘッドを備える。支持台はチャンバ内に設けられている。支持台上に載置された基板上には、物理蒸着により金属膜が形成される。また、ヘッドの複数のガス出力孔から酸化ガスが基板に供給されることにより、金属膜から金属酸化膜が形成される。複数のガス出力孔の開口端は、直線上に配列されている。複数のガス出力孔からのガスが基板の全面に供給されるよう、支持台は、回転される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７６１５０号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／０６４１９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
基板処理装置は、支持台を回転させるための機構、即ち回転機構を有することができない場合がある。このような場合でも、基板の全面、即ち支持台側の裏面とは反対側の基板の表面の全体にガスを供給することを可能とすることが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様においては、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、チャンバ、支持台、シャッター、回転軸、及び駆動装置を備える。チャンバは内部空間を提供している。支持台は、載置領域を有する。載置領域上には、円盤形状を有する基板を載置可能である。支持台は、内部空間の中に配置されている。シャッターは、管を有する。管は、複数のガス出力孔を提供しており、複数のガス出力孔は下方に向けて開口している。シャッターは、支持台の上方の第１領域内に配置されているときに、載置領域を覆うように構成されている。回転軸は、支持台から離れており、鉛直方向に延在している。回転軸は、シャッターを支持している。駆動装置は、回転軸をその中心軸線の周りで回転させて、第１領域と第２領域との間でシャッターを移動させるように構成されている。第２領域は支持台から離れている。複数のガス出力孔は、シャッター内の基準点と中心軸線を含む基準平面に対して、第２領域から第１領域に向かう回転方向（以下、「第１回転方向」という）の側に設けられている。基準点は、第１領域内にシャッターが配置されているときに、載置領域の中心に対面する。複数のガス出力孔の開口端は、第１回転方向に突出する曲線、又は、第１回転方向に突出する折れ線上で配列されている。基準点を含み鉛直方向に延びる基準線と複数のガス出力孔の各々との間の距離は、載置領域の半径よりも大きい。中心軸線と複数のガス出力孔との間の最小距離は、中心軸線と載置領域との間の最小距離以下である。中心軸線と複数のガス出力孔との間の最大距離は、中心軸線と載置領域との間の最大距離以上である。
【０００８】
一態様に係る基板処理装置では、複数のガス出力孔のうち回転軸の中心軸線に最も近いガス出力孔が回転軸の回転によって移動する軌跡の半径は、当該中心軸線と載置領域との間の最小距離以下である。また、複数のガス出力孔のうち回転軸の中心軸線から最も離れたガス出力孔が回転軸の回転によって移動する軌跡の半径は、回転軸の中心軸線と載置領域との間の最大距離以上である。したがって、回転軸が回転すると、複数のガス出力孔からのガスが、基板の全面、即ち支持台側の裏面とは反対側の基板の表面の全体に照射される。
【０００９】
また、シャッターが第１領域内に配置されているときに、複数のガス出力孔の開口端は、第１回転方向において載置領域に対して外側に位置する。したがって、第１領域を越えて第１回転方向にシャッターを移動させることなく、複数のガス出力孔からのガスを、基板の全面に供給することができる。即ち、第１回転方向と反対の第２回転方向に第１領域からシャッターを移動させ、及び／又は、第１回転方向に第１領域までシャッターを移動させることにより、複数のガス出力孔からのガスを、基板の全面に供給することができる。故に、第１領域に対して第１回転方向の側の内部空間のサイズが小さくても、複数のガス出力孔からのガスを、基板の全面に供給することができる。
【００１０】
一実施形態では、シャッターの管は、円弧に沿って延びる管である。複数のガス出力孔の開口端は、基準線をその曲率中心として有する円弧上で配列されている。
【００１１】
一実施形態において、管は、そこから当該管の中にガスが導入される入口を、複数のガス出力孔に対して中心軸線の側に提供している。複数のガス出力孔のうち任意の二つの隣り合うガス出力孔である二つの第１のガス出力孔の間の所定方向における距離は、複数のガス出力孔のうち二つの第１のガス出力孔よりも管内で入口に近い任意の二つの隣り合うガス出力孔である第２のガス出力孔の間の所定方向における距離よりも小さい。所定方向は、基準平面に平行であり且つ前記中心軸線に直交する方向である。入口から遠いガス出力孔から出力されるガスの流量は、入口に近いガス出力孔から出力されるガスの流量よりも少ない。この実施形態では、入口に近い部分よりも、入口から遠い部分においてガス出力孔が所定方向に沿って密に設けられている。したがって、この実施形態によれば、複数のガス出力孔から出力されるガスの量の、中心軸線に直交する方向における分布が比較的均一な分布となる。その結果、基板処理の面内均一性が向上される。
【００１２】
一実施形態において、基板処理装置は、支持台及び第１領域の上方でターゲットを保持するホルダと、ホルダに電圧を印加する電源と、を更に備える。この実施形態では、基板処理装置は成膜装置である。シャッターが第２領域内に退避している状態では、ターゲットから放出される粒子により、基板上に膜が形成される。シャッターが第１領域内に配置されている状態では、基板上の膜が、複数のガス出力孔から供給されるガスにより処理される。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、支持台の回転機構を有していない基板処理装置において、基板の全面、即ち支持台側の裏面とは反対側の基板の表面の全体にガスを供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置を示す図であり、シャッターが第１領域に配置されている状態を示す図である。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置を示す図であり、シャッターが第２領域に配置されている状態を示す図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。
【図４】図１〜図３に示す基板処理装置のシャッター及び回転軸を示す平面図である。
【図５】図１〜図３に示す基板処理装置のシャッター、回転軸、及び駆動装置の側面図である。
【図６】図４及び図５に示すシャッターの管を示す平面図である。
【図７】複数のガス出力孔、回転軸、及び載置領域の位置関係を示す平面図である。
【図８】図４及び図５に示すシャッターの管が走査されている様子を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１６】
図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図であり、シャッターが第１領域に配置されている状態を示す図である。図２は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図であり、シャッターが第２領域に配置されている状態を示す図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。図３においては、基板処理装置のシャッター、回転軸、及び駆動装置は省略されている。図１〜図３に示す基板処理装置１０は、チャンバ１２、支持台１４、シャッター１６、回転軸１８、及び駆動装置２０を備えている。
【００１７】
チャンバ１２は、内部空間ＩＳを提供している。内部空間ＩＳは、第１空間Ｓ１及び第２空間Ｓ２を含んでいる。第１空間Ｓ１は、その中で基板処理が行われる空間である。第２空間Ｓ２は、第１空間Ｓ１に対して側方に提供されている。後述するように、第１空間Ｓ１内から退避したシャッター１６は、第２空間Ｓ２内の第２領域Ｒ２内に配置される。
【００１８】
一実施形態において、チャンバ１２は、チャンバ本体２２及び蓋２４を有している。チャンバ本体２２は、アルミニウムといった金属から形成されている。チャンバ本体２２の上端は部分的に開口している。蓋２４は、アルミニウムといった金属から形成されている。蓋２４は、チャンバ本体２２の上端の開口を閉じるように、チャンバ本体２２上に設けられている。第１空間Ｓ１は、チャンバ本体２２と蓋２４によって画成されている。第２空間Ｓ２は、チャンバ本体２２によって画成されている。チャンバ本体２２は、隔壁２２ｐを含んでいる。隔壁２２ｐは、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間で延在している。隔壁２２ｐには、開口２２ａが形成されている。シャッター１６は、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２との間で移動する際に、開口２２ａを通過する。基板処理装置１０では、この開口２２ａを開閉可能に構成された部材が設けられていてもよい。
【００１９】
支持台１４は、内部空間ＩＳの第１空間Ｓ１の中に設けられている。支持台１４は、部材２６によって支持されている。部材２６は、チャンバ本体２２の底部から上方に延びている。支持台１４の上面は、載置領域ＭＲを含んでいる。載置領域ＭＲは、その上に基板Ｗを載置可能な領域である。載置領域ＭＲ上には、基板Ｗが略水平な状態で載置される。基板Ｗは、ウエハのように円盤形状を有している。載置領域ＭＲは、円形状を有している。載置領域ＭＲは、基板Ｗの直径と略同じ直径を有する。
【００２０】
一実施形態において、基板処理装置１０は、成膜装置である。この実施形態では、基板処理装置１０は、物理蒸着によって基板Ｗ上に膜を形成するように構成されている。具体的に、この実施形態において、基板処理装置１０は、一つ以上のホルダ３０を備えている。一つ以上のホルダ３０の各々は、金属から形成されている。一つ以上のホルダ３０の各々は、部材３２を介して蓋２４に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する。一つ以上のホルダ３０の各々は、支持台１４及び後述する第１領域Ｒ１の上方でターゲット３４を保持する。ターゲット３４は、基板Ｗ上に堆積されるべき材料から構成されている。
【００２１】
一例において、基板処理装置１０は、四つのホルダ３０を備え得る。この例では、四つのホルダ３０は、軸線ＡＸＭ中心の円錐面に沿って四つのターゲット３４を配列するように、設けられている。軸線ＡＸＭは、載置領域ＭＲの中心ＣＭを含み、鉛直方向に延びている。
【００２２】
一つ以上のホルダ３０には、一つ以上の電源３６がそれぞれ、電気的に接続されている。一つ以上の電源３６の各々は、対応のホルダ３０に印加される電圧を発生する。一つ以上の電源３６からの電圧は、一つ以上のホルダ３０を介して一つ以上のターゲット３４に印加される。一つ以上の電源３６の各々は、直流電源であってもよく、高周波電源であってもよい。一つ以上の電源３６の各々が高周波電源である場合には、一つ以上の電源３６の各々は、整合器を介してホルダ３０に接続される。整合器は、その負荷側のインピーダンスを整合ポイントに近づけるか又は一致させるように構成されている。なお、複数のホルダ３０に単一の電源３６が電気的に接続され、当該単一の電源３６から複数のホルダ３０に電圧が印加されてもよい。
【００２３】
基板処理装置１０は、一つ以上のカソードマグネット３８を更に備え得る。一つ以上のカソードマグネット３８の各々は、対応のホルダ３０を介して対応のターゲット３４と対峙するよう、蓋２４の外側に設けられている。一つ以上のカソードマグネット３８の各々には、マグネット駆動部３８ｄが接続されている。
【００２４】
チャンバ１２には、ポート１２ｐが設けられている。一実施形態では、ポート１２ｐは、蓋２４に設けられている。ポート１２ｐは、内部空間ＩＳの第１空間Ｓ１にガスを導入すするための流路を提供している。ポート１２ｐには、ガス供給部４０が接続される。ガス供給部４０からは、ポート１２ｐを介して内部空間ＩＳの第１空間Ｓ１にガスが供給される。第１空間Ｓ１に供給されるガスは、希ガス又は窒素ガスといった不活性ガスであり得る。
【００２５】
チャンバ１２には、排気装置４２が接続されている。排気装置４２は、内部空間ＩＳの中の圧力を指定された圧力に設定するように構成されている。排気装置４２は、圧力調整弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった減圧ポンプを有する。
【００２６】
基板処理装置１０において物理蒸着によって基板Ｗ上に膜を形成する際には、シャッター１６は、第２空間Ｓ２内の第２領域Ｒ２内に配置される。そして、基板Ｗが載置領域ＭＲ上に載置される。そして、ガス供給部４０から、内部空間ＩＳの第１空間Ｓ１にガスが供給され、内部空間ＩＳの圧力が指定された圧力に排気装置４２によって設定される。また、一つ以上の電源３６から一つ以上のターゲット３４に電圧が印加される。また、一つ以上のマグネット駆動部３８ｄによってカソードマグネット３８が駆動される。その結果、プラズマが、一つ以上のターゲット３４の近傍に形成される。そして、プラズマ中の正イオンが一つ以上のターゲット３４に衝突することによって、一つ以上のターゲット３４から粒子が放出される。一つ以上のターゲット３４から放出された粒子が基板Ｗ上に堆積する。その結果、基板Ｗ上に膜が形成される。
【００２７】
以下、図１〜図３と共に、図４及び図５を参照して、シャッター１６、回転軸１８、及び駆動装置２０について説明する。図４は、図１〜図３に示す基板処理装置のシャッター及び回転軸を示す平面図である。図４においては、シャッターをその上方から見た状態が示されている。図５は、図１〜図３に示す基板処理装置のシャッター、回転軸、及び駆動装置の側面図である。図５においては、本体部が破断された状態でシャッターが示されている。
【００２８】
シャッター１６は、本体部１６ｍ及び管４６を有している。シャッター１６は、第１領域Ｒ１内に配置されているときに、載置領域ＭＲを覆うように構成されている。第１領域Ｒ１は、第１空間Ｓ１内の領域であり、支持台１４の上方の領域である。シャッター１６の本体部１６ｍは、第１領域Ｒ１内に配置されているときに、載置領域ＭＲを覆う。本体部１６ｍの最小の幅は、載置領域ＭＲの直径よりも大きい。一実施形態において、本体部１６ｍは、略円盤形状を有している。この実施形態では、本体部１６ｍは、載置領域ＭＲの直径及び基板Ｗの直径よりも大きい。
【００２９】
管４６は、本体部１６ｍの下面に固定されている。管４６は、複数のガス出力孔４６ｄを提供している。複数のガス出力孔４６ｄは、下方に向けて開口している。複数のガス出力孔４６ｄは、ガス供給部５０（図１又は図２を参照）からのガスをそれらの開口端から出力する。一実施形態において、本体部１６ｍの下面は、凹部を提供している。管４６は、当該凹部の中に配置されている。なお、管４６は、本体部１６ｍの一部であってもよい。管４６の詳細については、後述する。
【００３０】
シャッター１６は、回転軸１８によって支持されている。回転軸１８は、支持台１４から離れて設けられている。回転軸１８は、鉛直方向に延在している。一実施形態において、回転軸１８は、第２空間Ｓ２内に設けられている。回転軸１８は、例えば略円柱形状を有し得る。シャッター１６は、接続部４８を介して回転軸１８に固定されている。接続部４８は、回転軸１８の中心軸線ＡＸＣに対して直交する方向に延在している。
【００３１】
駆動装置２０は、回転軸１８を中心軸線ＡＸＣ周りで回転させ、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２との間でシャッター１６を移動させるように構成されている。駆動装置２０は、例えばモータであり、チャンバ１２の外側に配置されている。
【００３２】
基板処理装置１０では、上述したように、物理蒸着によって基板Ｗ上に膜を形成する際には、第２領域Ｒ２内にシャッター１６が配置される。また、基板Ｗ上の膜を処理する際には、複数のガス出力孔４６ｄからガスを出力しつつ、回転軸１８を駆動装置２０によって回転させて、シャッター１６を基板Ｗの上方で第１回転方向ＲＤ１及び／又は第２回転方向ＲＤ２に移動させる。第１回転方向ＲＤ１は、図１及び図２に示すように、回転軸１８の中心軸線ＡＸＣ周りの回転により、シャッター１６が第２領域Ｒ２から第１領域Ｒ１に移動する方向である。第２回転方向ＲＤ２は、回転軸１８の中心軸線ＡＸＣ周りの回転により、シャッター１６が第１領域Ｒ１から第２領域Ｒ２に移動する方向である。一例にでは、基板処理装置１０において物理蒸着によって基板Ｗ上に形成される膜は、マグネシウム膜といった金属膜である。また、一例では、複数のガス出力孔４６ｄから出力されるガスは、酸素含有ガス（例えばＯ２ガス）である。この例では、基板Ｗ上の金属膜が金属酸化膜に変化する。
【００３３】
以下図１〜図５に加えて、図６〜図８を参照しつ、管４６及び複数のガス出力孔４６ｄについて詳細に説明する。図６は、図４及び図５に示すシャッターの管を示す平面図である。図６では、管４６を下方から見た状態が示されている。図７は、複数のガス出力孔、回転軸、及び載置領域の位置関係を示す平面図である。図７においては、複数のガス出力孔４６ｄ、回転軸１８、及び載置領域ＭＲを上方から見た状態が示されている。図８は、図４及び図５に示すシャッターの管が走査されている様子を示す平面図である。
【００３４】
図４及び図６に示すように、管４６は、流路４６ｐを提供している。流路４６ｐは、管４６の一端側から他端側に延びている。管４６の一端側は、その他端側よりも回転軸１８の中心軸線ＡＸＣの近くにある。流路４６ｐからは、複数のガス出力孔４６ｄが下方に延びている。管４６は、入口４６ｉを更に提供している。入口４６ｉは、流路４６ｐに接続している。入口４６ｉは、複数のガス出力孔４６ｄに対して管４６の一端側に設けられている。入口４６ｉには、ガス供給部５０からのガスが導入される。入口４６ｉに導入されたガスは、入口４６ｉから流路４６ｐに流れて、複数のガス出力孔４６ｄから出力される。
【００３５】
複数のガス出力孔４６ｄは、基準平面ＲＰ（図４等参照）に対して第１回転方向ＲＤ１の側に設けられている。基準平面ＲＰは、シャッター１６内の基準点ＲＣと回転軸１８の中心軸線ＡＸＣとを含む平面である。基準点ＲＣは、シャッター１６内の点である。基準点ＲＣは、シャッター１６が載置領域ＭＲ又は基板Ｗを覆うように第１領域Ｒ１内に配置されているときに、載置領域ＭＲの中心ＣＭに対面する。一実施形態において、基準点ＲＣは、シャッター１６（又は本体部１６ｍ）の中心点である。
【００３６】
複数のガス出力孔４６ｄの開口端は、線４６Ｌ（図６参照）上で配列されている。複数のガス出力孔４６ｄの開口端は、複数のガス出力孔４６ｄの下側の開口端である。一実施形態では、線４６Ｌは、第１回転方向ＲＤ１に突出する曲線である。一例では、線４６Ｌは、基準線ＲＬをその曲率中心として有する円弧である。基準線ＲＬは、基準点ＲＣを含み、鉛直方向に延びる線である。この例では、管４６及び流路４６ｐも、円弧である線４６Ｌに沿って延在し得る。なお、線４６Ｌは、第１回転方向ＲＤ１に突出する折れ線であってもよい。
【００３７】
複数のガス出力孔４６ｄの各々（又はその開口端）と基準線ＲＬとの間の距離は、載置領域ＭＲの半径よりも大きい。一例では、円弧である線４６Ｌの曲率半径は、載置領域ＭＲの半径及び基板Ｗの半径よりも大きい。また、図７に示すように、中心軸線ＡＸＣと複数のガス出力孔４６ｄ（又はそれらの開口端）との間の最小距離ＨＳは、中心軸線ＡＸＣと載置領域ＭＲ（又は基板Ｗ）との間の最小距離ＭＳ以下である。また、中心軸線ＡＸＣと複数のガス出力孔４６ｄ（又はそれらの開口端）との間の最大距離ＨＬは、中心軸線ＡＸＣと載置領域ＭＲ（又は基板Ｗ）との間の最大距離ＭＬ以上である。
【００３８】
基板処理装置１０では、複数のガス出力孔４６ｄのうち回転軸１８の中心軸線ＡＸＣに最も近いガス出力孔が回転軸１８の回転によって移動する軌跡（以下、「第１の軌跡」という）の半径は、中心軸線ＡＸＣと載置領域ＭＲ（又は基板Ｗ）との間の最小距離ＭＳ以下である。また、複数のガス出力孔４６ｄのうち回転軸１８の中心軸線ＡＸＣから最も離れたガス出力孔４６ｄが回転軸１８の回転によって移動する軌跡（以下、「第２の軌跡」という）の半径は、中心軸線ＡＸＣと載置領域ＭＲ（又は基板Ｗ）との間の最大距離ＭＬ以上である。複数のガス出力孔４６ｄのうち他のガス出力孔は、回転軸１８の回転によって、第１の軌跡と第２の軌跡との間で移動する。したがって、回転軸１８が回転すると、複数のガス出力孔４６ｄからのガスが、基板Ｗの全面、即ち支持台１４側の裏面とは反対側の基板Ｗの表面の全体に照射される。
【００３９】
また、シャッター１６が第１領域Ｒ１内に配置されているときに、複数のガス出力孔４６ｄの開口端は、第１回転方向ＲＤ１において載置領域ＭＲ（又は基板Ｗ）に対して外側に位置する（図１、図４、及び図８を参照）。したがって、第１領域Ｒ１を越えて第１回転方向ＲＤ１にシャッター１６を移動させることなく、複数のガス出力孔４６ｄからのガスを、基板Ｗの全面に供給することができる。即ち、図８に示すように、第２回転方向ＲＤ２に第１領域Ｒ１からシャッター１６を移動させ、及び／又は、第１回転方向ＲＤ１に第１領域Ｒ１までシャッターを移動させることにより、複数のガス出力孔４６ｄからのガスを、基板Ｗの全面に供給することができる。故に、第１領域Ｒ１に対して第１回転方向ＲＤ１の側の内部空間ＩＳのサイズが小さくても、複数のガス出力孔４６ｄからのガスを、基板Ｗの全面に供給することができる。
【００４０】
一実施形態において、中心軸線ＡＸＣに対して放射方向において、複数のガス出力孔４６ｄから出力されるガスの量の分布が均一になるように、隣り合うガス出力孔４６ｄの間隔が設定されている。具体的には、図６及び図７に示すように、複数のガス出力孔４６ｄのうち任意の二つの隣り合うガス出力孔である二つの第１のガス出力孔の間の所定方向ＰＤにおける距離は、複数のガス出力孔４６ｄのうち二つの第１のガス出力孔よりも管４６内で入口４６ｉに近い任意の二つの隣り合うガス出力孔である第２のガス出力孔の間の所定方向ＰＤにおける距離よりも小さい。なお、所定方向ＰＤは、基準平面ＲＰに平行であり且つ中心軸線ＡＸＣに直交する方向である。
【００４１】
換言すると、複数のガス出力孔４６ｄの配列において入口４６ｉに最も近い一端側の二つの隣り合うガス出力孔４６ｄの間の間隔は、最も大きい。複数のガス出力孔４６ｄの配列において入口４６ｉから最も遠い他端側の二つの隣り合うガス出力孔４６ｄの間の間隔は、次に大きい。複数のガス出力孔４６ｄの配列において中央の二つの隣り合うガス出力孔４６ｄの間の間隔が最も小さい。複数のガス出力孔４６ｄの配列の一端側から中央に近付くにつれて、二つの隣り合うガス出力孔４６ｄの間の間隔は減少する。また、複数のガス出力孔４６ｄの配列の他端側から中央に近付くにつれて、二つの隣り合うガス出力孔４６ｄの間の間隔は減少する。
【００４２】
入口４６ｉから遠いガス出力孔４６ｄから出力されるガスの流量は、入口４６ｉに近いガス出力孔４６ｄから出力されるガスの流量よりも少ない。上記実施形態では、入口４６ｉに近い部分よりも、入口４６ｉから遠い部分においてガス出力孔４６ｄが所定方向ＰＤに沿って密に設けられている。したがって、複数のガス出力孔４６ｄから出力されるガスの量の、中心軸線ＡＸＣに直交する方向（即ち、所定方向ＰＤ）における分布が比較的均一な分布となる。その結果、複数のガス出力孔４６ｄから出力されるガスによる基板処理の面内均一性が向上される。
【００４３】
以上、種々の実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、基板処理装置１０は、成膜装置とは異なる基板処理装置であってもよい。即ち、基板処理装置１０は、シャッター１６を有する限り、任意の基板処理のための装置であってもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０…基板処理装置、１２…チャンバ、ＩＳ…内部空間、Ｒ１…第１領域、Ｒ２…第２領域、１４…支持台、ＭＲ…載置領域、ＣＭ…中心、１６…シャッター、１８…回転軸、ＡＸＣ…中心軸線、２０…駆動装置、４６…管、４６ｄ…ガス出力孔、ＲＤ１…第１回転方向、ＲＤ２…第２回転方向、ＲＣ…基準点、ＲＬ…基準線、ＲＰ…基準平面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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