(57)【要約】【課題】加工対象物の加工位置を精度よく観察することのできる加工装置を提供すること。【解決手段】本発明の加工装置は、加工対象物を載置する載置面を備えるステージと、前記ステージに載置された前記加工対象物に向けてエネルギー線を照射するエネルギー線照射部と、前記エネルギー線の光軸と前記載置面との角度を変化させる角変機構を備える姿勢調整部と、前記エネルギー線とは異なる方向から前記加工対象物に照明光を照射する照明光源と、前記照明光の照射下で前記加工対象物を撮像する撮像部と、を有している。【選択図】図１
2019063822.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工対象物を載置する載置面を備えるステージと、
前記ステージに載置された前記加工対象物に向けてエネルギー線を照射するエネルギー線照射部と、
前記エネルギー線の光軸と前記載置面との角度を変化させる角変機構を備える姿勢調整部と、
前記エネルギー線とは異なる方向から前記加工対象物に照明光を照射する照明光源と、
前記照明光の照射下で前記加工対象物を撮像する撮像部と、を有していることを特徴とする加工装置。
【請求項２】
前記エネルギー線の光軸と前記撮像部の光軸とが一致している請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】
前記角度に基づいて前記照明光源の姿勢を変化させる光源姿勢調整部を有している請求項１または２に記載の加工装置。
【請求項４】
前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線とを前記載置面の面方向に相対的に移動させる移動機構を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の加工装置。
【請求項５】
前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線の焦点とを前記エネルギー線の光軸方向に相対的に移動させる昇降機構を有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の加工装置。
【請求項６】
前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線とを前記エネルギー線の光軸まわりに相対的に回転させる回転機構を有する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の加工装置。
【請求項７】
前記エネルギー線は、レーザー光である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の加工装置。
【請求項８】
前記エネルギー線が前記加工対象物に照射されることで前記加工対象物から発生する飛沫を吸引する吸引部を有している請求項１ないし７のいずれか１項に記載の加工装置。
【請求項９】
前記加工対象物に向けて気体を吹き付ける噴出部を有している請求項１ないし８のいずれか１項に記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に記載の加工装置は、加工対象物を加工するために加工対象物に照射されるレーザー光および加工対象物を照らすための観察光を同一光路に導光する光学系を有し、加工対象物から反射される観察光（反射光）を受光することで、加工対象物の加工位置を観察することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６５７１６３０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の加工装置では、レーザー光を斜めから加工対象物に照射するために加工対象物を傾けた場合、観察光が受光部とは異なる方向に反射してしまうため、受光量が低下してしまう。そのため、加工対象物の加工位置を精度よく観察することができない。
【０００５】
本発明の目的は、加工対象物の加工位置を精度よく観察することのできる加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の発明として実現することが可能である。
【０００７】
本発明の加工装置は、加工対象物を載置する載置面を備えるステージと、
前記ステージに載置された前記加工対象物に向けてエネルギー線を照射するエネルギー線照射部と、
前記エネルギー線の光軸と前記載置面との角度を変化させる角変機構を備える姿勢調整部と、
前記エネルギー線とは異なる方向から前記加工対象物に照明光を照射する照明光源と、
前記照明光の照射下で前記加工対象物を撮像する撮像部と、を有していることを特徴とする。
これにより、エネルギー線の光軸に対して載置面が傾いていても、十分な光量の反射光（加工対象物で反射された照明光）を撮像部が受光することができる。そのため、加工対象物の加工部分を精度よく観察することのできる加工装置となる。
【０００８】
本発明の加工装置では、前記エネルギー線の光軸と前記撮像部の光軸とが一致していることが好ましい。
これにより、撮像部は、加工対象物のエネルギー線が照射される部分（加工部分）をエネルギー線の照射方向から観察することができる。これにより、加工対象物の加工部分を他の部分に邪魔されることなくはっきりと観察することができる。
【０００９】
本発明の加工装置では、前記角度に基づいて前記照明光源の姿勢を変化させる光源姿勢調整部を有していることが好ましい。
これにより、加工対象物の向きに影響されることなく、反射光をより確実に撮像部へ導くことができる。そのため、撮像部によって、精度よく加工対象物の加工部分を観察することができる。
【００１０】
本発明の加工装置では、前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線とを前記載置面の面方向に相対的に移動させる移動機構を有することが好ましい。
これにより、加工対象物に対するエネルギー線の照射位置を移動させることができ、加工対象物を広範囲にわたって加工することができる。
【００１１】
本発明の加工装置では、前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線の焦点とを前記エネルギー線の光軸方向に相対的に移動させる昇降機構を有することが好ましい。
これにより、加工対象物の加工位置にエネルギー線の焦点を合わせることができ、加工対象物をより微細にかつ精度よく加工することができる。
【００１２】
本発明の加工装置では、前記姿勢調整部は、前記載置面と前記エネルギー線とを前記エネルギー線の光軸まわりに相対的に回転させる回転機構を有することが好ましい。
これにより、実質的に、１軸まわりの角変機構を、２軸まわりの角変機構として利用することができる。そのため、例えば、２軸まわりの角変機構を用いるよりも角変機構の構成が簡単なものとなる。
【００１３】
本発明の加工装置では、前記エネルギー線は、レーザー光であることが好ましい。
これにより、加工対象物を精度よく加工することができる。
【００１４】
本発明の加工装置では、前記エネルギー線が前記加工対象物に照射されることで前記加工対象物から発生する飛沫を吸引する吸引部を有していることが好ましい。
これにより、加工時に加工対象物から発生する飛沫の加工対象物への再付着を抑制することができ、加工対象物の加工精度が向上する。
【００１５】
本発明の加工装置では、前記加工対象物に向けて気体を吹き付ける噴出部を有していることが好ましい。
これにより、加工時に加工対象物から発生する飛沫の加工対象物への再付着を抑制することができ、加工対象物の加工精度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る加工装置を示す図である。
【図２】図１に示す加工装置の変形例を示す図である。
【図３】図１に示す加工装置を用いて加工される角速度センサーの断面図である。
【図４】図３に示す角速度センサーが備えるセンサー素子の平面図である。
【図５】図３に示す角速度センサーの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】角速度センサーの製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】角速度センサーの製造方法を説明するための斜視図である。
【図１３】角速度センサーの製造方法を説明するための斜視図である。
【図１４】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係る加工装置を示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る加工装置を示す図である。
【図１９】本発明の第４実施形態に係る加工装置を示す図である。
【図２０】図１９に示す加工装置の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の加工装置を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る加工装置について説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１実施形態に係る加工装置を示す図である。図２は、図１に示す加工装置の変形例を示す図である。図３は、図１に示す加工装置を用いて加工される角速度センサーの断面図である。図４は、図３に示す角速度センサーが備えるセンサー素子の平面図である。図５は、図３に示す角速度センサーの製造方法を示すフローチャートである。図６ないし図８は、それぞれ、角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。図９は、角速度センサーの製造方法を説明するための平面図である。図１０および図１１は、それぞれ、角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。図１２および図１３は、それぞれ、角速度センサーの製造方法を説明するための斜視図である。図１４ないし図１６は、それぞれ、角速度センサーの製造方法を説明するための断面図である。
【００１９】
なお、図１および図２には、互いに直交する３つの軸としてＡ軸、Ｂ軸およびＣ軸を図示しており、Ｃ軸のプラス側が鉛直方向上側となっている。また、以下では、説明の便宜上、Ａ軸に平行な方向を「Ａ軸方向」、Ｂ軸に平行な方向を「Ｂ軸方向」、Ｃ軸に平行な方向を「Ｃ軸方向」とも言う。また、各軸の矢印先端側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。
【００２０】
また、図３、図４、図６ないし図１６には、互いに直交する３つの軸としてＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示している。また、以下では、説明の便宜上、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」とも言う。また、各軸の矢印先端側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。また、Ｚ軸方向プラス側を「上」とも言い、Ｚ軸方向マイナス側を「下」とも言う。
【００２１】
図１に示す加工装置１は、チャンバー１０と、ワークＷ（加工対象物）を載置するステージ２と、ステージ２上のワークＷにエネルギー線としてのレーザー光ＬＬを照射するレーザー光源３（エネルギー線照射部）と、ステージ２の姿勢を変化させ、ワークＷに対するレーザー光ＬＬの照射角度を調整する姿勢調整部４と、ワークＷを照らす照明光ＳＬを出射する照明光源５と、照明光源５の点灯下（照射下）において、ワークＷで反射した照明光ＳＬを受光してワークＷを撮像する撮像部６と、撮像部６で撮像された画像を表示するモニター部１１と、撮像部６のピントを調節するオートフォーカス（ＡＦ）機構１２と、レーザー光ＬＬの照射によりワークＷから発生する飛沫７４（ヒューム）を吸引する吸引部７と、ワークＷにガスを吹き付けて飛沫７４を飛散させるガス噴出部１３と、を有している。
【００２２】
ステージ２は、上面が載置面２１となっており、載置面２１にワークＷを載置することができる。図示しないが、ステージ２は、エアチャック（吸着）によって載置面２１にワークＷを固定することができる。ただし、ワークＷを載置面２１に固定する方法としては、エアチャックに限定されず、例えば、機械的な固定部材を用いて載置面２１との間にワークＷを挟持してもよいし、磁石等を用いた治具によりワークＷを載置面２１に固定してもよい。
【００２３】
姿勢調整部４は、ステージ２をＣ軸方向に移動させる昇降機構４１と、ステージ２の傾きθを変更するチルト機構４２（角変機構）と、ステージ２を載置面２１の面内で回転させる回転機構４３と、ステージ２を載置面２１の面方向に移動させる移動機構４４と、を備えている。
【００２４】
昇降機構４１は、加工装置１に固定された固定体４１１と、固定体４１１に対してＣ軸方向に変位可能な昇降体４１２と、昇降体４１２を昇降させる図示しないモーター（例えば、圧電体を用いた超音波モーター）と、を有している。このような昇降機構４１を備えることで、ステージ２をＣ軸方向に移動させることができ、ワークＷとレーザー光ＬＬの焦点Ｏとの位置合わせが容易となる。さらに、撮像部６からモニター１１に取得した画像データの濃淡により、オートフォーカス機能１２を動作させ、昇降機構４１を調整することができる。
【００２５】
チルト機構４２は、昇降機構４１とステージ２との間に設けられている。チルト機構４２は、昇降体４１２に固定された固定体４２１と、固定体４２１に対してＢ軸まわりに揺動可能な揺動体４２２と、揺動体４２２を揺動させるモーターと、を有している。このようなチルト機構４２を備えることで、レーザー光ＬＬに対するステージ２の傾きθを変化させることができる。なお、チルト機構４２の回転中心は、回転半径Ｒを保ちながら焦点Ｏと一致するよう調整されている。
【００２６】
回転機構４３は、チルト機構４２とステージ２との間に設けられている。回転機構４３は、揺動体４２２に固定された固定体４３１と、固定体４３１に軸受され、固定体４３１に対して載置面２１の法線まわりに回転可能な回転体４３２と、回転体４３２を回転させるモーターと、を有している。前述したように、チルト機構４２は、ステージ２をＢ軸まわりに傾けることはできるが、Ａ軸まわりに傾けることはできない。すなわち、チルト機構４２は、１軸まわりのチルト機構である。しかしながら、回転機構４３によってステージ２を９０°回転させれば、実施的に、チルト機構４２によってステージ２をＡ軸まわりに傾けるのと同様の効果を発揮することができる。すなわち、チルト機構４２を２軸まわりのチルト機構として用いることができる。例えば、回転機構４３を省略して、チルト機構４２を２軸まわりの構成とするよりも、本実施形態のように、回転機構４３を有し、チルト機構４２を１軸まわりの構成とした方が、姿勢調整部４全体の装置構成が簡単となるし、姿勢調整部４の制御も簡単となる。
【００２７】
移動機構４４は、回転機構４３とステージ２との間に設けられている。移動機構４４は、回転体４３２に固定された固定体４４１と、固定体４４１に対して載置面２１の面方向にスライド可能な第１移動体４４２と、第１移動体４４２に対して載置面２１の面方向であって、第１移動体４４２のスライド方向と直交する方向にスライド可能な第２移動体４４３と、第１、第２移動体４４２、４４３を駆動するモーターと、を有している。このような移動機構４４を備えることで、レーザー光ＬＬに対してワークＷを焦点Ｏに合わせたまま面方向に移動させることができ、ワークＷの広範囲（好ましくは全域）をレーザー光ＬＬによって加工することができる。
【００２８】
以上、姿勢調整部４について説明した。昇降機構４１、チルト機構４２、回転機構４３および移動機構４４の構成としては、それぞれ、特に限定されない。例えば、昇降体４１２が固定体４２１を兼ねていてもよいし、揺動体４２２が固定体４３１を兼ねていてもよいし、回転体４３２が固定体４４１を兼ねていてもよいし、第２移動体４４３がステージ２を兼ねていてもよい。また、姿勢調整部４は、チルト機構４２を有し、ステージ２の傾きθを変更できればよく、例えば、昇降機構４１、回転機構４３および移動機構４４の少なくとも１つを省略してもよい。例えば、前述したように、回転機構４３を省略し、チルト機構４２を２軸まわりの構成としてもよい。また、昇降機構４１、チルト機構４２、回転機構４３および移動機構４４の配置（並び）は、特に限定されない。
【００２９】
ステージ２の上方（鉛直方向上側）にはレーザー光源３が配置されている。レーザー光源３から出射されたレーザー光ＬＬは、ハーフミラー３１によってステージ２に向けて反射されて、ワークＷに照射される。このように、ハーフミラー３１を設けることで、レーザー光源３の配置の自由度が増す。また、ハーフミラー３１は、後述する反射光ＳＬ’を透過する機能を有している。なお、ハーフミラー３１を省略し、レーザー光源３から出射されたレーザー光ＬＬを直接ワークＷに照射してもよい。また、ハーフミラー３１を複数配置し、レーザー光ＬＬを複数回反射させてもよい。
【００３０】
また、加工装置１は、レーザー光ＬＬを平行光とするコリメータレンズ３２と、レーザー光ＬＬを集光する集光レンズ３３と、を有し、レーザー光ＬＬの焦点Ｏがステージ２付近に位置している。なお、本実施形態では、焦点Ｏの位置は、固定されている。また、前述したように、チルト機構４２の回転中心は、焦点Ｏと一致している。また、加工装置１は、スリット板３４を有し、スリット板３４によって、レーザー光ＬＬの径を絞ることができるようになっている。これにより、ワークＷに対してより微細な加工が可能となる。
【００３１】
なお、レーザー光源３の配置やレーザー光源３用に配置されるレンズ系の構成は、特に限定されない。例えば、レンズ倍率を変更することで、レーザー光ＬＬの焦点Ｏの位置を移動させることができてもよい。また、スリット板３４は、省略してもよい。
【００３２】
レーザー光ＬＬの波長としては、特に限定されないが、例えば、ワークＷがシリコンの場合、２００ｎｍ以上１．１１μｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以上１１００ｎｍ以下であることがより好ましい。これは、シリコンの吸収係数が前述の範囲で比較的に大きいからである。このような範囲内であると、レーザー加工中にワークＷから発生するドロスやデブリ等の量を抑えることができる。また、レーザー光ＬＬとしては、特に限定されないが、例えば、ＹＡＧレーザー（基本波１０６４ｎｍ、第２高調波５３２ｎｍ、第３高調波３５５ｎｍ、第４高調波２６６ｎｍ）を用いることが好ましい。特に、第２高調波５３２ｎｍは、シリコン材料に対して熱的影響も少なく、蒸散効果も顕著でなく、中間的な加工が可能であり、本発明の目的に適している。また、レーザー光ＬＬの形状（断面形状）および大きさとしては、特に限定されず、例えば、１辺の長さが１μｍ〜２００μｍの正方形や、直径が１μｍ〜３００μｍの円形とすることができる。
【００３３】
なお、本実施形態では、エネルギー線としてレーザー光ＬＬを用いているが、これに限定されず、例えば、集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いることもできる。集束イオンビーム（ＦＩＢ）によって、ワークＷの一部を物理的に除去する方法によってもワークＷを加工することができる。この場合、ＦＩＢとしてガリウムイオンを用いた加工が比較的容易であり、加速電圧は＋５ｋＶ〜＋３０ｋＶ程度が好適である。
【００３４】
照明光源５は、ステージ２の斜め上方（レーザー光ＬＬの照射方向とは異なる方向）からステージ２上のワークＷに向けて照明光ＳＬを照射する。照明光源５としては、特に限定されず、例えば、ハロゲンランプ、ＬＥＤ照明等を用いることができる。また、照明光源５の前方には拡散板５１が設けられ、拡散板５１によって照明光ＳＬが拡散される。拡散板５１としては、例えば、すりガラス拡散板を用いることができる。拡散板５１を設けて照明光ＳＬを拡散させることで、後述するように、ステージ２の傾きθに関わらず、撮像部６によってワークＷを鮮明に観察することができる。なお、拡散板５１は、省略してもよい。
【００３５】
撮像部６は、ワークＷの加工部分（レーザー光ＬＬが照射される部分）を観察するためのものである。撮像部６は、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＳＳＤイメージセンサー等の撮像素子６１と、図示しないレンズ系と、を備えている。そして、撮像素子６１が、ワークＷで反射された照明光ＳＬ（以下「反射光ＳＬ’」と言う）を受光するようになっている。なお、加工装置１は、反射光ＳＬ’を反射するミラー６２を有し、ミラー６２で反射した反射光ＳＬ’を撮像素子６１が受光する。このように、ミラー６２を設けることで、撮像部６の配置の自由度が高まる。なお、ミラー６２を省略し、反射光ＳＬ’が直接撮像素子６１に入射してもよい。また、ミラー６２を複数配置し、反射光ＳＬ’を複数回反射させてもよい。
【００３６】
また、撮像部６から得られた画像データは、モニター１１に送信され、モニター１１には、画像の濃淡により焦点を判別するオートフォーカス機構１２が接続されている。このオートフォーカス機能１２は、昇降機構４１をわずかに昇降させることにより画像データの濃淡を判別し、焦点Ｏが常に一定に保たれるように制御されている。
【００３７】
ここで、撮像素子６１の光軸ａ２は、レーザー光ＬＬの光軸ａ１と一致している。そのため、撮像部６は、ワークＷのレーザー光ＬＬが照射される部分（加工部分）をレーザー光ＬＬの照射方向から観察することができる。これにより、ワークＷの加工部分を他の部分に邪魔されることなく鮮明に観察することができる。なお、前記「一致」とは、光軸ａ２と光軸ａ１とが完全に一致している（重なっている）状態の他、若干ずれている状態（例えば、技術的に不可避なずれが生じている状態）を含む意味である。
【００３８】
以上のように、レーザー光ＬＬの照射方向とは異なる方向から照明光ＳＬを照射することで、レーザー光ＬＬの光軸ａ１に対して載置面２１が傾いていても、十分な光量の反射光ＳＬ’を撮像素子６１が受光することができる。そのため、ワークＷの加工部分を精度よく（鮮明に）観察することのできる加工装置１となる。特に、拡散板５１を用いて照明光ＳＬを拡散させているため、ステージ２の傾きθの大きさに関わりなく、ほぼ同じ光量の反射光ＳＬ’を撮像素子６１に受光させることができる。そのため、ステージ２が如何なる傾きθであっても、明るさが変わらず、鮮明にワークＷの加工部分を観察することができる。
【００３９】
吸引部７は、レーザー光ＬＬをワークＷに照射することでワークＷから発生する飛沫７４（ヒューム）を吸引するためのものである。このような吸引部７を設けることで、飛沫７４がワークＷに再付着することを抑制することができる。そのため、ワークＷをより精度よく加工することができる。吸引部７は、吸引口７１と、ポンプ７２と、バルブ７３と、を有し、バルブ７３を調整することで吸引量を調整することができるようになっている。ただし、吸引部７の構成は、加工時にワークＷから発生する飛沫７４を吸引することができれば、特に限定されない。また、吸引部７は、省略してもよい。
【００４０】
ガス噴出部１３は、ガスをワークＷに向けて噴出し、レーザー光ＬＬをワークＷに照射することでワークＷから発生する飛沫７４（ヒューム）を飛散させるためのものである。ガスＧとしては、特に限定されず、例えば、圧縮空気、アルゴン、窒素等を用いることができる。このようなガス噴出部１３は、ガス噴出口１３１と、ガス源１３２と、バルブ１３３と、を有し、バルブ１３３を調整することでガスＧの噴出量を調整することができるようになっている。ただし、ガス噴出部１３の構成は、加工時にワークＷから発生する飛沫７４を飛散させることができれば、特に限定されない。また、ガス噴出部１３は、省略してもよい。
【００４１】
以上、加工装置１について詳細に説明したが、加工装置１の構成は、これに限定されない。例えば、図２に示すように、加工装置１は、各部の配置が本実施形態と上下逆転していてもよい。すなわち、ステージ２がレーザー光源３の上側（鉛直方向上側）に位置しており、ワークＷを下向きに支持する構成となっていてもよい。これにより、レーザー加工時にワークＷから発生する飛沫７４が自重で落下し、ワークＷに再付着し難くなる。そのため、より精度よくワークＷを加工することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、レーザー光源３およびハーフミラー３１が固定されており、ステージ２の姿勢が姿勢調整部４によって変化するように構成されているが、これに限定されず、例えば、ステージ２が固定され、レーザー光源３およびハーフミラー３１の少なくとも一方の姿勢（レーザー光ＬＬの光軸ａ１の向きや位置）が姿勢調整部４のような光源側姿勢調整部によって変化するように構成されていてもよい。また、ステージ２およびレーザー光源３（またはハーフミラー３１）の両方の姿勢がそれぞれ姿勢調整部４および光源側姿勢調整部によって変化するように構成されていてもよい。また、例えば、姿勢調整部４が有する昇降機構４１、チルト機構４２、回転機構４３および移動機構４４のうちの一部がレーザー光源３側に設けられ、残りがステージ２側に設けられていてもよい。具体的には、例えば、昇降機構４１およびチルト機構４２がレーザー光源３側に設けられ、回転機構４３および移動機構４４がステージ２側に設けられていてもよい。
【００４３】
このような加工装置１は、前述したように、ワークＷ（加工対象物）を載置する載置面２１を備えるステージ２と、ステージ２に載置されたワークＷに向けてエネルギー線としてのレーザー光ＬＬを照射するレーザー光源３（エネルギー線照射部）と、レーザー光ＬＬの光軸ａ１と載置面２１との角度を変化させるチルト機構４２（角変機構）を備える姿勢調整部４と、レーザー光ＬＬとは異なる方向からワークＷに照明光ＳＬを照射する照明光源５と、照明光ＳＬの照射下でワークＷを撮像する撮像部６と、を有している。このように、レーザー光ＬＬの照射方向とは異なる方向から照明光ＳＬを照射することで、レーザー光ＬＬの光軸ａ１に対して載置面２１が傾いていても、十分な光量の反射光ＳＬ’（ワークＷで反射された照明光ＳＬ）を撮像素子６１が受光することができる。そのため、ワークＷの加工部分を精度よく（明るく鮮明に）観察することのできる加工装置１となる。
【００４４】
また、前述したように、加工装置１では、レーザー光ＬＬの光軸ａ１と撮像部６の光軸ａ２とが一致している。そのため、撮像部６は、ワークＷのレーザー光ＬＬが照射される部分（加工部分）をレーザー光ＬＬの照射方向から観察することができる。これにより、ワークＷの加工部分を他の部分に邪魔されることなくはっきりと観察することができる。
【００４５】
また、前述したように、姿勢調整部４は、載置面２１とレーザー光ＬＬとを載置面２１の面方向に相対的に移動させる移動機構４４を有している。これにより、ワークＷに対するレーザー光ＬＬの照射位置を移動させることができ、ワークＷを広範囲にわたって加工することができる。
【００４６】
また、前述したように、姿勢調整部４は、載置面２１とレーザー光ＬＬの焦点Ｏとをレーザー光ＬＬの光軸ａ１の方向に相対的に移動させる昇降機構４１を有している。これにより、ワークＷの加工位置にレーザー光ＬＬの焦点Ｏを合わせることができ、ワークＷをより微細にかつ精度よく加工することができる。
【００４７】
また、前述したように、姿勢調整部４は、載置面２１とレーザー光ＬＬとをレーザー光ＬＬの光軸ａ１まわりに相対的に回転させる回転機構４３を有している。これにより、実質的に、１軸まわりのチルト機構４２を、２軸まわりのチルト機構４２として利用することができる。そのため、例えば、２軸まわりのチルト機構４２を用いるよりもチルト機構４２の構成が簡単なものとなる。
【００４８】
また、前述したように、エネルギー線は、レーザー光ＬＬである。これにより、ワークＷを精度よく加工することができる。また、加工装置１の構成が比較的簡単なものとなる。
【００４９】
また、前述したように、加工装置１は、レーザー光ＬＬがワークＷに照射されることでワークＷから発生する飛沫７４（ヒューム）を吸引する吸引部７を有している。これにより、飛沫７４のワークＷへの再付着を抑制することができ、ワークＷの加工精度が向上する。
【００５０】
次に、加工装置１を用いて製造される角速度センサー１０００について簡単に説明する。図３に示すように、角速度センサー１０００は、基板１１００と、基板１１００に配置されたセンサー素子１２００と、センサー素子１２００を覆うように基板１１００に接合されたリッド１３００と、を有している。なお、図３は、図４中のＡ−Ａ線断面図である。
【００５１】
基板１１００は、上面に開口する凹部１１１０を有している。凹部１１１０は、センサー素子１２００と重なって配置され、センサー素子１２００と基板１１００との接触を防止するための逃げ部として機能する。また、基板１１００は、凹部１１１０の底面から突出する複数のマウント１１２０を有している。そして、これらマウント１１２０の上面にセンサー素子１２００が接合されている。基板１１００としては、例えば、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）、リチウムイオン（Ｌｉ＋）等の可動イオン（アルカリ金属イオン、以下Ｎａ＋で代表する）を含むガラス材料（例えば、テンパックスガラス（登録商標）、パイレックスガラス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）で構成されたガラス基板を用いることができる。
【００５２】
リッド１３００は、下面に開放する凹部１３１０を有している。リッド１３００は、凹部１３１０内にセンサー素子１２００を収納するようにして、基板１１００の上面に接合されている。このようなリッド１３００としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。基板１１００とリッド１３００との接合方法としては、特に限定されないが、本実施形態では、ガラスフリット１４００（低融点ガラス）を介して接合されている。
【００５３】
なお、センサー素子１２００が収納されている内部空間１５００は、減圧（真空）状態であることが好ましい。これにより、内部空間１５００の粘性抵抗が減り、センサー素子１２００を効率的に振動させることができる。ただし、内部空間１５００の雰囲気としては、特に限定されず、例えば、大気圧状態であってもよい。
【００５４】
センサー素子１２００は、例えば、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をドライエッチング法（ボッシュ法）によってパターニングすることで形成される。
【００５５】
図４に示すように、センサー素子１２００は、一対の櫛歯状の可動駆動電極１２１０Ａ、１２１０Ｂと、可動駆動電極１２１０Ａの周囲に位置し、基板１１００に固定された４つの固定部１２２０Ａと、可動駆動電極１２１０Ｂの周囲に位置し、基板１１００に固定された４つの固定部１２２０Ｂと、可動駆動電極１２１０Ａと固定部１２２０Ａとを接続する駆動ばね１２３０Ａと、可動駆動電極１２１０Ｂと固定部１２２０Ｂとを接続する駆動ばね１２３０Ｂと、を有している。
【００５６】
また、センサー素子１２００は、可動駆動電極１２１０Ａ、１２１０Ｂの間に位置する一対の可動検出電極１２４０Ａ、１２４０Ｂと、可動検出電極１２４０Ａ、１２４０Ｂの間に位置し、基板１１００に固定された２つの固定部１２５０と、可動検出電極１２４０Ａと固定部１２２０Ａ、１２５０とを接続する検出ばね１２６０Ａと、可動検出電極１２４０Ｂと固定部１２２０Ｂ、１２５０とを接続する検出ばね１２６０Ｂと、を有している。
【００５７】
また、センサー素子１２００は、可動駆動電極１２１０Ａと可動検出電極１２４０Ａとを接続する梁１２７０Ａと、可動駆動電極１２１０Ｂと可動検出電極１２４０Ｂとを接続する梁１２７０Ｂと、を有している。なお、以下では、可動駆動電極１２１０Ａ、可動検出電極１２４０Ａおよび梁１２７０Ａの集合体を可動部１２００’とも言い、可動駆動電極１２１０Ｂ、可動検出電極１２４０Ｂおよび梁１２７０Ｂの集合体を可動部１２００”とも言う。
【００５８】
また、センサー素子１２００は、可動駆動電極１２１０Ａと噛み合うように配置された一対の櫛歯状の固定駆動電極１２８０Ａ、１２９０Ａと、可動駆動電極１２１０Ｂと噛み合うように配置された一対の櫛歯状の固定駆動電極１２８０Ｂ、１２９０Ｂと、を有している。また、凹部１１１０の底面には、可動検出電極１２４０Ａと対向する固定検出電極１６１０と、可動検出電極１２４０Ｂと対向する固定検出電極１６２０と、が配置されている。
【００５９】
固定駆動電極１２８０Ａ、１２９０Ａ、１２８０Ｂ、１２９０Ｂに駆動電圧を印加すると、固定駆動電極１２８０Ａ、１２９０Ａと可動駆動電極１２１０Ａとの間および固定駆動電極１２８０Ｂ、１２９０Ｂと可動駆動電極１２１０Ｂとの間にそれぞれ静電引力が発生し、この静電引力によって可動部１２００’、１２００”が互いに接近・離間を繰り返すようにして、Ｘ軸方向に逆相で振動する。
【００６０】
この状態で、角速度センサー１０００にＹ軸まわりの角速度ωｙが加わると、可動検出電極１２４０Ａ、１２４０Ｂは、コリオリの力によって、Ｚ軸方向に逆相で振動する。これにより、可動検出電極１２４０Ａと固定検出電極１６１０とのギャップおよび可動検出電極１２４０Ｂと固定検出電極１６２０とのギャップがそれぞれ変化し、それに伴って、可動検出電極１２４０Ａと固定検出電極１６１０との間の静電容量および可動検出電極１２４０Ｂと固定検出電極１６２０との間の静電容量がそれぞれ変化する。そのため、これら静電容量の変化に基づいて、角速度ωｙを求めることができる。
【００６１】
以上、角速度センサー１０００について説明したが、角速度センサー１０００の構成としては、特に限定されない。また、加工装置１を用いて加工するものとしては、角速度センサー１０００に限定されない。ただし、少なくとも一部にシリコン材料を用いたシリコン構造体であることが好ましい。これにより、加工装置１によって、高精度に加工することができる。
【００６２】
次に、角速度センサー１０００の製造方法と共に、加工装置１の使用方法についても説明する。図５に示すように、角速度センサー１０００の製造方法は、基板１１００を用意する基板用意工程Ｓ１と、センサー素子１２００を形成するセンサー素子形成工程Ｓ２と、加工装置１を用いてセンサー素子１２００を加工するセンサー素子加工工程Ｓ３と、基板１１００にリッド１３００を接合するリッド接合工程Ｓ４と、個片化工程Ｓ５と、を有している。以下、各工程を順次説明する。
【００６３】
［基板用意工程Ｓ１］
図６に示すように、基板１１００の母材となるガラス基板１１００Ａを用意し、このガラス基板１１００Ａをフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、凹部１１１０を有するガラス基板１１００Ａを用意する。ガラス基板１１００Ａ内には、後に個片化されて１つの基板１１００（角速度センサー１０００）となる複数の個片化領域Ｓが行列状に並んでおり、個片化領域Ｓ毎に凹部１１１０が形成されている。
【００６４】
［センサー素子形成工程Ｓ２］
図７に示すように、センサー素子１２００の母材となるシリコン基板１２００Ａを用意し、このシリコン基板１２００Ａをガラス基板１１００Ａに接合する。シリコン基板１２００Ａとガラス基板１１００Ａとの接合方法としては、特に限定されないが、本実施形態では、陽極接合法により接合している。次に、必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）を用いてシリコン基板１２００Ａを薄肉化した後、シリコン基板１２００Ａにリン、ボロン等の不純物をドープ（拡散）して導電性を付与する。
【００６５】
次に、図８に示すように、シリコン基板１２００Ａをフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることにより、個片化領域Ｓ毎にセンサー素子１２００を形成する。センサー素子１２００を形成するエッチング技法としては、特に限定されないが、本実施形態では、反応性プラズマガスを用いたエッチングプロセスとデポジション（堆積）プロセスとを組み合わせたドライボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いている。
【００６６】
反応性プラズマガスによるシリコン基板１２００Ａの加工は、シリコン基板１２００Ａを配置したチャンバー内にエッチングガスを導入し、反応性プラズマを発生させるが、反応性プラズマは、シリコン基板１２００Ａに対して同心円状の密度分布を持つため、シリコン基板１２００Ａの位置によってその入射角度が異なる。したがって、シリコン基板１２００Ａ内で垂直加工精度に分布が生じる。具体的には、シリコン基板１２００Ａの中心部（図９中のＣ１）では、図１０に示すように、シリコン基板１２００Ａに対してほぼ垂直にエッチングが進むのに対して、シリコン基板１２００Ａの外縁部（図９中のＣ２）では、図１１に示すように、シリコン基板１２００Ａに対して傾斜した方向にエッチングが進む。そして、この傾斜角は、シリコン基板１２００Ａの中心部から外縁部に向かうほど大きくなる傾向にある。
【００６７】
そのため、例えば、シリコン基板１２００Ａの外縁部に位置するセンサー素子１２００では、駆動ばね１２３０Ａ、１２３０Ｂや検出ばね１２６０Ａ、１２６０Ｂの横断面形状が、図１２に示すように、矩形に対して傾斜した略平行四辺形となる。したがって、このままでは、駆動ばね１２３０Ａ、１２３０Ｂや検出ばね１２６０Ａ、１２６０Ｂの各アームＡｍがＸ軸方向の振動成分Ｑｘに加えてＺ軸方向の振動成分Ｑｚを含んでしまい、センサー素子１２００を駆動振動モードで振動させた際に、可動検出電極１２４０Ａ、１２４０ＢがＺ軸方向にも振動してしまう。すると、角速度ωｙが加わっていないにも関わらず、可動検出電極１２４０Ａと固定検出電極１６１０との間の静電容量および可動検出電極１２４０Ｂと固定検出電極１６２０との間の静電容量がそれぞれ変化してしまう。そのため、クアドラチャ信号（ノイズ信号）が生じ、角速度ωｙの検出精度が悪化してしまう。なお、以下では、駆動振動モードにおける可動検出電極１２４０Ａ、１２４０ＢのＸ軸方向以外の振動（特に、Ｚ軸方向の振動）をクアドラチャとも言う。
【００６８】
［センサー素子加工工程Ｓ３］
本工程は、前述したクアドラチャを低減するために、必要に応じて、駆動ばね１２３０Ａ、１２３０Ｂおよび検出ばね１２６０Ａ、１２６０Ｂを加工する工程である。なお、駆動ばね１２３０Ａ、１２３０Ｂおよび検出ばね１２６０Ａ、１２６０Ｂの加工方法は、互いに同様であるため、以下では、説明の便宜上、駆動ばね１２３０Ａの加工方法について代表して説明し、駆動ばね１２３０Ｂおよび検出ばね１２６０Ａ、１２６０Ｂの加工方法については、その説明を省略する。
【００６９】
駆動ばね１２３０Ａの振動成分Ｑｚを低減させるには、アームＡｍの上面Ａｍ１と一方の側面Ａｍ２とで形成された角部Ａｍ３（鋭角部分）にレーザー光ＬＬを照射し、当該部分の少なくとも一部を除去または変形させることで、図１３に示すように、上面Ａｍ１と側面Ａｍ２とを接続する凸曲面状の接続面Ａｍ４を形成することが有効である。なお、アームＡｍの傾きによってＺ軸方向の振動成分Ｑｚの大きさが異なるため、アームＡｍ毎にそのアームＡｍの傾きに基づいて接続面Ａｍ４の大きさや長さ（形成領域）を調整することが好ましい。例えば、前述したように、シリコン基板１２００Ａの中央部から縁部に向かうほどアームＡｍの傾きが大きくなって振動成分Ｑｚが増すため、シリコン基板１２００Ａの中央部に位置するアームＡｍについてはほとんど接続面Ａｍ４を形成せず、そこから外縁部に向かうに連れて、徐々に接続面Ａｍ４の形成領域を大きくしていくことが好ましい。これにより、より効果的にクアドラチャを低減することができる。
【００７０】
なお、アームＡｍの下面側に位置する角部Ａｍ５（鋭角部分）に曲面状の接続面Ａｍ４を形成しても同じようにクアドラチャを低減することができるが、その場合は、レーザー光ＬＬをガラス基板１１００Ａ越しに角部Ａｍ５に照射しなければならないため、加工が煩雑になる。また、接続面Ａｍ４の形状としては、特に限定されず、例えば、凹曲面状であってもよい。
【００７１】
本工程では、まず、加工装置１を用意し、加工装置１のステージ２上にガラス基板１１００Ａとシリコン基板１２００Ａとの積層体（ワークＷ）を載置する。次に、姿勢調整部４を用いてステージ２の傾きθおよび位置を調整し、図１４に示すように、角部Ａｍ３に斜め（シリコン基板１２００Ａの主面の法線方向に対して傾斜した方向）からレーザー光ＬＬが照射されるようにすると共に、角部Ａｍ３にレーザー光ＬＬの焦点Ｏを一致させる。
【００７２】
次に、レーザー光ＬＬを照射しながら、ステージ２をアームＡｍの延在方向（Ｙ軸方向）に動かし、アームＡｍの全長に亘って接続面Ａｍ４を形成する。この際、ステージ２は、角部Ａｍ３にレーザー光ＬＬの焦点Ｏが一致した状態を維持しながら動く。これにより、アームＡｍの全長に亘って均質な接続面Ａｍ４が形成される。特に、シリコン基板１２００Ａに対して斜め方向からレーザー光ＬＬを照射することで、レーザー光ＬＬを角部Ａｍ３に効率的に照射することができるため、接続面Ａｍ４をより確実にかつ高精度に形成することができる。
【００７３】
このような接続面Ａｍ４の形成工程をシリコン基板１２００Ａに含まれるアームＡｍ毎（接続面Ａｍ４を形成すべきアームＡｍ毎）に繰り返し行う。これにより、シリコン基板１２００Ａに含まれる全センサー素子１２００のクアドラチャを一括して低減することができる。
【００７４】
ここで、加工装置１によれば、撮像部６によって接続面Ａｍ４を精度よく（鮮明に）観察することができる。そのため、加工装置１を用いることで、接続面Ａｍ４を精度よく形成することができる。
【００７５】
［リッド接合工程Ｓ４］
リッド１３００の母材となるシリコン基板１３００Ａを用意し、このシリコン基板１３００Ａをフォトリソグラフィー技法およびエッチング技法を用いてパターニングすることで、個片化領域Ｓ毎に凹部１３１０を形成する。次に、図１５に示すように、ガラスフリット１４００を介して、シリコン基板１３００Ａをガラス基板１１００Ａに接合し、ガラス基板１１００Ａとシリコン基板１３００Ａとの間にセンサー素子１２００を収納する。なお、図示はしないが、リッド１３００には、内部空間１５００の内外を連通する貫通孔が形成されており、当該貫通孔を用いて内部空間を真空引きした後に貫通孔を封止することで、内部空間を減圧（真空）状態とすることができる。これにより、複数の角速度センサー１０００が一体的に形成された積層体１０００Ａが得られる。
【００７６】
［個片化工程Ｓ５］
次に、例えば、ダイシングブレード等を用いて積層体１０００Ａを個片化領域Ｓ毎に個片化することで、図１６に示すように、複数の角速度センサー１０００が一括形成される。
【００７７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る加工装置について説明する。
図１７は、本発明の第２実施形態に係る加工装置を示す図である。
【００７８】
本実施形態にかかる加工装置は、主に、照明光源５の姿勢を変化させる光源姿勢調整部を有すること以外は、前述した第１実施形態の加工装置と同様である。
【００７９】
なお、以下の説明では、第２実施形態の加工装置に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１７では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００８０】
図１７に示すように、本実施形態の加工装置１は、照明光源５の姿勢を変化させる光源姿勢調整部８を有している。また、前述した第１実施形態から拡散板５１が省略されており、照明光ＳＬの光軸ａ３がレーザー光ＬＬの焦点Ｏと交差している。
【００８１】
光源姿勢調整部８は、反射光ＳＬ’の光軸が撮像部６の光軸ａ２と一致するように、ステージ２の傾きθに応じて照明光源５をレーザー光ＬＬの焦点Ｏまわりに回動させる。言い換えると、光源姿勢調整部８は、ワークＷの法線Ｈに対する撮像部６の光軸ａ２の傾斜角θａ２と、ワークＷの法線に対する照明光ＳＬの光軸ａ３の傾斜角θａ３とが等しくなるように、照明光源５をレーザー光ＬＬの焦点Ｏまわりに回動させる。このような構成によれば、例えば、前述した第１実施形態と比べて拡散板５１が省略されている分、照明光ＳＬをより効率的にワークＷに照射することができる。さらには、ワークＷの向きに影響されることなく、反射光ＳＬ’をより確実に撮像部６へ導くことができる。そのため、撮像部６によって、精度よく（鮮明に）ワークＷの加工部分を観察することができる。
【００８２】
このような光源姿勢調整部８は、レール８１と、照明光源５を支持し、レール８１に沿って移動する移動体８２と、移動体８２を駆動するモーター（図示せず）と、ステージ２の傾きθに応じて移動体８２の駆動（照明光源５の位置）を制御する制御装置（図示せず）と、を有している。ただし、光源姿勢調整部８の構成としては、上述した機能を発揮することができれば、特に限定されない。
【００８３】
以上、第２実施形態の加工装置１について説明した。このような加工装置１は、前述したように、ステージ２の角度（傾きθ）に基づいて照明光源５の姿勢を変化させる光源姿勢調整部８を有している。そのため、照明光ＳＬをより効率的にワークＷに照射することができる。さらには、ワークＷの向きに影響されることなく、反射光ＳＬ’をより確実に撮像部６へ導くことができる。そのため、撮像部６によって、精度よく（鮮明に）ワークＷの加工部分を観察することができる。
【００８４】
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る加工装置について説明する。
図１８は、本発明の第３実施形態に係る加工装置を示す図である。
【００８６】
本実施形態にかかる加工装置は、主に、吸引部７に替えて噴出部９が設けられていること以外は、前述した第１実施形態の加工装置と同様である。
【００８７】
なお、以下の説明では、第３実施形態の加工装置に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１８では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００８８】
図１８に示すように、本実施形態の加工装置１は、チャンバー１０の内部を減圧する減圧部９を有している。このような減圧部９を設けることで、レーザー加工によってワークＷから発生した飛沫７４を飛散させることができ、飛沫７４がワークＷに再付着することを抑制することができる。そのため、ワークＷをより精度よく加工することができる。減圧部９は、減圧口９１と、ポンプ９２と、バルブ９３と、を有し、バルブ９３の開度を調整することで減圧量を調整することができるようになっている。ただし、減圧部９の構成は、加工時にワークＷから発生する飛沫７４を飛散させることができれば、特に限定されない。また、減圧部９は、省略してもよい。
【００８９】
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９０】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の第４実施形態に係る加工装置について説明する。
【００９１】
図１９は、本発明の第４実施形態に係る加工装置を示す図である。図２０は、図１９に示す加工装置の変形例を示す図である。
【００９２】
本実施形態にかかる加工装置は、主に、照明光源５が焦点Ｏに対して集光レンズ３３の反対側に設けられていること以外は、前述した第１実施形態の加工装置と同様である。
【００９３】
なお、以下の説明では、第４実施形態の加工装置に関し、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。また、図１９では前述した実施形態と同様の構成について、同一符号を付している。
【００９４】
図１９に示すように、本実施形態の加工装置１では、姿勢調整部４が枠状をなしており、その内側に照明光源５が配置されている。すなわち、照明光源５は、焦点Ｏに対して集光レンズ３３の反対側に配置されている。このような配置とすることで、ワークＷの視認性を向上させることができる。ただし、本実施形態の構成は、ワークＷが照明光源５に対して透過できる材料、すなわち光透過性を有する材料でなければならない。このようなワークとしては、ガラス基板、石英基板、水晶基板などが挙げられる。なお、本実施形態では、ステージ２が光透過性を有しており、照明光源５からの照明光ＳＬは、ステージ２を透過してワークＷに照射される。
【００９５】
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。なお、例えば、ステージ２を図２０に示すように枠状とすることで、ステージ２が光透過性を有していなくても、照明光源５からの照明光ＳＬをワークＷに照射することができる。
【００９６】
以上、本発明の加工装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１…加工装置、１０…チャンバー、２…ステージ、２１…載置面、３…レーザー光源、３１…ハーフミラー、３２…コリメータレンズ、３３…集光レンズ、３４…スリット板、４…姿勢調整部、４１…昇降機構、４１１…固定体、４１２…昇降体、４２…チルト機構、４２１…固定体、４２２…揺動体、４３…回転機構、４３１…固定体、４３２…回転体、４４…移動機構、４４１…固定体、４４２…第１移動体、４４３…第２移動体、５…照明光源、５１…拡散板、６…撮像部、６１…撮像素子、６２…ミラー、７…吸引部、７１…吸引口、７２…ポンプ、７３…バルブ、７４…飛沫、８…光源姿勢調整部、８１…レール、８２…移動体、９…減圧部、９１…減圧口、９２…ポンプ、９３…バルブ、１１…モニター、１２…オートフォーカス機構、１３…ガス噴出部、１３１…噴出口、１３２…ガス源、１３３…バルブ、１０００…角速度センサー、１０００Ａ…積層体、１１００…基板、１１００Ａ…ガラス基板、１１１０…凹部、１１２０…マウント、１２００…センサー素子、１２００Ａ…シリコン基板、１２００’、１２００”…可動部、１２１０Ａ、１２１０Ｂ…可動駆動電極、１２２０Ａ、１２２０Ｂ…固定部、１２３０Ａ、１２３０Ｂ…駆動ばね、１２４０Ａ、１２４０Ｂ…可動検出電極、１２５０…固定部、１２６０Ａ、１２６０Ｂ…検出ばね、１２７０Ａ、１２７０Ｂ…梁、１２８０Ａ、１２８０Ｂ、１２９０Ａ、１２９０Ｂ…固定駆動電極、１３００…リッド、１３００Ａ…シリコン基板、１３１０…凹部、１４００…ガラスフリット、１５００…内部空間、１６１０、１６２０…固定検出電極、Ａｍ…アーム、Ａｍ１…上面、Ａｍ２…側面、Ａｍ３…角部、Ａｍ４…接続面、Ａｍ５…角部、Ｈ…法線、ＬＬ…レーザー光、Ｏ…焦点、Ｓ…個片化領域、Ｓ１…基板用意工程、Ｓ２…センサー素子形成工程、Ｓ３…センサー素子加工工程、Ｓ４…リッド接合工程、Ｓ５…個片化工程、ＳＬ…照明光、ＳＬ’…反射光、Ｗ…ワーク、ａ１、ａ２、ａ３…光軸、θ…傾き、θａ２、θａ３…傾斜角、ωｙ…角速度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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