(57)【要約】【課題】レーザ加工時に、基台であるＸ−Ｙステージ又は真空チャック等の損傷を防止する下敷きの開発。【解決手段】下敷きの構造を、ハニカム構造を斜めに形成したもの、又は通常のハニカム構造の中に微小金属粒を詰め込んだ構造にしたもの、又は微小金属粒を多層の平板上に焼結等で加工したものとする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ−Ｙテーブル等基台上の被加工物又は吸着板上の被加工物のレーザ加工において、被加工物と基台の間に配置され、レーザ加工時に加工後のレーザビームを乱反射することにより基台の損傷を防止することを特徴とするレーザ加工用下敷き。
【請求項２】
請求項１記載の下敷きにおいて、当該下敷きはハニカム構造が斜め形成されていることを特徴とするレーザ加工用下敷き。
【請求項３】
請求項１記載の下敷きにおいて、ほぼ垂直に形成されたハニカム構造体に多数の金属粒が詰め込まれ、且つ一定の気孔率を有するように構成されていることを特徴とするレーザ加工用下敷き。
【請求項４】
請求項１に記載の下敷きは多段の金属粒を焼結して形成された平板であり、一定の気孔率を有するレーザ加工用下敷き。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は電子機器関連において薄板、薄膜等の加工をレーザで行う場合、被加工物を載置するＸＹテーブルあるいは真空チャック等の基台を保護するため、被加工物と基台の間に配置される下敷きに関する。
【背景技術】
【０００２】  電子機器の表示手段としてのタッチパネルや液晶パネルは、透明の導電性膜からなる電極が表面に形成された透明な絶縁性基板を、該透明電極が対向するように配置された構造になっている。従来これらの透明電極の加工はリソグラフィ法によって加工されてきたが、工程の複雑さ、エッチングに伴う廃液処理の問題から、近年これらはレーザ加工によって行われるようになってきている。また、被加工物は前記電極等に限定されるものでなく、偏光板、位相差版などの樹脂シート、セラミックシート、金属シート、回路基板等がレーザ加工の対象となり、基台としてはＸＹテーブルの他にしばしば、真空チャック等で被加工物を固定しつつ複雑形状等に加工する。【０００３】  液晶パネルの加工等においては、レンズ系の焦点深度により一定の厚みにわたり焦点深度が合うことになる。この時被加工物が薄い透明電極である場合には、レーザビームは被加工物のみならずその下の加工ステージまで加工してしまうことがある。このため、被加工物と加工ステージの間に下敷きを介在させテーブルの損傷を防止する方法が開示されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−７１１６０
【特許文献２】特開２０１６−２０３２４４
【発明の概要】
【発明が解決しようとしている課題】
【０００４】  特許文献１では、Ｘ−Ｙテーブル損傷を回避するため、レーザビームの焦点深度を十分考慮した厚さの下敷きを使用するが、被加工物の種類、厚さ等で焦点深度は変化せざるを得ず、常に同一の下敷きを使用できるとは限らない。
【０００５】  特許文献２では被加工物の加工に先行して、基台上に被加工物を支持する支持板を配置し、支持板上の被加工物加工線を含む一定幅の切り落としを行い、次に被加工物を支持板上に配置し支持板上の被加工物の加工を行う。この時加工時のレーザビームが支持板切り落とし部の中央になるようにして加工するのでレーザビーム先端は基台に届かない。しかし、レーザビームでの加工は倍以上になり、加工時間も３倍程度になり工程も繁雑である。
【０００６】  本発明は上記課題を踏まえてなされたものであり、その目的は、どのようなレーザ加工時に加工条件によらず同一の下敷きを提供することでＸ−Ｙステージ又は真空チャック等の損傷を防止できる下敷きを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  上記目的を達成するレーザ加工用下敷きは、次のようになる。Ｘ−Ｙテーブル等基台上の被加工物又は吸着板上の被加工物のレーザ加工において、被加工物と基台の間に配置され、レーザ加工時に加工後のレーザビームを乱反射することにより基台の損傷を防止することを特徴とするレーザ加工用下敷き。
【０００８】  さらに、前記記載の下敷きにおいて、当該下敷きはハニカム構造が斜め形成されていることを特徴とするレーザ加工用下敷きである。
【０００９】  また前記記載の下敷きにおいて、ほぼ垂直に形成されたハニカム構造体に多数の金属粒が詰め込まれ、且つ一定の気孔率を有するように構成されていることを特徴とする。
【００１０】  さら前記記載の下敷きは多段の金属粒を焼結して形成され平板であり、一定の気孔率を有する。
【００１１】  レーザ加工用下敷きにおいてハニカム構造が斜め構造であると、被加工物を加工後にレーザビームは一定の焦点深度を有しているので被加工物の下部まで加工能力を有している。そのため被加工物加工後に下の基台は加工される可能性がある。従って下敷きをすれば損傷を防止できるが、真空チャック等の効果を減殺させないために通常のハニカム構造の下敷きを使用すると、焦点深度が深い場合レーザビームは基台に到達する。しかし、斜めハニカム構造にすれば、レーザビームは斜め壁部にあたり乱反射されて基台損傷が防止される。従って斜め構造の角度は基台に建てた垂直線に対し、３０°〜６０°が望ましい。また、ハニカム構造材質は、レーザビームの反射に適する金属が望ましく、炭酸ガスレーザの場合アルミ等が望ましい。
【００１２】  また、前記下敷きは、通常のハニカム構造であっても、その構造空間の中に微小金属粒が複数段に詰め込まれていてもよい。こうすることで、加工後に通過したレーザビームは金属粒に乱反射され、基台には届かないからである。勿論この時、この下敷きは一定の気孔率を確保することで真空チャックの効果を減殺しない。また、金属粒の材質は、使用するレーザ種によって選択される。
【００１３】  さらに、前記下敷きは多段の金属粒のみで構成されていてもよく、同様な効果を奏する。この時、下敷きの平坦性を確保するために焼結等で互いの金属粒が結合されていることが望ましい。また、金属粒が詰め込まれたハニカム構造下敷きと同様、真空チャックに対応するため一定の気孔率で構成されている。
【発明の効果】
【００１４】  本下敷きは、従来のように焦点深度に合わせた下敷きを準備する必要もなく、何度も同じ下敷きを使用することが可能であり、予備加工も全く必要もない。また基台の損傷も防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】レーザ加工時の下敷き適用図（平面図、断面図）
【図２】斜めハニカム構造下敷き
【図３】金属粒充填ハニカム構造
【図４】金属粒焼結下敷き断面図
【発明の実施をするための形態】
【００１６】  以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図１はレーザ加工時の下敷き適用時の状況を示したものである。図中１１は加工用レーザビーム。１２は薄板である被加工物。１３は基台と被加工物の間に配置された下敷き。１４は基台であるＸ−Ｙステージ又は真空吸着板である。
【００１７】  図２（１）は斜めハニカム構造下敷きの平面図。（２）は断面図である。図中上部から照射されるレーザビーム１１は、加工後にハニカム構造に向けて照射されるが、斜め壁部あたり基台まで届かず、従って基台は損傷されない。
【００１８】  図３は、ほぼ垂直壁を有するハニカム構造に微小金属粒を多段に詰め込み、焼結又は接着等で下敷きを構成したものである。これは真空チャック等にも使用できるように上下に連通する一定の気孔率を有している。これによって、加工後に透過したレーザビームは、乱反射され基台には届かない。
【００１９】  図４は、図３の改良系であり、微小金属粒をハニカム構造に充填せず、微小金属粒のみで平板を形成させ下敷きとしたものである。効果は図３と同様である。
【符号の説明】
【００２０】１１  レーザビーム
１２  被加工物
１３  下敷き
１４  基台
２１  斜めハニカム構造平面図
２２  斜めハニカム構造断面図
３１  金属粒子
３２  ハニカム構造
４１  多層金属粒下敷き断面図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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