(57)【要約】【課題】低背化を図ることができるチップインダクタを提供する。【解決手段】チップインダクタ１は、実装面８を有する封止樹脂２と、封止樹脂２内に設けられ、内側エンド１１および外側エンド１２を含み、螺旋状に引き回されたコイル導体３と、実装面８に設けられ、内側エンド１１に電気的に接続された内側端子４と、実装面８に設けられ、外側エンド１２に電気的に接続された外側端子５と、を含む。【選択図】図１
2019179842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面を有する封止樹脂と、
前記封止樹脂内に設けられ、内側エンドおよび外側エンドを含み、螺旋状に引き回されたコイル導体と、
前記実装面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、
前記実装面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタ。
【請求項２】
前記封止樹脂内に設けられ、前記内側エンドおよび前記内側端子を電気的に接続する内側コンタクト電極と、
前記封止樹脂内に設けられ、前記外側エンドおよび前記外側端子を電気的に接続する外側コンタクト電極と、を含む、請求項１に記載のチップインダクタ。
【請求項３】
前記内側端子は、前記封止樹脂の一部を挟んで前記コイル導体の前記内側エンドに対向し、
前記外側端子は、前記封止樹脂の一部を挟んで前記コイル導体の前記外側エンドに対向している、請求項１または２に記載のチップインダクタ。
【請求項４】
前記コイル導体は、前記実装面の法線方向に沿って延びる巻回軸線回りに巻回されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項５】
前記封止樹脂は、前記実装面の反対側の非実装面を有しており、
前記実装面および前記コイル導体の間の距離は、前記非実装面および前記コイル導体の間の距離以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項６】
前記封止樹脂は、前記実装面の法線方向に沿って積層された複数の樹脂層を含む樹脂積層構造を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項７】
前記複数の樹脂層は、前記実装面に沿って延びる平坦面をそれぞれ有している、請求項６に記載のチップインダクタ。
【請求項８】
前記封止樹脂は、直方体形状のチップ状に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項９】
前記封止樹脂は、感光性樹脂を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項１０】
一方側の第１面および他方側の第２面を有し、前記第２面を実装面とする樹脂層と、
内側エンドおよび外側エンドを含み、前記樹脂層の前記第１面において螺旋状に引き回されたコイル導体と、
前記第２面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、
前記第２面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタ。
【請求項１１】
前記樹脂層を貫通し、前記コイル導体の前記内側エンドおよび前記内側端子を電気的に接続する内側コンタクト電極と、
前記樹脂層を貫通し、前記コイル導体の前記外側エンドおよび前記外側端子を電気的に接続する外側コンタクト電極と、を含む、請求項１０に記載のチップインダクタ。
【請求項１２】
前記内側端子は、前記樹脂層を挟んで前記コイル導体の前記内側エンドに対向し、
前記外側端子は、前記樹脂層を挟んで前記コイル導体の前記外側エンドに対向している、請求項１０または１１に記載のチップインダクタ。
【請求項１３】
前記樹脂層の上に形成された樹脂配線層をさらに含み、
前記コイル導体は、前記樹脂配線層に埋設されている、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項１４】
前記樹脂層の上に形成され、前記コイル導体を被覆する樹脂保護層をさらに含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項１５】
前記樹脂層は、感光性樹脂を含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のチップインダクタ。
【請求項１６】
実装面を有し、感光性樹脂からなる封止樹脂と、
前記封止樹脂に接するように前記封止樹脂によって封止され、内側エンドおよび外側エンドを含み、螺旋状に引き回されたコイル導体と、
前記実装面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、
前記実装面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタ。
【請求項１７】
前記封止樹脂に接するように前記封止樹脂によって封止され、前記内側エンドおよび前記内側端子を電気的に接続する内側コンタクト電極と、
前記封止樹脂に接するように前記封止樹脂によって封止され、前記外側エンドおよび前記外側端子を電気的に接続する外側コンタクト電極と、を含む、請求項１６に記載のチップインダクタ。
【請求項１８】
前記封止樹脂は、前記実装面の法線方向に沿って積層された複数の感光性樹脂からなる樹脂層を含む感光性樹脂積層構造を有している、請求項１６または１７に記載のチップインダクタ。
【請求項１９】
前記封止樹脂は、一方側の第１面および他方側の第２面を含み、前記第２面を前記実装面とする樹脂層、および、前記樹脂層の前記第１面の上に積層され、前記樹脂層を保護する樹脂保護層を含む樹脂積層構造を有しており、
前記コイル導体は、前記樹脂層および前記樹脂保護層の間の領域に介在するように、前記樹脂層の前記第１面に形成されており、
前記内側端子は、前記樹脂層の前記第２面に設けられており、
前記外側端子は、前記樹脂層の前記第２面に設けられている、請求項１６または１７に記載のチップインダクタ。
【請求項２０】
前記封止樹脂は、一方側の第１面および他方側の第２面を含み、前記第２面を前記実装面とする樹脂層、前記樹脂層の前記第１面の上に積層された樹脂配線層、および、前記樹脂配線層の上に積層され、前記樹脂配線層を保護する樹脂保護層を含む樹脂積層構造を有しており、
前記コイル導体は、前記樹脂層の前記第１面の上において前記樹脂配線層に埋設されており、
前記内側端子は、前記樹脂層の前記第２面に設けられており、
前記外側端子は、前記樹脂層の前記第２面に設けられている、請求項１６または１７に記載のチップインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、チップインダクタが開示されている。このチップインダクタは、酸化シリコン、セラミックまたはガラスを含む無機物製の基板を含む。無機物製の基板の主面の上には、インダクタ導体層が形成されている。
インダクタ導体層の一端には、第１の電極層が電気的に接続されている。また、インダクタ導体層の他端には、第２の電極層が電気的に接続されている。無機物製の基板の上には、インダクタ導体層を被覆する樹脂層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１１５８４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
無機物製の基板は、たとえば平板状または円盤状のベース基板から切り出される。ベース基板は、ウエハと称されることもある。自重による撓みや反りを抑制する観点から、ベース基板には所定の厚さが設けられる。
一枚のベース基板から取得可能なチップインダクタの個数は、ベース基板を大型化することによって増加させることができる。しかし、この場合、ベース基板の大型化に伴ってベース基板の厚みを増加させる必要があり、チップインダクタの高背化が懸念される。
【０００５】
この一方で、インダクタ導体層を被覆する樹脂層は、製法上、或る程度の強度を保ちながら、ベース基板よりも薄く形成できる。つまり、チップインダクタにおいて、無機物製の基板が占める割合は、樹脂層が占める割合よりも大きい。したがって、チップインダクタの低背化は、無機物製の基板によって妨げられている。
そこで、本発明の一実施形態は、低背化を図ることができるチップインダクタを提供することを一つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、実装面を有する封止樹脂と、前記封止樹脂内に設けられ、内側エンドおよび外側エンドを含み、螺旋状に引き回されたコイル導体と、前記実装面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、前記実装面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタを提供する。
このチップインダクタによれば、無機物製の基板を要しない。これにより、低背化を図ることができるチップインダクタを提供できる。
【０００７】
本発明の一実施形態は、一方側の第１面および他方側の第２面を有し、前記第２面を実装面とする樹脂層と、内側エンドおよび外側エンドを含み、前記樹脂層の前記第１面において螺旋状に引き回されたコイル導体と、前記第２面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、前記第２面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタを提供する。
【０００８】
このチップインダクタによれば、無機物製の基板を要しない。これにより、低背化を図ることができるチップインダクタを提供できる。
本発明の一実施形態は、実装面を有し、感光性樹脂からなる封止樹脂と、前記封止樹脂に接するように前記封止樹脂によって封止され、内側エンドおよび外側エンドを含み、螺旋状に引き回されたコイル導体と、前記実装面に設けられ、前記内側エンドに電気的に接続された内側端子と、前記実装面に設けられ、前記外側エンドに電気的に接続された外側端子と、を含む、チップインダクタを提供する。
【０００９】
このチップインダクタによれば、無機物製の基板を要しない。これにより、低背化を図ることができるチップインダクタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタを、封止樹脂を透過して示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すチップインダクタの上面図である。
【図３】図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図４は、図２に示すIV-IV線に沿う断面図である。
【図５】図５は、図１に示すチップインダクタの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図６Ａ】図６Ａは、図１に示すチップインダクタの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ｂの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、図６Ｃの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、図６Ｄの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、図６Ｅの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｇは、図６Ｆの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｈ】図６Ｈは、図６Ｇの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｉ】図６Ｉは、図６Ｈの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｊ】図６Ｊは、図６Ｉの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｋ】図６Ｋは、図６Ｊの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｌ】図６Ｌは、図６Ｋの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｍ】図６Ｍは、図６Ｌの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｎ】図６Ｎは、図６Ｍの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｏ】図６Ｏは、図６Ｎの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｐ】図６Ｐは、図６Ｏの後の工程を示す断面図である。
【図６Ｑ】図６Ｑは、図６Ｐの後の工程を示す断面図である。
【図７】図７は、図２に対応する図であって、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタの構造を示す上面図である。
【図８】図８は、図７に示すVIII-VIII線に沿う断面図である。
【図９】図９は、図７に示すチップインダクタの製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図９に示すステップＳ２１の工程を説明するためのフローチャートである。
【図１１Ａ】図１１Ａは、図７に示すチップインダクタの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａの後の工程を示す断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、図１１Ｂの後の工程を示す断面図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、図１１Ｃの後の工程を示す断面図である。
【図１１Ｅ】図１１Ｅは、図１１Ｄの後の工程を示す断面図である。
【図１１Ｆ】図１１Ｆは、図１１Ｅの後の工程を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図８に対応する図であって、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタの構造を説明するための断面図である。
【図１３】図１３は、図３に対応する図であって、本発明の第４実施形態に係るチップインダクタの構造を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタ１を、封止樹脂２を透過して示す斜視図である。図２は、図１に示すチップインダクタ１の上面図である。
チップインダクタ１は、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等と称される一辺が数ｍｍ（たとえば１ｍｍ以下）の小型のチップ部品である。
【００１２】
図１および図２を参照して、チップインダクタ１は、無機物製の基板を備えないチップ部品である。チップインダクタ１は、封止樹脂２、コイル導体３、内側端子４、外側端子５、内側コンタクト電極６および外側コンタクト電極７を含む。
封止樹脂２は、直方体形状のチップ状に形成されている。封止樹脂２は、感光性樹脂を含む。感光性樹脂は、ネガティブタイプであってもよい。封止樹脂２は、より具体的には、感光性樹脂としてのエポキシ樹脂を含む。封止樹脂２は、実装面８、非実装面９、ならびに、実装面８および非実装面９を接続する４つの側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを有している。
【００１３】
実装面８および非実装面９は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において長方形状に形成されている。実装面８は、チップインダクタ１が実装基板等の接続対象物に実装される際に、当該接続対象物に対向する対向面である。非実装面９は、接続対象物に対向しない非対向面である。
４つの側面１０Ａ〜１０Ｄのうちの側面１０Ａ，１０Ｃは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って互いに対向している。４つの側面１０Ａ〜１０Ｄのうちの側面１０Ｂ，１０Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに沿って互いに対向している。
【００１４】
第１方向Ｘは、この形態では、封止樹脂２の長手方向に設定されている。第２方向Ｙは、この形態では、第１方向Ｘに直交する方向、つまり、封止樹脂２の短手方向に設定されている。
前述した「０６０３」、「０４０２」、「０３０１５」等のチップサイズは、封止樹脂２の側面１０Ａ，１０Ｃの長さおよび封止樹脂２の側面１０Ｂ，１０Ｄの長さによって定義される。
【００１５】
封止樹脂２の厚さは、３０μｍ以上２５０μｍ以下であってもよい。封止樹脂２の厚さは、３０μｍ以上１２０μｍ以下（たとえば１００μｍ程度）であることが好ましい。封止樹脂２の厚さは、チップサイズに依らずに３０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲（３０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲）に収まり得る。
コイル導体３は、無機物製の基板によって支持されていない。コイル導体３は、封止樹脂２によって直接封止されている。コイル導体３の外面は、封止樹脂２に接し、かつ、封止樹脂２によって被覆されている。コイル導体３の外面は、より具体的には、内側コンタクト電極６および外側コンタクト電極７との接続部を除き、封止樹脂２に接している。
【００１６】
コイル導体３は、封止樹脂２内において螺旋状に引き回されている。コイル導体３は、法線方向Ｚに沿って延びる巻回軸線Ｌを有しており、当該巻回軸線Ｌ回りに巻回されている。これにより、コイル導体３は、実装面８（非実装面９）に平行な平面上において、螺旋状に引き回されている。コイル導体３の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【００１７】
実装面８およびコイル導体３の間の距離は、実装面８およびコイル導体３の間に形成される寄生容量を低減するのに十分な値に設定されることが好ましい。実装面８およびコイル導体３の間の距離は、非実装面９およびコイル導体３の間の距離以上であってもよい。
実装面８およびコイル導体３の間の距離は、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。非実装面９およびコイル導体３の間の距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【００１８】
コイル導体３は、内側エンド１１、外側エンド１２、ならびに、内側エンド１１および外側エンド１２の間において螺旋状に引き回された螺旋部１３を含む。
内側エンド１１は、封止樹脂２において第１方向Ｘに沿う一方側の端部に設けられている。内側エンド１１は、より具体的には、封止樹脂２において側面１０Ｂ側の端部に設けられている。
【００１９】
内側エンド１１は、側面１０Ｂ側の端部において第２方向Ｙの中間部に設けられている。内側エンド１１は、平面視において四角形状に形成されている。内側エンド１１は、より具体的には、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。
外側エンド１２は、封止樹脂２において第１方向Ｘに沿う他方側の端部に設けられている。外側エンド１２は、より具体的には、封止樹脂２において側面１０Ｄ側の端部に設けられている。外側エンド１２は、封止樹脂２において１つの角部に沿って設けられている。
【００２０】
外側エンド１２は、より具体的には、側面１０Ｃおよび側面１０Ｄを接続する角部に沿って設けられている。外側エンド１２は、側面１０Ｄ側の端部において第２方向Ｙの中間部に設けられていてもよい。外側エンド１２は、平面視において四角形状に形成されている。外側エンド１２は、より具体的には、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。
【００２１】
螺旋部１３は、巻回軸線Ｌ回りに螺旋状に引き回されている。螺旋部１３は、内側エンド１１から外側エンド１２に向けて外巻きに巻回されている。螺旋部１３の巻回数は、目的のインダクタンスの値に応じて任意の値に設定される。螺旋部１３の巻回数は、この形態では「３」である。
螺旋部１３は、この形態では、長円状に巻回されている。螺旋部１３の形態は、長円状に限定されない。螺旋部１３は、四角形状、矩形状、多角形状または円形状に巻回されていてもよい。螺旋部１３のアスペクト比は、１以上であってもよい。螺旋部１３のアスペクト比は、螺旋部１３の幅に対する螺旋部１３の厚さの比によって定義される。
【００２２】
螺旋部１３の幅は、内側エンド１１の幅以下である。螺旋部１３の幅は、外側エンド１２の幅以下である。内側エンド１１の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。外側エンド１２の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。螺旋部１３の幅は、１０μｍ以上１５０μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。
【００２３】
内側端子４は、非実装面９に設けられている。内側端子４は、非実装面９において第１方向Ｘに沿う一方側の端部に設けられている。内側端子４は、より具体的には、非実装面９において側面１０Ｂ側の端部に設けられている。
内側端子４は、封止樹脂２の一部を挟んでコイル導体３の内側エンド１１に対向している。内側端子４の平面面積は、内側エンド１１の平面面積以上であってもよい。内側端子４は、平面視において四角形状に形成されている。
【００２４】
内側端子４は、より具体的には、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。内側端子４の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下（たとえば１０μｍ程度）であってもよい。
外側端子５は、非実装面９に設けられている。外側端子５は、非実装面９において第１方向Ｘに沿う他方側の端部に設けられている。外側端子５は、より具体的には、非実装面９において側面１０Ｄ側の端部に設けられている。
【００２５】
外側端子５は、封止樹脂２の一部を挟んでコイル導体３の外側エンド１２に対向している。外側端子５の平面面積は、外側エンド１２の平面面積以上であってもよい。外側端子５は、平面視において四角形状に形成されている。
外側端子５は、より具体的には、平面視において第２方向Ｙに沿って延びる長方形状に形成されている。外側端子５の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下（たとえば１０μｍ程度）であってもよい。
【００２６】
内側コンタクト電極６は、封止樹脂２によって直接封止されている。内側コンタクト電極６の外面は、封止樹脂２に接し、かつ、封止樹脂２によって被覆されている。内側コンタクト電極６は、内側エンド１１および内側端子４の間の領域に介在し、内側エンド１１および内側端子４を電気的に接続している。内側コンタクト電極６は、法線方向Ｚに沿って延びる柱状に形成されている。
【００２７】
外側コンタクト電極７は、封止樹脂２によって直接封止されている。外側コンタクト電極７の外面は、封止樹脂２に接し、かつ、封止樹脂２によって被覆されている。外側コンタクト電極７は、外側エンド１２および外側端子５の間の領域に介在し、外側エンド１２および外側端子５を電気的に接続している。外側コンタクト電極７は、法線方向Ｚに沿って延びる柱状に形成されている。
【００２８】
図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図２に示すIV-IV線に沿う断面図である。
図３および図４を参照して、封止樹脂２は、この形態では、実装面８の法線方向Ｚに沿って積層された複数の樹脂層を含む樹脂積層構造を有している。樹脂積層構造は、より具体的には、支持樹脂層２１（樹脂層）、樹脂配線層２２および樹脂保護層２３を実装面８側からこの順に含む３層構造を有している。
【００２９】
支持樹脂層２１、樹脂配線層２２および樹脂保護層２３は、いずれも感光性樹脂（エポキシ樹脂）を含む。支持樹脂層２１、樹脂配線層２２および樹脂保護層２３は、いずれも感光性樹脂（エポキシ樹脂）からなっていてもよい。つまり、封止樹脂２は、ネガティブタイプの感光性樹脂（エポキシ樹脂）からなっていてもよい。
支持樹脂層２１は、コイル導体３、内側端子４および外側端子５を支持し、非実装面９およびコイル導体３の間の距離を画定する。支持樹脂層２１は、膜状に形成されている。支持樹脂層２１は、一方側の第１面２４、他方側の第２面２５、ならびに、第１面２４および第２面２５を接続する４つの側面２６Ａ，２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄを有している。
【００３０】
支持樹脂層２１の第１面２４および第２面２５は、実装面８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。支持樹脂層２１の第２面２５によって封止樹脂２の実装面８が形成されている。支持樹脂層２１の側面２６Ａ〜２６Ｄによって、封止樹脂２の側面１０Ａ〜１０Ｄの一部が形成されている。
支持樹脂層２１の第２面２５側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。支持樹脂層２１のエッジ部は、第２面２５および側面２６Ａ〜２６Ｄを接続する角部である。支持樹脂層２１の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。
【００３１】
樹脂配線層２２は、支持樹脂層２１の第１面２４の上に形成されている。樹脂配線層２２は、膜状に形成されている。樹脂配線層２２には、コイル導体３が埋設される。樹脂配線層２２は、コイル導体３の形状および厚さを画定する。
樹脂配線層２２は、一方側の第１面２７、他方側の第２面２８、ならびに、第１面２７および第２面２８を接続する４つの側面２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｃ，２９Ｄを有している。樹脂配線層２２の第１面２７および第２面２８は、実装面８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。樹脂配線層２２の第２面２８は、支持樹脂層２１の第１面２４と一体を成している。
【００３２】
樹脂配線層２２の側面２９Ａ〜２９Ｄは、支持樹脂層２１の側面２６Ａ〜２６Ｄに対して面一に形成されている。樹脂配線層２２の側面２９Ａ〜２９Ｄによって、封止樹脂２の側面１０Ａ〜１０Ｄの一部が形成されている。
樹脂配線層２２の第２面２８側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂配線層２２のエッジ部は、第２面２８および側面２９Ａ〜２９Ｄを接続する角部である。樹脂配線層２２のエッジ部は、支持樹脂層２１によって被覆されている。樹脂配線層２２の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【００３３】
樹脂配線層２２には、コイルトレンチ３０が形成されている。コイルトレンチ３０は、コイル導体３の平面形状に整合する平面形状を有している。コイルトレンチ３０は、樹脂配線層２２を貫通して支持樹脂層２１を露出させている。
コイル導体３は、コイルトレンチ３０に埋設されている。コイル導体３は、この形態では、主電極層３１およびバリア電極層３２を含む積層構造を有している。主電極層３１は、Ｃｕを含み、コイル導体３の本体を形成している。
【００３４】
バリア電極層３２は、主電極層３１および樹脂配線層２２の間に介在し、主電極層３１の電極材料が樹脂配線層２２に拡散するのを抑制する。バリア電極層３２は、主電極層３１の厚さ未満の厚さを有している。バリア電極層３２は、ＴｉまたはＴｉＮのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。
バリア電極層３２は、主電極層３１において樹脂配線層２２の第１面２７側の端部を被覆する被覆部３３を有している。バリア電極層３２の被覆部３３は、樹脂配線層２２の第１面２７に対して面一に形成されている。
【００３５】
樹脂保護層２３は、樹脂配線層２２の第１面２７の上に形成され、コイル導体３を被覆している。樹脂保護層２３は、膜状に形成されている。樹脂保護層２３は、コイル導体３を保護し、封止樹脂２の非実装面９およびコイル導体３の間の距離を画定する。
樹脂保護層２３は、一方側の第１面３５、他方側の第２面３６、ならびに、第１面３５および第２面３６を接続する側面３７Ａ，３７Ｂ，３７Ｃ，３７Ｄを有している。樹脂保護層２３の第１面３５および第２面３６は、実装面８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。
【００３６】
樹脂保護層２３の第１面３５は、封止樹脂２の非実装面９を形成している。樹脂保護層２３の第２面３６は、樹脂配線層２２の第１面２４と一体を成している。樹脂保護層２３の側面３７Ａ〜３７Ｄは、樹脂配線層２２の側面２６Ａ〜２６Ｄに対して面一に形成されている。樹脂保護層２３の側面３７Ａ〜３７Ｄによって、封止樹脂２の側面１０Ａ〜１０Ｄの一部が形成されている。
【００３７】
樹脂保護層２３の第１面３５側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂保護層２３の第１面３５側のエッジ部は、第１面３５および側面３７Ａ〜３７Ｄを接続する角部である。
樹脂保護層２３の第２面３６側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂保護層２３の第２面３６側のエッジ部は、第２面３６および側面３７Ａ〜３７Ｄを接続する角部である。樹脂保護層２３の第２面３６側のエッジ部は、樹脂配線層２２によって被覆されている。樹脂保護層２３の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【００３８】
支持樹脂層２１には、内側コンタクト孔４１および外側コンタクト孔４２が形成されている（図２も併せて参照）。内側コンタクト孔４１は、支持樹脂層２１を貫通し、コイル導体３の内側エンド１１を露出させている。内側コンタクト孔４１は、この形態では、平面視において内側エンド１１の全域を露出させている。
外側コンタクト孔４２は、支持樹脂層２１を貫通し、コイル導体３の外側エンド１２を露出させている。外側コンタクト孔４２は、この形態では、平面視において外側エンド１２の全域を露出させている。
【００３９】
内側端子４は、実装面８から内側コンタクト孔４１内に入り込んでいる。内側端子４は、内側コンタクト孔４１内において、コイル導体３の内側エンド１１に電気的に接続されている。内側コンタクト電極６は、この形態では、内側端子４において内側コンタクト孔４１内に位置する部分によって形成されている。
外側端子５は、実装面８から外側コンタクト孔４２内に入り込んでいる。外側端子５は、外側コンタクト孔４２内において、コイル導体３の外側エンド１２に電気的に接続されている。外側コンタクト電極７は、この形態では、外側端子５において外側コンタクト孔４２内に位置する部分によって形成されている。
【００４０】
内側端子４は、この形態では、主電極層４３およびバリア電極層４４を含む積層構造を有している。主電極層４３は、Ｃｕを含み、内側端子４の本体を形成している。
バリア電極層４４は、主電極層４３および支持樹脂層２１の間に介在し、主電極層４３の電極材料が支持樹脂層２１に拡散するのを抑制する。バリア電極層４４は、主電極層４３およびコイル導体３の間にも介在している。バリア電極層４４は、主電極層４３の厚さ未満の厚さを有している。バリア電極層４４は、ＴｉまたはＴｉＮのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。
【００４１】
外側端子５は、内側端子４と同様の構造を有している。外側端子５の説明については内側端子４の説明が準用されるものとし、外側端子５において内側端子４の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
内側端子４の外面は、この形態では、内側端子４側からこの順に積層されたＮｉ層５１、Ｐｄ層５２およびＡｕ層５３を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造５４によって被覆されている。
【００４２】
外側端子５の外面は、この形態では、外側端子５側からこの順に積層されたＮｉ層５５、Ｐｄ層５６およびＡｕ層５７を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造５８によって被覆されている。
以上、チップインダクタ１によれば、無機物製の基板を要しない。これにより、低背化を図ることができるチップインダクタ１を提供できる。
【００４３】
また、チップインダクタ１によれば、封止樹脂２内には、樹脂以外の構造として、コイル導体３、内側コンタクト電極６および外側コンタクト電極７だけしか存在しない。よって、チップインダクタ１の低背化および微細化を効果的に図ることができる。
また、チップインダクタ１によれば、封止樹脂２は、複数の樹脂層２１，２２，２３を含む樹脂積層構造を有している。複数の樹脂層２１，２２，２３の厚さは、いずれも１００μｍ以下である。これにより、極薄いチップインダクタ１を提供できる。
【００４４】
たとえば、チップインダクタ１によれば、チップサイズに依らずに、封止樹脂２の厚さを３０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲（３０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲）に収めることができる。
また、チップインダクタ１によれば、コイル導体３を被覆する樹脂保護層２２を含む。これにより、コイル導体３を適切に保護できる。
【００４５】
また、チップインダクタ１によれば、実装面８およびコイル導体３の間の距離が、実装面８およびコイル導体３の間に形成され得る寄生容量を低減するのに十分な値に設定されている。より具体的には、実装面８およびコイル導体３の間の距離は、非実装面９およびコイル導体３の間の距離以上に設定されている。
これにより、コイル導体３および内側端子４の間の寄生容量、ならびに、コイル導体３および外側端子５の間の寄生容量の低減を図ることができる。よって、低背化を図りながら、ノイズの低減を図ることができる。
【００４６】
また、内側端子４および外側端子５においてコイル導体３で生じる磁気に起因する渦電流の発生を抑制できる。よって、このような観点からも、低背化を図りながら、ノイズの低減を図ることができる。
図５は、図１に示すチップインダクタ１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図６Ａ〜図６Ｑは、図１に示すチップインダクタ１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【００４７】
まず、図６Ａを参照して、支持部材６１が用意される（図５のステップＳ１）。支持部材６１は、一方側の第１面６２および他方側の第２面６３を有している。支持部材６１の第１面６２には、１つまたは複数のチップインダクタ１が形成される。この形態では、複数のチップインダクタ１が支持部材６１の第１面６２の上に形成される。図６Ａ〜図６Ｑでは、１つのチップインダクタ１が形成される領域のみを示している。
【００４８】
チップインダクタ１の封止樹脂２が支持部材６１の上に形成された後、支持部材６１から封止樹脂２が取り外される。支持部材６１は、封止樹脂２から剥離可能な部材であってもよい。支持部材６１は、研削によって除去可能な部材であってもよい。支持部材６１は、封止樹脂２を残存させながらエッチング法によって除去可能な部材であってもよい。
支持部材６１は、金属基板、絶縁基板または半導体基板を含んでいてもよい。金属基板は、銅基板、アルミニウム基板、ステンレス基板等であってもよい。絶縁基板は、酸化シリコン基板、窒化シリコン基板、セラミック基板等であってもよい。半導体基板は、シリコン基板、ＧａＮ基板、炭化シリコン基板等であってもよい。この工程では、支持部材６１として、シリコン基板が採用されている。
【００４９】
次に、図６Ｂを参照して、樹脂保護層２３のベースとなるベース樹脂保護層６４が、支持部材６１の第１面６２の上に形成される（図５のステップＳ２）。ベース樹脂保護層６４は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。ベース樹脂保護層６４は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６１の第１面６２の上に貼着することによって形成される。
【００５０】
次に、図６Ｃを参照して、ベース樹脂保護層６４が、選択的に露光および現像される（図５のステップＳ３）。これにより、樹脂保護層２３が形成される。
樹脂保護層２３は、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６１の第１面６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。樹脂保護層２３の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、シート状またはフィルム状の感光性樹脂に利点がある。
【００５１】
次に、図６Ｄを参照して、樹脂保護層２３を被覆するように、樹脂配線層２２のベースとなるベース樹脂配線層６５が、支持部材６１の第１面６２の上に形成される（図５のステップＳ４）。ベース樹脂配線層６５は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
ベース樹脂配線層６５は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を、樹脂保護層２３を被覆するように支持部材６１の第１面６２の上に貼着することによって形成される。
【００５２】
次に、図６Ｅを参照して、ベース樹脂配線層６５が、選択的に露光および現像される（図５のステップＳ５）。これにより、樹脂保護層２３を露出させるコイルトレンチ３０を有する樹脂配線層２２が形成される。
樹脂配線層２２は、樹脂保護層２３を被覆するように、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６１の第１面６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。樹脂配線層２２の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、シート状またはフィルム状の感光性樹脂に利点がある。
【００５３】
次に、図６Ｆを参照して、コイル導体３のバリア電極層３２のベースとなるベースバリア電極層６６が形成される（図５のステップＳ６）。ベースバリア電極層６６は、Ｔｉを含む。ベースバリア電極層６６は、スパッタ法によって形成されてもよい。
次に、ベースバリア電極層６６の上に、シード電極層６７が形成される。シード電極層６７は、Ｃｕを含む。シード電極層６７は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【００５４】
次に、図６Ｇを参照して、所定パターンを有するレジストマスク６８が、シード電極層６７を被覆するように支持部材６１の第１面６２の上に形成される（図５のステップＳ７）。レジストマスク６８は、シード電極層６７においてコイルトレンチ３０内に形成された部分を露出させる開口６９を有している。
次に、ベースバリア電極層６６によって区画された凹状の空間に主電極層３１が埋設される（図５のステップＳ８）。主電極層３１は、Ｃｕを含む。主電極層３１は、シード電極層６７と一体を成す。主電極層３１は、レジストマスク６８を介する電解銅めっき法によって形成されてもよい。
【００５５】
次に、図６Ｈを参照して、レジストマスク６８が除去される（図５のステップＳ９）。
次に、図６Ｉを参照して、ベースバリア電極層６６およびシード電極層６７においてコイルトレンチ３０から露出した部分が除去される（図５のステップＳ１０）。ベースバリア電極層６６およびシード電極層６７の不要な部分は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。これにより、コイル導体３が形成される。
【００５６】
次に、図６Ｊを参照して、支持樹脂層２１のベースとなるベース支持樹脂層７０が、樹脂配線層２２を被覆するように支持部材６１の第１面６２の上に形成される（図５のステップＳ１１）。ベース支持樹脂層７０は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
ベース支持樹脂層７０は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を、樹脂配線層２２を被覆するように支持部材６１の第１面６２の上に貼着することによって形成される。
【００５７】
次に、図６Ｋを参照して、ベース支持樹脂層７０が、選択的に露光および現像される（図５のステップＳ１２）。これにより、内側コンタクト孔４１および外側コンタクト孔４２を有する支持樹脂層２１が形成される。また、これにより、支持樹脂層２１、樹脂配線層２２および樹脂保護層２３を含む封止樹脂２が形成される。
支持樹脂層２１は、樹脂配線層２２を被覆するように、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６１の第１面６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。支持樹脂層２１の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、シート状またはフィルム状の感光性樹脂に利点がある。
【００５８】
次に、図６Ｌを参照して、内側端子４および外側端子５のバリア電極層４４のベースとなるベースバリア電極層７１が形成される（図５のステップＳ１３）。ベースバリア電極層７１は、Ｔｉを含む。ベースバリア電極層７１は、スパッタ法によって形成されてもよい。次に、ベースバリア電極層７１の上に、シード電極層７２が形成される。シード電極層７２は、Ｃｕを含む。シード電極層７２は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【００５９】
次に、図６Ｍを参照して、所定パターンを有するレジストマスク７３が、シード電極層７２を被覆するように支持部材６１の第１面６２の上に形成される（図５のステップＳ１４）。レジストマスク７３は、ベースバリア電極層７１において内側端子４および外側端子５の主電極層４３を形成すべき領域を露出させる開口７４を有している。
次に、内側端子４および外側端子５の主電極層４３が形成される（図５のステップＳ１５）。主電極層４３は、Ｃｕを含む。主電極層４３は、レジストマスク７３を介する電解銅めっき法によって形成されてもよい。
【００６０】
次に、図６Ｎを参照して、レジストマスク７３が除去される（図５のステップＳ１６）。
次に、図６Ｏを参照して、ベースバリア電極層７１およびシード電極層７２において内側端子４および外側端子５の主電極層４３から露出した部分が除去される（図５のステップＳ１７）。ベースバリア電極層７１およびシード電極層７２の不要な部分は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。これにより、内側端子４および外側端子５が形成される。
【００６１】
次に、図６Ｐを参照して、内側端子４の外面に、Ｎｉ層５１、Ｐｄ層５２およびＡｕ層５３を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造５４が形成され、外側端子５の外面に、Ｎｉ層５５、Ｐｄ層５６およびＡｕ層５７を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造５８が形成される（図５のステップＳ１８）。Ｎｉ層５１、Ｐｄ層５２およびＡｕ層５３、ならびに、Ｎｉ層５５、Ｐｄ層５６およびＡｕ層５７は、無電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
【００６２】
次に、図６Ｑを参照して、封止樹脂２が支持部材６１から取り外される（図５のステップＳ１９）。封止樹脂２の取り外し工程は、支持部材６１を封止樹脂２から剥離する工程を含んでいてもよい。封止樹脂２の取り外し工程は、支持部材６１を除去する工程を含んでいてもよい。
支持部材６１の除去工程は、支持部材６１を研削によって除去する工程または支持部材６１をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。支持部材６１の除去工程は、支持部材６１を第２面６３側から所定の厚さになるまで研削した後、支持部材６１をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。以上を含む工程を経て、チップインダクタ１が製造される。
【００６３】
図７は、図２に対応する図であって、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタ８１の構造を示す上面図である。図８は、図７に示すVIII-VIII線に沿う断面図である。以下では、チップインダクタ１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図７および図８を参照して、チップインダクタ８１は、封止樹脂２の非実装面９に形成された標印８２をさらに含む。図７および図８では、「Ａ」の文字および「Ｂ」の文字を含む文字パターン８３、ならびに、文字パターン８３を取り囲む枠パターン８４を有する標印８２が一例として示されている。
【００６４】
しかし、標印８２は、実際には、ロゴマーク、絵、文字、記号、または、チップインダクタ８１に関する任意の情報、もしくは、これらが組み合わされた組み合わせ情報等を表すことができる。
チップインダクタ８１に関する任意の情報には、たとえば、型番、サイズ、形状、製造日、インダクタンスの値、定格電圧、定格電流等のチップインダクタ８１の仕様に関する種々の情報が含まれる。
【００６５】
図８を参照して、標印８２は、封止樹脂２の非実装面９の一部によって形成された凹凸を含む。標印８２は、この形態では、凹凸の一形態としての突出部８５を含む。突出部８５（凹凸）は、その外面によって封止樹脂２の非実装面９に入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、突出部８５（凹凸）が標印８２として視認される。
【００６６】
以上、チップインダクタ８１によってもチップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、チップインダクタ８１によれば、封止樹脂２の非実装面９に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、小型化されたチップインダクタ８１の利便性を高めることができる。
図９は、図７に示すチップインダクタ１の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【００６７】
図９を参照して、チップインダクタ８１の製造方法は、標印用パターン形成工程（図９のステップＳ２１）および標印用パターン除去工程（図９のステップＳ２２）を含む点においてチップインダクタ１の製造方法と異なっている。
標印用パターン形成工程（図９のステップＳ２１）は、支持部材６１の用意工程（図９のステップＳ１）の後、ベース樹脂保護層６４の形成工程（図９のステップＳ２）に先立って実施される。標印用パターン除去工程（図９のステップＳ２２）は、封止樹脂２の取り外し工程（図９のステップＳ１８）の後に実施される。
【００６８】
図１０は、図９に示すステップＳ２１の工程を説明するためのフローチャートである。図１１Ａ〜図１１Ｆは、図７に示すチップインダクタ８１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
図１１Ａを参照して、標印用パターン形成工程（図９および図１０のステップＳ２１）では、まず、支持部材６１の第１面６２の上に、標印用材料層８６が形成される（図１０のステップＳ２３）。標印用材料層８６は、支持部材６１を残存させながらエッチング法によって除去可能な材料を含むことが好ましい。標印用材料層８６の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下（たとえば１μｍ程度）であってもよい。
【００６９】
標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料、または、絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では、酸化シリコンを含む。標印用材料層８６は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。
次に、図１１Ｂを参照して、標印用材料層８６の上に所定パターンを有するレジストマスク８７が形成される（図１０のステップＳ２４）。レジストマスク８７は、支持部材６１の第１面６２においてチップインダクタ８１を形成すべき領域を被覆するチップパターン８７ａを含む。
【００７０】
また、レジストマスク８７は、チップパターン８７ａにおいて、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる開口８７ｂを有している。次に、レジストマスク８７を介するエッチング法によって、標印用材料層８６の不要な部分が除去される。
次に、図１１Ｃを参照して、レジストマスク８７が除去される（図１０のステップＳ２５）。これにより、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる標印用パターン溝８６ａが標印用材料層８６に形成される。標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６によって標印用パターンが形成される。
【００７１】
次に、図１１Ｄを参照して、図１０のステップＳ２〜ステップＳ１７の工程が順に実施される。これにより、封止樹脂２の非実装面９の一部が標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａに埋め込まれた構造の封止樹脂２が形成される。
次に、図１１Ｅを参照して、封止樹脂２が、標印用材料層８６と共に支持部材６１から取り外される（図１０のステップＳ１８）。これにより、支持部材６１に形成された標印用材料層８６が、封止樹脂２の非実装面９に転写される。
【００７２】
次に、図１１Ｆを参照して、標印用材料層８６が除去される（図１０のステップＳ２２）。標印用材料層８６は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。
この工程では、封止樹脂２の外面に標印用材料層８６の痕跡（形成履歴）が残存する。より具体的には、封止樹脂２の非実装面９に標印用パターン溝８６ａの痕跡が残存する。
【００７３】
この標印用パターン溝８６ａの痕跡が標印８２となる。標印用パターン溝８６ａの痕跡は、より具体的には、封止樹脂２の非実装面９に形成された突出部８５（標印用凹凸）を含む。以上を含む工程を経て、封止樹脂２の非実装面９に標印８２を有するチップインダクタ８１が形成される。
図１２は、図８に対応する図であって、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタ９１の構造を説明するための断面図である。以下では、チップインダクタ８１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００７４】
図１２を参照して、チップインダクタ９１は、封止樹脂２の非実装面９を被覆し、標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６をさらに含む。標印８２は、この形態では、非実装面９の突出部８５に加えて標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａを含む。標印用材料層８６の材料としては、任意の材料が適用され得る。
標印用材料層８６は、封止樹脂２（樹脂保護層２３）とは異なる材料によって形成されていてもよい。標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料、または、絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では酸化シリコンを含む。
【００７５】
突出部８５および標印用パターン溝８６ａは、封止樹脂２の非実装面９に入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、標印用パターン溝８６ａ（標印８２）が視認される。このような構造のチップインダクタ９１は、前述のチップインダクタ８１の製造方法において標印用パターン除去工程（図９のステップＳ２２）を省くことによって製造される。
【００７６】
以上、チップインダクタ９１によってもチップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、チップインダクタ９１によれば、封止樹脂２の非実装面９に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、小型化されたチップインダクタ９１の利便性を高めることができる。
図１３は、図３に対応する図であって、本発明の第４実施形態に係るチップインダクタ１０１の構造を説明するための断面図である。以下では、チップインダクタ１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００７７】
チップインダクタ１０１は、樹脂保護層２３を有していない点において、チップインダクタ１の構造と異なっている。封止樹脂２の非実装面９は、この形態では、樹脂配線層２２の第１面２７によって形成されている。
このような構造のチップインダクタ１０１は、前述のチップインダクタ１の製造方法において樹脂保護層２３の形成工程（図５のステップＳ２およびステップＳ３）を省くことによって製造される。
【００７８】
以上、チップインダクタ１０１によれば、樹脂保護層２３によるコイル導体３の保護効果を得ることはできないが、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、チップインダクタ１０１によれば、樹脂保護層２３を除いた分だけ、低背化を図ることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
【００７９】
前述の各実施形態において、複数の樹脂層２１，２２，２３は、ポジティブタイプの感光性樹脂であってもよい。むろん、複数の樹脂層２１，２２，２３のうちの少なくとも１つがポジティブタイプの感光性樹脂であり、残りがネガティブタイプの感光性樹脂であってもよい。
前述の各実施形態において、Ｎｉ層５１、Ｐｄ層５２およびＡｕ層５３のうちの少なくとも１つまたは全部は除かれてもよい。前述の各実施形態において、Ｎｉ層５５、Ｐｄ層５６およびＡｕ層５７のうちの少なくとも１つまたは全部は除かれてもよい。
【００８０】
前述の各実施形態において、支持樹脂層２１の厚さは、樹脂配線層２２の厚さ以下であってもよい。前述の各実施形態において、支持樹脂層２１の厚さは、樹脂保護層２３の厚さ以下であってもよい。前述の各実施形態において、支持樹脂層２１の厚さ、樹脂配線層２２の厚さおよび樹脂保護層２３の厚さは等しくてもよい。
前述の第４実施形態において、標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６が、封止樹脂２の非実装面９の上に形成されていてもよい。これにより、コイル導体３を比較的薄い標印用材料層８６によって保護できると同時に、標印８２を形成できる。むろん、標印用パターン溝８６ａを有さない標印用材料層８６（この場合は、単なる絶縁層）によってコイル導体３を保護してもよい。
【００８１】
前述の各実施形態では、受動素子としてのインダクタ（コイル）が形成された例について説明した。しかし、インダクタに代えて抵抗が形成されていてもよい。抵抗が形成される場合、封止樹脂２内において導体（コイル導体に相当する導体）を、螺旋状ではなく、帯状、ライン状、葛折り状に引き回せばよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１      チップインダクタ
２      封止樹脂
３      コイル導体
４      内側端子
５      外側端子
６      内側コンタクト電極
７      外側コンタクト電極
８      実装面
９      非実装面
１１    内側エンド
１２    外側エンド
２１    支持樹脂層
２２    樹脂配線層
２３    樹脂保護層
８１    チップインダクタ
９１    チップインダクタ
１０１  チップインダクタ
Ｌ      巻回軸線
【図１】
2019179842.tif 000003
【図２】
2019179842.tif 000004
【図３】
2019179842.tif 000005
【図４】
2019179842.tif 000006
【図５】
2019179842.tif 000007
【図６Ａ】
2019179842.tif 000008
【図６Ｂ】
2019179842.tif 000009
【図６Ｃ】
2019179842.tif 000010
【図６Ｄ】
2019179842.tif 000011
【図６Ｅ】
2019179842.tif 000012
【図６Ｆ】
2019179842.tif 000013
【図６Ｇ】
2019179842.tif 000014
【図６Ｈ】
2019179842.tif 000015
【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図６Ｋ】
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【図６Ｌ】
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【図６Ｍ】
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【図６Ｎ】
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【図６Ｏ】
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【図６Ｐ】
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【図６Ｑ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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【図１２】
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【図１３】
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