(57)【要約】【課題】従来に比して信頼性を向上してなるＣＯＧ型パネル及び有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。【解決手段】配線パターン１６は、長方形形状のバンプ２１と重なり合う部位の、表示部２側の端部を跨いで、端部において配線パターン１６のパターン幅Ｗ１に比して幅狭に、かつ端部において長方形形状のバンプ幅Ｗ２に比して幅広に、配線パターン１６の他の部位に比して、基板３の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域１６Ａが形成される。【選択図】図４
2019140344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部を備えた透明板材による基板上に、前記表示部を駆動するＩＣチップが実装されたＣＯＧ型パネルにおいて、
前記基板上には、前記ＩＣチップを前記表示部に接続する配線パターンが設けられ、
前記ＩＣチップは、
長方形形状のバンプを備え、
異方性導電材を介して、前記長方形形状のバンプが対応する前記配線パターンに接続され、
前記配線パターンは、
前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、前記表示部側の端部を跨いで、
前記端部において前記配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、
かつ前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、
当該配線パターンの他の部位に比して、前記基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域が形成された
ＣＯＧ型パネル。
【請求項２】
前記高抵抗領域は、
前記表示部より遠ざかるに従って幅狭に形成された
請求項１に記載のＣＯＧ型パネル。
【請求項３】
前記表示部は、
透明電極、金属電極を備え、
前記配線パターンは、
前記高抵抗領域が、前記透明電極の材料により形成された
請求項１又は請求項２に記載のＣＯＧ型パネル。
【請求項４】
有機発光層による表示部を備えた透明板材による基板上に、前記表示部を駆動するＩＣチップが実装された有機ＥＬパネルにおいて、
前記基板上には、前記ＩＣチップを前記表示部に接続する配線パターンが設けられ、
前記ＩＣチップは、
長方形形状のバンプを備え、
異方性導電材を介して、前記長方形形状のバンプが対応する前記配線パターンに接続され、
前記配線パターンは、
前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、前記表示部側の端部を跨いで、
前記端部において前記配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、
かつ前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、
当該配線パターンの他の部位に比して、前記基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域が形成された
有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記高抵抗領域は、
前記表示部より遠ざかるに従って幅狭に形成された
請求項４に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項６】
前記表示部は、
透明電極、金属電極を備え、
前記配線パターンは、
前記高抵抗領域が、前記透明電極の材料により形成された
請求項４又は請求項５に記載の有機ＥＬパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯＧ型パネル及び有機ＥＬパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上にＩＣチップを実装したＣＯＧ（Chip  On  Glass）方式の表示パネル（ＣＯＧ型パネル）に関する工夫が種々に提案されている。
特許文献１には、このＣＯＧ型パネルに関して、平面視（基板の面直方向より見た場合）、長方形形状によるバンプ（以下、長方形形状のバンプと呼ぶ）を使用して、ＩＣチップを基板に実装する構成が開示されている。この特許文献１に開示の構成では、この長方形形状のバンプをＩＣチップの端子に設け、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film）等の異方性導電材を介してこの長方形形状のバンプを対応する配線パターンに接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８７６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで特許文献１に開示の構成のように、長方形形状によるバンプを使用してこの種のパネルを構成すると、対応する配線パターンが断線する場合がある。因みにこの配線パターンの断線は、バンプと重なり合う部位のこの配線パターンによる接続対象側（例えばこの配線パターンが有機ＥＬパネルに係る表示部駆動用の電流を供給する配線パターンの場合、表示部側である）で発生する。
これによりこの種のパネルにおいては、信頼性の点で実用上未だ不十分な問題があった。
【０００５】
本発明は以上の点を考慮してなされたものであり、従来に比して信頼性を向上してなるＣＯＧ型パネル及び有機ＥＬパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
係る課題を解決するため、請求項１の発明に係るＣＯＧ型パネルは、
表示部を備えた透明板材による基板上に、前記表示部を駆動するＩＣチップが実装されたＣＯＧ型パネルにおいて、
前記基板上には、前記ＩＣチップを前記表示部に接続する配線パターンが設けられ、
前記ＩＣチップは、
長方形形状のバンプを備え、
異方性導電材を介して、前記長方形形状のバンプが対応する前記配線パターンに接続され、
前記配線パターンは、
前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、前記表示部側の端部を跨いで、
前記端部において前記配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、
かつ前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、
当該配線パターンの他の部位に比して、前記基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域が形成された。
【０００７】
請求項１の構成により、配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、配線パターンの他の部位に比して、基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域を形成すれば、この高抵抗領域では電流を流れ難くして、他の部位に電流を振り分けることができる。
これにより前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、表示部側の端部を跨ぐように、前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、この高抵抗領域を形成すれば、長方形形状のバンプの表示部側における電流の集中を緩和することができ、電流の集中による断線を防止して信頼性を向上することができる。
【０００８】
請求項２の発明においては、請求項１の構成において、
前記高抵抗領域は、
前記表示部より遠ざかるに従って幅狭に形成された。
【０００９】
請求項２の構成によれば、
長方形形状のバンプに流れる電流を、表示部側と、これとは逆側とで均一化することができ、一段と信頼性を向上することができる。
【００１０】
請求項３の発明においては、請求項１又は請求項２の構成において、
前記表示部は、
透明電極、金属電極を備え、
前記配線パターンは、
前記高抵抗領域が、前記透明電極の材料により形成された。
【００１１】
請求項３の構成によれば、透明電極の作成工程において、この透明電極の材料を有効に利用して、同時に、高抵抗領域を備えた配線パターンを作成することができる。
【００１２】
請求項４の発明に係る有機ＥＬパネルにおいては、
有機発光層による表示部を備えた透明板材による基板上に、前記表示部を駆動するＩＣチップが実装された有機ＥＬパネルにおいて、
前記基板上には、前記ＩＣチップを前記表示部に接続する配線パターンが設けられ、
前記ＩＣチップは、
長方形形状のバンプを備え、
異方性導電材を介して、前記長方形形状のバンプが対応する前記配線パターンに接続され、
前記配線パターンは、
前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、前記表示部側の端部を跨いで、
前記端部において前記配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、
かつ前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、
当該配線パターンの他の部位に比して、前記基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域が形成された。
【００１３】
請求項４の構成により、配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、配線パターンの他の部位に比して、基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域を形成すれば、この高抵抗領域では電流を流れ難くして、他の部位に電流を振り分けることができる。
これにより前記長方形形状のバンプと重なり合う部位の、表示部側の端部を跨ぐように、前記端部において前記長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、この高抵抗領域を形成すれば、長方形形状のバンプの表示部側への電流の集中を緩和することができ、電流の集中による断線を防止して信頼性を向上することができる。
【００１４】
請求項５の発明においては、請求項４の構成において、
前記高抵抗領域は、
前記表示部より遠ざかるに従って幅狭に形成された。
【００１５】
請求項５の構成によれば、
長方形形状のバンプに流れる電流を、表示部側と、これとは逆側とで均一化することができ、一段と信頼性を向上することができる。
【００１６】
請求項６の発明においては、請求項４又は請求項５の構成において、
前記表示部は、
透明電極、金属電極を備え、
前記配線パターンは、
前記高抵抗領域が、前記透明電極の材料により形成された。
【００１７】
請求項６の構成によれば、透明電極の作成工程において、この透明電極の材料を有効に利用して、同時に、高抵抗領域を備えた配線パターンを作成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のＣＯＧ型パネル及び有機ＥＬパネルによれば、従来に比して信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態に係るＣＯＧ型パネルを示す斜視図である。
【図２】図１のＣＯＧ型パネルの表示部の構成を示す断面図である。
【図３】図１のＣＯＧ型パネルにおけるＩＣチップの実装の説明に供する分解斜視図である。
【図４】配線パターンの電流分布の説明に供する図である。
【図５】配線パターンの各部の電流の説明に供する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態に係るＣＯＧ型パネルを示す斜視図である。
このＣＯＧ型パネル１は、表示部２を備えた基板３上に、この表示部２を駆動するＩＣチップ４が実装されて構成される。また基板３には、このＩＣチップ４に電源、各種の制御信号を入力する端子５が設けられ、この端子５にフレキシブル配線基板等が接続される。
【００２１】
このＣＯＧ型パネル１は、表示部２が電流駆動型の表示部であり、これによりＩＣチップ４により大電流で表示部２を駆動して種々の表示を提供する。より具体的に、表示部２は、有機発光層による発光により種々の表示を提供し、これによりＣＯＧ型パネル１は、有機ＥＬパネルとして機能するように構成される。
【００２２】
ここで基板３は、この種の表示パネルに適用可能な種々の透明板材を適用することができ、例えばガラス板を適用することができる。
【００２３】
〔表示部〕
図２は、この図1をＡ−Ａ線により切り取って示す断面図であり、表示部２の詳細構成を示す図である。
表示部２は、基板３側より、透明電極１１、有機層１２、金属電極１３を順次積層して発光部１４が形成され、透明電極１１が陽極として機能し、金属電極１３が陰極をとして機能するように構成される。
【００２４】
透明電極１１及び金属電極１３は、この表示部２の長手方向、この長手方向と直交する方向にそれぞれ延長するように、帯状に一定のピッチにより複数本形成され、これによりＣＯＧ型パネル１は、この透明電極１１及び金属電極１３の交差箇所がそれぞれ画素であるように発光部１４が形成され、パッシブマトリクス型により形成される。
なおパッシブマトリクス型に限らず、アクティブマトリックス型により構成してもよい。
【００２５】
透明電極１１は、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、ＡＺＯ（Aluminum  Zinc  Oxide）、ＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）等の、種々の透明電極材を適用することができる。透明電極１１は、スパッタリング等により透明電極１１の材料層を基板３に成膜した後、パターニングして形成される。
【００２６】
有機層１２は、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層の積層構造であり、蒸着法、スパッタリング法等による順次対応する材料を成膜して構成される。なお有機層１２は、少なくとも有機発光層を有していればよい。
【００２７】
金属電極１３は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｌｉ、Ｚｎ等の金属単体あるいは合金を含む導電材により構成され、スパッタリング法、蒸着法等により金属電極１３の材料層を形成した後、パターニングして作成される。
【００２８】
また透明電極１１は、表示部２の周縁部で、金属電極１３の材料などの透明電極１１の材料より低抵抗の材料により形成された配線パターン１６に接続されてＩＣチップ４に接続され、これによりＣＯＧ型パネル１では、配線パターン１６の抵抗による損失を低減して効率よく表示部２を駆動できるように構成される。
【００２９】
表示部２は、さらにカバーガラス等による板状の封止材１５が発光部１４の背面側（基板３とは逆側）に設けられ、この封止材１５の周縁部がシール材１７により封止されて形成される。
【００３０】
〔ＩＣチップの実装〕
ＩＣチップ４は、基板３上に形成された配線パターン１６に、異方性導電材２２を介して電気的に接続されて実装される。
ここで図３は、図１において、符号Ｂにより示す表示部２側の部位を部分的に拡大して示す分解斜視図であり、ＩＣチップ４と配線パターン１６との関係を示す図である。
なおこの図３においては、異方性導電材２２の記載を省略して説明する。
【００３１】
ＩＣチップ４は、平面視、長方形形状により形成され、この長方形形状に係る各辺に沿って、外方に向かって延長する形状による電極が一定のピッチで形成される。またこの電極に、長方形形状のバンプ２１が設けられる。
これにより図３において符号Ｃにより示すように、異方性導電材２２を間に挟んで、この長方形形状のバンプ２１を対応する配線パターン１６に重ね合わせて配置することにより、ＩＣチップ４が基板３に実装される。
【００３２】
ここで異方性導電材２２は、面内方向には絶縁性を示し、かつ厚み方向には導電性を示すような、導電性に異方性を備えた材料であり、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic  Conductive  Film）と呼ばれるフィルム状の接着剤、ＡＣＰ（Anisotropic  Conductive  Paste）と呼ばれるペースト状の接着剤等を適用することができる。またＡＣＦ及びＡＣＰは、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から構成される接着剤の中に、導電性粒子（ニッケル粒子や、金めっきプラスティック粒子など）を分散混入させて形成される。
【００３３】
これにより図４（Ａ）に示すように、配線パターンを金属電極の材料のみにより作成して、異方性導電材２２を介して長方形形状のバンプ２１を配線パターン１６に接続した場合、バンプ２１と配線パターンとが重なり合う部位の、最も表示部２に近い側の端部Ｔ（配線パターン１６上において表示部２までのパターン長が短い側の端部である）に電流Ｉが集中することになる。
この配線パターン１６に流れる電流が小さい場合には、このような電流集中も充分に無視することができる。またバンプ２１を長方形形状としたことにより、バンプ２１を細長に大面積により作成でき、配線パターン１６に流れる電流の増大にも、ある程度、対応することができる。
しかしながらこのような電流集中により、異方性導電材２２にあっては、導電性粒子２３に流れる電流が著しく偏在することになり、その結果、例えば有機ＥＬパネルにおいて、極めて高い輝度により表示する場合には、この電流の偏在により局所的な発熱が発生し、配線パターン１６が断線する。
これにより長方形形状のバンプ２１と重なり合う部位のこの配線パターン１６による接続対象側で配線パターンが断線する恐れがあり、信頼性に関して改善の余地がある。
なおこの図４においては、配線パターン１６を簡略化して示す。
【００３４】
これにより図４（Ａ）との対比により図４（Ｂ）に示すように、この実施形態では、配線パターン１６の他の部位に比して面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域１６Ａが配線パターン１６に局所的に設けられる。
このように高抵抗領域１６Ａを設けた場合、この高抵抗領域１６Ａに流れる電流は減少し、この減少分が他の部位に振り分けられることになる。
これによりこの実施形態では、電流の集中を緩和して信頼性を向上する。
【００３５】
より具体的に、図４（Ｃ）に示すように、高抵抗領域１６Ａは、長方形形状のバンプ２１と配線パターン１６とが重なり合う部位の、表示部２側の端部Ｔを跨ぐように形成され、これにより端部Ｔにおける電流集中を緩和する。
【００３６】
またさらに高抵抗領域１６Ａは、この端部Ｔにおける配線パターン１６のパターン幅Ｗ１に比して幅狭に形成され、これにより配線パターン１６に係る金属材料により形成された部位を幅方向で取り残すようにし、この部位に高抵抗領域１６Ａで減少した電流を振り分けるようにする。
【００３７】
またさらにこのように幅狭として、高抵抗領域１６Ａの幅方向の外方、両側に、配線パターン１６に係る金属材料の部位が取り残されるように、配線パターン１６の幅方向のほぼ中央に高抵抗領域１６Ａを設けるようにし、これにより幅方向について、電流をほぼ均等に振り分けるようにする。
【００３８】
またさらにこの高抵抗領域１６Ａは、端部Ｔにおける長方形形状のバンプ幅Ｗ２に比して幅広に形成され、これによりバンプ２１の幅方向の、端部Ｔにおける電流集中を充分に緩和できるようにする。
【００３９】
またさらに高抵抗領域１６Ａは、その配線パターン１６上の位置が表示部２より遠ざかるに従って幅狭に形成され、これによりバンプ２１の長手方向について、電流分布を均一化する。この実施形態では、表示部２より遠ざかるに従って徐々に幅狭となるように形成され、これによりバンプ２１の長手方向における電流分布を均一化するように構成されているものの、実用上充分な特性を得ることができる場合、段階的に幅狭としてもよい。
なおこれらにより当然ではあるが、パターン幅Ｗ１、バンプ幅Ｗ２は、Ｗ１>Ｗ２であり、パターン幅方向が、長方形形状のバンプ２１の短辺方向である。
【００４０】
図５は、このように高抵抗領域１６Ａを作成した場合の各部における電流の説明に供する模式図である。
図５（Ａ）は、バンプ２１と配線パターン１６とが重なり合う部位の表示部２側の端部（図４（Ｃ）において符号Ｔ１により示す部位）における電流分布の説明に供する図である。
この端部では、バンプ２１より幅広に高抵抗領域１６Ａが設けられていることにより、抵抗の符号により示すように、この部位に設けられた導電性粒子２３までの経路は、高い抵抗値となり、これによりこの導電性粒子２３に流れる電流が低減される。
【００４１】
図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の部位より表示部２とは逆側に変位した部位（図４（Ｃ）において符号Ｔ２により示す部位）における電流分布の説明に供する図である。
この部位Ｔ２は、高抵抗領域１６Ａがバンプ２１より幅広であるものの、部位Ｔ１に比して幅狭となった部位である。
この部位Ｔ２では、高抵抗領域１６Ａが幅狭となった分、この部位に設けられた導電性粒子２３までの経路における抵抗値が減少することになる。
【００４２】
また図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）の部位より表示部２とは逆側に変位した部位（図４（Ｃ）において符号Ｔ３により示す部位）における電流分布の説明に供する図である。
この部位Ｔ３は、高抵抗領域１６Ａがバンプ２１より幅狭の部位である。
この部位Ｔ３では、高抵抗領域１６Ａがバンプ２１より幅狭となった分、この部位に設けられた導電性粒子２３までの経路における抵抗値が一段と減少することになる。
【００４３】
これらによりバンプ２１の長手方向における電流分布を均一化し、信頼性を一段と向上することができる。
【００４４】
なお単純に電流集中による信頼性の低下を防止するためには、長方形形状のバンプの幅を大きくすることにより解決することができるものの、この場合、配線パターンを高密度に配置することが困難になる。
しかしながらこの実施形態では、配線パターン１６を短いピッチＰ（図３参照）により配置して高密度実装する場合でも、充分な信頼性を確保することができる。
【００４５】
ここで高抵抗領域１６Ａは、配線パターン１６を構成する金属材料に比して面内方向の抵抗値が大きな各種の材料を適用することができる。
しかしながらこの実施形態では、透明電極１１と同一の材料により形成され、これによりこのＣＯＧ型パネル１の製造に使用する材料の種類を低減し、さらには工程管理を簡略化する。
【００４６】
またさらに透明電極１１を作成する際のパターニングにより高抵抗領域１６Ａを作製した後、配線パターン１６を作成する際のパターニングにより高抵抗領域１６Ａに積層された低抵抗の材料層を除去して配線パターン１６を作成する。
これにより透明電極の作成工程において、この透明電極の材料を有効に利用して、同時に、高抵抗領域を備えた配線パターンを作成することができる。
【００４７】
これによりこの実施形態では、従来工程のパターニングにおけるマスクを変更するだけの簡易な工程の変更により、信頼性の高いＣＯＧ型パネルを作成することができる。
【００４８】
以上の構成によれば、ＣＯＧ型パネル、有機ＥＬパネルに関して、
長方形形状のバンプと重なり合う部位の、表示部側の端部を跨いで、端部において配線パターンのパターン幅に比して幅狭に、端部において長方形形状のバンプ幅に比して幅広に、配線パターンの他の部位に比して、基板の面内方向の抵抗値が大きな高抵抗領域を形成することにより、この高抵抗領域では電流を流れ難くして、他の部位に電流を振り分け、長方形形状のバンプの接続対象側における電流の集中を緩和することができ、電流の集中による断線を防止して信頼性を向上することができる。
【００４９】
またさらに高抵抗領域は、表示部より遠ざかるに従って幅狭に形成されていることにより、長方形形状のバンプに流れる電流を、表示部側と、これとは逆側とで均一化することができ、一段と信頼性を向上することができる。
【００５０】
またさらに高抵抗領域が、表示部の透明電極の材料により形成されていることにより、透明電極の作成工程において、この透明電極の材料を有効に利用して、同時に、高抵抗領域を備えた配線パターンを作成することができる。
【００５１】
〔他の実施形態〕
以上、本発明の実施に好適な具体的な構成を詳述したが、本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述の実施形態の構成を種々に変更することができる。
【００５２】
すなわち上述の実施形態では、有機ＥＬパネルによるＣＯＧ型パネルに本発明を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々のＣＯＧ型パネルに広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１  ＣＯＧ型パネル
２  表示部
３  基板
４  ＩＣチップ
５  端子
１１  透明電極
１２  有機層
１３  金属電極
１４  発光部
１５  封止材
１６  配線パターン
１６Ａ  高抵抗領域
１７  シール材
２１  バンプ
２２  異方性導電材
２３  導電性粒子
【図１】
2019140344.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019140344.tif 000005
【図４】
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【図５】
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