(57)【要約】【課題】誤動作の発生を抑制できる受光素子、受光モジュール、光電センサー及び生体情報測定装置を提供する。【解決手段】受光素子は、シリコン基板に、フォトダイオードと、フォトダイオードからの出力信号を増幅する増幅回路と、増幅回路の少なくとも一部を覆い、光を遮蔽する遮光部と、が設けられた構成を有する。【選択図】図７
2019170611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に、
フォトダイオードと、
前記フォトダイオードからの出力信号を増幅する増幅回路と、
前記増幅回路の少なくとも一部を覆い、光を遮蔽する遮光部と、が設けられていることを特徴とする受光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の受光素子において、
前記遮光部は、アルミニウム層を含むことを特徴とする受光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の受光素子において、
前記シリコン基板は、前記フォトダイオード及び前記増幅回路が設けられる第１面を有し、
前記増幅回路は、前記第１面にｐｎ接合部を有し、
前記遮光部の端部は、前記第１面の法線に直交する方向からの断面視において、前記ｐｎ接合部と前記フォトダイオードとの間に位置することを特徴とする受光素子。
【請求項４】
請求項３に記載の受光素子において、
前記遮光部の端部から前記ｐｎ接合部までの距離は、前記第１面の法線方向から見て、１００μｍ以上、３００μｍ以下であることを特徴とする受光素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記シリコン基板において前記フォトダイオードと前記増幅回路との間に設けられ、前記シリコン基板内を前記増幅回路に向かって移動する電子を遮断する遮断部を有することを特徴とする受光素子。
【請求項６】
請求項５に記載の受光素子において、
前記遮断部は、前記増幅回路のグランドに接続されるダイオードであることを特徴とする受光素子。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記増幅回路は、前記フォトダイオードから出力された電荷を電圧に変換する電荷電圧変換回路を含み、
前記電荷電圧変換回路は、
前記フォトダイオードのアノードがゲートと接続されるトランジスタと、
前記トランジスタのドレインと接続される定電流源と、を備え、
前記遮光部は、少なくとも前記アノードと前記ゲートとの間を覆うことを特徴とする受光素子。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の受光素子において、
前記増幅回路は、前記フォトダイオードから出力された電流を電圧に変換する電流電圧変換回路を含み、
前記電流電圧変換回路は、
前記フォトダイオードのアノードが接続される反転入力端子、グランドに接続される非反転入力端子、及び、変換された前記出力信号が出力される出力端子を有するオペアンプと、
前記オペアンプとそれぞれ並列に設けられる抵抗及びコンデンサーと、を備え、
前記遮光部は、少なくとも前記アノードと前記反転入力端子との間を覆うことを特徴とする受光素子。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の受光素子と、
前記受光素子から出力される信号を処理する処理回路と、
前記受光素子及び前記処理回路が配置される基板と、を備えることを特徴とする受光モジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載の受光モジュールと、
前記基板に設けられる発光素子と、を備えることを特徴とする光電センサー。
【請求項１１】
請求項１０に記載の光電センサーにおいて、
前記発光素子と前記フォトダイオードとの間の距離は、前記発光素子と前記増幅回路における前記フォトダイオードからの出力信号の入力部位との間の距離より小さいことを特徴とする光電センサー。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光電センサーにおいて、
前記増幅回路は、前記フォトダイオードから前記発光素子に向かう方向に対して直交する方向に設けられていることを特徴とする光電センサー。
【請求項１３】
請求項１１に記載の光電センサーにおいて、
前記増幅回路は、前記フォトダイオードに対して前記発光素子とは反対側の位置に設けられていることを特徴とする光電センサー。
【請求項１４】
請求項１０から請求項１３のいずれか一項に記載の光電センサーにおいて、
前記発光素子と前記フォトダイオードとの間に設けられ、前記発光素子から前記フォトダイオードに直接入射する光を遮蔽する遮蔽部を有することを特徴とする光電センサー。
【請求項１５】
請求項１０から請求項１４のいずれか一項に記載の光電センサーと、
前記光電センサーから出力された信号に基づいて生体情報を決定する処理部と、を備えることを特徴とする生体情報測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子、受光モジュール、光電センサー及び生体情報測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン基板上にフォトダイオードが形成されたフォトＩＣが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のフォトＩＣは、フォトダイオード及び赤外光透過フィルター付きフォトダイオードと、第１〜第４増幅回路とがシリコン基板上に形成されたチップである。
赤外光透過フィルターが付いていないフォトダイオードは、第１増幅回路の入力端子と接続され、赤外光透過フィルター付きフォトダイオードは、第２増幅回路の入力端子と接続され、各フォトダイオードからの信号は、対応する増幅回路によって増幅される。また、第１増幅回路及び第２増幅回路は、第３増幅回路と接続されており、更に後段には、第４増幅回路が設けられている。これら第３増幅回路及び第４増幅回路を介して、第１増幅回路及び第２増幅回路によって増幅された信号は、出力端子から取り出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３２２２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のフォトＩＣでは、増幅回路に光が入射されると、増幅回路が誤動作する可能性がある。特に、当該フォトＩＣでは、フォトダイオードからの出力信号を増幅する増幅回路がフォトダイオードの近くに存在する。このため、フォトＩＣに照射された光の一部が、増幅回路に入射される可能性が高く、光が入射することにより増幅回路の誤動作が発生するおそれがあった。
このような問題から、誤動作が発生しにくい受光素子の構成が要望されていた。
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決することを目的としたものであり、誤動作の発生を抑制できる受光素子、受光モジュール、光電センサー及び生体情報測定装置を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様に係る受光素子は、シリコン基板に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードからの出力信号を増幅する増幅回路と、前記増幅回路の少なくとも一部を覆い、光を遮蔽する遮光部と、が設けられていることを特徴とする。
このような構成によれば、増幅回路に入射する光は、遮光部によって遮蔽される。これによれば、増幅回路に光が入射することを抑制できる。従って、増幅回路の誤動作の発生を抑制できる。
【０００７】
上記第１態様では、前記遮光部は、アルミニウム層を含むことが好ましい。
このような構成によれば、比較的簡易な構成によって、遮光部を構成できる。また、シリコン基板上にフォトダイオード及び増幅回路のうち少なくとも一方の配線部をアルミニウム層によって形成する場合には、同様の手順によって遮光部を受光素子に形成できる。従って、他の材料によって遮光部を形成する場合に比べて、遮光部を簡易に形成できる。
【０００８】
上記第１態様では、前記シリコン基板は、前記フォトダイオード及び前記増幅回路が設けられる第１面を有し、前記増幅回路は、前記第１面にｐｎ接合部を有し、前記遮光部の端部は、前記第１面の法線に直交する方向からの断面視において、前記ｐｎ接合部と前記フォトダイオードとの間に位置することが好ましい。
ここで、受光素子に入射される光の一部は、回折等によって遮光部の端部を回り込み、増幅回路に向かって進行する可能性がある。そして、増幅回路が有するｐｎ接合部に光が入射すると、光起電力効果によって電流が発生し、増幅回路に誤動作が生じる可能性がある。
これに対し、上記構成によれば、遮光部の端部が、上記断面視において、増幅回路が有するｐｎ接合部とフォトダイオードとの間に位置する。これによれば、遮光部を回り込んだ光がｐｎ接合部に入射される可能性を低減でき、ｐｎ接合部にて意図しない電流が生じることを抑制できる。従って、増幅回路の誤動作を抑制できる。
【０００９】
上記第１態様では、前記遮光部の端部から前記ｐｎ接合部までの距離は、前記第１面の法線方向から見て、１００μｍ以上、３００μｍ以下であることが好ましい。
例えば、上記距離は、受光素子に入射される光の想定強度が１０００ルクス未満であれば１００μｍ、１万ルクス未満であれば２００μｍ、１万ルクス以上であれば３００μｍとすることができる。
このような構成によれば、遮光部の端部を回り込んで増幅回路のｐｎ接合部に光が入射されることを抑制できる。従って、増幅回路の誤動作をより効果的に抑制できる。
また、上記距離が３００μｍを超えないので、フォトダイオードの近くに増幅回路を配置できる。これにより、増幅回路に入力されるフォトダイオードの出力信号が減衰することを抑制でき、増幅回路によってフォトダイオードの出力信号を増幅できる。
【００１０】
上記第１態様では、前記シリコン基板において前記フォトダイオードと前記増幅回路との間に設けられ、前記シリコン基板内を前記増幅回路に向かって移動する電子を遮断する遮断部を有することが好ましい。
ここで、フォトダイオードのｐｎ接合部にて生じる正孔及び電子のうち、正孔はｐ層に集まり、電子はｎ層に集まる。ｎ層に集まる電子（電荷）が、シリコン基板内を移動して、増幅回路のｐｎ接合部に到達する可能性がある。この場合、電流が発生して、増幅回路が誤動作する。特に、フォトダイオードと増幅回路とが近い位置に存在すると、フォトダイオードのｐｎ接合部にて生じた電子が、増幅回路のｐｎ接合部に到達する可能性が高くなる。
これに対し、上記構成によれば、遮断部によって、シリコン基板内を増幅回路に向かって移動する電子を遮断できる。これにより、例えばフォトダイオードから増幅回路に向かって移動する電子が増幅回路のｐｎ接合部に到達することを抑制できる。従って、増幅回路の誤動作をより効果的に抑制できる。
【００１１】
上記第１態様では、前記遮断部は、前記増幅回路のグランドに接続されるダイオードであることが好ましい。
このような構成によれば、遮断部を簡易に構成できる他、シリコン基板内を増幅回路に向かって移動する電子を遮断することができる。従って、増幅回路の誤動作をより効果的に抑制できる。
【００１２】
上記第１態様では、前記増幅回路は、前記フォトダイオードから出力された電荷を電圧に変換する電荷電圧変換回路を含み、前記電荷電圧変換回路は、前記フォトダイオードのアノードがゲートと接続されるトランジスタと、前記トランジスタのドレインと接続される定電流源と、を備え、前記遮光部は、少なくとも前記アノードと前記ゲートとの間を覆うことが好ましい。
このような構成によれば、増幅回路が上記電荷電圧変換回路を含むことにより、フォトダイオードからの出力信号を増幅できる。また、遮光部は、フォトダイオードのアノードとトランジスタのゲートとの間を覆うので、トランジスタのｐｎ接合部に光が入射することを抑制できる。従って、増幅回路の誤動作の発生を抑制できる。
【００１３】
上記第１態様では、前記増幅回路は、前記フォトダイオードから出力された電流を電圧に変換する電流電圧変換回路を含み、前記電流電圧変換回路は、前記フォトダイオードのアノードが接続される反転入力端子、グランドに接続される非反転入力端子、及び、変換された前記出力信号が出力される出力端子を有するオペアンプと、前記オペアンプとそれぞれ並列に設けられる抵抗及びコンデンサーと、を備え、前記遮光部は、少なくとも前記アノードと前記反転入力端子との間を覆うことが好ましい。
このような構成によれば、増幅回路が上記電流電圧変換回路を含むことにより、フォトダイオードからの出力信号を増幅できる。また、遮光部は、フォトダイオードのアノードとオペアンプの反転入力端子との間を覆うので、増幅回路に対する光の影響を低減できる他、反転入力端子に入力されるフォトダイオードの出力信号に対する光の影響を低減できる。
【００１４】
本発明の第２態様に係る受光モジュールは、上記受光素子と、前記受光素子から出力される信号を処理する処理回路と、前記受光素子及び前記処理回路が配置される基板と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、上記第１態様に係る受光素子と同様の効果を奏することができる。この他、受光素子からの出力信号は増幅された信号であるので、回路における信号減衰の影響を低減することができることから、基板における処理回路のレイアウト自由度を向上させることができる。
【００１５】
本発明の第３態様に係る光電センサーは、上記受光モジュールと、前記基板に設けられる発光素子と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、上記第２態様に係る受光モジュールと同様の効果を奏することができる。
【００１６】
上記第３態様では、前記発光素子と前記フォトダイオードとの間の距離は、前記発光素子と前記増幅回路における前記フォトダイオードからの出力信号の入力部位との間の距離より小さいことが好ましい。
なお、入力部位は、例えば、上記電荷電圧変換回路ではフォトダイオードのアノードが接続されるトランジスタのゲートが配置される部位であり、上記電流電圧変換回路においては、フォトダイオードのアノードが接続されるオペアンプの反転入力端子が配置される部位が挙げられる。
このような構成によれば、発光素子から検出対象に出射されて、検出対象にて反射された光をフォトダイオードに入射させやすくすることができる。これにより、光電センサーによる光の検出感度を高めることができる。また、増幅回路が、フォトダイオードより発光素子から離れた位置に配置されるので、発光素子から出射された光の増幅回路（特に上記入力部位）への影響を低減できる。
【００１７】
上記第３態様では、前記増幅回路は、前記フォトダイオードから前記発光素子に向かう方向に対して直交する方向に設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、発光素子とフォトダイオードとの間の距離を、発光素子と増幅回路の上記入力部位との間の距離より小さくできる。従って、光電センサーによる光の検出感度を高めることができる他、発光素子から出射された光の増幅回路への影響を低減できる。
【００１８】
上記第３態様では、前記増幅回路は、前記フォトダイオードに対して前記発光素子とは反対側の位置に設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、上記と同様に、発光素子とフォトダイオードとの間の距離を、発光素子と増幅回路の上記入力部位との間の距離より小さくすることができる。従って、光電センサーによる光の検出感度を高めることができる他、発光素子から出射された光の増幅回路への影響を低減できる。
【００１９】
上記第３態様では、前記発光素子と前記フォトダイオードとの間に設けられ、前記発光素子から前記フォトダイオードに直接入射する光を遮蔽する遮蔽部を有することが好ましい。
このような構成によれば、光電センサーによる光の検出精度を一層向上させることができる。
【００２０】
本発明の第４態様に係る生体情報測定装置は、上記光電センサーと、前記光電センサーから出力された信号に基づいて生体情報を決定する処理部と、を備えることを特徴とする。
このような構成によれば、上記第３態様に係る光電センサーと同様の効果を奏することができる。そして、これにより、増幅回路に誤動作が発生することを抑制できるので、信頼性の高い生体情報を測定することができる。従って、生体情報の測定精度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る生体情報測定装置を示す正面図。
【図２】上記第１実施形態における生体情報測定装置の背面部を示す図。
【図３】上記第１実施形態における生体情報測定装置の内部構成を示す図。
【図４】上記第１実施形態における受光素子の構成と、受光素子及び発光素子の位置関係とを示す図。
【図５】上記第１実施形態における増幅回路の構成を示す回路図。
【図６】上記第１実施形態における受光素子の一部を拡大して示す模式図。
【図７】上記第１実施形態における受光素子の断面を示す図。
【図８】上記第１実施形態における遮光部の配置位置の一例を示す図。
【図９】上記第１実施形態における遮光部の配置位置の他の一例を示す図。
【図１０】上記第１実施形態における受光素子の変形を示す回路図。
【図１１】上記第１実施形態におけるセンサー部の変形を示す模式図。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る生体情報測定装置が備える受光素子の層構造を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図面に基づいて説明する。
［生体情報測定装置の概略構成］
図１は、本実施形態に係る生体情報測定装置を示す正面図である。
本実施形態に係る生体情報測定装置１（以下、測定装置１と略す場合がある）は、ユーザーの体（生体）に装着されて利用されるウェアラブル機器であり、ユーザーの生体情報を測定する。具体的に、測定装置１は、ユーザーの手首等の被装着部位に装着されて利用され、生体情報の１つであるユーザーの脈波を検出し、生体情報の他の１つである脈拍数を測定する。測定装置１は、詳しくは後述するが、生体情報検出センサー６Ａの構成に、特徴の１つを有する。
測定装置１は、図１に示すように、ハウジング２及びバンドＢＮ１，ＢＮ２を備える。ハウジング２は、測定装置１が装着されたときにユーザーの体と接触する背面部２２と、測定された生体情報をユーザーが視認可能にするための表示窓を有する正面部２１と、を備える。
【００２３】
［バンドの構成］
バンドＢＮ１は、ハウジング２の一方の端部から延出し、バンドＢＮ２は、ハウジング２の他方の端部から延出している。すなわち、バンドＢＮ１，ＢＮ２は、ハウジング２において互いに反対側の端部から、それぞれ離間する方向に延出している。ハウジング２は、バンドＢＮ１，ＢＮ２が中留（図示省略）によって互いに連結されることによって、被装着部位に装着される。なお、バンドＢＮ１，ＢＮ２は、ハウジング２と一体的に形成されていてもよい。
【００２４】
以下の説明では、ハウジング２の正面部２１から背面部２２に向かう方向を＋Ｚ方向とする。また、＋Ｚ方向に直交し、かつ、互いに直交する方向を、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向とする。そして、図示を省略するが、−Ｚ方向、−Ｘ方向及び−Ｙ方向は、それぞれ＋Ｚ方向、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向の反対方向である。
本実施形態では、＋Ｙ方向を、−Ｚ方向側から見て、バンドＢＮ１の延出方向を＋Ｙ方向とする。また、＋Ｘ方向を、＋Ｙ方向が上方となるように測定装置１を−Ｚ方向側から見て、右側から左側に向かう方向とする。
これらのうち、＋Ｚ方向は、後述する生体情報検出センサー６のセンサー部６４を構成する発光素子６５が光を主に出射する方向でもあり、また、同じくセンサー部６４を構成する受光素子７のシリコン基板７１における表面７１Ａの法線に沿う方向でもある。
なお、以下の説明において、＋Ｚ方向側から対象を見ることを「平面視」という。
【００２５】
［ハウジングの構成］
ハウジング２は、正面部２１、背面部２２（図２参照）及び側面部２３を有する。
正面部２１は、測定装置１を装着したユーザーが、ハウジング２内に設けられた表示部ＤＰを視認可能にするための透光性カバー２１１を有する。
側面部２３は、−Ｘ方向側の部位に、操作部を構成する一対のボタンＢＴを有する。
【００２６】
図２は、測定装置１の背面部２２を示す図である。
背面部２２は、図２に示すように、背面部２２における＋Ｚ方向側の面であり、かつ、測定装置１がユーザーに装着された際にハウジング２において生体（ユーザーの体）に接触する接触面２２Ａを有する。
接触面２２Ａは、中央側が外縁側に比べて＋Ｚ方向側に膨出した湾曲形状に形成されている。接触面２２Ａの中央には、ハウジング２内に収容された生体情報検出センサー６Ａのセンサー部６４を外部に露出させる開口部２２１が形成されている。なお、生体情報検出センサー６Ａについては、後に詳述する。
【００２７】
［ハウジングの内部構成］
図３は、測定装置１の内部構成を示す図であり、詳しくは、ＹＺ平面と平行で、測定装置１の中央を通る断面を−Ｘ方向側から見た図である。
測定装置１は、上記の他、図３に示すように、それぞれハウジング２に収容される電池３、接続部材４、回路基板５及び生体情報検出センサー６Ａを有する。
電池３は、＋Ｚ方向において回路基板５と生体情報検出センサー６Ａの間に位置し、測定装置１を動作させる電力を供給する。電池は、本実施形態では、回路基板５による制御の下、外部から供給される電力によって充電される二次電池である。しかしながら、これに限らず、電池３は、一次電池であってもよい。
接続部材４は、回路基板５と生体情報検出センサー６Ａとを電気的に接続する部材である。本実施形態では、接続部材４は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits：フレキシブルプリント基板）により構成されているが、ケーブルやハーネス等の導通部材であってもよい。
【００２８】
［回路基板の構成］
回路基板５は、測定装置１全体を制御する制御基板であり、詳しい図示を省略するが、リジッド基板上に複数の回路素子が設けられた構成を有する。このような回路素子として、回路基板５は、加速度センサー、無線通信回路、表示制御回路、記憶回路及び制御回路を有する。
【００２９】
加速度センサーは、測定装置１に作用する加速度を検出し、検出された加速度を示す信号をユーザーの体動を示す体動信号として制御回路に出力する。なお、体動信号は、脈波信号に含まれる体動ノイズの除去にも利用される。体動ノイズの除去は、制御回路が脈波信号を解析して脈拍数を決定する際に実施される。
無線通信回路は、制御回路による制御の下、生体情報検出センサー６Ａ及び加速度センサーによる検出結果に基づく生体情報及び体動情報を外部機器に送信する他、外部機器から受信される情報を制御回路に出力する。
表示制御回路は、制御回路による制御の下、表示部ＤＰに所定の情報を表示させる。例えば、表示制御回路は、制御回路によって解析された脈拍数を表示部ＤＰに表示させる。
【００３０】
記憶回路は、フラッシュメモリー等の不揮発性メモリーによって構成され、測定装置１の動作に必要なプログラム及びデータを記憶している。この他、記憶回路は、生体情報検出センサー６Ａ及び加速度センサーによる検出結果、並びに、制御回路による解析結果を記憶する。
制御回路は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等の演算処理回路によって構成され、自律的に、或いは、ボタンＢＴ等の操作部に対するユーザーの入力操作に応じて測定装置１全体を制御する。例えば、制御回路は、生体情報検出センサー６Ａや加速度センサーによる検出結果に基づいて、生体情報を決定する。本実施形態では、制御回路は、生体情報検出センサー６Ａから入力される脈波信号、及び、加速度センサーから入力される体動信号に基づいて、ユーザーの生体情報の１つである脈拍数を決定する。すなわち、制御回路は、処理部として機能する。
また、制御回路は、決定された脈拍数を記憶回路に記憶させる他、必要に応じて、脈拍数を表示部ＤＰに表示させたり、無線通信回路によって外部機器に送信したりする。
【００３１】
［生体情報検出センサーの構成］
生体情報検出センサー６Ａは、反射型の光電センサーであり、測定装置１に例示される、生体情報を測定する生体情報測定装置に用いられる。詳述すると、生体情報検出センサー６Ａは、生体（例えばユーザーの体）に光を照射して、生体にて反射された反射光の受光光量の変化を示す信号を、生体情報を示す信号（例えば脈波信号）として出力する。
生体情報検出センサー６Ａは、基板６１、処理回路６２、コネクター６３及びセンサー部６４を有する。
【００３２】
［基板の構成］
基板６１は、＋Ｚ方向側の面である実装面６１Ａに、処理回路６２、コネクター６３及びセンサー部６４が設けられ、これらを支持する基板である。平面視での基板６１の形状は、＋Ｙ方向に長く、＋Ｘ方向に短い略矩形状であるが、適宜変更可能である。また、本実施形態では、基板６１は、リジッド基板であるが、ＦＰＣでもよい。
基板６１は、−Ｙ方向側の端部に、＋Ｙ方向側に凹む凹部６１１を有する。凹部６１１は、後述する凹部２２５との間に、上記接続部材４が挿通する隙間ＧＰを形成する。
このような基板６１は、背面部２２における−Ｚ方向側の内面２２Ｂから＋Ｚ方向側に凹んだ凹状の配置部２２２に、実装面６１Ａが＋Ｚ方向側を向くように配置される。
なお、基板６１において実装面６１Ａとは反対側の裏面６１Ｂには、回路素子が配設されていない。しかしながら、裏面６１Ｂに、所定の機能を有する回路素子が配設されていてもよい。
【００３３】
［処理回路の構成］
処理回路６２は、センサー部６４に対して＋Ｙ方向側に位置して、上記配置部２２２の底部２２２１から更に＋Ｚ方向側に凹んだ凹部２２３内に配置される。処理回路６２は、いわゆるＡＦＥ（Analog Front End）の機能の一部を有するものであり、センサー部６４を構成する受光素子７の出力信号を処理する。具体的に、処理回路６２は、受光素子７の出力信号に対して、ノイズ除去、二次増幅及びＡ／Ｄ変換等の処理を行う。すなわち、処理回路６２は、フィルター部、増幅部、Ａ／Ｄ変換部及び通信部を有する。そして、処理回路６２は、処理した信号を、コネクター６３に出力する。
【００３４】
［コネクターの構成］
コネクター６３は、センサー部６４に対して−Ｙ方向側に位置する。コネクター６３は、接続部材４と接続される接続部として機能するものであり、処理回路６２にて処理された信号を、接続部材４を介して回路基板５に出力する。
なお、コネクター６３は、上記配置部２２２の底部２２２１から更に＋Ｚ方向側に凹んだ凹部２２４内に配置される。凹部２２４は、配置部２２２において−Ｙ方向側に凹んだ凹部２２５と接続されている。そして、コネクター６３と一端が接続された接続部材４は、凹部６１１と凹部２２５との間の隙間ＧＰを通って、他端が回路基板５と接続される。
【００３５】
［センサー部の構成］
センサー部６４は、背面部２２における接触面２２Ａの略中央に位置し、生体に対する光の照射、及び、生体にて反射された光の受光を行い、受光光量に応じた信号を、生体情報を示す信号（例えば脈波信号）として出力する。
センサー部６４は、図２及び図３に示すように、光を出射する発光素子６５と、生体を介した光を受光する受光素子７と、遮蔽部６６と、封止部６７（図３）と、を有する。
これらのうち、受光素子７については、後に詳述する。なお、基板６１及び処理回路６２と、センサー部６４の受光素子７とによって、本発明の受光モジュールＲＭＡ（図３）が構成される。
【００３６】
発光素子６５は、生体に照射される光（検出光であり、例えば緑色光）を出射する。発光素子６５は、詳しい図示を省略するが、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の半導体素子と、発光素子を囲むように被覆する被覆部と、被覆部に設けられるレンズと、を有する。すなわち、発光素子６５は、パッケージ化されたＬＥＤチップである。
これらのうち、被覆部は、平面視で半導体素子の四方（±Ｘ方向側及び±Ｙ方向側）を囲む反射部と、半導体素子及び反射部の間に充填される透光性の密封用樹脂と、を有する。半導体素子から出射された光のうち、±Ｘ方向側及び±Ｙ方向側に出射された光は反射部によって＋Ｚ方向側に反射されて、レンズに入射される。なお、半導体素子から＋Ｚ方向側に出射された光も、レンズに入射される。このように半導体素子から出射されてレンズに入射された光は、レンズによって集光されて出射される。
【００３７】
遮蔽部６６は、発光素子６５と受光素子７との間に配置され、発光素子６５から出射されて、生体を介さずに受光素子７に直接向かう光を遮蔽する。なお、本実施形態では、遮蔽部６６は、発光素子６５と受光素子７との間に設けられた板状部材によって遮光壁として構成されている。しかしながら、これに限らず、遮蔽部６６は、平面視で受光素子７を囲む環状又は多角形状に形成されていてもよい。
【００３８】
封止部６７は、図３に示すように、発光素子６５、受光素子７及び遮蔽部６６を実装面６１Ａに封止して、これら発光素子６５、受光素子７及び遮蔽部６６を保護する。封止部６７は、背面部２２の開口部２２１を介してハウジング２の外部に露出される。すなわち、封止部６７は、＋Ｚ方向側から見て開口部２２１と一致する形状に形成されている。
封止部６７は、発光素子６５から出射された光、及び、受光素子７に入射される光を透過する透光性樹脂（封止樹脂）によって形成されている。
なお、封止とは、封止される対象である封止対象の全てが封止部６７内に包み込まれることを必ずしも意味するわけではない。例えば、封止部６７は、封止対象である発光素子６５及び受光素子７を封止部６７内に封入していれば、同じく封止対象である遮蔽部６６の一部が封止部６７外に露出していてもよい。
【００３９】
このような封止部６７は、＋Ｚ方向側の面であり、測定装置１が生体に装着された際に生体に接触する生体接触面６７１を有する。生体接触面６７１は、発光素子６５から出射された光が主に封止部６７外に出射される出射面でもあり、また、受光素子７に入射される光が外部（生体）から主に入射される入射面でもある。すなわち、生体接触面６７１は、封止部６７に対する光の入出射面である。
このような生体接触面６７１は、＋Ｚ方向側から見た場合の中央部が外縁側より＋Ｚ方向に膨出した凸曲面状に形成されている。生体接触面６７１の形状は、発光素子６５から出射された光を集光して生体に照射することを意図した形状である。
【００４０】
ここで、遮蔽部６６における実装面６１Ａからの突出方向（＋Ｚ方向）の先端部６６１は、発光素子６５における＋Ｚ方向側の端部と生体接触面６７１との間に位置している。これにより、封止部６７による測定装置１の防水性及び防塵性を向上させている。
しかしながら、これに限らず、先端部６６１の位置は、生体接触面６７１と略一致するか、或いは、生体接触面６７１より＋Ｚ方向側であってもよい。この場合、測定装置１の防水性及び防塵性が低下する可能性があるものの、発光素子６５から出射された光が、界面である生体接触面６７１にて内面反射されて、受光素子７に直接入射されてしまう光を遮蔽できる。
【００４１】
［受光素子の構成］
図４は、受光素子７の構成と、受光素子７及び発光素子６５の位置関係とを示す図である。
受光素子７は、生体にて反射された光を受光して、受光光量に応じた信号を増幅して出力する。受光素子７は、図４に示すように、シリコン基板７１と、シリコン基板７１の表面７１Ａにそれぞれ設けられたフォトダイオード７２及び増幅回路７３と、を有する。すなわち、受光素子７は、フォトダイオード７２及び増幅回路７３が併設された１つのチップである。
シリコン基板７１は、＋Ｘ方向に長く、＋Ｙ方向に短い略長方形状に形成されたｎ型のシリコンウェハである。シリコン基板７１の第１面としての表面７１Ａにおける−Ｘ方向側の部位にフォトダイオード７２が形成され、＋Ｘ方向側の部位に増幅回路７３が形成されている。
【００４２】
フォトダイオード７２は、増幅回路７３と電気的に接続されており、受光した光量に応じた信号を増幅回路７３に出力する。フォトダイオード７２は、＋Ｙ方向側から見て、シリコン基板７１において発光素子６５と重なる領域に設けられている。一方、増幅回路７３は、シリコン基板７１において発光素子６５と重ならない領域に設けられている。換言すると、増幅回路７３は、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向である−Ｙ方向に対して直交する方向である＋Ｘ方向に設けられている。
このため、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の距離Ｌ１は、発光素子６５と増幅回路７３においてフォトダイオード７２からの出力信号の入力部位Ｃ７３との間の距離Ｌ２より小さい。詳述すると、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の最短距離は、発光素子６５と増幅回路７３の入力部位Ｃ７３との間の最短距離より小さい。
このようなフォトダイオード７２の構成については、後に詳述する。
なお、図４において示される入力部位Ｃ７３の位置は一例であり、適宜変更可能である。しかしながら、増幅回路７３が、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向に対して直交する方向に設けられていることにより、入力部位Ｃ７３が増幅回路７３においてどの位置に設けられていても、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の最短距離は、発光素子６５と増幅回路７３の入力部位Ｃ７３との間の最短距離より小さい。
【００４３】
図５は、増幅回路７３の構成を示す回路図である。
増幅回路７３は、フォトダイオード７２の出力信号を増幅する初段増幅回路である。本実施形態では、増幅回路７３は、図５に示すように、それぞれＮチャンネルＭＯＳＦＥＴである２つのトランジスタＴＲ１，ＴＲ２と、定電流源ＣＳと、を有する電荷電圧変換回路ＣＲ１を含んで構成されている。
トランジスタＴＲ１のゲートは、上記入力部位Ｃ７３に対応する部位であり、フォトダイオード７２のアノードと接続され、ソースは、Ｖｓｓと接続され、ドレインは、定電流源及びＳＦＯＵＴと接続される。
トランジスタＴＲ２のゲートは、リセット回路と接続され、ソースは、Ｖｓｓと接続され、ドレインは、フォトダイオード７２のアノード及びトランジスタＴＲ１のゲートと接続されている。
【００４４】
電荷電圧変換回路ＣＲ１では、フォトダイオード７２から出力された電荷は、トランジスタＴＲ１のゲートに印加される。そして、トランジスタＴＲ１のゲートに印加された電荷量に応じた電圧の電流が、定電流源から電荷電圧変換回路ＣＲ１の出力として出力される。これにより、フォトダイオード７２の出力信号の信号レベルが増幅されて出力される。
なお、トランジスタＴＲ２のゲートに接続されるリセット回路は、蓄積された電荷を放電させるリセット動作を定期的に実行する。
このような電荷電圧変換回路ＣＲ１は、蓄積された電荷を放電する必要があることから、電荷電圧変換の高速化が難しい。しかしながら、脈波信号のように、サンプリング周波数が低くても信号波形に追従できる信号の増幅には、電荷電圧変換の十分な速度を確保できる。この他、リセット動作の周期を長くすることにより、フォトダイオード７２の面積を小さくでき、受光素子７の小型化を図ることも可能である。
【００４５】
［受光素子の構造］
図６は、受光素子７の一部を拡大して示す模式図であり、図５において一点鎖線にて示した部位の構成を示す模式図である。また、図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線における受光素子７の断面を示す図であり、受光素子７の層構造を示す図である。なお、図７においては、受光素子７の一部の構成を視認可能な程度に拡大表示している。
本実施形態におけるフォトダイオード７２は、ＰＮフォトダイオードであり、図６及び図７に示すように、ｎ型半導体であるシリコン基板７１に形成されたｐ層７２１と、アノード電極７２３と、カソード電極７２４と、を有する。
【００４６】
ｐ層７２１と、シリコン基板７１のｎ層７１１との間には、ｐｎ接合部７２２が形成される。
アノード電極７２３は、アルミニウム層によって形成されている。アノード電極７２３の一端は、ｐ層７２１を覆う第１絶縁層ＬＹ１に設けられたスルーホールＴＨ１を介して、ｐ層７２１と接続されている。また、アノード電極７２３の他端は、増幅回路７３を構成するトランジスタＴＲ１のゲートとして機能する酸化絶縁層７３４と接続される。
【００４７】
カソード電極７２４も、アルミニウム層によって形成されている。カソード電極７２４の一端は、第１絶縁層ＬＹ１に設けられたスルーホールＴＨ２を介して、シリコン基板７１のｎ層７１１と接続される。また、カソード電極７２４の他端は、パッドを含む電極ＥＬ１と接続される。
なお、第１絶縁層ＬＹ１及び第２絶縁層ＬＹ２のそれぞれは、本実施形態では、光透過性を有するＳｉＯ２層である。
このようなフォトダイオード７２に光が照射されると、ｐｎ接合部７２２にて光起電力効果によって電流が発生し、アノード電極７２３から、受光光量に応じた電流が増幅回路７３に出力される。
【００４８】
増幅回路７３のトランジスタＴＲ１は、シリコン基板７１に形成されたｐ層７３１と、ｐ層７３１に形成された２つのｎ層７３２，７３３と、ｐ層７３１上で２つのｎ層７３２，７３３のそれぞれの一部を覆う酸化絶縁層７３４と、を有する。
これらのうち、酸化絶縁層７３４は、トランジスタＴＲ１のゲートとして機能する。酸化絶縁層７３４は、第１絶縁層ＬＹ１に設けられたスルーホールＴＨ３を介して、フォトダイオード７２のアノード電極７２３と接続される。
ｎ層７３２は、トランジスタＴＲ１のソースとして機能する。ｎ層７３２は、図６に示すように、アルミニウム層である導電層ＴＲ１１を介して電極ＥＬ２と接続される。
ｎ層７３３は、トランジスタＴＲ１のドレインとして機能する。ｎ層７３３は、図６及び図７に示すように、第１絶縁層ＬＹ１に設けられたスルーホールＴＨ４を介して、アルミニウム層である導電層ＴＲ１２を介して、パッドを含む電極ＥＬ３と接続される。
【００４９】
［遮光部の構成］
ここで、受光素子７は、上記のように、フォトダイオード７２が受光して出力した信号を、増幅回路７３が増幅して出力する受光チップである。しかしながら、増幅回路７３に光が入射されると、増幅回路７３が誤動作する可能性がある。
これに対し、受光素子７は、上記構成に加えて、図７に示すように、増幅回路７３の少なくとも一部を＋Ｚ方向側にて覆う遮光部７４と、遮光部７４を更に＋Ｚ方向側にて覆う保護部７５と、を有する。
【００５０】
遮光部７４は、第２絶縁層ＬＹ２を＋Ｚ方向側にて覆う遮光層である。遮光層は、本実施形態ではアルミニウム層であるが、他の材料によって形成された遮光層であってもよい。なお、遮光層がアルミニウム層である場合には、アノード電極７２３及びカソード電極７２４や、導電層ＴＲ１１，ＴＲ１２と同様の形成工程により形成できるので、遮光層の形成工程が煩雑化することを抑制できる。
【００５１】
［保護部の構成］
保護部７５は、遮光部７４より広範囲に形成された保護層であり、保護部７５の一部は、遮光部７４だけでなく、フォトダイオード７２も＋Ｚ方向側にて覆う。保護部７５は、フォトダイオード７２及び増幅回路７３を保護するとともに、アルミニウム層を含む遮光部７４を絶縁する。なお、保護部７５は、上記絶縁層ＬＹ１，ＬＹ２と同様にＳｉＯ２によって形成できる。これにより、上記遮光部７４と同様に、保護部７５の形成工程が煩雑化することを抑制できる。しかしながら、保護部７５は、他の材料によって形成されてもよい。例えば、保護部７５が、フォトダイオード７２を覆わないのであれば、保護部７５は、透光性を有しない材料によって形成されてもよい。また、遮光部７４が絶縁体によって形成されている場合等においては、保護部７５は無くてもよい。
【００５２】
［遮光部の配置位置］
図８は、遮光部７４の配置位置の一例を示す図である。なお、図８において、遮光部７４は、斜線が付された領域によって示されている。
ここで、遮光部７４の位置について説明する。
遮光部７４は、受光素子７に入射される光の想定強度に応じて配置範囲を設定できる。
例えば、想定強度が５００ルクス未満である場合には、図８に示すように、フォトダイオード７２の出力から増幅回路７３を構成するトランジスタＴＲ１のゲートまでの範囲が覆われるように、遮光部７４を設けることが考えられる。具体的に、想定強度が５００ルクス未満である場合には、フォトダイオード７２のｐ層７２１における増幅回路７３側（トランジスタＴＲ１側）の端部から、トランジスタＴＲ１のフォトダイオード７２側に位置するｎ層７３２におけるフォトダイオード７２側（ｐ層７２１側）の端部の範囲が覆われるように、遮光部７４を設けることが考えられる。これによって、増幅回路７３への光の影響を抑制できる。
この場合でも、図７に示すように、トランジスタＴＲ１のｐ層７３１においてフォトダイオード７２側の部位とシリコン基板７１のｎ層７１１との間に位置するｐｎ接合部７３５が、遮光部７４によって覆われる。
【００５３】
図９は、遮光部７４の配置位置の他の一例を示す図である。なお、図９においても、遮光部７４は、斜線が付された領域によって示されている。
例えば、想定強度が５０００ルクス未満である場合には、図９に示すように、フォトダイオード７２の出力からトランジスタＴＲ１全体が覆われるように、遮光部７４を設けることが考えられる。具体的に、想定強度が５０００ルクス未満である場合には、フォトダイオード７２のｐ層７２１における増幅回路７３側（トランジスタＴＲ１側）の端部から、トランジスタＴＲ１のドレインと接続される電極ＥＬ３におけるフォトダイオード７２側の端部までの範囲が覆われるように、遮光部７４を設けることが考えられる。
また例えば、想定強度が１万ルクス未満である場合には、図示を省略するが、フォトダイオード７２の出力から増幅回路７３全体が覆われるように、遮光部７４を設けることが考えられる。
【００５４】
なお、遮光部７４は、複数層設けてもよい。例えば、想定強度が１万ルクス以上である場合には、フォトダイオード７２の出力から増幅回路７３全体が覆われるように、遮光部７４を複数層設けてもよい。
シリコン基板上に形成されるアルミニウム層は、層厚が比較的小さいので、入射された光の一部がアルミニウム層を通過してしまう可能性が考えられる。特に、直射日光が入射される場合等、入射光の強度が高い場合には、入射光の一部がアルミニウム層を通過することが考えられる。
これに対し、遮光部７４を複数層設けることによって、透過される光を確実に低減できるので、増幅回路７３に対する光の影響を確実に低減できる。なお、遮光部７４を複数層設ける場合には、層間に保護部７５が介装されるようにすることが、絶縁及び製造の観点から好ましい。
このように遮光部７４を設けることによって、増幅回路７３に直接入射される光を遮蔽でき、増幅回路７３に対する光の影響を抑制できる。
【００５５】
［遮光部の端部と増幅回路のｐｎ接合部との位置関係］
以上、増幅回路７３の少なくとも一部を覆うように遮光部７４を設けることについて説明した。一方で、受光素子７に入射される光は、常にシリコン基板７１の表面７１Ａの法線に沿って（−Ｚ方向に沿って）入射される訳ではなく、表面７１Ａに対して斜方入射する可能性がある他、受光素子７を形成するＳｉＯ２層等の層構造を通過する際の屈折や、遮光部７４の端部近傍を通過する際の回折によって、光の進行方向は僅かながら曲がる可能性がある。これらの光による増幅回路７３への影響を低減するために、本実施形態では、受光素子７に入射される光の想定強度に応じて、遮光部７４の平面視での端部の位置を設定している。
【００５６】
例えば、図７に示すように、トランジスタＴＲ１が有するｐ層７３１及びシリコン基板７１のｎ層７１１により形成されるｐｎ接合部７３５と、遮光部７４の端部７４１との間の平面視での距離を、距離Ｌ３とすると、想定強度によって以下のように、距離Ｌ３を設定できる。
想定強度が１０００ルクス未満である場合には、距離Ｌ３は１００μｍに設定できる。
想定強度が１万ルクス未満である場合には、距離Ｌ３は２００μｍに設定できる。
想定強度が１万ルクス以上である場合には、距離Ｌ３は３００μｍに設定できる。
【００５７】
このように設定される距離Ｌ３の分だけ、平面視でｐ層７３１の中心から外側に向かう方向にｐｎ接合部７３５から遮光部７４の端部７４１が離れている。すなわち、遮光部７４の端部７４１は、平面視で上記距離Ｌ３、ｐｎ接合部７３５から増幅回路７３の外側に離れた位置に配置される。換言すると、遮光部７４の端部７４１は、表面７１Ａの法線方向に直交する方向からの断面視において、ｐｎ接合部７３５とフォトダイオード７２との間に位置する。
このことにより、上記想定強度の光が入射された場合でも、遮光部７４の端部から光がｐｎ接合部７３５に回り込んで、増幅回路７３に悪影響が生じることが抑制される。
なお、想定強度に依らずに、上記距離Ｌ３を３００μｍより大きな距離とすることも可能である。しかしながら、この場合には、遮光部７４がフォトダイオード７２の一部を覆う可能性が生じる他、フォトダイオード７２とトランジスタＴＲ１との間の距離が大きくなってフォトダイオード７２からトランジスタＴＲ１に入力される信号が減衰する可能性が生じる。このため、上記距離Ｌ３は、３００μｍ以下とすることが好ましい。
【００５８】
［フォトダイオードのｐｎ接合部と増幅回路のｐｎ接合部との間の距離］
上記のように、フォトダイオード７２に光が入射すると、アノード電極７２３に電流が流れる。しかしながら、光の入射によってｐｎ接合部７２２近傍の空乏層にて生じた電子の一部が、シリコン基板７１のｎ層７１１を移動して、増幅回路７３のｐｎ接合部（例えばトランジスタＴＲ１のｐｎ接合部７３５）に到達する可能性がある。仮に、電子が増幅回路７３のｐｎ接合部近傍に到達した場合、当該電子に起因する電流が発生する等して、増幅回路７３が誤動作する場合がある。
【００５９】
これに対し、本実施形態では、フォトダイオード７２のｐｎ接合部７２２と、増幅回路７３が有するｐｎ接合部との間の平面視での距離は、１００μｍ以上、３００μｍ以下の距離に設定されている。例えば、図７に示すように、増幅回路７３においてフォトダイオード７２のｐｎ接合部７２２と最も近いｐｎ接合部が、トランジスタＴＲ１のｐｎ接合部７３５であるとすると、ｐｎ接合部７２２とｐｎ接合部７３５との間の平面視での距離Ｌ４は、１００μｍ以上、３００μｍ以下の範囲の距離に設定される。
これにより、フォトダイオード７２から漏れ出る電子が増幅回路７３のｐｎ接合部に到達することを抑制でき、増幅回路７３が誤動作することを抑制できる。
なお、上記距離Ｌ４を３００μｍより大きな距離とすることも可能である。しかしながら、この場合、上記と同様に、フォトダイオード７２とトランジスタＴＲ１との間の距離が大きくなってフォトダイオード７２からトランジスタＴＲ１に入力される信号が減衰する可能性が生じる。このため、上記距離Ｌ４は、３００μｍ以下とすることが好ましい。
【００６０】
［第１実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係る生体情報測定装置１には、以下の効果がある。
受光素子７は、シリコン基板７１に、フォトダイオード７２と、フォトダイオード７２からの出力信号を増幅する増幅回路７３と、増幅回路７３の少なくとも一部を覆い、光を遮蔽する遮光部７４と、が設けられた構成を有する。これによれば、遮光部７４によって、増幅回路７３に光が入射することを抑制できる。従って、増幅回路７３の誤動作の発生を抑制できる。
【００６１】
また、受光素子７と、受光素子７の出力信号を処理する処理回路６２と、受光素子７及び処理回路６２が配置される基板６１と、を備える受光モジュールＲＭＡは、受光素子７による効果を奏することができる他、回路における信号減衰の影響を低減することができることから、基板６１における処理回路６２のレイアウト自由度を向上させることができる。発光素子６５と、上記受光モジュールとを備える光電センサーとしての生体情報検出センサー６Ａも、同様である。
更に、生体情報測定装置１は、生体情報検出センサー６Ａと、生体情報検出センサー６Ａから出力された脈波信号に基づいて生体情報である脈拍数を決定する回路基板５と、を備えるので、生体情報の測定精度を向上させることができる。
【００６２】
遮光部７４は、アルミニウム層を含む。これによれば、比較的簡易な構成によって、遮光部７４を構成できる。また、シリコン基板７１上にフォトダイオード７２のアノード電極７２３及びカソード電極７２４、並びに、増幅回路７３の導電層ＴＲ１１，ＴＲ１２等の配線部は、アルミニウム層によって形成されているので、同様の手順によって遮光部７４を形成できる。同様に、保護部７５は、受光素子７に形成される絶縁層ＬＹ１，ＬＹ２と同様にＳｉＯ２層であるので、保護部７５も絶縁層ＬＹ１，ＬＹ２と同様の手順によって形成できる。従って、他の材料によって形成する場合に比べて、遮光部７４を簡易に形成できる。
【００６３】
ここで、受光素子７に入射される光の一部は、回折等によって遮光部７４の端部を回り込み、遮光部７４によって少なくとも一部が覆われる増幅回路７３に向かって進行する可能性がある。そして、増幅回路７３が有するｐｎ接合部（例えばｐｎ接合部７３５）に光が入射すると、光起電力効果によって電流が発生し、増幅回路７３に誤動作が生じる可能性がある。
これに対し、増幅回路７３は、シリコン基板７１の第１面としての表面７１Ａに形成されるｐｎ接合部７３５を有し、表面７１Ａの法線方向に直交する方向からの断面視において、ｐｎ接合部７３５とフォトダイオード７２との間に位置する。これによれば、遮光部７４の端部を回り込んだ光がｐｎ接合部７３５に入射される可能性を低減でき、ｐｎ接合部７３５にて意図しない電流が生じることを抑制できる。従って、増幅回路７３の誤動作を抑制できる。
【００６４】
遮光部７４の端部７４１は、平面視で、１００μｍ以上、３００μｍ以下の距離Ｌ３、ｐｎ接合部７３５から増幅回路７３の外側に離れた位置に配置されている。これによれば、遮光部７４の端部７４１を回り込んで増幅回路７３のｐｎ接合部７３５に光が入射されることを抑制できる。従って、増幅回路７３の誤動作をより効果的に抑制できる。
また、距離Ｌ３が３００μｍを超えないので、フォトダイオード７２の近くに増幅回路７３を配置できる。これにより、増幅回路７３に入力されるフォトダイオード７２の出力信号が減衰することを抑制でき、増幅回路７３によってフォトダイオード７２の出力信号を増幅できる。
【００６５】
増幅回路７３は、フォトダイオード７２から出力された電荷を電圧に変換する電荷電圧変換回路ＣＲ１を含む。電荷電圧変換回路ＣＲ１は、フォトダイオード７２のアノードがゲートと接続されるトランジスタＴＲ１と、トランジスタＴＲ１のドレインと接続される定電流源ＣＳと、を備える。そして、遮光部７４は、少なくともアノードとゲートとの間を覆う。これによれば、増幅回路７３がフォトダイオードからの出力信号を増幅できる。また、遮光部７４が、フォトダイオード７２のアノードとトランジスタＴＲ１のゲートとの間を覆うので、トランジスタＴＲ１のｐｎ接合部７３５に光が入射することを抑制できる。従って、増幅回路７３の誤動作の発生を抑制できる。
【００６６】
センサー部６４において、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の距離Ｌ１は、発光素子６５と増幅回路７３の入力部位Ｃ７３との間の距離Ｌ２より小さい。これによれば、発光素子６５から検出対象である生体に出射されて、生体にて反射された光をフォトダイオード７２に入射させやすくすることができる。これにより、光電センサーとしての生体情報検出センサー６Ａによる光の検出感度、ひいては、生体情報の検出感度を高めることができる。また、増幅回路７３が、フォトダイオード７２より発光素子６５から離れた位置に配置されるので、発光素子６５から出射された光の増幅回路７３への影響を低減できる。
【００６７】
増幅回路７３は、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向に対して直交する方向に設けられている。これによれば、それぞれ上記した距離Ｌ１を距離Ｌ２より小さくできる。従って、生体情報検出センサー６Ａによる光の検出感度、ひいては、生体情報の検出感度を高めることができる他、発光素子６５から出射された光の増幅回路７３への影響を低減できる。
【００６８】
センサー部６４は、発光素子６５とフォトダイオード７２との間に設けられ、発光素子６５からフォトダイオード７２に直接入射する光を遮蔽する遮蔽部６６を有する。これによれば、発光素子６５からフォトダイオード７２に直接入射される光を遮蔽部６６によって遮蔽できる。従って、生体情報検出センサー６Ａによる光の検出感度、ひいては、生体情報の検出感度を高めることができる。
【００６９】
［第１実施形態の第１変形例］
生体情報測定装置１では、増幅回路７３は、電荷電圧変換回路ＣＲ１を有し、フォトダイオード７２のアノード電極７２３は、トランジスタＴＲ１のゲートに接続されるとした。しかしながら、これに限らず、増幅回路が、フォトダイオードからの出力信号を増幅できれば、増幅回路の構成は、上記に限定されない。
【００７０】
図１０は、受光素子７の変形である受光素子７Ａを示す回路図である。
例えば、図１０に示す受光素子７Ａを、受光素子７に代えてセンサー部６４、ひいては、生体情報検出センサー６Ａに採用してもよい。
受光素子７Ａは、増幅回路７３に代えて増幅回路７３Ａを有する他は、受光素子７と同様の構成を有する。
増幅回路７３Ａは、増幅回路７３と同様に、フォトダイオード７２からの出力信号を増幅する。増幅回路７３Ａは、オペアンプＡＭ、抵抗ＲＥ及びコンデンサーＣＮを有する電流電圧変換回路ＣＲ２を含む。
オペアンプＡＭは、フォトダイオード７２のアノードが接続される反転入力端子と、グランドに接続される非反転入力端子と、出力端子を有する。オペアンプＡＭの反転入力端子は、上記入力部位Ｃ７３に対応する部位である。
抵抗ＲＥは、オペアンプＡＭに対して並列に接続されている。詳述すると、抵抗ＲＥは、フォトダイオード７２のアノードとオペアンプＡＭの反転入力端子とを結ぶ入力線ＣＷ１と、オペアンプＡＭの出力端子から延びる出力線ＣＷ２とに接続されている。
コンデンサーＣＮは、抵抗ＲＥと同様に、オペアンプＡＭに対して並列に接続されている。詳述すると、コンデンサーＣＮは、入力線ＣＷ１及び出力線ＣＷ２と接続されている。コンデンサーＣＮは、電流電圧変換回路ＣＲ２での発振を抑制する。
【００７１】
このような電流電圧変換回路ＣＲ２は、抵抗ＲＥの抵抗値によってフォトダイオード７２の出力信号の増幅率が決定され、増幅された出力信号が出力線ＣＷ２に出力される。
このため、抵抗ＲＥ及びコンデンサーＣＮのうち少なくとも抵抗ＲＥは、受光素子７に対して外付けされていてもよい。また、抵抗ＲＥは、可変抵抗であってもよい。この場合、出力線ＣＷ２から入力される出力信号の信号レベルに応じて、抵抗ＲＥの抵抗値、すなわち、オペアンプＡＭによる増幅率を変更するＡＧＣ（Automatic Gain Control）回路が、電流電圧変換回路ＣＲ２に設けられていてもよい。
このような増幅回路７３Ａによっても、上記増幅回路７３と同様に、フォトダイオード７２からの出力信号を増幅できる。
【００７２】
そして、受光素子７Ａにおいても、遮光部７４は、例えば以下のように設けられる。
上記想定強度が５００ルクス未満である場合には、遮光部７４は、フォトダイオード７２の出力（例えばｐ層７２１における増幅回路７３側の端部）からオペアンプＡＭの反転入力端子までの範囲が覆われるように設けられる。
上記想定強度が５０００ルクス未満である場合には、遮光部７４は、フォトダイオード７２の出力からオペアンプＡＭ全体が覆われるように設けられる。
上記想定強度が１万ルクス未満である場合には、遮光部７４は、フォトダイオード７２の出力から増幅回路７３Ａ全体が覆われるように設けられる。
上記想定強度が１万ルクス以上である場合には、遮光部７４は、フォトダイオード７２の出力から増幅回路７３Ａ全体が覆われるように複数層設けられる。
このように、遮光部７４は、フォトダイオード７２のアノードとオペアンプＡＭの反転入力端子との間を覆うので、増幅回路７３Ａに対する光の影響を低減できる他、反転入力端子に入力されるフォトダイオード７２の出力信号に対する光の影響を低減できる。従って、受光素子７Ａを備える生体情報測定装置１によっても、受光素子７を備える生体情報測定装置１と同様の効果を奏することができる。
【００７３】
［第１実施形態の第２変形例］
生体情報測定装置１のセンサー部６４では、発光素子６５は、フォトダイオード７２に対して−Ｙ方向側に位置し、増幅回路７３は、フォトダイオード７２に対して＋Ｘ方向側に位置するとした。しかしながら、増幅回路の向きは、他の向きでもよい。
【００７４】
図１１は、センサー部６４の変形であるセンサー部６４Ａの一部を示す模式図である。
例えば、図１１に示すセンサー部６４Ａをセンサー部６４に代えて生体情報検出センサー６Ａに採用してもよい。
センサー部６４Ａは、センサー部６４と同様に、発光素子６５、遮蔽部６６及び受光素子７と、透光性の封止樹脂によって形成され、これら発光素子６５、遮蔽部６６及び受光素子７を封止する封止部６７と、を有する。なお、遮蔽部６６は、発光素子６５と受光素子７との間に配置されている。
センサー部６４Ａにおいて受光素子７は、平面視で増幅回路７３がフォトダイオード７２に対して発光素子６５とは反対側の位置に設けられるように配置される。すなわち、センサー部６４Ａにおいても、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の距離Ｌ１は、発光素子６５と増幅回路７３の入力部位Ｃ７３との間の距離Ｌ２より小さい。なお、図１１に示される入力部位Ｃ７３の位置も一例である。
このような向きに受光素子７が配置されることにより、上記したセンサー部６４のレイアウトと同様に、フォトダイオード７２に、発光素子６５から出射されて、生体を介した光を入射させやすくすることができるので、生体情報検出センサー６Ａによる光の検出感度を高めることができる。この他、発光素子６５から出射された光が増幅回路７３に入射されることを抑制できるので、光の入射による増幅回路７３の誤動作を抑制できる。
【００７５】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
本実施形態に係る生体情報測定装置は、第１実施形態にて示した生体情報測定装置１と同様の構成を備えるが、受光素子がフォトダイオードから増幅回路に向かって移動する電子を遮断する遮断部を有する点で、生体情報測定装置１とは相違する。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同一又は略同一である部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
図１２は、本実施形態に係る生体情報測定装置が備える受光素子７Ｂの層構造を示す模式図である。なお、図１２においては、受光素子７Ｂの一部の構成を視認可能な程度に拡大表示している。
本実施形態に係る生体情報測定装置は、受光素子７に代えて受光素子７Ｂを有する他、生体情報測定装置１と同様の構成及び機能を有する。すなわち、本実施形態に係る生体情報測定装置は、受光素子７Ｂを有する生体情報検出センサー６Ｂを、光電センサーとして備える。そして、受光素子７Ｂと、受光素子７Ｂの出力信号を処理する処理回路６２と、受光素子７Ｂ及び処理回路６２が配置される基板６１とにより、受光モジュールＲＭＢが構成される。
受光素子７Ｂは、図１２に示すように、シリコン基板７１と、シリコン基板７１にそれぞれ設けられるフォトダイオード７２、増幅回路７３、遮光部７４及び保護部７５とを有する他、遮断部７６を有する。なお、受光素子７Ｂは、電荷電圧変換回路ＣＲ１を含む増幅回路７３に代えて、電流電圧変換回路ＣＲ２を含む増幅回路７３Ａを有する構成としてもよい。また、発光素子６５に対する受光素子７Ｂの向きは、センサー部６４と同様であってもよく、センサー部６４Ａと同様であってもよい。
【００７７】
遮断部７６は、フォトダイオード７２と増幅回路７３との間に配置されている。詳述すると、遮断部７６は、シリコン基板７１においてフォトダイオード７２のｐｎ接合部７２２と、増幅回路７３においてｐｎ接合部７２２に最も近いｐｎ接合部との間に配置され、ｐｎ接合部７２２から増幅回路７３のｐｎ接合部に向かう電子を遮断する。
詳述すると、遮断部７６は、増幅回路７３のグランドと接続されている。そして、例えばｐｎ接合部７２２からシリコン基板７１のｎ層７１１を増幅回路７３のｐｎ接合部に向かって移動する電子を、増幅回路７３のグランドに流すことによって、当該電子が増幅回路７３のｐｎ接合部に到達することを抑制する。すなわち、遮断部７６は、電子捕獲部と言うこともできる。
【００７８】
本実施形態では、増幅回路７３において、ｐｎ接合部７２２に最も近いｐｎ接合部は、トランジスタＴＲ１のｐｎ接合部７３５である。このため、遮断部７６は、ｐｎ接合部７２２とｐｎ接合部７３５との間に配置されている。また、遮断部７６は、受光素子７Ｂの平面視で、遮光部７４によって覆われる部位に設けられる。
このような遮断部７６は、シリコン基板７１に形成され、増幅回路７３のグランドと接続されるダイオードである。
【００７９】
［第２実施形態の効果］
以上説明した本実施形態に係る生体情報測定装置は、生体情報測定装置１と同様の効果を奏する他、以下の効果を奏することができる。
フォトダイオードのｐｎ接合部にて生じた電子が、シリコン基板内を移動して、増幅回路のｐｎ接合部に到達すると、増幅回路内で電流が発生して、増幅回路が誤動作する。
これに対し、受光素子７Ｂは、シリコン基板７１においてフォトダイオード７２と増幅回路７３との間に設けられ、グランドに接続されて、シリコン基板７１内を増幅回路７３に向かって移動する電子を遮断する遮断部７６を有する。これによれば、フォトダイオード７２から増幅回路７３に向かって移動する電子が増幅回路７３のｐｎ接合部（例えばｐｎ接合部７３５）に到達することを抑制できる。従って、増幅回路７３の誤動作を効果的に抑制できる。
【００８０】
遮断部７６は、増幅回路７３のグランドに接続されるダイオードである。これによれば、遮断部７６を簡易に構成できる他、増幅回路７３に向かってシリコン基板７１内を移動する電子を遮断できる。従って、増幅回路７３の誤動作をより効果的に抑制できる。
【００８１】
［実施形態の変形］
本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
上記各実施形態では、遮光部７４は、増幅回路７３におけるトランジスタＴＲ１のゲート又はオペアンプＡＭの反転入力端子を主に覆うとした。しかしながら、これに限らず、遮光部７４の配置位置は、上記に限定されない他、遮光部７４の構成及び材料も、適宜変更可能である。例えば、上記のように、遮光部７４は、アルミニウム層を含む構成でなくてもよく、他の金属層又は樹脂層を含む構成であってもよい。この他、遮光部７４は、アルミニウム層と他の金属層又は樹脂層とが含まれる複数層を有する構成であってもよい。
また、シリコン基板７１は、ｎ型シリコンウェハであるとしたが、ｐ型シリコンウェハであってもよい。
【００８２】
上記各実施形態では、遮光部７４の端部７４１と、増幅回路７３のｐｎ接合部７３５との間の平面視での距離Ｌ３は、１００μｍ以上、３００μｍ以下であるとした。しかしながら、これに限らず、距離Ｌ３は、適宜変更してよい。例えば、外光が略入射されない環境下で光電センサーが利用される場合には、距離Ｌ３は、１００μｍ未満の値に設定されていてもよい。すなわち、距離Ｌ３は、０であってもよい。また、発光素子６５の出射光の強度が高く、フォトダイオード７２からの出力信号の信号レベルが高い場合等においては、距離Ｌ３は、３００μｍを超える値であってもよい。
【００８３】
上記第２実施形態では、遮断部７６は、ダイオードによって構成されるとした。しかしながら、これに限らず、シリコン基板７１内を増幅回路７３，７３Ａ側に移動する電子を遮断できれば、遮断部７６は、ダイオードに限定されず、抵抗等の他の構成であってもよい。
また、遮断部７６が接続されるグランドは、増幅回路７３のグランドであるとした。しかしながら、これに限らず、遮断部７６が接続されるグランドを、受光素子に別途設けてもよい。
【００８４】
上記各実施形態では、増幅回路７３は、電荷電圧変換回路ＣＲ１を含むとし、増幅回路７３Ａは、電流電圧変換回路ＣＲ２を含むとした。しかしながら、これに限らず、フォトダイオード７２の出力信号を増幅できれば、増幅回路の構成は、上記に限定されない。
【００８５】
上記各実施形態では、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂは、基板６１、処理回路６２、コネクター６３及びセンサー部６４，６４Ａを備え、センサー部６４，６４Ａは、発光素子６５、遮蔽部６６、封止部６７及び受光素子７，７Ａ，７Ｂを有するとした。これらのうち、処理回路６２及び受光素子７，７Ａ，７Ｂを基板６１に設けることによって、これらを受光モジュールとして構成してもよい。
また、発光素子６５と受光素子７，７Ａ，７Ｂのうちのいずれかとを基板６１に設けた光電センサーを構成してもよい。この場合、当該光電センサーと電気的に接続される回路基板に処理回路が設けられていてもよい。
【００８６】
上記各実施形態では、センサー部６４，６４Ａは、パッケージ化されたＬＥＤチップである発光素子６５を有するとした。しかしながら、これに限らず、発光素子６５は、パッケージ化されていないＬＥＤチップ、すなわち、ＬＥＤベアチップであってもよい。また、受光素子７，７Ａ，７Ｂは、パッケージ化されていない受光チップであったが、増幅回路７３，７３Ａに応じた部位がパッケージ化された受光チップであってもよい。この場合、増幅回路７３を封止する封止部位を非透光性材料によって形成すれば、封止部位を遮光部として構成できる。
【００８７】
上記各実施形態では、生体接触面６７１は凸曲面であるとした。しかしながら、これに限らず、封止部６７において光の出射方向側の面の形状は、他の形状であってもよい。
例えば、生体接触面６７１は、平坦面を含んでもよく、凹曲面でもよい。生体接触面６７１が凹曲面である場合、発光素子６５から出射された光を封止部６７外に拡散させやすくすることができ、封止部６７に入射される光を受光素子７，７Ａ，７Ｂに集光しやすくすることができる。
このように、生体接触面６７１の形状や曲率を変更することにより、生体情報検出センサーの用途に応じて、発光素子６５から出射された光を生体に効果的に照射できる他、生体から入射される光を効率よく受光素子７，７Ａ，７Ｂに入射させることができる。
【００８８】
上記各実施形態では、処理回路６２、コネクター６３及びセンサー部６４，６４Ａは、基板６１においてセンサー部６４，６４Ａが位置する実装面６１Ａに配設されるとした。すなわち、基板６１に配設される全ての構成は、実装面６１Ａに配設されるとした。しかしながら、これに限らず、基板６１に配設される複数の構成部品のうち、センサー部６４を除く少なくとも１つの構成部品は、実装面６１Ａとは反対側の裏面６１Ｂに配設されていてもよい。このように構成することで、凹部２２３，２２４等の凹部が必要なくなるので、背面部２２において薄肉部がなくなり、ハウジング２の強度を高めることができる。
【００８９】
上記各実施形態では、センサー部６４，６４Ａは、１つの発光素子６５と、１つの受光素子７，７Ａ，７Ｂと、を有するとした。しかしながら、これに限らず、発光素子の数及び受光素子の数は、適宜変更可能である。例えば、１つの受光素子に対して１つの発光素子が設けられていてもよく、２以上の発光素子が設けられていてもよい。また、１つの発光素子に対して２以上の受光素子が設けられていてもよい。
更に、それぞれ少なくとも１つの発光素子及び受光素子の組が複数設けられていてもよい。この場合、複数の封止部によって発光素子及び受光素子の組毎に封止されていてもよい。そして、この場合には、発光素子及び受光素子の組毎に、これらを外部に露出させる開口部が背面部２２に形成されていてもよい。
【００９０】
また、発光素子６５とフォトダイオード７２との間の距離Ｌ１は、発光素子６５と増幅回路７３の入力部位Ｃ７３との間の距離Ｌ２より小さいとした。しかしながら、これに限らず、発光素子６５及び受光素子７，７Ａ，７Ｂのレイアウト、並びに、受光素子７，７Ａ，７Ｂの向きは、適宜変更可能である。例えば、発光素子と受光素子とが＋Ｘ方向において並んで配置されていてもよい。
更に、センサー部６４においては、増幅回路７３は、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向に対して直交する方向に位置するとした。また、センサー部６４Ａにおいては、増幅回路７３は、フォトダイオード７２に対して発光素子６５とは反対側の位置に配置されるとした。しかしながら、増幅回路７３の位置は、適宜変更可能である。すなわち、増幅回路７３は、発光素子６５に対してフォトダイオード７２より遠い位置に配置されていれば、上記効果を奏することができる。例えば、増幅回路７３は、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向に対して所定の角度で交差する方向に位置していてもよい。この場合、増幅回路７３は、フォトダイオード７２から発光素子６５に向かう方向に対して鈍角で交差する方向に位置していてもよい。
【００９１】
上記各実施形態では、センサー部６４，６４Ａは、遮蔽部６６を有するとした。しかしながら、これに限らず、遮蔽部６６は無くてもよい。また、遮蔽部６６が設けられる場合でも、遮蔽部６６の形状は、上記のように、適宜変更可能である。
更に、遮蔽部６６における＋Ｚ方向側の先端部６６１の位置も、上記のように変更可能である。具体的に、先端部６６１の位置は、生体接触面６７１に対して−Ｚ方向側でもよく、＋Ｚ方向側でもよく、生体接触面６７１と一致していてもよい。
【００９２】
上記各実施形態では、センサー部６４，６４Ａは、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂに設けられるとした。しかしながら、これに限らず、センサー部６４，６４Ａは、回路基板５に設けられていてもよい。すなわち、回路基板５の機能と生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂの機能とを有するように、１つの基板に、回路基板５の構成部品と生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂの構成部品とを設けてもよい。また、電池３の位置は、適宜変更してよい。
【００９３】
上記各実施形態では、発光素子６５、遮蔽部６６及び受光素子７，７Ａ，７Ｂは、封止部６７によって基板６１の実装面６１Ａに封止されるとした。しかしながら、これに限らず、このような封止部は無くてもよい。この場合、例えば、平面視で発光素子６５、遮蔽部６６及び受光素子７，７Ａ，７Ｂが内部に配置される開口部２２１を閉塞し、発光素子６５から出射される光、及び、受光素子７，７Ａ，７Ｂによって受光される光を透過可能な透光性部材を設けてもよい。
【００９４】
上記各実施形態では、回路基板５には、測定装置に作用する加速度を検出する加速度センサーが設けられているとした。しかしながら、これに限らず、回路基板５に加速度センサーは設けられていなくてもよく、また、設けられている場合でも、回路基板５以外の構成に設けられていてもよい。例えば、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂの基板６１に加速度センサー等の他のセンサーが設けられていてもよい。更に、生体情報測定装置は、位置情報を計測可能な位置センサー（例えばＧＰＳ受信機）を備えていてもよい。
【００９５】
上記各実施形態では、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂは、生体情報の１つである脈波を検出し、回路基板５は、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂから出力された脈波信号に基づいて、生体情報の他の１つである脈拍数を決定するとした。すなわち、上記した生体情報測定装置１は、脈波及び脈拍数を生体情報として測定するとした。しかしながら、これに限らず、本発明の生体情報測定装置が検出及び測定可能な生体情報は、脈波及び脈拍数に限定されない。例えば、ＨＲＶ（Heart Rate Variability）、ＲＲＩ（R-R Interval：脈拍間隔）、血圧、血糖値、活動量や消費カロリー、最大酸素摂取量（ＶＯ２ｍａｘ）等、受光モジュールを含む光電センサーを用いて生体情報を測定する生体情報測定装置に、本発明を適用してもよい。
【００９６】
上記各実施形態では、生体情報検出センサー６Ａ，６Ｂは、生体情報を検出するセンサーであり、受光素子７を含む受光モジュールＲＭＡ，ＲＭＢを有するとした。しかしながら、本発明の受光素子、受光モジュール及び光電センサーの用途は、生体情報の検出に限らない。例えば、移動体の位置検出等の用途に、本発明の受光素子、受光モジュール及び光電センサーを採用してもよい。
【符号の説明】
【００９７】
１…生体情報測定装置、５…回路基板、６Ａ，６Ｂ…生体情報検出センサー（光電センサー）、６１…基板、６２…処理回路、６５…発光素子、６６…遮蔽部、７，７Ａ，７Ｂ…受光素子、７１…シリコン基板、７１１…ｎ層、７１Ａ…表面（第１面）、７２…フォトダイオード、７２１…ｐ層、７２２…ｐｎ接合部、７２３…アノード電極、７２４…カソード電極、７３…増幅回路、７３１…ｐ層、７３２，７３３…ｎ層、７３４…酸化絶縁層、７３５…ｐｎ接合部、７４…遮光部、７４１…端部、７５…保護層、７６…遮断部、ＡＭ…オペアンプ、Ｃ７３…入力部位、ＣＮ…コンデンサー、ＣＲ１…電荷電圧変換回路、ＣＲ２…電流電圧変換回路、ＣＳ…定電流源、ＥＬ１，ＥＬ３…端子、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４…距離、ＬＹ１…第１絶縁層、ＬＹ２…第２絶縁層、ＲＥ…抵抗、ＲＭＡ，ＲＭＢ…受光モジュール、ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４…スルーホール、ＴＲ１…トランジスタ、ＴＲ１１，ＴＲ１２…導電層。
【図１】
2019170611.tif 000003
【図２】
2019170611.tif 000004
【図３】
2019170611.tif 000005
【図４】
2019170611.tif 000006
【図５】
2019170611.tif 000007
【図６】
2019170611.tif 000008
【図７】
2019170611.tif 000009
【図８】
2019170611.tif 000010
【図９】
2019170611.tif 000011
【図１０】
2019170611.tif 000012
【図１１】
2019170611.tif 000013
【図１２】
2019170611.tif 000014