(57)【要約】【課題】  酸化物層を時間効率良く形成することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法の提供。【解決手段】  基板に備えられた、酸化物層を有する電界効果型トランジスタを、複数の基板に対して製造する、電界効果型トランジスタの製造方法であって、  前記酸化物層を形成する酸化物層形成工程を含み、  前記酸化物層形成工程が、  １単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第１の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う乾燥処理と、  前記１単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第１の時間よりも長い第２の時間で加熱する加熱処理と、  前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する一時保管処理と、を含む。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に備えられた、酸化物層を有する電界効果型トランジスタを、複数の基板に対して製造する、電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記酸化物層を形成する酸化物層形成工程を含み、
前記酸化物層形成工程が、
１単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第１の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う乾燥処理と、
前記１単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第１の時間よりも長い第２の時間で加熱する加熱処理と、
前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する一時保管処理と、を含む、ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記複数単位の単位数が、前記第２の時間（Ｔ２）と前記第１の時間（Ｔ１）との比（Ｔ２／Ｔ１）以上の数である請求項１に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記一時保管処理が、温度、湿度、及び雰囲気が制御された空間内で行われる請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記酸化物層が、酸化物半導体層である請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記酸化物層が、ゲート絶縁層である請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記酸化物層が、保護層である請求項１から３のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記酸化物層形成工程が、更に、
１つの基板について、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布し、未乾燥膜を形成することを行う塗布処理と、
前記塗布処理を経た基板を前記乾燥処理に供する前記１単位の数に達するまで一時的に保管する第２の一時保管処理とを、含む、
請求項１から６のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果型トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果型トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＦＥＴ）は、ゲート電流が低いことに加え、構造が平面的であるため、バイポーラトランジスタと比較して作製及び集積化が容易である。そのため、ＦＥＴは、現在の電子機器で使用される集積回路では必要不可欠な素子となっており、例えば、電界効果型トランジスタをマトリックス状に配列したアクティブマトリックスは、液晶等のディスプレイの駆動回路として用いられている。
【０００３】
電界効果型トランジスタの製造方法の一例として、何れか一方が酸化物半導体層である第１の酸化物層と第２の酸化物層とが隣接した電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記第１の酸化物層を形成する工程と、前記第１の酸化物層上に前記第２の酸化物層を形成する工程と、を有し、前記第２の酸化物層の形成温度が、前記第１の酸化物層の形成温度以下とすることで、ＳＳ値を低減可能な電界効果型トランジスタの製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
酸化物層を有する電界効果型トランジスタを製造する際には、酸化物層の形成に要する時間が、電界効果型トランジスタの製造に要する時間へ大きく影響を与える。そのため、多くの電界効果型トランジスタを効率的に製造するためには、酸化物層をいかに時間効率良く形成するかが重要になっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、酸化物層を時間効率良く形成することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、
前記酸化物層を形成する酸化物層形成工程を含み、
前記酸化物層形成工程が、
１単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第１の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う乾燥処理と、
前記１単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第１の時間よりも長い第２の時間で加熱する加熱処理と、
前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する一時保管処理と、を含む、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、酸化物層を時間効率良く形成することが可能な電界効果型トランジスタの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図（上面図）である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図（側面図）である。
【図２】図２は、一時保管装置内の様子を示す概略図である。
【図３】図３は、加熱装置内の様子を示す概略図である。
【図４】図４は、酸化物層としてゲート絶縁層を形成する場合の一例について説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図（上面図）である。
【図６】図６は、保持器具内に基板が保持された様子を示す概略図である。
【図７】図７は、第１の実施の形態に係る電界効果型トランジスタを例示する断面図である。
【図８】図８は、第１の実施の形態の変形例に係る電界効果型トランジスタを例示する断面図である。
【図９】図９は、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】図１０は、図９における画像表示装置を説明するための図（その１）である。
【図１１】図１１は、図９における画像表示装置を説明するための図（その２）である。
【図１２】図１２は、図９における画像表示装置を説明するための図（その３）である。
【図１３】図１３は、本発明の表示素子の一例を説明するための図である。
【図１４】図１４は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の一例を示す概略構成図である。
【図１５】図１５は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の他の一例を示す概略構成図である。
【図１６】図１６は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
【図１７】図１７は、表示制御装置を説明するための図である。
【図１８】図１８は、液晶ディスプレイを説明するための図である。
【図１９】図１９は、図１８における表示素子を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（電界効果型トランジスタの製造方法）
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、基板に備えられた電界効果型トランジスタを、複数の基板に対して製造する方法である。
前記電界効果型トランジスタは、酸化物層を有する。
【００１０】
酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液から酸化物層を形成する際には、通常、酸化物層形成用塗布液を塗布して、未乾燥膜を形成し、前記未乾燥膜を乾燥させ乾燥膜を形成し、更に、前記乾燥膜を加熱して酸化物に転化させ、酸化物層を得る。その際、乾燥（乾燥処理）よりも加熱（加熱処理）の方が多くの時間を要する。そのため、１個１個の電界効果型トランジスタについて、酸化物層を形成する工程を、乾燥処理、及び加熱処理の順で、逐次行っていると、加熱処理で要する時間の、電界効果型トランジスタの製造に要する時間への割合が大きくなり、電界効果型トランジスタの製造における時間効率が悪くなる。
そこで本発明者らは、鋭意検討を行い、加熱処理において複数の乾燥膜を一度に加熱することと、加熱処理に供する数に達するまで乾燥膜を一時的に保管することとを組み合わせることにより、酸化物層を時間効率よく形成することができることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１１】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、酸化物層形成工程を少なくとも含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００１２】
＜酸化物層形成工程＞
前記酸化物形成工程は、乾燥処理と、一時保管処理と、加熱処理とを少なくとも含み、更に必要に応じて、塗布処理、第２の一時保管処理などのその他の処理を含む。
【００１３】
＜＜塗布処理＞＞
前記塗布処理は、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布し、未乾燥膜を形成することを行う処理である。
通常、前記塗布処理は、１つの基板に対して行なわれる。
塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ディップコーティング法、スピンコート法、ダイコート法などが挙げられる。
【００１４】
前記酸化物層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、酸化物半導体層であってもよいし、ゲート絶縁層であってもよいし、保護層であってもよい。
【００１５】
＜＜第２の一時保管処理＞＞
前記第２の一時保管処理は、前記塗布処理を経た基板を前記乾燥処理に供する後述する１単位の数に達するまで一時的に保管する処理である。
前記第２の一時保管処理は、通常、前記１単位である所定数の基板の数が、複数のときに行なわれる。
【００１６】
前記第２の一時保管処理において、保管される時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１７】
前記第２の一時保管処理は、温度、湿度、及び雰囲気が制御された空間内で行われることが好ましい。
【００１８】
前記１単位としては、後述する第１の時間（Ｔ１）と前記塗布処理に要する時間（Ｔ３）との比（Ｔ１／Ｔ３）以上の数であることが好ましく、前記比（Ｔ１／Ｔ３）以上の整数であることが好ましい。
例えば、前記第１の時間（Ｔ１）が１０分間であり、前記塗布処理に要する時間（Ｔ３）が１分間の場合、前記１単位（Ｎ０）は、Ｎ０≧１０（Ｔ１／Ｔ３）であることが好ましい。
そうすることで、乾燥処理による乾燥時間が、塗布処理による塗布時間よりも大幅に長い場合でも、乾燥処理を待つ基板が累積的に増加していくことを防ぐことができる。
【００１９】
＜＜乾燥処理＞＞
前記乾燥処理は、１単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第１の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う処理である。
【００２０】
ここで、前記所定数の基板の数としては、１つであってもよいし、複数であってもよい。
前記所定数の基板の数としては、例えば、１〜１０などが挙げられる。
【００２１】
前記第１の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
乾燥の方法としては、例えば、加熱乾燥、減圧乾燥などが挙げられる。加熱乾燥における加熱温度としては、例えば、前記酸化物層形成用塗布液に含まれる揮発分が揮発する温度であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。減圧乾燥における減圧の程度としては、例えば、前記酸化物層形成用塗布液に含まれる揮発分が揮発する減圧度であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
なお、本発明において、乾燥とは、膜中の揮発分を完全に除去することまでを必要とせず、加熱処理の際における揮発分に起因する不具合を防ぐ程度に膜中の揮発分が除去されればよい。
乾燥膜とは、膜中の揮発分が完全に除去された膜であることを必要とせず、加熱処理の際における揮発分に起因する不具合を防ぐ程度に膜中の揮発分が除去されていればよい。
【００２２】
＜＜加熱処理＞＞
前記加熱処理は、前記１単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第１の時間よりも長い第２の時間で加熱する処理である。
前記加熱処理を経ることで、前記乾燥膜は、酸化物に転化する。得られた酸化物は、例えば、そのまま前記酸化物層として利用されるか、又はフォトリソグラフィーにより前記酸化物層に加工される。
【００２３】
前記加熱処理における前記第２の時間としては、前記乾燥膜が酸化物に転化することができる時間であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記加熱処理における加熱温度としては、前記乾燥膜が酸化物に転化することができる温度であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２４】
前記加熱処理に供される基板の数の上限値としては、特に制限はなく、前記第１の時間、前記第２の時間、及び後述する比（Ｔ２／Ｔ１）に応じて、適宜選択することができ、例えば、前記加熱処理に供される基板の数は、１００以下であってもよいし、５０以下であってもよいし、３０以下であってもよい。
【００２５】
前記複数単位の単位数としては、整数であってもよいし、少数乃至分数であってもよいが、整数であることが好ましい。
前記複数単位の単位数としては、前記第２の時間（Ｔ２）と前記第１の時間（Ｔ１）との比（Ｔ２／Ｔ１）以上の数であることが好ましく、前記比（Ｔ２／Ｔ１）以上の整数であることが好ましい。
例えば、前記第１の時間（Ｔ１）が１０分間であり、前記第２の時間（Ｔ２）が１００分間の場合、前記単位数（Ｎ）は、Ｎ≧１０（Ｔ２／Ｔ１）であることが好ましい。
そうすることで、加熱処理による加熱時間が、乾燥処理による乾燥時間よりも大幅に長い場合でも、加熱処理を待つ基板が累積的に増加していくことを防ぐことができる。
【００２６】
＜＜一時保管処理＞＞
前記一時保管処理は、前前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する処理である。
【００２７】
前記一時保管処理において、保管される時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００２８】
前記一時保管処理は、温度、湿度、及び雰囲気が制御された空間内で行われることが好ましい。そうすることにより、乾燥膜を経て得られる酸化物層において、均質性を損なうような変化（例えば、酸化、過度な乾燥の進行、過度な吸湿など）が生じることを低減させることができる。
【００２９】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を図を用いて説明する。
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である。図１Ａは上面図であり、図１Ｂは側面図である。
図１Ａ及び図１Ｂでは、乾燥装置１、一時保管装置２、及び加熱装置３が配置されている。
この例では、前記１単位を基板１枚とし、前記複数単位を４単位（４枚）としている。
塗布処理を経て得られた未乾燥膜を有する基板４（１単位＝１枚）は、乾燥装置１内に運ばれ、乾燥処理に供される。乾燥装置１では、減圧乾燥、加熱乾燥などの乾燥が行われる。乾燥処理により得られた乾燥膜を有する基板４は、一時保管装置２内に運ばれ、保持器具５に保持されて一時保管装置２内で一時保管される。未乾燥膜を有する複数の基板４について乾燥処理が行なわれ、逐次、得られた乾燥膜を有する基板４は、一時保管装置２内に運ばれ、加熱処理に供する数（４単位＝４枚）に達するまで、保持器具５に保持されて一時保管装置２内で一時保管される。
保持器具５に保持された基板４の数が、加熱処理に供する数（４単位＝４枚）に達したら、保持器具５は、一時保管装置２から搬出されて、加熱装置３内に搬入され、加熱処理に供する数の基板４について加熱が行なわれる。その結果、乾燥膜は、酸化物に転化する。得られた酸化物は、例えば、そのまま前記酸化物層として利用されるか、又はフォトリソグラフィーにより前記酸化物層に加工される。
なお、一時保管装置２内の保持器具５に保持された基板４の数が、加熱処理に供する数（４単位＝４枚）に達した後は、即座に、保持器具５を一時保管装置２から搬出させてもよい。即ち、本発明の前記酸化物層形成工程における前記一時保管処理においては、前記乾燥処理を経た基板の数が前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達したら、即座に一時保管を完了してもよい。そのことは、前記第２の一時保管処理においても同様である。
図１Ｂでは、一時保管装置２と加熱装置３との間の保持器具５は、４枚の基板４を保持している。
【００３０】
図２は、一時保管装置２内の様子を示す概略図である。一時保管装置２内には、保持器具５が置かれており、保持器具５は、乾燥膜を有する基板４を２枚保持している。即ち、一時保管装置２内で、乾燥膜を有する基板４が２枚一時保管されている。
例えば、前記加熱処理に供する、乾燥膜を有する基板４の数が４枚の場合には、更に２枚の基板４（乾燥膜を有する基板）が乾燥処理を経て一時保管装置２に搬送されてきて、一時保管装置２内の保持器具５に保持される。そして、一時保管装置２内の保持器具５に４枚の基板が保持されると、４枚の基板４を保持する保持器具５は、一時保管装置２から搬出されて、加熱装置５内に搬入される（図３）。そして、４枚の基板４は、保持器具５ごと、加熱される（図３）。
【００３１】
図１Ｂ、図２及び図３においては、保持器具５は、基板４が縦方向（重力方向）に並ぶように構成されているが、保持器具５は、基板４が横方向（水平方向）に並ぶように構成されていてもよい。
【００３２】
一時保管装置２内の空間は、乾燥膜を経て得られる酸化物層において、均質性を損なうような変化（例えば、酸化、過度な乾燥の進行、過度な吸湿など）が生じないようにするために、温度、湿度、及び雰囲気が制御された空間であることが好ましい。
例えば、温度としては、２２℃±２℃程度が好ましい。
例えば、一時保管装置２内に、クリーンエアが供給されている状態であれば、湿度としては、４５％ＲＨ±１０％ＲＨ程度が好ましい。クリーンエアは、例えば、空気を、ＨＥＰＡフィルターなどの高性能フィルターに通過させることで作製することができる。
例えば、一時保管装置２内に、不活性ガスが供給されている状態であれば、湿度としては、１０％ＲＨ以下程度が好ましい。
【００３３】
以下に、本発明における酸化物層としてゲート絶縁層を形成する場合の一例についてフローチャートを用いて説明する。図４のフローチャートは、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する例である。
Ｓ１〜Ｓ６が、ゲート電極を形成する工程に該当し、Ｓ１１〜Ｓ１９が、ゲート絶縁層を形成する工程に該当する。ゲート絶縁層を形成する工程が、前記酸化物層形成工程に相当する。
まず、基板上に金属膜を成膜する（Ｓ１）。
次に、金属膜上に所定のレジストパターンを形成する（Ｓ２）。
次に、レジストパターンを保護膜として、エッチングを行い、所望の金属パターンを得る（Ｓ３）。
次に、レジストを剥離する（Ｓ４）。
次に、基板の洗浄（Ｓ５）及び基板の乾燥（Ｓ６）を行う。
以上により、基板上に複数のゲート電極が形成される。
次に、複数のゲート電極が形成された基板上にゲート絶縁層形成用塗布液（ＧＩ塗布液）を塗布する（Ｓ１１）。
次に、塗布により形成された未乾燥膜を乾燥させる（Ｓ１２）。
なお、Ｓ１２は、例えば、１枚の基板毎に行なわれる。
次に、乾燥により得られた乾燥膜を有する基板を、一時保管装置に保管する（Ｓ１３）。この際、乾燥膜を有する基板を複数作製し、乾燥膜を有する基板の数が、加熱処理に供される数に達するまで、乾燥膜を有する基板は、一時保管装置に保管する（Ｓ１３）。
次に、一時保管装置に保管された基板の数が、加熱処理に供される基板の数に達したら、それらを加熱装置に移動させ加熱する（Ｓ１４）。
次に、加熱により得られた酸化物膜上に所定のレジストパターンを形成する（Ｓ１５）。
次に、レジストパターンを保護膜として、エッチングを行い、所望の酸化物層のパターンを得る（Ｓ１６）。
次に、レジストを剥離する（Ｓ１７）。
次に、基板の洗浄（Ｓ１８）及び基板の乾燥（Ｓ１９）を行う。
以上により、複数のゲート電極と、前記複数のゲート電極に対応する複数のゲート絶縁層とが形成された基板が得られる。
【００３４】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を図を用いて説明する。
図５及び図６は、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である。図５は上面図である。
図５では、塗布装置６、第２の一時保管装置７、乾燥装置１、一時保管装置２、及び加熱装置３が配置されている。
この例では、前記１単位を基板４枚とし、前記複数単位を４単位（１６枚）としている。
まず、塗布装置６を用いて、基板４上に酸化物層形成用塗布液を塗布して未乾燥膜を形成する（塗布処理）。未乾燥膜が形成された基板４は、塗布装置６から第２の一時保管装置７内に移され、保持器具８に保持されて第２の一時保管装置７内で一時保管される。複数の基板４について塗布処理が行なわれ、逐次、得られた未乾燥膜を有する基板４は、第２の一時保管装置７内に運ばれ、乾燥処理に供する１単位の数（１単位＝４枚）に達するまで、保持器具８に保持されて第２の一時保管装置７内で一時保管される。
第２の一時保管装置２の保持器具８に保持された基板４の数が、乾燥処理に供する１単位の数（１単位＝４枚）に達したら、保持器具８は、第２の一時保管装置７から搬出されて、乾燥装置１内に搬入され、乾燥処理が行われる。
乾燥装置１では、減圧乾燥、加熱乾燥などの乾燥が行われる。乾燥処理により得られた乾燥膜を有する基板４（１単位＝４枚）は、一時保管装置２内に運ばれ、保持器具５に保持されて一時保管装置２内で一時保管される。未乾燥膜を有する複数の基板４について、１単位毎に乾燥処理が行なわれ、逐次、１単位の、乾燥膜を有する基板４は、一時保管装置２内に運ばれ、加熱処理に供する数（４単位＝１６枚）に達するまで、保持器具５に保持されて一時保管装置２内で一時保管される。
一時保管装置２内の保持器具５に保持された基板４の数が、加熱処理に供する数（４単位＝１６枚）に達したら、保持器具５は、一時保管装置２から搬出されて、加熱装置３内に搬入され、加熱処理に供する数の基板４について加熱が行なわれる。その結果、乾燥膜は、酸化物に転化する。得られた酸化物は、例えば、そのまま前記酸化物層として利用されるか、又はフォトリソグラフィーにより前記酸化物層に加工される。
図６では、一時保管装置２と加熱装置３との間の保持器具５は、１６枚（１段あたり４枚×４段）の基板４を保持している。
【００３５】
＜電界効果型トランジスタ＞
以下に本発明により製造される電界効果型トランジスタの一例について説明する。以下に説明する図では、基板上に１つの電界効果型トランジスタが形成されているが、通常は、基板上に複数の電界効果型トランジスタが形成されている。
図７は、第１の実施の形態に係る電界効果型トランジスタを例示する断面図である。図７を参照するに、電界効果型トランジスタ１０は、基板である基材１１と、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、半導体層１４と、ソース電極１５と、ドレイン電極１６とを有するボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタである。なお、電界効果型トランジスタ１０は、本発明に係る電界効果型トランジスタの代表的な一例である。
【００３６】
電界効果型トランジスタ１０では、絶縁性の基材１１上にゲート電極１２が形成され、更に、ゲート電極１２を覆うようにゲート絶縁層１３が形成されている。ゲート絶縁層１３上には半導体層１４が形成され、半導体層１４においてチャネルが形成されるように、半導体層１４上にソース電極１５及びドレイン電極１６が形成されている。以下、電界効果型トランジスタ１０の各構成要素について、詳しく説明する。
【００３７】
なお、本実施の形態では、便宜上、半導体層１４側を上側又は一方の側、基材１１側を下側又は他方の側とする。又、各部位の半導体層１４側の面を上面又は一方の面、基材１１側の面を下面又は他方の面とする。但し、電界効果型トランジスタ１０は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。又、平面視とは対象物を基材１１の上面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基材１１の上面の法線方向から視た形状を指すものとする。又、基材１１上の各部位の積層方向に切った断面を縦断面、基材１１上の各部位の積層方向に垂直な方向（基材１１の上面に平行な方向）に切った断面を横断面とする。
【００３８】
＜＜基材（基板）＞＞
基材１１の形状、構造、及び大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００３９】
基材１１の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ガラス基材、プラスチック基材、フィルム基材等を用いることができる。ガラス基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、無アルカリガラス、シリカガラス等が挙げられる。又、プラスチック基材やフィルム基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等が挙げられる。なお、基材１１としては、表面の清浄化及び密着性向上の点で、酸素プラズマ、ＵＶオゾン、ＵＶ照射洗浄等の前処理が行われることが好ましい。
【００４０】
＜＜ゲート電極＞＞
ゲート電極１２は、基材１１上の所定領域に形成されている。
ゲート電極１２は、ゲート電圧を印加するための電極である。
ゲート電極１２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、白金、パラジウム、金、銀、銅、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、クロム、タンタル、モリブデン、チタン等の金属、これらの合金、これら金属の混合物等が挙げられる。又、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ガリウム、酸化ニオブ等の導電性酸化物、これらの複合化合物、これらの混合物等が挙げられる。
【００４１】
ゲート電極１２の形成方法としては、例えば、基材１１上に、真空蒸着法等により導電体膜を形成し、形成した導電体膜をフォトリソグラフィーとエッチングによりパターニングして所定形状のゲート電極１２を形成する方法などが挙げられる。
【００４２】
ゲート電極１２の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４０ｎｍ〜２μｍが好ましく、７０ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００４３】
＜＜ゲート絶縁層＞＞
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２と半導体層１４との間に設けられ、ゲート電極１２と半導体層１４とを絶縁するための酸化物絶縁層である。
ゲート絶縁層１３は、例えば、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法により製造される電界効果型トランジスタの前記酸化物層である。
ゲート絶縁層１３の材料としては、例えば、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、ガリウム（Ｇａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタノイドの少なくとも何れかである第Ｂ元素とを少なくとも含有する酸化物膜を用いることができる。
【００４４】
この酸化物膜は、Ｚｒ（ジルコニウム）及びＨｆ（ハフニウム）の少なくとも何れかである第Ｃ元素を含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有することが好ましい。酸化物膜に含まれるアルカリ土類金属は、１種類であってもよいし、２種類以上であってもよい。
【００４５】
アルカリ土類元素としては、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）が挙げられる。
【００４６】
ランタノイドとしては、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）が挙げられる。
【００４７】
酸化物膜は、常誘電体アモルファス酸化物を含有するか、又は、常誘電体アモルファス酸化物それ自体で形成されることが好ましい。常誘電体アモルファス酸化物は、大気中において安定であり、かつ広範な組成範囲で安定的にアモルファス構造を形成することができる。但し、酸化物膜の一部に結晶が含まれていてもよい。
【００４８】
ゲート絶縁層１３が、前記酸化物層であって、ゲート絶縁層１３が、前記酸化物層形成用塗布液から形成される場合、ゲート絶縁層１３は、前記乾燥処理、前記一時保管処理、及び前記加熱処理を少なくとも含む前記酸化物層形成工程を経て得られる。
【００４９】
ゲート絶縁層１３が、前記酸化物層ではない場合、ゲート絶縁層１３を形成する方法として、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスを用いることができる。
【００５０】
ゲート絶縁層１３の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜３μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００５１】
＜＜半導体層（酸化物半導体層）＞＞
半導体層１４は、ゲート絶縁層１３上に形成された酸化物半導体層であり、ゲート絶縁層１３を介してゲート電極１２と対向するように配置されている。
半導体層１３（酸化物半導体層）は、例えば、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法により製造される電界効果型トランジスタの前記酸化物層である。
半導体層１４は、例えば、ｎ型酸化物半導体から形成することができる。
【００５２】
半導体層１４を構成するｎ型酸化物半導体は、高い電界効果移動度が得られる点、及び電子キャリア濃度を適切に制御しやすい点から、インジウム、亜鉛、錫、ガリウム、及びチタンの少なくとも何れかと、アルカリ土類金属とを含有することが好ましく、インジウムとアルカリ土類金属とを含有することがより好ましい。
【００５３】
アルカリ土類元素としては、ベリリウム（Ｂｅ）、Ｍｇ、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ラジウム（Ｒａ）等が挙げられる。
【００５４】
半導体層１４が、前記酸化物層であって、半導体層１４が、前記酸化物層形成用塗布液から形成される場合、半導体層１４は、前記乾燥処理、前記一時保管処理、及び前記加熱処理を少なくとも含む前記酸化物層形成工程を経て得られる。
【００５５】
半導体層１４が、前記酸化物層ではない場合、半導体層１４を形成する方法として、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスを用いることができる。
【００５６】
半導体層１４の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００５７】
＜＜ソース電極及びドレイン電極＞＞
ソース電極１５及びドレイン電極１６は、半導体層１４上に形成されている。
ソース電極１５及びドレイン電極１６は、半導体層１４の一部を被覆し、所定の間隔を隔てて形成されている。
ソース電極１５及びドレイン電極１６は、ゲート電極１２へのゲート電圧の印加に応じて電流を取り出すための電極である。
なお、ソース電極１５及びドレイン電極１６と共に、ソース電極１５及びドレイン電極１６と接続される配線が同一層に形成されてもよい。
【００５８】
ソース電極１５及びドレイン電極１６の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ゲート電極１２の説明で例示した材質等が挙げられる。
【００５９】
ソース電極１５及びドレイン電極１６の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００６０】
図８は、第１の実施の形態の変形例に係る電界効果型トランジスタを例示する断面図である。図８を参照するに、電界効果型トランジスタ１０Ａは、保護層１７が設けられた点が電界効果型トランジスタ１０（図７参照）と相違する。なお、電界効果型トランジスタ１０Ａは、本発明に係る電界効果型トランジスタの代表的な一例である。
【００６１】
＜保護層＞
保護層１７は、半導体層１４上にソース電極１５及びドレイン電極１６を被覆するように設けられた酸化物絶縁層である。
保護層１７は、例えば、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法により製造される電界効果型トランジスタの前記酸化物層である。
【００６２】
保護層１７の材料としては、例えば、ゲート絶縁層１３の材料として例示した、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、ガリウム（Ｇａ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、及びランタノイドの少なくとも何れかである第Ｂ元素とを少なくとも含有する酸化物膜を用いることができる。
【００６３】
保護層１７が、前記酸化物層であって、保護層１７が、前記酸化物層形成用塗布液から形成される場合、保護層１７は、前記乾燥処理、前記一時保管処理、及び前記加熱処理を少なくとも含む前記酸化物層形成工程を経て得られる。
【００６４】
保護層１７が、前記酸化物層ではない場合、保護層１７を形成する方法として、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスを用いることができる。
【００６５】
保護層１７の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ〜３μｍが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍがより好ましい。
【００６６】
保護層１７は、大気中の水分、酸素等から、少なくとも半導体層１４を隔離保護する機能を有する。但し、保護層１７は、半導体層１４のみならず、電界効果型トランジスタ１０Ａの他の構成要素（例えば、ゲート絶縁層１３、ソース電極１５、ドレイン電極１６、ゲート電極１２）を保護する機能を有してもよい。又、保護層１７は、電界効果型トランジスタ１０Ａ上に形成される層の材料や、その形成プロセスから電界効果型トランジスタ１０Ａの少なくとも一部を保護する機能を有してもよい。
【００６７】
以下に本発明により製造される電界効果型トランジスタを用いた表示素子、画像表示装置、システムの一例について説明する。
【００６８】
＜表示素子＞
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００６９】
＜＜光制御素子＞＞
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
【００７０】
＜＜駆動回路＞＞
前記駆動回路としては、本発明により製造される電界効果型トランジスタ電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７１】
＜＜その他の部材＞＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７２】
前記表示素子は、本発明の前記電界効果型トランジスタを有しているため、高速駆動が可能、長寿命、かつ素子間のばらつきを小さくすることが可能となる。また、前記表示素子に経時変化が起きても駆動トランジスタを一定のゲート電圧で動作させることができる。
【００７３】
＜画像表示装置＞
本発明の画像表示装置は、少なくとも、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００７４】
＜＜複数の表示素子＞＞
前記複数の表示素子としては、マトリックス状に配置された複数の本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７５】
＜＜複数の配線＞＞
前記複数の配線は、前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７６】
＜＜表示制御装置＞＞
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７７】
＜＜その他の部材＞＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記画像表示装置は、本発明の前記表示素子を有しているため、素子間のばらつきも小さくすることが可能になり、大画面で高品質の画像を表示することが可能となる。
【００７８】
＜システム＞
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
前記システムは、本発明の前記画像表示装置を備えているため、画像情報を高精細に表示することが可能となる。
【００７９】
以下、本発明の表示素子、画像表示装置、及びシステムを、図を用いて説明する。
まず、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置を、図９を用いて説明する。なお、図９の構成は一例であって、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置は、これに限定されない。
【００８０】
図９において、テレビジョン装置１００は、主制御装置１０１、チューナ１０３、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）１０４、復調回路１０５、ＴＳ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｓｔｒｅａｍ）デコーダ１０６、音声デコーダ１１１、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２、音声出力回路１１３、スピーカ１１４、映像デコーダ１２１、映像・ＯＳＤ合成回路１２２、映像出力回路１２３、画像表示装置１２４、ＯＳＤ描画回路１２５、メモリ１３１、操作装置１３２、ドライブインターフェース（ドライブＩＦ）１４１、ハードディスク装置１４２、光ディスク装置１４３、ＩＲ受光器１５１、及び通信制御装置１５２を備える。
映像デコーダ１２１と、映像・ＯＳＤ合成回路１２２と、映像出力回路１２３と、ＯＳＤ描画回路１２５とが、画像データ作成装置を構成する。
【００８１】
主制御装置１０１は、ＣＰＵ、フラッシュＲＯＭ、及びＲＡＭなどから構成され、テレビジョン装置１００の全体を制御する。
前記フラッシュＲＯＭには、前記ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及び前記ＣＰＵでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。
また、ＲＡＭは、作業用のメモリである。
【００８２】
チューナ１０３は、アンテナ２１０で受信された放送波の中から、予め設定されているチャンネルの放送を選局する。
【００８３】
ＡＤＣ１０４は、チューナ１０３の出力信号（アナログ情報）をデジタル情報に変換する。
【００８４】
復調回路１０５は、ＡＤＣ１０４からのデジタル情報を復調する。
【００８５】
ＴＳデコーダ１０６は、復調回路１０５の出力信号をＴＳデコードし、音声情報及び映像情報を分離する。
【００８６】
音声デコーダ１１１は、ＴＳデコーダ１０６からの音声情報をデコードする。
【００８７】
ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２は、音声デコーダ１１１の出力信号をアナログ信号に変換する。
【００８８】
音声出力回路１１３は、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２の出力信号をスピーカ１１４に出力する。
【００８９】
映像デコーダ１２１は、ＴＳデコーダ１０６からの映像情報をデコードする。
【００９０】
映像・ＯＳＤ合成回路１２２は、映像デコーダ１２１の出力信号とＯＳＤ描画回路１２５の出力信号を合成する。
【００９１】
映像出力回路１２３は、映像・ＯＳＤ合成回路１２２の出力信号を画像表示装置１２４に出力する。
【００９２】
ＯＳＤ描画回路１２５は、画像表示装置１２４の画面に文字や図形を表示するためのキャラクタ・ジェネレータを備えており、操作装置１３２、ＩＲ受光器１５１からの指示に応じて表示情報が含まれる信号を生成する。
【００９３】
メモリ１３１には、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）データ等が一時的に蓄積される。
【００９４】
操作装置１３２は、例えば、コントロールパネルなどの入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置１０１に通知する。
【００９５】
ドライブＩＦ１４１は、双方向の通信インターフェースであり、一例としてＡＴＡＰＩ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）に準拠している。
【００９６】
ハードディスク装置１４２は、ハードディスクと、該ハードディスクを駆動するための駆動装置などから構成されている。駆動装置は、ハードディスクにデータを記録するとともに、ハードディスクに記録されているデータを再生する。
【００９７】
光ディスク装置１４３は、光ディスク（例えば、ＤＶＤなど）にデータを記録するとともに、光ディスクに記録されているデータを再生する。
【００９８】
ＩＲ受光器１５１は、リモコン送信機２２０からの光信号を受信し、主制御装置１０１に通知する。
【００９９】
通信制御装置１５２は、インターネットとの通信を制御する。インターネットを介して各種情報を取得することができる。
【０１００】
図１０は、本発明の画像表示装置の一例を示す概略構成図である。
図１０において、画像表示装置１２４は、表示器３００と、表示制御装置４００とを有する。
表示器３００は、図１１に示されるように、複数（ここでは、ｎ×ｍ個）の表示素子３０２がマトリックス状に配置されたディスプレイ３１０を有する。
また、ディスプレイ３１０は、図１２に示されるように、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の走査線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）と、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本のデータ線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・、Ｙｍ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電流供給線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
【０１０１】
以下、本発明の表示素子を図１３を用いて説明する。
図１３は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図１３に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子３５０と、該有機ＥＬ素子３５０を発光させるためのドライブ回路３２０とを有している。ドライブ回路３２０は電流駆動型の２Ｔｒ−１Ｃの基本回路であるが、これに限定されるものではない。即ち、ディスプレイ３１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。
【０１０２】
図１４には、表示素子３０２における有機ＥＬ素子３５０とドライブ回路としての電界効果型トランジスタ２０との位置関係の一例が示されている。ここでは、電界効果型トランジスタ２０の横に有機ＥＬ素子３５０が配置されている。なお、電界効果型トランジスタ１０及びキャパシタ（図示せず）も同一基材上に形成されている。
【０１０３】
図１４には図示されていないが、活性層２２の上部に保護膜を設けることも好適である。前記保護膜の材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、フッ素系ポリマー等、適宜利用できる。
【０１０４】
また、例えば、図１５に示されるように、電界効果型トランジスタ２０の上に有機ＥＬ素子３５０が配置されてもよい。この場合には、ゲート電極２６に透明性が要求されるので、ゲート電極２６には、ＩＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｇａが添加されたＺｎＯ、Ａｌが添加されたＺｎＯ、Ｓｂが添加されたＳｎＯ２などの導電性を有する透明な酸化物が用いられる。なお、符号３６０は層間絶縁膜（平坦化膜）である。この層間絶縁膜にはポリイミドやアクリル系の樹脂等を利用できる。
【０１０５】
図１６は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
図１６において、有機ＥＬ素子３５０は、陰極３１２と、陽極３１４と、有機ＥＬ薄膜層３４０とを有する。
【０１０６】
陰極３１２の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金は、充分厚ければ高反射率電極となり、極薄膜（２０ｎｍ程度未満）では半透明電極となる。図１６では陽極側から光を取り出しているが、陰極を透明、又は半透明電極とすることによって陰極側から光を取り出すことができる。
【０１０７】
陽極３１４の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
【０１０８】
有機ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と、発光層３４４と、正孔輸送層３４６とを有する。電子輸送層３４２は、陰極３１２に接続され、正孔輸送層３４６は、陽極３１４に接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると、発光層３４４が発光する。
【０１０９】
ここで、電子輸送層３４２と発光層３４４が１つの層を形成してもよく、また、電子輸送層３４２と陰極３１２との間に電子注入層が設けられてもよく、更に、正孔輸送層３４６と陽極３１４との間に正孔注入層が設けられてもよい。
【０１１０】
また、基材側から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の場合について説明したが、基材と反対側から光を取り出す「トップエミッション」であってもよい。
【０１１１】
図１３におけるドライブ回路３２０について説明する。
ドライブ回路３２０は、２つの電界効果型トランジスタ１０及び２０と、キャパシタ３０を有する。
【０１１２】
電界効果型トランジスタ１０は、スイッチ素子として動作する。電界効果型トランジスタ１０のゲート電極Ｇは、所定の走査線に接続され、電界効果型トランジスタ１０のソース電極Ｓは、所定のデータ線に接続されている。また、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄは、キャパシタ３０の一方の端子に接続されている。
【０１１３】
電界効果型トランジスタ２０は、有機ＥＬ素子３５０に電流を供給する。電界効果型トランジスタ２０のゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、電界効果型トランジスタ２０のドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子３５０の陽極３１４に接続され、電界効果型トランジスタ２０のソース電極Ｓは、所定の電流供給線に接続されている。
【０１１４】
キャパシタ３０は、電界効果型トランジスタ１０の状態、即ちデータを記憶する。キャパシタ３０の他方の端子は、所定の電流供給線に接続されている。
【０１１５】
そこで、電界効果型トランジスタ１０が「オン」状態になると、信号線Ｙ２を介して画像データがキャパシタ３０に記憶され、電界効果型トランジスタ１０が「オフ」状態になった後も、電界効果型トランジスタ２０を画像データに対応した「オン」状態に保持することによって、有機ＥＬ素子３５０は駆動される。
【０１１６】
図１７は、本発明の画像表示装置の他の一例を示す概略構成図である。
図１７において、画像表示装置は、表示素子３０２と、配線（走査線、データ線、電流供給線）と、表示制御装置４００とを有する。
表示制御装置４００は、画像データ処理回路４０２と、走査線駆動回路４０４と、データ線駆動回路４０６とを有する。
画像データ処理回路４０２は、映像出力回路１２３の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子３０２の輝度を判断する。
走査線駆動回路４０４は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｎ本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路４０６は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｍ本のデータ線に個別に電圧を印加する。
【０１１７】
また、上記実施形態では、光制御素子が有機ＥＬ素子の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、光制御素子がエレクトロクロミック素子であってもよい。この場合は、上記ディスプレイは、エレクトロクロミックディスプレイとなる。
【０１１８】
また、前記光制御素子が液晶素子であってもよく、この場合ディスプレイは、液晶ディスプレイとなり、図１８に示されるように、表示素子３０２’に対する電流供給線は不要となる。また、図１９に示されるように、ドライブ回路３２０’は、電界効果型トランジスタ１０及び２０と同様の１つの電界効果型トランジスタ４０により構成することができる。電界効果型トランジスタ４０において、ゲート電極Ｇが所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓが所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄが、キャパシタ３６１及び液晶素子３７０の画素電極に接続されている。
【０１１９】
また、前記光制御素子は、電気泳動素子、無機ＥＬ素子、エレクトロウェッティング素子であってもよい。
【０１２０】
以上、本発明のシステムがテレビジョン装置である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、画像及び情報を表示する装置として画像表示装置１２４を備えていればよい。例えば、コンピュータ（パソコンを含む）と画像表示装置１２４とが接続されたコンピュータシステムであってもよい。
【０１２１】
また、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子ＢＯＯＫ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラなどの撮像機器における表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。また、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。さらに、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。
【０１２２】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  基板に備えられた、酸化物層を有する電界効果型トランジスタを、複数の基板に対して製造する、電界効果型トランジスタの製造方法であって、
前記酸化物層を形成する酸化物層形成工程を含み、
前記酸化物層形成工程が、
１単位である所定数の基板に対して、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布して形成された未乾燥膜を第１の時間で乾燥させて乾燥膜を形成することを行う乾燥処理と、
前記１単位が複数集まった複数単位の基板に対して、一度に、前記乾燥膜を前記第１の時間よりも長い第２の時間で加熱する加熱処理と、
前記乾燥処理を経た基板を前記加熱処理に供する前記複数単位の数に達するまで一時的に保管する一時保管処理と、を含む、ことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜２＞  前記複数単位の単位数が、前記第２の時間（Ｔ２）と前記第１の時間（Ｔ１）との比（Ｔ２／Ｔ１）以上の数である前記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜３＞  前記一時保管処理が、温度、湿度、及び雰囲気が制御された空間内で行われる前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜４＞  前記酸化物層が、酸化物半導体層である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜５＞  前記酸化物層が、ゲート絶縁層である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜６＞  前記酸化物層が、保護層である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
＜７＞  前記酸化物層形成工程が、更に、
１つの基板について、前記酸化物層を形成するための酸化物層形成用塗布液を塗布し、未乾燥膜を形成することを行う塗布処理と、
前記塗布処理を経た基板を前記乾燥処理に供する前記１単位の数に達するまで一時的に保管する第２の一時保管処理とを、含む、
前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法である。
【符号の説明】
【０１２３】
１      乾燥装置
２      一時保管装置
３      加熱装置
４      基板
５      保持器具
６      塗布装置
７      第２の一時保管装置
８      保持器具
１０    電界効果型トランジスタ
１１    基材
１２    ゲート電極
１３    ゲート絶縁層
１４    半導体層
１５    ソース電極
１６    ドレイン電極
１７    保護層
３０２、３０２’  表示素子
３１０  ディスプレイ
３２０、３２０’  ドライブ回路
３７０  液晶素子
４００  表示制御装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１２４】
【特許文献１】特開２０１８−１４３７４号公報
【図１Ａ】
2019179862.tif 000003
【図１Ｂ】
2019179862.tif 000004
【図２】
2019179862.tif 000005
【図３】
2019179862.tif 000006
【図４】
2019179862.tif 000007
【図５】
2019179862.tif 000008
【図６】
2019179862.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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