(57)【要約】【課題】回路形成基板上の微粒子（ゴミ）を効率よく除去でき、しかも水を介した異種金属間での電池形成による腐食を抑制できる回路形成基板の洗浄方法および装置を提供する。【解決手段】回路形成基板を、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整し、水素ガスを溶解させたアルカリ水素水を用いて超音波等の物理的作用を加えながら洗浄する。或いは、水素ガスと、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上９．５未満に調整したアルカリ水との二流体ジェット洗浄を行う。【選択図】図１
2019179813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路を形成した基板を洗浄する方法において、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整し、水素ガスを溶解させたアルカリ水素水を用いて物理的作用を加えながら洗浄することを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ｐＨの調整をアンモニアガスもしくはアンモニア水を用いて行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記物理的作用が超音波であることを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【請求項４】
回路を形成した基板を洗浄する方法において、水素ガスと、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整したアルカリ水との二流体ジェット洗浄を行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【請求項５】
請求項４において前記ｐＨの調整をアンモニアガスもしくはアンモニア水で行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【請求項６】
回路を形成した基板を洗浄する装置において、
該回路形成基板を洗浄する洗浄機と、
純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整するｐＨ調整手段と、
該ｐＨ調整手段でｐＨ調整された水に水素ガスを溶解させる水素ガス溶解手段と、
該水素ガス溶解手段からのアルカリ水素水を前記洗浄機に供給する洗浄水供給手段と、
該アルカリ水素水に物理的作用を加える手段と
を有することを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【請求項７】
請求項６において、前記ｐＨ調整手段は、前記純水もしくは超純水にアンモニアガスもしくはアンモニア水を添加することによりｐＨ調整する手段であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【請求項８】
請求項６または７において、前記物理的作用が超音波であり、前記洗浄機が超音波洗浄機であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【請求項９】
回路を形成した基板を洗浄する装置において、
該回路形成基板を洗浄する二流体ジェット洗浄機と、
純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整するｐＨ調整手段と、
該ｐＨ調整手段でｐＨ調整されたアルカリ水を前記二流体ジェット洗浄機に供給する手段と、
水素ガスを、該二流体ジェット洗浄機に供給する手段とを有し、
該アルカリ水と水素ガスにより二流体ジェット洗浄が行われることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記ｐＨ調整手段は、前記純水もしくは超純水にアンモニアガスもしくはアンモニア水を添加することによりｐＨ調整する手段であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路を形成した基板の洗浄方法および洗浄装置に係り、詳しくは、基板上に形成された金属回路の腐食を抑制しながら基板に付着した微粒子（ゴミ）を効率よく除去することができる回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に回路を形成した回路形成基板は、帯電による静電破壊を防ぐために、純水もしくは超純水に炭酸ガスを溶解して抵抗率を下げた（電気伝導度を上げた）水を用いて洗浄されている。回路形成基板の洗浄における製品不良は、帯電による静電破壊だけでなく、微粒子（ゴミ）の付着や異種金属間での電池形成による腐食が原因の一つとなることもある。しかし、炭酸ガス溶解水は弱酸性であることから、微粒子（ゴミ）が吸着しやすくなるだけでなく、基板上の回路が腐食しやすい環境を作り出す欠点がある。
【０００３】
従来、デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法として、特許文献１には、純水に水素ガスを溶解させると共にアンモニアを添加してｐＨ７〜１１に調整した洗浄水を用い、超音波を付与しながら洗浄する方法が提案されている。しかし、特許文献１には、回路形成基板の洗浄についての記載は全くなく、また、特許文献１では、基板の表面荒れの有無とゴミ（微粒子）の除去率の評価のみが行われており、回路形成基板における腐食抑制についての検討は全くなされていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２２５５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の通り、回路形成基板の洗浄には、従来、帯電による静電破壊を防ぐために炭酸水が使用されているが、炭酸水による洗浄では、特に回路形成基板をチップ状に切断するためのダイシング工程で発生した微粒子（ゴミ）を効率良く除去できず、しかも切断面の異種金属が水を介して腐食する問題が顕在化している。
【０００６】
本発明は、回路形成基板の洗浄において、基板上に形成された金属回路の腐食を抑制しながら、基板に付着した微粒子（ゴミ）を効率よく除去することができる回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、純水もしくは超純水に水素ガスを溶解もしくは混合した水には還元性を示す領域があり、回路形成基板のゴミ除去だけでなく、異種金属間での電池形成による腐食も抑制できることから、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整して、水素ガスを溶解させたアルカリ水素水に、物理的作用を付加しながら洗浄することで、或いは、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上９．５未満に調整したアルカリ水と、水素ガスとの二流体ジェット洗浄を行うことで、回路形成基板の微粒子（ゴミ）を効率よく除去でき、しかも水を介した異種金属間での電池形成による腐食を抑制できることを突き止めた。
即ち、本発明は以下を要旨とする。
【０００８】
［１］  回路を形成した基板を洗浄する方法において、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整し、水素ガスを溶解させたアルカリ水素水を用いて物理的作用を加えながら洗浄することを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【０００９】
［２］  ［１］において、前記ｐＨの調整をアンモニアガスもしくはアンモニア水を用いて行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【００１０】
［３］  ［１］又は［２］において、前記物理的作用が超音波であることを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【００１１】
［４］  回路を形成した基板を洗浄する方法において、水素ガスと、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整したアルカリ水との二流体ジェット洗浄を行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【００１２】
［５］  ［４］において前記ｐＨの調整をアンモニアガスもしくはアンモニア水で行うことを特徴とする回路形成基板の洗浄方法。
【００１３】
［６］  回路を形成した基板を洗浄する装置において、該回路形成基板を洗浄する洗浄機と、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整するｐＨ調整手段と、該ｐＨ調整手段でｐＨ調整された水に水素ガスを溶解させる水素ガス溶解手段と、該水素ガス溶解手段からのアルカリ水素水を前記洗浄機に供給する洗浄水供給手段と、該アルカリ水素水に物理的作用を加える手段とを有することを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【００１４】
［７］  ［６］において、前記ｐＨ調整手段は、前記純水もしくは超純水にアンモニアガスもしくはアンモニア水を添加することによりｐＨ調整する手段であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【００１５】
［８］  ［６］または［７］において、前記物理的作用が超音波であり、前記洗浄機が超音波洗浄機であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【００１６】
［９］  回路を形成した基板を洗浄する装置において、該回路形成基板を洗浄する二流体ジェット洗浄機と、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整するｐＨ調整手段と、該ｐＨ調整手段でｐＨ調整されたアルカリ水を前記二流体ジェット洗浄機に供給する手段と、水素ガスを、該二流体ジェット洗浄機に供給する手段とを有し、該アルカリ水と水素ガスにより二流体ジェット洗浄が行われることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【００１７】
［１０］  ［９］において、前記ｐＨ調整手段は、前記純水もしくは超純水にアンモニアガスもしくはアンモニア水を添加することによりｐＨ調整する手段であることを特徴とする回路形成基板の洗浄装置。
【発明の効果】
【００１８】
アルカリ水素水又はアルカリ水を用いる本発明の回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置によれば、回路形成基板の基板上に形成された金属回路の腐食を抑制することができる。また、このようなアルカリ性の水に更に水素ガスを溶解させたアルカリ水素水を用い、物理的作用を付加しながら洗浄を行うことで、或いはこのようなアルカリ性の水と水素ガスとの二流体ジェット洗浄を行うことで、回路形成金属の溶出の問題を引き起こすことなく、また、帯電による静電破壊を引き起こすことなく、回路形成基板上に付着した微粒子（ゴミ）を高度に洗浄除去することができる。
【００１９】
本発明によれば、回路形成基板上の回路形成金属の腐食を抑制した上で、帯電を防止して高度な洗浄を行えるため、本発明による洗浄は、回路形成基板のダイシング工程における帯電防止策としても非常に有効である。
【００２０】
このように、本発明によれば、回路形成基板の洗浄での微粒子残存率を大幅に改善できるだけでなく、本発明で用いる洗浄水は、回路形成金属の溶出の問題もなく、また、ｐＨ調整にアンモニア水やアンモニアガスを用いることで、これを直ちに除去することができることから、洗浄排水を回収して純水製造もしくは超純水製造の原水として容易に再利用でき、工場全体で必要な河川水、湖水などの地表水、井戸水、工業用水の使用量を削減することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置の実施形態の一例を示す模式的な系統図である。
【図２】本発明の回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置の実施形態の他の例を示す模式的な系統図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下に、本発明の回路形成基板の洗浄方法および洗浄装置の実施形態を説明する。なお、以下の記載は本発明の実施形態の一例であって、本発明はその要旨を超えない限り、以下の記載に限定されるものではない。
【００２３】
＜回路形成基板＞
本発明で洗浄対象とする回路形成基板は、基板の全面もしくは一部に回路を形成する金属もしくは金属酸化物が露出しているものである。回路を形成する金属には特に制限はなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの合金等が一般的である。
基板の形状、材質に特に制限はない。通常、基板の材質はシリコン等である。
【００２４】
＜純水もしくは超純水＞
純水もしくは超純水の製造方法に制限はなく、常法に従って、薬品処理、膜処理、イオン交換処理、物理化学処理を組み合わせて製造される。
本発明において洗浄水として用いる純水もしくは超純水は、溶存酸素濃度を十分に低減したものであることが好ましく、この水に水素ガスを溶解させるためにも十分に脱気処理したものであることが好ましい。
この観点から、本発明で用いる純水もしくは超純水は、脱気膜モジュール等の脱気手段で溶存酸素濃度１μｇ／Ｌ以下に脱気処理されたものであることが好ましい。
【００２５】
＜ｐＨ調整＞
純水もしくは超純水はｐＨ８．５以上、９．５未満に調整される。洗浄水のｐＨが８．５未満であると、十分な洗浄効果を得ることができず、洗浄後の微粒子残存率が高い結果となる。また、帯電による静電破壊のおそれも発生する。一方、洗浄水のｐＨが９．５以上であると異種金属の腐食、特にＣｕとＡｌの腐食の問題が起こり易い。このため、本発明では、純水もしくは超純水をｐＨ８．５以上、９．５未満に調整する。
【００２６】
このｐＨ調整は、洗浄排水を純水製造もしくは超純水製造の原水として再利用することを前提に、アンモニア水もしくはアンモニアガスで行うことが好ましい。
【００２７】
＜洗浄温度＞
本発明における洗浄時の温度には特に制限はない。
【００２８】
＜アルカリ水素水による洗浄＞
アルカリ水素水を用いる本発明の回路形成基板の洗浄方法では、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５以下に調整し、水素ガスを溶解させたアルカリ水素水を用い、物理的作用を加えながら洗浄を行う。
【００２９】
この方法でアルカリ水素水に加える物理的作用としては、超音波が好ましく、その周波数は０．５ＭＨｚ以上、１０ＭＨｚ以下、出力は０．３Ｗ以上、１０Ｗ以下とすることが好ましい。
【００３０】
アルカリ水素水の溶存水素濃度は０．６ｍｇ／Ｌ以上、１．５ｍｇ／Ｌ以下であることが好ましく、前述の通り、水素ガスの溶解効率の観点から、水素ガスを溶解させる純水もしくは超純水は脱気処理してあることが好ましい。
【００３１】
図１は、アルカリ水素水による洗浄方法に用いる洗浄装置を示す模式的な系統図であり、純水もしくは超純水は、ｐＨ調整手段１でアンモニアガスもしくはアンモニア水の添加でｐＨ８．５以上、９．５未満に調整された後、ガス溶解膜モジュール等の水素ガス溶解手段２で水素ガスが溶解され、得られたアルカリ水素水は、超音波洗浄機等の洗浄機に送給され、物理的作用印加手段３で超音波等の物理的作用が付加されつつ回路形成基板１０の洗浄が行われる。
なお、ｐＨ調整手段１の上流側には、脱気膜モジュール等の脱気手段を有していてもよい。
【００３２】
また、本発明における超音波洗浄は、図１に示されるように、回路形成基板に超音波を印加した洗浄水を吹き付けて洗浄する枝葉式洗浄に限らず、アルカリ水素水に回路形成基板を浸漬し、ここへ超音波を付与して行う浸漬洗浄であってもよい。
【００３３】
＜二流体ジェット洗浄による洗浄＞
二流体ジェット洗浄を用いる本発明の回路形成基板の洗浄方法では、水素ガスと、純水もしくは超純水のｐＨを８．５以上、９．５未満に調整したアルカリ水とを用い、これらを混合して二流体ジェット洗浄機で回路形成基板を洗浄する。二流体ジェット洗浄とは、洗浄水と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて洗浄する方法であり、本発明では洗浄水としてのアルカリ水と水素ガスとの混合流体を回路形成基板に向けて吐出させて洗浄を行う。なお、水素ガスは爆発性のガスであるため、洗浄環境は窒素雰囲気とするか、洗浄環境の水素ガス濃度を４％以下、好ましくは１％以下とする必要がある。
【００３４】
洗浄流体吐出ノズルから吐出させるアルカリ水素水及び水素ガスの吐出条件として、例えば、次のような条件を採用することができる。
アルカリ水素水供給量：０．０５〜０．５Ｌ／ｍｉｎ
ノズル液圧：０．０５〜０．５ＭＰａ
ガス圧：０．１〜０．６ＭＰａ
【００３５】
図２は、二流体ジェット洗浄による洗浄方法に用いる洗浄装置を示す模式的な系統図であり、純水もしくは超純水は、ｐＨ調整手段１でアンモニアガスもしくはアンモニア水の添加でｐＨ８．５以上、９．５未満に調整された後、二流体ジェット洗浄機の水素ガス混合手段４に送給され、この水素ガス混合手段４からのアルカリ水／水素ガス混合流体が回路形成基板１０に向けて吐出され二流体ジェット洗浄が行われる。
図１におけると同様に、ｐＨ調整手段１の上流側には、脱気膜モジュール等の脱気手段を有していてもよい。
【実施例】
【００３６】
以下に実施例、比較例及び実験例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【００３７】
以下の実施例、比較例及び実験例では、いずれも、クラス１０００（アメリカ連邦規格  Ｆｅｄ．  Ｓｔｄ．  ２０９Ｄとして、ＪＩＳ規格  ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０  ＩＳＯ規格  ＩＳＯ  １４６４４−１ではクラス６相当）のクリーンルーム内で枚葉式φ３００ｍｍウェーハ洗浄テスト機を用いて洗浄テストを実施した。
【００３８】
［Ｃｕ／Ａｌ回路基板の洗浄テスト］
φ３００ｍｍのシリコンウェーハ上に銅（Ｃｕ）とアルミニウム（Ａｌ）で回路を形成した回路形成基板を洗浄テストに供した。この回路形成基板は、クリーンルーム内で４ｈｒ曝露した後、枚葉式φ３００ｍｍウェーハ洗浄テスト機にセットした。また、洗浄後の窒素乾燥は窒素ガスパージにより行い、乾燥後は、回路形成基板上の微粒子（欠陥）数をパターン付きウェーハ検査装置で測定し、クリーンルームで４ｈｒ曝露した洗浄前の回路形成基板上の微粒子（欠陥）数を１００として微粒子残存率（％）を算出した。
【００３９】
＜実施例Ｉ−１＞
洗浄水として溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．０に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いて、以下の通り洗浄テストを行った。
５００ｒｐｍで回転している回路形成基板（Ｃｕ／Ａｌ回路基板）を、２Ｌ／ｍｉｎのアルカリ水素水で、超音波を印加しながら６０ｓｅｃ洗浄した後、窒素乾燥し、乾燥後の回路形成基板上の微粒子（欠陥）数を評価した。
【００４０】
＜実施例Ｉ−２＞
溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを８．５に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いたこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４１】
＜比較例Ｉ−１＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとした水素水を用いたこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４２】
＜比較例Ｉ−２＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に炭酸ガスを溶解させて電気伝導度を５〜１０μＳ／ｃｍとした炭酸水を用いたこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４３】
＜比較例Ｉ−３＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．０に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用い、超音波を印加せずに洗浄を行ったこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４４】
＜比較例Ｉ−４＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に水素ガスを溶解させて水素溶存濃度を１．２ｍｇ／Ｌとした水素水を用い、超音波を印加せずに洗浄を行ったこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４５】
＜比較例Ｉ−５＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に炭酸ガスを溶解させて電気伝導度を５〜１０μＳ／ｃｍとした炭酸水を用い、超音波を印加せずに洗浄を行ったこと以外は実施例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００４６】
実施例Ｉ−１〜Ｉ−２と比較例Ｉ−１〜比較例Ｉ−５で得られた結果を表１に示す。
【００４７】
【表１】
2019179813.tif 000003
【００４８】
表１より次のことが分かる。
超音波を印加したアルカリ水素水で洗浄することで回路形成基板上の微粒子残存率を５％又は１２％とすることができ（実施例Ｉ−１、実施例Ｉ−２）、超音波を印加した炭酸水（比較例Ｉ−２）の場合より微粒子残存率を大幅に改善することができることが確認できた。一方、超音波を印加しないアルカリ水素水では微粒子残存率は３２％であった（比較例Ｉ−３）。超音波を印加してもｐＨ７．０の水素水では微粒子残存率は２１％であった（比較例Ｉ−１）。また、ｐＨが７の水素水では超音波を印加しないと微粒子は除去できず（比較例Ｉ−４）、炭酸水では超音波を印加しないとむしろ微粒子残存率が若干上がることが確認できた（比較例Ｉ−５）。これは、炭酸水の酸化還元電位は０．８Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ）であり、Ｃｕの溶解による金属腐食で洗浄前の回路形成基板上の状態が異なったため、微粒子残存率が上振れしたことによると考えられた。
【００４９】
＜実施例II−１＞
溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．０に調整したアルカリ水と水素ガスとを混合する二流体ジェット洗浄による洗浄テストを行った。
５００ｒｐｍで回転している回路形成基板（Ｃｕ／Ａｌ回路基板）をアルカリ水２Ｌ／ｍｉｎと水素ガスとを混合したアルカリ水素水により６０ｓｅｃ洗浄した後、窒素乾燥し、乾燥後の回路形成基板上の微粒子（欠陥）数を評価した。
【００５０】
＜比較例II−１＞
アルカリ水の代りに、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水を用い、水素ガスの代りに電気伝導度として５〜１０μＳ／ｃｍ相当の炭酸ガスを混合した炭酸水を用いたこと以外は、実施例II−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００５１】
実施例II−１と比較例II−１で得られた結果を実施例Ｉ−１及び比較例Ｉ−２の結果と共に表２に示す。
【００５２】
【表２】
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【００５３】
実施例II−１と実施例Ｉ−１との対比、比較例II−１と比較例Ｉ−２との対比より、二流体ジェット洗浄と超音波印加という物理的作用の異なる洗浄でも、微粒子残存率に殆ど差異はなく、洗浄効果は同等であることが分かる。
【００５４】
［Ａｌ平坦膜基板の洗浄テスト］
φ３００ｍｍのシリコンウェーハ上にＡｌの平坦膜を形成した基板（Ａｌ平坦膜基板）を洗浄テストに供した。Ａｌ平坦膜基板洗浄後の洗浄排水（洗浄に用いた水）中のＡｌ濃度をＩＣＰ−ＭＳで分析し、Ａｌ平坦膜基板のＡｌのエッチング量を算出した。
【００５５】
＜実施例III−１＞
溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．０に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いて、以下の通り洗浄テストを行った。
５００ｒｐｍで回転している回路形成基板（Ａｌ平均膜基板）を、２Ｌ／ｍｉｎのアルカリ水素水で、超音波を印加しながら６０ｓｅｃ洗浄し、洗浄排水を分析してＡｌのエッチング量を評価した。
【００５６】
＜実施例III−２＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．４に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いたこと以外は実施例III−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００５７】
＜比較例III−２＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．８に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いたこと以外は実施例III−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００５８】
実施例III−１〜実施例III−２と比較例III−１で得られた結果を表３に示す。
【００５９】
【表３】
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【００６０】
表３より次のことが分かる。
アルカリ水素水のｐＨが９．４までＡｌがエッチングされることはなかったが（実施例III−１，III−２）、ｐＨ９．８ではＡｌが１７０Å分洗浄排水側に溶出していることが確認できた（比較例III−１）。ｐＨが７〜１０である水素水の酸化還元電位は−０．４〜−０．５５Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ）であり、Ｃｕは溶出しないため、アルカリ水素水でｐＨを９．５未満とすることでＣｕとＡｌの溶出を抑制できることが確認できた。
【００６１】
［シリコンウェーハの帯電量の評価］
事前に希フッ酸処理したφ３００ｍｍｎシリコンウェーハを枚葉式φ３００ウェーハ洗浄テスト機にセットして洗浄を行った後、実施例Ｉ−１におけると同様に窒素乾燥し、窒素乾燥後のシリコンウェーハの帯電量を静電メーターで、シリコンウェーハと静電メーターのギャップを１０ｍｍとして測定することで洗浄による帯電量を評価した。
【００６２】
＜実験例Ｉ−１＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを９．０に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いて以下の通り洗浄テストを行った。
１，５００ｒｐｍで回転しているシリコンウェーハを、２Ｌ／ｍｉｎのアルカリ水素水で、超音波を印加しながら３０ｓｅｃ洗浄した後、窒素乾燥し、乾燥後のシリコンウェーハの帯電量を評価した。
【００６３】
＜実験例Ｉ−２＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水にアンモニア水を添加してｐＨを８．５に調整後、水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとしたアルカリ水素水を用いたこと以外は、実験例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００６４】
＜実験例Ｉ−３＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に水素ガスを溶解させて溶存水素濃度を１．２ｍｇ／Ｌとした水素水を用いたこと以外は、実験例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００６５】
＜実験例Ｉ−４＞
洗浄水として、溶存酸素濃度が１μｇ／Ｌ以下である超純水に炭酸ガスを溶解させて電気伝導度を５〜１０μＳ／ｃｍとした炭酸水を用いたこと以外は、実験例Ｉ−１と同様にして洗浄テストを行った。
【００６６】
実験例Ｉ−１〜実験例Ｉ−４で得られた結果を表４に示す。
【００６７】
【表４】
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【００６８】
表４より、水素水のｐＨを８．５以上にすることで、シリコンウェーハの帯電量を炭酸水で洗浄した場合と同等の水準にできることが確認できた。
【００６９】
本発明によれば、回路形成金属の腐食を抑制した上で、帯電を防止できることから、本発明は回路形成基板のダイシング工程における洗浄に有効である。
【００７０】
以上の結果から明らかなように、回路形成基板を、ｐＨを８．５以上、９．５未満に制御すると共に超音波を印加したアルカリ水素水で洗浄することにより、或いは、ｐＨを８．５以上、９．５未満に制御したアルカリ水と水素ガスとの二流体ジェット洗浄により、超音波を印加した炭酸水より微粒子残存率を大幅に改善することができ、また、洗浄排水を回収して純水製造もしくは超純水製造の原水として再利用することも容易であり、工場全体で必要な河川水、湖水などの地表水、井戸水、工業用水の使用量を削減することが可能になる。
【符号の説明】
【００７１】
１  ｐＨ調整手段
２  ガス溶解手段
３  物理的作用印加手段
４  水素ガス混合手段
１０  回路形成基板
【図１】
2019179813.tif 000007
【図２】
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