(57)【要約】【課題】撮像素子における光学素子の下地膜を形成する際の透過光ロスを低減する。【解決手段】撮像素子は、光電変換部と、光学素子と、光学素子の下地膜とを備える。光電変換部は、入射光を電気信号に変換する。光学素子は、入射光を光電変換部に供給する。光学素子の下地膜は、光学素子と光電変換部との間の層において、光学素子の第１の開口領域と第２の開口領域の間の領域に設けられる。また、光学素子の下地膜は、有効画素領域の外側の遮光領域やコンタクト領域に設けるようにしてもよい。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光学素子の第１の開口領域と第２の開口領域の間の領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
【請求項２】
前記下地膜は、バリアメタルである
請求項１記載の撮像素子。
【請求項３】
前記下地膜は、単一の金属材料により形成される
請求項１記載の撮像素子。
【請求項４】
前記下地膜は、積層された金属膜により形成される
請求項１記載の撮像素子。
【請求項５】
前記下地膜は、前記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域にさらに設けられる
請求項１記載の撮像素子。
【請求項６】
前記下地膜は、前記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域にさらに設けられる
請求項１記載の撮像素子。
【請求項７】
前記光学素子は、ワイヤグリッド偏光子である
請求項１記載の撮像素子。
【請求項８】
前記ワイヤグリッド偏光子は、単一の金属材料により形成される
請求項７記載の撮像素子。
【請求項９】
前記ワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料の積層膜により形成される
請求項７記載の撮像素子。
【請求項１０】
前記ワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料および絶縁体材料の積層膜により形成される
請求項７記載の撮像素子。
【請求項１１】
前記光学素子は、表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタである
請求項１記載の撮像素子。
【請求項１２】
入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
【請求項１３】
入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、撮像素子に関する。詳しくは、入射光側に光学素子を備える撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学素子を集積した撮像素子においては、光学素子の金属材料の拡散防止または相互反応防止、下地との密着性強化、金属材料のストレスマイグレーション防止などのために、下地膜としてバリアメタルが形成されることがある。例えば、ワイヤグリッド偏光子の下地膜として、チタンを金属材料として含むバリアメタルが形成された撮像素子が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−０７６６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来技術では、ワイヤグリッド偏光子の下地膜としてバリアメタルを形成することにより、金属材料の拡散防止や相互反応防止、下地との密着性強化、金属材料のストレスマイグレーション防止などの効果が得られる。しかしながら、バリアメタルとして用いられる材料は加工が難しく、一般に光学素子の金属材料よりも加工変換差が大きくなり、金属材料に対して張り出すような形状になってしまう。バリアメタルとして用いられる材料は不透明であるため、張り出したバリアメタルは透過軸光が減衰する原因となる。
【０００５】
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、撮像素子における光学素子の下地膜を形成する際の透過光ロスを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、上記入射光を上記光電変換部に供給する光学素子と、上記光学素子と上記光電変換部との間の層において上記光学素子の第１の開口領域と第２の開口領域の間の領域に設けられる上記光学素子の下地膜とを具備する撮像素子である。これにより、開口領域においては光を透過しながら、開口領域の間の領域において下地膜を形成するという作用をもたらす。
【０００７】
また、この第１の側面において、上記下地膜は、バリアメタルであってもよい。これにより、金属材料の拡散を防止し、また、相互反応を防止するなどの作用をもたらす。
【０００８】
また、この第１の側面において、上記下地膜は、単一の金属材料により形成されてもよく、また、積層された金属膜により形成されてもよい。
【０００９】
また、この第１の側面において、上記下地膜は、上記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域にさらに設けられてもよく、また、上記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域にさらに設けられてもよい。
【００１０】
また、この第１の側面において、上記光学素子は、ワイヤグリッド偏光子であってもよい。このワイヤグリッド偏光子は、単一の金属材料により形成されてもよく、また、複数の金属材料の積層膜により形成されてもよい。また、このワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料および絶縁体材料の積層膜により形成されてもよい。
【００１１】
また、この第１の側面において、上記光学素子は、表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタであってもよい。
【００１２】
また、本技術の第２の側面は、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、上記入射光を上記光電変換部に供給する光学素子と、上記光学素子と上記光電変換部との間の層において上記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域に設けられる上記光学素子の下地膜とを具備する撮像素子である。これにより、遮光性をさらに向上させるという作用をもたらす。
【００１３】
また、本技術の第３の側面は、入射光を電気信号に変換する光電変換部と、上記入射光を上記光電変換部に供給する光学素子と、上記光学素子と上記光電変換部との間の層において上記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域に設けられる上記光学素子の下地膜とを具備する撮像素子である。これにより、金属材料の拡散を防止し、また、相互反応を防止するという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１４】
本技術によれば、撮像素子における光学素子の下地膜を形成する際の透過光ロスを低減することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本技術の実施の形態における撮像装置１０の外観例を示す図である。
【図２】本技術の実施の形態における撮像素子の一例としての偏光センサの断面図の一例を示す図である。
【図３】本技術の実施の形態における偏光子１３０の一例としてのワイヤグリッド偏光子の外観例を示す図である。
【図４】本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第１の例の断面を示す図である。
【図５】本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第２の例の断面を示す図である。
【図６】本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第３の例の断面を示す図である。
【図７】本技術の実施の形態におけるバリアメタルが配置される領域の一例を示す図である。
【図８】本技術の実施の形態における画素間フレーム５１２の近傍の断面図の一例を示す図である。
【図９】本技術の実施の形態における遮光領域５２０およびコンタクト領域５３０の断面図の一例を示す図である。
【図１０】本技術の実施の形態の変形例におけるプラズモンフィルタ１９０の断面図の一例を示す図である。
【図１１】本技術の実施の形態の変形例としてプラズモンフィルタ１９０に適用した場合の平面図の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．実施の形態（ワイヤグリッド偏光子を用いた偏光センサの例）
２．変形例（プラズモンフィルタに適用した例）
【００１７】
＜１．実施の形態＞
［撮像装置］
図１は、本技術の実施の形態における撮像装置１０の外観例を示す図である。
【００１８】
この撮像装置１０は、光電変換部を備える半導体基板２００の入射光側に結像レンズ１１を有している。半導体基板２００は、例えばシリコン（Ｓｉ）を材料とする半導体基板である。また、半導体基板２００の入射光側には偏光子１３０が設けられている。
【００１９】
結像レンズ１１は、撮像装置１０において、被写体からの像を像面上に結像させるためのレンズである。
【００２０】
偏光子１３０は、被写体の偏光情報を生成する光学素子である。この撮像装置１０では、半導体基板２００の上に複数の偏光方向の偏光子１３０をウェハプロセスにより集積することによって、被写体の偏光情報を１回の撮像によって取得する。この実施の形態では、偏光子１３０として、ワイヤグリッド偏光子（Wire Grid Polarizer：ＷＧＰ）を想定する。なお、偏光子１３０は、特許請求の範囲に記載の光学素子の一例である。
【００２１】
図２は、本技術の実施の形態における撮像素子の一例としての偏光センサの断面図の一例を示す図である。
【００２２】
この偏光センサでは、半導体基板２００の内部においてトレンチ２２０によって区画された部分に、フォトダイオード２１０が設けられている。フォトダイオード２１０は、ｎ型不純物領域が電荷蓄積領域として設けられている。フォトダイオード２１０は、半導体基板２００の深さ方向においてＰ型半導体領域によって挟まれた領域のｎ型不純物領域として形成されている。なお、フォトダイオード２１０は、特許請求の範囲に記載の光電変換部の一例である。
【００２３】
この半導体基板２００の表面（同図における下方）には、（図示しない）画素トランジスタが設けられており、これら画素トランジスタを被覆するように配線層３００が設けられている。配線層３００には、配線が絶縁層によって覆われるように形成される。
【００２４】
一方、半導体基板２００の裏面（同図における上方）には、偏光子１３０およびオンチップレンズ１１０が設けられる。偏光子１３０とオンチップレンズ１１０との間には、シリコン酸化膜である絶縁膜および平坦化膜１２０が形成される。
【００２５】
裏面から入射した入射光は各画素のフォトダイオード２１０によって受光され、フォトダイオード２１０は入射光に応じた電荷を発生する。画素間のトレンチ２２０の下方には遮光膜１４０が形成される。この遮光膜１４０は、金属などの遮光材料を用いて形成される。
【００２６】
［ワイヤグリッド偏光子］
図３は、本技術の実施の形態における偏光子１３０の一例としてのワイヤグリッド偏光子の外観例を示す図である。
【００２７】
ワイヤグリッド偏光子は、金属を光の波長以下のピッチで細線状に加工したものである。このワイヤグリッド偏光子は、入射光のうち、ラインに平行な偏光（消光軸光）を反射し、ラインに垂直な偏光（透過軸光）を透過する。したがって、特定の方向の光のみを透過する偏光子として機能する。このワイヤグリッド偏光子は、樹脂偏光子と比較して、高い消光比、高い耐熱性、広い波長域に対応可能といった特徴を備える。
【００２８】
図４は、本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第１の例の断面を示す図である。このワイヤグリッド偏光子の第１の例は、メタル層１３１からなり、全体が絶縁体１３４により覆われている。
【００２９】
メタル層１３１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の単一金属により構成され得る。また、このメタル層１３１は、これらの金属を積層した金属膜により構成されてもよい。
【００３０】
絶縁体１３４は、入射光に対して透明であり、光吸収特性を有しない誘電体であり、例えば、シリコン系の合金材料ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣや、ＡｌＯ等によって構成され得る。
【００３１】
図５は、本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第２の例の断面を示す図である。このワイヤグリッド偏光子の第２の例は、第１の例のメタル層１３１に加えて、メタル層１３１の頂面全面に形成された反射防止層１３３を備え、全体が絶縁体１３４により覆われている。
【００３２】
反射防止層１３３は、光吸収作用を有する金属材料や合金材料であり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の単一金属により構成され得る。また、この反射防止層１３３は、これらの金属を積層した金属膜により構成されてもよい。
【００３３】
図６は、本技術の実施の形態におけるワイヤグリッド偏光子の第３の例の断面を示す図である。このワイヤグリッド偏光子の第３の例は、第２の例のメタル層１３１と反射防止層１３３との間に絶縁体１３４が挟まれた構成を有し、全体が絶縁体１３４により覆われている。すなわち、この第３の例のワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料および誘電体材料の積層膜により構成される。
【００３４】
［バリアメタル］
図７は、本技術の実施の形態におけるバリアメタルが配置される領域の一例を示す図である。
【００３５】
この実施の形態における偏光センサの平面上の領域は、有効画素領域５１０を中心として、有効画素領域５１０の周囲に遮光領域５２０、さらに遮光領域５２０の外周にコンタクト領域５３０を備える。
【００３６】
有効画素領域５１０は、フォトダイオード２１０からなる画素をアレイ状に配置した領域である。遮光領域５２０は、画素出力の暗電流成分を検出するための遮光画素領域である。コンタクト領域５３０は、遮光領域５２０の外周において半導体基板２００に接続する領域である。
【００３７】
有効画素領域５１０においては、画素に対応する位置が開口領域５１１となっており、光を透過するようになっている。この実施の形態においては、この開口領域５１１に、光学素子としてワイヤグリッド偏光子が配置される。一方、有効画素領域５１０における画素と画素の間は画素間フレーム５１２となっており、画素間の混色等を防止するためにブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜が設けられる。
【００３８】
このような各領域について、この実施の形態では、光が透過する部分についてはバリアメタルを敷かず、光が透過しない領域にのみバリアメタルを敷く。これにより、バリアメタルを敷くメリットを享受しながら、透過光ロスを改善することができる。
【００３９】
ここで、バリアメタルを敷くことのメリットの一つとして、ストレスマイグレーションの防止が挙げられる。ここで、ストレスマイグレーションとは、配線応力による金属イオンのクリープ現象である。このストレスマイグレーションにより、配線や接続部分にボイドが成長してオープン不良となるおそれが生じ得る。
【００４０】
一般的な多結晶金属の拡散モデルには、体拡散、粒界拡散、表面拡散がある。拡散係数は、体拡散、粒界拡散、表面拡散の順に大きくなる。バルク金属の結晶粒径は数ミクロン乃至１０００ミクロン程度で、粒界面積が表面積よりも大きく、粒界拡散について十分に考慮する必要がある。
【００４１】
金属が光学素子として機能する場合、光の波長オーダー（サブミクロン）のサイズと粒径より小さいサイズに加工されるため、体拡散が支配的となり、バルクより拡散係数は小さくなる。つまり、光学素子の光が透過する領域において、バリアメタルがなくともストレスマイグレーション発生のリスクはバルク金属よりも低い。この実施の形態においては、光学素子の光透過領域（開口領域５１１）にバリアメタルを配置しないが、ストレスマイグレーション発生のリスクは低い。
【００４２】
遮光領域５２０のような粒径より大きな面積の金属材料は、粒界拡散が支配的となるため、光学素子の光を透過する領域よりもストレスマイグレーションが発生しやすい。この実施の形態においては、ストレスマイグレーションが発生しやすい遮光領域５２０にはバリアメタルを配置することにより、ストレスマイグレーション対策がされる。
【００４３】
この実施の形態における具体的な方策は以下の通りである。
【００４４】
まず、画素間フレーム５１２においては、光を透過する必要がないため、バリアメタルを敷く。これにより、ストレスマイグレーションを防止することができる。また、この画素間フレーム５１２にバリアメタルを敷くことにより、遮光性を向上させることができる。
【００４５】
開口領域５１１においては、画素に対して光を透過する必要があるため、バリアメタルを敷かない。これにより、バリアメタルを敷いた場合と比べて、透過軸透過率を向上させることができる。また、ワイヤグリッド偏光子においては、ワイヤに該当するメタル層１３１の線幅が細いため、バリアメタルを敷かなくても、ストレスマイグレーションによる特性変動は生じ難いと考えられる。
【００４６】
遮光領域５２０においては、光を透過する必要がないため、バリアメタルを敷く。これにより、ストレスマイグレーションを防止することができる。また、この遮光領域５２０にバリアメタルを敷くことにより、遮光性を向上させることができる。そして、ノイズとなる光信号成分を減衰することができる。
【００４７】
コンタクト領域５３０においては、光を透過する必要がないため、バリアメタルを敷く。これにより、ストレスマイグレーションを防止することができる。また、このコンタクト領域５３０にバリアメタルを敷くことにより、メタル層１３１と半導体基板２００とが直接接触することを回避することができる。これにより、メタル層１３１の金属主材料が半導体基板２００に拡散することを防止することができる。
【００４８】
図８は、本技術の実施の形態における画素間フレーム５１２の近傍の断面図の一例を示す図である。
【００４９】
上述のように、画素間フレーム５１２においては、メタル層１３１の下地層としてバリアメタル１３５が配置される。一方、開口領域５１１においては、バリアメタル１３５は配置されず、メタル層１３１の下面は絶縁体１３４と接する。これにより、それぞれの領域に応じたメリットを享受することができる。なお、バリアメタル１３５は、特許請求の範囲に記載の下地膜の一例である。
【００５０】
バリアメタル１３５は、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タングステン（Ｗ）等の単一の金属により構成され得る。また、バリアメタル１３５は、これらの金属を積層した金属膜、例えばＴｉ／ＴｉＮ、Ｔａ／ＴａＮ等により構成されてもよい。
【００５１】
図９は、本技術の実施の形態における遮光領域５２０およびコンタクト領域５３０の断面図の一例を示す図である。
【００５２】
上述のように、遮光領域５２０およびコンタクト領域５３０においては、メタル層１３１の下地層としてバリアメタル１３５が配置される。これにより、遮光領域５２０においては、遮光性をさらに向上させることができる。また、コンタクト領域５３０においては、メタル層１３１の金属主材料が半導体基板２００に拡散することを防止することができる。
【００５３】
このように、本技術の実施の形態によれば、光を透過する必要がない領域にメタル層１３１の下地層としてバリアメタル１３５を敷くことにより、金属材料の拡散防止や相互反応防止等のメリットを享受しながら、必要な透過率を向上させることができる。
【００５４】
＜２．変形例＞
上述の実施の形態においては、光学素子としてワイヤグリッド偏光子を用いた例について説明した。バリアメタルを敷くメリットがある光学素子はこれに限定されるものではない。この変形例では、光学素子としてプラズモンフィルタに適用した例について説明する。
【００５５】
［プラズモンフィルタ］
図１０は、本技術の実施の形態の変形例におけるプラズモンフィルタ１９０の断面図の一例を示す図である。
【００５６】
プラズモンフィルタとは、表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタである。このプラズモンフィルタは、酸化膜上の金属薄膜に光波長の半分程度の周期的なホールアレイを形成して、さらに酸化膜により覆った構造を備える。これにより、金属と酸化膜の界面において、ホールアレイの周期によって決まる特定の周波数成分を持つ表面プラズモンを励起し、伝搬するカラーフィルタとして機能させることができる。
【００５７】
同図においては、ガラス基板１９３の上に、直径１００乃至２００ナノメートル程度のホールアレイを有するアルミニウム薄膜１９２を形成して、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）１９１により覆った構造例を示している。
【００５８】
図１１は、本技術の実施の形態の変形例としてプラズモンフィルタ１９０に適用した場合の平面図の一例を示す図である。
【００５９】
プラズモンフィルタ１９０を用いた場合においても、上述のワイヤグリッド偏光子と同様に、開口領域５１１において光を透過するようにして、それ以外の画素間フレーム５１２においては光を透過しないようにする。そのため、画素間フレーム５１２においてはバリアメタルを敷き、開口領域５１１においてはバリアメタルを敷かない、という方策をとる。また、上述の実施の形態において示したように、遮光領域５２０およびコンタクト領域５３０においては、バリアメタルを敷く。なお、プラズモンフィルタ１９０は、特許請求の範囲に記載の光学素子の一例である。
【００６０】
これにより、光学素子としてプラズモンフィルタを用いた場合においても、上述のワイヤグリッド偏光子と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【００６２】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００６３】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光学素子の第１の開口領域と第２の開口領域の間の領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
（２）前記下地膜は、バリアメタルである
前記（１）に記載の撮像素子。
（３）前記下地膜は、単一の金属材料により形成される
前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（４）前記下地膜は、積層された金属膜により形成される
前記（１）または（２）に記載の撮像素子。
（５）前記下地膜は、前記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域にさらに設けられる
前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像素子。
（６）前記下地膜は、前記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域にさらに設けられる
前記（１）から（５）のいずれかに記載の撮像素子。
（７）前記光学素子は、ワイヤグリッド偏光子である
前記（１）から（６）のいずれかに記載の撮像素子。
（８）前記ワイヤグリッド偏光子は、単一の金属材料により形成される
前記（７）に記載の撮像素子。
（９）前記ワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料の積層膜により形成される
前記（７）に記載の撮像素子。
（１０）前記ワイヤグリッド偏光子は、複数の金属材料および絶縁体材料の積層膜により形成される
前記（７）に記載の撮像素子。
（１１）前記光学素子は、表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタである
前記（１）から（６）のいずれかに記載の撮像素子。
（１２）入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光電変換部の有効画素領域の外側の遮光領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
（１３）入射光を電気信号に変換する光電変換部と、
前記入射光を前記光電変換部に供給する光学素子と、
前記光学素子と前記光電変換部との間の層において前記光電変換部の有効画素領域の外側のコンタクト領域に設けられる前記光学素子の下地膜と
を具備する撮像素子。
【符号の説明】
【００６４】
１０  撮像装置
１１  結合レンズ
１１０  オンチップレンズ
１２０  平坦化膜
１３０  偏光子
１３１  メタル層
１３３  反射防止層
１３４  絶縁体
１３５  バリアメタル
１４０  遮光膜
１９０  プラズモンフィルタ
１９１  シリコン酸化膜
１９２  アルミニウム薄膜
１９３  ガラス基板
２００  半導体基板
２１０  フォトダイオード
２２０  トレンチ
３００  配線層
５１０  有効画素領域
５１１  開口領域
５１２  画素間フレーム
５２０  遮光領域
５３０  コンタクト領域
【図１】
2019179783.tif 000003
【図２】
2019179783.tif 000004
【図３】
2019179783.tif 000005
【図４】
2019179783.tif 000006
【図５】
2019179783.tif 000007
【図６】
2019179783.tif 000008
【図７】
2019179783.tif 000009
【図８】
2019179783.tif 000010
【図９】
2019179783.tif 000011
【図１０】
2019179783.tif 000012
【図１１】
2019179783.tif 000013