(57)【要約】      （修正有）【課題】マスクと基板との位置合わせに有利な露光装置を提供する。【解決手段】投影露光装置において、投影光学系の振動を計測する第１計測部と、マスクに設けられて投影光学系の光軸と直交する第１方向に延在する第１マークを通過した光を、投影光学系及び基板ステージに設けられて第１方向に延在する第２マークを介して検出する検出部と、制御部とを有し、制御部は、マスクと基板との複数の相対位置のそれぞれにおいて検出部で検出された光の光量に基づいて、光量の変化が基準よりも大きくなるマスクと基板との第１相対位置を決定、位置決めし、検出部に光を検出させながら第１計測部に振動を計測させて、光の光量と振動との関係を示す情報を取得し、投影光学系を通過した光から得られるマスクと基板との相対位置の計測値を、計測値を得たときに第１計測部で計測された振動に対応する補正値で補正して、マスクと基板との相対位置を制御することを特徴とする。【選択図】図１
2019035813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを、投影光学系を介して、基板ステージに保持された基板に投影して、前記基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の振動を計測する第１計測部と、
前記マスクに設けられて前記投影光学系の光軸と直交する第１方向に延在する第１マークを通過した光を、前記投影光学系及び前記基板ステージに設けられて前記第１方向に延在する第２マークを介して検出する検出部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方を駆動して得られる前記マスクと前記基板との複数の相対位置のそれぞれにおいて前記検出部で検出された前記光の光量に基づいて、当該光量の変化が基準よりも大きくなる前記マスクと前記基板との第１相対位置を決定し、
前記マスクと前記基板とを前記第１相対位置に位置決めし、前記検出部に前記光を検出せながら前記第１計測部に前記振動を計測させて、前記光の光量と前記振動との関係を示す情報を取得し、
前記投影光学系を通過した光から得られる前記マスクと前記基板との相対位置の計測値を、前記情報から得られる、当該計測値を得たときに前記第１計測部で計測された前記振動に対応する補正値で補正して、前記マスクと前記基板との相対位置を制御することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記マスクに設けられた第３マークからの光、及び、前記投影光学系を介して前記基板に設けられた第４マークからの光を検出して、前記投影光学系の光軸と直交する面内における前記マスクと前記基板との相対位置を計測する第２計測部を更に有し、
前記制御部は、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方を前記第１方向及び前記光軸に直交する第２方向に駆動しながら前記検出部に前記光を検出させて前記第１相対位置を決定し、
前記第１計測部に前記振動を計測させながら前記第２計測部に前記マスクと前記基板との相対位置を計測させて前記計測値を得ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記補正値で補正された前記計測値に基づいて、前記投影光学系の光軸と直交する面内における前記マスクと前記基板との相対位置を制御することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第２計測部は、前記第３マーク及び前記第４マークを撮像して前記第３マークの像及び前記第４マークの像を含む画像を取得する撮像部を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出部は、前記第１マークからの光を、前記投影光学系及び前記第２マークを介して検出して、前記投影光学系の光軸に平行な第３方向における前記マスクと前記基板との相対位置を計測し、
前記制御部は、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方を前記第３方向に駆動しながら前記検出部に前記光を検出させて前記第１相対位置を決定し、
前記第１計測部に前記振動を計測させながら前記検出部に前記マスクと前記基板との相対位置を計測させて前記計測値を得ることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記補正値で補正された前記計測値に基づいて、前記第３方向における前記マスクと前記基板との相対位置を制御することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記マスクと前記基板との前記複数の相対位置のそれぞれにおいて前記検出部で検出された前記光の光量の変化が最大となる前記マスクと前記基板との相対位置を前記第１相対位置として決定することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１計測部は、前記投影光学系の少なくとも１箇所に設けられ、前記投影光学系の加速度、速度及び変位のいずれか１つを計測することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを、投影光学系を介して、基板ステージに保持された基板に投影して、前記基板を露光する露光方法であって、
前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方を駆動して得られる前記マスクと前記基板との複数の相対位置のそれぞれにおいて、前記マスクに設けられて前記投影光学系の光軸と直交する第１方向に延在する第１マークを通過した光を、前記投影光学系及び前記基板ステージに設けられて前記第１方向に延在する第２マークを介して検出し、前記光の光量に基づいて、当該光量の変化が基準よりも大きくなる前記マスクと前記基板との第１相対位置を決定する第１工程と、
前記マスクと前記基板とを前記第１相対位置に位置決めし、前記第１マークを通過した光を前記投影光学系及び前記第２マークを介して検出しながら前記投影光学系の振動を計測して、前記光の光量と前記振動との関係を示す情報を取得する第２工程と、
前記投影光学系の振動を計測しながら前記マスクと前記基板との相対位置を計測して計測値を取得し、当該計測値を、前記第２工程で取得した前記情報から得られる、当該計測値を得たときに計測された前記振動に対応する補正値で補正して、前記マスクと前記基板との相対位置を制御する第３工程と、
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示素子を製造するために用いられる露光装置は、マスク（原版）のパターンを、投影光学系を介して、プレートなどの基板に投影して、基板を露光する。露光装置では、マスクのパターンを基板に投影する前に、マスクに設けられたマスクマーク及び基板に設けられた基板マークを含む画像を取得し、かかる画像に基づいて、マスクと基板との位置合わせ（アライメント）を行う。マスクマーク及び基板マークを含む画像の取得には、固定された撮像部（マークを撮像するカメラなど）が用いられ、マスク又は基板を保持するステージを駆動させて、マスクマーク及び基板マークを撮像部で撮像可能な範囲に収める。そして、撮像部で取得された画像に基づいて、マスクマークと基板マークとの相対位置（相対的な位置誤差）を求めている。
【０００３】
一方、近年では、生産性の向上のために、マスクステージ及び基板ステージを同期して走査することでマスクのパターンを基板に転写する走査型の露光装置（スキャナー）が主流となっている。スキャナーでは、装置内や投影光学系内の空調などに起因する投影光学系の揺れ（振動）によって、撮像部で取得された画像から求められるマスクと基板との相対位置に誤差が含まれる可能性がある。
【０００４】
そこで、投影光学系に加速度センサを設けて、投影光学系の振動を計測することで、投影光学系内における空中像（マーク像）の揺れがマスクと基板との位置合わせ精度に及ぼす影響を低減する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１に開示された技術では、２つ以上の加速度センサを用いて、投影光学系の振動（振動量）を計測している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４２７４５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、投影光学系内の空中像の揺れを直接計測しているわけではないため、実際の空中像の揺れとのずれによって、マスクと基板との位置合わせ精度が低下してしまうことがある。
【０００７】
また、特許文献１に開示された技術において、投影光学系の複雑なねじれ量や振動量を正確に求めるためには、加速度センサの最適な取り付け位置や個数を決定する必要がある。但し、実際には、加速度センサの最適な取り付け位置や個数を決定することは容易ではない。
【０００８】
更に、特許文献１に開示された技術では、投影光学系の振動から求めた変位量に基づいて、基板ステージの位置をフィードフォワード制御している。但し、液晶表示素子などの大型の基板を保持する基板ステージの場合、高周波数の補正を行うことは困難である。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、マスクと基板との位置合わせに有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクステージに保持されたマスクのパターンを、投影光学系を介して、基板ステージに保持された基板に投影して、前記基板を露光する露光装置であって、前記投影光学系の振動を計測する第１計測部と、前記マスクに設けられて前記投影光学系の光軸と直交する第１方向に延在する第１マークを通過した光を、前記投影光学系及び前記基板ステージに設けられて前記第１方向に延在する第２マークを介して検出する検出部と、制御部と、を有し、前記制御部は、前記マスクステージ及び前記基板ステージの少なくとも一方を駆動して得られる前記マスクと前記基板との複数の相対位置のそれぞれにおいて前記検出部で検出された前記光の光量に基づいて、当該光量の変化が基準よりも大きくなる前記マスクと前記基板との第１相対位置を決定し、前記マスクと前記基板とを前記第１相対位置に位置決めし、前記検出部に前記光を検出せながら前記第１計測部に前記振動を計測させて、前記光の光量と前記振動との関係を示す情報を取得し、前記投影光学系を通過した光から得られる前記マスクと前記基板との相対位置の計測値を、前記情報から得られる、当該計測値を得たときに前記第１計測部で計測された前記振動に対応する補正値で補正して、前記マスクと前記基板との相対位置を制御することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、マスクと基板との位置合わせに有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】マスクマーク及び基板マークの構成の一例を示す図である。
【図３】アライメントマークの構成の一例を示す図である。
【図４】図１に示す露光装置における露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図５】検出部で検出される光の光量の変化の一例を示す図である。
【図６】検出部で検出される光の光量及び第１計測部で計測される振動の一例を示す図である。
【図７】検出部で検出される光の光量の変化と、第１計測部で計測される投影光学系の振動との関係を示す情報の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、半導体デバイスや液晶表示素子の製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、基板４にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１００は、マスク１のパターンを、投影光学系３を介して基板４に投影して、基板４を露光する。露光装置１００は、図１に示すように、マスクステージ２と、投影光学系３と、基板ステージ５と、照明光学系６と、検出部１０と、第１計測部１１と、第２計測部１２と、制御部１３とを有する。
【００１６】
照明光学系６は、光源（不図示）からの光でマスク１を照明する。マスクステージ２は、マスク１を保持し、投影光学系３の光軸ＯＡ（Ｚ方向）と直交する面内（ＸＹ平面内）で駆動される。基板ステージ５は、基板４を保持し、投影光学系３の光軸ＯＡと直交する面内で駆動される。マスク１と基板４とは、投影光学系３を介して、光学的に共役な位置（投影光学系３の物体面及び像面）に配置される。投影光学系３は、所定の投影倍率を有し、マスク１のパターンを基板４に投影する。
【００１７】
本実施形態では、マスクステージ２及び基板ステージ５は、制御部１３の制御下において、投影光学系３の光軸ＯＡに直交する方向に互いに同期しながら、投影光学系３の投影倍率に応じた速度比で走査される。これにより、マスク１のパターンからの光が投影光学系３によって基板上に結像し、マスク１のパターンが基板４に転写される。
【００１８】
マスク１には、基板４に形成すべき回路パターンに対応するパターンとは別に、マスクマーク８が設けられている。マスクマーク８は、投影光学系３の光軸ＯＡと直交する第１方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に延在する、即ち、第１方向に長手方向を有する第１マークである。本実施形態では、マスクマーク８は、図２（ａ）に示すように、光を遮断する遮光部８ａと、Ｘ方向に長手方向を有して光を透過する透過部（スリット）８ｂ１と、Ｙ方向に長手方向を有して光を透過する透過部８ｂ２とで構成されている。
【００１９】
基板ステージ５には、基板４に隣接する位置に、基板４の上面と高さが略一致している基板マーク９が設けられている。基板マーク９は、投影光学系３の光軸ＯＡと直交する第１方向（Ｘ方向、Ｙ方向）に延在する、即ち、第１方向に長手方向を有する第２マークである。本実施形態では、基板マーク９は、図２（ｂ）に示すように、光を遮断する遮光部９ａと、Ｘ方向に長手方向を有して光を透過する透過部（スリット）９ｂ１と、Ｙ方向に長手方向を有して光を透過する透過部９ｂ２とで構成されている。
【００２０】
検出部１０は、基板マーク９の下に位置するように、基板ステージ５に配置されている。検出部１０は、例えば、光電センサを含み、マスクマーク８を通過した光を、投影光学系３及び基板マーク９を介して検出する。検出部１０は、マスクマーク８及び基板マーク９において同一方向に長手方向を有する透過部、即ち、透過部８ｂ１及び９ｂ１、或いは、透過部８ｂ２及び９ｂ２を通過した光を検出する。例えば、検出部１０は、透過部８ｂ１及び９ｂ１の長手方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に基板ステージ５が駆動している状態において、透過部８ｂ１からの光を、投影光学系３及び透過部９ｂ１を介して検出する。
【００２１】
第１計測部１１は、投影光学系３の振動を計測する。第１計測部１１は、例えば、投影光学系３の少なくとも１箇所に設けられ、投影光学系３の加速度、速度及び変位の少なくとも１つを計測する。第１計測部１１は、本実施形態では、投影光学系３の加速度を計測する加速度センサを含む。但し、第１計測部１１は、加速度センサに代えて、投影光学系３の振動を計測するためのレーザー干渉計を含んでもよい。
【００２２】
第２計測部１２は、マスク１に設けられたアライメントマークＭＡからの光、及び、投影光学系３を介して基板４に設けられたアライメントマークＳＡからの光を検出して、ＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との相対位置を計測する。第２計測部１２は、本実施形態では、アライメントマークＭＡ及びＳＡを撮像する撮像素子（撮像部）を含む。アライメントマークＭＡは、例えば、図３（ａ）に示すように、Ｉ字形状を有するマーク（第３マーク）である。また、アライメントマークＳＡは、例えば、図３（ｂ）に示すように、アライメントマークＭＡを取り囲む形状を有するマーク（第４マーク）である。このように、アライメントマークＭＡとアライメントマークＳＡとは、それらを構成する個々のバーが重ならないようなデザインを有する。第２計測部１２は、アライメントマークＭＡ及びＳＡを撮像して、図３（ｃ）に示すように、アライメントマークＭＡ及びＳＡのそれぞれの像を含む画像を取得する。
【００２３】
制御部１３は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータ（情報処理装置）で構成され、露光装置１００の全体を制御する。制御部１３は、露光装置１００の各部を統括的に制御して、基板４を露光する露光処理を行う。
【００２４】
図４を参照して、露光装置１００における露光処理を説明する。Ｓ４０２では、検出部１０で検出される光の光量と第１計測部１１で計測される投影光学系３の振動との関係を示す情報を取得するためのマスク１と基板４との相対位置（以下、「第１相対位置」と称する）を決定する。
【００２５】
具体的には、まず、マスクステージ２及び基板ステージ５の少なくとも一方を駆動して、マスクマーク８（例えば、透過部８ｂ１）と基板マーク９（例えば、透過部９ｂ１）とを位置合わせする。かかる状態から、マスクマーク８及び基板マーク９の長手方向（Ｘ方向）及び投影光学系３の光軸ＯＡに直交する第２方向（Ｙ方向）にマスクステージ２及び基板ステージ５の少なくとも一方を駆動して、マスク１と基板４との相対位置を変更する。この際、マスクステージ２や基板ステージ５が振動しないように、マスクステージ２や基板ステージ５を駆動する速度は十分に遅くするとよい。なお、本実施形態では、マスク１と基板４との相対位置を変更するために、基板ステージ５を駆動するものとする。そして、基板ステージ５を駆動しながら、照明光学系６からマスクマーク８に光を照射し、マスク１と基板４との複数の相対位置のそれぞれにおいて、検出部１０にマスクマーク８を透過した光を投影光学系３及び基板マーク９を介して検出させる。ここで、検出部１０で検出される光の光量の変化は、例えば、図５に示すような波形で表される。図３では、横軸は、基板ステージ５の位置を示し、縦軸は、検出部１０で検出される光の光量を示している。
【００２６】
次いで、図５に示す波形に基づいて、検出部１０で検出される光の光量の変化が基準よりも大きくなる、本実施形態では、光量の変化が最大となる基板ステージ５の位置、即ち、マスク１と基板４との相対位置を求めて第１相対位置とする。例えば、図５に示す波形を微分して得られる最大値、即ち、基板ステージ５の位置に対する光量の最大変化位置を第１相対位置３ａとする。第１相対位置３ａは、光の揺れに対して、検出部１０で検出される光の光量の変化が最大であることを意味する。また、基板ステージ５の位置の変化による光量の変化と、空中像の揺れによる光量の変化とは等しい。従って、第１相対位置３ａにおける光量の傾き３ｂによって、検出部１０で検出される光の光量の変化と空中像の揺れとの関係を求めることができる。
【００２７】
Ｓ４０４では、検出部１０で検出される光の光量と第１計測部１１で計測される投影光学系３の振動との関係を示す情報を取得する。具体的には、まず、基板ステージ５を駆動して、マスク１と基板４とをＳ４０２で決定した第１相対位置に位置決めする。次いで、照明光学系６からマスクマーク８に光を照射し、マスク１と基板４との第１相対位置において、検出部１０にマスクマーク８を透過した光を投影光学系３及び基板マーク９を介して検出させる。また、それと同時に、第１計測部１１に投影光学系３の振動を計測させる。ここで、検出部１０で検出される光の光量４ａと、第１計測部１１で計測される振動４ｂとを図６に示す。図６では、横軸は、時間を示し、縦軸は、検出部１０で検出される光量及び第１計測部１１で計測される振動を示している。そして、図６に示す光量４ａ及び振動４ｂから、図７に示すように、検出部１０で検出される光量の変化、即ち、空中像の揺れ（ずれ）と第１計測部１１で計測される投影光学系３の振動との関係を示す情報を取得する。図７では、横軸は、投影光学系３の振動を示し、縦軸は、検出部１０で検出される光量の変化（空中像のずれ）を示している。このように、Ｓ４０４では、検出部１０にマスクマーク８からの光を検出させながら第１計測部１１に投影光学系３の振動を計測させて、検出部１０で検出される光の光量と第１計測部１１で計測される投影光学系３の振動との関係を示す情報を取得する。
【００２８】
本実施形態では、検出部１０で検出される光の光量４ａと、第１計測部１１で計測される振動４ｂとの間に位相差はない。但し、検出部１０で検出される光の光量４ａと、第１計測部１１で計測される振動４ｂとの間に位相差がある場合には、かかる位相差をフーリエ変換などの演算で求めて補正すればよい。
【００２９】
また、検出部１０で検出される光の光量４ａは、図３に示す第１相対位置３ａにおける光量の傾き３ｂをかけることで投影光学系３での空中像のずれを表し、第１計測部１１で計測される投影光学系３の振動は、物理的な揺れを表している。従って、投影光学系３の振動と、投影光学系３での空中像のずれとの間には、一定の関係性があるため、かかる関係性を、ＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との相対的な位置合わせの補正に適用することが可能である。例えば、第２計測部１２で得られる計測値、即ち、図３（ｃ）に示す画像（に含まれるアライメントマークＭＡ及びＳＡの像）は、投影光学系３の振動による空中像のずれの影響を受けている。
【００３０】
図４に戻って、Ｓ４０６では、投影光学系３の振動及びＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との相対位置を取得する。具体的には、第１計測部１１に投影光学系３の振動を計測させながら、第２計測部１２にアライメントマークＭＡ及びＳＡを撮像させて画像を取得させる（即ち、マスク１と基板４との相対位置を計測させて計測値を得る）。この際、第１計測部１１の計測タイミング（撮像素子への蓄積タイミング）と第２計測部１２の計測タイミングとを合わせるようにする。
【００３１】
Ｓ４０８では、Ｓ４０４で取得した情報及びＳ４０６で取得した投影光学系３の振動に基づいて、Ｓ４０６で取得したＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との相対位置を補正する。具体的には、Ｓ４０４で取得した情報、即ち、投影光学系３での空中像のずれと投影光学系３の振動との関係、及び、Ｓ４０６で計測した投影光学系３の振動から、第２計測部１２で相対位置を計測したときの投影光学系３での空中像のずれを求める。そして、かかる空中像のずれを、第２計測部１２で計測された相対位置から引くことで、Ｓ４０６で取得したＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との相対位置を補正する。このように、Ｓ４０６で取得したマスク１と基板４との相対位置の計測値を、Ｓ４０４で取得した情報から得られる、かかる計測値を得たときに第１計測部１１で計測された投影光学系３の振動に対応する補正値で補正する。
【００３２】
Ｓ４１０では、ＸＹ平面内におけるマスク１と基板４との位置合わせを行う。具体的には、Ｓ４０８で補正されたマスク１と基板４との相対位置（計測値）に基づいて、マスクステージ２や基板ステージ５を駆動して、アライメントマークＭＡとアライメントマークＳＡとが重なるように、マスク１と基板４との相対位置を制御する。
【００３３】
Ｓ４１２では、基板４を露光する。具体的には、Ｓ４１０でマスク１と基板４との位置合わせを行った後、照明光学系６からのマスク１のパターンを照明し、投影光学系３を介して、マスク１のパターンを基板４に投影して、基板４を露光する。
【００３４】
このように、本実施形態によれば、投影光学系３の振動と空中像のずれ（検出部１０で検出される光の光量の変化）との関係を求めている。そして、マスク１と基板４との相対位置を計測したときの投影光学系３の振動から空中像のずれを求め、マスク１と基板４との相対位置の計測値を補正している。従って、露光装置１００では、マスク１と基板４との位置合わせを高精度に行うことができる。また、Ｓ４０２及びＳ４０４は、基板４を露光するたびに行う必要はなく、例えば、露光装置１００の立ち上げ時や一定期間ごと（例えば、数ロットごと）に行ってもよい。
【００３５】
なお、検出部１０は、投影光学系３の焦点位置（フォーカス）の計測にも用いられ、投影光学系３の光軸ＯＡに平行な第３方向（Ｚ方向）におけるマスク１と基板４との相対位置を計測することができる。検出部１０で計測されるマスク１と基板４との相対位置の計測値も同様に、投影光学系３の振動による空中像のずれの影響を受けている。上述したように、投影光学系３の振動と、投影光学系３での空中像のずれとの間には、一定の関係性があるため、かかる関係性を、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との相対的な位置合わせの補正に適用することも可能である。
【００３６】
この場合、Ｓ４０２において、基板ステージ５（及びマスクステージ２の少なくとも一方）をＺ方向に駆動して、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を変更する。そして、基板ステージ５を駆動しながら、照明光学系６からマスクマーク８に光を照射し、マスク１と基板４との複数の相対位置のそれぞれにおいて、検出部１０にマスクマーク８を通過した光を投影光学系３及び基板マーク９を介して検出させる。そして、検出部１０で検出される光の光量の変化が最大となる基板ステージ５の位置、即ち、マスク１と基板４との相対位置を求めて第１相対位置とする。
【００３７】
Ｓ４０６においては、投影光学系３の振動及びＺ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を取得する。具体的には、第１計測部１１に投影光学系３の振動を計測させながら、検出部１０にＺ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を計測させて計測値を得る。この際、第１計測部１１の計測タイミング（撮像素子への蓄積タイミング）と検出部１０の計測タイミングとを合わせるようにする。
【００３８】
Ｓ４０８においては、Ｓ４０４で取得した情報及びＳ４０６で取得した投影光学系３の振動に基づいて、Ｓ４０６で取得したＺ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を補正する。このように、Ｓ４０６で取得したマスク１と基板４との相対位置の計測値を、Ｓ４０４で取得した情報から得られる、かかる計測値を得たときに第１計測部１１で計測された投影光学系３の振動に対応する補正値で補正する。
【００３９】
Ｓ４１０においては、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との位置合わせを行う。具体的には、Ｓ４０８で補正されたマスク１と基板４との相対位置（計測値）に基づいて、マスクステージ２や基板ステージ５を駆動して、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を制御する。
【００４０】
なお、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との相対的な位置合わせの補正においては、Ｓ４０２において、Ｚ方向におけるマスク１と基板４との相対位置を計測することも可能である。従って、Ｓ４０２において、検出部１０にマスクマーク８を通過した光を投影光学系３及び基板マーク９を介して検出させながら、第１計測部１１に投影光学系３の振動を計測させることで、Ｓ４０６の処理を省略することも可能である。
【００４１】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１００：露光装置    １：マスク    ２：マスクステージ    ３：投影光学系    ４：基板    ５：基板ステージ    ８：マスクマーク    ９：基板マーク    １０：検出部    １１：第１計測部    １２：第２計測部    １３：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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