(57)【要約】【課題】光半導体素子と光学部品との光学的な結合を確保しつつ低背化を図ることができる光モジュール及び光モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光モジュール１は、光軸Ｃ２を有する波長可変ＬＤ２０と、光軸Ｃ１を有し、波長可変ＬＤ２０と光結合する光ファイバ１１と、底面２ａと前壁２Ｂを有する筐体２と、を備える。底面２ａと前壁２Ｂが波長可変ＬＤ２０を搭載する空間を画定し、光ファイバ１１及び波長可変ＬＤ２０は、前壁２Ｂを挟んで対峙しており、光軸Ｃ２についての底面２ａからの高さは、光軸Ｃ１についての底面２ａからの高さより高く、さらに、光軸Ｃ２の高さと光軸Ｃ１の高さとを補償する光軸調整部３０を前壁２Ｂに有する。【選択図】図３
2019140240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光軸を有する光半導体素子と、
第２の光軸を有し、前記光半導体素子と光結合する光部品と、
底面と側壁を有する筐体と、を備え、
前記底面と前記側壁が前記光半導体素子を搭載する空間を画定し、
前記光部品及び前記光半導体素子は、前記側壁を挟んで対峙しており、
前記第１の光軸についての前記底面からの高さは、前記第２の光軸についての前記底面からの高さより高く、
さらに、前記第１の光軸の高さと前記第２の光軸の高さとを補償する光軸調整部を前記側壁に有する、光モジュール。
【請求項２】
前記側壁は、前記第２の光軸の位置に開口を有し、
前記光軸調整部は、前記開口を塞ぐ位置に配置されてなる、請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記光軸調整部は第１の部材と第２の部材とを有し、前記第１の部材と前記第２の部材は一体化されており、前記第１の部材が前記側壁に取り付けられてなり、
前記第２の部材の屈折率は、前記第１の部材の屈折率よりも高い、請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光モジュールの製造方法であって、
前記側壁が有する開口を前記第１の部材により塞ぎ、前記光軸調整部が前記第１の光軸の高さと前記第２の光軸の高さとを補償する位置で前記第１の部材を配置し、前記位置で前記筐体を保持する第１工程と、
前記筐体を保持しつつ、前記第１の部材の表面に接着剤を塗布する第２工程と、
前記筐体を保持しつつ、前記第２の部材を前記接着剤を介して前記表面上に配置する第３工程と、
を含む、光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第３工程の後、前記表面を水平に保った状態で、前記接着剤を硬化する第４工程を更に含む、請求項４に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及び光モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コヒーレント通信に用いられる光モジュールが開示されている。この光モジュールは、光源ユニットと、光源ユニットから出射する出射光を受ける変調器ユニットと、光源ユニットと変調器ユニットとを底面に搭載するハウジングと、出射光の光路上に設けられる光軸調整部とを備える。この光軸調整部は、光源ユニットの光軸と、変調器ユニットの光軸との間における水平レベルを補完する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３４５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、光トランシーバの小型化に伴い、光トランシーバの内部に搭載される光モジュールの低背化が要求されている。このような光モジュールには、光半導体素子（例えば半導体レーザ素子）と、光学窓が取り付けられる開口を含む側壁を有しており光半導体素子を収容する筐体と、光学窓を介して光半導体素子と光学的に結合される光学部品（例えば光ファイバ）とを備えるものがある。このような光モジュールでは、側壁において光学窓を開口に固定する為の領域を大きく確保することが要求されるので、光学窓の位置の高さ（すなわち開口の位置の高さ）は、光モジュールの高さ方向の寸法に大きく影響する。従って、光モジュールの低背化を実現する為には、光学窓の位置の高さを極力低くすることが望ましい。
【０００５】
しかしながら、光学窓の高さは、光半導体素子と光学部品との光学的な結合を確保する為に、光半導体素子の高さを基準として決定されるので、次のような問題が生じることがある。すなわち、光半導体素子は、通常、筐体内において種々の部品上に搭載されるが、このような部品の厚さが妨げとなって光半導体素子の位置の高さを所望の位置まで低くすることが困難となる場合がある。例えば、光送信モジュールでは、光半導体素子としての半導体レーザ素子が、キャリア等を介して熱電冷却素子（ＴＥＣ）上に搭載されるが、このＴＥＣは、或る程度の厚さを有する。従って、このようなＴＥＣの厚さが特に妨げとなって、半導体レーザ素子の位置の高さを低くすることに限界が生じる。これに応じて、光学窓の位置が或る程度の高さに制限されることとなるので、光モジュールの低背化を図ることが困難となる。
【０００６】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、光半導体素子と光学部品との光学的な結合を確保しつつ低背化を図ることができる光モジュール及び光モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態の光モジュールは、第１の光軸を有する光半導体素子と、第２の光軸を有し、光半導体素子と光結合する光部品と、底面と側壁を有する筐体と、を備え、底面と側壁が光半導体素子を搭載する空間を画定し、光部品及び光半導体素子は、側壁を挟んで対峙しており、第１の光軸についての底面からの高さは、第２の光軸についての底面からの高さより高く、さらに、第１の光軸の高さと第２の光軸の高さとを補償する光軸調整部を側壁に有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による光モジュール及び光モジュールの製造方法によれば、光半導体素子と光学部品との光学的な結合を確保しつつ低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態の光モジュールの内部構造を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示されるII−II線に沿った断面図である。
【図３】図３は、図２に示される光モジュールを模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、ビームシフタの角度とオフセット量との関係を示すデータである。
【図５】図５は、光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、光モジュールの製造工程を模式的に示す側断面図である。
【図７】図７は、光モジュールの製造工程を模式的に示す側断面図である。
【図８】図８は、光モジュールの製造工程を模式的に示す側断面図である。
【図９】図９は、光モジュールの製造工程を模式的に示す側断面図である。
【図１０】図１０は、第１変形例による光モジュールを模式的に示す側断面図である。
【図１１】図１１は、比較例としての光モジュールを模式的に示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の一実施形態の内容を列記して説明する。本発明の一実施形態の光モジュールは、第１の光軸を有する光半導体素子と、第２の光軸を有し、光半導体素子と光結合する光部品と、底面と側壁を有する筐体と、を備え、底面と側壁が光半導体素子を搭載する空間を画定し、光部品及び光半導体素子は、側壁を挟んで対峙しており、第１の光軸についての底面からの高さは、第２の光軸についての底面からの高さより高く、さらに、第１の光軸の高さと第２の光軸の高さとを補償する光軸調整部を側壁に有する。
【００１１】
上記の光モジュールでは、光軸調整部が、光半導体素子の第１の光軸の高さと、光部品の第２の光軸の高さとを補償するので、光半導体素子の第１の光軸の底面からの高さと、光部品の第２の光軸の底面からの高さとが互いにずれていても、光半導体素子と光部品との光学的な結合を確保することができる。また、光部品の光軸の底面からの高さが、光半導体素子の光軸の底面からの高さよりも低いので、光モジュールの高さ方向の寸法を小さくすることができる。従って、上記の光モジュールによれば、光半導体素子と光部品との光学的な結合を確保しつつ、光モジュールの低背化を図ることができる。
【００１２】
また、上記の光モジュールでは、側壁は、第２の光軸の位置に開口部を有し、光軸調整部は、開口部を塞ぐ位置に配置されてなってもよい。
【００１３】
また、上記の光モジュールでは、光軸調整部は第１の部材と第２の部材とを有し、第１の部材と第２の部材は一体化されており、第１の部材が側壁に取り付けられてなり、第２の部材の屈折率は、第１の部材の屈折率よりも高くてもよい。光軸調整部が第１の部材と第２の部材とに分かれていることにより、第２の部材の製造工程を筐体の製造工程から分離することができ、汎用の筐体を用いて筐体を安価に製造することができる。また、第２の部材の設計自由度を高めることができる。また、第２の部材の屈折率を、第１の部材の屈折率よりも高くすることにより、第２の部材に入射した光を第２の部材内においてより大きく屈折させることができるので、第２の部材の厚さをより小さくした場合であっても、光軸調整部により、光半導体素子の第１の光軸の底面からの高さと光部品の第２の光軸の底面からの高さとの間に所望のオフセットを得ることができる。その結果、光軸調整部のサイズをより小さくすることができるので、光モジュールの小型化を図ることができる。
【００１４】
また、上記の光モジュールの製造方法は、側壁が有する開口を第１の部材により塞ぎ、光軸調整部が第１の光軸の高さと第２の光軸の高さとを補償する位置で第１の部材を配置し、位置で筐体を保持する第１工程と、筐体を保持しつつ、第１の部材の表面に接着剤を塗布する第２工程と、筐体を保持しつつ、第２の部材を接着剤を介して表面上に配置する第３工程と、を含んでもよい。これにより、第１の部材の表面上における第２の部材の位置ずれを抑えることができる。すなわち、第２の部材を表面上に精度良く配置することができる。
【００１５】
また、上記の光モジュールの製造方法は、第３工程の後、表面を水平に保った状態で、接着剤を硬化する第４工程を更に含んでもよい。これにより、第１の部材の表面上における第２の部材の位置ずれをより確実に抑えることができる。すなわち、第２の部材をより精度良く表面上に配置することができる。
【００１６】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の一実施形態に係る光モジュールの具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。以下の説明では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
図１は、本実施形態の光モジュール１の内部構造を示す平面図である。図２は、図１に示されるII−II線に沿った断面図である。図３は、図２に示される光モジュール１を模式的に示す断面図である。図３では、理解の容易の為、一部が簡略化されている。本実施形態では、光モジュール１として、光半導体素子としての波長可変レーザダイオード（ＬＤ）２０を有する半導体光モジュールが用いられる。図３に示されるように、光モジュール１の高さ（すなわち光モジュール１の深さ方向Ａ３における寸法）Ｈ１は、例えば３．５ｍｍである。図１〜図３に示されるように、光モジュール１は、略直方体状の筐体２と、筐体２に固定されたレセプタクル１０とを備える。
【００１８】
筐体２は、底板２Ａ、並びに、側壁としての前壁２Ｂ及び後壁２Ｃを有する。底板２Ａは、筐体２内に露出する底面２ａを有する。底面２ａは、筐体２の深さ方向Ａ３と交差しており、筐体２の長手方向Ａ１に沿って延びている。底板２Ａの厚さは、例えば０．５ｍｍである。底面２ａは、前壁２Ｂ及び後壁２Ｃの下端に接している。前壁２Ｂ及び後壁２Ｃは、長手方向Ａ１と交差している。前壁２Ｂは、レセプタクル１０を取り付ける為の開口３（図２及び図３参照）、及び、開口３の周縁に沿って環状に形成された設置部４を含む。開口３は、長手方向Ａ１に沿って延びており、前壁２Ｂを貫通している。設置部４は、長手方向Ａ１において前壁２Ｂから筐体２内に突出している。設置部４は、長手方向Ａ１と交差する設置面４ａ（図２及び図３参照）を含む。設置部４の法線方向Ａ２は、長手方向Ａ１に沿って進行するレーザ光Ｌ１，Ｌ２（図１参照）の光軸に対して僅かに傾斜している。
【００１９】
後壁２Ｃは、長手方向Ａ１において前壁２Ｂと対向している。後壁２Ｃには、リードピン等の複数の外部接続端子５ａを有するフィードスルー５が設けられている。フィードスルー５は、後壁２Ｃを貫通するように設けられ、筐体２の内部と筐体２の外部とを電気的に接続する。フィードスルー５の複数の外部接続端子５ａには、外部との電気的な通信を行うフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）７０が導電接着される。フィードスルー５で扱う電気信号は、電源、バイアス又はＧＮＤ等、実質ＤＣ信号である。筐体２は、図示しない蓋部によって気密封止される。
【００２０】
レセプタクル１０は、前壁２Ｂの外側に設けられており、開口３と連通している。レセプタクル１０は、光出力ポート１０ａと、光出力ポート１０ｂとを有する。光出力ポート１０ａには、光ファイバ１１（光部品）、集光レンズ１２、及びアイソレータ１３が取り付けられる（図２及び図３参照）。これらの部品は、光出力ポート１０ｂにも同様に取り付けられる。光ファイバ１１は、前壁２Ｂを挟んで波長可変ＬＤ２０と対峙しており、波長可変ＬＤ２０と光学的に結合されている。光ファイバ１１の光軸Ｃ１（第２の光軸、図３参照）は、底面２ａと略平行である。光ファイバ１１の光軸Ｃ１上には、開口３が位置している。光ファイバ１１には、波長可変ＬＤ２０から出射されて開口３を通過したレーザ光Ｌ１又はＬ２が入射する。光ファイバ１１に入射したレーザ光Ｌ１又はＬ２は、光ファイバ１１を介して、光モジュール１の外部に提供される。
【００２１】
集光レンズ１２は、光ファイバ１１と波長可変ＬＤ２０との間の光路上に配置されている。集光レンズ１２の光軸の底面２ａに対する高さは、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さと等しい。一例では、集光レンズ１２の光軸は、光ファイバ１１の光軸Ｃ１上に位置している。集光レンズ１２は、波長可変ＬＤ２０から出射されて開口３を通過したレーザ光Ｌ１又はＬ２を光ファイバ１１に集光する。アイソレータ１３は、光ファイバ１１と集光レンズ１２との間の光路上に設けられている。アイソレータ１３は、光ファイバ１１からの戻り光を抑制する。
【００２２】
光モジュール１は、端面発光型の波長可変ＬＤ２０を備える。波長可変ＬＤ２０は、底面２ａと、前壁２Ｂ及び後壁２Ｃとによって画定された空間に搭載される。具体的には、波長可変ＬＤ２０は、筐体２の略中央に収容されており、底面２ａ上に配置されている。波長可変ＬＤ２０は、フィードスルー５の複数の外部接続端子５ａに電気的に接続される。波長可変ＬＤ２０への駆動信号は、光モジュール１の外部から複数の外部接続端子５ａを介して波長可変ＬＤ２０に供給される。図３に示されるように、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２（第１の光軸）は、底面２ａと略平行である。
【００２３】
波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さと、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さとは、互いにずれている。具体的には、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さが、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さよりも低い。一例では、図３に示されるように、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さＨ２は、例えば１．５ｍｍであり、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さＨ３は、例えば１．７５ｍｍである。
【００２４】
波長可変ＬＤ２０は、一方の光出射面である前面２０ａからレーザ光Ｌ１を出力すると共に、他方の光出射面である背面２０ｂからレーザ光Ｌ２を出力する（図１参照）。レーザ光Ｌ１の光路上には、コリメートレンズ２１、光軸変換器２２、モニタフォトダイオード（モニタＰＤ）２３、及び光軸調整部３０が設けられる。波長可変ＬＤ２０の前面２０ａから出力されたレーザ光Ｌ１は、コリメートレンズ２１、光軸変換器２２、及び光軸調整部３０を通過した後、光出力ポート１０ａに向かう。
【００２５】
レーザ光Ｌ２の光路上には、コリメートレンズ４０、波長ロッカ部４１、及び光軸調整部３０が設けられる。波長可変ＬＤ２０の背面２０ｂから出力したレーザ光Ｌ２は、コリメートレンズ４０で平行光に変換され、ビームスプリッタ４２、全反射ミラー４３で進行方向を反転され、波長可変ＬＤ２０の側方を通過して、光軸調整部３０を通過した後、光出力ポート１０ｂに向かう。
【００２６】
２つのコリメートレンズ２１，４０の光軸は、互いにオフセットしている。波長可変ＬＤ２０の長手方向は、コリメートレンズ２１，４０それぞれの光軸に対して０°又は９０°ではない有意の角度でもって傾斜している。波長可変ＬＤ２０からは、レーザ光Ｌ１，Ｌ２が波長可変ＬＤ２０の光軸に対して平行に出射するが、波長可変ＬＤ２０が有意の角度をもつことにより、レーザ光Ｌ１，Ｌ２が反射によって波長可変ＬＤ２０に戻ることを抑制する。
【００２７】
コリメートレンズ２１は、波長可変ＬＤ２０と光軸調整部３０との間の光路上に配置されている。コリメートレンズ２１の光軸の底面２ａに対する高さは、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さと等しい。コリメートレンズ２１は、波長可変ＬＤ２０から出射されたレーザ光Ｌ１を発散光から平行光に変換する。
【００２８】
光軸変換器２２は、レーザ光Ｌ１の光軸Ｃ２をオフセットする。そのために、光軸変換器２２は、互いに平行位置関係にある反射面２２ａ，２２ｂを備える。一方の反射面２２ａは全反射膜を有し、他方の反射面２２ｂは、例えば、透過と反射の比率が５：９５（５％が透過、９５％が反射）のビームスプリッタ膜を有する。モニタＰＤ２３は、レーザ光Ｌ１の強度をモニタする。反射面２２ｂのビームスプリッタ膜を透過するレーザ光Ｌ１の一部（例えば５％）は、モニタＰＤ２３に結合する。
【００２９】
光軸調整部３０は、波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との間の光路上（具体的には、集光レンズ１２とコリメートレンズ２１との間の光路上）に配置されている。光軸調整部３０は、設置面４ａ上に配置されており、前壁２Ｂの開口３を塞いでいる。光軸調整部３０は、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を透過する透明材料により構成される。光軸調整部３０の具体的な構成の詳細については後述する。
【００３０】
光モジュール１は、ＴＥＣ（Thermoelectric Cooler）５０、ベース部材５１、及びキャリア５２を更に備える。ＴＥＣ５０は、底面２ａ上に搭載されている。ＴＥＣ５０は、波長可変ＬＤ２０を搭載し、波長可変ＬＤ２０の温度を制御する。ＴＥＣ５０の厚さは、例えば０．７５ｍｍ〜１．２５ｍｍである。ベース部材５１は、平坦な主面を有する板状の部材であって、深さ方向Ａ３において波長可変ＬＤ２０とＴＥＣ５０との間に設けられ、波長可変ＬＤ２０の放熱のためのヒートシンクとして機能する。ベース部材５１の厚さは、例えば０．２ｍｍである。キャリア５２は、深さ方向Ａ３において波長可変ＬＤ２０とベース部材５１との間に設けられる。キャリア５２の厚さは、例えば０．４４ｍｍである。コリメートレンズ２１，４０、光軸変換器２２、モニタＰＤ２３、及びキャリア５２は、ベース部材５１を介してＴＥＣ５０上に搭載される。
【００３１】
光モジュール１は、ＴＥＣ６０及びベース部材６１を更に備える。ＴＥＣ６０は、底面２ａ上に搭載されており、長手方向Ａ１においてＴＥＣ５０と後壁２Ｃとの間に配置されている。ＴＥＣ６０は、波長ロッカ部４１を搭載し、波長ロッカ部４１に含まれるエタロンフィルタ４４の温度を制御する。ベース部材６１は、平坦な主面を有する板状の部材であって、深さ方向Ａ３において波長ロッカ部４１とＴＥＣ６０との間に設けられている。波長ロッカ部４１は、２つの光分岐部品（ビームスプリッタ）４２，４５、エタロンフィルタ４４、２つのモニタＰＤ４６，４７、光軸変換用の全反射ミラー４３、及びサーミスタ４８を含む。ビームスプリッタ４２，４５、全反射ミラー４３、エタロンフィルタ４４、モニタＰＤ４６，４７、及びサーミスタ４８は、ベース部材６１を介してＴＥＣ６０に搭載される。
【００３２】
ビームスプリッタ４２，４５は、筐体２内において波長可変ＬＤ２０の背面２０ｂと光学的に結合されている。波長可変ＬＤ２０の背面２０ｂから出力されたレーザ光Ｌ２は、コリメートレンズ４０で平行光に変換された後、ビームスプリッタ４２に入射する。ビームスプリッタ４２は、例えば、透過と反射の比率が５：９５（５％が透過、９５％が反射）の平板型ビームスプリッタである。ビームスプリッタ４２は、入射光の大部分（例えば９５％）を全反射ミラー４３に向けて反射する。一方、ビームスプリッタ４２は、入射光の僅かな部分（例えば５％）をビームスプリッタ４５に向けて透過する。ビームスプリッタ４２の反射率は、筐体２の外部へ出力されるレーザ光Ｌ２の強度を確保するために、９０％（より好ましくは９５％）以上に設定される。ビームスプリッタ４２は、透明平板上に誘電体多層膜を設けた平板型ビームスプリッタである。よって、プリズム型のビームスプリッタと比較して、ビームスプリッタ４２の反射率を容易に高めることができ、かつ低コストにできる。
【００３３】
ビームスプリッタ４５は、ビームスプリッタ４２から入射した光を分岐する。ビームスプリッタ４５は、例えば、透過と反射の比率が５０：５０（５０％が透過、５０％が反射）の平板型ビームスプリッタである。ビームスプリッタ４５は、エタロンフィルタ４４への分岐比を決定する。ビームスプリッタ４５において反射されたレーザ光Ｌ２の強度は、エタロンフィルタ４４を透過した後にモニタＰＤ４７によって検知される。すなわち、モニタＰＤ４７は、エタロンフィルタ４４の透過特性（透過率）の影響を受けたレーザ光Ｌ２を検知する。ビームスプリッタ４５を透過したレーザ光Ｌ２の強度は、エタロンフィルタ４４等の波長依存性を有する光学部品の影響を受けることなく、モニタＰＤ４６によって検知される。モニタＰＤ４６で検知したレーザ光Ｌ２の強度に対する、モニタＰＤ４６で検知したレーザ光Ｌ２の強度の比が、エタロンフィルタ４４の透過率に対応する。よって、エタロンフィルタ４４におけるレーザ光Ｌ２の透過率と波長依存性との関係を把握することができ、所定の出力波長に対するレーザ光Ｌ２の波長のずれを見積もることが可能となる。そして、その波長のずれが小さくなるように、モニタＰＤ４６，４７からの出力信号を波長可変ＬＤ２０の制御信号に帰還することによって、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の波長を任意の波長にロックすることができる。
【００３４】
ここで、光軸調整部３０の構成について詳細に説明する。光軸調整部３０は、図２及び図３に示されるように、設置面４ａの法線方向Ａ２において設置面４ａと対向しており開口３を塞ぐ第１面３０ａ、及び、法線方向Ａ２において第１面３０ａに対して設置面４ａとは反対側に配置される第２面３０ｂを含む。第２面３０ｂには、波長可変ＬＤ２０の前面２０ａから出射されてコリメートレンズ２１及び光軸変換器２２を通過したレーザ光Ｌ１、及び、波長可変ＬＤ２０の背面２０ｂから出射されてビームスプリッタ４２を経て全反射ミラー４３により反射されたレーザ光Ｌ２が入射する。
【００３５】
第２面３０ｂは、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面に対して僅かに傾斜している。第２面３０ｂは、深さ方向Ａ３において底面２ａとは反対側を向くように傾斜している。言い換えれば、第２面３０ｂの法線ベクトルが深さ方向Ａ３の成分を含み、且つ該成分が底面２ａとは反対側を向いている。第２面３０ｂと、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面とがなす角度は、例えば２０度である。第１面３０ａは、第２面３０ｂに入射して光軸調整部３０内を透過したレーザ光Ｌ１，Ｌ２を出射する。第１面３０ａから出射されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、集光レンズ１２及びアイソレータ１３を通過したのち光ファイバ１１に入射する。第１面３０ａは、第２面３０ｂに沿って傾斜している。一例では、第１面３０ａは、第２面３０ｂと平行である。
【００３６】
光軸調整部３０は、ガラス板３１（第１の部材）、及びビームシフタ３２（第２の部材）を有する。ガラス板３１は、筐体２の光学窓として機能する。ガラス板３１は、開口３を塞ぐように設置面４ａ上に固定されている。具体的には、ガラス板３１は、例えばロウ付けによって設置面４ａに接合されている。ガラス板３１は、例えばサファイヤ又はホウケイ酸ガラスといったガラス材料により構成される。ガラス板３１は、第１面３０ａ、及び、第１面３０ａと第２面３０ｂとの間の光路上に配置される表面３１ａを含む。表面３１ａは、第１面３０ａに沿って傾斜している。一例では、表面３１ａは、第１面３０ａと平行である。
【００３７】
ビームシフタ３２は、ガラス板３１と一体化されている。具体的には、ビームシフタ３２は、樹脂接着剤を介してガラス板３１と接合されている。ビームシフタ３２は、ガラス板３１と波長可変ＬＤ２０との間の光路上（具体的には、ガラス板３１とコリメートレンズ２１との間の光路上）に配置されている。ビームシフタ３２は、法線方向Ａ２に延びる直方体状を呈している。ビームシフタ３２は、ガラス板３１のレーザ光Ｌ１，Ｌ２に対する屈折率よりも大きい屈折率を有する材料により構成される。ビームシフタ３２の材料としては、光透過性が良く、線膨張係数がコバール（Ｋｏｖａｒ：鉄・ニッケル・コバルト合金）に近く、より屈折率が大きい材料が好ましい。なお、コバールは、例えば筐体２のパイプ面、フレームの材料に用いられている。
【００３８】
ビームシフタ３２は、第２面３０ｂ、及び、第２面３０ｂと表面３１ａとの間の光路上に配置されており表面３１ａと対向する裏面３２ａを含む。裏面３２ａは、第２面３０ｂに沿って傾斜している。一例では、裏面３２ａは、第２面３０ｂと平行である。第１面３０ａ、表面３１ａ、裏面３２ａ、及び第２面３０ｂは、法線方向Ａ２に沿って並んでいる。第２面３０ｂと裏面３２ａとの法線方向Ａ２における距離（すなわちビームシフタ３２の法線方向Ａ２における厚さ）は、例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍである。
【００３９】
このような構成を有する光軸調整部３０は、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さ（或いはコリメートレンズ２１の光軸の底面２ａに対する高さ）と、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さ（或いは集光レンズ１２の光軸の底面２ａに対する高さ）とを補償する。具体的には、主に光軸調整部３０のビームシフタ３２が、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸の底面２ａに対する高さと、裏面３２ａから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸の底面２ａに対する高さとの間に、これらを水平に保った状態でオフセットを付与する。
【００４０】
このオフセット量は、第２面３０ｂと裏面３２ａとの法線方向Ａ２における距離、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面に対する第２面３０ｂ及び裏面３２ａの角度（以降、この角度を「ビームシフタ３２の角度」と称する）、ビームシフタ３２の屈折率の大きさに依存する。つまり、ビームシフタ３２の法線方向Ａ２における厚さと、ビームシフタ３２の角度と、ビームシフタ３２の材料の選択により決定されるビームシフタ３２の屈折率とを調整することによって、上記オフセット量を調整することができる。
【００４１】
図４は、ビームシフタ３２の材料及び厚さを変化させた場合における、ビームシフタ３２の角度とオフセット量との関係を示すデータである。図４において、横軸は、ビームシフタ３２の角度であり、縦軸は、オフセット量である。グラフＧ１１は、Ｓｉをビームシフタ３２の材料とし、ビームシフタ３２の厚さを１．０ｍｍとした場合のデータである。グラフＧ１２は、ＢＫ７をビームシフタ３２の材料とし、ビームシフタ３２の厚さを１．０ｍｍとした場合のデータである。グラフＧ１３は、ＢＫ７をビームシフタ３２の材料とし、ビームシフタ３２の厚さを２．０ｍｍとした場合のデータである。
【００４２】
図４に示されるように、ビームシフタ３２の角度が大きくなるほど、オフセット量が大きくなっている。グラフＧ１２及びＧ１３に示されるように、ビームシフタ３２の材料を変えずにビームシフタ３２の厚さを厚くすると、オフセット量が大きくなることがわかる。また、ビームシフタ３２の厚さを変えずにビームシフタ３２の材料を変えると、オフセット量が変化することがわかる。具体的には、ビームシフタ３２の材料をＢＫ７とした場合のオフセット量よりも、ビームシフタ３２の材料を、ＢＫ７の屈折率よりも大きな屈折率を有するＳｉとした場合のオフセット量の方が大きくなる。
【００４３】
このような関係を利用して、ビームシフタ３２の厚さ、角度、及び材料をそれぞれ適宜選択することによって、所望のオフセット量を得ることができる。例えば、グラフＧ１１の条件（ビームシフタ３２の材料をＳｉとし、ビームシフタ３２の厚さを１．０ｍｍとした場合）又はグラフＧ１３の条件（ビームシフタ３２の材料をＢＫ７とし、ビームシフタ３２の厚さを２．０ｍｍとした場合）の下で、ビームシフタ３２の角度を２０度とすれば、０．２ｍｍ〜０．３ｍｍのオフセット量を得ることができる。なお、ビームシフタ３２の厚さは光モジュール１の長手方向Ａ１の寸法に影響するので、光モジュール１の小型化の為には、ビームシフタ３２の厚さを極力薄くすることが望ましい。この場合、ビームシフタ３２の材料として、より大きな屈折率を有する材料を選択するとよい。
【００４４】
以上の構成を備える光モジュール１の製造方法について図５〜図９を参照しながら説明する。図５は、光モジュール１の製造方法を示すフローチャートである。図６〜図９は、光モジュール１の製造工程を模式的に示す側断面図である。
【００４５】
最初に、図６に示されるように、筐体２内において、波長可変ＬＤ２０をキャリア５２上にダイボンド実装し、波長可変ＬＤ２０と複数の外部接続端子５ａ（図２参照）とを電気的に接続する為のワイヤボンディングを行う（工程Ｐ１）。次に、ガラス板３１により前壁２Ｂの開口３を塞いだのち、図７に示されるように、筐体２を支持する治具８０を準備し、表面３１ａに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸が鉛直方向に対して傾斜するように筐体２を保持する（工程Ｐ２）。このとき、ガラス板３１の表面３１ａを鉛直上方向に向けると共に表面３１ａを水平に保った状態で、筐体２を傾斜させる。このようにして、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さと、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さとを補償する位置でガラス板３１が配置される。その後、図８に示されるように、表面３１ａを水平に保った状態で、表面３１ａ上に樹脂接着剤６５を塗布する（工程Ｐ３）。樹脂接着剤６５は、例えばＵＶ硬化性接着剤であってもよく、或いは、例えば液体性の熱硬化樹脂であってもよい。なお、工程Ｐ２は、本実施形態における第１工程に含まれる。また、工程Ｐ３は、本実施形態における第２工程に含まれる。
【００４６】
次に、図９に示されるように、表面３１ａを水平に保った状態で、樹脂接着剤６５を介してビームシフタ３２を表面３１ａ上に配置する（工程Ｐ４）。このとき、ビームシフタ３２の裏面３２ａを表面３１ａに対向させる。そして、ビームシフタ３２をガラス板３１に押圧する。その後、裏面３２ａと表面３１ａとの間に挟み込まれた気泡を除去する為に、真空脱泡処理を行ってもよい。なお、工程Ｐ４は、本実施形態における第３工程に含まれる。
【００４７】
次に、裏面３２ａと表面３１ａとの間の樹脂接着剤６５を硬化させる（工程Ｐ５）。具体的には、表面３１ａを水平に保った状態で、ＵＶを照射するか、若しくは、筐体２及び治具８０を恒温槽内に入れて熱キュアを施す。これにより、ビームシフタ３２の第２面３０ｂ及び裏面３２ａの水平レベルを維持した状態で、ビームシフタ３２が表面３１ａ上に固定される。なお、工程Ｐ５は、本実施形態における第４工程に含まれる。
【００４８】
その後、レセプタクル１０及びコリメートレンズ２１等の光学部品の調芯及び固定を行う（工程Ｐ６）。具体的には、コリメートレンズ２１、集光レンズ１２、及び光ファイバ１１のそれぞれについて調芯及び固定を行い、光ファイバ１１を波長可変ＬＤ２０と光学的に結合させる。このとき、波長可変ＬＤ２０から試験光を出射し、この試験光を用いて各光学部品の調芯を行う。これらの光学部品は、樹脂接着剤を用いて筐体２内に固定される。
【００４９】
以上に説明した、本実施形態の光モジュール１によって得られる効果を、比較例が有する課題と共に説明する。図１１は、比較例としての光モジュール１００を模式的に示す側断面図である。図１１に示されるように、光モジュール１００は、波長可変ＬＤ２０と、波長可変ＬＤ２０を収容する筐体２と、筐体２の前壁２Ｂの開口３に取り付けられるレセプタクル１０と、前壁２Ｂの設置部４に取り付けられるガラス板３１とを備えている。光モジュール１００と、本実施形態の光モジュール１との相違点は、光モジュール１００が、光軸調整部３０に代えてガラス板３１を有している点、及び、波長可変ＬＤ２０及び光ファイバ１１それぞれの光軸Ｃ２，Ｃ１の底面２ａに対する高さが互いに一致している点である。
【００５０】
光モジュール１００の高さＨ１０は、例えば４．５ｍｍである。このような光モジュール１００に対しては、低背化が要求されている。例えば、光モジュール１００の高さが３．６ｍｍとなるように、光モジュール１００の低背化を実現することが求められている。光モジュール１００の高さを例えば３．６ｍｍにしようとすると、ガラス板３１の高さＨ１１が３．６ｍｍであるので、図１１に示されるように、ガラス板３１の周囲の領域（例えば設置部４等）が妨げとなって、上記の要求に応えることが難しい。このガラス板３１の高さ（すなわち開口３の高さ）は、光モジュール１００の高さ方向の寸法Ｈ１０に大きく影響する。従って、このような光モジュール１００の低背化の実現の為には、ガラス板３１の高さＨ１１を極力低くすることが望ましい。
【００５１】
しかしながら、ガラス板３１の高さＨ１１は、波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との光学的な結合を確保する為に、波長可変ＬＤ２０の高さを基準として決定されているので、次のような問題が生じることがある。すなわち、波長可変ＬＤ２０は、ベース部材５１及びキャリア５２を介してＴＥＣ５０上に搭載されているが、ＴＥＣ５０の厚さは、例えば０．７５ｍｍ〜１．２５ｍｍであり、ＴＥＣ５０は、ベース部材５１の厚さ（例えば０．５ｍｍ）及びキャリア５２（例えば０．５ｍｍ）の厚さと比べて或る程度の厚さを有する。従って、特にＴＥＣ５０の厚さが妨げとなり、波長可変ＬＤ２０の高さを低くすることに限界が生じる。例えば、キャリア５２上に搭載される波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さＨ１２は、２．１ｍｍである。このようなＴＥＣ５０の厚さの影響によって波長可変ＬＤ２０の高さが制限されると、これに応じて、ガラス板３１の位置が或る程度の高さに制限されることとなるので、光モジュール１００の低背化を図ることが困難となる。
【００５２】
本実施形態の光モジュール１では、ビームシフタ３２の第２面３０ｂが、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面に対して上方（底面２ａとは反対側）を向くように傾斜しているので、波長可変ＬＤ２０から出射されて第２面３０ｂに入射したレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、ビームシフタ３２内にて下方（底面２ａ側）に屈折する。また、裏面３２ａは第２面３０ｂに沿っているので、裏面３２ａから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、上方に屈折して、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２と略平行に進行する。このようにして、ビームシフタ３２は、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸の高さと、裏面３２ａから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸の高さとの間にオフセットを付与する。これにより、波長可変ＬＤ２０及び光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さが互いにずれていても、波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との光学的な結合を確保することができる。また、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さが、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さよりも低いので、レーザ光Ｌ１，Ｌ２を通過する開口３の底面２ａに対する高さを低くすることにより、光モジュール１の高さ方向（すなわち深さ方向Ａ３）の寸法を小さくすることができる。従って、本実施形態の光モジュール１によれば、波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との光学的な結合を確保しつつ、光モジュール１の低背化を図ることができる。
【００５３】
また、本実施形態の光モジュール１によれば、深さ方向Ａ３において波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との間の光路を折り曲げてこれらの光学的な結合を確保する為のミラーの数を低減することができるので、波長可変ＬＤ２０と光ファイバ１１との間の光学系の大規模化を抑えることができる。これにより、筐体２内の省スペース化を図ることができる。また、このようなミラーの数の低減によって、ミラーの調芯及び固定にかかる作業工数を低減することができる。また、本実施形態の光モジュール１では、第２面３０ｂが、入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面に対して傾斜しているので、波長可変ＬＤ２０への戻り光の発生を抑制することができる。
【００５４】
また、ビームシフタ３２をガラス板３１上に配置せず、ガラス板３１と波長可変ＬＤ２０との光路上において例えばベース部材５１上に配置する場合と比較して、本実施形態の光モジュール１では、ビームシフタ３２をガラス板３１上に配置しているので、筐体２内のスペースを効率的に利用することができ、ビームシフタ３２を筐体２内に効率的に実装することができる。また、ビームシフタ３２をベース部材５１に実装する場合、長手方向Ａ１から見て直方体（長手方向Ａ１及び深さ方向Ａ３に垂直な方向から見て長方形）の部材を使って、角度をモニタしながらビームシフタ３２を傾けて実装するか、若しくは、特殊な形状（長手方向Ａ１及び深さ方向Ａ３に垂直な方向から見て平行四辺形のような形状）に切断した部材を実装する必要があり、材料費増、工数増等の問題が生じやすい。これに対し、本実施形態の光モジュール１では、ガラス板３１にビームシフタ３２を押し付けることで、自ずと角度が決まるため、安価な加工方法による材料費、若しくは加工費の低減が可能である。
【００５５】
また、本実施形態のように、光軸調整部３０はガラス板３１とビームシフタ３２を有し、ガラス板３１とビームシフタ３２は一体化されており、ガラス板３１が前壁２Ｂに取り付けられてなり、ビームシフタ３２の屈折率は、ガラス板３１の屈折率よりも高くてもよい。光軸調整部３０がガラス板３１とビームシフタ３２とに分かれていることにより、ビームシフタ３２の製造工程を筐体２の製造工程から分離することができ、汎用の筐体を用いて筐体２を安価に製造することができる。また、ビームシフタ３２の設計自由度を高めることができる。また、ビームシフタ３２のレーザ光Ｌ１，Ｌ２に対する屈折率を、ガラス板３１のレーザ光Ｌ１，Ｌ２に対する屈折率よりも高くすることにより、第２面３０ｂに入射したレーザ光Ｌ１，Ｌ２を光軸調整部３０内においてより大きく屈折させることができるので、第２面３０ｂと裏面３２ａとの距離をより小さくした場合であっても、光軸調整部３０により、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さと、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さとの間に所望のオフセットを得ることができる。その結果、ビームシフタ３２の厚さをより薄くすることができ、光モジュール１の小型化を図ることができる。また、ビームシフタ３２が半導体により構成される場合には、その半導体のバンドギャップ波長を、レーザ光Ｌ１，Ｌ２の波長よりも長くすることにより、第２面３０ｂに入射したレーザ光Ｌ１，Ｌ２に対するビームシフタ３２の透過率を増加させる（すなわち、レーザ光Ｌ１，Ｌ２に対するビームシフタ３２の吸光係数を低下させる）ことができる。また、この半導体をＳｉとすれば、価格及び入手性の観点から利点がある。
【００５６】
また、本実施形態のように、光軸調整部３０は、波長可変ＬＤ２０に代えて、コリメートレンズ２１の光軸の底面２ａに対する高さと、光ファイバ１１の光軸Ｃ１の底面２ａに対する高さとの間にオフセットを付与してもよい。このような形態であっても、上記と同様の効果を奏することができる。
【００５７】
また、本実施形態のように、光軸調整部３０は、光ファイバ１１に代えて、集光レンズ１２の光軸の底面２ａに対する高さと、波長可変ＬＤ２０の光軸Ｃ２の底面２ａに対する高さとの間にオフセットを付与してもよい。このような形態であっても、上記と同様の効果を奏することができる。
【００５８】
また、本実施形態のように、光モジュール１の製造方法は、ガラス板３１により開口３を塞ぎ、光軸調整部３０が光軸Ｃ２の高さと光軸Ｃ１の高さとを補償する位置でガラス板３１を配置し、当該位置で筐体２を保持する工程Ｐ２と、筐体２を保持しつつ、ガラス板３１の表面３１ａに樹脂接着剤６５を塗布する工程Ｐ３と、筐体２を保持しつつ、ビームシフタ３２を樹脂接着剤６５を介して表面３１ａ上に配置する工程Ｐ４とを含んでもよい。これにより、表面３１ａ上におけるビームシフタ３２の位置ずれを抑えることができる。すなわち、ビームシフタ３２を表面３１ａ上に精度良く配置することができる。また、筐体２の内部に特段の治具を挿入することなく、ビームシフタ３２を所定の位置に保つことができ、製造が容易となる。
【００５９】
また、本実施形態のように、光モジュール１の製造方法は、工程Ｐ４の後、表面３１ａを水平に保った状態で、樹脂接着剤６５を硬化する工程Ｐ５を含んでもよい。これにより、表面３１ａ上におけるビームシフタ３２の位置ずれをより確実に抑えることができる。すなわち、ビームシフタ３２をより精度良く表面３１ａ上に配置することができる。
【００６０】
また、本実施形態のように、工程Ｐ１を、工程Ｐ２〜Ｐ６よりも前に行うことにより、ビームシフタ３２の実装精度が低下することを抑えることができる。その理由は、工程Ｐ１では、高温処理が必要となるダイボンド実装及びワイヤボンディング実装が行われる為、工程Ｐ１が工程Ｐ２〜Ｐ６よりも後に行われると、この高温処理の影響により、ビームシフタ３２の実装位置にずれが生じるおそれがあるからである。具体的には、樹脂接着剤６５を用いてビームシフタ３２を固定した後に、波長可変ＬＤ２０のダイボンド実装が行われると、このダイボンド実装では、半田を融解させる為に例えば３００℃を超える高温で熱処理が行われるので、この熱処理の影響によって、樹脂接着剤６５の温度が該樹脂接着剤６５のガラス転移点を超えてしまうおそれがある。その結果、ビームシフタ３２の実装位置が変動するおそれがある。そこで、工程Ｐ１の後に、工程Ｐ２〜Ｐ６を実施することにより、このような影響による実装ずれを抑えることができる。
【００６１】
（第１変形例）
図１０は、上記実施形態の第１変形例による光モジュール１Ａを模式的に示す側断面図である。本変形例と上記実施形態との相違点は、本変形例の光モジュール１Ａの光軸調整部３０Ａが、ガラス板３１及びビームシフタ３２に代えて、ビームシフタ３２Ａを有している点である。ビームシフタ３２Ａは、裏面３２ａに代えて第１面３０ａを含む点で、上記実施形態のビームシフタ３２とは異なっている。また、ビームシフタ３２Ａは、例えばサファイヤ又はホウケイ酸ガラスといった透明材料により構成される。本変形例による光モジュール１Ａでは、ビームシフタ３２Ａの第２面３０ｂが、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸に垂直な平面に垂直な平面に対して底面２ａとは反対側を向くように傾斜しているので、波長可変ＬＤ２０から出射されて第２面３０ｂに入射したレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、ビームシフタ３２内にて底面２ａ側に屈折する。また、第１面３０ａは第２面３０ｂに沿っているので、第１面３０ａから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２は、底面２ａとは反対側に屈折して、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２と略平行に進行する。このようにして、ビームシフタ３２Ａは、第２面３０ｂに入射するレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸と、第１面３０ａから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２の光軸の高さとの間にオフセットを付与するので、光モジュール１Ａは、上記実施形態の効果と同様の効果を奏することができる。また、本変形例によれば、ビームシフタ３２をガラス板３１に固定する工程（具体的には、上記実施形態における工程Ｐ２〜Ｐ５）を省くことができるので、光モジュール１Ａの組み立て及び設計を容易に行うことができる。
【００６２】
（第２変形例）
上記実施形態では、光モジュール１として、波長可変ＬＤ２０を有する半導体光モジュールを例示したが、本変形例では、光モジュール１として、波長可変ＬＤ２０に代えて受光素子（光半導体素子）を有する半導体光モジュールを例示する。この場合、光ファイバ１１が信号光を出射し、該信号光が受光素子に入射する。具体的には、光ファイバ１１から出射されて裏面３２ａに入射した信号光は、ビームシフタ３２内にて底面２ａとは反対側に屈折して第２面３０ｂに入射する。そして、第２面３０ｂから出射された信号光は、底面２ａ側に屈折して、裏面３２ａに入射する信号光と略平行に進行して受光素子に入射する。このようにして、ビームシフタ３２は、裏面３２ａに入射する信号光の光軸の高さと、第２面３０ｂから出射される信号光の光軸の高さとの間にオフセットを付与する。これにより、受光素子及び光ファイバ１１の光軸の底面２ａに対する高さが互いにずれていても、受光素子と光ファイバ１１との光学的な結合を確保することができる。従って、本変形例によれば、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、本変形例の光モジュール１の製造工程Ｐ６において、筐体２外に試験光源を設置し、該試験光源から筐体２内に試験光を入射する。これにより、コリメートレンズ２１、集光レンズ１２、及び光ファイバ１１等の各光学部品について調芯及び固定を行い、光ファイバ１１と受光素子とを光学的に結合させる。
【００６３】
本発明の光モジュール及び光モジュールの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態及び各変形例を、必要な目的及び効果に応じて互いに組み合わせてもよい。また、上記実施形態及び各変形例では、アイソレータ１３は、レセプタクル１０内に収容されていたが、ガラス板３１の第１面３０ａに直接貼り付けられる自己保持型のアイソレータであってもよく、ベース部材５１上に実装されてもよい。また、上記実施形態及び各変形例では、波長可変ＬＤ２０又は受光素子を有する半導体光モジュールを例示したが、本発明は、他の光半導体素子を有する半導体光モジュールにも適用可能である。例えば、光半導体素子として変調器（一例では多値変調器チップ）を有する半導体光モジュールに本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１，１Ａ…光モジュール、２…筐体、２Ａ…底板、２ａ…底面、２Ｂ…前壁、２Ｃ…後壁、３…開口、４…設置部、４ａ…設置面、５…フィードスルー、５ａ…外部接続端子、１０…レセプタクル、１０ａ，１０ｂ…光出力ポート、１１…光ファイバ、１２…集光レンズ、１３…アイソレータ、２０…波長可変ＬＤ、２０ａ…前面、２０ｂ…背面、２１，４０…コリメートレンズ、２２…光軸変換器、２２ａ，２２ｂ…反射面、２３，４６，４７…モニタＰＤ、３０，３０Ａ…光軸調整部、３０ａ…第１面、３０ｂ…第２面、３１ａ…表面、３２ａ…裏面、３１…ガラス板、３２…ビームシフタ、４１…波長ロッカ部、４２，４５…ビームスプリッタ、４３…全反射ミラー、４４…エタロンフィルタ、４８…サーミスタ、５０，６０…ＴＥＣ，５１，６１…ベース部材、５２…キャリア、６５…樹脂接着剤、Ｃ１，Ｃ２…光軸、Ｌ１，Ｌ２…レーザ光。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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