(57)【要約】      （修正有）【課題】ビルドアップ層に生じる反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできるコアレス基板の製造方法を提供する。【解決手段】犠牲基板２０の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層４０を形成する第１の積層工程と、温度Ｔ１℃で加熱することで、上記第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第１の硬化工程と、プレキュアした上記第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層５０を形成する第２の積層工程と、温度Ｔ２℃で加熱することで、上記第２の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第２の硬化工程と、温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした上記第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした上記第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアする第３の硬化工程と犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含む。Ｔ１は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、Ｔ２は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
犠牲基板の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、
温度Ｔ１℃で加熱することで、前記第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第１の硬化工程と、
プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、
温度Ｔ２℃で加熱することで、前記第２の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第２の硬化工程と、
温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした前記第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層とする第３の硬化工程と、
前記第１のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含み、
前記Ｔ１は、前記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、
前記Ｔ２は、前記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である、コアレス基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記Ｔ３は、１６０℃以上２６０℃以下である、コアレス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記第１の硬化工程でプレキュアされた前記第１の熱硬化性樹脂層が、以下の条件で測定したとき、８０℃以上２２０℃以下のガラス転移温度を有し、
前記第３の硬化工程で前記第１の熱硬化性樹脂層をフルキュアして得られた前記第１のビルドアップ層が、以下の条件で測定したとき、２２０℃以上のガラス転移温度を有する、コアレス基板の製造方法。
（条件）
・測定方法：動的粘弾性測定
・測定温度：３０℃以上４５０℃以下
・昇温速度：５℃／ｍｉｎ
・変形モード：引張モード
・周波数：１ｒａｄ／ｓｅｃ
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記第２の硬化工程の後、前記第３の硬化工程の前に、プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした前記第２の熱硬化性樹脂層を温度Ｔ４で熱処理するアニール工程をさらに含み、
前記Ｔ４は、前記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である、コアレス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のコアレス基板の製造方法であって、
前記第１の積層工程において、前記犠牲基板と、金属層と、前記第１の熱硬化性樹脂層とをこの順で積層した３層積層構造を形成し、
前記剥離工程の後、前記金属層をエッチングするエッチング工程を更に含む、コアレス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法を用いてコアレス基板を製造する工程と、前記コアレス基板を使用してプリント配線基板を作製する工程と、を含むプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアレス基板の製造方法及びプリント配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属板等の剛性機能の優れたコア基板を有さないコアレス基板の分野では、様々な技術が開発されている。例えば、特許文献１には、基板上に、カバーフィルム、銅めっきなどの導体、第１繊維層を有する第１絶縁体、導体、第２繊維層を有する第２絶縁体をこの順で形成し、基板とカバーフィルムとを分離することで得られるコアレス基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−０８５１０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者は、特許文献１に記載のコアレス基板の反りについて検討した。その結果、特許文献１に記載のコアレス基板は、基板とカバーフィルムとを分離する際にコアレス基板に反りが生じてしまうことが判明した。
そこで、本発明は、コアレス基板の製造過程において、犠牲基板の上に複数のビルドアップ層を形成し、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際、ビルドアップ層の反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできるコアレス基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、特許文献１のコアレス基板に反りが生じる原因について検討した。その結果、犠牲基板の上に形成される複数のビルドアップ層に内部応力が蓄積され、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際に該内部応力が解放されてビルドアップ層が反ってしまい、コアレス基板に反りが発生することを見出した。
そこで、本発明者は、ビルドアップ層に内部応力を低減できるコアレス基板の製造方法を検討した。その結果、まず、複数の熱硬化性樹脂層をプレキュアの硬化状態で積層し、次いで、複数の熱硬化性樹脂層を特定の温度で熱処理することによってフルキュアすることが重要であることを知見した。
本発明者は、ビルドアップ層の内部応力を低減することにより、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際に生じるビルドアップ層の反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできることを見出し、本発明を完成させた。
【０００６】
本発明によれば、
犠牲基板の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、
温度Ｔ１℃で加熱することで、前記第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第１の硬化工程と、
プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、
温度Ｔ２℃で加熱することで、前記第２の熱硬化樹脂層をプレキュアする第２の硬化工程と、
温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした前記第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層とする第３の硬化工程と、
前記第１のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含み、
前記Ｔ１は、前記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、
前記Ｔ２は、前記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である、コアレス基板の製造方法が提供される。
【０００７】
また、本発明によれば、
上記方法を用いてコアレス基板を製造する工程と、前記コアレス基板を使用してプリント配線基板を作製する工程と、を含むプリント配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際、ビルドアップ層に生じる反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできるコアレス基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係るコアレス基板の製造方法の一例を示す模式図である。
【図２】本実施形態に係るプリント配線基板の一例の模式図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の一例の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
本実施形態によれば、犠牲基板の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、温度Ｔ１℃で加熱することで、上記第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第１の硬化工程と、プレキュアした上記第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、温度Ｔ２℃で加熱することで、上記第２の熱硬化樹脂層をプレキュアする第２の硬化工程と、温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした上記第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした上記第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層とする第３の硬化工程と、上記第１のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含み、上記Ｔ１は、上記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、上記Ｔ２は、上記Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である、コアレス基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明者は、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離した際のコアレス基板に反りを低減するために、コアレス基板に反りが生じる原因について検討した。その結果、コアレス基板の製造工程において、犠牲基板の上にビルドアップ層を積層していくことで、ビルドアップ層に内部応力が生じることが判明した。そして、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離した際に、内部応力が解放され、ビルドアップ層が反ってしまい、コアレス基板が反ることが判明した。
【００１３】
そこで、本発明者は、内部応力を低減するために、コアレス基板の製造方法について検討した。その結果、まず、複数の熱硬化性樹脂層をプレキュアの硬化状態で積層し、次いで、複数の熱硬化性樹脂層を特定の温度で熱処理することによってフルキュアすることが内部応力を低減するために重要であることを知見した。これにより、フルキュアしたビルドアップ層と、新たに積層するビルドアップ層の形成時に生じる内部応力を低減できると推測される。
なお、本実施形態において、プレキュア、フルキュアの硬化状態は以下のように規定される。熱硬化性樹脂層に示差走査熱量（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：ＤＳＣ）測定を、窒素雰囲気下で、温度３０℃から３５０℃まで、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で行ったとき、未硬化状態の熱硬化性樹脂層（すなわち、熱硬化性樹脂組成物）の発熱量［ｍＷ／ｇ］を１００とする。ここで、同条件でＤＳＣ測定を行ったとき、発熱量が３０以上９０未満の熱硬化性樹脂層をプレキュアの硬化状態とする。また、発熱量が９０以上１００以下の熱硬化性樹脂層をフルキュアの硬化状態とする。
【００１４】
以上より、本実施形態に係るコアレス基板の製造方法で作製されるコアレス基板は、ビルドアップ層の内部応力を低減することで、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際に生じるビルドアップ層の反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできると推測される。
【００１５】
（コアレス基板の製造方法）
まず、本実施形態に係るコアレス基板の製造方法について説明する。
本実施形態に係るコアレス基板の製造方法は、犠牲基板の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層を形成する第１の積層工程と、温度Ｔ１℃で加熱することで、第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアする第１の硬化工程と、プレキュアした前記第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層を形成する第２の積層工程と、温度Ｔ２℃で加熱することで、第２の熱硬化樹脂層をプレキュアする第２の硬化工程と、温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層とする第３の硬化工程と、第１のビルドアップ層から犠牲基板を剥離する剥離工程と、を含む。
ここで、Ｔ１は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である、また、Ｔ２は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度である。
また、本実施形態に係るコアレス基板の製造方法は、例えば、上記第２の硬化工程の後、上記第３の硬化工程の前に、プレキュアした第１の熱硬化樹脂層及びプレキュアした第２の熱硬化樹脂層を温度Ｔ４で熱処理するアニール工程をさらに含んでもよい。
以下、各工程の詳細について、コアレス基板の製造方法の一例の模式図である図１に基づいて説明する。
【００１６】
（第１の積層工程）
第１の積層工程では、図１（ａ）に示すように、犠牲基板２０の少なくとも一方面上に第１の熱硬化性樹脂層４０を形成する。第１の熱硬化性樹脂層４０は、犠牲基板の少なくとも一方面上に形成されればよく、例えば、犠牲基板の両面に形成されることが好ましい。これにより、反りを低減したコアレス基板の生産性を向上できる。
また、図１（ａ）に示すように、第１の熱硬化性樹脂層は、その内部に、導体回路パターン３０、または、図示しない電極パッドを備えていてもよい。ここで、導体回路パターン３０は、犠牲基板の上に銅箔を積層し、該銅箔をフォトリソグラフィーまたはエッチングすることによって形成してもよく、セミアディティブプロセス法により導体回路パターンを直接形成してもよい。
【００１７】
第１の熱硬化性樹脂層４０は、例えば、第１の熱硬化性樹脂組成物によって構成されていてもよい。ここで、第１の熱硬化性樹脂層４０を形成する方法としては限定されない。第１の熱硬化性樹脂層４０を形成する方法としては、具体的には、ワニス状の第１の熱硬化性樹脂組成物を犠牲基板２０の上に塗工する方法、ワニス状の第１の熱硬化性樹脂組成物を乾燥させて樹脂膜である第１の熱硬化性樹脂層４０を作製し、犠牲基板２０の上に積層する方法などが挙げられる。
あるいは、第１の熱硬化性樹脂層４０は、例えば、第１の熱硬化性樹脂組成物をガラスクロス、紙基材といった繊維基材に含浸させ、樹脂膜とすることで形成してもよい。
なお、樹脂膜である第１の熱硬化性樹脂層４０を犠牲基板２０の上に積層する方法としては、具体的には、真空加熱加圧成形する方法などがあげられる。真空加熱加圧成形など温度を加えながら加圧する方法で積層する場合、温度をＴ１℃に調整することで、例えば、加熱の温度を第１の積層工程と、第１の硬化工程とを同時に行うことができる。
【００１８】
本実施形態に係る第１の熱硬化性樹脂層４０は、例えば、図１（ｂ）に示すように、ビアホール３２を備えていてもよい。ビアホール３２は、層間を電気的に接続するための孔であればよく、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。ビアホール３２は、例えば、金属を埋設して形成されてもよい。この埋設した金属は、無電解金属めっき膜で覆われた構造を有していてもよい。
【００１９】
以下、犠牲基板２０及び第１の熱硬化性樹脂層４０の詳細について説明する。
【００２０】
＜犠牲基板＞
犠牲基板２０としては、たとえば、金属層２４／キャリア層／プリプレグ／キャリア層／金属層２４がこの順で積層されたコア材等が挙げられる。なお、犠牲基板２０には、例えば、金属層２４表面の非回路部分にあらかじめレジストを形成した状態で、電解金属めっきを行うことにより、導体回路パターン３０を設けてもよい。または、金属層２４表面に電解金属めっき処理を行った後、この電解金属めっき層に対しフォトリソグラフィーまたはエッチングすることで、導体回路パターン３０を設けてもよい。これらの方法で形成した導体回路は、犠牲基板から剥離した後、金属層２４を金属エッチング処理で除くことで、プリプレグに埋め込まれた導体回路とすることができる。
【００２１】
＜第１の熱硬化性樹脂組成物＞
第１の熱硬化性樹脂組成物は、例えば、熱硬化性樹脂と、溶媒とを含む。
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、原料成分を、例えば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
【００２２】
＜熱硬化性樹脂＞
熱硬化性樹脂としては、具体的には、マレイミド化合物、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化性樹脂としては、上記具体例のうち例えば、マレイミド化合物を用いることが好ましい。
【００２３】
本実施形態において、上記マレイミド化合物のマレイミド基は、５員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物等と強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、熱硬化性樹脂組成物は、マレイミド化合物を含むことにより、得られる絶縁層の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができる。したがって、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂としてマレイミド樹脂を含むことによって内部応力を低減し、さらにコアレス基板の反り量を低減することができる。
なお、上述したコアレス基板の反り量を低減できる観点から、マレイミド化合物としては、例えば、マレイミド化合物としては、分子内に２つ以上のマレイミド基を有するマレイミド化合物が好ましい。
【００２４】
マレイミド化合物としては、具体的には、４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミド、ｍ−フェニレンビスマレイミド、ｐ−フェニレンビスマレイミド、２，２−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン、ビス−（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、４−メチル−１，３−フェニレンビスマレイミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンジマレイミド、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンジマレイミド、ビス（４−マレイミドフェニル）エーテル、ビス（４−マレイミドフェニル）スルホン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンビスマレイミド、ビスフェノールＡジフェニルエーテルビスマレイミド等の分子内に２つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミド等の分子内に３つ以上のマレイミド基を有する化合物等が挙げられる。
マレイミド化合物としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
上記エポキシ樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。
エポキシ樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
＜溶媒＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、原料成分を溶媒に溶解、分散させることで、ワニス状として用いることができる。
溶媒としては、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドンなどが挙げられる。溶媒としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
＜その他の成分＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、硬化剤、硬化促進剤、などをさらに含有してもよい。
以下、代表成分について記載する。
【００２８】
＜硬化剤＞
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、上述した熱硬化性樹脂に応じて、例えば、硬化剤を含んでもよい。硬化剤としては、具体的には、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、活性エステル樹脂などを用いることができる。
【００２９】
上記フェノール樹脂としては、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を限定するものではない。フェノール樹脂としては、具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂などの多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などの変性フェノール樹脂；フェニレン骨格および／またはビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレンおよび／またはビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂などのアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦなどのビスフェノール化合物などが挙げられる。フェノール樹脂としては、上記具体例のうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、フェノール樹脂としては、室温２５℃で液状である液状フェノール樹脂を含むことが好ましい。
【００３０】
上記ベンゾオキサジン樹脂としては、具体的には、ｏ−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ｍ−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ｐ−クレゾールアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−メチルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−シクロヘキシルアミン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−ｍ−トルイジン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−３，５−ジメチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ−アミン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＦ−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＳ−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルスルホン−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ジヒドロキシジフェニルエーテル−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ベンゾフェノン型ベンゾオキサジン樹脂、ビフェニル型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡＦ−アニリン型ベンゾオキサジン樹脂、ビスフェノールＡ−メチルアニリン型ベンゾオキサジン樹脂、フェノール−ジアミノジフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、トリフェニルメタン型ベンゾオキサジン樹脂、およびフェノールフタレイン型ベンゾオキサジン樹脂などが挙げられる。
また、ベンゾオキサジン樹脂の市販品としては、例えば、ＢＦ−ＢＸＺ、ＢＳ−ＢＸＺ、ＢＡ−ＢＸＺ（以上、小西化学工業（株）製）などを用いることができる。
【００３１】
上記シアネート樹脂としては、シアネートエステル樹脂を用いることができる。
シアネートエステル樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテルなどの２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエン構造含有フェノール樹脂などから誘導される多官能シアネート樹脂；上記例示したシアネートエステル樹脂の一部がトリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。
ここで、シアネートエステル樹脂の市販品としては、例えば、ロンザジャパン社製のＰＴ３０、ＢＡ２３０、ＤＴ−４０００、ＤＴ−７０００などを用いることができる。
【００３２】
上記活性エステル樹脂としては、具体的には、フェノールエステル化合物、チオフェノールエステル化合物、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル化合物、複素環ヒドロキシ基がエステル化された化合物等の反応活性の高いエステル基を有し、エポキシ樹脂の硬化作用を有するものを用いることができる。
活性エステル樹脂としては、上記具体例のうち、例えば、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られるものを用いることが好ましい。ここで、ヒドロキシ化合物としては、具体的には、フェノール化合物、ナフトール化合物などが挙げられる。
上記カルボン酸化合物としては、具体的には、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸などが挙げられる。
また、上記フェノール化合物としては、具体的には、ヒドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラックなどが挙げられる。
また、上記ナフトール化合物としては、具体的には、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレンなどが挙げられる。
【００３３】
＜硬化促進剤＞
上述した硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂と、硬化剤との反応を促進させるものを用いることができる。硬化促進剤としては、具体的には、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンなどの３級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４−メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ−ＭＫ）、テトラフェニルホスホニウムのビス（ナフタレン−２，３−ジオキシ）フェニルシリケート付加物のような四級ホスホニウム系化合物、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物などが挙げられる。
【００３４】
（第１の硬化工程）
第１の硬化工程では、第１の積層工程で形成した第１の熱硬化性樹脂層４０を温度Ｔ１℃で加熱することでプレキュアする。
温度Ｔ１は、第１の熱硬化性樹脂層を構成する熱硬化性樹脂の種類に応じて設定できる。
Ｔ１は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、３０℃以上７０℃以下低い温度であることが好ましい。これにより、第１の熱硬化性樹脂層４０を内部応力が蓄積しないよう、温和な条件で硬化することができる。
【００３５】
（第２の積層工程）
第２の積層工程では、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層の上に第２の熱硬化性樹脂層５０を形成する。
ここで、図１（ｃ）に示すように、第２の熱硬化性樹脂層５０は、例えば、その内部に、導体回路パターン３４または図示しない電極パッドを備えることが好ましい。ここで、導体回路パターン３４は、例えば、上述した導体回路パターン３０と同様の方法で形成することができる。
【００３６】
第２の熱硬化性樹脂層５０は、例えば、第２の熱硬化性樹脂組成物によって構成される。ここで、第２の熱硬化性樹脂組成物は、上述した第１の熱硬化性樹脂組成物と同様のものとすることができる。また、第２の熱硬化性樹脂層５０を形成する方法は、上述した第１の熱硬化性樹脂層４０を形成する方法と同様とすることができる。
なお、第１の熱硬化性樹脂層と、第２の熱硬化性樹脂層とは、同一の熱硬化性樹脂組成物に由来してもよく、異なる熱硬化性樹脂組成物に由来してもよい。層間の熱膨張係数を一致させることによって、後述する第３の硬化工程で生じる内部応力を低減できる観点から、第１の熱硬化性樹脂層と、第２の熱硬化性樹脂層とは、例えば、同一の熱硬化性樹脂組成物に由来することが好ましい。
【００３７】
また、本実施形態に係る第２の熱硬化性樹脂層５０は、例えば、図１（ｄ）に示すように、ビアホール３８を備えていてもよい。ビアホール３８は、層間を電気的に接続するための孔であればよく、貫通孔および非貫通孔いずれでもよい。ビアホール３８は、例えば、金属を埋設して形成されてもよい。この埋設した金属は、無電解金属めっき膜で覆われた構造を有していてもよい。
【００３８】
また、本実施形態に係る第２の熱硬化性樹脂層５０は、例えば、図１（ｄ）に示すように、ビアホール３８と接続する導体回路パターン３９を表面に備えていてもよい。ここで、導体回路パターン３９は、上述した導体回路パターン３０と同様の方法で形成することができる。
【００３９】
（第２の硬化工程）
第２の硬化工程では、第２の積層工程で形成した第２の熱硬化性樹脂層５０を温度Ｔ２℃で加熱することでプレキュアする。
温度Ｔ２は、第２の熱硬化性樹脂層５０を構成する熱硬化性樹脂の種類に応じて設定できる。
Ｔ２は、Ｔ３と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であり、３０℃以上７０℃以下低い温度であることが好ましい。これにより、第２の熱硬化性樹脂層５０を内部応力が蓄積しないよう、温和な条件で硬化することができる。
【００４０】
（アニール工程）
例えば、第２の硬化工程の後、第３の硬化工程の前に、プレキュアした第１の熱硬化樹脂層及びプレキュアした第２の熱硬化樹脂層を温度Ｔ４で、例えば、１〜８時間熱処理するアニール工程をさらに行ってもよい。
アニールする方法としては限定されず、例えば、オーブン等の恒温器を用いて実施できる。あるいは、電解銅メッキ後の、銅メッキの応力を開放し、接着性を向上するための熱処理と同時にアニール工程を行ってもよい。この場合、例えば、１８５℃で４時間の加熱処理が行われる。
Ｔ４は、例えば、後述するＴ３の温度と比べて、２０℃以上８０℃以下低い温度であることが好ましく、３０℃以上７０℃以下低い温度であることがより好ましい。また、Ｔ４は、Ｔ１、Ｔ２と比べて、０℃以上１００℃以下低い温度であることが好ましく、０℃以上６０℃以下低い温度であることがより好ましい。これにより、プレキュアすることで蓄積してしまった内部応力を緩和することができる点で好ましい。
【００４１】
（第３の硬化工程）
第３の硬化工程では、温度Ｔ３℃で加熱することで、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層及びプレキュアした第２の熱硬化性樹脂層をフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層４２、第２のビルドアップ層５２とする。
Ｔ３の上限値としては、例えば、２６０℃以下とすることが好ましく、２５０℃以下とすることがより好ましく、２４０℃以下とすることが更に好ましく、２３０℃以下とすることが一層好ましく、２２０℃以下とすることが殊更好ましい。これにより、ビルドアップ層の硬化を緩やかに、均一に起こすことができる。これにより、ビルドアップ層間の熱収縮による変位の差に起因する内部応力が生じることを抑制できる。したがって、コアレス基板の反り量を低減できる。
また、Ｔ３の下限値としては、例えば、１６０℃以上とすることが好ましく、１８０℃以上とすることがより好ましく、２００℃以上とすることが更に好ましく、２２０℃以上とすることが一層好ましい。これにより、ビルドアップ層を適切に硬化することができる。
【００４２】
第１の硬化工程においてプレキュアされた第１の熱硬化性樹脂層４０のガラス転移温度は、８０℃以上２２０℃以下であることが好ましく、９０℃以上２１０℃以下であることがより好ましい。
第２の硬化工程における処理後の第１の熱硬化性樹脂層４０のガラス転移温度は、８０℃以上２２０℃かであることが好ましく、９０℃以上２１０℃以下であることがより好ましい。
第３の硬化工程で第１の熱硬化性樹脂層４０をフルキュアして得られる第１のビルドアップ層４２のガラス転移温度は、例えば、２２０℃以上であることが好ましく、２６０℃以上であることがより好ましく、２８０℃以上であることがさらに好ましい。また、フルキュアされた第１のビルドアップ層４２のガラス転移温度の上限値は、好ましくは、４５０℃以下であり、より好ましくは、４００℃以下である。
第２の硬化工程でプレキュアされた第２の熱硬化性樹脂層５０のガラス転移温度は、８０℃以上２２０℃以下であることが好ましく、９０℃以上２１０℃以下であることがより好ましい。
第３の硬化工程でフルキュアされた第２のビルドアップ層５２のガラス転移温度の上限値は、２２０℃以上であることが好ましく、２６０℃以上であることがより好ましく、２８０℃以上であることがさらに好ましい。また、フルキュアされた第２のビルドアップ層４２のガラス転移温度の上限値は、好ましくは、４５０℃以下であり、より好ましくは、４００℃以下である。
第１のビルドアップ層４２、第２のビルドアップ層５２のガラス転移温度が上記数値範囲内であることにより、内部応力が蓄積されることを抑制できる。
なお、本実施形態において、ビルドアップ層のガラス転移温度は、例えば、以下の条件で測定することができる。
（条件）
・測定方法：動的粘弾性測定
・測定温度：３０℃以上４５０℃以下
・昇温速度：５℃／ｍｉｎ
・変形モード：引張モード
・周波数：１ｒａｄ／ｓｅｃ
なお、本実施形態において、ガラス転移温度よりも低い温度で熱分解が始める場合、ガラス転移温度は正確には測定できない。そこで、熱分解の開始する温度をガラス転移温度として扱うこととする。
【００４３】
（剥離工程）
剥離工程では、第１のビルドアップ層から犠牲基板２０を剥離する。これにより、図１（ｅ）に示すように、コアレス基板１００を得ることができる。本実施形態に係るコアレス基板は、例えば、金属層、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層がこの順で積層した積層構造を備え、第２のビルドアップ層の表面に導体回路パターン３９を備える。
本実施形態に係るコアレス基板１００は、剥離工程で犠牲基板２０が剥離されることにより、内部応力が解放されコアレス基板１００に反りが生じる。しかしながら、上述した第１〜第３の硬化工程によって、穏やかな条件で硬化を進行させることによって、複数のビルドアップ層が存在する場合でも内部応力の蓄積が小さいという点で都合がよい。
【００４４】
（エッチング工程）
ここで、上述した第１の積層工程において、第１のビルドアップ層４２と、犠牲基板２０との間に金属層２４が存在する、すなわち、犠牲基板と、金属層と、第１の熱硬化性樹脂層とをこの順で積層した３層積層構造を形成されている場合、剥離工程によって、金属層は、例えば、第１のビルドアップ層４２に積層したままになる。この場合、金属層をエッチングし、取り除くエッチング工程を更に含んでもよい。
エッチングする方法としては限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
【００４５】
（変形例１）
次に本実施形態に係るコアレス基板の製造方法の変形例１について説明する。
本実施形態に係るコアレス基板の製造方法では、例えば、第２の硬化工程の後、第３の硬化工程の前に、第３の熱硬化性樹脂層形成工程を含んでもよい。
ここで、第３の熱硬化性樹脂層形成工程は、例えば、上記第２の積層工程及び第２の硬化工程と同様の方法で行うことができる。これにより、本実施形態に係るコアレス基板は、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層、第３のビルドアップ層がこの順で積層した３層コアレス基板とすることができる。
【００４６】
（変形例２）
次に本実施形態に係るコアレス基板の製造方法の変形例２について説明する。
本実施形態に係るコアレス基板の製造方法では、例えば、第３の熱硬化性樹脂層形成工程の後、第４の熱硬化性樹脂層形成工程を含んでもよい。
ここで、第４の熱硬化性樹脂層形成工程は、例えば、第３の熱硬化性樹脂層形成工程と同様の方法で行うことができる。これにより、本実施形態に係るコアレス基板は、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層、第３のビルドアップ層、第４のビルドアップ層がこの順で積層した４層コアレス基板とすることができる。
【００４７】
上記変形例１、２に示すように、本実施形態に係るコアレス基板の製造方法では、第３の硬化工程の前にビルドアップ層を積層することで、３層以上のビルドアップ層を備えるコアレス基板を作製することができる。なお、コアレス基板は、コア層を備えないことによって従来の基板では実現できない薄さを実現できるものである。コアレス基板が備えるビルドアップ層の数は、これを用いる用途により異なり、例えば、８層、６層、４層とすることができる。コアレス基板の厚みもまた、これを用いる用途に依存し、例えば、５０μｍ以上３００μｍ以下、または８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。
【００４８】
（用途）
本実施形態係るコアレス基板は、例えば、パネルレベルパッケージ、プリント配線基板などに用いられる基板として用いることができる。本実施形態に係るコアレス基板は、反り量が小さく、従来のコアを備える基板よりも薄いため、上述した用途に好適に用いることができる。
以下に、本実施形態に係るコアレス基板を、プリント配線基板３００に用いた例について、図２に基づいて説明する。
【００４９】
（プリント配線基板）
本実施形態に係るプリント配線基板３００は、例えば、絶縁層３０１（コアレス基板）と、絶縁層４０１（ソルダーレジスト層）とを備える構造でもよい。本実施形態に係るコアレス基板を用いることによって、多層プリント配線基板を作製することができる。
【００５０】
また、本実施形態に係るコアレス基板を用いたパネルレベルパッケージ、プリント配線基板は、例えば、半導体装置に用いることができる。
以下に、図３を一例として、本実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００５１】
（半導体装置）
本実施形態に係る半導体装置４００は、例えば、プリント配線基板３００と、プリント配線基板３００の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板３００に内蔵された半導体素子４０７と、を備えることができる。
【００５２】
例えば、図３に示される半導体装置４００は、図２に示されるプリント配線基板３００の上に、半導体素子４０７が搭載された構造を有する。半導体素子４０７は、封止材層４１３に覆われている。このような半導体パッケージは、半田バンプ４１０および金属層３０３を介して、半導体素子４０７が、プリント配線基板３００と電気的に接続するフリップチップ構造であってもよい。
【００５３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
（実施例１）
＜熱硬化性樹脂組成物の調製＞
まず、熱硬化性樹脂層を形成するための熱硬化性樹脂組成物を調整した。熱硬化性樹脂層の原料成分として、ビスマレイミド樹脂（大和化成工業社製、ＢＭＩ−１０００）２２質量部と、アリルフェノール樹脂（大和化成工業社製、ＤＡＢＰＡ）８質量部と、シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−Ｃ４）７０重量部とを、溶媒であるメチルエチルケトンに溶解、分散させ、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌して、不揮発分７０質量％となるように調整した。これにより、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
【００５６】
＜樹脂シートの作製＞
次いで、熱硬化性樹脂組成物を用いて、樹脂シートを作製した。具体的には、熱硬化性樹脂組成物を繊維基材（ユニチカ製、＃１０１７Ｅガラスクロス）に塗布し、次いで、温度１７０℃で２分間乾燥することによって溶媒を除去し、厚さ３０μｍのプリプレグを作製した。
【００５７】
＜犠牲基板の準備＞
次いで、犠牲基板として、プリプレグの両面にピーラブル銅箔（三井金属鉱業社製、ＭＴ−Ｅｘ−５μｍ）を備えるコア材（住友ベークライト製、ＬＡＺ−４７８５ＧＨ−Ｇ、厚さ０．１ｍｍ）を準備した。
【００５８】
＜第１の積層工程、第１の硬化工程＞
次いで、犠牲基板が両面に備えるピーラブル銅箔を覆うように、犠牲基板の両面に第１の熱硬化性樹脂層を配置した。次いで、第１の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度１８０℃に加熱して９０分間真空ラミネートすることによって、第１の熱硬化性樹脂層をプレキュアした。
これにより、銅箔、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層、犠牲基板、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層、銅箔をこの順で積層した第１の積層体を作製した。
次いで、第１の積層体の両面をエッチングすることによりパターニングして、導体回路パターンを形成した。これにより、両面に導体回路パターンが設けられた第１の積層体を作製した。
【００５９】
＜第２の積層工程、第２の硬化工程＞
次いで、第１の積層体が両面に備える導体回路パターンを覆うように第２の熱硬化性樹脂層を配置した。次いで、第２の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度１８０℃に加熱して９０分間真空ラミネートすることによって、第２の熱硬化性樹脂層をプレキュアした。
これにより、銅箔、プレキュアした第２の熱硬化性樹脂層、導体回路パターン、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層、犠牲基板、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層、導体回路パターン、プレキュアした第２の熱硬化性樹脂層、銅箔をこの順で積層した第２の積層体を作製した。
【００６０】
＜第３の硬化工程＞
次いで、第２の積層体を温度２２０℃で２時間プレスすることにより、プレキュアした第１の熱硬化性樹脂層と、プレキュアした第２の熱硬化性樹脂層とをフルキュアし、それぞれ、第１のビルドアップ層、第２のビルドアップ層とした。
【００６１】
＜剥離工程＞
次いで、ピーラブル銅箔を剥離することで、犠牲基板と、第１のビルドアップ層とを剥離し、実施例１に係るコアレス基板を作製した。なお、犠牲基板と、第１のビルドアップ層とを剥離した際、実施例１に係るコアレス基板に反りが生じることが確認された。
なお、コアレス基板は、ピーラブル銅箔、第１のビルドアップ層、導体回路パターン、第２のビルドアップ層、銅箔がこの順で積層していた。
【００６２】
（実施例２）
実施例２のコアレス基板は、第２の硬化工程の後、第３の硬化工程の前に、アニール工程を追加で行った以外は、実施例１のものと同様の方法で作製した。以下、アニール工程について説明する。
【００６３】
＜アニール工程＞
アニール工程では、恒温器（エスペック社製、ＰＨＨ−１０１Ｍ）を用いて、第２の積層体を温度１５０℃で４時間熱処理した。
【００６４】
（実施例３）
実施例３のコアレス基板は、アニール工程において、熱処理条件を温度１８０℃で４時間とした以外は、実施例２のものと同様の方法で作製した。
【００６５】
（比較例１）
比較例１のコアレス基板は、第１の積層工程、第１の硬化工程、第２の積層工程、第２の硬化工程の条件を以下のように変更し、第３の硬化工程を行わなかった以外は、実施例１のものと同様の方法で作製した。
【００６６】
＜第１の積層工程、第１の硬化工程＞
犠牲基板の準備に次いで、犠牲基板が両面に備えるピーラブル銅箔を覆うように犠牲基板の両面に第１の熱硬化性樹脂層を配置した。次いで、第１の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度２２０℃に加熱して９０分間真空ラミネートすることによって、第１の熱硬化性樹脂層をフルキュアして、第１のビルドアップ層とした。
これにより、銅箔、第１のビルドアップ層、犠牲基板、第１のビルドアップ層、銅箔がこの順で積層した第１の積層体を作製した。
次いで、第１の積層体の両面をエッチングすることによりパターニングして、導体回路パターンを形成した。これにより、両面に導体回路パターンが設けられた第１の積層体を作製した。
【００６７】
＜第２の積層工程、第２の硬化工程＞
次いで、第１の積層体が両面に備える導体回路パターンを覆うように第１の積層体の両面に第２の熱硬化性樹脂層を配置した。次いで、第２の熱硬化性樹脂層の上に銅箔を更に積層し、温度２２０℃に加熱して９０分間真空ラミネートすることによって、第１の熱硬化性樹脂層をフルキュアして、第２のビルドアップ層とした。
これにより、銅箔、第２のビルドアップ層、導体回路パターン、第１のビルドアップ層、犠牲基板、第１のビルドアップ層、導体回路パターン、第２のビルドアップ層、銅箔をこの順で積層した第２の積層体を作製した。
次いで、上述したように、第３の硬化工程を行わず、剥離工程を実施例１と同様の方法で行い、ピーラブル銅箔、第１のビルドアップ層、導体回路パターン、第２のビルドアップ層、銅箔がこの順で積層したコアレス基板を作製した。なお、犠牲基板と、第１のビルドアップ層とを剥離した際、比較例１に係るコアレス基板に反りが生じることが確認された。
【００６８】
（比較例２）
比較例２のコアレス基板は、第１の積層工程、第１の硬化工程、第２の積層工程、第２の硬化工程の条件を比較例１の条件と同様とし、さらに第３の硬化工程を行なった以外は、実施例１のものと同様の方法で作製した。
【００６９】
（コアレス基板の反り量）
各実施例、各比較例のコアレス基板の作製方法によって得られたコアレス基板の反り量を評価した。以下に詳細を説明する。
まず、得られたコアレス基板を、反ったコアレス基板の四隅が接地しないように平面上に静置した。
次いで、平面から四隅までの長さ、及び、四隅から平面までの長さをそれぞれ測定し、その平均値をコアレス基板の反り量として評価した。この評価結果を、ｗ／  ｃｏｐｐｅｒの評価結果として下記表１に示す。なお、単位はｍｍである。
また、各実施例、各比較例のコアレス基板の作製方法によって得られたコアレス基板について、銅エッチング処理をすることでピーラブル銅箔を取り除いた。この時のコアレス基板の反り量の評価結果を、ｗ／ｏ  ｃｏｐｐｅｒの評価結果として下記表１に示す。なお、単位はｍｍである。なお、コアレス基板が、第２のビルドアップ層を内側に巻き込む様に反ったものをスマイル反りとし、反り量の符号を正とした。また、コアレス基板が、第１のビルドアップ層を内側に巻き込む様に反ったものをクライ反りとし、反り量の符号を負とした。なお、実施例１〜３、比較例１〜２の評価結果は全て正、すなわち、スマイル反りをするコアレス基板であった。
【００７０】
（ガラス転移温度）
各実施例および各比較例に係るコアレス基板について、ビルドアップ層のガラス転移温度を測定した。第１の硬化工程後及び、第３の硬化工程後に、犠牲基板から剥離した基板を測定サンプルとして用いた。なお、比較例１については第３の硬化工程がないため、第２の硬化工程後に、犠牲基板から剥離した基板を測定サンプルとした。
測定は、動的粘弾性測定を用いて行い、測定温度３０℃以上４５０℃以下、昇温速度５℃／ｍｉｎ、周波数１ｒａｄ／ｓｅｃで変形モードを引張モードとして行い、ｔａｎδのピークにおける温度をガラス転移温度として評価した。評価結果を下記表１に示す。なお、単位は℃である。
【００７１】
【表１】
2019179793.tif 000003
【００７２】
上記表１に示す通り、各実施例のコアレス基板の製造方法によって得られたコアレス基板は、比較例１または比較例２のものと比べて、犠牲基板及びビルドアップ層を剥離する際、ビルドアップ層に生じる反りを低減し、コアレス基板の反り量を小さくできることが確認された。
【符号の説明】
【００７３】
２０  犠牲基板
２４  金属層
３０  導体回路パターン
３２  ビアホール
３４  導体回路パターン
３８  ビアホール
３９  導体回路パターン
４０  第１の熱硬化性樹脂層
４２  第１のビルドアップ層
５０  第２の熱硬化性樹脂層
５２  第２のビルドアップ層
１００  コアレス基板
３００  プリント配線基板
３０１  絶縁層
３０３  金属層
４００  半導体装置
４０１  絶縁層
４０７  半導体素子
４１０  半田バンプ
４１３  封止材層
【図１】
2019179793.tif 000004
【図２】
2019179793.tif 000005
【図３】
2019179793.tif 000006