(57)【要約】【課題】  クロストークを抑制した光電変換装置を提供する。【解決手段】  表面と裏面を有し、表面と裏面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、半導体層の表面の側に配された配線構造と、複数の光電変換部の間に配され、裏面から連続する溝によって形成された分離部と、分離部に重なるように裏面の側において半導体層の上に配された第１遮光部と、複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して第１遮光部に対向するように裏面の側において半導体層の上に配された第２遮光部と、を備える。【選択図】  図２
2019140252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面を有し、前記表面と前記裏面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、
前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、
前記複数の光電変換部の間に配され、前記裏面から連続する溝によって形成された分離部と、
前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、
前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、
を備える光電変換装置であって、
前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第２遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、前記第１遮光部の下に前記裏面と前記溝の前記１つの光電変換部の側の側面との境が位置し、
前記裏面に沿った第１方向における前記第１端と前記第２端との間の距離をＷとし、
前記第１方向における前記第２端と前記境との間の距離をＬとし、
前記表面から裏面に向かう第２方向における前記裏面と前記第２端との間の距離をＨとし、
前記第２方向における前記第１端と前記境との間の距離をＤとして、
Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌ
を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
Ｌ＜０．４×Ｗ
を満たす、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
Ｄ＜Ｌ
を満たす、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１方向における前記分離部の幅であって、前記第２方向における前記分離部の長さの１／２である位置における前記分離部の幅をＧとして、
Ｄ＜Ｇ
を満たす、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
Ｇ＜Ｌ
を満たす、請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
表面と裏面を有し、前記裏面と前記表面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、
前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、
前記複数の光電変換部の間に配され、各々が前記表面から連続する溝によって形成された分離部と、
前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、
前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、
を備える光電変換装置であって、
前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、
前記表面に沿った第１方向における前記第２端と前記第２遮光部との距離をＷａとし、
前記第１方向における前記第１端と前記第２遮光部との距離をＷｂとし、
前記第１方向における前記第１遮光部の幅であって、前記第１端と前記第２端とから等距離の高さにおける前記第１遮光部の幅をＷｃとし、
前記第１方向における前記分離部の幅であって、前記分離部の深さの１／２である位置における前記分離部の幅をＧとして、
Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２
および
Ｗａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃ
を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
Ｗｃ＜Ｇ
および
Ｇ＜３×Ｗｃ／２
の少なくとも一方を満たす、請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１方向において前記第１端からの距離がＷａ／２となる前記領域の中の位置と、前記第１方向において前記第２端からの距離がＷｂ／２となる前記領域の中の位置と、が重ならない、請求項６または７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１遮光部および前記第２遮光部を構成する遮光部材は、前記第１端を有する下部と、前記第２端を有する上部とを有し、前記下部の前記第１方向における幅が、前記上部の第１方向における幅よりも小さく、前記下部の前記第２方向における厚さが、前記上部の前記第２方向における厚さよりも小さい、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１遮光部および前記第２遮光部は、前記領域を囲む第１の開口と、前記複数の光電変換部のうちの他の光電変換部の上に位置する第２の開口と、を含む遮光部材によって構成されており、前記第２の開口の面積は、前記第１の開口の面積と異なる、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１遮光部と前記第２遮光部との間の前記領域の下には少なくとも２つの光電変換部が位置する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記２つの光電変換部の間には、前記裏面から連続する、前記分離部よりも幅の小さい溝が設けられている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記２つの光電変換部の間には、前記裏面から連続する、前記分離部よりも深さの小さい溝が設けられている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第１遮光部の幅は１００ｎｍよりも大きい、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記第１遮光部はタングステンを含む、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記第１遮光部と前記第２遮光部との間にはレンズが設けられている、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記溝の側面および前記裏面は金属酸化物膜で覆われている、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第２方向における前記分離部の長さは前記裏面と前記表面との間の距離の１／４以上である、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第１遮光部と前記裏面との間には絶縁体膜が設けられており、前記第１遮光部は前記半導体層へ電気的に接続されている、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置を備える機器であって、
前記光電変換装置に結像する光学系、
前記光電変換装置を制御する制御装置、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、
前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、
前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置
の少なくともいずれかを更に備えることを特徴とする機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置の遮光構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
裏面照射型の光電変換装置では、半導体層の裏面側に溝型の分離部を形成したり、半導体層の裏面上に遮光部材を配置したりすることにより、画素間のクロストークを抑制することができる。特許文献１には、溝型素子分離と遮光膜の両方を配置した構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−５５１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
遮光部材と溝型分離部との間に入射した光が、クロストークの原因になりうる。そこで、本発明は、クロストークを抑制した光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための観点は、表面と裏面を有し、前記表面と前記裏面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、前記複数の光電変換部の間に配され、前記裏面から連続する溝によって形成された分離部と、前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、を備える光電変換装置であって、前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第２遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、前記第１遮光部の下に前記裏面と前記溝の前記１つの光電変換部の側の側面との境が位置し、前記裏面に沿った第１方向における前記第１端と前記第２端との間の距離をＷとし、前記第１方向における前記第２端と前記境との間の距離をＬとし、前記表面から裏面に向かう第２方向における前記裏面と前記第２端との間の距離をＨとし、前記第２方向における前記第１端と前記境との間の距離をＤとして、Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌを満たすことを特徴とする。
【０００６】
表面と裏面を有し、前記裏面と前記表面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、前記複数の光電変換部の間に配され、各々が前記表面から連続する溝によって形成された分離部と、前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、を備える光電変換装置であって、前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、前記表面に沿った第１方向における前記第２端と前記第２遮光部との距離をＷａとし、前記第１方向における前記第１端と前記第２遮光部との距離をＷｂとし、前記第１方向における前記第１遮光部の幅であって、前記第１端と前記第２端とから等距離の高さにおける前記第１遮光部の幅をＷｃとし、前記第１方向における前記分離部の幅であって、前記分離部の深さの１／２である位置における前記分離部の幅をＧとして、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２およびＷａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃを満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、クロストークの発生を抑制した光電変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】光電変換装置を説明する模式図。
【図２】光電変換装置を説明する模式図。
【図３】光電変換装置を説明する模式図。
【図４】光電変換装置を説明する模式図。
【図５】光電変換装置を説明する模式図。
【図６】光電変換装置を説明する模式図。
【図７】光電変換装置を説明する模式図。
【図８】光電変換装置を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態を説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。なお、実施形態の開示内容は、本明細書に明記したことのみならず、本明細書および本明細書に添付した図面から把握可能な全ての事項を含む。また、同様の名称で異なる符号を付した構成については、第１構成、第２構成、第３構成・・・などとして区別することが可能である。
【００１０】
光電変換装置の１つに裏面照射型のＣＭＯＳセンサーがある。光が入射する領域に配線構造がないため、感度が向上する利点がある。一方で、入射角が小さい光線が入射した場合、入射角が小さい光線を遮る部材がないと、入射した光線の一部が透光部材内あるいは半導体層の内部で隣接する画素に漏れ、光学混色が発生する。この問題を改善するため、光が入射する領域に遮光構造を設ける技術や、画素間にトレンチ分離構造を設ける技術が有効である。本実施形態では、遮光構造とトレンチ分離構造とを組み合わせることを検討する。しかし、遮光構造とトレンチ分離構造との間に隙間が存在する場合、この隙間を介したクロストークの発生を抑制するうえで有利な形態を説明する。
【００１１】
図１（ａ）は、裏面照射型の光電変換装置を示す断面図である。光電変換装置ＡＰＲは、半導体層１０と、配線構造１５０と、分離部３１と、遮光部８１と、遮光部８２と、を備える。半導体層１０は表面１０１と裏面１０２を有する。
【００１２】
半導体層１０の中には、表面１０１と裏面１０２との間に複数の光電変換部２０（２１、２２）が設けられている。光電変換部２０を有する半導体層１０は光電変換層と称することもできる。半導体層の材料は典型的にはシリコンなどの単結晶半導体層であるが、多結晶や非晶質であってもよい。また、無機半導体材料に限らず、有機半導体材料であってもよい。半導体層１０には裏面１０２から連続する溝３０が設けられている。溝３０は複数の光電変換部２０の間に配されている。溝３０のうちで、光電変換部２１と光電変換部２２の間に位置する部分で分離部３１が構成されている。溝３０のうちの他の部分で構成された分離部３２、３３と分離部３１との間に光電変換部２１、２２が位置する。典型的な光電変換部２０はフォトダイオードである。半導体層１０の裏面１０２を基準にして、裏面１０２に沿った方向をＸ，Ｙ方向とし、表面１０１から裏面１０２に向かう方向をＺ方向とする。Ｘ方向とＹ方向とＺ方向は互いに直交する。Ｘ，Ｙ方向は裏面１０２および表面１０１に平行な方向であり、Ｚ方向は裏面１０２および表面１０１に垂直な方向である。図面に合わせ、表面１０１側を下側、裏面１０２側を上側として説明する。
【００１３】
裏面１０２側の構造を説明する。遮光部８１と遮光部８２のそれぞれは遮光部材８０の一部である。遮光部材８０は、金属や金属化合物あるいは黒色樹脂からなる。遮光部材８０に用いられる金属としてはタングステンやアルミニウムが好適である。遮光部材８０の主成分がタングステンである場合、遮光部８１、８２、８３の幅が１００ｎｍ以上であれば、透過する光線の減衰率が−５０ｄＢ以上となり、十分な遮光性能が確保できる。遮光部８１、８２、８３の幅が２００ｎｍ以上であれば、透過する光線の減衰率が−１００ｄＢ以上となり、より好ましい。遮光部８１は分離部３１に重なるように裏面１０２の側において半導体層１０の上に配されている。遮光部８２は分離部３２に重なるように裏面１０２の側において半導体層１０の上に配されている。遮光部８３は分離部３３に重なるように裏面１０２の側において半導体層１０の上に配されている。遮光部材８０と半導体層１０との間には、両者を分離するための分離部材４０が配されている。分離部材４０のうち、溝３０の中に位置する部分が分離部３１、３２、３３を構成する。
【００１４】
遮光部８２は、複数の光電変換部２０のうちの少なくとも１つの光電変換部２１の上の透光領域７１を介して遮光部８１に対向するように配されている。同様に、遮光部８３は、複数の光電変換部２０のうちの他の光電変換部２２の上の透光領域７２を介して遮光部８１に対向するように配されている。透光領域７１、７２は透光部材７０の一部である。透光領域７１の上にはカラーフィルタＣＦ１とマイクロレンズＭＬ１が配され、透光領域７２の上にはカラーフィルタＣＦ２とマイクロレンズＭＬ２が配されている。
【００１５】
裏面１０２側の構造を説明する。半導体層１０の裏面１０２上にはゲート電極１１０を含むトランジスタが設けられている。配線構造１５０は、半導体層１０の裏面１０２側に配されている。配線構造１５０は、複数の層間絶縁膜からなる絶縁部材１２０と、複数の配線層１３０、１４０を含む、多層配線構造を有する。
【００１６】
図１（ｂ）は、光電変換装置ＡＰＲを含む機器ＥＱＰを示す模式図である。光電変換装置ＡＰＲの全部または一部が、半導体デバイスＩＣである。本例の光電変換装置ＡＰＲは、例えば、イメージセンサーやＡＦ（Ａｕｔｏ  Ｆｏｃｕｓ）センサー、測光センサー、測距センサーとして用いることができる。機器ＥＱＰは、半導体デバイスＩＣは光電変換部２０を含む画素回路ＰＸＣが行列状に配列された画素エリアＰＸを有する。半導体デバイスＩＣは画素エリアＰＸの周囲に周辺エリアＰＲを有することができる。周辺エリアＰＲには画素回路以外の回路を配置することができる。光電変換装置ＡＰＲは半導体デバイスＩＣに加えて、半導体デバイスＩＣを格納するパッケージＰＫＧを含むことができる。機器ＥＱＰは、光学系ＯＰＴ、制御装置ＣＴＲＬ、処理装置ＰＲＣＳ、表示装置ＤＳＰＬ、記憶装置ＭＭＲＹおよび機械装置ＭＣＨＮの少なくともいずれかを更に備え得る。機器ＥＱＰの詳細は後述する。
【００１７】
＜第１実施形態＞
図２と図３を用いて第１実施形態を説明する。図２（ａ）は４画素分の光電変換部２０を含む平面図である。図１（ａ）、図２（ｂ）は図２（ａ）のＸ１−Ｘ２線における断面図である。図２（ａ）から理解されるように、遮光部材８０は格子状になっており、遮光部材８０の開口によって上述の透光領域７１、７２が画定される。図２（ａ）には、遮光部材８０と溝３０とが重なっている様子を示している。
【００１８】
図２（ｂ）を用いて遮光部８１、８２の位置関係を詳細に説明する。遮光部８１は、透光領域７１の側の面である側面８１０を有する。側面８１０のうちの半導体層１０の側（下側）の端が下端８１１である。側面８１０のうちの半導体層１０の側（下側）とは反対側（上側）の端が上端８１２である。遮光部８２は、透光領域７２の側の面である側面８２０を有する。側面８２０のうちの半導体層１０の側（下側）の端が下端８２１である。側面８２０のうちの半導体層１０の側（下側）とは反対側（上側）の端が上端８２２である。
【００１９】
Ｘ方向における下端８１１と上端８２２との間の距離をＷとする。下端８１１と上端８２２はＺ方向において異なる位置に存在するが、Ｘ方向における２つの端の間の距離は、Ｘ方向の成分のみに着目したものである。Ｘ方向における上端８１２と遮光部８２（上端８２２）との間の距離をＷａとする。Ｘ方向における下端８１１と遮光部８２（下端８２１）との間の距離をＷｂとする。Ｘ方向における遮光部８１の幅であって、下端８１１と上端８１２とから等距離の高さにおける遮光部８１の幅をＷｃとする。Ｚ方向における下端８２１と上端８２２との間の距離をＴとする。Ｚ方向における下端８１１と上端８１２との間の距離も距離Ｔである。距離Ｔは遮光部材８０（遮光部８１、８２）の厚さに相当する。幅Ｗｃは遮光部８１の厚さが半分（Ｔ／２）になる位置における遮光部８１の幅である。Ｚ方向における下端８１１および下端８２１と裏面１０２との間の距離をＤとする。距離Ｄは下端８１１、８２１の裏面１０２からの高さに相当する。距離Ｄと距離Ｔとの和を距離Ｈとする（Ｄ＋Ｔ＝Ｈ）。距離Ｈは上端８１２、８２２の裏面１０２からの高さに相当する。
【００２０】
図２（ｂ）には下端８１１と上端８２２とを結ぶ直線を一点鎖線で示している。一点鎖線は、裏面１０２と角度αを成す。図２（ｂ）から理解されるように、ｔａｎα＝Ｔ／Ｗである。
【００２１】
分離部材４０は誘電体膜５０と絶縁体膜６０とを含みうる。誘電体膜５０は絶縁体膜６０と半導体層１０との間に配される。誘電体膜５０は酸化アルミニウム膜や酸化ハフニウム膜などの金属酸化物膜でありうる。典型的な誘電体膜５０は絶縁体膜６０よりも薄い。裏面１０２を覆う誘電体膜５０は反射防止膜でありうる。絶縁体膜６０は裏面１０２側の平坦性を向上する平坦化膜や遮光部材８０と半導体層１０との絶縁を行う絶縁膜でありうる。誘電体膜５０や絶縁体膜６０には不図示の位置に開口部が設けられており、この開口部を介して遮光部材８０（遮光部８１、８２、８３）は不図示の位置で半導体層１０へ電気的に接続されている。これにより、遮光部材８０に所定の電位を供給し、遮光部材８０の電位が浮遊状態になることを抑制している。
【００２２】
図３を用いて、遮光部８１と分離部３１との位置関係を詳細に説明する。なお、図３には図２で説明した距離Ｈ，Ｔ，Ｄ等も簡略的に示している。図３には、図２（ｂ）で示した一点鎖線も示している。
【００２３】
分離部３１が配された溝３０は、光電変換部２１の側の側面３０１と、光電変換部２１の側の側面３０２と、を有する。遮光部８１の下に、裏面１０２と、溝３０の光電変換部２１の側の側面３０１との境１３１が位置する。Ｘ方向における下端８１１と境１３１との間の距離をＬとする。Ｚ方向における下端８１１と境１３１との間の距離をＤとする。下端８１１と境１３１はＺ方向においてもＸ方向においても異なる位置に存在する。しかし、Ｘ方向における２つの部位の間の距離は、Ｘ方向の成分のみに着目したものであり、Ｚ方向における２つの部位の間の距離はＺ方向の成分のみに着目したものである。Ｚ方向における分離部３１の長さをＦとする。長さＦは溝３０の深さに相当する。分離部３１が表面１０１まで達している場合、分離部３１の長さＦ（溝３０の深さ）は、半導体層１０の厚さと一致し、表面１０１と裏面１０２との間の距離と一致する。長さＦは半導体層１０の厚さの１／４以上であることが好ましい。Ｘ方向における分離部３１の幅であって、分離部３１の長さＦ（溝３０の深さ）の１／２である位置における分離部３１の幅をＧとする。
【００２４】
裏面１０２と溝３０の側面３０１、３０２は分離部材４０に含まれる誘電体膜５０で覆われている。誘電体膜５０は境１３１をも覆う。誘電体膜５０は半導体層１０の裏面１０２および溝３０の側面３０１、３０２の近傍の電荷を固定することにより、暗電流を抑制する役割を有する電荷固定膜でありうる。誘電体膜５０は裏面１０２および溝３０の側面３０１、３０２の一方のみを覆っていてもよい。
【００２５】
図３には下端８１１と境１３１とを結ぶ直線を二点鎖線で示している。二点鎖線は、裏面１０２と角度βを成す。図３から理解されるように、ｔａｎβ＝Ｄ／Ｌである。
【００２６】
ここで、遮光部８２に対して透光領域７１とは反対側から、長鎖線Ｂに沿って所定の角度で光が入射した光線を想定する。なお、長鎖線Ｂは上端８２２と境１３１を結んだ線である。長鎖線Ｂは、裏面１０２と角度γを成す。
【００２７】
仮に遮光部８１が存在しない場合を考える。上端８２２をかすめて角度γより大きい角度で入射する光は、溝３０ではなく、光電変換部２１上の裏面１０２に入射する。上端８２２をかすめて角度γより小さい角度で入射する光は溝３０に入射する。このように溝３０に入射する光は、光電変換においてクロストーク等の光学的ノイズ源になるため、できだけ低減すべきである。そのためには、下端８１１が長鎖線Ｂよりも下に位置する必要がある。下端８１１が長鎖線Ｂよりも下に位置することは、α＞βあるいはγ＞βを満たすことに相当する。このことは、図３から幾何学的に理解できよう。
【００２８】
α＞βについて検討する。α＞βであればｔａｎα＞ｔａｎβである。上述のように、ｔａｎα＝Ｔ／Ｗおよびｔａｎβ＝Ｄ／Ｌで表されるから、Ｔ／Ｗ＞Ｄ／Ｌである。Ｈ＝Ｔ＋ＤよりＴ＝Ｈ−Ｄであるから、これをＴ／Ｗ＞Ｄ／Ｌに代入して変形すれば、Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌが導き出せる。
【００２９】
γ＞βについて検討する。γ＞βであればｔａｎγ＞ｔａｎβである。ｔａｎγ＝Ｈ／（Ｌ＋Ｗ）およびｔａｎβ＝Ｄ／Ｌで表されるから、Ｈ／（Ｌ＋Ｗ）＞Ｄ／Ｌである。これを変形すれば、Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌが導き出せる。
【００３０】
このように、Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌを満足すれば、溝３０に光が入射することを抑制できる。なお、分数の分母は０ではないので、上記式は、Ｄ＞０、Ｌ＞０である場合に成立する。Ｌ／（Ｗ＋Ｌ）＞Ｄ／Ｈと表現すれば、Ｌ＞０であれば、Ｄ＝０であっても成立しうる。
【００３１】
距離Ｌを大きくすることは光電変換部２０に入射する光を制限するため感度の低下につながる場合がある。しかし、実質的な開口幅に相当する距離Ｗに対して距離Ｌが十分に小さければ、距離Ｌによる感度低下の影響は限定的である。具体的には、Ｌ＜０．４×Ｗであることが好ましい。
【００３２】
Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌを満足するには、距離Ｄを小さくし、距離Ｌを大きくすることが有効であるため、Ｄ＜Ｌとすることが有効である。しかし、距離Ｌを大きくすると感度が低下するため、距離Ｌによる感度低下の影響が大きい場合（例えば距離Ｗが２μｍ以下である場合）には、Ｌ＜Ｄとすることが好ましい。
【００３３】
距離Ｌに対応する部分は半導体層１０であり、光電変換できる領域である。一方、溝３０（分離部３１）は光電変換できない領域である。そのため、距離Ｌと幅Ｇとの比較であれば、Ｇ／２＜Ｌとすることが好ましく、Ｇ＜Ｌとすることがより感度向上に有利である。
【００３４】
距離Ｄを小さくすることで、入射角が小さい光線が遮光部８１と分離部３１との間を通過することを抑制することができる。距離Ｄを小さくするためには誘電体膜５０や絶縁体膜６０を薄くすればよい。誘電体膜５０や絶縁体膜６０を薄くすると、遮光部材８０の形成時に半導体層１０へのダメージが入り、暗電流等のノイズが発生しやすくなる可能性がある。誘電体膜５０や絶縁体膜６０が溝３０の両側の側面３０１、３０２上に、十分な厚さで形成されることが好ましい。そのため、溝３０の幅Ｇは、裏面１０２上における誘電体膜５０と絶縁体膜６０の膜厚の和の２倍以上であることが好ましい。距離Ｄが誘電体膜５０と絶縁体膜６０の膜厚の和で表されると近似すれば、Ｇ＞２×Ｄとなる。換言すれば、Ｄ＜Ｇ／２である。誘電体膜５０を絶縁体膜６０よりも薄くすることを想定すると、Ｄ＜Ｇとすることもできる。
【００３５】
図２（ｂ）の例では側面８１０、８２０は傾斜している。その結果、Ｗａ−Ｗｂ＞０となっている。上述したＬ／（Ｗ＋Ｌ）＞Ｄ／Ｈを満たす上では、Ｗａ−Ｗｂ≦０でもよい。しかし、透光領域７１の入口をより広くして感度を高めることと、光学的ノイズの低減とを両立するためには、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２を満たすことが好ましい。遮光部８１の幅Ｗｃに比べて透光領域７１の入口と出口の大きさが有意に大きいことを意味する。Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃとすることもできる。
【００３６】
また、分離部３１が遮光部８１で適切に遮光されるためには、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃを満たすことが好ましい。これは、分離部３１の幅Ｇに比べて遮光部８１の下面が有意に大きいことを意味する。
【００３７】
幅Ｗｃをより小さくすることで感度を向上できるため、Ｗｃ＜Ｇを満たすことも好ましい。また、幅Ｇを極端に大きくしないことでも感度を向上できるため、Ｇ＜３×Ｗｃ／２を満たすことも好ましい。Ｗｃ＜ＧおよびＧ＜３×Ｗｃ／２の少なくとも一方を満たすことが好ましい。なお、Ｇ＜３×Ｗｃ／２は、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃの右辺と、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２の右辺との関係において、Ｗｃ／２＞Ｇ−Ｗｃとなる条件である。これは、幅Ｇと幅Ｗｃの差が幅Ｗｃの半分に比べて小さく、幅Ｗｃと幅Ｇを同程度の小さい幅とすることが好ましいことを意味する。これらを総合すると、感度を向上するには、Ｗｃ＜Ｇ＜３×Ｗｃ／２を満たすことが好ましいといえる。
【００３８】
上記した各種寸法の一例を挙げる。距離Ｗは例えば５００ｎｍ〜５μｍである。距離Ｌは例えば１００ｎｍ〜１μｍである。距離Ｄは例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍである。距離Ｔは例えば１００ｎｍ〜５μｍである。幅Ｗｃは例えば１００ｎｍ〜１μｍである。
【００３９】
＜第２実施形態＞
図４（ａ）、（ｂ）を用いて、第２実施形態を説明する。図４（ｂ）は図４（ａ）のＸ３−Ｘ４線における断面図である。以降で説明する実施形態において、他の実施形態と共通であってよい事項については説明を省略し、実施形態間で異なる点について主に説明する。
【００４０】
第２実施形態は、上述したＨ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌの関係、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２の関係、および、Ｗａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃの関係の少なくとも１つを満たすのに適した遮光部材８０を用いた形態である。遮光部材８０（遮光部８１、８２、８３）は半導体層１０の側から順に下部８０１、中部８０２、上部８０３から構成される。下部８０１の幅は中部８０２の幅および上部８０３の幅よりも小さいことにより、上述した距離Ｌを大きくするのに適切な形状となっている。下部８０１の厚さを、上部８０３と中部８０２の合計の厚さおよび上部８０３と中部８０２のそれぞれの厚さに比べて十分に小さくすることで、透光領域７１を広くして感度を向上している。下部８０１の幅は、上部８０３と中部８０２の合計の厚さよりも小さくなっている。下部８０１の幅は、上部８０３と中部８０２のそれぞれの厚さよりも小さくなっている。また、中部８０２の幅を上部８０３の幅と同程度にすることにより、中部８０２の幅Ｗｃを小さくするのに適切な形状となっている。下部８０１の上面と中部８０２および上部８０３の側面とがなす角度は本例では９０度であるが、４５〜１３５度程度にすることができる。このような構造であれば、遮光部材８０の上部８０３と中部８０２の幅を変更することで、幅Ｗ、Ｗａ、Ｗｃから独立して距離Ｌを変更することが可能である。ここで距離Ｌを大きくする場合を考える。遮光部８１が台形の場合では、距離Ｌを大きくするためには遮光部８１の全体の幅（例えば幅Ｗｃ）を大きくする必要があり、画素ピッチを変更しない場合、Ｗ、Ｗａが減少する。そのため、入射光が遮光部材８０の開口を通過する割合が減少し、感度が低下する。これに対して本実施形態では上部８０３と中部８０２の幅を小さくしつつ、下部８０１の幅を大きくすることができる。
【００４１】
遮光部８１と遮光部８２との間には層内レンズ９１が設けられており、遮光部８１と遮光部８３との間には層内レンズ９２が設けられている。層内レンズ９１、９２を構成する層内レンズ部材９０は、窒化シリコン層９０２と窒化シリコン層９０２の下に設けられた反射防止層９０１と窒化シリコン層９０２の上に設けられた反射防止層９０３とを含みうる。層内レンズ９１、９２は光電変換部２１、２２の上に設けられ、入射光を光電変換部２１、２２の中央に集光する。幅Ｗａと比較して幅Ｗｂが小さいが、入射光は層内レンズ９１、９２により集光されるため、感度の低下は起こりにくい。
【００４２】
＜第３実施形態＞
図５（ａ）、（ｂ）を用いて、第２実施形態の変形例としての第３実施形態を説明する。本実施形態では、主光線の入射角に応じて、下部８０１、中部８０２、上部８０３、層内レンズ９１、９２の平面位置を光電変換部２１、２２からずらして配置している。そのため、Ｘ方向において遮光部８１の上端８１２からの距離がＷａ／２となる透光領域７１内の位置と、Ｘ方向において下端８１１からの距離がＷｂ／２となる透光領域７１内の位置とが重ならない。このようにすることで、主光線が遮光部材８０に遮られ、感度が低下することを抑制できる。
【００４３】
大型の撮像エリアを有する光電変換装置においては、撮像エリアの中央部と周辺部とで入射角の差が大きくなる場合がある。その場合、撮像エリアの全面に均一な光を照射した場合でも撮像エリアの中央部と周辺部とで画素の出力に差（シェーディング）が生じる。これに対して、本実施形態のような構成であればシェーディングを抑制できる。
【００４４】
＜第４実施形態＞
図６（ａ）、（ｂ）を用いて、第２実施形態の変形例としての第４実施形態を説明する。遮光部８１および遮光部８２は遮光部材８０によって構成されている。遮光部材８０（下部８０１）は、透光領域７１を囲む開口８６と、複数の光電変換部２０のうちの他の光電変換部２２の上に位置する開口８７と、を有する。開口８６の面積は、開口８７の面積と異なる。本例では、右下の画素の開口８７の面積は開口８６の面積より小さい。光電変換部２２の上における遮光部８１の下端と遮光部８２の下端との距離Ｗｂ’は、遮光部８１の下端と遮光部８３の下端との距離Ｗｂよりも小さい（Ｗｂ’＜Ｗｂ）。一方、光電変換部２２の上における遮光部８１の上端と遮光部８２の上端との距離Ｗａ’は、遮光部８１の下端と遮光部８３の下端との距離Ｗａと等しい（Ｗａ’＝Ｗａ）。距離Ｗａと距離Ｗａ’は異なっていてもよいが、距離Ｗｂと距離Ｗｂ’との差よりも小さくすることが好ましい（Ｗａ−Ｗａ’＜Ｗｂ−Ｗｂ’）。図６の遮光部材８０の開口は右下の画素が小さく、均一な光を入射した場合、右下の画素の出力は他の画素より小さくなる。このような構成であれば、右下の画素とそれ以外の画素との感度比が調整可能である。例えば、画素の色ごとに開口形状を変えると、色比の調整ができる。あるいは、中央と外周とで開口形状を変えるとシェーディングの補正ができる。
【００４５】
＜第５実施形態＞
図７（ａ）、（ｂ）を用いて、第２実施形態の変形例としての第５実施形態を説明する。遮光部８１と遮光部８２との間の透光領域７１の下には少なくとも２つの光電変換部２１１と光電変換部２１２が位置する。１つの画素に複数の光電変換部を配置することで、瞳分割による位相差検出方式の測距や焦点検出が可能となる。あるいは、１つの画素に特性の異なる複数の光電変換部を配置することで、光電変換のダイナミックレンジを拡大することもできる。光電変換部２１１と光電変換部２１２との間には溝３０が位置し、光電変換部２１１と光電変換部２１２との間には溝３０の中に画素内分離用の分離部３４が設けられている。同様に、光電変換部２２１と光電変換部２２２との間には溝３０の中に画素内分離用の分離部３５が設けられている。画素内分離用の分離部３４、３５に対して分離部３１、３２、３３は画素間分離用の分離部として用いられる。画素内分離用の分離部３４、３５を設けることにより、光電変換部２１１と光電変換部２１２との間のクロストーク、あるいは、光電変換部２２１と光電変換部２２２との間のクロストークを低減し、分離精度が向上する。
【００４６】
＜第６実施形態＞
図８（ａ）、（ｂ）を用いて、第２実施形態の変形例としての第６実施形態を説明する。第５実施形態では、２つの光電変換部２１１、２１２の間には、裏面１０２から連続する、分離部３１、３２よりも幅の小さい溝３０が設けられている。当該幅の小さい溝３０の中に、分離部３１、３２よりも幅の小さい分離部３４が設けられている。また、２つの光電変換部２２１、２２２の間には、裏面１０２から連続する、分離部３１、３３よりも深さの小さい溝３０が設けられている。該深さの小さい溝３０の中に、分離部３１、３３よりも深さの小さい分離部３５が設けられている。画素内分離用の分離部３４、３５の幅や深さを画素間分離用の分離部３１、３２、３３の幅や深さよりも小さくすることで、感度の損失を低減することができる。画素の中央部は、入射光が層内レンズ９１、９２により集光される部分であり、光電変換への寄与度が大きい領域である。この領域に設ける溝の幅や深さを小さくすることで、分離部３４、３５で遮られる光線が減少し、感度が向上する。
【００４７】
＜光電変換装置を備えた機器について＞
図１（ｂ）に示した機器ＥＱＰについて詳述する。光電変換装置ＡＰＲは、複数の光電変換部が設けられた第１半導体チップと、周辺回路が設けられた第２半導体チップとを積層した構造（チップ積層構造）を有していてもよい。第２半導体チップにおける周辺回路は、ぞれぞれ、第１半導体チップの画素列に対応した列回路とすることができる。また、第２半導体チップにおける周辺回路は、それぞれ、第１半導体チップの画素あるいは画素ブロックに対応したマトリックス回路とすることもできる。第１半導体チップと第２半導体チップとの接続は、貫通電極（ＴＳＶ）、銅等の導電体の直接接合によるチップ間配線、チップ間のマイクロバンプによる接続、ワイヤボンディングによる接続などを採用することができる。
【００４８】
光電変換装置ＡＰＲは半導体デバイスＩＣの他に、半導体デバイスＩＣを収容するパッケージＰＫＧを含みうる。パッケージＰＫＧは、半導体デバイスＩＣが固定された基体と、半導体デバイスＩＣに対向するガラス等の蓋体と、基体に設けられた端子と半導体デバイスＩＣに設けられた端子とを接続するボンディングワイヤやバンプ等の接続部材と、を含みうる。
【００４９】
機器ＥＱＰは、光学系ＯＰＴ、制御装置ＣＴＲＬ、処理装置ＰＲＣＳ、表示装置ＤＳＰＬ、記憶装置ＭＭＲＹの少なくともいずれかをさらに備え得る。光学系ＯＰＴは光電変換装置としての光電変換装置ＡＰＲに結像するものであり、例えばレンズやシャッター、ミラーである。制御装置ＣＴＲＬは光電変換装置ＡＰＲを制御するものであり、例えばＡＳＩＣなどの半導体デバイスである。処理装置ＰＲＣＳは光電変換装置ＡＰＲから出力された信号を処理するものであり、ＡＦＥ（アナログフロントエンド）あるいはＤＦＥ（デジタルフロントエンド）を構成する。処理装置ＰＲＣＳは、ＣＰＵ（中央処理装置）やＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）などの半導体デバイスである。表示装置ＤＳＰＬは光電変換装置ＡＰＲで得られた情報（画像）を表示する、ＥＬ表示装置や液晶表示装置である。記憶装置ＭＭＲＹは、光電変換装置ＡＰＲで得られた情報（画像）を記憶する、磁気デバイスや半導体デバイスである。記憶装置ＭＭＲＹは、ＳＲＡＭやＤＲＡＭなどの揮発性メモリ、あるいは、フラッシュメモリやハードディスクドライブなどの不揮発性メモリである。機械装置ＭＣＨＮはモーターやエンジン等の可動部あるいは推進部を有する。機器ＥＱＰでは、光電変換装置ＡＰＲから出力された信号を表示装置ＤＳＰＬに表示したり、機器ＥＱＰが備える通信装置（不図示）によって外部に送信したりする。そのために、機器ＥＱＰは、光電変換装置ＡＰＲが有する記憶回路部や演算回路部とは別に、記憶装置ＭＭＲＹや処理装置ＰＲＣＳを更に備えることが好ましい。
【００５０】
図１（ａ）に示した機器ＥＱＰは、撮影機能を有する情報端末（例えばスマートフォンやウエアラブル端末）やカメラ（例えばレンズ交換式カメラ、コンパクトカメラ、ビデオカメラ、監視カメラ）などの電子機器でありうる。カメラにおける機械装置ＭＣＨＮはズーミングや合焦、シャッター動作のために光学系ＯＰＴの部品を駆動することができる。また、機器ＥＱＰは、車両や船舶、飛行体などの輸送機器（移動体）でありうる。また、機器ＥＱＰは、内視鏡やＣＴスキャナーなどの医療機器でありうる。また、機器ＥＱＰは、内視鏡やＣＴスキャナーなどの医療機器でありうる。
【００５１】
輸送機器における機械装置ＭＣＨＮは移動装置として用いられうる。輸送機器としての機器ＥＱＰは、光電変換装置ＡＰＲを輸送するものや、撮影機能により運転（操縦）の補助および／または自動化を行うものに好適である。運転（操縦）の補助および／または自動化のための処理装置ＰＲＣＳは、光電変換装置ＡＰＲで得られた情報に基づいて移動装置としての機械装置ＭＣＨＮを操作するための処理を行うことができる。
【００５２】
本実施形態による光電変換装置ＡＰＲは、その設計者、製造者、販売者、購入者および／または使用者に、高い価値を提供することができる。そのため、光電変換装置ＡＰＲを機器ＥＱＰに搭載すれば、機器ＥＱＰ価値も高めることができる。よって、機器ＥＱＰの製造、販売を行う上で、本実施形態の光電変換装置ＡＰＲの機器ＥＱＰへの搭載を決定することは、機器ＥＱＰの価値を高める上で有利である。
【００５３】
以上、説明した実施形態は、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１０１  表面
１０２  裏面
２０、２１、２２  光電変換部
１５０  配線構造
３０  溝
３１  分離部
８１、８２  遮光部
７１  透光領域
８１０  側面
８１１  下端
８２２  上端
１３１  境
【図１】
2019140252.tif 000003
【図２】
2019140252.tif 000004
【図３】
2019140252.tif 000005
【図４】
2019140252.tif 000006
【図５】
2019140252.tif 000007
【図６】
2019140252.tif 000008
【図７】
2019140252.tif 000009
【図８】
2019140252.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月6日(2018.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面を有し、前記表面と前記裏面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、
前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、
前記複数の光電変換部の間に配され、前記裏面から連続する溝によって形成された分離部と、
前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、
前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、
を備える光電変換装置であって、
前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第２遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、前記第１遮光部の下に前記裏面と前記溝の前記１つの光電変換部の側の側面との境が位置し、
前記裏面に沿った第１方向における前記第１端と前記第２端との間の距離をＷとし、
前記第１方向における前記第２端と前記境との間の距離をＬとし、
前記表面から裏面に向かう第２方向における前記裏面と前記第２端との間の距離をＨとし、
前記第２方向における前記第１端と前記境との間の距離をＤとして、
Ｈ／Ｄ＞（Ｗ＋Ｌ）／Ｌ
を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
Ｌ＜０．４×Ｗ
を満たす、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
Ｄ＜Ｌ
を満たす、請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１方向における前記分離部の幅であって、前記第２方向における前記分離部の長さの１／２である位置における前記分離部の幅をＧとして、
Ｄ＜Ｇ
を満たす、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
Ｇ＜Ｌ
を満たす、請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
表面と裏面を有し、前記裏面と前記表面との間に複数の光電変換部が設けられた半導体層と、
前記半導体層の前記表面の側に配された配線構造と、
前記複数の光電変換部の間に配され、各々が前記裏面から連続する溝によって形成された分離部と、
前記分離部に重なるように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第１遮光部と、
前記複数の光電変換部のうちの少なくとも１つの光電変換部の上の領域を介して前記第１遮光部に対向するように前記裏面の側において前記半導体層の上に配された第２遮光部と、
を備える光電変換装置であって、
前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側の端が第１端であり、前記第１遮光部の前記領域の側の面のうちの前記半導体層の側とは反対側の端が第２端であり、
前記表面に沿った第１方向における前記第２端と前記第２遮光部との距離をＷａとし、
前記第１方向における前記第１端と前記第２遮光部との距離をＷｂとし、
前記第１方向における前記第１遮光部の幅であって、前記第１端と前記第２端とから等距離の高さにおける前記第１遮光部の幅をＷｃとし、
前記第１方向における前記分離部の幅であって、前記表面から裏面に向かう第２方向における前記分離部の深さの１／２である位置における前記分離部の幅をＧとして、
Ｗａ−Ｗｂ＞Ｗｃ／２
および
Ｗａ−Ｗｂ＞Ｇ−Ｗｃ
を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
Ｗｃ＜Ｇ
および
Ｇ＜３×Ｗｃ／２
の少なくとも一方を満たす、請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第１方向において前記第１端からの距離がＷａ／２となる前記領域の中の位置と、前記第１方向において前記第２端からの距離がＷｂ／２となる前記領域の中の位置と、が重ならない、請求項６または７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記第１遮光部および前記第２遮光部を構成する遮光部材は、前記第１端を有する下部と、前記第２端を有する上部とを有し、前記下部の前記第１方向における幅が、前記上部の第１方向における幅よりも小さく、前記下部の前記第２方向における厚さが、前記上部の前記第２方向における厚さよりも小さい、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１遮光部および前記第２遮光部は、前記領域を囲む第１の開口と、前記複数の光電変換部のうちの他の光電変換部の上に位置する第２の開口と、を含む遮光部材によって構成されており、前記第２の開口の面積は、前記第１の開口の面積と異なる、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記第１遮光部と前記第２遮光部との間の前記領域の下には少なくとも２つの光電変換部が位置する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記２つの光電変換部の間には、前記裏面から連続する、前記分離部よりも幅の小さい溝が設けられている、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記２つの光電変換部の間には、前記裏面から連続する、前記分離部よりも深さの小さい溝が設けられている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
前記第１遮光部の幅は１００ｎｍよりも大きい、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１５】
前記第２方向における前記第１遮光部と前記半導体層との間の距離は５０ｎｍ〜５００ｎｍである、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１６】
前記第１遮光部と前記第２遮光部との間にはレンズが設けられている、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１７】
前記溝の側面および前記裏面は金属酸化物膜で覆われている、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１８】
前記第２方向における前記分離部の長さは前記裏面と前記表面との間の距離の１／４以上である、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１９】
前記第１遮光部と前記裏面との間には絶縁体膜が設けられており、前記第１遮光部は前記半導体層へ電気的に接続されている、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の光電変換装置を備える機器であって、
前記光電変換装置に結像する光学系、
前記光電変換装置を制御する制御装置、
前記光電変換装置から出力された信号を処理する処理装置、
前記光電変換装置で得られた情報に基づいて制御される機械装置、
前記光電変換装置で得られた情報を表示する表示装置、および、
前記光電変換装置で得られた情報を記憶する記憶装置
の少なくともいずれかを更に備えることを特徴とする機器。