(57)【要約】 【課題】金属拡散に対する信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１半導体基板と、第１絶縁膜と、第１金属膜と、第２半導体基板と、第２絶縁膜と、第２金属膜と、第１拡散防止膜と、第２拡散防止膜と、を備える。第１絶縁膜は、第１半導体基板に設けられ、表面部に第１凹部を有する。第１金属膜は、第１凹部に設けられ、第１絶縁膜から露出した第１表面を有する。第２絶縁膜は、第２半導体基板に設けられ、第１絶縁膜の表面と接合された表面を有する表面部に第２凹部を有する。第２金属膜は、第２凹部に設けられ、第２絶縁膜から露出した第２表面を有し、第２表面が第１表面と接合されている。第１拡散防止膜は、第１凹部と第２凹部とに設けられ、第１金属膜および第２金属膜を覆う。第２拡散防止膜は、第１拡散防止膜の外周部に設けられている。【選択図】  図２
2019140178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体基板と、
前記第１半導体基板に設けられ、表面部に第１凹部を有する第１絶縁膜と、
前記第１凹部に設けられ、前記第１絶縁膜から露出した第１表面を有する第１金属膜と、
第２半導体基板と、
前記第２半導体基板に設けられ、前記第１絶縁膜の表面と接合された表面を有する表面部に第２凹部を有する第２絶縁膜と、
前記第２凹部に設けられ、前記第２絶縁膜から露出した第２表面を有し、前記第２表面が前記第１表面と接合された第２金属膜と、
前記第１凹部と前記第２凹部とに設けられ、前記第１金属膜及び前記第２金属膜を覆う第１拡散防止膜と、
前記第１拡散防止膜の外周部に設けられた第２拡散防止膜と、
を、備える半導体装置。
【請求項２】
複数の前記第１金属膜および複数の前記第２金属膜が同じ方向に配列され、
前記第２拡散防止膜の幅が、互いに隣り合う前記第１金属膜または前記第２金属膜をそれぞれ覆う前記第１拡散防止膜間の最短距離の１／３よりも小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２拡散防止膜が窒化膜である、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記窒化膜が、シリコン窒化膜またはシリコン炭窒化膜である、請求項３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体基板を貼り合わせる貼合技術が知られている。この貼合技術では、メモリ等の半導体素子が形成された半導体基板と、その半導体素子の周辺回路とが形成された半導体基板とを貼り合わせる。このとき、パッドとして機能する金属膜同士が接合される。接合面を除く各金属膜の表面は、絶縁膜で覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−７９９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記貼合技術では、金属膜間で位置ずれが発生し得る。この位置ずれが発生すると、接合面の一部から金属が絶縁膜内へ拡散する場合がある。この場合、ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）等の信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明の実施形態は、金属拡散に対する信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態に係る半導体装置は、第１半導体基板と、第１絶縁膜と、第１金属膜と、第２半導体基板と、第２絶縁膜と、第２金属膜と、第１拡散防止膜と、第２拡散防止膜と、を備える。第１絶縁膜は、第１半導体基板に設けられ、表面部に第１凹部を有する。第１金属膜は、第１凹部に設けられ、第１絶縁膜から露出した第１表面を有する。第２絶縁膜は、第２半導体基板に設けられ、第１絶縁膜の表面と接合された表面を有する表面部に第２凹部を有する。第２金属膜は、第２凹部に設けられ、第２絶縁膜から露出した第２表面を有し、第２表面が第１表面と接合されている。第１拡散防止膜は、第１凹部と第２凹部とに設けられ、第１金属膜および第２金属膜を覆う。第２拡散防止膜は、第１拡散防止膜の外周部に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態に係る半導体装置を説明するための模式図である。
【図２】（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の接合部分を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す切断線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。
【図３】絶縁膜に凹部を形成する工程を示す断面図である。
【図４】絶縁膜の凹部に拡散防止膜を成膜する工程を示す断面図である。
【図５】拡散防止膜をエッチバックする工程を示す断面図である。
【図６】拡散防止膜および金属膜を凹部内に埋め込む工程を示す断面図である。
【図７】変形例に係る半導体装置を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置を説明するための模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、第１半導体部材１と第２半導体部材２とを貼り合わせることによって構成される。第１半導体部材１および第２半導体部材２は、複数の半導体チップを有するウェハ状に形成されている。
【００１０】
第１半導体部材１では、半導体基板１１上に、半導体素子層１２と、配線層１３と、パッド層１４とが、形成されている。半導体素子層１２には、半導体素子が形成されている。半導体素子が、例えば３次元半導体メモリである場合、この３次元半導体メモリは、電極膜（不図示）と絶縁膜（不図示）とが交互に積層された積層体を有する。また、この積層体を貫通するホール内には、電子を保持する機能膜が形成されている。配線層１３には、上記半導体素子に接続された配線が形成されている。パッド層１４には、この配線と接続されたパッドが形成されている。
【００１１】
第２半導体部材２では、半導体基板２１上に、半導体素子層２２と、配線層２３と、パッド層２４とが、形成されている。半導体素子層２２には、半導体素子層１２の半導体素子を駆動するための駆動素子が形成されている。この駆動素子には、例えばトランジスタを用いることができる。配線層２３には、この駆動素子に接続された配線が形成されている。パッド層２４には、この配線と接続されたパッドが形成されている。
【００１２】
本実施形態では、第１半導体部材１と第２半導体部材２との貼り合わせによって、パッド層１４とパッド層２４とが接合される。以下、図２（ａ）および図２（ｂ）を参照して、この接合部分の構造について説明する。
【００１３】
図２（ａ）は、本実施形態に係る半導体装置の接合部分を示す断面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す切断線Ｘ−Ｘに沿った断面図である。
【００１４】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、パッド層１４は、絶縁膜１４１と、金属膜１４２と、拡散防止膜１４３と、拡散防止膜１４４と、を有する。一方、パッド層２４は、絶縁膜２４１と、金属膜２４２と、拡散防止膜２４３と、拡散防止膜２４４と、を有する。
【００１５】
絶縁膜１４１は第１絶縁膜に相当し、絶縁膜２４１は第２絶縁膜に相当する。絶縁膜１４１および絶縁膜２４１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）として形成される。これらの絶縁膜は互いに接合されている。
【００１６】
金属膜１４２は、第１金属膜に相当し、金属膜２４２は第２金属膜に相当する。金属膜１４２および金属膜２４２は、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）等の金属の単層膜または積層膜として形成される。本実施形態では、複数の金属膜１４２と複数の金属膜２４２が、同じ方向に配列されている。
【００１７】
また、金属膜１４２は、絶縁膜１４１から露出した表面１４２ａを有し、金属膜２４２は、絶縁膜２４１から露出した表面２４２ａを有する。表面１４２ａは第１表面に相当し、表面２４２ａは第２表面に相当する。表面１４２ａおよび表面２４２ａは、互いに接合されている。
【００１８】
拡散防止膜１４３および拡散防止膜２４３は、第１拡散防止膜に相当する。拡散防止膜１４３および拡散防止膜２４３は、例えばバリア膜として、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）等の高融点金属膜、高融点金属の窒化膜、あるいは高融点金属及び高融点金属の窒化物等の積層膜等として形成される。拡散防止膜１４３は、絶縁膜１４１内で金属膜１４２を覆う。これにより、金属膜１４２に含まれた金属が絶縁膜１４１内へ拡散することを防止できる。一方、拡散防止膜２４３は、絶縁膜２４１内で金属膜２４２を覆う。これにより、金属膜２４２が絶縁膜２４１内へ拡散することを防止できる。
【００１９】
拡散防止膜１４４および拡散防止膜２４４は、第２拡散防止膜に相当する。拡散防止膜１４４および拡散防止膜２４４は、Ｃｕ拡散する機能を持つ膜として形成される。例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ）等の絶縁性の窒化膜を用いることができる。また、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）等の高融点金属膜、高融点金属の窒化膜、あるいは高融点金属及び高融点金属の窒化物等の積層膜等の導電性膜を用いることもできる。なお、その導電性膜は、拡散防止膜１４３および拡散防止膜２４３と同膜種を選択しても問題はない。拡散防止膜１４４は、拡散防止膜１４３の外周部に設けられている。一方、拡散防止膜２４４は、拡散防止膜２４３の外周部に設けられている。
【００２０】
以下、図３〜図６を参照して、本実施形態に係る半導体装置の一部の製造工程について説明する。ここでは、パッド層１４の製造工程について説明する。
【００２１】
まず、図３に示すように、絶縁膜１４１に凹部１４５を形成する。凹部１４５は、例えば、フォトリソグラフィおよびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の技術を用いて形成される。
【００２２】
次に、図４に示すように、凹部１４５の内面および絶縁膜１４１の上面に拡散防止膜１４４を成膜する。拡散防止膜１４４は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の技術を用いて成膜される。
【００２３】
次に、図５に示すように、凹部１４５の内側面のみに拡散防止膜１４４が残るように拡散防止膜１４４をエッチバックする。最後に、図６に示すように、拡散防止膜１４３および金属膜１４２が凹部１４５内に埋め込まれる。
【００２４】
パッド層２４も、上述したパッド層１４と同様の製造工程で形成される。その後、図２（ａ）に戻って、金属膜１４２の表面１４２ａと金属膜２４２の表面２４２ａとが接合され、また、絶縁膜１４１と絶縁膜２４１も接合される。このとき、図２（ａ）に示すように、金属膜１４２と金属膜２４２との間で位置ずれが発生し得る。
【００２５】
しかし、本実施形態よれば、図２（ａ）の領域Ｒに示すように、各金属膜の位置ずれ部分は、拡散防止膜１４４または拡散防止膜２４４に接触している。そのため、位置ずれ部分からの金属拡散を防止することができる。
【００２６】
なお、拡散防止膜１４４および拡散防止膜２４４の材料によっては、これらの拡散防止膜同士の接合力を十分に得られない可能性がある。
【００２７】
そこで、本実施形態では、図２（ａ）に示すように、拡散防止膜１４４および拡散防止膜２４４の幅Ｗは、位置ずれの許容値Ａよりも大きくて距離Ｄの１／３よりも小さい。ここで、距離Ｄは、互いに隣り合う金属膜１４２（または金属膜２４２同士）をそれぞれ覆う拡散防止膜１４３（または拡散防止膜２４３）間の最短距離である。
【００２８】
幅Ｗの寸法を上記範囲に規定することによって、拡散防止膜１４４間または拡散防止膜２４４間に絶縁膜１４１と絶縁膜２４１との接合部分を確保することができる。そのため、パッド層１４とパッド層２４の貼合をより強化することができる。
【００２９】
（変形例）
図７は、変形例に係る半導体装置を説明するための模式図である。図７では、第１半導体部材１が、複数の半導体ウェハを積層することによって構成されている。各半導体ウェハには、半導体メモリ等の半導体素子が形成されている。本変形例に係る半導体装置は、最下層の第１半導体部材１に第２半導体部材２を貼り合わせることによって構成される。
【００３０】
この半導体装置にも、第１実施形態と同様に、拡散防止膜１４４および拡散防止膜２４４が設けられている。そのため、金属膜の位置ずれが発生しても、金属拡散を回避できる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。
【００３１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３２】
１４１  第１絶縁膜、１４２  第１金属膜、１４２ａ  第１表面、１４３、２４３  第１拡散防止膜、１４４、２４４  第２拡散防止膜、２４１  第２絶縁膜、２４２  第２金属膜、２４２ａ  第２表面
【図１】
2019140178.tif 000003
【図２】
2019140178.tif 000004
【図３】
2019140178.tif 000005
【図４】
2019140178.tif 000006
【図５】
2019140178.tif 000007
【図６】
2019140178.tif 000008
【図７】
2019140178.tif 000009