(57)【要約】【課題】無機膜積層樹脂基板を好適に分断することができる方法を提供する。【解決手段】樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板を分断する方法が、無機膜積層樹脂基板においてあらかじめ定められたストリートに沿って、無機膜の側から無機膜積層樹脂基板に対し樹脂基板において吸収が生じ得るレーザ光を照射し、樹脂基板の無機膜との界面近傍の吸収領域においてのみレーザ光の吸収を生じさせることで、無機膜のうちレーザ光が透過した領域を剥離させるレーザ光照射工程と、レーザ光照射工程による前記無機膜の剥離によって形成された樹脂基板の露出面をスクライブすることにより樹脂基板を切り裂くスクライブ工程と、を備えるようにした。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板を分断する方法であって、
前記無機膜積層樹脂基板においてあらかじめ定められたストリートに沿って、前記無機膜の側から前記無機膜積層樹脂基板に対し前記樹脂基板において吸収が生じ得るレーザ光を照射し、前記樹脂基板の前記無機膜との界面近傍の吸収領域においてのみ前記レーザ光の吸収を生じさせることで、前記無機膜のうち前記レーザ光が透過した領域を剥離させるレーザ光照射工程と、
前記レーザ光照射工程による前記無機膜の剥離によって形成された前記樹脂基板の露出面をスクライブすることにより前記樹脂基板を切り裂くスクライブ工程と、
を備えることを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の無機膜積層樹脂基板の分断方法であって、
前記スクライブ工程においては、超硬製であり、厚みが０．４ｍｍ〜１．２ｍｍであり、直径が４ｍｍ〜１０ｍｍであり、刃先角が１５°〜９０°の鋭角であるスクライビングホイールを用いて前記樹脂基板の露出面をスクライブする、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断方法。
【請求項３】
請求項２に記載の無機膜積層樹脂基板の分断方法であって、
前記樹脂基板がポリイミド基板であり、
前記無機膜がＳｉＯ２またはＳｉＮｘのガラス膜であり、
前記レーザ光がＵＶレーザである、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断方法。
【請求項４】
樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板を分断するための装置であって、
前記無機膜積層樹脂基板を水平に載置固定可能であり、かつ、水平面内で移動可能なテーブルと、
前記テーブルに載置固定された前記無機膜積層樹脂基板に対し前記樹脂基板において吸収が生じ得るレーザ光を照射可能なレーザ光照射部と、
前記テーブルに載置固定された前記無機膜積層樹脂基板をスクライブ可能なスクライブ処理部と、
を備え、
前記無機膜積層樹脂基板が載置されてなる前記テーブルを移動させつつ前記レーザ光照射部から前記レーザ光を出射させることにより、前記無機膜積層樹脂基板においてあらかじめ定められたストリートに沿って前記無機膜の側から前記無機膜積層樹脂基板に対し前記レーザ光を照射し、前記樹脂基板の前記無機膜との界面近傍の吸収領域においてのみ前記レーザ光の吸収を生じさせることで、前記無機膜のうち前記レーザ光が透過した領域を剥離させ、
前記スクライブ処理部は、前記無機膜の剥離によって形成された前記樹脂基板の露出面をスクライブすることにより前記樹脂基板を切り裂く、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断装置。
【請求項５】
請求項４に記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、
前記スクライブ処理部が、超硬製であり、厚みが０．５μｍ〜１．２μｍであり、直径が４ｍｍ〜１０ｍｍであり、刃先角が１５°〜９０°の鋭角であるスクライビングホイールを有してなり、
前記スクライビングホイールにより前記樹脂基板の露出面をスクライブする、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断装置。
【請求項６】
請求項５に記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、
前記レーザ光照射部と前記スクライブ処理部とが、前記テーブルの移動方向において所定距離離隔させて、かつ、前記レーザ光照射部から出射される前記レーザ光のビーム中心と前記スクライビングホイールの刃先とが一の垂直平面上に位置するように、設けられてなり、
前記テーブルによる前記無機膜積層樹脂基板の一度の移動動作の間に、前記レーザ光照射部からの前記レーザ光の照射による前記無機膜の剥離と、前記スクライブ処理部による前記樹脂基板の前記露出面に対するスクライブとを連続して行う、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断装置。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、
前記樹脂基板がポリイミド基板であり、
前記無機膜がＳｉＯ２またはＳｉＮｘのガラス膜であり、
前記レーザ光がＵＶレーザである、
ことを特徴とする、無機膜積層樹脂基板の分断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板の分断に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品や有機ＥＬなどの表示デバイスなどの基板として、ガラス基板や半導体基板などの脆性材料基板や、ポリイミド（ＰＩ）などの樹脂材料基板などの種々の基板や、あるいは所定の基板同士を積層あるいは貼り合わせることにより形成されてなる積層基板や貼り合わせ基板などが、広く用いられている。
【０００３】
脆性材料基板の加工（分断）の手法として、カッターホイール（スクライビングホイール）により初期亀裂を形成した後、２度のレーザ照射を行う態様がすでに公知である（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５３１４６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のような基板の一種として、一方主面に金属配線が形成されたポリイミド基板の当該一方主面上に所定の無機膜（例えばＳｉＯ２やＳｉＮｘなどからなるガラス膜）を数百ｎｍ程度の厚みにてコーティングした基板（以下、無機膜積層樹脂基板）が用いられることがある。
【０００６】
このような無機膜積層樹脂基板をレーザ照射により分断しようとすると、レーザを吸収した樹脂基板を構成する炭素原子がプラズマ化されることで、炭素（黒鉛）が飛散して金属配線間に付着し、金属配線に短絡を生じさせてしまうことがある。
【０００７】
また、スクライブツールなどの工具にて機械的に加工を行うと、無機膜においてクラックが伸展し、係るクラック伸展が原因となって金属配線が切断されてしまうことがある。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、無機膜積層樹脂基板を好適に分断することができる方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板を分断する方法であって、前記無機膜積層樹脂基板においてあらかじめ定められたストリートに沿って、前記無機膜の側から前記無機膜積層樹脂基板に対し前記樹脂基板において吸収が生じ得るレーザ光を照射し、前記樹脂基板の前記無機膜との界面近傍の吸収領域においてのみ前記レーザ光の吸収を生じさせることで、前記無機膜のうち前記レーザ光が透過した領域を剥離させるレーザ光照射工程と、前記レーザ光照射工程による前記無機膜の剥離によって形成された前記樹脂基板の露出面をスクライブすることにより前記樹脂基板を切り裂くスクライブ工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の無機膜積層樹脂基板の分断方法であって、前記スクライブ工程においては、超硬製であり、厚みが０．４ｍｍ〜１．２ｍｍであり、直径が４ｍｍ〜１０ｍｍであり、刃先角が１５°〜９０°（例えば１５°〜６０°、特には１５°〜４５°）の鋭角であるスクライビングホイールを用いて前記樹脂基板の露出面をスクライブする、ことを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項２に記載の無機膜積層樹脂基板の分断方法であって、前記樹脂基板がポリイミド基板であり、前記無機膜がＳｉＯ２またはＳｉＮｘのガラス膜であり、前記レーザ光がＵＶレーザである、ことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、樹脂基板に無機膜が積層された無機膜積層樹脂基板を分断するための装置であって、前記無機膜積層樹脂基板を水平に載置固定可能であり、かつ、水平面内で移動可能なテーブルと、前記テーブルに載置固定された前記無機膜積層樹脂基板に対し前記樹脂基板において吸収が生じ得るレーザ光を照射可能なレーザ光照射部と、前記テーブルに載置固定された前記無機膜積層樹脂基板をスクライブ可能なスクライブ処理部と、を備え、前記無機膜積層樹脂基板が載置されてなる前記テーブルを移動させつつ前記レーザ光照射部から前記レーザ光を出射させることにより、前記無機膜積層樹脂基板においてあらかじめ定められたストリートに沿って前記無機膜の側から前記無機膜積層樹脂基板に対し前記レーザ光を照射し、前記樹脂基板の前記無機膜との界面近傍の吸収領域においてのみ前記レーザ光の吸収を生じさせることで、前記無機膜のうち前記レーザ光が透過した領域を剥離させ、前記スクライブ処理部は、前記無機膜の剥離によって形成された前記樹脂基板の露出面をスクライブすることにより前記樹脂基板を切り裂く、ことを特徴とする。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項４に記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、前記スクライブ処理部が、超硬製であり、厚みが０．４ｍｍ〜１．２ｍｍであり、直径が４ｍｍ〜１０ｍｍであり、刃先角が１５°〜９０°（例えば１５°〜６０°、特には１５°〜４５°）の鋭角であるスクライビングホイールを有してなり、前記スクライビングホイールにより前記樹脂基板の露出面をスクライブする、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項６の発明は、請求項５に記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、前記レーザ光照射部と前記スクライブ処理部とが、前記テーブルの移動方向において所定距離離隔させて、かつ、前記レーザ光照射部から出射される前記レーザ光のビーム中心と前記スクライビングホイールの刃先とが一の垂直平面上に位置するように、設けられてなり、前記テーブルによる前記無機膜積層樹脂基板の一度の移動動作の間に、前記レーザ光照射部からの前記レーザ光の照射による前記無機膜の剥離と、前記スクライブ処理部による前記樹脂基板の前記露出面に対するスクライブとを連続して行う、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項７の発明は、請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の無機膜積層樹脂基板の分断装置であって、前記樹脂基板がポリイミド基板であり、前記無機膜がＳｉＯ２またはＳｉＮｘのガラス膜であり、前記レーザ光がＵＶレーザである、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１ないし請求項７の発明によれば、樹脂基板をレーザ光にて分断する場合に生じる、炭素原子のプラズマ化に起因した黒鉛の飛散さらには金属配線への付着や、無機膜を機械的に分断する場合に生じる、当該無機膜でのクラックの伸展や金属配線の断線などの不具合を生じさせることなく、無機膜積層樹脂基板をストリートにおいて分断することができる。
【００１７】
特に、請求項６の発明によれば、効率的かつ高精度に無機膜積層樹脂基板を分断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】無機膜積層樹脂基板Ｗの構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】無機膜積層樹脂基板Ｗに対しレーザ光ＬＢを照射する際の様子を示す図である。
【図３】レーザ光ＬＢが無機膜積層樹脂基板Ｗに対し照射される際の様子を示す模式断面図である。
【図４】レーザ光ＬＢによる走査後の無機膜積層樹脂基板Ｗの様子を示す図である。
【図５】スクライビングホイールＳＨによる樹脂基板１のスクライブを行う前の様子を示す図である。
【図６】スクライビングホイールＳＨによる樹脂基板１のスクライブを行った後の様子を示す図である。
【図７】分断装置１００構成を模式的に示す図である。
【図８】分断装置１００において二段階分断により無機膜積層樹脂基板Ｗを分断するプロセスを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜無機膜積層樹脂基板の構成＞
図１は、本実施の形態に係る分断の対象である無機膜積層樹脂基板Ｗの構成を模式的に示す斜視図である。無機膜積層樹脂基板Ｗは、樹脂基板１の上に、無機膜２をコーティングしてなるものである。樹脂基板１の材質としては、ポリイミドやポリアミドなどが例示される。無機膜２としては、ＳｉＯ２やＳｉＮｘなどからなるガラス膜が例示される。樹脂基板１は１０μｍ〜１００μｍ程度の厚みを有してなり、無機膜２は、０．１μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成されてなるのが好適な一例である。なお、図１および以降の各図に示された各部の大きさの比率は、必ずしも実際のものとは一致しない。
【００２０】
より詳細には、樹脂基板１の一方主面には、それぞれが０．１μｍ〜１μｍ程度の幅を有する多数の金属配線３が０．０５μｍ〜０．５μｍ程度の厚みに形成されてなり、無機膜２は、係る金属配線３を腐食などから保護するコーティング膜として、当該一方主面上に形成されてなる。
【００２１】
本実施の形態においては、このような無機膜積層樹脂基板Ｗを、あらかじめ定められたストリートＳＴと称される所定幅の領域にて分断する加工を行うものとする。なお、ストリートＳＴは金属配線３を横断する態様にて定められてなるものとする。また、ストリートＳＴの幅方向の中心位置を、ストリート中心Ｃと称する。
【００２２】
なお、図１および以降の図においては、樹脂基板１の表面に同一形状の４つの金属配線３が並行に設けられてなり、それら金属配線３に直交する態様にて１つのストリートＳＴが示されているが、これらはあくまで説明のためのものであり、実際の無機膜積層樹脂基板Ｗにおいては、より複雑な形状の金属配線が多数形成され、かつ、多数の箇所にストリートＳＴが設定されていてもよい。
【００２３】
＜無機膜積層樹脂基板の二段階分断＞
本実施の形態においては、無機膜積層樹脂基板ＷのストリートＳＴにおける分断を、レーザ光の照射による無機膜の剥離と、スクライビングホイールの圧接転動による樹脂基板１のスクライブとの二段階で行う。本実施の形態においては、係る態様での分断を、二段階分断と称する。
【００２４】
図２は、無機膜積層樹脂基板Ｗに対しレーザ光ＬＢを照射する際の様子を示す図である。また、図３は、レーザ光ＬＢが無機膜積層樹脂基板Ｗに対し照射される際の様子を示す模式断面図である。ただし、図２および図３においては、レーザ光ＬＢの光源、光学系、および出射源の図示は省略している。
【００２５】
無機膜積層樹脂基板Ｗを分断するにあたってはまず、図２に示すように、無機膜２の上方から、当該表面における集光径ｄがストリートＳＴの幅ｔと同程度かやや小さいレーザ光ＬＢを照射し、かつ、レーザ光ＬＢのビーム中心がストリート中心Ｃと一致させる態様にて、矢印ＡＲ１にて示すようにストリートＳＴに沿って走査する。なお、ストリートＳＴの幅ｔは通常１０μｍ〜１００μｍ程度（例えば５０μｍ）に設定される。
【００２６】
レーザ光ＬＢとしては、樹脂基板１に吸収されるものを用いる。樹脂基板１がポリイミド基板である場合、ＵＶレーザを用いるのが好適な一例である。樹脂基板１の材質によっては、ＣＯ２レーザや、グリーンレーザや、ＩＲレーザなどを用いる態様であってもよい。
【００２７】
レーザ光ＬＢの照射は、樹脂基板１のうち無機膜２との界面近傍部分においてのみ、吸収が生じる程度の照射条件にて照射される。換言すれば、係る照射条件は、無機膜積層樹脂基板Ｗ全体の分断までは行い得ない条件である。
【００２８】
樹脂基板１がポリイミド基板であり、レーザ光ＬＢがＵＶレーザである場合であれば、例えば、パルス幅１０ピコ秒〜１００ナノ秒、繰り返し周波数１ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ、走査速度５０〜５００ｍｍ／秒なる照射条件にてレーザ光ＬＢを照射するのが好ましい。
【００２９】
なお、レーザ光ＬＢが樹脂基板１に到達するまでの間に無機膜２にて吸収される態様であってもよいが、無機膜２がガラス膜でレーザ光ＬＢがＵＶレーザである場合、レーザ光ＬＢは無機膜２をほぼ透過する。
【００３０】
以上のような条件のもとで無機膜２の上方から照射されたレーザ光ＬＢは、図３に示すように、無機膜２を透過し、その直下の、樹脂基板１のうち無機膜２との界面近傍の領域（以下、吸収領域ＲＥ１）において吸収される。すると、当該吸収領域ＲＥ１が高エネルギー状態となり、当該吸収領域ＲＥ１においては、樹脂基板１を構成する炭素原子がプラズマ化される。このプラズマ化された炭素原子は、矢印ＡＲ２にて示すように吸収領域ＲＥ１から急速に脱離しようとする。
【００３１】
しかしながら、吸収領域ＲＥ１の上方の、レーザ光ＬＢが透過した領域（以下、透過領域ＲＥ２）には無機膜２が存在する。そのため、炭素原子の脱離は、矢印ＡＲ３にて示すような当該透過領域ＲＥ２に存在する無機膜２の剥離（飛散）を引き起こすことになる。レーザ光ＬＢはストリートＳＴに沿って走査されるので、このような剥離が、ストリートＳＴに沿って生じることになる。
【００３２】
図４は、レーザ光ＬＢによる走査後の無機膜積層樹脂基板Ｗの様子を示す図である。ストリートＳＴに沿った無機膜２の剥離の結果として、ストリートＳＴにおいては、樹脂基板１の露出面１ａが形成されてなる。なお、係る剥離を引き起こすような炭素の脱離が生じることから、露出面１ａは、図４に示すように凹面となり得るが、平坦面として形成される態様であってもよい。
【００３３】
また、図４に示すように、ストリートＳＴに沿って無機膜２が剥離されることに伴い、金属配線３のうち当該ストリートＳＴと直交していた部分についても、併せて剥離されることになる。
【００３４】
なお、樹脂基板１の厚み方向における吸収領域ＲＥ１の形成範囲はせいぜい、樹脂基板１と無機膜２との界面から１μｍ〜５μｍ程度までであり、樹脂基板１の厚みに比して十分に小さいことから、炭素原子のプラズマ化に起因した黒鉛の飛散や付着は、生じたとしても樹脂基板１の全体をレーザ光ＬＢの照射にて分断しようとする場合に比して極め限定的である。それゆえ、上述した態様にて無機膜２を剥離するに際して、黒鉛の付着に起因した金属配線３の短絡という不具合の発生は、好適に抑制されてなる。
【００３５】
レーザ光ＬＢを用いたストリートＳＴでの無機膜２の剥離が完了すると、続いて、スクライビングホイールの圧接転動により、ストリートＳＴにおいて樹脂基板１のスクライブを行う。図５は、スクライビングホイールＳＨによる樹脂基板１のスクライブを行う前の様子を示す図である。また、図６は、スクライビングホイールＳＨによる樹脂基板１のスクライブを行った後の様子を示す図である。
【００３６】
スクライビングホイールＳＨは、外周部分が刃先Ｅとなった円板状の部材であり、図５においては図示を省略する支持手段にて鉛直面内において回転自在に支持されてなるとともに、図示を省略する昇降機構にて鉛直面内において昇降可能とされてなる。
【００３７】
スクライブに際してはまず、スクライビングホイールＳＨをスクライブ開始位置に配置しつつ、スクライビングホイールＳＨの回転面とストリート中心Ｃの延在方向とが同一平面内に位置するように、スクライビングホイールＳＨと無機膜積層樹脂基板Ｗとを位置決めする。
【００３８】
係る位置決めがなされると、スクライビングホイールＳＨをストリート中心Ｃに対して所定の荷重にて押し込むことにより、図５に示すように刃先Ｅを樹脂基板１の露出面１ａに対し圧接させる。そして、係る圧接状態を保ちながら、矢印ＡＲ４にて示すように、スクライビングホイールＳＨを、ストリート中心Ｃに沿って無機膜積層樹脂基板Ｗに対し相対移動させ、これによって、矢印ＡＲ５にて示すように、スクライビングホイールＳＨを転動させる。すると、係るスクライビングホイールＳＨの圧接転動に伴い、樹脂基板１は、矢印ＡＲ６ａ、ＡＲ６ｂにて示す、ストリート中心Ｃに対して対称かつ相反する２つの向きに、切り裂かれていくことになる。最終的には、無機膜積層樹脂基板Ｗは、図６に示すような個片Ｗａ、Ｗｂに分断されることになる。
【００３９】
係る場合、スクライビングホイールＳＨが分断するのは樹脂基板１のみであり、スクライビングホイールＳＨは無機膜２や金属配線３とは接触しないので、分断に際して無機膜２や金属配線３にクラックが生じることはない。
【００４０】
スクライビングホイールＳＨとしては、超硬製で、厚みが０．４ｍｍ〜１．２ｍｍであり、直径が４ｍｍ〜１０ｍｍであり、刃先Ｅの角度（刃先角）が１５°〜９０°（例えば１５°〜６０°、特には１５°〜４５°）の鋭角であるものを用いるのが好適である。また、スクライビングホイールＳＨを樹脂基板１の露出面１ａに対し圧接させる際の荷重（圧接荷重）は、０．０５ＭＰａ〜１ＭＰａ（特には０．１ＭＰａ〜０．５ＭＰａ）が好ましい。
【００４１】
以上、説明したように、本実施の形態においては、無機膜積層樹脂基板のストリートにおける分断を、レーザ光の照射による無機膜の剥離と、スクライビングホイールの圧接転動による樹脂基板のスクライブとの二段階で行う。これにより、樹脂基板をレーザ光にて分断する場合に生じる、炭素原子のプラズマ化に起因した黒鉛の飛散さらには金属配線への付着や、無機膜を機械的に分断する場合に生じる、当該無機膜でのクラックの伸展や金属配線の断線などの不具合を生じさせることなく、無機膜積層樹脂基板をストリートにおいて分断することができる。
【００４２】
＜分断装置＞
次に、上述した二段階分断を一連のプロセスとして実行可能な分断装置の一例について説明する。図７は、このような分断装置１００構成を模式的に示す図である。
【００４３】
分断装置１００においては、水平な架台１０１上に、スライドテーブル１０２が設けられている。スライドテーブル１０２は、水平面内において平行に配置された一対のガイドレール１０３、１０４に沿って設けられてなる。また、両ガイドレール１０３、１０４の間にはスクリューネジ１０５が両ガイドレール１０３、１０４と平行に配置されており、係るスクリューネジ１０５は、スライドテーブル１０２に固定されたステー１０６と螺合している。
【００４４】
スクリューネジ１０５を図示しないモーターによって正転および逆転させることにより、スライドテーブル１０２がガイドレール１０３、１０４に沿って往復移動するようになっている。図７においては、スライドテーブル１０２の移動方向（図面視前後方向）をＹ軸方向とし、水平面内において当該移動方向に直交する方向（図面視左右方向）をＸ軸方向とし、鉛直方向（図面視上下方向）をＺ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標を付している。
【００４５】
スライドテーブル１０２上には、水平な台座１０７がガイドレール１０８に沿って、Ｘ軸方向に往復自在に配置されている。具体的には、モーター１０９によって回転するスクリューネジ１１０が、台座１０７に固定されたステー１１０ａに螺合されており、モーター１０９によってスクリューネジ１１０を正転および逆転させることにより、台座１０７がガイドレール１０８に沿ってＸ軸方向に往復移動するようになっている。
【００４６】
台座１０７上には、回転機構１１１によってＺ軸周りで回転自在とされてなる回転テーブル１１２が備わる。この回転テーブル１１２の水平な上面に、分断装置１００における分断対象たる無機膜積層樹脂基板Ｗが載置固定される。より詳細には、無機膜積層樹脂基板Ｗは、無機膜２が上部となる姿勢にて、図示しない吸引チャックによって、回転テーブル１１２に固定される。
【００４７】
回転テーブル１１２の上方には、レーザ光ＬＢを発生させるレーザ光源１１３と、内部に備わる種々のレンズ群にてレーザ光ＬＢのビーム形状を調整する光学ホルダ１１４とを備える、レーザ照射部１１５が設けられてなる。レーザ光ＬＢは、光学ホルダ１１４の最下端部に備わる出射源１１４ａから、回転テーブル１１２に載置固定された無機膜積層樹脂基板Ｗに対し出射される。
【００４８】
レーザ光源１１３としては、上述したように、ＵＶレーザ、ＣＯ２レーザ、グリーンレーザ、ＩＲレーザなどの光源が例示される。
【００４９】
また、分断装置１００においては、レーザ照射部１１５の光学ホルダ１１４とＸ軸方向において所定距離離隔した位置に、スクライビングホイール１１６とその昇降機構１１７とを備えるスクライブ処理部１１８が設けられてなる。
【００５０】
より詳細には、レーザ照射部１１５とスクライブ処理部１１８とは、少なくとも二段階分断時において、出射源１１４ａから出射されるレーザ光ＬＢのビーム中心とスクライビングホイール１１６の刃先ＥとがＹ軸方向に垂直な一のＺＸ平面上に位置するように、設けられてなる。係る平面を、基準平面と称する。
【００５１】
スクライビングホイール１１６は、図５のスクライビングホイールＳＨに相当する。スクライブ処理部１１８においては、スクライビングホイール１１６の下方に無機膜積層樹脂基板Ｗが位置する状況において、昇降機構１１７によってスクライビングホイール１１６を下降させることで、無機膜積層樹脂基板Ｗにスクライビングホイールを圧接させることができるようになっている。
【００５２】
図８は、以上のような構成を有する分断装置１００において二段階分断により無機膜積層樹脂基板Ｗを分断するプロセスを説明するための図である。
【００５３】
分断装置１００において二段階分断を行うにあたっては、まず、無機膜積層樹脂基板Ｗが図８においては図示を省略する回転テーブル１１２に載置固定され、さらには、そのストリート中心Ｃが基準平面と一致するように、かつ、図８（ａ）に示すように、レーザ照射部１１５を挟んでスクライブ処理部１１８と反対側に位置するように、位置決めがなされる。
【００５４】
係る位置決めがなされると、矢印ＡＲ７にて示すように、無機膜積層樹脂基板Ｗがレーザ照射部１１５さらにはスクライブ処理部１１８の下方へと移動させられる。係る移動は、上方に回転テーブル１１２が備わる台座１０７をガイドレール１０８に沿って移動させることによりなされる。
【００５５】
そして、無機膜積層樹脂基板Ｗがレーザ照射部１１５の出射源１１４ａの下方に到達するタイミングで、上述した、樹脂基板１のうち無機膜２との界面近傍部分においてのみ、吸収が生じる程度の照射条件にて、出射源１１４ａからレーザ光ＬＢを出射させる。これにより、図８（ｂ）に示すように、吸収領域ＲＥ１においてレーザ光ＬＢが吸収されて当該吸収領域ＲＥ１の炭素原子がプラズマ化され、その樹脂基板１からの脱離に伴い、無機膜２のうち当該レーザ光ＬＢの透過領域ＲＥ２となっている部分が剥離されて、樹脂基板１の露出面１ａが形成される。
【００５６】
このような、矢印ＡＲ７にて示す無機膜積層樹脂基板Ｗの移動とレーザ光ＬＢの照射とによる無機膜２の剥離が継続すると、やがては、図８（ｃ）に示すように、無機膜積層樹脂基板Ｗがスクライブ処理部１１８に備わるスクライビングホイール１１６の下方に到達する。係る到達のタイミングで、昇降機構１１７の作用によりスクライビングホイール１１６が鉛直下方に下降させられて樹脂基板１の露出面１ａにおけるストリート中心Ｃに圧接させられる。係る圧接の後も、無機膜積層樹脂基板Ｗが移動させられることで、スクライビングホイール１１６が転動する。係る圧接転動により、樹脂基板１がスクライブされ、徐々に切り裂かれていく。そして、遅くとも無機膜積層樹脂基板Ｗの最後尾がスクライブ処理部１１８を通過までの間に、無機膜積層樹脂基板ＷはストリートＳＴにおいて分断されることになる。
【００５７】
このように、分断装置１００においては、無機膜積層樹脂基板Ｗの一度の移動動作において、レーザ光ＬＢの照射による無機膜２の剥離と、スクライビングホイール１１６による樹脂基板１のスクライブとを連続的に行うことができるので、効率的かつ高精度に無機膜積層樹脂基板Ｗを分断することができる。
【００５８】
＜変形例＞
上述の実施の形態においては、分断装置１００が一のレーザ照射部１１５を有しているが、レーザ照射部１１５は、Ｙ軸方向において所定間隔にて複数設けられていてもよい。係る構成の分断装置においては、複数個所において同時並行的にレーザ光ＬＢの照射を行って無機膜２を剥離した後、それぞれの箇所における樹脂基板１の露出面１ａに対して順次に、スクライビングホイール１１６によるスクライブを行うことで、一の無機膜積層樹脂基板Ｗを複数個所にて分断することができる。
【００５９】
あるいは、レーザ照射部１１５とスクライブ処理部１１８の組が、Ｙ軸方向において所定間隔にて複数設けられていてもよい。係る構成の分断装置においては、無機膜積層樹脂基板Ｗの一度の移動動作で、図８に示したようなレーザ光ＬＢによる無機膜２の剥離とこれに連続する樹脂基板１の露出面１ａでのスクライブとを、複数の箇所で同時並行的に行うことができる。すなわち、無機膜積層樹脂基板Ｗの一度の移動動作で、当該無機膜積層樹脂基板Ｗを複数個所にて分断することができる。
【００６０】
また、上述の実施の形態においては、樹脂基板１のスクライブに、スクライビングホイールＳＨ（１１６）を用いているが、これは必須の態様ではなく、棒状のスクライブツールによりスクライブを行う態様であってもよい。
【００６１】
また、上述の実施の形態においては、無機膜積層樹脂基板Ｗは樹脂基板１と無機膜２との積層体となっていたが、樹脂基板１の下方にＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）からなる保護フィルムが添付されてなる場合であっても、上述した二段階分断は好適に行うことができる。
【００６２】
なお、無機膜２の上面にＰＥＴからなる保護フィルムが添付されてなる場合もあるが、このような場合は、ＣＯ２レーザを照射するなどしてあらかじめストリートＳＴの位置において無機膜２を露出させたうえで、上述した二段階分断を行うようにすればよい。
【符号の説明】
【００６３】
１  樹脂基板
２  無機膜
３  金属配線
１ａ  （樹脂基板の）露出面
１００  分断装置
１０２  スライドテーブル
１０７  台座
１１２  回転テーブル
１１３  レーザ光源
１１４ａ  出射源
１１５  レーザ照射部
１１６、ＳＨ  スクライビングホイール
１１７  昇降機構
１１８  スクライブ処理部
Ｃ  ストリート中心
Ｅ  （スクライビングホイールの）刃先
ＬＢ  レーザ光
ＲＥ１  （レーザ光の）吸収領域
ＲＥ２  （レーザ光の）透過領域
ＳＴ  ストリート
Ｗ  無機膜積層樹脂基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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