(57)【要約】【課題】基板のパターン倒れを防止するための撥水化処理に使用された撥水剤を除去する工程における基板の汚染を防止することが可能な基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、処理槽内で基板を洗浄する工程と、チャンバーに有機溶媒蒸気雰囲気を形成する工程と、基板を引き上げ、基板表面のリンス液を有機溶媒に置換する工程と、処理槽からリンス液を排液する工程と、基板を処理槽に移動させる工程と、基板の表面を撥水処理する工程と、基板を引き上げ、基板を有機溶媒蒸気にさらすことにより、基板の表面から撥水剤を除去する工程と、不活性ガスで基板を乾燥する工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽に貯留されたリンス液に基板を浸漬して前記基板の表面をリンス液で洗浄するリンス処理工程と、
前記処理槽を囲うチャンバーの内部雰囲気に有機溶媒蒸気を供給することにより、前記処理槽の上方である前記チャンバーの上部空間を含むチャンバーの内部雰囲気に有機溶媒蒸気雰囲気を形成する有機溶媒蒸気形成工程と、
前記基板を前記処理槽の上部空間に引き上げることにより前記基板の表面に付着したリンス液を前記有機溶媒に置換する有機溶媒置換工程と、
前記処理槽内のリンス液を排液する排液工程と、
前記基板を前記処理槽内に移動させる基板移動工程と、
前記処理槽内に移動させた前記基板の表面に対して撥水剤を供給することにより前記基板の表面を撥水処理する撥水処理工程と、
前記基板を前記処理槽の上方に引き上げ、前記処理槽の上方にて、前記撥水処理工程で撥水処理された前記基板を前記有機溶媒蒸気にさらすことにより、前記基板の表面に残留していた未反応の撥水剤を除去する撥水剤除去工程と、
前記基板に向けて不活性ガスを供給することにより前記基板を乾燥する乾燥工程と、を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記有機溶媒はＩＰＡである、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記撥水剤除去工程において前記基板に供給される前記有機溶媒蒸気の温度は、前記撥水処理工程において前記基板に供給される前記撥水剤の温度よりも高温である、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記撥水剤除去工程において、前記基板を前記処理槽の上方の槽外に引き上げた後に、前記処理槽内の前記撥水剤を排出する排出工程を含む請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記撥水剤は、水に直接的に接触すると異物を生じることがある、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記有機溶媒蒸気形成工程で前記有機溶媒蒸気が供給される状態で前記排出工程が実行され、前記処理槽の内壁に付着していた未反応の前記撥水剤が前記有機溶媒蒸気の供給により除去されて前記排出工程で前記処理槽の外部に排出される、請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記撥水剤除去工程において、前記処理槽の上方から前記処理槽の底部に向けて、前記有機溶媒蒸気の気流が形成される、請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記有機溶媒蒸気の温度は前記撥水剤の温度よりも高温である、請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置のガラス基板（以下、単に基板と称する）に対して処理液により処理を行う基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、基板を薬液やリンス液等に浸漬する処理槽と、基板を処理槽と基板処理槽の上方空間との間で移動させる基板昇降機構と、基板を処理槽の上方空間において不活性ガス等を吹き付けることにより純水等のリンス液を乾燥させる基板乾燥機構とを備えたものが知られている。このような基板処理装置では、リンス液を乾燥させる際に、基板上のパターン内に残留したリンス液の毛細管現象によりパターン倒壊が発生する問題が生じている。
【０００３】
この問題を解決するために、予め基板表面に撥水性保護膜を形成することにより乾燥処理時にパターンに作用する液体の表面張力を小さくする技術が知られている（例えば特許文献１）。この技術では、処理槽内の基板に向けて撥水剤を供給して撥水化する撥水性処理工程を実施する。続いて、処理槽内の基板に向けてＩＰＡを供給することにより、基板の表面に残留していた未反応の撥水化剤をＩＰＡに置換して除去するアルコールリンス処理が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１１４４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に係る基板処理方法によれば、乾燥処理におけるパターン倒壊を抑制することができる。ところが、撥水性処理工程の後、次のアルコールリンス処理を実施する際に、貯留槽の中に残留していた未反応の撥水化剤がＩＰＡと反応してケイ酸等のパーティクルを発生させることがある。この結果、処理槽内の基板がパーティクルで汚染されるおそれがあった。
【０００６】
そこで本発明は、基板の清浄度を維持したまま、パターン倒壊を防止しつつ基板を乾燥させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理槽に貯留されたリンス液に基板を浸漬して前記基板の表面をリンス液で洗浄するリンス処理工程と、前記処理槽を囲うチャンバーの内部雰囲気に有機溶媒蒸気を供給することにより、前記処理槽の上方である前記チャンバーの上部空間を含むチャンバーの内部雰囲気に有機溶媒蒸気雰囲気を形成する有機溶媒蒸気形成工程と、前記基板を前記処理槽の上部空間に引き上げることにより前記基板の表面に付着したリンス液を前記有機溶媒に置換する有機溶媒置換工程と、前記処理槽内のリンス液を排液する排液工程と、前記基板を前記処理槽内に移動させる基板移動工程と、前記処理槽内に移動させた前記基板の表面に対して撥水剤を供給することにより前記基板の表面を撥水処理する撥水処理工程と、前記基板を前記処理槽の上方に引き上げ、前記処理槽の上方にて、前記撥水処理工程で撥水処理された前記基板を前記有機溶媒蒸気にさらすことにより、前記基板の表面に残留していた未反応の撥水剤を除去する撥水剤除去工程と、前記基板に向けて不活性ガスを供給することにより前記基板を乾燥する乾燥工程と、を含む。
【０００８】
請求項２の発明は、前記有機溶媒はＩＰＡである、請求項１に記載の基板処理方法である。
【０００９】
請求項３の発明は、前記撥水剤除去工程において前記基板に供給される前記有機溶媒蒸気の温度は、前記撥水処理工程において前記基板に供給される前記撥水剤の温度よりも高温である、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法である。
【００１０】
請求項４の発明は、前記撥水剤除去工程において、前記基板を前記処理槽の上方の槽外に引き上げた後に、前記処理槽内の前記撥水剤を排出する排出工程を含む請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法である。
【００１１】
請求項５の発明は、前記撥水剤は、水に直接的に接触すると異物を生じることがある、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理方法である。
【００１２】
請求項６の発明は、前記有機溶媒蒸気形成工程で前記有機溶媒蒸気が供給される状態で前記排出工程が実行され、前記処理槽の内壁に付着していた未反応の前記撥水剤が前記有機溶媒蒸気の供給により除去されて前記排出工程で前記処理槽の外部に排出される、請求項４に記載の基板処理方法である。
【００１３】
請求項７の発明は、前記撥水剤除去工程において、前記処理槽の上方から前記処理槽の底部に向けて、前記有機溶媒蒸気の気流が形成される、請求項６に記載の基板処理方法である。
【００１４】
請求項８の発明は、前記有機溶媒蒸気の温度は前記撥水剤の温度よりも高温である、請求項１から請求項７のいずれか一つに記載の基板処理方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、処理槽の内部で撥水化処理を実行することにより基板表面が撥水化されている。このため、基板表面に向けて不活性ガスを供給する乾燥工程において基板表面のパターン倒れが防止できる。また、撥水化処理の後、基板表面に残留している未反応の撥水化剤を除去する撥水化除去工程は処理槽の上方で実行される。このため、撥水化処理の後、処理槽の内部に残留している未反応の撥水化剤が、撥水化除去工程で使用される有機溶媒とが反応してパーティクルが発生したとしても、この時点で基板は処理槽の上方に位置している。このため、撥水剤除去工程によって基板を汚染することが防止または抑制することができる。したがって、基板の清浄度を維持したまま基板を乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式図である。
【図２】基板処理装置１における基板処理の動作を説明するフローチャートである。
【図３】図２のステップＳ１における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図４】図２のステップＳ２における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図５】図２のステップＳ３における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図６】図２のステップＳ４における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図７】図２のステップＳ５における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図８】図２のステップＳ６における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図９】図２のステップＳ７における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図１０】図２のステップＳ８における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図１１】図２のステップＳ９における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図１２】図２のステップＳ１０における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【図１３】図２のステップＳ１１における基板処理装置の動作を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を参照しながら説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
＜基板処理装置の要部構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１の正面図である。
【００１８】
この基板処理装置１は、純水によるリンス処理が終了した基板を、有機溶媒であるＩＰＡを吹き付けて乾燥させる装置であって、主としてチャンバー１０、処理槽２０、保持機構３０、昇降機構４０、ノズル５１乃至５５、各ノズルを開閉させるバルブ６１乃至６５、ノズル５１に窒素ガス等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給源７１、ノズル５２にＩＰＡベーパを供給するＩＰＡ供給源７２、ノズル５３にＩＰＡベーパを供給するＩＰＡ供給源７３、ノズル５４に撥水剤を供給する撥水剤供給源７４と、処理液供給ノズル６５に純水等のリンス液を供給する処理液供給源７５と、制御部８０とを備えている。
【００１９】
チャンバー１０は、その内部に処理槽２０、昇降機構４０、ノズル５１乃至５５等を収容する筐体である。チャンバー１０の上部１１が開閉可能とされている。チャンバー１０の上部１１を開放した状態では、その開放部分から基板Ｗの搬出入を行うことができる。一方、チャンバー１０の上部１１を閉鎖した状態では、チャンバー１０の内部を密閉空間とすることができる。
【００２０】
処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水等のリンス液（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留して基板に順次表面処理を行う槽であり、チャンバー１０の内部に収容されている。処理槽２０の底部近傍にはノズル５５が配置されており、処理液供給源７５からそのノズル５５を介して処理槽２０内に処理液を供給することができる。この処理液は処理槽２０の底部から供給されて、処理槽２０の開口部２０Ｐから溢れ出る。また、処理槽２０では、排液バルブ６６を開放することによって処理槽２０内に貯留された処理液を排液ラインに排出することも可能である。
【００２１】
保持機構３０は複数の基板Ｗをその主面（回路形成面）が垂直になった状態で、Ｘ方向に互いに離隔させて保持する。昇降機構４０は、保持機構３０を鉛直方向（Ｚ方向）に昇降させることにより、保持機構３０に保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位置で示す位置。下位置という。）と、その処理液から引き揚げた位置（図１の仮想線位置で示す位置。上位置という。）との間で移動させることができる。
【００２２】
処理槽２０の上方空間には、開口部２０Ｐに近接させてノズル５３およびノズル５４が配置されている。
【００２３】
ノズル５３はＸ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて複数の吐出孔（図示せず）が形成されている。ノズル５３は処理槽２０の上側角部に沿ってＹ方向に２本並列配置されている。ノズル５３は前記した複数の吐出孔から処理槽２０の開口部２０Ｐに向けてＩＰＡ蒸気を吐出し、処理槽２０内に当該ＩＰＡ蒸気を含む雰囲気を形成する。
【００２４】
ノズル５３には、チャンバー１０外部のＩＰＡ供給源７３からＩＰＡ蒸気が供給される。ノズル５３とＩＰＡ供給源７３との間の管路にはバルブ６３が介挿されており、このバルブ６３を開度を調整することによりノズル５３からのＩＰＡ蒸気の吐出量を制御することができる。
【００２５】
ノズル５４はＸ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて複数の吐出孔（図示せず）が形成されている。ノズル５４は処理槽２０の上側角部に沿ってＹ方向に２本並列配置されている。ノズル５４は前記した複数の吐出孔から処理槽２０の開口部２０Ｐに向けて撥水剤を吐出し、処理槽２０内に液相の撥水剤を貯留したり、撥水剤のミストを含む雰囲気を処理槽２０内に形成することができる。
【００２６】
撥水剤は、シリコン自体およびシリコンを含む化合物を含む疎水化させるシリコン系撥水剤、または金属自体および金属を含む化合物を疎水化させるメタル系撥水剤である。
【００２７】
メタル系撥水剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
【００２８】
シリコン系撥水剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および非クロロ系撥水剤の少なくとも一つを含む。
【００２９】
非クロロ系撥水剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ−（トリメチルシリル）ジメチルアミンおよびオルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。
【００３０】
撥水剤は、ＩＰＡ等の親水性有機溶媒と相溶解性のある溶媒で希釈した状態で使用することが望ましい。この場合、撥水剤とＩＰＡ等親水性有機溶媒と相溶解性のある溶媒とは、ノズル５４の直前で混合させてノズル５４に供給することが望ましい。
【００３１】
処理槽２０の上方空間には、上記したノズル５３および５４のさらに上方に、ノズル５１およびノズル５２が配設されている。
【００３２】
ノズル５１には、チャンバー１０外部の不活性ガス供給源７１から窒素ガスが供給される。窒素ガスは望ましくは室温以上に加熱されている。ノズル５１と不活性ガス供給源７１との間の管路にはバルブ６１が介挿されており、このバルブ６１の開度を調整することによりノズル５１からの窒素ガスの吐出量が制御される。ノズル５１は上位置まで引き上げられた基板Ｗに向けられている。ノズル５１から窒素ガスを吐出することにより処理槽２０の上方空間を含むチャンバー１０の内部空間が窒素ガスで満たされ、上位置に位置する基板Ｗが乾燥処理される（詳細は後述する）。
【００３３】
ノズル５２には、チャンバー１０外部のＩＰＡ供給源７２からＩＰＡ蒸気が供給される。ノズル５２とＩＰＡ供給源７２との間の管路にはバルブ６２が介挿されており、このバルブ６２開度を調整することによりノズル５２からのＩＰＡ蒸気の吐出量が制御される。ノズル５２は上位置まで引き上げられた基板Ｗに向けられている。ノズル５２からＩＰＡ蒸気を吐出することにより処理槽２０の上方空間を含むチャンバー１０の内部空間がＩＰＡ蒸気で満たされ、上位置に位置する基板ＷをＩＰＡ蒸気によって余剰な撥水剤を除去することが可能になっている（詳細は後述する）。
【００３４】
上記した各バルブ６１乃至６６、昇降機構７５、並びに各供給源７１乃至７５は制御部８０の制御により動作する。
＜基板処理装置１における基板処理＞
次に、基板処理装置１を用いた基板処理について説明する。図２は、基板処理装置１における基板処理の動作を説明するフローチャートである。また、図３乃至１３は、基板処理装置１における基板処理の様子を説明する模式図である。
【００３５】
制御部８０は、保持機構３０が処理槽２０内の下位置に位置した状態で処理槽２０にフッ酸等の薬液を貯留することにより、保持機構３０に保持された基板Ｗに対して洗浄処理等の薬液処理を実行する（図２のステップＳ１。図３）。
【００３６】
次に制御部８０は、バルブ６６を開放することにより処理槽２０に貯留された薬液を排液しつつ、バルブ６５を開放することにより処理液供給源７５からノズル５５に純水を導入する。これにより、処理槽２０に貯留された薬液が順次純水に置換され、基板Ｗの表面を純水で洗浄するリンス処理が実行される（図２のステップＳ２。図４）。
【００３７】
次に制御部８０はバルブ６２を開放して、ノズル５２から処理槽２０の上部空間にＩＰＡ蒸気を供給する。また、バルブ６３を開放して、ノズル５３処理槽２０の開口部２０Ｐに向けてＩＰＡ蒸気を供給する。これにより、処理槽２０を囲うチャンバー１０の内部雰囲気にＩＰＡ蒸気の雰囲気が形成される（図２のステップＳ３。図５）。
【００３８】
次に制御部８０は、ノズル５２およびノズル５３からのＩＰＡ蒸気の供給を継続しつつ、昇降機構４０を制御して、下位置に位置する保持機構３０を処理槽２０の上方の上位置まで移動させる。保持機構３０が下位置から上位置まで上昇する間に保持機構３０に保持された基板Ｗはノズル５２およびノズル５３から供給されるＩＰＡ蒸気にさらされる。これにより、基板Ｗに付着した純水がＩＰＡに置換される（図２のステップＳ４。図６）。
【００３９】
次に制御部８０は、バルブ６６を開放して、処理槽２０内の純水を排液する（図２のステップＳ５。図７）。
【００４０】
次に制御部８０はバルブ６２およびバルブ６３を制御してノズル５２およびノズル５３からのＩＰＡ蒸気の吐出量を調整（減少）させる。また、制御部８０はノズル６６を閉鎖して処理槽２０に流体を貯留可能な状態にする。その後、バルブ６４を開放してノズル５４から処理槽２０に撥水剤を供給し始める。これにより撥水剤が処理槽２０内に貯留されていく（図２のステップＳ６。図８）。なお、撥水剤は液状の撥水剤に限らず、ベーパ状（蒸気）またはミスト状であってもよい。また、撥水剤はノズル５４に代えて（またはノズル５４に加えて）、処理槽２０内のノズル５５から処理槽２０に供給するようにしてもよい。
【００４１】
水分が付着した基板を直接撥水剤に接触させると改質性能が劣化したり、異物を発生したりすることがある。これに対し、本実施形態ではステップＳ７の撥水処理を開始する前にＩＰＡ置換（ステップＳ４）を実行し、基板Ｗの表面から水分を除去している。このように、撥水処理（ステップＳ７）は水分を除去した基板Ｗに対して実行されるため、撥水処理時における異物の発生を防止または抑制することができる。
【００４２】
次に制御部８０は昇降機構４０を制御して、上位置に位置する保持機構３０を処理槽２０内の下位置まで移動させる。これにより保持機構３０に保持された基板Ｗの表面が撥水剤により撥水性に改質される（撥水処理。図２のステップＳ７。図９）。制御部８０はステップＳ７の撥水処理を行う際に昇降機構４０を制御して保持機構３０を処理槽２０の中で搖動させてもよい。これにより基板Ｗの表面がより均一に改質される。
【００４３】
次に制御部８０はバルブ６４を制御してノズル５４からの撥水剤の供給を停止させる（図２のステップＳ８。図１０）。
【００４４】
次に制御部８０は昇降機構４０を制御して、下位置に位置する保持機構３０を処理槽２０上方の上位置まで移動させる。これにより表面が撥水性に改質された基板Ｗが上位置まで処理槽２０の上方に引き上げられる。基板Ｗに付着していた未反応の撥水剤はノズル５２およびノズル５３からのＩＰＡ蒸気により除去される（図２のステップＳ９。図１１）。保持機構３０は比較的短時間（例えば約１０秒）で下位置から上位置に移動するため、基板Ｗに付着していた未反応の撥水剤とＩＰＡとが反応してもごくわずかなケイ酸等のパーティクルしか発生しない。このため、基板Ｗの表面は清浄な状態に保たれている。
【００４５】
次に制御部８０は、ノズル５２および５３からのＩＰＡ蒸気の供給を継続したまま、バルブ６６を開放する。これにより基板Ｗの表面から撥水剤が除去される。また、処理槽２０の内壁等に付着していた未反応の撥水剤がノズル５３からのＩＰＡ蒸気により除去されて排液ラインから処理槽２０の外部に排出される（図２のステップＳ１０。図１２）。処理槽２０の内壁等に付着していた未反応の撥水剤がＩＰＡ蒸気と反応してケイ酸等のパーティクルが処理槽２０の内部に発生することがある。しかし、基板Ｗは本ステップＳ１０よりも前の段階で処理槽２０から上方に引き上げられている。このため、処理槽２０の内部に発生する可能性のあるケイ酸等のパーティクルが基板Ｗに付着することが抑制または防止されている。しかも、処理槽２０の上方から底部に向けて、ノズル５３によってＩＰＡ蒸気の気流が形成されている。このため、処理槽２０の内部で発生したパーティクルが開口部２０Ｐを通って処理槽２０の上方に位置する基板Ｗを汚染するおそれが抑制または防止されている。
【００４６】
ステップＳ１０をさらに継続すると、処理槽２０の内壁等に付着していた未反応の撥水剤およびこの撥水剤とＩＰＡ蒸気とが反応して発生したケイ酸等のパーティクルは、ノズル５２および５３からのＩＰＡ蒸気によって除去されて排液ラインに排出される。これにより、ステップＳ１０の完了時には処理槽２０の内部は洗浄される。
【００４７】
なお、ステップＳ１０でノズル５２および５３から供給されるＩＰＡ蒸気の温度は、ステップＳ７の撥水処理でノズル５４から供給される撥水剤の温度よりも高温であることが望ましい。これにより、基板Ｗの表面から撥水剤を効率的に除去することが可能になる。
【００４８】
次に制御部８０は、バルブ６２、６３および６４を閉止し、バルブ６１を開放する。これにより、ノズル５１からの加熱された不活性ガスが上位置に位置する基板Ｗに向けて供給される。これにより基板Ｗの表面が最終的に乾燥する。
＜変形例＞
上記の実施形態では、ＩＰＡ蒸気と窒素ガスとを別々の供給ノズルから吐出するようにしているが、同一のノズルから吐出するようにしてもよい。
【００４９】
上記の実施形態では、基板Ｗの表面から水分を除去（ステップＳ４）する際、あるいは基板から撥水剤を除去（ステップＳ１０）する際に、ＩＰＡを使用した。しかし、水などのリンス液、および撥水剤の使用している溶媒と置換可能な有機溶媒であればＩＰＡ以外の有機溶媒を使用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１  基板処理装置
１０  チャンバー
２０  処理槽
３０  保持機構
４０  昇降機構
５１、５２、５３、５４、５５  ノズル
６１、６２、６３、６４、６５  バルブ
７１  不活性ガス供給源
７２、７３  ＩＰＡ供給源
７４  撥水剤供給源
７５  処理液供給源
８０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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