(57)【要約】【課題】封止体による電力端子の固定強度を向上する。【解決手段】半導体装置は、第１半導体素子と、第１半導体素子を封止する封止体と、第１半導体素子に対して積層配置されており、封止体の内部において第１半導体素子に接続された第１導体板と、封止体の第１面から突出するとともに、封止体の内部において第１導体板に接続された第１電力端子とを備える。第１電力端子は、封止体の内外に亘って第１方向に延びる本体部分と、封止体の内部において第１方向とは異なる第２方向に延びる接合部分とを有し、接合部分において第１導体板に接合されている。【選択図】図３
2019140250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体素子と、
前記第１半導体素子を封止する封止体と、
前記第１半導体素子に対して積層配置されており、前記封止体の内部において前記第１半導体素子に接続された第１導体板と、
前記封止体の第１面から突出するとともに、前記封止体の内部において前記第１導体板に接続された第１電力端子と、を備え、
前記第１電力端子は、前記封止体の内外に亘って第１方向に延びる本体部分と、前記封止体の内部において前記第１方向とは異なる第２方向に延びる接合部分とを有し、前記接合部分において前記第１導体板に接合されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記第１電力端子の前記接合部分は、平面視において、前記封止体の前記第１面と前記第１導体板との間に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止体の前記第１面とは反対側に位置する第２面から突出するとともに、前記封止体の内部において前記第１半導体素子に接続された第１信号端子をさらに備える、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体素子を挟んで前記第１導体板に対向するとともに、前記第１半導体素子を介して前記第１導体板に接続された第２導体板と、
前記封止体の前記第１面から突出するとともに、前記封止体の内部において前記第２導体板に接続された第２電力端子と、をさらに備え、
前記第１電力端子の前記接合部分の少なくとも一部は、平面視において、前記第１電力端子の前記本体部分と前記第２電力端子と間に位置する、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止体によって封止された第２半導体素子と、
前記第２半導体素子に対して積層配置されているとともに、前記封止体の内部において前記第２半導体素子に接続されている第３導体板と、
前記第２半導体素子を挟んで前記第３導体板に対向するとともに、前記第２半導体素子を介して前記第３導体板に接続された第４導体板と、
前記封止体の前記第１面から突出するとともに、前記封止体の内部において前記第４導体板に接続された第３電力端子と、をさらに備え、
前記第１電力端子は、平面視において、前記第２電力端子と前記第３電力端子との間に位置する、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３導体板は、前記第２導体板に継手部を介して接続されており、
前記継手部は、平面視において、前記第２導体板と前記第３導体板との間に位置するとともに、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子の両中心を通る直線に対して、前記封止体の前記第１面と同じ側に位置する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止体の前記第１面とは反対側に位置する第２面から突出するとともに、前記封止体の内部において前記第２半導体素子に接続された第２信号端子をさらに備える、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１導体板と前記第３導体板は、同一形状を有する部材であるとともに、前記第１導体板は、前記第３導体板に対して９０度回転した姿勢で配置されている、請求項５から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１電力端子の前記接合部分は、前記第１電力端子の前記本体部分の一端に設けられており、
前記本体部分の前記一端では、一方側から前記接合部分が延びているとともに、他方側が面取りされている、請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２方向は、前記第１方向に対して略垂直である、請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、複数の電力端子を備える。複数の電力端子の一つは、封止体の内部において、導体板に接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−５３３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した半導体装置において、導体板に接合された電力端子は、封止体の内外に亘って延びる本体部分と、封止体の内部において導体板に接合された接合部分とを有する。これら本体部分と接合部分は、共に同じ方向に沿って延びている。本明細書は、このような電力端子に対して、封止体による固定強度を向上し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する半導体装置は、第１半導体素子と、第１半導体素子を封止する封止体と、第１半導体素子に対して積層配置されており、封止体の内部において第１半導体素子に接続された第１導体板と、封止体の第１面から突出するとともに、封止体の内部において第１導体板に接続された第１電力端子とを備える。第１電力端子は、封止体の内外に亘って第１方向に延びる本体部分と、封止体の内部において第１方向とは異なる第２方向に延びる接合部分とを有し、接合部分において第１導体板に接合されている。
【０００６】
上記した半導体装置では、第１電力端子の接合部分が、第１電力端子の本体部分とは異なる方向に延びている。これにより、本体部分とは異なる方向に延びる接合部分が、封止体の内部でアンカーのように機能する。これにより、封止体の外部へ突出する本体部分に、大きな引っ張り力が負荷されたときでも、第１電力端子は封止体によって強固に保持される。即ち、封止体による第１電力端子の固定強度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施例１の半導体装置１０の平面図を示す。
【図２】実施例１の半導体装置１０の内部構造を示す平面図であって、封止体１２の図示を省略したもの。
【図３】実施例１の半導体装置１０の内部構造を示す分解斜視図。
【図４】図１中のＩＶ−ＩＶ線における断面図。
【図５】第１電力端子１４と第１導体板３０との間の接合関係を示す図。
【図６】半導体装置１０における電力系電流ＰＣ１、ＰＣ２と信号系電流ＳＣ１、ＳＣ２を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本技術の一実施形態において、第１電力端子の接合部分は、平面視において、封止体の第１面と第１導体板との間に位置してもよい。このような構成によると、接合部分を比較的に長く設けることによって、封止体による第１電力端子の固定強度をより高めることができる。ここでいう「平面視において」とは、第１半導体素子と第１導体板とが積層された方向（即ち、第１導体板及び第１半導体素子に対して垂直な方向）に沿って見た場合を意味し、当該方向における位置関係については無視することを意味する。
【０００９】
本技術の一実施形態において、半導体装置は、封止体の第１面とは反対側に位置する第２面から突出するとともに、封止体の内部において第１半導体素子に接続された第１信号端子をさらに備えてもよい。このような構成によると、第１信号端子が、第１電力端子から離れて配置されるので、第１電力端子を流れる電流に起因して、第１信号端子にノイズが生じることを抑制することができる。
【００１０】
本技術の一実施形態において、半導体装置は、第１半導体素子を挟んで第１導体板に対向するとともに、第１半導体素子を介して第１導体板に接続された第２導体板と、封止体の第１面から突出するとともに、封止体の内部において第２導体板に接続された第２電力端子と、をさらに備えてもよい。この場合、第１電力端子の接合部分の少なくとも一部は、平面視において、第１電力端子の本体部分と第２電力端子と間に位置してもよい。このような構成によると、第１電力端子の本体部分と第２電力端子との間の距離（特に、封止体の第１面に沿った沿面距離）を大きくして、両者の間の絶縁性を高めることができる。
【００１１】
本技術の一実施形態において、半導体装置は、封止体によって封止された第２半導体素子と、第２半導体素子に対して積層配置されているとともに、封止体の内部において第２半導体素子に接続されている第３導体板と、第２半導体素子を挟んで第３導体板に対向するとともに、第２半導体素子を介して第３導体板に接続された第４導体板と、封止体の第１面から突出するとともに、封止体の内部において第４導体板に接続された第３電力端子と、をさらに備えてもよい。この場合、第１電力端子は、平面視において、第２電力端子と第３電力端子との間に位置してもよい。このような構成によると、第１電力端子の両側に、第２電力端子と第３電力端子がそれぞれ配置されることで、第１電力端子を基準として半導体装置の構造的な対称性が高くなる。これにより、封止体による第１電力端子の固定強度が有意に向上する。ここで、特に限定されないが、第１電力端子、第２電力端子及び第３電力端子は、少なくとも封止体の第１面を通過する部分において、同一平面上に位置してもよい。
【００１２】
上記した実施形態において、第３導体板は、第２導体板に継手部を介して接続されていてもよい。この場合、継手部は、平面視において、第２導体板と第３導体板との間に位置するとともに、第１半導体素子及び第２半導体素子の両中心を通る直線に対して、封止体の第１面と同じ側に位置してもよい。このような構成によると、継手部が各々の電力端子の近くに配置されるので、継手部を介して二つの電力端子間を流れる電流の経路が短くなり、例えば半導体装置で生じる損失や、それに起因する発熱を抑制することができる。
【００１３】
上記した実施形態において、半導体装置は、封止体の第１面とは反対側に位置する第２面から突出するとともに、封止体の内部において第２半導体素子に接続された第２信号端子をさらに備えてもよい。このような構成によると、第１信号端子が、各々の電力端子から離れて配置されるので、各々の電力端子を流れる電流に起因して、第２信号端子にノイズが生じることを抑制することができる。
【００１４】
上記した実施形態において、第１導体板と第３導体板は、同一形状を有する部材であってもよい。この場合、第１導体板は、第３導体板に対して９０度回転した姿勢で配置されていてもよい。このような構成によると、部品が共通化されることによって、例えば半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００１５】
本技術の一実施形態において、第１電力端子の接合部分は、第１電力端子の本体部分の一端に設けられていてもよい。この場合、本体部分の当該一端では、一方側に接合部分が設けられているとともに、他方側に面取りが形成されていてもよい。本体部分の一端に面取りが形成されていると、第１電力端子と封止体との間の密着性が増して、封止体による第１電力端子の固定強度がより高くなる。
【００１６】
本技術の一実施形態において、第１電力端子の接合部分が延びる第２方向は、第１電力端子の本体部分が延びる第１方向に対して略垂直であってもよい。このような構成によると、第１方向と第２方向との角度差が十分に大きいことから、接合部分がアンカーとして十分に機能して、第１電力端子が封止体に対して強固に固定される。但し、第１方向と第２方向との角度差は、９０度未満であってもよく、例えば４５度以上あるいは６０度以上であってもよい。なお、本明細書でいう略垂直とは、正確な垂直に対して１０度以下の誤差が許容されることを意味する。
【００１７】
本技術の一実施形態において、第１電力端子は板状であり、接合部分が延びる第２方向は、第１電力端子の厚み方向に対して略垂直であってもよい。このような構成によると、例えば第１電力端子に引っ張り力が作用したときに、本体部分に対して接合部分が変形し難いので、第１電力端子が封止体に対して強固に固定される。
【実施例】
【００１８】
図面を参照して、実施例の半導体装置１０について説明する。本実施例の半導体装置１０は、パワー半導体装置であって、例えば電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車といった電動自動車において、コンバータやインバータといった電力変換回路に用いることができる。但し、半導体装置１０の用途は特に限定されない。半導体装置１０は、様々な装置や回路に広く採用することができる。
【００１９】
図１−図４に示すように、半導体装置１０は、第１半導体素子２０と、第２半導体素子５０と、封止体１２と、複数の端子１４、１５、１６、１８、１９を備える。第１半導体素子２０と第２半導体素子５０は、横並びに配置されており、封止体１２の内部に封止されている。封止体１２は、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂で構成されている。各々の端子１４、１５、１６、１８、１９は、封止体１２の外部から内部に亘って延びており、封止体１２の内部で第１半導体素子２０及び第２半導体素子５０の少なくとも一方に電気的に接続されている。複数の端子１４、１５、１６、１８、１９には、第１電力端子１４、第２電力端子１５、第３電力端子１６、複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９が含まれる。
【００２０】
三つの電力端子１４、１５、１６は、封止体１２の第１の側面１２ｃから突出している。三つの電力端子１４、１５、１６は、互いに平行であり、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ延びている。また、三つの電力端子１４、１５、１６は、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙに沿って配列されている。各々の電力端子１４、１５、１６は、概して板状の部材であり、少なくとも封止体１２の第１の側面１２ｃを通過する部分において、同一平面上に位置している。一方、複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９は、封止体１２の第２の側面１２ｄから突出している。第２の側面１２ｄは、第１の側面１２ｃとは反対側に位置している。複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９は、第２方向Ｙに沿って配列されている。複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９は、少なくとも封止体１２の第１の側面１２ｃを通過する部分において、同一平面上に位置している。
【００２１】
第１半導体素子２０と第２半導体素子５０は、パワー半導体素子であり、互いに同一の構成を有する。第１半導体素子２０は、半導体基板２２、表面電極２４、裏面電極２６及び複数の信号電極２８を有する。表面電極２４及び複数の信号電極２８は、半導体基板２２の一方の主表面に設けられており、裏面電極２６は、半導体基板２２の他方の主表面に設けられている。同様に、第２半導体素子５０は、半導体基板５２と表面電極５４と裏面電極５６とを有する。表面電極５４及び複数の信号電極５８は、半導体基板５２の一方の主表面に設けられており、裏面電極５６は、半導体基板５２の他方の主表面に設けられている。即ち、各々の半導体素子２０、５０は、半導体基板２２、５２を挟んで一対の電極２４、２６、５４、５６を有する縦型の半導体素子である。なお、図３、図４において、表面電極２４、５４及び信号電極２８、５８は、半導体基板２２、５２の下方に位置しており、裏面電極２６、５６は、半導体基板２２、５２の上方に位置している。
【００２２】
一例ではあるが、本実施例における各々の半導体素子２０、５０は、ＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse Conducting - Insulated Gate Bipolar Transistor）であり、半導体基板２２はシリコン（Ｓｉ）で構成されている。各々の半導体素子２０、５０では、表面電極２４、５４がエミッタ電極として機能し、裏面電極５６がコレクタ電極として機能する。また、複数の信号電極２８、５８には、例えば、ゲート信号電極、センスエミッタ電極、ケルビンエミッタ電極、温度センス電極等が含まれる。なお、信号電極２８、５８の数や機能については、本実施例で例示するものに限定されない。他の実施形態として、各々の半導体素子２０、５０は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）といった、他の種類のパワー半導体素子であってもよい。また、半導体基板２２、５２を構成する材料についても、シリコンに限定されず、例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化物半導体といった他の半導体であってよい。さらに、各々の半導体素子２０、５０は、ダイオードとＩＧＢＴ（又はＭＯＳＦＥＴ）との組み合わせといった、二以上の半導体素子の組み合わせに置き換えられてもよい。
【００２３】
半導体装置１０は、第１導体板３０と第２導体板４０とをさらに備える。第１導体板３０と第２導体板４０は、それぞれ銅又はその他の金属といった、導体で構成されている。第１導体板３０は、第１半導体素子２０に対して積層配置されている。第１導体板３０の下面３０ｂは、封止体１２の内部において、第１半導体素子２０の裏面電極２６に接続されている。特に限定されないが、第１導体板３０と第１半導体素子２０との間は、はんだ接合層３８を介して接合されている。なお、第１導体板３０と第１半導体素子２０との間には、一又は複数の導体部材が介在してもよい。第１導体板３０の上面３０ａは、封止体１２の上面１２ａに露出している。これにより、第１導体板３０は、第１半導体素子２０に接続された電気回路の一部を構成するだけでなく、第１半導体素子２０の熱を外部へ放出する放熱板としても機能する。
【００２４】
第２導体板４０は、第１半導体素子２０を挟んで第１導体板３０に対向している。第２導体板４０の上面４０ａは、封止体１２の内部において、第１半導体素子２０の表面電極２４に接続されている。これにより、第２導体板４０は、第１半導体素子２０を介して、第１導体板３０に接続されている。特に限定されないが、第２導体板４０と第１半導体素子２０との間は、はんだ接合層４８を介して接合されている。なお、第２導体板４０と第１半導体素子２０との間には、一又は複数の導体部材が介在してもよい。第２導体板４０の下面４０ｂは、封止体１２の下面１２ｂに露出している。これにより、第２導体板４０は、第１半導体素子２０に接続された電気回路の一部を構成するだけでなく、第１半導体素子２０の熱を外部へ放出する放熱板としても機能する。
【００２５】
第１導体板３０には、封止体１２の内部において、第１電力端子１４が接続されている。即ち、第１電力端子１４は、第１半導体素子２０の裏面電極２６（ここではコレクタ電極）へ電気的に接続されている。第２導体板４０には、第２電力端子１５が接続されている。即ち、第２電力端子１５は、第１半導体素子２０の表面電極２４（ここではエミッタ電極）へ電気的に接続されている。第１半導体素子２０は、第１電力端子１４と第２電力端子１５との間に電気的に介挿されており、第１電力端子１４から第２電力端子１５へ流れる電流を導通及び遮断することができる。また、第１半導体素子２０は、還流ダイオードを内蔵することから、第２電力端子１５から第１電力端子１４へ流れる電流を常に許容することができる。第２電力端子１５は、第２導体板４０へ一体に形成されている。但し、第２電力端子１５は、第２導体板４０とは独立した部材であって、第２導体板４０へ接合されていてもよい。
【００２６】
一方、第１電力端子１４は、第１導体板３０とは別部材であって、第１導体板３０へ接合されている。第１電力端子１４は、概して、本体部分１４ａと接合部分１４ｂとを有する。第１電力端子１４の本体部分１４ａは、封止体１２の内外に亘り、第１方向Ｘに沿って延びている。接合部分１４ｂは、本体部分１４ａから第２方向Ｙに沿って延びている。そして、第１電力端子１４は、接合部分１４ｂにおいて、第１導体板３０の端子接続部３２に接合されている。特に限定されないが、接合部分１４ｂは、封止体１２の内部に位置する本体部分１４ａの一端１４ｃに設けられている。本体部分１４ａの一端１４ｃでは、一方側に接合部分１４ｂが設けられているとともに、他方側には面取り１４ｄが設けられている。
【００２７】
半導体装置１０は、第３導体板６０と第４導体板７０とをさらに備える。第３導体板６０と第４導体板７０は、それぞれ銅又はその他の金属といった、導体で構成されている。第３導体板６０は、第２半導体素子５０に対して積層配置されている。第３導体板６０の下面６０ｂは、封止体１２の内部において、第２半導体素子５０の裏面電極５６に接続されている。特に限定されないが、第３導体板６０と第２半導体素子５０との間は、はんだ接合層６８を介して接合されている。第３導体板６０と第２半導体素子５０との間には、一又は複数の導体部材が介在してもよい。第３導体板６０の上面６０ａは、封止体１２の上面１２ａに露出している。これにより、第３導体板６０は、第２半導体素子５０に接続された電気回路の一部を構成するだけでなく、第２半導体素子５０の熱を外部へ放出する放熱板としても機能する。
【００２８】
第４導体板７０は、第２半導体素子５０を挟んで第３導体板６０に対向している。第４導体板７０の上面７０ａは、封止体１２の内部において、第２半導体素子５０の表面電極５４に接続されている。これにより、第４導体板７０は、第２半導体素子５０を介して、第３導体板６０に接続されている。特に限定されないが、第４導体板７０と第２半導体素子５０との間は、はんだ接合層７８を介して接合されている。但し、第４導体板７０と第２半導体素子５０との間には、一又は複数の導体部材が介在してもよい。第４導体板７０の下面７０ｂは、封止体１２の下面１２ｂに露出している。これにより、第４導体板７０は、第２半導体素子５０に接続された電気回路の一部を構成するだけでなく、第２半導体素子５０の熱を外部へ放出する放熱板としても機能する。
【００２９】
第３導体板６０には、封止体１２の内部において、第２導体板４０が接続されている。これにより、第２電力端子１５は、第１半導体素子２０の表面電極２４だけでなく、第２半導体素子５０の裏面電極５６（ここではコレクタ電極）にも電気的に接続されている。一例ではあるが、第２導体板４０と第３導体板６０との間は、継手部８０を介して接続されている。継手部８０の一部は、第２導体板４０へ一体に形成されており、継手部８０の他の一部は、第３導体板６０へ一体に形成されており、両者ははんだ接合層８２を介して互いに接合されている。第４導体板７０には、第３電力端子１６が接続されている。即ち、第３電力端子１６は、第２半導体素子５０の表面電極５４（ここではエミッタ電極）へ電気的に接続されている。第２半導体素子５０は、第２電力端子１５と第３電力端子１６との間に電気的に介挿されており、第２電力端子１５から第３電力端子１６へ流れる電流を導通及び遮断することができる。また、第２半導体素子５０は、還流ダイオードを内蔵することから、第３電力端子１６から第２電力端子１５へ流れる電流を常に許容することができる。第３電力端子１６は、第４導体板７０へ一体に形成されている。但し、第３電力端子１６は、第４導体板７０とは独立した部材であって、第４導体板７０へ接合されていてもよい。
【００３０】
複数の第１信号端子１８は、封止体１２の内部において、第１半導体素子２０の複数の信号電極２８にそれぞれ接続されている。複数の第１信号端子１８は、外部のゲート駆動回路（図示省略）へ接続され、ゲート駆動回路から出力されるゲート駆動信号を第１半導体素子２０へ送信する。また、複数の第１信号端子１８は、第１半導体素子２０が出力する温度信号や電流信号を、ゲート駆動回路へ送信する。同様に、複数の第２信号端子１９は、封止体１２の内部において、第２半導体素子５０の複数の信号電極５８にそれぞれ接続されている。複数の第２信号端子１９についても、外部のゲート駆動回路（図示省略）へ接続され、ゲート駆動回路から出力されるゲート駆動信号を第２半導体素子５０へ送信する。また、複数の第２信号端子１９は、第２半導体素子５０が出力する温度信号や電流信号を、ゲート駆動回路へ送信する。本実施例では、第１信号端子１８と、第１半導体素子２０の信号電極２８との間が、直接的にはんだ付けされている。しかしながら、他の実施形態として、第１信号端子１８と第１半導体素子２０の信号電極２８との間は、ボンディングワイヤ又はその他の接続部材を介して接続されていてもよい。この点については、第２信号端子１９と、第２半導体素子５０の信号電極５８との間の接続についても同様である。
【００３１】
以上の構成により、本実施例の半導体装置１０は、第１電力端子１４と第３電力端子１６との間に二つのＲＣ−ＩＧＢＴが直列に接続され、かつ、二つのＲＣ−ＩＧＢＴの間に第２電力端子１５が接続された回路構造を有する。従って、この半導体装置１０は、例えばＤＣ−ＤＣコンバータやインバータといった電力変換回路において、上下のアームを構成することができる。なお、第１導体板３０と第２導体板４０との間には、複数の第１半導体素子２０が並列に設けられてもよく、第３導体板６０と第４導体板７０との間には、複数の第２半導体素子５０が並列に設けられてもよい。これにより、例えば半導体装置１０の定格電流（許容電流）を高めることができる。
【００３２】
本実施例の半導体装置１０では、図２、図４、図５に示すように、第１電力端子１４が、封止体１２の内外に亘って第１方向Ｘに延びる本体部分１４ａと、封止体１２の内部において第１方向Ｘとは異なる第２方向Ｙに延びる接合部分１４ｂとを有する。そして、第１電力端子１４は、接合部分１４ｂにおいて、第１導体板３０の端子接続部３２に接合されている。第１電力端子１４の接合部分１４ｂが、第１電力端子１４の本体部分１４ａとは異なる方向に延びていると、接合部分１４ｂが封止体１２の内部でアンカーのように機能する。これにより、封止体１２の外部へ突出する本体部分１４ａに、大きな引っ張り力が負荷されたときでも、第１電力端子１４は封止体１２によって強固に保持される。即ち、封止体１２による第１電力端子１４の固定強度が向上する。
【００３３】
特に限定されないが、第１電力端子１４の接合部分１４ｂが延びる第２方向Ｙは、第１電力端子１４の本体部分１４ａが延びる第１方向Ｘに対して垂直である。このように、第１方向Ｘに対して第２方向Ｙが垂直又は略垂直（９０度±１０度）であり、第１方向Ｘと第２方向Ｙとの角度差が十分に大きいと、接合部分１４ｂがアンカーとして効果的に機能することができる。但し、他の実施形態として、第１方向Ｘと第２方向Ｙとの角度差は、９０度未満であってもよく、例えば４５度以上あるいは６０度以上であってもよい。
【００３４】
特に限定されないが、第１電力端子１４は板状の部材であり、接合部分１４ｂが延びる第２方向Ｙは、第１電力端子１４の厚み方向に対して略垂直である。このような構成によると、例えば第１電力端子１４に引っ張り力が作用したときに、本体部分１４ａに対して接合部分１４ｂが変形し難いので、第１電力端子１４が封止体１２に対して強固に固定される。但し、他の実施形態として、第１電力端子１４の接合部分１４ｂは、板状の第１電力端子１４を、その厚さ方向に折り曲げて形成されてもよい。この場合、接合部分１４ｂが延びる第２方向Ｙは、第１電力端子１４の厚み方向に対して略平行となる。
【００３５】
本実施例の半導体装置１０では、第１電力端子１４の接合部分１４ｂが、平面視において（図２参照）、封止体１２の第１の側面１２ｃと第１導体板３０との間に位置する。このような構成によると、封止体１２の第１の側面１２ｃに沿って、接合部分１４ｂを比較的に長く設けることができる。これにより、封止体１２による第１電力端子１４の固定強度をより高めることができる。ここでいう「平面視において」とは、第１半導体素子２０と第１導体板３０とが積層された第３方向Ｚ（即ち、第１導体板３０及び第１半導体素子２０に対して垂直な方向）に沿って見た場合を意味し、当該第３方向における位置関係については無視することを意味する。
【００３６】
本実施例の半導体装置１０では、第１電力端子１４の接合部分１４ｂが、平面視において（図２参照）、第１電力端子１４の本体部分１４ａと第２電力端子１５と間に位置している。特に、第１電力端子１４の接合部分１４ｂは、第１電力端子１４の本体部分１４ａから第２電力端子１５に向けて延びている。このような構成によると、第１電力端子１４の本体部分１４ａと、第２電力端子１５との間の距離（特に、封止体１２の第１の側面１２ｃに沿った沿面距離）を大きくして、両者の間の絶縁性を高めることができる。特に、第１電力端子１４が接続された第１導体板３０と、第２電力端子１５が接続された第２導体板４０は、同じ第１半導体素子２０を挟んで互いに対向しているので、通常、第１電力端子１４と第２電力端子１５との間の距離は短くなりやすい。これに対して、第１電力端子１４の接合部分１４ｂを、第１電力端子１４の本体部分１４ａと第２電力端子１５との間に設ければ、第１電力端子１４と第２電力端子１５との間の距離を大きくすることができる。
【００３７】
本実施例の半導体装置１０では、第１電力端子１４が、平面視（図２参照）において、第２電力端子１５と第３電力端子１６との間に位置している。このような構成によると、第１電力端子１４の両側に、第２電力端子１５と第３電力端子１６がそれぞれ配置されることで、第１電力端子１４を基準として半導体装置１０の構造的な対称性が高くなる。これにより、封止体１２による第１電力端子１４の固定強度が有意に向上する。特に、第１電力端子１４、第２電力端子１５及び第３電力端子１６が同一平面上に位置していると、半導体装置１０の構造的な対称性をより高めることができる。
【００３８】
本実施例の半導体装置１０では、第１電力端子１４、第２電力端子１５及び第３電力端子１６が、封止体１２の第１の側面１２ｃから突出する一方で、複数の第１信号端子１８及び第２信号端子１９は、第１の側面１２ｃとは反対側の第２の側面１２ｄから突出している。これにより、複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９は、各々の電力端子１４、１５、１６から比較的に離れて配置されている。このような構成によると、図６に示すように、半導体装置１０に流れる電力系電流ＰＣ１、ＰＣ２の経路と、半導体装置１０に流れる信号系電流ＳＣ１、ＳＣ２との経路が、比較的に離れて形成される。従って、各々の電力端子１４、１５、１６を流れる電力系電流ＰＣ１、ＰＣ２に起因して、第１信号端子１８及び第２信号端子１９に流れる信号系電流ＳＣ１、ＳＣ２にノイズが生じることが抑制される。
【００３９】
本実施例の半導体装置１０では、前述したように、第３導体板６０が、第２導体板４０に継手部８０を介して接続されている。継手部８０は、平面視において、第２導体板４０と第３導体板６０との間に位置している。加えて、図６に示すように、継手部８０は、第１半導体素子２０及び第２半導体素子５０の両中心２０ａ、５０ａを通る直線Ａに対して、封止体１２の第１の側面１２ｃと同じ側に位置している。このような構成によると、継手部８０が第２電力端子１５及び第３電力端子１６の近くに配置されるので、継手部８０を介して第２電力端子１５と第３電力端子１６との間を流れる電力系電流ＰＣ２の経路が短くなり、半導体装置１０で生じる損失や、それに起因する発熱を抑制することができる。
【００４０】
本実施例の半導体装置１０では、第１導体板３０と第３導体板６０に、同一形状を有する部材が採用されており、第１導体板３０は、第３導体板６０に対して９０度回転した姿勢で配置されていてもよい。なお、第１導体板３０において端子接続部３２となる部分は、第３導体板６０において継手部８０の一部を構成する。このような構成によると、部品が共通化されることによって、例えば半導体装置１０の製造コストを低減することができる。
【００４１】
本実施例の半導体装置１０では、前述したように、第１電力端子１４の接合部分１４ｂが、第１電力端子１４の本体部分１４ａの一端１４ｃに設けられている。そして、本体部分１４ａの一端１４ｃでは、一方側に接合部分１４ｂが設けられているとともに、他方側に面取り１４ｄが形成されている（図２、図３、図５等参照）。本体部分１４ａの一端１４ｃに面取り１４ｄが形成されていると、第１電力端子１４と封止体１２との間の密着性が増して、封止体１２による第１電力端子１４の固定強度がより高くなる。また、半導体装置１０の製造段階において、封止体１２を例えばモールド成形するときに、モールド内における材料（例えば樹脂）の流れがスムーズとなる。なお、面取り１４ｄは、例えばＲ面取りであってもよいし、Ｃ面取りであってもよい。
【００４２】
以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書又は図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。
【符号の説明】
【００４３】
１０：半導体装置
１２：封止体
１４：第１電力端子
１４ａ：第１電力端子の本体部分
１４ｂ：第１電力端子の接合部分
１４ｃ：第１電力端子の本体部分の一端
１４ｄ：第１電力端子の本体部分の一端に設けられた面取り
１５：第２電力端子
１６：第３電力端子
１８：第１信号端子
１９：第２信号端子
２０：第１半導体素子
３０：第１導体板
４０：第２導体板
５０：第２半導体素子
６０：第３導体板
７０：第４導体板
８０：継手部
Ｘ：第１方向
Ｙ：第２方向
Ｚ：第３方向
【図１】
2019140250.tif 000003
【図２】
2019140250.tif 000004
【図３】
2019140250.tif 000005
【図４】
2019140250.tif 000006
【図５】
2019140250.tif 000007
【図６】
2019140250.tif 000008