(57)【要約】【課題】液晶表示装置の生産効率の更なる向上を図る。【解決手段】本開示の液晶表示装置は、第１の透光性基板を含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向し、第２の透光性基板を含む対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記液晶層の外周よりも外側で、かつ、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置されるシール部材と、前記シール部材と前記第１の透光性基板との間、前記シール部材と前記第２の透光性基板との間の少なくとも一方に介在する金属膜と、を含み、前記金属膜が、前記薄膜トランジスタ基板の端辺、及び前記対向基板の端辺と平面視で重畳する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透光性基板を含む薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と対向し、第２の透光性基板を含む対向基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、
前記液晶層の外周よりも外側で、かつ、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置されるシール部材と、
前記シール部材と前記第１の透光性基板との間、前記シール部材と前記第２の透光性基板との間の少なくとも一方に介在する金属膜と、を含み、
前記金属膜が、前記薄膜トランジスタ基板の端辺、及び前記対向基板の端辺と平面視で重畳する、
液晶表示装置。
【請求項２】
前記金属膜は、前記シール部材と前記第１の透光性基板との間、前記シール部材と前記第２の透光性基板との間の双方に介在する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記金属膜の延伸方向が、前記薄膜トランジスタ基板の端辺、前記対向基板の端辺の延伸方向と一致する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記シール部材の少なくとも一部は、平面視で前記液晶層の外周を囲み、
前記金属膜は、平面視で前記液晶層の外周に沿って配置された、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記シール部材は、平面視で前記液晶層の外周を囲う第１のシール部材と、
前記第１のシール部材が囲む領域の外側に配置された第２のシール部材と、を含み、
前記金属膜は、前記第２のシール部材と平面視で重畳する
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２のシール部材は、平面視で記第１のシール部材から外側に向けて延伸する、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２のシール部材の赤外領域の透過率が、前記第１のシール部材の赤外領域の透過率よりも高い、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１のシール部材は、無機材料からなる含有材を含み、
前記第２のシール部材は、前記含有材を含まない、
請求項５に記載の液晶表示装置。           
【請求項９】
第１の透光性基板を含む第１の基板を準備する第１の基板準備工程と、
第２の透光性基板を含む第２の基板を準備する第２の基板準備工程と、
前記第１の基板の第１の主面と前記第２の基板の第２の主面との少なくともいずれか一方において、シール部材を形成するシール部材形成工程と、
前記シール部材に含まれる環状のシール部材の内周側に液晶層を形成する液晶層形成工程と、
前記第１の基板の第１の主面と前記第２の基板の第２の主面とを、前記シール部材を用いて貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
前記分断ラインにおいて、前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方にレーザー光を照射するレーザー光照射工程と、
エッチング液を用いてエッチングすることにより、前記分断ラインにおいて、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方を分断するエッチング工程と、を含み、
前記第１の基板準備工程と前記第２の基板準備工程との少なくとも一方が、前記第１の透光性基板の第１の主面と前記第２の透光性基板の第２の主面との少なくともいずれか一方において金属層を形成した後に、前記分断ラインに配置された前記シール部材の少なくとも一部と平面視で重畳する領域を残して前記金属層をエッチングすることにより金属膜を形成する金属膜形成工程を含む、
液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜形成工程において、前記第１の透光性基板の第１の主面、及び前記第２の透光性基板の第２の主面の双方に前記金属膜を形成する、
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
レーザー光照射工程において照射するレーザー光の走査方向が、前記金属膜形成工程において形成する前記金属膜の延伸方向と一致する、
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記液晶層形成工程において、前記液晶層の外周に沿って金属膜が配置されるよう、前記液晶層を形成する、
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記シール部材形成工程は、平面視で環状をした複数の第１のシール部材を形成する工程と、前記複数の第１のシール部材を相互に連結する第２のシール部材を形成する工程と、を含み、
前記金属膜形成工程において、前記第２のシール部材形成領域の少なくとも一部と平面視で重畳するように前記金属膜を形成する、
請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置された対向基板と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、
前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置されたシール部材と、
を含み、
前記シール部材は、平面視で前記液晶層の外周を囲う第１のシール部材と、
前記第１のシール部材が囲む領域の外側に配置された第２のシール部材と、を含み、
前記第２のシール部材の赤外領域の透過率が、前記第１のシール部材の赤外領域の透過率よりも高い、
液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第２のシール部材の可視光領域の透過率は、前記第１のシール部材の可視光領域の透過率よりも高い、
請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１のシール部材は、無機材料からなる第１の含有材を含み、
前記第２のシール部材は、無機材料からなる第２の含有材を含み、
前記第２のシール部材における前記第２の含有材の含有率が、前記第１のシール部材における前記第１の含有材の含有率よりも小さい、
請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第１のシール部材は、無機材料からなる含有材を含み、
前記第２のシール部材が、前記含有材を含まない、
請求項１４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の液晶表示装置の製造方法では、カラーフィルタ基板と薄膜トランジスタ基板とを準備し、両基板の少なくとも一方の周縁に沿うように液晶シールを形成し、両基板を張り合わせる。この液晶シールに囲まれる領域に液晶を滴下し液晶層を形成する。その後、両基板に対してレーザー光照射工程と、エッチング工程とを経て、両基板を分断して個片化する。その際に、レーザー光を照射する領域に平面視で重畳するように、両基板の間に耐エッチングシールを介在させることにより、エッチング工程において、エッチング液が両基板の間に浸入するのを抑制していた（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２６３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の製造方法では、生産効率の更なる向上が課題となっていた。即ち、上記従来の製造方法においては、レーザー光照射領域に平面視で重畳するようにシール部材が介在しており、当該シール部材がレーザー光を吸収してしまい、シール部材がダメージを受けてしまう可能性があった。その結果、シール部材が本来の働きをせず、生産効率の更なる向上が課題となっていた。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、液晶表示装置の生産効率の更なる向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る液晶表示装置は、第１の透光性基板を含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向し、第２の透光性基板を含む対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記液晶層の外周よりも外側で、かつ、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置されるシール部材と、前記シール部材と前記第１の透光性基板との間、前記シール部材と前記第２の透光性基板との間の少なくとも一方に介在する金属膜と、を含み、前記金属膜が、前記薄膜トランジスタ基板の端辺、及び前記対向基板の端辺と平面視で重畳する。
【０００７】
本開示の一態様に係る液晶表示装置は、薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ基板と、前記薄膜トランジスタ基板と対向して配置された対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置された液晶層と、前記薄膜トランジスタ基板と前記対向基板との間に配置されたシール部材と、を含み、前記シール部材は、平面視で前記液晶層の外周を囲う第１のシール部材と、前記第１のシール部材が囲む領域の外側に配置された第２のシール部材と、を含み、前記第２のシール部材の赤外領域の透過率が、前記第１のシール部材の赤外領域の透過率よりも高い。
【０００８】
本開示の一態様に係る液晶表示装置の製造方法は、第１の透光性基板を含む第１の基板を準備する第１の基板準備工程と、第２の透光性基板を含む第２の基板を準備する第２の基板準備工程と、前記第１の基板の第１の主面と前記第２の基板の第２の主面との少なくともいずれか一方において、シール部材を形成するシール部材形成工程と、前記シール部材に含まれる環状のシール部材の内周側に液晶層を形成する液晶層形成工程と、前記第１の基板の第１の主面と前記第２の基板の第２の主面とを、前記シール部材を用いて貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、前記分断ラインにおいて、前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方にレーザー光を照射するレーザー光照射工程と、エッチング液を用いてエッチングすることにより、前記分断ラインにおいて、前記第１の基板と前記第２の基板との少なくとも一方を分断するエッチング工程と、を含み、前記第１の基板準備工程と前記第２の基板準備工程との少なくとも一方が、前記第１の透光性基板の第１の主面と前記第２の透光性基板の第２の主面との少なくともいずれか一方において金属層を形成した後に、前記分断ラインに配置された前記シール部材の少なくとも一部と平面視で重畳する領域を残して前記金属層をエッチングすることにより金属膜を形成する金属膜形成工程を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本開示に係る液晶表示装置によれば、生産効率の更なる向上を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式的な平面図である。
【図２】図２は図１のII‐II線における断面構造を示す模式的な断面図である。
【図３】図３は第１の実施形態に係る表示パネルにおける表示領域の概略構成を示す等価回路図である。
【図４】図４は第１の実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す模式的な平面図である。
【図５】図５は図４のＣ−Ｃ線における断面図である。
【図６】図６は図４のＤ−Ｄ線における断面図である。
【図７】図７は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート図である。
【図８】図８は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図９】図９は図８のIX−IX線における断面を示す断面図である。
【図１０】図１０は第１の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図１１】図１１は第１の実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式的な平面図である。
【図１２】図１２は第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式的な平面図である。
【図１３】図１３は第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図１４】図１４は第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の概略構成を示す模式的な平面図である。
【図１５】図１５は第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態について、図面を用いて説明する。
【００１２】
［液晶表示装置］
本開示の第１の実施形態における液晶表示装置について、図面を用いて以下に説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶表示装置１の概略構成を示す模式的な平面図であり、図２は、図１のII‐II線における断面構造を示す模式的な断面図である。
【００１３】
液晶表示装置１は、表示パネル１０と、駆動ドライバ（例えば、ソースドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０）と、制御回路（図示せず）と、バックライト装置（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０は、第１の透光性基板を含む薄膜トランジスタ基板１００と、薄膜トランジスタ基板１００と対向し、第２の透光性基板を有する対向基板２００と、両基板間に配置された液晶層３００と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００の第１の主面（表示面側）と、対向基板２００の第２の主面（背面側）の間には、液晶層３００の外周を囲う第１のシール部材３１０Ａが配置され、第１のシール部材３１０Ａが、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを接着固定している。液晶層３００は、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００と第１のシール部材３１０Ａとにより囲まれて配置されており、液晶層３００に含まれる液晶が、第１のシール部材３１０Ａの内周側に封入されている。
【００１４】
表示パネル１０は、領域で大別すると、画像を表示する表示領域と、表示領域の周囲の非表示領域（額縁領域）とを含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００における非表示領域に対応する領域には、駆動ドライバとしてのソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０等を搭載するためのドライバ搭載領域１００ｂが含まれる。本実施形態に係る液晶表示装置１では、狭額縁化を図るために、ドライバ搭載領域１００ｂが表示パネル１０の一辺（図１では左辺）側に配置されている。言い換えると、ドライバ搭載領域１００ｂは、平面的に見て、対向基板２００から行方向（第１方向）にはみ出している。ＴＦＴ基板１００は、平面的に見て、ドライバ搭載領域１００ｂの分だけ対向基板２００より面積が大きくなっている。
【００１５】
ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、ドライバ搭載領域１００ｂにおいて薄膜トランジスタ基板１００を構成する第１の透光性基板としての第１のガラス基板上に直接搭載されている。すなわち、図１では、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の液晶表示装置１を例示している。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、表示パネル１０の一辺に沿って一列（図１では列方向）に並んで配置されている。尚、本実施形態では、ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０を１個ずつ示しているが、それぞれの数は限定されない。また、本開示に係る液晶表示装置１は、ＣＯＧ方式に限定されず、例えばＣＯＦ（Chip On Film）方式又はＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式の液晶表示装置１であってもよい。
【００１６】
また、本実施形態において、液晶表示装置１は、第１のシール部材３１０Ａが囲む領域の外側に配置された第２のシール部材３１０Ｂを含む。第２のシール部材３１０Ｂは、平面視で、第１のシール部材３１０Ａから外側に向けて延伸する。
【００１７】
更に、本開示の液晶表示装置１は、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の少なくとも一方に介在する金属膜４００を含む。即ち、第２のシール部材３１０Ｂと金属膜４００とは、平面視で重畳している。図２に示すように、本実施形態においては、金属膜４００を、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の双方に設けている。なお、図１においては、第２のシール部材３１０Ｂの配置を明瞭に示すため、第２のシール部材３１０Ｂと対向基板２００との間に配置された金属膜４００をあえて省略して図示している。
【００１８】
本実施形態においては、図１に示すように、第１のシール部材３１０Ａの外周から、平面視で外側に向けて延伸する４枚の金属膜４００を含み、その内の３枚が、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、及び対向基板２００の端辺と平面視で重畳している。
【００１９】
このような構成とすることにより、後述する液晶表示装置の製造方法において、レーザー光の照射工程を用いて液晶表示装置１を個片化する際に、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができるため、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けてしまうことを抑制することができる。
【００２０】
なお、第２のシール部材３１０Ｂの赤外領域の透過率が、第１のシール部材３１０Ａの赤外領域の透過率よりも高い構成とすることが望ましい。即ち、ガラス基板等の加工用に用いられるレーザー（例えばＹＡＧレーザー）の基本波長は赤外領域であることが多く、第２のシール部材３１０Ｂにおいて、このようなレーザーの基本波長の透過率が高い構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、レーザー光の一部が第２のシール部材３１０Ｂに照射されるような場合であっても、第２のシール部材３１０Ｂが、当該レーザー光を吸収するのを抑制することできる。その結果として、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００２１】
また、第１のシール部材３１０Ａについては、液晶層３００の厚みに応じて、当該厚みを保持するための無機材料からなる含有材を含ませるが、第２のシール部材３１０Ｂについては、このような含有材を含ませない構成とすることが望ましい。第２のシール部材３１０Ｂが含有材を含まない構成とすることにより、含有材によるレーザー光の散乱を抑制することができるため、第２のシール部材３１０Ｂ内でのレーザー光の吸収を抑制することができ、その結果として、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００２２】
なお、本実施形態においては、金属膜４００を、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の双方に設ける構成としたが、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の一方のみに金属膜４００を配置する構成としても、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。即ち、例えば第１の透光性基板１０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間に金属膜４００を形成するような構成であれば、少なくとも、薄膜トランジスタ基板１００側からのレーザー光の照射については、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができる。同様に、第２の透光性基板２０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間に金属膜４００を形成するような構成であれば、少なくとも、対向基板２００側からのレーザー光の照射については、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができる。なお、本実施形態においては、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間のいずれか一方のみに金属膜４００を配置する場合は、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間に配置する方が望ましい。後述する通り、第２の透光性基板２０１の主面には、金属の配線が存在しないため、別途プロセスを加える必要がある。一方、第１の透明性基板１０１の主面には、様々な金属の配線が形成されるため、金属膜４００の形成を、これら配線の形成と同時に行うことができ、プロセスの工数を増やす必要がない。
【００２３】
薄膜トランジスタ基板１００の第２の主面（背面側）、及び対向基板２００の第１の主面（表示面側）には偏光板（図示せず）が形成されており、薄膜トランジスタ基板１００の背面側に設けられた偏光板のさらに背面側にはバックライト装置が配置されている。
【００２４】
図３は、表示パネル１０における表示領域の概略構成を示す等価回路図である。表示パネル１０には、第１方向（例えば行方向）に延在する複数のデータ線１１と、第２方向（例えば列方向）に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（以下、ＴＦＴという。）が設けられている。各データ線１１は対応するソースドライバＩＣ２０（図１参照）に電気的に接続されており、各ゲート線１２は対応するゲートドライバＩＣ３０（図１参照）に電気的に接続されている。
【００２５】
表示パネル１０には、各データ線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。ＴＦＴ基板１００には、画素１４ごとに配置される複数の画素電極１５と、複数の画素１４に共通する共通電極１６と、が設けられている。
【００２６】
各データ線１１には、対応するソースドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給される。各ゲート線１２には、対応するゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。共通電極１６には、コモンドライバ（図示せず）から共通配線１７を介して共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続されたＴＦＴ１３がオンし、ＴＦＴ１３に接続されたデータ線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのデータ線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。
【００２７】
図４は、表示パネル１０の画素１４の具体的な構成を示す平面図である。図５は図４のＣ−Ｃ断面図であり、図６は図４のＤ−Ｄ断面図である。図４〜図６を参照しつつ、画素１４の具体的な構成について説明する。
【００２８】
図４において、表示パネル１０を平面的に見て、隣り合う２本のデータ線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、ＴＦＴ１３が設けられている。ＴＦＴ１３は、絶縁膜１０２（図５及び図６参照）上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている。ドレイン電極２２はデータ線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はスルーホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。
【００２９】
各画素１４には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。開口部の形状は限定されない。各画素１４に共通して、表示領域の全体にＩＴＯ等の透明導電材料からなる１つの共通電極１６が形成されている。共通電極１６における、スルーホール２４及びＴＦＴ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部（図４の点線囲みに相当）が形成されている。
【００３０】
図５及び図６に示すように、表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板１００と、対向基板２００と、薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んで構成されている。
【００３１】
薄膜トランジスタ基板１００では、第１の透光性基板１０１の一例である第１のガラス基板上にゲート線１２（図５参照）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜１０２上にはデータ線１１（図６参照）が形成され、データ線１１を覆うように絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１０４が形成されている。絶縁膜１０４上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０５が形成されている。第１の透光性基板１０１における背面側には偏光板１０６が設けられている。
【００３２】
対向基板２００では、第２の透光性基板２０１の一例である第２のガラス基板上にブラックマトリクス２０３及び着色部２０２（例えば、赤色部、緑色部、青色部）が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。第２の透光性基板２０１における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には導電層２０６が設けられており、導電層２０６における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には偏光板２０７が設けられている。
【００３３】
液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。配向膜１０５、２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。
【００３４】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、本実施形態に係る液晶表示装置１の製造方法について説明する。図７は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート図である。図８は、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図７に示すように、液晶表示装置１の製造方法は、第１の基板準備工程（Ｓ１）と、第２の基板準備工程（Ｓ２）と、金属膜形成工程（Ｓ３）と、シール部材形成工程（Ｓ４）と、液晶層形成工程（Ｓ５）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）と、レーザー光照射工程（Ｓ７）と、エッチング工程（Ｓ８）と、を含む。
【００３５】
第１の基板準備工程（Ｓ１）とは、上述した薄膜トランジスタ基板１００を含む第１の基板１００Ａを準備する工程である。第２の基板準備工程（Ｓ２）とは、上述した対向基板２００を含む第２の基板２００Ａを準備する工程である。第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）の前後関係は問わない。
【００３６】
金属膜形成工程（Ｓ３）は、第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）の少なくともいずれか一方に含まれる。金属膜形成工程（Ｓ３）においては、まずスパッタなどを使って金属層を第１の透光性基板１０１の第１の主面と第２の透光性基板２０１の第２の主面の少なくとも一方に形成する。本実施形態においては、金属層を第１の透光性基板１０１の第１の主面と第２の透光性基板２０１の第２の主面の少なくとも一方の全体に形成する。その後、エッチングにより、分断ラインに配置されたシール部材の少なくとも一部と平面視で重畳する領域を残して、金属層をエッチングすることにより金属膜４００を形成する。なお、金属膜４００を第１の透明性基板１０１の第１の主面に形成する場合は、各ゲート線１２、データ線１１及び共通配線１７のいずれか一つと同時に金属膜４００を形成することができるため、新たな別のプロセスを追加する必要がなく望ましい。
【００３７】
金属膜形成工程（Ｓ３）とは、第１の透光性基板１０１の第１の主面と第２の透光性基板２０１の第２の主面との少なくともいずれか一方において、分断ラインに配置されるシール部材と平面視で重畳するように金属膜４００を形成する工程である。本実施形態においては、図８に示すように、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）における分断ラインＣの一部と平面視で重畳するように金属膜４００を形成する。本実施形態においては、第２のシール部材３１０Ｂを形成する領域において、後述する第２のシール部材３１０Ｂを形成する前に、第１の透光性基板１０１の第１の主面に、金属膜４００を形成しておく。この金属膜形成工程（Ｓ３）により、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間に金属膜４００を介在させることができる。
【００３８】
なお、金属膜形成工程（Ｓ３）として、第２の透光性基板２０１の第２の主面（背面側）と第１の透光性基板１０１の第１の主面（表示面側）の双方に金属膜４００を形成する場合は、後述するシール部材形成工程（Ｓ４）よりも先に、金属膜形成工程（Ｓ３）を行う必要がある。
【００３９】
なお、金属膜形成工程（Ｓ３）として、第２の透光性基板２０１の第２の主面（背面側）と第１の透光性基板１０１の第１の主面（表示面側）のいずれか一方のみに金属膜４００を形成する場合であって、且つ第２のシール部材３１０Ｂを形成する透光性基板と金属膜４００を形成する透光性基板とが異なる場合は、金属膜形成工程（Ｓ３）と、シール部材形成工程（Ｓ４）との、どちらを先に行うかについては限定されない。例えば、第２のシール部材３１０Ｂを第２の透光性基板２０１の第２の主面（背面側）に形成し、金属膜４００を第１の透光性基板１０１の第１の主面（表示面側）のみに形成する場合には、金属膜形成工程（Ｓ３）と、シール部材形成工程（Ｓ４）とのどちらを先に行うかについては限定されない。
【００４０】
なお、本実施形態においては、第１の透光性基板１０１の第１の主面（表示面側）と、第２の透光性基板２０１の第２の主面（背面側）の双方に、分断ラインＣに配置された第２のシール部材３１０Ｂと平面視で重畳する金属膜４００を形成する。
【００４１】
次に、シール部材形成工程（Ｓ４）について説明する。シール部材形成工程（Ｓ４）は、第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）を行った後に行ってもよい。また、第１の基板準備工程（Ｓ１）と第２の基板準備工程（Ｓ２）のいずれか一方を行った後、他方を行う前に、シール部材形成工程（Ｓ４）を行ってもよい。
【００４２】
シール部材形成工程（Ｓ４）とは、第１の基板１００Ａの第１の主面と第２の基板２００Ａの第２の主面との少なくともいずれか一方において、少なくとも一部が金属膜４００と重畳するシール部材を形成する工程である。本実施形態においては、図８に示すように、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）において、第１の基板１００Ａの外周付近に形成した第３のシール部材３１０Ｚと、後述する液晶層形成工程（Ｓ５）において液晶層の周囲を囲うシール部材であって、平面視で環状をした複数の第１のシール部材３１０Ａと、複数の第１のシール部材３１０Ａ間、及び第３のシール部材３１０Ｚと第１のシール部材３１０Ａとの間をつなぐ第２のシール部材３１０Ｂと、を形成する。第３のシール部材３１０Ｚと第２のシール部材３１０Ｂは、後述するエッチング工程（Ｓ８）において、個片化された複数の液晶表示装置がエッチング液中において散乱することを防ぐために設けている。なお、この個片化を行うエッチング工程（Ｓ８）においては、図８に示した分断ラインＣにおいて第１の基板１００Ａ、第２の基板２００Ａを分断するが、この分断ラインＣと、第２のシール部材３１０Ｂとが交差している。
【００４３】
なお、本実施形態においては、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）に、各種シール部材を形成する例を説明したが、第２の基板２００Ａの第２の主面（背面側）に各種シール部材を形成する製造方法としてもよい。
【００４４】
なお、上述したシール部材形成工程（Ｓ４）において、第２のシール部材３１０Ｂの赤外領域の透過率が、第１のシール部材３１０Ａの赤外領域の透過率よりも高い構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、後述するレーザー光照射工程（Ｓ７）において、ＹＡＧレーザーなど、基本波長が赤外領域のレーザー光の一部が、第２のシール部材３１０Ｂに照射されるような場合であっても、第２のシール部材３１０Ｂが、当該レーザー光を吸収するのを抑制することできる。その結果として、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。特に、金属膜４００を、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）、又は第２の基板２００Ａの第２の主面（背面側）のいずれか一方のみに形成するような場合には、この構成を採用するメリットが大きくなる。
【００４５】
また、上述したシール部材形成工程（Ｓ４）において、第１のシール部材３１０Ａについては、液晶層３００の厚みに応じて、当該厚みを保持するための無機材料からなる含有材を含ませるが、第２のシール部材３１０Ｂについては、このような含有材を含ませない構成とすることが望ましい。含有材によるレーザー光の散乱を抑制することができるため、第２のシール部材３１０Ｂ内でのレーザー光の吸収を抑制することができ、その結果として、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００４６】
第１の基板準備工程（Ｓ１）、第２の基板準備工程（Ｓ２）、及びシール部材形成工程（Ｓ４）を行った後に、液晶層形成工程（Ｓ５）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）とを行う。
【００４７】
液晶層形成工程（Ｓ５）とは、環状の第１のシール部材３１０Ａの内周側に液晶層を形成する工程であり、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）とは、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）と第２の基板２００Ａの第２の主面（背面側）とを、第１のシール部材３１０Ａを用いて貼り合わせる工程である。
【００４８】
液晶層形成工程（Ｓ５）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）を行う第１の例としては、上述したシール部材形成工程（Ｓ４）において、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）に第１のシール部材３１０Ａを形成し、その第１のシール部材３１０Ａの内周側に液晶を滴下し、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせ、その後、紫外線を照射して第１のシール部材３１０Ａを硬化させる方法である。第２の例としては、上述したシール部材形成工程（Ｓ４）において、第２の基板２００Ａの第２の主面（背面側）に第１のシール部材３１０Ａを形成し、その第１のシール部材３１０Ａの内周側に液晶を滴下し、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせ、その後、紫外線を照射して第１のシール部材３１０Ａを硬化させる方法である。第３の例としては、先に第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貼り合わせた後、液晶を第１のシール部材３１０Ａに囲われた領域内に注入する方法である。従って、液晶層形成工程（Ｓ５）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）の前後関係は問わない。
【００４９】
液晶層形成工程（Ｓ５）と、基板貼り合わせ工程（Ｓ６）とを行った後に、レーザー光照射工程（Ｓ７）を行う。レーザー光照射工程（Ｓ７）とは、図８に示した分断ラインＣにおいて、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとにレーザー光を照射する工程である。この工程において、レーザー光が分断ラインＣを走査する。図９は、図８のIX-IX線における断面を示す模式的な断面図であり、本実施形態に係るレーザー光照射工程を示す模式図である。図９に示すように、本実施形態においては、第１の基板１００Ａ、及び第２の基板２００Ａの双方にレーザー光４を照射する。その際、レーザー光４の焦点が、第１の基板１００Ａ内、第２の基板２００Ａ内に位置するよう、レーザー光４の集光光学系を調整することにより、第１の基板１００Ａ内、第２の基板２００Ａ内に改質領域を形成することができる。
【００５０】
ここで、金属膜形成工程（Ｓ３）において上述した通り、第１の透光性基板１０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間、第２の透光性基板２０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間に金属膜４００が介在するため、レーザー光４が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができるため、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００５１】
なお、本実施形態においては、金属膜４００を、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の双方に設ける例について説明したが、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の一方のみに金属膜４００を形成する方法としても、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。即ち、例えば第１の透光性基板１０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間に金属膜４００を形成する場合、少なくとも、第１の基板１００Ａ側からのレーザー光の照射については、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができる。同様に、第２の透光性基板２０１と第２のシール部材３１０Ｂとの間に金属膜４００を形成する場合、少なくとも、第２の基板２００Ａ側からのレーザー光の照射については、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができる。なお、本実施形態においては、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間のいずれか一方のみに金属膜４００を配置する場合は、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間に配置する方が望ましい。第２の透光性基板２０１の主面には、金属の配線が存在しないため、別途プロセスを加える必要がある。一方、第１の透明性基板１０１の主面には、様々な金属の配線が形成されるため、金属膜４００の形成を、これら配線の形成と同時に行うことができ、プロセスの工数を増やす必要がない。
【００５２】
レーザー光照射工程（Ｓ７）の後、エッチング工程（Ｓ８）を行う。エッチング工程とは、エッチング液を用いてエッチングすることにより、分断ラインに沿って第１の基板１００Ａから薄膜トランジスタ基板１００を分離し、第２の基板２００Ａから対向基板２００を分離する工程である。例えば、互いに貼り合わされた第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを酸、又はアルカリのエッチング溶液に浸漬することにより、エッチングを行う。このエッチング工程においては、第１の基板１００Ａの第２の主面（背面側）、及び第２の基板２００Ａの第１の主面（表示面側）が薄くなる。その際、レーザー光照射工程（Ｓ７）において上述した改質領域は、他の部分よりもエッチングレートが速い。そのため、エッチング溶液によって、改質領域は他の部分より深くエッチングされ、図８に示した分断ラインＣに溝が形成される。そして、更なるエッチングの進行により当該溝が深化され、溝が第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとを貫通する。この工程により、分断ラインＣに沿って第１の基板１００Ａから薄膜トランジスタ基板１００を分離され、第２の基板２００Ａから対向基板２００を分離される。このエッチング工程（Ｓ８）によって、第１の基板１００Ａは複数の薄膜トランジスタ基板１００に個片化され、第２の基板２００Ａは複数の対向基板２００に個片化される。
【００５３】
その後、複数の液晶表示装置１をつなぐ第２のシール部材３１０Ｂや第３のシール部材３１０Ｚを除去し、また、必要に応じて対向基板２００の一部を切断して、対向基板２００側から、ドライバ搭載領域１００ｂを露出させることにより、図１に示した液晶表示装置１を製造することができる。
【００５４】
なお、図８に示す例においては、金属膜形成工程Ｓ３において、金属膜４００延伸方向を、第２のシール部材３１０Ｂの延伸方向に合わせて形成する例を示したが、本開示はその例に限定されない。例えば、図１０に示すように、分断ラインＣと第２のシール部材３１０Ｂとが、平面視で重畳する位置のみに金属膜４００を形成しても構わない。その場合、図１０に示すように、レーザー光照射工程（Ｓ７）におけるレーザー光が走査する方向、即ち分断ラインＣに、金属膜４００の延伸方向を合わせることが望ましい。レーザー光の走査方向と金属膜４００の延伸方向とを合わせることにより、より確実に、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されるのを抑制することができる。
【００５５】
なお、図１０に示した金属膜４００の配置において製造された液晶表示装置１は、図１１に示すように、金属膜４００の延伸方向が、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、対向基板２００の端辺の延伸方向と一致する構成となる。
【００５６】
なお、第１の実施形態においては、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、及び第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間に、上述した金属膜４００を形成する構成について説明したが、金属膜４００を設けない構成としても良い。その場合、液晶層の外周を第１のシール部材３１０Ａと比較して、赤外領域の透過率が高い第２のシール部材３１０Ｂを、第１のシール部材３１０Ａが囲む領域の外側に配置することが望ましい。即ち、レーザー光照射工程（Ｓ７）において、レーザー光が照射される分断ラインＣに平面視で重畳される第２のシール部材３１０Ｂとして、赤外領域の透過率が高いものを用いておくことにより、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。（変形例）
【００５７】
以下、第１の実施形態における変形例について説明する。上述した実施例と共通の構成についてはその説明を省略する。
【００５８】
［液晶表示装置］
図１２は、第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置１の概略構成を示す模式的な平面図である。
【００５９】
この変形例においては、図１２に示すように、金属膜４００が、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、及び対向基板２００の端辺において配置されており、金属膜４００の延伸方向が、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、及び対向基板２００の端辺の延伸方向と一致している。
【００６０】
また、この変形例においては、図１２に示すように、第２のシール部材３１０Ｂが、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、及び対向基板２００の端辺において配置されており、第２のシール部材３１０Ｂの延伸方向が、薄膜トランジスタ基板１００の端辺、及び対向基板２００の端辺の延伸方向と一致している。
【００６１】
図１２に示すように、第２のシール部材３１０Ｂと金属膜４００とは、平面視で重畳している。本実施形態においては、金属膜４００を、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間の双方に設けている。なお、図１２においては、第２のシール部材３１０Ｂの配置を明瞭に示すため、第２のシール部材３１０Ｂと第２の透光性基板２０１との間に配置された金属膜４００をあえて省略して図示している。
【００６２】
このような構成とすることにより、後述する液晶表示装置の製造方法において、レーザー光の照射工程を用いて液晶表示装置１を個片化する際に、金属膜４００の存在によって、レーザー光が第２のシール部材３１０Ｂに吸収されることを抑制することができるため、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００６３】
なお、第２のシール部材３１０Ｂの赤外領域の透過率が、第１のシール部材３１０Ａの赤外領域の透過率よりも高い構成とすることが望ましい。即ち、ガラス基板等の加工用に用いられるレーザー（例えばＹＡＧレーザー）の基本波長は赤外領域であることが多く、第２のシール部材３１０Ｂにおいて、このようなレーザーの基本波長の透過率が高い構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、レーザー光の一部が第２のシール部材３１０Ｂに照射されるような場合であっても、第２のシール部材３１０Ｂが、当該レーザー光を吸収するのを抑制することできる。その結果として、第２のシール部材３１０Ｂがダメージを受けることを抑制することができる。
【００６４】
なお、図１２に示した変形例においては、第１のシール部材３１０Ａと第２のシール部材３１０Ｂとを別々に構成する例について説明したが、図１４に示すように、液晶層３００を囲む第１のシール部材３１０Ａを薄膜トランジスタ基板１００、及び対向基板２００の端辺に配置し、当該第１のシール部材３１０Ａと第１の透光性基板１０１の間、第１のシール部材３１０Ａと第２の透光性基板２０１の間の内の少なくとも一方に、金属膜４００を介在させる構成としてもよい。金属膜４００の存在により、第１のシール部材３１０Ａ形成領域においてレーザー光の照射を行ったとしても、第１のシール部材がダメージを受けることを抑制することができるため、このような構成を実現することができる。この構成によれば、第２のシール部材３１０Ｂを別途設ける必要が無く、生産性に優れている。なお、この図１４に示す構成の場合、金属膜４００が、液晶層の外周に沿って配置されることとなる。
【００６５】
［液晶表示装置の製造方法］
次に、第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。図１３は、第１の実施形態の変形例に係る液晶表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。なお、この変形例においても、図７を用いて上述した実施例と同様の工程にて、液晶表示装置１の製造を行う。
【００６６】
この変形例におけるシール部材形成工程（Ｓ４）においては、図１３に示すように、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）において、後述する液晶層形成工程（Ｓ５）において液晶層の周囲を囲うシール部材であって、平面視で環状をした複数の第１のシール部材３１０Ａと、後述するレーザー光照射工程（Ｓ７）においてレーザー光を走査する分断ラインＣに配置された第２のシール部材３１０Ｂと、を形成する。第２のシール部材３１０Ｂの延伸方向は、レーザー光の走査方向と一致する。第２のシール部材３１０Ｂは、後述するエッチング工程（Ｓ８）において、個片化された複数の液晶表示装置がエッチング液中において散乱することを防ぐために設けている。
【００６７】
この変形例における金属膜形成工程（Ｓ３）においては、図１３に示すように、第１の基板１００Ａの第１の主面（表示面側）において、分断ラインＣと平面視で重畳するように金属膜４００を形成する。より具体的には、金属膜４００は、第２のシール部材３１０Ｂを形成する領域において、第２のシール部材３１０Ｂを形成する前に、第１の透光性基板１０１の第１の主面に形成しておく。金属膜４００は、後述するレーザー光照射工程（Ｓ７）においてレーザー光を走査する方向と同じ方向に延伸する。この金属膜形成工程（Ｓ３）により、第２のシール部材３１０Ｂと第１の透光性基板１０１との間に金属膜４００を介在させることができる。
【００６８】
この変形例におけるレーザー光照射工程（Ｓ７）では、図１３に示した分断ラインＣにおいて、第１の基板１００Ａと第２の基板２００Ａとにレーザー光を照射する。
【００６９】
なお、図１３に示した変形例においては、第１のシール部材３１０Ａと第２のシール部材３１０Ｂとを別々に構成する例について説明したが、図１５に示すように、液晶層３００を囲む第１のシール部材３１０Ａを分断ラインＣと平面視で重畳するように配置し、当該第１のシール部材３１０Ａと第１の透光性基板１０１の間、第１のシール部材３１０Ａと第２の透光性基板２０１の間の内の少なくとも一方に、金属膜４００を介在させる構成としてもよい。金属膜４００の存在により、第１のシール部材３１０Ａ形成領域においてレーザー光の照射を行ったとしても、第１のシール部材がダメージを受けることを抑制することができるため、このような方法を採用することができる。この方法によれば、第２のシール部材３１０Ｂを別途形成する必要が無く、生産性に優れている。なお、この図１５に示す例を用いて液晶表示装置１を製造した場合、液晶層形成工程（Ｓ５）において、金属膜４００が、液晶層の外周に沿って配置されることとなる。
【００７０】
以上、第１の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００７１】
１  液晶表示装置、１Ａ  液晶表示装置、４  レーザー光、１０  表示パネル、１１  データ線、１２  ゲート線、１３  ＴＦＴ、１４  画素、１５  画素電極、１６  共通電極、１７  共通配線、１８  ドレイン電極、１９  ソース電極、２０  ソースドライバＩＣ、２１  半導体層、２２  ドレイン電極、２３  ソース電極、２４  スルーホール、３０  ゲートドライバＩＣ、１００  薄膜トランジスタ基板、１００ｂ  ドライバ搭載領域、１００Ａ  第１の基板、１０１  第１の透光性基板、１０２  絶縁膜、１０３  絶縁膜、１０４  絶縁膜、１０５  配向膜、１０６  偏光板、２００  対向基板、２００Ａ  第２の基板、２０１  第２の透光性基板、２０２  着色部、２０３  ブラックマトリクス、２０４  オーバコート層、２０５  配向膜、２０６  導電層、２０７  偏光板、３００  液晶層、３０１  液晶、３１０Ａ  第１のシール部材、３１０Ｂ  第２のシール部材、３１０Ｚ  第３のシール部材、４００  金属膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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