(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の製造方法において、エッチングによる不具合を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線と通電されない金属層とが設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に保護層を形成すること、前記保護層で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、をこの順で含み、前記配線を露出させる際に、前記金属層の少なくとも一部も露出させる。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線と通電されない金属層とが設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、
前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に保護層を形成すること、
前記保護層で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、をこの順で含み、
前記配線を露出させる際に、前記金属層の少なくとも一部も露出させる、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングによる前記無機絶縁材料膜の除去後、前記基材の前記金属層が設けられている領域を切断により除去すること、をさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記金属層は前記配線に含まれる金属を含む、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記配線は、電極層と前記電極層を保護する表面保護層とを有し、
前記金属層は前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記表面保護層の厚みが１０ｎｍ〜１００ｎｍである、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記配線のエッチングの進行状況をモニターする、請求項３から５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
前記金属層は、前記配線を露出させる領域を囲むように設けられている、請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
複数の画素を備える表示領域と、部品が実装される部品実装領域とを有する基材と、
前記基材の前記表示領域を覆い、無機絶縁材料で形成された封止膜と、
前記基材の前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置された配線と、
前記基材に形成され、通電されない金属層と、を有し、
前記配線および前記金属層は、それぞれ、前記封止膜に覆われていない部分を有している、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記基材は可撓性を有し、前記表示領域と前記表示領域との間に曲げ領域を含み、
前記曲げ領域に位置する前記金属層は屈曲形状を有する、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記金属層は前記配線に含まれる金属を含む、請求項８または９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記配線は、電極層と前記電極層を保護する表面保護層とを有し、
前記金属層は前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記表面保護層の厚みが１０ｎｍ〜１００ｎｍである、請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを備える。このような有機ＥＬ表示装置において、発光素子を水分等から保護するため、発光素子含む表示領域を封止する方法が採用されている。封止方法としては、例えば、下記特許文献１に開示されるように、無機材料膜と樹脂材料層とを組み合わせる方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１７６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記無機材料膜は、通常、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により成膜される。製造工程において、一旦、広範囲に無機材料膜を成膜してから、所定の領域に形成された無機材料膜をエッチングにより除去することがある。しかし、エッチングにより、無機材料膜の下側に隣接する層まで消失する場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、エッチングによる不具合が抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線と通電されない金属層とが設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に保護層を形成すること、前記保護層で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、をこの順で含み、前記配線を露出させる際に、前記金属層の少なくとも一部も露出させる。
【０００８】
本発明の別の局面によれば、表示装置が提供される。本発明に係る表示装置は、複数の画素を備える表示領域と、部品が実装される部品実装領域とを有する基材と、前記基材の前記表示領域を覆い、無機絶縁材料で形成された封止膜と、前記基材の前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線と、前記基材に形成され、通電されない金属層と、を有し、前記配線および前記金属層は、それぞれ、前記封止膜に覆われていない部分を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図である。
【図４Ｂ】図４ＡのI−I断面の一例を示す図である。
【図４Ｃ】図４ＡのII−II断面の一例を示す図である。
【図５Ａ】図４に続く図である。
【図５Ｂ】図５ＡのI−I断面の一例を示す図である。
【図５Ｃ】図５ＡのII−II断面の一例を示す図である。
【図６Ａ】金属層を設けない場合のプラズマ発光強度の変化（ＥＰＤ波形）を示すグラフである。
【図６Ｂ】金属層を設けた場合のプラズマ発光強度の変化（ＥＰＤ波形）を示すグラフである。
【図７】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの変形例を示す模式的な平面図である。
【図８Ａ】図７の破線で囲んだ領域Ａの一例の拡大平面図である。
【図８Ｂ】図７の破線で囲んだ領域Ａの別の例の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１２】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１３】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１４】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１５】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１６】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１７】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１８】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１９】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００２０】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。図３では、断面構造を見易くするため、一部の層のハッチングを省略している。
【００２１】
表示パネル４０は、例えば、可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。可撓性を有する基材７０は、例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。基材７０の厚みは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、表示パネル４０において封止層１０６の基材７０側とは反対側（上側）に、または、対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２２】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０の端子は、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に、電気的に接続される。
【００２３】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２４】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２５】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２６】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料等の有機絶縁材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２７】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２８】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２９】
上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。リブ１１２は、樹脂材料等の有機絶縁材料で形成される。上部電極１０４は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料やＭｇとＡｇの極薄合金で構成される。
【００３０】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、上記無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料）で形成される。具体的には、インクジェット方式による樹脂組成物の塗布により形成される。封止層１０６の周縁には封止平坦化膜１６０は形成されておらず、表示領域４２を囲む額縁領域４４において、第１封止膜１６１と第２封止膜１６２とが接している。封止平坦化膜１６０はその上面および端部が第２封止膜で覆われている。一方、部品実装領域４６には、部品が接続されるため、封止層１０６は配置されていない。
【００３１】
封止層１０６上には、表示領域４２全体を覆うように保護層１０８が配置されている。保護層１０８は、例えば、有機材料（例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料）で形成される。具体的には、感光性樹脂組成物を用いたパターン形成、インクジェット方式による樹脂組成物の塗布により形成する。表示領域４２を囲む額縁領域４４において、封止層１０６の端部（第１封止膜１６１および第２封止膜１６２の端部）は、保護層１０８の外縁の位置で切断されている。具体的には、平面視で、保護層１０８の端部と第１封止膜１６１および第２封止膜１６２の端部とが揃っている。保護層１０８は、例えば、表示パネル４０の製造工程において、成膜された無機絶縁材料膜（第１封止膜１６１および第２封止膜１６２）の所定の領域（配線１１６上の所定の領域）をエッチングにより除去する際のマスクとして用いられる。本実施形態では、保護層１０８は、除去せずにそのまま製品（表示パネル４０）に残っているが、エッチング後に、保護層１０８を除去してもよい。
【００３２】
図示しないが、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、保護層１０８上には接着層を介して表面フィルムが配置される。一方、部品実装領域４６には、部品が接続されるため、通常、表面フィルムは配置されない。なお、表面フィルムを上記エッチングの際のマスクとして用いてもよい。
【００３３】
表示パネル４０は、図３に示すように、基材７０を平面状に保って製造され得るが、例えば、有機ＥＬ表示装置２の筐体に格納される際には、表示領域４２の外側に曲げ領域１２０を設けて、部品実装領域４６を表示領域４２の裏側に配置させる。具体的には、部品実装領域４６と表示領域４２との間で表示パネル４０を湾曲させて、部品を表示領域４２の裏側に折り返した状態とする。
【００３４】
曲げ領域１２０においては、無機絶縁材料で形成される層（例えば、下地層８０、層間絶縁層８８、層間絶縁膜９２、パッシベーション膜９８）の少なくとも一部を、省略または薄膜化することが好ましい。無機絶縁材料で形成される層は、曲げにより破損しやすい傾向にあるからである。図示例では、曲げ領域１２０において、下地層８０上に配線１１６が配置され、配線１１６は樹脂層７６で覆われている。
【００３５】
図４および図５は、本発明の１つの実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明するための図であり、図５は図４に続く図である。
【００３６】
図４Ａは封止層１０６（封止膜１６１，１６２）をエッチングする前で、切断される前の状態（表示パネル中間体）の一部を示す平面図であり、図４Ｂは図４ＡのI−I断面の一例を示す図であり、図４Ｃは図４ＡのII−II断面の一例を示す図である。具体的には、図４に示す破線Ｌに沿って表示パネル中間体４０ａはカット（切断）され、部品が実装され、図２に示す表示パネル４０が得られる。具体的には、カット（切断）により、個々の表示パネル４０（個片）に分割される。
【００３７】
表示パネル中間体４０ａの表面全体は封止膜１６１，１６２で覆われ、封止膜１６１，１６２上に保護層１０８が配置されている。保護層１０８は、表示領域４２およびその周辺領域を覆うように配置され、封止膜１６１，１６２の保護層１０８と重ならない部分（周辺部１２２）の除去に利用される。部品実装領域４６には引出電極領域１２４が形成されている。図４Ｂに示すように、引出電極領域１２４では、下地層８０上に配置された配線１１６が、封止膜１６１に直接覆われて封止膜１６１と接している。図示例では、樹脂層７６で、配線１１６の周縁が上面からから側面にかけて覆われており、封止膜１６１，１６２からエッジが露出するのを防止している。
【００３８】
配線（引出電極）１１６は、単層体であってもよいし、複数の層を含む積層体であってもよいが、図４Ｂに示す例では、複数の層を含む積層構造を有している。具体的には、電極層１１６ｂと、電極層１１６ｂの両側（厚み方向）に配置された表面保護層１１６ａ，１１６ｃとを有している。表面保護層１１６ａ，１１６ｃは、例えば、電極層１１６ｂの腐食を防止する役割を担う。電極層１１６ｂの厚みは、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍである。表面保護層１１６ａ，１１６ｃの厚みは、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。電極層１１６ｂは、例えば、Ａｌ等の金属で形成される。表面保護層１１６ａ，１１６ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属で形成される。配線１１６の具体例としては、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層体、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層体が挙げられる。
【００３９】
表示パネル中間体４０ａには、カットラインＬに囲まれる領域（例えば、製品には残らず廃棄される領域）に、金属層１１８（通電されないダミー配線）が設けられている。金属層１１８は、引出電極領域１２４を囲むように配置されている。囲むように配置することにより、後述の配線１１６の消失を効果的に抑制し得る。同様の観点から、金属層１１８は、引出電極領域１２４近傍に配置されることが好ましい。金属層１１８は、下地層８０上に配置され、その表面は封止膜１６１に直接覆われて封止膜１６１と接している。図示例では、樹脂層７６で、金属層１１８の周縁が上面からから側面にかけて覆われており、封止膜１６１，１６２からエッジが露出するのを防止している。
【００４０】
金属層１１８は、任意の適切な金属を含み得る。また、金属層１１８は、単層体であってもよいし、複数の層を含む積層体であってもよい。図４Ｃに示す例では、金属層１１８は、金属を含む単層体（例えば、配線（引出電極）１１６の表面保護層１１６ｃと同様の構成）とされている。別の実施形態では、製造効率の観点から（金属含有層を一括してパターン形成する場合が多いので）、金属層１１８は、図４Ｂに示す配線（引出電極）１１６と同様の構成とされる。
【００４１】
図５Ａは、封止膜１６１，１６２の周辺部１２２を除去した後の状態を示す平面図であり、図５Ｂは図５ＡのI−I断面の一例を示す図であり、図５Ｃは図５ＡのII−II断面の一例を示す図である。周辺部１２２の除去は、保護層１０８をマスクとして、エッチング（例えば、ドライエッチング）により行われ、２層の封止膜１６１，１６２は、図３に示すように、保護層１０８の外縁の位置で切断される。
【００４２】
封止膜１６１，１６２の周辺部１２２の除去（端子出し）により、引出電極領域１２４において、配線１１６表面は露出し、金属層１１８表面も露出している。封止膜１６１，１６２の周辺部１２２に覆われた金属層１１８を設けることにより、図５Ｂに示すように、隣接する配線１１６を消失させることなく、封止膜１６１，１６２の周辺部１２２を良好に除去し得る。具体的には、エッチングにより無機絶縁材料膜である周辺部１２２の除去が進むと下層の配線１１６もエッチングされ始めるが、金属層１１８を存在させることにより、金属を含む層の面積が増えて、金属で形成される配線１１６の消失を遅らせる（エッチングレートを低くする）ことがでる。その結果、周辺部１２２の除去を十分に行いながら、配線１１６の消失を抑制し得る。図示するように、配線１１６が電極層１１６ｂの表面を保護する表面保護層１１６ｃを有する場合は、厚みの薄い表面保護層１１６ｃが完全に消失することを防止することができる。エッチングの条件にもよるが、例えば、金属層１１８の面積／周辺部１２２の表面積（エッチング前）が１／５０以上に設定することが好ましい。なお、エッチングレートは、エッチング対象物の存在領域が大きくなる程、単位面積当たりの反応種（イオン、ガス、ラジカル等）が少なくなって、エッチングによる生成物の除去が滞ることにより、下がり得ると考えられる。
【００４３】
１つの実施形態においては、金属層１１８（例えば、金属層１１８の最表面層）に、配線１１６（配線１１６の最表面層１１６ｃ）に含まれる金属が含まれる。具体例としては、配線（引出電極）１１６の表面保護層１１６ｃと同様の構成とされ、ダミー表面保護層とされる。このような構成によれば、配線１１６のエッチングの進行状況をモニターすることができる。例えば、エッチング時のガスのプラズマ発光スペクトルの強度変化を測定することによりモニターすることができる。図６Ａに、金属層１１８を設けないでエッチングした場合のプラズマ発光強度の変化（ＥＰＤ波形）を示すが、周辺部１２２（ＳｉＮｙ膜）に起因するプラズマ発光しか検知されず、配線１１６（Ｔｉを含有する表面保護層）に起因するプラズマ発光は検知できない。これは、周辺部１２２に対して配線１１６（引出電極）の面積が小さ過ぎることが要因であると考えられる。一方、図４Ａおよび図４Ｃに示すように、金属層（Ｔｉ含有層）１１８を設けてエッチングした場合のプラズマ発光強度の変化（ＥＰＤ波形）は、図６Ｂに示すとおり、配線１１６および金属層１１８に起因すると考えられるプラズマ発光が検知される。例えば、図６ＢのタイミングＴにおいてエッチングを終了させれば、周辺部１２２の除去を十分に行いながら、配線１１６の消失を十分に抑制し得る。なお、周辺部１２２の除去（エッチング）は、パネル面内のバラツキを考慮して、過剰に行うことが望まれる。
【００４４】
図７は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの変形例を示す模式的な平面図であり、図８Ａは、図７の破線で囲んだ領域Ａの一例の拡大平面図であり、図８Ｂは、図７の破線で囲んだ領域Ａの別の例の拡大平面図である。本変形例では、金属層１１８（通電されないダミー配線）が切断により除去されずに、製品（表示パネル４０）に残っている点が、上記実施形態と異なる。本変形例では、表示パネル４０を曲げた際の曲げ（変形応力）に対応させ得るため、曲げ領域１２０において、金属層１１８は、屈曲形状を有している。屈曲形状は、例えば、図８Ａに示すような波形形状や、図８Ｂに示すような格子・メッシュ型などが採用される。なお、曲げ領域１２０において、配線１１６も屈曲形状を有し得る。
【００４５】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００４６】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４７】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、７６  樹脂層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１０８  保護層、１１０  コンタクトホール、１１２  リブ、１１６  配線、１１８  金属層、１２０  曲げ領域、１２４  引出電極領域、１６０  封止平坦化膜、１６１  第１封止膜、１６２  第２封止膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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