(57)【要約】【課題】導電層の剥離強度が高い導電層積層フィルムの製造法方法を提供する。【解決手段】両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法であって、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱工程と、絶縁性フィルム２０の両面に同時に薄膜を形成する成膜工程と、を含み、成膜工程は、搬送方向の上流側の第１位置において、加熱された絶縁性フィルム２０の第１面の第１領域に導電性の第１薄膜５０Ａを形成する第１成膜処理と、第１位置からその第１位置における搬送方向ＲＴに所定距離シフトさせた第２位置において、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａの他方主面である第２面２０Ｂの第２領域に導電性の第２薄膜５０Ｂを形成する第２成膜処理と、を同時に実行する工程である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法であって、
ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱工程と、
前記絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜工程と、
を含み、
前記成膜工程は、
搬送方向の上流側の第１位置において、前記加熱された前記絶縁性フィルムの第１面の第１領域に導電性の第１薄膜を形成する第１成膜処理と、前記第１位置から当該第１位置における前記搬送方向に沿って所定距離をシフトさせた第２位置において、前記絶縁性フィルムの前記第１面の他方主面である第２面の第２領域に導電性の第２薄膜を形成する第２成膜処理とを同時に実行する工程である導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記第１領域と前記第２領域とは面平行である請求項１に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅は、前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きい請求項１又は２に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記所定距離は、１００[ｍｍ]以上、４００[ｍｍ]以下である請求項１〜３の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記加熱される前記絶縁性フィルムの加熱領域と、前記第１領域とは隣接する請求項１〜４の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記加熱工程は前記絶縁性フィルムを非接触で前記加熱する請求項１〜５の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁性フィルムは、鉛直方向と前記搬送方向とにより定義される面に沿って搬送される請求項１〜６の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記第１領域及び／又は前記第２領域の上流側の位置が、成膜レートが所定値以上である位置となるように、前記第１領域及び／又は前記第２領域を制限する請求項１〜７の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記薄膜は銅のみからなる請求項１〜８の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電層積層フィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法又はフルアディティブ法により製造される。サブトラクティブ法においては、フォトリソグラフィ技術を用いて両面銅張基材から所望の配線パターンを形成する。セミアディティブ法においては、絶縁性フィルムに乾式めっき法により薄膜を成膜し、めっきレジストパターン及びフォトリソグラフィ技術を用いて、湿式めっきにより薄膜の露出部分に導電層を成長させる。めっきレジストを剥離後に薄膜をエッチングし、所望の配線パターンを形成する。このセミアディティブ法における成膜工程には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティングなどの物理蒸着法を用いることができる。また、フルアディティブ法においては、絶縁性フィルムに触媒化処理（キャタライズ）を施し、所望の配線パターンに応じためっきレジストパターンでマスクし、無電解銅めっき処理を施すことで触媒化されている絶縁性フィルムの露出部分のみに配線パターンを形成する。
【０００３】
プリント配線板の製造には、絶縁性フィルムの主面に導電層が形成された導電層積層フィルム（基材）を準備する必要がある。絶縁性フィルムの主面に銅箔などの金属箔がラミネートされた基材を利用することもできるが、絶縁性フィルムの一方主面に真空蒸着などにより導電性薄膜を０．１[μｍ]〜１[μｍ]程度まで成膜し、その後電解めっきで所望の厚さ（数μｍ〜十数μｍ程度）に成長させることにより基材を作製する手法も知られている。先述したセミアディティブ法では、１[μｍ]〜２[μｍ]の厚さの薄膜（銅箔）を備える導電層積層フィルム（基材）が用いられるが、銅箔をラミネートする手法ではこの厚さの導電層を形成することは困難である。
【０００４】
両面に導電層が形成された導電層積層フィルムを製造する場合には、成膜装置（蒸着装置又はスパッタ装置）に絶縁性フィルムをセットし乾式めっき法により、片面に薄膜を形成した後に、他方面に薄膜を形成して導電層積層フィルムを作製するという作業が必要になる。
【０００５】
乾式めっき法により絶縁フィルム一方主面に銅薄膜層を形成し、その後に他方主面に銅薄膜層を形成し、その銅薄膜層を用いて湿式めっき法により銅めっき層を成膜するプリント配線板の製造装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−５３４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
絶縁性フィルムの両面に導電層を備える導電層積層フィルムを作製する手法においては、目標とする剥離強度を維持しつつ、薄膜にシワや歪みの発生を抑制できないという問題がある。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、薄膜にシワや歪みの発生を抑制するとともに、剥離強度の高い両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
[１]本発明は、両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法であって、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱工程と、前記絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜工程とを含み、前記成膜工程は、搬送方向の上流側の第１位置において、前記加熱された前記絶縁性フィルムの第１面の第１領域に導電性の第１薄膜を形成する第１成膜処理と、前記第１位置から当該第１位置における前記搬送方向に沿って所定距離をシフトさせた第２位置において、前記絶縁性フィルムの前記第１面の他方主面である第２面の第２領域に導電性の第２薄膜を形成する第２成膜処理と、を同時に実行する工程である導電層積層フィルムの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【００１０】
[２]上記発明において、前記第１領域と前記第２領域とを面平行とすることができる。
【００１１】
[３]上記発明において、前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅は、前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きくすることができる。
【００１２】
[４]上記発明において、前記所定距離は、１００ｍｍ以上、４００ｍｍ以下とすることができる。
【００１３】
[５]上記発明において、前記加熱される前記絶縁性フィルムの加熱領域と、前記第１領域とは隣接させることができる。
【００１４】
[６]上記発明において、前記加熱工程は前記絶縁性フィルムを非接触で前記加熱することができる。
【００１５】
[７]上記発明において、前記絶縁性フィルムを鉛直方向と前記搬送方向とにより定義される面に沿って搬送することができる。
【００１６】
[８]上記発明において、前記第１領域及び／又は前記第２領域の上流側の位置が、成膜レートが所定値以上の位置となるように、前記第１領域及び／又は前記第２領域を制限することができる。
【００１７】
[９]上記発明において、前記薄膜は銅のみから形成できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、絶縁性フィルムの第１面の第１薄膜が形成される第１位置における搬送方向に沿って所定距離下流側の第２位置において、第２面に第２薄膜を形成することにより、絶縁性フィルムの状態及び成膜環境を制御できる。この結果、薄膜のシワや歪みの発生を抑制しつつ、剥離強度の高い導電層積層フィルムの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態における成膜装置を平面視した図である。
【図２】スパッタ装置１０による成膜工程を説明するための概念図である。
【図３】成膜工程における絶縁性フィルムの状態を説明するための図である。
【図４Ａ】遮蔽板を備えないスパッタ装置１０の成膜工程を説明するための概念図である。
【図４Ｂ】遮蔽板を備えるスパッタ装置１０の成膜工程を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本実施形態の導電層積層フィルムの製造方法は、両面に導電層を備える導電層積層フィルムをロールトゥロールで製造する製造方法に関する。本実施形態の導電層積層フィルムの製造方法は、特徴的な成膜工程を含む。
【００２１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態の導電層積層フィルム１００の製造装置として稼働する成膜システム１の一例を示す。成膜システム１は、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルム２０の両面に薄膜を形成するスパッタ装置１０を備える。図２は、図１に示す成膜システム１が備えるスパッタ装置１０の成膜工程を説明するための概要図である。
【００２２】
図１に示すように、成膜システム１は、絶縁性フィルム２０を巻出す巻出し装置ＲＭ１と、絶縁性フィルム２０の両面に成膜処理を行う成膜装置ＲＭ２と、成膜処理が完了した絶縁性フィルム２０、つまり導電層積層フィルム１００を巻取る巻取り装置ＲＭ３とを備える。
【００２３】
巻出しローラ２１から送り出される絶縁性フィルム２０は、巻出しガイドローラ２１ａ〜２１ｅにより張力の制御を行いながら搬送され、成膜装置ＲＭ２へ送り込まれる。
【００２４】
成膜装置ＲＭ２の上流側に絶縁性フィルム２０に必要な前処理を行う前処理装置、及び／又は圧力差を緩衝する装置を設けてもよい。前処理装置は、乾燥装置と、改質装置とを備えることができる。乾燥装置は絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａを乾燥させる第１乾燥装置と第２面２０Ｂを乾燥させる第２乾燥装置とを含む。乾燥装置として、赤外線乾燥装置などを配置できる。改質装置は絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａを改質処理する第１改質装置と第２面２０Ｂを改質する第２改質装置とを含む。改質の処理は、薄膜の付着強度を向上させる目的で行われる。改質装置として、イオンビーム照射装置、プラズマ照射装置、コロナ放電処理又は紫外線照射装置を配置できる。
【００２５】
必要な前処理完了後、巻出し装置ＲＭ１と成膜装置ＲＭ２との間の圧力差を調整する圧力調整装置を通過し、成膜装置ＲＭ２に送り込まれる。成膜装置ＲＭ２における絶縁性フィルム２０の搬送速度は０．３〜１．５[ｍ／ｍｉｎ]とすることができる。本装置における搬送速度は０．５[ｍ／ｍｉｎ]とする。
【００２６】
本実施形態の成膜システム１は、成膜させる絶縁性フィルム２０を水平置するのではなく、鉛直方向に宙吊された状態（いわゆる縦型）で搬送される。絶縁性フィルム２０は、その主面が、略鉛直方向の軸（図中Ｚ軸）と搬送方向の軸（図中Ｘ軸）によって特定される面（二次元座標）に沿って移動するように搬送される。特に限定されないが、搬送される絶縁性フィルム２０の幅（鉛直方向の長さ）は１００[ｍｍ]〜１０００[ｍｍ]、５００[ｍｍ]、２５０[ｍｍ]である。長さ（搬送方向の長さ）は、２０[ｍ]〜３００[ｍ]程度である。
【００２７】
絶縁性フィルム２０は、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレン系フィルム、ポリフィニレンサルファイド系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、液晶ポリマー系フィルムから選択できる。絶縁性フィルム２０は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステル（ＰＥ）、液晶ポリマーなどの絶縁性材料を用いることができる。
【００２８】
本実施形態の絶縁性フィルム２０は、液晶ポリマー（以下、「ＬＣＰ」とも称する）を含む材料から得る。液晶ポリマーは、溶融状態において液晶性質を示す樹脂であれば特に限定されない。ポリアリレート系液晶ポリマーであってもよいし、ポリエステル系の液晶ポリマーであってもよいし、アラミド系の液晶ポリマーであってもよい。なお、絶縁性フィルム２０は、導電層積層フィルム及びそれを用いて作製されるプリント配線板に要求される耐熱性、誘電特性、絶縁性、耐薬品性を満たす材料を適宜選択する。特に限定されないが、絶縁性フィルム２０の厚さは５[μｍ]〜１３０[μｍ]とすることができる。好ましくは、厚さ５０[μｍ]、厚さ１００[μｍ]のものを用いることができる。本実施形態では厚さ１００[μｍ]のものを用いる。
【００２９】
成膜装置ＲＭ２は、搬送中の絶縁性フィルム２０を加熱する加熱装置１３と、絶縁性フィルム２０の両面２０Ａ，２０Ｂに薄膜を形成するスパッタ装置１０を備える。加熱装置１３は、絶縁性フィルム２０の搬送方向ＲＴに沿ってスパッタ装置１０よりも上流側に配置される。加熱装置１３により、加熱工程（加熱処理）が実行される。スパッタ装置１０は、加熱装置１３の下流側に配置される。スパッタ装置１０は、高エネルギー粒子をターゲットとなる金属表面に衝突させ、金属原子を空中に放出させ、放出した金属原子を基材に付着させる。本実施形態における金属原子は銅原子である。
【００３０】
ちなみに、ニッケル合金による下地を形成してから銅薄膜を形成すると、剥離強度を高くすることができる。しかし、絶縁性フィルム２０と銅薄膜との間にニッケルのような磁性体が存在すると、伝送特性が著しく悪化する。本実施形態は、このような伝送特性への影響を排除するために絶縁性フィルム２０に銅（銅原子）のみをスパッタするが、それにもかかわらず、剥離強度を向上させる製造方法を提供する。
【００３１】
図１及び図２に示すように、加熱装置１３は、絶縁性フィルム２０の第１面の第１領域ＤＡ１に導電性の第１薄膜５０Ａを形成する第１スパッタ装置１１よりも上流側に配置される。加熱装置１３によって加熱される絶縁性フィルム２０の加熱領域２０Ｈと、第１スパッタ装置１１が第１薄膜５０Ａを形成する第１領域ＤＡ１とが隣接するように、加熱装置１３と第１スパッタ装置１１とを配置する。ちなみに、図１には、加熱装置１３は、絶縁性フィルム２０の第２面側の第２成膜領域Ｂに配置される例を示すが、加熱装置１３は、絶縁性フィルム２０の第１面側の第１成膜領域Ａに配置してもよい。
【００３２】
加熱装置１３は、絶縁性フィルム２０を加熱する。絶縁性フィルム２０が液晶ポリマーである場合には、絶縁性フィルム２０の温度が２９０℃〜３１０℃となるまで加熱する。加熱は絶縁性フィルム２０が目標温度となるまで行う。目標温度は絶縁性フィルム２０の性能に応じて設定できる。絶縁性フィルム２０が軟化点を有する場合には目標温度を軟化点とすることができる。特に限定されないが、液晶ポリマーを絶縁性フィルム２０として用いる場合には、液晶ポリマーの軟化点近傍の温度を目標温度とすることが好ましい。加熱された絶縁性フィルム２０にスパッタリングした場合のほうが、加熱されていない絶縁性フィルム２０にスパッタリングした場合よりも銅原子（金属原子）は深い位置に（絶縁性フィルム２０の厚さ方向に沿う位置）埋め込まれる。銅原子を加熱した絶縁性フィルム２０に深く進入させる（埋め込む）ことにより、薄膜（銅膜）の密着性を向上させるアンカー効果を期待できる。この結果、導電層積層フィルム１００における薄膜及びその上に形成される導電層の引き剥がし強度を高めることができる。
【００３３】
加熱領域２０Ｈと第１薄膜を形成する第１領域ＤＡ１とが隣接するように、加熱装置１３と第１スパッタ装置１１を配置するので、絶縁性フィルム２０が加熱領域２０Ｈを通過するまで、つまり、絶縁性フィルム２０が第１成膜工程ＤＡ１に進入するまで、絶縁性フィルム２０を加熱する。絶縁性フィルム２０は、所定温度まで昇温された状態で第１成膜工程ＤＡ１に入る。第１成膜工程ＤＡ１において、ターゲットから飛翔した銅原子が、所定温度まで昇温された絶縁性フィルム２０に吸着／付着される。
【００３４】
加熱装置１３は、搬送される絶縁性フィルム２０の搬送面に対向配置された面状の赤外線ヒータであり、絶縁性フィルム２０を非接触で加熱する。本実施形態の加熱装置１３は、非接触式の加熱装置である。他方、接触式の加熱装置を用いる場合には、成膜範囲に応じた外径のドラムを準備し、ドラム外周面に発熱体を設け、このドラムに巻付けた絶縁性フィルム２０を熱伝導により加熱する。発熱体は、ドラム自体にニクロム線などの発熱部材を鋳込んで形成するか、ドラムに蒸気や油などの熱媒を循環させる流路を形成することにより形成できる。ドラムに発熱体を鋳込む場合には、電源供給用のスリップリングなどのロータリーコネクターを設ける必要があり、ダストが発生する恐れがある。発熱体を鋳込んだドラムの表面の平坦性は高水準であることが求められ、大掛かりな装置となる傾向がある。熱媒を循環させる場合には、真空チャンバと大気圧下の空間との間をシールする部品（例えば、磁性流体シール）を用いる必要があるが、絶縁性フィルム２０が加熱される可能性のある温度（たとえば２９０℃〜３１０℃）まで耐熱性を有するシール部品を得ることは難しい。しかも、そのようなシール部材（磁性流体シール）を調達できたとしても、シール部材をドラムに設置する際に求められる加工精度の要求水準は極めて高い。常温下で加工精度を満足させた場合であっても、絶縁性フィルム２０が加熱される可能性のある温度（たとえば２９０℃〜３１０℃）まで昇温すると、軸とシール部材の熱膨張率差により嵌め合いの条件が変化する可能性があり、流体を循環させたときにシーリング機能を十分に発揮させるための構造は極めて複雑になる。
【００３５】
本実施形態では非接触式の加熱装置１３を用いるので、加熱装置の構造を単純にできる。その結果、成膜システム１のチャンバを小型化できるとともに、真空ポンプを小規模にすることができ、導電層積層フィルムの製造方法に係るコストを低減できる。
【００３６】
また、加熱装置１３は平面の発熱体を備え、発熱体の面が絶縁性フィルム２０の搬送面と平行になるように配置することにより、絶縁性フィルム２０を直接加熱することができる。加熱装置１３の発熱体から発した熱は、他の部材や部品に伝わることなく、絶縁性フィルム２０に直接伝導されるので、効率良く絶縁性フィルム２０を加熱し、時間を短縮できる。
【００３７】
なお、図示は省略したが、材料（絶縁性フィルム２０、薄膜５０）や部材（遮蔽板１４）が過熱された場合にその温度を下げるための水冷板を適宜に設置し、稼働させてもよい。
【００３８】
図１に示すように、スパッタ装置１０は、成膜工程に配置され、加熱された絶縁性フィルム２０の両面に薄膜を形成する。スパッタ装置１０は、絶縁性フィルム２０の一方面側に配置された第１スパッタ装置１１と、他方面側に配置された第２スパッタ装置１２とを備える。第１スパッタ装置１１及び第２スパッタ装置１２は、絶縁性フィルム２０を介して向かい合うように配置される。第１スパッタ装置１１は、第２スパッタ装置１２よりも上流側に配置される。
【００３９】
本実施形態のスパッタ装置１０は、銅をターゲットとし、絶縁性フィルム２０の表面に厚さが０．０１[μｍ]〜２[μｍ]の銅薄膜を形成する。薄膜のターゲットの組成やターゲットの組み合わせについては、出願時に知られた手法を適宜に用いる。特に限定されないが、使用するスパッタ装置１０の到達真空度は１×１０−１[Ｐａ]以下、スパッタガス圧は０．１[Ｐａ]〜５．０[Ｐａ]とし、成膜パワー（投入電力）は４[ｋｗ]〜８[ｋｗ]）とする。スパッタ装置１０の稼働条件は、ターゲット材料、薄膜の厚さ、絶縁性フィルム２０の材質、サイズなどに応じて適宜に設定する。
【００４０】
図２に示すように、第１スパッタ装置１１は、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａ側の第１成膜領域Ａに配置され、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａに対向するように平板状のターゲットＴＧ１１を備える。第２スパッタ装置１２は、絶縁性フィルム２０の第２面２０Ｂ側の第２成膜領域Ｂに配置され、絶縁性フィルム２０の第２面２０Ｂに対向するように平板状のターゲットＴＧ１２を備える。ターゲットＴＧ１１，ＴＧ１２はいずれも銅のバルクである。本実施形態では、銅のみの薄膜を形成する。剥離強度を向上させる目的でニッケルを用いる必要がないので、ニッケルの磁性による伝送特性への影響を排除しつつ、剥離強度の高い導電層積層フィルム１００を作製できる。
【００４１】
第１スパッタ装置１１は、搬送方向ＲＴに沿って第２スパッタ装置１２よりも上流側（巻出しローラ２１側）に配置される。第１スパッタ装置１１は、第１成膜処理工程を実行し、第２スパッタ装置１２は、第２成膜処理工程を実行する。第２成膜処理工程は、第１成膜処理工程と同時に実行される。第２成膜処理工程が実行されているときには、第１成膜処理工程も実行されている。
【００４２】
図２に示すように、第１スパッタ装置１１は、搬送方向の上流側の第１位置Ｐｏ１Ｓから下流側の位置Ｐｏ１Ｅにおいて、加熱された絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａの第１領域ＤＡ１に導電性の第１薄膜５０Ａを形成する。第２スパッタ装置１２は、第１位置Ｐｏ１Ｓよりも下流側の第２位置Ｐｏ２Ｓからさらに下流側の位置Ｐｏ２Ｅにおいて、加熱された絶縁性フィルム２０の第２面２０Ｂの第２領域ＤＡ２に導電性の第２薄膜５０Ｂを形成する。第１領域ＤＡ１は、第１遮蔽板１４Ａ１の下流側端部の位置Ｐ１１Ｓと、第１遮蔽板１４Ａ２の上流側端部の位置Ｐ１１Ｅとに規定された開口部である。第１遮蔽板１４Ａ１，１４Ａ２はターゲットＴＧ１１からの銅原子の飛翔を遮る。第２領域ＤＡ２は、第２遮蔽板１４Ｂ１の下流側端部の位置Ｐ１２Ｓと、第２遮蔽板１４Ｂ２の上流側端部の位置Ｐ１２Ｅとに規定された開口部である。第２遮蔽板１４Ｂ１，１４Ｂ２はターゲットＴＧ１２からの銅原子の飛翔を遮る。
【００４３】
第１スパッタ装置１１が第１薄膜５０Ａを形成する第１領域ＤＡ１の上流端である第１位置Ｐｏ１Ｓに対して、第２スパッタ装置１２が第２薄膜５０Ｂを形成する第２領域ＤＡ２の上流端である第２位置Ｐｏ２Ｓは、第１位置Ｐｏ１Ｓにおける搬送方向ＲＴに所定距離ＬＧだけ工程の下流側にシフトさせた位置である。
【００４４】
第１位置Ｐｏ１Ｓは、第１スパッタ装置１１の配置位置又はこの配置位置に基づいて定義された位置とし、第２位置Ｐｏ２Ｓは第２スパッタ装置１２の配置位置又はこの配置位置に基づいて定義された位置としてもよい。第１位置Ｐｏ１Ｓは、第１スパッタ装置１１のターゲットＴＧ１１の配置位置又はこの配置位置に基づいて定義された位置とし、第２位置Ｐｏ２Ｓは第２スパッタ装置１２のターゲットＴＧ１２の配置位置又はこの配置位置に基づいて定義された位置としてもよい。第１位置Ｐｏ１Ｓは、第１スパッタ装置１１の第１薄膜５０Ａが形成される第１領域ＤＡ１の位置またはこの位置に基づいて定義された位置とし、第２位置Ｐｏ２Ｓは、第２スパッタ装置１２の第２薄膜５０Ｂが形成される第２領域ＤＡ２の位置又はこの位置に基づいて定義された位置としてもよい。
【００４５】
第１位置Ｐｏ１Ｓと第２位置Ｐｏ２Ｓは、搬送方向ＲＴに沿って所定距離をもって離隔させて配置される。本実施形態では、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａにおいて第１薄膜の形成処理が実行される第１成膜工程ＤＡ１の位置と、第２面２０Ｂにおいて第２薄膜の形成処理が実行される第２成膜工程ＤＡ２の位置とを搬送方向ＲＴに沿ってシフトさせる。シフトさせる方向は工程の上流側又は下流側のいずれでもよい。
【００４６】
スパッタされた銅原子が絶縁性フィルム２０に吸収されるとき、銅電子のエネルギーが絶縁性フィルム２０に伝達される。その結果、絶縁性フィルム２０の温度は上昇する。絶縁性フィルム２０を加熱してから薄膜を形成すると、銅原子がより深く進入して、アンカー効果を得ることができることは先に説明した。しかし、絶縁性フィルム２０の温度が高すぎる状態、すなわち、熱負荷が高い状態で薄膜の形成をすると（銅原子の吸収をさせると）、形成した薄膜にシワ・歪み・伸び・破損が発生してしまう。シワ等が発生した薄膜を有する導電層積層フィルム１００を用いてプリント配線板を製造することはできない。このように、成膜時における絶縁性フィルム２０の温度制御は、導電層積層フィルム１００の製造工程における歩留まりに大きな影響を与える。
【００４７】
絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａにおいて第１薄膜を形成する第１成膜工程（第１領域）ＤＡ１の位置と、裏面側の第２面２０Ｂにおいて第２薄膜を形成する第２成膜工程（第２領域）ＤＡ２の位置とを搬送方向ＲＴに沿ってシフトさせない、つまり、両面から同時に薄膜を形成する場合には、絶縁性フィルム２０に与えられるエネルギーが過大となり、絶縁性フィルム２０にかかる熱負荷が過剰となる。その結果、絶縁性フィルム２０に形成した薄膜にシワ・歪み・伸び・破損が発生してしまう。
【００４８】
本実施形態では、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａにおいて第１薄膜を形成する第１成膜工程（第１領域）ＤＡ１の位置と、裏面側の第２面２０Ｂにおいて第２薄膜を形成する第２成膜工程（第２領域）ＤＡ２の位置とを、搬送方向ＲＴに沿って所定距離シフトさせる。すなわち、絶縁性フィルム２０の同じ位置（図中Ｚ-Ｘ座標の位置）において、第１面２０Ａに第１薄膜５０Ａを形成する第１成膜工程ＤＡ１が実行されるタイミングと、第２面２０Ｂに第２薄膜５０Ｂを形成する第２成膜工程ＤＡ２が実行されるタイミングとに時間差を設ける。絶縁性フィルム２０の位置（図中Ｚ-Ｘ座標の位置）をずらして、つまり、搬送される絶縁性フィルム２０に対する一の処理工程において、表面の成膜タイミングと裏面の成膜タイミングをずらして、その両面に成膜することにより、絶縁性フィルム２０に与えられるエネルギーを制御できるので、絶縁性フィルム２０の熱負荷を低減できる。
【００４９】
ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルム２０の両面から銅原子を付着させる場合において、絶縁性フィルム２０の同じ位置（図中Ｚ-Ｘ座標の位置）に表裏から薄膜を形成する（スパッタする）と、銅原子の吸着により絶縁性フィルム２０が過剰に加熱され、薄膜にシワ・歪み・伸び・破損を発生させることがある。本実施形態では、第１成膜工程が行われる第１領域ＤＡ１の位置と第２成膜工程が行われる第２領域ＤＡ２の位置とをシフトさせることにより、絶縁性フィルム２０が過熱されることを防止できる。その結果、シワ・歪み・伸び・破損の無い薄膜を形成できる。
【００５０】
第１成膜工程ＤＡ１と第２成膜工程ＤＡ２とを絶縁性フィルム２０の表裏の異なる位置（Ｚ−Ｘ座標の位置）において同時に（一の工程において）行うことにより、製造工程及び製造設備を簡素化し、製造コストを低減させることができる。また、一の搬送中において表裏に薄膜を形成できるので、作業性及びメンテナンス性に優れた製造方法を提供できる。
【００５１】
また、第１面２０Ａにおいて第１薄膜を形成する際に（スパッタする際に）絶縁性フィルム２０に与えられるエネルギーは、第２面２０Ｂにおいて第２薄膜を形成する際の絶縁性フィルム２０の温度維持に貢献する。図３に示すように、搬送方向ＲＴに沿って搬送される絶縁性フィルム２０は、加熱装置１３により加熱され、第１成膜工程ＤＡ１へ進行する。第１成膜工程ＤＡ１において、銅原子Ｅ１１が絶縁性フィルム２０に吸着され、エネルギー＋ＥＧが絶縁性フィルム２０に与えられる。搬送に伴い絶縁性フィルム２０から輻射熱−ＥＧが放熱されるが、第１薄膜５０Ａはこの放熱を抑制する。
【００５２】
加熱した絶縁性フィルム２０は放射冷却によりその温度は低下する。絶縁性フィルム２０の温度変化を経時的に検証したところ、温度が高いほど冷却速度は高いことが分かった。加熱装置１３により加熱した絶縁性フィルム２０の温度は急激に低下することが予測される。加熱領域２０Ｈと第１領域ＤＡ１は隣接するので、第１薄膜を形成する第１成膜工程ＤＡ１における絶縁性フィルム２０の温度は維持される。第１薄膜の形成時に絶縁性フィルム２０に与えられた熱が放熱分を補うので、搬送されて第２成膜工程ＤＡ２に向かうまで絶縁性フィルム２０の温度は維持される。第２成膜工程ＤＡ２においても、銅原子は絶縁性フィルム２０に深く進入し、第２面２０Ｂ（裏面）においてもアンカー効果を得ることができる。
【００５３】
図２に戻り、特に限定されないが、第１位置Ｐｏ１Ｓと第２位置Ｐｏ２Ｓとの間の所定距離ＬＧは、１００[ｍｍ]以上、４００[ｍｍ]以下とすることが好ましい。１５０[ｍｍ]以上３００[ｍｍ]以下とすることがより好ましい。１８０[ｍｍ]以上２５０[ｍｍ]以下とすることが好ましい。本実施形態では、所定距離を２００[ｍｍ]とする。
【００５４】
この所定距離は、搬送される絶縁性フィルム２０の所定位置が第１位置Ｐｏ１Ｓから第２位置Ｐｏ２Ｓまでの移動時間に基づいて定義できる。例えば、図２に示す例において、所定距離ＬＧが２００[ｍｍ]であり、第１位置Ｐｏ１Ｓから位置Ｐｏ１Ｅまでの第１領域ＤＡ１の距離ＬＧ１が９０[ｍｍ]であり、第１位置Ｐｏ１Ｅから第２位置Ｐｏ２Ｓまでの遮蔽板１４Ａ２の長さＬＧ２が１１０[ｍｍ]であると仮定する。絶縁性フィルム２０の搬送速度が０．５[ｍ／ｍｉｎ]であるとすると、第１位置Ｐｏ１Ｓから位置Ｐｏ１Ｅまでの第１領域ＤＡ１における第１成膜処理の時間、つまりスパッタ処理（第１成膜工程ＤＡ１）により加熱される時間は１０．８秒である。一方、遮蔽板１４Ａ２によりスパッタがされない領域を通過する時間、つまり放熱する時間は１３．２秒である。
【００５５】
絶縁性フィルム２０の温度低下は速く、２８０℃に加熱しても短時間で８０℃程度まで温度が下がる。このため、絶縁性フィルム２０の両面から同時に成膜処理をして、スパッタによる熱量で絶縁性フィルム２０の温度を高温にすることも考えられる。しかし、絶縁性フィルム２０の両面から同時に成膜すると、絶縁性フィルム２０に与えられる熱負荷が過大となり、薄膜にシワ・歪み・伸び・破損を引き起こし、プリント配線板の基材として利用できない。
【００５６】
本実施形態では、第１成膜処理が行われる第１領域ＤＡ１の位置と第２成膜処理が行われる第２領域ＤＡ２の位置を所定距離ＬＧだけシフトさせるとともに、その間に、遮蔽板１４Ａ２，１４Ｂ１を設けて、第１位置Ｐｏ１Ｅから第２位置Ｐｏ２Ｓまでのスパッタがされない領域を設けることにより、絶縁性フィルム２０に与えられる熱量と絶縁性フィルム２０から奪われる熱量との収支を制御する。本例では、１３．２秒間で絶縁性フィルム２０から奪われる熱量と、１０．８秒間で与えられる熱量とのバランス(収支)を考慮することにより、所定距離ＬＧを算出することができる。
【００５７】
第１薄膜５０Ａが形成される第１領域ＤＡ１と第２薄膜５０Ｂが形成される第２領域ＤＡ２とは面平行である。第１領域ＤＡ１と第２領域ＤＡ２とは、搬送される絶縁性フィルム２０の面と面平行である。
【００５８】
スパッタ装置１０において、ターゲットＴＧ１１，ＴＧ１２から放出した銅原子は、ほぼ直進して絶縁性フィルム２０の主面に到達する。配置されたターゲットＴＧ１１、ＴＧ１２の成膜可能領域の搬送方向に沿う幅は１５０[ｍｍ]〜２００[ｍｍ]程度である。本実施形態のターゲットＴＧ１１、ＴＧ１２の成膜可能領域の搬送方向に沿う幅は１８０[ｍｍ]である。
【００５９】
本実施形態のスパッタ装置１０の内部には、遮蔽板１４Ａ１，１４Ａ２，１４Ｂ１，１４Ｂ２が設けられる。これらの遮蔽板１４Ａ１，１４Ａ２，１４Ｂ１，１４Ｂ２は、スパッタされた銅原子の飛翔を遮る。遮蔽板１４Ａ１，１４Ａ２，１４Ｂ１，１４Ｂ２は、成膜可能領域を制限する。絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａ側の第１領域ＤＡ１は、第１成膜領域Ａに配置された遮蔽板１４Ａ１の端部ＰＤＡ１と、遮蔽板１４Ａ２の端部ＰＤＡ１´とにより制限された開口領域に対応する。第２面側の第２領域ＤＡ２は、第２成膜領域Ｂに配置された遮蔽板１４Ｂ１の端部ＰＤＡ２と、遮蔽板１４Ｂ２の端部ＰＤＡ２´とにより制限された開口領域に対応する。
【００６０】
第２成膜領域Ｂに遮蔽板１４Ｂ１を設けることにより、第１成膜工程ＤＡ１の範囲（第１領域ＤＡ１の範囲）と第２成膜工程ＤＡ２の範囲（第２領域ＤＡ２）の範囲との間に所定距離の間隔を設けることができる。すなわち、絶縁性フィルム２０のある位置：図中Ｚ-Ｘ座標において、第１面２０Ａに第１薄膜５０Ａを形成する第１成膜工程ＤＡ１が実行されるタイミングと、第２面２０Ｂに第２薄膜５０Ｂを形成する第２成膜工程ＤＡ２が実行されるタイミングとに時間差を設けることができる。これにより、絶縁性フィルム２０の同じ位置（図中Ｚ-Ｘ座標の位置）に表裏から同時に成膜されない（スパッタされない）。
【００６１】
第１成膜領域Ａに遮蔽板１４Ａ１及び１４Ａ２を配置することにより、第１成膜工程ＤＡ１の範囲（第１領域ＤＡ１の範囲）を成膜可能領域よりも狭く制限できる（搬送方向に沿う幅を小さくできる）ので、成膜によって絶縁性フィルム２０に熱負荷を与えないようにすることができる。熱負荷を低減させることにより、薄膜のシワ・歪み・伸び・破損の発生を防止できる。同様に、第２成膜領域Ｂに遮蔽板１４Ｂ１及び１４Ｂ２を配置することにより、第２成膜工程ＤＡ２の範囲（第２領域ＤＡ２の範囲）を成膜可能領域よりも狭く制限できる（搬送方向に沿う幅を狭くできる）ので、成膜によって絶縁性フィルム２０に熱負荷を与えないようにすることができる。熱負荷を低減させることにより、第２面２０Ｂにおいても薄膜のシワ等の発生を防止できる。
【００６２】
第１薄膜の形成処理が行われる第１成膜工程（第１領域）ＤＡ１の搬送方向ＲＴに沿う第１幅ＤＡ１は、第２薄膜の形成処理が行われる第２成膜工程（第２領域）ＤＡ２の搬送方向ＲＴに沿う第２幅ＤＡ２よりも広いことが好ましい。
【００６３】
絶縁性フィルム２０に与えられる「成膜による熱負荷」の主要原因となる熱は以下の２つが考えられる。
（１）衝突する銅粒子(銅原子)の運動エネルギーが絶縁性フィルム２０（液晶ポリマー）の表面でゼロになり、熱エネルギーに変換される際に生じる熱、
（２）プラズマ（高温）による輻射熱である。
成膜処理を行うためには、成膜に伴う加熱（上記（１））を避けることができない。絶縁性フィルム２０に対する熱負荷を低減するためには、プラズマ（高温）による輻射熱（上記（２））の影響を低減させることが効果的である。
【００６４】
第２領域ＤＡ２において成膜処理がなされると、絶縁性フィルム２０は高温であり放熱量が大きくなるはずであるが、熱放射率が低い銅でコーティングされているため、銅膜が形成されていない第１領域ＤＡ１における絶縁性フィルム２０よりも放熱しにくい。熱放射率が低いということは、輻射熱による加熱効率も低いと言えるので、上記（２）の輻射熱による加熱効率も低くなるが、第２領域ＤＡ２における熱収支では「放射熱によって奪われる熱量＜輻射熱により与えられる熱量」という関係になると考えられる。
【００６５】
本実施形態では、第２領域ＤＡ２の長さを第１領域ＤＡ１の長さよりも短くして（ＤＡ１＞ＤＡ２）、遮蔽板１４Ｂ１，１４Ｂ２により輻射熱による加熱を抑制して、第２成膜処理の温度環境を適切にすることができる。この結果、第２領域ＤＡ２において目標膜厚の薄膜を高い剥離強度で形成するとともに、絶縁性フィルム２０に過剰な熱負荷を与えないようにすることができる。これにより、シワ・歪み・伸び・破損のない薄膜を備えた導電層積層フィルム１００を作製できる。
【００６６】
発明者は、第１領域ＤＡ１の長さ及び第２領域ＤＡ２の長さを具体的に探究した。第１領域ＤＡ１と第２領域ＤＡ２との間の所定距離ＬＧを１８０〜２２０[ｍｍ]と設定した場合には、第１領域ＤＡ１の長さは８０〜１００[ｍｍ]であり、第２領域ＤＡ２の長さは４０〜６０[ｍｍ]であるときに、シワ・歪み・伸び・破損のない薄膜を備えた導電層積層フィルム１００を作製できることが分かった。所定距離ＬＧを１８０〜２２０[ｍｍ]と設定した場合には、第１領域ＤＡ１の長さは８０〜１００[ｍｍ]であり、第２領域ＤＡ２の長さは４０〜６０[ｍｍ]とするときに、シワ等のない薄膜を備えた導電層積層フィルム１００を作製できることが分かった。所定距離ＬＧを２００[ｍｍ]と設定した場合には、第１領域ＤＡ１の長さは９０[ｍｍ]であり、第２領域ＤＡ２の長さは５０[ｍｍ]とするときに、シワ等のない薄膜を備えた導電層積層フィルム１００を作製できることが分かった。
【００６７】
搬送される絶縁性フィルム２０の温度に着目すると、上流側の加熱装置１３で加熱され、第１成膜工程ＤＡ１にて第１面２０Ａの第１領域ＤＡ１に第１薄膜５０Ａの成膜に伴い加熱される。第１成膜工程ＤＡ１の通過後、絶縁性フィルム２０からの放熱はあるものの、形成された第１薄膜５０Ａが放熱量を低減させる。第１薄膜５０Ａが成膜されると、絶縁性フィルム２０の放熱速度は、ほぼ半減する。第１薄膜５０Ａの形成後、絶縁性フィルム２０の放熱による温度低下の速度は抑制され、温度が急激に低下することなく第２成膜工程ＤＡ２に移行して第２薄膜５０Ｂの成膜が行われる。
【００６８】
本実施形態では、第１成膜処理が行われる第１領域ＤＡ１の位置と第２成膜処理が行われる第２領域ＤＡ２の位置との所定距離ＬＧを２００[ｍｍ]としたときに、第２領域ＤＡ２の搬送方向ＲＴに沿う第２幅ＤＡ２を５０[ｍｍ]とし、第１領域ＤＡ１の搬送方向ＲＴに沿う第１幅ＤＡ１を９０[ｍｍ]とする（ＤＡ１＞ＤＡ２）。本例を分析したところ、以下の情報を得ることができた。
【００６９】
巻出し装置ＲＭ１及び巻取り装置ＲＭ３により搬送された絶縁性フィルム２０は一次停止する。第１スパッタ装置１１は絶縁性フィルム２０の第１領域ＤＡ１に第１成膜処理を行う。成膜パワーを６[ｋＷ]とし、１０秒間成膜すると、絶縁性フィルム２０は加熱され、＋１６３℃の昇温が確認された。成膜による加熱効果と放熱による冷却効果とのバランスが好適であり、第２領域ＤＡ２における絶縁性フィルム２０の温度は低下することなく、適温に維持された。このため、絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａ及び第２面２０Ｂの両方に所望の膜厚の導電層(薄膜)を、シワ・歪み・伸び・破損が生じることなく形成できた。
【００７０】
このとき、広い範囲において第２薄膜５０Ｂを成膜すると、成膜に伴う熱が絶縁性フィルム２０の温度を過剰に上昇させる恐れがある。また、第２成膜工程ＤＡ２の後には、成膜工程はないので加熱する必要性はなく、絶縁性フィルム２０の温度は速やかに低下させることが好ましい。このため、本実施形態では、第２成膜工程（第２領域）ＤＡ２の搬送方向ＲＴに沿う第２幅ＤＡ２を、第１成膜工程（第１領域）ＤＡ１の搬送方向ＲＴに沿う第１幅ＤＡ１よりも狭く設定する。これにより、第２成膜工程ＤＡ２における成膜時間を短くして、スパッタ処理により絶縁性フィルム２０に与えられる熱負荷を低減させる。この結果、第１成膜工程ＤＡ１及び第２成膜工程ＤＡ２を経て形成された薄膜にシワ・歪み・伸び・破損が発生することを防止できる。
【００７１】
特に限定されないが、第１成膜工程（第１領域）ＤＡ１の搬送方向ＲＴに沿う第１幅ＤＡ１は８０[ｍｍ]〜１２０[ｍｍ]とすることができる。好ましくは、第１幅ＤＡ１は９０[ｍｍ]〜１００[ｍｍ]とすることができる。第２成膜工程（第２領域）ＤＡ２の搬送方向ＲＴに沿う第２幅ＤＡ２は３０[ｍｍ]〜７０[ｍｍ]とすることができる。好ましくは、第１幅ＤＡ１は４０[ｍｍ]〜６０[ｍｍ]とすることができる。本例では、第１幅ＤＡ１を９０[ｍｍ]とし、第２幅ＤＡ２を５０[ｍｍ]とした。
【００７２】
図４Ａ及び図４Ｂに基づいて遮蔽板１４の機能について説明する。図４Ａは、遮蔽板１４を設けない場合の薄膜の形成手法を示し、図４Ｂは遮蔽板１４を設けた場合に薄膜の形成手法を示す。
図４Ａ及び図４Ｂにおいて、スパッタ装置１０の上部に示すグラフは、搬送方向位置Ｘにおける成膜レートＰ又は成膜による発生熱量Ｑを示す。ちなみに、成膜レートＰが高いということは絶縁性フィルム２０に吸着される銅原子の数が多いということであり、吸着される銅原子が多いと発生熱量Ｑも大きくなる。
【００７３】
図４Ａ及び図４Ｂに示すスパッタ装置１０では、アーキング防止及び膜厚分布調整のために、枠板１５Ａ１，１５Ａ２が設けられる。枠板１５Ａ１，１５Ａ２のみが設けられた場合には、広い範囲の成膜レートＰで第１薄膜５０Ａが形成される。広い範囲の成膜レートＰで第１薄膜５０Ａを形成すると成膜による発生熱量Ｑは相対的に低くなる。しかも、絶縁性フィルム２０の第２面２０Ｂからは放熱される（図中符号ＨＴＢで示す）。このため、第２薄膜５０Ｂを形成する際における絶縁性フィルム２０の温度は目標温度よりも低い温度となる可能性がある。この場合には、銅原子は浅い位置にまでしか到達できずに、アンカー効果を期待できず、剥離強度が低くなる可能性がある。
【００７４】
本実施形態では、第１成膜処理が行われる第１領域ＤＡ１の上流側の位置ＰＤＡ１が、成膜レートＰが所定値以上である位置となるように遮蔽板１４Ａ１を配置する。成膜レートＰが所定値以上となるまで銅原子の飛翔を遮蔽板１４Ａ１が遮るので、高い成膜レートＰ及び高い発生熱量Ｑを維持できる。その結果、厚さが安定した第１薄膜５０Ａを形成できる。十分な発生熱量Ｑを絶縁性フィルム２０に与えることができるので、絶縁性フィルム２０の温度を維持できる。
【００７５】
同様に、第２成膜処理が行われる第２領域ＤＡ２の上流側の位置ＰＤＡ２が、成膜レートＰが所定値以上である位置となるように遮蔽板１４Ｂ１を配置する。成膜レートＰが所定値以上となるまで銅原子の飛翔を遮蔽板１４Ｂ１が遮るので、高い成膜レートＰ及び高い発生熱量Ｑを維持できる。
【００７６】
絶縁性フィルム２０の温度を目標温度近傍（絶縁性フィルム２０が液晶ポリマーである場合には軟化点近傍）に維持して第２成膜処理を行うので、銅原子は絶縁性フィルム２０の相対的に深い位置にまで到達できるため、アンカー効果により導電層積層フィルムにおける薄膜及び導電層の剥離強度を高めることができる。
また、本実施形態における金属原子は銅原子であり、その他の原子を含まない。ニッケル合金による下地を形成してから銅薄膜を形成すれば、銅薄膜に基づく導電層の剥離強度を高くすることができることが知られているが、絶縁性フィルム２０と導電層との間にニッケルのような磁性体が存在すると、伝送特性を悪化させる。本実施形態は、ニッケルをスパッタしなくても高い剥離強度を実現できるので、伝送特性への影響を排除しつつ、導電層積層フィルム１００の導電層の剥離強度を向上させる製造方法を提供する。
【００７７】
絶縁性フィルム２０の第１面２０Ａに第１薄膜５０Ａが形成され、他方の第２面２０Ｂに第２薄膜５０Ｂが形成された導電層積層フィルム１００は、２２ａ〜２２ｄの巻取り用ガイドローラを介して巻取りローラ２２に巻取られる。
【００７８】
その後、電解銅めっき法により銅めっきを施す。前処理液を用いて銅めっき表面の酸化物を除去した後、レジスト（感光性材料）を塗布する。レジストは、光が照射された部分を現像液に可溶解化させ、光が照射されていない部分を残すポジ型レジストを用いてもよいし、光が照射された部分を現像液に不溶化させて、光が照射された部分を残すネガ型レジストを用いてもよい。レジストが形成された絶縁性フィルム２０の上に、所望の回路に応じて作成されたフォトマスクをセットして露光処理を行う。使用したレジストに応じてＰＥＢ（Post Exposure Bake）としての熱処理を行い、現像を行う。塩化第二鉄、塩化第二銅、過酸化水素水、又はアルカリエッチャント液を用いて、エッチング処理を行い、所望の回路に対応する銅めっきのみを残して、電解銅めっきを行うことにより回路形成を行う。必要に応じて、接点、スルーホールに金めっきを施す。金めっき形成のために再度レジスト膜形成、フォトマスクのセット、レジスト現像などの一連のフォトリソグラフィ技術の各工程を実行し、金めっき部分を残すエッチング処理を行う。なお、エッチング処理に用いるエッチャント、手法は特に限定されず、一般に用いられる材料、手法を利用することができる。
【００７９】
＜実施例＞
本製造方法により得られた導電層積層フィルム１００について引き剥がし試験を行った。
（１）本実施例では、下記条件により、導電層積層フィルム１００の試験片３個を準備した。
試験片：幅２０[ｍｍ]、長さ５５[ｍｍ]の絶縁性フィルム２０の一方主面に幅５[ｍｍ]、長さ５５[ｍｍ]の導電層を形成したものを試験片とした。
絶縁性フィルム２０：株式会社クラレ製  ベクスターＣＴＺ１００，厚さは１００[μｍ]  搬送幅（図中Ｚ方向）：２５０[ｍｍ]
搬送速度：０．５[ｍ／ｍｉｎ]
加熱装置１３の設定温度：３４０℃
導電層：スパッタ層を形成してからめっき層を形成することにより作成する。
（Ａ）スパッタ層：両面にスパッタ処理をしてスパッタ層を形成
ターゲット：銅（のみ）
一方主面にスパッタ層を形成する際の成膜パワー（第１スパッタ装置）：６[ｋＷ]
他方主面にスパッタ層を形成する際の成膜パワー（第２スパッタ装置）：６[ｋＷ]
ＤＡ１の開口幅(第１幅)：９０[ｍｍ]
ＤＡ２の開口幅(第２幅)：５０[ｍｍ]
（Ｂ）めっき層：一方主面側（片面のみ）のスパッタ層をシード層として硫酸銅めっき液を用いた電解めっきにより形成、導電層の厚さは１２[μｍ]である。
電解めっき液としては、硫酸銅が１６０[ｇ／Ｌ]、硫酸が１６０［ｇ／Ｌ］の他、塩素や添加剤を含む。
スパッタ処理において他方主面側に形成されたスパッタ層はエッチング処理により除去する。
以上により、絶縁性フィルム２０の両主面スパッタ層の形成処理が施され、一方主面のみに導電層が形成された試験片を得た。
【００８０】
（２）本製造方法により作製した導電層積層フィルム１００の試験片について上記引き剥がし試験を実行した。引き剥がし試験は、ＪＩＳ−Ｃ６４７１を参考に行った。ＪＩＳＣ６４７１は、導電層と絶縁性基材との密着力を試験するものである。試験片は、幅２０[ｍｍ]、長さ５５[ｍｍ]の基材（絶縁性基材）に幅３[ｍｍ]、長さ５５[ｍｍ]の導電層を形成し、導電層の一端を引っ張り試験機に固定して、水平状態の基材に対して垂直となるように導電層を引っ張り、５０[ｍｍ]の長さに渡って導電層を引き剥がすときの加重を計測して、導電層と絶縁性基材との密着力を試験する。本実施例では、空気循環式恒温槽中に１時間垂直に保ち、ＪＩＳ３．１の標準状態に２０時間から２８時間放置した後、上記試験を行った。
【００８１】
本実施例では、下の３点について試験方法を変更してＪＩＳ−Ｃ６４７１の試験を行った。
（１）ＪＩＳ−Ｃ６４７１では試験片の銅箔又は導電層の幅が３[ｍｍ]であるのに対し、本実施例の試験片の導電層の幅は５[ｍｍ]とした。
（２）ＪＩＳ−Ｃ６４７１では加熱処理（加熱工程）の時間が１時間であるのに対し、本実施例の加熱時間は２時間とした。ちなみに、本実施例の加熱処理（加熱工程）においては、液晶ポリマー製の絶縁性フィルム２０を１７５℃〜１８５℃の空気循環式恒温槽中に２時間垂直に保った。
（３）ＪＩＳ−Ｃ６４７１ではＴＤ（Transverse Direction）方向とＭＤ（Machine Direction）方向のそれぞれ引き剥がすのに対し、本実施例ではＴＤ方向（試験片の長手（５５ｍｍ）方向）に引き剥がした。
【００８２】
本実施例の結果において、試験片３個中３個（１００％）において、５[Ｎ／ｃｍ]以上のピール強度であることが確認できた。
【００８３】
なお、本実施形態では、上述した製造方法で得られた導電層積層フィルムを基材として用い、セミアディティブ法で配線を形成することによってプリント配線板を製造する。セミアディティブ法による配線の形成手法は出願時のおいて知られた手法を用いることができる。もちろん、サブトラクティブ法により配線を形成することによってプリント配線板を製造してもよい。
【００８４】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００８５】
１…成膜システム
ＲＭ１…巻出し工程，巻出し装置
ＲＭ２…成膜工程，成膜装置
ＲＭ３…巻取り工程，巻取り装置
Ａ…第１成膜領域
Ｂ…第２成膜領域
ＤＡ１…第１領域、第１成膜工程
ＤＡ２…第２領域、第２成膜工程
ＲＴ…搬送方向
１０…スパッタ装置
１１…第１スパッタ装置
ＴＧ１１…第１ターゲット
Ｅ１１…銅原子
１２…第２スパッタ装置
ＴＧ１２…第２ターゲット
Ｅ１２…銅原子
１３…加熱装置
１４，１４Ａ１，１４Ａ２…第１遮蔽板
１４，１４Ｂ１，１４Ｂ２…第２遮蔽板
１５，１５Ａ１，１５Ａ２…枠板
２０…絶縁性フィルム
２０Ａ…第１面
２０Ｂ…第２面
２１…巻出しローラ
２１ａ〜２１ｅ…巻出しガイドローラ
２２…巻取りローラ
２２ａ〜２２ｅ…巻取り用ガイドローラ
５０…薄膜
５０Ａ…第１薄膜
５０Ｂ…第２薄膜
１００…導電層積層フィルム
【図１】
2019035103.tif 000003
【図２】
2019035103.tif 000004
【図３】
2019035103.tif 000005
【図４Ａ】
2019035103.tif 000006
【図４Ｂ】
2019035103.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月14日(2018.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法であって、
ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱工程と、
前記加熱された絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜工程と、
を含み、
前記成膜工程は、
第１ターゲットと前記絶縁性フィルムの第１面との間に配置された第１遮蔽板の開口部により規定された第１領域において、前記絶縁性フィルムの前記第１面に導電性の第１薄膜を形成する第１成膜処理と、
前記第１ターゲットよりも前記絶縁性フィルムの搬送方向の下流側に設けられた第２ターゲットと、前記絶縁性フィルムの第２面との間に配置された第２遮蔽板の開口部により規定された第２領域において、前記絶縁性フィルムの前記第２面に導電性の第２薄膜を形成する第２成膜処理とを同時に実行する工程であり、
前記加熱工程に設けられた加熱装置は、
前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の開口部よりも前記搬送方向の上流側に位置し、かつ当該加熱装置の少なくとも一部が前記第１遮蔽板と重複するように配置されていることを特徴とする導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程において、
前記第１遮蔽板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、当該第１遮蔽板の開口部よりも下流側の少なくとも一部と前記第２遮蔽板とが重複するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程において、
前記第２遮蔽板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、当該第２遮蔽板の開口部よりも上流側の少なくとも一部と前記第１領域とが重複するように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記成膜工程において、
前記第１ターゲットと前記第２ターゲットとは、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、少なくとも一部が重なるように配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記成膜工程において、
前記第１ターゲットと前記第１遮蔽板との間に枠板が設けられ、
前記枠板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の一部と重なるように配置されている請求項１〜４の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記成膜工程において、
前記第１遮蔽板の開口部により規定された前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅は、前記第２遮蔽板の開口部により規定された前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きい請求項１〜５の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁性フィルムは液晶ポリマーであり、かつ、前記薄膜は銅のみからなる請求項１〜６の何れか一項に記載の導電層積層フィルムの製造方法。
【請求項８】
両面に導電層を備える導電層積層フィルムの成膜システムであって、
ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱装置と、
前記加熱された絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜装置と、
を備え、
前記成膜装置は、第１ターゲットと前記絶縁性フィルムの第１面との間に配置された第１遮蔽板の開口部により規定された第１領域において、前記絶縁性フィルムの前記第１面に導電性の第１薄膜を形成する第１スパッタ装置と、前記第１ターゲットよりも前記絶縁性フィルムの搬送方向の下流側に設けられた第２ターゲットと前記絶縁性フィルムの第２面との間に配置された第２遮蔽板の開口部により規定された第２領域において、前記絶縁性フィルムの前記第２面に導電性の第２薄膜を形成する第２スパッタ装置とを有し、
前記第１スパッタ装置と前記第２スパッタ装置とは同時に成膜処理を実行し、
前記加熱装置は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の開口部よりも前記搬送方向の上流側に位置し、かつ当該加熱装置の少なくとも一部が前記第１遮蔽板と重複するように配置されていることを特徴とする導電層積層フィルムの成膜システム。
【請求項９】
前記第１遮蔽板の開口部により規定された前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅は、前記第２遮蔽板の開口部により規定された前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きい請求項８に記載の導電層積層フィルムの成膜システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
[１]本発明は、両面に導電層を備える導電層積層フィルムの製造方法であって、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱工程と、前記加熱された絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜工程と、を含み、前記成膜工程は、第１ターゲットと前記絶縁性フィルムの第１面との間に配置された第１遮蔽板の開口部により規定された第１領域において、前記絶縁性フィルムの前記第１面に導電性の第１薄膜を形成する第１成膜処理と、前記第１ターゲットよりも前記絶縁性フィルムの搬送方向の下流側に設けられた第２ターゲットと、前記絶縁性フィルムの第２面との間に配置された第２遮蔽板の開口部により規定された第２領域において、前記絶縁性フィルムの前記第２面に導電性の第２薄膜を形成する第２成膜処理とを同時に実行する工程であり、前記加熱工程に設けられた加熱装置は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の開口部よりも前記搬送方向の上流側に位置し、かつ当該加熱装置の少なくとも一部が前記第１遮蔽板と重複するように配置されていることを特徴とする導電層積層フィルムの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
[２]上記発明の前記成膜工程において、前記第１遮蔽板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、当該第１遮蔽板の開口部よりも下流側の少なくとも一部と前記第２遮蔽板とが重複するように配置されてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
[３]上記発明の前記成膜工程において、前記第２遮蔽板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、当該第２遮蔽板の開口部よりも上流側の少なくとも一部と前記第１領域とが重複するように配置されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
[４]上記発明の前記成膜工程において、前記第１ターゲットと前記第２ターゲットは、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、少なくとも一部が重なるように配置することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
[５]上記発明の前記成膜工程において、前記第１ターゲットと前記第１遮蔽板との間に枠板を設け、前記枠板は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の一部と重なるように配置することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
[６]上記発明において、前記第１遮蔽板の開口部により規定された前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅を、前記第２遮蔽板の開口部により規定された前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きくすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
[７]上記発明において、前記絶縁性フィルムは液晶ポリマーであり、かつ、前記薄膜は銅のみからなるようにすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
[８]本発明は、両面に導電層を備える導電層積層フィルムの成膜システムであって、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルムを加熱する加熱装置と、前記加熱された絶縁性フィルムの両面に同時に薄膜を形成する成膜装置と、を備え、
前記成膜装置は、第１ターゲットと前記絶縁性フィルムの第１面との間に配置された第１遮蔽板の開口部により規定された第１領域において、前記絶縁性フィルムの前記第１面に導電性の第１薄膜を形成する第１スパッタ装置と、前記第１ターゲットよりも前記絶縁性フィルムの搬送方向の下流側に設けられた第２ターゲットと前記絶縁性フィルムの第２面との間に配置された第２遮蔽板の開口部により規定された第２領域において、前記絶縁性フィルムの前記第２面に導電性の第２薄膜を形成する第２スパッタ装置とを有し、前記第１スパッタ装置と前記第２スパッタ装置とは同時に成膜処理を実行し、前記加熱装置は、前記絶縁性フィルムの主面に対して垂直の方向に見た場合に、前記第１遮蔽板の開口部よりも前記搬送方向の上流側に位置し、かつ当該加熱装置の少なくとも一部が前記第１遮蔽板と重複するように配置されることにより、上記課題を解決する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
[９]上記発明において、前記第１遮蔽板の開口部により規定された前記第１領域の前記搬送方向に沿う第１幅を、前記第２遮蔽板の開口部により規定された前記第２領域の前記搬送方向に沿う第２幅よりも大きくすることができる。