(57)【要約】【課題】レーザ特性を向上させることができる。【解決手段】励起光が入射し放出光を反射する第１反射層と、前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射層と、前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記積層方向に積層され、前記励起光により前記放出光を放出する発光層と、前記積層方向において前記発光層を挟む第１半導体層と、を各々有する複数の活性層と、前記複数の活性層の隣接する活性層の第１半導体層の間に設けられ、前記第１半導体層の第１バンドギャップエネルギーより大きい第２バンドギャップエネルギーを有する第２半導体層と、を備え、前記複数の活性層における活性層の前記積層方向の幅は、前記第１反射層側に行くにしたがい小さくなることを特徴とする半導体レーザ。【選択図】図５
2019179864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光が入射し放出光を反射する第１反射層と、
前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射層と、
前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記積層方向に積層され、前記励起光により前記放出光を放出する発光層と、前記積層方向において前記発光層を挟む第１半導体層と、を各々有する複数の活性層と、
前記複数の活性層の隣接する活性層の第１半導体層の間に設けられ、前記第１半導体層の第１バンドギャップエネルギーより大きい第２バンドギャップエネルギーを有する第２半導体層と、
を備え、
前記複数の活性層における活性層の前記積層方向の幅は、前記第１反射層側に行くにしたがい小さくなることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記励起光のエネルギーは前記第１バンドギャップエネルギーより大きく前記第２バンドギャップエネルギーより小さい請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記第１反射層と前記第２反射層との間に生成される定在波の複数の腹は、それぞれ前記複数の活性層内に位置する請求項１または２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記発光層は、量子井戸層または量子ドット層である請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記複数の活性層は各々複数の発光層を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記第１反射層および前記第２反射層のいずれか一方は、前記第１反射層および前記第２反射層の他方に対し前記積層方向に変化することにより前記放出光の波長が変化する請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザを含む検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザおよび検査装置に関し、例えば光励起型面発光レーザおよび検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザは、基板上に設けられた活性層と活性層を挟む一対の反射層とを有している（例えば特許文献１）。複数の活性層を有し活性層が一対の反射層間に生成される定在波の腹となるように活性層を配置することが知られている（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２２１３９８号公報
【特許文献２】特開平８−３４０１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
面発光レーザにおける複数の活性層において励起光により励起されるキャリア数に不均一が生じると、レーザ特性が劣化してしまう。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、レーザ特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、励起光が入射し放出光を反射する第１反射層と、前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射層と、前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記積層方向に積層され、前記励起光により前記放出光を放出する発光層と、前記積層方向において前記発光層を挟む第１半導体層と、を各々有する複数の活性層と、前記複数の活性層の隣接する活性層の第１半導体層の間に設けられ、前記第１半導体層の第１バンドギャップエネルギーより大きい第２バンドギャップエネルギーを有する第２半導体層と、を備え、前記複数の活性層における活性層の前記積層方向の幅は、前記第１反射層側に行くにしたがい小さくなることを特徴とする半導体レーザである。
【０００７】
上記構成において、前記励起光のエネルギーは前記第１バンドギャップエネルギーより大きく前記第２バンドギャップエネルギーより小さい構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１反射層と前記第２反射層との間に生成される定在波の複数の腹は、それぞれ前記複数の活性層内に位置する構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記発光層は、量子井戸層または量子ドット層である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記複数の活性層は各々複数の発光層を有する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１反射層および前記第２反射層のいずれか一方は、前記第１反射層および前記第２反射層の他方に対し前記積層方向に変化することにより前記放出光の波長が変化する構成とすることができる。
【００１２】
本発明は、上記半導体レーザを含む検査装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザ特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例１における半導体レーザの断面図である。
【図２】図２は、実施例１における共振層の断面図である。
【図３】図3は、比較例１における共振層の断面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、比較例１における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。
【図６】図６は、比較例１および実施例１における長さＬ１からＬ３内で励起されるキャリア数を示す図である。
【図７】図７は、比較例１および実施例１における励起光強度に対する半導体レーザの発光強度を示す模式図である。
【図８】図８は、実施例２における半導体レーザの断面図である。
【図９】図９（ａ）および図９（ｂ）は、比較例２における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。
【図１１】図１１は、比較例２および実施例２における長さＬ１からＬ３内で励起されるキャリア数を示す図である。
【図１２】図１２は、実施例３に係る検査装置のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、実施例１における半導体レーザの断面図である。半導体レーザは、光励起型面発光レーザである。図１に示すように、基板１０上に反射層１２、共振層１４および反射層１６が順に設けられている。基板１０は例えばＧａＡｓ層等の半導体層である。反射層１２は、低屈折率層１２ａと低屈折率層１２ａより屈折率の高い高屈折率層１２ｂとが交互に積層されている。反射層１６は、低屈折率層１６ａと低屈折率層１６ａより屈折率の高い高屈折率層１６ｂとが交互に積層されている。
【００１７】
励起光５２が共振層１４に照射されると、共振層１４は光を放出する。反射層１２および１６は共振層１４が放出した光を反射する。反射層１２の上面と１６の下面との間の光学長を光の波長λの０．５×自然数倍とする。これにより、共振層１４内に定在波が生成され共振層１４内において光が共振する。反射層１６の反射率を１よりやや小さくすることで、反射層１６の上面からレーザ光５０が出射される。
【００１８】
低屈折率層１２ａおよび１６ａは例えば膜厚が８７ｎｍのＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層であり、高屈折率層１２ｂおよび１６ｂは例えば膜厚が７５ｎｍのＧａＡｓ層である。反射層１２では低屈折率層１２ａと高屈折率層１２ｂとは例えば３５対である。反射層１６では低屈折率層１６ａと高屈折率層１６ｂとは例えば２２対である。低屈折率層１２ａおよび１６ａ並びに高屈折率層１２ｂおよび１６ｂをＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１、ｘ＝０のときはＧａＡｓ、ｘ＝１のときはＡｌＡｓ）とする。このとき、低屈折率層１２ａおよび１６ａのｘを高屈折率層１２ｂおよび１６ｂのｘより大きくする。低屈折率層１６ａのｘが大きいと低屈折率層１６ａが酸化されやすい。そこで、低屈折率層１６ａが空気に露出しないように、反射層１６の最上層は高屈折率層１６ｂとする。反射層１６は誘電体ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）でもよい。誘電体ＤＢＲでは、例えば低屈折率層として酸化シリコン膜、高屈折率層として窒化シリコン膜または酸化チタン膜を用いることができる。
【００１９】
図２は、実施例１における共振層の断面図である。図２に示すように、共振層１４は複数の活性層２０を有している。例えば共振層１４の厚さが２λのとき活性層２０は３層である。活性層２０は各々発光層２２および半導体層２４を有している。活性層２０は半導体層２６に挟まれている。３層の発光層２２が半導体層２４内に設けられている。３層の発光層２２は発光層群２１ａから２１ｃを形成する。各々の発光層群２１ａから２１ｃでは、発光層２２が量子井戸層として機能し、半導体層２４が量子井戸のバリア層として機能する。発光層２２は量子ドット層でもよい。共振層１４の上面を０とし、下方向をｚ方向とする。半導体層２６のバンドギャップエネルギーは半導体層２４のバンドギャップエネルギーより大きい。なお、半導体層２６のバンドギャップエネルギーは励起光エネルギー以下でもよく、各半導体層２６のバンドギャップエネルギーは互いに異なっていてもよい。発光層２２のバンドギャップエネルギーは半導体層２４のバンドギャップエネルギーより小さい。半導体層２４および発光層２２内において励起光によりキャリア（電子とホール）が励起される。発光層２２においてキャリアが再結合することにより、発光層２２から光が放出する。放出された光が反射層１２と１６との間で共振することで、発光層２２から誘導放出が生じる。
【００２０】
半導体層２４は例えばＧａＡｓ層であり、半導体層２６は例えばＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層である。発光層２２は例えばＩｎ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ層である。半導体層２４および２６をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１）とする。このとき、半導体層２６のｘを半導体層２４のｘより大きくする。これにより、半導体層２６のバンドギャップエネルギーを半導体層２４のバンドギャップエネルギーより大きくできる。また、発光層２２をＩｎＧａＡｓまたはＩｎＡｓとすることで、発光層２２を量子井戸層とすることができる。
【００２１】
実施例１の効果を説明するために比較例１について説明する。図３は、比較例１における共振層の断面図である。図３に示すように、比較例１では、半導体層２６が設けられておらず、半導体層２４内に発光層２２が設けられている。その他の共振層１４の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００２２】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、比較例１における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。励起光強度Ｉ（ｚ）は、励起光５２の共振層１４内での光強度分布を示す。定在波光強度は、反射層１２と１６との間に生成される共振層１４内の定在波の光強度を示す。伝導帯底エネルギーＥｃは共振層１４内の伝導帯の底のエネルギーを示す。励起光強度Ｉ（ｚ）はｚ＝０のとき１とする。定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃは任意単位（ａ．ｕ．）で示す。
【００２３】
レーザ光の波長λを１０５０ｎｍとし、反射層１２と１６との間に２λの定在波が生成されるようにする。ＧａＡｓの屈折率が３．５とすると、共振層１４の厚さは６００ｎｍである。図４（ｂ）のように、共振層１４の上端（ｚ＝０ｎｍ）および下端（ｚ＝６００ｎｍ）は定在波の腹となる。共振層１４内には、λ／２（１５０ｎｍ）間隔で３つの腹が形成される。
【００２４】
図４（ｂ）のように定在波の腹付近に発光層群２１ａから２１ｃを設ける。発光層群２１ａから２１ｃにおいて、発光層２２は膜厚が７ｎｍのＩｎ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ層であり、発光層２２間のバリア層は膜厚が１５ｎｍのＧａＡｓ層である。定在波の腹付近に発光層群２１ａから２１ｃを設けることで、発光層群２１ａから２１ｃにおいて効率的に光学利得を得ることができる。
【００２５】
光励起型面発光レーザでは、励起光によりキャリアを励起する。キャリアを励起するため励起光のエネルギーは半導体層２４のバンドギャップエネルギーより大きくする。よって、励起光の波長をＧａＡｓのバンドギャップエネルギーに相当する波長より短い８０８ｎｍとする。図４（ａ）のように、励起光は半導体層２４内では減衰する。このため、共振層１４内の励起光強度分布は位置ｚが大きくなると小さくなる。このため、位置ｚが大きい発光層群２１ｃでは発光に寄与するキャリアが発光層群２１ａより少なくなる。このように発光層群２１ａから２１ｃによりキャリアがアンバランスになる。
【００２６】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。図５（ｂ）のように、半導体層２６ａから２６ｃのバンドギャップエネルギーは半導体層２４のバンドギャップエネルギーより大きい。半導体層２６ａから２６ｃはＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層である。励起光のエネルギーは半導体層２６ａから２６ｃのバンドギャップエネルギーより低い。よって、励起光は半導体層２６ａから２６ｃを透過する。半導体層２６ａから２６ｃの厚さはそれぞれ３９ｎｍ、５ｎｍおよび５ｎｍである。励起光強度Ｉ（ｚ）は図５（ａ）のようになる。
【００２７】
比較例１および実施例１において、各発光層群２１ａから２１ｃの発光に寄与するキャリア数を算出した。比較例１では、発光層群２１ａの発光に寄与するキャリアはｚ＝０から発光層群２１ａと２１ｂの中間のｚ＝２２５ｎｍまでの長さＬ１＝２２５ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。発光層群２１ｂの発光に寄与するキャリアはｚ＝２２５ｎｍから発光層群２１ｂと２１ｃの中間のｚ＝３７５ｎｍまでの長さＬ２＝１５０ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。発光層群２１ｃの発光に寄与するキャリアはｚ＝３７５ｎｍからｚ＝６００ｎｍまでの長さＬ３＝２２５ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。すなわち、比較例１の上記例では、長さＬ１からＬ３の関係はＬ２＜Ｌ１＝Ｌ３となっている。
【００２８】
実施例１では、半導体層２６ａから２６ｃが励起キャリアに対するバリア層となる。このため、発光層群２１ａから２１ｃの各々の発光に寄与するキャリアは、半導体層２６ａから２６ｃで挟まれた半導体層２４内で励起されたキャリアである。そこで、発光層群２１ａの発光に寄与するキャリアは半導体層２６ａと２６ｂの間の長さＬ１＝１５８ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。発光層群２１ｂの発光に寄与するキャリアは半導体層２６ｂと２６ｃの間の長さＬ２＝１７７ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。発光層群２１ｃの発光に寄与するキャリアは半導体層２６ｃとｚ＝６００ｎｍの間の長さＬ３＝２２２ｎｍにおいて励起されるキャリアとした。すなわち、実施例１の上記例では、長さＬ１からＬ３の関係はＬ１＜Ｌ２＜Ｌ３となっている。なお、図２では、発光層群２１ｃを含む活性層２０の下にキャリアのバリアとなる半導体層は図示されていないが、図１の反射層１２がキャリアのバリアとなる。
【００２９】
長さＬｎ（ｎは自然数）内で励起されるキャリア数Ｎｎは数１で表される。ｚｎはｎ番目の半導体層２６のｚが大きい方の端のｚの位置である。
【数１】
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【００３０】
図６は、比較例１および実施例１における長さＬ１からＬ３内で励起されるキャリア数を示す図である。キャリア数はシミュレーションにより算出した。図６に示すように、比較例１では、Ｌ１からＬ３でキャリア数が不均一である。実施例１ではＬ１からＬ３でキャリア数が均一である。これは、励起光強度Ｉ（ｚ）の大きい領域におけるＬ１を励起光強度Ｉ（ｚ）の小さい領域におけるＬ３より短くしたためである。
【００３１】
図７は、比較例１および実施例１における励起光強度に対する半導体レーザの発光強度を示す模式図である。比較例１のように発光層群２１ａから２１ｃの発光に寄与するキャリア数に不均一があると、励起光強度に対する発光強度の特性（ＬＬ特性）は非線形である。また、励起光強度が大きくなっても発光強度は飽和してしまいあまり大きくならない。
【００３２】
比較例１において、ＬＬ特性が飽和する理由について説明する。比較例１では、励起光強度が大きくなると、キャリア数の多い発光層群２１ａのみが発振に寄与する。一方、発光層群２１ｂおよび２１ｃにおいては、キャリア密度が発振を生じる閾値キャリア密度に到達しない。これにより、発光層群２１ｂおよび２１ｃでは、キャリアはレーザ発振に寄与しないで自然放出光や熱として消費される。また、発光層群２１ａのキャリア密度が閾値キャリア密度に達したときに、発光層群２１ｂおよび２１ｃにおいては、発振光に対し透明となるキャリア密度に到達していない。これにより、発光層群２１ｂおよび２１ｃは、発振光の吸収層として働く。よって、半導体レーザの光出力が大幅に制限される。この結果、発光層群２１ａから２１ｃがすべて発振に寄与するためには大幅に励起強度を上げることとなる。このため、比較例１では、ＬＬ特性は飽和してしまい、所望のＬＬ特性が得られない。
【００３３】
一方、実施例１では、発光層群２１ａから２１ｃの発光に寄与するキャリア数がほぼ均一がある。これにより、ＬＬ特性は線形となる。これは、励起光強度が大きくなっても各発光層群２１ａから２１ｃで発光が飽和しないためである。すなわち、実施例１では、比較例１と同じ強度の励起光が発光層群２１ａから２１ｃに照射されると、比較例１より生成されるキャリア数は小さい。このため、発光層群２１ａから２１ｃにおいて発振光が発振する閾値となる励起光強度は比較例１より小さい。しかし、励起光強度が閾値以上では励起光から発振光への変換効率が比較例1と比べて大きく向上する。このため、発光層群２１ａから２１ｃにおける発熱量が低下することでＬＬ特性は飽和しにくくなる。この結果、最高光出力を向上させることができる。さらに各発光層群２１ａから２１ｃのキャリア密度が揃っている。これにより、Ｌｌ特性の線形性がよくなりキンクが消滅する。このように実施例１では、ＬＬ特性を向上できる。
【実施例２】
【００３４】
図８は、実施例２における半導体レーザの断面図である。図８に示すように、共振層１４と反射層１６との間にエアギャップ１８が設けられている。反射層１６は支持層１７により共振層１４に支持されている。反射層１６を駆動し、エアギャップ１８の厚さを変化させることにより、レーザ光５０の波長が可変となる。例えばレーザ光５０の波長を１０５０ｎｍ±５０ｎｍとすることができる。低屈折率層１６ａが酸化されやすい場合、低屈折率層１６ａが空気に露出しないように、反射層１６の最上層および最下層は高屈折率層１６ｂとする。反射層１６が駆動できればエアギャップ１８の代わりに気体、液体、真空または固体からなる層が設けられていてもよい。
【００３５】
図９（ａ）および図９（ｂ）は、比較例２における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、共振層１４の厚さを２．２５λとする。エアギャップ１８の厚さを１．２５λとする。エアギャップ１８と共振層１４との界面を定在波の節とすると、発光層群２１ａより上の共振層１４が１／４λ厚くなる。これにより、長さＬ１は３００ｎｍとなる。その他の構成は比較例１の図４（ａ）から図４（ｂ）と同じである。
【００３６】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例２における位置ｚに対する励起光強度Ｉ（ｚ）、定在波光強度および伝導帯底エネルギーＥｃを示す図である。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、半導体層２６ａが１／４λ厚くなる。半導体層２６ａの厚さは１１４ｎｍである。その他の構成は比較例１の図５（ａ）から図５（ｂ）と同じである。比較例１および実施例１と同様に、長さＬ１からＬ３内で励起されるキャリア数を算出した。
【００３７】
図１１は、比較例２および実施例２における長さＬ１からＬ３内で励起されるキャリア数を示す図である。図１１に示すように、実施例２では比較例２に比べＬ１からＬ３でキャリア数が均一である。実施例２のように、半導体レーザは波長が可変でもよい。
【００３８】
実施例１および２によれば、図１、図２および図８のように、反射層１６（第１反射層）は、励起光５２が入射し発光層２２が放出する放出光を反射する。反射層１２（第２反射層）は、反射層１６の積層方向に設けられ放出光を反射する。複数の活性層２０は、積層方向において反射層１２および１６に挟まれ、発光層２２と、積層方向において発光層２２を挟む半導体層２４（第１半導体層）と、を各々有する。半導体層２６（第２半導体層）は、複数の活性層２０のうち隣接する活性層２０の間に設けられている。半導体層２６は、半導体層２４の第１バンドギャップエネルギーより大きい第２バンドギャップエネルギーを有する。図５（ｂ）および図１０（ｂ）のように、複数の活性層２０における活性層２０の積層方向の幅（長さＬ１からＬ３）は、反射層１６側に行くにしたがい小さくなる。
【００３９】
これにより、図６および図１１のように、半導体層２４内で励起されるキャリア数を活性層２０間でほぼ均一にできる。よって、ＬＬ特性等のレーザ特性を向上できる。
【００４０】
励起光５２のエネルギーは半導体層２４の第１バンドギャップエネルギーより大きく半導体層２６の第２バンドギャップエネルギーより小さい。これにより、励起光５２は半導体層２６内でほとんど減衰しない。よって、光出力を向上できる。
【００４１】
発光層２２は、量子井戸層または量子ドット層である。これにより、発光層２２は効率的に光を放出できる。量子ドット層は、半導体層２４内に半導体層２４よりバンドギャップエネルギーが小さいＩｎＡｓまたはＩｎＧａＡｓ等の複数の半導体ドットが設けられた層である。
【００４２】
各活性層２０内の発光層２２は１層でもよい。複数の活性層２０は各々複数の発光層２２を有してもよい。これにより、発光層群２１ａから２１ｃが効率的に発光できる。発光層群の数および発光層群内の発光層の数は任意に設定できる。
【００４３】
反射層１２と１６との間に生成される複数の定在波の腹は、それぞれ複数の活性層２０内に位置する。これにより、発光層２２が効率的に光を放出できる。発光層群２１ａから２１ｃの各々中の発光層２２の少なくとも１つが定在波の腹に位置することが好ましい。実施例１および２では、反射層１２の上端と反射層１６の下端との間の距離をそれぞれ２λおよび３．５λとしたが、λ／２の自然数倍の範囲で任意に設定できる。
【００４４】
実施例２のように、反射層１２および１６のいずれか一方は他方に対し積層方向に変化することにより放出光の波長が変化する。これにより、レーザ光５０の波長が可変となる。
【実施例３】
【００４５】
実施例３は、実施例２に係る波長可変レーザ装置を用いる検査装置として、ＯＣＴ（Optical Coherence Tomography）装置の例である。図１２は、実施例３に係る検査装置のブロック図である。図１２に示すように、波長を掃引する（または波長が可変である）光源６０から出射された光はハーフミラー６２により反射光と透過光とに分割される。反射光はミラー６４で反射し参照光となる。参照光はハーフミラー６２を透過する。ハーフミラー６２を透過した透過光は対象物６８に照射され信号光となる。対象物６８は例えば生体の部位であり、例えば眼である。信号光はハーフミラー６２で反射する。検出器６６は、信号光と参照光とが干渉した光強度を検出する。光源６０は、光の波長を変更できる。処理部６５は、検出器６６の信号に基づき光干渉断層を生成する。
【００４６】
波長可変レーザ装置を用いる検査装置の例として、ＯＣＴ装置について説明したがＯＣＴ装置以外の医療用または他の検査装置でもよい。検査装置は実施例１または２の半導体レーザを含めばよい。
【００４７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  基板
１２、１６  反射層
１４  共振層
１８  エアギャップ
２０  活性層
２１ａ−２１ｃ  発光層群
２２  発光層
２４、２６、２６ａ−２６ｃ  半導体層
５０  レーザ光
５２  励起光
【図１】
2019179864.tif 000004
【図２】
2019179864.tif 000005
【図３】
2019179864.tif 000006
【図４】
2019179864.tif 000007
【図５】
2019179864.tif 000008
【図６】
2019179864.tif 000009
【図７】
2019179864.tif 000010
【図８】
2019179864.tif 000011
【図９】
2019179864.tif 000012
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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