(57)【要約】【課題】標印によって利便性を向上できるチップ部品、および、前記チップ部品の製造に適用可能な標印形成方法を提供する。【解決手段】チップ部品の一例としてのチップインダクタ１は、チップ状の封止体２と、封止体２内に設けられたコイル導体２１と、封止体２の外面に形成された標印８２と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ状の封止体と、
前記封止体内に設けられた受動素子と、
前記封止体の外面に形成された標印と、を含む、チップ部品。
【請求項２】
前記受動素子は、前記封止体に接するように前記封止体によって封止されている、請求項１に記載のチップ部品。
【請求項３】
前記受動素子は、導電体からなる、請求項１または２に記載のチップ部品。
【請求項４】
前記標印は、前記封止体の外面に形成された標印用凹凸を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項５】
標印用パターン溝を有し、前記封止体の外面を被覆する標印用材料層をさらに含み、
前記標印は、標印用パターン溝を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項６】
前記封止体は、絶縁体からなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項７】
前記封止体は、絶縁体からなる絶縁体層が複数積層された積層構造を有しており、
前記標印は、前記封止体の外面を形成する絶縁体層に形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項８】
前記封止体は、樹脂からなる樹脂層が複数積層された積層構造を有しており、
前記標印は、前記封止体の外面を形成する樹脂層に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項９】
前記封止体の外面は、実装面を含み、
前記受動素子は、前記封止体の前記実装面の法線方向に沿って螺旋状に引き回されたコイル導体を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１０】
前記封止体の外面は、実装面を含み、
前記受動素子は、前記封止体の前記実装面に沿う横方向に沿って螺旋状に引き回されたコイル導体を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１１】
前記封止体の外面に設けられ、前記受動素子の一方側の第１端部に電気的に接続された第１外部端子と、
前記封止体の外面に設けられ、前記受動素子の他方側の第２端部に電気的に接続された第２外部端子と、をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１２】
感光性樹脂からなるチップ状の封止体と、
前記封止体内に設けられた受動素子と、
前記封止体の外面に形成された標印と、を含む、チップ部品。
【請求項１３】
前記受動素子は、前記封止体に接するように前記封止体によって封止されている、請求項１２に記載のチップ部品。
【請求項１４】
前記受動素子は、導電体からなる、請求項１２または１３に記載のチップ部品。
【請求項１５】
前記標印は、前記封止体の外面に形成された標印用凹凸を含む、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１６】
標印用パターン溝を有し、前記封止体の外面を被覆する標印用材料層をさらに含み、
前記標印は、標印用パターン溝を含む、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１７】
前記封止体は、感光性樹脂層が複数積層された感光性樹脂積層構造を有しており、
前記標印は、前記封止体の外面を形成する感光性樹脂層に形成されている、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載のチップ部品。
【請求項１８】
主面を有する支持部材を用意する工程と、
形成すべき標印の平面パターンを左右反転した反転パターンを前記支持部材の前記主面に形成する工程と、
前記反転パターンを被覆する絶縁体を前記支持部材の前記主面の上に形成する工程と、
前記絶縁体を前記支持部材から取り外し、前記絶縁体に前記反転パターンを転写する転写工程と、を含む、標印形成方法。
【請求項１９】
前記反転パターンを形成する工程は、形成すべき標印の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる標印用パターン溝を有する標印用材料層を前記支持部材の前記主面の上に形成する工程を含み、
前記転写工程は、前記標印用材料層と共に前記絶縁体を前記支持部材から取り外し、前記絶縁体に前記標印用材料層を転写する工程を含む、請求項１８に記載の標印形成方法。
【請求項２０】
前記転写工程の後、前記標印用材料層を除去し、前記絶縁体の外面に形成された前記標印用パターン溝の痕跡を前記標印として形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の標印形成方法。
【請求項２１】
前記転写工程は、前記標印用材料層の前記標印用パターン溝を前記標印として形成する工程を兼ねている、請求項１９に記載の標印形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品および標印形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、チップ部品の一例としてのチップインダクタが開示されている。このチップインダクタは、絶縁性基板を含む。絶縁性基板の表面には、内側端部および外側端部を有する螺旋状の導体パターンが形成されている。導体パターンの外側端部には、第１の端子電極が電気的に接続されている。導体パターンの内側端部には、第２の端子電極が電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１９９３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一実施形態は、標印によって利便性を向上できるチップ部品、および、前記チップ部品の製造に適用可能な標印形成方法を提供することを一つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、チップ状の封止体と、前記封止体内に設けられた受動素子と、前記封止体の外面に形成された標印と、を含む、チップ部品を提供する。このチップ部品によれば、標印によって利便性を向上できる。
本発明の一実施形態は、感光性樹脂からなるチップ状の封止体と、前記封止体内に設けられた受動素子と、前記封止体の外面に形成された標印と、を含む、チップ部品を提供する。このチップ部品によれば、標印によって利便性を向上できる。
【０００６】
本発明の一実施形態は、主面を有する支持部材を用意する工程と、形成すべき標印の平面パターンを左右反転した反転パターンを前記支持部材の前記主面に形成する工程と、前記反転パターンを被覆する絶縁体を前記支持部材の前記主面の上に形成する工程と、前記絶縁体を前記支持部材から取り外し、前記絶縁体に前記反転パターンを転写する転写工程と、を含む、標印形成方法を提供する。
【０００７】
この標印形成方法によれば、反転パターンが標印として絶縁体に転写される。たとえば、この標印形成方法をチップ部品の製造方法に適用することにより、標印によって利便性を向上できるチップ部品を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すチップインダクタの正面図である。
【図３】図３は、図１に示すチップインダクタの上面図である。
【図４】図４は、図１に示すチップインダクタの第１側面図である。
【図５】図５は、図１に示すチップインダクタの第２側面図である。
【図６】図６は、図１に示すチップインダクタの底面図である。
【図７】図７は、図１に示すチップインダクタの内部構造を示す斜視図である。
【図８】図８は、図１に示すチップインダクタの底面図であって、内側エンドおよび外側エンドの平面形状を説明するための図である。
【図９】図９は、図１に示すチップインダクタの第１側面図であって、内側エンドの形状を説明するための図である。
【図１０】図１０は、図１に示すチップインダクタの第２側面図であって、外側エンドの形状を説明するための図である。
【図１１】図１１は、図１に示すチップインダクタの分解斜視図である。
【図１２】図１２は、図７に示す第１螺旋部用樹脂層の平面図である。
【図１３】図１３は、図７に示す接続部用樹脂層の平面図である。
【図１４】図１４は、図７に示す第２螺旋部用樹脂層の平面図である。
【図１５】図１５は、図１に示すチップインダクタのＱ値（Quality Factor）をシミュレーションにより求めたグラフである。
【図１６Ａ】図１６Ａは、図１に示すチップインダクタの製造方法を説明するための図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、図１６Ａの後の工程を示す図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、図１６Ｂの後の工程を示す図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、図１６Ｃの後の工程を示す図である。
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、図１６Ｄの後の工程を示す図である。
【図１６Ｆ】図１６Ｆは、図１６Ｅの後の工程を示す図である。
【図１６Ｇ】図１６Ｇは、図１６Ｆの後の工程を示す図である。
【図１６Ｈ】図１６Ｈは、図１６Ｇの後の工程を示す図である。
【図１６Ｉ】図１６Ｉは、図１６Ｈの後の工程を示す図である。
【図１６Ｊ】図１６Ｊは、図１６Ｉの後の工程を示す図である。
【図１６Ｋ】図１６Ｋは、図１６Ｊの後の工程を示す図である。
【図１６Ｌ】図１６Ｌは、図１６Ｋの後の工程を示す図である。
【図１６Ｍ】図１６Ｍは、図１６Ｌの後の工程を示す図である。
【図１６Ｎ】図１６Ｎは、図１６Ｍの後の工程を示す図である。
【図１６Ｏ】図１６Ｏは、図１６Ｎの後の工程を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図１８】図１８は、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図１９】図１９は、本発明の第４実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図２０】図２０は、本発明の第５実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図２１】図２１は、本発明の第６実施形態に係るチップインダクタの分解斜視図である。
【図２２】図２２は、本発明の第７実施形態に係るチップインダクタの第１螺旋部用樹脂層の平面図である。
【図２３】図２３は、図２２に示すチップインダクタの第２螺旋部用樹脂層の平面図である。
【図２４】図２４は、本発明の第８実施形態に係るチップインダクタの底面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第９実施形態に係るチップインダクタの底面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第１０実施形態に係るチップインダクタの底面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第１１実施形態に係るチップインダクタの斜視図である。
【図２８】図２８は、本発明の第１２実施形態に係るチップインダクタを説明するための平面図である。
【図２９】図２９は、本発明の第１３実施形態に係るチップインダクタを説明するための平面図である。
【図３０】図３０は、本発明の第１４実施形態に係るチップインダクタを、封止樹脂を透過して示す斜視図である。
【図３１】図３１は、図３０に示すチップインダクタの上面図である。
【図３２】図３２は、図３１に示すXXXII-XXXII線に沿う断面図である。
【図３３】図３３は、図３１に示すXXXIII-XXXIII線に沿う断面図である。
【図３４Ａ】図３４Ａは、図３０に示すチップインダクタの製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図３４Ｂ】図３４Ｂは、図３４Ａの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｃ】図３４Ｃは、図３４Ｂの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｄ】図３４Ｄは、図３４Ｃの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｅ】図３４Ｅは、図３４Ｄの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｆ】図３４Ｆは、図３４Ｅの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｇ】図３４Ｇは、図３４Ｆの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｈ】図３４Ｈは、図３４Ｇの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｉ】図３４Ｉは、図３４Ｈの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｊ】図３４Ｊは、図３４Ｉの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｋ】図３４Ｋは、図３４Ｊの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｌ】図３４Ｌは、図３４Ｋの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｍ】図３４Ｍは、図３４Ｌの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｎ】図３４Ｎは、図３４Ｍの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｏ】図３４Ｏは、図３４Ｎの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｐ】図３４Ｐは、図３４Ｏの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｑ】図３４Ｑは、図３４Ｐの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｒ】図３４Ｒは、図３４Ｑの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｓ】図３４Ｓは、図３４Ｒの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｔ】図３４Ｔは、図３４Ｓの後の工程を示す断面図である。
【図３４Ｕ】図３４Ｕは、図３４Ｔの後の工程を示す断面図である。
【図３５】図３５は、図３２に対応する図であって、本発明の第１５実施形態に係るチップインダクタの構造を示す断面図である。
【図３６】図３６は、図３２に対応する図であって、本発明の第１６実施形態に係るチップインダクタの構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップインダクタ１の斜視図である。図２は、図１に示すチップインダクタ１の正面図である。図３は、図１に示すチップインダクタ１の上面図である。図４は、図１に示すチップインダクタ１の第１側面図である。図５は、図１に示すチップインダクタ１の第２側面図である。図６は、図１に示すチップインダクタ１の底面図である。
【００１０】
チップインダクタ１は、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等に代表される一辺が数ｍｍ角（たとえば１ｍｍ角以下）の小型のチップ部品である。
図１〜図６を参照して、チップインダクタ１は、無機物製の基板を備えない微細なチップ部品である。チップインダクタ１は、直方体形状の封止体２（絶縁体）を含む。封止体２は、機能素子（この形態ではインダクタ）を封止するパッケージでもある。
【００１１】
封止体２は、絶縁体からなる。絶縁体は、酸化シリコン、窒化シリコンまたはセラミックを含む無機系の絶縁体を含んでいてもよい。絶縁体は、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の封止樹脂を含む有機系の絶縁体を含んでいてもよい。
以下では、封止体２が、感光性樹脂（フォトレジスト）を含む例について説明する。感光性樹脂は、ネガティブタイプであってもよい。この形態では、ネガティブタイプの感光性樹脂としてのエポキシ樹脂が、封止体２に採用されている。
【００１２】
図１〜図６を参照して、封止体２は、実装面３、実装面３の反対側に位置する非実装面４、ならびに、実装面３および非実装面４を接続する接続面５を含む。実装面３とは、チップインダクタ１が実装基板等の接続対象物に実装される場合に、接続対象物と対向する対向面である。
実装面３および非実装面４は、この形態では、それらの法線方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において長方形状に形成されている。封止体２の接続面５には、実装面３の長辺に接続された第１長手側面５ａおよび第２長手側面５ｂ、ならびに、実装面３の短辺に接続された第１短手側面５ｃおよび第２短手側面５ｄが含まれる。
【００１３】
第１短手側面５ｃおよび第２短手側面５ｄは、この形態では、それらの法線方向から見た側面視（以下、単に「側面視」という。）において、実装面３の法線方向に沿って延びる長方形状に形成されている。第１長手側面５ａおよび第２長手側面５ｂの各面積は、第１短手側面５ｃおよび第２短手側面５ｄの各面積よりも大きい。
封止体２の実装面３は、チップインダクタ１の底面を形成している。封止体２の非実装面４は、チップインダクタ１の上面を形成している。封止体２の第１長手側面５ａは、チップインダクタ１の第１正面を形成している。
【００１４】
封止体２の第２長手側面５ｂは、チップインダクタ１の第２正面（背面）を形成している。封止体２の第１短手側面５ｃは、チップインダクタ１の第１側面を形成している。封止体２の第２短手側面５ｄは、チップインダクタ１の第２側面を形成している。
封止体２の実装面３の長辺に沿う幅Ｗ１は、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下（たとえば０．４ｍｍ程度）であってもよい。封止体２の実装面３の短辺に沿う幅Ｗ２は、０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下（たとえば０．１７５ｍｍ程度）であってもよい。封止体２の第１短手側面５ｃの長辺に沿う幅Ｗ３は、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下（たとえば０．３ｍｍ程度）であってもよい。
【００１５】
チップインダクタ１は、封止体２の外面に形成された標印８２を含む。標印８２は、より具体的には、封止体２の第２長手側面５ｂに形成されている。図１等では、「Ａ」の文字および「Ｂ」の文字を含む文字パターン８３、ならびに、文字パターン８３を取り囲む枠パターン８４を有する標印８２が一例として示されている。
しかし、標印８２は、実際には、ロゴマーク、絵、文字、記号、または、チップインダクタ１に関する任意の情報、もしくは、これらが組み合わされた組み合わせ情報等を表すことができる。
【００１６】
チップインダクタ１に関する任意の情報には、たとえば、型番、サイズ、形状、製造日、インダクタンスの値、定格電圧、定格電流等のチップインダクタ１の仕様に関する種々の情報が含まれる。
標印８２は、封止体２の一部（より具体的には、後述する第１ベース樹脂層５１の一部）によって形成された標印用凹凸を含む。標印８２は、この形態では、標印用凹凸の一形態としての突出部８５を含む。
【００１７】
突出部８５（標印用凹凸）は、その外面によって封止体２の第２長手側面５ｂに入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、突出部８５（標印用凹凸）が標印８２として視認される。
封止体２の外面には、第１外部端子６および第２外部端子７が形成されている。第１外部端子６は、封止体２において実装面３および第１短手側面５ｃを接続する第１角部８の近傍に形成されている。
【００１８】
第２外部端子７は、封止体２において実装面３および第２短手側面５ｄを接続する第２角部９の近傍に形成されている。第１外部端子６および第２外部端子７は、封止体２の実装面３の長手方向に沿って互いに対向している。
第１外部端子６は、この形態では、第１底面端子１０および第１側面端子１１を含む。第１底面端子１０は、封止体２の実装面３において第１角部８側の端部に形成されている。第１側面端子１１は、封止体２の第１短手側面５ｃにおいて第１角部８側の端部に形成されている。
【００１９】
第１底面端子１０および第１側面端子１１は、第１角部８を挟んで互いに間隔を空けて形成されている。第１底面端子１０は、この形態では、平面視四角形状に形成されている。第１側面端子１１は、この形態では、側面視四角形状に形成されている。
第１底面端子１０は、封止体２の外面側からこの順に積層されたニッケル膜、パラジウム膜および金膜を含む積層構造を有していてもよい。第１側面端子１１は、封止体２の外面側からこの順に積層されたニッケル膜、パラジウム膜および金膜を含む積層構造を有していてもよい。
【００２０】
第２外部端子７は、この形態では、第２底面端子１２および第２側面端子１３を含む。第２底面端子１２は、封止体２の実装面３において第２角部９側の端部に形成されている。第２側面端子１３は、封止体２の第２短手側面５ｄにおいて第２角部９側の端部に形成されている。
第２底面端子１２および第２側面端子１３は、第２角部９を挟んで互いに間隔を空けて形成されている。第２底面端子１２は、この形態では、平面視四角形状に形成されている。第２側面端子１３は、この形態では、側面視四角形状に形成されている。
【００２１】
第２底面端子１２は、封止体２の外面側からこの順に積層されたニッケル膜、パラジウム膜および金膜を含む積層構造を有していてもよい。第２側面端子１３は、封止体２の外面側からこの順に積層されたニッケル膜、パラジウム膜および金膜を含む積層構造を有していてもよい。
図７は、図１に示すチップインダクタ１の内部構造を示す斜視図である。
【００２２】
図７を参照して、チップインダクタ１は、封止体２の内部に封止されたコイル導体２１（受動素子）を含む。コイル導体２１は、インダクタを形成している。コイル導体２１のインダクタンス成分Ｌは、たとえば０．１ｎＨ以上１００ｎＨ以下である。
封止体２の内部には、この形態では、コイル導体２１だけが封止されている。つまり、封止体２の内部には、コイル導体２１以外の導電体およびその他の部材は封止されていない。
【００２３】
コイル導体２１は、内側エンド２２、外側エンド２３および螺旋状の螺旋部２４を含む。内側エンド２２は、封止体２から露出し、第１外部端子６に接続されている。外側エンド２３は、封止体２から露出し、第２外部端子７に接続されている。内側エンド２２および外側エンド２３は、封止体２の実装面３の長手方向に沿って互いに対向している。
螺旋部２４は、内側エンド２２および外側エンド２３に接続されている。螺旋部２４は、内側エンド２２および外側エンド２３から封止体２の実装面３の法線方向に沿って螺旋状に引き回されている。
【００２４】
螺旋部２４は、ライン状の導電体が、所定の巻回軸線ＡＸまわりに螺旋状に複数回巻回された構造を有している。巻回軸線ＡＸは、第１長手側面５ａおよび第２長手側面５ｂの法線方向に沿い、螺旋部２４の螺旋中心を通る。螺旋部２４の巻回数は、任意である。
以下では、内側エンド２２および外側エンド２３が対向する方向を「対向方向Ｘ」という。また、以下では、実装面３の法線方向を「法線方向Ｙ」という。また、以下では、螺旋部２４の巻回軸線ＡＸに沿う方向を「巻回軸方向Ｚ」という。
【００２５】
対向方向Ｘは、第１外部端子６および第２外部端子７が対向する方向でもある。法線方向Ｙは、対向方向Ｘに直交する方向でもある。また、巻回軸方向Ｚは、対向方向Ｘに直交し、法線方向Ｙに直交する方向でもある。
さらに、対向方向Ｘは、第１短手側面５ｃおよび第２短手側面５ｄの法線方向でもある。また、法線方向Ｙは、実装面３および非実装面４の法線方向でもある。また、巻回軸方向Ｚは、第１長手側面５ａおよび第２長手側面５ｂの法線方向でもある。
【００２６】
螺旋部２４は、対向方向Ｘおよび法線方向Ｙに延びるＸ−Ｙ平面に対向する螺旋面を有しており、Ｘ−Ｙ平面の法線方向（つまり、巻回軸方向Ｚ）に沿って巻回されている。螺旋部２４の螺旋面は、第１長手側面５ａおよび第２長手側面５ｂに対向している。螺旋部２４の螺旋面とは、螺旋部２４の内周縁に設定された任意の２点および巻回軸線ＡＸの間を結ぶ領域に形成される仮想面でもある。
【００２７】
内側エンド２２は、この形態では、第１底面部分２５および第１側面部分２６を含む。内側エンド２２の第１底面部分２５は、封止体２の実装面３から露出し、第１底面端子１０に接続されている。内側エンド２２の第１側面部分２６は、封止体２の第１短手側面５ｃから露出し、第１側面端子１１に接続されている。
内側エンド２２の第１底面部分２５は、第１底面延部２７および複数の第１底面突出部２８を含む。第１底面延部２７は、封止体２の実装面３よりも封止体２の内側の領域に形成されている。第１底面延部２７は、第１外部端子６側から第２外部端子７側に向けて、封止体２の実装面３に沿って延びている。
【００２８】
複数の第１底面突出部２８は、第１底面延部２７から封止体２の実装面３に向かって突出している。複数の第１底面突出部２８は、封止体２の実装面３から露出する先端部をそれぞれ有している。複数の第１底面突出部２８は、第１外部端子６の第１底面端子１０によって一括して被覆されている。
第１底面突出部２８の先端部は、実装面３と面一に形成されていてもよい。第１底面突出部２８の先端部は、実装面３よりも外側に突出していてもよい。第１底面突出部２８の先端部は、実装面３よりも内側に窪んでいてもよい。
【００２９】
内側エンド２２の第１側面部分２６は、第１側面延部２９および複数の第１側面突出部３０を含む。第１側面延部２９は、封止体２の実装面３よりも封止体２の内側の領域に形成されている。第１側面延部２９は、封止体２の第１短手側面５ｃに沿って延びている。
複数の第１側面突出部３０は、第１側面延部２９から封止体２の第１短手側面５ｃに向かって突出している。複数の第１側面突出部３０は、封止体２の第１短手側面５ｃから露出する先端部をそれぞれ有している。複数の第１側面突出部３０は、第１外部端子６の第１側面端子１１によって一括して被覆されている。
【００３０】
第１側面突出部３０の先端部は、第１短手側面５ｃと面一に形成されていてもよい。第１側面突出部３０の先端部は、第１短手側面５ｃよりも外側に突出していてもよい。第１側面突出部３０の先端部は、第１短手側面５ｃよりも内側に窪んでいてもよい。
外側エンド２３は、この形態では、第２底面部分３１および第２側面部分３２を含む。外側エンド２３の第２底面部分３１は、封止体２の実装面３から露出し、第２底面端子１２に接続されている。外側エンド２３の第２側面部分３２は、封止体２の第２短手側面５ｄから露出し、第２側面端子１３に接続されている。
【００３１】
外側エンド２３の第２底面部分３１は、第２底面延部３３および複数の第２底面突出部３４を含む。第２底面延部３３は、封止体２の実装面３よりも封止体２の内側の領域に形成されている。第２底面延部３３は、第２外部端子７側から第１外部端子６側に向けて、封止体２の実装面３に沿って延びている。
複数の第２底面突出部３４は、第２底面延部３３から封止体２の実装面３に向かって突出している。複数の第２底面突出部３４は、封止体２の実装面３から露出する先端部をそれぞれ有している。複数の第２底面突出部３４は、第２外部端子７の第２底面端子１２によって一括して被覆されている。
【００３２】
第２底面突出部３４の先端部は、実装面３と面一に形成されていてもよい。第２底面突出部３４の先端部は、実装面３よりも外側に突出していてもよい。第２底面突出部３４の先端部は、実装面３よりも内側に窪んでいてもよい。
外側エンド２３の第２側面部分３２は、第２側面延部３５および複数の第２側面突出部３６を含む。第２側面延部３５は、封止体２の実装面３よりも封止体２の内側の領域に形成されている。第２側面延部３５は、封止体２の第２短手側面５ｄに沿って延びている。
【００３３】
複数の第２側面突出部３６は、第２側面延部３５から封止体２の第２短手側面５ｄに向かって突出している。複数の第２側面突出部３６は、封止体２の第２短手側面５ｄから露出する先端部をそれぞれ有している。複数の第２側面突出部３６は、第２外部端子７の第２側面端子１３によって一括して被覆されている。
第２側面突出部３６の先端部は、第２短手側面５ｄと面一に形成されていてもよい。第２側面突出部３６の先端部は、第２短手側面５ｄよりも外側に突出していてもよい。第２側面突出部３６の先端部は、第２短手側面５ｄよりも内側に窪んでいてもよい。
【００３４】
図８は、図１に示すチップインダクタ１の底面図であって、内側エンド２２および外側エンド２３の平面形状を説明するための図である。図９は、図１に示すチップインダクタ１の第１側面図であって、内側エンド２２の形状を説明するための図である。図１０は、図１に示すチップインダクタ１の第２側面図であって、外側エンド２３の形状を説明するための図である。
【００３５】
図８〜図１０では、明瞭化のため、第１外部端子６および第２外部端子７が破線で示されている。
図８を参照して、内側エンド２２の複数の第１底面突出部２８は、対向方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて形成されている。複数の第１底面突出部２８は、平面視において、巻回軸方向Ｚに沿って延びるストライプ状に形成されている。
【００３６】
互いに隣り合う２つの第１底面突出部２８の間の距離を「Ｄ１」とする。最も外側に位置する第１底面突出部２８の周縁および第１外部端子６（第１底面端子１０）の周縁の間の距離を「Ｄ２」とする。「Ｄ１」および「Ｄ２」の間には、「Ｄ１≦２×Ｄ２」の式が成立している。
第１外部端子６の形成時において、第１外部端子６の導電材料は、各第１底面突出部２８を起点に成長する。「Ｄ１≦２×Ｄ２」の式が成立する場合、一方の第１底面突出部２８を起点に成長する第１外部端子６の導電材料と、他方の第１底面突出部２８を起点に成長する第１外部端子６の導電材料とを、それらの間で互いに重ね合わせることができる。これにより、第１外部端子６の形成に必要な導電材料の使用量を削減できる。
【００３７】
図９を参照して、内側エンド２２の複数の第１側面突出部３０は、法線方向Ｙに沿って互いに間隔を空けて形成されている。複数の第１側面突出部３０は、平面視において、巻回軸方向Ｚに沿って延びるストライプ状に形成されている。
互いに隣り合う２つの第１側面突出部３０の間の距離を「Ｄ３」とする。最も外側に位置する第１側面突出部３０の周縁および第１外部端子６（第１側面端子１１）の周縁の間の距離を「Ｄ４」とする。「Ｄ３」および「Ｄ４」の間には、「Ｄ３≦２×Ｄ４」の式が成立している。
【００３８】
第１外部端子６の形成時において、第１外部端子６の導電材料は、一つの第１側面突出部３０を起点に成長する。「Ｄ３≦２×Ｄ４」の式が成立する場合、一方の第１側面突出部３０を起点に成長する第１外部端子６の導電材料と、他方の第１側面突出部３０を起点に成長する第１外部端子６の導電材料とを、それらの間で互いに重ね合わせることができる。これにより、第１外部端子６の形成に必要な導電材料の使用量を削減できる。
【００３９】
図８を再度参照して、外側エンド２３の複数の第２底面突出部３４は、対向方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて形成されている。複数の第２底面突出部３４は、平面視において、巻回軸方向Ｚに沿って延びるストライプ状に形成されている。
互いに隣り合う２つの第２底面突出部３４の間の距離を「Ｄ５」とする。最も外側に位置する第２底面突出部３４の周縁および第２外部端子７（第２底面端子１２）の周縁の間の距離を「Ｄ６」とする。「Ｄ５」および「Ｄ６」の間には、「Ｄ５≦２×Ｄ６」の式が成立している。
【００４０】
第２外部端子７の形成時において、第２外部端子７の導電材料は、一つの第２底面突出部３４を起点に成長する。「Ｄ５≦２×Ｄ６」の式が成立する場合、一方の第２底面突出部３４を起点に成長する第２外部端子７の導電材料と、他方の第２底面突出部３４を起点に成長する第２外部端子７の導電材料とを、それらの間で互いに重ね合わせることができる。これにより、第２外部端子７の形成に必要な導電材料の使用量を削減できる。
【００４１】
図１０を参照して、外側エンド２３の複数の第２側面突出部３６は、法線方向Ｙに沿って互いに間隔を空けて形成されている。複数の第２側面突出部３６は、平面視において、巻回軸方向Ｚに沿って延びるストライプ状に形成されている。
互いに隣り合う２つの第２側面突出部３６の間の距離を「Ｄ７」とする。最も外側に位置する第２側面突出部３６の周縁および第２外部端子７（第２側面端子１３）の周縁の間の距離を「Ｄ８」とする。「Ｄ７」および「Ｄ８」の間には、「Ｄ７≦２×Ｄ８」の式が成立している。
【００４２】
第２外部端子７の形成時において、第２外部端子７の導電材料は、一つの第２側面突出部３６を起点に成長する。「Ｄ７≦２×Ｄ８」の式が成立する場合、一方の第２側面突出部３６を起点に成長する第２外部端子７の導電材料と、他方の第２側面突出部３６を起点に成長する第２外部端子７の導電材料とを、それらの間で互いに重ね合わせることができる。これにより、第２外部端子７の形成に必要な導電材料の使用量を削減できる。
【００４３】
距離Ｄ１、距離Ｄ３、距離Ｄ５および距離Ｄ７は、互いに等しい値を有していてもよいし、互いに異なる値を有していてもよい。
図７を再度参照して、コイル導体２１の螺旋部２４は、第１螺旋部４１、第２螺旋部４２、ならびに、第１螺旋部４１および第２螺旋部４２を接続する接続部４３を含む。
第１螺旋部４１は、巻回軸方向Ｚに関して、封止体２の第２長手側面５ｂ側に形成されている。第１螺旋部４１は、内側エンド２２から法線方向Ｙに沿って螺旋状に引き回されている。第１螺旋部４１は、封止体２の内部に位置する第１サブエンド４４を有している。
【００４４】
第２螺旋部４２は、巻回軸方向Ｚに関して、封止体２の第１長手側面５ａ側に形成されている。第２螺旋部４２は、外側エンド２３から法線方向Ｙに沿って螺旋状に引き回されている。第２螺旋部４２は、巻回軸方向Ｚに第１螺旋部４１と対向している。螺旋部２４の第２螺旋部４２は、封止体２の内部に位置する第２サブエンド４５を有している。
接続部４３は、巻回軸方向Ｚに関して、第１螺旋部４１および第２螺旋部４２の間の領域に形成されている。接続部４３は、封止体２の内部において、第１螺旋部４１の第１サブエンド４４および第２螺旋部４２の第２サブエンド４５を接続している。
【００４５】
第１螺旋部４１の螺旋方向および第２螺旋部４２の螺旋方向は、接続部４３を介して逆向きになっている。接続部４３は、第１螺旋部４１の螺旋方向および第２螺旋部４２の螺旋方向を切り替える螺旋方向切換部として形成されている。
第１螺旋部４１の巻回数および第２螺旋部４２の巻回数は任意であり、インダクタンス成分Ｌの増減に寄与するのであれば、必ずしも１以上である必要はない。第１螺旋部４１の巻回数は、第２螺旋部４２の巻回数と等しくてもよいし、異なっていてもよい。
【００４６】
図１１は、図１に示すチップインダクタ１の分解斜視図である。図１１では、第１外部端子６および第２外部端子７の図示を省略している。
図１１を参照して、封止体２は、エポキシ樹脂からなる複数（この形態では５つ）の樹脂層が巻回軸方向Ｚに沿って積層された積層構造を有している。樹脂層は、より具体的には、感光性樹脂層である。
【００４７】
つまり、封止体２は、複数の感光性樹脂層が積層された感光性樹脂積層体である。コイル導体２１は、これら複数の樹脂層によって封止されている。複数の樹脂層は、この形態では、第１ベース樹脂層５１、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３、第２螺旋部用樹脂層５４および第２ベース樹脂層５５を含む。
第１ベース樹脂層５１は、封止体２の第２長手側面５ｂを形成している。したがって、前述の標印８２は、第１ベース樹脂層５１に形成されている。つまり、標印８２は、第１ベース樹脂層５１の一部によって形成された突出部８５（標印用凹凸）を含む。
【００４８】
第２ベース樹脂層５５は、封止体２の第１長手側面５ａを形成している。第１ベース樹脂層５１、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３、第２螺旋部用樹脂層５４および第２ベース樹脂層５５は、封止体２の実装面３、非実装面４、第１短手側面５ｃおよび第２短手側面５ｄを形成している。
第１螺旋部用樹脂層５２は、第１ベース樹脂層５１の上に積層されている。第１螺旋部用樹脂層５２は、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部を封止している。
【００４９】
接続部用樹脂層５３は、第１螺旋部用樹脂層５２の上に積層されている。接続部用樹脂層５３は、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部を封止している。
第２螺旋部用樹脂層５４は、接続部用樹脂層５３の上に積層されている。第２螺旋部用樹脂層５４は、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部を封止している。第２ベース樹脂層５５は、第２螺旋部用樹脂層５４の上に積層されている。
【００５０】
第１ベース樹脂層５１および第２ベース樹脂層５５は、コイル導体２１を封止しない層である。第１ベース樹脂層５１および第２ベース樹脂層５５は、コイル導体２１を保護するための保護層として形成されている。
第１ベース樹脂層５１の厚さおよび第２ベース樹脂層５５の厚さは、第１螺旋部用樹脂層５２の厚さ、第２螺旋部用樹脂層５４の厚さおよび接続部用樹脂層５３の厚さよりも大きいことが好ましい。
【００５１】
第１ベース樹脂層５１の厚さは、第２ベース樹脂層５５の厚さと等しくてもよい。第１螺旋部用樹脂層５２の厚さは、第２螺旋部用樹脂層５４の厚さと等しくてもよい。第１螺旋部用樹脂層５２の厚さは、接続部用樹脂層５３の厚さよりも小さくてもよい。接続部用樹脂層５３の厚さは、第１ベース樹脂層５１の厚さと等しくてもよい。
第１ベース樹脂層５１の厚さおよび第２ベース樹脂層５５の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば４５μｍ程度）であってもよい。第１螺旋部用樹脂層５２の厚さおよび第２螺旋部用樹脂層５４の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（この形態では２０μｍ程度）であってもよい。接続部用樹脂層５３の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば４５μｍ程度）であってもよい。
【００５２】
第１ベース樹脂層５１、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３、第２螺旋部用樹脂層５４および第２ベース樹脂層５５の各厚さは任意であり、上記の数値および条件に限定されるものではない。
図１２は、図７に示す第１螺旋部用樹脂層５２の平面図である。図１３は、図７に示す接続部用樹脂層５３の平面図である。図１４は、図７に示す第２螺旋部用樹脂層５４の平面図である。図１２〜図１４では、第１外部端子６および第２外部端子７の図示を省略している。
【００５３】
図１１および図１２を参照して、第１螺旋部用樹脂層５２には、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が埋設されている。第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、巻回軸方向Ｚに第１螺旋部用樹脂層５２を貫通して形成されている。
第１螺旋部４１は、内側エンド２２から第１サブエンド４４に向けて内巻きに巻回されている。第１サブエンド４４は、第１螺旋部用樹脂層５２の内方領域において任意の領域に形成されている。第１螺旋部４１は、内側エンド２２から法線方向Ｙに引き出された第１引き出し部６１を有している。
【００５４】
図示はしないが、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、第１螺旋部用樹脂層５２の表面側からこの順に積層されたチタンシード層および銅めっき層を含む積層構造をそれぞれ有していてもよい。
図１１および図１３を参照して、接続部用樹脂層５３には、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が埋設されている。接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、巻回軸方向Ｚに接続部用樹脂層５３を貫通して形成されている。
【００５５】
接続部４３は、巻回軸方向Ｚに第１螺旋部４１の第１サブエンド４４と対向する領域に形成されている。これにより、接続部４３は、第１螺旋部４１の第１サブエンド４４と電気的に接続されている。
図示はしないが、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、接続部用樹脂層５３の表面側からこの順に積層されたチタンシード層および銅めっき層を含む積層構造をそれぞれ有していてもよい。接続部４３のチタンシード層は、第１サブエンド４４のチタンシード層および銅めっき層に接続されていてもよい。
【００５６】
図１１および図１４を参照して、第２螺旋部用樹脂層５４には、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が埋設されている。第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、巻回軸方向Ｚに第２螺旋部用樹脂層５４を貫通して形成されている。
第２螺旋部４２は、外側エンド２３から法線方向Ｙに引き出された第２引き出し部６２を有している。第２螺旋部４２は、外側エンド２３から第２サブエンド４５に向けて内巻きに巻回されている。
【００５７】
第２螺旋部４２は、第２サブエンド４５を起点にすると、第２サブエンド４５から外側エンド２３に向けて外巻きに巻回されている。このようにして、第２螺旋部４２は、第２サブエンド４５および外側エンド２３の間の領域において、巻回軸方向Ｚまわりに連続的な螺旋状に引き回されている。
第２サブエンド４５は、巻回軸方向Ｚに接続部４３と対向する領域に形成されている。つまり、接続部４３は、第１サブエンド４４および第２サブエンド４５の間の領域に介在している。
【００５８】
第２サブエンド４５は、接続部４３を介して第１サブエンド４４と電気的に接続されている。これにより、第２螺旋部４２は、接続部４３を介して第１螺旋部４１と電気的に接続されている。
図示はしないが、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部は、第２螺旋部用樹脂層５４の表面側からこの順に積層されたチタンシード層および銅めっき層を含む積層構造をそれぞれ有していてもよい。第２螺旋部４２のチタンシード層は、接続部４３のチタンシード層および銅めっき層に接続されていてもよい。
【００５９】
この形態では、内側エンド２２の第１底面延部２７および第１側面延部２９が、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４に亘って形成された例を示した。
しかし、内側エンド２２の第１底面延部２７は、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４のうちの少なくも一層に形成されていてもよい。同様に、内側エンド２２の第１側面延部２９は、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４のうちの少なくも一層に形成されていてもよい。
【００６０】
また、この形態では、外側エンド２３の第２底面延部３３および第２側面延部３５が、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４に亘って形成された例を示した。
しかし、内側エンド２２の第２底面延部３３は、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４のうちの少なくも一層に形成されていてもよい。同様に、外側エンド２３の第２側面延部３５は、第１螺旋部用樹脂層５２、接続部用樹脂層５３および第２螺旋部用樹脂層５４のうちの少なくも一層に形成されていてもよい。
【００６１】
図１５は、図１に示すチップインダクタ１のＱ値（Quality Factor）をシミュレーションにより求めたグラフである。図１５において、縦軸は、Ｑ値であり、横軸は、周波数ｆ［Ｈｚ］である。
ここでは、封止体２の幅Ｗ１は０．４ｍｍ程度である。また、封止体２の幅Ｗ２は０．１７５ｍｍ程度である。また、封止体２の幅Ｗ３は０．３ｍｍ程度である。また、コイル導体２１のインダクタンス成分Ｌは、３．０ｎＨ程度である。
【００６２】
図１５には、曲線Ａが示されている。曲線Ａは、コイル導体２１を流れる電流の周波数ｆを０Ｈｚから１０ＧＨｚまで増加させた場合のチップインダクタ１のＱ値を表している。
曲線Ａを参照して、チップインダクタ１のＱ値は、低周波域から高周波域に向けて単調に増加していることがわかる。より具体的には、周波数ｆが１ＧＨｚ以上のときのＱ値は、２５以上である。また、周波数ｆが２ＧＨｚ以上のときのＱ値は、４０以上である。また、周波数ｆが３ＧＨｚ以上のときのＱ値は、６０以上である。
【００６３】
この形態に係るチップインダクタ１は、高周波域でのＱ値の減衰が小さいことから、高周波用インダクタンスとして優れた特性を有していることが分かった。
以上、チップインダクタ１によれば、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、チップインダクタ１の利便性を高めることができる。
【００６４】
また、チップインダクタ１によれば、コイル導体２１が、内側エンド２２および外側エンド２３から法線方向Ｙに沿って螺旋状に引き回された螺旋部２４を含む。コイル導体２１の巻き数や断面積を大きくする場合、封止体２の法線方向Ｙに沿って３次元的にコイル導体２１を大型化できる。
これにより、封止体２の実装面３に沿って２次元的にコイル導体２１が大型化するのを抑制できる。よって、実装基板等の接続対象物の表面に対する封止体２の専有面積が２次元的に増加するのを抑制できる。その結果、実装基板等の接続対象物に対する専有面積の増加を抑制でき、Ｑ値を向上できるチップインダクタ１を提供できる。
【００６５】
また、この形態に係るチップインダクタ１によれば、第１外部端子６は、第１底面端子１０および第１側面端子１１を含み、第２外部端子７は、第２底面端子１２および第２側面端子１３を含む。
実装基板等の接続対象物に実装した場合には、封止体２の実装面３側、第１短手側面５ｃ側および第２短手側面５ｄ側からチップインダクタ１を固定できる。これにより、実装基板等の接続対象物に対するチップインダクタ１の接続強度を向上できる。
【００６６】
図１６Ａ〜図１６Ｏは、図１に示すチップインダクタ１の製造方法を説明するための図である。チップインダクタ１の製造工程では、複数のチップインダクタ１が同時に製造されるが、図１６Ａ〜図１６Ｏでは、説明の便宜上、４つのチップインダクタ１が形成される領域のみが示されている。
まず、図１６Ａを参照して、支持部材６５が準備される。支持部材６５は、一方側の第１面６６および他方側の第２面６７を有している。チップインダクタ１が支持部材６５の上に形成された後、支持部材６５からチップインダクタ１が取り外される。
【００６７】
支持部材６５は、チップインダクタ１から剥離可能な部材であってもよい。支持部材６５は、研削によって除去可能な部材であってもよい。支持部材６５は、チップインダクタ１を残存させながらエッチング法によって除去可能な部材であってもよい。
支持部材６５は、金属基板、絶縁基板または半導体基板を含んでいてもよい。金属基板は、銅基板、アルミニウム基板、ステンレス基板等であってもよい。絶縁基板は、酸化シリコン基板、窒化シリコン基板、セラミック基板等であってもよい。半導体基板は、シリコン基板、ＧａＮ基板、炭化シリコン基板等であってもよい。この工程では、支持部材６５として、シリコン基板が採用されている。
【００６８】
次に、支持部材６５の第１面６６に対して、チップインダクタ１を形成するためのチップ形成領域７３が複数設定される。また、支持部材６５の第１面６６に対して、複数のチップ形成領域７３の間の領域を区画する境界領域７４が設定される。
複数のチップ形成領域７３は、任意の第１方向Ｕ１、および、第１方向Ｕ１に交差（直交）する第２方向Ｕ２に沿って間隔を空けて設定されてもよい。ここでは、平面視において、複数のチップ形成領域７３が支持部材６５の第１面６６に行列状に設定され、境界領域７４が支持部材６５の第１面６６に格子状に設定された例を示している。
【００６９】
次に、図１６Ｂを参照して、支持部材６５の第１面６６の上に、標印用材料層８６が形成される。標印用材料層８６は、支持部材６５を残存させながらエッチング法によって除去可能な材料を含むことが好ましい。標印用材料層８６の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下（たとえば１μｍ程度）であってもよい。
標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料または絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では、酸化シリコンを含む。標印用材料層８６は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。
【００７０】
次に、図１６Ｃを参照して、標印用材料層８６の上に所定パターンを有するレジストマスク８７が形成される。レジストマスク８７は、チップ形成領域７３を被覆するパターン８７ａを含む。
また、レジストマスク８７は、各パターン８７ａにおいて、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる開口８７ｂを有している。次に、レジストマスク８７を介するエッチング法によって、標印用材料層８６の不要な部分が除去される。
【００７１】
次に、図１６Ｄを参照して、レジストマスク８７が除去される。これにより、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる標印用パターン溝８６ａが標印用材料層８６に形成される。標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６によって標印用パターンが形成される。
次に、図１６Ｅを参照して、第１ベース樹脂層５１となる第１樹脂層７２が、標印用材料層８６を被覆するように支持部材６５の第１面６６の上に形成される。第１樹脂層７２の一部は、標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａに入り込み、標印８２となる標印用凹凸（突出部８５）を形成する。
【００７２】
第１樹脂層７２は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。第１樹脂層７２は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６５の第１面６６に貼着することによって形成される。第１樹脂層７２の厚さは、たとえば４５μｍである。
次に、第１樹脂層７２において複数のチップ形成領域７３が設定された領域が選択的に露光される。次に、第１樹脂層７２が、現像液への浸漬を経て、現像される。これにより、チップ形成領域７３を画定する複数の第１ベース樹脂層５１が、支持部材６５の上に形成される。
【００７３】
次に、図１６Ｆを参照して、第１螺旋部用樹脂層５２となる第２樹脂層７５が、複数の第１ベース樹脂層５１を被覆するように支持部材６５の第１面６６の上に形成される。第２樹脂層７５は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
第２樹脂層７５は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６５の第１面６６に貼着することによって形成される。第２樹脂層７５の厚さは、たとえば２０μｍである。
【００７４】
次に、第２樹脂層７５において第１ベース樹脂層５１の上に位置する領域が選択的に露光される。この工程では、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンで第２樹脂層７５が露光される。
次に、第２樹脂層７５が、現像液への浸漬を経て、現像される。これにより、複数の第１ベース樹脂層５１の上に、第１螺旋部用樹脂層５２がそれぞれ形成される。また、これにより、各第１螺旋部用樹脂層５２に、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンの開口７６が形成される。
【００７５】
次に、図１６Ｇを参照して、第１螺旋部用樹脂層５２の表面を被覆するチタンシード層（図示せず）および銅シード層（図示せず）がこの順に形成される。チタンシード層および銅シード層は、スパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。チタンシード層および銅シード層は、一方表面および他方表面が、第１螺旋部用樹脂層５２の表面および開口７６の内壁に沿うように形成される。
【００７６】
次に、たとえば電解めっき法によって、銅シード層の上に銅めっき層が形成される。銅めっき層は、開口７６を埋めて第１螺旋部用樹脂層５２の表面を被覆するように形成される。
次に、第１螺旋部用樹脂層５２の表面の上に形成されたチタンシード層、銅シード層および銅めっき層の不要な部分が除去される。これにより、第１螺旋部４１、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が、第１螺旋部用樹脂層５２の開口７６に埋め込まれる。
【００７７】
次に、図１６Ｈを参照して、接続部用樹脂層５３となるフィルム状の第３樹脂層７７が、複数の第１螺旋部用樹脂層５２を被覆するように支持部材６５の第１面６６の上に形成される。第３樹脂層７７は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
第３樹脂層７７は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６５の第１面６６に貼着することによって形成される。第３樹脂層７７の厚さは、たとえば４０μｍである。
【００７８】
次に、第３樹脂層７７において第１螺旋部用樹脂層５２の上に位置する領域が選択的に露光される。この工程では、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンで第３樹脂層７７が露光される。
次に、第３樹脂層７７が、現像液への浸漬を経て、現像される。これにより、複数の第１螺旋部用樹脂層５２の上に、接続部用樹脂層５３がそれぞれ形成される。また、各接続部用樹脂層５３に、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンの開口７８が形成される。
【００７９】
次に、図１６Ｉを参照して、接続部用樹脂層５３の表面を被覆するチタンシード層（図示せず）および銅シード層（図示せず）がこの順に形成される。チタンシード層および銅シード層は、スパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。チタンシード層および銅シード層は、一方表面および他方表面が、接続部用樹脂層５３の表面および開口７８の内壁に沿うように形成される。
【００８０】
次に、たとえば電解めっき法によって、銅シード層の上に銅めっき層が形成される。銅めっき層は、開口７８を埋めて接続部用樹脂層５３の表面を被覆するように形成される。
次に、接続部用樹脂層５３の表面の上に形成されたチタンシード層、銅シード層および銅めっき層の不要な部分が除去される。これにより、接続部４３、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が、接続部用樹脂層５３の開口７８に埋め込まれる。
【００８１】
次に、図１６Ｊを参照して、第２螺旋部用樹脂層５４となる第４樹脂層７９が、複数の接続部用樹脂層５３を被覆するように支持部材６５の第１面６６の上に形成される。第４樹脂層７９は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
第４樹脂層７９は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６５の第１面６６に貼着することによって形成される。第４樹脂層７９の厚さは、たとえば２０μｍである。
【００８２】
次に、第４樹脂層７９において接続部用樹脂層５３の上に位置する領域が選択的に露光される。この工程では、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンで第４樹脂層７９が露光される。
次に、第４樹脂層７９が、現像液への浸漬を経て、現像される。これにより、複数の接続部用樹脂層５３の上に、第２螺旋部用樹脂層５４がそれぞれ形成される。また、これにより、各第２螺旋部用樹脂層５４に、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部に対応するパターンの開口８０が形成される。
【００８３】
次に、図１６Ｋを参照して、第２螺旋部用樹脂層５４の表面を被覆するチタンシード層（図示せず）および銅シード層（図示せず）がこの順に形成される。チタンシード層および銅シード層は、スパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。チタンシード層および銅シード層は、一方表面および他方表面が、第２螺旋部用樹脂層５４の表面および第２螺旋部用樹脂層５４の開口８０の内壁に沿うように形成される。
【００８４】
次に、たとえば電解めっき法によって、銅シード層の上に銅めっき層が形成される。銅めっき層は、開口８０を埋めて第２螺旋部用樹脂層５４の表面を被覆するように形成される。
次に、第２螺旋部用樹脂層５４の表面の上に形成されたチタンシード層、銅シード層および銅めっき層の不要な部分が除去される。これにより、第２螺旋部用樹脂層５４の開口８０に、第２螺旋部４２、内側エンド２２の一部および外側エンド２３の一部が埋め込まれる。
【００８５】
次に、図１６Ｌを参照して、第２ベース樹脂層５５となる第５樹脂層８１が、複数の第２螺旋部用樹脂層５４を被覆するように支持部材６５の第１面６６の上に形成される。第５樹脂層８１は、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。
第５樹脂層８１は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材６５の第１面６６に貼着することによって形成される。第５樹脂層８１の厚さは、たとえば４０μｍである。
【００８６】
次に、第５樹脂層８１において第２螺旋部用樹脂層５４の上に位置する領域が選択的に露光される。次に、第５樹脂層８１が、現像液への浸漬を経て、現像される。これにより、複数の第２螺旋部用樹脂層５４の上に、第２ベース樹脂層５５がそれぞれ形成される。
このようにして、第１樹脂層７２、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９および第５樹脂層８１が積層された感光性樹脂積層体からなる複数の封止体２が形成される。この封止体２の外面には、コイル導体２１の内側エンド２２および外側エンド２３が露出している。
【００８７】
次に、図１６Ｍを参照して、たとえば電解めっき法によって、各封止体２の内側エンド２２および外側エンド２３を起点にして、ニッケル層、パラジウム層、金層が順に形成される。これにより、第１外部端子６および第２外部端子７が、複数の封止体２の外面にそれぞれ形成される。
次に、図１６Ｎを参照して、複数の封止体２が、標印用材料層８６と共に支持部材６５から取り外される。これにより、支持部材６５に形成された標印用材料層８６が、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に転写される。
【００８８】
封止体２の取り外し工程は、複数の封止体２から支持部材６５を剥離する工程を含んでいてもよい。封止体２の取り外し工程は、支持部材６５を除去する工程を含んでいてもよい。
支持部材６５の除去工程は、支持部材６５を第２面６７側から研削によって除去する工程または支持部材６５をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。封止体２の取り外し工程は、支持部材６５を所定の厚さになるまで第２面６７側から研削したあと、支持部材６５をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。
【００８９】
次に、図１６Ｏを参照して、標印用材料層８６が除去される。標印用材料層８６は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。この工程では、封止体２の外面に標印用材料層８６の痕跡（形成履歴）が残存する。より具体的には、封止体２の外面に標印用パターン溝８６ａの痕跡が残存する。
この標印用パターン溝８６ａの痕跡が標印８２となる。標印用パターン溝８６ａの痕跡は、より具体的には、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に形成された突出部８５（標印用凹凸）を含む。以上を含む工程を経て、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に標印８２を有するチップインダクタ１が形成される。
【００９０】
図１７は、本発明の第２実施形態に係るチップインダクタ９０の構造を説明するための断面図である。以下では、チップインダクタ１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１７を参照して、チップインダクタ９０は、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）を被覆し、標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６をさらに含む。標印８２は、この形態では、非実装面４の突出部８５に加えて標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａを含む。標印用材料層８６の材料としては、任意の材料が適用され得る。
【００９１】
標印用材料層８６は、封止体２（第１ベース樹脂層５１）とは異なる材料によって形成されていてもよい。標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料または絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では酸化シリコンを含む。標印用材料層８６の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下（たとえば１μｍ程度）であってもよい。
突出部８５および標印用パターン溝８６ａは、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、標印用パターン溝８６ａ（標印８２）が視認される。このような構造のチップインダクタ９０は、前述のチップインダクタ１の製造方法において標印用材料層８６の除去工程を省くことによって製造される。
【００９２】
以上、チップインダクタ９０によってもチップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、チップインダクタ９０によれば、封止体２の外面（第２長手側面５ｂ）に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、チップインダクタ９０の利便性を高めることができる。
図１８は、本発明の第３実施形態に係るチップインダクタ９１の斜視図である。チップインダクタ９１において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００９３】
第１外部端子６は、この形態では、第１側面端子１１を含まず、第１底面端子１０だけを有している。同様に、第２外部端子７は、第２側面端子１３を含まず、第２底面端子１２だけを有している。
図示はしないが、内側エンド２２は、第１側面部分２６を含まず、第１底面部分２５だけを有している。同様に、外側エンド２３は、第２側面部分３２を含まず、第２底面部分３１だけを有している。
【００９４】
チップインダクタ９１は、前述のチップインダクタ１の製造工程において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
以上、チップインダクタ９１によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
チップインダクタ９１では、封止体２の第１短手側面５ｃ側および第２短手側面５ｄ側に第１側面端子１１および第２側面端子１３が形成されていない。したがって、実装基板等の接続対象物に実装した場合には、チップインダクタ９１の側方に半田等の接合部材が濡れ拡がるのを抑制できる。
よって、半田等の濡れ拡がる領域の拡大を抑制できる分だけ、チップインダクタ９１に対して他の電子部品を近接配置できる。その結果、実装基板等の接続対象物の高密実装化に寄与できるチップインダクタ９１を提供できる。
【００９６】
図１９は、本発明の第４実施形態に係るチップインダクタ９２の斜視図である。チップインダクタ９２において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
この形態では、第１外部端子６は、第１底面端子１０および第１側面端子１１に加えて、第１角部８を被覆する第１角部端子９３を含む。第１角部端子９３は、第１底面端子１０および第１側面端子１１と一体的に形成されている。
【００９７】
同様に、第２外部端子７は、第２底面端子１２および第２側面端子１３に加えて、第２角部９を被覆する第２角部端子９４を含む。第２角部端子９４は、第２底面端子１２および第２側面端子１３と一体的に形成されている。
チップインダクタ９２は、前述のチップインダクタ１の製造工程において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
【００９８】
以上、この形態に係るチップインダクタ９２によっても、チップインダクタ９１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２０は、本発明の第５実施形態に係るチップインダクタ９５の斜視図である。チップインダクタ９５において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００９９】
チップインダクタ９５では、内側エンド２２が第１外部端子６として形成され、外側エンド２３が第２外部端子７として形成されている。より具体的には、内側エンド２２では、第１底面部分２５および第１側面部分２６が、第１外部端子６として形成されている。同様に、外側エンド２３では、第２底面部分３１および第２側面部分３２が、第２外部端子７として形成されている。
【０１００】
チップインダクタ９５は、前述の図１６Ｊの工程において第１外部端子６および第２外部端子７を形成する工程を省くことにより製造できる。
以上、チップインダクタ９５によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
チップインダクタ９５において、第１側面部分２６を有さず、第１底面部分２５だけを含む内側エンド２２が採用されてもよい。同様に、第２側面部分３２を有さず、第２底面部分３１だけを含む外側エンド２３が採用されてもよい。
【０１０１】
図２１は、本発明の第６実施形態に係るチップインダクタ９６の分解斜視図である。図２１では、第１外部端子６および第２外部端子７の図示を省略している。チップインダクタ９６において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
チップインダクタ９６では、第１螺旋部４１の第１サブエンド４４および第２螺旋部４２の第２サブエンド４５が、巻回軸方向Ｚに互いに対向しない領域に形成されている。接続部４３は、この形態では、第１接続部９７、第２接続部９８、ならびに、第１接続部９７および第２接続部９８の間の領域を延びる延部９９を含む。
【０１０２】
接続部４３の第１接続部９７は、巻回軸方向Ｚに第１螺旋部４１の第１サブエンド４４と対向している。接続部４３の第１接続部９７は、第１螺旋部４１の第１サブエンド４４と電気的に接続されている。
接続部４３の第２接続部９８は、巻回軸方向Ｚに第２螺旋部４２の第２サブエンド４５と対向している。接続部４３の第２接続部９８は、第２螺旋部４２の第２サブエンド４５と電気的に接続されている。
【０１０３】
接続部４３の延部９９は、第１接続部９７から第２接続部９８に向けてライン状に引き回されている。接続部４３の延部９９は、この形態では、第１接続部９７および第２接続部９８の間の領域を螺旋部２４の巻回方向に沿って延びている。これにより、第１螺旋部４１および第２螺旋部４２が連続的に巻回方向に巻回されている。
チップインダクタ９６は、前述のチップインダクタ１の製造工程において第３樹脂層７７の露光パターンを変更することによって製造される。
【０１０４】
以上、チップインダクタ９６によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。チップインダクタ９６のような構造は、前述の第２〜第５実施形態にも適用可能である。
図２２は、本発明の第７実施形態に係るチップインダクタ１００の第１螺旋部用樹脂層５２の平面図である。図２３は、図２２に示すチップインダクタ１００の第２螺旋部用樹脂層５４の平面図である。チップインダクタ１００において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
図２２を参照して、第１螺旋部４１の第１引き出し部６１は、この形態では、第１延部１０１および第２延部１０２を有している。第１引き出し部６１の第１延部１０１は、実装面３に沿って内側エンド２２から外側エンド２３側に向けて延びている。
第１引き出し部６１の第１延部１０１は、内側エンド２２に接続された一端部および外側エンド２３側に位置する他端部を有している。第１引き出し部６１の第２延部１０２は、第１延部１０１の他端部から法線方向Ｙに沿って延びている。
【０１０６】
図２３を参照して、第２螺旋部４２の第２引き出し部６２は、この形態では、第３延部１０３および第４延部１０４を有している。第２引き出し部６２の第３延部１０３は、実装面３に沿って外側エンド２３から内側エンド２２側に向けて延びている。
第２引き出し部６２の第３延部１０３は、外側エンド２３に接続された一端部および内側エンド２２側に位置する他端部を有している。第２引き出し部６２の第４延部１０４は、第３延部１０３の他端部から法線方向Ｙに沿って延びている。
【０１０７】
チップインダクタ１００は、前述のチップインダクタ１の製造工程において第２樹脂層７５および第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
以上、チップインダクタ１００によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。チップインダクタ１００のような構造は、前述の第２〜第６実施形態にも適用可能である。
【０１０８】
図２４は、図２４は、本発明の第８実施形態に係るチップインダクタ１０５の底面図である。チップインダクタ１０５において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２４を参照して、実装面３から露出する複数の第１底面突出部２８は、平面視千鳥状に形成されていてもよい。つまり、接続部用樹脂層５３に形成された複数の第１底面突出部２８は、第１螺旋部用樹脂層５２に形成された複数の第１底面突出部２８に対して対向方向Ｘにずれていてもよい。
【０１０９】
同様に、実装面３から露出する複数の第２底面突出部３４は、平面視千鳥状に形成されていてもよい。つまり、接続部用樹脂層５３に形成された複数の第２底面突出部３４は、第１螺旋部用樹脂層５２に形成された複数の第２底面突出部３４に対して対向方向Ｘにずれていてもよい。
複数の第１底面突出部２８と同様に、複数の第１側面突出部３０も、側面視千鳥状に形成されていてもよい。複数の第２底面突出部３４と同様に、複数の第２側面突出部３６も、側面視千鳥状に形成されていてもよい。
【０１１０】
このような構造の内側エンド２２および外側エンド２３は、前述のチップインダクタ１の製造工程において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
以上、チップインダクタ１０５によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。本実施形態に係る内側エンド２２および外側エンド２３は、第２実施形態〜第７実施形態にも適用可能である。
【０１１１】
図２５は、本発明の第９実施形態に係るチップインダクタ１０６の底面図である。チップインダクタ１０６において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２５を参照して、内側エンド２２の第１底面部分２５は、複数の第１底面突出部２８に代えて１つの幅広の第１底面突出部２８を含んでいてもよい。同様に、外側エンド２３の第２底面部分３１は、複数の第２底面突出部３４に代えて１つの幅広の第２底面突出部３４を含んでいてもよい。
【０１１２】
第１底面部分２５と同様に、内側エンド２２の第１側面部分２６は、複数の第１側面突出部３０に代えて１つの幅広の第１側面突出部３０を含んでいてもよい。また、第２底面部分３１と同様に、外側エンド２３の第２側面部分３２は、複数の第２側面突出部３６に代えて１つの幅広の第２側面突出部３６を含んでいてもよい。
このような構造の内側エンド２２および外側エンド２３は、前述のチップインダクタ１の製造方法において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
【０１１３】
以上、チップインダクタ１０６によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。本実施形態に係る内側エンド２２および外側エンド２３は、第２実施形態〜第８実施形態にも適用可能である。
図２６は、本発明の第１０実施形態に係るチップインダクタ１０７の底面図である。チップインダクタ１０７において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１１４】
図２６を参照して、内側エンド２２において、接続部用樹脂層５３だけに幅広の第１底面突出部２８が形成されていてもよい。同様に、外側エンド２３において、接続部用樹脂層５３だけに幅広の第２底面突出部３４が形成されていてもよい。
むろん、内側エンド２２において、接続部用樹脂層５３に代えてまたはこれに加えて、第１螺旋部用樹脂層５２に幅広の第１底面突出部２８が形成されていてもよい。また、内側エンド２２において、接続部用樹脂層５３に代えてまたはこれに加えて、第２螺旋部用樹脂層５４に幅広の第１底面突出部２８が形成されていてもよい。
【０１１５】
また、内側エンド２２において、接続部用樹脂層５３に複数の第１底面突出部２８が形成されている一方で、第１螺旋部用樹脂層５２および第２螺旋部用樹脂層５４に幅広の第１底面突出部２８が形成されていてもよい。
同様に、外側エンド２３において、接続部用樹脂層５３に代えてまたはこれに加えて、第１螺旋部用樹脂層５２に幅広の第２底面突出部３４が形成されていてもよい。また、外側エンド２３において、接続部用樹脂層５３に代えてまたはこれに加えて、第２螺旋部用樹脂層５４に幅広の第２底面突出部３４が形成されていてもよい。
【０１１６】
また、外側エンド２３において、接続部用樹脂層５３に複数の第２底面突出部３４が形成されている一方で、第１螺旋部用樹脂層５２および第２螺旋部用樹脂層５４に幅広の第２底面突出部３４が形成されていてもよい。
このような構造の内側エンド２２および外側エンド２３は、前述のチップインダクタ１の製造方法において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
【０１１７】
以上、チップインダクタ１０７によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。本実施形態に係る内側エンド２２および外側エンド２３は、第２実施形態〜第９実施形態にも適用可能である。
図２７は、本発明の第１１実施形態に係るチップインダクタ１０８の斜視図である。図２７では、第１外部端子６および第２外部端子７の図示を省略している。チップインダクタ１０８において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１１８】
図２７を参照して、内側エンド２２の第１底面部分２５は、複数の第１底面突出部２８に代えて１つの幅広の第１底面突出部２８を含む。同様に、外側エンド２３の第２底面部分３１は、複数の第２底面突出部３４に代えて１つの幅広の第２底面突出部３４を含む。本変形例のように、内側エンド２２において、第１底面突出部２８および第１側面突出部３０は、一体的に形成されていてもよい。
【０１１９】
内側エンド２２の第１側面部分２６は、複数の第１側面突出部３０に代えて１つの幅広の第１側面突出部３０を含む。同様に、外側エンド２３の第２側面部分３２は、複数の第２側面突出部３６に代えて１つの幅広の第２側面突出部３６を含む。外側エンド２３において第２底面突出部３４および第２側面突出部３６は、一体的に形成されていてもよい。
以上、チップインダクタ１０８によっても、チップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。本実施形態に係る内側エンド２２および外側エンド２３は、第２実施形態〜第１０実施形態にも適用可能である。
【０１２０】
図２８は、本発明の第１２実施形態に係るチップインダクタ１０９を説明するための正面図である。チップインダクタ１０９において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
チップインダクタ１０９は、螺旋部２４が形成されたインダクタ形成領域１１２に加えて、キャパシタ部１１３が形成されたキャパシタ形成領域１１４を含む。キャパシタ形成領域１１４およびインダクタ形成領域１１２は、この形態では、法線方向Ｙに互いに積層配置されている。
【０１２１】
キャパシタ形成領域１１４は、実装面３およびインダクタ形成領域１１２の間の領域に形成されている。キャパシタ形成領域１１４は、非実装面４およびインダクタ形成領域１１２の間の領域に形成されていてもよい。
キャパシタ部１１３は、誘電体１１５を挟んで互いに対向する第１導体１１６および第２導体１１７を含む。誘電体１１５は、封止体２の一部（複数の樹脂層）を利用して形成されていてもよい。誘電体１１５は、封止体２とは異なる絶縁体によって形成されていてもよい。
【０１２２】
第１導体１１６は、第１螺旋部４１の巻回軸方向Ｚに沿って延びる板状に形成されていてもよい。第１導体１１６は、コイル導体２１（螺旋部２４）と同一材料によって形成されていてもよい。第１導体１１６は、コイル導体２１（螺旋部２４）とは異なる導電体によって形成されていてもよい。
第２導体１１７は、第１螺旋部４１の巻回軸方向Ｚに沿って延びる板状に形成されていてもよい。第２導体１１７は、コイル導体２１（螺旋部２４）と同一材料によって形成されていてもよい。第２導体１１７は、コイル導体２１（螺旋部２４）とは異なる導電体によって形成されていてもよい。
【０１２３】
キャパシタ部１１３は、コイル導体２１に対して並列に接続されていてもよい。つまり、第１導体１１６は、第１配線１１８を介して内側エンド２２に電気的に接続されていてもよい。また、第２導体１１７は、第２配線１１９を介して外側エンド２３に電気的に接続されていてもよい。
キャパシタ部１１３は、コイル導体２１に対して直列に接続されていてもよい。つまり、キャパシタ部１１３は、第１外部端子６およびコイル導体２１の間、および／または、第２外部端子７およびコイル導体２１の間に介装されてもよい。
【０１２４】
チップインダクタ１０９は、前述のチップインダクタ１の製造方法において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
以上、本変形例に係るチップインダクタ１０９によってもチップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。キャパシタ部１１３が形成された構造は、第２実施形態〜第１１実施形態にも適用可能である。
【０１２５】
図２９は、本発明の第１２実施形態に係るチップインダクタ１１０を説明するための正面図である。チップインダクタ１１０において、チップインダクタ１の構成に対応する構成については同一の参照符号を付して説明を省略する。
チップインダクタ１１０は、螺旋部２４が形成されたインダクタ形成領域１１２に加えて、抵抗部１２２が形成された抵抗形成領域１２３を含む。本変形例に係るチップインダクタ１２１では、インダクタ形成領域１１２および抵抗形成領域１２３が、法線方向Ｙに互いに積層配置されている。
【０１２６】
抵抗形成領域１２３は、本変形例では、実装面３および抵抗形成領域１２３の間の領域に形成されている。抵抗形成領域１２３は、非実装面４および抵抗形成領域１２３の間の領域に形成されていてもよい。
抵抗部１２２は、コイル導体２１の抵抗率よりも高い抵抗率を有する導電体（たとえばチタンや窒化チタン等）を含む。抵抗部１２２は、コイル導体２１に対して並列に接続されていてもよい。つまり、抵抗部１２２は、内側エンド２２および外側エンド２３に電気的に接続されていてもよい。
【０１２７】
抵抗部１２２は、コイル導体２１に対して直列に接続されていてもよい。つまり、抵抗部１２２は、第１外部端子６およびコイル導体２１の間、および／または、第２外部端子７およびコイル導体２１の間に介装されてもよい。
チップインダクタ１０９は、チップインダクタ１の製造方法において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の各露光パターンを変更し、コイル導体２１の抵抗率よりも高い抵抗率を選択的に埋め込むことにより製造できる。
【０１２８】
以上、チップインダクタ１０９によってもチップインダクタ１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。抵抗部１２２が形成された構造は、第２実施形態〜第１２実施形態にも適用可能である。
図２８および図２９の構造が組み合わされて、キャパシタ部１１３および抵抗部１２２の両方を含む構造が、第２実施形態〜第１３実施形態に適用されてもよい。むろん、法線方向Ｙに沿って引き回されたキャパシタ部１１３だけを含むチップ部品（チップキャパシタ）も製造可能である。
【０１２９】
また、法線方向Ｙに沿って引き回された抵抗部１２２だけを含むチップ部品（チップ抵抗）も製造可能である。また、法線方向Ｙに沿って引き回されたキャパシタ部１１３および抵抗部１２２だけを含むチップ部品も製造可能である。
図３０は、本発明の第１４実施形態に係るチップインダクタ２０１を、封止体２０２（絶縁体）を透過して示す斜視図である。図３１は、図３０に示すチップインダクタ２０１の上面図である。
【０１３０】
チップインダクタ２０１は、０６０３（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）チップ、０４０２（０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）チップ、０３０１５（０．３ｍｍ×０．１５ｍｍ）チップ等に代表される一辺が数ｍｍ（たとえば１ｍｍ以下）の小型のチップ部品である。
図３０および図３１を参照して、チップインダクタ２０１は、無機物製の基板を備えない微細なチップ部品である。チップインダクタ２０１は、封止体２０２、コイル導体２０３（受動素子）、内側端子２０４、外側端子２０５、内側コンタクト電極２０６および外側コンタクト電極２０７を含む。
【０１３１】
封止体２０２は、直方体形状のチップ状に形成されている。封止体２０２は、感光性樹脂を含む。感光性樹脂は、ネガティブタイプであってもよい。封止体２０２は、この形態ではエポキシ樹脂を含む。封止体２０２は、実装面２０８、非実装面２０９、ならびに、実装面２０８および非実装面２０９を接続する４つの側面２１０Ａ，２１０Ｂ，２１０Ｃ，２１０Ｄを有している。
【０１３２】
実装面２０８および非実装面２０９は、それらの法線方向ＺＺから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において長方形状に形成されている。実装面２０８は、チップインダクタ２０１が実装基板等の接続対象物に実装される際に、当該接続対象物に対向する対向面である。非実装面２０９は、接続対象物に対向しない非対向面である。
４つの側面２１０Ａ〜２１０Ｄのうちの側面２１０Ａ，２１０Ｃは、第１方向ＸＸに沿って延び、第１方向ＸＸに交差する第２方向ＹＹに沿って互いに対向している。４つの側面２１０Ａ〜２１０Ｄのうちの側面２１０Ｂ，２１０Ｄは、第２方向ＹＹに沿って延び、第１方向ＸＸに沿って互いに対向している。
【０１３３】
第１方向ＸＸは、この形態では、封止体２０２の長手方向に設定されている。第２方向ＹＹは、この形態では、第１方向ＸＸに直交する方向、つまり、封止体２０２の短手方向に設定されている。
前述した「０６０３」、「０４０２」、「０３０１５」等のチップサイズは、封止体２０２の側面２１０Ａ，２１０Ｃの長さおよび封止体２０２の側面２１０Ｂ，２１０Ｄの長さによって定義される。
【０１３４】
封止体２０２の厚さは、３０μｍ以上２５０μｍ以下であってもよい。封止体２０２の厚さは、３０μｍ以上１２０μｍ以下（たとえば１００μｍ程度）であることが好ましい。封止体２０２の厚さは、チップサイズに依らずに３０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲（３０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲）に収まり得る。
封止体２０２の非実装面２０９には、標印８２が形成されている。図３０および図３１では、「Ａ」の文字および「Ｂ」の文字を含む文字パターン８３、ならびに、文字パターン８３を取り囲む枠パターン８４を有する標印８２が一例として示されている。
【０１３５】
しかし、標印８２は、実際には、ロゴマーク、絵、文字、記号、または、チップインダクタ２０１に関する任意の情報、もしくは、これらが組み合わされた組み合わせ情報等を表すことができる。
チップインダクタ２０１に関する任意の情報には、たとえば、型番、サイズ、形状、製造日、インダクタンスの値、定格電圧、定格電流等のチップインダクタ２０１の仕様に関する種々の情報が含まれる。
【０１３６】
図８を参照して、標印８２は、封止体２０２の非実装面２０９の一部によって形成された標印用凹凸を含む。標印８２は、この形態では、標印用凹凸の一形態としての突出部８５を含む。
突出部８５（標印用凹凸）は、その外面によって封止体２０２の非実装面２０９に入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、突出部８５（標印用凹凸）が標印８２として視認される。
【０１３７】
コイル導体２０３は、無機物製の基板によって支持されていない。コイル導体２０３は、封止体２０２によって直接封止されている。コイル導体２０３の外面は、封止体２０２に接し、かつ、封止体２０２によって被覆されている。コイル導体２０３の外面は、より具体的には、内側コンタクト電極２０６および外側コンタクト電極２０７との接続部を除き、封止体２０２に接している。
【０１３８】
コイル導体２０３は、封止体２０２内において螺旋状に引き回されている。コイル導体２０３は、法線方向ＺＺに沿って延びる巻回軸線ＡＸを有しており、当該巻回軸線ＡＸ回りに巻回されている。
これにより、コイル導体２０３は、実装面２０８（非実装面２０９）に平行な平面上において、螺旋状に引き回されている。コイル導体２０３の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【０１３９】
実装面２０８およびコイル導体２０３の間の距離は、実装面２０８およびコイル導体２０３の間に形成される寄生容量を低減するのに十分な値に設定されることが好ましい。実装面２０８およびコイル導体２０３の間の距離は、非実装面２０９およびコイル導体２０３の間の距離以上であってもよい。
実装面２０８およびコイル導体２０３の間の距離は、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。非実装面２０９およびコイル導体２０３の間の距離は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【０１４０】
コイル導体２０３は、内側エンド２１１、外側エンド２１２、ならびに、内側エンド２１１および外側エンド２１２の間において螺旋状に引き回された螺旋部２１３を含む。
内側エンド２１１は、封止体２０２において第１方向ＸＸに沿う一方側の端部に設けられている。内側エンド２１１は、より具体的には、封止体２０２において側面２１０Ｂ側の端部に設けられている。
【０１４１】
内側エンド２１１は、側面２１０Ｂ側の端部において第２方向ＹＹの中間部に設けられている。内側エンド２１１は、平面視において四角形状に形成されている。内側エンド２１１は、より具体的には、平面視において第２方向ＹＹに沿って延びる長方形状に形成されている。
外側エンド２１２は、封止体２０２において第１方向ＸＸに沿う他方側の端部に設けられている。外側エンド２１２は、より具体的には、封止体２０２において側面２１０Ｄ側の端部に設けられている。外側エンド２１２は、封止体２０２において１つの角部に沿って設けられている。
【０１４２】
外側エンド２１２は、より具体的には、側面２１０Ｃおよび側面２１０Ｄを接続する角部に沿って設けられている。外側エンド２１２は、側面２１０Ｄ側の端部において第２方向ＹＹの中間部に設けられていてもよい。外側エンド２１２は、平面視において四角形状に形成されている。外側エンド２１２は、より具体的には、平面視において第２方向ＹＹに沿って延びる長方形状に形成されている。
【０１４３】
螺旋部２１３は、巻回軸線ＡＸ回りに螺旋状に引き回されている。螺旋部２１３は、内側エンド２１１から外側エンド２１２に向けて外巻きに巻回されている。螺旋部２１３の巻回数は、目的のインダクタンスの値に応じて任意の値に設定される。螺旋部２１３の巻回数は、この形態では「３」である。
螺旋部２１３は、この形態では、長円状に巻回されている。螺旋部２１３の形態は、長円状に限定されない。螺旋部２１３は、四角形状、矩形状、多角形状または円形状に巻回されていてもよい。螺旋部２１３のアスペクト比は、１以上であってもよい。螺旋部２１３のアスペクト比は、螺旋部２１３の幅に対する螺旋部２１３の厚さの比によって定義される。
【０１４４】
螺旋部２１３の幅は、内側エンド２１１の幅以下である。螺旋部２１３の幅は、外側エンド２１２の幅以下である。内側エンド２１１の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。外側エンド２１２の幅は、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。螺旋部２１３の幅は、１０μｍ以上１５０μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。
【０１４５】
内側端子２０４は、非実装面２０９に設けられている。内側端子２０４は、非実装面２０９において第１方向ＸＸに沿う一方側の端部に設けられている。内側端子２０４は、より具体的には、非実装面２０９において側面２１０Ｂ側の端部に設けられている。
内側端子２０４は、封止体２０２の一部を挟んでコイル導体２０３の内側エンド２１１に対向している。内側端子２０４の平面面積は、内側エンド２１１の平面面積以上であってもよい。内側端子２０４は、平面視において四角形状に形成されている。
【０１４６】
内側端子２０４は、より具体的には、平面視において第２方向ＹＹに沿って延びる長方形状に形成されている。内側端子２０４の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下（たとえば１０μｍ程度）であってもよい。
外側端子２０５は、非実装面２０９に設けられている。外側端子２０５は、非実装面２０９において第１方向ＸＸに沿う他方側の端部に設けられている。外側端子２０５は、より具体的には、非実装面２０９において側面２１０Ｄ側の端部に設けられている。
【０１４７】
外側端子２０５は、封止体２０２の一部を挟んでコイル導体２０３の外側エンド２１２に対向している。外側端子２０５の平面面積は、外側エンド２１２の平面面積以上であってもよい。外側端子２０５は、平面視において四角形状に形成されている。
外側端子２０５は、より具体的には、平面視において第２方向ＹＹに沿って延びる長方形状に形成されている。外側端子２０５の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下（たとえば１０μｍ程度）であってもよい。
【０１４８】
内側コンタクト電極２０６は、封止体２０２によって直接封止されている。内側コンタクト電極２０６の外面は、封止体２０２に接し、かつ、封止体２０２によって被覆されている。
内側コンタクト電極２０６は、内側エンド２１１および内側端子２０４の間の領域に介在し、内側エンド２１１および内側端子２０４を電気的に接続している。内側コンタクト電極２０６は、法線方向ＺＺに沿って延びる柱状に形成されている。
【０１４９】
外側コンタクト電極２０７は、封止体２０２によって直接封止されている。外側コンタクト電極２０７の外面は、封止体２０２に接し、かつ、封止体２０２によって被覆されている。
外側コンタクト電極２０７は、外側エンド２１２および外側端子２０５の間の領域に介在し、外側エンド２１２および外側端子２０５を電気的に接続している。外側コンタクト電極２０７は、法線方向ＺＺに沿って延びる柱状に形成されている。
【０１５０】
図３２は、図３１に示すXXXII-XXXII線に沿う断面図である。図３３は、図３１に示すXXXIII-XXXIII線に沿う断面図である。
図３２および図３３を参照して、封止体２０２は、この形態では、実装面２０８の法線方向ＺＺに沿って積層された複数の樹脂層を含む樹脂積層構造を有している。樹脂積層構造は、より具体的には、支持樹脂層２２１（樹脂層）、樹脂配線層２２２および樹脂保護層２２３を実装面２０８側からこの順に含む３層構造を有している。
【０１５１】
支持樹脂層２２１、樹脂配線層２２２および樹脂保護層２２３は、いずれも感光性樹脂（エポキシ樹脂）を含む。支持樹脂層２２１、樹脂配線層２２２および樹脂保護層２２３は、いずれも感光性樹脂（エポキシ樹脂）からなっていてもよい。つまり、封止体２０２は、感光性樹脂（エポキシ樹脂）からなっていてもよい。
支持樹脂層２２１は、コイル導体２０３、内側端子２０４および外側端子２０５を支持し、非実装面２０９およびコイル導体２０３の間の距離を画定する。支持樹脂層２２１は、膜状に形成されている。
【０１５２】
支持樹脂層２２１は、一方側の第１面２２４、他方側の第２面２２５、ならびに、第１面２２４および第２面２２５を接続する４つの側面２２６Ａ，２２６Ｂ，２２６Ｃ，２２６Ｄを有している。
支持樹脂層２２１の第１面２２４および第２面２２５は、実装面２０８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。支持樹脂層２２１の第２面２２５によって封止体２０２の実装面２０８が形成されている。支持樹脂層２２１の側面２２６Ａ〜２２６Ｄによって、封止体２０２の側面２１０Ａ〜２１０Ｄの一部が形成されている。
【０１５３】
支持樹脂層２２１の第２面２２５側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。支持樹脂層２２１のエッジ部は、第２面２２５および側面２２６Ａ〜２２６Ｄを接続する角部である。支持樹脂層２２１の厚さは、１０μｍ以上１００μｍ以下（たとえば５０μｍ程度）であってもよい。
樹脂配線層２２２は、支持樹脂層２２１の第１面２２４の上に形成されている。樹脂配線層２２２は、膜状に形成されている。樹脂配線層２２２には、コイル導体２０３が埋設される。樹脂配線層２２２は、コイル導体２０３の形状および厚さを画定する。
【０１５４】
樹脂配線層２２２は、一方側の第１面２２７、他方側の第２面２２８、ならびに、第１面２２７および第２面２２８を接続する４つの側面２２９Ａ，２２９Ｂ，２２９Ｃ，２２９Ｄを有している。
樹脂配線層２２２の第１面２２７および第２面２２８は、実装面２０８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。樹脂配線層２２２の第２面２２８は、支持樹脂層２２１の第１面２２４と一体を成している。
【０１５５】
樹脂配線層２２２の側面２２９Ａ〜２２９Ｄは、支持樹脂層２２１の側面２２６Ａ〜２２６Ｄに対して面一に形成されている。樹脂配線層２２２の側面２２９Ａ〜２２９Ｄによって、封止体２０２の側面２１０Ａ〜２１０Ｄの一部が形成されている。
樹脂配線層２２２の第２面２２８側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂配線層２２２のエッジ部は、第２面２２８および側面２２９Ａ〜２２９Ｄを接続する角部である。樹脂配線層２２２のエッジ部は、支持樹脂層２２１によって被覆されている。樹脂配線層２２２の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
【０１５６】
樹脂配線層２２２には、コイルトレンチ２３０が形成されている。コイルトレンチ２３０は、コイル導体２０３の平面形状に整合する平面形状を有している。コイルトレンチ２３０は、樹脂配線層２２２を貫通して支持樹脂層２２１を露出させている。
コイル導体２０３は、コイルトレンチ２３０に埋設されている。コイル導体２０３は、この形態では、主電極層２３１およびバリア電極層２３２を含む積層構造を有している。主電極層２３１は、Ｃｕを含み、コイル導体２０３の本体を形成している。
【０１５７】
バリア電極層２３２は、主電極層２３１および樹脂配線層２２２の間に介在し、主電極層２３１の電極材料が樹脂配線層２２２に拡散するのを抑制する。バリア電極層２３２は、主電極層２３１の厚さ未満の厚さを有している。バリア電極層２３２は、ＴｉまたはＴｉＮのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。
バリア電極層２３２は、主電極層２３１において樹脂配線層２２２の第１面２２７側の端部を被覆する被覆部２３３を有している。バリア電極層２３２の被覆部２３３は、樹脂配線層２２２の第１面２２７に対して面一に形成されている。
【０１５８】
樹脂保護層２２３は、樹脂配線層２２２の第１面２２７の上に形成され、コイル導体２０３を被覆している。樹脂保護層２２３は、膜状に形成されている。樹脂保護層２２３は、コイル導体２０３を保護し、封止体２０２の非実装面２０９およびコイル導体２０３の間の距離を画定する。
樹脂保護層２２３は、一方側の第１面２３５、他方側の第２面２３６、ならびに、第１面２３５および第２面２３６を接続する側面２３７Ａ，２３７Ｂ，２３７Ｃ，２３７Ｄを有している。樹脂保護層２２３の第１面２３５および第２面２３６は、実装面２０８に対して平行に延びる平坦面をそれぞれ有している。
【０１５９】
樹脂保護層２２３の第１面２３５は、封止体２０２の非実装面２０９を形成している。樹脂保護層２２３の第２面２３６は、樹脂配線層２２２の第１面２２４と一体を成している。
樹脂保護層２２３の側面２３７Ａ〜２３７Ｄは、樹脂配線層２２２の側面２２６Ａ〜２２６Ｄに対して面一に形成されている。樹脂保護層２２３の側面２３７Ａ〜２３７Ｄによって、封止体２０２の側面２１０Ａ〜２１０Ｄの一部が形成されている。
【０１６０】
樹脂保護層２２３の第１面２３５側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂保護層２２３の第１面２３５側のエッジ部は、第１面２３５および側面２３７Ａ〜２３７Ｄを接続する角部である。
樹脂保護層２２３の第２面２３６側のエッジ部は、外側に向かって凸状に湾曲した湾曲部を有していてもよい。樹脂保護層２２３の第２面２３６側のエッジ部は、第２面２３６および側面２３７Ａ〜２３７Ｄを接続する角部である。
【０１６１】
樹脂保護層２２３の第２面２３６側のエッジ部は、樹脂配線層２２２によって被覆されている。樹脂保護層２２３の厚さは、１０μｍ以上５０μｍ以下（たとえば２０μｍ程度）であってもよい。
支持樹脂層２２１には、内側コンタクト孔２４１および外側コンタクト孔２４２が形成されている（図３１も併せて参照）。内側コンタクト孔２４１は、支持樹脂層２２１を貫通し、コイル導体２０３の内側エンド２１１を露出させている。内側コンタクト孔２４１は、この形態では、平面視において内側エンド２１１の全域を露出させている。
【０１６２】
外側コンタクト孔２４２は、支持樹脂層２２１を貫通し、コイル導体２０３の外側エンド２１２を露出させている。外側コンタクト孔２４２は、この形態では、平面視において外側エンド２１２の全域を露出させている。
内側端子２０４は、実装面２０８から内側コンタクト孔２４１内に入り込んでいる。内側端子２０４は、内側コンタクト孔２４１内において、コイル導体２０３の内側エンド２１１に電気的に接続されている。内側コンタクト電極２０６は、この形態では、内側端子２０４において内側コンタクト孔２４１内に位置する部分によって形成されている。
【０１６３】
外側端子２０５は、実装面２０８から外側コンタクト孔２４２内に入り込んでいる。外側端子２０５は、外側コンタクト孔２４２内において、コイル導体２０３の外側エンド２１２に電気的に接続されている。外側コンタクト電極２０７は、この形態では、外側端子２０５において外側コンタクト孔２４２内に位置する部分によって形成されている。
内側端子２０４は、この形態では、主電極層２４３およびバリア電極層２４４を含む積層構造を有している。主電極層２４３は、Ｃｕを含み、内側端子２０４の本体を形成している。
【０１６４】
バリア電極層２４４は、主電極層２４３および支持樹脂層２２１の間に介在し、主電極層２４３の電極材料が支持樹脂層２２１に拡散するのを抑制する。バリア電極層２４４は、主電極層２４３およびコイル導体２０３の間にも介在している。バリア電極層２４４は、主電極層２４３の厚さ未満の厚さを有している。バリア電極層２４４は、ＴｉまたはＴｉＮのうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。
【０１６５】
外側端子２０５は、内側端子２０４と同様の構造を有している。外側端子２０５の説明については内側端子２０４の説明が準用されるものとし、外側端子２０５において内側端子２０４の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
内側端子２０４の外面は、この形態では、内側端子２０４側からこの順に積層されたＮｉ層２５１、Ｐｄ層２５２およびＡｕ層２５３を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造２５４によって被覆されている。
【０１６６】
外側端子２０５の外面は、この形態では、外側端子２０５側からこの順に積層されたＮｉ層２５５、Ｐｄ層２５６およびＡｕ層２５７を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造２５８によって被覆されている。
以上、チップインダクタ２０１によれば、封止体２０２の非実装面２０９に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、チップインダクタ２０１の利便性を高めることができる。
【０１６７】
また、チップインダクタ２０１によれば、無機物製の基板を要しない。したがって、低背化による小型化を図ることができる。これにより、小型化されたチップインダクタ２０１の利便性を高めることができる。
また、チップインダクタ２０１によれば、封止体２０２内には、樹脂以外の構造として、コイル導体２０３、内側コンタクト電極２０６および外側コンタクト電極２０７だけしか存在しない。よって、チップインダクタ２０１の低背化および微細化を効果的に図ることができる。
【０１６８】
また、チップインダクタ２０１によれば、封止体２０２は、複数の樹脂層２２１，２２２，２２３を含む樹脂積層構造を有している。複数の樹脂層２２１，２２２，２２３の厚さは、いずれも１００μｍ以下である。これにより、極薄いチップインダクタ２０１を提供できる。
たとえば、チップインダクタ２０１によれば、チップサイズに依らずに、封止体２０２の厚さを３０μｍ以上２５０μｍ以下の範囲（３０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲）に収めることができる。
【０１６９】
また、チップインダクタ２０１によれば、コイル導体２０３を被覆する樹脂保護層２２３を含む。これにより、コイル導体２０３を適切に保護できる。
また、チップインダクタ２０１によれば、実装面２０８およびコイル導体２０３の間の距離が、実装面２０８およびコイル導体２０３の間に形成され得る寄生容量を低減するのに十分な値に設定されている。より具体的には、実装面２０８およびコイル導体２０３の間の距離は、非実装面２０９およびコイル導体２０３の間の距離以上に設定されている。
【０１７０】
これにより、コイル導体２０３および内側端子２０４の間の寄生容量、ならびに、コイル導体２０３および外側端子２０５の間の寄生容量の低減を図ることができる。よって、低背化を図りながら、ノイズの低減を図ることができる。
また、内側端子２０４および外側端子２０５においてコイル導体２０３で生じる磁気に起因する渦電流の発生を抑制できる。よって、このような観点からも、低背化を図りながら、ノイズの低減を図ることができる。
【０１７１】
図３４Ａ〜図３４Ｕは、図３０に示すチップインダクタ２０１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
まず、図３４Ａを参照して、支持部材２６１が用意される。支持部材２６１は、一方側の第１面２６２および他方側の第２面２６３を有している。支持部材２６１の第１面２６２には、１つまたは複数のチップインダクタ２０１が形成される。この形態では、複数のチップインダクタ２０１が支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。図３４Ａ〜図３４Ｑでは、１つのチップインダクタ２０１が形成される領域のみを示している。
【０１７２】
複数のチップインダクタ２０１が支持部材２６１の上に形成された後、支持部材２６１から複数のチップインダクタ２０１が取り外される。支持部材２６１は、チップインダクタ２０１から剥離可能な部材であってもよい。
支持部材２６１は、研削によって除去可能な部材であってもよい。支持部材２６１は、チップインダクタ２０１を残存させながらエッチング法によって除去可能な部材であってもよい。
【０１７３】
支持部材２６１は、金属基板、絶縁基板または半導体基板を含んでいてもよい。金属基板は、銅基板、アルミニウム基板、ステンレス基板等であってもよい。絶縁基板は、酸化シリコン基板、窒化シリコン基板、セラミック基板等であってもよい。半導体基板は、シリコン基板、ＧａＮ基板、炭化シリコン基板等であってもよい。この工程では、支持部材２６１として、シリコン基板が採用されている。
【０１７４】
次に、図３４Ｂを参照して、支持部材２６１の第１面２６２の上に、標印用材料層８６が形成される。標印用材料層８６は、支持部材２６１を残存させながらエッチングによって除去可能な材料を含むことが好ましい。
標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料または絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では、酸化シリコンを含む。標印用材料層８６は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。
【０１７５】
次に、図３４Ｃを参照して、標印用材料層８６の上に所定パターンを有するレジストマスク２８７が形成される。レジストマスク２８７は、支持部材２６１の第１面２６２においてチップインダクタ２０１を形成すべき領域を被覆するチップパターン２８７ａを含む。
また、レジストマスク２８７は、チップパターン２８７ａにおいて、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる開口２８７ｂを有している。次に、レジストマスク２８７を介するエッチング法によって、標印用材料層８６の不要な部分が除去される。
【０１７６】
次に、図３４Ｄを参照して、レジストマスク２８７が除去される。これにより、形成すべき標印８２の平面パターンを左右反転した反転パターンからなる標印用パターン溝８６ａが標印用材料層８６に形成される。標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６によって標印用パターンが形成される。
次に、図３４Ｅを参照して、樹脂保護層２２３のベースとなるベース樹脂保護層２６４が、標印用材料層８６を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。ベース樹脂保護層２６４の一部は、標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａに入り込み、標印８２となる標印用凹凸（突出部８５）を形成する。
【０１７７】
ベース樹脂保護層２６４は、この形態では、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。ベース樹脂保護層２６４は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材２６１の第１面２６２の上に貼着することによって形成される。
次に、図３４Ｆを参照して、ベース樹脂保護層２６４が、選択的に露光および現像される。これにより、樹脂保護層２２３が形成される。
【０１７８】
樹脂保護層２２３は、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材２６１の第１面２６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。樹脂保護層２２３の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、感光性樹脂製のシートに利点がある。
次に、図３４Ｇを参照して、樹脂保護層２２３を被覆するように、樹脂配線層２２２のベースとなるベース樹脂配線層２６５が、支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。
【０１７９】
ベース樹脂配線層２６５は、この形態では、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。ベース樹脂配線層２６５は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を、樹脂保護層２２３を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に貼着することによって形成される。
次に、図３４Ｈを参照して、ベース樹脂配線層２６５が、選択的に露光および現像される。これにより、樹脂保護層２２３を露出させるコイルトレンチ２３０を有する樹脂配線層２２２が形成される。
【０１８０】
樹脂配線層２２２は、樹脂保護層２２３を被覆するように、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材２６１の第１面２６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。樹脂配線層２２２の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、感光性樹脂製のシートに利点がある。
次に、図３４Ｉを参照して、コイル導体２０３のバリア電極層２３２のベースとなるベースバリア電極層２６６が形成される。ベースバリア電極層２６６は、Ｔｉを含む。ベースバリア電極層２６６は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【０１８１】
次に、ベースバリア電極層２６６の上に、シード電極層２６７が形成される。シード電極層２６７は、Ｃｕを含む。シード電極層２６７は、スパッタ法によって形成されてもよい。
次に、図３４Ｊを参照して、所定パターンを有するレジストマスク２６８が、シード電極層２６７を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。レジストマスク２６８は、シード電極層２６７においてコイルトレンチ２３０内に形成された部分を露出させる開口２６９を有している。
【０１８２】
次に、ベースバリア電極層２６６によって区画された凹状の空間に主電極層２３１が埋設される。主電極層２３１は、Ｃｕを含む。主電極層２３１は、シード電極層２６７と一体を成す。主電極層２３１は、レジストマスク２６８を介する電解銅めっき法によって形成されてもよい。
次に、図３４Ｋを参照して、レジストマスク２６８が除去される。
【０１８３】
次に、図３４Ｌを参照して、ベースバリア電極層２６６およびシード電極層２６７においてコイルトレンチ２３０から露出した部分が除去される。ベースバリア電極層２６６およびシード電極層２６７の不要な部分は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。これにより、コイル導体２０３が形成される。
次に、図３４Ｍを参照して、支持樹脂層２２１のベースとなるベース支持樹脂層２７０が、樹脂配線層２２２を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。
【０１８４】
ベース支持樹脂層２７０は、この形態では、ネガティブタイプの感光性樹脂を含む。ベース支持樹脂層２７０は、シート状またはフィルム状の感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を、樹脂配線層２２２を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に貼着することによって形成される。
次に、図３４Ｎを参照して、ベース支持樹脂層２７０が、選択的に露光および現像される。これにより、内側コンタクト孔２４１および外側コンタクト孔２４２を有する支持樹脂層２２１が形成される。また、これにより、封止体２０２の非実装面２０９に標印用材料層８６が埋め込まれた構造の封止体２０２が、支持部材２６１の上に形成される。
【０１８５】
支持樹脂層２２１は、樹脂配線層２２２を被覆するように、感光性樹脂（この形態ではエポキシ樹脂）を支持部材２６１の第１面２６２の上に塗布した後、選択的に露光および現像することによっても形成され得る。支持樹脂層２２１の厚さを適切にかつ容易に調整できる点において、感光性樹脂製のシートに利点がある。
次に、図３４Ｏを参照して、内側端子２０４および外側端子２０５のバリア電極層２４４のベースとなるベースバリア電極層２７１が形成される。ベースバリア電極層２７１は、Ｔｉを含む。
【０１８６】
ベースバリア電極層２７１は、スパッタ法によって形成されてもよい。次に、ベースバリア電極層２７１の上に、シード電極層２７２が形成される。シード電極層２７２は、Ｃｕを含む。シード電極層２７２は、スパッタ法によって形成されてもよい。
次に、図３４Ｐを参照して、所定パターンを有するレジストマスク２７３が、シード電極層２７２を被覆するように支持部材２６１の第１面２６２の上に形成される。レジストマスク２７３は、ベースバリア電極層２７１において内側端子２０４および外側端子２０５の主電極層２４３を形成すべき領域を露出させる開口２７４を有している。
【０１８７】
次に、内側端子２０４および外側端子２０５の主電極層２４３が形成される。主電極層２４３は、Ｃｕを含む。主電極層２４３は、レジストマスク２７３を介する電解銅めっき法によって形成されてもよい。
次に、図３４Ｑを参照して、レジストマスク２７３が除去される。
次に、図３４Ｒを参照して、ベースバリア電極層２７１およびシード電極層２７２において内側端子２０４および外側端子２０５の主電極層２４３から露出した部分が除去される。
【０１８８】
ベースバリア電極層２７１およびシード電極層２７２の不要な部分は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。これにより、内側端子２０４および外側端子２０５が形成される。
次に、図３４Ｓを参照して、内側端子２０４の外面に、Ｎｉ層２５１、Ｐｄ層２５２およびＡｕ層２５３を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造２５４が形成され、外側端子２０５の外面に、Ｎｉ層２５５、Ｐｄ層２５６およびＡｕ層２５７を含むＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層構造２５８が形成される。
【０１８９】
Ｎｉ層２５１、Ｐｄ層２５２およびＡｕ層２５３、ならびに、Ｎｉ層２５５、Ｐｄ層２５６およびＡｕ層２５７は、無電解めっき法によってそれぞれ形成されてもよい。
次に、図３４Ｔを参照して、封止体２０２が支持部材２６１から取り外される。これにより、支持部材２６１に形成された標印用材料層８６が、封止体２０２の非実装面２０９に転写される。
【０１９０】
封止体２０２の取り外し工程は、支持部材２６１を封止体２０２から剥離する工程を含んでいてもよい。封止体２０２の取り外し工程は、支持部材２６１を除去する工程を含んでいてもよい。
支持部材２６１の除去工程は、支持部材２６１を研削によって除去する工程または支持部材２６１をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。支持部材２６１の除去工程は、支持部材２６１を第２面２６３側から所定の厚さになるまで研削した後、支持部材２６１をエッチング法によって除去する工程を含んでいてもよい。
【０１９１】
次に、図３４Ｕを参照して、標印用材料層８６が除去される。標印用材料層８６は、エッチング法（たとえばウェットエッチング法）によって除去されてもよい。この工程では、封止体２０２の外面に標印用材料層８６の痕跡（形成履歴）が残存する。
より具体的には、封止体２０２の外面に標印用パターン溝８６ａの痕跡が残存する。この標印用パターン溝８６ａの痕跡が標印８２となる。標印用パターン溝８６ａの痕跡は、より具体的には、封止体２０２の非実装面２０９に形成された突出部８５を含む。以上を含む工程を経て、封止体２０２の非実装面２０９に標印８２を有するチップインダクタ２０１が形成される。
【０１９２】
図３５は、図３２に対応する図であって、本発明の第１５実施形態に係るチップインダクタ２９１の構造を説明するための断面図である。以下では、チップインダクタ２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図３５を参照して、チップインダクタ２９１は、封止体２０２の非実装面２０９を被覆し、標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６をさらに含む。標印８２は、この形態では、非実装面２０９の突出部８５に加えて標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａを含む。標印用材料層８６の材料としては、任意の材料が適用され得る。
【０１９３】
標印用材料層８６は、封止体２０２（樹脂保護層２２３）とは異なる材料によって形成されていてもよい。標印用材料層８６は、金属材料、半導体材料、または、絶縁材料を含んでいてもよい。標印用材料層８６は、この形態では酸化シリコンを含む。
突出部８５および標印用パターン溝８６ａは、封止体２０２の非実装面２０９に入射した光の反射方向や光の屈折方向に変化を生じさせる。これにより、標印用パターン溝８６ａ（標印８２）が視認される。このような構造のチップインダクタ２９１は、前述のチップインダクタ２０１の製造方法において標印用パターン除去工程を省くことによって製造される。
【０１９４】
以上、チップインダクタ２９１によってもチップインダクタ２０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、チップインダクタ２９１によれば、封止体２０２の非実装面２０９に標印８２が形成されている。これにより、標印８２から種々の情報を取得できるので、小型化されたチップインダクタ２９１の利便性を高めることができる。
【０１９５】
図３６は、図３２に対応する図であって、本発明の第１６実施形態に係るチップインダクタ２９２の構造を示す断面図である。以下では、チップインダクタ２０１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図３６を参照して、チップインダクタ２９２では、樹脂保護層２２３に代えて、標印用パターン溝８６ａを有する標印用材料層８６が、樹脂配線層２２２の上に形成されている。標印用材料層８６は、コイル導体２０３を被覆している。標印用材料層８６は、封止体２０２の非実装面２０９を形成している。
【０１９６】
以上、チップインダクタ２９２によってもチップインダクタ２０１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
また、チップインダクタ２９２によれば、樹脂配線層２２２の上に、コイル導体２０３を被覆する標印用材料層８６が形成されている。これにより、コイル導体２０３を比較的薄い標印用材料層８６によって保護できるから、低背化を図ることができる。また、標印用材料層８６の標印用パターン溝８６ａによって標印８２を形成できる。よって、チップインダクタ２９２の利便性を高めることができる。
【０１９７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
前述の第１〜第１３実施形態では、第１樹脂層７２、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９および第５樹脂層８１（ここでは、単に「複数の樹脂層」という。）が、ネガティブタイプの感光性樹脂層である例について説明した。
【０１９８】
しかし、複数の樹脂層は、ポジティブタイプの感光性樹脂層であってもよい。むろん、複数の樹脂層のうちの少なくとも１つがポジティブタイプの感光性樹脂層であり、残りがネガティブタイプの感光性樹脂層であってもよい。
前述の第１〜第１３実施形態では、複数の樹脂層が、チップ形成領域７３の形状にパターニングされた例について説明した。しかし、複数の樹脂層は、チップ形成領域７３の形状にパターニングされずに、そのまま積層されてもよい。
【０１９９】
この場合、複数の樹脂層の積層体の内部において、複数のチップ形成領域７３に対応する領域にコイル導体２１をそれぞれ作り込んだ後、ダイシングブレードによって積層体から複数のチップインダクタ１の個片を切り出してもよい。
前述の第１〜第１３実施形態では、複数の樹脂層がフィルム状の感光性樹脂層である例について説明した。しかし、複数の樹脂層は、たとえば液状の樹脂を硬化させた感光性樹脂層を含んでいてもよい。この場合、たとえばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法による平坦化処理が、複数の樹脂層の各表面に施されていてもよい。
【０２００】
前述の第１〜第１３実施形態では、複数の樹脂層に代えて、たとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法によって形成された複数の絶縁体層を含んでいてもよい。
この場合、複数の絶縁体層の各パターニングは、マスクを介するエッチング法により行われてもよい。また、この場合、たとえばＣＭＰ法による平坦化処理が、複数の絶縁体層の各表面に施されていてもよい。
【０２０１】
前述の第１〜第１３実施形態において、コイル導体２１の螺旋部２４は、ｎ（ｎは２以上の自然数）層からなる複数の螺旋部を有していてもよい。つまり、複数の螺旋部は、第１螺旋部４１、第２螺旋部４２、第３螺旋部、・・・第ｎ螺旋部を含んでいてもよい。
また、コイル導体２１の螺旋部２４は、第（ｎ−１）螺旋部および第ｎ螺旋部の間において、第（ｎ−１）螺旋部および第ｎ螺旋部を接続する第（ｎ−１）接続部を有していてもよい。
【０２０２】
この場合、封止体２は、第ｎ螺旋部の積層数に応じて、第ｎ螺旋部用の第ｎ螺旋部用樹脂層を有していてもよい。さらに、封止体２は、第（ｎ−１）螺旋部用樹脂層および第ｎ螺旋部用樹脂層の間において、第（ｎ−１）接続部用の第（ｎ−１）接続部用樹脂層を有していてもよい。
前述の第１〜第１３実施形態において、第１外部端子６が、第１底面端子１０を含まず、第１側面端子１１だけを有している構造が採用されてもよい。この場合、内側エンド２２は、第１底面部分２５を含まず、第１側面部分２６だけを有している。
【０２０３】
このような構造の第１外部端子６は、前述のチップインダクタ１の製造工程において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することにより製造される。
前述の第１〜第１３実施形態において、第２外部端子７が、第２底面端子１２を含まず、第２側面端子１３だけを有している構造が採用されてもよい。この場合、外側エンド２３は、第２底面部分３１を含まず、第２側面部分３２だけを有している。
【０２０４】
このような構造の第２外部端子７は、前述のチップインダクタ１の製造工程において、第２樹脂層７５、第３樹脂層７７、第４樹脂層７９の露光パターンを変更することによって製造される。
前述の第１４〜第１６実施形態において、複数の樹脂層２２１，２２２，２２３は、ポジティブタイプの感光性樹脂であってもよい。むろん、複数の樹脂層２２１，２２２，２２３のうちの少なくとも１つがポジティブタイプの感光性樹脂であり、残りがネガティブタイプの感光性樹脂であってもよい。
【０２０５】
前述の第１４〜第１６実施形態において、Ｎｉ層２５１、Ｐｄ層２５２およびＡｕ層２５３のうちの少なくとも１つまたは全部は除かれてもよい。前述の各実施形態において、Ｎｉ層２５５、Ｐｄ層２５６およびＡｕ層２５７のうちの少なくとも１つまたは全部は除かれてもよい。
前述の第１４〜第１６実施形態において、支持樹脂層２２１の厚さは、樹脂配線層２２２の厚さ以下であってもよい。前述の各実施形態において、支持樹脂層２２１の厚さは、樹脂保護層２２３の厚さ以下であってもよい。前述の各実施形態において、支持樹脂層２２１の厚さ、樹脂配線層２２２の厚さおよび樹脂保護層２２３の厚さは等しくてもよい。
【０２０６】
前述の各実施形態では、受動素子としてのインダクタ（コイル）が形成された例について説明した。しかし、インダクタに代えて、抵抗やコンデンサが形成されていてもよい。抵抗が形成される場合、封止体２，２０２内において導体を帯状、ライン状、葛折り状に引き回せばよい。コンデンサが形成される場合、封止体２，２０２内において、二つの導体を、絶縁体（たとえば樹脂）を挟んで互いに対向させればよい。
【０２０７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０２０８】
１        チップインダクタ
２        封止体（絶縁体）
３        実装面
２１      コイル導体（受動素子）
８２      標印
８５      突出部（標印用凹凸）
８６      標印用材料層
８６ａ    標印用パターン溝
９０      チップインダクタ
９１      チップインダクタ
９２      チップインダクタ
９５      チップインダクタ
９６      チップインダクタ
１００    チップインダクタ
１０５    チップインダクタ
１０６    チップインダクタ
１０７    チップインダクタ
１０８    チップインダクタ
１０９    チップインダクタ
１１０    チップインダクタ
１２１    チップインダクタ
２０１    チップインダクタ
２０２    封止体（絶縁体）
２０３    コイル導体（受動素子）
２０８    実装面
２９１    チップインダクタ
２９２    チップインダクタ
【図１】
2019179843.tif 000003
【図２】
2019179843.tif 000004
【図３】
2019179843.tif 000005
【図４】
2019179843.tif 000006
【図５】
2019179843.tif 000007
【図６】
2019179843.tif 000008
【図７】
2019179843.tif 000009
【図８】
2019179843.tif 000010
【図９】
2019179843.tif 000011
【図１０】
2019179843.tif 000012
【図１１】
2019179843.tif 000013
【図１２】
2019179843.tif 000014
【図１３】
2019179843.tif 000015
【図１４】
2019179843.tif 000016
【図１５】
2019179843.tif 000017
【図１６Ａ】
2019179843.tif 000018
【図１６Ｂ】
2019179843.tif 000019
【図１６Ｃ】
2019179843.tif 000020
【図１６Ｄ】
2019179843.tif 000021
【図１６Ｅ】
2019179843.tif 000022
【図１６Ｆ】
2019179843.tif 000023
【図１６Ｇ】
2019179843.tif 000024
【図１６Ｈ】
2019179843.tif 000025
【図１６Ｉ】
2019179843.tif 000026
【図１６Ｊ】
2019179843.tif 000027
【図１６Ｋ】
2019179843.tif 000028
【図１６Ｌ】
2019179843.tif 000029
【図１６Ｍ】
2019179843.tif 000030
【図１６Ｎ】
2019179843.tif 000031
【図１６Ｏ】
2019179843.tif 000032
【図１７】
2019179843.tif 000033
【図１８】
2019179843.tif 000034
【図１９】
2019179843.tif 000035
【図２０】
2019179843.tif 000036
【図２１】
2019179843.tif 000037
【図２２】
2019179843.tif 000038
【図２３】
2019179843.tif 000039
【図２４】
2019179843.tif 000040
【図２５】
2019179843.tif 000041
【図２６】
2019179843.tif 000042
【図２７】
2019179843.tif 000043
【図２８】
2019179843.tif 000044
【図２９】
2019179843.tif 000045
【図３０】
2019179843.tif 000046
【図３１】
2019179843.tif 000047
【図３２】
2019179843.tif 000048
【図３３】
2019179843.tif 000049
【図３４Ａ】
2019179843.tif 000050
【図３４Ｂ】
2019179843.tif 000051
【図３４Ｃ】
2019179843.tif 000052
【図３４Ｄ】
2019179843.tif 000053
【図３４Ｅ】
2019179843.tif 000054
【図３４Ｆ】
2019179843.tif 000055
【図３４Ｇ】
2019179843.tif 000056
【図３４Ｈ】
2019179843.tif 000057
【図３４Ｉ】
2019179843.tif 000058
【図３４Ｊ】
2019179843.tif 000059
【図３４Ｋ】
2019179843.tif 000060
【図３４Ｌ】
2019179843.tif 000061
【図３４Ｍ】
2019179843.tif 000062
【図３４Ｎ】
2019179843.tif 000063
【図３４Ｏ】
2019179843.tif 000064
【図３４Ｐ】
2019179843.tif 000065
【図３４Ｑ】
2019179843.tif 000066
【図３４Ｒ】
2019179843.tif 000067
【図３４Ｓ】
2019179843.tif 000068
【図３４Ｔ】
2019179843.tif 000069
【図３４Ｕ】
2019179843.tif 000070
【図３５】
2019179843.tif 000071
【図３６】
2019179843.tif 000072