(57)【要約】【課題】ヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる画像形成装置を提供すること。【解決手段】制御部３３は、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過するまでの間に、ステップＳ３にてメインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とさせ、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達すると、ステップＳ７にてサブヒータ３２への給電を停止する。これにより、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達するまでの期間において、メインヒータ３１およびサブヒータ３２への給電を行うことができる。このため、メインヒータ３１およびサブヒータ３２へ供給される電力を制限しつつ、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度を早期に上昇させることができるためＦＰＯＴを短縮することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ヒータと、
前記第１ヒータと並列接続される第２ヒータと、
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに直列接続される電流センサと、
前記第１ヒータと直列接続され前記第２ヒータと並列接続され、第１オン信号を受けて導通状態となり、第１オフ信号を受けて非導通状態となる第１切替素子と、
前記第２ヒータと直列接続され前記第１ヒータと並列接続され、第２オン信号を受けて導通状態となる第２切替素子と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記第１切替素子および前記第２切替素子の各々に前記第１オン信号および前記第２オン信号を出力した後に前記電流センサから受ける信号に基づく値が、第１の値未満の値から、前記第１の値以上で第２の値以下の所定範囲内の値に変化すると、前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御部は、
ゼロクロスタイミングにて、前記第１オン信号および前記第２オン信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２切替素子は、第２オフ信号を受けて非導通状態となり、
前記制御部は、
前記第２ヒータに交流の半周期、電流が流れると仮定した場合の前記第２ヒータに流れる電流の最大値が前記第２の値を超える場合、前記電流センサから受ける信号に基づく値が増加して前記第２の値を超えるタイミング以前のタイミングにて、前記第２切替素子に前記第２オフ信号を出力することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力してから第１時間経過すると、前記第２切替素子に前記第２オフ信号を出力することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力した後に前記電流センサから受ける信号に基づく値が、前記第１の値未満の値から前記所定範囲内の値に変化すると、前記第２切替素子に前記第２オフ信号を出力することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記第１ヒータの消費電力は前記第２ヒータの消費電力より小さいことを特徴とすることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力した後に前記電流センサから受ける信号に基づく値が、前記第１の値未満の値から前記所定範囲内の値に変化すると、前記電流センサから受ける信号に基づく値が増加して前記第２の値を超えるタイミング以前のタイミングにて、前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記第２切替素子に前記第２オフ信号を出力し、かつ前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力した後に前記電流センサから受ける信号に基づく値が、前記第１の値未満の値から前記所定範囲内の値に変化すると、前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記第２切替素子は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項３から８の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記第１切替素子は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１１】
第１ヒータと、
前記第１ヒータと並列接続されるヒータであって、前記第１ヒータよりも消費電力が大きい第２ヒータと、
前記第１ヒータと直列接続され前記第２ヒータと並列接続され、第１オン信号を受けて導通状態となり、第１オフ信号を受けて非導通状態となる第１切替素子と、
前記第２ヒータと直列接続され前記第１ヒータと並列接続され、第２オン信号を受けて導通状態となる第２切替素子と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
第１タイミングにて前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力したと仮定した時に前記第１ヒータに流れる電流の値が交流の半周期の終了時まで閾値以下となる、前記第１タイミングにて前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力し、
前記第１タイミングより後の第２タイミングにて前記第１切替素子に前記第１オフ信号を出力し、
前記第２タイミングより後の第３タイミングにて前記第２切替素子に前記第２オン信号を出力したと仮定した時に、前記第２ヒータに流れる電流の値が前記交流の半周期の終了時まで前記閾値以下となる、前記第３タイミングにて前記第２切替素子に前記第２オン信号を出力し、
前記第３タイミングより後の第４タイミングにて前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力したと仮定した時に、前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに流れる電流を合わせた合成電流の値が前記交流の半周期の終了時まで前記閾値以下となる第４タイミングにて、前記第１切替素子に前記第１オン信号を出力することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
前記第２タイミングは、前記第２タイミングにて前記第２切替素子に前記第２オン信号を出力したと仮定した時に、前記第２ヒータに流れる電流の値が前記交流の半周期の終了時まで前記閾値以下となるタイミングであることを特徴とする請求項１１に記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記第１ヒータに直列接続される電流センサを備え、
前記制御部は、
前記第２タイミングより後に、前記電流センサから受ける信号が、前記電流センサに流れる交流電流の値が所定値より大きいことを示す信号から、前記所定値以下を示す信号に変化すると、前記第３タイミングにて前記第２切替素子に前記第２オン信号を出力することを特徴とする請求項１２に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記第３タイミングは前記第２タイミングの所定時間後であることを特徴とする請求項１２に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
前記第１ヒータに直列接続される第１電流センサを備え、
前記制御部は、
交流の半周期における前記第１タイミングから前記第２タイミングまでの間での前記第１電流センサから受ける信号が示す電流値に基づいて、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過した後の期間において、前記第１ヒータに流れる電流が前記閾値となるタイミングを算出し、
前記タイミングを算出した前記半周期より後の前記半周期において、算出した当該タイミングを当該半周期における前記第１タイミングとすることを特徴とする請求項１１から１４の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１６】
前記第２ヒータに直列接続される第２電流センサを備え、
前記制御部は、
交流の半周期における前記第３タイミングから前記第４タイミングまでの間での前記第２電流センサから受ける信号が示す電流値に基づいて、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過した後の期間において、前記第２ヒータに流れる電流が前記閾値となるタイミングを算出し、
前記タイミングを算出した前記半周期より後の前記半周期において、算出した当該タイミングを当該半周期における前記第３タイミングとすることを特徴とする請求項１１から１５の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１７】
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに直列接続される第３電流センサを備え、
前記制御部は、
交流の半周期における前記第４タイミング以後での前記第３電流センサから受ける信号が示す電流値に基づいて、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過した後の期間において、前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに流れる合成電流が前記閾値となるタイミングを算出し、
前記タイミングを算出した前記半周期より後の前記半周期において、算出した当該タイミングを当該半周期における前記第４タイミングとすることを特徴とする請求項１１から１６の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１８】
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに直列接続される第３電流センサを備え、
前記制御部は、
交流の半周期における前記第１タイミングから前記第２タイミングまでの間での前記第３電流センサから受ける信号が示す電流値と、前記第３タイミングから前記第４タイミングまでの間での前記第３電流センサから受ける信号が示す電流値に基づいて、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過した後の期間において、前記第１ヒータに流れる電流と前記第２ヒータに流れる電流との合成電流が前記閾値となるタイミングを算出し、
前記タイミングを算出した前記半周期より後の前記半周期において、算出した当該タイミングを当該半周期における前記第４タイミングとすることを特徴とする請求項１１から１６の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項１９】
前記第１切替素子は、ＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１１から１８の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項２０】
前記第２切替素子は、ゼロクロスタイミングで非導通状態となる素子であることを特徴とする請求項１１から１９の何れかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数のヒータを備えるシステムにおいて、各々のヒータへの電圧印加の時期を互いに異なるように制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−０８６３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ヒータを備える画像形成装置においては、例えば突入電流などの過大な消費電流が流れるのを抑制することが要請されている。また、ヒータが所定温度となるまでの時間を短縮し、印刷要求から最初の一枚目のシートが出力されるまでの時間であるＦＰＯＴ（First Print Out Time）を短縮することが要請されている。
【０００５】
本願は、上記の課題に鑑み提案されたものであってヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、第１ヒータと、第１ヒータと並列接続される第２ヒータと、第１ヒータおよび第２ヒータに直列接続される電流センサと、第１ヒータと直列接続され第２ヒータと並列接続され、第１オン信号を受けて導通状態となり、第１オフ信号を受けて非導通状態となる第１切替素子と、第２ヒータと直列接続され第１ヒータと並列接続され、第２オン信号を受けて導通状態となる第２切替素子と、制御部と、を備え、制御部は、第１切替素子および第２切替素子の各々に第１オン信号および第２オン信号を出力した後に電流センサから受ける信号に基づく値が、第１の値未満の値から、第１の値以上で第２の値以下の所定範囲内の値に変化すると、第１切替素子に第１オフ信号を出力することを特徴とする画像形成装置を開示する。
【０００７】
また、本明細書は、第１ヒータと、第１ヒータと並列接続されるヒータであって、第１ヒータよりも消費電力が大きい第２ヒータと、第１ヒータと直列接続され第２ヒータと並列接続され、第１オン信号を受けて導通状態となり、第１オフ信号を受けて非導通状態となる第１切替素子と、第２ヒータと直列接続され第１ヒータと並列接続され、第２オン信号を受けて導通状態となる第２切替素子と、制御部と、を備え、制御部は、第１タイミングにて第１切替素子に第１オン信号を出力したと仮定した時に第１ヒータに流れる電流の値が交流の半周期の終了時まで閾値以下となる、第１タイミングにて第１切替素子に第１オン信号を出力し、第１タイミングより後の第２タイミングにて第１切替素子に第１オフ信号を出力し、第２タイミングより後の第３タイミングにて第２切替素子に第２オン信号を出力したと仮定した時に、第２ヒータに流れる電流の値が交流の半周期の終了時まで閾値以下となる、第３タイミングにて第２切替素子に第２オン信号を出力し、第３タイミングより後の第４タイミングにて第１切替素子に第１オン信号を出力したと仮定した時に、第１ヒータおよび第２ヒータに流れる電流を合わせた合成電流の値が交流の半周期の終了時まで閾値以下となる第４タイミングにて、第１切替素子に第１オン信号を出力することを特徴とする画像形成装置を開示する。
【発明の効果】
【０００８】
本願に係る画像処理装置によれば、ヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる画像形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係るレーザプリンタの断面図である。
【図２】第１実施形態に係る加熱装置の回路図である。
【図３】第１実施形態に係る第１ヒータ制御処理のフローチャートである。
【図４】第１ヒータ制御処理における半周期におけるヒータ電流の波形を示す図である。
【図５】第１ヒータ制御処理における複数周期におけるヒータ電流の波形を示す図である。
【図６】第１実施形態の別例１における複数周期におけるヒータ電流の波形を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る加熱装置の回路図である。
【図８】第２実施形態に係る第２ヒータ制御処理のフローチャートである。
【図９】第２ヒータ制御処理における半周期におけるヒータ電流の波形を示す図である。
【図１０】第２実施形態の別例１におけるサブヒータがＯＦＦされてからメインヒータがＯＮされるまでのヒータ電流の波形を示す図である。
【図１１】第３実施形態に係る第３ヒータ制御処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、本願の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本願に係る画像形成装置の実施形態であるモノクロレーザプリンタであるプリンタ１の断面図である。プリンタ１は、本体ケーシング２内の下部に配置されたトレイ４から供給されるシートに対し、画像形成部５にてトナー像を形成した後、定着器７にてそのトナー像を加熱して定着処理を行い、最後にシートを本体ケーシング２の上部に位置する排紙トレイ９に排紙する。なお、図１では、紙面右側を装置の前側と規定し、装置を前側から見た場合に左手に来る側（紙面手前側）を左側と規定して、前後、左右及び上下の各方向を定義する。
【００１１】
画像形成部５は、スキャナ部１１、現像カートリッジ１３、感光ドラム１７、帯電器１８、転写ローラ１９等を含む。スキャナ部１１は、本体ケーシング２内の上方に配置されており、レーザ発光部（不図示）から発射されたレーザ光を、不図示のポリゴンミラー、反射鏡、レンズ等を介して感光ドラム１７の表面上に高速走査にて照射させる。
【００１２】
現像カートリッジ１３は、プリンタ１の本体に対して着脱可能に構成されており、その内部にはトナーを収容している。また、現像カートリッジ１３は、現像ローラ２１及び供給ローラ２３を備え、現像ローラ２１及び供給ローラ２３は互いに対向した状態で設けられている。また、現像ローラ２１は、感光ドラム１７と対向した状態で配置されている。現像カートリッジ１３内のトナーは、供給ローラ２３の回転により現像ローラ２１に供給され、現像ローラ２１に担持される。
【００１３】
感光ドラム１７の後方側の上方には、帯電器１８が間隔を隔てて配置されている。また、感光ドラム１７の下方には、転写ローラ１９が感光ドラム１７に対向して配置されている。感光ドラム１７は、回転しつつ、帯電器１８によって表面が一様に、例えば正極性に帯電される。次いで、スキャナ部１１からのレーザ光により感光ドラム１７の表面上に静電潜像が形成される。その後、感光ドラム１７と接触して回転する現像ローラ２１上に担持されているトナーが、感光ドラム１７の表面上の静電潜像に供給されて担持されることによって、感光ドラム１７の表面上にトナー像が形成される。形成されたトナー像は、シートが感光ドラム１７と転写ローラ１９との間を通る間に、転写ローラ１９に印加される転写バイアスによって、シートに転写される。
【００１４】
定着器７は、画像形成部５に対してシートの搬送方向の下流側（プリンタ１内における後方側）に配置され、定着ローラ２７、定着ローラ２７を押圧する加圧ローラ２９、及び定着ローラ２７を加熱するメインヒータ３１およびサブヒータ３２等を含む。定着ローラ２７は、図２に示す制御部３３によって制御される電動モータ（不図示）の駆動に応じて回転し、シートに転写されたトナーを加熱しつつ、シートに搬送力を付与する。一方、加圧ローラ２９は、シートを定着ローラ２７側に押圧しながら従動回転する。メインヒータ３１およびサブヒータ３２はハロゲンヒータであり、図２に示す加熱装置３０の制御部３３によって通電を制御される。メインヒータ３１は、定着ローラ２７の軸方向における中央付近において、定着ローラ２７に内設されている。一方、サブヒータ３２は、定着ローラ２７の軸方向における両端部において、定着ローラ２７に内設されている。
【００１５】
図２に示すように、加熱装置３０は、メインヒータ３１、サブヒータ３２、制御部３３、ＡＣ／ＤＣコンバータ３４、ＤＣ／ＤＣコンバータ３５、ゼロクロス検出回路３６、電流センサ３７、リレー４２、ヒータ制御回路４３，４４などを含む。制御部３３は、例えば、ＣＰＵ上で動作するプログラムを主体として構成してもよい。あるいは、制御部３３を、例えば、ＡＳＩＣなどの専用のハードウェアで構成してもよい。また、制御部３３は、例えばソフトウェアによる処理と、ハードウェアによる処理とを併用して動作する構成でもよい。また、制御部３３は、メモリ３３Ａおよびカウンタ３３Ｂを有する。メモリ３３Ａは、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、およびフラッシュメモリなどにより実現され、制御や処理に係わる情報および後述するヒータ制御処理などのプログラムなどを保存等する。カウンタ３３Ｂは、時間を計測する。
【００１６】
メインヒータ３１およびサブヒータ３２は、交流電源１０１の通電に応じて発熱する。サブヒータ３２はメインヒータ３１と並列接続されている。尚、ここではメインヒータ３１の消費電力はサブヒータ３２の消費電力よりも大きいものとする。ＡＣ／ＤＣコンバータ３４は、例えば１００Ｖの交流電圧を２４Ｖの直流電圧に変換し、ＤＣ／ＤＣコンバータ３５へ出力する。ＤＣ／ＤＣコンバータ３５は、２４Ｖの直流電圧を３．３Ｖの直流電圧に変換し、制御部３３などへ供給する。電流センサ３７はメインヒータ３１およびサブヒータ３２に直列接続されている。電流センサ３７は交流電源１０１からメインヒータ３１へ流れる電流および／またはサブヒータ３２へ流れる電流の大きさに応じた信号である電流値信号Ｓｉｇ１を制御部３３へ出力する。尚、制御部３３などの消費電流に対してメインヒータ３１およびサブヒータ３２の消費電流は十分大きいため、ここでは、制御部３３が電流センサ３７によって検出する電流値をメインヒータ３１および／またはサブヒータ３２へ流れる電流値とみなし、制御部３３などの消費電流は無視するものとする。電流センサ３７は、ホール素子や増幅回路等を有する。電流センサ３７は、電流に比例して発生する磁界をホール素子のホール効果により電圧に変換し、変換した電圧を増幅回路により増幅して制御部３３に出力する。尚、電流センサ３７には、ホール素子に代えて、フラックスゲート型電磁センサを用いてもよい。以下の記載において、メインヒータ３１および／またはサブヒータ３２へ流れる電流、すなわち電流センサ３７に流れる電流をヒータ電流と記載する場合がある。リレー４２は、制御部３３から出力されるリレー制御信号Ｓｉｇ２に応じて、交流電源１０１とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを電気的に接続するか否かを切替える。
【００１７】
ゼロクロス検出回路３６は、交流電源１０１のゼロクロスタイミングを検出すると、パルス信号であるゼロクロス信号Ｓｉｇ３を制御部３３へ出力する。詳しくは、ゼロクロス検出回路３６は、ダイオードブリッジ５１、フォトカプラＰＣ２１、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、およびＮＰＮ型バイポーラトランジスタであるトランジスタＴｒ１などを含む。交流電源１０１の電力は、ダイオードブリッジ５１により全波整流され、フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤに印加される。フォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタのコレクタ端子は、抵抗Ｒ２１を介して２４Ｖ直流電源に接続され、エミッタ端子は接地される。トランジスタＴｒ１のベース端子は抵抗Ｒ２１とフォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタとの接続点に接続され、コレクタ端子は制御部３３に接続され、エミッタ端子は接地される。尚、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子と制御部３３とを接続する配線は、制御部３３内部にて電源電圧にプルアップされる。フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤは印加電力に応じた発光量で発光する。このため、フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤの印加電圧が小さくなると、フォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタのオン抵抗は大きくなり、トランジスタＴｒ１のベース電圧は大きくなる。そして、トランジスタＴｒ１のベース電圧が閾値を超えるとトランジスタＴｒ１はオンし、ゼロクロス信号Ｓｉｇ３はロウレベルとなる。従って、ゼロクロス検出回路３６が出力するゼロクロス信号Ｓｉｇ３は、交流電源１０１のゼロクロスタイミング前後の所定時間だけロウレベルとなるパルス信号となる。制御部３３は、入力されるゼロクロス信号Ｓｉｇ３に基づき、交流電源１０１とゼロクロス検出回路３６との間で流れる交流電流のゼロクロスタイミングを特定する。
【００１８】
ヒータ制御回路４３およびヒータ制御回路４４はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を含んで構成されている。ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴは、メインヒータ３１と直列接続されサブヒータ３２と並列接続されている。ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴは、サブヒータ３２と直列接続されメインヒータ３１と並列接続されている。ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴは、コレクタ端子およびエミッタ端子のいずれか一方が交流電源１０１の一方の極に、コレクタ端子およびエミッタ端子のいずれか他方がメインヒータ３１およびリレー４２を介して交流電源１０１の他方の極に接続される。ヒータ制御回路４３には制御部３３から出力されるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４が入力され、ヒータ制御回路４３の導通状態はメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４のレベルに応じて切替わる。詳しくは、メインヒータ３１を通電された状態とする場合、制御部３３はメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４のレベルをヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴが導通状態となるレベルに切替える。これにより、導通状態とされるレベルである第２オン信号の一例としてのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４を制御部３３から受けてヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴが導通状態となり、メインヒータ３１は通電された状態となる。一方、メインヒータ３１を通電されていない状態とする場合には、制御部３３はメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４のレベルをヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴが非導通状態となるレベルに切替える。これにより、非導通状態とされるレベルである第２オフ信号の一例としてのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４を制御部３３から受けてヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴが非導通状態となり、メインヒータ３１は通電されていない状態となる。サブヒータ３２の制御についても同様である。即ち、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴは、コレクタ端子およびエミッタ端子のいずれか一方が交流電源１０１の一方の極に、コレクタ端子およびエミッタ端子のいずれか他方がサブヒータ３２およびリレー４２を介して交流電源１０１の他方の極に接続される。また、ヒータ制御回路４４には、制御部３３から出力されるサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５が入力され、ヒータ制御回路４４の導通状態はサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルにおうじて切替わる。詳しくは、サブヒータ３２を通電された状態とする場合、制御部３３はサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴが導通状態となるレベルに切替える。これにより、導通状態とされるレベルであるサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５を制御部３３から受けてヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴが導通状態となり、サブヒータ３２は通電された状態となる。一方、サブヒータ３２を通電されていない状態とする場合には、制御部３３はサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴが非導通状態となるレベルに切替える。これにより、非導通状態とされるレベルである第１オフ信号の一例としてのサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５を制御部３３から受けてヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴが非導通状態となり、サブヒータ３２は通電されていない状態となる。以下の説明において、制御部３３が所定のレベルのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４およびサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５の各々を出力することにより、ヒータ制御回路４３およびヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴの各々を導通状態とすることを「メインヒータ３１をＯＮする」「サブヒータ３２をＯＮする」と記載する。また、制御部３３が所定のレベルとは異なるレベルのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４およびサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５の各々を出力することにより、ヒータ制御回路４３およびヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴの各々を非導通状態とすることを「メインヒータ３１をＯＦＦする」「サブヒータ３２をＯＦＦする」と記載する。
【００１９】
制御部３３は、例えば、プリンタ１の電源がオンされると、図３に示す第１ヒータ制御処理を開始する。尚、プリンタ１の電源がオンされることに応じて、制御部３３は、リレー制御信号Ｓｉｇ２のレベルをリレー４２の接点を閉じるレベルにする。
【００２０】
制御部３３は、第１ヒータ制御処理を開始し、入力されるゼロクロス信号Ｓｉｇ３に基づき、ゼロクロスタイミングを特定すると（Ｓ１）、特定したゼロクロスタイミングでメインヒータ３１およびサブヒータ３２をＯＮし、カウンタ３３Ｂに時間の計測を開始させる（Ｓ３）。次に、制御部３３は電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値が予めメモリ３３Ａに記憶されている閾値ＴＨ1に達したか否かを判断する（Ｓ５）。尚、ここでの閾値ＴＨ1は、電流の向きによらない電流値の大きさにより規定されるものである。即ち、ステップＳ５では、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値の絶対値が閾値ＴＨ1に達したか否かが判断される。以下の閾値ＴＨ1を使用するステップにおいても同様である。また、閾値ＴＨ1は、定格電流値ＴＨ2を上限値とする電流範囲ΔＩaの下限値である。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達していないと判断することに応じて（Ｓ５：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ５へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ５を繰り返し実行する。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達したと判断することに応じて（Ｓ５：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦする。尚、ステップＳ５でＮＯと判断されてから、ステップＳ５でＹＥＳと判断されるまでの時間におけるヒータ電流の増加量は、電流範囲ΔＩaよりも小さい。以下のステップＳ９，Ｓ１３についても同様である。また、制御部３３はカウンタ３３Ｂに計測を終了させ、計測された時間を第１時間ＴＤ1としてメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ７）。次に、制御部３３は電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達したか否かを判断する（Ｓ９）。尚、この期間のヒータ電流とは、サブヒータ３２はＯＦＦされているため、メインヒータ３１のみに流れる電流である。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達していないと判断することに応じて（Ｓ９：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ９へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ９を繰り返し実行する。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達したと判断することに応じて（Ｓ９：ＹＥＳ）、制御部３３はメインヒータ３１をＯＦＦし、サブヒータ３２をＯＮする。また、制御部３３はカウンタ３３Ｂに計測を終了させ、計測された時間を第２時間ＴＤ2としてメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ１１）。
【００２１】
次に、制御部３３は電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達したか否かを判断する（Ｓ１３）。尚、この期間のヒータ電流とは、メインヒータ３１はＯＦＦされているため、サブヒータ３２のみに流れる電流である。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達していないと判断することに応じて（Ｓ１３：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ１３へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ１３を繰り返し実行する。ヒータ電流の電流値が閾値ＴＨ1に達したと判断することに応じて（Ｓ１３：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦする。また、制御部３３はカウンタ３３Ｂに計測を終了させ、計測された時間を第３時間ＴＤ3としてメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ１５）。次に、制御部３３は第４時間ＴＤ4を交流電源１０１の周期Ｔを用いて次の式により算出する（Ｓ１７）。
ＴＤ4＝Ｔ/２−（ＴＤ1＋ＴＤ2＋ＴＤ3）×２
【００２２】
次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ１５を実行してからメモリ３３Ａに記憶させた第４時間ＴＤ4が経過したか否かを判断する（Ｓ１９）。第４時間ＴＤ4が経過していないと判断することに応じて（Ｓ１９：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ１９へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ１９を繰り返し実行する。第４時間ＴＤ4が経過したと判断することに応じて（Ｓ１９：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、カウンタ３３Ｂに時間の計測を終了させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ２１）。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ２１を実行してからメモリ３３Ａに記憶させた第３時間ＴＤ3が経過したか否かを判断する（Ｓ２３）。第３時間ＴＤ3が経過していないと判断することに応じて（Ｓ２３：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ２３へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ２３を繰り返し実行する。第３時間ＴＤ3が経過したと判断することに応じて（Ｓ２３：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦし、メインヒータ３１をＯＮし、カウンタ３３Ｂに時間の計測を終了させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ２５）。
【００２３】
次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ２５を実行してからメモリ３３Ａに記憶させた第２時間ＴＤ2が経過したか否かを判断する（Ｓ２７）。第２時間ＴＤ2が経過していないと判断することに応じて（Ｓ２７：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ２７へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ２７を繰り返し実行する。第２時間ＴＤ2が経過したと判断することに応じて（Ｓ２７：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮする（Ｓ２９）。次に、制御部３３は、第４時間ＴＤ4は所定時間以下であるか否かを判断する（Ｓ３１）。第４時間ＴＤ4は所定時間以下でないと判断することに応じて（Ｓ３１：ＮＯ）、ステップＳ１へ戻る。一方、第４時間ＴＤ4は所定時間以下であると判断することに応じて（Ｓ３１：ＹＥＳ）、第１ヒータ制御処理を終了する。ステップＳ１へ戻る場合、ゼロクロスタイミングに応じて、ステップＳ３以降の処理が実行される。つまり、交流電源１０１の半周期毎に、ステップＳ１〜Ｓ３１の処理が実行されることになる。
【００２４】
第１ヒータ制御処理について、横軸を時間、縦軸を電流とする図４を用いて説明する。図４では、ヒータ電流を実線で示し、メインヒータ３１に対して制御部３３が波数制御を実行したと仮定した場合のメインヒータ３１に流れる電流を「推定メインヒータ電流」として破線で示し、サブヒータ３２に対して制御部３３が波数制御を実行したと仮定した場合のサブヒータ３２に流れる電流を「推定サブヒータ電流」として破線で示している。また、メインヒータ３１およびサブヒータ３２に対して制御部３３が波数制御を実行したと仮定した場合のメインヒータ３１に流れる電流とサブヒータ３２に流れる電流との合成電流を「推定合成電流」として破線で示している。尚、後述する図５，６，９，１０においても同様の記載であるため、都度の説明は省略する。また、波数制御とは、交流電源１０１の半周期における例えばメインヒータ３１への給電を半周期の開始のゼロクロスタイミングから終了のゼロクロスタイミングまで行う制御のことである。サブヒータ３２における波数制御についても同様である。
【００２５】
ステップＳ１にて、ゼロクロスタイミングが特定されるとステップＳ３にてメインヒータ３１およびサブヒータ３２がＯＮされる。交流電源１０１の位相角が大きくなるにつれ、合成電流は大きくなり、やがて閾値ＴＨ1に達するとステップＳ７にてサブヒータ３２がＯＦＦされる。ここで、ゼロクロスタイミングからサブヒータ３２がＯＦＦされるまでの時間が第１時間ＴＤ1である。ステップＳ７にてサブヒータ３２がＯＦＦされると、ヒータ電流はメインヒータ３１へ流れる電流のみとなり、小さくなる。メインヒータ３１のみがＯＮされた状態で、位相角が大きくなるにつれ、ヒータ電流は大きくなり、やがて閾値ＴＨ1に達するとステップＳ１１にてメインヒータ３１がＯＦＦされ、サブヒータ３２がＯＮされる。ここで、サブヒータ３２がＯＦＦされてから、メインヒータ３１がＯＦＦされ、かつサブヒータ３２がＯＮされるまでの時間が第２時間ＴＤ2である。メインヒータ３１の消費電力よりもサブヒータ３２の消費電力の方が小さいため、ステップＳ１１にてＯＮされるヒータがメインヒータ３１からサブヒータ３２に切替わると、ヒータ電流は小さくなる。サブヒータ３２のみがＯＮされた状態で、位相角が大きくなるにつれ、ヒータ電流は大きくなり、やがて閾値ＴＨ1に達するとステップＳ１５にてサブヒータ３２がＯＦＦされる。メインヒータ３１およびサブヒータ３２の両方がＯＦＦされるため、ヒータ電流はほぼゼロとなる。ここで、メインヒータ３１がＯＦＦされ、かつサブヒータ３２がＯＮされてから、ＯＦＦされるまでの時間が第３時間ＴＤ3である。
【００２６】
メインヒータ３１およびサブヒータ３２の両方がＯＦＦされてから第４時間ＴＤ4が経過すると、まず、ステップＳ２１にてサブヒータ３２がＯＮされる。サブヒータ３２がＯＮされてから第３時間ＴＤ3が経過すると、ステップＳ２３にてサブヒータ３２がＯＦＦされ、メインヒータ３１がＯＮされる。サブヒータ３２がＯＦＦされ、かつメインヒータ３１がＯＮされてから第２時間ＴＤ2が経過すると、サブヒータ３２もＯＮされる。このように、４分の１周期経過してからゼロクロスタイミングまでの期間において、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過するまでにメインヒータ３１がＯＮされた期間と同等の期間、メインヒータ３１がＯＮされる。また、４分の１周期経過してからゼロクロスタイミングまでの期間において、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過するまでにサブヒータ３２がＯＮされた期間と同等の期間、サブヒータ３２がＯＮされる。
【００２７】
尚、図５に示すように、ハロゲンヒータは、通電時間が長くなり自身の温度が高くなるにつれて、自身の抵抗が大きくなるため、ヒータ電流は次第に小さくなる。このため、第１時間ＴＤ1〜第３時間ＴＤ3の各々の時間は次第に長くなり、第４時間ＴＤ4は次第に短くなる。所定の交流電源１０１の半周期において第４時間ＴＤ4が所定時間以下に短くなると、次の半周期において、サブヒータ３２に対して制御部３３が波数制御を実行したと仮定した場合のサブヒータ３２に流れる電流のピークが閾値ＴＨ1を超えなくなる。それゆえ、第４時間ＴＤ4が所定時間以下に短くなる所定の交流電源１０１の半周期の次の半周期以降において、サブヒータ電流のピークが閾値ＴＨ1を超えない波数制御をサブヒータ３２に対して実行することができる。そこで、図３のステップＳ３１において、第４時間ＴＤ4は所定時間以下であると判断することに応じて（Ｓ３１：ＹＥＳ）、第１ヒータ制御処理を終了し、制御部３３は、サブヒータ３２に対して波数制御を開始する。
【００２８】
ここで、プリンタ１は画像形成装置の一例であり、サブヒータ３２は第１ヒータの一例であり、メインヒータ３１は第２ヒータの一例であり、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴは第１切替素子の一例であり、ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴは第２切替素子の一例である。
また、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴを導通状態とするレベルであるサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５は第１オン信号の一例であり、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴを非導通状態とするレベルであるサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５は第１オフ信号の一例である。ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴを導通状態とするレベルであるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４は第２オン信号の一例であり、ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴを非導通状態とするレベルであるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４は第２オフ信号の一例である。閾値ＴＨ1は第１の値の一例であり、定格電流値ＴＨ2は第２の値の一例である。
【００２９】
以上、説明した第１実施形態によれば、以下の効果を奏する。
制御部３３は、ゼロクロスタイミングから４分の１周期経過するまでの間に、ステップＳ３にて、メインヒータ制御信号Ｓｉｇ４およびサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４３，４４に含まれるＩＧＢＴをＯＮさせるレベルに切替えて、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とさせ、ヒータ電流が閾値ＴＨ1以上となると、ステップＳ７にて、サブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴをＯＦＦさせるレベルに切替えて、サブヒータ３２を非通電状態とさせる。これにより、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達するまでの期間において、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とさせることができる。ヒータ電流の値が閾値ＴＨ1より小さい状態から閾値ＴＨ1以上となる状態へ変化したことが電流センサ３７を用いて検出され、それに応じてサブヒータ３２をＯＦＦされる。このため、例えば、電流センサ３７を備えず、ヒータ電流の値が確実に定格電流値ＴＨ2を超えないように、ヒータ電流の値が確実に閾値ＴＨ1より小さくなるタイミングでサブヒータ３２がＯＦＦされる構成に比べ、サブヒータ３２をＯＦＦするタイミングを遅らせてＦＰＯＴを短縮しつつ、ヒータ電流の値が定格電流値ＴＨ2を超えるのを抑制できる。メインヒータ３１およびサブヒータ３２へ供給される電力を制限しつつ、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度を早期に上昇させることができるためＦＰＯＴを短縮することができる。
【００３０】
また、制御部３３は、ステップＳ１にてゼロクロスタイミングを特定すると、ステップＳ３を実行する。これにより、ゼロクロスタイミングにメインヒータ３１およびサブヒータ３２をＯＮさせるため、ゼロクロスタイミングを過ぎたタイミングからメインヒータ３１および／またはサブヒータ３２をＯＮさせるよりも、ＯＮ時間を長くすることができ、ＦＰＯＴ短縮の効果を高めることができる。
【００３１】
また、制御部３３は、ステップＳ１１において、メインヒータ３１へ給電している状態において、ヒータ電流が閾値ＴＨ1以上となると、メインヒータ制御信号Ｓｉｇ４のレベルをヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴをＯＦＦさせるレベルに切替えて、メインヒータ３１への給電を停止する。これにより、ヒータ電流が閾値ＴＨ1を超えてしまうのを抑制することができる。半周期の開始のゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ1経過したタイミングでメインヒータ３１への給電を停止する構成に比べて、メインヒータ３１の通電時間を長くすることができ、ＦＰＯＴ短縮の効果を高めることができる。また、ヒータ電流が閾値ＴＨ1を超えてしまうのを抑制することができる。
【００３２】
また、制御部３３は、ステップＳ１１において、メインヒータ３１をＯＦＦする際に、サブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴをＯＮさせるレベルに切替えて、サブヒータ３２を通電状態とさせる。サブヒータ３２の消費電力はメインヒータ３１の消費電力よりも小さく、メインヒータ３１のみが導通状態にされた場合のヒータ電流よりも、サブヒータ３２のみが導通状態にされた場合のヒータ電流の方が小さい。このため、メインヒータ３１のみがＯＮされた場合のヒータ電流が閾値ＴＨ1に達したとしても、ヒータ電流が閾値ＴＨ1より小さい範囲において、サブヒータ３２のみをＯＮすることが可能となる。そこで、ステップＳ１１にて、サブヒータ３２をＯＮすることにより、ヒータ電流が閾値ＴＨ1を超えることなく、サブヒータ３２のＯＮ時間を長くすることができる。
【００３３】
また、制御部３３は、ステップＳ１５において、サブヒータ３２へ給電している状態において、ヒータ電流が閾値ＴＨ1以上となると、サブヒータ制御信号Ｓｉｇ５のレベルをヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴをＯＦＦさせるレベルに切替えて、サブヒータ３２を非通電状態とさせる。これにより、ヒータ電流が閾値ＴＨ1を超えてしまうのを抑制することができる。
【００３４】
また、メインヒータ３１およびサブヒータ３２におけるＯＮ／ＯＦＦの制御は、それぞれ、ヒータ制御回路４３，４４に含まれるＩＧＢＴを制御することにより行われる。トライアックと異なり、ＩＧＢＴはゼロクロスタイミングによらずに非導通状態となることが可能である。このため、メインヒータ３１またはサブヒータ３２に交流の半周期、電流が流れると仮定した場合のメインヒータ３１またはサブヒータ３２に流れる電流の最大値が定格電流値ＴＨ2を超える場合、ＩＧＢＴを用いることにより、本実施形態に係る制御を好適に実現することができる。
【００３５】
（第１実施形態の別例１）
次に、第１実施形態の別例１について図６を用いて説明する。
第１実施形態では、合成電流が閾値ＴＨ1に達すると、ステップＳ７にてサブヒータ３２をＯＦＦすると説明した。これとは別に、第１実施形態の別例１では、合成電流が閾値ＴＨ1に達すると、メインヒータ３１をＯＦＦする構成とする。
【００３６】
具体的な制御方法としては、ステップＳ１〜Ｓ５と同様のステップの実行後、制御部３３は、ステップＳ５にてＹＥＳ、即ちヒータ電流が閾値ＴＨ1に達したと判断すると、メインヒータ３１をＯＦＦする。また、制御部３３はゼロクロスタイミングからメインヒータ３１をＯＦＦするまでの第１時間ＴＤ11をメモリ３３Ａに記憶させる。次に、制御部３３は、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達したか否かを判断し、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達したと判断すると、サブヒータ３２をＯＦＦする。また、メインヒータ３１をＯＦＦしてからサブヒータ３２をＯＦＦするまでの第２時間ＴＤ12をメモリ３３Ａに記憶させる。次に、制御部３３は、サブヒータ３２をＯＦＦしたか否かを判断し、ＯＦＦしたと判断すると、第１時間ＴＤ11および第２時間ＴＤ12をそれぞれ２倍した値を半周期（Ｔ/２）から減算した第３時間ＴＤ13を算出する。次に制御部３３は、第３時間ＴＤ13経過すると、サブヒータ３２をＯＮし、第２時間ＴＤ12経過すると、メインヒータ３１をＯＦＦする。一方、サブヒータ３２をＯＦＦしていないと判断すると、制御部３３は第１時間ＴＤ11を２倍した値を半周期（Ｔ/２）から減算した時間を算出し、減算した時間した時間経過すると、メインヒータ３１をＯＮする。
【００３７】
図６の期間ＴＤＡは、半周期においてサブヒータ３２がＯＦＦ／ＯＮされる場合を示している。図６の期間ＴＤＢは、半周期においてサブヒータ３２がＯＦＦ／ＯＮされない場合を示している。サブヒータ３２のＯＮ時間が長くなり、抵抗が高くなるに応じてヒータ電流は小さくなり、サブヒータ３２のみが導通状態とされた場合のヒータ電流が所定範囲に達しない場合には、サブヒータ３２をＯＦＦする必要がないため、サブヒータ３２を導通状態のままとする。
【００３８】
ここで、メインヒータ３１は第１ヒータの一例であり、サブヒータ３２は第２ヒータの一例であり、ヒータ制御回路４３に含まれるＩＧＢＴは第１切替素子の一例であり、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴは第２切替素子の一例であり、閾値ＴＨ1は第１の値の一例であり、定格電流値ＴＨ2は第２の値の一例である。
【００３９】
上記した第１実施形態の別例１によれば、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えるタイミング以前のタイミングまでの期間において、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とすることができる。また、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2に達するまでの期間において、サブヒータ３２を通電状態とすることができる。このため、メインヒータ３１およびサブヒータ３２へ供給される電力を制限しつつ、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度を早期に上昇させることができるためＦＰＯＴを短縮することができる。
【００４０】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について図７〜９を用いて説明する。第２実施形態に係る加熱装置１３０は、メインヒータ３１を制御するヒータ制御回路１４３の構成が第１実施形態とは異なる。その他の構成は、第１実施形態と同様であるため、同じ構成には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
図７に示す様に、ヒータ制御回路１４３は、トライアックを含んで構成されている。ヒータ制御回路１４３に含まれるトライアックは、Ｔ１端子が交流電源１０１の一方の極に、Ｔ２端子がメインヒータ３１およびリレー４２を介して交流電源１０１の他方の極に接続される。ヒータ制御回路４３には、制御部３３から出力されるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４が入力され、ヒータ制御回路１４３は、メインヒータ制御信号Ｓｉｇ４に応じてメインヒータ３１を導通させる。詳しくは、メインヒータ３１を導通状態にする場合、制御部３３はパルスのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４を出力する。これにより、ヒータ制御回路１４３に含まれるトライアックがターンオンし、メインヒータ３１は導通状態となる。尚、導通状態であるメインヒータ３１は、ゼロクロスタイミングにてトライアックがターンオフするのに応じて、非導通状態となる。
【００４２】
制御部３３は、例えば、プリンタ１の電源がオンされると、図８に示す第２ヒータ制御処理を開始する。尚、プリンタ１の電源がオンされることに応じて、制御部３３は、リレー制御信号Ｓｉｇ２のレベルをリレー４２の接点を閉じるレベルにする。
【００４３】
制御部３３は、第２ヒータ制御処理を開始し、ゼロクロスタイミングを特定すると（Ｓ４１）、カウンタ３３Ｂに時間の計測を開始させる。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ゼロクロスタイミングからメモリ３３Ａに予め記憶された第１時間ＴＤ31が経過したか否かを判断する（Ｓ４３）。ここで、第１時間ＴＤ31は、例えばサブヒータ３２の抵抗値が最小であるなどのヒータ電流が最大となるワースト条件でサブヒータ３２のみが通電された場合に、ヒータ電流が閾値ＴＨを超えない様に予め実験などにより求められた位相角に対応する時間である。第１時間ＴＤ31が経過していないと判断することに応じて（Ｓ４３：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ４３へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ４３を繰り返し実行する。第１時間ＴＤ31が経過したと判断することに応じて（Ｓ４３：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ４５）。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ４５を実行してからメモリ３３Ａに予め記憶された第２時間ＴＤ32が経過したか否かを判断する（Ｓ４７）。ここで、第２時間ＴＤ32は、ワースト条件でメインヒータ３１のみが通電された場合に、ヒータ電流が閾値ＴＨを超えない様に予め実験などにより求められた位相角に対応する時間である。第２時間ＴＤ32が経過していないと判断することに応じて（Ｓ４７：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ４７へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ４７を繰り返し実行する。第２時間ＴＤ32が経過したと判断することに応じて（Ｓ４７：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦし、メインヒータ３１をＯＮし、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ４９）。
【００４４】
次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ４９を実行してからメモリ３３Ａに予め記憶された第３時間ＴＤ33が経過したか否かを判断する（Ｓ５１）。ここで、第３時間ＴＤ33は、ワースト条件でメインヒータ３１およびサブヒータ３２が通電された場合に、ヒータ電流が閾値ＴＨを超えない様に予め実験などにより求められた位相角に対応する時間である。第３時間ＴＤ33が経過していないと判断することに応じて（Ｓ５１：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ５１へ戻り、ＹＥＳと判断するまでステップＳ５１を繰り返し実行する。第３時間ＴＤ33が経過したと判断することに応じて（Ｓ５１：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮする（Ｓ５３）。次に、制御部３３は、電流値信号Ｓｉｇ１が示す電流値はメモリ３３Ａに予め記憶された所定電流値以下であるか否かを判断する（Ｓ５５）。ここで、所定電流値とは、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を波数制御したと仮定した場合の合成ピーク電流が、閾値ＴＨを超えない程度の電流値であり、予め実験などにより求められた値である。所定電流値以下でないと判断することに応じて（Ｓ５５：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ４１へ戻る。一方、所定電流値以下であると判断することに応じて（Ｓ５５：ＹＥＳ）、制御部３３は第２ヒータ制御処理を終了する。
【００４５】
図９に示す様に、ゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ31経過するとサブヒータ３２がＯＮされる。続いて、第２時間ＴＤ32経過するとサブヒータ３２がＯＦＦされ、かつメインヒータ３１がＯＮされる。続いて、第３時間ＴＤ33経過するとサブヒータ３２がＯＮされる。各ヒータがＯＮされるタイミングは、ヒータ電流が閾値ＴＨを超えない様に予め設定されているものであるため、ヒータ電流が閾値ＴＨを超えない範囲で各ヒータがＯＮされることとなる。尚、図９に示されるＩp1、Ｉp2、Ｉtd31〜Ｉtd33は後述する（第３実施形態）の説明にて使用されるものである。
【００４６】
ここで、ヒータ制御回路１４３に含まれるトライアックは、第２切替素子の一例である。また、ゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ31経過したタイミングは、第１タイミングの一例であり、ステップＳ４５の実行から第２時間ＴＤ32経過したタイミングは第２タイミングおよび第３タイミングの一例であり、ステップＳ４９の実行から第３時間ＴＤ33経過したタイミングは第４タイミングの一例である。
【００４７】
以上、説明した第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。
制御部３３は、ステップＳ４５にて、サブヒータ３２のみを通電状態とした場合に流れるヒータ電流が閾値ＴＨ以下となるタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。また、制御部３３はステップＳ４９にて、メインヒータ３１のみを通電状態とした場合に流れるヒータ電流が閾値ＴＨ以下となるタイミングにてサブヒータ３２をＯＦＦし、かつメインヒータ３１をＯＮする。また、制御部３３はステップＳ５３にて、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とした場合に流れるヒータ電流が閾値ＴＨ以下となるタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。これにより、サブヒータ３２のみを通電状態とする期間、メインヒータ３１のみを通電状態とする期間、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とする期間を各々設けることができ、メインヒータ３１およびサブヒータ３２へ供給される電力を制限しつつ、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度を早期に上昇させることができるためＦＰＯＴを短縮することができる。ゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ31経過したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮした後、ステップＳ４９の実行から第３時間ＴＤ33経過したタイミングにてメインヒータ３１をＯＮする構成に比べ、ＦＰＯＴを短縮しつつ、ヒータに流れる電流の値が閾値ＴＨを超えるのを抑制できる。また、ゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ31と第２時間ＴＤ32とを合わせた時間経過したタイミングにてメインヒータ３１をＯＮした後、ステップＳ４９の実行から第３時間ＴＤ33経過したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする構成に比べ、ＦＰＯＴを短縮しつつ、ヒータに流れる電流の値が閾値ＴＨを超えるのを抑制できる。
【００４８】
また、制御部３３は、ステップＳ４９にて、サブヒータ３２をＯＦＦし、かつメインヒータ３１をＯＮする。これにより、サブヒータ３２をＯＦＦしたタイミングより後のタイミングにてメインヒータ３１をＯＮするよりも、メインヒータ３１のＯＮ時間を長くすることができる。
【００４９】
また、メインヒータ３１およびサブヒータ３２におけるＯＮ／ＯＦＦの制御は、それぞれ、ヒータ制御回路４３に含まれるトライアック、ヒータ制御回路４４に含まれるＩＧＢＴを制御することにより行われる。メインヒータ３１はステップＳ４９にてＯＮされた後、ゼロクロスタイミングまで通電状態とされる。一方、サブヒータ３２はステップＳ４５にてＯＮされた後、ステップＳ４９にてＯＦＦされる。従って、メインヒータ３１にかかるヒータ制御回路４３ではトライアック、サブヒータ３２にかかるヒータ制御回路４４ではＩＧＢＴを用いることにより、本実施形態に係る制御を好適に実現することができる。
【００５０】
（第２実施形態の別例１）
次に、第２実施形態の別例１について図１０を用いて説明する。
第２実施形態では、ステップＳ４９にて、サブヒータ３２がＯＦＦされ、かつメインヒータ３１がＯＮされると説明した。これとは別に、第２実施形態の別例１では、サブヒータ３２がＯＦＦされたタイミング（第２タイミングの一例）の後のタイミング（第３タイミングの一例）にてメインヒータ３１がＯＮされる構成とする。また、メインヒータ３１がＯＮされるタイミングは、基準値Ａ（所定値の一例）を用いて判断される構成とする。尚、基準値Ａは定格電流値ＴＨ2よりも小さい値である。
【００５１】
具体的な制御方法としては、制御部３３は、ステップＳ４７にてＹＥＳ、即ち第２時間ＴＤ32経過したと判断すると、サブヒータ３２をＯＦＦする。これにより、ヒータ電流は小さくなる。次に、制御部３３は、電流値信号Ｓｉｇ１が示す電流値が基準値Ａ以下であると判断するとメインヒータ３１をＯＮする。この構成によれば、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2より小さい基準値Ａ以下となってからメインヒータ３１がＯＮされるので、メインヒータ３１がＯＮされた際にもヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えてしまうのを抑制することができる。
【００５２】
（第２実施形態の別例２）
次に、第２実施形態の別例２について説明する。
上記の（第２実施形態の別例１）では、制御部３３は電流値信号Ｓｉｇ１が示す電流値が基準値Ａ以下であると判断するとメインヒータ３１をＯＮすると説明した。これとは別に、第２実施形態の別例２では、ステップＳ４５の実行から第２時間ＴＤ32経過したタイミングでサブヒータ３２をＯＦＦし、サブヒータ３２をＯＦＦしてから所定時間経過後のタイミングにてメインヒータ３１をＯＮする構成とする。ここで、第２時間ＴＤ32は、ワースト条件でメインヒータ３１のみが通電された場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えない時間である。このため、第２時間ＴＤ32が経過したタイミングより所定時間後のタイミングにてメインヒータ３１がＯＮされることにより、メインヒータ３１がＯＮされた際にもヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えてしまうのを抑制することができる。
【００５３】
（第３実施形態）
次に第３実施形態に係る第３ヒータ制御処理について説明する。尚、第３実施形態に係る加熱装置１３０は、第２実施形態に係る加熱装置１３０と同様の構成であるため、説明は省略する。また、第３ヒータ制御処理において、第２ヒータ制御処理と同様のステップについては、同じ符号を付し、詳細な説明は適宜省略する。
【００５４】
制御部３３は、第３ヒータ制御処理を開始し、ゼロクロスタイミングを特定すると（Ｓ４１）、カウンタ３３Ｂに時間の計測を開始させる。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ゼロクロスタイミングからメモリ３３Ａに予め記憶された第１時間ＴＤ31が経過したか否かを判断する（Ｓ４３）。第１時間ＴＤ31が経過していないと判断することに応じて（Ｓ４３：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ４３へ戻る。一方、第１時間ＴＤ31が経過したと判断することに応じて（Ｓ４３：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ６１）。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ４５を実行してからメモリ３３Ａに予め記憶された第２時間ＴＤ32が経過したか否かを判断する（Ｓ４７）。第２時間ＴＤ32が経過していないと判断することに応じて（Ｓ４７：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ４７へ戻る。一方、第２時間ＴＤ32が経過したと判断することに応じて（Ｓ４７：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦし、メインヒータ３１をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ６３）。
【００５５】
次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ４９を実行してからメモリ３３Ａに予め記憶された第３時間ＴＤ33が経過したか否かを判断する（Ｓ５１）。第３時間ＴＤ33が経過していないと判断することに応じて（Ｓ５１：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ５１へ戻る。一方、第３時間ＴＤ33が経過したと判断することに応じて（Ｓ５１：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させる（Ｓ６５）。次に、制御部３３は次の半周期におけるメインヒータ３１およびサブヒータ３２をＯＮするタイミングを、ステップＳ６１，Ｓ６３，Ｓ６５にてメモリ３３Ａに記憶させた最新の電流値に基づき算出する（Ｓ６７）。
【００５６】
ステップＳ６７における算出について、図９を参照しつつ、説明する。
ステップＳ６７では、波数制御されたと仮定した場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるタイミングが算出される。まず、ゼロクロスタイミング後、最初にサブヒータ３２がＯＮされるタイミングの算出方法について説明する。ここでは、サブヒータ３２のみが通電された場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えないタイミングが算出される。
ステップＳ６１にて検出された電流をＩtd31とし、サブヒータ３２の推定ピーク電流をＩp2とすると、電流Ｉtd31は、周期Ｔ、第１時間ＴＤ31を用いて、次の（式１）にて示される。尚、推定ピーク電流とは、波数制御されたと仮定した場合の半周期におけるヒータ電流の最大値であり、詳しくは、位相角がπ／２，３π／２におけるヒータ電流である。
Ｉtd31＝Ｉp2×ｓｉｎ(２π×(Ｔ/2−ＴＤ31)/Ｔ)；（式１）
（式１）を変形すると次の（式２）となる。
Ｉp2＝Ｉtd31/(ｓｉｎ(２π×(Ｔ/2−ＴＤ31)/Ｔ))；（式２）
ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となる時間を求めるには、ゼロクロスタイミングからヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるまでの時間をＴＤx1とすると、方程式である次の（式３）を解けば良い。
ＴＨ2=Ｉp2×ｓｉｎ(２π×(Ｔ/2−ＴＤx1)/Ｔ)；（式３）
（式３）を整理すると、次の（式４）となる。
ＴＤｘ1＝Ｔ/2−ａｒｃｓｉｎ(ＴＨ2/Ip2)×Ｔ/(２π)；（式４）
ステップＳ６７では、（式４）のIp2に（式２）を代入することにより、時間ＴＤx1が算出される。
【００５７】
メインヒータ３１がＯＮされるタイミングおよびゼロクロスタイミング後２回目にサブヒータ３２がＯＮされるタイミングの算出方法についても同様である。
メインヒータ３１がＯＮされるタイミングについては、ステップＳ６３にて検出された電流をＩtd32とし、メインヒータ３１の推定ピーク電流をＩp1とすると、推定ピーク電流をＩp1およびゼロクロスタイミングからヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるまでの時間をＴＤx2は、それぞれ次の（式５）（式６）にて示される。
Ｉp1＝Ｉtd32/(ｓｉｎ(２π×(Ｔ/2−ＴＤ32)/Ｔ))；（式５）
ＴＤｘ2＝Ｔ/2−ａｒｃｓｉｎ(ＴＨ2/Ip1)×Ｔ/(２π)；（式６）
ステップＳ６７では、（式６）のＩp1に（式６）を代入することにより、時間ＴＤx2が算出される。
【００５８】
また、ゼロクロスタイミング後２回目にサブヒータ３２がＯＮされるタイミングについては、ステップＳ６５にて検出された電流をＩtd33とすると、推定ピーク電流をＩp1と推定ピーク電流をＩp2との推定合成ピーク電流（Ｉp1＋Ｉp2）およびゼロクロスタイミングからヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるまでの時間をＴＤx3は、それぞれ次の（式７）（式８）にて示される。
Ｉp1＋Ｉp2＝Ｉtd33/(ｓｉｎ(２π×(Ｔ/2−ＴＤ33)/Ｔ))；（式７）
ＴＤｘ3＝Ｔ/2−ａｒｃｓｉｎ(ＴＨ2/(Ｉp1＋Ｉp2)×Ｔ/(２π)；（式８）
ステップＳ６７では、（式８）の（Ｉp1＋Ｉp2）に（式７）を代入することにより、時間ＴＤx3が算出される。
制御部３３は、ステップＳ６７にて算出した時間ＴＤx1〜ＴＤx3をメモリ３３Ａに記憶させる。尚、ここでは、時間ＴＤx1〜ＴＤx3の各々が経過したタイミングをＯＮタイミングと称する。
【００５９】
次に、制御部３３は、ゼロクロスタイミングを取得すると（Ｓ６９）、カウンタ３３Ｂに時間の計測を開始させる。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ６７にて算出したＯＮタイミングであるか否かを判断する（Ｓ７１）。詳しくは、制御部３３は、時間ＴＤx1経過したか否かを判断し、時間ＴＤx1経過したと判断すると、ＯＮタイミングであると判断する。ＯＮタイミングでないと判断することに応じて（Ｓ７１：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ７１へ戻る。一方、ＯＮタイミングであると判断することに応じて（Ｓ７１：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ７３）。次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ６７にて算出したＯＮタイミングであるか否かを判断する（Ｓ７５）。詳しくは、制御部３３は、時間ＴＤx2経過したか否かを判断し、時間ＴＤx2経過したと判断すると、ＯＮタイミングであると判断する。ＯＮタイミングでないと判断することに応じて（Ｓ７５：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ７５へ戻る。一方、ＯＮタイミングであると判断することに応じて（Ｓ７５：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＦＦし、メインヒータ３１をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させ、カウンタ３３Ｂに時間の計測を新たに開始させる（Ｓ７７）。
【００６０】
次に、制御部３３は、カウンタ３３Ｂが計測する時間に基づき、ステップＳ６７にて算出したＯＮタイミングであるか否かを判断する（Ｓ７９）。詳しくは、制御部３３は、時間ＴＤx3経過したか否かを判断し、時間ＴＤx3経過したと判断すると、ＯＮタイミングであると判断する。ＯＮタイミングでないと判断することに応じて（Ｓ７９：ＮＯ）、制御部３３はステップＳ７９へ戻る。一方、ＯＮタイミングであると判断することに応じて（Ｓ７９：ＹＥＳ）、制御部３３はサブヒータ３２をＯＮし、電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値をメモリ３３Ａに記憶させる（Ｓ７３）。次に、制御部３３はステップＳ５５を実行し、ＮＯであると判断することに応じて、ステップＳ６７へ戻る。一方、ステップＳ５５にてＹＥＳである判断することに応じて（Ｓ５５：ＹＥＳ）、制御部３３は第３ヒータ制御処理を終了する。このように、第３ヒータ制御処理では、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えないように算出されたＯＮタイミングにて各ヒータがＯＮされるため、ＯＮ時間を長くすることが可能となる。
【００６１】
ここで、電流センサ３７は第１電流センサ、第２電流センサ、および第３電流センサの一例である。
【００６２】
以上、説明した第３実施形態によれば、以下の効果を奏する。
制御部３３は、ステップＳ６７において、サブヒータ３２のみを導通状態とした場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるタイミングを算出し、ステップＳ７３にて、算出したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。これにより、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えず、かつ長いＯＮ時間にてサブヒータ３２を導通させることができる。
【００６３】
また、制御部３３は、ステップＳ６７において、メインヒータ３１のみを導通状態とした場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるタイミングを算出し、ステップＳ７７にて、算出したタイミングにてメインヒータ３１をＯＮする。これにより、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えず、かつ長いＯＮ時間にてメインヒータ３１を導通させることができる。
【００６４】
また、制御部３３は、ステップＳ６７において、メインヒータ３１およびサブヒータ３２を導通状態とした場合のヒータ電流が定格電流値ＴＨ2となるタイミングを算出し、ステップＳ８１にて、算出したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。これにより、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えず、かつ長いＯＮ時間にてメインヒータ３１およびサブヒータ３２を導通させることができる。
【００６５】
（第３実施形態の別例１）
次に、第３実施形態の別例１について説明する。
上記では、ステップＳ６７にてサブヒータ３２をゼロクロスタイミング後２回目にＯＮするタイミングを算出する際に、ステップＳ６５にて検出したヒータ電流を用いて算出すると説明した。これとは別に、ステップＳ６１にて検出したヒータ電流と、ステップＳ６３にて検出したヒータ電流とに基づいて、サブヒータ３２をゼロクロスタイミング後２回目にＯＮするタイミングを算出する構成としても良い。
具体的には、上記の（式２）および（式５）により、推定ピーク電流Ｉp1，Ｉp2は示されるので、（式８）に（式２）および（式５）を代入することにより、時間ＴＤx3を算出する構成とする。
この構成によれば、ステップＳ６５にてヒータ電流を検出する処理を省き、時間ＴＤx3を算出することができる。算出されたＯＮタイミングにてサブヒータ３２がＯＮさせるので、ヒータ電流が定格電流値ＴＨ2を超えず、かつ長いＯＮ時間にてメインヒータ３１およびサブヒータ３２を通電状態とさせることができる。
【００６６】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種々の改良、変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、第１実施形態では、半周期における前半と後半とで各ヒータがＯＮされる構成を説明したが、これに限定されず、半周期における前半だけ各ヒータがＯＮされ、後半はＯＮされない構成としても良い。
【００６７】
また、上記では、制御部３３はステップＳ１にてゼロクロスタイミングを特定すると、ステップＳ３にてメインヒータ３１およびサブヒータ３２をＯＮすると説明したが、これに限定されない。ゼロクロスタイミングより後のタイミングにてメインヒータ３１およびサブヒータ３２の少なくとも一方をＯＮする構成としても良い。また、メインヒータ３１およびサブヒータ３２をＯＮするタイミングは互いに異なるタイミングであっても良い。また、ステップＳ２５において、サブヒータ３２がＯＦＦされ、メインヒータ３１がＯＮされると説明したが、これに限定されない。サブヒータ３２がＯＦＦされるタイミングと、メインヒータ３１がＯＮされるタイミングとは互いに異なるタイミングとしても良い。
【００６８】
また、第１実施形態において、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１３にて同じ閾値ＴＨ1を用いて判断されると説明したが、これに限定されず、互いに異なる閾値で判断される構成としても良い。この構成の場合、例えば図６の電流範囲ΔＩaにて示すように、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１３の各々にて使用される閾値は所定の範囲内の値とすると良い。
【００６９】
また、例えば第１実施形態では、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達すると、ステップＳ７にてサブヒータ３２がＯＦＦされると説明したが、これに限定されず、サブヒータ３２およびメインヒータ３１の両方がＯＦＦされる構成としても良い。
【００７０】
また、例えば第１実施形態では、ヒータ電流が閾値ＴＨ1に達すると、ステップＳ１１にて、メインヒータ３１をＯＦＦすると説明したが、ＯＦＦするタイミングはこれに限定されない。例えば、ヒータ電流が閾値ＴＨ1を超えない様に予め設定されたタイミングにて、ＯＦＦされる構成としても良い。ステップＳ１５についても同様である。
【００７１】
また、第１実施形態において、ステップＳ１１にてサブヒータ３２がＯＮされると説明したが、ＯＮされない構成としても良い。
【００７２】
また、第３実施形態において、ステップＳ６７にて、ステップＳ７３，Ｓ７７，Ｓ８１のタイミングが算出されると説明したが、これに限定されず、少なくとも何れか一つのタイミングが算出される構成としても良い。ステップＳ７３のタイミングだけ算出される構成の場合には、サブヒータ３２に流れる電流のみを検出可能な位置に電流センサを配設する構成としても良い。また、ステップＳ７７のタイミングだけ算出される構成の場合には、メインヒータ３１に流れる位置のみを検出可能な位置に電流センサを配設する構成としても良い。
【００７３】
また、第３実施形態において、ステップＳ５５にてＮＯと判断されるとステップＳ６７へ戻ると説明した。つまり、ステップＳ６７〜Ｓ８１の処理は、半周期毎に繰り返されると説明したが、これに限定されない。ステップＳ６７が半周期よりも長いサイクルで実行される構成としても良い。つまり、この構成の場合、半周期毎に各ＯＮタイミングが更新されずに、複数の半周期に渡って、同じＯＮタイミングにて各々のヒータがＯＮされる構成としても良い。
【００７４】
また、（第１実施形態の別例１）では、ヒータ電流が電流範囲ΔＩaに達したと判断されると、サブヒータ３２がＯＦＦされると説明したが、これに限定されない。サブヒータ３２が波数制御された場合のヒータ電流が電流範囲ΔＩaを超えないと予め見積もられる場合には、半周期においてサブヒータ３２をＯＮ／ＯＦＦしない構成としても良い。具体的には、ヒータ電流が電流範囲ΔＩaに達したか否かを判断するステップおよびサブヒータ３２をＯＮ／ＯＦＦするステップを省略する構成としても良い。また、この制御の場合、ゼロクロスタイミングでサブヒータ３２をＯＦＦする構成とすれば良いため、サブヒータ３２を制御する回路であるヒータ制御回路４３をヒータ制御回路１４３のようにトライアックを含む構成としても良い。
【００７５】
また、上記では、ヒータ制御回路４３，４４にはＩＧＢＴが含まれると説明したが、ＩＧＢＴではなく例えばＦＥＴなどのその他の半導体素子でも良い。また、上記では、ヒータ制御回路４３，４４にはトライアックが含まれると説明したが、例えばサイリスタなどのその他の半導体素子でも良い。
【００７６】
また、上記では、電流センサの一例として、交流電源１０１とＡＣ／ＤＣコンバータ３４とを接続する配線に配設される電流センサ３７を説明したが、これに限定されない。例えば、交流電源１０１とＡＣ／ＤＣコンバータ３４とを接続する配線から分岐してリレー４２へ至る経路に配設される構成としても良い。また、例えばリレー４２とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを接続する配線から分岐してメインヒータ３１へ至る経路に配設される電流センサと、リレー４２とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを接続する配線から分岐してサブヒータ３２へ至る経路に配設される電流センサとの２つの電流センサを備える構成としても良い。
【００７７】
また、上記では、メインヒータ３１の消費電力はサブヒータ３２の消費電力よりも大きいと説明したが、消費電力の大小を限定するものではない。２つのヒータを備える画像処理装置に適用することができる。
【００７８】
また、上記では、画像形成装置の一例として、モノクロレーザプリンタであるプリンタ１を例示したが、これに限定されず、例えばカラーレーザプリンタ、ＬＥＤを用いた照射によって感光ドラムの表面上に静電潜像を形成するプリンタ、コピー機能などの複数の機能を備える所謂複合機にも適用することができる。
【００７９】
また、上記実施形態では、ヒータ電流が閾値ＴＨ１を超えたらメインヒータ３１をＯＦＦすると説明したが、半周期の開始のゼロクロスタイミングから第１時間ＴＤ１経過した後、ヒータ電流が閾値ＴＨ１を超える前の任意のタイミングでメインヒータ３１をＯＦＦしても良い。サブヒータ３２をＯＦＦしてから第１時間経過すると、メインヒータ３１をＯＦＦする構成としても良い。
【符号の説明】
【００８０】
１  プリンタ
３１  メインヒータ
３２  サブヒータ
３３  制御部
３７  電流センサ
４３  ヒータ制御回路
４４  ヒータ制御回路
１０１  交流電源
【図１】
2019179152.tif 000003
【図２】
2019179152.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019179152.tif 000009
【図８】
2019179152.tif 000010
【図９】
2019179152.tif 000011
【図１０】
2019179152.tif 000012
【図１１】
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