(57)【要約】【課題】インダクタ部品の高透磁率化を維持しつつ、薄型化した場合でも反りの発生の抑制し得る、インダクタ部品の磁性層を形成用の樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、インダクタ素子内蔵配線板、及びプリント配線板の提供。【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）磁性フィラー、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）磁性フィラー、
（Ｃ）硬化剤、及び
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７５質量％以上９５質量％未満である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．３質量％以上１５質量％以下である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｄ）成分が、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックであり、
エポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリブチレンオキシドブロック、ポリヘキシレンオキシドブロック、ポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックである、請求項４に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
さらに、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
さらに、（Ｆ）熱可塑性樹脂を含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｃ）成分が、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ａ）成分が、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
樹脂組成物を、１００℃で３０分間、さらに１９０℃で６０分間熱硬化させた硬化物の硬化収縮率が０．２７％以下である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の３０℃〜１５０℃における線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
インダクタ素子を備える配線板の磁性層形成用である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、樹脂シート。
【請求項１４】
請求項１３に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である磁性層と、該磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、
前記導電性構造体と、前記磁性層の厚さ方向に延在し、かつ前記導電性構造体に囲まれた前記磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、インダクタ素子内蔵配線板。
【請求項１５】
請求項１４に記載のインダクタ素子内蔵配線板を内層基板として含むプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性フィラーを含有する樹脂組成物に関する。さらには、当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート、インダクタ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化が進み、プリント配線板のみならず、プリント配線板に搭載されるインダクタ部品（コイル）も、小型化、薄型化の要求が高まっている。このため、インダクタ部品に用いる基材（コア材）の薄型化や、さらにはコアレス構造のインダクタ部品などが求められている（例えば、特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３４４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄いインダクタ部品や、コアレス構造のインダクタ部品を製造する場合、磁性フィラーを含有する樹脂組成物により磁性層（絶縁層）を形成する際に、磁性層自身の硬化収縮により、インダクタ部品に反りが発生しやすいという課題が生じる。反りが発生すると、インダクタ部品をプリント配線板に実装する際に、実装の信頼性が損なわれる。
【０００５】
一方、反りを抑制するために、樹脂硬化物（磁性層）の柔軟性を高める成分を配合することが考えられる。しかし、反り防止効果を十分発揮させるには、柔軟性を高める成分を相当量配合させることが求められるので、磁性フィラーの含有量が相対的に下がるため、磁性層の高透磁率化には不利となり、インダクタ部品の性能が低下する傾向となる。
【０００６】
よって本発明の課題は、インダクタ部品の高透磁率化を維持しつつ、薄型化した場合でも反りの発生の抑制し得る、インダクタ部品の磁性層を形成用の樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート；インダクタ素子内蔵配線板；及びプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、エポキシ樹脂、磁性フィラー、硬化剤、及び両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーを含有する樹脂組成物が、磁性層を形成する際に、透磁率の維持と反りの抑制を同時に達成し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）磁性フィラー、
（Ｃ）硬化剤、及び
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する樹脂組成物。
［２］  （Ｂ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７５質量％以上９５質量％未満である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （Ｄ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．３質量％以上１５質量％以下である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （Ｄ）成分が、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーである、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックであり、
エポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが、ポリブチレンオキシドブロック、ポリヘキシレンオキシドブロック、ポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックである、［４］に記載の樹脂組成物。
［６］  さらに、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有する、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  さらに、（Ｆ）熱可塑性樹脂を含有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］  （Ｃ）成分が、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上である、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  （Ａ）成分が、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  樹脂組成物を、１００℃で３０分間、さらに１９０℃で６０分間熱硬化させた硬化物の硬化収縮率が０．２７％以下である、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］  樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の３０℃〜１５０℃における線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］  インダクタ素子を備える配線板の磁性層形成用である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む、樹脂シート。
［１４］  ［１３］に記載の樹脂シートの樹脂組成物層の硬化物である磁性層と、該磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、
前記導電性構造体と、前記磁性層の厚さ方向に延在し、かつ前記導電性構造体に囲まれた前記磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含む、インダクタ素子内蔵配線板。
［１５］  ［１４］に記載のインダクタ素子内蔵配線板を内層基板として含むプリント配線板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、インダクタ部品の高透磁率化を維持しつつ、薄型化した場合でも反りの発生の抑制し得る、インダクタ部品の磁性層を形成用の樹脂組成物；当該樹脂組成物を用いて得られる、樹脂シート；インダクタ素子内蔵配線板；及びプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一例としての第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。
【図２】図２は、一例としてのＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の切断端面を示す模式的な図である。
【図３】図３は、一例としての第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図４は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図５】図５は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図６】図６は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図７】図７は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図８】図８は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図９】図９は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】図１０は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、一例としての第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】図１２は、硬化収縮率を測定する際の樹脂シートの一例を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１２】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）磁性フィラー、（Ｃ）硬化剤、及び（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー、を含有する。
【００１３】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分を樹脂組成物に含有させることで、反りを抑制することができる磁性層を得ることが可能となる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｅ）カルボジイミド化合物、（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）熱可塑性樹脂、（Ｈ）その他の添加剤を含み得る。
【００１４】
＜（Ａ）エポキシ樹脂＞
樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；ノボラック型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂；ビキシレノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１５】
（Ａ）エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂及び縮合環構造を有するエポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。中でも、（Ａ）成分としては、平均線熱膨張係数などの物性に優れた磁性層を得る観点から、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を含有することがより好ましい。縮合環構造を有するエポキシ樹脂としては、上記例示したもののうち、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００１６】
（Ａ）エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、樹脂組成物は、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを組み合わせて含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。液状エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。固体状エポキシ樹脂は、１分子中に３個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましい。
【００１７】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）、三菱ケミカル社製の「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１８】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」、「Ｎ−６８０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱ケミカル社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ノボラック型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
（Ａ）エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．５〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【００２０】
（Ａ）エポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す磁性層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。（Ａ）エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。
【００２１】
（Ａ）エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００２２】
（Ａ）エポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００２３】
（Ａ）エポキシ樹脂の数平均分子量は、好ましくは５０００未満、より好ましくは４０００以下、さらに好ましくは３０００以下である。下限は、好ましくは１００以上、より好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２４】
（Ａ）エポキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、好ましくは２５℃を超え、より好ましくは３０℃以上、さらに好ましくは３５℃以上である。上限は、好ましくは５００℃以下、より好ましくは４００℃以下、さらに好ましくは３００℃以下である。
【００２５】
＜（Ｂ）磁性フィラー＞
樹脂組成物は、（Ｂ）磁性フィラーを含有する。（Ｂ）磁性フィラーの材料は特に限定されず、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。中でも、（Ｂ）磁性フィラーとしては、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末等の、Ｓｉ、Ａｌ、及びＣｒから選ばれる１種以上の元素を含むＦｅ合金類が好ましく、Ｓｉ及びＣｒを含むＦｅ合金類がより好ましい。（Ｂ）磁性フィラーは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２６】
（Ｂ）磁性フィラーとしては、市販の磁性フィラーを用いることができる。用いられ得る市販の磁性フィラーの具体例としては、山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」、エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」、ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」、戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」、日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」、ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」、キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」、ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。
【００２７】
（Ｂ）磁性フィラーは、球状であることが好ましい。（Ｂ）磁性フィラーの粉体の長辺の長さを短辺の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性フィラーは球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、透磁率の維持と反りの抑制を同時に達成する観点から、球状の（Ｂ）磁性フィラーを用いる方が、所望の特性を有する樹脂組成物を容易に得ることができる。
【００２８】
（Ｂ）磁性フィラーの平均粒径は、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは８μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは４μｍ以下である。（Ｂ）磁性フィラーの平均粒径を斯かる範囲内とすることにより、透磁率の維持と反りの抑制を同時に達成することが可能となる。
【００２９】
（Ｂ）磁性フィラーの平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、磁性フィラーの粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性フィラーを超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。
【００３０】
（Ｂ）磁性フィラーの含有量（体積％）は、比透磁率を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは７５体積％以下、さらに好ましくは６５体積％以下である。
【００３１】
（Ｂ）磁性フィラーの含有量は、比透磁率を向上させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７５質量％以上、より好ましくは７６質量％以上、さらに好ましくは７７質量％以上である。また、好ましくは９５質量％未満、より好ましくは９４質量％以下、さらに好ましくは９３質量％以下である。
【００３２】
＜（Ｃ）硬化剤＞
樹脂組成物は、（Ｃ）硬化剤を含有する。（Ｃ）硬化剤としては、（Ａ）エポキシ樹脂等を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｃ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、一態様として、ピール強度、透磁率などの特性を良好にする観点から、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選ばれる１種以上であることがさらに好ましい。
【００３３】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、硬化物が十分な強度を得る観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。
【００３４】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ２０９０」、「ＴＤ２０９０−６０Ｍ」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」、「ＥＬＰＣ７５」等が挙げられる。
【００３５】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００３６】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル硬化剤、ナフタレン構造を含む活性エステル硬化剤、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル硬化剤、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル硬化剤が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル硬化剤、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル硬化剤がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００３７】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル硬化剤として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル硬化剤として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）等が挙げられる。
【００３８】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００３９】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００４０】
（Ｃ）硬化剤の含有量は、樹脂組成物中の樹脂成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは２質量％以下である。（Ｃ）硬化剤の含有量を斯かる範囲内とすることにより、磁性層を形成する際に発生する反りを抑制することができ、さらには線熱膨張係数、ピール強度などの物性に優れた磁性層を得ることができる。
【００４１】
＜（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー＞
樹脂組成物は、（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーを含有する。本願明細書において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーとは、少なくとも一つのエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントと、少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとを含むブロックコポリマーを言う。（Ｄ）成分を含有することで樹脂組成物の靱性向上、応力緩和性能を向上させることができ、これにより樹脂組成物の硬化物の反り量を低減することができる。
【００４２】
エポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、例えばアルキレンオキシドから誘導されるエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントが挙げられる。アルキレンオキシドから誘導されるエポキシ樹脂混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、ポリエチレンオキシドブロック、ポリプロピレンオキシドブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｃｏ−プロピレンオキシド）ブロック、ポリ（エチレンオキシド−ｒａｎ−プロピレンオキシド）ブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックが好ましく、ポリエチレンオキシドブロックがより好ましい。
【００４３】
エポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントとしては、例えば、アルキレンオキシドから誘導される少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントが挙げられる。アルキレンオキシドから誘導される少なくとも一つのエポキシ樹脂非混和性ポリエーテルブロックセグメントとしては、例えば、ポリブチレンオキシドブロック、１，２−エポキシヘキサンから誘導されるポリヘキシレンオキシドブロック、１，２−エポキシドデカンから誘導されるポリドデシレンオキシドブロック、及びそれらの混合物から選択される１種以上のポリアルキレンオキシドブロックが好ましく、ポリブチレンオキシドブロックがより好ましい。
【００４４】
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは、１種以上のエポキシ樹脂混和性ブロックセグメントを有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂混和性ブロックセグメントを有することより好ましい。同様に、１種以上のエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することがより好ましい。従って、（Ｄ）成分は、例えば、ジブロック、直鎖トリブロック、直鎖テトラブロック、高次マルチブロック構造、分岐ブロック構造、星型ブロック構造、及びそれらの組合せから成る群から選択されるエポキシ樹脂混和性ブロックセグメント、又はエポキシ樹脂非混和性ブロックセグメントを有することが好ましい。
【００４５】
両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは、その効果を損なわない範囲で、分子中に他のセグメントを含有してもよい。他のセグメントとしては、例えば、ポリエチレンプロピレン（ＰＥＰ）、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリジメチルシロキサン、ポリブチレンオキシド、ポリヘキシレンオキシド、ポリエチルヘキシルメタクリレート等のポリアルキルメチルメタクリレート、及びそれらの混合物から誘導されるセグメント等が挙げられる。
【００４６】
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーの数平均分子量は、好ましくは３，０００〜２０，０００である。数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００４７】
（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーとしては、例えば、ポリ（エチレンオキシド）−ｂ−ポリ（ブチレンオキシド）（ＰＥＯ−ＰＢＯ）；ポリ（エチレンオキシド）−ｂ−ポリ（ブチレンオキシド）−ｂ−ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ−ＰＢＯ−ＰＥＯ）等の両親媒性ポリエーテルトリブロックコポリマー等が挙げられる。両親媒性ブロックコポリマーは市販品を用いることもできる。市販品としては、例えばＴｈｅ  Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ社製の「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」等が挙げられる。（Ｄ）両親媒性ポリエーテルブロックコポリマーは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４８】
（Ｄ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、反り量を抑制する観点から、好ましくは０．３質量％以上、より好ましくは０．４質量％以上、さらに好ましくは０．５質量％以上である。上限は、ピール強度、透磁率などの特性を良好にする観点から、好ましくは１５質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。
【００４９】
＜（Ｅ）カルボジイミド化合物＞
樹脂組成物は、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有し得る。（Ｅ）カルボジイミド化合物は、１分子中にカルボジイミド基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−）を１個以上有する化合物であり、（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有させることで導体層との密着性に優れる磁性層をもたらすことができる。（Ｅ）カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物が好ましい。（Ｅ）カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
一実施形態において、本発明の樹脂組成物に含まれるカルボジイミド化合物は、下記式（１）で表される構造を含有する。
【００５１】
【化１】
2019065208.tif 000002
（式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１〜５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。＊は結合手を表す。）
【００５２】
Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アルキレン基の好適な例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
【００５３】
Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該シクロアルキレン基の好適な例としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
【００５４】
Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。該アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アリーレン基の好適な例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
【００５５】
Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基として用いられるアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。置換基として用いられるシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。置換基として用いられるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシル基は、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシルオキシ基は、式：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１は上記と同じ意味を表す。）をいう。中でも、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、及びアシルオキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【００５６】
式（１）中、ｐは１〜５の整数を表す。耐熱性、レーザービア信頼性、及びピール強度に一層優れる磁性層を実現する観点から、ｐは、好ましくは１〜４、より好ましくは２〜４、さらに好ましくは２又は３である。
【００５７】
式（１）中、Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。好適な一実施形態において、少なくとも１つのＸは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であり、これらは置換基を有していてもよい。
【００５８】
好適な一実施形態において、カルボジイミド化合物は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量％としたとき、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、さらにより好ましくは８０質量％以上又は９０質量％以上にて、式（１）で表される構造を含有する。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（１）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
【００５９】
樹脂組成物を硬化する際のアウトガスの発生を抑制し得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは６００以上、さらに好ましくは７００以上、さらにより好ましくは８００以上、特に好ましくは９００以上又は１０００以上である。また、良好な相溶性を得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量の上限は、好ましくは５０００以下、より好ましくは４５００以下、さらに好ましくは４０００以下、さらにより好ましくは３５００以下、特に好ましくは３０００以下である。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
【００６０】
なお、カルボジイミド化合物は、その製法に由来して、分子中にイソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合がある。良好な保存安定性を示す樹脂組成物を得る観点、ひいては所期の特性を示す磁性層を実現する観点から、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下又は０．５質量％以下である。
【００６１】
カルボジイミド化合物は、市販品を使用してもよい。市販のカルボジイミド化合物としては、例えば、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０２Ｂ、Ｖ−０３、Ｖ−０４Ｋ、Ｖ−０７及びＶ−０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０が挙げられる。
【００６２】
樹脂組成物が（Ｅ）カルボジイミド化合物を含有する場合、（Ｅ）カルボジイミド化合物の含有量は、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性のいずれの特性にも優れる磁性層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上が好ましく、０．１５質量％以上がより好ましく、０．２質量％以上がさらに好ましい。（Ｅ）カルボジイミド化合物の含有量の上限は特に限定されないが、１．５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましい。
【００６３】
＜（Ｆ）熱可塑性樹脂＞
樹脂組成物は、（Ｆ）熱可塑性樹脂を含有し得る。（Ｆ）熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、シロキサン樹脂、ポリ（メタ）アクリル樹脂、ポリアルキレン樹脂、ポリアルキレンオキシ樹脂、ポリイソプレン樹脂、ポリイソブチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂が挙げられる。ポリ（メタ）アクリル樹脂とは、ポリアクリル樹脂とポリメタクリル樹脂とを指す。
【００６４】
フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、フェノキシ樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００６５】
フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ構造含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン構造含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、新日鉄住金化学社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＸ７１８０」、「ＹＸ６９５４」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７８９１」、「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。中でもポリアルキレンオキシ構造を有するフェノキシ樹脂が好ましく、具体例としては三菱ケミカル社製の「ＹＸ−７１８０」、「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」が挙げられる。
【００６６】
（Ｆ）成分は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することがより好ましく、ポリブタジエン構造、及びポリアルキレンオキシ構造から選択される１以上の構造を有することがさらに好ましい。上記の構造を有する樹脂を含むことで磁性層が低弾性となり、シェア強度、破断曲げひずみ、及び割れ性に優れるようになり、さらに反りの発生を抑制することがきる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。これらの構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
なお、ポリブタジエン構造は、一部又は全てが水素添加されていてもよい。
ポリアルキレンオキシ構造は、炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。
【００６７】
（Ｆ）成分は、樹脂組成物が硬化した際の反りを低下させるために高分子量であることが好ましい。数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１，０００以上、より好ましくは１５００以上、さらに好ましくは３０００以上、５０００以上である。上限は、好ましくは１，０００，０００以下、より好ましくは９００，０００以下である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００６８】
（Ｆ）成分は、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、（Ａ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ａ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００６９】
好適な一実施形態において、（Ａ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、数平均分子量（Ｍｎ）は、５，０００以上であることが好ましい。
【００７０】
ポリブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）等が挙げられる。一実施形態として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００７１】
ポリ（メタ）アクリル樹脂としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」、「Ｗ−１９７Ｃ」、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」等が挙げられる。
ポリカーボネート樹脂としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミドを使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、国際公開第２０１６／１２９５４１号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００７２】
また、他の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサンおよび四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号公報、特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等）、旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、クラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」、カネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）、電気化学工業社製の「電化ブチラール４０００−２」、「電化ブチラール５０００−Ａ」、「電化ブチラール６０００−Ｃ」、「電化ブチラール６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ（例えばＢＸ−５Ｚ）、ＫＳシリーズ（例えばＫＳ−１）、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」、日立化成社製の「ＫＳ９１００」及び「ＫＳ９３００」、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」及び「Ｐ３５００」、ガンツ化成社製の「ＡＣ３８３２」等が挙げられる。
【００７３】
樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、（Ｆ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．１５質量％以上、さらに好ましくは０．２質量％以上であり、好ましくは１．５質量％以下、より好ましくは１質量％以下、さらに好ましくは０．８質量％以下である。（Ｆ）成分の含有量を斯かる範囲内とすることにより、硬化物の透磁率を維持でき、反りを抑制させることができる。
【００７４】
＜（Ｇ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｇ）硬化促進剤を含有し得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７５】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００７６】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７７】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７８】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７９】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００８０】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００８１】
樹脂組成物が（Ｇ）成分を含有する場合、（Ｇ）成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下である。（Ｇ）成分の含有量を斯かる範囲内とすることにより、硬化物の透磁率を維持でき、反りを抑制させることができる。
【００８２】
＜（Ｈ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、難燃剤、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００８３】
難燃剤としては、例えば、ホスファゼン化合物、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。ホスファゼン化合物の具体例としては、例えば、大塚化学社製の「ＳＰＨ−１００」、「ＳＰＳ−１００」、「ＳＰＢ−１００」、「ＳＰＥ−１００」、伏見製薬所社製の「ＦＰ−１００」、「ＦＰ−１１０」、「ＦＰ−３００」、「ＦＰ−４００」等が挙げられ、ホスファゼン化合物以外の難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」、大八化学工業社製の「ＰＸ−２００」等が挙げられる。
【００８４】
＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を、１００℃で３０分間、さらに１９０℃で６０分間熱硬化させた硬化物は、硬化収縮率が低いという特性を示す。即ち、硬化収縮が抑えられ、これにより反りを抑制することができる磁性層をもたらす。硬化収縮率としては、好ましくは０．２７％以下、より好ましくは０．２５％以下、さらに好ましくは０．２％以下である。硬化収縮率の下限値は特に限定されないが、０．０１％以上等とし得る。硬化収縮率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００８５】
本発明の樹脂組成物を１９０℃９０分間熱硬化させた硬化物は、反りを抑制するという特性を示す。具体的には、硬化物の中央部が凸部となる側の面を下向きにして平滑な台上に載置したとき、台上と硬化物との距離の絶対値が２０ｍｍ未満であることが好ましく、１５ｍｍ未満であることがより好ましい。反りの評価は、後述する実施例に記載の方法に従って評価することができる。
【００８６】
本発明の樹脂組成物を１３０℃で３０分間、さらに１９０℃で６０分間熱硬化させた硬化物は、金属層、特にメッキにより形成されたメッキ導体層とのピール強度に優れるという特性を示す。即ちピール強度に優れた磁性層をもたらす。ピール強度としては、好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．６ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．７ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００８７】
本発明の樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、平均線熱膨張係数（熱膨張率）が低いという特性を示す。即ち、熱膨張率が低い磁性層をもたらす。３０℃〜１５０℃における平均線熱膨張係数の上限値は３０ｐｐｍ／℃以下が好ましく、２５ｐｐｍ／℃以下がより好ましく、２０ｐｐｍ／℃以下が更に好ましく、１５ｐｐｍ／℃以下が更に一層好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下が特に好ましい。一方、線熱膨張係数の下限値は特に限定されず、３ｐｐｍ／℃以上、４ｐｐｍ／℃以上、５ｐｐｍ／℃以上などし得る。熱膨張率の測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００８８】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率が高いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける比透磁率は、好ましくは５以上、より好ましくは７以上、さらに好ましくは９以上である。また、好ましくは２０以下、より好ましくは１８以下、さらに好ましくは１５以下である。比透磁率は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００８９】
樹脂組成物を１９０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、周波数１００ＭＨｚにおける損失係数が低いという特性を示す。周波数１００ＭＨｚにおける損失係数は、好ましくは０．０７以下、より好ましくは０．０６以下、さらに好ましくは０．０５以下である。下限は特に限定されないが０．０００１以上等とし得る。損失係数は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【００９０】
本実施形態の樹脂組成物は、磁性層形成時の流動性に優れており、磁性層（硬化物）としたときの配線層の封止性に優れている。また、本実施形態の樹脂組成物を熱硬化させて得られる磁性層（硬化物）は、絶縁性にも優れる。
【００９１】
よって、本実施形態の樹脂組成物は、磁性層（複数層の磁性層が積層された磁性体部）の厚さ内にコイルが作り込まれた、いわゆるフィルム構造のインダクタ素子を備える配線板の磁性層の材料として好適に用いることができる。
【００９２】
［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【００９３】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下、１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上、１０μｍ以上、２０μｍ以上等とし得る。
【００９４】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００９５】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００９６】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【００９７】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【００９８】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【００９９】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１００】
樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【０１０１】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１０２】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１０３】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１０４】
［インダクタ素子内蔵配線板及びインダクタ素子内蔵配線板の製造方法］
（第１実施形態）
第１実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の構成例について、図１、図２および図３を参照して説明する。図１は、インダクタ素子内蔵配線板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図２は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ素子内蔵配線板の切断端面を示す模式的な図である。図３は、インダクタ素子内蔵配線板のうちの第１配線層の構成を説明するための模式的な平面図である。以下、インダクタ素子内蔵配線板を、単に「配線板」ということがある。
【０１０５】
配線板は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。
【０１０６】
本実施形態の配線板が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚであることが想定されている。また、本実施形態の配線板が備えるインダクタ素子は電源系が想定されている。
【０１０７】
図１および図２に示されるように、配線板１０は、ビルドアップ磁性層を有するビルドアップ配線板である。配線板１０は、コア基材２０を備えている。コア基材２０は第１主表面２０ａおよび第１主表面２０ａとは反対側の第２主表面２０ｂを有している。コア基材２０は絶縁性の基板である。コア基材２０は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【０１０８】
コア基材２０の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。
【０１０９】
コア基材２０は、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４とを有している。第１配線層４２および第２配線層４４は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。外部端子２４は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４は、第２主表面２０ｂに設けられる配線層の一部として構成することができる。
【０１１０】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線を構成し得る導体材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズおよびインジウムからなる群から選択される１種以上の金属が挙げられる。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単金属により構成されていても合金により構成されていてもよく、合金としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケルクロム合金、銅ニッケル合金および銅チタン合金）が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【０１１１】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線が複層構造である場合、磁性層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。
【０１１２】
第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、その他の配線の厚さは、所望の多層プリント配線板のデザインによるが、一般に３μｍ〜３５μｍ、好ましくは５μｍ〜３０μｍである。
【０１１３】
コア基材２０が有する第１配線層４２および外部端子２４の厚さは特に限定されない。第１配線層４２および外部端子２４の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。外部端子２４の厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【０１１４】
第１配線層４２および外部端子２４のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【０１１５】
コア基材２０としては、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板であるパナソニック社製「Ｒ１５１５Ａ」を用い、銅層をパターニングすることにより配線層とした配線板が挙げられる。
【０１１６】
コア基材２０は第１主表面２０ａから第２主表面２０ｂに至るようにコア基材２０を貫通する複数のスルーホール２２を有している。スルーホール２２にはスルーホール内配線２２ａが設けられている。スルーホール内配線２２ａは、第１配線層４２と外部端子２４とを電気的に接続している。
【０１１７】
図３に示されるように、第１配線層４２はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２ａと電気的に接続される矩形状のランド４２ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１配線層４２の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【０１１８】
第１配線層４２が設けられたコア基材２０の第１主表面２０ａ側には第１配線層４２および第１配線層４２から露出する第１主表面２０ａを覆うように第１磁性層３２が設けられている。
【０１１９】
第１磁性層３２は、既に説明した樹脂シートに由来する層であるので、第１配線層４２の封止性に優れている。また第１磁性層３２は、前記樹脂シートを用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに、通常は磁性損失が低減されている。
【０１２０】
第１磁性層３２には、第１磁性層３２をその厚さ方向に貫通するビアホール３６が設けられている。
【０１２１】
第１磁性層３２上には第２配線層４４が設けられている。第２配線層４４はコイル状導電性構造体４０を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図示例では第２配線層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【０１２２】
ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａにより第１配線層４２のランド４２ａに電気的に接続されている。よって第２配線層４４の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６ａ、ランド４２ａ、スルーホール内配線２２ａを経て外部端子２４に電気的に接続されている。
【０１２３】
コイル状導電性構造体４０は、第１配線層４２の一部分である渦巻状の配線部、第２配線層４４の一部分である渦巻状の配線部、第１配線層４２の渦巻状の配線部と第２配線層４４の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６ａにより構成されている。
【０１２４】
第２配線層４４が設けられた第１磁性層３２上には第２配線層４４および第２配線層４４から露出する第１磁性層３２を覆うように第２磁性層３４が設けられている。
【０１２５】
第２磁性層３４は、第１磁性層３２と同様に既に説明した樹脂シートに由来する層であり、樹脂シートの樹脂組成物層は磁性層形成時の流動性に優れているので、第２配線層４４の封止性に優れている。また第２磁性層３４は、前記樹脂シートを用いて形成されるので、比透磁率が向上しており、さらに通常は磁性損失が低減されている。
【０１２６】
第１磁性層３２および第２磁性層３４は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３０を構成している。よってコイル状導電性構造体４０は、磁性部３０に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態の配線板１０において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４０と、磁性部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【０１２７】
本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１配線層４２および第２配線層４４の２層の配線層を含む例を説明したが、３層以上の配線層（および３層以上のビルドアップ磁性層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の配線層と最下層の配線層とに挟まれるように配置される図示しない配線層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。
【０１２８】
本実施形態にかかる配線板によれば、磁性層を前記樹脂シートにより形成するので、形成される磁性層の比透磁率を高めることができ、反り量を低減することができる。
【０１２９】
以下、第１実施形態にかかるインダクタ素子内蔵配線板の製造方法について図２を参照して説明する。
【０１３０】
本実施形態にかかる配線板の製造方法は、第１磁性層および第２磁性層を含む磁性部と、磁性部に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体とを有しており、コイル状導電性構造体と磁性部のうちの一部分とにより構成されるインダクタ素子を含む配線板の製造方法であって、本実施形態にかかる樹脂シート、および第１配線層が設けられたコア基材を用意する工程と、コア基材に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートする工程と、樹脂組成物層を熱硬化して第１磁性層を形成する工程と、第１磁性層にビアホールを形成する工程と、ビアホールが形成された第１磁性層に対して粗化処理する工程と、第１磁性層に第２配線層を形成し、第１配線層と第２配線層とを電気的に接続するビアホール内配線を形成する工程と、第２配線層およびビアホール内配線が形成された第１磁性層にさらに本実施形態にかかる樹脂シートをラミネートし、熱硬化して第２磁性層を形成する工程と、第１配線層の一部分と第２配線層の一部分とビアホール内配線とを含むコイル状導電性構造体、および磁性部の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体に囲まれた磁性部の一部分を含むインダクタ素子を形成する工程とを含む。
【０１３１】
まず、第１主表面２０ａに設けられる第１配線層４２と、第２主表面２０ｂに設けられる外部端子２４と、スルーホール２２と、スルーホール内配線２２ａが設けられているコア基材（内層回路基板）２０および樹脂シートを用意する。
【０１３２】
＜第１磁性層の形成工程＞
次に第１磁性層３２を形成する。まずコア基材の第１配線層４２に接触するように樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートするラミネート工程を行う。
【０１３３】
ラミネート工程の条件は特に限定されず、樹脂シートを用いて磁性層（ビルドアップ磁性層）を形成するにあたり使用される条件を採用することができる。例えば、加熱されたステンレス鏡板等の金属板を樹脂シートの支持体側からプレスすることにより行うことができる。この場合、金属板を直接的にプレスするのではなく、コア基材２０の表面の凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等からなる弾性部材を介してプレスを行うことが好ましい。プレス温度は、好ましくは７０℃〜１４０℃の範囲であり、プレス圧力は好ましくは１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７９ＭＰａ）の範囲であり、プレス時間は好ましくは５秒間〜３分間の範囲である。
【０１３４】
また、ラミネート工程は、好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施される。ラミネート工程は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【０１３５】
ラミネート工程の終了後、コア基材２０にラミネートされた樹脂シートを、加熱および加圧処理する平滑化工程を実施してもよい。
【０１３６】
平滑化工程は、一般に、常圧（大気圧）下、加熱された金属板又は金属ロールにより、コア基材２０にラミネートされている樹脂シートを加熱および加圧処理することにより実施される。加熱および加圧処理の条件は、上記ラミネート工程の条件と同様の条件を用いることができる。
【０１３７】
ラミネート工程および平滑化工程は、同一の真空ラミネーターを用いて連続的に実施することもできる。
【０１３８】
なお、前記ラミネート工程又は前記平滑化工程の実施後の任意のタイミングで樹脂シートに由来する支持体を剥離する工程を行う。支持体を剥離する工程は、例えば、市販の自動剥離装置により機械的に実施することができる。
【０１３９】
次いで、コア基材２０にラミネートされた樹脂組成物層を熱硬化して磁性層（ビルドアップ磁性層）を形成する熱硬化工程を実施する。
【０１４０】
熱硬化工程の条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を適用することができる。
【０１４１】
熱硬化工程の条件は、樹脂組成物層に用いられる樹脂組成物の組成等により任意好適な条件とすることができる。熱硬化工程の条件は、例えば硬化温度を１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）とし、硬化時間を５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。
【０１４２】
熱硬化工程を実施する前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱する工程を実施してもよい。熱硬化工程の実施に先立ち、例えば５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。予備加熱は、大気圧下（常圧下）にて行うことが好ましい。
【０１４３】
以上の工程によりコア基材２０に設けられる第１磁性層３２を形成することができる。
【０１４４】
また、コア基材２０に第１磁性層３２を形成する工程は、一般の真空ホットプレス機を用いて行うことも可能である。例えば、加熱されたＳＵＳ板等の金属板を用いてコア基材２０と樹脂組成物層とを支持体側からプレスすることにより行うことができる。プレス条件は、減圧度を通常１×１０−２ＭＰａ以下、好ましくは１×１０−３ＭＰａ以下の減圧下とする。加熱及び加圧は、１段階で行うこともできるが、樹脂のしみだしを制御する観点から２段階以上の工程としてそれぞれプレス条件を変えて行うことが好ましい。例えば、１段階目のプレス条件を、温度を７０℃〜１５０℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ２〜１５ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲とし、２段階目のプレス条件を、温度を１５０℃〜２００℃とし、圧力を１ｋｇｆ／ｃｍ２〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２の範囲として行うのが好ましい。各段階の時間は３０分間〜１２０分間として行うのが好ましい。市販されている真空ホットプレス機としては、例えば、名機製作所社製「ＭＮＰＣ−Ｖ−７５０−５−２００」、北川精機社製「ＶＨ１−１６０３」等が挙げられる。
【０１４５】
＜ビアホールの形成工程＞
形成された第１磁性層３２にビアホール３６を形成する。ビアホール３６は、第１配線層４２と第２配線層４４とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６は第１磁性層３２の特性を考慮して、ドリル、レーザー、プラズマ等を用いる公知の方法により形成することができる。例えば、この時点で樹脂シートの支持体が残存している場合には、支持体を介してレーザー光を第１磁性層３２に照射することにより、ビアホール３６を形成することもできる。
【０１４６】
ビアホール３６の形成に用いられ得るレーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。
【０１４７】
ビアホール３６の形成は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」、三菱電機社製「ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ」、松下溶接システム社製の基板穴あけレーザー加工機が挙げられる。
【０１４８】
＜粗化工程＞
次にビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する粗化工程を行う。粗化工程の手順、条件は特に限定されず、多層プリント配線板の製造方法に際して通常使用される手順、条件を採用することができる。粗化工程としては、例えば、乾式スパッタにより行うことが好ましく、また、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、中和液による中和処理をこの順に実施することにより第１磁性層３２を粗化処理してもよい。
【０１４９】
粗化工程は、第１磁性層３２に形成されたビアホール３６のスミア除去を行うためのいわゆるデスミア工程を兼ねていてもよい。
【０１５０】
また、粗化工程とは別に、ビアホール３６に対してデスミア工程を実施してもよい。なお、このデスミア工程は、湿式のデスミア工程であっても、乾式のデスミア工程であってもよい。
【０１５１】
＜第２配線層の形成＞
次に粗化工程（およびデスミア工程）が行われた第１磁性層３２に第２配線層４４を形成する。
【０１５２】
第２配線層４４は、めっきにより形成することができる。第２配線層４４は、例えば、無電解めっき工程、マスクパターン形成工程、電解めっき工程、フラッシュエッチング工程を含むセミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により形成することにより、所望の配線パターンを含む配線層として形成することができる。なお、この第２配線層４４の形成工程により、ビアホール３６内にビアホール内配線３６ａが併せて形成される。
【０１５３】
第１磁性層３２がビルドアップ磁性層であり、第２配線層４４がビルドアップ配線層であるビルドアップ層としてみた場合、本実施形態の配線板においてビルドアップ層がさらに１層以上必要な場合には、前記第１磁性層３２の形成工程から前記第２配線層４４の形成工程までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０１５４】
＜第２磁性層の形成＞
次に、第２配線層４４およびビアホール内配線３６ａが形成された第１磁性層３２に第２磁性層３４を形成する。第２磁性層３４は既に説明した樹脂シートのラミネート工程、平滑化工程、熱硬化工程を含む第１磁性層３２の形成工程と同様の材料を用いて同様の工程により形成すればよい。
【０１５５】
以上の工程により、磁性部３０に少なくとも一部分が埋め込まれたコイル状導電性構造体４０を有しており、第１配線層４２の一部分と第２配線層４４の一部分とビアホール内配線３６ａとを含むコイル状導電性構造体４０と磁性部３０の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうちの一部分とを含むインダクタ素子を含む配線板１０を製造することができる。
【０１５６】
（第２実施形態）
第２実施形態のインダクタ素子内蔵配線板の構成例について、図１１を参照して説明する。第１実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明を省略する場合がある。
【０１５７】
図１１に示すように、配線板１１は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化体である磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。配線板１１は、ビルドアップ磁性層を有するビルドアップ配線板である。配線板１１は、コア基材を有さない点で第１実施形態の配線板１０と異なる。
【０１５８】
配線板１１が備えるインダクタ素子が機能し得る周波数は１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚであることが想定されている。また、配線板１１が備えるインダクタ素子は電源系が想定されている。
【０１５９】
配線板１１は、第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６を含む。第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６は、通常複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４０を構成する配線のみが示されている。第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、及びその他の配線については、第１実施形態における第１配線層４２、第２配線層４４、外部端子２４、及びその他の配線と同様である。
【０１６０】
第３配線層４６を構成し得る導体材料としては、第１実施形態における第１配線層４２を構成し得る導体材料と同様である。また、第３配線層４６の厚さとしては、第１実施形態における第１配線層４２の厚さと同様である。
【０１６１】
第３配線層４６は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第３配線層４６が複層構造である場合、磁性層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。
【０１６２】
第１磁性層３２、第２磁性層３４、及び第３磁性層３８は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３０を構成している。第１磁性層３２及び第２磁性層３４は、第１実施形態における第１磁性層３２及び第２磁性層３４と同様である。
【０１６３】
第３磁性層３８は、既に説明した樹脂シートに由来する層であり、樹脂シートの樹脂組成物層は磁性層形成時の流動性に優れているので、第２配線層４４の封止性に優れている。また第３磁性層３８は、前記樹脂シートを用いて形成されるので、周波数が１０ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲における比透磁率が向上しており、さらに通常は磁性損失が低減されている。
【０１６４】
第１磁性層３２及び第２磁性層３４には、ビアホール３６が形成されている。ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６はビアホール内配線３６ａ等によりに電気的に接続されている。
【０１６５】
本実施形態では、コイル状導電性構造体４０が、第１配線層４２、第２配線層４４、及び第３配線層４６の３層の配線層を含む例を説明したが、４層以上の配線層（及び４層以上のビルドアップ磁性層）によりコイル状導電性構造体４０を構成することもできる。この場合には、最上層の配線層と最下層の配線層とに挟まれるように配置される図示しない配線層の渦巻状の配線部は、その一端が最上層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続され、その他端が最下層側であって直近に配置される配線層の渦巻状の配線部のいずれか一方の端部に電気的接続される。
【０１６６】
本実施形態にかかる配線板によれば、磁性層を前記樹脂シートにより形成するので、形成される磁性層の比透磁率、難燃性を高めることができ、反り量を低減することができる。
【０１６７】
以下、第２実施形態にかかるインダクタ素子内蔵配線板の製造方法について図４〜図１１を参照して説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所については適宜説明を省略する。
【０１６８】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、
（１）基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面に設けられたキャリア付金属層５２とを有するキャリア付金属層付き基材５０を準備する工程、
（２）キャリア付金属層付き基材５０に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化させ第１磁性層３２を形成する工程、
（３）第１磁性層３２上に第１配線層４２を形成する工程、
（４）第１配線層４２および第１磁性層３２上に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第２磁性層３４を形成する工程、
（５）第２磁性層３４にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第２磁性層３４に対して粗化処理する工程、
（６）第２磁性層３４上に第２配線層４４を形成する工程、
（７）第２配線層４４および第２磁性層３４上に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第３磁性層３８を形成する工程、
（８）キャリア付金属層付き基材５０を除去する工程、
（９）第３磁性層３８にビアホール（図示せず）を形成し、ビアホールが形成された第３磁性層３８に対して粗化処理する工程と、
（１０）第１磁性層３２にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する工程と、
（１１）第３磁性層３８上に第３配線層４６を形成する工程、及び
（１２）第１磁性層３２上に外部端子２４を形成する工程、を含む。
【０１６９】
工程（９）と工程（１０）とは順序を入れ替えて行ってもよく、同時に行ってもよい。また、工程（１１）と工程（１２）とは、順序を入れ替えて行ってもよく、同時に行ってもよい。
【０１７０】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面に設けられたキャリア付金属層５２とを有するキャリア付金属層付き基材５０を準備する工程である。図４に一例を示すように、通常、キャリア付金属層付き基材５０は、基材５１と、該基材５１の少なくとも一方の面にキャリア付金属層５２が設けられている。キャリア付金属層５２は、後述する工程（８）の作業性を高める観点から、基材５１側から第１金属層５２１、第２金属層５２２の順で備える構成であることが好ましい。
【０１７１】
基材５１の材料としては、第１実施形態におけるコア基材と同様である。キャリア付金属層５２の材料としては、例えば、キャリア付銅箔、その他、剥離可能な支持体付き金属箔等が挙げられる。キャリア付金属層付き基材５０は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば三井金属社製「ＭＴ−ＥＸ」等が挙げられる。
【０１７２】
＜工程（２）＞
工程（２）は、図５に一例を示すように、キャリア付金属層付き基材５０に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化させ第１磁性層３２を形成する工程である。
【０１７３】
工程（２）における第１磁性層３２の形成は、第１実施形態における第１磁性層の形成と同様の方法により形成することができる。
【０１７４】
工程（２）終了後、必要に応じて、形成した第１磁性層上に粗化工程を施してもよい。粗化工程は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０１７５】
＜工程（３）＞
工程（３）は、図６に一例を示すように、第１磁性層３２上に第１配線層４２を形成する工程である。第１配線層４２は、めっきにより形成することができる。第１配線層４２は、第１実施形態における第２配線層４４の形成と同様の方法により形成することができる。また、第１配線層４２は、第１実施形態における第１配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０１７６】
＜工程（４）＞
工程（４）は、図７に一例を示すように、第１配線層４２及び第１磁性層３２上に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第２磁性層３４を形成する工程である。
【０１７７】
第２磁性層３４は、先述した工程（２）と同様の方法により形成することができる。第２磁性層３４を形成する樹脂シートは、第１磁性層３２を形成する際に使用した樹脂シートと同様のものを用いてもよく、異なる樹脂シートを用いてもよい。
【０１７８】
＜工程（５）＞
工程（５）は、図８に一例を示すように、第２磁性層３４にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第２磁性層３４に対して粗化処理する工程である。ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。ビアホール３６は、第１配線層４２と第２配線層４４とを電気的に接続するための経路となる。
【０１７９】
ビアホール３６の形成は、第１実施形態におけるビアホールの形成工程と同様の方法により形成することができる。また、粗化処理は、第１実施形態における、第１磁性層に対して行う粗化工程と同様の方法により行うことができる。
【０１８０】
＜工程（６）＞
工程（６）は、図８に一例を示すように、第２磁性層３４上に第２配線層４４を形成する工程である。詳細は、第２磁性層３４におけるビアホール３６上に第２配線層４４を形成する。第２配線層４４は、めっきにより形成することができる。第２配線層４４は、第１実施形態における第２配線層４４の形成と同様の方法により形成することができる。また、第２配線層４４は、第１実施形態における第２配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０１８１】
＜工程（７）＞
工程（７）は、図９に一例を示すように、第２配線層４４及び第２磁性層３４上に樹脂シートの樹脂組成物層をラミネートし、該樹脂組成物層を熱硬化して第３磁性層３８を形成する工程である。
【０１８２】
第３磁性層３８は、先述した工程（２）と同様の方法により形成することができる。第３磁性層３８を形成する樹脂シートは、第１磁性層３２及び第２磁性層３４を形成する際に使用した樹脂シートと同様のものを用いてもよく、異なるものを用いてもよい。
【０１８３】
＜工程（８）＞
工程（８）は、図１０に一例を示すように、キャリア付金属層付き基材５０を除去する工程である。キャリア付金属層付き基材５０の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１金属層５２１及び第２金属層５２２の界面で基材５１及び第１金属層５２１を剥離し、第２金属層５２２を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、第３磁性層３８を保護フィルムで保護した状態でキャリア付金属層付き基材５０を剥離してもよい。
【０１８４】
＜工程（９）＞
工程（９）は、第３磁性層３８に、図１１に図示しないビアホールを形成し、ビアホールが形成された第３磁性層３８に対して粗化処理する工程である。ビアホール内にはビアホール内配線が設けられている。ビアホールは、第２配線層４４と第３配線層４６とを電気的に接続するための経路となる。このビアホールの形成及び粗化処理は、第１実施形態と同様の方法により形成することができる。
【０１８５】
＜工程（１０）＞
工程（１０）は、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２にビアホール３６を形成し、ビアホール３６が形成された第１磁性層３２に対して粗化処理する工程である。詳細は、第１磁性層３２のキャリア付金属層付き基材５０を除去した側の面側にビアホール３６を形成し、該ビアホール３６上に外部端子２４を形成する。ビアホール３６内にはビアホール内配線３６ａが設けられている。このビアホール３６は、第１配線層４２と外部端子２４とを電気的に接続するための経路となる。このビアホール３６の形成及び粗化処理は、第１実施形態と同様の方法により形成することができる。
【０１８６】
＜工程（１１）＞
工程（１１）は、図１１に一例を示すように、第３磁性層３８上に第３配線層４６を形成する工程である。詳細は、第３磁性層３８に形成した、図示しないビアホールの粗化処理を行った後、該ビアホール上に第３配線層４６を形成する。第３配線層４６は、第１実施形態における第２配線層４４と同様の方法により形成することができ、また、第１実施形態における第１及び第２配線層と同様の導体材料を用いることができる。
【０１８７】
＜工程（１２）＞
工程（１２）は、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２上に外部端子２４を形成する工程である。詳細は、第１磁性層３２に形成したビアホール３６の粗化処理を行った後、該ビアホール３６上に外部端子２４を接続する。
【０１８８】
以上の工程により、基材がなく、且つインダクタ素子を含む配線板を製造することができる。このインダクタ素子は、コイル状導電性構造体４０と磁性部３０の厚さ方向に延在し、且つコイル状導電性構造体４０に囲まれた磁性部３０のうち一部分とを含む。そして、コイル状導電性構造体４０は、第１配線層４２の一部分と第２配線層４４の一部分と第３配線層４６の一部分とビアホール内配線３６ａとを含む。
【０１８９】
第１磁性層３２がビルドアップ磁性層であり、第２配線層４４がビルドアップ配線層であるビルドアップ層としてみた場合、本実施形態の配線板においてビルドアップ層がさらに１層以上必要な場合には、前記第１磁性層３２の形成工程から前記第２配線層４４の形成工程までの既に説明した一連の工程をさらに１回以上繰り返して実施すればよい。
【０１９０】
本発明の樹脂シートを用いれば、比透磁率を向上させることができ、かつ反り量が低減された磁性層を形成することができるので、空芯構造とすることなく磁性層の一部分により構成される芯部を含む、より高性能なインダクタ素子が作り込まれた配線板を、より簡便な工程で提供することができる。
【０１９１】
本実施形態にかかる配線板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【０１９２】
またかかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラおよびテレビ等）および乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶および航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【０１９３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１９４】
＜熱硬化収縮率の測定＞
（１）樹脂付ポリイミドフィルムの調製
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」ということがある）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが１２０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、６５℃〜１１５℃（平均１００℃）にて７分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートを２００ｍｍ角になる様に切り取った。作製した樹脂シート（２００ｍｍ角）を、バッチ式真空加圧ラミネーター（ニッコー・マテリアルズ社製、２ステージビルドアップラミネーター、ＣＶＰ７００）を用いて、樹脂組成物層がポリイミドフィルム（宇部興産社製ユーピレックス２５Ｓ、２５μｍ厚、２４０ｍｍ角）の平滑面の中央と接するように、片面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、１００℃、圧力０．７４ＭＰａにて３０秒間圧着させることにより実施した。これにより、樹脂付ポリイミドフィルムを得た。
【０１９５】
（２）初期長の測定
得られた樹脂付ポリイミドフィルムを樹脂シートの離型ＰＥＴ上から、樹脂組成物層の４角から２０ｍｍ程度の部分に、貫通穴（直径約６ｍｍ）を、パンチングによって４つ形成し（穴を時計回りにＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄと仮に称する。）、離型ＰＥＴを剥離後、形成した各穴の中央間の長さＬ（ＬＡＢ、ＬＢＣ、ＬＣＤ、ＬＤＡ、ＬＡＣ、ＬＢＤ）（図１２参照）を非接触型画像測定器（ミツトヨ社製、Ｑｕｉｃｋ  Ｖｉｓｉｏｎ、「ＱＶＨ１Ｘ６０６−ＰＲＯ  ＩＩＩ＿ＢＨＵ２Ｇ」）で測定した。
【０１９６】
（３）樹脂組成物層の熱硬化
（２）初期長の測定を終了した樹脂付ポリイミドフィルムのポリイミドフィルム面を、２５５ｍｍ×２５５ｍｍサイズのガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（０．７ｍｍ厚、松下電工社製「Ｒ５７１５ＥＳ」）上に設置し、四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定し、１００℃で３０分間、さらに１９０℃で６０分間加熱して、樹脂組成物層を熱硬化して、硬化物層を得た。
【０１９７】
（４）硬化収縮率の測定
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物層付ポリイミドフィルムを積層板から取り外し、更に硬化物層をポリイミドフィルムから剥離して、（２）で形成した各穴の中央間の硬化後の長さＬ’（Ｌ’ＡＢ、Ｌ’ＢＣ、Ｌ’ＣＤ、Ｌ’ＤＡ、Ｌ’ＡＣ、Ｌ’ＢＤ）を、長さＬと同じように非接触型画像測定器で測定した。
【０１９８】
穴Ａ、穴Ｂ間の長さＬＡＢの硬化後の収縮率ｓ１ＡＢを下記式（１）により求めた。同様にしてＬＢＣ、ＬＣＤ、ＬＤＡ、ＬＡＣ及びＬＢＤの硬化後の収縮率ｓ１ＢＣ、ｓ１ＣＤ、ｓ１ＤＡ、ｓ１ＡＣ及びｓ１ＤＡを求めた。
ｓ１ＡＢ＝（ＬＡＢ−Ｌ’ＡＢ）／ＬＡＢ    （１）
【０１９９】
硬化物層の硬化収縮率は下記式（２）で算出した。
硬化収縮率［ｘ−ｙ方向の収縮率：Ｓ１］（％）
＝｛（ｓ１ＡＢ＋ｓ１ＢＣ＋ｓ１ＣＤ＋ｓ１ＤＡ＋ｓ１ＡＣ＋ｓ１ＤＡ）／６｝×１００  （２）
【０２００】
＜反り試験＞
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを離型ＰＥＴ上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２００μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、６５℃〜１１５℃（平均１１０℃）にて１２分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、厚み０．２ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍのＳＵＳ３０４板上に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。ラミネートされた樹脂シートの離型ＰＥＴを除去し１９０℃９０分の条件で熱硬化し反り評価用サンプルを得た。
【０２０１】
得られた反り評価用サンプルの中央部が凸部となる側の面を下向きにして平滑な台上に設置し、平滑な台上と反り評価用サンプルとの距離が最も大きい箇所の距離を測定し反り量とした。反り量の絶対値が１５ｍｍ未満を「○」、１５ｍｍ以上を「×」とした。
【０２０２】
＜ピール強度の測定＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．８ｍｍ、パナソニック社製、Ｒ１５１５Ａ）の両面を、エッチング剤（メック社製、ＣＺ８１０１）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理をおこなった。
【０２０３】
（２）樹脂シートのラミネート
銅箔（ＪＸ金属社製ＪＸＵＴ−ＩＩ箔、厚さ１８μｍ）を用意した。該銅箔のシード銅側に、ダイコーターにて実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを塗布し、６５℃〜１１５℃（平均１００℃）にて７分間乾燥させ、厚さ１００μｍの樹脂層を有する樹脂シートを作製した。実施例及び比較例で作製した樹脂シートを、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機製作所社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａで圧着することにより行った。
【０２０４】
（３）樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートを、１３０℃、３０分続けて１９０℃、６０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化した。その後銅箔を剥離した。
【０２０５】
（４）電気メッキ
この基板に、硫酸銅電解メッキを行い、２５μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この基板を評価基板とした。
【０２０６】
（５）メッキ導体層の引き剥がし強さ（ピール強度）の測定
評価基板の導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がして、つかみ具であるオートコム型試験機（ティー・エス・イー製、ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
【０２０７】
＜平均線熱膨張係数（熱膨張率）、透磁率、及び損失係数の測定＞
（１）評価用硬化物の調整
支持体として、フッ素樹脂系離型剤（ＥＴＦＥ）処理を施したＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製、フルオロージュＲＬ５０ＫＳＥ）を用いた以外は硬化収縮率の測定と同様にして、各実施例および各比較例で作製した樹脂ワニスと同じ樹脂組成物層を有する樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを１９０℃で９０分間加熱することにより樹脂組成物層を熱硬化し、ＰＥＴフィルムを剥離することによりシート状の硬化体を得た。
【０２０８】
（２）平均線熱膨張係数（熱膨張率）の測定
得られた評価用硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１５ｍｍの試験片に切断し、熱機械分析装置（リガク社製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ＴＭＡ８３１０」）を用いて、引張加重法にて熱機械分析を行った。詳細には、試験片を前記熱機械分析装置に装着した後、荷重１ｇ、昇温速度５℃／分の測定条件にて連続して２回測定した。そして２回目の測定において、３０℃から１５０℃までの範囲における平面方向の平均線熱膨張係数（α１；ｐｐｍ／℃）を算出した。この操作を３回行いその平均値を表に示した。
【０２０９】
（３）比透磁率（透磁率）、損失係数の測定
得られた評価用硬化物を、幅５ｍｍ、長さ１８ｍｍの試験片に切断し、評価サンプルとした。この評価サンプルを、アジレントテクノロジーズ（Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）社製「ＨＰ８３６２Ｂ」を用いて、短絡ストリップライン法にて測定周波数を１ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲とし、室温２３℃にて透磁率（μ’）および透磁損失（μ’’）を測定した。また、測定周波数が１００ＭＨｚである場合の透磁率、透磁損失を測定し、損失係数を得た。損失係数は、以下の式より算出した。
ｔａｎδ＝μ’／μ’’
【０２１０】
＜実施例１＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）１０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）１０部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「Ｎ−６８０」、エポキシ当量２１０）１０部、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）２０部、磁性フィラー（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）７３５部、トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）６部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）６部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、固形分５０％のトルエン溶液）４部、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製「１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）３部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）７部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス１を作製した。
【０２１１】
＜実施例２＞
実施例１において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）の量を６部から３部に変え、磁性フィラー（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）の量を７３５部から７１０部に変えた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス２を作製した。
【０２１２】
＜実施例３＞
実施例１において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）の量を６部から１２部に変え、磁性フィラー（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）の量を７３５部から８００部に変えた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス３を作製した。
【０２１３】
＜実施例４＞
実施例１において、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）の量を１０部から２０部へ変え、ナフタレンエーテル骨格型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）の量を２０部から１０部に変えた。以上の事項以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス４を作製した。
【０２１４】
＜実施例５＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）２３部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）２３部、磁性フィラー（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）７３５部、トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のＭＥＫ溶液）６部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）１８部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）６部、カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、固形分５０％のトルエン溶液）８部、アミン系硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）１．５部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）１４部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス５を作製した。
【０２１５】
＜実施例６＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「８２８ＵＳ」、エポキシ当量約１８０）２０部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｌ」、エポキシ当量約２６９）１０部、ナフタレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−７３１１」、エポキシ当量２７７）２０部、磁性フィラー（エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）７３５部、トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量約１２５の固形分６０％のＭＥＫ溶液）１４部、活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）６部、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）６部、イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製「１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）３部、フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）７部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニス６を作製した。
【０２１６】
＜比較例１＞
実施例１において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）を含有させなかった。以上の事項以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニス７を作製した。
【０２１７】
＜比較例２＞
実施例５において、両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製「Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００」）を含有させなかった。以上の事項以外は、実施例５と同様にして樹脂ワニス８を作製した。
【０２１８】
上述した実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。また、下記の表において、略称の意味は、下記のとおりである。
８２８ＵＳ：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、エポキシ当量約１８０）
ＮＣ３０００Ｌ：ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製、エポキシ当量約２６９）
Ｎ−６８０：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エポキシ当量２１０）
ＥＸＡ−７３１１：ナフタレンエーテル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エポキシ当量２７７）
ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ：磁性フィラー（エプソンアトミックス社製、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３．０μｍ）
ＬＡ−７０５４：トリアジン骨格含有フェノール樹脂（ＤＩＣ社製、水酸基当量約１２５の固形分６０％のＭＥＫ溶液）
ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ：活性エステル硬化剤（ＤＩＣ社製、活性基当量約２２３の固形分６５％のトルエン溶液）
Ｆｏｒｔｅｇｒａ１００：両親媒性ポリエーテルブロックコポリマー（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．製）
Ｖ−０３：カルボジイミド化合物（日清紡ケミカル社製、固形分５０％のトルエン溶液）
１Ｂ２ＰＺ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業社製「１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）
ＤＭＡＰ：アミン系硬化促進剤（和光純薬工業社製「４−ジメチルアミノピリジン」、固形分１０％のＭＥＫ溶液）
ＹＬ７５５３ＢＨ３０：フェノキシ樹脂（三菱ケミカル社製、固形分３０％のＭＥＫとシクロヘキサノンの１：１溶液）
【０２１９】
【表１】
2019065208.tif 000003
【０２２０】
各実施例において、（Ｅ）〜（Ｇ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。    
【符号の説明】
【０２２１】
１０      配線板
２０      コア基材
２０ａ    第１主表面
２０ｂ    第２主表面
２２      スルーホール
２２ａ    スルーホール内配線
２４      外部端子
３０      磁性部
３２      第１磁性層
３４      第２磁性層
３６      ビアホール
３６ａ    ビアホール内配線
３８      第３磁性層
４０      コイル状導電性構造体
４２      第１配線層
４２ａ    ランド
４４      第２配線層
４６      第３配線層
５０      キャリア付金属層付き基材
５１      基材
５２      キャリア付金属層
５２１    第１金属層
５２２    第２金属層
【図１】
2019065208.tif 000004
【図２】
2019065208.tif 000005
【図３】
2019065208.tif 000006
【図４】
2019065208.tif 000007
【図５】
2019065208.tif 000008
【図６】
2019065208.tif 000009
【図７】
2019065208.tif 000010
【図８】
2019065208.tif 000011
【図９】
2019065208.tif 000012
【図１０】
2019065208.tif 000013
【図１１】
2019065208.tif 000014
【図１２】
2019065208.tif 000015