(57)【要約】【課題】半導体基板およびその加工方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体基板の加工方法は、前記半導体基板は載置板１１０及び前記載置板１１０に形成される複数の導電路１２０を有し、隣接する前記導電路１２０の間には空間を有し、前記空間には前記載置板１１０の表面が露出される。前記加工方法は前記空間を通過するレーザービームを使用して前記載置板１１０のエッチングを行い、前記載置板１１０が凹むことにより複数の溝部１１２が形成される。形成される前記溝部１１２は後続のプロセスにおいて流体（例えば、アンダーフィル、異方性導電フィルム、またはソルダレジスト）の流動性を高める。また、前記載置板１１０にエッチングが施されると同時に前記レーザービームにより前記導電路１２０の間の残渣も除去され、前記半導体基板の歩留まりが向上する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の加工に用いられ、前記半導体基板は載置板及び複数の導電路を有し、前記導電路は前記載置板の表面に形成され、且つ隣接する前記導電路の間には空間が設けられ、前記空間には前記表面が露出される加工方法であって、
前記空間を通過するレーザービームにより前記載置板にエッチングが施され、前記空間に露出される前記表面に複数の溝部が凹むように形成されることを特徴とする加工方法。
【請求項２】
前記載置板は厚さを有し、前記溝部は深さを有し、前記深さは前記厚さの二分の一より深くないことを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
前記載置板は厚さを有し、前記溝部は深さを有し、前記厚さは２０〜４０μｍの間であり、前記深さは０．１〜１５μｍの間であることを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項４】
各前記導電路の側面と各前記溝部の側壁との間には接続境界面が設けられ、前記レーザービームにより前記載置板にエッチングが施される時、前記載置板が局部溶融されて溶融材が生成され、前記溶融材が前記接続境界面に凝固することにより保護層が形成され、前記保護層により前記接続境界面が被覆されることを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項５】
自動光学検査装置により前記レーザービームが前記空間に沿って前記載置板のエッチングを行うように制御されることを特徴とする請求項１に記載の加工方法。
【請求項６】
隣接する前記導電路の間には２０μｍより小さいピッチが設けられることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の加工方法。
【請求項７】
表面及び複数の溝部を有する載置板と、前記載置板の前記表面に形成される複数の導電路とを有し、隣接する前記導電路の間には空間が設けられ、
前記空間には前記表面が露出され、前記空間に露出される前記表面に前記溝部が凹むように形成されており、
前記溝部は前記空間を通過するレーザービームにより前記載置板にエッチングが施されることによって形成されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項８】
前記載置板は厚さを有し、前記溝部は深さを有し、前記深さは前記厚さの二分の一より深くないことを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記載置板は厚さを有し、前記溝部は深さを有し、前記厚さは２０〜４０μｍの間であり、前記深さは０．１〜１５μｍの間であることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１０】
各前記導電路の側面と各前記溝部の側壁との間には接続境界面が設けられ、前記レーザービームにより前記載置板にエッチングが施される時、前記載置板が局部溶融して溶融材が生成し、前記溶融材が前記接続境界面で凝固することにより保護層が形成され、前記保護層により前記接続境界面が被覆されることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１１】
自動光学検査装置により前記レーザービームが前記空間に沿って前記載置板のエッチングを行うように制御されることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１２】
隣接する前記導電路の間には２０μｍより小さいピッチが設けられることを特徴とする請求項７乃至１１の何れか１項に記載の半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板およびその加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージ技術は最終電子製品の需要の高まりに連れて不断の進化を続けている。製品に対する需要を満たすために、スーパーファインピッチ（super fine pitch）導電路の発展が欠かせないものとなっている。
例えば、半導体パッケージ技術の先行技術文献として、特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−３２９８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した従来の技術では、パッケージプロセス中に使用される流体（例えば、underfillまたはACF）はスーパーファインピッチ導電路の間では流動しにくく、ゆえに基板の表面に均一に分布させることが難しかった。
また、導電路の間のピッチが非常に狭いため、導電路の間にある異物をエッチングプロセス中に完全に除去するのが困難であり、且つ異物を除去する過程において導電路に損傷を与えることもしばしばあり、パッケージ構造の歩留まりを向上させることは難しかった。
【０００５】
そこで、本発明者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的設計で上記の課題を効果的に改善する本発明の提案に到った。
【０００６】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、加工方法を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、半導体基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のある態様の加工方法は、半導体基板の加工に用いられ、以下の特徴を有する。
前記半導体基板は載置板及び複数の導電路が設けられ、前記導電路は前記載置板の表面に形成され、且つ隣接する前記導電路の間には空間が設けられ、前記空間には前記表面が露出される。前記空間を通過するレーザービームにより前記載置板にエッチングが施され、前記空間に露出される前記表面に複数の溝部が凹むように形成される。
【０００９】
また、本発明の別の態様は、半導体基板である。
前記半導体基板は、載置板及び複数の導電路を備え、前記載置板は表面及び複数の溝部を有し、前記導電路は前記載置板の前記表面に形成され、且つ隣接する前記導電路の間には空間を有する。前記空間には前記表面が露出され、前記空間に露出される前記表面に前記溝部が凹むように形成される。前記溝部は前記空間を通過させるレーザービームにより前記載置板にエッチングが施されることにより形成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、レーザービームにより載置板にエッチング加工を施し、流体の流動性を高める溝部を載置板表面に形成することにより半導体基板の歩留まりを向上させる半導体基板およびその加工方法に関する。
前記加工方法では、前記レーザービームを使用して前記導電路に露出されている前記載置板のエッチングにより前記溝部が前記導電路の間に形成され、これにより後続のプロセスにおいて流体の流動性が高まる。よって、パッケージ構造の歩留まりが向上する。
また、本発明の前記加工方法はスーパーファインピッチ（super fine pitch）の半導体基板に応用されると、前記載置板のエッチング加工が精確になり、前記導電路が損傷を受ける事態が回避される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体基板を示す外観斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態の半導体基板を示す側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る加工方法を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施形態の半導体基板を示す側面図及びその部分拡大図である。
【図５】本発明の一実施形態の自動光学検査装置を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照して説明する。尚、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。
【００１３】
本発明に係る加工方法は半導体基板１００の加工に用いられ、前記半導体基板１００は載置板１１０及び複数の導電路１２０を有し、前記導電路１２０は前記載置板１１０の表面１１１に形成される。隣接する前記導電路１２０の間には空間Ｓが設けられ、前記空間Ｓには前記載置板１１０の前記表面１１１が露出される。
本実施形態では、前記載置板１１０の材質はポリイミド（Polyimide：PI）であり、前記導電路１２０の材質は銅である。
但し、本発明の前記載置板の材質はこれらに限られず、前記載置板１１０の材質は可撓性を有する他のポリマーでもよい。前記導電路１２０の材質は、適合する他の金属や合金でもよい（図１及び図２参照）。
【００１４】
なお、図１及び図２に示されるように、前記導電路１２０はパターン化プロセスを経て前記載置板１１０に形成される。
前記パターン化プロセスは、以下の工程（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）を含む。すなわち、
金属層が前記載置板１１０の前記表面１１１に形成される工程（ｉ）と、
パターン化されたフォトレジスト層が前記金属層に形成され、前記パターン化されたフォトレジスト層はフォトレジスト層に露光及び現像が施されることにより形成される工程（ｉｉ）と、
前記パターン化されたフォトレジスト層は前記金属層にエッチングが施される際のマスクとして使用され、前記導電路１２０が形成される工程（ｉｉｉ）と、を含む。
隣接する前記導電路１２０の間にはピッチ（pitch）Ｄ１が設けられ、好ましくは、前記ピッチＤ１は２０μｍより小さい。
【００１５】
図２に示されるように、前記導電路１２０の間の前記ピッチＤ１が狭すぎるため、導電路のパターン化プロセスの完成後に、多少の残渣Ｒが前記導電路１２０の間の前記空間Ｓに残留して取り除くのが難しくなり、前記半導体基板１００の安定性及び歩留まりが低下した。前記残渣Ｒは金属、フォトレジスト、または汚物等の物質である。
【００１６】
本発明の前記加工方法では、前記空間Ｓを通過させるレーザービームＬにより前記載置板１１０にエッチングが施され、前記空間Ｓに露出される前記表面１１１に複数の溝部１１２が凹むように形成される。前記溝部１１２は前記空間Ｓに連通される。このため、後続のプロセスでは、前記溝部１１２により前記半導体基板１００に塗布される流体の流動性が高まり、流体が前記半導体基板１００上で均一に流動して分布される。
流体として、アンダーフィル（Underfill）、異方性導電フィルム（Anisotropic Conductive Film：ACF）、またはソルダレジスト（Solder resist： SR）等が含まれる（図３及び図４参照）。
【００１７】
前記レーザービームＬは前記載置板１１０にエッチングを施すと同時に、前記空間Ｓの前記残渣Ｒを除去させる。これにより、本発明は単一のプロセスで前記半導体基板１００の加工及び異物の除去という効果を同時に達成し、前記半導体基板１００の歩留まりを明確に改善する。
【００１８】
図４を参照する。前記載置板１１０は厚さＤ２を有し、前記厚さＤ２は前記載置板１１０のエッチング前の厚さである。前記溝部１１２は深さＤ３を有し、前記深さＤ３は前記表面１１１から前記溝部１１２の底面までの最短距離である。
前記深さＤ３は前記厚さＤ２の二分の一より深くなく、前記厚さＤ２は２０〜４０μｍの間であり、前記深さＤ３は０．１〜１５μｍの間である。好ましくは、前記深さＤ３は前記厚さＤ２の三分の一より深くない。
本実施形態では、前記載置板１１０の前記厚さＤ２は実質的に３５μｍに等しく、前記溝部１１２の前記深さＤ３は実質的に１０μｍに等しい。
【００１９】
続いて、図４を参照する。各前記導電路１２０は前記空間Ｓに対向する側面１２１を有する。各前記溝部１１２は側壁１１２ａを有し、前記側壁１１２ａは前記側面１２１に接続される。前記側面１２１と前記側壁１１２ａとの間には接続境界面Ｉが設けられ、前記レーザービームＬにより前記載置板１１０にエッチングが施される際に、前記レーザービームＬのエネルギーにより前記載置板１１０の局部が溶融して溶融材が生成する。
また、前記レーザービームＬは前記空間Ｓの移動過程において、前記溶融材を前記接続境界面Ｉに噴射させると、前記溶融材が前記接続境界面Ｉに凝固して保護層１３０が形成され、前記保護層１３０により前記接続境界面Ｉが被覆される。
好ましくは、前記保護層１３０は前記接続境界面Ｉに隣接する前記導電路１２０の前記側面１２１も被覆し、前記保護層１３０は前記導電路１２０のイオン移動（ion migration）、金属マイグレーション（metal migration）、またはエレクトロマイグレーション（electromigration）等の移動現象の発生を防ぐ。
【００２０】
図３乃至図５に示すように、本実施形態では、自動光学検査装置２００（Automated Optical Inspection： AOI）により前記レーザービームＬが前記空間Ｓに沿って前記載置板１１０のエッチングを行うように制御される。
前記自動光学検査装置２００は、画像キャプチャユニット２１０と、画像処理ユニット２２０と、制御ユニット２３０とを備える。前記画像キャプチャユニット２１０及び前記画像処理ユニット２２０はそれぞれ前記半導体基板１００の画像のキャプチャ及び処理に用いられ、前記制御ユニット２３０は前記半導体基板１００の画像に基づいて前記載置板１１０上における前記導電路１２０の分布の分析を行い、前記載置板１１０上における前記空間Ｓの位置及び前記ピッチＤ１の大きさを取得する。
また、前記制御ユニット２３０は前記空間Ｓの位置及び前記ピッチＤ１の大きさに基づいて前記レーザービームＬの移動及びビーム径の調整を行う。
【００２１】
前記制御ユニット２３０は前記空間Ｓの位置に基づいて前記レーザービームＬの移動の制御を行い、前記レーザービームＬを前記導電路１２０の間の前記空間Ｓに沿って移動させる。こうして前記載置板１１０のエッチングが行われる。
また、前記制御ユニット２３０は前記ピッチＤ１の大きさに基づいて前記レーザービームＬのビーム径の制御を行い、前記レーザービームＬのビーム径を前記ピッチＤ１より小さくし、前記レーザービームＬにより前記導電路１２０がエッチングされないようにする。
【００２２】
好ましくは、前記制御ユニット２３０により前記レーザービームＬのエネルギー及び移動速度の調整が行われ、これにより前記溝部１１２の前記深さＤ３が異なる需要に対応可能となる。
本実施形態では、前記レーザービームＬのエネルギーは正規分布を呈する。このため、形成される前記溝部１１２の断面形状は、ほぼ半円形となる。
但し、本発明の加工方法はこれに限られず、エネルギーが均等に分布するレーザービームを使用して前記載置板１１０にエッチングが施され、断面形状がほぼ矩形を呈する溝部が形成されてもよい。
【００２３】
本発明の前記加工方法では、前記レーザービームＬが前記導電路１２０に露出されている前記載置板１１０のエッチングに使用され、前記溝部１１２が前記導電路１２０の間に形成されることで、後続のパッケージプロセスでの流体の流動性が高まり、更にパッケージ構造の歩留まりも向上する。
また、前記レーザービームＬが高い指向性を有するため、スーパーファインピッチ（super fine pitch）の半導体基板に応用されると、前記載置板１１０のエッチング加工が精確になり、前記導電路１２０が損傷を受ける事態が回避される。
【００２４】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【符号の説明】
【００２５】
１００    半導体基板
１１０    載置板
１１１    表面
１１２    溝部
１１２ａ  側壁
１２０    導電路
１２１    側面
１３０    保護層
２００    自動光学検査装置
２１０    画像キャプチャユニット
２２０    画像処理ユニット
２３０    制御ユニット
Ｄ１      ピッチ
Ｄ２      厚さ
Ｄ３      深さ
Ｌ        レーザービーム
Ｉ        接続境界面
Ｒ        残渣
Ｓ        空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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