(57)【要約】【課題】配線の損傷を防いで接続信頼性に優れた電気光学装置を提供する。【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、を備える。前記第２基板は、可撓性を有した第２可撓性基材と、前記第２可撓性基材に形成された無機膜と、オーバーコート層と、を備える。前記オーバーコート層は、前記第２可撓性基材と前記無機膜との間に形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、を備え、
前記第２基板は、可撓性を有した第２可撓性基材と、前記第２可撓性基材に形成された無機膜と、オーバーコート層と、を備え、
前記オーバーコート層は、前記第２可撓性基材と前記無機膜との間に形成されている、電気光学装置。
【請求項２】
前記第１基板と前記第２基板は、平面視において、表示領域と周辺領域を有し、
前記無機膜は、前記表示領域と前記周辺領域において、前記第２可撓性基材を覆うように形成されている、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１基板は、可撓性を有した第１可撓性基材を備え、
前記第２可撓性基材の厚さは、前記第１可撓性基材の厚さと異なる、請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記無機膜は、前記オーバーコート層と前記液晶層との間に形成されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２基板は、前記第２可撓性基材と前記無機膜との間に形成されたカラーフィルタ層をさらに備える、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
有機材料からなる有機層が形成された状態の可撓性を有する第２可撓性基材を用意し、
前記有機層の前記第２可撓性基材とは反対側の面に、スパッタリングにより無機膜からなるバリア層を成膜する、電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
半導体及び金属配線を有する回路層が形成された可撓性を有する第１可撓性基材を用意し、
前記第１可撓性基材と前記第２可撓性基材とを液晶層を介して貼り合わせる、請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記有機層は、着色層と、前記着色層と前記バリア層との間に形成されるオーバーコート層とを有する、請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電気光学装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可撓性を有した基板で構成され、折り曲げることができる液晶表示装置等の電気光学装置が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。液晶表示装置は、環状のシール材で接着された一対の基板の内側に液晶層が封入されている。シール材に重畳する領域は、画像を表示しない非表示領域になる。折り曲げ可能な液晶表示装置であれば、例えば、非表示領域を背面側に折り返して額縁が狭い液晶表示装置を構成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８５４５７号公報
【特許文献２】特開２０１３−２２８４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
曲率半径を小さくするほど狭額縁の液晶表示装置を得られる。一方で、曲率半径を小さくしすぎると曲げ部において配線が断線するおそれがある。配線が損傷するとき、まず始めに有機膜よりも可撓性が小さい無機膜にクラックが発生し、無機膜のクラックが連鎖的に影響して周囲の配線を損傷させる。無機膜として、例えば、酸素や水分の侵入を遮断するとともに、可撓性基材の応力を緩和させる目的で成膜されるバリア層が挙げられる。本開示の目的は、配線の損傷を防ぐことにより接続信頼性に優れた可撓性の電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に配置された液晶層と、を備える。前記第２基板は、可撓性を有した第２可撓性基材と、前記第２可撓性基材に形成された無機膜と、オーバーコート層と、を備える。前記オーバーコート層は、前記第２可撓性基材と前記無機膜との間に形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置の概略的な構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示された表示領域の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示された非表示領域の構造を示す断面図である。
【図４】図４は、図３に示された曲げ部を拡大して示す断面図である。
【図５】図５は、本実施形態との比較例を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
いくつかの実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者が発明の主旨を保って適宜変更について容易に想到し得るものは、当然に本発明の範囲に含まれる。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素について符号を省略することがある。また、本明細書及び各図において、既に説明した図と同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【０００８】
以下の説明において、表示装置の一例として液晶表示装置である液晶表示装置ＤＳＰを開示する。ただし、本実施形態は、他種の表示装置に対して本実施形態に開示される個々の技術的思想の適用を妨げるものではない。本実施形態で開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ（ＭＥＭＳ）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等の種々の電気光学装置に適用可能である。表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、パーソナルコンピュータ、テレビ受像装置、車載装置、ゲーム機器、ウェアラブル端末等の種々の装置に用いることができる。
【０００９】
図１は、本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰの概略的な構成を示す平面図である。液晶表示装置ＤＳＰは、表示面に画像を表示する表示パネル（液晶セル）ＰＮＬと、表示パネルＰＮＬに実装された駆動回路基板ＦＰＣと、を備えている。以下の説明において、表示パネルＰＮＬの表示面から背面に向かって見ることを平面視と定義する。
【００１０】
表示パネルＰＮＬは、背面からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過型であってもよいし、表示面に入射した光を選択的に反射させることで画像を表示する反射型であってもよい。透過型の場合、表示パネルＰＮＬの背面に光を照射する照明装置ＢＬをさらに備えている。駆動回路基板ＦＰＣは、表示パネルＰＮＬや照明装置ＢＬの動作を制御する。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板（アレイ基板）ＳＵＢ１と、第２基板（対向基板）ＳＵＢ２と、シール材（接着剤）ＳＥと、液晶層ＬＱと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１は、第１乃至第４辺Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３，Ｅ４を有する略矩形に形成されている。例えば、第１及び第３辺Ｅ１，Ｅ３が短辺であり、第２及び第４辺Ｅ２，Ｅ４が長辺である。
【００１２】
第２基板ＳＵＢ２は、表示パネルＰＮＬの厚さ方向Ｚにおいて、第１基板ＳＵＢ１に対向している。第１基板ＳＵＢ１は、表示パネルＰＮＬの例えば長辺方向において、第２基板ＳＵＢ２よりも大きく形成されており、第２基板ＳＵＢ２から露出した実装領域ＮＤＡｔを有している。実装領域ＮＤＡｔには、駆動回路基板ＦＰＣが実装されている。
【００１３】
駆動回路基板ＦＰＣは、例えば、液晶表示装置ＤＳＰが搭載される電子機器のメインボード等から表示パネルＰＮＬに表示するための１フレーム分の画像データを順次受信する。この画像データは、例えば各画素ＰＸの表示色等の情報を含む。駆動回路基板ＦＰＣには、制御モジュールＣＴＲ等が設けられている。制御モジュールＣＴＲは、表示パネルＰＮＬや照明装置ＢＬの動作を制御する。なお、駆動回路基板ＦＰＣ及び制御モジュールＣＴＲを実装領域ＮＤＡｔに各別に設けてもよい。
【００１４】
シール材ＳＥは、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の有機材料で形成されている。シール材ＳＥは、図１中に右上がり斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。液晶層ＬＱは、シール材ＳＥよりも内側において、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置されている。液晶層ＬＱは、電気によって駆動され、光を選択的に透過する電気光学層の一例である。なお、電気光学層は、前述の電気泳動素子やＭＥＭＳシャッター等であってもよい。
【００１５】
表示パネルＰＮＬの表示面は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む非表示領域（周辺領域）ＮＤＡと、を有している。表示領域ＤＡには、複数の副画素ＳＰＸがマトリクス状に配列されている。例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）にそれぞれ対応する三つの副画素ＳＰＸを組み合わせてカラー表示が可能な画素ＰＸを構成できる。なお、画素ＰＸは、白色等の他の色の副画素ＳＰＸを含んでもよいし、同じ色の副画素ＳＰＸを複数含んでもよい。
【００１６】
非表示領域ＮＤＡには、後述する遮光層２１が形成されている。非表示領域ＮＤＡは、第１乃至第４非表示領域ＮＤＡ１，ＮＤＡ２，ＮＤＡ３，ＮＤＡ４を含んでいる。第１非表示領域ＮＤＡ１は、表示領域ＤＡと第１辺Ｅ１との間に区画されている。第１非表示領域ＮＤＡ１は、前述の実装領域ＮＤＡｔを含んでいる。
【００１７】
同様に、第２非表示領域ＮＤＡ２は、表示領域ＤＡと第２辺Ｅ２との間に区画されている。第３非表示領域ＮＤＡ３は、表示領域ＤＡと第３辺Ｅ３との間に区画されている。第４非表示領域ＮＤＡ４は、表示領域ＤＡと第４辺Ｅ４との間に区画されている。
非表示領域ＮＤＡに囲まれた表示領域ＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１は、複数の走査信号線ＧＬと、走査信号線ＧＬに交差する複数の映像信号線ＳＬと、を備えている。前述の副画素ＳＰＸは、隣り合う二本の走査信号線ＧＬと隣り合う二本の映像信号線ＳＬとによって区画された領域に相当する。
【００１８】
各々の走査信号線ＧＬが延在する方向を第１方向Ｘと定義し、各々の映像信号線ＳＬが延在する方向を第２方向Ｙと定義する。なお、図１に示す例では、映像信号線ＳＬを第２方向Ｙに平行な直線で示しているが、映像信号線ＳＬがジグザグに屈曲しつつ第２方向Ｙに延在してもよい。
【００１９】
図１に示す例では、第１方向Ｘが表示パネルＰＮＬの短辺方向と一致し、第２方向Ｙが表示パネルＰＮＬの長辺方向と一致する。なお、第１及び第２方向Ｘ，Ｙは、図１に示す例に限られない。第１方向Ｘが表示パネルＰＮＬの長辺方向と一致し、第２方向Ｙが表示パネルＰＮＬの短辺方向と一致してもよいし、それ以外の方向であってもよい。第１及び第２方向Ｘ，Ｙは、表示パネルＰＮＬの厚さ方向Ｚに直交している。
【００２０】
第１基板ＳＵＢ１は、各々の走査信号線ＧＬに接続された走査ドライバＧＤと、各々の映像信号線ＳＬに接続された映像ドライバＳＤと、を備えている。走査ドライバＧＤは、前述の第２及び第４非表示領域ＮＤＡ２，ＮＤＡ４にそれぞれ設けられている。映像ドライバＳＤは、前述の第１非表示領域ＮＤＡ１において実装領域ＮＤＡｔよりも内側に設けられている。
【００２１】
なお、走査ドライバＧＤ及び映像ドライバＳＤを駆動回路基板ＦＰＣに設けてもよいし、制御モジュールＣＴＲに設けてもよい。走査ドライバＧＤ及び映像ドライバＳＤは、画像を表示するための駆動回路の一例であり、例えば後述する副画素ＳＰＸのスイッチング素子ＳＷと同一工程で形成できる。
【００２２】
第１基板ＳＵＢ１は、各々の副画素ＳＰＸにおいて、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＳＬ及び画素電極ＰＥに電気的に接続されている。複数の副画素ＳＰＸに対向して共通電極ＣＥが延在している。共通電極ＣＥは、第１基板ＳＵＢ１に設けてもよいし、第２基板ＳＵＢ２に設けてもよい。
【００２３】
制御モジュールＣＴＲは、受信した画像データに基づいて、走査ドライバＧＤ及び映像ドライバＳＤを制御する。走査ドライバＧＤは、各々の走査信号線ＧＬに走査信号を供給し、映像ドライバＳＤは、各々の映像信号線ＳＬに映像信号を供給する。スイッチング素子ＳＷに対応する走査信号線ＧＬに走査信号が供給されると、当該スイッチング素子ＳＷに対応する映像信号線ＳＬと画素電極ＰＥとが電気的に接続され、映像信号線ＳＬの映像信号が画素電極ＰＥに供給される。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥとの間で電界を形成して液晶層ＬＱの液晶分子の配向を変化させる。保持容量ＣＳは、例えば共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
【００２４】
図２は、図１に示された表示領域ＤＡにおける表示パネルＰＮＬの構造を示す断面図である。図２に示すように、表示パネルＰＮＬは、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、をさらに備えている。第１偏光板ＰＬ１は、表示パネルＰＮＬの背面側において、照明装置ＢＬと表示パネルＰＮＬとの間に配置されている。第２偏光板ＰＬ２は、表示パネルＰＮＬの表示面側に配置されている。
【００２５】
なお、偏光した光を照射する照明装置ＢＬを用いる場合、第１偏光板ＰＬ１を省略してもよい。液晶層ＬＱに代えてＭＥＭＳシャッターで構成する場合、第１及び第２偏光板ＰＬ１，ＰＬ２を省略してもよい。図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モード対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いはそれらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。
【００２６】
前述のように、第１基板ＳＵＢ１は、走査信号線ＧＬと、映像信号線ＳＬと、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、を備えている。これらに加え、第１基板ＳＵＢ１は、第１可撓性基材１０と、第１絶縁層１１と、第２絶縁層１２と、第３絶縁層１３と、第４絶縁層１４と、第５絶縁層１５と、第１配向膜ＡＬ１と、をさらに備えている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、中継電極ＳＬｒと、を含んでいる。
【００２７】
図２に示すように、第１絶縁層１１は、第１可撓性基材１０を覆っている。半導体層ＳＣは、第１絶縁層１１の上に形成されている。第２絶縁層１２は、半導体層ＳＣ及び第１絶縁層１１を覆っている。走査信号線ＧＬは、第２絶縁層１２の上に形成されている。第３絶縁層１３は、走査信号線ＧＬ及び第２絶縁層１２を覆っている。
【００２８】
映像信号線ＳＬ及び中継電極（ソース電極又はドレイン電極）ＳＬｒは、第３絶縁層１３の上に形成され、コンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を通じて半導体層ＳＣに接している。映像信号線ＳＬ及び中継電極ＳＬｒは、同一工程で形成できる。第４絶縁層１４は、映像信号線ＳＬ、中継電極ＳＬｒ及び第３絶縁層１３を覆っている。共通電極ＣＥは、第４絶縁層１４の上に形成されている。第５絶縁層１５は、共通電極ＣＥ及び第４絶縁層１４を覆っている。
【００２９】
画素電極ＰＥは、第５絶縁層１５の上に形成され、コンタクトホールＣＨ３を通じて中継電極ＳＬｒに接している。なお、第５絶縁層１５の下に画素電極ＰＥを形成し、第５絶縁層１５の上に共通電極ＣＥを形成してもよい。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第５絶縁層１５を覆い、液晶層ＬＱに接している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥに電圧が印加されていない状態において、液晶層ＬＱの液晶分子を配向させる。
【００３０】
第１可撓性基材１０は、例えばポリイミド樹脂から形成されている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料から形成されている。走査信号線ＧＬ、映像信号線ＳＬ及び中継電極ＳＬｒは、例えば単層構造や積層構造の金属線である。
【００３１】
第１乃至第３及び第５絶縁層１１，１２，１３，１５は、シリコン酸化物、シリコン窒化物又はアルミナ等の無機膜である。第４絶縁層１４は、例えばアクリル樹脂等の感光性樹脂から形成された有機膜であり、第１基板ＳＵＢ１の端部まで延在している。第４絶縁層１４は、スイッチング素子ＳＷの凹凸を平坦化する機能を有し、第１乃至第３及び第５絶縁層１１，１２，１３，１５や第１配向膜ＡＬ１よりも厚く形成されている。第１配向膜ＡＬ１は、例えばポリイミド樹脂等をインクジェット印刷やフレキソ印刷等によって塗布することで形成できる。
【００３２】
第２基板ＳＵＢ２は、第２可撓性基材２０と、遮光層（ブラックマトリクス）２１と、カラーフィルタ層２２と、オーバーコート層２３と、バリア層２４と、第２配向膜ＡＬ２と、を備えている。第２可撓性基材２０は、第１可撓性基材１０と同様の材料から形成できる。第２配向膜ＡＬ２は、第１配向膜ＡＬ１と同様の材料から形成できる。
【００３３】
図２に示すように、遮光層２１は、第２可撓性基材２０の下面に形成されている。カラーフィルタ層２２は、遮光層２１及び第２可撓性基材２０を覆っている。遮光層２１は、平面視において、非表示領域ＮＤＡに形成されている。さらに、遮光層２１は、表示領域ＤＡにおいて、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、中継電極ＳＬｒ等の金属線の直上に形成され、副画素ＳＰＸを区画している。
【００３４】
カラーフィルタ層２２は、画素電極ＰＥに対向し、その一部が遮光層２１に重なっている。なお、カラーフィルタ層２２を第２基板ＳＵＢ２ではなく第１基板ＳＵＢ１に形成してもよい。カラーフィルタ層２２は、副画素ＳＰＸに対応して配置された赤色カラーフィルタ層、緑色カラーフィルタ層、青色カラーフィルタ層等を含んでいる。オーバーコート層２３は、カラーフィルタ層２２を覆っている。バリア層２４は、オーバーコート層２３を覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、バリア層２４を覆い、液晶層ＬＱに接している。遮光層２１、カラーフィルタ層２２及びオーバーコート層２３は、いずれも有機材料で形成できる。すなわち、遮光層２１、カラーフィルタ層２２及びオーバーコート層２３は、有機層の一例である。
【００３５】
バリア層２４は、シリコン酸化物、シリコン窒化物又はアルミナ等の無機膜であり、第２可撓性基材２０に侵入した酸素や水分を遮断する機能を有している。本実施形態においては、例えば、光学特性を考慮してシリコン窒化物からなる単層膜をバリア層２４に用いる。また、バリア層２４は、第２可撓性基材２０の応力を緩和させる目的で成膜されている。液晶表示装置ＤＳＰの製造において、第２可撓性基材２０から後述の第２ガラス基板を剥離するとき、第２可撓性基材２０が応力で反るおそれがある。バリア層２４は、この応力を相殺する方向に応力を付与して第２可撓性基材２０の反りを抑制する。
【００３６】
図３は、第４非表示領域ＮＤＡ４の構造を示す断面図である。なお、第１乃至第３非表示領域ＮＤＡ１，ＮＤＡ２，ＮＤＡ３の構造は、第４非表示領域ＮＤＡ４の構造と略同一の形状及び機能を有している。そのため、代表して第４非表示領域ＮＤＡ４を詳しく説明し、第１乃至第３非表示領域ＮＤＡ３については重複する説明を省略する。
【００３７】
図３に示す例では、第４非表示部ＮＤＡ４が表示パネルＰＮＬの背面側に折り返されて、照明装置ＢＬの背面に配置されている。第４非表示領域ＮＤＡ４が表示パネルＰＮＬの表示面側から見えなくなるため、額縁幅Ｗが狭い液晶表示装置ＤＳＰを構成できる。非表示領域ＮＤＡを背面側に折り返すと、表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１側では、圧縮応力が生じる。第２基板ＳＵＢ２側では、引張応力が生じる。表示パネルＰＮＬの略中心に位置する中立面Ｎでは、引張応力と圧縮応力が釣り合う。
【００３８】
図４は、図３において曲げられた表示パネルＰＮＬの一部を拡大して示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰは、遮光層２１及びオーバーコート層２３が、第２可撓性基材２０とバリア層２４との間に形成されていることが特徴の一つである。図５は、本実施形態との比較例を示す断面図である。仮に、図５に示された比較例のように、第２可撓性基材２０と遮光層２１との間にバリア層２４があると、中立面Ｎからバリア層２４までの距離が大きくなる。
【００３９】
これに対し、本実施形態によれば、遮光層２１及びオーバーコート層２３よりも上層（液晶層ＬＱ側）にバリア層２４があるため、図４に示すように、中立面Ｎの近傍にバリア層２４を配置できる。なお、第１及び第２可撓性基材１０，２０の板厚Ｔ１，Ｔ２は、互いに異なっていてもよい。板厚Ｔ１，Ｔ２を調整することで中立面Ｎとバリア層２４との距離をさらに近づけることができる。
【００４０】
液晶表示装置ＤＳＰの製造工程において、バリア層２４は、一般にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。遮光層２１の上にバリア層２４を配置するために、遮光層２１が存在している状態でＣＶＤを行うと、遮光層２１が揮発してＣＶＤ装置の真空チャンバーが汚染されてしまう。
【００４１】
図６は、本実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフロー図である。本実施形態に係る製造方法は、ＣＶＤを用いずにバリア層２４を成膜することが特徴の一つである。図６に示す例では、製造方法は、第１基板ＳＵＢ１を用意する工程と、第２基板ＳＵＢ２を用意する工程と、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着して液晶表示装置ＤＳＰを組み立てる工程と、を含んでいる。
【００４２】
第１基板ＳＵＢ１を用意するＳＴ１乃至ＳＴ３の工程について説明する。まず、第１ガラス基板の上面に第１可撓性基材１０の材料を塗布し、塗布した材料を硬化させて第１可撓性基材１０を形成する（第１可撓性基材形成ＳＴ１）。一例として、第１ガラス基板上にポリアミド酸を含んだ組成物を塗布し、３００〜５００℃で熱処理してイミド化すれば、ポリイミドフィルムの第１可撓性基材１０を形成できる。
【００４３】
第１可撓性基材１０の上に前述の走査信号線ＧＬ、映像信号線ＳＬ、半導体層ＳＣ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第１乃至第５絶縁層１１，１２，１３，１４，１５等を積層した回路層を形成する（回路層形成ＳＴ２）。回路層の上に第１配向膜ＡＬ１の材料を塗布し、塗布した材料を硬化させて第１配向膜ＡＬ１を形成する（第１配向膜形成ＳＴ３）。ＳＴ１乃至ＳＴ３の工程を経て、複数の第１基板ＳＵＢ１を含んだマザー基板を得る。
【００４４】
次に、第２基板ＳＵＢ２を用意するＳＴ４乃至ＳＴ７の工程について説明する。ＳＴ１の工程と同様にして、第２ガラス基板の上に第２可撓性基材２０を形成する（第２可撓性基材形成ＳＴ４）。第２可撓性基材２０の上に前述の遮光層２１、カラーフィルタ層２２（着色層）、オーバーコート層２３等を形成する（着色層形成ＳＴ５）。
【００４５】
ＳＴ５の工程よりも後に、オーバーコート層２３の上にシリコン酸化物、シリコン窒化物又はアルミナ等の無機材料をスパッタリングすることによりバリア層２４を形成する。バリア層２４は、遮光層２１、カラーフィルタ層２２、オーバーコート層２３を介して第２可撓性基材２０を覆うように形成される。ＳＴ３の工程と同様にして、バリア層２４の上に第２配向膜ＡＬ２をさらに形成し（第２配向膜形成ＳＴ７）、複数の第２基板ＳＵＢ２を含んだマザー基板を得る。
【００４６】
次に、第１及び第２基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を接着して液晶表示装置ＤＳＰを組み立てるＳＴ８乃至ＳＴ１５の工程について説明する。いずれか一方のマザー基板にシール材ＳＥの材料を塗布し、シール材ＳＥに囲まれた内側に液晶層ＬＱの液晶材料を滴下する（液晶滴下ＳＴ８）。二枚のマザー基板を貼り合わせ、シール材ＳＥを硬化させる（基板接着ＳＴ９）。なお、液晶層ＬＱを注入する方法は、ＳＴ８及びＳＴ９の工程（ワン・ドロップ・フィル法）に限らない。先に第１及び第２基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を接着し、後から液晶層ＬＱを封入する真空注入法を用いてもよい。
【００４７】
第２可撓性基材２０から第２ガラス基板を剥離する。具体的には、透光性の第２ガラス基板を通じて第２可撓性基材２０にレーザー光を照射する。これにより、第２可撓性基材２０がレーザー光を吸収して僅かに分解する。第２可撓性基材２０と第２ガラス基板との界面に空隙が発生し、第２可撓性基材２０から第２ガラス基板が剥離される（第２ガラス基板剥離ＳＴ１０）。このとき、バリア層２４は、第２ガラス基板に固定されていない第２可撓性基材２０の反りを抑制する。
【００４８】
第１ガラス基板とともに第１及び第２基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含んだマザー基板を切断し、複数のパネルに個片化する（セルカットＳＴ１１）。レーザー光によって第２基板ＳＵＢ２の一部を切除し、第１基板ＳＵＢ１の端子を露出させる（実装領域形成ＳＴ１２）。これにより、実装領域ＮＤＡｔが形成される。なお、ＳＴ１０及びＳＴ１１の工程を一つの工程にまとめてもよい。
【００４９】
露出した端子に駆動回路基板ＦＰＣを実装する（駆動回路基板実装ＳＴ１３）。具体的には、端子の上に異方性導電フィルムを配置する。異方性導電フィルムは、均一に分散された導電粒子を含んだフィルム状の接着剤である。次に、駆動回路基板ＦＰＣ及び第１基板ＳＵＢ１を上下から加圧すると同時に加熱する。これにより、異方性導電フィルムの一部が溶融し、駆動回路基板ＦＰＣと第１基板ＳＵＢ１とが電気的及び機械的に接続される。
【００５０】
第２ガラス基板を剥離するＳＴ１０の工程と同様にして、第１可撓性基材１０から第１ガラス基板を剥離する（第１ガラス基板剥離ＳＴ１４）。得られた表示パネルＰＮＬに第１及び第２偏光板ＰＬ１，ＰＬ２を貼着し、照明装置ＢＬを組み付ける。
表示パネルＰＮＬの非表示領域ＮＤＡ及び駆動回路基板ＦＰＣを表示パネルＰＮＬの背面に折り返すと、液晶表示装置ＤＳＰが完成する（折り返しＳＴ１５）。非表示領域ＮＤＡを背面側に折り返すと、第２基板ＳＵＢ２には、引張応力が生じる。無機膜は、圧縮応力よりも引張応力に弱いため、第２基板ＳＵＢ２においては、第１基板ＳＵＢ１よりも無機膜が破断しやすい傾向がある。
【００５１】
以上のように構成された本実施形態の液晶表示装置ＤＳＰは、第２可撓性基材２０の反りを抑制するバリア層２４と中立面Ｎとの距離が、図５に示された比較例の液晶表示装置ＤＳＰに比べて小さくなる。これにより、折り返し等による応力を最小限にできるため、バリア層２４の破断を防止できる。
【００５２】
本実施形態に係る製造方法は、ＣＶＤではなくスパッタリングを用いる。スパッタリングであれば、有機膜が存在する条件下でも成膜できるため、第２可撓性基材２０の直上に限定されず、遮光層２１、カラーフィルタ層２２及びオーバーコート層２３よりも中立面Ｎ寄りにバリア層２４を形成できる。その他、本実施形態及びその変形例からは、種々の好適な効果を得ることができる。
【００５３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。各実施形態にて開示した構成は、適宜に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１０…第１可撓性基材、２０…第２可撓性基材、２１…遮光層、２３…オーバーコート層、２４…バリア層（無機膜の一例）、ＤＳＰ…液晶表示装置（表示装置の一例）、ＬＱ…液晶層、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、Ｔ１…第１可撓性基材の板厚、Ｔ２…第２可撓性基材の板厚。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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