(57)【要約】【課題】本発明の課題の１つは、バンクで発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。【解決手段】絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、前記画素電極における前記開口を覆う発光層と、前記バンクと前記発光層との間に設けられた除去層と、を有する、表示装置。【選択図】図４
2019140244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、
前記画素電極における前記開口を覆う発光層と、
前記バンクと前記発光層との間に設けられた除去層と、
を有する、表示装置。
【請求項２】
前記除去層は、前記開口を覆う、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記除去層は、前記開口の内側において不連続になっている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記除去層は、厚さが１ｎｍ以下である、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記除去層は、無機乾燥剤を含む、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記無機乾燥剤は、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記除去層と前記発光層との間に、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層を含む、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記正孔注入層、前記正孔輸送層又は前記電子ブロッキング層はそれぞれ、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、
前記開口を覆う発光層と、
前記バンクと前記発光層との間に設けられ、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層と、
を有する、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescence Display）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現する、いわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子は、水分及び酸素により有機ＥＬ材料を含む発光層や電極の劣化、ひいては素子の性能低下を招く。そのため、有機ＥＬ表示装置の内部を乾燥した状態に保つことが必要となる。例えば、特許文献１には、カソードを介してバンクの上に選択的に形成された乾燥剤層を具備することにより、有機ＥＬ素子を水分及び酸素等から保護することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３８４８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
画素を区切るバンクは、有機物を含む。有機物は、光のエネルギー等で分解し、水分やガスが発生する。有機物から水分やガスが発生すると、カソードの下に具備される有機ＥＬ素子の劣化を防止することができないので、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明の課題の１つは、有機物から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態における表示装置は、絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、複数の画素電極の端部を覆うとともに、複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、画素電極における開口を覆う発光層と、バンクと発光層との間に設けられた除去層と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示した概略図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】本発明の第１実施形態における時間と輝度との関係を表す図である。
【図６】本発明の第１実施形態における時間と電圧との関係を表す図である。
【図７】本発明の第２実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図の部分拡大図である。
【図８】本発明の第３実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。ただし、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１１】
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」等の表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面から電極に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示した概略図である。本明細書では、有機ＥＬ表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
【００１３】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、絶縁表面上に形成された、表示領域１０２と、表示領域１０２の周辺に位置する周辺領域１０３と、走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０５と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６に含まれる場合もある。ドライバＩＣ１０６は、ＩＣチップのような形態で別途基板１０１上に配置してもよく、フレキシブルプリント回路（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１０８に設けて外部から接続してもよい。ＦＰＣ１０８は、周辺領域１０３に設けられた端子１０７と接続される。
【００１４】
基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層等の各層を支持する。なお、基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していてもよいし、基板１０１上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成してもよい。絶縁表面が得られる限りにおいて、基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。
【００１５】
表示領域１０２には、複数の画素１１０がマトリクス状に配置される。各画素１１０は、一方がアノード（陽極）、他方がカソード（陰極）として機能する画素電極及び対向電極、画素電極と対向電極との間に設けられたアノード側機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層）、発光層並びにカソード側機能層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層）を含む発光素子を備える。各画素１１０には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらのデータ信号に従って、各画素１１０に設けられたアノードに電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。ただし、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、いかなる素子を用いてもよい。
【００１６】
図２は、有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。具体的には、表示領域１０２の一部として、６つの発光素子２０１を平面視した構成を示している。なお、図２では、６つの発光素子２０１について例示しているが、実際には、表示領域１０２では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。また、図２では、発光素子２０１及び第１の層３２１以外の構成については、記載を省略している。
【００１７】
上述したように、各画素１１０は、一方がアノード（陽極）、他方がカソード（陰極）として機能する画素電極及び対向電極、画素電極と対向電極との間に設けられたアノード側機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層）、発光層並びにカソード側機能層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層）を含む発光素子２０１を備える。発光素子２０１は、後述する第２絶縁層の開口によって露出されている。第２絶縁層は、アノードの端部を覆い、隣接するアノード間に設けられる。発光素子２０１上には、第１の層３２１が設けられる。
【００１８】
なお、第１実施形態では、画素配列として、画素がストライプ配列された例を示したが、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列その他の配列でもよい。
【００１９】
図３は、本発明の第１実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、基板３０１、下地層３０２、薄膜トランジスタ３０３、第１絶縁層３１２、画素電極（アノード）３１４、第２絶縁層３１５、除去層３１６、アノード側機能層３１７、発光層３１８、カソード側機能層３１９、対向電極（カソード）３２０、第１の層３２１、第２の層３２２及び第３の層３２３を含む。
【００２０】
有機ＥＬ表示装置１００は、基板３０１を有する。基板３０１は、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。基板３０１が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。特に、基板としてフレキシブル基板を用いる場合には、積層構造を有する下地層を設けて外部からの保護機能を高めることが望ましい。
【００２１】
基板３０１上には、下地層３０２が設けられる。下地層３０２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料を含む絶縁層である。下地層３０２は、単層に限定されるわけではなく、酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層構造を有してもよい。この構成は、基板３０１との密着性や、後述する薄膜トランジスタ３０３に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すればよい。
【００２２】
下地層３０２上には、薄膜トランジスタ３０３が設けられる。薄膜トランジスタ３０３の構造は、トップゲート型でもボトムゲート型でもよい。この例では、薄膜トランジスタ３０３の構造は、トップゲート型である。第１実施形態では、薄膜トランジスタ３０３は、下地層３０２上に設けられた半導体層３０４、半導体層３０４を覆うゲート絶縁膜３０５、ゲート絶縁膜３０５上に設けられたゲート電極３０６、ゲート電極３０６を覆う層間絶縁膜３０８及び３０９、並びに層間絶縁膜３０９上に設けられ、それぞれ半導体層３０４に接続されたソース、ドレイン電極３１０及び３１１を含む。なお、第１実施形態では、層間絶縁膜が層間絶縁膜３０８、３０９の積層構造を有しているが、層間絶縁膜は単層でもよい。
【００２３】
薄膜トランジスタ３０３を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよい。半導体層３０４としては、一般的には、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜３０５としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極３０６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属材料を含む。層間絶縁膜３０８、３０９としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース、ドレイン電極３１０及び３１１は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウム等の金属材料を含む。
【００２４】
ゲート電極３０６と同じ層には、ゲート電極３０６を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された配線３０７を設けることができる。配線３０７は、走査線駆動回路１０４によって駆動される走査線等として設けることができる。また、図３には図示しないが、ソース、ドレイン電極３１０及び３１１と同じ層には、配線３０７と交差する方向に延在する配線を設けることができる。該配線は、データ線駆動回路１０５によって駆動される信号線等として設けることができる。
【００２５】
薄膜トランジスタ３０３上には、第１絶縁層３１２が設けられる。第１絶縁層３１２は、平坦化膜として機能する。第１絶縁層３１２は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。なお、第１絶縁層３１２は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
【００２６】
第１絶縁層３１２は、ソース、ドレイン電極３１０又は３１１の一部を露出させるコンタクトホール３１３を有する。コンタクトホール３１３は、後述するアノード３１４とソース、ドレイン電極３１０又は３１１とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホール３１３は、ソース、ドレイン電極３１０又は３１１の一部に重畳して設けられる。コンタクトホール３１３の底面では、ソース、ドレイン電極３１０又は３１１が露出される。
【００２７】
第１絶縁層３１２上には、アノード３１４が設けられる。アノード３１４は、コンタクトホール３１３に重畳し、コンタクトホール３１３の底面で露出されたソース、ドレイン電極３１０又は３１１と電気的に接続する。アノード３１４は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。トップエミッション型である場合、アノード３１４として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜（例えば、ＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電膜（例えば、ＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、アノード３１４として上述した透明導電膜を用いる。この例では、有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。アノード３１４の端部は、後述する第２絶縁層３１５により覆われている。
【００２８】
アノード３１４上には、第２絶縁層３１５が設けられる。第２絶縁層３１５は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系等の公知の樹脂材料を用いることができる。第２絶縁層３１５は、アノード３１４上の一部に開口３００を有する。
【００２９】
第２絶縁層３１５は、互いに隣接するアノード３１４の間に、アノード３１４の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接するアノード３１４を離隔する部材として機能する。このため、第２絶縁層３１５は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。第２絶縁層３１５の開口３００は、アノード３１４の一部を露出させる。第２絶縁層３１５の開口３００は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する発光層の形成時に、アノード３１４の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。
【００３０】
第２絶縁層３１５上には、除去層３１６が設けられる。除去層３１６は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する層である。すなわち、除去層３１６は、水分除去層又はガス除去層ともいう。ここで、除去とは、吸着、吸収及び化学反応等により、水分やガスを取り除くことをいう。この例では、除去層３１６は、第２絶縁層３１５及びアノード３１４を覆っている。すなわち、除去層３１６は、第２絶縁層３１５を覆うとともに、第２絶縁層３１５が覆っていないアノード３１４の一部を覆っている。
【００３１】
除去層３１６は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含む。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。除去層３１６は、アノード３１４の一部と後述する正孔注入層との間に設けられる。除去層３１６は正孔注入効率に影響するので、除去層３１６の膜厚は、正孔注入効率への影響を小さくするために、１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
除去層３１６上には、アノード側機能層３１７が設けられる。アノード側機能層３１７は、後述する正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層を含む。
【００３３】
アノード側機能層３１７上には、発光層３１８が設けられる。発光層３１８は、有機発光材料を含む。有機発光材料としては、縮合多環芳香族の誘導体等の公知の材料を用いることができる。
【００３４】
この例では、有機ＥＬ表示装置１００は、所望の色の光を発する発光層３１８が設けられている。有機ＥＬ表示装置１００は、各アノード３１４上に異なる発光層３１８が形成されることで、ＲＧＢの各色を表示する。すなわち、この例では、発光層３１８は、隣接するアノード３１４の間では絶縁分離されている。発光層３１８には、公知の構造や公知の材料を用いることが可能である。また、発光層３１８は、白色光を発する発光層３１８を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。
【００３５】
発光層３１８上には、カソード側機能層３１９が設けられる。カソード側機能層３１９は、少なくとも電子注入層、電子輸送層又は正孔ブロッキング層を含む。電子注入層、電子輸送層及び正孔ブロッキング層は、電子輸送材料を含む。電子輸送材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料を用いることができる。真空蒸着法により、これらの電子輸送材料の成膜が可能である。また、これらの電子輸送材料をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させトルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独または混合溶媒に溶解または分散させて電子輸送塗布液とし、印刷法により成膜できる。
【００３６】
カソード側機能層３１９上には、カソード３２０が設けられる。この例では、有機ＥＬ表示装置１００は、トップエミッション型であるため、カソード３２０は透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、透明導電膜（例えば、ＩＴＯやＩＺＯ）を用いることができる。また、透明電極として、ＭｇＡｇを光が透過する程度の膜厚にて形成してもよい。カソード３２０は、表示領域１０２の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。
【００３７】
カソード３２０上には、第１の層３２１、第２の層３２２及び第３の層３２３が設けられる。第１の層３２１と第３の層３２３は、主に外部から不純物が浸入することを防ぐブロッキング層として働き、第２の層３２２は、平坦な表面を与えることを主な機能として有する。
【００３８】
図４は、図３の部分拡大図である。具体的には、本発明の第１実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図のうち、第１絶縁層３１２から上の層の断面拡大図である。有機ＥＬ表示装置１００は、アノード３１４、第２絶縁層３１５、除去層３１６、アノード側機能層３１７、発光層３１８、カソード側機能層３１９、カソード３２０、第１の層３２１、第２の層３２２及び第３の層３２３を含む。
【００３９】
アノード側機能層３１７は、正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２及び電子ブロッキング層４０３を含む。
【００４０】
アノード３１４上には、正孔注入層４０１が設けられる。また、正孔注入層４０１上には、正孔輸送層４０２が設けられる。正孔注入層４０１及び正孔輸送層４０２は、正孔輸送材料を含む。正孔輸送材料としては、ベンジジン又はその誘導体、スチリルアミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾール又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキサジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、アリールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又はその誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又はその誘導体、フタロシアニンまたはその誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、ポリマー等を用いることができる。
【００４１】
正孔輸送層４０２上には、電子ブロッキング層４０３が設けられる。電子ブロッキング層４０３は、カソード側から発光層３１８へ注入された電子がアノード側に抜けることを防ぐ。そのため、電子ブロッキング層４０３の電子親和力値は、発光層３１８の電子親和力値よりも小さな値を有し、または、電子輸送性の低い材料である必要がある。また、電子ブロッキング層４０３の仕事関数が正孔輸送層４０２及び発光層３１８のそれに近い値を有する場合、発光層３１８への正孔注入効率を妨げることなく良好な有機ＥＬ特性を得ることができる。
【００４２】
電子ブロッキング層４０３は、有機物を含むことができる。有機物としては、正孔輸送性を有する材料を用いることができる。正孔輸送性を有する材料としては、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’―ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’―ジアリール置換ピロロピロール系等の発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させたものや、ＰＰＶ系やＰＡＦ系、ポリパラフェニレン系等の高分子発光体を用いることができる。これらの材料は溶媒に溶解させることで湿式法により成膜できる。
【００４３】
電子ブロッキング層４０３は、無機物を含むことができる。無機物としては、遷移金属の酸化物、窒化物、酸窒化物やＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ族元素のＰ型化合物半導体等を用いることができる。膜厚は任意であるが好ましくは０．１ｎｍ〜２００ｎｍであり、また０．１ｎｍ〜７０ｎｍであることが駆動電圧の上昇を防ぐことができるためより好ましい。また、絶縁性の高い材料である場合の膜厚は０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲で製膜することで、発光層３１８への正孔注入効率を妨げることなく良好なＥＬ特性が得られる。さらにバンドギャップが３．０ｅＶ以上であるあれば、可視光領域でほぼ透明であるためより色度、輝度、発光効率に優れたＥＬ特性を得ることができる。
【００４４】
正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２又は電子ブロッキング層４０３は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含むことができる。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。
【００４５】
図５は、本発明の第１実施形態における時間と輝度との関係を表す図である。横軸は発光層３１８に電流を流した時間（ｈｒ）であり、縦軸は時間０における発光層３１８の輝度Ｌ0に対する時間ｔにおける発光層３１８の輝度Ｌ（Ｌ／Ｌ0）である。図５の曲線５０１は、有機ＥＬ表示装置１００が除去層３１６を含まない場合に、６０℃の環境下で発光層３１８に電流を流したときのＬ／Ｌ0の経時変化を表している。一方、図５の曲線５０２は、有機ＥＬ表示装置１００が除去層３１６を含む場合に、６０℃の環境下で発光層３１８に電流を流したときのＬ／Ｌ0の経時変化を表している。
【００４６】
図５の曲線５０１の場合のように、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６がない場合、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解することで発生する微量な水分やガスが有機ＥＬ素子に進入する。そのため、有機ＥＬ素子が劣化し、経時でＬ／Ｌ0は大きく減少する。
【００４７】
一方、図５の曲線５０２の場合のように、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６がある場合、除去層３１６は無機乾燥剤を含むので、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。そのため、除去層３１６有機ＥＬ素子の劣化が防止され、経時でＬ／Ｌ0は緩やかに減少する。
【００４８】
図６は、本発明の第１実施形態における時間と電圧との関係を表す図である。横軸は発光層３１８に電流を流した時間（ｈｒ）であり、縦軸はアノード３１４とカソード３２０との間の電圧（Ｖ）である。図６の曲線６０１は、有機ＥＬ表示装置１００が除去層３１６を含まない場合に、６０℃の環境下で発光層３１８に電流を流したときの電圧の経時変化を表している。一方、図６の曲線６０２は、有機ＥＬ表示装置１００が除去層３１６を含む場合に、６０℃の環境下で発光層３１８に電流を流したときの電圧の経時変化を表している。
【００４９】
図６の曲線６０１の場合のように、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６がない場合、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解することで発生する微量な水分やガスが有機ＥＬ素子に進入する。そのたえ、有機ＥＬ素子が劣化し、有機ＥＬ素子の抵抗が急激に大きくなるので、経時で電圧が大きく上昇する。
【００５０】
一方、図６の曲線６０２の場合のように、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６がある場合、除去層３１６は無機乾燥剤を含むので、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。そのため、除去層３１６有機ＥＬ素子の劣化が防止され、有機ＥＬ素子の抵抗が緩やかに大きくなるので、経時で電圧が緩やかに上昇する。
【００５１】
このように、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００には、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６が設けられている。除去層３１６は無機乾燥剤を含むので、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。そのため、有機ＥＬ素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５２】
また、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００には、アノード３１４及びアノード３１４の端部を覆う第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６が設けられている。除去層３１６は、膜厚が１ｎｍ以下なので、正孔注入層４０１による正孔注入効率への影響が少ない。そのため、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５３】
（変形例１）
第１実施形態では、除去層３１６がアノード３１４と正孔注入層４０１との間に一層設けられているが、除去層３１６は、正孔注入層４０１と正孔輸送層４０２との間、正孔輸送層４０２と電子ブロッキング層４０３との間、又は電子ブロッキング層４０３と発光層３１８との間に設けられてもよいし、複数の層と層との間に設けられてもよい。
【００５４】
（第２実施形態）
図７は、発明の第２実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図の部分拡大図である。第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００によれば、第１実施形態と異なり、第２絶縁層３１５の開口３００の内側に除去層３１６を設けずに、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００５５】
この例では、除去層３１６は、アノード３１４の一部を覆わずに、第２絶縁層３１５のみを覆っている。除去層３１６の上に設けられた正孔注入層４０１は、第２絶縁層３１５の上に設けられた除去層３１６を覆うとともに、第２絶縁層３１５の開口３００から露出されたアノード３１４の一部を覆っている。すなわち、アノード３１４の一部と正孔注入層４０１との間に除去層３１６が介在しない。
【００５６】
このように、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００には、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と異なり、第２絶縁層３１５と正孔注入層４０１との間に除去層３１６が設けられており、アノード３１４の一部（アノード）と正孔注入層４０１との間には除去層３１６が設けられていない。第２絶縁層３１５のみを覆う除去層３１６により、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。そのため、有機ＥＬ素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００５７】
（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態における図２のＡ−Ａ'線に沿った断面図の部分拡大図である。第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００によれば、第１実施形態と異なり、除去層３１６を含まず、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第２絶縁層３１５から発生する水分やガスが有機ＥＬ素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００５８】
有機ＥＬ表示装置１００は、除去層３１６を含まない。正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２又は電子ブロッキング層４０３は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含む。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。
【００５９】
このように、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００には、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００と異なり、除去層３１６が含まれず、無機乾燥剤が少なくとも正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２又は電子ブロッキング層４０３に含まれている。正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２又は電子ブロッキング層４０３は、第２絶縁層３１５が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分を除去し、第２絶縁層３１５から発生する水分が有機ＥＬ素子に進入することを防止する。そのため、有機ＥＬ素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００６０】
（変形例２）
第３実施形態では、除去層３１６が含まれず、無機乾燥剤が少なくとも正孔注入層４０１、正孔輸送層４０２又は電子ブロッキング層４０３に含まれているが、除去層３１６が含まれてもよい。
【００６１】
本発明の実施形態として説明した有機ＥＬ表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
【００６２】
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００６３】
１００：有機ＥＬ表示装置、１０１：基板、１０２：表示領域、１０３：周辺領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路、２０１：発光素子、３００：開口、３０１：基板、３０２：下地層、３０３：薄膜トランジスタ、３０４：半導体層、３０５：ゲート絶縁膜、３０６：ゲート電極、３０７：配線、３０８，３０９：層間絶縁膜、３１０：ソース電極、３１１：ドレイン電極、３１２：第１絶縁層、３１３：コンタクトホール、３１４：アノード、３１５：第２絶縁層、３１６：除去層、３１７：アノード側機能層、３１８：発光層、３１９：カソード側機能層、３２０：カソード、３２１：第１の層、３２２：第２の層、３２３：第３の層、４０１：正孔注入層、４０２：正孔輸送層、４０３：電子ブロッキング層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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