(57)【要約】【課題】低圧条件の圧着でも高い接続信頼性を得ることができる異方性導電接着剤、及び接続体の製造方法を提供する。【解決手段】異方性導電接着剤は、絶縁性接着剤と、２０％圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する。これにより、低圧条件の圧着でも高圧条件の圧着と同様に導電粒子が酸化物層を突き破ること可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性接着剤と、
圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料。
【請求項２】
前記樹脂コア導電粒子の圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４５００Ｎ／ｍｍ２以上である請求項１記載の導電材料。
【請求項３】
前記樹脂コア導電粒子の圧縮回復率が６０％以上である請求項１記載の導電材料。
【請求項４】
前記樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が８０００Ｎ／ｍｍ２以上である請求項１記載の導電材料。
【請求項５】
前記樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が２００００Ｎ／ｍｍ２以下である請求項１記載の導電材料。
【請求項６】
前記絶縁性接着剤が、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有し、当該導電材料が、フィルム状である求項１乃至５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項７】
絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料を介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、
圧着ツールにより前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、前記導電材料を硬化させる硬化工程とを有する接続体の製造方法。
【請求項８】
前記硬化工程では、４０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの条件で前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させる請求項７記載の接続体の製造方法。
【請求項９】
第１の電子部品と、第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、
前記接着膜は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料が硬化してなる接続体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えばＩＣ(Integrated Circuit)チップとフレキシブル配線板とを接続させる導電材料、及び接続体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）ディスプレイなどのアクティブマトリックス型の表示装置では、ガラス等の絶縁基板上に、互いに交差する複数本の走査信号ライン及び画像信号ラインをマトリックス状に配置形成するとともに、それら走査信号ライン及び画像信号ラインの各交点に薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と記す。）を配置形成している。
【０００３】
ＴＦＴのソース電極やドレイン電極などの電極用金属配線膜は、生産コストが高いＩＴＯ（Indium Tin Oxide）に代わって、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）が用いられている。ＩＺＯ配線は、表面が平滑であり、表面に酸化物層（不動態）が形成されている。また、例えばアルミニウム配線では、腐食を防止するために表面にＴｉＯ２などの酸化物層の保護層が形成されることがある。もしくは、Ａｌ／Ｔｉ配線を使う場合もあるが、これもアルミニウム配線と同様になることがある。
【０００４】
しかしながら、酸化物層は硬いため、例えばドライバＩＣを異方性導電接着剤にて接続させる場合、接続抵抗値が上昇する傾向にある。
【０００５】
そこで、例えば、特許文献１には、導電粒子の圧縮回復率を低くし、導電粒子の反発力を低く抑えることにより、電極及び回路接続材料間での剥離を抑制し、良好な接続信頼性を得ることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−１５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、導電粒子の圧縮回復率が低いため、配線との接触面積が小さくなる傾向にあり、導通抵抗値が高くなる傾向にある。このため、特許文献１に記載された方法では、高圧条件で圧着しなければ、高い接続信頼性を得ることができず、実装部品へのダメージが懸念される。
【０００８】
本技術は、前述した課題を解決するものであり、低圧条件の圧着でも高い接続信頼性を得ることができる導電材料、及び接続体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本件発明者らは、鋭意検討した結果、適度に高い圧縮回復率と酸化物層を突き破る硬度を有する樹脂コア導電粒子を用いることにより、低圧条件の圧着でも高い接続信頼性が得られるとの知見に基づき、本技術を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本技術に係る導電材料は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する。
【００１１】
また、本技術に係る接続体の製造方法は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料を介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、圧着ツールにより前記第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、前記導電材料を硬化させる硬化工程とを有する。
【００１２】
また、本技術に係る接続体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、前記接着膜は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料が硬化してなる。
【発明の効果】
【００１３】
本技術によれば、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能となり、また、配線との接触面積を増大させることができるため、高い接続信頼性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本実施の形態に係る接続体の製造方法を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）は、配置工程（Ｓ１）を示し、図１（Ｂ）は、硬化工程（Ｓ２）を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．導電材料
２．接続体の製造方法
３．実施例
【００１６】
＜１．導電材料＞
本実施の形態に係る導電材料は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する。これにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能となり、樹脂コア導電粒子と配線との接触面積を増大させることができるため、高い接続信頼性を得ることができる。これは、高い圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値により配線が押し潰されて変形し、追従性が向上するため、配線との接触面積が増大するとともに、高い２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値により酸化物層を突き破ることが可能であるからだと考えられる。
【００１７】
導電材料としては、フィルム状、ペースト状などの形状が挙げられ、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Anisotropic Conductive Paste）などが挙げられる。また、導電材料の硬化型としては、熱硬化型、光硬化型、光熱併用硬化型などが挙げられ、用途に応じて適宜選択することができる。
【００１８】
以下、樹脂コア導電粒子を含有する導電粒子含有層と、樹脂コア導電粒子を含有しない導電粒子非含有層とが積層された２層構造の熱硬化型の異方性導電フィルムを例に挙げて説明する。また、熱硬化型の異方性導電フィルムとしては、例えば、カチオン硬化型、アニオン硬化型、ラジカル硬化型、又はこれらを併用することができるが、ここでは、アニオン硬化型の異方性導電フィルムについて説明する。
【００１９】
具体例として示す異方性導電フィルムは、樹脂コア導電粒子と、絶縁性接着剤として、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する導電粒子含有層と、絶縁性接着剤として、膜形成樹脂と、エポキシ樹脂と、アニオン重合開始剤とを含有する導電粒子非含有層とを備える。
【００２０】
［樹脂コア導電粒子］
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率は、２０％以上であり、より好ましくは４５％以上であり、さらに好ましくは６０％以上であり、圧縮回復率の上限は９０％程度である。圧縮回復率が一定以上に高ければ、接続後に樹脂コア導電粒子と、これを挟持しているバンプ、配線電極との接触状態が良好に保たれ易くなる。但し、圧縮硬さＫ値との組み合わせによっては、接続に高い圧力が必要となる。
【００２１】
また、樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値は、４０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、より好ましくは８０００Ｎ／ｍｍ２以上であり、さらに好ましくは１００００Ｎ／ｍｍ２以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値の上限は、好ましくは２２０００Ｎ／ｍｍ２未満であり、より好ましくは２００００Ｎ／ｍｍ２以下である。圧縮硬さＫ値が一定以上に高ければ、接続時に樹脂コア導電粒子が配線電極表面の絶縁層を突き破り抵抗値が得られ易くなる。但し、圧縮回復率との組み合わせによっては、接続に高い圧力が必要となる。
【００２２】
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値の好ましい組み合わせは、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上、圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上、圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が８０００Ｎ／ｍｍ２以上、又は、圧縮回復率が６０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が８０００Ｎ／ｍｍ２以上である。これにより、例えば１３０ＭＰａ程度の圧力条件の圧着において、信頼性試験後の抵抗値の上昇を抑制し、高い接続信頼性を得ることができる。圧力は、電子部品の薄型化や屈曲化（フレキシブル化）の要請などの事情により、低圧化されることが望まれている。また、連続して接続する（接続体を生産する）場合、圧力が常に一定ではないことが予想されるため、圧力条件が変動しても良好な接続状態が得られることが望ましい。例えば１３０ＭＰａから８０ＭＰａの範囲において使用できることが好ましく、１３０ＭＰａから５０ＭＰａの範囲において使用できることがより好ましい。特に、８０ＭＰａから５０ＭＰａの範囲において使用できれば、上述の電子部品の薄型化やフレキシブル性の要請に応え易くなる。これは必ずしも連続的に接続する際に、上述の範囲で変動してよいことを示すものではなく、この範囲で接続できれば連続接続時の変動に対してある程度許容できることを述べているにすぎない。この許容できる程度は、接続条件や電子部品の条件、連続接続の装置の条件など、組み合わせによって変動するため、適宜調整すればよい。
【００２３】
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率は、次のように測定することできる。微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で樹脂コア導電粒子を圧縮し、初期荷重時（荷重０．４ｍＮ）から荷重反転時（荷重５ｍＮ）までの変位をＬ２とし、荷重反転時から最終荷重時（荷重０．４ｍＮ）までの変位をＬ１としたときの、Ｌ１／Ｌ２×１００（％）の値を圧縮回復率とすることができる。
【００２４】
また、樹脂コア導電粒子の２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値（２０％Ｋ値）は、次のように測定することできる。微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、及び最大試験荷重１０ｇｆの条件下で樹脂コア導電粒子を圧縮する。このときの荷重値（Ｎ）及び圧縮変位（ｍｍ）を測定する。得られた測定値から、２０％Ｋ値を下記式により求めることができる。なお、微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／２１／２）・Ｆ・Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの荷重値（Ｎ）
Ｓ：導電粒子が２０％圧縮変形したときの圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：導電粒子の半径（ｍｍ）
【００２５】
樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子を被覆する導電層とを備える。また、樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数配置され、突起を形成する絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び前記絶縁性粒子の表面に配置される導電層とを備えることが好ましい。これにより、樹脂コア導電粒子が電極表面の酸化物層を突き破って十分に食い込み、優れた導通信頼性を得ることができる。
【００２６】
第１の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子を被覆する導電層とを備える。第１の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を付着させた後、導電層を形成する方法により得ることができる。樹脂コア粒子の表面上に絶縁性粒子を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子の分散液中に、絶縁性粒子を添加し、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が好ましい。
【００２７】
第２の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面に複数付着され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子の表面を被覆する第１の導電層と、導電層を被覆する第２の導電層とを備える。すなわち、第２の構成例は、第１の構成例の導電層を２層構造としたものである。導電層を２層構造とすることにより、最外殻を構成する第２の導電層の密着性を向上させ、導通抵抗を低下させることができる。第２の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を付着させた後、第１の導電層を形成した後、第２の導電層を形成する方法により得ることができる。樹脂コア粒子の表面上に絶縁性粒子を付着させる方法としては、例えば、樹脂コア粒子の分散液中に、絶縁性粒子を添加し、樹脂コア粒子の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層及び第２の導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が好ましい。
【００２８】
第３の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子と、樹脂コア粒子の表面を被覆する第１の導電層と、第１の導電層の表面に複数付着され、突起の芯材となる絶縁性粒子と、第１の導電層及び絶縁性粒子の表面を被覆する第２の導電層とを備える。すなわち、第３の構成例は、第１の導電層の表面に絶縁性粒子を付着させ、さらに第２の導電層を形成したものである。これにより、圧着時に絶縁性粒子が樹脂コア粒子に食い込むのを防止し、突起が電極表面の酸化物層を容易に突き破ることができる。第３の構成例の樹脂コア導電粒子は、樹脂コア粒子の表面に第１の導電層を形成した後、絶縁性粒子を付着させ、第２の導電層を形成する方法により得ることができる。第１の導電層の表面上に絶縁性粒子を付着させる方法としては、例えば、第１の導電層が形成された樹脂コア粒子の分散液中に、絶縁性粒子を添加し、第１の導電層の表面に絶縁性粒子を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させることなどが挙げられる。また、第１の導電層及び第２の導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法などが挙げられる。これらの中でも導電層の形成が簡便である無電解めっきによる方法が好ましい。
【００２９】
樹脂コア粒子としては、ベンゾグアナミン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、シリコーン樹脂、ポリブタジエン樹脂などが挙げられ、また、これらの樹脂を構成するモノマーに基づく繰り返し単位の少なくとも２種以上を組み合わせた構造を有する共重合体が挙げられる。これらの中でも、ジビニルベンゼン、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、及びスチレンを組合せて得られる共重合体を用いることが好ましい。
【００３０】
絶縁性粒子は、樹脂コア粒子の表面に複数付着され、電極表面の酸化物層を突き破るための突起の芯材となる。絶縁性粒子は、モース硬度が７より大きく、９以上であることが好ましい。絶縁性粒子の硬度が高いことにより、突起が電極表面の酸化物層を突き破ることができる。また、突起の芯材が絶縁性粒子であることにより、導電粒子を使用したときに比べマイグレーションの要因が少なくなる。
【００３１】
絶縁性粒子としては、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）などが挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、経済性の観点からアルミナを用いることが好ましい。
【００３２】
また、絶縁性粒子の平均粒子径は、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、樹脂コア粒子２０の表面に形成された突起の個数は、好ましくは１〜５００、より好ましくは３０〜２００である。このような平均粒子径の絶縁性粒子２０を用いて、樹脂コア粒子２０の表面に所定数の突起を形成することにより、突起が電極表面の酸化物を突き破り、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。
【００３３】
導電層は、樹脂コア粒子及び絶縁性粒子を被覆し、複数の絶縁性粒子により隆起された突起を有する。導電層は、ニッケル又はニッケル合金であることが好ましい。ニッケル合金としては、Ｎｉ−Ｗ−Ｂ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐなどが挙げられる。これらの中でも、低抵抗であるＮｉ−Ｗ−Ｂを用いることが好ましい。
【００３４】
また、導電層の厚みは、好ましくは５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。導電層３０の厚みが小さすぎると導電性粒子として機能させるのが困難となり、厚みが大きすぎると突起の高さがなくなってしまう。
【００３５】
樹脂コア導電粒子の平均粒子径は、１〜３０μｍであってもよく、２〜１０μｍであることが好ましい。本明細書において、平均粒子径とは、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径（Ｄ５０）を意味する。また、画像型粒度分布測定装置（例として、ＦＰＩＡ−３０００（マルバーン社））によりＮ＝１０００以上で測定して求めたものであってもよい。
【００３６】
［絶縁性接着剤］
膜形成樹脂は、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００〜８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ましい。
【００３７】
エポキシ樹脂は、３次元網目構造を形成し、良好な耐熱性、接着性を付与するものであり、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂とを併用することが好ましい。ここで、固形エポキシ樹脂とは、常温で固体であるエポキシ樹脂を意味する。また、液状エポキシ樹脂とは、常温で液状であるエポキシ樹脂を意味する。また、常温とは、ＪＩＳ Ｚ ８７０３で規定される５〜３５℃の温度範囲を意味する。
【００３８】
固形エポキシ樹脂としては、液状エポキシ樹脂と相溶し、常温で固体状であれば特に限定されず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙られ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例としては、新日鉄住金化学（株）の商品名「ＹＤ−０１４」などを挙げることができる。
【００３９】
液状エポキシ樹脂としては、常温で液状であれば特に限定されず、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラックフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。特に、フィルムのタック性、柔軟性などの観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例としては、三菱化学（株）の商品名「ＥＰ８２８」などを挙げることができる。
【００４０】
アニオン重合開始剤としては、通常用いられる公知の硬化剤を使用することができる。例えば、有機酸ジヒドラジド、ジシアンジアミド、アミン化合物、ポリアミドアミン化合物、シアナートエステル化合物、フェノール樹脂、酸無水物、カルボン酸、三級アミン化合物、イミダゾール、ルイス酸、ブレンステッド酸塩、ポリメルカプタン系硬化剤、ユリア樹脂、メラミン樹脂、イソシアネート化合物、ブロックイソシアネート化合物などが挙げられ、これらの中から１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、イミダゾール変性体を核としその表面をポリウレタンで被覆してなるマイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いることが好ましい。市場で入手可能な具体例としては、旭化成イーマテリアルズ（株）の商品名「ノバキュア３９４１ＨＰ」などを挙げることができる。
【００４１】
また、絶縁性接着剤として、必要に応じて、応力緩和剤、シランカップリング剤、無機フィラー等を配合してもよい。応力緩和剤としては、水添スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水添スチレン−イソプレンブロック共重合体等を挙げることができる。また、シランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メルカプト・スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。また、無機フィラーとしては、シリカ、タルク、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム等を挙げることができる。
【００４２】
また、絶縁性接着剤中の樹脂コア導電粒子の分散方式は、塗布前の絶縁性接着剤に混ぜ込むことで混練りさせてもよく、型を使用するなどしてフィルム状にした絶縁性接着剤に導電粒子を個々に離間させてもよい。またこの場合、導電粒子を規則的に配列させてもよい。導電粒子を規則的に配列させる場合、フィルムの長手方向に繰り返し単位を有していることが好ましい。
【００４３】
このような導電材料によれば、樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が大きいことにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００４４】
＜２．接続体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続体の製造方法は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料を介して第１の電子部品と第２の電子部品とを配置する配置工程と、圧着ツールにより第２の電子部品を前記第１の電子部品に圧着させるとともに、導電材料を硬化させる硬化工程とを有する。ここで導電材料がフィルム体でない場合は、フィルム状に塗布してもよく、接続箇所にピンポイントに導電材料を設けてもよい。
【００４５】
また、本実施の形態に係る接続体は、第１の電子部品と、第２の電子部品と、第１の電子部品と第２の電子部品とが接着された接着膜とを備え、接着膜は、絶縁性接着剤と、圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子とを含有する導電材料が硬化してなる。ここで導電材料がフィルム体でない場合であっても、導電材料は圧着により層状（フィルム状）となる。
【００４６】
本実施の形態によれば、低圧条件の圧着でも高圧条件の圧着と同様に樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ることが可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
【００４７】
以下、前述の熱硬化型の異方性導電フィルムを用いた接続体の製造方法について説明する。図１は、本実施の形態に係る接続体の製造方法を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）は、配置工程（Ｓ１）を示し、図１（Ｂ）は、硬化工程（Ｓ２）を示す。なお、異方性導電フィルムは、前述と同様のため、ここでは説明を省略する。
【００４８】
［配置工程（Ｓ１）］
図１（Ａ）に示すように、配置工程（Ｓ１）では、第１の電子部品１０上に異方性導電フィルム２０を配置する。
【００４９】
第１の電子部品１０は、第１の端子列１１を備え、第１の端子列１１上に酸化物層が形成されている。酸化物層は、配線の腐食を防止する保護層として機能し、例えばＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＳｉＯ２などが挙げられる。
【００５０】
第１の電子部品１０は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１の電子部品１０としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用途、タッチパネル用途などの透明基板、プリント配線板（ＰＷＢ）などが挙げられる。プリント配線板の材質は、特に限定されず、例えば、ＦＲ−４基材などのガラエポでもよく、熱可塑性樹脂などのプラスチック、セラミックなども用いることができる。特に、第１の電子部品１０が、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）基板などの低弾性率のプラスチック基板である場合、圧着時の圧力を高くすることなく、基材変形の影響を軽減して低抵抗を実現できるため、非常に有効である。なお、プラスチック基板の弾性率は、接続体に求められるフレキシビリティや、屈曲性と後述する駆動回路素子３等の電子部品との接続強度との関係等の要素を考慮して求められるが、一般に２０００ＭＰａ〜４１００ＭＰａとされる。また、透明基板は、透明性の高いものであれば特に限定はなく、ガラス基板、プラスチック基板などが挙げられる。耐熱性の観点からは、セラミック基板が好適に用いられる。
【００５１】
異方性導電フィルム２０は、前述した異方性導電フィルムと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。異方性導電フィルム２０の厚みは、接続する対象によって適宜調整することができるため特に制限はないが、取り扱いを容易にするためには下限を１０μｍ以上が好ましく、１５μｍ以上がより好ましい。上限は、巻装体にした場合のはみ出し防止の観点から、６０μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。また、導電粒子含有層及び導電粒子非含有層からなる２層型の異方性導電フィルムを用いてもよい（３層型以上の多層であってもよい）。上述の異方性導電フィルム２０の厚みは、多層の場合は全体の合計の厚みを指す。
【００５２】
［硬化工程（Ｓ２）］
図１（Ｂ）に示すように、硬化工程（Ｓ２）では、異方性導電フィルム２０上に第２の電子部品３０を配置し、熱圧着ツール４０により第２の電子部品３０を第１の電子部品１０に熱圧着させる。
【００５３】
第２の電子部品３０は、第１の端子列１１に対向する第２の端子列３１を備える。第２の電子部品３０は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第２の電子部品３０としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、フレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板、ＩＣをＦＰＣに実装したＣＯＦ（Chip On Film）などが挙げられる。
【００５４】
硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０を用いて、一例として４０ＭＰａ〜１５０ＭＰａの圧力、好ましくは５０ＭＰａ〜１３０ＭＰａの圧力、低圧としてはより好ましくは５０ＭＰａ〜８０ＭＰａの圧力で押圧する。また、硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０を用いて、好ましくは２５０℃以下の温度、より好ましくは２３０℃以下の温度、さらに好ましくは２２０℃以下の温度で押圧する。これにより、圧着ツール４０の熱により樹脂が溶融し、圧着ツール４０により第２の電子部品が十分に押し込まれ、樹脂コア導電粒子２１が端子間に挟持された状態で樹脂が熱硬化するため、優れた導通性を得ることができる。尚、４０ＭＰａ〜１５０ＭＰａとは４０ＭＰａ以上、１５０ＭＰａ以下を指す。他の表記においても同様の趣旨である。
【００５５】
また、硬化工程（Ｓ２）では、圧着ツール４０と第２の電子部品３０との間に緩衝材を使用してもよい。緩衝材としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：polytetrafluoroethylene）、シリコンラバーなどを用いることができる。
【００５６】
このような接続体の製造方法によれば、樹脂コア導電粒子２１の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が大きいことにより、低圧条件の圧着でも樹脂コア導電粒子が酸化物層を突き破ること可能となり、高い接続信頼性を得ることができる。
＜３．実施例＞
【実施例】
【００５７】
以下、本技術の実施例について説明する。本実施例では、異方性導電接着剤の一形態として異方性導電フィルムを作製し、接続体を作製した。そして、接続体の初期の導通抵抗、及び信頼性試験後の導通抵抗を測定した。なお、本技術は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００５８】
［異方性導電フィルムの作製］
表１に示す樹脂コア導電粒子を含有する導電粒子含有層と導電粒子非含有層とが積層された２層構造の異方性導電フィルムを作製した。先ず、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱ケミカル（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ−０１４、新日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ、旭化成イーマテリアルズ（株））３０質量部、樹脂コア導電粒子を配合して、厚み８μｍの導電粒子含有層を得た。樹脂コア導電粒子は、フィルム乾燥後に個数密度が約５００００個／ｍｍ２になるように調整して配合した。個数密度は、金属顕微鏡により１００μｍ×１００μｍの領域を、任意に抜き取った１０箇所以上で観察することで計測し、求めた。
【００５９】
次に、フェノキシ樹脂（ＹＰ５０、新日鐵化学（株））２０質量部、液状エポキシ樹脂（ＥＰ８２８、三菱ケミカル（株））３０質量部、固形エポキシ樹脂（ＹＤ−０１４、新日鐵化学（株））１０質量部、マイクロカプセル型潜在性硬化剤（ノバキュア３９４１Ｈ、旭化成イーマテリアルズ（株））３０質量部を配合して、厚み６μｍの導電粒子非含有層を得た。
【００６０】
そして、導電粒子含有層と導電粒子非含有層とを貼り合わせて、厚み１４μｍの２層構造の異方性導電フィルムを得た。
【００６１】
［接続体の作製］
以下の方法により接続体を製造し、以下に示す評価を行った。ガラス基板として、Ｔｉ／Ａｌ膜がパターニングされた平均厚み０．３ｍｍのＴｉ／Ａｌ配線板を用いた。電子部品として、ＩＣチップ（１．８×２０ｍｍ、ｔ（厚み）＝０．５ｍｍ、Ａｕ−ｐｌａｔｅｄ ｂｕｍｐ ３０μｍ×８５μｍ、ｈ（高さ）＝９μｍ）を用いた。
【００６２】
異方性導電フィルムを所定幅にスリットして、Ｔｉ／Ａｌ配線板に張り付けた。その上にＩＣチップを仮固定した後、緩衝材として平均厚み５０μｍのテトラフルオロエチレンが被覆されたヒートツールを用いて、温度２２０℃、圧力１３０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件１、温度２２０℃、圧力８０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件２、温度２２０℃、圧力５０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件３で圧着を行い、接続体を完成させた。
【００６３】
［導通抵抗の測定］
ＩＣチップとＴｉ／Ａｌ配線板との接続状態について、デジタルマルチメータを使用して、初期及び信頼性試験後における導通抵抗（Ω）を測定した。導通抵抗値の測定は、ベアチップのバンプに接続されたフレキシブル配線板の配線にデジタルマルチメータを接続し、５０Ｖの電圧測定でいわゆる４端子法にて導通抵抗値を測定した。信頼性試験は、温度８５℃、湿度８５％、時間５００ｈｒの条件とした。
【００６４】
［導通抵抗の評価］
初期の導通抵抗値は、１Ω未満を「Ａ」、１Ω以上２Ω未満を「Ｂ」、２Ω以上を「Ｃ」と評価した。また、信頼性試験後の導通抵抗値は、２Ω未満を「Ａ」、２Ω以上５Ω未満を「Ｂ」、５Ω以上を「Ｃ」と評価した。実用上はＢ以上であればよく、Ａであれば好ましい。
【００６５】
また、初期の導通抵抗値に対する信頼性試験後の導通抵抗値の上昇率を算出した（（信頼性試験後の導通抵抗値／初期の導通抵抗値）×１００）。抵抗値上昇率は２００％以下であることが好ましいが、初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評価がＡ評価であれば、抵抗値上昇率が２００％を超えても問題ない。信頼性試験後導通抵抗値が２Ω未満における抵抗値の変動のためである。初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評価が異なる圧力条件でＡ評価であり、且つ抵抗値上昇率が２００％以下であれば、圧力変動の影響にも耐えられることから好ましく、５０ＭＰａおよび８０ＭＰａが満足されていれば低圧で使用できる点でより好ましく、全ての圧力条件で満足されていれば更により好ましい。また、初期導通抵抗評価、及び信頼性試験後導通抵抗評価がＡ評価であり、且つ抵抗値上昇率が１６０％以下であれば、抵抗値の変動はより狭い範囲で安定していることになるため、より好ましい。抵抗値上昇率が１６０％以下であることは、初期抵抗値が１Ω弱であっても、信頼性試験抵抗値が２Ω未満に十分な余裕をもてることを表す。圧力条件による違いについては、上記同様のため省略する。
【００６６】
［実験例１］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６４％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１２６００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した。
【００６７】
樹脂コア導電粒子は、次のようにして作製した。ジビニルベンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整した溶液に重合開始剤としてベンゾイルパーオキサイドを投入して高速で均一攪拌しながら加熱を行い、重合反応を行うことにより微粒子分散液を得た。微粒子分散液をろ過し、減圧乾燥することにより微粒子の凝集体であるブロック体を得た。そして、ブロック体を粉砕（解砕）することにより、平均粒子径３．０μｍのジビニルベンゼン系樹脂粒子を得た。
【００６８】
また、絶縁性粒子として、平均粒子径が１５０ｎｍであるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を使用した。また、導電層用のメッキ液として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．２５ｍｏｌ／Ｌ、及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を含むニッケルメッキ液を使用した。
【００６９】
先ず、パラジウム触媒液を５ｗｔ％含むアルカリ溶液１００質量部に対し、樹脂コア粒子１０質量部を超音波分散器で分散させた後、溶液をろ過し、樹脂コア粒子を取り出した。次いで、樹脂コア粒子１０質量部をジメチルアミンボラン１ｗｔ％溶液１００質量部に添加し、樹脂コア粒子の表面を活性化させた。そして、樹脂コア粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００質量部に加え、分散させることにより、パラジウムが付着された樹脂コア粒子を含む分散液を得た。
【００７０】
次に、絶縁性粒子１ｇを３分間かけて分散液に添加し、絶縁性粒子が付着された粒子を含むスラリーを得た。そして、スラリーを６０℃で撹拌しながら、スラリー中にニッケルメッキ液を徐々に滴下し、無電解ニッケルメッキを行った。水素の発泡が停止するのを確認した後、粒子をろ過し、水洗し、アルコール置換した後に真空乾燥し、アルミナで形成された突起と、Ｎｉ−Ｂメッキの導電層とを有する導電性粒子を得た。この導電性粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、導電層の厚みは約１００ｎｍであった。
【００７１】
樹脂コア導電粒子の圧縮回復率及び２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値は、樹脂コア粒子を作製する際のジビニルベンゼン、スチレン、ブチルメタクリレートの混合比を調整することにより、所定値を得た。
【００７２】
そして、異方性導電フィルムを用いて温度２２０℃、圧力１３０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件１、温度２２０℃、圧力８０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件２、温度２２０℃、圧力５０ＭＰａ、時間５ｓｅｃの圧着条件３で接続体を製造した。
【００７３】
［実験例２］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が７２％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００７４】
［実験例３］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６７％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が９７００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００７５】
［実験例４］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が５７％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が９０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００７６】
［実験例５］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６５％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４８００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００７７】
［実験例６］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が１５％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が２２０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例７］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が２５％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１４０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例８］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が２４％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１１０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例９］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が４０％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が６０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
［実験例１０］
表１に示すように、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が３７％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１０００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いて異方性導電フィルムを作製した以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００７８】
【表１】
2019179647.tif 000003
【００７９】
実験例１０のように、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２未満である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件、圧力８０ＭＰａの条件、及び圧力１３０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＣであった。
【００８０】
実験例６のように、２０％圧縮回復率が２０％未満であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が２００００Ｎ／ｍｍ２を超える樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件及び圧力８０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＣであったものの、圧力１３０ＭＰａの条件での初期及び信頼性試験後の導通抵抗評価がＢであった。
【００８１】
実験例９のように、２０％圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件での初期の導通抵抗評価がＣであったものの、圧力８０ＭＰａの条件及び圧力１３０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵抗評価がＢであった。
【００８２】
実験例７、８のように、２０％圧縮回復率が２０％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件での初期の導通抵抗評価がＣであったものの、圧力８０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵抗評価がＢであり、圧力１３０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵抗評価がＡであった。
【００８３】
実験例１〜５のように、２０％圧縮回復率が４５％以上であり、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が４０００Ｎ／ｍｍ２以上である樹脂コア導電粒子を用いた場合、圧力５０ＭＰａの条件、圧力８０ＭＰａの条件、及び圧力１３０ＭＰａの条件での信頼性試験後の導通抵抗評価がＡであった。
【００８４】
また、表１から、１３０ＭＰａおよび８０ＭＰａの圧力条件の実験例１から５及び７から９が実用上問題ないことが分かった。特に、実験例１〜５が良好であり、接続時の圧力範囲が広いことから、実仕様に適していることが分かった。また、１３０ＭＰａ、８０ＭＰａ、５０ＭＰａの圧力条件の全てで良好であることからも、実験例１〜５が実仕様に適していることが分かった。特に、実験例１及び２は、全ての圧力条件で初期および信頼性試験後の導通抵抗評価がＡであり、且つ抵抗値上昇率が１６０％以下と安定していることから、より優れた効果を示している。
【００８５】
実装部品へのダメージが懸念されるため、低圧条件で圧着して高い接続信頼性を得ることが要求される。５０ＭＰａの信頼性試験後の実験例１〜５の抵抗値は、「実験例１＜実験例２＜実験例３＜実験例４＜実験例５」の関係となり、最も高い実験例５でも０．７Ω未満であった。尚、実験例１は実験例５の約５０％の抵抗値であった。実験例３は抵抗値上昇率が２００％を超えているが、これは抵抗値が十分に小さい上でのことであり、Ａ評価である２Ω未満（正確には０．７Ω未満）と良好であるため問題はない。実験例１と実験２に関しては、抵抗値上昇率も比較的低く、比較的低圧な５０ＭＰａでも良好な実装状態が得られていることが分かった。
【００８６】
［粒子分散方式］
次に、実験例１、２で用いた樹脂コア導電粒子を用いて、ランダム系又は配列系の粒子分散方式の違いによる粒子捕捉性及び接続信頼性について検討した。接続信頼性については、上述と同様に、接続体の初期の導通抵抗、及び信頼性試験後の導通抵抗を測定した。  
【００８７】
［粒子捕捉性（捕捉率、粒子捕捉効率）］
下記式により捕捉率を算出した。
［（接続後のバンプ１個に捕捉されている粒子個数（個）／バンプ１個の面積（ｍｍ２））  ／  （接続前の異方性導電フィルムの個数密度（個／ｍｍ２））］×１００
接続後のバンプに捕捉されている粒子個数は、ガラス基板側から金属顕微鏡で観察した圧痕を、金属顕微鏡により観察し、計測して求めた。尚、捕捉数を確認したバンプは１２０個（Ｎ＝１２０）とし、捕捉率の平均値を粒子捕捉効率とした（小数点以下は四捨五入した）。
【００８８】
［実験例１１］
表２に示すように、実験例１と同様の、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が６４％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１２６００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いた。樹脂コア導電粒子を配線基板上に所定の配列パターンに整列させた後、絶縁性樹脂層が設けられたフィルムによって樹脂コア導電粒子を転写することにより導電粒子含有層を形成した。配列パターンは、導電粒子をフィルム面視野で六方格子に配置した形状であり、粒子個数密度を２８０００個／ｍｍ２とした。これ以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００８９】
［実験例１２］
表２に示すように、実験例２と同様の、平均粒径が３μｍ、圧縮回復率が７２％、２０％圧縮時の圧縮硬さＫ値が１００００Ｎ／ｍｍ２の樹脂コア導電粒子を用いた。樹脂コア導電粒子を配線基板上に所定の配列パターンに整列させた後、絶縁性樹脂層が設けられたフィルムによって樹脂コア導電粒子を転写することにより導電粒子含有層を形成した。配列パターンは、導電粒子をフィルム面視野で六方格子に配置した形状であり、粒子個数密度を２８０００個／ｍｍ２とした。これ以外は、実験例１と同様に接続体を製造した。
【００９０】
【表２】
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【００９１】
表２に示すように、粒子分散方式がランダムの場合の粒子捕捉効率は、実験例１が２６％、実験例２が２８％であった。また、粒子分散方式が配列の場合の粒子捕捉効率は、実験例１１が５２％、実験例１２が５１％であった。即ち、粒子分散方式が配列であるほうが、接続時の導電粒子の粒子捕捉効率が高いことが分かった。
【００９２】
また、実験例１、２、１１、１２より、粒子分散方式がランダム系であっても配列系と同等の接続信頼性が得られることが分かった。すなわち、粒子分散方式としてランダム系を採用することにより、材料コストを抑えることが可能であることが分かった。
【符号の説明】
【００９３】
１０  第１の電子部品、１１  第１の端子列、２０  異方性導電接着フィルム、２１  樹脂コア導電粒子、３０  第２の電子部品、３１  第２の端子列、４０  圧着ツール
【図１】
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