(57)【要約】      （修正有）【課題】高精度で安価なマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基材２の一方の面に、駆動素子３と、反射層５と、光路調整層６と、透明性を有する第１電極層７と、発光層を含む有機ＥＬ層９と、透明性および反射性を有する第２電極層１０とをこの順に有し、光路調整層の厚みが画素毎に異なり、光路調整層が単層である、有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2019179716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、
前記光路調整層の厚みが画素毎に異なり、
前記光路調整層が単層である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１電極層が前記光路調整層である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記第２電極層の前記有機エレクトロルミネッセンス層とは反対側の面に、バリア層を有する、請求項１または請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記バリア層の前記第２電極層とは反対側の面に、着色層を有する、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、前記光路調整層の厚みが画素毎に異なる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いてナノインプリント法により前記光路調整層を形成する光路調整層形成工程を有する、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記光路調整層形成工程が、
前記反射層の前記駆動素子とは反対側の面に、無機材料を含む光路調整層を形成する形成工程と、
前記光路調整層の前記反射層とは反対側の面に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に前記ナノインプリント用モールドのパターンを転写する転写工程と、
前記パターンが転写された前記レジスト層および前記光路調整層をエッチングするエッチング工程と、
を有する、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１電極層が前記光路調整層であり、
前記エッチング工程にて、前記レジスト層、前記第１電極層および前記反射層をエッチングする、請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記光路調整層形成工程が、
前記反射層の前記駆動素子とは反対側の面に、有機材料またはスピンオンガラス材料を含む光路調整層形成用層を形成する形成工程と、
前記光路調整層形成用層に前記ナノインプリント用モールドのパターンを転写する転写工程と、
前記パターンが転写された前記光路調整層形成用層をエッチングするエッチング工程と、
を有する、請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
画素毎に厚みの異なる光路調整層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の前記光路調整層の形成に用いられるナノインプリント用モールドであって、
各画素に対応する領域毎に厚みが異なる、ナノインプリント用モールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、マイクロキャビティ（微小光共振器とも称する。）構造を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ  Ｒｅａｌｉｔｙ：拡張現実）デバイスやＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ  Ｒｅａｌｉｔｙ：仮想現実）デバイスの開発が盛んに行われている。ＡＲデバイスやＶＲデバイスにおいては、小型化および軽量化が望まれており、マイクロディスプレイが使用されている。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、自発光によりコントラスト及び色再現性が高いため視認性が良好なこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点を有する。そこで、有機エレクトロルミネッセンス素子のマイクロディスプレイへの応用が注目されている。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ＥＬと略す場合がある。有機ＥＬ表示装置のマイクロディスプレイは、有機ＥＬマイクロディスプレイやＯＬＥＤマイクロディスプレイとも称される。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置の構造としては、発光性能の向上を目的として、様々な形態が提案されている。例えば、色純度を高めるために、発光層から発せられた光を、反射性を有する一方の電極と透明性および反射性を有する他方の電極との間で共振させる構造、いわゆるマイクロキャビディ構造が知られている。
【０００５】
マイクロディスプレイに適用されるマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置としては、例えば特許文献１に、基板の一方の面に、反射層と、透光層と、透明性を有する画素電極と、有機ＥＬ層と、透明性および反射性を有する対向電極とをこの順に有する有機ＥＬ表示装置において、反射層から対向電極までの光路長を透光層の膜厚により調整する例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−７３２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の有機ＥＬ表示装置において、透光層のような光路調整層の形成方法としてはフォトリソグラフィ法が一般的である。しかしながら、フォトリソグラフィ法では、精度やコストの面で課題がある。
【０００８】
本開示は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高精度で安価なマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本開示は、基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機ＥＬ層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なり、上記光路調整層が単層である、有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００１０】
本開示は、基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いてナノインプリント法により上記光路調整層を形成する光路調整層形成工程を有する、有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。
【００１１】
本開示は、画素毎に厚みの異なる光路調整層を有する有機ＥＬ表示装置の上記光路調整層の形成に用いられるナノインプリント用モールドであって、各画素に対応する領域毎に厚みが異なる、ナノインプリント用モールドを提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本開示は、高精度で安価なマイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本開示の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。
【図３】従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。
【図４】本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。
【図５】本開示の有機ＥＬ表示装置の他の例を示す概略断面図である。
【図６】本開示の有機ＥＬ表示装置の他の例を示す概略断面図である。
【図７】本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の他の例を示す工程図である。
【図８】本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の他の例を示す工程図である。
【図９】本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の他の例を示す工程図である。
【図１０】本開示のナノインプリント用モールドの一例を示す概略断面図である。
【図１１】本開示のナノインプリント用モールドの他の例を示す概略断面図である。
【図１２】本開示のナノインプリント用モールドの他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本開示の有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法、およびナノインプリント用モールドについて詳細に説明する。
【００１５】
Ａ．有機ＥＬ表示装置
本開示の有機ＥＬ表示装置は、基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機ＥＬ層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なり、上記光路調整層が単層である。
【００１６】
なお、「画素」とは、独立して発光の制御が可能である最小の単位を示す。
また、「単層」とは、一つの層で構成されていることをいう。
【００１７】
本開示の有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。
図１は、本開示の有機ＥＬ表示装置の一例を示す概略断面図である。図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、基材２の一方の面に、駆動素子３と、反射層５と、光路調整層６と、透明性を有する第１電極層７と、発光層を含む有機ＥＬ層９と、透明性および反射性を有する第２電極層１０とをこの順に有している。有機ＥＬ表示装置１は、赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇ、青色画素Ｂを有しており、駆動素子３、反射層５、光路調整層６および第１電極層７は、画素ＲＧＢ毎に配置されており、光路調整層６の厚みｔ１、ｔ２、ｔ３が画素ＲＧＢ毎に異なっている。そして、光路調整層６は単層である。有機ＥＬ表示装置１は、第２電極層１０側から光が取り出されるトップエミッション型である。
また、有機ＥＬ表示装置１は、駆動素子３および反射層５の間に層間絶縁層４を有することができる。反射層５は、補助電極として機能することができ、反射層用接続部５ｈを介して駆動素子３に接続され、また第１電極層用接続部７ｈを介して第１電極層７に接続されていてもよい。また、有機ＥＬ表示装置１は、画素ＲＧＢ毎に配置された反射層５の間、光路調整層６の間、および第１電極層７の間に、画素間絶縁層８を有していてもよい。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置１は、マイクロキャビティ構造を有する。有機ＥＬ表示装置１において、赤色画素Ｒでは、反射層５と第２電極層１０との間の距離Ｌ１は、光路調整層６の厚みｔ１により調整することができ、反射層５と第２電極層１０との間の光路長が、下記式を満たすように調整されている。
【００１９】
【数１】
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【００２０】
（上記式中、Ｌは光路長、λは有機ＥＬ層の発光層からの光の各色波長域のピーク波長、ｍは整数、φは反射層の位相を表す。）
【００２１】
また、反射層５は反射性を有し、第２電極層１０は透明性および反射性を有している。そのため、有機ＥＬ層９の発光層から発せられた光は、反射層５と第２電極層１０との間で反射干渉を繰り返す。その結果、赤色画素Ｒにおいて外部に取り出される赤色光のスペクトルが急峻になり、光強度が高くなり、赤色光の色純度を高めることができる。緑色画素Ｇにおいても同様に、反射層５と第２電極層１０との間の距離Ｌ２は、光路調整層６の厚みｔ２により調整することができ、反射層５と第２電極層１０との間の光路長が、上記式を満たすように調整されており、多重反射干渉によって緑色光の色純度を高めることができる。また、青色画素Ｂにおいても同様に、反射層５と第２電極層１０との間の距離Ｌ３は、光路調整層６の厚みｔ３により調整することができ、反射層５と第２電極層１０との間の光路長が、上記式を満たすように調整されており、多重反射干渉によって青色光の色純度を高めることができる。
【００２２】
本開示においては、光路調整層が単層であることにより、光路調整層が多層である場合と比較して、透過率を高くすることができる。
従来、光路調整層の形成方法としてはフォトリソグラフィ法が一般的であり、上記のようなマイクロキャビティ構造においては光路調整層の膜厚精度が重要であることから、光路調整層の形成工程においてフォトリソグラフィ工程を複数回行い、光路調整層の積層数を変えることで厚みを調整していた。この場合において、例えば３色の画素を備える有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、光路調整層の形成工程においてフォトリソグラフィ工程を３回行うことになる。具体的には、図２（ａ）〜（ｆ）および図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、光路調整層を構成する各層６ａ、６ｂ、６ｃの形成（図２（ａ）、図２（ｄ）、図３（ａ））と、レジスト塗布、露光および現像によるレジストパターン５１、５２、５３の形成（図２（ｂ）、図２（ｅ）、図３（ｂ））と、光路調整層を構成する各層６ａ、６ｂ、６ｃのエッチングおよびレジストパターン５１、５２、５３の剥離（図２（ｃ）、図２（ｆ）、図３（ｃ））とを行い、フォトリソグラフィ工程を３回行う。そのため、得られる光路調整層は多層であった。なお、図２および図３中の説明しない符号については、図１と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
多層の光路調整層では、光路調整層内に界面が存在するため、透過率が低くなってしまう。また、後述するように、第１電極層が光路調整層を兼ねる場合、第１電極層内に界面が存在すると、界面抵抗により導電性が低くなってしまう。
【００２３】
これに対し、本開示においては、光路調整層が単層であるので、層内に界面が存在しないため、透過率を高くすることができる。また、後述するように、第１電極層が光路調整層を兼ねる場合には、光路調整層が単層であることにより、導電性を高くすることができる。
【００２４】
図４（ａ）〜（ｅ）は、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。まず、図４（ａ）に示すように、基材２の一方の面に、駆動素子３、層間絶縁層４および反射層５をこの順に有する積層体を作製し、積層体の反射層５側の面に、光路調整層６を形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、光路調整層６の反射層５とは反対側の面に、レジストを塗布してレジスト層２１ａを形成する。次に、図４（ｃ）に示すように、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に厚みｔ４、ｔ５、ｔ６が異なるナノインプリント用モールド３０を準備する。このナノインプリント用モールド３０は、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に深さｄ１、ｄ２、ｄ３の異なる凹部３１を有している。続いて、ナノインプリント用モールド３０をレジスト層２１ａに押し当てて紫外線を照射し、レジスト層２１ａを硬化させる。その後、ナノインプリント用モールド３０を離型し、図４（ｄ）に示すように、レジスト層２１ｂにナノインプリント用モールド３０のパターンを転写する。続いて、パターンが転写されたレジスト層２１ｂをマスクとして、レジスト層２１ｂおよび光路調整層６をエッチングする。これにより、図４（ｅ）に示すように、画素ＲＧＢ毎に厚みｔ１、ｔ２、ｔ３の異なる光路調整層６が得られる。
【００２５】
本開示においては、光路調整層は単層であり、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により、単層である光路調整層を形成することができる。
ここで、上述のように光路調整層の形成工程においてフォトリソグラフィ工程を複数回行う場合には、膜厚の誤差が累積されることになり、膜厚精度が±１２％程度となってしまう。光路調整層の厚みに誤差が生じると、多重反射干渉により強め合う波長が目的とする波長からずれることになり、色純度が低くなってしまう。
一方、ナノインプリント法では、精度はナノインプリント用モールドの精度によって決まるため、精度を高くすることができる。そのため、膜厚精度をフォトリソグラフィ法よりも高くすることができ、本発明者らの検討によれば、膜厚精度を例えば±６％程度とすることが可能である。また、ナノインプリント法により単層である光路調整層を形成する場合には、膜厚の誤差が累積されることもない。したがって、光路調整層の膜厚精度を高めることが可能である。これにより、マイクロキャビティ効果をより効果的に得ることができ、色純度を向上させることが可能である。その結果、有機ＥＬ表示装置の特性、特に色再現性を高めることができ、画質および輝度を向上させることが可能となる。
【００２６】
図５は、本開示の有機ＥＬ表示装置の他の例を示す概略断面図である。図５に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第２電極層１０の有機ＥＬ層９とは反対側の面に、バリア層１１を有していてもよく、またバリア層１１の第２電極層１０とは反対側の面に、着色層１２を有していてもよい。なお、図５中の説明しない符号については、図１と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
本開示においては、上述のように、色純度を向上させることができるため、着色層を配置する場合には、着色層の厚みを薄くすることができ、有機ＥＬ表示装置の輝度を高めることができる。また、色純度を向上させることができるので、着色層を用いなくともカラー表示が可能であり、カラーフィルタレスの有機ＥＬ表示装置とすることができ、有機ＥＬ表示装置の輝度をさらに高めることができる。
【００２７】
また、本開示においては、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により、単層である光路調整層を形成することができるため、簡便な方法で安価に有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００２８】
また、従来、マイクロキャビティ構造を有する有機ＥＬ表示装置においては、例えば画素毎に有機ＥＬ層を構成する各層の厚みを調整する手法も知られているが、この手法では有機ＥＬ層を構成する各層の厚みを、発光効率や駆動電圧、発光色のバランス等の点で好適な厚みに設定することが困難である。
一方、本開示においては、画素毎に光路調整層の厚みを調整するため、有機ＥＬ層を構成する各層の厚みを、発光効率や駆動電圧、発光色のバランス等の点で適した厚みに設定することができる。したがって、発光性能に優れる有機ＥＬ表示装置とすることが可能である。
【００２９】
以下、本開示の有機ＥＬ表示装置における各構成について説明する。
【００３０】
１．光路調整層
光路調整層は、画素毎に厚みが異なる。光路調整層の厚みとしては、マイクロキャビティ効果が得られる厚みであればよく、発光層の発光スペクトル等に応じて適宜調整される。例えば、光路調整層の厚みは、１０ｎｍ以上とすることができ、中でも３０ｎｍ以上であることが好ましく、特に５０ｎｍ以上であることが好ましい。また、光路調整層の厚みは、３００ｎｍ以下とすることができ、中でも２５０ｎｍ以下であることが好ましく、特に２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
光路調整層の材料としては、透明性を有し、ナノインプリント法による光路調整層の形成が可能なものであればよく、無機材料および有機材料のいずれも用いることができる。
無機材料としては、絶縁性を有していてもよく、導電性を有していてもよい。絶縁性を有する無機材料としては、例えば金属酸化物や金属窒化物が挙げられ、具体的には酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等が挙げられる。また、導電性を有する無機材料としては、例えば金属酸化物が挙げられ、具体的にはＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯと称される酸化インジウム亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等が挙げられる。無機材料が導電性を有する場合には、第１電極層が光路調整層を兼ねることができる。
有機材料としては、アウトガスの少ないものであればよく、例えば有機ＥＬ表示装置の画素間絶縁層に用いられる有機材料を適用することができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の光硬化型樹脂が挙げられる。
また、光路調整層の材料としては、スピンオンガラス材料も用いることができる。なお、以下、スピンオンガラス材料をＳＯＧ材料と略す場合がある。ＳＯＧ材料としては、例えば、ゾルゲル法やポリシラザン法で形成される材料を適用することができる。具体的にはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）や、ポリシラザン樹脂、ポリシロキサン樹脂が挙げられる。
【００３２】
光路調整層の端面は、平坦とすることができる。本開示においては、ナノインプリント法により光路調整層を形成することができるため、端面が平坦な光路調整層とすることができる。一方、上述したように、従来のように光路調整層の形成工程において複数回のフォトリソグラフィ工程を行う場合には、得られる光路調整層の端面は平坦ではなく、起伏が存在する面になる。
なお、光路調整層の端面が平坦であることは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面観察により確認することが可能である。
【００３３】
光路調整層の形成方法としては、ナノインプリント法を用いることができる。なお、ナノインプリント法による光路調整層の形成方法については、後述の「Ｂ．有機ＥＬ表示装置の製造方法」の項に詳述する。
【００３４】
２．第１電極層
第１電極層は、有機ＥＬ層の基材側の面に配置され、透明性を有する電極である。
【００３５】
第１電極層は、所定の透明性を有する。第１電極層の透明性は、有機ＥＬ層からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましく、例えば、可視光線透過率が８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
なお、可視光線透過率は、例えば、分光光度計（（株）島津製作所製  ＵＶ−２４５０）を用いて、測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定することができる。
【００３６】
第１電極層は、陽極であってもよく、陰極であってもよいが、通常、陽極とされる。第１電極層の材料としては、仕事関数が高く、陽極として機能し、かつ、透明性を有するものであればよく、一般的な透明電極に用いられる材料を用いることができ、例えば、ＩＴＯと称される酸化インジウム錫、ＩＺＯを称される酸化インジウム亜鉛、酸化インジウム、酸化錫等が挙げられる。
【００３７】
本開示においては、例えば図６に示すように、第１電極層７が光路調整層６であってもよい。なお、図６中の説明しない符号については、図１と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。第１電極層が光路調整層を兼ねることにより、第１電極層および光路調整層の界面が無くなるため、透過率をより高めることができる。
【００３８】
第１電極層は、通常、画素毎に配置される。第１電極層が光路調整層である場合には、画素毎に異なる厚みを有する。
【００３９】
第１電極層は、通常、駆動素子に接続されている。第１電極層と駆動素子との接続については、特に限定されない。例えば、後述するように反射層が補助電極として機能する場合には、光路調整層にコンタクトホールを配置し、コンタクトホールに第１電極層用接続部を設けることにより、第１電極層と反射層とを接続し、また層間絶縁層にコンタクトホールを配置し、コンタクトホールに反射層用接続部を設けることにより、反射層と駆動素子とを接続することができる。また、第１電極層が光路調整層である場合には、第１電極層と反射層とが直に接しているため、層間絶縁層にコンタクトホールを配置し、コンタクトホールに反射層用接続部を設けることにより、第１電極層と反射層と駆動素子とを接続することができる。
【００４０】
第１電極層の厚みは、電極として機能し得る厚みであればよく、特に限定されない。第１電極層が光路調整層である場合には、第１電極層の厚みとしては、マイクロキャビティ効果が得られる厚みであればよく、発光層の発光スペクトル等に応じて適宜調整される。
【００４１】
第１電極層の形成方法は、画素毎に第１電極層を配置することができる方法であればよく、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。
【００４２】
３．有機ＥＬ層
有機ＥＬ層は、第１電極層および第２電極層の間に配置され、発光層を含む部材である。
【００４３】
有機ＥＬ層は、発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有する部材である。すなわち、有機ＥＬ層とは、少なくとも発光層を含む部材であり、有機層１層以上の層構成を有する部材である。通常、ウェットプロセスで有機ＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層で構成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【００４４】
発光層以外に有機ＥＬ層を構成する層としては、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が挙げられる。正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。また、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。さらに、有機ＥＬ層を構成する層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等が挙げられる。
【００４５】
有機ＥＬ層の発光方式は特に限定されるものではなく、有機ＥＬ層は、白色を発光するものであってもよく、複数色を発光するものであってもよい。中でも、白色発光の有機ＥＬ層が好ましい。複数色発光の有機ＥＬ層では複数色の発光層が配列されるが、マイクロディスプレイのような高解像度の表示装置においては、複数色の発光層を平面的に配置するのが困難となるからである。一方、白色発光の有機ＥＬ層であれば、発光層を全面に配置することができ、マイクロディスプレイのような高解像度の表示装置においても容易に配置することができる。
【００４６】
白色発光の有機ＥＬ層としては、例えば２種以上の異なる色を発光する材料を含む単層の白色発光層を有するものや、２色以上の発光層が積層された構造を有するもの、２色以上の発光層が中間層を介して積層された構造を有するもの等が挙げられる。白色発光の有機ＥＬ層の場合、発光層に用いられる材料は単一の化合物で構成されることはほとんどなく、一般的には２種以上の異なる色を発光する材料が用いられる。この場合、得られる発光スペクトルは、各材料の発光スペクトルを併せた形となる。
【００４７】
有機ＥＬ層を構成する各層の材料、厚みおよび形成方法等については、一般的な有機ＥＬ層と同様とすることができる。
【００４８】
４．第２電極層
第２電極層は、有機ＥＬ層の第１電極層とは反対側の面に配置され、透明性および反射性を有する電極である。本開示の有機ＥＬ表示装置では、第２電極層側から光が取り出される。
【００４９】
第２電極層は、マイクロキャビティ効果を発現するために、所定の透明性および反射性を有する。
【００５０】
第２電極層は、陽極であってもよく、陰極であってもよいが、通常、陰極とされる。第２電極層の材料としては、仕事関数が低く、陰極として機能し、かつ、透明性および反射性を有するものであればよく、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ａｇ、Ｉｎ等の金属、またはこれらの金属の１種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等の合金が挙げられる。中でも、Ａｌ、Ａｇの金属、またはＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のＡｌ、Ａｇを含む合金が好ましく用いられる。
【００５１】
第２電極層の厚みは、電極として機能し得る厚みであり、透明性および反射性が得られる厚みであればよく、特に限定されない。
【００５２】
第２電極層は、通常、有機ＥＬ層の全面に形成される。
第２電極層の形成方法は、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。
【００５３】
５．反射層
反射層は、基材と光路調整層との間に配置され、反射性を有する部材である。反射層は、補助電極として機能することができる。
【００５４】
反射層の材料としては、反射性および導電性を有するものであればよく、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｃｒ等の金属、またはこれらの金属の１種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等の合金が挙げられる。
【００５５】
反射層の厚みは、補助電極として機能し得る厚みであり、反射性が得られる厚みであればよく、特に限定されない。
【００５６】
反射層は、通常、画素毎に配置される。
また、反射層は、通常、第１電極層および駆動素子に接続されている。第１電極層と反射層と駆動素子との接続については、上記第１電極層の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００５７】
反射層の厚みは、電極として機能し得る厚みであり、反射性が得られる厚みであればよく、特に限定されない。
【００５８】
反射層の形成方法は、画素毎に反射層を配置することができる方法であればよく、上記第１電極層の形成方法と同様とすることができる。
【００５９】
６．駆動素子
駆動素子としては、例えばトランジスタが挙げられ、具体的にはＭＯＳ型トランジスタが挙げられる。ＭＯＳ型トランジスタは高集積化に適しており、マイクロディスプレイのような高解像度の表示装置に好適である。
ＭＯＳ型トランジスタとしては、一般的なものと同様とすることができる。
【００６０】
７．基材
基材としては、例えばシリコン等の半導体基板が挙げられる。
【００６１】
８．バリア層
本開示の有機ＥＬ表示装置は、第２電極層の有機ＥＬ層とは反対側の面に、バリア層を有していてもよい。水分等の浸入を防ぐことができる。
【００６２】
バリア層としては、少なくとも無機層を有するものであればよく、例えば、無機層のみを有するものであってもよく、無機層および有機層が積層されたものであってもよい。また、無機層および有機層が積層されている場合、積層数としては特に限定されない。
【００６３】
中でも、バリア層は、無機層および有機層が積層されたものであることが好ましい。バリア層が、無機層および有機層が積層された積層構造を有することにより、例えば無機層にピンホール等の欠陥が生じた場合であっても、当該ピンホールを有機層によって埋めることができる。また、バリア層が有機層を有することにより、有機層が平坦化層としての機能を発揮するため、有機層の上に無機層を良好に成膜することができ、無機層の成膜過程において無機層にピンホール等の欠陥が生じにくくなり、優れたバリア性を発揮することができる。さらに、有機層が平坦化層として機能するため、バリア層の第２電極層とは反対側の面に着色層を配置する場合には、バリア層の上に着色層を良好に形成することができる。
【００６４】
バリア層は、所定の透明性を有する。バリア層の透明性は、有機ＥＬ層からの発光を透過させて表示を行うことができる程度の透明性であることが好ましく、例えば、可視光線透過率が８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましい。
なお、可視光線透過率の測定方法については、上記第１電極層の項に記載した方法と同様とすることができる。
【００６５】
バリア層を構成する無機層の材料としては、例えば金属酸化物が挙げられ、具体的には酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素等が挙げられる。バリア層が複数の無機層を有する場合、各無機層の材料は同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００６６】
バリア層を構成する有機層の材料としては、上記無機層と積層して形成することができ、平坦化層としての機能を発揮することができるものであればよく、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。バリア層が複数の有機層を有する場合、各有機層の材料は同じであってもよく、異なっていてもよい。
【００６７】
バリア層の厚みとしては、所望のバリア性が得られる厚みであればよく、バリア層を構成する無機層および有機層の積層数等に応じて適宜調整することができ、特に限定されない。
【００６８】
無機層の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法や、スパッタリング法、真空蒸着法等のＰＶＤ法が挙げられる。また、有機層の形成方法としては、例えば、一般的な塗布法や印刷法が挙げられる。
【００６９】
９．着色層
本開示の有機ＥＬ表示装置は、上記バリア層の第２電極層とは反対側の面に、着色層を有していてもよい。着色層により、色純度をさらに高めることができる。
【００７０】
着色層は、例えば赤、緑、青の３色の着色層を有することができる。着色層の色としては、発光層の発光スペクトル等に応じて適宜選択される。
【００７１】
着色層の厚みとしては、マイクロディスプレイのような高解像度の表示装置に適用可能な厚みであればよく、例えば、０．３μｍ以上、３．０μｍ以下の範囲内とすることができる。
【００７２】
着色層の材料および形成方法としては、マイクロディスプレイに適用されるカラーフィルタに用いられる着色層と同様とすることができる。また、例えば、一般的な液晶表示装置に適用されるカラーフィルタに用いられる着色層と同様とすることもできる。
【００７３】
１０．画素間絶縁層
本開示の有機ＥＬ表示装置は、画素毎に配置された反射層の間、光路調整層の間、および第１電極層の間に、画素間絶縁層を有することができる。画素間絶縁層は、第１電極層の端部を覆うように配置することができる。
【００７４】
画素間絶縁層の材料としては、有機ＥＬ表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料、ＳＯＧ材料等を挙げることができる。
【００７５】
画素間絶縁層の形成方法としては、例えばラミネーション法、フォトリソグラフィ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００７６】
１１．層間絶縁層
本開示の有機ＥＬ表示装置は、通常、駆動素子および反射層の間に、層間絶縁層を有する。
【００７７】
層間絶縁層の材料としては、有機ＥＬ表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料、ＳＯＧ材料等を挙げることができる。
【００７８】
層間絶縁層の形成方法としては、例えば塗布法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【００７９】
１２．その他の部材
本開示の有機ＥＬ表示装置は、上述した各部材を有していればよく、必要に応じてその他の部材を有していてもよい。その他の部材としては、例えば、有機ＥＬ表示装置を覆うように配置された封止部材等が挙げられる。
【００８０】
封止部材は、有機ＥＬ表示装置を覆うように配置される部材である。バリア層が配置されていない場合には、封止部材を配置することができる。封止部材により、水分の浸入等を防ぐことができる。
【００８１】
封止部材の材料としては、透明性を有するものであればよく、光硬化型樹脂や熱硬化型樹脂等が挙げられる。
【００８２】
封止部材の厚みおよび形成方法については、有機ＥＬ表示装置における一般的な封止部材と同様とすることができる。
【００８３】
１３．他の実施形態
上述の実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置について述べたが、本開示の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型であってもよい。すなわち、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、透明性を有する基材の一方の面に、駆動素子と、半透過半反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機ＥＬ層と、反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なり、上記光路調整層が単層である。
【００８４】
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【００８５】
透明性を有する基材としては、石英やガラス等の透明基板が挙げられる。
駆動素子としては、例えばトランジスタが挙げられ、具体的にはＴＦＴが挙げられる。
【００８６】
半透過半反射層としては、例えば上述の実施形態における反射層の厚みを薄くすることで、透明性および反射性を有する層とすることができる。半透過半反射層は、補助電極として機能することができる。
また、反射性を有する第２電極層としては、例えば上述の実施形態における第２電極層の厚みを厚くすることで、反射性を有する電極とすることができる。
【００８７】
有機ＥＬ表示装置における他の構成については、上述の実施形態と同様とすることができる。
【００８８】
Ｂ．有機ＥＬ表示装置の製造方法
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基材の一方の面に、駆動素子と、反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機ＥＬ層と、透明性および反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いてナノインプリント法により上記光路調整層を形成する光路調整層形成工程を有する。
【００８９】
図４（ａ）〜（ｅ）は、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。なお、図４（ａ）〜（ｅ）については、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【００９０】
本開示においては、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により光路調整層を形成する。
ここで、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したように、光路調整層の形成工程においてフォトリソグラフィ工程を複数回行う場合には、膜厚の誤差が累積されることになり、膜厚精度が±１２％程度となってしまう。光路調整層の厚みに誤差が生じると、多重反射干渉により強め合う波長が目的とする波長からずれることになり、色純度が低くなってしまう。
一方、ナノインプリント法では、精度はナノインプリント用モールドの精度によって決まるため、精度を高くすることができる。そのため、膜厚精度をフォトリソグラフィ法よりも高くすることができ、本発明者らの検討によれば、膜厚精度を例えば±６％程度とすることが可能である。また、ナノインプリント法により光路調整層を形成する場合には、膜厚の誤差が累積されることもない。したがって、光路調整層の膜厚精度を高めることが可能である。これにより、マイクロキャビティ効果をより効果的に得ることができ、色純度を向上させることが可能である。その結果、有機ＥＬ表示装置の特性、特に色再現性を高めることができ、画質および輝度を向上させることが可能となる。
また、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したように、着色層を配置する場合には、色純度を向上させることができるため、着色層の厚みを薄くすることができ、有機ＥＬ表示装置の輝度を高めることができる。また、色純度を向上させることができるので、着色層を用いなくともカラー表示が可能であり、カラーフィルタレスの有機ＥＬ表示装置とすることができ、有機ＥＬ表示装置の輝度をさらに高めることができる。
【００９１】
また、本開示においては、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により光路調整層を形成するため、フォトリソグラフィ法と比較して、工程数を大幅に削減することができ、製造コストを低減することができる。
【００９２】
図７（ａ）〜（ｅ）は、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の他の例を示す工程図である。まず、図７（ａ）に示すように、基材２の一方の面に、駆動素子３、層間絶縁層４および反射層５をこの順に有する積層体を作製し、積層体の反射層５側の面に、光路調整層６を形成する。次いで、図７（ｂ）に示すように、光路調整層６の反射層５とは反対側の面に、レジストを塗布してレジスト層２１ａを形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に厚みｔ４、ｔ５、ｔ６が異なり、各領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ内にコンタクトホールを形成するためのコンタクトホール用凸部３３を有するナノインプリント用モールド３０を準備する。このナノインプリント用モールド３０では、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎にコンタクトホール用凸部３３の高さｈ１、ｈ２、ｈ３が異なっている。続いて、ナノインプリント用モールド３０をレジスト層２１ａに押し当てて紫外線を照射し、レジスト層２１ａを硬化させる。その後、ナノインプリント用モールド３０を離型し、図７（ｄ）に示すように、レジスト層２１ｂにナノインプリント用モールド３０のパターンを転写する。続いて、パターンが転写されたレジスト層２１ｂをマスクとして、レジスト層２１ｂおよび光路調整層６をエッチングする。これにより、図７（ｅ）に示すように、画素ＲＧＢ毎に厚みｔ１、ｔ２、ｔ３が異なり、コンタクトホール６ｈを有する光路調整層６が得られる。
【００９３】
このように、本開示においては、光路調整層形成工程において、光路調整層を形成すると当時に、光路調整層にコンタクトホールを形成してもよい。反射層が補助電極として機能する場合には、光路調整層にコンタクトホールを配置し、コンタクトホールに第１電極層用接続部を設けることにより、第１電極層と反射層とを接続することができる。
【００９４】
以下、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法における各工程について説明する。
【００９５】
１．光路調整層形成工程
光路調整層形成工程においては、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いてナノインプリント法により、画素毎に厚みの異なる光路調整層を形成する。
【００９６】
光路調整層形成工程は、光路調整層の材料に応じて２つの態様を有する。以下、各態様について説明する。
【００９７】
（１）第１態様
光路調整層形成工程の第１態様は、光路調整層が無機材料を含む場合である。本態様の光路調整層形成工程は、反射層の駆動素子とは反対側の面に、無機材料を含む光路調整層を形成する形成工程と、上記光路調整層の上記反射層とは反対側の面に、レジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記レジスト層に上記ナノインプリント用モールドのパターンを転写する転写工程と、上記パターンが転写された上記レジスト層および上記光路調整層をエッチングするエッチング工程と、を有する。
【００９８】
以下、本態様の光路調整層形成における各工程について説明する。
【００９９】
（ａ）形成工程
形成工程では、反射層の駆動素子とは反対側の面に、無機材料を含む光路調整層を形成する。
【０１００】
光路調整層に用いられる無機材料としては、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したものと同様である。
光路調整層の形成方法としては、例えばＣＶＤ法や、スパッタリング法、真空蒸着法等のＰＶＤ法が挙げられる。
【０１０１】
（ｂ）レジスト層形成工程
レジスト層形成工程では、上記光路調整層の上記反射層とは反対側の面に、レジスト層を形成する。
【０１０２】
レジスト層に用いられる材料としては、ナノインプリント法に用いられるものであればよく、ナノインプリント法に応じて適宜選択される。ＵＶナノインプリント法の場合は紫外線硬化型樹脂を用いることができ、熱ナノインプリント法の場合は熱可塑性樹脂や熱硬化型樹脂を用いることができ、室温ナノインプリント法の場合はＳＯＧ材料を用いることができる。中でも、紫外線硬化型樹脂が好ましい。ＵＶナノインプリント法は、プロセス温度が低い、転写時間が短い等、生産性に優れている。
【０１０３】
レジスト層の厚みとしては、目的とする光路調整層の厚みや、後述のエッチング工程でのレジスト層および光路調整層のエッチング速度等に応じて適宜調整される。例えば、レジスト層の厚みは、１００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲内とすることができる。
【０１０４】
レジスト層の形成方法としては、例えば一般的な塗布法、印刷法が挙げられる。
【０１０５】
（ｃ）転写工程
転写工程では、上記レジスト層に上記ナノインプリント用モールドのパターンを転写する。転写工程は、ナノインプリント法に応じて適宜選択される。
【０１０６】
ＵＶナノインプリント法では、転写工程においては、ナノインプリント用モールドをレジスト層に押し当て、その状態で紫外線の照射によりレジスト層を硬化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、レジスト層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。
紫外線の照射は、通常、ナノインプリント用モールド側から紫外線を照射する。
【０１０７】
熱ナノインプリント法では、レジスト層に熱可塑性樹脂を用いる場合には、転写工程においては、レジスト層を熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上に加熱し、ナノインプリント用モールドをレジスト層に押し当て、その状態で冷却によりレジスト層を固化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、レジスト層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。
【０１０８】
また、熱ナノインプリント法では、レジスト層に熱硬化性樹脂を用いる場合には、転写工程においては、ナノインプリント用モールドをレジスト層に押し当て、その状態で加熱によりレジスト層を硬化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、レジスト層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。
【０１０９】
ＳＯＧ材料を用いた室温ナノインプリント法では、転写工程においては、ナノインプリント用モールドをレジスト層に押し当て、その状態で乾燥によりレジスト層を硬化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、レジスト層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。
【０１１０】
いずれのナノインプリント法においても、ナノインプリント用モールドをレジスト層に押し当てる際には、加圧により、ナノインプリント用モールドの凹部にレジスト層の材料を充填してもよい。
【０１１１】
また、ナノインプリント用モールドが基材と同程度の大きさである場合には、パターンを一括転写によりレジスト層に転写することができる。また、ナノインプリント用モールドが基材よりも小さい場合には、ステップアンドリピート方式によってパターンをレジスト層の所定の領域に転写することができる。
【０１１２】
（ｄ）エッチング工程
エッチング工程では、上記パターンが転写された上記レジスト層および上記光路調整層をエッチングする。エッチング工程においては、パターンが転写されたレジスト層の残膜部分をエッチングし、さらに残膜部分を除去したレジスト層のパターンをマスクとして、光路調整層をエッチングすることができる。
【０１１３】
レジスト層および光路調整層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。
【０１１４】
本態様においては、第１電極層が光路調整層であってもよい。第１電極層が光路調整層である場合にも、例えば図４に示すような光路調整層形成工程により、画素毎に厚みの異なる光路調整層である第１電極層を形成することができる。
【０１１５】
また、第１電極層が光路調整層である場合には、光路調整層形成工程前に、画素毎に反射層を配置してもよく、また光路調整層形成工程前に、反射層を全面に形成し、光路調整層形成工程のエッチング工程にて、レジスト層、光路調整層である第１電極層、および反射層をエッチングしてもよい。
【０１１６】
図８（ａ）〜（ｅ）は、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の他の例を示す工程図である。まず、図８（ａ）に示すように、基材２の一方の面に、駆動素子３および層間絶縁層４をこの順に有する積層体を作製し、積層体の駆動素子３および層間絶縁層４側の面に反射層５および光路調整層６である第１電極層７をこの順に形成する。次いで、図８（ｂ）に示すように、光路調整層６である第１電極層７の反射層５とは反対側の面に、レジストを塗布してレジスト層２１ａを形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に厚みｔ４、ｔ５、ｔ６が異なるナノインプリント用モールド３０を準備する。このナノインプリント用モールド３０は、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に深さｄ１、ｄ２、ｄ３の異なる凹部３１を有している。続いて、ナノインプリント用モールド３０をレジスト層２１ａに押し当てて紫外線を照射し、レジスト層２１ａを硬化させる。その後、ナノインプリント用モールド３０を離型し、図８（ｄ）に示すように、レジスト層２１ｂにナノインプリント用モールド３０のパターンを転写する。続いて、パターンが転写されたレジスト層２１ｂをマスクとして、レジスト層２１ｂ、光路調整層６である第１電極層７および反射層５をエッチングする。これにより、図８（ｅ）に示すように、画素ＲＧＢ毎に厚みの異なる光路調整層６である第１電極層７が得られるとともに、画素ＲＧＢ毎に反射層５を配置することができる。なお、図８中の説明しない符号については、図１と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【０１１７】
この場合には、光路調整層である第１電極層と反射層とを一括エッチングすることができ、工程数をさらに削減することができる。
【０１１８】
（２）第２態様
光路調整層形成工程の第２態様は、光路調整層が有機材料またはＳＯＧ材料を含む場合である。本態様の光路調整層の形成工程は、反射層の駆動素子とは反対側の面に、有機材料またはＳＯＧ材料を含む光路調整層形成用層を形成する形成工程と、上記光路調整層形成用層に上記モールドのパターンを転写する転写工程と、上記パターンが転写された上記光路調整層形成用層をエッチングするエッチング工程と、を有する。
【０１１９】
図９（ａ）〜（ｄ）は、本態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法における光路調整層形成工程の一例を示す工程図である。まず、図９（ａ）に示すように、基材２の一方の面に、駆動素子３、層間絶縁層４および反射層５をこの順に有する積層体を作製し、積層体の反射層５側の面に光路調整層形成用層１６ａを形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に厚みｔ４、ｔ５、ｔ６が異なるナノインプリント用モールド３０を準備する。このナノインプリント用モールド３０は、各画素ＲＧＢに対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に深さｄ１、ｄ２、ｄ３の異なる凹部３１を有している。続いて、ナノインプリント用モールド３０を光路調整層形成用層１６ａに押し当てて紫外線を照射し、光路調整層形成用層１６ａを硬化させる。その後、ナノインプリント用モールド３０を離型し、図９（ｃ）に示すように、光路調整層形成用層１６ａにナノインプリント用モールド３０のパターンを転写する。続いて、パターンが転写された光路調整層形成用層１６ｂをエッチングする。これにより、図９（ｄ）に示すように、画素ＲＧＢ毎に厚みの異なる光路調整層６が得られる。なお、図９中の説明しない符号については、図１と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
【０１２０】
本態様においては、上記第１態様のような無機材料を含む光路調整層のエッチングが不要となることから、工程数をさらに削減することができる。
【０１２１】
以下、本態様の光路調整層形成における各工程について説明する。
【０１２２】
（ａ）形成工程
形成工程では、反射層の駆動素子とは反対側の面に、有機材料またはＳＯＧ材料を含む光路調整層形成用層を形成する。
光路調整層に用いられる有機材料およびＳＯＧ材料としては、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したものと同様である。
光路調整層の形成方法としては、例えば一般的な塗布法や印刷法が挙げられる。
【０１２３】
（ｂ）転写工程
転写工程では、上記光路調整層形成用層に上記ナノインプリント用モールドのパターンを転写する。転写工程は、光路調整層形成用層の材料に応じて適宜選択される。
【０１２４】
光路調整層形成用層の材料が有機材料であり、光硬化型樹脂である場合には、ＵＶナノインプリント法が用いられる。ＵＶナノインプリント法では、転写工程においては、ナノインプリント用モールドを光路調整層形成用層に押し当て、その状態で紫外線の照射により光路調整層形成用層を硬化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、光路調整層形成用層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。
紫外線の照射は、通常、ナノインプリント用モールド側から紫外線を照射する。
【０１２５】
光路調整層形成用層の材料がＳＯＧ材料である場合には、室温ナノインプリント法が用いられる。室温ナノインプリント法では、転写工程においては、ナノインプリント用モールドを光路調整層形成用層に押し当て、その状態で乾燥により光路調整層形成用層を硬化させ、その後、ナノインプリント用モールドを離型することにより、光路調整層形成用層にナノインプリント用モールドのパターンを転写することができる。この際、光路調整層形成用層の材料が溶剤を含む場合には、溶剤を除去する必要がある。この場合には、多孔質であり、脱ガス性を有するポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製のナノインプリント用モールドを使用することが好ましい。
【０１２６】
いずれのナノインプリント法においても、ナノインプリント用モールドを光路調整層形成用層に押し当てる際には、加圧により、ナノインプリント用モールドの凹部に光路調整層形成用層の材料を充填してもよい。
【０１２７】
また、ナノインプリント用モールドが基材と同程度の大きさである場合には、パターンを一括転写によりレジスト層に転写することができる。また、ナノインプリント用モールドが基材よりも小さい場合には、ステップアンドリピート方式によってパターンをレジスト層の所定の領域に転写することができる。
【０１２８】
（ｄ）エッチング工程
エッチング工程では、上記パターンが転写された上記光路調整層形成用層をエッチングする。エッチング工程においては、パターンが転写された光路調整層形成用層の残膜部分をエッチングすることができる。
【０１２９】
光路調整層形成用層のエッチング方法としては、例えばドライエッチングが挙げられる。
【０１３０】
２．その他の工程
本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述した光路調整層形成工程を有していればよいが、通常、光路調整層以外の部材を形成する工程を有することができる。例えば、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基材の一方の面に駆動素子を配置する工程、駆動素子を覆うように層間絶縁層を配置する工程、層間絶縁層の駆動素子とは反対側の面に、画素毎に反射層を配置する工程、光路調整層の反射層とは反対側の面に、画素毎に第１電極層を配置する工程、画素毎に配置された反射層の間、光路調整層の間および第１電極層の間に画素間絶縁層を配置する工程、第１電極層の光路調整層とは反対側の面に有機ＥＬ層を配置する工程、有機ＥＬ層の第１電極層とは反対側の面に第２電極層を配置する工程、第２電極層の有機ＥＬ層とは反対側の面にバリア層を配置する工程、バリア層の第２電極層とは反対側の面に着色層を配置する工程等が挙げられる。
また、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、必要に応じてその他の部材を配置する工程を有していてもよい。
各部材の形成方法については、上記「Ａ．有機ＥＬ表示装置」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
【０１３１】
３．他の実施形態
上述の実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造方法について述べたが、本開示の有機ＥＬ表示装置の製造方法はボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置の製造方法にも適用することができる。すなわち、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、透明性を有する基材の一方の面に、駆動素子と、半透過半反射層と、光路調整層と、透明性を有する第１電極層と、発光層を含む有機ＥＬ層と、反射性を有する第２電極層とをこの順に有し、上記光路調整層の厚みが画素毎に異なる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、各画素に対応する領域毎に厚みが異なるナノインプリント用モールドを用いてナノインプリント法により上記光路調整層を形成する光路調整層形成工程を有する。
【０１３２】
本実施形態においても、上述の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１３３】
Ｃ．ナノインプリント用モールド
本開示のナノインプリント用モールドは、画素毎に厚みの異なる光路調整層を有する有機ＥＬ表示装置の上記光路調整層の形成に用いられるものであって、各画素に対応する領域毎に厚みが異なる。
【０１３４】
図１０は、本開示のナノインプリント用モールドの一例を示す概略断面図である。図１０に示すように、ナノインプリント用モールド３０は、有機ＥＬ表示装置の製造に用いられるものであり、階段状の構造を有しており、有機ＥＬ表示装置の各画素に対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に厚みｔ４、ｔ５、ｔ６が異なる。
【０１３５】
本開示のナノインプリント用モールドは、上述の有機ＥＬ表示装置の製造方法に好適に用いられる。
【０１３６】
以下、本開示のナノインプリント用モールドについて説明する。
【０１３７】
本開示のナノインプリント用モールドでは、各画素に対応する領域毎に厚みが異なる。各領域の厚みとしては、領域毎に厚みが異なれば、特に限定されるものではない。各領域の厚みの差としては、本開示のナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により光路調整層を形成する場合において、目的とする光路調整層の厚みの差に応じて適宜調整される。なお、各領域の厚みは、図１０中の符号ｔ４、ｔ５、ｔ６で示される厚みである。また、後述するように、本開示のナノインプリント用モールドが各領域内にコンタクトホール用凸部を有する場合には、各領域の厚みは、コンタクトホール用凸部以外の部分の厚みをいう。
【０１３８】
また、各領域の大きさは、有機ＥＬ表示装置における画素の大きさに対応するものであり、目的とする画素の大きさや形状に応じて適宜設定される。例えば、画素の形状が矩形状である場合、各領域の幅は、有機ＥＬ表示装置における画素の幅に対応するものであり、具体的には０．５μｍ以上、５．０μｍ以下の範囲内とすることができる。なお、各領域の幅は、図１０中の符号ｗ１で示される幅である。
【０１３９】
本開示のナノインプリント用モールドは、例えば図１１に示すように、各領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ内に位置し、コンタクトホールを形成するためのコンタクトホール用凸部３３を有していてもよい。コンタクトホール用凸部３３は、各画素に対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に高さｈ１、ｈ２、ｈ３が異なる。このようなナノインプリント用モールドを用いることにより、画素毎に厚みが異なり、かつ、コンタクトホールを有する光路調整層を形成することができる。反射層が補助電極として機能する場合には、光路調整層にコンタクトホールを配置し、コンタクトホールに第１電極層用接続部を設けることにより、第１電極層と反射層とを接続することができる。
【０１４０】
コンタクトホール用凸部は、光路調整層にコンタクトホールを形成するためのものである。コンタクトホール用凸部は、各画素に対応する領域毎に高さが異なる。コンタクトホール用凸部の高さとしては、本開示のナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により光路調整層を形成する場合において、目的とする光路調整層の厚みに応じて適宜調整される。コンタクトホール用凸部の高さは、例えば、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲内とすることができ、３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。なお、コンタクトホール用凸部の高さは、図１１中の符号ｈ１、ｈ２、ｈ３で示される高さである。
【０１４１】
また、コンタクトホール用凸部の大きさは、光路調整層に配置されるコンタクトホールの大きさに対応するものであり、目的とするコンタクトホールの大きさや形状に応じて適宜設定される。コンタクトホール用凸部の大きさは、コンタクトホールに設けられる第１電極層用接続部を介して第１電極層と反射層とを接続することができる大きさであればよく、一般的なコンタクトホールの大きさと同様とすることができる。
【０１４２】
また、コンタクトホール用凸部の平面視形状は、光路調整層に配置されるコンタクトホールの形状に対応するものであり、目的とするコンタクトホールの形状に応じて適宜設定される。コンタクトホール用凸部の平面視形状としては、例えば、矩形状、円形状等、一般的なコンタクトホールの平面視形状と同様とすることができる。
【０１４３】
本開示のナノインプリント用モールドは、例えば図１２に示すように、各領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂの間に凸部３２を有し、各領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂが凹部３１となっていてもよい。凹部３１は、各画素に対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に深さｄ１、ｄ２、ｄ３が異なる。すなわち、ナノインプリント用モールド３０は、凹部３１および凸部３２を有する凹凸パターンを有しており、有機ＥＬ表示装置の各画素に対応する領域３５Ｒ、３５Ｇ、３５Ｂ毎に深さｄ１、ｄ２、ｄ３の異なる凹部３１を有していてもよい。
【０１４４】
凹凸パターンの凹部は、各画素に対応する領域毎に深さが異なる。凹部の深さとしては、本開示のナノインプリント用モールドを用いたナノインプリント法により光路調整層を形成する場合において、目的とする光路調整層の厚みに応じて適宜調整される。例えば、凹部の深さは、１０ｎｍ以上、６００ｎｍ以下の範囲内とすることができ、３０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の範囲内であることが好ましく、５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下の範囲内であることがより好ましい。なお、凹部の深さは、図１２中の符号ｄ１、ｄ２、ｄ３で示される深さである。
【０１４５】
また、凹部の大きさは、有機ＥＬ表示装置における画素の大きさに対応するものであり、目的とする画素の大きさや形状に応じて適宜設定される。例えば、画素の形状が矩形状である場合、凹部の幅は、有機ＥＬ表示装置における画素の幅に対応するものであり、具体的には０．５μｍ以上、５．０μｍ以下の範囲内とすることができる。なお、凹部の幅は、図１２中の符号ｗ２で示される幅である。
【０１４６】
また、凹部の平面視形状は、有機ＥＬ表示装置における画素の形状に対応するものであり、目的とする画素の形状に応じて適宜設定される。凹部の平面視形状としては、例えば、矩形状等、一般的な画素の形状と同様とすることができる。
【０１４７】
また、凸部の幅は、有機ＥＬ表示装置における画素間の距離に対応するものであり、例えば、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下の範囲内とすることができる。なお、凸部の幅は、図１２中の符号ｗ３で示される幅である。
【０１４８】
ナノインプリント用モールドは、ナノインプリント技術に用いられるものであれば特に限定されないが、ＵＶナノインプリント法を適用する場合には、紫外線透過性を有するものが用いられる。
【０１４９】
ナノインプリント用モールドの材料としては、適用するナノインプリント法に応じて適宜選択される。
ＵＶナノインプリント法では、ナノインプリント用モールドの材料としては、紫外線透過性を有するものであればよく、例えば、石英、ガラス等が挙げられる。中でも、合成石英ガラスはフォトマスク用基板の材料として実績があり、高品質な基板を安定して入手できることから好ましい。
熱ナノインプリント法およびＳＯＧ材料を用いた室温ナノインプリント法では、ナノインプリント用モールドの材料としては、例えば、シリコン、炭化ケイ素、ＮｉやＴａ等の金属、石英、ガラス等が挙げられる。
また、室温ナノインプリント法では、ナノインプリント用モールドの材料として、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を用いることもできる。ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製のナノインプリント用モールドは、多孔質であり、脱ガス性を有することから、光路調整層形成用層の材料が溶剤を含む場合には、転写時に溶剤を除去することができる。
【０１５０】
ナノインプリント用モールドの厚み、大きさ、形状等は、目的とする有機ＥＬ表示装置に応じて適宜設定することができる。
【０１５１】
ナノインプリント用モールドの作製方法は、特に限定されるものではなく、一般的な方法を用いることができる。
【０１５２】
本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１５３】
以下に実施例および比較例を示し、本開示をさらに詳細に説明する。
【０１５４】
［実施例１］
（ナノインプリント用モールドの作製）
外形が縦６インチ、横６インチ、厚さ０．２５インチの直方体の石英基板の表面に、ノボラック樹脂系の電子線レジスト（ＺＥＰ−５２０、日本ゼオン社製）を厚さ３００ｎｍで塗布し、電子線描画し、その後、現像して、所定のレジストパターンを形成した。次に、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いて石英基板をドライエッチングし、その後、不要となったレジストパターンを酸素ガスでアッシングして除去し、所定の三次元形状のパターンを得た。
【０１５５】
上記のレジストパターンの形成およびドライエッチングを３回繰り返し、厚みの異なる３種類の領域を有し、各領域内にコンタクトホール用凸部を有する凹凸パターンを形成し、図１１に例示するようなナノインプリント用モールドを作製した。得られたナノインプリント用モールドにおいて、各画素に対応する領域は、平面視形状が矩形状、大きさが２．５μｍ×７．５μｍであり、コンタクトホール用凸部は、平面視形状が矩形状、大きさが５００ｎｍ×１μｍ、高さが１７５ｎｍ、１２５ｎｍ、７５ｎｍであった。
【０１５６】
（駆動素子基板の作製）
基板として６インチΦのシリコンウェハーを準備し、定法にしたがって駆動素子基板を作製した。
【０１５７】
（反射層（補助電極）の形成）
上記駆動素子基板上に、アルミニウム膜をスパッタ成膜し、次いでレジストパターンの形成およびエッチング処理することで、各画素に対応する所定の位置に反射層を形成した。反射層は、各パターンの大きさが２．０μｍ×７．０μｍ、厚みが１５０ｎｍであった。
【０１５８】
（光路調整層の形成）
反射層が形成された駆動素子基板の全面に、ＳｉＯ２膜を厚さ２００ｎｍでＣＶＤ成膜した。次に、ＳｉＯ２膜上に、光硬化性アクリル樹脂組成物を厚さ２００ｎｍで塗布した。次いで、上記ナノインプリント用モールドを用い、上記樹脂組成物をインプリントし、モールド側から波長３６５ｎｍを主線とする紫外線を１５０ｍＪ照射し、ＵＶ硬化させた。その後、モールドを離型し、所定のレジストパターンを得た。その後、レジストパターンおよびＳｉＯ２膜の順にドライエッチングし、画素毎に厚みの異なる光路調整層を形成した。光路調整層は、各画素に対応する領域の大きさが２．５μｍ×７．５μｍであり、コンタクトホールの大きさが１μｍ×５００ｎｍであった。
【０１５９】
（第１電極層（アノード電極）の形成）
反射層および光路調整層が形成された駆動素子基板の全面に、ＩＴＯ膜をスパッタ成膜し、次いでレジストパターンの形成およびエッチング処理することで、各画素に対応する所定の位置に第１電極層を形成した。第１電極層は、各パターンの大きさが２．０μｍ×７．０μｍ、厚みが１２０ｎｍであった。また、第１電極層は、コンタクトホールに設けられた第１電極層用接続部を介して下部の反射層（補助電極）と接続させた。
【０１６０】
（画素間絶縁層の形成）
第１電極層上に、ポリイミド系樹脂を含む絶縁層形成用塗工液をスピンコート法により塗布した後、１００℃で５分間のプリベークを行って、厚み５００ｎｍの樹脂膜を形成した。次に、樹脂膜に、マスク露光、現像、２００℃で３０分間のポストベークを行って、画素間絶縁層を形成した。
【０１６１】
（有機ＥＬ層の形成）
次に、真空蒸着法により、正孔注入層と、赤色、緑色および青色の発光層と、電子注入層とを順次形成し、有機ＥＬ層を形成した。
【０１６２】
（第２電極層の形成）
次に、有機ＥＬ層上に、真空蒸着法によりマグネシウムと銀とを同時に蒸着した。この際、マグネシウムの蒸着速度は１．３ｎｍ／秒以上１．４ｎｍ／秒以下、銀の蒸着速度は０．１ｎｍ／秒とした。これにより、マグネシウム／銀化合物からなる厚み３０ｎｍの第２電極層を形成した。
【０１６３】
（バリア層の形成）
第２電極層の上から、ＳｉＯ２膜を厚さ２００ｎｍでＣＶＤ成膜し、次いで厚さ２μｍのアクリル樹脂を成膜し、続いてＳｉＯ２膜を厚さ２００ｎｍでＣＶＤ成膜して、バリア層を形成した。これにより、有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１６４】
［実施例２］
下記のように光路調整層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１６５】
（光路調整層の形成）
反射層が形成された駆動素子基板の全面に、シルセスキオキサンを主成分とする光路調整層用組成物を厚さ２００ｎｍで塗布した。次いで、上記インプリント用モールドを用い、上記光路調整層用組成物をインプリントし、モールド側から波長３６５ｎｍを主線とする紫外線を５００ｍＪ照射し、ＵＶ硬化させた。その後、モールドを離型し、所定のパターンを得た。その後、パターンをドライエッチングし、画素毎に厚みの異なる光路調整層を形成した。光路調整層は、各画素に対応する領域の大きさが２．５μｍ×７．５μｍであり、コンタクトホールの大きさが１μｍ×５００ｎｍであった。
【０１６６】
［実施例３］
下記のようにナノインプリント用モールドおよび光路調整層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１６７】
（ナノインプリント用モールドの作製）
外形が縦６インチ、横６インチ、厚さ０．２５インチの直方体の石英基板の表面に、ノボラック樹脂系の電子線レジスト（ＺＥＰ−５２０、日本ゼオン社製）を厚さ３００ｎｍで塗布し、電子線描画し、その後、現像して、所定のレジストパターンを形成した。次に、エッチングガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いて石英基板をドライエッチングし、その後、不要となったレジストパターンを酸素ガスでアッシングして除去し、所定の三次元形状のパターンを得た。
【０１６８】
上記のレジストパターンの形成およびドライエッチングを３回繰り返し、深さの異なる３種類の凹部と、凹部間に位置する凸部とを有する凹凸パターンを形成し、図１２に例示するようなナノインプリント用モールドを作製した。得られたナノインプリント用モールドにおいて、各画素に対応する凹部は、平面視形状が矩形状、大きさが２．５μｍ×７．５μｍ、深さが３２５ｎｍ、２７５ｎｍ、２２５ｎｍであり、凸部は、高さが３２５ｎｍ、２７５ｎｍ、２２５ｎｍであり、画素間の距離に対応する凸部の幅が７５０ｎｍであった。
【０１６９】
（光路調整層兼第１電極層の形成）
反射層が形成された駆動素子基板の全面に、ＩＴＯ膜を厚さ２００ｎｍでスパッタ成膜した。次いで、ＩＴＯ膜上に、光硬化性アクリル樹脂組成物を厚さ２００ｎｍで塗布した。次いで、上記ナノインプリント用モールドを用い、上記樹脂組成物をインプリントし、モールド側から波長３６５ｎｍを主線とする紫外線を１５０ｍＪ照射し、ＵＶ硬化させた。その後、モールドを離型し、所定のレジストパターンを得た。その後、レジストパターンおよびＩＴＯ膜の順にドライエッチングし、画素毎に厚みの異なる光路調整層を形成した。光路調整層は、各画素に対応する領域の大きさが２．５μｍ×７．５μｍであり、コンタクトホールの大きさが１μｍ×５００ｎｍであった。
【０１７０】
［比較例］
下記のように光路調整層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を作製した。
【０１７１】
（光路調整層の形成）
反射層が形成された駆動素子基板の全面に、ＳｉＯ２膜を厚さ５０ｎｍでＣＶＤ成膜した。次いで、ＳｉＯ２膜上にレジスト組成物を厚さ２００ｎｍで塗布し、フォトリソグラフィによるパターニングを行い、ＳｉＯ２膜をドライエッチングした。次に、ＳｉＯ２膜の厚さを５０ｎｍ、７０ｎｍに変えて、同様の工程を２回繰り返し行い、画素毎に厚みが異なり、多層の光路調整層を形成した。光路調整層は、各画素に対応する領域の大きさが２．５μｍ×７．５μｍであり、コンタクトホールの大きさが１μｍ×５００ｎｍであった。
【０１７２】
［評価］
（膜厚精度）
実施例および比較例の有機ＥＬ表示装置の断面を走査型電子顕微鏡にて観察し、光路調整層の膜厚を測定した。膜厚精度はいずれも、基板数１０枚、６インチ基板内の９点で評価した。結果を表１に示す。
【０１７３】
【表１】
2019179716.tif 000004
【０１７４】
（発光特性）
実施例および比較例の有機ＥＬ表示装置について、１０ｍＡ／ｃｍ２で駆動させて、トプコン社製の分光放射計ＳＲ−２を用いて、発光スペクトルを測定した。発光スペクトルは、作製した１インチデバイスを５個測定した。結果を表２に示す。
【０１７５】
【表２】
2019179716.tif 000005
【０１７６】
表１および表２より、ナノインプリント法で光路調整層を形成した有機ＥＬ表示装置は、膜厚および発光スペクトルがいずれもばらつきが少なく良好な結果であった。
【符号の説明】
【０１７７】
１  …  有機ＥＬ表示装置
２  …  基材
３  …  駆動素子
４  …  層間絶縁層
５  …  反射層
５ｈ  …  反射層用接続部
６  …  光路調整層
７  …  第１電極層
７ｈ  …  第１電極層用接続部
８  …  画素間絶縁層
９  …  有機ＥＬ層
１０  …  第２電極層
１１  …  バリア層
１２  …  着色層
【図１】
2019179716.tif 000006
【図２】
2019179716.tif 000007
【図３】
2019179716.tif 000008
【図４】
2019179716.tif 000009
【図５】
2019179716.tif 000010
【図６】
2019179716.tif 000011
【図７】
2019179716.tif 000012
【図８】
2019179716.tif 000013
【図９】
2019179716.tif 000014
【図１０】
2019179716.tif 000015
【図１１】
2019179716.tif 000016
【図１２】
2019179716.tif 000017