(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供する。【解決手段】第１のＧＮＤ端子１０３ｂ２を有する第１の電子部品５０２と、第２のＧＮＤ端子４０１ｂを有する第２の電子部品４０１と、第１の電子部品と第２の電子部品が実装される配線基板３０４と、配線基板の内層に形成され、第１のＧＮＤ端子と接続される第１のＧＮＤ配線Ｌ２ａと、配線基板の内層に形成され、第２のＧＮＤ端子と接続される第２のＧＮＤ配線Ｌ７ｂと、配線基板を固定するための本体部材を有する。第１のＧＮＤ配線と第２のＧＮＤ配線が、配線基板上に設けられた溝５０５によって分離され、第１のＧＮＤ配線および第２のＧＮＤ配線が本体部材を介して電気的に接続される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＧＮＤ端子（１０３ｂ２）を有する第１の電子部品（５０２）と、
第２のＧＮＤ端子（４０１ｂ）を有する第２の電子部品（４０１）と、
前記第１の電子部品（５０２）と前記第２の電子部品（４０１）が実装される配線基板（３０４）と、
前記配線基板（３０４）の内層に形成され、前記第１のＧＮＤ端子（１０３ｂ２）と接続される第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）と、
前記配線基板（３０４）の内層に形成され、前記第２のＧＮＤ端子（４０１ｂ）と接続される第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）と、
前記配線基板（３０４）を固定するための本体部材（３０２）を有し、
前記第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）と前記第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）が前記配線基板（３０４）上に設けられた溝（５０５）によって分離され、
前記第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）および前記第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）が前記本体部材（３０２）を介して電気的に接続されることを特徴とする撮像装置（２０１）。
【請求項２】
前記溝（５０５）は、前記配線基板（３０４）の表層からコア層（１０６）まで設けられていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）が形成される第１の基板層（Ｌ１）と前記第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）が形成される第２の基板層（Ｌ７）は、前記コア層（１０６）を挟んで互いに反対側にあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の電子部品（５０２）と前記第２の電子部品（４０１）が前記配線基板（３０４）の同一面に実装されることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の電子部品（５０２）と前記第２の電子部品（４０１）が前記配線基板（３０４）の互いに反対側の面にそれぞれに実装されることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタルカメラ等の撮像装置に関し、特に撮像装置の放熱構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラ等の撮像装置は、高性能化、多機能化が望まれる中で、撮像素子の高画素化、画像処理の高速化、多機能化が進んでいる。これによって、その機能を受け持つ電子部品の消費電力が増大し、その結果、電子部品からの発熱が増大している。したがって、電子機器には電子部品の温度上昇を抑える冷却構造が求められている。
【０００３】
特許文献１には、電子部品で発生した熱を放熱部材に逃がし、且つ、撮像素子に伝えない構成が開示されている。まず、電子部品で発生した熱は、電子部品のＧＮＤ端子から撮像基板内の導体層に形成されたＧＮＤ配線を介して、放熱プレートに伝わる。この放熱経路によって、電子部品の熱を放熱プレートに伝えることで、電子部品の温度上昇を抑える。そして、撮像素子のＧＮＤ端子が接続されるＧＮＤ配線と撮像素子のＧＮＤ端子が接続されるＧＮＤ配線は、電子部品の熱が撮像素子へ伝わらないように、熱的に分離されている。具体的には、撮像素子のＧＮＤ配線と電子部品のＧＮＤ配線とは、ブラインドビアの直径と同じ幅に設定された配線で形成された接続部でのみ電気的に接続される。また、接続部以外の箇所はスリットを設けて、両ＧＮＤ配線を分断している。接続部の幅は非常に小さいため、接続部において、熱は伝わりにくい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２５４８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示す構成では、スリットを挟んで、電子部品のＧＮＤ配線と撮像素子のＧＮＤ配線の間で熱交換が発生する。すなわち、放熱経路である電子部品のＧＮＤ配線と撮像素子のＧＮＤ配線の熱的な分断が不十分である。したがって、電子部品の熱が、電子部品のＧＮＤ配線から撮像素子のＧＮＤ配線へ伝わることで、撮像素子の温度が上昇してしまう。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、
第１のＧＮＤ端子（１０３ｂ２）を有する第１の電子部品（５０２）と、
第２のＧＮＤ端子（４０１ｂ）を有する第２の電子部品（４０１）と、
前記第１の電子部品（５０２）と前記第２の電子部品（４０１）が実装される配線基板（３０４）と、
前記配線基板（３０４）の内層に形成され、前記第１のＧＮＤ端子（１０３ｂ２）と接続される第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）と、
前記配線基板（３０４）の内層に形成され、前記第２のＧＮＤ端子（４０１ｂ）と接続される第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）と、
前記配線基板（３０４）を固定するための本体部材（３０２）を有し、
前記第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）と前記第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）が前記配線基板（３０４）上に設けられた溝（５０５）によって分離され、
前記第１のＧＮＤ配線（Ｌ２ａ）および前記第２のＧＮＤ配線（Ｌ７ｂ）が前記本体部材（３０２）を介して電気的に接続されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る撮像装置によれば、電子部品で発生する熱の放熱経路と撮像素子で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、電子部品と撮像素子の両部品の放熱を可能にした放熱構成を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態である映像信号処理回路素子５０２が実装された配線基板３０４の断面模式図（図５におけるＡ‐Ａ断面）
【図２】本発明の実施形態である撮像装置としてのカメラ本体２０１の外観を被写体側から見た斜視図
【図３】カメラ本体２０１の内部の概略構成を示す分解斜視図
【図４】撮像ユニット３０１の構成を示す分解斜視図
【図５】撮像素子４０１が実装された配線基板３０４を撮影者側から見た斜視図
【図６】本体シャーシ３０２と配線基板３０４の電気的接続箇所を撮影者側から見た斜視図
【図７】本発明の第２の実施形態である映像信号処理回路素子５０２が実装された配線基板３０４の断面模式図（図５におけるＡ‐Ａ断面）
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の好ましい実施形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１１】
図２は、本発明の実施形態である撮像装置としてのカメラ本体２０１の外観を被写体側から見た斜視図である。
【００１２】
図２に図示するように、カメラ本体２０１は、不図示の撮影レンズユニットが着脱されるマウント２０２を備える。マウント２０２には、カメラ本体２０１と撮影レンズユニットとの間で制御信号や状態信号、データ信号等の各種信号の通信を可能にするマウント接点２０３が設けられている。マウント２０２の横にはレンズロック解除ボタン２０４が配置されている。レンズロック解除ボタン２０４を押し込んだ状態で撮影レンズユニットを撮影光軸回りに回転させると、撮影レンズユニットをカメラ本体２０１から取り外すことができる。
【００１３】
カメラ本体２０１の内部には、撮影レンズユニットを通過した撮影光束が導かれるミラーボックス２０５が設けられている。ミラーボックス２０５の内部には、メインミラー２０６と、不図示のサブミラーが配置されている。
【００１４】
メインミラー２０６は、ハーフミラーで構成されており、撮影レンズユニットを透過した撮影光束の一部が、メインミラー２０６で反射されて、不図示のペンタダハミラーへ導かれる。一方、メインミラー２０６を透過した撮影光束の一部は、サブミラーにて反射され、不図示の焦点検出センサユニットへ導かれる。
【００１５】
メインミラー２０６は、撮影レンズユニットを通過した撮影光束をペンタダハミラーへ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮影光束を後述する撮像素子４０１へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。サブミラーも同様に、撮影光束を焦点検出センサユニットへ導くために撮影光軸に対して所定の角度に保持される状態と、撮像素子４０１の方向へ導くために撮影光束から退避した位置に保持される状態に駆動される。
【００１６】
カメラ本体２０１の端には、グリップ２０７が設けられている。グリップ２０７は、撮影時に撮影者がカメラを安定して握り易いように前方に突出した形状となっている。なお、本発明の実施形態では、撮影者が右手でカメラ本体２０１を保持することを前提としてグリップ２０７を形成している。
【００１７】
グリップ２０７の近傍には、撮影動作の開始を指示するレリーズボタン２０８と、撮影モードに応じてシャッタスピードや絞り値を設定するためのメイン操作ダイヤル２０９と、ＬＣＤ表示パネル２１０と、動作モード設定ボタン２１１とが配置されている。
【００１８】
カメラ本体２０１の上部中央付近には、カメラ本体２０１に対してポップアップするストロボユニット２１２と、外部ストロボ等のアクセサリが着脱されるアクセサリーシュー２１３が設けられている。アクセサリーシュー２１３内には、カメラ本体２０１に対する電気的接点２１４が配置されている。
【００１９】
カメラ本体２０１の上部においてＬＣＤ表示パネル２１０とは反対側には、撮影モード設定ダイヤル２１５が配されている。
【００２０】
カメラ本体２０１のグリップ２０７とは反対側の側面には、開閉可能な外部端子蓋２１６が設けられている。外部端子蓋２１６の内側には、ビデオ信号出力用ジャックやＵＳＢ出力用コネクタ等の外部インタフェース端子が設けられている。
【００２１】
図３は、カメラ本体２０１の内部の概略構成を示す分解斜視図である。
【００２２】
カメラ本体２０１の骨格となる本体シャーシ３０２の被写体側には、被写体側から順に、マウント２０２、ミラーボックス２０５、シャッタユニット３０３が配設されている。
【００２３】
一方、本発明における本体部材としての本体シャーシ３０２の撮影者側には、配線基板３０４が配設されている。本発明の実施形態では、本体シャーシ３０２は、インサート成形によって樹脂と金属板を一体化した複合部品である。本体シャーシ３０２の金属板の電位は接地電位（ＧＮＤ電位）となっている。
【００２４】
配線基板３０４の被写体側の面には、撮像ユニット３０１が配設されている。撮像ユニット３０１は、撮像ユニット３０１の構成部品である撮像素子４０１が配線基板３０４の被写体側の面にはんだ付けされることで、配線基板３０４に固定される。撮像素子４０１の詳細は後述する。
【００２５】
配線基板３０４は、撮像ユニット３０１がマウント２０２から撮像素子４０１の撮像面までが所定距離となり、且つ、マウント２０２と撮像素子４０１の撮像面とが平行となるように調整された上で、本体シャーシ３０２に固定される。このとき、撮像素子４０１とマウント２０２の光軸中心が一致した状態となる。
【００２６】
図４は、撮像ユニット３０１の構成を示す分解斜視図である。
【００２７】
撮像ユニット３０１では、本発明における第２の電子部品としての撮像素子４０１、ローパスフィルタ（以下、「ＬＰＦ」と称する）保持部材４０２、圧電素子４０３、ＬＰＦ４０４、遮光マスク４０５及び付勢部材４０６が、撮影者側から被写体側へ上記の順で配置されている。
【００２８】
撮像素子４０１は、入射した撮影光束を電気信号に変換する光電変換素子であり、配線基板３０４の被写体側にはんだ付けされている。
【００２９】
ＬＰＦ保持部材４０２は、合成樹脂製材料で形成され、ＬＰＦ保持部材４０２を配線基板３０４に対してビス固定するためのねじ穴４０２ａが設けられている。ＬＰＦ保持部材４０２は、配線基板３０４に設けられたビス穴を通してねじ穴４０２ａに対してビス締めすることで、配線基板３０４に固定される。ＬＰＦ保持部材４０２は、付勢部材４０６がＬＰＦ４０４および遮光マスク４０５を撮影者側に付勢し、ＬＰＦ保持部材４０２に係止された状態で、配線基板３０４に固定される。
【００３０】
撮像素子４０１の被写体側に配置されるＬＰＦ４０４は、水晶からなる１枚の複屈折板であり、略矩形の形状を有する。ＬＰＦ４０４の表面には、導電性付与や反射防止のためのコーティングがなされている。
【００３１】
圧電素子４０３はＬＰＦ４０４の有効撮影領域の外側に接着されている。圧電素子４０３には不図示のフレキシブルプリント基板が接着されており、所定の電圧を印加できるようになっている。
【００３２】
遮光マスク４０５は、不要光が撮像素子４０１に入射するのを防ぐためのものである。
【００３３】
図５は、撮像素子４０１がはんだ付けされた配線基板３０４を被写体側から見た斜視図である。
【００３４】
図５に図示するように、配線基板３０４の被写体側の面には、撮像素子４０１および中央演算処理装置５０１、本発明における第１の電子部品としての映像信号処理回路素子５０２、ＤＣＤＣコンバータ素子５０３がはんだ付けされている。また、コンデンサ等の電子部品５０４が、配線基板３０４の被写体側の面と撮影者側の面の両面にはんだ付けされている。
【００３５】
中央演算処理装置５０１は、カメラの動作制御を司るものであり、様々な処理や指示を実行する。
【００３６】
映像信号処理回路素子５０２は、撮像素子４０１から出力される画像データに対してガンマ／ニー処理、フィルタ処理、モニタ表示用の情報合成処理等、画像処理全般を実行する。また、映像信号処理回路素子５０２は、中央演算処理装置５０１の指示に従って、ＪＰＥＧ等の画像データ圧縮処理を実行することもできる。
【００３７】
ＤＣＤＣコンバータ素子５０３は、メインバッテリの電圧を変換して、中央演算処理装置５０１と映像信号処理回路素子５０２、さらに、配線基板３０４にはんだ付けされた他のデバイスへ電力を供給する。
【００３８】
撮像素子４０１および中央演算処理装置５０１、映像信号処理回路素子５０２、ＤＣＤＣコンバータ素子５０３は、動作によって発熱する。したがって、撮像素子４０１および中央演算処理装置５０１、映像信号処理回路素子５０２、ＤＣＤＣコンバータ素子５０３の４つの素子を含む配線基板３０４上の範囲Ｂにおいて、ヒートスポットが発生する。
【００３９】
配線基板３０４上の当接用ランドＬ１ｅおよびＬ１ｆは、配線基板３０４に形成されたＧＮＤ配線と接地電位（ＧＮＤ電位）である本体シャーシ３０２の金属板を接続するためのレジスト開口部である。
【００４０】
配線基板３０４上の撮像素子４０１と映像信号処理回路素子５０２の間に設けた溝５０５は、本発明の第１の実施形態における、撮像素子４０１が映像信号処理回路素子５０２から熱を受けることを防ぐための構成であり、詳細は後述する。
【００４１】
図６は、本体シャーシ３０２と配線基板３０４の電気的接続箇所を撮影者側から見た斜視図である。
【００４２】
図６に図示するように、本体シャーシ３０２には、本発明における本体部材ＧＮＤ部としてのビス座６０１が設けられている。本体シャーシ３０２のグリップ２０７側に設けたビス座６０１をビス座６０１ａ、外部インタフェース端子側に設けたビス座６０１をビス座６０１ｂとする。
【００４３】
配線基板３０４には、配線基板３０４のビス座６０１に対応した位置にビス穴６０２が設けられている。配線基板３０４は、ビス穴６０２を通してビス座６０１に対してビス締めされることで本体シャーシ３０２に固定される。
【００４４】
ビス座６０１は、本体シャーシ３０２の金属板が露出して、配線基板３０４のビス座６０１に対応する面と接するように形成される。配線基板３０４のビス座６０１に対応する面は、図５に示すように当接用ランドＬ１ｅおよび当接用ランドＬ１ｆが形成されてＧＮＤ配線が露出しており、ビス座６０１と配線基板３０４に形成されたＧＮＤ配線が接する構成となっている。ビス座６０１の内、ビス座６０１ａが当接用ランドＬ１ｅと接し、ビス座６０１ｂが当接用ランドＬ１ｆと接する。したがって、配線基板３０４に形成されたＧＮＤ配線は、ビス座６０１において接地電位（ＧＮＤ電位）である本体シャーシ３０２の金属板と接続する。
【００４５】
図１は、第１の実施形態における映像信号処理回路素子５０２が実装された配線基板３０４の断面模式図（図５におけるＡ‐Ａ断面）である。図１に図示される撮像素子４０１および映像信号処理回路素子５０２は、配線基板３０４にはんだ付けされる前の状態である。
【００４６】
以下、図１を参照して、第１の実施形態による、映像信号処理回路素子５０２で発生する熱の放熱経路と撮像素子４０１で発生する熱の放熱経路を分断し、且つ、映像信号処理回路素子５０２と撮像素子４０１の両部品の放熱を可能にした放熱構成について説明する。
【００４７】
まず、映像信号処理回路素子５０２の構成について説明する。
【００４８】
図１に図示するように、映像信号処理回路素子５０２は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）と呼ばれるパッケージで構成されている。映像信号処理回路素子５０２は半導体チップ１０１を有し、半導体チップ１０１は、ボンディングワイヤー１０２によって、インターポーザー１０３の上面パッド１０３ａに接続されている。インターポーザー１０３は、実質的には高精細な多層プリント配線基板である。インターポーザー１０３の下面パッド１０３ｂには、はんだボール１０４が形成されている。
【００４９】
映像信号処理回路素子５０２の外周に近い位置に配置される下面パッド１０３ｂが、映像信号処理回路素子５０２の信号端子１０３ｂ１として機能する。また、映像信号処理回路素子５０２の内周に近い位置に配置される下面パッド１０３ｂが、本発明における第１のＧＮＤ端子としての、映像信号処理回路素子５０２のＧＮＤ端子１０３ｂ２として機能する。
【００５０】
映像信号処理回路素子５０２の表面は合成樹脂部１０５によって覆われる。したがって、合成樹脂部１０５は半導体チップ１０１やボンディングワイヤー１０２を覆うとともに、映像信号処理回路素子５０２の外形形状を形成している。
【００５１】
映像信号処理回路素子５０２は、動作によって半導体チップ１０１が発熱する。この熱は、映像信号処理回路素子５０２の誤動作などの問題を引き起こす。また、撮像素子４０１は熱の影響を受けやすい部品であり、周囲から熱を受けることを極力避けねばならない。撮像素子４０１の周囲で熱を発生する部品として、映像信号処理回路素子５０２および中央演算処理装置５０１、ＤＣＤＣコンバータ素子５０３がある。特に、映像信号処理回路素子５０２は、画像処理全般を実行するため、多くの熱を発生する。
【００５２】
したがって、映像信号処理回路素子５０２の熱は、放熱経路を設けて、カメラ本体２０１の熱容量が大きい部位へ逃がす必要がある。本体シャーシ３０２は、前述のように比較的大きな熱容量を有するため、本発明の実施形態では、本体シャーシ３０２へ熱を伝える放熱経路を形成する。
【００５３】
半導体チップ１０１の熱は、熱抵抗の少ない経路を伝わっていくので、ボンディングワイヤー１０２からインターポーザー１０３内の配線を経て、はんだボール１０４に伝わる。合成樹脂部１０５は比較的熱抵抗が大きいため、半導体チップ１０１の熱は伝わりにくい。したがって、映像信号処理回路素子５０２の放熱経路は、合成樹脂部１０５の天面に形成するよりも、はんだボール１０４に形成する方が効果的である。
【００５４】
映像信号処理回路素子５０２は、より確実に接地電位（ＧＮＤ電位）に接続させるために、ＧＮＤ端子１０３ｂ２までの導体抵抗が低くなるように設計されている。したがって、ＧＮＤ端子１０３ｂ２までの熱抵抗も低くなり、ＧＮＤ端子１０３ｂ２は半導体チップ１０１の熱が最も伝わりやすくなっている。また、半導体チップ１０１は通常は映像信号処理回路素子５０２の中央に配置されるため、半導体チップ１０１から直接、インターポーザー１０３に伝わる熱も、まずインターポーザー１０３の中央付近に伝わる。
【００５５】
これらのことから、映像信号処理回路素子５０２のＧＮＤ端子１０３ｂ２に放熱経路を形成するのが最も効果的である。
【００５６】
次に、配線基板３０４の層構成および基板内部の電気的接続を説明する。
【００５７】
図１に図示するように、配線基板３０４には、Ｌ１からＬ８までの８つの導体層と、各導体層間を絶縁するｉ１からｉ７までの７つの絶縁層とが形成されている。
【００５８】
導体層Ｌ４と導体層Ｌ５および絶縁層ｉ４からなる２層構造の配線基板をコア層１０６とし、コア層１０６の表面に第１のビルドアップ層として導体層Ｌ１〜導体層Ｌ３を積層している。コア層１０６の裏面に第２のビルドアップ層として導体層Ｌ６〜導体層Ｌ８を積層している。これによって、配線基板３０４は、３−２−３構成の８層ビルドアップ配線板として形成されている。
【００５９】
配線基板３０４の導体層Ｌ１には、信号配線の保護と絶縁のためにレジスト１０７が塗布される。レジスト１０７には、所定の位置にレジスト開口部１０７ａが形成されている。レジスト開口部１０７ａが形成されることで、導体層Ｌ１には、映像信号処理回路素子５０２の信号端子１０３ｂ１が接続される信号用ランドＬ１ａおよびＧＮＤ端子１０３ｂ２が接続されるＧＮＤ用ランドＬ１ｂが形成される。同様に導体層Ｌ１には、撮像素子４０１の信号端子４０１ａが接続される信号用ランドＬ１ｃおよび本発明における第２のＧＮＤ端子としてのＧＮＤ端子４０１ｂが接続されるＧＮＤ用ランドＬ１ｄが形成される。さらに、レジスト開口部１０７ａが形成されることで、導体層Ｌ１には、不図示の当接用ランドＬ１ｅおよび当接用ランドＬ１ｆが形成される。
【００６０】
導体層Ｌ１から導体層Ｌ２は、導体層Ｌ１側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。同様に、導体層Ｌ２から導体層Ｌ３は導体層Ｌ２側からのレーザー加工、また、導体層Ｌ３から導体層Ｌ４は導体層Ｌ３側からのレーザー加工による非貫通穴加工後に施される銅めっきにより接続される。
【００６１】
これらの接続箇所は非貫通穴となっているため、ブラインドビア１０８と呼ばれる。ブラインドビア１０８の穴径は０．１０〜０．１５ｍｍ程度である。
【００６２】
導体層Ｌ４および導体層Ｌ５は、ＮＣ加工による貫通穴加工後に施される銅めっきにより互いに接続される。この接続箇所は、ビルドアップ層が積層されると外部からは観察できない箇所となるため、インナービア１０９と呼ばれる。インナービア１０９の穴径は０．２０〜０．３０ｍｍ程度である。
【００６３】
導体層Ｌ５から導体層Ｌ８も導体層Ｌ１から導体層Ｌ４と同様に、ブラインドビア１０８で接続される。
【００６４】
次に、映像信号処理回路素子５０２の放熱経路Ｘ、撮像素子４０１の放熱経路Ｙについて説明する。
【００６５】
導体層Ｌ１に形成されるＧＮＤ用ランドＬ１ｂは、ブラインドビア１０８によって導体層Ｌ２に形成される、本発明における第１のＧＮＤ配線としての第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａに接続される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａの配線幅（不図示）は、熱抵抗を小さくするために、配線基板３０４に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａは、当接用ランドＬ１ｅ近傍において、ブライドビア１０８を介して、導体層Ｌ１に形成される不図示の当接用ランドＬ１ｅに接続される。このようにして、配線基板３０４には、ＧＮＤ用ランドＬ１ｂ、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａ、当接用ランドＬ１ｅによって放熱経路Ｘが形成される。
【００６６】
半導体チップ１０１で発生する熱は、ＧＮＤ端子１０３ｂ２からはんだボール１０４を経て、放熱経路Ｘによって当接用ランドＬ１ｅへ伝達される。そして、当接用ランドＬ１ｅがビス座６０１ａと接することで、本体シャーシ３０２の金属板へ熱が伝わる。すなわち、映像信号処理回路素子５０２の熱は、配線基板３０４に形成された放熱経路Ｘにて、本体シャーシ３０２へ放熱される。
【００６７】
前述のように、撮像素子４０１は、周囲から熱を受けることを極力避けねばならない。そこで、映像信号処理回路素子５０２と同様に、本体シャーシ３０２へ熱を伝える放熱経路を設ける。さらに、配線基板３０４に設けた溝５０５により、周囲の電気部品（本発明の実施形態では、中央演算処理装置５０１、映像信号処理回路素子５０２、ＤＣＤＣコンバータ素子５０３）からの熱が伝わりにくい構成とする。
【００６８】
まず、撮像素子４０１の熱を本体シャーシ３０２へ伝える放熱経路Ｙについて説明する。
【００６９】
導体層Ｌ１に形成されるＧＮＤ用ランドＬ１ｄは、ブラインドビア１０８によって導体層Ｌ２に形成される第２のＧＮＤ配線部Ｌ２ｂに接続される。さらにブラインドビア１０８によって、第２のＧＮＤ配線部Ｌ２ｂは、導体層Ｌ３に形成される第３のＧＮＤ配線部Ｌ３ｂを介して、導体層Ｌ４に形成される第４のＧＮＤ配線部Ｌ４ｂに接続される。第４のＧＮＤ配線部Ｌ４ｂは、インナービア１０９によって導体層Ｌ５に形成される第５のＧＮＤ配線部Ｌ５ｂに接続される。さらにブラインドビア１０８によって導体層Ｌ６に形成される第６のＧＮＤ配線Ｌ６ｂおよび導体層Ｌ７に形成される、本発明における第２のＧＮＤ配線としての第７のＧＮＤ配線Ｌ７ｂに接続される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂ〜第７のＧＮＤ配線Ｌ７ｂの配線幅（不図示）は、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａと同様に熱抵抗を小さくするために、配線基板３０４に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第７のＧＮＤ配線Ｌ７ｂは、当接用ランドＬ１ｆ近傍において、ブラインドビア１０８によって、第６のＧＮＤ配線部Ｌ６ｂ〜第２のＧＮＤ配線部Ｌ２ｂを介して、不図示の当接用ランドＬ１ｆと接続する。このようにして、配線基板３０４には、ＧＮＤ用ランドＬ１ｄ、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂ〜第７のＧＮＤ配線Ｌ７ｂ、当接用ランドＬ１ｆによって放熱経路Ｙが形成される。
【００７０】
撮像素子４０１で発生する熱は、放熱経路Ｙによって、ＧＮＤ用ランドＬ１ｄから当接用ランドＬ１ｆへ伝達される。そして、当接用ランドＬ１ｆがビス座６０１ｂと接することで、本体シャーシ３０２の金属板へ熱が伝わる。すなわち、撮像素子４０１の熱は、配線基板３０４に形成された放熱経路Ｙにて、映像信号処理回路素子５０２と同様に、本体シャーシ３０２へ放熱される。
【００７１】
次に、配線基板３０４の設けた溝５０５の効果について説明する。
【００７２】
配線基板３０４は、前述のように銅めっきにより導体層Ｌ１〜Ｌ８まで接続されている。銅は熱抵抗が小さいため、配線基板３０４の内部では導体層Ｌ１〜Ｌ８を介して熱が伝わりやすい。また、絶縁層ｉ１〜ｉ８は、導体層Ｌ１〜Ｌ８に比べて熱抵抗が大きいため、熱を伝えにくいが、熱の伝達を分断することはできない。
【００７３】
そこで、本発明の第１の実施形態における配線基板３０４には、図１に示すように、撮像素子４０１と映像信号処理回路素子５０２の間にコア層１０６まで達する溝５０５が配設されている。溝５０５は、配線基板３０４の製造工程において、導体層Ｌ１〜Ｌ８および絶縁層ｉ１〜ｉ７を積層した後、ルーター加工によって導体層Ｌ１からＬ３まで切削することで形成される。溝５０５を配設することによって、導体層Ｌ１〜Ｌ３は、撮像素子４０１と映像信号処理回路素子５０２の間では分断され空気層となる。空気は熱抵抗が大きいため、撮像素子４０１と映像信号処理回路素子５０２の間の熱交換を防ぐためには、効果的である。
【００７４】
導体層Ｌ５〜Ｌ８を伝わる熱について、前述のように放熱経路Ｘは、本体シャーシ３０２のグリップ２０７側に設けられたビス座６０１ａへ熱を伝える。また、放熱経路Ｙは、本体シャーシ３０２の外部インタフェース端子側に設けられたビス座６０１ｂへ熱を伝える。すなわち、放熱経路Ｘと放熱経路Ｙは、溝５０５を挟んで互いに反対方向に熱を伝えるため、配線基板３０４の導体層Ｌ５〜Ｌ８を介して、放熱経路Ｘと放熱経路Ｙの間で生じる熱交換は小さい。したがって、導体層Ｌ５〜Ｌ８を介して撮像素子４０１に伝わる映像信号処理回路素子５０２の熱は小さくなる。
【００７５】
このようにして、溝５０５を設けることで、導体層Ｌ１〜Ｌ８を介して撮像素子４０１が映像信号処理回路素子５０２から熱を受けることを防ぐ。
【実施例２】
【００７６】
図７は、本発明の第２の実施形態である映像信号処理回路素子５０２が実装された配線基板３０４の断面模式図（図５におけるＡ‐Ａ断面）である。図１に図示した第１の実施形態と同様である部分については、図１と同じ符号を付けて、説明を省略する。
【００７７】
第２の実施形態によると、撮像素子４０１と映像信号処理回路素子５０２が、互いに配線基板３０４の反対側の面に実装される場合においても、撮像素子４０１が映像信号処理回路素子５０２から熱を受けることを防ぐことができる。また、映像信号処理回路素子５０２の熱および撮像素子４０１の熱を本体シャーシ３０２へ伝えることができる。
【００７８】
第２の実施形態における配線基板３０４の導体層Ｌ１および導体層Ｌ８には、所定の位置にレジスト開口部１０７ａが形成されている。レジスト開口部１０７ａが形成されることで、導体層Ｌ８には、映像信号処理回路素子５０２の信号端子１０３ｂ１が接続される信号用ランドＬ８ａおよびＧＮＤ端子１０３ｂ２が接続されるＧＮＤ用ランドＬ８ｂが形成される。
【００７９】
導体層Ｌ８に形成されるＧＮＤ用ランドＬ８ｂは、ブラインドビア１０８によって導体層Ｌ７に形成される第７のＧＮＤ配線Ｌ７ａに接続される。第７のＧＮＤ配線Ｌ７ａは、ブラインドビア１０８によって、導体層Ｌ６に形成される第６のＧＮＤ配線部Ｌ６ａを介して、導体層Ｌ５に形成される第５のＧＮＤ配線部Ｌ５ａに接続される。第５のＧＮＤ配線部Ｌ５ａは、インナービア１０９によって導体層Ｌ４に形成される第４のＧＮＤ配線部Ｌ４ａに接続される。さらにブラインドビア１０８によって、第４のＧＮＤ配線部Ｌ４ａは、導体層Ｌ３に形成される第３のＧＮＤ配線Ｌ３ａおよび導体層Ｌ２に形成される第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａに接続される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａ〜第７のＧＮＤ配線Ｌ７ａの配線幅（不図示）は、熱抵抗を小さくするために、配線基板３０４に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａは、当接用ランドＬ１ｅ近傍において、ブラインドビア１０８を介して、導体層Ｌ１の不図示の当接用ランドＬ１ｅに接続される。
【００８０】
このようにして、配線基板３０４には、ＧＮＤ用ランドＬ１ｄ、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａ〜第７のＧＮＤ配線Ｌ７ａ、当接用ランドＬ１ｅによって放熱経路Ｘが形成される。映像信号処理回路素子５０２の熱は、放熱経路Ｘにて、本体シャーシ３０２へ放熱される。
【００８１】
また、レジスト開口部１０７ａが形成されることで、第１の実施形態における配線基板３０４と同様に、導体層Ｌ１に撮像素子４０１の信号端子４０１ａが接続される信号用ランドＬ１ｃおよびＧＮＤ端子４０１ｂが接続されるＧＮＤ用ランドＬ１ｄが形成される。ＧＮＤ用ランドＬ１ｄは、ブラインドビア１０８によって導体層Ｌ２に形成される第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂに接続される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂの配線幅（不図示）は、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ａ〜第７のＧＮＤ配線Ｌ７ａと同様に熱抵抗を小さくするために、配線基板３０４に形成される他の信号配線に比べて広く形成される。第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂは、当接用ランドＬ１ｆ近傍において、ブライドビア１０８を介して、導体層Ｌ１に形成される不図示の当接用ランドＬ１ｆに接続される。
【００８２】
このようにして、配線基板３０４には、ＧＮＤ用ランドＬ１ｄ、第２のＧＮＤ配線Ｌ２ｂ、当接用ランドＬ１ｆによって放熱経路Ｙが形成される。撮像素子４０１の熱は、放熱経路Ｙにて、本体シャーシ３０２へ放熱される。
【００８３】
第１の実施形態と同様に、第２の実施形態における配線基板３０４は、溝５０５を配設することで、導体層Ｌ１〜Ｌ８を介して撮像素子４０１が映像信号処理回路素子５０２から熱を受けることを防ぐ。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１０３ｂ２  第１のＧＮＤ端子、３０２  本体部材、３０４  配線基板、
４０１  第２の電子部品としての撮像素子、４０１ｂ  第２のＧＮＤ端子、
５０２  第１の電子部品としての映像信号処理回路素子、５０５  溝、
Ｌ２ａ  第１のＧＮＤ配線、Ｌ７ｂ  第２のＧＮＤ配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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