(57)【要約】      （修正有）【課題】高品質な製品を安定して供給可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。【解決手段】基体ホルダに１つ以上の円筒状基体１０１Ａ，Ｂおよび補助基体１０３をこの順に設置し、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧する加圧工程と、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で円筒状基体と補助基体とが装着された基体ホルダを減圧可能な反応容器の中の接地接続された受け台に設置する設置工程と、反応容器内に原料ガスを導入し、円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、加圧工程と設置工程との間に検査工程を有し、検査工程は、隣り合う補助基体の中心軸と円筒状基体の中心軸とが一致又はほぼ一致しているか、複数の円筒状基体が設置される場合は、隣り合う２つの円筒状基体の中心軸が一致又はほぼ一致しているかを検査し、各中心軸が一致又はほぼ一致している場合に、設置工程へ進む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体ホルダに少なくとも１つ以上の円筒状基体および補助基体をこの順に設置し、前記補助基体の１つを加圧手段により前記円筒状基体の長手方向へ加圧する加圧工程と、前記補助基体の１つを前記円筒状基体へ押圧した状態で前記円筒状基体と前記補助基体とが装着された前記基体ホルダを減圧可能な反応容器の中の接地接続された受け台に設置する設置工程と、前記反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力を前記円筒状基体を取り囲むように設置されたカソード電極に印加することにより、前記円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記加圧工程と前記設置工程との間に検査工程を有し、
前記検査工程は、
隣り合う前記補助基体の中心軸と前記円筒状基体の中心軸とが一致又はほぼ一致しているか、
複数の円筒状基体が設置される場合は、隣り合う２つの円筒状基体の中心軸が一致又はほぼ一致しているか、
を検査し、
前記各中心軸が一致又はほぼ一致している場合に、前記設置工程へ進む
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記検査工程において、
前記基体ホルダの中心軸と同一平面上に前記中心軸と平行な基準線を仮定し、
前記円筒状基体の側面および前記補助基体の側面のそれぞれについて、少なくとも２点以上に関して、前記基準線の上の基準位置からの距離を計測し、
前記円筒状基体の側面および前記補助基体の側面のそれぞれについて、計測の対象とした点が２点であればそれら２点を結ぶ直線を求め、また計測の対象とした点が３点以上であればそれらの点に対する近似直線を求め、
前記基体ホルダを少なくとも１回転させて、
隣り合う前記補助基体と前記円筒状基体との前記直線又は前記近似線がなす角度、及び／又は
隣り合う２つの前記円筒状基体の前記直線又は前記近似線がなす角度、を求め、
前記基体ホルダを回転させて求めた全周分の前記角度の最小値が所定の範囲内に収まっているかを検査し、
前記角度の最小値が前記所定の範囲内に収まっている場合に、前記各中心軸が一致又はほぼ一致していると判断する、請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記所定の範囲が１７９．０°以上１８０．０°以下である請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。 
【請求項４】
レーザー変位計を用いて前記基準位置から前記補助基体の側面又は前記円筒状基体の側面までの距離を計測する請求項２又は３に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば水素原子及び／又はハロゲン原子を含有し、シリコン原子を含有する（母体とする）アモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
そして、アモルファスシリコンからなる堆積膜の形成方法としては、高周波電力のグロー放電により堆積膜形成用ガスのプラズマを生成し、その分解種を基体上に堆積させるプラズマＣＶＤ法がある。
【０００３】
これらの方法で、電子写真感光体のような大面積を有する堆積膜を形成する場合、膜特性の均一化が必要であり、そのために堆積膜を形成する装置の構成に関して各種提案がされている。
例えば、アモルファスシリコンからなる電子写真感光体を製造する場合、円筒状基体を減圧可能な反応容器内に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体に基体ホルダを挿入することが開示されている。また、堆積膜形成中に分解された化学種の基体の裏側へのまわり込みを防止する目的で基体の上部に補助基体を設けることが開示されている。（特許文献１参照）
【０００４】
さらに、円筒状基体から補助基体にかけてのプラズマから見た電位の均一性を十分に確保するために、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧し、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で堆積膜の形成を行うことが開示されている。（特許文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５７６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、上記のような方法により堆積膜の膜特性の均一化が図られてきた。
しかし、近年、作製した製品の性能に対する市場の要求レベルは日々高まっている。
特に、市場への製品供給に対して、特性バラツキが抑制された高品質な製品を安定して供給可能な生産手法の開発が求められるようになっている。
【０００７】
特許文献２に記載されている電子写真感光体の作製方法は、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧することで円筒状基体と補助基体とを全周に亘って十分に接触させ、これらの接続部分において高周波電力に対する導通を十分に確保している。その結果、円筒状基体から補助基体にかけてのプラズマから見た電位の均一性を十分に確保し、膜特性の均一化を図っている。
【０００８】
しかしながら、何らかの理由により補助基体と円筒状基体との間にズレが生じていた場合、円筒状基体は補助基体と全周に亘って十分に接触していない場合がある。そのような状態においては、円筒状基体と補助基体との導通は必ずしも十分には確保されていない場合があり、その結果、特性バラつきが生じる可能性がある。補助基体と円筒状基体との間にズレが生じる原因としては繰り返し使用される補助基体の消耗、或いは補助基体と円筒状基体との間への異物の噛み込みなどが考えられる。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、高品質な製品を安定して供給可能な電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子写真感光体の製造方法は、
基体ホルダに少なくとも１つ以上の円筒状基体および補助基体をこの順に設置し、前記補助基体の１つを加圧手段により前記円筒状基体の長手方向へ加圧する加圧工程と、前記補助基体の１つを前記円筒状基体へ押圧した状態で前記円筒状基体と前記補助基体とが装着された前記基体ホルダを減圧可能な反応容器の中の接地接続された受け台に設置する設置工程と、前記反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力を前記円筒状基体を取り囲むように設置されたカソード電極に 印加することにより、前記円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記加圧工程と前記設置工程との間に、検査工程を有し、
前記検査工程は、
隣り合う前記補助基体の中心軸と前記円筒状基体の中心軸とが一致又はほぼ一致しているか、
複数の円筒状基体が設置される場合は、隣り合う２つの円筒状基体の中心軸が一致又はほぼ一致しているか、
を検査し、
前記各中心軸が一致又はほぼ一致している場合に、前記設置工程へ進むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば高品質な製品を安定して供給可能な電子写真感光体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る検査工程を説明するための模式的な断面図である
【図２】本発明に係る加圧工程を説明するための模式的な断面図である。
【図３】本発明に係る電子写真感光体の堆積膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置の一例を示す模式的な断面図である。
【図４】アモルファスシリコン電子写真感光体用の層構成の一例を示す模式的な断面図である。
【図５】本発明に係る加圧手段、補助基体及び基体ホルダを説明するための拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に図面を参照して、本発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態の記載は、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定するものではない。
本発明に係る電子写真感光体の製造方法は、加圧工程と、検査工程と、設置工程と、堆積膜形成工程とを有する。
【００１３】
加圧工程は、基体ホルダに少なくとも１つ以上の円筒状基体および補助基体をこの順に設置し、前記補助基体の１つを加圧手段により前記円筒状基体の長手方向へ加圧する。
設置工程は、前記補助基体の１つを前記円筒状基体へ押圧した状態で前記円筒状基体と前記補助基体とが装着された前記基体ホルダを減圧可能な反応容器の中の接地接続された受け台に設置する。
堆積膜形成工程は、前記反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力を前記円筒状基体を取り囲むように設置されたカソード電極に印加することにより、前記円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う。
【００１４】
検査工程は、加圧工程の後、設置工程の前に行う。検査工程の結果に応じて、その後の設置工程へ進むか否かが判断される。
検査工程においては、
隣り合う前記補助基体の中心軸と前記円筒状基体の中心軸とが一致又はほぼ一致しているか、
複数の円筒状基体が設置される場合は、隣り合う２つの円筒状基体の中心軸が一致又はほぼ一致しているか、
を検査し、
前記各中心軸が一致又はほぼ一致している場合に、前記設置工程へ進む。
【００１５】
基体ホルダの上に第１の円筒状基体が装着され、第１の円筒状基体の上に第２の円筒状基体が装着され、第２の円筒状基体の上に補助基体が装着される場合、
第１の円筒状基体の中心軸と第２の円筒状基体の中心軸とが、一致又はほぼ一致しているかが検査され、
第２の円筒状基体の中心軸と補助基体の中心軸とが、一致又はほぼ一致しているかが検査される。
【００１６】
２つの中心軸が一致又はほぼ一致しているかを検査する方法としては、以下のような方法が挙げられる。
まず、基体ホルダの中心軸と同一平面上に前記中心軸と平行な基準線を仮定し、
前記円筒状基体の側面および前記補助基体の側面のそれぞれについて、少なくとも２点以上に関して、前記基準線の上の基準位置からの距離を計測する。
【００１７】
次に、前記円筒状基体の側面および前記補助基体の側面のそれぞれについて、計測の対象とした点が２点であればそれら２点を結ぶ直線を求め、また計測の対象とした点が３点以上であればそれらの点に対する近似直線を求める。計測の対象とした点が３点以上である場合にそれらの点に対する近似直線を求める方法としては最小二乗法が挙げられる。
【００１８】
補助基体の側面について計測の対象とした点とは、補助基体までの距離を計測する際の各基準位置を通り、基準線に垂直に交わり、かつ基体ホルダの中心軸に垂直に交わる直線が、補助基体の側面と交わる点である。
同様に、円筒状基体の側面について計測の対象とした点とは、円筒状基体までの距離を計測する際の各基準位置を通り、基準線に垂直に交わり、かつ基体ホルダの中心軸に垂直に交わる直線が、円筒状基体の側面と交わる点である。
【００１９】
そして、基体ホルダを少なくとも１回転させて、
隣り合う補助基体と円筒状基体とについて、前記直線又は前記近似線がなす角度、及び／又は
隣り合う２つの前記円筒状基体の前記直線又は前記近似線がなす角度、を求める。
さらに、基体ホルダを回転させて求めた全周分（３６０度分）の前記角度の最小値が所定の範囲内に収まっているかを検査する。
そして、前記角度の最小値が所定の範囲内に収まっている場合に、前記各中心軸が一致又はほぼ一致していると判断する。
【００２０】
図２（ａ１）は、補助基体２０３を上方から見た平面図である。同図に示すように、補助基体２０３はネジ貫通孔２０７を有する。
図２（ａ２）は、ネジ貫通孔にネジ２０４を貫通させた状態の補助基体２０３を上方から見た平面図である。
図２（ｂ）は、補助基体と円筒状基体の間に異物が混入していない場合を示す模式的な断面図である。
【００２１】
円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂを基体ホルダ２０２に装着し、円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂの上部には補助基体２０３が設置されている。補助基体２０３と基体ホルダ２０２はネジ２０４によって固定されている。ネジ２０４と補助基体２０３の間に弾性部材であるバネ２０５が設けられている。ネジ２０４と補助基体２０３との間に設けられたバネ２０５によって、ネジ２０４の頭部は上方向に加圧され、補助基体２０３は下方向に加圧される。
【００２２】
図２（ｂ）に示すようにネジ２０４は補助基体２０３に設けられたネジ貫通孔２０７を貫通している。
図５は、ネジ、補助基体、基体ホルダ等の一例の部分拡大図である。
図５に示すように、補助基体５０３と円筒状基体５０１Ａとの間に異物が存在しない場合、ネジ５１０の円筒部５１２とネジ貫通孔５０７の内壁とは接触せず、ネジ５１０の円筒部５１２とネジ貫通孔５０７の内壁との間には０．１０ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度の隙間が存在する。
【００２３】
図５に示すように、基体ホルダ５０２には雌ネジ５０２１が設けられている（切られている）。ネジ５１０のネジ部５１３が基体ホルダ５０２の雌ネジ５０２１にねじ込まれることによって、ネジ５１０は基体ホルダ５０２に固定される。
【００２４】
そして、図２（ｂ）に示すように、バネ２０５によって、補助基体２０３は円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂの長手方向に加圧される。それにより、補助基体２０３は円筒状基体２０１Ａへ押圧された状態となり、円筒状基体２０１Ａは円筒状基体２０１Ｂへ押圧された状態となる。
【００２５】
よって、補助基体２０３と円筒状基体２０１Ａとの間に異物が存在しなければ、補助基体２０３と円筒状基体２０１Ａとは全周に亘って隙間なく十分に接触し、補助基体２０３と円筒状基体２０１Ａとの間では高周波電力に対して導通が十分に確保される。
同様に、円筒状基体２０１Ａと円筒状基体２０１Ｂとの間に異物が存在しなければ、円筒状基体２０１Ａと円筒状基体２０１Ｂも全周に亘って隙間なく十分に接触し、円筒状基体２０１Ａと円筒状基体２０１Ｂとの間では高周波電力に対して導通が十分に確保される。
それにより、補助基体２０３から円筒状基体２０１Ａを経て円筒状基体２０１Ｂにかけてのプラズマの均一性が向上し、堆積膜の均一性を向上させることが可能となる。
【００２６】
ここで、図２（ｃ）に示すように何らかの理由により補助基体２０３と円筒状基体２０１Ａとの間に異物２０６を噛み込んだ場合を考えてみる。そのような場合、図２（ｃ）に示すように、補助基体２０３の異物２０６に近い部分は、補助基体２０３の異物２０６から遠い部分に比べて相対的に上がった状態となり、補助基体２０３の異物２０６に近い部分は円筒状基体２０１Ａとの接触が不十分となる。
【００２７】
異物２０６を噛み込んだことにより、補助基体２０３と円筒状基体２０１Ａとの間に隙間が生じた場合、円筒状基体２０１Ａは補助基体２０３と全周に亘って十分かつ均等に接触していない状態となる。そのような状態においては、円筒状基体２０１Ａと補助基体２０３との導通は必ずしも十分かつ均等には確保されず、その結果、円筒状基体２０１Ａに形成される堆積膜は形成される位置に応じて特性に差異がある（特性バラつきが生じる）可能性がある。
【００２８】
そこで対策を鋭意検討した結果、反応容器内に設置する前に、円筒状基体２０１Ａと補助基体２０３との間のズレ量及び円筒状基体２０１Ａと円筒状基体２０１Ｂとの間のズレ量が所定の範囲内に収まっていることを確認した後に堆積膜の形成を行うこととした。このようにすることで、高品質な製品を安定して供給可能になるという考えに至った。
【００２９】
反応容器の中に設置する前に、前記のズレ量が所定の範囲内に収まっていることを確認するために、
補助基体２０３の中心軸と円筒状基体２０１Ａの中心軸とが一致又はほぼ一致していること及び
円筒状基体２０１Ａの中心軸と円筒状基体２０１Ｂの中心軸とが一致又はほぼ一致していることを確認することが重要であることを見出した。
【００３０】
「加圧工程」
本発明に係る加圧工程は上述したのと同様に図２（ｂ）、（ｃ）を用いて説明する。
基体ホルダ２０２に少なくとも１つ以上の円筒状基体２０１と補助基体２０３とを設置し、補助基体２０３を加圧手段により円筒状基体２０１の長手方向へ加圧する。
図２（ｂ）、（ｃ）では円筒状基体を２つ設置した。それぞれ円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂとする。
【００３１】
補助基体２０３を加圧する手段は、補助基体２０３を円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂの長手方向へ押圧できれば特に制限はない。装置の改造を必要としない簡易な方法として、図２（ｂ）、（ｃ）に示すようにバネ２０５によって、補助基体２０３を加圧する方法が好適である。
【００３２】
ネジ２０４は基体ホルダ２０２に固定されている。ネジ２０４は補助基体２０３のネジ貫通孔を貫通するが、補助基体２０３を固定していない。ネジ２０４と補助基体２０３との間に、弾性部材であるコイル状のバネ２０５を圧縮した状態（自由長さよりも縮んだ状態）で設置することにより、ネジ２０５の頭部はバネ２０５から上向きの力を受け、補助基体２０３はバネ２０５から下向きの力を受ける。その結果として、補助基体２０３が円筒状基体２０１Ａに押し付けられ、円筒状基体２０１Ａが円筒状基体２０１Ｂに押し付けられることになる。
【００３３】
円筒状基体２０１の材質は、使用目的に応じたものであればよい。円筒状基体２０１の材質としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金を用いることができる。中でも加工性や製造コストを考慮するとアルミニウムが優れている。この場合、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
また、基体ホルダ２０２の材質も補助基体２０３の材質も円筒状基体２０１に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【００３４】
基体ホルダ２０２の形状に関しては円筒状基体２０１を減圧可能な反応容器の中に搬送ならびに保持することができるような形状であれば特に制限はない。しかし、円筒状基体２０１の設置がしやすいことから、図２（ｂ）に示すように円筒状基体２０１Ｂの下端を保持するような形状が好適である。
【００３５】
補助基体２０３の形状に関しては円筒状基体２０１Ａと十分に接触できるような形状であれば特に制限は無い。
ネジ２０４は補助基体２０３を円筒状基体２０１Ａに押し付けるバネ２０５の復元力に耐えることができるだけの強度をもつものであれば特に制限はない。ネジの材質としては例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンやこれらの合金が好適である。
【００３６】
バネ２０４は減圧下で、プラズマが発生し、かつ高温であるという環境の中で使用可能なものなら特に制限はない。バネ２０４の材質としては例えば、ニッケル−クロム合金、チタン、ステンレスが好適である。
上記のような加圧工程を経て、補助基体２０３を円筒状基体２０１Ａ、２０１Ｂへ押圧した状態で円筒状基体２０１と補助基体２０３が装着された基体ホルダ２０２を準備する。
【００３７】
「検査工程」
図１は本発明に係る検査工程を説明するための模式的な断面図である。
加圧工程終了後、反応容器内に設置する前に図１に示す装置を用いて検査工程を実施する。
まず、円筒状基体１０１Ａと補助基体１０３との検査方法を説明する。
【００３８】
基体ホルダ１０２の中心軸１０７と同一平面上に中心軸１０７に平行な基準線１０８を仮定する。そして、円筒状基体１０１Ａの側面および補助基体１０３の側面のそれぞれについて、少なくとも２点以上、基準線１０８に沿って任意に移動可能な基準位置１０９からの距離を計測する。
基準位置１０９ａから測定した距離をＸａとし、基準位置１０９ｂから測定した距離をＸｂとする。基準位置１０９ｃから測定した距離をＸｃとし、基準位置１０９ｄから測定した距離をＸｄとする。
また、基準位置１０９ａと１０９ｂとの高さ方向の相対距離（図１中のＡ１）及び基準位置１０９ｃと１０９ｄとの高さ方向の相対距離（図１中のＡ２）も計測する。
そして、下記式を用いて、２点の測定点を結ぶ直線の傾き、つまり円筒状基体１０１Ａの側面の傾きおよび補助基体１０３の側面の傾きをそれぞれ算出する。
補助基体１０３の側面の傾き    ＝（Ｘｂ−Ｘａ）／Ａ１
円筒状基体１０１Ａの側面の傾き＝（Ｘｄ−Ｘｃ）／Ａ２
【００３９】
基準位置１０９から補助基体１０３の側面までの距離を計測する方法、基準位置１０９から円筒状基体１０１Ａの側面までの距離を計測する方法及び基準位置１０９の高さ方向の相対距離を計測する方法は特に制限はない。簡易で測定精度が高いことから計測器１１０にはレーザー変位計を用いて計測することが好ましい。また、計測器１１０の数には制限はなく、計測器１１０のコストと計測にかかる時間の兼ね合いで決定すればよい。例えば、１個設置して、それを上下動させて測定してもよいし、測定点の数だけ設置してもよい。
【００４０】
円筒状基体１０１Ａの側面および補助基体１０３の側面のそれぞれについての測定点は、傾きが求められるように少なくとも２点以上あれば制限はなく、測定精度と測定時間の兼ね合いで決定すればよい。例えば、測定点が２点の場合は測定時間を短くできる。２点間の距離をできるだけ大きく取ることにより、傾き算出に与える測定誤差の影響を小さくすることができるので好ましい。測定点を増やしていくと、傾き算出に与える測定誤差の影響を小さくすることができる。測定点は最初の２点間の距離をできるだけ大きく取った状態で、等間隔に増やしていくことが好ましい。
【００４１】
基体ホルダ１０２の中心軸１０７上には設置台１１１を設けてもよい。設置台１１１は基体ホルダ１０２が設置された状態で回転可能であり、基体ホルダ１０２を回転させた状態で検査を実施できるような構造であることが好ましい。
次に円筒状基体１０１Ａと補助基体１０３の上記で求めたそれぞれの直線がなす角のうち、基準線１０８側の角度１１２を算出する。
【００４２】
以下に２つの直線がなす角度の求め方を説明する。
まず、図１に示すように円筒状基体１０１Ａの基準線１０８に対する傾きをｍ１とし、補助基体１０３の基準線１０８に対する傾きをｍ２とする。
傾きｍ１、ｍ２とは基準線１０８に沿って単位長さ進んだときの、計測器１１０から円筒状基体１０１Ａまでの距離又は計測器１１０から補助基体１０３までの距離の変化の割合を意味する。
【００４３】
図１に示すように２つの直線がなす角のうち、基準線１０８側の角度１１２をα、その補角１１３をθとする。
タンジェントの加法定理により、２つの直線がなす角度は下記式（１）、（２）によって求められる。
θ＝  ａｒｃｔａｎ｜（ｍ１−ｍ２）／（１＋ｍ１×ｍ２）｜      ・・・（１）
α＝１８０°−θ                                              ・・・（２）
【００４４】
以上のようにして、基準線１０８側の角度１１２（α）を算出しながら、基体ホルダ１０２を回転させて１周分の角度１１２を取得し、１周分の角度１１２のうち最小値を求める。例えば、基体ホルダ１０２を１０度回転させるごとに角度１１２を算出した場合、３６個の角度１１２が取得され、その３６個の角度１１２の中から最小値を求める。
最後に、求めた最小値が所定の範囲内に収まっていること又は収まっていないことを確認し、検査工程を終了する。
【００４５】
上記の所定の範囲内とは、円筒状基体１０１Ａと補助基体１０３との接続部分において高周波電力に対する導通を十分に確保できる角度範囲内である。
高周波電力に対する導通を十分に確保するために最小値は１７９．０°以上１８０．０°以下であることが好ましい。
【００４６】
以上の検査工程をすべての接続部分において実施する。例えば、図１の構成においては補助基体１０３と円筒状基体１０１Ａの接続部分、円筒状基体１０１Ａと円筒状基体１０１Ｂの接続部分に関して検査を実施する。
最小値が所定の範囲内に収まっていない場合は、ネジ１０４を一旦緩めて補助基体１０３と円筒状基体１０１Ａとの間に噛み込んだ異物１０６を取り除くなどの対策を行ったのち、もう一度加圧工程からやり直せばよい。
【００４７】
次に電子写真感光体の堆積膜形成方法及び製造装置について図３のプラズマＣＶＤ装置の模式的な断面図を用いて説明する。
この装置は大別すると、減圧可能な反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、および、反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。反応容器３１１０内の受け台３１１７には円筒状基体３１１１と補助基体３１１３が装着された基体ホルダ３１１２が設置されている。受け台３１１７は接地接続されている下壁３１１８上に設けられているため、下壁３１１８同様、接地接続されている。
【００４８】
基体ホルダ３１１２の中には基体加熱用ヒーター３１１４が設置されている。また、反応容器３１１０の中には原料ガス導入管３１２１が設置されている。さらに円筒状基体３１１１を取り囲むように配置された電極３１２２には高周波マッチングボックス３１２３を介して高周波電源３１２４が接続されている。
【００４９】
原料ガス供給装置３２００は、原料ガスボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５およびマスフローコントローラ３２１１〜３２１５から構成されている。原料ガスとしては、例えばＳｉＨ４（シラン），ＣＨ４（メタン），ＮＯ（一酸化窒素）などの材料ガス、Ｂ２Ｈ６（ジボラン）などのドーピングガス、Ｈ２（水素）などの希釈ガスが挙げられる。原料ガス供給装置３２００は補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１２１に接続されている。
不図示の排気装置は例えば、メカニカルブースターポンプやロータリーポンプなどで構成される。
【００５０】
次にこの装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した円筒状基体３１１１を上述したような加圧工程を経てセットし、反応容器３１１０内の受け台３１１７に設置する。反応容器３１１０内は排気バルブ及び排気ポンプ（図示せず）により予め減圧された状態で保持されている。また、基体加熱用ヒーター３１１４には予め電力を供給し、加熱炉で加熱された円筒状基体３１１１が例えば５０℃から３５０℃の所望の温度に保たれるよう加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器３１１０の中に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００５１】
次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０の中に供給する。すなわち、補助バルブ３２６０を開けて、必要に応じバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５の流量設定を行う。各マスフローコントローラ３２１１〜３２１５の流量が安定したところで、真空計３１２５の表示を見ながらメインバルブ３１２６を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所望の圧力になるように調整する。反応容器３１１０内の圧力を調整するためには例えばメカニカルブースターポンプの回転数を操作することやメインバルブ３１２６の開度を操作することが挙げられる。
【００５２】
所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２４より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１２３を操作し、反応容器３１１０の中にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、および補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ３１２６を全開にし、反応容器３１１０の中を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ３１２６を閉じ、円筒状基体３１１１を取り出す。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【００５４】
〔実施例１−１〜１−５〕
図３に示す堆積膜形成装置を用いて、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍの円筒状基体の上に、表１に示す条件で図４に示す層構成のアモルファスシリコンからなる電子写真感光体の製造を行った。なお、円筒状基体の厚さは、「（円筒状基体の外径−円筒状基体の内径）／２」である。この電子写真感光体の作製を５回実施した。
図４はアモルファスシリコン電子写真感光体用の層構成の一例を示す模式的な断面図である。円筒状基体４０１の上に、下部阻止層４０２、光導電層４０３、上部阻止層４０４、表面層４０５がこの順に形成されている。
【００５５】
本実施例では円筒状基体の設置方法及び加圧手段を図２（ｂ）に示す構成にした。
補助基体２０３の外径は８４ｍｍのものを用いた。基体ホルダ２０２、補助基体２０３の材質はＡｌ−Ｍｇ系合金５０５２を用いた。
加速試験として補助基体２０３は繰り返し使用により消耗しているものを使用し、円筒状基体２０１Ａと補助基体２０３とにズレが生じやすい状況とした。
【００５６】
ネジ２０４の材質はＳＵＳ３０４を用いた。図２（ａ２）に示すように、ネジ２０４は補助基体２０３の周方向に９０度間隔で４個設置した。ネジ２０４と補助基体２０３との間に弾性部材であるバネ２０５を設けた。バネ２０５の材質はＳＵＳ３０４を用いた。
加圧工程終了後、反応容器内の受け台に設置する前に、図１に示す装置を用いて、円筒状基体１０１Ａと補助基体１０３との接続部分について検査工程を実施した。そして、得られた角度の最小値が所定の範囲内に収まっていることを確認した。
【００５７】
計測器はレーザー変位計を１個設置して、それを上下動させて測定を行った。円筒状基体１０１Ａの側面および補助基体１０３の側面のそれぞれについて２点ずつ測定を実施した。各測定位置は円筒状基体１０１Ａおよび補助基体１０３の上下の各端部から２ｃｍ位置を測定した。得られた角度の最小値を表２に示す。
【００５８】
【表１】
2019179220.tif 000003
【００５９】
作製した電子写真感光体（図２（ｂ）に示す円筒状基体２０１Ａに堆積膜を形成した電子写真感光体）を、キヤノン（株）製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電仕様とし、反転現像に改造した複写機に設置し、電子写真感光体のＶｄムラについて評価を行った。
【００６０】
（Ｖｄムラ）
主帯電器の電流値を−１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。このとき、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。軸方向における電子写真感光体の中央部位置を０ｃｍ位置とし、下記の合計９点を測定位置とした。
０ｃｍの位置、±１５ｃｍの位置、±１３ｃｍの位置、±９ｃｍの位置、±５ｃｍの位置。
各軸方向位置で周方向は３６°おきに合計１０点の暗部表面電位を測定し、周方向の平均値を各軸方向位置の暗部表面電位とした。
【００６１】
得られた各軸方向位置の暗部表面電位の最大値と最小値との電位差をＶｄムラとして評価した。後述する比較例１−１で得られた結果を１００としたときの、相対値で評価を実施した。つまり、評価結果は数字が小さいほど良い。
そして、以下に示す基準でランク付けを行った。表２に結果を示す。
【００６２】
Ａ    ・・・７０未満
Ｂ    ・・・７０以上９０未満
Ｃ    ・・・９０以上１１０未満
【００６３】
〔比較例１−１〜１−２〕
実施例１と同様に反応容器内の受け台に設置する前に図１に示す装置を用いて円筒状基体１０１Ａと補助基体１０３との接続部分について検査工程を実施した。ただし、本比較例では角度の最小値が所定の範囲外となるようにした。
それ以外は実施例１と同様の方法により電子写真感光体の製造を行った。得られた角度の最小値を表２に示す。
本比較例においても実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を表２に示す。
【００６４】
【表２】
2019179220.tif 000004
【００６５】
表２に示すように、実施例１−１〜１−５においてはＶｄムラが良好な電子写真感光体を安定して製造できており、本発明の効果が明らかになった
また、得られた角度の最小値を１７９．０°以上１８０．０°以下とすることで、Ｖｄムラが良好な状態に保たれることが明らかになった。
【符号の説明】
【００６６】
１０１‥‥円筒状基体
１０２‥‥基体ホルダ
１０３‥‥補助基体
１０４‥‥ネジ
１０５‥‥バネ
１０６‥‥異物
１０７‥‥中心軸
１０８‥‥基準線
１０９‥‥基準位置
１１０‥‥計測器
１１１‥‥設置台
１１２‥‥角度
１１３‥‥補角
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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