(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の製造方法において、エッチングによる不具合を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線が設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に金属膜を形成すること、前記金属膜で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、前記金属膜をパターニングしてタッチパネルの電極を形成すること、をこの順で含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線が設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、
前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に金属膜を形成すること、
前記金属膜で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、
前記金属膜をパターニングしてタッチパネルの電極を形成すること、をこの順で含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜を、マスク材を用いたスパッタリングにより形成する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜をドライエッチングして、前記タッチパネルの電極を形成する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜は前記配線に含まれる金属を含む、請求項１から３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
前記配線は、電極層と前記電極層を保護する表面保護層とを有し、
前記金属膜は前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜は複数の層を含み、その最表面層に前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜を、前記配線を露出させる領域を囲むように形成する、請求項１から６のいずれかに記載の製造方法。
【請求項８】
複数の画素を備える表示領域と、部品が実装される部品実装領域とを有する基材と、
前記基材の前記表示領域を覆い、無機絶縁材料で形成された封止膜と、
前記基材の前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置された配線と、
前記封止膜上に形成されたタッチパネルの電極と、を有し、
前記配線は、前記封止膜に覆われていない部分を有し、
前記封止膜の外側に、外側に向かうに従って下方に向かう傾斜面が形成されている、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記タッチパネルの電極の引き回し配線は、前記封止膜の傾斜面上に配置されている、請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記タッチパネルの電極は前記配線に含まれる金属を含む、請求項８または９に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記配線は、電極層と前記電極層を保護する表面保護層とを有し、
前記タッチパネルの電極は前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項１０に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記タッチパネルの電極は複数の層を含み、その最表面層に前記表面保護層に含まれる金属を含む、請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを備える。このような有機ＥＬ表示装置において、発光素子を水分等から保護するため、発光素子含む表示領域を封止する方法が採用されている。封止方法としては、例えば、下記特許文献１に開示されるように、無機材料膜と樹脂材料層とを組み合わせる方法が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１７６７１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記無機材料膜は、通常、化学気相成長（ＣＶＤ）法等により成膜される。製造工程において、一旦、広範囲に無機材料膜を成膜してから、所定の領域に形成された無機材料膜をエッチングにより除去することがある。しかし、エッチングにより、無機材料膜の下側に隣接する層まで消失する場合がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、エッチングによる不具合が抑制された有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの局面によれば、表示装置の製造方法が提供される。本発明に係る表示装置の製造方法は、複数の画素を備える表示領域と部品が実装される部品実装領域とが位置し、前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置される配線が設けられた基材を覆うように無機絶縁材料膜を形成すること、前記表示領域に位置する無機絶縁材料膜上に金属膜を形成すること、前記金属膜で覆われていない領域の無機絶縁材料膜をドライエッチングにより除去して前記配線の一部を露出させること、前記金属膜をパターニングしてタッチパネルの電極を形成すること、をこの順で含む。
【０００８】
本発明の別の局面によれば、表示装置が提供される。本発明に係る表示装置は、複数の画素を備える表示領域と、部品が実装される部品実装領域とを有する基材と、前記基材の前記表示領域を覆い、無機絶縁材料で形成された封止膜と、前記基材の前記表示領域から前記部品実装領域にわたって配置された配線と、前記封止膜上に形成されたタッチパネルの電極と、を有し、前記配線は、前記封止膜に覆われていない部分を有し、前記封止膜の外側に、外側に向かうに従って下方に向かう傾斜面が形成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す図である。
【図４Ａ】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く図である。
【図５】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【図６】図５のI−I断面の一例を示す図である。
【図７】本発明の別の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１１】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材として樹脂フィルムを用いたフレキシブルディスプレイであり、この樹脂フィルムで構成された基材の上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１２】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１３】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１４】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１５】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１６】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１７】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１８】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。表示パネル４０の表示領域４２上には、タッチパネル６０が配置されている。
【００１９】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００２０】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。図３では、図２に示すタッチパネル６０は、その下側電極６１のみを示し、詳細は省略している。また、断面構造を見易くするため、一部の層のハッチングを省略している。
【００２１】
表示パネル４０は、例えば、可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。可撓性を有する基材７０は、例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。基材７０の厚みは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６の基材７０側とは反対側（上側）に、カラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２２】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０の端子は、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に、電気的に接続される。
【００２３】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２４】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２５】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２６】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料等の有機絶縁材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２７】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
【００２８】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透過性導電材料、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２９】
上記構造上には、画素を分離するリブ１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にリブ１１２を形成し、リブ１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。リブ１１２は、樹脂材料等の有機絶縁材料で形成される。上部電極１０４は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透過性導電材料やＭｇとＡｇの極薄合金で構成される。
【００３０】
上部電極１０４上には、表示領域４２全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、上記無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料）で形成される。具体的には、インクジェット方式による樹脂組成物の塗布により形成される。
【００３１】
封止層１０６の周縁には封止平坦化膜１６０は形成されておらず、表示領域４２を囲む額縁領域４４において、第１封止膜１６１と第２封止膜１６２とが接している。封止平坦化膜１６０はその上面および端部が第２封止膜で覆われている。第１封止膜１６１と第２封止膜１６２とが接して積層された積層部の外側に、外側に向かうに従って下方（基材７０が配置されている側）に向かう傾斜面１ｓが形成されている。一方、部品実装領域４６には、部品が接続されるため、封止層１０６は配置されていない。
【００３２】
封止層１０６上には、表示領域４２において、タッチパネル６０の下側電極６１は配置されている。タッチパネル６０の下側電極６１は、例えば、封止層１０６上に形成された金属膜をパターニングすることにより形成される。図示しないが、下側電極６１を、封止層１０６の周縁を乗り越えて引き回す場合、封止層１０６の周縁には傾斜面１ｓが形成されているので、封止層１０６の段差は緩やかであり、引き回し配線の段切れを抑制することができる。具体的には、引き回し配線は、傾斜面１ｓ上に配置される。
【００３３】
表示パネル４０は、図３に示すように、基材７０を平面状に保って製造され得るが、例えば、有機ＥＬ表示装置２の筐体に格納される際には、表示領域４２の外側に曲げ領域１２０を設けて、部品実装領域４６を表示領域４２の裏側に配置させる。具体的には、部品実装領域４６と表示領域４２との間で表示パネル４０を湾曲させて、部品を表示領域４２の裏側に折り返した状態とする。
【００３４】
曲げ領域１２０においては、無機絶縁材料で形成される層（例えば、下地層８０、層間絶縁層８８、層間絶縁膜９２、パッシベーション膜９８）の少なくとも一部を、省略または薄膜化することが好ましい。無機絶縁材料で形成される層は、曲げにより破損しやすい傾向にあるからである。図示例では、曲げ領域１２０において、下地層８０上に配線１１６が配置され、配線１１６は樹脂層７６で覆われている。
【００３５】
図４Ａ〜図４Ｅは、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程例を示す図である。なお、図４においては、図３に示す基材７０からパッシベーション膜９８までを基板１１４と、パッシベーション膜９８より上で封止層１０６より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示し、曲げ領域１２０を省略している。
【００３６】
図４Ａは、基板１１４（基材７０）上に形成された下部構造層１０８上に、封止層前駆体１０６’の形成が完成した状態を示している。具体的には、下部構造層１０８上に、基板１１４全体を覆うように第１無機絶縁材料膜１６１’を成膜した後、基板１１４の表示領域４２を覆うように封止平坦化膜１６０を形成し、次いで、基板１１４全体を覆うように第２無機絶縁材料膜１６２’を成膜して、封止層前駆体１０６’を得る。
【００３７】
図４Ｂは、タッチパネル６０の下側電極層６１’を形成する工程を示している。下側電極層６１’は、例えば、スパッタリングで金属膜を成膜することで形成される。下側電極層６１’は、少なくとも、後に第１封止膜１６１および第２封止膜１６２となる領域に対応して形成され、引出電極が形成される領域（引出電極領域１２４）には形成されないように、マスク材１２６を所定の位置に配置する。ここで、図示するように、マスク材１２６の内側に回り込んで下側電極層６１’が形成され得るため、この回り込み量を考慮してマスク材１２６を配置する。下側電極層６１’の端部は、マスク材１２６の内側への回り込み部に相当し、その上面は傾斜を有している。下側電極層６１’は、次工程の周辺部１２２の除去に利用される。
【００３８】
図５は、実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図であり、下側電極層６１’を形成してマスク材１２６を取り除いた状態を示し、図６は図５のI−I断面の一例を示す図である。なお、図５は、切断される前の状態（表示パネル中間体）の一部を示す図である。具体的には、図５に示す破線Ｌに沿って表示パネル中間体４０ａはカット（切断）され、部品が実装され、図２に示す表示パネル４０が得られる。具体的には、カット（切断）により、個々の表示パネル４０（個片）に分割される。
【００３９】
表示パネル中間体４０ａの表面全体は無機絶縁材料膜１６１’，１６２’で覆われ、無機絶縁材料膜１６１’，１６２’上に下側電極層６１’が配置されている。上述のように、下側電極層６１’は、無機絶縁材料膜１６１’，１６２’の下側電極層６１’と重ならない部分（周辺部１２２）の除去に利用されることから、表示領域４２およびその周辺領域を覆うように配置されている。
【００４０】
部品実装領域４６には引出電極領域１２４が形成されている。図６に示すように、引出電極領域１２４では、下地層８０上に配置された配線１１６が、無機絶縁材料膜１６１’に直接覆われて無機絶縁材料膜１６１’と接している。図示例では、樹脂層７６で、配線１１６の周縁が上面からから側面にかけて覆われており、無機絶縁材料膜１６１’，１６２’からエッジが露出するのを防止している。
【００４１】
配線（引出電極）１１６は、単層体であってもよいし、複数の層を含む積層体であってもよいが、図６に示す例では、複数の層を含む積層構造を有している。具体的には、電極層１１６ｂと、電極層１１６ｂの両側（厚み方向）に配置された表面保護層１１６ａ，１１６ｃとを有している。表面保護層１１６ａ，１１６ｃは、例えば、電極層１１６ｂの腐食を防止する役割を担う。電極層１１６ｂの厚みは、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍである。表面保護層１１６ａ，１１６ｃの厚みは、例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。電極層１１６ｂは、例えば、Ａｌ等の金属で形成される。表面保護層１１６ａ，１１６ｃは、例えば、Ｔｉ、Ｍｏ等の金属で形成される。配線１１６の具体例としては、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層体、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層体が挙げられる。
【００４２】
表示パネル中間体４０ａには、カットラインＬに囲まれる領域（例えば、製品には残らず廃棄される廃棄領域）にも下側電極層６１’が設けられている。下側電極層６１’は、引出電極領域１２４を囲むように配置されている。囲むように配置することにより、後述の配線１１６の消失を効果的に抑制し得る。同様の観点から、下側電極層６１’は、引出電極領域１２４近傍に配置されることが好ましい。
【００４３】
下側電極層６１’は、単層体であってもよいし、複数の層を含む積層体であってもよい。また、下側電極層６１’は、任意の適切な金属を含み得る。好ましくは、下側電極層６１’（例えば、下側電極層６１’の最表面層）は、配線１１６（配線１１６の最表面層１１６ｃ）に含まれる金属を含む。同種の金属を含むことにより、後述の配線１１６の消失を効果的に抑制し得る。１つの実施形態としては、下側電極層６１’は、図６に示す配線（引出電極）１１６と同様の構成とされる。具体例としては、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層体、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層体が挙げられる。別の実施形態としては、下側電極層６１’は、Ｔｉを含む単層体である。
【００４４】
図４Ｃは、周辺部１２２を除去する（端子出し）工程を示している。周辺部１２２の除去は、下側電極層６１’をマスクとして、エッチング（例えば、ドライエッチング）により行われる。具体的には、２層の無機絶縁材料膜１６１’，１６２’は、下側電極層６１’の外縁の位置で切断されて封止膜１６１，１６２が得られる。また、引出電極領域１２４において、配線１１６表面は露出し、封止膜１６１，１６２の外側に引出電極１１８が形成される。
【００４５】
下側電極層６１’ をマスクに用いてエッチングすることにより、製造効率に優れ得る。そして、金属膜である下側電極層６１’ をマスクに用いてエッチングすることにより、隣接する配線１１６を消失させることなく、無機絶縁材料膜１６１’，１６２’の周辺部１２２を良好に除去し得る。具体的には、エッチングにより無機絶縁材料膜である周辺部１２２の除去が進むと下層の配線１１６もエッチングされ始めるが、金属膜である下側電極層６１’が存在することにより、金属を含む層の面積が増えて、金属で形成される配線１１６の消失を遅らせる（エッチングレートを低くする）ことがでる。その結果、周辺部１２２の除去を十分に行いながら、配線１１６の消失を抑制し得る。図示するように、配線１１６が電極層１１６ｂの表面を保護する表面保護層１１６ｃを有する場合は、厚みの薄い表面保護層１１６ｃが完全に消失することを防止することができる。なお、エッチングレートは、エッチング対象物の存在領域が大きくなる程、単位面積当たりの反応種（イオン、ガス、ラジカル等）が少なくなって、エッチングによる生成物の除去が滞ることにより、下がり得ると考えられる。
【００４６】
周辺部１２２の除去に際し、マスクである下側電極層６１’もエッチングされ得る。一方で、パネル面内のバラツキを考慮して、周辺部１２２の除去を過剰に行うことが望まれる。したがって、下側電極層６１’の形成時には、エッチングの度合を考慮して、膜厚を決定するのが好ましい。
【００４７】
図４Ｄは、下側電極層６１’上に保護膜１２８を形成する工程を示している。保護膜１２８は、次工程の下側電極６１のパターン形成に利用され、所望の下側電極６１のパターンに対応するパターンに、例えば、感光性樹脂組成物を用いて形成される。その際、引出電極１１８上にも、引出電極１１８全体を覆うように保護膜１２８を形成する。
【００４８】
図４Ｅは、タッチパネル６０の下側電極６１を形成する工程を示している。下側電極６１は、保護膜１２８をマスクとして、下側電極層６１’の保護膜１２８が配置されていない領域をエッチング（例えば、ドライエッチング）により除去することにより形成される。ここで、上述のように、下側電極層６１’の外側は傾斜面を有し、下側電極層６１’の厚みは外側に向かうに従って薄くなっている。厚みの薄い薄肉部では下層の封止膜１６１，１６２までエッチングされ、封止膜１６１，１６２の外側に、外側に向かうに従って下方（基材７０が配置されている側）に向かう傾斜面１ｓが形成される。その後、図示しないが、保護膜１２８を任意の適切な処理により除去し、部品を実装し、図３に示す状態が得られる。
【００４９】
図７は、本発明の別の実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造工程を説明するための図である。本実施形態では、表示パネル中間体４０ａにおいて、下側電極層６１’が後に製品（表示パネル４０）になる領域に形成されて、廃棄領域を設けない点が、図５に示す実施形態と異なっている。
【００５０】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００５１】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５２】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、６０  タッチパネル、６１  下側電極、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、７６  樹脂層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極、１０２  有機材料層、１０４  上部電極、１０６  封止層、１１０  コンタクトホール、１１２  リブ、１１６  配線、１１８  引出電極、１２０  曲げ領域、１２４  引出電極領域、１６０  封止平坦化膜、１６１  第１封止膜、１６２  第２封止膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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