(57)【要約】【課題】  ｈｉｇｈ−ｋのゲート絶縁膜を用いつつ、リーク電流を低く抑えることができる電界効果型トランジスタの提供。【解決手段】  ゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタであって、  前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜のいずれかである第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜と接し、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物を有する第２のゲート絶縁膜と、を有する、電界効果型トランジスタである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜のいずれかである第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜と接し、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物を有する第２のゲート絶縁膜と、を有する、ことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記酸化物が、更に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかの元素を含む請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記電界効果型トランジスタが、更に、半導体層を有し、
前記第２のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接する、請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記電界効果型トランジスタが、更に、半導体層を有し、
前記第１のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接する、請求項１から２のいずれかに記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
請求項１から４のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子。
【請求項６】
前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する請求項５に記載の表示素子。
【請求項７】
画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の請求項５から６のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電界効果型トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＦＥＴ）は、ゲート電流が低いことに加え、構造が平面的であるため、バイポーラトランジスタと比較して作製及び集積化が容易である。そのため、ＦＥＴは、現在の電子機器で使用される集積回路では必要不可欠な素子となっている。
【０００３】
電界効果型トランジスタのゲート絶縁層には、従来はシリコン系の絶縁膜が広く用いられていた。しかし、近年、電界効果型トランジスタの更なる高集積化、低消費電力化の要求が高まり、ゲート絶縁層にシリコン系の絶縁膜より格段に高い比誘電率を有する所謂ｈｉｇｈ−ｋ絶縁膜を用いる技術が検討されており、例えば、アルカリ土類金属とＧａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの中から選ばれた元素とを含有する複合金属酸化物をゲート絶縁層とした電界効果型トランジスタや半導体メモリが提案されている。
【０００４】
一方、近年、基板サイズの大型化に伴う製造装置の大型化による製造コストの増大といった問題等から、半導体デバイスを塗布プロセスで製造するための技術開発が盛んに行われており、前記アルカリ土類金属とＧａ、Ｓｃ、Ｙ、及びランタノイドの中から選ばれた元素とを含有する複合金属酸化物絶縁膜に関しても、インク、絶縁膜の製造方法、半導体装置の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、前記複合金属酸化物絶縁膜の膜厚分布は、被塗布基材の材質や形状に影響されやすく、例えば電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜に前記複合金属酸化物絶縁膜を用いた場合、下層の電極（ゲート電極、またはソース・ドレイン電極）パターンの影響で膜厚が不均一となりやすく、結果、リーク電流が増加する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ｈｉｇｈ−ｋのゲート絶縁膜を用いつつ、リーク電流を低く抑えることができる電界効果型トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
本発明の電界効果型トランジスタは、
ゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜のいずれかである第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜と接し、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物を有する第２のゲート絶縁膜と、を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、ｈｉｇｈ−ｋのゲート絶縁膜を用いつつ、リーク電流を低く抑えることができる電界効果型トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの一例の概略図である。
【図２】図２は、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの一例の概略図である。
【図３】図３は、ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの他の一例の概略図である。
【図４】図４は、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの他の一例の概略図である。
【図５】図５は、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置の一例を示す概略構成図である。
【図６】図６は、図５における画像表示装置を説明するための図（その１）である。
【図７】図７は、図５における画像表示装置を説明するための図（その２）である。
【図８】図８は、図５における画像表示装置を説明するための図（その３）である。
【図９】図９は、本発明の表示素子の一例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の一例を示す概略構成図である。
【図１１】図１１は、表示素子における有機ＥＬ素子と電界効果型トランジスタの位置関係の他の一例を示す概略構成図である。
【図１２】図１２は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
【図１３】図１３は、表示制御装置を説明するための図である。
【図１４】図１４は、液晶ディスプレイを説明するための図である。
【図１５】図１５は、図１４における表示素子を説明するための図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図１６Ｆ】図１６Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図１６Ｇ】図１６Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図１６Ｈ】図１６Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図１６Ｉ】図１６Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その９）。
【図１６Ｊ】図１６Ｊは、電界効果型トランジスタの製造方法の一例を説明するための概略図である（その１０）。
【図１７Ａ】図１７Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図１７Ｃ】図１７Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図１７Ｄ】図１７Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図１７Ｅ】図１７Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図１７Ｆ】図１７Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図１７Ｇ】図１７Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図１７Ｈ】図１７Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図１７Ｉ】図１７Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。
【図１８Ａ】図１８Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図１８Ｄ】図１８Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図１８Ｅ】図１８Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図１８Ｆ】図１８Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図１８Ｇ】図１８Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図１８Ｈ】図１８Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図１８Ｉ】図１８Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。
【図１９Ａ】図１９Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図１９Ｄ】図１９Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図１９Ｅ】図１９Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図１９Ｆ】図１９Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図１９Ｇ】図１９Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図１９Ｈ】図１９Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図１９Ｉ】図１９Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。
【図１９Ｊ】図１９Ｊは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１０）。
【図２０Ａ】図２０Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図２０Ｄ】図２０Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図２０Ｅ】図２０Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図２０Ｆ】図２０Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図２０Ｇ】図２０Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図２０Ｈ】図２０Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図２０Ｉ】図２０Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。
【図２０Ｊ】図２０Ｊは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１０）。
【図２１Ａ】図２１Ａは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図２１Ｃ】図２１Ｃは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図２１Ｄ】図２１Ｄは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図２１Ｅ】図２１Ｅは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図２１Ｆ】図２１Ｆは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図２１Ｇ】図２１Ｇは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図２１Ｈ】図２１Ｈは、比較例の電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図２２Ａ】図２２Ａは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。
【図２２Ｃ】図２２Ｃは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。
【図２２Ｄ】図２２Ｄは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。
【図２２Ｅ】図２２Ｅは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。
【図２２Ｆ】図２２Ｆは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。
【図２２Ｇ】図２２Ｇは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。
【図２２Ｈ】図２２Ｈは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。
【図２２Ｉ】図２２Ｉは、電界効果型トランジスタの製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（電界効果型トランジスタ）
本発明の電界効果型トランジスタは、ゲート絶縁膜を少なくとも有し、更に必要に応じて、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、半導体層などのその他の部材を有する。
【００１１】
本発明の電界効果型トランジスタは、以下で詳しく説明するように、前記ゲート絶縁膜が、第１のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜と、を有する。
前記第１のゲート絶縁は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜のいずれかである。
前記第２のゲート絶縁膜は、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物（以下、「複合酸化物」と称することがある）を有する。
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜と接する。
【００１２】
本発明の電界効果型トランジスタはボトムゲート構造の電界効果型トランジスタに好適に用いられ、特に第２のゲート絶縁膜と半導体層を連続して成膜した後、半導体層、第２のゲート絶縁膜の順でエッチングするプロセスで作製したボトムゲートボトムコンタクト構造の電界効果型トランジスタに好適に用いられる。
【００１３】
＜ゲート絶縁膜＞
前記ゲート絶縁膜は、第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜と接する第２のゲート絶縁膜とを少なくとも有する。
前記ゲート絶縁膜は、第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜との２層構造に限定されず、更に、第３のゲート絶縁膜を有する３層構造であってもよい。
【００１４】
前記ゲート絶縁膜における、前記第１のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜の配置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記第１のゲート絶縁膜が前記第２のゲート絶縁膜よりも前記半導体層側に配置されていてもよいし、前記第２のゲート絶縁膜が前記第１のゲート絶縁膜よりも前記半導体層側に配置されていてもよい。例えば、前記第１のゲート絶縁膜が前記第２のゲート絶縁膜よりも前記半導体層側に配置され、前記第１のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接していてもよい。他方、前記第２のゲート絶縁膜が前記第１のゲート絶縁膜よりも前記半導体層側に配置され、前記第２のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接していてもよい。また、前記第１のゲート絶縁膜の上面及び側面を覆うように前記第２のゲート絶縁膜が配置されていてもよいし、前記第２のゲート絶縁膜の上面及び側面を覆うように前記第１のゲート絶縁膜が配置されていてもよい。
【００１５】
スパッタリング法、ＣＶＤ法のような真空成膜法により成膜したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜は、緻密で体積抵抗値、絶縁耐圧が高い特性が得られるメリットがあるが、等方的に堆積するため、下地の凹凸に沿って、ほぼ同じ膜厚で均一に堆積し、下地段差と変わらない絶縁膜表面段差が生じる。しかしながら、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物からなる第２のゲート絶縁膜を形成するための塗布液は、塗布直後には液体であることにより、表面張力と粘度のバランスにより、下地の凹凸を平坦化する効果が得られる。したがって、第１のゲート絶縁膜と第２のゲート絶縁膜を比較的薄く形成した場合でも、ゲート絶縁膜の上に形成したソース電極、ドレイン電極とゲート絶縁膜の下に形成してあるゲート電極間に電圧を印可した場合に電界集中が発生する確率が低くなるために、欠陥率が低下した。
【００１６】
−第１のゲート絶縁膜−
前記第１のゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化、及びシリコン酸窒化膜が好適に用いられる。
【００１７】
前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜は、スパッタリング法、ＰＬＤ法（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  パルスレーザー堆積法）ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  原子層堆積法）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  化学気相成長法）等で作製することができる。中でもＣＶＤで作製されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜は生産性が高く、欠陥が少なく優れた絶縁性を持つ安定な材料であることが知られており、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  薄膜トランジスタ）のゲート絶縁膜として広く用いられている。
【００１８】
ストイキオメトリーなシリコン酸化膜はＳｉＯ２と表記され、同様にストイキオメトリーシリコン窒化膜はＳｉ３Ｎ４と表記されるが、シリコン酸窒化膜ＳｉＯＮはＳｉＯ２とＳｉ３Ｎ４の任意の混合組成を作製することが可能であり、中間的物性を有する、例えばＳｉＯ２の比誘電率は３．９であり、Ｓｉ３Ｎ４の比誘電率は７．５であり、ＳｉＯｘＮｙはｘ及びｙの値により３．９から７．５の間の比誘電率をとる膜を作製することが可能である。
前記比誘電率は、例えば、下部電極、誘電層（前記第１のゲート絶縁膜）、及び上部電極を積層したキャパシタを作製して、ＬＣＲメータ等を用いて測定することができる。
【００１９】
スパッタリング法を用いて前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜を形成する場合はＳｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、所望の組成のＳｉＯｘＮｙのターゲットを用いて、Ａｒなどの不活性ガスと必要に応じて酸素ガス、窒素ガス等を混合した真空中でプラズマを発生させることで、前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜を形成することができる。ＰＬＤ法を用いる場合はスパッタリング法と同様なターゲットを用いて、真空中でターゲットにパルス状のレーザーを照射することにより前記シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜を形成することができる。
しかしながらスパッタリング法、ＰＬＤ法で１辺１メートル以上の大面積基板に成膜するためには、巨大なターゲット用いる必要があるため、生産性を上げることが困難である。
したがって一般的にシリコン酸化膜、シリコン窒化及びシリコン酸窒化膜を成膜するためには真空中にプラズマを発生させ、原料を分解して基板上に堆積させるプラズマＣＶＤ法を用いる場合が多い。
【００２０】
プラズマＣＶＤによりシリコン酸化膜を堆積させるためには、基板温度３００℃から４００℃でＳｉＨ３（シラン）とＯ２、Ｎ２Ｏ、Ａｒ等の混合ガスを用いて成膜することができる。また液体有機シラン材料であるテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を原料に用いる場合には、気化したＴＥＯＳとＯ２ガスの混合ガスを用いる場合には、基板温度２００℃から３００℃と比較的低温で高速にシリコン酸化膜を堆積することができる。
【００２１】
シリコン窒化膜はＳｉＨ４（シラン）、ＮＨ３（アンモニア）、Ｎ２（窒素）、Ｎ２Ｏを原料として、基板温度３００℃から４００℃でプラズマＣＶＤで成膜することができる。
シリコン窒化膜はアモルファスであり、すべてのＳｉの不対電子に完全に窒素を結合させることが困難であるため、微量の水素を添加したａ−ＳｉＮｘ：Ｈ水素化アモルファスシリコン窒化物が一般に用いられている。同様に微量の水素を添加したＳｉＯｘＮｙ：Ｈ水素化シリコン酸窒化物も用いられている。一部水素化することにより電気絶縁性が向上することが知られている。
【００２２】
第１のゲート絶縁膜が半導体層と接する場合、前記スパッタリング法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法で第１のゲート絶縁膜を設け、引き続き、真空中でスパッタリング法などで半導体層を形成することにより、第１のゲート絶縁膜と半導体層との界面が大気に晒されることなく形成できるため清浄な界面での接合ができ、第１のゲート絶縁膜と半導体層との界面（すなわち電流が流れるチャネル部分）のフォトリソグラフィによる汚染、異物の付着等の欠陥を回避することができる。
【００２３】
前記第１のゲート絶縁膜の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜２μｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。
【００２４】
−第２のゲート絶縁膜−
前記第２のゲート絶縁膜は、複合酸化物を含有する。
前記第２のゲート絶縁膜は、前記複合酸化物それ自体で形成されることが好ましい。
【００２５】
−−複合酸化物−−
前記複合酸化物は、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを少なくとも含有し、好ましくは、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、及びＴａ（タンタル）の少なくともいずれかである第Ｃ元素を含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
【００２６】
前記複合酸化物は、常誘電体アモルファス酸化物であることが好ましい。
第２のゲート絶縁膜が半導体層と接する場合、第２のゲート絶縁膜がアモルファス材料で形成されていることは、トランジスタの特性をより向上させる点で好ましい形態である。第２のゲート絶縁膜が結晶性の材料で形成されていると結晶粒界に起因するリーク電流を低く抑えることができず、トランジスタ特性の悪化につながるためである。
また、第２のゲート絶縁膜が常誘電体であることは、トランジスタのトランスファー特性におけるヒステリシスを低減させる点で必要となる。トランジスタをメモリ等の用途で使用する特殊な場合は例外であるが、通常トランジスタのスイッチング特性を利用するデバイスにおいてはヒステリシスが存在することは好ましくない。
常誘電体とは、圧電体、焦電体、強誘電体以外の誘電体であり、すなわち圧力によって分極が発生したり、外部電界のない状態で自発分極を有したりすることがない誘電体を指す。また、圧電体、焦電体及び強誘電体は、その特性を発現させるために結晶である必要がある。すなわち、第２のゲート絶縁膜をアモルファス材料で形成すると、必然的にこの第２のゲート絶縁膜は常誘電体となる。
【００２７】
前記常誘電体アモルファス酸化物は、大気中において安定であり、かつ広範な組成範囲で安定的にアモルファス構造を形成することができる。これは、本発明者らが、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含む酸化物系が、大気中において安定であり、かつ広範な組成範囲で安定的にアモルファス構造を形成することができること、を見出したことによる。
【００２８】
一般的に、アルカリ土類金属の単純酸化物は、大気中の水分や二酸化炭素と反応しやすく、容易に水酸化物や炭酸塩を形成してしまい、単独では電子デバイスへの応用は適さない。また、希土類元素の単純酸化物は、結晶化しやすく、電子デバイスへの応用を考えたときにリーク電流が問題となる。しかしながら、本発明者らは、アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素とを含有した前記常誘電体アモルファス酸化物が、広範な組成範囲で安定的にアモルファス膜を形成することを見出した。前記常誘電体アモルファス酸化物は、広範な組成範囲で安定的に存在するため、その組成比によって、形成される常誘電体アモルファス酸化物の比誘電率、及び線膨張係数を広範に制御することができる。
【００２９】
前記複合酸化物は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかである第Ｃ元素を含有することが好ましい。前記複合酸化物が前記Ａｌ、前記Ｔｉ、前記Ｚｒ、前記Ｈｆ、前記Ｎｂ、及び前記Ｔａの少なくともいずれかを含有することにより、熱安定性、耐熱性、及び緻密性をより向上させることができる。
【００３０】
前記複合酸化物において、前記アルカリ土類金属である第Ａ元素としては、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｂａ（バリウム）が挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
前記複合酸化物において、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素としては、Ｇａ（ガリウム）、Ｓｃ（スカンジウム）、Ｙ（イットリウム）、Ｌａ（ランタン）、Ｐｒ（プラセオジム）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｐｍ（プロメチウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユウロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｌｕ（ルテチウム）が挙げられる。
【００３２】
前記複合酸化物における前記アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素との組成比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
前記複合酸化物において、前記アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素との組成比（前記第Ａ元素：前記第Ｂ元素）としては、酸化物（ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｍ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３）換算で、１０．０ｍｏｌ％〜６７．０ｍｏｌ％：３３．０ｍｏｌ％〜９０．０ｍｏｌ％が好ましい。
【００３３】
前記複合酸化物における前記アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素と、前記Ａｌ、前記Ｔｉ、前記Ｚｒ、前記Ｈｆ、前記Ｎｂ、及び前記Ｔａの少なくともいずれかである第Ｃ元素との組成比としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下の範囲であることが好ましい。
【００３４】
前記複合酸化物において、前記アルカリ土類金属である第Ａ元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかである第Ｂ元素と、前記Ａｌ、前記Ｔｉ、前記Ｚｒ、前記Ｈｆ、前記Ｎｂ、及び前記Ｔａの少なくともいずれかである第Ｃ元素との組成比（前記Ａ元素：前記Ｂ元素：前記Ｃ元素）としては、酸化物（ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｍ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５）換算で、５．０ｍｏｌ％〜２２．０ｍｏｌ％：３３．０ｍｏｌ％〜９０．０ｍｏｌ：５．０ｍｏｌ％〜４５．０ｍｏｌ％が好ましい。
【００３５】
前記複合酸化物における酸化物（ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｇａ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｐｒ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、Ｐｍ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５）の割合は、例えば、蛍光Ｘ線分析、電子線マイクロ分析（ＥＰＭＡ）、誘電結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）等により酸化物の陽イオン元素を分析することにより算出できる。
【００３６】
前記第２のゲート絶縁膜の比誘電率としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第２のゲート絶縁膜の比誘電率は、たとえば、前記第１のゲート絶縁膜の比誘電率と同様の手法で測定することができる。
【００３７】
前記第２のゲート絶縁膜の線膨張係数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記線膨張係数は、例えば、熱機械分析装置を用いて測定することができる。この測定においては、前記電界効果型トランジスタを作製せずとも、前記第２のゲート絶縁膜と同じ組成の測定用サンプルを別途作製して測定することで、前記線膨張係数を測定することができる。
【００３８】
前記第２のゲート絶縁膜の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜２μｍが好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。
【００３９】
−−絶縁膜形成用インク−−
前記第２のゲート絶縁膜は、例えば、ゲート絶縁膜形成用インクを塗布することで形成することができる。
【００４０】
前記ゲート絶縁膜形成用インクは、例えば、金属の金属有機酸塩及び有機金属錯体の少なくとも一つを含む。尚、本発明において、「有機金属錯体」とは、金属−炭素結合を有する有機金属化合物と、配位結合を有する金属錯体との、両者を含んでいる。
【００４１】
また、前記金属有機酸塩は、例えば、置換若しくは無置換のカルボン酸塩である。一例として、酢酸マグネシウム、プロピオン酸カルシウム、ナフテン酸ジルコニウム、オクチル酸バリウム、２−エチルヘキサン酸ランタン、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４２】
また、前記有機金属錯体は、例えば、アセチルアセトナート誘導体、置換若しくは無置換のフェニル基、或いは置換若しくは無置換のアルコキシ基を含む。一例として、ストロンチウムアセチルアセトナート水和物、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタネディオネート）ネオジウム、テトラエトキシアセチルアセトナトタンタル、チタニウムブトキシド、アルミニウムジ（ｓ−ブトキシド）アセト酢酸エステルキレート、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４３】
更に、前記有機金属錯体は、カルボニル基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のシクロジエニル基を含む有機金属錯体であってもよい。一例として、ニオブペンタカルボニル、トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム、テトラベンジルハフニウム、ジエチルアルミニウム、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４４】
また、更には、前記第２のゲート絶縁膜形成用インクは、例えば、前記金属の無機塩を含む。一例として、炭酸ストロンチウム、硝酸スカンジウム水和物、硫酸ガリウム、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４５】
前記ゲート絶縁膜形成用インクに使用される溶媒は、金属原料化合物を安定に溶解若しくは分散することが可能な溶媒を適切に選択して使用することが出来る。一例として、トルエン、イソプロパノール、安息香酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、炭酸プロピレン、２−エチルヘキサン酸、ミネラルスピリッツ、ジメチルプロピレンウレア、４−ブチロラクトン、２−メトキシエタノール、水、等を用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４６】
また、塗布する方法や下地に合わせて、粘度調整用の増粘剤や界面活性剤などを添加しても良い。
【００４７】
本発明者らは、ゲート絶縁膜を、エッチング選択比の異なる前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜の積層構造とすることで、ゲート絶縁膜を形成する工程より後の工程で形成されるゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極の材料の選択肢が大幅に広がることを見出した。
【００４８】
後述する図１と図２のボトムゲート型の電界効果型トランジスタにおいては、ゲート絶縁膜上の前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層をエッチングする際に、前記第１のゲート絶縁膜がエッチングされてしまうのを前記第２のゲート絶縁膜が防ぐことができる。よって、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層のエッチング時に前記第１のゲート絶縁膜をエッチングしてしまうエッチャントも前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層のエッチャントとして使用することができる。エッチャントの材料の選択肢が広がることで、ゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極の材料の選択肢も大幅に広がる。
図３と図４のボトムゲート型の電界効果型トランジスタにおいては、前記ゲート絶縁膜上の前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層をエッチングする際に、前記第２のゲート絶縁膜がエッチングされてしまうのを前記第１のゲート絶縁膜が防ぐことができる。よって、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層のエッチング時に前記ゲート絶縁膜をエッチングしてしまうエッチャントも前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記半導体層のエッチャントとして使用することができる。エッチャントの材料の選択肢が広がることで、ゲート電極、半導体層、ソース電極、及びドレイン電極の材料の選択肢も大幅に広がる。
【００４９】
本発明者らは、ゲート絶縁膜を、前記第１のゲート絶縁膜、及び前記第１のゲート絶縁膜に接する前記第２のゲート絶縁膜の積層構造とすることで、大気中の水分、酸素、水素に対して優れたバリア性を示すことを見出した。従って、前記ゲート絶縁膜を用いたトップゲート型の電界効果型トランジスタにおいては、前記ゲート絶縁膜によって、半導体層から大気中の水分、酸素、水素が隔離され、保護層のない状態でも、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動が小さく、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
【００５０】
また、本発明者らは、ゲート絶縁膜を、前記第１のゲート絶縁膜、及び前記第１のゲート絶縁膜に接する前記第２のゲート絶縁膜の積層構造とし、前記第２のゲート絶縁膜が、半導体層と接するように配置することで、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層間での界面の欠陥が少ない構造が作り出せることを見出した。従って、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層を組み合わせた電界効果型トランジスタは、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間の界面の欠陥が少なく、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さくなり、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。また、前記半導体層に酸化物半導体を用いることで、より前記ゲート絶縁膜と半導体層の界面の欠陥が少なくなり、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量がより小さくなり、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
【００５１】
＜ゲート電極＞
前記ゲート電極としては、前記電界効果型トランジスタにゲート電圧を印加するための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００５２】
前記ゲート電極は、例えば、前記ゲート絶縁膜と接し、前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体層と対向する。
【００５３】
前記ゲート電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００５４】
−ゲート電極の形成方法−
前記ゲート電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００５５】
前記ゲート電極の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００５６】
＜ソース電極、及びドレイン電極＞
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極としては、前記電界効果型トランジスタから電流を取り出すための電極であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００５７】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極は、例えば、前記ゲート絶縁膜と接するように形成される。
【００５８】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属及びこれらの合金、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、アンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）等の透明導電性酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）等の有機導電体などが挙げられる。
【００５９】
−ソース電極、及びドレイン電極の形成方法−
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（ｉ）スパッタ法、ディップコーティング法等による成膜後、フォトリソグラフィによってパターニングする方法、（ｉｉ）インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷プロセスによって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００６０】
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０ｎｍ〜１μｍが好ましく、５０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００６１】
＜半導体層＞
前記半導体層は、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成される。
ここで、「間」とは、前記半導体層が前記ソース電極及び前記ドレイン電極と共に、前記電界効果型トランジスタを機能させるような位置であり、そのような位置であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６２】
前記半導体層は、例えば、前記ゲート絶縁膜、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する。
【００６３】
前記半導体層の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シリコン半導体、酸化物半導体などが挙げられる。
前記シリコン半導体としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコンなどが挙げられる。
前記酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏなどが挙げられる。
これらのなかでも、酸化物半導体が好ましい。
【００６４】
−半導体層の形成方法−
前記半導体層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スパッタ法、パルスレーザーデポジッション（ＰＬＤ）法、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、原子層蒸着（ＡＬＤ）法等の真空プロセスや、ディップコーティング、スピンコート、ダイコート等の溶液プロセスによる成膜後、フォトリソグラフィーによってパターニングする方法、インクジェット、ナノインプリント、グラビア等の印刷法によって、所望の形状を直接成膜する方法などが挙げられる。
【００６５】
前記半導体層の平均膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．５μｍがより好ましい。
【００６６】
＜電界効果型トランジスタ＞
本発明の電界効果型トランジスタの一例を図を用いて説明する。
図１のように、電界効果型トランジスタ１０は、基材１１と、ゲート電極１２と、第１のゲート絶縁膜１３と、第２のゲート絶縁膜１４と、半導体層１５と、ソース電極１６と、ドレイン電極１７とを有するボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタである。図１では第１のゲート絶縁膜上に第２のゲート絶縁膜が形成されているが、図２のようにボトムゲート／ボトムコンタクト型でもよい。
また、図３及び図４に示すように、図１及び図２の電界効果トランジスタにおいて、第１のゲート絶縁膜、及び第２のゲート絶縁膜が、逆に配されていてもよい。
更に、本発明の電界効果型トランジスタは、トップゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタであってもよいし、トップゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタであってもよい。
【００６７】
（表示素子）
本発明の表示素子は、少なくとも、光制御素子と、前記光制御素子を駆動する駆動回路とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００６８】
＜光制御素子＞
前記光制御素子としては、駆動信号に応じて光出力を制御する素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、エレクトロクロミック（ＥＣ）素子、液晶素子、電気泳動素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。
【００６９】
＜駆動回路＞
前記駆動回路としては、本発明の前記電界効果型トランジスタを有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７０】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７１】
前記表示素子は、本発明の前記電界効果型トランジスタを有しているため、高速駆動が可能、長寿命、かつ素子間のばらつきを小さくすることが可能となる。また、前記表示素子に経時変化が起きても駆動トランジスタを一定のゲート電圧で動作させることができる。
【００７２】
（画像表示装置）
本発明の画像表示装置は、少なくとも、複数の表示素子と、複数の配線と、表示制御装置とを有し、更に必要に応じて、その他の部材を有する。
【００７３】
＜複数の表示素子＞
前記複数の表示素子としては、マトリックス状に配置された複数の本発明の前記表示素子である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７４】
＜複数の配線＞
前記複数の配線は、前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７５】
＜表示制御装置＞
前記表示制御装置としては、画像データに応じて、各電界効果型トランジスタのゲート電圧と信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御可能である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７６】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記画像表示装置は、本発明の前記表示素子を有しているため、素子間のばらつきも小さくすることが可能になり、大画面で高品質の画像を表示することが可能となる。
【００７７】
（システム）
本発明のシステムは、少なくとも、本発明の前記画像表示装置と、画像データ作成装置とを有する。
前記画像データ作成装置は、表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する。
前記システムは、本発明の前記画像表示装置を備えているため、画像情報を高精細に表示することが可能となる。
【００７８】
以下、本発明の表示素子、画像表示装置、及びシステムを、図を用いて説明する。
まず、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置を、図５を用いて説明する。なお、図５の構成は一例であって、本発明のシステムとしてのテレビジョン装置は、これに限定されない。
【００７９】
図５において、テレビジョン装置１００は、主制御装置１０１、チューナ１０３、ＡＤコンバータ（ＡＤＣ）１０４、復調回路１０５、ＴＳ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｓｔｒｅａｍ）デコーダ１０６、音声デコーダ１１１、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２、音声出力回路１１３、スピーカ１１４、映像デコーダ１２１、映像・ＯＳＤ合成回路１２２、映像出力回路１２３、画像表示装置１２４、ＯＳＤ描画回路１２５、メモリ１３１、操作装置１３２、ドライブインターフェース（ドライブＩＦ）１４１、ハードディスク装置１４２、光ディスク装置１４３、ＩＲ受光器１５１、及び通信制御装置１５２を備える。
映像デコーダ１２１と、映像・ＯＳＤ合成回路１２２と、映像出力回路１２３と、ＯＳＤ描画回路１２５とが、画像データ作成装置を構成する。
【００８０】
主制御装置１０１は、ＣＰＵ、フラッシュＲＯＭ、及びＲＡＭなどから構成され、テレビジョン装置１００の全体を制御する。
前記フラッシュＲＯＭには、前記ＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム、及び前記ＣＰＵでの処理に用いられる各種データなどが格納されている。
また、ＲＡＭは、作業用のメモリである。
【００８１】
チューナ１０３は、アンテナ２１０で受信された放送波の中から、予め設定されているチャンネルの放送を選局する。
【００８２】
ＡＤＣ１０４は、チューナ１０３の出力信号（アナログ情報）をデジタル情報に変換する。
【００８３】
復調回路１０５は、ＡＤＣ１０４からのデジタル情報を復調する。
【００８４】
ＴＳデコーダ１０６は、復調回路１０５の出力信号をＴＳデコードし、音声情報及び映像情報を分離する。
【００８５】
音声デコーダ１１１は、ＴＳデコーダ１０６からの音声情報をデコードする。
【００８６】
ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２は、音声デコーダ１１１の出力信号をアナログ信号に変換する。
【００８７】
音声出力回路１１３は、ＤＡコンバータ（ＤＡＣ）１１２の出力信号をスピーカ１１４に出力する。
【００８８】
映像デコーダ１２１は、ＴＳデコーダ１０６からの映像情報をデコードする。
【００８９】
映像・ＯＳＤ合成回路１２２は、映像デコーダ１２１の出力信号とＯＳＤ描画回路１２５の出力信号を合成する。
【００９０】
映像出力回路１２３は、映像・ＯＳＤ合成回路１２２の出力信号を画像表示装置１２４に出力する。
【００９１】
ＯＳＤ描画回路１２５は、画像表示装置１２４の画面に文字や図形を表示するためのキャラクタ・ジェネレータを備えており、操作装置１３２、ＩＲ受光器１５１からの指示に応じて表示情報が含まれる信号を生成する。
【００９２】
メモリ１３１には、ＡＶ（Ａｕｄｉｏ−Ｖｉｓｕａｌ）データ等が一時的に蓄積される。
【００９３】
操作装置１３２は、例えば、コントロールパネルなどの入力媒体（図示省略）を備え、ユーザから入力された各種情報を主制御装置１０１に通知する。
【００９４】
ドライブＩＦ１４１は、双方向の通信インターフェースであり、一例としてＡＴＡＰＩ（ＡＴ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）に準拠している。
【００９５】
ハードディスク装置１４２は、ハードディスクと、該ハードディスクを駆動するための駆動装置などから構成されている。駆動装置は、ハードディスクにデータを記録するとともに、ハードディスクに記録されているデータを再生する。
【００９６】
光ディスク装置１４３は、光ディスク（例えば、ＤＶＤなど）にデータを記録するとともに、光ディスクに記録されているデータを再生する。
【００９７】
ＩＲ受光器１５１は、リモコン送信機２２０からの光信号を受信し、主制御装置１０１に通知する。
【００９８】
通信制御装置１５２は、インターネットとの通信を制御する。インターネットを介して各種情報を取得することができる。
【００９９】
図６は、本発明の画像表示装置の一例を示す概略構成図である。
図６において、画像表示装置１２４は、表示器３００と、表示制御装置４００とを有する。
表示器３００は、図７に示されるように、複数（ここでは、ｎ×ｍ個）の表示素子３０２がマトリックス状に配置されたディスプレイ３１０を有する。
また、ディスプレイ３１０は、図８に示されるように、Ｘ軸方向に沿って等間隔に配置されているｎ本の走査線（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、・・・、Ｘｎ−２、Ｘｎ−１）と、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本のデータ線（Ｙ０、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、・・・、Ｙｍ−１）、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されているｍ本の電流供給線（Ｙ０ｉ、Ｙ１ｉ、Ｙ２ｉ、Ｙ３ｉ、・・・・・、Ｙｍ−１ｉ）とを有する。
よって、走査線とデータ線とによって、表示素子を特定することができる。
【０１００】
以下、本発明の表示素子を図９を用いて説明する。
図９は、本発明の表示素子の一例を示す概略構成図である。
前記表示素子は、一例として図９に示されるように、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子３５０と、該有機ＥＬ素子３５０を発光させるためのドライブ回路３２０とを有している。ドライブ回路３２０は電流駆動型の２Ｔｒ−１Ｃの基本回路であるが、これに限定されるものではない。即ち、ディスプレイ３１０は、いわゆるアクティブマトリックス方式の有機ＥＬディスプレイである。
【０１０１】
図１０には、表示素子３０２における有機ＥＬ素子３５０とドライブ回路としての電界効果型トランジスタ２０との位置関係の一例が示されている。ここでは、電界効果型トランジスタ２０の横に有機ＥＬ素子３５０が配置されている。なお、電界効果型トランジスタ１０及びキャパシタ（図示せず）も同一基材上に形成されている。
【０１０２】
図１０には図示されていないが、活性層２２の上部に保護膜を設けることも好適である。前記保護膜の材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、フッ素系ポリマー等、適宜利用できる。なお、符号２１は基板を示し、符号２３はソース電極を示し、符号２４はドレイン電極を示し、符号２５はゲート絶縁膜を示し、符号２６はゲート電極を示す。
【０１０３】
また、例えば、図１１に示されるように、電界効果型トランジスタ２０の上に有機ＥＬ素子３５０が配置されてもよい。この場合には、ゲート電極２６に透明性が要求されるので、ゲート電極２６には、ＩＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｇａが添加されたＺｎＯ、Ａｌが添加されたＺｎＯ、Ｓｂが添加されたＳｎＯ２などの導電性を有する透明な酸化物が用いられる。なお、符号３６０は層間絶縁膜（平坦化膜）である。この層間絶縁膜にはポリイミドやアクリル系の樹脂等を利用できる。
【０１０４】
図１２は、有機ＥＬ素子の一例を示す概略構成図である。
図１２において、有機ＥＬ素子３５０は、陰極３１２と、陽極３１４と、有機ＥＬ薄膜層３４０とを有する。
【０１０５】
陰極３１２の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）−リチウム（Ｌｉ）合金、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などが挙げられる。なお、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）合金は、充分厚ければ高反射率電極となり、極薄膜（２０ｎｍ程度未満）では半透明電極となる。図１２では陽極側から光を取り出しているが、陰極を透明、又は半透明電極とすることによって陰極側から光を取り出すことができる。
【０１０６】
陽極３１４の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、銀（Ａｇ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金などが挙げられる。なお、銀合金を用いた場合は、高反射率電極となり、陰極側から光を取り出す場合に好適である。
【０１０７】
有機ＥＬ薄膜層３４０は、電子輸送層３４２と、発光層３４４と、正孔輸送層３４６とを有する。電子輸送層３４２は、陰極３１２に接続され、正孔輸送層３４６は、陽極３１４に接続されている。陽極３１４と陰極３１２との間に所定の電圧を印加すると、発光層３４４が発光する。
【０１０８】
ここで、電子輸送層３４２と発光層３４４が１つの層を形成してもよく、また、電子輸送層３４２と陰極３１２との間に電子注入層が設けられてもよく、更に、正孔輸送層３４６と陽極３１４との間に正孔注入層が設けられてもよい。
【０１０９】
また、基材側から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション」の場合について説明したが、基材と反対側から光を取り出す「トップエミッション」であってもよい。
【０１１０】
図９におけるドライブ回路３２０について説明する。
ドライブ回路３２０は、２つの電界効果型トランジスタ１０及び２０と、キャパシタ３０を有する。
【０１１１】
電界効果型トランジスタ１０は、スイッチ素子として動作する。電界効果型トランジスタ１０のゲート電極Ｇは、所定の走査線に接続され、電界効果型トランジスタ１０のソース電極Ｓは、所定のデータ線に接続されている。また、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄは、キャパシタ３０の一方の端子に接続されている。
【０１１２】
電界効果型トランジスタ２０は、有機ＥＬ素子３５０に電流を供給する。電界効果型トランジスタ２０のゲート電極Ｇは、電界効果型トランジスタ１０のドレイン電極Ｄと接続されている。そして、電界効果型トランジスタ２０のドレイン電極Ｄは、有機ＥＬ素子３５０の陽極３１４に接続され、電界効果型トランジスタ２０のソース電極Ｓは、所定の電流供給線に接続されている。
【０１１３】
キャパシタ３０は、電界効果型トランジスタ１０の状態、即ちデータを記憶する。キャパシタ３０の他方の端子は、所定の電流供給線に接続されている。
【０１１４】
そこで、電界効果型トランジスタ１０が「オン」状態になると、信号線Ｙ２を介して画像データがキャパシタ３０に記憶され、電界効果型トランジスタ１０が「オフ」状態になった後も、電界効果型トランジスタ２０を画像データに対応した「オン」状態に保持することによって、有機ＥＬ素子３５０は駆動される。
【０１１５】
図１３は、本発明の画像表示装置の他の一例を示す概略構成図である。
図１３において、画像表示装置は、表示素子３０２と、配線（走査線、データ線、電流供給線）と、表示制御装置４００とを有する。
表示制御装置４００は、画像データ処理回路４０２と、走査線駆動回路４０４と、データ線駆動回路４０６とを有する。
画像データ処理回路４０２は、映像出力回路１２３の出力信号に基づいて、ディスプレイにおける複数の表示素子３０２の輝度を判断する。
走査線駆動回路４０４は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｎ本の走査線に個別に電圧を印加する。
データ線駆動回路４０６は、画像データ処理回路４０２の指示に応じてｍ本のデータ線に個別に電圧を印加する。
【０１１６】
また、上記実施形態では、光制御素子が有機ＥＬ素子の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、光制御素子がエレクトロクロミック素子であってもよい。この場合は、上記ディスプレイは、エレクトロクロミックディスプレイとなる。
【０１１７】
また、前記光制御素子が液晶素子であってもよく、この場合ディスプレイは、液晶ディスプレイとなり、図１４に示されるように、表示素子３０２’に対する電流供給線は不要となる。また、図１５に示されるように、ドライブ回路３２０’は、電界効果型トランジスタ１０及び２０と同様の１つの電界効果型トランジスタ４０により構成することができる。電界効果型トランジスタ４０において、ゲート電極Ｇが所定の走査線に接続され、ソース電極Ｓが所定のデータ線に接続されている。また、ドレイン電極Ｄが、キャパシタ３６１及び液晶素子３７０の画素電極に接続されている。
【０１１８】
また、前記光制御素子は、電気泳動素子、無機ＥＬ素子、エレクトロウェッティング素子であってもよい。
【０１１９】
以上、本発明のシステムがテレビジョン装置である場合について説明したが、これに限定されるものではなく、画像及び情報を表示する装置として画像表示装置１２４を備えていればよい。例えば、コンピュータ（パソコンを含む）と画像表示装置１２４とが接続されたコンピュータシステムであってもよい。
【０１２０】
また、携帯電話、携帯型音楽再生装置、携帯型動画再生装置、電子ＢＯＯＫ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）などの携帯情報機器、スチルカメラやビデオカメラなどの撮像機器における表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。また、車、航空機、電車、船舶等の移動体システムにおける各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。さらに、計測装置、分析装置、医療機器、広告媒体における各種情報の表示手段に画像表示装置１２４を用いることができる。
【実施例】
【０１２１】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【０１２２】
（実施例１）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例１では、図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を、図１６Ａ〜図１６Ｊを用いて説明する。
【０１２３】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
基材１１上に、ＤＣスパッタリングにより、膜厚３０ｎｍ／２００ｎｍ／２０ｎｍのＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜（ゲート電極前駆体１２Ａ）を成膜した（図１６Ａ）。成膜したＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜（ゲート電極前駆体１２Ａ）上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状のゲート電極１２を形成した（図１６Ｂ）。
【０１２４】
＜＜第１のゲート絶縁膜の形成＞＞
基材１１上およびゲート電極１２上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜（第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ）を成膜した（図１６Ｃ）。ＳｉＯ２膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図１６Ｄ）。
【０１２５】
＜＜第２のゲート絶縁膜の形成＞＞
次に、第２のゲート絶縁膜１４を形成した。まず、第２のゲート絶縁膜形成用塗布液を作製した。具体的には、シクロヘキシルベンゼン１．２ｍＬに、２−エチルヘキサン酸ランタントルエン溶液（Ｌａ含量７％、Ｗａｋｏ  １２２−０３３７１、株式会社ワコーケミカル製）１．９５ｍＬと、２−エチルヘキサン酸ストロンチウムトルエン溶液（Ｓｒ含量２％、Ｗａｋｏ  １９５−０９５６１、株式会社ワコーケミカル製）０．５７ｍＬと、２−エチルヘキサン酸酸化ジルコニウムミネラルスピリット溶液（Ｚｒ含量１２％、Ｗａｋｏ  ２６９−０１１１６、株式会社ワコーケミカル製）０．０９ｍＬとを混合し、第２のゲート絶縁膜形成用塗布液を得た。
【０１２６】
次に、第２のゲート絶縁膜形成用塗布液を第１のゲート絶縁膜１３上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、常誘電体であり、アモルファスであるストロンチウムランタンジルコニウム酸化物（第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ）を得た（図１６Ｅ）。膜厚は約１００ｎｍであった。
【０１２７】
アモルファスストロンチウムランタンジルコニウム酸化物膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の第２のゲート絶縁膜１４を形成した（図１６Ｆ）。
【０１２８】
＜＜半導体層の形成＞＞
次に、半導体層１５を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜（半導体層前駆体１５Ａ）を平均膜厚が約２０ｎｍとなるように成膜した（図１６Ｇ）。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の半導体層１５を形成した（図１６Ｈ）。
【０１２９】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
次に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した。
具体的には、第２のゲート絶縁膜１４及び半導体層１５上に、ＤＣスパッタリングにより、厚み３０ｎｍ／２００ｎｍ／２０ｎｍなるようにＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜（電極前駆体１６Ａ）を形成した（図１６Ｉ）。成膜したＭｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状のソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１６Ｊ）。
【０１３０】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１３１】
以上のようにフォトマスク５枚を用いて５回のフォトリソグラフィ及びエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１３２】
（実施例２）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例２では、図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図１７Ａ〜図１７Ｉを用いて説明する。
【０１３３】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図１７Ａ及び図１７Ｂ）。
【０１３４】
＜＜第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜の形成＞＞
基材１１上およびゲート電極１２上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜（第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ）を成膜した（図１７Ｃ）。
【０１３５】
実施例１と同様にして、ＳｉＯ２膜上に、膜厚１００ｎｍのストロンチウムランタンジルコニウム酸化物（第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ）を得た（図１７Ｄ）。
【０１３６】
アモルファスストロンチウムランタンジルコニウム酸化物膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、まず、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行い、引き続き第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａのエッチングを行い、所定の形状の第２のゲート絶縁膜１４、第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図１７Ｅ）。
【０１３７】
＜＜半導体層の形成＞＞
次に、実施例１と同様に半導体層１５を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜（半導体層前駆体１５Ａ）を平均膜厚が約２０ｎｍとなるように成膜した（図１７Ｆ）。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の半導体層１５を形成した（図１７Ｇ）。
【０１３８】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１７Ｈ及び図１７Ｉ）。
【０１３９】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１４０】
以上のようにフォトマスク４枚を用いて４回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１４１】
（実施例３）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例３では図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図１８Ａ〜図１８Ｉを用いて説明する。
【０１４２】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図１８Ａ及び図１８Ｂ）。
【０１４３】
＜＜第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜、半導体層の形成＞＞
実施例１と同様に第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ、半導体層前駆体１５Ａを連続して作製し積層膜を形成した（図１８Ｃ〜図１８Ｅ）。
半導体のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、半導体層前駆体１５Ａのエッチングを行うことにより半導体層１５のパターンを形成した（図１８Ｆ）。引き続き第２のゲート絶縁膜のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行うことにより第２のゲート絶縁膜１４のパターンを形成した。そのまま第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａをエッチングすることにより第１のゲート絶縁膜１３のパターンを形成した（図１８Ｇ）。
【０１４４】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１８Ｈ及び図１８Ｉ）。
【０１４５】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１４６】
以上のようにフォトマスク４枚を用いて４回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１４７】
（実施例４）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例３では図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図１９Ａ〜図１９Ｊを用いて説明する。
【０１４８】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図１９Ａ及び図１９Ｂ）。
【０１４９】
＜＜第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜、半導体層の形成＞＞
実施例１と同様に第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ、半導体層前駆体１５Ａを連続して作製し積層膜を形成した（図１９Ｃ〜図１９Ｅ）。
半導体のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、半導体層前駆体１５Ａのエッチングを行うことにより半導体層１５のパターンを形成した（図１９Ｆ）。引き続き第２のゲート絶縁膜のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行うことにより第２のゲート絶縁膜１４のパターンを形成した（図１９Ｇ）。引き続き第１のゲート絶縁膜のフォトマスクを用いて第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａをエッチングすることにより第１のゲート絶縁膜１３のパターンを形成した。（図１９Ｈ）。
【０１５０】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１９Ｉ及び図１９Ｊ）。
【０１５１】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１５２】
以上のようにフォトマスク５枚を用いて５回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１５３】
（実施例５）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例５では図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図２０Ａ〜図２０Ｊを用いて説明する。
【０１５４】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図２０Ａ及び図２０Ｂ）。
【０１５５】
＜＜第１のゲート絶縁膜の形成＞＞
実施例１と同様に第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図２０Ｃ及び図２０Ｄ）。
【０１５６】
＜＜第２のゲート絶縁膜、半導体層の形成＞＞
実施例１と同様に第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ、半導体層前駆体１５Ａを連続して作製し積層膜を形成した（図２０Ｅ及び図２０Ｆ）。
半導体のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、半導体層前駆体１５Ａのエッチングを行うことにより半導体層１５のパターンを形成した（図２０Ｇ）。引き続き第２のゲート絶縁膜のフォトマスクを用いて、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行うことにより第２のゲート絶縁膜１４のパターンを形成した（図２０Ｈ）。
【０１５７】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図２０Ｉ及び図２０Ｊ）。
【０１５８】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１５９】
以上のようにフォトマスク５枚を用いて５回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１６０】
（比較例１）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
比較例１では図２１Ｈに示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図２１Ａ〜図２１Ｈを用いて説明する。
【０１６１】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図２１Ａ及び図２１Ｂ）。
【０１６２】
＜＜ゲート絶縁膜、半導体層の形成＞＞
実施例１の＜＜第２のゲート絶縁膜の形成＞＞と同様にして、ゲート絶縁膜前駆体１３０Ａを形成し、更にフォトリソグラフィによりゲート絶縁膜１３０を形成した（図２１Ｃ及び図２１Ｄ）。更に実施例１の＜＜半導体層の形成＞＞と同様にして、半導体層１５を形成した（図２１Ｅ及び図２１Ｆ）。
【０１６３】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図２１Ｇ及び図２１Ｈ）。
【０１６４】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１６５】
以上のように電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１６６】
（実施例６）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例６では、図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図１７Ａ〜図１７Ｉを用いて説明する。
【０１６７】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図１７Ａ及び図１７Ｂ）。
【０１６８】
＜＜第１のゲート絶縁膜の形成＞＞
基材１１上およびゲート電極１２上に、ＳｉターゲットとＡｒ、Ｏ２、Ｎ２混合ガスを用いてＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ１．８Ｎ０．１３膜（第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ）を成膜した（図１７Ｃ）。
【０１６９】
＜＜第２のゲート絶縁膜の形成＞＞
実施例１と同様にして、ＳｉＯ２膜上に、膜厚１００ｎｍのストロンチウムランタンジルコニウム酸化物（第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ）を得た（図１７Ｄ）。
【０１７０】
アモルファスストロンチウムランタンジルコニウム酸化物膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、まず、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行い、引き続き第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａのエッチングを行い、所定の形状の第２のゲート絶縁膜１４、第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図１７Ｅ）。
【０１７１】
＜＜半導体層の形成＞＞
次に、実施例１と同様に半導体層１５を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜（半導体層前駆体１５Ａ）を平均膜厚が約２０ｎｍとなるように成膜した（図１７Ｆ）。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の半導体層１５を形成した（図１７Ｇ）。
【０１７２】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１７Ｈ及び図１７Ｉ）。
【０１７３】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１７４】
以上のようにフォトマスク４枚を用いて４回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１７５】
（実施例７）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例７では、図１に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図１７Ａ〜図１７Ｉを用いて説明する。
＜＜ゲート電極の形成＞＞
実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図１７Ａ及び図１７Ｂ）。
【０１７６】
＜＜第１のゲート絶縁膜の形成＞＞
基材１１上およびゲート電極１２上に、ＳｉターゲットとＡｒ、Ｎ２混合ガスを用いてＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍのＳｉ３Ｎ４膜を成膜した。
【０１７７】
＜＜第２のゲート絶縁膜の形成＞＞
実施例１と同様にして、ＳｉＯ２膜上に、膜厚１００ｎｍのストロンチウムランタンジルコニウム酸化物（第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ）を得た（図１７Ｄ）。
【０１７８】
アモルファスストロンチウムランタンジルコニウム酸化物膜上にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、まず、第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行い、引き続き第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａのエッチングを行い、所定の形状の第２のゲート絶縁膜１４、第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図１７Ｅ）。
【０１７９】
＜＜半導体層の形成＞＞
次に、実施例１と同様に半導体層１５を形成した。具体的には、ＤＣスパッタリングにより、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物（Ｉｎ２ＭｇＯ４）膜（半導体層前駆体１５Ａ）を平均膜厚が約２０ｎｍとなるように成膜した（図１７Ｆ）。この後、Ｍｇ−Ｉｎ系酸化物膜上に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、エッチングを行って、所定の形状の半導体層１５を形成した（図１７Ｇ）。
【０１８０】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図１７Ｈ及び図１７Ｉ）。
【０１８１】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１８２】
以上のようにフォトマスク４枚を用いて４回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１８３】
（実施例８）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例１と同様に電界効果型トランジスタを作製した。
ただし第２のゲート絶縁膜形成用塗布液として、２−エチルヘキサン酸カルシウムミネラルスピリット溶液（Ｃａ含量５ｗｔ％、ワコーケミカル３５１−０１１６２）２．４ｍＬと２−エチルヘキサン酸イットリウムトルエン溶液（Ｙ含量８ｗｔ％、和光純薬工業２５８−００３０１）７．８ｍＬを混合し、更にトルエン１０ｍＬを加え希釈した塗布液を用いて第２のゲート絶縁膜１４（アモルファスカルシウムイットリウム酸化物）を形成した。
【０１８４】
（実施例９）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例１と同様に電界効果型トランジスタを作製した。
ただし第２のゲート絶縁膜形成用塗布液として、２−メトキシエタノール１５ｍＬに硝酸マグネシウム６水和物（和光純薬工業１３０−０９５３２）０．７７ｇと硝酸ランタン６水和物（和光純薬工業１２８−０１７３２）４．３ｇとハフニウム（ＩＶ）ジクロリドオキシド八水和物（ＳＴＲＥＭ９３−７２０７）０．８２ｇとを溶解した塗布液を用いて第２のゲート絶縁膜１４（アモルファスランタンマグネシウムハフニウム酸化物）を形成した。
【０１８５】
（実施例１０）
＜ボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造＞
実施例１と同様に電界効果型トランジスタを作製した。
ただし第２のゲート絶縁膜形成用塗布液として、２−エチルヘキサン酸マグネシウムトルエン溶液（Ｍｇ含量３ｗｔ％、ＳＴＲＥＭ１２−１２６０）２ｍＬと２−エチルヘキサン酸イットリウムトルエン溶液（Ｙ含量８ｗｔ％、和光純薬工業２５８−００３０１）１１ｍＬとチタニウムｎ−ブトキシド（Ａｌｄｒｉｃｈ２４４１１２）０．３５ｍＬを混合し、更にトルエン１５ｍＬを加え希釈した塗布液を用いて第２のゲート絶縁膜１４（アモルファスイットリウムマグネシウムチタン酸化物）を形成した。
【０１８６】
（実施例１１）
実施例１１では、図３に示すボトムゲート／トップコンタクト型の電界効果型トランジスタを作製した。作製工程を図２２Ａ〜図２２Ｉを用いて説明する。
【０１８７】
＜＜ゲート電極の形成＞＞
基材１１上に実施例１と同様にゲート電極１２を形成した（図２２Ａ及び図２２Ｂ）。
【０１８８】
＜＜第１のゲート絶縁膜、第２のゲート絶縁膜、半導体層の形成＞＞
次に、実施例１で調製した第２のゲート絶縁膜形成用塗布液を基材１１及びゲート電極１２上へ滴下し、所定の条件でスピンコートした。続いて、大気中で１２０℃１時間の乾燥処理後、Ｏ２雰囲気下で４００℃３時間の焼成を行い、常誘電体であり、アモルファスであるストロンチウムランタンジルコニウム酸化物（第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ）を得た。膜厚は約１００ｎｍであった（図２２Ｃ）。
【０１８９】
第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚２００ｎｍのＳｉＯ２膜（第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａ）を成膜した（図２２Ｄ）。
【０１９０】
次に、第１のゲート絶縁膜前駆体１４Ａ上に実施例１と同様に半導体層前駆体１５Ａを形成した（図２２Ｅ）。所定のフォトマスクを用いて所定の形状に半導体層をエッチングし半導体層１５を形成した（図２２Ｆ）。
次にゲート絶縁膜のフォトマスクを用いてフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、まず、第１のゲート絶縁膜前駆体１３Ａのエッチングを行い、引き続き第２のゲート絶縁膜前駆体１４Ａのエッチングを行い、所定の形状の第２のゲート絶縁膜１４、第１のゲート絶縁膜１３を形成した（図２２Ｇ）。
【０１９１】
＜＜ソース電極及びドレイン電極の形成＞＞
最後に実施例１と同様に、ソース電極１６及びドレイン電極１７を形成した（図２２Ｈ及び図２２Ｉ）。
【０１９２】
以上の工程により、電界効果型トランジスタ１０を作製した。半導体層１５、ソース電極１６及びドレイン電極１７により形成されるチャネル領域のサイズは、Ｗ（幅）３０μｍ、Ｌ（長さ）１０μｍとなった。
【０１９３】
以上のようにフォトマスク４枚を用いて４回のフォトリソグラフィと５回のエッチングを行うことにより電界効果型トランジスタを作製することができた。
【０１９４】
（電界効果型トランジスタの評価）
実施例１〜１１及び比較例１で作製した電界効果型トランジスタについて、下記評価を実施し、表１に示した。
・基板上に絶縁膜のみ形成されている領域での第１及び第２のゲート絶縁膜の膜厚ａとチャネル領域での第１及び第２のゲート絶縁膜の膜厚ｂ
・ゲート電極とソース電極間に＋２０Ｖの電圧をかけた時に両電極間に流れるリーク電流
いずれの電界効果型トランジスタにおいても、第２のゲート絶縁膜は、下層の電極パターン上領域で、膜厚が薄くなっていることがわかる。その結果、比較例１で作製した電界効果型トランジスタではゲート電極とソース電極間のリーク電流が１．２×１０−１０（Ａ）と非常に多いことがわかった。一方で実施例１〜１１で作製された電界効果型トランジスタはリーク電流が１×１０−１３（Ａ）以下と非常に低く抑えられていることがわかった。
【０１９５】
【表１】
2019179861.tif 000003
【０１９６】
以上のように第１のゲート絶縁膜としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はシリコン酸窒化膜を用いることにより高い絶縁性を有する電界効果トランジスタを作製することができ、第２のゲート絶縁膜としてアルカリ土類金属の中から選ばれた１または２種類以上の元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの中から選ばれた１または２種類以上の元素とを含む複合酸化物を用いることにより、前記第２のゲート絶縁膜と、前記半導体層間での界面の欠陥が少ない構造が作り出せることを見出した。従って、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層を組み合わせた電界効果型トランジスタは、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間の界面の欠陥が少なく、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量が小さくなり、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
また、本発明における絶縁膜形成用インクを用いることにより、下層の凹凸を平坦化し、電極断面におけるエッジに電界が集中しないため、絶縁破壊電圧を上昇させるため、トランジスタを高電圧で駆動することができる。さらに成膜プロセスが全く異なる真空成膜と液相成膜を組み合わせるため、同一箇所に欠陥が生じる確率が著しく小さくなるために、欠陥率をほぼゼロにすることができる。また、前記半導体層に酸化物半導体を用いることで、より前記ゲート絶縁膜と半導体層の界面の欠陥が少なくなり、ＢＴＳ試験に対する閾値電圧の変動量がより小さくなり、特に第２のゲート絶縁膜エッチング前に半導体の積層、エッチングを行った後、ゲート絶縁膜のフォトリソ、エッチングを行った場合に、チャネルである第２ゲート絶縁膜／半導体界面が清浄に保たれるため、高信頼性を示す電界効果型トランジスタを提供することができる。
【０１９７】
本発明の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜１＞  ゲート絶縁膜を有する電界効果型トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、及びシリコン酸窒化膜のいずれかである第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜と接し、アルカリ土類金属元素と、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、及びＣｅを除くランタノイドの少なくともいずれかの元素とを含む酸化物を有する第２のゲート絶縁膜と、を有する、ことを特徴とする電界効果型トランジスタである。
＜２＞  前記酸化物が、更に、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＴａの少なくともいずれかの元素を含む前記＜１＞に記載の電界効果型トランジスタである。
＜３＞  前記電界効果型トランジスタが、更に、半導体層を有し、
前記第２のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接する、前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜４＞  前記電界効果型トランジスタが、更に、半導体層を有し、
前記第１のゲート絶縁膜が、前記半導体層と接する、前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタである。
＜５＞  駆動信号に応じて光出力が制御される光制御素子と、
前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の電界効果型トランジスタを含み、前記光制御素子を駆動する駆動回路と、
を備えることを特徴とする表示素子である。
＜６＞  前記光制御素子が、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロクロミック素子、液晶素子、電気泳動素子、及びエレクトロウェッティング素子のいずれかを有する前記＜５＞に記載の表示素子である。
＜７＞  画像データに応じた画像を表示する画像表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の前記＜５＞から＜６＞のいずれかに記載の表示素子と、
前記複数の表示素子における各電界効果型トランジスタにゲート電圧と信号電圧とを個別に印加するための複数の配線と、
前記画像データに応じて、前記各電界効果型トランジスタの前記ゲート電圧と前記信号電圧とを前記複数の配線を介して個別に制御する表示制御装置と、
を備えることを特徴とする画像表示装置である。
＜８＞  前記＜７＞に記載の画像表示装置と、
表示する画像情報に基づいて画像データを作成し、該画像データを前記画像表示装置に出力する画像データ作成装置と、
を備えることを特徴とするシステムである。
【符号の説明】
【０１９８】
１０    電界効果型トランジスタ
１１    基材
１２Ａ  ゲート電極前駆体
１２    ゲート電極
１３Ａ  第１のゲート絶縁膜前駆体
１３    第１のゲート絶縁膜
１４Ａ  第２のゲート絶縁膜前駆体
１４    第２のゲート絶縁膜
１５Ａ  半導体層前駆体
１５    半導体層
１６Ａ  電極前駆体
１６    ソース電極
１７    ドレイン電極
３０２、３０２’  表示素子
３１０  ディスプレイ
３２０、３２０’  ドライブ回路
３７０  液晶素子
４００  表示制御装置
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１９９】
【特許文献１】特開２０１１−２１６８４５号公報
【図１】
2019179861.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2019179861.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１６Ｄ】
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【図１６Ｅ】
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【図１６Ｆ】
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【図１６Ｇ】
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【図１６Ｈ】
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【図１６Ｉ】
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【図１６Ｊ】
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【図１７Ａ】
2019179861.tif 000029
【図１７Ｂ】
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【図１７Ｃ】
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【図１７Ｄ】
2019179861.tif 000032
【図１７Ｅ】
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【図１７Ｆ】
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【図１７Ｇ】
2019179861.tif 000035
【図１７Ｈ】
2019179861.tif 000036
【図１７Ｉ】
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【図１８Ａ】
2019179861.tif 000038
【図１８Ｂ】
2019179861.tif 000039
【図１８Ｃ】
2019179861.tif 000040
【図１８Ｄ】
2019179861.tif 000041
【図１８Ｅ】
2019179861.tif 000042
【図１８Ｆ】
2019179861.tif 000043
【図１８Ｇ】
2019179861.tif 000044
【図１８Ｈ】
2019179861.tif 000045
【図１８Ｉ】
2019179861.tif 000046
【図１９Ａ】
2019179861.tif 000047
【図１９Ｂ】
2019179861.tif 000048
【図１９Ｃ】
2019179861.tif 000049
【図１９Ｄ】
2019179861.tif 000050
【図１９Ｅ】
2019179861.tif 000051
【図１９Ｆ】
2019179861.tif 000052
【図１９Ｇ】
2019179861.tif 000053
【図１９Ｈ】
2019179861.tif 000054
【図１９Ｉ】
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【図１９Ｊ】
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【図２０Ａ】
2019179861.tif 000057
【図２０Ｂ】
2019179861.tif 000058
【図２０Ｃ】
2019179861.tif 000059
【図２０Ｄ】
2019179861.tif 000060
【図２０Ｅ】
2019179861.tif 000061
【図２０Ｆ】
2019179861.tif 000062
【図２０Ｇ】
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【図２０Ｈ】
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【図２０Ｉ】
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【図２０Ｊ】
2019179861.tif 000066
【図２１Ａ】
2019179861.tif 000067
【図２１Ｂ】
2019179861.tif 000068
【図２１Ｃ】
2019179861.tif 000069
【図２１Ｄ】
2019179861.tif 000070
【図２１Ｅ】
2019179861.tif 000071
【図２１Ｆ】
2019179861.tif 000072
【図２１Ｇ】
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【図２１Ｈ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
2019179861.tif 000076
【図２２Ｃ】
2019179861.tif 000077
【図２２Ｄ】
2019179861.tif 000078
【図２２Ｅ】
2019179861.tif 000079
【図２２Ｆ】
2019179861.tif 000080
【図２２Ｇ】
2019179861.tif 000081
【図２２Ｈ】
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【図２２Ｉ】
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