(57)【要約】【課題】脆性材料の基板の破損が抑えられる信頼性の高い回路基板を実現する。【解決手段】回路基板１は、基板１０、基板１０と対向して設けられる脆性材料の基板２０、及び基板１０と基板２０とを接着する接着層３０を含む。基板２０に、貫通孔２１が設けられ、その貫通孔２１に、基板２０及び接着層３０を貫通して基板１０に接続される導体ビア２２が設けられる。導体ビア２２の貫通孔２１内の外面２５と、貫通孔２１の内面２４との間に、接着層３０の一部が設けられる。導体ビア２２との熱膨張差に起因して基板２０に発生する応力が緩和され、基板２０の亀裂や割れ等の破損が抑えられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向して設けられ、貫通孔を有する脆性材料の第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着層と、
前記貫通孔に設けられ、前記第２基板及び前記接着層を貫通し前記第１基板に接続される導体ビアと
を含み、
前記接着層の一部は、前記導体ビアの外面と、前記貫通孔の内面との間に設けられることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記第２基板の前記第１基板と対向する第１面と、前記第１面と反対の第２面との間に、前記第１面及び前記第２面のうちの少なくとも前記第２面における内径よりも小さい内径の中間部を有し、
前記接着層の前記一部は、前記第１面から前記中間部までの、前記導体ビアの前記外面と、前記貫通孔の前記内面との間に存在することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記貫通孔は、前記第２基板の前記第１基板と対向する第１面から、前記第１面と反対の第２面に向かって、内径が小さくなる部位を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記第２基板の前記第１基板と対向する第１面から、前記第１面と反対の第２面に向かって、内径が一定の部位を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項５】
前記貫通孔は、前記第２基板の前記第１基板と対向する第１面から、前記第１面と反対の第２面に向かって、内径が大きくなる部位を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第２基板の弾性率は、前記接着層の弾性率よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
第１基板と、第１貫通孔を有する脆性材料の第２基板とを対向させ、接着層で接着し、且つ、前記第１貫通孔内に前記接着層を充填する工程と、
前記第１貫通孔の位置に、前記接着層の一部が前記第１貫通孔の内面に残るように、前記第２基板及び前記接着層を貫通し前記第１基板に達する第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔に導体ビアを形成する工程と
を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板として、樹脂絶縁層及び金属配線層が積層された内層部上に、導電性金属からなる貫通導体を設けたガラス基板が配置された構造を有するものや、内層部とガラス基板との間に、樹脂等を用いた応力緩和層が配置された構造を有するもの等が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１１２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
貫通導体を設けたガラスのような脆性材料の基板が内層部上に配置される回路基板では、熱が付与された際、貫通導体との熱膨張差によって脆性材料の基板に亀裂や割れといった破損が発生する恐れがある。脆性材料の基板の破損は、回路基板の強度や性能を低下させてその信頼性を低下させる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一観点によれば、第１基板と、前記第１基板と対向して設けられ、貫通孔を有する脆性材料の第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを接着する接着層と、前記貫通孔に設けられ、前記第２基板及び前記接着層を貫通し前記第１基板に接続される導体ビアとを含み、前記接着層の一部は、前記導体ビアの外面と、前記貫通孔の内面との間に設けられる回路基板が提供される。
【０００６】
また、一観点によれば、第１基板と、第１貫通孔を有する脆性材料の第２基板とを対向させ、接着層で接着し、且つ、前記第１貫通孔内に前記接着層を充填する工程と、前記第１貫通孔の位置に、前記接着層の一部が前記第１貫通孔の内面に残るように、前記第２基板及び前記接着層を貫通し前記第１基板に達する第２貫通孔を形成する工程と、前記第２貫通孔に導体ビアを形成する工程とを含む回路基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
脆性材料の基板の破損が抑えられる信頼性の高い回路基板が実現される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図２】一形態に係る回路基板の説明図である。
【図３】第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その１）である。
【図５】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その２）である。
【図６】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その３）である。
【図７】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その４）である。
【図８】第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図（その５）である。
【図９】第３の実施の形態に係る回路基板の構成例を示す図（その１）である。
【図１０】第３の実施の形態に係る回路基板の構成例を示す図（その２）である。
【図１１】第４の実施の形態に係る応力解析の説明図（その１）である。
【図１２】第４の実施の形態に係る応力解析の説明図（その２）である。
【図１３】第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図１４】第６の実施の形態に係る電子機器の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
はじめに、貫通導体を設けたガラスのような脆性材料の基板が内層部上に配置される回路基板の一例について、図２を参照して説明する。
図２は一形態に係る回路基板の説明図である。図２には、回路基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００１０】
図２に示す回路基板１０００は、内層部となる基板１１００、基板１１００に対向して設けられる脆性材料の基板１２００、及び基板１１００と基板１２００との間に介在されてこれらを接着する接着層１３００を含む。
【００１１】
基板１１００には、例えば、プリント基板が用いられる。基板１１００の、基板１２００と対向する面１１００ａには、導体層１１２０が設けられる。導体層１１２０は、基板１１００の面１１００ａ又は内部に設けられる導体部（配線、ビア等）と接続される。
【００１２】
基板１２００には、例えば、ガラス等の脆性材料の基板が用いられる。基板１２００は、貫通孔１２１０を有する。貫通孔１２１０には、導体ビア１２２０が設けられる。導体ビア１２２０には、例えば、銅（Ｃｕ）等の導体材料が用いられる。
【００１３】
接着層１３００には、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。接着層１３００には、フィラーを含有する樹脂材料が用いられてもよい。
基板１２００の貫通孔１２１０に設けられる導体ビア１２２０は、例えば、基板１２００及び接着層１３００を貫通し、基板１１００の面１１００ａに設けられた導体層１１２０と直に接続される。ここでは図示を省略するが、基板１２００の貫通孔１２１０内に導体ビア１２２０を設け、これと基板１１００の導体層１１２０とを半田等の導体材料で接合してもよい。
【００１４】
上記のような構成を有する回路基板１０００では、その表層部に、内層部の基板１１００及びこれと基板１２００とを接着する接着層１３００に比べて弾性率の高い基板１２００が設けられる。このような基板１２００が設けられることで、電子部品を実装する際の回路基板１０００の反りやうねり等の変形が抑えられる。反りやうねり等の変形を抑えることができ、且つ平坦度の高い基板１２００が表層部に設けられることで、例えば、電子部品を実装する際に用いられる半田等のバンプのサイズを小さくすることが可能になる。これにより、回路基板１０００に実装する電子部品の小型化、高密度化等が図られる。
【００１５】
しかし、回路基板１０００には、次のような不具合が生じる恐れがある。
即ち、回路基板１０００には、電子部品の実装時（例えば半田リフロー時）、或いは、回路基板１０００の又は電子部品が実装された回路基板１０００の試験時（例えば信頼性試験時）に、熱が付与される。このような熱が付与された際の、ガラス基板等の脆性材料の基板１２００と、その貫通孔１２１０に設けられた銅等の導体ビア１２２０との間の熱膨張差により、基板１２００には、図２に示すように、亀裂や割れといった破損１４００が発生する恐れがある。熱が付与された際に基板１２００に発生する応力は、互いに熱膨張係数の異なる導体ビア１２２０、基板１２００及び接着層１３００の３種の材料が接する、貫通孔１２１０の鋭角のエッジ１２６０付近に集中し易い。そのため、基板１２００の破損１４００は、そのような貫通孔１２１０のエッジ１２６０付近を起点にして発生する可能性が比較的高い。
【００１６】
基板１２００の破損１４００は、基板１２００の強度の低下、これを用いた回路基板１０００の強度の低下、亀裂や割れを通じた水分の浸入や導電性物質のマイグレーションによる性能の低下等、回路基板１０００の信頼性を低下させる可能性がある。
【００１７】
以上のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として示すような構成を採用する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１には、回路基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００１８】
図１に示す回路基板１は、内層部となる基板１０、基板１０に対向して設けられる脆性材料の基板２０、及び基板１０と基板２０とを接着する接着層３０を含む。尚、図１には一例として、内層部となる基板１０の一方の面側に、接着層３０によって脆性材料の基板２０が接着される構成を示すが、基板１０の他方の面側にも同様に、接着層によって脆性材料の基板が接着されてもよい。
【００１９】
基板１０には、例えば、プリント基板が用いられる。基板１０には、絶縁層の片面又は両面に導体パターンが形成されたものや、片面又は両面に導体パターンが形成された絶縁層群が積層されたもの等、各種構造を有するプリント基板を用いることができる。
【００２０】
基板１０の、基板２０と対向する面１０ａには、導体層１２（電極）が設けられる。導体層１２は、基板１０の面１０ａ又は内部に設けられる導体部（配線、ビア等）と接続される。基板１０の導体層１２、及び面１０ａ又は内部の導体部には、例えば、銅等の導体材料が用いられる。
【００２１】
基板２０には、例えば、ガラス等の脆性材料の基板が用いられる。基板２０には、無アルカリガラス、ソーダガラス、石英ガラス等、各種ガラス材料が用いられる。基板２０には、ガラス材料のほか、セラミック、シリコン、サファイア等、比較的弾性率の高い脆性材料が用いられてもよい。
【００２２】
基板２０は、基板１０の導体層１２と対応する位置に、貫通孔２１を有する。基板２０の貫通孔２１は、例えば、図１に示すように、基板１０と対向する面２０ｂとそれとは反対側の面２０ａとの間に、それらの面２０ｂ及び面２０ａにおける内径（開口径）よりも小さい内径の中間部２３が設けられる形状とされる。尚、貫通孔２１の形状は、図１の例に限定されるものではない。
【００２３】
例えば、基板２０の面２０ａにおける内径、又は面２０ｂにおける内径は、中間部２３の内径の１．２倍以上に設定される。
基板２０の貫通孔２１には、導体ビア２２が設けられる。導体ビア２２には、例えば、銅等の導体材料が用いられる。導体ビア２２は、例えば、基板２０の面２０ａ側から面２０ｂ側（基板１０の導体層１２側）に向かって外径が小さくなる形状とされる。
【００２４】
接着層３０には、例えば、樹脂材料が用いられる。接着層３０には、エポキシ系、シアネートエステル系、フェノール系、ウレタン系等、各種樹脂材料が用いられる。接着層３０には、熱硬化性の樹脂材料のほか、光硬化性や熱可塑性の樹脂材料が用いられる。接着層３０には、その弾性率、熱伝導率、熱膨張率等の物性の調整のため、シリカやアルミナ等の絶縁性のフィラーが含有された樹脂材料が用いられてもよい。接着層３０には更に、溶剤、硬化剤、重合開始剤等の各種成分（添加剤）が含有されてもよい。
【００２５】
例えば、接着層３０は、それが硬化された状態での弾性率が、基板２０の弾性率の１／２以下となるように、用いられる樹脂材料並びにフィラーの種類及び量等が設定される。
接着層３０により、貫通孔２１を有する基板２０が、基板１０の導体層１２が設けられた面１０ａ側に接着される。接着層３０は、対向する基板１０の面１０ａと基板２０の面２０ｂとの間に設けられ、更に、一部が基板２０の貫通孔２１内に設けられる。貫通孔２１に設けられる導体ビア２２は、基板２０及び接着層３０を貫通し、基板１０の導体層１２に接続される。
【００２６】
導体ビア２２は、比較的外径の大きい上部が、基板２０の面２０ａから貫通孔２１の中間部２３までの内面２４に接する。貫通孔２１内に設けられる接着層３０の一部は、基板２０の面２０ｂから貫通孔２１の中間部２３までの、導体ビア２２の貫通孔２１内の外面２５と、貫通孔２１の内面２４との間に設けられる。
【００２７】
上記のような構成を有する回路基板１では、その表層部に、内層部の基板１０及びこれと基板２０とを接着する接着層３０に比べて弾性率の高い基板２０が設けられる。このような基板２０が設けられることで、電子部品を実装する際の回路基板１の反りやうねり等の変形が抑えられる。反りやうねり等の変形を抑えることができ、且つ平坦度の高い基板２０が表層部に設けられることで、例えば、電子部品を実装する際に用いられる半田等のバンプのサイズ、隣接するバンプ間のピッチを小さくすることが可能になる。これにより、回路基板１に実装する電子部品の小型化、高密度化等が実現される。
【００２８】
更に、回路基板１では、接着層３０の一部が、基板２０の面２０ｂから貫通孔２１の中間部２３の、導体ビア２２の貫通孔２１内の外面２５と、貫通孔２１の内面２４との間に設けられる。これにより、導体ビア２２が、基板２０の面２０ｂにおける貫通孔２１のエッジ２６と直に接しない構造となり、上記図２に示すような、導体ビア１２２０が、基板１２００に設けられる貫通孔１２１０の鋭角のエッジ１２６０と直に接する構造となることが回避される。
【００２９】
導体ビア２２が貫通孔２１のエッジ２６と直に接しない構造となることで、電子部品の実装時や回路基板１等の試験時に熱が付与された際に導体ビア２２との熱膨張差に起因して基板２０に発生する応力、例えばそのエッジ２６付近に発生する応力が緩和される。このように基板２０に発生する応力が緩和されることで、基板２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられ、基板２０の破損に起因する回路基板１の強度及び性能の低下が抑えられる。これにより、信頼性の高い回路基板１が実現される。
【００３０】
尚、基板２０及び上記基板１２００に発生する応力については、更に後述する（第４の実施の形態）。
次に、第２の実施の形態について説明する。
【００３１】
ここでは、脆性材料の基板としてガラス基板を用いた回路基板の例について説明する。
図３は第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図３には、回路基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００３２】
図３に示す回路基板１００は、内層部となるプリント基板１１０、プリント基板１１０に対向して設けられるガラス基板１２０、及びプリント基板１１０とガラス基板１２０とを接着する接着層１３０を含む。
【００３３】
プリント基板１１０は、絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３を有する。絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３には、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂材料、そのような樹脂材料をガラス繊維等に含浸したプリプレグが用いられる。絶縁層１１２と絶縁層１１３との間に介在される絶縁層１１１は、コア層とされてもよい。コア層とされる絶縁層１１１には、樹脂基板、ガラス基板、セラミック基板、半導体基板等、有機系又は無機系の各種基板が用いられる。
【００３４】
プリント基板１１０の絶縁層１１１の両面（絶縁層１１２との間及び絶縁層１１３との間）、並びに絶縁層１１２及び絶縁層１１３の表面（いずれも絶縁層１１１側とは反対の側）には、配線又は配線と接続される電極として、導体層１１４が設けられる。プリント基板１１０には、その一方の面１１０ａと他方の面１１０ｂとの間（絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３）を貫通するスルーホール１１５が設けられる。スルーホール１１５は、絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３の各々の上に設けられた導体層１１４と接続される。導体層１１４及びスルーホール１１５には、例えば、銅等の導体材料が用いられる。
【００３５】
スルーホール１１５は、絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３を貫通する孔の内面に、その孔の中央に中空部が残るようにして導体材料が形成されたコンフォーマル型のスルーホールでもよく、その場合、中央の中空部には、樹脂が充填されてもよい。
【００３６】
図３には、プリント基板１１０として、３層の絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３、並びに４層の導体層１１４を有する、いわゆる４層基板の例を示すが、プリント基板１１０の層数はこれに限定されるものではない。
【００３７】
上記のようなプリント基板１１０の面１１０ａ及び面１１０ｂの上にそれぞれ、接着層１３０でガラス基板１２０が接着される。ガラス基板１２０には、無アルカリガラス、ソーダガラス、石英ガラス等、各種ガラス材料が用いられる。ガラス基板１２０の厚さは、例えば、１０μｍ〜１００μｍとされる。
【００３８】
ガラス基板１２０には、プリント基板１１０の面１１０ａ及び面１１０ｂに設けられた所定の導体層１１４と対応する位置に、貫通孔１２１が設けられる。図３には、１枚のガラス基板１２０に３つの貫通孔１２１を設けた例を示すが、貫通孔１２１の数（対応する導体層１１４の数）はこれに限定されるものではない。ガラス基板１２０の貫通孔１２１は、例えば、図３に示すように、プリント基板１１０と対向する面１２０ｂとそれとは反対側の面１２０ａとの間に、それらの面１２０ｂ及び面１２０ａにおける内径Ｄ１（開口径）よりも小さい内径Ｄ２の中間部１２３が設けられた形状（括れ形状）とされる。
【００３９】
面１２０ｂ及び面１２０ａにおける内径Ｄ１は、必ずしも同じであることを要しない。例えば、面１２０ａにおける内径Ｄ１、又は面１２０ｂにおける内径Ｄ１は、中間部１２３の内径Ｄ２の１．２倍以上に設定される。
【００４０】
ガラス基板１２０の貫通孔１２１には、導体ビア１２２が設けられる。導体ビア１２２は、ＴＧＶ（Through Glass Via）の一例である。導体ビア１２２には、例えば、銅等の導体材料が用いられる。導体ビア１２２は、例えば、ガラス基板１２０の面１２０ａ側から面１２０ｂ側（プリント基板１１０の導体層１１４側）に向かって外径が小さくなる形状とされる。
【００４１】
接着層１３０には、エポキシ系、シアネートエステル系、フェノール系、ウレタン系等、各種樹脂材料が用いられる。接着層１３０には、熱硬化性の樹脂材料のほか、光硬化性や熱可塑性の樹脂材料が用いられてもよい。接着層１３０の樹脂材料には、その弾性率、熱伝導率、熱膨張率等の物性の調整のため、シリカやアルミナ等のフィラーが含有されてもよい。接着層１３０には更に、溶剤、硬化剤、重合開始剤等の各種添加剤が含有されてもよい。接着層１３０には、例えば、電子デバイス分野でアンダーフィルとして利用される材料が用いられる。
【００４２】
例えば、接着層１３０は、それが硬化された状態での弾性率が、ガラス基板１２０の弾性率の１／２以下となるように、用いられる樹脂材料並びにフィラーの種類及び量等が設定される。
【００４３】
接着層１３０により、貫通孔１２１を有するガラス基板１２０が、プリント基板１１０の導体層１１４が設けられた面１１０ａ側に接着される。接着層１３０は、対向するプリント基板１１０の面１１０ａとガラス基板１２０の面１２０ｂとの間に設けられ、更に、一部がガラス基板１２０の貫通孔１２１内に設けられる。貫通孔１２１に設けられる導体ビア１２２は、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通し、プリント基板１１０の導体層１１４に接続される。
【００４４】
導体ビア１２２は、比較的外径の大きい上部が、ガラス基板１２０の面１２０ａから貫通孔１２１の中間部１２３までの内面１２４に接する。貫通孔１２１内に設けられる接着層１３０の一部は、ガラス基板１２０の面１２０ｂから貫通孔１２１の中間部１２３までの、導体ビア１２２の貫通孔１２１内の外面１２５と、貫通孔１２１の内面１２４との間に設けられる。
【００４５】
上記のような構成を有する回路基板１００では、その表層部に、内層部のプリント基板１１０及び接着層１３０に比べて弾性率の高いガラス基板１２０が設けられることで、電子部品を実装する際の回路基板１００の反りやうねり等の変形が抑えられる。反りやうねり等の変形を抑えることができ、且つ平坦度の高いガラス基板１２０が表層部に設けられることで、電子部品を実装する際に用いられる半田等のバンプのサイズ、隣接するバンプ間のピッチを小さくすることが可能になる。これにより、回路基板１００に実装する電子部品の小型化、高密度化等が実現される。
【００４６】
更に、回路基板１００では、接着層１３０の一部が、ガラス基板１２０の面１２０ｂから貫通孔１２１の中間部１２３の、導体ビア１２２の貫通孔１２１内の外面１２５と、貫通孔１２１の内面１２４との間に設けられる。そのため、例えば図３のＸ部に示すように、導体ビア１２２が、ガラス基板１２０の面１２０ｂにおける貫通孔１２１のエッジ１２６と直に接しない構造となる。これにより、電子部品の実装時や回路基板１００等の試験時に熱が付与された際のガラス基板１２０に発生する応力が緩和される。ガラス基板１２０に発生する応力が緩和されることで、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられ、ガラス基板１２０の破損に起因する回路基板１００の強度及び性能の低下が抑えられる。これにより、信頼性の高い回路基板１００が実現される。
【００４７】
続いて、回路基板１００の形成方法の一例について説明する。
図４〜図８は第２の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）には、ガラス基板形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図５（Ａ）〜図５（Ｃ）には、プリント基板形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図６（Ａ）及び図６（Ｂ）には、接着工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図７には、貫通孔形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図８には、導体ビア形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００４８】
貫通孔１２１を有するガラス基板１２０の形成では、例えば、まず、図４（Ａ）に示すような板状ガラス２００が準備される。
次いで、その準備された板状ガラス２００の所定の位置（プリント基板１１０の導体層１１４に対応する位置）に、図４（Ｂ）に示すように、板状ガラス２００の片面側からレーザー２１０を照射して孔開け加工が行われ、貫通孔１２１が形成される。貫通孔１２１を形成する際のレーザー２１０には、例えば、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザーが用いられる。このほか、レーザー２１０には、紫外線（Ultra Violet；ＵＶ）レーザー等が用いられてもよい。また、貫通孔１２１の形成は、レーザー２１０に限らず、サンドブラストやエッチング等及びそれらの組み合わせによる孔開け加工によって行われてもよい。貫通孔１２１は、例えば、一方の面１２０ｂ側の内径が、他方の面１２０ａ側の内径よりも大きくなるテーパー形状で形成される。
【００４９】
例えば、この図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すような方法によって、貫通孔１２１を有するガラス基板１２０が形成される。
また、プリント基板１１０の形成では、例えば、まず、図５（Ａ）に示すように、絶縁層１１１の両面に導体層１１４が形成され、更にその両面間を貫通し両面の導体層１１４間を接続するビア１１５ａ（上記スルーホール１１５の一部）が形成されて、コア層２２０が形成される。
【００５０】
コア層２２０の導体層１１４は、例えば、絶縁層１１１上に設けられた導体箔をエッチングによってパターニングしたり、絶縁層１１１上にめっき法や堆積法によって導体材料のパターンを堆積したりすることで、形成される。コア層２２０のビア１１５ａは、例えば、絶縁層１１１にレーザーやエッチング等及びそれらの組み合わせによって孔開け加工を行い、その孔内に、めっき法や印刷法又は両方によって導体材料を充填することで、形成される。
【００５１】
次いで、そのコア層２２０の一方の面に、図５（Ｂ）に示すように、絶縁層１１２が形成され、その絶縁層１１２に、導体層１１４及びビア１１５ｂ（上記スルーホール１１５の一部）が形成されて、ビルドアップ層２３０が形成される。或いは、予め絶縁層１１２に導体層１１４及びビア１１５ｂが形成されたビルドアップ層２３０が、コア層２２０と積層される。
【００５２】
コア層２２０の他方の面にも、上記ビルドアップ層２３０と同様に、図５（Ｃ）に示すように、絶縁層１１３とそれに形成された導体層１１４及びビア１１５ｃ（上記スルーホール１１５の一部）を有するビルドアップ層２４０が、形成或いは積層される。
【００５３】
ビルドアップ層２３０，２４０の導体層１１４は、例えば、絶縁層１１２，１１３上に設けられた導体箔をエッチングによってパターニングしたり、絶縁層１１２，１１３上にめっき法や堆積法によって導体材料のパターンを堆積したりすることで、形成される。ビルドアップ層２３０，２４０のビア１１５ｂ，１１５ｃは、例えば、絶縁層１１２，１１３にレーザーやエッチング等によって孔開け加工を行い、その孔内に、めっき法や印刷法又は両方によって導体材料を充填することで、形成される。
【００５４】
絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３に、プリプレグ等、樹脂を含む材料が用いられる場合には、図５（Ｂ）又は図５（Ｃ）に示すような構造体を得た後に、熱プレス加工が行われてもよい。
【００５５】
例えば、この図５（Ａ）〜図５（Ｃ）に示すような方法によって、プリント基板１１０が形成される。
絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３に、プリプレグ等、樹脂を含む材料が用いられる場合には、次のような方法によってプリント基板１１０が形成されてもよい。即ち、導体層１１４が形成された絶縁層１１１、絶縁層１１２及び絶縁層１１３を積層し、熱プレス加工を行った後、レーザーやドリルによる一括孔開け加工を行い、その孔内にめっき法や印刷法又は両方によって導体材料を充填し、スルーホール１１５を形成する。プリント基板１１０は、このような方法によって形成することもできる。
【００５６】
上記のような貫通孔１２１を有するガラス基板１２０の形成と、プリント基板１１０の形成とは、いずれが先に行われても構わない。
貫通孔１２１を有するガラス基板１２０と、プリント基板１１０とは、接着層１３０によって接着される。例えば、図６（Ａ）に示すように、プリント基板１１０の一方の面１１０ａ側に、貫通孔１２１を有するガラス基板１２０が重ね合わされる。ガラス基板１２０は、例えば、貫通孔１２１の内径が大きくなるように形成された面１２０ｂ側を、プリント基板１１０の面１１０ａ側に対向させて、重ね合わされる。このようにして重ね合わされたプリント基板１１０とガラス基板１２０との間に、ディスペンサ等の供給装置２６０により、接着層１３０となる接着材料２５０が供給される。
【００５７】
接着材料２５０には、エポキシ樹脂等の樹脂材料が用いられる。接着材料２５０には、例えば図６（Ａ）に一部を拡大して示すように、エポキシ樹脂等の樹脂材料２５１に、シリカ等のフィラー２５２が含有されたものが用いられてもよい。
【００５８】
供給装置２６０から供給された接着材料２５０は、図６（Ａ）に示すように、プリント基板１１０とガラス基板１２０との間に流入され充填されると共に、ガラス基板１２０に設けられた貫通孔１２１内に流入され充填される。このようにプリント基板１１０とガラス基板１２０の間、及びガラス基板１２０の貫通孔１２１内に流入され充填された接着材料２５０は、それに用いられた樹脂材料に応じた手法（加熱や光照射）によって硬化される。これにより、接着層１３０が形成され、図６（Ｂ）に示すような、プリント基板１１０の一方の面１１０ａ側に接着層１３０によってガラス基板１２０が接着された構造が得られる。
【００５９】
プリント基板１１０の他方の面１１０ｂ側についても、面１１０ａ側と同様に、重ね合わせたプリント基板１１０とガラス基板１２０との間、及びガラス基板１２０の貫通孔１２１内に接着材料２５０が流入、充填され、その接着材料２５０が所定の手法で硬化される。これにより、接着層１３０が形成され、図６（Ｂ）に示すような、プリント基板１１０の他方の面１１０ｂ側にも接着層１３０によってガラス基板１２０が接着された構造が得られる。
【００６０】
上記のような方法により、プリント基板１１０の面１１０ａ及び面１１０ｂにそれぞれ、接着層１３０によってガラス基板１２０が接着された、図６（Ｂ）に示すような構造体２７０が形成される。
【００６１】
このような構造体２７０の形成後、図７に示すように、ガラス基板１２０の貫通孔１２１の位置に、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通してプリント基板１１０の導体層１１４に達する貫通孔２７１が形成される。貫通孔２７１の形成は、例えば、レーザー２８０による孔開け加工によって行われる。貫通孔２７１を形成する際のレーザー２８０には、例えば、炭酸ガスレーザーや紫外線レーザー等が用いられる。また、貫通孔２７１の形成は、レーザー２８０に限らず、エッチング等による孔開け加工によって行われてもよい。
【００６２】
構造体２７０の貫通孔２７１は、例えば、ガラス基板１２０の面１２０ａからプリント基板１１０の導体層１１４に向かって内径が小さくなるテーパー形状で形成される。その際、貫通孔２７１は、ガラス基板１２０の面１２０ｂの位置における内径が、貫通孔１２１の、ガラス基板１２０の面１２０ｂにおける内径よりも小さくなるテーパー形状で形成される。このようなテーパー形状の貫通孔２７１が、これとは逆向きのテーパー形状であって内部に接着層１３０が形成された貫通孔１２１の位置に形成されることで、貫通孔１２１内に形成されていた接着層１３０の一部が、貫通孔１２１の内面１２４に残るようになる。また、テーパー形状の貫通孔２７１が、これとは逆向きのテーパー形状の貫通孔１２１の位置に形成されることで、ガラス基板１２０の貫通孔１２１には、面１２０ｂ及び面１２０ａにおける内径よりも内径の小さい中間部１２３が形成される。
【００６３】
上記のような方法により、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通してプリント基板１１０の導体層１１４に達する貫通孔２７１が形成された、図７に示すような構造体２７０ａが形成される。
【００６４】
このような構造体２７０ａの形成後、図８に示すように、貫通孔２７１に、銅等の導体材料が用いられ、導体ビア１２２が形成される。導体ビア１２２は、貫通孔２７１内に、めっき法や印刷法又は両方によって導体材料を充填することで、形成される。これにより、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通し、プリント基板１１０の導体層１１４に接続される導体ビア１２２が形成され、図８に示すような回路基板１００が形成される。
【００６５】
尚、ガラス基板１２０には、導体ビア１２２と共に、その面１２０ａ上に再配線として所定の導体パターンが形成されてもよい。
回路基板１００では、その表層部に、弾性率の高いガラス基板１２０が設けられることで、反りやうねり等の変形が抑えられる。反りやうねり等の変形を抑えることができ、且つ平坦度の高いガラス基板１２０が表層部に設けられることで、小型の電子部品の実装や、そのような電子部品の高密度の実装が可能な回路基板１００が実現される。
【００６６】
回路基板１００では、上記図７及び図８に示したように、ガラス基板１２０の貫通孔１２１の内面１２４に接着層１３０の一部が残るようにして形成された貫通孔２７１内に、導体ビア１２２が形成される。そのため、導体ビア１２２の外面１２５のうち、ガラス基板１２０の貫通孔１２１内に位置する部位の外面１２５と、ガラス基板１２０の貫通孔１２１の内面１２４との間に、接着層１３０の一部が設けられる。これにより、導体ビア１２２が、ガラス基板１２０の面１２０ｂにおける貫通孔１２１のエッジ１２６と直に接しない構造となり、熱によってガラス基板１２０に発生する応力が緩和され、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられる。ガラス基板１２０の破損に起因する強度及び性能の低下が抑えられる、信頼性の高い回路基板１００が実現される。
【００６７】
尚、ここでは、プリント基板１１０の面１１０ａ側及び面１１０ｂ側の双方にガラス基板１２０を設ける例を示したが、面１１０ａ側及び面１１０ｂ側のいずれか一方にガラス基板１２０を設けることもできる。例えば、プリント基板１１０の面１１０ａ側及び面１１０ｂ側のいずれか一方にガラス基板１２０を設けることで、反りやうねり等の変形を抑えることができる場合には、必ずしも面１１０ａ側及び面１１０ｂ側の双方にガラス基板１２０を設けることを要しない。プリント基板１１０の面１１０ａ側及び面１１０ｂ側のいずれか一方にガラス基板１２０を設けるようにすることで、回路基板１００及びそれを用いた電子装置等の形成コスト及び形成工数の削減を図ることが可能になる。
【００６８】
また、上記図４〜図８に示す方法では、大判のガラス基板１２０及び大判のプリント基板１１０を用いて構造体２７０ａの形成まで行った後、それを個片化して個々の回路基板１００を得るようにしてもよい。
【００６９】
次に、第３の実施の形態について説明する。
ここでは、回路基板におけるガラス基板の構成例を、第３の実施の形態として説明する。
【００７０】
図９及び図１０は第３の実施の形態に係る回路基板の構成例を示す図である。図９（Ａ）〜図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）にはそれぞれ、回路基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００７１】
ガラス基板１２０には、例えば、上記及び図９（Ａ）に示すように、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａ及び面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂよりも小さい内径Ｄ２の中間部１２３を有する、括れ形状の貫通孔１２１が設けられる。
【００７２】
このほか、ガラス基板１２０には、例えば、図９（Ｂ）に示すように、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａよりも小さく、面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂと同じ内径Ｄ２の中間部１２３を有する貫通孔１２１が設けられてもよい。
【００７３】
更に、ガラス基板１２０には、例えば、図９（Ｃ）に示すように、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａよりも小さく、面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂよりも大きい内径Ｄ２の中間部１２３を有する貫通孔１２１が設けられてもよい。
【００７４】
図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示すような構造は、図９（Ａ）に示すような構造について述べた、上記図４（Ｂ）の例に従って形成する貫通孔１２１の形状、並びに上記図７の例に従って形成する貫通孔２７１の位置及び形状を調整することで、実現することができる。
【００７５】
図９（Ａ）〜図９（Ｃ）のいずれの貫通孔１２１においても、面１２０ａから中間部１２３までの内面１２４に導体ビア１２２が接し、面１２０ｂから中間部１２３までの内面１２４と導体ビア１２２の外面１２５との間に接着層１３０の一部が設けられる。このように接着層１３０の一部が、貫通孔１２１内に位置する導体ビア１２２の外面１２５と、面１２０ｂから中間部１２３までの内面１２４との間に設けられることで、導体ビア１２２との熱膨張差に起因してガラス基板１２０に発生する応力が緩和される。これにより、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられる。
【００７６】
また、ガラス基板１２０には、図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示すような貫通孔１２１が設けられてもよい。
例えば、ガラス基板１２０には、図１０（Ａ）に示すような、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａが、面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂよりも小さい、テーパー形状の貫通孔１２１が設けられてもよい。このような貫通孔１２１の内面１２４よりも内側（内面１２４に接しない位置）に、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通し、プリント基板１１０の導体層１１４に接続される導体ビア１２２が設けられる。
【００７７】
このほか、ガラス基板１２０には、図１０（Ｂ）に示すような、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａが、面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂと同じである、筒状の貫通孔１２１が設けられてもよい。このような貫通孔１２１の内面１２４よりも内側（内面１２４に接しない位置）に、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通し、プリント基板１１０の導体層１１４に接続される導体ビア１２２が設けられる。
【００７８】
更に、ガラス基板１２０には、図１０（Ｃ）に示すような、面１２０ａにおける内径Ｄ１ａが、面１２０ｂにおける内径Ｄ１ｂよりも大きい、テーパー形状の貫通孔１２１が設けられてもよい。このような貫通孔１２１の内面１２４よりも内側（内面１２４に接しない位置）に、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通し、プリント基板１１０の導体層１１４に接続される導体ビア１２２が設けられる。
【００７９】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）に示すような構造は、上記図４（Ｂ）の例に従って形成する貫通孔１２１の形状、並びに上記図７の例に従って形成する貫通孔２７１の位置及び形状を調整することで、実現することができる。
【００８０】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）のいずれの貫通孔１２１においても、貫通孔１２１内に位置する導体ビア１２２の外面１２５と、貫通孔１２１の内面１２４との間に、接着層１３０の一部が設けられ、導体ビア１２２がガラス基板１２０に直に接しない構造となる。これにより、導体ビア１２２との熱膨張差に起因してガラス基板１２０に発生する応力が緩和され、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられる。
【００８１】
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、回路基板におけるガラス基板に発生する応力の解析結果の一例を、第４の実施の形態として説明する。
【００８２】
図１１及び図１２は第４の実施の形態に係る応力解析の説明図である。図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）にはそれぞれ、応力解析に用いたモデルの要部斜視図を示している。図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）にはそれぞれ、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）のモデルを用いた応力解析結果を示している。
【００８３】
図１１（Ａ）に示すモデル３００Ａは、導体層１１４及びスルーホール１１５が設けられたプリント基板１１０上に、接着層１３０を介してガラス基板１２０が配置され、ガラス基板１２０及び接着層１３０を貫通する導体ビア１２２が導体層１１４に接続された構造を有する。このモデル３００Ａは、上記図２に示すような構成を有する回路基板１０００に相当するモデルである。
【００８４】
図１１（Ｂ）に示すモデル３００Ｂは、導体ビア１２２が設けられるガラス基板１２０の貫通孔１２１に、比較的内径の小さい中間部１２３が設けられ、その貫通孔１２１内に、接着層１３０の一部が設けられた構造を有する。このモデル３００Ｂは、上記図３及び図９（Ａ）に示すような構成を有する回路基板１００に相当するモデルである。
【００８５】
図１１（Ｃ）に示すモデル３００Ｃは、ガラス基板１２０に、その面１２０ｂから面１２０ａに向かって内径が小さくなるテーパー形状の貫通孔１２１が設けられた構造を有する。貫通孔１２１の面１２０ａ側の上端エッジが、逆向きのテーパー形状で設けられる導体ビア１２２の上端エッジの位置に設定され、このような形状の貫通孔１２１内に、接着層１３０の一部が設けられる。モデル３００Ｃでは、導体ビア１２２の貫通孔１２１内の部位が全て、接着層１３０の一部で覆われる。
【００８６】
これらのモデル３００Ａ（図１１（Ａ））、モデル３００Ｂ（図１１（Ｂ））及びモデル３００Ｃ（図１１（Ｃ））の各々の応力解析結果を、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）にそれぞれ示している。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）及び図１２（Ｃ）には便宜上、モデル３００Ａ、モデル３００Ｂ及びモデル３００Ｃの構成要素のうち、接着層１３０及びガラス基板１２０のみを表示している。
【００８７】
モデル３００Ａ（図１１（Ａ））では、図１２（Ａ）に示すように、ガラス基板１２０内の領域Ｐ１で主に応力が発生し、貫通孔１２１のエッジ１２６とその付近の領域Ｑ１で最大応力が発生する。応力解析によれば、この領域Ｑ１での最大応力は、２００ＭＰａを上回る値となる。モデル３００Ａにおいて、領域Ｑ１は、導体ビア１２２が貫通孔１２１のエッジ１２６に直に接する部位に対応する領域である。モデル３００Ａのように、導体ビア１２２が貫通孔１２１のエッジ１２６に直に接する構造とすることで、ガラス基板１２０内の、特に貫通孔１２１のエッジ１２６とその付近において、比較的大きな応力が発生する。
【００８８】
モデル３００Ｂ（図１１（Ｂ））では、図１２（Ｂ）に示すように、ガラス基板１２０内の領域Ｐ２で主に応力が発生し、貫通孔１２１のエッジ１２６とその付近の領域Ｑ２で最大応力が発生する。応力解析によれば、この領域Ｑ２での最大応力は、２００ＭＰａを下回る値となる。モデル３００Ｂにおいて、領域Ｑ２は、貫通孔１２１内の導体ビア１２２との間に接着層１３０の一部が存在する部位に対応する領域である。モデル３００Ｂのように、導体ビア１２２が貫通孔１２１のエッジ１２６に直に接しない構造とすることで、ガラス基板１２０内の、特に貫通孔１２１のエッジ１２６とその付近に発生する応力が緩和されるようになる。
【００８９】
モデル３００Ｃ（図１１（Ｃ））では、モデル３００Ｂで見られるようなガラス基板１２０の応力の緩和効果が、いっそう高められる。モデル３００Ｃでは、図１２（Ｃ）に示すように、ガラス基板１２０内の主に応力が発生する領域Ｐ３の分布が、モデル３００Ｂ（領域Ｐ２）に比べて狭まり、貫通孔１２１のエッジ１２６とその付近の領域Ｑ３で発生する応力も、いっそう緩和される。モデル３００Ｃのように、導体ビア１２２が貫通孔１２１のエッジ１２６に直に接しない構造とし、更に、導体ビア１２２と貫通孔１２１との間に存在する接着層１３０の一部を増大させることで、ガラス基板１２０内に発生する応力が効果的に緩和されるようになる。
【００９０】
次に、第５の実施の形態について説明する。
ここでは、以上述べたような回路基板を用いた電子装置の一例を、第５の実施の形態として説明する。
【００９１】
図１３は第５の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１３には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
回路基板１００上には、各種電子部品を実装することができる。図１３には一例として、上記図３に示したような構成を有する回路基板１００の一方の面１００ａ上に、半導体チップ４１０（半導体素子）が実装された電子装置４００を示している。回路基板１００の、ガラス基板１２０に設けられた導体ビア１２２と、半導体チップ４１０の端子４１１とが、半田等のバンプ４２０を用いて接合される。これにより、回路基板１００と半導体チップ４１０とが、電気的及び機械的に接続される。
【００９２】
回路基板１００では、上記のように、導体ビア１２２が設けられるガラス基板１２０の貫通孔１２１内に、接着層１３０の一部が設けられる。これにより、導体ビア１２２との熱膨張差に起因してガラス基板１２０に発生する応力が緩和され、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられる。このような回路基板１００が用いられることで、信頼性の高い電子装置４００が実現される。
【００９３】
尚、電子装置４００において、回路基板１００と半導体チップ４１０との間には、アンダーフィルが充填されてもよい。これにより、回路基板１００と半導体チップ４１０との接続信頼性の向上が図られる。
【００９４】
また、回路基板１００上には、半導体チップ４１０のほか、これと同種又は異種の半導体チップや、チップコンデンサ等のチップ部品等、複数の各種電子部品を実装することができる。
【００９５】
また、回路基板１００の他方の面１００ｂ上にも同様に、各種電子部品を実装することができる。
ここでは、上記図３に示したような構成を有する回路基板１００を用いた電子装置４００を例にしたが、上記第１〜第４の実施の形態で述べたような各種構成を採用した回路基板についても同様に、各種電子部品を実装し、電子装置を実現することができる。例えば、上記図９（Ｂ）、図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）で述べたような構成を採用した回路基板を用い、これに各種電子部品を実装し、電子装置を実現してもよい。
【００９６】
次に、第６の実施の形態について説明する。
以上述べたような回路基板及び電子装置は、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
【００９７】
図１４は第６の実施の形態に係る電子機器の説明図である。図１４には、電子機器を模式的に示している。
図１４に示すように、例えば、上記第５の実施の形態で述べたような電子装置４００（図１３）が、各種電子機器５００の筐体５１０の内部に搭載（内蔵）される。図１４に示す電子装置４００は、上記図３に示したような構成を有する回路基板１００と、その一方の面１００ａ上にバンプ４２０を用いて実装された半導体チップ４１０とを含む。図１４には、このような電子装置４００が更に、回路基板１００の他方の面１００ｂ側に配置された別の回路基板４３０上に、半田等のバンプ４４０を用いて実装された例を示している。回路基板１００の、ガラス基板１２０に設けられた導体ビア１２２と、回路基板４３０の端子４３１とが、バンプ４４０を用いて接合される。
【００９８】
電子装置４００では、上記のように、導体ビア１２２との熱膨張差に起因してガラス基板１２０に発生する応力が緩和され、ガラス基板１２０の亀裂や割れ等の破損の発生が抑えられる回路基板１００が用いられることで、高い信頼性が得られる。このような電子装置４００を搭載した、信頼性の高い各種電子機器５００が実現される。
【００９９】
ここでは、上記第５の実施の形態で述べた電子装置４００を搭載した電子機器５００を例にしたが、上記第１〜第４の実施の形態で述べたような各種構成を採用した回路基板及びそれを用いた電子装置も同様に、各種電子機器に搭載することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１，１００，４３０，１０００  回路基板
１０，２０，１１００，１２００  基板
１０ａ，２０ａ，２０ｂ，１００ａ，１００ｂ，１１０ａ，１１０ｂ，１２０ａ，１２０ｂ，１１００ａ  面
１２，１１４，１１２０  導体層
２１，１２１，２７１，１２１０  貫通孔
２２，１２２，１２２０  導体ビア
２３，１２３  中間部
２４，１２４  内面
２５，１２５  外面
２６，１２６，１２６０  エッジ
３０，１３０，１３００  接着層
１１０  プリント基板
１１１，１１２，１１３  絶縁層
１１５  スルーホール
１１５ａ，１１５ｂ，１１５ｃ  ビア
１２０  ガラス基板
２００  板状ガラス
２１０，２８０  レーザー
２２０  コア層
２３０，２４０  ビルドアップ層
２５０  接着材料
２５１  樹脂材料
２５２  フィラー
２６０  供給装置
２７０，２７０ａ  構造体
３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ  モデル
４００  電子装置
４１０  半導体チップ
４１１，４３１  端子
４２０，４４０  バンプ
５００  電子機器
５１０  筐体
１４００  破損
Ｄ１，Ｄ１ａ，Ｄ１ｂ，Ｄ２  内径
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３  領域
【図１】
2019140216.tif 000003
【図２】
2019140216.tif 000004
【図３】
2019140216.tif 000005
【図４】
2019140216.tif 000006
【図５】
2019140216.tif 000007
【図６】
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【図７】
2019140216.tif 000009
【図８】
2019140216.tif 000010
【図９】
2019140216.tif 000011
【図１０】
2019140216.tif 000012
【図１１】
2019140216.tif 000013
【図１２】
2019140216.tif 000014
【図１３】
2019140216.tif 000015
【図１４】
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