(57)【要約】【課題】回路規模を増大させることなく検出対象の検出時間を短縮させることが可能な半導体装置及びその制御方法を提供すること。【解決手段】一実施の形態によれば、半導体装置１は、所定間隔で配置された複数の第１センサと、複数の第１センサのそれぞれから出力された複数の第１検出信号のうち２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第１測定結果を出力する第１測定回路と、複数の第１検出信号のうち第１測定回路の測定対象となった第１検出信号とは異なる２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第２測定結果を出力する第２測定回路と、第１及び第２測定結果から検出対象の位置を解析する解析回路と、を備え、複数の第１センサと、第１及び第２測定回路とは、第１及び第２測定結果の組み合わせが検出対象の位置に応じて異なるように接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定間隔で配置された複数の第１センサと、
前記複数の第１センサのそれぞれから出力された複数の第１検出信号のうち２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第１測定結果を出力する第１測定回路と、
前記複数の第１検出信号のうち前記第１測定回路の測定対象となった第１検出信号とは異なる２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第２測定結果を出力する第２測定回路と、
前記第１及び前記第２測定結果から検出対象の位置を解析する解析回路と、を備え、
前記複数の第１センサと、前記第１及び前記第２測定回路とは、前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記複数の第１検出信号のうち前記第１及び前記第２測定回路のそれぞれの測定対象となった第１検出信号とは異なる２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第３測定結果を出力する第３測定回路をさらに備え、
前記解析回路は、前記第１及び前記第２測定結果に加えて前記第３測定結果から前記検出対象の位置を解析するように構成され、
前記複数の第１センサと、前記第１乃至前記第３測定回路とは、前記第１乃至前記第３測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数の第１センサのうち２つ以上の第１センサが、共通の前記検出対象の位置に応じた強度の前記第１検出信号を出力するように構成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に最も近い第１センサは、前記複数の第１センサのうち前記検出対象に２番目に近い第１センサよりも強い強度の前記第１検出信号を出力するように構成されている、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に最も近い第１センサは、前記複数の第１センサの中で最も強い強度の前記第１検出信号を出力し、
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に２番目に近い第１センサは、前記検出対象に最も近い第１センサよりも弱い強度の前記第１検出信号を出力し、かつ、
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に３番目に近い第１センサは、前記検出対象に２番目に近い第１センサよりもさらに弱い強度の前記第１検出信号を出力するように構成されている、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の第１センサと前記第１及び前記第２測定回路とが前記検出対象の位置に応じて異なる前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせとなるように接続される第１接続パタンと、前記第１接続パタンとは異なる第２接続パタンと、のうち、前記第１及び前記第２測定結果の各組み合わせにおいて測定結果同士の差分が大きい方の接続パタンが選択されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
行方向に延在して設けられ、かつ、列方向に所定間隔で配置された複数の第２センサと、
前記複数の第２センサのそれぞれから出力された複数の第２検出信号のうち２個以上の第２検出信号の加算値を測定して第３測定結果を出力する第３測定回路と、
前記複数の第２検出信号のうち前記第３測定回路の測定対象となった第２検出信号とは異なる２個以上の第２検出信号の加算値を測定して第４測定結果を出力する第４測定回路と、
前記第３及び前記第４測定結果から前記検出対象の列方向の位置を解析する第２解析回路と、さらに備え、
前記複数の第１センサは、前記複数の第２センサに直交するように列方向に延在して設けられ、かつ、行方向に所定間隔で配置され、
前記複数の第１センサと、前記第１及び前記第２測定回路とは、前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせが前記検出対象の行方向の位置に応じて異なるように接続され、
前記複数の第２センサと、前記第３及び前記第４測定回路とは、前記第３及び前記第４測定結果の組み合わせが前記検出対象の列方向の位置に応じて異なるように接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数の第１センサのうち２つ以上の第１センサが、共通の前記検出対象の行方向の位置に応じた強度の前記第１検出信号を出力するように構成され、かつ、
前記複数の第２センサのうち２つ以上の第２センサが、共通の前記検出対象の列方向の位置に応じた強度の前記第２検出信号を出力するように構成されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に最も近い第１センサは、前記複数の第１センサのうち前記検出対象に２番目に近い第１センサよりも強い強度の前記第１検出信号を出力するように構成され、かつ、
前記複数の第２センサのうち前記検出対象に最も近い第２センサは、前記複数の第２センサのうち前記検出対象に２番目に近い第２センサよりも強い強度の前記第２検出信号を出力するように構成されている、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に最も近い第１センサは、前記複数の第１センサの中で最も強い強度の前記第１検出信号を出力し、
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に２番目に近い第１センサは、前記検出対象に最も近い第１センサよりも弱い強度の前記第１検出信号を出力し、かつ、
前記複数の第１センサのうち前記検出対象に３番目に近い第１センサは、前記検出対象に２番目に近い第１センサよりもさらに弱い強度の前記第１検出信号を出力するように構成され、
前記複数の第２センサのうち前記検出対象に最も近い第２センサは、前記複数の第２戦さの中で最も強い強度の前記第２検出信号を出力し、
前記複数の第２センサのうち前記検出対象に２番目に近い第２センサは、前記検出対象に最も近い第２センサよりも弱い強度の前記第２検出信号を出力し、かつ、
前記複数の第２センサのうち前記検出対象に３番目に近い第２センサは、前記検出対象に２番目に近い第２センサよりもさらに弱い強度の前記第２検出信号を出力するように構成されている、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記複数の第１センサと前記第１及び前記第２測定回路とが前記検出対象の行方向の位置に応じて異なる前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせとなるように接続される第１接続パタンと、前記第１接続パタンとは異なる第２接続パタンと、のうち、前記第１及び前記第２測定結果の各組み合わせにおいて測定結果同士の差分が大きい方の接続パタンが選択され、かつ、
前記複数の第２センサと前記第３及び前記第４測定回路とが前記検出対象の列方向の位置に応じて異なる前記第３及び前記第４測定結果の組み合わせとなるように接続される第３接続パタンと、前記第３接続パタンとは異なる第４接続パタンと、のうち、前記第３及び前記第４測定結果の各組み合わせにおいて測定結果同士の差分が大きい方の接続パタンが選択されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記複数の第１センサは、前記第１及び前記第２測定回路に対応する数ごとに第１センサ群としてグループ化され、
各前記第１センサ群を構成する複数の前記第１センサは、前記第１及び前記第２測定回路のうち互いに異なる測定回路に接続されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記複数の第１センサとともに所定間隔で配置された複数の第２センサと、
前記複数の第２センサのそれぞれから出力された複数の第２検出信号のうち２個以上の第２検出信号の加算値を測定して第３測定結果を出力する第３測定回路と、
前記複数の第２検出信号のうち前記第３測定回路の測定対象となった第２検出信号とは異なる２個以上の第２検出信号の加算値を測定して第４測定結果を出力する第４測定回路と、をさらに備え、
前記解析回路は、前記第１及び前記第２測定結果に加えて前記第３及び前記第４測定結果から前記検出対象の位置を解析するように構成され、
前記複数の第２センサと、前記第３及び前記第４測定回路とは、前記第３及び前記第４測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続され、
前記複数の第１センサは、前記第１及び前記第２測定回路に対応する数ごとに第１センサ群としてグループ化され、かつ、前記複数の第２センサは、前記第３及び前記第４測定回路に対応する数ごとに第２センサ群としてグループ化され、
各前記第１センサ群を構成する複数の前記第１センサは、前記第１及び前記第２測定回路のうち互いに異なる測定回路に接続され、かつ、各前記第２センサ群を構成する複数の前記第２センサは、前記第３及び前記第４測定回路のうち互いに異なる測定回路に接続され、
前記第１センサ群と前記第２センサ群とは交互に配置されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
所定間隔で配置された複数のセンサと、第１測定回路及び第２測定回路と、の間の接続関係を設定するステップと、
検出対象を、前記複数のセンサのそれぞれを用いて検出するステップと、
前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち２個以上の検出信号の加算値を、前記第１測定回路を用いて測定するステップと、
前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち、前記第１測定回路の測定対象となった検出信号とは異なる２個以上の検出信号の加算値を、前記第２測定回路を用いて測定するステップと、
前記第１測定回路による第１測定結果と、前記第２測定回路による第２測定結果と、から、前記検出対象の位置を解析するステップと、を備え、
前記接続関係を設定するステップでは、
前記複数のセンサと、前記第１及び前記第２測定回路とを、前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続する、
半導体装置の制御方法。
【請求項１５】
前記複数の検出信号のうち前記第１及び前記第２測定回路のそれぞれの測定対象となった検出信号とは異なる２個以上の検出信号の加算値を、第３測定回路を用いて測定するステップをさらに備え
前記検出対象の位置を解析するステップでは、
前記第１及び前記第２測定結果に加えて、前記第３測定回路による第３測定結果から前記検出対象の位置を解析し、
前記接続関係を設定するステップでは、
前記複数のセンサと、前記第１乃至前記第３測定回路とを、前記第１乃至前記第３測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続する、
請求項１４に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１６】
前記複数のセンサのうち２つ以上のセンサが、共通の前記検出対象の位置に応じた強度の前記検出信号を出力する、
請求項１４に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１７】
前記複数のセンサのうち前記検出対象に最も近いセンサは、前記複数のセンサのうち前記検出対象に２番目に近いセンサよりも強い強度の前記検出信号を出力する、
請求項１６に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１８】
前記複数のセンサのうち前記検出対象に最も近いセンサは、前記複数のセンサの中で最も強い強度の前記検出信号を出力し、
前記複数のセンサのうち前記検出対象に２番目に近いセンサは、前記検出対象に最も近いセンサよりも弱い強度の前記検出信号を出力し、
前記複数のセンサのうち前記検出対象に３番目に近いセンサは、前記検出対象に２番目に近いセンサよりもさらに弱い強度の前記検出信号を出力する、
請求項１６に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項１９】
前記接続関係を設定するステップでは、
前記複数のセンサと前記第１及び前記第２測定回路とが前記検出対象の位置に応じて異なる前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせとなるように接続される第１接続パタンと、前記第１接続パタンとは異なる第２接続パタンと、のうち、前記第１及び前記第２測定結果の各組み合わせにおいて測定結果同士の差分が大きい方の接続パタンを選択する、
請求項１４に記載の半導体装置の制御方法。
【請求項２０】
所定間隔で配置された複数のセンサと、
前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち２個以上の検出信号の加算値を測定して第１測定結果を出力する第１測定回路と、
前記複数の検出信号のうち前記第１測定回路の測定対象となった検出信号とは異なる２個以上の検出信号の加算値を測定して第２測定結果を出力する第２測定回路と、
前記第１及び前記第２測定結果から検出対象の位置を解析する解析回路と、を備えた半導体装置において、
前記複数のセンサと前記第１及び前記第２測定回路とが前記検出対象の位置に応じて異なる前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせとなるように接続される接続パタンの情報を抽出する処理と、
抽出された前記接続パタンの情報に基づいて、前記複数のセンサと、第１及び第２測定回路と、の間の接続関係を設定する処理と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、その制御方法、及び、接続関係設定処理プログラムに関し、例えば回路規模を増大させることなく検出対象の検出時間を短縮させることが可能な半導体装置、その制御方法、及び、接続関係設定処理プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォンやタブレット端末等のタッチパネルには、タッチパネルの操作に用いられるタッチペンや指などの検出対象の位置を検出する検出装置（半導体装置）が搭載されている。この検出装置には、検出精度を劣化させることなく回路規模を縮小することが求められている。
【０００３】
関連する技術が特許文献１に開示されている。特許文献１に開示された位置検出装置は、複数の電極と、複数の電極のうち何れかの電極の組を選択的に出力する選択回路と、選択回路により選択された電極の組から受信した一対の信号を増幅する差動増幅回路と、を備える。それにより、この位置検出装置は、電極毎に増幅回路を設ける必要がないため、回路規模の増大を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１９６６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の構成では、複数の電極の全てを選択し終えた後に検出対象の位置が検出されるため、検出時間が長くなってしまうという問題があった。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、半導体装置は、所定間隔で配置された複数の第１センサと、前記複数の第１センサのそれぞれから出力された複数の第１検出信号のうち２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第１測定結果を出力する第１測定回路と、前記複数の第１検出信号のうち前記第１測定回路の測定対象となった第１検出信号とは異なる２個以上の第１検出信号の加算値を測定して第２測定結果を出力する第２測定回路と、前記第１及び前記第２測定結果から検出対象の位置を解析する解析回路と、を備え、前記複数の第１センサと、前記第１及び前記第２測定回路とは、前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続されている。
【０００７】
他の実施の形態によれば、半導体装置の制御方法は、所定間隔で配置された複数のセンサと、第１測定回路及び第２測定回路と、の間の接続関係を設定するステップと、検出対象を、前記複数のセンサのそれぞれを用いて検出するステップと、前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち２個以上の検出信号の加算値を、前記第１測定回路を用いて測定するステップと、前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち、前記第１測定回路の測定対象となった検出信号とは異なる２個以上の検出信号の加算値を、前記第２測定回路を用いて測定するステップと、前記第１測定回路による第１測定結果と、前記第２測定回路による第２測定結果と、から、前記検出対象の位置を解析するステップと、を備え、前記接続関係を設定するステップでは、前記複数のセンサと、前記第１及び前記第２測定回路とを、前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせが前記検出対象の位置に応じて異なるように接続する。
【０００８】
他の実施の形態によれば、接続関係設定処理プログラムは、所定間隔で配置された複数のセンサと、前記複数のセンサのそれぞれから出力された複数の検出信号のうち２個以上の検出信号の加算値を測定して第１測定結果を出力する第１測定回路と、前記複数の検出信号のうち前記第１測定回路の測定対象となった検出信号とは異なる２個以上の検出信号の加算値を測定して第２測定結果を出力する第２測定回路と、前記第１及び前記第２測定結果から検出対象の位置を解析する解析回路と、を備えた半導体装置において、前記複数のセンサと前記第１及び前記第２測定回路とが前記検出対象の位置に応じて異なる前記第１及び前記第２測定結果の組み合わせとなるように接続される接続パタンの情報を抽出する処理と、抽出された前記接続パタンの情報に基づいて、前記複数のセンサと、第１及び第２測定回路と、の間の接続関係を設定する処理と、をコンピュータに実行させる。
【発明の効果】
【０００９】
前記一実施の形態によれば、回路規模を増大させることなく検出対象の検出時間を短縮させることが可能な半導体装置、その制御方法、及び、接続関係設定処理プログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１にかかる半導体装置における、検出対象Ｔ１の位置と測定結果Ａ１〜Ａ５との関係を示す図である。
【図３】図１に示す半導体装置の接続関係の設定動作を示すフローチャートである。
【図４】図３に示すフローチャートの処理を実行するためのプログラム記述の一例を示す図である。
【図５】図４に示すプログラムを実行することによって出力された接続パタンの複数の候補を示す図である。
【図６】接続関係設定用プロセッサのハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図７】実施の形態１にかかる半導体装置１が適用された火災検出システムＳＹＳ１の概略を示す図である。
【図８】実施の形態２にかかる半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図９】実施の形態３にかかる半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図１０】実施の形態１に至る前の構想にかかる半導体装置の構成例を示すブロック図である。
【図１１】実施の形態１に至る前の構想にかかる半導体装置における、検出対象Ｔ１の位置と測定結果Ａ１〜Ａ５との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、様々な処理を行う機能ブロックとして図面に記載される各要素は、ハードウェア的には、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メモリ、その他の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現される。したがって、これらの機能ブロックがハードウェアのみ、ソフトウェアのみ、またはそれらの組合せによっていろいろな形で実現できることは当業者には理解されるところであり、いずれかに限定されるものではない。なお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１２】
また、上述したプログラムは、様々なタイプの非一時的なコンピュータ可読媒体を用いて格納され、コンピュータに供給することができる。非一時的なコンピュータ可読媒体は、様々なタイプの実体のある記録媒体を含む。非一時的なコンピュータ可読媒体の例は、磁気記録媒体（例えばフレキシブルディスク、磁気テープ、ハードディスクドライブ）、光磁気記録媒体（例えば光磁気ディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、半導体メモリ（例えば、マスクＲＯＭ、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  ＰＲＯＭ）、フラッシュＲＯＭ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ））を含む。また、プログラムは、様々なタイプの一時的なコンピュータ可読媒体によってコンピュータに供給されてもよい。一時的なコンピュータ可読媒体の例は、電気信号、光信号、及び電磁波を含む。一時的なコンピュータ可読媒体は、電線及び光ファイバ等の有線通信路、又は無線通信路を介して、プログラムをコンピュータに供給できる。
【００１３】
＜発明者による事前検討＞
実施の形態１にかかる半導体装置１について説明する前に、まず、本発明者が事前検討した半導体装置５０について説明する。
【００１４】
図１０は、実施の形態１に至る前の構想に係る半導体装置５０の構成を示すブロック図である。半導体装置５０は、スマートフォンやタブレット端末等のタッチパネルに搭載され、タッチパネルの操作に用いられるタッチペンや指などの検出対象Ｔ１の位置を検出する検出装置である。
【００１５】
図１０に示すように、半導体装置５０は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、ワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５と、解析回路１２と、を備える。
【００１６】
センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、検出対象Ｔ１の接近によって静電容量の値を変化させる静電容量式のセンサであって、検出対象Ｔ１との距離に応じた強度の検出信号を出力する。
【００１７】
ここで、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、Ｘ軸方向（例えば行方向）に所定間隔で配置されている。つまり、半導体装置５０は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５を用いて検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置を検出する。
【００１８】
本例では、共通の検出対象Ｔ１が、最大で５個のセンサによって検出される場合について説明する。例えば、検出対象Ｔ１に最も近いセンサによって、最も強い強度の検出信号が出力され、検出対象Ｔ１に２番目に近い２つのセンサ（検出対象Ｔ１に最も近いセンサに隣接する２つのセンサ）によって、２番目に強い強度の検出信号が出力され、検出対象Ｔ１に３番目に近い２つのセンサによって、３番目に強い強度の検出信号が出力される。それ以外の残りのセンサからは検出信号は出力されない（換言すると、それ以外の残りのセンサからは０レベルの検出信号が出力される）。
【００１９】
また、本例では、連続して配置された５個のセンサによって一組のセンサ群が構成されている。具体的には、５個のセンサＳ１＿１〜Ｓ１＿５によって一組のセンサ群が構成され、５個のセンサＳ１＿６〜Ｓ１＿１０によって一組のセンサ群が構成され、５個のセンサＳ１＿１１〜Ｓ１＿１５によって一組のセンサ群が構成されている。
【００２０】
センサＳ１＿１〜Ｓ１＿５は、それぞれワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５に接続されている。センサＳ１＿６〜Ｓ１＿１０は、それぞれワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５に接続されている。センサＳ１＿１１〜Ｓ１＿１５は、それぞれワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５に接続されている。つまり、３つのセンサ群のそれぞれの１番目のセンサは共通のワイヤＷ１＿１に接続され、２番目のセンサは共通のワイヤＷ１＿２に接続され、３番目のセンサは共通のワイヤＷ１＿３に接続され、４番目のセンサは共通のワイヤＷ１＿４に接続され、５番目のセンサは共通のワイヤＷ１＿５に接続されている。
【００２１】
測定回路１１＿１は、ワイヤＷ１＿１に供給されたセンサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ１を出力する。測定回路１１＿２は、ワイヤＷ１＿２に供給されたセンサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ２を出力する。測定回路１１＿３は、ワイヤＷ１＿３に供給されたセンサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ３を出力する。測定回路１１＿４は、ワイヤＷ１＿４に供給されたセンサＳ１＿４，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ４を出力する。測定回路１１＿５は、ワイヤＷ１＿５に供給されたセンサＳ１＿５，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ５を出力する。各測定回路１１＿１〜１１＿５は、例えば、増幅回路及びＡＤ変換器によって構成されている。
【００２２】
なお、本例では、最も強い強度の検出信号が数値“３”と表され、２番目に強い強度の検出信号が数値“２”と表され、３番目に強い強度の検出信号が数値“１”と表される。また、それ以外の検出信号は数値“０”と表される。
【００２３】
したがって、例えば、センサＳ１＿１の検出信号の数値が“０”、センサＳ１＿６の検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿１１の検出信号の数値が“０”である場合、測定回路１１＿１は、これらの加算値“２”を測定結果Ａ１として出力する。
【００２４】
解析回路１２は、例えばマイコンであって、測定回路１１＿１〜１１＿５のそれぞれの測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせから、検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置を解析する。
【００２５】
図１１は、検出対象Ｔ１の位置と、測定結果Ａ１〜Ａ５と、の関係を示す図である。なお、図１１には、検出対象Ｔ１の位置と、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれによる検出結果と、の関係も示されている。
【００２６】
図１１に示すように、例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置する場合、センサＳ１＿６の検出信号の数値が“３”、センサＳ１＿５，Ｓ１＿７のそれぞれの検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿４，Ｓ１＿８のそれぞれの検出信号の数値が“１”、それ以外の検出信号の数値が“０”となる。
【００２７】
このとき、測定結果Ａ１は、センサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出結果“０，３，０”を加算した結果である“３”となる。測定結果Ａ２は、センサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出結果“０，２，０”を加算した結果である“２”となる。測定結果Ａ３は、センサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出結果“０，１，０”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ４は、センサＳ１＿４，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出結果“１，０，０”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ５は、センサＳ１＿５，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果“２，０，０”を加算した結果である“２”となる。つまり、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせは“３，２，１，１，２”となる。
【００２８】
解析回路１２は、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせ“３，２，１，１，２”から、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置する可能性が高いと判定することができる。
【００２９】
つまり、半導体装置５０は、少ない数の測定回路１１＿１〜１１＿５を用いることにより回路規模を増大させることなく、短い時間で、検出対象Ｔ１の位置の候補を特定することができる。
【００３０】
しかしながら、半導体装置５０の構成では、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１１の直上に位置する場合の測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせが、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置する場合の測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせと同じなってしまう。
【００３１】
具体的には、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１１の直上に位置する場合、センサＳ１＿１１の検出信号の数値が“３”、センサＳ１＿１０，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿９，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出信号の数値が“１”、それ以外の検出信号の数値が“０”となる。
【００３２】
このとき、測定結果Ａ１は、センサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出結果“０，０，３”を加算した結果である“３”となる。測定結果Ａ２は、センサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出結果“０，０，２”を加算した結果である“２”となる。測定結果Ａ３は、センサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出結果“０，０，１”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ４は、センサＳ１＿４，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出結果“０，１，０”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ５は、センサＳ１＿５，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果“０，２，０”を加算した結果である“２”となる。つまり、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせは“３，２，１，１，２”となる。
【００３３】
そのため、解析回路１２は、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせ“３，２，１，１，２”からでは、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置するのか、センサＳ１＿１１の直上に位置するのか、を特定することができない、という問題があった。
【００３４】
そこで、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の接続関係を工夫することにより、回路規模を増大させることなく、短い時間で、精度良く検出対象Ｔ１の位置を特定することが可能な、実施の形態１にかかる半導体装置１が見出された。
【００３５】
＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１にかかる半導体装置１の構成例を示すブロック図である。本実施の形態にかかる半導体装置１は、スマートフォンやタブレット端末等のタッチパネルに搭載され、タッチパネルの操作に用いられるタッチペンや指などの検出対象Ｔ１の位置を検出する検出装置である。
【００３６】
図１に示すように、半導体装置１は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、ワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５と、解析回路１２と、を備える。
【００３７】
センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、検出対象Ｔ１の接近によって静電容量の値を変化させる静電容量式のセンサであって、検出対象Ｔ１との距離に応じた強度の検出信号を出力する。なお、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、静電容量式のセンサの場合に限られず、光の強度に応じた強度の検出信号を出力するセンサや、付与された圧力に応じた強度の検出信号を出力する圧電センサなどであってもよい。
【００３８】
センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、Ｘ軸方向（例えば行方向）に所定間隔で配置されている。つまり、半導体装置５０は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５を用いて検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置を検出する。
【００３９】
本実施の形態では、共通の検出対象Ｔ１が、最大で５個のセンサによって検出される場合を例に説明する。例えば、検出対象Ｔ１に最も近いセンサによって、最も強い強度の検出信号が出力され、検出対象Ｔ１に２番目に近い２つのセンサ（検出対象Ｔ１に最も近いセンサに隣接する２つのセンサ）によって、２番目に強い強度の検出信号が出力され、検出対象Ｔ１に３番目に近い２つのセンサによって、３番目に強い強度の検出信号が出力される。それ以外の残りのセンサからは検出信号は出力されない（換言すると、それ以外の残りのセンサからは０レベルの検出信号が出力される）。
【００４０】
また、本実施の形態では、連続して配置された５個のセンサによって一組のセンサ群が構成されている場合を例に説明する。具体的には、５個のセンサＳ１＿１〜Ｓ１＿５によって一組のセンサ群が構成され、５個のセンサＳ１＿６〜Ｓ１＿１０によって一組のセンサ群が構成され、５個のセンサＳ１＿１１〜Ｓ１＿１５によって一組のセンサ群が構成されている。
【００４１】
一例として、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿５は、それぞれワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５に接続されている。センサＳ１＿６〜Ｓ１＿１０は、それぞれワイヤＷ１＿１，Ｗ１＿２，Ｗ１＿３，Ｗ１＿５，Ｗ１＿４に接続されている。また、センサＳ１＿１１〜Ｓ１＿１５は、それぞれワイヤＷ１＿１，Ｗ１＿２，Ｗ１＿４，Ｗ１＿３，Ｗ１＿５に接続されている。
【００４２】
測定回路１１＿１は、ワイヤＷ１＿１に供給されたセンサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ１を出力する。測定回路１１＿２は、ワイヤＷ１＿２に供給されたセンサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ２を出力する。測定回路１１＿３は、ワイヤＷ１＿３に供給されたセンサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ３を出力する。測定回路１１＿４は、ワイヤＷ１＿４に供給されたセンサＳ１＿４，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ４を出力する。測定回路１１＿５は、ワイヤＷ１＿５に供給されたセンサＳ１＿５，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ａ５を出力する。
【００４３】
各測定回路１１＿１〜１１＿５は、例えば、増幅回路及びＡＤ変換器によって構成されている。ここで、測定回路１１＿１〜１１＿５は何れも理想的には同一の動作をするように構成されている。具体的には、測定回路１１＿１〜１１＿５のそれぞれに設けられた増幅回路は、何れも理想的には同一の増幅率で検出信号を増幅するように構成され、測定回路１１＿１〜１１＿５のそれぞれに設けられたＡＤ変換器は、何れも理想的には同一の分解能でＡＤ変換するように構成されている。
【００４４】
なお、本例では、最も強い強度の検出信号が数値“３”と表され、２番目に強い強度の検出信号が数値“２”と表され、３番目に強い強度の検出信号が数値“１”と表される。また、それ以外の検出信号が数値“０”と表される。
【００４５】
したがって、例えば、センサＳ１＿１の検出信号の数値が“０”、センサＳ１＿６の検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿１１の検出信号の数値が“０”である場合、測定回路１１＿１は、これらの加算値“２”を測定結果Ａ１として出力する。
【００４６】
解析回路１２は、例えばマイコンであって、測定回路１１＿１〜１１＿５のそれぞれの測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせから、検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置を解析する。
【００４７】
図２は、検出対象Ｔ１の位置と、測定結果Ａ１〜Ａ５と、の関係を示す図である。なお、図２には、検出対象Ｔ１の位置と、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれによる検出結果と、の関係も示されている。
【００４８】
図２に示すように、例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置する場合、センサＳ１＿６の検出信号の数値が“３”、センサＳ１＿５，Ｓ１＿７のそれぞれの検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿４，Ｓ１＿８のそれぞれの検出結果の数値が“１”、それ以外の検出信号の数値が“０”となる。
【００４９】
このとき、測定結果Ａ１は、センサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出結果“０，３，０”を加算した結果である“３”となる。測定結果Ａ２は、センサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出結果“０，２，０”を加算した結果である“２”となる。測定結果Ａ３は、センサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出結果“０，１，０”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ４は、センサＳ１＿４，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出結果“１，０，０”を加算した結果である“１”となる。測定結果Ａ５は、センサＳ１＿５，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果“２，０，０”を加算した結果である“２”となる。つまり、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせは“３，２，１，１，２”となる。
【００５０】
それに対し、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１１の直上に位置する場合、センサＳ１＿１１の検出信号の数値が“３”、センサＳ１＿１０，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出信号の数値が“２”、センサＳ１＿９，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出信号の数値が“１”、それ以外の検出信号の数値が“０”となる。
【００５１】
このとき、測定結果Ａ１は、センサＳ１＿１，Ｓ１＿６，Ｓ１＿１１のそれぞれの検出結果“０，０，３”を加算した結果である“３”となる。測定結果Ａ２は、センサＳ１＿２，Ｓ１＿７，Ｓ１＿１２のそれぞれの検出結果“０，０，２”を加算した結果である“２”となる。測定結果Ａ３は、センサＳ１＿３，Ｓ１＿８，Ｓ１＿１４のそれぞれの検出結果“０，０，０”を加算した結果である“０”となる。測定結果Ａ４は、センサＳ１＿４，Ｓ１＿１０，Ｓ１＿１３のそれぞれの検出結果“０，２，１”を加算した結果である“３”となる。測定結果Ａ５は、センサＳ１＿５，Ｓ１＿９，Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果“０，１，０”を加算した結果である“１”となる。つまり、測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせは“３，２，０，３，１”となる。
【００５２】
このように、半導体装置１の構成では、半導体装置５０の場合と異なり、例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿６の直上に位置する場合の測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせと、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１１の直上に位置する場合の測定結果Ａ１〜Ａ５の組み合わせと、が異なっている。それを含めて、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５の全ての組み合わせが互いに異なっている。つまり、半導体装置１では、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５の全ての組み合わせが互いに異なるように、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係が設定されている。それにより、半導体装置１は、回路規模を増大させることなく、短い時間で、精度良く検出対象Ｔ１の位置を検出することができる。また、それにより、消費電力の増大が抑制される。
【００５３】
また、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５が半導体装置１のチップ外部に設けられた場合、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間を５本のラインで接続するだけでよいため、チップ上に設けられる外部接続端子の数を減らすことができる。
【００５４】
（接続関係の設定方法）
続いて、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の接続関係の設定方法について説明する。
【００５５】
図３は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の接続関係の設定方法を示すフローチャートである。なお、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の接続関係は、例えば通常動作前の初期設定時において図示しない制御回路（後述する接続関係設定用プロセッサ１３）によって設定される。
【００５６】
図３に示すように、まず、検出対象Ｔ１の位置に応じた複数の入力パタン（センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれによる検出結果）が定義される（ステップＳ１０１）。
【００５７】
例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１の直上に位置する場合の入力パタンは“３，２，１，０，０，０，０，０，０，０，０，０”と定義される。検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿２の直上に位置する場合の入力パタンは“２，３，２，１，０，０，０，０，０，０，０，０”と定義される。このようにして、検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１の直上に位置する場合から検出対象Ｔ１がセンサＳ１＿１５の直上に位置する場合までの複数の入力パタン（本例では１６個の入力パタン）が定義される。なお、各入力パタンの詳細については、図２に示されている。
【００５８】
その後、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の全ての接続パタン（繋ぎ方）が抽出される（ステップＳ１０２）。ただし、共通のセンサ群に属する５つのセンサは、互いに異なる測定回路に接続されるものとする。
【００５９】
その後、抽出された複数の接続パタンの中から一つの接続パタンが選択される（ステップＳ１０３）。また、複数の入力パタンの中から一つの入力パタンが選択される（ステップＳ１０４）。そして、選択中の接続パタンでセンサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間を接続させた場合における、選択中の入力パタン（センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果）に対応する測定結果Ａ１〜Ａ５が算出される（ステップＳ１０５）。
【００６０】
全ての入力パタンに対する全ての測定結果Ａ１〜Ａ５の算出が完了していない場合（ステップＳ１０６のＮＯ）、まだ選択されていない入力パタンが選択される（ステップＳ１０４）。そして、選択中の接続パタンでセンサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間を接続した場合における、選択中の入力パタン（センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれの検出結果）に対応する測定結果Ａ１〜Ａ５が算出される（ステップＳ１０５）。
【００６１】
全ての入力パタンに対する全ての測定結果Ａ１〜Ａ５が算出された場合（ステップＳ１０６のＹＥＳ）、次に、測定結果Ａ１〜Ａ５の複数の組み合わせの中に重複する組み合わせがあるか否かの判定が行われる（ステップＳ１０７）。
【００６２】
例えば、判定結果Ａ１〜Ａ５の複数の組み合わせの中に重複する組み合わせがある場合（ステップＳ１０７のＹＥＳ）、選択中の接続パタンは半導体装置１に適さないと判断される。
【００６３】
それに対し、判定結果Ａ１〜Ａ５の複数の組み合わせの中に重複する組み合わせがない場合（ステップＳ１０７のＮＯ）、選択中の接続パタンの情報が、半導体装置１に適用可能な接続パタンの情報として出力される（ステップＳ１０８）。
【００６４】
その後、全ての接続パタンの選択が完了したか否かの判定が行われる（ステップＳ１０９）。全ての接続パタンの選択が完了していない場合（ステップＳ１０９のＮＯ）、まだ選択されていない接続パタンが選択される（ステップＳ１０３）。その後は、ステップＳ１０４〜Ｓ１０９の処理が実行される。そして、全ての接続パタンの選択が完了すると（ステップＳ１０９のＹＥＳ）、接続パタンの候補の抽出が終了する。ここで、例えば、図示しない制御回路（接続関係設定用プロセッサ１３）から出力された複数の接続パタンの何れかの情報に基づいて、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係が設定される。
【００６５】
図４には、図３に示すフローチャートの処理を実行するためのプログラム記述の一例が示されている。また、図５には、図４に示すプログラムを実行することによって出力された接続パタンの複数の候補が示されている。なお、図５の各行には、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５のそれぞれの接続先の一つの候補が示されているが、図５中の値“０”，“１”，“２”，“３”，“４”は、それぞれ測定回路１１＿１，１１＿２，１１＿３，１１＿４，１１＿５を意味する。
【００６６】
図５に示すように、測定結果Ａ１〜Ａ５の複数の組み合わせの中に重複する組み合わせのない接続パタン、が複数存在する場合、当該複数の接続パタンの中の任意の接続パタンに基づいて、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係を設定することができる。ここで、当該複数の接続パタンのうち、測定結果Ａ１〜Ａ５の各組み合わせにおいて測定結果同士の差分ができるだけ大きくなるような接続パタンを選択することが好ましい。それにより、外来雑音等によって測定結果Ａ１〜Ａ５が意図せず変化してしまうことを防ぐことができる。
【００６７】
本実施の形態では、半導体装置１が１５個のセンサを備えた場合について説明したが、これに限られない。半導体装置１は、測定回路の数よりも多い任意の数のセンサを備えた構成に適宜変更可能である。
【００６８】
また、本実施の形態では、共通の検出対象Ｔ１が、最大で５個のセンサによって検出される場合について説明したが、これに限られない。共通の検出対象Ｔ１は、任意の数のセンサによって検出されてよい。例えば、共通の検出対象Ｔ１は、最大で３個のセンサによって検出されてもよいし、最大で７個のセンサによって検出されてもよい。
【００６９】
また、本実施の形態では、半導体装置１が５個の測定回路を備えた場合を例に説明したが、これに限られない。半導体装置１は、２個以上の任意の数の測定回路を備えた構成に適宜変更可能である。なお、共通のセンサ群に属するセンサの個数は、測定回路の個数と同じになる。
【００７０】
さらに、本実施の形態では、最も強い強度の検出信号が数値“３”と表され、２番目に強い強度の検出信号が数値“２”と表され、３番目に強い強度の検出信号が数値“１”と表され、それ以外の検出信号が数値“０”と表される場合を例に説明したが、これに限られない。検出信号の強度に応じて任意の数値が設定されてもよい。
【００７１】
（接続関係設定用プロセッサ１３のハードウェア構成）
なお、半導体装置１に用いられる接続関係設定用プロセッサ１３は、例えば、汎用的なコンピュータシステムにより実現可能である。以下、図６を用いて簡単に説明する。
【００７２】
図６は、接続関係設定用プロセッサ１３のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。コンピュータ１００は、例えば、制御装置であるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１０１と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０２と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１０３と、外部とのインターフェースであるＩＦ（Ｉｎｔｅｒ  Ｆａｃｅ）１０４と、不揮発性記憶装置の一例であるＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）１０５と、を備える。さらに、コンピュータ１００は、その他図示しない構成として、キーボードやマウス等の入力装置やディスプレイ等の表示装置を備えていても良い。
【００７３】
ＨＤＤ１０５には、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）（不図示）と、接続関係設定処理プログラム１０６と、が記憶されている。接続関係設定処理プログラム１０６は、本実施の形態に係る接続関係設定処理が実装されたコンピュータプログラムである。
【００７４】
ＣＰＵ１０１は、コンピュータ１００における各種処理、ＲＡＭ１０２，ＲＯＭ１０３，ＩＦ１０４及びＨＤＤ１０５へのアクセス等を制御する。コンピュータ１００は、ＣＰＵ１０１がＨＤＤ１０５に記憶されたＯＳ及び接続関係設定処理プログラム１０６を読み込み、実行する。これにより、コンピュータ１００は、本実施の形態にかかる接続関係設定用プロセッサ１３を実現する。
【００７５】
（半導体装置１の適用事例）
図７は、半導体装置１が適用された火災検出システムＳＹＳ１の概略を示す図である。
図７に示すように、火災検出システムＳＹＳ１は、１５戸の家屋Ｈ１〜Ｈ１５からなる建物６０と、火災検出装置として用いられる半導体装置１と、を備える。
【００７６】
１５戸の家屋Ｈ１〜Ｈ１５のそれぞれには、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５が設置されている。例えば、火災が発生した家屋Ｈ６に設置されたセンサＳ１＿６によって、最も強い強度の検出信号が出力され、家屋Ｈ６に隣接する家屋Ｈ５，Ｈ７に設置されたセンサＳ１＿５，Ｓ１＿７によって、２番目に強い強度の検出信号が出力され、家屋Ｈ５，Ｈ７に隣接する家屋Ｈ４，Ｈ８に設置されたセンサＳ１＿４，Ｓ１＿８によって、３番目に強い強度の検出信号が出力される。それ以外の残りのセンサからは検出信号は出力されない（換言すると、それ以外の残りのセンサからは０レベルの検出信号が出力される）。半導体装置１のその他の構成及び動作については、既に説明したとおりであるため、省略する。
【００７７】
火災検出システムＳＹＳ１は、少ない数の測定回路１１＿１〜１１＿５を用いることにより回路規模の増大を抑制しつつ、かつ、短い時間で、火災が発生した家屋を正確に検出することができる。
【００７８】
＜実施の形態２＞
図８は、実施の形態２にかかる半導体装置２の構成例を示すブロック図である。半導体装置２は、検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置のみならず、検出対象Ｔ１のＹ軸方向の位置も検出する。以下、具体的に説明する。
【００７９】
図８に示すように、半導体装置２は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５、測定回路１１＿１〜１１＿５、ワイヤＷ１＿１〜Ｗ１＿５、及び、解析回路１２に加えて、センサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５、測定回路２１＿１〜２１＿５、ワイヤＷ２＿１〜Ｗ２＿５、及び、解析回路２２を備える。
【００８０】
センサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５の場合と同じく、検出対象Ｔ１の接近によって静電容量の値を変化させる静電容量式のセンサであって、検出対象Ｔ１との距離に応じた強度の検出信号を出力する。なお、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、静電容量式のセンサの場合に限られず、光の強度に応じた強度の検出信号を出力するセンサや、付与された圧力に応じた強度の検出信号を出力する圧電センサなどであってもよい。
【００８１】
センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５は、それぞれ、Ｙ軸方向（例えば列方向）に延在して設けられ、かつ、Ｘ軸方向（例えば行方向）に所定間隔で配置されている。センサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５は、それぞれ、Ｘ軸方向（例えば行方向）に延在して設けられ、かつ、Ｙ軸方向（例えば列方向）に所定間隔で配置されている。即ち、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５とセンサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５とは、互いに直交するようにして設けられている。
【００８２】
それにより、半導体装置２は、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５を用いて検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置を検出するとともに、センサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５を用いて検出対象Ｔ１のＹ軸方向の位置を検出することができる。
【００８３】
センサＳ２＿１〜Ｓ２＿１５と測定回路２１＿１〜２１＿５との間の接続関係の設定方法については、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係の設定方法と同様である。
【００８４】
一例として、センサＳ２＿１〜Ｓ２＿５は、それぞれワイヤＷ２＿１〜Ｗ２＿５に接続されている。センサＳ２＿６〜Ｓ２＿１０は、それぞれワイヤＷ２＿１，Ｗ２＿２，Ｗ２＿３，Ｗ２＿５，Ｗ２＿４に接続されている。また、センサＳ２＿１１〜Ｓ２＿１５は、それぞれワイヤＷ２＿１，Ｗ２＿２，Ｗ２＿４，Ｗ２＿３，Ｗ２＿５に接続されている。
【００８５】
測定回路２１＿１は、ワイヤＷ２＿１に供給されたセンサＳ２＿１，Ｓ２＿６，Ｓ２＿１１のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ｂ１を出力する。測定回路２１＿２は、ワイヤＷ２＿２に供給されたセンサＳ２＿２，Ｓ２＿７，Ｓ２＿１２のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ｂ２を出力する。測定回路２１＿３は、ワイヤＷ２＿３に供給されたセンサＳ２＿３，Ｓ２＿８，Ｓ２＿１４のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ｂ３を出力する。測定回路２１＿４は、ワイヤＷ２＿４に供給されたセンサＳ２＿４，Ｓ２＿１０，Ｓ２＿１３のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ｂ４を出力する。測定回路２１＿５は、ワイヤＷ２＿５に供給されたセンサＳ２＿５，Ｓ２＿９，Ｓ２＿１５のそれぞれの検出信号の加算値を測定し、測定結果Ｂ５を出力する。測定回路２１＿１〜２１＿５のそれぞれの構成については、測定回路１１＿１〜１１＿５の場合と同様であるため、その説明を省略する。
【００８６】
解析回路２２は、例えばマイコンであって、測定回路２１＿１〜２１＿５のそれぞれの測定結果Ｂ１〜Ｂ５の組み合わせから、検出対象Ｔ１のＹ軸方向の位置を解析する。
【００８７】
例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ２＿６の直上に位置する場合、測定結果Ｂ１〜Ｂ５の組み合わせは“３，２，１，１，２”となる。それに対し、検出対象Ｔ１がセンサＳ２＿１１の直上に位置する場合、測定結果Ｂ１〜Ｂ５の組み合わせは“３，２，０，３，１”となる。
【００８８】
つまり、半導体装置２の構成では、半導体装置５０の場合と異なり、例えば、検出対象Ｔ１がセンサＳ２＿６の直上に位置する場合の測定結果Ｂ１〜Ｂ５の組み合わせと、検出対象Ｔ１がセンサＳ２＿１１の直上に位置する場合の測定結果Ｂ１〜Ｂ５の組み合わせと、が異なっている。それを含めて、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ｂ１〜Ｂ５の全ての組み合わせが互いに異なっている。
【００８９】
半導体装置２のその他の構成及び動作については、半導体装置１の場合と同様であるため、その説明を省略する。
【００９０】
このように、半導体装置２は、半導体装置１の場合と同様に、回路規模の増大を抑制し、かつ、短い時間で、精度良く検出対象Ｔ１の位置を検出することができる。特に、半導体装置２は、検出対象Ｔ１のＸ軸方向の位置のみならず、検出対象Ｔ１のＹ軸方向の位置も検出することができる。
【００９１】
＜実施の形態３＞
図９は、実施の形態３にかかる半導体装置３の構成例を示す図である。半導体装置３は、半導体装置１の場合と比較して、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５及び測定回路１１＿１〜１１＿５に対応するセンサＳ３＿１〜Ｓ３＿１５及び測定回路３１＿１〜３１＿５をさらに備える。
【００９２】
センサＳ３＿１〜Ｓ３＿１５及び測定回路３１＿１〜３１＿５のそれぞれの構成については、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５及び測定回路１１＿１〜１１＿５の場合と同様であるため、その説明を省略する。また、センサＳ３＿１〜Ｓ３＿１５と測定回路３１＿１〜３１＿５との間の接続関係の設定方法については、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係の設定方法と同様であるため、その説明を省略する。
【００９３】
ここで、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５とセンサＳ３＿１〜Ｓ３＿１５とは、Ｘ軸方向に沿って、５個のセンサからなるセンサ群ごとに交互に配置されている。それにより、半導体装置３は、半導体装置１の場合よりも容易に、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５の全ての組み合わせを互いに異ならせることが可能となる。
【００９４】
以上のように、上記実施の形態１〜３にかかる半導体装置１〜３では、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５（Ｂ１〜Ｂ５）の全ての組み合わせが互いに異なるように、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と測定回路１１＿１〜１１＿５との間の接続関係が設定されている。それにより、上記実施の形態１〜３にかかる半導体装置１〜３は、回路規模を増大させることなく、短い時間で、精度良く検出対象Ｔ１の位置を検出することができる。また、それにより、消費電力の増大が抑制される。
【００９５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００９６】
上記実施の形態１〜３では、例えば、検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５の全ての組み合わせが互いに異なるように、センサＳ１＿１〜Ｓ１＿１５と、測定回路１１＿１〜１１＿５と、の間の接続関係が設定された場合を例に説明したが、これに限られない。検出対象Ｔ１の位置に応じた測定結果Ａ１〜Ａ５の全ての組み合わせのうち重複する組み合わせの数を減らすだけでも、何も対策しない場合と比較して、検出対象Ｔ１の位置の検出精度を向上させることができる。
【符号の説明】
【００９７】
１  半導体装置
２  半導体装置
３  半導体装置
１１＿１〜１１＿５  測定回路
２１＿１〜２１＿５  測定回路
３１＿１〜３１＿５  測定回路
１２  解析回路
１３  接続関係設定用プロセッサ
２２  解析回路
６０  建物
１００  コンピュータ
１０１  ＣＰＵ
１０２  ＲＡＭ
１０３  ＲＯＭ
１０４  ＩＦ
１０５  ＨＤＤ
１０６  接続関係設定処理プログラム
Ｈ１〜Ｈ１５  家屋
Ｓ１＿１〜Ｓ１＿１５  センサ
Ｓ２＿１〜Ｓ２＿１５  センサ
Ｓ３＿１〜Ｓ３＿１５  センサ
ＳＹＳ１  火災検出システム
Ｗ１＿１〜Ｗ１＿５  ワイヤ
Ｗ２＿１〜Ｗ２＿５  ワイヤ
Ｗ３＿１〜Ｗ３＿５  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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