(57)【要約】      （修正有）【課題】共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができるボディバイアシング回路を提供する。【解決手段】表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路に関するものであって、より詳しくは、サブピクセル内の駆動トランジスタのボディに共通電圧と対応するボディ電圧を印加するボディバイアシング技法を通じて、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路に関するものである。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のデータライン及び多数のゲートラインにより定義される多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、
前記多数のデータラインを駆動するソース駆動回路と、
前記多数のゲートラインを駆動するゲート駆動回路と、
前記ソース駆動回路及び前記ゲート駆動回路を制御するコントローラと、を含み、
前記多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が前記多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加される、表示装置。
【請求項２】
前記ボディ電圧は、前記共通電圧の波形と対応する波形を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ボディ電圧は、前記共通電圧の振幅変化によって変わる振幅を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記多数のサブピクセルの各々には前記駆動トランジスタにより駆動され、アノード電極とカソード電極を有する有機発光ダイオードを含み、
前記共通電圧は、前記カソード電極に印加される基底電圧である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記共通電圧を出力するパワー供給回路と、
前記駆動トランジスタのボディと前記パワー供給回路との間に連結され、前記共通電圧と対応する前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路と、をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ボディバイアシング回路は、
前記駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と前記共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
前記分配電圧に該当する前記ボディ電圧または前記分配電圧が増幅された前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに出力する出力回路と、を含む、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記パワー供給回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータを含む、請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記共通電圧を供給し、前記共通電圧と対応する前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに供給するパワー供給回路をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ピクセルアレイ、前記ソース駆動回路、前記ゲート駆動回路、及び前記コントローラは、シリコン基板上に配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
映像信号が入力される映像信号入力部と、
前記映像信号に基づいた第１映像が表示される第１ディスプレイユニットと、
前記映像信号に基づいた第２映像が表示される第２ディスプレイユニットと、
前記映像信号入力部、前記第１ディスプレイユニット、及び前記第２ディスプレイユニットを収納するケースと、を含み、
前記第１ディスプレイユニット及び前記第２ディスプレイユニットの各々は、
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に配列された多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、
前記シリコン基板上に配置された駆動回路と、を含み、
前記駆動回路は前記ピクセルアレイの周辺に位置し、
前記多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が前記多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加される、電子機器。
【請求項１１】
前記共通電圧を出力するパワー供給回路と、
前記駆動トランジスタのボディと前記パワー供給回路との間に連結され、前記共通電圧と対応する前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路をさらに含む、請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記ボディバイアシング回路は、
前記駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と前記共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
前記分配電圧に該当する前記ボディ電圧または前記分配電圧が増幅された前記ボディ電圧を前記駆動トランジスタのボディに出力する出力回路と、を含む、請求項１１に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記駆動トランジスタは、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプである、請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１４】
仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器である、請求項１０に記載の電子機器。
【請求項１５】
サブピクセルを駆動するための駆動電圧及び基底電圧の間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、
前記分配電圧または前記分配電圧が増幅された電圧を前記サブピクセル内の駆動トランジスタのボディに出力する出力回路と、を含む、ボディバイアシング回路。
【請求項１６】
前記電圧分配回路は、
前記駆動電圧及び前記基底電圧の間に連結された抵抗ストリングと、
前記抵抗ストリングで多数の地点のうちの一地点を前記出力回路の入力ノードに連結するスイッチング回路と、を含む、請求項１５に記載のボディバイアシング回路。
【請求項１７】
前記駆動トランジスタのボディに印加される電圧は、前記基底電圧と対応する波形を有する、請求項１５に記載のボディバイアシング回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加しており、最近は、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光表示装置などのさまざまな表示装置が活用されている。
【０００３】
表示装置には駆動のための各種の電圧がサブピクセルに印加される。このような各種の電圧のうちにはモードサブピクセルに共通に印加される共通電圧がある。
【０００４】
このような共通電圧は一定の電圧値を有するＤＣ電圧であるが、生成時に発生したノイズによって電圧値が変動することがある。
【０００５】
このように、ノイズによる共通電圧の変動はサブピクセルの映像表示のための電気的特性（例：電流、キャパシタンスなど）が不要に変わるようになって、画像品質が落ちる問題点がもたらされることがある。
【０００６】
しかしながら、共通電圧の変動は電圧生成時に発生する予期しないノイズによるものであって、防止または制御できない現象でありうる。
【０００７】
したがって、ノイズによる共通電圧の変動による画像品質の低下はディスプレイ分野で非常に改善し難い慢性的な問題点として認識されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような背景で、実施形態の目的は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。
【０００９】
実施形態の他の目的は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。
【００１０】
実施形態の他の目的は、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施形態は、多数のデータライン及び多数のゲートラインにより定義される多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、ピクセルアレイを駆動するための駆動回路を含む表示装置を提供することができる。
【００１２】
駆動回路は、多数のデータラインを駆動するソース駆動回路と、多数のゲートラインを駆動するゲート駆動回路を含むことができる。
【００１３】
駆動回路は、ソース駆動回路及びゲート駆動回路を制御するコントローラをさらに含むことができる。
【００１４】
表示装置で、多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加できる。
【００１５】
ボディ電圧は、共通電圧の波形と対応する波形を有することができる。
【００１６】
ボディ電圧は、共通電圧の振幅変化によって変わる振幅を有することができる。
【００１７】
多数のサブピクセルの各々には駆動トランジスタにより駆動され、アノード電極とカソード電極を有する有機発光ダイオードを含むことができる。
【００１８】
この場合、共通電圧は有機発光ダイオードのカソード電極に印加される基底電圧（カソード電圧）でありうる。
【００１９】
実施形態に従う表示装置は、共通電圧を出力するパワー供給回路と、駆動トランジスタのボディとパワー供給回路との間に連結され、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路をさらに含むことができる。
【００２０】
ボディバイアシング回路は、駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧に該当するボディ電圧または分配電圧が増幅されたボディ電圧を駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むことができる。
【００２１】
パワー供給回路は、ＤＣ−ＤＣコンバータを含むことができる。
【００２２】
一方、パワー供給回路から出力された共通電圧（基底電圧）が駆動トランジスタのボディに直ちに印加できる。
【００２３】
これによって、パワー供給回路は、共通電圧を有機発光ダイオードのカソード電極に供給し、これと共に、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに供給することができる。
【００２４】
ピクセルアレイは、ガラス基板上に配置できる。
【００２５】
または、ピクセルアレイはシリコン基板（シリコン半導体基板）上に配置されることもできる。この場合、ピクセルアレイは勿論、ソース駆動回路、ゲート駆動回路、及びコントローラなどの回路もシリコン基板上に配置できる。
【００２６】
実施形態は、映像信号が入力される映像信号入力部と、映像信号に基づいた第１映像が表示される第１ディスプレイユニットと、映像信号に基づいた第２映像が表示される第２ディスプレイユニットと、映像信号入力部、第１ディスプレイユニット、及び第２ディスプレイユニットを収納するケースを含む電子機器を含むことができる。
【００２７】
第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々は実施形態に従う表示装置またはその一部でありうる。
【００２８】
第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々は、シリコン基板と、シリコン基板上に配列された多数のサブピクセルを含むピクセルアレイと、シリコン基板上に配置された駆動回路を含むことができる。
【００２９】
駆動回路は、シリコン基板上に配置され、かつピクセルアレイの周辺に位置する。
【００３０】
実施形態に従う電子機器で、多数のサブピクセルに共通に印加される共通電圧と対応するボディ電圧（Body Voltage）が多数のサブピクセルの各々での駆動トランジスタのボディ（Body）に印加できる。
【００３１】
実施形態に従う電子機器は、共通電圧を出力するパワー供給回路と、駆動トランジスタのボディとパワー供給回路との間に連結され、共通電圧と対応するボディ電圧を駆動トランジスタのボディに印加させるボディバイアシング回路をさらに含むことができる。
【００３２】
このようなボディバイアシング回路は、第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々に対応して存在することができる。
【００３３】
または、ボディバイアシング回路は、第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットに共通に存在することができる。
【００３４】
ボディバイアシング回路は、駆動トランジスタのドレインノードまたはソースノードに印加される駆動電圧と共通電圧との間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧に該当するボディ電圧または分配電圧が増幅されたボディ電圧を駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むことができる。
【００３５】
ピクセルアレイでの駆動トランジスタは、半導体工程で製作されるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプでありうる。
【００３６】
実施形態に従う電子機器は、仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器でありうる。
【００３７】
実施形態は、サブピクセルを駆動するための駆動電圧及び基底電圧の間の分配電圧を出力する電圧分配回路と、分配電圧または分配電圧が増幅された電圧をサブピクセル内の駆動トランジスタのボディに出力する出力回路を含むボディバイアシング回路を提供することができる。
【００３８】
電圧分配回路は、駆動電圧及び基底電圧の間に連結された抵抗ストリングと、抵抗ストリングで多数の地点のうちの一地点を出力回路の入力ノードに連結するスイッチング回路を含むことができる。
【発明の効果】
【００３９】
実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。
【００４０】
実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。
【００４１】
実施形態によれば、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置、電子機器、及びボディバイアシング回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施形態に従う有機発光表示装置のシステム構成図である。
【図２】実施形態に従う有機発光表示装置のサブピクセル構造である。
【図３】実施形態に従う有機発光表示装置の他のサブピクセル構造である。
【図４】実施形態に従う有機発光表示装置の更に他のサブピクセル構造である。
【図５】実施形態に従う有機発光表示装置において、共通電圧である基底電圧を供給するパワー供給回路と、基底電圧のノイズ発生を示した図である。
【図６】実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズが発生した基底電圧と、基底電圧のノイズに従う有機発光ダイオードの電流変化を示した図である。
【図７】実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズによる基底電圧の変動に従う画質低下現象を防止するためのボディバイアシング方法を示した図である。
【図８】実施形態に従う有機発光表示装置において、シンプルなボディバイアシング技法を示した図である。
【図９】実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路を示した図である。
【図１０】実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路をより詳細に示した図である。
【図１１】実施形態に従う有機発光表示装置において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路を適用した場合、駆動トランジスタのボディ電圧の例示である。
【図１２】実施形態に従う有機発光表示装置において、ノイズが発生した基底電圧と、ボディバイアシング技法を適用した場合のボディ電圧と有機発光ダイオードの電流変化を示した図である。
【図１３】実施形態に従う有機発光表示装置を用いた電子機器を示した図である。
【図１４】実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々の具現例示図である。
【図１５】実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、駆動トランジスタのボディ電圧印加構造を示した図である。
【図１６】実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタが形成された領域に対する簡単な断面図である。
【図１７】実施形態に従う電子機器の第１ディスプレイユニット及び第２ディスプレイユニットの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタが形成された領域に対する簡単な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の一部の実施形態を添付した図面を参照しつつ詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付加するに当たって、同一な構成要素に対してはたとえ他の図面上に表示されても、できる限り同一な符号を有することができる。また、本発明を説明するに当たって、関連した公知構成または機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
【００４４】
また、本発明の構成要素を説明するに当たって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。このような用語はその構成要素を他の構成要素と区別するためのものであり、その用語により当該構成要素の本質、回順序、順序、または個数などが限定されない。ある構成要素が他の構成要素に“連結”、“結合”、または“接続”されると記載された場合、その構成要素は該他の構成要素に直接的に連結、または接続できるが、各構成要素の間に他の構成要素が介されるか、各構成要素が他の構成要素を介して“連結”、“結合”、または“接続”されることもできると理解されるべきである。
【００４５】
実施形態は、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できるボディバイアシング回路とこれを含む表示装置を開示する。
【００４６】
また、実施形態は、ボディバイアシング回路と表示装置を活用して実感がわく仮想現実または拡張現実をユーザに提供する電子機器を開示する。
【００４７】
実施形態に従う表示装置は、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光表示装置などの多様なタイプのディスプレイでありうる。但し、以下では有機発光表示装置を例として説明する。
【００４８】
図１は、本実施形態に従う有機発光表示装置１００のシステム構成図である。
【００４９】
図１を参照すると、本実施形態に従う有機発光表示装置１００は、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬが配置され、多数のデータラインＤＬ及び多数のゲートラインＧＬにより定義される多数のサブピクセルＳＰを含むピクセルアレイＰＸＬと、多数のデータラインＤＬを駆動するソース駆動回路ＳＤＣと、多数のゲートラインＧＬを駆動するゲート駆動回路ＧＤＣと、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣを制御するコントローラＣＯＮＴなどを含む。
【００５０】
コントローラＣＯＮＴは、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣに各種の制御信号（ＤＣＳ、ＧＣＳ）を供給して、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣを制御する。
【００５１】
このようなコントローラＣＯＮＴは、各フレームで具現するタイミングによってスキャンを始めて、外部から入力される入力映像データをソース駆動回路ＳＤＣで使用するデータ信号形式に合うように転換して、転換された映像データ（Data）を出力し、スキャンに合せて適当な時間にデータ駆動を統制する。
【００５２】
このようなコントローラＣＯＮＴは、通常のディスプレイ技術で用いられるタイミングコントローラ（Timing Controller）であるか、またはタイミングコントローラ（Timing Controller）を含んで他の制御機能もさらに遂行する制御装置でありうる。
【００５３】
このようなコントローラＣＯＮＴは、ソース駆動回路ＳＤＣと別途の部品で具現されることもでき、ソース駆動回路ＳＤＣと共に統合されて集積回路で具現できる。
【００５４】
ソース駆動回路ＳＤＣは、コントローラＣＯＮＴから映像データ（Data）の入力を受けて多数のデータラインＤＬにデータ電圧を供給することによって、多数のデータラインＤＬを駆動する。ここで、ソース駆動回路ＳＤＣはソース駆動回路ともいう。
【００５５】
このようなソース駆動回路ＳＤＣは、少なくとも１つのソースドライバ集積回路（ＳＤＩＣ：Source Driver Integrated Circuit）を含んで具現できる。
【００５６】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、ラッチ回路（Latch Circuit）、デジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ：Digital to Analog Converter）、出力バッファ（Output Buffer）などを含むことができる。
【００５７】
各ソースドライバ集積回路ＳＤＩＣは、場合によって、アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ：Analog to Digital Converter）をさらに含むことができる。
【００５８】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、多数のゲートラインＧＬにスキャン信号を順次に供給することによって、多数のゲートラインＧＬを順次に駆動する。ここで、ゲート駆動回路ＧＤＣはスキャン駆動回路ともいう。
【００５９】
このようなゲート駆動回路ＧＤＣは、少なくとも１つのゲート駆動回路集積回路（ＧＤＩＣ：Gate Driver Integrated Circuit）を含んで具現できる。
【００６０】
各ゲート駆動回路集積回路ＧＤＩＣは、シフトレジスタ（Shift Register）、レベルシフタ（Level Shifter）などを含むことができる。
【００６１】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、コントローラＣＯＮＴの制御によって、オン（On）電圧またはオフ（Off）電圧のスキャン信号を多数のゲートラインＧＬに順次に供給する。
【００６２】
ソース駆動回路ＳＤＣは、ゲート駆動回路ＧＤＣにより特定ゲートラインが開けば、コントローラＣＯＮＴから受信した映像データ（ＤＡＴＡ）をアナログ形態のデータ電圧に変換して多数のデータラインＤＬに供給する。
【００６３】
ソース駆動回路ＳＤＣは、ピクセルアレイＰＸＬの一側（例：上側または下側）のみに位置することもでき、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってピクセルアレイＰＸＬの両側（例：上側と下側）に全て位置することもできる。
【００６４】
ゲート駆動回路ＧＤＣは、ピクセルアレイＰＸＬの一側（例：左側または右側）のみに位置することもでき、場合によっては、駆動方式、パネル設計方式などによってピクセルアレイＰＸＬの両側（例：左側と右側）に全て位置することもできる。
【００６５】
各サブピクセルＳＰを構成する回路素子の種類及び個数は、提供機能及び設計方式などによって多様に定まることができる。
【００６６】
一方、ピクセルアレイＰＸＬはガラス基板などを使用した表示パネルに存在することができ、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣなどは多様な方式により表示パネルと電気的に連結できる。
【００６７】
即ち、有機発光表示装置１００で、ガラス基板上にトランジスタ、各種の電極及び各種の信号配線などが形成されてピクセルアレイＰＸＬを形成し、駆動回路に該当する集積回路は印刷回路に実装され、印刷回路を通じて表示パネルと電気的に連結される。このような既存の構造は、中大型表示装置では適している。
【００６８】
一方、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、仮想現実機器、増強現実機器などの電子機器に適用されることに適した構造や優れるディスプレイ性能を有する小型表示装置でありうる。
【００６９】
この場合、一例に、ピクセルアレイＰＸＬ、ソース駆動回路ＳＤＣ、ゲート駆動回路ＧＤＣ、及びコントローラＣＯＮＴは、シリコン基板（シリコン半導体基板）上に共に配置されることもできる。
【００７０】
この場合、有機発光表示装置１００は非常に小さく製作されることができ、仮想現実（ＶＲ：Virtual Reality）機器または拡張現実（ＡＲ：Augmented Reality）機器などの電子機器に活用できる。
【００７１】
図２は実施形態に従う有機発光表示装置１００のサブピクセル構造であり、図３は実施形態に従う有機発光表示装置１００の他のサブピクセル構造である。
【００７２】
図２を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、各サブピクセルＳＰは、有機発光ダイオードＯＬＥＤと、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する駆動トランジスタＤＲＴと、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１とデータラインＤＬとの間に電気的に連結された第１トランジスタＴ１と、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されたキャパシタＣｓｔなどを含んで具現できる。
【００７３】
有機発光ダイオードＯＬＥＤは、第１電極Ｅ１（例：アノード電極またはカソード電極）、有機発光層ＯＥＬ、及び第２電極Ｅ２（例：カソード電極またはアノード電極）などからなることができる。
【００７４】
有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極Ｅ１は、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と電気的に連結できる。有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加できる。
【００７５】
ここで、基底電圧（ＥＶＳＳ）は全てのサブピクセルＳＰに印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）でありうる。
【００７６】
駆動トランジスタＤＲＴは、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流（Ｉｏｌｅｄ）を供給することによって、有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動する。
【００７７】
駆動トランジスタＤＲＴは、第１ノードＮ１、第２ノードＮ２、及び第３ノードＮ３を有する。
【００７８】
駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１はゲートノードに該当するノードであって、第１トランジスタＴ１のソースノードまたはドレインノードと電気的に連結できる。
【００７９】
駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２は有機発光ダイオードＯＬＥＤの第１電極と電気的に連結されることができ、ソースノードまたはドレインノードでありうる。
【００８０】
駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３は駆動電圧（ＥＶＤＤ）が印加されるノードであって、駆動電圧（ＥＶＤＤ）を供給する駆動電圧ラインＤＶＬと電気的に連結されることができ、ドレインノードまたはソースノードでありうる。
【００８１】
ここで、駆動電圧（ＥＶＤＤ）は全てのサブピクセルＳＰに印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）でありうる。
【００８２】
第１トランジスタＴ１はゲートラインを通じて第１スキャン信号ＳＣＡＮ１をゲートノードに印加を受けてオン−オフが制御できる。
【００８３】
このような第１トランジスタＴ１は第１スキャン信号ＳＣＡＮ１によりターン−オンされてデータラインＤＬから供給されたデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１に伝達することができる。
【００８４】
このような第１トランジスタＴ１は、スイッチングトランジスタともいう。
【００８５】
キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に電気的に連結されて、映像信号電圧に該当するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）またはこれに対応する電圧を１フレーム時間の間維持することができる。
【００８６】
前述したように、図２に例示された１つのサブピクセルＳＰは有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動するために、２つのトランジスタＤＲＴ、Ｔ１と１つのキャパシタＣｓｔを含む２Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造を有することができる。
【００８７】
図２に例示されたサブピクセル構造（２Ｔ１Ｃ構造）は説明の便宜のための例示であり、機能、パネル構造などによって、１つのサブピクセルＳＰは１つ以上のトランジスタをさらに含むか、または１つ以上のキャパシタをさらに含むこともできる。
【００８８】
図３は、１つのサブピクセルＳＰが駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結された第２トランジスタＴ２をさらに含む３Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造を例示的に示した図である。
【００８９】
図３を参照すると、第２トランジスタＴ２は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２と基準電圧ラインＲＶＬとの間に電気的に連結されて、ゲートノードに第２スキャン信号ＳＣＡＮ２の印加を受けてオン−オフが制御できる。
【００９０】
第２トランジスタＴ２のドレインノードまたはソースノードは基準電圧ラインＲＶＬに電気的に連結され、第２トランジスタＴ２のソースノードまたはドレインノードは駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に電気的に連結できる。
【００９１】
第２トランジスタＴ２は、一例に、ディスプレイ駆動時区間でターン−オンされることができ、駆動トランジスタＤＲＴの特性値または有機発光ダイオードＯＬＥＤの特性値をセンシングするためのセンシング駆動時区間でターン−オンできる。
【００９２】
第２トランジスタＴ２は該当駆動タイミングに合せて、第２スキャン信号ＳＣＡＮ２によりターン−オンされて、基準電圧ラインＲＶＬに供給された基準電圧（Ｖｒｅｆ）を駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２に伝達することができる。
【００９３】
また、第２トランジスタＴ２は他の駆動タイミングに合せて、第２スキャン信号ＳＣＡＮ２によりターン−オンされて、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。
【００９４】
この場合、基準電圧ラインＲＶＬと電気的に連結できるセンシング部（例：アナログデジタルコンバータなど）は駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬを通じて測定することができる。
【００９５】
言い換えると、第２トランジスタＴ２は、駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧状態を制御するか、または駆動トランジスタＤＲＴの第２ノードＮ２の電圧を基準電圧ラインＲＶＬに伝達することができる。
【００９６】
一方、キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＲＴの第１ノードＮ１と第２ノードＮ２との間に存在する内部キャパシタ（Internal Capacitor）である寄生キャパシタ（例：Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）でなく、駆動トランジスタＤＲＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（External Capacitor）でありうる。
【００９７】
駆動トランジスタＤＲＴ、第１トランジスタＴ１、及び第２トランジスタＴ２の各々はｎタイプトランジスタ、またはｐタイプトランジスタでありうる。
【００９８】
一方、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は別個のゲート信号でありうる。この場合、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は互いに異なるゲートラインを通じて、第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに各々印加されることもできる。
【００９９】
場合によっては、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は同一なゲート信号でありうる。この場合、第１スキャン信号ＳＣＡＮ１及び第２スキャン信号ＳＣＡＮ２は同一なゲートラインを通じて第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードに共通に印加されることもできる。
【０１００】
図２及び図３に例示された各サブピクセル構造は説明のための例示であり、１つ以上のトランジスタをさらに含むか、または場合によっては、１つ以上のキャパシタをさらに含むこともできる。
【０１０１】
または、多数のサブピクセルの各々が同一な構造となっていることもでき、多数のサブピクセルのうちの一部は異なる構造となっていることもできる。
【０１０２】
図４は、実施形態に従う有機発光表示装置１００の更に他のサブピクセル構造である。
【０１０３】
図４のサブピクセル構造は、図３の３Ｔ１Ｃ構造の変形である。
【０１０４】
図４のサブピクセル構造の場合、第１トランジスタＴ１のゲートノード及び第２トランジスタＴ２のゲートノードは同一なゲートラインＧＬに連結されて、スキャン信号（ＳＣＡＮ）を同一に供給を受ける。
【０１０５】
また、第２トランジスタＴ２のドレインノードまたはソースノードには基準電圧（Ｖｒｅｆ）としてグラウンド電圧（ＧＮＤ）が印加される。
【０１０６】
また、図４のサブピクセル構造の場合、駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Body、Nboby）は定電圧形態のグラウンド電圧（ＧＮＤ）が印加される。
【０１０７】
以下では、図４のサブピクセル構造を例として説明する。しかしながら、これに制限されるものではない。
【０１０８】
図５は、実施形態に従う有機発光表示装置１００で、共通電圧（Ｖｃｏｍ）である基底電圧（ＥＶＳＳ）を供給するパワー供給回路ＰＳＣと、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズ発生を示した図であり、図６は実施形態に従う有機発光表示装置１００で、ノイズが発生した基底電圧（ＥＶＳＳ）と、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズに従う有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流変化を示した図である。
【０１０９】
図５を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、パワー供給回路ＰＳＣをさらに含むことができる。
【０１１０】
パワー供給回路ＰＳＣは、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）をピクセルアレイ１１０に供給することができる。
【０１１１】
ここで、例えば、有機発光表示装置１００の場合、共通電圧（Ｖｃｏｍ）は基底電圧（ＥＶＳＳ）でありうるが、液晶表示装置の場合、各サブピクセル内のピクセル電極とキャパシタンスを形成する共通電極に印加される共通電圧でありうる。
【０１１２】
また、パワー供給回路ＰＳＣはピクセルアレイＰＸＬの駆動に必要な電圧、ソース駆動回路ＳＤＣの動作に必要な電圧、ゲート駆動回路ＧＤＣの動作に必要な電圧、コントローラＣＯＮＴの動作に必要な電圧などを出力することができる。
【０１１３】
このようなパワー供給回路ＰＳＣは、１つ以上のパワー関連回路で構成できる。
【０１１４】
一方、パワー供給回路ＰＳＣから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はＤＣ電圧形態でありうる。
【０１１５】
パワー供給回路ＰＳＣから供給される基底電圧（ＥＶＳＳ）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２（例：カソード電極）に印加される電圧であって、モードサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する。
【０１１６】
一方、パワー供給回路ＰＳＣは、ＤＣ−ＤＣコンバータで構成できる。
【０１１７】
ここで、ＤＣ−ＤＣコンバータはある電圧の直流電源から他の電圧の直流電源に変換する電子回路装置でありうる。
【０１１８】
図５及び図６を参照すると、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はＤＣ電圧でなければならないが、電圧変動が発生してＤＣ電圧に該当しないことがある。
【０１１９】
このように、基底電圧（ＥＶＳＳ）の電圧変動は、主にＤＣ−ＤＣコンバータで発生することができ、ＤＣ−ＤＣコンバータで生じるスイッチングノイズ（DC-DC switching noise）といい、簡単に縮めて、ノイズともいう。
【０１２０】
図５及び図６を参照すると、基底電圧（ＥＶＳＳ）がノイズによって一定の電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ）を有しなくて変動される電圧値を有するようになれば、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れるＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）も一定の電流値（Ｉｏｌｅｄ＿ｒｅｆ）を有しなくて変動される。
【０１２１】
図６を参照すると、基底電圧（ＥＶＳＳ）が高まれば、ＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）は減少することがある。基底電圧（ＥＶＳＳ）が低くなれば、ＯＬＥＤ電流（Ｉｏｌｅｄ）は増加することがある。
【０１２２】
このようなＯＬＥＤ電流の変動（変化）は、有機発光ダイオードＯＬＥＤが所望の水準の輝度を有する光を発光できない。これによって、全体的または部分的な画質低下をもたらすことがある。
【０１２３】
ここに、本実施形態はノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が発生しても画質低下現象を防止する方法を提供することができる。以下では、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止する方法について詳細に説明する。
【０１２４】
図７は、実施形態に従う有機発光表示装置１００で、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止するためのボディバイアシング（Body Biasing）技法を示した図である。
【０１２５】
実施形態に従う有機発光表示装置１００は、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画質低下現象を防止するために、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに多数のサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を印加することができる。
【０１２６】
前述したように、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を印加する方法をボディバイアシングという。
【０１２７】
このようなボディバイアシングによれば、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加されるボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の波形と対応する波形を有することができる。
【０１２８】
これによって、基底電圧（ＥＶＳＳ）がノイズにより変動しても、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）も共に変動することによって、ノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が及ぼす影響を減らすことができる。
【０１２９】
駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにノイズにより変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加されれば、即ち、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに変動するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加されれば、以下の＜数式１＞から見ることができるように、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧（Ｖｔｈ）はボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の大きさによって増加または減少することができる。
【０１３０】
【数１】
2019035957.tif 000003
【０１３１】
前記＜数式１＞で、Ｖｓｂは逆基板バイアス電圧（reverse substrate bias voltage）である。Ｖｓｂはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動（即ち、基底電圧（ＥＶＳＳ）のノイズ成分による基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動）と関連する。Ｖｓｂはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動がない場合には０（Zero）となる。
【０１３２】
前記＜数式１＞で、Ｖｔｈはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動によって変動する駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧である。Ｖｔｈｏはボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の変動がない時（即ち、Ｖｓｂ＋０の時）の駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧である。
【０１３３】
前記＜数式１＞で、γは製造工程パラメータ（Fabrication-Process Parameter）であって、ボディ効果パラメータ（Body-effect Parameter）ともいう。Φｆは物理的なパラメータ（Physical Parameter）であって、基板のフェルミポテンシャルともいう。
【０１３４】
前述したボディバイアシングを通じて、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧（Ｖｔｈ）を増加または減少させて、パワー供給回路ＰＳＣのＤＣ−ＤＣコンバータが基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成する時に発生するノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が誘発させることができる電流変動を低減または防止することができる。
【０１３５】
図８は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、シンプルなボディバイアシング（Simple Body Biasing）技法を示した図である。
【０１３６】
図８を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、パワー供給回路ＰＳＣで基底電圧（ＥＶＳＳ）が出力される出力端と駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂと直接的に連結できる。
【０１３７】
この場合、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）は、ピクセルアレイ１１０での有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２に印加される。また、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）は駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにもボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）として印加される。
【０１３８】
したがって、パワー供給回路ＰＳＣは有機発光ダイオードＯＬＥＤの第２電極Ｅ２（例：カソード電極）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）を供給し、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにも供給することができる。
【０１３９】
これによれば、有機発光表示装置１００は、パワー供給回路ＰＳＣから基底電圧（ＥＶＳＳ）が出力される出力端と駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとの間に別途の回路を追加しなくても、シンプルなボディバイアシングを提供することができる。
【０１４０】
図９は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング（Adaptive Body Biasing）技法のためのボディバイアシング回路９００を示した図である。図１０は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路９００をより詳細に示した図である。図１１は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、適応的なボディバイアシング技法のためのボディバイアシング回路９００を適用した場合、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の例示である。
【０１４１】
図９を参照すると、実施形態に従う有機発光表示装置１００は、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとパワー供給回路ＰＳＣとの間に連結されるボディバイアシング回路９００をさらに含むことができる。
【０１４２】
ボディバイアシング回路９００は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加させることができる。
【０１４３】
即ち、ボディバイアシング回路９００は、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）の入力を受けて、基底電圧（ＥＶＳＳ）に対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を生成し、生成されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）をピクセルアレイ１１０での各駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加することができる。
【０１４４】
前述したボディバイアシング回路９００を利用すれば、パワー供給回路ＰＳＣから出力された基底電圧（ＥＶＳＳ）を用いて、基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動がダイナミックに発生する状況に対して、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を適応的に調節して駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加することができる。
【０１４５】
図１０を参照すると、ボディバイアシング回路９００はサブピクセルＳＰを駆動するための駆動電圧及び基底電圧（ＥＶＳＳ）の間の分配電圧（Ｖｄ）を出力する電圧分配回路１０１０と出力回路１０２０などを含むことができる。
【０１４６】
電圧分配回路１０１０は、駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３に印加される駆動電圧（ＥＶＤＤ）と基底電圧（ＥＶＳＳ）との間の分配電圧（Ｖｄ）を出力することができる。
【０１４７】
出力回路１０２０は、分配電圧（Ｖｄ）に該当するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）または分配電圧（Ｖｄ）が増幅されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに出力することができる。
【０１４８】
ここで、出力回路１０２０は増幅器を含むことができる。
【０１４９】
電圧分配回路１０１０は、駆動電圧及び基底電圧（ＥＶＳＳ）の間に連結された多数の抵抗（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５）を含む抵抗ストリングＲＳＴＲと、抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、いずれか一地点を選択して出力回路１０２０の入力ノードに電気的に連結するスイッチング回路ＭＵＸなどを含むことができる。
【０１５０】
スイッチング回路ＭＵＸのスイッチング動作はコントローラＣＯＮＴにより制御されるか、またはボディバイアシング回路９００の内部または外部に存在する制御ユニットにより制御できる。
【０１５１】
これによって、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）の基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）、振幅などを制御することができる。
【０１５２】
図１１を参照すると、例えば、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、ａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）は第１基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ａ）、第１ボディ電圧振幅（ＡＭＰａ）を有する。
【０１５３】
この場合、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）は以下の＜数式２＞の通りである。＜数式２＞で、Ｋは出力回路１０２０での電圧増幅ゲインである。
【０１５４】
【数２】
2019035957.tif 000004
【０１５５】
スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲで多数の地点（ａ、ｂ、ｃ、ｄ）のうち、ｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）は第２基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ｄ）、第２ボディ電圧振幅（ＡＭＰｄ）を有する。
【０１５６】
この場合、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）は以下の＜数式３＞の通りである。＜数式３＞で、Ｋは出力回路１０２０での電圧増幅ゲインである。
【０１５７】
【数３】
2019035957.tif 000005
【０１５８】
スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）の第１ボディ電圧振幅（ＡＭＰａ）は、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）の第２ボディ電圧振幅（ＡＭＰｄ）より大きいことがある。
【０１５９】
スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでａ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ１）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ａ）の第１基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ＿ａ）は、スイッチ回路ＭＵＸが抵抗ストリングＲＳＴＲでｄ地点を出力回路１０２０の入力ノードに連結する場合（ｃａｓｅ２）のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ＿ｄ）の第２基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ_ｂ）と同一または相異することがある。
【０１６０】
図１２は、実施形態に従う有機発光表示装置１００において、ノイズが発生した基底電圧（ＥＶＳＳ）と、ボディバイアシング技法を適用した場合のボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）と有機発光ダイオードＯＬＥＤの電流変化を示した図である。
【０１６１】
共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）は一定の基準基底電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ、パワー供給回路ＰＤＣから出力した電圧値である）を有せず、ＤＣ−ＤＣコンバータの電圧生成動作により発生したノイズによって変動する。
【０１６２】
変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加される。
【０１６３】
ここで、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）とボディ電圧振幅を有することができる。
【０１６４】
基準ボディ電圧値（Ｖｂｏｄｙ＿ｒｅｆ）は、基底電圧（ＥＶＳＳ）は一定の基準基底電圧値（ＥＶＳＳ＿ｒｅｆ）と同一または相異することがある。
【０１６５】
ボディ電圧振幅は、基底電圧（ＥＶＳＳ）の振幅と同一または相異することがある。
【０１６６】
一方、ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の波形と対応する波形を有することができる。
【０１６７】
ボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）の振幅変化によって変わる振幅を有することができる。
【０１６８】
このように、ノイズにより変動する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加されることによって、駆動トランジスタＤＲＴのしきい電圧変動が発生して（＜数式１＞参照）、図１２に図示したように、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流（Ｉｏｌｅｄ）の電流変動幅は減ることがある。
【０１６９】
言い換えると、図１２のようにボディバイアシング技法を適用した場合の電流変動幅は、図６のようにボディバイアシング技法を適用しない場合の電流変動幅に比べて、相当に減ることがある（例えば、１／１０位減少）。
【０１７０】
以上で前述した有機発光表示装置１００は、ピクセルアレイＰＸＬがガラス基板などを使用した表示パネルに存在し、ソース駆動回路ＳＤＣ及びゲート駆動回路ＧＤＣなどは多様な方式により表示パネルと電気的に連結される一般的なディスプレイでありうる。
【０１７１】
これとは異なり、有機発光表示装置１００は非常に小さく製作されて仮想現実機器または拡張現実機器などの電子機器に活用されるマイクロディスプレイでありうる。
【０１７２】
以下、マイクロディスプレイタイプの有機発光表示装置１００を活用した電子機器について説明する。
【０１７３】
図１３は、実施形態に従う有機発光表示装置１００を用いた電子機器１３００を示した図である。
【０１７４】
図１３を参照すると、実施形態に従う電子機器１３００は拡張現実または仮想現実映像を表示するヘッドセットタイプの機器である。
【０１７５】
実施形態に従う電子機器１３００は、映像信号が入力される映像信号入力部１３１０と、映像信号に基づいた第１映像（例：左眼映像）が表示される第１ディスプレイユニット１３２０Ｌと、映像信号に基づいた第２映像（例：右眼映像）が表示される第２ディスプレイユニット１３２０Ｒと、映像信号入力部１３１０、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒを収納するケース１３３０などを含むことができる。
【０１７６】
映像信号入力部１３１０は、映像データを出力する端末（例：スマートフォンなど）と連結される有線ケーブルまたは無線通信モジュールなどを含むことができる。
【０１７７】
第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒは、ユーザの左眼と右眼と対応する位置にある表示構成である。
【０１７８】
第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々は、有機発光表示装置１００の全体または一部を含むことができる。
【０１７９】
図１４は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々の具現例示図である。
【０１８０】
図１４を参照すると、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々は、シリコン基板１４００と、シリコン基板１４００のピクセルアレイ区域上に配列された多数のサブピクセルＳＰを含むピクセルアレイＰＸＬと、シリコン基板１４００の回路区域上に配置された駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）を含むことができる。
【０１８１】
実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒは、半導体工程を通じて、同一なシリコンウエハ（Silicon Wafer）または互いに異なるシリコンウエハ（Silicon Wafer）で製作できる。
【０１８２】
実施形態に従う電子機器１３００は、ボディバイアシング（Body Biasing）を遂行することができる。
【０１８３】
実施形態に従う電子機器１３００は、ボディバイアシングを通じて、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、多数のサブピクセルＳＰに共通に印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）に該当する基底電圧（ＥＶＳＳ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が多数のサブピクセルＳＰの各々での駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加できる。
【０１８４】
前述したようなボディバイアシングを通じて、電子機器１３００は基底電圧（ＥＶＳＳ）の生成時に発生するノイズによる基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動が発生しても、基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動に従う画像品質低下を防止することができる。
【０１８５】
前述したように、実施形態に従う電子機器１３００は拡張現実機器または仮想現実機器でありうる。
【０１８６】
したがって、実施形態に従う電子機器１３００を利用すれば、ユーザはより実感がわく拡張現実または仮想現実を満喫することができる。
【０１８７】
一方、実施形態に従う電子機器１３００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々が動作することに必要な電圧を供給するパワー供給回路ＰＳＣと、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々での駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂにボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を供給するボディバイアシング回路９００をさらに含むことができる。
【０１８８】
パワー供給回路ＰＳＣは、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々に対応して存在することができる。これとは異なり、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒはパワー供給回路ＰＳＣを共有することができる。
【０１８９】
即ち、パワー供給回路ＰＳＣは１つまたは２つでありうる。
【０１９０】
パワー供給回路ＰＳＣは、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒに含まれることができる。即ち、パワー供給回路ＰＳＣは第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒのシリコン基板１４００上に位置することができる。
【０１９１】
一方、パワー供給回路ＰＳＣは１つ以上のパワー関連回路で構成できる。この場合、パワー供給回路ＰＳＣの一部は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの外部に存在することができる。
【０１９２】
ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々に対応して存在することができる。これとは異なり、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒはボディバイアシング回路９００を共有することができる。
【０１９３】
即ち、ボディバイアシング回路９００は１つまたは２つでありうる。
【０１９４】
ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒに含まれることができる。即ち、ボディバイアシング回路９００は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒのシリコン基板１４００上に位置することができる。
【０１９５】
一方、ボディバイアシング回路９００内の一部構成は、第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び／又は第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの外部に存在することができる。
【０１９６】
ボディバイアシング回路９００は、駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂとパワー供給回路ＰＳＣとの間に連結され、共通電圧（Ｖｃｏｍ）と対応するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加させることができる。
【０１９７】
前述したように、ボディバイアシング回路９００は、駆動トランジスタＤＲＴの第３ノードＮ３に印加される駆動電圧（ＥＶＤＤ）と共通電圧（Ｖｃｏｍ）との間の分配電圧（Ｖｄ）を出力する電圧分配回路１０１０と、分配電圧（Ｖｄ）に該当するボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）または分配電圧（Ｖｄ）が増幅されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）を駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに出力する出力回路１０２０などを含むことができる。
【０１９８】
図１５は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、駆動トランジスタＤＲＴのボディ電圧印加構造を示した図である。
【０１９９】
実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々では、ボディバイアシングがなされることができる。
【０２００】
実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々には基底電圧（ＥＶＳＳ）が印加される第２電極Ｅ２がピクセルアレイ領域の前面に配置できる。
【０２０１】
パワー供給回路ＰＳＣは、基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成して出力するＤＣ−ＤＣコンバータを含むことができる。
【０２０２】
ＤＣ−ＤＣコンバータが基底電圧（ＥＶＳＳ）を生成する時、ノイズが発生することがある。
【０２０３】
これによって、ＤＣ−ＤＣコンバータから出力される基底電圧（ＥＶＳＳ）はノイズ成分を含むようになって電圧値が一定でなく、変動するようになる。
【０２０４】
このような基底電圧（ＥＶＳＳ）の変動によって有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる電流（Ｉｏｌｅｄ）の変化が発生し、これによって画像品質が低下することがある。
【０２０５】
これを防止するために、実施形態に従う電子機器１３００はボディバイアシング構造を含むことができる。
【０２０６】
実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々には、ボディバイアシング回路９００と各サブピクセル内の駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂを電気的に連結する連結パターン１５００が配置できる。
【０２０７】
ボディバイアシング回路９００から出力されたボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）は、連結パターン１５００を通じて各駆動トランジスタＤＲＴのボディＮｂに印加される。
【０２０８】
一方、図１５に図示したように、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、ピクセルアレイＰＸＬ及び駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）はシリコン基板１４００上に配置されるため、ピクセルアレイＰＸＬに配置される駆動トランジスタＤＲＴは、駆動回路でのトランジスタと同様に、半導体工程で作られることができるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）タイプでありうる。ここで、ＭＯＳＦＥＴタイプはＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）を含むことができる。場合によって、ピクセルアレイＰＸＬに配置される駆動トランジスタＤＲＴは非晶質シリコンＴＦＴ（Amorphous Silicon TFT）、ＬＴＰＳ（Low-Temperature Polycrystalline Silicon）などのポーリシリコンＴＦＴ（Poly Silicon TFT）、オキサイドＴＦＴ（Oxide TFT）、及び有機物ＴＦＴ（Organic TFT）などの多様なＴＦＴのうちの１つでありうる。
【０２０９】
したがって、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、駆動回路（ＳＤＣ、ＧＤＣ、ＣＯＮＴなど）に含まれたトランジスタだけでなく、ピクセルアレイＰＸＬでのトランジスタ（ＤＲＴ、Ｔ１、Ｔ２など）も半導体工程でシリコン基板１４００上に共に形成することができる。
【０２１０】
図１６及び図１７は、実施形態に従う電子機器１３００の第１ディスプレイユニット１３２０Ｌ及び第２ディスプレイユニット１３２０Ｒの各々で、ＭＯＳＦＥＴタイプの駆動トランジスタＤＲＴが形成された領域に対する簡単な断面図である。
【０２１１】
図１６の断面図を参照すると、シリコン基板１４００のピクセルアレイ領域にＮ−タイプＭＯＳＦＥＴ（ＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ）である駆動トランジスタＤＲＴが形成される。
【０２１２】
一例に、シリコン基板１０はＰ−タイプの基板（P-Substrate）でありうる。
【０２１３】
シリコン基板１４００で、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと対応する位置にＮ＋ソース領域（Source Region）、Ｎ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成される。Ｎ＋ソース領域（Source Region）、Ｎ＋ドレイン領域（Drain Region）の間にはＮチャンネルが形成できる。
【０２１４】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＮ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）の間で、Ｎ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）が存在する層の上または下にゲート電極Ｇが存在することができる。ここで、図１６は概念的に簡略に図示したものであって、絶縁層、平坦化層などがさらに存在することができる。
【０２１５】
一方、ＭＯＳＦＥＴに該当する駆動トランジスタＤＲＴはシリコン基板１４００に直ちに形成されることもできるが、１つ以上のウェル（Well）に形成できる。このような“ウェル（Well）”は“井戸”ともいうが、シリコン基板１４００のタイプ（Ｎ−タイプ、Ｐ−タイプ）、ＭＯＳＦＥＴのタイプなどによってＰ−ウェル（Ｐ−タイプウェル）またはＮ−ウェル（Ｎ−タイプウェル）でありうる。
【０２１６】
例えば、図１６に図示したように、Ｐ−基板（P-Substrate）であるシリコン基板１４００にディープＮ−ウェル（Deep N-Well）が形成され、ディープＮ−ウェル（Deep N-Well）内にＰ−ウェル（P-Well）が形成できる。このようなＰ−ウェル（P-Well）にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＮ＋ソース領域（Source Region）及びＮ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成できる。
【０２１７】
一方、Ｐ−ウェル（P-Well）には駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Ｎｂ、ボディ電極ともいう）がＰ＋タイプで位置することができる。
【０２１８】
このようなＰ＋タイプのボディＮｂにはボディバイアシングのためのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加される。
【０２１９】
一方、１つのＰ−ウェル（P-Well）には１つの駆動トランジスタＤＲＴが存在することもでき、２つ以上の駆動トランジスタＤＲＴが存在することもできる。
【０２２０】
１つのディープＮ−ウェル（Deep N-Well）には１つのＰ−ウェル（P-Well）が存在することもでき、２つ以上のＰ−ウェル（P-Well）が存在することもできる。
【０２２１】
図１７の断面図を参照すると、シリコン基板１４００のピクセルアレイ領域にＰ−タイプＭＯＳＦＥＴ（ＰチャンネルのＭＯＳＦＥＴ）である駆動トランジスタＤＲＴが形成される。
【０２２２】
一例に、シリコン基板１０はＰ−タイプの基板（P-Substrate）でありうる。
【０２２３】
シリコン基板１４００で、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと対応する位置にＰ＋ソース領域（Source Region）、Ｐ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成される。Ｐ＋ソース領域（Source Region）、Ｐ＋ドレイン領域（Drain Region）の間にはＰチャンネルが形成できる。
【０２２４】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＰ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）の間で、Ｐ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）が存在する層の上または下にゲート電極Ｇが存在することができる。ここで、図１７は概念的に簡略に図示したものであって、絶縁層、平坦化層などがさらに存在することができる。
【０２２５】
一方、ＭＯＳＦＥＴに該当する駆動トランジスタＤＲＴはシリコン基板１４００に直ちに形成されることもできるが、１つ以上のウェル（Well）に形成できる。このような“ウェル（Well）”は“井戸”ともいうが、シリコン基板１４００のタイプ（Ｎ−タイプ、Ｐ−タイプ）、ＭＯＳＦＥＴのタイプなどによってＰ−ウェル（Ｐ−タイプウェル）またはＮ−ウェル（Ｎ−タイプウェル）でありうる。
【０２２６】
例えば、図１７に図示したように、Ｐ−基板（P-Substrate）であるシリコン基板１４００のＮ−ウェル（N-Well）に形成できる。このようなＮ−ウェル（N-Well）にソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄに該当するＰ＋ソース領域（Source Region）及びＰ＋ドレイン領域（Drain Region）が形成できる。
【０２２７】
一方、Ｎ−ウェル（P-Well）には駆動トランジスタＤＲＴのボディ（Ｎｂ、ボディ電極という）がＮ＋タイプで位置することができる。
【０２２８】
このようなＮ＋タイプのボディＮｂにはボディバイアシングのためのボディ電圧（Ｖｂｏｄｙ）が印加される。
【０２２９】
一方、１つのＮ−ウェル（N-Well）には１つの駆動トランジスタＤＲＴが存在することもでき、２つ以上の駆動トランジスタＤＲＴが存在することもできる。
【０２３０】
実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動による画像品質の低下が防止できる表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。
【０２３１】
実施形態によれば、ノイズによる共通電圧の変動が発生しても、共通電圧の変動により有機発光ダイオードに流れる電流変動幅が大きくなることを防止することができる表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。
【０２３２】
実施形態によれば、仮想現実機器または拡張現実機器に適用されることができ、優れる画像品質を有する表示装置１００、電子機器１３００、及びボディバイアシング回路９００を提供することができる。
【０２３３】
以上の説明及び添付の図面は本発明の技術思想を例示的に示したことに過ぎないものであって、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で構成の結合、分離、置換、及び変更などの多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定するためのものでなく、説明するためのものであり、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。本発明の保護範囲は請求範囲により解釈されなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０２３４】
１００    表示装置
９００    ボディバイアシング回路
１３００    電子機器
【図１】
2019035957.tif 000006
【図２】
2019035957.tif 000007
【図３】
2019035957.tif 000008
【図４】
2019035957.tif 000009
【図５】
2019035957.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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