(57)【要約】【課題】ヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる画像形成装置を提供すること。【解決手段】制御部３３は、ステップＳ２１にて、推定合成ピーク電流（Ｉip1＋Ｉip2）を算出し、ステップＳ２３にてサブヒータ３２をＯＮする。また、制御部３３は、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下であると判断することに応じて（Ｓ２３：ＹＥＳ）、サブヒータ３２をゼロクロスタイミングにてＯＮする波数制御に切替える。これにより、サブヒータ３２およびメインヒータ３１が波数制御されたと仮定した場合にピーク合成電流が閾値以下でない状態においても、サブヒータ３２およびメインヒータ３１に流れる交流電流が閾値以下となるようにサブヒータ３２は位相制御されるので、サブヒータ３２およびメインヒータ３１へ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる。【選択図】図４
2019179661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ヒータと、
前記第１ヒータと並列接続される第２ヒータと、
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに直列接続される電流センサと、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
交流の半周期において、交流電源から前記第１ヒータへの給電を開始するタイミングを制御可能であり、
前記交流電源から前記第２ヒータへの給電を開始し、
前記第２ヒータへの給電中に第１タイミングで前記第１ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに流れる電流を合わせた合成電流の値が前記交流の半周期の終了時まで閾値以下となる前記第１タイミングで、前記第１ヒータへの給電を開始し、
前記第１ヒータへの給電を開始した後の第１所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号と、前記第１所定タイミングとに基づき、前記交流の半周期の開始時に前記第１ヒータおよび前記第２ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、前記交流の半周期の終了時までに流れる前記合成電流の最大値を推定し、
推定した前記合成電流の最大値が前記閾値以下である時、前記交流の半周期の開始時に前記第１ヒータへの給電を開始することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記交流の周期をＴ、前記閾値をＡ、前記合成電流の最大値を推定する時に用いられた前記第１所定タイミングをｔｄ、前記第１所定タイミングｔｄにおいて前記電流センサから受けた信号に基づき決定した値であって前記第１所定タイミングｔｄにおける前記合成電流の値をＩｃ、としたとき、
前記制御部は、
Ｉｃ／（π×（１−２ｔｄ／Ｔ））≦Ａ
を用いて、推定した前記合成電流の最大値が前記閾値以下であるか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、
前記交流の半周期において、前記交流電源から前記第２ヒータへの給電を開始するタイミングを制御可能であり、
第２タイミングで前記第２ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、前記第２ヒータに流れる電流の値が前記交流の半周期の終了時まで前記閾値以下となる前記第２タイミングで、前記第２ヒータへの給電を開始し、
前記第２ヒータへの給電を開始した後の第２所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号と、前記第２所定タイミングとに基づき、前記交流の半周期の開始時に前記第２ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、前記交流の半周期の終了時までに前記第２ヒータに流れる電流の最大値を推定し、
推定した前記第２ヒータに流れる電流の最大値が前記閾値以下である時、前記交流の半周期の開始時に前記第２ヒータへの給電を開始することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御部は、
推定した前記合成電流の最大値が前記閾値を超える時、前記合成電流の最大値を推定する時に用いられた前記第１所定タイミングを含む前記交流の半周期である第１半周期より後の前記交流の半周期である第２半周期において、前記第１タイミングで前記第１ヒータへの給電を開始することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御部は、
推定した前記合成電流の最大値が前記閾値を超える時、前記第１半周期において前記第１ヒータへの給電を開始した前記第１タイミングより値の小さい前記第１タイミングを算出し、
前記第２半周期において、算出した前記第１タイミングで前記第１ヒータへの給電を開始することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記交流の周期をＴ、前記閾値をＡ、前記合成電流の最大値を推定する時に用いられた前記第１所定タイミングをｔｄ、前記第１所定タイミングｔｄにおいて前記電流センサから受けた信号に基づき決定した値であって前記第１所定タイミングｔｄにおける前記合成電流の値をＩｃ、および、前記第１半周期において前記第１ヒータへの給電を開始した前記第１タイミングより値の小さい前記第１タイミングをｔｏｎとしたとき、
前記制御部は、
ｔｏｎ＝Ｔ／２−Ａ×（Ｔ−２ｔｄ）／２Ｉｃ
を用いて、前記第１タイミングｔｏｎを算出することを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、
算出した前記第１タイミングが所定値よりも小さい時、前記第２半周期において、当該所定値となるタイミングで前記第１ヒータへの給電を開始することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記第１半周期における前記第２ヒータへの給電を開始した後の前記第１タイミングよりも早い第３所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号と、前記第２半周期における第４所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号とに基づき、前記第２半周期における前記第１タイミングを算出することを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記第３所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号と、前記第４所定タイミングにおいて前記電流センサから受ける信号と、前記第３所定タイミングおよび前記第４所定タイミングとに基づき、前記第２半周期における前記第１タイミングを算出することを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記交流の周期をＴ、前記閾値をＡ、前記合成電流の最大値を推定する時に用いられた前記第１所定タイミングをｔｄ、前記第１所定タイミングｔｄにおいて前記電流センサから受けた信号に基づき決定した値であって前記第１所定タイミングｔｄにおける前記合成電流の値をＩｃ、前記第３所定タイミングをｔｄ１、前記第３所定タイミングｔｄ１において前記電流センサから受ける信号に基づき決定した電流の値をＩｔｄ１（ｎ）、前記第４所定タイミングを前記第３所定タイミングと同じｔｄ１、前記第４所定タイミングｔｄ１において前記電流センサから受ける信号に基づき決定した電流の値をＩｔｄ１（ｎ＋１）、および、前記第２半周期における前記第１タイミングｔｏｎ（ｎ＋１）としたとき、
前記制御部は、
ｔｏｎ（ｎ＋１）＝１／２×（Ｔ−Ａ×（Ｔ−２ｔｄ１）（Ｔ−２ｔｄ）／（Ｉｃ×（Ｔ−２ｔｄ１）−（Ｉｔｄ１（ｎ）−Ｉｔｄ１（ｎ＋１））×（Ｔ−２ｔｄ）））
を用いて、前記第２半周期における前記第１タイミングｔｏｎ（ｎ＋１）を算出することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記第２ヒータの消費電力は前記第１ヒータの消費電力よりも大きいことを特徴とする請求項１から１０の何れかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ヒータを備える画像形成装置において、ヒータに供給される電力を制限する技術がある。例えば、特許文献１には、ヒータの入力電圧が最大値、ヒータの抵抗値が最小の場合を想定して固定デューティ比を設定し、この固定デューティ比で制御された場合のヒータの検出電流値により、通電可能な上限のデューティ比を算出する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２６５５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ヒータへ供給される電力を制限しつつ、印刷要求から最初の一枚目のシートが出力されるまでの時間であるＦＰＯＴ（First Print Out Time）を短縮する技術が要請されている。
【０００５】
本願は、上記の課題に鑑み提案されたものであって、ヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、第１ヒータと、第１ヒータと並列接続される第２ヒータと、第１ヒータおよび第２ヒータに直列接続される電流センサと、制御部と、を備え、制御部は、交流の半周期において、交流電源から第１ヒータへの給電を開始するタイミングを制御可能であり、交流電源から第２ヒータへの給電を開始し、第２ヒータへの給電中に第１タイミングで第１ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、第１ヒータおよび第２ヒータに流れる電流を合わせた合成電流の値が交流の半周期の終了時まで閾値以下となる第１タイミングで、第１ヒータへの給電を開始し、第１ヒータへの給電を開始した後の所定タイミングにおいて電流センサから受ける信号と、所定タイミングとに基づき、交流の半周期の開始時に第１ヒータおよび第２ヒータへの給電を開始したと仮定した時に、交流の半周期の終了時までに流れる合成電流の最大値を推定し、推定した合成電流の最大値が閾値以下である時、交流の半周期の開始時に第１ヒータへの給電を開始することを特徴とする画像形成装置を開示する。
【発明の効果】
【０００７】
本願に係る画像処理装置によれば、ヒータへ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るレーザプリンタの断面図である。
【図２】加熱装置の回路図である。
【図３】ヒータ制御処理の前半のフローチャートである。
【図４】ヒータ制御処理の後半のフローチャートである。
【図５】メインヒータのみ通電されている状態における推定ピーク電流の算出方法を説明する図である。
【図６】メインヒータおよびサブヒータが通電されている状態における推定ピーク電流の算出方法を説明する図である。
【図７】メインヒータのみ通電されている状態におけるヒータ電流が次第に小さくなる様子を描いた図である。
【図８】メインヒータおよびサブヒータが通電されている状態におけるヒータ電流が次第に小さくなる様子を描いた図である。
【図９】別例に係るメインヒータおよびサブヒータが通電されている状態におけるサブヒータをＯＮするタイミングの算出方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本願の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本願に係る画像形成装置の実施形態であるモノクロレーザプリンタであるプリンタ１の断面図である。プリンタ１は、本体ケーシング２内の下部に配置されたトレイ４から供給されるシートに対し、画像形成部５にてトナー像を形成した後、定着器７にてそのトナー像を加熱して定着処理を行い、最後にシートを本体ケーシング２の上部に位置する排紙トレイ９に排紙する。なお、図１では、紙面右側を装置の前側と規定し、装置を前側から見た場合に左手に来る側（紙面手前側）を左側と規定して、前後、左右及び上下の各方向を定義する。
【００１０】
画像形成部５は、スキャナ部１１、現像カートリッジ１３、感光ドラム１７、帯電器１８、転写ローラ１９等を含む。スキャナ部１１は、本体ケーシング２内の上方に配置されており、レーザ発光部（不図示）から発射されたレーザ光を、不図示のポリゴンミラー、反射鏡、レンズ等を介して感光ドラム１７の表面上に高速走査にて照射させる。
【００１１】
現像カートリッジ１３は、プリンタ１の本体に対して着脱可能に構成されており、その内部にはトナーを収容している。また、現像カートリッジ１３は、現像ローラ２１及び供給ローラ２３を備え、現像ローラ２１及び供給ローラ２３は互いに対向した状態で設けられている。また、現像ローラ２１は、感光ドラム１７と対向した状態で配置されている。現像カートリッジ１３内のトナーは、供給ローラ２３の回転により現像ローラ２１に供給され、現像ローラ２１に担持される。
【００１２】
感光ドラム１７の後方側の上方には、帯電器１８が間隔を隔てて配置されている。また、感光ドラム１７の下方には、転写ローラ１９が感光ドラム１７に対向して配置されている。感光ドラム１７は、回転しつつ、帯電器１８によって表面が一様に、例えば正極性に帯電される。次いで、スキャナ部１１からのレーザ光により感光ドラム１７の表面上に静電潜像が形成される。その後、感光ドラム１７と接触して回転する現像ローラ２１上に担持されているトナーが、感光ドラム１７の表面上の静電潜像に供給されて担持されることによって、感光ドラム１７の表面上にトナー像が形成される。形成されたトナー像は、シートが感光ドラム１７と転写ローラ１９との間を通る間に、転写ローラ１９に印加される転写バイアスによって、シートに転写される。
【００１３】
定着器７は、画像形成部５に対してシートの搬送方向の下流側（プリンタ１内における後方側）に配置され、定着ローラ２７、定着ローラ２７を押圧する加圧ローラ２９、及び定着ローラ２７を加熱するメインヒータ３１およびサブヒータ３２等を含む。定着ローラ２７は、図２に示す制御部３３によって制御される電動モータ（不図示）の駆動に応じて回転し、シートに転写されたトナーを加熱しつつ、シートに搬送力を付与する。一方、加圧ローラ２９は、シートを定着ローラ２７側に押圧しながら従動回転する。メインヒータ３１およびサブヒータ３２はハロゲンヒータであり、図２に示す加熱装置３０の制御部３３によって通電を制御される。メインヒータ３１は、定着ローラ２７の軸方向における中央付近において、定着ローラ２７に内設されている。一方、サブヒータ３２は、定着ローラ２７の軸方向における両端部において、定着ローラ２７に内設されている。
【００１４】
図２に示すように、加熱装置３０は、メインヒータ３１、サブヒータ３２、制御部３３、ＡＣ／ＤＣコンバータ３４、ＤＣ／ＤＣコンバータ３５、ゼロクロス検出回路３６、電流センサ３７、リレー４２、ヒータ制御回路４３，４４などを含む。制御部３３は、例えば、ＣＰＵ上で動作するプログラムを主体として構成してもよい。あるいは、制御部３３を、例えば、ＡＳＩＣなどの専用のハードウェアで構成してもよい。また、制御部３３は、例えばソフトウェアによる処理と、ハードウェアによる処理とを併用して動作する構成でもよい。また、制御部３３は制御や処理に係わる情報を保存等するためのメモリ３３Ａを有する。メモリ３３Ａは、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリなどにより実現される。メモリ３３Ａは、後述するヒータ制御処理などのプログラムなどを記憶している。
【００１５】
メインヒータ３１およびサブヒータ３２は、交流電源１０１の通電に応じて発熱する。サブヒータ３２はメインヒータ３１と並列接続されている。尚、ここではメインヒータ３１の消費電力はサブヒータ３２の消費電力よりも大きいものとする。ＡＣ／ＤＣコンバータ３４は、例えば１００Ｖの交流電圧を２４Ｖの直流電圧に変換し、ＤＣ／ＤＣコンバータ３５へ出力する。ＤＣ／ＤＣコンバータ３５は、２４Ｖの直流電圧を３．３Ｖの直流電圧に変換し、制御部３３などへ供給する。電流センサ３７はメインヒータ３１およびサブヒータ３２に直列接続されている。電流センサ３７は交流電源１０１からメインヒータ３１へ流れる電流および／またはサブヒータ３２へ流れる電流の大きさに応じた信号である電流値信号Ｓｉｇ１を制御部３３へ出力する。尚、制御部３３などの消費電流に対してメインヒータ３１およびサブヒータ３２の消費電流は十分大きいため、ここでは、制御部３３が電流センサ３７によって検出する電流値をメインヒータ３１および／またはサブヒータ３２へ流れる電流値とみなし、制御部３３などの消費電流は無視するものとする。電流センサ３７は、ホール素子や増幅回路等を有する。電流センサ３７は、電流に比例して発生する磁界をホール素子のホール効果により電圧に変換し、変換した電圧を増幅回路により増幅して制御部３３に出力する。尚、電流センサ３７には、ホール素子に代えて、フラックスゲート型電磁センサを用いてもよい。以下の記載において、メインヒータ３１および／またはサブヒータ３２へ流れる電流、すなわち電流センサ３７に流れる電流をヒータ電流と記載する場合がある。リレー４２は、制御部３３から出力されるリレー制御信号Ｓｉｇ２に応じて、交流電源１０１とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを電気的に接続するか否かを切替える。
【００１６】
ゼロクロス検出回路３６は、交流電源１０１のゼロクロスタイミングを検出すると、パルス信号であるゼロクロス信号Ｓｉｇ３を制御部３３へ出力する。詳しくは、ゼロクロス検出回路３６は、ダイオードブリッジ５１、フォトカプラＰＣ２１、抵抗Ｒ２１，Ｒ２２、およびＮＰＮ型バイポーラトランジスタであるトランジスタＴｒ１などを含む。交流電源１０１の電力は、ダイオードブリッジ５１により全波整流され、フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤに印加される。フォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタのコレクタ端子は、抵抗Ｒ２１を介して２４Ｖ直流電源に接続され、エミッタ端子は接地される。トランジスタＴｒ１のベース端子は抵抗Ｒ２１とフォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタとの接続点に接続され、コレクタ端子は制御部３３に接続され、エミッタ端子は接地される。尚、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子と制御部３３とを接続する配線は、制御部３３内部にて電源電圧にプルアップされる。フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤは印加電力に応じた発光量で発光する。このため、フォトカプラＰＣ２１のＬＥＤの印加電圧が小さくなると、フォトカプラＰＣ２１のフォトトランジスタのオン抵抗は大きくなり、トランジスタＴｒ１のベース電圧は大きくなる。そして、トランジスタＴｒ１のベース電圧が閾値を超えるとトランジスタＴｒ１はオンし、ゼロクロス信号Ｓｉｇ３はロウレベルとなる。従って、ゼロクロス検出回路３６が出力するゼロクロス信号Ｓｉｇ３は、交流電源１０１のゼロクロスタイミング前後の所定時間だけロウレベルとなるパルス信号となる。制御部３３は、入力されるゼロクロス信号Ｓｉｇ３に基づき、交流電源１０１とゼロクロス検出回路３６との間で流れる交流電流のゼロクロスタイミングを特定する。
【００１７】
ヒータ制御回路４３は、トライアックＴＡ１、フォトトライアックカプラＰＣ１，抵抗Ｒ１，Ｒ２などを含む。ヒータ制御回路４４は、トライアックＴＡ１１、フォトトライアックカプラＰＣ１１，抵抗Ｒ１１，Ｒ１２などを含む。トライアックＴＡ１は、Ｔ２端子が交流電源１０１の一方の極に、Ｔ１端子がメインヒータ３１およびリレー４２を介して交流電源１０１の他方の極に接続される。トライアックＴＡ１のゲート端子とＴ１端子とは抵抗Ｒ１を介して接続される。また、トライアックＴＡ１のＴ２端子とゲート端子とは、フォトトライアックカプラＰＣ１のトライアックおよび抵抗Ｒ２を介して接続される。フォトトライアックカプラＰＣ１のＬＥＤのアノード端子には制御部３３から出力されるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４が入力され、カソード端子は接地される。制御部３３はメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４により、メインヒータ３１を制御する。ヒータ制御回路４４は、ヒータ制御回路４３と同様の構成であるため、詳細な説明は省略する。ヒータ制御回路４４のフォトトライアックカプラＰＣ１１のＬＥＤのアノード端子には制御部３３から出力されるサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５が入力されており、制御部３３はサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５により、サブヒータ３２を制御する。つまり、制御部３３は、メインヒータ３１の制御とサブヒータ３２の制御とを別個に行うことができる。
【００１８】
尚、メインヒータ３１を通電させる場合には、制御部３３はメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４をロウレベルからハイレベルに切替え、所定時間経過後にハイレベルからロウレベルに切替える。つまり、制御部３３は、所定パルス幅のパルスであるメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４をヒータ制御回路４３へ出力する。これにより、トライアックＴＡ１がターンオンし、メインヒータ３１は通電状態となる。そして、ゼロクロスタイミングにて、トライアックＴＡ１はターンオフし、メインヒータ３１は非通電状態となる。以下の説明において、制御部３３がパルスのメインヒータ制御信号Ｓｉｇ４を出力することにより、メインヒータ３１を通電状態とすることを「メインヒータ３１をＯＮする」と記載する。また、サブヒータ３２の制御についても同様に、制御部３３がパルスのサブヒータ制御信号Ｓｉｇ５を出力することにより、サブヒータ３２を通電状態とすることを「サブヒータ３２をＯＮする」と記載する。
【００１９】
制御部３３は、例えば、プリンタ１の電源がオンされると、図３に示すヒータ制御処理を開始する。尚、プリンタ１の電源がオンされることに応じて、制御部３３は、リレー制御信号Ｓｉｇ２のレベルをリレー４２の接点を閉じるレベルにする。
【００２０】
制御部３３は、ヒータ制御処理を開始すると、まず、メインヒータ３１の位相制御を開始する。ここで、位相制御とは、交流電源１０１の半周期におけるメインヒータ３１への給電を、半周期の開始のゼロクロスタイミングから所定時間経過したタイミングであって交流電源１０１の位相角に応じたタイミングから、半周期の終了のゼロクロスタイミングまで行う制御のことである。尚、後述する波数制御とは、交流電源１０１の半周期におけるメインヒータ３１への給電を半周期の開始のゼロクロスタイミングから半周期の終了のゼロクロスタイミングまで行う制御のことである。また、サブヒータ３２における位相制御および波数制御についても同様である。尚、制御部３３は、まずサブヒータ３２をＯＮさせずにメインヒータ３１をＯＮさせる制御を開始し、その後、サブヒータ３２をＯＮさせる制御を開始する。
【００２１】
プリンタ１の電源がオンされた直後は、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度が低く、抵抗が小さい状態である場合が多い。そこで、制御部３３は、まず、メインヒータ３１を波数制御する前に、位相制御する。これにより、メインヒータ３１の印加電圧が制限されるため、例えば突入電流などの過大な電流が流れることが抑制される。位相制御を行っている時間が長くなり、メインヒータ３１の温度が上昇すると、メインヒータ３１の抵抗は大きくなる。制御部３３は、交流電源１０１の最大振幅が印加されてもメインヒータ３１に流れる電流が閾値を超えないと判断すると、位相制御から波数制御に切替え、さらに、サブヒータ３２をＯＮさせる制御を開始する。ここで、メインヒータ３１における制御と同様に、サブヒータ３２の制御においても、まず位相制御し、その後、位相制御から波数制御に切替える。下記で説明するヒータ制御処理は、メインヒータ３１の位相制御を開始してから、サブヒータ３２の制御を波数制御に切替えるまでの処理である。
【００２２】
開始して最初の半周期では、制御部３３は、メモリ３３Ａに記憶されている固定位相角でメインヒータ３１をＯＮする（Ｓ１）。これにより、交流電源１０１の電力が供給されてメインヒータ３１は発熱する。ここで、固定位相角は、例えばメインヒータ３１の抵抗値が最小などのヒータ電流が最大となるワースト条件でメインヒータ３１が通電された場合に、ヒータ電流が閾値である５０［Ａ］を超えない様に予め実験などにより求められた位相角である。固定位相角で通電されることにより、過大な電流が流れることが抑制される。次に、メインヒータ３１が通電している期間内の検出タイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値により、メインヒータ３１の推定ピーク電流を算出する（Ｓ３）。ここで、推定ピーク電流とは、波数制御されたと仮定した場合の半周期におけるヒータ電流の最大値であり、詳しくは、位相角がπ／２，３π／２におけるヒータ電流である。また、後述するピーク電流とは、メインヒータ３１が波数制御されたと仮定した場合の半周期におけるヒータ電流の最大値である。尚、電流値は、電流の向きによらない電流値の大きさにより規定されるものである。
【００２３】
ステップＳ３について、横軸を時間、縦軸を電流とする図５を用いて説明する。図５では、ヒータ電流を実線で示し、メインヒータ３１が波数制御されたと仮定した場合のヒータ電流（図５にて「推定ヒータ電流」と記載）を破線で示している。電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値である検出電流値をＹ1、交流電源１０１の周期をＴ、検出タイミングから直後のゼロクロスタイミングまでの時間をΔｔ1、推定ピーク電流をＩip１とすると、検出電流値Ｙ1は次の（式１）で表される。
Ｙ1＝Ｉpi1×ｓｉｎ(２π×Δｔ1/Ｔ)；（式１）
（式１）を変形すると、次の（式２）となる。
Ｉip1＝Ｙ1／ｓｉｎ(２π×Δｔ1/Ｔ)；（式２）
ここで、(２π×Δｔ1/Ｔ)をθとする場合、θが２π×(３５°/３６０°)［ｒａｄ］以下では、ｓｉｎθをθに近似する。これにより、三角関数を使用することがないため、算出負荷を軽減することができる。近似を用いると、（式２）は次の（式３）となる。
Ｉip1＝Ｙ1/(２π×Δｔ1/Ｔ)；（式３）
ゼロクロスタイミングから検出タイミングまでの時間をｔ1とすると、
Δｔ1＝Ｔ/２−ｔ1
であるので、（式３）は次の（式４）となる。
Ｉip1＝Ｙ1/(π×(１−２ｔ1/Ｔ))；（式４）
ステップＳ３においては、検出タイミングを示す時間ｔ1、検出電流値Ｙ1、周期Ｔおよび（式４）を用いて推定ピーク電流Ｉip1が算出される。
【００２４】
図３に戻り、次に制御部３３は、算出した推定ピーク電流Ｉip1が閾値である５０［Ａ］以下であるか否かを判断する（Ｓ５）。閾値以下でないと判断することに応じて（Ｓ５：ＮＯ）、制御部３３は推定ピーク電流Ｉip1が所定値以上であるか否かを判断する（Ｓ７）。推定ピーク電流Ｉip1が所定値以上であると判断することに応じて（Ｓ７：ＹＥＳ）、制御部３３はヒータ電流が閾値となるタイミングを算出する（Ｓ９）。
【００２５】
ステップＳ７，Ｓ９について図５を用いて説明する。ヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングから直後のゼロクロスタイミングまでの時間をΔｔaとすると、ヒータ電流が５０［Ａ］となる時間Δｔａを求めるには、方程式である次の（式５）を解けば良い。
５０＝Ｉip1×ｓｉｎ(２π×Δｔa/Ｔ)；（式５）
（式５）を上記の近似を使用して変形すると、時間Δｔaは次の（式６）で表される。
Δｔa＝５０/Ｉip1/２π×Ｔ；（式６）
ゼロクロスタイミングからヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングまでの時間をｔaとすると、
Δｔa＝Ｔ/２−ｔa
であり、さらに（式４）を（式６）に代入して変形すると、次の（式７）となる。
ｔa＝Ｔ/２−５０×(Ｔ−２ｔ1)/２Ｙ1；（式７）
ステップＳ９においては、検出タイミングを示す時間ｔ1、検出電流値Ｙ1、周期Ｔおよび（式７）を用いて時間ｔaを算出する。
ただし、（式７）は、上記の近似、即ち、(２π×Δｔa/Ｔ)をθとする場合、θが２π×(３５°/３６０°)［ｒａｄ］以下である条件を満たす場合に限定される。この条件を満たす条件は、（式８）にて算出される。
２π×Δｔa/Ｔ≦２π×(３５/３６０)；（式８）
近似される前の上記の（式５）は次の（式９）に変形される。
２π×Δｔa/Ｔ＝ａｒｃｓｉｎ(５０/Ｉip1)；（式９）
（式８）に（式９）を代入し、整理すると、次の（式１０）となる。
Ｉip1≧５０/ｓｉｎ(２π×(３５/３６０))；（式１０）
ステップＳ７における所定値は５０/ｓｉｎ(２π×(３５/３６０))のことである。つまり、ステップＳ７では、近似を使用できないか否かを判断し、「ＹＥＳ」と判断される場合には、近似を使用できるため、ステップＳ９にて（式７）を用いてタイミングを算出する。
【００２６】
図３に戻り、制御部３３は、ステップＳ９の実行後、ゼロクロスタイミングを検出した後、算出したタイミングにてメインヒータ３１をＯＮする位相制御を行う（Ｓ１１）。一方、ステップＳ７で「ＮＯ」と判断される場合には、近似を使用できないため、ゼロクロスタイミングを検出した後、所定タイミングにてメインヒータをＯＮする位相制御を行う（Ｓ１３）。ここで、所定タイミングとは、(２π×Δｔa/Ｔ)が２π×(３５°/３６０°)となるタイミングであり、即ち、次の（式１１）を満たす時間Δｔaである。
(２π×Δｔa/Ｔ)＝２π×(３５/３６０)；（式１１）
尚、（式１１）を、時間ｔａを用いた式で表すと次の（式１２）となる。
ｔa＝(１/２−３５/３６０)×Ｔ；（式１２）
【００２７】
制御部３３は、ステップＳ１１またはステップＳ１３の実行後、ステップＳ３へ戻る。尚、ここでは、ステップＳ３〜Ｓ１３は、半周期に１回実行される処理であるものとする。ハロゲンヒータは自身の温度が上昇するにつれて、抵抗値が大きくなる。このため、ステップＳ７ではヒータ電流が閾値となるタイミングが算出されるのであるが、図７に示す様に、次の半周期におけるヒータ電流の最大値は閾値を下回ることになる。ステップＳ３〜Ｓ７が繰り返し実行される位相制御の実行時間が長くなるにつれて、ヒータ電流は次第に小さくなる。つまり、ステップＳ７にて算出されるタイミングは次第に早まる。図７の期間Ａは、ステップＳ７にて算出されるタイミングが次第に早まり、メインヒータ３１の通電時間が長くなる様子を示している。そして、ステップＳ３にて算出される推定ピーク電流Ｉip1がさらに小さくなり、ステップＳ７における所定値よりも推定ピーク電流が小さくなると、所定タイミングでの位相制御となる（Ｓ１３）。図７の期間Ｂは所定タイミングでの位相制御を示しており、ステップＳ７にてＮＯと判断された後は、所定タイミングでの位相制御が継続されることとなる。尚、図７における「ｔmax」とは（式１１）におけるΔｔaのことである。
【００２８】
図３に戻り、推定ピーク電流Ｉip1が閾値の５０［Ａ］以下となり、ステップＳ５にてＹＥＳと判断されると、制御部３３はメインヒータ３１の制御を位相制御から波数制御に切替える（Ｓ１５）。具体的には、制御部３３はゼロクロスタイミングにてメインヒータ３１をＯＮさせる制御に切替える。また、サブヒータ３２の位相制御を開始する。開始して最初の半周期では、メモリ３３Ａに記憶されている固定位相角でサブヒータ３２をＯＮする（Ｓ１７）。これにより、サブヒータ３２には交流電源１０１の電力が供給される。ここで、固定位相角は、ワースト条件でメインヒータ３１およびサブヒータ３２が通電された場合に、メインヒータ３１に流れる電流とサブヒータ３２に流れる電流との合成電流であるヒータ電流が閾値である５０［Ａ］を超えない様に予め実験などにより求められた位相角である。このように、メインヒータ３１が波数制御されている半周期における期間においても、さらに電流を流す余裕のある位相角が小さい期間にサブヒータ３２への通電を開始させることで、サブヒータ３２の制御を波数制御に切替えるまでの時間を短くすることができる。これにより、プリンタ１のＦＰＯＴを短縮することができる。
【００２９】
次に、制御部３３は、サブヒータ３２が通電した後のタイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値に基づき、メインヒータ３１の推定ピーク電流Ｉip1にサブヒータ３２の推定ピーク電流Ｉip2を加算した推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）を算出する（Ｓ２１）。次に、制御部３３は、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下であるか否かを判断する（Ｓ２３）。
【００３０】
ステップＳ２１〜Ｓ２３について、横軸を時間、縦軸を電流とする図６を用いて説明する。図６では、ヒータ電流を実線で示し、メインヒータ３１に流れる電流（図６にて「メインヒータ電流」と記載）を破線で示し、サブヒータ３２が波数制御されたと仮定した場合のサブヒータ３２に流れると推定される電流（図６にて「サブヒータ電流」と記載）を破線で示している。また、サブヒータ３２が波数制御されたと仮定した場合のメインヒータ３１およびサブヒータ３２に流れると推定される合成電流（図６にて「合成電流」と記載）を破線で示している。尚、ステップＳ２１にて検出される、サブヒータ３２が通電した後のタイミングにおけるヒータ電流とは、メインヒータ３１に流れる電流とサブヒータ３２に流れる電流との合成電流である。
【００３１】
検出した合成電流の電流値である検出電流値をＹ2、交流電源の周期をＴ、ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間をｔ2、合成電流を検出したタイミングから直後のゼロクロスタイミングまでの時間をΔｔ2、メインヒータ３１の推定ピーク電流をＩip1、サブヒータ３２の推定ピーク電流をＩip2とすると、検出電流値Ｙ2は、次の（式１３）にて表される。尚、半周期の間、メインヒータ３１には電流が流れるのでメインヒータ３１のピーク電流を検出することができるが、本実施形態においてはメインヒータ３１のピーク電流は検出されないため、推定ピーク電流Ｉip1を用いて説明する。
Ｙ2＝(Ｉip1＋Ｉip2)×ｓｉｎ(２π×Δｔ2/Ｔ)；（式１３）
上記の近似を用いると、即ち、(２π×Δｔ2/Ｔ)をθとする場合、θが２π×(３５°/３６０°)［ｒａｄ］以下では、ｓｉｎθをθに近似すると、（式１３）は次の（式１４）となる。
Ｉip1＋Ｉip2＝Ｙ2/(２π×Δｔ2／Ｔ)；（式１４）
時間Δｔ2は、時間ｔ2を用いて、次の（式１５）で表される。
Δｔ2＝Ｔ/２−ｔ2；（式１５）
（式１５）を（式１４）に代入し整理すると、（式１６）となる。
Ｉip1＋Ｉip2＝Ｙ2/(π×(１−２ｔ2／Ｔ)；（式１６）
ステップＳ２３では、制御部３３は、検出電流値Ｙ2、周期Ｔ、ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間をｔ2、（式１６）を用いて算出された推定合成ピーク電流（Ｉip1＋Ｉip2）が閾値以下であるか否かを判断する。
【００３２】
図４に戻り、ステップＳ２３にてＮＯと判断することに応じて、制御部３３はヒータ電流が閾値となるタイミングを算出する（Ｓ２７）。次に、制御部３３は、ステップＳ２７にて算出した、ヒータ電流が閾値となるタイミングが所定タイミングより早いか否かを判断する（Ｓ２８）。算出したタイミングが所定タイミングより早くないと判断することに応じて（Ｓ２８：ＮＯ）、ステップＳ２７で算出したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする位相制御を行う（Ｓ２９）。一方、算出したヒータ電流が閾値となるタイミングが所定タイミングより早いと判断することに応じて（Ｓ２８：ＹＥＳ）、制御部３３は所定タイミングでサブヒータ３２をＯＮする位相制御を行う（Ｓ３１）。
【００３３】
ステップＳ２５〜Ｓ３１について図６を用いて説明する。ステップＳ１９における合成電流を検出したタイミングにおける、メインヒータ３１に流れる電流をＩ1ｔ2、サブヒータ３２に流れる電流をＩ2ｔ2、ヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングから直後のゼロクロスタイミングまでの時間をΔｔbとすると、ヒータ電流が５０［Ａ］となる時間Δｔbを求めるには、方程式である次の（式１９）を解けば良い。
５０＝(Ｉip1＋Ｉip2)×ｓｉｎ(２π×Δｔb/Ｔ)；（式１９）
上記の近似を用いると、即ち、(２π×Δｔb/Ｔ)をθとする場合、θが２π×(３５°/３６０°)［ｒａｄ］以下では、ｓｉｎθをθに近似すると、時間Δｔbは次の（式２０）で表される。
Δｔb＝５０/(Ｉip1＋Ｉip2)/２π×Ｔ；（式２０）
上記の（式１８）を代入し整理すると、（式２０）は次の（式２１）となる。
Δｔb＝５０×Δｔ2/Ｙ2；（式２１）
ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間をｔbとすると、Δｔbは次の(式２２)で表される。
Δｔb＝Ｔ/２−ｔb；（式２２）
（式２１）に（式２２）および上記の（式１６）を代入し整理すると、次の（式２３）となる。
ｔb＝Ｔ/２−５０(Ｔ−２ｔ2)/２Ｙ2；（式２３）
ステップＳ２７では、検出電流値Ｙ2、周期Ｔ、ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間をｔ2、（式２３）を用いて時間ｔbを算出する。
【００３４】
ここで、近似を使用できるのは、次の（式２４）を満たす範囲である。
２π×Δｔb/Ｔ≦２π×(３５/３６０)；（式２４）
（式２４）を変形すると、次の（式２５）となる。
Δｔb≦ (３５/３６０)×Ｔ；（式２５）
（式２５）に（式２３）を代入し、整理すると、次の（式２６）となる。
ｔb≧(１/２−３５/３６０)×Ｔ；（式２６）
つまり、時間ｔbが、(１/２−３５/３６０)×Ｔ以上の場合、近似が使用できる。そこで、ステップＳ２８では、ステップＳ２７で算出した時間ｔbと、(１/２−３５/３６０)×Ｔとを比較することにより、近似を使用できるか否かを判断する。ステップＳ２７で算出した時間ｔbが(１/２−３５/３６０)以上、つまり、ゼロクロスタイミングから時間ｔb経過したタイミングがゼロクロスタイミングから(１/２−３５/３６０)×Ｔ経過したタイミング以後である場合（Ｓ２８：ＮＯ）には、近似を使用できるため、ゼロクロスタイミングから時間ｔb経過したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。一方、ゼロクロスタイミングから時間ｔb経過したタイミングがゼロクロスタイミングから(１/２−３５/３６０)×Ｔ経過したタイミングより早い場合（Ｓ２８：ＹＥＳ）には、近似を使用できないため、ゼロクロスタイミングから(１/２−３５/３６０)×Ｔ経過したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする。
【００３５】
図４に戻り、ステップＳ２８にてＮＯと判断した場合、制御部３３はゼロクロスタイミングを検出した後、算出したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする位相制御を行う（Ｓ２９）。一方、ステップＳ２８にてＹＥＳと判断した場合、制御部３３はゼロクロスタイミングを検出した後、所定タイミングにてサブヒータ３２をＯＮする位相制御を行う（Ｓ３１）。ここで、所定タイミングとは、(２π×Δｔb/Ｔ)が２π×(３５°/３６０°)となるタイミングである。即ち、次の（式２７）を満たす時間ｔbである。
ｔb＝(１/２−３５/３６０)×Ｔ；（式２７）
【００３６】
制御部３３は、ステップＳ２９またはステップＳ３１の実行後、ステップＳ２１へ戻る。尚、ここでは、ステップＳ２１〜Ｓ３１は、半周期に１回実行される処理であるものとする。メインヒータ３１が位相制御された場合と同様に、ステップＳ２７ではサブヒータ３２がＯＮされたタイミングにおけるヒータ電流が閾値となるタイミングが算出されるのであるが、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の抵抗値は次第に大きくなるため、図８に示す様に、次の半周期におけるサブヒータ３２がＯＮされたタイミングにおけるヒータ電流の最大値は閾値とはならず、閾値を下回ることになる。ステップＳ２１〜Ｓ３１が繰り返し実行されるサブヒータ３２の位相制御を行う時間の経過に伴い、ヒータ電流は次第に小さくなる。従って、ステップＳ２７にて算出されるタイミングは次第に早まる。図８は、ステップＳ２７にて算出されてステップＳ２９にてサブヒータ３２がＯＮされるタイミングが次第に早まり、通電時間が長くなる様子を示している。そして、推定ピーク電流がさらに小さくなり、ステップＳ２７にて算出されたタイミングがステップＳ２８における所定タイミングよりも早いと判断されると、ステップＳ３１にて所定タイミングでの位相制御となる。
【００３７】
図４に戻り、合成ピーク電流が閾値の５０［Ａ］以下となり、ステップＳ２３にてＹＥＳと判断されると、制御部３３はサブヒータ３２の制御を位相制御から波数制御に切替える（Ｓ３３）。具体的には、制御部３３はゼロクロスタイミングにてサブヒータ３２をＯＮさせる制御に切替える。つまり、メインヒータ３１およびサブヒータ３２が波数制御される。制御部３３は、ステップＳ３３の実行後、ヒータ制御処理を終了する。尚、制御部３３は、ヒータ制御処理の実行後、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の温度が、目標の温度となるように、メインヒータ３１およびサブヒータ３２の通電を制御するための制御を開始する。
【００３８】
ここで、プリンタ１は画像形成装置の一例であり、メインヒータ３１は第２ヒータの一例であり、サブヒータ３２は第１ヒータの一例である。
また、ゼロクロスタイミングから、ステップＳ２９にてサブヒータ３２がＯＮされるタイミングまでの時間は、第１タイミングの一例である。また、ゼロクロスタイミングから、ステップＳ１１にてメインヒータ３１がＯＮされるタイミングまでの時間は、第２タイミングの一例である。また、ゼロクロスタイミングから、ステップＳ２１の実行タイミングまでの時間は、第１所定タイミングの一例である。また、ゼロクロスタイミングからステップＳ３の実行タイミングまでの時間は、第２所定タイミングの一例である。
【００３９】
以上、説明した実施形態によれば、以下の効果を奏する。
制御部３３は、ステップＳ２１にて、サブヒータ３２が通電した後のタイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値に基づき、メインヒータ３１への給電中にサブヒータ３２への給電を開始したと仮定した時の推定合成ピーク電流（Ｉip1＋Ｉip2）を算出する。また、制御部３３は、ステップＳ２９にて、ステップＳ２７にて算出したヒータ電流が閾値となるタイミングにて、サブヒータ３２をＯＮする。また、制御部３３は、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下であると判断することに応じて（Ｓ２３：ＹＥＳ）、サブヒータ３２をゼロクロスタイミングにてＯＮする波数制御に切替える。これにより、サブヒータ３２およびメインヒータ３１が波数制御されたと仮定した場合にピーク合成電流が閾値以下でない状態においても、サブヒータ３２およびメインヒータ３１に流れる交流電流が閾値以下となるようにサブヒータ３２は位相制御されるので、サブヒータ３２およびメインヒータ３１へ供給される電力を制限しつつ、ＦＰＯＴを短縮することができる。
【００４０】
また、制御部３３は、ステップＳ２３において、（式１６）を用いて、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下であるか否かを判断する。これにより、（式１６）を用いて、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下であるか否かを判断することができる。
【００４１】
また、制御部３３は、ステップＳ３にて、メインヒータ３１が通電している期間内の検出タイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値により、メインヒータ３１の推定ピーク電流Ｉip1を算出する。また、制御部３３は、算出した推定ピーク電流Ｉip1が閾値である５０［Ａ］以下であると判断することに応じて（Ｓ５：ＹＥＳ）、制御部３３はメインヒータ３１の制御を位相制御から波数制御に切替える（Ｓ１５）。これにより、メインヒータ３１を波数制御したと仮定した時に、メインヒータ３１のピーク電流が閾値以下となることを担保することができる。予め定められた期間経過してからメインヒータ３１を波数制御に切替えるよりも、ＦＰＯＴを短縮しつつ、メインヒータ３１に流れる電流が閾値を超えるのを抑制することができる。
【００４２】
また、制御部３３は、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値である５０［Ａ］以下でないと判断する場合（Ｓ２３：ＮＯ）、ヒータ電流が閾値となるタイミングを算出し（Ｓ２７）、次の半周期にて、算出したタイミングにてサブヒータ３２をＯＮする位相制御を行う（Ｓ２９）。これにより、ヒータ電流が閾値を超えない範囲で、サブヒータ３２をＯＮすることができる。
【００４３】
また、ステップＳ２７にて算出されるタイミングは、ゼロクロスタイミングから推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）の算出に用いられたヒータ電流の電流値を検出した半周期における、ゼロクロスタイミングからサブヒータ３２がＯＮされたタイミングまでの時間よりも、ゼロクロスタイミングからの時間が短いタイミングである。これにより、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）が閾値を超える時も、推定合成ピーク電流(Ｉip1+Ｉip2）の算出に用いられたヒータ電流の電流値を検出したタイミングを含む交流の半周期においてサブヒータ３２をＯＮしたタイミングでサブヒータ３２をＯＮするのに比べ、ＦＰＯＴを短縮できる。
【００４４】
また、制御部３３は、ステップＳ２７において、（式２３）を用いて、ヒータ電流が閾値となるタイミングを算出する。これにより、（式２３）を用いて、ヒータ電流が閾値となるタイミングを算出することができる。
【００４５】
また、制御部３３は、ステップＳ２８にてＹＥＳと判断する場合、即ち、ステップＳ２７で算出した時間ｔbが(１/２−３５/３６０)×Ｔより小さい場合、（式２７）を満たす時間ｔbのタイミングにて、サブヒータ３２をＯＮする（Ｓ３１）。(２π×Δｔb/Ｔ)をθとする場合、ｓｉｎθをθとする近似は、θがπ／２に近づくにつれて精度が低下する。そこで、θが２π×(３５°/３６０°)［ｒａｄ］より大きい場合には、（式２７）を満たす時間ｔbにて、サブヒータ３２をＯＮする。これにより、近似の精度が良い範囲で、（式２３）を用いてヒータ電流が閾値となるタイミングを算出することができる。
【００４６】
また、サブヒータ３２の消費電力はメインヒータ３１の消費電力よりも小さく、メインヒータ３１のみが通電状態にされた場合のヒータ電流よりも、サブヒータ３２のみが通電状態にされた場合のヒータ電流の方が小さい。このため、メインヒータ３１のみが通電状態にされた場合のヒータ電流が閾値に達したとしても、ヒータ電流が閾値より小さい範囲において、サブヒータ３２を通電状態とすることが可能となる。
【００４７】
（別例）
次に、ステップＳ２７の別例について説明する。
上記では、サブヒータ３２が通電した後のタイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値に基づき、ヒータ電流が閾値となるタイミングを算出すると説明した。別例では、サブヒータ３２が通電した後のタイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値と、メインヒータ３１のみが通電しているタイミングにおける電流値信号Ｓｉｇ１が示すヒータ電流の電流値とに基づき、ヒータ電流が閾値となるタイミングを算出する。
【００４８】
図９を用いて説明する。尚、図９は図６と同様の図であり、ヒータ電流を実線で示し、メインヒータ３１およびサブヒータ３２に流れると推定される電流を破線で示している。交流電源の周期をＴ、ｎ番目の半周期における、検出した合成電流の電流値である検出電流値をＹ2(n)、ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間をｔ2、メインヒータ３１の推定ピーク電流をＩip1(n)、サブヒータ３２の推定ピーク電流をＩip2(n)とする。また、ｎ番目の半周期における、検出したメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値をＩ1td1(n)、ゼロクロスタイミングから検出電流値Ｉ1td1(n)を検出したタイミングまでの時間をtd１とする。同様に、(ｎ+1)番目の半周期における、ゼロクロスタイミングから時間ｔ2経過したタイミングで検出された合成電流の電流値である検出電流値をＹ2(ｎ+1)、メインヒータ３１のピーク電流をＩip1(ｎ+1)、サブヒータ３２の推定ピーク電流をＩip2(ｎ+1)とする。また、(ｎ+1)番目の半周期における、ゼロクロスタイミングから時間ｔｄ１経過したタイミングで検出されたメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値をＩ1td1(ｎ+1)とする。
【００４９】
（式１６）の算出と同様の算出方法を用いて、ｎ番目の半周期における推定合成ピーク電流Ｉip1(n)＋Ｉip2(n)は、次の（式３０）にて表される。
Ｉip1(n)＋Ｉip2(n)＝Ｙ2(n)/(π×(１−２ｔ2／Ｔ))；（式３０）
また、ｎ番目の半周期におけるメインヒータ３１の推定ピーク電流Ｉip1(n)は、次の（式３１）にて表される。
Ｉip1(n)＝Ｉ1td1(n)/(π×(１−２ｔd1／Ｔ))；（式３１）
また、(ｎ+1)番目の半周期におけるメインヒータ３１の推定ピーク電流Ｉip1(ｎ+1)は、次の（式３１）にて表される。
Ｉip1(ｎ+1)＝Ｉ1td1(ｎ+1)/(π×(１−２ｔd1／Ｔ))；（式３２）
Ｉip1(ｎ+1)＋Ｉip2(n)を（式３０）〜（式３２）を用いて表すと、次の（式３３）となる。
Ｉip1(ｎ+1)＋Ｉip2(n)＝Ｉip1(ｎ+1)＋Ｉip1(ｎ)＋Ｉip2(n)−Ｉip1(n)＝Ｔ／π×(Ｙ2(n)／(Ｔ−２ｔ2)−(Ｉ1td1(n)−Ｉ1td1(ｎ+1))／(Ｔ−２ｔd1))；（式３３）
ゼロクロスタイミングからヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングまでの時間をｔc(ｎ+1)とすると、ヒータ電流が５０［Ａ］となる時間ｔc(ｎ+1)を求めるには、方程式である次の（式３４）を解けば良い。
５０＝(Ｉip1(ｎ+1)＋Ｉip2(n))×π×(1−２ｔc(ｎ+1)／Ｔ)；（式３４）
（式３４）を（式３３）を代入して整理すると、次の（式３５）となる。
ｔc(ｎ+1)＝１／２×(Ｔ−５０×(Ｔ−２ｔd1)(Ｔ−２ｔ2)／(Ｙ2(n)×(Ｔ−２ｔd1)−(Ｉ1td1(n)−Ｉ1td1(ｎ+1))×(Ｔ−２ｔ2)))；（式３５）
別例では、ステップＳ２１にて、ｎ番目の半周期における、ゼロクロスタイミングから時間ｔｄ１経過したタイミングでのメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値Ｉ1td1(n)と、ゼロクロスタイミングから時間ｔ2経過したタイミングでの検出電流値Ｙ2(n)と、(ｎ+1)番目の半周期における、ゼロクロスタイミングから時間ｔｄ１経過したタイミングでのメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値Ｉ1td1(n+1)と、を検出する。また、ステップＳ２７では、（式３５）を満たす時間ｔc(ｎ+1)を算出する。そして、算出した時間ｔc(ｎ+1)にて、サブヒータ３２をＯＮする。これにより、上記実施形態と比較し、ｎ番目の半周期におけるメインヒータ３１に流れる電流よりも、(ｎ+1)番目の半周期におけるメインヒータ３１に流れる電流が小さくなる差分を反映することができるので、よりサブヒータ３２をＯＮするタイミングを早めることができる。
【００５０】
ここで、ｎ番目の半周期におけるゼロクロスタイミングから時間td１経過したタイミングは第３所定タイミングの一例である。（ｎ＋１）番目の半周期におけるゼロクロスタイミングから時間td１経過したタイミングは第４所定タイミングの一例である。また、ｎ番目の半周期は第１半周期の一例であり、（ｎ＋１）番目の半周期は第２半周期の一例である。
【００５１】
以上、説明した別例によれば、以下の効果を奏する。
制御部３３は、ｎ番目の半周期における、検出した合成電流の電流値である検出電流値Ｙ2(n)、ゼロクロスタイミングから合成電流を検出したタイミングまでの時間ｔ2、検出したメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値Ｉ1td1(n)、ゼロクロスタイミングから検出電流値Ｉ1td1(n)を検出したタイミングまでの時間td１、(ｎ+1)番目の半周期における、ゼロクロスタイミングから時間ｔｄ１経過したタイミングで検出されたメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値である検出電流値Ｉ1td1(ｎ+1)と、（式３５）に基づき、ゼロクロスタイミングからヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングまでの時間ｔc(ｎ+1)を算出する。これにより、上記のメインヒータ３１のみが通電している状態のヒータ電流の電流値を用いずにサブヒータ３２を算出する構成と比較し、ｎ番目の半周期におけるメインヒータ３１に流れる電流よりも、(ｎ+1)番目の半周期におけるメインヒータ３１に流れる電流が小さくなる差分を反映することができるので、よりサブヒータ３２をＯＮするタイミングを早めることができる。
【００５２】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種々の改良、変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、ヒータ制御回路４３，４４にはトライアックＴＡ１，ＴＡ１１が含まれると説明したが、トライアックではなく例えばＦＥＴなどのその他の半導体素子でも良い。
【００５３】
また、上記では、電流センサの一例として、交流電源１０１とＤＣコンバータ３４とを接続する配線に配設される電流センサ３７を説明したが、これに限定されない。例えば、交流電源１０１とＤＣコンバータ３４とを接続する配線から分岐してリレー４２へ至る経路に配設される構成としても良い。また、例えばリレー４２とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを接続する配線から分岐してメインヒータ３１へ至る経路に配設される電流センサと、リレー４２とメインヒータ３１およびサブヒータ３２とを接続する配線から分岐してサブヒータ３２へ至る経路に配設される電流センサとの２つの電流センサを備える構成としても良い。
【００５４】
また、上記の別例において、（式３５）を用いて、ゼロクロスタイミングからヒータ電流が５０［Ａ］となるタイミングまでの時間ｔc(ｎ+1)を算出すると説明したが、これに限定されない。例えば、検出電流値Ｉ1td1(n)から検出電流値Ｉ1td1(ｎ+1)を減算して得られる減少量に応じた時間を算出し、時間td１から算出した時間だけ短い時間を時間ｔc(ｎ+1)としても良い。また、検出したピーク電流値Ｉip2(n)から検出したピーク電流値Ｉip2(n+1)を減算して得られる減少量に応じた時間を算出し、時間td１から算出した時間だけ短い時間を時間ｔc(ｎ+1)としても良い。
【００５５】
また、上記では、メインヒータ３１の消費電力はサブヒータ３２の消費電力よりも大きいと説明したが、消費電力の大小を限定するものではない。２つのヒータを備える画像形成装置に適用することができる。
【００５６】
また、上記では、画像形成装置の一例として、モノクロレーザプリンタであるプリンタ１を例示したが、これに限定されず、例えばカラーレーザプリンタ、ＬＥＤを用いた照射によって感光ドラムの表面上に静電潜像を形成するプリンタ、コピー機能などの複数の機能を備える所謂複合機にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１  プリンタ
３１  メインヒータ
３２  サブヒータ
３３  制御部
３７  電流センサ
４３  ヒータ制御回路
４４  ヒータ制御回路
１０１  交流電源
【図１】
2019179661.tif 000003
【図２】
2019179661.tif 000004
【図３】
2019179661.tif 000005
【図４】
2019179661.tif 000006
【図５】
2019179661.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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