(57)【要約】【課題】導電性樹脂層の効果による積層体のクラック抑制効果を維持しつつ、外部電極と積層体との固着力も維持することが可能な積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、積層体１２と、積層体１２の両端面に外部電極２４とを備える。外部電極２４は、下地電極層２６と、下地電極層２６上に配置される導電性樹脂層２８と、導電性樹脂層２８上に配置されるめっき層３０と、を有する。積層体の稜線部における下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量は２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂層の金属成分は扁平粉を含み、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率は８０重量％以上であり、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは１０．３μｍ以上であり、導電性樹脂層におけるＰＶＣの固形分濃度は４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であり、稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは１１．７μｍ以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記内部電極層に接続される、前記第１および第２の端面上、および前記第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、
を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、前記下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、
少なくとも前記第１の主面または前記第２の主面と前記第１の端面または前記第２の端面との２つの面が交わる稜線部における前記下地電極層と前記導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、
前記導電性樹脂層の前記金属成分は、球形粉と扁平粉とを含み、前記金属成分を１００％とした際に前記扁平粉の比率が８０重量％以上であり、前記扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは１０．３μｍ以上であり、
前記導電性樹脂層におけるＰＶＣの固形分濃度が、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であり、
前記稜線部に位置する前記導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上である、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは、２５．１μｍ以下であり、前記稜線部に位置する前記導電性樹脂層の厚みは、２５μｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記内部電極層に接続される、前記第１および第２の端面上、および前記第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、
を有する積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、前記下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、
前記積層セラミックコンデンサを基板に実装した際、前記基板からの応力が前記積層セラミックコンデンサに加わった際に、前記外部電極の稜線部において、前記導電性樹脂層と前記めっき層との間に空隙が生じる、積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記空隙は、前記外部電極の稜線部領域内に留まる、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサが基板上に実装された積層セラミックコンデンサの実装構造であって、
前記基板は、主面上に配置された信号電極を有し、
前記積層セラミックコンデンサの前記第１の主面もしくは前記第２の主面、または前記第１の側面もしくは前記第２の側面が前記基板の前記主面と対向した状態で、前記積層セラミックコンデンサの前記外部電極と前記基板の前記信号電極とが接続されている、積層セラミックコンデンサの実装構造。
【請求項６】
積層セラミックコンデンサが基板上に実装された積層セラミックコンデンサの実装構造であって、
前記積層セラミックコンデンサは、
積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記内部電極層に接続される、前記第１および第２の端面上、および前記第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、を有し、
前記基板は、主面上に配置された信号電極を有し、
前記積層セラミックコンデンサの前記第１の主面もしくは前記第２の主面、または前記第１の側面もしくは前記第２の側面が前記基板の前記主面と対向した状態で、前記積層セラミックコンデンサの前記外部電極と前記基板の前記信号電極とが接続されており、
前記外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、前記下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、
前記外部電極の稜線部において、前記導電性樹脂層と前記めっき層との間に空隙が設けられている、積層セラミックコンデンサの実装構造。
【請求項７】
前記空隙は、前記外部電極の稜線部領域内に留まる、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサの実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べて過酷な環境下で使用されるようになってきている。
たとえば、携帯電話や携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、落下などの衝撃を受けても、実装基板から脱落せず、クラックが生じないようにする必要がある。また、ＥＣＵなどの車載機器に用いられる積層セラミックコンデンサは、熱サイクルなどの衝撃に耐えることが求められる。具体的には、積層セラミックコンデンサは、熱サイクルを受けて実装基板が線膨張・収縮することにより発生するたわみ応力や外部電極にかかる引張り応力が、積層体の強度を上回ると積層体にクラックが生じさせるので、それらの応力を受けても、クラックが生じないようにする必要がある。
【０００３】
上記のような要求に応じることを目的として、たとえば、特許文献１のように積層セラミック電子部品の外部電極に金属粉末が含有する導電性の熱硬化性樹脂を用いた導電性樹脂層を備えることで、厳しい環境下でも実装基板から受ける応力を緩和させ、積層体へのクラックを抑制する技術が提案されている。
実際に、特許文献１に記載されているような積層セラミックコンデンサに応力が加わった際には、一般的に外部電極中の導電性樹脂層内や、導電性樹脂層とめっき層との界面、または導電性樹脂層と積層体との界面に破壊亀裂を生じさせることで、積層セラミックコンデンサに加わる応力を逃がし、積層体にクラックが生じることを抑制する設計となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−１６１７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、積層セラミックコンデンサに応力が加わった際に、積層体へのクラック抑制の効果を得るためには、外部電極設計としてマージンをもたせた設計とし、より弱い応力でも上述したような破壊亀裂が生じるような設計とする場合がある。
しかし、弱い力で破壊亀裂が生じるような設計とする場合、積層体へのクラック抑制効果は高められるものの、実装後の固着力（外部電極と積層体との固着力に起因する基板との固着力）が低くなることとトレードオフ関係が生じる。よって、たとえば、落下衝撃や振動による繰り返しの力によって破壊が進展し、積層セラミックコンデンサが基板から脱落するという不具合が生じることに懸念がある。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、導電性樹脂層の効果による積層体のクラック抑制効果を維持しつつ、外部電極と積層体との固着力も維持することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、内部電極層に接続される、第１および第２の端面上、および第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、少なくとも第１の主面または第２の主面と第１の端面または第２の端面との２つの面が交わる稜線部における下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂層の金属成分は、球形粉と扁平粉とを含み、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは１０．３μｍ以上であり、導電性樹脂層におけるＰＶＣの固形分濃度が、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であり、稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上である、積層セラミックコンデンサである。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは、２５．１μｍ以下であり、稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、２５μｍ以下であることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、内部電極層に接続される、第１および第２の端面上、および第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、積層セラミックコンデンサを基板に実装した際、基板からの応力が積層セラミックコンデンサに加わった際に、外部電極の稜線部において、導電性樹脂層とめっき層との間に空隙が生じる、積層セラミックコンデンサである。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、空隙について、外部電極の稜線部領域内に留まることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサが基板上に実装された積層セラミックコンデンサの実装構造であって、基板は、主面上に配置された信号電極を有し、積層セラミックコンデンサの第１の主面もしくは第２の主面、または第１の側面もしくは第２の側面が基板の主面と対向した状態で、積層セラミックコンデンサの外部電極と基板の信号電極とが接続されている、積層セラミックコンデンサの実装構造である。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造は、積層セラミックコンデンサが基板上に実装された積層セラミックコンデンサの実装構造であって、積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、内部電極層に接続される、第１および第２の端面上、および第１および第２の主面上の一部、および第１および第２の側面上の一部に配置された一対の外部電極と、を有し、基板は、主面上に配置された信号電極を有し、積層セラミックコンデンサの第１の主面もしくは第２の主面、または第１の側面もしくは第２の側面が基板の主面と対向した状態で、積層セラミックコンデンサの外部電極と基板の信号電極とが接続されており、外部電極は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層と、下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されるめっき層と、を有し、外部電極の稜線部において、導電性樹脂層とめっき層との間に空隙が設けられている、積層セラミックコンデンサの実装構造である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造は、空隙について、外部電極の稜線部領域内に留まることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、導電性樹脂層の効果による積層体のクラック抑制効果を維持しつつ、外部電極と積層体との固着力も維持することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図２】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】（ａ）は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が２つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、（ｂ）は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が３つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、（ｃ）は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が４つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の変形例にかかる積層セラミックコンデンサの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に記載の積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極の導電性樹脂層とめっき層との間に生じた空隙を示す拡大断面図である。
【図６】（ａ）は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造の一例を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に記載の実装構造において、外部電極の導電性樹脂層とめっき層との間に生じる空隙を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
１．積層セラミックコンデンサ
この発明の積層セラミックコンデンサについて説明する。図１は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。図３は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサを示す図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【００１２】
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
【００１３】
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。さらに、積層体１２の長さ方向ｚの寸法は、幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。
【００１４】
積層される誘電体層１４の枚数は、特に限定されないが、１５枚以上２００枚以下であることが好ましい。
【００１５】
積層体１２は、複数枚の誘電体層１４から構成される外層部１４ａと単数もしくは複数枚の誘電体層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚の誘電体層１４の集合体である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。なお、外層部１４ａの厚みは、１５０μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法は、３．０５ｍｍ以上５．４ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法は、１．５７ｍｍ以上４．９２ｍｍ以下、積層方向ｘの寸法は、１．５７ｍｍ以上２．９６ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１７】
誘電体層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
【００１８】
焼成後の誘電体層１４の厚みは、０．５μｍ以上２０．０μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
【００２０】
第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２０ａを有する。第１の引出電極部２０ａは、その端部が第１の端面１２ｅに引き出され、露出している。
第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２０ｂを有する。第２の引出電極部２０ｂは、その端部が第２の端面１２ｆに引き出され、露出している。
【００２１】
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、コーナー部が丸められていたり、コーナー部が斜めに（テーパー状）形成されていたりしてもよい。
第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａの幅と第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。同様に、第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの幅と第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの幅とは、同じ幅に形成されていてもよく、どちらか一方が狭く形成されてもよい。
【００２２】
積層体１２は、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２２ａを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（Ｌギャップ）２２ｂを含む。
【００２３】
内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストに使用する樹脂成分は、エチルセルロースやアクリル樹脂が用いられることが好ましい。
【００２４】
内部電極層１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。また、内部電極層１６の枚数は、１５枚以上２００以下であることが好ましい。
【００２５】
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２４が配置される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２０ａと電気的に接続される。なお、第１の外部電極２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅのみに形成されていてもよい。
第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２０ｂと電気的に接続される。なお、第２の外部電極２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆのみに形成されていてもよい。
【００２６】
積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部１８ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部１８ｂとが誘電体層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。
【００２７】
なお、図４に示すように、内部電極層１６として、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂに加えて、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極層１６ｃが設けられ、浮き内部電極層１６ｃによって、対向電極部１８ｃが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図４（ａ）に示すような２連、図４（ｂ）に示すような３連、図４（ｃ）に示すような４連構造であり、４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部１８ｃを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層１６ａ、１６ｂ、１６ｃ間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサの高耐圧化を図ることができる。
【００２８】
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂは、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層２６と、下地電極層２６を覆うように配置された熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂層２８と、導電性樹脂層２８を覆うように配置されためっき層３０とを含む。
【００２９】
下地電極層２６は、第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂを有する。
第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層２６ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２６ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。
【００３０】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの厚みは、３０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向ｚの中央部におけるそれぞれの厚みは、１５μｍ以上３０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３１】
下地電極層２６は、導電性金属およびガラス成分を含む。下地電極層２６の導電性金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、下地電極層２６のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、ＡｌおよびＬｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層２６は、複数層であってもよい。下地電極層２６は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、誘電体層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。なお、ガラスの代わりに誘電体材料を用いてもよく、ガラスの代わりに誘電体材料を用いる場合には、下地電極層２６は誘電体層１４および内部電極層１６と同時に焼成することが好ましい。
【００３２】
導電性樹脂層２８は、第１の導電性樹脂層２８ａおよび第２の導電性樹脂層２８ｂを有する。
第１の導電性樹脂層２８ａは、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置される。具体的には、第１の導電性樹脂層２８ａは、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２６ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１の導電性樹脂層２８ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面のみに配置されてもよく、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面、ならびに第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに配置される第１の下地電極層２６ａの表面の一部を覆うように配置されていてもよい。
第２の導電性樹脂層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置される。具体的には、第２の導電性樹脂層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２６ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２の導電性樹脂層２８ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面のみに配置されてもよく、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面、ならびに第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに配置される第２の導電性樹脂層２８ｂの表面の一部を覆うように配置されていてもよい。
【００３３】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層２８の厚みは、たとえば、５０μｍ以上１５０μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層２８の厚みは、１５μｍ以上６０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３４】
導電性樹脂層２８は、熱硬化性樹脂および金属を含む。
導電性樹脂層２８は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層２８が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０へのクラックを防止することができる。
【００３５】
導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。
【００３６】
また、導電性樹脂層２８に含まれる金属は、複数種の金属を含んでも良く、たとえば、第１の金属成分と第２の金属成分とから構成されていてもよい。
第１の金属成分は、たとえば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉやこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなることが好ましい。その中でも、第１の金属成分は、ＳｎまたはＳｎを含む合金からなることがより好ましい。Ｓｎを含む合金の具体例としては、たとえば、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等が挙げられる。
第２の金属成分は、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属やこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金からなることが好ましい。その中でも、第２の金属成分は、ＣｕやＡｇであることが好ましい。
【００３７】
なお、導電性樹脂層２８に含まれる金属としてＡｇの導電性金属粉を用いることは、Ａｇが金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いため、好ましい。なお、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、上記のＡｇの特性を保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。
【００３８】
導電性樹脂層２８に含まれる金属は、主に、導電性樹脂層２８の通電性を担う。具体的には、導電性フィラー同士が接触することにより、導電性樹脂層２８の内部に通電経路が形成される。
【００３９】
導電性樹脂層２８の樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。
また、導電性樹脂層２８には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。
【００４０】
積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部における下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上である。
なお、積層体１２の第１の側面１２ｃまたは第２の側面１２ｄと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部においても、下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上に形成されていてもよい。
【００４１】
導電性樹脂層２８の金属成分は、扁平粉を含む。これにより、本発明では、たわみ応力からの積層体１２の稜線部の法線方向の力によって、この部分でめっき層３０を導電性樹脂層２８から引き剥がすことが可能となる。また、扁平粉の他に、球形状などが混じっていてもよい
なお、扁平粉の定義は、粉末の大きさをＸ、Ｙ、Ｚの三次元に分解した場合に、最も小さいＺに対してＸおよびＹの大きさが、Ｘ＞５ＺかつＴ＞５Ｚとなっているものを扁平粉とする。
【００４２】
また、導電性樹脂層２８の金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上である。導電性樹脂層２８の金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上である。一方、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さは、２５．１μｍ以下であることが好ましい。なお、扁平粉のＤ９０値は、ペースト状の場合も焼成後の場合も変化はない。
【００４３】
導電性樹脂層２８におけるＰＶＣ（顔料体積濃度）の固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下である。ＰＶＣが６０ｖｏｌ％より多い状態では、フィラーに対する有機成分の不足によりペースト化が困難となる。
なお、ＰＶＣ（ＰＶＣ：Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｖｏｌｕｍｅ  Ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）とは、インク内の固形成分における顔料の体積割合である顔料体積濃度をいう。具体的には、インク（ペースト）には、顔料（ペーストでは金属粉やガラス）、バインダ、溶剤が含まれる。このうちから溶剤がなくなった状態（乾燥膜）を考えたときに、顔料／（顔料＋バインダ）の体積比率をＰＶＣという。換言すると、乾燥膜中の体積における無機成分が占める割合を表す。
【００４４】
積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みは、１１．７μｍ以上である。一方、積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みは、２５μｍ以下であることが好ましい。
なお、積層体１２の第１の側面１２ｃまたは第２の側面１２ｄと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みにおいても、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。
【００４５】
めっき層３０は、第１のめっき層３０ａおよび第２のめっき層３０ｂを有する。
第１のめっき層３０ａは、第１の導電性樹脂層２８ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層３０ａは、第１の導電性樹脂層２８ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の導電性樹脂層２８ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層３０ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２６ａの表面のみに配置されてもよい。
第２のめっき層３０ｂは、第２の導電性樹脂層２８ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層３０ｂは、第２の導電性樹脂層２８ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の導電性樹脂層２８ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層３０ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２６ｂの表面のみに配置されてもよい。
【００４６】
第１の端面１２ｅに位置する第１のめっき層３０ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２のめっき層３０ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの厚みは、たとえば、１μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１のめっき層３０ａおよび第２のめっき層３０ｂである長さ方向ｚの中央部におけるそれぞれの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下程度であることが好ましい。
【００４７】
めっき層３０としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層３０は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層３０は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、導電性樹脂層２８の表面を覆うように設けられることで、半田バリア性能を有する。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
【００４８】
積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が３．１ｍｍ以上５．６ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が１．６ｍｍ以上５．１ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が１．６ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部における下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であるので、実装基板のたわみ応力が積層セラミックコンデンサ１０に加わった際に、外部電極２４に破壊亀裂を発生させる場所を限定させることができる。具体的には、積層体１２の稜線部における下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上とし、機械的応力であるたわみ応力が積層体１２の稜線部のＲに対して法線方向に加わるように制御することで、積層セラミックコンデンサ１０の稜線部のめっき層３０と導電性樹脂層２８との界面において、破壊亀裂を発生させることが可能となる。
したがって、実装基板のたわみ応力が積層セラミックコンデンサ１０に加わった際に、外部電極２４の稜線部において破壊亀裂を発生させ応力を緩和しつつ、稜線部以外の部分では、破壊亀裂を生じさせずに外部電極２４と積層体１２との固着力を維持することができる。その結果、実装基板に実装した際においても、実装基板との固着力を維持することができ、落下衝撃や振動による繰り返しの力によって、積層セラミックコンデンサ１０が実装基板から脱落するという不具合を防止することができる。
【００５０】
なお、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の第１の側面１２ｃまたは第２の側面１２ｄと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部においても、下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上に形成されていてもよい。
これにより、実装面に対する方向選別が不要となり、積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂが実装面に平行になる場合だけでなく、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄが実装面に対して平行になるように実装される場合においても、上記の効果を得ることができる。
【００５１】
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、導電性樹脂層２８の金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であるので、積層体１２の稜線部の導電性樹脂押２８において、扁平粉を十分に積み重なるように形成させることで、導電性樹脂層２８とめっき層３０との界面強度を低下させることができる。
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、導電性樹脂層２８の金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上であるので、積層体１２の稜線部での扁平粉を稜線部分のＲに沿って配向させることが可能となり、たわみ応力印加時に安定した剥離を得ることが可能となる。
一方、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが２５．１μｍ以下であると、積層体１２の稜線部の扁平粉の配向性が向上することにより、確実に稜線部を剥離させることができる。
以上より、基板によるたわみ応力が積層セラミックコンデンサに加わった際に、外部電極２４に破壊亀裂を発生させる場所を限定させることができる。
【００５２】
さらに、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、導電性樹脂層２８におけるＰＶＣ（顔料体積濃度）の固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であるので、積層体１２の稜線部での扁平粉を稜線部分のＲに沿って配向させることが可能となり、たわみ応力印加時に安定した剥離を得ることが可能となる。
【００５３】
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みは、１１．７μｍ以上であるので、積層体１２の稜線部の部分で扁平粉を重ね合わせて配向させることが可能となり、それによって、たわみ応力が発生した際に、この部位に安定的に剥離部を形成させることができる。
一方、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みは、２５μｍ以下が好ましい。積層体１２の第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みが、２５μｍより大きい場合、外部電極２４全体の膜厚が大きくなりすぎて、規格寸法内での設計が困難となる。
【００５４】
なお、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の第１の側面１２ｃまたは第２の側面１２ｄと、第１の端面１２ｅまたは第２の端面１２ｆとの２つの面が交わる稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みにおいても、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。
これにより、実装面に対する方向選別が不要となり、積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂが実装面に平行になる場合だけでなく、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄが実装面に対して平行になるように実装される場合においても、上記の効果を得ることができる。
【００５５】
次に、本発明の変形例にかかる積層セラミックコンデンサについて説明する。図５（ａ）は、本発明の変形例にかかる積層セラミックコンデンサの断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に記載の積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極の導電性樹脂層とめっき層との間に生じた空隙を示す拡大断面図である。
【００５６】
図５（ａ）に示すように、本発明の変形例にかかる積層セラミックコンデンサ１０ａは、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２と同一の構造である。また、積層セラミックコンデンサ１０ａの外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む。そして、外部電極２４は、導電性金属およびガラス成分を含む下地電極層２６と、下地電極層２６を覆うように配置された熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂層２８と、導電性樹脂層２８を覆うように配置されためっき層３０とを含む。下地電極層２６は、第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂを含む。導電性樹脂層２８は、第１の導電性樹脂層２８ａおよび第２の導電性樹脂層２８ｂを含む。めっき層３０は、第１のめっき層３０ａおよび第２のめっき層３０ｂを含む。
【００５７】
本発明の変形例にかかる積層セラミックコンデンサ１０ａでは、図５（ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０ａを実装基板に実装した際、実装基板からの応力が積層セラミックコンデンサ１０ａに加わった際に、第１の外部電極２４ａの稜線部において、第１の導電性樹脂層２８ａと第１のめっき層３０ａとの間に空隙３２が生じる。また、同様に、第２の外部電極２４ｂの稜線部において、第２の導電性樹脂層２８ｂと第２のめっき層３０ｂとの間に空隙が生じる。
この空隙３２は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの稜線部の領域内に留まるように形成されることが好ましい。
【００５８】
図５（ａ）に示す積層セラミックコンデンサ１０ａでは、外部電極２４の稜線部の領域のみに空隙３２が生じることで、稜線部においては、実装基板のたわみ応力を積層セラミックコンデンサ１０ａの稜線部の破壊亀裂で緩和しつつ、稜線部以外の部分では破壊亀裂を生じさせずに外部電極２４と積層体１２との固着力を維持することができる。その結果、実装基板に実装した際においても、実装基板との固着力を維持することができる。これにより、落下衝撃や振動による繰り返しの力、あるいは市場で使用される環境により付与される振動や遠心力などによって、積層セラミックコンデンサが実装基板から脱落するという不具合を防止することが可能となる。
【００５９】
２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、本発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
【００６０】
まず、セラミック粉末を含むセラミックペーストを、たとえば、スクリーン印刷法などによりシート状に塗布し、乾燥させることにより、セラミックグリーンシートが作製される。
【００６１】
次に、セラミックグリーンシートの上に、内部電極形成用の導電ペーストを、たとえば、スクリーン印刷法などにより所定のパターンに塗布し、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートと、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートとが用意される。なお、セラミックペーストや、内部電極形成用の導電ペーストには、たとえば、公知のバインダや溶媒が含まれていてもよい。
【００６２】
続いて、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用のセラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートが順次積層され、さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体が作製される。この時、内部電極形成用導電パターンが印刷されているセラミックグリーンシートは、内部電極形成用導電パターンの引き出し部が互い違いになるように複数枚積層される。必要に応じて、このマザー積層体は、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着させてもよい。
【００６３】
その後、マザー積層体が所定の形状寸法に切断され、生の積層体チップが切り出される。このとき、生の積層体チップに対してバレル研磨などを施し、積層体の角部や稜線部を丸めて、本発明にかかる積層セラミックコンデンサ１０に規定されるＲ量となるように制御される。この時のバレルの条件は、ポッドに生の積層体チップと水を入れ、回転数１５０ｒｐｍ以上とし、バレル時間は３０分以上で研磨が実施される。
【００６４】
続いて、切り出された生の積層体チップが焼成され、積層体の内部に第１の内部電極層および第２の内部電極層が配され、第１の内部電極層が第１の端面に引き出され、第２の内部電極層が第２の端面に引き出された積層体が生成される。なお、生の積層体チップの焼成温度は、セラミックの材料や内部電極形成用導電ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００６５】
次に、下地電極層２６が形成される。まず、焼成後の積層体チップの両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼き付け、第１の外部電極２４ａの第１の下地電極層２６ａおよび第２の外部電極２４ｂの第２の下地電極層２６ｂが形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【００６６】
なお、下地電極層２６が形成された後に、さらにポッドに積層体チップ、メディアおよび緩衝材を入れ、回転数２５０ｒｐｍ以上、バレル時間１００分以上で研磨が実施され、本発明の下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量、すなわち、下地電極層２６と導電性樹脂層２８との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上になるように制御される。
【００６７】
続いて、下地電極層２６を覆うように熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストを塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層２８が形成される。この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ2雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。また、導電性樹脂ペーストを準備する際に、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上とし、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下となるように調整される。また、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが２５．１μｍ以下であることが好ましい。
【００６８】
なお、導電性樹脂層２８を形成する際に、粘度を３０Ｐａ・ｓ以上とした導電性樹脂ペーストを塗布することで、積層体チップの大きさによって決定される端面の導電性樹脂層２８の膜厚と稜線部の導電性樹脂層２８の相関から、積層体１２の稜線部に位置する導電性樹脂層２８の厚みが、１１．７μｍ以上２５μｍ以下となるように、制御される。
【００６９】
その後、導電性樹脂層２８の表面に、めっき層３０が形成され、外部電極２４が形成される。図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、導電性樹脂層２８上に形成されるめっき層３０として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえば、電解めっきや無電解めっきなどで順次形成される。
【００７０】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００７１】
３．積層セラミックコンデンサの実装構造
次に、この発明の実施の形態に係る積層セラミックコンデンサの実装構造について、図６（ａ）および図６（ｂ）に基づいて説明する。なお、ここでは図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を基板４２に実装する場合を例にして説明する。図６（ａ）は、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造の一例を示す断面図であり、図６（ｂ）は、（ａ）に記載の実装構造において、外部電極の導電性樹脂層とめっき層との間に生じた空隙を示す拡大断面図である。なお、図６（ａ）に記載の積層セラミックコンデンサ１０は、図１ないし図３、ならびに図４に記載の積層セラミックコンデンサ１０と同一の構造とされる。
【００７２】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの実装構造４０は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサ１０と、積層セラミックコンデンサ１０を実装するための基板４２とを備える。
【００７３】
基板４２は、基板４２のコア材４４の主面上に信号電極４６（ランド）が貼り合わされた基板である。また、コア材４４は単層であってもよいし、複数層で形成されていてもよい。複数層で形成される場合には、それぞれのコア材４４の表面に信号電極４６が形成され、異なる層の信号電極（図示せず）とビア配線（図示せず）などにより電気的に接続され、配線が組まれていてもよい。
【００７４】
コア材４４は、たとえば、ガラス布（クロス）とガラス不織布を混ぜ合わせた基材にエポキシ樹脂を含浸させた材料からなるガラスエポキシ基板からなる。コア材４４の厚みは、２００μｍ以上１６００μｍ以下であることが好ましい。
【００７５】
信号電極４６は、ガラスエポキシ基板からなるコア材４４の片面、もしくは両面に貼り付けられている。この信号電極４６は、第１の信号電極４６ａおよび第２の信号電極４６ｂを含む。信号電極４６は、たとえば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔなどの金属やその合金から形成されている。中でも、Ｃｕであることが好ましい。信号電極４６の厚みは、１５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
【００７６】
積層セラミックコンデンサ１０は、その第１の外部電極２４ａが基板４２上の第１の信号電極４６ａに接触するように、かつその第２の外部電極２４ｂが基板４２上の第２の信号電極４６ｂに接触するように配置される。そして、第１の外部電極２４ａと第１の信号電極４６ａとが、半田５０によって電気的に接続された状態で接合される。同様に、第２の外部電極２４ｂと第２の信号電極４６ｂとが、半田５０によって電気的に接続された状態で接合される。半田５０は、たとえば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５ＣｕのＬＦ半田などを用いることができる。
【００７７】
図６（ａ）に示すような積層セラミックコンデンサの実装構造４０において、図６（ｂ）に示すように、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極２４ａの稜線部において、第１の導電性樹脂層２８ａと第１のめっき層３０ａとの間に空隙３２が生じる。また、同様に、第２の外部電極２４ｂの稜線部において、第２の導電性樹脂層２８ｂと第２のめっき層３０ｂとの間に空隙が生じる。
【００７８】
図６（ａ）に示す積層セラミックコンデンサの実装構造４０では、積層セラミックコンデンサ１０の稜線部の導電性樹脂層２８とめっき層３０との界面において、空隙３２が存在することで、基板４２のたわみ応力を緩和させることができ、積層体１２にクラックが入ることを抑制しつつ、稜線部以外のところにおいては外部電極２４と積層体１２との固着力を維持することができる。その結果、基板４２に実装した際においても、基板との固着力を維持することができ、落下衝撃や振動による繰り返しの力によって、積層セラミックコンデンサ１０が基板４２から脱落するという不具合を防止することが可能となる。
【００７９】
なお、積層セラミックコンデンサ１０ａを基板に実装した実装構造についても、上述した積層セラミックコンデンサの実装構造４０と同様の効果が得られる。このとき、積層セラミックコンデンサ１０の第１の外部電極２４ａの稜線部において、第１の導電性樹脂層２８ａと第１のめっき層３０ａとの間に空隙３２が設けられる。また、同様に、第２の外部電極２４ｂの稜線部において、第２の導電性樹脂層２８ｂと第２のめっき層３０ｂとの間に空隙が設けられる。
この空隙３２は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂの稜線部の領域内に留まるように形成されることが好ましい。
【００８０】
４．実験例
次に、上述した本発明にかかる積層セラミックコンデンサの効果を確認するために、本発明の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、耐基板曲げ性試験を行い、積層体の稜線部における剥離状態の確認と、たわみクラックの発生の有無の確認を行った。
【００８１】
（１）実施例および比較例
実施例１ないし実施例１８は、前述の積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。
実施例１ないし実施例１８は、積層体に下地電極層が形成された後、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上となるようにバレル研磨し、導電性樹脂層の形成に使用した導電性樹脂ペーストを準備する際に、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上とし、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上３４μｍ以下であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内で調整した。また、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上２５μｍ以下となるように制御した。
【００８２】
一方、比較例１ないし比較例１３は、従来の積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。
ここで、比較例１ないし比較例３は、積層体に下地電極層が形成された後、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍより小さくなるようにバレル研磨し、かつ、積層体に導電性樹脂層を積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みが、１１．７μｍより小さくなるように制御した試料である。
比較例４は、積層体に導電性樹脂層を積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みが、１１．７μｍより小さくなるように制御した試料である。
比較例５ないし比較例７は、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度が３５ｖｏｌ％で調整した試料である。
また、比較例５、比較例８ないし比較例１０は、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分が金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率を６０重量％とした試料である。
比較例１２および比較例１３は、積層体に導電性樹脂層を積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みが、１１．７μｍより小さくなるように制御し、かつ、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉について、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３より小さい試料である。
なお、比較例１１は、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度が６５ｖｏｌ％であるが、他は評価不可の試料である。
【００８３】
実験例に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・積層セラミックコンデンサのサイズ（設計値）：長さ×幅×高さ＝３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍ
・容量：０．０１μＦ
・定格電圧：６３０Ｖ
・誘電体層の材料：ＢａＴｉＯ3
・外部電極の構造
下地電極層の素材：導電性金属（Ｃｕ）とガラスとを含む電極
下地電極層の端面の膜厚：約８０μｍ
導電性樹脂層：金属フィラー：Ａｇ
金属フィラーにおける扁平粉比率：表１ないし表３を参照
金属フィラーにおける扁平粉の直径：表１ないし表３を参照
樹脂：エポキシ系
熱硬化温度：２００℃
導電性樹脂層の厚み：表１ないし表３に記載する稜線部の厚みとなる                ようにディップ条件で膜厚を制御
導電性樹脂層の稜線部のＲ量：表１ないし表３を参照
導電性樹脂層におっけるＰＶＣ量：表１ないし表３を参照
導電性樹脂層の稜線部の厚み：表１ないし表３を参照
めっき層：Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
Ｎｉめっき層：１／２Ｗ位置における積層体の断面における第１の端                              面および第２の端面に位置する高さ方向中央部における                              厚み：３．２μｍ
１／２Ｗ位置における積層体の端面における第１の主                              面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の                              側面上に位置する長さ方向の中央部における厚み：４．                              ８μｍ
Ｓｎめっき層：１／２Ｗ位置における積層体の断面における第１の端                              面および第２の端面に位置する高さ方向中央部における                              厚み：３．５μｍ
１／２Ｗ位置における積層体の断面における第１の主                              面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の                              側面上に位置する長さ方向の中央部における厚み：６．                              １μｍ
【００８４】
（２）特性評価の方法
（ａ）耐基板曲げ性試験
厚さ１．６ｍｍのＪＩＳ基板（ガラスエポキシ基板）に半田ペーストを用いて、積層セラミックコンデンサのサンプルを実装した。実装されていない基板面から先端に５±０．１ｍｍの丸みをもった金属製の押し棒にて押して基板を曲げ、基板に対して機械的ストレスをかけた。この時、保持時間を５秒とし、たわみ量は５ｍｍとした。
【００８５】
（ｂ）稜線部における剥離確認の方法およびクラックの確認方法
上記した耐基板曲げ性試験の実施後、ホットプレートを使用して試験基板から積層セラミックコンデンサのサンプルを外し、実装状態から９０°倒した状態で樹脂埋めした。そして、積層セラミックコンデンサの幅方向ｙの１／２Ｗの位置になるまで、長さ方向ｚに沿って研磨を行い、ＬＴ断面を露出させた。ＬＴ断面で試験基板に実装されていた側の稜線部２箇所を最低２００倍以上の倍率の顕微鏡で観察を実施し、導電性樹脂層とめっき層との間に空隙の生じたサンプルの発生数をカウントした。
あわせて、積層体にクラックの生じたサンプルの発生数をカウントした。
各実施例および各比較例のサンプル数は、ｎ＝３０とした。
【００８６】
（ｃ）稜線部のＲ量の測定方法
サンプルである積層セラミックコンデンサを幅方向ｙの１／２Ｗの位置になるまで、長さ方向ｚに沿って断面研磨を行った。その後、研磨断面において、第１の主面または第２の主面と第１の端面または第２の端面との２つの面が交わる稜線部における下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量を画像処理によって測定した。この時、各実施例および各比較例のサンプル数は、ｎ＝１０とした。また、Ｒ量は、１個につき、４つの稜線部におけるＲ量を測定し、その４つの稜線部におけるＲ量の平均値とした。
【００８７】
（ｄ）扁平粉の比率の測定方法
サンプルである積層セラミックコンデンサを幅方向ｙの１／２Ｗの位置になるまで、長さ方向ｚに沿って断面研磨を行った。その断面で導電性樹脂層の観察をＳＥＭで行い、少なくとも２５００μｍ2の面積を画像観察した。少なくともｎ＝５断面以上の画像を観察し、その画像内の扁平粉と球形粉の比率の平均から扁平粉の比率を算出した。
【００８８】
（ｅ）導電性樹脂層における扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さの測定方法
サンプルである積層セラミックコンデンサの主面上に位置する外部電極にはんだを使用した針金を接合した。そして、その針金を引っ張ることで、導電性樹脂層に破壊を生じさせ、その破壊面で観察される扁平粉の長辺の長さを少なくともｎ＝３００観察することにより、Ｄ９０値を決定した。
【００８９】
（ｆ）導電性樹脂押におけるＰＶＣの固形分濃度の測定方法
サンプルである積層セラミックコンデンサから導電性樹脂層をペンチなどで取り出した。その導電性樹脂層の取得サンプルをＡｉｒ雰囲気のＴＧ−ＤＴＡを行い、室温以上９００℃以下での重量減少を測定した。重量減少分が導電性樹脂層内の有機成分であるため、金属成分の比重と有機成分の比重（便宜的に１とした）から体積比率を算出し、ＰＶＣを求めた。
【００９０】
（ｇ）稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みの測定方法
サンプルである積層セラミックコンデンサを幅方向ｙの１／２Ｗの位置になるまで、長方向ｚに沿って断面研磨を行った。その後、研磨断面において、第１の主面または第２の主面と第１の端面または第２の端面との２つの面が交わる稜線部における導電性樹脂層の厚みを画像処理によって測定した。この時、各実施例および各比較例のサンプル数は、ｎ＝１０とした。また、稜線部における導電性樹脂層の厚みは、１個につき、４つの稜線部における導電性樹脂層の厚みを測定し、その４つの稜線部における導電性樹脂層の厚みの平均値とした。
【００９１】
各実施例および各比較例に対するサンプルに対して耐基板曲げ性試験を行い、積層体の稜線部における剥離状態の確認と、たわみクラックの発生の有無の確認を行ったそれぞれの実験結果を表１ないし表３に示す。表１には、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量を変化させた場合と、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みを変化させた場合の結果を示す。表２には、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度を変化させ場合と、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率を変化させた場合の結果を示す。表３には、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みを変化させた場合と、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さを変化させた場合の結果を示す。
【００９２】
【表１】
2019179778.tif 000003
【００９３】
【表２】
2019179778.tif 000004
【００９４】
【表３】
2019179778.tif 000005
【００９５】
（３）実験結果
表１に示すように、実施例１ないし実施例８の実験に用いた試料の条件は、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上２５．１μｍ以下であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内であり、そして、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であるので、実施例１ないし実施例８の試料は、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、すべての試料で、剥離（空隙）が生じていたので、たわみクラックは発生しなかった。
【００９６】
一方、比較例１ないし比較例３では、いずれも下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２５４．３μｍであり、２９６．６μｍよりも小さく、また、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍより小さい。したがって、比較例１の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、剥離（空隙）が生じず、３０個中４個にたわみクラックの発生し、比較例２の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、剥離（空隙）が生じず、３０個中１個にたわみクラックの発生し、比較例３の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中１個に剥離（空隙）が生じ、３０個中３個にたわみクラックが発生した。
また、比較例４では、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍより小さい。したがって、比較例４の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中２２個に剥離（空隙）が生じ、たわみクラックは発生しなかった。
【００９７】
次に、表２に示すように、実施例９ないし実施例１４の実験に用いた試料の条件は、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上２５．１μｍ以下であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内であり、そして、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であるので、実施例１ないし実施例８の試料は、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、すべての試料で、剥離（空隙）が生じていたので、たわみクラックは発生しなかった。
【００９８】
一方、比較例５ないし比較例７では、いずれも導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は３５ｖｏｌ％であり、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲外である。さらに、比較例５では、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は６０重量％であり、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％より小さい。したがって、比較例５の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中１個に剥離（空隙）が生じ、３０個中３個にたわみクラックが発生し、比較例６の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中４個に剥離（空隙）が生じ、たわみクラックは発生せず、比較例７の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中３個に剥離（空隙）が生じ、３０個中３個にたわみクラックが発生した。
また、比較例８ないし比較例１０では、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分はいずれも６０重量％であり、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％より小さい。したがって、比較例８の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中１１個に剥離（空隙）が生じ、３０個中１個にたわみクラックが発生し、比較例９の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中１９個に剥離（空隙）が生じ、たわみクラックは発生せず、比較例１０の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中２２個に剥離（空隙）が生じ、たわみクラックは発生しなかった。
なお、比較例１１では、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は６５ｖｏｌ％であり、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲外であった。この場合、導電性樹脂ペーストが流動性を持ったペースト状にならなかったため、導電性樹脂層を形成することができず、評価を行えなかった。
【００９９】
また、表３に示すように、実施例１５ないし実施例１７の実験に用いた試料の条件は、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上２５．１μｍ以下であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内であり、そして、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であるので、実施例１５ないし実施例１７の試料は、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、すべての試料で、剥離（空隙）が生じていたので、たわみクラックは発生しなかった。
なお、実施例１８の実験に用いた試料の条件は、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内であり、そして、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上２５μｍ以下であるが、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが３４μｍである。したがって、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中２９個に剥離（空隙）が概ね生じ、たわみクラックは発生しなかった。
【０１００】
一方、比較例１２および比較例１３は、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍより小さく、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上２５．１μｍ以下の範囲外である。したがって、比較例１２の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中１１個に剥離（空隙）が生じ、３０個中１１個にたわみクラックが発生し、比較例１３の試料では、耐基板曲げ性試験の後、稜線部における剥離の有無を確認した結果、３０個中２０個に剥離（空隙）が生じ、３０個中１個にたわみクラックが発生した。
【０１０１】
以上の結果から、本発明にかかる積層セラミックコンデンサによれば、下地電極層と導電性樹脂層との境界部のＲ量が２９６．６μｍ以上であり、導電性樹脂ペーストに含まれる金属成分は、金属成分を１００％とした際に扁平粉の比率が８０重量％以上であり、導電性樹脂ペーストの金属成分として含まれる扁平粉は、扁平粉Ｄ９０値での長辺の長さが１０．３μｍ以上２５．１μｍ以下であり、導電性樹脂ペーストにおけるＰＶＣの固形分濃度は、４５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下の範囲内であり、そして、積層体の稜線部に位置する導電性樹脂層の厚みは、１１．７μｍ以上３４μｍ以下であることにより、導電性樹脂層の効果による積層体のクラック抑制効果を維持しつつ、外部電極と積層体との固着力も維持することが可能な積層セラミックコンデンサを提供しうることが確認された。
【０１０２】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０３】
１０、１０ａ  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｃ  第１の側面
１２ｄ  第２の側面
１２ｅ  第１の端面
１２ｆ  第２の端面
１４  誘電体層
１４ａ  外層部
１４ｂ  内層部
１６  内部電極層
１６ａ  第１の内部電極層
１６ｂ  第２の内部電極層
１６ｃ  浮き内部電極層
１８ａ  第１の対向電極部
１８ｂ  第２の対向電極部
１８ｃ  対向電極部
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２２ａ  側部（Ｗギャップ）
２２ｂ  端部（Ｌギャップ）
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６  下地電極層
２６ａ  第１の下地電極層
２６ｂ  第２の下地電極層
２８  導電性樹脂層
２８ａ  第１の導電性樹脂層
２８ｂ  第２の導電性樹脂層
３０  めっき層
３０ａ  第１のめっき層
３０ｂ  第２のめっき層
３２  空隙
４０  積層セラミックコンデンサの実装構造
４２  基板
４４  コア材
４６  信号電極
４６ａ  第１の信号電極
４６ｂ  第２の信号電極
５０  半田
ｘ  積層方向
ｙ  幅方向
ｚ  長さ方向
【図１】
2019179778.tif 000006
【図２】
2019179778.tif 000007
【図３】
2019179778.tif 000008
【図４】
2019179778.tif 000009
【図５】
2019179778.tif 000010
【図６】
2019179778.tif 000011