(57)【要約】【課題】  良質な画像を提供することができる積層膜の形成方法を提供する。【解決手段】  本発明は、プラズマＣＶＤを用いて、第一層上に第二層が積層した積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、該形成方法は、第一層原料ガスを用いて、該第一層を堆積する第一層堆積工程と、第二層原料ガスを用いて、該第二層を堆積する第二層堆積工程と、該第一層堆積工程と該第二層堆積工程との間に、残留ガスを除去する残留ガス除去工程とを有し、該残留ガス除去工程は、反応容器内に、該第二層原料ガスを導入しつつ、該反応容器内への該第一層原料ガスの導入を停止し、該反応容器内の圧力Ｐを、該第二層堆積工程における該反応容器内の圧力Ｐ２（＞１Ｐａ）未満、かつ、１Ｐａ以上に調整して保持することを特徴とする。【選択図】  図１
2019065348.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤを用いて、第一層上に第二層が積層した積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、
該形成方法は、
第一層原料ガスを用いて、該第一層を堆積する第一層堆積工程と、
第二層原料ガスを用いて、該第二層を堆積する第二層堆積工程と、
該第一層堆積工程と該第二層堆積工程との間に、残留ガスを除去する残留ガス除去工程とを有し、
該残留ガス除去工程は、
反応容器内に、該第二層原料ガスを導入しつつ、該反応容器内への該第一層原料ガスの導入を停止し、
該反応容器内の圧力Ｐを、該第二層堆積工程における該反応容器内の圧力Ｐ２（＞１Ｐａ）未満、かつ、１Ｐａ以上に調整して保持すること
を特徴とする積層膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコン電子写真感光体といった積層膜の形成方法としてプラズマＣＶＤ（化学気相成長）が用いられている。プラズマＣＶＤを用いて、第一層上に第二層が積層した積層膜を形成するとき、第一層形成時に反応容器内に流入させる原料ガスが、第二層形成時にも反応容器内に残留し、この残留した原料ガスが、第二層に不純物として含有される場合がある。
【０００３】
電子写真感光体の場合、表面層の下層に位置するアモルファスシリコンからなる光導電層形成時または上部阻止層形成時に原料ガスとして用いるシランガスが反応容器内に残留することがある。そして、この残留したシランガスによって、表面層に珪素が比較的多く含有されてしまう場合がある。一方、画像形成プロセスにおける帯電工程においてコロナ帯電装置を使用して感光体を帯電させるとき、空気中でのコロナ放電でイオン化放電生成物が生成されることが知られている。このイオン化放電生成物は窒素酸化物イオン（ＮＯｘ−）のように多くは酸素を含む。そのため、このイオン化放電生成物が表面層上に飛来することによって、表面層を構成する元素が酸素と反応する。このとき、表面層がアモルファスカーボンからなる場合、炭素が酸化されることによって、二酸化炭素として外気へ放出されるが、この表面層に比較的多くの珪素が含有されてしまった場合、珪素が酸化されることによって、ＳｉＯ２が表面層の最表面に形成される。この最表面に形成されるＳｉＯ２の密度が比較的小さい場合は、特に画像形成に問題が生じることは少ない。しかし、ＳｉＯ２の密度が比較的大きい場合は、形成された画像において、ドットが薄く拡がってしまう場合がある。これは、ＳｉＯ２に吸湿性があるため、ＳｉＯ２の密度が大きい場合、高湿環境下において表面層の最表面が比較的多量に吸湿してしまい、そのため表面層の電気抵抗が下がってしまうことによる。この表面層の電気抵抗の低下によって、像露光工程で感光体表面上に形成される静電潜像がぼけることによって生じる、と考えられている。
【０００４】
反応容器内の残留ガスを除去する技術として、特許文献１では処理室への原料ガスの供給を停止した後、窒素ガスによるパージを複数回行う技術が示されている。これによれば、処理室内に残留する原料ガスを確実の除去することができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１６４１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１にあるようなパージ工程においては、一旦反応容器内を高真空に排気し、アルゴン等不活性ガスを所定圧力となるまで流入させることを、複数回繰り返すが、このような方法では、反応容器内に残存するダストを巻き上げてしまう恐れがある。そして、巻き上げられたダストは成膜表面に付着し、続く第二層形成時において、「球状突起」といった突起状の異常成長の起点となることがある。異常成長した箇所は電気抵抗が下がるため、静電潜像においてその箇所の静電位が落ち込む。たとえば、ネガ帯電及びネガトナーを使用した、画素が形成される部分である画像部を露光するイメージ露光法（以下、ＩＡＥと称する）の場合、異常成長した箇所において黒点といった画像欠陥（ポチという）が生じてしまう。そのため、ダストの巻き上げを防ぎつつ、反応容器内の残留原料ガスを除去する方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、プラズマＣＶＤを用いて、第一層上に第二層が積層した積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、該形成方法は、第一層原料ガスを用いて、該第一層を堆積する第一層堆積工程と、第二層原料ガスを用いて、該第二層を堆積する第二層堆積工程と、該第一層堆積工程と該第二層堆積工程との間に、残留ガスを除去する残留ガス除去工程とを有し、該残留ガス除去工程は、反応容器内に、該第二層原料ガスを導入しつつ、該反応容器内への該第一層原料ガスの導入を停止し、該反応容器内の圧力Ｐを、該第二層堆積工程における該反応容器内の圧力Ｐ２（＞１Ｐａ）未満、かつ、１Ｐａ以上に調整して保持することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
画像欠陥を抑制しつつ、表面層へのコンタミネーションを防ぐことで、画像ボケをも防ぐことによって、良質な画像を提供することができる積層膜の形成方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の積層膜の形成方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の積層膜の形成方法における積層構成を示す図である。
【図３】本発明の積層膜の形成方法における製造装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の積層膜の形成方法について図１を用いて説明する。
【００１１】
１０１は第一層堆積工程であり、反応容器（成膜装置）内に導電性基体を導入後、第一層原料ガスを導入し、所定圧力Ｐ１にする。導電性基体は電気的に接地されており、導電性基体に対向して配置される対向電極に放電開始電圧以上の電圧を印加することによって、導電性基体と対向電極との間にプラズマを生成させる。このプラズマの生成によって、第一層原料ガスが分解され、それによって生じたイオン及びラジカルが導電性基体表面に付着していくことで、第一層が堆積される。そして、所望の成膜時間が経過した時点で、対向電極への電圧印加を停止することでプラズマをオフし、第一層の堆積を終了する。
【００１２】
次いで、１０２は残留ガス除去工程であり、１０１で反応容器内に流入させた第一層原料ガスを、反応容器内から除去する。そして、１０３の第二層堆積工程によって、第二層原料ガスを反応容器内に流入させ、反応容器内の圧力Ｐ２（＞１Ｐａ）にする。そして、対向電極に放電開始電圧以上の電圧を印加することによってプラズマを生成させて第二層原料ガスを分解し、すでに形成した第一層上に第二層を堆積させる。そして所望の成膜時間が経過した時点で、対向電極への電圧印加を停止することでプラズマをオフし、第二層の堆積を終了する。
【００１３】
次に、残留ガス除去工程１０２を詳しく説明する。１１１は原料ガス切替工程であり、反応容器内の圧力をＰ１に保ったまま、第二層原料ガスを流入させる。この際、第二層原料ガスの流量をゼロから第二層堆積工程における第二層原料ガスの流量値まで、徐々に変化させることが、反応容器内に残存するダストの巻き上げをより抑制できる点で好ましい。ついで、第一層原料ガスの反応容器内への流入を、反応容器内の圧力をＰ１に保ったまま停止する。この際も、第一層原料ガスの流量を、第一層堆積工程における第一層原料ガスの流量値からゼロにまで徐々に変化させることが、反応容器内に残存するダストの巻き上げをより抑制できる点で好ましい。
【００１４】
次いで、１１２は圧力調整工程である。本工程において、反応容器内の圧力Ｐを、第二層堆積工程における反応容器内の圧力Ｐ２（＞１Ｐａ）未満、かつ、１Ｐａ以上（１Ｐａ≦Ｐ＜Ｐ２）に調整する。
【００１５】
次いで、１１３は除去工程であり、反応容器内の圧力をＰのまま、Ａ×Ｐ秒以上保持する。ここで、Ａは５（秒／Ｐａ）であることが望ましい。それによって、反応容器内の第一層原料ガスの残留を充分除去することができる。
【００１６】
次に電子写真感光体全体の層構成の一例について図２を用いて説明する。図２（ａ）において２００は本発明の電子写真感光体の断面図の一例である。
【００１７】
［基体］
２０１は導電性基体であり、材質としては、例えばアルミニウム、鉄といった金属及びそれらを含む合金が挙げられる。また、導電性基体２０１の表面は鏡面切削されることが、導電性基体２０１上に積層する膜の密着性、及び、画質の均一性のうえで、好ましい。
【００１８】
［光導電層］
２０２は光導電層であり、像露光及び前露光におけるレーザ等による光の照射によって正孔及び電子を発生させるための層であり、例えば水素含有非晶質珪素からなっている。
【００１９】
［表面層］
２０３は表面層であり、前述したとおりである。
【００２０】
［下部阻止層］
図２（ｂ）に示すように、電子写真感光体２１０は必要に応じて、下部阻止層２１４、上部阻止層２１５が積層されてもよい。下部阻止層２１４は、導電性基体２１１と光導電層２１２の間に積層され、画像形成において電子写真感光体２１０をマイナスに帯電させる場合、導電性基体２１１側からのホールの注入を阻止する機能を持たせる。材質としては水素含有非晶質炭化珪素あるいは水素含有非結晶窒化珪素または窒素や酸素を添加した水素含有非結晶珪素に、リンやヒ素など５価元素を添加したものであってもよい。これら添加物によってより画像形成プロセス中において帯電を保持しやすくする。
【００２１】
また、画像形成において電子写真感光体２１０をプラスに帯電させる場合は、下部阻止層２１４には、導電性基体２１１側からの電子の注入を阻止する機能を持たせる。この場合、下部阻止層２１４は水素含有非晶質炭化珪素あるいは水素含有非結晶窒化珪素または窒素や酸素を添加した水素含有非結晶珪素に、ホウ素など３価元素を添加したものであってもよい。これら添加物によってより画像形成プロセス中において帯電を保持しやすくする。いずれの場合も酸素を添加してもよく、それによって密着性を向上させることができる。
【００２２】
［上部阻止層］
上部阻止層２１５は光導電層２１２と表面層２１３との間に積層され、画像形成において電子写真感光体２１０をマイナスに帯電させる場合、電子の光導電層２１２側への移動を阻止することで電子写真感光体２１０の帯電電位を保持する機能を持たせる。さらには、像露光及び前露光におけるレーザ等による光の照射によって光導電層２１２内に生成させたホールが表面層２１３側に移動する際、その移動をスムーズに行わせて、電子写真感光体２１０の除電及び潜像形成を良くする機能を持たせる。
【００２３】
材質としては例えばホウ素など３価元素を添加した水素含有非晶質炭化珪素であってよく、それによって、上記性能を得ることができる。また、画像形成において電子写真感光体２１０をプラスに帯電させる場合は、上部阻止層２１５は、ホールの光導電層２１２側への移動を阻止することで電子写真感光体２１０の帯電電位を保持する機能を持たせる。さらには、露光及び前露光におけるレーザ等による光の照射によって光導電層２１２内に生成させた電子が表面層２１３側に移動する際、その移動をスムーズに行わせて、電子写真感光体２１０の除電及び潜像形成を良くする機能を持たせる。この場合、材質としては例えばリンやヒ素など５価元素を添加した水素含有非晶質炭化珪素であってよく、それによって、上記性能を得ることができる。
【００２４】
次に本発明の電子写真感光体の製造方法について述べる。まず表面層の製造方法について説明する。電子写真感光体の表面層の材質としてベースとなる水素含有非晶質炭素膜を作製するためには、イオン化蒸着法、アークイオンプレーティング法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法を選択することができる。イオン化蒸着法、アークイオンプレーティング法、スパッタ法では、炭素ターゲットを炭素原料として使用することで炭素を物理蒸着させる。
【００２５】
プラズマＣＶＤ法では、炭化水素ガスを炭素原料ガスとして使用し、プラズマＣＶＤ法で上記ガスを分解して、炭素を堆積させる。上記いずれの成膜方法においても、水素ガスを使用することによって、膜中に入る水素量を調整することが可能である。前述の成膜方法の中でも、プラズマＣＶＤ法は、他の製法に対して大面積に均一に成膜しやすい。特に電子写真感光体といった比較的大面積に成膜させ、かつ、大量生産時における装置の分解をともなう反応容器のメンテナンスが頻繁に入る場合は、プラズマＣＶＤ法は有利である。
プラズマＣＶＤには、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：無線周波数）電力を、対向する二つの電極のうちのひとつに印加し、他方を接地させることで、電極間にプラズマを発生させて、原料ガスを分解、堆積させる、ＲＦプラズマＣＶＤがある。プラズマＣＶＤ法において、炭素を堆積させるために使用できる炭化水素ガスは、飽和炭化水素として、たとえばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブタン、イソペンタン、ネオペンタン。イソヘキサン、ネオヘキサン、ジメチルブタン、メチルヘキサン、エチルペンタン、ジメチルペンタン、トリプタン、メチルヘプタン、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタン、イソナノン等がある。また、エチレンやアセチレンといった、二重結合または三重結合を含む不飽和炭化水素でもよい。ガス種、ＲＦ電力、反応圧力、基体の温度などの条件によって、膜中の炭素同士間の結合において、ポリマー結合、グラファイト結合、ダイヤモンド結合それぞれの比率を、また水素原子の含有数の比を、ある程度調整することができる。
【００２６】
次に、これまで述べた電子写真感光体を製造する製造装置の一例として、図３に示すＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置について説明する。この堆積装置は、大別すると、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、及び、反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアースに接続された基体３１１２、基体加熱用ヒーター３１１３、及び、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらにカソード電極３１１１には高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
【００２７】
原料ガス供給装置３２００は、原料ガスボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５から構成されている。さらに流出バルブ３２５１〜３２５５及びマスフローコントローラー３２１１〜３２１５から構成されている。各原料ガスを封入したガスのボンベは、補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。３１１６はガス配管であり、３１１７はリークバルブであり、３１２１は絶縁材料である。
【００２８】
次に、この装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０内を排気する。ついで基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、基体３１１２を例えば５０℃以上３５０℃以下の所定の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。
【００２９】
即ち、必要に応じてバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラー３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラーの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、及び、補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。
【００３０】
以上で、堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガスの流量や、圧力などを光導電層形成時の条件に向けて一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。すべての堆積膜形成が終わった後、メインバルブ３１１８を閉じ、反応容器３１１０内に不活性ガスを導入し、大気圧に戻した後、基体３１１２を取り出す。
【実施例】
【００３１】
［実施例１−１及び比較例１−１］
導電性基体として長さ３８１ｍｍ、外径８４ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダーを準備した。その外周面上に、図３に示した堆積膜形成装置を用い、表１に示した各層形成条件で、下部阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層を順次堆積したものを作成した。また、比較例１−１、１−２及び実施例１−１においては、上部阻止層の形成から表面層の形成の間に、残留ガスの除去工程をいれた。
【００３２】
該残留ガスの除去工程の条件を表２に示す。表２において除去工程圧力とは残留ガスの除去工程中において維持される圧力である。また除去工程時間とは第二層形成時の流量で第二層原料ガスを反応容器内へ流入させ、第一層原料ガスの反応容器内への導入を停止し、かつ、該除去工程圧力で維持する時間である。またガス切替時間とは、第二層形成時の流量で第二層原料ガスを反応容器内へ流入させ、第一層原料ガスの反応容器内への導入を停止するまでの時間である。
【００３３】
他方、比較例１−３においては、反応容器内の圧力を表２に示す除去工程圧力に維持しつつ反応容器内のガスを窒素ガスに置換した。その後、反応容器内の圧力を第二層形成圧力と該除去工程圧力とを１０回繰り返すことによって窒素パージを行った。その後、反応容器内の圧力を第二層形成圧力とした後、反応容器内のガスを窒素から第二層原料ガスに置換しつつ、反応容器内に流入させる第二層原料ガスの流量を、第二層形成時の流量とした。その評価結果及び、これら評価を総合した総合評価の結果を表２に示す。
【００３４】
【表１】
2019065348.tif 000003
【００３５】
以下に上述の測定項目について説明する。
【００３６】
（表面層の珪素原子含有数比の評価方法）
測定用試料をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱法）（日新ハイボルテージ製：後方散乱測定装置  ＡＮ−２５００）により、ＲＢＳの測定面積における表面層中の炭素原子と酸素原子と珪素原子の散乱エネルギーに対する原子数分布を測定した。そして別途エリプソメトリーによって測定した表面層膜厚と、炭素原子、酸素原子、珪素原子の散乱エネルギーに対する原子数分布とから、ＲＢＳの測定面積における各原子数の、最表面からの深さ方向の距離に対する分布を算出する。即ち、媒質内を通過する距離に従って、散乱原子のエネルギーが減じられるが、それによって生じる各原子数のエネルギーに対する分布と、表面層膜厚とを対応づけることにより、各原子数の最表面からの深さ方向の距離に対する分布を算出する。ついで、この各原子数の最表面からの深さ方向の距離に対する分布から、最表面からの距離に対する珪素原子の含有数の比の分布を算出する。そして、珪素原子の含有数の比の分布について、最表面から表面層膜厚までの深さ方向の平均値をもって、表面層の珪素原子の含有数の比とした。尚、ＲＢＳの具体的な測定条件は、入射イオン：４Ｈｅ＋、入射エネルギー：２．３ＭｅＶ、入射角：７５°、試料電流：３５ｎＡ、入射ビーム経：１ｍｍである。また、ＲＢＳの検出器は、散乱角：１６０°、アパーチャ径：８ｍｍで測定を行った。こうして得られた珪素原子含有数比について、以下のようにランク付けした。
Ａ：比較例１−１で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比に対する、各成膜条件で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比の比が、０．２０以下であった。
Ｂ：比較例１−１で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比に対する、各成膜条件で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比の比が、０．２０より大きく、０．５０以下であった。
Ｃ：比較例１−１で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比に対する、各成膜条件で作製した電子写真感光体の表面層の珪素原子の含有数比の比が、０．５０より大きく、１．００以下であった。
【００３７】
（画像欠陥の評価）
画像欠陥の評価は、キヤノン製のデジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅ  ＲＵＮＮＥＲ  ＡＤＶＡＮＣＥ  Ｃ７０６５」の改造機を用いた。改造機は、一次帯電及び現像バイアスを外部電源から印加できる構成とした。次に、上記の改造した電子写真装置に作製した電子写真感光体を設置し、ベタ白画像を出力させ、画像上に生じる０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数を、光学顕微鏡で画像領域全面を観察することで測定した。０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数について、以下のようにランクづけした。
Ａ：比較例１−３で作製した電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数に対する、各成膜条件で作製された電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数の比が０．３以下であった。
Ｂ：比較例１−３で作製した電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数に対する、各成膜条件で作製された電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数の比が、０．３より大きく０．５以下であった。
Ｃ：比較例１−３で作製した電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数に対する、各成膜条件で作製された電子写真感光体の０．１ｍｍ径以上の画像欠陥の個数の比が、０．５より大きく１．０以下であった。
【００３８】
そして、以上の各評価によって付けられたランクのうち、もっとも低いランクを、総合評価ランクとした。
【００３９】
【表２】
2019065348.tif 000004
【００４０】
比較例１−１の電子写真感光体の表面層の珪素原子含有比評価値は比較的高い。これは除去工程圧力が表面層形成時の圧力と同等であり、そのため上部阻止層形成時に生じた、反応容器内に残存する珪素を含むガスが除去しきれていないためと考えられる。
【００４１】
一方、実施例１−１においては、表面層の珪素原子含有比評価値が、比較例１−１に対して低い。これは除去工程圧力を２．０Ｐａと表面層形成時の圧力よりも低くしており、そのため上部阻止層形成時に生じた反応容器内に残存する珪素を含むガスが比較的充分に除去されたためと考えられる。
【００４２】
しかし、上述したように除去工程圧力Ｐ（Ｐａ）＝２．０に対し、Ａ（秒／Ｐａ）＝５として除去工程時間はＡ×Ｐ（秒）＝１０以上であることが反応容器内に残存する珪素を含むガスの除去には望ましいが実施例１−１の除去工程時間はそれより若干短い。
【００４３】
一方、実施例１−２、１−３、１−４の除去工程時間はＡ×Ｐ（秒）＝１０以上を満たしており、そのため、実施例１−１と比較して表面層の珪素原子含有比評価値は大きく良化している。その中でもとくに実施例１−４では除去工程時間を充分長くしているため、実施例１−２、１−３と比較しても、表面層の珪素原子含有比がより充分に抑えられている。
【００４４】
つぎに、比較例１−２においては電子写真感光体の表面層の珪素原子含有比評価値が、比較的低く抑えられているものの、比較例１−１に対して画像欠陥評価値が悪化している。これは除去工程圧力が０．５Ｐａと低すぎることによって、表面層形成開始時において表面層形成圧力に高める際に、反応容器内に残留するダストの巻き上げが生じ、成膜表面にダストの付着及びそれに伴う成膜欠陥が形成されたためと考えられる。
【００４５】
また、比較例１−３においては比較例１−１、１−２に対し表面層の珪素原子含有比評価値が充分低く抑えられているが、画像欠陥評価値が比較例１−２よりも悪化する。これはパージによるダストの巻き上げが大きく、反応容器内に残存するダストが比較的多数、成膜表面に付着したためと考えられる。
【００４６】
最後に実施例１−５においては画像欠陥評価値が他の実施例や比較例と比べて、最も良い。これはガス切替時間を充分長く設定しているため、反応容器内へ導入される原料ガスの流量変化が小さく、反応容器内に残存するダストの巻き上げの抑制効果が大きくできたためと考えられる。
【符号の説明】
【００４７】
１００  積層膜形成フロー図
１０１  第一層堆積工程  
１０２  残留ガス除去工程
１０３  第二層堆積工程
１１１  原料ガス切替工程
１１２  圧力調整工程
１１３  除去工程
【図１】
2019065348.tif 000005
【図２】
2019065348.tif 000006
【図３】
2019065348.tif 000007