(57)【要約】【課題】被加工物を研削する場合に、被加工物の外周部を除去せずともエッジチッピング及びウェーハ割れの発生を抑止できるようにする。【解決手段】被加工物Ｗの表面Ｗａを保護部材Ｔで覆う工程と、被加工物Ｗの裏面Ｗｂ側から、外周縁Ｗｄより所定距離内側の位置で外周縁Ｗｄに沿って円形に被加工物Ｗに対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層Ｍを形成する工程と、変質層Ｍが形成された被加工物Ｗの保護部材Ｔをテーブル７０で保持する工程と、被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削し、被加工物Ｗを仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物Ｗの厚さが変質層Ｍに到達した時点で外周縁Ｗｄに沿って形成された変質層Ｍを起点に被加工物Ｗを内周部Ｗ１と外周部Ｗ２とに分割する工程と、を含み、裏面Ｗｂ研削途中に被加工物Ｗを内周部Ｗ１と外周部Ｗ２とに分割することにより、チッピング及び割れが内周部Ｗ１のデバイス領域Ｗａ１に伝搬されることを防ぐ研削方法である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石で研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物の表面を表面保護部材で覆う表面保護工程と、
該被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層が形成された該被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、
該保持工程実施後の該被加工物の裏面を研削し、該被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の厚さが該変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された該変質層を起点に該被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含み、
裏面研削途中に該被加工物を該内周部と該外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが該内周部のデバイス領域に伝搬されることを防止することを特徴とする研削方法。
【請求項２】
前記表面保護部材は粘着テープであることを特徴とする請求項１記載の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ等の被加工物を研削する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、円板形状である被加工物の表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にデバイス回路を形成する。このように多数のデバイスが形成された被加工物を分割予定ラインに沿って分割することにより、個々の半導体チップを形成する。そして、半導体チップの小型化及び軽量化を図るために、通常、被加工物を分割予定ラインに沿って切断して個々の矩形領域を分離するのに先立って、被加工物の裏面を研削して所定の厚さに薄化している。
【０００３】
被加工物の表面の外周部のエッジに段差がある場合や被加工物の該エッジ形状が特殊な形（例えば、断面が尖形状）になっている場合においては、被加工物の裏面研削中に被加工物の外周部のエッジチッピングやエッジからのクラックが内周部に向かって伸長するウェーハ割れが発生することがある。
【０００４】
その対策として、被加工物の外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射し、被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割して、被加工物から外周部を除去する。その後、裏面研削を行い被加工物（内周部）を予定の仕上がり厚さに形成する研削方法が知られている(例えば、特許文献１参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１０８５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１に記載されている研削方法では被加工物の外周部を除去する工程が増えることで時間が取られる。また、外周部を除去することで被加工物の外径が小さくなり、裏面研削工程で被加工物を保持する保持部材や被加工物を保持部材に搬送する搬送部材を被加工物の外径に合わせた大きさで新たに作製する必要が生じる。
【０００７】
よって、被加工物を研削する場合には、被加工物の外周部を除去しなくても被加工物のエッジチッピング及びウェーハ割れの発生を抑止できるようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明は、格子状に形成された複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の裏面を、研削砥石で研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の表面を表面保護部材で覆う表面保護工程と、該被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層を形成する変質層形成工程と、該変質層が形成された該被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、該保持工程実施後の該被加工物の裏面を研削し、該被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、該被加工物の厚さが該変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された該変質層を起点に該被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含み、裏面研削途中に該被加工物を該内周部と該外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが該内周部のデバイス領域に伝搬されることを防止する研削方法である。
【０００９】
前記表面保護部材は粘着テープであると好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る研削方法は、被加工物の裏面側から、外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って円形に被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成された被加工物の表面保護部材を鉛直方向の回転軸で回転するチャックテーブルで保持する保持工程と、保持工程実施後の被加工物の裏面を研削し、被加工物をチップの仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物の厚さが変質層に到達した時点で外周縁に沿って円形に形成された変質層を起点に被加工物を内周部と内周部を囲繞する外周部とに分割する研削工程と、を含むため、裏面研削途中に被加工物を内周部と外周部とに分割することにより、被加工物のエッジ起因によるチッピング及び割れが内周部のデバイス領域に伝搬されることを防止できる。
分割された外周部は、例えば、被加工物の外周縁が特異な形状である場合であっても、分割された外周部がチャックテーブルの保持面に倣うため、外周部単体でチャックテーブルに固定することができる。
また、研削後の被加工物は内周部、外周部ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削されているため、研削後に例えばチップ分割を行う場合に、ブレードダイシング又はレーザダイシングがともに実施可能となり、外周部を除去する工程が不要になることから手間及び時間を取られることも無くなる。
さらに、外周部を除去しないため、被加工物の結晶方位を示すノッチやオリエンテーションフラットを残存させた状態でその後の工程を実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】被加工物の表面を表面保護部材で覆う状態を示す斜視図である。
【図２】被加工物に変質層を形成している状態を示す斜視図である。
【図３】被加工物に変質層を形成している状態を示す断面図である。
【図４】研削工程を説明する斜視図である。
【図５】研削工程において、被加工物の裏面研削途中に被加工物が内周部と外周部とに分割された状態を示す断面図である。
【図６】研削前の被加工物の外周側を部分的に示す断面図である。
【図７】研削により分割された被加工物の外周部がチャックテーブルの保持面に倣って吸引保持された状態を部分的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明に係る被加工物の研削方法の各工程について説明する。
（１）表面保護工程
図１に示す被加工物Ｗは、例えば、シリコンを母材とする外形が円形板状の半導体ウェーハであり、図１においては上側を向いている表面Ｗａには、直交差する複数の分割予定ラインＳが形成されており、分割予定ラインＳによって格子状に区画された各領域にはＩＣ等のデバイスＤがそれぞれ形成されている。以下、デバイスＤが複数形成されている領域をデバイス領域Ｗａ１とする。デバイス領域Ｗａ１は、デバイスＤの形成されていない領域（外周余剰領域Ｗａ２）によって囲繞されている。被加工物Ｗの外周縁Ｗｄには、結晶方位等を示すマークであるノッチＮが、被加工物Ｗの中心に向けて径方向内側に窪んだ状態で形成されている。被加工物Ｗの表面Ｗａに対して反対側の裏面Ｗｂは、研削加工が施される被研削面なる。なお、被加工物Ｗは、表面ＷａにデバイスＤが形成される前のウェーハであってもよいし、シリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
【００１３】
本実施形態においては、被加工物Ｗの外周縁Ｗｄは、面取り加工がされており縦断面が略円弧状となっているが、外周縁Ｗｄが切削等により円形状にトリミングされて断面が矩形状となっていてもよい。また、被加工物Ｗは、ノッチＮではなく、結晶方位を示すオリエンテーションフラットが外周余剰領域Ｗａ２の一部をフラットに切欠くことで形成されていてもよい。
【００１４】
被加工物Ｗの表面Ｗａには、例えば、被加工物Ｗと略同径の円形の表面保護部材Ｔが貼着されて、デバイス領域Ｗａ１及び外周余剰領域Ｗａ２は表面保護部材Ｔで覆われ保護される。表面保護部材Ｔは、例えば、基材層と粘着層とを備える粘着テープであるが、これに限定されるものではなく、ガラス基板等の剛性を有するハードプレートを接着剤で表面Ｗａに貼着して表面保護部材としてもよいし、表面Ｗａに液体の樹脂を塗布してから該樹脂を乾燥させ硬化させる等して、被加工物Ｗの表面Ｗａを覆う表面保護部材を形成してもよい。
【００１５】
（２）変質層形成工程
図２に示すレーザ加工装置１は、例えば、被加工物Ｗを吸引保持する保持テーブル１０と、保持テーブル１０に保持された被加工物Ｗに対してレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段１１と、を少なくとも備えている。保持テーブル１０は、例えば、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面１０ａ上で被加工物Ｗを吸引保持する。保持テーブル１０は、鉛直方向の軸心回りに回転可能であるとともに、図示しない移動手段によって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に往復移動可能となっている。
【００１６】
レーザ光線照射手段１１は、例えば、Ｙ軸方向に水平に延在する円柱状のハウジング１１０を備えており、ハウジング１１０の先端部には、照射ヘッド１１１が配設されている。
【００１７】
ハウジング１１０内にはレーザ光線発振器１１２が配設されている。レーザ光線発振器１１２は、例えばＹＡＧレーザ或いはＹＶＯ４レーザ等から構成されており、被加工物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光線を発振させることができる。
照射ヘッド１１１内にはレーザ光線を集光する集光レンズ１１１ａが配設されている。
【００１８】
レーザ光線照射手段１１は、レーザ光線発振器１１２から−Ｙ軸方向に向かって発振させたレーザ光線を出力鏡を通し照射ヘッド１１１に送り、照射ヘッド１１１の内部に備えた図示しないミラーで反射させ集光レンズ１１１ａに入光させることで、レーザ光線を保持テーブル１０で保持された被加工物Ｗに集光し照射できる。なお、照射ヘッド１１１により集光されるレーザ光線の集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によって保持テーブル１０の保持面１０ａに対して垂直な方向（Ｚ軸方向）に調整できる。
【００１９】
レーザ加工装置１は、被加工物Ｗの外周縁Ｗｄ及び中心を認識するアライメント手段１４を備えている。アライメント手段１４は、図示しない光照射手段と、被加工物Ｗからの反射光を捕らえる光学系および光学系で結像された被写体像を光電変換して画像情報を出力する撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラ１４０とを備えている。レーザ光線照射手段１１はアライメント手段１４と一体となって構成されており、両者は連動してＺ軸方向へと移動する。
【００２０】
変質層形成工程においては、まず、図２に示すように、裏面Ｗｂを上側に向けて保持テーブル１０の保持面１０ａ上に被加工物Ｗが載置される。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面１０ａに伝達されることで、保持テーブル１０は保持面１０ａ上で表面保護部材Ｔを介して被加工物Ｗを吸引保持する。保持テーブル１０の回転中心と被加工物Ｗの中心とは略合致した状態になっている。
【００２１】
例えば、図示しない移動手段が保持テーブル１０をアライメント手段１４の下方まで移動させ、エッジアライメントが実施される。即ち、保持テーブル１０が回転し、保持テーブル１０に保持された被加工物Ｗの外周縁Ｗｄがカメラ１４０で複数個所撮像される。そして、例えば外周縁Ｗｄの離間した３点の座標が検出され、該３点の座標に基づく幾何学的演算処理により、保持テーブル１０上における被加工物Ｗのより正確な中心座標が求められる。そして、該中心座標の情報及び予め認識されている被加工物Ｗのサイズの情報を基として、図示しない移動手段が保持テーブル１０を水平方向に移動させて、被加工物Ｗの外周縁Ｗｄより所定距離内側の位置、即ち、例えば後述するレーザ光線がデバイスＤ及びノッチＮに照射されることが無い外周余剰領域Ｗａ２内の所定位置が照射ヘッド１１１の直下に位置するように、保持テーブル１０が所定位置に位置付けられる。
なお、エッジアライメントは、上記のような被加工物Ｗの中心座標から所定距離径方向外側に離れた位置をレーザ光線照射位置と定める手法に限定されるものではなく、被加工物Ｗの外周縁Ｗｄの座標位置を基として該座標位置から所定距離径方向内側に離れた位置をレーザ光線照射位置と定める手法であってもよい。
【００２２】
次いで、集光レンズ１１１ａによって集光されるレーザ光線の集光点位置を、被加工物Ｗの内部の所定の高さ位置に位置付ける。そして、レーザ光線発振器１１２から被加工物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光線を所定の繰り返し周波数でパルス発振させ、レーザ光線を保持テーブル１０で保持された被加工物Ｗの内部に集光し照射する。集光点に到達する前のレーザ光線は、被加工物Ｗに対して透過性を有しているが、集光点に到達したレーザ光線は被加工物Ｗに対して局所的に非常に高い吸収特性を示す。そのため、集光点付近の被加工物Ｗはレーザ光線を吸収して変質する。
【００２３】
保持テーブル１０を所定の回転速度でＺ軸方向の軸心周りに回転させることで、レーザ光線を被加工物Ｗの外周縁Ｗｄに沿って被加工物Ｗに照射しつつ、図２、３に示すように被加工物Ｗの内部に変質層Ｍを形成していく。変質層Ｍの被加工物Ｗの厚さ方向における形成位置は、例えば、被加工物Ｗの表面Ｗａから研削後の被加工物Ｗの仕上がり厚さ分だけ上方の位置よりも僅かに上の位置となる。これは、後述する研削工程において分割された円形の内周部Ｗ１（図５参照）の外側面に変質層Ｍを残存させないようにするためである。被加工物Ｗの外周縁Ｗｄ全周に沿って変質層Ｍを連続的に形成したら、保持テーブル１０の回転を停止させると共に、レーザ光線の照射を停止する。このように形成された円形の変質層Ｍは、周囲よりも強度が低下した領域となっている。
【００２４】
（３）保持工程
変質層Ｍが形成された被加工物Ｗは、図４に示す研削装置７のチャックテーブル７０に搬送される。チャックテーブル７０は、その外形が円形状であり、ポーラス部材等からなる保持面７００で被加工物Ｗを吸引保持する。チャックテーブル７０は、その下方に接続された回転軸７３により鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であるとともに、Ｙ軸方向に移動可能となっている。
図４に示すように、裏面Ｗｂを上側に向けて保持面７００上に被加工物Ｗが載置される。そして、図示しない吸引源により生み出された吸引力が保持面７００に伝達されることで、チャックテーブル７０は保持面７００上で表面保護部材Ｔを介して被加工物Ｗを吸引保持する。
【００２５】
（４）研削工程
チャックテーブル７０に保持された被加工物Ｗの裏面Ｗｂが、図４に示す研削手段７１によって研削される。研削手段７１は、例えば、Ｚ軸方向の軸心周りに回転可能な回転軸７１０と、回転軸７１０の下端に接続された円板状のマウント７１３と、マウント７１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール７１４とを備える。研削ホイール７１４は、ホイール基台７１４ｂと、ホイール基台７１４ｂの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石７１４ａとを備える。研削砥石７１４ａは、例えばレジンボンドやメタルボンド等でダイヤモンド砥粒等が固着されて成形されている。
【００２６】
回転軸７１０内部には、研削水供給源に連通し研削水の通り道となる図示しない流路が、回転軸７１０の軸方向（Ｚ軸方向）に貫通して設けられており、該流路は、ホイール基台７１４ｂの底面において研削砥石７１４ａに向かって研削水を噴出可能に開口している。
【００２７】
まず、図４に示すように、被加工物Ｗを保持したチャックテーブル７０が＋Ｙ方向へ移動して、研削ホイール７１４の回転中心が被加工物Ｗの回転中心に対して所定の距離だけずれ、研削砥石７１４ａの回転軌跡が被加工物Ｗの回転中心を通るように、チャックテーブル７０が研削手段７１に対して位置付けられる。次いで、回転軸７１０が回転するのに伴って、図４に示すように、研削ホイール７１４が回転する。また、研削手段７１が−Ｚ方向へと送られ、研削砥石７１４ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂに当接することで研削加工が行われる。研削中は、チャックテーブル７０が回転するのに伴って被加工物Ｗも回転するので、研削砥石７１４ａが被加工物Ｗの裏面Ｗｂの全面の研削加工を行う。また、研削砥石７１４ａと被加工物Ｗの裏面Ｗｂとの接触箇所に対して研削水が供給され、研削水による接触箇所の冷却及び研削屑の洗浄除去が行われる。
【００２８】
研削を続行することで、被加工物Ｗの厚さが変質層Ｍに到達した時点で外周縁Ｗｄに沿って円形に形成された変質層Ｍを起点に被加工物Ｗが、図５に示すように内周部Ｗ１と内周部Ｗ１を囲繞する外周部Ｗ２とに分割される。即ち、変質層Ｍを除去しつつ変質層Ｍに沿って研削圧力が作用することで亀裂が被加工物Ｗの厚さ方向に向かって伸長し、被加工物Ｗは円形の内周部Ｗ１と円環状の外周部Ｗ２とに分割される。また、被加工物ＷがデバイスＤを備えるチップの仕上げ厚さまで研削され、次いで、研削手段７１が＋Ｚ方向に上昇し、研削砥石７１４ａが被加工物Ｗから離間し研削が終了する。
【００２９】
本発明に係る研削方法は、被加工物Ｗの裏面Ｗｂ側から、外周縁Ｗｄより所定距離内側の位置で外周縁Ｗｄに沿って円形に被加工物Ｗに対して透過性を有するレーザ光線を照射し変質層Ｍを形成する変質層形成工程と、変質層Ｍが形成された被加工物Ｗの表面保護部材Ｔを鉛直方向の回転軸７３で回転するチャックテーブル７０で保持する保持工程と、保持工程実施後の被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削し、被加工物Ｗをチップの仕上がり厚さに形成するとともに、被加工物Ｗの厚さが変質層Ｍに到達した時点で外周縁Ｗｄに沿って円形に形成された変質層Ｍを起点に被加工物Ｗを内周部Ｗ１と内周部Ｗ１を囲繞する外周部Ｗ２とに分割する研削工程と、を含むため、裏面Ｗｂ研削途中に被加工物Ｗを内周部Ｗ１と外周部Ｗ２とに分割することにより、被加工物Ｗのエッジ起因によるチッピング及び割れが内周部Ｗ１のデバイス領域Ｗａ１に伝搬されることを防止できる。
また、本実施形態のように、面取り加工がされており縦断面が略円弧状となっている被加工物Ｗを従来の研削方法で研削すると、外周縁Ｗｄは尖ったシャープエッジになりやすく、エッジチッピング等が特に発生しやすいが、本発明に係る研削方法ではシャープエッジを起因とするチッピングの発生を抑止できる。
【００３０】
また、研削後の被加工物Ｗは内周部Ｗ１、外周部Ｗ２ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削されているため、研削後に例えばチップ分割を行う場合に、ブレードダイシング又はレーザダイシングがともに実施可能となり、外周部Ｗ２を除去する工程が不要になることから手間及び時間を取られることも無くなる。
【００３１】
本実施形態においては、裏面Ｗｂ研削後に被加工物Ｗは未だチップに分割されていないため、さらに、ブレードダイシング又はレーザダイシング等が実施されて、個々のチップに分割される。
なお、例えば、図１に示す表面保護部材Ｔが貼着される前の被加工物Ｗは、先ダイシングが施されていてもよい。即ち、回転する切削ブレードで被加工物Ｗの表面Ｗａ側から分割予定ラインＳに沿ってチップの仕上がり厚さ以上の深さの切削溝（ハーフカット溝）が被加工物Ｗに形成されている。さらに、本発明に係る研削方法が先に説明したのと同様に、先ダイシングされた被加工物Ｗに施されることで、（４）研削工程において被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削して切削溝を被研削面に露出させることにより、被加工物Ｗが、内周部Ｗ１、分割された外周部Ｗ２ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削され、かつ、内周部Ｗ１が個々のチップに分割される。
図１に示す表面保護部材Ｔが貼着される前の被加工物Ｗは、切削ブレードを用いた先ダイシングの代わりに、被加工物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光線を分割予定ラインＳに沿って照射して、被加工物Ｗ内部の所定深さの位置に変質層を形成するステルスダイシングが施されていてもよい。この場合においても、（４）研削工程において被加工物Ｗの裏面Ｗｂを研削して分割予定ラインＳに沿った変質層に研削圧力を加えることにより、被加工物Ｗが、内周部Ｗ１、分割された外周部Ｗ２ともに予定の仕上がり厚さまで同じ厚さに研削され、かつ、内周部Ｗ１が個々のチップに分割される。
【００３２】
さらに、外周部Ｗ２を除去しないため、被加工物Ｗの結晶方位を示すノッチＮ（又は、オリエンテーションフラット）を残存させた状態でその後の工程が実施できるようになる。
【００３３】
研削前の被加工物Ｗの外周側を部分的に表す図６及び研削により分割された被加工物Ｗの外周部Ｗ２を表す図７に示すように、分割された外周部Ｗ２がチャックテーブル７０の保持面７００に倣うため、外周部Ｗ２単体でチャックテーブル７０に固定することができ、被加工物Ｗの保持面７００上における不測のずれ等が生じない。
これは、例えば、被加工物Ｗの表面Ｗａに形成されたデバイスＤが高さがある場合（例えば、ハイバンプである場合）でも同様である。即ち、従来の研削方法では、被加工物Ｗがハイバンプを備えているような場合には、デバイス領域Ｗａ１と外周余剰領域Ｗａ２との高さの違いから、裏面研削にて被加工物Ｗの外周側のチャックテーブル７０による吸着が不能になることがあった。しかし、本発明に係る研削方法においては、裏面Ｗｂの研削により内周部Ｗ１と外周部Ｗ２とが分割されると、外周部Ｗ２が単体で保持面７００側に引き下げられてチャックテーブル７０により吸着されるため、上記のように吸着不能とはならない。
【００３４】
なお、本発明に係る研削方法は上記実施形態に限定されるものではなく、また、添付図面に図示されている各種装置の各構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ：被加工物  Ｗａ：被加工物の表面  Ｗａ１：デバイス領域  Ｗａ２：外周余剰領域
Ｗｄ：外周縁  Ｎ：ノッチ  Ｓ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｔ：表面保護部材
１：レーザ加工装置  １０：保持テーブル  １０ａ：保持面
１１：レーザ光線照射手段  １１０：ハウジング  １１１：照射ヘッド  １１１ａ：集光レンズ  １１２：レーザ光線発振器  
１４：アライメント手段  １４０：カメラ
７：研削装置  ７０：チャックテーブル  ７００：保持面  ７１：研削手段  ７１０：回転軸  ７１４ａ：研削砥石  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2019150925.tif 000007
【図６】
2019150925.tif 000008
【図７】
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