(57)【要約】      （修正有）【課題】低透過性電気フィードスルーを提供すること。【解決手段】このフィードスルー３００は、交互の導体層３０２及び絶縁層３０４を有する積層構造を含み、それらを通して導電スルーホール３０２ａが位置付けられ、それによって下部コネクタパッド３１８が上部コネクタパッド３１６と電気的に接続される。そのようなフィードスルー３００は、空気より軽いガスが充填されたデータ記憶装置内などの気密封止内部環境と外部環境との間のインタフェースで使用されることができる。絶縁層３０４は、関連する水平漏れ経路が許容フィードスルー漏れ率を満たすことができるように位置付けられ且つ構成され、その一方で層の集合は、関連する垂直漏れ経路がフィードスルー漏れ率を満たすことができるように構成される。【選択図】図３Ａ
2019032919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密封止環境と外部環境との間でインタフェースするように構成される電気フィードスルーであって、
Ｌ１スルーホールを含む第１の導体層（Ｌ１）と、
前記第１の導体層（Ｌ１）上であり、且つ前記Ｌ１スルーホールと同軸のＩ１スルーホールを含む第１の絶縁体層（Ｉ１）と、
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の第１の部分上であり且つ前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の第２の部分と同一面にあり、且つ前記Ｉ１スルーホールと同軸のＬ２スルーホールを含む第２の導体層（Ｌ２）であって、前記第１の導体層（Ｌ１）と部分的に重複する、第２の導体層と、
前記前記第２の導体層（Ｌ２）及び前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の前記第２の部分上であり、且つ前記Ｌ２スルーホールと同軸のＩ２スルーホールを含む第２の絶縁体層（Ｉ２）と、
前記第２の絶縁体層（Ｉ２）上であり、且つ前記Ｉ２スルーホールと同軸のＬ３スルーホールを含む第３の導体層（Ｌ３）とを備え、
前記第１の導体層（Ｌ１）及び前記第３の導体層（Ｌ３）が、前記第１の導体層（Ｌ１）、前記第１の絶縁体層（Ｉ１）、前記第２の導体層（Ｌ２）、前記第２の絶縁体層（Ｉ２）及びＬ３スルーホールの各々を通して位置付けられる導電性円環を経由して電気的に接続される、電気フィードスルー。
【請求項２】
前記導電性円環を充填する樹脂材料をさらに備える、請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項３】
前記第１の導体層（Ｌ１）上に形成され且つ前記第１の導体層（Ｌ１）と下部電気コネクタパッドを形成する導電材料と、
前記第３の導体層（Ｌ３）上に形成され且つ前記第３の導体層（Ｌ３）と上部電気コネクタパッドを形成する導電材料と
をさらに備える、請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項４】
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）が、エポキシ樹脂が予め含浸されたガラス繊維材料から構成される、  請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項５】
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）が、前記第１の絶縁体層（Ｉ１）が異方性のガス漏れ率を有するとして特性化されるようにエポキシ樹脂が予め含浸されたガラス繊維材料から構成され、且つ前記第１の絶縁体層（Ｉ１）が、前記漏れ率が半径方向によりも垂直方向に小さいように位置付けられ、
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の厚さ（ｔ１）が前記第２の絶縁体層（Ｉ２）の厚さ（ｔ２）より小さく、且つｔ１が、前記垂直方向によりも前記半径方向に長い前記第１の絶縁体層（Ｉ１）を通じた水平拡散経路を提供する、
請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項６】
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）及び前記第２の絶縁体層（Ｉ２）を通じた垂直拡散経路が、前記導電性円環と前記前記第２の導体層（Ｌ２）との間の前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の前記第２の部分の半径方向長さによって阻止される、
請求項５に記載の電気フィードスルー。
【請求項７】
前記Ｌ２が前記第１の導体層（Ｌ１）と部分的に重複する領域が、電気伝達性能に影響を及ぼす容量領域として特性化され、
前記ｔ１に対する前記容量領域の比が１０より小さい、
請求項６に記載の電気フィードスルー。
【請求項８】
前記Ｌ２が前記第１の導体層（Ｌ１）と部分的に重複する領域が、電気伝達性能に影響を及ぼす容量領域として特性化され、
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）が厚さ（ｔ１）を有し、
前記ｔ１に対する前記容量領域の比が１０より小さい、
請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項９】
前記第２の絶縁体層（Ｉ２）が、エポキシ樹脂が予め含浸されたガラス繊維材料の銅張積層板から構成される、
請求項１に記載の電気フィードスルー。
【請求項１０】
請求項１に記載の電気フィードスルーを備えるハードディスクドライブ。
【請求項１１】
電気フィードスルー部品を製造する方法であって、
銅張積層板の第１の絶縁体材料の第１の側上に第１の導電材料の層を、及び前記第１の絶縁体材料の第２の対向する側上に第２の導電材料の層を形成するステップと、
前記第２の導電材料の層の円形部分をエッチング除去するステップと、
前記第２の導電材料の層及び前記第２の導電材料の層の前記円形部分を通じて露出される前記第１の絶縁体材料の前記第２の側上に予め含浸されたガラスエポキシ樹脂の第２の絶縁体材料を形成するステップと、
前記第２の絶縁体材料上に第３の導電材料の層を形成するステップと、
前記第１の導電材料の層、前記第１の絶縁体材料、前記第２の絶縁体材料及び前記第３の導電材料の層の各々を通してスルーホールを形成するステップと、
前記スルーホールの内側を覆う第４の導電材料を形成するステップと、
前記第４の導電材料の前記スルーホール内側を樹脂で充填するステップと、
前記第１の導電材料の層上に第１の電気パッド導電材料を、及び第３の導電材料の層上に第２の電気パッド導電材料を形成するステップと、
前記第１の電気パッド導電材料及び前記第１の導電材料の層の一部分をエッチング除去して第１の電気コネクタパッドを形成し、そして前記第２の電気パッド導電材料及び前記第３の導電材料の層の一部分をエッチング除去して第２の電気コネクタパッドを形成するステップとを含み、
前記第１の電気コネクタパッド及び前記第２の電気コネクタパッドが、前記第４の導電材料を介して電気的に接続される、方法。
【請求項１２】
第２の絶縁体材料を形成する前記ステップが、異方性のガス漏れ率を有し、且つ前記漏れ率が水平方向によりも垂直方向に小さいように前記電気フィードスルー内で位置付けられる第２の絶縁体材料を形成することを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の絶縁体材料を形成する前記ステップが、前記第１の絶縁体材料の厚さより小さい厚さをもつ前記第２の絶縁体材料を形成し、したがって前記垂直方向によりも前記水平方向に長い前記第２の絶縁体材料を通じた水平拡散経路を構成することを含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の絶縁体材料を形成する前記ステップが、前記第２の導電材料の層と前記第４の導電材料との間の半径方向距離によって限定される、前記第２の絶縁体材料を通じるとともに前記第１の絶縁体材料を通じた垂直方向の拡散経路を形成することを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の導電材料の層の前記円形部分をエッチング除去する前記ステップ並びに前記第３の導電材料の層及び前記第２の電気パッド導電材料の前記部分をエッチング除去する前記ステップが、前記第２の導電材料の層が前記第３の導電材料の層と部分的に重複する容量領域を形成することを含み、且つ前記第２の絶縁体材料の厚さに対する前記容量領域の比が１０より小さく、前記容量領域の容量影響を緩和する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
気密封止環境と外部環境との間でインタフェースするように構成される電気フィードスルーを封止する方法であって、
Ｌ１スルーホールを含む第１の導体層（Ｌ１）を提供するステップと、
前記第１の導体層（Ｌ１）上であり、且つ前記Ｌ１スルーホールと同軸のＩ１スルーホールを含む第１の絶縁体層（Ｉ１）を提供するステップと、
前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の第１の部分上であり且つ前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の第２の部分と同一面にあり、且つ前記Ｉ１スルーホールと同軸のＬ２スルーホールを含む第２の導体層（Ｌ２）を提供するステップであって、前記Ｌ２が前記第１の導体層（Ｌ１）と部分的に重複する、ステップと、
前記Ｌ２及び前記第１の絶縁体層（Ｉ１）の前記第２の部分上であり、且つ前記Ｌ２スルーホールと同軸のＩ２スルーホールを含む第２の絶縁体層（Ｉ２）を提供するステップと、
前記Ｉ２上であり、且つ前記Ｉ２スルーホールと同軸のＬ３スルーホールを含む第３の導体層（Ｌ３）を提供するステップと、
前記第１の導体層（Ｌ１）、前記第１の絶縁体層（Ｉ１）、前記第２の導体層（Ｌ２）、前記第２の絶縁体層（Ｉ２）及びＬ３スルーホールの各々を通して位置付けられて、前記第１の導体層（Ｌ１）を前記第３の導体層（Ｌ３）と電気的に接続する導電性円環を提供するステップとを含む、方法。
【請求項１７】
電子部品の気密封止環境と外部環境との間のインタフェースを封止する方法であって、
前記インタフェースに位置付けられる電気フィードスルーの絶縁体層を通じた水平方向の拡散経路を限定するための手段を提供するステップを含む、方法。
【請求項１８】
前記フィードスルーの複数の絶縁体層を通じた垂直方向の拡散経路を限定するための手段を提供するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記フィードスルー内の容量領域を通じて伝送される高周波電気信号に対する容量影響を緩和するための手段を提供するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、気密封止ハードディスクドライブに関し、特に、電気フィードスルーを通じたガス漏出を制御することに関することになる。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、保護筐体に収容され、且つ磁気面を有する一つ以上の円形ディスクにデジタル符号化データを記憶する不揮発性記憶装置である。ＨＤＤが動作中であるとき、各磁気記録ディスクがスピンドルシステムによって高速回転される。データは、アクチュエータによってディスクの指定位置上に位置付けられる読取り書込みヘッドを使用して磁気記録ディスクから読み取られ、またそれに書き込まれる。読取り書込みヘッドは、磁気記録ディスクの表面にデータを書き込み、またそれからデータを読み取るために磁場を使用する。書込みヘッドは、そのコイルを通して流れる電流を使用して磁場を発生させることによって作用する。書込みヘッドには、電気パルスが正負の電流の異なるパターンで送られる。書込みヘッドのコイルにおける電流は、ヘッドと磁気ディスクとの間のギャップにわたって局所磁場を発生させ、それが次いで記録媒体上の小領域を磁化する。
【０００３】
ＨＤＤは、内部にヘリウムが気密封止されて製造されている。さらに、封止ＨＤＤにおける空気の代わりとして使用するために、空気より軽い他のガスが企図されてきた。例えば、ヘリウムの密度が空気のそれの七分の一であるので、ＨＤＤをヘリウム環境に封止して動作させることに様々な利益がある。それゆえ、ＨＤＤをヘリウム内で動作させることは、回転するディスクスタックに作用する抗力を低減させ、そしてディスクスピンドルモータによって使用される機械的動力は実質的に低減される。さらに、ヘリウム内で動作することはディスク及びサスペンションのフラッタを低減させて、ディスクがより接近して配置されるようにし、且つより小さく狭いデータトラックピッチを可能にすることによって面密度（ディスク表面の所与の面積に記憶されることができる情報ビット量の尺度）を増加させる。より低い剪断力及びヘリウムのより効率的な熱伝導は、ＨＤＤが冷えやすくなり、且つ音響ノイズを発しにくくなることも意味する。ＨＤＤの信頼性も、低湿度、高度及び外圧変動に対するより低い感度、並びに腐食性ガス又は汚染物質の不在のため増大される。
【０００４】
気密封止内容積（例えば、空気より軽いガスが充填された封止ＨＤＤ又はＨＤＤのシステム）を要する電子システムは、筐体を通して電気線を接続する方途を必要とする。これは典型的に気密電気コネクタ又は電気「フィードスルー」で達成される。一つの可能な手法は、ガラス金属フィードスルーなどの、低透過性であるが比較的高価なフィードスルーの使用を伴うであろう。別の手法は低コストのプリント回路板（ＰＣＢ）フィードスルーの使用を伴うであろうが、これらは典型的により高い漏れ率を有する。
【０００５】
本項に記載されたいずれの手法も追求され得る手法であるが、必ずしも以前に考案又は追求されてきた手法ではない。したがって、別途明示されない限り、本項に記載された手法のいずれも、単に本項にそれらが含まれるだけで先行技術として適するとみなされるべきではない。
【発明の概要】
【０００６】
実施形態が添付図面の図に、限定としてではなく、例として例示されており、類似の参照数字は同様の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を例示する平面図である。
【図２】実施形態に係る、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を例示する横断面側面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施形態に係る、低透過性電気フィードスルーの横断面側面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施形態に係る、図３Ａの低透過性電気フィードスルーの層Ｌ２の平面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、実施形態に係る、図３Ａの低透過性電気フィードスルーの透視斜視図である。
【図４】図４Ａは、実施形態に係る、電子部品に装着される低透過性電気フィードスルーの横断面側面図であり、図４Ｂは、実施形態に係る、電子部品に装着される低透過性電気フィードスルーの横断面側面図である。
【図５】実施形態に係る、電気フィードスルー部品を製造する方法を例示するフロー図である。
【図６】実施形態に係る、図３Ａにおけるような低透過性電気フィードスルーを製造するための工程を例示する側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
低透過性電気フィードスルーの手法が記載される。以下の記載では、説明の目的で、本明細書に記載される本発明の実施形態の完全な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が明らかにされる。しかしながら、本明細書に記載される本発明の実施形態がこれらの具体的な詳細なしで実施されてもよいことが明らかであろう。他の例では、本明細書に記載される本発明の実施形態を不必要に不明瞭にするのを避けるために、周知の構造及び装置はブロック図形式で示される。
【０００９】
［例示的な動作状況の物理的記載］
実施形態は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などのデジタル記憶装置（ＤＳＤ）のための電気フィードスルーの状況で、及び複数のＤＳＤ／ＨＤＤのシステムの状況で使用されてもよい。したがって、実施形態に従って、例証的な動作状況を例示するために、ＨＤＤ１００を例示する平面図が図１に図示される。
【００１０】
図１は、磁気読取り書込みヘッド１１０ａを含むスライダ１１０ｂを含むＨＤＤ１００の部品の機能配置を例示する。集合的に、スライダ１１０ｂ及びヘッド１１０ａはヘッドスライダと称されてもよい。ＨＤＤ１００は、ヘッドスライダ、典型的にフレキシャを介してヘッドスライダに取り付けられるリードサスペンション１１０ｃ及びリードサスペンション１１０ｃに取り付けられるロードビーム１１０ｄを含む少なくとも一つのヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１１０を含む。ＨＤＤ１００は、スピンドル１２４に回転可能に装着される少なくとも一つの記録媒体１２０、及び媒体１２０を回転させるための、スピンドル１２４に取り付けられる駆動モータ（図示せず）も含む。読取り書込みヘッド１１０ａは、トランスデューサとも称されてもよいが、ＨＤＤ１００の媒体１２０に記憶される情報をそれぞれ書き込む及び読み取るための書込み素子及び読取り素子を含む。媒体１２０又は複数のディスク媒体はディスククランプ１２８でスピンドル１２４に固定されてもよい。
【００１１】
ＨＤＤ１００は、ＨＧＡ１１０に取り付けられるアーム１３２、キャリッジ１３４、キャリッジ１３４に取り付けられるボイスコイル１４０を含む電機子１３６を含むボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、及びボイスコイル磁石（図示せず）を含むステータ１４４をさらに含む。ＶＣＭの電機子１３６はキャリッジ１３４に取り付けられ、且つアーム１３２及びＨＧＡ１１０を移動させて媒体１２０の部分にアクセスするように構成され、全て介在されるピボット軸受アセンブリ１５２でピボット軸１４８に集合的に装着されている。複数のディスクを有するＨＤＤの場合、キャリッジ１３４は「Ｅブロック」又はコームと称されてもよいが、その理由はキャリッジが、それにコーム（くし）の外観を与えるアームの一組のアレイを搬送するように配置されるからである。
【００１２】
ヘッドスライダが連結されるフレキシャを含むヘッドジンバルアセンブリ（例えば、ＨＧＡ１１０）、フレキシャが連結されるアクチュエータアーム（例えば、アーム１３２）及び／又はロードビーム、並びにアクチュエータアームが連結されるアクチュエータ（例えば、ＶＣＭ）を備えるアセンブリがヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と集合的に称されてもよい。ＨＳＡは、しかしながら、記載されたものより多くの又は少ない部品を含んでもよい。例えば、ＨＳＡは、電気相互接続部品をさらに含むアセンブリを指してもよい。概して、ＨＳＡは、読取り及び書込み動作のためにヘッドスライダを移動させて媒体１２０の部分にアクセスするように構成されるアセンブリである。
【００１３】
図１をさらに参照しつつ、ヘッド１１０ａへの書込み信号及びそれからの読取り信号から成る電気信号（例えば、ＶＣＭのボイスコイル１４０への電流）がフレキシブルケーブルアセンブリ（ＦＣＡ）１５６（又は「フレックスケーブル」）によって送信される。フレックスケーブル１５６とヘッド１１０ａとの間の相互接続はアームエレクトロニクス（ＡＥ）モジュール１６０を含んでもよく、それは読取り信号のためのオンボードプリアンプの他に、他の読取りチャネル及び書込みチャネル電子部品を有してもよい。ＡＥモジュール１６０は、図示されるようにキャリッジ１３４に取り付けられてもよい。フレックスケーブル１５６は電気コネクタブロック１６４に連結されてもよく、それは、いくつかの構成では、ＨＤＤハウジング１６８によって提供される電気フィードスルーを通して電気通信を提供する。ＨＤＤハウジング１６８（又は「筐体ベース」若しくは「ベースプレート」若しくは単に「ベース」）は、ＨＤＤカバーと併せて、ＨＤＤ１００の情報記憶部品に半封止（又は、いくつかの構成では、気密封止）保護筐体を提供する。
【００１４】
ディスクコントローラ及びデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）を含むサーボエレクトロニクスを含め、他の電子部品が駆動モータ、ＶＣＭのボイスコイル１４０及びＨＧＡ１１０のヘッド１１０ａに電気信号を提供する。駆動モータに提供される電気信号は、駆動モータが回転してスピンドル１２４にトルクを提供し、それが次いでスピンドル１２４に固定される媒体１２０に伝達されることを可能にする。結果として、媒体１２０は方向１７２に回転する。回転する媒体１２０は、スライダ１１０ｂの空気軸受面（ＡＢＳ）が乗り上げる空気軸受として作用する空気のクッションを生じさせ、その結果スライダ１１０ｂは、情報が記録される薄い磁気記録層と接触することなく媒体１２０の表面上に浮動する。同様に、非限定的な例としてヘリウムなどの空気より軽いガスが活用されるＨＤＤでは、回転する媒体１２０は、スライダ１１０ｂが乗り上げるガス又は流体軸受として作用するガスのクッションを生じさせる。
【００１５】
ＶＣＭのボイスコイル１４０に提供される電気信号は、ＨＧＡ１１０のヘッド１１０ａが、情報が記録されるトラック１７６にアクセスすることを可能にする。したがって、ＶＣＭの電機子１３６は弧１８０を描いて揺動して、ＨＧＡ１１０のヘッド１１０ａが媒体１２０の様々なトラックにアクセスすることを可能にする。情報は、セクタ１８４など、媒体１２０にセクタで配置される複数の径方向に入れ子状のトラックで媒体１２０に記憶される。対応して、各トラックは、扇状のトラック部分１８８などの複数の扇状のトラック部分（又は「トラックセクタ」）から構成される。各扇状のトラック部分１８８は記録情報、並びに誤り訂正符号情報及び、トラック１７６を識別する情報である、ＡＢＣＤサーボバースト信号パターンなどのサーボバースト信号パターンを含むヘッダを含んでもよい。トラック１７６にアクセスする際に、ＨＧＡ１１０のヘッド１１０ａの読取り素子はサーボバースト信号パターンを読み取り、それが位置誤差信号（ＰＥＳ）をサーボエレクトロニクスに提供し、それがＶＣＭのボイスコイル１４０に提供される電気信号を制御し、それによってヘッド１１０ａがトラック１７６をたどることを可能にする。トラック１７６を見つけて、特定の扇状のトラック部分１８８を識別した上で、ヘッド１１０ａは、外部エージェント、例えば、コンピュータシステムのマイクロプロセッサからディスクコントローラによって受信される命令に応じて、トラック１７６から情報を読み取るか又はトラック１７６に情報を書き込む。
【００１６】
ＨＤＤの電子アーキテクチャは、ハードディスクコントローラ（「ＨＤＣ」）、インタフェースコントローラ、アームエレクトロニクスモジュール、データチャネル、モータドライバ、サーボプロセッサ、バッファメモリなどといった、ＨＤＤの動作のためのそれらのそれぞれの機能を行うための多数の電子部品を備える。そのような部品の二つ以上が、「システムオンチップ」（「ＳＯＣ」）と称される単一の集積回路基板に組み合わされてもよい。そのような電子部品の全てではないにしても、いくつかが典型的に、ＨＤＤハウジング１６８になど、ＨＤＤの底側に連結されるプリント回路板に配置される。
【００１７】
本明細書における、図１に関して例示及び記載されるＨＤＤ１００などのハードディスクドライブへの参照は、「ハイブリッドドライブ」と時に称される情報記憶装置を包含することができる。ハイブリッドドライブは概して、電気的に消去可能且つプログラム可能である、フラッシュ又は他のソリッドステート（例えば、集積回路）メモリなどの不揮発性メモリを使用するソリッドステート記憶装置（ＳＳＤ）と組み合わされる従前のＨＤＤ（例えば、ＨＤＤ１００を参照されたい）の両方の機能性を有する記憶装置を指す。異なる種類の記憶媒体の動作、管理及び制御が典型的に異なるので、ハイブリッドドライブのソリッドステート部分はそれ自体の対応するコントローラ機能性を含んでもよく、それはＨＤＤ機能性とともに単一のコントローラに集積されてもよい。ハイブリッドドライブは、非限定的な例として、ソリッドステートメモリを、頻繁にアクセスされるデータを記憶するために、Ｉ／Ｏ集約型のデータを記憶するためになど、キャッシュメモリとして使用することによってなど、いくつかの方途でソリッドステート部分を動作させるように且つ活用するように設計及び構成されてもよい。さらに、ハイブリッドドライブは本質的に、ホスト接続のための一つか又は複数のインタフェースをもつ、単一の筐体における二つの記憶装置、すなわち、従前のＨＤＤ及びＳＳＤとして設計及び構成されてもよい。
【００１８】
［序論］
用語「気密」は、ガスの漏出又は透過経路を名目上有しない（又はごくわずかな）ように設計される封止装置を記述すると理解されるであろう。「気密」、「気密封止」、「ごくわずかな漏出」、「漏出なし」などといった用語が本明細書に使用されることがあるのに対して、そのようなシステムがしばしば依然として一定量の透過性を有するものであり、したがって絶対に漏れがないわけではないことに留意されたい。それゆえ、所望の又は目標「漏れ率」の概念が本明細書に使用されてもよい。
【００１９】
用語「実質的に」は、ほとんど又はほぼ構造化、構成、寸法決定などされたが、製造公差などにより、実際には構造、構成、寸法などが常に又は必ずしも正確に規定されたようではない状況という結果になる特徴を記述すると理解されるであろう。例えば、構造を「実質的に垂直」と記載することはその用語にその明白な意味を割り当てるものであり、そのため側壁は全ての現実的な目的で垂直であるが、正確に９０度でなくてもよい。
【００２０】
気密封止内容積（例えば、空気より軽いガスが充填された封止ＨＤＤ又はＨＤＤのシステム）を要する電子システムが、筐体を通して電気線を接続する方途を必要としており、一つの手法が気密電気コネクタ又は電気「フィードスルー」を活用することであることを想起されたい。しかしながら、適切な電気フィードスルーのコストに対する低漏出率に関して課題が残る。
【００２１】
図２は、実施形態に係る、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）を例示する横断面側面図である。例えば、ＨＤＤ２００は、記録媒体２２０の回転を駆動する駆動モータのスピンドル２２４（例えば、図１のスピンドル１２４など）に回転可能に装着される少なくとも一つの記録媒体２２０（例えば、図１の磁気記録媒体１２０など）、並びに記録媒体２２０から情報を読み取り、またそれに情報を書き込むために記録媒体２２０上の位置に読取り書込みトランスデューサを収納するヘッドスライダを搬送及び移動させるヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）２２６を備える。ＨＤＤ２００は、ＨＤＤ２００に連結されてもよいプリント回路板（例えば、「ＳＯＣ」又はシステムオンチップ）になど、ＨＤＤ２００の気密封止内部環境の外部の電子部品にＨＳＡ２２６を電気的に接続するフレキシブルケーブルアセンブリ（ＦＣＡ）２５６をさらに備える。そのようにする際に、ＦＣＡ２５６はインタフェース２５０（例えば、機械的及び／又は電気的）を通して配線され、それは小開口を含み、ＨＤＤ筐体ベース２６８（例えば、図１のＨＤＤハウジング１６８の気密封止版と同様）と関連付けられる。図２は、インタフェース２５０近傍の、それを含む領域Ａ−Ａをさらに例示し、それは本明細書における他の場所で参照されることがある。
【００２２】
［低透過性電気フィードスルー］
図３Ａは、実施形態に係る、低透過性電気フィードスルーの横断面側面図である。電気フィードスルー３００（以下、「フィードスルー３００」）は、概してＰＣＢ（プリント回路板）と関連付けられる材料及び工程を使用して製作される、ＰＣＢベースのフィードスルーと称されてもよい。概してＰＣＢベースの部品、詳細にはＰＣＢベースの電気フィードスルーを使用することの一つの利点は、現在の成熟した製作手法と関連付けられる比較的低コストである。
【００２３】
図３Ａの図を参照しつつ、フィードスルー３００の構造は図の下部から図の上部までと考えられる。しかしながら、フィードスルー３００などの電気フィードスルーが真の上部及び真の下部を有しなくてもよく、そのため「上部」及び「下部」などの用語が、フィードスルー３００がどのようにしてより大きな、より高レベルの部品（非限定的な例として、気密封止ハードディスクドライブ）の下位部品として製造又は組立て又は設置されることができるかという特徴付けのためよりもむしろ、参照及び相対的な位置付けの目的で本明細書に使用されることに留意されたい。
【００２４】
実施形態によれば、図３Ａの図の下部から始めて、フィードスルー３００は、第１の導電材料の層又は第１の導体層（Ｌ１）３０２を有する積層構造を備える。例えば、第１の導体層３０２は、実施形態によれば、銅から構成されてもよい。第１の導体層３０２はスルーホール３０２ａ（例えば、「Ｌ１スルーホール」）を含む。第１の導体層３０２上に、Ｌ１スルーホール３０２ａと同軸のスルーホール３０４ａ（例えば、「Ｉ１スルーホール」）を含む第１の絶縁体材料又は第１の絶縁体層（Ｉ１）３０４が位置する。
【００２５】
実施形態によれば、第１の絶縁体層３０４は、エポキシ樹脂が予め含浸されたガラス繊維材料（例えば、ガラス繊維織物又は布）（当該技術で「ガラスエポキシ樹脂」、「ガラスエポキシプリプレグ」、「エポキシ樹脂プリプレグ」などと称されてもよい）から成る又は構成される。典型的に、ガラスエポキシ樹脂内では、ガラス織物の層又は領域間にエポキシ樹脂（例えば、のみ）の「水平」層又は領域があり、したがってガラスエポキシ樹脂に異方性のガス漏出性を与える。すなわち、ガラスエポキシ樹脂を通じたガス漏れ率は、垂直方向（例えば、樹脂及びガラス層を通じて垂直に進行する）によりも水平方向（例えば、樹脂層に沿って／を通じて水平に進行する）に大きく、その関連は図４Ａに関連して本明細書により詳細に記載される。
【００２６】
第１の絶縁体層３０４の第１の部分上に、Ｉ１スルーホール３０４ａと同軸のスルーホール３０６ａ（例えば、「Ｌ２スルーホール」）を含む第２の導電材料の層又は第２の導体層（Ｌ２）３０６が位置する。さらに、第２の導体層３０６は第１の絶縁体層３０４の第２の部分３０５と同一面にあり、すなわち、第１の絶縁体材料３０４は、第２の導体層３０６を欠いているが、それと同一面にある領域へ上方に延在する。例えば、第２の導体層３０６は、実施形態によれば、銅から構成されてもよい。実施形態によれば、第２の導体層３０６は第１の導体層３０２と部分的に重複し、その意義は本明細書における他の場所でより詳細に記載される。第２の導電層３０６及び第１の絶縁体層３０４の第２の部分３０５上に、Ｌ２スルーホール３０６ａと同軸のスルーホール３０８ａ（例えば、「Ｉ２スルーホール」）を含む第２の絶縁体材料又は第２の絶縁体層（Ｉ２）３０８が位置する。実施形態によれば、第２の絶縁体層３０８は、エポキシ樹脂が予め含浸されたガラス繊維材料（例えば、ガラス繊維織物又は布）の銅張積層板から成る又は構成される。銅張とは、ガラスエポキシ材料の両側が銅箔で被覆されていることを指し、このシナリオではガラスエポキシ樹脂により低いガス透過性を与えるために有用である。
【００２７】
第２の絶縁体層３０８上に、Ｉ２スルーホール３０８ａと同軸のスルーホール３１０ａ（例えば、「Ｌ３スルーホール」）を含む第３の導電材料の層又は第３の導体層（Ｌ３）３１０が位置する。例えば、第３の導体層３１０は、実施形態によれば、銅から構成されてもよい。第１の導体層３０２及び第３の導体層３１０は第４の導電材料の層又は導電性円環３１２（例えば、ビアとして機能する）を経由して電気的に接続されて、スルーホール３０２ａ、３０４ａ、３０６ａ、３０８ａ、３１０ａの集合の内側を覆う。図３Ａに描かれるように、導電性円環３１２は、スルーホールの集合を通して延在する連続環又は管状構造であり、それによってＬ１をＬ３と接続する。実施形態によれば、導電性円環３１２は、低透過性材料及び／又は粒子が埋め込まれた埋込み樹脂などの樹脂材料３１４で充填されて、スルーホール３０２ａ、３０４ａ、３０６ａ、３０８ａ、３１０ａの集合を通じたガス漏出を阻止する。
【００２８】
実施形態によって、第３の導体層３１０上に形成され、フィードスルー３００は、第３の導体層３１０と併せて上部電気接続又はコネクタパッド３１６を形成する電気パッド導電材料をさらに備える。さらに、第１の導体層３０２上に形成され、フィードスルー３００は、第１の導体層３０２と併せて下部電気接続又はコネクタパッド３１８を形成する電気パッド導電材料をさらに備える。
【００２９】
図３Ｂは、実施形態に係る、図３Ａの低透過性電気フィードスルーの層Ｌ２の平面図である。図３Ｂは、第１の絶縁体層３０４（図３Ａ）の第２の部分３０５で部分的に充填されるＬ２スルーホール３０６ａをもつ第２の導体層（Ｌ２）３０６を例示する。径方向内側を参照すると、樹脂材料３１４で充填される導電性円環３１２が次に描かれる。図３Ｂに例示されるこの環構造の関連は図４Ｂに関連して本明細書により詳細に記載される。
【００３０】
フィードスルー３００の一層の視覚化を提供するために、且つフィードスルー３００を構成する複数の垂直電気相互接続構造（すなわち、ビア）があってもよいことを図示するために、図３Ｃは、実施形態に係る、図３Ａの低透過性電気フィードスルーの透視斜視図である。そうでなければ視野から隠れているであろう下にある構造特徴を見るために絶縁体層が不透明によりもむしろ透明に描かれるので、図３Ｃの図は「透視」と称される。図３Ｃは、それぞれの下部電気コネクタパッド３１８がめっきされた複数の第１の導体層（Ｌ１）３０２を例示し、その上に第１の絶縁体層（Ｉ１）３０４が位置し、その上にそれぞれのＬ２スルーホール３０６ａを含む第２の導体層（Ｌ２）３０６が位置する。続いて、第２の導体層３０６上に第２の絶縁体層（Ｉ２）３０８が位置し、その上にそれぞれの上部電気コネクタパッド３１６がめっきされた複数の第３の導体層（Ｌ３）３１０が位置する。また、図３Ｃには、各第１の導体層３０２と対応する第３の導体層３１０との間に延在して、それによってこれらのＬ１及びＬ３層間に電気接続性を提供する導電性円環３１２が図示される。
【００３１】
［低透過性電気フィードスルーの機能特徴］
フィードスルー３００などの低透過性電気フィードスルーの一つの可能な実装は、ＨＤＤベース（例えば、図１のハウジング１６８の気密封止版と同様）を通して延在する開口を有する気密封止ガス充填（例えば、非限定的な例として、ヘリウム、窒素などといった空気より軽い種類のガス）筐体を含む封止ハードディスクドライブと使用するためであってもよい。そのような実装では、電気コネクタが筐体内側に且つ開口に隣接して設けられてもよく、そして開口にまたがるフィードスルー３００などの低透過性電気フィードスルーに電気的に接続されることができる。例えば、電気コネクタが内部ＨＤＤフレキシブル相互接続ケーブル（例えば、図１のフレックスケーブル１５６）と、及びコネクタパッド３１６又は３１８を経由してフィードスルー３００と電気的に接続されてもよい。代替的に、内部ＨＤＤフレキシブル相互接続ケーブル（例えば、図１のフレックスケーブル１５６）がコネクタパッド３１６又は３１８を経由してフィードスルー３００と直接接続されてもよい。同様に、電気コネクタが外部ＨＤＤ  ＰＣＢ（すなわち、ＨＤＤに取り付けられる）に及びコネクタパッド３１６又は３１８を経由してフィードスルー３００と電気的に接続されてもよい。広くは、フィードスルー３００は、気密封止キャビティ／筐体の外側と内側間の電気接触及び接続を容易にする目的にかなう。
【００３２】
図４Ａは、実施形態に係る、電子部品に装着される低透過性電気フィードスルーの横断面側面図である。フィードスルー３００が、気密封止環境（例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの気密封止データ記憶装置（ＤＳＤ）又は複数のＤＳＤのシステム内側）と外部環境（例えば、電子部品の外側の周囲空気）との間のインタフェースに装着されて図示される。フィードスルー３００は、実装ごとに異なってもよい或る種類の接着剤４０４を経由して筐体ベース４０２（例えば、図１のＨＤＤハウジング１６８を参照されたい）と連結されて図示される。
【００３３】
第１の絶縁体層３０４を形成するために使用されてもよいガラスエポキシ樹脂材料が異方性の漏れ率性を有することを想起されたい。それゆえ、実施形態によれば、第１の絶縁体層３０４は、漏れ率が水平（又は半径）方向によりも垂直方向に小さいようにフィードスルー３００内で位置付けられる。すなわち、第１の絶縁体層３０４のガラスエポキシ樹脂材料内で重ねられる前述の樹脂の層又は帯はフィードスルー３００内で全体的に水平に位置付けられる。結果的に、第１の絶縁体層を通じた、すなわち、内側環境と外側環境との間のガス拡散経路は水平方向に意図的に偏倚される（全体的に外側への漏出又は拡散経路を描く破線矢印４０６によって描かれるように）。そのような偏倚は、ガラスエポキシ樹脂ベースの第１の絶縁体層３０４の内部組成の水平位置付けによってだけでなく、絶縁体層より比較的透過性でない金属材料（例えば、銅）から構成される第２の導体層３０６の存在によっても可能にされてもよい。
【００３４】
さらには且つ実施形態によれば、第１の絶縁体層３０４の厚さ（ｔ１）は第２の絶縁体層３０８の厚さ（ｔ２）より小さく保たれており、少なくとも一つには第１及び第２の絶縁体層３０４、３０８を通じた垂直方向によりも半径方向又は面に長く狭い（漏れにくい）第１の絶縁体層３０４を通じた水平拡散経路を提供する。漏出阻止目的で第１の絶縁体層３０４の厚さｔ１に制約を加えつつ、第２の絶縁体層３０８の厚さｔ２は、フィードスルー３００などのフィードスルーの構造剛性を増加させる目的で必要に応じて大きくされてもよい。
【００３５】
しかしながら、第２の導体層３０６が第１の導体層３０２と部分的に重複してもよいことを（図３Ａを参照しつつ）想起されたい。この重複領域は図３Ａの例示では「ＯＡ」と表され、そして二つの導電層が、対応する容量が導電「板」の表面積に比例し且つそれらの離間距離に反比例しているコンデンサとして作用するので、この重複領域間の空間は「容量領域」として特性化されてもよい。高周波回路及びそれを通じて伝送される高周波信号に対して寄生容量（例えば、回路の部分間の不可避の且つ通常望ましくない容量）が著しく有害、したがって不要な影響を有する場合があることが知られている。それゆえ、漏れ率を低下させることに関して比較的薄い第１の絶縁体層３０４を有することの前述の利益、及び関連する高周波信号に対してより大きい望ましくない容量影響を発生させる、重複容量領域での（より薄いｔ１による）第１の導体層３０２と第２の導体層３０６との間の距離を減少させることによって課される対応する損害に関して、課題となる設計上の矛盾が存在する。それゆえ、Ｌ１とＬ２との間の重複表面積（重複領域ＯＡ）の量を最小化することによって、減少されたＬ１−Ｌ２距離から来るべき望ましくない容量を最小化することを試みてもよいであろう。好ましくは、第１の絶縁体層３０４の厚さｔ１に対するＯＡの非限定的な比は、前述の設計上の衝突の妥協的な解決策を実装するために、およそ１０より小さく保たれる。概して、本明細書に記載される実施形態の状況での高周波信号は、例えば関連したインタフェースプロトコル（例えば、ＳＡＳ、ＳＡＴＡ）で指定されるデータ率を達成するために、数百メガヘルツより大きい周波数を有する信号である。さらに、高周波信号伝送線は、例えば、電力線、アース線、制御線などとは対照的である。
【００３６】
図４Ｂは、実施形態に係る、電子部品に装着される低透過性電気フィードスルーの横断面側面図である。図４Ａと同様に、フィードスルー３００が、気密封止環境（例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの気密封止データ記憶装置（ＤＳＤ）、又は複数のＤＳＤのシステム内側）と外部環境（例えば、電子部品の外側の周囲空気）との間のインタフェースに装着されて図示される。フィードスルー３００は、実装ごとに異なってもよい或る種類の接着剤４０４を経由して筐体ベース４０２（例えば、図１のＨＤＤハウジング１６８を参照されたい）と連結されて図示される。
【００３７】
図３Ｃの平面図に（例えば、第２の導体層（Ｌ２）３０６で）例示された同軸同心環構造を想起されたい。ここで、環構造を通じた迂遠な拡散経路又は漏れ経路（図４Ｂに破線矢印４１６によって描かれる）を参照する。論じられたように、第２の導体層（Ｌ２）３０６は、小さいガス分子（例えば、ヘリウム）の漏出をより通さない金属であり、内側の気密封止環境から外側の外部環境へのガス漏出を阻止するように機能する。付加的に、同心環構造の状況でガスが外部環境に漏れるために取らなければならないであろう、すなわち、第１及び第２の導体層３０２、３０６のまわりで第１の絶縁体層３０４を通じ、次いで第２及び第３の導体層３０６、３１０のまわりで第２の絶縁体層３０８を通じた迂遠な垂直拡散経路は、少なくとも部分的に、導電性円環３１２と第２の導体層３０６との間の第１の絶縁体層３０４の第２の部分３０５の距離３０７（又は半径方向長さ）に基づく。それゆえ、距離３０７を設定するスルーホール３０６ａの大きさは、例えば、フィードスルー３００を通じた目標又は許容漏れ率に基づいて実装ごとに異なってもよい。しかしながら、第１及び第２の絶縁体層３０４、３０８を通じた垂直拡散経路を縮小するために距離３０７を短縮することは、第１及び第２の導体層３０２、３０６と関連付けられる重複領域ＯＡ（図３Ａ）及びそれに由来する対応する容量影響を増加させるという犠牲を払うことが認識される。
【００３８】
［電気フィードスルーを製造する方法］
図５は、実施形態に係る、電気フィードスルー部品を製造する方法を例示するフロー図である。図６は、実施形態に係る、図３Ａにおけるような低透過性電気フィードスルーを製造するための工程を例示する側面図である。フィードスルー３００（図３Ａ、３Ｃ、４Ａ、４Ｂ）が本明細書における他の場所でフィードスルーの下部から上方へ記載される仕方とは対照的に、図６に例示される工程がフィードスルーの上部から下方へであることに留意されたい。
【００３９】
ブロック５０２で、銅張積層板の第１の絶縁体材料の第１の側上に第１の導電材料の層を、及び第１の絶縁体層の第２の対向する層側上に第２の導電材料の層を形成する。例えば、工程ステップ６０２（図６）を参照して、銅張積層板の第１の絶縁体材料６０２ｂの第１の側上に第１の導電材料の層６０２ａを、及び第１の絶縁体層６０２ｂの第２の対向する層側上に第２の導電材料の層６０２ｃを形成する。例えば、ブロック５０２で、第３の導体層（Ｌ３）３１０（図３Ａ）が第２の絶縁体層（Ｉ２）３０８（図３Ａ）の上側上に形成され、そして第２の導体層（Ｌ２）３０６（図３Ａ）がＩ２層の下側上に形成される。
【００４０】
ブロック５０４で、第２の導電材料の層の円形部分をエッチング除去する。例えば、工程ステップ６０４（図６）を参照して、第２の導電材料の層６０２ｃの円形部分６０４ａをエッチング除去する。例えば、ブロック５０４で、スルーホール３０６ａ（図３Ａ）が第２の導体層（Ｌ２）３０６（図３Ａ）からエッチングされる。
【００４１】
ブロック５０６で、第２の導電材料の層及び第２の導電材料の層の円形部分を通じて露出される第１の絶縁体材料の第２の側上に予め含浸されたガラスエポキシ樹脂の第２の絶縁体材料を形成する。例えば、工程ステップ６０６（図６）を参照して、第２の導電材料の層６０２ｃ及び第２の導電材料の層６０２ｃの円形部分６０４ａを通じて露出される第１の絶縁体材料６０２ｂの第２の側上に予め含浸されたガラスエポキシ樹脂の第２の絶縁体材料６０６ａを形成する。例えば、ブロック５０６で、第１の絶縁体層（Ｉ１）３０４（図３Ａ）が第２の導体層（Ｌ２）３０６（図３Ａ）及び、第１の絶縁体層３０４の第２の部分３０５（図３Ａ）を形成する、第２の導体層（Ｌ２）３０６のスルーホール３０６ａ（図３Ａ）を通じて露出される第２の絶縁体層（Ｉ２）３０８（図３Ａ）の部分上に重ねられる。
【００４２】
ブロック５０８で、第２の絶縁体層上に第３の導電材料の層を形成する。例えば、工程ステップ６０６（図６）を参照して、第２の絶縁体層６０６ａ上に第３の導電材料の層６０６ｂを形成する。例えば、ブロック５０８で、第１の導体層（Ｌ１）３０２（図３Ａ）が第１の絶縁体層（Ｉ１）３０４（図３Ａ）上に圧縮成形される。
【００４３】
ブロック５１０で、第１の導電材料の層、第１の絶縁体層材料、第２の絶縁体材料及び第３の導電材料の層の各々を通してスルーホールを形成する。例えば、工程ステップ６０８（図６）を参照して、第１の導電材料の層６０２ａ、第１の絶縁体層材料６０２ｂ、第２の絶縁体材料６０６ａ及び第３の導電材料の層６０６ｂの各々を通してスルーホール６０８ａを形成する。例えば、ブロック５１０で、各スルーホール３１０ａ、３０８ａ、３０４ａ、３０２ａ（図３Ａ）がそれぞれの第３の導体層（Ｌ３）３１０（図３Ａ）、第２の絶縁体層（Ｉ２）３０８（図３Ａ）、第１の絶縁体（Ｉ１）３０４（図３Ａ）及び第１の導体層（Ｌ１）３０２（図３Ａ）を通して穿設される。
【００４４】
スルーホール３０２ａ、３０４ａ、３０８ａ、３１０ａの一つ以上を形成する穿設作業の任意選択的な使用に関して、そのような穿設作業は、レーザ加工法などの、公知である又は使用されることができる他の手法と対照的であってもよい。レーザ加工法が第１の絶縁体層３０４の一定の最大厚さ（例えば、０．０８ｍｍより小さい）での使用に限定されることがあるのに対して、対照的に、穿設作業に関しては、第１の絶縁体層３０４の厚さはより大きくてもよい。しかしながら、フィードスルー３００にさらなる剛性及び堅牢性を提供するために第１の絶縁体層３０４を厚くすることは、第１の絶縁体層３０４と関連付けられる水平拡散又は漏出経路を増加させるという犠牲を払うことが認識される。したがって、第１の絶縁体層３０４よりもむしろ第２の絶縁体層３０８を厚くし、且つ厚さｔ１（第１の絶縁体層３０４の）を厚さｔ２（第２の絶縁体層３０８の）より小さく維持することによって、必要に応じて、フィードスルー３００にさらなる剛性及び堅牢性を提供することが好ましいであろう。
【００４５】
ブロック５１２で、スルーホールの内側を覆う第４の導電材料を形成する。例えば、工程ステップ６１０（図６）を参照して、スルーホール６０８ａの内側を覆う第４の導電材料６１０ａを形成する。例えば、ブロック５１２で、導電性円環３１２（図３Ａ）がスルーホール３１０ａ、３０８ａ、３０４ａ、３０２ａ（図３Ａ）の集合内にめっきされる。
【００４６】
ブロック５１４で、第４の導電材料内側のスルーホールを樹脂で充填する。例えば、工程ステップ６１２（図６）を参照して、第４の導電材料６１０ａのスルーホール内側が樹脂６１２ａで充填される。例えば、ブロック５１４で、導電性円環３１２（図３Ａ）の内側が埋込み樹脂などの樹脂３１４で充填される。
【００４７】
ブロック５１６で、第１の導電材料の層上に第１の電気パッド導電材料を、及び第３の導電材料の層上に第２の電気パッド導電材料を形成する。例えば、工程ステップ６１４（図６）を参照して、第１の導電材料の層６０２ａ上に第１の電気パッド導電材料６１４ａを、及び第３の導電材料の層６０６ｂ上に第２の電気パッド導電材料６１４ｂを形成する。例えば、ブロック５１６で、電気パッド導電材料が第１の導体層（Ｌ１）３０２及び第３の導体層（Ｌ３）３１０上にめっきされる。
【００４８】
ブロック５１８で、第１の電気パッド導電材料及び第１の導電材料の層の一部分をエッチング除去して第１の電気コネクタパッドを形成し、そして第２の電気パッド導電材料及び第３の導電材料の層の一部分をエッチング除去して第２の電気コネクタパッドを形成し、ここでは第１の電気コネクタパッド及び第２の電気コネクタパッドは第４の導電材料を介して電気的に接続される。例えば、工程ステップ６１６（図６）を参照して、第１の電気パッド導電材料６１４ａ及び第１の導電材料の層６０２ａの一部分をエッチング除去して第１の電気コネクタパッド６１６ａを形成し、そして第２の電気パッド導電材料６１４ｂ及び第３の導電材料の層６０６ｂの一部分をエッチング除去して第２の電気コネクタパッド６１６ｂを形成し、ここでは第１の電気コネクタパッド６１６ａ及び第２の電気コネクタパッド６１６ｂは第４の導電材料６１０ａを介して電気的に接続される。例えば、ブロック５１８で、第１の電気パッド導電材料の一部分及び第１の導体層（Ｌ１）３０２（図３Ａ）の一部分がエッチング除去されて下部コネクタパッド３１８を形成し、そして第２の電気パッド導電材料及び第３の導体層（Ｌ３）３１０（図３Ａ）の一部分がエッチング除去されて上部コネクタパッド３１６を形成し、ここでは下部コネクタパッド３１８及び上部コネクタパッド３１６は導電性円環３１２を介して電気的に接続される。
【００４９】
［拡張及び代替］
上記の記載では、本発明の実施形態が、実装ごとに異なってもよい多数の具体的な詳細を参照しつつ記載された。したがって、実施形態のより広い趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変更がそれに対してなされてもよい。かくして、本発明である及び出願人によって本発明であると意図されるものの唯一の且つ排他的な指標は、本出願に由来する一連の請求項であり、任意の後の訂正を含み、そのような請求項の特定の形態のものである。そのような請求項に含まれる用語に対して本明細書に明白に規定される任意の定義が、請求項に使用されるそのような用語の意味を定めるものとする。それゆえ、請求項に明白に詳述されない限定、要素、性質、特徴、利点又は属性は、いかなる形であれそのような請求項の範囲を限定するべきでない。明細書及び図面は、したがって、限定的よりもむしろ例示的な意味に考えられることになる。
【００５０】
加えて、本記載では、一定の工程ステップが特定の順に規定されてもよく、そして一定のステップを識別するために英字及び英数字標識が使用されてもよい。本記載に特に述べられない限り、実施形態は、必ずしもそのようなステップを実行する任意の特定の順に限定されるわけではない。特に、標識は、ステップの識別の便宜のためだけに使用され、且つそのようなステップを実行する特定の順を特定又は要求するものとは意図されない。
【符号の説明】
【００５１】
１００  ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）
１１０  ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）
１１０ａ  磁気読取り書込みヘッド
１１０ｂ  スライダ
１１０ｃ  リードサスペンション
１１０ｄ  ロードビーム
１２０  記録媒体
１２４  スピンドル
１２８  ディスククランプ
１３２  アーム
１３４  キャリッジ
１３６  電機子
１４０  ボイスコイル
１４４  ステータ
１４８  ピボット軸
１５２  ピボット軸受アセンブリ
１５６  フレキシブルケーブルアセンブリ（ＦＣＡ）
１６０  アームエレクトロニクス（ＡＥ）モジュール
１６４  電気コネクタブロック
１６８  ＨＤＤハウジング
１７２  方向
１７６  トラック
１８０  弧
１８４  セクタ
１８８  扇状のトラック部分
２００  ＨＤＤ
２２０  記録媒体
２２４  スピンドル
２２６  ヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）
２５０  インタフェース
２５６  フレキシブルケーブルアセンブリ（ＦＣＡ）
２６８  ＨＤＤ筐体ベース
３００  フィードスルー
３０２  第１の導体層（Ｌ１）
３０２ａ  Ｌ１スルーホール
３０４  第１の絶縁体層（Ｉ１）
３０４ａ  Ｉ１スルーホール
３０５  第１の絶縁体層の第２の部分
３０６  第２の導体層（Ｌ２）
３０６ａ  Ｌ２スルーホール
３０７  距離
３０８  第２の絶縁体層（Ｉ２）
３０８ａ  Ｉ２スルーホール
３１０  第３の導体層（Ｌ３）
３１０ａ  Ｌ３スルーホール
３１２  導電性円環
３１４  樹脂材料
３１６  上部電気コネクタパッド
３１８  下部電気コネクタパッド
４０２  筐体ベース
４０４  接着剤
６０２  工程ステップ
６０２ａ  第１の導電材料の層
６０２ｂ  第１の絶縁体層
６０２ｃ  第２の導電材料の層
６０４  工程ステップ
６０４ａ  円形部分
６０６  工程ステップ
６０６ａ  第２の絶縁体層
６０６ｂ  第３の導電材料の層
６０８  工程ステップ
６０８ａ  スルーホール
６１０  工程ステップ
６１０ａ  第４の導電材料
６１２  工程ステップ
６１２ａ  樹脂
６１４  工程ステップ
６１４ａ  第１の電気パッド導電材料
６１４ｂ  第２の電気パッド導電材料
６１６  工程ステップ
６１６ａ  第１の電気コネクタパッド
６１６ｂ  第２の電気コネクタパッド
【図１】
2019032919.tif 000003
【図２】
2019032919.tif 000004
【図３Ａ】
2019032919.tif 000005
【図３Ｂ】
2019032919.tif 000006
【図３Ｃ】
2019032919.tif 000007
【図４】
2019032919.tif 000008
【図５】
2019032919.tif 000009
【図６】
2019032919.tif 000010
【外国語明細書】
2019032919000001.pdf