(57)【要約】【課題】実装応力および熱歪が半導体チップに伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減すること。【解決手段】基板２は、厚さ方向と直交する一対の主面であるチップ実装面２１および基板裏面２２と、チップ実装面２１および基板裏面２２と交差する基板端面２３と有する。半導体チップ３は、厚さ方向と直交する一対の主面である頂面３１および底面３２を有する板状に形成され、底面３２がチップ実装面２１と接合されることでチップ実装面２１上に実装されている。基板２を支持する筐体４は、基板裏面２２と対向するように設けられた底壁部４５と、基板端面２３と対向するように設けられた側壁部４６とを有する。基板２は、基板端面２３近傍の外縁部２４が筐体４に固定されつつ、外縁部２４以外の中央部２５が筐体４の底壁部４５と非接着状態で対向するように設けられている。【選択図】図１
2019203858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置（１）であって、
厚さ方向と直交する一対の主面であるチップ実装面（２１）および基板裏面（２２）と、前記チップ実装面および前記基板裏面と交差する基板端面（２３）と有する板状に形成された基板（２）と、
前記厚さ方向と直交する一対の主面である頂面（３１）および底面（３２）を有する板状に形成され、前記底面が前記チップ実装面と接合されることで前記チップ実装面上に実装された半導体チップ（３）と、
前記基板裏面と対向する底壁部（４５）と、前記基板端面と対向する側壁部（４６）とを有し、前記基板を支持するように設けられた筐体（４）と、
を備え、
前記基板は、前記基板端面近傍の外縁部（２４）が前記筐体に固定的に支持されつつ、前記外縁部以外の中央部（２５）が前記筐体の前記底壁部と非接着状態で対向するように設けられた、
半導体装置。
【請求項２】
前記基板の前記外縁部は、弾性体（５）および／または接着層（６）を介して、前記筐体の前記側壁部に固定的に支持された、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の前記外縁部と、前記筐体の前記側壁部とは、前記弾性体および前記接着層を介して接合され、
前記弾性体の熱膨張係数αと、前記接着層の熱膨張係数α１と、前記筐体の熱膨張係数α２とは、α１＞α＞α２の関係を有する、
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記基板の前記外縁部は、弾性体（６）を介して、前記筐体の前記側壁部に固定的に支持され、
前記基板端面は、前記厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口することで前記弾性体を収容する基板側溝部（２４１）を有し、
前記筐体の前記側壁部は、前記基板端面に向かって開口することで前記弾性体を収容する筐体側溝部（４６３）を有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記筐体の前記側壁部は、空間を形成する肉抜部（４６４）と、前記基板端面と近接対向するように前記肉抜部と前記基板端面との間に設けられた薄板状の弾性壁部（４６５）とを有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基板端面は、前記弾性壁部に向かって突設された突起部（２４２）を有する、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記肉抜部は、前記側壁部における前記底壁部からの突設方向側の端面（４６１）にて前記厚さ方向に開口するスリット部として形成された、
請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記肉抜部は、前記厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口する孔部として形成された、
請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板の前記外縁部は、前記基板端面に沿って前記厚さ方向に延設された空間であるキャビティ部（２４３）と、前記キャビティ部と前記基板端面との間に設けられた薄板状の薄壁部（２４４）とを有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記筐体の前記側壁部は、前記薄壁部に向かって突設された突起部（４６６）を有する、
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記キャビティ部は、前記厚さ方向に開口するスリット部として形成された、
請求項９または１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記キャビティ部は、前記厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口する孔部として形成された、
請求項９または１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体チップの前記底面は、接着剤（７１）に球状のビーズ（７２）が複数混入された接合層（７）を介して、前記基板の前記チップ実装面と接合された、
請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体チップは、
前記厚さ方向に沿って撓み変形可能な薄板状に形成されたダイアフラム（３３）と、
前記ダイアフラムの周囲に設けられた厚肉部であるダイアフラム支持部（３４）と、
前記ダイアフラムの撓み変形状態に応じて電気特性が変化するように、前記ダイアフラムに設けられた素子部（３５）と、
を有し、
前記ダイアフラム支持部が前記基板の前記チップ実装面と接合された、
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記基板は、前記中央部にて前記厚さ方向に貫通する基板貫通孔（２６）を有し、
前記筐体の前記底壁部は、前記厚さ方向に貫通し前記基板貫通孔と連通する導通孔（４５３）を有し、
前記ダイアフラムに作用する、前記導通孔および前記基板貫通孔と連通する検出空間（Ｃ１）内の流体圧力に対応する電気出力を発生するように構成された、
請求項１４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
筐体の上に基板が設置されるとともに、基板の上に半導体チップが搭載された構成を有する半導体装置が知られている。また、上記の構成が適用される環境に対応するため、基板としてセラミック基板を用いた構成が知られている（例えば特許文献１等参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２００４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、筐体、基板、および半導体チップが積層された構成を有する半導体装置においては、筐体が外部から熱を受けることにより、熱歪が発生する。この熱歪が、基板を介して半導体チップに伝達すると、半導体チップの動作に悪影響が生じ得る。すなわち、例えば、半導体装置が圧力等の物理量を検出する物理量センサを構成する場合、検出精度が低下し得る。
【０００５】
この点、例えば、特許文献１に記載の半導体装置においては、セラミック基板のうち半導体チップの裏面に対向する部位を第１基部とし、その他の部位を第２基部とし、第１基部は第２基部よりも軟質である。これにより、熱歪を半導体チップに伝達しにくくすることができる。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置においても、セラミック基板における半導体チップが実装される一面とは反対側の他面が、接着剤を介して、筐体の実装面に固定されている。接着剤を固化させるためには、通常、加熱が行われる。また、基板と接着剤と筐体とは、通常、熱膨張係数が異なる。
【０００７】
このため、加熱により接着剤を固化した後に、室温等の使用環境温度まで冷却すると、基板と接着剤と筐体との熱膨張係数の相違により、熱歪が発生する。よって、特許文献１に記載の半導体装置においても、かかる熱歪が半導体チップに伝達することによる悪影響をさらに低減する余地があった。
【０００８】
また、一般的には、基板よりも接着剤の方が、熱膨張係数が大きい。このため、加熱固化温度から室温等の使用環境温度までの冷却中における収縮量は、基板よりも接着剤の方が大きい。このため、接着剤層が収縮に伴って厚さ方向に盛り上がることで、基板を厚さ方向に押し上げるような実装応力が発生する。かかる実装応力の一部が半導体チップに伝達すると、半導体チップの動作に悪影響が生じ得る。
【０００９】
本発明は、上記に例示した事情等に鑑みてなされたものであり、実装応力および熱歪が半導体チップに伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の半導体装置（１）は、
厚さ方向と直交する一対の主面であるチップ実装面（２１）および基板裏面（２２）と、前記チップ実装面および前記基板裏面と交差する基板端面（２３）と有する板状に形成された基板（２）と、
前記厚さ方向と直交する一対の主面である頂面（３１）および底面（３２）を有する板状に形成され、前記底面が前記チップ実装面と接合されることで前記チップ実装面上に実装された半導体チップ（３）と、
前記基板裏面と対向する底壁部（４５）と、前記基板端面と対向する側壁部（４６）とを有し、前記基板を支持するように設けられた筐体（４）と、
を備え、
前記基板は、前記基板端面近傍の外縁部（２４）が前記筐体に固定的に支持されつつ、前記外縁部以外の中央部（２５）が前記筐体の前記底壁部と非接着状態で対向するように設けられている。
【００１１】
上記構成においては、前記半導体チップが実装された前記基板の前記外縁部が、前記筐体に固定的に支持される。このとき、前記基板の前記外縁部以外の前記中央部は、前記筐体の前記底壁部と非接着状態で対向する。すなわち、前記基板は、主として前記外縁部にて、前記筐体に固定的に支持される。
【００１２】
このため、前記筐体の前記底壁部と前記基板との間に熱膨張係数の差があっても、これに起因する熱歪あるいは実装応力の発生が、良好に抑制され得る。また、前記筐体の前記側壁部と前記基板との間に熱膨張係数の差があっても、これに起因する熱歪あるいは実装応力は、前記半導体チップに伝達しにくい。したがって、上記構成によれば、実装応力および熱歪が前記半導体チップに伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することが可能となる。
【００１３】
なお、出願書類中の各欄において、各要素に括弧付きの参照符号が付されている場合、かかる参照符号は、単に、同要素と後述する実施形態に記載の具体的構成との対応関係の一例を示すものである。よって、本発明は、かかる参照符号の記載によって、何ら限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第一実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す側断面図である。
【図２】図１に示された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図３Ａ】図１に示された基板の外縁部周辺の構成の一変形例を拡大して示す部分側断面図である。
【図３Ｂ】図１に示された基板の外縁部周辺の構成の他の一変形例を拡大して示す部分側断面図である。
【図３Ｃ】図１に示された基板の外縁部周辺の構成のさらに他の一変形例を拡大して示す部分側断面図である。
【図４】本発明の第二実施形態に係る半導体装置の概略構成を拡大して示す部分側断面図である。
【図５】図４に示された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図６】図４に示された半導体装置の一変形例の構成を示す部分側断面図である。
【図７】図６に示された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図８】本発明の第三実施形態に係る半導体装置の概略構成を拡大して示す部分側断面図である。
【図９】図８に示された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図１０】図８に示された半導体装置の一変形例の構成を示す側断面図である。
【図１１】図１０に示された半導体装置の一部を示す平面図である。
【図１２】図１等に示された筐体の一変形例の要部構成を拡大して示す部分側断面図である。
【図１３】図１等に示された筐体の他の一変形例の要部構成を拡大して示す部分側断面図である。
【図１４】図１等に示された筐体のさらに他の一変形例の要部構成を拡大して示す部分側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施形態）
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、一つの実施形態に対して適用可能な各種の変形例については、当該実施形態に関する一連の説明の途中に挿入されると当該実施形態の理解が妨げられるおそれがあるため、当該実施形態の説明の後にまとめて記載する。
【００１６】
（第一実施形態：構成）
図１を参照すると、本発明の第一実施形態に係る半導体装置１は、圧力センサ装置であって、検出空間Ｃ１内の流体圧力に対応する電気出力を発生するように構成されている。なお、説明の便宜上、図示の通りに、右手系ＸＹＺ三次元座標を設定する。また、対象物を図中Ｚ軸負方向に見ることを「平面視」と称する。
【００１７】
具体的には、本実施形態に係る半導体装置１は、図示しないＤＰＦシステムに装着されることで排気圧力を検出する排気圧センサ装置であって、排気が導入される検出空間Ｃ１と半導体装置１の内部空間Ｃ２との間の差圧に対応する電圧を発生するように構成されている。ＤＰＦシステムは、エンジン排気中のＰＭを除去するフィルタを備えた、排気処理システムである。ＤＰＦはDiesel  Particulate  Filterの略であり、ＰＭはParticulate  Matterの略である。
【００１８】
本実施形態においては、半導体装置１は、基板２と、半導体チップ３と、筐体４と、弾性体５と、接着層６と、接合層７と、ボンディングワイヤ８を備えている。以下、本実施形態に係る半導体装置１の各部の構成について説明する。
【００１９】
基板２は、図中Ｚ軸方向と平行な厚さ方向を有する板状に形成されている。すなわち、基板２は、チップ実装面２１と、基板裏面２２と、基板端面２３とを有している。基板２の厚さ方向と直交する一対の主面のうちの一方であるチップ実装面２１には、半導体チップ３が実装されている。基板裏面２２は、基板２の厚さ方向と直交する一対の主面のうちの他方であって、チップ実装面２１と表裏の関係をなすように設けられている。
【００２０】
基板端面２３は、チップ実装面２１および基板裏面２２と交差する（すなわち例えば直交する）面であって、平面視における基板２の外縁に設けられている。以下の説明において、基板２における、基板端面２３の近傍部分を、外縁部２４と称する。また、基板２における、外縁部２４以外の部分、すなわち、外縁部２４よりも平面視における中心寄り（すなわち内側）の部分を、中央部２５と称する。
【００２１】
本実施形態においては、基板２は、中央部２５に設けられた基板貫通孔２６を有している。基板貫通孔２６は、基板２を厚さ方向に貫通するように形成されている。すなわち、基板貫通孔２６は、半導体チップ３に隣接する検出空間Ｃ１と連通することで、圧力検出対象の流体を検出空間Ｃ１に導入可能に設けられている。
【００２２】
また、基板２には、基板側パッド２７が設けられている。基板側パッド２７は、基板２と半導体チップ３とをワイヤボンディングにより電気接続するための金属製の薄膜パッドであって、チップ実装面２１上に形成されている。
【００２３】
半導体チップ３は、シリコン系半導体基板であって、図中Ｚ軸方向と平行な厚さ方向を有する板状に形成されている。すなわち、半導体チップ３は、頂面３１と底面３２とを有している。頂面３１は、半導体チップ３の厚さ方向と直交する一対の主面のうちの一方であって、底面３２と表裏の関係をなすように設けられている。
【００２４】
底面３２は、接合層７を介して、基板２のチップ実装面２１と対向するように設けられている。すなわち、半導体チップ３は、底面３２が接合層７を介してチップ実装面２１と接合されることで、チップ実装面２１上に実装されている。
【００２５】
本実施形態においては、基板２は、セラミック基板であって、アルミナ等のセラミック材料によって形成されている。すなわち、セラミック基板である基板２は、プリント基板等と比較して高い材料強度を有するとともに、合成樹脂材料と比較して熱劣化が小さいという特徴を有している。
【００２６】
半導体チップ３は、ダイアフラム３３と、ダイアフラム支持部３４とを有している。ダイアフラム３３は、平面視における半導体チップ３の中央部に設けられていて、厚さ方向に沿って撓み変形可能な薄板状に形成されている。具体的には、ダイアフラム３３は、平面視にて、基板貫通孔２６と重なる位置に配置されている。
【００２７】
ダイアフラム支持部３４は、ダイアフラム３３の周囲に設けられた厚肉部であって、ダイアフラム３３の平面視における外縁を支持するように設けられている。ダイアフラム３３とダイアフラム支持部３４とは、継目なく一体に形成されている。ダイアフラム支持部３４は、基板２のチップ実装面２１と、接合層７を介して接合されている。
【００２８】
本実施形態においては、ダイアフラム３３は、半導体チップ３における頂面３１側に配置されている。すなわち、ダイアフラム３３の、検出空間Ｃ１に面する表面とは反対側の表面は、半導体チップ３における頂面３１と一致する平面状に形成されている。そして、検出空間Ｃ１は、底面３２側からダイアフラム３３に向かって凹設された凹部によって形成されている。
【００２９】
半導体チップ３は、ダイアフラム３３に作用する検出空間Ｃ１内の流体圧力に対応する電気出力（例えば電圧）を発生するように構成されている。具体的には、ダイアフラム３３には、素子部３５が形成されている。素子部３５は、いわゆるゲージ抵抗であって、ダイアフラム３３の撓み変形状態に応じて電気特性すなわち電気抵抗が変化するように設けられている。
【００３０】
本実施形態においては、素子部３５は、拡散抵抗であって、シリコン系半導体基板を構成するダイアフラム３３に頂面３１側からイオン注入することによって形成されている。また、ダイアフラム３３には、複数の素子部３５が設けられている。そして、複数の素子部３５によって、ブリッジ回路が形成されている。
【００３１】
素子部３５は、不図示の配線パターンを介して、チップ側パッド３６と電気接続されている。チップ側パッド３６は、基板２と半導体チップ３とをワイヤボンディングにより電気接続するための金属製の薄膜パッドであって、頂面３１上に形成されている。すなわち、チップ側パッド３６は、ボンディングワイヤ８によって、基板側パッド２７と電気接続されている。
【００３２】
筐体４は、基板２を固定的に支持しつつ収容するように設けられている。また、筐体４は、半導体チップ３によって検出された流体圧力に対応する電気信号を外部に出力するための、不図示のコネクタ部を有している。このコネクタ部は、基板側パッド２７と、不図示の配線を介して電気接続されている。このコネクタ部に、例えばワイヤハーネス等の外部配線部材が接続されることで、半導体装置１が外部回路に電気接続されるようになっている。
【００３３】
本実施形態においては、筐体４は、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂材料によって、基板２およびこれに実装された半導体チップ３の外側を囲む箱状に形成されている。具体的には、筐体４は、上部筐体４１と下部筐体４２とを有している。
【００３４】
上部筐体４１は、天板部４３と側板部４４とを有している。天板部４３と側板部４４とで囲まれた空間によって形成された凹部は、基板２および半導体チップ３に向かって開口するように設けられている。
【００３５】
天板部４３は、図中Ｚ軸方向と平行な厚さ方向を有する板状に形成されている。側板部４４は、天板部４３の平面視における外縁から図中Ｚ軸負方向に延設された筒状部であって、型成形によって天板部４３と継目なく一体に形成されている。上部筐体４１の側板部４４における突設方向側の端面である下端面４４１は、図中Ｚ軸負方向を法線方向とする平面状に形成されている。
【００３６】
下部筐体４２は、底壁部４５と側壁部４６とを有している。底壁部４５と側壁部４６とは、型成形によって継目なく一体に形成されている。
【００３７】
底壁部４５は、図中Ｚ軸方向と平行な厚さ方向を有する板状に形成されている。底壁部４５は、基板裏面２２と対向するように設けられている。すなわち、底壁部４５は、厚さ方向と直交する一対の主面である、内表面４５１および外表面４５２を有している。内表面４５１は、基板裏面２２と対向するように設けられている。外表面４５２は、内表面４５１と表裏の関係をなすように設けられている。
【００３８】
底壁部４５は、導通孔４５３を有している。導通孔４５３は、底壁部４５を厚さ方向に貫通する貫通孔であって、平面視にて基板貫通孔２６と重なる位置に配置されている。すなわち、導通孔４５３は、基板貫通孔２６を介して検出空間Ｃ１と連通することで、圧力検出対象の流体を検出空間Ｃ１に導入可能に設けられている。
【００３９】
側壁部４６は、底壁部４５の平面視における外縁から突設された筒状部あるいは突起部であって、底壁部４５から図中Ｚ軸正方向に延設されている。側壁部４６は、図中Ｚ軸方向と直交する面内方向について、基板端面２３と対向するように設けられている。
【００４０】
下部筐体４２の側壁部４６における突設方向側の端面である上端面４６１は、上部筐体４１の側板部４４における下端面４４１と、レーザ溶着等によって気密的に接合されている。これにより、基板２と上部筐体４１との間に、内部空間Ｃ２が形成されている。
【００４１】
図１および図２を参照しつつ、本実施形態における、基板２の支持構造について説明する。なお、図示の都合上、図２の平面図は、図１における上部筐体４１を取り外した状態を示している。
【００４２】
本実施形態においては、基板２は、専ら外縁部２４にて、筐体４に支持されている。すなわち、基板２は、外縁部２４が側壁部４６に固定的に支持されつつ、中央部２５が底壁部４５と非接着状態で対向するように設けられている。
【００４３】
具体的には、基板２の外縁部２４は、弾性体５および接着層６を介して、筐体４の側壁部４６に固定的に支持されている。すなわち、基板２の外縁部２４と、筐体４の側壁部４６とは、弾性体５および接着層６を介して接合されている。また、弾性体５の熱膨張係数αと、接着層６の熱膨張係数α１と、筐体４の熱膨張係数α２とは、α１＞α＞α２の関係を有している。さらに、基板２の中央部２５における基板裏面２２と、筐体４の底壁部４５における内表面４５１との間には、隙間が設けられている。
【００４４】
本実施形態においては、側壁部４６には、切欠部４６２が設けられている。切欠部４６２は、側壁部４６の上端部且つ平面視における内周部を、側断面視にて矩形状に切欠くように形成されている。
【００４５】
切欠部４６２は、側板部４４の下端面４４１と側壁部４６の上端面４６１とが当接するように上部筐体４１と下部筐体４２とを重合させた状態で、基板２の外縁部２４と弾性体５と接着層６とが収容される角溝を形成するように設けられている。すなわち、切欠部４６２は、筐体４における基板２の支持部あるいは固定部を構成するようになっている。側板部４４の下端面４４１と側壁部４６の切欠部４６２とによって形成された角溝における幅に対応する、切欠部４６２の図中Ｚ軸方向寸法である切欠深さは、基板２の厚さに対応する寸法に設定されている。具体的には、上記の角溝は、基板２を所定の嵌め合い交差にて収容可能に形成されている。
【００４６】
弾性体５は、周知のＯリングを構成するような良好な圧縮復元力を持つ合成ゴムによって、リング状に形成されている。本実施形態においては、弾性体５の内周面は、接着層６を構成する内側接着層６１を介して、基板端面２３と接合されている。また、弾性体５の外周面は、接着層６を構成する外側接着層６２を介して、筐体４の側壁部４６における切欠部４６２の内周面と接合されている。接着層６は、エポキシ系の接着剤により形成されている。弾性体５および接着層６の、図中Ｚ軸方向寸法である幅は、基板２の厚さに対応する寸法に設定されている。具体的には、弾性体５および接着層６は、基板２の厚さとほぼ同一の幅に形成されている。
【００４７】
基板２と半導体チップ３とを接合する接合層７は、接着剤層７１に球状のビーズ７２が複数混入された構成を有している。接着剤層７１は、ビーズ７２の外径に対応する厚さ、換言すれば、ビーズ７２の外径と同等の厚さに形成されている。すなわち、ビーズ７２は、基板２と半導体チップ３とを接合する接合層７の厚さを一定に保持するとともに、基板２から半導体チップ３への実装応力および熱歪の伝達を緩和するように設けられている。
【００４８】
本実施形態においては、接着剤層７１は、弾性接着剤層であって、シリコーン系接着剤によって形成されている。ビーズ７２は、低弾性の合成樹脂材料（例えばエポキシ樹脂等）によって形成された略球形の単分散マイクロビーズであって、ほぼ均一な外径に形成されている。
【００４９】
（製造方法）
以下、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法を、各図を参照しつつ、概略的に説明する。
【００５０】
まず、上部筐体４１と下部筐体４２とを、それぞれ成型する。また、ビーズ７２を含んだ接合層７を用いて、基板２の一面であるチップ実装面２１上に、半導体チップ３を実装する。
【００５１】
次に、基板２の外縁部２４と弾性体５とを、内側接着層６１を介して接合する。続いて、基板２と接着された弾性体５の面内方向における外周面と、下部筐体４２に設けられた切欠部４６２の内周面とを、外側接着層６２を介して接合する。これにより、弾性体５が外縁部２４に接着された基板２が、弾性体５および接着層６を介して、下部筐体４２に固定的に支持される。
【００５２】
最後に、基板２および半導体チップ３を覆うように、上部筐体４１と下部筐体４２とを、レーザ溶着等で接合することで、図１に示された半導体装置１が形成される。なお、半導体チップ３のチップ側パッド３６と基板２の基板側パッド２７とをボンディングワイヤ８で繋ぐワイヤボンディング工程は、基板２を下部筐体４２に装着する前後のいずれでもよい。
【００５３】
（効果）
以下、本実施形態の構成による動作概要とともに、同構成により奏される効果について、各図を参照しつつ説明する。
【００５４】
圧力検出対象の流体が検出空間Ｃ１に導入されると、ダイアフラム３３は、検出空間Ｃ１と内部空間Ｃ２との差圧に応じて撓み変形する。これにより、ダイアフラム３３に設けられた素子部３５に応力が作用する。素子部３５の電気抵抗は、応力の作用状態に応じて変化する。このため、複数の素子部３５によって形成されたブリッジ回路に所定の電源電圧が印加されると、かかるブリッジ回路は、ダイアフラム３３の撓み変形に応じた電圧を出力する。これにより、検出空間Ｃ１における流体圧力を検出することができる。
【００５５】
上記のように、基板２、半導体チップ３、および筐体４が積層された構成を有する半導体装置１においては、筐体４が外部から熱を受けることにより、熱歪が発生する。この熱歪が、基板２を介して半導体チップ３に伝達すると、半導体チップ３の動作に悪影響が生じ得る。すなわち、圧力センサ装置である半導体装置１における、圧力検出精度が低下し得る。具体的には、ゼロ点が変動したり、温度特性の直線性が低下したりする。
【００５６】
この点、本実施形態においては、半導体チップ３が実装された基板２の外縁部２４が、筐体４に固定的に支持される。このとき、基板２の外縁部２４以外の中央部２５は、筐体４の底壁部４５と非接着状態で対向する。すなわち、基板２は、主として外縁部２４にて、筐体４に固定的に支持される。具体的には、基板２にて、筐体４に固定されている部分は、外縁部２４のみである。また、基板裏面２２は、筐体４の底壁部４５に対して固定されていない。
【００５７】
このため、基板２と筐体４の底壁部４５との間に熱膨張係数の差があっても、これに起因する熱歪あるいは実装応力の発生が、良好に抑制され得る。また、基板２と筐体４の側壁部４６との間に熱膨張係数の差があっても、これに起因する熱歪は、半導体チップ３に伝達しにくい。したがって、上記構成によれば、熱歪が半導体チップ３に伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することが可能となる。すなわち、ゼロ点の変動が良好に抑制されるとともに、温度特性が改善され得る。
【００５８】
本実施形態においては、基板２の外縁部２４と、筐体４の側壁部４６とは、弾性体５および接着層６を介して接合されている。基板２と、筐体４と、これらを接合するための接着層６とは、通常、熱膨張係数が異なる。また、一般的には、基板２よりも接着層６の方が、熱膨張係数が大きい。さらに、接着層６を固化させるために、加熱が行われる場合があり得る。このため、従来の構成においては、加熱固化後に、室温等の使用環境温度まで冷却すると、基板２と筐体４と接着層６との熱膨張係数の相違により、熱歪が発生することが想定される。
【００５９】
この点、本実施形態においては、基板２と接着層６との接合部は、基板端面２３のみに存在し、基板２のチップ実装面２１および基板裏面２２には存在しない。このため、接着層６が熱収縮した場合でも、基板２を厚さ方向に押し上げるような実装応力は作用しない。また、筐体４と接着層６との熱歪により、面内方向の応力が生じても、基板２への伝達が弾性体５により緩和され得る。したがって、上記構成によれば、実装応力および熱歪が半導体チップ３に伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することが可能となる。
【００６０】
本実施形態においては、弾性体５の熱膨張係数αと、接着層６の熱膨張係数α１と、筐体４の熱膨張係数α２とは、α１＞α＞α２の関係を有する。これにより、弾性体５が、筐体４と接着層６とによる熱歪を、良好に吸収する。したがって、熱歪を半導体チップ３に伝わりにくくすることができる。
【００６１】
本実施形態においては、半導体チップ３の底面３２は、接着剤層７１に球状のビーズ７２が複数混入された接合層７を介して、基板２のチップ実装面２１と接合されている。かかる接合層７により、基板２から半導体チップ３への実装応力および熱歪の伝達を、よりいっそう良好に緩和することが可能となる。
【００６２】
（第一実施形態の変形例）
以下、第一実施形態の構成に対して適用される変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、主として、第一実施形態と異なる部分について説明する。また、第一実施形態と変形例とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の変形例の説明において、第一実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、第一実施形態における説明が適宜援用され得る。第二実施形態等の構成に対して適用される変形例の説明についても同様である。
【００６３】
弾性体５と、内側接着層６１と、外側接着層６２とのうちの、少なくともいずれか１つは、省略され得る。例えば、弾性接着剤を固化することによって弾性体５を形成した場合、接着層６は省略される。すなわち、この場合、弾性体５と接着層６とが一体化され得る。
【００６４】
基板２の外縁部２４は、筐体４に対して接着されていなくてもよい。図３Ａ〜図３Ｃに示された変形例においては、接着層６が省略されている。すなわち、基板２の外縁部２４は、弾性体５を介して、筐体４の側壁部４６に固定的且つ弾性的に支持されている。
【００６５】
具体的には、図３Ａ〜図３Ｃに示されたように、基板端面２３は、基板側溝部２４１を有している。基板側溝部２４１は、厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口することで、弾性体５を収容するように形成されている。一方、筐体４の側壁部４６は、筐体側溝部４６３を有している。筐体側溝部４６３は、基板端面２３すなわち基板側溝部２４１に向かって開口することで、弾性体５を収容するように形成されている。
【００６６】
弾性体５は、周知のＯリングを構成するような良好な圧縮復元力を持つ合成ゴムによって、平面視にてリング状に形成されている。基板２を筐体４に装着する前の段階において、弾性体５は、基板側溝部２４１に装着されるようになっている。
【００６７】
かかる構成によれば、上記の第一実施形態と同様に、基板２は、専ら外縁部２４にて、筐体４により固定的且つ弾性的に支持される。よって、基板２への実装応力および熱歪の伝達が、弾性体５により良好に緩和され得る。また、基板２の外縁部２４と筐体４との固定的支持部にて、接着剤を省略することで、熱歪および実装応力の発生が良好に抑制され得る。
【００６８】
また、かかる構成によれば、基板端面２３に対する弾性体５の装着が、簡易且つ良好に行われ得る。さらに、基板端面２３に弾性体５を装着した基板２の、筐体４に対する装着が、簡易且つ良好に行われ得る。
【００６９】
なお、弾性体５の断面形状には、特段の限定はない。すなわち、例えば、弾性体５の断面形状は、図３Ａに示されたように矩形状であってもよいし、図３Ｂに示されたように円形あるいは楕円形であってもよい。さらに、図３Ｃに示されたように、弾性体５は、基板端面２３の全体を覆うように形成されていてもよい。
【００７０】
（第二実施形態）
以下、第二実施形態の構成について説明する。以下の第二実施形態の説明においては、主として、第一実施形態と異なる部分について説明する。また、第一実施形態と第二実施形態とにおいて、互いに同一または均等である部分には、同一符号が付されている。したがって、以下の第二実施形態の説明において、第一実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾または特段の追加説明なき限り、第一実施形態における説明が適宜援用され得る。後述する第三実施形態等の説明においても同様である。
【００７１】
本実施形態においては、図１および図２に示された弾性体５が省略されている。すなわち、本実施形態においては、図１および図２に示された弾性体５に代えて、基板２の外縁部２４を弾性的に支持する構造が、筐体４側に設けられている。
【００７２】
図４および図５を参照すると、基板端面２３は、基板側突起部２４２を有している。基板側突起部２４２は、基板端面２３から基板２の外側に向かって面内方向に突設されている。基板側突起部２４２は、平面視における基板２の全周にわたって複数個設けられている。具体的には、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、複数の基板側突起部２４２が等間隔で配置されている。また、基板２の厚さ方向に沿って、一対の基板側突起部２４２が配列されている。
【００７３】
下部筐体４２の側壁部４６における、基板側突起部２４２の突設先に対応する位置には、肉抜部４６４および弾性壁部４６５が設けられている。肉抜部４６４は、空間を形成する部分であって、切欠部４６２の内周面の近傍に配置されている。
【００７４】
本実施形態においては、肉抜部４６４は、側壁部４６の上端面４６１にて厚さ方向に開口するスリット部として形成されている。すなわち、肉抜部４６４は、側壁部４６の上端面４６１から底壁部４５の外表面４５２に向かって所定深さで孔形成することによって設けられている。また、複数の肉抜部４６４が、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、基板側突起部２４２に対応する位置に設けられるように等間隔で配置されている。
【００７５】
肉抜部４６４は、厚さ方向と直交する面内方向、具体的には、基板側突起部２４２と対向する対向方向について、弾性壁部４６５と隣接配置されている。弾性壁部４６５は、切欠部４６２の内周面の近傍に設けられた薄板状の部分であって、基板端面２３と近接対向するように、基板端面２３と肉抜部４６４との間に設けられている。すなわち、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向に平面視における長手方向を有するスリット状の肉抜部４６４を、切欠部４６２の内周面の近傍に穿設することによって、弾性壁部４６５が形成されている。
【００７６】
本実施形態においては、複数の弾性壁部４６５が、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、基板側突起部２４２に対応する位置に設けられるように等間隔で配置されている。基板端面２３に設けられた基板側突起部２４２は、弾性壁部４６５に向かって突設されている。弾性壁部４６５は、基板側突起部２４２と当接することで、対向方向に撓み変形可能に形成されている。
【００７７】
本実施形態においては、接着層６は、切欠部４６２によって形成された角溝に基板２の外縁部２４を収容して基板側突起部２４２を弾性壁部４６５に当接した状態で、かかる角溝内に充填されている。すなわち、接着層６は、基板端面２３と、チップ実装面２１および基板裏面２２における外縁部２４に対応する部分とを覆うように設けられている。
【００７８】
本実施形態の構成によれば、基板端面２３に設けられた基板側突起部２４２と、筐体４の側壁部４６に設けられた弾性壁部４６５とが当接することで、基板２の外縁部２４を弾性的に支持する構造が実現される。かかる構造は、図１および図２に示された弾性体５と同様に機能する。したがって、本実施形態によれば、実装応力および熱歪が半導体チップ３に伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することが可能となる。
【００７９】
（第二実施形態の変形例）
以下、第二実施形態の構成に対して適用される変形例について説明する。
【００８０】
基板側突起部２４２は、基板２の厚さ方向に沿って一対設けられていた。しかしながら、本発明は、かかる態様に限定されない。すなわち、基板側突起部２４２の、基板２の厚さ方向についての個数は、三個以上であってもよいし、一個であってもよい。
【００８１】
肉抜部４６４および弾性壁部４６５の、形状および構造も、上記の具体例に限定されない。すなわち、例えば、図５に示された、略矩形状の基板２の平面形状における一辺に沿って隣接する複数の肉抜部４６４に代えて、互いに連続した一個のスリット状の肉抜部４６４が形成されていてもよい。この場合、弾性壁部４６５の強度を確保するため、筐体４は金属製あるいはセラミック製であることが好ましい。
【００８２】
図６および図７に示されたように、肉抜部４６４は、厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口する孔部として形成されていてもよい。この場合、図中Ｘ軸方向に穿設された一対の肉抜部４６４と、図中Ｙ軸方向に穿設された一対の肉抜部４６４とが、側壁部４６に設けられている。
【００８３】
かかる構成においては、略矩形状の基板２の平面形状における一辺に対応して配列された複数の基板側突起部２４２に対応して、一個の肉抜部４６４が設けられる。なお、この場合、肉抜部４６４は、図６および図７に示されたように、側壁部４６の上端面４６１にて閉塞された状態で形成されていてもよい。あるいは、肉抜部４６４は、側壁部４６の上端面４６１にて厚さ方向に開口するスリット部あるいは溝部として形成されていてもよい。
【００８４】
上記の例では、基板側突起部２４２と肉抜部４６４とが対向する対向方向について、肉抜部４６４および弾性壁部４６５は、一層形成されていた。しかしながら、本発明は、かかる態様に限定されない。すなわち、対向方向について、肉抜部４６４および弾性壁部４６５は、複数層形成されていてもよい。これにより、応力吸収効果の向上が期待できる。
【００８５】
（第三実施形態）
以下、第三実施形態の構成について説明する。本実施形態においても、図１および図２に示された弾性体５が省略されている。すなわち、本実施形態においては、図１および図２に示された弾性体５に代えて、基板２の外縁部２４を弾性的に支持する構造が、基板２側に設けられている。
【００８６】
図８および図９を参照すると、本実施形態においては、基板２の外縁部２４は、キャビティ部２４３および薄壁部２４４を有している。キャビティ部２４３は、基板端面２３に沿って厚さ方向に延設された空間であって、基板端面２３の近傍に設けられている。
【００８７】
本実施形態においては、キャビティ部２４３は、厚さ方向に開口するスリット部として形成されている。具体的には、キャビティ部２４３は、基板２を厚さ方向に貫通するように設けられている。キャビティ部２４３は、平面視にて、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向に沿った長手方向を有している。また、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、複数のキャビティ部２４３が等間隔で配置されている。
【００８８】
薄壁部２４４は、薄板状の部分であって、キャビティ部２４３と基板端面２３との間に設けられている。すなわち、基板端面２３の近傍に、スリット状のキャビティ部２４３を穿設することによって、薄壁部２４４が形成されている。本実施形態においては、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、複数の薄壁部２４４が等間隔で配置されている。
【００８９】
筐体４の側壁部４６は、切欠部４６２の内壁面から薄壁部２４４に向かって突設された筐体側突起部４６６を有している。筐体側突起部４６６は、薄壁部２４４と当接することで、薄壁部２４４を対向方向に撓み変形させるように設けられている。
【００９０】
本実施形態においては、複数の筐体側突起部４６６が、略矩形状の基板２の平面形状における一辺の長さ方向について、薄壁部２４４に対応する位置に設けられるように等間隔で配置されている。また、基板２の厚さ方向に沿って、一対の筐体側突起部４６６が配列されている。
【００９１】
本実施形態においては、接着層６は、切欠部４６２によって形成された角溝に基板２の外縁部２４を収容して筐体側突起部４６６を薄壁部２４４に当接した状態で、かかる角溝内に充填されている。すなわち、接着層６は、基板端面２３と、チップ実装面２１および基板裏面２２における外縁部２４に対応する部分とを覆うことで、キャビティ部２４３を閉塞するように設けられている。
【００９２】
本実施形態の構成によれば、基板２の外縁部２４に設けられた薄壁部２４４と筐体４の側壁部４６に設けられた筐体側突起部４６６とが当接することで、基板２の外縁部２４を弾性的に支持する構造が実現される。かかる構造は、図１および図２に示された弾性体５と同様に機能する。したがって、本実施形態によれば、実装応力および熱歪が半導体チップ３に伝達することによる悪影響を、従来よりもさらに低減することが可能となる。
【００９３】
（第三実施形態の変形例）
以下、第三実施形態の構成に対して適用される変形例について説明する。
【００９４】
筐体側突起部４６６は、基板２の厚さ方向に沿って一対設けられていた。しかしながら、本発明は、かかる態様に限定されない。すなわち、筐体側突起部４６６の、基板２の厚さ方向についての個数は、三個以上であってもよいし、一個であってもよい。
【００９５】
キャビティ部２４３および薄壁部２４４の、形状および構造も、上記の具体例に限定されない。すなわち、例えば、図９に示された、略矩形状の基板２の平面形状における一辺に沿って隣接する複数のキャビティ部２４３に代えて、互いに連続した一個のスリット状のキャビティ部２４３が形成されていてもよい。
【００９６】
図１０および図１１に示されたように、キャビティ部２４３は、厚さ方向と直交する面内方向に沿って開口する孔部として形成されていてもよい。この場合、図中Ｘ軸方向に穿設された一対のキャビティ部２４３と、図中Ｙ軸方向に穿設された一対のキャビティ部２４３とが、基板２に設けられている。
【００９７】
かかる構成においては、略矩形状の基板２の平面形状における一辺に対応して配列された複数の筐体側突起部４６６に対応して、一個のキャビティ部２４３が設けられる。なお、この場合、キャビティ部２４３は、図１０および図１１に示されたように、基板２のチップ実装面２１および基板裏面２２にて閉塞された状態で形成されていてもよい。あるいは、キャビティ部２４３は、チップ実装面２１および基板裏面２２のいずれか一方にて厚さ方向に開口するスリット部あるいは溝部として形成されていてもよい。
【００９８】
（他の変形例）
本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではない。故に、上記の各実施形態に対しては、適宜変更が可能である。変形例についても、上記に例示したものに限定されない。以下、上記の各実施形態に対して適用可能な、追加の変形例について説明する。
【００９９】
本発明の半導体装置１は、圧電タイプの圧力センサ装置に限定されない。すなわち、本発明は、圧電タイプとは異なるタイプ（例えば静電容量タイプ）の圧力センサ装置に対しても好適に適用可能である。また、検出対象も、排気圧力に限定されず、吸気圧力等の低圧流体圧力であってもよく、燃料圧、ブレーキ油圧、水素ガス圧力、等の高圧流体圧力であってもよい。
【０１００】
本発明の半導体装置１は、圧力センサ装置に限定されない。すなわち、本発明の半導体装置１は、圧力センサ装置以外のセンサ装置、例えば、加速度センサ装置等にも良好に適用され得る。このため、基板貫通孔２６、ダイアフラム３３、導通孔４５３は、適宜省略され得る。
【０１０１】
本発明の半導体装置１は、センサ装置に限定されない。すなわち、半導体チップ３は、センサ機能を有しない単なる回路チップとして構成されていてもよい。要するに、本発明は、半導体チップ３を実装した基板２を筐体４に固定する構造に対して、広く適用可能である。
【０１０２】
基板２は、セラミック基板に限定されない。すなわち、例えば、基板２は、シリコン基板等の半導体基板であってもよい。半導体チップ３も、シリコン基板に限定されず、他の半導体材料によって形成されていてもよい。
【０１０３】
基板２の外縁部２４を弾性支持する構造は、平面視における外縁部２４の全周に設けられていてもよい。あるいは、基板２の外縁部２４を弾性支持する構造は、平面視における外縁部２４の全周のうちの一部に設けられていてもよい。具体的には、基板２が平面視にて矩形状に形成されている場合、基板２の外縁部２４を弾性支持する構造は、平面視矩形状の四辺における、隣接する二辺に対応して設けられていればよい。
【０１０４】
基板２の外縁部２４は、上部筐体４１における側板部４４に固定的に支持されていてもよい。すなわち、筐体４における、基板２を固定的に支持する箇所は、上部筐体４１における側板部４４に設けられていてもよい。具体的には、例えば、切欠部４６２は、上部筐体４１における側板部４４に設けられていてもよい。
【０１０５】
筐体４における、基板２を固定的に支持する箇所は、上部筐体４１と下部筐体４２とに跨って設けられていてもよい。すなわち、例えば、切欠部４６２は、上部筐体４１における側板部４４と、下部筐体４２における側壁部４６とに跨って設けられていてもよい。
【０１０６】
基板裏面２２と、筐体４の底壁部４５における内表面４５１とは、互いに固着していなければ、当接していてもよい。具体的には、例えば、図１２に示されたように、底壁部４５の内表面４５１には、支持突起部４７０が設けられていてもよい。この支持突起部４７０は、基板裏面２２と当接することで、基板２の中央部２５を下方から支持するように形成されている。かかる構成によれば、基板２が筐体４内にて良好に支持され得る。
【０１０７】
筐体４と接着層６と接合部における熱歪をさらに吸収しやすくするため、基板２の外縁部２４を、ヤング率が低く且つ熱膨張係数が筐体４に近い柔らかい基板材料によって形成してもよい。このような構造は、例えば、アルミナに含まれる他の材料の配合量を調整することによって実現可能である。
【０１０８】
図１３および図１４に示されたように、上部筐体４１と下部筐体４２とのうちの一方に係合突起４７１を設けるとともに、他方に係合凹部４７２を設けてもよい。具体的には、図１３および図１４においては、係合突起４７１は、上部筐体４１の側板部４４における下端面４４１から、下部筐体４２に向かって突設されている。一方、係合凹部４７２は、下部筐体４２の側壁部４６における上端面４６１にて、上部筐体４１に向かって開口するように凹設されている。
【０１０９】
かかる構成によれば、側板部４４の下端面４４１と側壁部４６の上端面４６１とが当接するように上部筐体４１と下部筐体４２とを重合させる際に、良好な位置決めが実現される。したがって、半導体装置１の製造工程における作業性が向上する。
【０１１０】
なお、図１３に示されたように、係合凹部４７２は、側壁部４６の上端面４６１における略中央部に設けられていてもよい。あるいは、図１４に示されたように、係合凹部４７２は、側壁部４６の上端面４６１における端部に設けられていてもよい。
【０１１１】
筐体４は、上部筐体４１と下部筐体４２とを有する構成に限定されない。すなわち、例えば、上部筐体４１と下部筐体４２とのうちの、基板２の外縁部２４が固定されない方は、適宜省略可能である。
【０１１２】
第二および第三実施形態において、内部空間Ｃ２の気密性が不要である場合、接着層６は、省略され得る。この場合、側板部４４の下端面４４１と側壁部４６の切欠部４６２とによって形成された角溝における幅に対応する、切欠部４６２の図中Ｚ軸方向寸法である切欠深さは、基板２の厚さに対応する寸法に設定されている。具体的には、上記の角溝は、基板２を所定の嵌め合い交差にて収容可能に形成されている。
【０１１３】
接合層７は、ビーズ７２を有していなくてもよい。
【０１１４】
上記説明において、互いに継目無く一体に形成されていた複数の構成要素は、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されてもよい。同様に、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されていた複数の構成要素は、互いに継目無く一体に形成されてもよい。
【０１１５】
上記説明において、互いに同一の材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに異なる材料によって形成されてもよい。同様に、互いに異なる材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに同一の材料によって形成されてもよい。
【０１１６】
上記実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に本発明が限定されることはない。
【０１１７】
同様に、構成要素等の形状、方向、位置関係等が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に特定の形状、方向、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、方向、位置関係等に本発明が限定されることはない。すなわち、例えば、上記説明における「上」「下」等の表現は、あくまで、図面を参照した説明における、図示の都合上用いられたにすぎない。したがって、「下」は、重力作用方向と一致していてもよいし、異なっていてもよい。各部を構成する材料についても、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の材料に限定される場合等を除き、特段の限定はない。
【０１１８】
変形例も、上記の例示に限定されない。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。同様に、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。さらに、複数の実施形態のうちの少なくとも１つと、複数の変形例のうちの少なくとも１つとが、互いに組み合わされ得る。
【符号の説明】
【０１１９】
１      半導体装置
２      基板
２１    チップ実装面
２３    端面
２４    外縁部
２５    中央部
３      半導体チップ
４      筐体
４５    底壁部
４６    側壁部
【図１】
2019203858.tif 000003
【図２】
2019203858.tif 000004
【図３Ａ】
2019203858.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2019203858.tif 000007
【図４】
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【図５】
2019203858.tif 000009
【図６】
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【図７】
2019203858.tif 000011
【図８】
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【図９】
2019203858.tif 000013
【図１０】
2019203858.tif 000014
【図１１】
2019203858.tif 000015
【図１２】
2019203858.tif 000016
【図１３】
2019203858.tif 000017
【図１４】
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