(57)【要約】【課題】潜在的に存在する空隙などの構造欠陥を有する積層セラミック電子部品を取り除くことが可能な積層セラミック電子部品のスクリーニング方法を提供する。【解決手段】積層セラミック電子部品のスクリーニング方法であって、積層セラミック電子部品１０をバレル５４に投入し、バレルごと電解液５２に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程（Ｓ０１）と、バレルに導電性のショット６０をさらに投入し、積層セラミック電子部品を電解液５２に浸した状態でバレル５４を回転させる工程（Ｓ０２）と、電解液中に設けられた電極棒（アノード）５６にプラス電位を印加する工程（Ｓ０３）と、電極棒（アノード）５６にプラス電位を印加した状態でバレル５４を回転させる工程（Ｓ０４）と、積層セラミック電子部品を洗浄する工程（Ｓ０５）と、洗浄工程（Ｓ０５）の後に電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験を行う工程（Ｓ０６）と、を備える。【選択図】図５
2019216206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層上に配置された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の表面に配置される外部電極と、
を有する積層セラミック電子部品のスクリーニング方法であって、
前記積層セラミック電子部品をバレルに投入し、前記積層セラミック電子部品が入ったバレルごと電解液に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程と、
前記バレルに導電性のショットをさらに投入し、前記積層セラミック電子部品を電解液に浸した状態でバレルを回転させる工程と、
前記電解液中に設けられた電極棒（アノード）にプラス電位を印加する工程と、
前記電極棒（アノード）にプラス電位を印加した状態でバレルを回転させる工程と、
前記積層セラミック電子部品を洗浄する工程と、
前記洗浄工程の後に、電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験を行う工程と、
を備える、積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項２】
積層された複数の誘電体層と、前記誘電体層上に配置された複数の内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の表面に配置される外部電極と、
を有する積層セラミック電子部品のスクリーニング方法であって、
前記積層セラミック電子部品と導電性のショットとをバレルに投入し、前記積層セラミック電子部品が入ったバレルごと電解液に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程と、
前記積層セラミック電子部品を電解液に浸した状態でバレルを回転させる工程と、
前記電解液中に設けられた電極棒（アノード）にプラス電位を印加する工程と、
前記電極棒（アノード）にプラス電位を印加した状態でバレルを回転させる工程と、
前記積層セラミック電子部品を洗浄する工程と、
前記洗浄工程の後に、電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験を行う工程と、
を備える、積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項３】
前記積層セラミック電子部品の外部電極は、下地電極層のみが形成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項４】
前記バレルを揺動させる工程をさらに備える、請求項１ないし請求項３に記載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項５】
前記電解液は、中性水溶液またはアルカリ水溶液である、請求項１ないし請求項４に記載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項６】
前記電解液の中性水溶液は、硫酸ナトリウム水溶液である、請求項５に記載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【請求項７】
前記電解液のアルカリ水溶液は、炭酸ナトリウム水溶液またはホウ酸ナトリウム水溶液である、請求項５に記載の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック電子部品のスクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品においては、小型化や、静電容量の大容量化の要求があり、年々、積層セラミック電子部品に対する要求が高まっている。そのような状況の中、積層セラミック電子部品の製造の過程で、外部電極における下地電極層の内部や、積層セラミック電子部品の積層体の内部において、潜在的に存在する空隙などの構造欠陥を有する場合がある。
【０００３】
このように、外部電極における下地電極層の内部や、積層セラミック電子部品の積層体の内部において、空隙などの構造欠陥を有するものに対し、下地電極層上にめっき層を形成する場合、下地電極層の空隙などの構造欠陥部分から積層体の内部にめっき液が進入し、内部電極と誘電体層との隙間や、積層体内部における誘電体層の空隙などの構造欠陥部分にめっき液が残留してしまい、後に、誘電体層同士の間や、誘電体層と内部電極との間において、剥離が生じてしまうことがわかった。その結果、積層セラミック電子部品において、ショートやＩＲ劣化（絶縁抵抗性劣化）、耐湿性の劣化が生じてしまう場合があることがわかった。
【０００４】
そこで、構造欠陥が生じた積層セラミック電子部品を取り除く方法として、例えば、特許文献１のような方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２１９３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）にクラックなどの明らかな構造欠陥が生じているものに対しては有効ではあるものの、外部電極の下地電極層の内部や、積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）の積層体の内部において、潜在的に存在する空隙などの構造欠陥を有するものに対してはその効果を得ることができない。具体的には、誘電体層同士の間や、誘電体層と内部電極との間で、めっき後に発生し得る剥離などの構造欠陥までは取り除くことができない。
【０００７】
したがって、本発明では上記の課題を解決することが可能な積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品のスクリーニング方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る積層セラミック電子部品のスクリーニング方法は、積層された複数の誘電体層と、誘電体層上に配置された複数の内部電極とを有する積層体と、積層体の表面に配置される外部電極と、を有する積層セラミック電子部品のスクリーニング方法であって、積層セラミック電子部品をバレルに投入し、積層セラミック電子部品が入ったバレルごと電解液に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程と、バレルに導電性のショットをさらに投入し、積層セラミック電子部品を電解液に浸した状態でバレルを回転させる工程と、電解液中に設けられた電極棒（アノード）にプラス電位を印加する工程と、電極棒（アノード）にプラス電位を印加した状態でバレルを回転させる工程と、積層セラミック電子部品を洗浄する工程と、洗浄工程の後に、電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験を行う工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、外部電極における下地電極層の内部や、積層セラミック電子部品の積層体の内部に、潜在的に空隙などの構造欠陥を有する積層セラミック電子部品において、下地電極層上にめっき層を形成し、下地電極層の空隙などの構造欠陥部分から積層体の内部にめっき液が進入し、内部電極と誘電体層の隙間や、積層体内部における誘電体層の潜在的な空隙などの構造欠陥部分にめっき液が残留してしまった際、誘電体層同士の間や、誘電体層と内部電極との間において、めっき後に剥離が発生し得る積層セラミック電子部品を、事前に取り除くことが可能となる。
【００１０】
そのメカニズムとしては、加圧もしくは真空引きにより電解液が構造欠陥部分（内部電極露出部）に浸透し、そこに下地電極層を通じてマイナス電位が印加されることにより誘電体層と内部電極界面を結合させている酸化ニッケルが還元される。この還元が一定以上進行することで層間剥離が生じる。層間剥離が生じた積層セラミック電子部品は簡易測定により良品と区別可能であるため容易に除去可能であり、上記のような効果を得ることができる。
【００１１】
また、特許文献１の電解液の役割は、積層体間にまたがったクラックに浸透し、導通させるのみであるため、すでに積層体間に発生し、なおかつ外部と導通しているクラックのみしか除去できない。しかし、本発明では、電解液に浸漬させた電解バレル装置を用いることで、連続的に積層セラミック電子部品の構造欠陥部分にマイナス電位を印加することが可能となる。これにより欠陥品のみに層間剥離が生じるため、内部電極が外部に露出している状態にある積層セラミック電子部品を全て層間剥離させ、除去することが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外部電極の下地電極層の内部や、積層体の内部において、潜在的に存在する空隙などの構造欠陥を有する積層セラミック電子部品を取り除くことが可能な積層セラミック電子部品のスクリーニング方法を提供することができる。
【００１３】
本発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す外観斜視図である。
【図２】積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】（ａ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が２つに分割された構造を示す図である。（ｂ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が３つに分割された構造を示す図である。（ｃ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が４つに分割された構造を示す図である。
【図５】本発明にかかる積層セラミックコンデンサのスクリーニングに使用される装置の模式図である。
【図６】本発明にかかる積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
１．積層セラミック電子部品
本発明を適応することが可能な積層セラミック電子部品の一例として、本実施の形態では積層セラミックコンデンサを説明するけれども、バリスタなどの積層セラミック電子部品であってもよいということは言うまでもない。
【００１６】
本発明を適応することが可能な積層セラミック電子部品の一例として、積層セラミックコンデンサ１０について説明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す外観斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。図３は、積層セラミックコンデンサを示す図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４（ａ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が２つに分割された構造を示す図である。図４（ｂ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が３つに分割された構造を示す図である。図４（ｃ）は、積層セラミックコンデンサにおける積層体の内部電極の対向電極部が４つに分割された構造を示す図である。
【００１７】
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体形状を有する積層体１２を含む。
【００１８】
（積層体１２）
積層体１２は、積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６とを含み、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆと、を含む。また、積層体１２は、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体１２の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体１２の隣接する２面が交わる部分のことである。さらに、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全体に凹凸などが形成されていてもよい。
【００１９】
積層体１２の寸法は、第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆとを結ぶ長さ方向ｚの寸法Ｌが０．１５ｍｍ以上６．８ｍｍ以下、第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ幅方向ｙの寸法Ｗが０．０７ｍｍ以上５．８ｍｍ以下、第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂとを結ぶ積層方向ｘの寸法Ｔが０．０７ｍｍ以上２．９ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
（誘電体層１４）
誘電体層１４は、複数の誘電体層１４からなる外層部１４ａと、複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６とからなる内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと最も第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに近い内部電極１６との間に位置する誘電体層１４である。また、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。
【００２１】
積層体１２の誘電体層１４のセラミック材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＺｒＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。
【００２２】
そのほか、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、フェライトなどの磁性体セラミックを用いることもできる。また、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合はインダクタとして機能する。ただし、インダクタの場合、内部電極はコイル状の導体となる。
【００２３】
誘電体層１４の１枚あたりの厚みは、０．７μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。誘電体層１４の枚数は、外層部１４ａも含め１０枚以上１０００枚以下であることが好ましい。外層部１４ａの厚みは、５０μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
（内部電極１６）
内部電極１６は、複数の誘電体層１４と交互に積層され、第１の端面１２ｅに露出する第１の内部電極１６ａと、複数の誘電体層１４と交互に積層され、第２の端面１２ｆに露出する第２の内部電極１６ｂとを有する。
【００２５】
第１の内部電極１６ａは、第２の内部電極１６ｂと互いに対向する第１の対向電極部１８ａと、第１の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の端面１２ｅに引き出される第１の引出電極部２０ａとを備えている。第１の内部電極１６ａの第１の引出電極部２０ａは、端部が積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に引き出されており、露出部を形成している。
【００２６】
第２の内部電極１６ｂは、第１の内部電極１６ａと互いに対向する第２の対向電極部１８ｂと、第２の対向電極部１８ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆに引き出される第２の引出電極部２０ｂとを備えている。第２の内部電極１６ｂの第２の引出電極部２０ｂは、端部が積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に引き出されており、露出部を形成している。
【００２７】
対向電極部１８は、第１の内部電極１６ａの対向電極部１８ａおよび第２の内部電極１６ｂの対向電極部１８ｂによって構成される。第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂのコーナー部を丸めたり、コーナー部を斜め（テーパー状）に形成してよい。
【００２８】
引出電極部２０は、第１の内部電極１６ａの引出電極部２０ａおよび第２の内部電極１６ｂの引出電極部２０ｂによって構成される。第１の引出電極部２０ａおよび第２の引出電極部２０ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、第１の引出電極部２０ａおよび第２の引出電極部２０ｂのコーナー部を丸めたり、コーナー部を斜め（テーパー状）に形成してよい。
【００２９】
第１内部電極１６ａの第１の対向電極部１８ａおよび第２の内部電極１６ｂの第２の対向電極部１８ｂの幅と、第１の内部電極１６ａの第１の引出電極部２０ａおよび第２の内部電極１６ｂの第２の引出電極部２０ｂの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方が、幅が狭く形成されていてもよい。
【００３０】
また、積層体１２は、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂと、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂが対向する第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂと、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂと第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄとの間に位置する積層体１２の側部２２ａ（Ｗギャップ）と、第１の対向電極部１８ａおよび第２の対向電極部１８ｂと第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとの間に位置し、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂのいずれか一方の第１の引出電極部２０ａおよび第２の引出電極部２０ｂを含む積層体１２の端部２２ｂ（Ｌギャップ）とを含む。
【００３１】
また、図４に示すように、内部電極１６には、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極１６ｃが設けられており、浮き内部電極１６ｃによって、対向電極部１８が複数に分割された構造としてもよい。例えば、２連構造（図４（ａ）参照）、３連構造（図４（ｂ）参照）、４連構造（図４（ｃ）参照）である。４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部１８を複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極１６間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ１０の高耐圧化を図ることができる。
【００３２】
第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ−Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。
【００３３】
本実施形態では、第１の内部電極１６ａの第１の対向電極部１８ａおよび第２の内部電極１６ｂの第２の対向電極部１８ｂ同士が誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。
【００３４】
第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂのそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。内部電極１６の枚数は、５枚以上５００枚以下であることが好ましい。
【００３５】
（外部電極２４）
外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂとを有する。
【００３６】
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂは、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆ上に位置している。なお、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂは、第１の主面１２ａ上の一部および第２の主面１２ｂ上の一部、第１の側面１２ｃ上の一部および第２の側面１２ｄ上の一部にまで延びて配置されていることが好ましい。少なくとも実装面側に位置する第２の主面上１２ｂ上の一部にまで延びて形成されていることが好ましい。
【００３７】
第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極１６ａに接続されている。第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極１６ｂに接続されている。
【００３８】
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂは、下地電極層２６とめっき層２８とを有していることが好ましいが、必ずしもめっき層２８を有していなくても良い。
【００３９】
下地電極層２６は、第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂを有する。下地電極層２６は、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【００４０】
焼付け層は、ガラス成分と金属とを含む。焼付け層のガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層の金属は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。
【００４１】
焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、内部電極１６と同時焼成したものでもよく、内部電極１６を焼成した後に焼き付けてもよい。
【００４２】
第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部における第１の焼付け層および第２の焼付け層の厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に下地電極層２６を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向の中央部における第１の焼付け層および第２の焼付け層の厚みは、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。導電性樹脂層を形成する場合は、焼付け層を形成せずに積層体１２上に直接形成してもよい。
【００４４】
導電性樹脂層の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。
【００４５】
導電性樹脂層に含まれる熱硬化性樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
【００４６】
また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。
【００４７】
導電性樹脂層に含まれる金属は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性樹脂層に含まれる金属どうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
【００４８】
導電性樹脂層に含まれる金属の形状は、特に限定されない。導電性樹脂層に含まれる金属は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。また、導電性樹脂層に含まれる金属の平均粒径は、特に限定されない。導電性樹脂層に含まれる金属の平均粒径は、例えば、０．３μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
【００４９】
導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。
【００５０】
導電性樹脂層の金属にＡｇの導電性金属粉を用いる理由としては、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いためである。なお、Ａｇコーティングされた金属を用いる理由としては、上記のＡｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。
【００５１】
導電性樹脂層に含まれる金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
【００５２】
導電性樹脂層は、複数層であってもよい。導電性樹脂層は、焼付け層上に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体１２上に直接配置されてもよい。
【００５３】
第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂの高さ方向中央部における第１の導電性樹脂層および第２の導電性樹脂層の厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に下地電極層２６を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ上に位置する第１の下地電極層２６ａおよび第２の下地電極層２６ｂである長さ方向ｚの中央部における第１の導電性樹脂層および第２の導電性樹脂層の厚みは、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる下地電極層２６よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０へのクラックを防止することができる。
【００５５】
薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００５６】
（めっき層２８）
めっき層２８は、第１のめっき層２８ａと第２のめっき層２８ｂとを有する。第１のめっき層２８ａは、第１の下地電極層２６ａを覆うように配置されている。第２のめっき層２８ｂは、第２の下地電極層２６ｂを覆うように配置されている。
【００５７】
めっき層２８としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
【００５８】
めっき層２８は複数層により形成されていてもよい。好ましくは、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層の２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地電極層２６が積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができ、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
【００５９】
めっき層２８の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
なお、下地電極層２６を設けずにめっき層２８だけで外部電極２４を形成してもよい。
以下、下地電極層２６を設けずにめっき層２８を設ける構造について説明する。
【００６１】
第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂのそれぞれは、下地電極層２６が設けられず、めっき層２８が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極１６ａまたは第２の内部電極１６ｂに電気的に接続されるめっき層２８を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層２８が形成されてもよい。
【００６２】
めっき層２８は、積層体１２の表面に形成される下層めっき層と、下層めっき層の表面に形成される上層めっき層とを含むことが好ましい。
【００６３】
下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
【００６４】
下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。
【００６５】
また、例えば、第１の内部電極１６ａおよび第２の内部電極１６ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂはそれぞれ、下層めっき層のみで構成されてもよい。
【００６６】
めっき層２８は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。
【００６７】
下地電極層２６を設けずにめっき層２８を設ける構造におけるめっき層２８の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００６８】
めっき層２８は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層２８の単位体積あたりの金属割合は、９９ｖｏｌ％以上であることが好ましい。
【００６９】
積層体１２と外部電極２４とを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬM寸法とする。ＬM寸法は、０．２ｍｍ以上７．０ｍｍ以下であることが好ましい。積層体１２と外部電極２４とを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷM寸法とする。ＷM寸法は、０．１ｍｍ以上６．０ｍｍ以下であることが好ましい。積層体１２と外部電極２４とを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴM寸法とする。ＴM寸法は、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００７０】
２．積層セラミック電子部品の製造方法
次に、本発明を適応することが可能な積層セラミック電子部品の製造方法の一例として、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００７１】
まず、誘電体シート、内部電極用の導電性ペーストを準備する。誘電体シートや内部電極用の導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００７２】
次に、誘電体シート上に、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。
【００７３】
次に、内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷された内層用の誘電体シートを順次積層し、さらに、その上に外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、積層シートを作製する。
【００７４】
次に、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし積層ブロックを作製する。
【００７５】
次に、積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出す。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。
【００７６】
次に、積層チップを焼成し積層体を作製する。焼成温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００７７】
次に、積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに下地電極層２６となる導電性ペーストを塗布し、下地電極層２６を形成する。下地電極層２６は、焼付け層、樹脂電極層、薄膜層などで形成することができる。
【００７８】
焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストを例えばディッピングなどの方法により、塗布し、その後、焼き付け処理を行い、下地電極層２６を形成する。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
【００７９】
なお、下地電極層２６を導電性樹脂層で形成する場合は、以下の方法で導電性樹脂層を形成することができる。導電性樹脂層は、焼付け層の表面に形成されてもよく、焼付け層を形成せずに導電性樹脂層を単体で積層体１２上に直接形成してもよい。
導電性樹脂層の形成方法としては、熱硬化性樹脂および金属を含む導電性樹脂ペーストを焼付け層上もしくは積層体１２上に塗布し、２５０℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、熱硬化性樹脂を熱硬化させ、導電性樹脂層を形成する。この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ2雰囲気であることが好ましい。また、熱硬化性樹脂の飛散を防ぎ、かつ、金属の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。
【００８０】
また、下地電極層２６を薄膜層で形成する場合は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により下地電極層２６を形成することができる。薄膜層で形成された下地電極層２６は金属粒子が堆積された１μｍ以下の層とする。
【００８１】
さらに、下地電極層２６を設けずに積層体１２の内部電極１６の露出部にめっき層２８を設けてもよい。その場合は、以下の方法で形成することができる。
積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆにめっき処理を施し、内部電極１６の露出部上にめっき層２８を形成する。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきはめっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを用いることが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき層の表面に形成される上層めっき層を同様に形成してもよい。
【００８２】
その後、下地電極層２６の表面、導電性樹脂層の表面、下層めっき層の表面もしくは上層めっき層の表面に、めっき層２８が形成される。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、たとえばバレルめっき法により、順次形成される。
【００８３】
上記のようにして、本発明にかかる積層セラミック電子部品の一実施例である積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００８４】
３．積層セラミック電子部品のスクリーニング方法
本発明の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法は、積層された複数の誘電体層１４と、誘電体層１４上に配置された複数の内部電極１６とを有する積層体１２と、積層体１２の表面に配置される外部電極２４と、を有する積層セラミック電子部品に適応することができる。
【００８５】
本発明を適応することが可能な積層セラミック電子部品のスクリーニング方法の一例として、積層セラミックコンデンサ１０のスクリーニング方法について、図５および図６に基づいて説明する。図５は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサのスクリーニングに使用される装置の模式図である。図６は、本発明にかかる積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法を示すフローチャートである。
【００８６】
まず、積層セラミックコンデンサ１０をバレル５４に投入し、積層セラミックコンデンサ１０が入ったバレル５４ごと電解液５２に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程（Ｓ０１）を行う。図５に示すように、複数個の積層セラミックコンデンサ１０をバレル５４に投入し、複数の積層セラミックコンデンサ１０が入ったバレル５４ごと電解液５２の中に浸す。
【００８７】
バレル５４は、図５に示すように、中心軸Ｃに直交する方向の断面形状が六角形の多角筒状で有底のバレルである。バレル５４は、中心軸Ｃを回転軸として図５の矢印の方向（Ｒ方向）に回転することができるように構成されている。
【００８８】
なお、本発明で使用する電解液５２は、中性水溶液またはアルカリ水溶液であり、中でも硫酸ナトリウムのような中性の金属塩水溶液や、炭酸ナトリウムやホウ酸ナトリウムのようなアルカリ金属塩水溶液を用いることが好ましい。これにより、酸化ニッケルの還元による層間剥離現象が促進されることで、本発明の効果をより確実なものにすることができる。
【００８９】
真空引きを行う場合は、以下の手順により行うことが好ましい。
使用する電解液５２の入った電解液槽５０に積層セラミックコンデンサ１０を浸漬させ、電解液槽５０を真空チャンバー内に投入する。その後、常温（２０℃±１５℃）、１０ｋＰａ以下で１分以上真空引きを行う。その後、大気圧（１０１ｋＰａ）に解放する。なお、真空引きを行う際に、積層セラミックコンデンサ１０と導電性のショット６０とをバレル５４に一緒に投入した状態で行うことも可能である。
【００９０】
圧力を加える場合は、以下の手順により行うことが好ましい。
使用する電解液５２の入った電解液槽５０に積層セラミックコンデンサ１０を浸漬させ、電解液槽５０を加圧チャンバー内に投入する。その後、常温（２０℃±１５℃）、０．２ＭＰａ以下で１分以上加圧を行う。その後、大気圧（１０１ｋＰａ）に解放する。なお、圧力を加える際に、積層セラミックコンデンサ１０と導電性のショット６０とをバレル５４に一緒に投入した状態で行うことも可能である。
【００９１】
次に、バレル５４に導電性のショット６０をさらに投入し、積層セラミックコンデンサ１０を電解液５２に浸した状態でバレル５４を回転させる工程（Ｓ０２）を行う。積層セラミックコンデンサ１０をバレル５４に投入し、積層セラミックコンデンサ１０が入ったバレル５４ごと電解液５２に浸し、真空引きを行うかまたは圧力を加える工程（Ｓ０１）において、導電性のショット６０を投入していない場合は、積層セラミックコンデンサ１０が投入されたバレル５４に導電性のショット６０を投入する。したがって、バレル５４内には、複数の積層セラミックコンデンサ１０の他に導電性のショット６０が投入されている。バレル５４の回転速度は、３ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下であることが好ましい。
【００９２】
導通性のショット６０は、例えば、スチールショット、カーボンショットなどを用いることができる。導通性のショット６０の直径は、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下のものを用いることが好ましい。
【００９３】
次に、電解液５２中に設けられた電極棒（アノード）５６にプラス電位を印加する工程（Ｓ０３）を行う。積層セラミックコンデンサ１０と導電性のショット６０とが入ったバレル５４が浸漬される電解液５２中に、電極棒（アノード）５６が配置されており、電極棒（アノード）５６にプラスの電位を印加できるようになっている。電極棒（アノード）５６は、電解液５２を通して電極棒（カソード）５８と通電する。電極棒（アノード）５６に印加する電位は２Ｖ以上１５Ｖ以下、電解液５２の温度は常温以上５０℃以下、試験時間は１０分ないし２時間であることが好ましい。
【００９４】
次に、電極棒（アノード）５６にプラス電位を印加した状態でバレル５４を回転させる工程（Ｓ０４）を行う。積層セラミックコンデンサ１０と導電性のショット６０が入ったバレル５４を、電解液５２中に、電極棒（アノード）５６にプラスの電位を印加した状態でバレル５４を回転させる。これにより、電極棒（カソード）５８から導電性のショット６０を通じてマイナス電位が下地電極層２６に印加され、その電位は下地電極層２６を通じて内部電極１６に印加される。これにより内部電極１６と電解液５２との間で酸化還元反応が起こり、誘電体層と内部電極界面の酸化ニッケルが還元される効果を得ることができる。
【００９５】
また、本発明では、バレル５４を揺動させる工程（Ｓ０４Ａ）を含んでいてもよい。バレル５４を揺動させる工程（Ｓ０４Ａ）では、例えば、バレル５４を回転させながらバレル５４が電解液槽５０の液面７０から露出しない範囲で、上下方向（Ｖ方向）または左右方向（Ｈ方向）に揺動を行う。好ましくは、バレル５４の直径の１／４倍以上２倍以下の距離の上下方向（Ｖ方向）または左右方向（Ｈ方向）の揺動を１分間に３往復以上２０往復以下行う。これにより、積層セラミックコンデンサ１０と電解液５２との接触効率が向上し、短時間での欠陥品の層間剥離が可能になる。
【００９６】
また、本発明では、バレル５４を引き上げ、回転させる工程を含んでいてもよい。バレル５４を引き上げ、回転させる工程では、例えば、約１０分間バレル５４を回転させた後、通電を停止してバレル５４を電解液５２中から引き上げ、空中で３ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転速度で１分間回転させる。再びバレル５４を電解液５２に浸漬し、電極棒（アノード）５６に通電しながら、回転させることにより電解スクリーニングを行う。以後、上記の操作（バレル５４を引き上げ、回転させる工程）を繰り返して行う。これにより積層セラミックコンデンサ１０近傍の電解液５２の更新が行われるとともに、電解液５２から引き上げられた状態でバレル５４が回転することにより、バレル５４内での積層セラミックコンデンサ１０の攪拌状態が変化し、再度バレル５４を電解液５２に浸漬して回転させる際に、例えば、引上げ・回転操作を行う前には電解液５２と接触していなかった部分が電解液５２に接触するようになるなど、積層セラミックコンデンサ１０と電解液５２との接触効率が向上し、短時間での欠陥品の層間剥離が可能になる。
【００９７】
次に、積層セラミックコンデンサ１０を洗浄する工程（Ｓ０５）を行う。本発明では、一定時間、電極棒（アノード）５６にプラス電位を印加し、バレル５４を回転させた後、積層セラミックコンデンサ１０を洗浄する。積層セラミックコンデンサ１０を洗浄する工程では、バレル５４の通電を停止して電解液槽５０から引き上げる。バレル５４を空中で３ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転速度で１分間回転させる。洗浄液の入った洗浄槽にバレル５４を浸漬し、３ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転速度で１分間回転させる。洗浄液としては例えば純水を使用する。バレル５４を引き上げ、空中で３ｒｐｍ以上３０ｒｐｍ以下の回転速度で１分間回転させる。
【００９８】
最後に、洗浄工程の後に、電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験を行う工程（Ｓ０６）を行う。
【００９９】
なお、本発明の積層セラミック電子部品のスクリーニング方法は、積層セラミック電子部品の外部電極２４として下地電極層２６とその表面にめっき層２８とが形成された状態でスクリーニングすることも可能であるが、本発明の効果をより顕著なものにするためには、めっき層２８が形成されていない状態（下地電極層２６のみが形成された状態）でスクリーニングすることがより好ましい。
【０１００】
電気特性測定、耐圧試験もしくは超音波探傷試験のそれぞれの方法は以下の通りである。
【０１０１】
（Ａ）電気特性測定
電気特性測定としては、静電容量測定、誘電正接測定、絶縁抵抗測定がある。それぞれの測定方法の詳細は以下の通りである。
（ａ）静電容量測定
具体的には、Ｃメータを使用して交流電圧を積層セラミックコンデンサ１０に印      加して、静電容量を測定する。
層間剥離品についてはこの静電容量値が良品より低下するため、静電容量値に閾      値を設けることで層間剥離品のみをスクリーニングできる。
（ｂ）誘電正接測定
具体的には、ＬＣＲメータを用い交流電圧を積層セラミックコンデンサ１０に印      加して、誘電正接を測定する。
層間剥離品についてはこの誘電正接値が良品より増加するため、誘電正接値に閾      値を設けることで層間剥離品のみをスクリーニングできる。
（ｃ）絶縁抵抗測定
具体的には、直流電源から直流電圧を積層セラミックコンデンサ１０に印加し、      電流計にて積層セラミックコンデンサ１０を流れる漏れ電流値を測定する。この漏      れ電流値と直流電圧値とから積層セラミックコンデンサ１０の絶縁抵抗値を算出し      て求める。
層間剥離品についてはこの絶縁抵抗値が良品より低下するため、絶縁抵抗値に閾
値を設けることで層間剥離品のみをスクリーニングできる。
【０１０２】
（Ｂ）耐圧試験
具体的には、直流電源を用いて、積層セラミックコンデンサ１０の定格を超える直流電圧を積層セラミックコンデンサ１０に印加し、層間剥離品のみをショートさせる。その後、絶縁抵抗値を測定する。ショートに至った層間剥離品は絶縁抵抗値が良品より低下するため、ショートに至った層間剥離品のみをスクリーニングできる。
【０１０３】
（Ｃ）超音波探傷試験
具体的には、積層セラミックコンデンサ１０を積層方向ｘが上になるように整列させる。積層セラミックコンデンサ１０に水中で超音波を照射する。その反射波を解析することにより欠陥の有無を検査する。
層間剥離品は底面波よりも早く反射波が返ってくるため、この差により層間剥離品をスクリーニングできる。
【０１０４】
以上の方法により、本発明では、外部電極２４における下地電極層２６の内部や、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２の内部において、潜在的に空隙などの構造欠陥を有する積層セラミックコンデンサ１０において、下地電極層２６上にめっき層２８を形成し、下地電極層２６の空隙などの構造欠陥部分から積層体１２の内部にめっき液が進入し、内部電極１６と誘電体層１４の隙間や、積層体１２内部における誘電体層１４の潜在的な空隙などの構造欠陥部分にめっき液が残留してしまった際、誘電体層１４同士の間や、誘電体層１４と内部電極１６との間において、めっき後に剥離が発生し得る積層セラミックコンデンサ１０を、事前に取り除くことが可能となる。
【０１０５】
また、本発明では、バレル５４を揺動させる工程（Ｓ０４Ａ）を含んでいてもよい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０と電解液５２との接触効率が向上し、短時間での欠陥品の層間剥離が可能になる。
【０１０６】
また、本発明で使用する電解液５２は、中性水溶液またはアルカリ水溶液であり、中でも硫酸ナトリウムのような中性の金属塩水溶液や、炭酸ナトリウムやホウ酸ナトリウムのようなアルカリ金属塩水溶液を用いることが好ましい。これにより、酸化ニッケルの還元による層間剥離現象が促進されることで、本発明の効果をより確実なものにすることができる。
【０１０７】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置または配置等に関して、様々な変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０８】
１０  積層セラミックコンデンサ（積層セラミック電子部品）
１２  積層体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｃ  第１の側面
１２ｄ  第２の側面
１２ｅ  第１の端面
１２ｆ  第２の端面
１４  誘電体層
１４ａ  外層部
１４ｂ  内層部
１６  内部電極
１６ａ  第１の内部電極
１６ｂ  第２の内部電極
１６ｃ  浮き内部電極
１８  対向電極部
１８ａ  第１の対向電極部
１８ｂ  第２の対向電極部
２０  引出電極部
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６  下地電極層
２６ａ  第１の下地電極層
２６ｂ  第２の下地電極層
２８  めっき層
２８ａ  第１のめっき層
２８ｂ  第２のめっき層
５０  電解槽
５２  電解液
５４  バレル
５６  電極棒（アノード）
５８  電極棒（カソード）
６０  導電性のショット
７０  電解液面
ｘ  積層方向
ｙ  幅方向
ｚ  長さ方向
Ｌ  長さ方向ｚの長さ
Ｔ  積層方向ｘの長さ
Ｗ  幅方向ｙの長さ
Ｈ  水平方向
Ｖ  垂直方向
Ｒ  バレルの回転方向
Ｃ  バレルの回転軸
【図１】
2019216206.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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