(57)【要約】 【課題】  レジストを十分に密着させ、良好な配線パターンを形成する。【解決手段】  実施形態にかかる配線パターンの形成方法は、絶縁基材上に導体層を形成し、導体層表面に分子接合層を形成して、分子接合層を導体層表面に化学結合させ、分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、感光性樹脂層を分子接合層に化学結合させ、感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、感光性樹脂層を介して導体層をエッチングすることを含む。【選択図】図１Ｇ
2019159151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材上に導体層を形成し、
前記導体層表面に分子接合層を形成して、前記分子接合層を前記導体層表面に化学結合させ、
前記分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、前記感光性樹脂層を前記分子接合層に化学結合させ、
前記感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、
前記感光性樹脂層を介して前記導体層をエッチングすることを含む配線パターンの形成方法。
【請求項２】
絶縁基材上にシード層を形成し、
前記シード層表面に分子接合層を形成して、前記分子接合層を前記シード層表面に化学結合させ、
前記分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、前記感光性樹脂層を前記分子接合層に化学結合させ、
前記感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、
前記感光性樹脂層を介して前記シード層上に導体層を形成することを含む配線パターンの形成方法。
【請求項３】
前記分子接合層は、トリアジン誘導体を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記トリアジン誘導体は、光反応性官能基を有し、
前記感光性樹脂層を露光した時、前記感光性樹脂層が硬化すると共に前記分子接合層が光反応して前記感光性樹脂層と化学結合することを請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記分子接合層は、単分子層または多分子層である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法により製造される配線パターンを含むことを特徴とするプリント回路基板。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法により製造される配線パターンを含むことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法により製造される配線パターンを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、配線パターンの形成方法、これを用いたプリント回路基板、半導体パッケージ、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板、例えばＷＬＣＳＰ（ウエハレベルチップサイズパッケージ）、ＦＯＷＬＰ（ファンアウトウエハレベルパッケージ）、ガラスインターポーザー、Ｓｉインターポーザーなどの半導体パッケージ、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）、液晶などにおいて、感光性のフィルムや液状のレジストを使って配線を形成している。
【０００３】
配線パターン形成方法のひとつであるサブトラクティブ法では、絶縁材上に導体を形成した後、導体上に前処理を行ってからレジストを形成する。このような前処理は、導体の洗浄及び酸化膜の除去を行い、かつ導体表面を粗化処理してレジストの密着性を確保するために行われる。粗化処理の方法として、バフ研磨のような機械的な方法、硫酸−過酸化水素系、過硫酸塩系、あるいは塩化銅系マイクロエッチングのような化学的な方法があげられる。
【０００４】
また、セミアディティブ法のような比較的ファインパターンを形成しやすい方法では、絶縁材の上にめっきや極薄銅箔のシード層が形成されおり、その上に前処理を行ってからレジストを形成する。前処理は、洗浄及び酸化膜の除去を行い、かつめっきあるいはシード層上を微細に粗化処理してレジストの密着性を確保するために行われる。シード層は厚さが０．５μｍ−３μｍと薄いため、粗化処理の方法として、バフ研磨のような機械的な方法は使わず、硫酸−過酸化水素系、過硫酸塩系、塩化銅系、あるいは有機酸系のマイクロエッチングのような化学的な方法を使う。
【０００５】
このような粗化処理はレジストとの密着性を上げるためには有効であるけれども、ファインパターン形成時には配線パターンの損傷が発生しやすく、配線パターン表面の凸凹は高速伝送における伝送損失の増大を招き、またセミアディティブ法では、シード層が薄いことから、粗度が大きい粗化処理を施すことが難しいという課題がある。
【０００６】
一方、粗化処理の粗度を低減することや、ファインパターンになると密着面積が少なくなることから密着力が不足することがある。密着力が低いと、レジストの剥がれが発生し、サブトラクティブ法では断線、セミアディティブ法ではショートなどの配線不良が発生する。
【０００７】
また、セミアディティブ法では、パターン幅に対し、パターン厚を厚くするような設計を行うと、レジスト開口部のアスペクト比が高くなり、レジストが倒れやすく、強固な密着力が必要となることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１７７２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の実施形態は、レジストを十分に密着させ、良好な配線パターンを形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態にかかる配線パターンの形成方法は、絶縁基材上に導体層を形成し、
前記導体層表面に分子接合層を形成して、前記分子接合層を前記導体層表面に化学結合させ、
前記分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、前記感光性樹脂層を前記分子接合層に化学結合させ、
前記感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、
前記感光性樹脂層を介して前記導体層をエッチングすることを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｂ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｃ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｄ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｅ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｆ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図１Ｇ】第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ａ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ｂ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ｃ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ｄ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ｅ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図２Ｆ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図ある。
【図２Ｇ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図ある。
【図２Ｈ】第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図である。
【図３】第３実施形態に係る電子機器を表す斜視図である。
【図４】図３のＳＳＤを示す斜視図である。
【図５】第４実施形態にかかる半導体パッケージの一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
第１の実施形態にかかる配線パターンの形成方法は、
絶縁基材上に導体層を形成し、
導体層表面に分子接合層を形成して、分子接合層を前記導体層表面に化学結合させ、
分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、感光性樹脂層を前記分子接合層に化学結合させ、
感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、
感光性樹脂層を介して前記導体層をエッチングすることを含む。
【００１３】
また、第２の実施形態にかかる配線パターンの形成方法は、
絶縁基材上にシード層を形成し、
シード層表面に分子接合層を形成して、分子接合層を前記シード層表面に化学結合させ、
分子接合層上に感光性樹脂層を形成して、感光性樹脂層を前記分子接合層に化学結合させ、
感光性樹脂層を露光した後、現像してパターニングし、
感光性樹脂層を介してシード層上に導体層を形成することを含む。
【００１４】
第１及び第２の実施形態では、感光性樹脂層をパターニングする工程の前処理として、導体層またはシード層上に、分子接合層を形成して化学結合させ、さらに感光性樹脂層を形成して分子接合層と化学結合させることにより、粗化処理を行わなくても、感光性樹脂層を導体層またはシード層上に十分に密着させることができるので、レジスト剥がれを低減し、パターンが微細化しても歩留まりの良い配線パターンの形成が可能となる。
【００１５】
導体層としては、銅、アルミニウム、コバルト、及びタングステン等が使用される。
【００１６】
また、シード層としては、銅、アルミニウム、タンタル、チタン、コバルト、及びタングステン等が使用される。
【００１７】
分子接合剤は、金属または樹脂などと化学結合し得る化合物である。
【００１８】
分子接合層は、分子接合剤に、例えば、水、メタノール、エタノール、あるいはイソプロピルアルコールのうち１つの溶媒を加え、例えば０．０５から５質量％の濃度を有する分子接合層塗付液を作成して、対象物に塗付することにより形成することができる。
【００１９】
塗付方法として例えば、ディッピング、スプレーコーティングなどの方法があげられる。
【００２０】
分子接合層は、導体またはシード層と化学結合される部分と、感光性樹脂層と化学結合される部分とを有する。
【００２１】
分子接合層を形成した後、静置するか、あるいは熱、光等のエネルギーを加えることにより、化学結合が促進される。
【００２２】
分子接合剤として、トリアジン誘導体を使用することができる。
【００２３】
実施形態に使用されるトリアジン誘導体は、例えば下記式（１）で表すことができる。
【００２４】
【化１】
2019159151.tif 000003
【００２５】
（式中、Ｒは、炭化水素基又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、Ｘは、水素原子又は炭化水素基を示し、Ｙは、アルコキシ基を示し、Ｚは、塩を形成していてもよい、チオール基、アミノ基もしくはアジド基、又は異種原子もしくは官能基が介在してもよい炭化水素基を示し、ｎ１は１〜３までの整数であり、ｎ２は１〜２までの整数である。）
上記一般式（Ｃ１）において、Ｒは、好ましくは炭素数１〜７の炭化水素基、又はこれらの主鎖に窒素原子が介在するものを示す。Ｘは、炭素数１〜３の炭化水素基を示す。Ｙは、炭素数１〜３のアルコキシ基を示す。ｎ１は、好ましくは３である。ｎ２は、好ましくは２である。Ｚは、チオール基、アミノ基、アジド基、アルキル基、あるいはそれらの塩を示す。塩を形成するカチオンの元素としては、アルカリ金属が好ましく、中でもＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＣｓがさらに好ましい。なお、ｎ２が２である場合は、少なくとも１つのＺは、塩を形成している、チオール基、アミノ基又はアジド基を示すことが好ましい。
【００２６】
トリアジン誘導体は、単体、またはその他の化合物との混合物を用いることができる。
【００２７】
感光性樹脂層の形成には、ドライフィルムや、液体のものを使用することができる。感光性樹脂としては、アルカリ可溶型のポリマーとモノマーを配合し、光重合開始剤を添加したものを使用することができる。
【００２８】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２９】
図１Ａないし図１Ｇに、第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図を示す。
【００３０】
第１実施形態によれば、このようなサブトラクティブ法を用いた場合に、配線パターン上が粗化されることがないことから、高周波での伝送損失を低減できる。また、アルカリ剥離液を用いて感光性樹脂層を除去するとき、導体層上にトリアジン誘導体を残すことも可能であり、絶縁樹脂のプリプレグやソルダーレジストの密着を向上させることができる。
【００３１】
図２Ａないし図２Ｈに、第２実施形態にかかる配線パターンの製造工程を表す図を示す。
【００３２】
第２実施形態によれば、このようなセミアディティブ法を使用した場合に、シード層の粗化処理をする必要がないので、より薄いシード層を適用することができ、また、感光性樹脂層との密着力を確保して、良好なパターン形成の歩留まりを実現することが可能となる。
【００３３】
第１及び第２の実施形態にかかる方法により製造される配線パターンは、例えばプリント回路基板、ＷＬＣＳＰ（ウエハレベルチップサイズパッケージ）、ＦＯＷＬＰ（ファンアウトウエハレベルパッケージ）、ガラスインターポーザー、Ｓｉインターポーザーなどの半導体パッケージ、及びＭＥＭＳ（微小電気機械システム）、液晶等の電子機器に適用できる。
【００３４】
第３実施形態にかかるプリント回路基板は、第１あるいは第２の実施形態にかかる配線パターンを含む。
【００３５】
第４実施形態にかかる半導体パッケージは、第１あるいは第２の実施形態にかかる配線パターンを含む。
【００３６】
第５実施形態にかかる電子機器は、第１あるいは第２の実施形態にかかる配線パターンを含む。
【００３７】
本発明の実施形態は、配線パターンの形成方法、これを用いたプリント回路基板、半導体パッケージ、及び電子機器に関する。
【００３８】
第１実施形態にかかる配線パターンの製造方法は、いわゆるサブトラクティブ法である。
【００３９】
まず、図１Ａに示すように、絶縁材１の一主面上に導体２を形成する。
【００４０】
続いて、導体２表面に前処理を行う。
【００４１】
前処理として、導体２上に式（１）で表されるトリアジン誘導体を含む分子接合剤を塗布し、図１Ｂに示すように、単分子層、または多分子層の分子接合層３を形成し、導体２と化学的に結合させる。
【００４２】
式（１）で表されるトリアジン誘導体を例えば水、メタノール、エタノール、あるいはイソプロピルアルコールのうち１つの溶媒に溶解して０．０５から５質量％の濃度の分子接合剤塗付溶液を作成し、ディッピング、あるいはスプレーコーティングなどの方法で導体２上に塗布して分子接合層を形成する。さらに、８０から２００℃の温度で、５から３０分間加熱することにより、トリアジン誘導体と導体２表面を化学結合させる。
【００４３】
必要に応じて、洗浄液として、例えば上記溶媒を使用して、化学結合されない分子接合層の部分を洗浄し、乾燥する。分子接合層の厚みは、分子接合剤塗布溶液の濃度、塗布量、及び洗浄時間、及び回数等の条件によって、調節可能である。
【００４４】
次に、感光性樹脂のドライフィルムを用意し、ドライフィルムに設けられた保護フィルムを剥がしながら、分子接合層３が形成された導体２とドライフィルムとを分子接合層３を介して貼り合わせる形でホットロールの間を通すことにより、図１Ｃに示すように、感光性樹脂層４を形成する。例えば、ホットロール温度は５０〜１２０℃、ロール圧力は０．１〜１ＭＰａ／ｃｍ、ラミネート速度は０．１〜６ｍ／分に設定することができる。
【００４５】
次に、感光性樹脂層４上にフォトマスクを位置合わせする。
【００４６】
その後、光源として、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、紫外線蛍光灯、カーボンアーク灯、あるいはキセノンランプなどを使用し、図１Ｄに示すように、露光を行い、感光性樹脂層を硬化する。より微細なパターンを得るためには平行光光源を用いることができる。
【００４７】
画像露光においては、フォトマスクを使用せず直接描画方式の露光方法を用いることができる。直接描画方式の露光方法では、感光性樹脂層４上に直接描画装置によって露光する。光源としては波長３５０〜４１０ｎｍの半導体レーザーや超高圧水銀灯などが用いられる。
【００４８】
続いて、図１Ｅに示すように、アルカリ現像液を用いて現像し、感光性樹脂層の未露光部分を現像液で溶解または分散除去し、導体２上に硬化した感光性樹脂層からなるパターン４aを形成する。アルカリ現像に用いられるアルカリ水溶液としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、あるいは水酸化カリウム等の水溶液が挙げられる。例えば、０．２〜２質量％の炭酸ナトリウム水溶液を用いることができる。
【００４９】
その後、図１Ｆに示すように、形成された感光性樹脂層パターン４a上から塩化鉄、あるいは塩化第二銅などのエッチング液を用いて感光性樹脂層パターン４aに覆われていない導体２をエッチングし、配線パターン２a及び分子接合層パターン３aを得る。
【００５０】
なお、図１Ｇでは感光性樹脂層パターン４ａとともに分子接合層パターン３ａが除去されているが、分子接合層３がパターニングされずに配線パターン２ａ上に残っていてもよい。配線パターン２ａ上に残留した分子接合層３は、絶縁樹脂のプリプレグやソルダーレジストの密着を向上する機能を持つことができる。
【００５１】
感光性樹脂層４aを、アルカリ剥離液を用いて基板から除去することにより、図１Ｇに示すように配線パターン２aを有する配線基板１００が得られる。
【００５２】
剥離工程で用いられるアルカリ剥離液としては、現像で用いたアルカリ水溶液よりもさらに強いアルカリ性であり、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、あるいは有機アミン化合物等が挙げられる。ここでは、１〜５質量％の水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムの水溶液が用いられる。アルカリ剥離液の適用は、スプレーや浸漬によって行なうことができる。
【００５３】
第２実施形態にかかる配線パターンの製造方法は、いわゆるセミアディティブ法である。
【００５４】
図２Ａないし図２Ｅに示すように、導体層２の代わりにシード層５を形成し、フォトマスク５の代わりにフォトマスク５の反転パターンを有するフォトマスク６を位置合わせすること以外は、第１実施形態と同様にしてシード層５上に感光性樹脂層４を形成し、露光、現像することにより、感光性樹脂層パターン４ａを形成する。なお、図２Ｅではシード層５上に感光性樹脂層パターン４ａとともに分子接合層パターン３ａが形成されることを示しているが、現像時に分子接合層３がパターニングされずに感光性樹脂パターン４ａの開口部７に残留していても良く、分子接合層は非常に薄いことから後の工程の電気めっきをしてもシード層と電気めっき間に抵抗をもたなく、良好な電気的接続が可能となる。
【００５５】
その後、図２Ｆに示すように、シード層から電流を流し、感光性樹脂層パターン４ａに覆われていない開口部７に電解めっきを行い、配線パターン８を得る。電解めっきはＣｕが一般的であり、硫酸銅やピロ燐酸銅浴を使い、製品として必要な配線厚みを形成する。電流密度は、０．５から３Ａ／ｄｍ2程度で行うことができる。
【００５６】
図２Ｇに示すように、感光性樹脂層パターン４ａを、アルカリ剥離液を用いて基板から除去する。アルカリ剥離液は、第１実施形態にかかる配線パターンの製造工程に使用されるアルカリ剥離液と同様のアルカリ剥離液を使用することができる。
【００５７】
続いて、図２Ｈに示すように、シード層のエッチングを硫酸-過酸化水素系などで行うことにより、図１Ｄの配線パターン２と同様の配線パターン８を有する配線基板２００を形成することができる。
【００５８】
第２実施形態にかかるパターン形成方法の他の例として、分子接合剤として、光反応性官能基を有するトリアジン誘導体を使用することができる。
【００５９】
このような分子接合剤を用いて分子接合層３を形成すると、例えば図２Ｄに示すように感光性樹脂層４を露光した時、照射する光の波長領域が感光性樹脂層４が硬化すると共に分子接合層が光反応し、感光性樹脂層４と化学結合することができる。
【００６０】
なお、光反応性官能基を有するトリアジン誘導体を含む分子接合剤を、第１実施形態にかかるパターン形成方法に使用することも可能である。
【００６１】
図３は、第５実施形態に係る電子機器を表す斜視図である。
【００６２】
図示するようなポータブルコンピュータ１０は、第５実施形態に係る電子機器の一例となり得る。
【００６３】
このポータブルコンピュータ１０は、第１の筐体１１と、第２の筐体１２と、ディスプレイモジュール１３とを有する。第１及び第２の筐体１１，１２は、例えば、ケース、外殻部、及び壁とも称され得る。
【００６４】
第１の筐体１１は、上面１１ａを有する。上面１１ａに、キーボード１５と、タッチパッド１６とが設けられる。第１の筐体１１は、例えば、中央演算処理装置（ＣＰＵ）が実装されたマザーボードのような基板、Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ（ＨＤＤ）やＳｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ（ＳＳＤ）のような記憶装置、及びバッテリーのような種々の部品を収容する。図１に破線で示すように、第１の筐体１１に、ＳＳＤ１８が収容される。ＳＳＤ１８は、電子機器の一例となり得、例えば、半導体装置、記憶装置、基板モジュール、モジュール、及び部品とも称され得る。
【００６５】
第２の筐体１２は、第１の筐体１１に例えばヒンジによって回動可能に取り付けられる。例えば、第２の筐体１２は、第１の筐体１１の上面１１ａを覆う閉じ位置と、第１の筐体１１の端部から立ち上がる開き位置との間で回動可能である。
【００６６】
ディスプレイモジュール１３は、第２の筐体１２に収容される。ディスプレイモジュール１３は、第２の筐体１２に設けられたディスプレイ開口１２ａによって露出される。ディスプレイモジュール１３は、ディスプレイ開口１２ａによって露出された画面上に画像を表示する。
【００６７】
図４は、図３のＳＳＤ１８を示す斜視図である。
【００６８】
図４に示すように、ＳＳＤ１８は、回路基板２１と、複数の記憶モジュール２２と、コネクタ２３とを有する。このＳＳＤ１８は、回路基板２１や記憶モジュール２２のような種々の部品が露出するが、これらの部品を収容する筐体を有しても良い。
【００６９】
図４において、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、ＳＳＤ１８の長さに沿う。Ｙ軸は、ＳＳＤ１８の幅に沿う。Ｚ軸は、ＳＳＤ１８の厚みに沿う。
【００７０】
回路基板２１は、第３実施形態にかかるプリント回路基板の一例であり、少なくとも第１あるいは第２の実施形態にかかる配線パターンを含み、例えば、実装基板及び基板とも称され得る。回路基板２１は、例えば、略矩形状（四角形状）に形成されたプリント配線板である。なお、回路基板２１はフレキシブルプリント配線板のような他の基板でも良く、他の形状に形成されても良い。回路基板２１は、略平坦な実装面２１ａを有する。
【００７１】
コネクタ２３は、回路基板２１の一つの端面２１ｂから突出する。コネクタ２３は、例えば、回路基板２１と一体的に形成される。コネクタ２３は、例えば、第１の筐体１１の内部に設けられたコネクタに取り付けられる。これにより、ＳＳＤ１８とポータブルコンピュータ１０（ホスト装置）との間で、コネクタ２３を介して信号の伝送が可能となる。
【００７２】
記憶モジュール２２は、例えば、ＦＯＷＬＰ（Ｆａｎ  Ｏｕｔ  Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるパッケージであり、第４実施形態にかかる半導体パッケージの一例である。
【００７３】
図５に、第４実施形態にかかる半導体パッケージの一例を概略的に示す断面図を示す。
【００７４】
この記憶モジュール２２は、回路基板２１の実装面２１ａに並んで実装される。なお、記憶モジュール２２は、回路基板２１の他の面に実装されても良いし、分散して実装されても良い。
【００７５】
図５において、図４と同様にＸ軸及びＺ軸が定義される。Ｘ軸とＺ軸とは、互いに直交する。Ｘ軸は、ＳＳＤ１８の長さに沿う。Ｚ軸は、ＳＳＤ１８の厚みに沿う。
【００７６】
図５に示すように、記憶モジュール２２は、基板３１と、複数の記憶部品３２と、コントローラ３３と、封止部３４と、複数のバンプ３５とを有する。
【００７７】
基板３１は、少なくとも第１あるいは第２の実施形態にかかる配線パターンを含み、例えば、プリント配線基板であるが、他の基板であっても良い。基板３１は、搭載面３１ａと、接続面３１ｂとを有する。搭載面３１ａに、記憶部品３２及びコントローラ３３のような種々の部品が実装される。接続面３１ｂは、搭載面３１ａの反対側に位置する。
【００７８】
記憶部品３２は、基板の一例であり、例えば、Ｓｉ貫通電極（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を含んだパッケージ、及び部品とも称され得る。記憶部品３２は、例えば、メモリの素子を有し、情報を記憶することが可能である。複数の記憶部品３２は、互いに重ねられるとともに電気的に接続された状態で、基板３１の搭載面３１ａに実装される。互いに重ねられた記憶部品３２の間に、他の部材が介在しても良い。
【００７９】
コントローラ３３は、記憶部品３２を制御する。コントローラ３３の機能は、例えば、記憶部品３２、又はコントローラ３３に設けられたＲｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＲＯＭ）に記憶されるファームウェアを実行するプロセッサやハードウェアによって、実現され得る。コントローラ３３は、例えば、ホスト装置からのコマンドに従って、記憶部品３２からデータを読み出したり、記憶部品３２にデータを書き込んだりすることが可能である。
【００８０】
封止部３４は、記憶部品３２及びコントローラ３３のような部品が実装された基板３１の搭載面３１ａを覆う。これにより、記憶部品３２及びコントローラ３３が、封止部３４によって覆われる。封止部３４は、例えば、絶縁性の合成樹脂によって作られるが、他の材料によって作られても良い。
【００８１】
バンプ３５は、基板３１の接続面３１ｂに設けられる。バンプ３５は、例えば、半田ボールであり、基板３１の接続面３１ｂに形成された記憶モジュール２２の電極と、回路基板２１の実装面２１ａに形成された回路基板２１の電極との間を、電気的に接続する。
【００８２】
これらプリント配線板、基板、ＦＯＷＬＰ、ＴＳＶの配線形成は、例えば図１Ａないし図１Ｇのサブトラクティブ法、または図２Ａないし図２Ｈのセミアディティブ法で形成することができる。
【００８３】
なお、記憶モジュール２２は、Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ（ＢＧＡ）やＣｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＣＳＰ）のような他の部品であっても良い。
【００８４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８５】
１…絶縁材、２…導体、２a…配線パターン、３…分子接合層、４…感光性樹脂層、４ａ…感光性樹脂層パターン、５…シード層、８…配線パターン、１８…ＳＳＤ、２１…回路基板、２２…記憶モジュール、１００，２００…配線基板
【図１Ａ】
2019159151.tif 000004
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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