(57)【要約】      （修正有）【課題】処理容器内に載置された基板にガスを供給して成膜を行う成膜装置において、処理容器内に成膜された薄膜であって、基板の成膜処理時に剥がれるおそれがある部位を迅速に取り除くことができる技術を提供する。【解決手段】回転テーブルのヒーターをオフにすると共に、回転テーブルを回転させながら回転テーブルの上面に常温のＨ２ガスを供給する。これにより回転テーブルを急激に冷却させることができる。そのため回転テーブルの上面に付着したＳｉＮ膜が回転テーブルの急激な冷却により急激に収縮し、当該ＳｉＮ膜に水平方向にずらす力が大きく加わる。従って当該ＳｉＮ膜が回転テーブルから剥がれやすくなり、回転テーブルにパージガス（例えばＡｒガス）を吹き付けたときにＳｉＮ膜を迅速に除去することができる。【選択図】図７
2019083233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置において、
基板が載置される載置部が内部に設けられた処理容器と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気する排気部と、
前記処理容器内に冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、
前記処理容器内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、前記冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加えるステップと、少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給するステップと、前記パージガスを排気するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記薄膜に応力を加えるステップは、成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、続いて処理容器内を、当該基板に対して成膜処理を行ったときの温度である第１の温度から第２の温度に降温させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記冷却ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記パージガスを処理容器内に供給するステップは、処理容器内を真空排気している状態でパージガスを処理容器内に間欠的に供給するステップであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記パージガスをプラズマ化してプラズマを発生させる工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜装置の運転方法。
【請求項６】
前記成膜処理は、原料ガス、及び原料ガスと反応して反応生成物を生成する反応ガスを基板に対して交互に供給する処理であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の成膜装置の運転方法。
【請求項７】
前記載置部は、上面に載置された基板を公転させる回転テーブルであり、
前記回転テーブル上に回転テーブルの回転方向に沿って、原料ガスが供給される原料ガス供給領域と、反応ガスが供給される反応ガス供給領域と、が互いに離間して配置されたことを特徴とする請求項６に記載の成膜装置
【請求項８】
真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置の運転方法において、
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加える工程と、
少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給する工程と、
前記パージガスを排気する工程と、を含み、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする成膜装置の運転方法。
【請求項９】
前記冷却ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置の運転方法。
【請求項１０】
前記載置部は、上面に載置された基板を公転させる回転テーブルであり、
前記回転テーブル上に回転テーブルの回転方向に沿って、原料ガスが供給される原料ガス供給領域と、原料ガスと反応して反応生成物を生成する反応ガス供給領域と、が互いに離間して配置され、
前記成膜処理は、回転テーブルを回転させて、基板を原料ガス供給領域、及び反応ガス供給領域を交互に通過させて行うことを特徴とする請求項８または９に記載の成膜装置
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にガスを供給して成膜した後、成膜装置内に成膜される薄膜を剥がす技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハ）に例えばＳｉ３Ｎ４（以下窒化シリコンあるいはＳｉＮと表示する）膜などの各種の膜が成膜される。この成膜処理は例えば原料ガスと反応ガスとを交互に複数回ウエハに供給するＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）などと呼ばれている手法によって行われる。ＡＬＤを行う成膜装置としては、真空容器内に設けられる回転テーブルにウエハが載置され、当該回転テーブルの回転によって公転するウエハが、原料ガスが供給される雰囲気で構成される処理領域と、反応ガスが供給される雰囲気で構成される処理領域とを繰り返し通過するように構成される装置が知られている。また、これら原料ガスの雰囲気及び反応ガスの雰囲気の他に膜を改質する改質ガスが回転テーブル上に供給され、反応ガス、改質ガスが夫々供給される所定の領域が形成されている。さらにこれらの処理領域を区画するように分離ガスを供給する分離領域が形成されている。
【０００３】
上記の成膜装置においては、原料ガス及び反応ガスはウエハの他に回転テーブルにも供給されるので、回転テーブルにも成膜される。そして例えばウエハの種別に応じて成膜温度が異なる場合には、回転テーブルは、複数の温度帯で使用される。このように回転テーブルに成膜された状態で回転テーブルの温度が変わると、回転テーブルにも成膜された膜の例えば表層部が温度変化による熱収縮によりが剥がれ、パーティクルとなることがある。そこで従来は成膜が行われていないときに、回転テーブルを交換し回転テーブルに付着した膜の除去を行ったり、真空容器内にクリーニングガスを供給し、この回転テーブルの膜を除去するクリーニングが行われていた。しかしながら回転テーブルの交換には、長い時間がかかるため、装置のスループットが低下する問題があった。またクリーニングガスを供給して回転テーブルに付着した除去を行った場合には、成膜装置内に剥がれた膜がパーティクルとして残ってしまうことがあり、その後ウエハに成膜処理を行った時にウエハにパーティクルが付着してしまうことがあった。
【０００４】
特許文献１には、温度の高い分離領域において、回転テーブル上の部位にパージガスを供給し、当該温められた部位を処理領域を通過させて冷やすことで、回転テーブルに成膜されるシリコン酸化膜を熱収縮させて剥がれにくくする技術が記載されている。しかしながら高温のパージガスを吹き付けることにより回転テーブルの温度を変化させるには時間がかかる問題がある。
また特許文献２には、反応容器内に棚状に配置された基板を、基板の周方向から加熱すると共に、基板にガスを供給する熱処理装置において、反応容器内を昇温した後、冷却するときに、反応容器内にパージガスを供給して昇圧する技術が記載されている。そして反応容器内の昇温と、冷却及び昇圧と、を複数回繰り返すことにより反応容器内に付着する膜を除去している。しかしながら装置のスループットを向上させる要請や、パーティクルのより確実な抑制を求める要請があり、さらなる改良が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１２２７７８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１９９８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、処理容器内に載置された基板にガスを供給して成膜を行う成膜装置において、処理容器内に成膜された薄膜であって、基板の成膜処理時に剥がれるおそれがある部位を迅速に取り除くことができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の成膜装置は、真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置において、
基板が載置される載置部が内部に設けられた処理容器と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気する排気部と、
前記処理容器内に冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、
前記処理容器内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、前記冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加えるステップと、少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給するステップと、前記パージガスを排気するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする。
【０００８】
本発明の成膜装置の運転方法は、真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置の運転方法において
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加える工程と、
少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給する工程と、
前記パージガスを排気する工程と、を含み、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、真空雰囲気にて成膜用のガスを供給して、成膜処理を行う成膜装置において、成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、冷却ガスにより処理容器内の温度を第１の温度から第２の温度に降温させている。そして少なくとも第１の温度から第２の温度に到達後、処理容器内にパージガスを供給している。この時冷却ガスをパージガスよりも熱伝達係数が大きいガスとすることで、処理容器内の温度を急激に降温させることができる。そのため薄膜が急激に熱収縮して剥がれやすくなり、基板の成膜処理時に剥がれるおそれのある部位がパージガスにより剥がされる。従って処理容器内に付着している薄膜におけるパーティクルの発生源を迅速に取り除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置の縦断側面図である。
【図２】前記成膜装置の横断平面図である。
【図３】前記成膜装置に設けられるガスシャワーヘッドの縦断側面図である。
【図４】前記ガスシャワーヘッドの下面図である。
【図５】前記成膜装置の周方向に沿った概略縦断側面図である。
【図６】前記成膜処理中の前記成膜装置を示す平面図である。
【図７】成膜装置の運転方法におけるシーケンスを示す説明図である。
【図８】成膜装置の運転方法を示す説明図である。
【図９】成膜装置の運転方法におけるシーケンスの他の例を示す説明図である。
【図１０】成膜装置の運転方法におけるシーケンスの更に他の例を示す説明図である。
【図１１】実施例における成膜装置の運転方法の前後においてウエハに付着するパーティクル数を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施の形態に係る成膜装置について、図１の縦断側面図、図２の横断平面図を参照しながら説明する。この成膜装置は既述のＡＬＤ法によって、ウエハＷの表面にＳｉＮ膜を成膜する成膜処理を行い、この成膜処理に並行して、ＳｉＮ膜の改質を行う改質処理が行われる。さらに一定期間ごと、例えばウエハＷに成膜したＳｉＮ膜の累積の膜厚が一定の値に達したときに処理容器である真空容器内の部位、例えば回転テーブルの表面に形成されているＳｉＮ膜の表層部分を剥がす処理が行われる。
【００１２】
図中１１は扁平な概ね円形の真空容器（処理容器）であり、側壁及び底部を構成する容器本体１１Ａと、上部材１１Ｂとにより構成されている。図中１２は、ウエハＷを載置する載置部である円形の回転テーブルであり、図中１２Ａは、回転テーブル１２の裏面中央部を支持する支持部であり、回転テーブル１２は回転機構１３により周方向に平面視時計回りに回転する。なお、図１中のＸは回転テーブル１２の回転軸（回転中心）を示している。
【００１３】
回転テーブル１２の上面には、回転テーブル１２の周方向（回転方向）に沿って各々ウエハＷが収納される６つの円形の凹部１４が設けられている。また真空容器１１の底部には、回転テーブル１２の温度を調整し、回転テーブル１２に載置されたウエハＷを加熱する温度調整部であるヒーター１５が同心円状に複数設けられている。ヒーター１５は、後述の制御部１０により、オンオフが切り替えられるように構成されており、ヒーター１５をオンとすることで、回転テーブル１２の温度を設定温度、例えば４５０℃まで上昇させ、ヒーター１５をオフにすることで回転テーブル１２の温度を４５０℃から冷却させることができるように構成されている。また設定温度は、後述の制御部１０により出力される出力信号により調整できるように構成されている。従ってヒーター１５は回転テーブル１２の温度を調整する温度調整部に相当する。
【００１４】
図２に示すように真空容器１１の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬送口１６が開口し、搬送口１６は、図示しないゲートバルブによって開閉自在に構成されている。真空容器１１内における搬送口１６に臨む領域における回転テーブル１２の下方側には、回転テーブル１２に載置されたウエハＷを下方から突き上げるための図示しない昇降ピンがウエハＷの周方向に等間隔に３本設けられ、また各凹部１４の底部には、前記３本の昇降ピンに対応するように孔部が形成されている。そしてウエハＷを搬入、搬出するときには、回転テーブル１２が凹部１４の孔部と昇降ピンとが上下で重なる位置に順次停止し、図示しない成膜装置の外部の基板搬送機構と昇降ピンとの協働作用により、ウエハＷは搬送口１６を介して、真空容器１１の外部と凹部１４内との間で受け渡される。
【００１５】
図２に示すように回転テーブル１２上には、ガス給排気ユニット２と、３つのプラズマ形成ユニット３Ａ、３Ｂ、３Ｃと、が、回転テーブル１２の回転方向（この例では時計回り）下流側に向かい、当該回転方向に沿ってこの順に設けられている。
【００１６】
ガス給排気ユニット２について、縦断側面図である図３及び下面図である図４も参照しながら説明する。ガス給排気ユニット２は、平面視、回転テーブル１２の中央側から周縁側に向かうにつれて回転テーブル１２の周方向に広がる扇状に形成されており、ガス給排気ユニット２の下面は、回転テーブル１２の上面に近接すると共に対向している。
【００１７】
ガス給排気ユニット２は例えばアルミニウムにより構成され、その下面には、吐出部をなすガス吐出口２１、排気口２２及びパージガス吐出口２３が開口している。図中での識別を容易にするために、図４では、排気口２２及びパージガス吐出口２３に多数のドットを付して示している。また図１では、記載が繁雑になることを避けるためパージガス吐出口２３を線で記載している。ガス吐出口２１は、ガス給排気ユニット２の下面の周縁部よりも内側の扇状領域２４に多数配列されている。このガス吐出口２１は、成膜処理時における回転テーブル１２の回転中にＤＣＳガスを下方にシャワー状に吐出して、ウエハＷの表面全体に供給する。
【００１８】
この扇状領域２４においては、回転テーブル１２の中央側から回転テーブル１２の周縁側に向けて、３つの区域２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃが設定されている。夫々の区域２４Ａ、区域２４Ｂ、区域２４Ｃに設けられるガス吐出口２１の夫々に独立してＤＣＳガスを供給できるように、ガス給排気ユニット２には互いに区画されたガス流路２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃが設けられている。
そして、ガス流路２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃの各上流側は、各々配管を介してＤＣＳガスの供給源２６に接続されており、各配管にはマスフローコントローラにより構成される流量調整部２７及びバルブＶ２７が介設されている。
【００１９】
続いて、上記の排気口２２及びパージガス吐出口２３について説明する。排気口２２及びパージガス吐出口２３は、扇状領域２４（図４参照）を囲むと共に回転テーブル１２の上面に対向するように、ガス給排気ユニット２の下面の周縁部に環状に開口しており、パージガス吐出口２３が排気口２２の外側に位置している。回転テーブル１２上における排気口２２の内側の領域は、ウエハＷの表面へのＤＣＳの吸着が行われる原料ガス供給領域である吸着領域Ｒ０を構成する。パージガス吐出口２３は、回転テーブル１２上にパージガスとして例えばＡｒ（アルゴン）ガスを吐出する。
【００２０】
図３中の２３Ａ、２３Ｂは、各々ガス給排気ユニット２に設けられる互いに区画されたガス流路であり、上記の原料ガスの流路２５Ａ〜２５Ｃに対しても各々区画されて設けられている。ガス流路２３Ａの上流端は排気口２２、ガス流路２３Ａの下流端は排気装置２８に夫々接続されており、この排気装置２８によって、排気口２２から排気を行うことができる。また、ガス流路２３Ｂの下流端はパージガス吐出口２３、ガス流路２３Ｂの上流端はＡｒガスの供給源２９に夫々接続されている。ガス流路２３ＢとＡｒガス供給源２９とを接続する配管３０には、流量調整部２０及びバルブＶ２０が介設されている。
【００２１】
成膜処理中において、ガス吐出口２１からの原料ガスの吐出、排気口２２からの排気及びパージガス吐出口２３からのパージガスの吐出が共に行われる。それによって、図３中に矢印で示すように回転テーブル１２へ向けて吐出された原料ガス及びパージガスは、回転テーブル１２の上面を排気口２２へと向かい、当該排気口２２から排気される。このようにパージガスの吐出及び排気が行われることにより、吸着領域Ｒ０の雰囲気は外部の雰囲気から分離され、当該吸着領域Ｒ０に限定的に原料ガスを供給することができる。またパージガス吐出口２３から吐出されるパージガスは、回転テーブル１２に成膜されたＳｉＮ膜に成膜された膜を除去する際に供給されるパージガスとしても用いられる。従ってパージガス吐出口２３、ガス流路２３Ｂ、Ａｒガス供給源２９、配管３０、流量調整部２０及びバルブＶ２０がパージガス供給部に相当する。
【００２２】
続いてプラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃについて説明する。プラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃは、ほぼ同様に構成されているため、ここではプラズマ形成ユニット３Ａについて説明する。図１〜図３に示すようにプラズマ形成ユニット３Ａは、プラズマ形成用のガスを回転テーブル１２上に供給すると共に、このガスにマイクロ波を供給して、回転テーブル１２上にプラズマを発生させる。プラズマ形成ユニット３Ａは、上記のマイクロ波を供給するためのアンテナ３１を備えており、当該アンテナ３１は、誘電体板３２と金属製の導波管３３とを含む。
【００２３】
誘電体板３２は、平面視回転テーブル１２の中央側から周縁側に向かうにつれて広がる概ね扇状に形成されている。真空容器１１の上部材１１Ｂには上記の誘電体板３２の形状に対応するように、概ね扇状の貫通口が設けられており、当該貫通口の下端部の内周面は貫通口の中心部側へと若干突出して、支持部３４を形成している。上記の誘電体板３２はこの貫通口を上側から塞ぎ、回転テーブル１２に対向するように設けられており、誘電体板３２の周縁部は支持部３４に支持されている。
【００２４】
導波管３３は誘電体板３２上に設けられており、上部材１１Ｂ上に延在する内部空間３５を備える。図中３６は、導波管３３の下部側を構成するスロット板であり、誘電体板３２に接するように設けられ、複数のスロット孔３６Ａを有している。導波管３３の回転テーブル１２の中央側の端部は塞がれており、回転テーブル１２の周縁部側の端部には、マイクロ波発生器３７が接続されている。マイクロ波発生器３７は、例えば、約２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導波管３３に供給する。このマイクロ波は、スロット板３６のスロット孔３６Ａを通過して誘電体板３２に至り、後述するガスインジェクター及びノズルから誘電体板３２の下方に吐出されたガスに供給され、当該誘電体板３２の下方にプラズマを形成することができる。このように誘電体板３２の下方の概ね扇状の領域はプラズマ発生領域をなし、Ｒ１として示す。
【００２５】
なお、プラズマ形成ユニット３Ｂ、３Ｃは上記のプラズマ形成ユニット３Ａと同様に構成されており、プラズマ形成ユニット３Ｂ、３Ｃにおける第１の処理領域Ｒ１に相当する領域については、夫々第２の処理領域Ｒ２、Ｒ３として示している。従って、回転テーブル１２の回転方向に異なる位置に、第１の処理領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３が各々設けられている。そして、プラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃから供給されるマイクロ波によって、第１の処理領域Ｒ１〜Ｒ３に個別にプラズマが形成される。
【００２６】
また、図２に示すように、回転テーブル１２の回転方向に見て、第１の処理領域Ｒ１の下流側の端部、第２の処理領域Ｒ２の下流側端部には夫々細長い管状のガスインジェクター５１〜５３が設けられている。ガスインジェクター５１〜５３は、真空容器１１の側壁から中央部領域に向かって水平に伸び、回転テーブル１２上のウエハＷの通過領域と交差するように夫々設けられている。そして、ガスインジェクター５１〜５３には、その長さ方向に沿ってガスの吐出口５０が多数、横方向に開口している。回転テーブル１２の回転方向に見て、ガスインジェクター５１は第１の処理領域Ｒ１の上流側に向かうように当該第１の処理領域Ｒ１にガスを吐出し、ガスインジェクター５２は第２の処理領域Ｒ２の上流側に向かうように当該第２の処理領域Ｒ２にガスを吐出する。またガスインジェクター５３は第３の処理領域Ｒ３の上流側に向かうように当該第３の処理領域Ｒ３にガスを吐出する。
【００２７】
図２中５０１は、ガスインジェクター５１に接続される配管であり、その上流側はバルブＶ５０１、流量調整部５０３を介してＨ２（水素）ガス供給源５４に接続されている。また図２中５０２は、ガスインジェクター５２に接続される配管であり、その上流側はバルブＶ５０２、流量調整部５１４を介してＨ２（水素）ガス供給源５４に接続されている。従って、ガスインジェクター５１、５２からはＨ２ガスが吐出され、このＨ２ガスはＳｉＮ膜の改質用のガスであると共に、後述の回転テーブル１２に成膜されたＳｉＮ膜を剥がす処理において、回転テーブル１２の急激に冷却させるための冷却ガスである。配管５０１、５０２、ガスインジェクター５１、５２、バルブＶ５０１、Ｖ５０２流量調整部５０３、５１４及びガス供給源５４は、冷却ガス供給部に相当する。
【００２８】
図２中５１１はガスインジェクター５３に接続される配管であり、配管５１１の上流側はバルブＶ５１１及び流量調整部５１２を介してＮＨ３ガス供給源５６に接続されている。またバルブＶ５１１の下流側において配管５１１には配管５１５の下流端が夫々接続されている。配管５１５の上流端はバルブＶ５１５及び流量調整部５１６を介してＨ２ガス供給源５４に接続されている。
【００２９】
また回転テーブル１２の回転方向において、ガスインジェクター５２の下流側であって、第２の処理領域Ｒ２の上流側の領域には、分離領域６０が設けられている。図６に示すように、この分離領域６０の天井面は、第２の処理領域Ｒ２及び第３の処理領域Ｒ３の各々の天井面よりも低く設定されている。この分離領域６０は、当該分離領域６０に対して回転テーブル１２の回転方向下流側に供給されるＮＨ３ガスが、分離領域６０に対して回転方向上流側に供給されるガスと混合されて希釈されることを抑制するために設けられている。
【００３０】
また、図２に示すように回転テーブル１２の外側であって、当該回転テーブル１２の回転方向に見て、第１の処理領域Ｒ１の上流側端部、第２の処理領域Ｒ２の上流側端部及び第３の処理領域Ｒ３の上流側端部の各々に臨む位置には、第１の排気口６１、第２の排気口６２及び第３の排気口６３が夫々開口している。図中６４は排気装置であり、真空ポンプなどにより構成され、排気管を介して第１の排気口６１、第２の排気口６２及び第３の排気口６３に接続されている。
【００３１】
図１に示すように成膜装置には、コンピュータからなる制御部１０が設けられており、制御部１０にはプログラムが格納されている。このプログラムについては、成膜装置の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御し、後述の成膜装置の運転方法の処理が実行されるようにステップ群が組まれている。具体的には、回転機構１３による回転テーブル１２の回転数、各流量調整部及びバルブによる各ガスの流量及び給断、各排気装置２８、６４による排気量、マイクロ波発生器３７からのアンテナ３１へのマイクロ波の給断、ヒーター１５への給電のオンオフなどが、プログラムによって制御される。また例えばヒーター１５に供給する電流を調整できるように構成されており、ヒーター１５の加熱温度を調整できるように構成されている。このプログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、ＤＶＤ、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、制御部１０にインストールされる。
【００３２】
以下、本発明の成膜装置の運転方法について説明するが、先ず成膜装置におけるウエハＷの成膜処理について、図６を参照しながら説明する。図６は、真空容器１１内に供給される各ガスの流れを矢印により示した説明図である。先ず、基板搬送機構によって６枚のウエハＷが、回転テーブル１２の各凹部１４に既述のように昇降ピンと基板搬送機構との協働作用により受け渡される。次いで真空容器１１の搬送口１６に設けたゲートバルブを閉じて、当該真空容器１１内を気密にする。凹部１４に載置されたウエハＷは、ヒーター１５によって例えば５００℃以上、より具体的には５５０℃に加熱される。そして、第１〜第３の排気口６１、６２、６３からの排気によって、真空容器１１内が例えば２ｔｏｒｒ（２６６．６Ｐａ）の圧力の真空雰囲気にされると共に、回転テーブル１２が時計回りに所定の回転数で回転する。
【００３３】
そして、ガスインジェクター５１、５２からＨ２ガスが第１の処理領域Ｒ１、Ｒ２に夫々供給され、ガスインジェクター５３からＮＨ３ガス及びＨ２ガスが第２の処理領域Ｒ２に供給される。このように各ガスが供給される一方で、プラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃのマイクロ波発生器３７から第１の処理領域Ｒ１〜Ｒ３に夫々マイクロ波が供給される。このマイクロ波によって第１の処理領域Ｒ１、Ｒ２にＨ２ガスのプラズマＰ１、Ｐ２が夫々形成され、第３の処理領域Ｒ３にＨ２ガス及びＮＨ３ガスのプラズマＰ３が形成される。また、ガス給排気ユニット２においてはガス吐出口２１からＤＣＳガス、パージガス吐出口２３からＡｒガスが夫々吐出されると共に、排気口２２から排気が行われる。図６は、このように各部にガスが供給されると共にプラズマＰ１〜Ｐ３が形成された状態を示している。
【００３４】
さらに回転テーブル１２を回転させることより、ウエハＷが吸着領域Ｒ０に位置するとＤＣＳガスが当該ウエハＷの表面に供給されて吸着される。ウエハＷの回転初期においては、ＤＣＳが吸着された部位はＮＨ３と反応していないので、そのまま第１の処理領域Ｒ１、Ｒ２を通過する。更に回転テーブル１２が回転して、ウエハＷが第３の処理領域Ｒ３に至ると、ウエハＷ上に吸着されているＤＣＳとＮＨ３とが反応して反応生成物であるＳｉＮが生成されると共に、当該第３の処理領域Ｒ３に供給されているＨ２ガスがプラズマ化して生成された水素の活性種によりウエハＷ上に残っているＣｌ（塩素）が取り除かれる。
さらに回転テーブル１２を回転させることにより、第３の処理領域Ｒ３を通過したウエハＷは、吸着領域Ｒ０に進入し、再度ＤＣＳが吸着され、更に続いて第１の処理領域Ｒ１に進入し、ウエハＷ上に形成された分子団からＣｌが取り除かれる。
【００３５】
こうして回転テーブル１２の回転が続けられ、ウエハＷが吸着領域Ｒ０、第１の処理領域Ｒ１、第２の処理領域Ｒ２、第３の処理領域Ｒ３を順に、繰り返し複数回通過することで、ウエハＷの表面にＳｉＮが堆積して当該ＳｉＮ膜の膜厚が増大すると共に、当該ＳｉＮ膜の改質が進行する。
【００３６】
そしてウエハＷにＳｉＮ膜が所望の膜厚となると、ガス給排気ユニット２における各ガスの吐出及び排気が停止する。またガスインジェクター５１、５３からの各ガスの吐出が停止すると共に、第１の処理領域Ｒ１〜Ｒ３へのマイクロ波の供給が停止し、プラズマＰ１〜Ｐ３の形成が停止する。さらにゲートバルブが開放され、ウエハＷは図示しない基板搬送機構により真空容器１１の外部へ搬出される。
【００３７】
ここでウエハＷへの成膜工程を行うときに、回転テーブル１２の表面（上面）においても、吸着領域Ｒ０にて、ＤＣＳガスが吸着され、さらにプラズマＰ１、Ｐ３を通過することで、ウエハＷの表面と同様にＳｉＮ膜が成膜され、徐々に累積されてしまう。上述の成膜装置によりウエハＷに処理を行うにあたって、例えばウエハＷの種別により成膜プロセスにおける設定温度が異なり、例えばあるロットのウエハＷに対しては、４５０℃のプロセス温度で処理が行われ、またあるロットのウエハＷに対しては、４００℃のプロセス温度で処理が行われる。このように成膜処理を行っている間に、回転テーブル１２の表面に成膜されたＳｉＮ膜が、例えば２００℃程度の温度差に曝され、熱収縮により回転テーブル１２の表面に成膜されたＳｉＮ膜の表面にクラックが入ることがある。このようなクラック部分は、膜剥がれがしやすくなり剥がれてパーティクルとなることがある。
【００３８】
上述の実施の形態に係る成膜装置においては、回転テーブル１２に累積して成膜された膜の表面をパージガスによって予め迅速に剥がして除去しておく。膜の表面を剥がす処理を実行するタイミングの設定について説明する。例えば成膜装置においては、成膜に使用するレシピごとに、レシピで成膜される膜厚が制御部１０の図示しないメモリに記憶されており、成膜装置で各レシピが実行されると、実行されたレシピにおいて成膜される膜厚を加算していく。また制御部１０のメモリには、回転テーブル１２に成膜された膜の膜厚の目標値が記憶されている。
そして例えば成膜装置のクリーニングを行った後から膜厚の加算を開始し、成膜装置を駆動して実行された各レシピの膜厚を加算していくうちに、累積された膜厚の加算値が前記目標値に達する。
このように膜を剥がす処理を行うタイミングになると、成膜装置は、例えばアラームを発する。さらに当該ロットのすべてのウエハＷの処理を完了すると共に、後続のロットのウエハＷの搬入を停止する。そして、成膜装置内のウエハＷをすべて払い出し、真空容器１１内にウエハＷが搬入されていない状態で、回転テーブル１２の上面に成膜されたＳｉＮ膜の表面部分を剥がす処理を行う。
【００３９】
膜を剥がす処理について図７に示すシーケンスを参照して説明する。先ず回転テーブル１２においては、例えばアラームが発せられたウエハＷのプロセス温度である４５０℃に維持されており、さらにゲートバルブを閉じると共に、第１〜第３の排気口６１〜６３から排気を行い真空容器１１内の圧力が２ｔｏｒｒ（２６６．６Ｐａ）に設定される。この実施の形態では、ウエハＷの成膜処理のプロセス温度４５０℃を第１の温度としている。そのためアラームが発せられたウエハＷのプロセスを行うために回転テーブル１２の温度を４５０℃に加熱する操作により処理容器内の温度が第１の温度になると言える。
【００４０】
さらに回転テーブル１２を３ｒｐｍの回転数で回転させる。次いで時刻ｔ１に回転テーブル１２のヒーター１５の電源をオフにする。さらにバルブＶ５０１、及びＶ５０２を開き、ガスインジェクター５１、５２から常温（２５℃）のＨ２ガスを合わせて４ｓＬｍの流量で２０分供給する。これにより図８に示すように回転テーブル１２における第１の処理領域Ｒ１、第２の処理領域Ｒ２にＨ２ガスが供給される。この時真空容器１１内の圧力が２６６．６Ｐａと低いため、ガスインジェクター５１から水平に吐出されたガスは、速やかに拡散する。これにより回転テーブル１２における第１の処理領域Ｒ１内の部位、及び第２の処理領域Ｒ２の部位がＨ２ガスに曝される。Ｈ２ガスは、パージガスに用いるガス、この例ではＡｒガスと比較して熱伝達係数が大きく運動エネルギーが大きい。そのためＨ２ガスが吹き付けられた回転テーブル１２は、Ａｒガスを吹き付けた場合に比べて熱が多く奪われ、急激に冷却される。そして回転テーブル１２が回転することにより、回転テーブル１２の上面が全面に亘ってＨ２ガスに曝されて冷却される。これにより回転テーブル１２は、２０分程度の短時間で４５０℃から第２の温度である１００℃まで冷却される。
【００４１】
この時回転テーブル１２の温度が急激に下がることにより、回転テーブル１２の表面に累積して成膜されているＳｉＮ膜が温度差により急激に収縮する。既述のようにプロセス時のウエハＷのロット間の温度差は２００℃程度であることから、回転テーブル１２のヒーター１５をオフにして、Ｈ２ガスを供給することにより、回転テーブル１２の表面に累積して成膜されているＳｉＮ膜にはプロセス時の温度差よりも大きな温度差が短時間に加わる。従って回転テーブル１２の表面に累積して成膜されているＳｉＮ膜は、より大きな力で急激に熱収縮される。この急激な収縮によりＳｉＮ膜には、水平方向に引っ張り合う力が働くため、回転テーブル１２の表面からずれようとする大きな力がかかり、回転テーブル１２の表面から剥がれる、あるいは、回転テーブル１２の表面に固着する力が弱まり剥がれやすい状態になる。
【００４２】
次いで時刻ｔ２において、バルブＶ５０１、Ｖ５０２を閉じＨ２ガスの供給を停止すると共に、回転テーブル１２の回転数を１２０ｒｐｍに上昇させる。また時刻ｔ２からｔ３の６０分間、ガス給排気ユニット２におけるバルブＶ２７を閉じ、かつ排気装置２８の排気を停止した状態で、バルブＶ２０のオンとオフとを１５０秒間隔で交互に切り替える。これによりガス給排気ユニット２におけるパージガス供給部から２３、パージガスであるＡｒガスが１６ｓＬｍの流量で１５０秒間供給され、Ａｒガスが１５０秒間停止されるパージガスの間欠的な供給が１２回繰り返される。
【００４３】
このとき回転テーブル１２の表面から剥がれた、あるいは、剥がれかかっているＳｉＮ膜が、吹き付けられるパージガスに吹き飛ばされる。さらにパージガスを停止することで、吹き飛ばされたＳｉＮ膜は、第１〜第３の排気口６１〜６３に流れ込む排気流に捕捉されて排気される。これを１２回繰り返すことによって、熱収縮により回転テーブル１２の上面から剥がれかかったＳｉＮ膜がパージガスに捕捉されて除去される。
【００４４】
次いで時刻ｔ３において回転テーブル１２の回転数を維持し、バルブＶ２０のオンとし、Ａｒガスを供給した状態で、ヒーター１５をオンにする。これにより回転テーブル１２の温度が、１００℃から上昇し、例えば時刻ｔ４にて４５０℃に到達する。
そして回転テーブル１２の温度が４５０℃に到達した後、時刻ｔ４にてバルブＶ２０をオフにしてパージガスの供給を停止すると共に、回転テーブル１２の回転数を３ｒｐｍに減速する。その後、後続のウエハＷを成膜装置に搬入し、成膜処理を再開する。
【００４５】
上述の実施の形態によれば、成膜装置の運転方法において、回転テーブル１２にウエハを載置しない状態で、回転テーブル１２のヒーター１５をオフにすると共に、回転テーブル１２を回転させながら回転テーブル１２の上面に常温のＨ２ガスを供給している。これにより回転テーブル１２を短時間で急激に冷却させることができる。そのため回転テーブル１２の上面に付着したＳｉＮ膜が回転テーブル１２の急激な冷却により急激に収縮し、当該ＳｉＮ膜に水平方向にずらす力が大きく加わる。従って当該ＳｉＮ膜が回転テーブル１２から剥がれやすくなり、回転テーブル１２にパージガスを吹き付けることでＳｉＮ膜を迅速に剥がすことができる。従って回転テーブル１２の上面に付着したＳｉＮ膜に起因するパーティクルを抑制することができ、成膜装置内のクリーニングの頻度を下げることができるためスループットが改善する。
【００４６】
また回転テーブル１２の温度を下げるために供給するガスは、パージガスに用いるガス、ここではＡｒガスよりも熱伝達係数が大きいガスを用いることができる。例えばＨ２などの分子が小さいガスは、熱伝達係数が大きく、運動量が大きいため、物体に吹き付けたときに熱を奪いやすい。そのためＨ２ガスを吹付られることでＡｒガスを吹き付ける場合に比べて短時間で温度を下げることができる。従って回転テーブル１２の冷却を促進する目的で回転テーブル１２に吹き付けるガスとしては、例えばＨｅガスやＮ２ガスなどを用いてもよい。
【００４７】
またパージガスを回転テーブル１２に吹き付けるにあたって、パージガスを間欠的に供給している。そのためパージガスの吹付が一旦停止され、排気流を妨げる気流がなくなり、排気流によりパージガスの吹付により飛散したＳｉＮ膜のパーティクルを確実に捕捉することができる。またパージガスを間欠的に供給せず、一定の流量で供給する場合においても、ＳｉＮ膜を飛散させ排気することができるため効果を得ることができる。
【００４８】
また回転テーブル１２のヒーター１５をオフにして、回転テーブル１２を冷却させる工程を行い、回転テーブル１２の温度が目標温度ここでは、１００℃まで冷却された後、次いで速やかにヒーター１５をオンにして、回転テーブル１２を昇温させるようにしてもよい。
例えば図９のシーケンスに示すように図７に示したシーケンスと同様にＳｉＮ膜の累積膜の除去を開始し、時刻ｔ１にてヒーター１５をオフとすると共にＨ２ガスの供給を開始する。次いで回転テーブル１２の温度が１００℃に到達した時刻ｔ２にて、Ｈ２ガスの供給を停止すると共に、ヒーター１５をオンにする。さらに回転テーブル１２の回転数を１２０ｒｐｍに上昇させると共にＡｒガスを１５０秒間隔で間欠的に供給する。このように構成した場合においても時刻ｔ１〜ｔ２の間に回転テーブル１２の温度を急激に冷却させることができるため同様の効果を得ることができる。
【００４９】
また本発明の成膜装置の運転方法は、ウエハＷのロット間や、成膜装置の駆動開始時毎に行ってもよい。あるいは、回転テーブル１２に成膜される膜を、例えばカメラによりモニターしておき、所定の膜厚に到達したところでアラームを発するようにしてもよい。あるいは、成膜装置内にＳｉＮ膜を除去するためのガスを供給して行うドライクリーニングを行った後に行ってもよい。ドライクリーニングの場合には、回転テーブル１２に付着したＳｉＮ膜が残ることがあるため、成膜装置のドライクリーニングの実行後に上述の累積膜の除去方法を実行することで、剥がれやすくなって残ったＳｉＮ膜を予め剥がすことができるため、より効果がある。
【００５０】
また本発明は、少なくとも第２の温度に到達後に、パージガスを供給すればよく、例えば、回転テーブル１２の温度が第１の温度から第２の温度に下降する間、図７に示す時刻ｔ２よりも前からパージガスを供給してもよい。
【００５１】
また第１の温度はウエハＷの成膜処理に用いるプロセス温度でなくてもよく、例えば一旦プロセス温度より高い温度、例えば第１の温度である６００℃まで上昇させ、第２の温度まで冷却するようにしてもよい。このように構成することで、さらにＳｉＮ膜にさらに大きな温度差を加え、より大きな熱収縮を加えることができる効果がある。また成膜時の温度とは、成膜時における処理雰囲気の設定温度から若干温度を上昇させた場合であっても、例えば２０℃上昇させた場合であっても、成膜時の温度に含まれる。
また「基板に対して成膜処理が終了し、当該基板を処理容器から搬出した後」とは、基板に対して成膜処理が行われて処理容器内に反応生成物が付着し、被処理基板が処理容器内に存在しない状態を指す。メンテナンス後なども含む。
【００５２】
さらに本発明は、ガス給排気ユニット２とは別に真空容器１１内にパージガスを供給するガス供給部を設けてもよい。さらには改質ガスとなるＨ２ガスを供給するガスインジェクター５１、５２とは別に回転テーブル１２に向けてＨ２ガスを供給するＨ２ガス供給部を設けてもよい。また上述の実施の形態では、２本のガスインジェクター５１、５２から冷却ガスを供給しているが、いずれか一本から冷却ガスを供給してもよい。
【００５３】
［第２の実施の形態］
また本発明は、プラズマを利用して回転テーブル１２に付着した膜の除去を行うようにしてもよい。図１０に第２の実施の形態に係る成膜装置の運転方法を実行するためのシーケンスの例を示す。この例では、例えば図７に示したシークエンスと同様に時刻ｔ０〜ｔ４までの操作を行い時刻ｔ４から例えばバルブＶ２０をオンにしてＡｒガスを間欠的に供給するタイミングに合わせて、プラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃからマイクロ波を供給する。
【００５４】
パージガス吐出口２３から供給されたＡｒガスは、回転テーブル１２の表面全体に広く広がるためプラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃの下方においてもＡｒガスが供給された状態になる。そのためプラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃの下方においてＡｒガスが活性化されてプラズマ化され、回転テーブル１２に付着しているＳｉＮ膜を分解することができる。その後時刻ｔ５においてパージガスの供給を停止し、マイクロ波の照射を停止すると共に回転テーブル１２の回転数を３ｒｐｍに減速する。さらにその後、後続のウエハＷの処理を開始する。このような構成の場合にも後述の実施例に示すように、回転テーブル１２に付着した膜を効率よく除去することができる。
また本発明は、真空容器内に設けた載置台に一枚のウエハＷを載置して成膜処理を行う成膜装置に適用してもよい。また真空容器内に複数のウエハＷを縦方向に棚状に載置し、棚状に載置したウエハＷの周囲に設けたヒーターにより、ウエハＷを加熱しながら成膜する成膜装置に適用してもよい。またこれらの装置において、処理容器内に成膜された薄膜の除去に適用してもよい。またパージガスを供給するノズルをプラズマ形成ユニット３Ａ〜３Ｃの下方に設けるようにしてもよい。
【００５５】
［実施例］
本発明の実施の形態の効果を検証するために以下の試験を行った。第２の実施の形態に示した成膜装置の運転方法を用い、複数のウエハＷに成膜処理を行い、７９２枚目のウエハＷに付着していたパーティクル数を確認した。次いで図１１にシーケンスを示した第２の実施の形態に係る成膜装置の運転方法を実行した後、ウエハＷの成膜処理を開始し、その後５５枚目（通算で８４７枚目）のウエハＷに付着したパーティクル数を確認した。同様の処理（サンプル）を５回行い、夫々のサンプルにおいて７９２枚目のウエハＷと８４７枚目のウエハＷとの各々においてパーティクル数を計数した。なおパーティクル数は、直径０．０４μｍ以上の大きさのパーティクルを計数している。
【００５６】
図１１はこの結果を示し、各サンプル１〜５における成膜装置の運転方法の実行前（７９２枚目）及び成膜装置の運転方法の実行後（８４７枚目）の各々のウエハＷで計数されたパーティクル数を示す特性図である。
図１１に示すように各サンプル１〜５において、成膜装置の運転方法の実行前においては、１０００個以上のパーティクルが計数されていたが、成膜装置の運転方法の実行後のウエハＷにおいては、すべてのサンプルでパーティクルは８０個以下になっており、２０個程度まで減少しているサンプルも見られた。
この結果によれば、本発明の成膜装置の運転方法を実行することによりウエハＷに付着するパーティクル数を大きく減少させることができる。従って本発明の成膜装置の運転方法より回転テーブル１２に付着しているＳｉＮ膜を効率よく剥がすことができると推測される。
【符号の説明】
【００５７】
１０      制御部
１１      真空容器
１２      回転テーブル
１５      ヒーター
１６      搬送口
２        ガス給排気ユニット
２３      パージガス吐出口
Ｒ０      吸着領域（原料ガス供給領域）
３Ａ〜３Ｃ  プラズマ形成ユニット
３１        アンテナ
３２        誘電体
Ｒ１〜Ｒ３  プラズマ発生領域
５１〜５３  ガスインジェクター
６１〜６３  排気口
【図１】
2019083233.tif 000003
【図２】
2019083233.tif 000004
【図３】
2019083233.tif 000005
【図４】
2019083233.tif 000006
【図５】
2019083233.tif 000007
【図６】
2019083233.tif 000008
【図７】
2019083233.tif 000009
【図８】
2019083233.tif 000010
【図９】
2019083233.tif 000011
【図１０】
2019083233.tif 000012
【図１１】
2019083233.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成29年12月15日(2017.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置において、
基板が載置される載置部が内部に設けられた処理容器と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内を真空排気する排気部と、
前記処理容器内に冷却ガスを供給する冷却ガス供給部と、
前記処理容器内にパージガスを供給するためのパージガス供給部と、
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、前記冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加えるステップと、少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給するステップと、前記パージガスを排気するステップと、を実行するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記薄膜に応力を加えるステップは、成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、続いて処理容器内を、当該基板に対して成膜処理を行ったときの温度である第１の温度から第２の温度に降温させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記冷却ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記パージガスを処理容器内に供給するステップは、処理容器内を真空排気している状態でパージガスを処理容器内に間欠的に供給するステップであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記パージガスをプラズマ化してプラズマを発生させるステップを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記成膜処理は、原料ガス、及び原料ガスと反応して反応生成物を生成する反応ガスを基板に対して交互に供給する処理であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記載置部は、上面に載置された基板を公転させる回転テーブルであり、
前記回転テーブル上に回転テーブルの回転方向に沿って、原料ガスが供給される原料ガス供給領域と、反応ガスが供給される反応ガス供給領域と、が互いに離間して配置されたことを特徴とする請求項６に記載の成膜装置
【請求項８】
真空雰囲気にて基板に対して成膜用のガスを供給して成膜処理を行う成膜装置の運転方法において、
成膜処理が終了した基板を処理容器から搬出した後、冷却ガスにより処理容器内を第１の温度から第２の温度に降温させて、処理容器内に成膜された薄膜に応力を加える工程と、
少なくとも前記処理容器内の温度が第１の温度から第２の温度に降温した後、前記薄膜を剥がすためにパージガスを処理容器内に供給する工程と、
前記パージガスを排気する工程と、を含み、
前記冷却ガスは、前記パージガスよりも熱伝達係数が大きいことを特徴とする成膜装置の運転方法。
【請求項９】
前記冷却ガスは、水素ガスであることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置の運転方法。
【請求項１０】
前記載置部は、上面に載置された基板を公転させる回転テーブルであり、
前記回転テーブル上に回転テーブルの回転方向に沿って、原料ガスが供給される原料ガス供給領域と、原料ガスと反応して反応生成物を生成する反応ガス供給領域と、が互いに離間して配置され、
前記成膜処理は、回転テーブルを回転させて、基板を原料ガス供給領域、及び反応ガス供給領域を交互に通過させて行うことを特徴とする請求項８または９に記載の成膜装置の運転方法。