(57)【要約】      （修正有）【課題】型材との離型性に優れた塗布液をインプリンティングリソグラフィー法に適用することにより、高精度のパターンが得られる微細パターンの形成方法、及び該微細パターンの形成方法を用いたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に金属薄膜を形成する工程と、シルセスキオキサン誘導体を含む塗布液を該金属薄膜表面に塗布して塗膜を形成する工程と、微細パターンが形成された型材により該型材のパターンを転写する工程と、該パターンが転写された膜を光硬化させる工程と、該金属薄膜をエッチングする工程と、をこの順で有し、該シルセスキオキサン誘導体が、シルセスキオキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するシルセスキオキサン誘導体である、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属薄膜を形成する工程と、
ポリシロキサン誘導体を含む塗布液を該金属薄膜表面に塗布して塗膜を形成する工程と、
微細パターンが形成された型材により該型材のパターンを転写する工程と、
該パターンが転写された膜を光硬化させる工程と、
該金属薄膜をエッチングする工程と、
をこの順で有し、
該ポリシロキサン誘導体が、ポリシロキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するシポリシロキサン誘導体である、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【請求項２】
前記ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体が、下記一般式（１）で表される構造部位を有するポリオルガノシロキサンの少なくとも一種である、請求項１記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【化１】
2019049644.tif 000012
ただし、式（１）中、Ｘ１は式（１Ａ）で表される１価の有機基であり、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ａｒは置換されていてもよいベンゼン環または置換されていてもよい縮合環を表し、Ｘ２はチオール基を有する１価の有機基を表し、Ｙ１は水酸基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、式（１）中の全Ｓｉ原子を１００モル％としたときに、ａは２０〜８０モル％、ｂは２０〜８０モル％、である。
【請求項３】
前記ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体が、下記一般式（２）で表されるかご型シルセスキオキサンを含む請求項１記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【化２】
2019049644.tif 000013
（式（２）中、ｎは１から１２の整数を示す。）
【請求項４】
前記一般式（１）のビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体または式（２）で表されるかご型シルセスキオキサンの少なくともいずれか一方の化合物と溶剤を含有する硬化性組成物。
【請求項５】
光重合開始剤を含む請求項４記載の感放射線性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細パターンの形成方法を用いたワイヤーグリッド偏光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
室温にて被加工材表面に膜を形成後、型材により型押しし、該被加工材表面の該膜からなるパターンを形成し、これをレジストとして前記被加工材を加工する技術は、ナノインプリントリソグラフィー（以下ナノインプリントともいう）技術としてよく知られている。
【０００３】
かつては、レジスト形成材料として熱可塑性ポリマー、例えばＰＭＭＡが用いられていた。そのため、型押し時に加熱が必要であり、型押し後の冷却の際、温度変化により型押し後の転写パターンの位置精度又は線幅精度が低下するという問題があった。この問題を解決するため、特定のシロキサン成分と溶剤の混合物を主成分とする溶液を用い、ＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）を用いてナノインプリテンィングリソグラフィーを実施することにより、高精度のパターンが得られる方法が開示されている（特許文献１）。
さらには型材へのＳＯＧの付着を解決するために、かご型ポリシルセスキオキサンを材料とする技術が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１００６０９号公報
【特許文献２】特開２００６−２８５０１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら前記の材料では、レジストマスク下のアルミニウム膜をエッチングするための塩素系ガスへの耐性が低く、微細加工するには十分ではなかった。
【０００６】
本発明の目的は、塩素系ガスによるエッチングに対しても高精度のパターンが得られる微細パターンの形成方法を用いた、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、特定のシルセスキオキサン誘導体をナノインプリンティングリソグラフィー法に適用することにより、特定の官能基を付与したシルセスキオキサン誘導体が、複数の転写工程におけるパターン転写特性の再現性が良好で、塩素系ガスによるエッチングに対しても高精度のパターンが得られることを見出した。
【０００８】
本発明は以下の通りである。
１．基板上に金属薄膜を形成する工程と、
ポリシロキサン誘導体を含む塗布液を該金属薄膜表面に塗布して塗膜を形成する工程と、
微細パターンが形成された型材により該型材のパターンを転写する工程と、
該パターンが転写された膜を光硬化させる工程と、
該金属薄膜をエッチングする工程と、
をこの順で有し、
該ポリシロキサン誘導体が、ポリシロキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体である、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
２．前記ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体が、下記一般式（１）で表される構造部位を有するポリオルガノシロキサン、その加水分解物及び加水分解物の縮合物よりなる群から選択される少なくとも一種である、前記１記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【化１】
2019049644.tif 000002
ただし、式（１）中、ＸＩは式（１Ａ）で表される１価の有機基であり、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ａｒは置換されていてもよいベンゼン環または置換されていてもよい縮合環を表し、Ｘ２はチオール基を有する１価の有機基を表し、ＹＩは水酸基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、式（１）中の全Ｓｉ原子を１００モル％としたときに、ａは２０〜８０モル％、ｂは２０〜８０モル％、である。
３．前記ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体が、下記一般式（２）で表されるかご型シルセスキオキサンを含む前記１記載のワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
【化２】
2019049644.tif 000003
（式（２）中、ｎは１から１２の整数を示す。）
４．  前記一般式（１）のビニルフェニル基を有するシルセスキオキサン誘導体または式（２）で表されるかご型シルセスキオキサンの少なくともいずれか一方の化合物と溶剤を含有する硬化性組成物。
５．光重合開始剤を含む前記３記載の感放射線性樹脂組成物。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、塩素系ガスによるエッチングに対しても高精度のパターンが得られる微細パターンを有するワイヤーグリッド偏光素子の製造が可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について詳細に述べる。
本発明は、ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法であって、
基板上に金属薄膜を形成する工程と、
ポリシロキサン誘導体を含む塗布液を該金属薄膜表面に塗布して塗膜を形成する工程と、
微細パターンが形成された型材により該型材のパターンを転写する工程と、
該パターンが転写された膜を光硬化させる工程と、
該金属薄膜をエッチングする工程と、
を有し、
該ポリシロキサン誘導体が、ポリシロキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体である、ことを特徴とする。
つまり金属薄膜をドライエッチングする際のマスクが、ポリシロキサン誘導体からなることを特徴とする。
【００１１】
＜ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法＞
以下、各工程について説明する。
≪基板上に金属薄膜を形成する工程≫
本発明のこの工程では、通常使用される材料、方法を使用することができる。
本発明の基材としては、通常のワイヤーグリッド偏光子に使用できるものであれば、いずれも使用することができ、例えば、ガラス基材、プラスチック基材が挙げられる。特にガラス基材であることが好ましい。基材の厚さは、５〜３００μｍであり、好ましくは、２０〜２００μｍである。
【００１２】
本発明の金属薄膜としては、ワイヤーグリッド偏光子に使用されるものであれば、いずれも使用することができる。金属細線をドライエッチングにより形成することができるものであればよく、例えばアルミニウムを挙げることができる。厚みとしては、ワイヤーグリッドとして必要な高さを確保できる厚みがあればよく、５〜１０００ｎｍ、好ましくは、２０〜８００ｎｍとすることができる。
基板上への金属薄膜の形成は、通常の方法を使用することができ、例えば蒸着法、スパッタ法を使用することができる。
【００１３】
≪ポリシロキサン誘導体を含む塗布液を該金属薄膜表面に塗布して塗膜を形成する工程≫
［ポリシロキサン誘導体］
本発明のポリシロキサン誘導体は、ポリシロキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体であることを特徴とする。
本発明のポリシロキサン骨格は、ＲＳｉＯ３／２を基本的な単位とするが、その骨格は、ランダム構造、ラダー構造、カゴ構造のいずれであってもよく、混合物であってもよい。ポリシロキサン骨格にはビニルフェニル基が結合しており、このビニルフェニル基は、ＲＳｉＯ３／２のＲとして結合する。さらに、ビニルフェニル基が共存することが好ましい。
【００１４】
塩素系ガス耐性はビニルフェニル基の結合量に比して向上するが、好ましくは、シルセスキオキサン骨格に結合するＲの１０〜９０％、好ましくは３０〜７０％、チオール基は１０〜９０％、好ましくは３０〜７０％である。ビニルフェニル基とチオール基の比率はビニルフェニル基を１ｍｏｌとすると０．５〜１．５、好ましくは０．８〜１．２ｍｏｌである。この比率にすることで“光エンチオール反応”による架橋効果を高めることができる。
【００１５】
ビニルフェニル基以外のＲとしては、水素原子、アルキル基（実施例ＤＭＤＳの例）、アリール基、ビニル基、アクリロイルアルキレン基、メタクリロイルアルキレン基、オキセタニルアルキレン基、パーフルオロアルキル基等、公知の基を適宜選択することができる。
本発明のポリシロキサン誘導体は、重量平均分子量Ｍｗが５００〜１０００００、好ましくは１０００〜３００００のポリオルガノシロキサンである。
【００１６】
本発明のポリシロキサン誘導体は、公知の方法で合成することができ、例えば特許４４１６０５４、特許４４５８３０５、特許４４５８３０６を参考にすることができる。
本発明のポリシロキサン誘導体は、ポリシロキサン骨格および該骨格に結合するビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体であることが好ましい。ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体を用いることで、ワイヤーグリッド偏光素子の製造のおける塩素エッチングにおいて、すぐれたエッチング耐性を示すことができる。
【００１７】
本発明のポリシロキサン誘導体は、下記一般式（１）で表される構造部位を有するポリオルガノシロキサンの少なくとも一種である。
【化３】
2019049644.tif 000004
ただし、式（１）中、ＸＩは式（１Ａ）で表される１価の有機基であり、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ａｒは置換されていてもよいベンゼン環または置換されていてもよい縮合環を表し、Ｘ２はチオール基を有する１価の有機基を表し、ＹＩは水酸基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、式（１）中の全Ｓｉ原子を１００モル％としたときに、ａは２０〜８０モル％、ｂは２０〜８０モル％、である。
【００１８】
本発明のビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体は、式（１Ｂ）および式（１Ｃ）のトリアルコキシシランを塩基存在下、加水分解そして縮合して得られるポリオルガノシロキサンであることがさらに好ましい。塩基触媒を用いることで残存シラノールが少ないシルセスキオキサンを得ることができる。残存シラノールが存在すると気泡の原因になることがある。ただし、Ｒ２は直結もしくは２価の有機基。Ｒ３，Ｒ５は炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ４は２価の有機基を表す。
【化４】
2019049644.tif 000005
このようなビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体を用いることで、エッチング耐性の向上とパターニング性を高いレベルで両立できる。
【００１９】
前記ビニルフェニル基を有するポリシロキサン誘導体が、下記一般式（２）で表されるかご型シルセスキオキサンを含む化合物を使用することができる。このようなかご型シルセスキオキサンを含む化合物を使用することで。パターニング性と硬化膜物性を高いレベルで両立することができる。
【化５】
2019049644.tif 000006
式（２）中、ｎは１から１２の整数を示す。これらのｎが３でありプロピレン基である場合、原料の入手のし易さ、化合物合成上の観点から望ましい。
【００２０】
［硬化性組成物である塗布液の調製］
本発明のポリシロキサン誘導体を含む塗布液は、本発明のポリシロキサン誘導体を合成した時の液をそのまま塗布液として用いてもよいし、合成し単離したものを必要に応じて、例えば、イソプロピルアルコール、トルエン、メチルイソブチルケトン、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート等の有機溶剤等に溶解させて硬化性組成物である塗布液とすることができる。
［［Ｅ］溶剤］
本発明硬化性組成物は、［Ｅ］溶剤を含有していてもよい。［Ｅ］溶剤としては、ポリシロキサン誘導体を溶解又は分散できるものであれば用いることができる。
【００２１】
［Ｅ］溶剤としては、例えば
１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のアルコール類；
ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル等のエーテル類；
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類；
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコール類；プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類；
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；
シクロヘキサノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン類；
２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類等のエステル類等；
Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン等の高沸点溶剤などが挙げられる。［Ｅ］溶剤は、１種又は２種以上を用いることができる。
【００２２】
［感放射線性樹脂組成物の調製］
硬化性組成物である塗布液には、光重合開始剤を添加し感放射線性樹脂組成物とすることができる。
≪光重合開始剤≫
光重合開始剤としては例えば、Ｏ−アシルオキシム化合物、アセトフェノン化合物、ビイミダゾール化合物、感放射線性カチオン重合開始剤、ベンゾイン化合物、ベンゾフェノン化合物、α−ジケトン化合物、多核キノン化合物、キサントン化合物、ホスフィン化合物、トリアジン化合物などを挙げることができる。
上記Ｏ−アシルオキシム化合物の具体例としては、例えば１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１，２−ノナン−２−オキシム−Ｏ−ベンゾエート、１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１，２−ノナン−２−オキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１，２−ペンタン−２−オキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−エチル−６−ベンゾイル−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−オクタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、１−〔９−ｎ−ブチル−６−（２−エチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−ベンゾエート、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）などを挙げることができる。
【００２３】
これらのＯ−アシルオキシム化合物のうち、１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−エタン−１−オンオキシム−Ｏ−アセテート、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）またはエタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）を好ましいものとして挙げることができる。
これらＯ−アシルオキシム化合物は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００２４】
上記アセトフェノン化合物としては、例えばα−アミノケトン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物およびその他のアセトフェノン化合物を挙げることができる。
これらの具体例としては、α−アミノケトン化合物として、例えば２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オン、２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オンなど；
α−ヒドロキシケトン化合物として、例えば１−フェニル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ｉ−プロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど；
その他のアセトフェノン化合物として、例えば２，２−ジメトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどを、それぞれ挙げることができる。
これらアセトフェノン化合物のうちα−アミノケトン化合物が好ましく、特に２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタン−１−オンまたは２−ジメチルアミノ−２−（４−メチルベンジル）−１−（４−モルフォリン−４−イル−フェニル）−ブタン−１−オンが好ましい。
【００２５】
上記ビイミダゾール化合物の具体例としては、例えば２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールなどを挙げることができる。
【００２６】
これらビイミダゾール化合物のうち、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールまたは２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールが好ましく、特に２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾールが好ましい。
【００２７】
本発明の感放射線性樹脂組成物において、（Ｃ）光重合開始剤としてビイミダゾール化合物を使用する場合、ジアルキルアミノ基を有する脂肪族または芳香族化合物（以下、「アミノ系増感剤」という。）およびチオール化合物から選択される少なくとも１種を添加することができる。
上記アミノ系増感剤は、ビイミダゾール化合物の放射線感度を増感し、イミダゾールラジカルの発生効率を高める機能を有する化合物であり、感放射線性樹脂組成物の感度および解像度を向上し、形成されるスペーサーまたは保護膜の基板に対する密着性をより向上する目的で添加することができる。
【００２８】
かかるアミノ系増感剤としては、例えばＮ−メチルジエタノールアミン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸ｉ−アミルなどを挙げることができる。これらのアミノ系増感剤のうち、特に４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンが好ましい。これらアミノ系増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００２９】
アミノ系増感剤の添加量は、ビイミダゾール化合物１００質量部に対して、好ましくは０．１〜５０質量部であり、より好ましくは１〜２０質量部である。この範囲のアミノ系増感剤の添加量は、良好な感度、解像度や密着性の改善効果が得られ、良好なスペーサーの形状が保持される。
【００３０】
上記チオール化合物は、イミダゾールラジカルに水素ラジカルを供与し、その結果硫黄ラジカルを有する成分を発生する機能を有する化合物である。ビイミダゾール化合物が放射線の照射を受けて開裂して生ずるイミダゾールラジカルの光重合開始能は中程度であり、極めて高いものではないから、これをそのまま液晶表示素子のスペーサーの形成に用いると、スペーサーの断面形状が逆テーパ状の好ましくない形状となる場合がある。
【００３１】
しかし、ここにチオール化合物を添加することにより、イミダゾールラジカルにチオール化合物から水素ラジカルが供与される結果、イミダゾールラジカルが中性のイミダゾールに変換されるとともに、重合開始能のより高い硫黄ラジカルを有する成分が発生し、それによりスペーサーの形状を、確実に、より好ましい順テーパ状にすることができる。かかるチオール化合物としては、例えば２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプト−５−メトキシベンゾチアゾール、２−メルカプト−５−メトキシベンゾイミダゾールなどの芳香族チオール化合物；３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトプロピオン酸メチル、３−メルカプトプロピオン酸エチル、３−メルカプトプロピオン酸オクチルなどの脂肪族モノチオール化合物；３，６−ジオキサ−１，８−オクタンジチオール、ペンタエリストールテトラ（メルカプトアセテート）、ペンタエリストールテトラ（３−メルカプトプロピオネート）などの２官能以上の脂肪族チオール化合物などを挙げることができる。これらのチオール化合物のうち、特に２−メルカプトベンゾチアゾールが好ましい。
【００３２】
チオール化合物の添加量としては、ビイミダゾール化合物１００質量部に対して、好ましくは０．１〜５０質量部であり、より好ましくは１〜２０質量部である。この範囲のチオール化合物の添加量は、スペーサーの形状の改善効果が顕著である。
【００３３】
本発明の感放射線性樹脂組成物において、（Ｃ）光重合開始剤としてビイミダゾール化合物を使用する場合、上記アミノ系増感剤およびチオール化合物の双方を添加することが好ましい。光重合開始剤の総量はシルセスキオキサン１００質量部に対して０〜２０質量部、好ましくは１〜１０質量部である。
これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。塗布液でのシルセスキオキサン誘導体の濃度は、必要に応じ適宜選択することができるが、１〜５０質量％、好ましくは１０〜３０質量％である。
【００３４】
≪［Ｄ］界面活性剤≫
［Ｄ］界面活性剤は、当該硬化性組成物から形成されるパターン形成層とモールドとの離型性を向上させ、また、当該硬化性組成物の塗布性を高める成分である。［Ｄ］界面活性剤としては、例えばシリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等が挙げられる。
【００３５】
［シリコーン系界面活性剤］
シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えばＳＨ１９０、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ２００−１００ｃｓ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ８９ＰＡ、ＳＨ８４００ＦＬＵＩＤ（以上、東レダウコーニング・シリコーン社）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業社）等が挙げられる。
【００３６】
［フッ素系界面活性剤］
フッ素系界面活性剤としては、例えばパーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、パーフルオロアルキルエチレンオキサイド付加物、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ社）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８、Ｆ−８１５１（ＤＩＣ社）、フロラードＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１、ＦＣ−４４３０（住友スリーエム社）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−１４１、Ｓ−１４５、Ｓ−３８１、Ｓ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２，ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６、サーフィノールＥ１００４、ＫＨ−１０、ＫＨ−２０、ＫＨ−３０、ＫＨ−４０（旭硝子社）、ユニダインＤＳ−４０１、ＤＳ−４０３、ＤＳ−４５１（ダイキン工業社）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル社）、ＫＰ３４１、Ｘ−７０−０９２、Ｘ−７０−０９３（信越化学工業社）、ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（共栄社化学社）等が挙げられる。
【００３７】
［ノニオン系界面活性剤］
ノニオン系界面活性剤として、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート等が挙げられる。ノニオン系界面活性剤の市販品としては、ポリフローＮｏ．５７、Ｎｏ．９５（以上、共栄社化学社）等が挙げられる。
【００３８】
当該硬化性組成物が［Ｄ］界面活性剤を含有する場合、［Ｄ］界面活性剤の含有量の下限としては、硬化性組成物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましく、０．１質量部がより好ましく、１質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましく、７質量部がより好ましく、５質量部がさらに好ましい。特に、平均厚み２００ｎｍ以下の薄膜を基板上に形成する場合には、基板上の異物や微細な凹凸により塗布欠陥が生じやすいが、［Ｄ］界面活性剤の含有量を上記範囲とすることにより、塗布欠陥を好適に抑制することができ好ましい。
【００３９】
≪その他の任意成分≫
当該硬化性組成物は、上記成分以外のその他の任意成分を含有していてもよい。その他の任意成分としては、例えば離型剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、老化防止剤、可塑剤、密着促進剤、酸化防止剤、塩基性化合物等が挙げられる。以下、各成分について説明する。
【００４０】
［（Ｃ）反応性希釈剤］
インプリント時の流動性を高めるために反応性希釈剤を用いることができる。具体的にはジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等のスチレン誘導体、１−ビニルナフタレン等のナフタレン誘導体、ビニル基含有シリコーン類（Ｘ−２４−９４５４、Ｘ−２１−５８３３、Ｘ−２１−５８３７、Ｘ−２１−５８２２、Ｘ−２２−５８２５（以上、信越化学製）を市販品として挙げることができる）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メチル−３−メルカプトプロピオネート）等の多官能チオールの他、アクリレート類、ビニルエーテル類、アリル類を用いることができる。好ましくはジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等のスチレン誘導体、１−ビニルナフタレン等のナフタレン誘導体、ビニルシリコーン類、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メチル−３−メルカプトプロピオネート）等の多官能チオールである。
【００４１】
［離型剤］
離型剤としては、例えばシリコーン系離型剤、ポリエチレンワックス、アミドワックス、テトラフルオロエチレンパウダー等の固形ワックス、フッ素系、リン酸エステル系化合物等が挙げられる。
【００４２】
シリコーン系離型剤としては、オルガノポリシロキサン構造を基本構造とする離型剤、例えば未変性又は変性シリコーンオイル、トリメチルシロキシケイ酸を含有するポリシロキサン、シリコーン系アクリル樹脂等が挙げられる。
【００４３】
当該硬化性組成物が離型剤を含有する場合、離型剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．００１質量部が好ましく、０．０１質量部がより好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量％が好ましく、５質量％がより好ましい。
【００４４】
［シランカップリング剤］
シランカップリング剤としては、例えばビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン；γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン等のアクリルシラン；β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等のエポキシシラン；Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン；γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４５】
当該硬化性組成物がシランカップリング剤を含有する場合、シランカップリング剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、１質量部が好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましい。
【００４６】
［紫外線吸収剤］
紫外線吸収剤の市販品としては、例えばＴｉｎｕｖｉｎ  Ｐ、２３４、３２０、３２６、３２７、３２８、２１３（以上、ＢＡＳＦ社）、Ｓｕｍｉｓｏｒｂ１１０、同１３０、同１４０、同２２０、同２５０、同３００、同３２０、同３４０、同３５０、同４００（以上、住友化学社）等が挙げられる。
【００４７】
当該硬化性組成物が紫外線吸収剤を含有する場合、紫外線吸収剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量％が好ましい。
【００４８】
［光安定剤］
光安定剤の市販品としては、例えばＴｉｎｕｖｉｎ  ２９２、同１４４、同６２２ＬＤ（以上、ＢＡＳＦ社）、サノールＬＳ−７７０、同７６５、同２９２、同２６２６、同１１１４、同７４４（以上、三共化成社）等が挙げられる。
【００４９】
当該硬化性組成物が光安定剤を含有する場合、光安定剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量％が好ましい。
【００５０】
［密着促進剤］
密着促進剤としては、例えばベンズイミダゾール類やポリベンズイミダゾール類、低級ヒドロキシアルキル置換ピリジン誘導体、含窒素複素環化合物、ウレア、チオウレア、有機燐化合物、８−オキシキノリン、４−ヒドロキシプテリジン、１，１０−フェナントロリン、２，２’−ビピリジン誘導体、ベンゾトリアゾール類、有機リン化合物、フェニレンジアミン化合物、２−アミノ−１−フェニルエタノール、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体等が挙げられる。
【００５１】
当該硬化性組成物が密着促進剤を含有する場合、密着促進剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．５質量部がより好ましい。上記含有量の上限としては、２０質量部が好ましく、１０質量部がより好ましく、５質量部がさらに好ましい。
【００５２】
［酸化防止剤］
酸化防止剤は、光照射による退色、及びオゾン、活性酸素、ＮＯｘ、ＳＯｘ等の各種の酸化性ガスによる退色を抑制するものである。酸化防止剤としては、例えばヒドラジド類、ヒンダードアミン系酸化防止剤、含窒素複素環メルカプト系化合物、チオエーテル系酸化防止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、アスコルビン酸類、硫酸亜鉛、チオシアン酸塩類、チオ尿素誘導体、糖類、亜硝酸塩、亜硫酸塩、チオ硫酸塩、ヒドロキシルアミン誘導体等が挙げられる。酸化防止剤の市販品としては、例えば、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、同１０３５、同１０７６、同１２２２（以上、ＢＡＳＦ社）、Ａｎｔｉｇｅｎｅ  Ｐ、同３Ｃ、同ＦＲ、スミライザーＳ（以上、住友化学社）等が挙げられる。
【００５３】
当該硬化性組成物が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましい。
【００５４】
当該硬化性組成物は、その他の任意成分として、これらの成分以外にも、着色剤、無機粒子、エラストマー粒子、光酸増殖剤、光塩基発生剤、流動調整剤、消泡剤、分散剤等を含有することができる。
【００５５】
＜塗膜＞
本発明の硬化組成物である塗布液の基板上への塗布は、通常の方法ですることができ、その乾燥も通常の方法を採用することができる。例えば金属薄膜上に、スピンコート法、ワイヤーバー法により塗布膜厚２０〜２００μｍ塗布し、塗布物を大気圧下、５０〜２００℃で加熱乾燥することにより、塗膜とすることができる。塗膜の厚みは、５〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００５６】
≪塗膜を塗布乾燥して膜を形成する工程≫
本発明では、第１段階目で塗膜をナノインプリントが可能な程度に乾燥させる。半硬化の程度は厳密なものではなく、ナノインプリントした場合にその形状が保持される程度乾燥されており、さらにそこから完全に乾燥した場合の収縮による塗膜の剥がれ等が発生しない程度であればよい。乾燥の程度は、シルセスキオキサン誘導体の構造によって相違することから、先行試験をすることにより知ることができる。
【００５７】
≪該乾燥した膜に、微細パターンが形成された型材により該型材のパターンを転写する工程≫
本発明では、前記のように乾燥した膜に、予め作製されたワイヤーグリッドの微細パターン形状を有するナノインプリント用の型材により転写する。転写は通常のナノインプリントの条件を使用することができる。このナノインプリントにより、所望のワイヤーグリッドのパターン、ピッチが転写形成され、そのパターン、ピッチに対応して金属薄膜が露出することとなる。ピッチは必要とされる性能により適宜選択することができるが、１０〜２００ｎｍ、好ましくは、５０〜１５０ｎｍである。
【００５８】
≪該パターンが転写された膜を光硬化させる工程≫
本発明では、ナノインプリントによりワイヤーグリッドの形状が転写された膜を、第２段階目で完全に光硬化させる。光硬化は、大気圧下で必要に応じて乾燥し、することによりすることができる。光硬化は、塗布膜が得ることができる最大硬化度に対して、９５％以上の硬化度であれば完全硬化ということができる。
【００５９】
≪金属薄膜をエッチングする工程≫
光硬化された塗膜下で露出したパターン、ピッチを有する金属薄膜は、ついで塩素ガス（Ｃｌ２）や、塩素ガスに三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を混合した塩素系ガスによりドライエッチングされ、ワイヤーグリッドがここで形成される。
本発明のシルセスキオキサン誘導体では、このドライエッチングでの耐性が高いことから、所望のワイヤーグリッドに極めて近い形状を得ることができる。
【００６０】
≪ワイヤーグリッドの製造方法≫
本発明では、ガラス基板表面上にワイヤーグリッドタイプのアルミニウムの微細パターンを形成する例で説明する。微細パターンの形成方法は、塗布液にポリシルセスキオキサンを含む塗布液を用いるほかは、公知のインプリントリソグラフィー法を適用することができる。
【００６１】
スパッタ法等により、ガラス基板にのアルミニウム薄膜を形成する。このガラス基板をスピンコーターにセットし、そのアルミニウム薄膜の表面に上述の塗布液を塗布する。そして、まず１００〜８００ｒｐｍ、４〜６秒の条件でスピンコートを行い、引き続き５００〜３０００ｒｐｍ、１０〜６０秒の条件でスピンコートを行う。これにより、アルミニウム薄膜の表面塗布膜を形成する。このガラス基板を、乾燥した。
【００６２】
次に、表面に所定の微細パターンが形成された型材を用い、膜に２０〜３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で５〜１５分間プレスを行う。
【００６３】
型を取り除いた後、空気雰囲気、常圧で、乾燥し、メタルハイドレートランプ等の光源にて３〜１０分間光照射し膜を光硬化させることにより、１００〜１４０ｎｍのピッチを有するＳｉＯ２の微細パターンが形成されたガラス基板を得る。
【００６４】
＜金属薄膜のエッチング＞
本発明において、金属薄膜をエッチングする際には、塩素ガス（Ｃｌ２）や、塩素ガスに三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）を混合した塩素系ガスが好ましく用いられる。
そして、ドライエッチング法等により、アルミニウム薄膜をエッチングすることにより、１００〜１４０ｎｍのピッチを有するワイヤーグリッドタイプの偏光板を得ることができる。
【００６５】
なお、本実施形態においては分離偏光素子として偏光板を製造した例を示したが、これに限定されず、例えば、回析光学素子、反射防止膜（モスアイ）等の製造にも適用することができる。
【実施例１】
【００６６】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。
【００６７】
以下の実施例において重量平均分子量Ｍｗは、以下の条件におけるゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算値である。
カラム：東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧＲＣＸＬＩＩ
溶剤：テトラヒドロフラン
温度：４０℃
圧力：６８ｋｇｆ／ｃｍ２
以下の合成例は、必要に応じて下記の合成スケールで繰り返すことにより、以降の合成例および実施例で使用する必要量の生成物を確保した。
【００６８】
＜シルセスキオキサン誘導体＞
［合成例１］
温度計、還流管および攪拌機を備えた５００ｍＬのセパラブルフラスコにＳｔＭＴＳ  ５７．２ｇ（５０ｍｏｌ％）、ＳＨＴＭＳ  ４６．９ｇ（５０ｍｏｌ％）、テトラヒドロフラン  ２０８．３ｇ、水  ８３．３ｇ、４−メトキシフェノール  ０．０７ｇおよびトリエチルアミン  １０．４ｇを加えて６０℃で３時間加水分解および縮合反応を行った。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを２０８ｇ加えてエバポレーターにより２２４ｇまで濃縮した。さらに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２０８ｇを加えて再度濃縮を行い、ポリオルガノシロキサンであるシルセスキオキサン誘導体（Ｓ−１）を２２０ｇ得た。固形分濃度は３０％であり、Ｍｗは５０００であった。
得られた（Ｓ−１）を２９Ｓｉ−ＮＭＲで分析により、Ｔ２単位に由来するピークを−５５〜−６０ｐｐｍに多重ピークとして、Ｔ２単位に由来するピークを−６３〜−８０ｐｐｍに多重ピークとして確認した。また、Ｔ２／Ｔ３の強度比は１０／９０であった。下記式（３）で示される構造が含まれることを確認した。
【化６】
2019049644.tif 000007
【００６９】
［合成例２］〜［合成例４］、［比較合成例１］および［比較合成例３］
表１に示す組成で、［合成例１］と同様に（Ｓ−２）〜（Ｓ−４）および（ＲＳ−１）、（ＲＳ−２）を合成した。合成例１と同様に合成例２の（Ｓ−２）を２９Ｓｉ−ＮＭＲで分析により求めたＴ２／Ｔ３の強度比は１０／９０であり、かご型シルセスキオキサンを含むことを確認した。（Ｓ−３）はＤ１／Ｄ２／Ｔ２／Ｔ３が３／１７／８／７２であり、かご型シルセスキオキサンを含むことを確認した。
【００７０】
【化７】
2019049644.tif 000008
【００７１】
【表１】
2019049644.tif 000009
【００７２】
＜硬化性組成物および感放射線性樹脂組成物の調製＞
硬化性組成物および感放射線性樹脂組成物の調製に用いた、ポリシロキサン誘導体、［Ｅ］溶剤、［Ｂ］光重合開始剤、及び［Ｃ］添加剤、について以下に示す。
【００７３】
［実施例１］
シルセスキオキサン誘導体（Ｓ−１）９５質量部に溶剤として（Ｅ−１）１９００質量部を混合し硬化性組成物を調製し、そこに光重合開始剤（Ｂ−１）３質量部、界面活性剤（Ｄ−１）２質量部、混合溶解し０．１μｍのフィルターで加圧ろ過して感放射線性樹脂組成物（Ｊ−１）を得た。
【００７４】
［実施例２〜６並びに比較例〜３］
下記表２に示す種類及び含有量（質量部）の各成分を使用した以外は、実施例１と同様に操作して硬化性組成物、感放射線性樹脂組成物（Ｊ−２）〜（Ｊ−６）並びに（ＲＪ−１）〜（ＲＪ−３）を調製した。
【００７５】
【表２】
2019049644.tif 000010
【００７６】
［［Ｅ］溶剤］
Ｅ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル
［［Ｂ］光重合開始剤］
Ｂ−１：２−ヒドロキシ−１−［４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル］−２−メチル−プロパン−１−オン（ＢＡＳＦ社の「Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７」）
Ｂ−２：ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦ社の「Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９」）
【００７７】
［［Ｃ］添加剤］
Ｃ−１：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）
Ｃ−２：ペンタエリスリトールテトラキス（３−メチル−３−メルカプトプロピオネート）
Ｃ−３：１，３−ジイソプロペニルベンゼン
Ｃ−４：１−ビニルナフタレン
Ｃ−５：Ｘ−２１−５８３３（ビニルシリコーン、信越化学製）
［［Ｄ］界面活性剤］
Ｄ−１：東レダウコーニング・シリコーン社の「ＳＨ  １９０」
【００７８】
（物性評価）
［実施例７］〜［実施例１２］、［比較例４］〜［比較例７］
上記硬化組成物、感放射線性樹脂組成物を以下の項目について物性評価を行った。なお、特に指定の無い場合は、２３℃５５％ＲＨに調整した雰囲気下で測定を行った。
【００７９】
＜保存安定性＞
実施例１〜６、比較例１〜３で調整した（Ｊ−１）〜（Ｊ−６）、（ＲＪ−１）〜（ＲＪ−３）を４０℃で７日間保存した。初期粘度と保存後の粘度変化を評価した。なお、粘度測定は、Ｅ型粘度計（東機産業社製  ＲＥ８０Ｌ）を用い、同粘度計のトルクが検出可能最大値に対して２０％〜８０％の範囲になるように、回転数を調整して測定した。
（粘度変化）＝（保存後粘度）／（初期粘度）
◎：（粘度変化）＜１．２
○：１．２≦（粘度変化）＜１．５
×：（粘度変化）≧１．５
【００８０】
＜塗膜外観＞
スパッタ法によりアルミ薄膜を形成したガラス基板（以下、アルミ層付ガラス基板と略）をスピンコーターにセットし、そのガラス基板の表面に上記感放射線性樹脂組成物をスピンコーティング（予備回転３００ｒｐｍ×１０秒、本回転１２００ｒｐｍ×３０秒）により塗布し、膜厚８０〜１００ｎｍの膜を得た。この塗膜を目視により観察した。
○：均一、透明な膜
×：膜荒れ、白化がみられる。
【００８１】
＜インプリント性＞
上記コーティングされたアルミ層付ガラス基板をインプリント装置のワークステージに設置した。一方、離型剤を所定の方法であらかじめ塗布した石英モールド（金型ピッチ２００ｎｍ）を、インプリント装置の石英製露光ヘッドへ貼り付けた。次いで、インプリント装置の圧力を０．２ＭＰａとした後、露光ヘッドを下降し、モールドと実験基板とを、上記調製した感放射線性樹脂組成物を介して密着させた後、２，０００ｍＪ／ｃｍ２（１００ｍＷ、３６５ｎｍ換算）でＵＶ露光を実施し、モールドを硬化したパターン形成層から剥離し、所望のパターンが形成されたアルミ薄膜を形成したアルミ層付ガラス基板を得た。
○：良好な形状のパターンが得られた。
△：一部パターンの傾き、欠けが見られた。
×：パターン欠け、傾きが全面で見られた。
【００８２】
＜ワイヤーグリッド偏光素子＞
塩素ガスによるドライエッチング法により、上記基板をエッチングすることにより、１００ｎｍのピッチを有するワイヤーグリッドタイプの偏光素子を得た。
◎：塩素ガスによるエッチング耐性が十分あり、良好な形状のアルミパターンを得られた。
○：塩素ガスによるエッチング耐性が十分あり、アルミパターンを得られた。
×：塩素ガスによるエッチング耐性不十分あり、アルミパターンが残らなかった。
【００８３】
【表３】
2019049644.tif 000011
【００８４】
以上の通り、本発明では、塩素ガスによるエッチング耐性が十分あり、良好な形状のアルミパターンを得られた。