(57)【要約】【課題】撮像装置を容易に小型低背化できるようにする。【解決手段】撮像素子２０の表面（画素形成面）ＦＡにおける画素領域２１を除く領域に再配線領域２２を設ける。撮像素子２０の周辺には表面ＦＡを除いてモールド部３０が形成される。撮像素子２０とモールド部３０の画素形成面側には、外部端子と再配線領域２２に設けられたパッド２３を接続する再配線層４１ｂ，４２ｂ，４３ｂが絶縁層」４１ａ，４２ａ，４３ａを介して形成される。したがって、パッド間隔を狭くしても基板との接続が可能となり、撮像装置１０の実装面も画素形成面側となり、小型低背化が可能となる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域を設けた撮像素子と、
前記画素形成面を除く前記撮像素子の周辺に形成されたモールド部と、
前記撮像素子と前記モールド部の前記画素形成面側に設けられて、外部端子と前記再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層と
を有する撮像装置。
【請求項２】
前記撮像素子と前記モールド部は、前記画素形成面とは反対面が研削されて所定の厚さとされている
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記モールド部に貫通ビアを設けて、前記貫通ビアの一端を前記再配線層に接続した
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記モールド部の画素形成面側に、前記再配線層と接続される回路素子を配置する領域を設けて、前記回路素子の端子に対応させて前記外部端子を配置した
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記再配線層は、絶縁層を介して１または複数積層されている
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
最外層の前記再配線層を外部端子として、前記外部端子と接続されている再配線層上に絶縁層を形成した
請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記再配線層と前記絶縁層が積層された再配線部における前記画素領域側の端面の反射率を所定値以下とする
請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記端面の反射率が所定値以下となる色または材料とする
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記端面に反射防止膜を形成する
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記端面を粗化処理する
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記再配線層は、前記絶縁層内部の領域に形成する
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記モールド部は、封止材を用いて形成する
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記封止材は液状であり、前記撮像素子の前記画素形成面とは反対面から塗布されている請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記再配線層の形成は、ウェーハプロセスを用いる
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記撮像素子の前記画素形成面側にレンズユニットを設けて、前記撮像素子の前記画素領域に前記レンズユニットの透過光を入射させる
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記撮像素子と前記レンズユニットとの間に基板を設けて、前記基板には前記レンズユニットの透過光を前記撮像素子の前記画素領域に入射可能とする開口部を形成した
請求項１５に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記外部端子を、前記基板の前記撮像素子側の面に設けた端子部に電気的に接続した
請求項１５に記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この技術は撮像装置に関し、撮像装置を容易に小型低背化できるようにする。
【背景技術】
【０００２】
従来、撮像装置では高画素化や多機能化が図られている。また、高画素化や多機能化等によってピン数が増加してもパッケージを小型化できるように、ピンの狭ピッチ化が行われている。例えば、特許文献１では、上部表面中に第１ダイ受けキャビティが形成されており内部に導電性配線が設けられた基板を用いて、第１ダイ受けキャビティ内にマイクロレンズを有する第１ダイを設けて、第１ダイおよび基板の上にマイクロレンズを露出する開口を有する第１誘電層を形成して、第１ダイおよび導電性配線と連結する再分配伝導層が設けられる。また、基板上には上部にレンズが取り付けられるレンズホルダが取り付けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２３５８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１のような構成では基板加工のコストが大きく、キャビティ内に第１ダイを設けることからキャビティに対して第１ダイの傾き（チルト）を生じるおそれがあり、低背化も困難である。
【０００５】
そこで、この技術では撮像装置を容易に小型低背化することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この技術の第１の側面は、
画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域を設けた撮像素子と、
前記画素形成面を除く前記撮像素子の周辺に形成されたモールド部と、
前記撮像素子と前記モールド部の前記画素形成面側に設けられて、外部端子と前記再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層と
を有する撮像装置にある。
【０００７】
この技術において、撮像素子では、画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域が設けられている。画素形成面を除く撮像素子の周辺にはモールド部が形成されている。モールド部は、封止材例えば液状の封止材を撮像素子の画素形成面とは反対面から塗布することで形成されている。撮像素子とモールド部の画素形成面側には、外部端子と再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層が例えばウェーハプロセスによって形成される。また、再配線層は、絶縁層を介して１または複数積層されており、最外層の再配線層を外部端子とする。外部端子と接続されている再配線層上には絶縁層が形成されている。
【０００８】
撮像素子とモールド部は、画素形成面とは反対面が研削されて所定の厚さとされてもよく、モールド部に貫通ビアを設けて、貫通ビアの一端を再配線層に接続してもよい。また、モールド部の画素形成面側に、再配線層と接続される回路素子を配置する領域を設けて、回路素子の端子に対応させて外部端子を配置してもよい。
【０００９】
再配線層と絶縁層が積層された再配線部における画素領域側の端面の反射率は所定値以下とする。例えば絶縁層は、前記端面の反射率が所定値以下となる色または材料としてもよく、端面に反射防止膜を形成してもよい。また、端面を粗化処理してもよく、再配線層を絶縁層内部の領域に形成してもよい。
【００１０】
また、撮像素子の画素形成面側にレンズユニットを設けて、撮像素子の画素領域にレンズユニットの透過光を入射させるように構成してもよい。この場合、撮像素子とレンズユニットとの間に基板を設けて、基板にはレンズユニットの透過光を撮像素子の画素領域に入射可能とする開口部を形成する。また、基板の撮像素子側の面に設けた端子部に撮像素子の再配線層を電気的に接続する。
【発明の効果】
【００１１】
この技術によれば、画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域を設けた撮像素子の周辺に、画素形成面を除いてモールド部が形成される。撮像素子とモールド部の画素形成面側には、外部端子と再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層が形成される。したがって、例えばパッド上にスタッドバンプを形成する撮像装置に比べてパッド間隔を狭くしても再配線によって基板との接続が可能となり、撮像装置の実装面が画素形成面側となり、撮像装置を容易に小型低背化することが可能となる。なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。
【図２】第１の実施の形態の構成を例示した平面図である。
【図３】製造方法の製造プロセスを説明するための図である。
【図４】第２の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。
【図５】第３の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。
【図６】第４の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。
【図７】第５の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。
【図８】再配線部を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術を実施するための形態について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
３．第３の実施の形態
４．第４の実施の形態
５．第５の実施の形態
６．他の実施の形態
【００１４】
＜１．第１の実施の形態＞
本技術の撮像装置の第１の実施の形態について図を用いて説明する。図１は第１の実施の形態の構成を例示した断面概略図を例示しており、図２は、第１の実施の形態の構成を例示した平面図を示している。
【００１５】
撮像装置１０は、光電変換を行う画素が例えば二次元マトリクス状に形成されている撮像素子２０を用いて構成されている。なお、撮像素子２０において、画素が設けられている領域を画素領域２１、撮像装置１０において撮像素子２０に入射光が照射される面を表面ＦＡ、逆側の面を裏面ＦＢとする。
【００１６】
撮像素子２０は、表面（画素形成面ともいう）ＦＡにおいて画素領域２１を除く領域に再配線領域２２を有している。また、撮像装置１０において、撮像素子２０の画素領域２１と再配線領域２２を除く周辺にモールド部３０が設けられている。
【００１７】
撮像素子２０の再配線領域２２にはパッド２３が形成されており、再配線領域２２とモールド部３０は、パッド２３とパッド２３よりもピッチ幅が広い外部端子とを電気的に接続するための再配線部４０として用いられる。
【００１８】
再配線部４０では、最外層の再配線層を外部端子として、外部端子と接続されている再配線層上に絶縁層が形成されている。例えば再配線部４０では、再配線領域２２とモールド部３０の表面に絶縁層４１ａが形成されており、絶縁層４１ａにおけるパッド２３の位置に開口部が設けられている。絶縁層４１ａの表面には導電性の材料を用いて再配線層４１ｂが形成されており、再配線層４１ｂの一方の端部は、絶縁層４１ａに設けた開口部を介してパッド２３と電気的に接続されている。再配線層４１ｂの表面および絶縁層４１ａの表面における再配線層４１ｂが設けられていない領域には、絶縁層４２ａが形成されており、絶縁層４２ａおける再配線層４１ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００１９】
絶縁層４２ａの表面には導電性の材料を用いて再配線層４２ｂが形成されており、再配線層４２ｂの一方の端部は、絶縁層４２ａに設けた開口部を介して再配線層４１ｂの他方の端部側と電気的に接続されている。再配線層４２ｂの表面および絶縁層４２ａの表面における再配線層４２ｂが設けられていない領域には、絶縁層４３ａが形成されており、絶縁層４３ａにおける再配線層４２ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００２０】
絶縁層４３ａの開口部には、再配線層４２ｂの他方の端部側と電気的に接続されて外部端子として用いられる再配線層４３ｂが導電性の材料を用いて形成されている。このように再配線部４０を構成することで、再配線領域２２に設けられたパッド２３と外部端子である再配線層４３ｂは電気的に接続されて、外部端子と接続されている再配線層上には絶縁層が形成される。さらに、再配線層間にも絶縁層が形成されることから、再配線層間の短絡や再配線層の腐食等を防止できる。なお、各絶縁層は同一材料を用いて形成してもよく、異なる材料を用いて形成してもよい。また、各再配線層は同一材料を用いて形成してもよく、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００２１】
また、撮像素子のパッド毎に設けた再配線層の延設方向は、撮像素子２０の位置から放射する方向とされているので、撮像素子２０のパッド２３の間隔が狭くとも、パッド２３に接続されている再配線層４３ｂの間隔、すなわち外部端子の端子間を広く設定できるようになり、実装面が光の入射側である表面とされたＦＯ（Ｆａｎ−ｏｕｔ）型ＣＳＰ（Chip Scale Package）の撮像装置１０を形成できる。また、ＴＳＶ（through silicon via）やパッド上にスタッドバンプを形成する場合に比べて、撮像素子のパッド間隔を狭ピッチ化して高密度化することが可能となる。
【００２２】
次に、撮像装置の製造プロセスについて図３を用いて説明する。撮像装置の製造プロセスでは、リプレイス工程、モールド部形成工程、絶縁層形成工程、再配線層形成工程、ダイシング工程が設けられている。
【００２３】
図３の（ａ）は、リプレイス工程を説明するための図である。ウェハダイシングにより分離された撮像素子２０は、予め行われた良品判別結果に基づき、良品と判別された撮像素子２０のみが選択されて、所定の間隔でダイシングテープＤＰ上に再配置される。
【００２４】
図３の（ｂ）はモールド部形成工程を説明するための図である。モールド部形成工程では、撮像素子２０の画素形成面を除く周囲にモールド部を形成する。例えば、画素形成面を保護した状態で、樹脂のスピンコートあるいはモールドなどを行い、モールド部３０を形成する。この状態では各撮像装置のモールド部が繋がっている状態である。その後、モールド部を形成して一体化されている複数の撮像素子を反転させてダイシングテープＤＰ上に配置して、撮像素子２０の画素形成面を露出させる。なお、図３の（ａ）（ｂ）では、撮像素子２０の画素領域を保護するため、フェイスダウンで再配置してモールド部を形成する場合を例示しているが、撮像素子２０をフェイスアップで再配置して画素領域を保護した状態でモールド部を形成してもよい。
【００２５】
図３の（ｃ）は絶縁層形成工程を説明するための図である。絶縁層形成工程では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などのウェーハプロセスによって、再配線領域におけるパッド２３を除く領域に絶縁層４１ａを形成する。
【００２６】
図３の（ｄ）は再配線層形成工程を説明するための図である。再配線形成工程では、スパッタなどのウェーハプロセスによって、パッド２３から放射方向、すなわち撮像素子２０の位置から放射する方向に再配線層４１ｂを延設する。
【００２７】
また、絶縁層形成工程と再配線層形成工程を繰り返して、絶縁層形成工程では、絶縁層４１ａ（４２ａ）の上面に再配線層４１ｂ（４２ｂ）が形成されている場合、再配線層４１ｂ（４２ｂ）の上面および絶縁層４１ａ（４２ａ）の上面で再配線層４１ｂ（４２ｂ）が設けられていない領域に絶縁層４２ａ（４３ａ）を形成して、再配線層との電気的接続が可能となるように開口部を形成する。また、再配線層形成工程では、絶縁層４２ａ（４３ａ）の上面に再配線層４２ｂ（４３ｂ）を形成して、下層の再配線層４１ｂ（４２ｂ）と電気的に接続する。このように絶縁層形成工程と再配線層形成工程を繰り返すことで、図１に示す撮像装置の再配線部４０に絶縁層を介して複数の再配線層を積層できる。
【００２８】
図３の（ｅ）はダイシング工程を説明するための図である。ダイシング工程では、絶縁層形成工程と再配線層形成工程を繰り返すことで再配線部４０が形成されている撮像素子間の所定位置を切断して個辺化を行い、撮像装置を生成する。
【００２９】
このような第１の実施の形態によれば、パッド間隔を狭くしても基板との接続が可能となり、撮像装置の実装面も画素形成面側となり、撮像装置を容易に小型低背化することが可能となる。
【００３０】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態では、第１の実施の形態よりも撮像装置を低背化する。第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、リプレイス工程、モールド部形成工程、絶縁層形成工程、再配線層形成工程、ダイシング工程を行い、ダイシング工程の前に裏面研削工程を設ける。
【００３１】
裏面研削工程では、裏面を露出させて研削する。研削では、樹脂部分だけでなく撮像素子２０の基板も研削してもよく、撮像素子２０の基板も研削すれば、撮像装置をさらに低背化できる。図４は、第２の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。なお、一点鎖線で示す位置は、裏面研削を行っていない第１の実施の形態の位置を参考として示している。
【００３２】
このように、第２の実施の形態では、絶縁層形成工程や再配線層形成工程でウェーハプロセスを用いていることから、ダイシング工程の前に容易に裏面研削を行うことができるので、第１の実施の形態よりも撮像装置を容易に低背化できる。
【００３３】
＜３．第３の実施の形態＞
第３の実施の形態では、高密度実装が可能な構成を例示する。撮像装置１０は、第１の実施の形態と同様に、撮像素子２０を用いて構成されており、撮像素子２０の画素領域２１と再配線領域２２を除く周辺にモールド部３０が設けられている。
【００３４】
図５は、第３の実施の形態の構成を例示した断面概略図であり、撮像素子２０の再配線領域２２にはパッド２３が形成されている。再配線領域２２とモールド部３０は、パッド２３とパッド２３よりもピッチ幅が広い外部端子を電気的に接続するための再配線部４０として用いる。また、第３の実施の形態では、モールド部３０に貫通ビアを設ける。
【００３５】
再配線部４０では、再配線領域２２とモールド部３０の表面に絶縁層４１ａが形成されており、絶縁層４１ａにおけるパッド２３の位置に開口部が設けられている。
【００３６】
絶縁層４１ａの表面には再配線層４１ｂが形成されており、再配線層４１ｂの一方の端部は、絶縁層４１ａに設けた開口部を介してパッド２３と電気的に接続されている。再配線層４１ｂの表面および絶縁層４１ａの表面で再配線層４１ｂが設けられていない領域には、絶縁層４２ａが形成されており、絶縁層４２ａおける再配線層４１ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００３７】
絶縁層４２ａの表面には再配線層４２ｂが形成されており、再配線層４２ｂの一方の端部は、絶縁層４２ａに設けた開口部を介して再配線層４１ｂの他方の端部側と電気的に接続されている。再配線層４２ｂの表面および絶縁層４２ａの表面で再配線層４２ｂが設けられていない領域には、絶縁層４３ａが形成されており、絶縁層４３ａにおける再配線層４２ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００３８】
絶縁層４３ａの開口部には、再配線層４２ｂの他方の端部側と電気的に接続されて外部端子として用いられる再配線層４３ｂが形成されている。
【００３９】
モールド部３０には、再配線層４２ｂと電気的に接続される貫通ビア４４ｂが形成される。貫通ビア４４ｂは、例えばレーザー等を用いてモールド部３０を貫通する孔を設けて、孔の内部に導電性材料例えば銅などを充填することで形成する。
【００４０】
このような第３の実施の形態によれば、回路素子（例えば画像信号処理を行う半導体素子等）５２が搭載された基板５１を、接続部（例えば半田ボール等）５３によって撮像装置１０の裏面に電気的に接続した状態で設けることができる。したがって、容易に高集積化が可能となる。また、外部端子として用いられる再配線層４３ｂと貫通ビア４４ｂを設けるようにすれば、回路素子を撮像装置１０の表面側あるいは裏面側の何れに設けることも可能となることから、回路素子等のレイアウトの自由度を高めることができる。
【００４１】
＜４．第４の実施の形態＞
第４の実施の形態では、効率のよい実装が可能な構成を例示する。撮像装置１０は、第１の実施の形態と同様に、撮像素子２０を用いて構成されており、撮像素子２０の画素領域２１と再配線領域２２を除く周辺にモールド部３０が設けられている。また、モールド部３０は、再配線部４０に回路素子（例えば半導体チップ）を搭載可能とするため、第１の実施の形態よりも再配線部４０が広い領域となるように形成されている。
【００４２】
図６は、第４の実施の形態の構成を例示した断面概略図であり、撮像素子２０の再配線領域２２にはパッド２３が形成されている。
【００４３】
再配線部４０では、再配線領域２２とモールド部３０の表面に絶縁層４１ａが形成されており、絶縁層４１ａにおけるパッド２３の位置に開口部が設けられている。
【００４４】
絶縁層４１ａの表面には再配線層４１ｂが形成されており、再配線層４１ｂの一方の端部は、絶縁層４１ａに設けた開口部を介してパッド２３と電気的に接続されている。再配線層４１ｂの表面および絶縁層４１ａの表面で再配線層４１ｂが設けられていない領域には、絶縁層４２ａが形成されており、絶縁層４２ａおける再配線層４１ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００４５】
絶縁層４２ａの表面には再配線層４２ｂが形成されており、再配線層４２ｂの一方の端部は、絶縁層４２ａに設けた開口部を介して再配線層４１ｂの他方の端部側と電気的に接続されている。再配線層４２ｂの表面および絶縁層４２ａの表面で再配線層４２ｂが設けられていない領域には、絶縁層４３ａが形成されており、絶縁層４３ａにおける再配線層４２ｂの他方の端部側位置に開口部が設けられている。
【００４６】
絶縁層４３ａの開口部には、再配線層４２ｂの他方の端部側と電気的に接続されて外部端子として用いられる再配線層４３ｂが形成されている。
【００４７】
また、再配線層４３ｂは、再配線領域２２にはパッド２３が形成されており、パッド２３に電気的に接続されて外部端子として用いられる。また、外部端子は、モールド部３０に搭載される半導体チップの端子に対応した位置に設けられる。
【００４８】
このような構成の撮像装置１０では、図３の（ｅ）に示すダイシング工程を行う前に、ＣｏＷ(Chip on Wafer)方式で半導体チップ５４を再配線部４０に搭載する。例えば、フリップチップボンダーなどの公知の装置を用いて半導体チップ５４を再配線部４０の所定の位置に搭載して、再配線層４３ｂと半導体チップ５４の端子を電気的に接続する。
【００４９】
その後、ダイシング工程でブレードを用いて所定位置で切断して個辺化を行い、撮像装置を生成する。
【００５０】
このような第４の実施によれば、ダイシング工程の前に回路素子を再配線部に搭載することから、効率よく回路素子を実装することが可能となる。
【００５１】
＜５．第５の実施の形態＞
第５の実施の形態では、撮像装置にレンズユニットを設けてモジュール化した場合について説明する。図７は、第５の実施の形態の構成を例示した断面概略図である。なお、図７の（ａ）は、本技術の撮像装置を用いた構成を示している。また、図７の（ｂ）は、従来のＦＯ型ＣＳＰの撮像装置を例示している。
【００５２】
レンズユニット７０は、レンズ７１とレンズ７１を保持するレンズホルダ７２を用いて構成されている。本技術の撮像装置では実装面が表面とされており、撮像装置１０とレンズユニット７０との間に撮像装置１０を実装する基板６０が設けられて、基板６０の一方の面に撮像装置１０が取り付けられて、他方の面にレンズホルダ７２が固定される。撮像装置１０と基板６０の電気的な接続は、基板６０の一方の面に設けた端子部に撮像装置１０の外部端子を接続して行う。基板６０は、フレキシブル基板を用いてもよく、リジット基板を用いてもよい。
【００５３】
また、基板６０は、撮像装置１０とレンズユニット７０との間に設けられることから、基板６０には、レンズ７１と通過した光を撮像素子２０の画素領域２１に入射させるための開口６１が設けられる。このように、撮像装置の実装面を表面（光の入射側）とすると、レンズトップから撮像素子２０の表面までのバックフォーカスＢＦの範囲内に基板６０を含めることができる。したがって、撮像装置にレンズユニットを設けてモジュール化した場合、図７の（ｂ）に示すように撮像装置の実装面を裏面とした場合に比べて、モジュールの光軸方向の寸法を薄くすることが可能となる。具体的には、撮像素子２０の厚さｄｉと基板ＦＢの厚さｄｐおよび撮像素子２０と基板ＦＢの間隔ｄａの加算値よりもモールド部３０の厚さｄｍを薄くすれば、加算値（ｄｉ＋ｄｐ＋ｄａ）とモールド部３０の厚さｄｍとの差分ｄＳだけ薄くできる。また、第２の実施の形態の撮像装置を用いることで、モジュールの光軸方向の寸法をさらに薄くできる。
【００５４】
撮像装置１０の再配線部４０と基板６０の電気的接続は、例えば導電性バンプ（金バンプや銅バンプ，半田バンプ等）あるいは異方導電フィルムＡＣＦを用いたフリップチップ接続で行ってもよく他の手法を用いてもよい。
【００５５】
撮像装置１０の再配線部４０と基板６０との間には、接続部位におけるクラックの発生の防止や両者の熱膨張率の差の緩和、強度の向上等のためにアンダーフィル部６３を設けてもよい。アンダーフィル部６３は、例えば再配線部４０と基板６０を電気的に接続したのち両者間に液状のアンダーフィル材を注入することで形成する。また、再配線部４０と基板６０との間にシート状のアンダーフィル材を設けて、その後に再配線部４０と基板６０を電気的に接続してもよい。
【００５６】
また、基板６０には、撮像装置１０を電気的に接続するだけでなく、能動素子あるいは受動素子、コネクタ等の接続部品を設けてもよく、端部に接続端子を形成してもよい。
【００５７】
このように、第５の実施の形態によれば、撮像装置にレンズユニットを設けてモジュール化する場合に、実装面が裏側とされている従来の撮像装置を用いる場合に比べて、モジュールを低背化できる。
【００５８】
＜６．他の実施の形態＞
次に、他の実施の形態では、撮像装置１０で得られる撮像画の画質低下を低減する構成について説明する。図８は再配線部を示している。
【００５９】
上述の実施の形態のように画素領域２１の周囲に再配線部４０を形成した場合、撮像装置１０の入射光が再配線部４０における画素領域側の端面ＳＦで反射して画素領域２１に入射することにより、撮像画の画質を低下させるおそれが考えられる。
【００６０】
そこで、他の実施の形態では、再配線部４０を形成したことによる画質への影響を低減させるため、端面ＳＦの反射率を画質への影響が許容可能な所定値以下とする。具体的には、再配線部で用いる材料および／または再配線部における画素領域側の端面ＳＦの処理によって反射率を低減させる。
【００６１】
再配線部で用いる材料によって画質への影響を軽減させる場合、絶縁層として反射率の低い色あるいは材料を用いる。例えば材料の色として反射率の低い黒色などを用いる。また、材料の種類としては、カーボンを含む樹脂系材料などを用いる。
【００６２】
再配線部４０の端面ＳＦの処理としては、以下のような処理を行うことで反射率を低下させて、端面での反射による画質低下の影響を低減する。
【００６３】
・反射防止膜を形成
絶縁層の端面に反射防止膜を形成する。反射防止膜の材料としては反射率の低い樹脂材料、テープなどを用いる。このような材料を用いて反射防止膜を形成することで、端面での反射が少なくなり、画質低下の影響を低減できる。
【００６４】
・端面の粗化処理
各絶縁層端面に粗化処理を施す。粗化処理の手法としては、プラズマ処理などが挙げられる。このように端面を粗化することで、反射光が分散されて画素領域に入射する反射光が少なくなり、画質低下の影響を低減できる。
【００６５】
・再配線層の形成領域の限定
再配線層は、端面に露出しないように絶縁層内部の領域に形成する。再配線層として例えば金属膜を用いた場合、金属膜は反射率が高く再配線層が端面に露出すると端面での反射光の光量が大きくなってしまう。しかし、再配線層を絶縁層内部の領域に形成すれば、再配線層による反射がないことから、画質低下の影響を低減できる。
【００６６】
このように撮像装置を構成すれば、撮像装置の小型低背化が可能となるだけでなく、画質の低下を防止することも可能となる。なお、上述の実施の形態では再配線層を３層設けた場合を例示しているが、再配線層は１層または２層であってもよく、４層以上であってもよい。
【００６７】
本明細書に記載した効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、記載されていない付加的な効果があってもよい。また、本技術は、上述した技術の実施の形態に限定して解釈されるべきではない。この技術の実施の形態は、例示という形態で本技術を開示しており、本技術の要旨を逸脱しない範囲で当業者が実施の形態の修正や代用をなし得ることは自明である。すなわち、本技術の要旨を判断するためには、特許請求の範囲を参酌すべきである。
【００６８】
また、本技術の撮像装置は以下のような構成も取ることができる。
（１）  画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域を設けた撮像素子と、
前記画素形成面を除く前記撮像素子の周辺に形成されたモールド部と、
前記撮像素子と前記モールド部の前記画素形成面側に設けられて、外部端子と前記再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層と
を有する撮像装置。
（２）  前記撮像素子と前記モールド部は、前記画素形成面とは反対面が研削されて所定の厚さとされている（１）に記載の撮像装置。
（３）  前記モールド部に貫通ビアを設けて、前記貫通ビアの一端を前記再配線層に接続した（１）または（２）に記載の撮像装置。
（４）  前記モールド部の画素形成面側に、前記再配線層と接続される回路素子を配置する領域を設けて、前記回路素子の端子に対応させて前記外部端子を配置した（１）乃至（３）のいずれかに記載の撮像装置。
（５）  前記再配線層は、絶縁層を介して１または複数積層されている（１）乃至（４）のいずれかに記載の撮像装置。
（６）  最外層の前記再配線層を外部端子として、前記外部端子と接続されている再配線層上に絶縁層を形成した（５）に記載の撮像装置。
（７）  前記再配線層と前記絶縁層が積層された再配線部における前記画素領域側の端面の反射率を所定値以下とする（５）または（６）に記載の撮像装置。
（８）  前記絶縁層は、前記端面の反射率が所定値以下となる色または材料とする（７）に記載の撮像装置。
（９）  前記端面に反射防止膜を形成する（７）または（８）に記載の撮像装置。
に記載の撮像装置。
（１０）  前記端面を粗化処理する（７）または（８）に記載の撮像装置。
（１１）  前記再配線層は、前記絶縁層内部の領域に形成する（７）乃至（１０）のいずれかに記載の撮像装置。
（１２）  前記モールド部は、封止材を用いて形成する（１）乃至（１１）のいずれかに記載の撮像装置。
（１３）  前記封止材は液状であり、前記撮像素子の前記画素形成面とは反対面から塗布されている（１２）に記載の撮像装置。
（１４）  前記再配線層の形成は、ウェーハプロセスを用いる（１）乃至（１３）のいずれかに記載の撮像装置。
（１５）  前記撮像素子の前記画素形成面側にレンズユニットを設けて、前記撮像素子の前記画素領域に前記レンズユニットの透過光を入射させる（１）乃至（１４）のいずれかに記載の撮像装置。
（１６）  前記撮像素子と前記レンズユニットとの間に基板を設けて、前記基板には前記レンズユニットの透過光を前記撮像素子の前記画素領域に入射可能とする開口部を形成した（１５）に記載の撮像装置。
（１７）    前記外部端子を、前記基板の前記撮像素子側の面に設けた端子部に電気的に接続した（１５）または（１６）に記載の撮像装置。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
この技術の撮像装置では、画素形成面における画素領域を除く領域に再配線領域を設けた撮像素子の周辺に、画素形成面を除いてモールド部が形成される。撮像素子とモールド部の画素形成面側には、外部端子と再配線領域に設けられたパッドを接続する再配線層が形成される。したがって、撮像装置を容易に小型低背化することが可能となることから、例えば携帯型の電子機器等に適している。
【符号の説明】
【００７０】
１０・・・撮像装置
２０・・・撮像素子
２１・・・画素領域
２２・・・再配線領域
２３・・・パッド
３０・・・モールド部
４０・・・再配線部
４１ａ，４２ａ，４３ａ・・・絶縁層
４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ・・・再配線層
４４ｂ・・・貫通ビア
５１，６０・・・基板
５４・・・半導体チップ
６１・・・開口
６３・・・アンダーフィル部
７０・・・レンズユニット
７１・・・レンズ
７２・・・レンズホルダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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