(57)【要約】【課題】互いに隣り合う副画素間のリーク電流の低減と個々の副画素の発光効率の向上との双方を実現するのに有利な技術を提供する。【解決手段】表示装置は、基板上に配された複数の画素を備え、前記複数の画素の少なくとも一つが、互いに隣り合って配置され且つ互いに異なる色の光を発生する第１の副画素、第２の副画素および第３の副画素を含み、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素は発光層を含む有機化合物層を備える、表示装置であって、前記画素において、所定輝度の白色光を発生させる場合の該画素の前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の駆動電流量をそれぞれＩ１、Ｉ２およびＩ３として、Ｉ１＞Ｉ２＞Ｉ３であるとき、前記第１の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークが前記第２の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークよりも制限されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配された複数の画素を備え、前記複数の画素の少なくとも一つが、互いに隣り合って配置され且つ互いに異なる色の光を発生する第１の副画素、第２の副画素および第３の副画素を含み、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素は発光層を含む有機化合物層を備える、表示装置であって、
前記画素において、所定輝度の白色光を発生させる場合の該画素の前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の駆動電流量をそれぞれＩ１、Ｉ２およびＩ３として、Ｉ１＞Ｉ２＞Ｉ３であるとき、
前記第１の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークが前記第２の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークよりも制限されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記所定輝度は、１［ｃｄ／ｍ２］以上かつ５［ｃｄ／ｍ２］以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１の副画素と前記第２の副画素との間の電流リークが前記第２の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークよりも制限されている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素のそれぞれは、前記基板と前記有機化合物層との間に配置されている下部電極を有し、
前記有機化合物層は、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の前記下部電極にまたがって配置されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機化合物層は、複数の層が積層されて成り、
前記複数の層のうちの下層側の一部は、前記第１の副画素の前記下部電極と前記第３の副画素の前記下部電極との間における電気抵抗が、前記第２の副画素の前記下部電極と前記第３の副画素の前記下部電極との間における電気抵抗よりも大きくなるように、形成された
ことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記下層側の一部は、前記第１の副画素の前記下部電極と前記第３の副画素の前記下部電極との間において、薄膜化され又は分断されている
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基板の上面には、前記第１の副画素の前記下部電極と前記第３の副画素の前記下部電極との間において、溝部が設けられており、
前記有機化合物層は前記溝部内を埋めるように設けられている
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素のそれぞれの前記下部電極の平面視における周縁部を取り囲むように設けられた絶縁部材を更に備えており、
前記絶縁部材は、
前記第１の副画素に対応する前記下部電極と前記第３の副画素に対応する前記下部電極との間に位置する第１部分と、
前記第１部分以外の部分である第２部分と、
を含み、
前記第１部分は、前記基板から離れるほど水平方向の幅が大きくなるように設けられ、かつ、前記第２部分は、前記基板から離れるほど水平方向の幅が小さくなるように設けられ、
前記有機化合物層は、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の前記下部電極を覆うと共に前記絶縁部材の前記第１部分および前記第２部分を覆うように、前記基板上面に沿って延設されている
ことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記下層側の一部は、正孔注入層、正孔輸送層および電子阻止層の少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記下層側の一部は、電子注入層、電子輸送層および正孔阻止層の少なくとも１つを含む
ことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機化合物層を覆うように、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の前記下部電極の上方において前記基板上面に沿って延設された上部電極を更に備える
ことを特徴とする請求項５から請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１の副画素は、青色光を発生可能に構成され、
前記第２の副画素は、緑色光を発生可能に構成され、
前記第３の副画素は、赤色光を発生可能に構成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置を備える
ことを特徴とする電気装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に有機発光層を備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
カメラの電子ビューファインダ、テレビのディスプレイ、携帯端末の表示パネル等に用いられる表示装置の中には、画素に有機発光素子が用いられたものがある（特許文献１〜２参照）。このような表示装置は、有機ＥＬディスプレイ等とも称される。一例として、表示装置は、複数の画素が配列された画素アレイを備え、各画素には、例えば青色光、緑色光、赤色光等、互いに異なる色の光を発生する複数の副画素が設けられる。表示装置は、これら複数の副画素の発光光を組み合わせることにより、及び、それらの光量を調節することにより、画素毎に多様な色を表示可能とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２１６３３８号公報
【特許文献２】特開２０１４−２３２６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜２には、互いに隣り合う副画素間で生じうるリーク電流を低減するため、該副画素間に、リーク電流を制限する構造を設けることが記載されている。一方、このような構造を、互いに隣り合う副画素間の境界部の全部に設けると、個々の副画素の発光光量を低下させることとなり得、発光効率の低下あるいは輝度の低下の原因ともなりうるため、構造上の改善の余地があった。
【０００５】
本発明の目的は、互いに隣り合う副画素間のリーク電流の低減と個々の副画素の発光効率の向上との双方を実現するのに有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの側面は表示装置にかかり、前記表示装置は、基板上に配された複数の画素を備え、前記複数の画素の少なくとも一つが、互いに隣り合って配置され且つ互いに異なる色の光を発生する第１の副画素、第２の副画素および第３の副画素を含み、前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素は発光層を含む有機化合物層を備える、表示装置であって、前記画素において、所定輝度の白色光を発生させる場合の該画素の前記第１の副画素、前記第２の副画素および前記第３の副画素の駆動電流量をそれぞれＩ１、Ｉ２およびＩ３として、Ｉ１＞Ｉ２＞Ｉ３であるとき、前記第１の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークが前記第２の副画素と前記第３の副画素との間の電流リークよりも制限されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、互いに隣り合う副画素間のリーク電流の低減と個々の副画素の発光効率の向上との双方を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】表示装置の構成例を説明するための図である。
【図２】画素配列の態様の一例および参考例を説明するための図である。
【図３】画素構造の例を説明するための図である。
【図４】画素配列の態様の一例および参考例を説明するための図である。
【図５】画素構造の例を説明するための図である。
【図６】表示装置の適用例を説明するための図である。
【図７】表示装置の適用例を説明するための図である。
【図８】表示装置の適用例を説明するための図である。
【図９】表示装置の適用例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。各図は、構造ないし構成を説明する目的で記載されたものに過ぎず、図示された各部材の寸法は必ずしも現実のものを反映するものではない。また、各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下、重複する内容については説明を省略する。また、各図を説明する際の上方、下方等の表現は各要素間の相対的な位置関係を示すものである。
【００１０】
（第１実施形態）
図１（Ａ）は、第１実施形態に係る表示装置１の構成の一例を示す。表示装置１は、本実施形態では有機ＥＬディスプレイ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ‐Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）とし、画素アレイ２、走査信号ドライバ３、情報信号ドライバ４、及び、電圧供給部５を備える。
【００１１】
画素アレイ２は、複数の行および複数の列を形成するように配列された複数の画素２１を含む。本実施形態においては、各画素２１は、互いに隣り合って配置され且つ互いに異なる色の光を発生可能な副画素２１１〜２１３を含む。即ち、副画素２１１と副画素２１２と副画素２１３とは、互いに隣り合うようにそれぞれ複数配列されている。本実施形態においては、副画素（第１の副画素）２１１は青色光を発生可能とし、副画素（第２の副画素）２１２は緑色光を発生可能とし、また、副画素（第３の副画素）２１３は赤色光を発生可能とする。詳細については後述とするが、各画素２１は、副画素２１１〜２１３の発光光を組み合わせることにより、及び、それらの光量を調節することにより、多様な色の光を出射可能とする。
【００１２】
走査信号ドライバ３は、各行に設けられた信号線を介して、複数の副画素２１１〜２１３に行毎に走査信号ＳＩＧ３を供給する。情報信号ドライバ４は、各列に設けられた信号線を介して、複数の副画素２１１〜２１３に列毎に情報信号ＳＩＧ４を供給する。電圧供給部５は、複数の副画素２１１〜２１３に所定電圧（例えば接地電圧等）を供給する。このような構成により、各画素２１の副画素２１１〜２１３のそれぞれを個別に駆動可能となっている。
【００１３】
図１（Ｂ１）は、副画素２１１の構成の一例を示す。副画素２１１は、有機発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ（ＯＬＥＤ））Ｅ１、及び、トランジスタＴ１を有する。詳細については後述とするが、有機発光素子Ｅ１は、電圧が加えられたことに応じて発光する有機化合物層により形成される。トランジスタＴ１には、本実施形態では薄膜トランジスタが用いられるものとする。トランジスタＴ１は、ソース端子で有機発光素子Ｅ１のアノード（陽極）に接続され、また、ゲート端子で走査信号ＳＩＧ３を受け、ドレイン端子で情報信号ＳＩＧ４を受ける。有機発光素子Ｅ１のカソード（陰極）は電圧供給部５により接地される。
【００１４】
このような構成において、副画素２１１は、走査信号ドライバ３から活性化レベルの走査信号ＳＩＧ３を受けて選択された際に情報信号ドライバ４から活性化レベルの情報信号ＳＩＧ４を受け取ったことに応じて駆動され、それにより有機発光素子Ｅ１が発光する。一例として、トランジスタＴ１がＮチャネル型トランジスタの場合、走査信号ＳＩＧ３および情報信号ＳＩＧ４の双方がハイレベルのとき、トランジスタＴ１が導通状態となり、有機発光素子Ｅ１が駆動されて発光することとなる。有機発光素子Ｅ１の発光光の光量は情報信号ＳＩＧ４の信号値に従うこととなる。ここでは副画素２１１の構成を例示したが、他の副画素２１２及び２１３についても同様である。
【００１５】
詳細については後述とするが、副画素２１１、２１２及び２１３には、有機発光素子Ｅ１を覆うように、青色、緑色及び赤色のカラーフィルタがそれぞれ設けられる。有機発光素子Ｅ１が発光すると、副画素２１１、２１２及び２１３のそれぞれから、カラーフィルタに対応した色の光が出射されることとなる。
【００１６】
図１（Ｂ１）の例では、説明の容易化のため、副画素２１１として、単一のトランジスタＴ１を有する構成を例示したが、これに限られない。例えば、図１（Ｂ２）の副画素２１１’に示されるように、トランジスタＴ１の代わりにトランジスタＴ２及びＴ３が用いられてもよい。この例では、トランジスタＴ２は、ソース端子でトランジスタＴ３のゲート端子に接続され、また、ゲート端子で走査信号ＳＩＧ３を受け、ドレイン端子で情報信号ＳＩＧ４を受ける。また、トランジスタＴ３は、電源電位と接地電位との間に有機発光素子Ｅ１と直列に接続されて配置される。このような構成によっても上記副画素２１１同様の機能を実現可能であり、また、他の副画素２１２〜２１３についても同様のことが云える。
【００１７】
図２（Ａ）は、本実施形態に係る画素２１の上面レイアウトを示す模式図である。本実施形態においては、平面視（複数の画素２１の配列方向に対して垂直な方向での視点。或いは上面視。）において、各画素２１の副画素２１１〜２１３は一方向に並設されているものとする。このような配列はストライプ配列とも称され、本実施形態では、副画素２１１〜２１３は行方向に並んでいるものとする。
【００１８】
また、各画素２１は分離構造２１９を更に備える。詳細については後述とするが、本実施形態においては、分離構造２１９は、副画素２１１と副画素２１３との間に配置され、それらの間で生じうるリーク電流を制限（或いは抑制、遮断）する。尚、分離構造２１９は、遮蔽構造、リーク電流抑制構造、副画素間絶縁構造等と表現されてもよい。
【００１９】
図３は、図２（Ａ）の線Ｘ−Ｘでの断面構造を示す模式図である。本実施形態においては、表示装置１は、基板２１００と、複数の下部電極２１１０と、絶縁部材２１２０と、有機化合物層２１３０と、上部電極２１４０と、封止層２１５０と、カラーフィルタ層２１６０とを備え、これらにより画素アレイ２を形成している。
【００２０】
基板２１００には、画素２１の各要素を形成するための所定の板状の基材が用いられ、例えば、ガラス基板、シリコン基板等が用いられる。各要素は、基板２１００上面あるいは基板２１００上方に配置され、例えば、ここでは不図示とするが、上述のトランジスタＴ１は基板２１００上面に形成される。
【００２１】
複数の下部電極２１１０は、基板２１００上に配される。複数の下部電極２１１０には、公知の導電部材が用いられ、例えば、アルミニウム、銀、チタン等の金属、それらの合金、それ／それらの化合物等が用いられる。各下部電極２１１０は、タングステン等で構成されたコンタクトプラグ（ここでは不図示）を介して、トランジスタＴ１に電気接続される。下部電極２１１０は、スパッタリング等、公知の堆積法により形成可能である。
【００２２】
絶縁部材２１２０は、複数の下部電極２１１０のそれぞれの平面視における周縁部を取り囲むように設けられ、後述の有機化合物層２１３０における発光領域を画定する。絶縁部材２１２０は、例えば、複数の下部電極２１１０を覆うように絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上における各下部電極２１１０の周縁部上方にレジスト部材を形成し、該レジスト部材を用いて公知のエッチングを行うことで形成可能である。このときのエッチングの例としてはプラズマエッチングが挙げられる。
【００２３】
有機化合物層２１３０は、複数の下部電極２１１０の全部を覆うように、画素アレイ２が形成されるべき領域に亘って基板２１００上面に沿って延設される（平面視において配列方向に広がって設けられる。）。有機化合物層２１３０は、複数の層が積層されて成り、本実施形態においては、発光層２１３１、アノード側機能層２１３２、及び、カソード側機能層２１３３を含む。アノード側機能層２１３２は、発光層２１３１の下に配置され、アノード側機能層２１３２として、下層側から上層側に向かって順に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層および電子阻止層が配置される。また、カソード側機能層２１３３は、発光層２１３１の上に配置され、カソード側機能層２１３３として、上層側から下層側に向かって順に、例えば、電子注入層、電子輸送層および正孔阻止層が配置される。有機化合物層２１３０に所定の電圧が加えられると、アノード側機能層２１３２から発光層２１３１に正孔が供給され、カソード側機能層２１３３から発光層２１３１に電子が供給される。発光層２１３１では、正孔および電子の再結合により所定の波長の光が発生する。
【００２４】
上部電極２１４０は、複数の下部電極２１１０の上方において、有機化合物層２１３０を覆うように基板２１００上面に沿って延設される。上部電極２１４０には、有機化合物層２１３０の発光光が透過可能となるように、光透過性を有する導電部材が用いられ、例えば、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛等が用いられる。尚、上部電極２４３の他の例として、上記発光光が十分に透過可能となる金属薄膜（膜厚１［ｎｍ］〜３０［ｎｍ］程度）が用いられてもよく、例えば、金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム、それらの合金等が用いられてもよい。上部電極２１４０は、スパッタリング等、公知の堆積法により形成可能である。
【００２５】
上述の複数の下部電極２１１０、有機化合物層２１３０及び上部電極２１４０は、有機発光素子Ｅ１を形成する。本実施形態では、基板２１００の上かつ有機発光素子Ｅ１の下に設けられた複数の下部電極２１１０は、有機発光素子Ｅ１のアノードに対応し、また、有機発光素子Ｅ１の上に設けられた上部電極２１４０は、有機発光素子Ｅ１のカソードに対応する。個々の下部電極２１１０は、副画素２１１〜２１３の何れかに対応する（換言すると、副画素２１１〜２１３のそれぞれは下部電極２１１０を有する。）。有機化合物層２１３０及び上部電極２１４０は、画素アレイ２が形成されるべき領域に亘って複数の下部電極２１１０を覆うように（複数の下部電極２１１０にまたがって）基板２１００上面に沿って延設される。例えば、副画素２１１に対応する下部電極２１１０と、上部電極２１４０との間に所定の電圧が加わると、有機化合物層２１３０における副画素２１１に対応する一部において光が発生する。この光は、上部電極２１４０を透過して副画素２１１の発光光として上方に出射されることとなる。
【００２６】
封止層２１５０は、基板２１００上に形成された画素２１の各素子を封止する。封止層２１５０には、有機化合物層２１３０の発光光が透過可能となるように、光透過性を有する絶縁部材が用いられ、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、酸化アルミニウム等が用いられうる。封止層２１５０は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（化学気相成長））、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング等、公知の堆積法により形成可能である。
【００２７】
カラーフィルタ層２１６０は、封止層２１５０上に配置され、有機化合物層２１３０の発光光のうち互いに異なる波長の成分を透過可能とする複数のカラーフィルタを含む。本実施形態においては、カラーフィルタ層２１６０は、青色フィルタ２１６１、緑色フィルタ２１６２、及び、赤色フィルタ２１６３を含む。これらフィルタ２１６１〜２１６３は副画素２１１〜２１３に対応するようにそれぞれ配置される。例えば副画素２１１については、有機化合物層２１３０の発光光がフィルタ２１６１を透過することにより青色光が出射されることとなる。フィルタ２１６１〜２１６３の個々は、例えばスピンコーティングによりフィルタ材料を塗布する工程と、該フィルタ材料を露光し現像する工程とを繰り返し行うことで順に形成可能である。
【００２８】
有機化合物層２１３０には、公知の有機化合物が用いられればよい。尚、有機化合物層２１３０は、その大部分が有機化合物で構成されればよく、一部において無機物が用いられてもよい。
【００２９】
発光層２１３１は、電圧を受けて発光可能な発光材料、或いは、所定のホスト材料に該発光材料をドープした材料で構成されてもよいし、２以上の層を積層して構成されてもよい。上記発光材料としては、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、銅錯体、ユーロピウム錯体、ルテニウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。また、上記ホスト材料としては、芳香族炭化水素化合物、その誘導体の他、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体等が挙げられる。
【００３０】
アノード側機能層２１３２において、正孔注入層には、電子親和力が５．０［ｅＶ］以上の材料が用いられるとよい。また、正孔輸送層には、正孔の移動度が比較的高い材料が用いられるとよい。また、電子阻止層には、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ（最低空軌道））が真空準位に比較的近い（ＬＵＭＯの浅い）材料が用いられるとよい。
【００３１】
カソード側機能層２１３３において、電子注入層には、仕事関数の比較的小さい材料が用いられるとよい。また、電子輸送層には、電子の移動度が比較的高い材料が用いられるとよい。また、正孔阻止層には、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ（最高被占軌道））が真空準位から比較的遠い（ＨＯＭＯの深い）材料が用いられるとよい。
【００３２】
電子注入層の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等、アルカリ金属、アルカリ土類金属、或いは、それらの化合物が挙げられる。例えば、炭酸セシウム等のセシウム化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易であるため、好適に用いられうる。また、電子注入層として、所定の有機化合物に上記アルカリ金属等をドナー（電子供与性のドーパント）としてドープした材料を用いることもできる。例えば、アルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等に上記アルカリ金属等をドープした材料が好適に用いられうる。
【００３３】
ところで、有機化合物層２１３０が延設された上記構造においては、或る副画素を駆動した場合、その駆動電流の一部が、隣の他の副画素にリークする可能性がある。以下では、一例として、各画素２１において所定の色の光を発生するため、或る副画素２１１と、その隣の２１２とを同時に駆動する場合について考える。
【００３４】
副画素２１１に対応する下部電極２１１０（区別のため「下部電極２１１０１」とする。）と、上部電極２１４０との間には、例えば電圧Ｖ１が加えられるものとする。有機化合物層２１３０のうち下部電極２１１０１‐上部電極２１４０間の部分（例えば部分２１３０１とする。）では、理想的には、電圧Ｖ１に相当する光量の光が発生する。副画素２１２に対応する下部電極２１１０（区別のため「下部電極２１１０２」とする。）と、上部電極２１４０との間には、例えばＶ２（＜Ｖ１）が加えられるものとする。有機化合物層２１３０のうち下部電極２１１０２‐上部電極２１４０間の部分（例えば部分２１３０２とする。）では、理想的には、電圧Ｖ２に相当する光量の光が発生する。
【００３５】
しかしながら、上記部分２１３０１と部分２１３０２との間では電流量が互いに異なるため、それらの間には電流のリークが生じる可能性がある。ここでＶ１＞Ｖ２とする上述の例においては、部分２１３０１の駆動電流は部分２１３０２の駆動電流よりも大きくなるため、部分２１３０１の駆動電流の一部が部分２１３０２へリークする可能性がある。結果として、副画素２１１は、目的の駆動力よりも小さい駆動力で駆動される形となり、副画素２１２は、目的の駆動力よりも大きい駆動力で駆動される形となる。これらのことは他の副画素２１３との間においても同様である。
【００３６】
即ち、上述のような副画素２１１〜２１３間で生じうる電流のリークは、或る画素２１から所望の色の光を出射するように副画素２１１〜２１３を駆動した場合に、その色とは異なる他の色の光が出射されるような事態をもたらしうる。
【００３７】
上記電流のリークの対策の一案として、リーク電流を制限するための構造を、副画素２１１〜２１３間の境界部に設けることも考えられる一方で、このような構造を設けることは副画素２１１〜２１３の有効面積を狭めることとなりうる。そのため、このような構造を上記境界部の全部に設けると、個々の副画素２１１〜２１３の発光光量を不要に低下させることとなり、発光効率の低下あるいは輝度の低下の原因ともなりうる。そこで、本実施形態では、リーク電流を制限するための分離構造２１９を、副画素２１１〜２１３間の境界部のうちのリーク電流の比較的大きい一部のみに設けることとした。
【００３８】
ここで、上記有効面積は、或る副画素における発光可能な領域の平面視での面積を示すが、等価的に、画素２１の配列ピッチに対する副画素２１１〜２１３の発光可能な領域の幅の割合（開口率）で評価されてもよい。また、副画素２１１〜２１３の個々の発光可能な領域は、実質的には、平面視において下部電極２１１０の上面のうち絶縁部材２１２０により露出された部分と重なる領域に対応する。
【００３９】
図３に示されるように、分離構造２１９は、基板２１００上面に溝部（凹部）を形成し、この溝部内を有機化合物層２１３０で埋めることで、設けられる。分離構造２１９の形成方法としては、例えば、基板２１００上面にプラズマエッチングにより溝部を形成し、その後、有機化合物層２１３０を構成する複数の層を真空蒸着法により該基板２１００上に順に形成すること、が挙げられる。本実施形態の場合、有機化合物層２１３０のうち下層側の一部であるアノード側機能層２１３２は、この溝部内で薄膜化され或いは分断された形状で形成される（いわゆる“段切れ”が発生する。）。これにより、有機化合物層２１３０における副画素間の電気抵抗が大きくなり、それらの間で生じうる電流のリークが制限されることとなる。
【００４０】
本実施形態では、リーク電流が比較的大きい副画素２１１‐副画素２１３間に分離構造２１９を設け、リーク電流が比較的小さい副画素２１１‐副画素２１２間および副画素２１２‐副画素２１３間には分離構造２１９を設けない構成とした。このことは、以下のように説明される。
【００４１】
或る画素２１から所定輝度の白色光を出射する場合において、青色光を発生する副画素２１１の駆動電流量Ｉ１とし、緑色光を発生する副画素２１２の駆動電流量Ｉ２とし、赤色光を発生する副画素２１３の駆動電流量Ｉ３とする。ここで、白色光を出射する場合、一般にＩ１＞Ｉ２＞Ｉ３が成立する。即ち、赤色光を発生する副画素２１３の駆動電流量Ｉ３は比較的小さい。そのため、副画素２１３は他の副画素からのリーク電流の影響を受け易く、特に副画素２１１‐副画素２１３間では、駆動電流量の差が最も大きいため、電流のリークが生じ易い。
【００４２】
また、上記リーク電流の影響は、画素２１から出射される白色光が高輝度（例えば５００［ｃｄ／ｍ２］程度）か、低輝度（例えば２［ｃｄ／ｍ２］程度）かによっても変動しうる。低輝度の白色光を出射する場合における副画素２１３の駆動電流量は、高輝度の白色光を出射する場合における副画素２１３の駆動電流量に比べて１〜２桁小さく、低輝度の白色光を出射する場合、副画素２１３は上記リーク電流の影響を更に受け易い。例えば、分離構造２１９を設けない場合、高輝度の白色光を出射する際の副画素２１３の駆動電流量ＩＤＲＶに対する副画素２１１から副画素２１３へのリーク電流ＩＬＥＡＫの比（ＩＬＥＡＫ／ＩＤＲＶ）は０．４程度となる。一方、低輝度の白色光を出射する際の上記比は０．７程度となる。よって、画素２１から出射される白色光を低輝度にするほど、該出射光は赤色を帯びることとなりうる。
【００４３】
本実施形態によれば、電流のリークが生じ易い副画素２１１‐副画素２１３間に分離構造２１９を設けるため、副画素２１１‐副画素２１３間においてはリーク電流を適切に制限可能となる。一方、電流のリークが生じ難い副画素２１１‐副画素２１２間および副画素２１２‐副画素２１３間には分離構造２１９を設けないため、それら副画素２１１〜２１３の個々の有効面積が不要に狭められることがない。よって、副画素２１１〜２１３の個々の発光光量を適切に確保可能となる。
【００４４】
図２（Ｂ）は、参考例として、画素２１Ｒの上面レイアウトを図２（Ａ）同様に示す。参考例では、分離構造２１９は、行方向における副画素２１１〜２１３の境界部の全部に設けられる。そのため、副画素２１１〜２１３の個々の有効面積が狭められることとなる。これに対して、本実施形態（図２（Ａ）参照）によれば、参考例（図２（Ｂ）参照）に比べて、副画素２１１の有効面積と副画素２１２の有効面積とを近接させ且つ副画素２１２の有効面積と副画素２１３の有効面積とを近接させることが可能となる。
【００４５】
よって、本実施形態によれば（図２（Ａ）参照）、副画素２１１〜２１３の個々の有効面積を広くすることが可能となり、副画素２１１〜２１３間の上記リーク電流の低減と共に、個々の副画素２１１〜２１３の発光効率の向上を実現可能となる。
【００４６】
本実施形態では、分離構造２１９を、副画素２１１‐副画素２１３間のみに設け、副画素２１１‐副画素２１２間および副画素２１２‐副画素２１３間には設けないこととしたが、分離構造２１９の配置位置は必要に応じて変更可能である。例えば、青色光を発生する副画素２１１から、赤色光を発生する副画素２１３へのリーク電流の他、緑色光を発生する副画素２１２へのリーク電流も比較的大きい場合には、分離構造２１９は副画素２１１‐副画素２１２間にも設けられてもよい。
【００４７】
他の実施形態として、分離構造２１９の幅（基板２１００上面と平行な方向、即ち水平方向、での幅）を変更することも可能である。分離構造２１９の幅を大きくすると、リーク電流を効果的に制限可能となる一方で、副画素の有効面積を狭めることとなり、また、分離構造２１９の幅を小さくすると、該有効面積を確保可能となる一方で、リーク電流を制限する作用は抑制されることとなる。
【００４８】
よって、例えば、互いに異なる幅の分離構造２１９を副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に設けることも可能である。例えば、副画素２１１‐副画素２１３間の分離構造２１９の幅を幅Ｗ１とし、副画素２１１‐副画素２１２間の分離構造２１９の幅を幅Ｗ２とし、副画素２１２‐副画素２１３間の分離構造２１９の幅を幅Ｗ３とする。このとき、それらの分離構造２１９は、Ｗ１＞Ｗ２＞Ｗ３（或いはＷ１＞Ｗ２≧Ｗ３）が成立するように、設けられるとよい。例えば、画素２１の配列ピッチが２．０［μｍ］以上かつ８．０［μｍ］以下の範囲では、分離構造２１９を設けるための溝部は、０．１［μｍ］以上の幅で設けられるとよく、また、１．０［μｍ］以下の幅で設けられるとよい。
【００４９】
この観点において、副画素２１１と副画素２１３との間の電流リークが、副画素２１２と副画素２１３との間の電流リークよりも制限されればよい、と云える。本実施形態においては、分離構造２１９を設けることにより、有機化合物層２１３０は、副画素２１１と副画素２１３との間の電流リークが副画素２１２と副画素２１３との間の電流リークよりも制限されるように、設けられる。更に、必要に応じて、副画素２１１と副画素２１２との間の電流リークは副画素２１２と副画素２１３との間の電流リークよりも制限されるとよい。
【００５０】
副画素２１１〜２１３間での電流のリークのし易さは、各画素２１について所定輝度の白色光を出射する場合の副画素２１１〜２１３の個々の駆動電流量に基づいて評価されればよい。前述のとおり、本実施形態においては、低輝度の白色光を出射する場合に副画素２１３は上記リーク電流の影響を更に受け易い。よって、例えば１［ｃｄ／ｍ２］以上かつ５［ｃｄ／ｍ２］以下の輝度の白色光を出射する場合における副画素２１１〜２１３の駆動電流量Ｉ１〜Ｉ３の大小関係に基づいて、分離構造２１９の配置態様を決定可能である。
【００５１】
本実施形態では、分離構造２１９を設けることにより、有機化合物層２１３０のうち下層側の一部であるアノード側機能層２１３２が薄膜化され或いは分断された形状にした。本実施形態では、これにより、アノード側機能層２１３２の副画素２１１‐副画素２１３間における電気抵抗は、副画素２１２‐副画素２１３間の電気抵抗よりも大きくなる。アノード側機能層２１３２の副画素間における電気抵抗は、それらの下部電極２１１０間の電気抵抗に対応する。よって、例えば図１（Ｂ１）の構成例においては、互いに隣り合う２つの副画素に活性化レベルの走査信号ＳＩＧ３を供給しつつ互いに異なる信号値の情報信号ＳＩＧ４を供給することで、それらの間で生じるリーク電流に基づいて上記電気抵抗を評価可能である。
【００５２】
本実施形態では、アノード側機能層２１３２として、下層側から上層側に向かって順に正孔注入層、正孔輸送層および電子阻止層が配置されるものとしたが、それらの少なくとも１つ（一般には、最下層の正孔注入層）が薄膜化され或いは分断されればよい。尚、他の実施形態として、正孔輸送層及び／又は電子阻止層は必要に応じて省略可能である。
【００５３】
画素２１（或いは、副画素２１１〜２１３の個々）の構造は本実施形態の例に限られるものではなく、例えば有機発光素子Ｅ１のアノード及びカソードの位置関係は入れ替えられてもよい。即ち、本実施形態では、アノードを下方側に位置させ且つカソードを上方側に位置させて画素２１を構成したが、他の実施形態として、カソードを下方側に位置させ且つアノードを上方側に位置させてもよい。この場合、分離構造２１９を設けることにより、カソード側機能層２１３３、即ち電子注入層、電子輸送層および正孔阻止層の少なくとも１つ、が薄膜化され或いは分断されればよい。尚、更に他の実施形態として、電子輸送層及び／又は正孔阻止層は必要に応じて省略可能である。
【００５４】
以上、本実施形態によれば、副画素２１１〜２１３間のリーク電流の低減と共に、個々の副画素２１１〜２１３の発光効率の向上を実現可能となる。
【００５５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、図２（Ａ）に例示されるように、画素２１は副画素２１１〜２１３が一方向に配列された態様（ストライプ配列）で構成されるものとしたが、画素２１の構成は、これに限られるものではない。例えば、副画素２１１〜２１３を他の形状にすることも可能であり、そのような副画素２１１〜２１３を他の態様で配列することも可能である。
【００５６】
図４（Ａ）は、第２実施形態に係る画素２１の上面レイアウトを示す模式図であり、画素２１は、副画素２１１〜２１３の個々が六角形の形状に区画されて配列された態様（いわゆるデルタ配列）で構成される。図４（Ｂ）は、参考例として、デルタ配列で構成された画素２１Ｒの上面レイアウトを図４（Ａ）同様に示す。
【００５７】
図４（Ａ）から分かるように、本実施形態では、分離構造２１９は、副画素２１１‐副画素２１３間に設けられ、副画素２１１‐副画素２１２間および副画素２１２‐副画素２１３間には設けられない。一方、図４（Ｂ）の参考例では、分離構造２１９は、副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に設けられる。本実施形態（図４（Ａ）参照）によれば、参考例（図４（Ｂ）参照）に比べて、副画素２１１の有効面積と副画素２１２の有効面積とを近接させ且つ副画素２１２の有効面積と副画素２１３の有効面積とを近接させることが可能となる。よって、本実施形態においても、副画素２１１〜２１３の個々の有効面積が不要に狭められることなく、副画素２１１〜２１３間のリーク電流を低減可能となり、第１実施形態同様の効果が得られる。
【００５８】
尚、本実施形態では、ストライプ配列とは異なる画素２１の配列態様の一例としてデルタ配列を例示したが、スクエア配列、ベイヤ配列、モザイク配列等、多様な配列態様が選択可能である。また、複数の画素２１は、必ずしもそれらの全部が所定の態様で配列されていなくてもよく、それらの一部が他の一部とは異なる配列態様となるように配されていてもよい。また、各画素２１には、青色、緑色および赤色以外の色（例えば白色、黄色、マゼンタ、シアン等）の光を出射可能な他の副画素が更に設けられてもよい。
【００５９】
（第３実施形態）
第１実施形態では、有機化合物層２１３０のうちのアノード側機能層２１３２を薄膜化し或いは分断して副画素間のリーク電流を制限する構造として、分離構造２１９を例示したが、同様の作用を実現する構造は、これに限られるものではない。
【００６０】
図５は、第３実施形態に係る表示装置１の画素アレイ２の断面構造を、図３（第１実施形態）同様に示す。本実施形態においては、副画素２１１‐副画素２１３間には分離構造２１９’が設けられる。
【００６１】
分離構造２１９’は次のようにして設けられる。先ず、下部電極２１１０の周縁部を取り囲む絶縁部材２１２０の一部をいわゆる逆テーパー形状にする。より具体的には、絶縁部材２１２０は、副画素２１１に対応する下部電極２１１０と、副画素２１３に対応する下部電極２１１０との間に位置する部分２１２０’と、それ以外の部分である部分２１２０”と、を含むように形成される。部分２１２０’は、基板２１００から離れるほど幅（水平方向の幅）が大きくなるように設けられ、即ち、逆テーパー形状となっている。部分２１２０”は、基板２１００から離れるほど幅が小さくなるように設けられ、即ち、図３（第１実施形態参照）同様である。他の観点では、図５に示されるように、部分２１２０’の下部における内角（副画素間の境界部に近い方の内角）は鈍角（好適には１００〜１３５［度］程度）となっており、部分２１２０”については内角が鋭角となっている。
【００６２】
部分２１２０’及び２１２０”は、それぞれ個別に形成されうる。例えば、部分２１２０’及び２１２０”は、複数の下部電極２１１０を覆うように絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上における各下部電極２１１０の周縁部上方にレジスト部材を形成し、該レジスト部材を用いてエッチングを行うことで、個別に形成されうる。その際、部分２１２０’を形成する際のエッチング条件と、部分２１２０”を形成する際のエッチング条件とは、互いに異なるものとすればよい。
【００６３】
有機化合物層２１３０は、複数の下部電極２１１０を覆うと共に上述の絶縁部材２１２０の部分２１２０’及び２１２０”を覆うように、基板２１００上面に沿って延設される。有機化合物層２１３０は、第１実施形態同様、有機化合物層２１３０を構成する複数の層を真空蒸着法により順に形成することで、設けられる。その際、部分２１２０’は逆テーパー形状となっているため、有機化合物層２１３０のうち下層側の一部であるアノード側機能層２１３２は、薄膜化され或いは分断された形状で形成される。これにより、アノード側機能層２１３２の副画素２１１‐副画素２１３間における電気抵抗が大きくなり、リーク電流を制限することが可能となるため、本実施形態においても第１実施形態同様の効果が得られうる。
【００６４】
（実施例および比較結果）
以下では、実施形態に係る第１〜第３実施例と、それらとの対比のための第１〜第６比較例とを参照しながら、実施形態の効果を述べる。
【００６５】
第１〜第３実施例では、画素２１の配列ピッチが７．８［μｍ］、６．３［μｍ］及び５．０［μｍ］の３種類の画素アレイ２をそれぞれ用意し、副画素２１１〜２１３の配列態様は何れもストライプ配列（第１実施形態、図２（Ａ）参照）とした。
【００６６】
基板２１００にはシリコン基板を用いた。下部電極２１１０にはアルミニウム合金と酸化インジウム錫とが積層された電極を用いた。有機発光素子Ｅ１とトランジスタＴ１とを接続するコンタクトプラグの材料としてタングステンを用いた。絶縁部材２１２０にはシリコン酸化物を用いた。また、副画素２１１‐副画素２１３間のリーク電流を制限する構造として分離構造２１９を採用した（第１実施形態、図３参照）。
【００６７】
アノード側機能層２１３２においては、正孔注入層として、下記化合物Ａ１の層を厚さ５［ｎｍ］で形成した。また、正孔輸送層として、下記化合物Ａ２の層を厚さ３０［ｎｍ］で形成した。また、電子阻止層として、下記化合物Ａ３の層を厚さ１０［ｎｍ］で形成した。
【００６８】
【化１】
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【００６９】
発光層２１３１は、実験例においては、２層を積層することで形成した。該２層のうちの下層側の一方として、ホスト材料としての上記化合物Ａ４（質量比９８％）に上記化合物Ａ６（質量比１％）及び上記化合物Ａ７（質量比１％）をドープした層を、厚さ１０［ｎｍ］で形成した。該２層のうちの他方として、ホスト材料としての上記化合物Ａ４（質量比９７％）に上記化合物Ａ５（質量比３％）をドープした層を、厚さ１５［ｎｍ］で形成した。
【００７０】
カソード側機能層２１３３においては、正孔阻止層は省略し、電子輸送層として、上記化合物Ａ８の層を厚さ１２０［ｎｍ］で形成した。また、電子注入層として、ＬｉＦの層を厚さ０．５［ｎｍ］で形成した。
【００７１】
上部電極２１４０としては、銀およびマグネシウムを混合した膜（体積比１：１）を厚さ１０［ｎｍ］で形成した。封止層２１５０としては、シリコン窒化物を厚さ３．０［μｍ］で形成した。封止層２１５０は、ここではＣＶＤにより形成される。そして、封止層２１５０上面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により平坦化した後、封止層２１５０上にカラーフィルタ層２１６０を設けた。カラーフィルタ層２１６０のフィルタ２１６１〜２１６３の個々は、フィルタ材料を塗布する工程と、該フィルタ材料を露光し現像する工程とを繰り返し行うことで順に形成される。
【００７２】
このようにして第１〜第３実施例の表示装置を作製し、任意の画素２１から低輝度の白色光を出射させた場合の副画素２１１〜２１３の個々の電気特性を評価した。青色光を発生する副画素２１１については、単位面積あたりの駆動電流量は０．６［ｍＡ／ｃｍ２］であった。また、緑色光を発生する副画素２１２については、単位面積あたりの駆動電流量は０．５［ｍＡ／ｃｍ２］であった。また、赤色光を発生する副画素２１３については、単位面積あたりの駆動電流量は０．１［ｍＡ／ｃｍ２］であった。
【００７３】
また、第１〜第６比較例としての表示装置を第１〜第３実施例同様の手順で作製した：
第１比較例としては、画素２１の配列ピッチを７．８［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に分離構造２１９を設けた；
第２比較例としては、画素２１の配列ピッチを６．３［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に分離構造２１９を設けた；
第３比較例としては、画素２１の配列ピッチを５．０［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に分離構造２１９を設けた；
第４比較例としては、画素２１の配列ピッチを７．８［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の何れにも分離構造２１９を設けなかった；
第５比較例としては、画素２１の配列ピッチを６．３［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の何れにも分離構造２１９を設けなかった；及び
第６比較例としては、画素２１の配列ピッチを５．０［μｍ］とし、副画素２１１〜２１３間の境界部の何れにも分離構造２１９を設けなかった。
【００７４】
第１〜第３実施例と第１〜第６比較例との比較結果は、前述の開口率（画素２１の配列ピッチに対する副画素２１１〜２１３の発光可能な領域の幅の割合）と共に、以下のように纏められる。
【００７５】
【表１】
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【００７６】
例えば第１実施例においては、副画素２１１‐副画素２１３間の境界部のみに分離構造２１９を設けた。そのため、第１実施例と第１比較例とを比較すると、第１実施例によれば、副画素２１１〜２１３間の境界部の全部に分離構造２１９を設けた第１比較例よりも、開口率を大きくすることができる。第２実施例と第２比較例との比較、及び、第３実施例と第３比較例との比較についても同様のことが云える。尚、第１〜第３実施例及び第１〜第３比較例の何れにおいても、画素２１から出射されるべき白色光が赤色を帯びることもなかった。
【００７７】
一方、第４比較例においては、副画素２１１〜２１３間の境界部の何れにも分離構造２１９を設けないため、開口率は第１実施例よりも大きくすることができる。しかしながら、画素２１から白色色を出射する際には、副画素２１１と副画素２１３との間で生じるリーク電流により、該白色光は赤色を帯び、特に低輝度となる程これが顕著になることが確認された。第２実施例と第５比較例との比較、及び、第３実施例と第６比較例との比較についても同様のことが云える。
【００７８】
その他、第２実施形態に係る表示装置１（図４（Ａ）参照）及び第３実施形態に係る表示装置１（図５参照）についても作製して評価したところ、上記第１〜第３実施例同様の効果が確認された。特に、第３実施形態に係る表示装置１（図５参照）においては、副画素２１１‐副画素２１３間の境界部で、上部電極２１４０も薄膜化され或いは分断され、それらの間でのリーク電流を更に適切に制限可能となることが確認された。
【００７９】
（変形例）
以上、いくつかの好適な態様を例示したが、本発明はこれらの例に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部が変更され又は組み合わされてもよい。例えば、図１（Ａ）の例では、各画素２１の副画素２１１〜２１３は互いに同じ列に配置され、それらには共通の信号線を介して走査信号ＳＩＧ３が供給されるものとしたが、この態様に限られるものではない。例えば、副画素２１１〜２１３には、互いに異なる信号線を用いて走査信号ＳＩＧ３が個別に供給されてもよい。
【００８０】
また、副画素２１１等の構成は図１（Ｂ１）及び図１（Ｂ２）の例に限られるものではなく、各副画素には、輝度ムラを補償するための補償回路等が更に設けられてもよい。また、各副画素においてトランジスタＴ１に薄膜トランジスタを用いることを述べたが、薄膜トランジスタに代替して、ＭＯＳトランジスタ、接合トランジスタ等、他のスイッチ素子が用いられてもよい。
【００８１】
また、図３の例では、副画素２１１〜２１３にはカラーフィルタ層２１６０としてそれぞれフィルタ２１６１〜２１６３が設けられるものとしたが、カラーフィルタ層２１６０の機能は他の要素に設けられ、カラーフィルタ層２１６０には省略されてもよい。例えば、封止層２１５０がカラーフィルタ層２１６０の機能を備えてもよいし、副画素２１１〜２１３間で発光層２１３１の発光材料を変えてもよい。
【００８２】
また、上述の実施形態においては複数の画素２１の全部について分離構造２１９（又は２１９’）を設ける態様を例示したが、必要に応じて、分離構造２１９は一部の画素２１において省略されてもよい。即ち、分離構造２１９は、複数の画素２１の少なくとも一部あるいは少なくとも一つに適用されればよい。
【００８３】
（適用例）
上述の実施形態の表示装置１は、カメラの電子ビューファインダ、テレビのディスプレイ、携帯機器の表示パネル等、多様な電気装置に適用可能である。
【００８４】
図６（Ａ）は、撮像装置６１の模式図である。撮像装置６１は、筐体６１０にそれぞれ取り付けられた操作部６１１、背面ディスプレイ６１２および電子ビューファインダ６１３を備える。ユーザは、操作部６１１を用いて、所望の被写体の撮像を行い、また、該撮像により得られる画像を背面ディスプレイ６１２により確認することが可能である。表示装置１は、電子ビューファインダ６１３に適用可能であり、撮像を行う際にはユーザは電子ビューファインダ６１３を用いて被写体およびその周辺環境を確認することができる。この場合、表示装置１は、被写体およびその周辺環境に付随する情報（例えば、外光の強度、被写体の移動速度等、撮像を適切に実現するのに必要な情報）を更に表示してユーザに通知することも可能である。尚、撮像装置６１の概念には、撮像機能を主機能として備えるカメラの他、撮像機能を補助的に備えるものも含まれる。
【００８５】
図６（Ｂ）は、携帯機器６２の模式図である。携帯機器６２は、筐体６２０にそれぞれ取り付けられた表示部６２１および操作部６２２を備える。表示装置１は、この表示部６２１に適用可能であり、ユーザは、操作部６２２を用いて、表示部６２１に所望の画像を表示させることが可能である。また、表示部６２１は、他の操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、携帯機器６２の例としては、ポータブルタイプの電子機器ないしモバイル機器が挙げられ、例えば、スマートフォン等の携帯電話の他、ゲーム機器等が挙げられる。
【００８６】
図６（Ｃ）は、モニタ装置６３の模式図である。モニタ装置６３は、フレーム６３０、フレーム６３０を支持する支持台６３１、及び、フレーム６３０に縁取りされた表示部６３２を備える。表示装置１は、この表示部６３２に適用可能であり、ユーザは、不図示のリモートコントローラを用いて、又は、フレーム６３０若しくは支持台６３１に設けられた不図示の操作部を用いて、表示部６３２に所望の画像を表示させることが可能である。尚、モニタ装置６３は、所望の映像を表示可能な装置であればよく、モニタ装置６３の概念には、テレビモニタ（放送受信機）、パーソナルコンピュータ用モニタ等が含まれる。
【００８７】
図６（Ｄ）は、フォルダブルタイプの（折り畳み可能な）デバイス６４の模式図である。デバイス６４は、筐体６４０と、筐体６４０を折り畳み可能にする折曲部（屈曲部）６４１と、第１表示部６４２と、第２表示部６４３とを備える。第１〜第２表示部６４２及び６４３は、それぞれ折曲部６４１の両側において筐体６４０に取り付けられる。例えば、第１〜第２表示部６４２及び６４３は、筐体６４０が折り畳まれて閉じられた状態においては休止状態となり、筐体６４０が開いた状態においては駆動状態となる。表示装置１は、これら第１〜第２表示部６４２及び６４３のそれぞれに適用可能であり、第１〜第２表示部６４２及び６４３は、互いに異なる画像を表示することも可能であるし、それらで１つの画像を表示することも可能である。第１〜第２表示部６４２及び６４３の一方または双方は、操作部としての機能を兼ね、即ちタッチパネルとしても機能しうる。尚、このようなデバイス６４の概念には、例えば、ディスプレイ（いわゆるフォルダブルディスプレイ）の他、スマートフォン（いわゆるフォルダブルフォン）等のタブレット端末が含まれる。
【００８８】
図７は、表示装置１が適用された電子機器７１の分解図の一例を示す。電子機器７１は、タッチパネル部７１１、表示パネル部７１２、実装基板７１３、バッテリ７１４、並びに、これらを収容するためのカバー部７１５及び７１６を備える。タッチパネル部７１１は、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）７１１１を介して実装基板７１３に電気接続される。ユーザは、タッチパネル部７１１を介して操作内容を入力可能である。表示パネル部７１２は、ＦＰＣ７１２１を介して実装基板７１３に電気接続される。表示装置１は、この表示パネル部７１２に適用可能であり、表示パネル部７１２には、ユーザによる操作内容に応じた画像が表示される。
【００８９】
実装基板７１３は、複数の電子部品（例えば電源ＩＣ、プロセッサ等の半導体パッケージ）がリジッド基板上に実装されて成る。例えば、電源ＩＣは、バッテリ７１４から電力を受けて、タッチパネル部７１１および表示パネル部７１２を駆動するための電力をそれぞれ生成する。該電力は、ＦＰＣ７１１１及び７１２１を介して、タッチパネル部７１１および表示パネル部７１２にそれぞれ供給される。また、例えば、プロセッサは、タッチパネル部７１１に入力された操作内容を示す信号を、ＦＰＣ７１１１を介して受け取り、それに応じた画像を表示させるための信号を、ＦＰＣ７１２１を介して表示パネル部７１２に出力する。
【００９０】
表示装置１が適用可能な電気装置は、画像の表示を主目的とした上述の電子機器に限られるものではなく、表示装置１は多様な用途で用いられ、その汎用性は高い。例えば、表示装置１は、室内用の照明装置にも適用可能であるし、二輪車、四輪車等の車両にも適用可能である。即ち、電気装置の概念には、電気エネルギーに基づいて動作可能な多様な装置が含まれる。
【００９１】
図８は、表示装置１が適用された照明装置８１の分解図の一例を示す。照明装置８１は、筐体８１０、光源部８１１、光学フィルム８１２および光拡散部８１３を備える。光源部８１１は、不図示のスイッチがＯＮとなったことに応じて光を発生する。光源部８１１の光は、光学フィルム８１２を通った後に光拡散部８１３において多様な方向に拡散される。これにより、室内を適切に照らすことが可能となる。表示装置１は、この光源部８１１に適用可能であり、光源部８１１は、室内を照らすための多様な色の光を選択的に発生可能である（この例では表示装置１は画像の表示を目的とするものではない。）。例えば、光源部８１１は、ユーザにより入力された操作内容に基づいて、昼光色、昼白色、白色、温白色、電球色等の光を選択的に発生可能である。
【００９２】
図９は、表示装置１が適用された車両９１後方部の模式図である。車両９１は、車体９１０にそれぞれ取り付けられたウィンドシールド９１１及び灯体９１２を備える。車両９１の運転者は、ウィンドシールド９１１を介して車外の様子を視認可能である。表示装置１は、このウィンドシールド９１１に適用可能であり、運転を行うのに必要な情報（例えば歩行者の有無等）をウィンドシールド９１１に表示可能である。また、灯体９１２は、運転者による運転操作に基づいて光を発生する。表示装置１は、この灯体９１２にも適用可能であり、灯体９１２は、運転者による運転操作に応じた光を選択的に発生可能である（この例では表示装置１は画像の表示を目的とするものではない。）。例えば、灯体９１２は、車両９１が制動状態であることを示すテールランプとして用いることも可能であるし、車両９１が左折ないし右折を行うことを示す方向指示器（ウィンカ）として用いることも可能である。
【００９３】
（その他）
本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。
【符号の説明】
【００９４】
１：表示装置、２１：画素、２１１〜２１３：第１〜第３の副画素、２１００：基板、２１３０：有機化合物層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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