(57)【要約】【課題】優れた低温貼付性及び十分な耐熱性を有し、半導体ウェハを支持体に十分固定することができ、かつ加工後の半導体ウェハ及び支持体から容易に分離することができるフィルム状の仮固定材の形成を可能とする仮固定用の樹脂組成物と樹脂フィルムを提供する。【解決手段】本発明に係る仮固定用樹脂組成物は、半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、仮固定された半導体ウェハの加工工程と、加工後の半導体ウェハを支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える加工方法に用いられるフィルム状の仮固定材において、少なくとも半導体素子又はそのウェハに貼付けられる側の層を形成するために使用され、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）シリコーン化合物及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含み、硬化後の貯蔵弾性率が２５℃で０．１〜２００ＭＰａの範囲にある。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された前記半導体ウェハを前記支持体及び前記フィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる前記フィルム状の仮固定材において、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層を形成するために使用される仮固定用樹脂組成物であって、
（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）シリコーン化合物及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含み、硬化後の貯蔵弾性率が２５℃において０．１〜２００ＭＰａの範囲にある仮固定用樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）シリコーン化合物の配合量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部である、請求項１に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｂ）シリコーン化合物が、シロキサン骨格中に非反応性官能基を有する、請求項１又は２に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項４】
前記非反応性官能基が、ポリエーテル基である、請求項３に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）熱硬化性樹脂の配合量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．１〜３０質量部である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項６】
（Ｄ）硬化促進剤をさらに含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項８】
前記反応性基含有（メタ）アクリル共重合体が、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０〜２０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項７に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度が−５０〜５０℃である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量が１００，０００〜２，０００，０００である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の仮固定用樹脂組成物をフィルム状に形成してなる、仮固定用樹脂フィルム。
【請求項１２】
請求項１１で得られた仮固定用樹脂フィルムと、前記仮固定樹脂フィルムの上に第二の層としてラミネートした、前記仮固定用樹脂フィルムとは異なる仮固定用樹脂組成物から形成される別の仮固定用樹脂フィルムと、を有する２層形態の仮固定用樹脂フィルム。
【請求項１３】
離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、請求項１１又は１２に記載の仮固定用樹脂フィルムと、を備える、仮固定用樹脂フィルムシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定用の樹脂組成物、樹脂フィルム及び樹脂フィルムシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
スマートフォン、タブレットＰＣ等の電子機器の多機能化に伴い、半導体素子を多段に積層し、高容量化したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ）が普及している。半導体素子の実装には、実装工程において有利なフィルム状接着剤がダイボンディング用の接着剤として広く用いられている。しかし、このように多機能化の傾向があるにも関わらず、現行のワイヤボンドを使用した半導体素子の接続方式では、データの処理速度に限界があることから、電子機器の動作が遅くなる傾向にある。また、消費電力を低く抑え、充電せずにより長時間使用したいとのニーズが高まっていることから、省電力化も求められつつある。このような観点から、近年、更なる高速化及び省電力化を目的として、ワイヤボンドではなく貫通電極により半導体素子同士を接続する新しい構造の電子機器装置も開発されてきている。
【０００３】
このように電子機器装置は新しい構造が開発されてきている一方で、依然として高容量化も求められており、パッケージ構造に関わらず、半導体素子をより多段に積層できる技術の開発が進められている。しかし、限られたスペースにより多くの半導体素子を積層するためには、半導体素子の安定した薄型化が必要不可欠である。
【０００４】
例えば現在、半導体素子を薄型化する研削工程では、いわゆるバックグラインド（ＢＧ）テープと呼ばれる支持テープを半導体素子に貼り付け、サポートした状態で研削することが主流となっている。しかし、薄型化した半導体素子は表面に施された回路の影響により反りやすい。そのため、変形しやすいテープ素材であるＢＧテープでは、薄型化した半導体素子を充分にサポートできなくなりつつある。
【０００５】
このような背景から、ＢＧテープよりも硬い素材であるシリコンウェハ又はガラスを支持体とする半導体素子の薄型化プロセスが提案されており、半導体素子とシリコンウェハ又はガラスの支持体とを粘着させる材料が提案されてきている。このような粘着剤では、研削後の半導体素子を損傷させることなく、支持体から剥離できることが重要な特性として要求される。そのため、これらの特性を満足するための剥離方法が鋭意検討されている。剥離方法としては、例えば、溶剤による粘着剤の溶解を利用する方法、加熱により粘着性を落とすことで剥離性を向上させる方法、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法等が挙げられる（特許文献１及び２）。しかし、溶剤での粘着剤の溶解には時間がかかるため、生産性が低下しやすい。また、加熱により粘着性を落とす方法では、加熱による半導体素子への影響が懸念されるとともに、耐熱性に劣ることから、貫通電極等を形成するプロセス用途では使用できない。一方、レーザー照射により粘着剤を改質又は消失させる方法では、高価なレーザー設備の導入が必要不可欠であり、このようなプロセスの適用には、かなりの投資が必要不可欠となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５６５８０４号公報
【特許文献２】特許第４９３６６６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、電子機器装置の高容量化を目的として、半導体素子等の電子部品の薄型化が推し進められており、加工時に電子部品をシリコンウェハ、ガラス等の支持体に固定する粘着剤が開発されてきている。しかしながら、作業性及び高額な設備投資の必要性という観点から、粘着剤は更なる改善の余地がある。特に、このような粘着剤は液状のものがほとんどであり、電子部品又は支持体にスピンコート等で塗布し、加熱、ＵＶ照射等により成膜して使用されている。しかし、このような場合、塗布時の粘着剤のバラツキにより、個々の電子部品で、加工後の電子部品の厚さにバラツキが生じ易く、またスピンコートでは塗布時の回転で飛散した材料を廃棄する必要がある等の課題がある。
【０００８】
また、加工する電子部品は、平滑性が高いものに限らず、回路面にハンダボールを備え、８０μｍを超える表面凹凸のあるウェハを加工することも増加する傾向にある。その場合、大きな凹凸のある表面から粘着剤を剥離することが比較的難しい。また、ハンダボールの接着強度が不充分な場合には、粘着剤の剥離時にハンダボールが欠落する等の懸念が生じる。
【０００９】
加工後に電子部品及び支持体を粘着剤から剥離する際、粘着剤の電子部品面の剥離強度と粘着剤の支持体面の剥離強度が近いと、電子部品の破損又は粘着剤の破断が発生しやすくなる傾向にある。粘着剤の破断が発生することで、剥離後に半導体素子及び支持体の両方に粘着剤の糊残りが発生する。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電子部品の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルム及び該仮固定用樹脂フィルムの形成のために使用される仮固定用樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された前記半導体ウェハを前記支持体及び前記フィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる前記フィルム状の仮固定材において、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層を形成するために使用される仮固定用樹脂組成物であって、（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）シリコーン化合物及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含み、硬化後の貯蔵弾性率が２５℃において０．１〜２００ＭＰａの範囲にある仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１２】
本発明に係る仮固定用樹脂組成物を、前記フィルム状の仮固定材において、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層に形成することにより、半導体素子又は半導体素子を有するウェハに対して優れた貼付性及び剥離性を有するだけでなく、電子部品を作製するときの前記半導体素子の加工において耐熱性が要求されるプロセスへ適用可能な仮固定用樹脂フィルムを得ることができる。
【００１３】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ｂ）シリコーン化合物の配合量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜３０質量部である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１４】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ｂ）シリコーン化合物が、シロキサン骨格を有する非反応性官能基を有する仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１５】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ｂ）シリコーン化合物に含有される非反応性官能基がポリエーテル基である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１６】
本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ｂ）シリコーン化合物の含有量及び種類を上記のように規定することにより、上記仮固定用樹脂フィルムの半導体素子又はシリコンウェハに対する貼付性及び剥離性をより一層向上させることができる。
【００１７】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ｃ）熱硬化性樹脂の配合量が、前記（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．１〜３０質量部である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１８】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、さらに（Ｄ）硬化促進剤を含有する仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００１９】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ａ）熱可塑性樹脂が、反応性基を有する（メタ）アクリルモノマーを共重合成分として含む反応性基含有（メタ）アクリル共重合体である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００２０】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記反応性基含有（メタ）アクリル共重合体が、エポキシ基を有する（メタ）アクリルモノマーを、共重合成分全量を基準として１．０〜２０質量％を含むエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００２１】
本発明は、上記仮固定用樹脂組成物に含まれる（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｃ）熱硬化性樹脂、及び（Ｄ）効果促進剤について上記のような規定を行うことにより、耐熱性が高く、貼付性と剥離性に優れる仮固定用樹脂フィルムを得ることができる。
【００２２】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度が−５０〜５０℃である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００２３】
また、本発明は、上記仮固定用樹脂組成物において、前記（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量が１００，０００〜２，０００，０００である仮固定用樹脂組成物を提供する。
【００２４】
本発明は、上記仮固定用樹脂組成物に含まれる（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度と重量平均分子量を上記のように規定することにより、剥離性と製膜性に優れる仮固定用樹脂フィルムを得ることができる。
【００２５】
本発明は、上記のいずれかの仮固定用樹脂組成物を用いて、フィルム状に形成してなる、仮固定用樹脂フィルムを提供する。
【００２６】
また、本発明は、上記固定用樹脂フィルムと、上記仮固定樹脂フィルムの上に第二の層としてラミネートした、上記仮固定用樹脂フィルムとは異なる仮固定用樹脂組成物から形成される別の仮固定用樹脂フィルムと、を有する２層形態の仮固定用樹脂フィルムを提供する。
【００２７】
また、本発明は、離型性を有する支持フィルムと、該支持フィルム上に設けられた、上記仮固定用樹脂フィルムと、を備える、仮固定用樹脂フィルムシートを提供する。
【００２８】
本発明に係る仮固定用樹脂フィルムは、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層が上記仮固定用樹脂組成物によって形成されるため、前記半導体素子又はウェハに対する貼付性及び剥離性に優れるだけでなく、前記半導体素子又はウェハを電子部品に加工するときに耐熱性が要求されるプロセスへ適用することができる。
【００２９】
さらに、本発明に係る上記２層形態の仮固定用フィルムを使用する場合は、次のような構成を有することが好ましい。
【００３０】
すなわち、ガラス転移温度が−５０〜５０℃である第一の熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂を含む第一の層と、ガラス転移温度が−５０〜５０℃である第二の熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む第二の層と、を備え、第一の層における熱硬化性樹脂の含有量が、上記で規定したように第一の熱可塑性樹脂に対して０．１〜３０質量部であり、第二の層における硬化性成分の含有量が、第二の熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部である。そのような構成を有する２層形態の仮固定用樹脂フィルムにおいて、特に今回は半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の第一の層に着目し、上記仮固定用樹脂組成物を用いて前記第一層を形成することにより仮固定用フィルムに要求される様々な技術課題の解決を図ることができる。
【００３１】
本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムによれば、上記第一及び第二の２つの層を有することで、電子部品の加工を良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から容易に剥離が可能となる。すなわち、樹脂フィルムが２つの層を備えることにより、電子部品面に対する剥離強度と支持体面に対する剥離強度とをそれぞれ調整することができ、電子部品の破損又は粘着剤の破断を防止することができる。また、支持体面に上記特定の組成を有する第二の層を貼り付けることにより、加工時に必要な物性（例えば、ずり粘度）と、支持体からの剥離性とを両立させることができる。さらに、フィルム状であることにより、膜厚を容易に制御することができ、個々の電子部品間での厚さのバラツキを軽減することができる。また、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により電子部品又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
【００３２】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムは、第一の層の厚さが１０〜３５０μｍであり、第二の層の厚さが１０〜３５０μｍであってもよい。仮固定用樹脂フィルムの厚さが上記範囲内であれば、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸を充分に埋め込むことが容易にでき、電子部品と支持体とをより確実に固定することができる。
【００３３】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムは、第一層の厚さ及び第二の層の厚さが下記式（１）の関係を満たしてもよい。
（１／１０）ａ≦ｂ≦１０ａ  ・・・（１）
［式（１）中、ａは第一の層の厚さを表し、ｂは第二の層の厚さを表す。］
厚さの比率が上記範囲内であれば、電子部品面の剥離強度と粘着剤の支持体面の剥離強度とを調整することが容易にできる。
【００３４】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の熱可塑性樹脂は、第一の熱可塑性樹脂と同様に、架橋性官能基を有し、かつ、重量平均分子量が１００，０００〜２，０００，０００の熱可塑性樹脂であってもよい。この場合、第二の層は、第一の層と同様により良好な剥離性を示すことができる。
【００３５】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の層に含まれる硬化性成分が熱硬化性樹脂であってもよい。
【００３６】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の層がシリコーン変性樹脂をさらに含んでもよい。
【００３７】
また、本発明に係る２層形態の仮固定用樹脂フィルムにおいて、第二の層が硬化促進剤をさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、少なくとも片側の層に半導体素子又は半導体素子を有するウェハを貼付けた状態で電子部品の製造のために前記半導体素子の加工を行うとき、高温で加熱処理される場合でも剥離を起こさないで加工を良好に行うことができるとともに、加工後は電子部品から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルムを提供することができる。また、本発明による２層形態の仮固定用樹脂フィルムは、前記電子部品の加工後に、前記半導体素子又はウェハを貼付ける側と反対側の層に貼り付けられた支持体からの剥離を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（Ａ）は、一層形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【図２】（Ａ）は、第一の層と第二の層とを有する二層形態の仮固定用樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図３】（Ａ）は、第二の層を形成するために使用する樹脂フィルムシートの一実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明に係る仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態を示す上面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線に沿った模式断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、電子部品の加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、（Ｄ）は、加工後、例えば研削後の電子部品を示す上面図である。
【図６】加工された電子部品を支持体及び仮固定用樹脂フィルムから分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図７】電子機器装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は、図示の比率に限られるものではない。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００４１】
［仮固定用樹脂組成物］
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、半導体ウェハを支持体にフィルム状の仮固定材を介して仮固定する仮固定工程と、前記支持体に仮固定された前記半導体ウェハを加工する加工工程と、加工された前記半導体ウェハを前記支持体及び前記フィルム状の仮固定材から分離する分離工程と、を備える半導体ウェハの加工方法に用いられる前記フィルム状の仮固定材において、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層を形成するために使用される樹脂組成物である。そして、この仮固定用樹脂組成物は、基本的に（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）シリコーン化合物及び（Ｃ）熱硬化性樹脂を含み、硬化後の貯蔵弾性率が２５℃において０．１〜２００ＭＰａの範囲にあることを特徴とする。以下、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物を構成する各成分等につき説明する。
【００４２】
（熱可塑性樹脂）
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂（以下、（ａ１）熱可塑性樹脂という場合もある。）を含む。（Ａ）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
【００４３】
（Ａ）熱可塑性樹脂としては、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。なお、本明細書において、（メタ）アクリルとは、アクリル又はメタクリルのいずれかの意味で用いられる。熱可塑性樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、市販品を用いてもよい。
【００４５】
架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。架橋性官能基は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
（Ａ）熱可塑性樹脂のガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」と表記する場合もある。）は、−５０〜５０℃であることが好ましく、−３０〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層のタック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、さらに硬化後のフィルムの弾性率をより低くすることができるため、剥離強度が高くなりすぎることをさらに抑制できる。
【００４７】
Ｔｇは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、例えば株式会社リガク製「Ｔｈｅｒｍｏ  Ｐｌｕｓ  ２」）を用いて熱可塑性樹脂を測定したときの中間点ガラス転移温度値である。具体的には、上記Ｔｇは、昇温速度１０℃／分、測定温度：−８０〜８０℃の条件で熱量変化を測定し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１：１９８７に準拠した方法によって算出した中間点ガラス転移温度である。
【００４８】
（Ａ）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１００，０００〜２，０００，０００であり、より好ましくは２００，０００〜１，０００，０００である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することがより容易となる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００４９】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ａ）熱可塑性樹脂に加え、（Ｂ）シリコーン化合物（以下、（ａ２）シリコーン化合物という場合もある。）、硬化性成分として（Ｃ）熱硬化性樹脂（以下、（ａ３）熱硬化性樹脂という場合もある。）を含む。さらに、本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物は、（Ｃ）熱硬化性樹脂の熱硬化を促進させるため、（Ｄ）硬化促進剤（以下、（ａ４）硬化促進剤という場合もある。）を含むことが好ましい。また、必要に応じて、その他の成分を含んでいてもよい。
【００５０】
（シリコーン化合物）
（Ｂ）シリコーン化合物としては、シロキサン骨格を有するシリコーンであればよい。非反応性官能基を有することが好ましい。非反応性官能基としてはポリエーテル変性がさらに好ましい。また、非反応性官能基が変性されていれば反応性官能基を有してもよい。シリコーン化合物を含むことで仮固定用樹脂フィルムを電子部品から剥離する際、溶剤を用いることなく一層容易に剥離することが可能となる。
【００５１】
上述のようなシリコーン化合物としては、高分子量体と相溶するものであれば、特に限定なく用いることができる。シリコーン化合物としては、東レ・ダウコーニング株式会社製のＳＨ３７７３Ｍ、Ｌ−７００１、ＳＨ−５５０、ＳＨ−７１０、信越シリコーン株式会社製のＸ−２２−１６３、ＫＦ−１０５、Ｘ−２２−１６３Ｂ、Ｘ−２２−１６３Ｃ、ビックケミー・ジャパン株式会社製のＢＹＫ−ＵＶ−３５００、日立化成株式会社製のＴＡ３１−２０９Ｅ等が挙げられる。
【００５２】
（Ｂ）シリコーン化合物の配合量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部が好ましく、０．１〜３０質量部がより好ましい。（Ｂ）シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とをより高水準で両立させることが可能となる。
【００５３】
（熱硬化性樹脂）
（Ｃ）熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても使用することができる。熱硬化性樹脂は、特に、耐熱性、作業性及び信頼性に優れる第一の層が得られる観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００５４】
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００５５】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製ｊＥＲシリーズ（ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９、「ｊＥＲ」は登録商標）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び新日化エポキシ製造株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１（「ＥＰＰＮ」は登録商標）、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７（「ＥＯＣＮ」は登録商標）、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ１０３１Ｓ、ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる（「アラルダイト」、「デナコール」は登録商標）。アミン型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ６０４、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる（「ＴＥＴＲＡＤ」、「ＥＬＭ」は登録商標）。複素環含有エポキシ樹脂としては、ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
（硬化促進剤）
（Ｄ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物において、（Ａ）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有させることが好ましい。
【００５８】
本実施形態に係る仮固定用樹脂組成物における（Ｄ）硬化促進剤の配合量は、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜２．０質量部が好ましい。（Ｄ）硬化促進剤の配合量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層を充分に硬化させることできるため、半導体素子を加工して得られる電子部品をより確実に固定できる。（Ｄ）硬化促進剤の配合量が（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対して２．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性がさらに良好になる傾向がある。
【００５９】
（その他の成分）
その他の成分としては、無機フィラー、有機フィラー、シランカップリング剤、熱硬化性樹脂とは異なる硬化性成分等が挙げられる。
【００６０】
無機フィラーとしては、例えば、銀粉、金粉、銅粉等の金属フィラー；シリカ、アルミナ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の非金属無機フィラー等が挙げられる。無機フィラーは所望する機能に応じて選択することができる。金属フィラーは、フィルムにチキソ性を付与する目的で添加することができる。非金属無機フィラーは、フィルムに低熱膨張性及び低吸湿性を付与する目的で添加することができる。無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６１】
無機フィラーは表面に有機基を有するものが好ましい。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されていることにより、フィルムを形成するための樹脂組成物を調製するときの有機溶剤への分散性、並びにフィルムの密着性及び耐熱性を向上させることが容易となる。
【００６２】
表面に有機基を有する無機フィラーは、例えば、下記一般式（Ｂ−１）で表されるシランカップリング剤と無機フィラーとを混合し、３０℃以上の温度で攪拌することにより得ることができる。無機フィラーの表面が有機基によって修飾されたことは、ＵＶ（紫外線）測定、ＩＲ（赤外線）測定、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）測定等で確認することが可能である。
【００６３】
【化１】
2019151696.tif 000003
【００６４】
式（Ｂ−１）中、Ｘは、フェニル基、グリシドキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、ビニル基、イソシアネート基及びメタクリロキシ基からなる群より選択される有機基を示し、ｓは０又は１〜１０の整数を示し、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は各々独立に、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、イソプロピル基、イソブチル基が挙げられる。これらの基の中で、入手が容易であるという観点から、メチル基、エチル基及びペンチル基が好ましい。Ｘは、耐熱性の観点から、アミノ基、グリシドキシ基、メルカプト基及びイソシアネート基が好ましく、グリシドキシ基及びメルカプト基がより好ましい。式（Ｂ−１）中のｓは、高熱時のフィルム流動性を抑制し、耐熱性を向上させる観点から、０〜５が好ましく、０〜４がより好ましい。
【００６５】
好ましいシランカップリング剤は、例えば、トリメトキシフェニルシラン、ジメチルジメトキシフェニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ，Ｎ´−ビス（３−（トリメトキシシリル）プロピル）エチレンジアミン、ポリオキシエチレンプロピルトリアルコキシシラン、ポリエトキシジメチルシロキサンが挙げられる。これらの中でも、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランが好ましく、トリメトキシフェニルシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシランがより好ましい。シランカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６６】
上記カップリング剤の使用量は、耐熱性を向上させる効果と保存安定性とのバランスを図る観点から、無機フィラー１００質量部に対して、０．０１〜５０質量部が好ましく、０．０５〜２０質量部がより好ましく、耐熱性向上の観点から、０．５〜１０質量部がさらに好ましい。
【００６７】
本実施形態の仮固定用樹脂組成物における無機フィラーの配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、及び低熱膨張性の向上の観点から、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下がさらに好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、（Ａ）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、第一の層の接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる傾向にある。
【００６８】
有機フィラーとしては、例えば、カーボン、ゴム系フィラー、シリコーン系微粒子、ポリアミド微粒子、ポリイミド微粒子等が挙げられる。有機フィラーの配合量は、（ａ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下がさらに好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はないが、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【００６９】
（硬化後の貯蔵弾性率）
本実施形態の仮固定用樹脂組成物は、硬化後の貯蔵弾性率が２５℃において０．１〜２００ＭＰａの範囲にある。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定することができる。
【００７０】
［仮固定用樹脂フィルム及び該フィルムシート］
図１に、本発明による仮固定用樹脂フィルム及び該フィルムシートの一実施形態を示す。  図１（Ａ）は、仮固定用樹脂フィルムシートの上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿った模式断面図である。
【００７１】
図１に示す樹脂フィルムシート１は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた本実施形態の仮固定用樹脂組成物からなる仮固定用樹脂フィルム２０と、このフィルム２０の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える１層形態の仮固定用樹脂フィルムシートである。
【００７２】
本実施形態による１層形態の仮固定用樹脂フィルム２０は、上述した仮固定用樹脂組成物に含まれる各成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１０上に塗布して乾燥する方法により形成することができる。こうして、支持フィルム１０上に本実施形態の仮固定用樹脂組成物を備えた樹脂シートが製造される。
【００７３】
支持フィルム１０上に設けられた前記仮固定用樹脂フィルム２０は、必要に応じて保護フィルム３０を貼り付けることができる。この場合、上述した、支持フィルム１０と、本実施形態の仮固定用樹脂組成物から形成される樹脂フィルム２０と、保護フィルム３０とからなる３層構造を有する１層形態の仮固定用フィルムシート１を得ることができる。
【００７４】
本実施形態による仮固定用樹脂フィルム２０の厚さは、特に限定されず、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸を充分に埋め込むという観点から、乾燥後の厚さで、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸と同等以下の厚さが好ましく、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であれば、塗工時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、半導体素子等の電子部品の表面の凹凸をより充分に埋め込むことができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、貼り合わせる際につぶれにくくいため、仮固定用樹脂フィルムの厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときの発泡をさらに少なくできる。
【００７５】
本実施形態による仮固定用樹脂フィルム２０は、硬化前のずり粘度が１２０℃において２００００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、１８０００Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましい。１２０℃におけるずり粘度が２００００Ｐａ・ｓ以下であれば、例えば、７０〜１５０℃、５〜１５ｈＰａの条件下で、０．０２〜０．２ＭＰａの圧力を１〜５分加圧した際に、充分な流動性を得ることができるため、バンプ等の凹凸を有する電子部品の埋め込み性に一層優れ、空隙を生じさせることなく電子部品へ圧着することがより容易となる。１２０℃におけるずり粘度は、１００Ｐａ・ｓ以上であってもよい。
【００７６】
上記ずり粘度は、回転式粘度計ＡＲＥＳ（ティー・エー・インスツルメント社製）を用い、仮固定用樹脂フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定した場合の測定値を意味する。
【００７７】
仮固定用樹脂フィルム２０は、シリコンウェハ等の電子部品に対する９０°剥離強度が２５℃において１００Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５０Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。９０°剥離強度が１００Ｎ／ｍ以下であれば、さらに糊残りなく、電子部品を剥離することができ、剥離時に電子部品が割れる可能性を低減できる傾向にある。９０°剥離強度は、５Ｎ／ｍ以上であってもよい。
【００７８】
９０°剥離強度は以下のように測定できる。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０×５０−Ｓ）のステージ上に置き、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムシート１を用いて樹脂フィルム２０がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置する。これを１５ｈＰａの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートして測定用サンプルとする。得られた測定用サンプルを硬化させ、１０ｍｍ幅に切り出す。これを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機により、５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とする。
【００７９】
本実施形態による仮固定用フィルムの形成で使用される有機溶剤、支持フィルム及び保護フィルム、並びに本実施形態の仮固定用樹脂組成物と有機溶剤との混合及び混練の方法は、後述の２層形態の仮固定用フィルムの製造方法において説明するものと同じ材料及び方法を採用することができる。
【００８０】
本実施形態による仮固定用樹脂フィルムは、主に半導体素子又は半導体素子を有するウェハの貼付け用として使用するのが好適であり、少なくとも半導体素子又は半導体素子を有するウェハの貼付けを行う側の層を形成するために使用されるが、反対側にガラスやシリコン等の無機の基板又はウェハからなる支持体を貼付けることができる１層形態のフィルムとして適用することができる。しかしながら、仮固定用樹脂フィルムの両側平面に半導体素子又は半導体素子を有するウェハと支持体とを貼付けるとき、両者の材質又は厚さに違いがある場合は２層形態の仮固定用樹脂フィルムとして使用することが好ましい。その場合、半導体素子又は半導体素子を有するウェハの貼付ける側とは反対側に支持体貼付用として別の第二層を形成する。それにより、半導体素子又は半導体素子を有するウェハと支持体との間で剥離強度を調整できるという利点を有する。
【００８１】
本発明による２層形態の仮固定用フィルムの構成について図面を用いて説明する。図２は本発明による２層形態の仮固定用フィルムの一実施形態を示す図であり、（Ａ）及び（Ｂ）に、それぞれ上面図及び図２（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線に沿った模式断面図を示す。
【００８２】
図２に示す仮固定用樹脂フィルムシート２は、支持フィルム１０、第一の層２１、第二の層２２、及び支持フィルム１０をこの順に備え、第一の層２１及び第二の層２２をラミネートした仮固定用樹脂フィルム２３を有する。ここで、第一の層２１は、図１に示す仮固定樹脂フィルム２０と同じ熱可塑性樹脂及び硬化性成分（以下第一の熱可塑性樹脂及び硬化性成分という。）を含み、他方、第二の層２２には第二の熱可塑性樹脂及び硬化性成分を含む。
【００８３】
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、組成の異なる２つの層を有することで、粘着剤の電子部品面の剥離強度と粘着剤の支持体面の剥離強度とが調製可能になり、仮固定用樹脂フィルムを介して支持体に固定されている電子部品と支持体との双方から容易に剥離することができる。また、フィルム状の粘着剤であるため、膜厚の制御がより容易であり、個々の電子部品間での厚さのバラツキを軽減することができる。また、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムは、ラミネート等の簡便な方法により電子部品又は支持体上に貼り合わせることができ、作業性にも優れている。
【００８４】
図１に示す仮固定用樹脂フィルムにおいて、第一の層が半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層に、他方、第二の層がガラスやシリコン等の無機の基板又はウェハからなる支持体に貼付けられる側の層に、それぞれ該当する。第一の層を形成する際には上記で説明した仮固定用樹脂組成物を使用することができる。第二の層を形成するときに使用する仮固定用樹脂組成物としては、第一の層として使用する本実施形態の仮固定用樹脂組成物であってもよいが、本発明においては以下に示す組成を有することが好ましい。
【００８５】
（第二の層）
第二の層は、第二の熱可塑性樹脂（以下、（ｂ１）熱可塑性樹脂という場合もある。）及び硬化性成分（以下、（ｂ２）硬化性成分という場合もある。）を含む。
【００８６】
（ｂ１）熱可塑性樹脂としては、少なくともフィルムが電子部品又は支持体にラミネートされる前において熱可塑性を有している樹脂であれば特に制限なく用いることができる。熱可塑性樹脂は、加熱等により架橋構造を形成する樹脂であってもよい。
【００８７】
本実施形態で用いる（ｂ１）熱可塑性樹脂は、架橋性官能基を有するポリマーを用いることができる。架橋性官能基を有するポリマーとしては、熱可塑性ポリイミド樹脂、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体、ウレタン樹脂ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体が好ましい。上記の樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８８】
架橋性官能基を有する（メタ）アクリル共重合体は、パール重合、溶液重合等の重合方法によって得られるものを用いてもよく、或いは、市販品を用いてもよい。
【００８９】
架橋性官能基を有するポリマーは、架橋性官能基をポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。架橋性官能基の具体例としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。架橋性官能基の中でも、カルボキシル基が好ましい。カルボキシル基は、アクリル酸を用いることによってポリマー鎖に導入することができる。
【００９０】
架橋性官能基を有するポリマーは、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル共重合体を用いることが好ましく、例えば、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。これら中でも、カルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体が好ましい。
上記（メタ）アクリル共重合体としては、アクリル酸エステルを主成分とするものが挙げられ、例えば、ブチルアクリレート及び／又はエチルアクリレートとアクリロニトリルとの共重合体が挙げられる。
【００９１】
（ｂ１）熱可塑性樹脂のＴｇは、−５０〜５０℃であることが好ましく、−４０〜２０℃であることがより好ましい。Ｔｇがこのような範囲であれば、第二の層のタック力が上がりすぎて取り扱い性が悪化することを抑制しつつ、より充分な流動性を得ることができ、さらに硬化後の第二の層の弾性率をより低くすることができるため、剥離強度が高くなりすぎることをより抑制できる。
【００９２】
（ｂ１）熱可塑性樹脂の重量平均分子量は特に限定されず、好ましくは１００，０００〜２，０００，０００であり、より好ましくは３００，０００〜１，０００，０００である。熱可塑性樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であれば、成膜性と流動性とを確保することが容易となる。
【００９３】
（ｂ２）硬化性成分としては、特に制限はなく、熱硬化性樹脂が好ましい。
【００９４】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂が挙げられ、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせても使用することができる。熱硬化性樹脂は、特に、耐熱性、作業性及び信頼性に優れる第二の層が得られる観点から、エポキシ樹脂が好ましい。
【００９５】
エポキシ樹脂は、硬化して耐熱作用を有するものであれば特に限定されない。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ等の二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、エポキシ樹脂は、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することができる。
【００９６】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製ｊＥＲシリーズ（ｊＥＲ８０７、ｊＥＲ８１５、ｊＥＲ８２５、ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９）、ダウケミカル社製、ＤＥＲ−３３０、ＤＥＲ−３０１、ＤＥＲ−３６１、及び新日化エポキシ製造株式会社製、ＹＤ８１２５、ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ１５２、ｊＥＲ１５４、日本化薬株式会社製のＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製のＤＥＮ−４３８等が挙げられる。ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬株式会社製のＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０１２、ＥＯＣＮ−１０２５、ＥＯＣＮ−１０２７、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＤＣＮ７０１、ＹＤＣＮ７０２、ＹＤＣＮ７０３、ＹＤＣＮ７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ１０３１Ｓ、ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ社製のアラルダイト０１６３、ナガセケムテックス株式会社製のデナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のｊＥＲ６０４、新日化エポキシ製造株式会社製のＹＨ−４３４、三菱ガス化学株式会社製のＴＥＴＲＡＤ−Ｘ及びＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学株式会社製のＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ社製のアラルダイトＰＴ８１０、ＵＣＣ社製のＥＲＬ４２３４、ＥＲＬ４２９９、ＥＲＬ４２２１、ＥＲＬ４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９７】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂硬化剤を合わせて使用することが好ましい。
【００９８】
エポキシ樹脂硬化剤は、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができる。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ等のフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れるという観点から、エポキシ樹脂硬化剤は、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。
【００９９】
上記フェノール樹脂硬化剤の中で好ましいものとしては、例えば、ＤＩＣ株式会社製、商品名：フェノライトＬＦ２８８２、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、明和化成株式会社製、商品名：Ｈ−１、三菱ケミカル株式会社製、商品名：ｊＥＲキュアＭＰ４０２ＦＰＹ、ｊＥＲキュアＹＬ６０６５、ｊＥＲキュアＹＬＨ１２９Ｂ６５及び三井化学株式会社製、商品名：ミレックスＸＬ、ミレックスＸＬＣ、ミレックスＲＮ、ミレックスＲＳ、ミレックスＶＲが挙げられる（「フェノライト」、「ｊＥＲキュア」、「ミレックス」は登録商標）。
【０１００】
第二の層における（ｂ２）硬化性成分の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して１０〜５００質量部であり、５０〜３００質量部がより好ましい。硬化性成分の配合量が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムは充分な低温貼り付け性、耐熱性、硬化性及び剥離性を兼ね備えることができる。配合量が１０質量部以上であれば支持体への貼付性及び耐熱性が向上するとともに、バックグラインド時の保持性も向上し、ウェハが割れにくい傾向がある。一方、配合量が５００質量部以下であれば、硬化前の粘度が過度に低くなりにくく、比較的短時間で硬化できると共に、電子部品の支持体への保持性と支持体からの剥離性を両立できる傾向にある。
【０１０１】
第二の層は、（ｂ１）熱可塑性樹脂及び（ｂ２）硬化性成分に加え、必要に応じて、シリコーン化合物（以下、（ｂ３）シリコーン化合物という場合もある。）、硬化促進剤（以下、（ｂ４）硬化促進剤という場合もある。）及びその他の成分を含んでいてもよい。
【０１０２】
（ｂ３）シリコーン化合物は、上述した（Ｂ）シリコーン化合物として挙げたものを用いることができる。第二の層における（ｂ３）シリコーン化合物の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０〜１００質量部が好ましく、０．１〜８０質量部がより好ましい。（ｂ３）シリコーン化合物の配合量が上記範囲内であれば、電子部品加工時の接着性と加工後の剥離性とを両立させることが可能となる。
【０１０３】
（ｂ４）硬化促進剤は、上述した（Ｄ）硬化促進剤として挙げたものを用いることができる。第二の層において、（ｂ１）熱可塑性樹脂がエポキシ基を有する（メタ）アクリル共重合体を含む場合、係るアクリル共重合体に含まれるエポキシ基の硬化を促進する硬化促進剤を含有することが好ましい。
【０１０４】
第二の層における（ｂ４）硬化促進剤の配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して、０．０１〜２．０質量部が好ましい。（ｂ４）硬化促進剤の配合量が（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して０．０１質量部以上であれば、半導体素子の製造工程内の熱履歴において第二の層を充分に硬化させることできるため、電子部品と支持体とをより確実に固定できる。（ｂ４）硬化促進剤の配合量が（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対して２．０質量部以下であれば、製造工程中の加熱により仮固定用樹脂フィルムの溶融粘度が上昇しにくくなり、フィルムの保存安定性がさらに良好になる傾向がある。
【０１０５】
その他の成分としては、無機フィラー、有機フィラー、シランカップリング剤等が挙げられる。
【０１０６】
無機フィラーは上述したものを用いることができる。第二の層における無機フィラーの配合量は、Ｂステージ状態における仮固定用樹脂フィルムの取扱い性の向上、低熱膨張性の向上の観点から、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下がさらに好ましい。無機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。無機フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、第二の層の接着性を充分に確保しつつ、所望の機能を付与することができる。
【０１０７】
有機フィラーは上述したものを用いることができる。有機フィラーの配合量は、（ｂ１）熱可塑性樹脂１００質量部に対し、３００質量部以下が好ましく、２００質量部以下がより好ましく、１００質量部以下がさらに好ましい。有機フィラーの含有量の下限は特に制限はなく、熱可塑性樹脂１００質量部に対し、５質量部以上であることが好ましい。
【０１０８】
第二の層２２の厚さは、特に限定されず、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定するという観点から、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であれば、塗工時の厚さのバラツキが少なくなり、また、厚さが充分であるためフィルム又はフィルムの硬化物の強度が良好になり、電子部品と搬送用の支持体とをより充分に固定することができる。厚さが３５０μｍ以下であれば、第一の層２１と貼り合わせる際につぶれにくいため、仮固定用樹脂フィルムの厚さのバラツキが生じにくく、また、充分な乾燥によりフィルム中の残留溶剤量を低減することが容易となり、フィルムの硬化物を加熱したときの発泡をさらに少なくできる。
【０１０９】
本実施形態において、第一の層２１と第二の層２２との厚さの比率は、式（１）の関係を満たすことが好ましく、さらに、式（２）の関係を満たすことがより好ましい。
（１／１０）ａ≦ｂ≦１０ａ・・・（１）
（１／５）ａ≦ｂ≦６ａ・・・（２）
式中、ａは第一の層２１の厚さを示し、ｂは第二の層２２の厚さを示す。
【０１１０】
第一の層２１及び第二の層２２の厚さの比率が上記範囲内であれば、仮固定用樹脂フィルムに半導体素子等の電子部品の表面の凹凸を充分に埋め込むことができ、電子部品と搬送用の支持体とを充分に固定することができる傾向にある。
【０１１１】
第二の層２２は、フィルムの取扱い性又は支持体への貼り付け性の観点から、硬化前のずり粘度が１２０℃において２００〜３００００Ｐａ・ｓであることが好ましく、４００〜２７０００Ｐａ・ｓであることがより好ましい。ずり粘度が２００Ｐａ・ｓ以上であればフィルムの取り扱い性がより向上し、３００００Ｐａ・ｓ以下であれば充分な貼付性が得られやすい。ずり粘度は、第一の層２１と同じように、ＡＲＥＳ（ティー・エー・インスツルメント社製）を用い、仮固定用樹脂フィルムに５％の歪みを与えながら２０℃／分の昇温速度で昇温させながら測定することができる。
【０１１２】
第二の層２２は、硬化した後の貯蔵弾性率が２５℃において２００ＭＰａ以上が好ましく、２００ＭＰａ以上がより好ましい。２５℃における貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上であれば、電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とを充分に固定することができる傾向にある。硬化した後の貯蔵弾性率は、２５℃において６０００ＭＰａ以下であってもよい。
【０１１３】
第一の層２１の硬化した後の貯蔵弾性率と第二の層２２の硬化した後の貯蔵弾性率との関係は、第一の層２１の硬化した後の貯蔵弾性率よりも第二の層２２の硬化した後の貯蔵弾性率の方が大きいことが好ましい。硬化した後の貯蔵弾性率がこのような関係であれば、剥離工程時に電子部品に糊残りが発生する可能性をさらに低減し、電子部品上のバンプ等の凹凸の破壊を一層防止することができ、さらに電子部品を薄化する際に電子部品と支持体とをより強固に固定することができる。
【０１１４】
貯蔵弾性率は、第一の層２１と同じように、動的粘弾性測定装置（株式会社ユービーエム製）を用い、３℃／分の昇温速度で昇温させながら測定することができる。
【０１１５】
次に、本実施形態による２層形態の仮固定用樹脂フィルム及び該フィルムシートの製造方法について以下に説明する。
【０１１６】
［２層形態の仮固定用樹脂フィルム及び該フィルムシートの製造方法］
図２に示す２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２は、例えば、図１に示す樹脂フィルムシート１と図３に示す樹脂フィルムシート３とから製造することができる。ここで、仮固定用樹脂フィルムシート１及び３は、２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２を製造するときにそれぞれ第一及び第二の樹脂フィルムシートとして使用する。
【０１１７】
図２に示す第一の層２１を形成するために使用する第一の樹脂フィルムシート１は、図１に示すように、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた第一の層２１と、第一の層２１の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【０１１８】
図３は、図２に示す第二の層２２を形成するために使用する第二の樹脂フィルムシートの一実施形態を示す図である。図３において、（Ａ）には上面図を、（Ｂ）には、（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った模式断面図を示す。
【０１１９】
第二の樹脂フィルムシート３は、離型性を有する支持フィルム１０と、支持フィルム１０上に設けられた第二の層２２と同じ組成を有する仮固定用樹脂組成物からなる仮固定用樹脂フィルム２４と、樹脂フィルム２４の支持フィルム１０とは反対側に設けられた保護フィルム３０とを備える。
【０１２０】
本実施形態に係る第一の層２１に相当する樹脂フィルム２０及び第二の層２２に相当する樹脂フィルム２４は、それぞれ、上述した成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１０上に塗布して乾燥する方法により形成することができる。こうして、支持フィルム１０上に、第一の層２１に相当する樹脂フィルム２０を備えた樹脂フィルムシート１、又は第二の層２２に相当する樹脂フィルム２４を備えた樹脂フィルムシート３が、それぞれ製造される。
【０１２１】
有機溶剤は特に限定されず、製膜時の揮発性等を沸点から考慮して決めることができる。具体的には、製膜時にフィルムの硬化を進みにくくする観点から、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶剤が好ましい。また、製膜性を向上させる等の目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンの比較的高沸点の溶剤を使用することが好ましい。これらの溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ワニスにおける固形分濃度は、１０〜８０質量％であることが好ましい。
【０１２２】
上記の混合及び混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はなく、通常２５〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行うことができる。
【０１２３】
支持フィルム１０上に設けられた樹脂フィルム２０又は２４には、必要に応じて保護フィルム３０を貼り付けることができる。この場合、上述した、支持フィルム１０と、樹脂フィルム２０又は２４と、保護フィルム３０とからなる３層構造を有する第一の樹脂フィルムシート１（図１を参照）又は第二の樹脂フォルムシート３（図３を参照）を得ることができる。
【０１２４】
このようにして得られた第一の樹脂フィルムシート１又は第二の樹脂フィルムシート３は、例えばロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。また、ロール状のフィルムを好適なサイズに切り出して、シート状にして保存することもできる。また、これらのフィルムを貼り合わせて得られる本実施形態の仮固定用樹脂フィルムシート１も、同様にロール状に巻き取ることによって容易に保存することができる。
【０１２５】
支持フィルム１０としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミドが挙げられる。支持フィルム１０は、柔軟性及び強靭性に優れるという観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリアミド又はポリイミドであることが好ましい。また、樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物などにより離型処理が施されたフィルムを支持フィルムとして用いることが好ましい。
【０１２６】
支持フィルム１０の厚さは、目的とする柔軟性により適宜変えてよいが、３〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが、３μｍ以上であればフィルム強度が充分であり、３５０μｍ以下であれば充分な柔軟性が得られる傾向にある。このような観点から、支持フィルム１０の厚さは、５〜２００μｍであることがより好ましく、７〜１５０μｍであることがさらに好ましい。
【０１２７】
保護フィルム３０としては、特に制限はなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレンが挙げられる。保護フィルム３０は、柔軟性及び強靭性の観点から、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン又はポリプロピレンが好ましい。また、仮固定用樹脂フィルム（樹脂層）との剥離性向上の観点から、シリコーン系化合物、フッ素系化合物等により離型処理が施されたフィルムを保護フィルム３０として用いることが好ましい。
【０１２８】
保護フィルム３０の厚さは、目的とする柔軟性により適宜設定することができ、例えば、１０〜３５０μｍであることが好ましい。厚さが１０μｍ以上であればフィルム強度がより良好になり、３５０μｍ以下であれば更なる柔軟性が得られる。このような観点から、保護フィルム３０の厚さは、１５〜２００μｍであることがより好ましく、２０〜１５０μｍであることがさらに好ましい。
【０１２９】
図２に示す２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２は、例えば、第一の樹脂フィルムシート１（図１を参照）及び第二の樹脂フィルムシート３（図３を参照）から保護フィルム３０を剥離し、樹脂フィルム２０及び樹脂フィルム２４同士を、６０〜１２０℃でロールラミネート等により貼り合わせることで製造することができる。このようにして、樹脂フィルム２０及び樹脂フィルム２４から、２層形態を有する仮固定用樹脂フィルムシート２の第一の層２１及び第二の層２２が形成される。最終的に、第一の層２１及び第二の層２２からなる仮固定用樹脂フィルム２３の両側に支持フィルム１０が貼り合わされた３層構造を有する２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２が得られる（図２を参照）。
【０１３０】
仮固定用樹脂フィルムシートの他の実施形態としては、図４に示すものがある。図４に示す仮固定用樹脂フィルムシート４は、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム２３及び第二の層２２側の支持フィルム１０が予め裁断されていること以外は、図２に示す仮固定用樹脂フィルムシート２と同様の構成を有する。なお、図４では、裁断された仮固定用樹脂フィルム２３及び支持フィルム１０の外縁部が除去されているが、仮固定する部材の形状に合わせて仮固定用樹脂フィルム及び支持フィルムに切れ込みが設けられ、外縁部が残されていてもよい。
【０１３１】
また、その他の実施形態としては、第一の樹脂シート１と第二の樹脂シート３とを備えた樹脂フィルムセットが挙げられる。本実施形態の樹脂フィルムセットによれば、使用時（電子部品を加工する際）に、これらの樹脂シートの第一の層及び第二の層を貼り合わせて仮固定用樹脂フィルムとして用いることができる。
【０１３２】
図２に示す２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２は、第一及び第二の樹脂フィルムシート１、３を用いないで、次の方法で製造することも可能である。すなわち、第一の層２１を形成するため、上述した本発明の仮固定用樹脂組成物に含まれる各成分を有機溶媒中で混合及び混練してワニスを調製し、作製したワニスを支持フィルム１０上に塗布して乾燥する方法により形成する。さらに、樹脂シートとして形成された第一の層２１の上に、第二の層２２を形成するために第二の層の仮固定用樹脂組成物として上述した各成分を有機溶媒中で混合及び混練して調整し、作製したワニスを塗布し、乾燥する。このようにして、第一の層２１及び第二の層２２を有する積層構造が形成される。
【０１３３】
支持フィルム１０上に設けられた第一の層２１及び第二の層２２からなる積層の樹脂フィルムにおいて、支持フィルム１０の反対側には、必要に応じて、保護フィルム３０を貼り付けることができる。この場合、上述した、支持フィルム１０と、第一の層２１、第一層２１と第二の層２２との混合層及び第二の層２２からなる樹脂フィルムと、保護フィルム３０とからなる３層構造を有する疑似２層形態の仮固定用フィルムシートを得ることができる。
【０１３４】
このようにして製造される疑似２層形態の仮固定用樹脂フィルムシートは、前記第一の層２１と第二の層２２との境界部分に両者の層を形成する各樹脂成分の混合物が形成されるが、半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の界面及びその近傍には前記第一の層と同じ成分組成が、他方、支持体に貼付けられる側の界面及びその近傍には前記第二の層と同じ成分組成が含まれることになる。また、上述したように、前記第一の層と第二の層との間には含まれる各成分の配合量に違いがあるだけで、組成において大きな差異がないため層間剥離等が起きず、仮固定用樹脂フィルムシートしての使用に十分に耐える強度を有する。したがって、疑似２層形態の仮固定用樹脂フィルムシートは、図２に示す２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２と同じ機能と作用効果を有することができる。
【０１３５】
以上説明したような構成の仮固定用樹脂フィルムを用いると、電子部品の加工を高温において良好に行うことができるとともに、加工後の電子部品及び支持体から室温であっても容易に剥離が可能となり、電子部品及び支持体への糊残りを防止することができる。
【０１３６】
［電子部品の加工方法］
本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いた電子部品の加工方法について、図２に示す２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート２を用いる場合を説明する。本実施形態による加工方法は、大きく分けて以下の４工程を備える。（ａ）電子部品と支持体とを仮固定用樹脂フィルムを介して仮固定する工程と、（ｂ）支持体に仮固定された電子部品を加工する加工工程と、（ｃ）加工された電子部品を支持体及び仮固定用樹脂フィルムから分離する分離工程と、（ｄ）電子部品に残渣がある場合に洗浄する洗浄工程とを備える。
【０１３７】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）は、電子部品の加工方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図５（Ｄ）は、加工後の電子部品を示す上面図である。
【０１３８】
＜（ａ）仮固定工程＞
図５の（Ａ）は、支持体５０及び電子部品６０の間に、第一の層４１及び第二の層４２の２層構成を有するフィルム状の仮固定材４０を介在させ、支持体５０に電子部品６０を仮固定する工程を示す。この際、電子部品６０側に第一の層４１が、支持体５０側に第二の層４２が接触するように、フィルム状の仮固定材４０を配置する。
【０１３９】
電子部品６０の厚さは、特に制限はないが、６００〜８００μｍとすることができる。
【０１４０】
（ａ−１）支持体５０上への仮固定材４０の形成
ロールラミネーター、真空ラミネーターなどを用いて、支持体５０上に仮固定用樹脂フィルム２０の第二の層２２側をラミネートすることによりフィルム状の仮固定材４０を設けることができる。
【０１４１】
本実施形態の支持体の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ等の基板が使用可能である。
【０１４２】
支持体には剥離処理を行ってもよく、図５（Ａ）のように支持体５０表面の全部、又は一部を剥離処理することで、剥離層５２を形成する。剥離処理に使用される剥離剤は特に限定されず、例えば、フッ素元素を有する表面改質剤、ポリオレフィン系ワックス及びシリコーンオイル、反応性基を含有するシリコーンオイル、シリコーン変性アルキド樹脂が剥離性に優れるため好ましい。
【０１４３】
（ａ−２）電子部品６０の貼り付け
次に、ウェハ接合装置又は真空ラミネーター上に、フィルム状の仮固定材４０を形成した支持体５０をセットし、第一の層４１側に電子部品６０をプレスで押圧して貼り付ける。なお、電子部品６０としては加工前の半導体素子又は半導体素子を有するウェハが含まれるものとする。
【０１４４】
ウェハ接合装置を用いる場合は、例えばＳＵＳＳ社製真空プレス機ＬＦ１２（商品名）を用いて、気圧１０ｈＰａ以下、圧着圧力１〜７ｋＰａ、圧着温度６０〜２００℃、保持時間１００〜３００秒で、電子部品６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定する。
【０１４５】
真空ラミネーターを用いる場合は、例えば株式会社エヌ・ピー・シー製真空ラミネーターＬＭ−５０×５０−Ｓ（商品名）、ニチゴーモートン株式会社製真空ラミネーターＶ１３０（商品名）を用いることができる。押圧条件は、気圧１ｈＰａ以下、圧着温度４０〜１８０℃、好ましくは６０〜１５０℃、ラミネート圧力０．０１〜０．５ＭＰａ、好ましくは０．１〜０．５ＭＰａ、保持時間１〜６００秒、好ましくは３０〜３００秒で、電子部品６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定する。
【０１４６】
電子部品６０としては、半導体素子等が挙げられる。電子部品の材質は特に制限されず、シリコンウェハ、ガラスウェハ、石英ウェハ、半導体ウェハ等の基板が使用可能である。
【０１４７】
（ａ−３）仮固定用樹脂フィルムの硬化
電子部品６０と支持体５０とをフィルム状の仮固定材４０を介して仮固定した後、フィルム状の仮固定材４０の硬化を行う。硬化方法はフィルムが硬化されれば特に制限されなく、熱又は放射線照射による方法がある。硬化方法としては、中でも、熱による硬化が好ましい。熱による硬化をする場合、硬化条件は、１００〜２００℃で１０〜３００分の硬化が好ましく、２０〜２１０分の硬化がより好ましい。温度が１００℃以上であればフィルムが充分に硬化して加工工程で問題が起きにくく、２００℃以下であればフィルムの硬化中にアウトガスが発生しにくく、フィルムの剥離をさらに抑制できる。また、硬化時間が１０分以上であれば加工工程で問題が起きにくく、３００分以下であれば作業効率が悪化しにくい。仮固定材４０は硬化することで、硬化した第一の層７１と硬化した第二の層７２を備える仮固定材７０になる。
【０１４８】
＜（ｂ）加工工程＞
加工工程には、ウェハレベルで用いられる研削、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が含まれる。研削方式には特に制限はなく、公知の研削方式が利用できる。研削は電子部品と砥石（ダイヤモンド等）とに水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。
【０１４９】
例えば、図５（Ｂ）に示すように、グラインダー９０によって電子部品８０の裏面、即ち電子部品８０のフィルム状の仮固定材７０と接する側とは反対側の面を研削し、例えば７００μｍ程度の厚さを１００μｍ以下にまで薄化する。
【０１５０】
研削加工する装置としては、例えば株式会社ディスコ製ＤＧＰ−８７６１（商品名）等が挙げられ、この場合の切削条件は所望の電子部品の厚さ及び研削状態に応じて任意に選ぶことができる。
【０１５１】
その他の工程は具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクするためのレジストの塗布、露光・現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ（シリコン貫通電極）形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成等、公知のプロセスが挙げられる。
【０１５２】
図５（Ｃ）は、薄化した電子部品８０の裏面側にドライイオンエッチング又はボッシュプロセス等の加工を行い、貫通孔を形成した後、銅めっき等の処理を行い、貫通電極８２を形成した例を示している。
【０１５３】
こうして電子部品８０に所定の加工が施される。図５（Ｄ）は、加工後の電子部品８０の上面図である。加工された電子部品８０は、さらにダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される。
【０１５４】
＜（ｃ）分離工程＞
図６は、加工された電子部品を支持体及びフィルム状の仮固定材から分離する分離工程の一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態に係る分離工程は、支持体から電子部品を剥離する第一の剥離工程と、支持体からフィルム状の仮固定材を剥離する第二の剥離工程と、を含む。第一の剥離工程は、加工工程で加工を施した電子部品を支持体から剥離する工程、即ち、薄型化した電子部品に様々な加工を施した後、ダイシングする前に支持体から剥離する工程である。剥離方法としては、電子部品又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、及び、電子部品の研削面に保護フィルムを貼り、電子部品と保護フィルムとをピール方式で支持体から剥離する方法等が挙げられ、特に制限なく採用することができる。
【０１５５】
本実施形態には、これらの剥離方法がすべて適用可能である。剥離方法としては、中でも、図６（Ａ）に示されるように、電子部品８０又は支持体５０の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法等がより適しており、これにより電子部品８０を得ることができる（図６（Ｃ）を参照）。本実施形態においては、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルムを用いてフィルム状の仮固定材が形成されていることにより、糊残りなどの残渣が充分低減された加工済み電子部品を容易に得ることができる。これらの剥離方法は、通常、室温で実施されるが、４０〜１００℃程度の電子部品にダメージのない温度下で実施してもよい。機械的に分解する際は、例えばデボンダー（ズース・マイクロテック株式会社製、ＤＢ１２Ｔ）、Ｄｅ−Ｂｏｎｄｉｎｇ装置（ＥＶＧ社製、ＥＶＧ８０５ＥＺＤ）等を用いる。
【０１５６】
第二の剥離工程では、例えば、図６（Ｂ）に示されるように、電子部品８０を水平に固定しておき、フィルム状の仮固定材７０の端を水平方向から一定の角度をつけて持ち上げることで、仮固定材が剥離された電子部品８０を得ることができ、支持体を回収することができる。
【０１５７】
＜（ｄ）洗浄工程＞
電子部品の回路形成面は仮固定材の一部が残存しやすい。剥離した電子部品の回路形成面に仮固定材が一部残存した場合、これを除去するための洗浄工程を設けることができる。仮固定材の除去は、例えば、電子部品を洗浄することにより行うことができる。
【０１５８】
洗浄液は、一部残存した仮固定用樹脂フィルムを除去できるような洗浄液であれば、特に制限はない。このような洗浄液としては、例えば、仮固定用樹脂フィルム組成物の希釈に用いることができる上記有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１５９】
また、残存した仮固定用樹脂フィルムが除去しにくい場合は、有機溶剤に塩基類、酸類を添加してもよい。塩基類の例としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。酸類は、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。添加量は、洗浄液中濃度で０．０１〜１０質量％が好ましい。また、洗浄液には、残存物の除去性を向上させるため既存の界面活性剤を添加してもよい。
【０１６０】
洗浄方法に特に制限はなく、例えば、上記洗浄液を用いてパドルでの洗浄を行う方法、スプレー噴霧での洗浄方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。温度は１０〜８０℃、好ましくは１５〜６５℃が好適であり、最終的に水洗又はアルコール洗浄を行い、乾燥処理させて、薄型の電子部品８０が得られる。
【０１６１】
なお、上述したように、本実施形態に係る仮固定用樹脂フィルム組成物によれば、糊残り等の残渣を充分に低減することができるため、洗浄工程を省略することが可能となる。
【０１６２】
加工された電子部品８０は、上記と同様にして貫通電極８２が形成され、さらにダイシングライン８４に沿ったダイシングによって半導体素子に個片化される（図６（Ｄ）参照）。
【０１６３】
本実施形態においては、得られた半導体素子を他の半導体素子又は半導体素子搭載用基板に接続することにより電子機器装置を製造することができる。
【０１６４】
図７は、電子機器装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。まず、上述した方法により、貫通電極８６が形成され、個片化された半導体素子１００を用意する（図７（Ａ））。そして、半導体素子１００を配線基板１１０上に複数積層することにより電子機器装置１２０を得ることができる（図７（Ｂ））。また、本実施形態においては、半導体素子１００の電極部分に接続用のバンプを設け、電極部とバンプとの接続又はバンプ間の接続によって半導体素子の複数を積層する方法を採用してもよい。
【０１６５】
以上、本発明に係る仮固定用樹脂フィルム、及び仮固定用樹脂フィルムを用いた薄型化した電子部品の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を行ってもよい。
【実施例】
【０１６６】
以下、実施例及び比較例によって、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１６７】
［仮固定用樹脂フィルムの調製］
下記表１及び表２に示す質量部の組成で、第一の層を形成するためのワニスを調製した。調製したワニスを、支持フィルムとして用いる離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、Ａ３１、厚さ３８μｍ）の離型処理面上に塗布し、９０℃で５分間、１２０℃で５分間加熱乾燥した。その後、樹脂層上に上記フィルムを保護フィルムとしてさらに貼り合わせ、保護フィルム及び支持フィルムが付いた、第一の樹脂フィルムシートを得た。該樹脂フィルムシートから保護フィルムを剥離し、第一の層を所定の第二の層と６０℃でロールラミネートにより貼り合せ、各仮固定用樹脂フィルムを得た。ここで、前記第二層は、例えば、下記表３に示す質量部の組成でワニスＡ又はＢを調製し、第一の樹脂フィルムシートの場合と同じ方法と条件で製造することにより保護フィルム及び支持フィルムが付いた第二の樹脂フィルムシートを用いて得ることができる。
【０１６８】
表１、表２及び表３中の各成分の詳細は以下のとおりである。
・熱可塑性樹脂
ＨＴＲ−２８０−ＣＨＮ：ＧＰＣによる重量平均分子量９０万、Ｔｇ＝−２８℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
ＫＫ：ＧＰＣによる重量平均分子量２５万、Ｔｇ＝−２０℃のアクリルゴム（日立化成株式会社製）
ＫＫ−２：ＧＰＣによる重量平均分子量３６万、Ｔｇ＝−２８℃のアクリルゴム（日立化成株式会社製）
ＫＫ−３：ＧＰＣによる重量平均分子量３５万、Ｔｇ＝−３７℃のアクリルゴム（日立化成株式会社製）
ＫＫ−４：ＧＰＣによる重量平均分子量２５万、Ｔｇ＝−１３℃のアクリルゴム（日立化成株式会社製）
ＨＴＲ−８６０−３ＣＳＰ：ＧＰＣによる重量平均分子量８０万、Ｔｇ＝−７℃のアクリルゴム（ナガセケムテックス株式会社製）
・シリコーン化合物
ＳＨ５５０：メチルフェニルシリコーン化合物（東レ・ダウケミカル株式会社製）
ＳＨ３７７３Ｍ：ポリエーテル変性シリコーン化合物（東レ・ダウケミカル株式会社製）
・ＢＹＫ−ＵＶ−３５００:アクリル基含有ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン（ビックケミー・ジャパン株式会社製）
ＴＡ３１−２０９Ｅ：シリコーン変性アルキド樹脂（日立化成株式会社製）
・熱硬化性樹脂
ＥＸＡ−８３０−ＣＲＰ：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製）
ＹＸ−７１０５：可撓性エポキシ樹脂（構造非開示）（三菱ケミカル株式会社製）
ＥＰＲ−４０３０：ビスフェノールＡ型ＮＢＲ変性エポキシ樹脂（株式会社ＡＤＥＫＡ製）
ＹＤＣＮ−７００−１０：ノボラック型エポキシ樹脂（新日化エポキシ製造株式会社製）
ＨＥ−１００Ｃ−３０：フェノールアルキル樹脂（住金エア・ウォーター・ケミカル株式会社製）
・硬化促進剤
２ＰＺ−ＣＮ：イミダゾール系硬化促進剤（四国化成工業株式会社製）
・酸化防止剤（その他の成分）
ＬＡ−８１：ヒンダードアミン系光安定剤（株式会社ＡＤＥＫＡ製）
【０１６９】
第一の層を形成するために調製した実施例及び比較例の仮固定用樹脂フィルムについて、硬化後の弾性率、２００℃及び２５０℃での耐熱性、９０°剥離強度、及び剥離性を、以下に示す方法にしたがって評価した。それらの評価結果を下記表４及び５に示す。ここで、第一の層が、２層形態の仮固定用樹脂フィルムシートにおいて半導体素子又は半導体素子を有するウェハに貼付けられる側の層となる。
【０１７０】
［硬化後の貯蔵弾性率］
仮固定用樹脂フィルムにおける第一の層について、硬化後の貯蔵弾性率を下記の方法により評価した。第一の層を厚さ１２０μｍに調整した測定用単層フィルムを８０℃でラミネートした。これを１３０℃のオーブンで３０分、さらに１７０℃で２時間加熱してフィルムを硬化させた後、さらに２００℃で３０分加熱を行った。その後、幅方向に４ｍｍ幅、長さ３３ｍｍに切り出した。切り出した測定用単層フィルムを動的粘弾性測定装置（製品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００、株式会社ユービーエム製）にセットし、引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３℃／分で測定し、２５℃での貯蔵弾性率を測定した。
【０１７１】
［２００℃での耐熱性評価］
仮固定用樹脂フィルムの２００℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ×２５ｍｍに小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムの第二の層側が貼り付くように８０℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ×１８ｍｍのスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムの第一の層側に８０℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した。このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）等のソフトウェアで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２００℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。
【０１７２】
［２５０℃での耐熱性評価］
仮固定用樹脂フィルムの２００℃での耐熱性を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）をブレードダイシングにより２５ｍｍ×２５ｍｍに小片化した。小片化したシリコンミラーウェハ表面に、仮固定用樹脂フィルムの第二の層側が貼り付くように８０℃でロールラミネートした。次に、厚さが０．１〜０．２ｍｍで大きさが約１８ｍｍ×１８ｍｍのスライドガラスを、仮固定用樹脂フィルムの第一の層側に８０℃でロールラミネートし、仮固定用樹脂フィルムがシリコンウェハ及びスライドガラスで挟まれた積層体サンプルを作製した。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱して仮固定用樹脂フィルムを硬化させ、その後、２００℃で３０分間加熱した後に２５０℃で３０分間加熱した。このようにして得られたサンプルをスライドガラス面から観察し、画像をＰｈｏｔｏｓｈｏｐ等のソフトウェアで解析し、仮固定用樹脂フィルム全体の面積に占めるボイドの割合から２５０℃での耐熱性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
○：ボイドの割合が５％未満。
×：ボイドの割合が５％以上。
【０１７３】
［９０°剥離強度］
シリコンミラーウェハ及び仮固定用樹脂フィルム（第一の層）の間の９０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ６２５μｍシリコンミラーウェハ（６インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０×５０−Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムを第一の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｈＰａの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させた。これをさらに２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とした。
【０１７４】
［剥離性］
仮固定用樹脂フィルムのデボンド装置での剥離性を下記の方法により評価した。支持体としてシリコンミラーウェハを使用し、仮固定用樹脂フィルムを、第二の層側がシリコンミラーウェハに貼り付くように８０℃でロールラミネートにより貼り付けることで、仮固定用樹脂フィルム付き支持体を得た。次に、厚さ７２５μｍのシリコンミラーウェハ（８インチ）表面に、ブレードダイシングにより幅４０μｍ、深さ４０μｍの溝を１００μｍ間隔で作製し、表面に段差を有するシリコンウェハを用意した。このシリコンウェハの段差側に、仮固定用樹脂フィルム付き支持体の仮固定用樹脂フィルムの第一の層が接触するように貼り合わせ、真空ボンディング装置（アユミ工業株式会社製ＶＥ０７−１４）で５ｈＰａの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、積層体を得た。このようにして得られた積層体を１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で２時間加熱することにより仮固定用樹脂フィルムを硬化させた。その後、これを２００℃で３０分間加熱した後、シリコンウェハの段差側と仮固定用樹脂フィルムの第一の層側との間に、先端が鋭利なピンセットを差し入れ、外縁に沿ってピンセットを動かした。シリコンウェハ及び支持体が割れることなく剥離できたものを○とし、剥離できなかったもの又は損傷が見られたものは×とした。
【０１７５】
[９０°ＰＩピール]
ＰＩ（ポリイミド）がコーティングされたシリコンミラーウェハ及び仮固定用樹脂フィルム（第一の層）の間の９０°剥離強度を下記の方法により評価した。厚さ７７５μｍのＰＩのコーティングされたシリコンミラーウェハ（１２インチ）を真空ラミネーター（株式会社エヌ・ピー・シー製、ＬＭ−５０×５０−Ｓ）のステージ上に置き、仮固定用樹脂フィルムを第一の層がシリコンミラーウェハ側に貼り付くように設置し、１５ｈＰａの条件下で、１２０℃の温度、０．１ＭＰａの圧力で２分間加熱加圧し、真空ラミネートした。得られたサンプルを１３０℃で３０分間加熱し、続いて１７０℃で１時間加熱して硬化させた。これをさらに２００℃で３０分間加熱した後、１０ｍｍ幅に切り出し、測定用フィルムとした。測定用フィルムを、剥離角度が９０°となるように設定した剥離試験機で５０ｍｍ／分の速度で剥離試験を実施し、そのときの剥離強度を９０°剥離強度とした。
【０１７６】
【表１】
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【０１７７】
【表２】
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【０１７８】
【表３】
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【０１７９】
【表４】
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【０１８０】
【表５】
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【０１８１】
表５に示されるように、実施例１〜６の仮固定用樹脂フィルムは、対シリコンウェハの剥離性及び耐熱性に優れていた。各実施例の仮固定用樹脂フィルムは室温の貯蔵弾性率が０．５〜２００ＭＰａの範囲内にあるため、アンカー効果を緩和することで、シリコンウェハに形成された段差からの剥離も問題ないことが確認された。さらに、シリコンウェハだけでなくＰＩコーティングのされたシリコンウェハに対しても剥離性が良好であることが確認された。
【０１８２】
それに対して、比較例１〜５の仮固定用樹脂フィルムは、表４から分かるように、対シリコンウェハの剥離性及び耐熱性を同時に満足させることができなかった。それら比較例の中で、比較例１〜３は仮固定用樹脂フィルムが熱硬化性樹脂を含有しないため、耐熱性が劣った。また、比較例４及び５の仮固定用樹脂フィルムは室温の貯蔵弾性率が２００ＭＰａを超えるため、アンカー効果を緩和することができず、シリコンウェハに形成された段差からの剥離性が大幅に低下した。
【０１８３】
以上のように、本発明の仮固定用樹脂組成物を使用することにより、少なくとも片側の層に半導体素子又は半導体素子を有するウェハを貼付けた状態で電子部品の製造のため前記半導体素子の加工を行うとき、２５０℃の高温で加熱処理される場合でもボイドの発生が少なく、剥離を起こさないで加工を良好に行うことができ、さらに、加工後は電子部品から容易に剥離が可能な仮固定用樹脂フィルムを提供することができる。
【符号の説明】
【０１８４】
１…１層形態の仮固定用樹脂フィルムシート（又は第一の層の形成用樹脂フィルムシート）、２…２層形態の仮固定用樹脂フィルムシート、３…第二の層の形成用樹脂フィルムシート、４…仮固定用樹脂フィルムシート、１０…支持フィルム、２０…１層形態の仮固定用樹脂フィルム（又は第一の層の形成用樹脂フィルム）、２１…第一の層、２２…第二の層、３０…保護フィルム、２３…２層形態の仮固定用樹脂フィルム、２４…第二の層の形成用樹脂フィルム、４０…仮固定材、４１…第一の層、４２…第二の層、５０…支持体、５２…剥離層、６０…電子部品、７０…硬化した仮固定材、７１…硬化した第一の層、７２…硬化した第二の層、８０…電子部品、８２…貫通電極、８４…ダイシングライン、８６…貫通電極、９０…グラインダー、１００…半導体素子、１１０…配線基板、１２０…電子機器装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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