(57)【要約】【課題】フィルタの目詰まりを検出することができるレーザ加工装置および検出方法を提供すること。【解決手段】側面サーミスタ８７をフィルタ８３と側面ファン８４との間にあって、側面ファン８４が回転した場合に生じる空気流の流路内に配置する。フィルタ８３の塵埃による目詰まりの度合いが大きくなるほど、流路を流れる空気の流速が低下するため、第１ヒートシンク４８が放熱する熱により流路の空気の温度は上昇する。側面サーミスタ８７はフィルタ８３と側面ファン８４との間に配置されているため、側面ファン８４の目詰まりの度合いが反映された空気の温度を検出することができる。【選択図】図６
2019030901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源部と、
前記光源部と接触し、前記光源部から発せられる熱を放熱するヒートシンクと、
温度を検出する第１温度センサと、
前記光源部、前記ヒートシンク、および前記第１温度センサを収納する筐体と、
前記ヒートシンクを通過する空気流を前記筐体内に形成させるファンと、
前記ファンが正転した場合に前記空気流の上流側に配置された防塵用のフィルタと、を備え、
前記第１温度センサは、前記フィルタと前記ファンとの間にあって、前記空気流の流路内に配置されていることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記第１温度センサは、前記ヒートシンクと離隔して配置されていることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記第１温度センサは、前記ヒートシンクよりも前記フィルタに近い位置に配置されていることを特徴とする請求項２記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記第１温度センサは、前記空気流の中心部に配置されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記筐体は、前記ファンが正転した場合に、前記流路の上流にある第１通気口および前記流路の下流にある第２通気口を有し、
前記ヒートシンクは、
前記第１通気口から前記第２通気口へ向かう方向に延在するフィンを有することを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記光源部は、レーザダイオードと、一方の面が前記レーザダイオードと近接し、他方の面が前記ヒートシンクと近接する第１ペルチェ素子と、を有し、
前記ファンが規定の回転数で回転している状態における、前記フィルタの目詰まりの度合いと前記第１温度センサが検出する温度の経時変化との相関関係を示す相関情報が予め記憶されている記憶部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、測定動作モードにおいて、
前記ファンを前記規定の回転数で回転させた状態における前記第１温度センサが検出した温度を取得する取得処理と、
前記取得処理にて取得した温度と前記相関情報とを比較して、前記フィルタの目詰まりの度合いを判定する判定処理と、
前記判定処理において判定した目詰まりの度合いを示す信号を報知部に対して出力する出力処理と、を実行することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
前記光源部は、レーザダイオードと、一方の面が前記レーザダイオードと近接し、他方の面が前記ヒートシンクと近接する第１ペルチェ素子と、を有し、
前記レーザダイオードが規定の電流値で駆動された後、前記ファンが規定の回転数で回転している状態における、前記フィルタの目詰まりの度合いと前記第１温度センサが検出する温度の経時変化との相関関係を示す相関情報が予め記憶されている記憶部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、測定動作モードにおいて、
前記レーザダイオードを前記規定の電流値で駆動させた後、前記ファンを前記規定の回転数で回転させた状態における前記第１温度センサが検出した温度を取得する取得処理と、
前記取得処理にて取得した温度と前記相関情報とを比較して、前記フィルタの目詰まりの度合いを判定する判定処理と、
前記判定処理において判定した目詰まりの度合いを示す信号を報知部に対して出力する出力処理と、を実行することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
前記相関情報は前記ファンが正転している状態における情報であり、
前記制御部は、
前記取得処理において、前記ファンを正転させた状態とすることを特徴とする請求項６又は７に記載のレーザ加工装置。
【請求項９】
前記相関情報は前記ファンが逆転し、前記第１ペルチェ素子の駆動が停止された状態における情報であり、
前記制御部は、
前記取得処理において、前記ファンを逆転させ、前記第１ペルチェ素子の駆動を停止させた状態とすることを特徴とする請求項６又は７に記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
前記相関情報は前記ファンが逆転し、前記第１ペルチェ素子の前記他方の面が加熱された状態における情報であり、
前記制御部は、
前記取得処理において、前記ファンを逆転させ、前記第１ペルチェ素子の前記他方の面を加熱させた状態とすることを特徴とする請求項６又は７に記載のレーザ加工装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記測定動作モードを所定時間毎に実行することを特徴とする請求項６から１０のいずれか記載のレーザ加工装置。
【請求項１２】
前記記憶部には、前記ファンが正転している状態における前記相関情報である第１相関情報、前記ファンが逆転し前記第１ペルチェ素子の駆動が停止された状態における前記相関情報である第２相関情報、および前記ファンが逆転し前記第１ペルチェ素子の前記他方の面が加熱された状態における前記相関情報である第３相関情報が予め記憶されており、
前記制御部は、
前記レーザ加工装置の累積稼働時間が第１所定時間以下である場合、前記取得処理において前記ファンを正転させ、前記判定処理において前記第１相関情報と比較し、
前記レーザ加工装置の累積稼働時間が第１所定時間より長く、第２所定時間以下である場合、前記取得処理において前記ファンを逆転させ前記第１ペルチェ素子の駆動を停止させ、前記判定処理において前記第２相関情報と比較し、
前記レーザ加工装置の累積稼働時間が第２所定時間より長い場合、前記取得処理において前記ファンを逆転させ、前記第１ペルチェ素子の前記他方の面を加熱させ、前記判定処理において前記第３相関情報と比較することを特徴とする請求項６又は７に記載のレーザ加工装置。
【請求項１３】
前記筐体に収納された、
前記レーザダイオードを励起源とする固体レーザと、
前記固体レーザと近接する第２ペルチェ素子と、
前記固体レーザの温度を検出する第２温度センサと、を備え、
前記制御部は、
前記判定処理において、前記第２ペルチェ素子の駆動を停止させた状態で前記第２温度センサが検出した温度に基づいて、前記取得処理にて取得した温度を補正した温度と前記相関情報とを比較することを特徴とする請求項１０に記載のレーザ加工装置。
【請求項１４】
前記レーザダイオードの温度を検出する第３温度センサを備え、
前記制御部は、
前記取得処理において、前記第３温度センサの検出する温度が所定温度となるように前記第１ペルチェ素子の前記他方の面を加熱させる制御をすることを特徴とする請求項１３に記載のレーザ加工装置。
【請求項１５】
レーザダイオードと、ヒートシンクと、一方の面が前記レーザダイオードと近接し、他方の面が前記ヒートシンクと近接するペルチェ素子と、温度を検出する温度センサと、前記レーザダイオード、前記ペルチェ素子、前記ヒートシンク、および前記温度センサを収納する筐体と、回転することにより、前記ヒートシンクを通過する空気の流路を前記筐体内に形成させるファンと、前記ファンが正転した場合に前記流路の上流側に配置された防塵用のフィルタと、記憶部と、を備えるレーザ加工装置の前記ファンの目詰まりを検出する検出方法であって、
前記流路において前記フィルタと前記ファンとの間に配置されている前記温度センサが、前記ファンが規定の回転数で回転している状態における温度を検出するステップと、
前記記憶部が記憶する、前記ファンが前記規定の回転数で回転している状態における前記フィルタの目詰まりの度合いと前記温度センサが検出する温度の経時変化との相関関係を示す相関情報と、前記検出するステップにて前記温度センサが検出した温度とを比較して、前記フィルタの目詰まりを検出するステップと、を含む検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工装置および検出方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、レーザダイオードおよびレーザダイオードを加熱または冷却するペルチェ素子などを収容したケース内を冷却するファンを備えたレーザマーカが開示されている。レーザダイオードなどの発熱によりケース外よりも高温となったケース内の空気が、ファンが回転することで排気されケース内が冷却される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−７４３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ケース内の空気を排気するために、一般的に、ケースには排気口および吸気口が設けられている。また、吸気に伴い、塵埃が吸気口からケース内に入り込むのを抑制するために、防塵用のフィルタが吸気口に取り付けられている。防塵用のフィルタに目詰まりが生じると、空気の流れが滞り、ケース内の冷却効率が低下するため、適当な時期でのフィルタの交換が必要となる。ただし、使用環境などにより、フィルタの交換時期は変動するため、フィルタの目詰まりの度合いが大きくなった時期での交換が望まれていた。
【０００５】
本願は、上記の課題に鑑み提案されたものであって、フィルタの目詰まりを検出することができるレーザ加工装置および検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、光源部と、光源部と接触し、光源部から発せられる熱を放熱するヒートシンクと、温度を検出する第１温度センサと、光源部、ヒートシンク、および第１温度センサを収納する筐体と、ヒートシンクを通過する空気流を筐体内に形成させるファンと、ファンが正転した場合に空気流の上流側に配置された防塵用のフィルタと、を備え、第１温度センサは、フィルタとファンとの間にあって、空気流の流路内に配置されていることを特徴とするレーザ加工装置を開示する。
【０００７】
また、本明細書は、レーザダイオードと、ヒートシンクと、一方の面がレーザダイオードと近接し、他方の面がヒートシンクと近接するペルチェ素子と、温度を検出する温度センサと、レーザダイオード、ペルチェ素子、ヒートシンク、および温度センサを収納する筐体と、回転することにより、ヒートシンクを通過する空気の流路を筐体内に形成させるファンと、ファンが正転した場合に流路の上流側に配置された防塵用のフィルタと、記憶部と、を備えるレーザ加工装置のファンの目詰まりを検出する検出方法であって、流路においてフィルタとファンとの間に配置されている温度センサが、ファンが規定の回転数で回転している状態における温度を検出するステップと、記憶部が記憶する、ファンが規定の回転数で回転している状態におけるフィルタの目詰まりの度合いと温度センサが検出する温度の経時変化との相関関係を示す相関情報と、検出するステップにて温度センサが検出した温度とを比較して、フィルタの目詰まりを検出するステップと、を含む検出方法を開示する。
【発明の効果】
【０００８】
本願によれば、フィルタの目詰まりを検出することができるレーザ加工装置および検出方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施形態に係る筐体本体を除いたレーザ加工装置の右前方を示す斜視図である。
【図２】レーザ加工装置のベースを示す平面図である。
【図３】筐体本体を除いたレーザ加工装置の左後方を示す斜視図である。
【図４】レーザ加工装置のベースを示す底面図である。
【図５】前面パネルおよび筐体本体を除いたレーザ加工装置の左前方を示す斜視図である。
【図６】励起用レーザ部の左前方を示す斜視図である。
【図７】レーザ加工装置およびＰＣの電気的構成を示すブロック図である。
【図８】判定処理の処理内容を示すフローチャートである。
【図９】側面ファンが正転した場合の励起用レーザ部における空気流を説明する模式図である。
【図１０】側面ファンが正転した場合のフィルタの目詰まりの度合いに対する検出温度との相関を説明する図である。
【図１１】側面ファンが逆転した場合の励起用レーザ部における空気流を説明する模式図である。
【図１２】側面ファンが逆転した場合の目詰まりの度合いが異なるフィルタにおける経過時間に対する検出温度の変化との相関関係を説明する図である。
【図１３】側面ファンが逆転した場合のフィルタの目詰まりの度合いに対する図１２の時間ｔ１における検出温度との相関を説明する図である。
【図１４】レーザ光出射部および第２ヒートシンクを含む断面構造を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（レーザ加工装置の概略構成）
本実施形態に係るレーザ加工装置１の概略構成について図１を用いて説明する。レーザ加工装置１は、ＰＣ７（図７）から送信される印字データに基づいて、加工対象物に対してレーザ光を２次元走査して照射し、文字、記号、図形等をマーキングするレーザ加工を行う。以下の説明において、レーザ加工を印字と記載する場合がある。以後の説明において、方向は図１に示す方向を用いる。
【００１１】
レーザ加工装置１は、筐体８、ベース１１、加工用レーザ部６、励起用レーザ部４０、電源部５２，５２、および複数の回路基板４５などを備えている。筐体８は略直方体形状であり、前面パネル８ａ、背面パネル８ｂ、底面パネル８ｃ、および左右面および上面を覆う筐体本体８ｄ（図９参照）などで構成されている。尚、図１は、筐体本体８ｄを取り外した状態を示している。筐体８はベース１１、フレーム板９１，９１、加工用レーザ部６、励起用レーザ部４０、および複数の回路基板４５などを内部に収納している。ベース１１は底面パネル８ｃに取り付けられている。加工用レーザ部６はベース１１上に配置されている。励起用レーザ部４０はベース１１の上方であって、レーザ加工装置１の前側に取り付けられている。フレーム板９１，９１は、互いに隣接し、レーザ加工装置１の前後方向の略中央部から後端まで、板面が筐体本体の左右面と略平行となるように配置されている。電源部５２，５２は、ベース１１の上方であって、フレーム板９１，９１の左側に取り付けられている。電源部５２，５２は不図示の電源コードを介して商用電源に接続される。電源部５２，５２は給電される交流電力を直流電力に変換し、レーザ加工装置１の各部へ給電する。複数の回路基板４５は、ベース１１の上方であって、フレーム板９１，９１の右側に取り付けられている。
【００１２】
励起用レーザ部４０は、レーザダイオード部４６、第１ペルチェ素子４７（図６）、および第１ヒートシンク４８（図６）などを有する。第１ヒートシンク４８を通過する空気流のために、筐体８の左面および右面の第１ヒートシンク４８の左右端の位置に、夫々第１通気口８１、第２通気口８２が配置されている。第１通気口８１の内側には防塵用のフィルタであるフィルタ８３が取り付けられており、第２通気口８２の内側には正転および逆転可能な側面ファン８４が取り付けられている。尚、側面ファン８４が正転した場合、第１通気口８１から第２通気口８２へ向かう空気流が生じる。つまり、フィルタ８３は、側面ファン８４が正転した場合、生じる空気流の流路内であって、空気流の上流側に配置されている。尚、励起用レーザ部４０の詳細については後述する。
【００１３】
次に、図２を用いて、加工用レーザ部６について詳しく説明する。加工用レーザ部６は、レーザ光を出射するレーザ光出射部１２、光シャッター部１３、光ダンパー（不図示）、第１ガイド光部１５、第２ガイド光部１６、ダイクロイックミラー１７、ガルバノスキャナ１８、およびｆθレンズ１９などを有している。
【００１４】
レーザ光出射部１２は、レーザ発振器部２１、ビームエキスパンダ２２、および第２ペルチェ素子３４などを有する。レーザ光出射部１２には、励起用レーザ部４０から出射される励起光である励起用レーザ光が光ファイバＦを介して入射される。レーザ発振器部２１は、カバー２１ａ、レーザ発振器２１ｂ（図１４）、レーザ発振器ベース２１ｃ（図１４）、および第２サーミスタ３７を有する。レーザ発振器２１ｂは、不図示の例えばＹＡＧレーザおよび受動Ｑスイッチなどを有する。レーザ発振器２１ｂは光ファイバＦを介して入射される励起用レーザ光に応じて、レーザ加工を行うためのパルス状のレーザ光を出射する。ビームエキスパンダ２２は、レーザ発振器２１ｂと同軸に設けられており、レーザ光のビーム径を調整する。尚、レーザ発振器２１ｂがレーザ光を出射する方向が前方向であり、上下方向及び前後方向に直交する方向が左右方向である。
【００１５】
光シャッター部１３は、シャッターモータ２６および平板状のシャッター２７を有する。シャッター２７は、シャッターモータ２６のモータ軸に取り付けられて同軸に回転する。シャッター２７は、ビームエキスパンダ２２から出射されたレーザ光の光路を遮る位置に回転された際には、レーザ光を光ダンパー（不図示）へ反射する。光ダンパーはシャッター２７で反射されたレーザ光を吸収する。一方、シャッター２７がビームエキスパンダ２２から出射されたレーザ光の光路を遮らない位置に回転された際には、ビームエキスパンダ２２から出射されたレーザ光は、光シャッター部１３の前側に配置されたダイクロイックミラー１７に入射する。ビームエキスパンダ２２から出射されたレーザ光は、ダイクロイックミラー１７を透過し、ガルバノスキャナ１８へ入射する。
【００１６】
第１ガイド光部１５はダイクロイックミラー１７の右側に配置されている。第１ガイド光部１５は、ガイド光レーザ（不図示）およびレンズ群（不図示）などを有する。ガイド光レーザは例えば赤色の、可視レーザ光を出射する半導体レーザである。レンズ群は可視レーザ光を平行光に収束する。ダイクロイックミラー１７の反射面は、第１ガイド光部１５から出射された可視レーザ光であるガイド光の光路に対して４５度となるように配置されており、反射面に入射されたガイド光の大部分を、ガルバノスキャナ１８に向かって反射する。ここで、ダイクロイックミラー１７を透過したレーザ光の光路と、ダイクロイックミラー１７により反射されたガイド光の光路とは一致する。尚、ガイド光は、レーザ加工の際に加工対象物の前後方向および左右方向の位置合わせに用いられるものである。第２ガイド光部１６はガルバノスキャナ１８の右側に配置されている。第２ガイド光部１６は、レーザ加工の際に加工対象物の上下方向の位置合わせに用いられる可視レーザ光を出射する半導体レーザ（不図示）を有する。
【００１７】
ガルバノスキャナ１８は、ベース１１の前側端部に形成された貫通孔（不図示）の上側に取り付けられている。ガルバノスキャナ１８は、ガルバノＸ軸モータ３１（図７）、ガルバノＹ軸モータ３２（図７）、および本体部３３などを有する。ガルバノＸ軸モータ３１およびガルバノＹ軸モータ３２の各々は、モータ軸およびモータ軸の先端部に取り付けられた走査ミラー（不図示）を有する。ガルバノＸ軸モータ３１およびガルバノＹ軸モータ３２は、各々のモータ軸が互いに直交し、各々の走査ミラーが互いに対向するように本体部３３に取り付けられている。ガルバノＸ軸モータ３１およびガルバノＹ軸モータ３２が回転することにより、各走査ミラーが回転する。これにより、レーザ光およびガイド光が２次元走査される。
【００１８】
ｆθレンズ１９は、ガルバノスキャナ１８によって２次元走査されたレーザ光とガイド光とを下方に配置された加工対象物に集光させる。
【００１９】
図３に示す様に、電源部５２，５２は左側のフレーム板９１の左側面に取り付けられている。また、背面ファン８５は背面パネル８ｂの外側に取り付けられている。ベース１１と底面パネル８ｃとで囲まれた空間には、図４に示す様に、主にレーザ光出射部１２が発する熱を放熱する第２ヒートシンク３５がベース１１に取り付けられている。
【００２０】
次に、図５，６を用いて、励起用レーザ部４０について詳しく説明する。図５に示すように、励起用レーザ部４０は、ガルバノスキャナ１８などの上方に位置する。図６に示すように、励起用レーザ部４０は、上記の構成の他に、第１フレーム９２、第２フレーム９３などを有する。レーザダイオード部４６はカバー４６ａ、レーザダイオード素子４６ｂ（図９）、レーザダイオードベース４６ｃ（図９）、および第１サーミスタ４９などを有する。第１フレーム９２は断面が下方に向かって開放するコの字状の板状部材であり、下端部がベース１１（図１）に取り付けられている。第２フレーム９３は断面が下方に向かって開放するコの字状の板状部材であり、下端部が第１フレーム９２の上面に取り付けられている。第１ヒートシンク４８は、第１フレーム９２および第２フレーム９３に囲まれた空間に収納されている。第２フレーム９３の上面にレーザダイオード部４６が配置されている。第１ヒートシンク４８は、複数の板状のフィン４８ａを有し、フィン４８ａは第１通気口８１から第２通気口８２へ向かう方向である左右方向に延在している。側面サーミスタ８７は、第１フレーム９２の上面に取り付けられた樹脂スペーサ８８の上端に配置されている。側面サーミスタ８７は、第１ヒートシンク４８の左端部であって、第１ヒートシンク４８の前後方向の略中央部に第１ヒートシンク４８と離隔されて配置されている。つまり、側面ファン８４が回転した場合に生じる空気流の中心部に側面サーミスタ８７が配置されている。また、側面サーミスタ８７は、第１ヒートシンク４８よりもフィルタ８３に近い位置に配置されている。レーザダイオード部４６は光ファイバＦを介してレーザ発振器２１ｂと光学的に接続されている。レーザダイオード素子４６ｂは、励起用レーザドライバ５１から供給される駆動電流の電流値に応じたパワーの励起用レーザ光を光ファイバＦ内に出射する。
【００２１】
（レーザ加工装置の電気的構成）
次に、レーザ加工装置１の電気的構成について、図７を用いて説明する。
レーザ加工装置１はＰＣ７と双方向通信可能に接続されており、ＰＣ７で作成された印字データに基づいて、レーザ加工を行う。
【００２２】
ＰＣ７は、ＣＰＵ７１、ＲＡＭ７２、ＲＯＭ７３、制御回路７４、ＨＤＤ(Hard Disk Drive）７５、キーボード７６、マウス７７、およびＬＣＤ７８等を有する。ＰＣ７にはレーザ加工のためのアプリケーションソフトウェアが予めインストールされている。ＲＯＭ７３にはファームウェアなどが記憶されている。ＲＡＭ７２はＣＰＵ７１が各種の処理を実行するための主記憶装置として用いられる。また、ＨＤＤ７５には加工処理のプログラムおよび文字パラメータ情報などが記憶されている。ＣＰＵ７１、ＲＡＭ７２、ＲＯＭ７３、およびＨＤＤ７５は、不図示のバス線により相互に接続されている。制御回路７４は、キーボード７６、マウス７７、およびＬＣＤ７８などと電気的に接続されており、キーボード７６およびマウス７７が受け付けた操作を信号に変換してＣＰＵ７１へ出力する。また、ＣＰＵ７１からの命令に応じた表示画面をＬＣＤ７８に表示させる。
【００２３】
ＰＣ７は、ユーザからの加工命令を受け付け、印字データを作成し、コントローラ５へ出力する。印字データとは、レーザ加工においてレーザ光により描画される加工パターンの形状を示すＸＹ座標データと、ＸＹ座標データにレーザ加工の条件を示す加工条件データとが対応付けられたデータである。
【００２４】
レーザ加工装置１は、コントローラ５、励起用レーザドライバ５１、第１ペルチェドライバ５３、第２ペルチェドライバ５４、ガルバノドライバ３６、側面ファンドライバ５５、背面ファンドライバ５６などを備える。コントローラ５はＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、およびＮＶＲＡＭ６４などを備える。また、コントローラ５は、側面サーミスタ８７、第１サーミスタ４９、および第２サーミスタ３７と電気的に接続されている。詳しくは、側面サーミスタ８７、第１サーミスタ４９、および第２サーミスタ３７の各々には抵抗が直列接続されており、第１サーミスタ４９、および第２サーミスタ３７の各々と直列接続された抵抗とには所定の電圧が印加され、側面サーミスタ８７、第１サーミスタ４９、および第２サーミスタ３７の各々に印加される電圧がデジタル値に変換された信号がコントローラ５へ入力される。以下の説明において、各サーミスタに印加されている電圧がデジタル値に変換された信号を、各サーミスタの検出温度を示す信号と称する。また、各サーミスタの検出温度を示す信号が温度に換算された値を検出温度と記載する場合がある。尚、コントローラ５および上記の各種ドライバは、例えばＣＰＵ６１として機能するプロセッサ（不図示）などの種々の電子部品（不図示）が実装された複数の回路基板４５などによって実現される。コントローラ５は、各種ドライバと通信可能に接続されている。
【００２５】
ＣＰＵ６１はＲＯＭ６３に記憶されている各種のプログラムを実行することによって、各種ドライバなどを制御する。ＲＡＭ６２はＣＰＵ６１が各種の処理を実行するための主記憶装置として用いられる。尚、ＣＰＵ６１、ＲＡＭ６２、ＲＯＭ６３、およびＮＶＲＡＭ６４は、不図示のバス線により相互に接続されている。ＣＰＵ６１は、ＰＣ７から出力される印字データに基づき、各種ドライバを制御する。例えば、ＣＰＵ６１は印字データに基づき算出した駆動電流値でレーザダイオード素子４６ｂを駆動するように励起用レーザドライバ５１へ命令する。また、ＣＰＵ６１は印字データに基づき算出した駆動角度および回転速度となるように、ガルバノＸ軸モータ３１およびガルバノＹ軸モータ３２を駆動するようにガルバノドライバ３６に命令する。また、ＣＰＵ６１は、第１サーミスタ４９の検出温度を示す信号に基づき、検出温度が目標温度となるように、第１ペルチェ素子４７を制御するように第１ペルチェドライバ５３に命令する。尚、レーザダイオード素子４６ｂは温度により、出射する励起用レーザ光のパワーは変動するため、レーザダイオード素子４６ｂの温度制御がなされる。同様に、ＣＰＵ６１は、第２サーミスタ３７の検出温度を示す信号に基づき、検出温度が目標温度となるように第２ペルチェ素子３４を制御するように第２ペルチェドライバ５４に命令する。また、ＣＰＵ６１は、側面サーミスタ８７、第１サーミスタ４９、および第２サーミスタ３７の各々の検出温度を示す信号に基づいて、側面ファンドライバ５５および背面ファンドライバ５６に側面ファン８４および背面ファン８５の回転および停止するように命令する。ＮＶＲＡＭ６４は、例えばフラッシュメモリなどで実現される不揮発性メモリである。ＣＰＵ６１は、例えば、レーザ加工装置１の電源がＯＮされてからＯＦＦされるまでの稼働時間を累積し、累積した累積稼働時間をＮＶＲＡＭ６４に記憶させる。また、ＮＶＲＡＭ６４には後述の判定処理にて使用する第１相関情報６５、第２相関情報６６、および第３相関情報６７が予め記憶されている。
【００２６】
（判定処理）
次に、ＣＰＵ６１が実行する判定処理について図８を用いて説明する。ＣＰＵ６１は、ＰＣ７から印字データが送信されると、印字データに基づき、レーザ加工処理を行う。詳しくは、ＣＰＵ６１はレーザ加工処理において、レーザ光出射部１２からレーザ光を出射させ、ガルバノスキャナ１８を駆動させる。尚、レーザ加工処理において、側面ファン８４は正転される。ＣＰＵ６１はレーザ加工処理を終了すると、レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７の駆動を停止し、測定動作モードに移行し、図８に示す判定処理を開始する。
【００２７】
ＣＰＵ６１は判定処理を開始すると、ＮＶＲＡＭ６４から累積稼働時間を読み出して取得し（Ｓ１）、累積稼働時間がＮＶＲＡＭ６４に予め記憶されている第１閾値以下であるか否かを判断する（Ｓ３）。累積稼働時間が第１閾値以下であると判断すると（Ｓ３：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は第１相関情報６５の作成時と同じ電流値でレーザダイオード素子４６ｂの駆動を開始させ、レーザ加工処理と同様に第１ペルチェ素子４７の駆動を開始させる（Ｓ４）。所定時間経過後、ＣＰＵ６１はレーザダイオード素子４６ｂの駆動を停止させる（Ｓ５）。詳しくは、ＣＰＵ６１は励起用レーザドライバ５１にレーザダイオード素子４６ｂへの駆動電流の供給を停止させる。次に、第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させる（Ｓ７）。詳しくは、ＣＰＵ６１は第１ペルチェドライバ５３に第１ペルチェ素子４７への駆動電流の供給を停止させる。次に、側面ファンドライバ５５に第１相関情報６５の作成時と同じ回転数で側面ファン８４を正転させるように命令する（Ｓ９）。次に、ステップＳ９を実行してから、所定時間経過後、側面サーミスタ８７の検出温度を示す信号を取得する（Ｓ１１）。詳しくは、ＣＰＵ６１は側面サーミスタ８７の検出温度を示す信号の値をＲＡＭ６２に記憶させる。次に、ＲＡＭ６２に記憶させた値とＮＶＲＡＭ６４に記憶している第１相関情報６５とを比較して目詰まり度合を算出する（Ｓ１３）。
【００２８】
ステップＳ１３について図９，１０を用いて説明する。図９は、励起用レーザ部４０を前方から視た模式図である。励起用レーザ部４０は、下から第１ヒートシンク４８、第１ペルチェ素子４７、レーザダイオードベース４６ｃ、レーザダイオード素子４６ｂの順に、互いに接触して積み重ねられた構造となっている。尚、レーザダイオードベース４６ｃとレーザダイオード素子４６ｂとの間には、グリスが塗布される場合もある。また、レーザダイオード素子４６ｂの近傍に第１サーミスタ４９が配置されており、第１ペルチェ素子４７、レーザダイオードベース４６ｃ、レーザダイオード素子４６ｂ、および第１サーミスタ４９が、カバー４６ａにより覆われている。第１相関情報６５の作成時と同じ電流値で駆動されたレーザダイオード素子４６ｂは発熱し、第１ペルチェ素子４７はレーザダイオード素子４６ｂと近接する第１面４７ａを冷却し、第１ヒートシンク４８と近接する第２面４７ｂ側を加熱する。第１ペルチェ素子４７から第１ヒートシンク４８へ熱が伝導される。尚、判定処理のステップＳ５，Ｓ７にて、レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７の駆動は停止される。
【００２９】
さて、ステップＳ９にて、側面ファン８４は正転されているため、図９に示す矢印の方向に空気流が生じている。ここで、フィルタ８３の目詰まりの度合いが大きいほど、第１通気口８１から取り込まれる空気の流量は少ないため、熱交換の効率が悪く、側面サーミスタ８７付近の温度が筐体８外部の温度程度に冷却されるまでの時間は長くなる。つまり、フィルタ８３の目詰まり度に対する第１サーミスタ４９が検出する温度との相関は図１０に示すような、正の相関となる。第１相関情報６５はこの相関を示す例えば数式などである。第１相関情報６５は、例えばレーザ加工装置１の出荷前に、規定の電流値でレーザダイオード素子４６ｂが駆動された後、規定の回転数で側面ファン８４の正転が開始されてから、所定時間経過後の第１サーミスタ４９の検出温度を示す信号に基づき作成される情報であり、例えば、レーザ加工装置１の出荷時にＮＶＲＡＭ６４に記憶される情報である。尚、目詰まり度は、パーセンテージで示される値であり、フィルタ８３の閉塞率で定義される。第１通気口８１の内側にフィルタ８３が取り付けられていない状態の目詰まり度が０％であり、フィルタ８３が完全に閉塞された状態の目詰まり度が１００％である。第１相関情報６５は、閉塞率が０〜１００％である何点かのサンプルとなるフィルタ８３が第１通気口８１の内側に取り付けられた状態で、側面サーミスタ８７の検出温度に基づき作成される。閉塞率が０％の時の温度が温度Ｔｍｉｎであり、閉塞率が１００％の時の温度が温度Ｔｍａｘとすれば、例えば第１相関情報６５は温度Ｔｍｉｎと温度Ｔｍａｘとを結ぶ直線の関数である。
【００３０】
ステップＳ４〜Ｓ９にて、レーザダイオード素子４６ｂ、第１ペルチェ素子４７、および側面ファン８４の駆動状態が第１相関情報６５の作成時と同じ駆動状態とされることにより、第１相関情報６５の作成時のレーザ加工装置１の状態が再現される。このため、側面サーミスタ８７の検出温度を第１相関情報６５と比較することにより、フィルタ８３の閉塞率を算出することができる。詳しくは、第１相関情報６５の関数に側面サーミスタ８７の検出温度を代入して算出される算出値が、ステップＳ１３における目詰まり度合である。
【００３１】
図８に戻り、次に、ＣＰＵ６１は、算出した目詰まり度合を示す信号をＰＣ７に対して出力し（Ｓ１５）、判定処理を終了する。ＰＣ７は、目詰まり度合を示す信号が入力されると、ＬＣＤ７８に例えば目詰まり度合を表示する。ユーザは、表示された目詰まり度合を見ることにより、フィルタの交換時期であるか否かを判断することができる。
【００３２】
一方、累積稼働時間が第１閾値以下でないと判断すると（Ｓ３：ＮＯ）、次にＣＰＵ６１は累積稼働時間がＮＶＲＡＭ６４に予め記憶されている第２閾値以下であるか否かを判断する（Ｓ１７）。尚、第２閾値は第１閾値よりも大きい値である。累積稼働時間が第２閾値以下であると判断すると（Ｓ１７：ＹＥＳ）、ＣＰＵ６１は第２相関情報６６の作成時と同じ電流値でレーザダイオード素子４６ｂの駆動を開始させ、レーザ加工処理と同様に第１ペルチェ素子４７の駆動を開始させる（Ｓ２０）。所定時間経過後、ステップＳ５と同様に、ＣＰＵ６１はレーザダイオード素子４６ｂの駆動を停止させる（Ｓ２１）。次に、ステップＳ７と同様に、ＣＰＵ６１は第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させる（Ｓ２３）。次に、ＣＰＵ６１は側面ファンドライバ５５に第２相関情報６６の作成時と同じ回転数で側面ファン８４を逆転させるように命令する（Ｓ２５）。次に、ステップＳ２５を実行してから、所定時間経過後、ステップＳ１１と同様に、ＣＰＵ６１は側面サーミスタ８７からの温度を示す信号を取得する（Ｓ２７）。次に、ＲＡＭ６２に記憶させた値とＮＶＲＡＭ６４に記憶している第２相関情報６６とを比較して、ステップＳ１３と同様にＣＰＵ６１は目詰まり度合を算出する（Ｓ２９）。
【００３３】
ステップＳ２９について、図１１を用いて説明する。図１１は、図９と同様に、励起用レーザ部４０付近を前側から視た模式図である。ステップＳ２５にて、側面ファン８４は逆転されているため、図１１に示す矢印の方向に空気流が生じている。フィルタ８３の目詰まりの度合いが大きくなると、第２通気口８２から取り込まれる空気の流量に対する第１通気口８１から排気される空気の流量の割合は小さくなり、フィルタ８３の内側で、滞留が生じる。第２相関情報６６の作成時と同じ電流値で駆動されたレーザダイオード素子４６ｂは発熱しており、レーザダイオード素子４６ｂ付近の温度は筐体８外部の温度程度に下がりきっておらず、筐体８外部の温度よりも高い状態となっている。また、第１ペルチェ素子４７の駆動により、第１ヒートシンク４８も熱を持った状態となっており、第１ヒートシンク４８を通過する空気流により、筐体８外部の温度よりも高い温度の空気が側面サーミスタ８７付近に滞留し、側面サーミスタ８７付近の温度は経過時間とともに上昇する。
【００３４】
図１２は、経過時間に応じた側面サーミスタ８７の検出温度の変化を模式的に示す図である。第２相関情報６６は、第１相関情報６５と同様の情報である。ここでは、第２相関情報６６が、閉塞率がａ％，ｂ％，ｃ％であるサンプルとなるフィルタ８３が第１通気口８１の内側に取り付けられた状態で、側面サーミスタ８７の検出温度に基づき作成されたものとする。閉塞率がａ％，ｂ％，ｃ％であるフィルタ８３がレーザ加工装置１に取り付けられた場合の、側面サーミスタ８７の検出温度の経過変化は、夫々、例えば図１２に示す特性Ａ，Ｂ，Ｃのようになったとする。側面ファン８４の逆転を開始させてから時間ｔ１経過度の特性Ａ，Ｂ，Ｃの温度が、夫々、温度Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｃであるとすると、目詰まり度に対する温度の特性は例えば図１３に示すようになる。例えば図１３に示す直線の関数が、第２相関情報６６である。ステップＳ２１〜Ｓ２５にて、レーザダイオード素子４６ｂ、第１ペルチェ素子４７、および側面ファン８４の駆動状態が第２相関情報６６の作成時と同じ駆動状態とされることにより、第２相関情報６６の作成時のレーザ加工装置１の状態が再現される。このため、側面サーミスタ８７の検出温度を第２相関情報６６と比較することにより、フィルタ８３の目詰まり度合を算出することができる。
【００３５】
図８に戻り、次に、ＣＰＵ６１は、ステップＳ２９の実行後、ステップＳ１５へ進む。一方、累積稼働時間が第２閾値以下でないと判断すると（Ｓ１７：ＮＯ）、ＣＰＵ６１は第３相関情報６７の作成時と同じ電流値でレーザダイオード素子４６ｂの駆動を開始させ、レーザ加工処理と同様に第１ペルチェ素子４７の駆動を開始させる（Ｓ３０）。所定時間経過後、ステップＳ５と同様に、ＣＰＵ６１はレーザダイオード素子４６ｂの駆動を停止させる（Ｓ３１）。次に、ＣＰＵ６１は、第３相関情報６７の作成時と同じ電流値の駆動電流にて、第１ペルチェ素子４７の第１サーミスタ４９と接する第２面４７ｂを加熱させる制御を第１ペルチェドライバ５３に開始させる（Ｓ３３）。次に、ＣＰＵ６１は側面ファンドライバ５５に第３相関情報６７の作成時と同じ回転数で側面ファン８４を逆転させるように命令する（Ｓ３５）。次に、ステップＳ３５を実行してから、所定時間経過後、ステップＳ１１と同様に、ＣＰＵ６１は側面サーミスタ８７からの温度を示す信号を取得する（Ｓ３７）。次に、ＲＡＭ６２に記憶させた値とＮＶＲＡＭ６４に記憶している第３相関情報６７とを比較して、ステップＳ１３と同様にＣＰＵ６１は目詰まり度合を算出する（Ｓ３９）。尚、第３相関情報６７は、第２相関情報６６と同様の情報であるため、説明を省略する。
【００３６】
ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合のレーザ加工装置１の状態と、ステップＳ１７にてＮＯと判断された場合のレーザ加工装置１の状態とは、第１ペルチェ素子４７の状態が異なる。どちらも側面ファン８４は逆転するため図１１に示すような空気流が生じるが、ステップＳ１７にてＮＯと判断された場合には、第１ペルチェ素子４７は、第１ヒートシンク４８側の第２面４７ｂを加熱するため、制御された温度の空気が側面サーミスタ８７付近に滞留する。従って、ステップＳ１７にてＮＯと判断された場合の第３相関情報６７を用いて算出される目詰まり度合の方が、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合の第２相関情報６６を用いて算出される目詰まり度合よりも精度が良い。
【００３７】
また、ステップＳ３にてＹＥＳと判断された場合の第１相関情報６５を用いて算出される目詰まり度合は、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合の第２相関情報６６を用いて算出される目詰まり度合よりも精度は悪い。ステップＳ３にてＹＥＳと判断された場合には、側面ファン８４は正転するため、筐体８外の空気が側面サーミスタ８７に当たる。このため、側面サーミスタ８７の検出温度は筐体８外の空気の温度の影響を受け易い。一方、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合には、側面ファン８４は逆転するため、第１ヒートシンク４８の空気が側面サーミスタ８７に当たる。このため、ステップＳ２１の実行前にレーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７が駆動されることにより生じた熱が伝達された第１ヒートシンク４８により暖められた空気が側面サーミスタ８７に当たる。このため、側面サーミスタ８７の検出温度は筐体８外の空気の温度の影響を受けにくいからである。
【００３８】
また、ステップＳ３にてＹＥＳと判断された場合には、レーザ加工処理と同じく側面ファン８４は正転される。一方、ステップＳ３にてＮＯと判断された場合には、レーザ加工処理とは異なり側面ファン８４は逆転される。また、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合にはステップＳ２３にて第１ペルチェ素子４７の駆動が停止されるのに対し、ステップＳ１７にてＮＯと判断された場合にはステップＳ３３にて第１ペルチェ素子４７の駆動が開始される。このように、ステップＳ３にてＹＥＳと判断された場合、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断された場合、ステップＳ１７にてＮＯと判断された場合の順に、制御は煩雑となる。
【００３９】
ここで、第１閾値および第２閾値は、夫々、例えば、２０００時間、８０００時間などの値である。累積稼働時間が短い場合には、フィルタ８３の目詰まり度合は小さく、目詰まり度合の精度が悪くてもフィルタ８３の交換時期であるか否かの判断にはさほど影響を与えないと想定される。これに対し、累積稼働時間が長くなるほど、フィルタ８３の目詰まり度合は大きくなる。このため、目詰まり度合が精度良く算出されれば、ユーザはより適切な時期にフィルタ８３の交換を行うことができるようになる。判定処理では、累積稼働時間が短い場合には煩雑な制御が必要とされない、レーザ加工装置１にかかる負荷が少ない状態で目詰まり度合が算出され、累積稼働時間が長い場合には目詰まり度合が精度良く算出されるため、効率良く目詰まり度合が算出される。
【００４０】
ここで、レーザ加工装置１はレーザ加工装置の一例であり、レーザダイオード素子４６ｂ、レーザダイオードベース４６ｃおよび第１ペルチェ素子４７は光源部の一例であり、第１ヒートシンク４８はヒートシンクの一例であり、フィン４８ａはフィンの一例であり、側面サーミスタ８７は第１温度センサおよび温度センサの一例であり、筐体８は筐体の一例であり、フィルタ８３はフィルタの一例である。また、第１通気口８１は第１通気口の一例であり、第２通気口８２は第２通気口の一例である。また、レーザダイオード素子４６ｂおよびレーザダイオードベース４６ｃはレーザダイオードの一例であり、第１ペルチェ素子４７は第１ペルチェ素子の一例である。また、ＮＶＲＡＭ６４は記憶部の一例であり、ＣＰＵ６１は制御部の一例であり、ステップＳ１１，Ｓ２７，Ｓ３７は取得処理の一例であり、ステップＳＳ１３，Ｓ２９，Ｓ３９は判定処理の一例であり、ステップＳ１５は出力処理の一例である。また、第１相関情報６５は相関情報および第１相関情報の一例であり、第２相関情報６６は相関情報および第２相関情報の一例であり、第３相関情報６７は相関情報および第３相関情報の一例である。また、第１閾値は第１所定時間の一例であり、第２閾値は第２所定時間の一例である。
【００４１】
以上、説明した実施形態によれば、以下の効果を奏する。
側面サーミスタ８７はフィルタ８３と側面ファン８４との間にあって、側面ファン８４が回転した場合に生じる空気流の流路内に配置されている。フィルタ８３の塵埃による目詰まりの度合いが大きくなるほど、流路を流れる空気の流速が低下するため、第１ヒートシンク４８が放熱する熱により流路の空気の温度は上昇する。側面サーミスタ８７はフィルタ８３と側面ファン８４との間に配置されているため、側面ファン８４の目詰まりの度合いが反映された空気の温度を検出することができる。
【００４２】
また、側面サーミスタ８７は第１ヒートシンク４８と離隔して配置されている。これにより、側面サーミスタ８７は第１ヒートシンク４８からの輻射、熱伝導などによる温度の影響を受けにくくなるため、フィルタ８３の目詰まりの度合いをより反映した温度を検出することができる。
【００４３】
また、側面サーミスタ８７は、第１ヒートシンク４８よりもフィルタ８３に近い位置に配置されている。これにより、側面サーミスタ８７は第１ヒートシンク４８からの輻射などによる温度の影響を受けにくくなるため、フィルタ８３の目詰まりの度合いをより反映した温度を検出することができる。
【００４４】
また、側面サーミスタ８７は、側面ファン８４が回転した場合に生じる空気流の中心部に配置されている。これにより、側面サーミスタ８７は、幅方向の端部に配置されるよりも精度良く温度を検出することができる。
【００４５】
また、第１ヒートシンク４８のフィン４８ａは、第１通気口８１から前記第２通気口８２へ向かう方向に延在する。フィルタ８３が目詰まりをしていない場合には、空気が複数のフィン４８ａの間を滞りなく流れるため、フィルタ８３の目詰まりの度合いによる流速の変化が大きくなり易くなる。このため、フィルタ８３の目詰まりの度合いに対する側面サーミスタ８７の検出温度の変化率が大きくなるため、目詰まりの度合いを精度良く算出することができる。
【００４６】
また、ＣＰＵ６１は、判定処理において、ステップＳ３にてＹＥＳと判断した場合、ステップＳ４にてレーザダイオード素子４６ｂを第１相関情報６５の作成時と同じ規定の電流値で駆動させた後、第１相関情報６５の作成時と同じ規定の回転数で側面ファン８４を回転させた状態における第１サーミスタ４９の検出温度と第１相関情報６５とを比較して目詰まり度合を算出する。また、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断した場合、ステップＳ２０にてレーザダイオード素子４６ｂを第２相関情報６６の作成時と同じ規定の電流値で駆動させた後、第２相関情報６６の作成時と同じ規定の回転数で側面ファン８４を回転させた状態における第１サーミスタ４９の検出温度と第２相関情報６６とを比較して目詰まり度合を算出する。また、ステップＳ１７にてＮＯと判断した場合、ステップＳ３０にてレーザダイオード素子４６ｂを第３相関情報６７の作成時と同じ規定の電流値で駆動させた後、第３相関情報６７の作成時と同じ規定の回転数で側面ファン８４を回転させた状態における第１サーミスタ４９の検出温度と第３相関情報６７とを比較して目詰まり度合を算出する。このように、各々の場合において、第１相関情報６５〜第３相関情報６７の各々の作成時と同じ状態における側面サーミスタ８７の検出温度と、対応する第１相関情報６５〜第３相関情報６７の各々とを比較することで、目詰まりの度合いを算出することができる。
【００４７】
また、ＣＰＵ６１は、判定処理において、ステップＳ３にてＹＥＳと判断した場合、側面ファン８４を正転させた状態で作成された第１相関情報６５を、側面ファン８４を正転させた状態の側面サーミスタ８７の検出温度と比較して、目詰まりの度合いを算出する。側面ファン８４の回転方向を、レーザ加工処理と同じ回転方向として、目詰まりの度合いを算出することができる。
【００４８】
また、ＣＰＵ６１は、判定処理において、ステップＳ１７にてＹＥＳと判断した場合、側面ファン８４を逆転させ、第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させた状態で作成された第２相関情報６６を、側面ファン８４を逆転させ、第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させた状態の側面サーミスタ８７の検出温度と比較して、目詰まりの度合いを算出する。フィルタ８３の目詰まりの度合いが大きいほど、側面ファン８４により筐体８内に取り込まれる空気の流量に対して、フィルタ８３を介して排出される空気の流量が少なくなるため、第１ヒートシンク４８が放熱する熱により暖められた空気がフィルタ８３付近に滞留し第１サーミスタ４９の検出温度は上昇するため、目詰まりの度合いを精度良く判定することができる。
【００４９】
また、ＣＰＵ６１は、判定処理において、ステップＳ１７にてＮＯと判断した場合、側面ファン８４を逆転させ、第１ペルチェ素子４７の第２面４７ｂを加熱させる制御が行われている状態で作成された第３相関情報６７を、側面ファン８４を逆転させ、第１ペルチェ素子４７の第２面４７ｂを加熱させる制御が行われている状態での側面サーミスタ８７の検出温度と比較して、目詰まりの度合いを算出する。第１ペルチェ素子４７の第２面４７ｂの加熱に伴い第１ヒートシンク４８が放熱する熱により確実に暖められた空気がフィルタ８３付近に滞留し第１ヒートシンク４８の検出温度は上昇するため、目詰まりの度合いを精度良く判定することができる。
【００５０】
また、ＣＰＵ６１は、判定処理において、累積稼働時間が第１閾値以下である場合、第１相関情報６５の作成時と同じ、側面ファン８４を正転させた状態の側面サーミスタ８７の検出温度と第１相関情報６５とを比較して目詰まりの度合いを算出し、累積稼働時間が第１閾値より大きく第２閾値以下である場合、第２相関情報６６の作成時と同じ、側面ファン８４を逆転させ第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させた状態で、側面サーミスタ８７の検出温度と第２相関情報６６とを比較して目詰まりの度合いを算出し、累積稼働時間が第１閾値以下である場合、第２相関情報６６の作成時と同じ、側面ファン８４を逆転させ、第１ペルチェ素子４７の第２面４７ｂを加熱させる制御が行われている状態で、側面サーミスタ８７の検出温度と第３相関情報６７とを比較して目詰まりの度合いを算出する。累積稼働時間が長くなるほどフィルタ８３の目詰まりの度合いは大きくなるので、累積稼働時間が長くなるに応じて目詰まりの度合いをより精度良く判定できる方法に切替えることで、判定処理におけるレーザ加工装置１にかかる負荷を低減しつつ、ユーザはより適切な時期にフィルタ８３の交換を行うことができる。レーザ加工装置１は効率良く目詰まり度合は算出することができる。
【００５１】
（判定処理の別例１）
次に、判定処理におけるステップＳ１７にてＮＯと判断した場合の処理内容の別例１について説明する。上記では、側面サーミスタ８７の検出温度と第３相関情報６７とを比較して、目詰まりの度合いを算出すると説明したが、側面サーミスタ８７の検出温度を第２サーミスタ３７の検出温度に基づいて補正し、補正後の温度と相関情報とを比較して、目詰まりの度合いを算出する処理内容としても良い。
【００５２】
詳しくは、ＣＰＵ６１は、ステップＳ３７にて、第２ペルチェ素子３４の駆動を停止させた状態で、第２サーミスタ３７の検出温度を示す信号を取得する。次に、側面サーミスタ８７の検出温度を第２サーミスタ３７の検出温度に基づいて補正する。補正後の温度は、例えば側面サーミスタ８７の検出温度から第２サーミスタ３７の検出温度を減じて算出される。次に、ステップＳ３９にて、補正後の温度と相関情報とを比較して、目詰まりの度合いを算出する。尚、この場合の相関情報は、目詰まり度と補正後の温度の相関を示す情報である。
【００５３】
図１４を用いて第２ヒートシンク３５およびレーザ光出射部１２の上下方向の構造について説明する。レーザ光出射部１２は、下から第２ヒートシンク３５、ベース１１、第２ペルチェ素子３４、レーザ発振器ベース２１ｃ、レーザ発振器２１ｂの順に、互いに接触して積み重ねられた構造となっている。また、レーザ発振器２１ｂの近傍に第２サーミスタ３７が配置されており、第２ペルチェ素子３４、レーザ発振器ベース２１ｃ、レーザ発振器２１ｂ、および第１サーミスタ４９が、カバー２１ａにより覆われている。レーザ発振器部２１および電源部５２などの発する熱はベース１１に伝わる。ベース１１に伝えられた熱は、第２ヒートシンク３５および背面ファン８５の回転による第２ヒートシンク３５を通過する空気流により放熱される。
【００５４】
図６に示すように、側面サーミスタ８７および第１ヒートシンク４８の前後面および上面は第２フレーム９３にて覆われているため、筐体８内の他の空間から空気が流れ込みにくい。しかし、完全に隔離されてはいないため、筐体８内の他の空間から側面サーミスタ８７付近に空気が流れ込む。従って、側面サーミスタ８７の検出温度は、筐体８内の他の空間における温度の影響を受けてしまう。そこで、側面サーミスタ８７の検出温度を第２サーミスタ３７の検出温度に基づき補正することで、フィルタ８３の目詰まりの度合いが反映された温度で、目詰まりの度合いが算出されることができる。
【００５５】
ここで、レーザ発振器２１ｂは固体レーザの一例であり、第２ペルチェ素子３４は第２ペルチェ素子の一例であり、第２サーミスタ３７は第２温度センサの一例である。この判定処理の別例１の構成によれば、第２サーミスタ３７の検出温度に基づいて、補正された温度により目詰まり度合が算出されるため、精度が良く目詰まり度合が算出される。
【００５６】
（判定処理の別例２）
また、判定処理の別例１の処理に加え、第１サーミスタ４９の検出温度が所定温度となるように第１ペルチェ素子４７の第２面４７ｂを加熱させる制御をする処理を加えた処理内容の判定処理を実行する構成としても良い。
【００５７】
詳しくは、ＣＰＵ６１は、ステップＳ３３にて、第１サーミスタ４９の検出温度がステップＳ３９にて用いる相関情報の作成時と同じ目標温度となるように、第１ペルチェ素子４７のレーザダイオード素子４６ｂと接する第１面４７ａを冷却させる制御を第１ペルチェドライバ５３に開始させる。これにより、第１ヒートシンク４８側の第２面４７ｂは、第１ペルチェ素子４７により加熱される。ここで、目標温度は、例えばレーザ加工処理の目標温度よりも低い温度であり、例えば１０℃である。これにより、より精度良く制御された温度の空気がフィルタ８３付近に滞留し、側面サーミスタ８７の検出温度は上昇するため、目詰まりの度合いを精度良く判定することができる。また、目標温度をレーザ加工処理の目標温度よりも低い温度とすれば、側面サーミスタ８７の検出温度の変化率が大きくなるため、目詰まり度合を精度良く算出できる。尚、この場合の相関情報は、第１サーミスタ４９の検出温度が規定の目標温度となるように第１ペルチェ素子４７が制御された状態における情報である。
【００５８】
ここで、第１サーミスタ４９は第３温度センサの一例である。この判定処理の別例２の構成によれば、第１サーミスタ４９の温度が目詰まり度合の算出に使用される相関情報と同じ目標温度となるように第１ペルチェ素子４７の第１サーミスタ４９と近接する第２面４７ｂが加熱されるので、所定温度程度の空気が第１サーミスタ４９に当てられ、精度が良く目詰まり度合が算出される。
【００５９】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内での種々の改良、変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、上記では、レーザ加工処理の実行後に判定処理が実行されると説明したが、これに限定されない。ユーザの指示に応じて判定処理が実行される構成としても良いし、判定処理が所定時間毎に実行される構成としても良い。判定処理が所定時間毎に実行される構成とは、詳しくは、例えば、電源部５２は時間を計時するタイマを備え、予め設定された所定時間が経過するとコントローラ５に電源を供給する。電源が供給されると、ＣＰＵ６１は判定処理を開始する。所定時間は、例えば１ヶ月などの時間である。この構成によれば、ユーザは指示を行うことなく、判定処理が行われるので、レーザ加工装置１の利便性が向上する。
【００６０】
また、上記では、判定処理のステップＳ４，Ｓ２０，Ｓ３０において、レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７を駆動させると説明したが、これに限定されない。第１ペルチェ素子４７を駆動させなくても、レーザダイオード素子４６ｂの熱が第１ペルチェ素子４７を介して第１ヒートシンク４８へ伝わり、第１ヒートシンク４８の温度は上昇するため、同様に、目詰まり度合を算出することができる。但し、第１ペルチェ素子４７の熱伝導度は低いため、第１ペルチェ素子４７を駆動させる処理を実行させた方が、目詰まり度合を精度良く算出することができる。第１ペルチェ素子４７を駆動させる処理を実行させた方が、第１ヒートシンク４８の温度はより上昇するため、側面サーミスタ８７の検出温度の変化率が大きくなるからである。
【００６１】
また、上記では、判定処理のステップＳ５，Ｓ２１，Ｓ３１において、レーザダイオード素子４６ｂの駆動を停止させ、ステップＳ７，Ｓ２３，Ｓ３３において、第１ペルチェ素子４７の駆動を停止させると説明したが、これに限定されない。レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７の少なくとも何れか一方が駆動されている状態で、側面サーミスタ８７の検出温度を取得する構成としても良い。尚、この場合、相関情報は、同じ状態となるように、レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７の少なくとも何れか一方が駆動されている状態で作成されたものとすれば良い。
【００６２】
また、上記では、第１ヒートシンク４８が確実に熱を持った状態とするために、判定処理にて、レーザダイオード素子４６ｂを駆動させているが、これに限定されない。レーザダイオード素子４６ｂおよび第１ペルチェ素子４７の何れも駆動させない状態で、側面サーミスタ８７の検出温度に基づき、目詰まり度合を算出する構成としても良い。第１ヒートシンク４８は外部の影響により熱を持った状態になり易いからである。特に、電源部５２、回路基板４５などが駆動されている場合などに、電源部５２、回路基板４５の熱が伝熱、伝達、輻射されることで、第１ヒートシンク４８は熱を持つ状態となる。
【００６３】
また、上記では、判定処理は、累積稼働時間に応じて、第１相関情報６５〜第３相関情報６７の何れかを用いた目詰まり度合の算出方法が行われると説明したが、これに限定されない。例えば、レーザ加工装置１が第１相関情報６５〜第３相関情報６７の各々を用いた３つの目詰まり度合の算出方法のうち、少なくとも何れか１つの算出方法を行う構成としても良い。
【００６４】
また、判定処理における、ステップＳ５，Ｓ７，Ｓ９の順序は上記に限定されず、順序が入れ替わっても良い。ステップＳ２１，Ｓ２３，Ｓ２５の順序およびステップＳ３１，Ｓ３３，Ｓ３５の順序についても同様である。
【００６５】
また、判定処理の一例として、目詰まり度合を算出する処理（例えばステップＳ１３）を例示したが、これに限定されない。例えば、予め目詰まり度合を判定するための閾値をＮＶＲＡＭ６４が記憶しておき、検出温度あるいは算出した目詰まり度合が、記憶する目詰まり度合を判定するための閾値以上であるか否かを判定する構成としても良い。この構成の場合、目詰まり度合を判定するための閾値は、温度を示す値でも良いし、目詰まり度を示す値でも良い。また、目詰まり度合を判定するための閾値は、フィルタ８３の交換時期に対応する値とすると良い。
【００６６】
また、上記では、第１相関情報６５は温度Ｔｍｉｎと温度Ｔｍａｘとを結ぶ直線の関数であると説明したが、これに限定されない。例えば、複数の直線の関数の集合、曲線の関数、閉塞度に対する検出温度のテーブルなどでも良い。
【００６７】
また、上記では、相関情報として、目詰まり度をＸ軸、所定時間経過後の検出温度をＹ軸とした相関関係を例示したが、これに限定されない。例えば、目詰まり度をＸ軸、所定温度に到達するまでの時間をＹ軸とした相関関係でも良い。また、例えば、目詰まり度をＸ軸、単位時間当たりの検出温度の変化率をＹ軸とした相関関係でも良い。
【００６８】
また、上記では、判定処理のステップＳ３３における目標温度は、レーザ加工処理よりも低い温度であると説明したが、これに限定されない。
【００６９】
また、判定処理の別例１の説明において、側面サーミスタ８７の検出温度から第２サーミスタ３７の検出温度を減じて補正すると説明したが、これに限定されない。例えば、第２サーミスタ３７の検出温度の変化率に対する側面サーミスタ８７の検出温度の変化率のデータを予め測定し、そのデータに基づき、補正しても良い。
【００７０】
また、上記では、報知部として、ＰＣ７のＬＣＤ７８を例示したが、これに限定されない。例えば、レーザ加工装置が表示ディスプレイを備える構成の場合には、レーザ加工装置が備える表示ディスプレイに目詰まりの度合いを出力しても良い。また、レーザ加工装置１と通信可能な表示ディスプレイを備える通信端末に目詰まりの度合いを出力しても良い。
【００７１】
また、上記では、温度センサとして、サーミスタを例示したが、これに限定されず、例えば、熱電対、測温抵抗体などでも良い。
【符号の説明】
【００７２】
１  レーザ加工装置
８  筐体
２１ｂ  レーザ発振器
３４  第２ペルチェ素子
３７  第２サーミスタ
４６ｂ  レーザダイオード素子
４６ｃ  レーザダイオードベース
４７  第１ペルチェ素子
４８  第１ヒートシンク
４８ａ  フィン
４９  第１サーミスタ
６１  ＣＰＵ
６４  ＮＶＲＡＭ
８１  第１通気口
８２  第２通気口
８３  フィルタ
８７  側面サーミスタ
【図１】
2019030901.tif 000003
【図２】
2019030901.tif 000004
【図３】
2019030901.tif 000005
【図４】
2019030901.tif 000006
【図５】
2019030901.tif 000007
【図６】
2019030901.tif 000008
【図７】
2019030901.tif 000009
【図８】
2019030901.tif 000010
【図９】
2019030901.tif 000011
【図１０】
2019030901.tif 000012
【図１１】
2019030901.tif 000013
【図１２】
2019030901.tif 000014
【図１３】
2019030901.tif 000015
【図１４】
2019030901.tif 000016