(57)【要約】      （修正有）【課題】イオン発生ユニットが結露する可能性を低減する技術を提供する。【解決手段】冷気通路のダンパと、ダンパによって流通を制御された冷気によって冷却される第１の収容スペースにイオンを供給するためのイオン発生ユニットと、ダンパが開状態のときに、イオン発生ユニットをＯＮ状態または加熱状態に制御するための制御部と、を備える冷蔵装置。【選択図】図８
2019049368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷気通路のダンパと、
前記ダンパによって流通を制御された冷気によって冷却される第１の収容スペースにイオンを供給するためのイオン発生ユニットと、
前記ダンパが開状態のときに、前記イオン発生ユニットを加熱するための制御部と、を備える冷蔵装置。
【請求項２】
前記第１の収容スペースは、前記冷気によって間接冷却されるとともに、前記イオン発生ユニットは前記第１の収容スペース内に直接イオンを供給するように構成されている、請求項１に記載の冷蔵装置。
【請求項３】
前記制御部は、冷蔵室の扉の開閉に基づいて、前記イオン発生ユニットを加熱する、請求項１または２に記載の冷蔵装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の収容スペースを構成するケースの開閉に基づいて、前記イオン発生ユニットを加熱する、請求項１から３のいずれか１項に記載の冷蔵装置。
【請求項５】
前記制御部は、冷蔵室の扉の開閉が多いと推測される時間帯に基づいて、前記イオン発生ユニットを加熱する、請求項１から４のいずれか１項に記載の冷蔵装置。
【請求項６】
冷気通路のダンパと、
前記冷気通路の近傍に配置されて第１の収容スペースにイオンを供給するためのイオン発生ユニットと、
前記ダンパが閉状態のときに、前記イオン発生ユニットを加熱するための制御部と、を備える冷蔵装置。
【請求項７】
前記イオン発生ユニットは電圧を変換する電源回路を含み、
前記イオン発生ユニットを加熱する手段は、前記イオン発生ユニットをＯＮ状態としたときに前記電源回路から放出される熱である、請求項１から６のいずれか１項に記載の冷蔵装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、食物や飲料などを収容する冷蔵装置の技術に関し、特にイオン発生ユニットを搭載する冷蔵装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、イオン発生ユニットおよびそれを備えた冷蔵庫が知られている。たとえば、特開２０１０−２８１５２６号公報（特許文献１）には、冷蔵庫が開示されている。特許文献１によると、貯蔵物を収納する貯蔵室と、冷気を生成する冷却器と、冷却器で生成された冷気が流通する冷気通路と、貯蔵室の壁面に開口して冷気通路を流通する冷気を貯蔵室に吐出する吐出口と、イオンを発生するイオン発生部を冷気通路内の吐出口近傍に配したイオン発生装置とを備える。
【０００３】
また、特開２００２−５８７３１号公報（特許文献２）には、電極間に高電圧を印加して負イオンと正イオンとを同時に発生させることによって、活性種である過酸化水素Ｈ2Ｏ2又は水酸化ラジカル・ＯＨが生成すること、このＨ2Ｏ2または・ＯＨが極めて強力な活性を示すために浮遊細菌を除去できること、などが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２８１５２６号公報
【特許文献２】特開２００２−５８７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
イオン発生ユニットと周囲の空気の温度差が生じるとイオン発生ユニットに結露が生じる可能性がある。電極間に結露が生じると電界が変化してイオン発生が不安定となるおそれがある。そこで、本発明は、イオン発生ユニットが結露する可能性を低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に従うと、冷気通路のダンパと、ダンパによって流通を制御された冷気によって冷却される第１の収容スペースにイオンを供給するためのイオン発生ユニットと、ダンパが開状態のときに、イオン発生ユニットを加熱するための制御部と、を備える冷蔵装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
このように、本発明によれば、イオン発生ユニットが結露する可能性を低減する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態にかかる冷蔵庫１００の全体的な正面図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる冷気ダクト１３１の側面図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる冷気ダクト１３１の背面図である。
【図４】第１の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の近傍を示す側面断面図である。
【図５】第１の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の内部構造を示す断面図である。
【図６】第１の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の回路図である。
【図７】第１の実施の形態にかかる冷蔵庫１００の機能的なブロック図である。
【図８】第１の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図９】第１の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図１０】第２の実施の形態にかかる冷蔵庫１００の機能的なブロック図である。
【図１１】第２の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図１２】第２の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図１３】第３の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図１４】第３の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図１５】第４の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図１６】第４の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図１７】第４の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第２の制御を示すイメージ図である。
【図１８】第４の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第３の制御を示すイメージ図である。
【図１９】第４の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第４の制御を示すイメージ図である。
【図２０】第５の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図２１】第５の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第２の制御を示すイメージ図である。
【図２２】第５の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第３の制御を示すイメージ図である。
【図２３】第７の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図２４】第７の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図２５】第８の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の制御を示すイメージ図である。
【図２６】第８の実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理を示すフローチャートである。
【図２７】第８の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第２の制御を示すイメージ図である。
【図２８】第８の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第３の制御を示すイメージ図である。
【図２９】第８の実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の第４の制御を示すイメージ図である。
【図３０】第９の実施の形態にかかる冷蔵庫１００の機能的なブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の各実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
［第１の実施の形態］
【００１０】
図１は、本実施の形態にかかる冷蔵庫１００の全体的な正面図である。本実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０は、たとえば、図１に示すような冷蔵装置の一例としての冷蔵庫１００に搭載される。
【００１１】
冷蔵庫１００は、たとえば、本体１０１と扉１０２Ｌ，１０２Ｒなどから構成される。そして、本体１０１の内部は、メイン冷蔵室１０３、冷凍室１０５、野菜室１０６、果物室１０７、貯氷室１０８などを含む。本実施の形態においては、メイン冷蔵室１０３内にチルド区画が設けられる。チルド区画内にはチルド室１０４が設けられ、当該チルド室１０４には、当該チルド室１０４用のイオン発生ユニット１１０が取り付けられている。
【００１２】
図２から図４を参照して、本実施の形態においては、冷気ダクト１３１には、ファン１３２と、Ｒダンパ１２１と、イオン発生ユニット１１０Ｃとが配置される。ファン１３２によって冷気ダクト１３１内を冷気が上昇し、当該冷気にイオン発生ユニット１１０Ｃで発生したイオンが混じり、当該冷気が吹き出し口１３１Ｘ，１３１Ｘ・・・から冷蔵室１０３に吹き込むように構成されている。本実施の形態においては、冷気ダクト１３１の下部には、斜め下方に向けてチルド室１０４用の冷気通路が形成される。
【００１３】
本実施の形態にかかるチルド室１０４は、主に、メイン冷蔵室１０３のチルド区画内に取り付けられる上ケース１０４Ｂと、メイン冷蔵室１０３や上ケース１０４Ｂに対して前後方向に摺動可能な下ケース１０４Ａとによって形成される。
【００１４】
チルド区画の後方には、冷気ダクト１３１から枝分かれした冷気通路が設けられ、冷気ダクト１３１を流れる冷気の一部が、吐出口１３３からチルド区画内に吐出されて下ケース１０４Ａや上ケース１０４Ｂの外壁に沿って流れることによって、チルド室１０４内を間接的に冷却する。このため、チルド室１０４内の飲食物に冷気の風が直接当たることを防止でき、飲食物を乾燥を早めずに冷却することができる。
【００１５】
上ケース１０４Ｂの後方には、イオン発生ユニット１１０が配置される。そして、上ケース１０４Ｂの背面には、開口部１０４Ｘが設けられて、当該開口部１０４Ｘを通ってイオン発生ユニット１１０で発生した正イオンおよび負イオンがチルド室１０４に流れ込んでくる。
【００１６】
本実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０は、冷蔵庫１００のチルド区画に構成される設置スペース１１３に取り付けられる。設置スペース１１３の前部の周囲は、パッキン１１５を介して上ケース１０４Ｂにつながっている。本実施の形態においては、イオン発生ユニット１１０がブラシ状の放電電極１，２を有し、ブラシ状の放電電極１，２の近傍において高濃度のイオンが生成される。放電電極１，２の前方には、スリット１１７が配置されて、イオン発生ユニット１１０とチルド室１０４との間で物品が相互に入り込まないようにしている。
【００１７】
ここで、本実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の構造について説明する。図５は、本実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の内部構造を示す図である。イオン発生ユニット１１０は、２本の放電電極１，２と、環状の誘導電極３，４と、２枚の長方形状のプリント基板５，６とを備えている。誘導電極３は、放電電極１との間に電界を形成するための電極である。誘導電極４は、放電電極２との間に電界を形成するための電極である。放電電極１は、誘導電極３との間で、負イオンを発生するための電極である。放電電極２は、誘導電極４との間で、正イオンを発生するための電極である。 
【００１８】
プリント基板５，６は、所定の間隔を開けて平行に配置されている。誘導電極３は、プリント基板５の長手方向の一方端部の表面に、プリント基板５の配線層を用いて形成されている。誘導電極３の内側には、プリント基板５を貫通する孔５ａが開口されている。誘導電極４は、プリント基板５の長手方向の他方端部の表面に、プリント基板５の配線層を用いて形成されている。誘導電極４の内側には、プリント基板５を貫通する孔５ｂが開口されている。
【００１９】
放電電極１，２の各々は、プリント基板５，６に対して垂直に設けられている。放電電極１の基端部はプリント基板６の孔に挿嵌されており、他端はプリント基板５の孔５ａの中心を貫通している。放電電極２の基端部はプリント基板６の孔に挿嵌されており、他端はプリント基板５の孔５ｂの中心を貫通している。放電電極１，２の各々の基端部は、半田によってプリント基板６に固定されている。 
【００２０】
誘導電極３，４は、プリント基板５に形成されており、放電電極１，２は、プリント基板５とは別の、プリント基板６に固定されている。そのため、放電電極１，２と誘導電極３，４との間の電流のリークを抑制でき、イオンを安定して発生することが可能である。
【００２１】
放電電極１，２の各々の先端部は、ブラシ状に形成されている。放電電極１は、その先端部に設けられた複数の糸状の導電体７と、複数の導電体７の根元を束ねる接合部７ａとを有している。放電電極２は、その先端部に設けられた複数の糸状の導電体８と、複数の導電体８の根元を束ねる接合部８ａとを有している。
【００２２】
図６は、本実施の形態にかかるイオン発生ユニット１１０の回路図である。図６を参照して、イオン発生ユニット１１０は、放電電極１，２および誘導電極３，４の他に、電源端子Ｔ１、接地端子Ｔ２、ダイオード３２，３３および昇圧トランス３１を備えている。電源端子Ｔ１および接地端子Ｔ２には、それぞれ直流電源の正極および負極が接続されている。電源端子Ｔ１には直流電源電圧（たとえば＋１２Ｖまたは＋１５Ｖ）が印加され、接地端子Ｔ２は接地されている。電源端子Ｔ１および接地端子Ｔ２は、電源回路３０を介して、昇圧トランス３１に接続されている。 
【００２３】
昇圧トランス３１は、１次巻線３１ａおよび２次巻線３１ｂを含んでいる。２次巻線３１ｂの一方端子は誘導電極３，４に接続されており、他方端子はダイオード３２のカソードおよびダイオード３３のアノードに接続されている。ダイオード３２のアノードは放電電極１の基端部に接続されており、ダイオード３３のカソードは放電電極２の基端部に接続されている。
【００２４】
図５および図６を参照して、イオン発生ユニット１１０の動作について説明する。電源端子Ｔ１および接地端子Ｔ２間に直流電源電圧が印加されると、電源回路３０が有しているコンデンサ（不図示）に電荷が充電される。コンデンサに充電された電荷は、昇圧トランス３１の１次巻線３１ａを介して放電され、１次巻線３１ａにはインパルス電圧が発生する。
【００２５】
１次巻線３１ａにインパルス電圧が発生すると、２次巻線３１ｂに正および負の高電圧パルスが交互に減衰しながら発生する。負の高電圧パルスはダイオード３２を介して放電電極１に印加され、正の高電圧パルスはダイオード３３を介して放電電極２に印加される。これにより、放電電極１，２の先端の導電体７，８でコロナ放電が発生し、それぞれ負イオンおよび正イオンを発生する。
【００２６】
なお、正イオンは、水素イオン（Ｈ<＋>）の周囲に複数の水分子がクラスター化したクラスターイオンであり、Ｈ<＋>（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｍは０以上の任意の整数）と表わされる。負イオンは、酸素イオン（Ｏ２<−>）の周囲に複数の水分子がクラスター化したクラスターイオンであり、Ｏ２<−>（Ｈ２Ｏ）ｎ（ｎは０以上の任意の整数）と表わされる。また、正イオンおよび負イオンを室内に放出すると、両イオンが空気中を浮遊する菌やウィルスの周りを取り囲み、その表面上で互いに化学反応を起こす。その際に生成される活性種の水酸化ラジカル（・ＯＨ）の作用により、浮遊菌などが除去される。
【００２７】
なお、本実施の形態においては、ブラシ状の放電電極１，２の先端部を構成する複数の糸状の導電体７および８はそれぞれにおいて、互いの電気的な反発および誘導電極３，４への電気的な引寄せによって外側に曲げ変形するように構成されており、導電体７および８の先端が存在している領域の面積が大きくなっている。つまり、イオンを発生する領域の面積が大きくなり、針状の放電電極と比較して、同じ電圧を印加したときのイオン発生量が増える。
【００２８】
そして、本実施の形態にかかるチルド室１０４用のイオン発生ユニット１１０に関しては、ブラシ状の放電電極１，２を有する前部が間接冷却されるチルド室１０４に対向するが、イオン発生ユニット１１０の本体はチルド区画内の設置スペース１１３に配置される。さらに、イオン発生ユニット１１０の後部が冷気ダクト１３１側に位置する。そのため、吐出口１３３や冷気ダクト１３１の冷気によってイオン発生ユニット１１０の本体が冷却されて、チルド室１０４の空気よりも低い温度になることがある。一方で、チルド室１０４には冷気が直接流入しないためチルド室１０４内の飲食物によって湿度が高くなっている。その結果、イオン発生ユニット１１０のチルド室１０４に対向する電極部が結露する可能性がある。以下では、当該結露を防止するための構造について説明する。
【００２９】
まず、図７を参照して、冷蔵庫１００の機能的な構成について説明する。冷蔵庫１００は、主に、制御部１５０と、冷蔵室温度センサ１６１と、チルド区画温度センサ１６２と、冷蔵室扉開閉スイッチ１６３と、チルド室開閉スイッチ１６４と、Ｒダンパ開閉スイッチ１６５と、チルドダンパ開閉スイッチ１６６と、Ｒダンパ１２１と、チルドダンパ１２２と、圧縮機１６７と、送風機１６８と、除霜ヒータ１６９と、イオン発生ユニット１１０とを含む。
【００３０】
制御部１５０は、冷蔵庫１００の各部を制御するためのものであって、各種プログラムや各種測定データに基づいて動作するＣＰＵ（central processing unit）１５１や、各種プログラムや各種データを記憶するためのメモリ１５２や、時計（タイマ）１５３などを含むものである。
【００３１】
冷蔵室温度センサ１６１は、冷蔵室１０３内の温度を測定して、制御部１５０に入力する。チルド区画温度センサ１６２は、チルド区画内の温度を測定して、制御部１５０に入力する。冷蔵室扉開閉スイッチ１６３は、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒの開閉状態を検知して、制御部１５０に入力する。チルド室開閉スイッチ１６４は、チルド室１０４の下ケース１０４Ａの開閉状態を検知して、制御部１５０に入力する。Ｒダンパ開閉スイッチ１６５は、Ｒダンパ１２１の開閉状態を検知して、制御部１５０に入力する。チルドダンパ開閉スイッチ１６６は、チルドダンパ１２２の開閉状態を検知して、制御部１５０に入力する。
【００３２】
そして、制御部１５０は、これらの入力データに基づいて、Ｒダンパ１２１、チルドダンパ１２２、圧縮機１６７、送風機１６８、除霜ヒータ１６９、イオン発生ユニット１１０などを制御する。
【００３３】
特に本実施の形態においては、制御部１５０は、チルド室１０４用のイオン発生ユニット１１０が結露しないように、図８に示すように、Ｒダンパ１２１およびチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。
【００３４】
チルド室１０４はチルド区画を流通する冷気によって間接冷却されているため、チルド室１０４内の温度はチルド区画の温度変動に対してやや遅れて変動する。また、チルド室１０４内は冷気が直接入らない略密閉空間となっているので、チルド室１０４内の温度変動量はチルド区画の温度変動量よりも緩やかに変動する。従って、図８に示すように、チルド区画の温度（チルド室外温度）の変動とチルド室１０４内の温度の変動にはズレが生じ、チルド区画とチルド室１０４内との間に温度差が発生する。結露は高温・高湿となっている部分を冷却することで起こりやすいため、イオン発生ユニット１１０の電極部が対向するチルド室１０４の温度が高く、イオン発生ユニット１１０の本体が配置されるチルド区画の温度が低いときに、電極部が結露しやすい（一例として、図８の「結露が発生しやすい期間」参照）。したがって、この期間でイオン発生ユニット１１０の本体を加熱することが結露防止に効果的である。
【００３５】
本実施形態では、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮすることで、イオン発生ユニット１１０内の電源回路３０や昇圧トランス３１が発熱してイオン発生ユニット１１０の本体の温度が高くなる。
【００３６】
イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮしてからイオン発生ユニット１１０の本体の温度が高くなるまでに時間がかかるため、Ｒダンパ１２１およびチルドダンパ１２２が開放されたときにイオン発生ユニット１１０の運転をＯＮし、チルド区画の温度が低くなってもイオン発生ユニット１１０の本体の温度が下がらないようにする。一方で、Ｒダンパ１２１またはチルドダンパ１２２が閉鎖されてからしばらくの間はチルド区画の温度が低く電極部が結露しやすい状態となる（一例として、図８の「結露が発生しやすい期間」の「例５分」の期間）。従って、Ｒダンパ１２１またはチルドダンパ１２２が閉鎖されてから所定の時間（例５分）は、イオン発生ユニット１１０の運転を延長してＯＮさせてもよい。
【００３７】
これによって、イオン発生ユニット１１０の本体の温度がチルド室１０４内の空気よりも著しく低くなることを防止することができ、その結果イオン発生ユニット１１０の結露を防止することができる。
【００３８】
なお、イオン発生ユニット１１０は、イオンを発生する際に、イオンが前方に漂っていく場合が多く、当該イオンの流れによってイオン発生ユニット１１０に付着する水蒸気の量を低減することができ、これによってもイオン発生ユニット１１０の結露を防止することができる。
【００３９】
次に、図９を参照して、本実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理について説明する。まず、制御部１５０は、定期的に、Ｒダンパ１２１が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０２）。Ｒダンパ１２１が開放されている場合（ステップＳ１０２においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、チルドダンパ１２２が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０４）。チルドダンパ１２２が開放されている場合（ステップＳ１０４においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮする（ステップＳ１０８）。このとき、制御部１５０は、メモリ１５２のイオン発生フラグをＯＮする（ステップＳ１１０）。
【００４０】
Ｒダンパ１２１が開放されていない場合（ステップＳ１０２においてＮＯである場合）、あるいはチルドダンパ１２２が開放されていない場合（ステップＳ１０４においてＮＯである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０の延長ＯＮタイマ計測中であるか否かを判断する（ステップＳ１１２）。イオン発生ユニット１１０の延長ＯＮタイマ計測中でない場合（ステップＳ１１２においてＮＯである場合）、制御部１５０は、イオン発生フラグがＯＮであるか否かを判断する（ステップＳ１１４）。イオン発生フラグがＯＮである場合は、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０の延長ＯＮタイマ計測を開始する（ステップＳ１１６）。
【００４１】
イオン発生ユニット１１０の延長ＯＮタイマ計測中である場合（ステップＳ１１２においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０が所定時間以上、たとえば５分以上、延長ＯＮされているか否かを判断する（ステップＳ１１８）。イオン発生ユニット１１０が所定時間以上延長運転されている場合（ステップＳ１１８においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦする（ステップＳ１２０）。このとき、制御部１５０は、イオン発生フラグをＯＦＦする（ステップＳ１２２）。
［第２の実施の形態］
【００４２】
第１の実施の形態においては、チルド室１０４用のイオン発生ユニット１１０の結露防止について説明した。しかしながら、間接冷却されるチルド室１０４と冷気ダクト１３１との間にイオン発生ユニット１１０が配置される場合だけでなく、冷蔵室１０３から送り込まれた冷気と当該冷気によって間接冷却される他の野菜室１０６や果物室１０７などとの間にイオン発生ユニット１１０が配置される場合や、冷蔵室１０３と冷気ダクト１３１との間にイオン発生ユニット１１０が配置される場合などのように、温度差のある２つのスペース間にイオン発生ユニット１１０が配置される場合に、上記の技術は利用可能である。以下では、一例として、野菜室１０６用のイオン発生ユニット１１０の結露防止について説明する。
【００４３】
本実施の形態においては、図１０に示すように、冷蔵庫１００は、野菜室１０６の室外温度を検知する野菜室温度センサ１６２Ｂと、野菜室開閉スイッチ１６４Ｂを含む。そして、制御部１５０は、野菜室１０６用のイオン発生ユニット１１０が結露しないように、図１１に示すように、Ｒダンパ１２１が開放されて冷蔵室１０３から野菜室１０６に冷気が送り込まれてきたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。これによって、イオン発生ユニット１１０の本体の温度が高くなり、イオン発生ユニット１１０の温度が野菜室１０６内の空気よりも著しく低くなることを防止することができ、その結果イオン発生ユニット１１０の結露を防止することができる。
【００４４】
本実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理については、図１２に示すように、Ｒダンパ１２１が開放されている場合（ステップＳ１０２においてＹＥＳである場合）に、制御部１５０が、イオン発生ユニット１１０をＯＮするものである（ステップＳ１０８）。その他の処理については、第１の実施の形態のそれらと同様であるため、ここでは説明を繰り返さない。
［第３の実施の形態］
【００４５】
第１および第２の実施の形態においては、所定の条件に合致する場合にイオン発生ユニット１１０をＯＮして、所定の条件に合致しない場合にイオン発生ユニット１１０をＯＦＦするものであったが、そのような形態には限られない。たとえば、図１３に示すように、Ｒダンパ１２１やチルドダンパ１２２が開放された際にイオン発生ユニット１１０の出力が１００％（高出力）に設定されて、Ｒダンパ１２１やチルドダンパ１２２が閉じられた際にイオン発生ユニット１１０の出力が３０％（低出力）に設定されてもよい。
【００４６】
この場合は、図１４に示すように、第１および第２の実施の形態のステップＳ１０８の代わりに、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０の出力を上げる（ステップＳ１０８Ｂ）。そして、ステップＳ１２０の代わりに、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０の出力を低下させる（ステップＳ１２０Ｂ）。
［第４の実施の形態］
【００４７】
第１から第３の実施の形態では、冷気ダンパが開放されている場合はイオン発生ユニット１１０の運転をＯＮしたが、急に温かい空気が冷蔵庫１００内に入ってきた場合に結露が生じやすい点を考慮して、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒやチルド室１０４や野菜室１０６などが開放されてから所定の時間内だけ、第１から第３の実施の形態のような制御を実行してもよい。
【００４８】
すなわち、図１５に示すように、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから、たとえば１５分程度の間だけ、Ｒダンパ１２１およびチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。これによって、イオン発生ユニット１１０の本体の温度が高くなり、イオン発生ユニット１１０の温度がチルド室１０４内の空気よりも著しく低くなることを防止することができ、その結果イオン発生ユニット１１０の結露を防止することができる。
【００４９】
以下では、図１６を参照して、本実施の形態にかかる制御部１５０の情報処理について説明する。なお、本実施の形態においては、制御部１５０のタイマ１５３が、冷蔵室扉開閉スイッチ１６３やチルド室開閉スイッチ１６４や野菜室開閉スイッチ１６４Ｂなどからの入力に基づいて、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒやチルド室１０４や野菜室１０６などが開放されてからの経過時間またはそれらが閉じられてからの経過時間を測定しているものとする。
【００５０】
まず、制御部１５０は、定期的に、Ｒダンパ１２１が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０２）。Ｒダンパ１２１が開放されている場合（ステップＳ１０２においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、チルドダンパ１２２が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０４）。チルドダンパ１２２が開放されている場合（ステップＳ１０４においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてからまたは閉じられてから所定の時間内であるか否かを判断する（ステップＳ１０６）。冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてからまたは閉じられてから所定の時間内である場合は（ステップＳ１０６においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、ステップＳ１０８からの処理を実行する。冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてからまたは閉じられてから所定の時間内でない場合は（ステップＳ１０６にてＮＯである場合）、制御部１５０は、ステップＳ１１２からの処理を実行する。
【００５１】
あるいは、図１７に示すように、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間内においては、ステップＳ１０８において、イオン発生ユニット１１０を１００％で出力させ、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間外においては、ステップＳ１０８において、イオン発生ユニット１１０を３０％で出力させてもよい。
【００５２】
あるいは、図１８に示すように、単に、制御部１５０は、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間内にイオン発生ユニット１１０をＯＮして、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間外はイオン発生ユニット１１０をＯＦＦしてもよい。
【００５３】
あるいは、図１９に示すように、制御部１５０は、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間内にイオン発生ユニット１１０を１００％で駆動させて、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｒが開放されてから所定の時間外はイオン発生ユニット１１０を３０％で駆動させてもよい。
これによって、イオン発生ユニット１１０の延べ運転時間を短縮することができ、イオン発生ユニット１１０の寿命や交換時期を延ばすことが可能となる。
［第５の実施の形態］
【００５４】
第４の実施の形態に代えて、朝食や夕食の準備の時間帯など、頻繁に温かい空気が冷蔵庫１００内に入ってくる場合に結露が生じやすい点を考慮して、冷蔵室の扉１０２Ｌ，１０２Ｆの開閉が多い時間帯（ドア開多時間帯）だけ、第１から第４の実施の形態のような制御を実行してもよい。
【００５５】
なお、ドア開多時間帯の決定方法は特に問わない。前日の１時間毎の開閉回数や、１時間毎の開閉数の１週間の平均値などに基づいて、冷蔵庫１００によってドア開多時間帯を決定してもよいし、冷蔵庫１００の扉の開閉に基づいてサーバなどがドア開多時間帯を決定してもよい。
【００５６】
図２０に示すように、制御部１５０は、ドア開多時間帯だけ、第１から第４の実施の形態のようにＲダンパ１２１および／またはチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。あるいは、図２１に示すように、制御部１５０は、ドア開多時間帯の所定時間前からドア開多時間帯の終了時まで、第１から第４の実施の形態のようにＲダンパ１２１および／またはチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。あるいは、制御部１５０は、ドア開多時間帯の所定時間前からドア開多時間帯の所定時間後まで、第１から第４の実施の形態のようにＲダンパ１２１および／またはチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の運転をＯＮする。
【００５７】
あるいは、単純に、制御部１５０は、ドア開多時間帯だけ、イオン発生ユニット１１０の出力をＯＮにして、ドア開多時間帯以外は、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦにしてもよい。あるいは、制御部１５０は、ドア開多時間帯だけ、イオン発生ユニット１１０の出力を１００％にして、ドア開多時間帯以外は、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にしてもよい。
【００５８】
あるいは、図２２に示すように、制御部１５０は、ドア開多時間帯およびその所定時間前までだけ、イオン発生ユニット１１０の出力を１００％にして、ドア開多時間帯およびその所定時間前まで以外は、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にしてもよい。
【００５９】
あるいは、制御部１５０は、ドア開多時間帯およびその所定時間前までだけ、Ｒダンパ１２１およびチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の出力を１００％にして、ドア開多時間帯およびその所定時間前まで以外は、Ｒダンパ１２１およびチルドダンパ１２２が開放されたときに、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にしてもよい。
【００６０】
なお、第４の実施の形態と第５の実施の形態を併用してもよい。すなわち、ドア開多時間帯またはドア開時にイオン発生ユニット１１０の出力をＯＮにしてもよい。
［第６の実施の形態］
【００６１】
第１から第５の実施の形態においては、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮしてから所定時間が経過すると、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦするものであった。あるいは、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０の出力を１００％にしてから所定時間が経過すると、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にするものであった。
【００６２】
しかしながら、制御部１５０は、冷蔵室やチルド室や野菜室などの温度や湿度が所定値まで低下したときに、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦしたり、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にしたりしてもよい。あるいは、制御部１５０は、冷蔵室やチルド室や野菜室などの温度や湿度が定常状態に移行したときに、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦしたり、イオン発生ユニット１１０の出力を３０％にしたりしてもよい。
［第７の実施の形態］
【００６３】
第１から第６の実施の形態の技術は、制御部１５０は、ダンパが開放された際にイオン発生ユニット１１０が冷やされ、電極部の空気との温度差が大きくなり、結露が発生しやすい点に着目したものであって、Ｒダンパ１２１やチルドダンパ１２２が開放された際にイオン発生ユニット１１０をＯＮすることでこの温度差を緩和するものであった。
【００６４】
しかしながら、冷蔵庫１００の使用状況によっては、より詳細な例としては冷蔵庫１００の設置環境が高温高湿である、チルド室１０４の開閉頻度が多い、チルド室１０４に高湿の食品を多く収納するなどでは、第１から第６の実施の形態の技術を用いても結露を防止しきれないことがある。
【００６５】
そこで、本実施の形態においては、図２３に示すように、制御部１５０は、Ｒダンパ１２１が閉じられて冷気ダクト１３１への冷気の流通が禁止された際に、すなわちイオン発生ユニット１１０が冷気によって冷やされにくい状態になった際に、イオン発生ユニット１１０をＯＮしたり、イオン発生ユニット１１０の出力を高めたりする等でイオン発生ユニット１１０を加熱して、効率的にイオン発生ユニット１１０の結露を融解するものである。
【００６６】
より詳細には、図２４に示すように、制御部１５０は、定期的に、Ｒダンパ１２１が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０２）。Ｒダンパ１２１が開放されている場合（ステップＳ１０２においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦする（ステップＳ１２０）。
【００６７】
一方、Ｒダンパ１２１が開放されていない場合（ステップＳ１０２においてＮＯである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮする（ステップＳ１０８）。
［第８の実施の形態］
【００６８】
あるいは、図２５に示すように、制御部１５０は、冷蔵庫１００の蒸発器用の除霜ヒータ１６９がＯＮされた際に、すなわちＲダンパ１２１を閉じて冷気ダクト１３１への冷気の流通が禁止されて冷気によりイオン発生ユニット１１０が冷やされにくい状態になり、且つ除霜ヒータ１６９からの熱が冷気ダクト１３１内を経由してイオン発生ユニット１１０に熱伝導される状態になった際に、イオン発生ユニット１１０をＯＮしたり、イオン発生ユニット１１０の出力を高めたりする等でイオン発生ユニット１１０を加熱して、効率的にイオン発生ユニット１１０の結露を融解するものであってもよい。
【００６９】
より詳細には、図２６に示すように、制御部１５０は、定期的に、Ｒダンパ１２１が開放されているか否かを判断する（ステップＳ１０２）。Ｒダンパ１２１が開放されていない場合（ステップＳ１０２においてＮＯである場合）、除霜ヒータ１６９がＯＮされているか否かを判断する（ステップＳ１３２）。除霜ヒータ１６９がＯＮされているとき（ステップＳ１３２においてＹＥＳである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮする（ステップＳ１０８）。
【００７０】
一方、Ｒダンパ１２１が開放されている場合（ステップＳ１０２においてＹＥＳである場合）、あるいは除霜ヒータ１６９がＯＦＦされているとき（ステップＳ１３２においてＮＯである場合）、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＦＦする（ステップＳ１２０）。
【００７１】
なお、除霜ヒータ１６９による熱がイオン発生ユニット１１０までに伝わるにはタイムラグがあるため、たとえば図２７に示すように、制御部１５０は、除霜ヒータ１６９がＯＮされてから所定時間、たとえば３０秒、経過後にイオン発生ユニット１１０をＯＮし、除霜ヒータ１６９がＯＦＦされたときにイオン発生ユニット１１０もＯＦＦしてもよい。
【００７２】
あるいは、図２８に示すように、制御部１５０は、除霜ヒータ１６９がＯＮされてから所定時間、たとえば３０秒、経過後にイオン発生ユニット１１０をＯＮし、除霜ヒータ１６９がＯＦＦされてから所定時間、たとえば３０秒、経過後にイオン発生ユニット１１０をＯＦＦしてもよい。
【００７３】
あるいは、図２９に示すように、制御部１５０は、除霜ヒータ１６９がＯＮからＯＦＦに切り替えたときにイオン発生ユニット１１０をＯＮし、除霜ヒータ１６９がＯＦＦされてから所定時間経過後にイオン発生ユニット１１０をＯＦＦしてもよい。
［第９の実施の形態］
【００７４】
上記の実施の形態においては、イオン発生ユニット１１０を加熱するために、イオン発生ユニット１１０をＯＮするものであった。しかしながら、図３０に示すように、冷蔵庫１００は、イオン発生ユニット１１０を加熱するための他の機構、たとえばイオン発生ユニット１１０近傍に配置されるヒータ１１９など、を有していてもよい。そして、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮする代わりに、あるいはイオン発生ユニット１１０の出力を上げる代わりに、当該他の加熱機構をＯＮしてもよい。あるいは、制御部１５０は、イオン発生ユニット１１０をＯＮするのに加えて、あるいはイオン発生ユニット１１０の出力を上げることに加えて、当該他の加熱機構をＯＮしてもよい。
＜まとめ＞
【００７５】
上述の実施の形態では、冷気通路のダンパ１２１，１２２と、ダンパ１２１，１２２によって流通を制御された冷気によって冷却される第１の収容スペース１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８にイオンを供給するためのイオン発生ユニット１１０，１１０Ｃと、ダンパ１２１，１２２が開状態のときに、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御するための制御部１５０と、を備える冷蔵装置１００が提供される。
【００７６】
好ましくは、第１の収容スペース１０４，１０６，１０７は、周囲の冷気によって間接冷却されるとともに、イオン発生ユニット１１０は第１の収容スペース１０４，１０６，１０７内に直接イオンを供給するように構成されている。
【００７７】
好ましくは、制御部１５０は、冷蔵室１０３の扉１０２Ｌ，１０２Ｒの開閉に基づいて、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御する。
【００７８】
好ましくは、制御部１５０は、第１の収容スペース１０４，１０６，１０７を構成するケース１０４Ｂの開閉に基づいて、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御する。
【００７９】
好ましくは、制御部１５０は、さらに冷蔵室１０３の扉１０２Ｌ，１０２Ｒの開閉が多いと推測される時間帯に基づいて、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御する。
【００８０】
上述の実施形態では、冷気通路のダンパ１２１，１２２と、冷気通路の近傍に配置されて第１の収容スペース１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８にイオンを供給するためのイオン発生ユニット１１０，１１０Ｃと、ダンパ１２１，１２２が閉状態のときに、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御するための制御部１５０と、を備える冷蔵装置１００が提供される。
【００８１】
好ましくは、イオン発生ユニット１１０は電圧を変換する電源回路を含む。イオン発生ユニット１１０を加熱する手段は、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態としたときに電源回路から放出される熱である。
【００８２】
上述の実施形態では、蒸発器と、蒸発器用の除霜ヒータ１６９と、第１の収容スペース１０３，１０４，１０５，１０６，１０７，１０８にイオンを供給するためのイオン発生ユニット１１０と、除霜ヒータ１６９がＯＮ状態のときに、イオン発生ユニット１１０をＯＮ状態または加熱状態に制御するための制御部１５０と、を備える冷蔵装置１００が提供される。
【００８３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。
【符号の説明】
【００８４】
１          ：放電電極
２          ：放電電極
３          ：誘導電極
４          ：誘導電極
５          ：プリント基板
５ａ        ：孔
５ｂ        ：孔
６          ：プリント基板
７          ：導電体
７ａ        ：接合部
８          ：導電体
８ａ        ：接合部
３０        ：電源回路
３１        ：昇圧トランス
３１ａ      ：１次巻線
３１ｂ      ：２次巻線
３２        ：ダイオード
３３        ：ダイオード
１００      ：冷蔵庫（冷蔵装置）
１０１      ：本体
１０２Ｆ    ：扉
１０２Ｌ    ：扉
１０２Ｒ    ：扉
１０３      ：冷蔵室
１０４      ：チルド室
１０４Ａ    ：下ケース
１０４Ｂ    ：上ケース
１０４Ｘ    ：開口部
１０５      ：冷凍室
１０６      ：野菜室
１０７      ：果物室
１０８      ：貯氷室
１１０      ：イオン発生ユニット
１１０Ｃ    ：イオン発生ユニット
１１３      ：設置スペース
１１５      ：パッキン
１１７      ：スリット
１２１      ：Ｒダンパ
１２２      ：チルドダンパ
１３１      ：冷気ダクト
１３２      ：ファン
１３３      ：吐出口
１５０      ：制御部
１５２      ：メモリ
１５３      ：タイマ
１６１      ：冷蔵室温度センサ
１６２      ：チルド区画温度センサ
１６２Ｂ    ：野菜温度センサ
１６３      ：冷蔵室扉開閉スイッチ
１６４      ：チルド室開閉スイッチ
１６４Ｂ    ：野菜室開閉スイッチ
１６５      ：Ｒダンパ開閉スイッチ
１６６      ：チルドダンパ開閉スイッチ
１６７      ：圧縮機
１６８      ：送風機
１６９      ：除霜ヒータ
【図１】
2019049368.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019049368.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019049368.tif 000007
【図６】
2019049368.tif 000008
【図７】
2019049368.tif 000009
【図８】
2019049368.tif 000010
【図９】
2019049368.tif 000011
【図１０】
2019049368.tif 000012
【図１１】
2019049368.tif 000013
【図１２】
2019049368.tif 000014
【図１３】
2019049368.tif 000015
【図１４】
2019049368.tif 000016
【図１５】
2019049368.tif 000017
【図１６】
2019049368.tif 000018
【図１７】
2019049368.tif 000019
【図１８】
2019049368.tif 000020
【図１９】
2019049368.tif 000021
【図２０】
2019049368.tif 000022
【図２１】
2019049368.tif 000023
【図２２】
2019049368.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2019049368.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2019049368.tif 000028
【図２７】
2019049368.tif 000029
【図２８】
2019049368.tif 000030
【図２９】
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【図３０】
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