(57)【要約】【課題】強度及び耐摩耗性に優れたＳｉＣ部材の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】化学気相成長（ＣＶＤ）法によってβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ部材１０を形成するＣＶＤ工程ＳＴＥＰ１と、ＳｉＣ部材１０を不活性雰囲気下において２０００℃を超え２２００℃以下の温度で熱処理し、β−ＳｉＣを部分的にα−ＳｉＣに転化する熱処理工程ＳＴＥＰ２とを含む。【選択図】図１
2019151896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長（ＣＶＤ）法によってβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ部材を形成する工程と、
前記ＳｉＣ部材を不活性雰囲気下において２０００℃を超え２２００℃以下の温度で熱処理し、前記β−ＳｉＣを部分的にα−ＳｉＣに相転移させる工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ部材の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＳｉＣ部材を用いて、基板を保持する基板保持部材を製造する方法であって、
前記ＳｉＣ部材の表面を部分的に除去して前記表面よりも低い位置に主面を形成すると共に、前記主面から突出する複数の凸部を形成する工程と、
前記複数の凸部の先端面を、前記主面から同じ高さ突出し、かつ面一となるように平坦に加工する工程とを備えることを特徴とする基板保持部材の製造方法。
【請求項３】
β−ＳｉＣ及びα−ＳｉＣを含むＳｉＣ部材であって、
Ｘ線回析スペクトルにおいて、前記β−ＳｉＣに由来する回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、前記α−ＳｉＣに由来する回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度が３％以上３０％以下であることを特徴とするＳｉＣ部材。
【請求項４】
請求項３に記載のＳｉＣ部材からなる基板保持部材であって、
前記ＳｉＣ部材が、主面を有する基材と、前記基材の前記主面から同じ高さ突出し、かつ先端面が面一である複数の凸部とを備えることを特徴とする基板保持部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ部材及びこれからなる基板保持部材並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣ焼結体からなるＳｉＣ部材は高剛性及び高耐摩耗性を有する。そのため、半導体製造プロセスの各種処理時にウェハなどの基板を保持するための真空チャックなどの基材保持部材をＳｉＣ部材からなるものとすることが、従来から行われている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献２には、α−ＳｉＣ焼結体からなる基板の表面にＣＶＤ法により多結晶体のβ−ＳｉＣ層を形成させた後、１８５０℃〜２０００℃で熱処理を行うことによって、β−ＳｉＣをα−ＳｉＣに転化することが開示されている。熱処理によって、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣとの境界面からβ−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの転化が進行し、ほとんどのβ−ＳｉＣがα−ＳｉＣに転化し、結晶組織が一様化されたＳｉＣ部材が得られる。
【０００４】
特許文献３には、原料ガスの供給方法及び温度を適宜に調節することによって、基材に対して垂直方向に成長したβ−ＳｉＣの柱状結晶と基材に対して平行方向に成長したα−ＳｉＣの微細結晶とからなる高純度ＣＶＤ−ＳｉＣ質の半導体熱処理用部材を得ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３０２３９７号公報
【特許文献２】特許第３１５４０５３号公報
【特許文献３】特許第３５２４６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の構造においては、ほとんどのβ−ＳｉＣがα−ＳｉＣに転化しているので、α−ＳｉＣと比較して緻密であり高強度であってかつ高い耐摩耗性を有するβ−ＳｉＣがほとんど存在せず、強度及び耐摩耗性が十分ではなかった。
【０００７】
一方、特許文献３に記載の構造においては、β−ＳｉＣの柱状結晶とα−ＳｉＣの微細結晶との異方性に起因して、表面にピンを形成するなどのために切削研磨加工等を行う場合、結晶間に残留応力が生じ、高い寸法精度で加工を行うことが困難である共に、配向性などの影響によって長期に亘って使用すると寸法精度が劣化することがあった。
【０００８】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、強度及び耐摩耗性に優れたＳｉＣ部材及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明は、さらに、加工精度の向上及び加工精度の長期的な維持を図ることが可能な基板保持部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＳｉＣ部材の製造方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）法によってβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ部材を形成する工程と、前記ＳｉＣ部材を不活性雰囲気下において２０００℃を超え２２００℃以下の温度で熱処理し、前記β−ＳｉＣを部分的にα−ＳｉＣに相転移させる工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明のＳｉＣ部材の製造方法によれば、ＳｉＣ部材はβ−ＳｉＣからなる部分が部分的にα−ＳｉＣに相転移されているだけであるので、β−ＳｉＣが有する高緻密、高強度、高耐摩耗性などの優れた特性が残存する。
【００１１】
本発明の基板保持部材の製造方法は、上記本発明のＳｉＣ部材を用いて、基板を保持する基板保持部材を製造する方法であって、前記ＳｉＣ部材の表面を部分的に除去して前記表面よりも低い位置に主面を形成すると共に、前記主面から突出する複数の凸部を形成する工程と、前記複数の凸部の先端面を、前記主面から同じ高さ突出し、かつ面一となるように平坦に加工する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の基板保持部材の製造方法によれば、ＳｉＣ部材を構成するβ−ＳｉＣが部分的にα−ＳｉＣに相転移されているので、β−ＳｉＣのみからなるＳｉＣ部材を加工する場合と比較して、結晶の配向性が緩和されている。そのため、異方性の少ない良好な寸法精度で加工を図ることが可能となる。さらに、ＳｉＣ部材を加工する際に発生する残留応力が緩和されているため、長期間に亘る使用による寸法精度の劣化の抑制を図ることが可能となる。
【００１３】
本発明のＳｉＣ部材は、β−ＳｉＣ及びα−ＳｉＣを含むＳｉＣ部材であって、Ｘ線回析スペクトルにおいて、前記β−ＳｉＣに由来する回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、前記α−ＳｉＣに由来する回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度が３％以上３０％以下であることを特徴とする。
【００１４】
本発明のＳｉＣ部材によれば、後述する実施例から分かるように、前記最大ピークの強度が３％以上であるので、内部応力を緩和する効果が有効である程度にα−ＳｉＣの割合が多く、前記最大ピークの強度が３０％以下であるので、強度及び耐摩耗性が良好である程度にα−ＳｉＣの割合が少ない。
【００１５】
本発明の基板保持部材は、上記本発明のＳｉＣ部材からなる基板保持部材であって、例えば、前記ＳｉＣ部材が、主面を有する基材と、前記基材の前記主面から同じ高さ突出し、かつ先端面が面一である複数の凸部とを備えることを特徴とする。
【００１６】
これによれば、基板を長期間に亘って良好な平面度で保持可能な基板保持部材を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係るＳｉＣ部材及び基板保持部材の製造方法を示すフローチャート。
【図２】本発明の実施形態に係るＳｉＣ部材の模式断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る基板保持部材の模式断面図。
【図４】実施例１のＣＶＤ−ＳｉＣ部材のＸ線回折測定結果を示すグラフ。
【図５】実施例１のＳｉＣ部材のＸ線回折測定結果を示すグラフ。
【図６】比較例３のＳｉＣ部材のＸ線回折測定結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施形態に係るＳｉＣ部材１０の製造方法について図１及び図２を参照して、説明する。なお、図２及び後述する図３においては、ＳｉＣ部材１０及び後述する基板保持部材２０の構成を明確化するため、各構成要素はデフォルメされており、実際の比率を表すものではない。
【００１９】
ＳｉＣ部材１０の製造方法は（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法によってβ−ＳｉＣからなるＳｉＣ部材（以下、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材ともいう）を形成するＣＶＤ工程ＳＴＥＰ１と、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材を不活性雰囲気下において２０００℃を超え２２００℃以下の温度で熱処理し、β−ＳｉＣを部分的にα−ＳｉＣに相転移させたＳｉＣ部材を形成する熱処理工程ＳＴＥＰ２とを含む。
【００２０】
ＣＶＤ工程ＳＴＥＰ１においては、ＣＶＤ法によってβ−ＳｉＣからなるＣＶＤ−ＳｉＣ部材を形成する。ＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スーパーグロース法、アルコールＣＶＤ法等の従来公知のＣＶＤ法の何れであってもよい。ＣＶＤ法により形成されるＳｉＣは、結晶構造が３Ｃの立方晶であるβ−ＳｉＣからなる。
【００２１】
ＣＶＤ−ＳｉＣ部材は、例えば、熱ＣＶＤ法によって高純度等方性黒鉛からなる基材上にＳｉＣを成長させてＳｉＣ膜を形成させ、その後に基材を除去したものを用いればよい。熱ＣＶＤ法における原料ガスとして、例えば、トリクロロメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３）と水素ガスとの混合ガスを用いればよい。また、原料ガスとして四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）と水素ガスをとの混合ガスなどを用いてもよい。
【００２２】
ＣＶＤ−ＳｉＣ部材は、β−ＳｉＣのバルク体であり、α−ＳｉＣのバルク体と比較すると緻密であって高強度であり、かつ耐摩耗性に優れる。しかし、β−ＳｉＣは、配向性を有するので、真空チャックなどの基板保持部材に要求される高精度な平面度を形成することが困難であり、たとえ初期に高精度な平面度が得られても、長期に亘って使用すると平面度が劣化するという課題がある。
【００２３】
そこで、熱処理工程ＳＴＥＰ２において、熱処理によってβ−ＳｉＣに部分的にα−ＳｉＣに混在させる。これにより、β−ＳｉＣの配向性が混在したα−ＳｉＣによって緩和され、前記課題の解消を図ることが可能となる。
【００２４】
熱処理は、ＳｉＣが酸化しないように、Ｎ２、Ａｒ、真空雰囲気などの不活性雰囲気下で行う。
【００２５】
熱処理の温度は、２０００℃を超え２２００℃以下であり、２０００℃を超え２１００℃以下であることが好ましい。熱処理の温度が２０００℃以下であると、β−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの相転移がほとんど進まないか、または相転移に非常に時間がかかり、熱処理時間が長時間化するので、好ましくない。熱処理の温度が２２００℃を超えると、β−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの相転移が急激に進行し、α−ＳｉＣの生成の調節が困難になるので、好ましくない。
【００２６】
処理時間は、０．５時間以上１０時間以下であることが好ましく、０．５時間以上２時間以下がより好ましい。これは、後述する実施例から、β−ＳｉＣを不活性雰囲気下で２０００℃を超え２２００℃以下の温度範囲で熱処理すると、表面近くに存在するβ−ＳｉＣの一部の結晶構造が２Ｈ、４Ｈ、６Ｈの六方晶に熱処理の時間の経過に伴い内部に進行して相転移し、β−ＳｉＣの組織内にα−ＳｉＣが部分的に導入されたＳｉＣ部材１０を得ることができることが分かったことによる。
【００２７】
β−ＳｉＣのバルク体を上記の条件で熱処理を行うことにより、β−ＳｉＣの表面から内部に向ってα−ＳｉＣへの相転移が徐々に部分的に進行する。これにより、β−ＳｉＣの一部にα−ＳｉＣが混在してこれらが複合化することにより、β−ＳｉＣのみからなるものと比較してＳｉＣ部材１０を加工する際に発生する残留応力を緩和することが可能となる。そして、ＳｉＣ部材１０の多くの部分はβ−ＳｉＣからなるので、β−ＳｉＣが有する高緻密、高強度、高耐摩耗性などの特性をほぼ有する。
【００２８】
上記特許文献２に開示された方法では、１８５０℃〜２０００℃の温度範囲で熱処理を行っており、これによって、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣとの境界面からβ−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの相転移が進行する。これに対し、本発明においては、β−ＳｉＣのバルク体の表面から内部に向ってβ−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの相転移が進行する。
【００２９】
このように相転移の進行方向が相違するのは、熱処理の温度範囲が相違しているからであると考えられる。これは、表面からの相転移では、化学結合が切れた端部、端部に酸素などの不純物が修飾する部分から進行するので、より高いエネルギー（高い温度）が必要になっているであると推測されるが確かではない。本発明は、以上のように、２０００℃以上２２００℃以下の温度範囲で熱処理を行えば、β−ＳｉＣのバルク体の表面から内部に向ってβ−ＳｉＣからα−ＳｉＣへの相転移が進行することを見出したことを一因とする。
【００３０】
熱処理によって相転移して生成するα−ＳｉＣは、主として６Ｈの六方晶系からなり、結晶方位によって膨張係数が異なる。ただし、相転移によって生成したα−ＳｉＣには、２Ｈ、４Ｈなどの六方結晶系も微量含まれていると考えられる。これにより、β−ＳｉＣに混在するα−ＳｉＣは、方向によって膨張係数が異なる。そのため、結晶性がよく配向性の強いβ−ＳｉＣの周囲にα−ＳｉＣが部分的に混在することにより、β−ＳｉＣの結晶間の内部応力が緩和され、ＳｉＣ部材１０を研削研磨加工などで高精度な加工を行うことが可能となり、高い平面度を得ることが可能となると共に、長期間に亘ってＳｉＣ部材１０を使用しても、寸法精度が劣化することの抑制を図ることが可能となる。
【００３１】
なお、β−ＳｉＣの内部応力は引張と推定され、膨張係数の大きいα−ＳｉＣの方位によって歪が緩和されることが、内部応力が緩和される要因と推定されるが確かではない。
【００３２】
β−ＳｉＣに混在するα−ＳｉＣの割合は、所定の範囲であることが好ましい。例えば、ＳｉＣ部材１０の表面が、Ｘ線回析スペクトルにおいて、β−ＳｉＣに由来する回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、α−ＳｉＣに由来する回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度が３％以上３０％以下であることが好ましい。これは、前記最大ピークの強度が３％未満であると、α−ＳｉＣの割合が少なく過ぎて内部応力を緩和する効果が少ないからである。一方、前記最大ピークの強度が３０％を超えると、α−ＳｉＣの割合が多過ぎて強度及び耐摩耗性が低下するからである。
【００３３】
次に、本発明の実施形態に係る基板保持部材２０の製造方法について図１から図３を参照して、説明する。
【００３４】
本製造方法は、上述のＳｉＣ部材１０を用いて、必要に応じて研削等により外形の加工を行った後、ＳｉＣ部材１０の表面１１側の主面２１から同じ高さで突出する複数の凸部２２の先端面２３によって半導体ウェハ等の基板Ｗを保持する基板保持部材２０を製造する方法である。
【００３５】
本製造方法は、ＳｉＣ部材１０の表面１１を部分的に除去して表面１１よりも低い位置に主面２１を形成すると共に、主面２１から突出する複数の凸部２２を形成する凸部形成工程ＳＴＥＰ３と、複数の凸部２２の先端面２３を、主面２１から同じ高さ突出し、かつ面一となるように平坦に加工する平坦化工程ＳＴＥＰ４とを備える。
【００３６】
凸部形成工程ＳＴＥＰ３においては、まず、ＳｉＣ部材１０の表面１１をサンドブラスト加工やマシニングセンタによって部分的に除去する加工を行うことにより、表面１１よりも低い位置（表面１１と反対側の裏面１２に近い位置）に主面２１を形成する。そして、主面２１から突出する複数の凸部２２を形成する。表面１１を部分的に除去することにより、除去されずに残存した部分が凸部２２となす。凸部２２は、円柱状、角柱状、円錐台形状、角錐台形状などその形状は限定されず、段付きであってもよい。
【００３７】
平坦化工程ＳＴＥＰ４においては、複数の凸部２２の先端面２３が主面２１から同じ高さ突出し、かつ面一となるように、ラッピング加工機、ポリッシュ加工機等により研磨加工することが好ましい。
【００３８】
上述したように、ＳｉＣ部材１０の表面１１近傍の研削加工又は研磨加工される部分は、β−ＳｉＣの周囲にα−ＳｉＣが部分的に混在しており、結晶の配向性が緩和されているので、異方性の少ない良好な寸法精度で加工を行うことが可能である。例えば複数の凸部２２の先端面２３の表面粗さＲａが０．０２μｍ以下、かつ複数の凸部２２が先端面２３で保持するウェハＷの任意の一辺２０ｍｍの正方形内の平面度（ローカルフラットネス）が０．１μｍ以下と非常に良好な平坦度を得ることが可能となる。
【００３９】
さらに、上述したように、ＳｉＣ部材１０の表面１１近傍の研削加工又は研磨加工された部分の内部近傍は、β−ＳｉＣの周囲にα−ＳｉＣが部分的に混在しており、残留応力が緩和されているので、長期間に亘る使用による寸法精度の劣化の抑制を図ることが可能となる。
【００４０】
以上により、寸法精度が良好でかつ長期間に亘って寸法精度を維持することが可能な基板保持部材２０を得ることができる。この基板保持部材２０は、主面２１を有する基材と、基材の主面２１から同じ高さ突出し、かつ先端面が面一である複数の凸部２２とを備えている。そして、この基板保持部材２０を用いることにより、基板Ｗを長期間に亘って良好な平面度で保持することが可能となる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を詳細に説明する。
【００４２】
（実施例１）
まず、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材を形成するＣＶＤ工程ＳＴＥＰ１を行った。具体的には、高純度等方性黒鉛材上に加熱成膜によって炭化珪素体を形成する熱ＣＶＤ法によってＣＶＤ−ＳｉＣ部材を作製した。原料ガスとして、トリクロロメチルシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３：ＭＴＳ）と水素ガスとの混合ガスを用いた。成膜後に黒鉛材を除去することによりＣＶＤ−ＳｉＣ部材を得た。
【００４３】
そして、得られたＣＶＤ−ＳｉＣ部材を、研削加工によって、直径１００ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの円板状に形成した。そして、このＣＶＤ−ＳｉＣ部材に対して、リガク社製Ｘ線回折装置ＭｕｌｔｉＦｌｅｘを用いて、Ｘ線回折測定を行った。Ｘ線回折測定は、ＳｉＣ部材１０の鏡面研磨した表面に対して行い、Ｃｕ−Ｋα線源（波長１．５４０６０Å）、加速電圧４０ｋＶ、４０ｍＡ、スキャンステップ０．０２°、走査軸２θ、走査範囲１０°〜９０°で測定した。
【００４４】
Ｘ線回折測定の結果を図４に示す。なお、図４から図６において、三角印は６ＨのαーＳｉＣのピーク位置を、星印は３Ｃのβ−ＳｉＣのピーク位置をそれぞれ示す。
【００４５】
図４から、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材は３Ｃのβ−ＳｉＣからなり、α−ＳｉＣを含まないことが分かった。
【００４６】
次に、熱処理工程ＳＴＥＰ２を行った。具体的には、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材を焼成炉内に入れて、Ａｒ雰囲気で２０７０℃の温度に到達してから２時間焼成し、ＳｉＣ部材１０を得た。
【００４７】
そして、得られたＳｉＣ部材１０に対して、ＣＶＤ−ＳｉＣ部材と同様にＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折測定の結果を図５に示す。図５から、得られたＳｉＣ部材１０は３Ｃのβ−ＳｉＣの他に６Ｈのα−ＳｉＣも含むことが分かった。また、３Ｃのβ−ＳｉＣを示す回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、６Ｈのα−ＳｉＣを示す回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度の比が３％以上３０％以下を示した。
【００４８】
（実施例２）
工程ＳＴＥＰ２における熱処理の温度を２０２０℃に変更したことを除いては、実施例１と同様にしてＳｉＣ部材１０を得た。得られたＳｉＣ部材１０を実施例１と同様にＸ線回折測定を行ったところ、実施例１と同様に、得られたＳｉＣ部材１０は３Ｃのβ−ＳｉＣの他に６Ｈのα−ＳｉＣも含むことが分かった。また、３Ｃのβ−ＳｉＣを示す回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、６Ｈのα−ＳｉＣを示す回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度の比が３％以上３０％以下を示した。
【００４９】
（比較例１）
工程ＳＴＥＰ２における熱処理の温度を１９５０℃に変更したことを除いては、実施例１と同様にしてＳｉＣ部材１０を得た。得られたＳｉＣ部材１０を実施例１と同様にＸ線回折測定を行ったところ、実施例１と同様に、得られたＳｉＣ部材１０は３Ｃのβ−ＳｉＣの他に６Ｈのα−ＳｉＣも含むことが分かった。しかし、３Ｃのβ−ＳｉＣを示す回析ピークのうちの最大ピークの強度に対する、６Ｈのα−ＳｉＣを示す回析角２θ＝３４°±０．５°の範囲内における最大ピークの強度の比が３％未満と小さく、６Ｈのα−ＳｉＣの生成量が少ないことが分かった。
【００５０】
（実施例３）
実施例１と同様にしてＣＶＤ−ＳｉＣ部材を作製した。ただし、得られたＣＶＤ−ＳｉＣ部材は、研削加工によって、直径３０２ｍｍ、厚さ６．０ｍｍの円板状に形成した。
【００５１】
そして、実施例１と同様にしてＣＶＤ−ＳｉＣ部材に対して熱処理を行い、ＳｉＣ部材１０を得た。
【００５２】
そして、得られたＳｉＣ部材１０に対して、研削及び研磨加工を行うことによって、直径３００ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの円板状に形成した。
【００５３】
そして、凸部形成工程ＳＴＥＰ３において、ＳｉＣ部材１０に対して、一方の面（表面１１）に、直径０．５ｍｍ、高さ２００μｍの凸部２２を、一辺６ｍｍの正方形の頂点に位置する点を中心として全面に亘って形成すると共に、円板の外周縁部に幅０．２ｍｍ、高さ２００μｍの環状凸部（環状リブ）を形成した。さらに、ＳｉＣ部材１０の中央部に排気用の貫通孔を形成した。
【００５４】
そして、平坦化工程ＳＴＥＰ４において、ダイヤモンド遊離砥粒を用いた研磨加工を行った。これにより、基板保持部材２０を得た。
【００５５】
さらに、シリコンからなり、直径３００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのウェハＷを用意し、このウェハＷを基板保持部材２０の複数の凸部２２及び環状凸部の上面に載置した。そして、Ｚｙｇｏ社製のレーザー干渉計を用いて、ウェハＷの任意の一辺２０ｍｍの正方形内の平面度（ローカルフラットネス）を測定した。平面度は０．０５μｍであり、良好であった。
【００５６】
また、凸部２２の表面粗さＲａをレーザー干渉計の２次元解析機能を用いて測定したところ、０．０１μｍであり、良好であった。
【００５７】
さらに、３か月経過した後、平面度を再度測定したところ、平面度は変わらず、劣化は認められなかった。
【００５８】
（比較例２）
熱処理工程ＳＴＥＰ２を行わなかったＳｉＣ部材１０に対して、研削及び研磨加工を行うことによって、直径３００ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの円板状に形成した。そして、このＳｉＣ部材１０に対して、実施例３と同様に複数の凸部２２、環状凸部及び貫通孔を形成すると共に、実施例３と同様にして平坦化工程ＳＴＥＰ４を行った。これにより、基板保持部材２０を得た。
【００５９】
さらに、実施例３と同じウェハＷを用意し、このウェハＷを基板保持部材２０の複数の凸部２２及び環状凸部の上面に載置した。そして、実施例３と同様に平面度を測定したところ、０．０５μｍであり、良好であった。また、実施例３と同様に表面粗さＲａを測定したところ、０．００８μｍであり、良好であった。
【００６０】
さらに、３か月経過した後、平面度を再度測定したところ、平面度は０．１μｍと悪化しており、経年変化による悪化が確認された。
【００６１】
（比較例３）
市販の焼結体であるα−ＳｉＣからなるＳｉＣ部材１０に対して研削及び研磨加工を行うことによって、直径３００ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの円板状に形成した。そして、得られたＳｉＣ部材１０に対して、実施例１と同様にＸ線回折測定を行った。Ｘ線回折測定の結果を図６に示す。図６から、得られたＳｉＣ部材１０は６Ｈのα−ＳｉＣからなることが分かった。
【００６２】
さらに、ＳｉＣ部材１０に対して、実施例３と同様に複数の凸部２２、環状凸部及び貫通孔を形成すると共に、実施例３と同様にして平坦化工程ＳＴＥＰ４を行った。これにより、基板保持部材２０を得た。
【００６３】
さらに、実施例３と同じウェハＷを用意し、このウェハＷをＳｉＣ部材１０の複数の凸部及び環状凸部の上面に載置した。そして、実施例３と同様に平面度を測定したところ、０．２μｍであり、良好ではなかった。また、実施例３と同様に表面粗さＲａを測定したところ、０．０４μｍであり、良好ではなかった。
【符号の説明】
【００６４】
１０…ＳｉＣ部材、  １１…表面、  １２…裏面、  ２０…基板保持部材、  ２１…主面、  ２２…凸部、  ２３…凸部の先端面、  Ｗ…基板、ウェハ。
【図１】
2019151896.tif 000003
【図２】
2019151896.tif 000004
【図３】
2019151896.tif 000005
【図４】
2019151896.tif 000006
【図５】
2019151896.tif 000007
【図６】
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