(57)【要約】      （修正有）【課題】配線パターンがショートしているか否かの判定を簡略化して行えるようにする回路基板の検査方法を提供する。【解決手段】一面３０ａに複数の配線パターンが形成された基板３０と、一面２ａおよび一面２ａと反対側の他面２ｂを有し、内部に、一面２ａに対する法線方向に沿って通過する熱流に応じた検出信号を出力する熱流センサ部を備えるセンサモジュール２とを用意する。そして、基板３０の一面３０ａとセンサモジュール２の一面２ａとを対向させて配置し、センサモジュール２から出力される検出信号に基づいて、配線パターンがショートしているか否かを判定する。【選択図】図３
2019049435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線パターン（３１）が形成された回路基板の製造方法において、
一面（３０ａ）を有し、前記一面に前記複数の配線パターンが形成された基板（３０）を用意することと、
前記配線パターンがショートしているか否かを検査することと、を行い、
前記検査することでは、
一面（２ａ）および前記一面と反対側の他面（２ｂ）を有し、内部に、前記一面に対する法線方向に沿って通過する熱流に応じた検出信号を出力する熱流センサ部（１０）を備えるセンサモジュール（２）を用意することと、
前記基板の一面と前記センサモジュールの一面とを対向させて配置することと、
前記検出信号に基づいて、前記配線パターンがショートしているか否かを判定することと、を行う回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記センサモジュールを用意することでは、前記熱流センサ部が前記センサモジュールの一面に沿って複数配置されていると共に、複数の前記熱流センサ部が互いに電気的に独立している前記センサモジュールを用意し、
前記判定することでは、複数の前記熱流センサ部から出力されるそれぞれの前記検出信号に基づいて、前記配線パターンがショートしているか否かを判定する請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記センサモジュールを用意することでは、前記熱流センサ部が前記センサモジュールの一面に沿ってマトリックス状に配列された前記センサモジュールを用意する請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記センサモジュールを用意することでは、前記熱流センサ部が前記センサモジュールの一面の一方向（Ｄ１）に一列、または複数列に並んで配列された前記センサモジュールを用意し、
前記判定することでは、前記センサモジュールの位置を特定しつつ当該センサモジュールを前記基板の一面に沿って移動させ、前記検出信号に基づいて、前記配線パターンがショートしているか否かを判定する請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記判定することでは、前記センサモジュールの他面側を冷却しつつ、前記配線パターンがショートしているか否かを判定する請求項１ないし４のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記センサモジュールを用意することでは、熱可塑性樹脂で構成され、複数の貫通孔（１０１、１０２）が形成された絶縁基材（１００）と、前記複数の貫通孔に埋め込まれ、異なる導電体で構成された第１、第２導電体（１３０、１４０）とを有し、前記第１導電体と前記第２導電体とが交互に直列接続されることで構成された前記熱流センサ部を備えるものを用意する請求項１ないし５のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
複数の配線パターン（３１）が形成された回路基板の検査方法において、
一面（３０ａ）を有し、前記一面に前記複数の配線パターンが形成された基板（３０）を用意することと、
前記配線パターンがショートしているか否かを検査することと、を行い、
前記検査することでは、
一面（２ａ）および前記一面と反対側の他面（２ｂ）を有し、内部に、前記一面に対する法線方向に沿って通過する熱流に応じた検出信号を出力する熱流センサ部（１０）を備えるセンサモジュール（２）を用意することと、
前記基板の一面と前記センサモジュールの一面とを対向させて配置することと、
前記検出信号に基づいて、前記配線パターンがショートしているか否かを判定することと、を行う回路基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンを有する回路基板の製造方法および回路基板の検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線パターンを有する回路基板において、配線パターンがショートしているか否かを判定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。例えば、この方法では、回路基板に、配線パターンと接続され、通電されると発光する発光素子を形成しておき、発光素子が発光しているか否かによって配線パターンがショートしているか否かを判定する。
【０００３】
このような方法では、回路基板を破壊することなく配線パターンがショートしているか否かを判定できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２９３６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記方法は、配線パターンをショートしているか否かを判定するためには、判定する各回路基板に発光素子を備えなければならず、回路基板が複雑化し易いという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑み、回路基板が複雑化することなく、配線パターンがショートしているか否かの判定を行える回路基板の製造方法および回路基板の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための請求項１では、複数の配線パターン（３１）が形成された回路基板の製造方法において、一面（３０ａ）を有し、一面に複数の配線パターンが形成された基板（３０）を用意することと、配線パターンがショートしているか否かを検査することと、を行い、検査することでは、一面（２ａ）および一面と反対側の他面（２ｂ）を有し、内部に、一面に対する法線方向に沿って通過する熱流に応じた検出信号を出力する熱流センサ部（１０）を備えるセンサモジュール（２）を用意することと、基板の一面とセンサモジュールの一面とを対向させて配置することと、検出信号に基づいて、配線パターンがショートしているか否かを判定することと、を行うようにしている。
【０００８】
これによれば、熱流センサ部からの検出信号に基づいて配線パターンがショートしているか否かを判定しており、判定を行う各基板に対して発光素子を備える必要がない。このため、回路基板が複雑化することを抑制しつつ、配線パターンがショートしているか否かを判定できる。
【０００９】
請求項７は、複数の配線パターン（３１）が形成された回路基板の検査方法において、請求項１と同様の工程を行うようにしている。これによれば、判定を行う各基板に対して発光素子を備えておく必要がない。このため、回路基板が複雑化することを抑制しつつ、配線パターンがショートしているか否かを検査できる。
【００１０】
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態における熱流測定装置の構成を示す模式図である。
【図２】第１実施形態における熱流測定装置の平面図である。
【図３】図２中の熱流測定装置の矢印III方向からみた側面図である。
【図４】図１中のセンサモジュールにおける熱流センサ部の平面図である。
【図５】図５中のV−V線に沿った断面図である。
【図６】図５中のVI−VI線に沿った断面図である。
【図７】回路基板の平面図である。
【図８】熱流センサ部にて発生する起電力を示すシミュレーション結果である。
【図９】第２実施形態における熱流測定装置の構成を示す模式図である。
【図１０】第２実施形態におけるセンサモジュールの表面保護部材を省略した平面模式図である。
【図１１】図１０中の領域XIの拡大図である。
【図１２】第２実施形態における熱流測定装置の表示装置に表示される熱流分布画像の一例を示す図である。
【図１３】第３実施形態におけるセンサモジュールの平面図である。
【図１４】第３実施形態における熱流測定装置の平面図である。
【図１５】図１４中の熱流測定装置の矢印XV方向からみた側面図である。
【図１６】第４実施形態におけるセンサモジュールの平面図である。
【図１７】第５実施形態におけるセンサモジュールの平面図である。
【図１８】第６実施形態における熱流測定装置の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１３】
（第１実施形態）
第１実施形態における回路基板の製造方法について説明する。本実施形態の回路基板は、複数の配線パターンが形成された後、熱流測定装置を用いて配線パターンがショートしているか否かの判定が行われることで製造される。
【００１４】
まず、本実施形態の熱流測定装置について説明する。図１に示されるように、熱流測定装置１は、センサモジュール２および電子制御装置３を備えた構成とされている。
【００１５】
センサモジュール２は、熱流を測定する熱流センサ部１０を有する構成とされており、一面２ａとその反対側の他面２ｂを有する平板形状とされ、電子制御装置３と接続されている。なお、センサモジュール２の一面２ａおよび他面２ｂは、図３に示されている。また、熱流センサ部１０の具体的な構成については後述するが、熱流センサ部１０は、通過する熱流に応じた検出信号を電子制御装置３に出力する。
【００１６】
電子制御装置３は、例えば、マイクロコンピュータ、記憶手段としてのメモリ、その周辺回路にて構成され、予め設定されたプログラムに従って所定の演算処理を行う。そして、電子制御装置３は、熱流センサ部１０から入力される検出信号に基づき、後述する回路基板３０にてショートが発生しているか否かを判定する。
【００１７】
また、熱流測定装置１は、図２および図３に示されるように、一面２１ａを有するセンサヘッド２１と、センサヘッド２１を支え、高さ調整機構を有する支柱２２と、一面２３ａを有し、当該一面２３ａに回路基板３０が設置されるステージ２３とを備えている。なお、センサヘッド２１の一面２１ａとステージ２３の一面２３ａとは、対向するように配置されている。言い換えると、センサヘッド２１の一面２１ａとステージ２３の一面２３ａとは、略平行となるように配置されている。
【００１８】
そして、センサヘッド２１には、一面２１ａとセンサモジュール２の他面２ｂとが対向するように、センサモジュール２が設置されている。つまり、センサヘッド２１には、センサモジュール２の一面２ａがステージ２３の一面２３ａと対向するようにセンサモジュール２が設置されている。このため、ステージ２３の一面２３ａに回路基板３０が設置された際、支柱２２の高さ調整を行うことによってセンサモジュール２と回路基板３０との距離が調整可能となっている。
【００１９】
次に、センサモジュール２の具体的な構造について説明する。本実施形態では、上記のようにセンサモジュール２は、熱流センサ部１０を有している。そして、熱流センサ部１０は、図４〜図６に示されるように、絶縁基材１００、絶縁層１１０、表面保護部材１６０、裏面保護部材１２０が積層されて一体化され、この一体化されたものの内部で第１、第２層間接続部材１３０、１４０が交互に直列に接続されて構成されている。なお、図４は、熱流センサ部１０の平面図であるが、理解をし易くするために、表面保護部材１６０、絶縁層１１０を省略して示してある。また、図４は、断面図ではないが、理解をし易くするために第１、第２層間接続部材１３０、１４０にハッチングを施してある。
【００２０】
絶縁基材１００は、ポリエーテルエーテルケトン（すなわち、ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド（すなわち、ＰＥＩ）、液晶ポリマー（すなわち、ＬＣＰ）等に代表される熱可塑性樹脂フィルムにて構成されている。そして、厚さ方向に貫通する複数の第１、第２ビアホール１０１、１０２が互い違いになるように千鳥パターンに形成されている。第１、第２ビアホール１０１、１０２は、絶縁基材１００の表面１００ａから裏面１００ｂまで貫通する貫通孔である。
【００２１】
なお、本実施形態の第１、第２ビアホール１０１、１０２は、表面１００ａから裏面１００ｂに向かって径が一定とされた円筒状とされているが、表面１００ａから裏面１００ｂに向かって径が小さくなるテーパ状とされていてもよい。また、裏面１００ｂから表面１００ａに向かって径が小さくなるテーパ状とされていてもよいし、角筒状とされていてもよい。
【００２２】
そして、第１ビアホール１０１には第１層間接続部材１３０が配置され、第２ビアホール１０２には第２層間接続部材１４０が配置されている。つまり、絶縁基材１００には、第１、第２層間接続部材１３０、１４０が互い違いになるように配置されている。
【００２３】
このように、第１、第２ビアホール１０１、１０２内に第１、第２層間接続部材１３０、１４０を配置しているため、第１、第２ビアホール１０１、１０２の数や径、間隔等を適宜変更することで、第１、第２層間接続部材１３０、１４０の高密度化が可能となる。これにより、交互に直列接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０にて発生する起電力、すなわち、電圧を大きくでき、熱流センサ部１０の高感度化が可能である。
【００２４】
第１、第２層間接続部材１３０、１４０は、ゼーベック効果を発揮するように、互いに異なる導電体で構成された第１、第２導電体である。導電体は、金属や半導体である。例えば、第１層間接続部材１３０は、Ｐ型を構成するＢｉ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の粉末が、焼結前における複数の金属原子の結晶構造を維持するように固相焼結された金属化合物で構成される。また、第２層間接続部材１４０は、Ｎ型を構成するＢｉ−Ｔｅ合金の粉末が、焼結前における複数の金属原子の結晶構造を維持するように固相焼結された金属化合物で構成される。このように、第１、第２層間接続部材１３０、１４０を形成する金属は、複数の金属原子が当該金属原子の結晶構造を維持した状態で焼結された焼結合金である。これにより、交互に直列接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０にて発生する起電力を大きくでき、熱流センサ部１０の高感度化が可能である。
【００２５】
絶縁基材１００の表面１００ａには、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー等に代表される熱可塑性樹脂フィルムにて構成される絶縁層１１０が配置されている。この絶縁層１１０は、絶縁基材１００と対向する一面１１０ａ側に銅箔等がパターニングされた複数の表面パターン１１１が互いに離間するように形成されている。そして、各表面パターン１１１はそれぞれ第１、第２層間接続部材１３０、１４０と適宜電気的に接続されている。
【００２６】
具体的には、図５に示されるように、隣り合う１つの第１層間接続部材１３０と１つの第２層間接続部材１４０とを１つの組１５０としたとき、各組１５０の第１、第２層間接続部材１３０、１４０は同じ表面パターン１１１と接続されている。つまり、各組１５０の第１、第２層間接続部材１３０、１４０は表面パターン１１１を介して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、一方向（すなわち、図５中の紙面左右方向）に沿って隣り合う１つの第１層間接続部材１３０と１つの第２層間接続部材１４０とが１つの組１５０とされている。
【００２７】
絶縁基材１００の裏面１００ｂには、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー等に代表される熱可塑性樹脂フィルムにて構成される裏面保護部材１２０が配置されている。裏面保護部材１２０には、絶縁基材１００と対向する一面１２０ａ側に銅箔等がパターニングされた複数の裏面パターン１２１が互いに離間するように形成されている。そして、各裏面パターン１２１はそれぞれ第１、第２層間接続部材１３０、１４０と適宜電気的に接続されている。
【００２８】
具体的には、図５に示されるように、一方向で隣り合う２つの組１５０において、一方の組１５０の第１層間接続部材１３０と他方の組１５０の第２層間接続部材１４０とが同じ裏面パターン１２１と接続されている。つまり、組１５０を跨いで第１、第２層間接続部材１３０、１４０が同じ裏面パターン１２１を介して電気的に接続されている。
【００２９】
また、図６に示されるように、熱流センサ部１０の外縁部では、一方向と直交する他方向に沿って隣り合う第１、第２層間接続部材１３０、１４０が同じ裏面パターン１２１と接続されている。なお、一方向と直交する他方向とは、図４および図６中では紙面左右方向である。
【００３０】
このようにして、各組１５０は、直列に接続されるとともに、一方向（すなわち、図４中の紙面上下方向）に接続されたものが、繰り返し折り返されるように配置されている。なお、一組の互いに接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０が１つの熱電変換素子を構成している。したがって、熱流センサ部１０は、直列に接続された複数の熱電変換素子を備えているともいえる。
【００３１】
絶縁層１１０の他面１１０ｂには、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー等に代表される熱可塑性樹脂フィルムにて構成される表面保護部材１６０が配置されている。表面保護部材１６０には、図６に示されるように、絶縁層１１０側と対向する一面１６０ａ側に銅箔等がパターニングされた２つの配線パターン１６１が形成されている。そして、一方の配線パターン１６１は、上記のように直列に接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０の一方の端部と、絶縁層１１０に形成された層間接続部材１７０を介して電気的に接続されている。他方の配線パターン１６１は、上記のように直列に接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０の他方の端部と、絶縁層１１０に形成された層間接続部材１７０を介して電気的に接続されている。
【００３２】
また、各配線パターン１６１は、特に図示しないが、熱流センサ部１０からセンサモジュール２の外縁部まで延設されている。センサモジュール２には、当該センサモジュール２の外縁部まで延設された配線パターン１６１を露出させるコンタクトホールが形成されている。そして、コンタクトホールを通じて熱流センサ部１０と電子制御装置３とが電気的に接続されている。
【００３３】
以上が本実施形態におけるセンサモジュール２の構成である。なお、本実施形態では、センサモジュール２は、一面２ａが表面保護部材１６０における一面１６０ａと反対側の他面を含んで構成され、他面２ｂが裏面保護部材１２０における一面１２０ａと反対側の面を含んで構成されている。また、本実施形態では、センサモジュール２は、熱流センサ部１０における平面の大きさが後述する回路基板３０の平面の大きさよりも大きくなるように構成されている。
【００３４】
上記のようなセンサモジュール２（すなわち、熱流センサ部１０）は、一面２ａおよび他面２ｂの温度差が変化すると交互に直列接続された第１、第２層間接続部材１３０、１４０にて発生する起電力が変化する。つまり、センサモジュール２は、一面２ａおよび他面２ｂの一方から他方に向かって（すなわち、一面２ａに対する法線方向に沿って）熱流が通過すると、熱流に応じて起電力が変化する。そして、センサモジュール２は、熱流に応じた起電力を検出信号として電子制御装置３に入力する。
【００３５】
以上が本実施形態における熱流測定装置１の構成である。次に、本実施形態の回路基板３０の構成について説明する。
【００３６】
回路基板３０は、本実施形態では、図７に示されるように、一面３０ａを有し、一面３０ａに、銅等で構成される複数の配線パターン３１および所定の信号処理を行う処理部３２が形成されることで構成されている。
【００３７】
なお、図４では、配線パターン３１および処理部３２を簡略化して示しているが、実際には、さらに複数の配線パターン３１および処理部３２が形成されている。また、回路基板３０は、複数の配線パターン３１を有するものであれば、１つの層で構成された単層の回路基板であってもよいし、複数の層が積層されることで構成される多層の回路基板であってもよい。そして、多層の回路基板である場合には、内部にも複数の配線パターン３１や処理部３２等が形成される構成とされていてもよく、配線パターン３１が形成される一面３０ａを複数備える構成とされていてもよい。また、多層の回路基板である場合には、表面に複数の配線パターン３１が形成されておらず、内部にのみ複数の配線パターン３１が形成されていてもよい。
【００３８】
次に、本実施形態の配線パターン３１を有する回路基板３０の製造方法について説明する。
【００３９】
まず、図７に示されるような複数の配線パターン３１等が形成された回路基板３０を用意する。なお、配線パターン３１は、一般的なフォトリソグラフィー等によって形成される。
【００４０】
続いて、図２および図３に示されるように、上記熱流測定装置１におけるステージ２３の一面２３ａに回路基板３０を設置し、回路基板３０の一面３０ａをセンサモジュール２の一面２ａと対向させる。本実施形態では、図２に示されるように、熱流センサ部１０と回路基板３０の一面３０ａにおける全面とが対向するように、回路基板３０を設置する。続いて、センサヘッド２１の高さを調整して、センサモジュール２を回路基板３０と接触もしくは非接触の状態とする。
【００４１】
次に、回路基板３０に所定の電圧を印加し、センサモジュール２の検出信号に基づいて配線パターン３１がショートしているか否かを判定する。具体的には、配線パターン３１がショートしていると、当該ショートしている箇所が発熱して当該箇所を基準とする熱流が発生する。つまり、センサモジュール２を一面２ａ側から他面２ｂ側に通過する熱流が発生する。そして、センサモジュール２（すなわち、熱流センサ部１０）から熱流に応じた検出信号が電子制御装置３に入力される。したがって、電子制御装置３にて、検出信号に基づき、配線パターン３１がショートしているか否かの判定が行われる。
【００４２】
例えば、図８に示されるように、時点ｔ１から時点ｔ２まで回路基板３０に電圧を印加すると、配線パターン３１がショートしていない場合には、熱流センサ部１０を通過する熱流がほぼ変化しないため、起電力がほぼ発生しない。一方、配線パターン３１がショートしている場合には、ショートしている箇所が発熱して熱流センサ部１０を通過する熱流が変化するため、熱流センサ部１０にて発生する起電力が大きくなる。このため、電子制御装置３は、入力される起電力に基づき、配線パターン３１がショートしているか否かを判定する。例えば、電子制御装置３は、所定の閾値（例えば、０．５Ｖ）と検出信号とを比較し、検出信号が閾値以上である場合に配線パターン３１がショートしていると判定する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態では、熱流センサ部１０にて発生する検出信号に基づき、配線パターン３１がショートしているか否かを判定しており、判定を行う各回路基板３０に発光素子を備える必要がない。このため、回路基板３０が複雑化することを抑制しつつ、配線パターン３１がショートしているか否かを判定でき、ひいてはコストの低減を図ることができる。
【００４４】
なお、回路基板３０が多層基板であり、多層基板の内部でショートが発生している場合であっても、当該ショートしている箇所から熱流が発生する。このため、本実施形態は、多層基板である回路基板３０の製造方法にも適用することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、熱流測定装置１の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４６】
本実施形態では、図９に示されるように、熱流測定装置１は、センサモジュール２および電子制御装置３に加え、表示装置４を備えている。表示装置４は、熱流分布の二次元画像を表示するものであり、一般的な画像表示装置が用いられる。
【００４７】
センサモジュール２は、本実施形態では、上記熱流センサ部１０が複数備えられた構成とされている。具体的には、センサモジュール２は、熱流センサ部１０が一面２ａに平行な方向にマトリックス状に配列されることで構成されている。より詳しくは、複数の熱流センサ部１０は、それぞれ、一方向と当該一方向と直交する他方向の長さが同じとされた平面正方形状とされている。そして、複数の熱流センサ部１０は、一方向および他方向に沿って配列されていると共に、隣り合う列において対向する熱流センサ部１０同士の位置が一致するように配列されている。なお、図９中では、破線で囲まれる１つの四角が１つの熱流センサ部１０を示している。
【００４８】
また、複数の熱流センサ部１０は、それぞれ配線パターン１６１を有しており、互いに電気的に独立している。そして、各配線パターン１６１は、図１０および図１１に示されるように、それぞれの熱流センサ部１０からセンサモジュール２の外縁部まで延設されている。また、センサモジュール２の外縁部では、各配線パターン１６１が露出するように図示しないコンタクトホールが形成されている。そして、コンタクトホールを通じて各熱流センサ部１０と電子制御装置３とが電気的に接続されている。
【００４９】
なお、図１０は、表面保護部材１６０を省略したセンサモジュール２の平面図であるが、理解をし易くするために、配線パターン１６１のうちの層間接続部材１７０と接続される部分にハッチングを施している。また、図１１は、図１０中の二点鎖線で囲まれた領域XIに相当する部分の拡大図であり、断面図ではないが、配線パターン１６１のうちの層間接続部材１７０と接続される部分に加え、コンタクトホールから露出する部分にもハッチングを施してある。
【００５０】
以上が本実施形態のセンサモジュール２の構成である。本実施形態では、各熱流センサ部１０を上記第１実施形態と同様の構成としており、各配線パターン１６１は、第１、第２層間接続部材１３０、１４０、表面パターン１１１および裏面パターン１２１が形成される層とは異なる層に形成されている。このため、複数の熱流センサ部１０を配置する場合、隣合う熱流センサ部１０同士の間に配線を引き回す必要がなく、熱流センサ部１０を密に配置することができる。
【００５１】
電子制御装置３は、上記と同様に、予め設定されたプログラムに従って所定の演算処理を行う。また、本実施形態では、上記のようにセンサモジュール２に複数の熱流センサ部１０が備えられているため、電子制御装置３は、複数の熱流センサ部１０の検出信号に基づいて回路基板３０の熱流分布を導出し、画像処理することで熱流分布を二次元画像として表示装置４に表示させる。
【００５２】
以上が本実施形態における熱流測定装置１の構成である。次に、本実施形態の回路基板３０の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、上記第１実施形態と同様に、ステージ２３の一面２３ａに回路基板３０を設置した後、センサヘッド２１の高さ調整を行う。
【００５４】
続いて、回路基板３０に所定の電圧を印加し、センサモジュール２の検出信号に基づいて配線パターン３１がショートしているか否かを判定する。具体的には、本実施形態では、電子制御装置３には、各熱流センサ部１０から検出信号が入力される。そして、電子制御装置３に、センサモジュール２の各熱流センサ部１０から入力される検出信号に基づき、熱流分布を導出させて画像処理させ、熱流分布の二次元画像を表示装置４に表示させる。これにより、回路基板３０の熱流分布を二次元画像で容易に確認することができる。例えば、図１２に示されるように、回路基板３０に対応する領域からの熱流の大きさを示す熱流分布画像４ａが表示装置４に表示される。このため、表示装置４を確認することにより、回路基板３０のどこが発熱しているか、つまり回路基板３０のショートが発生している箇所を容易に特定できる。なお、本実施形態では、１つの熱流センサ部１０が、熱流分布画像４ａの最小単位である一画素（図１０中の１つの四角）に対応している。
【００５５】
以上説明したように、本実施形態では、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０を有する構成とされている。そして、電子制御装置３は、各熱流センサ部１０から出力される検出信号に基づき、回路基板３０にショートが発生しているか否かを判定する。このため、回路基板３０にショートが発生した場合には、ショートが発生した箇所を特定することができる。
【００５６】
また、本実施形態では、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０を一体的に備える構成とされている。このため、例えば、各熱流センサ部１０を別々に用いる場合と比較して、各熱流センサ部１０の間の間隔を狭くし易くなり、高精度に熱流を検出できる。
【００５７】
なお、本実施形態では、１つの熱流センサ部１０を通過する熱流を求め、熱流分布として、１つの熱流センサ部１０の面積当たりの熱流分布を導出するようにしたが、熱流センサ部１０毎の熱流束の分布を導出するようにしてもよい。ちなみに、熱流は、単位時間当たりに流れる熱エネルギーの量であり、単位にはＷが用いられる。熱流束は、単位時間に単位面積を横切る熱量であり、単位にはＷ／ｍ２が用いられる。
【００５８】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形態に対して熱流測定装置１の構成を変更したものであり、その他に関しては第２実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５９】
本実施形態では、図１３に示されるように、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０が一方向Ｄ１に沿って一列に配置され、一方向Ｄ１に長く延びた形状とされている。なお、このセンサモジュール２は、第２実施形態のセンサモジュール２に対して、複数の熱流センサ部１０の数を変更したものであり、センサモジュール２の内部構造は第２実施形態と同じである。
【００６０】
また、本実施形態の熱流測定装置１は、図１４および図１５に示されるように、センサヘッド２１、支柱２２、およびステージ２３に加え、一軸方向移動ユニット２４を備えている。
【００６１】
本実施形態のセンサヘッド２１は、一方向Ｄ１に長く延びた形状とされている。そして、センサモジュール２は、長手方向がセンサヘッド２１の長手方向と一致するように、センサヘッド２１の一面２１ａに設置されている。
【００６２】
一軸方向移動ユニット２４は、センサヘッド２１を一軸方向に移動させる移動装置であり、本実施形態では、センサヘッド２１を当該センサヘッド２１の長手方向Ｄ１に交差する方向Ｄ２に移動させるものである。なお、一軸方向移動ユニット２４は、周知の機構のものが採用され、電子制御装置３によってその移動が制御される。また、本実施形態では、方向Ｄ２は、一方向と直交する方向とされている。
【００６３】
電子制御装置３は、上記各機能に加え、本実施形態では、センサヘッド２１の位置情報を取得できるようになっている。例えば、一軸方向移動ユニット２４に、センサヘッド２１の位置情報を取得するための図示しないセンサが取り付けられており、このセンサからのセンサ信号に基づいて、電子制御装置３は、センサヘッド２１の位置情報を特定することができるようになっている。
【００６４】
次に、本実施形態の熱流測定装置１を用いた回路基板３０の製造方法について説明する。
【００６５】
まず、上記第２実施形態と同様に、ステージ２３の一面２３ａに回路基板３０を設置した後、センサヘッド２１の高さ調整を行う。
【００６６】
そして、回路基板３０の熱流分布を導出する際には、一軸方向移動ユニット２４を方向Ｄ２に沿って移動させることにより、センサモジュール２を回路基板３０の一面３０ａに沿って移動させる。このようにして、回路基板３０の全領域の熱流を検出する。
【００６７】
そして、電子制御装置３は、各熱流センサ部１０の検出信号と、その検出信号が出力された際のセンサヘッド２１の位置情報とに基づき、熱流分布を導出する。これにより、第２実施形態と同様の熱流分布が得られる。
【００６８】
以上説明したように、センサモジュール２は、一方向Ｄ１に沿ってのみ複数の熱流センサ部１０が配置された構成とされていてもよい。このような構成としても、センサモジュール２が設置されるセンサヘッド２１を移動させることにより、上記第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第３実施形態に対してセンサモジュール２の構成を変更したものであり、その他に関しては第３実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７０】
本実施形態では、図１６に示されるように、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０が２列配置されている。具体的には、本実施形態では、隣り合う列において対向する熱流センサ部１０同士の位置を、１つの列における複数の熱流センサ部１０の並び方向である一方向Ｄ１において、所定距離ずらしている。本実施形態では、この所定距離を、１つの熱流センサ部１０の幅の１／２の長さＬ１としている。
【００７１】
そして、本実施形態においても、回路基板３０の熱流分布を導出する際には、第３実施形態と同様に、センサヘッド２１（すなわち、センサモジュール２）を方向Ｄ２に沿って移動させながら熱流分布を導出する。
【００７２】
以上説明したように、複数の熱流センサ部１０を２列に配置するようにしても、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
また、本実施形態では、隣り合う列が所定距離ずらして配置されたセンサモジュール２を用いているため、１つの熱流センサ部１０の幅を所定距離Ｌ１としたときと同様に、熱流分布を導出できる。このため、本実施形態によれば、１つの熱流センサ部１０の面積を小さくしなくても、熱流分布の分解能を上げることができる。すなわち、表示装置４に表示される熱流分布画像４ａの一画素を小さくできる。
【００７４】
（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形態に対してセンサモジュール２の構成を変更したものであり、その他に関しては第４実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７５】
本実施形態は、図１７に示されるように、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０が３列に配置されている。具体的には、本実施形態では、第２実施形態と同様に、隣り合う列が所定距離ずらして配置されている。本実施形態では、この所定距離を、１つの熱流センサ部１０の幅の１／３の長さＬ２としている。
【００７６】
そして、本実施形態においても、回路基板３０の熱流分布を導出する際には、第３実施形態と同様に、センサヘッド２１（すなわち、センサモジュール２）を方向Ｄ２に沿って移動させながら熱流分布を導出する。
【００７７】
以上説明したように、複数の熱流センサ部１０を３列に配置するようにしてもよい。また、列の数を増やすとともに所定距離を小さくすることで、分解能をより上げることができる。
【００７８】
（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して熱流測定装置１の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７９】
本実施形態では、図１８に示されるように、センサヘッド２１の内部に熱媒体流路２５が設けられている。熱媒体流路２５は、センサモジュール２を冷却する冷却用熱媒体２６が流れるものである。なお、冷却用熱媒体としては、一般的な不凍液等の冷却液を用いることができる。本実施形態では、熱媒体流路２５は、図示しない放熱器、ポンプ等と接続され、これらと共に所定温度の冷却液が循環する冷却液循環回路を構成している。
【００８０】
ところで、本実施形態と異なり、センサヘッド２１に熱媒体流路２５が設けられていない場合、回路基板３０から放出される熱流の測定時に、回路基板３０からの熱流によってセンサモジュール２が加熱され、センサモジュール２の温度が上昇する可能性がある。この場合、時間経過と共に、熱流センサ部１０を通過する熱流が変化し、熱流センサ部１０の熱流測定値（すなわち、検出信号）が変化してしまう可能性がある。すなわち、熱流センサ部１０の熱流測定値がドリフトしてしまう可能性がある。
【００８１】
これに対し、本実施形態では、センサヘッド２１、すなわち、センサモジュール２の他面２ｂ側に、センサモジュール２を冷却する冷却用熱媒体２６が流れる熱媒体流路２５が設けられている。このため、回路基板３０からの熱流を測定する際、熱媒体流路２５に冷却液を流すことで、センサモジュール２の他面２ｂを冷却液で冷却することができる。
【００８２】
このため、回路基板３０によってセンサモジュール２が加熱されても、センサモジュール２の温度を一定に近づけることができ、熱流センサ部１０を通過する熱流を安定化させることができる。この結果、熱流センサ部１０の熱流測定値のドリフトを抑制できる。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態では、センサモジュール２を冷却しながら回路基板３０からの熱流を検出できる。このため、熱流センサ部１０の熱流測定値のドリフトを抑制できる。
【００８４】
なお、本実施形態では、図示しない温度センサによってセンサモジュール２の温度を測定し、測定したセンサモジュール２の温度に基づいて熱媒体流路２５を流れる冷却用熱媒体２６の流量が制御されるようにすることが好ましい。つまり、センサモジュール２の温度が一定となるように冷却用熱媒体２６の流量が制御されることが好ましい。
【００８５】
また、本実施形態では、センサヘッド２１の内部に冷却用熱媒体２６が流れる熱媒体流路２５を設けたが、熱媒体流路２５の替わりに、放熱板、ヒートパイプ等の他の冷却体を設けるようにしてもよい。
【００８６】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、下記のように、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００８７】
例えば、回路基板３０は、配線パターン３１を有するものであれば、物理量に応じたセンサ信号を出力するセンサ部等が形成されていてもよい。
【００８８】
また、上記各実施形態では、回路基板３０を製造する方法について説明した。しかしながら、上記各実施形態は、これに限定されず、回路基板３０を検査する方法に適用することもできる。すなわち、上記各実施形態は、回路基板３０を所定期間や所定回数に渡って使用した後、当該回路基板３０の状態を検査する検査方法に適用することもできる。これによれば、判定を行う各回路基板３０に対して発光素子を備えておく必要がない。このため、回路基板３０が複雑化することを抑制しつつ、配線パターン３１がショートしているか否かを検査できる。
【００８９】
さらに、上記各実施形態では、熱流センサ部１０で発生した起電力（すなわち、電圧値）に基づいて、熱流を導出したが、電圧値の代わりに、電流値に基づいて熱流を導出するようにしてもよい。つまり、熱流センサ部１０で発生した電圧や電流といった電気的な出力に基づいて、熱流を算出するようにしてもよい。
【００９０】
また、上記各実施形態では、第１、第２層間接続部材１３０、１４０を形成する金属が、それぞれ、Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｂｉ−Ｔｅ合金であったが、他の合金であってもよい。また、上記各実施形態では、第１、第２層間接続部材１３０、１４０を形成する金属の両方が、固相焼結された焼結合金であったが、少なくとも一方が固相焼結された焼結合金であればよい。これにより、第１、第２層間接続部材１３０、１４０を形成する金属の両方が固相焼結された焼結金属でない場合と比較して、起電力を大きくできる。
【００９１】
さらに、上記各実施形態では、センサモジュール２は、熱可塑性樹脂で構成された樹脂層が複数積層されることで構成されているが、熱可塑性樹脂以外の絶縁層が積層されて構成されていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂等が積層されて構成されていてもよい。
【００９２】
また、上記第１、第６実施形態では、回路基板３０をステージ２３に設置する際、熱流センサ部１０と回路基板３０の一面３０ａにおける全面が対向するようにする例について説明したが、次のようにしてもよい。すなわち、回路基板３０は、少なくとも熱流センサ部１０と配線パターン３１が形成されている領域が対向するように配置されていればよく、外縁部等の配線パターン３１が形成されていない部分は、熱流センサ部１０と対向して配置されていなくてもよい。同様に、上記第２実施形態においても、回路基板３０は、配線パターン３１が形成されている領域がいずれかの熱流センサ部１０と対向するように配置されていればよい。
【００９３】
さらに、上記第３〜第５実施形態において、センサモジュール２は、複数の熱流センサ部１０が一方向Ｄ１と完全に一致する方向ではなく、一方向Ｄ１に対して斜めに配列されていてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
１    熱流測定装置
２    センサモジュール
２ａ  一面
２ｂ  他面
１０  熱流センサ部
３０  回路基板
３１  配線パターン
【図１】
2019049435.tif 000003
【図２】
2019049435.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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