(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶層における気泡の発生を抑制することができる配向膜、上記配向膜を備える液晶パネル、及び、上記液晶パネルの製造方法を提供する。【解決手段】ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜４０、５０であって、好ましくは、上記ポリアミック酸の上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリアミック酸におけるジアミンユニットに含まれ、上記ポリイミドの上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリイミドにおけるジアミンユニットに含まれる配向膜４０、５０。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含むことを特徴とする配向膜。
【請求項２】
前記ポリアミック酸の前記ビスアニリンフルオレン骨格は、前記ポリアミック酸におけるジアミンユニットに含まれ、
前記ポリイミドの前記ビスアニリンフルオレン骨格は、前記ポリイミドにおけるジアミンユニットに含まれることを特徴とする請求項１に記載の配向膜。
【請求項３】
前記ビスアニリンフルオレン骨格は、下記化学式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）で表される少なくとも１つの構造を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配向膜。
【化１】
2019049661.tif 000041
（上記式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｑは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。アルキル基が有する少なくとも一つの水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。）
【請求項４】
更に、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配向膜。
【請求項５】
更に、光配向性官能基を有するポリマーを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配向膜。
【請求項６】
前記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含むことを特徴とする請求項５に記載の配向膜。
【請求項７】
前記ポリアミック酸及び前記ポリイミドの少なくとも一方は、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の配向膜。
【請求項８】
前記ポリアミック酸及び前記ポリイミドの少なくとも一方は、更に、光配向性官能基を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の配向膜。
【請求項９】
前記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含むことを特徴とする請求項８に記載の配向膜。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の配向膜と、
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板及び前記第二基板の間に挟持された液晶層と、を備え、
前記配向膜は、前記第一基板及び前記第二基板の少なくとも一方の前記液晶層側の表面に設けられることを特徴とする液晶パネル。
【請求項１１】
前記第一基板及び前記第二基板のうち、前記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項１０に記載の液晶パネル。
【請求項１２】
前記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶パネル。
【請求項１３】
更に、ポリマー層を有することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の液晶パネル。
【請求項１４】
第一基板及び第二基板の少なくとも一方の表面に、請求項１〜９のいずれかに記載の配向膜を形成する工程と、前記第一基板及び前記第二基板の間に、液晶材料を封止して液晶層を形成する工程と、を含むことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第一基板及び前記第二基板のうち、前記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項１４に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１７】
更に、ポリマー層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記液晶材料は、重合性モノマーを含み、
前記ポリマー層を形成する工程において、前記液晶層に紫外光を照射し、前記重合性モノマーを重合してポリマーを形成し、前記ポリマーを相分離させることにより前記ポリマー層を形成することを特徴とする請求項１７に記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向膜、液晶パネル及び液晶パネルの製造方法に関する。より詳しくは、ポリアミック酸、及び、ポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜、上記配向膜を備える液晶パネル、並びに、上記液晶パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、表示のために液晶材料を利用する表示装置である。その代表的な表示方式は、一対の基板間に液晶材料を封入した液晶パネルに対してバックライトから光を照射し、液晶材料に電圧を印加して液晶分子の配向を変化させることにより、液晶パネルを透過する光の量を制御するものである。液晶表示装置には、液晶分子の配向を制御するために、配向処理が施された配向膜が用いられる。
【０００３】
また、液晶表示装置に用いられる部材として、例えば、特許文献１では、特定の化学式で示される化合物もしくはカルド樹脂と、ウレタンまたはアミド骨格を有するシラン化合物とを含有する樹脂組成物を用いて形成されるタッチパネル用絶縁膜が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−５４３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
液晶表示装置は、スイッチング素子を備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板と、これに対向配置されるカラーフィルタ（ＣＦ：Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）基板と、からなる一対の基板間に液晶層を備える。ＴＦＴ基板には画素電極が、ＴＦＴ基板又はＣＦ基板には共通電極が形成されており、これら電極間に印加する電圧を変化させることで、液晶層に含まれる液晶分子の配向を制御することができるようになっている。また、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の液晶層側には、電圧が印加されていない状態における液晶分子の配向を制御する配向膜が設けられている。
【０００６】
ＴＦＴ基板において、画素電極と、ＴＦＴもしくは配線材料との接触等を避けて高開口率にするために、一般に層間絶縁膜が配置される。上記層間絶縁膜は、例えば、ＴＦＴと画素電極とが互いにコンタクトを取ることができるように、フォトリソグラフィープロセスによりパターニングされたポジ型レジストである。上記ポジ型レジストには、後述の化学式（Ｎ１）で表されるナフトキノンジアジド基を有する化合物（ナフトキノンジアジド（ｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ  ｄｉａｚｉｄｅ）系化合物（以下、ＮＱＤとも言う））が含まれることがある。ＮＱＤは反応性の高い感光材料（例えば、感光剤）であり、ＴＦＴと画素電極とのコンタクト不良による欠陥発生を抑制することができる。
【０００７】
しかしながら、ＮＱＤに紫外光等の光照射が行われると、下記式１に示す反応スキームにより、ＮＱＤから窒素（Ｎ２）ガスが発生し、ＮＱＤの光反応物であるインデンカルボン酸が生じる。窒素ガスは、発生量が増加することで層間絶縁膜から抜け出し、配向膜を透過して液晶層に溶出する。液晶層に溶出した窒素ガスは、気泡として視認される。
【０００８】
【化１】
2019049661.tif 000003
（上記式１における＊は、結合位置を表す。）
【０００９】
上記窒素ガスに由来する気泡は、特に、ポリマー支持配向（ＰＳＡ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術を用いたＰＳＡモードの液晶パネル、すなわち、液晶パネル作製後、モノマーを重合するために紫外光を照射する必要がある液晶パネルにおいて発生し易い。また、デジタルサイネージ、テレビジョン用大型液晶パネル、車載用液晶パネル等の、高輝度バックライトと共に用いられる液晶パネルにおいても、窒素ガスに由来する気泡が液晶層に発生する場合がある。
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１では、液晶層に発生する気泡については何ら検討されていない。
【００１１】
本発明は上記現状に鑑みてなされたものであり、液晶層における気泡の発生を抑制することができる配向膜、上記配向膜を備える液晶パネル、及び、上記液晶パネルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、液晶層における気泡の発生を抑制することができる配向膜、上記配向膜を備える液晶パネル、及び、上記液晶パネルの製造方法について種々の検討を行った。そして、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜を用いることにより、液晶パネル内に発生した窒素ガスが配向膜を透過して液晶層に溶出するのを抑制することができることを見出し、上記課題をみごとに解決できることに想到し、本発明に到達した。
【００１３】
すなわち、本発明の一態様は、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜であってもよい。
【００１４】
上記ポリアミック酸の上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリアミック酸におけるジアミンユニットに含まれ、上記ポリイミドの上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリイミドにおけるジアミンユニットに含まれてもよい。
【００１５】
上記ビスアニリンフルオレン骨格は、下記化学式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）で表される少なくとも１つの構造を含んでもよい。
【化２】
2019049661.tif 000004
（上記式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｑは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。アルキル基が有する少なくとも一つの水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。）
【００１６】
上記配向膜は、更に、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーを含んでもよい。
【００１７】
上記配向膜は、更に、光配向性官能基を有するポリマーを含んでもよい。
【００１８】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含んでもよい。
【００１９】
上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方は、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーであってもよい。
【００２０】
上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方は、更に、光配向性官能基を有してもよい。
【００２１】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含んでもよい。
【００２２】
本発明の他の一態様は、上記配向膜と、第一基板と、上記第一基板に対向する第二基板と、上記第一基板及び上記第二基板の間に挟持された液晶層と、を備え、上記配向膜は、上記第一基板及び上記第二基板の少なくとも一方の上記液晶層側の表面に設けられる液晶パネルであってもよい。
【００２３】
上記第一基板及び上記第二基板のうち、上記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜を有してもよい。
【００２４】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含んでもよい。
【００２５】
上記液晶パネルは、更に、ポリマー層を有してもよい。
【００２６】
本発明の他の一態様は、第一基板及び第二基板の少なくとも一方の表面に、上記配向膜を形成する工程と、上記第一基板及び上記第二基板の間に、液晶材料を封止して液晶層を形成する工程と、を含む液晶パネルの製造方法であってもよい。
【００２７】
上記第一基板及び上記第二基板のうち、上記配向膜が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜を有してもよい。
【００２８】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含んでもよい。
【００２９】
上記液晶パネルの製造方法は、更に、ポリマー層を形成する工程を有してもよい。
【００３０】
上記液晶材料は、重合性モノマーを含み、上記ポリマー層を形成する工程において、上記液晶層に紫外光を照射し、上記重合性モノマーを重合してポリマーを形成し、上記ポリマーを相分離させることにより上記ポリマー層を形成してもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、液晶層における気泡の発生を抑制することができる配向膜、上記配向膜を備える液晶パネル、及び、上記液晶パネルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】実施形態３の液晶パネルの断面模式図である。
【図２】実施形態４の液晶パネルの断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態の構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。また、本明細書中、化学式中に示した＊は、結合位置を表す。
【００３４】
［実施形態１］
本実施形態では、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜について説明する。ポリアミック酸では、加熱等によりアミック酸（アミド酸）中のカルボキシル基の一部が脱水・環化し、ポリマー一分子の一部がイミド化する場合がある。本明細書では、ポリアミック酸のポリマー一分子の少なくとも一部がイミド化したポリマーをポリイミドと称する。
【００３５】
上記配向膜は、液晶パネルにおいて、第一基板及び第二基板に挟持された液晶層における液晶化合物の配向を制御する機能を有するものである。液晶層への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のときには、主に上記配向膜の働きによって液晶層中の液晶化合物の配向が制御される。この状態（以下、初期配向状態とも言う）において、第一基板及び第二基板の表面に対して液晶化合物の長軸が形成する角度が「プレチルト角」と呼ばれる。なお、本明細書において「プレチルト角」とは、基板面と平行な方向からの液晶化合物の傾きの角度を表し、基板面と平行な角度が０°、基板面の法線の角度が９０°である。
【００３６】
上記配向膜は、液晶層中の液晶化合物を略垂直に配向させるもの（垂直配向膜）でもよいし、略水平に配向させるもの（水平配向膜）でもよい。垂直配向膜の場合、略垂直とは、プレチルト角が８５°以上、９０°以下であることが好ましい。水平配向膜の場合、略水平とは、プレチルト角が０°以上、５°以下であることが好ましい。
【００３７】
上記配向膜の配向処理方法は特に限定されず、例えばラビング処理、光配向処理等が挙げられる。
【００３８】
ラビング処理は、上記配向膜を塗布した第一基板及び第二基板に対して、ナイロンなどの布を巻いたローラーを一定圧力で押し込みながら回転させることによって、上記配向膜の表面を一定方向に擦る方法である。
【００３９】
光配向処理は、上記配向膜上に直線偏光紫外光を照射することによって、偏光方向の上記配向膜の構造を選択的に変化させ、これによって上記配向膜に異方性を発生させて液晶分子に配向方位角を付与する方法である。この場合、上記配向膜は、光配向性を示す材料から形成され、光配向膜とも呼ばれる。光配向性を示す材料とは、紫外光、可視光等の光（電磁波）が照射されることによって構造変化を生じ、その近傍に存在する液晶分子の配向を規制する性質（配向規制力）を発現する材料や、配向規制力の大きさ及び／又は向きが変化する材料全般を意味する。光配向性を示す材料としては、例えば、二量化（二量体形成）、異性化、光フリース転移、分解等の反応が光照射によって起こる光反応部位（光配向性官能基、光官能基）を含むものが挙げられる。
【００４０】
光照射によって二量化及び異性化する光配向性官能基としては、例えば、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、スチルベン基等が挙げられる。なお、シンナメート基を含むこれらの官能基は、二量化する前に異性化を起こす場合があると推測される。光照射によって異性化する光配向性官能基としては、例えば、アゾベンゼン基、トラン基等が挙げられる。光照射によって光フリース転移する光配向性官能基としては、例えば、フェノールエステル構造等が挙げられる。光照射によって分解する光配向性官能基としては、例えば、シクロブタン構造等が挙げられる。
【００４１】
本実施形態の配向膜に含まれる上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドが有する上記ビスアニリンフルオレン骨格は、下記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造を含み、好ましくは、２価の基であり、下記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造における少なくとも１つの水素原子が他の基で置換された構造であってもよい。上記他の基として、例えば、−ＣＯＯＲ及び−ＣＨ２Ｑ（Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｑは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。アルキル基が有する少なくとも一つの水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい）の少なくとも一方の基が挙げられる。
【００４２】
【化３】
2019049661.tif 000005
【００４３】
上記ビスアニリンフルオレン骨格構造を有する高分子膜は、ＣＯ２／Ｎ２分離膜として利用することができ、上記ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリマーで形成される膜は、ＣＯ２を透過させ、Ｎ２を透過させないという機能を有する。本実施形態では、この機能を利用することにより、液晶パネル内に発生した窒素ガスが上記配向膜を透過して液晶層に溶出するのを抑制し、液晶層における気泡の発生を抑えることができる。
【００４４】
ここで、ポジ型レジストに含まれるナフトキノンジアジド系化合物（ＮＱＤ）は、紫外光等の光照射によって窒素ガスを発生するが、本実施形態の配向膜を用いることにより、ＮＱＤ及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜（層間絶縁膜）を有する液晶パネルにおいても、液晶パネル内に発生した窒素ガスが本実施形態の配向膜を透過して液晶層に溶出するのを抑制し、液晶層における気泡の発生を抑えることができる。
【００４５】
上記窒素ガスに由来する気泡は、特に、ＰＳＡ技術を用いたＰＳＡモードの液晶パネル、すなわち、液晶パネル作製後、モノマーを重合するために紫外光を照射する必要がある液晶パネルにおいて発生し易い。また、デジタルサイネージ、テレビジョン用大型液晶パネル、車載用液晶パネル等の、高輝度バックライトと共に用いられる液晶パネルにおいても、窒素ガスに由来する気泡が液晶層に発生する場合がある。本実施形態の配向膜は、このようなＰＳＡモードの液晶パネルや、デジタルサイネージ、テレビジョン用大型液晶パネル、車載用液晶パネル等の高輝度バックライトと共に用いられる液晶パネルにおいても、液晶パネル内に発生した窒素ガスが本実施形態の配向膜を透過して液晶層に溶出するのを抑制し、液晶層における気泡の発生を抑えることができるため、好適に用いられる。
【００４６】
上記ビスアニリンフルオレン骨格は、下記化学式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）で表される少なくとも１つの構造を含むことが好ましい。このような態様とすることにより、液晶パネル内に発生した窒素ガスが上記配向膜を透過して液晶層に溶出するのをより抑制することができる。
【００４７】
【化４】
2019049661.tif 000006
（上記式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｑは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。アルキル基が有する少なくとも一つの水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。）
【００４８】
上記ポリアミック酸の上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリアミック酸におけるジアミンユニットに含まれることが好ましく、上記ポリイミドの上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリイミドにおけるジアミンユニットに含まれることが好ましい。このような態様とすることにより、上記ビスアニリンフルオレン骨格を、容易にポリアミック酸及びポリイミドに導入することができる。なお、本明細書において、ジアミンユニットとは、テトラカルボン酸二無水物及びジアミンを原料として合成されたポリアミック酸（ポリイミドの前駆体）及びポリイミドにおいて、ジアミンに由来する部分構造を意味する。
【００４９】
上記ポリアミック酸に含まれる上記ビスアニリンフルオレン骨格は、１種類であっても、２種類以上であってもよい。同様に、上記ポリイミドに含まれる上記ビスアニリンフルオレン骨格は、１種類であっても、２種類以上であってもよい。また、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドは、単独重合体（ホモポリマー）であってもよいし、共重合体（コポリマー）であってもよい。更に、上記配向膜に含まれる上記ポリアミック酸は、１種類であっても、２種類以上であってもよく、上記配向膜に含まれる上記ポリイミドは、１種類であっても、２種類以上であってもよい。
【００５０】
上記ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、上記ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの重量平均分子量は、それぞれ、１０，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、３０，０００〜２００，０００であることがより好ましい。重量平均分子量を上記の範囲とすることにより、所望の膜厚で均一に製膜し易くなる。重量平均分子量が小さ過ぎると、所望の膜厚に製膜しにくく、膜厚が厚くなり過ぎると均一の膜厚にならず、膜面の凹凸が顕著になることがある。重量平均分子量が大き過ぎると、液晶配向剤の粘度が高くなり過ぎ、インクジェット法等での製膜を行えない場合がある。
【００５１】
本実施形態におけるポリアミック酸は、下記化学式（ＰＡ−１）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましく、本実施形態におけるポリイミドは、下記化学式（ＰＩ−１）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましい。
【００５２】
【化５】
2019049661.tif 000007
（上記化学式（ＰＡ−１）中、Ｂは同一又は異なって、上記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造を有する２価の基であり、Ｘは同一又は異なって、４価の基を表し、ｐは１以上の整数である。）
【００５３】
【化６】
2019049661.tif 000008
（上記化学式（ＰＩ−１）中、Ｂは同一又は異なって、上記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造を有する２価の基であり、Ｘは同一又は異なって、４価の基を表し、ｐは１以上の整数である。）
【００５４】
上記化学式（ＰＡ−１）におけるＢ、及び、上記化学式（ＰＩ−１）におけるＢは、それぞれ、上記化学式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）で表される少なくとも１つの構造を含むことが好ましい。
【００５５】
上記化学式（ＰＡ−１）におけるＸ、及び、上記（ＰＩ−１）におけるＸは、それぞれ、同一又は異なって、４価の基を表し、芳香族基及び脂環式基の少なくとも一方を有する炭素数４〜２０の４価の基であることがより好ましく、芳香族基を有する炭素数６〜２０の４価の基又は脂環式基を有する炭素数４〜２０の４価の基であることが更に好ましく、炭素数４〜６の脂環式基を有する炭素数４〜１０の４価の基であることが特に好ましい。２個以上の環状の構造を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１〜５の炭化水素基、−Ｏ−基、−Ｎ＝Ｎ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基等が挙げられる。
【００５６】
Ｘの具体例としては、下記化学式（Ｘ−１）〜（Ｘ−１６）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【００５７】
【化７】
2019049661.tif 000009
【００５８】
上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｘ及びＢは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。同様に、上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、Ｘ及びＢは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【００５９】
本実施形態におけるポリアミック酸は、一分子中に上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造を少なくとも１つ有することが好ましく、本実施形態におけるポリアミック酸は、一分子中に上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造を１つのみ有していてもよいし、一分子中の全ての繰り返し単位が上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造であってもよい。本実施形態のポリアミック酸一分子に含まれる繰り返し単位のうち、２０モル％以上、８０モル％以下が上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造であることが好ましい。本実施形態におけるポリアミック酸が、一分子中に上記化学式（ＰＡ−１）で表される構造以外の構造を有する場合、上記ポリアミック酸は、例えば、後述する化学式（ＰＡ−２）で表される少なくとも一種の構造を有する。
【００６０】
本実施形態におけるポリイミドは、一分子中に上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造を少なくとも１つ有することが好ましく、本実施形態におけるポリイミドは、一分子中に上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造を１つのみ有していてもよいし、一分子中の全ての繰り返し単位が上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造であってもよい。本実施形態のポリイミド一分子に含まれる繰り返し単位のうち、２０モル％以上、８０モル％以下が上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造であることが好ましい。本実施形態におけるポリイミドが、一分子中に上記化学式（ＰＩ−１）で表される構造以外の構造を有する場合、上記ポリイミドは、例えば、後述する化学式（ＰＩ−２）で表される少なくとも一種の構造を有する。
【００６１】
本実施形態の配向膜は、更に、液晶分子を垂直配向させるポリマー（以下、垂直配向ポリマーとも言う）、又は、液晶分子を水平配向させるポリマー（以下、水平配向ポリマーとも言う）を含む。このような態様とすることにより、上記ポリアミック酸及び／又は上記ポリイミドと、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーと、を層分離させて、二層型の垂直配向膜又は二層型の水平配向膜を形成することができる。すなわち、上記配向膜が、上記ポリアミック酸及び／又は上記ポリイミドを含む下層と、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーを含む上層と、を有することができる。その結果、下層により、液晶パネル内に発生した窒素ガスが液晶層に溶出するのを抑制することができ、かつ、上層により、液晶分子の配向方位を制御することが可能となる。なお、本明細書における上層とは、配向膜の液晶層側の層を言い、下層とは、配向膜の液晶層と反対側の層を言う。
【００６２】
本実施形態の配向膜において、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの含有量の和（ｗ１）と、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーの含有量（ｗ２）との比率は、重量比で、ｗ１：ｗ２＝１０：１〜１：１であることが好ましく、６：１〜２：１であることがより好ましい。
【００６３】
上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーの重量平均分子量は、それぞれ、１０，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、３０，０００〜２００，０００であることがより好ましい。重量平均分子量を上記の範囲とすることにより、所望の膜厚で均一に製膜し易くなる。重量平均分子量が小さ過ぎると、所望の膜厚に製膜しにくく、膜厚が厚くなり過ぎると均一の膜厚にならず、膜面の凹凸が顕著になることがある。重量平均分子量が大き過ぎると、液晶配向剤の粘度が高くなり過ぎ、インクジェット法等での製膜を行えない場合がある。
【００６４】
上述のように、本実施形態の配向膜にはラビング処理を施してもよいが、上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーは、それぞれ、光配向性官能基を有することが好ましい。このような態様とすることにより、ラビング処理用の配向膜を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。また、非接触の配向処理が可能となり、ＴＦＴ等の素子を劣化させることなく、液晶の配向及び配向安定性を向上させることができる。上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーが上記光配向性官能基を有する場合、液晶分子の配向は、上記光配向性官能基が光照射により反応して生じた構造及び未反応の上記光配向性官能基を含む上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーの、上記配向膜表面における分子状態（ポリマーコンフォメーション、並びに、上記光配向性官能基が光照射により反応して生じた構造及び未反応の上記光配向性官能基の分布状態）により制御されるものと推測される。なお、上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーにおいて未反応の上記光配向性官能基が残存するのは、種々の要因によるものと考えられるが、例えば、シンナメート基の場合は、上記配向膜とした場合に立体束縛（分子内の立体的な束縛）があるためと考えられる。
【００６５】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含むことが好ましく、シンナメート基を含むことがより好ましい。シンナメート基は、深紫外光を用いなくても配向処理ができるため、光配向性官能基以外の構造を有する分子が分解等により劣化することを抑制することができる。また、シンナメート基は、実使用におけるバックライト光等の可視光に対して吸収を示さないため、長期信頼性に優れる。なお、分子内の立体的な束縛のため、上述のように、上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーにおいて未反応のシンナメート基が残存する。
【００６６】
上記水平配向ポリマー及び上記垂直配向ポリマーは、それぞれ、上記ビスアニリンフルオレン骨格を有していても、有していなくてもよい。上記ビスアニリンフルオレン骨格を有する水平配向ポリマー及び上記ビスアニリンフルオレン骨格を有する垂直配向ポリマーとしては、後述の実施形態２における化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）を用いることができる。
【００６７】
上記垂直配向ポリマー及び上記水平配向ポリマーは、それぞれ、下記化学式（ＰＳ−１）〜（ＰＳ−３）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましい。
【００６８】
【化８】
2019049661.tif 000010
（上記化学式（ＰＳ−１）中、αは同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、βは同一又は異なって、シンナメート基を含む１価の基を表し、ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｑ及びｒは０＜ｒ／（ｑ＋ｒ）＜１を満たす。）
【００６９】
【化９】
2019049661.tif 000011
（上記化学式（ＰＳ−２）中、αは同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表し、βは同一又は異なって、シンナメート基を含む１価の基を表し、ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｑ及びｒは０＜ｒ／（ｑ＋ｒ）＜１を満たす。）
【００７０】
【化１０】
2019049661.tif 000012
（上記化学式（ＰＳ−３）中、βは同一又は異なって、シンナメート基を含む１価の基を表し、γは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｑ及びｒは０＜ｒ／（ｑ＋ｒ）＜１を満たす。）
【００７１】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるα、及び、上記（ＰＳ−２）におけるαは、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜５のアルコキシ基を表す。炭素数１〜５のアルコキシ基としては、−ＯＣＨ３、−ＯＣ２Ｈ５、−ＯＣ３Ｈ７、−ＯＣ４Ｈ９、−ＯＣ５Ｈ１１が挙げられ、直鎖構造であっても分岐構造であってもよい。上記化学式（ＰＳ−１）及び（ＰＳ−２）におけるαは水素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基又はエトキシ基であることが好ましい。
【００７２】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるβ、上記化学式（ＰＳ−２）におけるβ、及び、上記化学式（ＰＳ−３）におけるβは、それぞれ、同一又は異なって、シンナメート基を含む１価の基を表す。上記化学式（ＰＳ−１）、（ＰＳ−２）及び（ＰＳ−３）におけるβは、下記化学式（β−１）〜（β−３）で表される少なくとも１つの構造を含むことが好ましい。
【００７３】
【化１１】
2019049661.tif 000013
【００７４】
上記配向膜に光配向処理を施して垂直配向膜とする場合、上記化学式（ＰＳ−１）におけるβ、上記化学式（ＰＳ−２）におけるβ、及び、上記化学式（ＰＳ−３）におけるβは、それぞれ、同一または異なって、上記化学式（β−１）及び（β−２）で表される少なくとも１つの構造を含むことが好ましい。上記配向膜に光配向処理を施して水平配向膜とする場合、上記化学式（ＰＳ−１）におけるβ、上記化学式（ＰＳ−２）におけるβ、及び、上記化学式（ＰＳ−３）におけるβは、上記化学式（β−３）で表される構造を含むことが好ましい。上記化学式（β−１）及び（β−２）で表される構造は、液晶分子を垂直配向させるポリマーが有する構造であり、上記化学式（β−３）で表される構造は、液晶分子を水平配向させるポリマーが有する構造である。また、上記化学式（β−１）〜（β−３）で表される構造の少なくとも一部は、光配向性官能基（シンナメート基）である。
【００７５】
上記化学式（ＰＳ−３）におけるγは、同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表す。炭素数１〜５のアルキル基としては、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−Ｃ３Ｈ７、−Ｃ４Ｈ９、−Ｃ５Ｈ１１が挙げられ、直鎖構造であっても分岐構造であってもよい。上記化学式（ＰＳ−３）におけるγは水素原子、メチル基又はエチル基であることが好ましい。
【００７６】
上記化学式（ＰＳ−１）におけるｒ／（ｑ＋ｒ）、上記化学式（ＰＳ−２）におけるｒ／（ｑ＋ｒ）、及び上記化学式（ＰＳ−３）におけるｒ／（ｑ＋ｒ）は、それぞれ、０＜ｒ／（ｑ＋ｒ）＜１を満たし、０．４０≦ｒ／（ｑ＋ｒ）≦０．９５を満たすことが好ましく、０．５０≦ｒ／（ｑ＋ｒ）≦０．９０を満たすことがより好ましい。光配向性官能基であるβの導入量を１０モル％以上、５０モル％以下とすることにより、すなわち、０．５０≦ｒ／（ｑ＋ｒ）≦０．９０とすることにより、液晶配向性と、光配向性官能基の分解等に起因する劣化を抑制することによる信頼性確保と、を両立することが可能となる。
【００７７】
上記化学式（ＰＳ−１）で表される少なくとも一種の構造を有するポリマーの一分子において、α及びβは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。同様に、上記化学式（ＰＳ−２）で表される少なくとも一種の構造を有するポリマーの一分子において、α及びβは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。同様に、上記化学式（ＰＳ−３）で表される少なくとも一種の構造を有するポリマーの一分子において、β及びγは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【００７８】
［実施形態２］
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。本実施形態の配向膜は、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方が、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーであること以外は、実施形態１の配向膜と同様の構成を有する。
【００７９】
実施形態１の配向膜は、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方に加えて、更に、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーを含むことにより、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方を含む下層と、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーを含む上層と、に配向膜を層分離させるが、本実施形態の配向膜は、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方が、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーである。このような態様とすることにより、窒素ガスが液晶層に溶出するのを抑制する機能及び液晶分子の配向を制御する機能の両者を、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方に付与することが可能となり、単層型の配向膜を形成することができる。
【００８０】
本実施形態のポリアミック酸及びポリイミドの少なくとも一方は、更に、光配向性官能基を有することが好ましい。このような態様とすることにより、ラビング処理用の配向膜を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。また、このような態様とすることにより、非接触の配向処理が可能となり、ＴＦＴ等の素子を劣化させることなく、液晶の配向及び配向安定性を向上させることができる。
【００８１】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含むことが好ましく、シンナメート基を含むことがより好ましい。シンナメート基は、深紫外光を用いなくても配向処理ができるため、光配向性官能基以外の構造を有する分子が分解等により劣化することを抑制することができる。また、シンナメート基は、実使用におけるバックライト光等の可視光に対して吸収を示さないため、長期信頼性に優れる。
【００８２】
本実施形態におけるポリアミック酸は、下記化学式（ＰＡ−２）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましく、本実施形態におけるポリイミドは、下記化学式（ＰＩ−２）で表される少なくとも一種の構造を有することが好ましい。
【００８３】
【化１２】
2019049661.tif 000014
（上記化学式（ＰＡ−２）中、Ｂは同一又は異なって、上記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造を有する２価の基であり、Ｘは同一又は異なって、４価の基を表し、Ｙは同一又は異なって、２価の基を表し、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【００８４】
【化１３】
2019049661.tif 000015
（上記化学式（ＰＩ−２）中、Ｂは同一又は異なって、上記化学式（ＢＡＦＬ）で表される構造を有する２価の基であり、Ｘは同一又は異なって、４価の基を表し、Ｙは同一又は異なって、２価の基を表し、ｍ、ｎ及びｐは、それぞれ独立に１以上の整数であり、ｍ及びｎは０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たす。）
【００８５】
上記化学式（ＰＡ−２）におけるＹ、及び、上記化学式（ＰＩ−２）におけるＹは、それぞれ、同一又は異なって、２価の基を表し、芳香族基及び脂環式基の少なくとも一方を有する炭素数４〜４０の２価の基であることがより好ましく、芳香族基及び脂環式基を有する炭素数１０〜４０の２価の基であることが更に好ましく、炭素数６〜１０の芳香族基及び炭素数１０〜３０の脂環式基を有する２価の基であることが特に好ましい。２個以上の環状の構造を含む場合は、それらが直接或いは連結基を介して結合していてもよいし、縮合していてもよい。連結基としては、炭素数１〜５の炭化水素基、−Ｏ−基、−Ｎ＝Ｎ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基等が挙げられる。
【００８６】
Ｙの具体例としては、下記化学式（Ｙ−１）〜（Ｙ−４２）で表される化学構造等が挙げられる。各構造に含まれる少なくとも一つの水素原子は、ハロゲン原子、メチル基、又はエチル基に置換されていてもよい。
【００８７】
【化１４】
2019049661.tif 000016
【００８８】
【化１５】
2019049661.tif 000017
【００８９】
【化１６】
2019049661.tif 000018
【００９０】
【化１７】
2019049661.tif 000019
【００９１】
【化１８】
2019049661.tif 000020
【００９２】
上記配向膜にラビング処理を施して水平配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）におけるＹは、上記化学式（Ｙ−１）〜（Ｙ−１１）で表される構造であることが好ましい。上記配向膜に光配向処理を施して水平配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）におけるＹは、上記化学式（Ｙ−１２）〜（Ｙ−２４）で表される構造であることが好ましい。
【００９３】
上記配向膜にラビング処理を施して垂直配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）におけるＹは、上記化学式（Ｙ−２５）〜（Ｙ−３１）で表される構造であることが好ましい。上記配向膜に光配向処理を施して垂直配向膜とする場合、上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）におけるＹは、上記化学式（Ｙ−３２）〜（Ｙ−４２）で表される構造であることが好ましい。
【００９４】
上記化学式（Ｙ−１）〜（Ｙ−２４）で表される構造は、液晶分子を水平配向させるポリマーが有する構造であり、上記化学式（Ｙ−２５）〜（Ｙ−４２）で表される構造は、液晶分子を垂直配向させるポリマーが有する構造である。また、上記化学式（Ｙ−１２）〜（Ｙ−２４）及び（Ｙ−３２）〜（Ｙ−４２）で表される構造の少なくとも一部は、光配向性官能基である。
【００９５】
上記化学式（ＰＡ−２）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）、及び、上記化学式（ＰＩ−２）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）は共重合比を表し、それぞれ、０＜ｍ／（ｍ＋ｎ）＜１を満たし、０．１≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．９を満たすことが好ましく、０．２≦ｍ／（ｍ＋ｎ）≦０．８を満たすことがより好ましい。このような態様とすることにより、上記配向膜での窒素ガスの吸着と液晶配向性とを両立させることが可能となる。
【００９６】
上記化学式（ＰＡ−２）及び（ＰＩ−２）におけるＢ、Ｘ及びｐはそれぞれ、上記化学式（ＰＡ−１）及び（ＰＩ−１）におけるＢ、Ｘ及びｐと好ましい範囲も含めて同様である。
【００９７】
上記化学式（ＰＡ−２）で表される構造を有するポリアミック酸の一分子において、Ｂ、Ｘ及びＹは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。同様に、上記化学式（ＰＩ−２）で表される構造を有するポリイミドの一分子において、Ｂ、Ｘ及びＹは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【００９８】
［実施形態３］
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。本実施形態の液晶パネルは、上記実施形態における配向膜を備える液晶パネルである。
【００９９】
上記液晶パネルの表示（液晶配向）モードとしては、正の誘電率異方性を有する液晶分子を基板法線方向から見たときに９０°捩れた状態で配向させるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して垂直配向させる垂直配向（ＶＡ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの他、広視野角特性を得やすい等の理由から、正又は負の誘電率異方性を有する液晶分子を基板面に対して水平配向させて液晶層に対し横電界を印加する面内スイッチング（ＩＰＳ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード及びフリンジ電界スイッチング（ＦＦＳ：Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等が挙げられる。本実施形態では、表示モードは特に限定されないが、一例として、ＶＡモードの液晶パネル、特に、互いに対向する第一基板と第二基板とが、互いに９０°ずれて液晶分子の配向を規制するようになっているＵＶ２Ａ（Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｍｕｌｔｉｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶パネルを取り上げて説明を行う。
【０１００】
図１は、実施形態３の液晶パネルの断面模式図である。図１に示すように、本実施形態の液晶パネル１は、第一基板１０と、第一基板１０に対向して配置された第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に挟持された液晶層３０と、を備える。
【０１０１】
第一基板１０は、絶縁基板１１と、ＴＦＴ層１２と、層間絶縁膜１３と、各画素に設けられた面状の画素電極１４と、を液晶層３０側に向かって順に備える。第一基板１０はＴＦＴ基板とも言う。
【０１０２】
第二基板２０は、絶縁基板２１と、カラーフィルタ層２２及びブラックマトリクス層２３と、共通電極２４と、を液晶層３０側に向かって順に有する。第二基板２０はＣＦ基板とも言う。
【０１０３】
第一基板１０と液晶層３０との間、及び、第二基板２０と液晶層３０との間には、それぞれ、第一、第二基板１０、２０側から液晶層３０側に向かって、配向膜４０、５０及びポリマー層６０、７０が設けられている。
【０１０４】
第一基板１０の液晶層３０と反対側の面には第一偏光板（図示省略）が設けられ、第二基板２０の液晶層３０と反対側の面には第二偏光板（図示省略）が設けられている。第一偏光板及び第二偏光板は、互いの偏光軸が直交したクロスニコルの配置関係にある。また、第二基板２０の外側（液晶層３０と反対側）にはバックライト（図示省略）が配置されている。
【０１０５】
絶縁基板１１、２１の材料としては、例えばガラス、プラスチック等の透明基材が挙げられ、透明なものであれば特に限定されない。
【０１０６】
ＴＦＴ層１２は、走査線と、データ線と、上記走査線及び上記データ線に接続されたＴＦＴと、を有する。
【０１０７】
層間絶縁膜１３は、ＴＦＴ層１２と画素電極１４とを互いに絶縁する機能を有するものである。層間絶縁膜１３は、単に絶縁膜とも言い、例えば、ＴＦＴ層１２におけるＴＦＴと画素電極１４とが互いにコンタクトを取ることができるように、フォトリソグラフィープロセスによりパターニングされたポジ型レジストから形成されている。上記ポジ型レジストには、例えば、エポキシポリマー等の絶縁性ポリマーと、ノボラック樹脂と、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤと、が含まれる。層間絶縁膜１３の機能は、上記機能に特に限定されないが、層間絶縁膜１３としては、液晶パネル１の表示領域全体、なかでも少なくとも各画素の開口部に設けられるものが好適である。
【０１０８】
上記エポキシポリマー（エポキシ樹脂）は、エポキシ基を有するプレポリマーの硬化物であれば特に限定されない。上記エポキシ基を有するプレポリマーとしては、ポジ型レジストの分野で一般的に使用されているものを挙げることができる。上記エポキシ基を有するプレポリマーとしては、例えば、下記化学式（Ｅ）で表される化合物が挙げられる。
【０１０９】
【化１９】
2019049661.tif 000021
（上記化学式（Ｅ）中、ＲＥは、−ＯＨ基、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の飽和アルキル基若しくは飽和アルコキシ基、又は、炭素数２〜１２の不飽和アルキル基若しくは不飽和アルコキシ基を表し、ＸＥは、−ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、又は、−Ｃ（ＣＨ３）２−を表し、ｍ１は１〜４の整数を表し、ｎ１は１〜６の整数を表す。上記化学式（Ｅ）中、ＲＥ及びＸＥは、それぞれ、１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。）
【０１１０】
上記ノボラック樹脂としては、ポジ型レジストの分野で一般的に使用されているものを挙げることができる。上記ノボラック樹脂は、特に限定されないが、フェノール類１モルに対して、縮合剤、例えば、アルデヒド類を０．５〜１．０モルの割合で、酸性触媒下で縮合反応させることにより得られるものが好ましい。
【０１１１】
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール等のクレゾール類；２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール等のキシレノール類；ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール等のエチルフェノール類、２−イソプロピルフェノール、３−イソプロピルフェノール、４−イソプロピルフェノール、ｏ−ブチルフェノール、ｍ−ブチルフェノール、ｐ−ブチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール類；２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール等のトリアルキルフェノール類；レゾルシノール、カテコール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、フロログリシノール等の多価フェノール類；アルキルレゾルシン、アルキルカテコール、アルキルハイドロキノン等のアルキル多価フェノール類（前記いずれのアルキル基も炭素数１〜４である）、α−ナフトール、β−ナフトール、ヒドロキシジフェニル、ビスフェノールＡ等が挙げられる。これらのフェノール類は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１１２】
上記縮合剤としては、アルデヒド類及びケトン類が挙げられるが、アルデヒド類、中でもホルムアルデヒド及びパラホルムアルデヒドが好ましい。
【０１１３】
上記ノボラック樹脂としては、例えば、下記化学式（ＮＢ）で表される化合物が挙げられる。
【０１１４】
【化２０】
2019049661.tif 000022
【０１１５】
層間絶縁膜１３は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含むことが好ましい。ここで、層間絶縁膜１３にポジ型レジストが含まれ、かつ、その光反応物が含まれない場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる全ての感光部（例えば、ＮＱＤにおけるナフトキノンジアジド基）が未反応のまま層間絶縁膜１３に残存する場合である。層間絶縁膜にポジ型レジストが含まれず、かつ、その光反応物が含まれる場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる感光部の全てが光照射により光反応物となり層間絶縁膜１３に残存する場合である。層間絶縁膜にポジ型レジスト及びその光反応物の両者が含まれる場合とは、例えば、ポジ型レジストに含まれる感光部の一部が光照射により光反応物となり、未反応のポジ型レジスト及び上記光反応物の両者が層間絶縁膜１３に含まれる場合である。液晶パネル１において、ブラックマトリクス等の遮光部材が形成されていない開口領域では、光照射の影響により上記ポジ型レジストの光反応物が生成し易く、遮光部材が形成された遮光領域では、上記ポジ型レジストが未反応のまま残存し易いと考えられる。
【０１１６】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物（ＮＱＤ）を含むことが好ましい。ＮＱＤは、感光部であるナフトキノンジアジド基（１，２−ナフトキノンジアジド基）を有する、反応性の高いポジ型レジスト用の化合物であるため、層間絶縁膜１３をパターニングして上記ＴＦＴと画素電極１４とを接触させる際に、上記ＴＦＴと画素電極１４とのコンタクト不良による欠陥発生を抑制することができる。
【０１１７】
上記ＮＱＤは、下記化学式（Ｎ１）で表されるナフトキノンジアジド基を有する化合物であることが好ましい。
【０１１８】
【化２１】
2019049661.tif 000023
【０１１９】
上記ＮＱＤとしては、例えば、各種多価フェノールの少なくとも１つの水酸基が、上記ナフトキノンジアジド基を含む基で置換された化合物；上記ナフトキノンジアジド基を有するポリマー；等の化合物が挙げられる。上記ポリマーは特に限定されず、例えば、ネットワークポリマーを用いることができる。なお、本実施形態では、ＮＱＤがノボラック樹脂とは異なる材料であるとして説明を行うが、ＮＱＤは、ノボラック樹脂が有するフェノール性水酸基の一部がナフトキノンジアジド基を含む基で置換された化合物、すなわち、ナフトキノンジアジド基を有するノボラック樹脂であってもよい。この場合、ポジ型レジストは、ＮＱＤとは別に、ノボラック樹脂を含まなくてもよい。
【０１２０】
上記ＮＱＤは、上記化学式（Ｎ１）で表されるナフトキノンジアジド基を備える、下記化学式（Ｎ２）で表される基（１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基）を有する化合物であることがより好ましい。
【０１２１】
【化２２】
2019049661.tif 000024
【０１２２】
ＮＱＤに紫外光等の光照射が行われると、上記式１に示す反応スキームにより、ＮＱＤから窒素ガスが発生し、ＮＱＤの光反応物であるインデンカルボン酸が生じる。
【０１２３】
本実施形態の液晶パネル１では、一対の電極を構成する画素電極１４及び共通電極２４の間に電圧を印加することによって液晶層３０に電界を発生させることができる。よって、画素電極１４と共通電極２４との間に印加する電圧を調整することにより、液晶層３０中の液晶分子の配向を制御することができる。
【０１２４】
画素電極１４及び共通電極２４の材料としては、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等が挙げられる。
【０１２５】
カラーフィルタ層２２は、液晶パネルの分野で一般的に用いられるカラーフィルタ層であり、複数色のカラーフィルタを有する。本実施形態におけるカラーフィルタ層２２は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタから構成されるが、これらのカラーフィルタに加えて、黄色カラーフィルタ等を用いることもできる。
【０１２６】
ブラックマトリクス層２３は、液晶パネルの分野で一般的に用いられるブラックマトリクス層であり、液晶パネル１に配置されたバックライトからの光や外光を遮る機能を有する。
【０１２７】
液晶層３０は、液晶分子を含む。本実施形態の液晶パネル１は、液晶層３０に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。
【０１２８】
配向膜４０及び５０は、上記実施形態における配向膜である。したがって、層間絶縁膜１３が、ポジ型レジスト（特にＮＱＤ）及びその光反応物の少なくとも一方を含む場合であっても、液晶パネル１内に発生した窒素ガスが配向膜４０を透過して液晶層３０に溶出するのを抑制し、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。なお、本実施形態では、第一基板１０上及び第二基板２０上に配向膜４０、５０を設けたが、第一基板１０上及び第二基板２０上の一方のみに上記ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む層間絶縁膜が設けられる場合は、本実施形態の配向膜をその基板のみに設けてもよい。
【０１２９】
ポリマー層６０、７０は、液晶層３０に含まれる液晶分子の配向を制御する機能を有する。そのため、ポリマー層６０、７０を備えることにより、配向膜４０、５０だけでなく、ポリマー層６０、７０によっても液晶分子の初期配向を規定することが可能となる。
【０１３０】
ポリマー層６０、７０は、例えば、液晶層３０を形成する際に、重合性モノマーを含む液晶材料を用いて形成することができる。このようにしてポリマー層６０、７０を形成する技術は、ポリマー支持配向（ＰＳＡ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術とも呼ばれる。ＰＳＡ技術は、より具体的には、上記重合性モノマーを含有させた液晶材料を第一基板１０及び第二基板２０間に封入し、その後に上記重合性モノマーを重合させてポリマーを形成し、上記ポリマーを相分離させることにより、配向膜４０、５０表面にポリマー層６０、７０を形成するものである。
【０１３１】
ポリマー層６０、７０の形成に用いられる上記重合性モノマーは、下記化学式（Ｍ１）で表される少なくとも一種の構造（モノマー）を有することが好ましい。
【０１３２】
【化２３】
2019049661.tif 000025
（式中、Ｐ１は、ラジカル重合性基を表す。
Ｓｐ１は、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキレン基、炭素数１〜６の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキレンオキシ基、又は、直接結合を表す。
Ｒ２は、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
Ｚは、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基、又は、直接結合を表す。
Ｒ３は、−Ｒ２−Ｓｐ１−Ｐ１基、水素原子、ハロゲン原子、−ＣＮ基、−ＮＯ２基、−ＮＣＯ基、−ＮＣＳ基、−ＯＣＮ基、−ＳＣＮ基、−ＳＦ５基、又は、炭素数１〜１８の直鎖状もしくは分枝状のアルキル基を表す。
Ａ１及びＡ２は各々独立に、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、フェナントレン−１，６−ジイル基、フェナントレン−１，８−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、フェナントレン−３，６−ジイル基、アントラセン−１，５−ジイル基、アントラセン−１，８−ジイル基、アントラセン−２，６−ジイル基、又は、アントラセン−２，７−ジイル基を表す。
ｎは０、１又は２である。
Ｒ３が有する水素原子は、フッ素原子又は塩素原子で置換されていてもよい。Ｒ３が有する−ＣＨ２−基は、酸素原子及び硫黄原子が互いに隣接しない限り、−Ｏ−基、−Ｓ−基、−ＮＨ−基、−ＣＯ−基、−ＣＯＯ−基、−ＯＣＯ−基、−Ｏ−ＣＯＯ−基、−ＯＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｏ−基、−ＳＣＨ２−基、−ＣＨ２Ｓ−基、−Ｎ（ＣＨ３）−基、−Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−基、−Ｎ（Ｃ３Ｈ７）−基、−Ｎ（Ｃ４Ｈ９）−基、−ＣＦ２Ｏ−基、−ＯＣＦ２−基、−ＣＦ２Ｓ−基、−ＳＣＦ２−基、−Ｎ（ＣＦ３）−基、−ＣＨ２ＣＨ２−基、−ＣＦ２ＣＨ２−基、−ＣＨ２ＣＦ２−基、−ＣＦ２ＣＦ２−基、−ＣＨ＝ＣＨ−基、−ＣＦ＝ＣＦ−基、−Ｃ≡Ｃ−基、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−基、又は、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−基で置換されていてもよい。
Ａ１及びＡ２が有する−ＣＨ２−基は、互いに隣接しない限り−Ｏ−基又は−Ｓ−基で置換されていてもよい。 Ａ１及びＡ２が有する一又は二以上の水素原子は、フッ素原子、塩素原子、−ＣＮ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜６のアルキルカルボニル基、炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基、又は、炭素数２〜６のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。）
【０１３３】
上記化学式（Ｍ１）におけるＰ１は、ラジカル重合性基を表し、ラジカル重合性基の例としては、アクリレート基、メタクリレート基、アクリルアミド基、メタクリルアミド基、ビニル基、又は、ビニルオキシ基等が挙げられる。反応速度を向上させる観点からは、アクリレート基、アクリルアミド基、ビニル基又はビニルオキシ基が好ましく、ポリマー層の剛直性向上によるチルト角安定化の観点からは、メタクリレート基又はメタクリルアミド基が好ましい。
【０１３４】
上記化学式（Ｍ１）で表される少なくとも一種の構造を有する重合性モノマーは、縮合環構造の発達したフェナントレンを含むモノマーであることが好ましく、上記化学式（Ｍ１）におけるＡ１及びＡ２は各々独立に、フェナントレン−１，６−ジイル基、フェナントレン−１，８−ジイル基、フェナントレン−２，７−ジイル基、又は、フェナントレン−３，６−ジイル基であることがより好ましい。
【０１３５】
上記化学式（Ｍ１）で表される少なくとも一種の構造を有する重合性モノマーは、下記化学式（Ｍ１−１）〜（Ｍ１−３）で表される少なくとも一種の構造を有する重合性モノマーであることが好ましい。
【０１３６】
【化２４】
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【０１３７】
【化２５】
2019049661.tif 000027
【０１３８】
【化２６】
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【０１３９】
［実施形態４］
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。上記実施形態では、ＶＡモードの液晶パネルを例に挙げたが、本実施形態では、ＦＦＳモードの液晶パネルを例に挙げて説明する。
【０１４０】
図２は、実施形態４の液晶パネルの断面模式図である。図２に示すように、本実施形態では、第一基板１０は、絶縁基板１１と、ＴＦＴ層１２と、層間絶縁膜１３と、各画素に設けられた面状の画素電極１４と、第２絶縁膜１５と、スリットが形成された櫛歯状の共通電極２４と、を液晶層３０側に向かって順に有する。第一基板１０はＴＦＴ基板とも言う。なお、画素電極１４と共通電極２４との配置を入れ替え、面状の共通電極２４の液晶層３０側に、スリットが形成された櫛歯状の画素電極１４を各画素に形成してもよい。
【０１４１】
本実施形態では、第２絶縁膜１５を介して共通電極２４を画素電極１４の上層の配置している。第２絶縁膜１５としては、例えば、例えば、窒化珪素（ＳｉＮＸ）、酸化珪素（ＳｉＯ２）等の無機膜（比誘電率ε＝５〜７）や、それらの積層膜を用いることができる。
【０１４２】
［実施形態５］
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、実施形態３の液晶パネル１の製造方法を説明する。
【０１４３】
以下に説明するように、第一基板１０であるＴＦＴ基板及び第二基板２０であるＣＦ基板は、公知の製造技術を用いて作製することができる。
【０１４４】
第一基板１０及び配向膜４０は、ＴＦＴ層形成、層間絶縁膜形成、画素電極形成、及び、配向膜形成の工程を行うことにより作製することができる。各工程について以下で詳細を説明する。
【０１４５】
ＴＦＴ層形成の工程では、まず、絶縁基板１１上に、走査線、データ線及びＴＦＴを形成する。走査線、データ線、薄膜半導体、走査線の一部で構成されるゲート電極、データ線の一部で構成されるソース電極、及び、画素電極１４と接続されるドレイン電極等のＴＦＴ形成材料を、スパッタ、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方法によって形成し、所望のパターンとなるようにフォトリソグラフィ等によってパターニングする。
【０１４６】
次に、層間絶縁膜形成の工程では、ＴＦＴ層１２の上層にポジ型レジスト材料を用いてレジスト膜を形成し、更に、フォトマスクを用いて上記レジスト膜を露光及び現像し、所望のパターンを有する層間絶縁膜（絶縁膜（ポジ型レジスト））１３を形成する。上記ポジ型レジスト材料としては、例えば、エポキシポリマー等の絶縁性ポリマーと、ノボラック樹脂と、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤと、を含む組成物を用いることができる。
【０１４７】
次いで、画素電極形成の工程では、層間絶縁膜１３の上層に画素電極１４となる透明導電膜をスパッタリング法等によって形成し、面状パターンとなるようにパターニングする。以上のようにして、第一基板１０であるＴＦＴ基板を作製することができる。
【０１４８】
画素電極１４をパターニングした後、配向膜形成の工程では、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方を含む液晶配向剤をインクジェット法により塗布形成し、溶剤を除去してイミド化焼成した後に、配向規制力を付与して液晶分子を一定方向に配向させるためにラビングや光配向を行う。この結果、第一基板１０上に配向膜４０が形成される。なお、液晶配向剤はロールコーター法により塗布することもできる。
【０１４９】
第二基板２０及び配向膜５０は、ブラックマトリクス層形成、カラーフィルタ層形成、共通電極形成、及び、配向膜形成の工程を行うことにより作製することができる。各工程について以下で詳細を説明する。
【０１５０】
ブラックマトリクス層形成の工程では、まず、絶縁基板２１上にブラックマトリクス層２３を形成し、所望のマトリクスパターンとなるようにフォトリソグラフィ等によってパターニングする。
【０１５１】
次に、カラーフィルタ層形成の工程では、カラーフィルタ層２２の赤色、緑色、青色の各レジスト材料を順次スピンコート又はスリットコート等によって形成し、フォトリソグラフィ等によってパターニングする。
【０１５２】
カラーフィルタ層形成の工程に引き続き、共通電極形成の工程では、カラーフィルタ層２２及びブラックマトリクス層２３の上層に共通電極２４となる透明導電膜をスパッタリング法等によって形成し、所望の形状にパターニングする。以上のようにして、第二基板２０であるＣＦ基板を作製することができる。
【０１５３】
続いて、配向膜形成の工程では、第一基板１０上に設けられる配向膜４０と同様に、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方を含む液晶配向剤をインクジェット法により塗布形成し、溶剤を除去してイミド化焼成した後に、配向規制力を付与して液晶分子を一定方向に配向させるためにラビングや光配向を行う。この結果、第二基板２０上に配向膜５０が形成される。なお、液晶配向剤はロールコーター法により塗布することもできる。
【０１５４】
上述のようにして作製される第一基板１０又は第二基板２０にシール剤を塗布し、上記シール剤に囲まれた領域内に、液晶化合物及び重合性モノマーを含む液晶材料を封止して液晶層３０を形成する。その後、第一基板１０及び第二基板２０をシール剤により貼り合わせる。更に、液晶層３０に紫外光を照射し、上記重合性モノマーを重合してポリマーを形成し、上記ポリマーを相分離させることにより、ポリマー層６０、７０を形成する。上記紫外光としては、無偏光を用いる。また、液晶層３０に紫外線を照射し、ポリマー層６０、７０を形成する反応は拡散律速であり、ポリマー層６０、７０を形成する際の紫外光の照射時間は、例えば、２００分以下であることが好ましく、１２０分以下であることがより好ましい。紫外線の照射時間が２００分を超えると、液晶分子及び／又は配向膜４０、５０の光分解等が起こり、信頼性低下を引き起こす場合がある。以上のようにして、実施形態３の液晶パネル１を製造することができる。
【０１５５】
［実施形態６］
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態と重複する内容については説明を省略する。本実施形態では、実施形態４の液晶パネル１の製造方法を説明する。
【０１５６】
実施形態４の液晶パネル１は、共通電極２４を第二基板２０側に設けず、第一基板１０における画素電極１４上に第２絶縁膜１５を形成した後、櫛歯状のスリットパターンを有する共通電極２４を形成すること以外は、実施形態５の液晶パネルの製造方法と同様に製造することができる。
【０１５７】
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【０１５８】
［実施例１及び比較例１］
（液晶配向剤の作製）
下記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマー（ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸）、及び、下記化学式（ＰＳ−１１）で表されるポリマー（液晶分子を垂直配向させるポリマーであり、かつ、光配向性官能基であるシンナメート基を有するポリマー）を、重量比が４：１となるように、すなわち、下記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマーの重量：下記化学式（ＰＳ−１１）で表されるポリマーの重量＝４：１となるようにＮ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰとも言う）及びγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤１Ａを調製した。
【０１５９】
また、下記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマー及び下記化学式（ＰＳ−１１）で表されるポリマーを、重量比が４：１となるように、すなわち、下記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマーの重量：下記化学式（ＰＳ−１１）で表されるポリマーの重量＝４：１となるようにＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤１Ｒを調製した。
【０１６０】
下記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマー、下記化学式（ＰＳ−１１）で表されるポリマー、及び、下記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマーの重量平均分子量は、いずれも、１０，０００以上、５０，０００以下であった。
【０１６１】
【化２７】
2019049661.tif 000029
【０１６２】
【化２８】
2019049661.tif 000030
【０１６３】
【化２９】
2019049661.tif 000031
【０１６４】
（液晶パネルの作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を５Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上にＩＴＯからなる共通電極及びカラーフィルタ層を順に形成し、第二基板を作製した。
【０１６５】
上記第一基板及び上記第二基板上に、上記液晶配向剤１Ａを塗布し、８０℃、２分の仮焼成、続いて２３０℃、４０分の本焼成を行った後、偏光紫外光を２５ｍＪ／ｃｍ２照射した。次に第一基板にシールを塗布し、負の誘電率異方性を有する液晶材料（Ｔｎｉ  ７５℃、Δε＝−３．０、Δｎ＝０．０９５）を滴下し、上記第一基板と上記第二基板とが、互いに９０°ずれて液晶分子の配向を規制するよう、第二基板を貼り合せた。シール剤は、熱により硬化するものあるいは紫外光の照射により硬化するものあるいはその両方のシール剤を用いた。続いて、液晶パネルの温度をＴｎｉ以上（１１０℃）にして３０分アニール処理を実施、再配向処理を行い、実施例１のＵＶ２Ａモードの液晶パネルを得た。液晶配向剤１Ａを、液晶配向剤１Ｒに変更したこと以外は、実施例１の液晶パネルと同様にして比較例１のＵＶ２Ａモードの液晶パネルを得た。なお、上記液晶配向剤１Ａ、１Ｒを塗布した後、２３０℃で本焼成を行うことにより配向膜を形成したため、上記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマー（ポリアミック酸）及び上記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例１の液晶パネル及び比較例１の液晶パネルの配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミド、及び、上記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０１６６】
（紫外光照射試験）
得られた液晶パネルに紫外光（高圧水銀灯）を２５℃環境下で１時間照射し続けて、液晶パネル内（液晶層）での気泡発生の有無を確認した。結果を表１に示す。
【０１６７】
【表１】
2019049661.tif 000032
【０１６８】
配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミド（上記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミド）を含む実施例１の液晶パネルでは、液晶パネルに高圧水銀灯を１時間照射しても気泡は発生しなかった。水銀灯を液晶パネルに照射することで、層間絶縁膜中のＮＱＤの光反応により、Ｎ２ガスが発生すると考えられるが、実施例１では、液晶パネル中の液晶層で気泡発生が確認されなかったことから、配向膜中のビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドが、Ｎ２ガスの透過を抑制し、液晶層に気体が溶出しなかったと考えられる。なお、実施例１の液晶パネルに高圧水銀灯を照射し続けると、４時間後に気泡の発生が確認された。
【０１６９】
一方、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを配向膜に含まない比較例１の液晶パネルでは、液晶パネルに高圧水銀灯を０．５時間照射すると、液晶パネル中の液晶層で気泡の発生が確認された。これは、ＮＱＤから発生したＮ２ガスが配向膜を透過し、液晶層に溶出したためと考えられる。
【０１７０】
以上の結果より、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを含むことにより、感光剤を含む層間絶縁膜を有していても、液晶層における気泡の発生を抑制することができることが確認された。
【０１７１】
［実施例２及び比較例２］
（液晶パネルの作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を５Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上にＩＴＯからなる共通電極及びカラーフィルタ層を順に形成し、第二基板を作製した。
【０１７２】
上記第一基板及び第二基板上に、上記液晶配向剤１Ａを塗布し、８０℃、２分の仮焼成、続いて２３０℃、４０分の本焼成を行った後、偏光紫外光を２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。次に第一基板にシールを塗布し、下記化学式（Ｍ１−３）で表される化合物を０．６ｗｔ％含む負の誘電率異方性液晶材料（Ｔｎｉ  ７５℃、Δε＝−３．０、Δｎ＝０．０９５）を滴下し、上記第一基板と上記第二基板とが、互いに９０°ずれて液晶分子の配向を規制するよう、第二基板を貼り合せた。シール剤は、熱により硬化するものあるいは紫外光の照射により硬化するものあるいはその両方のシール剤を用いた。
【０１７３】
【化３０】
2019049661.tif 000033
【０１７４】
続いて、上記化学式（Ｍ１−３）で表される化合物を用いてポリマー層を形成するために、ブラックライトを３時間照射した。ブラックライトを３時間照射することで、上記化学式（Ｍ１−３）で表される化合物が重合して完全に消費され、上記第一基板及び上記第二基板上にポリマー層が形成された。最後に、液晶パネルの温度をＴｎｉ以上（１１０℃）にして３０分アニール処理を実施、再配向処理を行い、実施例２のＵＶ２Ａモードの液晶パネルを得た。液晶配向剤１Ａを、液晶配向剤１Ｒに変更したこと以外は、実施例２の液晶パネルと同様にして比較例２のＵＶ２Ａモードの液晶パネルを得た。なお、上記液晶配向剤１Ａ、１Ｒを塗布した後、２３０℃で本焼成を行うことにより、上記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマー（ポリアミック酸）及び上記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例１の液晶パネル及び比較例１の液晶パネルの配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡ−１１）で表される構造を有するポリマーの一部がイミド化したポリイミド、及び、上記化学式（ＰＡＲ−１１）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０１７５】
（高温放置後衝撃試験）
液晶パネルを７０℃のオーブン中で１０００時間保存した後、液晶パネルに対して５０ｃｍ上部からパチンコ玉（直径１１ミリ、重さ５．４〜５．７ｇの鋼球）を自由落下させ、気泡発生の有無を確認した。結果を表２に示す。
【０１７６】
【表２】
2019049661.tif 000034
【０１７７】
７０℃保存後にパチンコ玉自由落下による衝撃試験を行った場合、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミド（上記化学式（ＰＡ−１１）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミド）を含む実施例２の液晶パネルでは、気泡発生が無かった。一方、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを配向膜に含まない比較例２の液晶パネルでは、気泡発生が確認された。ブラックライトを３時間照射することによってＮＱＤからＮ２ガスが発生したが、実施例２の液晶パネルでは、配向膜がビスアニリンフルオレン骨格を有するイミドを含むことで、Ｎ２ガスが配向膜を透過せず、衝撃後も、Ｎ２ガスが液晶層に溶出することは無かったと考えられる。
【０１７８】
一方、比較例２の液晶パネルでは、ブラックライトを照射することによりＮＱＤから発生したＮ２ガスが、液晶パネルを７０℃で保存している間に配向膜を透過し、最後に衝撃によりＮ２ガスが液晶層に溶出し、気泡発生が確認されたと考える。
【０１７９】
以上の結果より、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを含むことにより、感光剤（ＮＱＤ）を含む層間絶縁膜を有していても、液晶層における気泡の発生を抑制することができることが確認された。
【０１８０】
［実施例３〜７及び比較例３］
（液晶配向剤の作製）
ビスアニリンフルオレン骨格を有し、かつ、液晶分子を垂直配向させるポリマー（ポリアミック酸）である、下記化学式（ＰＡ−１２）で表されるポリマー（ただし、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．２）をＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤３Ａを調製した。更に、下記化学式（ＰＡ−１２）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．４、０．６、０．８及び１．０としたこと以外は、液晶配向剤３Ａと同様にして、液晶配向剤４Ａ、５Ａ、６Ａ及び７Ａを調製した。また、下記化学式（ＰＡ−１２）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）＝０としたこと以外は、液晶配向剤３Ａと同様にして、液晶配向剤３Ｒを調製した。
【０１８１】
下記化学式（ＰＡ−１２）で表されるポリマーの重量平均分子量は、いずれも、１０，０００以上、５０，０００以下であった。
【０１８２】
【化３１】
2019049661.tif 000035
【０１８３】
（液晶パネルの作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。絶縁基板上に、スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を５Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなる画素電極を積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上に、フィッシュボーン構造のスリットを有するＩＴＯからなる共通電極、及び、カラーフィルタ層を形成し、第二基板を作製した。
【０１８４】
上記第一基板及び第二基板上に、上記液晶配向剤３Ａを塗布し、８０℃、２分の仮焼成、続いて２００℃、４０分の本焼成を行った。次に第一基板にシールを塗布し、下記化学式（Ｍ１−１）で表される化合物を０．３ｗｔ％含む負の誘電率異方性液晶材料（Ｔｎｉ  ８０℃、Δε＝−２．８、Δｎ＝０．０９５）を滴下し、第二基板を貼り合せた。シール剤は、熱により硬化するものあるいは紫外光の照射により硬化するものあるいはその両方のシール剤を用いた。
【０１８５】
【化３２】
2019049661.tif 000036
【０１８６】
続いて、上記化学式（Ｍ１−１）で表される化合物を重合してポリマー層を形成するために、まず１０Ｖの電圧を印加しながら高圧水銀灯を１５分照射し、続いて電圧を印加しない電圧無印加状態でブラックライトを４時間照射した。ブラックライトを４時間照射することにより、上記化学式（Ｍ１−１）で表される化合物が重合して完全に消費され、上記第一基板及び上記第二基板上にポリマー層が形成された。最後に、液晶パネルの温度をＴｎｉ以上（１１０℃）にして３０分アニール処理を実施、再配向処理を行い、実施例３の液晶パネルを得た。液晶配向剤３Ａを、液晶配向剤４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ及び３Ｒに変更したこと以外は、実施例３の液晶パネルと同様にして実施例４、５、６、７及び比較例３液晶パネルを得た。なお、上記液晶配向剤３Ａ〜７Ａ及び３Ｒを塗布した後、２３０℃で本焼成を行うことにより、上記化学式（ＰＡ−１２）で表されるポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例３〜７の液晶パネル及び比較例３の液晶パネルの配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡ−１２）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミド、及び、上記化学式（ＰＡＲ−１２）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０１８７】
（高温バックライト曝露後衝撃試験）
液晶パネルを７０℃のオーブン中でバックライト照射をしながら１０００時間保存した後、液晶パネルに対して５０ｃｍ上部からパチンコ玉を自由落下させ、気泡発生の有無を確認した。結果を表３に示す。
【０１８８】
【表３】
2019049661.tif 000037
【０１８９】
７０℃のオーブン中でバックライトを照射した後に、パチンコ玉の自由落下による衝撃試験を行った場合、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを配向膜に含まない比較例３の液晶パネルでは気泡が発生した。一方、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを含む実施例３〜７の液晶パネルでは、気泡は発生しなかった。実施例３〜７の液晶パネルでは、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドが含まれるため、高圧水銀灯の照射及びブラックライトの照射によりＮＱＤから発生したＮ２ガスが配向膜を透過せず、衝撃後もＮ２ガスの液晶層への溶出はなかったと考えられる。
【０１９０】
一方、比較例３の液晶パネルでは、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドが配向膜に含まれなかったため、高圧水銀灯の照射及びブラックライトの照射によりＮＱＤから発生したＮ２ガスが配向膜を透過し、最後の衝撃によりＮ２ガスの液晶層へ溶出し、気泡が確認されたと考えられる。なお、実施例７の液晶パネルでは気泡の発生は確認されなかったが、液晶分子を垂直配向させるポリマーが配向膜に含まれなかったため、液晶分子は垂直配向しなかった。実施例３〜６のように、ビスアニリンフルオレン骨格を有し、かつ、液晶分子を垂直配向させるポリマーを配向膜に導入することにより、液晶パネルにおける気泡の発生を抑制しつつ、液晶分子を垂直配向させることが可能となる。
【０１９１】
［実施例８〜１２及び比較例４］
（液晶配向剤の作製）
ビスアニリンフルオレン骨格及び光配向性官能基であるシンナメート基を有し、かつ、液晶分子を水平配向させるポリマー（ポリアミック酸）である、下記化学式（ＰＡ−１３）で表されるポリマー（ただし、ｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．２）をＮＭＰとγブチロラクトンの混合溶媒に溶解し、固形分濃度５ｗｔ％の液晶配向剤８Ａを調製した。更に、下記化学式（ＰＡ−１３）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）＝０．４、０．６、０．８及び１．０としたこと以外は、液晶配向剤８Ａと同様にして、液晶配向剤９Ａ、１０Ａ、１１Ａ及び１２Ａを調製した。また、下記化学式（ＰＡ−１３）におけるｍ／（ｍ＋ｎ）＝０としたこと以外は、液晶配向剤８Ａと同様にして、液晶配向剤４Ｒを調製した。
【０１９２】
下記化学式（ＰＡ−１３）で表されるポリマーの重量平均分子量は、いずれも、１０，０００以上、５０，０００以下であった。
【０１９３】
【化３３】
2019049661.tif 000038
【０１９４】
（液晶パネルの作製）
絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ポジ型レジスト用の感光剤であるＮＱＤを含むポジ型レジスト材料を調製した。スピンコートにより上記ポジ型レジスト材料を製膜した後、加熱により溶媒を除去し、その後無偏光紫外光を５Ｊ／ｃｍ２照射して層間絶縁膜（ポジ型レジスト）を形成した。更に、層間絶縁膜上に、ＩＴＯからなるＦＦＳモード用の画素電極、ＳｉＮからなる誘電体膜（第２絶縁膜、とも言う）及びＩＴＯからなる共通電極を順に積層し、第一基板を作製した。上記層間絶縁膜中には、絶縁性ポリマー（エポキシポリマー）、ノボラック樹脂、及び、ＮＱＤが含まれていた。また、絶縁基板上に、カラーフィルタ層、及び、アクリル系樹脂から成るオーバーコート層を形成し、第二基板を作製した。
【０１９５】
上記第一基板及び第二基板上に、上記液晶配向剤８Ａを塗布し、８０℃、２分の仮焼成、続いて２００℃、４０分の本焼成を行った後、偏光紫外光を基板に対して法線方向から１００ｍＪ／ｃｍ２照射した。次に第一基板にシールを塗布し、上記化学式（Ｍ１−３）で表される構造を有する化合物を０．３ｗｔ％含む正の誘電率異方性液晶材料（Ｔｎｉ  ８５℃、Δε＝７．５、Δｎ＝０．０９５）を滴下し、第二基板を貼り合せた。シール剤は、熱により硬化するものあるいは紫外光の照射により硬化するものあるいはその両方のシール剤を用いた。
【０１９６】
続いて、上記化学式（Ｍ１−３）で表される化合物を用いてポリマー層を形成するために、電圧無印加状態で紫外光Ｂ波（波長がおよそ３２０ｎｍ〜３８０ｎｍの紫外光。以下、ＵＶＢ、とも言う。）を２０分間照射した。最後に、液晶パネルの温度をＴｎｉ以上（１１０℃）にして３０分アニール処理を実施、再配向処理を行い、実施例８の液晶パネルを得た。液晶配向剤８Ａを、液晶配向剤９Ａ、１０Ａ、１１Ａ、１２Ａ及び４Ｒに変更したこと以外は、実施例８の液晶パネルと同様にして実施例９、１０、１１、１２及び比較例４の液晶パネルを得た。なお、上記液晶配向剤８Ａ〜１２Ａ及び４Ｒを塗布した後、２３０℃で本焼成を行うことにより、上記化学式（ＰＡ−１３）で表されるポリマー（ポリアミック酸）の一部はポリイミドとなった。すなわち、実施例８〜１２の液晶パネル及び比較例４の液晶パネルの配向膜は、それぞれ、上記化学式（ＰＡ−１３）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミド、及び、上記化学式（ＰＡＲ−１３）で表されるポリマーの一部がイミド化したポリイミドを含む。
【０１９７】
（高温バックライト曝露後衝撃試験）
得られた実施例８〜１２及び比較例４の液晶パネルについて、高温バックライト曝露後衝撃試験を行った。結果を表４に示す。
【０１９８】
【表４】
2019049661.tif 000039
【０１９９】
７０℃のオーブン中でバックライトを照射した後に、パチンコ玉の自由落下による衝撃試験を行った場合、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを配向膜に含まない比較例４の液晶パネルでは気泡が発生した。一方、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを含む実施例８〜１２の液晶パネルでは、気泡は発生しなかった。実施例８〜１２の液晶パネルでは、配向膜にビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドが含まれるため、ＵＶＢの照射によりＮＱＤから発生したＮ２ガスが配向膜を透過せず、衝撃後もＮ２ガスの液晶層への溶出はなかったと考えられる。
【０２００】
一方、比較例４の液晶パネルでは、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸及びビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドを配向膜に含まないため、ＵＶＢの照射によりＮＱＤから発生したＮ２ガスが配向膜を透過し、最後の衝撃によりＮ２ガスが液晶層へ溶出し、気泡が確認されたと考えられる。なお、実施例１２の液晶パネルでは気泡の発生は確認されなかったが、液晶分子を水平配向させるポリマーが配向膜に含まれなかったため、液晶分子は水平配向しなかった。実施例８〜１１のように、ビスアニリンフルオレン骨格を有し、かつ、液晶分子を水平配向させるポリマーを配向膜に導入することにより、液晶パネルにおける気泡の発生を抑制しつつ、液晶分子を水平光配向させることが可能となる。
【０２０１】
［付記］
本発明の一態様は、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリアミック酸、及び、ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリイミドの少なくとも一方を含む配向膜４０、５０であってもよい。上記ビスアニリンフルオレン骨格を有するポリマーで形成される膜は、ＣＯ２を透過させ、Ｎ２を透過させないという機能を有するため、このような態様とすることにより、層間絶縁膜１３内に発生する窒素ガスが配向膜４０、５０を透過して液晶層３０に溶出するのを抑制し、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２０２】
上記ポリアミック酸の上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリアミック酸におけるジアミンユニットに含まれ、上記ポリイミドの上記ビスアニリンフルオレン骨格は、上記ポリイミドにおけるジアミンユニットに含まれてもよい。このような態様とすることにより、上記ビスアニリンフルオレン骨格を、容易にポリアミック酸及びポリイミドに導入することができる。
【０２０３】
上記ビスアニリンフルオレン骨格は、下記化学式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）で表される少なくとも１つの構造を含んでもよい。このような態様とすることにより、液晶パネル内に発生した窒素ガスが配向膜４０、５０を透過して液晶層３０に溶出するのをより抑制することができる。
【０２０４】
【化３４】
2019049661.tif 000040
（上記式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−１１）中、Ｒは同一又は異なって、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基を表し、Ｑは同一又は異なって、水素原子、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子を表す。アルキル基が有する少なくとも一つの水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。）
【０２０５】
上記配向膜４０、５０は、更に、液晶分子を垂直配向させるポリマー（垂直配向ポリマー）、又は、液晶分子を水平配向させるポリマー（水平配向ポリマー）を含んでもよい。このような態様とすることにより、上記ポリアミック酸及び／又は上記ポリイミドと、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーと、を層分離させて、二層型の垂直配向膜又は二層型の水平配向膜を形成することができる。すなわち、上記ポリアミック酸及び／又は上記ポリイミドを含む下層と、上記垂直配向ポリマー又は上記水平配向ポリマーを含む上層と、を有する配向膜４０、５０を形成することができる。その結果、配向膜４０、５０の下層により、液晶パネル１内に発生した窒素ガスが液晶層３０に溶出するのを抑制することができ、かつ、配向膜４０、５０の上層により、液晶分子の配向方位を制御することが可能となる。
【０２０６】
上記配向膜４０、５０は、更に、光配向性官能基を有するポリマーを含んでもよい。このような態様とすることにより、ラビング処理用の配向膜４０、５０を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。また、このような態様とすることにより、非接触の配向処理が可能となり、ＴＦＴ等の素子を劣化させることなく、液晶の配向及び配向安定性を向上させることができる。
【０２０７】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含んでもよい。
【０２０８】
上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方は、液晶分子を垂直配向させるポリマー、又は、液晶分子を水平配向させるポリマーであってもよい。このような態様とすることにより、窒素ガスが液晶層３０に溶出するのを抑制する機能及び液晶分子の配向を制御する機能の両者を、上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方に付与することが可能となり、単層型の配向膜４０、５０を形成することができる。
【０２０９】
上記ポリアミック酸及び上記ポリイミドの少なくとも一方は、更に、光配向性官能基を有してもよい。このような態様とすることにより、ラビング処理用の配向膜４０、５０を用いた場合に生じるスジ状の表示ムラや静電気の発生等を避けることが可能となる。また、このような態様とすることにより、非接触の配向処理が可能となり、ＴＦＴ等の素子を劣化させることなく、液晶の配向及び配向安定性を向上させることができる。
【０２１０】
上記光配向性官能基は、シンナメート基、アゾベンゼン基、クマリン基、カルコン基及びシクロブタン基からなる群より選択される少なくとも一種の基を含んでもよい。
【０２１１】
本発明の他の一態様は、配向膜４０及び／又は５０と、第一基板１０と、第一基板１０に対向する第二基板２０と、第一基板１０及び第二基板２０の間に挟持された液晶層３０と、を備え、配向膜４０及び／又は５０は、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の液晶層３０側の表面に設けられる液晶パネル１であってもよい。このような態様とすることにより、層間絶縁膜１３内に発生する窒素ガスが配向膜４０、５０を透過して液晶層３０に溶出するのを抑制し、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１２】
第一基板１０及び第二基板２０のうち、配向膜４０、５０が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜１３を有してもよい。絶縁膜１３は、ポジ型レジストを用いて形成することができる。
【０２１３】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含んでもよい。このような態様とすることにより、特に効果的に、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１４】
液晶パネル１は、更に、ポリマー層６０、７０を有してもよい。このような態様とすることにより、特に効果的に、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１５】
本発明の他の一態様は、第一基板１０及び第二基板２０の少なくとも一方の表面に、配向膜４０、５０を形成する工程と、第一基板１０及び第二基板２０の間に、液晶材料を封止して液晶層３０を形成する工程と、を含む液晶パネルの製造方法であってもよい。このような態様とすることにより、層間絶縁膜１３内に発生する窒素ガスが配向膜４０、５０を透過して液晶層３０に溶出するのを抑制し、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１６】
第一基板１０及び第二基板２０のうち、配向膜４０、５０が設けられた少なくとも一方の基板は、ポジ型レジスト及びその光反応物の少なくとも一方を含む絶縁膜１３を有してもよい。絶縁膜１３は、ポジ型レジストを用いて形成することができる。
【０２１７】
上記ポジ型レジストは、ナフトキノンジアジド系化合物を含んでもよい。このような態様とすることにより、特に効果的に、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１８】
上記液晶パネルは、更に、ポリマー層６０、７０を形成する工程を有してもよい。このような態様とすることにより、特に効果的に、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【０２１９】
上記液晶材料は、重合性モノマーを含み、ポリマー層６０、７０を形成する工程において、液晶層３０に紫外光を照射し、上記重合性モノマーを重合してポリマーを形成し、上記ポリマーを相分離させることにより上記ポリマー層４０、５０を形成してもよい。このような態様とすることにより、特に効果的に、層間絶縁膜１３内に発生する窒素ガスが配向膜４０、５０を透過して液晶層３０に溶出するのを抑制し、液晶層３０における気泡の発生を抑えることができる。
【符号の説明】
【０２２０】
１：液晶パネル
１０：第一基板
１１、２１：絶縁基板
１２：ＴＦＴ層
１３：層間絶縁膜（絶縁膜）
１４：画素電極
１５：第２絶縁膜
２０：第二基板
２２：カラーフィルタ層
２３：ブラックマトリクス層
２４：共通電極
３０：液晶層
４０、５０：配向膜
６０、７０：ポリマー層
【図１】
2019049661.tif 000042
【図２】
2019049661.tif 000043