(57)【要約】【課題】基板の側面の位置を高い精度で計測するために有利な技術を提供する。【解決手段】基板の側面の位置を検出する検出装置は、光照射部および光検出部を含むセンサと、前記センサから出力される信号を処理するプロセッサと、を備え、前記光照射部は、前記基板の側面に光を照射し、前記光検出部は、前記側面からの光を検出し、前記プロセッサは、前記基板が存在する状態で前記光検出部から出力される第１信号と前記基板が存在しない状態で前記光検出部から出力される第２信号とに基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める。【選択図】図８
2019203991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の側面の位置を検出する検出装置であって、
光照射部および光検出部を含むセンサと、
前記センサから出力される信号を処理するプロセッサと、を備え、
前記光照射部は、前記基板の側面に光を照射し、前記光検出部は、前記側面からの光を検出し、
前記プロセッサは、前記基板が存在する状態で前記光検出部から出力される第１信号と前記基板が存在しない状態で前記光検出部から出力される第２信号とに基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める、
ことを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記基板は、前記基板を保持する基板保持部および前記基板保持部を駆動する駆動機構を含む基板位置決め機構によって位置決めされ、
前記センサは、前記基板保持部に取り付けられる、
ことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記基板が前記基板保持部によって保持されず前記基板保持部が信号取得位置に配置された状態で前記光検出部から出力される信号を前記第２信号として取得し、
前記プロセッサは、前記基板が前記基板保持部によって保持され前記基板保持部が前記信号取得位置またはその近傍の位置に配置された状態で前記光検出部から出力される信号を前記第１信号として取得し、前記第１信号と前記第２信号とに基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める、
ことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記基板が前記基板保持部によって保持されず前記基板保持部が信号取得位置に配置された状態で前記光検出部から出力される信号を前記第２信号として取得する動作を複数の信号取得位置について実行することによって、前記複数の信号取得位置にそれぞれ対応する複数の第２信号を取得し、
前記プロセッサは、前記基板が前記基板保持部によって保持され前記基板保持部が検出位置に配置された状態で前記光検出部から出力される信号を前記第１信号として取得し、前記第１信号と、前記複数の第２信号のうち前記検出位置またはその近傍の位置に対応する第２信号に基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める、
ことを特徴とする請求項２に記載の検出装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記第１信号の波形から前記第２信号の波形によって特定される成分を除去して得られる信号に基づいて前記基板の前記側面の位置を求める、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記第２信号は、前記基板とは異なる物体からの光によって発生する信号である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
基板の側面の位置を検出する検出装置であって、
光照射部および光検出部を含むセンサと、
前記センサから出力される信号を処理するプロセッサと、を備え、
前記光照射部は、前記基板の側面に光を照射し、前記光検出部は、前記側面からの光を検出し、
前記プロセッサは、前記光検出部から出力される信号の波形と予め登録された基準波形とに基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める、
ことを特徴とする検出装置。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記光検出部から出力される信号の波形のうち前記基準波形との相関性が基準値より高い部分に基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める処理を行う、
ことを特徴とする請求項７に記載の検出装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記光検出部から出力される信号の波形のうち前記基準波形との相関性が前記基準値より低い部分を前記処理の対象から除外する、
ことを特徴とする請求項８に記載の検出装置。
【請求項１０】
基板の上にパターンを転写するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持する基板保持部および前記基板保持部を駆動する駆動機構を含む基板位置決め機構と、
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検出装置と、を備え、
前記検出装置の前記センサが前記基板保持部に取り付けられている、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のリソグラフィ装置によって基板の上にパターンを転写する工程と、
前記パターンが転写された前記基板に対する処理を行う工程と、を含み、
前記処理がなされた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置、リソグラフィ装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の上にパターンを転写する露光装置およびインプリント装置等のリソグラフィ装置において、基板の側面（エッジ）の位置が検出されうる。基板の側面の位置は、例えば、基板をプリアライメントするために使用されうる。プリアライメントは、例えば、基板に設けられたマークがアライメントスコープの視野内に入るように基板の位置情報を取得すること、あるいは、その位置情報に基づいてマークがアライメントスコープの視野内に入るように基板を駆動する動作である。特許文献１には、基板の側面に光を入射させる照明部と、基板の側面の下方に配置された検出部とを備え、検出部による検出結果に基づいて基板の側面の位置を求める処理部とを有するリソグラフィ装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１１６８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板あるいはそれを保持するチャックの上には、種々の構造体が存在しうる。あるいは、基板を保持したチャックは、種々の構造物の下に位置決めされうる。基板の上に構造体が位置すると、基板の側面に光を入射させる際に構造体にも光が入射し、構造体からの反射光が検出部に入射しうる。その場合、基板の側面を正しく検出することができない可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、基板の側面の位置を高い精度で計測するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板の側面の位置を検出する検出装置に係り、前記検出装置は、光照射部および光検出部を含むセンサと、前記センサから出力される信号を処理するプロセッサと、を備え、前記光照射部は、前記基板の側面に光を照射し、前記光検出部は、前記側面からの光を検出し、前記プロセッサは、前記基板が存在する状態で前記光検出部から出力される第１信号と前記基板が存在しない状態で前記光検出部から出力される第２信号とに基づいて、前記基板の前記側面の位置を求める。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板の側面の位置を高い精度で計測するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態のリソグラフィ装置の構成を示す図。
【図２】センサの配置例を示す図。
【図３】センサの構成例を示す図。
【図４】構造物が基板の側面の位置の検出に影響を及しうることを説明するための図。
【図５】予備処理を説明するための図。
【図６】センサ（光検出部）から出力される信号を例示する図。
【図７】第１実施形態の準備処理の流れを示す図。
【図８】第１実施形態の基板処理の流れを示す図。
【図９】第２実施形態の準備処理の流れ（ａ）および第２実施形態の基板処理の流れ（ｂ）を示す図。
【図１０】波形を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１０】
図１には、本発明の第１実施形態のリソグラフィ装置１００の構成が模式的に示されている。リソグラフィ装置１００は、基板５の上に原版１のパターンを転写するように構成されうる。パターンの転写は、リソグラフィ装置１００が投影露光装置として構成される場合、基板５の上に塗布あるいは配置された感光材に原版１のパターンを投影し該感光材に潜像を形成する形式でなされうる。このような潜像は、現像装置によって現像されることによって物理的なパターン（レジストパターン）に変換されうる。あるいは、パターンの転写は、リソグラフィ装置１００がインプリント装置として構成される場合、インプリントによってなされる。インプリントは、基板５の上に配置されたイプリント材に原版のパターン部を接触させた状態で該インプリント材を硬化させ、その後、該インプリント材の硬化物とパターン部とを分離する処理でありうる。リソグラフィ装置１００は、基板５の側面の位置を検出する検出装置５０（検出機器）を備えうる。検出装置５０は、リソグラフィ装置１００に組み込まれることなく使用されてもよいし、他の装置（例えば、基板を搬送する装置）に組み込まれて使用されてもよい。
【００１１】
以下では、リソグラフィ装置１００が投影露光装置として構成された例を説明する。ここでは、水平面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系によって方向を定義する。基板５は、その表面がＸＹ平面と平行な姿勢で保持されうる。リソグラフィ装置１００は、照明系３、原版位置決め機構２、投影光学系４、基板位置決め機構３０、計測器９、検出装置５０および制御部９０を備えうる。照明系３は、原版１を露光光で照明する。原版位置決め機構２は、原版１を保持し位置決めする。投影光学系４は、原版１のパターンを基板５の上に投影する。投影光学系４は、支持部材１３によって支持されうる。基板位置決め機構３０の基板保持部３１によって保持される基板５が対面しうる位置には、構造物１２が配置されうる。構造物１２は、支持部材１３によって支持されうる。構造物１２は、例えば、計測器、該計測器を保持するための部材、投影光学系４の光学特性を補正する補正機構、の少なくとも１つを含みうる。
【００１２】
基板位置決め機構３０は、基板５を保持する基板保持部３１と、基板保持部３１を駆動あるいは位置決めすることによって基板５を駆動あるいは位置決めする駆動機構３２とを含みうる。基板保持部３１は、基板チャック６と、基板チャック６を保持するステージ７とを含みうる。駆動機構３２は、図１では簡略化して示されているが、基板保持部３１をガイドするガイド機構と、基板保持部３１を駆動するアクチュエータとを含みうる。基板位置決め機構３０は、例えば、基板５をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転の６軸に関して位置決めしうる。基板保持部３１の位置は、計測器９によって計測されうる。計測器９は、例えば、レーザ干渉計であり、基板保持部３１に設けられたミラー８を使って基板保持部31の位置を計測しうる。制御部９０は、照明系３、原版位置決め機構２、投影光学系４、基板位置決め機構３０、計測器９および検出装置５０を制御する。制御部９０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
【００１３】
検出装置５０は、１又は複数のセンサ１０と、プロセッサ４０とを含みうる。プロセッサ４０は、１又は複数のセンサ１０から出力される信号を処理する。この例では、プロセッサ４０は、制御部９０の一部として構成され、制御部９０の主制御部（不図示）が必要に応じてプロセッサ４０を動作させるものとして説明する。しかしながら、プロセッサ４０は、制御部９０とは別体として構成されてもよい。また、プロセッサ４０は、個々のセンサ１０に対して設けられてもよいし、全てのセンサ１０に対して共通に設けられてもよい。また、プロセッサ４０の機能の一部が制御部９０に組み込まれ、他の一部が制御部９０の別体として構成されてもよい。
【００１４】
１又は複数のセンサ１０は、例えば、基板保持部３１に取り付けられうる。図２には、３個のセンサ１０が基板保持部３１に取り付けられた例が示されている。プロセッサ４０は、１又は複数のセンサ１０から出力される信号を処理することによって基板５の側面（エッジ）における１又は複数の箇所の位置を検出しうる。プロセッサ４０は、複数のセンサ１０から出力される信号を処理することによって、基板保持部３１に対する基板５の配置誤差（相対位置および相対姿勢）を検出しうる。配置誤差は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、および、Ｚ軸周りの回転に関する誤差を含みうる。
【００１５】
図３には、センサ１０の構成が例示されている。センサ１０は、光照射部ＬＩおよび光検出部ＤＥＴを含みうる。光照射部ＬＩは、基板５の側面５ｓに光２４を照射し、光検出部ＤＥＴは、基板５の側面５ｓからの光１９を検出する。プロセッサ４０は、基板５が存在する状態で光検出部ＤＥＴから出力される第１信号と基板５が存在しない状態で光検出部ＤＥＴから出力される第２信号とに基づいて基板５の側面５ｓの位置を検出しうる。つまり、プロセッサ４０あるいは検出装置５０は、第１信号と第２信号とに基づいて基板５の側面５ｓの位置を検出する。
【００１６】
光照射部ＬＩは、例えば、光源１１および光学系１４を含みうる。光学系１４は、例えば、ミラーを含みうる。一例において、光源１１は、５００ｎｍ以上かつ１２００ｎｍ以下の波長範囲の光２４を発生しうる。光源１１から射出された光２４は、光学系１４を介して基板５の側面５ｓに照射される。基板５の側面５ｓに入射する光２４の方向は、典型的には、基板５の表面（上面）と平行であるが、平行でなくてもよい。光２４は、基板５の側面５ｓで反射され、反射光（散乱光を含みうる）を発生する。反射光の一部である光１９は、光検出部ＤＥＴに入射する。光検出部ＤＥＴは、光学系１５および光電変換部１７を含みうる。光学系１５は、例えば、１又は複数のレンズを含みうる。光電変換部１７は、例えば、２次元イメージセンサまたは１次元イメージセンサ（ラインセンサ）を含みうる。１次元イメージセンサが採用される場合、画素の配列方向は、基板５が理想状態で配置された場合における基板５の側面５ｓに直交する方向であることが望ましい。光電変換部１７は、その撮像面に形成される光強度分布（像）を電気信号として検出し、プロセッサ４０に送信する。電気信号の波形は、光電変換部１７の撮像面に形成される光強度分布を表し、基板Ｓの側面５ｓの位置を示す情報を含んでいる。
【００１７】
図４に例示されるように、光照射部ＬＩからの光２４が基板５とは異なる物体、例えば、構造物１２で反射され、構造物１２からの光２０が光検出部ＤＥＴに入射しうる。このような場合において、基板５の側面５ｓからの光１９と構造物１２からの光２０とを区別することができなければ、基板５の側面５ｓの位置を誤検出しうる。基板保持部３１（基板５）と構造物１２との相対位置は、駆動機構３２が基板保持部３１（基板５）を駆動することによって変化する。基板保持部３１（基板５）が特定位置に配置されるケースにおいて、構造物１２からの光２０が光検出部ＤＥＴに入射しうる。ただし、極端なケースにおいては、基板保持部３１（基板５）がその可動域内のいずれの位置に配置されている場合においも、構造物１２からの光２０が光検出部ＤＥＴに入射するかもしれない。
【００１８】
このような問題の対策として、光照射部ＬＩが発生する光２４の断面寸法を小さくする（即ち、光束の幅を小さくする）ことが考えられる。しかし、このような対策には限界がある。例えば、処理すべき基板５の厚さは一定ではないことが多い（例えば０．３〜１．０ｍｍ）。また、基板５は反りを有しうる。また、基板５の表面と構造物１２とを近接して配置することが要求されうる。また、基板チャック６上に基板５を配置するときの配置誤差を許容するために光学系１４と基板チャック６との間に相応のスペース（例えば１０ｍｍ）が設けられうる。以上のような理由により、光束の幅を小さくすることでは、上記の問題を解決することが難しい。
【００１９】
そこで、本実施形態では、前述のように、プロセッサ４０は、基板５が存在する状態で光検出部ＤＥＴから出力される第１信号と基板５が存在しない状態で光検出部ＤＥＴから出力される第２信号に基づいて基板５の側面５ｓの位置を求める。図４には、基板５が存在する状態でセンサ１０によって検出動作を行い、光検出部ＤＥＴで第１信号を検出する様子が模式的に示されている。図５には、基板５が存在しない状態でセンサ１０によって検出動作を行い、光検出部ＤＥＴで第２信号を検出する様子が模式的に示されている。
【００２０】
図６（ａ）には、基板５が存在する状態で基板５とは異なる物体からの光が光検出部ＤＥＴに入射しない場合に光検出部ＤＥＴで検出される信号（光検出部ＤＥＴからの出力信号）が例示されている。図６（ａ）に示される信号の波形は、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａを含む。図６（ｂ）には、基板５が存在する状態で基板５および構造物１２からの光が光検出部ＤＥＴに入射する場合に光検出部ＤＥＴによって検出される信号（光検出部ＤＥＴからの出力信号）（第１信号）が例示されている。図６（ｂ）に示される信号の波形は、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａの他に、構造物１２から光による偽の情報Ｂを含む。図６（ｃ）には、基板５が存在しない状態で構造物１２からの光が光検出部ＤＥＴに入射する場合に光検出部ＤＥＴによって検出される信号（光検出部ＤＥＴからの出力信号）（第２信号）が例示されている。図６（ｃ）に示される信号の波形は、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａを含まず、構造物１２から光による偽の情報Ｂを含む。ここで、図６（ｂ）および図６（ｃ）は、基板保持部３１（基板５）が同じ位置に配置された状態で光検出部ＤＥＴによって検出される信号が示されている。つまり、図６（ｂ）と図６（ｃ）とでは、基板５の有無のみが異なる。
【００２１】
図６（ｂ）および図６（ｃ）から分かるように、プロセッサ４０は、図６（ｂ）に示された第１信号と図６（ｃ）に示された第２信号とに基づいて、構造物１２からの光によって騙されることなく、基板５の側面５ｓの位置を求めることができる。具体的には、例えば、プロセッサ４０は、図６（ｂ）に示された第１信号から図６（ｃ）に示された第２信号を減じることによって、構造物１２からの光の影響である情報Ｂを除去あるいは低減する。そして、プロセッサ４０は、第１信号から第２信号を減じて得られた信号に基づいて、基板５の側面５ｓからの光による情報Ａから基板５の側面５ｓの位置を求めることができる。第２信号は、第１信号を補正するための補正信号として理解されてもよい。
【００２２】
以下、図７を参照しながら第２信号（補正信号）を取得する予備処理について説明する。予備処理は、制御部９０によって制御される。予備処理は、図５に例示されるように、基板保持部３１の上に基板５が配置されない状態で実施される。工程Ｓ６０１では、制御部９０は、基板保持部３１が複数の信号取得位置から選択される１つの信号取得位置に位置決めされるように駆動機構３２を制御する。工程Ｓ６０２では、制御部９０のプロセッサ４０は、検出装置５０に検出動作を実行させて第２信号（補正信号）を取得する。この検出動作において、検出装置５０では、光照射部ＬＩに光を射出させ、光検出部ＤＥＴに光を検出させる。この際に、基板５が基板保持部３１の上に配置されていないので、基板５からの光は光検出部ＤＥＴに入射しない。一方、検出装置５０のセンサ１０の近傍に構造物１２が存在する場合には、光照射部ＬＩから射出され構造物１２で反射した光が光検出部ＤＥＴに入射しうる。この検出動作においてセンサ１０（光検出部ＤＥＴ）によって検出される信号は、第２信号（補正信号）である。制御部９０のプロセッサ４０は、センサ１０から提供された第２信号（補正信号）を工程Ｓ６０１で基板保持部３１を位置決めした位置と対応付けてメモリ９１に保存する。
【００２３】
工程Ｓ６０３では、制御部９０のプロセッサ４０は、前述の複数の信号取得位置の全てについて工程Ｓ６０１、Ｓ６０２を実施したかどうかを判断し、未実施の信号取得位置が残っている場合には、その信号所得位置について工程Ｓ６０１、Ｓ６０２を実施する。複数の信号取得位置の全てについて工程Ｓ６０１、Ｓ６０２を実施した場合には、制御部９０は、予備処理を終了する。
【００２４】
以上のように、プロセッサ４０は、基板５が基板保持部３１によって保持されず基板保持部３１が信号取得位置に配置された状態で光検出部ＤＥＴから出力される信号を第２信号として取得する動作を複数の信号取得位置について実行する。これにより、プロセッサ４０は、複数の信号取得位置にそれぞれ対応する複数の第２信号を取得する。
【００２５】
以下、図８を参照しながら基板５にパターンを転写する基板処理について説明する。基板処理は、制御部９０によって制御される。基板処理は、検出装置５０を使って基板５の側面Ｓの位置（基板５の配置誤差）を検出する検出処理を含む。工程Ｓ７０１では、制御部９０は、基板５が基板保持部３１の上に配置（ロード）されるように不図示の搬送機構を制御する。基板保持部３１の上への基板５の配置（ロード）は、制御部９０が搬送機構に対して基板５の搬送を許可することによってなされてもよい。
【００２６】
工程Ｓ７０２では、制御部９０は、基板処理を制御するための制御情報（レシピファイル）によって指定される検出位置に、基板５を保持した基板保持部３１が位置決めされるように駆動機構３２を制御する。工程Ｓ７０３では、制御部９０のプロセッサ４０は、検出装置５０に検出動作を実行させて第１信号を取得する。この検出動作において、検出装置５０では、光照射部ＬＩに光を射出させ、光検出部ＤＥＴに光を検出させる。この際に、基板５が基板保持部３１の上に配置されているので、基板５からの光が光検出部ＤＥＴに入射する。また、検出装置５０のセンサ１０の近傍に構造物１２が存在する場合には、光照射部ＬＩから射出され構造物１２で反射した光も光検出部ＤＥＴに入射しうる。
【００２７】
工程Ｓ７０４では、制御部９０のプロセッサ４０は、準備処理において検出位置と同一位置または検出位置の近傍の位置において取得された第２信号をメモリ９１からロードする。検出位置の近傍の位置は、例えば、準備処理における複数の信号取得位置のうち検出位置に最も近い信号取得位置でありうる。工程Ｓ７０５では、制御部９０のプロセッサ４０は、工程Ｓ７０３で取得した第１信号から工程Ｓ７０４でロードした第２信号を減じることによって、構造物１２からの光の影響である情報Ｂを除去あるいは低減する。そして、プロセッサ４０は、第１信号から第２信号を減じて得られた信号に基づいて、基板５の側面５ｓからの光による情報Ａから基板５の側面５ｓの位置を求める。この処理は、図６（ｂ）に示された第１信号から図６（ｃ）に示された第２信号を減じることによって、構造物１２からの光の影響である情報Ｂを除去あるいは低減し、基板５の側面５ｓからの光による情報Ａから基板５の側面５ｓの位置を求める処理に相当する。換言すると、プロセッサ４０は、第１信号の波形から第２信号の波形によって特定される成分を除去して得られる信号に基づいて基板５の側面５ｓの位置を求めるように構成されうる。
【００２８】
ここで、第１信号および第２信号には、通常はノイズ成分が含まれうる。そこで、このノイズ成分による誤検出を防止することが望ましい。誤検出を防止する方法としては、例えば、第２信号に所定の倍数（１より大きい正の値）を乗じた値を第１信号から減算する方法がある。これは、図６（ｃ）に示された第２信号における情報Ｂの部分の波形を実際よりも大きくした信号を、図６（ｂ）に示された第１信号から減じることに相当する。この場合において、減算結果における負の値を示す部分については、無視（即ち、基板５の側面５Ｓの検出対象から除外）すればよい。
【００２９】
工程Ｓ７０２において基板保持部３１を位置決めし工程Ｓ７０３において第１信号を取得する検出位置と工程Ｓ７０４でロードする第２信号を取得する信号取得位置とにずれが存在する場合には、第２信号を修正して使用してもよい。具体的には、当該ずれの分だけ図６（ｃ）に示された第２信号における情報Ｂの部分の波形をシフトさせて得られる信号を、図６（ｂ）に示された第１信号から減じればよい。図２に例示されるように複数のセンサ１０が設けられている場合には、制御部９０は、複数のセンサ１０から出力される信号に基づいて基板５の配置誤差を検出することができる。あるいは、制御部９０は、検出位置を複数の信号取得位置のいずれかに限定してもよい。
【００３０】
工程Ｓ７０６では、制御部９０は、工程Ｓ７０５で検出した基板５の配置誤差に基づいて駆動機構３２を制御することによって、基板５のマークが不図示のアライメントスコープの視野に入るように基板５を位置決めさせる。そして、制御部９０は、該アライメントスコープを使って基板５の当該マークの位置を検出する。基板５は、複数のマークを有し、該複数のマークの位置が検出されうる。工程Ｓ７０７では、制御部９０は、工程Ｓ７０６における検出結果に基づいて駆動機構３２による基板５の位置決めを制御しながら基板５の上へのパターンの転写を制御する。工程Ｓ７０８では、制御部９０は、基板５が基板保持部３１からの除去（アンロード）されるように不図示の搬送機構を制御する。基板保持部３１からの基板５の除去（アンロード）は、制御部９０が搬送機構に対して基板５の搬送を許可することによってなされてもよい。
【００３１】
検出位置が固定的に定められている場合には、図７に示された準備処理は、その検出位置についてのみ実施されうる。あるいは、検出位置が固定的に定められている場合には、図７に示された基板処理において、基板保持部３１を検出位置に位置決めした状態で、基板がロードされる前に、その検出位置について準備処理が行われてもよい。
【００３２】
以下、本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第２実施形態では、プロセッサ４０は、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形と予め登録された基準波形とに基づいて、基板５の側面５ｓの位置を検出する。より具体的には、プロセッサ４０は、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち基準波形との相関性が基準値より高い部分に基づいて、基板５の側面５ｓの位置を求める処理を行うように構成されうる。また、プロセッサ４０は、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち該基準波形との相関性が該基準値より低い部分を該処理の対象から除外するように構成されうる。
【００３３】
反射率が低い材料（例えば、ガラス）で基板５が構成され、構造物１２が基板５よりも高い反射率を有する場合がある。この場合、前述の偽の情報Ｂの波形（例えば、波形の面積、最大値）は、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａの波形よりも大きくなりうる。また、同一ジョブまたは同一プロセスで使われる基板５は、通常は厚さや面取り量が同一であるので、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａの波形は、複数の基板５において相関性が高い。第２実施形態は、このような特性を考慮したものである。
【００３４】
検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形と基準波形との相関性は、相関関数に基づいて評価されうる。相関関数は、例えば、光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形を示す信号値群と基準波形の信号値群との内積を演算する関数でありうる。あるいは、より単純に、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形と基準波形との相関性は、両者のピークおよび半値幅の少なくとも一方を評価項目（パラメータ）として比較することによってなされてもよい。相関性の評価方法あるいは評価に用いるパラメータについては、ジョブまたはプロセスごとに設定可能にされてもよい。
【００３５】
以下、図９（ａ）を参照しながら基準波形を取得する予備処理について説明する。予備処理は、制御部９０によって制御される。予備処理は、後述の基板処理の実行対象のジョブまたはプロセスで使用される基板５と仕様が同一の基板５が基板保持部３１の上に配置された状態で実施されうる。工程Ｓ９０１では、制御部９０は、基板保持部３１が信号取得位置に位置決めされるように駆動機構３２を制御する。信号取得位置は、基板５以外の物体からの光が光検出部ＤＥＴに入射しない位置であることが好ましい。工程Ｓ９０２では、制御部９０のプロセッサ４０は、検出装置５０に検出動作を実行させて第２信号（補正信号）を取得してメモリ９１に登録（保存）する。図１０（ａ）には、工程Ｓ９０２で取得される基準波形Ｒが例示されている。
【００３６】
以下、図９（ｂ）を参照しながら基板５にパターンを転写する基板処理について説明する。基板処理は、制御部９０によって制御される。基板処理は、検出装置５０を使って基板５の側面Ｓの位置（基板５の配置誤差）を検出する処理を含む。工程Ｓ１００１では、制御部９０は、基板５が基板保持部３１の上に配置（ロード）されるように不図示の搬送機構を制御する。基板保持部３１の上への基板５の配置（ロード）は、制御部９０が搬送機構に対して基板５の搬送を許可することによってなされてもよい。
【００３７】
工程Ｓ１００２では、制御部９０のプロセッサ４０は、基板処理を制御するための制御情報（レシピファイル）によって指定される検出位置に、基板５を保持した基板保持部３１が位置決めされるように駆動機構３２を制御する。工程Ｓ１００３では、制御部９０のプロセッサ４０は、センサ１０に検出動作を実行させて信号を取得する。この検出動作において、センサ１０では、光照射部ＬＩに光を射出させ、光検出部ＤＥＴに光を検出させる。この際に、基板５が基板保持部３１の上に配置されているので、基板５からの光が光検出部ＤＥＴに入射する。また、検出装置５０のセンサ１０の近傍に構造物１２が存在する場合には、光照射部ＬＩから射出され構造物１２で反射した光も光検出部ＤＥＴに入射しうる。図１０（ｂ）には、工程Ｓ１００２において検出装置５０によって取得されうる信号の波形が例示されている。
【００３８】
工程Ｓ１００４は、制御部９０のプロセッサ４０は、工程Ｓ１００２で取得した信号の波形と図９（ａ）に示される準備処理で予め登録された基準波形Ｒとに基づいて、基板５の側面５ｓの位置を検出する。より具体的には、プロセッサ４０は、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち基準波形Ｒとの相関性が基準値より高い部分に基づいて、基板５の側面５ｓの位置を求める処理を行うように構成されうる。また、プロセッサ４０は、検出処理において光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち該基準波形との相関性が該基準値より低い部分を検出処理の対象から除外するように構成されうる。図１０（ｂ）の例では、基板５の側面５ｓの位置を示す情報Ａの部分の波形は、基準波形Ｒとの間の相関性が基準値よりも高い部分である。そこで、プロセッサ４０は、光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち基準波形Ｒとの相関性が基準値より高い情報Ａの部分に基づいて基板５の側面５ｓの位置を求める処理を行いうる。また、図１０（ｂ）の例では、構造物１２から光による偽の情報Ｂの部分の波形は、基準波形Ｒとの間の相関性が基準値よりも低い部分である。よって、光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち基準波形Ｒとの相関性が該基準値より低い部分を検出処理の対象から除外するように構成されうる。図１０（ｃ）には、光検出部ＤＥＴから出力される信号の波形のうち基準波形Ｒとの相関性が該基準値より低い部分を検出処理の対象から除外した波形が例示されている。
【００３９】
工程Ｓ１００５、Ｓ１００６、Ｓ１００７は、図７における工程Ｓ７０６、Ｓ７０７、Ｓ７０８と同様である。
【００４０】
以下、第１又は第２実施形態のリソグラフィ装置１００に代表されるパターン形成装置を用いて物品を製造する物品製造方法を説明する。物品製造方法は、例えば、リソグラフィ装置１００によって基板の上にパターンを転写する工程と、該パターンが転写された該基板に対する処理を行う工程とを含み、該処理がなされた該基板から物品を製造する。該処理は、例えば、該パターンが潜像である場合には、該パターンを現像して物理的なパターンを形成する処理、該物理的なパターンを用いて、その下地を処理（例えば、エッチングする処理、イオンを注入する処理）を含みうる。該処理は、例えば、該パターンがインプリント材の硬化物からなるパターンである場合には、該パターンを用いて、その下地を処理（例えば、エッチングする処理、イオンを注入する処理）を含みうる。物品は、例えば、液晶表示デバイス等の表示デバイス、フラッシュメモリやＤＲＡＭ等のメモリデバイス、撮像デバイス、信号処理デバイス、ＭＥＭＳ等のいずれかでありうる。
【符号の説明】
【００４１】
１００：リソグラフィ装置、１：原版、５、基板、１０：センサ、４０：プロセッサ、ＬＩ：光照射部、ＤＥＴ：光検出部、１２：構造物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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