(57)【要約】【課題】スパッタ粒子の回り込みによるスプラッシュ欠陥の発生を抑制するともに被処理体の面内温度分布の偏りを抑制する構成を含む成膜装置を提供する。【解決手段】本発明は、基板１００の一主面側に絶縁層と導電層が順に重ねて配された基体１００を用い、前記基体上に誘電体膜を形成する成膜装置である。真空槽内において、支持体１０１に載置された前記基体に対して、前記基体の外周端から所定距離までの領域を覆うように配置された防着板（第二の防着板）１０４を備える。前記基体を載置する前記支持体と前記基体との間にキャパシタ調整機構１０５を備えた。【選択図】図３
2019151879.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面側に絶縁層と導電層が順に重ねて配された基体を用い、前記基体上に誘電体膜を形成する成膜装置であって、
真空槽内において、支持体に載置された前記基体に対して、前記基体の外周端から所定距離までの領域を覆うように配置された防着板を備えると共に、
前記基体を載置する前記支持体と前記基体との間にキャパシタ調整機構を備えた、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記キャパシタ調整機構が、絶縁体である、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記絶縁体は、酸化イットリウムから構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３  ：ＰＺＴ）等の強誘電体を用いた圧電素子は、インクジェットヘッドや加速度センサ等のＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術に応用されている。中でも、ＰＺＴ膜は注目されており、各機関において盛んに研究されている。
【０００３】
従来、チタン酸ジルコン酸鉛等からなる強誘電体膜を形成する製造装置として、基板の一主面側に、第一導電層と、誘電体層と、第二導電層とが順に重ねて配された多層膜の製造装置であって、第一導電層を形成する成膜室αは、成膜室αの内部空間に、第一導電層の膜面形状を規制する第一開口部を有する第一部材を備え、誘電体層を形成する成膜室βは、成膜室βの内部空間に、誘電体層の膜面形状を規制する第二開口部を有する第二部材を備え、第二導電層を形成する成膜室γは、成膜室γの内部空間に、第二導電層の膜面形状を規制する第三開口部を有する第三部材を備えており、基板に第一導電層を形成した際に、基板の側端部より第一導電層の側端部が基板の内側に位置するように、第一開口部が配置されており、第一導電層の上に誘電体層を形成した際に、第一導電層の表面のうち外周端部領域に露呈部が生じるとともに、誘電体層の上に第二導電層を形成した際に、第二導電層が誘電体層とともに第一導電層の外周端部領域の露呈部も覆うように、第二開口部が、第一開口部および第三開口部に比べて小さい多層膜の製造装置が知られている（特許文献１）。
【０００４】
このような多層膜の製造装置を用いた多層膜の成膜において、ターゲットが絶縁体である場合には、スパッタ粒子の回り込みによる絶縁体の化合物薄膜が堆積進行して膜表面がチャージアップし、スプラッシュ欠陥となることがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１５／１９４４５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、スパッタ粒子の回り込みによるスプラッシュ欠陥の発生を抑制するともに被処理体の面内温度分布の偏りを抑制する構成を含む成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の成膜装置は、基板の一主面側に絶縁層と導電層が順に重ねて配された基体を用い、前記基体上に誘電体膜を形成する成膜装置であって、真空槽内において、支持体に載置された前記基体に対して、前記基体の外周端から所定距離までの領域を覆うように配置された防着板を備えると共に、前記基体を載置する前記支持体と前記基体との間にキャパシタ調整機構を備えたことを特徴とする。
【０００８】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の成膜装置において、前記キャパシタ調整機構が絶縁体であることを特徴とする。
【０００９】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の成膜装置において、前記絶縁体は酸化イットリウムから構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、スパッタ粒子の回り込みによるスプラッシュ欠陥の発生を抑制すると共に不均一な加熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る成膜装置の内部構成の全体を概略的に示す断面模式図。
【図２】図１における付近Ａを示す要部断面模式図。
【図３】成膜装置の第二の防着板の構成を示す部分断面模式図。
【図４】キャパシタ調整機構の作用を説明する説明図。
【図５】多層膜の一構成例を示す断面模式図。
【図６】比較例１に係る成膜装置の第一の支持部と第二の防着板を示す部分断面模式図。
【図７】比較例２に係る成膜装置の第一の支持部と第二の防着板を示す部分断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に図面を参照しながら、以下に実施形態及び実施例を挙げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態及び実施例に限定されるものではない。
また、以下の図面を使用した説明において、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきであり、理解の容易のために説明に必要な部材以外の図示は適宜省略されている。
【００１３】
（１）成膜装置の全体構成及び動作 
図１は成膜装置１０の内部構成の全体を概略的に示す断面模式図、図２は図１における付近Ａを示す要部断面模式図である。
成膜装置１０は、真空槽１１と、ターゲット２１と、第一の支持部１０１（Ｓ１）と、温度制御部１０６、１０７（Ｈ１、Ｈ２）と、スパッタ電源１３と、スパッタガス導入部１４と、第１の防着板３５と、第２の防着板１０４と、キャパシタ調整機構１０５とを備えている。
【００１４】
真空槽１１の内部には、基体の一例としての処理基板１００（Ｗ）の表面に成膜しようする膜の組成に応じて所定形状に作製されたターゲット２１が配置されている。
第一の支持部１０１（Ｓ１）は、ターゲット２１と対面する位置に配置され、キャパシタ調整機構１０５を介して処理基板１００（Ｗ）が載置される。
また、第一の支持部１０１（Ｓ１）には処理基板１００（Ｗ）を静電吸着する手段が内在されている（不図示）。第一の支持部１０１（Ｓ１）の表面１０１ａ（図２においては上面）に処理基板１００（Ｗ）を載置し静電吸着させることにより、処理基板１００（Ｗ）の裏面はキャパシタ調整機構１０５を介して第一の支持部１０１（Ｓ１）の表面に密着し、処理基板１００（Ｗ）は第一の支持部１０１（Ｓ１）と熱的に接続される。
【００１５】
処理基板１００（Ｗ）が載置される第一の支持部１０１（Ｓ１）は、その外周域の底面が第二の支持部１０２（Ｓ２）によって保持され、第二の支持部１０１（Ｓ２）は支柱１０３を介して真空槽１１の底面に固定されている。
第一の支持部１０１（Ｓ１）の外周は処理基板（Ｗ）の外周とほぼ同じ大きさで、第一の支持部１０１（Ｓ１）の表面１０１ａはターゲット２１の表面と対向するように配されている。これにより、第一の支持部１０１（Ｓ１）に載置された処理基板１００（Ｗ）の被成膜面１００ａも、ターゲット２１の表面２１ａと対向配置される。
【００１６】
第一の支持部１０１（Ｓ１）は、外周域の底面１０１ｂが第２の支持部１０２（Ｓ２）によって保持され、第一の支持部１０１（Ｓ１）の裏面１０１ｃ（図２においては下面）は、離間して配置された温度制御部１０６、１０７（Ｈ１、Ｈ２）と対向している。
【００１７】
温度制御部１０６、１０７（Ｈ１、Ｈ２）は、第一の支持部１０１（Ｓ１）に載置された処理基板１００（Ｗ）を加熱／冷却して基体温度を調整する。スパッタ電源１３は、ターゲット２１に電圧を印加する。スパッタガス導入部１４は、真空槽１１内にスパッタガスを導入する。
第一の防着板３５および第二の防着板１０４は、真空槽１１内で、ターゲット２１から放出された粒子が付着する位置に配置されている。
【００１８】
真空槽１１の上部壁面には、カソード電極２２が絶縁部材２８を介して配置されており、カソード電極２２と真空槽１１とは電気的に絶縁され、真空槽１１は接地電位とされている。カソード電極２２の一面側は局部的に真空槽１１内に露出されている。ターゲット２１はカソード電極２２の一面側のうち露出された領域の中央部に密着して固定され、ターゲット２１とカソード電極２２とは電気的に接続されている。
【００１９】
スパッタ電源１３は真空槽１１の外側に配置されている。スパッタ電源１３は、カソード電極２２と電気的に接続され、カソード電極２２を介してターゲット２１に交流電圧を印加可能となっている。
カソード電極２２のターゲット２１とは反対側、すなわちカソード電極２２の他面側には磁石装置２９が配置されている。磁石装置２９はターゲット２１の表面に磁力線を形成するように構成されている。
【００２０】
温度制御部１０６、１０７（Ｈ１、Ｈ２）は、内蔵された発熱部材（不図示）と加熱用電源１７とを有している。
発熱部材としては例えばＳｉＣが用いられる。発熱部材は、第一の支持部１０１（Ｓ１）を挟んで処理基板１００（Ｗ）とは反対側の位置に配されている。
【００２１】
加熱用電源１７は発熱部材と電気的に接続されている。加熱用電源１７から発熱部材に直流電流が供給されると、発熱部材が発する熱が、第一の支持部１０１（Ｓ１）を通して、キャパシタ調整機構１０５を介して第一の支持部１０１（Ｓ１）に載置された処理基板１００（Ｗ）と第二の防着板１０４とへ伝わる。これにより、処理基板１００（Ｗ）と第二の防着板１０４が同時に温度制御される。
【００２２】
また、温度制御部１０６、１０７に内蔵された発熱部材（不図示）を挟んで第一の支持部１０１（Ｓ１）とは反対側に、すなわち温度制御部１０６、１０７（Ｈ１、Ｈ２）の下方に、冷却部（不図示）を配置してもよい。たとえば、冷却部の内部に温度管理された冷却媒体を循環させるように構成することにより、発熱部材が発熱しても真空槽１１の壁面の加熱を防止することができる。
【００２３】
スパッタガス導入部１４は真空槽１１内に接続され、真空槽１１内にスパッタガスを導入できるように構成されている。
【００２４】
（２）防着板とキャパシタ調整機構
図３は第二の防着板１０４とキャパシタ調整機構１０５の構成を示す部分断面模式図、図４はキャパシタ調整機構１０５の作用を説明する説明図である。
（２．１）防着板
真空槽１１内には、第一の防着板３５と、第二の防着板１０４が配置されている。
第一の防着板３５は、石英、アルミナ等のセラミックスからなり、図１に示すように、内周がターゲット２１の外周や処理基板（Ｗ）の外周よりも大きい筒状に形成されている。
【００２５】
第一の防着板３５は、第一の支持部１０１（Ｓ１）及び第二の支持部１０２（Ｓ２）とカソード電極２２との間に配置されており、処理基板１００（Ｗ）とターゲット２１との間の空間の側方を取り囲むように構成されている。これにより、ターゲット２１から放出された粒子の真空槽１１の壁面に対する付着が防止される。
【００２６】
第二の防着板１０４は、図３に示すように、処理基板１００（Ｗ）の外周端から所定距離（Ｅ１：図３参照）までの領域（エッジカット領域と呼ぶ）を覆う鍔部１０４ａを有し、鍔部１０４ａがエッジカット部材として機能する。
【００２７】
第二の防着板１０４は、絶縁性材料又は導電性材料のいずれで形成されてもよく、鍔部１０４ａの下方となる位置にあたる基板１の被成膜面１ａは、スパッタ粒子から遮蔽されるので、スパッタ粒子の付着が防止される。
【００２８】
絶縁性材料としては、１０８ ［Ω／ｃｍ］以上の比抵抗を有するものが望ましく、具体的には、コージライト、石英、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、ムライト（酸化アルミニウムと二酸化ケイ素の化合物）、アルミナ（酸化アルミニウム）、イットリア、サファイア、ステアタイト（ＭｇＯ−ＳｉＯ２の結晶が主体のセラミックス）、ジルコニアなどが挙げられる。
【００２９】
特に、第二の防着板１０４が、石英からなる絶縁性材料で構成されることで、その外周域の底面が第二の支持部（Ｓ２）１０２によって保持される第一の支持部１０１（Ｓ１）の表面１０１ａにキャパシタ調整機構１０５を介して熱的に接続される処理基板１００（Ｗ）の面内温度分布の偏りが抑制される。
【００３０】
（２．２）キャパシタ調整機構
キャパシタ調整機構１０５は、絶縁体で構成され、処理基板１００（Ｗ）を載置する第一の支持部１０１（Ｓ１）と処理基板１００（Ｗ）との間に配置されている。具体的には、絶縁性材料として化学的に安定しているため耐プラズマ性が高く、異物が発生し難い酸化イットリウム（イットリア：Ｙ２Ｏ３）膜で構成されている。
酸化イットリウム膜は、第一の支持部１０１（Ｓ１）の表面１０１ａをブラスト処理した後イットリウムを溶射することにより形成し、その膜厚は１ないし５μｍである。これにより、載置される処理基板１００（Ｗ）の密着性の低下が抑制されている。
【００３１】
図４には、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる第一の支持部１０１（Ｓ１）上に、酸化イットリウム膜からなるキャパシタ調整機構１０５が形成され、最表面にＳｉＯ２層２が形成されたシリコン（Ｓｉ）基板１の一主面側に、白金（Ｐｔ）からなる第一導電層３が形成された処理基板１００（Ｗ）が載置された状態で、第二導電層４を成膜する場合の処理基板１００（Ｗ）及びキャパシタ調整機構１０５に蓄積される電荷を模式的に示している。
【００３２】
誘電体としての静電容量Ｃ、電位Ｖとしたときに、処理基板１００（Ｗ）に蓄積される電荷量はＣｎＶｎ、キャパシタ調整機構１０５のイットリウム膜に蓄積される電荷量はＣｎ２Ｖｎ２と表され、直列接続とみなすことができるため、ＣｎＶｎとＣｎ２Ｖｎ２は等しくなる。ここに、キャパシタ調整機構１０５としてのイットリウム膜の静電容量は、処理基板１００（Ｗ）の静電容量に比べて十分に小さい（Ｃｎ＞＞Ｃｎ２）ために、イットリウム膜の電位は、処理基板１００（Ｗ）の電位に比べて十分に高くなる（Ｖｎ＜＜Ｖｎ２）。
これにより、処理基板１００（Ｗ）がチャージアップした場合にも、処理基板１００（Ｗ）には電圧が殆どかからない状態となる（Ｖｎ＜＜Ｖｎ２）。  
［実験例］
【００３３】
図５は多層膜の一構成例を示す断面模式図である。
以上説明した成膜装置１０を用いて多層膜の成膜実験を行った結果を説明する。
［多層膜］
実験例において成膜実験を行った多層膜は、基板１の一主面側に、第一導電層３と、誘電体層４と、第二導電層５とが順に重ねて配された多層膜である。
具体的には、図５に模式的に示すように、最表面に熱酸化膜としてのＳｉＯ２層２が形成されたシリコン（Ｓｉ）からなる基板１の一主面側に、白金（Ｐｔ）からなる第一導電層３、誘電体層４、白金（Ｐｔ）からなる第二導電層５が順に配されている。
誘電体層４は、特に限定されるものではないが、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛［Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３  ：ＰＺＴ］、ＰｂＴｉＯ３  、ＢａＴｉＯ３  、ＰＭＭ−ＰＺＴ、ＰＮＮ−ＰＺＴ、ＰＭＮ−ＰＺＴ、ＰＮＮ−ＰＴ、ＰＬＺＴ、ＰＺＴＮ、ＮＢＴ、ＫＮＮ等の強誘電体からなる。
【００３４】
このような多層膜の成膜において、ターゲット２１が絶縁体である場合に、スパッタ粒子の回り込みによる絶縁体の化合物薄膜が堆積進行すると、その膜表面においてチャージアップが起こり、ある一定の電位差が生じた時に膜の絶縁破壊が起こる。その結果、膜の絶縁破壊部分に過電流が流れ込むと、その熱で溶融された物質の一部が飛散してスプラッシュ欠陥となることがある。
【００３５】
本実験例においては、基板１として直径が２００ｍｍ（８インチ）のＳｉウェハを用い、エッジカット量（Ｅ１）を２０［ｍｍ］に設定して、Ｐｔ膜からなる第一導電層３を形成した。その後、第エッジカット量（Ｅ１）を２０［ｍｍ］に固定し、ＰＺＴ膜からなる誘電体層４を成膜した。
【００３６】
［比較例１］
図６は、比較例１に係る成膜装置２００の第一の支持部２０１と第二の防着板２１０とを示す部分断面模式図である。
成膜装置２００の第二の防着板２１０は、絶縁性材料である石英から構成され、第二の防着板２１０の下方となる位置にあたる基板１の被成膜面１ａは、スパッタ粒子から遮蔽されるので、スパッタ粒子の付着が防止される。一方、基板１のＳｉＯ２層２にスプラッシュ欠陥が発生した。
【００３７】
第二の防着板２１０は、絶縁性であるためにチャージアップし、ある一定の電位差が生じた時にＳｉＯ２層２に絶縁破壊が起こったものと推察される。
【００３８】
［比較例２］
図７は、比較例２に係る成膜装置３００の第一の支持部３０１と第二の防着板３１０とを示す部分断面模式図である。
成膜装置３００は、第一の支持部３０１と基板１との間には、間隙Ｇが形成され、第一の支持部３０１と処理基板１００との間は真空ギャップとなっている。
第二の防着板３１０は、絶縁性材料である石英から構成され、第二の防着板２１０の下方となる位置にあたる基板１の被成膜面１ａは、スパッタ粒子から遮蔽されるので、スパッタ粒子の付着が防止される。また、基板１のＳｉＯ２層２にはスプラッシュ欠陥の発生は確認されなかった。
【００３９】
第一の支持部３０１と基板１との間に間隙Ｇが形成され、真空ギャップの静電容量は、処理基板１００の静電容量に比べて十分に小さいために、間隙Ｇの電位は、処理基板１００の電位に比べて十分に高くなる。その結果、基板１がチャージアップした場合にも、基板１には電圧が殆どかからない状態となり、スプラッシュ欠陥の発生が抑制されたものと推察される。
【００４０】
一方、成膜された多層膜は、比較例１において成膜された多層膜に比べて、電気的特性や機械的特性、光学的特性などの均一な膜質が得られなかった。第一の支持部３０１と基板１との間に間隙Ｇが形成され基板１が第一の支持部３０１と熱的に密着接続せず、基板１の面内温度分布に偏りが発生したためと推察される。
【００４１】
［実験例］
実験例においては、図３に示すように、処理基板１００を載置する第一の支持部１０１と処理基板１００との間にキャパシタ調整機構１０５として酸化イットリウム膜が配置されている。処理基板１００は外周端から２０ｍｍまでの領域（エッジカット領域）を石英からなる第二の防着板１０４の鍔部１０４ａで覆われている。
【００４２】
鍔部１０４ａの下方となる位置にあたる基板１の被成膜面１ａは、スパッタ粒子から遮蔽されるので、スパッタ粒子の付着が防止される。また、基板１のＳｉＯ２層２にはスプラッシュ欠陥の発生は確認されなかった。処理基板１００の静電容量に比べて十分に小さい静電容量を有するキャパシタ調整機構１０５としての酸化イットリウム膜上に処理基板１００が載置されているために、処理基板１００には電圧が殆どかからない状態となり、スプラッシュ欠陥の発生が抑制されたものと推察される。
【００４３】
成膜された多層膜は、比較例２において成膜された多層膜に比べて、電気的特性や機械的特性、光学的特性などの均一な膜質が得られた。第一の支持部１０１と処理基板１００との間にキャパシタ調整機構１０５として酸化イットリウム膜が形成され、処理基板１００がイットリウム膜と密着することで第一の支持部１０１（Ｓ１）と熱的に接続され、処理基板１００の面内温度分布の偏りが抑制されたものと推察される。
【００４４】
以上、成膜装置１０は、スパッタ粒子の回り込みによるスプラッシュ欠陥の発生を抑制するともに不均一加熱を抑制しながら多層膜を成膜するのに好適な成膜装置として説明したが、成膜装置１０は、基板１の一主面側に、第一導電層３と、誘電体層４と、第二導電層５とが順に重ねて配された多層膜に限らず、最表面に絶縁層を有する基板に絶縁膜が配された多層膜の成膜にも好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  基板、２  ＳｉＯ２層（絶縁層）、３  第一導電層（導電層）、４  誘電体層（誘電体膜）、５  第二導電層、１０  成膜装置、１１  真空槽、１３  スパッタ電源、１４  スパッタガス導入部、２１  ターゲット、１００  基体（Ｗ：処理基板）、１０１  第一の支持部（Ｓ１：支持体）、１０２  第二の支持部（Ｓ２）、３５  第一の防着板、１０４  第二の防着板、１０５  キャパシタ調整機構、１０６、１０７  温度制御部（Ｈ１、Ｈ２）。
【図１】
2019151879.tif 000003
【図２】
2019151879.tif 000004
【図３】
2019151879.tif 000005
【図４】
2019151879.tif 000006
【図５】
2019151879.tif 000007
【図６】
2019151879.tif 000008
【図７】
2019151879.tif 000009