(57)【要約】【課題】ウェーハを薄くした上で、このウェーハに金属膜を形成できる新たなウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】表面側に複数のデバイスを有したウェーハの加工方法であって、複数のデバイスを覆う保護膜をウェーハの表面側に形成する保護膜形成ステップと、保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハの表面側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面側を露出させる保持ステップと、保持ステップを実施した後、ウェーハの裏面側を研削して凹部と凹部を囲繞する環状の凸部とを形成する裏面研削ステップと、裏面研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面側に金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側に複数のデバイスを有したウェーハの加工方法であって、
該複数のデバイスを覆う保護膜をウェーハの該表面側に形成する保護膜形成ステップと、
該保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面側を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、ウェーハの該裏面側を研削して凹部と該凹部を囲繞する環状の凸部とを形成する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面側に金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
該金属膜形成ステップは、液相成長を用いて実施され、
該保護膜は、該液相成長で使用されるめっき液に対して耐性を有することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該金属膜形成ステップは、気相めっきを用いて実施され、
該保護膜は、該気相めっきで行われる加熱に対して耐性を有することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該保護膜形成ステップを実施した後、該保持ステップを実施する前に、ウェーハの該表面側で露出する該保護膜の表面に保護部材を配置する保護部材配置ステップと、
該裏面研削ステップを実施した後、該保護膜の該表面から該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面側に複数のデバイスが設けられているウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型軽量なデバイスチップを実現するために、このデバイスチップへと分割される前のウェーハの裏面側を研削等の方法により薄く加工する機会が増えている。一方、ウェーハを薄くすると、その剛性は大幅に低下して後工程での取り扱いが難しくなる。そこで、ウェーハの中央側部分のみを研削して外周側部分の厚みを残すことで、研削後のウェーハの剛性をある程度に保つ加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この加工方法では、例えば、ウェーハより径の小さい研削用の工具（研削ホイール）を使用してウェーハの裏面側を研削し、中央側部分のみを薄くする。ウェーハの剛性は、厚みが維持された外周側部分によって保たれる。なお、この外周側部分は、後に、中央側部分との境界にレーザービームを照射する方法等によって中央側部分から分離される（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９４６１号公報
【特許文献２】特開２００８−５３３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のような研削によりウェーハの中央側部分を薄くした後には、例えば、ウェーハをめっき液に浸漬する湿式めっき等の方法でウェーハの裏面側に金属膜が形成される。この場合には、デバイスが設けられているウェーハの表面側に金属膜を堆積させないように、ウェーハの表面側へのめっき液の接触を防ぐ必要がある。
【０００６】
その方法の一つとして、ウェーハの裏面側を研削する際に表面側に貼付される保護テープを、ウェーハの研削後も剥離、除去せずにそのままめっき液からの保護に使用する方法が考えられる。ところが、研削の際に使用される保護テープが、必ずしもめっき液に対して十分な耐性を備えているとは限らない。また、ウェーハと保護テープとの隙間にめっき液が侵入してしまうこともある。
【０００７】
別の方法としては、研削の際に使用される保護テープをウェーハから剥離、除去した上で、めっき液に対して十分な耐性を持つ新たな保護テープをウェーハの表面側に貼付する方法が考えられる。しかしながら、新たな保護テープの貼付は、通常、ローラー等で圧力を掛けながら行われるので、研削後の薄いウェーハが圧力に耐え切れずに破損することがある。また、この場合にも、ウェーハと保護テープとの隙間にめっき液が侵入する可能性があった。
【０００８】
更に別の方法としては、研削の際に使用される保護テープをウェーハから剥離、除去した上で、めっき液に対して耐性を持つ保護膜をウェーハの表面側に形成する方法が考えられる。しかしながら、保護膜の形成に使用されるスピンコーターのテーブルは、通常、ウェーハの中央側部分を保持した状態で高速に回転するので、この回転の際に加わる力によって研削後の薄いウェーハが破損し易かった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハを薄くした上で、このウェーハに金属膜を形成できる新たなウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、表面側に複数のデバイスを有したウェーハの加工方法であって、該複数のデバイスを覆う保護膜をウェーハの該表面側に形成する保護膜形成ステップと、該保護膜形成ステップを実施した後、ウェーハの該表面側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面側を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、ウェーハの該裏面側を研削して凹部と該凹部を囲繞する環状の凸部とを形成する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面側に金属膜を形成する金属膜形成ステップと、を備えるウェーハの加工方法が提供される。
【００１１】
本発明の一態様において、該金属膜形成ステップは、液相成長を用いて実施され、該保護膜は、該液相成長で使用されるめっき液に対して耐性を有することが好ましい。
【００１２】
また、本発明の一態様において、該金属膜形成ステップは、気相めっきを用いて実施され、該保護膜は、該気相めっきで行われる加熱に対して耐性を有することが好ましい。
【００１３】
また、本発明の一態様において、該保護膜形成ステップを実施した後、該保持ステップを実施する前に、ウェーハの該表面側で露出する該保護膜の表面に保護部材を配置する保護部材配置ステップと、該裏面研削ステップを実施した後、該保護膜の該表面から該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、を更に備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの表面側に保護膜を形成した後に裏面側に金属膜を形成するので、表面側に保護テープを貼付して裏面側に金属膜を形成する場合のように、ウェーハと保護テープとの隙間からウェーハの表面側に金属膜が形成されることはない。
【００１５】
また、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの裏面側を研削する前に表面側に保護膜を形成し、裏面側を研削した後に金属膜を形成するので、裏面側を研削した後に表面側に保護膜を形成する場合のように、薄いウェーハに保護膜を形成する必要がない。よって、保護膜を形成する際にウェーハが破損する可能性を低く抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は、ウェーハの構成例を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、保護膜形成ステップを示す一部断面側面図である。
【図２】図２（Ａ）は、保護部材配置ステップを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、保護部材配置ステップの後のウェーハを示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、保持ステップ及び裏面研削ステップを示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、裏面研削ステップの後のウェーハ等を示す一部断面側面図である。
【図４】図４（Ａ）は、保護部材除去ステップを示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、金属膜形成ステップについて示す一部断面側面図である。
【図５】保護膜除去ステップについて示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハ１１の構成例を示す斜視図である。図１（Ａ）に示すように、本実施形態のウェーハ１１は、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料を用いて円盤状に形成されている。
【００１８】
ウェーハ１１の表面１１ａ側は、中央側のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって更に複数の小領域に区画されており、各小領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１５が形成されている。
【００１９】
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハ１１を用いるが、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板をウェーハ１１として用いることもできる。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【００２０】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、まず、このウェーハ１１の表面１１ａに保護膜を形成する保護膜形成ステップを行う。図１（Ｂ）は、保護膜形成ステップを示す一部断面側面図である。保護膜形成ステップは、例えば、図１（Ｂ）に示すスピンコーター（スピンコート装置）２を用いて行われる。スピンコーター２は、ウェーハ１１を保持するためのスピンナテーブル（チャックテーブル）４を備えている。
【００２１】
スピンナテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンナテーブル４の上面の一部は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持面４ａになっている。この保持面４ａは、スピンナテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。スピンナテーブル４の上方には、保護膜の原料である液状の材料１７を滴下するためのノズル６が配置されている。
【００２２】
保護膜形成ステップでは、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側をスピンナテーブル４の保持面４ａに接触させて、この保持面４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出した状態でスピンナテーブル４に吸引、保持される。
【００２３】
続いて、図１（Ｂ）に示すように、ノズル６から液状の材料１７を滴下するとともに、スピンナテーブル４を回転させて、ウェーハ１１の表面１１ａ側の全体に液状の材料１７を塗布する。その後、例えば、表面１１ａ側に塗布された液状の材料１７を乾燥させることで、各デバイス１５を覆いウェーハ１１の表面１１ａ側に密着した保護膜１９（図２（Ａ）、図２（Ｂ）等参照）が完成する。
【００２４】
なお、液状の材料１７としては、少なくとも、後の金属膜形成ステップに耐えられる保護膜１９を形成できる材料が使用される。より具体的には、金属膜形成ステップで使用されるめっき液に対して耐性を有する保護膜１９を形成できる液状の材料１７を用いる必要がある。このような液状の材料１７としては、例えば、非水溶性の保護膜１９の形成に適した液状の樹脂（有機材料）等が挙げられる。
【００２５】
保護膜形成ステップの後には、保護膜１９が形成されているウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材を配置する保護部材配置ステップを行う。図２（Ａ）は、保護部材配置ステップを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は、保護部材配置ステップの後のウェーハ１１を示す断面図である。
【００２６】
保護部材２１は、例えば、樹脂等の材料を用いてウェーハ１１と同程度の大きさの円形に形成されたフィルム（テープ）であり、保護膜１９に対して接着力を持つ第１面２１ａと、第１面２１ａとは反対側の第２面２１ｂとを有している。第１面２１ａの接着力は、例えば、接着剤（糊）によって実現される。
【００２７】
ただし、ウェーハ１１に形成されている保護膜１９が接着力を持つ場合には、保護部材２１の第１面２１ａ側が接着力を持つ必要はない。すなわち、第１面２１ａ側の接着剤は省略されても良い。また、保護部材２１の材質、形状、構造等にも制限はない。例えば、半導体、金属、樹脂、セラミックスといった任意の材料で構成される基板等を保護部材２１として用いることもできる。
【００２８】
保護部材配置ステップでは、図２（Ａ）に示すように、保護部材２１の第１面２１ａをウェーハ１１の表面１１ａ側で露出する保護膜１９の表面（露出面）に接触させる。これにより、図２（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａ側（保護膜１９の表面）に保護部材２１を貼付できる。
【００２９】
なお、フィルム（テープ）を保護部材２１として用いる場合には、例えば、ローラー等で圧力を掛けながらフィルムをウェーハ１１に貼付し、その後、ウェーハ１１の外周縁に沿ってフィルムを切断して保護部材２１を形成すると良い。本実施形態では、研削前のウェーハ１１に保護部材２１を貼付するので、ローラー等で圧力を掛けてもウェーハ１１が破損することはない。
【００３０】
保護部材２１をウェーハ１１の表面１１ａ側に配置することで、例えば、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する際に加わる負荷等から表面１１ａ側のデバイス１５を保護できるようになる。なお、保護膜１９によりデバイス１５を十分に保護できるようであれば、この保護部材配置ステップは省略されても良い。
【００３１】
保護部材配置ステップの後には、ウェーハ１１の表面１１ａ側をチャックテーブル（保持テーブル）で保持してウェーハ１１の裏面１１ｂ側を露出させる保持ステップを行う。図３（Ａ）は、保持ステップ等を示す一部断面側面図である。保持ステップは、例えば、図３（Ａ）に示す研削装置１２を用いて行われる。研削装置１２は、ウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル（保持テーブル）１４を備えている。
【００３２】
チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１４の下方には、移動機構（不図示）が設けられており、チャックテーブル１４は、この移動機構によって水平方向に移動する。チャックテーブル１４の上面の一部は、ウェーハ１１を吸引、保持するための保持面１４ａになっている。この保持面１４ａは、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。
【００３３】
保持ステップでは、ウェーハ１１の表面１１ａ側に貼付されている保護部材２１の第２面２１ｂ側（保護部材２１を配置していない場合には、保護膜１９の表面）をチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させた上で、この保持面１４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に吸引、保持される。
【００３４】
保持ステップの後には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削して円形の凹部と環状の補強部（凸部）とを形成する裏面研削ステップを行う。裏面研削ステップは、引き続き研削装置１２を用いて行われる。図３（Ａ）に示すように、チャックテーブル１４の上方には、研削ユニット１６が配置されている。研削ユニット１６は、昇降機構（不図示）によって支持されたスピンドルハウジング（不図示）を備えている。
【００３５】
スピンドルハウジングには、鉛直方向に概ね平行な回転軸を構成するスピンドル１８が収容されている。スピンドル１８の下端部（先端部）は、スピンドルハウジングから露出しており、このスピンドル１８の下端部には、ウェーハ１１より小径の円盤状のマウント２０が固定されている。
【００３６】
マウント２０の下面には、マウント２０と概ね同径（すなわち、ウェーハ１１より小径）の環状の研削ホイール２２が装着される。研削ホイール２２は、ステンレスやアルミニウム等の材料で形成された環状のホイール基台２４を備えている。ホイール基台２４の下面には、砥粒を結合材に分散させてなる複数の研削砥石２６が固定されている。
【００３７】
スピンドル１８の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、研削ホイール２２は、この回転駆動源からスピンドル１８を介して伝わる力によって回転する。研削ユニット１６の内部又は近傍には、水等の研削液をウェーハ１１等に対して供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００３８】
裏面研削ステップでは、まず、チャックテーブル１４を水平方向に移動させて、このチャックテーブル１４によって保持されたウェーハ１１のデバイス領域の直上に研削ホイール２２を位置付ける。より詳細には、ウェーハ１１のデバイス領域と外周余剰領域との境界に対応する位置に、研削砥石２６の外側（回転軸とは反対側）の縁の一部を合わせる。
【００３９】
そして、図３（Ａ）に示すように、チャックテーブル１４と研削ホイール２２とをそれぞれ回転させて、研削液をウェーハ１１の裏面１１ｂ等に供給しながらスピンドルハウジング（スピンドル１８、研削ホイール２２）を下降させる。スピンドルハウジングの下降速度（下降量）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削砥石２６が適切に押し当てられる範囲内で調整される。
【００４０】
これにより、ウェーハ１１のデバイス領域に対応する領域を裏面１１ｂ側から研削できる。例えば、ウェーハ１１のデバイス領域に対応する領域が所定の厚み（仕上がり厚み）まで薄くなると、裏面研削ステップは終了する。図３（Ｂ）は、裏面研削ステップの後のウェーハ１１等を示す一部断面側面図である。この裏面研削ステップにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、デバイス領域に対応する凹部１１ｃと、外周余剰領域に対応する環状の補強部（凸部）１１ｄとが形成される。
【００４１】
裏面研削ステップの後には、保護部材２１を除去する保護部材除去ステップを行う。図４（Ａ）は、保護部材除去ステップを示す一部断面側面図である。保護部材除去ステップは、例えば、図４（Ａ）に示す剥離装置３２を用いて行われる。剥離装置３２は、ウェーハ１１を保持するためのチャックテーブル３４を備えている。
【００４２】
チャックテーブル３４の上面の一部は、ウェーハ１１の凹部１１ｃの底を吸引、保持するための保持面３４ａになっている。この保持面３４ａは、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。また、チャックテーブル３４の近傍には、保護部材２１を把持するための把持ユニット３６が設けられている。把持ユニット３６は、例えば、移動機構によって支持されており、チャックテーブル３４に対して相対的に移動できる。
【００４３】
保護部材除去ステップでは、まず、ウェーハ１１の凹部１１ｃの底をチャックテーブル３４の保持面３４ａに接触させて、この保持面３４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側に配置されている保護部材２１が上方に露出した状態でチャックテーブル３４に吸引、保持される。
【００４４】
次に、把持ユニット３６で保護部材２１の端部を把持する。そして、図４（Ａ）に示すように、保護部材２１の端部側をウェーハ１１及び保護膜１９から引き剥がすように、チャックテーブル３４と把持ユニット３６とを相対的に移動させる。これにより、保護膜１９の表面から保護部材２１を剥離、除去できる。
【００４５】
なお、本実施形態では、把持ユニット３６を用いて保護部材２１の端部を把持することにより、保護膜１９の表面から保護部材２１を剥離、除去しているが、保護部材２１を剥離、除去する方法に特段の制限はない。例えば、粘着力のあるピールテープ等の剥離部材を保護部材２１の端部に貼付し、この剥離部材をオペレータ等が引っ張ることにより、保護部材２１を剥離、除去することもできる。また、保護部材配置ステップが省略されている場合には、この保護部材除去ステップも省略される。
【００４６】
保護部材除去ステップの後には、少なくともウェーハ１１の裏面１１ｂ側（凹部１１ｃの底）に金属膜を形成する金属膜形成ステップを行う。図４（Ｂ）は、金属膜形成ステップについて示す一部断面側面図である。図４（Ｂ）に示すように、本実施形態の金属膜形成ステップは、めっき液２３を使用する液相成長を用いて行われる。具体的には、めっき液２３の入っためっき浴槽４２にウェーハ１１を浸漬する。
【００４７】
これにより、ウェーハ１１に金属膜２５を堆積させることができる。任意の厚みの金属膜２５が形成されると、金属膜形成ステップは終了する。金属膜２５の材質や構造、厚み等に特段の制限はないが、例えば、チタンと銅との積層構造や、ニッケルとプラチナと金との積層構造、ニッケルと金との積層構造、銀の単層構造等を形成すると良い。
【００４８】
めっき液２３の種類、温度、浸漬の時間等の条件は、求められる金属膜２５の材質、構造、厚み等に応じて適切に選択される。例えば、積層構造の金属膜２５を形成する場合には、ウェーハ１１を第１めっき液に浸漬した後に、第１めっき液とは異なる第２めっき液や第３めっき液にウェーハ１１を浸漬しても良い。また、このめっき液２３は、ゾルやゲル等でも良い。すなわち、本実施形態に係る液相成長には、ゾルゲル法が含まれている。
【００４９】
上述のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、金属膜形成ステップを行う前に、ウェーハ１１の表面１１ａ側にめっき液に対して耐性のある保護膜１９を形成しているので、ウェーハ１１の表面１１ａ側に金属膜２５が堆積することはない。そして、この保護膜１９は、ウェーハ１１の表面１１ａ側に密着しているので、ウェーハ１１と保護膜１９との隙間にめっき液２３が侵入することもない。
【００５０】
また、この保護膜１９は、裏面研削ステップを行う前に形成されるので、裏面研削ステップの後に保護膜１９を形成する場合のように、薄い凹部１１ｃを有するウェーハ１１に保護膜１９を形成する必要がない。よって、保護膜１９を形成する際にウェーハ１１が破損する可能性を低く抑えられる。
【００５１】
なお、本実施形態では、ウェーハ１１の表面１１ａ側にのみ保護膜１９が形成されており、この表面１１ａ側を除くウェーハ１１の全ての領域に金属膜２５が堆積することになる。ただし、この金属膜２５は、必ずしも表面１１ａ側を除くウェーハ１１の全ての領域に形成されなくて良い。金属膜２５は、少なくともウェーハ１１の裏面１１ｂ側（凹部１１ｃの底）の一部に形成されていれば良い。
【００５２】
金属膜形成ステップの後には、ウェーハ１１から保護膜１９を除去する保護膜除去ステップを行う。図５は、保護膜除去ステップについて示す一部断面側面図である。保護膜除去ステップは、例えば、図５に示すスピン洗浄装置５２を用いて行われる。スピン洗浄装置５２は、ウェーハ１１を保持するためのスピンナテーブル（チャックテーブル）５４を備えている。
【００５３】
スピンナテーブル５４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。スピンナテーブル５４の上面の一部は、ウェーハ１１の凹部１１ｃの底に設けられている金属膜２５を吸引、保持するための保持面５４ａになっている。この保持面５４ａは、スピンナテーブル５４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）に接続されている。スピンナテーブル５４の上方には、洗浄用の流体２７を下方に噴射するためのノズル５６が配置されている。
【００５４】
保護膜除去ステップでは、まず、ウェーハ１１の凹部１１ｃの底に設けられている金属膜２５をチャックテーブル５４の保持面５４ａに接触させて、この保持面５４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、ウェーハ１１は、表面１１ａ側に形成されている保護膜１９が上方に露出した状態でチャックテーブル５４に吸引、保持される。
【００５５】
続いて、図５に示すように、ノズル５６から洗浄用の流体２７を下方に噴射するとともに、スピンナテーブル５４を回転させる。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側を洗浄して保護膜１９を除去できる。なお、洗浄用の流体２７を下方に噴射する際に、スピンナテーブル５４の上方でノズル５６を水平方向に移動させても良い。洗浄用の流体２７としては、保護膜１９の除去に適した液体の他、この液体とエアー等の気体とを混合させた混合流体（二流体）を用いることができる。
【００５６】
以上のように、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護膜１９を形成した後に裏面１１ｂ側に金属膜２５を形成するので、表面１１ａ側に保護テープを貼付して裏面１１ｂ側に金属膜２５を形成する場合のように、ウェーハ１１と保護テープとの隙間から表面１１ａ側に金属膜２５が形成されることはない。
【００５７】
また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削する前に表面１１ａ側に保護膜１９を形成し、裏面１１ｂ側を研削した後に金属膜２５を形成するので、裏面１１ｂ側を研削した後に表面１１ａ側に保護膜を形成する場合のように、薄い凹部１１ｃを有するウェーハ１１に保護膜１９を形成する必要がない。よって、保護膜１９を形成する際にウェーハ１１が破損する可能性を低く抑えられる。
【００５８】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、金属膜形成ステップの前に保護部材除去ステップを行っているが、例えば、めっき液に対して耐性を有する保護部材２１を用いる場合には、金属膜形成ステップの後に保護部材除去ステップを行うこともできる。
【００５９】
また、上記実施形態では、めっき液を使用する液相成長によってウェーハ１１の裏面１１ｂ側に金属膜２５を形成しているが、この金属膜２５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）等の気相めっき（気相成長）によって形成されても良い。ただし、気相めっきを用いる場合には、少なくとも気相めっきで行われる加熱に対して耐えられるだけの耐性（耐熱性）を有する保護膜１９を形成する必要がある。
【００６０】
また、上記実施形態では、非水溶性の保護膜１９を形成しているが、金属膜形成ステップで行われる処理に対して耐性を有する水溶性の保護膜１９を用いても良い。この場合、洗浄用の流体２７として水等を使用すれば、保護膜１９を適切に除去できる。つまり、保護膜１９を除去するために特殊な薬液を使用する必要がないので、加工に要するコストを下げられる。
【００６１】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６２】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  凹部
１１ｄ  補強部（凸部）
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  液状の材料
１９  保護膜
２１  保護部材
２１ａ  第１面
２１ｂ  第２面
２３  めっき液
２５  金属膜
２７  洗浄用の流体
２  スピンコーター（スピンコート装置）
４  スピンナテーブル（チャックテーブル）
４ａ  保持面
６  ノズル
１２  研削装置
１４  チャックテーブル（保持テーブル）
１４ａ  保持面
１６  研削ユニット
１８  スピンドル
２０  マウント
２２  研削ホイール
２４  ホイール基台
２６  研削砥石
３２  剥離装置
３４  チャックテーブル
３４ａ  保持面
３６  把持ユニット
４２  めっき浴槽
５２  スピン洗浄装置
５４  スピンナテーブル（チャックテーブル）
５４ａ  保持面
５６  ノズル
【図１】
2019216154.tif 000003
【図２】
2019216154.tif 000004
【図３】
2019216154.tif 000005
【図４】
2019216154.tif 000006
【図５】
2019216154.tif 000007