(57)【要約】【課題】高信頼性かつ高寿命な半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置を得る。【解決手段】半導体素子２，３の上面電極５，７に接合材１３，１５を介して導体板１４，１６が接合されている。ワイヤ又はリボンボンド材である配線１７，１８が導体板１４，１６にボンディングされている。接合材１３，１５は、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面電極を有する半導体素子と、
前記上面電極に接合材を介して接合された導体板と、
前記導体板にボンディングされたワイヤ又はリボンボンド材である配線とを備え、
前記接合材は、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものであることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記導体板は多層板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記配線はＣｕを主成分とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
上面電極を有する半導体素子と、
前記上面電極に接合された接合材と、
前記接合材に直接的にボンディングされたワイヤ又はリボンボンド材である配線とを備え、
前記接合材は金属の焼結材であることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項５】
前記接合材は、前記焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものであることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記配線はＣｕを主成分とし、
前記焼結材はＣｕであることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記半導体素子が実装された放熱板を更に備えることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記半導体素子が実装された絶縁基板を更に備えることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
導体板と接合材を一体成形する工程と、
一体成形した前記接合材を介して前記導体板を半導体素子の上面電極に接合する工程と、
ワイヤ又はリボンボンド材である配線を前記導体板にボンディングする工程とを備え、
前記接合材は、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものであることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れか１項に記載の半導体モジュールを有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路とを備えることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤ又はリボンボンド材が半導体素子にボンディングされた半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境規制の高まりから、環境問題に配慮した高品質、高効率、省エネの電子機器の需要が高まっている。特に、産業機器、モータを備えた家電の駆動制御機器、電気自動車又はハイブリッド自動車向けの車載制御機器、鉄道車両制御機器、太陽光発電の制御機器等として、高電力に対応した電子機器が求められている。さらに、電子機器の高負荷環境下、例えば高温度環境下の動作における高効率化及び低損失化が求められている。高温環境下とは、１５０〜１７５℃又はそれ以上、例えば２００℃の温度環境下である。このような高温環境下で動作する半導体素子の開発が進んでいる。また、パッケージの特性としても高密度電流化が進んでいる。
【０００３】
特に車載、鉄道制御機器として用いられる電子機器に対して、高温度環境下での省エネルギー性能が求められている。これまで通常動作温度は例えば１５０℃以下であったが、今後、２００℃以上の高温環境下での使用に対する需要が高まっている。２００℃以上の高温環境下においては、Ｓｉ素子の替わりに、更に低損失で高効率制御可能なＳｉＣ又はＧａＮのワイドバンドギャップ半導体素子が用いられている。
【０００４】
そこで、高温環境下の動作においてスイッチングロスを抑制し低損失化及び高効率化を図るべく、電子機器の材料及び構造を見直す必要があった。特に、電子機器に適用される半導体素子の上面側のワイヤ配線接続部が最も劣化し易く、半導体モジュールの寿命に影響する。このため、配線接続部の高品質、高信頼性、高寿命化の実現が大きな課題であった。
【０００５】
近年、電流密度、信頼性向上を図るため、Ａｌワイヤではなく、Ｃｕワイヤの適用が検討されている。しかし、ＣｕはＡｌと比較して硬いため、ワイヤボンディング時に半導体素子にダメージを与えることがあった。また、ＳｉＣ又はＧａＮ等の半導体素子を実装した高温対応の半導体モジュールにおいて、高電流密度化可能なＣｕワイヤ適用が必須であった。
【０００６】
ダメージを軽減するために上面電極を厚くするのは、プロセス上困難であり、大幅なコストアップにつながる。そこで、半導体素子の上面電極に直接ワイヤボンドするのではなく、半導体素子の上面電極に導体板を接合し、導体板にワイヤボンドすることが検討されていた。しかし、十分な接合性を確保するためにウェッジボンディングにより大きな荷重及び超音波振動を与える必要があるため、ワイヤボンディング中に導体板および接合材を介して半導体素子にダメージを与えていた。また、上面電極と導体板を接合する接合材として主にはんだが用いられていた。しかし、はんだ材はＰｂフリー化により弾性率が４０〜５０ＧＰａと大きくなっている。これに対して、接合材として焼結性の接合材を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１７−００５０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、従来の焼結性の接合材ではワイヤボンディング時の半導体素子に対するダメージを十分に低減できなかった。特に、電流密度大が期待されているＣｕワイヤは硬い材料であるため、Ｃｕワイヤを用いた場合に前記課題は顕著であった。この結果、高温かつ高電流密度で用いられる半導体モジュールの信頼性と寿命が低下するという問題があった。
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は高信頼性かつ高寿命な半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体モジュールは、上面電極を有する半導体素子と、前記上面電極に接合材を介して接合された導体板と、前記導体板にボンディングされたワイヤ又はリボンボンド材である配線とを備え、前記接合材は、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、半導体素子の上面電極と導体板を接合する接合材として、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものを用いる。これにより、樹脂を入り込ませていないものに比べて接合材が低弾性化されるため、ワイヤボンディング時の半導体素子に対するダメージを抑制することができる。この結果、高温で高電流密度に対応した高信頼性かつ高寿命な半導体モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【図２】実施の形態２に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【図３】実施の形態３に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【図４】実施の形態４に係る半導体モジュールを示す断面図である。
【図５】実施の形態５に係る電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態に係る半導体モジュール、その製造方法及び電力変換装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１４】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体モジュールを示す断面図である。放熱板１は、例えば一辺の長さが３０〜３００ｍｍ、厚さが３〜２０ｍｍであるＣｕ、Ｃｕ合金複合体、Ａｌ、又はＡｌ合金複合体からなる熱容量の大きい放熱板である。放熱板１は複数フィンを備えたヒートシンク又は水冷ジャケットなどに放熱グリスを介して接続される。または、放熱板１自体が下面側に複数フィンを備えたヒートシンクであるか、又は水冷ジャケットと一体化されていてもよい。放熱板１の素子搭載面には回路が形成されている。放熱板１は絶縁材が内部に埋め込まれた放熱一体成型でもよいし、回路が加熱又はプレスにより一体化されていてもよい。
【００１５】
放熱板１の上に半導体素子２，３が実装されている。半導体素子２，３は一辺が３ｍｍ〜１８ｍｍであり、半導体素子２はＩＧＢＴ、半導体素子３はダイオードである。半導体素子２の下面電極４はコレクタ電極、上面電極５はエミッタ電極である。半導体素子３の下面電極６はカソード電極、上面電極７はアノード電極である。各電極はスパッタ又はめっき手法により形成され、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを主成分とした材料からなる。なお、各電極にはＴｉ−Ｎｉ−Ａｕ又はＡｇ等のメタライズが施されている。なお、半導体素子２は、ＩＧＢＴに限定されるものではなく、ＭＯＳＦＥＴ等の電力変換するスイッチング素子であればよい。半導体素子２，３の下面電極４，６は接合材８，９を介して放熱板１の回路に電気的に接続されている。
【００１６】
半導体素子２の上面電極５に接合材１３を介して導体板１４が接合されている。半導体素子３の上面電極７に接合材１５を介して導体板１６が接合されている。配線１７の一端が荷重及び超音波振動により導体板１４にボンディングされている。配線１７の他端は端子１１にボンディングされている。配線１８の一端は導体板１４にボンディングされ、他端は導体板１６にボンディングされている。放熱板１と端子１２が配線１９により接続されている。
【００１７】
配線１７，１８，１９は例えばＣｕを主成分とする複数本のワイヤである。配線１７，１８，１９の直径は３００〜５００μｍであり、半導体モジュールの電流仕様により使い分けている。または配線１７，１８，１９は厚さ０．１〜０．５ｍｍのフラットなリボンボンド材でもよい。これにより電流対応が可能であり、低抵抗となり自己発熱高を抑制できる。端子１１，１２は外部との入出力を行うＡＣ端子であり、モータ等の電動機、バッテリ又はハーネスに接続される。信号端子は半導体素子２のゲート電極に接続され、外部から制御信号を入力する。なお、ゲート電極にも接合材１３及び導体板１４と同様の構成を適用してもよいが、ゲート電極に流れる電流は小さいので信号端子とゲート端子との接続は通常のワイヤボンドでも可能である。
【００１８】
接合材８，９，１３，１５は、金属の焼結材の隙間にポリイミド又はエポキシ等の樹脂を入り込ませたものである。金属はＡｇ、Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｇ−Ｉｎ又はＡｇ−Ｉｎ等の化合物を主成分とする材料であり、４００℃以上の高耐熱性を確保している。従って、高温動作可能なＳｉＣ素子搭載の半導体モジュールに対応可能である。接合材１３，１５は、耐熱フィルムをチップ上に載せて加熱し、必要に応じて加圧して焼結させる。
【００１９】
接合材８，９，１３，１５はナノサイズの微小金属粒子、溶剤及び表面安定剤からなるか、或いは、Ｓｎ又はＩｎを主成分としたシート形状である。このため、接合材１３，１５は導体板１４，１６と仮付けし易く、ワイヤボンディング時の半導体素子２，３への影響を踏まえ接合厚も均一にコントロールし易い。ペースト状ではなく、シート状とすることにより厚みを均一に制御できる。接合材１３，１５の厚みは１０〜３００μｍであり、半導体素子２，３へのダメージを考慮して設定される。接合材１３，１５は十分な熱伝導率を有しているため、その熱抵抗は問題にならない。
【００２０】
金属の焼結材の隙間に低弾性の樹脂が入り込むことにより、弾性率１０ＧＰａ以下の低弾性な接合材８，９，１３，１５を得ることができる。この弾性率は焼結材だけの場合と比較して１／４〜１／５又はそれ以下である。
【００２１】
半導体素子２は信号端子を介して外部から入力された制御信号によりｏｎ／ｏｆｆ制御される。この際に半導体素子２，３の動作により生じた熱は放熱板１を介して外部に放熱される。これにより、半導体素子２，３の温度上昇が抑制され、配線１７，１８への熱を抑制することができ、高寿命な配線接続を確保することができる。
【００２２】
本実施の形態では、半導体素子２，３の上面電極５，７と導体板１４，１６を接合する接合材１３，１５として、金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものを用いる。このような接合材１３，１５の弾性率は１０ＧＰａ以下となる。これにより、樹脂を入り込ませていないものに比べて接合材１３，１５が低弾性化されるため、ワイヤボンディング時の半導体素子２，３に対するダメージを抑制することができる。Ｃｕという従来のＡｌよりも硬い材料からなる配線１７，１８でもボンディング可能である。この結果、高温で高電流密度に対応した高信頼性かつ高寿命な半導体モジュールを得ることができる。
【００２３】
導体板１４，１６はＣｕ又はその合金からなる。導体板１４，１６の厚さは０．１〜３ｍｍであり、高電流が流れる半導体素子２，３の発熱量に対する熱容量、導体板１４，１６へのワイヤボンディングのエネルギーに依存する。また、導体板１４，１６は多層板でもよい。このような導体板１４，１６はワイヤボンディング時の衝撃をクッションのように吸収するため、半導体素子２，３に対するダメージを更に抑制することができる。
【００２４】
半導体素子２，３はスイッチングを繰り返し発熱するので、熱容量及び放熱性を確保した放熱板１に実装する。これにより、損失の少ない所望のスイッチング機能を得ることができる。また、配線１７，１８に伝わる熱を抑制することもできるため、接合部を長寿命化できる。
【００２５】
従来は、半導体素子２，３上にペースト状の接合材を塗布又はスクリーン印刷していたため、非常に生産効率が悪く、導体板１４，１６の位置決めが困難であった。そこで、アセンブリ前に導体板１４と接合材１３を一体部材として一体成形する。同様に導体板１６と接合材１５を一体成形する。金属の焼結材の隙間に樹脂を入り込ませた接合材１３，１５であれば、１００℃以下の低温での仮付け接着が可能である。放熱板１上に半導体素子２を接合後、導体板１４と接合材１３の一体部材を加熱及び必要に応じて加圧して接合する。または、放熱板１上に半導体素子２を載せ、その上に一体部材を載せて、加熱及び必要に応じて加圧して同時接合する。半導体素子３側も同様である。このような一体部材を用いることで、位置決めが容易により、工数を削減でき、生産性が向上する。さらに、半導体モジュール内に複数の接合材が存在する場合に、それらの膜厚を同一にすることができ、接合後の信頼性を向上することができる。
【００２６】
実施の形態２．
図２は、実施の形態２に係る半導体モジュールを示す断面図である。本実施の形態では、放熱板１の外周部に半導体モジュールの外郭となるケース１０が接着剤等により接着されている。ケース１０は半導体素子２，３等の周囲を囲んでいる。ケース１０はＰＰＳ又はＰＢＴ等樹脂からなり、厚さ１ｍｍ程度の銅又は銅合金からなる端子１１，１２及び信号端子（不図示）と一体成型されている。
【００２７】
ケース１０の内部は、エポキシを主成分とした樹脂又はゲル状のシリコーン樹脂の封止材２０により封止される。これにより、半導体素子２，３、端子１１，１２、導体板１４，１６及び配線１７，１８，１９が互いに絶縁されている。
【００２８】
また、駆動回路と保護回路を有する制御基板がケース１０の内部に封止されている場合もある。制御基板は信号端子に接続され、スイッチングを行なうための制御信号を半導体素子２に供給する。制御基板は信号端子により支持されて放熱板１の上方において放熱板１にほぼ平行な状態に配置される。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００２９】
実施の形態３．
図３は、実施の形態３に係る半導体モジュールを示す断面図である。本実施の形態では、実施の形態１に比べて導体板１４，１６が無く、配線１７，１８が接合材１３，１５に直接的にボンディングされている。接合材１３，１５は金属の焼結材である。金属の焼結材はブロック状の金属体であるため、配線１７，１８を接合材１３，１５に直接的にボンディングすることができる。導体板１４，１６が無いため、工数及びコストを削減することができる。また、接合材１３，１５は、焼結材の隙間に樹脂を入り込ませたものであることが好ましい。これにより、接合材１３，１５が低弾性化されるため、ワイヤボンディング時の半導体素子２，３に対するダメージを抑制することができる。また、焼結材がＣｕであれば、Ｃｕを主成分とする配線１７，１８とＣｕ同士の高品質、高信頼性の接合を得ることができる。
【００３０】
また、ワイヤボンディング時の衝撃を半導体素子２，３上の接合材１３，１５で吸収するため、半導体素子２，３を放熱板１ではなく、絶縁基板２１に実装することができる。絶縁基板２１の材質は高強度なＳｉ３Ｎ４であるが、高熱伝導性のあるＡｌＮでもよいし、Ａｌ２Ｏ３でもよい。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００３１】
実施の形態４．
図４は、実施の形態４に係る半導体モジュールを示す断面図である。本実施の形態では、絶縁基板２１は放熱性を有す放熱板１上に接合材２２を介して接合されている。放熱板１の外周部にケース１０が接着剤等により接着されている。ケース１０は半導体素子２，３等の周囲を囲んでいる。ケース１０は端子１１，１２及び信号端子（不図示）と一体成型されている。ケース１０の内部は、エポキシを主成分とした樹脂又はゲル状のシリコーン樹脂の封止材２０により封止される。この場合でも硬いＣｕワイヤにてボンディング可能である。その他の構成及び効果は実施の形態３と同様である。
【００３２】
なお、半導体素子２，３は、珪素によって形成されたものに限らず、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成されたものでもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、又はダイヤモンドである。このようなワイドバンドギャップ半導体によって形成された半導体素子２，３は、耐電圧性や許容電流密度が高いため、小型化できる。この小型化された半導体素子２，３を用いることで、この半導体素子２，３を組み込んだ半導体モジュールも小型化・高集積化できる。また、半導体素子２，３の耐熱性が高いため、ヒートシンクの放熱フィンを小型化でき、水冷部を空冷化できるので、半導体モジュールを更に小型化できる。また、半導体素子２，３の電力損失が低く高効率であるため、半導体モジュールを高効率化できる。なお、半導体素子２，３の両方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることが望ましいが、何れか一方がワイドバンドギャップ半導体によって形成されていてもよく、上記実施の形態に記載の効果を得ることができる。
【００３３】
実施の形態５．
本実施の形態は、上述した実施の形態１〜４に係る半導体モジュールを電力変換装置に適用したものである。電力変換装置は、例えば、インバータ装置、コンバータ装置、サーボアンプ、電源ユニットなどである。本発明は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、三相のインバータに本発明を適用した場合について説明する。
【００３４】
図５は、実施の形態５に係る電力変換装置を適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。この電力変換システムは、電源１００、電力変換装置２００、負荷３００を備える。電源１００は、直流電源であり、電力変換装置２００に直流電力を供給する。電源１００は種々のもので構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成することができ、交流系統に接続された整流回路又はＡＣ／ＤＣコンバータで構成してもよい。また、電源１００を、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するＤＣ／ＤＣコンバータによって構成してもよい。
【００３５】
電力変換装置２００は、電源１００と負荷３００の間に接続された三相のインバータであり、電源１００から供給された直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に交流電力を供給する。電力変換装置２００は、直流電力を交流電力に変換して出力する主変換回路２０１と、主変換回路２０１を制御する制御信号を主変換回路２０１に出力する制御回路２０３とを備えている。
【００３６】
負荷３００は、電力変換装置２００から供給された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷３００は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機であり、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車、鉄道車両、エレベータ、もしくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
【００３７】
以下、電力変換装置２００を詳細に説明する。主変換回路２０１は、スイッチング素子と還流ダイオードを備えており（図示せず）、スイッチング素子がスイッチングすることによって、電源１００から供給される直流電力を交流電力に変換し、負荷３００に供給する。主変換回路２０１の具体的な回路構成は種々のものがあるが、本実施の形態にかかる主変換回路２０１は２レベルの三相フルブリッジ回路であり、６つのスイッチング素子とそれぞれのスイッチング素子に逆並列された６つの還流ダイオードから構成することができる。主変換回路２０１の各スイッチング素子と各還流ダイオードは、上述した実施の形態１〜４のいずれかに相当する半導体モジュール２０２によって構成する。６つのスイッチング素子は２つのスイッチング素子ごとに直列接続され上下アームを構成し、各上下アームはフルブリッジ回路の各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）を構成する。そして、各上下アームの出力端子、すなわち主変換回路２０１の３つの出力端子は、負荷３００に接続される。
【００３８】
また、主変換回路２０１は、各スイッチング素子を駆動する駆動回路（図示なし）を備えているが、駆動回路は半導体モジュール２０２に内蔵されていてもよいし、半導体モジュール２０２とは別に駆動回路を備える構成であってもよい。駆動回路は、主変換回路２０１のスイッチング素子を駆動する駆動信号を生成し、主変換回路２０１のスイッチング素子の制御電極に供給する。具体的には、後述する制御回路２０３からの制御信号に従い、スイッチング素子をオン状態にする駆動信号とスイッチング素子をオフ状態にする駆動信号とを各スイッチング素子の制御電極に出力する。スイッチング素子をオン状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以上の電圧信号（オン信号）であり、スイッチング素子をオフ状態に維持する場合、駆動信号はスイッチング素子の閾値電圧以下の電圧信号（オフ信号）となる。
【００３９】
制御回路２０３は、負荷３００に所望の電力が供給されるよう主変換回路２０１のスイッチング素子を制御する。具体的には、負荷３００に供給すべき電力に基づいて主変換回路２０１の各スイッチング素子がオン状態となるべき時間（オン時間）を算出する。例えば、出力すべき電圧に応じてスイッチング素子のオン時間を変調するＰＷＭ制御によって主変換回路２０１を制御することができる。そして、各時点においてオン状態となるべきスイッチング素子にはオン信号を、オフ状態となるべきスイッチング素子にはオフ信号が出力されるよう、主変換回路２０１が備える駆動回路に制御指令（制御信号）を出力する。駆動回路は、この制御信号に従い、各スイッチング素子の制御電極にオン信号又はオフ信号を駆動信号として出力する。
【００４０】
本実施の形態に係る電力変換装置では、半導体モジュール２０２として実施の形態１〜４に係る半導体モジュールを適用するため、高信頼性かつ高寿命な電力変換装置を得ることができる。
【００４１】
本実施の形態では、２レベルの三相インバータに本発明を適用する例を説明したが、本発明は、これに限られるものではなく、種々の電力変換装置に適用することができる。本実施の形態では、２レベルの電力変換装置としたが３レベル又はマルチレベルの電力変換装置であっても構わないし、単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータに本発明を適用しても構わない。また、直流負荷等に電力を供給する場合にはＤＣ／ＤＣコンバータ又はＡＣ／ＤＣコンバータに本発明を適用することも可能である。
【００４２】
また、本発明を適用した電力変換装置は、上述した負荷が電動機の場合に限定されるものではなく、例えば、放電加工機、レーザー加工機、又は誘導加熱調理器もしくは非接触器給電システムの電源装置として用いることもでき、さらには太陽光発電システム又は蓄電システム等のパワーコンディショナーとして用いることも可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１  放熱板、２，３  半導体素子、５，７  上面電極、１３，１５  接合材、１４，１６  導体板、１７，１８  配線、２１  絶縁基板、２００  電力変換装置、２０１  主変換回路、２０２  半導体モジュール、２０３  制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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