(57)【要約】【課題】基材においてセラミック層の露出部の発生を抑え、セラミック層のバラツキを抑える。【解決手段】各々回転する複数のクランク機構を備えるＣＶＤ装置の支持機構であって、  各クランク機構は、所定の軸を中心として軸回転するクランク軸と、クランク軸に取り付けられ、当該クランク軸の軸回転に従い旋回するクランクアームと、クランクアームに取り付けられ、クランクアームの旋回に従い所定の軌道に沿って移動しながら基材を支持可能なクランクピンと、を備え、各クランク機構の各クランクピンが互いに同期して移動する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々回転する複数のクランク機構を備えるＣＶＤ装置の支持機構であって、
各クランク機構は、
所定の軸を中心として軸回転するクランク軸と、
前記クランク軸に取り付けられ、当該クランク軸の軸回転に従い旋回するクランクアームと、
前記クランクアームに取り付けられ、前記クランクアームの旋回に従い所定の軌道に沿って移動しながら基材を支持可能なクランクピンと、を備え、
各クランク機構の各クランクピンが互いに同期して移動する、
ＣＶＤ装置の支持機構。
【請求項２】
前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有する、請求項１に記載のＣＶＤ装置の支持機構。
【請求項３】
前記クランクピンは、前記支持部を形成する鍔を有する、請求項２に記載のＣＶＤ装置の支持機構。
【請求項４】
各クランク機構における前記クランク軸と前記クランクピンの間の距離は、対向するクランク軸の間の距離であるＰＣＤ（Pitch Circle Diameter）の５〜３０％である、請求項１または２に記載のＣＶＤ装置の支持機構。
【請求項５】
請求項１に記載のＣＶＤ装置の支持機構に前記基材を搭載し、前記クランク機構を回転させることにより前記基材を揺動させながらセラミック層を被覆するセラミック被覆体の製造方法。
【請求項６】
前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有し、前記支持部により前記基材を支持するともに、前記基材を揺動および回転させながら前記セラミック層を被覆する、請求項５に記載のセラミック被覆体の製造方法。
【請求項７】
前記クランク機構は間欠的に回転する、請求項５または６に記載のセラミック被覆体の製造方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか１項に記載のＣＶＤ装置の支持機構を備えるＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ装置の支持機構、セラミック被覆体およびＣＶＤ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばカーボン（黒鉛）やＳｉＣを基材にした半導体用熱処理部材（以下、これをワークともいう。）は、熱処理中において基材自身に含まれる不純物が漏出しないように、また高い耐蝕性を得るなどの目的のために、その全面にＣＶＤ−ＳｉＣコーティングを実施する場合がある。ワークに対してＣＶＤコーティングを施す場合には、ワークをＣＶＤ炉内において支持するための支持部材が必要であり、ワークと支持部材とは接触した状態になる。
【０００３】
したがって、前記支持部材に接触したワークの表面には反応ガスが接触せず、当該箇所にはＣＶＤ膜がほとんど形成されないという問題が発生する。そこで、ＣＶＤ膜の非形成面積をより小さくさせるために、支持部材の先端部を針状に形成させるなどの工夫がなされているものの、いずれにしてもワーク表面の一部にＣＶＤ膜が形成されない箇所が存在することにより、ワーク基材に含まれる不純物が漏出するといった問題が発生する。
【０００４】
そのために、ワークに対してＣＶＤコーティングを実行した後、一旦、ＣＶＤ炉を室温に戻し、炉内を開けて支持部材によるワークの支持位置をずらせてセットし直した後、再びＣＶＤコーティングを実行するといった対処が考えられている。この様な手段を採用した場合には、ＣＶＤ炉の温度を再び上昇させるための余分なリードタイムを確保しなければならず、生産性を低下させると共にコストを上昇させるという問題が発生する。
【０００５】
このような問題を解決するために特許文献１には、ＣＶＤ炉内に配置されたワーク支持部材によってワークを吊り下げる形態で支持すると共に、ＣＶＤ処理中において、水平方向に回転可能になされたワーク支持部材に対して間欠的に回転駆動動作を与え、ワーク支持部材の水平方向への回転および停止に伴うワークに作用する遠心力の働きの変化により、ワークに対するワーク支持部材の接触位置が変更されるようにしたＣＶＤコーティング方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−８９８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記記載された発明は、１回のコーティングでセラミック被膜を形成しているので、原料ガスの流れの疎密に伴って発生するセラミック被膜のバラツキが、解消されにくい。特に中心部分と周囲との間に生じる差は解消できない。
【０００８】
本発明では、１回のコーティングで基材の支持に伴うセラミック層の露出部が生じることなく、セラミック層のバラツキの生じにくいＣＶＤ装置の支持機構、セラミック被覆体の製造方法およびＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための本発明のＣＶＤ装置の支持機構は、以下のものである。
【００１０】
（１）各々回転する複数のクランク機構を備えるＣＶＤ装置の支持機構であって、各クランク機構は、所定の軸を中心として軸回転するクランク軸と、前記クランク軸に取り付けられ、当該クランク軸の軸回転に従い旋回するクランクアームと、前記クランクアームに取り付けられ、前記クランクアームの旋回に従い所定の軌道に沿って移動しながら基材を支持可能なクランクピンと、を備え、各クランク機構の各クランクピンが互いに同期して移動する。
【００１１】
本発明のＣＶＤ装置の支持機構によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともに、クランク機構によって基材を揺動させるので、基材にコーティングされるセラミック層（セラミックコート）のバラツキを小さくすることができる。また基材の位置が変わるのでそれに伴って原料ガスの流れが変わりセラミック層を均一化する作用が働く。
また、基材がクランク機構によって移動するクランクピンで支持されるため、回転する中で基材の支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、セラミック層がコーティングされていない基材の露出した部分の発生を防止することができる。
【００１２】
また、本発明のＣＶＤ装置の支持機構は次の態様であることが好ましい。
【００１３】
（２）前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有する。
【００１４】
クランクピンが支持部を有していると、支持部の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材と支持部が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００１５】
（３）前記クランクピンは、前記支持部を形成する鍔を有する。
【００１６】
クランクピンが鍔を有していると、鍔の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材と鍔が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００１７】
（４）各クランク機構における前記クランク軸と前記クランクピンの間の距離は、対向するクランク軸の間の距離であるＰＣＤ（Pitch Circle Diameter）の５〜３０％である。
【００１８】
クランク軸とクランクピンの中心軸の間の距離Ｌの２倍が、揺動するストロークである。Ｌ／ＰＣＤが５％以上であると基材が充分に揺動するので、セラミック層の位置によるバラツキを解消することができる。基材の移動範囲は基材の面積に対して（Ｌ／ＰＣＤ＋１）２倍となる。Ｌ／ＰＣＤが３０％以下であると、基材の移動範囲は基材の１．６９倍に抑えられるため、ＣＶＤ装置内で効率よくスペースを利用することができる。
【００１９】
上記課題を解決するための本発明のセラミック被覆体の製造方法は以下のものである。
【００２０】
（５）前記記載のＣＶＤ装置の支持機構に前記基材を搭載し、前記クランク機構を回転させることにより前記基材を揺動させながらセラミック層を被覆する。
【００２１】
本発明のセラミック被覆体の製造方法によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともに、クランク機構によって基材を揺動させるので、基材にコーティングされるセラミック層のバラツキを小さくすることができる。また基材の位置が変わるのでそれに伴って原料ガスの流れが変わりセラミック層を均一化する作用が働く。
【００２２】
また、基材がクランク機構によって移動するクランクピンで支持されるため、回転する中で基材の支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、セラミック層がコーティングされていない基材の露出した部分の発生を防止することができる。
【００２３】
また、本発明のセラミック被覆体の製造方法は次の態様であることが好ましい。
【００２４】
（６）前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有し、前記支持部により前記基材を支持するともに、前記基材を揺動および回転させながら前記セラミック層を被覆する。
【００２５】
クランクピンが支持部を有していると、支持部の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材と支持部が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００２６】
（７）前記クランク機構は間欠的に回転する。
【００２７】
発明のクランク機構によれば、間欠的に回転するので、セラミック層を被覆する基材に対し、常時機械的な力を付与することを抑制することができる。セラミック層が被覆されている間は、クランクピンと基材との間でセラミック層によって接合しようとする作用が働いている。クランク機構を間欠的に回転させることにより、接合したセラミック層を剥がそうとする作用が限られた位置で行われることになり、欠陥の少ないセラミック被覆体を得ることができる。
【００２８】
（８）また、上記課題を解決するための本発明のＣＶＤ装置は、前記記載のＣＶＤ装置の支持機構を備える。
【００２９】
本発明のＣＶＤ装置によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともにクランク機構によって揺動するので、基材にコーティングされるセラミック層のバラツキを小さくすることができる。
【００３０】
また、回転するクランクピンで支持されているので、回転する中で支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、基材の露出した部分の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、基材にコーティングされるセラミック層のバラツキを抑制するとともに、セラミック層がコーティングされていない基材の露出した部分の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態のＣＶＤ炉の側面視における断面図。
【図２】図１における支持機構の一部であるクランク機構と基材の部分の側面格大図。
【図３】図１の支持機構の平面図。
【図４】図１の支持機構と基材の平面図。
【図５】実施の形態の支持機構にリング状の基材を搭載した状態を示す平面図。
【図６】図４の支持機構と基材の動作を示し、９０度毎に回転した状態を説明する説明図。
【図７】図６の基材の動作を破線で重ね合わせて示す説明図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は先端に支持部を有するクランクピンの変形例。
【００３３】
（発明の詳細な説明）
本発明のＣＶＤ装置の支持機構は、各々回転する複数のクランク機構を備えるＣＶＤ装置の支持機構であって、各クランク機構は、所定の軸を中心として軸回転するクランク軸と、前記クランク軸に取り付けられ、当該クランク軸の軸回転に従い旋回するクランクアームと、前記クランクアームに取り付けられ、前記クランクアームの旋回に従い所定の軌道に沿って移動しながら基材を支持可能なクランクピンと、を備え、各クランク機構の各クランクピンが互いに同期して移動する。
【００３４】
本発明のＣＶＤ装置の支持機構によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともに、クランク機構によって基材を揺動させるので、基材にコーティングされるセラミック層（セラミックコート）のバラツキを小さくすることができる。
また、基材がクランク機構によって移動するクランクピンで支持されるため、回転する中で基材の支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、セラミック層がコーティングされていない基材の露出した部分の発生を防止することができる。また基材の位置が変わるのでそれに伴って原料ガスの流れが変わりセラミック層を均一化する作用が働く。
【００３５】
また、本発明のＣＶＤ装置の支持機構は次の態様であることが好ましい。
【００３６】
前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有する。
【００３７】
クランクピンが支持部を有していると、支持部の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材が回転し、基材と支持部が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００３８】
前記クランクピンは、前記支持部を形成する鍔を有する。
【００３９】
クランクピンが鍔を有していると、鍔の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材が回転し、基材と鍔が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００４０】
各クランク機構における前記クランク軸と前記クランクピンの間の距離は、対向するクランク軸の間の距離であるＰＣＤ（Pitch Circle Diameter）の５〜３０％である。
【００４１】
クランク軸とクランクピンの中心軸の間の距離Ｌの２倍が、揺動するストロークである。Ｌ／ＰＣＤが５％以上であると基材が充分に揺動するので、セラミック層の位置によるバラツキを解消することができる。基材の移動範囲は基材の面積に対して（Ｌ／ＰＣＤ＋１）２倍となる。Ｌ／ＰＣＤが３０％以下であると、基材の移動範囲は基材の１．６９倍に抑えられるため、ＣＶＤ装置内で効率よくスペースを利用することができる。
【００４２】
本発明のセラミック被覆体の製造方法は以下のものである。
【００４３】
前記記載のＣＶＤ装置の支持機構に前記基材を搭載し、前記クランク機構を回転させることにより前記基材を揺動させながらセラミック層を被覆する。
【００４４】
本発明のセラミック被覆体の製造方法によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともに、クランク機構によって基材を揺動させるので、基材にコーティングされるセラミック層のバラツキを小さくすることができる。また基材の位置が変わるのでそれに伴って原料ガスの流れが変わりセラミック層を均一化する作用が働く。
【００４５】
また、基材がクランク機構によって移動するクランクピンで支持されるため、回転する中で基材の支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、セラミック層がコーティングされていない基材の露出した部分の発生を防止することができる。
【００４６】
また、本発明のセラミック被覆体の製造方法は次の態様であることが好ましい。
【００４７】
前記クランクピンは、先端部において前記基材の端部を支持する支持部を有し、前記支持部により前記基材を支持するともに、前記基材を揺動および回転させながら前記セラミック層を被覆する。
【００４８】
クランクピンが支持部を有していると、支持部の上に基材を搭載させ、クランク機構の回転とともに基材が回転し、基材と支持部が相対的に移動する。このため、支持に伴うセラミック層の露出部分が形成されない。
【００４９】
前記クランク機構は間欠的に回転する。
【００５０】
発明のクランク機構によれば、間欠的に回転するので、セラミック層を被覆する基材に対し、常時機械的な力を付与することを抑制することができる。セラミック層が被覆されている間は、クランクピンと基材との間でセラミック層によって接合しようとする作用が働いている。クランク機構を間欠的に回転させることにより、接合したセラミック層を剥がそうとする作用が限られた位置で行われることになり、欠陥の少ないセラミック被覆体を得ることができる。
【００５１】
また、本発明のＣＶＤ装置は、前記記載のＣＶＤ装置の支持機構を備える。
【００５２】
本発明のＣＶＤ装置によれば、複数のクランクピンで基材を支持するとともにクランク機構によって揺動するので、基材にコーティングされるセラミック層のバラツキを小さくすることができる。
【００５３】
また、回転するクランクピンで支持されているので、回転する中で支持点が振動、熱膨張差によって少しずつ動き、基材の露出した部分の発生を防止することができる。
【００５４】
（発明を実施するための形態）
図１は、本発明の一実施の形態のＣＶＤ炉（ＣＶＤ装置）１００の側面視における断面図である。ＣＶＤ炉１００は本体１０４と、本体１０４の上部開口を覆う蓋１０２と、蓋１０２の中央に設けられたノズル１０６とを備える。さらに本体１０４の内部下面には、円板状の基材Ｂを搭載可能な支持機構１０が設けられる。基材Ｂはカーボン（黒鉛）やＳｉＣ等から構成される。
【００５５】
基材Ｂを支持機構１０に搭載した後、本体１０４に蓋１０２を取り付けてＣＶＤ炉１００の内部空間Ｓを密閉状態にする。その後、外部からノズル１０６を介してＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）用の原料ガスを内部空間Ｓに導入する。これにより、基材Ｂの表面にセラミック層（セラミックコート）を施すことができる。
【００５６】
図２は、図１における支持機構１０の一部であるクランク機構１１の側面図である。実施の形態では、支持機構１０は各々回転する４つのクランク機構１１からなる（図３参照）。支持機構１０を構成する複数のクランク機構１１の数は特に限定されないが、クランク機構１１の数は３以上であることが好ましい。この数が３以上であると安定して基材Ｂを支持することができる。
【００５７】
各クランク機構１１は、クランク軸１８と、クランクアーム１６と、クランクピン１４とを備える。クランク軸１８は、モータなどの図示せぬ動力源に電気的に接続され、その長手方向に沿った所定の軸を中心として軸回転（自転）する。
【００５８】
クランクアーム１６は、クランク軸１８に取り付けられ、クランク軸１８の軸回転に従い旋回する。本実施形態では、クランクアーム１６は平面視で円板状を呈し（図３参照）、いわば旋回する旋回板の形状を持っており、長手方向を持ついわゆるアーム形状を有しない。しかしながら、後述するように、クランクアーム１６は、クランク軸１８を中心にして回転可能であり、クランクアーム１６に取り付けられた別の軸であるクランクピン１４も所定の軌道に沿って移動するため、機能的にはいわゆる機構学分野におけるクランクアームとして作用する。すなわち、クランクアーム１６は、クランク軸１８の中心とクランクピン１４の中心を機械的に接続さえしていればよく、棒状である必要性はない。例えば実施形態の様な円板状や、渦巻状であってもクランクアーム１６として定義することができる。
【００５９】
クランクピン１４はクランクアーム１６の上面に取り付けられ、クランクアーム１６の旋回に従い所定の軌道に沿って移動しながら基材Ｂを支持可能である。後述するように、４つのクランク機構の各クランクピンは互いに同期して移動する。
【００６０】
本実施形態において、クランクピン１４は、先端部において柱状の突起１４ａが形成され、突起１４ａが形成されていない先端部の面が、基材Ｂの端部を支持する支持部１４ｂを画定している。クランクピン１４の形状は特に限定されないが、その先端部において基材Ｂの端部を支持する支持部を有することにより、基材Ｂを容易に支持することができる。
【００６１】
クランクピン１４の先端部の形状は、先が尖ったものや、鍔を有するもの等が利用可能である。先が尖ったものは、点で基材Ｂを支持するとともに、支持機構１０が回転する。よって、振動あるいは熱膨張で基材Ｂが少しずつ動き、基材Ｂを支持する支持点の位置が移動し、セラミック層が形成されずに基材Ｂが露出した部分が形成されにくくなる。また、クランクピン１４が鍔を有すると、能動的に基材Ｂを回転させることができるので、動揺に支持点の位置が移動し、基材が露出した部分を形成するのを抑制することができる。クランクピン１４の変形例は、後に図８を用いて詳述する。
【００６２】
図３に示すように本実施形態の支持機構１０では、矢印に示した時計回り方向にクランク機構１１すなわちクランク軸１８が軸回転し、これに伴いクランクアーム１６が旋回し、クランクピン１４も移動、明確にはクランクピン１４は円軌道に沿って移動する。また、支持機構１０では、各クランク機構１１の中心（クランク軸１８の位置）が配置される仮想円Ｃを定義した上で、当該仮想円Ｃを外形として有している。ここで、仮想円Ｃの直径をＰＣＤ（Pitch Circle Diameter）として定義し、各クランク機構１１の中心と、クランクピン１４の中心との距離をＬと定義する。すなわち、ＰＣＤは対向するクランク軸の間の距離に相当し、距離Ｌは、各クランク機構１１におけるクランク軸１８とクランクピン１４の間の距離に相当する。
【００６３】
この場合、距離Ｌの２倍が、クランクピン１４が揺動するストロークに相当する。そして、距離ＬはＰＣＤの５〜３０％に設定することが望ましい（５％≦Ｌ／ＰＣＤ≦３０％）。Ｌ／ＰＣＤが５％以上であると基材Ｂが充分に揺動するので、セラミック層の位置によるバラツキを解消することができる。基材Ｂの移動範囲は基材Ｂの面積に対して（Ｌ／ＰＣＤ＋１）２倍となる。Ｌ／ＰＣＤが３０％以下であると、基材Ｂの移動範囲は基材Ｂの１．６９倍に抑えられるため、ＣＶＤ炉１００内で効率よくスペースを利用することができる。
【００６４】
図４は支持機構１０に円板状の基材Ｂを搭載した平面図を示している。一方、図５に示すように円板状に限らず、リング状の基材Ｂも搭載することができる。図５においては、リングの内周面をクランクピン１４が支持している。尚、鍔のあるクランクピンを用いて円板状の基材を搭載する場合には、内側に位置する鍔の縁に基材を搭載し、リング状の基材を搭載する場合には、外側に位置する鍔の縁に基材を搭載することになる。
【００６５】
図６は、本実施の形態の支持機構１０と基材の動作を示し、クランク機構１１が９０度毎に回転した状態を個別に示した説明図である。図３における矢印に示した方向に、４つのクランク機構１１における４本のクランクピン１４が同じ位相となるように同期して回転しているので、４本のクランクピン１４の移動軌跡が作る仮想円は、常に同じ直径となり、安定して基材Ｂを支持することができる。また、支持機構１０の回転に当たって、ギヤの遊びなどにより、振動や、わずかの位相のずれが生じているので、先の尖ったクランクピン４を用いても支持点の位置が移動し、セラミック層の形成されない基材Ｂが露出した部分が形成されにくくできる。
【００６６】
図７は、本実施形態の支持機構１０を用いて円板状の基材Ｂの支持した際の基材Ｂが揺動する動きを重ね合わせて示しており、４つの破線は、図６の各々の状態における基材Ｂの位置を示している。基材Ｂは、支持機構１０に支持されつつ、揺動しながら回転しているので、セラミック層のムラの発生を緩和することができる。
【００６７】
図８はクランクピン１４の変形例を示している。図８（ａ）は図２に示した例と同じものを示し、クランクピン１４の先端部に細い柱状の突起１４ａが形成され、突起１４ａが形成されていない先端部の面が、基材Ｂの端部を支持する支持部１４ｂを画定している。
図８（ｂ）は先が尖った構造を有するクランクピン１４を示し、尖った部分が基材Ｂの端部を支持するテーパーの支持部１４ｃを画定している。また、尖った先端部に基材を載せてもよい。先端に載せた場合には、支持機構１０の回転に伴って、ギヤの遊びなどにより、振動や、わずかの位相のずれが生じているので、先の尖ったクランクピン４を用いても支持点の位置が移動し、セラミック層の形成されない基材Ｂが露出した部分が形成されにくくできる。
【００６８】
図８（ｃ）は先端部に鍔１４ｄが形成され、この鍔１４ｄが基材Ｂの端部を支持する支持部１４ｃを画定している。図８（ｄ）も鍔１４ｅを有するが、鍔１４ｅの上面がテーパー面になっており、このテーパー面が基材Ｂの端部を支持する支持部１４ｃを画定している。図８（ｄ）の構造では、基材Ｂの端部を点支持とすることができ、かつ支持部が能動的に移動するため、基材Ｂが露出した部分を形成しにくくすることができる。
【００６９】
支持機構を構成する各部材の材質は特に限定されない。黒鉛、アルミナ、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４などが利用できる。中でも黒鉛は加工が容易であるので、歯車など精度よく加工することができる。
【００７０】
本発明の支持機構においてＣＶＤの対象となる基材Ｂの種類は特に限定されない。ＳｉＣ、ＴａＣ、熱分解炭素等の基材Ｂを利用することができる。基材Ｂの適用用途も特に限定はされない。
【００７１】
次に実施例として、ＣＶＤ炉の中に上向きに配置された４本の黒鉛製のクランク機構を配置して支持機構を構成した。各クランク機構はＣＶＤ炉の外から回転を伝達するクランク軸とクランク軸の上端には円板状のクランクアームが備えられ、クランクアームの端にはクランクピンが備えられている。
【００７２】
４本のクランク機構のつくるＰＣＤは３８０ｍｍ、クランク軸とクランクピンの中心軸間距離Ｌは３４ｍｍ、クランクピンの太さφ５．３ｍｍであった。また、Ｌ／ＰＣＤは、８．９％であった。
【００７３】
クランクピンは鍔を有しており、鍔の上面で円板状の基材を支持し、４本のクランク機構が同期しながら回転し、ＣＨ４、ＳｉＣｌ４の原料ガスを流し基材の表面にＳｉＣからなるセラミック層を被覆した。なお、ＣＶＤの条件は以下である。
【００７４】
製膜温度            １４５０℃
製膜時間            ４時間
クランクピン回転数  ３６ｒｐｍ
【００７５】
一方、ＣＶＤ炉の中心に実施例１と同じ基材を配置し、クランク機構を用いることなく同様にセラミック層を被覆し、比較例としてのセラミック被覆体を得た。
【００７６】
比較例で得られたセラミック被覆体では、同心円状にセラミック層の色ムラが生じていた。一方、実施例では、ＣＶＤ時に揺動が加わっているので、同心円状のムラがなくなっていることが確認された。
【００７７】
尚、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数値、形態、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明によれば、不純物の漏出を防止し、高い耐蝕性を持つ優れた基材を提供し得るため、種々の産業分野にて応用が可能となる。
【符号の説明】
【００７９】
１０    支持機構
１１    クランク機構
１４    クランクピン
１６    クランクアーム（旋回板）
１８    クランク軸
１００  ＣＶＤ炉（ＣＶＤ装置）
Ｂ      基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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