(57)【要約】【課題】密封部と基板との間の結合力を向上させ、更に紫外線遮断能力を向上させる表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、基板と、基板上に位置し、第２ホールを有する画素回路部と、画素回路部上に位置し、第２ホールに対応して位置する第３ホールを有する遮光膜と、遮光膜によって規定された発光領域に対応するように画素回路部上に位置する発光層と、遮光膜上の密封部と、を備え、基板は、第２ホールに対応する溝を有する第１層と、第１層と画素回路部との間に位置し、溝と第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、を含み、密封部は、遮光膜上に位置するカバー部と、カバー部から伸びて第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び溝に挿入された延長部と、を含み、溝は、第１ホールよりも大きな幅を有する。【選択図】図１１
2019083194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、第２ホールを有する画素回路部と、
前記画素回路部上に位置し、前記第２ホールに対応して位置する第３ホールを有する遮光膜と、
前記遮光膜によって規定された発光領域に対応するように前記画素回路部上に位置する発光層と、
前記遮光膜上の密封部と、を備え、
前記基板は、
前記第２ホールに対応する溝を有する第１層と、
前記第１層と前記画素回路部との間に位置し、前記溝と前記第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、を含み、
前記密封部は、
前記遮光膜上に位置するカバー部と、
前記カバー部から伸びて前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に挿入された延長部と、を含み、
前記溝は、前記第１ホールよりも大きな幅を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
平面的に前記第１ホールは、前記溝によって取り囲まれることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１ホールと前記溝とは、重畳することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記基板の表示領域及び非表示領域の少なくとも一つに位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記表示領域に位置して互いに隣接する高電位ラインとデータラインとの間に位置することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記非表示領域に位置し、前記画素回路部のスキャンライン又は発光制御ラインに接続された駆動回路部を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記非表示領域に位置し、前記駆動回路部に連結された複数のクロックラインを更に含み、
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、隣接するクロックラインの間に位置することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記溝の向き合う内壁のいずれか一つと前記第１ホールの向き合う内壁の一つとは、一直線上に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１層及び第２層のいずれか一つは有機物質を含み、他の一つは無機物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上の画素回路部と、
前記画素回路部上に位置し、第３ホールを有する遮光膜と、
前記遮光膜によって規定された発光領域に対応するように前記画素回路部上に位置する発光層と、
前記遮光膜上の密封部と、を備え、
前記画素回路部は、
前記第３ホールに対応して位置する溝を有する第１層と、
前記第１層上に位置し、前記溝と前記第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、
前記第２層上に位置し、前記第１ホールと前記第３ホールとの間に位置する第２ホールを有する第３層と、を含み、
前記密封部は、
前記遮光膜上に位置するカバー部と、
前記カバー部から伸びて前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に挿入された延長部と、を含み、
前記溝は、前記第１ホールよりも大きな幅を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記溝は、前記第１層から前記第２層に向かう方向に次第に広くなる幅を有することを特徴とする請求項１又は１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つは、前記第１層と前記第２層との間の界面に対して所定角度で傾くことを特徴とする請求項１又は１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つと前記界面とが成す角は、鈍角であることを特徴とする請求項１又は１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記基板の表示領域及び非表示領域の少なくとも一つに位置することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１５】
キャリア基板を準備する段階と、
前記キャリア基板上に第１層及び第２層を順次形成する段階と、
前記第２層上に画素回路部を形成する段階と、
前記画素回路部上に発光領域を規定する遮光膜を形成する段階と、
前記遮光膜を貫く第３ホールを形成する段階と、
前記画素回路部の絶縁膜を貫き前記第３ホールに対応して位置する第２ホールを形成する段階と、
前記第２層を貫き前記第２ホールに対応して位置する第１ホールを形成する段階と、
前記第１ホールに対応して位置し、前記第１ホールよりも大きな幅を有する溝を前記第１層に形成する段階と、
前記遮光膜上に位置するカバー部と、前記カバー部から伸びて第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に埋め込まれた延長部とを含む密封部を形成する段階と、を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記溝は、酸素乾式エッチング又はレーザー光によって形成されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１層は、有機物質を含み、
前記第２層は、無機物質を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２層を選択的に除去して前記第１ホールを形成する際に、前記表示装置のベンディング部の絶縁膜が一緒に除去されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
基板と、
前記基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上に位置し、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、
前記画素電極上の発光層と、
前記発光層上の共通電極と、
前記共通電極上に位置する密封部と、を備え、
前記密封部は、
有機膜と、
前記有機膜と前記共通電極との間に位置する少なくとも一つの第１複合無機膜と、を含み、
前記第１複合無機膜は、
前記共通電極と前記有機膜との間の第１無機膜と、
前記第１無機膜と前記有機膜との間の第２無機膜と、を含み、
前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有して互いに接触することを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
前記第１無機膜の屈折率は、前記第２無機膜の屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１無機膜の屈折率と前記第２無機膜の屈折率との屈折率差は、０．４以上であることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
互いに隣接する第１複合無機膜のいずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜と、が向き合い、
前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜と、が互いに異なる屈折率を有することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜とは、互いに接触することを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜は、前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と同じ屈折率を有することを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第１無機膜及び前記第２無機膜は、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１無機膜及び前記第２無機膜のいずれか一つはＴｉＯ２を含み、他の一つはＡｌ２Ｏ３を含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記少なくとも一つの第１複合無機膜は、５つ以上の第１複合無機膜を含むことを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記５つ以上の第１複合無機膜の総厚さは、０．５μｍ〜１μｍの厚さを有することを特徴とする請求項２７に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記第１複合無機膜と前記有機膜との間の第１補助無機膜を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記第１補助無機膜の屈折率は、前記第１無機膜の屈折率と同一であることを特徴とする請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記有機膜を挟んで前記第１複合無機膜と対向するように位置する少なくとも一つの第２複合無機膜を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記第２複合無機膜は、
前記有機膜上の第１無機膜と、
前記第２複合無機膜の第１無機膜上に位置する第２無機膜と、を含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第２複合無機膜の第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有することを特徴とする請求項３２に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第１複合無機膜の第１無機膜とは、同じ屈折率を有し、
前記第２複合無機膜の第２無機膜と前記第１複合無機膜の第２無機膜とは、同じ屈折率を有することを特徴とする請求項３３に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第２複合無機膜の第２無機膜とは、互いに接触することを特徴とする請求項３２に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記第２複合無機膜に含まれる第１無機膜の屈折率と前記第２複合無機膜に含まれる第２無機膜の屈折率との屈折率差は、０．４以上であることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記第２複合無機膜と前記有機膜との間の第２補助無機膜を更に含むことを特徴とする請求項３２に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記第２補助無機膜の屈折率は、前記第２複合無機膜に含まれる第２無機膜の屈折率と同一であることを特徴とする請求項３７に記載の表示装置。
【請求項３９】
前記密封部は、
前記有機膜と前記第１複合無機膜との間の下部無機膜と、
前記有機膜上の上部無機膜の少なくとも一つと、を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項４０】
前記共通電極と前記第１複合無機膜との間の保護層を更に含むことを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項４１】
前記保護層は、
前記共通電極上に位置するキャッピング層と、
前記キャッピング層上の金属層と、を含むことを特徴とする請求項４０に記載の表示装置。
【請求項４２】
前記キャッピング層は、有機物質を含み、
前記金属層は、ＬｉＦを含むことを特徴とする請求項４１に記載の表示装置。
【請求項４３】
前記第１無機膜と前記第２無機膜との間の界面は、第１凹凸パターンを有することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項４４】
前記界面に向き合う第２無機膜の一面は、第２凹凸パターンを有することを特徴とする請求項４３に記載の表示装置。
【請求項４５】
前記第１凹凸パターンに含まれる凸部の配列方向は、前記第２凹凸パターンに含まれる凸部の配列方向に交差することを特徴とする請求項４４に記載の表示装置。
【請求項４６】
基板と、
前記基板上のスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上に位置し、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、
前記画素電極上の発光層と、
前記発光層上の共通電極と、
前記共通電極上に位置する密封部と、を備え、
前記密封部は、
有機膜と、
前記共通電極と前記有機膜との間に位置する第１複合無機膜と、を含み、
前記第１複合無機膜は、前記共通電極から前記有機膜に向かう方向に交互に配置された複数の第１無機膜及び第２無機膜を含み、
前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有し、
隣接する前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、接触することを特徴とする表示装置。
【請求項４７】
基板上にスイッチング素子を形成する段階と、
前記スイッチング素子上に前記スイッチング素子に連結される画素電極を形成する段階と、
前記画素電極上に発光層を形成する段階と、
前記発光層上に共通電極を形成する段階と、
前記共通電極上に位置する密封部を形成する段階と、を有し、
前記密封部は、
有機膜と、
前記共通電極と前記有機膜との間に位置する少なくとも一つの第１複合無機膜と、を含み、
前記第１複合無機膜は、
前記共通電極と前記有機膜との間の第１無機膜と、
前記第１無機膜と前記有機膜との間の第２無機膜と、を含み、
前記第１無機膜と第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有して互いに接触することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関し、より詳細には、密封部と基板との間の結合力を向上させ、更に紫外線遮断能力を向上させる表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）の欠点である重さ及び嵩を減らすことができる利点を有する。このような表示装置としては、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマ表示パネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）などがある。
【０００３】
表示装置のうち、有機発光表示装置は電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを用いて映像を表示する。
【０００４】
太陽光からの紫外線は有機発光表示装置の遮光膜に加わり、有機物質を含む遮光膜がアウトガス（ｏｕｔ−ｇａｓ）を発生させる。このアウトガスは発光素子に損傷を加え、これによって画素縮小（ｐｉｘｅｌ  ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）のような不良が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−１２０７５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、基板間の結合力を向上させ、優れた紫外線遮断能力を有する表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、基板と、前記基板上に位置し、第２ホールを有する画素回路部と、前記画素回路部上に位置し、前記第２ホールに対応して位置する第３ホールを有する遮光膜と、前記遮光膜によって規定された発光領域に対応するように前記画素回路部上に位置する発光層と、前記遮光膜上の密封部と、を備え、前記基板は、前記第２ホールに対応する溝を有する第１層と、前記第１層と前記画素回路部との間に位置し、前記溝と前記第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、を含み、前記密封部は、前記遮光膜上に位置するカバー部と、前記カバー部から伸びて前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に挿入された延長部と、を含み、前記溝は、前記第１ホールよりも大きな幅を有する。
【０００８】
前記溝は、前記第１層から前記第２層に向かう方向に次第に広くなる幅を有し得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つは、前記第１層と前記第２層との間の界面に対して所定角度で傾き得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つと前記界面とが成す角は、鈍角であり得る。
平面的に前記第１ホールは、前記溝によって取り囲まれ得る。
前記第１ホールと前記溝とは重畳し得る。
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記基板の表示領域及び非表示領域の少なくとも一つに位置し得る。
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記表示領域に位置して互いに隣接する高電位ラインとデータラインとの間に位置し得る。
前記表示装置は、前記非表示領域に位置し、前記画素回路部のスキャンライン又は発光制御ラインに接続された駆動回路部を更に含み得る。
前記表示装置は、前記非表示領域に位置し、前記駆動回路部に連結された複数のクロックラインを更に含み、前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、隣接するクロックラインの間に位置し得る。
前記溝の向き合う内壁のいずれか一つと前記第１ホールの向き合う内壁の一つとは、一直線上に位置し得る。
前記第１層及び第２層のいずれか一つは有機物質を含み、他の一つは無機物質を含み得る。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示装置は、基板と、前記基板上の画素回路部と、前記画素回路部上に位置し、第３ホールを有する遮光膜と、前記遮光膜によって規定された発光領域に対応するように前記画素回路部上に位置する発光層と、前記遮光膜上の密封部と、を備え、前記画素回路部は、前記第３ホールに対応して位置する溝を有する第１層と、前記第１層上に位置し、前記溝と前記第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、前記第２層上に位置し、前記第１ホールと前記第３ホールとの間に位置する第２ホールを有する第３層と、を含み、前記密封部は、前記遮光膜上に位置するカバー部と、前記カバー部から伸びて前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に挿入された延長部と、を含み、前記溝は、前記第１ホールよりも大きな幅を有する。
【００１０】
前記溝は、前記第１層から前記第２層に向かう方向に次第に広くなる幅を有し得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つは、前記第１層と前記第２層との間の界面に対して所定角度で傾き得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つと前記界面とが成す角は、鈍角であり得る。
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記基板の表示領域及び非表示領域の少なくとも一つに位置し得る。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置の製造方法は、キャリア基板を準備する段階と、前記キャリア基板上に第１層及び第２層を順次形成する段階と、前記第２層上に画素回路部を形成する段階と、前記画素回路部上に発光領域を規定する遮光膜を形成する段階と、前記遮光膜を貫く第３ホールを形成する段階と、前記画素回路部の絶縁膜を貫き前記第３ホールに対応して位置する第２ホールを形成する段階と、前記第２層を貫き前記第２ホールに対応して位置する第１ホールを形成する段階と、前記第１ホールに対応して位置し、前記第１ホールよりも大きな幅を有する溝を前記第１層に形成する段階と、前記遮光膜上に位置するカバー部と、前記カバー部から伸びて第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に埋め込まれた延長部とを含む密封部を形成する段階と、を有する。
【００１２】
前記溝は、酸素乾式エッチング又はレーザー光によって形成され得る。
前記第１層は、有機物質を含み、前記第２層は、無機物質を含み得る。
前記第２層を選択的に除去して前記第１ホールを形成する際に、前記表示装置のベンディング部の絶縁膜が一緒に除去され得る。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様による表示装置は、基板と、前記基板上のスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に位置し、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、前記画素電極上の発光層と、前記発光層上の共通電極と、前記共通電極上に位置する密封部と、を備え、前記密封部は、有機膜と、前記有機膜と前記共通電極との間に位置する少なくとも一つの第１複合無機膜と、を含み、前記第１複合無機膜は、前記共通電極と前記有機膜との間の第１無機膜と、前記第１無機膜と前記有機膜との間の第２無機膜と、を含み、前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有して互いに接触する。
【００１４】
前記第１無機膜の屈折率は、前記第２無機膜の屈折率よりも大きくあり得る。
前記第１無機膜の屈折率と前記第２無機膜の屈折率との屈折率差は０．４以上であり得る。
互いに隣接する第１複合無機膜のいずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜と、が向き合い、前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜と、が互いに異なる屈折率を有し得る。
前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第１無機膜とは、互いに接触し得る。
前記いずれか一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜は、前記他の一つの第１複合無機膜に含まれる第２無機膜と同じ屈折率を有し得る。
前記第１無機膜及び前記第２無機膜は、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ２Ｏ３、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含み得る。
前記第１無機膜及び前記第２無機膜のいずれか一つはＴｉＯ２を含み、他の一つはＡｌ２Ｏ３を含み得る。
前記少なくとも一つの第１複合無機膜は、５つ以上の第１複合無機膜を含み得る。
前記５つ以上の第１複合無機膜の総厚さは、０．５μｍ〜１μｍの厚さを有し得る。
前記表示装置は、前記第１複合無機膜と前記有機膜との間の第１補助無機膜を更に含み得る。
前記第１補助無機膜の屈折率は、前記第１無機膜の屈折率と同一であり得る。
前記表示装置は、前記有機膜を挟んで前記第１複合無機膜と対向するように位置する少なくとも一つの第２複合無機膜を更に含み得る。
前記第２複合無機膜は、前記有機膜上の第１無機膜と、前記第２複合無機膜の第１無機膜上に位置する第２無機膜と、を含み得る。
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第２複合無機膜の第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有し得る。
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第１複合無機膜の第１無機膜とは、同じ屈折率を有し、前記第２複合無機膜の第２無機膜と前記第１複合無機膜の第２無機膜とは、同じ屈折率を有し得る。
前記第２複合無機膜の第１無機膜と前記第２複合無機膜の第２無機膜とは、互いに接触し得る。
前記第２複合無機膜に含まれる第１無機膜の屈折率と前記第２複合無機膜に含まれる第２無機膜の屈折率との屈折率差は０．４以上であり得る。
前記表示装置は、前記第２複合無機膜と前記有機膜との間の第２補助無機膜を更に含み得る。
前記第２補助無機膜の屈折率は、前記第２複合無機膜に含まれる第２無機膜の屈折率と同一であり得る。
前記密封部は、前記有機膜と前記第１複合無機膜との間の下部無機膜と、前記有機膜上の上部無機膜の少なくとも一つと、を更に含み得る。
前記表示装置は、前記共通電極と前記第１複合無機膜との間の保護層を更に含み得る。
前記保護層は、前記共通電極上に位置するキャッピング層と、前記キャッピング層上の金属層と、を含み得る。
前記キャッピング層は、有機物質を含み、前記金属層は、ＬｉＦを含み得る。
前記第１無機膜と前記第２無機膜との間の界面は、第１凹凸パターンを有し得る。
前記界面に向き合う第２無機膜の一面は、第２凹凸パターンを有し得る。
前記第１凹凸パターンに含まれる凸部の配列方向は、前記第２凹凸パターンに含まれる凸部の配列方向に交差し得る。
【００１５】
前記表示装置は、前記スイッチング素子が含まれる画素回路部と、前記画素回路部と前記共通電極との間に位置し、前記発光層が位置する発光領域を規定する遮光膜と、を更に含み、前記画素回路部は、これを貫く第２ホールを有し、前記遮光膜は、前記第２ホールに対応する第３ホールを有し、前記基板は、前記第２ホールに対応する溝を有する第１層と、前記第１層と前記画素回路部との間に位置し、前記溝と前記第３ホールとの間に位置する第１ホールを有する第２層と、を含み、前記密封部は、前記共通電極上に位置するカバー部と、前記カバー部から伸びて前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝に挿入された延長部と、を含み、前記溝は、前記第１ホールよりも大きな幅を有する。
前記溝は、前記第１層から前記第２層に向かう方向に次第に広くなる幅を有し得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つは、前記第１層と前記第２層との間の界面に対して所定角度で傾き得る。
前記溝の向き合う内壁の少なくとも一つと前記界面とが成す角は、鈍角であり得る。
平面的に前記第１ホールは、前記溝によって取り囲まれ得る。
前記第１ホールと前記溝とは、重畳し得る。
前記第３ホール、第２ホール、第１３ホール、及び前記溝は、前記基板の表示領域及び非表示領域の少なくとも一つに位置し得る。
前記第３ホール、第２ホール、第１ホール、及び前記溝は、前記表示領域に位置し、互いに隣接する高電位ラインとデータラインとの間に位置し得る。
【００１６】
上記目的を達成するためになされた本発明のまた更に他の態様による表示装置は、基板と、前記基板上のスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に位置し、前記スイッチング素子に連結された画素電極と、前記画素電極上の発光層と、前記発光層上の共通電極と、前記共通電極上に位置する密封部と、を備え、前記密封部は、有機膜と、前記共通電極と前記有機膜との間に位置する第１複合無機膜と、を含み、前記第１複合無機膜は、前記共通電極から前記有機膜に向かう方向に交互に配置された複数の第１無機膜及び第２無機膜を含み、前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有し、隣接する前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、接触する。
【００１７】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示装置の製造方法は、基板上にスイッチング素子を形成する段階と、前記スイッチング素子上に前記スイッチング素子に連結される画素電極を形成する段階と、前記画素電極上に発光層を形成する段階と、前記発光層上に共通電極を形成する段階と、前記共通電極上に位置する密封部を形成する段階と、を有し、前記密封部は、有機膜と、前記共通電極と前記有機膜との間に位置する少なくとも一つの第１複合無機膜と、を含み、前記第１複合無機膜は、前記共通電極と前記有機膜との間の第１無機膜と、前記第１無機膜と前記有機膜との間の第２無機膜と、を含み、前記第１無機膜と前記第２無機膜とは、互いに異なる屈折率を有して互いに接触する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の表示装置によれば、密封部が基板又は画素回路部の溝に結合されるため、密封部と基板との間の結合力が向上し、このような結合力の向上によって表示装置のデッドスペース（ｄｅａｄ  ｓｐａｃｅ）を最小化することができる。また、本発明の複合無機膜を含む密封部は、優れた紫外線遮断能力を有し、更に本発明の複合無機膜内の無機膜間の接着力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置のブロック構成図である。
【図２】図１に示した一画素の等価回路を示した図である。
【図３】図１に示した一画素及びこれに連結されたラインを含む表示装置の詳細平面図である。
【図４ａ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｂ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｃ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｄ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｅ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｆ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図４ｇ】図３の構成要素の一部のみを別に示した図である。
【図５】図３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図６】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
【図７】図６のＡ部の拡大図である。
【図８】図１に示した複数の画素及びこれらに連結されたラインを含む表示装置の詳細平面図である。
【図９】図３のＩ−Ｉ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【図１０】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【図１１】図９のＡ部の拡大図である。
【図１２】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１３】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１４】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１５】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１６】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１７】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１８】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図１９】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２０】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２１】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２２】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２３】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２４】図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【図２５】図１１の複合無機膜の分解斜視図である。
【図２６】太陽光に対する本発明の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【図２７】太陽光の印加有無による本発明の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【図２８】太陽光の印加有無による本発明の他の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【図２９】本発明の複合無機膜に含まれる各無機膜の材料及び屈折率を示した表である。
【図３０】本発明の複合無機膜の組合せ及びその組合せの波長別透過率を示した表である。
【図３１】図３０の各組合せ別特性を示したグラフである。
【図３２ａ】ＳｉＮｘ膜に配置されてＳｉＮｘ及びＳｉＯｘを含む多層複合無機膜の透過率を示した表である。
【図３２ｂ】図３２ａの多層複合無機膜の透過率に対するグラフである。
【図３２ｃ】図３２ｂの一部波長領域を拡大したグラフである。
【図３３ａ】ＳｉＮｘ膜上に配置されたＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む複合無機膜の透過率及び厚さを示した表である。
【図３３ｂ】図３３ａの複合無機膜の透過率を示すグラフである。
【図３３ｃ】図３３ｂの一部波長領域を拡大したグラフである。
【図３４ａ】ＴｉＯ２及びＴｉＯ２よりも低い屈折率の無機膜を含む多層複合無機膜の透過率を示した表である。
【図３４ｂ】図３４ａの各組合せの透過率曲線を示したグラフである。
【図３４ｃ】図３４ｂの一部波長領域を拡大したグラフである。
【図３４ｄ】図３４ｂの他の一部波長領域を拡大したグラフである。
【図３５】本発明の密封部の多様な実施例及び関連膜の厚さを示した図である。
【図３６】図１のスキャンドライバーの詳細構成図である。
【図３７ａ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｂ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｃ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｄ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｅ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｆ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｇ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｈ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｉ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｊ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｋ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｌ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３７ｍ】本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３８】レーザーを用いて溝を形成する方法を説明するための図である。
【図３９】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【図４０】図３９のＡ部の拡大図である。
【図４１】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【図４２】図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は図面に基づいて詳細に後述する実施例を参照することで明らかになるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態に具現される。但し、本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものである。従って、いくつかの実施例において、よく知られた工程段階、よく知られた素子構造、及びよく知られた技術は本発明が曖昧に解釈されることを避けるために具体的に説明しない。明細書全般に亘って同じ参照符号は同一構成要素を指す。
【００２１】
図面において、多くの層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全般に亘って類似の部分には同じ図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あると言う場合、これは他の部分の“直上に”ある場合だけではなく、その中間に更に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上に”あると言う場合には中間に他の部分がないことを意味する。また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“下に”あると言う場合、これは他の部分の“直下に”ある場合だけではなく、その中間に更に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直下に”あると言う場合には中間に他の部分がないことを意味する。
【００２２】
空間的に相対的な用語である“下（ｂｅｌｏｗ）”、“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”、“下部（ｌｏｗｅｒ）”、“上（ａｂｏｖｅ）”、“上部（ｕｐｐｅｒ）”などは、図面に示すように、一つの素子又は構成要素と他の素子又は構成要素との相関関係を容易に記述するために使用する。空間的に相対的な用語は、図面に示す方向に加え、使用時又は動作時の素子の異なる方向を含む用語と理解しなければならない。例えば、図面に示す素子を覆す場合は、他の素子の“下（ｂｅｌｏｗ）”又は“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”に配置されると記述された素子は、他の素子の“上（ａｂｏｖｅ）”に置かれる。従って、例示的な用語である“下”は、下と上の方向のいずれも含む。素子は、他の方向にも配向され、従って空間的に相対的な用語は配向によって解釈される。
【００２３】
本明細書において、ある部分が他の部分に連結されると言う場合、これは直接的に連結される場合だけではなく、その中間に他の素子を介して電気的に連結される場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むという場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を排除するものではなく、他の構成要素を更に含むことを意味する。
【００２４】
本明細書において、第１、第２、第３などの用語は多様な構成要素を説明するために使用するが、このような構成要素はこのような用語に限定されるものではない。用語は一構成要素を他の構成要素と区別する目的で使われる。例えば、本発明の権利範囲から逸脱しない範疇内で、第１構成要素を第２又は第３構成要素などと名付けることができ、同様に第２又は第３構成要素も取り替えて名付けることができる。
【００２５】
他の定義がない限り、本明細書で使われる全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通して理解可能な意味として使用される。また、一般的に使われる辞書に定義されている用語は、特に定義しない限り、理想的に又は過度に解釈されてはならない。
【００２６】
以下、図１〜図４２に基づいて、本発明による表示装置及びその製造方法を詳細に説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置のブロック構成図である。
【００２８】
本発明の表示装置５５５５は、図１に示したように、基板１００、スキャンドライバー１０２、発光制御ドライバー１０３、データドライバー１０４、及び電源供給部１０５を含む。
【００２９】
上述した基板１００上にｉ＋２個のスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）、ｋ個の発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）、ｊ個のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）、ｉ＊ｊ個の画素ＰＸ、スキャンドライバー１０２、発光制御ドライバー１０３、及びデータドライバー１０４が位置する。ここで、ｉ、ｊ、及びｋはそれぞれ１より大きな自然数である。
【００３０】
複数の画素ＰＸは基板１００の表示領域１００ａに位置する。
【００３１】
ｉ＋２個のスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）、ｋ個の発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）、ｊ個のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）は基板１００の表示領域１００ａに位置する。ここで、ｉ＋２個のスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）は非表示領域１００ｂに伸びてスキャンドライバー１０２に連結され、ｋ個の発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）は非表示領域１００ｂに伸びて発光制御ドライバー１０３に連結され、そしてｊ個のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）は非表示領域１００ｂに伸びてデータドライバー１０４に連結される。
【００３２】
スキャンドライバー１０２及び発光制御ドライバー１０３は画素ＰＸと同一の工程で基板１００上に製造される。例えば、スキャンドライバー１０２のスイッチング素子、発光制御ドライバー１０３のスイッチング素子、及び画素ＰＸのスイッチング素子はフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程で基板１００上に形成される。
【００３３】
発光制御ドライバー１０３はスキャンドライバー１０２に内蔵され得る。例えば、スキャンドライバー１０２は発光制御ドライバー１０３の機能を更に果たし得る。このような場合、スキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）及び発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）はスキャンドライバー１０２によって一緒に駆動される。
【００３４】
データドライバー１０４はチップ（ｃｈｉｐ）状に製造される。データドライバー１０４は基板１００上にチップボンディング方式で付着される。一方、データドライバー１０４は基板１００の代わりに別途のプリント基板（図示せず）に位置してもよい。このような場合、データライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）はそのプリント基板を介してデータドライバー１０４に連結される。
【００３５】
一方、スキャンドライバー１０２及び発光制御ドライバー１０３はそれぞれチップ状に製造される。チップ状のスキャンドライバー１０２は基板１００の非表示領域１００ａ又は別途の他のプリント基板（図示せず）に位置する。チップ状の発光制御ドライバー１０３は基板１００の非表示領域１００ａ又は別途の他のプリント基板（図示せず）に位置する。
【００３６】
スキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）はＹ軸方向に配列され、各スキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）はＸ軸方向に伸びる。発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）はＹ軸方向に配列され、各発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）はＸ軸方向に伸びる。データライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）はＸ軸方向に配列され、各データライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）はＹ軸方向に伸びる。
【００３７】
上述したスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）のうち、データドライバー１０４に最も近接するスキャンラインＳＬ０は第１ダミースキャンラインＳＬ０として定義され、データドライバー１０４から最も遠くに位置するスキャンラインＳＬｉ＋１は第２ダミースキャンラインＳＬｉ＋１として定義される。そして、第１ダミースキャンラインＳＬ０と第２ダミースキャンラインＳＬｉ＋１との間のスキャンライン（ＳＬ１〜ＳＬｉ）はデータドライバー１０４に近接するスキャンラインから順に第１〜第ｉスキャンライン（ＳＬ１〜ＳＬｉ）として定義される。
【００３８】
スキャンドライバー１０２は、タイミングコントローラー（図示せず）から提供されたスキャン制御信号に応じてスキャン信号を生成し、スキャン信号を複数のスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）に順次供給する。スキャンドライバー１０２は、第１〜第ｉスキャン信号、第１ダミースキャン信号、及び第２ダミースキャン信号を出力する。スキャンドライバー１０２から出力された第１〜第ｉスキャン信号は第１〜第ｉスキャンライン（ＳＬ１〜ＳＬｉ）にそれぞれ供給される。例えば、第ｎスキャン信号は第ｎスキャンラインＳＬｎに供給される。ここで、ｎは１よりも大きいか又は同じであるがｉよりも小さいか又は同じ自然数である。そして、スキャンドライバー１０２から出力された第１ダミースキャン信号は第１ダミースキャンラインＳＬ０に供給され、スキャンドライバー１０２から出力された第２ダミースキャン信号は第２ダミースキャンラインＳＬｉ＋１に供給される。
【００３９】
一フレーム期間の間、スキャンドライバー１０２は第１〜第ｉスキャン信号を第１スキャン信号から順次出力する。ここで、スキャンドライバー１０２は第１ダミースキャン信号を第１スキャン信号に先立って出力し、第２ダミースキャン信号を第ｉスキャン信号よりも遅く出力する。言い換えると、スキャンドライバー１０２は第１ダミースキャン信号を一フレーム期間のうちの一番先に出力し、第２ダミースキャン信号を一フレーム期間のうちの一番遅くに出力する。これにより、一フレーム期間の間、ダミースキャンライン（ＳＬ０、ＳＬｉ＋１）を含む全てのスキャンライン（ＳＬ０〜ＳＬｉ＋１）は第１ダミースキャンラインＳＬ０から順次駆動される。
【００４０】
発光制御ドライバー１０３は、タイミングコントローラー（図示せず）から提供された制御信号に応じて発光制御信号を生成し、発光制御信号を複数の発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）に順次供給する。発光制御ドライバー１０３から出力された第１〜第ｍ発光制御信号は第１〜第ｍ発光制御ラインにそれぞれ供給される。例えば、第ｍ発光制御信号は第ｍ発光制御ラインに供給される。ここで、ｍは１よりも大きいか又は同じであるがｋよりも小さいか又は同じ自然数である。一フレーム期間の間、発光制御ドライバー１０３は第１〜第ｋ発光制御信号を第１発光制御信号から順次出力する。これにより、一フレーム期間の間、全ての発光制御ライン（ＥＬ１〜ＥＬｋ）は第１発光制御ラインＥＬ１から順次駆動される。
【００４１】
データドライバー１０４は第１〜第ｊデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）にそれぞれ第１〜第ｊデータ電圧を供給する。例えば、データドライバー１０４はタイミングコントローラー（図示せず）から映像データ信号及びデータ制御信号が供給される。そして、データドライバー１０４はデータ制御信号に応じて映像データ信号をサンプリングした後、水平期間毎に一水平ラインにあたるサンプリング映像データ信号を順次ラッチし、ラッチされた映像データ信号をデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｊ）に同時に供給する。
【００４２】
画素ＰＸは行列（ｍａｔｒｉｘ）状に基板１００の表示領域１００ａ上に配置される。画素ＰＸはそれぞれ異なる色相の光を放出する。例えば、図１の画素ＰＸのうち、記号“Ｒ”で指示された画素は赤色光を放出する赤色画素であり、“Ｇ”で指示された画素は緑色光を放出する緑色画素であり、そして“Ｂ”で指示された画素は青色光を放出する青色画素である。
【００４３】
一方、図示していないが、本発明の表示装置は、白色光を放出する少なくとも一つの白色画素を更に含むことができる。白色画素は基板１００の表示領域１００ａ上に位置する。
【００４４】
一つの画素は少なくとも一つのスキャンラインに連結される。例えば、図１に示したように、第１データラインＤＬ１に連結された複数の画素ＰＸのうち、データドライバー１０４に一番近接して位置する青色画素はそれぞれ異なる出力タイミングのスキャン信号が供給される３個のスキャンライン、即ち第１ダミースキャンラインＳＬ０、第１スキャンラインＳＬ１、及び第２スキャンラインＳＬ２に接続される。更に他の例として、第２データラインＤＬ２に連結された複数の画素ＰＸのうち、データドライバー１０４から３番目に遠く離れて位置する緑色画素はそれぞれ異なる出力タイミングのスキャン信号が供給される３個のスキャンライン、即ち第４スキャンラインＳＬ４、第５スキャンラインＳＬ５、及び第６スキャンラインＳＬ６に接続される。
【００４５】
同じデータラインに共通して接続されて互いに隣接して位置する画素は少なくとも一つのスキャンラインに共通して接続される。言い換えると、同じデータラインに連結された画素のうち、Ｙ軸方向に隣り合った２個の画素は少なくとも一つのスキャンラインを共有する。例えば、第２データラインＤＬ２に連結され、データドライバー１０４に最も近接して位置する緑色画素（以下、第１緑色画素）と、第２データラインＤＬ２に連結され、データドライバー１０４から２番目に遠く離れた緑色画素（以下、第２緑色画素）とは互いに隣接して位置し、第１緑色画素及び第２緑色画素は第２スキャンラインＳＬ２に共通して接続される。更に他の例として、第２データラインＤＬ２に連結され、データドライバー１０４から３番目に遠く離れた緑色画素を第３緑色画素として定義すると、第３緑色画素及び上述した第２緑色画素は第４スキャンラインＳＬ４に共通して接続される。
【００４６】
同じデータラインに共通して接続された画素は少なくとも一つの異なるスキャンラインに独立的に接続される。例えば、上述した第１緑色画素は第１スキャンラインＳＬ１に独立的に接続され、上述した第２緑色画素は第３スキャンラインＳＬ３に独立的に接続され、そして上述した第３緑色画素は第５スキャンラインＳＬ５に独立的に接続される。
【００４７】
このように、同じデータラインに接続された画素はそれぞれ少なくとも一つのスキャンラインに独立的に接続される。これから、少なくとも２個の画素（例えば、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２）が互いに異なるスキャンラインに連結されるという意味は、第１画素ＰＸ１に連結されたスキャンラインの少なくとも一つが第２画素ＰＸ２に連結されたスキャンラインの少なくとも一つと異なる場合を意味する。従って、同じデータラインに連結された画素はそれぞれ互いに異なるスキャンラインに連結される。
【００４８】
一方、これから、少なくとも２個の画素（例えば、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２）が互いに同一のスキャンラインに連結されるという意味は、第１画素ＰＸ１に連結されたスキャンラインが第２画素ＰＸ２に連結されたスキャンラインと全く同一であることを意味する。従って、同じ発光制御ラインに連結された画素はそれぞれ同じスキャンラインに連結される。例えば、第２発光制御ラインＥＬ２に共通して連結された画素は第２スキャンラインＳＬ２、第３スキャンラインＳＬ３、及び第４スキャンラインＳＬ４に共通して連結される。
【００４９】
赤色画素及び青色画素は第２ｐ−１データラインに接続され、緑色画素は第２ｐデータラインに接続される。ここで、ｐは自然数である。例えば、赤色画素及び青色画素は第１データラインＤＬ１に接続され、緑色画素は第２データラインＤＬ２に接続される。
【００５０】
第２ｐ−１データライン（例えば、第１データラインＤＬ１）に接続されたいずれか一画素（以下、第１特定画素）と他の第２ｐ−１データライン（例えば、第３データラインＤＬ３）に接続されたいずれか一画素（以下、第２特定画素）は同じスキャンラインに接続される。ここで、第１特定画素は第２特定画素と異なる色相の光を放出する。例えば、第１特定画素は、第１ダミースキャンラインＳＬ０、第１スキャンラインＳＬ１、第２スキャンラインＳＬ２、及び第１データラインＤＬ１に接続された青色画素であり、第２特定画素は、第１ダミースキャンラインＳＬ０、第１スキャンラインＳＬ１、第２スキャンラインＳＬ２、及び第３データラインＤＬ３に接続された赤色画素である。
【００５１】
同じデータライン（例えば、第２ｐ−１データライン）に連結され、それぞれ異なる色相の光を放出する隣接する２個の画素と、この２個の画素のいずれか一つに隣接する少なくとも一つの緑色画素とは、一つの単位映像を表示するための一つの単位画素に含まれる。例えば、第３データラインＤＬ３及び第１スキャンラインＳＬ１に連結された赤色画素と、第３データラインＤＬ３及び第３スキャンラインＳＬ３に連結された青色画素と、第２データラインＤＬ２及び第１スキャンラインＳＬ１に連結された緑色画素と、第４データラインＤＬ４及び第１スキャンラインＳＬ１に連結された緑色画素とは一つの単位画素を成す。
【００５２】
各画素ＰＸは電源供給部１０５から高電位駆動電圧ＥＬＶＤＤ、低電位駆動電圧ＥＬＶＳＳ、及び初期化電圧Ｖｉｎｉｔを共通的に供給される。言い換えると、一つの画素は高電位駆動電圧ＥＬＶＤＤ、低電位駆動電圧ＥＬＶＳＳ、及び初期化電圧Ｖｉｎｉｔが全て供給される。
【００５３】
図２は、図１に示した一画素の等価回路を示した図である。
【００５４】
画素ＰＸは、第１スイッチング素子Ｔ１、第２スイッチング素子Ｔ２、第３スイッチング素子Ｔ３、第４スイッチング素子Ｔ４、第５スイッチング素子Ｔ５、第６スイッチング素子Ｔ６、第７スイッチング素子Ｔ７、ストレージキャパシタＣｓｔ、及び発光素子ＬＥＤを含む。
【００５５】
第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）は、図２に示したように、それぞれＰ型トランジスタである。一方、第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）はそれぞれＮ型トランジスタであり得る。
【００５６】
第１スイッチング素子Ｔ１は、第１ノードｎ１に連結されたゲート電極を含み、第２ノードｎ２と第３ノードｎ３との間に接続される。第１スイッチング素子Ｔ１のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは第２ノードｎ２に連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第３ノードｎ３に連結される。
【００５７】
第２スイッチング素子Ｔ２は、第ｎスキャンラインＳＬｎに連結されたゲート電極を含み、データラインＤＬと第２ノードｎ２との間に接続される。第２スイッチング素子Ｔ２のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つはデータラインＤＬに連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第２ノードｎ２に連結される。第ｎスキャンラインＳＬｎに第ｎスキャン信号ＳＳｎが印加される。
【００５８】
第３スイッチング素子Ｔ３は、第ｎスキャンラインＳＬｎに連結されたゲート電極を含み、第１ノードｎ１と第３ノードｎ３との間に接続される。第３スイッチング素子Ｔ３のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは第１ノードｎ１に連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第３ノードｎ３に連結される。
【００５９】
第４スイッチング素子Ｔ４は、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１に連結されたゲート電極を含み、第１ノードｎ１と初期化ラインＩＬとの間に接続される。第４スイッチング素子Ｔ４のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは第１ノードｎ１に連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは初期化ラインＩＬに連結される。初期化ラインＩＬに上述した初期化電圧Ｖｉｎｉｔが印加され、そして第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１に第ｎ−１スキャン信号ＳＳｎ−１が印加される。
【００６０】
第５スイッチング素子Ｔ５は、発光制御ラインＥＬに連結されたゲート電極を含み、電源供給ラインの一つである高電位ラインＶＤＬと第２ノードｎ２との間に接続される。第５スイッチング素子Ｔ５のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは高電位ラインＶＤＬに連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第２ノードｎ２に連結される。高電位ラインＶＤＬに上述した高電位駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される。
【００６１】
第６スイッチング素子Ｔ６は、発光制御ラインＥＬに連結されたゲート電極を含み、第３ノードｎ３と第４ノードｎ４との間に接続される。第６スイッチング素子Ｔ６のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは第３ノードｎ３に連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第４ノードｎ４に連結される。発光制御ラインＥＬに発光制御信号ＥＳが印加される。
【００６２】
第７スイッチング素子Ｔ７は、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１に連結されたゲート電極を含み、初期化ラインＩＬと第４ノードｎ４との間に接続される。第７スイッチング素子Ｔ７のソース電極及びドレイン電極のいずれか一つは初期化ラインＩＬに連結され、ソース電極及びドレイン電極の他の一つは第４ノードｎ４に連結される。第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１に第ｎ＋１スキャン信号ＳＳｎ＋１が印加される。
【００６３】
ストレージキャパシタＣｓｔは高電位ラインＶＤＬと第１ノードｎ１との間に接続される。ストレージキャパシタＣｓｔは第１スイッチング素子Ｔ１のゲート電極に印加された信号を一フレーム期間の間に保存する。
【００６４】
発光素子ＬＥＤは第１スイッチング素子Ｔ１を介して供給される駆動電流によって発光する。発光素子ＬＥＤは駆動電流の大きさによって異なる明るさで発光する。発光素子ＬＥＤのアノード電極は第４ノードｎ４に連結され、発光素子ＬＥＤのカソード電極は電源供給ラインの他の一つである低電位ラインＶＳＬに連結される。低電位ラインＶＳＬに上述した低電位駆動電圧ＥＬＶＳＳが印加される。発光素子ＬＥＤは有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）である。発光素子ＬＥＤのアノード電極は後述する画素電極に相当し、カソード電極は後述する共通電極に相当する。
【００６５】
第ｎ−１スキャン信号ＳＳｎ−１が第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１に印加されると、第４スイッチング素子Ｔ４がターンオンされる。ターンオンされた第４スイッチング素子Ｔ４を介して初期化電圧Ｖｉｎｉｔが第１ノードｎ１（第１スイッチング素子Ｔ１のゲート電極）に印加される。これによって第１スイッチング素子Ｔ１のゲート電極の電圧が初期化される。
【００６６】
第ｎスキャン信号ＳＳｎが第ｎスキャンラインＳＬｎに印加されると、第２スイッチング素子Ｔ２及び第３スイッチング素子Ｔ３がターンオンされる。ターンオンされた第２スイッチング素子Ｔ２を介してデータ電圧ＤＡが第１ノードｎ１（第１スイッチング素子Ｔ１のゲート電極）に印加され、これによって第１スイッチング素子Ｔ１がターンオンされる。これにより、第１スイッチング素子Ｔ１のしきい電圧が検出され、しきい電圧がストレージキャパシタＣｓｔに保存される。
【００６７】
発光制御信号ＥＳが発光制御ラインＥＬに印加されると、第５スイッチング素子Ｔ５及び第６スイッチング素子Ｔ６がターンオンされる。ターンオンされた第５スイッチング素子Ｔ５、第１スイッチング素子Ｔ１、及び第６スイッチング素子Ｔ６を介して駆動電流が発光素子ＬＥＤに供給される。これによって発光素子ＬＥＤが発光する。
【００６８】
第ｎ＋１スキャン信号ＳＳｎ＋１が第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１に印加されると、第７スイッチング素子Ｔ７がターンオンされる。ターンオンされた第７スイッチング素子Ｔ７を介して初期化電圧が第４ノードｎ４（発光素子ＬＥＤのアノード電極）に印加される。これによって発光素子ＬＥＤが逆方向にバイアスされ、発光素子ＬＥＤはターンオフされる。
【００６９】
図３は、図１に示した一画素及びこれに連結されたラインを含む表示装置の詳細平面図であり、図４ａ〜図４ｇは、図３の構成要素の一部のみを別に示した図であり、図５は、図３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【００７０】
具体的に、図４ａは図３の半導体層３２１を示した図であり、図４ｂは図３の第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、及び発光制御ラインＥＬを示した図であり、図４ｃは図３の初期化ラインＩＬ及びキャパシタ電極２０１を示した図であり、図４ｄは図３のデータラインＤＬ及び高電位ラインＶＤＬを示した図であり、図４ｅは図３の画素電極ＰＥを示した図であり、図４ｆは図３の半導体層３２１、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、及び発光制御ラインＥＬを示した図であり、図４ｇは図３の第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、データラインＤＬ、高電位ラインＶＤＬ、及び遮光膜１９０を示した図である。
【００７１】
本実施形態による表示装置は、図３〜図５に示したように、基板１００、画素回路部２００、遮光膜１９０、スペーサー４２２、発光素子ＬＥＤ、及び密封部７５０を含む。
【００７２】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第１スイッチング素子Ｔ１は、第１ゲート電極ＧＥ１、第１ソース電極ＳＥ１、及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。
【００７３】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第２スイッチング素子Ｔ２は、第２ゲート電極ＧＥ２、第２ソース電極ＳＥ２、及び第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。
【００７４】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第３スイッチング素子Ｔ３は、第３ゲート電極ＧＥ３、第３ソース電極ＳＥ３、及び第３ドレイン電極ＤＥ３を含む。
【００７５】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第４スイッチング素子Ｔ４は、第４ゲート電極ＧＥ４、第４ソース電極ＳＥ４、及び第４ドレイン電極ＤＥ４を含む。
【００７６】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第５スイッチング素子Ｔ５は、第５ゲート電極ＧＥ５、第５ソース電極ＳＥ５、及び第５ドレイン電極ＤＥ５を含む。
【００７７】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第６スイッチング素子Ｔ６は、第６ゲート電極ＧＥ６、第６ソース電極ＳＥ６、及び第６ドレイン電極ＤＥ６を含む。
【００７８】
図３及び図４ｆに示したように、画素回路部２００の第７スイッチング素子Ｔ７は、第７ゲート電極ＧＥ７、第７ソース電極ＳＥ７、及び第７ドレイン電極ＤＥ７を含む。
【００７９】
図５に示した基板１００は少なくとも２個の層を含む。例えば、基板１００は、Ｚ軸方向に配列された基底層１１０、第１層１１１、第２層１１２、第３層１１３、及び第４層１１４を含む。第１層１１１は基底層１１０と第２層１１２との間に位置し、第２層１１２は第１層１１１と第３層１１３との間に位置し、第３層１１３は第２層１１２と第４層１１４との間に位置し、そして第４層１１４は第３層１１３と画素回路部２００のバッファー層１２０との間に位置する。
【００８０】
第１層１１１は第２層１１２よりも大きな厚さを有する。厚さはＺ軸方向に測定された大きさを意味する。
【００８１】
第３層１１３は第４層１１４よりも大きな厚さを有する。厚さはＺ軸方向に測定された大きさを意味する。
【００８２】
第１層１１１と第３層１１３とは同じ厚さを有する。厚さはＺ軸方向に測定された大きさを意味する。
【００８３】
第２層１１２と第４層１１４とは同じ厚さを有する。厚さはＺ軸方向に測定された大きさを意味する。
【００８４】
基底層１１０はガラス基板又はフィルム（ｆｉｌｍ）である。
【００８５】
第１層１１１はガラス及び透明な素材のプラスチックなどで製造される。また、第１層１１１は有機物質を含む。例えば、第１層１１１はカプトン（ｋａｐｔｏｎ）、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、及び纎維強化プラスチック（ｆｉｂｅｒ  ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  ｐｌａｓｔｉｃ：ＦＲＰ）などからなる群から選択されるいずれか１種を含む。
【００８６】
第２層１１２は無機物質を含む。例えば、第２層１１２は窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のいずれか一つからなる。
【００８７】
第３層１１３は上述した第１層１１１と同じ物質からなる。
【００８８】
第４層１１４は上述した第２層１１２と同じ物質からなる。
【００８９】
図５に示したように、画素回路部２００は基板１００上に位置する。例えば、画素回路部２００は基板１００の第４層１１４上に位置する。
【００９０】
画素回路部２００は、バッファー層１２０、半導体層３２１、ゲート絶縁膜１４０、第１ゲート電極ＧＥ１、第２ゲート電極ＧＥ２、第３ゲート電極ＧＥ３、第４ゲート電極ＧＥ４、第５ゲート電極ＧＥ５、第６ゲート電極ＧＥ６、第７ゲート電極ＧＥ７、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、発光制御ラインＥＬ、第１層間絶縁膜１５０、初期化ラインＩＬ、キャパシタ電極２０１、第２層間絶縁膜１６０、第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、データラインＤＬ、高電位ラインＶＤＬ、及び平坦化膜１８０を含む。
【００９１】
バッファー層１２０は基板１００の第４層１１４上に位置する。バッファー層１２０は第４層１１４の全面に位置する。例えば、バッファー層１２０は第４層１１４の全面に重畳する。
【００９２】
バッファー層１２０は、不純元素の浸透を防止し、表面を平坦化する役割をするものであり、このような役割を果たす多様な物質で形成される。例えば、バッファー層１２０は、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のいずれか一つからなる。しかし、バッファー層１２０は、必ずしも必要なものではなく、基板１００の種類及び工程条件によって省略される。
【００９３】
図５に示したように、半導体層３２１はバッファー層１２０上に位置する。
【００９４】
図４ａに示したように、半導体層３２１は第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）の各チャネル領域（ＣＨ１〜ＣＨ７）を提供する。また、半導体層３２１は第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）の各ソース電極（ＳＥ１〜ＳＥ７）及びドレイン電極（ＤＥ１〜ＤＥ７）を提供する。
【００９５】
このために、半導体層３２１は、第１チャネル領域ＣＨ１、第２チャネル領域ＣＨ２、第３チャネル領域ＣＨ３、第４チャネル領域ＣＨ４、第５チャネル領域ＣＨ５、第６チャネル領域ＣＨ６、第７チャネル領域ＣＨ７、第１ソース電極ＳＥ１、第２ソース電極ＳＥ２、第３ソース電極ＳＥ３、第４ソース電極ＳＥ４、第５ソース電極ＳＥ５、第６ソース電極ＳＥ６、第７ソース電極ＳＥ７、第１ドレイン電極ＤＥ１、第２ドレイン電極ＤＥ２、第３ドレイン電極ＤＥ３、第４ドレイン電極ＤＥ４、第５ドレイン電極ＤＥ５、第６ドレイン電極ＤＥ６、及び第７ドレイン電極ＤＥ７を含む。
【００９６】
第１ソース電極ＳＥ１、第２ドレイン電極ＤＥ２、及び第５ドレイン電極ＤＥ５は互いに連結される。例えば、第１ソース電極ＳＥ１、第２ドレイン電極ＤＥ２、及び第５ドレイン電極ＤＥ５は一体になる。
【００９７】
第１ドレイン電極ＤＥ１、第３ソース電極ＳＥ３、及び第６ソース電極ＳＥ６は互いに連結される。例えば、第１ドレイン電極ＤＥ１、第３ソース電極ＳＥ３、及び第６ソース電極ＳＥ６は一体になる。
【００９８】
第３ドレイン電極ＤＥ３及び第４ドレイン電極ＤＥ４は互いに連結される。例えば、第３ドレイン電極ＤＥ３及び第４ドレイン電極ＤＥ４は一体になる。
【００９９】
第６ドレイン電極ＤＥ６及び第７ソース電極ＳＥ７は互いに連結される。例えば、第６ドレイン電極ＤＥ６及び第７ソース電極ＳＥ７は一体になる。
【０１００】
半導体層３２１は、多結晶珪素膜、非晶質珪素膜、及びＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｇａｌｌｉｕｍ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような酸化物半導体のいずれか一つを含む。例えば、半導体層３２１が多結晶珪素膜を含む場合、半導体層３２１は、不純物がドープされないチャネル領域と、チャネル領域の両側に位置して不純物イオンでドープされたソース電極及びドレイン電極とを含む。
【０１０１】
図５に示したように、ゲート絶縁膜１４０は半導体層３２１及びバッファー層１２０上に配置される。ゲート絶縁膜１４０は、テトラエトキシシラン（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、及び酸化珪素（ＳｉＯ２）の少なくとも１種を含む。一例として、ゲート絶縁膜１４０は４０ｎｍの厚さを有する窒化珪素膜と８０ｎｍの厚さを有するテトラエトキシシラン膜が順に積層された二重膜構造を有する。
【０１０２】
図５に示したように、第１ゲート電極ＧＥ１はゲート絶縁膜１４０上に位置する。具体的に、第１ゲート電極ＧＥ１はゲート絶縁膜１４０と第１層間絶縁膜１５０との間に位置する。
【０１０３】
図５に示していないが、第２ゲート電極ＧＥ２、第３ゲート電極ＧＥ３、第４ゲート電極ＧＥ４、第５ゲート電極ＧＥ５、第６ゲート電極ＧＥ６、及び第７ゲート電極ＧＥ７もゲート絶縁膜１４０上に位置する。具体的に、第２〜第７ゲート電極（ＧＥ２〜ＧＥ７）はゲート絶縁膜１４０と第１層間絶縁膜１５０との間に位置する。
【０１０４】
図５に示していないが、スキャンライン及び発光制御ラインもゲート絶縁膜１４０上に位置する。具体的に、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、及び発光制御ラインＥＬはゲート絶縁膜１４０と第１層間絶縁膜１５０との間に位置する。
【０１０５】
図３及び図４ｆに示したように、第１ゲート電極ＧＥ１は半導体層３２１の第１チャネル領域ＣＨ１に重畳し、第２ゲート電極ＧＥ２は半導体層３２１の第２チャネル領域ＣＨ２に重畳し、第３ゲート電極ＧＥ３は半導体層３２１の第３チャネル領域ＣＨ３に重畳し、第４ゲート電極ＧＥ４は半導体層３２１の第４チャネル領域ＣＨ４に重畳し、第５ゲート電極ＧＥ５は半導体層３２１の第５チャネル領域ＣＨ５に重畳し、第６ゲート電極ＧＥ６は半導体層３２１の第６チャネル領域ＣＨ６に重畳し、そして第７ゲート電極ＧＥ７は半導体層３２１の第７チャネル領域ＣＨ７に重畳する。
【０１０６】
図４ｂ及び図４ｆに示したように、第４ゲート電極ＧＥ４は第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１に連結される。ここで、第４ゲート電極ＧＥ４は第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１の一部である。例えば、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１のうちの半導体層３２１に重畳する部分が第４ゲート電極ＧＥ４である。
【０１０７】
図４ｂ及び図４ｆに示したように、第３ゲート電極ＧＥ３は第ｎスキャンラインＳＬｎに連結される。ここで、第３ゲート電極ＧＥ３は第ｎスキャンラインＳＬｎの一部である。例えば、第ｎスキャンラインＳＬｎのうちの半導体層３２１に重畳する部分が第３ゲート電極ＧＥ３である。
【０１０８】
図４ｂ及び図４ｆに示したように、第７ゲート電極ＧＥ７は第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１に連結される。ここで、第７ゲート電極ＧＥ７は第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１の一部である。例えば、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１のうちの半導体層３２１に重畳する部分が第７ゲート電極ＧＥ７である。
【０１０９】
図４ｂ及び図４ｆに示したように、第５ゲート電極ＧＥ５及び第６ゲート電極ＧＥ６は一つの発光制御ラインＥＬに共通して連結される。ここで、第５ゲート電極ＧＥ５及び第６ゲート電極ＧＥ６は発光制御ラインＥＬの一部である。例えば、発光制御ラインＥＬのうちの半導体層３２１に重畳する２個の部分がそれぞれ第５ゲート電極ＧＥ５及び第６ゲート電極ＧＥ６である。
【０１１０】
スキャンライン（例えば、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、及び第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１の少なくとも一つ）は、アルミニウム（Ａｌ）若しくはアルミニウム合金のようなアルミニウム系金属、又は銀（Ａｇ）若しくは銀合金のような銀系金属、又は銅（Ｃｕ）若しくは銅合金のような銅系金属、又はモリブデン（Ｍｏ）若しくはモリブデン合金のようなモリブデン系金属からなる。或いは、ゲートラインＧＬは、クロム（Ｃｒ）及びタンタル（Ｔａ）のいずれか一つからなる。一方、スキャンラインは物理的性質の異なる少なくとも２個の導電膜を含む多重膜構造を有してもよい。
【０１１１】
第１〜第７ゲート電極（ＧＥ１〜ＧＥ７）は上述したスキャンラインと同じ物質及び構造（多重膜構造）を有する。各ゲート電極（ＧＥ１〜ＧＥ７）及びスキャンラインは同じ工程で同時に形成される。
【０１１２】
また、発光制御ラインＥＬは上述したスキャンライン（例えば、ＳＬｎ）と同じ物質及び構造（多重膜構造）を有する。発光制御ラインＥＬ及びスキャンラインは同じ工程で同時に形成される。
【０１１３】
図５に示したように、第１層間絶縁膜１５０は第１ゲート電極ＧＥ１及びゲート絶縁膜１４０上に位置する。第１層間絶縁膜１５０はゲート絶縁膜１４０よりも大きな厚さを有する。第１層間絶縁膜１５０は上述したゲート絶縁膜１４０と同じ物質からなる。
【０１１４】
図５に示していないが、第１層間絶縁膜１５０は、第２〜第７ゲート電極（ＧＥ２〜ＧＥ７）、各スキャンライン（例えば、ＳＬｎ−１、ＳＬｎ、ＳＬｎ＋１）、及び各発光制御ラインＥＬ上にも位置する。
【０１１５】
図５に示したように、キャパシタ電極２０１は第１層間絶縁膜１５０上に位置する。例えば、キャパシタ電極２０１は第１層間絶縁膜１５０と第２層間絶縁膜１６０との間に位置する。キャパシタ電極２０１は上述した第１ゲート電極ＧＥ１と共にストレージキャパシタＣｓｔを成す。例えば、第１ゲート電極ＧＥ１はストレージキャパシタＣｓｔの第１電極に相当し、キャパシタ電極２０１はストレージキャパシタＣｓｔの第２電極に相当する。具体的に、第１ゲート電極ＧＥ１のうちのキャパシタ電極２０１に重畳する部分がストレージキャパシタＣｓｔの第１電極に相当し、キャパシタ電極２０１のうちの第１ゲート電極ＧＥ１に重畳する部分がストレージキャパシタＣｓｔの第２電極に相当する。
【０１１６】
図５に示していないが、初期化ライン（図３及び図４ｃのＩＬ）も第１層間絶縁膜１５０上に位置する。具体的に、初期化ラインＩＬは第１層間絶縁膜１５０と第２層間絶縁膜１６０との間に位置する。
【０１１７】
図３及び図４ｃに示したように、キャパシタ電極２０１はホール３０を有する。ホール３０は四角形の形状を成す。ホールの形態は四角形に限定されない。例えば、ホール３０は円形及び三角形などの多様な形状を有する。
【０１１８】
図３及び図４ｃに示したように、隣り合った画素のキャパシタ電極２０１は互いに連結される。言い換えると、Ｘ軸方向に隣り合った画素のキャパシタ電極２０１は一体になる。
【０１１９】
図５に示したように、キャパシタ電極２０１、初期化ラインＩＬ、及び第１層間絶縁膜１５０上に第２層間絶縁膜１６０が位置する。第２層間絶縁膜１６０はゲート絶縁膜１４０よりも大きな厚さを有する。第２層間絶縁膜１６０は上述したゲート絶縁膜１４０と同じ物質からなる。
【０１２０】
図５に示したように、第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、高電位ラインＶＤＬ、及びデータラインＤＬは第２層間絶縁膜１６０上に位置する。具体的に、第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、高電位ラインＶＤＬ、及びデータラインＤＬは第２層間絶縁膜１６０と平坦化膜１８０との間に位置する。
【０１２１】
図５に示していないが、第３連結電極（図３及び図４ｄの７０３）も第２層間絶縁膜１６０上に位置する。具体的に、第３連結電極７０３は第２層間絶縁膜１６０と平坦化膜１８０との間に位置する。
【０１２２】
図５に示したように、第１連結電極７０１は、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を貫く第１コンタクトホール１１を介して第１ソース電極ＳＥ１に連結される。
【０１２３】
図５に示したように、第２連結電極７０２は第２層間絶縁膜１６０及び第１層間絶縁膜１５０を貫く第２コンタクトホール１２を介して第１ゲート電極ＧＥ１に連結される。また、第２連結電極７０２は、図３、図４ａ、及び図４ｄに示したように、第３コンタクトホール１３を介して第３ドレイン電極ＤＥ３に連結される。第３コンタクトホール１３は、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を貫いて第３ドレイン電極ＤＥ３を露出させる。
【０１２４】
図３、図４ａ、及び図４ｄに示したように、第３連結電極７０３は第４コンタクトホール１４を介して第４ソース電極ＳＥ４に連結される。第４コンタクトホール１４は第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を貫いて第４ソース電極ＳＥ４を露出させる。また、第３連結電極７０３は、図３、図４ｃ、及び図４ｄに示したように、第５コンタクトホール１５を介して初期化ラインＩＬに連結される。第５コンタクトホール１５は第２層間絶縁膜１６０を貫いて初期化ラインＩＬを露出させる。
【０１２５】
図５に示したように、高電位ラインＶＤＬは第２層間絶縁膜１６０を貫く第６コンタクトホール１６を介してキャパシタ電極２０１に連結される。また、高電位ラインＶＤＬは、図３、図４ａ、及び図４ｄに示したように、第７コンタクトホール１７を介して第５ソース電極ＳＥ５に連結される。第７コンタクトホール１７は、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を貫いて第５ソース電極ＳＥ５を露出させる。
【０１２６】
図３、図４ａ、及び図４ｄに示したように、データラインＤＬは第８コンタクトホール１８を介して第２ソース電極ＳＥ２に連結される。第８コンタクトホール１８は、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を貫いて第２ソース電極ＳＥ２を露出させる。
【０１２７】
データラインＤＬは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタンなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）、又はこれらの合金からなる。データラインＤＬは耐火性金属膜及び低抵抗導電膜を含む多重膜構造を有してもよい。多重膜構造の例としては、クロム又はモリブデン（又はモリブデン合金）下部膜及びアルミニウム（又はアルミニウム合金）上部膜の二重膜、モリブデン（又はモリブデン合金）下部膜、アルミニウム（又はアルミニウム合金）中間膜、及びモリブデン（又はモリブデン合金）上部膜の三重膜を有してもよい。一方、データラインＤＬはその他にも多くの多様な金属又は導電体からなることができる。
【０１２８】
第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、及び高電位ラインＶＤＬは上述したデータラインＤＬと同じ物質及び構造（多重膜構造）を有する。第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、高電位ラインＶＤＬ、及びデータラインＤＬは同じ工程で同時に形成される。
【０１２９】
図５に示したように、平坦化膜１８０は、第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、高電位ラインＶＤＬ、及びデータラインＤＬ上に位置する。
【０１３０】
平坦化膜１８０は、その上に形成される発光素子ＬＥＤの発光効率を高めるために、平坦化膜１８０の下層の高低差を除去する。平坦化膜１８０は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ  ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ  ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ  ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ  ｒｅｓｉｎ）、及びベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）の一つ以上の物質からなる。
【０１３１】
発光素子ＬＥＤは有機発光素子である。発光素子ＬＥＤは、図５に示したように、発光層５１２、アノード電極ＰＥ（以下、画素電極）、及びカソード電極６１３（以下、共通電極）を含む。
【０１３２】
発光層５１２は低分子有機物又は高分子有機物からなる。図示していないが、正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）及び正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）の少なくとも一つが画素電極ＰＥと発光層５１２との間に更に位置し、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）の少なくとも一つが発光層５１２と共通電極６１３との間に更に位置する。
【０１３３】
図５に示したように、画素電極ＰＥは平坦化膜１８０上に位置する。画素電極ＰＥの一部又は全部は発光領域９００内に位置する。即ち、画素電極ＰＥは後述する遮光膜１９０によって規定された発光領域９００に対応して位置する。画素電極ＰＥは平坦化膜１８０を貫く第９コンタクトホール１９を介して第１連結電極７０１に連結される。
【０１３４】
図３及び図４ｅに示したように、画素電極ＰＥは菱形を有する。画素電極ＰＥは菱形の他にも多様な形状、例えば四角形を有してもよい。
【０１３５】
図５に示したように、遮光膜１９０は画素電極ＰＥ及び平坦化膜１８０上に位置する。遮光膜１９０はこれを貫く開口部９００を有し、開口部９００が発光領域９００に相当する。図３及び図４ｇに示したように、発光領域９００は菱形を有する。発光領域９００は菱形の他にも多様な形状、例えば四角形を有してもよい。発光領域９００の大きさは上述した画素電極ＰＥの大きさよりも小さい。画素電極ＰＥの少なくとも一部は発光領域９００に位置する。ここで、発光領域９００の全体が画素電極ＰＥに重畳する。
【０１３６】
遮光膜１９０はポリアクリル系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂からなる。
【０１３７】
スペーサー４２２は遮光膜１９０上に位置する。スペーサー４２２は遮光膜１９０と同じ物質からなる。スペーサー４２２は基板１００の表示領域１００ａに位置する層と基板１００の非表示領域１００ｂに位置する層との間の高低差を最小化する役割をする。
【０１３８】
発光層５１２は発光領域９００内で画素電極ＰＥ上に位置し、共通電極６１３は遮光膜１９０及び発光層５１２上に位置する。
【０１３９】
画素電極ＰＥ及び共通電極５１３は、透過型電極、半透過型電極、及び反射型電極のいずれか一つで製造される。
【０１４０】
透過型電極は透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）を含む。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）はインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモンスズ酸化物（ＡＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、及びその混合物からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【０１４１】
半透過型電極及び反射型電極は、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）のような金属又はこれらの合金を含む。ここで、半透過型電極と反射型電極とは厚さによって区別される。一般的に、半透過型電極は約２００ｎｍ以下の厚さを有し、反射型電極は３００ｎｍ以上の厚さを有する。半透過型電極は厚さが薄くなるほど光の透過率が高くなるが抵抗が大きくなり、厚さが厚くなるほど光の透過率が低くなる。
【０１４２】
また、半透過型及び反射型電極は金属又は金属の合金からなる金属層と金属層上に積層された透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層とを含む多層構造を有してもよい。
【０１４３】
密封部７５０は共通電極６１３上に位置する。密封部７５０はガラス及び透明な素材のプラスチックなどからなる透明絶縁基板を含む。また、密封部７５０は一つ以上の無機膜及び一つ以上の有機膜がＺ軸方向に交互に積層された薄膜封止構造に形成され得る。例えば、密封部７５０は、図５に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、及び上部無機膜７５２を含む。有機膜７５５は下部無機膜７５１と上部無機膜７５２との間に位置する。下部無機膜７５１、有機膜７５５、及び上部無機膜７５２のうち、有機膜７５５が最大の厚さを有する。下部無機膜７５１と上部無機膜７５２とは同じ厚さを有する。
【０１４４】
下部無機膜７５１及び上部無機膜７５２は上述した第２層１１２と同じ素材からなる。
【０１４５】
有機膜７５５は第１層１１１と同じ素材からなる。また、有機膜７５５はモノマー（ｍｏｎｏｍｅｒ）を含む。
【０１４６】
図６は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図であり、図７は、図６のＡ部の拡大図である。但し、図７で、密封部７５０及び共通電極６１３は省略した。
【０１４７】
密封部７５０の一部は、図６に示したように、基板１００に挿入される。例えば、密封部７５０はカバー部７５０ａ及びカバー部７５０ａから基板１００に向かって伸びた延長部７５０ｂを含み、延長部７５０ｂは基板１００に挿入される。
【０１４８】
このために、基板１００、画素回路部２００、及び遮光膜１９０は密封部７５０の延長部７５０ｂに対応する部分にホール又は溝を有する。例えば、図６及び図７に示したように、基板１００は延長部７５０ｂに対応して位置する第１ホール２１及び溝２０を含み、画素回路部２００は延長部７５０ｂに対応して位置する第２ホール２２を含み、遮光膜１９０は延長部７５０ｂに対応して位置する第３ホール２３を含む。
【０１４９】
基板１００の溝２０は、例えば基板１００の第３層１１３に位置する。溝２０は画素回路部２００のスイッチング素子（例えば、Ｔ１〜Ｔ７の少なくとも一つ）よりも下部層に位置する。例えば、溝２０はスイッチング素子よりも基底層１１０に更に近接して位置する。より具体的な例として、Ｚ軸方向に測定された溝２０と基底層１１０と間の距離はＺ軸方向に測定されたスイッチング素子の半導体層３２１と基底層１１０と間の距離よりも小さい。
【０１５０】
基板１００の第１ホール２１は、例えば基板１００の第４層１１４に位置する。
【０１５１】
第１ホール２１、第２ホール２２、第３ホール２３、及び溝２０はそれぞれ対応して位置する。また、第１ホール２１、第２ホール２２、第３ホール２３、及び溝２０のうちの互いに隣接するものは互いに連結される。
【０１５２】
第１ホール２１は溝２０と第２ホール２２との間に位置する。
【０１５３】
溝２０は第３層１１３から第４層１１４に向かう方向（例えば、Ｚ軸方向）に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。図７に示したように、溝２０の幅（又は直径）２０ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、溝２０の幅（又は直径）２０ｄは溝２０の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０１５４】
溝２０の向き合う内壁（Ｗ１、Ｗ２）の少なくとも一つは第３層１１３と第４層１１４との間の界面（Ｓ１、Ｓ２）に対して所定角度で傾いている。例えば、溝２０の向き合う内壁（Ｗ１、Ｗ２）の少なくとも一つと界面（Ｓ１、Ｓ２）が成す角度（θ１、θ２）は鈍角である。より具体的な例として、内壁Ｗ１と内壁Ｗ１に隣り合った界面Ｓ１が成す角度θ１は鈍角である。
【０１５５】
第１ホール２１はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第１ホール２１の幅（又は直径）２１ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第１ホール２１の幅（又は直径）２１ｄは第１ホール２１の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０１５６】
第２ホール２２はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第２ホール２２の幅（又は直径）２２ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第２ホール２２の幅（又は直径）２２ｄは第２ホール２２の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０１５７】
第２ホール２２は画素回路部２００に含まれる絶縁膜を連続的に貫くホールを意味する。例えば、第２ホールは、バッファー層１２０、ゲート絶縁膜１４０、第１層間絶縁膜１５０、第２層間絶縁膜１６０、及び平坦化膜１８０を連続的に貫くホールを意味する。例えば、第２ホール２２はバッファー層１２０を貫くホール２２−１（以下、バッファーホール）、ゲート絶縁膜１４０を貫くホール２２−２（以下、ゲートホール）、第１層間絶縁膜１５０を貫くホール２２−３（以下、第１層間ホール）、第２層間絶縁膜１６０を貫くホール２２−４（以下、第２層間ホール）、及び平坦化膜１８０を貫くホール２２−５（以下、平坦化ホール）を含む。
【０１５８】
バッファーホール２２−１、ゲートホール２２−２、第１層間ホール２２−３、第２層間ホール２２−４、及び平坦化ホール２２−５はそれぞれ異なる幅（又は直径）を有する。例えば、第２ホール２２に含まれるホール（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４、２２−５）は基板１００からＺ軸方向に遠くなるほど大きくなる幅（又は直径）を有する。具体的な例として、バッファーホール２２−１、ゲートホール２２−２、第１層間ホール２２−３、第２層間ホール２２−４、及び平坦化ホール２２−５のうち、平坦化ホール２２−５が最大の幅（又は直径）を有する。第２ホール２２に含まれる各ホールの幅（又は直径）はＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第２ホール２２に含まれる各ホール（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４、２２−５）の幅（又は直径）は当該ホールの最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０１５９】
第２ホール２２に含まれる各ホール（２２−１、２２−２、２２−３、２２−４、２２−５）そのものもＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。例えば、バッファーホール２２−１はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有し、ゲートホール２２−２はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有し、第１層間ホール２２−３はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有し、第２層間ホール２２−４はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有し、そして平坦化ホール２２−５はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。
【０１６０】
第３ホール２３はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第３ホール２３の幅（又は直径）２３ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第３ホール２３の幅（又は直径）２３ｄは第３ホール２３の最大幅又は平均幅を意味する。
【０１６１】
溝２０の幅（又は直径）２０ｄは第１ホール２１の幅（又は直径）２１ｄよりも大きい。図７に示したように、溝２０及び第１ホール２１の断面はアンカー（ａｎｃｈｏｒ）の形状を有する。ここで、溝２０及び第１ホール２１に挿入された延長部７５０ｂの断面もアンカーの形状を有する。
【０１６２】
図７の平面的な観点で、第１ホール２１は溝２０によって取り囲まれる。また、図７の平面的な観点で、第１ホール２１と溝２０とは重畳する。
【０１６３】
図７の平面的な観点で、第１ホール２１、第２ホール２２、及び溝２０は第３ホール２３によって取り囲まれる。
【０１６４】
第２ホール２２の幅（又は直径）２２ｄは第１ホール２１の幅（又は直径）２１ｄよりも大きい。
【０１６５】
第３ホール２３の幅（又は直径）２３ｄは第２ホール２２の幅（又は直径）２２ｄよりも大きい。
【０１６６】
このような構造を有する溝２０、第１ホール２１、第２ホール２２、及び第３ホール２３内に上述した密封部７５０の延長部７５０ｂが挿入される（又は埋め込まれる）。例えば、延長部７５０ｂは、第３ホール２３、第２ホール２２、及び第１ホール２１を順次貫いて溝２０に挿入される。ここで、溝２０の幅（又は直径）２０ｄは第１ホール２１の幅（又は直径）２１ｄよりも大きいため、溝２０、第１ホール２１、第２ホール２２、及び第３ホール２３に挿入された延長部７５０ｂはＺ軸方向に分離されにくい。従って、密封部７５０と基板１００と間の結合力及び密封部７５０と下部構造物との間の結合力が向上する。
【０１６７】
一方、密封部７５０の縁部は基板１００の縁部に位置し、基板１００の縁部において密封部７５０は互いに接触する下部無機膜７５１及び上部無機膜７５２を含む。即ち、基板１００の縁部に位置する密封部７５０は有機膜を含まない。また、基板１００の縁部には平坦化膜１８０が位置しない。密封部７５０と基板１００と間の結合力向上のために、密封部７５０の縁部は基板１００の縁部に接触する。例えば、密封部７５０の下部無機膜７５１及び上部無機膜７５２は基板１００の縁部に位置する第２層間絶縁膜１６０に接触する。一方、密封部７５０の縁部が長くなると密封部７５０と基板１００と間の結合力が向上する反面、表示装置５５５５のデッドスペース（ｄｅａｄ  ｓｐａｃｅ）が増加する。本実施形態によると、密封部７５０の延長部７５０ｂによって密封部７５０と基板１００と間の結合力が向上するため、密封部７５０の端部の長さを減少させることができる。従って、表示装置５５５５のデッドスペースを最小化させることができる。
【０１６８】
上述した溝２０、第１ホール２１、第２ホール２２、及び第３ホール２３は基板１００の表示領域１００ａに位置する。例えば、溝２０、第１ホール２１、第２ホール２２、及び第３ホール２３からなる全体ホールを一つの結合溝２２０として定義すると、結合溝２２０及び延長部７５０ｂは基板１００の表示領域１００ａに位置する。
【０１６９】
表示領域１００ａの結合溝２２０及び延長部７５０ｂは、図３に示したように、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬとデータラインＤＬとの間に位置する。
【０１７０】
図８は、図１に示した複数の画素及びこれらに連結されたラインを含む表示装置の詳細平面図である。
【０１７１】
図８には複数の画素が示されている。ここで、第ｍ発光制御ラインＥＬｍに共通して接続された４個の画素をそれぞれ第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、及び第４画素ＰＸ４として定義する。また、第ｍ＋１発光制御ラインＥＬｍ＋１に共通して接続された４個の画素をそれぞれ第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７、及び第８画素ＰＸ８として定義する。
【０１７２】
図８の第２画素ＰＸ２は上述した図３の画素ＰＸと同一である。第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３、第４画素ＰＸ４、第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７、及び第８画素ＰＸ８は図３の画素ＰＸと実質的に同一の構成を有する。
【０１７３】
第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３、第５画素ＰＸ５、及び第７画素ＰＸ７は同じ色相の光を放出する。例えば、第１画素ＰＸ１、第３画素ＰＸ３、第５画素ＰＸ５、及び第７画素ＰＸ７はそれぞれ緑色光を放出する緑色画素である。
【０１７４】
第２画素ＰＸ２及び第８画素ＰＸ８は同じ色相の光を放出する。例えば、第２画素ＰＸ２及び第８画素ＰＸ８はそれぞれ赤色光を放出する赤色画素である。
【０１７５】
第４画素ＰＸ４及び第６画素ＰＸ６は同じ色相の光を放出する。例えば、第４画素ＰＸ４及び第６画素ＰＸ６はそれぞれ青色光を放出する青色画素である。
【０１７６】
隣接して配置された４個の画素は一つの単位画素を成す。例えば、隣接して配置された第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、及び第６画素ＰＸ６は一つの単位画素（以下、第１単位画素）を成す。また、隣接して配置された第３画素ＰＸ３、第４画素ＰＸ４、第８画素ＰＸ８、及び図示していない他の緑色画素は他の一つの単位画素（以下、第２単位画素）を成す。ここで、図示していない緑色画素は、第ｍ発光制御ラインＥＬｍに連結され、第４画素ＰＸ４及び第８画素ＰＸ８に隣接して位置する。このように隣り合った第１単位画素及び第２単位画素はこれらの間に位置する緑色画素（例えば、第３画素ＰＸ３）を共有する。また、第１単位画素の第２画素ＰＸ２はその上側に隣接する他の３個の画素と共に他の単位画素を成し、また第１単位画素の第６画素ＰＸ６はその下側に隣接する他の３個の画素と共に更に他の単位画素を成す。即ち、本発明の表示装置はペンタイル（ＰｅｎＴｉｌｅ）構造の画素を含む。
【０１７７】
各画素（ＰＸ１〜ＰＸ８）は画素電極を含む。例えば、第１画素ＰＸ１は第１画素電極ＰＥ１を含み、第２画素ＰＸ２は第２画素電極ＰＥ２を含み、第３画素ＰＸ３は第３画素電極ＰＥ３を含み、第４画素ＰＸ４は第４画素電極ＰＥ４を含み、第５画素ＰＸ５は第５画素電極ＰＥ５を含み、第６画素ＰＸ６は第６画素電極ＰＥ６を含み、第７画素ＰＸ７は第７画素電極ＰＥ７を含み、そして第８画素ＰＸ８は第８画素電極ＰＥ８を含む。
【０１７８】
同じ色相の光を放出する画素に含まれる画素電極は同じ大きさを有する。例えば、緑色画素の第１画素電極ＰＥ１、第３画素電極ＰＥ３、第５画素電極ＰＥ５、及び第７画素電極ＰＥ７は同じ大きさを有する。また、赤色画素の第２画素電極ＰＥ２及び第８画素電極ＰＥ８は同じ大きさを有する。また、青色画素の第４画素電極ＰＥ４及び第６画素電極ＰＥ６は同じ大きさを有する。
【０１７９】
画素電極のうちの緑色画素の画素電極は最小の大きさを有する。例えば、第１〜第７画素電極（ＰＥ１〜ＰＥ７）のうちの第１画素電極ＰＥ１、第３画素電極ＰＥ３、第５画素電極ＰＥ５、及び第７画素電極ＰＥ７が最小の大きさを有する。
【０１８０】
青色画素の画素電極が赤色画素の画素電極よりも大きな大きさを有する。例えば、第４画素電極ＰＥ４は第２画素電極ＰＥ２よりも大きな大きさを有する。同様に、第４画素電極ＰＥ４は第８画素電極ＰＥ８よりも大きな大きさを有する。また、第６画素電極ＰＥ６は第２画素電極ＰＥ２よりも大きな大きさを有する。同様に、第６画素電極ＰＥ６は第８画素電極ＰＥ８よりも大きな大きさを有する。
【０１８１】
また、図示していないが、各画素（ＰＸ１〜ＰＸ８）は第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）及びストレージキャパシタＣｓｔを更に含む。第１〜第７スイッチング素子（Ｔ１〜Ｔ７）及びストレージキャパシタＣｓｔについての具体的な説明は上述した図３及びこれに関連する記載を参照する。
【０１８２】
図８に示したように、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、及び第４画素ＰＸ４は同じスキャンライン及び同じ発光制御ラインに接続される。例えば、第１画素ＰＸ１、第２画素ＰＸ２、第３画素ＰＸ３、及び第４画素ＰＸ４は第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、及び第ｍ発光制御ラインＥＬｍに共通して接続される。
【０１８３】
第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７、及び第８画素ＰＸ８は同じスキャンライン及び同じ発光制御ラインに接続される。例えば、第５画素ＰＸ５、第６画素ＰＸ６、第７画素ＰＸ７、及び第８画素ＰＸ８は第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、第ｎ＋２スキャンラインＳＬｎ＋２、第ｎ＋３スキャンラインＳＬｎ＋３、及び第ｍ＋１発光制御ラインＥＬｍ＋１に共通して接続される。
【０１８４】
第１画素ＰＸ１及び第５画素ＰＸ５は同じデータラインに共通して連結される。例えば、第１画素ＰＸ１及び第５画素ＰＸ５は第ｒ−１データラインＤＬｒ−１に共通して連結される。
【０１８５】
第２画素ＰＸ２及び第６画素ＰＸ６は同じデータラインに共通して連結される。例えば、第２画素ＰＸ２及び第６画素ＰＸ６は第ｒデータラインＤＬｒに共通して連結される。
【０１８６】
第３画素ＰＸ３及び第７画素ＰＸ７は同じデータラインに共通して連結される。例えば、第３画素ＰＸ３及び第７画素ＰＸ７は第ｒ＋１データラインＤＬｒ＋１に共通して連結される。
【０１８７】
第４画素ＰＸ４及び第８画素ＰＸ８は同じデータラインに共通して連結される。例えば、第４画素ＰＸ４及び第８画素ＰＸ８は第ｒ＋２データラインＤＬｒ＋２に共通して連結される。
【０１８８】
以下、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、及び第ｍ発光制御ラインＥＬｍに共通して接続された第１〜第４画素（ＰＸ１〜ＰＸ４）を第１画素群として定義する。そして、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、第ｎ＋２スキャンラインＳＬｎ＋２、第ｎ＋３スキャンラインＳＬｎ＋３、及び第ｍ＋１発光制御ラインＥＬｍ＋１に共通して接続された第５〜第８画素（ＰＸ５〜ＰＸ８）を第２画素群として定義する。
【０１８９】
第１画素群と第２画素群は互いに異なる発光制御ラインに連結される。ここで、互いに異なる発光制御ラインは隣接して位置する。例えば、第１画素群は第ｍ発光制御ラインＥＬｍに連結され、第２画素群は第ｍ＋１発光制御ラインＥＬｍ＋１に連結される。
【０１９０】
図８に示したように、上述した結合溝２２０は基板１００の表示領域１００ａに均一に配置される。
【０１９１】
表示領域１００ａの結合溝２２０は、図８に示したように、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ−１データラインＤＬｒ−１との間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒデータラインＤＬｒとの間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ＋１データラインＤＬｒ＋１との間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ＋２データラインＤＬｒ＋２との間にそれぞれ位置する。
【０１９２】
同様に、上述した延長部７５０ｂは基板１００の表示領域１００ａに均一に配置される。
【０１９３】
表示領域１００ａの延長部７５０ｂは、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ−１データラインＤＬｒ−１との間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒデータラインＤＬｒとの間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ＋１データラインＤＬｒ＋１との間、互いに隣接する高電位ラインＶＤＬと第ｒ＋２データラインＤＬｒ＋２との間にそれぞれ位置する。
【０１９４】
図９は、図３のＩ−Ｉ’線に沿った他の実施例の断面図であり、図１０は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【０１９５】
図９及び図１０に示したように、密封部７５０は複合無機膜を更に含む。
【０１９６】
複合無機膜は基板の全面に重畳するように共通電極６１３上に位置する。具体的な例として、複合無機膜は共通電極６１３と第１無機膜１−０１との間に位置する。
【０１９７】
複合無機膜は互いに異なる屈折率を有する第１無機膜１−０１及び第２無機膜１−０２を含む。
【０１９８】
以下、図１１〜図２５に基づいて本発明の複合無機膜を具体的に説明する。
【０１９９】
図１１は、図９のＡ部の拡大図である。
【０２００】
密封部７５０は、図１１に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複合無機膜１０００を含む。
【０２０１】
複合無機膜１０００は、第１無機膜１−０１及び第１無機膜１−０１上に位置する第２無機膜１−０２を含む。第１及び第２無機膜（１−０１、１−０２）はＺ軸方向に配列される。
【０２０２】
第１無機膜１−０１は共通電極６１３と第２無機膜１−０２との間に位置し、第２無機膜１−０２は第１無機膜１−０１と下部無機膜７５１との間に位置する。
【０２０３】
第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２とは互いに接触する。
【０２０４】
第１無機膜１−０１は第２無機膜１−０２と異なる屈折率を有する。例えば、第１無機膜１−０１の屈折率は第２無機膜１−０２の屈折率よりも大きい。第１無機膜１−０１は高屈折率の物質を含み、第２無機膜１−０２は低屈折率の物質を含む。
【０２０５】
第１無機膜１−０１及び第２無機膜１−０２は、例えばＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのような無機物質の一つを含む。具体的な例として、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１−０２はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２０６】
他の実施例として、第１無機膜１−０１はＳｉＮｘを含み、第２無機膜１−０２はＳｉＯｘを含む。ＳｉＮｘの屈折率は１．８３３であり、ＳｉＯｘの屈折率は１．４８７である。ＳｉＮｘの屈折率（１．８３３）及びＳｉＯｘの屈折率（１．４８７）は６３２ｎｍの波長での屈折率である。
【０２０７】
更に他の実施例として、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１−０２はＡｌ２Ｏ３を含む。ＴｉＯ２の屈折率は２．２８８であり、Ａｌ２Ｏ３の屈折率は１．６２７である。ＴｉＯ２の屈折率（２．２８８）及びＡｌ２Ｏ３の屈折率（１．６２７）は６３２ｎｍの波長での屈折率である。
【０２０８】
第１無機膜１−０１の屈折率と第２無機膜１−０２の屈折率の差は０．４以上である。例えば、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１−０２はＳｉＯｘを含む。ここで、ＴｉＯ２は２．２８８の屈折率を有し、ＳｉＯｘは１．８３３〜１．８８２の屈折率を有し、このような物質を含む第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２とは０．４０６〜０．４５５の屈折率差を有する。
【０２０９】
一方、第２無機膜１−０２の屈折率は第１無機膜１−０１の屈折率よりも大きくてもよい。このような場合、第２無機膜１−０２はＴｉＯ２を含み、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２１０】
図１２は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２１１】
密封部７５０は、図１２に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４を含む。
【０２１２】
第１複合無機膜１００１は共通電極６１３上に位置する。例えば、第１複合無機膜１００１は共通電極６１３と第２複合無機膜１００２との間に位置する。
【０２１３】
第２複合無機膜１００２は第１複合無機膜１００１上に位置する。例えば、第２複合無機膜１００２は第１複合無機膜１００１と第３複合無機膜１００３との間に位置する。
【０２１４】
第３複合無機膜１００３は第２複合無機膜１００２上に位置する。例えば、第３複合無機膜１００３は第２複合無機膜１００２と第４複合無機膜１００４の間に位置する。
【０２１５】
第４複合無機膜１００４は第３複合無機膜１００３上に位置する。例えば、第４複合無機膜１００４は第３複合無機膜１００３と下部無機膜７５１との間に位置する。
【０２１６】
第１複合無機膜１００１は、第１無機膜１−０１及び第１無機膜１−０１上に位置する第２無機膜１−０２を含む。例えば、第１無機膜１−０１は共通電極６１３と第２無機膜１−０２との間に位置し、第２無機膜１−０２は第１無機膜１−０１と第２複合無機膜１００２との間に位置する。第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２とは互いに接触する。
【０２１７】
第２複合無機膜１００２は、第３無機膜２−０３及び第３無機膜２−０３上に位置する第４無機膜２−０４を含む。例えば、第３無機膜２−０３は第２無機膜１−０２と第４無機膜２−０４との間に位置し、第４無機膜２−０４は第３無機膜２−０３と第３複合無機膜１００３との間に位置する。第３無機膜２−０３と第４無機膜２−０４とは互いに接触する。
【０２１８】
第３複合無機膜１００３は、第５無機膜３−０５及び第５無機膜３−０５上に位置する第６無機膜３−０６を含む。例えば、第５無機膜３−０５は第４無機膜２−０４と第６無機膜３−０６との間に位置し、第６無機膜３−０６は第５無機膜３−０５と第４複合無機膜１００４との間に位置する。第５無機膜３−０５と第６無機膜３−０６とは互いに接触する。
【０２１９】
第４複合無機膜１００４は、第７無機膜４−０７及び第７無機膜４−０７上に位置する第８無機膜４−０８を含む。例えば、第７無機膜４−０７は第６無機膜３−０６と第８無機膜４−０８との間に位置し、第８無機膜４−０８は第７無機膜４−０７と下部無機膜７５１との間に位置する。第７無機膜４−０７と第８無機膜４−０８とは互いに接触する。
【０２２０】
第１無機膜１−０１は第２無機膜１−０２と異なる屈折率を有する。例えば、第１無機膜１−０１の屈折率は第２無機膜１−０２の屈折率よりも大きい。第１無機膜１−０１は高屈折率の物質を含み、第２無機膜１−０２は低屈折率の物質を含む。
【０２２１】
第１無機膜１−０１及び第２無機膜１−０２は、例えばＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのような無機物質の一つを含む。より具体的な例として、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１−０２はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２２２】
第１無機膜１−０１の屈折率と第２無機膜１−０２の屈折率の差は０．４以上である。例えば、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１−０２はＳｉＯｘを含む。ここで、ＴｉＯ２は２．２８８の屈折率を有し、ＳｉＯｘは１．８３３〜１．８８２の屈折率を有し、このような物質を含む第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２とは０．４０６〜０．４５５の屈折率差を有する。
【０２２３】
一方、第２無機膜１−０２の屈折率は第１無機膜１−０１の屈折率よりも大きくてもよい。このような場合、第２無機膜１−０２はＴｉＯ２を含み、第１無機膜１−０１はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２２４】
第３無機膜２−０３は第４無機膜２−０４と異なる屈折率を有する。例えば、第３無機膜２−０３の屈折率は第４無機膜２−０４の屈折率よりも大きい。第３無機膜２−０３は高屈折率の物質を含み、第４無機膜２−０４は低屈折率の物質を含む。一方、第４無機膜２−０４の屈折率は第３無機膜２−０３の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２２５】
第３無機膜２−０３は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第４無機膜２−０４は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２２６】
第５無機膜３−０５は第６無機膜３−０６と異なる屈折率を有する。例えば、第５無機膜３−０５の屈折率は第６無機膜３−０６の屈折率よりも大きい。第５無機膜３−０５は高屈折率の物質を含み、第６無機膜３−０６は低屈折率の物質を含む。一方、第６無機膜３−０６の屈折率は第５無機膜３−０５の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２２７】
第５無機膜３−０５は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第６無機膜３−０６は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２２８】
第７無機膜４−０７は第８無機膜４−０８と異なる屈折率を有する。例えば、第７無機膜４−０７の屈折率は第８無機膜４−０８の屈折率よりも大きい。第７無機膜４−０７は高屈折率の物質を含み、第８無機膜４−０８は低屈折率の物質を含む。一方、第８無機膜４−０８の屈折率は第７無機膜４−０７の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２２９】
第７無機膜４−０７は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第８無機膜４−０８は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２３０】
図１３は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２３１】
密封部７５０は、図１３に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、第４複合無機膜１００４、及び第５複合無機膜１００５を含む。
【０２３２】
図１３の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４は、上述した図１２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。但し、図１３の第４複合無機膜１００４は第３複合無機膜１００３と第５複合無機膜１００５との間に位置する。
【０２３３】
第５複合無機膜１００５は第４複合無機膜１００４上に位置する。例えば、第５複合無機膜１００５は第４複合無機膜１００４と下部無機膜７５１との間に位置する。
【０２３４】
第５複合無機膜１００５は、第９無機膜５−０９及び第９無機膜５−０９上に位置する第１０無機膜５−１０を含む。例えば、第９無機膜５−０９は第８無機膜４−０８と第１０無機膜５−１０との間に位置し、第１０無機膜５−１０は第９無機膜５−０９と下部無機膜７５１との間に位置する。第９無機膜５−０９と第１０無機膜５−１０とは互いに接触する。
【０２３５】
第９無機膜５−０９は第１０無機膜５−１０と異なる屈折率を有する。例えば、第９無機膜５−０９の屈折率は第１０無機膜５−１０の屈折率よりも大きい。第９無機膜５−０９は高屈折率の物質を含み、第１０無機膜５−１０は低屈折率の物質を含む。一方、第１０無機膜５−１０の屈折率は第９無機膜５−０９の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２３６】
第９無機膜５−０９は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第１０無機膜５−１０は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２３７】
図１４は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２３８】
密封部７５０は、図１４に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、第４複合無機膜１００４、第５複合無機膜１００５、第６複合無機膜１００６、第７複合無機膜１００７、及び第８複合無機膜１００８を含む。
【０２３９】
図１４の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４は、上述した図１２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。但し、図１４の第４複合無機膜１００４は第３複合無機膜１００３と第５複合無機膜１００５との間に位置する。
【０２４０】
図１４の第５複合無機膜１００５は上述した図１３の第５複合無機膜１００５と同一である。但し、図１４の第５複合無機膜１００５は第４複合無機膜１００４と第６複合無機膜１００６との間に位置する。
【０２４１】
第６複合無機膜１００６は第５複合無機膜１００５上に位置する。例えば、第６複合無機膜１００６は第５複合無機膜１００５と第７複合無機膜１００７との間に位置する。
【０２４２】
第７複合無機膜１００７は第６複合無機膜１００６上に位置する。例えば、第７複合無機膜１００７は第６複合無機膜１００６と第８複合無機膜１００８との間に位置する。
【０２４３】
第８複合無機膜１００８は第７複合無機膜１００７上に位置する。例えば、第８複合無機膜１００８は第７複合無機膜１００７と下部無機膜７５１との間に位置する。
【０２４４】
第６複合無機膜１００６は、第１１無機膜６−１１及び第１１無機膜６−１１上に位置する第１２無機膜６−１２を含む。例えば、第１１無機膜６−１１は第１０無機膜５−１０と第１１無機膜６−１１との間に位置し、第１２無機膜６−１２は第１１無機膜６−１１と第７複合無機膜１００７との間に位置する。第１１無機膜６−１１と第１２無機膜６−１２とは互いに接触する。
【０２４５】
第７複合無機膜１００７は、第１３無機膜７−１３及び第１３無機膜７−１３上に位置する第１４無機膜７−１４を含む。例えば、第１３無機膜７−１３は第１２無機膜６−１２と第１４無機膜７−１４との間に位置し、第１４無機膜７−１４は第１３無機膜７−１３と第８複合無機膜１００８の間に位置する。第１３無機膜７−１３と第１４無機膜７−１４とは互いに接触する。
【０２４６】
第８複合無機膜１００８は、第１５無機膜８−１５及び第１５無機膜８−１５上に位置する第１６無機膜８−１６を含む。例えば、第１５無機膜８−１５は第１４無機膜７−１４と第１６無機膜８−１６との間に位置し、第１６無機膜８−１６は第１５無機膜８−１５と下部無機膜７５１との間に位置する。第１５無機膜８−１５と第１６無機膜８−１６とは互いに接触する。
【０２４７】
第１１無機膜６−１１は第１２無機膜６−１２と異なる屈折率を有する。例えば、第１１無機膜６−１１の屈折率は第１２無機膜６−１２の屈折率よりも大きい。第１１無機膜６−１１は高屈折率の物質を含み、第１２無機膜６−１２は低屈折率の物質を含む。一方、第１２無機膜６−１２の屈折率は第１１無機膜６−１１の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２４８】
第１１無機膜６−１１は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第１２無機膜６−１２は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２４９】
第１３無機膜７−１３は第１４無機膜７−１４と異なる屈折率を有する。例えば、第１３無機膜７−１３の屈折率は第１４無機膜７−１４の屈折率よりも大きい。第１３無機膜７−１３は高屈折率の物質を含み、第１４無機膜７−１４は低屈折率の物質を含む。一方、第１４無機膜７−１４の屈折率は第１３無機膜７−１３の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２５０】
第１３無機膜７−１３は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第１４無機膜７−１４は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２５１】
第１５無機膜８−１５は第１６無機膜８−１６と異なる屈折率を有する。例えば、第１５無機膜８−１５の屈折率は第１６無機膜８−１６の屈折率よりも大きい。第１５無機膜８−１５は高屈折率の物質を含み、第１６無機膜８−１６は低屈折率の物質を含む。一方、第１６無機膜８−１６の屈折率は第１５無機膜８−１５の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２５２】
第１５無機膜８−１５は上述した第１無機膜１−０１と同じ物質からなり、第１６無機膜８−１６は上述した第２無機膜１−０２と同じ物質からなる。
【０２５３】
図１５は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２５４】
密封部７５０は、図１５に示したように、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、第４複合無機膜１００４、第５複合無機膜１００５、第６複合無機膜１００６、第７複合無機膜１００７、及び第８複合無機膜１００８を含む。
【０２５５】
図１５の密封部７５０は、上述した図１４の密封部７５０と異なり、下部無機膜７５１を含まない。
【０２５６】
図１５の有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び第１〜第８複合無機膜（１００１〜１００８）は上述した図１４の上部無機膜７５２及び第１〜第８複合無機膜（１００１〜１００８）とそれぞれ同一である。但し、図１５の第８複合無機膜１００８は第７複合無機膜１００７と有機膜７５５との間に位置する。
【０２５７】
図１６は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２５８】
密封部７５０は、図１６に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１０１１、第２複合無機膜１０２２、第３複合無機膜１０３３、及び第４複合無機膜１０４４を含む。
【０２５９】
第１複合無機膜１０１１は上部無機膜７５２上に位置する。例えば、第１複合無機膜１０１１は上部無機膜７５２と第２複合無機膜１０２２との間に位置する。
【０２６０】
第２複合無機膜１０２２は第１複合無機膜１０１１上に位置する。例えば、第２複合無機膜１０２２は第１複合無機膜１０１１と第３複合無機膜１０３３との間に位置する。
【０２６１】
第３複合無機膜１０３３は第２複合無機膜１０２２上に位置する。例えば、第３複合無機膜１０３３は第２複合無機膜１０２２と第４複合無機膜１０４４との間に位置する。
【０２６２】
第４複合無機膜１０４４は第３複合無機膜１０３３上に位置する。
【０２６３】
第１複合無機膜１０１１は、第１無機膜１１−０１及び第１無機膜１１−０１上に位置する第２無機膜１１−０２を含む。例えば、第１無機膜１１−０１は上部無機膜７５２と第２無機膜１１−０２との間に位置し、第２無機膜１１−０２は第１無機膜１１−０１と第２複合無機膜１０２２との間に位置する。第１無機膜１１−０１と第２無機膜１１−０２とは互いに接触する。
【０２６４】
第２複合無機膜１０２２は、第３無機膜２２−０３及び第３無機膜２２−０３上に位置する第４無機膜２２−０４を含む。例えば、第３無機膜２２−０３は第２無機膜１１−０２と第４無機膜２２−０４との間に位置し、第４無機膜２２−０４は第３無機膜２２−０３と第３複合無機膜１０３３との間に位置する。第３無機膜２２−０３と第４無機膜２２−０４とは互いに接触する。
【０２６５】
第３複合無機膜１０３３は、第５無機膜３３−０５及び第５無機膜３３−０５上に位置する第６無機膜３３−０６を含む。例えば、第５無機膜３３−０５は第４無機膜２２−０４と第６無機膜３３−０６との間に位置し、第６無機膜３３−０６は第５無機膜３３−０５と第４複合無機膜１０４４との間に位置する。第５無機膜３３−０５と第６無機膜３３−０６とは互いに接触する。
【０２６６】
第４複合無機膜１０４４は、第７無機膜４４−０７及び第７無機膜４４−０７上に位置する第８無機膜４４−０８を含む。例えば、第７無機膜４４−０７は第６無機膜３３−０６と第８無機膜４４−０８との間に位置し、第８無機膜４４−０８は第７無機膜４４−０７上に位置する。第７無機膜４４−０７と第８無機膜４４−０８とは互いに接触する。
【０２６７】
第１無機膜１１−０１は第２無機膜１１−０２と異なる屈折率を有する。例えば、第１無機膜１１−０１の屈折率は第２無機膜１１−０２の屈折率よりも大きい。第１無機膜１１−０１は高屈折率の物質を含み、第２無機膜１１−０２は低屈折率の物質を含む。
【０２６８】
第１無機膜１１−０１及び第２無機膜１１−０２は、例えばＴｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのような無機物質の一つを含む。より具体的な例として、第１無機膜１１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１１−０２はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２６９】
第１無機膜１１−０１の屈折率と第２無機膜１１−０２の屈折率との差は０．４以上である。例えば、第１無機膜１１−０１はＴｉＯ２を含み、第２無機膜１１−０２はＳｉＯｘを含む。ここで、ＴｉＯ２は２．２８８の屈折率を有し、ＳｉＯｘは１．８３３〜１．８８２の屈折率を有し、このような物質を含む第１無機膜１１−０１と第２無機膜１１−０２とは０．４０６〜０．４５５の屈折率差を有する。
【０２７０】
一方、第２無機膜１１−０２の屈折率は第１無機膜１１−０１の屈折率よりも大きくてもよい。このような場合、第２無機膜１１−０２はＴｉＯ２を含み、第１無機膜１１−０１はＴｉＯ２よりも低い屈折率を有するＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、及びＳｉＯｘのいずれか一つを含む。
【０２７１】
第３無機膜２２−０３は第４無機膜２２−０４と異なる屈折率を有する。例えば、第３無機膜２２−０３の屈折率は第４無機膜２２−０４の屈折率よりも大きい。第３無機膜２２−０３は高屈折率の物質を含み、第４無機膜２２−０４は低屈折率の物質を含む。一方、第４無機膜２２−０４の屈折率は第３無機膜２２−０３の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２７２】
第３無機膜２２−０３は上述した第１無機膜１１−０１と同じ物質からなり、第４無機膜２２−０４は上述した第２無機膜１１−０２と同じ物質からなる。
【０２７３】
第５無機膜３３−０５は第６無機膜３３−０６と異なる屈折率を有する。例えば、第５無機膜３３−０５の屈折率は第６無機膜３３−０６の屈折率よりも大きい。第５無機膜３３−０５は高屈折率の物質を含み、第６無機膜３３−０６は低屈折率の物質を含む。一方、第６無機膜３３−０６の屈折率は第５無機膜３３−０５の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２７４】
第５無機膜３３−０５は上述した第１無機膜１１−０１と同じ物質からなり、第６無機膜３３−０６は上述した第２無機膜１１−０２と同じ物質からなる。
【０２７５】
第７無機膜４４−０７は第８無機膜４４−０８と異なる屈折率を有する。例えば、第７無機膜４４−０７の屈折率は第８無機膜４４−０８の屈折率よりも大きい。第７無機膜４４−０７は高屈折率の物質を含み、第８無機膜４４−０８は低屈折率の物質を含む。一方、第８無機膜４４−０８の屈折率は第７無機膜４４−０７の屈折率よりも大きくてもよい。
【０２７６】
第７無機膜４４−０７は上述した第１無機膜１１−０１と同じ物質からなり、第８無機膜４４−０８は上述した第２無機膜１１−０２と同じ物質からなる。
【０２７７】
一方、図１６で第２〜第４複合無機膜（１００２〜１００４）は省略され得る。
【０２７８】
図１７は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２７９】
密封部７５０は、図１７に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１０１１、第２複合無機膜１０２２、第３複合無機膜１０３３、及び第４複合無機膜１０４４を含む。
【０２８０】
図１７の密封部７５０は、上述した図１６の密封部７５０と異なり、上部無機膜７５２を含まない。
【０２８１】
図１７の有機膜７５５、下部無機膜７５１、及び第１〜第４複合無機膜（１０１１〜１０４４）は上述した図１６のそれらと同一である。但し、図１７の第１複合無機膜１０１１は有機膜７５５と第２複合無機膜１０２２との間に位置する。
【０２８２】
図１８は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２８３】
密封部７５０は、図１８に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１下部複合無機膜１００１、第２下部複合無機膜１００２、第３下部複合無機膜１００３、第４下部複合無機膜１００４、第１上部複合無機膜１０１１、第２上部複合無機膜１０２２、第３上部複合無機膜１０３３、及び第４上部複合無機膜１０４４を含む。
【０２８４】
第１下部複合無機膜１００１、第２下部複合無機膜１００２、第３下部複合無機膜１００３、及び第４下部複合無機膜１００４は、上述した図１２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。
【０２８５】
第１上部複合無機膜１０１１、第２上部複合無機膜１０２２、第３上部複合無機膜１０３３、及び第４上部複合無機膜１０４４は、上述した図１６の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。
【０２８６】
図１９は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２８７】
密封部７５０は、図１９に示したように、有機膜７５５及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１下部複合無機膜１００１、第２下部複合無機膜１００２、第３下部複合無機膜１００３、第４下部複合無機膜１００４、第１上部複合無機膜１０１１、第２上部複合無機膜１０２２、第３上部複合無機膜１０３３、及び第４上部複合無機膜１０４４を含む。
【０２８８】
図１９の密封部７５０は、上述した図１８の密封部７５０と異なり、下部無機膜７５１及び上部無機膜７５２を含まない。
【０２８９】
図１９の有機膜７５５、第１〜第４下部複合無機膜（１００１〜１００４）及び第１〜第４上部複合無機膜（１０１１〜１０４４）は、上述した図１８の有機膜７５５、第１〜第４下部複合無機膜（１００１〜１００４）、及び第１〜第４上部複合無機膜（１０１１〜１０４４）とそれぞれ同一である。但し、図１９の第４下部複合無機膜１００４は第３下部複合無機膜１００３と有機膜７５５との間に位置し、図１９の第１上部複合無機膜１０１１は有機膜７５５と第２上部複合無機膜１０２２との間に位置する。
【０２９０】
図２０は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２９１】
密封部７５０は、図２０に示したように、有機膜７５５、下部無機膜７５１、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１下部複合無機膜１００１、第２下部複合無機膜１００２、第３下部複合無機膜１００３、第４下部複合無機膜１００４、第１上部複合無機膜１０１１、第２上部複合無機膜１０２２、第３上部複合無機膜１０３３、及び第４上部複合無機膜１０４４を含む。
【０２９２】
図２０の密封部７５０は、上述した図１８の密封部７５０と異なり、上部無機膜７５２を含まない。
【０２９３】
図２０の有機膜７５５、下部無機膜７５１、第１〜第４下部複合無機膜（１００１〜１００４）及び第１〜第４上部複合無機膜（１０１１〜１０４４）は上述した図１８のそれらと同一である。但し、図２０の第１上部複合無機膜１０１１は有機膜７５５と第２上部複合無機膜１０２２との間に位置する。
【０２９４】
図２１は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０２９５】
密封部７５０は、図２１に示したように、有機膜７５５、上部無機膜７５２、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１下部複合無機膜１００１、第２下部複合無機膜１００２、第３下部複合無機膜１００３、第４下部複合無機膜１００４、第１上部複合無機膜１０１１、第２上部複合無機膜１０２２、第３上部複合無機膜１０３３、及び第４上部複合無機膜１０４４を含む。
【０２９６】
図２１の密封部７５０は、上述した図１８の密封部７５０と異なり、下部無機膜７５１を含まない。
【０２９７】
図２１の有機膜７５５、上部無機膜７５２、第１〜第４下部複合無機膜（１００１〜１００４）及び第１〜第４上部複合無機膜（１０１１〜１０４４）は上述した図１８のそれらと同一である。
【０２９８】
但し、図２１の第４下部複合無機膜１００４は第３下部複合無機膜１００３と有機膜７５５との間に位置する。
【０２９９】
上述した多様な実施例のように、密封部は少なくとも一つの無機複合膜を含む。言い換えると、密封部は、一つの無機複合膜を有する単一複合無機膜構造、又は複数の無機複合膜を含む多層複合無機膜構造を有する。
【０３００】
ここで、多層複合無機膜構造において、互いに隣接する複合無機膜のいずれか一つの複合無機膜に含まれる無機膜は他の一つの複合無機膜に含まれる無機膜と向き合い、向き合う二つの無機膜は互いに異なる屈折率を有する。例えば、図１２に示したように、第１複合無機膜１００１の第２無機膜１−０２とこれに隣接する第２複合無機膜１００２の第３無機膜２−０３とは向き合い、第２無機膜１−０２と第３無機膜２−０３とは互いに異なる屈折率を有する。
【０３０１】
また、互いに隣接する複合無機膜のいずれか一つの複合無機膜に含まれる無機膜は他の一つの複合無機膜に含まれる無機膜と向き合い、向き合う二つの無機膜は互いに接触する。例えば、図１２に示したように、第１複合無機膜１００１の第２無機膜１−０２とこれに隣接する第２複合無機膜１００２の第３無機膜２−０３とは向き合い、第２無機膜１−０２と第３無機膜２−０３とは互いに接触する。
【０３０２】
図２２は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０３０３】
密封部７５０は、図２２に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、補助無機膜２０００、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４を含む。
【０３０４】
図２２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４は、上述した図１２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。
【０３０５】
補助無機膜２０００は複合無機膜のうちの有機膜７５５に一番近く位置する複合無機膜に近接して位置する。例えば、補助無機膜２０００は第４複合無機膜１００４上に位置する。より具体的な例として、補助無機膜２０００は第８無機膜４−０８と下部無機膜７５１との間に位置する。ここで、補助無機膜２０００は第８無機膜４−０８及び下部無機膜７５１に接触する。
【０３０６】
補助無機膜２０００はこれに隣接する第４複合無機膜１００４に含まれるいずれか一つの無機膜と同じ屈折率を有する。ここで、補助無機膜２０００は第４複合無機膜１００４に含まれる無機膜のうちの補助無機膜２０００から更に遠くに位置する無機膜と同じ屈折率を有する。例えば、補助無機膜２０００の屈折率は第７無機膜４−０７と同じ屈折率を有する。
【０３０７】
図２３は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０３０８】
密封部７５０は、図２３に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、補助無機膜４０００、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１０１１、第２複合無機膜１０２２、第３複合無機膜１０３３、及び第４複合無機膜１０４４を含む。
【０３０９】
図２３の第１複合無機膜１０１１、第２複合無機膜１０２２、第３複合無機膜１０３３、及び第４複合無機膜１０４４は、上述した図１６の第１複合無機膜１０１１、第２複合無機膜１０２２、第３複合無機膜１０３３、及び第４複合無機膜１０４４とそれぞれ同一である。
【０３１０】
補助無機膜４０００は複合無機膜のうちの有機膜７５５に一番近く位置する複合無機膜に近接して位置する。例えば、補助無機膜４０００は第１複合無機膜１０１１の下部に位置する。より具体的な例として、補助無機膜４０００は第１無機膜１１−０１と上部無機膜７５２との間に位置する。ここで、補助無機膜４０００は第１無機膜１１−０１及び上部無機膜７５２に接触する。
【０３１１】
補助無機膜４０００はこれに隣接する第１複合無機膜１０１１に含まれるいずれか一つの無機膜と同じ屈折率を有する。ここで、補助無機膜４０００は第１複合無機膜１０１１に含まれる無機膜のうちの補助無機膜４０００から更に遠くに位置する無機膜と同じ屈折率を有する。例えば、補助無機膜４０００の屈折率は第２無機膜１１−０２と同じ屈折率を有する。
【０３１２】
図２４は、図９のＡ部の他の実施例の拡大図である。
【０３１３】
密封部７５０は、図２４に示したように、下部無機膜７５１、有機膜７５５、上部無機膜７５２、補助無機膜、及び複数の複合無機膜１０００を含む。例えば、複合無機膜１０００は、第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４を含む。
【０３１４】
図２４の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４は、上述した図１２の第１複合無機膜１００１、第２複合無機膜１００２、第３複合無機膜１００３、及び第４複合無機膜１００４とそれぞれ同一である。
【０３１５】
図２４に示したように、共通電極６１３と密封部７５０の間に保護層６０００が位置する。
【０３１６】
保護層６０００は基板１００の全面に重畳するように共通電極６１３上に位置する。このような保護層６０００はキャッピング層６０００ａ及び金属層６０００ｂの少なくとも一つを含む。
【０３１７】
キャッピング層６０００ａは共通電極６１３上に位置する。例えば、キャッピング層６０００ａは共通電極６１３と金属層６０００ｂとの間に位置する。キャッピング層６０００ａは、例えば有機物質を含む有機膜７５５である。
【０３１８】
金属層６０００ｂはキャッピング層６０００ａ上に位置する。例えば、金属層６０００ｂはキャッピング層６０００ａと第１複合無機膜１００１との間に位置する。金属層６０００ｂは、例えばＬｉＦを含む。
【０３１９】
図２５は、図１１の複合無機膜の分解斜視図である。
【０３２０】
図２５に示したように、複合無機膜１０００の第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２との間の界面Ｓ１（以下、第１界面）は凹凸パターンを有する。言い換えると、第１界面Ｓ１は凹部（１１ａ、２２ａ）及び凸部（１１ｂ、２２ｂ）を含む。このような構造によって第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２と間の接着力が向上する。
【０３２１】
第１界面Ｓ１は第１無機膜１−０１と第２無機膜１−０２との対向面（１１、２２）を含む。対向面（１１、２２）のうちの第１無機膜１−０１の面を第１面１１として定義し、第２無機膜１−０２の面を第２面２２として定義すると、第１面１１は凹部１１ａ及び凸部１１ｂを含み、第２面２２は凹部２２ａ及び凸部２２ｂを含む。ここで、第１面１１の凸部１１ｂは第２面２２の凹部２２ａに挿入され、第２面２２の凸部２２ｂは第１面１１の凹部１１ａに挿入される。
【０３２２】
第１界面Ｓ１の凸部（１１ｂ、２２ｂ）は、図２５の例のように、三角柱状を有する。他の例として、第１界面Ｓ１の凸部（１１ｂ、２２ｂ）は四角柱状又は半円柱状を有してもよい。
【０３２３】
また、第２無機膜１−０２と下部無機膜７５１と間の界面Ｓ２（以下、第２界面）は凹凸パターンを有する。言い換えると、第２界面Ｓ２は凹部（３３ａ、４４ａ）及び凸部（３３ｂ、４４ｂ）を含む。このような構造によって第２無機膜１−０２と下部無機膜７５１と間の接着力が向上する。
【０３２４】
第２界面Ｓ２は第２無機膜１−０２と下部無機膜７５１との対向面（３３、４４）を含む。対向面（３３、４４）のうちの第２無機膜１−０２の面を第３面３３として定義し、下部無機膜７５１の面を第４面４４として定義すると、第３面３３は凹部３３ａ及び凸部３３ｂを含み、第４面４４は凹部４４ａ及び凸部４４ｂを含む。ここで、第３面３３の凸部３３ｂは第４面４４の凹部４４ａに挿入され、第４面４４の凸部４４ｂは第３面３３の凹部３３ａに挿入される。
【０３２５】
第２界面Ｓ２の凸部（３３ｂ、４４ｂ）は、図２５の例のように、三角柱状を有する。他の例として、第２界面Ｓ２の凸部（３３ｂ、４４ｂ）は四角柱状又は半円柱状を有してもよい。
【０３２６】
第１界面Ｓ１に含まれる凸部（１１ｂ又は２２ｂ）の配列方向と第２界面Ｓ２に含まれる凸部（３３ｂ又は４４ｂ）の配列方向とは交差する。例えば、図２５に示したように、第１界面Ｓ１の凸部１１ｂはＸ軸方向に配列され、第２界面Ｓ２の凸部３３ｂはＹ軸方向に配列される。このような構造によって、隣接する膜間の接着力が改善すると共に密封部７５０を通過する光の輝度が向上する。
【０３２７】
図２５に示したように、第１界面Ｓ１の凸部（１１ｂ、２２ｂ）と第２界面Ｓ２の凸部（３３ｂ、４４ｂ）は互いに同じ形状を有する。
【０３２８】
また、図示していないが、第１界面Ｓ１の凸部（１１ｂ、２２ｂ）と第２界面Ｓ２の凸部（３３ｂ、４４ｂ）とは互いに異なる形状を有してもよい。例えば、第１界面Ｓ１の凸部（１１ｂ、２２ｂ）は三角柱状を有し、第２界面Ｓ２の凸部（３３ｂ、４４ｂ）は四角柱状を有してもよい。
【０３２９】
図２６は、太陽光に対する本発明の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【０３３０】
図２６のＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３３１】
図２６の一つの複合無機膜は、ＴｉＯ２の無機膜（例えば、第１無機膜１−０１）とＡｌ２Ｏ３の無機膜（例えば、第２無機膜１−０２）を含む。
【０３３２】
第１〜第７曲線（Ｃ１〜Ｃ７）は太陽光の波長に対する各多層複合無機膜の透過率を示したものであり、具体的に第１曲線Ｃ１は２つ（例えば、２対）の複合無機膜を含む第１多層複合無機膜の透過率変化を示し、第２曲線Ｃ２は３つ（即ち、３対）の複合無機膜を含む第２多層複合無機膜の透過率変化を示し、第３曲線Ｃ３は４つ（例えば、４対）の複合無機膜を含む第３多層複合無機膜の透過率変化を示し、第４曲線Ｃ４は５つ（例えば、５対）の複合無機膜を含む第４多層複合無機膜の透過率変化を示し、第５曲線Ｃ５は６つ（例えば、６対）の複合無機膜を含む第５多層複合無機膜の透過率変化を示し、第６曲線Ｃ６は７つ（例えば、７対）の複合無機膜を含む第６多層複合無機膜の透過率変化を示し、そして第７曲線Ｃ７は８つ（例えば、８対）の複合無機膜を含む第７多層複合無機膜の透過率変化を示す。
【０３３３】
第１多層複合無機膜は２つのＴｉＯ２無機膜と２つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、第２多層複合無機膜は３つのＴｉＯ２無機膜と３つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、第３多層複合無機膜は４つのＴｉＯ２無機膜と４つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、第４多層複合無機膜は５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、第５多層複合無機膜は６つのＴｉＯ２無機膜と６つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、第６多層複合無機膜は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有し、そして第７多層複合無機膜は８つのＴｉＯ２無機膜と８つのＡｌ２Ｏ３無機膜とが交互に積層された構造を有する。
【０３３４】
図２６に示したように、紫外線の波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で第１〜第７多層複合無機膜は低透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。従って、本実施形態の複合無機膜を含む密封部７５０は優れた紫外線遮断能力を有する。
【０３３５】
図２７は、太陽光の印加有無による本発明の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【０３３６】
図２７のＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３３７】
図２７の一つの複合無機膜は、ＴｉＯ２の無機膜（例えば、第１無機膜１−０１）とＡｌ２Ｏ３の無機膜（例えば、第２無機膜１−０２）とを含む。
【０３３８】
図２７の各曲線（Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２）は３０００Å厚さのＳｉＮｘ膜上に配置された６つ（例えば、６対）の複合無機膜を含む多層複合無機膜の条件別透過率を示したものであり、具体的に基準曲線Ｃ０は多層複合無機膜の透過率に対するシミュレーション結果を示し、第１曲線Ｃ１は太陽光が印加される前の多層複合無機膜（以下、第１多層複合無機膜）の透過率を示し、そして第２曲線Ｃ２は一定時間の間に太陽光を受けた多層複合無機膜（以下、第２多層複合無機膜）の透過率を示した図である。
【０３３９】
図２７に示したように、紫外線の波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で第１多層複合無機膜及び第２多層複合無機膜は低透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。また、第１多層複合無機膜及び第２多層複合無機膜は紫外線波長領域で略同じ透過率を有する。従って、本発明の複合無機膜を含む密封部は長時間の太陽光の印加後にも優れた紫外線遮断能力を維持する。
【０３４０】
図２８は、太陽光の印加有無による本発明の他の多層複合無機膜の透過率変化を示したグラフである。
【０３４１】
図２８のＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３４２】
図２８の一つの複合無機膜は、ＴｉＯ２の無機膜（例えば、第１無機膜１−０１）とＡｌ２Ｏ３の無機膜（例えば、第２無機膜１−０２）とを含む。
【０３４３】
図２８の各曲線（Ｃ０、Ｃ１、Ｃ２）はベアガラス（ｂｅａｒ  ｇｌａｓｓ）上に配置された６つ（例えば、６対）の複合無機膜を含む多層複合無機膜の透過率を示したものであり、具体的に基準曲線Ｃ０は多層複合無機膜の透過率に対するシミュレーション結果を示し、第１曲線Ｃ１は太陽光が印加される前の多層複合無機膜（以下、第１多層複合無機膜）の透過率を示し、そして第２曲線Ｃ２は一定時間太陽光を受けた多層複合無機膜（以下、第２多層複合無機膜）の透過率を示した図である。
【０３４４】
図２８に示したように、紫外線の波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で第１多層複合無機膜及び第２多層複合無機膜は低透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。また、第１多層複合無機膜及び第２多層複合無機膜は紫外線波長領域で略同じ透過率を有する。従って、本発明の複合無機膜を含む密封部は長時間の太陽光の印加後にも優れた紫外線遮断能力を維持する。
【０３４５】
図２９は、本発明の複合無機膜に含まれる各無機膜の材料及び屈折率を示した表である。
【０３４６】
図２９に示したように、ＴｉＯ２は２．２８８の屈折率を有し、ＳｉＮｘは１．８３３〜１．８８２の屈折率を有し、ＡｌＯｘは１．６２７〜１．６７７の屈折率を有し、そしてＳｉＯｘは１．４６３〜１．４８７の屈折率を有する。
【０３４７】
また、図２９にはＴｉＯ２と各材料との間の屈折率差が示されており、ＴｉＯ２とＳｉＯｘとの間の屈折率差（０．８２５）が最も大きい。例えば、一つの複合無機膜は高屈折材料（例えば、第１無機膜１−０１の材料）としてＴｉＯ２を含み、低屈折材料（例えば、第２無機膜１−０２の材料）としてＳｉＯｘを含む。
【０３４８】
図３０は、本発明の複合無機膜の組合せ及びその組合せの波長別透過率を示した表である。
【０３４９】
本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯｘの第１無機膜１−０１及びＳｉＮｘ（ｎ＝１．８８２）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（１）；以下、第１組合せ）を有する。
【０３５０】
また、本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＮｘ（ｎ＝１．８３３）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（２）；以下、第２組合せ）を有する。
【０３５１】
また、本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＡｌＯｘ（ｎ＝１．６７７）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（３）；以下、第３組合せ）を有する。
【０３５２】
また、本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＡｌＯｘ（ｎ＝１．６２７）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（４）；以下、第４組合せ）を有する。
【０３５３】
また、本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＯｘ（ｎ＝１．４８７）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（５）；以下、第５組合せ）を有する。
【０３５４】
また、本発明の複合無機膜は、図３０に示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＯｘ（ｎ＝１．４６３）の第２無機膜１−０２を含む組合せ（（６）；以下、第６組合せ）を有する。
【０３５５】
図３０に示したように、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第１組合せ（（１））の透過率はそれぞれ１１．４６％及び７０．８８％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第２組合せ（（２））の透過率はそれぞれ１０．６０％及び７４．３５％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第３組合せ（（３））の透過率はそれぞれ８．６０％及び７６．８９％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第４組合せ（（４））の透過率はそれぞれ８．０８％及び７７．３３％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第５組合せ（（５））の透過率はそれぞれ７．４１％及び７８．１０％であり、そして４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第６組合せ（（６））の透過率はそれぞれ７．２５％及び７８．３０％である。
【０３５６】
第１組合せ（（１））及び第２組合せ（（２））は低い波長（４０５ｍｎ）領域で比較的高い透過率を有する。一方、第３組合せ（（３））、第４組合せ（（４））、第５組合せ（（５））、及び第６組合せ（（６））は低い波長（４０５ｍｎ）領域で低い透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。
【０３５７】
図３１は、図３０の各組合せ別特性を示したグラフでである。
【０３５８】
図３１のＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３５９】
図３１に示したように、第１組合せ（（１））に関する第１曲線Ｃ１及び第２組合せ（（２））に関する第２曲線Ｃ２は低い波長領域で０．１又は１０％より大きな透過率を示す。一方、第３組合せ（（３））に関する第３曲線Ｃ３、第４組合せ（（４））に関する第４曲線Ｃ４、第５組合せ（（５））に関する第５曲線Ｃ５、及び第６組合せ（（６））に関する第６曲線Ｃ６は低い波長（４０５ｍｎ）領域で低い透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を示す。
【０３６０】
図３２ａは、ＳｉＮｘ膜に配置されてＳｉＮｘ及びＳｉＯｘを含む多層複合無機膜の透過率を示した表であり、図３２ｂは、図３２ａの多層複合無機膜の透過率に対するグラフであり、そして図３２ｃは、図３２ｂの一部波長領域を拡大したグラフである。
【０３６１】
図３２ｂ及び図３２ｃのＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３６２】
図３２ａ〜図３２ｃの一つの複合無機膜はＳｉＮｘの無機膜（例えば、第１無機膜１−０１）とＳｉＯｘの無機膜（例えば、第２無機膜１−０２）とを含む。ここで、複合無機膜のＳｉＮｘの屈折率は１．８３３であり、ＳｉＯｘの屈折率は１．４８７である。
【０３６３】
図３２ｂ及び図３２ｃの第１〜第９曲線（Ｃ１〜Ｃ９）は太陽光の波長に対する各多層複合無機膜の透過率を示す。
【０３６４】
具体的に、第１曲線Ｃ１は２つ（例えば、２対）の複合無機膜を含む第１多層複合無機膜の透過率変化を示し、第２曲線Ｃ２は３つ（即ち、３対）の複合無機膜を含む第２多層複合無機膜の透過率変化を示し、第３曲線Ｃ３は４つ（例えば、４対）の複合無機膜を含む第３多層複合無機膜の透過率変化を示し、第４曲線Ｃ４は５つ（例えば、５対）の複合無機膜を含む第４多層複合無機膜の透過率変化を示し、第５曲線Ｃ５は６つ（例えば、６対）の複合無機膜を含む第５多層複合無機膜の透過率変化を示し、第６曲線Ｃ６は７つ（例えば、７対）の複合無機膜を含む第６多層複合無機膜の透過率変化を示し、第７曲線Ｃ７は８つ（例えば、８対）の複合無機膜を含む第７多層複合無機膜の透過率変化を示し、第８曲線Ｃ８は９つ（例えば、９対）の複合無機膜を含む第８多層複合無機膜の透過率変化を示し、そして第９曲線Ｃ９は１０（例えば、１０対）の複合無機膜を含む第９多層複合無機膜の透過率変化を示す。
【０３６５】
第１多層複合無機膜は２つのＳｉＮｘ無機膜と二つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第２多層複合無機膜は３つのＳｉＮｘ無機膜と３つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第３多層複合無機膜は４つのＳｉＮｘ無機膜と４つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第４多層複合無機膜は５つのＳｉＮｘ無機膜と５つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第５多層複合無機膜は６つのＳｉＮｘ無機膜と６つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第６多層複合無機膜は７つのＳｉＮｘ無機膜と７つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第７多層複合無機膜は８つのＳｉＮｘ無機膜と８つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第８多層複合無機膜は９つのＳｉＮｘ無機膜と９つのＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、そして第９多層複合無機膜は１０のＳｉＮｘ無機膜と１０のＳｉＯｘ無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有する。
【０３６６】
一方、図３２ａには第４〜第９多層複合無機膜の透過率が示されている。
【０３６７】
図３２ａによると、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第４多層複合無機膜の透過率はそれぞれ２３．７６％及び８０．０８％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第５多層複合無機膜の透過率はそれぞれ１７．５５％及び８１．９３％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第６多層複合無機膜の透過率はそれぞれ１２．７４％及び８３．６８％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第７多層複合無機膜の透過率はそれぞれ９．０４％及び８４．０８％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第８多層複合無機膜の透過率はそれぞれ６．３７％及び８２．５４％であり、そして４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第９多層複合無機膜の透過率はそれぞれ４．５０％及び８０．１４％である。
【０３６８】
図３２ａに示したように、紫外線の波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で第７〜第９多層複合無機膜は低い透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。従って、第７〜第９多層複合無機膜のいずれか一つを含む密封部は優れた紫外線遮断能力を有する。
【０３６９】
図３３ａは、ＳｉＮｘ膜上に配置されたＴｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む複合無機膜の透過率及び厚さを示した表であり、図３３ｂは、図３３ａの複合無機膜の透過率に対するグラフであり、そして図３３ｃは、図３３ｂの一部波長領域を拡大したグラフである。
【０３７０】
図３３ｂ及び図３３ｃのＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３７１】
図３３ａ〜図３３ｃの一つの複合無機膜はＴｉＯ２の無機膜（例えば、第１無機膜１−０１）とＡｌ２Ｏ３の無機膜（例えば、第２無機膜１−０２）とを含む。ここで、複合無機膜のＴｉＯ２の屈折率は２．２８８であり、Ａｌ２Ｏ３の屈折率は１．６２７である。
【０３７２】
図３３ｂ及び図３３ｃの第１〜第７曲線（Ｃ１〜Ｃ７）は太陽光の波長に対する各複合無機膜の透過率を示したものであり、具体的に第１曲線Ｃ１は２つ（例えば、２対）の複合無機膜を含む第１多層複合無機膜の透過率変化を示し、第２曲線Ｃ２は３つ（即ち、３対）の複合無機膜を含む第２多層複合無機膜の透過率変化を示し、第３曲線Ｃ３は４つ（例えば、４対）の複合無機膜を含む第３多層複合無機膜の透過率変化を示し、第４曲線Ｃ４は５つ（例えば、５対）の複合無機膜を含む第４多層複合無機膜の透過率変化を示し、第５曲線Ｃ５は６つ（例えば、６対）の複合無機膜を含む第５多層複合無機膜の透過率変化を示し、第６曲線Ｃ６は７つ（例えば、７対）の複合無機膜を含む第６多層複合無機膜の透過率変化を示し、そして第７曲線Ｃ７は８つ（例えば、８対）の複合無機膜を含む第７多層複合無機膜の透過率変化を示す。
【０３７３】
第１多層複合無機膜は二つのＴｉＯ２無機膜と二つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第２多層複合無機膜は３つのＴｉＯ２無機膜と３つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第３多層複合無機膜は４つのＴｉＯ２無機膜と４つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第４多層複合無機膜は５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第５多層複合無機膜は６つのＴｉＯ２無機膜と６つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、第６多層複合無機膜は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有し、そして第７多層複合無機膜は８つのＴｉＯ２無機膜と８つのＡｌ２Ｏ３無機膜とがＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に交互に積層された構造を有する。
【０３７４】
一方、図３３ａには第２〜第７多層複合無機膜の透過率が示されている。
【０３７５】
図３３ａによると、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第２多層複合無機膜の透過率はそれぞれ２１．４６％及び７９．５０％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第３多層複合無機膜の透過率はそれぞれ１４．８７％及び７９．８６％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第４多層複合無機膜の透過率はそれぞれ９．９７％及び８０．１６％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第５多層複合無機膜の透過率はそれぞれ７．７２％及び７９．４８％であり、４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第６多層複合無機膜の透過率はそれぞれ７．６０％及び７９．６１％であり、そして４０５ｎｍ及び４５０ｎｍの波長領域で第７多層複合無機膜の透過率はそれぞれ６．４７％及び７９．４７％である。
【０３７６】
また、図３３ａによると、第２多層複合無機膜の厚さは３６５０Åであり、第３多層複合無機膜の厚さは４６７０Åであり、第４多層複合無機膜の厚さは５７４０Åであり、第５多層複合無機膜の厚さは６８２０Åであり、第６多層複合無機膜の厚さは８１３０Åであり、そして第７多層複合無機膜の厚さは９４００Åである。
【０３７７】
図３３ａに示したように、紫外線の波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で第４〜第７多層複合無機膜は低い透過率（例えば、０．１以下又は１０％以下の透過率）を有する。従って、第４〜第７多層複合無機膜のいずれか一つを含む密封部は優れた紫外線遮断能力を有する。
【０３７８】
図３４ａは、ＴｉＯ２及びＴｉＯ２よりも低い屈折率の無機膜を含む多層複合無機膜の透過率を示した表であり、図３４ｂは、図３４ａの各組合せの透過率曲線を示したグラフであり、図３４ｃは、図３４ｂの一部波長領域を拡大したグラフであり、そして図３４ｄは、図３４ｂの他の一部波長領域を拡大したグラフである。
【０３７９】
図３４ｂ、図３４ｃ、及び図３４ｄのＸ軸は太陽光の波長を示し、同図のＹ軸は透過率（即ち、光透過率）を示す。
【０３８０】
本発明の第１多層複合無機膜（１）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯｘの第１無機膜１−０１及びＳｉＮｘ（ｎ＝１．８８２）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８１】
本発明の第２多層複合無機膜（２）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＮｘ（ｎ＝１．８３３）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８２】
本発明の第３多層複合無機膜（３）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＡｌＯｘ（ｎ＝１．６７７）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８３】
本発明の第４多層複合無機膜（４）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＡｌＯｘ（ｎ＝１．６２７）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８４】
本発明の第５多層複合無機膜（５）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＯｘ（ｎ＝１．４８７）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８５】
本発明の第６多層複合無機膜（６）は、図３４ａに示したように、ＴｉＯ２の第１無機膜１−０１及びＳｉＯｘ（ｎ＝１．４６３）の第２無機膜１−０２を有する複数の複合無機膜を含む。
【０３８６】
上述した第１〜第６多層複合無機膜（１）〜（６）はいずれも同じ個数の複合無機膜を含む。例えば、第１〜第６多層複合無機膜（１）〜（６）はそれぞれ７つの複合無機膜を含む。具体的な例として、第１多層複合無機膜（１）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＳｉＮｘ（ｎ＝１．８８２）無機膜とが交互に積層された構造を有し、第２多層複合無機膜（２）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＳｉＮｘ（ｎ＝１．８８３）無機膜とが交互に積層された構造を有し、第３多層複合無機膜（３）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌＯｘ（ｎ＝１．６７７）無機膜とが交互に積層された構造を有し、第４多層複合無機膜（４）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌＯｘ（ｎ＝１．６２７）無機膜とが交互に積層された構造を有し、第５多層複合無機膜（５）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＳｉＯｘ（ｎ＝１．４８７）無機膜とが交互に積層された構造を有し、そして第６多層複合無機膜（６）は７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＳｉＯｘ（ｎ＝１．４６３）無機膜とが交互に積層された構造を有する。
【０３８７】
図３４ｂ及び図３４ｃに示したように、低い波長領域（例えば、３２０ｎｍ〜４０５ｎｍの波長領域）で複合無機膜内の無機膜間の屈折率差が大きいほど多層複合無機膜（又は複合無機膜）の透過率は減少する。
【０３８８】
一方、図３４ｂ及び図３４ｄに示したように、高い波長領域で複合無機膜内の無機膜間の屈折率差が大きいほど多層複合無機膜（又は複合無機膜）の透過率は増加する。
【０３８９】
従って、複合無機膜に含まれる無機膜間の屈折率差が大きいほど紫外線遮断効果が増加する。
【０３９０】
図３５は、本発明の密封部の多様な実施例及び関連膜の厚さを示した図である。
【０３９１】
第１密封部（１）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第１多層複合無機膜を含む。
【０３９２】
第１多層複合無機膜は５つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）を含む。例えば、第１多層複合無機膜はＳｉＮｘ膜上に交互に積層された５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０３９３】
第１密封部（１）において、ＳｉＮｘ膜は５０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は５７５Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は１８９Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は７７１Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は１７３Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は９６９Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は１５２Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は７１３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は４０３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は３１８Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は４４３Åの厚さを有し、そして第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０６１Åの厚さを有する。
【０３９４】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１３６０Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは４４０７Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５７６７Åである。
【０３９５】
一方、第１密封部（１）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第１密封部（１）の第１多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第１多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、そして第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置する。言い換えると、第１〜第５複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ５）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０３９６】
第２密封部（２）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第２多層複合無機膜を含む。
【０３９７】
第２多層複合無機膜は７つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）を含む。例えば、第２多層複合無機膜は交互に積層された７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０３９８】
第２密封部（２）において、ＳｉＮｘ膜は５０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は５６２Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は７４Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は１４７０Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は８７Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は７３３Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は２４８Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は６４５Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は２０２Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０７９Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は１０８Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は７４７Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＴｉＯ２無機膜は４０６Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＡｌ２Ｏ３無機膜は２９５Åの厚さを有し、第７複合無機膜Ｌ７のＴｉＯ２無機膜は４５３Åの厚さを有し、そして第７複合無機膜Ｌ７のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４６Åの厚さを有する。
【０３９９】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１５７８Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは６５７７Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは８１５５Åである。
【０４００】
一方、第２密封部（２）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第２密封部（２）の第２多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第２多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、そして第７複合無機膜Ｌ７は第６複合無機膜Ｌ６の下部に位置する。言い換えると、第１〜第７複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ７）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４０１】
第３密封部（３）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第３多層複合無機膜を含む。
【０４０２】
第３多層複合無機膜は５つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）を含む。例えば、第３多層複合無機膜は交互に積層された５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４０３】
第３密封部（３）において、ＳｉＮｘ膜は３０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は５７５Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は１８９Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は７７１Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は１７３Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は９６９Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は１５２Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は７１３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は４０３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は３１８Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は４４３Åの厚さを有し、そして第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０６１Åの厚さを有する。
【０４０４】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１３６０Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは４４０７Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５７６７Åである。
【０４０５】
一方、第３密封部（３）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第３密封部（３）の第３多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第３多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、そして第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置する。言い換えると、第１〜第５複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ５）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４０６】
第４密封部（４）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第４多層複合無機膜を含む。
【０４０７】
第４多層複合無機膜は７つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）を含む。例えば、第４多層複合無機膜は交互に積層された７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４０８】
第４密封部（４）において、ＳｉＮｘ膜は３０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は５６２Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は７４Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は１４７０Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は８７Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は７３３Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は２４８Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は６４５Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は２０２Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０７９Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は１０８Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は７４７Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＴｉＯ２無機膜は４０６Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＡｌ２Ｏ３無機膜は２９５Åの厚さを有し、第７複合無機膜Ｌ７のＴｉＯ２無機膜は４５３Åの厚さを有し、そして第７複合無機膜Ｌ７のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４６Åの厚さを有する。
【０４０９】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１５７８Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは６５７７Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは８１５５Åである。
【０４１０】
一方、第４密封部（４）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第４密封部（４）の第４多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第４多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、そして第７複合無機膜Ｌ７は第６複合無機膜Ｌ６の下部に位置する。言い換えると、第１〜第７複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ７）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４１１】
第５密封部（５）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第５多層複合無機膜を含む。
【０４１２】
第５多層複合無機膜は５つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）を含む。例えば、第５多層複合無機膜は交互に積層された５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４１３】
第５密封部（５）において、ＳｉＮｘ膜は１０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は１１７Åの厚さを有し、第１複合無機膜１００１のＴｉＯ２無機膜は１６４Åの厚さを有し、第１複合無機膜１００１のＡｌ２Ｏ３無機膜は７０９Åの厚さを有し、第２複合無機膜１００２のＴｉＯ２無機膜は２５０Åの厚さを有し、第２複合無機膜１００２のＡｌ２Ｏ３無機膜は７３０Åの厚さを有し、第３複合無機膜１００３のＴｉＯ２無機膜は２３４Åの厚さを有し、第３複合無機膜１００３のＡｌ２Ｏ３無機膜は６４３Åの厚さを有し、第４複合無機膜１００４のＴｉＯ２無機膜は４０３Åの厚さを有し、第４複合無機膜１００４のＡｌ２Ｏ３無機膜は３６２Åの厚さを有し、第５複合無機膜１００５のＴｉＯ２無機膜は４０９Åの厚さを有し、そして第５複合無機膜１００５のＡｌ２Ｏ３無機膜は１１０７Åの厚さを有する。
【０４１４】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１４６０Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは３６６８Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５１２８Åである。
【０４１５】
一方、第５密封部（５）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第５密封部（５）の第５多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第５多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、そして第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置する。言い換えると、第１〜第５複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ５）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４１６】
第６密封部（６）はＳｉＮｘ膜（例えば、上部無機膜７５２）上に配置されたＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第６多層複合無機膜を含む。
【０４１７】
第６多層複合無機膜は７つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）を含む。例えば、第６多層複合無機膜は交互に積層された７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４１８】
第６密封部（６）において、ＳｉＮｘ膜は１０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は１１７Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は３５Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４０Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は２０６Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は５４５Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は３７１Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は５３１Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は２５３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は９６２Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は１５３Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は６６７Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＴｉＯ２無機膜は４５９Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＡｌ２Ｏ３無機膜は２５９Åの厚さを有し、そして第７複合無機膜Ｌ７のＴｉＯ２無機膜は４７０Åの厚さを有し、第７複合無機膜Ｌ７のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４７Åの厚さを有する。
【０４１９】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１９４７Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５１６８Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは７１１５Åである。
【０４２０】
一方、第６密封部（６）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第６密封部（６）の第６多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第６多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、そして第７複合無機膜Ｌ７は第６複合無機膜Ｌ６の下部に位置する。言い換えると、第１〜第７複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ７）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４２１】
第７密封部（７）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第７多層複合無機膜を含む。一方、第７密封部（７）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５上に位置してもよい。
【０４２２】
第７多層複合無機膜は５つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５）を含む。例えば、第７多層複合無機膜は交互に積層された５つのＴｉＯ２無機膜と５つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４２３】
第７密封部（７）において、ＳｉＮｘ膜は１０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は１１７Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は１６４Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は７０９Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は２５０Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は７３０Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は２３４Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は６４３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は４０３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は３６２Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は４０９Åの厚さを有し、そして第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は１１０７Åの厚さを有する。
【０４２４】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１４６０Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは３６６８Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５１２８Åである。
【０４２５】
一方、第７密封部（７）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第７密封部（７）の第７多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第７多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、そして第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置する。言い換えると、第１〜第５複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ５）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４２６】
第８密封部（８）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜及びＡｌ２Ｏ３補助無機膜上に配置された第８多層複合無機膜を含む。一方、第８密封部（８）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５上に位置してもよい。
【０４２７】
第８多層複合無機膜は７つの複合無機膜（Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６、Ｌ７）を含む。例えば、第８多層複合無機膜は交互に積層された７つのＴｉＯ２無機膜と７つのＡｌ２Ｏ３無機膜とを含む。
【０４２８】
第８密封部（８）において、ＳｉＮｘ膜は１０００Åの厚さを有し、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜は１１７Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＴｉＯ２無機膜は３５Åの厚さを有し、第１複合無機膜Ｌ１のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４０Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＴｉＯ２無機膜は２０６Åの厚さを有し、第２複合無機膜Ｌ２のＡｌ２Ｏ３無機膜は５４５Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＴｉＯ２無機膜は３７１Åの厚さを有し、第３複合無機膜Ｌ３のＡｌ２Ｏ３無機膜は５３１Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＴｉＯ２無機膜は２５３Åの厚さを有し、第４複合無機膜Ｌ４のＡｌ２Ｏ３無機膜は９６２Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＴｉＯ２無機膜は１５３Åの厚さを有し、第５複合無機膜Ｌ５のＡｌ２Ｏ３無機膜は６６７Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＴｉＯ２無機膜は４５９Åの厚さを有し、第６複合無機膜Ｌ６のＡｌ２Ｏ３無機膜は２５９Åの厚さを有し、そして第７複合無機膜Ｌ７のＴｉＯ２無機膜は４７０Åの厚さを有し、第７複合無機膜Ｌ７のＡｌ２Ｏ３無機膜は１０４７Åの厚さを有する。
【０４２９】
ＴｉＯ２無機膜の総厚さは１９４７Åであり、Ａｌ２Ｏ３補助無機膜を含むＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは５１６８Åであり、そしてＡｌ２Ｏ３補助無機膜、ＴｉＯ２無機膜、及びＡｌ２Ｏ３無機膜の総厚さは７１１５Åである。
【０４３０】
一方、第８密封部（８）のＡｌ２Ｏ３補助無機膜は有機膜７５５の下部又は下部無機膜７５１の下部に位置し、第８密封部（８）の第８多層複合無機膜はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置してもよい。ここで、第８多層複合無機膜の第１複合無機膜Ｌ１はＡｌ２Ｏ３補助無機膜の下部に位置し、第２複合無機膜Ｌ２は第１複合無機膜Ｌ１の下部に位置し、第３複合無機膜Ｌ３は第２複合無機膜Ｌ２の下部に位置し、第４複合無機膜Ｌ４は第３複合無機膜Ｌ３の下部に位置し、第５複合無機膜Ｌ５は第４複合無機膜Ｌ４の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、第６複合無機膜Ｌ６は第５複合無機膜Ｌ５の下部に位置し、そして第７複合無機膜Ｌ７は第６複合無機膜Ｌ６の下部に位置する。言い換えると、第１〜第７複合無機膜（Ｌ１〜Ｌ７）はＡｌ２Ｏ３補助無機膜と共通電極６１３との間に位置する。また、各複合無機膜内のＴｉＯ２無機膜及びＡｌ２Ｏ３無機膜のうちのＡｌ２Ｏ３無機膜が共通電極６１３に更に近接して位置する。
【０４３１】
一方、本発明による密封部７５０の多様な実施例はフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置にも適用可能である。
【０４３２】
図３６は、図１のスキャンドライバーの詳細構成図である。
【０４３３】
スキャンドライバー１０２は、図３６に示したように、複数の駆動スイッチング素子ＴＲを含む。複数の駆動スイッチング素子ＴＲは複数のクロックラインＣＬに連結される。
【０４３４】
各駆動スイッチング素子ＴＲは、該当クロックラインからクロック信号を受信し、クロック信号に応じてスキャン信号を生成して出力する。
【０４３５】
上述した結合溝２２０及び延長部７５０ｂは基板１００の非表示領域１００ｂに配置される。例えば、非表示領域１００ｂの結合溝２２０及び延長部７５０ｂは隣接するクロックラインＣＬの間に位置する。
【０４３６】
一方、図示していないが、上述した結合溝２２０及び延長部７５０ｂは発光制御ドライバー１０３に連結された他のクロックラインの間に位置することもできる。即ち、上述した結合溝２２０及び延長部７５０ｂはその他のクロックラインのうちの互いに隣接するクロックラインの間に位置してもよい。
【０４３７】
また、図示していないが、上述した結合溝２２０及び延長部７５０ｂは導電性パターン（例えば、スキャンライン、発光制御ライン、データラインなど）に重畳しない部分であれば基板１００のどの領域にも形成され得る。
【０４３８】
図３７ａ〜図３７ｍは、本発明の表示装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【０４３９】
先ず、図３７ａに示したように、キャリア基板１０１上に第１層１１１、第２層１１２、第３層１１３、第４層１１４、バッファー層１２０、半導体層３２１、ゲート絶縁膜１４０、第１層間絶縁膜１５０、第２層間絶縁膜１６０、平坦化膜１８０，及び画素電極ＰＥを順次形成する。
【０４４０】
また、第１ゲート電極ＧＥ１、第２ゲート電極ＧＥ２、第３ゲート電極ＧＥ３、第４ゲート電極ＧＥ４、第５ゲート電極ＧＥ５、第６ゲート電極ＧＥ６、第７ゲート電極ＧＥ７、第ｎ−１スキャンラインＳＬｎ−１、第ｎスキャンラインＳＬｎ、第ｎ＋１スキャンラインＳＬｎ＋１、発光制御ラインＥＬ、初期化ラインＩＬ、キャパシタ電極２０１、第１連結電極７０１、第２連結電極７０２、第３連結電極７０３、データラインＤＬ、及び高電位ラインＶＤＬもキャリア基板１０１上に形成する。
【０４４１】
次に、図３７ｂに示したように、画素電極ＰＥ及び平坦化膜１８０上に中間遮光膜１９０ａを形成する。中間遮光膜１９０ａは化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）方式で画素電極ＰＥ及び平坦化膜１８０上に形成する。
【０４４２】
中間遮光膜１９０ａは、例えばポリイミド系樹脂からなる。
【０４４３】
次に、図３７ｃに示したように、中間遮光膜１９０ａをマスクとして使ってエッチング工程を進行する。エッチング工程によって平坦化膜１８０、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０を順次パターニングする。言い換えると、平坦化膜１８０、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０のうち、中間遮光膜１９０ａによって露出された各膜（１８０、１６０、１５０、１４０）の部分を選択的に除去する。これにより、バッファー層１２０を露出させる第３中間ホール３及び第２中間ホール２を形成する。
【０４４４】
上述した平坦化膜１８０、第２層間絶縁膜１６０、第１層間絶縁膜１５０、及びゲート絶縁膜１４０はそれぞれエッチングガスを用いた乾式エッチング（ｄｒｙ−ｅｔｃｈ）方式で除去される。
【０４４５】
次に、図３７ｄに示したように、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程を進行する。このアッシング工程によって中間遮光膜１９０ａの一部を除去して遮光膜１９０及び第３ホール２３を形成する。遮光膜１９０は中間遮光膜１９０ａよりも小さな厚さ及び幅を有し、第３ホール２３は第３中間ホール３よりも大きな幅を有する。
【０４４６】
次に、図示していないが、遮光膜１９０を含むキャリア基板１０１の全面にフォトレジストを形成する。
【０４４７】
その後、露光工程及び現像工程によってフォトレジストの一部を選択的に除去すると、図３７ｅに示したように、フォトレジストパターンＰＲが形成される。このフォトレジストパターンＰＲはバッファー層１２０の一部を露出させる。即ち、フォトレジストパターンＰＲはバッファー層１２０の一部を除いた残りの部分をマスキングする。
【０４４８】
次に、図３７ｆに示したように、フォトレジストパターンＰＲをマスクとして使ってエッチング工程を進行する。エッチング工程によってバッファー層１２０及び第４層１１４を順次パターニングする。言い換えると、バッファー層１２０及び第４層１１４のうちからフォトレジストパターンＰＲによって露出された各層（１２０、１１４）の部分を選択的に除去する。これにより、第３層１１３を露出させる第２ホール２２及び第１ホール２１が形成される。
【０４４９】
上述したバッファー層１２０及び第４層１１４はそれぞれエッチングガスを用いた乾式エッチング（ｄｒｙ−ｅｔｃｈ）方式で除去される。
【０４５０】
バッファー層１２０及び第４層１１４は無機物質であるため、これらは上述した乾式エッチングで除去されるが、第４層１１４の下部に位置する第３層１１３は有機物質であるため、これは一般的な乾式エッチングではうまく除去されない。
【０４５１】
一方、図３７ｅ及び図３７ｆの工程は図１に示した表示装置５５５５のベンディング部７７に位置する絶縁膜を除去する工程と同時に進行することができる。
【０４５２】
表示装置５５５５はベンディング部７７を基準に曲がる。例えば、データドライバー１０４が位置する表示装置部分がベンディング部７７を基準に表示装置５５５５の背面に向かって回転しながら曲がる。ここで、表示装置５５５５がよく曲がるようにそのベンディング部７７の絶縁膜を除去する工程を遂行する。
【０４５３】
ベンディング部７７の絶縁膜を除去するエッチング工程時、上述したバッファー層１２０及び第４層１１４を一緒に除去する。この場合、別途の追加工程なしにバッファー層１２０及び第４層１１４を選択的に除去することができる。
【０４５４】
次に、図３７ｇに示したように、フォトレジストパターンＰＲをマスクとして使うエッチング工程を進行する。エッチング工程によって第３層１１３の表面がパターニングされる。言い換えると、第３層１１３の表面のうちからフォトレジストパターンＰＲによって露出された部分が選択的に除去される。これにより、第３層１１３の露出された表面に溝２０が形成される。
【０４５５】
第３層１１３は有機物質からなるため、第３層１１３は酸素（Ｏ２）ガスを用いたエッチング（例えば、酸素エッチング又は酸素アッシング）で除去される。従って、図３７ｇの酸素エッチング工程時、第４層１１４の側面（即ち、第１ホール２１によって露出された面）を除去せず、有機物質からなる第３層１１３のみ選択的に除去する。
【０４５６】
酸素エッチング時間が長くなるほど第３層１１３が更に多く除去されて溝２０の幅が増加する。一方、酸素エッチング工程時、第４層１１４は実質的に除去されないため、第１ホール２１の幅は実質的にそのまま維持される。酸素エッチング時間が充分に長くて第３層１１３の溝２０の幅が第１ホール２１の幅よりも大きくなると、溝２０が第４層１１４の下部まで伸びるアンダーカット（ｕｎｄｅｒ−ｃｕｔ）現像が発生する。言い換えると、第３層１１３のアンダーカット現像が発生するほどに酸素エッチングが長時間の間に進行されると、第３層１１３の溝２０は第４層１１４の第１ホール２１よりも大きな幅を有する。
【０４５７】
次に、フォトレジストパターンＰＲが除去されると、図３７ｈに示したように、溝２０、第１ホール２１、第２ホール２２、及び第３ホール２３を有する結合溝２２０が形成される。
【０４５８】
その後、図３７ｉに示したように、発光層５１２及び共通電極６１３を順次形成する。発光層５１２は発光領域９００において画素電極ＰＥ上に形成され、共通電極６１３は遮光膜１９０及び発光層５１２上に形成される。また、共通電極６１３は結合溝２２０の内壁（即ち、結合溝２２０によって露出された各膜の部分）に沿って形成される。
【０４５９】
その後、図３７ｊ〜図３７ｌに示したように、密封部７５０が形成される。密封部７５０は、第１無機膜７５１、有機膜７５５、及び第２無機膜７５２を含む。密封部７５０の製造方法を説明すると次のようである。
【０４６０】
先ず、図３７ｊに示したように、第１無機膜７５１を共通電極６１３上に形成する。
【０４６１】
次に、図３７ｋに示したように、有機膜７５５を第１無機膜７５１上に形成する。
【０４６２】
その後、図３７ｌに示したように、第２無機膜７５２を有機膜７５５上に形成する。
【０４６３】
図３７ｊ〜図３７ｌで製造された密封部７５０は、図３７ｌに示したように、カバー部７５０ａ及び延長部７５０ｂを含む。延長部７５０ｂは、図３７ｌに示したように、第３ホール２３、第２ホール２２、及び第１ホール２１を通じて溝２０に挿入される。
【０４６４】
次に、図３７ｍに示したように、第１層１１１からキャリア基板１０１を除去する。
【０４６５】
その後、図６に示したように、第１層１１１に基底層１１０を付着する。
【０４６６】
図３８は、レーザーを用いて溝を形成する方法を説明するための図である。
【０４６７】
図３７ｇに示した第３層１１３の溝２０は上述した酸素エッチングの代わりにレーザー光を用いて形成することもできる。
【０４６８】
例えば、図３７ｆの工程後、図３８に示したように、レーザー装置ＬＳから出射したレーザー光ＬＬは第３層１１３の表面に入射する。すると、レーザー光ＬＬによってその表面が除去されて溝２０が形成される。言い換えると、第３層１１３の表面のうちからフォトレジストパターンＰＲによって露出された部分がレーザー光ＬＬによって選択的に除去される。これにより、第３層１１３の露出された表面に溝２０が形成される。
【０４６９】
ここで、レーザー光ＬＬの照射時間が充分に長いか又はは強度が充分に高い場合、上述した第３層１１３にアンダーカットが発生する。言い換えると、第３層１１３にアンダーカット現像が発生するほどにレーザー光ＬＬの照射時間又は強度が調節されると、第３層１１３の溝２０は第４層１１４の第１ホール２１よりも大きな幅を有する。
【０４７０】
一方、上述したレーザー光ＬＬはフォトレジストパターンＰＲを先に除去した後に照射することもできる。具体的に、図３７ｆの直後にフォトレジストパターンＰＲを除去し、露出された第３層１１３の表面に向かってレーザー光ＬＬを照射することもできる。
【０４７１】
図３９は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図であり、図４０は、図３９のＡ部の拡大図である。但し、図４０において、密封部７５０及び共通電極６１３は省略した。
【０４７２】
密封部７５０の一部は、図３９に示したように、画素回路部２００に挿入される。例えば、密封部７５０はカバー部７５０ａ及びカバー部７５０ａから画素回路部２００に向かって伸びた延長部７５０ｂを含み、延長部７５０ｂは画素回路部２００に挿入される。
【０４７３】
このために、画素回路部２００及び遮光膜１９０は密封部７５０の延長部７５０ｂに対応する部分にホール又は溝を有する。例えば、画素回路部２００は、延長部７５０ｂに対応して位置する溝４０、第１ホール４１、及び第２ホール４２を含み、遮光膜１９０は延長部７５０ｂに対応して位置する第３ホール４３を含む。
【０４７４】
画素回路部２００の溝４０は、例えば画素回路部２００の第１層間絶縁膜１５０に位置する。画素回路部２００の第１ホール４１は、例えば画素回路部２００の第２層間絶縁膜１６０に位置する。画素回路部２００の第２ホール４２は、例えば画素回路部２００の平坦化膜１８０に位置する。
【０４７５】
溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３はそれぞれ対応して位置する。また、溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３のうちの互いに隣接するものは互いに連結される。
【０４７６】
第１ホール４１は溝４０と第２ホール４２との間に位置する。
【０４７７】
図３９及び図４０に示したように、溝４０は第１層間絶縁膜１５０から第２層間絶縁膜１６０に向かう方向（例えば、Ｚ軸方向）に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。図４０に示したように、溝４０の幅（又は直径）４０ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、溝４０の幅（又は直径）４０ｄは溝４０の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０４７８】
溝４０の向き合う内壁（Ｗ１１、Ｗ２２）の少なくとも一つは第１層間絶縁膜１５０と第２層間絶縁膜１６０と間の界面（Ｓ１１、Ｓ２２）に対して所定角度で傾いている。例えば、溝４０の向き合う内壁（Ｗ１１、Ｗ２２）の少なくとも一つと界面（Ｓ１１、Ｓ２２）とが成す角は鈍角である。より具体的な例として、内壁Ｗ１１と内壁Ｗ１１に隣接する界面Ｓ１１とが成す角θ１１は鈍角である。
【０４７９】
第１ホール４１はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第１ホール４１の幅（又は直径）４１ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第１ホール４１の幅（又は直径）４１ｄは第１ホール４１の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０４８０】
第２ホール４２はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第２ホール４２の幅（又は直径）４２ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第２ホール４２の幅（又は直径）４２ｄは第２ホール４２の最大幅（又は最大直径）又は平均幅（又は平均直径）を意味する。
【０４８１】
第３ホール４３はＺ軸方向に次第に広くなる幅（又は直径）を有する。第３ホール４３の幅（又は直径）４３ｄはＸ軸方向（又はＹ軸方向）に測定された値である。ここで、第３ホール４３の幅（又は直径）４３ｄは第３ホール４３の最大幅又は平均幅を意味する。
【０４８２】
溝４０の幅（又は直径）４０ｄは第１ホール４１の幅（又は直径）４１ｄよりも大きい。図４０に示したように、溝４０及び第１ホール４１の断面はアンカー（ａｎｃｈｏｒ）の形状を有する。ここで、溝４０及び第１ホール４１に挿入された延長部７５０ｂの断面もアンカーの形状を有する。
【０４８３】
平面的な観点で、第１ホール４１は溝４０によって取り囲まれる。また、図１の平面的な観点で、第１ホール４１と溝４０とは重畳する。
【０４８４】
平面的な観点で、第１ホール４１、第２ホール４２、及び溝４０は第３ホール４３によって取り囲まれる。
【０４８５】
第２ホール４２の幅（又は直径）４２ｄは第１ホール４１の幅（又は直径）４１ｄよりも大きい。
【０４８６】
第３ホール４３の幅（又は直径）４３ｄは第２ホール４２の幅（又は直径）４２ｄよりも大きい。
【０４８７】
このような構造を有する溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３内に上述した密封部７５０の延長部７５０ｂが挿入される（又は埋め込まれる）。例えば、延長部７５０ｂは、第３ホール４３、第２ホール４２、及び第１ホール４１を順次貫いて溝４０に挿入される。ここで、溝４０の幅（又は直径）４０ｄは、第１ホール４１の幅（又は直径）４１ｄよりも大きいため、溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３に挿入された延長部７５０ｂはＺ軸方向にめったに分離されない。従って、密封部７５０と下部構造物との間の結合力が向上する。
【０４８８】
上述した溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３は基板１００の表示領域１００ａに位置する。例えば、溝４０、第１ホール４１、第２ホール４２、及び第３ホール４３からなる全体ホールを一つの結合溝４４０として定義すると、結合溝４４０及び延長部７５０ｂは基板１００の表示領域１００ａに位置する。
【０４８９】
表示領域１００ａの結合溝４４０及び延長部７５０ｂは互いに隣接する高電位ラインＶＤＬとデータラインＤＬとの間に位置する。
【０４９０】
また、上述した結合溝４４０及び延長部７５０ｂは基板１００の非表示領域１００ｂに配置される。例えば、非表示領域１００ｂの結合溝４４０及び延長部７５０ｂは隣接するクロックラインＣＬの間に位置する。
【０４９１】
一方、図示していないが、上述した結合溝４４０及び延長部７５０ｂは発光制御ドライバー１０３に連結されたクロックラインの間に位置することもできる。
【０４９２】
図３９の溝は上述した酸素エッチング又はレーザー光ＬＬによって形成される。この場合、第１層間絶縁膜１５０は有機物質からなり、第２層間絶縁膜１６０は無機物質からなる。
【０４９３】
一方、第１層間絶縁膜１５０及び第２層間絶縁膜１６０がいずれも無機物質からなる場合、第１層間絶縁膜１５０及び第２層間絶縁膜１６０は一般的な乾式エッチングで除去することができる。ここで、第１層間絶縁膜１５０と第２層間絶縁膜１６０との間のエッチング率差が大きいほど良い。例えば、第１層間絶縁膜１５０が第２層間絶縁膜１６０よりも高いエッチング率を有することが好ましい。
【０４９４】
図４１は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【０４９５】
図４１に示したように、溝２０の向き合う内壁のいずれか一つと第１ホール２１の向き合う内壁の一つとが一直線上に位置する。従って、溝２０の断面がＺ軸を基準に非対称な形状を有する。
【０４９６】
例えば、図４１の左側に位置する溝２０及び第１ホール２１をそれぞれ左側溝及び第１左側ホールとして定義し、図４１の右側に位置する溝２０及び第１ホール２１をそれぞれ右側溝及び第１右側ホールとして定義すると、左側溝の右側内壁及び第１左側ホールの右側内壁は一直線上に位置し、右側溝の左側内壁及び第１右側ホールの左側内壁は一直線上に位置する。
【０４９７】
図４１に示した溝２０の構造は上述したレーザー光ＬＬによって形成される。例えば、レーザー光ＬＬの照射角の変更によって図４１のような構造の溝２０が形成される。
【０４９８】
図４２は、図３のＩＩ−ＩＩ’線に沿った他の実施例の断面図である。
【０４９９】
図４２に示したように、溝４０の向き合う内壁のいずれか一つと第１ホール４１の向き合う内壁の一つとが一直線上に位置する。従って、溝４０の断面がＺ軸を基準に非対称的な形状を有する。
【０５００】
例えば、図４２の左側に位置する溝４０及び第１ホール４１をそれぞれ左側溝及び第１左側ホールとして定義し、図４２の右側に位置する溝４０及び第１ホール４１をそれぞれ右側溝及び第１右側ホールとして定義すると、左側溝の右側内壁及び第１左側ホールの右側内壁は一直線上に位置し、右側溝の左側内壁及び第１右側ホールの左側内壁は一直線上に位置する。
【０５０１】
図４２に示した溝４０の構造は上述したレーザー光ＬＬによって形成される。例えば、レーザー光ＬＬの照射角の変更によって図４２のような構造の溝４０が形成される。
【０５０２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【０５０３】
１−０１、１１−０１    第１無機膜
１−０２、１１−０２    第２無機膜
２    第２中間ホール
２−０３、２２−０３    第３無機膜
２−０４、２２−０４    第４無機膜
３    第３中間ホール
３−０５、３３−０５    第５無機膜
３−０６、３３−０６    第６無機膜
４−０７、４４−０７    第７無機膜
４−０８、４４−０８    第８無機膜
５−０９    第９無機膜
５−１０    第１０無機膜
６−１１    第１１無機膜
６−１２    第１２無機膜
７−１３    第１３無機膜
７−１４    第１４無機膜
８−１５    第１５無機膜
８−１６    第１６無機膜
１１    第１面、第１コンタクトホール
１１ａ、２２ａ、３３ａ    凹部
１１ｂ、２２ｂ、３３ｂ    凸部
１２    第２コンタクトホール
１３    第３コンタクトホール
１４    第４コンタクトホール
１５    第５コンタクトホール
１６    第６コンタクトホール
１７    第７コンタクトホール
１８    第８コンタクトホール
１９    第９コンタクトホール
２０    溝
２０ｄ    溝の幅
２１    第１ホール
２１ｄ    第１ホールの幅
２２    第２面、第２ホール
２２−１    バッファーホール
２２−２    ゲートホール
２２−３    第１層間ホール
２２−４    第２層間ホール
２２−５    平坦化ホール
２２ｄ    第２ホールの幅
２３    第３ホール
２３ｄ    第３ホールの幅
３３    第３面
４０    溝
４０ｄ    溝の幅
４１    第１ホール
４１ｄ    第１ホールの幅
４２    第２ホール
４２ｄ    第２ホールの幅
４３    第３ホール
４３ｄ    第３ホールの幅
４４    第４面
４４ａ    凹部
４４ｂ    凸部
７７    ベンディング部
１００    基板
１００ａ    表示領域
１００ｂ    非表示領域
１０１    キャリア基板
１０２    スキャンドライバー
１０３    発光制御ドライバー
１０４    データドライバー
１０５    電源供給部
１１０    基底層
１１１    第１層
１１２    第２層
１１３    第３層
１１４    第４層
１２０    バッファー層
１４０    ゲート絶縁膜
１５０    第１層間絶縁膜
１６０    第２層間絶縁膜
１８０    平坦化膜
１９０    遮光膜
１９０ａ    中間遮光膜
２００    画素回路部
２０１    キャパシタ電極
２２０    結合溝
３２１    半導体層
４２２    スペーサー
４４０    結合溝
５１２    発光層
６１３    共通電極（カソード電極）
７０１    第１連結電極
７０２    第２連結電極
７０３    第３連結電極
７５０    密封部
７５０ａ    カバー部
７５０ｂ    延長部
７５１    下部無機膜（第１無機膜）
７５２    上部無機膜（第２無機膜）
７５５    有機膜
９００    発光領域  １０００    複合無機膜
１００１    第１（下部）複合無機膜
１００２    第２（下部）複合無機膜
１００３    第３（下部）複合無機膜
１００４    第４（下部）複合無機膜
１００５    第５複合無機膜
１００６    第６複合無機膜
１００７    第７複合無機膜
１００８    第８複合無機膜
１０１１    第１（上部）複合無機膜
１０２２    第２（上部）複合無機膜
１０３３    第３（上部）複合無機膜
１０４４    第４（上部）複合無機膜
２０００、４０００    補助無機膜
５５５５    表示装置
６０００    保護層
６０００ａ    キャッピング層
６０００ｂ    金属層
【図１】
2019083194.tif 000003
【図２】
2019083194.tif 000004
【図３】
2019083194.tif 000005
【図４ａ】
2019083194.tif 000006
【図４ｂ】
2019083194.tif 000007
【図４ｃ】
2019083194.tif 000008
【図４ｄ】
2019083194.tif 000009
【図４ｅ】
2019083194.tif 000010
【図４ｆ】
2019083194.tif 000011
【図４ｇ】
2019083194.tif 000012
【図５】
2019083194.tif 000013
【図６】
2019083194.tif 000014
【図７】
2019083194.tif 000015
【図８】
2019083194.tif 000016
【図９】
2019083194.tif 000017
【図１０】
2019083194.tif 000018
【図１１】
2019083194.tif 000019
【図１２】
2019083194.tif 000020
【図１３】
2019083194.tif 000021
【図１４】
2019083194.tif 000022
【図１５】
2019083194.tif 000023
【図１６】
2019083194.tif 000024
【図１７】
2019083194.tif 000025
【図１８】
2019083194.tif 000026
【図１９】
2019083194.tif 000027
【図２０】
2019083194.tif 000028
【図２１】
2019083194.tif 000029
【図２２】
2019083194.tif 000030
【図２３】
2019083194.tif 000031
【図２４】
2019083194.tif 000032
【図２５】
2019083194.tif 000033
【図２６】
2019083194.tif 000034
【図２７】
2019083194.tif 000035
【図２８】
2019083194.tif 000036
【図２９】
2019083194.tif 000037
【図３０】
2019083194.tif 000038
【図３１】
2019083194.tif 000039
【図３２ａ】
2019083194.tif 000040
【図３２ｂ】
2019083194.tif 000041
【図３２ｃ】
2019083194.tif 000042
【図３３ａ】
2019083194.tif 000043
【図３３ｂ】
2019083194.tif 000044
【図３３ｃ】
2019083194.tif 000045
【図３４ａ】
2019083194.tif 000046
【図３４ｂ】
2019083194.tif 000047
【図３４ｃ】
2019083194.tif 000048
【図３４ｄ】
2019083194.tif 000049
【図３５】
2019083194.tif 000050
【図３６】
2019083194.tif 000051
【図３７ａ】
2019083194.tif 000052
【図３７ｂ】
2019083194.tif 000053
【図３７ｃ】
2019083194.tif 000054
【図３７ｄ】
2019083194.tif 000055
【図３７ｅ】
2019083194.tif 000056
【図３７ｆ】
2019083194.tif 000057
【図３７ｇ】
2019083194.tif 000058
【図３７ｈ】
2019083194.tif 000059
【図３７ｉ】
2019083194.tif 000060
【図３７ｊ】
2019083194.tif 000061
【図３７ｋ】
2019083194.tif 000062
【図３７ｌ】
2019083194.tif 000063
【図３７ｍ】
2019083194.tif 000064
【図３８】
2019083194.tif 000065
【図３９】
2019083194.tif 000066
【図４０】
2019083194.tif 000067
【図４１】
2019083194.tif 000068
【図４２】
2019083194.tif 000069