(57)【要約】【課題】マスクの反り及び変形を抑制することにより、所定の開口形状（寸法）を実現し、歩留まりを向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る液晶表示素子の製造方法は、基板１１と、基板１１の主面１１ａに形成された電極部１２と、電極部１２を覆うように基板１１の主面１１ａに形成された配向膜１３と、を含む素子基板１０を、ベースプレート２０に配置させる工程と、配向膜１３を覆うマスク３０を配置させる際に、ベースプレート２０における凹部２１の周囲の部分と、マスク３０とが接触するように、マスク３０を配置させる工程と、配向膜１３に対して、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理を行い、配向膜１３をパターニングする工程と、アッシング処理により酸化された電極部１２に対して、マスク３０を介して、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行う工程と、を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の主面に形成された電極部と、前記電極部を覆うように前記基板の主面に形成された配向膜と、を含む素子基板を、ベースプレートに形成された凹部の内部に配置させる工程と、
前記配向膜を覆うマスクを配置させる際に、前記ベースプレートにおける前記凹部の周囲の部分と、前記マスクとが接触するように、前記マスクを配置させる工程と、
前記マスクを介して、前記配向膜に対して、酸素プラズマを用いたアッシング処理を行い、前記配向膜をパターニングする工程と、
前記アッシング処理により酸化された前記電極部に対して、前記マスクを介して、アルゴンプラズマを用いたエッチング処理を行う工程と、
を備えた液晶表示素子の製造方法。
【請求項２】
前記マスクは、開口を有する開口部と、前記開口部の周囲を囲む支持部と、を含み、
前記マスクを配置させる工程において、
前記配向膜を覆う前記マスクの前記開口部を、前記配向膜と所定の間隔だけ離間させ、
前記アッシング処理及び前記エッチング処理により開口した前記配向膜の開口幅が、前記マスクの前記開口の幅と、前記所定の間隔の２倍と、の和と略等しくなるように、前記所定の間隔を設定する、
請求項１に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記パターニングする工程及び前記エッチング処理を行う工程において、
前記素子基板に対してプラズマを照射させるプラズマ照射と、前記素子基板に対してプラズマの照射を停止するインターバルと、を交互に行うことにより、前記アッシング処理を間欠的に行うとともに、前記エッチング処理を間欠的に行い、
各前記インターバルの時間を、各前記プラズマ照射の時間よりも長くする、
請求項１または２に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記凹部の内部に配置させる工程の前に、
ダミーであるダミー素子基板に対して、前記凹部の内部に配置させる工程と、前記マスクを配置させる工程と、前記配向膜をパターニングする工程と、前記エッチング処理を行う工程と、を行う、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示素子の製造方法。
【請求項５】
前記ベースプレート及び前記マスクは、金属を材料に含む、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子の製造方法に関し、例えば、ポジ液晶を用いた通信用ＬＣＯＳ素子等を組み込んだ液晶表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶分子の長軸が電界方向に揃うポジ液晶を用いた通信用ＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）素子は、配向膜として、ポリイミド等の有機薄膜を用いる場合がある。例えば、ポリイミドを用いたポリイミド配向膜は、次のようにして形成される。すなわち、液体であるモノマーをスピンコートによるウェット法で基板上に成膜する。その後、基板上に成膜されたモノマーを焼結重合させる。これにより、基板上にポリイミド配向膜が形成される。このようなポリイミド配向膜の形成方法によると、基板上の全面にポリイミド配向膜が形成されることになる。したがって、基板の導通用電極上にもポリイミド配向膜が形成される。ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）電極が形成されたガラス基板に装着し、電極間を導通させるためには、基板の画素エリアを除く導通用電極上のポリイミド配向膜を除去する必要がある。そのため、導通用電極上のポリイミド配向膜を、例えば、酸素プラズマを用いたアッシング処理により除去する。このようにして、導通用電極を露出させた基板を、ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板に装着し、液晶表示素子として駆動させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１１１００３号公報
【特許文献２】特開平０９−２３７８９２号公報
【特許文献３】特開２００６−０２４６３３号公報
【特許文献４】特開２０１５−０１２２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、ポリイミド配向膜等の有機配向膜の除去には、酸素プラズマを照射して分解除去するアッシング処理が用いられることが多い。アッシング処理を用いて有機配向膜の除去を行う場合に、除去エリアの精度を向上させるため、マスクを薄くすることが望まれる。また、ＬＣＯＳ素子に特有の構造のため、有機配向膜を含むＬＣＯＳ素子とマスクとを接触させないことが必要となる。しかしながら、マスクを薄くするとともに、マスクをＬＣＯＳ素子と接触させないようにすると、プラズマ照射による発熱のため、マスクに反り及び変形が発生する。よって、マスクの開口寸法にズレが生じ、有機配向膜の除去エリアの精度がかえって悪化する。そうすると、製品として製造される液晶表示素子の歩留まりは低下することになる。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑み、マスクの反り及び変形を抑制することにより、所定の開口形状（寸法）を実現し、歩留まりを向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明は、基板と、前記基板の主面に形成された電極部と、前記電極部を覆うように前記基板の主面に形成された配向膜と、を含む素子基板を、ベースプレートに形成された凹部の内部に配置させる工程と、前記配向膜を覆うマスクを配置させる際に、前記ベースプレートにおける前記凹部の周囲の部分と、前記マスクとが接触するように、前記マスクを配置させる工程と、前記マスクを介して、前記配向膜に対して、酸素プラズマを用いたアッシング処理を行い、前記配向膜をパターニングする工程と、前記アッシング処理により酸化された前記電極部に対して、前記マスクを介して、アルゴンプラズマを用いたエッチング処理を行う工程と、を備える液晶表示素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明により、マスクの反り及び変形を抑制することによって、所定の開口形状（寸法）を実現し、歩留まりを向上させることができる液晶表示素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示したフローチャート図である。
【図２】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。
【図３】実施形態に係るベースプレート、素子基板及びマスクを例示した断面図である。
【図４】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法において、分割されたプラズマ照射を例示した説明図である。
【図５】比較例に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。
【図６】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。
【図７】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。
【図８】実施形態に係る液晶表示素子の製造方法において、酸素プラズマ及びアルゴンプラズマにより除去された配向膜開口寸法、マスク開口寸法及び所定の間隔の関係を例示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（実施形態）
以下、図面を参照して実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を説明する。図１は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示したフローチャート図である。図２は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。図３は、実施形態に係るベースプレート、素子基板及びマスクを例示した断面図である。
【００１０】
図１のステップＳ１１及び図２〜３に示すように、まず、素子基板１０をベースプレート２０に配置させる。素子基板１０は、例えば、ＬＣＯＳ基板である。なお、素子基板１０は、ＬＳＩプロセスを経たＩＣを含むＬＣＯＳ基板でもよい。ベースプレート２０は、例えば、素子基板１０のホルダーである。
【００１１】
素子基板１０は、基板１１、電極部１２及び配向膜１３を含んでいる。基板１１は、例えば、シリコン基板である。基板１１は、主面１１ａを有している。主面１１ａの反対側の面を裏面１１ｂという。基板１１の形状は、チップ状でもよいし、ウェハ状でもよい。
【００１２】
電極部１２は、基板１１の主面１１ａに形成されている。電極部１２は、基板１１の主面１１ａにおいて、所定の形状にパターニングされている。電極部１２は、例えば、アルミニウム電極層及びＩＴＯ電極層等である。なお、電極部１２に含まれる材料は、導電性の物であれば、アルミニウム、ＩＴＯに限らない。電極部１２は、ＩＴＯ電極が形成された透明基板に装着した際に、ＩＴＯ電極と導通をとるための導通用電極である。なお、透明基板は、例えば、ガラス基板である。
【００１３】
配向膜１３は、電極部１２を覆うように基板１１の主面１１ａに形成されている。配向膜１３は、例えば、有機配向膜であり、ポリイミドを含んでいる。ポリイミドを含む配向膜１３は、液体であるモノマーをスピンコートによるウェット法で基板１１上に成膜し、その後、焼結重合させることにより形成される。配向膜１３に対してアッシング処理を行う前の状態では、基板１１の主面１１ａにおいて、例えば、全面に、配向膜１３が形成されている。
【００１４】
図３に示すように、ベースプレート２０は板状である。ベースプレート２０は、主面２０ａを有している。ベースプレート２０の主面２０ａの反対側を裏面２０ｂという。ベースプレート２０の主面２０ａには凹部２１が形成されている。ベースプレート２０の凹部２１をザグリ部ともいう。ベースプレート２０の凹部２１の周囲の部分は、主面２０ａであり、例えば、面一となっている。凹部２１の底の面を底面２２という。ベースプレート２０には、複数の凹部２１が形成されてもよい。ベースプレート２０は、金属を材料に含むことが好ましい。これにより、ベースプレート２０における熱３４の伝導率を大きくすることができる。
【００１５】
ベースプレート２０に形成された凹部２１の内部に素子基板１０を配置させる。凹部２１が複数ある場合には、各凹部２１の内部に、素子基板１０を配置させてもよい。素子基板１０における基板１１の裏面１１ｂを、凹部２１の底面２２に接触させてもよい。このようにして、素子基板１０を凹部２１の内部に配置させる。
【００１６】
次に、図１のステップ１２及び図２〜３に示すように、マスク３０を素子基板１０上に配置させる。素子基板１０における配向膜１３を覆うように、マスク３０を配置させる。マスク３０は、開口３１を有する開口部３２と、開口部３２の周囲を囲む支持部３３と、を含んでいる。配向膜１３を覆うマスク３０を配置させる際には、ベースプレート２０における凹部２１の周囲の部分と、マスク３０とが接触するように、マスク３０を配置させる。具体的には、マスク３０の支持部３３を、ベースプレート２０における凹部２１の周囲に接触させる。
【００１７】
図２に示すように、マスク３０の開口部３２は、配向膜１３における除去すべき部分が露出するように開口した開口３１を有している。配向膜１３を覆うマスク３０の開口部３２を、配向膜１３と所定の間隔だけ離間させる。例えば、所定の間隔を間隔ＭＤとする。一方、開口部３２における開口３１の幅をマスク開口寸法ＭＷとする。マスク３０は、金属を材料に含んでもよい。これにより、マスク３０における熱３４の伝導率を大きくすることができる。
【００１８】
図３に示すように、素子基板１０を配置させたベースプレート２０の周縁部と、素子基板１０を覆うマスク３０の周縁部とは、マスク保持部材４０によって保持されている。マスク保持部材４０によって保持されたベースプレート２０及びマスク３０は、プラズマ装置５０の真空槽５１の内部における処理ステージ５２上に配置される。
【００１９】
次に、ステップＳ１３及び図２に示すように、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理を行う。具体的には、マスク３０を介して、配向膜１３に対して、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理を行い、配向膜１３をパターニングする。これにより、配向膜１３における除去されるべき部分を除去する。酸素プラズマ５３を用いたアッシングは、真空槽５１に酸素（Ｏ２）ガスを導入し、高周波高電圧を印加して発生させた酸素プラズマ５３を素子基板１０に照射することにより行われる。
【００２０】
図４は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法において、分割されたプラズマ照射を例示した説明図である。図４に示すように、配向膜１３をアッシング処理するために必要なプラズマ照射を分割する。すなわち、アッシング処理を行い、配向膜１３をパターニングする際に、素子基板１０に対して、プラズマを照射させるプラズマ照射と、素子基板１０に対してプラズマの照射を停止するインターバルと、を交互に行うことにより、アッシング処理を間欠的に行う。
【００２１】
分割された１つのプラズマ照射を行った後に、１つのインターバルを設ける。インターバルでは、例えば、高周波電圧を印加せず、プラズマを発生させない。または、素子基板１０がプラズマに照射されないように遮断する。インターバルでは、マスク３０、素子基板１０及びベースプレート２０等（マスク３０等という。）は冷却される。１つのインターバルの後に、再度、分割された１つのプラズマ照射を行う。その後、再度、１つのインターバルを設ける。これを分割したプラズマ照射の分だけ繰り返す。分割されたプラズマ照射をまとめた全体としては、配向膜１３をパターニングするために必要な時間となっている。
【００２２】
また、各インターバルの時間を、各プラズマ照射の時間よりも長くする。これにより、マスク３０等を所定の温度よりも低温に保つことができる。所定の温度は、例えば、マスク３０が熱変形する温度である。マスク３０等の温度が上昇する時間と、温度が上昇したマスク３０等が冷却される時間とは同等か、または、冷却される時間が長い場合がある。
【００２３】
例えば、真空槽５１内は減圧されているので、マスク３０等が冷却するためには、図３に示すように、マスク３０の支持部３３からベースプレート２０を介して処理ステージ５２への熱３４の移動、マスク３０及びマスク保持部材４０からベースプレート２０を介して処理ステージ５２への熱３４の移動が必要である。このような熱３４の移動による冷却速度は、プラズマ照射による温度の上昇速度よりも小さい場合がある。よって、各インターバルの時間を、各プラズマ照射の時間よりも長くすることにより、マスク３０等を所定の温度よりも低温にすることができる。
【００２４】
図５は、比較例に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。図５に示すように、配向膜１３をパターニングするために必要な時間だけ連続して、酸素プラズマ５３を照射する比較例の場合には、マスク３０の温度が上昇し、熱変形する。例えば、マスク３０の開口３１の周縁部が反り上がるように変形する。そうすると、マスク開口寸法ＭＷが拡がることになる。したがって、精度よくエッチングすることができない。
【００２５】
本実施形態の液晶表示素子の製造方法では、配向膜１３をパターニングするために必要な時間を分割してプラズマ照射している。これにより、マスク３０等の温度が上昇することを抑制し、マスク３０の熱変形を抑制することができる。
【００２６】
図６は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。図６に示すように、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理により、配向膜１３をパターニングすることはできる。しかしながら、除去された配向膜１３の底に位置する電極部１２が酸化され、不導体層１４が形成される。例えば、電極部１２におけるアルミニウム電極層及びＩＴＯ電極層が酸化され、不導体層１４が形成される。そこで、形成された不導体層１４を除去するために、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行う。アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理は、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理に続けて行われる。
【００２７】
図７は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法を例示した工程断面図である。図１のステップＳ１４及び図７に示すように、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行う。具体的には、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理により酸化された電極部１２に対して、マスク３０を介して、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行う。酸化された電極部１２は、不導体層１４である。図では、一方の不導体層１４は、除去される前の状態を示し、他方の不導体層１４は、除去された後の状態を示す。実際は、各不導体層１４は同時に除去される。また、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理は、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理で除去しきれなかった配向膜１３をエッチング除去することができる。このように、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理は、不導体層１４の除去だけでなく、不要な配向膜１３を除去する作用も有している。
【００２８】
アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理は、プラズマ装置５０の真空槽５１にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、高周波高電圧を印加して発生させたアルゴンプラズマ５４を素子基板１０に照射することにより行われる。
【００２９】
アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理でも、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理と同様に、図４に示すように、不導体層１４をエッチング処理するために必要なプラズマ照射を分割する。すなわち、エッチング処理を行い、不導体層１４を除去する際に、素子基板１０に対して、プラズマを照射させるプラズマ照射と、素子基板１０に対してプラズマの照射を停止するインターバルと、を交互に行うことにより、エッチング処理を間欠的に行う。
【００３０】
分割された１つのプラズマ照射を行った後に、１つのインターバルを設ける。インターバルでは、例えば、高周波電圧を印加せず、プラズマを発生させない。または、素子基板１０がプラズマに照射されないように遮断する。インターバルでは、マスク３０等は冷却される。１つのインターバルの後に、再度、分割された１つのプラズマ照射を行う。その後、再度、１つのインターバルを設ける。これを分割したプラズマ照射の分だけ繰り返す。分割されたプラズマ照射をまとめた全体としては、不導体層１４を除去するために必要な時間となっている。
【００３１】
また、エッチング処理の場合も、アッシング処理の場合と同様に、各インターバルの時間を、各プラズマ照射の時間よりも長くする。これにより、マスク３０等を所定の温度よりも低温にすることができる。なお、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理における発熱量が、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理における発熱量よりも大きい場合には、前記エッチング処理におけるインターバルを、前記アッシング処理におけるインターバルよりも長くしてもよい。これにより、マスク３０等を十分に冷却することができ、マスク３０の熱変形を抑制することができる。
【００３２】
図８は、実施形態に係る液晶表示素子の製造方法において、酸素プラズマ５３及びアルゴンプラズマ５４により除去された配向膜開口寸法ＦＷ、マスク開口寸法ＭＷ及び所定の間隔ＭＤの関係を例示した説明図である。
【００３３】
図８に示すように、配向膜１３を覆うように、マスク３０を配置させる際に、配向膜１３を覆うマスク３０の開口部３２を、配向膜１３と所定の間隔ＭＤだけ離間させる。マスク３０の開口部３２における開口３１の幅をマスク開口寸法ＭＷとすることは上述した。アッシング処理及びエッチング処理により開口した配向膜１３の開口幅を配向膜開口寸法ＦＷとする。配向膜開口寸法ＦＷは、アッシング処理及びエッチング処理により除去された配向膜１３の部分の幅でもあるし、パターニングされた部分の配向膜１３の幅でもある。本実施形態では、配向膜開口寸法ＦＷが、マスク開口寸法ＭＷと、所定の間隔ＭＤの２倍と、の和と略等しくなるように、所定の間隔ＭＤを設定する。すなわち、ＦＷ＝ＭＷ＋（２×ＭＤ）となるようにする。これにより、マスク３０の開口３１から斜入射するプラズマによってアッシング及びエッチングされる寸法を考慮し、精度よく配向膜１３をパターニングすることができる。
【００３４】
そして、図１のステップＳ１５に示すように、所定の処理を施した素子基板１０にＩＴＯ電極が形成された透明基板を装着する。このようにして、液晶表示素子を製造することができる。
【００３５】
なお、液晶表示素子の製造に用いられる素子基板１０を用いて、上述したステップＳ１１〜Ｓ１５の工程を実施する前に、ダミーであるダミー素子基板に対して、上述したステップＳ１１〜Ｓ１４の工程を実施することが好ましい。ダミー素子基板は、ＬＳＩ欠陥等の不良を有する素子基板であり、材料及び寸法が素子基板１０と同一の素子基板をいう。
【００３６】
ダミー素子基板を用いて、プラズマ照射の条件出しを行った後に、実際の製品の製造に用いられる素子基板１０に対して、ステップＳ１１〜Ｓ１５を実施する。ポリイミド膜等の有機配向膜は薄いため、条件出しだけで分割された１つのプラズマ照射が終了する。このため、通常のプラズマ処理のように、条件出しを行いながらプラズマ照射をすることができない。例えば、プラズマ照射を分割すると、照射時間が１分以下となる場合がある。本実施形態では、ダミー素子基板を用いて、条件出しを行っている。したがって、照射時間が短くなっても、条件出しされた照射条件でプラズマ照射することができる。したがって、歩留まりを向上させることができる。
【００３７】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態の液晶表示素子の製造方法は、酸素プラズマ５３を用いたアッシング処理により電極部１２が酸化した不導体層１４に対して、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行っている。よって、不導体層１４を除去することができる。これにより、素子基板１０とＩＴＯ電極が形成された透明基板との間を導通させることができ、液晶表示素子の歩留まりを向上させることができる。また、アルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理は、不要な配向膜１３を除去することができるので、さらに歩留まりを向上させることができる。
【００３８】
また、配向膜１３をパターニングする工程及びアルゴンプラズマ５４を用いたエッチング処理を行う工程において、素子基板１０に対してプラズマを照射させるプラズマ照射と、プラズマ照射を止めるインターバルとを交互に行っている。そして、各インターバルの時間を、各プラズマ照射の時間よりも長くしている。よって、マスク３０等の温度の上昇を抑制することができ、マスク３０の熱変形を抑制することができる。これにより、配向膜の除去エリアの精度を向上させることができ、プラズマを用いた処理の精度を向上させることができる。
【００３９】
ベースプレート２０における凹部２１の周囲の部分と、マスク３０とが接触するように、マスク３０を配置させている。これにより、マスク３０等の熱を、ベースプレート２０を介して、プラズマ装置５０の処理ステージ５２に移動させることができる。また、ベースプレート２０及びマスク３０は、金属を材料に含む。これにより、熱３４の伝導率を大きくし、熱３４の移動を促進させることができる。よって、マスク３０等の温度の上昇を抑制することができ、マスク３０の熱変形を抑制することができる。したがって、配向膜の除去エリアの精度を向上させることができ、プラズマを用いた処理の精度を向上させることができる。
【００４０】
配向膜１３には、画素エリア等のようにプラズマから保護すべき部分がある。アッシング処理及びエッチング処理において、配向膜１３における保護すべき部分をマスク３０で覆っている。本実施形態では、マスク３０の熱変形を抑制することができるので、プラズマが保護すべき部分に到達し、保護すべき部分にダメージを与えることを抑制することができる。
【００４１】
除去された配向膜１３の配向膜開口寸法ＦＷが、マスク開口寸法ＭＷと、所定の間隔ＭＤの２倍と、の和と略等しくなるように、所定の間隔ＭＤを設定する。すなわち、ＦＷ＝ＭＷ＋（２×ＭＤ）となるようにする。これにより、精度よく配向膜１３をパターニングすることができる。また、配向膜１３における画素エリア等の保護すべき部分と、マスク３０とは離間させ、接触させないので、保護すべき部分にダメージを与えることを抑制することができる。
【００４２】
マスク開口寸法ＭＷを上述した所定の寸法としているので、後に、素子基板１０に、ＩＴＯ電極が形成された透明基板をシール材により接着させる際に、シ−ル材に混合されたスペーサー材が、ＩＴＯ付透明基板の接着を阻害することがない。例えば、スペーサー材の粒径よりも大きな配向膜開口寸法ＦＷとすることで、配向膜１３の開口に埋め込まれたシール材のスペーサー材が、配向膜１３の開口から、はみ出すことを抑制することができる。
【００４３】
ダミー素子基板を用いて、プラズマ照射の条件出しを行った後に、実際の製品として用いられる素子基板１０に対して、プラズマを用いた処理を実施する。ダミー素子基板を用いて、条件出しをすることができるので、照射時間が短くても、条件出しされた条件でプラズマ照射することができ、液晶表示素子の歩留まりを向上させることができる。
【００４４】
以上、実施形態を説明したが、実施形態の構成を相互に組み合わせた構成も本明細書で説明した技術的思想の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
１０  素子基板
１１  基板
１１ａ  主面
１１ｂ  裏面
１２  電極部
１３  配向膜
１４  不導体層
２０  ベースプレート
２０ａ  主面
２０ｂ  裏面
２１  凹部
２２  底面
３０  マスク
３１  開口
３２  開口部
３３  支持部
３４  熱
４０  マスク保持部材
５０  プラズマ装置
５１  真空槽
５２  処理ステージ
５３  酸素プラズマ
５４  アルゴンプラズマ
ＦＷ  配向膜開口寸法
ＭＤ  間隔
ＭＷ  マスク開口寸法
【図１】
2019159180.tif 000003
【図２】
2019159180.tif 000004
【図３】
2019159180.tif 000005
【図４】
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【図５】
2019159180.tif 000007
【図６】
2019159180.tif 000008
【図７】
2019159180.tif 000009
【図８】
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