(57)【要約】      （修正有）【課題】多層基板に形成されるインダクタのインダクタンス調整や、キャパシタのキャパシタンスの調整を容易に行うことができる貫通電極基板を提供する。【解決手段】貫通電極基板１０は、第１面１３から第２面１４に至る基板貫通孔２０が設けられ、且つガラスを有する基板１２と、第１面側１３に位置する第１面導電層３１及び第１面絶縁層３３を含む第１配線構造部３０と、第２面側１４に位置する第２面導電層４１及び第２面絶縁層４３を含む第２配線構造部４０と、基板貫通孔２０の壁面に沿って延びる貫通電極２２と、を備える。第１面導電層３１と、第２面導電層４１と、前記貫通電極２２とが、第１インダクタ１５を構成し、第１面絶縁層３３を貫通する第１貫通孔の壁面及び第１面絶縁層３３の表面に沿って延びる第１面導電層３１が、第１インダクタンスとは異なる第２インダクタンスを有する第２インダクタ１６を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を含み、前記第１面から前記第２面に至る基板貫通孔が設けられ、且つガラスを有する基板と、
前記第１面側に位置する第１面導電層及び第１面絶縁層を含む第１配線構造部と、
前記第２面側に位置する第２面導電層及び第２面絶縁層を含む第２配線構造部と、
前記基板貫通孔の壁面に沿って延びる貫通電極と、を備え、
前記第１配線構造部の前記第１面導電層と、前記第２配線構造部の前記第２面導電層と、前記第１配線構造部の前記第１面導電層及び前記第２配線構造部の前記第２面導電層に電気的に接続された前記貫通電極とが、第１インダクタンスを有する第１インダクタを構成し、
前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層を貫通する第１貫通孔の壁面及び前記第１面絶縁層の表面に沿って延びる前記第１面導電層が、前記第１インダクタンスとは異なる第２インダクタンスを有する第２インダクタを構成する、貫通電極基板。
【請求項２】
少なくとも一部の前記第１インダクタの第１インダクタンスは、少なくとも一部の前記第２インダクタの第２インダクタンスの５倍以上である、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記貫通電極基板は、前記基板貫通孔の内部において対向する前記貫通電極の表面の間に位置する孔内絶縁層を更に備え、
前記孔内絶縁層及び前記第１面絶縁層は、有機材料を含む樹脂と、前記樹脂内に位置し、無機材料を含む複数の粒子と、を少なくとも部分的に有する、請求項１又は２に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
前記第２面絶縁層は、有機材料を含む樹脂と、前記樹脂内に位置し、無機材料を含む複数の粒子と、を少なくとも部分的に有する、請求項３に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に互いに重ならないように配置されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタを構成する前記第１面導電層以外の前記第１面導電層と重ならないように配置されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項７】
前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第１インダクタを構成する前記第２面導電層以外の前記第２面導電層と重ならないように配置されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
前記第１インダクタと前記第２インダクタとが、直列又は並列に電気的に接続されている、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項９】
前記第１配線構造部の前記第１面導電層は、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１面側から順に並ぶ第１面第１導電層、第１面第２導電層及び第１面第３導電層を含み、
前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層又は前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を含み、
前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２絶縁層と、前記第１面第２絶縁層上に位置する前記第１面第３導電層とが、第１キャパシタンスを有する第１キャパシタを構成し、
前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンスとは異なる第２キャパシタンスを有する第２キャパシタを構成する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１０】
少なくとも一部の前記第２キャパシタの第２キャパシタンスは、少なくとも一部の前記第１キャパシタの第２キャパシタンスの５倍以上である、請求項９に記載の貫通電極基板。
【請求項１１】
前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第２面導電層と重ならないように配置されている、請求項９又は１０に記載の貫通電極基板。
【請求項１２】
前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが、直列又は並列に電気的に接続されている、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１３】
前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層と前記第１面第２導電層との間に位置し、無機材料を含む第１面第１無機層を更に有し、
前記第１面第１導電層と、前記第１面導電層上に位置する前記第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンス及び前記第２キャパシタンスとは異なる第３キャパシタンスを有する第３キャパシタを構成する、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１４】
第１面及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を含み、前記第１面から前記第２面に至る基板貫通孔が設けられ、且つガラスを有する基板と、
前記第１面側に位置する第１面導電層及び第１面絶縁層を含む第１配線構造部と、
前記第２面側に位置する第２面導電層及び第２面絶縁層を含む第２配線構造部と、
前記基板貫通孔の壁面に沿って延び、前記第１面導電層又は前記第２面導電層の少なくともいずれか一方に電気的に接続された貫通電極と、を備え、
前記第１配線構造部の前記第１面導電層は、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１面側から順に並ぶ第１面第１導電層、第１面第２導電層及び第１面第３導電層を含み、
前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層又は前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を含み、
前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２絶縁層と、前記第１面第２絶縁層上に位置する前記第１面第３導電層とが、第１キャパシタンスを有する第１キャパシタを構成し、
前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンスとは異なる第２キャパシタンスを有する第２キャパシタを構成する、貫通電極基板。
【請求項１５】
少なくとも一部の前記第２キャパシタの第２キャパシタンスは、少なくとも一部の前記第１キャパシタの第２キャパシタンスの５倍以上である、請求項１４に記載の貫通電極基板。
【請求項１６】
前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第２面導電層と重ならないように配置されている、請求項１４又は１５に記載の貫通電極基板。
【請求項１７】
前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが、直列又は並列に電気的に接続されている、請求項１４乃至１６のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１８】
前記第１配線構造部は、前記第１面第１導電層と前記第１面第２導電層との間に位置し、無機材料を含む第１面第１無機層を更に有し、
前記第１面第１導電層と、前記第１面導電層上に位置する前記第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンス及び前記第２キャパシタンスとは異なる第３キャパシタンスを有する第３キャパシタを構成する、請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項１９】
前記基板、前記第１配線構造部及び前記第２配線構造部の積層体を収容する収容部が設けられた樹脂基板であって、前記樹脂基板を貫通する電極が設けられた樹脂基板を更に備える、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
【請求項２０】
前記基板の前記第１面側に位置し、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記第１配線構造部及び前記樹脂基板の両方に重なるよう広がる第１表面層を更に備え、
前記第１表面層は、前記第１表面層を貫通し、前記第１配線構造部の前記第１面導電層及び前記樹脂基板の前記電極に電気的に接続された電極を有する、請求項１９に記載の貫通電極基板。
【請求項２１】
前記基板の前記第２面側に位置し、前記基板の前記第２面の法線方向に沿って見た場合に前記第２配線構造部及び前記樹脂基板の両方に重なるよう広がる第２表面層を更に備え、
前記第２表面層は、前記第２表面層を貫通し、前記第２配線構造部の前記第２面導電層及び前記樹脂基板の前記電極に電気的に接続された電極を有する、請求項１９又は２０に記載の貫通電極基板。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか一項に記載の貫通電極基板と、
前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備える、実装基板。
【請求項２３】
前記素子は、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ又はスイッチの少なくともいずれか１つを含む、請求項２２に記載の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、基板、第１配線構造部及び第２配線構造部を備える貫通電極基板に関する。また、本開示の実施形態は、貫通電極基板及び素子を備える実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体メモリに代表される集積回路が高速化、高集積化するにつれて、集積回路が搭載される貫通電極基板や、集積回路の周辺に使用される受動部品についても同様に小型化が求められている。例えば特許文献１は、多層基板の導電層及びビアを組み合わせてインダクタを構成することなどにより、多層基板と一体的にＬＣ並列共振回路を構成することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３４７７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＬＣ並列共振回路などのフィルタにおいては、異なるインダクタンスを有する複数の種類のインダクタや、異なるキャパシタンスを有する複数の種類のキャパシタが用いられる。多層基板に形成されるインダクタのインダクタンスを調整する手段としては、インダクタを構成する導電層の長さを調整することなどが考えられる。また、多層基板に形成されるキャパシタのインダクタンスを調整する手段としては、キャパシタの電極として機能する導電層の面積を調整することなどが考えられる。しかしながら、導電層の長さや面積によって調整可能なインダクタンスやキャパシタンスの範囲には限界がある。
【０００５】
本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る貫通電極基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を含み、前記第１面から前記第２面に至る基板貫通孔が設けられ、且つガラスを有する基板と、前記第１面側に位置する第１面導電層及び第１面絶縁層を含む第１配線構造部と、前記第２面側に位置する第２面導電層及び第２面絶縁層を含む第２配線構造部と、前記基板貫通孔の壁面に沿って延びる貫通電極と、を備え、前記第１配線構造部の前記第１面導電層と、前記第２配線構造部の前記第２面導電層と、前記第１配線構造部の前記第１面導電層及び前記第２配線構造部の前記第２面導電層に電気的に接続された前記貫通電極とが、第１インダクタンスを有する第１インダクタを構成し、前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層を貫通する第１貫通孔の壁面及び前記第１面絶縁層の表面に沿って延びる前記第１面導電層が、前記第１インダクタンスとは異なる第２インダクタンスを有する第２インダクタを構成する、貫通電極基板である。
【０００７】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、少なくとも一部の前記第１インダクタの第１インダクタンスは、少なくとも一部の前記第２インダクタの第２インダクタンスの５倍以上であってもよい。
【０００８】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記基板貫通孔の内部において対向する前記貫通電極の表面の間に位置する孔内絶縁層を更に備え、前記孔内絶縁層及び前記第１面絶縁層は、有機材料を含む樹脂と、前記樹脂内に位置し、無機材料を含む複数の粒子と、を少なくとも部分的に有していてもよい。
【０００９】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第２面絶縁層は、有機材料を含む樹脂と、前記樹脂内に位置し、無機材料を含む複数の粒子と、を少なくとも部分的に有していてもよい。
【００１０】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に互いに重ならないように配置されていてもよい。
【００１１】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタを構成する前記第１面導電層以外の前記第１面導電層と重ならないように配置されていてもよい。
【００１２】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第１インダクタを構成する前記第２面導電層以外の前記第２面導電層と重ならないように配置されていてもよい。
【００１３】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１インダクタと前記第２インダクタとが、直列又は並列に電気的に接続されていてもよい。
【００１４】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１配線構造部の前記第１面導電層は、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１面側から順に並ぶ第１面第１導電層、第１面第２導電層及び第１面第３導電層を含み、前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層又は前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を含み、前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２絶縁層と、前記第１面第２絶縁層上に位置する前記第１面第３導電層とが、第１キャパシタンスを有する第１キャパシタを構成し、前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンスとは異なる第２キャパシタンスを有する第２キャパシタを構成していてもよい。
【００１５】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、少なくとも一部の前記第２キャパシタの第２キャパシタンスは、少なくとも一部の前記第１キャパシタの第２キャパシタンスの５倍以上であってもよい。
【００１６】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第２面導電層と重ならないように配置されていてもよい。
【００１７】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが、直列又は並列に電気的に接続されていてもよい。
【００１８】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層と前記第１面第２導電層との間に位置し、無機材料を含む第１面第１無機層を更に有し、前記第１面第１導電層と、前記第１面導電層上に位置する前記第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンス及び前記第２キャパシタンスとは異なる第３キャパシタンスを有する第３キャパシタを構成してもよい。
【００１９】
本開示の一実施形態は、第１面及び前記第１面とは反対側に位置する第２面を含み、前記第１面から前記第２面に至る基板貫通孔が設けられ、且つガラスを有する基板と、前記第１面側に位置する第１面導電層及び第１面絶縁層を含む第１配線構造部と、前記第２面側に位置する第２面導電層及び第２面絶縁層を含む第２配線構造部と、前記基板貫通孔の壁面に沿って延び、前記第１面導電層又は前記第２面導電層の少なくともいずれか一方に電気的に接続された貫通電極と、を備え、前記第１配線構造部の前記第１面導電層は、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って前記第１面側から順に並ぶ第１面第１導電層、第１面第２導電層及び第１面第３導電層を含み、前記第１配線構造部の前記第１面絶縁層は、前記第１面第１導電層上に位置する第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層又は前記第１面第２導電層上に位置する第１面第２絶縁層と、を含み、前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２絶縁層と、前記第１面第２絶縁層上に位置する前記第１面第３導電層とが、第１キャパシタンスを有する第１キャパシタを構成し、前記第１面第１導電層と、前記第１面第１導電層上に位置する前記第１面第１絶縁層と、前記第１面第１絶縁層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンスとは異なる第２キャパシタンスを有する第２キャパシタを構成する、貫通電極基板である。
【００２０】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、少なくとも一部の前記第２キャパシタの第２キャパシタンスは、少なくとも一部の前記第１キャパシタの第２キャパシタンスの５倍以上であってもよい。
【００２１】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１キャパシタ及び前記第２キャパシタは、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に、前記第２面導電層と重ならないように配置されていてもよい。
【００２２】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１キャパシタと前記第２キャパシタとが、直列又は並列に電気的に接続されていてもよい。
【００２３】
本開示の一実施形態による貫通電極基板において、前記第１配線構造部は、前記第１面第１導電層と前記第１面第２導電層との間に位置し、無機材料を含む第１面第１無機層を更に有し、前記第１面第１導電層と、前記第１面導電層上に位置する前記第１面第１無機層と、前記第１面第１無機層上に位置する前記第１面第２導電層とが、前記第１キャパシタンス及び前記第２キャパシタンスとは異なる第３キャパシタンスを有する第３キャパシタを構成してもよい。
【００２４】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記基板、前記第１配線構造部及び前記第２配線構造部の積層体を収容する収容部が設けられた樹脂基板であって、前記樹脂基板を貫通する電極が設けられた樹脂基板を更に備えていてもよい。
【００２５】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記基板の前記第１面側に位置し、前記基板の前記第１面の法線方向に沿って見た場合に前記第１配線構造部及び前記樹脂基板の両方に重なるよう広がる第１表面層を更に備え、前記第１表面層は、前記第１表面層を貫通し、前記第１配線構造部の前記第１面導電層及び前記樹脂基板の前記電極に電気的に接続された電極を有していてもよい。
【００２６】
本開示の一実施形態による貫通電極基板は、前記基板の前記第２面側に位置し、前記基板の前記第２面の法線方向に沿って見た場合に前記第２配線構造部及び前記樹脂基板の両方に重なるよう広がる第２表面層を更に備え、前記第２表面層は、前記第２表面層を貫通し、前記第２配線構造部の前記第２面導電層及び前記樹脂基板の前記電極に電気的に接続された電極を有していてもよい。
【００２７】
本開示の一実施形態は、上記記載の貫通電極基板と、前記貫通電極基板に搭載された素子と、を備える、実装基板である。
【００２８】
本開示の一実施形態による実装基板において、前記素子は、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ又はスイッチの少なくともいずれか１つを含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２９】
本開示の実施形態によれば、インダクタのインダクタンスの調整、又はキャパシタのキャパシタンスの調整を容易に行うことができる貫通電極基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】一実施形態に係る貫通電極基板を示す断面図である。
【図２】貫通電極基板の貫通孔及び貫通電極を拡大して示す断面図である。
【図３】貫通電極基板の貫通電極の一変形例を示す断面図である。
【図４】貫通電極基板の第１インダクタを拡大して示す平面図である。
【図５】貫通電極基板の第２インダクタを拡大して示す断面図である。
【図６】貫通電極基板の第２インダクタを拡大して示す平面図である。
【図７】貫通電極基板の第１キャパシタ、第２キャパシタ及び第３キャパシタを拡大して示す断面図である。
【図８】インダクタ及びキャパシタを組み合わせることによって構成されるフィルタ回路の一例を示す図である。
【図９】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１０】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１１】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１２】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１３】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１４】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１５】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１６】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１７】貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図１８】貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。
【図１９】貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。
【図２０】貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。
【図２１】実装基板の一例を示す断面図である。
【図２２】実装基板の一例を示す断面図である。
【図２３】貫通電極基板の一変形例を示す断面図である。
【図２４】図２３に示す貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図２５】図２３に示す貫通電極基板の製造工程を示す図である。
【図２６】図２３に示す貫通電極基板を備える実装基板を示す断面図である。
【図２７】電子デバイスの一例を示す断面図である。
【図２８】電子デバイスの一例を示す断面図である。
【図２９】貫通電極基板が搭載される製品の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【００３２】
貫通電極基板
以下、本開示の実施の形態について説明する。まず、本実施の形態に係る貫通電極基板１０の構成について説明する。図１は、貫通電極基板１０を示す断面図である。
【００３３】
貫通電極基板１０は、基板１２、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を備える。以下、貫通電極基板１０の各構成要素について説明する。
【００３４】
（基板）
基板１２は、第１面１３、及び、第１面１３の反対側に位置する第２面１４を含む。また、基板１２には、第１面１３から第２面１４に至る複数の基板貫通孔２０が設けられている。
【００３５】
基板１２は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、基板１２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジルコニア(ZrO2)基板、ニオブ酸リチウム基板、ニオブ酸タンタル基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。基板１２は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。
【００３６】
基板１２で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のＥＮ−Ａ１や、コーニング製のイーグルＸＧなどを挙げることができる。基板１２がガラスを含む場合、基板１２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上且つ０．５ｍｍ以下である。基板１２がガラスを含むことにより、基板１２がシリコンからなる場合に比べて、基板１２の絶縁性を高めることができ、これにより、基板１２上に位置するキャパシタの耐電圧特性を改善することができる。
【００３７】
図２は、貫通電極基板１０の基板貫通孔２０及び貫通電極２２を拡大して示す断面図である。図２において、符号Ｓ１は、基板貫通孔２０が第１面１３と接続される位置における基板貫通孔２０の寸法を表し、符号Ｓ２は、基板貫通孔２０が第２面１４と接続される位置における基板貫通孔２０の寸法を表す。図２に示すように、第１面１３側における基板貫通孔２０の寸法Ｓ１が、第２面１４側における基板貫通孔２０の寸法Ｓ２よりも小さくなっていてもよい。図２に示す例においては、基板貫通孔２０の寸法が、第２面１４から第１面１３に向かうにつれて小さくなっている。寸法Ｓ１は、例えば３０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。また、寸法Ｓ２は、例えば５０μｍ以上且つ１５０μｍ以下である。また、基板貫通孔２０の寸法Ｓ１に対する基板貫通孔２０の長さの比、すなわち基板貫通孔２０のアスペクト比は、例えば２以上且つ１０以下である。
【００３８】
図３に示すように、基板貫通孔２０は、基板１２の第１面１３と第２面１４との間の位置において、寸法Ｓ１及び寸法Ｓ２よりも小さい寸法Ｓ３を有していてもよい。例えば、基板貫通孔２０は、基板１２の第１面１３及び第２面１４から基板１２の厚み方向における中央部分に向かうにつれて寸法が小さくなる形状を有していてもよい。
【００３９】
図示はしないが、第１面１３側における基板貫通孔２０の寸法Ｓ１が、第２面１４側における基板貫通孔２０の寸法Ｓ２よりも大きくなっていてもよい。
【００４０】
（貫通電極）
図２は、基板貫通孔２０に設けられた貫通電極２２を拡大して示す断面図である。貫通電極２２は、基板貫通孔２０の内部に位置し、基板貫通孔２０の壁面２１に沿って広がり、且つ導電性を有する部材である。本実施の形態において、壁面２１上の貫通電極２２の厚みは、基板貫通孔２０の幅よりも小さく、このため、基板貫通孔２０の内部には、貫通電極２２が存在しない中空部が存在する。すなわち、貫通電極２２は、いわゆるコンフォーマルビアである。中空部は、基板貫通孔２０の内部の領域のうち、基板貫通孔２０の内部において対向する貫通電極２２の表面の間の領域として定義される。貫通電極２２の厚みは、例えば２μｍ以上且つ２５μｍ以下である。
【００４１】
貫通電極２２が導電性を有する限りにおいて、貫通電極２２の形成方法は特には限定されない。例えば、貫通電極２２は、蒸着法やスパッタリング法などの物理成膜法で形成されていてもよく、化学成膜法やめっき法で形成されていてもよい。また、貫通電極２２は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。ここでは、図２に示すように、貫通電極２２が第１層２２１及び第２層２２２含む例について説明する。
【００４２】
第１層２２１は、基板貫通孔２０の壁面２１上に少なくとも部分的に位置し、導電性を有する層である。第１層２２１は、スパッタリング法や蒸着法などの物理成膜法や、ゾルゲル法などによって壁面２１上に形成される。好ましくは、第１層２２１は、スパッタリング法によって壁面２１上に形成される。これによって、壁面２１に対して第１層２２１を強固に密着させることができる。第１層２２１の厚みは、例えば０．０５μｍ以上且つ５．０μｍ以下である。なお、第１層２２１と基板貫通孔２０の壁面２１との間に、その他の層が設けられていてもよい。
【００４３】
物理成膜法によって第１層２２１を形成する場合、第１層２２１を構成する材料としては、チタン、クロム、ニッケル、銅などの金属又はこれらを用いた合金など、あるいはこれらを積層したものを使用することができる。また、ゾルゲル法によって第１層２２１を形成する場合、第１層２２１を構成する材料としては、酸化亜鉛などを用いることができる。なお、第１層２２１は、ゾルゲル法によって形成されたゾルゲル層に加えて、無電解めっき法によってゾルゲル層上に形成された銅などの金属を含む無電解めっき層を更に有していてもよい。
【００４４】
第１層２２１は、単一の層であってもよく、複数の層を含んでいてもよい。例えば、第１層２２１は、壁面２１上に位置するチタン層と、チタン層上に位置する銅層と、を含んでいてもよい。
【００４５】
第２層２２２は、第１層２２１上に位置し、導電性を有する層である。第２層２２２は、例えば主成分としての銅を含み、より具体的には８０質量％以上の銅を含む。また、第２層２２２は、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金を含んでいてもよい。第２層２２２は、電解めっき法によって第１層２２１上に形成される。第２層２２２の組成を分析する方法としては、例えばＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）またはＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光器）を採用することができる。第２層２２２の厚みは、例えば２μｍ以上且つ２０μｍ以下である。なお、第１層２２１と第２層２２２との間に、その他の導電層が設けられていてもよい。
【００４６】
（第１配線構造部）
次に、第１配線構造部３０について説明する。第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３側に電気的な回路を構成するよう第１面１３側に設けられた導電層や絶縁層などの層を有する。例えば、第１配線構造部３０は、基板１２の第１面１３の法線方向において異なる位置に設けられた複数の導電層や複数の絶縁層を有する。以下の説明において、基板１２の第１面１３側に位置する複数の導電層のことを、第１面導電層と総称することがある。また、基板１２の第１面１３側に位置する複数の絶縁層のことを、第１面絶縁層と総称することがある。後述するように、第１面導電層、第１面絶縁層などを組み合わせることにより、キャパシタ、インダクタなどの受動部品が構成されている。
【００４７】
本実施の形態において、第１配線構造部３０は、第１面第１導電層３１、第１面第１無機層３２、第１面第１絶縁層３３、第１面第２導電層３４、第１面第２絶縁層３５、第１面第３導電層３６、及び第１面第３絶縁層３７を有する。以下、各層について説明する。
【００４８】
〔第１面第１導電層〕
第１面第１導電層３１は、基板１２の第１面１３上に位置する、導電性を有する層である。第１面第１導電層３１は、貫通電極２２に電気的に接続されていてもよい。また、第１面第１導電層３１は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、若しくは、導電性を有する複数の層を含んでいてもよい。例えば、第１面第１導電層３１は、貫通電極２２と同様に、基板１２の第１面１３上に順に積層された第１層２２１及び第２層２２２を含んでいてもよい。また、第１面第１導電層３１は、第１層２２１及び第２層２２２のうちの一部の導電層のみを含んでいてもよい。第１面第１導電層３１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第１面第１導電層３１の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下であり、２μｍ以上且つ２０μｍ以下であってもよい。
【００４９】
〔第１面第１無機層〕
第１面第１無機層３２は、少なくとも部分的に第１面第１導電層３１上に位置し、無機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第１無機層３２は、基板１２の第１面１３上に部分的に位置していてもよい。
【００５０】
第１面第１無機層３２の無機材料は、好ましくは６ＭＶ／ｃｍ以上、より好ましくは８ＭＶ／ｃｍ以上の絶縁破壊電界を有する。第１面第１無機層３２の無機材料としては、ＳｉＮなどの珪素窒化物を用いることができる。その他にも、第１面第１無機層３２の無機材料の例として、酸化シリコン、酸化アルミ、五酸化タンタルなどを挙げることができる。第１面第１無機層３２の無機材料の比誘電率は、例えば３以上且つ５０以下である。また、第１面第１無機層３２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上且つ４００ｎｍ以下である。第１面第１無機層３２は、単一の層から構成されていてもよく、複数の層を含んでいてもよい。
【００５１】
好ましくは、第１面第１無機層３２の無機材料における漏れ電流は、１×１０−８Ａ以下であり、より好ましくは１×１０−９Ａ以下であり、更に好ましくは１×１０−１０Ａ以下であり、とりわけ好ましくは１×１０−１１Ａ以下である。これにより、第１面第１無機層３２を含む後述する第３キャパシタ１９の電気特性を更に改善することができる。
【００５２】
〔第１面第１絶縁層〕
第１面第１絶縁層３３は、基板１２の第１面１３上、第１面第１導電層３１上、又は第１面第１無機層３２上に少なくとも部分的に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第１絶縁層３３の有機材料は、後述するように、好ましくは０．０３未満の誘電正接を有する。誘電正接の小さい有機材料を用いて第１面第１絶縁層３３を構成することにより、後述するキャパシタやインダクタを通るべき電気信号が第１面第１絶縁層３３を通ってしまうことを抑制することができる。これにより、キャパシタやインダクタを備える貫通電極基板１０の帯域を高周波側に広げることができる。第１面第１絶縁層３３の厚みは、例えば５μｍ以上且つ４０μｍ以下である。
【００５３】
〔第１面第２導電層〕
第１面第２導電層３４は、第１面第１無機層３２上、又は第１面第１絶縁層３３上に位置する、導電性を有する層である。第１面第２導電層３４は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、第１面第１無機層３２上、又は第１面第１絶縁層３３上に順に積層された複数の導電層を含んでいてもよい。第１面第２導電層３４を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１を構成する材料と同様である。第１面第２導電層３４の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下である。
【００５４】
〔第１面第２絶縁層〕
第１面第２絶縁層３５は、第１面第１絶縁層３３上又は第１面第２導電層３４上に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第２絶縁層３５は、第１面第１絶縁層３３と同様に、好ましくは０．０３未満の誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第２絶縁層３５の厚みは、例えば５μｍ以上且つ４０μｍ以下である。
【００５５】
〔第１面第３導電層〕
第１面第３導電層３６は、第１面第１導電層３１上、第１面第２導電層３４上、又は第１面第２絶縁層３５上に位置する、導電性を有する層である。第１面第３導電層３６は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、順に積層された複数の導電層を含んでいてもよい。第１面第３導電層３６を構成する材料は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１を構成する材料と同様である。
【００５６】
〔第１面第３絶縁層〕
第１面第３絶縁層３７は、第１面第２絶縁層３５上、又は第１面第３導電層３６上に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第１面第３絶縁層３７は、第１面第１絶縁層３３と同様に、好ましくは０．０３未満の誘電正接を有する有機材料を含む。第１面第３絶縁層３７の厚みは、例えば５μｍ以上且つ４０μｍ以下である。
【００５７】
（第２配線構造部）
次に、第２配線構造部４０について説明する。第２配線構造部４０は、基板１２の第２面１４側に電気的な回路を構成するよう第２面１４側に設けられた導電層や絶縁層などの層を有する。第２配線構造部４０は、第１配線構造部３０と同様に、基板１２の第２面１４の法線方向において異なる位置に設けられた複数の導電層や複数の絶縁層を有していてもよい。以下の説明において、基板１２の第２面１４側に位置する１つ又は複数の導電層のことを、第２面導電層と総称することがある。また、基板１２の第２面１４側に位置する１つ又は複数の絶縁層のことを、第２面絶縁層と総称することがある。
【００５８】
本実施の形態において、第２配線構造部４０は、第２面第１導電層４１及び第２面第１絶縁層４３を有する。
【００５９】
〔第２面第１導電層〕
第２面第１導電層４１は、基板１２の第２面１４上に位置する、導電性を有する層である。第２面第１導電層４１は、貫通電極２２に電気的に接続されていてもよい。
【００６０】
第２面第１導電層４１は、貫通電極２２や第１面第１導電層３１と同様に、基板１２の第２面１４上に順に積層された第１層２２１及び第２層２２２を含んでいてもよい。また、第２面第１導電層４１は、第１層２２１及び第２層２２２のうちの一部の導電層のみを含んでいてもよい。第２面第１導電層４１を構成する材料は、貫通電極２２を構成する材料と同様である。第２面第１導電層４１の厚みは、例えば１００ｎｍ以上且つ２０μｍ以下であり、２μｍ以上且つ２０μｍ以下であってもよい。
【００６１】
〔第２面第１絶縁層〕
第２面第１絶縁層４３は、第２面第１導電層４１上及び基板１２の第２面１４上に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する層である。第２面第１絶縁層４３は、第１面第１絶縁層３３や第１面第２絶縁層３５などと同様に、好ましくは０．０３以下の誘電正接を有する有機材料を含む。第２面第１絶縁層４３の厚みは、例えば５μｍ以上且つ４０μｍ以下である。
【００６２】
（孔内絶縁層）
図１乃至図３に示すように、貫通電極基板１０は、基板貫通孔２０の中空部に位置し、有機材料を含み、且つ絶縁性を有する孔内絶縁層２６を更に備えていてもよい。孔内絶縁層２６は、基板貫通孔２０の内部において対向する貫通電極２２の表面の間に位置する。基板貫通孔２０に孔内絶縁層２６を設けることにより、貫通電極基板１０の製造工程において基板貫通孔２０の内部に現像液や洗浄液などの処理液が浸入することを抑制することができる。
【００６３】
孔内絶縁層２６は、第１面第１絶縁層３３と同様に、例えば０．０３未満の誘電正接を有する有機材料を含む。誘電正接の小さい有機材料を用いて孔内絶縁層２６を構成することにより、後述する第１インダクタ１５を通るべき電気信号が孔内絶縁層２６を通ってしまうことを抑制することができる。
【００６４】
孔内絶縁層２６は、第１配線構造部３０の第１面第１絶縁層３３又は第２配線構造部４０の第２面第１絶縁層４３と少なくとも部分的に一体であってもよい。「一体」とは、孔内絶縁層２６と第１面第１絶縁層３３又は第２面第１絶縁層４３との間に界面が存在しないことを意味する。例えば、有機材料を含むフィルムを第２面１４側から基板１２に向けて押圧し、これによって有機材料を部分的に基板貫通孔２０の内部に押し込むことによって、孔内絶縁層２６及び第２面第１絶縁層４３を一体的に形成することができる。第１面１３側の孔内絶縁層２６及び第１面第１絶縁層３３についても同様である。孔内絶縁層２６は、第１面第１絶縁層３３及び第２面第１絶縁層４３の両方と一体であってもよい。
【００６５】
孔内絶縁層２６は、基板貫通孔２０の中空部に隙間なく充填されていてもよい。若しくは、孔内絶縁層２６は、基板貫通孔２０の中空部に完全には充填されていなくてもよい。例えば、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って基板貫通孔２０を見た場合に、孔内絶縁層２６の一部に孔が存在していてもよく、また、孔内絶縁層２６と貫通電極２２との間に隙間が存在していてもよい。
【００６６】
（受動部品）
貫通電極基板１０においては、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０の一部によって受動部品が形成されている。本実施の形態においては、貫通電極基板１０に第１インダクタ１５、第２インダクタ１６、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９が形成されている例について説明する。
【００６７】
〔第１インダクタ〕
まず、第１インダクタ１５について説明する。図１に示すように、第１インダクタ１５は、第１配線構造部３０の第１面第１導電層３１と、第２配線構造部４０の第２面第１導電層４１と、第１面第１導電層３１及び第２面第１導電層４１に電気的に接続された貫通電極２２と、を有する。第１インダクタ１５は、第１インダクタンスを有する。
【００６８】
図４は、第１インダクタ１５を構成する第１面第１導電層３１を第１面１３側から見た場合を示す平面図である。図４においては、基板１２の第２面１４側に位置する第２面第１導電層４１が点線で表されている。図１の第１インダクタ１５は、図４に示す第１インダクタ１５を線Ａ−Ａに沿って切断した場合の断面図に相当する。第１面第１導電層３１、貫通電極２２及び第２面第１導電層４１は、基板１２の面方向に沿った軸を中心として基板１２の一部をらせん状に周回する配線を構成するよう、接続されている。
【００６９】
〔第２インダクタ〕
次に、第２インダクタ１６について説明する。図５は、第２インダクタ１６を拡大して示す断面図である。図５に示すように、第２インダクタ１６は、第１面第１導電層３１と、第１面第３導電層３６とを含む。第２インダクタ１６を構成する第１面第１導電層３１は、第１面第１絶縁層３３の表面のうち基板１２側の表面に沿って延びている。また、第２インダクタ１６を構成する第１面第３導電層３６は、第１面第１導電層３１に接続され、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５を貫通する第１貫通孔３８の壁面に沿って延びる第１部分３６１と、第１部分３６１に接続され、第１面第２絶縁層３５の表面のうち基板１２とは反対側の表面に沿って延びる第２部分３６２と、を含む。第２インダクタ１６は、第１インダクタンスとは異なる第２インダクタンスを有する。
【００７０】
図６は、第２インダクタ１６を構成する第１面第３導電層３６を図５の上側から見た場合を示す平面図である。図６においては、第１貫通孔３８及び第１面第１導電層３１が点線で表されている。図５の第２インダクタ１６は、図６に示す第２インダクタ１６を線Ｂ−Ｂに沿って切断した場合の断面図に相当する。第１面第１導電層３１、第１面第３導電層３６の第１部分３６１及び第２部分３６２は、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５の面方向に沿った軸を中心として第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５の積層体の一部をらせん状に周回する配線を構成するよう、接続されている。
【００７１】
インダクタのインダクタンスは、インダクタの軸に直交する平面におけるインダクタの断面積に比例する。第１インダクタ１５の断面は、基板１２によって構成される。第２インダクタ１６の断面は、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５によって構成される。基板１２の厚みは、第１面第１絶縁層３３の厚み及び第１面第２絶縁層３５の厚みの合計よりも大きい。このため、巻き数やインダクタの長さなどの他の条件が同一である場合、第１インダクタ１５の第１インダクタンスは、第２インダクタ１６の第２インダクタンスよりも大きくなる。例えば、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合の、各インダクタの占有面積が同一の場合、第１インダクタンスが第２インダクタンスよりも大きくなる。少なくとも一部の第１インダクタ１５の第１インダクタンスは、少なくとも一部の第２インダクタ１６の第２インダクタンスの５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。
【００７２】
〔キャパシタ〕
次に、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９について説明する。図７は、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９を拡大して示す断面図である。各キャパシタを構成する第１配線構造部３０の第１面導電層は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って第１面１３側から順に並ぶ上述の第１面第１導電層３１、第１面第２導電層３４及び第１面第３導電層３６の第２部分３６２を含む。
【００７３】
まず、第１キャパシタ１７について説明する。図７に示すように、第１キャパシタ１７は、第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上に位置する第１面第１絶縁層３３と、第１面第１絶縁層３３上に位置する第１面第２絶縁層３５と、第１面第２絶縁層３５上に位置する第１面第３導電層３６の第２部分３６２と、を有する。第１面第１導電層３１及び第１面第３導電層３６の第２部分３６２が、対向する第１電極及び第２電極として機能する。また、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５が、第１電極と第２電極との間に位置する誘電体として機能する。第１キャパシタ１７は、第１キャパシタンスを有する。
【００７４】
次に、第２キャパシタ１８について説明する。図７に示すように、第２キャパシタ１８は、第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上に位置する第１面第１絶縁層３３と、第１面第１絶縁層３３上に位置する第１面第２導電層３４と、を有する。第１面第１導電層３１及び第１面第２導電層３４が、対向する第１電極及び第２電極として機能する。また、第１面第１絶縁層３３が、第１電極と第２電極との間に位置する誘電体として機能する。第２キャパシタ１８は、第１キャパシタンスとは異なる第２キャパシタンスを有する。
【００７５】
次に、第３キャパシタ１９について説明する。図７に示すように、第３キャパシタ１９は、第１面第１導電層３１と、第１面第１導電層３１上に位置する第１面第１無機層３２と、第１面第１無機層３２上に位置する第１面第２導電層３４と、を有する。第１面第１導電層３１及び第１面第２導電層３４が、対向する第１電極及び第２電極として機能する。また、第１面第１無機層３２が、第１電極と第２電極との間に位置する誘電体として機能する。第３キャパシタ１９は、第１キャパシタンス及び第２キャパシタンスとは異なる第３キャパシタンスを有する。
【００７６】
キャパシタのキャパシタンスは、第１電極と第２電極との間の間隔に反比例する。第１キャパシタ１７においては、第１電極と第２電極との間に第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５が存在する。一方、第２キャパシタ１８においては、第１電極と第２電極との間に第１面第１絶縁層３３が存在する。このため、他の条件が同一である場合、第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスは、第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスよりも大きくなる。例えば、電極の面積が同一の場合、第２キャパシタンスが第１キャパシタンスよりも大きくなる。少なくとも一部の第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスは、少なくとも一部の第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスの５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。
【００７７】
また、キャパシタのキャパシタンスは、誘電体の誘電率に比例する。第２キャパシタ１８においては、有機材料を含む第１面第１絶縁層３３が誘電体として機能する。一方、第３キャパシタ１９においては、無機材料を含む第１面第１無機層３２が誘電体として機能する。珪素窒化物などの無機材料の比誘電率は、ポリイミド、エポキシなどの有機材料の比誘電率よりも一般に大きい。このため、他の条件が同一である場合、第３キャパシタ１９の第３キャパシタンスは、第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスよりも大きくなる。例えば、電極の面積が同一の場合、第３キャパシタンスが第２キャパシタンスよりも大きくなる。少なくとも一部の第３キャパシタ１９の第３キャパシタンスは、少なくとも一部の第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスの５倍以上であってもよく、２０倍以上であってもよい。
【００７８】
少なくとも一部の第３キャパシタ１９の第３キャパシタンスは、少なくとも一部の第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスの５倍以上であってもよく、１０倍以上であってもよい。
【００７９】
図８は、上述のインダクタ１５，１６及びキャパシタ１７，１８，１９を組み合わせることによって構成されるフィルタ回路１００の一例を示す図である。図８に示すフィルタ回路１００は、インダクタ１５，１６及びキャパシタ１７，１８，１９をそれぞれ直列又は並列に電気的に接続することによって構成されている。例えば、第１インダクタ１５と第２インダクタ１６とが、直列又は並列に電気的に接続されている。また、第１キャパシタ１７と第２キャパシタ１８とが、直列又は並列に電気的に接続されている。
【００８０】
図８に示すフィルタ回路１００は、例えば、通過帯域の中心周波数が２４ＧＨｚ以上３２ＧＨｚ以下であり、通過帯域の幅が６ＧＨｚ以上１０ＧＨｚ以下であるバンドパスフィルタである。バンドパスフィルタの構成の一例を下記に示す。
・通過帯域の中心周波数:27.925GHz
・通過帯域の幅:0.85GHz
・インダクタ：L1=14.04pH, L2=15.15nH, L3=4.34pH, L4=15.15nH, L5=14.04pH
・キャパシタ：C1=2.31pF, C2=2.14fF, C3=7.49pF, C4=2.14fF, C5=2.31pF
【００８１】
所望の特性を有するフィルタ回路を構成するためには、異なるインダクタンスを有する複数の種類のインダクタと、異なるキャパシタンスを有する複数の種類のキャパシタとを組み合わせることが求められる。例えば、図８に示すフィルタ回路１００において、最小のインダクタンスに対する最大のインダクタンスの比は３０００倍以上である。また、最小のキャパシタンスに対する最大のキャパシタンスの比は３０００倍以上である。
【００８２】
ここで本実施の形態において、貫通電極基板１０は、上述のように、基板１２の一部をらせん状に周回する第１インダクタ１５と、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５をらせん状に周回する第２インダクタ１６と、を有する。このため、第２インダクタ１６の第２インダクタンスに対する、第１インダクタ１５の第１インダクタンスの比を、大きくし易い。
また、貫通電極基板１０は、上述のように、第１面第１導電層３１と第１面第３導電層３６の第２部分３６２とを電極として用いる第１キャパシタ１７と、第１面第１導電層３１と第１面第２導電層３４とを電極として用いる第２キャパシタ１８と、を有する。このため、第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスに対する、第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスの比を、大きくし易い。
また、貫通電極基板１０は、上述のように、第１面第１絶縁層３３を誘電体として用いる第２キャパシタ１８と、第１面第１無機層３２を誘電体として用いる第３キャパシタ１９と、を有する。このため、第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスに対する、第３キャパシタ１９の第３キャパシタンスの比を、大きくし易い。また、第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスに対する、第３キャパシタ１９の第３キャパシタンスの比を、大きくし易い。
【００８３】
このため、本実施の形態によれば、貫通電極基板１０に、大きく異なるインダクタンスを有する複数の種類のインダクタと、大きく異なるキャパシタンスを有する複数の種類のキャパシタとを形成することができる。これにより、所望の特性を有するフィルタ回路を貫通電極基板１０に形成することができる。
【００８４】
（受動部品の配置）
次に、インダクタやキャパシタなどの受動部品の配置の好ましい例について説明する。
【００８５】
好ましくは、図１に示すように、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に互いに重ならないように配置されている。これにより、第１インダクタ１５と第２インダクタ１６との間で干渉が生じることを抑制することができる。例えば、第１インダクタ１５で生じたノイズが第２インダクタ１６に伝わることを抑制することができる。同様に、第２インダクタ１６で生じたノイズが第１インダクタ１５に伝わることを抑制することができる。
【００８６】
また、好ましくは、図１に示すように、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６を構成する第１面導電層以外の第１面導電層と重ならないように配置されている。例えば、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６は、配線を構成する第１面導電層やキャパシタを構成する第１面導電層と重ならないように配置されている。これにより、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６と第１面導電層との間で干渉が生じることを抑制することができる。
【００８７】
また、好ましくは、図１に示すように、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に、第１インダクタ１５を構成する第２面第１導電層４１以外の第２面導電層と重ならないように配置されている。これにより、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６と第２面導電層との間で干渉が生じることを抑制することができる。
【００８８】
好ましくは、図１に示すように、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に、第２面第１導電層４１などの第２面導電層と重ならないように配置されている。これにより、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９と第２面導電層との間で干渉が生じることを抑制することができる。
【００８９】
（絶縁層の有機材料の好ましい例）
インダクタ１５，１６やキャパシタ１７，１８，１９などの受動部品の帯域を高周波側、例えば１０ＧＨｚ以上に広げるためには、高周波特性に優れた材料を用いて、第１配線構造部３０の第１面絶縁層、第２配線構造部４０の第２面絶縁層、及び孔内絶縁層２６を構成することが好ましい。例えば、各絶縁層の誘電正接が小さいことが好ましい。以下、各絶縁層の構成の一例について説明する。
【００９０】
各絶縁層は、例えば、有機材料を含む樹脂と、樹脂内に位置し、無機材料を含む複数の粒子と、を有する。各絶縁層の樹脂の、１０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．０３未満であってもよく、０．０２未満であってもよく、０．０１未満であってもよく、０．００６未満であってもよく０．００４未満であってもよい。このような誘電正接を有する樹脂の例としては、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂などを挙げることができる。エポキシ系樹脂の具体例としては、味の素ファインテクノ株式会社製のＧＹ１１、ＧＬ１０２、ＧＬ１０３、太陽インキ製造株式会社製のＺａｒｉｓｔｏ５１７Ｘなどを挙げることができる。ポリフェニレンエーテル系樹脂の具体例としては、ナミックス株式会社製のＮＣ０２０９などを挙げることができる。フッ素系樹脂の具体例としては、旭硝子株式会社製のサイトップ、ＥＰＲＩＭＡ ＡＬなどを挙げることができる。
【００９１】
各絶縁層の樹脂は、紫外線などに対する感光性を有していなくてもよい。例えば、樹脂は、光重合開始剤を含んでいない。これにより、樹脂の誘電正接を低くし易くなる。なお、樹脂が感光性を有さない場合、各絶縁層を加工して各絶縁層に貫通孔を形成する方法として、フォトリソグラフィー法を用いることができなくなる。この場合、貫通孔を形成する方法として、紫外線レーザなどのレーザ光を各絶縁層に照射するレーザ加工法などを採用することができる。
【００９２】
各絶縁層に含まれる粒子は、例えば、フィラーとも称される、無機材料を含む粒状の部材である。樹脂内に粒子を分散させることにより、各絶縁層が温度変化に起因して膨脹又は収縮することを抑制することができる。粒子を構成する材料の例としては、二酸化珪素等の珪素酸化物などを挙げることができる。粒子の平均粒径は、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．６μｍ以下である。これにより、各絶縁層の平滑性が向上するので、各絶縁層に接する導電層の高周波特性を向上させることができる。例えば、導電層における伝送損失を小さくすることができる。粒子の平均粒径は、例えば、各絶縁層の断面の画像に現れる粒子の断面の寸法の平均値に基づいて算出され得る。平均粒径を算出する際に測定対象とする粒子の数は任意であるが、例えば１０００個である。
【００９３】
なお、第１配線構造部３０の第１面絶縁層、第２配線構造部４０の第２面絶縁層、及び孔内絶縁層２６の全てが一様に低い誘電正接を有する必要はない。例えば、第１配線構造部３０の第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５は、０．０１未満の誘電正接を有する樹脂を含むが、第１面第３絶縁層３７は、０．０１以上の誘電正接を有する樹脂を含んでいてもよい。
【００９４】
（貫通電極基板の製造方法）
以下、貫通電極基板１０の製造方法の一例について、図９乃至図１８を参照して説明する。
【００９５】
（貫通孔形成工程）
まず、基板１２を準備する。次に、第１面１３又は第２面１４の少なくともいずれかにレジスト層を設ける。その後、レジスト層のうち基板貫通孔２０に対応する位置に開口を設ける。次に、レジスト層の開口において基板１２を加工することにより、図９に示すように、基板１２に基板貫通孔２０を形成することができる。基板１２を加工する方法としては、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法や、ウェットエッチング法などを用いることができる。
【００９６】
なお、基板１２にレーザを照射することによって基板１２に基板貫通孔２０を形成してもよい。この場合、レジスト層は設けられていなくてもよい。レーザ加工のためのレーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。
【００９７】
また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって基板１２のうち基板貫通孔２０が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、基板１２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、基板１２に基板貫通孔２０を形成することができる。その他にも、基板１２に研磨材を吹き付けるブラスト処理によって基板１２に基板貫通孔２０を形成してもよい。
【００９８】
（貫通電極形成工程）
次に、基板貫通孔２０の壁面２１に貫通電極２２を形成する。本実施の形態においては、貫通電極２２と同時に、基板１２の第１面１３の一部分上に第１面第１導電層３１を形成し、基板１２の第２面１４の一部分上に第２面第１導電層４１を形成する例について説明する。
【００９９】
まず、図１０に示すように、基板１２の第１面１３、第２面１４及び壁面２１に、物理成膜法、ゾルゲル法、無電解めっき法などによって第１層２２１を形成する。続いて、図１１に示すように、第１層２２１上に部分的にレジスト層８１を形成する。レジスト層８１の材料としては、アクリル樹脂を含むドライフィルムレジストなど、感光性を有する材料が用いられ得る。続いて、図１１に示すように、レジスト層８１によって覆われていない第１層２２１上に、電解めっき法によって第２層２２２を形成する。例えば、銅を含む電解めっき液の中に基板１２を浸漬させる。また、第１層２２１に電流を流す。これによって、第１層２２１上に第２層２２２を析出させることができる。
【０１００】
（レジスト及び導電層除去工程）
その後、図１２に示すように、レジスト層８１を除去する。続いて、図１２に示すように、第１層２２１のうちレジスト層８１によって覆われていた部分を、言い換えると第１層２２１のうち第２層２２２から露出している部分を、例えばウェットエッチングにより除去する。このようにして、第１層２２１及び第２層２２２を含む貫通電極２２、第１面第１導電層３１及び第２面第１導電層４１を形成することができる。これにより、第２面第１導電層４１と、第２面第１導電層４１に電気的に接続された貫通電極２２と、貫通電極２２に電気的に接続された第１面第１導電層３１とを備える第１インダクタ１５を構成することができる。なお、第２層２２２などの導電層をアニールする工程を実施してもよい。
【０１０１】
（第１面第１無機層の形成工程）
次に、図１３に示すように、第１面第１導電層３１の一部分上に第１面第１無機層３２を形成する。第１面第１無機層３２を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ、スパッタリング、原子層堆積法などを採用することができる。
【０１０２】
（第１面第１絶縁層の形成工程）
また、図１４に示すように、基板１２の第１面１３上及び第１面第１導電層３１上に第１面第１絶縁層３３を形成する。例えば、まず、有機材料を含む樹脂層と、基材とを有する、図示しない樹脂フィルムを、基板１２の第１面１３側に貼り付ける。続いて、紫外線レーザなどのレーザ光を樹脂フィルムに照射する。これにより、第１面第１絶縁層３３に貫通孔３３１を形成することができる。
【０１０３】
第１面第１絶縁層３３と同様にして、図１４に示すように、基板１２の第２面１４上及び第２面第１導電層４１上に第２面第１絶縁層４３を形成してもよい。また、第１面第１絶縁層３３の一部又は第２面第１絶縁層４３の一部を基板貫通孔２０の内部に押し込むことにより、図１４に示すように、孔内絶縁層２６を形成してもよい。
【０１０４】
なお、第１面第１絶縁層３３、第２面第１絶縁層４３、孔内絶縁層２６を構成する有機材料として、紫外線などに対する感光性を有する材料を用いてもよい。この場合、第１面第１絶縁層３３に貫通孔３３１を形成する方法として、フォトリソグラフィー法を用いることができる。
【０１０５】
また、第１面第１無機層３２を形成する工程と、第１面第１絶縁層３３を形成する工程との順序は任意である。例えば、第１面第１無機層３２を形成した後に第１面第１絶縁層３３を形成してもよく、若しくは、第１面第１絶縁層３３を形成した後に第１面第１無機層３２を形成してもよい。
【０１０６】
（第１面第２導電層の形成工程）
続いて、図１５に示すように、第１面第１無機層３２上及び第１面第１絶縁層３３の一部分上に第１面第２導電層３４を形成する。これにより、第１面第１導電層３１、第１面第１無機層３２及び第１面第２導電層３４を備える第３キャパシタ１９を構成することができる。また、第１面第１導電層３１、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２導電層３４を備える第２キャパシタ１８を構成することができる。第１面第２導電層３４を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。
【０１０７】
（第１面第２絶縁層の形成工程）
続いて、図１６に示すように、第１面第１絶縁層３３上及び第１面第２導電層３４の一部分上に第１面第２絶縁層３５を形成する。例えば、第１面第１絶縁層３３の場合と同様に、まず、有機材料を含む樹脂層と、基材とを有する、図示しない樹脂フィルムを、第１面第１絶縁層３３に貼り付ける。続いて、紫外線レーザなどのレーザ光を樹脂フィルムに照射し、第１面第１絶縁層３３の貫通孔３３１に連通する貫通孔３５１を第１面第２絶縁層３５に形成する。これにより、図１６に示すように、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５を貫通する第１貫通孔３８を形成することができる。
【０１０８】
なお、図示はしないが、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５を同時に加工することにより、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５を貫通する第１貫通孔３８を形成してもよい。
【０１０９】
（第１面第３導電層の形成工程）
続いて、図１７に示すように、第１貫通孔３８の内部及び第１面第２絶縁層３５の一部分上に第１面第３導電層３６を形成する。これにより、第１面第１導電層３１、第１面第３導電層３６の第１部分３６１及び第２部分３６２を備える第２インダクタ１６を構成することができる。また、第１面第１導電層３１、第１面第１絶縁層３３、第１面第２絶縁層３５及び第１面第３導電層３６を備える第１キャパシタ１７を構成することができる。第１面第３導電層３６を形成する工程は、第１面第１導電層３１を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。
【０１１０】
（第１面第３絶縁層の形成工程）
続いて、第１面第２絶縁層３５上及び第１面第３導電層３６上に第１面第３絶縁層３７を形成する。このようにして、図１に示す貫通電極基板１０を得ることができる。第１面第３絶縁層３７を形成する工程は、第１面第１絶縁層３３を形成する工程と同様であるので、説明を省略する。
【０１１１】
本実施の形態においては、上述のように、第１配線構造部３０の第１面絶縁層の表面及び第１貫通孔３８の壁面に沿って延びる第１面導電層を利用して、第２インダクタ１６を構成する。このため、貫通電極２２を利用する第１インダクタ１５とは異なるインダクタンスを有する第２インダクタ１６を、貫通電極基板１０に容易に形成することができる。
【０１１２】
また、本実施の形態においては、第１面第１導電層３１、第１面第１無機層３２、第１面第１絶縁層３３、第１面第２導電層３４、第１面第２絶縁層３５及び第１面第３導電層３６を様々に組み合わせることにより、キャパシタ１７，１８，１９を構成する。このため、互いに異なるキャパシタンスを有するキャパシタ１７，１８，１９を、貫通電極基板１０に容易に形成することができる。
【０１１３】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【０１１４】
上述の実施の形態においては、貫通電極基板１０が、第１インダクタ１５、第２インダクタ１６、第１キャパシタ１７、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９を備える例を示した。しかしながら、貫通電極基板１０に構成されるインダクタやキャパシタの組み合わせが特に限定されることはない。
【０１１５】
例えば、図１８に示すように、貫通電極基板１０は、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６を備えるがキャパシタ１７，１８，１９を備えていなくてもよい。また、図示はしないが、貫通電極基板１０は、第１インダクタ１５及び第２インダクタ１６に加えて、キャパシタ１７，１８，１９のうちの一部のキャパシタを備えていてもよい。
【０１１６】
また、図１９に示すように、貫通電極基板１０は、第１インダクタ１５及びキャパシタ１７，１８，１９を備えるが第２インダクタ１６を備えていなくてもよい。また、図示はしないが、貫通電極基板１０は、第２インダクタ１６及びキャパシタ１７，１８，１９を備えるが第１インダクタ１５を備えていなくてもよい。また、図示はしないが、貫通電極基板１０は、キャパシタ１７，１８，１９を備えるがインダクタ１５，１６を備えていなくてもよい。
【０１１７】
また、貫通電極基板１０は、３種類のキャパシタ１７，１８，１９のうちの任意の２種類のキャパシタのみを備えていてもよい。例えば、図２０に示すように、貫通電極基板１０は、第１キャパシタ１７及び第２キャパシタ１８を備えるが第３キャパシタ１９を備えていなくてもよい。若しくは、図示はしないが、貫通電極基板１０は、第１キャパシタ１７及び第３キャパシタ１９を備えるが第２キャパシタ１８を備えていなくてもよい。若しくは、図示はしないが、貫通電極基板１０は、第２キャパシタ１８及び第３キャパシタ１９を備えるが第１キャパシタ１７を備えていなくてもよい。
【０１１８】
（その他の変形例）
上述の実施の形態においては、第１配線構造部３０に含まれる導電層の数が、第２配線構造部４０に含まれる導電層の数よりも多い例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図示はしないが、第１配線構造部３０に含まれる導電層の数と、第２配線構造部４０に含まれる導電層の数とが同一であってもよい。また、第１配線構造部３０に含まれる導電層の数が、第２配線構造部４０に含まれる導電層の数よりも少なくてもよい。絶縁層の数についても同様である。
【０１１９】
また、上述の実施の形態においては、第２インダクタ１６が、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５の一部をらせん状に周回する配線によって構成される例を示した。しかしながら、第２インダクタ１６を構成する配線が設けられる絶縁層が、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５に限られることはない。第１配線構造部３０に含まれる第１面絶縁層のうちの任意の絶縁層に、らせん状に周回する配線を構成する導電層を設けることにより、第２インダクタ１６を構成することができる。
【０１２０】
また、上述の実施の形態においては、第１面第１絶縁層３３及び第１面第２絶縁層３５が第１キャパシタ１７の誘電体を構成し、第１面第１絶縁層３３が第２キャパシタ１８の誘電体を構成する例を示した。しかしながら、第１キャパシタ１７の第１キャパシタンスと第２キャパシタ１８の第２キャパシタンスが異なる限りにおいて、誘電体を構成する第１面絶縁層の組み合わせが特に限られることはない。例えば、第１面第１絶縁層３３、第１面第２絶縁層３５及び第１面第３絶縁層３７を用いて第１キャパシタ１７の誘電体を構成してもよい。
【０１２１】
実装基板
図２１は、貫通電極基板１０と、貫通電極基板１０に搭載された素子５０と、を備える実装基板６０の一例を示す断面図である。素子５０は、ロジックＩＣやメモリＩＣなどのＬＳＩチップである。また、素子５０は、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)チップであってもよい。ＭＥＭＳチップとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが１つの基板上に集積化された電子デバイスである。また、素子５０は、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ又はスイッチの少なくともいずれか１つを含んでいてもよい。
【０１２２】
図２１に示すように、素子５０は、貫通電極基板１０の第１配線構造部３０の第１面導電層に第１バンプ３９などを介して電気的に接続された端子５１を有する。図２１に示すように、第２配線構造部４０の第２面導電層には第２バンプ４９が接続されていてもよい。第２バンプ４９は、実装基板６０をマザーボード等に電気的に接続するために利用される。第２バンプ４９は、例えば、第２面第１絶縁層４３上に位置する第２面第２絶縁層４５に形成された貫通孔の内部に設けられる。また、第２バンプ４９は、例えば、第２面第１絶縁層４３の貫通孔の内部に位置する第２面第２導電層４４を介して貫通電極２２に電気的に接続される。
【０１２３】
なお、第１配線構造部３０の第１面導電層と素子５０の端子５１との間の電気的な接続が、第１バンプ３９を介した接続に限られることはない。図示はしないが、素子５０は、第１配線構造部３０の第１面絶縁層の中に封止された状態で、貫通電極基板１０に搭載されていてもよい。この場合、第１配線構造部３０の第１面導電層と素子５０の端子５１との間の電気的な接続は、例えば、第１配線構造部３０の第１面絶縁層を貫通する第１面導電層を素子５０の端子５１に接続することによって実現される。この場合、素子５０は、端子５１が基板１２とは反対側を向くように貫通電極基板１０に搭載されていてもよい。
【０１２４】
（実装基板の変形例）
図２２は、実装基板６０の一変形例を示す断面図である。図２２に示すように、実装基板６０は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に貫通電極基板１０の第１インダクタ１５と重なる素子５０を備えていてもよい。この場合、貫通電極基板１０は、素子５０に電気的に接続された、第１面第３導電層３６などの第２面導電層を有していてもよい。また、素子５０に電気的に接続された、第１面第３導電層３６などの第２面導電層が、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に第１インダクタ１５と重なっていてもよい。図示はしないが、図２２に示す実装基板６０も、図２１に示す実装基板６０と同様に、第２配線構造部４０の第２面導電層に接続された第２バンプ４９を有していてもよい。
【０１２５】
また、図２２に示すように、実装基板６０は、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に貫通電極基板１０の第２インダクタ１６と重なる素子５０を備えていてもよい。素子５０は、第３キャパシタ１９などのキャパシタと重なっていてもよい。この場合、貫通電極基板１０は、素子５０に電気的に接続された、第１面第３導電層３６などの第２面導電層を有していてもよい。また、素子５０に電気的に接続された、第１面第３導電層３６などの第２面導電層が、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に第２インダクタ１６やキャパシタと重なっていてもよい。
【０１２６】
（貫通電極基板の変形例）
図２３は、貫通電極基板１０の一変形例を示す断面図である。本変形例において、貫通電極基板１０は、収容部２７１が設けられた樹脂基板２７を更に備える。本変形例においては、図１などに示す、基板１２、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を備える部材が、樹脂基板２７の収容部２７１に収容されている。
【０１２７】
樹脂基板２７は、ガラスエポキシ樹脂などの樹脂材料を含む基板である。ガラスエポキシ樹脂とは、ガラス繊維の布にエポキシ樹脂を浸透させた後に熱硬化処理を施すことによって得られる材料である。収容部２７１は、例えば、樹脂基板２７を貫通する開口部である。図示はしないが、収容部２７１は、樹脂基板２７を貫通しない凹部であってもよい。また、樹脂基板２７は、樹脂基板２７を貫通する電極２７２を備えていてもよい。樹脂基板２７の厚みは、基板１２の厚みと同等であり、例えば０．２ｍｍ以上且つ０．５ｍｍ以下である。
【０１２８】
図２３に示すように、貫通電極基板１０は、基板１２の第１面１３側に位置し、基板１２の第１面１３の法線方向に沿って見た場合に第１配線構造部３０及び樹脂基板２７の両方に重なるよう広がる第１表面層２８を備えていてもよい。第１表面層２８は、エポキシ樹脂、プリプレグなどの、絶縁性を有する材料を含む。また、第１表面層２８は、第１表面層２８を貫通する電極２８１を有する。電極２８１は、第１配線構造部３０の第１面導電層や樹脂基板２７の電極２７２に電気的に接続されている。第１表面層２８の厚みは、例えば２０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。
【０１２９】
また、貫通電極基板１０は、基板１２の第２面１４側に位置し、基板１２の第２面１４の法線方向に沿って見た場合に第２配線構造部４０及び樹脂基板２７の両方に重なるよう広がる第２表面層２９を備えていてもよい。第２表面層２９は、第１表面層２８と同様に、エポキシ樹脂、プリプレグなどの、絶縁性を有する材料を含む。また、第２表面層２９は、第２表面層２９を貫通する電極２９１を有する。電極２９１は、第２配線構造部４０の第１面導電層や樹脂基板２７の電極２７２に電気的に接続されている。第２表面層２９の厚みは、例えば２０μｍ以上且つ１００μｍ以下である。
【０１３０】
以下、図２４及び図２５を参照して、図２３に示す貫通電極基板１０の製造方法について説明する。まず、図２４に示すように、収容部２７１及び電極２７２が設けられた樹脂基板２７を準備する。また、基板１２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０が積層された積層体を準備する。続いて、この積層体を樹脂基板２７の収容部２７１に位置付ける。
【０１３１】
続いて、図２５に示すように、電極２８１が設けられた第１表面層２８を準備する。また、電極２９１が設けられた第２表面層２９を準備する。続いて、第１表面層２８を第１配線構造部３０及び樹脂基板２７に取り付ける。例えば、熱圧接により第１表面層２８の電極２８１を第１配線構造部３０の第１面導電層や樹脂基板２７の電極２７２に接続させる。また、第２表面層２９を第２配線構造部４０及び樹脂基板２７に取り付ける。例えば、熱圧接により第２表面層２９の電極２９１を第２配線構造部４０の第２面導電層や樹脂基板２７の電極２７２に接続させる。このようにして、図２３に示す貫通電極基板１０を得ることができる。
【０１３２】
本変形例によれば、基板１２、貫通電極２２、第１配線構造部３０及び第２配線構造部４０を備える部材を樹脂基板２７の収容部２７１に収容することにより、貫通電極基板１０全体としての面積や配線数などを増加させることができる。これにより、貫通電極基板１０に様々な機能や素子を搭載し易くなる。
【０１３３】
図２６は、図２３に示す貫通電極基板１０と、貫通電極基板１０に搭載された素子５０と、を備える実装基板６０を示す断面図である。図２６に示す例において、素子５０は、第１表面層２８の電極２８１を介して第１配線構造部３０の第１面導電層に電気的に接続されている。また、実装基板６０は、第２表面層２９の電極２９１に接続されたバンプ６１を備えている。図示はしないが、貫通電極基板１０は、第２表面層２９の電極２９１を介して第２配線構造部４０の第２面導電層に電気的に接続された素子５０や、電極２８１又は電極２９１を介して樹脂基板２７の電極２７２に電気的に接続された素子５０などを備えていてもよい。
【０１３４】
なお、図２４においては、基板１２などを樹脂基板２７の収容部２７１に収容する前に既に樹脂基板２７に電極２７２が形成されている例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、樹脂基板２７の収容部２７１に基板１２などを収容した後に、樹脂基板２７に電極２７２を形成してもよい。
【０１３５】
また、図２５においては、第１表面層２８を第１配線構造部３０及び樹脂基板２７に取り付ける前に既に第１表面層２８に電極２８１が形成されている例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、第１配線構造部３０及び樹脂基板２７に第１表面層２８を取り付けた後、第１表面層２８に電極２８１を形成してもよい。第２表面層２９についても同様である。
【０１３６】
電子デバイス
図２７は、マザーボード６８と、マザーボード６８に搭載された実装基板６０とを備える電子デバイス７０の一例を示す断面図である。電子デバイス７０は、マザーボード６８に搭載された素子６５を更に備えていてもよい。素子６５は、例えば、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ又はスイッチの少なくともいずれか１つを含む。
【０１３７】
図２８は、電子デバイス７０のその他の例を示す断面図である。上述のように、貫通電極基板１０には、インダクタ及びキャパシタによって構成されたフィルタ回路が組み込まれている。このため、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ又はスイッチなどの、フィルタ回路に電気的に接続されることが好ましい素子を、素子５０として貫通電極基板１０に搭載することができる。なお、素子５０は、バンプを介して貫通電極基板１０に搭載されていてもよく、若しくは、貫通電極基板１０の第１配線構造部３０の第１面絶縁層の中に封止されていてもよい。
【０１３８】
貫通電極基板が搭載される製品の例
図２９は、本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０が搭載されることができる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る貫通電極基板１０は、様々な製品において利用され得る。例えば、ノート型パーソナルコンピュータ１１０、タブレット端末１２０、携帯電話１３０、スマートフォン１４０、デジタルビデオカメラ１５０、デジタルカメラ１６０、デジタル時計１７０、サーバ１８０等に搭載される。
【符号の説明】
【０１３９】
１０  貫通電極基板
１２  基板
１３  第１面
１４  第２面
１５  第１インダクタ
１６  第２インダクタ
１７  第１キャパシタ
１８  第２キャパシタ
１９  第３キャパシタ
２０  基板貫通孔
２１  壁面
２２  貫通電極
２２１  第１層
２２２  第２層
２６  孔内絶縁層
２７  樹脂基板
２７１  収容部
２７２  電極
２８  第１表面層
２８１  電極
２９  第２表面層
２９１  電極
３０  第１配線構造部
３１  第１面第１導電層
３２  第１面第１無機層
３３  第１面第１絶縁層
３４  第１面第２導電層
３５  第１面第２絶縁層
３６  第１面第３導電層
３７  第１面第３絶縁層
３８  第１貫通孔
３９  第１バンプ
４０  第２配線構造部
４１  第２面第１導電層
４３  第２面第１絶縁層
４４  第２面第２導電層
４５  第２面第２絶縁層
４９  第２バンプ
５０  素子
５１  端子
６０  実装基板
６１  バンプ
６５  素子
６８  マザーボード
７０  電子デバイス
１００  フィルタ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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