(57)【要約】【課題】エッジリングの熱交換を行うための熱媒体を供給する供給孔における放電を抑制する。【解決手段】プラズマ処理が施される基板を載置する載置台であって、前記基板の周辺に配置されるエッジリングと該基板とを吸着する静電チャックと、前記静電チャックと前記エッジリングとの間に熱媒体を供給する供給孔とを有し、前記エッジリング及び前記載置台の少なくともいずれかには溝が設けられ、前記溝は、前記供給孔の上部には設けられていない、載置台が提供される。【選択図】図４
2019216176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理が施される基板を載置する載置台であって、
前記基板の周辺に配置されるエッジリングと該基板とを吸着する静電チャックと、
前記静電チャックと前記エッジリングとの間に熱媒体を供給する供給孔とを有し、
前記エッジリング及び前記載置台の少なくともいずれかには溝が設けられ、
前記溝は、前記供給孔の上部には設けられていない、
載置台。
【請求項２】
前記溝は、前記エッジリングの裏面に設けられた第１の溝を含む、
請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記溝は、前記載置台の前記エッジリングが配置される面に設けられた第２の溝を含む、
請求項１又は２に記載の載置台。
【請求項４】
前記静電チャックは、前記載置台に載置された基板を吸着する第１の電極と、前記エッジリングを吸着する第２の電極とを含む、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の載置台。
【請求項５】
基板を載置する載置台と、
基板の周辺に配置されるエッジリングと、
前記エッジリングと前記基板とを吸着する静電チャックと、
前記静電チャックと前記エッジリングとの間に熱媒体を供給する供給孔とを有し、
前記エッジリング及び前記載置台の少なくともいずれかには溝が設けられ、
前記溝は、前記供給孔の上部には設けられていない、
基板処理装置。
【請求項６】
プラズマ処理が施される基板の周辺に配置されるエッジリングであって、
前記エッジリングには溝が設けられ、
前記溝は、前記エッジリングを吸着する静電チャックと前記エッジリングとの間に熱媒体を供給する供給孔の上部には設けられていない、
エッジリング。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台、基板処理装置及びエッジリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、ウエハを載置する静電チャックと、ウエハの周辺において静電チャック上に配置されるエッジリングと、エッジリングの熱交換を行うための熱媒体が充填される伝熱ガス導入溝とを有する基板処理装置を提案する。該基板処理装置は、エッジリングを静電チャックに静電吸着するために静電チャックに設けられた電極板に印加するチャック電圧を制御する制御部を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１８３０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、エッジリングの熱交換を行うための熱媒体を供給する供給孔における放電を抑制することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、プラズマ処理が施される基板を載置する載置台であって、前記基板の周辺に配置されるエッジリングと該基板とを吸着する静電チャックと、前記静電チャックと前記エッジリングとの間に熱媒体を供給する供給孔とを有し、前記エッジリング及び前記載置台の少なくともいずれかには溝が設けられ、前記溝は、前記供給孔の上部には設けられていない、載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、エッジリングの熱交換を行うための熱媒体を供給する供給孔における放電を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る載置台を含む基板処理装置の一例を示す図。
【図２】一実施形態に係る電極板の設置態様の一例を示す図。
【図３】パッシェンの法則による放電開始電圧の曲線を示す図。
【図４】本実施形態及び比較例１，２の供給孔からの伝熱ガスの流量の実験結果の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る溝の変形例を示す図。
【図６】一実施形態に係る溝の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【０００９】
［基板処理装置の全体構成］
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置等であってもよい。
【００１０】
図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器１０を有し、該処理容器１０内に、ウエハＷを載置する円板状の載置台１１が配設されている。載置台１１は、下部電極としても機能する。載置台１１は、例えばアルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
【００１１】
処理容器１０の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口又は途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプ及び真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下、「ＡＰＣ」という）を有し、該ＡＰＣは自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
【００１２】
載置台１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、載置台１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を載置台１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、第１の高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を載置台１１に供給する。
【００１３】
処理容器１０の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、載置台１１とシャワーヘッド２４の間に、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２周波の高周波電圧が印加される。
【００１４】
載置台１１の上面にはウエハＷを静電吸着力で吸着する静電チャック２５が設けられている。静電チャック２５は、ウエハＷが載置される円板状の中心部２５ａと、中心部２５ａを囲むように形成された環状の外周部２５ｂとを有する。中心部２５ａは、外周部２５ｂに対して図中上方に突出している。外周部２５ｂの上面には、中心部２５ａを環状に囲むエッジリング３０が載置されている。また、中心部２５ａは、導電膜からなる電極板２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。
【００１５】
外周部２５ｂは、導電膜からなる電極板２９を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。本実施形態では、環状の軸方向に２つの電極板２９を並べて配置している。電極板２６には、直流電源２７が電気的に接続されている。２つの電極板２９には、直流電源２８がそれぞれ個別に電気的に接続されている。直流電源２７および直流電源２８は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部４３からの制御により、電極板２６に直流電圧を印加する。直流電源２８は、後述する制御部４３からの制御により、２つの電極板２９にそれぞれ個別に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極板２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にウエハＷを吸着保持する。また、静電チャック２５は、直流電源２８から電極板２９に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にエッジリング３０を吸着保持する。
【００１６】
なお、直流電源２７は、載置台１１に載置されたウエハＷを吸着する第１の電極に電圧を印加する方法の一例である。直流電源２８は、エッジリング３０を吸着する第２の電極に電圧を印加する方法の一例である。
【００１７】
載置台１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３，３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２５上のウエハＷの処理温度を制御する。
【００１８】
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。ガス供給ライン３６は、静電チャック２５の中心部２５ａに至るウエハ側ライン３６ａと、静電チャック２５の外周部２５ｂに至るエッジリング側ライン３６ｂとに分岐されている。
【００１９】
伝熱ガス供給部３５は、ウエハ側ライン３６ａを用いて、静電チャック２５の中心部２５ａとウエハＷとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。また、伝熱ガス供給部３５は、エッジリング側ライン３６ｂを用いて、静電チャック２５の外周部２５ｂとエッジリング３０とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。伝熱ガスは、熱媒体の一例であり、伝熱ガス供給部３５は、熱媒体を供給する供給部の一例である。
【００２０】
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９のガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。また、処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。
【００２１】
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７，２８、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。
【００２２】
制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。例えば、制御部４３は、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理を行う。
【００２３】
基板処理装置１の処理容器１０内では、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界が形成されると共に、載置台１１とシャワーヘッド２４の間に印加された高周波電圧によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、載置台１１の表面近傍において処理ガスからプラズマが生成される。
【００２４】
基板処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象のウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器１０内に導入し、排気装置１８等により処理容器１０内の圧力を所定値にする。
【００２５】
さらに、基板処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからそれぞれ高周波電力を載置台１１に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極板２６に印加して、ウエハＷを静電チャック２５上に吸着する。また、基板処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２５の電極板２９に印加して、エッジリング３０を静電チャック２５上に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスは上述したようにプラズマ化し、プラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷの表面がエッチングされる。
【００２６】
[溝の構造]
次に、図１に示した電極板２９の設置態様の一例について、図２を参照しながら説明する。図２は、電極板の設置態様の一例を示す図である。図２に示す２つの電極板２９は、静電チャック２５の外周部２５ｂの内部の、エッジリング３０に対応する領域に設けられている。以下では、２つの電極板２９のうち、内側の電極板２９を内周側電極板２９−１とし、外側の電極板２９を外周側電極板２９−２とする。
【００２７】
内周側電極板２９−１は、エッジリング３０の内周側に環状に配置されている。外周側電極板２９−２は、エッジリング３０の外周側に環状に配置されている。内周側電極板２９−１及び外周側電極板２９−２は、直流電源２８に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、１つの直流電源２８から内周側電極板２９−１及び外周側電極板２９−２に電力を供給する場合を説明するが、内周側電極板２９−１及び外周側電極板２９−２に対応して直流電源２８を２つ設け、個別に電力を供給してもよい。
【００２８】
静電チャック２５の外周部２５ｂに至るエッジリング側ライン３６ｂは、内周側電極板２９−１と外周側電極板２９−２の間に設けられ、伝熱ガスを供給する。伝熱ガスは、エッジリング側ライン３６ｂを通り、供給孔１３６から静電チャック２５とエッジリング３０の間に供給される。
【００２９】
エッジリング３０の裏面には溝５０が設けられている。溝５０は、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの高周波電力（ＲＦ電力）に対するインピーダンスを変え、ウエハＷ側に流れる高周波電流とエッジリング３０側に流れる高周波電流のバランスを調整する。これにより、ウエハＷ上のプラズマの状態とエッジリング３０上のプラズマの状態を同じにすることで、プラズマエッチングにおけるウエハＷのエッジ部に生じるチルティングの改善を図ることができる。
【００３０】
例えば、ウエハＷ側よりもエッジリング３０側のインピーダンスが低いと、ウエハＷ側に流れる高周波電流に対するエッジリング３０側に流れる高周波電流の割合が高くなり、エッジリング側のプラズマ密度が高くなる。このため、ウエハＷのエッジ部に入射するイオンの入射角が傾き、チルティングが生じる。よって、本実施形態では、エッジリング３０側のインピーダンスを調整するためにエッジリング３０に溝５０を形成し、ウエハＷ側に流れる高周波電流とエッジリング３０側に流れる高周波電流のバランスを調整する。
【００３１】
ところが、伝熱ガスの供給孔１３６の上部に溝５０を形成すると、エッジリング側ライン３６ｂ内を通り供給孔１３６から出る電子の直進距離が伸びるため、異常放電が生じ易くなる。
【００３２】
図３のパッシェンの法則による放電開始電圧の曲線によれば、極小値Ｐ１が最も放電し易い圧力（Ｐ）×電極間距離（Ｔ）である。よって、極小値Ｐ１を避けることで放電開始電圧が上がり放電し難くすることができる。
【００３３】
例えば、極小値Ｐ１よりも左側の曲線では、圧力を一定としたとき、電極間距離（Ｔ）が短いほど放電開始電圧が上がり放電し難くなる。エッジリング３０の供給孔１３６の上部に溝５０を設けると、溝５０の空間（長さ）だけ電極間距離が長くなり、圧力×電極間距離の値が、極小値Ｐ１に近くなり、放電し易くなる。
【００３４】
異常放電が発生すると、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間で電子の移動が発生してエッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間が瞬間的にショートし、エッジリング３０の静電吸着力が低下する。静電吸着力が低下することで、エッジリング３０の裏面の伝熱ガスの流量が徐々に増大する。そうすると、エッジリング３０の裏面を流れる伝熱ガスの圧力が一定にならないため、エッジリング３０の処理温度が均一にならず、エッチングの均一性が悪くなる。
【００３５】
以上から、本実施形態にかかる載置台１１では、溝５０は、供給孔１３６の上部には設けない。これにより、供給孔１３６から導出される電子の直進距離が、溝５０の空間だけ伸びることを防止できる。この結果、エッジリング３０の裏面における異常放電を抑制でき、エッジリング３０の静電吸着力の低下を防ぐことができる。これにより、エッジリング３０の裏面を流れる伝熱ガスの圧力を一定にし、エッジリング３０の処理温度を均一に制御する。これにより、エッチングの均一性を図り、安定したプロセスを実現できる。
【００３６】
[実験結果]
図４は、溝の形態の異なる比較例１，２と本実施形態に設けられた供給孔１３６からの伝熱ガス（ここではＨｅガス）の流量の実験結果の一例を示す図である。図４の（ａ−１）のエッジリング断面図は、（ａ−２）のエッジリング裏面図のＡ−Ａ断面を示す。図４の（ｂ−１）のエッジリング断面図は、（ｂ−２）のエッジリング裏面図のＢ−Ｂ断面を示す。図４の（ｃ−１）のエッジリング断面図は、（ｃ−２）のエッジリング裏面図のＣ−Ｃ断面を示す。
【００３７】
（ａ）の比較例１では、図４の（ａ−１）のエッジリング断面図及び（ａ−２）のエッジリング裏面図に示すように、静電チャック２５の外周部２５ｂにはエッジリング側ライン３６ｂが設けられ、その先端の供給孔１３６は、外周部２５ｂの表面にて円周上に等間隔に６つ開口している。エッジリング３０の裏面には溝が設けられていない。
【００３８】
（ｂ）の比較例２では、（ｂ−１）及び（ｂ−２）に示すように、エッジリング３０の裏面には、供給孔１３６が配置される円周上に環状の溝４９が設けられている。溝４９と供給孔１３６とは連通する。
【００３９】
（ｃ）の本実施形態では、（ｃ−１）及び（ｃ−２）に示すように、エッジリング３０の裏面には、供給孔１３６が配置される円周上に扇状に溝５０が設けられる。本実施形態では、エッジリング３０の裏面の溝５０は、供給孔１３６の上部には設けられていない。かかる構造により、溝５０と供給孔１３６とは連通しない構造となっている。
【００４０】
比較例１，２及び本実施形態のいずれの場合にも、静電チャック２５の電極板２９（２９−１，２９−２）に印加する直流電圧は、それぞれ３．２５ｋＶに設定した。また、比較例１，２及び本実施形態について、任意のロットの３枚のウエハをＳｌｏｔ１、Ｓｌｏｔ２、Ｓｌｏｔ３で示し、それぞれのスロットにおけるエッジリング側ライン３６ｂから供給されるＨｅガスの流量の平均値を測定した。
【００４１】
この結果、比較例１では、Ｓｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ３から供給されるＨｅガスの流量は、１．４（ｓｃｃｍ）、１．５（ｓｃｃｍ）、１．６（ｓｃｃｍ）であった。また、比較例２では、Ｓｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ３から供給されるＨｅガスの流量は、３．６（ｓｃｃｍ）、４．７（ｓｃｃｍ）、５．０（ｓｃｃｍ）であった。これに対して、本実施形態では、Ｓｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ３から供給されるＨｅガスの流量は、いずれも０．９（ｓｃｃｍ）であった。
【００４２】
つまり、比較例１，２の実験結果から、比較例２の場合、エッジリング３０の裏面に溝４９を設けたため、エッジリング３０の裏面に溝がない比較例１と比較して、Ｈｅガスの流量が増加した。
【００４３】
比較例１では、エッジリング３０の裏面に溝がないため、電子の直進距離は比較例２のように長くならない。よって、異常放電は生じ難い。ただし、比較例１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの高周波電力に対するインピーダンスを変えることができない。よって、ウエハＷ側に流れる高周波電流とエッジリング３０側に流れる高周波電流のバランスを調整することができない。これにより、ウエハＷ上とエッジリング３０上のプラズマが異なる状態になり、プラズマエッチングにおけるウエハＷのエッジ部に生じるチルティングを抑制できない。
【００４４】
比較例２では、供給孔１３６が溝４９と連通するため、供給孔１３６から出る電子の直進距離が比較例１の場合の電子の直進距離よりも伸び、異常放電が生じ易くなる。異常放電が発生すると、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間で電子の移動が発生して瞬間的にショートし、エッジリング３０の静電吸着力が低下する。静電吸着力が低下することで、エッジリング３０の裏面のＨｅガスの流量が徐々に増大する。
【００４５】
これに対して、本実施形態に示すように扇状に溝５０を形成し、溝５０が供給孔１３６の上部には設けられていない構造とすることで、エッジリング３０の静電吸着力の低下を回避し、各スロットからのＨｅガスの流量を均一にすることができた。
【００４６】
エッジリング側ライン３６ｂ内の電子は、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの高周波電力によって加速される。比較例２のように供給孔１３６が溝４９と連通し、電子の飛行距離が長い場合には、電子が加速される距離が長いので、加速された電子はＨｅガスを電離させる。電離するＨｅガスの数が多くなると、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間で電子の移動が発生して瞬間的にショートし、エッジリング３０の静電吸着力が低下する。これにより、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間を流れるＨｅガスの流量制御が増大し、エッジリング３０の処理温度が均一にならず、エッチングの均一性が悪くなる。
【００４７】
一方、本実施形態のように供給孔１３６が溝５０と連通せず、比較例２と比べて電子の飛行距離が短い場合、電子が加速される距離が短いので、Ｈｅガスを電離させる程電子が加速する前に電子は壁等にぶつかり吸収され、放電現象は生じない。これにより、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間の電子の移動が発生せず、エッジリング３０の静電吸着力が保持される。
【００４８】
本実施形態に示すエッジリング３０では、溝５０間の間隔は、Ｈｅガスの供給孔１３６の直径よりも大きく、供給孔１３６の上部には溝５０は設けられていない。このため、比較例２のように電子の直進距離が伸びない。このため、エッジリング３０の裏面において、エッジリングの熱交換を行うためのＨｅガスを供給する供給孔１３６における放電を抑制することができる。これにより、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の外周部２５ｂの表面の間を流れるＨｅガスの圧力を一定にし、エッジリング３０の処理温度を均一に制御する。これにより、エッチングの均一性を図り、安定したプロセスを実現できる。
【００４９】
なお、溝５０が供給孔１３６の上部に設けられていないことを条件に、溝５０の形状はどのようなものであってもよい。溝５０は、エッジリング３０の裏面に設けられた第１の溝の一例である。
【００５０】
[変形例]
本実施形態に示すエッジリング３０では、溝５０がエッジリング３０の裏面に形成される。これにより、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの高周波電力に対するインピーダンスを変えることができる。このため、ウエハＷ側に流れる高周波電流とエッジリング３０側に流れる高周波電流のバランスを調整することができる。この結果、ウエハＷ上とエッジリング３０上のプラズマの状態を同一に制御でき、プラズマエッチングにおけるウエハＷのエッジ部に生じるチルティングを改善できる。
【００５１】
ただし、溝は、エッジリング３０の裏面に形成されることに限らない。例えば、一実施形態に係る溝の変形例について、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６は、一実施形態に係る溝の変形例を示す図である。
【００５２】
図５の左側のエッジリング断面図は、図５の右側の静電チャック表面図のＤ−Ｄ断面図である。エッジリング断面図に示すように、溝５１を載置台１１側のエッジリング３０が配置される面に設けてもよい。この場合、エッジリング３０の裏面には、溝５０がなくてもよい。この場合にも、静電チャック表面図に示すように、溝５１は供給孔１３６の上部には設けられていない。溝５１は、静電チャック２５の表面にて供給孔１３６が配置される円周上に扇状に形成されている。
【００５３】
なお、溝５１が供給孔１３６の上部に設けられていないことを条件に、溝５１の形状はどのようなものであってもよい。溝５１は、載置台１１のエッジリング３０が配置される面に設けられた第２の溝の一例である。
【００５４】
図６に示すように、エッジリング３０の裏面に溝５０を設け、かつ、載置台１１のエッジリング３０が配置される面に溝５１を設けてもよい。この場合にも、溝５０及び溝５１は供給孔１３６の上部には設けられていない。つまり、溝５０と供給孔１３６とは連通しない。同様に、溝５１と供給孔１３６とは連通としない。
【００５５】
このため、電子が加速される距離が溝５０，５１により長くならず、Ｈｅガスを電離させる程電子が加速する前に電子は壁等にぶつかり吸収され、放電現象は生じない。これにより、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の表面の間の電子の移動が発生せず、エッジリング３０の静電吸着力が保持される。これにより、エッジリング３０の裏面と静電チャック２５の外周部２５ｂの間を流れる伝熱ガスの圧力を一定にし、エッジリング３０の処理温度を均一に制御する。これにより、エッチングの均一性を図り、安定したプロセスを実現できる。
【００５６】
なお、エッジリング３０は、内側、中央及び外側に環状に三分割されたエッジリングや内側及び外側に環状に二分割されたエッジリングであってもよい。この場合においても、溝は、Ｈｅガスの供給孔１３６の上部には設けられず、溝と供給孔１３６とは連通しない。これにより、エッジリングの熱交換を行うためのＨｅガスを供給する供給孔における放電を抑制することができる。
【００５７】
今回開示された一実施形態に係る載置台、基板処理装置及びエッジリングは、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５８】
本開示の処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【００５９】
本明細書では、基板の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００６０】
１        基板処理装置
１０      処理容器
１１      載置台
２１ａ    第１の高周波電源
２１ｂ    第２の高周波電源
２５      静電チャック
２５ａ    中心部
２５ｂ    外周部
２６      電極板
２７      直流電源
２８      直流電源
２９      電極板
２９−１  内周側電極板
２９−２  外周側電極板
３０      エッジリング
３６ａ    ウエハ側ライン
３６ｂ    エッジリング側ライン
４３      制御部
５０      溝
５１      溝
１３６    供給孔
Ｗ        ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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