(57)【要約】      （修正有）【課題】適格な欠陥検査ができるアレイ基板、および放射線検出器を提供する。【解決手段】アレイ基板は、基板と、一方の面上に、複数の制御ラインと、該ラインに交差する複数のデータラインと、前記制御ライン及びデータラインが画する各領域に、対応する制御ライン及びデータラインとに接続され、放射線を直接的またはシンチレータと協働して変換する検出部と、基板の周縁近傍で前記複数の制御ライン及びデータラインのそれぞれと接続された放電部を備えている。前記放電部は、第１並びに第２のトランジスタを有し、第１のトランジスタの、ゲート電極とソース電極は、制御ライン及びデータラインの側とは反対側に接続され、ドレイン電極は、制御ライン及びデータラインの側に接続され、前記第２のトランジスタの、ゲート電極とソース電極は、制御ライン又はデータラインの側に接続され、ドレイン電極は、制御ライン及びデータラインの側の反対側に接続される。【選択図】図２
2019032271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、
前記基板の一方の面に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、
前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられ、対応する前記制御ラインと対応する前記データラインとに電気的に接続され、放射線を直接的またはシンチレータと協働して電気的な情報に変換する検出部と、
前記基板の周縁近傍に設けられ、前記複数の制御ライン、および、前記複数のデータラインのそれぞれと電気的に接続された第１の放電部と、
を備え、
前記第１の放電部は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続され、前記第１のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続されているアレイ基板。
【請求項２】
前記複数の制御ライン、および、前記複数のデータラインのそれぞれと、前記第１の放電部と、の間に電気的に接続された第２の放電部をさらに備え、
前記第２の放電部は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続され、前記第１のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続されている請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
基板と、
前記基板の一方の面に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、
前記基板の一方の面に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、
前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられ、対応する前記制御ラインと対応する前記データラインとに電気的に接続され、放射線を直接的またはシンチレータと協働して電気的な情報に変換する検出部と、
前記複数の制御ラインおよび前記複数のデータラインが設けられた領域を囲み、前記複数の制御ラインおよび前記複数のデータラインと電気的に接続された短絡用配線と、
前記複数の制御ラインのそれぞれと前記短絡用配線との間、および、前記複数のデータラインのそれぞれと前記短絡用配線との間に、直列接続された複数の放電部と、
を備え、
前記複数の放電部のそれぞれは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記短絡用配線の側に電気的に接続され、前記第１のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのドレイン電極は、前記短絡用配線の側に電気的に接続されているアレイ基板。
【請求項４】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、薄膜トランジスタである請求項１〜３のいずれか１つに記載のアレイ基板。
【請求項５】
請求項１または２に記載のアレイ基板を備えた放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、アレイ基板、および放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線検出器の一例にＸ線検出器がある。Ｘ線検出器には、アレイ基板が設けられている。アレイ基板は、基板と、基板の一方の面に設けられた複数の検出部とを有する。  
ここで、検出部に設けられる素子の中には、静電気に対する耐性が低いものがある。例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）などの半導体素子や、フォトダイオードなどの光電変換素子などは、一般的に、静電気に対する耐性が低い。そのため、アレイ基板を製造する際には、製造工程中において発生した静電気からこれらの素子を保護する必要がある。例えば、複数の検出部が設けられた領域を囲む短絡用配線（ショートリング；short ring）を設けて、製造工程において発生した静電気を短絡用配線を介して放電させるようにしている。そして、アレイ基板の製造工程中やアレイ基板の完成後などにおいて、複数の検出部における欠陥の有無を検査している。  
この場合、短絡用配線を介して急激な放電が生じると、検出部に設けられた素子が破損するおそれがある。そのため、検出部と短絡用配線との間に、薄膜トランジスタが設けられる場合がある。
【０００３】
ところが、短絡用配線を介した放電が行われた際に、検出部と短絡用配線との間に設けられた薄膜トランジスタが破損する場合がある。この場合、薄膜トランジスタの内部において絶縁破壊が生じ、薄膜トランジスタが短絡状態となる場合が多い。  
薄膜トランジスタが短絡状態となると、検査対象の検出部と短絡用配線とが導通状態となるので、検査対象の検出部における欠陥の有無を適格に検査することが困難となる。  
この場合、放電により薄膜トランジスタが破損したとしても、検出部に設けられた素子が破損するとは限らない。そのため、良品となるべきアレイ基板が、不良品と判定されるおそれがある。  
そこで、適格な欠陥検査を行うことができる技術の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７０７６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、適格な欠陥検査を行うことができるアレイ基板、および放射線検出器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るアレイ基板は、基板と、前記基板の一方の面に設けられ、第１の方向に延びる複数の制御ラインと、前記基板の一方の面に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に延びる複数のデータラインと、前記複数の制御ラインと、前記複数のデータラインと、により画された複数の領域のそれぞれに設けられ、対応する前記制御ラインと対応する前記データラインとに電気的に接続され、放射線を直接的またはシンチレータと協働して電気的な情報に変換する検出部と、前記基板の周縁近傍に設けられ、前記複数の制御ライン、および、前記複数のデータラインのそれぞれと電気的に接続された第１の放電部と、を備えている。  
前記第１の放電部は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、前記第１のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続され、前記第１のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲート電極とソース電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのドレイン電極は、前記制御ラインの側または前記データラインの側とは反対側に電気的に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】Ｘ線検出器を例示するための模式斜視図である。
【図２】カットラインに沿って切断する前のアレイ基板を例示するための模式図である。
【図３】第１の放電部および第２の放電部を例示するための回路図である。
【図４】他の実施形態に係るアレイ基板を例示するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
本実施の形態に係る放射線検出器は、Ｘ線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてＸ線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「Ｘ線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
【０００９】
また、以下に例示をするＸ線検出器１は、放射線画像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサである。Ｘ線平面センサには、大きく分けて直接変換方式と間接変換方式がある。
直接変換方式は、入射Ｘ線により光導電膜内部に発生した光導電電荷（電荷）を高電界により電荷蓄積用の蓄積キャパシタに直接導く方式である。  
間接変換方式は、Ｘ線をシンチレータにより蛍光（可視光）に変換し、蛍光をフォトダイオードなどの光電変換素子により電荷に変換し、電荷を蓄積キャパシタに導く方式である。  
以下においては、一例として、間接変換方式のＸ線検出器１を例示するが、本発明は直接変換方式のＸ線検出器にも適用することができる。  
すなわち、Ｘ線検出器は、Ｘ線を直接的またはシンチレータと協働して電気的な情報に変換する検出部を有するものであれば良い。
【００１０】
また、Ｘ線検出器１は、例えば、一般医療用途などに用いることができるが、用途に限定はない。
【００１１】
図１は、Ｘ線検出器１を例示するための模式斜視図である。  
図２は、カットライン２５ａ〜２５ｃに沿って切断する前のアレイ基板２を例示するための模式図である。  
図１に示すように、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２、信号処理部３、画像処理部４、シンチレータ５、防湿体６、および筐体７が設けられている。
【００１２】
アレイ基板２は、シンチレータ５によりＸ線から変換された蛍光を電気信号に変換する。
図２に示すように、アレイ基板２は、基板２ａ、光電変換部２ｂ、制御ライン（又はゲートライン）２ｃ１、データライン（又はシグナルライン）２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および配線パッド２ｄ１〜２ｄ３などを有することができる。  
なお、光電変換部２ｂ、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３などの数は例示をしたものに限定されるわけではない。  
また、アレイ基板２には、第１の放電部２２および第２の放電部２３をさらに設けることもできる。  
なお、カットライン２５ａ〜２５ｃに沿って切断する前のアレイ基板２には、短絡用配線２１および接続端子２４を設けることができる。
【００１３】
図１に示すように、アレイ基板２がＸ線検出器１に設けられる際には、すべての制御ライン２ｃ１と、すべてのデータライン２ｃ２とは、それぞれ分離されている必要がある。  そのため、最終的には、図２に示すように、配線パッド２ｄ１〜２ｄ３の外側に位置するカットライン２５ａ〜２５ｃに沿って基板２ａを切断している。基板２ａの切断は、例えば、カッターホイールを用いた切断やレーザスクライブによる切断などにより行うことができる。
【００１４】
すなわち、カットライン２５ａ〜２５ｃに沿って切断する前のアレイ基板２は、中央領域と、中央領域の外側の周縁領域とを有している。中央領域には、複数の制御ライン２ｃ１、複数のデータライン２ｃ２、複数のバイアスライン２ｃ３、複数の光電変換部２ｂ、および複数の配線パッド２ｄ１〜２ｄ３が設けられている。周縁領域には、短絡用配線２１および接続端子２４を設けることができる。
カットライン２５ａ〜２５ｃは、中央領域と周縁領域の境界となる。そのため、カットラインの位置によっては、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３が中央領域に設けられなかったり、複数の第２の放電部２３のみが中央領域に設けられたり、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３が中央領域に設けられたりする場合がある。  
例えば、カットライン２５ａに沿ってアレイ基板２を切断すれば、アレイ基板２の中央領域の部分には、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３が設けられないことになる。
カットライン２５ｂに沿ってアレイ基板２を切断すれば、アレイ基板２の中央領域の部分には、複数の第２の放電部２３が設けられ、複数の第１の放電部２２が設けられないことになる。
カットライン２５ｃに沿ってアレイ基板２を切断すれば、アレイ基板２の中央領域の部分には、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３が設けられることになる。
そして、Ｘ線検出器１には、アレイ基板２の中央領域の部分が設けられることになる。
【００１５】
基板２ａは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。  
光電変換部２ｂは、基板２ａの一方の面に複数設けられている。  
光電変換部２ｂは、矩形状を呈したものとすることができる。光電変換部２ｂは、平面視において、複数の制御ライン２ｃ１と、複数のデータライン２ｃ２と、により画された複数の領域のそれぞれに設けられている。複数の光電変換部２ｂは、マトリクス状に並べられている。光電変換部２ｂは、対応する制御ライン２ｃ１と対応するデータライン２ｃ２とに電気的に接続されている。  
なお、１つの光電変換部２ｂは、Ｘ線画像の１つの画素（pixel）に対応する。
【００１６】
複数の光電変換部２ｂのそれぞれには、光電変換素子２ｂ１と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２ｂ２が設けられている。  
また、光電変換素子２ｂ１において変換した電荷が供給される蓄積キャパシタを設けることができる。蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、薄膜トランジスタ２ｂ２の下に設けることができる。ただし、光電変換素子２ｂ１の容量によっては、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタを兼ねることができる。なお、以下においては、一例として、光電変換素子２ｂ１が蓄積キャパシタを兼ねる場合を例示する。
【００１７】
光電変換素子２ｂ１は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。  
薄膜トランジスタ２ｂ２は、蓄積キャパシタの役割をはたす光電変換素子２ｂ１への電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。  
図２に示すように、薄膜トランジスタ２ｂ２は、ゲート電極２ｂ２ａ、ドレイン電極２ｂ２ｂ及びソース電極２ｂ２ｃを有している。薄膜トランジスタ２ｂ２のゲート電極２ｂ２ａは、対応する制御ライン２ｃ１と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のドレイン電極２ｂ２ｂは、対応するデータライン２ｃ２と電気的に接続される。薄膜トランジスタ２ｂ２のソース電極２ｂ２ｃは、対応する光電変換素子２ｂ１と電気的に接続される。また、光電変換素子２ｂ１のアノード側は、対応するバイアスライン２ｃ３と電気的に接続される。
【００１８】
制御ライン２ｃ１は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。制御ライン２ｃ１は、例えば、行方向（第１の方向の一例に相当する）に延びている。  
１つの制御ライン２ｃ１は、複数の配線パッド２ｄ１のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ１には、フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ１に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた制御回路と電気的に接続されている。
【００１９】
データライン２ｃ２は、所定の間隔をあけて互いに平行に複数設けられている。データライン２ｃ２は、例えば、行方向に直交する列方向（第２の方向の一例に相当する）に延びている。  
１つのデータライン２ｃ２は、複数の配線パッド２ｄ２のうちの１つと電気的に接続されている。１つの配線パッド２ｄ２には、フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線のうちの１つが電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２ｅ２に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部３に設けられた信号検出回路と電気的に接続されている。
【００２０】
バイアスライン２ｃ３は、データライン２ｃ２とデータライン２ｃ２との間に、データライン２ｃ２と平行に複数設けられている。  
複数のバイアスライン２ｃ３は、配線パッド２ｄ３を介して図示しないバイアス電源と電気的に接続されている。図示しないバイアス電源は、例えば、信号処理部３などに設けることができる。  
なお、バイアスライン２ｃ３は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。バイアスライン２ｃ３が設けられない場合には、光電変換素子２ｂ１のアノード側が、バイアスライン２ｃ３に代えてグランドに電気的に接続される。
【００２１】
制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３は、例えば、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。  
また、基板２ａの上に設けられた光電変換部２ｂなどの要素を覆う図示しない保護層を設けることができる。保護層は、例えば、酸化物絶縁材料、窒化物絶縁材料、酸窒化物絶縁材料、および樹脂材料の少なくとも１種を含むものとすることができる。
【００２２】
図１に示すように、信号処理部３は、アレイ基板２の、シンチレータ５側とは反対側に設けられている。  
信号処理部３には、制御回路と、信号検出回路とが設けられている。  
制御回路は、薄膜トランジスタ２ｂ２のオン状態とオフ状態を切り替える。  
制御回路には、画像処理部４などから制御信号Ｓ１が入力される。制御回路は、Ｘ線画像の走査方向に従って、制御ライン２ｃ１に制御信号Ｓ１を入力する。  
例えば、制御回路は、フレキシブルプリント基板２ｅ１と制御ライン２ｃ１とを介して、制御信号Ｓ１を各制御ライン２ｃ１毎に順次入力する。制御ライン２ｃ１に入力された制御信号Ｓ１により薄膜トランジスタ２ｂ２がオン状態となり、蓄積キャパシタの役割をはたす光電変換素子２ｂ１からの電荷（画像データ信号Ｓ２）が受信できるようになる。
【００２３】
信号検出回路は、複数の積分アンプ、選択回路、およびＡＤコンバータなどを有する。  １つの積分アンプは、１つのデータライン２ｃ２と電気的に接続されている。積分アンプは、光電変換部２ｂからの画像データ信号Ｓ２を順次受信する。そして、積分アンプは、一定時間内に流れる電流を積分し、その積分値に対応した電圧を選択回路へ出力する。この様にすれば、所定の時間内にデータライン２ｃ２を流れる電流の値（電荷量）を電圧値に変換することが可能となる。すなわち、積分アンプは、シンチレータ５において発生した蛍光の強弱分布に対応した画像データ情報を、電位情報へと変換する。  
選択回路は、読み出しを行う積分アンプを選択し、電位情報へと変換された画像データ信号Ｓ２を順次読み出す。  
ＡＤコンバータは、読み出された画像データ信号Ｓ２をデジタル信号に順次変換する。デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２は、画像処理部４に入力される。
【００２４】
画像処理部４は、デジタル信号に変換された画像データ信号Ｓ２に基づいてＸ線画像を構成する。  
画像処理部４は、信号処理部３と一体化することができる。なお、画像処理部４は、信号処理部３とは分離して設けることもできる。この場合、画像処理部４は、配線を介して、信号処理部３と電気的に接続することができる。
【００２５】
シンチレータ５は、複数の光電変換素子２ｂ１の上に設けられ、入射するＸ線を可視光すなわち蛍光に変換する。シンチレータ５は、基板２ａの上の複数の光電変換部２ｂが設けられた領域（有効画素領域）を覆うように設けられている。  
シンチレータ５は、例えば、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを用いて形成することができる。この場合、真空蒸着法などを用いて、シンチレータ５を形成すれば、複数の柱状結晶の集合体からなるシンチレータ５が形成される。
【００２６】
また、シンチレータ５は、例えば、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などを用いて形成することもできる。この場合、複数の光電変換部２ｂごとに四角柱状のシンチレータ５が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気（空気）、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。なお、溝部が真空状態となるようにしてもよい。  
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ５の表面側（Ｘ線の入射面側）を覆うように図示しない反射層を設けることができる。
【００２７】
防湿体６は、空気中に含まれる水蒸気により、シンチレータ５の特性と図示しない反射層の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
防湿体６は、シンチレータ５と図示しない反射層を覆っている。防湿体６は、透湿性の低い材料から形成されている。防湿体６は、例えば、アルミニウム合金からなる箔から形成することができる。
【００２８】
筐体７は、箱状を呈している。筐体７は、例えば、ステンレスなどの金属や、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリカーボネイト樹脂、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ；Carbon-Fiber-Reinforced Plastic）などの樹脂を用いて形成することができる。また、筐体７のＸ線の入射側は入射窓７ａとなっている。入射窓７ａは、板状を呈し、Ｘ線吸収率の低い材料から形成されている。入射窓７ａは、例えば、炭素繊維強化プラスチックなどを用いて形成することができる。
【００２９】
また、筐体７の内部には図示しない支持板を設けることができる。支持板は、板状を呈し、筐体７の内部に固定することができる。支持板のＸ線の入射側の面には、アレイ基板２とシンチレータ５を設けることができる。支持板のＸ線の入射側とは反対側の面には、回路基板３および画像処理部４を設けることができる。支持板は、ある程度の剛性を有し、Ｘ線吸収率がある程度高い材料から形成することが好ましい。支持板の材料は、例えば、ステンレスやアルミニウム合金などの金属とすることができる。
【００３０】
ここで、光電変換部２ｂに設けられた光電変換素子２ｂ１と薄膜トランジスタ２ｂ２は、一般的に、静電気に対する耐性が低い。  
また、人体に対して大量のＸ線照射を行うと健康への悪影響があるため、人体へのＸ線照射量は必要最低限に抑えられる。そのため、Ｘ線検出器１に入射するＸ線の強度は非常に弱いものとなり、薄膜トランジスタ２ｂ２を介して出力される画像データ信号Ｓ２が極めて微弱なものとなる。この様な微弱な信号を扱う薄膜トランジスタ２ｂ２は、静電気によって容易に特性が変化するか、もしくは破壊されてしまう。
【００３１】
この場合、光電変換素子２ｂ１と薄膜トランジスタ２ｂ２は、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、およびバイアスライン２ｃ３と電気的に接続されている。  
そのため、アレイ基板２を製造する際には、図２に示すように、すべての制御ライン２ｃ１は、配線パッド２ｄ１を介して短絡用配線２１と電気的に接続されている。すべてのデータライン２ｃ２は、配線パッド２ｄ２を介して短絡用配線２１と電気的に接続されている。すべてのバイアスライン２ｃ３は、配線パッド２ｄ３を介して短絡用配線２１と電気的に接続されている。
この様にすれば、製造工程において発生した静電気を短絡用配線２１を介して放電させることができる。
【００３２】
短絡用配線２１は、複数の制御ライン２ｃ１、複数のデータライン２ｃ２、および複数のバイアスライン２ｃ３が設けられた領域を囲むように設けられている。また、短絡用配線２１は、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３の外側に設けられている。  
短絡用配線２１は、アルミニウムやクロムなどの低抵抗金属を用いて形成することができる。この場合、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および短絡用配線２１を同じ材料から形成すれば、同一工程において、制御ライン２ｃ１、データライン２ｃ２、バイアスライン２ｃ３、および短絡用配線２１を同時に形成することができる。
【００３３】
接続端子２４は、短絡用配線２１に電気的に接続されている。接続端子２４の数や配置には特に限定はない。例えば、接続端子２４は、短絡用配線２１の外側に設けることもできるし、短絡用配線２１の内側に設けることもできる。  
なお、接続端子２４は、必ずしも必要ではなく省くこともできる。  
しかしながら、アレイ基板２において発生した静電気は、短絡用配線２１を介して外部に放電させる。そのため、接続端子２４を設ければ、短絡用配線２１とグランド線との電気的な接続を容易とすることができる。
【００３４】
第１の放電部２２および第２の放電部２３は、配線パッド２ｄ１と短絡用配線２１との間、配線パッド２ｄ２と短絡用配線２１との間、および、配線パッド２ｄ３と短絡用配線２１との間に電気的に接続されている。第１の放電部２２と第２の放電部２３は、直列接続されている。
【００３５】
図３は、第１の放電部２２および第２の放電部２３を例示するための回路図である。  
図３に示すように、第１の放電部２２は、トランジスタ２２ａ（第１のトランジスタの一例に相当する）およびトランジスタ２２ｂ（第２のトランジスタの一例に相当する）を有する。  
トランジスタ２２ａのゲート電極２２ａｇとソース電極２２ａｓは、短絡用配線２１の側の配線に電気的に接続されている。トランジスタ２２ａのドレイン電極２２ａｄは、光電変換部２ｂの側の配線に電気的に接続されている。  
トランジスタ２２ｂのゲート電極２２ｂｇとソース電極２２ｂｓは、光電変換部２ｂの側の配線に電気的に接続されている。トランジスタ２２ｂのドレイン電極２２ｂｄは、短絡用配線２１の側の配線に電気的に接続されている。
【００３６】
第２の放電部２３は、トランジスタ２３ａ（第１のトランジスタの一例に相当する）およびトランジスタ２３ｂ（第２のトランジスタの一例に相当する）を有する。  
トランジスタ２３ａのゲート電極２３ａｇとソース電極２３ａｓは、短絡用配線２１の側の配線に電気的に接続されている。トランジスタ２３ａのドレイン電極２３ａｄは、光電変換部２ｂの側の配線に電気的に接続されている。  
トランジスタ２３ｂのゲート電極２３ｂｇとソース電極２３ｂｓは、光電変換部２ｂの側の配線に電気的に接続されている。トランジスタ２３ｂのドレイン電極２３ｂｄは、短絡用配線２１の側の配線に電気的に接続されている。
【００３７】
光電変換部２ｂの側の領域に静電気が発生した場合、トランジスタ２３ｂのゲート電極２３ｂｇに電圧が印加される。ゲート電極２３ｂｇに印加される電圧が所定の値を超えた場合には、ソース電極２３ｂｓとドレイン電極２３ｂｄとの間に電流が流れる。ソース電極２３ｂｓとドレイン電極２３ｂｄとの間に電流が流れ、トランジスタ２２ｂのゲート電極２２ｂｇに印加される電圧が所定の値を超えた場合には、ソース電極２２ｂｓとドレイン電極２２ｂｄとの間に電流が流れる。そのため、光電変換部２ｂの側の領域と、短絡用配線２１の側の領域との間の電位差を小さくすることができるので、異常放電が生じるのを抑制することができる。  
またさらに、光電変換部２ｂの側の領域に発生した静電気を、短絡用配線２１を介して放電させることができる。
【００３８】
短絡用配線２１の側の領域に静電気が発生した場合、トランジスタ２２ａのゲート電極２２ａｇに電圧が印加される。ゲート電極２２ａｇに印加される電圧が所定の値を超えた場合には、ソース電極２２ａｓとドレイン電極２２ａｄとの間に電流が流れる。ソース電極２２ａｓとドレイン電極２２ａｄとの間に電流が流れ、トランジスタ２３ａのゲート電極２３ａｇに印加される電圧が所定の値を超えた場合には、ソース電極２３ａｓとドレイン電極２３ａｄとの間に電流が流れる。そのため、光電変換部２ｂの側の領域と、短絡用配線２１の側の領域との間の電位差を小さくすることができるので、異常放電が生じるのを抑制することができる。
またさらに、短絡用配線２１の側の領域に発生した静電気を、短絡用配線２１を介して放電させることができる。
【００３９】
トランジスタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂは、薄膜トランジスタとすることができる。トランジスタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂが薄膜トランジスタであれば、薄膜トランジスタ２ｂ２を形成する際に同時に形成することができる。  
トランジスタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂの電気特性は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。ただし、トランジスタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂの電気特性が同じであれば、製造工程の簡略化を図ることができる。例えば、トランジスタ２２ａ、２２ｂ、２３ａ、２３ｂは、ゲート電極に印加された電圧が５０Ｖ以上の場合には導通状態となり、印加された電圧が５０Ｖ未満の場合には絶縁状態となるようにすることができる。
【００４０】
また、光電変換部２ｂと短絡用配線２１との間に２つの放電部（第１の放電部２２および第２の放電部２３）が直列接続される場合を例示したが、３つ以上の放電部が直列接続されていてもよい。
すなわち、直列接続された複数の放電部は、複数の制御ライン２ｃ１のそれぞれと短絡用配線２１との間、複数のデータライン２ｃ２のそれぞれと短絡用配線２１との間、および、複数のバイアスライン２ｃ３と短絡用配線２１との間に設けることができる。
そして、複数の放電部のそれぞれは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有することができる。
第１のトランジスタのゲート電極とソース電極は、短絡用配線２１の側に電気的に接続することができる。第１のトランジスタのドレイン電極は、制御ライン２ｃ１の側、データライン２ｃ２の側、およびバイアスライン２ｃ３の側のいずれかに電気的に接続することができる。
第２のトランジスタのゲート電極とソース電極は、制御ライン２ｃ１の側、データライン２ｃ２の側、およびバイアスライン２ｃ３の側のいずれかに電気的に接続することができる。第２のトランジスタのドレイン電極は、短絡用配線２１の側に電気的に接続することができる。
【００４１】
ここで、アレイ基板２の製造工程中やアレイ基板２の完成後などにおいて、複数の光電変換部２ｂにおける欠陥の有無を検査している。前述したように、放電部に設けられたトランジスタのゲート電極に所定の電圧が印加されていなければ、トランジスタは導通状態とならないので、第２の放電部２３と光電変換部２ｂとの間の配線に検査用のプローブなどを接触させて検査を行うことができる。
【００４２】
ところが、短絡用配線２１を介した放電が行われた際に、放電部に設けられたトランジスタが破損する場合がある。短絡用配線２１を介した放電によりトランジスタが破損する場合には、トランジスタの内部において絶縁破壊が生じ、トランジスタが短絡状態となる場合が多い。全てのトランジスタが短絡状態になると、検査対象の光電変換部２ｂと短絡用配線２１とが導通状態となるので、検査対象の光電変換部２ｂにおける欠陥の有無を適格に検査することが困難となる。
【００４３】
この場合、放電により放電部のトランジスタが破損したとしても、光電変換部２ｂに設けられた素子が破損するとは限らない。そのため、全てのトランジスタが短絡状態になると、良品であるはずのアレイ基板２が、不良品と判定されるおそれがある。
【００４４】
本実施の形態に係るアレイ基板２には、直列接続された複数の放電部が設けられている。そのため、静電気が発生した領域の近くに設けられた放電部のトランジスタが破損したとしても、当該放電部に直列接続された放電部のトランジスタは破損を免れ易くなる。すなわち、全てのトランジスタが破損する確率を低下させることができる。この場合、直列接続される放電部の数を多くすれば、全てのトランジスタが破損する確率をさらに低下させることができる。  
そのため、直列接続された複数の放電部が設けられていれば、適格な欠陥検査を行うことができる。
【００４５】
前述したように、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３は、アレイ基板２の製造工程中において発生した静電気から薄膜トランジスタ２ｂ２や光電変換素子２ｂ１を保護するために設けられている。
また、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３は、アレイ基板２の製造工程中やアレイ基板２の完成後などにおいて、複数の光電変換部２ｂにおける欠陥の有無を検査する際に、複数の光電変換部２ｂと短絡用配線２１との間を絶縁するために設けられている。
ところが、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３は、Ｘ線検出器１の機能には直接関係がない。
そのため、カットライン２５ａに沿ってアレイ基板２を切断すれば、Ｘ線検出器１に設けられるアレイ基板２の中央領域の部分を小さくすることができるので、Ｘ線検出器１の小型化を図ることができる。
【００４６】
ところが、カットライン２５ａに沿ってアレイ基板２を切断すれば、複数の配線パッド２ｄ１〜２ｄ３の端部、または、複数の配線パッド２ｄ１〜２ｄ３と複数の第２の放電部２３との間に設けられた配線の端部が、アレイ基板２の周端面から露出することになる。  そのため、アレイ基板２の周端面に導電性の異物が付着すると、制御ライン２ｃ１同士が短絡したり、データライン２ｃ２同士が短絡したり、バイアスライン２ｃ３とデータライン２ｃ２が短絡したり、バイアスライン２ｃ３と制御ライン２ｃ１が短絡したりするおそれがある。これらのラインが短絡すると、Ｘ線検出器１が正常に動作しなくなる。
この場合、アレイ基板２の周端面に絶縁材料からなる膜を設けることもできる。しかしながら、アレイ基板２の周端面に絶縁材料からなる膜を設ければ製造コストが増大する。また、塗布などにより、アレイ基板２の周端面に膜を形成すれば、ムラなどにより複数の配線パッド２ｄ１〜２ｄ３の端部、または、配線の端部が、露出するおそれがある。そのため、塗布状態を検査する必要が生じ得る。
【００４７】
一方、カットライン２５ｂに沿ってアレイ基板２を切断すれば、複数の第２の放電部２３の端部が、アレイ基板２の周端面から露出することになる。
また、カットライン２５ｃに沿ってアレイ基板２を切断すれば、複数の第１の放電部２２の端部が、アレイ基板２の周端面から露出することになる。  
前述したように、印加された電圧が所定の値未満の場合には、複数の第１の放電部２２および複数の第２の放電部２３は、絶縁状態となっている。  
そのため、アレイ基板２の周端面に導電性の異物が付着したとしても、前述したラインの短絡が発生するのを抑制することができる。  
また、アレイ基板２の周端面に絶縁材料からなる膜を設けるのを省くこともできる。
【００４８】
図４は、他の実施形態に係るアレイ基板１２を例示するための模式図である。  
なお、図４は、カットライン２５ａ〜２５ｄに沿って切断する前のアレイ基板１２を例示するための模式図である。  
図４に示すように、アレイ基板１２には、検査用端子２６がさらに設けられている。  
すなわち、アレイ基板１２は、アレイ基板２に検査用端子２６をさらに設けたものである。  
検査用端子２６は、配線パッド２ｄ１と第２の放電部２３との間、配線パッド２ｄ２と第２の放電部２３との間、および、配線パッド２ｄ３と第２の放電部２３との間に電気的に接続されている。  
検査用端子２６が設けられていれば、前述した欠陥検査を行う際に、プローブを検査用端子２６に接触させることができる。そのため、適格な欠陥検査を行うことが容易となる。また、検査の効率も向上させることができる。
【００４９】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  Ｘ線検出器、２  アレイ基板、２ａ  基板、２ｂ  光電変換部、２ｂ１  光電変換素子、２ｂ２  薄膜トランジスタ、２ｃ１  制御ライン、２ｃ２  データライン、２ｃ３  バイアスライン、３  信号処理部、４  画像処理部、５  シンチレータ、２１  短絡用配線、２２  第１の放電部、２３  第２の放電部、２５ａ〜２５ｄ  カットライン、２６  検査用端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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