(57)【要約】【課題】樹脂基材と該樹脂基材の表面に形成された金属層との間の密着性が向上し、且つ当該金属層上に施される電気めっきのめっき速度の低下が抑制される金属被覆樹脂製品の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る金属被覆樹脂製品の製造方法は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材の表面に、物理蒸着法又は化学蒸着法により、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成される合金層を形成することによって、前記合金層中のＰｄを前記ＣＯＯ基及び前記ＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合させる前処理工程と、前記合金層上に、電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を備える。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材の表面に、物理蒸着法又は化学蒸着法により、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成される合金層を形成することによって、前記合金層中のＰｄを前記ＣＯＯ基及び前記ＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合させる前処理工程と、
前記合金層上に、電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を備えることを特徴とする金属被覆樹脂製品の製造方法。
【請求項２】
前記前処理工程では、前記物理蒸着法としてのスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１に記載の金属被覆樹脂製品の製造方法。
【請求項３】
前記水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種から選択されることを特徴とする請求項１又は２に記載の金属被覆樹脂製品の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂基材は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂のうちの少なくともいずれか１種から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属被覆樹脂製品の製造方法。
【請求項５】
ＣＯＯ基及びＣＮ基のうち少なくともいずれか一方を有する樹脂基材と、
前記樹脂基材上に設けられた合金層と、を備え、
前記合金層は、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成され、前記合金層中のＰｄは、前記ＣＯＯ基及び前記ＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合していることを特徴とする金属被覆樹脂基材。
【請求項６】
前記水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種から選択されることを特徴とする請求項５に記載の金属被覆樹脂基材。
【請求項７】
前記樹脂基材は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂のうちの少なくともいずれか１種から選択されることを特徴とする請求項５又は６に記載の金属被覆樹脂基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属被覆樹脂製品の製造方法及び金属被覆樹脂基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、樹脂基材の表面に金属めっき層を形成した樹脂製品が知られている。この樹脂製品は、軽量で、成形性や加工性に優れ、防錆加工も不要であることから、例えば、自動車内装部品や家具、建築材、家電製品、携帯電子機器等の様々な製品や物品の表皮材や部品等として、多く利用されてきている。
【０００３】
従来の一般的な金属めっき層の形成方法として、樹脂基材に対して、エッチング工程、エッチング中和工程、触媒付与工程、無電解めっき工程等の前処理工程を施し、樹脂基材の表面に導電性を付与した後、硫酸銅めっき、半光沢ニッケルめっき、光沢ニッケルめっき、クロムめっき等の電気めっきを施す方法等が知られている。
【０００４】
ところで、前処理工程におけるエッチング工程では、現在でも高濃度のクロム酸（６価クロム）が使用されているが、作業環境を含む環境性の観点から、近年では、クロム酸（６価クロム）を使ったエッチング工程を廃止すべく、電気めっきの前処理工程において様々な技術が提案されている。
【０００５】
例えば、クロム酸を使ったエッチング工程を含まない電気めっきの前処理工程としては、物理蒸着や化学蒸着により、樹脂基材の表面に金属層を形成する技術がある。
【０００６】
例えば、特許文献１には、スパッタリングにより、樹脂基材の表面に金属層を形成した後、樹脂基材に形成された金属層上に電気めっきを施す技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−３１５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、物理蒸着や化学蒸着により、樹脂基材の表面に金属層を形成する前処理技術においては、樹脂基材と金属層との密着性が低いという問題がある。また、樹脂基材の表面に形成された金属層を構成する金属種によっては、金属層上に施される電気めっきのめっき速度が低下するという問題もある。
【０００９】
そこで、本発明は、樹脂基材と該樹脂基材の表面に形成された金属層との間の密着性が向上し、且つ当該金属層上に施される電気めっきのめっき速度の低下が抑制される金属被覆樹脂製品の製造方法及び金属被覆樹脂基材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る金属被覆樹脂製品の製造方法は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材の表面に、物理蒸着法又は化学蒸着法により、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成される合金層を形成することによって、前記合金層中のＰｄを前記ＣＯＯ基及び前記ＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合させる前処理工程と、前記合金層上に、電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、前記金属被覆樹脂製品の製造方法において、前記前処理工程では、前記物理蒸着法としてのスパッタリング法を用いることが好ましい。
【００１２】
また、前記金属被覆樹脂製品の製造方法において、前記水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種から選択されることが好ましい。
【００１３】
また、前記金属被覆樹脂製品の製造方法において、前記樹脂基材は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂のうちの少なくともいずれか１種から選択されることが好ましい。
【００１４】
また、本発明に係る金属被覆樹脂基材は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材と、前記樹脂基材上に設けられた合金層と、を備え、前記合金層は、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成され、前記合金層中のＰｄは、前記ＣＯＯ基及び前記ＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合していることを特徴とする。
【００１５】
また、前記金属被覆樹脂基材において、前記水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくともいずれか１種から選択されることが好ましい。
【００１６】
また、前記金属被覆樹脂基材において、前記樹脂基材は、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂のうちの少なくともいずれか１種から選択されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、樹脂基材と該樹脂基材の表面に形成された金属層との間の密着性が向上し、且つ当該金属層上に施される電気めっきのめっき速度の低下が抑制される金属被覆樹脂製品の製造方法及び金属被覆樹脂基材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る金属被覆樹脂基材を備える金属被覆樹脂製品の模式断面図である。
【図２】スパッタリング法により、樹脂基材の表面に合金層を形成するためのスパッタリング装置を示す模式図である。
【図３】実施例１，２及び比較例１の樹脂基材と合金層との界面におけるＰｄ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を示す図である。
【図４】実施例１，２及び比較例１の樹脂基材と合金層との界面におけるＡｇ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を実施するための形態（以下「本実施形態」という）について説明する。本実施形態は本発明を実施する一例であって、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００２０】
図１は、本実施形態に係る金属被覆樹脂基材を備える金属被覆樹脂製品の模式断面図である。図１に示す金属被覆樹脂製品１は、本実施形態に係る金属被覆樹脂基材１０と、金属めっき層１２と、を備える。金属被覆樹脂基材１０は、樹脂基材１４と、該樹脂基材１４の表面に設けられた合金層１６と、を備える。合金層１６においては、樹脂基材１４と接触する面と反対側の面が、金属めっき層１２が形成される表面となり、当該表面に金属めっき層１２が形成されている。
【００２１】
金属めっき層１２は、電気めっき法により、金属被覆樹脂基材１０の合金層１６上に形成される。金属めっき層１２は、例えば、金属被覆樹脂基材１０の合金層１６上に、硫酸銅めっき層、半光沢ニッケルめっき層、光沢ニッケルめっき層、クロムめっき層の順に形成された金属めっき層等が挙げられるが、これに制限されるものではなく、金属被覆樹脂製品１の用途や要求特性等に応じて適宜決定されればよい。
【００２２】
金属被覆樹脂基材１０を構成する樹脂基材１４は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材１４であり、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂（ＡＳＡ樹脂）等が挙げられる。これらの樹脂は１種単独でも、２種以上を組み合わせてもよい。
【００２３】
樹脂基材１４の厚さは、特に制限されるものではなく、金属被覆樹脂製品１の用途や要求特性等に応じて適宜決定されるものであればよいが、例えば、２〜７ｍｍ程度の厚さである。
【００２４】
樹脂基材１４は、例えば、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂を成形することにより得られる。樹脂の成形方法は、特に制限されるものではなく、射出成形、圧縮成形、押出成形、ブロー成形等の各種成形方法が採用される。
【００２５】
金属被覆樹脂基材１０を構成する合金層１６は、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成され、Ｐｄは、樹脂基材１４におけるＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合している。ＰｄがＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合しているか否かは、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）により確認することができる（具体的には実施例の欄を参照）。
【００２６】
水素よりイオン化傾向の低い金属は、例えば、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｈｇ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ等が挙げられる。これらは１種単独でも、２種以上を組み合わせてもよい。なお、Ｐｄも水素よりイオン化傾向の低い金属であるが、本明細書における水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ｐｄとの合金であるので、Ｐｄが含まれないことは当然に理解されるものである。
【００２７】
合金層１６は、後述するように、物理蒸着法又は化学蒸着法により樹脂基材１４の表面に形成される。ここで、Ｐｄは酸に偏り、ＣＯＯ基やＣＮ基は塩基に偏るため、物理蒸着法や化学蒸着法によって、ターゲットから放出されたＰｄ原子が樹脂基材１４に衝突することで、樹脂基材１４におけるＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合すると推察される。
【００２８】
このように、本実施形態に係る金属被覆樹脂基材１０は、合金層１６中のＰｄが、樹脂基材１４におけるＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合しているため、合金層が樹脂基材表面に単に物理的に付着している場合（すなわち、合金層中の金属種が樹脂基材と化学結合していない場合）と比べて、樹脂基材と樹脂基材の表面に形成される合金層との間の密着性が向上する。そして、本実施形態に係る金属被覆樹脂基材１０を用いることで、例えば、電気めっき法により、合金層１６上に金属めっき層１２を形成する際に使用するめっき溶液によって、合金層１６が樹脂基材１４から剥離されることが抑えられ、ひいては合金層１６上に金属めっき層１２を安定して形成することが可能となる。
【００２９】
また、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成される合金層１６は、水素よりイオン化傾向の低い金属を含まない合金層と比べて、電気化学的安定性が高い。したがって、本実施形態に係る金属被覆樹脂基材１０を用いることで、例えば、電気めっき法により、合金層１６上に金属めっき層１２を形成する際に使用するめっき溶液によって、合金層１６の劣化が抑えられ、これにより、合金層１６上に施される電気めっきのめっき速度の低下が抑制される。
【００３０】
電気めっきのめっき速度の低下をより抑制する点等から、水素よりイオン化傾向の低い金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくともいずれか１種から選択されることが好ましい。合金層１６中にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくともいずれか１種が含まれることで、合金層１６中にＡｕ、Ａｇ及びＣｕが含まれない場合と比較して、合金層１６の導電性が向上するため、電気めっきのめっき速度の低下がより抑制される。
【００３１】
合金層１６を構成する合金の組成比は、Ｐｄが３原子％以上１５原子％以下であり、水素よりイオン化傾向の低い金属が８５原子％以上９７原子％以下であることが好ましく、Ｐｄが５原子％以上１０原子％以下であり、水素よりイオン化傾向の低い金属が９０原子％以上９５原子％以下であることがより好ましい。合金の組成比において、Ｐｄが３原子％未満であり、水素よりイオン化傾向の低い金属が９７原子％超であると、上記範囲を満たす場合と比較して、例えば、合金層１６と樹脂基材１４との密着性が低下する場合がある。また、合金の組成比において、Ｐｄが１５質量％超であり、水素よりイオン化傾向の低い金属が８５原子％未満であると、上記範囲を満たす場合と比較して、例えば、合金層１６の導電性が低下し、電気めっきのめっき速度の低下抑制効果が低減する場合がある。
【００３２】
合金層１６は、Ｐｄ及び水素よりイオン化傾向の低い金属の他に、本願発明の効果を損なわない範囲において、水素よりイオン化傾向の高い金属を含んでいてもよい。
【００３３】
合金層１６の厚さは、特に制限されるものではないが、金属被覆樹脂製品１の用途や要求特性等に応じて適宜決定されるものであればよいが、例えば、０．００１μｍ以上１μ以下の範囲である。
【００３４】
本実施形態に係る金属被覆樹脂製品１の製造方法は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材１４の表面に、物理蒸着法又は化学蒸着法により、Ｐｄと、水素よりイオン化傾向の低い金属と、を含む合金から構成される合金層１６を形成することによって、合金層１６中のＰｄを前記ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方と配位結合させる前処理工程と、合金層１６上に、電気めっき法により金属めっき層１２を形成する電気めっき工程と、備える。
【００３５】
前処理工程における物理蒸着法（ＰＶＤ法）としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が挙げられる。また、前処理工程における化学蒸着法（ＣＶＤ法）としては、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等が挙げられる。これらの中では、樹脂基材１４の表面上に、Ｐｄと水素よりイオン化傾向の低い金属を含む合金を形成し易い等の点で、スパッタリング法が好ましい。
【００３６】
図２は、スパッタリング法により、樹脂基材の表面に合金層を形成するためのスパッタリング装置を示す模式図である。図２に示すスパッタリング装置２４は、真空チャンバ２８を備えた、従来公知の構造を有している。真空チャンバ２８は、周壁部２６を有し、かかる周壁部２６の内周面における周上の一箇所には、ターゲット３０が、スパッタカソード３２を介して交換可能に取り付けられている。また、真空チャンバ２８の底壁部上には、樹脂基材１４を取り外し可能に支持する支持装置３４が、立設されている。更に、この支持装置３４には、図示しないスパッタアノードが設置されている。そして、周壁部２６の内周面上に位置するスパッタカソード３２と、支持装置３４に設けられたスパッタアノードとの間に、図示しない電源装置にて電圧が印加されるようになっている。
【００３７】
また、真空チャンバ２８の周壁部２６の周方向の互いに異なる箇所には、ガス導入パイプ３６とガス排出パイプ３８とが、それぞれの一端部において、真空チャンバ２８内に開口した状態で接続されている。そして、ガス導入パイプ３６は、真空チャンバ２８側とは反対側の端部において、不活性ガスなどの反応ガスを供給するガス供給装置（図示せず）に接続されている。一方、ガス排出パイプ３８は、真空チャンバ２８側とは反対側の端部側において、真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００３８】
スパッタリング装置２４を用いて、樹脂基材１４の表面上に、合金層を形成する際には、先ず、図２に示されるように、周壁部２６の内周面上に、スパッタカソード３２を介して、ターゲット３０を取り付ける。ターゲット３０は、Ｐｄと水素よりイオン化傾向の低い金属とを含む合金材料を用いる。そして、真空チャンバ２８内の支持装置３４に樹脂基材１４をセットし、樹脂基材１４の表面をターゲット３０と対向させる。樹脂基材１４は、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうちの少なくともいずれか一方を有する樹脂基材であり、例えば、ポリカーボネート樹脂等を射出成形した基材等である。
【００３９】
次に、ガス排出パイプ３８に接続された真空ポンプ（図示せず）を作動して、真空チャンバ２８内を真空状態とする。このときの真空チャンバ２８内の圧力は、例えば１〜５Ｐａ程度とされる。その後、例えば、アルゴンガスなどの不活性ガスからなる反応ガスを、図示しないガス供給装置から、ガス導入パイプ３６を通じて、真空チャンバ２８内に導入する。そして、反応ガスが真空チャンバ２８内に充満したら、図示しない電源装置を作動させて、スパッタカソード３２とスパッタアノード（図示せず）との間に所定の電圧を印加する。これによって、真空チャンバ２８内におけるターゲット３０と樹脂基材１４との間の空間にプラズマを発生させて、ターゲット３０の放出面（樹脂基材１４との対向面）においてスパッタリング現象を惹起させて、ターゲット３０からＰｄ及び水素よりイオン化傾向の低い金属の原子を放出させ、これらの原子を、樹脂基材１４の表面に衝突させて、付着させる。このようにして、樹脂基材１４の表面に、Ｐｄ及び水素よりイオン化傾向の低い金属を含む合金から構成される合金層を形成し、当該合金層中のＰｄを樹脂基材１４のＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合させる。
【００４０】
前処理工程後の電気めっき工程では、金属被覆樹脂製品の用途等に応じて、各種の電気めっきを行えばよい。例えば、金属被覆樹脂製品を自動車用外装部品として使用する場合には、金属被覆樹脂基材の合金層上に、電気めっきとして、硫酸銅めっき、半光沢ニッケルめっき、光沢ニッケルめっき、クロムめっきの順で各電気めっきを行う。具体的には、金属被覆樹脂基材を、電気めっきを行う各種の電気めっき槽に順次浸漬する。各電気めっき槽には、各電気めっきに応じためっき溶液が満たされていて、その中には陽極電極が備えられている。そして、陽極電極に対し陽極電圧を印加し、金属被覆樹脂基材に対し陰極電圧を印加することにより、めっき溶液中に溶解している金属成分が、金属被覆樹脂基材の合金層上に析出して、合金層上に金属めっき層を形成する。これらの電気めっきは一例であって、上記に制限されるものではない。
【００４１】
本実施形態に係る金属被覆樹脂製品の製造方法によれば、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうち少なくともいずれか一方を有する樹脂基材の表面に、物理蒸着法又は化学蒸着法により、Ｐｄ及び水素よりイオン化傾向の低い金属を含む合金から構成される合金層を形成することによって、当該合金層中のＰｄを樹脂基材のＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合させているため、合金層と樹脂基材との密着性を向上させることが可能となる。その結果、例えば、電気めっき法による金属めっき層を形成する際に使用するめっき溶液によって、合金層が樹脂基材から剥離されることが抑えられ、ひいては合金層上に金属めっき層を安定して形成することが可能となる。また、Ｐｄ及び水素よりイオン化傾向の低い金属を含む合金層は、電気化学的に安定であるため、例えば、合金層上に金属めっき層を形成する際に使用するめっき溶液によって、合金層の劣化が抑えられる。これにより、合金層上に金属めっき層を形成するために行う電気めっきのめっき速度の低下が抑制される。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例に基づき、本発明の実施形態をさらに具体的に説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
樹脂基材として、ポリカーボネート樹脂とアクリロニトリル−スチレン−アクリレート樹脂（ＡＳＡ樹脂）との共重合型樹脂基材（以下、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材と称する）を用いた。ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材は、ＣＯＯ基及びＣＮ基を含む樹脂基材である。
【００４４】
スパッタリング法により、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材の表面に、Ｐｄ−Ａｇ合金から構成される合金層を形成し、金属被覆樹脂基材を得た。具体的には、まず、Ｐｄ−Ａｇ合金のターゲットをスパッタリング装置に設置した。ターゲットとして使用したＰｄ−Ａｇ合金の組成比は、Ｐｄが７質量％、Ａｇが９３質量％である。次に、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材の表面が上記ターゲットと対向するように、スパッタリング装置内に設置した。そして、スパッタリング装置の真空チャンバ内を８．０×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入して全圧約２．０×１０−２Ｐａとし、電力６ｋＷを加えて、樹脂基材の表面にＰｄ−Ａｇ合金から構成される合金層を形成し、金属被覆樹脂基材を得た。合金層の膜厚は４０ｎｍであった。
【００４５】
また、ＸＰＳにより、得られた金属被覆樹脂基材におけるＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材と合金層との界面の化学構造解析を行った。
【００４６】
ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材と合金層との界面におけるＰｄ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図３に示す。図３に示すように、Ｐｄ３ｄスペクトルは、金属Ｐｄ由来のピーク（３３５．２ｅＶ付近）の他に、ＰｄＯ由来のピーク（３３６．３ｅＶ付近）及び、ＰｄＯＡｃ（＝ＰｄＯＯＣＣＨ３）由来のピーク（３３９ｅＶ付近）が観察された。このことから、合金層のＰｄは、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材のＣＯＯ基と配位結合していると言える。
【００４７】
また、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材と合金層との界面におけるＡｇ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図４に示す。図４に示すように、金属Ａｇ由来のピーク（３６８ｅｖ付近及び３７５ｅＶ付近）のみが観察された。このことから、合金層のＡｇは、金属Ａｇの状態で存在しており、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材のＣＯＯ基と配位結合していないことが確認された。なお、図には示していないが、合金層のＡｇは、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材のＣＮ基と配位結合していないことも確認された。
【００４８】
（実施例２）
ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材をポリカーボネート樹脂基材（ＣＯＯ基を含む樹脂基材であり、以下ＰＣ樹脂基材と称する）に代えたこと以外は、実施例１と同様に金属被覆樹脂基材を作製した。そして、ＸＰＳにより、得られた金属被覆樹脂基材におけるＰＣ樹脂と合金層との界面の化学構造解析を行った。
【００４９】
ＰＣ樹脂基材と合金層との界面におけるＰｄ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図３に示し、Ａｇ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図４に示す。図３に示すように、実施例２のＰｄ３ｄスペクトルは、実施例１と同様の波形を示した。すなわち、実施例２の合金層のＰｄは、ＰＣ樹脂基材のＣＯＯ基と配位結合していると言える。また、図４に示すように、実施例２のＡｇ３ｄスペクトルも、実施例１と同様の波形を示した。すなわち、合金層のＡｇは、金属Ａｇの状態で存在しており、ＰＣ樹脂基材のＣＯＯ基と配位結合していないことが確認された。
【００５０】
（比較例１）
ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材をポリプロピレン樹脂基材（ＣＯＯ基及びＣＮ基を含まない樹脂基材であり、以下ＰＰ樹脂基材と称する）に代えたこと以外は、実施例１と同様に金属被覆樹脂基材を作製した。そして、ＸＰＳにより、得られた金属被覆樹脂基材におけるＰＰ樹脂基材と合金層との界面の化学構造解析を行った。
【００５１】
ＰＰ樹脂基材と合金層との界面におけるＰｄ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図３に示す。図３に示すように、比較例１のＰｄ３ｄスペクトルは、金属Ｐｄ由来のピーク（３３５．２ｅＶ付近）のみが観察された。このことから、合金層のＰｄは、金属Ｐｄの状態で存在しており、樹脂基材との配位結合は生じていないと言える。
【００５２】
また、ＰＰ樹脂基材と合金層との界面におけるＡｇ３ｄスペクトルをＸＰＳで分析した結果を図４に示す。図４に示すように、比較例１のＡｇ３ｄスペクトルは、金属Ａｇ由来のピーク（３６８ｅＶ付近及び３７５ｅＶ付近）のみが観察された。このことから、合金層のＡｇは、金属Ａｇの状態で存在しており、樹脂基材との配位結合は生じていないと言える。
【００５３】
（比較例２）
Ｐｄ−Ａｇ合金のターゲットをＴｉのターゲットに変更し、ＰＣ−ＡＳＡ樹脂基材にＴｉから構成される金属層を形成したこと以外は、実施例１と同様に金属被覆樹脂基材を作製した。
【００５４】
＜密着性試験＞
ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に基づいて、各実施例及び各比較例の金属被覆樹脂基材の密着性試験を行い、合金層（金属層）の密着性を評価した。その結果、密着性に優れたものとして、評価結果を○で示し、剥離が軽微であったものを、密着性に僅かに劣るものとして、評価結果を△で示し、剥離が著しいものを×で示した。
【００５５】
ＣＯＯ基及びＣＮ基を含まない樹脂基材の表面に、物理蒸着によって、Ｐｄと水素よりイオン化傾向の低い金属とを含む合金から構成される合金層を形成した比較例１や、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうち少なくともいずれか一方を含む樹脂基材の表面に、物理蒸着によって、Ｐｄを含まない金属層を形成した比較例２の密着性の評価はいずれも×であった。一方、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうち少なくともいずれか一方を含む樹脂基材の表面に、物理蒸着によって、Ｐｄと水素よりイオン化傾向の低い金属とを含む合金から構成される合金層を形成し、合金層のＰｄをＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合させた実施例１〜２の密着性の評価はいずれも○であり、比較例１及び２と比べて、密着性を向上させることができた。
【００５６】
＜硫酸銅めっき＞
実施例１及び比較例２の金属被覆樹脂基材の合金層（金属層）上に、電気めっき法による硫酸銅めっきを行い、金属被覆樹脂製品を作製した。この電気めっき法では、めっき溶液として、硫酸銅めっき溶液（硫酸銅２００ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、塩素イオン７０ｍｇ／Ｌ、溶媒：純水、奥野製薬工業製  トップルチナ  ２０００ＭＵ（５ｍｌ／Ｌ）、トップルチナ  ２０００Ａ（０．５ｍｌ／Ｌ））を用い、電流を１．４ｍＡとし、めっき時間を２０分とした。
【００５７】
実施例１の金属被覆樹脂基材の合金層上に形成された硫酸銅めっき層の平均厚みは１０μｍであったのに対し、比較例２の金属被覆樹脂基材の金属層上に形成された硫酸銅めっき層の平均厚みは１．３μｍであった。すなわち、実施例１は、比較例２より、同じめっき時間で、約８倍の厚さの金属めっき層が形成された。したがって、ＣＯＯ基及びＣＮ基のうち少なくともいずれか一方を含む樹脂基材の表面に、物理蒸着によって、Ｐｄと水素よりイオン化傾向の低い金属とを含む合金から構成される合金層を形成し、合金層のＰｄをＣＯＯ基やＣＮ基と配位結合させることで、合金層上に施される電気めっきのめっき速度の低下が抑制された。
【符号の説明】
【００５８】
１  金属被覆樹脂製品、１０  金属被覆樹脂基材、１２  金属めっき層、１４  樹脂基材、１６  合金層、２４  スパッタリング装置、２６  周壁部、２８  真空チャンバ、３０  ターゲット、３２  スパッタカソード、３４  支持装置、３６  ガス導入パイプ、３８  ガス排出パイプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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