(57)【要約】      （修正有）【課題】製造工程を簡略化しつつ、折り曲げの影響を受けずに良好な画像を表示する表示装置を提供する。【解決手段】離間して配置された複数の第１領域１１と、複数の第１領域の間に所定の間隔を有して、配置された複数の第２領域１２と、を含む表示領域１０３を有し、複数の第１領域のそれぞれは、トランジスタ１１０と、第１平坦化層１５０−１と、配線１６０と、バンク層１５７と、第１無機絶縁層１６２、第２有機絶縁層１６４および第２無機絶縁層１６６をこの順で積層した第１封止層１６１−１と、表示素子１３０と、を有し、複数の第２領域のそれぞれは、第２平坦化層１５０−２と、配線と、第１無機絶縁層および第２無機絶縁層をこの順で積層した第２封止層１６１−２と、を有し、第２平坦化層の膜厚は、第１平坦化層の膜厚よりも小さい表示装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
離間して配置された複数の第１領域と、
前記複数の第１領域の間に所定の間隔を有して、配置された複数の第２領域と、を含む表示領域を有し、
前記複数の第１領域のそれぞれは、トランジスタと、第１平坦化層と、配線と、第１有機絶縁層と、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層および第２無機絶縁層をこの順で積層した第１封止層と、表示素子と、を有し、
前記複数の第２領域のそれぞれは、第２平坦化層と、前記配線と、前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層をこの順で積層した第２封止層と、を有し、
前記第２平坦化層の膜厚は、前記第１平坦化層の膜厚よりも小さい、
表示装置。
【請求項２】
前記第２封止層の膜厚は、前記第１封止層の膜厚よりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１領域は前記表示素子が発光する発光領域を有し、
前記第２領域は非発光領域である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の第２領域は、前記表示領域の第１方向に並んで配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の第２領域は、前記表示領域の第１方向に延伸して配置される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２平坦化層の膜厚は、第１平坦化層の膜厚の５０％以下である、
請求項１乃至５のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２平坦化層の膜厚は、１μｍ以下である、
請求項１乃至６のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層の少なくともいずれかは、窒化シリコン膜である、
請求項１乃至７のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１無機絶縁層および前記第２無機絶縁層の膜厚は、５０ｎｍ以上２００ｎｍである、
請求項１乃至８のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２有機絶縁層の膜厚は５μｍ以上２０μｍ以下である、
請求項１乃至９のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示装置は、有機ＥＬ素子を含む、
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１平坦化層および前記第２平坦化層は、有機樹脂を含む、
請求項１乃至１１のいずれか一に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記配線は、展性および延性を有する、
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示素子を用いた表示装置または有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を表示素子として用いた表示装置が開発、商品化されている。
【０００３】
また、表示装置の小型化および軽量化のために、折り曲げ可能な表示装置に対するニーズがある。特許文献１には、折り曲げ部（非表示領域）を有する表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２５５５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方で、特許文献１の場合、非表示領域（折り曲げ領域）において、支持基板を除去する必要がある。そのため、製造工程が複雑になったり、製造コストが高くなったりする恐れがある。
【０００６】
また、表示領域に折り曲げ部を設ける場合、曲げによるひずみが生じる。これにより、表示領域に黒点が生じたり、または配線が破断したりするなどの表示不良が生じる恐れがある。
【０００７】
このような課題に鑑み、本発明は、製造工程を簡略化しつつ、折り曲げの影響を受けずに良好な画像を表示する表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態は、離間して配置された複数の第１領域と、複数の第１領域の間に所定の間隔を有して、配置された複数の第２領域と、を含む表示領域を有し、複数の第１領域のそれぞれは、トランジスタと、第１平坦化層と、配線と、第１有機絶縁層と、第１無機絶縁層、第２有機絶縁層および第２無機絶縁層をこの順で積層した第１封止層と、表示素子と、を有し、複数の第２領域のそれぞれは、第２平坦化層と、配線と、第１無機絶縁層および第２無機絶縁層をこの順で積層した第２封止層と、を有し、第２平坦化層の膜厚は、第１平坦化層の膜厚よりも小さいことを特徴としたものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示領域を示す上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示領域を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示領域を折り曲げた時の断面模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す斜視図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示領域の変形例を示す上面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示領域の変形例を示す上面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示領域の変形例を示す上面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の変形例を示す上面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の変形例を示す上面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の変形例を示す上面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示領域の変形例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後に−１、−２などを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
また、本明細書において、「導電層」、「電極」、「配線」という言葉とは、同様の意味を有し、状況に応じて入れ替えることが可能である。
【００１３】
＜第１実施形態＞
以下に、本発明の実施形態に係る表示装置を示す。図１は、表示装置１０の上面図である。
【００１４】
（１−１．表示装置の構成）
図１において、表示装置１０は、基板１００、表示領域１０３、周縁部１０４、駆動回路１０５、駆動回路１０６およびフレキシブルプリント基板１０８を有する。駆動回路１０５は、ゲートドライバとしての機能を有する。駆動回路１０６は、ソースドライバとしての機能を有する。表示領域１０３には、画素１０１が格子状に離間して複数配置される。画素１０１は、画像の構成要素として機能する。具体的には、画素１０１は後述する表示素子１３０を含んでいる。表示素子１３０は、発光する機能を有する。つまり、表示素子１３０は、発光領域であるということができる。したがって、画素１０１は、発光領域を含んでいる。走査線１４５ｃは、駆動回路１０５と接続される。信号線１４７ｂは、駆動回路１０６と接続される。画素１０１は、走査線１４５ｃおよび信号線１４７ｂと接続される。
【００１５】
表示装置１０において、フレキシブルプリント基板１０８を介して映像信号が駆動回路１０６に入力される。次に、駆動回路１０５および駆動回路１０６が画素１０１内の表示素子１３０（図３を参照）を走査線１４５ｃおよび信号線１４７ｂを介して駆動させる。その結果、表示領域１０３において静止画および動画が表示される。以下において、表示領域１０３について詳細に説明する。
【００１６】
（１−２．表示領域の構成）
図２は、表示装置１０の表示領域１０３の上面図である。図２に示すように、表示領域１０３は、複数の第１領域１１および複数の第２領域１２を含む。複数の第１領域１１のそれぞれは、画素１０１を含む。上述したように、画素１０１は表示素子１３０、つまり発光領域を有していることから、第１領域１１は発光領域を有するということができる。第１領域１１（画素１０１）は、格子状に離間して複数配置される。画素１０１は、赤色を発光する画素１０１Ｒ、緑色を発光する画素１０１Ｇおよび青色を発光する画素１０１Ｂを含む。この例では、画素１０１Ｒ、画素１０１Ｇおよび画素１０１Ｂが、それぞれ表示領域の短軸方向（第１方向Ｄ１という場合がある）に並んで配置される。また、第１方向Ｄ１と交差する表示領域の長軸方向（第２方向Ｄ２という場合がある）において、画素１０１Ｒ、画素１０１Ｇおよび画素１０１Ｂがこの順に周期的に配列される。なお、画素１０１Ｒ、画素１０１Ｇ、画素１０１Ｂとして分けて説明する必要がない場合は、画素１０１として説明する。
【００１７】
第２領域１２は、複数の第１領域１１（画素１０１）の間に配置される。この例では、第２方向において第１領域１１のうち画素１０１Ｂと画素１０１Ｒとの間に第２領域１２が配置される。このとき、第２領域１２は第１方向Ｄ１に沿って並んで配置される。また、第２領域１２は、第１領域１１（画素１０１）と同様に、第２方向Ｄ２に並んで配置される。上記において、第２領域１２は、所定の間隔を有して配置されているということができる。
【００１８】
なお、上記において、第２領域１２は、第１領域１１とは異なり表示素子１３０を含まない。そのため、第２領域１２は、発光しない。したがって、第２領域１２は、非発光領域（ダミー画素領域ともいう）であるということができる。
【００１９】
（１−３．第１領域および第２領域の断面構成）
次に、第１領域１１（画素１０１）と第２領域１２の断面構成について詳述する。図３は、図２に示した表示装置１０の表示領域１０３における第１領域１１（画素１０１）のＡ１−Ａ２間の断面図および第２領域１２のＢ１−Ｂ２間の断面図である。図３に示すように、第１領域１１（画素１０１）は、トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、平坦化層１５０−１、表示素子１３０、走査線１４５ｃ、信号線１４７ｂなどの配線、バンク層１５７および封止層１６１−１を含む。第２領域１２は、平坦化層１５０−２、走査線１４５ｃ、信号線１４７ｂなどの配線、および封止層１６１−２を含む。なお、第２領域１２は、第１領域１１の間に設けられるため、第２領域１２の両側にバンク層１５７の端部１５７Ｅおよび有機絶縁層１６４の端部１６４Ｅを含んでもよい。なお、表示装置１０は、上記以外に基板１００、絶縁層１４１、絶縁層１４９、接着層１９５および基板２００を含む。平坦化層１５０−１と、平坦化層１５０−２とを分けて説明する必要がない場合には平坦化層１５０として説明する。また、封止層１６１−１と、封止層１６１−２とを分けて説明する必要がない場合は、封止層１６１として説明する。
【００２０】
トランジスタ１１０は、半導体層１４２、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、およびソース・ドレイン電極１４７ａを有する。トランジスタ１１０は、トップゲート・トップコンタクト構造を有しているが、これに限定されず、ボトムゲート構造としてもよいし、ボトムコンタクト構造としてもよい。
【００２１】
容量素子１２０には、ゲート絶縁層１４３を誘電体として半導体層１４２のソースまたはドレイン領域および容量電極１４５ｂが用いられる。また、容量素子１２１は、絶縁層１５４を誘電体として、導電層１５３および画素電極１５５が用いられる。
【００２２】
表示素子１３０には、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および対向電極１６０が用いられる。つまり、表示素子１３０は、有機ＥＬ発光素子であるということができる。表示素子１３０は、有機ＥＬ層１５９で発光した光を対向電極１６０側に放射する、いわゆるトップエミッション型の構造を有する。なお、表示素子１３０は、トップエミッション型に限定されず、ボトムエミッション型の構造としてもよい。なお、表示素子１３０のうち対向電極１６０は第１領域１１（画素１０１）のみでなく、第２領域１２にも配置されている。そのため、画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および対向電極１６０が重畳する部分（つまり発光する部分）を表示素子１３０としてもよい。
【００２３】
平坦化層１５０は、平坦化膜としての機能を有し、絶縁層１４９およびソース・ドレイン電極１４７ａおよび信号線１４７ｂ上に設けられる。平坦化層１５０において、第１領域１１（画素１０１）に設けられた平坦化層１５０−１および第２領域１２に設けられた平坦化層１５０−２には、同じ材料が用いてもよい。一方、平坦化層１５０−１の膜厚および平坦化層１５０−２の膜厚は異なる。平坦化層１５０−２の膜厚は、平坦化層１５０−１の膜厚よりも小さいことが好ましい。平坦化層１５０−２の膜厚は、平坦化層１５０−１の膜厚の５０％以下、より好ましくは４０％以下である。具体的には、平坦化層１５０−２の膜厚は、１μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
平坦化層１５０−１および平坦化層１５０−２は、有機樹脂を含む。この例では、平坦化層１５０−１および平坦化層１５０−２には、アクリル樹脂が用いられる。なお、平坦化層１５０−１および平坦化層１５０−２には、アクリル樹脂に限定されずに、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などが用いられてもよい。また、平坦化層１５０−１および平坦化層１５０−２には、有機樹脂と無機材料との積層が用いられてもよい。
【００２５】
バンク層１５７には、画素電極１５５の周縁部を覆うと共に、画素電極１５５の端部を覆う。バンク層１５７には、有機絶縁層が用いられる。例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。また、バンク層１５７には、表示画像のコントラスト比を高めるために、黒色顔料を含む有機樹脂材料を用いてもよい。バンク層１５７の膜厚は限定されないが、５００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
封止層１６１は、表示装置１０の外部から表示素子１３０への水分の混入を防止する機能を有する。
【００２７】
封止層１６１のうち、封止層１６１−１は、無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４および無機絶縁層１６６がこの順で積層されている。封止層１６１−２は、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６がこの順で積層されている。無機絶縁層１６２や無機絶縁層１６６の間には、更に１以上の無機層や有機層が含まれていてもよい。封止層１６１は外部からの水分侵入を防止する。封止層１６１のうち、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は水分侵入を防止する。有機無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の間には有機絶縁層１６４が設けられる。例えば、有機絶縁層１６４が無い場合、無機絶縁層１６２上のパーティクルが原因で無機絶縁層１６２や無機絶縁層１６６にホールが形成される場合がある。表示素子１３０上方において、有機絶縁層１６４はこのパーティクルを覆い、無機絶縁層１６２や無機絶縁層１６６にホールが形成されるのを防止する。結果として、水分による有機ＥＬ層１５９の劣化を防止できる。
【００２８】
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は限定されないが、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、無機材料が用いられる。この例では、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の少なくともいずれかには窒化シリコン膜が用いられる。窒化シリコン膜は、緻密であり、水分を遮断するうえで好適である。
【００２９】
有機絶縁層１６４は、製造時に混入する異物を覆うことができる。有機絶縁層１６４の膜厚は限定されないが、好ましくは５μｍ以上２０μｍ以下である。なお、有機絶縁層１６４には、平坦化層１５０と同様の材料が用いられる。
【００３０】
上記において、第２領域１２に、第１領域１１（画素１０１）に比べてトランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１、表示素子１３０、バンク層１５７、有機絶縁層１６４設けなくてもよい。また、第２領域１２の平坦化層１５０−２の膜厚は、第１領域１１（画素１０１）の平坦化層１５０−１に比べて小さい。したがって、第２領域１２の全体の厚さは、第１領域１１（画素１０１）の全体の厚さよりも小さいということができる。
【００３１】
（１−４．表示装置の折り曲げについて）
ここで、表示装置１０を折り曲げることを仮定する。図４（Ａ）は、表示装置１０のうち表示領域１０３の折り曲げ前の断面模式図である。図４（Ｂ）は、表示装置１０のうち表示領域１０３の折り曲げ後の断面模式図である。図４（Ｂ）に示すように、第１領域１１（画素１０１）の厚さと、第２領域１２の厚さに差が設けられている。これにより、折り曲げ時に第１領域１１（画素１０１）にかかる圧縮応力（ひずみ）が第２領域１２によって設けられた空間により分散されることになる。つまり、曲げによるひずみが第１領域１１（画素１０１）に加わりづらくなる。したがって、画素における不良の発生（例えば、膜剥がれによる黒点の発生）が抑制される。なお、表示領域１０３は、折り曲げに対して冗長性を有するということができる。上記において、第２領域１２は、応力制御領域といってもよい。
【００３２】
一方で、第２領域１２には、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６が積層された封止層１６１−２を有する。したがって、第２領域１２を有する表示領域１０３は、第１領域１１（画素１０１）とともに十分に水分遮断機能を有する。したがって、水分侵入による表示素子１３０の劣化を抑えることができる。
【００３３】
以上より、表示装置１０は、折り曲げても、表示不良を抑えることができる。つまり、表示装置１０は、折り曲げの影響を受けずに良好な画像を表示することができる。
【００３４】
（１−５．表示装置の各層の構成）
表示装置１０は、上記以外に基板１００、絶縁層１４１、絶縁層１４９、接着層１９５および基板２００を含む。トランジスタ１１０、容量素子１２０、容量素子１２１および表示素子１３０を構成する各層も含めて、以下に説明する。
【００３５】
基板１００および基板２００は、有機樹脂基板が用いられる。有機樹脂基板の板厚は限定されないが、数μｍ以上数十μｍ以下とした場合、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。また、基板１００および基板２００は、表示素子からの出射光を外に取り出すために、透明性が求められる場合がある。表示素子からの出射光を取り出さない側にある基板は、透明である必要は無いため、前述の材料に加えて、金属材料が用いられてもよい。板厚が薄い（例えば５０μｍ以上２００μｍ以下）場合には、ガラス基板を用いてもよい。
【００３６】
絶縁層１４１は、基板１００上に設けられ、下地膜としての機能を有する。これにより、基板１００から不純物、代表的にはアルカリ金属、水、水素等の半導体層１４２への拡散を抑制することができる。
【００３７】
半導体層１４２は、絶縁層１４１上に設けられる。半導体層１４２は、シリコン、酸化物半導体または有機物半導体などが用いられる。
【００３８】
ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１、および半導体層１４２上に設けられる。ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン或いはその他高誘電率の無機材料が用いられる。
【００３９】
ゲート電極１４５ａは、ゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａは、走査線１４５ｃと適宜接続される。なお、ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂは、同じくゲート絶縁層１４３上に設けられる。ゲート電極１４５ａと容量電極１４５ｂとは、前述の導電材料の単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。また、ゲート電極１４５ａ、容量電極１４５ｂおよび走査線１４５ｃは、展性および延性を有することが好ましい。これにより、折り曲げ時の破断が防止される。ゲート電極１４５ａ、容量電極１４５ｂおよび走査線１４５ｃは、共にタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた導電材料で形成される。
【００４０】
絶縁層１４９には、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、容量電極１４５ｂおよび走査線１４５ｃ上に設けられる。なお、絶縁層１４９は、単層としてもよいし、上記材料の積層構造としてもよい。
【００４１】
ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９上に設けられる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、信号線１４７ｂと適宜接続される。ソース・ドレイン電極１４７ａには、ゲート電極１４５ａの材料例として挙げたものと同様の材料が用いられる。このとき、ソース・ドレイン電極１４７ａにゲート電極１４５ａと同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。ソース・ドレイン電極１４７ａに加え、他の配線も同じ導電材料を用いて形成されるため、ソース・ドレイン電極１４７ａは、低抵抗であること、半導体層１４２との接合性の良いこと等が求められる。
【００４２】
導電層１５３は、平坦化層１５０上に設けられる。導電層１５３には、ゲート電極１４５ａと同じ材料を用いてもよいし、異なる材料を用いてもよい。導電層１５３に加え、特に図示していないが、前述のソース・ドレイン電極１４７ａと接合される他の配線も同じ導電材料を用いて形成される。そのため、導電層１５３は、低抵抗であること、ソース・ドレイン電極１４７ａを構成する導電材料との接合性の良いこと等が求められる。
【００４３】
絶縁層１５４は、平坦化層１５０および導電層１５３上に設けられる。絶縁層１５４は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料が用いられる。
【００４４】
画素電極１５５は、表示素子１３０の陽極としての機能を有する。さらに画素電極１５５は、光を反射させる性質を有することが好ましい。前者の機能として好ましいのは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の酸化物導電材料であり、後者の機能として好ましいのはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電材料が挙げられる。これらの機能を両立するため、前述の材料の積層、具体的にはアルミニウムや銀といった表面反射性の高い導電層上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の酸化物導電層を積層するといった構造が採用される。
【００４５】
有機ＥＬ層１５９は、画素電極１５５上に設けられる。有機ＥＬ層１５９は、有機エレクトロルミネセンス材料などの発光材料を有する。
【００４６】
対向電極１６０は、表示素子１３０の陰極としての機能を有する。対向電極１６０は、複数の画素電極１５５に跨って、画素電極１５５を連続的に覆うように設けられている。対向電極１６０には有機ＥＬ層１５９で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有する材料が設けられる。
【００４７】
対向電極１６０には透光性が求められるのと同時に、画素電極１５５の反射面との間でマイクロキャビティを形成するための反射性が求められる。このため、対向電極１６０は、半透過膜として形成される。具体的には、銀、マグネシウム、又はそれらの合金でなる層を、光が透過する程度の膜厚で形成される。
【００４８】
接着層１９５には、無機材料、有機材料、または有機材料と無機材料の複合材料が用いられる。例えば、接着層１９５にはアクリル樹脂が用いられる。
【００４９】
（１−６．表示装置の製造方法）
以下、表示装置１０の製造方法について、図５乃至図１１を用いて説明する。
【００５０】
（１−６−１．トランジスタの形成）
まず、図５および図６に示すように基板１００の第１面（断面方向から見た場合の上面）に、絶縁層１４１、半導体層１４２およびゲート絶縁層１４３を形成後、ゲート絶縁層１４３上にゲート電極１４５ａを形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００５１】
例えば、基板１００として有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。
【００５２】
絶縁層１４１は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４１は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４１は、ＣＶＤ法、スピンコーティング法または印刷法などにより形成される。
【００５３】
半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料が用いられる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、めっき法またはＣＶＤ法などにより形成される。なお、図５に示すように、第２領域１２には、半導体層１４２は、形成されなくてもよい。
【００５４】
ゲート絶縁層１４３には、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、窒酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ハフニウムなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。ゲート絶縁層１４３は、絶縁層１４１と同様の方法により形成することができる。
【００５５】
ゲート電極１４５ａは、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、鉄、コバルト、タングステン、インジウム、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、ゲート電極１４５ａには、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものが用いられてもよい。例えば、ゲート電極１４５ａとして、スパッタリング法により形成したアルミニウム（Ａｌ）層、チタン層（Ｔｉ）の積層膜が用いられる。
【００５６】
なお、図６に示すように、容量電極１４５ｂおよび走査線１４５ｃもゲート電極１４５ａと同時に形成される。
【００５７】
次に、ゲート絶縁層１４３、ゲート電極１４５ａ、容量電極１４５ｂおよび走査線１４５ｃ上に絶縁層１４９を形成する。絶縁層１４９は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料、方法が用いられる。例えば、絶縁層１４９として、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化シリコン膜が用いられる。
【００５８】
次に、図７に示すように、絶縁層１４９上にソース・ドレイン電極１４７ａを形成する。ソース・ドレイン電極１４７ａは、ゲート電極１４５ａと同様の材料、方法を用いることができる。ソース・ドレイン電極１４７ａは、絶縁層１４９に開口部を形成してから形成され、半導体層１４２のソース・ドレイン領域と接続される。なお、このとき信号線１４７ｂも同時に形成される。
【００５９】
次に、図８に示すように、絶縁層１４９およびソース・ドレイン電極１４７ａ上に平坦化層１５０−１を形成する。平坦化層１５０−１は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミドなどの有機絶縁材料が用いられる。平坦化層１５０−１は、スピンコーティング法、印刷法、インクジェット法などにより形成することができる。例えば、平坦化層１５０−１として、スピンコーティング法により形成したアクリル樹脂を用いることができる。平坦化層１５０−１は、上面が平坦となる程度に形成される。
【００６０】
次に、図９に示すように、第２領域１２において、平坦化層１５０−１の膜厚を低減させるために（例えば１μｍ以下になるまで）平坦化層１５０−１を加工する。このとき、平坦化層１５０−１は、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて行われる。なお、平坦化層１５０−１が感光材を有する場合には、フォトリソグラフィ法のみでもよい。これにより、第２領域１２には平坦化層１５０−２が形成される。
【００６１】
（１−６−２．表示素子の形成）
次に、図１０に示すように、平坦化層１５０−１上に、容量素子１２１（導電層１５３、絶縁層１５４および画素電極１５５で形成される）、表示素子１３０（画素電極１５５、有機ＥＬ層１５９および対向電極１６０で形成される）、バンク層１５７を形成する。各層は、適宜フォトリソグラフィ法、ナノインプリンティング法、インクジェット法またはエッチング法などを用いて、所定の形状に加工される。
【００６２】
まず、平坦化層１５０−１上に導電層１５３を形成する。導電層１５３は、ゲート電極１４５ａと同様の材料および方法により形成することができる。例えば、導電層１５３として、スパッタリング法により形成したモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層膜が用いられる。
【００６３】
次に、導電層１５３上に絶縁層１５４を形成する。絶縁層１５４は、ゲート絶縁層１４３と同様の材料および方法により形成される。例えば、絶縁層１５４として、プラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜が用いられる。なお、絶縁層１５４は、加工されなくてもよい。このとき、第２領域１２にも絶縁層１５４が形成される。
【００６４】
次に、第１領域１１（画素１０１）において、絶縁層１５４上に、画素電極１５５を形成する。例えば、画素電極１５５は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、等の光反射性の金属材料を用いてもよいし、正孔注入性に優れる酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）による透明導電層と、光反射性の金属層とが積層された構造を有していてもよい。画素電極１５５は、ゲート電極１４５ａと同様の方法により形成される。例えば、画素電極１５５として、スパッタリング法により形成したＩＴＯ、銀、ＩＴＯの積層膜が用いられる。
【００６５】
次に、第１領域１１（画素１０１）において、絶縁層１５４および画素電極１５５上に、バンク層１５７を形成する。バンク層１５７は、画素電極１５５の上面を露出するように開口部が形成される。画素電極１５５の端部はバンク層１５７により覆われる。例えば、バンク層１５７として、スピンコーティング法により形成したポリイミド膜が用いられる。このとき、図１０に示すように一部を除いて第２領域１２のポリイミド膜は除去される。
【００６６】
次に、第１領域１１（画素１０１）において、画素電極１５５、バンク層１５７上に有機ＥＬ層１５９を形成する。有機ＥＬ層１５９は、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、有機ＥＬ層１５９は発光性の有機材料を含む発光層に加え、当該発光層を挟むように正孔注入層や電子注入層、さらに正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成されていてもよい。
【００６７】
また、有機ＥＬ層１５９は、少なくとも画素電極１５５と重畳するように形成される。有機ＥＬ層１５９は、真空蒸着法、印刷法、スピンコーティング法などにより形成される。有機ＥＬ層１５９を真空蒸着法により形成する場合、適宜シャドーマスクを用い、成膜されない領域を設けながら形成してもよい。有機ＥＬ層１５９は、隣接する画素と異なる材料を用いて形成してもよいし、全ての画素において同一の有機ＥＬ層１５９を用いてもよい。
【００６８】
次に、第１領域１１（画素１０１）において画素電極１５５および有機ＥＬ層１５９に跨るように、対向電極１６０を形成する。対向電極１６０には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の透明導電膜、または銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金を用いることができる。また、対向電極１６０は、真空蒸着法、スパッタリング法により形成することができる。例えば、対向電極１６０として、蒸着法により成膜した銀（Ａｇ）とマグネシウムの合金膜が用いられる。なお、対向電極１６０は、加工されずに形成されてもよい。このとき、図１０に示すように第２領域１２にも対向電極１６０が形成される。
【００６９】
（１−６−３．封止層の形成）
次に、図１１に示すように、第１領域１１（画素１０１）において対向電極１６０上に、封止層１６１−１となる無機絶縁層１６２、有機絶縁層１６４および無機絶縁層１６６を順に形成する。無機絶縁層１６２と無機絶縁層１６６の間にさらに１以上の無機層や有機層を形成してもよい。また、第２領域１２において対向電極１６０上に封止層１６１−２となる無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６を順に形成する。封止層１６１−１および封止層１６１−２で、表示領域１０３全面を覆うように形成される。
【００７０】
無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコンなどを一種以上含む絶縁膜が用いられる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコーティング法、スプレー法、または印刷法を用いて形成される。例えば、無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６には、プラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることができる。無機絶縁層１６２および無機絶縁層１６６の膜厚は、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下としてもよい。
【００７１】
有機絶縁層１６４には、アクリル、ポリイミド、エポキシ等の材料を用いることができる。また、有機絶縁層１６４は、この例ではインクジェット法により形成される。インクジェット法を用いることにより、第２領域１２には形成せずに第１領域１１（画素１０１）のみに選択的に有機絶縁層を形成することができる。なお、インクジェット法に限定されず、スピンコーティング法、蒸着法、スプレー法、印刷法などを用いてもよい。有機絶縁層１６４の膜厚は、限定されないが、例えば数５μｍ以上２０μｍ以下としてもよい。
【００７２】
（１−６−４．対向基板との貼り合わせ）
最後に、図１１に示すように、対向基板となる基板２００を、接着層１９５を用いて基板１００と貼り合わせる。接着層１９５として、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。
【００７３】
図１２は、折り曲げたときの表示装置１０の斜視図である。図１２に示すように、上記の構成および方法を用いることにより、表示装置１０は、基板とともに平坦化層および封止層を加工する必要がない。つまり、表示装置の製造工程が簡略化される。また、表示装置１０は、折り曲げても、表示不良が抑えられる。つまり、表示装置は、折り曲げの影響を受けずに良好な画像を表示することができる。
【００７４】
（変形例１）
本発明の一実施形態においては、開示例として有機ＥＬ表示装置の場合を例示したが、その他の適用例として、液晶表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動表示素子等を有する電子ペーパー型表示装置、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。
【００７５】
（変形例２）
本発明の一実施形態では、第２領域１２が第１方向Ｄ１に並んで配置される例を示したが、これに限定されない。図１３は、表示領域１０３−１の上面図である。図１３に示すように、第２領域１２−１は、第１方向Ｄ１に延伸して配置されてもよい。また、このとき第２領域１２−１は、駆動回路１０６にも配置されてもよい。これにより、駆動回路も折り曲げやすくなる。したがって、表示装置をさらに折り曲げやすくなる。
【００７６】
（変形例３）
本発明の一実施形態では、第２領域１２が第１方向に並んで配置される例を示したが、これに限定されない。図１４は、表示領域１０３−２の上面図である。第２領域１２−２は、第２方向Ｄ２に並んで配置されてもよい。図１５は、表示領域１０３−３の上面図である。図１５に示すように、第２領域１２−３は、一方向に並んで配置されずに、第１領域１１（画素１０１）と同様に、格子状に配置されてもよい。これにより、表示装置は自由に折り曲げることができる。
【００７７】
（変形例４）
本発明の一実施形態では、表示領域１０３が一つ設けられる例を示したが、これに限定されない。図１６は、表示装置１０−４の上面図である。第２領域１２−４は、表示装置１０−４の中央部に設けられる。表示領域１０３−４は、第２領域１２−４の両側に設けられてもよい。この際、駆動回路１０５は図１３等と同様、第２領域１２−４と重なる領域に配置されてもよい。
【００７８】
（変形例５）
本発明の一実施形態では、図１７の表示装置１０−５及び図１８の表示装置１０−６のように第２領域１２が斜め方向に配置されている。図１７の第２領域１２−５のようにすることで折り曲げ位置に近い画素にかかる応力を複数方向から緩和することができる。また、図１８の第２領域１２−６のように折り曲げ方向を斜めとしてもよい。第２領域１２は任意の折り曲げ方向に合わせて設ければよく、また、複数の折り曲げ方向を合わせ、一群の第２領域１２が交差していてもよい。なお、折り曲げ箇所が一か所であれば図１７のように折り曲げ位置に集中して第２領域１２−５を配置すればよい。折り曲げ箇所が表示領域全体に設けられるようであれば、図１８のように第２領域１２−６を全体に設けてもよい。
【００７９】
（変形例６）
本発明の一実施形態では、図１９に示す表示領域１０３−７のように画素が斜め方向に配列されている。第２領域１２−７の配列は、変形例１から５と同様の配列を適用することができる。
【００８０】
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８１】
１０・・・表示装置、１１・・・第１領域、１２・・・第２領域、１００・・・基板、１０１・・・画素、１０３・・・表示領域、１０４・・・周縁部、１０５・・・駆動回路、１０６・・・駆動回路、１０８・・・フレキシブルプリント基板、１１０・・・トランジスタ、１２０・・・容量素子、１２１・・・容量素子、１３０・・・表示素子、１４１・・・絶縁層、１４２・・・半導体層、１４３・・・ゲート絶縁層、１４５ａ・・・ゲート電極、１４５ｂ・・・容量電極、１４５ｃ・・・走査線、１４７ａ・・・ソース・ドレイン電極、１４７ｂ・・・信号線、１４９・・・絶縁層、１５０・・・平坦化層、１５３・・・導電層、１５４・・・絶縁層、１５５・・・画素電極、１５７・・・バンク層、１５９・・・有機ＥＬ層、１６０・・・対向電極、１６１・・・封止層、１６２・・・無機絶縁層、１６４・・・有機絶縁層、１６６・・・無機絶縁層、１９５・・・接着層、２００・・・基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2019049608.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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