(57)【要約】【課題】アーク放電現象を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施例による表示装置は、画素が配置された表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板、前記表示領域を取り囲み、前記非表示領域に配置されるダム、前記表示領域に配置された有機発光ダイオード、前記有機発光ダイオード上に備えられた封止膜、前記封止層上に備えられたバッファー層、前記バッファー層上に備えられた絶縁膜、前記ダムと前記第１基板の間に配置されたリンクライン、及び前記絶縁膜上で前記表示領域と前記パッド領域の間に配置されたルーティングラインを含み、前記ダムの外縁にパッド領域が配置され、前記バッファー層及び前記絶縁膜は前記表示領域から前記パッド領域まで伸びる。【選択図】  図６
2019083195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素が配置された表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板と、
前記表示領域を取り囲み、前記非表示領域に配置されるダムと、
前記表示領域に配置された有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオード上に配置された封止膜と、
前記封止膜上に配置されたバッファー層と、
前記バッファー層上に配置された絶縁膜と、
前記ダムと前記第１基板の間に配置されたリンクラインと、
前記絶縁膜上で前記表示領域とパッド領域の間に配置されたルーティングラインとを含み、
前記ダムの外側にパッド領域が配置され、前記バッファー層及び前記絶縁膜は前記表示領域から前記パッド領域まで伸びる、表示装置。
【請求項２】
前記リンクラインはソースドレインラインである、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記リンクラインはソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つと同じ物質から形成される、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ルーティングラインはタッチラインである、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記封止膜は前記表示領域から前記非表示領域に伸びて前記封止膜の側面を形成し、前記ルーティングラインは前記封止膜の側面上を伸びる、請求項１から４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記パッド領域はパッド電極を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記ルーティングラインはパッド領域のパッドコンタクトホールを介して前記パッド電極と接続する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記パッドコンタクトホールは前記絶縁膜と前記封止膜の第１無機膜を貫いて形成される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記パッド電極は前記リンクラインと同じ物質から形成される、請求項６から８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記パッド電極はゲートラインによって前記リンクラインと連結される、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１基板上の前記表示領域に形成された薄膜トランジスタをさらに含み、
前記薄膜トランジスタは、アクティブ層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜を含み、
前記パッド電極及び前記リンクラインは前記層間絶縁膜を貫いて形成されたコンタクトホールを貫いて前記ゲートラインと接続される、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ゲートラインとゲート電極は同じ層に形成される、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記ゲートラインとゲート電極はゲート絶縁膜上に形成される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記ゲートラインは前記ダムと前記パッド領域の間に与えられる、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記封止膜の第１無機膜は前記ダム上に形成される、請求項８から１４のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するに従って映像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態として増加している。これにより、最近には、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のようなさまざまな表示装置が活用されている。
表示装置のうち有機発光表示装置は自己発光型のもので、液晶表示装置（ＬＣＤ）に比べ、視野角、コントラスト比などに優れ、別途のバックライトが必要でなくて軽薄短小化が可能であり、消費電力で有利な利点がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が早く、特に製造コストが低い利点がある。
ただ、有機発光表示装置は画素のそれぞれに有機発光素子を含んでいるが、有機発光素子が外部の水分、酸素のような外的要因によって容易に劣化する欠点がある。これを防止するために、有機発光表示装置は、外部の水分や酸素が有機発光素子に浸透しないように封止膜を形成する。
封止膜は少なくとも一つの無機膜及び少なくとも一つの有機膜を含むことにより、有機発光層と電極に酸素又は水分が浸透することを防止する。ここで、少なくとも一つの有機膜は一般的にポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）からなり、液状で基板上に塗布された後、硬化工程を経ることによって形成される。このような有機膜は硬化工程前まで流動性を持っているから、封止膜を形成しようとする領域外に、例えば複数のパッドが備えられたパッド領域に溢れる場合が発生し得る。これを防止するために、最近には、有機発光素子の外縁に沿って有機膜の流れを遮断するダムが形成されている。
また、少なくとも一つの無機膜は、有機発光素子を酸素又は水分から保護するために、パッド電極が配置されるパッド領域を除いた有機発光素子の上部に全体的に形成される。従来の製造方法においては、パッド電極を露出させるために、パッド電極をカバーするマスク（ｍａｓｋ）をパッド電極の上部に配置し、無機膜を形成した。無機膜がパッド領域には形成されないようにマスクをパッド電極に近く配置することになる。ここで、パッド領域をカバーするマスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電（ａｒｃｉｎｇ）現象が発生し得る。マスクとパッド電極の間にアーク放電現象が発生する場合、マスクからパッド電極に流入した大電流がパッド電極に沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、アーク放電現象を防止することができる表示装置及びその製造方法を提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上述した技術的課題を達成するための本発明は、画素が配置された表示領域及び表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板、表示領域を取り囲み、非表示領域に配置されるダム、ダムの外側に配置されるパッド電極、及び表示領域を覆い、第１無機膜を有する封止膜を含み、第１無機膜はパッド電極を取り囲む表示装置及びその製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の第１実施例による表示装置は、第１無機膜がパッド領域まで延設されるから、パッド領域に第１無機膜を形成しないために、パッド電極をカバーするマスクをパッド電極の上部に配置する必要がない。
【０００６】
したがって、本発明の第１実施例による表示装置は、パッド電極の上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極に沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【０００７】
本発明の第２実施例による表示装置は、バッファー層が省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。
【０００８】
本発明で得られる効果は以上で言及した効果に制限されず、言及しなかった他の効果は下記の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明らかに理解可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例による表示装置を示すブロック図である。
【図３】図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図である。
【図５】第１基板に配置されるタッチセンシング層を示す平面図である。
【図６】図５のＩ−Ｉ’線についての第１実施例を示す断面図である。
【図７】図５のＩ−Ｉ’線についての第２実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９Ａ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｃ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｄ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｅ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｆ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｇ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｈ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９Ｉ】本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１Ａ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｃ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｄ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｅ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｆ】本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書で記述される用語の意味は次のように理解されなければならないであろう。
単数の表現は、文脈上明白に他に定義しない限り、複数の表現を含むものと理解されなければならなく、“第１”、“第２”などの用語は一構成要素を他の構成要素と区別するためのもので、これらの用語によって権利範囲が限定されてはいけない。“含む”又は“有する”などの用語は一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらの組合せなどの存在又は付加の可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。“少なくとも一つ”という用語は一つ以上の関連項目から提示可能な全ての組合せを含むものと理解されなければならない。例えば、“第１項目、第２項目及び第３項目の少なくとも一つ”の意味は、第１項目、第２項目又は第３項目のそれぞれだけでなく第１項目、第２項目及び第３項目の中で二つ以上から提示可能な全ての項目の組合せを意味する。“上に”という用語はある構成が他の構成のすぐ上面に形成される場合だけではなくこれらの構成の間に第３構成が挟まれる場合まで含むことを意味する。
以下では、本発明による表示装置及びその製造方法の好適な例を添付図面に基づいて詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付け加えるにあたり、同じ構成要素に対しては、たとえ相異なる図に表示されていても、できるだけ同じ符号を有することができる。また、本発明の説明において、関連の公知の構成又は機能についての具体的な説明が本発明の要旨をあいまいにすることができると判断される場合には、その詳細な説明は省略することができる。
【００１１】
以下、添付図面に基づいて本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図、図２は本発明の一実施例による表示装置を示すブロック図である。
【００１３】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による表示装置は、表示パネル１１０、スキャン駆動部１２０、データ駆動部１３０、タイミングコントローラー１６０、ホストシステム１７０、タッチ駆動部１８０、及びタッチ座標算出部１９０を含む。
【００１４】
本発明の実施例によるタッチスクリーン一体型表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ、ＥＰＤ）などの平板表示装置から具現されることができる。以下の実施例で、本発明の実施例によるタッチスクリーン一体型表示装置が有機発光表示装置から具現されたものを中心に説明するが、これに限定されないことに注意すべきである。
【００１５】
前記表示パネル１１０は、画素Ｐを備えて画像を表示する領域である表示領域を含む。表示パネル１１０には、データラインＤ１〜Ｄｍ（ｍは２以上の正の整数）とスキャンラインＳ１〜Ｓｎ（ｎは２以上の正の整数）が備えられる。データラインＤ１〜ＤｍはスキャンラインＳ１〜Ｓｎと交差するように配置されることができる。画素Ｐはゲートラインとデータラインの交差構造によって定義される領域に備えられることができる。
【００１６】
表示パネル１１０の画素ＰのそれぞれはデータラインＤ１〜Ｄｍのいずれか一つとスキャンラインＳ１〜Ｓｎのいずれか一つに接続されることができる。表示パネル１１０の画素Ｐのそれぞれは、ゲート電極に印加されたデータ電圧によってドレイン−ソース間の電流を調整する駆動トランジスタ（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、スキャンラインのスキャン信号によってターンオンされて、データラインのデータ電圧を駆動トランジスタのゲート電極に供給するスキャントランジスタ、駆動トランジスタのドレイン−ソース間の電流によって発光する有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、及び前記駆動トランジスタのゲート電極の電圧を保存するためのキャパシター（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を含むことができる。これにより、画素Ｐのそれぞれは有機発光ダイオードに供給される電流によって発光することができる。
【００１７】
前記スキャン駆動部１２０は前記タイミングコントローラー１６０からスキャン制御信号ＧＣＳを入力される。スキャン駆動部１２０はスキャン制御信号ＧＣＳによってスキャン信号をスキャンラインＳ１〜Ｓｎに供給する。
【００１８】
スキャン駆動部１２０は表示パネル１１０の表示領域の一側又は両側の外側の非表示領域にＧＩＰ（ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ  ｉｎ  ｐａｎｅｌ）方式で形成されることができる。もしくは、スキャン駆動部１２０は駆動チップから製作されて軟性フィルムに実装され、ＴＡＢ（ｔａｐｅ  ａｕｔｏｍａｔｅｄ  ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で表示パネル１１０の表示領域の一側又は両側の外側の非表示領域に付着されることもできる。
【００１９】
前記データ駆動部１３０はタイミングコントローラー１６０からデジタルビデオデータＤＡＴＡとデータ制御信号ＤＣＳを入力される。データ駆動部１３０は、データ制御信号ＤＣＳによってデジタルビデオデータＤＡＴＡをアナログ正極性／負極性データ電圧に変換してデータラインに供給する。すなわち、スキャン駆動部１２０のスキャン信号によってデータ電圧が供給される画素Ｐが選択され、選択された画素Ｐにデータ電圧が供給される。
【００２０】
データ駆動部１３０は複数のソースドライブＩＣを含むことができる。複数のソースドライブＩＣのそれぞれはＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）又はＣＯＰ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｐｌａｓｔｉｃ）方式で軟性フィルム１４０に実装されることができる。軟性フィルム１４０は異方性導電フィルム（ａｎｔｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｆｉｌｍ）を用いて表示パネル１１０の非表示領域に備えられたパッド上に付着され、これによって複数のソースドライブＩＣはパッドに連結されることができる。
【００２１】
回路ボード１５０は軟性フィルム１４０に付着されることができる。回路ボード１５０には駆動チップから具現された多数の回路が実装されることができる。例えば、回路ボード１５０にはタイミングコントローラー１６０が実装されることができる。回路ボード１５０はプリント基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）又はフレキシブルプリント基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）であり得る。
【００２２】
前記タイミングコントローラー１６０はホストシステム１７０からデジタルビデオデータＤＡＴＡ及びタイミング信号を入力される。タイミング信号は、垂直同期信号（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ  ｓｉｇｎａｌ）、水平同期信号（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ  ｓｉｇｎａｌ）、データイネーブル信号（ｄａｔａ  ｅｎａｂｌｅ  ｓｉｇｎａｌ）、ドットクロック（ｄｏｔ  ｃｌｏｃｋ）などを含むことができる。垂直同期信号は１フレーム期間を定義する信号である。水平同期信号は表示パネルＤＩＳの１水平ラインの画素にデータ電圧を供給するのに必要な１水平期間を定義する信号である。データイネーブル信号は有効なデータが入力される期間を定義する信号である。ドットクロックは所定の短い周期で繰り返される信号である。
【００２３】
タイミングコントローラー１６０は、スキャン駆動部１２０とデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するために、タイミング信号に基づいてデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号ＤＣＳとスキャン駆動部１２０の動作タイミングを制御するためのスキャン制御信号ＧＣＳを発生する。タイミングコントローラー１６０はスキャン駆動部１２０にスキャン制御信号ＧＣＳを出力し、データ駆動部１３０にデジタルビデオデータＤＡＴＡとデータ制御信号ＤＣＳを出力する。
【００２４】
前記ホストシステム１７０は、ナビゲーションシステム、セットップボックス、ＤＶＤプレーヤー、ブルーレイプレーヤー、パソコン（ＰＣ）、ホームシアターシステム、放送受信機、フォンシステム（Ｐｈｏｎｅ  ｓｙｓｔｅｍ）などに具現されることができる。ホストシステム１７０はスケーラー（ｓｃａｌｅｒ）を内蔵したＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍｏｎｃｈｉｐ）を含み、入力映像のデジタルビデオデータＤＡＴＡを表示パネル１１０に表示するのに適したフォーマットに変換する。ホストシステム１７０は、デジタルビデオデータＤＡＴＡとタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。
【００２５】
表示パネル１１０には、データラインＤ１〜ＤｍとスキャンラインＳ１〜Ｓｎの他に、第１及び第２タッチ電極が形成されることができる。第１タッチ電極は第２タッチ電極と交差するように形成されることができる。第１タッチ電極は第１タッチラインＴ１〜Ｔｊ（ｊは２以上の正の整数）を介して第１タッチ駆動部１８１に連結されることができる。第２タッチ電極は第２タッチラインＲ１〜Ｒｉ（ｉは２以上の正の整数）を介して第２タッチ駆動部１８２に連結されることができる。第１タッチ電極と第２タッチ電極の交差部のそれぞれにはタッチセンサーが形成されることができる。本発明の実施例においてはタッチセンサーが相互容量（ｍｕｔｕａｌ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）から具現されたものを例示したが、これに限定されないことに注意すべきである。第１及び第２タッチ電極についての詳細な説明は図４に基づいて後述する。
【００２６】
前記タッチ駆動部１８０は、第１タッチラインＴ１〜Ｔｊを介して第１タッチ電極に駆動パルスを供給し、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉを介してタッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量をセンシングする。すなわち、図２では、第１タッチラインＴ１〜Ｔｊが駆動パルスを供給するＴｘラインであり、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉがタッチセンサーのそれぞれのチャージ変化量をセンシングするＲｘラインであるものを中心に説明した。
【００２７】
タッチ駆動部１８０は、第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、及びタッチコントローラー１８３を含む。第１タッチ駆動部１８１、第２タッチ駆動部１８２、及びタッチコントローラー１８３は一つのＲＯＩＣ（Ｒｅａｄ−ｏｕｔ  ＩＣ）内に集積することができる。
【００２８】
前記第１タッチ駆動部１８１はタッチコントローラー１８３の制御の下で駆動パルスを出力する第１タッチラインを選択し、選択された第１タッチラインに駆動パルスを供給する。例えば、第１タッチ駆動部１８１は第１タッチラインＴ１〜Ｔｊに順次駆動パルスを供給することができる。
【００２９】
前記第２タッチ駆動部１８２は、タッチコントローラー１８３の制御の下でタッチセンサーのチャージ変化量を受信する第２タッチラインを選択し、選択された第２タッチラインを介してタッチセンサーのチャージ変化量を受信する。第２タッチ駆動部１８２は、第２タッチラインＲ１〜Ｒｉを介して受信されたタッチセンサーのチャージ変化量をサンプリングしてデジタルデータであるタッチローデータ（ｔｏｕｃｈ  ｒａｗ  ｄａｔａ、ＴＲＤ）に変換する。
【００３０】
前記タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１で駆動パルスが出力される第１タッチラインを設定するためのＴｘセットアップ信号と、第２タッチ駆動部１８２でタッチセンサー電圧を受信する第２タッチラインを設定するためのＲｘセットアップ信号とを発生させることができる。また、タッチコントローラー１８３は、第１タッチ駆動部１８１と第２タッチ駆動部１８２の動作タイミングを制御するためのタイミング制御信号を発生させる。
【００３１】
前記タッチ座標算出部１９０はタッチ駆動部１８０からタッチローデータ（ＴＲＤ）を入力される。タッチ座標算出部１９０は、タッチ座標算出方法でタッチ座標（ら）を算出し、タッチ座標（ら）の情報を含むタッチ座標データＨＩＤｘｙをホストシステム１７０に出力する。
【００３２】
タッチ座標算出部１９０はＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｕｎｉｔ、ＭＣＵ）から具現されることができる。ホストシステム１７０は、タッチ座標算出部１９０から入力されるタッチ座標データＨＩＤｘｙを分析し、使用者によってタッチが発生した座標と連結された応用プログラム（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｇｒａｍ）を実行する。ホストシステム１７０は、実行された応用プログラムによってデジタルビデオデータＤＡＴＡとタイミング信号をタイミングコントローラー１６０に伝送する。
【００３３】
タッチ駆動部１８０はソースドライブＩＣに含まれるとかあるいは別途の駆動チップから製作されて回路ボード１５０上に実装されることができる。また、タッチ座標算出部１９０は駆動チップに製作されて回路ボード１５０上に実装されることができる。
【００３４】
図３は図１の表示パネルの一側を概略的に示す断面図である。
【００３５】
図３を参照すると、表示パネル１１０は、第１基板１１１、第２基板１１２、第１及び第２基板１１１、１１２の間に配置された薄膜トランジスタ層１０、有機発光素子層２０、封止層３０、及びタッチセンシング層４０を含むことができる。
【００３６】
前記第１基板１１１はプラスチックフィルム又はガラス基板であり得る。
【００３７】
第１基板１１１上には前記薄膜トランジスタ層１０が配置される。薄膜トランジスタ層１０は、スキャンライン、データライン、及び薄膜トランジスタを含むことができる。薄膜トランジスタのそれぞれは、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。スキャン駆動部がＧＩＰ（ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ  ｉｎ  ｐａｎｅｌ）方式で形成される場合、スキャン駆動部は薄膜トランジスタ層１０とともに形成されることができる。
【００３８】
薄膜トランジスタ層１０上には前記有機発光素子層２０が配置される。有機発光素子層２０は、第１電極、有機発光層、第２電極、及びバンクを含む。有機発光層のそれぞれは正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、発光層（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、及び電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この場合、第１電極と第２電極に電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動され、発光層で互いに結合して発光することになる。有機発光素子層２０が配置された領域には画素Ｐが備えられるので、有機発光素子層２０が配置された領域は表示領域と定義されることができる。表示領域の周辺領域は非表示領域と定義されることができる。
【００３９】
有機発光素子層２０上には前記封止層３０が配置される。封止層３０は有機発光素子層２０に酸素又は水分が浸透することを防止する役割をする。封止層３０は少なくとも一つの無機膜を含むことができる。
【００４０】
封止層３０上には前記タッチセンシング層４０が形成される。タッチセンシング層４０は使用者のタッチをセンシングするための第１及び第２タッチ電極を含み、第１タッチ電極を電気的に連結するとか第２タッチ電極を電気的に連結するブリッジ電極を含むことができる。
【００４１】
以下では、図４〜図１１に基づいて本発明の一実施例による封止層３０及びタッチセンシング層４０についてより具体的に説明する。
【００４２】
図４は本発明の一実施例による第１基板を概略的に示す平面図、図５は第１基板に配置されるタッチセンシング層を示す平面図である。図６は本発明の第１実施例による表示装置の断面図で、図５のＩ−Ｉ’線についての第１実施例を示す断面図である。
【００４３】
図４〜図６を参照すると、第１基板１１１は表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡに区分され、表示領域ＤＡには画素Ｐが配置される。非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを取り囲み、ダムＤＡＭが形成され、パッド電極ＰＡＤが形成されるパッド領域ＰＡが備えられる。
【００４４】
前記第１基板１１１上には薄膜トランジスタ層１０及び有機発光素子層２０が形成される。
【００４５】
前記薄膜トランジスタ層１０は、薄膜トランジスタ２１０、ゲート絶縁膜２２０、層間絶縁膜２３０、及び平坦化膜２４０を含む。
【００４６】
第１基板１１１の一面上にはバッファー膜が配置されることができる。前記バッファー膜は、透湿に弱い第１基板１１１を通じて侵透する水分から薄膜トランジスタ２１０と有機発光素子２５０を保護するために、第１基板１１１の一面上に配置されることができる。第１基板１１１の一面は第２基板１１２と向き合う面であり得る。バッファー膜は交互に積層された複数の無機膜からなることができる。例えば、バッファー膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、ＳｉＯＮの一つ以上の無機膜が交互に積層された多重膜から形成されることができる。このようなバッファー膜は省略することができる。
【００４７】
バッファー膜上には前記薄膜トランジスタ２１０が配置される。薄膜トランジスタ２１０は、アクティブ層２１１、ゲート電極２１２、ソース電極２１３及びドレイン電極２１４を含む。図６では、薄膜トランジスタ２１０が、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部に位置する上部ゲート（トップゲート、ｔｏｐ  ｇａｔｅ）方式で形成されたものを例示したが、これに限定されないことに注意すべきである。すなわち、薄膜トランジスタ２１０は、ゲート電極２１２がアクティブ層２１１の下部に位置する下部ゲート（ボトムゲート、ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）方式又はゲート電極２１２がアクティブ層２１１の上部及び下部の両方に位置するダブルゲート（ｄｏｕｂｌｅ  ｇａｔｅ）方式で形成されることができる。
【００４８】
第１基板１１１上には前記アクティブ層２１１が配置される。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質から形成されることができる。第１基板１１１とアクティブ層２１１の間には、アクティブ層２１１に入射する外部光を遮断するための遮光層が配置されることができる。
【００４９】
アクティブ層２１１上には前記ゲート絶縁膜２２０が配置されることができる。ゲート絶縁膜２２０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。
【００５０】
ゲート絶縁膜２２０上には前記ゲート電極２１２とゲートライン２１５が配置されることができる。ゲート電極２１２とゲートラインは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。
【００５１】
ゲート電極２１２とゲートライン２１５上には前記層間絶縁膜２３０が配置されることができる。層間絶縁膜２３０は無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。
【００５２】
層間絶縁膜２３０上には、前記ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤが配置されることができる。ソース電極２１３とドレイン電極２１４のそれぞれはゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続されることができる。また、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤは層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してゲートライン２１５に接続されることができる。ソース電極２１３、ドレイン電極２１４、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。
【００５３】
ソース電極２１３及びドレイン電極２１４上には薄膜トランジスタ２１０を絶縁するための保護膜が配置されることができる。保護膜は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。このような保護膜は省略することができる。
【００５４】
ソース電極２１３及びドレイン電極２１４上には薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦にするための前記平坦化膜２４０が配置されることができる。平坦化膜２４０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。
【００５５】
薄膜トランジスタ層１０上には前記有機発光素子層２０が配置される。有機発光素子層２０は、有機発光素子２５０とバンク２６０を含む。
【００５６】
前記有機発光素子２５０とバンク２６０は平坦化膜２４０上に配置される。有機発光素子２５０は、第１電極２５１、有機発光層２５２、及び第２電極２５３を含む。前記第１電極２５１はアノード電極であってもよく、第２電極２５３はカソード電極であってもよい。
【００５７】
第１電極２５１は平坦化膜２４０上に配置されることができる。第１電極２５１は保護膜と平坦化膜２４０を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３に接続される。第１電極２５１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質から形成されることができる。ＡＰＣ合金は銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）の合金である。
【００５８】
バンク２６０は、画素Ｐを区画するために、平坦化膜２４０上で第１電極２５１の縁部を覆うように配置されることができる。すなわち、バンク２６０は画素Ｐを定義する画素定義膜として役割する。バンク２６０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。
【００５９】
第１電極２５１とバンク２６０上には前記有機発光層２５２が配置される。有機発光層２５２は、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、少なくとも一つの発光層（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、及び電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を含むことができる。この場合、第１電極２５１と第２電極２５３に電圧が印加されれば、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動することになり、発光層で互いに結合して発光することになる。
【００６０】
有機発光層２５２は白色光を発光する白色発光層からなることができる。この場合、第１電極２５１とバンク２６０を覆うように配置されることができる。また、第２基板１１２上にはカラーフィルター（図示せず）が配置されることができる。
【００６１】
もしくは、有機発光層２５２は、赤色光を発光する赤色発光層、緑色光を発光する緑色発光層、又は青色光を発光する青色発光層からなることができる。この場合、有機発光層２５２は第１電極２５１に対応する領域に配置されることができ、第２基板１１２上にはカラーフィルターが配置されなくてもよい。
【００６２】
第２電極２５３は有機発光層２５２上に配置される。有機発光表示装置が上部発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）構造に形成される場合、第２電極２５３は光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、又はマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過金属物質（Ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。第２電極２５３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が配置されることができる。
【００６３】
有機発光素子層２０上には封止層３０が第１基板１１１の表示領域ＤＡはもちろんのこと、非表示領域ＮＤＡまで配置される。封止層３０は、ダムＤＡＭ及び封止膜３００を含む。
【００６４】
前記ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを遮断する。より具体的に、ダムＤＡＭは表示領域ＤＡの外縁を取り囲むように配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを遮断することができる。また、ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０がパッドコンタクトホールＰＣＴによって露出されたパッド電極ＰＡＤに侵犯することができないように有機膜３２０の流れを遮断することができる。これにより、ダムＤＡＭは有機膜３２０が表示装置の外部に露出されるとかパッド電極ＰＡＤに侵犯することを防止することができる。
【００６５】
このようなダムＤＡＭは、第１ダムＤ１及び第２ダムＤ２を含むことができる。
【００６６】
前記第１ダムＤ１は表示領域ＤＡの外縁を取り囲むように配置され、封止膜３００を構成する有機膜３２０の流れを１次的に遮断することができる。また、第１ダムＤ１は表示領域ＤＡとパッド領域ＰＡの間に配置され、露出されたパッド電極ＰＡＤに有機膜３２０が侵犯することができないように有機膜３２０の流れを１次的に遮断することができる。
【００６７】
前記第２ダムＤ２は第１ダムＤ１の外縁を取り囲むように配置され、第１ダムＤ１から離隔して並んで配置される。第２ダムＤ２は第１ダムＤ１の外側に溢れる有機膜３２０を２次的に遮断することができる。これにより、第１ダムＤ１及び第２ダムＤ２は、有機膜３２０が表示装置の外部に露出されるとかあるいは露出されたパッド電極ＰＡＤを侵犯することをより効果的に遮断することができる。
【００６８】
このようなダムＤＡＭは平坦化膜２４０又はバンク２６０と同時に形成されることができ、平坦化膜２４０又はバンク２６０と同じ物質からなることができる。この場合、ダムＤＡＭは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機物質から形成されることができる。
【００６９】
前記封止膜３００は表示領域ＤＡを覆うように配置され、有機発光層２５２と第２電極２５３に酸素又は水分が浸透することを防止する役割をする。このために、封止膜３００は少なくとも一つの無機膜と少なくとも一つの有機膜を含むことができる。例えば、封止膜３００は、第１無機膜３１０、有機膜３２０、及び第２無機膜３３０を含むことができる。
【００７０】
前記第１無機膜３１０は第２電極２５３上に配置される。第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆うように配置される。本発明の第１実施例による第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆う。また、本発明の第１実施例による第１無機膜３１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びるが、パッド電極ＰＡＤを覆わずに露出させる。ここで、本発明の第１実施例による第１無機膜３１０はパッド電極ＰＡＤを取り囲み（例えば、少なくとも一部を覆い）、より具体的にパッド電極ＰＡＤを露出させるために、パッドコンタクトホールＰＣＴの外部のパッド電極ＰＡＤを覆うように配置されることができる。
【００７１】
このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。よって、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【００７２】
このように、本発明の第１実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド電極ＰＡＤを覆うように全体的に形成し、有機膜３２０及び第２無機膜３３０を形成した後、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を用いるエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程でパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する。
【００７３】
前記有機膜３２０は第１無機膜３１０上に配置される。有機膜３２０は、異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜３１０を通過して有機発光層２５２と第２電極２５３に侵入することを防止するために、十分な厚さで形成されることができる。有機膜３２０は液状でインクジェット（ｉｎｋｊｅｔ）工程によって塗布された後、硬化工程によって形成されることができる。
【００７４】
前記第２無機膜３３０は有機膜３２０上に配置される。第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆うように配置される。本発明の第１実施例による第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆うように配置されることができる。ここで、本発明の第１実施例による第２無機膜３３０はパッド領域ＰＡには形成されない。すなわち、本発明の第１実施例による第１無機膜３１０及び第２無機膜３３０は終端の位置が互いに違うように形成される。
【００７５】
本発明の第１実施例による第２無機膜３３０が形成される過程で、マスクはパッド電極ＰＡＤ上に配置されることができる。ここで、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上面に第１無機膜３１０が形成されているから、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しても、マスクの境界面とパッド電極ＰＡＤの間にアーク放電現象が発生しない。すなわち、第１無機膜３１０がマスクとパッド電極ＰＡＤの間で絶縁膜の役割をする。このように、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡまで形成された第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることにより、第２無機膜３３０の製造工程でパッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しても、マスクの境界面とパッド電極ＰＡＤの間にアーク放電現象が発生しない。
【００７６】
このような第１及び第２無機膜３１０、３３０のそれぞれは、シリコン窒化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物、又はチタン酸化物から形成されることができる。有機膜３２０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）又はポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）から形成されることができる。
【００７７】
前記封止層３０上にはタッチセンシング層４０が形成される。前記タッチセンシング層４０は、バッファー層４１０、ブリッジ電極ＢＥ、絶縁膜４２０、第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、及びパッシベーション膜４３０を含む。
【００７８】
封止層３０上には前記バッファー層４１０が配置される。バッファー層４１０は封止膜３００を覆うように配置される。本発明の第１実施例によるバッファー層４１０は封止膜３００を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆う。また、本発明の第１実施例によるバッファー層４１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びるが、パッド電極ＰＡＤを覆わずに露出させる。ここで、本発明の第１実施例によるバッファー層４１０はパッド電極ＰＡＤを取り囲み、より具体的にパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴの外縁を取り囲むように配置される。
【００７９】
このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、バッファー層４１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、バッファー層４１０の上面に形成されるブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが損傷することを防止することができる。より具体的に、バッファー層４１０の上面にブリッジ電極ＢＥを形成するが、パッド電極ＰＡＤが露出されている場合はパッド電極ＰＡＤが損傷することがある。本発明の第１実施例による表示装置１００は、バッファー層４１０をパッド領域ＰＡまで形成し、ブリッジ電極ＢＥを形成することにより、パッド電極ＰＡＤが損傷することを防止することができる。
【００８０】
バッファー層４１０上には前記ブリッジ電極ＢＥが配置される。ブリッジ電極ＢＥは、第１タッチ電極ＴＥ１と第２タッチ電極ＴＥ２がそれらの交差領域で互いに短絡することを防止するために、第１方向に隣り合った第１タッチ電極ＴＥ１を電気的に連結する。ブリッジ電極ＢＥは第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２と違う層に配置され、ブリッジコンタクトホールＢＣＴを介して隣接した第１タッチ電極ＴＥ１に接続されることができる。ブリッジ電極ＢＥは第２タッチ電極ＴＥ２と交差することができる。
【００８１】
ブリッジ電極ＢＥ上には絶縁膜４２０が配置される。絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆うように配置され、ブリッジ電極ＢＥと第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２を絶縁させる。本発明の第１実施例による絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてパッド領域ＰＡまで形成されることができる。本発明の第１実施例による絶縁膜４２０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びるが、パッド電極ＰＡＤを覆わずに露出させる。ここで、本発明の第１実施例による絶縁膜４２０はパッド電極ＰＡＤを取り囲み、より具体的にパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴの外縁を取り囲むように配置される。
【００８２】
このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、絶縁膜４２０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４２０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する工程が必要ない。
【００８３】
パッド電極ＰＡＤの上面に形成されたバッファー層４１０と絶縁膜４２０は、ブリッジコンタクトホールＢＣＴの形成工程で、パッド電極ＰＡＤが露出されるように同時に除去されることができる。すなわち、ブリッジコンタクトホールＢＣＴとパッドコンタクトホールＰＣＴは同時に形成されることができる。
【００８４】
絶縁膜４２０上には前記第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２が配置される。第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１及び第２タッチラインＴＬ２は同じ層に配置されることができる。第１タッチ電極ＴＥ１は第１方向（ｙ軸方向）に配置されて互いに連結され、第２タッチ電極ＴＥ２は第２方向（ｘ軸方向）に配置されて互いに連結される。第１方向（ｙ軸方向）はスキャンラインＳ１〜Ｓｎに平行な方向であり、第２方向（ｘ軸方向）はデータラインＤ１〜Ｄｍに平行な方向であり得る。もしくは、第１方向（ｙ軸方向）はデータラインＤ１〜Ｄｍに平行な方向であり、第２方向（ｘ軸方向）はスキャンラインＳ１〜Ｓｎに平行な方向であり得る。
【００８５】
第１方向（ｙ軸方向）に連結された第１タッチ電極ＴＥ１のそれぞれは第２方向（ｘ軸方向）に隣接した第１タッチ電極ＴＥ１と電気的に絶縁される。第２方向（ｘ軸方向）に連結された第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれは第１方向（ｙ軸方向）に隣接した第２タッチ電極ＴＥ２と電気的に絶縁される。
【００８６】
これにより、第１タッチ電極ＴＥ１と第２タッチ電極ＴＥ２の交差領域にはタッチセンサーに相当する相互容量（ｍｕｔｕａｌ  ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が形成されることができる。
【００８７】
第１方向（ｙ軸方向）に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１の一側端に配置された第１タッチ電極ＴＥ１は非表示領域ＮＤＡで第１タッチラインＴＬ１と連結されることができる。第１タッチラインＴＬ１は第１タッチ電極ＴＥ１から伸びてパッド領域ＰＡまでパターンを形成することができる。第１タッチラインＴＬ１はパッド領域ＰＡでパッド電極ＰＡＤと接続し、パッド電極ＰＡＤを介して第１タッチ駆動部１８１に連結されることができる。よって、第１方向（ｙ軸方向）に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１は第１タッチラインＴＬ１を介して第１タッチ駆動部１８１から駆動パルスを入力されることができる。
【００８８】
第２方向（ｘ軸方向）に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２の一側端に配置された第２タッチ電極ＴＥ２は非表示領域ＮＤＡで第２タッチラインＴＬ２と連結されることができる。第２タッチラインＴＬ２は第２タッチ電極ＴＥ２から伸びてパッド領域ＰＡまでパターンを形成することができる。第２タッチラインＴＬ２はパッド領域ＰＡでパッド電極ＰＡＤと接続し、パッド電極ＰＡＤを介して第２タッチ駆動部１８２に連結されることができる。よって、第２タッチ駆動部１８２は第２方向（ｘ軸方向）に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２のタッチセンサーのチャージ変化量を入力されることができる。
【００８９】
第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２上には前記パッシベーション膜４３０が配置される。パッシベーション膜４３０は外部からの有害な環境を遮断して表示装置の特性安定化を維持する。また、パッシベーション膜４３０は第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２上に配置されるだけでなく、第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２の間に配置されることもできる。第１タッチ電極ＴＥ１のそれぞれはパッシベーション膜４３０によって第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれと絶縁されることができる。
【００９０】
本発明の実施例は封止層３０上にタッチセンシング層４０を直接形成することにより、第１基板１１１と第２基板１１２の合着時、整列する必要がない。
【００９１】
上述したように、本発明の第１実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。
【００９２】
したがって、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置１００の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【００９３】
図７は本発明の第２実施例による表示装置の断面図で、図５のＩ−Ｉ’線についての第２実施例を示す断面図である。図７に示した表示装置１００は、バッファー層が省略されることによるパッドコンタクトホールＰＣＴの製造方法を除き、前述した図６で説明した第１実施例による表示装置１００と同様である。これにより、以下の説明ではパッドコンタクトホールＰＣＴの製造方法についてだけ説明し、同じ構成についての重複説明は省略する。
【００９４】
図７を参照すると、本発明の第２実施例による表示装置１００の第１無機膜３１０は第２電極２５３上に配置される。第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆うように配置される。本発明の第２実施例による第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆う。また、本発明の第２実施例による第１無機膜３１０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びるが、パッド電極ＰＡＤを覆わずに露出させる。ここで、本発明の第２実施例による第１無機膜３１０はパッド電極ＰＡＤを取り囲み（例えば、少なくとも一部を覆い）、より具体的にパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴの外縁を取り囲むように配置される。
【００９５】
このような本発明の第２実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。よって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【００９６】
前記有機膜３２０は第１無機膜３１０上に配置され、前記第２無機膜３３０は有機膜３２０上に配置される。第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆うように配置される。本発明の第２実施例による第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭを覆うように配置されることができる。ここで、本発明の第２実施例による第２無機膜３３０はパッド領域ＰＡには形成されない。すなわち、本発明の第２実施例による第１無機膜３１０及び第２無機膜３３０は終端の位置が互いに異なるように形成される。
【００９７】
本発明の第２実施例による第２無機膜３３０が形成される過程で、マスクはパッド電極ＰＡＤ上に配置されることができる。ここで、本発明の第２実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上面に第１無機膜３１０が形成されているから、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置してもマスクの境界面とパッド電極ＰＡＤの間にアーク放電現象が発生しない。すなわち、第１無機膜３１０がマスクとパッド電極ＰＡＤの間で絶縁膜の役割をする。このように、本発明の第２実施例による表示装置１００は、パッド領域ＰＡまで形成された第１無機膜３１０が絶縁膜の役割をすることにより、第２無機膜３３０の製造工程でパッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しても、マスクの境界面とパッド電極ＰＡＤの間にアーク放電現象が発生しない。
【００９８】
本発明の第２実施例による表示装置１００は、封止膜３００上にバッファー層が形成されず、封止膜３００の上面にブリッジ電極ＢＥが形成される。本発明の第１実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に露出されたパッド電極ＰＡＤを保護するために封止膜３００上にバッファー層を形成したが、本発明の第２実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが第１無機膜３１０によって露出されないから、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。
【００９９】
本発明の第２実施例による表示装置１００は、封止膜３００上にブリッジ電極ＢＥが配置され、ブリッジ電極ＢＥ上には絶縁膜４２０が配置される。絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆うように配置され、ブリッジ電極ＢＥと第１及び第２タッチ電極ＴＥ１、ＴＥ２を絶縁させる。本発明の第２実施例による絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてパッド領域ＰＡまで形成されることができる。本発明の第２実施例による絶縁膜４２０はダムＤＡＭの外側に配置されるパッド領域ＰＡまで伸びるが、パッド電極ＰＡＤを覆わずに露出させる。ここで、本発明の第２実施例による絶縁膜４２０はパッド電極ＰＡＤを取り囲み、より具体的にパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴの外縁を取り囲むように配置される。
【０１００】
このような本発明の第２実施例による表示装置１００は、絶縁膜４２０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４２０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する工程が必要ない。
【０１０１】
パッド電極ＰＡＤの上面に形成された第１無機膜３１０と絶縁膜４２０は、ブリッジコンタクトホールＢＣＴの形成工程でパッド電極ＰＡＤが露出されるように、同時に除去されることができる。すなわち、ブリッジコンタクトホールＢＣＴとパッドコンタクトホールＰＣＴは同時に形成されることができる。
【０１０２】
上述したように、本発明の第２実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。
【０１０３】
したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置１００の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【０１０４】
また、本発明の第２実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが第１無機膜３１０によって露出されないから、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。
【０１０５】
図８は本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャート、図９Ａ〜図９Ｉは本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１０６】
図９Ａ〜図９Ｉに示した平面図は前述した図６に示した本発明の第１実施例による表示装置の製造方法に関するもので、同じ構成に対して同じ図面符号を付与した。以下では、図８及び図９Ａ〜図９Ｉに基づいて本発明の第１実施例による表示装置の製造方法を説明する。
【０１０７】
一番目で、図９Ａに示すように、第１基板１１１の表示領域ＤＡに画素Ｐを形成し、前記表示領域ＤＡを取り囲む非表示領域ＮＤＡにパッド電極ＰＡＤ及びダムＤＡＭを形成する。（Ｓ８０１）
【０１０８】
具体的に説明すると、まず、第１基板１１１上に薄膜トランジスタ２１０のアクティブ層２１１を形成する。より具体的に、スパッタリング法（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）又はＭＯＣＶＤ法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いて第１基板１１１上の全面にアクティブ金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程でアクティブ金属層をパターニングしてアクティブ層２１１を形成する。アクティブ層２１１はシリコン系半導体物質又は酸化物系半導体物質から形成されることができる。
【０１０９】
その後、アクティブ層２１１上にゲート絶縁膜２２０を形成する。ゲート絶縁膜２２０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。
【０１１０】
その後、ゲート絶縁膜２２０上に薄膜トランジスタ２１０のゲート電極２１２及びゲートライン２１５を形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いてゲート絶縁膜２２０上の全面に第１金属層を形成する。ついで、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第１金属層をパターニングしてゲート電極２１２及びゲートライン２１５を形成する。ゲート電極２１２及びゲートライン２１５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。
【０１１１】
その後、ゲート電極２１２上に層間絶縁膜２３０を形成する。層間絶縁膜２３０は、無機膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、又はこれらの多重膜から形成されることができる。
【０１１２】
その後、ゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫いてアクティブ層２１１を露出させるコンタクトホールと層間絶縁膜２３０を貫いてゲートライン２１５を露出させるコンタクトホールを形成する。
【０１１３】
その後、層間絶縁膜２３０上に薄膜トランジスタ２１０のソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤを形成する。具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて層間絶縁膜２３０上の全面に第２金属層を形成する。ついで、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第２金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤを形成する。ソース電極及びドレイン電極２１３、２１４のそれぞれはゲート絶縁膜２２０と層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層２１１に接続されることができる。また、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤは層間絶縁膜２３０を貫通するコンタクトホールを介してゲートライン２１５に接続されることができる。ソース電極及びドレイン電極２１３、２１４、ソースドレインライン２１６、及びパッド電極ＰＡＤは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及び銅（Ｃｕ）のいずれか１種又はこれらの合金からなる単一層又は多重層から形成されることができる。
【０１１４】
その後、薄膜トランジスタ２１０のソース電極及びドレイン電極２１３、２１４上に、薄膜トランジスタ２１０による段差を平坦化するための平坦化膜２４０を形成する。平坦化膜２４０のそれぞれは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。
【０１１５】
その後、平坦化膜２４０上に有機発光素子２５０を形成する。具体的に、平坦化膜２４０上に有機発光素子２５０の第１電極２５１を形成する。より具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて平坦化膜２４０上の全面に第３金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第３金属層をパターニングして第１電極２５１を形成する。第１電極２５１は平坦化膜２４０を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１３に接続されることができる。第１電極２５１はアルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、ＡＰＣ合金、及びＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質から形成されることができる。
【０１１６】
その後、画素Ｐを区画するために平坦化膜２４０上で第１電極２５１の縁部を覆うようにバンク２６０を形成するとともにダムＤＡＭを形成する。このとき、ダムＤＡＭは非表示領域ＮＤＡに形成される。ダムＤＡＭ及びバンク２６０のそれぞれは、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）などの有機膜から形成されることができる。
【０１１７】
一方、ダムＤＡＭがバンク２６０と同時に形成されるものとして説明しているが、これに限定されなく、ダムＤＡＭは平坦化膜２４０と同時に形成されることもできる。
【０１１８】
その後、第１電極２５１とバンク２６０上に有機発光層２５２を蒸着工程又は溶液工程で形成する。その後、有機発光層２５２上に第２電極２５３を形成する。第２電極２５３は画素Ｐに共通して形成される共通層であり得る。第２電極２５３は光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。第２電極２５３はスパッタリング法のような物理的気象蒸着法（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成されることができる。第２電極２５３上にはキャッピング層（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が形成されることができる。
二番目で、図９Ｂに示すように、第１基板１１１上に第１無機膜３１０を全体的に形成する。（Ｓ８０２）
【０１１９】
本発明の第１実施例による第１無機膜３１０は第２電極２５３を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及びパッド電極ＰＡＤを覆うように形成される。このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。したがって、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【０１２０】
三番目で、図９Ｃに示すように、第１無機膜３１０上に有機膜３２０及び第２無機膜３３０を形成する。（Ｓ８０３）
【０１２１】
有機膜３２０は第１無機膜３１０を覆うように形成される。有機膜３２０は異物（ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）が第１無機膜３１０を通過して有機発光層２５２と第２電極２５３に侵入することを防止するために十分な厚さで形成されることが好ましい。
【０１２２】
第２無機膜３３０は有機膜３２０を覆うように形成される。具体的に、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置し、パッド電極ＰＡＤの上部を除いて形成する。
【０１２３】
第１及び第２無機膜３１０、３３０のそれぞれは、シリコン酸化物、シリコン窒化物、酸窒化珪素、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、又はチタン酸化物から形成されることができる。有機膜３２０は、アクリル樹脂（ａｃｒｙｌ  ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）又はポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）から形成されることができる。
【０１２４】
四番目で、図９Ｄに示すように、パッド領域ＰＡを除き、第１基板１１１上にフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）パターンを形成する。（Ｓ８０４）
【０１２５】
五番目で、図９Ｅに示すように、パッド電極ＰＡＤ上に形成された第１無機膜３１０を除去する。（Ｓ８０５）
【０１２６】
具体的に、フォトレジスト（ＰＲ）パターンが形成された第１基板１１１上に乾式食刻（ｄｒｙ  ｅｔｃｈ）工程を実施する。乾式食刻（ｄｒｙ  ｅｔｃｈ）工程によって、フォトレジスト（ＰＲ）パターンが形成されていないパッド領域ＰＡの第１無機膜３１０が除去され、パッド電極ＰＡＤが露出される。その後、フォトレジスト（ＰＲ）パターンを除去する。
【０１２７】
六番目で、図９Ｆに示すように、第１基板１１１上にバッファー層４１０を全体的に形成する。（Ｓ８０６）
【０１２８】
本発明の第１実施例によるバッファー層４１０は封止膜３００を覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及びパッド電極ＰＡＤを覆うように形成される。このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、バッファー層４１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、バッファー層４１０の上面に形成されるブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが損傷することを防止することができる。より具体的に、バッファー層４１０の上面にブリッジ電極ＢＥを形成するが、パッド電極ＰＡＤが露出されている場合はパッド電極ＰＡＤが損傷することがある。本発明の第１実施例による表示装置１００は、バッファー層４１０をパッド領域ＰＡまで形成し、ブリッジ電極ＢＥを形成することにより、パッド電極ＰＡＤが損傷することを防止することができる。
【０１２９】
七番目で、図９Ｇに示すように、バッファー層４１０上にブリッジ電極ＢＥを形成し、第１基板１１１上に絶縁膜４２０を全体的に形成する。（Ｓ８０７）
【０１３０】
具体的に、スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いてバッファー層４１０上の全面に第４金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第４金属層をパターニングしてブリッジ電極ＢＥを形成する。
【０１３１】
その後、第１基板１１１上に絶縁膜４２０を全体的に形成する。本発明の第１実施例による絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及びパッド電極ＰＡＤを覆うように形成される。このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、絶縁膜４２０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４２０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する工程が必要ない。
【０１３２】
八番目で、図９Ｈに示すように、ブリッジ電極ＢＥを露出させるブリッジコンタクトホールＢＣＴ、及びパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する。（Ｓ８０８）
【０１３３】
絶縁膜４２０を貫いてブリッジ電極ＢＥを露出させるブリッジコンタクトホールＢＣＴ、及びパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴは同時に形成される。
【０１３４】
パッド電極ＰＡＤの上面に形成されたバッファー層４１０と絶縁膜４２０はブリッジコンタクトホールＢＣＴの形成工程で、パッド電極ＰＡＤが露出されるように同時に除去されることができる。
【０１３５】
ブリッジ電極ＢＥは絶縁膜４２０を貫通するブリッジコンタクトホールＢＣＴを介して第１タッチ電極ＴＥ１に接続されて電気的に連結されることができる。
【０１３６】
九番目で、図９Ｉに示すように、ブリッジ電極ＢＥ及びパッド電極ＰＡＤと電気的に連結される第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、及びタッチラインＴＬ１、ＴＬ２を形成し、パッシベーション膜４３０を形成する。（Ｓ８０９）
【０１３７】
具体的に、バッファー層４１０上に第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、及びタッチラインＴＬ１、ＴＬ２を形成する。第１タッチ電極ＴＥ１は第１方向に一定の間隔で離隔して配置され、第２タッチ電極ＴＥ２は第２方向に互いに連結されるように形成される。このとき、第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２のそれぞれは長方形、八角形、円形又は菱形を有することができる。
【０１３８】
第１方向に互いに連結された第１タッチ電極ＴＥ１の一側端に配置された第１タッチ電極ＴＥ１は非表示領域ＮＤＡで第１タッチラインＴＬ１と連結されることができる。第１タッチラインＴＬ１は第１タッチ電極ＴＥ１から伸びてパッド領域ＰＡまでパターンを形成することができる。第１タッチ電極ＴＥ１と第１タッチラインＴＬ１は同じ層に形成されることができ、同じ物質から形成されることができる。
【０１３９】
第２方向に互いに連結された第２タッチ電極ＴＥ２の一側端に配置された第２タッチ電極ＴＥ２は非表示領域ＮＤＡで第２タッチラインＴＬ２と連結されることができる。第２タッチラインＴＬ２は第２タッチ電極ＴＥ２から伸びてパッド領域ＰＡまでパターンを形成することができる。第２タッチ電極ＴＥ２と第２タッチラインＴＬ２は同じ層に形成されることができ、同じ物質から形成されることができる。
【０１４０】
このような第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１及び第２タッチラインＴＬ２は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（ＴＣＯ、Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）から形成されることができる。
【０１４１】
スパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて絶縁膜４２０上の全面に第５金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第５金属層をパターニングして第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチラインＴＬ１及び第２タッチラインＴＬ２を形成する。
【０１４２】
その後、第１タッチ電極ＴＥ１及び第２タッチ電極ＴＥ２上にパッシベーション膜４３０を形成する。
【０１４３】
図面に具体的に示されていないが、パッシベーション膜４３０が形成された第１基板１１１は第２基板１１２と合着される。接着層（図示せず）を介して第１基板１１１のパッシベーション膜４３０と第２基板１１２を接着することにより、第１基板１１１と第２基板１１２を合着することができる。接着層（図示せず）は透明な接着レジン（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｃｌｅａｒ  ｒｅｓｉｎ、ＯＣＲ）又は透明な接着レジンフィルム（ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  ｃｌｅａｒ  ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ、ＯＣＡ）であり得る。
【０１４４】
このような本発明の第１実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。したがって、本発明の第１実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置の内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【０１４５】
図１０は本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するためのフローチャート、図１１Ａ〜図１１Ｆは本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【０１４６】
図１１Ａ〜図１１Ｆに示した平面図は前述した図７に示した本発明の第２実施例による表示装置の製造方法に関するものであり、同じ構成に対しては同じ図面符号を付与した。以下では、図１０及び図１１Ａ〜図１１Ｆに基づいて本発明の第２実施例による表示装置の製造方法を説明する。
【０１４７】
一番目で、図１１Ａに示すように、第１基板１１１の表示領域ＤＡに画素Ｐを形成し、前記表示領域ＤＡを取り囲む非表示領域ＮＤＡにパッド電極ＰＡＤ及びダムＤＡＭを形成する。（Ｓ１００１）
【０１４８】
二番目で、図１１Ｂに示すように、第１基板１１１上に第１無機膜３１０を全体的に形成する。（Ｓ１００２）
【０１４９】
三番目で、図１１Ｃに示すように、第１無機膜３１０上に有機膜３２０及び第２無機膜３３０を形成する。（Ｓ１００３）
【０１５０】
図１１Ａ〜図１１Ｃに示した表示装置１００の製造方法は前述した図９Ａ〜図９Ｃで説明した第１実施例による表示装置１００と同一である。したがって、同じ構成についての重複説明は省略する。
【０１５１】
四番目で、図１１Ｄに示すように、第２無機膜３３０上にブリッジ電極ＢＥを形成し、第１基板１１１上に絶縁膜４２０を全体的に形成する。（Ｓ１００４）
【０１５２】
本発明の第２実施例による表示装置１００は、封止膜３００上にバッファー層が形成されなく、封止膜３００の上面にブリッジ電極ＢＥが形成される。本発明の第１実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時に露出されたパッド電極ＰＡＤを保護するために封止膜３００上にバッファー層を形成したが、本発明の第２実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが第１無機膜３１０によって露出されないので、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。
【０１５３】
ブリッジ電極ＢＥを形成する工程は、具体的にスパッタリング法又はＭＯＣＶＤ法などを用いて第２無機膜３３０上の全面に第４金属層を形成する。その後、フォトレジストパターンを用いたマスク工程で第４金属層をパターニングしてブリッジ電極ＢＥを形成する。
【０１５４】
その後、第１基板１１１上に絶縁膜４２０を全体的に形成する。本発明の第２実施例による絶縁膜４２０はブリッジ電極ＢＥを覆い、非表示領域ＮＤＡまで伸びてダムＤＡＭ及びパッド電極ＰＡＤを覆うように形成される。このような本発明の第２実施例による表示装置１００は、絶縁膜４２０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに絶縁膜４２０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する工程が必要ない。
【０１５５】
五番目で、図１１Ｅに示すように、ブリッジ電極ＢＥを露出させるブリッジコンタクトホールＢＣＴ、及びパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴを形成する。（Ｓ１００５）
【０１５６】
絶縁膜４２０を貫いてブリッジ電極ＢＥを露出させるブリッジコンタクトホールＢＣＴ、及び絶縁膜４２０を貫いてパッド電極ＰＡＤを露出させるパッドコンタクトホールＰＣＴは同時に形成される。
【０１５７】
ブリッジ電極ＢＥは絶縁膜４２０を貫通するブリッジコンタクトホールＢＣＴを介して第１タッチ電極ＴＥ１に接続されて電気的に連結されることができる。
【０１５８】
六番目で、図１１Ｆに示すように、ブリッジ電極ＢＥ及びパッド電極ＰＡＤと電気的に連結される第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、及びタッチラインＴＬ１、ＴＬ２を形成し、パッシベーション膜４３０を形成する。（Ｓ１００６）
【０１５９】
図１１Ｅに示した表示装置１００の製造方法は前述した図９Ｉで説明した第１実施例による表示装置１００と同一である。したがって、同じ構成についての重複説明は省略する。
【０１６０】
上述したように、本発明の第２実施例による表示装置１００は、第１無機膜３１０がパッド領域ＰＡまで延設されるから、パッド領域ＰＡに第１無機膜３１０を形成しないために、パッド電極ＰＡＤをカバーするマスクをパッド電極ＰＡＤの上部に配置する必要がない。
【０１６１】
したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、パッド電極ＰＡＤの上部にマスクを配置しないことにより、マスクの境界面とパッド電極の間にアーク放電現象が発生することを防止することができ、マスクから流入する大電流がパッド電極ＰＡＤに沿って表示装置１００内部に流れて不良を引き起こすことを防止することができる。
【０１６２】
また、本発明の第２実施例による表示装置１００は、ブリッジ電極ＢＥの形成時にパッド電極ＰＡＤが第１無機膜３１０によって露出されないので、バッファー層を形成する必要がない。したがって、本発明の第２実施例による表示装置１００は、バッファー層を省略して製造コストを節減し、工程を減らすことができる。
【０１６３】
以上で添付図面に基づいて本発明の実施例をより詳細に説明したが、本発明は必ずしもこのような実施例に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範疇内で多様に変形して実施可能である。したがって、本発明に開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためのものではなくて説明するためのものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は全ての面で例示的なもので、限定的なものではことを理解しなければならない。本発明の保護範囲は請求範囲によって解釈されなければならなく、それと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならないであろう。
【０１６４】
本願発明はつぎの態様を含む。
（条項Ａ１）
画素が配置された表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板と、
前記表示領域を取り囲み、前記非表示領域に配置されるダムと、
前記ダムの外側に配置されたパッド電極と、
前記表示領域を覆い、第１無機膜を含む封止膜とを含み、
前記第１無機膜がパッド電極を取り囲む、表示装置。
（条項Ａ２）
前記封止膜が前記第１無機膜上に配置された有機膜と前記有機膜上に配置された第２無機膜とをさらに含み、前記第１無機膜及び前記第２無機膜は終端の位置が互いに異なる、条項Ａ１に記載の表示装置。
（条項Ａ３）
前記封止膜が前記第１無機膜上に配置された有機膜と前記有機膜上に配置された第２無機膜とをさらに含み、前記第１無機膜及び前記第２無機膜は前記ダムを覆う、条項Ａ１又はＡ２に記載の表示装置。
（条項Ａ４）
前記封止膜上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置されて前記パッド電極に電気的に接続された第１タッチ電極とをさらに含み、前記絶縁膜が前記パッド電極を取り囲む、条項Ａ１からＡ３のいずれか一項に記載の表示装置。
（条項Ａ５）
前記封止膜及び前記絶縁膜の間に配置されたバッファー層をさらに含み、前記バッファー層が前記パッド電極を取り囲む、条項Ａ４に記載の表示装置。
（条項Ａ６）
バッファー層が前記封止膜及び前記絶縁膜の間に形成されない、条項Ａ４に記載の表示装置。
（条項Ａ７）
互いに隣接する前記第１タッチ電極を接続するための前記封止膜上のブリッジ電極をさらに含み、前記ブリッジ電極が、前記第１タッチ電極と同じ層に配置され前記第１タッチ電極から離隔した第２電極と交差し、前記絶縁膜が前記ブリッジ電極と前記封止膜とを覆う、条項Ａ４からＡ６のいずれか一項に記載の表示装置。
（条項Ａ８）
第１基板の表示領域に画素を形成し、パッド電極を形成し、前記表示領域を取り囲む非表示領域にダムを形成することと、
前記第１基板上に第１無機膜を完全に形成することと、
前記第１無機膜上に有機膜と第２無機膜を形成することと、
前記パッド電極上に形成された前記第１無機膜を除去することと、
前記第１基板上にバッファー層を完全に形成することと、
前記バッファー層上にブリッジ電極を形成することと、
前記ブリッジ電極を露出させるためのブリッジコンタクトホールと、前記パッド電極を露出させるためのパッドコンタクトホールを形成することと、
前記ブリッジ電極と前記パッド電極に電気的に接続するタッチ電極を形成することと、
を含む、表示装置を製造する方法。
（条項Ａ９）
前記パッド電極上に形成された前記第１無機膜を除去することが、
前記パッド電極の上部を除き前記第１基板上にフォトレジストを完全に形成することと、
エッチング工程によって前記第１無機膜を除去して前記パッド電極を露出させることと、
前記フォトレジストを除去することと、
を含む、条項Ａ８に記載の方法。
（条項Ａ１０）
前記第１無機膜上に前記第２無機膜を形成することが、
前記パッド電極上にマスクを配置することによって前記第２無機膜を形成すること、
を含む、条項Ａ８又はＡ９に記載の方法。
（条項Ａ１１）
第１基板の表示領域に画素を形成し、パッド電極を形成し、前記表示領域を取り囲む非表示領域にダムを形成することと、
前記第１基板上に第１無機膜を完全に形成することと、
前記第１無機膜上に有機膜と第２無機膜を形成することと、
前記第２無機膜上にブリッジ電極を形成することと、
前記第１基板上に絶縁膜を完全に形成することと、
前記ブリッジ電極を露出させるためのブリッジコンタクトホールと、前記パッド電極を露出させるためのパッドコンタクトホールを形成することと、
前記ブリッジ電極と前記パッド電極に電気的に接続するタッチ電極を形成することと、
を含む、表示装置を製造する方法。
（条項Ａ１２）
バッファー層が前記第２無機膜及び前記ブリッジ電極の間に形成されない、条項Ａ１１に記載の方法。
（条項Ｂ１）
画素が配置された表示領域及び前記表示領域を取り囲む非表示領域を含む第１基板と、
前記表示領域を取り囲み、前記非表示領域に配置されるダムと、
前記表示領域に配置された有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオード上に備えられた封止膜と、
前記封止膜上に備えられたバッファー層と、
前記バッファー層上に備えられた絶縁膜と、
前記ダムの外側に配置され、前記バッファー層と前記絶縁膜が前記表示領域からパッド領域まで延びる、パッド領域と、
前記ダムと前記第１基板の間のリンクラインと、
前記絶縁膜上で前記表示領域と前記パッド領域の間に与えられたルーティングラインと、
を含む、表示装置。
（条項Ｂ２）
前記封止膜が第１無機膜を含み、前記第１無機膜が前記パッド電極へ延びる、条項Ｂ１に記載の表示装置。
（条項Ｂ３）
前記封止膜が前記第１無機膜上に配置された有機膜をさらに含む、条項Ｂ２に記載の表示装置。
（条項Ｂ４）
前記有機膜上に第２無機膜が配置され、前記第１無機膜及び前記第２無機膜は終端の位置が互いに異なる、条項Ｂ３に記載の表示装置。
（条項Ｂ５）
前記封止膜が前記第１無機膜上に配置された有機膜と前記有機膜上に配置された第２無機膜とをさらに含み、前記第１無機膜及び前記第２無機膜は前記ダムを覆う、条項Ｂ１からＢ４のいずれか一項に記載の表示装置。
（条項Ｂ６）
前記封止膜上に配置された絶縁膜と、前記絶縁膜上に配置されて前記パッド領域のパッド電極に電気的に接続された第１タッチ電極とをさらに含み、前記絶縁膜が前記パッド電極を取り囲む、条項Ｂ１からＢ５のいずれか一項に記載の表示装置。
（条項Ｂ７）
前記バッファー領域が前記パッド領域のパッド電極を取り囲む、条項Ｂ６に記載の表示装置。
（条項Ｂ８）
隣接する第１タッチ電極を接続するための前記封止膜上のブリッジ電極をさらに含み、前記ブリッジ電極が、前記第１タッチ電極と同じ層に配置され前記第１タッチ電極から離隔した第２電極と交差し、前記絶縁膜が前記ブリッジ電極と前記封止膜とを覆う、条項Ｂ６又はＢ７に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０１６５】
１０    薄膜トランジスタ層
２０    有機発光素子層
３０    封止層
４０    タッチセンシング層
１００    タッチスクリーン一体型表示装置
１１０    表示パネル
１１１    下部基板
１１２    上部基板
１２０    ゲート駆動部
１３０    データ駆動部
１３１    ソースドライブＩＣ
１４０    軟性フィルム
１５０    回路ボード
１６０    タイミングコントローラー
１７０    ホストシステム
１８０    タッチ駆動部
１８１    第１タッチ駆動部
１８２    第２タッチ駆動部
１８３    タッチコントローラー
１９０    タッチ座標算出部
２１０    薄膜トランジスタ
２１１    アクティブ層
２１２    ゲート電極
２１３    ソース電極
２１４    ドレイン電極
２２０    ゲート絶縁膜
２３０    層間絶縁膜
２４０    平坦化膜
２５０    有機発光素子
２５１    第１電極
２５２    有機発光層
２５３    第２電極
３００    封止膜
３１０    第１無機膜
３２０    有機膜
３３０    第２無機膜
４１０    バッファー層
４２０    絶縁膜
４３０    パッシベーション膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図９Ｈ】
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【図９Ｉ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１１Ｅ】
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【図１１Ｆ】
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