(57)【要約】【課題】不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができるメモリ制御装置、メモリ装置、画像形成装置、及びプログラムを提供する。【解決手段】メモリ制御装置１６Ａは、予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命に関する値が基準値を超える場合に、不揮発性メモリ１２Ｂから揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持する第１モードを選択し、省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命に関する値が基準値以下である場合に、不揮発性メモリ１２Ｂからキャッシュ領域に書き込まれたデータを不揮発性メモリ１２Ｂに書き戻す第２モードを選択する制御を行う制御部４０を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリの寿命に関する値が基準値を超える場合に、前記不揮発性メモリから揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持する第１モードを選択し、前記省電力モード移行条件を満たし、かつ、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が前記基準値以下である場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを前記不揮発性メモリに書き戻す第２モードを選択する制御を行う制御部を備えたメモリ制御装置。
【請求項２】
前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス予測回数であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリについて予め定められた許容可能なアクセス回数である請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項３】
前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス計測回数を記憶する第２不揮発性メモリを更に備え、
前記制御部は、前記使用可能期間、前記累積動作時間、及び前記アクセス計測回数に基づいて、前記アクセス予測回数を導出する請求項２に記載のメモリ制御装置。
【請求項４】
前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリについて予め定められた寿命に対する消耗度であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第１割合である請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項５】
前記不揮発性メモリの寿命に関する値は、前記不揮発性メモリについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合を示す消耗度であり、
前記基準値は、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第１割合である請求項１に記載のメモリ制御装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記消耗度を、前記不揮発性メモリに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する請求項４又は５に記載のメモリ制御装置。
【請求項７】
前記基準値は、前記第１割合と、前記電子機器を構成する部品について予め定められた使用可能回数に対する、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記部品の累積使用回数の第２割合とに基づいて決定される値である請求項４〜６のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
【請求項８】
前記電子機器は、複数の種類の異なる部品で構成されており、
前記基準値は、前記第１割合と、前記複数の種類の異なる部品の各々について得られる前記第２割合の各々とに基づいて決定される値である請求項７に記載のメモリ制御装置。
【請求項９】
前記基準値は、前記第１割合、及び、前記第２割合の各々のうちの最大値である請求項８に記載のメモリ制御装置。
【請求項１０】
前記電子機器は、画像形成部及び原稿読取部を含む画像形成装置であり、
前記複数の種類の異なる部品は、前記画像形成部及び前記原稿読取部である請求項８又は９に記載のメモリ制御装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第２モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を更に行う請求項１〜１０のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
【請求項１２】
前記第１モードは、前記揮発性メモリに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードである請求項１〜１１のいずれか１項に記載のメモリ制御装置。
【請求項１３】
前記第２モードは、前記セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いたモードである請求項１２に記載のメモリ制御装置。
【請求項１４】
データを記憶する不揮発性メモリと、
キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、
を備えたメモリ装置。
【請求項１５】
データを記憶する不揮発性メモリと、
キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、
前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを用いて画像形成を行う画像形成部と、
を備えた画像形成装置。
【請求項１６】
コンピュータを、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置が備える制御部として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メモリ制御装置、メモリ装置、画像形成装置、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、第１の電力状態で動作し、第１の電力状態よりも低消費電力の第２の電力状態で停止するＨＤＤ（Hard Disk Drive）を備えた画像形成装置が記載されている。この画像形成装置は、所定条件を満たした場合に第１の電力状態から第２の電力状態に移行させ、第２の電力状態で人を検出した場合に、第２の電力状態から第１の電力状態に復帰させる制御を行う。また、この画像形成装置は、第２の電力状態から第１の電力状態に移行した回数を計数して不揮発性メモリに記憶させ、自装置の設置期間に対する上記回数とＨＤＤの寿命情報との比較結果に応じて、第２の電力状態から第１の電力状態に復帰させる頻度を低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２０８９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、画像形成装置等の電子機器においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリが幅広く採用されている。ＨＤＤの場合、電源のオン及びオフの回数が寿命に大きく影響することが知られているが、不揮発性メモリの場合、一般的に、電源のオン及びオフではなく、読み出し（リード）及び書き込み（ライト）のアクセス回数が寿命に大きく影響する。そこで、不揮発性メモリの長寿命化を図るために、不揮発性メモリに記憶されているデータを揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込み、当該キャッシュ領域に対してアクセスすることが行われている。
【０００５】
一方、揮発性メモリの中には、メモリ単独で自動的に定期的なリフレッシュ動作を行うセルフリフレッシュモードを備えたものがある。このセルフリフレッシュモードでは、電子機器が省電力モードに移行した場合に、セルフリフレッシュ動作が実行される。この場合、上記キャッシュ領域に書き込まれたデータは、不揮発性メモリの寿命が十分残されている場合であっても常にキャッシュ領域に保持されるために相応の電力が消費され、節電効率の観点からは改善の余地があった。これらより、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることが望まれている。
【０００６】
本発明は、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができるメモリ制御装置、メモリ装置、画像形成装置、及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１に記載のメモリ制御装置は、予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリの寿命に関する値が基準値を超える場合に、前記不揮発性メモリから揮発性メモリのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持する第１モードを選択し、前記省電力モード移行条件を満たし、かつ、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が前記基準値以下である場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを前記不揮発性メモリに書き戻す第２モードを選択する制御を行う制御部を備えている。
【０００８】
また、請求項２に記載のメモリ制御装置は、請求項１に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス予測回数とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリについて予め定められた許容可能なアクセス回数とされている。
【０００９】
また、請求項３に記載のメモリ制御装置は、請求項２に記載の発明において、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記不揮発性メモリにおけるアクセス計測回数を記憶する第２不揮発性メモリを更に備え、前記制御部が、前記使用可能期間、前記累積動作時間、及び前記アクセス計測回数に基づいて、前記アクセス予測回数を導出する。
【００１０】
また、請求項４に記載のメモリ制御装置は、請求項１に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリについて予め定められた寿命に対する消耗度とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第１割合とされている。
【００１１】
また、請求項５に記載のメモリ制御装置は、請求項１に記載の発明において、前記不揮発性メモリの寿命に関する値が、前記不揮発性メモリについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合を示す消耗度とされ、前記基準値が、前記不揮発性メモリを搭載した電子機器について予め定められた使用可能期間に対する、前記電子機器が動作した時間の累積を示す累積動作時間の第１割合とされている。
【００１２】
また、請求項６に記載のメモリ制御装置は、請求項４又は５に記載の発明において、前記制御部が、前記消耗度を、前記不揮発性メモリに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。
【００１３】
また、請求項７に記載のメモリ制御装置は、請求項４〜６のいずれか１項に記載の発明において、前記基準値が、前記第１割合と、前記電子機器を構成する部品について予め定められた使用可能回数に対する、前記電子機器の動作中に累積して計測される前記部品の累積使用回数の第２割合とに基づいて決定される値とされている。
【００１４】
また、請求項８に記載のメモリ制御装置は、請求項７に記載の発明において、前記電子機器が、複数の種類の異なる部品で構成されており、前記基準値が、前記第１割合と、前記複数の種類の異なる部品の各々について得られる前記第２割合の各々とに基づいて決定される値とされている。
【００１５】
また、請求項９に記載のメモリ制御装置は、請求項８に記載の発明において、前記基準値が、前記第１割合、及び、前記第２割合の各々のうちの最大値とされている。
【００１６】
また、請求項１０に記載のメモリ制御装置は、請求項８又は９に記載の発明において、前記電子機器が、画像形成部及び原稿読取部を含む画像形成装置とされ、前記複数の種類の異なる部品が、前記画像形成部及び前記原稿読取部とされている。
【００１７】
また、請求項１１に記載のメモリ制御装置は、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発明において、前記制御部が、前記第２モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を更に行う。
【００１８】
また、請求項１２に記載のメモリ制御装置は、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発明において、前記第１モードが、前記揮発性メモリに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードとされている。
【００１９】
また、請求項１３に記載のメモリ制御装置は、請求項１２に記載の発明において、前記第２モードが、前記セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いたモードとされている。
【００２０】
一方、上記目的を達成するために、請求項１４に記載のメモリ装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、を備えている。
【００２１】
一方、上記目的を達成するために、請求項１５に記載の画像形成装置は、データを記憶する不揮発性メモリと、キャッシュ領域が設けられた揮発性メモリと、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置であって、前記不揮発性メモリから前記キャッシュ領域に前記データを書き込む制御を行うメモリ制御装置と、前記キャッシュ領域に書き込まれた前記データを用いて画像形成を行う画像形成部と、を備えている。
【００２２】
更に、上記目的を達成するために、請求項１６に記載のプログラムは、コンピュータを、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のメモリ制御装置が備える制御部として機能させる。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１、請求項１４、請求項１５、及び請求項１６に係る発明によれば、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができる。
【００２４】
請求項２に係る発明によれば、アクセス予測回数及び許容可能なアクセス回数を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００２５】
請求項３に係る発明によれば、累積動作時間及びアクセス計測回数の各実績値を用いない場合と比較して、アクセス予測回数を精度良く導出することができる。
【００２６】
請求項４に係る発明によれば、不揮発性メモリの寿命に対する消耗度、及び、電子機器の使用可能期間に基づく第１割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００２７】
請求項５に係る発明によれば、不揮発性メモリのアクセス可能回数に基づく消耗度、及び、電子機器の使用可能期間に基づく第１割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００２８】
請求項６に係る発明によれば、別構成とされたメモリ等から取得する場合と比較して、装置の構成をより簡易にすることができる。
【００２９】
請求項７に係る発明によれば、基準値として、電子機器を構成する部品の使用可能回数に基づく第２割合を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００３０】
請求項８に係る発明によれば、電子機器を構成する部品の種類を考慮しない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００３１】
請求項９に係る発明によれば、第１割合及び複数の第２割合のうちの最大値を用いない場合と比較して、より適切なモードを選択することができる。
【００３２】
請求項１０に係る発明によれば、不揮発性メモリを画像形成装置に搭載した場合に、不揮発性メモリの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させることができる。
【００３３】
請求項１１に係る発明によれば、省電力モード復帰条件を考慮しない場合と比較して、適切なタイミングでキャッシュ領域にデータを書き込むことができる。
【００３４】
請求項１２に係る発明によれば、揮発性メモリのキャッシュ領域のデータを不揮発性メモリに書き戻す場合と比較して、不揮発性メモリの長寿命化を図ることができる。
【００３５】
請求項１３に係る発明によれば、セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ機能を用いない場合と比較して、節電効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施形態に係る画像形成装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係るメモリ装置の電気的な構成の一例を示すブロック図である。
【図３】第１の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図４】第１の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図５】実施形態に係る第１モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図６】実施形態に係る第２モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図７】第２の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図８】第２の実施形態に係るレジスタフィールドの一例を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１０】第３の実施形態に係るメモリ制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図１１】第３の実施形態に係るメモリ制御プログラムによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の一例について詳細に説明する。
【００３８】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る画像形成装置１０の電気的な構成の一例を示すブロック図である。
【００３９】
図１に示すように、本実施形態に係る画像形成装置１０は、メイン制御部１２Ａと、記憶部１４と、表示部１８と、操作部２０と、画像形成部２２と、原稿読取部２４と、通信部２６と、メモリ装置３０と、を備えている。また、本実施形態に係るメモリ装置３０は、不揮発性メモリ１２Ｂと、揮発性メモリ１２Ｃと、メモリ制御装置１６Ａと、を備えている。これらの各部は、システムバス２８を介して各々接続されている。なお、画像形成装置１０は、電子機器の一例である。この電子機器としては、画像形成装置１０に限定されず、例えば、パーソナルコンピュータ（ＰＣ：Personal Computer）やサーバコンピュータ等の情報処理装置を適用してもよい。
【００４０】
本実施形態に係る画像形成装置１０は、動作モードとして、メイン制御部１２Ａを動作状態とする通常電力モードと、メイン制御部１２Ａをスリープ状態とする省電力モードと、を切り替え可能に有している。
【００４１】
本実施形態に係るメモリ制御装置１６Ａは、画像形成装置１０が省電力モード移行条件（後述）を満たす場合に、メイン制御部１２Ａに対して、スリープ状態への移行を指示し、かつ、揮発性メモリ１２Ｃに対して、セルフリフレッシュモードへの移行を指示する。この指示により、画像形成装置１０は、省電力モードに移行する。一方、メモリ制御装置１６Ａは、画像形成装置１０が省電力モード復帰条件（後述）を満たす場合に、メイン制御部１２Ａに対して、スリープ状態から動作状態への復帰を指示し、かつ、揮発性メモリ１２Ｃに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示する。この指示により、画像形成装置１０は、省電力モードから通常電力モードに復帰する。また、メモリ制御装置１６Ａは、画像形成装置１０が通常電力モードで動作している場合に、揮発性メモリ１２Ｃに対して、定期的にリフレッシュ命令を送出する。
【００４２】
メイン制御部１２Ａは、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を含み、画像形成装置１０の全体的な動作を制御する。メイン制御部１２Ａは、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路又はＩＣ（Integrated Circuit）チップセットが用いられる。なお、メイン制御部１２Ａの集積化には、ＬＳＩに限らず、専用回路又は汎用プロセッサを用いてもよい。
【００４３】
不揮発性メモリ１２Ｂには、ＲＯＭ（Read Only Memory）の一例であるフラッシュメモリや、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable ROM）等が用いられる。不揮発性メモリ１２Ｂは、画像形成装置１０の主電源がオフになっても、データが保持される記憶媒体であるが、ＨＤＤ等のデータへのアクセスを機械的に行う記憶媒体は除外される。なお、不揮発性メモリ１２Ｂには、データの一例として、画像形成装置１０による画像形成動作の制御に必要な各種のプログラムや設定値等が記憶されている。
【００４４】
揮発性メモリ１２Ｃには、ＲＡＭ（Random Access Memory）の一例であるＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）や、ＳＤＲＡＭ（Synchronous DRAM）、ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ（Double Data Rate SDRAM）、ＤＤＲ２ ＳＤＲＡＭ、ＤＤＲ３ ＳＤＲＡＭ等が用いられる。揮発性メモリ１２Ｃは、作業用メモリとして機能する。揮発性メモリ１２Ｃは、一定時間以上放置していると、保持されているデータが消失する記憶媒体である。このため、揮発性メモリ１２Ｃでは、データを継続して保持するために定期的にリフレッシュ動作を実行する必要がある。揮発性メモリ１２Ｃは、画像形成装置１０が通常電力モードで動作している場合、メモリ制御装置１６Ａから定期的に送出されるリフレッシュ命令に応じてリフレッシュ動作を行い、画像形成装置１０が省電力モードに移行した場合、メモリ制御装置１６Ａからの指示に応じてセルフリフレッシュモードに移行し、セルフリフレッシュ動作を行う。
【００４５】
上記セルフリフレッシュモードでは、揮発性メモリ１２Ｃ内でリフレッシュ動作が実行されるため、画像形成装置１０が省電力モードに移行した場合でも、揮発性メモリ１２Ｃに保持されているデータが消失することはない。揮発性メモリ１２Ｃがセルフリフレッシュモードを備えることで、メモリ制御装置１６Ａからリフレッシュ命令を送出する必要がなくなり、更に、メイン制御部１２Ａをスリープ状態に移行できるため、省電力化される。
【００４６】
一方、記憶部１４としては、例えば、ＨＤＤや、ＳＳＤ（Solid State Drive）等が用いられる。記憶部１４には、画像形成に関する各種処理を実行するためのアプリケーション・プログラムや、外部のＰＣ等から受信した印刷データ等が記憶される。
【００４７】
表示部１８には、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ:Liquid Crystal Display）や有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ等が用いられる。表示部１８は、タッチパネルを一体的に有している。操作部２０には、テンキーやスタートキー等の各種の操作キーが設けられている。表示部１８及び操作部２０は、画像形成装置１０のユーザから各種の指示を受け付ける。この各種の指示には、例えば、原稿の読み取りを開始させる指示や、原稿の複写（コピー）を開始させる指示等が含まれる。表示部１８は、ユーザから受け付けた指示に応じて実行された処理の結果や、処理に対する通知等の各種の情報を表示する。
【００４８】
原稿読取部２４は、画像形成装置１０の上部に設けられた図示しない自動原稿送り装置の給紙台に置かれた原稿を１枚ずつ取り込み、取り込んだ原稿を光学的に読み取って画像情報を得る。あるいは、原稿読取部２４は、プラテンガラス等の原稿台に置かれた原稿を光学的に読み取って画像情報を得る。
【００４９】
画像形成部２２は、原稿読取部２４による読み取りによって得られた画像情報、又は、ネットワークを介して接続された外部のＰＣ等から得られた画像情報に基づく画像を、紙等の記録媒体に形成する。なお、本実施形態においては、画像を形成する方式として、電子写真方式を例示して説明するが、インクジェット方式等の他の方式を採用してもよい。
【００５０】
画像を形成する方式が電子写真方式の場合、画像形成部２２は、感光体ドラム、帯電部、露光部、現像部、転写部、及び定着部を含む。帯電部は、感光体ドラムに電圧を印加して感光体ドラムの表面を帯電させる。露光部は、帯電部で帯電された感光体ドラムを画像情報に応じた光で露光することにより感光体ドラムに静電潜像を形成する。現像部は、感光体ドラムに形成された静電潜像をトナーにより現像することで感光体ドラムにトナー像を形成する。転写部は、感光体ドラムに形成されたトナー像を記録媒体に転写する。定着部は、記録媒体に転写されたトナー像を加熱及び加圧により定着させる。
【００５１】
通信部２６は、ネットワーク（図示省略）に接続されており、外部のＰＣとの間でネットワークを介して通信が可能とされている。このネットワークには、一例として、インターネットや、ＬＡＮ（Local Area Network）、ＷＡＮ（Wide Area Network）等が適用される。
【００５２】
次に、図２を参照して、本実施形態に係るメモリ装置３０の具体的な構成について説明する。
【００５３】
図２は、第１の実施形態に係るメモリ装置３０の電気的な構成の一例を示すブロック図である。
【００５４】
本実施形態に係る不揮発性メモリ１２Ｂには、上述したように、画像形成動作の制御に必要なデータが記憶されている。
【００５５】
本実施形態に係る揮発性メモリ１２Ｃには、キャッシュ領域が設けられ、かつ、上述したセルフリフレッシュモードでのリフレッシュ動作を行うためのリフレッシュ回路が設けられている。また、揮発性メモリ１２Ｃは、セルフリフレッシュモードのパーシャルアレイセルフリフレッシュ（Partial Array Self Refresh、以下、単に「ＰＡＳＲ」という。）機能を有している。
【００５６】
上記ＰＡＳＲ機能とは、セルフリフレッシュモード中に、揮発性メモリ１２Ｃを構成する複数の記憶領域の各々について、データを保持するか否かを選択的に設定する機能である。データを保持する設定である「データ保持」に設定するか、あるいは、データを保持しない設定である「データ非保持」に設定するかは、揮発性メモリ１２Ｃ内のレジスタの設定により選択される。「データ保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュモード中にデータが保持され、「データ非保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュモード中にデータが保持されない。つまり、「データ非保持」が設定された記憶領域では、セルフリフレッシュ動作を実行する必要がないため、通常のセルフリフレッシュモードと比較して、更に省電力化される。
【００５７】
ところで、不揮発性メモリ１２Ｂの場合、上述したように、読み出し（リード）及び書き込み（ライト）のアクセス回数が寿命に大きく影響する。そこで、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化を図るために、不揮発性メモリ１２Ｂに記憶されているデータを揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込んで、当該キャッシュ領域に対してアクセスが実行される。これにより、不揮発性メモリ１２Ｂへのアクセス回数が抑制される。一方、セルフリフレッシュモードでは、キャッシュ領域に書き込まれたデータは、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命が十分残っている場合であっても常にキャッシュ領域に保持されるため、相応の電力が消費される。これらより、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化を図りつつ、節電効率の向上が望まれている。
【００５８】
本実施形態に係るメモリ制御装置１６Ａは、上記ＰＡＳＲ機能を用いて、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命を優先させる第１モードと、装置全体の節電を優先させる第２モードとを選択的に切り替えて、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させる。
【００５９】
本実施形態に係るメモリ制御装置１６Ａは、ＣＰＵ３２と、ＲＡＭ３４と、ＲＯＭ３６と、第２不揮発性メモリ３８と、を備えている。
【００６０】
ＲＯＭ３６には、本実施形態に係るメモリ制御プログラム３６Ａが記憶されている。メモリ制御プログラム３６Ａは、例えば、メモリ制御装置１６Ａに予めインストールされていてもよい。メモリ制御プログラム３６Ａは、不揮発性の記憶媒体に記憶して、又はネットワークを介して配布して、メモリ制御装置１６Ａに適宜インストールすることで実現してもよい。なお、不揮発性の記憶媒体の例としては、ＣＤ-ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）、光磁気ディスク、ＨＤＤ、ＤＶＤ-ＲＯＭ（Digital Versatile Disc Read Only Memory）、フラッシュメモリ、メモリカード等が想定される。
【００６１】
本実施形態に係るメモリ制御装置１６ＡのＣＰＵ３２は、ＲＯＭ３６に記憶されているメモリ制御プログラム３６ＡをＲＡＭ３４に書き込んで実行することにより、図３に示す制御部４０として機能する。
【００６２】
図３は、第１の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ａの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図３に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置１６ＡのＣＰＵ３２は、制御部４０として機能する。
【００６３】
本実施形態に係る制御部４０は、不揮発性メモリ１２Ｂに記憶されているデータを、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込む制御を行う。そして、本実施形態に係る制御部４０は、予め定められた省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命に関する値が基準値を超える場合に、第１モードを選択し、省電力モード移行条件を満たし、かつ、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命に関する値が基準値以下である場合に、第２モードを選択する制御を行う。
【００６４】
なお、第１モードとは、上述したように、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命を優先させるモードであり、不揮発性メモリ１２Ｂから揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込まれたデータを保持するモードである。具体的には、第１モードは、揮発性メモリ１２Ｃに設けられたリフレッシュ回路を用いたセルフリフレッシュモードである。第１モードでは、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域のデータがそのまま保持され、不揮発性メモリ１２Ｂへの書き戻しは行われない。この場合、不揮発性メモリ１２Ｂへのアクセス回数が抑制され、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化に寄与する。
【００６５】
一方、第２モードとは、上述したように、装置全体の節電を優先させるモードであり、不揮発性メモリ１２Ｂからキャッシュ領域に書き込まれたデータを不揮発性メモリ１２Ｂに書き戻すモードである。具体的には、第２モードは、セルフリフレッシュモードのＰＡＳＲ機能を用いたモードである。第２モードでは、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ１２Ｂへの書き戻しが行われ、ＰＡＳＲ機能の設定によりキャッシュ領域にはデータが保持されない。この場合、キャッシュ領域についてセルフリフレッシュ動作を実行する必要がないため、装置全体での節電効率の向上に寄与する。
【００６６】
また、省電力モード移行条件とは、画像形成装置１０が省電力モードに移行する場合の条件であり、一例として、「ユーザによる操作入力が一定時間以上検出されない場合」や、「外部ＰＣからの印刷データが一定時間以上受信されない場合」等の条件である。
【００６７】
また、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命に関する値は、一例として、画像形成装置１０について予め定められた使用可能期間が経過した場合に予測される不揮発性メモリ１２Ｂにおけるアクセス予測回数である。この使用可能期間とは、画像形成装置１０について予め想定されている寿命を表す期間であり、例えば、メーカ等で実施される寿命試験の結果に基づいて決定される。また、アクセス予測回数は、後述するように、使用可能期間等を用いて制御部４０により算出される。一方、基準値は、一例として、不揮発性メモリ１２Ｂについて予め定められた許容可能なアクセス回数（以下、「許容アクセス回数」という。）である。この許容アクセス回数は、不揮発性メモリ１２Ｂについて予め想定される許容可能な読み出し及び書き込みのアクセス回数であり、例えば、メーカ等で実施される寿命試験の結果に基づいて決定される。
【００６８】
本実施形態に係る第２不揮発性メモリ３８は、上記の使用可能期間、許容アクセス回数を記憶すると共に、画像形成装置１０が動作した時間の累積を示す累積動作時間、及び、画像形成装置１０の動作中に累積して計測される不揮発性メモリ１２Ｂにおけるアクセス計測回数を記憶する。この累積動作時間は、一例として、画像形成装置１０が所定の使用場所に設置された後に初めて起動した時点から、この時点、例えば、直近の省電力モード移行時点までに動作した時間の累積として示される。また、このアクセス計測回数は、画像形成装置１０が動作中に不揮発性メモリ１２Ｂにおいて実際に読み出し及び書き込みのアクセスが行われた回数の累積として示される。これらの累積動作時間及びアクセス計測回数の各々は、画像形成装置１０の停止（主電源がオフ）や再起動を挟んでも継続して計測される。
【００６９】
本実施形態に係る制御部４０は、上記の累積動作時間及びアクセス計測回数を計測し、計測した計測値を第２不揮発性メモリ３８に記憶する。また、制御部４０は、使用可能期間、累積動作時間、及びアクセス計測回数に基づいて、アクセス予測回数を導出する。具体的には、使用可能期間をＴＬ、累積動作時間をＴＡ、アクセス計測回数をＮＭとした場合に、アクセス予測回数ＮＰは、下記に示す式（１）により求められる。
【００７０】
ＮＰ＝（ＴＬ／ＴＡ）×ＮＭ  ・・・（１）
【００７１】
上記式（１）を用いた場合、本実施形態に係る制御部４０は、省電力モード移行条件を満たし、かつ、アクセス予測回数ＮＰが許容アクセス回数を超える場合に、第１モードを選択し、省電力モード移行条件を満たし、かつ、アクセス予測回数ＮＰが許容アクセス回数以下である場合に、第２モードを選択する制御を行う。なお、式（１）に代えて、予め作成されたデータテーブルを用いて、アクセス予測回数ＮＰを導出してもよい。このモードを選択する制御により、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化を図りつつ、節電効率を向上させる。
【００７２】
なお、制御部４０は、第２モードに移行後に予め定められた省電力モード復帰条件を満たした場合に、不揮発性メモリ１２Ｂからキャッシュ領域にデータを書き込む制御を更に行う。この省電力モード復帰条件とは、画像形成装置１０が省電力モードから復帰する場合の条件であり、一例として、「ユーザによる操作入力が検出された場合」や、「外部ＰＣから印刷データが受信された場合」等の条件である。
【００７３】
次に、図４を参照して、第１の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ａの作用を説明する。なお、図４は、第１の実施形態に係るメモリ制御プログラム３６Ａによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００７４】
まず、画像形成装置１０の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム３６Ａが起動され、以下の各ステップを実行する。
【００７５】
図４のステップ１００では、制御部４０が、画像形成装置１０の累積動作時間、及び、不揮発性メモリ１２Ｂにおけるアクセス計測回数の計測を開始する。このとき得られた計測値は、第２不揮発性メモリ３８に記憶される。なお、制御部４０は、第２不揮発性メモリ３８に前回までの計測値が記憶されている場合には、前回までの計測値から継続してカウントする。
【００７６】
ステップ１０２では、制御部４０が、不揮発性メモリ１２Ｂに記憶されているデータを、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込む。なお、この場合、不揮発性メモリ１２Ｂからデータを読み出すため、この読み出し分もアクセス計測回数としてカウントする。
【００７７】
ステップ１０４では、制御部４０が、メイン制御部１２Ａを動作状態とし、画像形成装置１０を通常電力モードとする。この通常電力モードでは、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に対してアクセスがなされる。例えば、画像形成装置１０が備える画像形成部２２は、このキャッシュ領域に書き込まれたデータを用いて画像形成を行う。但し、一部の重要データを書き込む場合には、不揮発性メモリ１２Ｂに対して直接書き込みが行われることがある。このときの書き込み分もアクセス計測回数としてカウントする。また、この通常電力モードでは、上述したように、メモリ制御装置１６Ａから揮発性メモリ１２Ｃに対して定期的に送出されるリフレッシュ命令に応じて、揮発性メモリ１２Ｃのリフレッシュ動作が実行される。
【００７８】
ステップ１０６では、制御部４０が、画像形成装置１０が省電力モード移行条件を満たすか否かを判定する。省電力モード移行条件を満たすと判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１０８に移行し、省電力モード移行条件を満たさないと判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１１８に移行する。なお、この省電力モード移行条件とは、一例として、上述したように、「ユーザによる操作入力が一定時間以上検出されない場合」等の条件である。
【００７９】
ステップ１０８では、制御部４０が、第２不揮発性メモリ３８に記憶されている使用可能期間、累積動作時間、及びアクセス計測回数を、上述した式（１）に適用し、アクセス予測回数を算出する。
【００８０】
ステップ１１０では、制御部４０が、上記ステップ１０８で算出したアクセス予測回数が許容アクセス回数を超えるか否かを判定する。アクセス予測回数が許容アクセス回数を超えると判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１１２に移行し、図５に示す第１モード選択処理を実行する。一方、アクセス予測回数が許容アクセス回数以下であると判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１１４に移行し、図６に示す第２モード選択処理を実行する。なお、この許容アクセス回数は、第２不揮発性メモリ３８に記憶されている。
【００８１】
図５は、本実施形態に係る第１モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００８２】
図５のステップ１２０では、制御部４０が、揮発性メモリ１２Ｃに対して、キャッシュ領域のデータを保持したままセルフリフレッシュモードへの移行を指示する。このとき、制御部４０は、メイン制御部１２Ａに対して、スリープ状態への移行を指示し、画像形成装置１０を省電力モードに移行させる。
【００８３】
ステップ１２２では、制御部４０が、画像形成装置１０が省電力モード復帰条件を満たすか否かを判定する。省電力モード復帰条件を満たすと判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１２４に移行し、省電力モード復帰条件を満たさないと判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１２２で待機となる。なお、この省電力モード復帰条件とは、一例として、上述したように、「ユーザによる操作入力が検出された場合」等の条件である。
【００８４】
ステップ１２４では、制御部４０が、揮発性メモリ１２Ｃに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示し、図４のステップ１１６にリターンする。
【００８５】
図６は、本実施形態に係る第２モード選択処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００８６】
図６のステップ１３０では、制御部４０が、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に保持しているデータを不揮発性メモリ１２Ｂに書き戻す。なお、この場合、不揮発性メモリ１２Ｂにデータを書き込むため、この書き込み分もアクセス計測回数としてカウントする。
【００８７】
ステップ１３２では、制御部４０が、揮発性メモリ１２ＣのＰＡＳＲ機能を用いて、キャッシュ領域を「データ非保持」に設定し、キャッシュ領域のデータを保持しないようにする。
【００８８】
ステップ１３４では、制御部４０が、揮発性メモリ１２Ｃに対して、セルフリフレッシュモードへの移行を指示する。このとき、制御部４０は、メイン制御部１２Ａに対して、スリープ状態への移行を指示し、画像形成装置１０を省電力モードに移行させる。
【００８９】
ステップ１３６では、制御部４０が、画像形成装置１０が省電力モード復帰条件を満たすか否かを判定する。省電力モード復帰条件を満たすと判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１３８に移行し、省電力モード復帰条件を満たさないと判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１３６で待機となる。
【００９０】
ステップ１３８では、制御部４０が、揮発性メモリ１２Ｃに対して、セルフリフレッシュモードの解除を指示する。
【００９１】
ステップ１４０では、制御部４０が、揮発性メモリ１２ＣのＰＡＳＲ機能を用いて、キャッシュ領域を「データ保持」に設定し、キャッシュ領域にデータを保持可能とする。
【００９２】
ステップ１４２では、制御部４０が、不揮発性メモリ１２Ｂに記憶されているデータを揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に書き込み、図４のステップ１１６にリターンする。なお、この場合、不揮発性メモリ１２Ｂからデータを読み出すため、この読み出し分もアクセス計測回数としてカウントする。
【００９３】
次に、図４のステップ１１６では、制御部４０が、メイン制御部１２Ａに対して、動作状態への移行を指示し、画像形成装置１０を通常電力モードに復帰させる。
【００９４】
ステップ１１８では、制御部４０が、画像形成装置１０の主電源がオフされたか否かを判定する。主電源がオフされていないと判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１０６に戻り、主電源がオフされたと判定した場合（肯定判定の場合）、本メモリ制御プログラム３６Ａによる一連の処理を終了する。
【００９５】
以上をまとめると、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命を優先する第１モードでは、画像形成装置１０の省電力モード移行時に、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ１２Ｂへの書き戻しは行わずに、揮発性メモリ１２Ｃをセルフリフレッシュモードに移行させる。そして、画像形成装置１０の省電力モード復帰時に、揮発性メモリ１２Ｃをセルフリフレッシュモードから復帰させる。この場合、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域にデータが保持されているため、不揮発性メモリ１２Ｂからデータの読み出しは行わない。
【００９６】
一方、装置全体の節電を優先する第２モードでは、画像形成装置１０の省電力モード移行時に、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域に保持されているデータの不揮発性メモリ１２Ｂへの書き戻しを行い、ＰＡＳＲ機能の設定によりキャッシュ領域にはデータを保持せずに、揮発性メモリ１２Ｃをセルフリフレッシュモードに移行させる。そして、画像形成装置１０の省電力モード復帰時に、揮発性メモリ１２Ｃをセルフリフレッシュモードから復帰させる。この場合、揮発性メモリ１２Ｃのキャッシュ領域にはデータが保持されていないため、不揮発性メモリ１２Ｂからデータを読み出し、キャッシュ領域に書き込む。
【００９７】
このように本実施形態によれば、不揮発性メモリ１２Ｂの長寿命化を図りつつ、装置全体の節電効率が向上する。
【００９８】
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、アクセス予測回数と許容アクセス回数とを比較した結果に基づいて、第１モード及び第２モードのいずれかを選択する形態について説明した。本実施形態では、不揮発性メモリ１２Ｂから得られる消耗度と、画像形成装置１０の使用可能期間に対する累積動作時間の第１割合とを比較した結果に基づいて、第１モード及び第２モードのいずれかを選択する形態について説明する。
【００９９】
図７は、第２の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｂの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図７に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｂは、制御部４２を備えている。なお、第１の実施形態に示すメモリ制御装置１６Ａと同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
【０１００】
本実施形態に係る不揮発性メモリ１２Ｂには、特定のレジスタフィールドが設けられている。このレジスタフィールドには、不揮発性メモリ１２Ｂについて予め定められた寿命に対する、不揮発性メモリ１２Ｂの消耗度が格納されている。
【０１０１】
例えば、特定の用途に特化した組み込み機器等で広く利用されている不揮発性メモリ１２Ｂの一種であるｅＭＭＣ（embedded Multi Media Card）には、上記消耗度を格納したレジスタフィールドが設けられている。具体的には、一例として、図８に示すように、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ ＣＳＤ（Card-Specific Data）レジスタの「ＤＥＶＩＣＥ_ＬＩＦＥ_ＴＩＭＥ_ＥＳＴ_ＴＹＰ_Ａフィールド」等が挙げられる。この消耗度は、アクセスが行われた回数に応じてｅＭＭＣの内部で更新される。
【０１０２】
本実施形態に係る制御部４２は、一例として、図８に示すように、不揮発性メモリ１２Ｂに関する消耗度を、不揮発性メモリ１２Ｂに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。
【０１０３】
一方、本実施形態に係る第２不揮発性メモリ３８には、画像形成装置１０について予め定められた使用可能期間と、画像形成装置１０が動作した時間の累積を示す累積動作時間とが記憶されている。この場合、基準値となる第１割合は、使用可能期間に対する累積動作時間の割合として示される。例えば、使用可能期間をＴＬ、累積動作時間をＴＡとした場合、第１割合は、ＴＡ／ＴＬとなる。
【０１０４】
本実施形態に係る制御部４２は、不揮発性メモリ１２Ｂに設けられた特定のレジスタフィールドから取得した消耗度が第１割合を超える場合には、不揮発性メモリ１２Ｂの寿命を優先する第１モードを選択し、当該消耗度が第１割合以下である場合には、装置全体の節電を優先する第２モードを選択する。
【０１０５】
具体的には、一例として、使用可能期間ＴＬが８７６００時間（約１０年）、累積動作時間ＴＡが５００００時間（約５．７年）である場合、第１割合は、ＴＡ／ＴＬ＝５００００／８７６００≒０．５７と算出される。このときの消耗度が一例として０．３である場合、消耗度「０．３」は、第１割合「０．５７」以下であるため、節電優先の第２モードが選択される。
【０１０６】
なお、上記では、不揮発性メモリ１２Ｂのレジスタフィールドに、予め定められた寿命に対する消耗度が格納されているものを用いたが、不揮発性メモリ１２Ｂについて予め定められたアクセス可能回数に対する、アクセスが行われた累積回数の割合が消耗度として格納されていてもよい。この場合、不揮発性メモリ１２Ｂとして、例えば、アクセスが行われた回数を計測する機能を有するコントローラを備えた不揮発性メモリを用い、アクセス可能回数をＮＸ回とした場合に、実際に計測されたアクセス回数がＮＹ（≦ＮＸ）回であれば、消耗度はＮＹ／ＮＸとなる。
【０１０７】
次に、図９を参照して、第２の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｂの作用を説明する。なお、図９は、第２の実施形態に係るメモリ制御プログラム３６Ａによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【０１０８】
まず、画像形成装置１０の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム３６Ａが起動され、以下の各ステップを実行する。なお、ステップ１５０〜ステップ１５６、及び、ステップ１６２〜ステップ１６８の各処理は、図４に示すステップ１００〜ステップ１０６、及び、ステップ１１２〜ステップ１１８の各処理と同様であるため、ここでの繰り返しの説明は省略し、ステップ１５８及びステップ１６０についてのみ説明する。
【０１０９】
図９のステップ１５８では、制御部４２が、一例として、図８に示すように、不揮発性メモリ１２Ｂに設けられた特定のレジスタフィールドから消耗度を取得する。
【０１１０】
ステップ１６０では、制御部４２が、上記ステップ１５８で取得した消耗度が第１割合を超えるか否かを判定する。消耗度が第１割合を超えると判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１６２に移行し、消耗度が第１割合以下であると判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１６４に移行する。なお、第１割合は、上述したように、第２不揮発性メモリ３８に記憶されている、画像形成装置１０についての使用可能期間及び累積動作時間に基づいて算出される。
【０１１１】
このように本実施形態によれば、第１モード及び第２モードのいずれかを選択する場合に、不揮発性メモリ１２Ｂから得られる消耗度、及び、画像形成装置１０の使用可能期間に基づく第１割合が用いられる。このため、アクセス予測回数を導出する必要がなく、装置の構成が簡易になる。
【０１１２】
［第３の実施形態］
上記第２の実施形態では、基準値として、画像形成装置１０の使用可能期間に対する累積動作時間の第１割合を用いる形態について説明した。本実施形態では、この第１割合と、更に、画像形成装置１０を構成する部品についての使用可能回数に対する累積使用回数の第２割合とを用いて基準値を決定する形態について説明する。
【０１１３】
図１０は、第３の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｃの機能的な構成の一例を示すブロック図である。
図１０に示すように、本実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｃは、制御部４４を備えている。なお、第１の実施形態に示すメモリ制御装置１６Ａと同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、繰り返しの説明は省略する。
【０１１４】
本実施形態に係る制御部４４は、一例として、図８に示すように、不揮発性メモリ１２Ｂに関する消耗度を、不揮発性メモリ１２Ｂに設けられた特定のレジスタフィールドから取得する。
【０１１５】
一方、画像形成装置１０は、複数の種類の異なる部品によって構成されており、画像形成装置１０の使用可能期間のみならず、各部品についても寿命を示す仕様の一例として、使用可能回数が定められている。ここでいう部品には、上述した画像形成部２２、原稿読取部２４等が含まれる。
【０１１６】
本実施形態に係る第２不揮発性メモリ３８には、画像形成装置１０の使用可能期間及び累積動作時間に加えて、更に、画像形成装置１０を構成する部品について予め定められた使用可能回数と、画像形成装置１０の動作中に累積して計測される当該部品の累積使用回数とが記憶されている。本実施形態では、上記部品の一例として、画像形成部２２が適用される。画像形成部２２の場合、使用可能回数は、予め想定されるプリント可能な回数であり、累積使用回数は、累積して計測されるプリントの回数である。第２割合は、一例として画像形成部２２についての使用可能回数に対する累積使用回数の割合として示される。例えば、使用可能回数をＮＬ、累積使用回数をＮＡとした場合、第２割合は、ＮＡ／ＮＬとなる。この場合、基準値は、一例として、第１割合及び第２割合のうちいずれか大きい方に決定される。
【０１１７】
具体的には、一例として、使用可能期間ＴＬが５００００時間、累積動作時間ＴＡが２５０００時間である場合、第１割合は、ＴＡ／ＴＬ＝２５０００／５００００＝０．５と算出される。一方、使用可能回数ＮＬが２００００回、使用累積回数ＮＡが１３０００回である場合、第２割合は、ＮＡ／ＮＬ＝１３０００／２００００＝０．６５と算出される。この場合、基準値は、第１割合「０．５」よりも大きい第２割合「０．６５」に決定される。このときの消耗度が一例として０．７である場合、消耗度「０．７」は、第２割合「０．６５」を超えるため、寿命優先の第１モードが選択される。
【０１１８】
なお、上記第２割合を、複数の種類の異なる部品の各々について算出してもよい。この複数の種類の異なる部品の一例として、画像形成部２２及び原稿読取部２４が適用される。原稿読取部２４の場合、使用可能回数は、予め想定されるスキャン可能な回数であり、累積使用回数は、累積して計測されるスキャンの回数である。この場合、基準値は、画像形成装置１０についての第１割合、画像形成部２２についての第２割合、及び原稿読取部２４についての第２割合のうちの最大値に決定される。
【０１１９】
次に、図１１を参照して、第３の実施形態に係るメモリ制御装置１６Ｃの作用を説明する。なお、図１１は、第３の実施形態に係るメモリ制御プログラム３６Ａによる処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【０１２０】
まず、画像形成装置１０の主電源がオンされると、メモリ制御プログラム３６Ａが起動され、以下の各ステップを実行する。なお、ステップ１７０〜ステップ１７６、及び、ステップ１８２〜ステップ１８８の各処理は、図４に示すステップ１００〜ステップ１０６、及び、ステップ１１２〜ステップ１１８の各処理と同様であるため、ここでの繰り返しの説明は省略し、ステップ１７８及びステップ１８０についてのみ説明する。
【０１２１】
図１１のステップ１７８では、制御部４４が、一例として、図８に示すように、不揮発性メモリ１２Ｂに設けられた特定のレジスタフィールドから消耗度を取得する。
【０１２２】
ステップ１８０では、制御部４４が、上記ステップ１７８で取得した消耗度が最大割合を超えるか否かを判定する。消耗度が最大割合を超えると判定した場合（肯定判定の場合）、ステップ１８２に移行し、消耗度が最大割合以下であると判定した場合（否定判定の場合）、ステップ１８４に移行する。なお、最大割合とは、第１割合、及び、１以上の第２割合のうちで最大となる割合である。第２割合は、上述したように、第２不揮発性メモリ３８に記憶されている、１つ以上の部品についての使用可能回数及び累積使用回数に基づいて算出される。
【０１２３】
このように本実施形態によれば、基準値が、画像形成装置１０の使用可能期間に基づく第１割合、及び、画像形成装置１０を構成する部品の使用可能回数に基づく第２割合を用いて決定される。このため、より適切なモードが選択される。
【０１２４】
以上、実施形態として、メモリ制御装置、メモリ装置、及び画像形成装置を例示して説明した。実施形態は、メモリ制御装置が備える各部の機能をコンピュータに実行させるためのプログラムの形態としてもよい。実施形態は、このプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体の形態としてもよい。
【０１２５】
なお、上記実施形態において、メモリ制御装置１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃの各々が行う処理をメイン制御部１２Ａで行うようにしてもよい。この場合、ＣＰＵ３２、ＲＡＭ３４、及びＲＯＭ３６は不要としてもよい。
【０１２６】
その他、上記実施形態で説明したメモリ制御装置の構成は、一例であり、主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更してもよい。
【０１２７】
また、上記実施形態で説明したプログラムの処理の流れも、一例であり、主旨を逸脱しない範囲内において不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしてもよい。
【０１２８】
また、上記実施形態では、プログラムを実行することにより、実施形態に係る処理がコンピュータを利用してソフトウェア構成により実現される場合について説明したが、これに限らない。実施形態は、例えば、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現してもよい。
【符号の説明】
【０１２９】
１０   画像形成装置
１２Ａ メイン制御部
１２Ｂ 不揮発性メモリ
１２Ｃ 揮発性メモリ
１４   記憶部
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ  メモリ制御装置
１８   表示部
２０   操作部
２２   画像形成部
２４   原稿読取部
２６   通信部
２８   システムバス
３０   メモリ装置
３２   ＣＰＵ
３４   ＲＡＭ
３６   ＲＯＭ
３６Ａ メモリ制御プログラム
３８   第２不揮発性メモリ
４０、４２、４４  制御部
【図１】
2019185597.tif 000003
【図２】
2019185597.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2019185597.tif 000011
【図１０】
2019185597.tif 000012
【図１１】
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