(57)【要約】      （修正有）【課題】製品の改竄及びシールまたはタグの破壊による、フレキシブルメモリデバイス内に記憶された情報を読み出す能力を無効化する手段を提供する。【解決手段】フレキシブルメモリデバイス６０は、フレキシブル基板６２上に配設された複数のコンタクトパッド６４と、複数の配線６６と、フレキシブル基板の第１の部分的脆弱化部分７０（孔）と、を含む。少なくとも１つのコンタクトパッドは、少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッド７８を形成する。複数の配線の各配線が、複数のコンタクトパッドのうちの１つのコンタクトパッドに接続され、少なくとも１つの配線は、少なくとも１つの第１のタンパーエビデント配線６８を形成し、かつ、少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッドに接続される。フレキシブル基板の第１の部分的脆弱化部分は、少なくとも１つのタンパーエビデント配線にわたって配置される。【選択図】図２
2019016785.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルメモリデバイスであって、
フレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に配設された複数のコンタクトパッドであって、前記複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドが、少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッドを形成する、複数のコンタクトパッドと、
前記フレキシブル基板上に配設された複数の配線であって、前記複数の配線の各配線が、前記複数のコンタクトパッドのうちの１つのコンタクトパッドに接続され、前記複数の配線のうちの少なくとも１つの配線が、少なくとも１つの第１のタンパーエビデント配線を形成し、かつ前記少なくとも１つのタンパーエビデントコンタクトパッドに接続される、複数の配線と、
前記少なくとも１つのタンパーエビデント配線にわたって配置された前記フレキシブル基板の第１の部分的脆弱化部分と、を備える、フレキシブルメモリデバイス。
【請求項２】
前記複数のコンタクトパッド及び前記複数の配線は、複数のデータビットを記憶するように配置されている、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項３】
前記第１の部分的脆弱化部分は、前記フレキシブル基板を第１の部位と第２の部位とに分離し、これによって、前記少なくとも１つのタンパーエビデント配線を切断しつつ、前記少なくとも１つのタンパーエビデント配線以外の前記複数の配線を無傷で残すように配置されている、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッド以外の前記複数のコンタクトパッド、及び前記少なくとも１つのタンパーエビデント配線以外の前記複数の配線は、前記少なくとも１つのタンパーエビデント配線を切断した後に、少なくとも１つのデータビットを記憶する、請求項３に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項５】
少なくとも１つの共通コンタクトパッドと、
前記フレキシブル基板上に配設され、かつ前記少なくとも１つの共通コンタクトパッドに接続された共通配線と、をさらに備え、
前記複数の配線の各々は、前記共通配線上を通過する、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項６】
前記第１の部分的脆弱化部分は、前記共通配線を切断することなく、前記フレキシブル基板を第１の部位と第２の部位とに分離するように配置される、請求項５に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項７】
前記複数の配線の第１の部分は、前記複数の配線の第２の部分上を通過し、前記第１の部分の各配線は、前記第２の部分の各配線上を通過する、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項８】
前記第１の部分的脆弱化部分は、前記複数の配線の前記第２の部分上を通過する前記複数の配線の前記第１の部分に対して共通のエリアを切断することなく、前記フレキシブル基板を第１の部位と第２の部位とに分離するように配置される、請求項７に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項９】
前記複数のコンタクトパッドは、あるエリアを集合的に形成し、前記第１の部分的脆弱化部分は、前記エリアにわたって配置される、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項１０】
前記第１の部分的脆弱化部分は、前記フレキシブル基板を第１の部位と第２の部位とに分離するように配置され、前記複数のコンタクトパッドの第１のグループが、前記第１の部位上に配設され、前記複数のコンタクトパッドの第２のグループが、前記第２の部位上に配設される、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項１１】
前記複数のコンタクトパッドは、あるエリアを集合的に形成し、前記第１の部分的脆弱化部分は、前記エリアの外側に配置される、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項１２】
前記第１の部分的脆弱化部分は、前記フレキシブル基板を第１の部位と第２の部位とに分離するように配置され、前記複数のコンタクトパッドは、前記第１の部位上に配設される、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項１３】
前記複数のコンタクトパッドから選択された少なくとも１つの第２のタンパーエビデントコンタクトパッドと、
前記複数の配線から選択され、かつ前記少なくとも１つの第２のタンパーエビデントコンタクトパッドに接続された少なくとも１つの第２のタンパーエビデント配線と、
前記少なくとも１つの第２のタンパーエビデント配線にわたって配置された前記フレキシブル基板の第２の部分的脆弱化部分と、をさらに備える、請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイス。
【請求項１４】
請求項１に記載のフレキシブルメモリデバイスを備える容器。
【請求項１５】
密封部分を備える筐体をさらに備え、
前記密封部分は、前記フレキシブルメモリデバイスによって少なくとも部分的に形成されている、請求項１４に記載の容器。
【請求項１６】
前記筐体は、袋、カートン、箱、木枠、缶、ボトル、及び封筒から選択される、請求項１５に記載の容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、フレキシブルメモリデバイス、より具体的には、フレキシブルメモリデバイスを含む、製品シール、タグ、及び／または追跡手段、さらにより具体的には、メモリデバイス内に記憶されたデータの一部分を維持しつつ、例えば、意図的及び／または選択的に破壊をもたらす改竄または変更を証明する、フレキシブルメモリデバイスを含む、製品シール、タグ、及び／または追跡手段を提供することを対象とする。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルメモリデバイス、例えば、プリントメモリ（ＰＭ）ラベル及びデバイスは、限定されるものではないが、２０ビット（２０−ｂｉｔ）、２５ビット（２５−ｂｉｔ）及び３６ビット（３６−ｂｉｔ）を含む様々なサイズで製造され、これらは、電気接点または電気コンタクトパッドの様々な配置を各々有する。既知の２０−ｂｉｔプリントメモリデバイスの例が、図１に描写される。当該技術分野で既知のように、プリントメモリデバイスは、７つの層：ベース基板層、底電極層、フェライト層、表面電極層、コンタクトパッド、軟質保護層、及び硬質保護層を一般に備える。フェライト層は、底電極層と表面電極層との間に配置される。メモリは、別個のセル、即ち、フェライト層の特定部分内に記憶され、適切な電圧パターンが、フェライト層の特定部分と関連付けられた底電極層及び表面電極層に接続されたコンタクトパッドにわたって印加されなければならない。
【０００３】
製品及び製品包装は、改竄または偽造を被り得る。人気のある酒及び煙草等の製品は、例えば、他者が窃盗及び詐欺から利益を得るために、時々、混ぜ物を混ぜられるかまたは安価なコピー製品と置き換えられる。したがって、製品を密封すると共に、製品が意図されるものであることを保証することができるデバイスに対する必要性が存在する。
【０００４】
本開示は、製品が製造元を離れた後に任意の改竄が検出可能であるように、全体または部分的に無効化され得るフレキシブルメモリデバイスを含有する、シールまたはタグを記載する。それは、シールまたはタグが製造後に破壊された場合に、追跡することが可能である。さらに、シール若しくはタグ、またはシール若しくはタグの一部分が破壊される前後のメモリ内に保持された製品または製品の状態に関する情報が、上記の問題をさらに最小化し得る。製品の改竄及びシールまたはタグの破壊は、フレキシブルメモリデバイス内に記憶された情報の一部または全部を読み出す能力を無効化し得る。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、１つ以上の導線を、それらが有孔エリアを介してメモリセルをコンタクトパッドに接続するように、フレキシブルメモリデバイス内で再配索することを提案する。孔が引き裂かれるとき、接続が、メモリセルとコンタクトパッドとの間で破壊される。
【０００６】
概して、本開示は、フレキシブル基板と、複数のコンタクトパッドと、複数の配線と、フレキシブル基板の第１の部分的脆弱化部分と、を含む、フレキシブルメモリデバイスの実施形態を記載する。複数のコンタクトパッドは、フレキシブル基板上に配設される。複数のコンタクトパッドのうちの少なくとも１つのコンタクトパッドは、少なくとも１つのタンパーエビデントパッドを形成する。複数の配線は、フレキシブル基板上に配設され、複数の配線の各配線が、複数のコンタクトパッドのコンタクトパッドに接続される。複数の配線のうちの少なくとも１つの配線は、少なくとも１つの第１のタンパーエビデント配線を形成し、かつ少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッドに接続される。フレキシブル基板の第１の部分的脆弱化部分は、少なくとも１つのタンパーエビデント配線にわたって配置される。
【０００７】
１つ以上の実施形態の他の目的、特徴、及び利点が、以下の発明を実施するための形態、ならびに添付の図面及び請求項から容易に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
様々な実施形態が、対応する符号が対応する部位を示す添付図面を参照して、例としてのみ開示される。
【０００９】
【図１】既知の２０−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図２】２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図３】２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図４】２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図５】既知の２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図６】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図７】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図８】１〜８つの導線を遮断することによって５〜２５ビットが無効化または不明瞭化され得る、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態についての様々な構成を描写する表である。
【図９】既知の３６−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図１０】３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図１１】３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図１２】３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図１３】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の上面図である。
【図１４】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態の側面図である。
【図１５】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態を含む包装袋の実施形態の背面図である。
【図１６】２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態を含む容器の実施形態の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
最初に、異なる図面上の同様の図面番号が、本明細書に記載される実施形態の同一または機能的に類似の構造的要素を識別することが理解されるべきである。さらに、これらの実施形態が説明された特定の方法論、材料及び変更に限定されるものではなく、これらは、当然のことながら、変更され得ることが理解される。また、本明細書に使用された用語法が、特定の態様を説明する目的のみのためのものであり、添付の請求項によってのみ限定される開示された実施形態の範囲を限定することを意図されるものではないことも理解される。
【００１１】
別途定義されない限り、本明細書に使用される全ての技術的用語及び科学的用語は、これらの実施形態が属する当業者に一般的に理解されるものと同一の意味を有する。本明細書に使用される際、「脆弱化部分（ｗｅａｋｅｎｅｄ  ｐｏｒｔｉｏｎ）」、例えば、フレキシブル基板の脆弱化部分は、切断するために要求される力が元の構造体に対して要求される切断力未満である方式で変更、変化、または形成された元の構造体の一部分を意味することが意図される。「脆弱化部分」の例としては、限定されるものではないが、孔、ノッチ、部分的切断、低減された材料厚さ等が挙げられる。
【００１２】
本出願の「または（ｏｒ）」の使用は、別途記述されない限り、「非排他的」取り合わせに関するものであることが理解されるべきである。例えば、「項目ｘは、ＡまたはＢである」と記載するとき、これは、以下のうちの１つを意味し得ることが理解される。（１）項目ｘは、Ａ及びＢのうちの一方または他方のみである、（２）項目ｘは、Ａ及びＢの両方である。言い換えると、「または」という語は、「排他的なまたは」という取り合わせを定義するためには使用されない。例えば、「項目ｘは、ＡまたはＢである」という記述に対する「排他的なまたは」という取り合わせは、ｘがＡ及びＢのうちの一方のみであり得ることを要求することになる。さらに、本明細書に使用される際、「及び／または（ａｎｄ／ｏｒ）」は、挙げられた要素または条件のうちの１つ以上が含まれ得るかまたは起こり得ることを示すために使用される文法的接続詞を意味することが意図される。例えば、第１の要素、第２の要素、及び／または第３の要素を備えるデバイスは、以下の構造的配置：第１の要素を備えるデバイス、第２の要素を備えるデバイス、第３の要素を備えるデバイス、第１の要素及び第２の要素を備えるデバイス、第１の要素及び第３の要素を備えるデバイス、第１の要素、第２の要素、及び第３の要素を備えるデバイス、または第２の要素及び第３の要素を備えるデバイスのうちのいずれか１つとして構築されることが意図される。
【００１３】
さらに、本明細書に説明されたものに類似または等価の任意の方法、デバイス、または材料が、これらの実施形態の実施または試験で使用され得るが、方法、デバイス、及び材料の一部の実施形態が、ここで説明される。
【００１４】
本開示は、フレキシブルメモリデバイスの様々な実施形態、例えば、改竄の証拠となるように配置された、及び／または動作、例えば、物品の検査の発生を積極的に示すように配置された、フレキシブルプリントメモリデバイスを記載する。
【００１５】
図１は、既知の２０−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスの実施形態、即ち、プリントメモリデバイス５０を描写する。デバイス５０は、コンタクトパッド５４、及びその上に配設された配線５６を有するフレキシブル基板５２を含む。コンタクトパッド５９に接続された共通配線５８は、上記のフェライト層によって配線５６から分離され、配線５６は、コンタクトパッド５４に接続される。メモリのシングルビットが、共通配線５８及び配線５６の描写された交点に位置するフェライト層の各部分によって形成される。
【００１６】
図２は、ここで説明される２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス６０の実施形態を描写する。デバイス６０は、コンタクトパッド６４、及びその上に配設された相互接続配線６６を有するフレキシブル基板６２を含む。さらに、デバイス６０は、第１の孔にわたって配索された複数の導線または配線、及び第２の孔にわたって配索された複数の導線または配線を備える。言い換えると、タンパーエビデント配線６８が脆弱化部分７０にわたって配索され、一方でタンパーエビデント配線７２が脆弱化部分７４にわたって配索される。共通配線７６は、コンタクトパッド７７に接続され、かつ上記のようにフェライト層によって配線６６から分離される。
【００１７】
例示的な実施形態において、書き込み動作は、タンパーエビデント配線６８に接続されたタンパーエビデントコンタクトパッド７８に０値を書き込むことになる。孔７０が引き裂かれるかまたは切断されるとき、読み出し動作が、本来書き込まれた０値にかかわらず、これらのビットに対して１の値を取得することになる。この例示的な実施形態において、メモリのビットは、孔７０が引き裂かれたかまたは切断されたか否か、即ち、フレキシブルメモリデバイス６０が改竄を被ったかまたはその関連包装が開けられたか否かを検出するために作用する。さらに、第２の改竄指標が必要とされる場合、デバイス６０はまた、孔７４が、孔７０と同時にまたは異なるタイミングで切断され得るように配置され得、これによって、タンパーエビデントコンタクトパッド７９に対する類似のビット記憶事象を許容する。
【００１８】
タンパーエビデントコンタクトパッド及びタンパーエビデント配線の上記の配置が、デバイス６０の特定側部上の全配線が同時に切断される実施形態に限定されるものではないことが理解されるべきである。例えば、図３は、２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ちデバイス８０を描写する。デバイス８０は、フレキシブル基板８２を含み、その上にコンタクトパッド８４及び配線８６を有し、そこを通る脆弱化部分８８をさらに含む。この実施形態において、タンパーエビデント配線９０は、脆弱化部分８８にわたって通過する配線のみである。したがって、脆弱化部分８８を切断することは、タンパーエビデント配線９０を切断し、これによって、タンパーエビデントコンタクトパッド９２から読み出し可能なビット値を変化させ、一方で残りの配線８６及び共通配線９３は、切断されない。コンタクトパッド９４が共通配線９３に接続され、一方でコンタクトパッド８４が配線８６に接続されることが理解されるべきである。さらに、図４は、フレキシブル基板９６を含み、その上にコンタクトパッド９８及び配線１００を有し、そこを通る脆弱化部分１０２及び１０４をさらに含む２０−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス９５の実施形態を描写する。この実施形態において、変化の２つのレベルまたは事象、即ち、脆弱化部分１０２の切断（第１の事象）及び脆弱化部分１０４の切断（第２の事象）が検出され得る。図３に描写された実施形態と同様、両方の事例は、無傷で残る共通配線１０５及び配線１００の少なくとも一部分を結果としてもたらす。
【００１９】
図５は、既知の２５−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスの実施形態、即ち、プリントメモリデバイス１０６を描写する。デバイス１０６は、コンタクトパッド１１０、コンタクトパッド１１１及びその上に配設された配線１１２を有するフレキシブル基板１０８を含む。配線１１２は、コンタクトパッド１１０に接続された第１の部分、即ち、配線１１３、及びコンタクトパッド１１１に接続された第２の部分、即ち、配線１１４を備える。配線１１３が、他の実施形態に関して上記に説明されたように、配線１１４の上を通過するように配置され、その間にフェライト層が配設されていることが理解されるべきである。メモリのシングルビットは、配線１１３と配線１１４との描写された交点に位置するフェライト層の各部分によって形成される。
【００２０】
図６は、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１１６の実施形態を描写する。デバイス１１６は、コンタクトパッド１２０、コンタクトパッド１２１、及びその上に配設された配線１２２を有するフレキシブル基板１１８を備える。配線１２２は、コンタクトパッド１２０に接続された第１の部分、即ち、配線１２３、及びコンタクトパッド１２１に接続された第２の部分、即ち、配線１２４を備える。配線１２３が、他の実施形態に関して上記に説明されたように、配線１２４の上を通過するように配置され、その間にフェライト層が配設されていることが理解されるべきである。メモリのシングルビットは、配線１２３と配線１２４との描写された交点に位置するフェライト層の各部分によって形成される。この実施形態において、配線１２３の一部分及び配線１２４の一部分は、タンパーエビデント配線１２６であり、一方で残りの配線１２３及び１２４は、タンパーエビデント配線１２８である。タンパーエビデント配線１２６の各々は、第１の端部でタンパーエビデントコンタクトパッド１３０に接続され、一方でタンパーエビデント配線１２８の各々は、第１の端部でタンパーエビデントコンタクトパッド１３２に接続される。タンパーエビデント配線１２６は、脆弱化部分１３４にわたって各々通過し、タンパーエビデント配線１２８は、脆弱化部分１３６にわたって各々通過する。脆弱化部分１３４または１３６の一方を切断することによって、デバイス１１６は、図８の描写及びそれに関する以下の考察によって、いくつかのデータビット量を維持し、一方で脆弱化部分１３４及び１３６の両方を切断することによって、デバイス１１６は、記憶されたデータビットの全てを不明瞭化する。
【００２１】
図７は、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１３８の実施形態を描写する。デバイス１３８は、２つの異なる孔または脆弱化部分にわたって配索された２つの導線または配線を備える。言い換えると、タンパーエビデント配線１４０が脆弱化部分１４２にわたって配索され、一方でタンパーエビデント配線１４４が脆弱化部分１４６にわたって配索される。この例示的な実施形態において、コンタクトパッド１４８及び１４９は、列をなして形成され、孔のいずれかを引き裂くことによって無効化される１つのタンパーエビデント配線が存在する。４つの追加のビットが孔または脆弱化部分１４２を引き裂くことによって無効化され、さらに４つの追加のビットが脆弱化部分１４６の孔を引き裂くことによって無効化される。上記の配置は、デバイス１３８の様々な使用を容易化する。例えば、デバイス１３８は、製品包装に固設され、プロセスの２つのステージを通る製品の経路の記録を容易化し、一方でプロセスの上流で使用されるいくつかのデータを不明瞭化する。言い換えると、データビットは、始めにデバイス１３８に書き込まれ得る。続いて、デバイス１３８は、製品または製品包装に取り付けられる。製品がそのプロセスを通して動くと、脆弱化部分１４２が切断されることで、デバイス１３８上に記憶されたデータビットの一部分を不明瞭化し、一方で他のデータビットを維持する。その後、後のプロセスで、脆弱化部分１４６が切断され、これによって追加のデータビットを不明瞭化する。
【００２２】
図８は、１〜８つの導線を遮断することによって５〜２５ビットが無効化または不明瞭化され得る、２５−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスに対して利用可能な様々な構成を描写する。図８が配線を切断する全ての可能な配置を描写せず、一式の非限定的例を描写することが理解されるべきである。図８の表は、どのようにして、同数の配線を除去することが異なる数の除去ビットを結果としてもたらすか、例えば、４つの配線を除去することが１６、１７または２０ビットを除去することを結果としてもたらし得るかを示す。
【００２３】
図９は、既知の３６−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１５０を描写する。デバイス１５０は、コンタクトパッド１５４、コンタクトパッド１５５及びその上に配設された配線１５６を有するフレキシブル基板１５２を含む。配線１５６は、コンタクトパッド１５４に接続された第１の部分、即ち、配線１５７、及びコンタクトパッド１５５に接続された第２の部分、即ち、配線１５８を備える。配線１５７が、他の実施形態に関して上記に説明されたように、配線１５８の上を通過するように配置され、その間にフェライト層が配設されていることが理解されるべきである。メモリのシングルビットは、配線１５７と配線１５８との描写された交点に位置するフェライト層の各部分によって形成される。
【００２４】
図１０は、３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１６０の実施形態を描写する。デバイス１６０は、コンタクトパッド１６４、コンタクトパッド１６５、及びその上に配設された配線１６６を有するフレキシブル基板１６２を備える。配線１６６は、コンタクトパッド１６４に接続された第１の部分、即ち、配線１６７、及びコンタクトパッド１６５に接続された第２の部分、即ち、配線１６８を備える。配線１６７が、他の実施形態に関して上記に説明されたように、配線１６８の上を通過するように配置され、その間にフェライト層が配設されていることが理解されるべきである。メモリのシングルビットは、配線１６７と配線１６８との描写された交点に位置するフェライト層の各部分によって形成される。この実施形態において、配線１６７の一部分及び配線１６８の一部分は、タンパーエビデント配線１７０であり、一方で残りの配線１６７及び１６８は、タンパーエビデント配線１７２である。タンパーエビデント配線１７０の各々は、第１の端部でタンパーエビデントコンタクトパッド１７４に接続され、一方でタンパーエビデント配線１７２の各々は、タンパーエビデントコンタクトパッド１７６に接続される。タンパーエビデント配線１７０は、脆弱化部分１７８にわたって各々通過し、タンパーエビデント配線１７２は、脆弱化部分１８０にわたって各々通過する。脆弱化部分１７８または１８０の一方を切断することによって、デバイス１６０は、図８の描写及びそれに関する上記の考察によって、いくつかのデータビット量を維持し、一方で脆弱化部分１７８及び１８０の両方を切断することによって、デバイス１６０は、記憶されたデータビットの全てを不明瞭化する。
【００２５】
図１１は、３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１８２の実施形態を描写する。デバイス１８２は、２つの異なる孔または脆弱化部分にわたって配索された２つの導線または配線を備える。言い換えると、タンパーエビデント配線１８４が脆弱化部分１８６にわたって配索され、一方でタンパーエビデント配線１８８が脆弱化部分１９０にわたって配索される。この例示的な実施形態において、コンタクトパッド１９２及び１９３は、列をなして形成される。上記の配置は、デバイス１８２についての様々な使用、例えば、図７に関して上記に説明されたような使用を容易化する。
【００２６】
図１２は、３６−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス１９４の実施形態を描写する。図１２に描写されたデバイス１９４は、図１１に描写されたデバイス１８２と実質的に同一に構成されるが、デバイス１９４は、狭い領域１９６及び１９８を含み、これらの領域は、それぞれ、その中に配置された脆弱化部分２００及び２０２を有する。デバイス１９４の形状は、少なくとも１つの孔または脆弱化部分２００及び／若しくは２０２が容器が開けられたときに引き裂かれるように、ボトルまたは瓶の上部の上に配置するために適切なものにする。言い換えると、中央部分２０４が、例えば、ボトルの上部に固設され、一方で遠位部分２０６及び２０８が上部に隣接するボトルの本体に固設される。ボトルが開けられるとき、脆弱化部分２００及び／または２０２の一方または両方が切断され、これによってタンパーエビデント導線２１０及び／または２１２、ならびに狭い領域１９６及び／または１９８を切断する。
【００２７】
図１３は、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイス、即ち、デバイス２１４の実施形態を描写する。デバイス２１４は、４つの異なる孔または脆弱化部分にわたって配索された４つの導線または配線を備える。言い換えると、タンパーエビデント配線２１６が、脆弱化部分２１８にわたって配索され、タンパーエビデント配線２２０が、脆弱化部分２２２にわたって配索され、タンパーエビデント配線２２４が、脆弱化部分２２６にわたって配索され、タンパーエビデント配線２２８が脆弱化部分２３０にわたって配索される。上記の配置は、デバイス２１４の様々な使用を容易化する。例えば、デバイス２１４は、製品包装に固設され、プロセスの４つのステージを通る製品の経路の記録を容易化し、一方でプロセスの上流で使用されるいくつかのデータを不明瞭化する。言い換えると、データビットは、始めにデバイス２１４に書き込まれ得る。続いて、デバイス２１４は、製品または製品包装に取り付けられる。製品がそのプロセスを通して動くと、脆弱化部分２１８が切断されることで、デバイス２１４上に記憶されたデータビットの一部分を不明瞭化し、一方で他のデータビットを維持する。その後、後のプロセスで、脆弱化部分２２２、２２６、及び２３０が切断され、これによって追加のデータビットを不明瞭化する。
【００２８】
以下は、添付図を考慮して最良に理解され、図は、上記により詳細に個々に説明される。本開示は、フレキシブルメモリデバイスの様々な実施形態、例えば、改竄の証拠となるように配置された、及び／または動作、例えば、物品の検査の発生を積極的に示すように配置された、フレキシブルプリントメモリデバイスを記載する。以下に説明される実施形態は、単一図内に含有された要素を考察し得るが、実施形態は、単一構成に限定されるものではなく、いくつかの様々な態様は、他の実施形態の様々な態様と組み合わせられ得る。
【００２９】
一部の実施形態において、フレキシブルメモリデバイス８０は、フレキシブル基板８２、複数のコンタクトパッド８４、複数の配線８６及びフレキシブル基板８２の部分的脆弱化部分８８を備える。複数のコンタクトパッド８４は、フレキシブル基板８２上に配設される。複数のコンタクトパッド８４のうちの少なくとも１つのコンタクトパッドは、少なくとも１つのタンパーエビデントパッド、例えば、タンパーエビデントパッド９２を形成する。複数の配線８６は、フレキシブル基板８２上に配設され、各配線８６は、上記のように、共通配線９３上を通過し、即ち、その間にフェライト層を有する。複数の配線８６のうちの少なくとも１つの配線は、少なくとも１つのタンパーエビデント配線、例えば、タンパーエビデント配線９０を形成する。フレキシブル基板８２の部分的脆弱化部分８８は、少なくとも１つのタンパーエビデント配線９０にわたって配置される。
【００３０】
一部の実施形態において、複数のコンタクトパッド８４及び複数の配線８６は、複数のデータビットを記憶するように配置される。プリントメモリデバイス等のフレキシブルメモリデバイスの製造及びエンコードが概して既知であり、このため、これらの態様の詳細な説明が不要であることが理解されるべきである。
【００３１】
一部の実施形態において、部分的脆弱化部分８８は、フレキシブル基板８２を第１の部位２３２と第２の部位２３４とに分離するように配置され、これによって少なくとも１つのタンパーエビデント配線９０を切断し、少なくとも１つのタンパーエビデントパッド９２以外の複数のコンタクトパッド８４から少なくとも１つのタンパーエビデントパッド９２を切断し、少なくとも１つのタンパーエビデント配線９０以外の複数の配線８６を切断する。一部の実施形態において、少なくとも１つのタンパーエビデントコンタクトパッド９２以外の複数のコンタクトパッド８４及び少なくとも１つのタンパーエビデント配線９０以外の複数の配線８６は、少なくとも１つのタンパーエビデント配線９０を切断した後に、少なくとも１つのデータビットを記憶する。
【００３２】
一部の実施形態において、複数の配線８６の各々は、上記のように、共通配線２３６上を通過し、即ち、その間にフェライト層を有する。一部の実施形態において、部分的脆弱化部分８８は、共通配線２３６を切断することなく、フレキシブル基板８２を第１の部位２３２と第２の部位２３４とに分離するように配置される（例えば、図３参照）。
【００３３】
一部の実施形態において、複数の配線２３８は、第１の部分、即ち、配線２３９を備え、これは、第２の部分、即ち、配線２４０の上を通過する。一部の実施形態において、部分的脆弱化部分１４２は、配線２３９及び２４０に共通のエリア、即ち、エリア２４７を切断することなく、フレキシブル基板２４２を第１の部位２４４と第２の部位２４６とに分離するように配置される（例えば、図７参照）。
【００３４】
一部の実施形態において、複数のコンタクトパッド６４及び７７は、エリア、例えば、破線２５０によって閉じられたエリア２４８を集合的に形成し、部分的脆弱化部分７０は、エリア２４８にわたって配置される（例えば、図２参照）。
【００３５】
一部の実施形態において、部分的脆弱化部分７０は、フレキシブル基板６２を第１の部位２５２と第２の部位２５４とに分離するように配置され、複数のコンタクトパッド６４の第１のグループは、第１の部位２５２、例えば、コンタクトパッド７８上に配設され、複数のコンタクトパッド６４の第２のグループは、第２の部位２５４、例えば、コンタクトパッド７９上に配設される（例えば、図２参照）。
【００３６】
一部の実施形態において、複数のコンタクトパッド８４は、エリア、例えば、破線２５８によって閉じられたエリア２５６を集合的に形成し、部分的脆弱化部分８８は、エリア２５６の外側に配置される（例えば、図３参照）。
【００３７】
一部の実施形態において、部分的脆弱化部分８８は、フレキシブル基板８２を第１の部位２３２と第２の部位２３４とに分離するように配置され、複数のコンタクトパッド８４は、第１の部位２３２上に配設される（例えば、図３参照）。
【００３８】
一部の実施形態において、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイス２６０は、フレキシブル基板８２の第１の表面２６４の少なくとも一部分上に配設された接着層２６２、例えば、感圧接着剤を備える。プリントメモリデバイス２６０は、７つの層である、ベース基板層８２、底電極層２６６、フェライト層２６８、表面電極層２７０、コンタクトパッド８４及び９４、軟質保護層２７２、ならびに硬質保護層２７４を備える。フェライト層２６８は、底電極層２６６と表面電極層２７０とのそれぞれの間に配置される。一部の実施形態において、部分的脆弱化部分８８は、フレキシブル基板８２を第１の部位２３２と第２の部位２３４とに分離するように配置され、接着剤２６０は、第１の部位２３２上に配設される。一部の実施形態において、部分的脆弱化部分８８は、フレキシブル基板８２を第１の部位２３２と第２の部位２３４とに分離するように配置され、接着剤２６０は、第１の部位２３２の一部分、例えば、エリア２５６を含む部分上に配設される。
【００３９】
一部の実施形態において、フレキシブル基板２７６は、第１の部位２０６、第２の部位２０８及び第３の部位２０４を備える。第３の部位２０４は、第１の部位２０６と第２の部位２０８とのそれぞれの間に配置される。部分的脆弱化部分２００は、第３の部位２０４と第１の部位２０６との間に配置され、及び／または部分的脆弱化部分２０２は、第３の部位２０４と第２の部位２０８との間に配設され、接着剤２６０は、第１の部位２０６の少なくとも一部分、第２の部位２０８の少なくとも一部分、及び／または第３の部位２０４の少なくとも一部分上に配設される。
【００４０】
一部の実施形態において、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイスは、複数のコンタクトパッドから選択された少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッド、例えば、タンパーエビデントコンタクトパッド２７８、複数の配線から選択され、かつ少なくとも１つの第１のタンパーエビデントコンタクトパッド２７８に接続された少なくとも１つの第１のタンパーエビデント配線、例えば、タンパーエビデント配線１８４を備え、少なくとも１つの第１のタンパーエビデント配線、例えば、タンパーエビデント配線１８４にわたって配置されたフレキシブル基板２８０の第１の部分的脆弱化部分、例えば、部分的脆弱化部分１８６をさらに備える。加えて、上記のフレキシブルメモリデバイスは、複数のコンタクトパッドから選択された少なくとも１つの第２のタンパーエビデントコンタクトパッド、例えば、タンパーエビデントコンタクトパッド２８２、複数の配線から選択され、かつ少なくとも１つの第２のタンパーエビデントコンタクトパッド２８２に接続された少なくとも１つの第２のタンパーエビデント配線、例えば、タンパーエビデント配線１８８を備え、少なくとも１つの第２のタンパーエビデント配線、例えば、タンパーエビデント配線１８８にわたって配置されたフレキシブル基板２８０の第２の部分的脆弱化部分、例えば、部分的脆弱化部分１９０をさらに備える。
【００４１】
本明細書に説明されるフレキシブルメモリデバイスが様々な用途に使用され得ることが理解されるべきである。以下は、どのように及びどこで本フレキシブルメモリデバイスが使用され得るかのいくつかの非限定的例を提供する。
【００４２】
図１５は、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態、即ち、フレキシブルメモリデバイス３０２を含む、包装袋、即ち、袋３００の実施形態を描写する。袋３００は、縁３０４に沿って密封され得、これによって袋３００の内容物へのアクセスを防止する。フレキシブルメモリデバイス３０２の脆弱化部分３０６は、内容物にアクセスするために切断されなければならない。したがって、袋３００及び潜在的にその中の内容物の改竄は、フレキシブルメモリデバイス３００内に記憶されたメモリを読み出すことで容易に明らかになる。上記のように、フレキシブルメモリデバイス３００内に記憶されたメモリは、脆弱化部分３０６が切断され、これによってタンパーエビデント配線３０８を切断したときに変化する。
【００４３】
図１６は、２５−ｂｉｔタンパーエビデントフレキシブルメモリデバイスの実施形態、即ち、フレキシブルメモリデバイス３５２を含む、容器、例えば、錠剤ボトル３５０の実施形態を描写する。錠剤ボトル３５０は、キャップ３５４とボトル３５６との間の境界に沿って密封され得、これによって錠剤ボトル３５０の内容物へのアクセスを防止する。フレキシブルメモリデバイス３５２の脆弱化部分３５８は、内容物にアクセスするために切断されなければならない。したがって、錠剤ボトル３５０及び潜在的にその中の内容物の改竄は、フレキシブルメモリデバイス３５２内に記憶されたメモリを読み出すことで容易に明らかになる。上記のように、フレキシブルメモリデバイス３５２内に記憶されたメモリは、脆弱化部分３５８が切断され、これによってタンパーエビデント配線３６０を切断したときに変化する。
【００４４】
上記の例が非限定的であること、及び本フレキシブルメモリデバイスの他の構成及び使用がまた可能であることが理解されるべきである。例えば、１つよりも多い脆弱化部分が容器の内容物の改竄を防止することに利用されてもよい。加えて、例えば、コンパクトディスクジュエルケース、輸送包装、カートン、箱、木枠、缶、ボトル、封筒等の、袋または錠剤ボトルとは異なる他の構造または筐体が、本フレキシブルメモリデバイスと組み合わせて使用され得る。
【００４５】
図に描写され本明細書に考察された様々な実施形態は、２０−ｂｉｔ、２５−ｂｉｔ及び３６−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスを含むが、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイスは、他の実施形態、例えば、１６−ｂｉｔ、または限定されるものではないが、ライトワンスプリントメモリを含む他のメモリ技術によって使用され得る。構成に応じて、孔または脆弱化部分を引き裂くかまたは分離することは、２０−ｂｉｔメモリの０〜２０ビット、２５−ｂｉｔメモリの５〜２５ビット、または３６−ｂｉｔメモリの６〜３６ビットを無効化し得る。一部の用途において、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイスは、引き裂き若しくは切断操作、または代替的に１つよりも多い引き裂き若しくは切断操作の検出を可能にし、一方でデバイス上に記憶されたメモリまたはデータの一部分の機能を維持する。一部の用途において、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイスは、フレキシブルメモリデバイス上に記憶されたメモリまたはデータビットの一部または全部を不明瞭化する。さらに、中間使用の場合もまた支援される。例えば、２５−ｂｉｔフレキシブルメモリデバイスは、孔、即ち脆弱化部分を引き裂くかまたは切断することが１４ビットの機能を残しつつ１１ビットを不明瞭化するように構成されてもよい。言い換えると、１４ビットのデータは、フレキシブルメモリデバイスからのその後の取得のために利用可能なままであることになる。
【００４６】
上記を考慮して、本開示がフレキシブルメモリデバイスを使用する引き裂き可能若しくは切断可能なシール及び／またはラベル設計を記載することが理解されるべきである。一部のメモリデバイス、例えば、プリントメモリデバイスは、フレキシブル基板上に印刷されるコンタクトパッドに接触するメモリリーダによってアクセスされる。このようなデバイスにおいて、コンタクトパッドとメモリデバイスとの間のプリント導電トレースが、基板内の孔または脆弱化部分にわたって印刷され、このためメモリデバイス内の戦略的ビットが、フレキシブル基板が一度、脆弱化部分に沿って引き裂かれるかまたは切断されると、メモリリーダによってアクセス不能またはメモリリーダから不明瞭化され得る。このように、一部のメモリ位置は、機能を残し、一方で他のものは、基板の一部分の切断または除去によって非機能的にされる。したがって、ここで説明されたフレキシブルメモリデバイスは、フレキシブル基板の一部分の引き裂き／切断／除去によってデバイスの一定のメモリ位置を選択的に無効化する能力を提供する。
【００４７】
様々な上記に開示されたものならびに他の特徴及び機能、またはその代替は、多くの他の異なるシステムまたは用途に望ましく組み合わせられ得ることが理解されるべきである。様々なここで予期しないまたは想定外のその代替、変更、変形、または改善が当業者によって今後なされ得、これもまた、以下の請求項によって包含されることが意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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