(57)【要約】      （修正有）【課題】チオフェン化合物の製造方法の提供。【解決手段】一般式（１）で表される化合物を製造する方法において、一般式（２）で表される化合物を熱処理することから成る一般式（１）で表される化合物を製造する方法。2019006739.tif 000020〔式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基などを表す]【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される化合物を製造する方法において、一般式（２）で表される化合物を熱処理することから成る一般式（１）で表される化合物を製造する方法。
2019006739.tif 000019
〔式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、
さらに、Ｘ１〜Ｘ４の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕  

【請求項２】
前記熱処理において、ハロゲン化アルカリ金属塩を存在させることから成る請求項１記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定構造のチオフェン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いてなる薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)は、液晶表示装置などのフラットパネル表示用のスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いた薄膜トランジスタの作製に用いられるＣＶＤ装置は、高価であり、大型の薄膜トランジスタ素子の製造は、製造コストの増大を伴うという難点がある。
また、アモルファスシリコンや多結晶シリコンの成膜は、高温度下で実施されるため、基板としては、軽量で、フレキシビリティーはあるが、耐熱性に乏しいプラスチック材料などは使用できないという難点がある。
上記問題を解決するために、アモルファスシリコンや多結晶シリコンに代えて、有機化合物をチャネル半導体層（以下、有機半導体層という）に用いた有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ、有機ＴＦＴとも称される）が提案されている（非特許文献１）。
【０００３】
有機半導体層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法や塗布法などが知られており、これらの成膜方法によれば、製造コストを抑えつつ、有機トランジスタ素子の大型化が容易となる。
さらには、成膜時に必要となる温度を下げることができ、有機化合物を用いた有機トランジスタでは、基板にプラスチック材料を使用することが可能となり、フレキシブルな表示素子への適用が可能となり、その実用化に期待が集まっている。
【０００４】
実用的な有機トランジスタは、高い電荷移動度、および大きな電流オン／オフ比などの特性を有している必要がある。ここで「オン／オフ比」という用語は、有機トランジスタがオンであるときのソース電極とドレイン電極間の電流の、有機トランジスタがオフであるときのソース電極とドレイン電極間の電流に対する比を意味する。
さらには、有機トランジスタの実用化に向けては、優れた保存安定性が必要となる。
現在までに、有機半導体層に、例えば、ペンタセンを用いた有機トランジスタが提案されている(非特許文献２)。しかし、ペンタセンを用いてなる有機トランジスタは、大気中では有機トランジスタとしての機能は低く、且つ、保存安定性が低いという難点がある。
さらに、チオフェンオリゴマー（α−ヘキサチエニレン）を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献３）。しかし、該有機トランジスタも、空気中での保存安定性が低いという難点がある。
【０００５】
これらの難点を改良するものとして、例えば、［１］ベンゾチエノ[３,２−ｂ][１]ベンゾチオフェン(以下、ＢＴＢＴと略記する）誘導体、ジナフトチエノ[３,２−ｂ］チオフェン（以下、ＤＮＴＴと略記する）誘導体を有機半導体層に用いた有機トランジスタが提案されている（非特許文献４〜７）。
これらチオフェン誘導体の骨格の形成方法に関しては、幾つか報告されている。
例えば、ＤＮＴＴ骨格は、化合物（Ａ）にヨウ素を作用させて製造されている（非特許文献６）。
2019006739.tif 000002
また、ＢＴＢＴ骨格は、化合物（Ｂ）（式中、Ｘはハロゲン原子を表す）と、硫黄、硫化水素、金属水硫化物および金属硫化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の硫黄化合物を作用させて製造する方法が提案されている（特許文献１）。
2019006739.tif 000003
これらの製造方法はスチルベン誘導体を閉環する方法であるが、スチルベン誘導体を形成するのに多段階の過程を要し、工業的には効率的な製造方法とは言い難いものであった。
これらの製造方法を改良するものとして、例えば、ベンズアルデヒド誘導体と、ハロゲン化剤（例えば、塩化チオニル）、および硫黄化合物を作用させて、ＢＴＢＴ骨格およびＤＮＴＴ骨格を製造する方法が報告されている（特許文献２）。
【０００６】
また、２−ハロゲノベンズアルデヒド誘導体と、硫黄、硫化水素、金属硫化物および金属硫化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の硫黄化合物を作用させて、ＢＴＢＴ骨格およびＤＮＴＴ骨格を製造する方法が報告されている（特許文献３）。
以上のように、実用化に向け、ＢＴＢＴ誘導体およびＤＮＴＴ誘導体に関する製造方法の検討が活発に続けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２０２５２３号公報
【特許文献２】特開２００８−２９０９６３号公報
【特許文献３】特開２０１０−２７５１９２号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６３，１３７２(1993)
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７２，１８５４(1998)
【非特許文献３】Ｓｃｉｅｎｃｅ，２６８，２７０（1995)
【非特許文献４】Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２８，１２６０４(2006)
【非特許文献５】Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２９，１５７３２(2007)
【非特許文献６】Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２９，２２２４(2007)
【非特許文献７】Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，８３，１２０(2010)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
現在までに、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン誘導体およびジナフトチエノ［３，２−ｂ］チオフェン誘導体の種々の製造方法が提案されているが、実用的に充分満足できる方法とはいい難いものであった。  
本発明は、上述に鑑み、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン誘導体およびジナフトチエノ［３，２−ｂ］チオフェン誘導体を効率よく製造することができる新規な製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、前記課題を解決するため、鋭意検討した結果、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン誘導体およびジナフトチエノ［３，２−ｂ］チオフェン誘導体の新規な製造方法を見出した。
すなわち、本発明は、
（ｉ）一般式（１）で表される化合物を製造する方法において、一般式(２)で表される化合物を熱処理することから成る一般式(１)で表される化合物を製造する方法である。
2019006739.tif 000004
〔式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、
さらに、Ｘ１〜Ｘ４の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕  
（ｉｉ）前記熱処理において、ハロゲン化アルカリ金属塩を存在させることから成る(ｉ)記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明により、各種の機能性材料（例えば、有機トランジスタ用材料）に有用な化合物の新規な製造方法を提供することが可能になった。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、一般式（２）で表される化合物を、熱処理することから成る一般式（１）で表される化合物を製造する方法である。
2019006739.tif 000005
〔式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表し、
さらに、Ｘ１〜Ｘ４の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して、置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよく、Ｙは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、アルキル基を表す〕  
一般式(１)〜一般式(２)で表される化合物において、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。
尚、本明細書において、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表す。また、アリール基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の前記ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基で置換されていてもよいアリール基などが挙げられる。
【００１３】
一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物において、より好ましくは、Ｘ1〜Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を表す。
【００１４】
一般式（１）〜一般式（２）におけるＸ1 〜Ｘ４の具体例としては、例えば、水素原子；例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素などのハロゲン原子；
例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３−エチルヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、３，７−ジメチルオクチル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または環状のアルキル基；
【００１５】
例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；
【００１６】
例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２−ｎ−プロピルフェニル基、３−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、３−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−ｎ−ペンチルフェニル基、３−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ペンチルフェニル基、３−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、３−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、２−ｎ−オクチルフェニル基、３−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、３−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、３−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、３−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、
【００１７】
２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、２−ｎ−ブトキシフェニル基、３−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、２−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、３−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、３−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、
【００１８】
２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルオキシフェニル基、４−トリフルオロメチルオキシフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、２−テトラセニル基、２−フルオレニル基、９，９−ジメチル−２−フルオレニル基、９，９−ジ−ｎ−プロピル−２−フルオレニル基、２−フリル基、５−ｎ−ブチル−２−フリル基、５−ｎ−ヘキシル−２−フリル基、５−ｎ−オクチル−２−フリル基、２−チエニル基、５−ｎ−プロピル−２−チエニル基、５−ｎ−ブチル−２−チエニル基、５−ｎ−ヘキシル−２−チエニル基、５−ｎ−オクチル−２−チエニル基、５−ｎ−デシル−２−チエニル基、５−ｎ−トリデシル−２−チエニル基、５−フェニル−２−チエニル基、５−（２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ブチル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−ヘキシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、５−（５’−ｎ−デシル−２’−チエニル）−２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
【００１９】
一般式（１）〜一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ４の組み合わせより選ばれる隣接する２個の置換基が互いに結合して置換している炭素原子と共に置換または未置換のベンゼン環を形成していてもよい。
【００２０】
形成されるベンゼン環が置換基を有する場合、その置換基としては、例えば、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基が挙げられ、
好ましくは、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基が挙げられる。
【００２１】
形成されるベンゼン環に置換していてもよい置換基の具体例としては、例えば、一般式（１）〜一般式（２）で表される化合物におけるＸ１〜Ｘ４で例示したハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
【００２２】
一般式（２）において、Ｙは酸素原子または硫黄原子を表し、より好ましくは、硫黄原子を表す。
【００２３】
一般式（２）において、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立に、アルキル基を表し、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、より好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｒ１およびＲ２の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などを挙げることができる。
本発明に係る一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２４】
2019006739.tif 000006
【００２５】
2019006739.tif 000007
【００２６】
2019006739.tif 000008
【００２７】
一般式（２）で表される化合物は、例えば、塩基の存在下、一般式（３）で表される化合物と、一般式（４）で表される化合物を作用させることにより製造することができる〔例えば、薬学雑誌、８８、２２７（１９６８）に記載の方法を参考にすることができる〕。
2019006739.tif 000009
〔式中、Ｘ１〜Ｘ４、Ｙ、Ｒ１およびＲ２は一般式（２）と同じ意味を表し、Ｚ１はハロゲン原子を表す〕
【００２８】
また、一般式（２）で表される化合物は、例えば、塩基の存在下、一般式（５）で表される化合物と、一般式（６）で表される化合物を作用させることにより製造することができる〔例えば、薬学雑誌、８８、２２７（１９６８）に記載の方法を参考にすることができる〕。
2019006739.tif 000010
〔式中、Ｘ１〜Ｘ４、Ｙ、Ｒ１およびＲ２は一般式（２）と同じ意味を表し、Ｚ２はハロゲン原子を表す〕
尚、一般式(３)および一般式(６)において、Ｚ１、Ｚ２で表されるハロゲン原子は、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表し、より好ましくは、塩素原子を表す。
【００２９】
一般式（２）で表される化合物を熱処理する際の温度に関しては、特に限定するものではないが、一般に、８０℃〜２８０℃程度、好ましくは、１００℃〜２５０℃程度で実施する。
反応時間に関しては、特に限定するものではなく、反応経過は、一般式（１）で表される化合物の生成量および／または一般式（２）で表される化合物の残存量を各種の分析方法により求め、所望の時間実施することができ、一般的には、反応温度が、８０℃〜２８０℃程度であれば、３０分〜５０時間程度で実施する。
【００３０】
さらに、本発明の製造方法において、一般式（２）で表される化合物を、熱処理する際、有機溶媒の非存在下で実施することができるが、所望により、有機溶媒存在下で実施してもよい。
係る有機溶媒としては、例えば、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、プロピオフェノンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、γ−ブチロラクトンなどのエステル系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテル、アニソール、ジメトキシベンゼン、ジメチルアニソール、４−tert-ブチルアニソール、２−メトキシナフタレンなどのエーテル系溶媒、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、メシチレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、インダン、フェニルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、トリメチルシクロヘキサン、ビシクロヘキシル、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系溶媒、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル、グルタロジニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル系溶媒、ジメチルスルフォキサイド、スルフォラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素などの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができ、より好ましくは、非プロトン性極性溶媒である。
【００３１】
これらの有機溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
係る有機溶媒中の一般式（２）で表される化合物の濃度に関しては、特に制限するものではないが、一般には、５〜３０００質量％、より好ましくは、１０〜２０００質量％程度に調製することが好ましい。
【００３２】
本発明の製造方法は、一般式（２）で表される化合物を、熱処理する際に、さらにハロゲン化アルカリ金属塩の存在下で実施すると、反応時間の短縮または／および一般式（１）で表される化合物の収率向上がみられ好ましい。
【００３３】
係るハロゲン化アルカリ金属塩としては、好ましくは、フッ化ナトリウム、フッ化カリウムなどのフッ化アルカリ金属塩、塩化ナトリウム、塩化カリウムなどの塩化アルカリ金属塩であり、より好ましくは、フッ化アルカリ金属塩であり、さらに好ましくは、フッ化カリウムである。
ハロゲン化アルカリ金属塩の使用量に関しては、特に限定するものではないが、所望の効果を発揮する量があればよく、一般には、一般式（２）で表される化合物１モルに対して、０．０１〜０．８モルであり、より好ましくは、０．０５〜０．５モル使用することが好ましい。
【００３４】
尚、本発明の製造方法は、大気圧下で実施することも、加圧下で実施することもできる。
また、本発明の製造方法は、大気雰囲気下で実施することもできるが、不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン）雰囲気下で実施することが好ましい。
【００３５】
このように製造される一般式（１）で表される化合物は、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、精製することができる。
【００３６】
一般式（１）で表される化合物は、各種の機能性材料として使用することができる。
例えば、一般式（１）で表される化合物を、有機トランジスタに使用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましいことである。

本発明の製造方法により製造される一般式（１）で表される化合物を有機半導体層に用いてなる有機トランジスタは、例えば、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、ＲＦＩＤｓ(radio frequency identification cards)などに使用することができる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１）  例示化合物番号１の化合物の製造
窒素雰囲気下、式（２−１）で表される化合物（４．５ｇ、２０ミリモル）を、１−メチル−２−ピロリドン（１５ｍｌ）に加え、１００℃で、１時間撹拌後、さらに１８０〜１９０℃で６時間撹拌した。
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反応混合物を水（５０ｍｌ）に加えた後、析出した固体を濾過し、乾燥させた。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔溶出液：トルエン／ｎ−ヘキサン（１：１体積比）〕で分離後、トルエンおよびｎ−ヘキサンを減圧下で留去した。
留去後、固体をトルエン／ｎ−ヘキサンより再結晶し、例示化合物番号１の化合物をほぼ無色の結晶として７７０ｍｇ得た。収率３２％
尚、  例示化合物番号１の化合物は、真空下（２×１０−５Ｐａ）、２７０℃で昇華することができた。
【００３９】
（実施例２）  例示化合物番号１の化合物の製造
窒素雰囲気下、式（２−１）で表される化合物（４．５ｇ、２０ミリモル）およびフッ化カリウム（０．３５ｇ、６ミリモル）を、１−メチル−２−ピロリドン（１５ｍｌ）に加え、１００℃で、１時間撹拌後、さらに１７０〜１８０℃で４時間撹拌した。
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反応混合物を水（５０ｍｌ）に加えた後、析出した固体を濾過し、乾燥させた。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー〔溶出液：トルエン／ｎ−ヘキサン（１：１体積比）〕で分離後、トルエンおよびｎ−ヘキサンを減圧下で留去した。
留去後、固体をトルエン／ｎ−ヘキサンより再結晶し、例示化合物番号１の化合物をほぼ無色の結晶として１．１ｇ得た。収率４６％
【００４０】
（実施例３）  例示化合物番号６の化合物の製造
実施例１において、式（２−１）で表される化合物の代わりに、式（２−６）で表される化合物（２０ミリモル）を使用した以外は、実施例１に記載の操作に従い、例示化合物番号６の化合物をほぼ無色の結晶として得た。収率２８％
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【００４１】
（実施例４）  例示化合物番号１４の化合物の製造
窒素雰囲気下、式（２−１４）で表される化合物（６．０ｇ、２０ミリモル）を、１−メチル−２−ピロリドン（１５ｍｌ）に加え、１００℃で、１時間撹拌後、さらに１８０〜１９０℃で８時間撹拌した。
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反応混合物を水（５０ｍｌ）に加えた後、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄後、乾燥させた。
固体を減圧下（２×１０−５Ｐａ）、２９０℃で昇華し、例示化合物番号１４の化合物を無色の結晶として１．３ｇ得た。収率３３％
【００４２】
（実施例５）  例示化合物番号１４の化合物の製造
窒素雰囲気下、式（２−１４）で表される化合物（６．０ｇ、２０ミリモル）およびフッ化カリウム（０．３７ｇ、３ミリモル）を、１−メチル−２−ピロリドン（１５ｍｌ）に加え、１００℃で、１時間撹拌後、さらに１８０〜１９０℃で６時間撹拌した。
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反応混合物を水（５０ｍｌ）に加えた後、析出した固体を濾過し、メタノールで洗浄後、乾燥させた。
固体を減圧下（２×１０−５Ｐａ）、２９０℃で昇華し、例示化合物番号１４の化合物を無色の結晶として１．８ｇ得た。収率４６％
【００４３】
（実施例６）  例示化合物番号１６の化合物の製造
実施例５において、式（２−１４）で表される化合物の代わりに、式（２−１６）で表される化合物（２０ミリモル）を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、例示化合物番号１６の化合物を無色の結晶として得た。収率４２％
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【００４４】
（実施例７）  例示化合物番号２０の化合物の製造
実施例５において、式（２−１４）で表される化合物の代わりに、式（２−２０）で表される化合物（２０ミリモル）を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、例示化合物番号２０の化合物を無色の結晶として得た。収率３７％
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（実施例８）  例示化合物番号２１の化合物の製造
実施例５において、式（２−１４）で表される化合物の代わりに、式（２−２１）で表される化合物（２０ミリモル）を使用した以外は、実施例５に記載の操作に従い、例示化合物番号２１の化合物を淡黄色の結晶として得た。収率３１％
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【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明の方法により各種の機能性材料（例えば、有機トランジスタ用の材料）として有用な化合物を効率よく製造する方法を提供することが可能になった。
また、本発明の方法により製造される化合物を有機半導体層に用いてなる有機トランジスタは、高い電荷移動度、大きな電流オン／オフ比を有し、かつ保存安定性に優れており、液晶表示素子、有機電界発光素子、電子ペーパー、各種センサー、ＲＦＩＤｓ(radio   
frequency identification cards)などに使用することができる。