(57)【要約】【課題】本発明は、二酸化炭素の吸着量が多く、かつ、二酸化炭素の選択吸着性にも優れる多孔性配位高分子、ガス吸着剤、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーを提供する。【解決手段】  金属クラスターおよび金属イオンからなる群から選択される金属成分と、多座配位子とを含む多孔性配位高分子であって、多座配位子が、式（１）で表される配位子を含み、式（１）で表される配位子の含有量が、多座配位子の全モル量に対して、５モル％以上である、多孔性配位高分子。2019064942.tif 000011【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属クラスターおよび金属イオンからなる群から選択される金属成分と、多座配位子とを含む多孔性配位高分子であって、
前記多座配位子が、式（１）で表される配位子を含み、
前記式（１）で表される配位子の含有量が、前記多座配位子の全モル量に対して、５モル％以上である、多孔性配位高分子。
【化１】
2019064942.tif 000008
式（１）中、Ｌは、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。Ｘは、−ＮＲ2または−ＮＲ3+Ｙ-を表す。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。Ｙ-は、アニオンを表す。ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎおよびｍのうち少なくとも一方は１以上の整数を表す。
【請求項２】
前記式（１）で表される配位子の含有量が、前記多座配位子の全モル量に対して、５０モル％以上である、請求項１に記載の多孔性配位高分子。
【請求項３】
前記式（１）で表される配位子が、式（２）で表される配位子である、請求項１または２に記載の多孔性配位高分子。
【化２】
2019064942.tif 000009
式（２）中、Ｌは、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。Ｘは、−ＮＲ2または−ＮＲ3+Ｙ-を表す。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。Ｙ-は、アニオンを表す。ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎおよびｍのうち少なくとも一方は１以上の整数を表す。
【請求項４】
前記式（１）で表される配位子が、式（３）で表される配位子である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多孔性配位高分子。
【化３】
2019064942.tif 000010
式（３）中、Ｘは、−ＮＲ2または−ＮＲ3+Ｙ-を表す。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。Ｙ-は、アニオンを表す。ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎおよびｍのうち少なくとも一方は１以上の整数を表す。
【請求項５】
ｎおよびｍの両方が１以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多孔性配位高分子。
【請求項６】
Ｒが水素原子またはアルキル基である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の多孔性配位高分子。
【請求項７】
前記金属成分が金属クラスターである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の多孔性配位高分子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の多孔性配位高分子を含むガス吸着剤。
【請求項９】
請求項８に記載のガス吸着剤を含むガス分離装置。
【請求項１０】
請求項８に記載のガス吸着剤を含むガス貯蔵装置。
【請求項１１】
請求項８に記載のガス吸着剤を含むセンサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多孔性配位高分子、ガス吸着剤、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
金属イオンまたは金属クラスターと、多座配位子とが２〜３次元の配位ネットワークを形成した多孔性配位高分子（ＰＣＰ：Ｐｏｒｏｕｓ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）、または、金属有機構造体（ＭＯＦ：Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｒａｍｅｗｏｒｋｓ）に関して、種々の検討が行われている。
例えば、非特許文献１においては、ビフェニルカルボン酸を用いた多孔性配位高分子が報告されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Inorganic Chemistry 2014, 53, 9254-9259
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、近年、二酸化炭素を選択的に吸着し得る材料が望まれている。
本発明者らは、非特許文献１に記載の多孔性配位高分子を用いて気体の吸着特性について検討をしたところ、二酸化炭素の選択吸着性が必ずしも十分でないことを知見した。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みて、二酸化炭素の吸着量が多く、かつ、二酸化炭素の選択吸着性にも優れる多孔性配位高分子を提供することを課題とする。
また、本発明は、ガス吸着剤、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーを提供することも課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願出願人は、鋭意検討した結果、所定の配位子を含む多孔性配位高分子であれば、所望の効果が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、以下に示す手段により上記課題を解決し得る。
【０００７】
（１）  金属クラスターおよび金属イオンからなる群から選択される金属成分と、多座配位子とを含む多孔性配位高分子であって、
多座配位子が、後述する式（１）で表される配位子を含み、
式（１）で表される配位子の含有量が、多座配位子の全モル量に対して、５モル％以上である、多孔性配位高分子。
（２）  式（１）で表される配位子の含有量が、多座配位子の全モル量に対して、５０モル％以上である、（１）に記載の多孔性配位高分子。
（３）  式（１）で表される配位子が、後述する式（２）で表される配位子である、（１）または（２）に記載の多孔性配位高分子。
（４）  式（１）で表される配位子が、後述する式（３）で表される配位子である、（１）〜（３）のいずれかに記載の多孔性配位高分子。
（５）  ｎおよびｍの両方が１以上である、（１）〜（４）のいずれかに記載の多孔性配位高分子。
（６）  Ｒが水素原子またはアルキル基である、（１）〜（５）のいずれかに記載の多孔性配位高分子。
（７）  金属成分が金属クラスターである、（１）〜（６）のいずれかに記載の多孔性配位高分子。
（８）  （１）〜（７）のいずれかに記載の多孔性配位高分子を含むガス吸着剤。
（９）  （８）に記載のガス吸着剤を含むガス分離装置。
（１０）  （８）に記載のガス吸着剤を含むガス貯蔵装置。
（１１）  （８）に記載のガス吸着剤を含むセンサー。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、二酸化炭素の吸着量が多く、かつ、二酸化炭素の選択吸着性にも優れる多孔性配位高分子を提供することができる。
また、本発明によれば、ガス吸着剤、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーを提供することもできる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の多孔性配位高分子、ガス吸着剤、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーについて詳細に説明する。
なお、本明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
【００１０】
本発明の多孔性配位高分子は、後述する式（１）で表される配位子（以後、「特定配位子」ともいう）を含む。特定配位子は、ベンゼン環から延びる、窒素原子を含む官能基を有する。この官能基中の窒素原子と二酸化炭素との間で相互作用が生じやすい。また、特定配位子は２つのベンゼン環を含む構造を有しており、ＰＣＰ中で形成される空間が所定の大きさとなり、二酸化炭素を取り込みやすくなる。一方で、窒素原子と相互作用を生じない物質に関しては、吸着が著しく阻害される。これは、窒素原子を含む官能基による立体障害と、ＰＣＰ中で形成される空間が所定の大きさであることの相乗効果と推定される。結果として、本発明の多孔性配位高分子は、二酸化炭素等、窒素原子と相互作用する物質の吸着量が多く、かつ、他の物質と比較した二酸化炭素等の選択吸着性にも優れると推定している。
【００１１】
本発明の多孔性配位高分子は、金属クラスターおよび金属イオンからなる群から選択される金属成分と、多座配位子とを含む多孔性配位高分子であって、多座配位子が所定量の式（１）で表される配位子を含む。
なお、多孔性配位高分子とは、金属成分と、金属成分に配位可能な多座配位子とによって構成される材料であり、通常、無機物である金属成分と、多座配位子とが、配位結合を介して自己集合的に集まり、組みあがった材料である。
以下では、まず、特定配位子について説明する。
【００１２】
＜式（１）で表される配位子＞
多孔性配位高分子は、特定配位子を含む。
【００１３】
【化１】
2019064942.tif 000002
【００１４】
式（１）中、Ｌは、それぞれ独立に、２価の連結基を表す。
２価の連結基の種類は特に制限されず、例えば、エーテル基（−Ｏ−）、カルボニル基（−ＣＯ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、チオエーテル基（−Ｓ−）、−ＳＯ2−、−ＮＲA−（ＲAは、水素原子、または、アルキル基を表す。）、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、および、アリーレン基）、および、これらを組み合わせた基が挙げられる。
なかでも、二酸化炭素の吸着量がより大きい点、および、二酸化炭素の選択吸着性がより優れる点の少なくとも一方の効果が得られる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」ともいう）で、Ｌは、２価の炭化水素基が好ましく、アルキレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。
なお、Ｌ中のＸと連接する基は、カルボニル基でないことが好ましい。また、Ｌ中には、アミド基が含まれないことが好ましい。
【００１５】
Ｘは、−ＮＲ2または−ＮＲ3+Ｙ-を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、−ＮＲ2がより好ましい。
Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または１価の置換基を表す。１価の置換基の種類は特に制限されず、例えば、ヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基（例えば、アルキル基、アリール基）が挙げられる。ヘテロ原子の種類としては、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子などが挙げられる。炭化水素基中にヘテロ原子が含まれる場合、エーテル基（−Ｏ−）、カルボニル基（−ＣＯ−）、エステル基（−ＣＯＯ−）、アミド基（−ＣＯＮＨ−）、チオエーテル基（−Ｓ−）、−ＳＯ2−、または、−ＮＲA−（ＲAは、水素原子、または、アルキル基を表す。）などの形態で含まれていてもよい。
なかでも、上記Ｘが二酸化炭素に対する適度な相互作用と、二酸化炭素以外の他の物質に対する適度な立体障害を持ち、本発明の効果がより優れる点から、Ｒは水素原子またはアルキル基が好ましい。なお、−ＮＲ2のＲのうち、少なくとも一方は水素原子であることがより好ましい。
なお、複数のＲ同士が連結して環を形成することはない。または、ＲとＬとが連結して環を形成することもない。
【００１６】
Ｙ-は、アニオンを表す。アニオンの種類は特に制限されず、公知のアニオンが挙げられる。例えば、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＲBＣＯ3-、ＳｂＦ6-、および、ＡｓＦ6-が挙げられる。なお、ＲBは、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ハロゲンアニオンが好ましい。
【００１７】
ｎおよびｍは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎおよびｍのうち少なくとも一方は１以上の整数を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、ｎおよびｍは、それぞれ１または２が好ましく、それぞれ１がより好ましい。
【００１８】
特定配位子の好適態様としては、式（２）で表される配位子が挙げられる。
【００１９】
【化２】
2019064942.tif 000003
【００２０】
式（２）中の各基の定義および好適態様は、上述した通りである。
【００２１】
式（２）で表される配位子の好適態様としては、式（３）で表される配位子が挙げられる。
【００２２】
【化３】
2019064942.tif 000004
【００２３】
式（３）中の各基の定義および好適態様は、上述した通りである。
【００２４】
多孔性配位高分子中における特定配位の含有量は、多座配位子の全モル量に対して、５モル％以上である。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、８０モル％以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、１００％が挙げられる。
【００２５】
多孔性配位高分子は、上述した特定配位子以外の他の多座配位子を含んでいてもよい。他の多座配位子としては、例えば、４，４’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ビピリジル、ピラジン、および、１，４−ジアザビシクロ「２．２．２」オクタンが挙げられる。
【００２６】
＜金属成分＞
多孔性配位高分子は、金属クラスターおよび金属イオンからなる群から選択される金属成分を含む。
【００２７】
金属クラスターは、１つまたは２つ以上の金属イオンを含む。また、金属クラスターは、金属イオン以外にさらに、１つまたは２つ以上のアニオンを含んでいてもよい。
金属イオンとしては特に制限はなく、例えば、周期律表（長周期型周期律表）における第２族元素〜第１３族元素からなる群から選択される金属元素のイオンが挙げられる。
金属クラスターを形成しやすいことから、金属イオンとしては、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｂａ2+、Ｔｉ4+、Ｚｒ4+、Ｈｆ4+、Ｖ5+、Ｖ4+、Ｖ3+、Ｖ2+、Ｍｎ2+、Ｒｅ2+、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、Ｒｕ3+、Ｒｕ2+、Ｏｓ2+、Ｃｏ2+、Ｒｈ2+、Ｉｒ2+、Ｎｉ2+、Ｐｄ2+、Ｐｔ2+、Ｃｕ2+、Ｚｎ2+、Ｃｄ2+、Ｈｇ2+、Ｓｉ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、および、Ｐｂ2+からなる群より選択される金属イオンが好ましく、Ｚｎ2+、Ｔｉ4+、Ｚｒ4+、Ｃｏ2+、Ｆｅ3+、Ｆｅ2+、および、Ｃｕ2+からなる群より選択される金属イオンがより好ましい。
【００２８】
金属クラスターを構成するアニオンとしては、周期律表（長周期型周期律表）における第１４族元素〜第１７族元素の非金属元素からなるアニオンが挙げられ、Ｏ、Ｎ、およびＳの１種または２種以上の元素からなるアニオンが好ましい。アニオンとしては、Ｏ2-、ＯＨ-、サルフェート、ナイトレート、ナイトライト、サルファイト、ビサルファイト、フォスフェート、ハイドロゲンフォスフェート、ジハイドロゲンフォスフェート、ジフォスフェート、トリフォスフェート、フォスファイト、クロライド、クロレート、ブロマイド、ブロメート、イオダイド、イオデート、カーボネート、ビカーボネート、サルファイド、ハイドロゲンサルフェート、セレナイド、セレネート、ハイドロゲンセレネート、テルライド、テルレート、ハイドロゲンテルレート、ナイトライド、フォスファイド、アルセナイド、アルセネート、ハイドロゲンアルセネート、ジハイドロゲンアルセネート、アンチモナイド、アンチモネート、ハイドロゲンアンチモネート、ジハイドロゲンアンチモネート、フルオライド、ボライド、ボレート、ハイドロゲンボレート、パークロレート、クロライト、ハイポクロライト、パーブロメート、ブロマイト、ハイポブロマイト、ペリオデート、および、ハイポイオダイトからなる群より選択されるアニオンが好ましく、金属クラスターを形成しやすいことから、Ｏ2-、ＯＨ-、またはカーボネートがより好ましい。
【００２９】
金属クラスターとしては、式（Ｘ）で表される金属クラスターが好ましい。
式（Ｘ）      ＭpＹq
Ｍは金属イオンを表し、好ましい金属イオンは上述した通りである。Ｙは周期律表における第１４族元素〜第１７族元素の非金属元素からなるアニオンを示し、好ましいアニオンは上述した通りである。ｐは１〜１０の整数を示す。ｑは１以上の整数を示し、１〜１０の整数であることが好ましい。ｑは、金属クラスターが所定の電荷を有するように調整される。
金属クラスターとしては、例えば、Ｚｎ4Ｏ、ＡｌＯ6、Ｚｎ2（ＣＯ2）4、Ｃｕ2（ＣＯ2）4、ＣｒＯ6、ＦｅＯ6、Ｃｏ2（ＣＯ2）4、Ｚｒ6Ｏ4（ＯＨ）4、Ｆｅ3Ｏ、Ｆｅ2ＣｏＯ、Ｔｉ8Ｏ8（ＯＨ）4、および、Ｚｎ2Ｏ2（ＣＯ2）2が挙げられる。
【００３０】
金属イオンとしては特に制限はなく、例えば、上述した金属クラスターに含まれる金属イオンの例示が挙げられる。
【００３１】
なお、多孔性配位高分子の製造の際の上記金属成分の原料としては、金属イオンを含む塩等の化合物を使用してもよい。金属イオンの塩（金属塩）としては、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、酢酸塩、リン酸塩、塩酸塩、および、臭化水素酸塩が挙げられる。
【００３２】
＜多孔性配位高分子の製造方法＞
多孔性配位高分子の製造方法は、特定配位子を含む多孔性配位高分子が得られれば特に制限されないが、例えば、金属塩および特定配位子を含む多座配位子を混合する方法、および、金属塩および特定配位子を含む多座配位子をオートクレーブなどの耐圧容器に入れ、高温下にて加圧する方法が挙げられる。
【００３３】
また、Ｒで表される１価の置換基が窒素原子の保護基である場合は、上記手順に従って多孔性配位高分子を作製した後、上記保護基を脱保護する処理を実施してもよい。脱保護の方法は、保護基の種類によって最適な方法が選択され、例えば、加熱処理が挙げられる。
加熱処理の加熱温度は特に制限されないが、１００℃以上の場合が多い。上限は特に制限されないが、通常、２００℃以下の場合が多い。
加熱時間は特に制限されないが、生産性の点から、１〜１２０時間が好ましく、１２〜４８時間がより好ましい。
【００３４】
金属塩と多座配位子との混合比は、使用される金属塩および多座配位子の種類によって適宜最適な混合比が選択される。
また、多孔性配位高分子を製造する際の金属塩および多座配位子を含む混合物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は特に制限されず、水または有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、ニトリル系溶媒、エステル系溶媒、および、カーボネート系溶媒が挙げられる。
【００３５】
また、上記手順によって得られた多孔性配位高分子には、必要に応じて、未反応物を除去する精製処理、および、乾燥処理を施してもよい。
精製処理としては、溶媒での洗浄処理が挙げられる。洗浄処理としては、溶媒と多孔性配位高分子とを接触させればよく、例えば、溶媒中に多孔性配位高分子を添加して、必要に応じて、混合液に加熱処理を施す方法が挙げられる。
【００３６】
＜用途＞
本発明の多孔性配位高分子は、二酸化炭素の吸着量が多く、かつ、二酸化炭素の選択吸着性に優れるため、種々の用途に適用できる。例えば、ガス吸着剤が挙げられる。
また、ガス吸着剤は、ガス分離装置、ガス貯蔵装置、および、センサーなどに適用できる。例えば、上記ガス吸着剤を含むガス分離装置であれば、ガス吸着剤をガス分離膜の材料として適用する形態が挙げられる。また、上記ガス吸着剤を含むガス貯蔵装置であれば、ガス吸着剤を吸着部に適用する形態が挙げられる。また、上記ガス吸着剤を含むセンサーであれば、例えば、カンチレバー型の振動子上にガス吸着剤を配置した態様が挙げられる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例により、本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
＜実施例１＞
公知文献（J. Org. Chem., 1997, 62(8), pp 2312-2313）等の方法を参考に、配位子１を合成した。なお、Ｂｏｃは、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を表す。
【００３９】
【化４】
2019064942.tif 000005
【００４０】
配位子１（４０６ｍｇ）、硝酸亜鉛６水和物（和光純薬工業製）（４５７ｍｇ）、および、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド（東京化成工業製）（６０ｍＬ）を混合して混合液を調製し、得られた混合液をＰＴＦＥ（Polytetrafluoroethylene）容器に入れ、ＰＴＦＥ容器ごとＳＵＳ（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｓｔｅｅｌ）製オートクレーブに入れ、１２０℃で２４時間反応させた。冷却後、得られた固体状のＰＣＰ−Ｆ１をジクロロメタンで洗浄し、洗浄後のＰＣＰ−Ｆ１をＰＸＲＤ（Ｐｏｗｄｅｒ  Ｘ−ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）で構造分析したところ、公知のＩＲＭＯＦ（Ｉｓｏｒｅｔｉｃｕｌａｒ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）−９と同等の３次元構造を有していることを確認した。
さらに、ＰＣＰ−Ｆ１を１７０℃で１８時間真空乾燥し、Ｂｏｃ基が脱離したＰＣＰ−Ｆ２を合成した。ＰＣＰ−Ｆ２を、ＰＸＲＤで構造分析したところ、ＰＣＰ−Ｆ１と略同様の位置にピークが観測され、ＰＣＰ−Ｆ１と同等の３次元構造を有していることを確認した。
なお、ＰＣＰ−Ｆ２を重塩酸で分解して、１Ｈ  ＮＭＲ（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）測定し、Ｂｏｃ基の脱保護率が、約８５％であることを確認した。
【００４１】
＜実施例２＞
公知文献（J. Org. Chem., 1997, 62(8), pp 2312-2313）等の方法を参考に、配位子２を合成した。なお、以下の配位子２は、Ｎ（ＣＨ3）2のＨＣｌ塩を有する。
【００４２】
【化５】
2019064942.tif 000006
【００４３】
配位子２（４５１ｍｇ）、塩化ジルコニウム（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）（２４５ｍｇ）、安息香酸（和光純薬工業製）（３８５０ｍｇ）および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（和光純薬工業製）（６０ｍＬ）を混合して混合液を調製し、得られた混合液をＰＴＦＥ容器に入れ、ＰＴＦＥ容器ごとＳＵＳ製オートクレーブに入れ、１２０℃で４８時間反応させた。冷却後、得られたＰＣＰ−Ｆ３をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、及びメタノールで洗浄し、洗浄後のＰＣＰ−Ｆ３をＰＸＲＤで構造分析したところ、公知のビフェニルカルボン酸−Ｚｒ系のＭＯＦ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｆｒａｍｅｗｏｒｋ）であるＵｉＯ−６７と同等の３次元構造を有していることを確認した。
【００４４】
＜比較例１＞
公知文献（Chemistry A Europrean Journal. 2011, 17, pp 6643-6651）の方法を参考に、ビフェニルカルボン酸−Ｚｒ系のＭＯＦであるＵｉＯ−６７を合成した。
【００４５】
＜評価＞
ＢＥＬＳＯＲＰ−ｍａｘ（ＭｉｃｒｏｔｒａｃＢＥＬ製）を用いて、２９８ＫにおけるＣＯ2吸着量と、１９４ＫにおけるＮ2吸着量を測定し、得られた測定値を基に、ＣＯ2吸着量とＣＯ2／Ｎ2分離選択性とを評価した。
【００４６】
（ＣＯ2吸着量）
２０ｋＰａでの吸着量をもとに、以下に示す基準でＣＯ2吸着量を評価した。なお、ＳＴＰは、Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ａｎｄ  ｒｅｓｓｕｒｅの略語である。
Ａ：１０ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ以上
Ｂ：８ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ以上１０ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ未満
Ｃ：６ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ以上８ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ未満
Ｄ：４ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ以上６ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ未満
Ｅ：４ｍｌ（ＳＴＰ）／ｇ未満
【００４７】
（ＣＯ2／Ｎ2分離選択性）
ＣＯ2およびＮ2の２０ｋＰａでの吸着量の比をＣＯ2／Ｎ2分離選択性として、以下に示す基準で評価した。
Ａ：１０以上
Ｂ：７以上１０未満
Ｃ：４以上７未満
Ｄ：２以上４未満
Ｅ：２未満
【００４８】
なお、実施例１の評価は、ＰＣＰ−Ｆ２を用いて行った。
【００４９】
【表１】
2019064942.tif 000007
【００５０】
表１に示すように、所定の多孔性配位高分子であれば、所望の効果が得られることが確認できた。