(57)【要約】      （修正有）【課題】記憶装置の温度が高い場合にメモリアレイに記憶されるデータがなくなることを防ぐ更新動作においてエネルギーロスを小さくする記憶装置及びその操作方法を提供する。【解決手段】記憶装置１００は、メモリアレイ１２０と、温度センサ１３０と、コントローラ１５０と、を含む。温度センサは、記憶装置の温度を検測し、コントローラは、検測温度に基づいて更新率を判定し、コントローラは、判定された更新率でメモリアレイを更新する。【選択図】図１
2019215947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置の第１の温度を検測する工程と、
前記第１の温度に基づいて第１の更新率を判定する工程と、
第１の更新率で前記記憶装置を更新する工程と、
を含み、
前記第１の更新率は、更新率の最大閾値よりも低い、記憶装置の操作方法。
【請求項２】
デジタル指令で前記第１の温度をコントローラに伝送する工程を更に含む請求項１に記載の記憶装置の操作方法。
【請求項３】
第２の温度に基づいて第２の更新率を判定する工程を更に含み、
前記第２の温度は前記第１の温度より高く、且つ前記第２の更新率は前記第１の更新率より高い請求項１または２に記載の記憶装置の操作方法。
【請求項４】
前記第１の更新率で更新指令を前記記憶装置に伝送する工程を更に含む請求項１〜３の何れか１項に記載の記憶装置の操作方法。
【請求項５】
発振器信号を受信する工程と、
前記発振器信号のパルス数及び前記第１の更新率に基づいて前記更新指令を発生させる工程と、
を更に含む請求項４に記載の記憶装置の操作方法。
【請求項６】
記憶装置の第１の温度を検測するための温度センサと、
メモリアレイと、
前記第１の温度に基づいて第１の更新率を判定して、前記第１の更新率で前記メモリアレイを更新するためのコントローラと、
を含み、
前記第１の更新率は、更新率の最大閾値よりも低い記憶装置。
【請求項７】
前記温度センサは、更に、デジタル指令で前記第１の温度を前記コントローラに伝送することに用いられる請求項６に記載の記憶装置。
【請求項８】
前記コントローラは、更に、第２の温度に基づいて第２の更新率を判定することに用いられ、前記第２の温度は前記第１の温度より高く、且つ前記第２の更新率は前記第１の更新率より高い請求項６または７に記載の記憶装置。
【請求項９】
前記コントローラは、更に、前記第１の更新率で更新指令を前記メモリアレイに伝送することに用いられる請求項６〜８の何れか１項に記載の記憶装置。
【請求項１０】
前記コントローラは、
発振器信号を受信するための計数器を更に含み、
前記コントローラは、更に、前記発振器信号のパルス数及び前記第１の更新率に基づいて前記更新指令を発生させることに用いられる請求項９に記載の記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、記憶装置に関し、特に、記憶装置及びその操作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記憶装置の温度が高い場合、メモリアレイに記憶されるデータがなくなる可能性が高い。そのため、記憶装置の温度が高い場合、高い更新率が要求される。しかしながら、高い更新率により、エネルギーロスが多い。
【発明の概要】
【０００３】
本願の一態様は、記憶装置の第１の温度を検測する工程と、第１の温度に基づいて第１の更新率を判定する工程と、第１の更新率で記憶装置を更新する工程と、を含み、第１の更新率は、更新率の最大閾値よりも低い記憶装置の操作方法を提供する。
【０００４】
一部の実施例において、デジタル指令で前記第１の温度をコントローラに伝送する工程を更に含む。
【０００５】
一部の実施例において、第２の温度に基づいて第２の更新率を判定する工程を更に含み、前記第２の温度は前記第１の温度より高く、且つ前記第２の更新率は前記第１の更新率より高い。
【０００６】
一部の実施例において、前記第１の更新率で更新指令を前記記憶装置に伝送する工程を更に含む。
【０００７】
一部の実施例において、発振器信号を受信する工程と、前記発振器信号のパルス数及び前記第１の更新率に基づいて前記更新指令を発生させる工程と、を更に含む。
【０００８】
本願の別の態様は、記憶装置の第１の温度を検測するための温度センサと、メモリアレイと、第１の温度に基づいて第１の更新率を判定して、第１の更新率に基づいて前記メモリアレイを更新するためのコントローラと、を含み、第１の更新率は、更新率の最大閾値よりも低い記憶装置を提供する。
【０００９】
一部の実施例において、前記温度センサは、更に、デジタル指令で前記第１の温度を前記コントローラに伝送することに用いられる。
【００１０】
一部の実施例において、前記コントローラは、更に、第２の温度に基づいて第２の更新率を判定することに用いられ、前記第２の温度は前記第１の温度より高く、且つ前記第２の更新率は前記第１の更新率より高い。
【００１１】
一部の実施例において、前記コントローラは、更に、前記第１の更新率で更新指令を前記メモリアレイに伝送することに用いられる。
【００１２】
一部の実施例において、前記コントローラは、発振器信号を受信するための計数器を更に含み、前記コントローラは、更に、前記発振器信号のパルス数及び前記第１の更新率に基づいて前記更新指令を発生させることに用いられる。
【００１３】
そのため、一部の実施例において、温度に関わらず、コントローラの判定した更新率は、ＪＥＤＥＣ規格での更新率よりも低い。そのため、一部の実施例において、消費電力は低下する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
下記添付図面の説明は、本発明の上記及び他の目的、特徴、メリット及び実施例をより分かりやすくするためのものである。
【図１】本願のある実施例による記憶装置を示す模式図である。
【図２】本願のある実施例による記憶装置を示す実験データの図表である。
【図３】本願のある実施例による記憶装置を示すパルス記録の模式図である。
【図４】本願のある実施例による記憶装置の操作方法を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、数多くの異なる実施例又は例証を開示し提供して、本発明の異なる特徴を実施する。特殊な例証における素子及び配置は、下記検討で本開示を簡単化するために用いられる。検討される如何なる例証も解説するためのものであり、如何なる形態で本発明又はその例証の範囲や意味を制限することはない。なお、本開示は、異なる例証において、数字符号且つ／又は字母を繰り返して引証することがある。これらの繰り返しは、何れも簡単化及び記述するためのものであり、その自体が下記検討での異なる実施例且つ／又は配置の間の関係を指定することもない。
【００１６】
明細書の全文及び特許請求の範囲に用いられる用語（ｔｅｒｍｓ）は、特に明記されない限り、一般的に、各用語のこの分野に用いられる、この開示の内容及び特殊な内容における通常の意味を有する。本開示を述べるためのある用語については、本開示に関わる説明以外のガイドを当業者に与えるように、下記又はこの明細書の別所で検討される。
【００１７】
本文に用いられる「結合」又は「接続」の何れも、２つ又は複数の素子が互いに直接実質的又は電気的に接触し、又は互いに間接実質的又は電気的に接触することを指すが、「結合」又は「接続」は２つ又は複数の素子の互いの工程や動作を指してもよい。
【００１８】
本文において、第１の、第２のと第３の等の語彙は、各種の素子、部品、領域、層及び／又はブロックを述べるためのものであることは、理解される。しかしながら、これらの素子、部品、領域、層及び／又はブロックは、これらの術語により制限されない。これらの語彙は、単一の素子、部品、領域、層及び／又はブロックの弁別のみに用いられる。そのため、下文における第１の素子、部品、領域、層及び／又はブロックは、本発明の本意から逸脱せずに、第２の素子、部品、領域、層及び／又はブロックと呼ばれてもよい。本文に用いられるように、「及び／又は」という語彙は、列挙された関連項目における１つ又は複数の如何なる組み合わせを含む。本願のファイルで言及された「及び／又は」とは、列記された素子の何れ、全部又は少なくとも一方の任意の組み合わせを指す。
【００１９】
図１を参照されたい。図１は、本願のある実施例による記憶装置１００を示す模式図である。記憶装置１００は、メモリアレイ１２０と、温度センサ１３０と、コントローラ１５０と、を含む。ある実施例において、温度センサ１３０は、コントローラ１５０に結合される。コントローラ１５０は、メモリアレイ１２０に結合される。
【００２０】
操作の関係で、温度センサ１３０は、記憶装置１００の温度を検測することに用いられる。コントローラ１５０は、検測温度に基づいて更新率を判定することに用いられる。そして、コントローラ１５０は、判定された更新率でメモリアレイ１２０を更新する。判定された更新率は、更新率の最大閾値よりも低い。ある実施例において、更新率の最大閾値は、ＪＥＤＥＣ（Ｊｏｉｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｃｏｕｎｃｉｌ；ＪＥＤＥＣ）規格に基づいて判定された更新率である。
【００２１】
図２を参照されたい。図２は、本願のある実施例による記憶装置１００を示す実験データ２００の図表である。曲線２１０は、ＪＥＤＥＣ規格による更新率と温度との関係を表す。曲線２３０は、本発明のある実施例による更新率と温度との関係を表す。
【００２２】
図２に示すように、検測温度がＴ３より低く且つＴ１より高い場合、ＪＥＤＥＣ規格の更新率はｆ４である。しかしながら、本発明の一部の実施例において、検測温度がＴ２より低く且つＴ１より高い場合、更新率はｆ２であり、ｆ４よりも低い。なお、一部の実施例において、検測温度がＴ３より低く且つＴ２より高い場合、更新率はｆ３であり、ｆ４よりも低い。
【００２３】
図２に示すように、検測温度が高い場合、判定された更新率は高い。
【００２４】
注意すべきなのは、一部の実施例において、判定された更新率は、記憶装置１００のデータ保存能力内にある。
【００２５】
また、図１を参照されたい。ある実施例において、温度センサ１３０は、更に、デジタル指令で温度をコントローラ１５０に伝送することに用いられる。例としては、検測温度が２０℃よりも低い場合、温度センサ１３０は、００００を含むデジタル指令をコントローラ１５０に伝送する。検測温度が２５℃より低く且つ２０℃より高い場合、温度センサ１３０は、０００１を含むデジタル指令をコントローラ１５０に伝送する。前記のようなデジタル指令は、例示して説明するためのものだけであり、本発明の実施形態を限定するものではない。
【００２６】
ある実施例において、コントローラ１５０は、更に、更新率で更新指令をメモリアレイ１２０に伝送することに用いられ、且つメモリアレイ１２０が更新指令を受信すると更新を行う。例としては、コントローラ１５０は、更新率がｆ１ヘルツ（Ｈｅｒｔｚ）であると判定すると、１／ｆ１秒間ごとに更新指令をメモリアレイ１２０に伝送する。メモリアレイ１２０は、更新指令を受信するたびに、更新を行う。
【００２７】
ある実施例において、コントローラ１５０は、計数器１５５を更に含む。計数器１５５は、発振器信号を受信して、発振器信号のパルス数及び判定された更新率に基づいて更新指令を発生させることに用いられる。
【００２８】
図１及び図３を合わせて参照されたい。図３は、本願のある実施例による記憶装置１００を示すパルス記録３００の模式図である。Ｐ１は、発振器（未図示）の発生したｆ１の周波数を含むパルス曲線である。計数器１５５がパルス曲線Ｐ１発振器信号を受信し、且つコントローラ１５０の検測温度により判定された更新率はｆ２の周波数を含む更新率であり、ｆ２はｆ１の１／４であると假定する。Ｐ２は、コントローラ１５０の判定された更新率がｆ２である場合に発生したパルス曲線である。
【００２９】
詳しくは、計数器１５５は発振器信号のパルス数を計数する。且つ計数器１５５が発振器信号の４つのパルスを受信するたびに、コントローラ１５０は、更新指令を発生させる。つまり、計数器１５５が第１の、第５の、第９のパルスを受信すると、コントローラ１５０は、更新指令を発生させるが、Ｐ２に示すように、その他についてはこのように類推すればよい。更新指令が発生すると、コントローラ１５０は更新指令をメモリアレイ１２０に伝送し、メモリアレイ１２０はｆ２の更新率で更新指令を受信してｆ２の更新率で更新を行う。
【００３０】
同様に、計数器１５５がパルス曲線Ｐ１の発振器信号を受信し、且つコントローラ１５０の検測温度により判定された更新率はｆ１の周波数を含む更新率であり、ｆ４はｆ１の１／２であると假定する。Ｐ３は、判定された更新率がｆ４である場合にコントローラ１５０により発生されたパルス曲線である。
【００３１】
詳しくは、計数器１５５は発振器信号のパルス数を計数する。計数器１５５が発振器信号の２つのパルスを受信するたびに、コントローラ１５０は、更新指令を発生させる。つまり、計数器１５５が第１の、第３、第５の、第７の、第９のパルスを受信すると、コントローラ１５０は、更新指令を発生させるが、Ｐ３に示すように、その他についてはこのように類推すればよい。コントローラ１５０が更新指令を発生させる場合に更新指令をメモリアレイ１２０に伝送するため、メモリアレイ１２０は、ｆ４の更新率で更新指令を受信してｆ４の更新率で更新を行う。
【００３２】
ある実施例において、発振器（未図示）は、記憶装置１００の中に実施されてよい。
【００３３】
図４を参照されてよい。図４は、本願のある実施例による記憶装置１００の操作方法４００を示す流れ図である。操作方法４００は、下記工程を含む。
【００３４】
Ｓ４１０：記憶装置の温度を検測する。
【００３５】
Ｓ４３０：温度に基づいて更新率を判定する。
【００３６】
Ｓ４５０：更新率でメモリアレイを更新する。
【００３７】
説明し例示しやすくするために、図１〜図４を参照されたい。これらの工程は、例示として説明するために用いられる。他の附加工程の何れも、本発明の実施形態の予想した範囲内にある。
【００３８】
工程Ｓ４１０において、記憶装置の温度を検測する。ある実施例において、温度センサ１３０は、工程Ｓ４１０を実行する。例としては、温度センサ１３０は、記憶装置１００の温度を検測する。ある実施例において、温度センサ１３０は、デジタル指令で検測温度をコントローラ１５０に伝送する。例としては、検測温度が２０℃よりも低い場合、温度センサ１３０は、００００を含むデジタル指令をコントローラ１５０に伝送する。
【００３９】
工程Ｓ４３０において、温度に基づいて更新率を判定する。ある実施例において、コントローラ１５０は、工程Ｓ４３０を実行する。例としては、コントローラ１５０は、温度センサ１３０の伝送した検測温度に基づいて更新率を判定する。判定された更新率は、更新率の最大閾値よりも低い。ある実施例において、更新率の最大閾値は、ＪＥＤＥＣ規格に基づいて判定された更新率である。ある実施例において、検測温度が高い場合、判定された更新率は高い。注意すべきなのは、一部の実施例において、判定された更新率は、記憶装置１００のデータ保存能力内にある。つまり、判定された更新率はあまり低くてはいけない。
【００４０】
ある実施例において、更新率を判定した後で、コントローラ１５０は、判定された更新率で更新指令をメモリアレイ１２０に伝送する。
【００４１】
工程Ｓ４５０において、更新率でメモリアレイを更新する。ある実施例において、コントローラ１５０は、工程Ｓ４５０を実行する。例としては、コントローラ１５０は、更新率がｆ１ヘルツ（Ｈｅｒｔｚ）であると判定すると、１／ｆ１秒間ごとに更新指令をメモリアレイ１２０に伝送する。メモリアレイ１２０は、更新指令を受信するたびに、更新を行う。
【００４２】
ある実施例において、操作工程４００は、発振器信号を受信する工程と、発振器信号のパルス数及び更新率に基づいて更新指令を発生させる工程と、を更に含む。例としては、計数器１５５は、発振器信号を受信して、発振器信号のパルス数及び判定された更新率に基づいて更新指令を発生させる。
【００４３】
図３を合わせて参照されたい。Ｐ１は、発振器（未図示）の発生したｆ１の周波数を含むパルス曲線である。計数器１５５がパルス曲線Ｐ１の発振器信号を受信し、且つコントローラ１５０が検測温度により判定された更新率はｆ２の周波数を含む更新率であり、ｆ２はｆ１の１／４であると假定する。Ｐ２は、判定された更新率がｆ２である場合にコントローラ１５０の発生したパルス曲線である。計数器１５５は発振器信号のパルス数を計数する。且つ計数器１５５が発振器信号の４つのパルスを受信するたびに、コントローラ１５０は、更新指令を発生させる。つまり、計数器１５５が第１の、第５の、第９のパルスを受信すると、コントローラ１５０は、更新指令を発生させるが、Ｐ２に示すように、その他についてはこのように類推すればよい。更新指令を発生させる場合、コントローラ１５０は更新指令をメモリアレイ１２０に伝送し、メモリアレイ１２０はｆ２の更新率で更新指令を受信してｆ２の更新率で更新を行う。
【００４４】
注意すべきなのは、ＪＥＤＥＣ規格により判定された更新率より低くメモリアレイ１２０のデータ保存能力内にある如何なる更新率も、本願の実施形態の考慮範囲内にある。
【００４５】
そのため、一部の実施例において、温度に関わらず、コントローラ１５０の判定した更新率は、ＪＥＤＥＣ規格での更新率よりも低い。そのため、一部の実施例において、消費エネルギーは、低い。
【００４６】
ある実施例において、コントローラ１５０は、回路、中央処理ユニット（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ；ＣＰＵ）、マイクロプロセッサ（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｕｎｉｔ；ＭＣＵ）又は記憶、算出、データ読み取り、信号又はメッセージの受信や伝送機能又は他の同等な機能を有する他の装置であってよい。
【００４７】
ある実施例において、温度検測器１３０は、温度検測機能又は他の同等な機能を有する回路又は素子であってよい。ある実施例において、メモリアレイ１２０は、データ記憶機能又は他の同等な機能を有する回路又は素子であってよい。ある実施例において、メモリアレイ１２０は、データを記憶するための複数の行及び複数の列を含む。ある実施例において、計数器１５５は、計数、信号又は情報の受信や伝送機能又は他の同等な機能を有する回路又は素子であってよい。ある実施例において、記憶装置１００は、読み出し専用メモリ、フラッシュメモリ、ソフトウェア、ハードウェア、光ディスク、フラッシュメモリ装置、磁気テープ、データベース又は当業者が容易に想到できる同じ機能を有する他の記憶媒体として達成されてよい。
【００４８】
また、上記例示は、順次な示範工程を含むが、これらの工程は必ず示された順序で実行されるはけでもない。異なる順序でこれらの工程を実行することも、本開示内容の考慮範囲内にある。本開示内容の実施例の精神や範囲内に、必要に応じて増加し、取って代わり、順序を変更し及び／又はこれらの工程を省略してよい。
【００４９】
本発明の実施形態を前述の通りに開示したが、これは、本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修飾を加えてもよく、したがって、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲で指定した内容を基準とするものである。
【符号の説明】
【００５０】
１００：記憶装置
１２０：メモリアレイ
１３０：温度センサ
１５０：コントローラ
１５５：計数器
２００：実験データ
２１０、２３０：曲線
Ｓ４１０〜Ｓ４５０：工程
ｆ１〜ｆ４：周波数
Ｔ１〜Ｔ４：温度
Ｐ１〜Ｐ３：パルス曲線
４００：操作方法
【図１】
2019215947.tif 000003
【図２】
2019215947.tif 000004
【図３】
2019215947.tif 000005
【図４】
2019215947.tif 000006