(57)【要約】      （修正有）【課題】膜厚均一性に優れ、かつ、電子写真感光体を安定的に製造できる堆積膜形成装置の提供。【解決手段】減圧可能な反応容器と、円筒状基体１０２及び補助基体１０７が装着された基体ホルダー１０３を設置するホルダー受け台１０１と、前記反応容器の中に堆積膜形成用の原料ガスを導入するガス導入手段と、排気手段と、前記原料ガスを分解する電力印加手段とを有する堆積膜形成装置であって、前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台とは嵌め合い機構を有し、前記嵌め合い機構は、前記基体ホルダーを設置するときに、前記基体ホルダーを下降させながら前記ホルダー受け台を回転させることによって前記ホルダー受け台に前記基体ホルダーを嵌合した状態で設置させる構造を有する堆積膜形成装置。【選択図】図１
2019183233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器と、円筒状基体及び補助基体が装着された基体ホルダーを設置するホルダー受け台と、前記反応容器の中に堆積膜形成用の原料ガスを導入するガス導入手段と、排気手段と、前記原料ガスを分解する電力印加手段とを有する堆積膜形成装置であって、
前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台とは嵌め合い機構を有し、
前記嵌め合い機構は、前記基体ホルダーを設置するときに、前記基体ホルダーを下降させながら前記ホルダー受け台を回転させることによって前記ホルダー受け台に前記基体ホルダーを嵌合した状態で設置させる構造を有することを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台との嵌め合い機構は、ねじ込み機構である請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記ホルダー受け台には、前記基体ホルダーを設置する面に、前記ホルダー受け台の回転方向に直交する溝を有する請求項１又は２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の堆積膜形成装置を用いて前記基体ホルダーを前記ホルダー受け台に設置した後に、前記円筒状基体の上に前記堆積膜を形成する工程であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば水素原子及び／又はハロゲン原子を含有し、シリコン原子（ケイ素原子）を母体とするアモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
そして、アモルファスシリコンからなる堆積膜の形成方法としては、高周波電力のグロー放電により堆積膜形成用ガスのプラズマを生成し、その分解種を基体の上に堆積させるプラズマＣＶＤ法がある。
これらの方法で、電子写真感光体のような大面積を有する堆積膜を形成する場合、膜特性の均一化が必要であり、そのために堆積膜を形成する方法や装置の構成に関して各種提案がされている。
【０００３】
例えば、アモルファスシリコンからなる電子写真感光体を形成する場合、円筒状基体を減圧可能な反応容器の中に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体に基体ホルダーを挿入することが開示されている。（特許文献１参照）
また、別の提案には、円筒状基体の周方向に均一な堆積膜を形成するために、堆積膜を形成するのと同時期、あるいは円筒状基体を加熱する段階から、円筒状基体を回転させて堆積膜を形成することが、開示されている。（特許文献２参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１５−２０３７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、上記のような方策により電子写真感光体の電子写真特性、画像特性の均一化が図られてきた。
特に、近年では、電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、電子写真感光体に利用される堆積膜の膜特性の均一性が従来以上に求められている。
例えば、電子写真プロセスを利用した高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、従来は実用上問題のなかった堆積膜の膜特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能な濃度ムラを生じさせる可能性がある。
【０００６】
先に示した特許文献２では、こうした課題を解決するために、周方向の僅かな特性ムラに着目し、改善することで効果を得ている。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜特性の均一性に優れ、かつ、電子写真感光体を安定的に製造することができる堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
減圧可能な反応容器と、円筒状基体及び補助基体が装着された基体ホルダーを設置するホルダー受け台と、前記反応容器の中に堆積膜形成用の原料ガスを導入するガス導入手段と、排気手段と、前記原料ガスを分解する電力印加手段とを有する堆積膜形成装置であって、
前記基体ホルダーと前記ホルダー受け台とは嵌め合い機構を有し、
前記嵌め合い機構は、前記基体ホルダーを設置するときに、前記基体ホルダーを下降させながら前記ホルダー受け台を回転させることによって前記ホルダー受け台に前記基体ホルダーを嵌合した状態で設置させる構造を有する堆積膜形成装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の態様によれば、
円筒状基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成工程を有する電子写真感光体の製造方法において、
前記堆積膜形成工程が、前記堆積膜形成装置を用いて前記基体ホルダーを前記ホルダー受け台に設置した後に、前記円筒状基体の上に前記堆積膜を形成する工程である電子写真感光体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、プラズマＣＶＤによる電子写真感光体の製造時において、円筒状基体の回転精度を向上させることにより、大面積の円筒状基体における周方向の膜厚均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係るホルダー受け台および基体ホルダーの略式図である。
【図２】本発明に係る別のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図ある。
【図３】本発明に係る別のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図ある。
【図４】本発明に係る堆積膜形成装置の略式断面図である。
【図５】従来のホルダー受け台および基体ホルダーの略式図である。
【図６】従来の堆積膜形成装置の略式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明者らは電子写真感光体の画像特性の均一性を向上させるため、前述に挙げた先行技術文献に開示されている技術により、ある程度の画像特性の均一性を得ることができた。
しかしながら、特に、画像濃度ムラに関しては、従来では問題ないレベルではあるが、将来的な製品レベルである高解像度、フルカラー機に搭載するにあたり、もう一段のレベルアップが求められる場合があった。
【００１２】
本発明者らは電子写真感光体の製造過程において、画像濃度ムラのレベルにばらつきがあるという課題に直面していた。課題の要因を分析したところ、画像濃度ムラのレベルのばらつきは、電子写真感光体の周方向の膜厚ムラに起因することが判明した。さらに、周方向の膜厚ムラが大きい感光体に関して調査したところ、周方向の膜厚ムラは製造過程で使用する基体ホルダーに依存性があることが判明した。
【００１３】
さらに、基体ホルダーについて詳しく調査したところ、周方向膜厚ムラが大きい感光体の製造に使用した基体ホルダーの下端面（ホルダー受け台に接する箇所）に、僅かな傷による出っ張りがあることが分かった。
本発明者らは、周方向膜厚ムラは、基体ホルダーの回転状況の差が関係しているのではないかと推測している。
【００１４】
傷による出っ張りが原因で、基体ホルダーが反応容器内に垂直に設置されなくなり、回転させたときに歳差運動を引き起こしてしまうものと考えられる。実際、上述のような傷のある基体ホルダーをホルダー受け台に設置させて回転状況を確認したとこと、正常な基体ホルダーに比べて回転精度に差があることが分かった。
本発明者らは、製造に使用する前に基体ホルダーの傷等を管理することで、周方向膜厚ムラを大幅に抑えることができた。
【００１５】
しかしながら、上述のような傷や出っ張りがない基体ホルダーを使用した場合でも、発生頻度は低いものの、周方向膜厚ムラのレベルの低下が発生する場合がある。
この現象について、本発明者らは以下のように推測している。
たとえば、基体ホルダーがホルダー受け台に設置されたときの設置状況によっては上述のような傷や出っ張りがなくても垂直精度に差が出る場合があるのではないかと考えている。
【００１６】
このような状態で基体ホルダーを回転させた場合、歳差運動を引き起こし、回転ブレが発生するのではないかと考えている。
また、別の原因としては、ホルダー受け台の基体ホルダー設置面に膜片などの異物が付着したまま基体ホルダーが設置されてしまうと、基体ホルダーの下端面とホルダー受け台の設置面との間に挟まった異物により基体ホルダーが垂直に設置されなくなる。その結果、ホルダー受け台を回転させたときに、基体ホルダーが歳差運動を引き起こし、回転ブレが発生するのではないかと考えている。
【００１７】
本発明者らは、周方向膜厚ムラの均一性の低下を引き起こす要因を排除するために鋭意検討を重ねた。その結果、基体ホルダーとホルダー受け台とが嵌め合い機構を有し、基体ホルダーを設置するときに、基体ホルダーを下降させながらホルダー受け台を回転させることでホルダー受け台に基体ホルダーを嵌合した状態で設置させることが有効であることを見出した。
【００１８】
さらに、基体ホルダーは、基体ホルダーとホルダー受け台との嵌め合い機構を、ねじ込み機構とすること、ホルダー受け台には、基体ホルダーを設置する面に、前記ホルダー受け台の回転方向に直交する溝を設けることも有効であることを見出した。
以下、図面を用いて本発明に係る堆積膜形成装置及び電子写真感光体の製造方法について具体的に説明する。
【００１９】
図４は、本発明にて用いるプラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成装置の一例を模式的に示した図である。
図４に示す堆積膜形成装置は、カソード電極４０５、絶縁体４０６、上壁４０７、ゲート弁４０８、底壁４０９により、減圧可能な反応容器４００を形成している。
【００２０】
反応容器４００の内部には、加熱用ヒータ４１０が設けられている。加熱用ヒータ４１０は、減圧下で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータの様な電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの様な熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。
【００２１】
また、反応容器４００の内部には、原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）４１１が設けられている。原料ガス導入管４１１は接続配管４２０、原料ガス流入バルブ４１９を介して、ガス供給系（不図示）に接続されている。
【００２２】
堆積膜形成装置が備える排気系は、排気手段である排気ユニット４３１が、排気配管４２３を介して、底壁４０９の排気口４２４に接続されている。排気配管４２３には、排気メインバルブ４２５が設けられている。また、反応容器４００には、その内部の圧力を測定する真空計４２６が取り付けられている。これらを用いて、反応容器４００の内部を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。排気ユニット４３１には、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００２３】
カソード電極４０５、マッチングボックス４１２及び高周波電源４１３は、原料ガスを分解する電力印加手段である。カソード電極４０５には、整合回路を有するマッチングボックス４１２を介して高周波電源４１３が電気的に接続されている。カソード電極４０５の上下は、セラミックスからなる絶縁体４０６により上壁４０７および底壁４０９と絶縁されている。上壁４０７には反応容器４００の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁４０８が設置されており、ここから反応容器４００の中に、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダー４０３が搬入・設置・搬出される。
反応容器４００の下部には、基体ホルダー４０３を回転可能に保持するホルダー受け台４０１が設けられている。
【００２４】
図１〜図３は、本発明に係る堆積膜形成装置におけるホルダー受け台および基体ホルダーを模式的に示した図である。
図において、１０１、２０１、３０１はホルダー受け台を示し、１０２は円筒状基体、１０７は補助基体を示し、１０３、２０３、３０３は基体ホルダーを示している。円筒状基体及び補助基体は基体ホルダーに装着された状態で搬送され、反応容器の内部に設置される。
【００２５】
以下、基体ホルダー１０３（２０３、３０３）をホルダー受け台１０１（２０１、３０１）に設置する手順を具体的に説明する、
図１に示すホルダー受け台１０１には、基体ホルダー１０３との嵌め合い部に図１に示すような突起部１０５が設けられ、基体ホルダー１０３の内周面には、前記突起部１０５が嵌め合うように溝部１０６が加工されている。
【００２６】
図１（ｂ）に示す搬送機構１０４は、基体ホルダー１０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー１０３を下降させながら、ホルダー受け台１０１をゆっくり矢印１０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台１０１の突起部１０５は基体ホルダー１０３の内周面に加工されている溝部１０６に沿って回転しながら嵌合し、基体ホルダー１０３はホルダー受け台１０１に確実に設置される。
【００２７】
基体ホルダー１０３の下端面がホルダー受け台１０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー１０３の下端面は、ホルダー受け台１０１の設置面に押さえつけられる力がかかるように設計されている。そのため、基体ホルダー１０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。
次に、別の基体ホルダー及びホルダー受け台を用いた本発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
図２に示すホルダー受け台２０１と、基体ホルダー２０３とは、図２に示すねじ機構により嵌め合う構成になっている。
図２（ｂ）に示す搬送機構１０４は、図１（ｂ）と同様、基体ホルダー２０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
以下、基体ホルダー２０３がホルダー受け台２０１に設置される手順を示す。
【００２９】
搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー２０３を下降させながら、ホルダー受け台２０１をゆっくり矢印２０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台２０１のねじ部２０５は基体ホルダー２０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー２０３はホルダー受け台２０１に確実に設置される。
【００３０】
基体ホルダー２０３の下端面がホルダー受け台２０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー２０３の下端面は、ホルダー受け台２０１の設置面に押さえつけられる力がかかるようにねじ部２０５は設計されている。そのため、基体ホルダー２０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。
さらに、別の基体ホルダー及びホルダー受け台を用いた本発明の実施の形態について説明する。
【００３１】
図３に示すホルダー受け台３０１は、図２に示したホルダー受け台の基体ホルダーとの設置面に、回転方向に直交する溝をさらに設けた構成となっている。
図３（ｂ）に示す搬送機構１０４は、図１（ｂ）、図２（ｂ）と同様、基体ホルダー３０３の上端部を保持機構により固定する構成となっている。
以下、基体ホルダー３０３がホルダー受け台３０１に設置される手順を示す。
【００３２】
搬送機構１０４によって保持された基体ホルダー３０３を下降させながら、ホルダー受け台３０１をゆっくり矢印３０８の方向に回転させる。このとき、ホルダー受け台３０１のねじ部２０５は基体ホルダー３０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー３０３はホルダー受け台３０１に確実に設置される。
【００３３】
基体ホルダー３０３の下端面がホルダー受け台３０１の設置面に達したとき、嵌め合い構造によって基体ホルダー３０３の下端面は、ホルダー受け台３０１の設置面に押さえつけられる力がかかるようにねじ部２０５は設計されている。そのため、基体ホルダー３０３は垂直性が保たれ、回転精度が向上する効果が得られる。
【００３４】
ホルダー受け台の溝部３０６の役割について説明する。
図３（ａ）に示すように、異物３０７がホルダー受け台３０１の設置面に残存していた場合、基体ホルダー３０３の下端面とホルダー受け台３０１に挟まれた異物３０７は、基体ホルダー３０３の下端面から摩擦力を受ける。そして、異物３０７は、ホルダー受け台３０１の回転方向とは逆方向に移動させられて、溝部３０６ｂに落下する。
【００３５】
このため、ホルダー受け台と基体ホルダーとの間に異物が挟まり、基体ホルダー３０３の垂直性が低下することによる回転ブレの発生を抑制する効果が得られる。
このように、ホルダー受け台３０１の設置面に異物が残存した場合であっても、基体ホルダー３０３の下端面とホルダー受け台３０１の設置面とで精度よく垂直性が保持できる構成となっている。そのため、反応容器４００の中にダスト等の異物が存在していても基体ホルダーの回転精度を向上させられる。
【００３６】
上述したように、本発明の方法により基体ホルダー４０３がホルダー受け台４０１に設置された後、ゲート弁４０８を閉じ、反応容器４００の内部を排気ユニット４３１により排気する。
反応容器４００の内部を十分に排気した後、原料ガス流入バルブ４１９、接続配管４２０および原料ガス導入管４１１を介して、円筒状基体１０２の加熱に必要な、例えばＡｒガス，Ｈｅガスを導入する。
【００３７】
そして、反応容器４００の内部が所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。この調整は、例えば、排気ユニット４３１のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ４１０により円筒状基体１０２の温度を２００［℃］〜４５０［℃］、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］の所定の温度に制御する。
【００３８】
以上の手順によって堆積膜を製造する準備が完了した後、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜を形成する。このために、まず、堆積膜形成用の原料ガスとして、ケイ素原子供給用の原料ガスと、水素原子供給用の原料ガス、必要に応じて希釈ガスおよび特性改善ガスを混合して導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４００の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。
【００３９】
ケイ素原子を供給しえる原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等のシラン類が好適に使用できる。また、水素原子を供給しえる原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、水素（Ｈ２）も好適に使用できる。
希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。それぞれの原子を含むガス状、または容易にガス化しえる物質を材料として適宜使用すればよい。
【００４０】
次に、反応容器４００の内部の圧力が安定した後、高周波電源４１３を所定の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス４１２を介してカソード電極４０５に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器４００の中に導入された堆積膜形成用の原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜が形成される。
【００４１】
均一な堆積膜を製造するために、堆積膜を製造するのと同時期、あるいは円筒状基体１０２を加熱する段階から、円筒状基体１０２を回転させることが好ましい。この回転は、０．５［ｒｐｍ］〜２０［ｒｐｍ］とする。こうすることで円筒状基体１０２の周方向に均一な堆積膜が形成される。
【００４２】
以上のようにして円筒状基体１０２の外周面上にケイ素原子及び水素原子を含む非晶質材料からなる堆積膜が形成される。
所定の層構成毎に条件を設定し、上述の手順を繰り返すことで電子写真感光体を製造することができる。
【００４３】
例えば、電子写真感光体の表面保護層を製造する場合、反応容器４００の中を排気し、堆積膜形成用の原料ガスとして炭素原子供給用の原料ガスを導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４００の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。
【００４４】
炭素原子を供給しえる原料ガスは、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等のガスが好適に使用できる。
その後は、上述と同様の方法で円筒状基体１０２の外周面上に既に形成されている堆積膜の上に新たな堆積膜が形成される。
【００４５】
堆積膜が形成された後には、堆積膜形成用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ４１０の電力の供給を停止し、反応容器４００の中を排気する。その後、反応容器４００および原料ガス導入管４１１の内部をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一種を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダー４０３を反応容器４００の中から搬出する。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００４７】
［実施例１］
外径８４ｍｍ、内径７８ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体及び補助基体がセットされた図１に示す基体ホルダーを、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台４０１として図１に示す構成のホルダー受け台１０１を使用した。
【００４８】
図１に示すホルダー受け台１０１には、基体ホルダー１０３との嵌め合い部に図１に示すような突起部分１０５が設けられ、基体ホルダー１０３の内周面には、前記突起部分が嵌め合うように溝部１０６が設けられている。
図１（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー１０３を下降させ、基体ホルダー１０３がホルダー受け台１０１に設置されるときに、ホルダー受け台１０１をゆっくり矢印１０８の方向に回転させた。ホルダー受け台１０１の突起部１０５は基体ホルダー１０３の溝部１０６に沿って進み、基体ホルダー１０３はホルダー受け台１０１に確実に設置された。
【００４９】
このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
【００５０】
【表１】
2019183233.tif 000003
【００５１】
［比較例１］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図５に示す基体ホルダー５０３にセットし、図６に示す堆積膜形成装置に設置した。本比較例では、ホルダー受け台として図５に示す構成のホルダー受け台５０１を使用した。
【００５２】
図５（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー５０３を下降させ、基体ホルダー５０３をホルダー受け台５０１に設置した。このとき、本比較例においては、ホルダー受け台５０１を回転させなかった。
【００５３】
このように、図６に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて評価し、合格率にてランク付けを行った。
【００５４】
（周方向膜厚ムラ）
周方向膜厚ムラの評価を以下のように実施した。電子写真感光体の中央部位置と、そこから軸方向に両側夫々１５０ｍｍの位置との合計３か所について、周方向３０°間隔で１２点の膜厚を測定した。測定には渦電流式膜厚計（（株）フィッシャーインストルメンツ製  FISCHERSCOPE MMS）を用いた。各軸位置（中央部から−１５０ｍｍの位置、中央部、及び中央部から+１５０ｍｍの位置）において得られた周方向１２点の最大値と最小値の膜厚差を、周方向１２点の平均値で割った値を各軸位置の膜厚ムラとした。
【００５５】
各軸位置の膜厚ムラがすべて２％以下である電子写真感光体を合格とし、１００本中何本が合格となるか（以下、合格率とも記載する。）によって以下のようにランク付けした。
Ｂランク以上で本発明の効果が得られていると考えている。
Ａ      合格率９０％以上
Ｂ      合格率８０％以上９０％未満
Ｃ      合格率７０％以上８０％未満
Ｄ      合格率７０％未満
【００５６】
［実施例２］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図２に示す基体ホルダー２０３にセットし、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台として図２に示す構成のホルダー受け台２０１を使用した。
図２に示すホルダー受け台２０１と基体ホルダー２０３とは、図２に示すようなねじ機構により嵌め合うような構成になっている。
【００５７】
図２（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー２０３を下降させ、基体ホルダー２０３がホルダー受け台２０１に設置されるときに、ホルダー受け台２０１をゆっくり矢印２０８の方向に回転させた。ホルダー受け台２０１のねじ部２０５は基体ホルダー２０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー２０３はホルダー受け台２０１に確実に設置される。
【００５８】
このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて、実施例１および比較例１と同様に周方向膜厚ムラの評価を行った。
【００５９】
［実施例３］
実施例１で使用した円筒状基体及び補助基体と同じサイズの円筒状基体及び補助基体を図３に示す基体ホルダー３０３にセットし、図４に示す堆積膜形成装置に設置した。本実施例では、ホルダー受け台として図３に示す構成のホルダー受け台３０１を使用した。
ホルダー受け台３０１は、ホルダー受け台２０１と同様に、ねじ部２０５を有する。基体ホルダー３０３の内周面には、基体ホルダー２０３の内周面と同様に、ねじ部２０５をねじ込むことが可能な雌ねじが設けられている。
図３に示すように、ホルダー受け台３０１には、基体ホルダーの設置面に、回転方向に直交する溝部３０６が設けられている。
【００６０】
図３（ｂ）に示すように、搬送機構１０４を用いて基体ホルダー３０３を下降させ、基体ホルダー３０３がホルダー受け台３０１に設置されるときに、ホルダー受け台３０１をゆっくり矢印３０８の方向に回転させた。ホルダー受け台３０１のねじ部２０５は基体ホルダー３０３の内周面に加工されているねじ機構により嵌め合い、基体ホルダー３０３はホルダー受け台３０１に確実に設置される。
【００６１】
このように、図４に示す堆積膜形成装置に基体ホルダーを設置後、基体ホルダーを１ｒｐｍの速度で回転させながら、表１に示す条件にて電子写真感光体を１００本製造した。
上記の方法で製造した電子写真感光体１００本全てについて、実施例１および比較例１と同様に周方向膜厚ムラの評価を行った。
【００６２】
評価結果をまとめて、表２に示した。
表２に示すように、実施例１〜３においては、従来方式である比較例１に比べ、周方向膜厚ムラの合格率が改善している。特に、実施例３においては、格別の効果が得られている。
【００６３】
また、製造過程における電子写真感光体の上端部（中央部から上方向に１５０ｍｍ離れた位置）での周方向膜厚ムラは、本実施例では比較例に比べ大幅な改善がみられた。特に、膜厚が厚い光導電層が改善されたことによる影響が大きく、光導電層の上端部の改善率は５〜８％であった。その他の箇所の改善率は３〜１％程度であった。これは、本発明によって、基体ホルダーの回転時における歳差運動による回転ブレが改善したことによる効果が得られたものである。
改善率は以下の式によって算出した。
従来の周方向ムラの値：Δａ
本発明の周方向ムラの値：ΔＡ
改善率：（１−（ΔＡ／Δａ））×１００  （％）
【００６４】
【表２】
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【符号の説明】
【００６５】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１・・・ホルダー受け台
１０２・・・円筒状基体
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３・・・基体ホルダー
１０４・・・搬送機構
１０５・・・突起
１０６・・・溝部
１０７・・・補助基体
２０５・・・ねじ部
３０６・・・溝部
４００・・・反応容器
４０５・・・カソード電極
４０６・・・絶縁体
４０７・・・上壁
４０８・・・ゲート弁
４０９・・・底壁
４１０・・・加熱用ヒータ
４１１・・・原料ガス導入管
４１２・・・マッチングボックス
４１３・・・高周波電源
４１９・・・原料ガス流入バルブ
４２０・・・接続配管
４２３・・・排気配管
４２４・・・排気口
４２５・・・排気メインバルブ
４２６・・・真空計
４３１・・・排気ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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