(57)【要約】【課題】コストの上昇を招くことなく、長期にわたって情報の保全がより容易に実現できるようにする。【解決手段】第１記憶部１０１は、不揮発性半導体メモリから構成されて情報の記憶単位である複数のブロックを備える。第１記憶制御部１０３は、未記憶領域を備えて既に情報が記憶されている第１ブロックが記憶している既記憶情報、および受付部１０２が受け付けた新規情報を、第１ブロック以外の第２ブロックに記憶させる。第２記憶部１０６は、揮発性半導体メモリから構成されて第１記憶部１０１が記憶している情報のインデックスを記憶する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性半導体メモリから構成されて情報の記憶単位である複数のブロックを備える第１記憶部と、
記憶対象の情報を受け付けるように構成された受付部と、
未記憶領域を備えて既に情報が記憶されている第１ブロックが記憶している既記憶情報、および前記受付部が受け付けた新規情報を、前記第１ブロック以外の第２ブロックに記憶させるように構成された第１記憶制御部と、
前記第１記憶制御部が、前記既記憶情報および前記新規情報を前記第２ブロックに記憶させた後、前記第１ブロックが記憶している情報を消去するように構成された第２記憶制御部と、
揮発性半導体メモリから構成されて前記第１記憶部が記憶している情報のインデックスを記憶する第２記憶部と、
前記第１記憶制御部が記憶した情報の前記第１記憶部における記憶位置を前記第２記憶部が記憶しているインデックスに登録するように構成された登録部と
を備えることを特徴とする情報管理装置。
【請求項２】
請求項１記載の情報管理装置において、
前記第１記憶制御部は、前記第１ブロック以外の他ブロックの中で、前記既記憶情報および前記新規情報が正常に記憶できたブロックを前記第２ブロックとすることを特徴とする情報管理装置。
【請求項３】
請求項１記載の情報管理装置において、
前記第１記憶部の前記複数のブロックの各々における情報の消去の履歴回数を記憶するように構成された消去情報管理部を備え、
前記第１記憶制御部は、前記第１ブロック以外のブロックの中で、前記消去情報管理部に記憶されている消去の履歴回数が最も少ないブロックを前記第２ブロックとすることを特徴とする情報管理装置。
【請求項４】
請求項３記載の情報管理装置において、
前記消去情報管理部に記憶されている消去の履歴回数が設定されている上限回数を超えたブロックを記憶の対象外とするように構成された第３記憶制御部を更に備える
ことを特徴とする情報管理装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の情報管理装置において、
前記第１記憶部が記憶している情報を探索してインデックスを作成するように構成されたインデックス作成部を更に備え、
前記第２記憶部は、前記インデックス作成部が作成したインデックスを記憶する
ことを特徴とする情報管理装置。
【請求項６】
請求項５記載の情報管理装置において、
前記インデックス作成部は、前記第２記憶部が記憶するインデックスが消去されると、前記第１記憶部が記憶している情報を探索して情報のインデックスを作成する
ことを特徴とする情報管理装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報管理装置において、
前記第２記憶部に電源を供給する電池を更に備えることを特徴とする情報管理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報を記憶する情報管理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビルの空調、防犯システムや入退室管理システムでは、管理情報の保全が重要となる。このような管理情報の保全のために、電源断などが発生しても、管理情報の記憶が維持さえていることが重要となる。このために、例えば、記憶装置をＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などの半導体メモリから構成し、加えて電源に電池を用い、システムの電源が遮断されても、記憶装置は動作を継続できるようにする技術がある。ＳＲＡＭは、固定ディスク装置などに比較して消費電力が少ないため、電池で動作させることが可能である。
【０００３】
しかしながら、電池が切れて交換するなどのときに、偶然システムの電源断が発生した場合、上述した技術では、情報の記憶が維持できない場合が発生する。また、ＳＲＡＭは、比較的高価な半導体メモリであり、記憶容量を大きくしようとすると、コストの上昇を招くという問題がある。これに対し、ＳＲＡＭの代わりにフラッシュメモリを用いる技術がある。フラッシュメモリは、記憶保持に電力を必要としないため、上述した問題が発生しない。
【０００４】
ところで、フラッシュメモリは、よく知られているように、情報の書き換え回数に制限がある。このため、フラッシュメモリを用いる場合、書き換え回数の頻度が高い場合、数年で使用できなる可能性がある。これに対し、空き状態かつ消去時期を記憶しておき、消去時期が古いブロックに対して書き換えを実施することで、寿命を延ばす技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０６７２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の技術では、フラッシュメモリの寿命を延ばすために、各ブロックの様々な状態を記憶しておくなど、複雑な制御を必要とし、コストの上昇を招くという問題があった。このように、従来は、コストの上昇を招くことなく、長期にわたって情報の保全をすることが容易ではないという問題があった。
【０００７】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、コストの上昇を招くことなく、長期にわたって情報の保全がより容易に実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る情報管理装置は、不揮発性半導体メモリから構成されて情報の記憶単位である複数のブロックを備える第１記憶部と、記憶対象の情報を受け付けるように構成された受付部と、未記憶領域を備えて既に情報が記憶されている第１ブロックが記憶している既記憶情報、および受付部が受け付けた新規情報を、第１記憶部の情報が記憶されていない第２ブロックに記憶させるように構成された第１記憶制御部と、第１記憶制御部が、既記憶情報および新規情報を第２ブロックに記憶させた後、第１ブロックが記憶している情報を消去するように構成された第２記憶制御部と、揮発性半導体メモリから構成されて第１記憶部が記憶している情報のインデックスを記憶する第２記憶部と、第１記憶制御部が記憶した情報の第１記憶部における記憶位置を第２記憶部が記憶しているインデックスに登録するように構成された登録部とを備える。
【０００９】
上記情報管理装置において、第２記憶部に電源を供給する電池を更に備えるようにしてもよい。
【００１０】
上記情報管理装置において、第１記憶部が記憶している情報を探索してインデックスを作成するように構成されたインデックス作成部を更に備え、第２記憶部は、インデックス作成部が作成したインデックスを記憶する。
【００１１】
上記情報管理装置において、第１記憶部の複数のブロックの各々における情報の消去の履歴回数を記憶するように構成された消去情報管理部を備え、第１記憶制御部は、第１ブロック以外のブロックの中で、消去情報管理部に記憶されている消去の履歴回数が最も少ないブロックを第２ブロックとしてもよい。
【００１２】
上記情報管理装置において、インデックス作成部は、第２記憶部が記憶するインデックスが消去されると、第１記憶部が記憶している情報を探索して情報のインデックスを作成する。
【００１３】
上記情報管理装置において、消去情報管理部に記憶されている消去の履歴回数が設定されている上限回数を超えたブロックを記憶の対象外とするように構成された第３記憶制御部を更に備えるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したことにより、本発明によれば、コストの上昇を招くことなく、長期にわたって情報の保全がより容易に実現できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１における情報管理装置の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１における情報管理装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶の動作について説明するための説明図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶の動作について説明するための説明図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶の動作について説明するための説明図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶の動作について説明するための説明図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶の動作について説明するための説明図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２における情報管理装置の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３における情報管理装置の構成を示す構成図である。
【図６】図６は、本発明における情報管理装置のハードウエア構成を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１における情報管理装置ついて図１を参照して説明する。この情報管理装置は、第１記憶部１０１、受付部１０２、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４、第２記憶部１０５、登録部１０６を備える。
【００１８】
第１記憶部１０１は、不揮発性半導体メモリから構成されて情報の記憶単位である複数のブロックを備える。不揮発性半導体メモリは、例えば、フローティングゲートを備えるトランジスタからメモリセルを構成したフラッシュメモリである。ブロックは、記憶のための論理領域であり、例えば１２８Ｋｂｙｔｅとされている。受付部１０２は、記憶対象の情報を受け付ける。
【００１９】
第１記憶制御部１０３は、未記憶領域を備えて既に情報が記憶されている第１ブロックが記憶している既記憶情報、および受付部１０２が受け付けた新規情報を、第１ブロック以外の第２ブロックに記憶させる。
【００２０】
第２記憶制御部１０４は、第１記憶制御部１０３が、既記憶情報および新規情報を第２ブロックに記憶させた後、第１ブロックが記憶している情報を消去する。
【００２１】
第２記憶部１０５は、揮発性半導体メモリから構成されて第１記憶部１０１が記憶している情報のインデックスを記憶する。揮発性半導体メモリは、例えば、６個のトランジスタからメモリセルを構成したＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）である。なお、第２記憶部１０５に電源を供給する電池を備えるようにしてもよい。登録部１０６は、第１記憶制御部１０３が記憶した情報の第１記憶部１０１における記憶位置を第２記憶部１０５が記憶しているインデックスに登録する。
【００２２】
また、情報管理装置は、第１記憶部１０１が記憶している情報を探索してインデックスを作成するインデックス作成部１０７を更に備える。第２記憶部１０５は、インデックス作成部１０７が作成したインデックスを記憶する。ここで、インデックス作成部１０７は、第２記憶部１０５が記憶するインデックスが消去されると、第１記憶部１０１が記憶している情報を探索して情報のインデックスを作成する。
【００２３】
上述した実施の形態１によれば、頻繁に書き換えが実施されるインデックスが第２記憶部１０５に記憶される。従って、第１記憶部１０１では、頻繁な書き換えが抑制されるようになり、ブロックの様々な状態を記憶しておくなど、複雑な制御を必要とせずに、寿命を延ばすことができるようになる。
【００２４】
次に、本発明の実施の形態１における情報管理装置の動作例について、図２を用いて説明する。
【００２５】
まず、受付部１０２が、記憶対象の情報を受け付けると（ステップＳ１０１のｙｅｓ）、ステップＳ１０２で、第１記憶制御部１０３が、新規に書き込む第２ブロックを設定する。第１記憶制御部１０３は、第１記憶部１０１のブロックの中で、既に情報が記憶されている第１ブロック以外の他のブロックを第２ブロックとする。例えば、第１ブロック以外の、未記憶領域を備えている他のブロックを第２ブロックとする。
【００２６】
次に、ステップＳ１０３で、第１記憶制御部１０３が、第１ブロックが記憶している既記憶情報に受付部１０２が受け付けた新規情報を加え、これらの情報を次に書き込むブロックとして設定した第２ブロックに記憶させる。このようにして第１記憶制御部１０３が、既記憶情報および新規情報を第２ブロックに記憶させた後、ステップＳ１０４で、第２記憶制御部１０４が、第１ブロックが記憶している情報を消去する。次に、ステップＳ１０５で、登録部１０６が、第１記憶制御部１０３が記憶した情報の第１記憶部１０１における記憶位置を第２記憶部１０５が記憶しているインデックスに登録する。
【００２７】
次に、ステップＳ１０６で、インデックス作成部１０７が、第２記憶部１０５が記憶するインデックスが消去されたか否かを判定する。例えば、情報管理装置に供給されている電源が遮断された場合、第１記憶部１０１に記憶されている情報は保持されるが、第２記憶部１０５では、情報が保持されない。このような場合、第２記憶部１０５では、インデックスが消去されている。このように、インデックスが消去されている場合（ステップＳ１０６のｙｅｓ）、ステップＳ１０７で、インデックス作成部１０７は、第１記憶部１０１が記憶している情報を探索してインデックスを作成する。第２記憶部１０５は、インデックス作成部１０７が作成したインデックスを記憶する。
【００２８】
情報管理装置は、上述した各ステップの動作を、終了の指示を受け付けるまで継続する（ステップＳ１０８）。
【００２９】
ここで、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４による第１記憶部１０１への情報記憶について、図３Ａ〜図３Ｅを用いて説明する。まず、初期において、図３Ａに示すように、第１記憶部１０１のブロック０１に、黒四角で示す１クラスタの情報が記憶されている。この状態で、１クラスタの新たな情報の書き込みが発生すると、図３Ｂに示すように、ブロック０１に記憶されていた１クラスタの情報が、ブロック０２にコピーされ、加えて、白四角で示す新規な１クラスタの情報が、ブロック０２に書き込まれる。
【００３０】
この後、ブロック０２に対する新規な１クラスタの情報の書き込みが終了すると、ブロック０１に記憶されていた１クラスタの情報が消去され、図３Ｃに示すように、ブロック０２に２クラスタの情報が記憶される状態となる。
【００３１】
次に、新たな１クラスタの新たな情報の書き込みが発生すると、図３Ｄに示すように、ブロック０２に記憶されていた２クラスタの情報が、ブロック０３にコピーされ、加えて、白四角で示す新規な１クラスタの情報が、ブロック０３に書き込まれる。
【００３２】
この後、ブロック０３に対する新規な１クラスタの情報の書き込みが終了すると、ブロック０２に記憶されていた３クラスタの情報が消去され、図３Ｅに示すように、ブロック０３に３クラスタの情報が記憶される状態となる。以下、新たな情報の書き込みが発生すると、上述同様に、情報の記憶ブロックを変更する。
【００３３】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２における情報管理装置について説明する。実施の形態２における情報管理装置は、前述した実施の形態１と同様に、第１記憶部１０１、受付部１０２、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４、第２記憶部１０５、登録部１０６、インデックス作成部１０７を備える（図１）。
【００３４】
実施の形態２では、第１記憶制御部１０３が、第１記憶部１０１の第１ブロック以外の他ブロックの中で、既記憶情報および新規情報が正常に記憶できたブロックを第２ブロックとし、この第２ブロックに既記憶情報および新規情報を記憶する。
【００３５】
以下、本発明の実施の形態２における情報管理装置の動作例について、図４を用いて説明する。
【００３６】
まず、前述した実施の形態１と同様に、受付部１０２が、記憶対象の情報を受け付けると（ステップＳ１０１のｙｅｓ）、ステップＳ１０２で、第１記憶制御部１０３が、新規に書き込む他ブロックを設定する。第１記憶制御部１０３は、第１記憶部１０１のブロックの中で、第１ブロック以外のブロックを他ブロックとする。
【００３７】
次に、実施の形態２では、ステップＳ１０９で、第１記憶制御部１０３が、第１ブロックが記憶している既記憶情報に受付部１０２が受け付けた新規情報を加え、これらの情報が、設定した他ブロックに書き込めるか否かを確認する。
【００３８】
例えば、既記憶情報および新規情報を他ブロックに書き込み、この後、他ブロックより書き込まれている情報を読み出し、読み出した情報が既記憶情報および新規情報に一致するか否かを判定する。これらが一致した場合、他ブロックへの書き込みは可能（ＯＫ）と判定する。一方、読み出した情報が、既記憶情報および新規情報に一致しない場合、他ブロックへの書き込みはできないと判定する。
【００３９】
既記憶情報および新規情報の他ブロックへの書き込みが不可の場合（ステップＳ１０９のｎｏ）、ステップＳ１１０で、第１記憶制御部１０３は、書込対象のブロックを、第１ブロック以外の他のブロックに変更する。次いで、ステップＳ１０９で、第１記憶制御部１０３は、再設定した他ブロックに対し、既記憶情報および新規情報が書き込めるか否かを確認する。
【００４０】
上述したことにより、他ブロックが、既記憶情報および新規情報の書き込みが可能であることを確認すると（ステップＳ１０９のｙｅｓ）、ステップＳ１０３で、第１記憶制御部１０３は、他ブロックを第２ブロックとして設定し、第１記憶制御部１０３が、既記憶情報および新規情報を、第２ブロックに記憶させる。
【００４１】
以上のようにして第１記憶制御部１０３が、既記憶情報および新規情報を第２ブロックに記憶させた後、前述した実施の形態１と同様に、ステップＳ１０４で、第２記憶制御部１０４が、第１ブロックが記憶している情報を消去する。次に、前述した実施の形態１と同様に、ステップＳ１０５で、登録部１０６が、第１記憶制御部１０３が記憶した情報の第１記憶部１０１における記憶位置を第２記憶部１０５が記憶しているインデックスに登録する。
【００４２】
次に、前述した実施の形態１と同様に、ステップＳ１０６で、インデックス作成部１０７が、第２記憶部１０５が記憶するインデックスが消去されたか否かを判定する。インデックスが消去されている場合（ステップＳ１０６のｙｅｓ）、ステップＳ１０７で、インデックス作成部１０７は、第１記憶部１０１が記憶している情報を探索してインデックスを作成する。第２記憶部１０５は、インデックス作成部１０７が作成したインデックスを記憶する。
【００４３】
情報管理装置は、上述した各ステップの動作を、終了の指示を受け付けるまで継続する（ステップＳ１０８）。
【００４４】
以上に説明したように、実施の形態２によれば、第１ブロック以外の他ブロックの中で、既記憶情報および新規情報が正常に記憶できたブロックを第２ブロックとする。このように、実施の形態２によれば、ブロックの様々な状態を記憶しておくなど、複雑な制御による頻繁な書き換え抑制制御を必要とせずに、第１記憶部における情報の保全がより容易に長期にわたって実現できるようになる。また、実施の形態２では、一部のブロックが書き込みできないなど不良状態となっても、書き込み（読み出し）可能なブロックが存在している限り、第１記憶部を使用可能とすることができる。
【００４５】
［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３における情報管理装置ついて図５を参照して説明する。この情報管理装置は、第１記憶部１０１、受付部１０２、第１記憶制御部１０３、第２記憶制御部１０４、第２記憶部１０５、登録部１０６、インデックス作成部１０７を備える。これらは、前述した実施の形態１と同様である。
【００４６】
実施の形態３では、更に、消去情報管理部１０８、第３記憶制御部１０９を備える。消去情報管理部１０８は、第１記憶部１０１の複数のブロックの各々における情報の消去の履歴回数を記憶する。第３記憶制御部１０９は、消去情報管理部１０８に記憶されている消去の履歴回数が設定されている上限回数を超えたブロックを記憶の対象外とする。
【００４７】
また、実施の形態３において、第１記憶制御部１０３は、第１ブロック以外のブロックの中で、消去情報管理部に記憶されている消去の履歴回数が最も少ないブロックを第２ブロックとする。
【００４８】
例えば、登録部１０６が、第１記憶制御部１０３が記憶した情報の第１記憶部１０１における記憶位置を第２記憶部１０５が記憶しているインデックスに登録した後、消去情報管理部１０８が、記憶している各ブロックの履歴回数を更新する。次に、第３記憶制御部１０９が、消去情報管理部１０８に記憶されている消去の履歴回数が設定されている上限回数を超えたブロックがあるか否かを判断する。履歴回数が設定されている上限回数を超えたブロックが存在する場合、第３記憶制御部１０９は、対象のブロックを記憶の対象外とする。他の動作は、前述した実施の形態１と同様である。
【００４９】
なお、上述した実施の形態における情報管理装置は、図６に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit；中央演算処理装置）２０１と主記憶装置２０２と外部記憶装置２０３とネットワーク接続装置２０４となどを備えたコンピュータ機器であり、主記憶装置に展開されたプログラムによりＣＰＵが動作することで、第１記憶部１０１，第２記憶部１０５に対する上述した各機能が実現される。また、受付部が受け付ける情報は、ネットワーク接続装置２０４が接続するネットワーク２０５を経由して送信されてくる。
【００５０】
以上に説明したように、本発明によれば、不揮発性半導体メモリから構成された第１記憶部および揮発性半導体メモリから構成された第２記憶部を用いるようにしたので、コストの上昇を招くことなく、長期にわたって情報の保全がより容易に実現できるようになる。
【００５１】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…第１記憶部、１０２…受付部、１０３…第１記憶制御部、１０４…第２記憶制御部、１０５…消去情報管理部、１０６…第２記憶部、１０７…登録部、１０８…インデックス作成部、１０９…第３記憶制御部。
【図１】
2019016034.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2019016034.tif 000008
【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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