(57)【要約】【課題】  導電体の断面積が大きく、挿入損失が小さいコイルを提供する。【解決手段】  ユニット１、２、３が積層された積層体５を備える。ユニット１は、複数の基材層１ａ〜１ｃが積層され、かつ、第１主面と第２主面を有する。ユニット１は、第１主面に、基材層１ａ〜１ｃの少なくとも１層以上の深さの溝７が形成され、溝７の底部に、第２主面に至る孔８が形成されている。溝７に導電体９ｂが充填され、孔８に導電体９ａが充填されている。ユニット２、３も同様の構成である。ユニット１、２、３が積層されることによって、積層体５の内部に、導電体９ａ〜９ｉが螺旋状に接続される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユニットが積層された積層体を備え、
前記ユニットは、複数の基材層が積層され、かつ、第１主面と第２主面を有し、
前記ユニットは、前記第１主面に、前記基材層の少なくとも１層以上の深さの溝が形成され、
少なくとも１つの前記ユニットは、前記溝の底部に、前記第２主面に至る孔が形成され、
前記溝および前記孔に、それぞれ、導電体が充填され、
複数の前記ユニットが積層されることによって、隣接する一方の前記ユニットの前記孔に充填された前記導電体と、隣接する他方の前記ユニットの前記溝に充填された前記導電体とが接続され、
前記積層体の内部に、前記導電体が、前記ユニットの積層方向を軸として螺旋状に接続された、コイル。
【請求項２】
前記孔が、前記溝の端部に形成された、請求項１に記載されたコイル。
【請求項３】
前記溝が、少なくとも１カ所で折れ曲っている、請求項１または２に記載されたコイル。
【請求項４】
前記溝の深さが、前記孔の深さよりも大きい、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたコイル。
【請求項５】
前記溝の前記底部が、前記基材層のうちの１層の厚み方向の中間に位置している、請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたコイル。
【請求項６】
少なくとも１つの前記ユニットの、少なくとも１つの前記基材層が磁性体である、請求項１ないし５のいずれか１項に記載されたコイル。
【請求項７】
少なくとも１つの前記ユニットの、少なくとも１つの前記基材層が磁性体であり、かつ、他の少なくとも１つの前記基材層が非磁性体である、請求項６に記載されたコイル。
【請求項８】
少なくとも１つの前記ユニット同士の層間、および／または、少なくとも１つの前記ユニットの少なくとも１つの前記基材層同士の層間に、導電体が配置され、層間電極が形成された、請求項１ないし７のいずれか１項に記載されたコイル。
【請求項９】
前記層間電極の少なくとも一方の主面に、非磁性体の前記基材層が接している、請求項８に記載されたコイル。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載されたコイルを備えた、基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載された基板の主面に電子部品が実装された、電子モジュール。
【請求項１２】
ＤＣ-ＤＣコンバータを構成した、請求項１１に記載された電子モジュール。
【請求項１３】
複数のセラミックグリーンシートを積層し、第１主面と第２主面を有する未焼成ユニットを作製する工程と、
前記未焼成ユニットの第１主面に溝を形成する工程と、
少なくとも１つの前記未焼成ユニットの前記溝の底部に、前記第２主面に至る孔を形成する工程と、
前記溝および前記孔に導電材料を充填する工程と、
複数の前記未焼成ユニットを積層することによって、隣接する一方の前記未焼成ユニットの前記孔に充填された前記導電材料と、隣接する他方の前記未焼成ユニットの前記溝に充填された前記導電材料とを接続し、内部に前記導電材料が螺旋状に接続された未焼成積層体を作製する工程と、
前記未焼成積層体を焼成することによって、前記セラミックグリーンシートから基材層を作製し、前記導電材料から導電体を作製し、内部に前記導電体が螺旋状に接続された積層体を作製する工程と、を備えたコイルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のユニットが積層された積層体を備えたコイルに関する。
【０００２】
また、本発明は、本発明のコイルを備えた基板に関する。さらに、本発明は、本発明の基板に電子部品を実装した電子モジュールに関する。
【０００３】
また、本発明は、本発明のコイルを製造するのに適した、コイルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００４】
コイルや、コイルを内蔵した基板や、コイルを内蔵した基板に電子部品を実装した電子モジュールが、電子機器に広く使用されている。
【０００５】
特許文献１（ＷＯ２０１５／１５２３３３Ａ１公報）に、コイルが開示されている。図１３に、特許文献１に開示されたコイル１０００を示す。
【０００６】
コイル１０００は、積層された複数の基材層（絶縁層体）１０１ａ〜１０１ｈを備えている。基材層１０１ａの上側主面には、１対の外部電極（第１の外部電極、第２の外部電極）１０２ａ、１０２ｂが形成されている。また、基材層１０１ｂ〜１０１ｈの上側主面には、それぞれ、コイル電極（パターン導体部）１０３ａ〜１０３ｇのいずれかが形成されている。また、基材層１０１ａ〜１０１ｇには、それぞれ、両主面間を貫通してビア電極（層間接続導体）１０４ａ〜１０４ｈのいずれか２つが形成されている。
【０００７】
コイル１０００は、ビア電極１０４ａ〜１０４ｈによって、コイル電極１０３ａ〜１０３ｇが順番に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ２０１５／１５２３３３Ａ１公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
コイル１０００は、コイル電極１０３ａ〜１０３ｇが、それぞれ、基材層１０１ａ〜１０１ｈの層間に設けられた電極であるため、厚みが小さく、断面積が小さい。そのため、コイル１０００は、コイル電極１０３ａ〜１０３ｇの導電率が低く、挿入損失が大きいという問題があった。
【００１０】
また、コイル１０００には、コイル電極１０３ａ〜１０３ｇが基材層１０１ａ〜１０１ｈの層間に設けられているため、断面の両側に角度の小さい部分が形成され易いという問題があった。図１４に、基材層の層間に設けられたコイル電極を示す。図１４に示すように、基材層の層間に設けられたコイル電極は、断面が凸レンズ状になり易い。一般に、コイルは、コイル電極の断面が円形であれば略均一な磁束が発生するが、円形から異なる形状では、角度の小さい部分に磁束が集中し、直流重畳特性が悪化する。コイル１０００は、コイル電極１０３ａ〜１０３ｇの断面の両側が角度の小さい部分になり易く、直流重畳特性が悪化し易いという問題があった。なお、図１４は、特許文献１に記載されたものではなく、本件出願人が、本件出願の説明のために作成したものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明のコイルは、複数のユニットが積層された積層体を備え、ユニットは、複数の基材層が積層され、かつ、第１主面と第２主面を有し、ユニットは、第１主面に、基材層の少なくとも１層以上の深さの溝が形成され、少なくとも１つのユニットは、溝の底部に、第２主面に至る孔が形成され、溝および孔に、それぞれ、導電体が充填され、複数のユニットが積層されることによって、隣接する一方のユニットの孔に充填された導電体と隣接する他方のユニットの溝に充填された導電体とが接続され、積層体の内部に、導電体が、ユニットの積層方向を軸として螺旋状に接続されたものとする。
【００１２】
孔は、溝の端部に形成されることが好ましい。この場合には、溝に充填された導電体を、無駄なくコイルの一部分として活用することができる。なお、孔は、溝の一端に形成されてもよく、あるいは溝の両端に形成されてもよい。また、ユニットによっては、溝の底部に孔が形成されない場合もある。
【００１３】
また、溝が、少なくとも１カ所で折れ曲っていることも好ましい。この場合には、溝の長さを長くすることができ、充填された導電体を使って構成されたコイルのインダクタンス値を大きくすることができる。
【００１４】
また、溝の深さが、孔の深さよりも大きいことも好ましい。この場合には、溝に充填された導電体の断面積を大きくし、導電体の単位長さあたりの導電率をより大きくすることができる。そして、充填された導電体を使って構成されたコイルの挿入損失をより小さくすることができる。
【００１５】
また、溝の底部が、基材層のうちの１層の厚み方向の中間に位置していることも好ましい。この場合には、溝に充填された導電体の断面積を可能な範囲で、最大限に大きくし、導電体の単位長さあたりの導電率をより大きくすることができる。そして、充填された導電体を使って構成されたコイルの挿入損失をより小さくすることができる。
【００１６】
少なくとも１つのユニットの、少なくとも１つの基材層が磁性体であることも好ましい。この場合には、溝に充填された導電体を使って構成されたコイルのインダクタンス値を大きくすることができる。
【００１７】
少なくとも１つのユニットの、少なくとも１つの基材層が磁性体であり、かつ、他の少なくとも１つの基材層が非磁性体であることも好ましい。この場合には、非磁性体の基材層を備えることにより、溝に充填された導電体を使って構成されたコイルの直流重畳特性を改善することができる。
【００１８】
少なくとも１つのユニット同士の層間、および／または、少なくとも１つのユニットの少なくとも１つの基材層同士の層間に、導電体が配置され、層間電極が形成されることも好ましい。この場合には、本発明のコイルを使って作製した基板等の内部に、上記層間電極を使って、所望の内部配線を容易に形成することができる。
【００１９】
この場合において、層間電極の少なくとも一方の主面に、非磁性体の基材層が接していることも好ましい。この場合には、層間電極が磁性体で囲まれないので、層間電極に不要なインダクタンスが発生することを抑制することができる。
【００２０】
本発明のコイルを内蔵させて基板を、作製することができる。また、コイルが内蔵された本発明の基板に電子部品を実装して、電子モジュールを作製することができる。電子モジュールとしては、たとえば、ＤＣ-ＤＣコンバータを作製することができる。
【００２１】
また、本発明のコイルの製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを積層し、第１主面と第２主面を有する未焼成ユニットを作製する工程と、未焼成ユニットの第１主面に溝を形成する工程と、少なくとも１つの未焼成ユニットの溝の底部に、第２主面に至る孔を形成する工程と、溝および孔に導電材料を充填する工程と、複数の未焼成ユニットを積層することによって、隣接する一方の未焼成ユニットの孔に充填された導電材料と、隣接する他方の未焼成ユニットの溝に充填された導電材料とを接続し、内部に導電材料が螺旋状に接続された未焼成積層体を作製する工程と、未焼成積層体を焼成することによって、セラミックグリーンシートから基材層を作製し、導電材料から導電体を作製し、内部に導電体が螺旋状に接続された積層体を作製する工程と、を備えたものとする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のコイルは、溝に充填された導電体の断面積が大きく、単位長さあたりの導電率が大きいため、挿入損失が小さい。
【００２３】
また、本発明のコイルは、溝に充填された導電体の断面の両端部の厚みが薄くなり難く、角度が小さくなり難いため、直流重畳特性が優れている。
【００２４】
本発明の基板は、内蔵されたコイルの挿入損失が小さい。また、本発明の電子モジュールは、基板に内蔵されたコイルの挿入損失が小さいため、電子モジュールの挿入損失も小さい。
【００２５】
本発明のコイルの製造方法によれば、本発明のコイルを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１（Ａ）は、第１実施形態にかかるコイル１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、コイル１００の透視斜視図である。
【図２】コイル１００の分解斜視図である。
【図３】コイル１００の分解透視図である。
【図４】図４（Ａ）は、コイル１００の断面図である。図４（Ｂ）は、コイル１００の分解断面図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、コイル１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。
【図６】図６（Ｃ）、（Ｄ）は、図５（Ｂ）の続きであり、それぞれ、コイル１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。
【図７】図７（Ｅ）、（Ｆ）は、図６（Ｄ）の続きであり、それぞれ、コイル１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。
【図８】第２実施形態にかかる基板２００を示す断面図である。
【図９】第３実施形態にかかる電子モジュール３００を示す断面図である。
【図１０】第４実施形態にかかるコイル４００を示す断面図である。
【図１１】第５実施形態にかかる基板５００を示す断面図である。
【図１２】第６実施形態にかかるコイル６００を示す断面図である。
【図１３】特許文献１に開示されたコイル１０００を示す分解斜視図である。
【図１４】基材層の層間に設けられたコイル電極を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２８】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。
【００２９】
［第１実施形態］
図１（Ａ）、（Ｂ）、図２、図３、図４（Ａ）、（Ｂ）に、第１実施形態にかかるコイル１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、コイル１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、コイル１００の透視斜視図である。図２は、コイル１００をユニット１、２、３および保護層４ごとに分けて示した分解斜視図である。図３は、コイル１００をユニット１、２、３および保護層４ごとに分けて示した分解透視図である。図４（Ａ）はコイル１００の断面図であり、図１（Ａ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。図４（Ｂ）は、コイル１００をユニット１、２、３および保護層４ごとに分解して示した分解断面図である。
【００３０】
コイル１００は、ユニット１、２、３と保護層４とが積層された積層体５を備えている。
【００３１】
図１（Ｂ）などに示すように、積層体５の下側主面に、１対の外部電極６ａ、６ｂが形成されている。本実施形態においては、外部電極６ａ、６ｂを、Ａｇによって形成した。ただし、外部電極６ａ、６ｂの材質は任意であり、他の種類の金属を使用してもよい。また、外部電極６ａ、６ｂの表面に、めっき層を形成してもよい。
【００３２】
ユニット１は、図２などに示すように、下から順に積層された基材層１ａ、１ｂ、１ｃを備えている。基材層１ａ、１ｂ、１ｃは、いずれも、磁性体セラミックによって作製されている。ユニット１は、上側主面（第１主面）と下側主面（第２主面）とを有している。
【００３３】
ユニット１の下側主面に、上述した外部電極６ａ、６ｂが形成されている。
【００３４】
ユニット１の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の一端の底部に、ユニット１の下側主面に至る孔８が形成されている。溝７は、途中、２カ所で折れ曲っている。そして、孔８に導電体９ａが充填され、溝７に導電体９ｂが充填されている。
【００３５】
本実施形態においては、ユニット１に形成する溝７の深さを、基材層１ｂ、１ｃの２層分の深さとしている。また、溝７の底部に形成する孔８の深さを、基材層１ａの１層分の深さとしている。したがって、導電体９ｂの厚みは２層分の基材層の厚みと等しく、導電体９ａの厚みは１層分の基材層の厚みと等しい。
【００３６】
また、ユニット１には、両主面間を貫通して別の孔１８が形成され、その孔１８に導電体９ｉが充填されている。
【００３７】
導電体９ａは、外部電極６ａに接続されている。導電体９ｉは、外部電極６ｂに接続されている。
【００３８】
ユニット２は、図２などに示すように、下から順に積層された基材層２ａ、２ｂ、２ｃを備えている。基材層２ａ、２ｂ、２ｃは、いずれも、磁性体セラミックによって作製されている。ユニット２は、上側主面（第１主面）と下側主面（第２主面）とを有している。
【００３９】
ユニット２の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の一端の底部に、ユニット２の下側主面に至る孔８が形成されている。溝７は、途中、２カ所で折れ曲っている。そして、孔８に導電体９ｃが充填され、溝７に導電体９ｄが充填されている。
【００４０】
本実施形態においては、ユニット２に形成する溝７の深さを、基材層２ｂ、２ｃの２層分の深さとしている。また、溝７の底部に形成する孔８の深さを、基材層２ａの１層分の深さとしている。したがって、導電体９ｄの厚みは２層分の基材層の厚みと等しく、導電体９ｃの厚みは１層分の基材層の厚みと等しい。
【００４１】
また、ユニット２には、両主面間を貫通して別の孔１８が形成され、その孔１８に導電体９ｈが充填されている。
【００４２】
導電体９ｃは、導電体９ｂに接続されている。導電体９ｈは、導電体９ｉに接続されている。
【００４３】
ユニット３は、図２などに示すように、下から順に積層された基材層３ａ、３ｂ、３ｃを備えている。基材層３ａ、３ｂ、３ｃは、いずれも、磁性体セラミックによって作製されている。ユニット３は、上側主面（第１主面）と下側主面（第２主面）とを有している。
【００４４】
ユニット３の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の両端の底部に、それぞれ、ユニット３の下側主面に至る孔８が形成されている。溝７は、途中、２カ所で折れ曲っている。そして、一方の孔８に導電体９ｅが充填され、他方の孔８に導電体９ｇが充填され、溝７に導電体９ｆが充填されている。
【００４５】
本実施形態においては、ユニット３に形成する溝７の深さを、基材層３ｂ、３ｃの２層分の深さとしている。また、溝７の底部に形成する孔８の深さを、基材層３ａの１層分の深さとしている。したがって、導電体９ｆの厚みは２層分の基材層の厚みと等しく、導電体９ｅの厚みは１層分の基材層の厚みと等しい。
【００４６】
導電体９ｅは、導電体９ｄに接続されている。導電体９ｇは、導電体９ｈに接続されている。
【００４７】
保護層４は、磁性体セラミックによって作製されている。
【００４８】
本実施形態においては、導電体９ａ〜９ｉを、Ａｇによって形成した。ただし、導電体９ａ〜９ｉの材質は任意であり、他の種類の金属を使用してもよい。
【００４９】
コイル１００は、図１（Ｂ）などに示すように、ユニット１、２、３と保護層４とを積層して積層体５とすることによって、積層体５の内部に、導電体９ａ〜９ｉが順番に螺旋状に接続されている。なお、導電体９ｂ、９ｄ、９ｆはコイル電極であり、導電体９ａ、９ｃ、９ｅ、９ｇ、９ｈ、９ｉはビア電極である。
【００５０】
コイル１００は、ユニット１に形成されたコイル電極である導電体９ｂ、ユニット２に形成されたコイル電極である導電体９ｄ、ユニット３に形成されたコイル電極である導電体９ｆが、それぞれ、２層分の基材層の厚みと等しい厚みを備えている。そのため、導電体９ｂ、９ｄ、９ｆは断面積が大きく、単位長さあたりの導電率が大きい。したがって、コイル１００は、挿入損失が小さい。
【００５１】
また、コイル１００は、ユニット１、２、３、保護層４が、それぞれ磁性体セラミックによって作製されているため、インダクタンス値が大きい。
【００５２】
また、コイル１００は、各ユニットに形成された溝７が、それぞれ、２カ所で折り曲げられて約３／４ターンの長さを有しているため、全体のコイル長が大きく、インダクタンス値が大きい。
【００５３】
また、コイル１００は、コイル電極である導電体９ｂ、９ｄ、９ｆの断面が矩形であり、導電体の断面の両端部の厚みが薄くなり難く、角度が小さくなり難いため、直流重畳特性が優れている。
【００５４】
次に、図５（Ａ）〜図７（Ｆ）を参照して、コイル１００の製造方法の一例について説明する。
【００５５】
まず、図５（Ａ）に示すように、ユニット１の基材層１ａ、１ｂ、１ｃを作製するためのセラミックグリーンシート１ａ’、１ｂ’、１ｃ’と、ユニット２の基材層２ａ、２ｂ、２ｃを作製するためのセラミックグリーンシート２ａ’、２ｂ’、２ｃ’と、ユニット３の基材層３ａ、３ｂ、３ｃを作製するためのセラミックグリーンシート３ａ’、３ｂ’、３ｃ’と、保護層４を作製するためのセラミックグリーンシート４’と、を用意する。セラミックグリーンシートは、たとえば、磁性体フェライトを主成分にして形成されている。
【００５６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート１ａ’、１ｂ’、１ｃ’を積層して一体化させて未焼成ユニット１’を作製し、セラミックグリーンシート２ａ’、２ｂ’、２ｃ’を積層して一体化させて未焼成ユニット２’を作製し、セラミックグリーンシート３ａ’、３ｂ’、３ｃ’を積層して一体化させて未焼成ユニット３’を作製する。続いて、未焼成ユニット１’の上側主面にキャリアフィルム１０ａ、未焼成ユニット２’の上側主面にキャリアフィルム１０ｂ、未焼成ユニット３’の上側主面にキャリアフィルム１０ｃを、それぞれ貼着させる。キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃには、たとえば、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate；ポリエチレンテレフタラート）を使用する。
【００５７】
次に、図６（Ｃ）に示すように、未焼成ユニット１’、２’、３’それぞれに、たとえば、レーザー光を照射することによって、溝７および孔８を形成する。レーザー光の照射は、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃ側からおこなう。したがって、溝７および孔８の形成にともない、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃにも開口が形成される。
【００５８】
次に、図６（Ｄ）に示すように、未焼成ユニット１’、２’、３’に形成した溝７および孔８に、それぞれ、導電ペースト（導電材料）１１を充填する。導電ペースト１１は、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃ側から充填する。このとき併せて、未焼成ユニット１’の下側主面に、導電ペーストを印刷して、外部電極６ａ、６ｂを形成するための導電ペーストパターン１２を形成する。
【００５９】
次に、図７（Ｅ）に示すように、未焼成ユニット１’、２’、３’から、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃを、それぞれ除去する。なお、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃに形成された開口の中に導電ペースト１１が充填されている場合や、キャリアフィルム１０ａ〜１０ｃの上面に不要な導電ペースト１１が付着している場合は、これらの導電ペースト１１も同時に除去される。
【００６０】
次に、図７（Ｆ）に示すように、未焼成ユニット１’、２’、３’と、セラミックグリーンシート４’とを積層して、一体化させて、未焼成積層体５’を作製する。
【００６１】
次に、図示を省略するが、未焼成積層体５’を、所定のプロファイルで焼成して、積層体５を作製する。この結果、セラミックグリーンシート１ａ’、１ｂ’、１ｃ’から、基材層１ａ、１ｂ、１ｃを有するユニット１が作製される。セラミックグリーンシート２ａ’、２ｂ’、２ｃ’から、基材層２ａ、２ｂ、２ｃを有するユニット２が作製される。セラミックグリーンシート３ａ’、３ｂ’、３ｃ’から、基材層３ａ、３ｂ、３ｃを有するユニット３が作製される。また、このとき、未焼成ユニット１’、２’、３’に形成した溝７および孔８に充填した導電ペースト１１も同時に焼成され、ユニット１に導電体９ａ、９ｂ、９ｉが形成され、ユニット２に導電体９ｃ、９ｄ、９ｈが形成され、ユニット３に導電体９ｅ、９ｆ、９ｇが形成される。さらに、このとき、未焼成ユニット１’の下側主面に形成した導電ペーストパターン１２も同時に焼成され、ユニット１の下側主面に外部電極６ａ、６ｂが形成される。
【００６２】
最後に、必要に応じて、外部電極６ａ、６ｂの表面にめっきを形成し、コイル１００を完成させる。コイル１００の積層体５の内部には、導電体９ａ〜９ｉが順番に螺旋状に接続されている。
【００６３】
［第２実施形態］
図８に、第２実施形態にかかる基板２００を示す。ただし、図８は、基板２００の断面図である。基板２００は、コイルＬを内蔵している。
【００６４】
基板２００は、ユニット２１、２２、２３と保護層２４とが積層された積層体２５を備えている。
【００６５】
積層体２５の下側主面に、外部電極２６ａ〜２６ｄが形成されている。ただし、外部電極２６ａ〜２６ｄは、図８に示す断面に現れたものであり、積層体２５の下側主面に形成された全ての外部電極ではない。
【００６６】
積層体２５の上側主面に、ランド電極２８ａ〜２８ｉが形成されている。ただし、ランド電極２８ａ〜２８ｉは、図８に示す断面に現れたものであり、積層体２５の上側主面に形成された全てのランド電極ではない。
【００６７】
ユニット２１は、下から順に積層された基材層２１ａ、２１ｂ、２１ｃを備えている。
【００６８】
ユニット２１の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の一端の底部に、ユニット２１の下側主面に至る孔８が形成されている。そして、孔８に導電体２９ａが充填され、溝７に導電体２９ｂが充填されている。なお、導電体２９ｂは、基材層２１ｂと２１ｃとの２層分の厚さを有している。
【００６９】
導電体２９ａは、外部電極２６ｃに接続されている。
【００７０】
ユニット２２は、下から順に積層された基材層２２ａ、２２ｂ、２２ｃを備えている。
【００７１】
ユニット２２の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の一端の底部に、ユニット２２の下側主面に至る孔８が形成されている。そして、孔８に導電体２９ｃが充填され、溝７に導電体２９ｄが充填されている。なお、導電体２９ｄは、基材層２２ｂと２２ｃとの２層分の厚さを有している。
【００７２】
導電体２９ｃは、導電体２９ｂに接続されている。
【００７３】
ユニット２３は、下から順に積層された基材層２３ａ、２３ｂ、２３ｃを備えている。
【００７４】
ユニット２３の上側主面に、約３／４ターンの長さの溝７が形成され、溝７の一端の底部に、ユニット２３の下側主面に至る孔８が形成されている。そして、孔８に導電体２９ｅが充填され、溝７に導電体２９ｆが充填されている。なお、導電体２９ｆは、基材層２３ｂと２３ｃとの２層分の厚さを有している。
【００７５】
導電体２９ｅは、導電体２９ｄに接続されている。
【００７６】
保護層２４の両主面間を貫通して、孔８が形成されている。そして、孔８に導電体２９ｇが充填されている。
【００７７】
導電体２９ｇは、導電体２９ｆおよびランド電極２８ｃに、それぞれ接続されている。
【００７８】
基板２００は、ユニット２１、２２、２３と保護層２４とを積層して積層体２５とすることによって、積層体２５の内部に、導電体２９ａ〜２９ｇが順番に螺旋状に接続されてコイルＬが構成されている。なお、コイルＬは、外部電極２６ｃとランド電極２８ｃとの間に挿入されている。
【００７９】
さらに、積層体２５の内部には、所定の基材層２１ａ〜２１ｃ、２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃ、２４の両主面間を貫通して、ビア電極２９が形成されている。また、積層体２５の内部には、基材層２１ａ〜２１ｃ、２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃ、２４の所定の層間に、層間電極３０が形成されている。
【００８０】
積層体２５の内部に、ビア電極２９および層間電極３０によって内部配線が形成され、内部配線によって所定の外部電極２６ａ〜２６ｄと所定のランド電極２８ａ〜２８ｉとが接続されている。
【００８１】
基板２００は、ユニット２１に形成されたコイル電極である導電体２９ｂ、ユニット２２に形成されたコイル電極である導電体２９ｄ、ユニット２３に形成されたコイル電極である導電体２９ｆが、それぞれ、２層分の基材層の厚みと等しい厚みを備えている。そのため、導電体２９ｂ、２９ｄ、２９ｆは断面積が大きく、単位長さあたりの導電率が大きい。したがって、基板２００に内蔵されたコイルＬは、挿入損失が小さい。また、２層分の厚みのコイル電極が形成された基材層２３ｂ、２３ｃの層間に層間電極３０が形成されている。つまり、基材層２３ｂ、２３ｃには、２層分の厚みのコイル電極が形成されており、かつ、コイル電極以外の領域には層間電極３０が設けられている。したがって、２層分の厚みのコイル電極が形成された基材層２３ｂ、２３ｃのコイル電極以外の領域の有効活用が図れている。
【００８２】
［第３実施形態］
図９に、第３実施形態にかかる電子モジュール３００を示す。ただし、図９は、電子モジュール３００の断面図である。
【００８３】
電子モジュール３００は、上述した第２実施形態にかかる基板２００に、電子部品３１〜３４を実装して形成したＤＣ−ＤＣコンバータである。より具体的には、基板２００の上側主面に形成されたランド電極２８ａ〜２８ｉに、電子部品３１〜３４が実装されている。電子部品３１、３３、３４は、コンデンサ、コイル、抵抗などの受動部品である。電子部品３２は、半導体などの能動部品である。
【００８４】
電子モジュール３００は、基板２００に内蔵されたコイルＬの挿入損失が小さいため、電子モジュールの挿入損失も小さい。
【００８５】
［第４実施形態］
図１０に、第４実施形態にかかるコイル４００を示す。ただし、図１０は、コイル４００の断面図である。
【００８６】
コイル４００は、第１実施形態にかかるコイル１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、コイル１００では、ユニット１の基材層１ａ、１ｂ、１ｃ、ユニット２の基材層２ａ、２ｂ、２ｃ、ユニット３の基材層３ａ、３ｂ、３ｃ、保護層４の全てを、磁性体セラミックによって作製していた。コイル４００では、これに代えて、ユニット２の基材層２ｂのみを、非磁性体セラミックによって作製された基材層４２ｂに置換えた。
【００８７】
コイル４００は、積層体５が非磁性体セラミックによって作製された基材層４２ｂを備えているため、直流重畳特性が改善されている。
【００８８】
［第５実施形態］
図１１に、第５実施形態にかかる基板５００を示す。ただし、図１１は、基板５００の断面図である。
【００８９】
基板５００は、第２実施形態にかかる基板２００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、基板２００では、ユニット２１の基材層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、ユニット２２の基材層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、ユニット２３の基材層２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、保護層２４の全てを、磁性体セラミックによって作製していた。基板５００では、これに代えて、ユニット２１の基材層２１ｂを非磁性体セラミックによって作製された基材層５１ｂに置換え、ユニット２２の基材層２２ｂを非磁性体セラミックによって作製された基材層５２ｂに置換え、ユニット２３の基材層２３ｂを非磁性体セラミックによって作製された基材層５３ｂに置換えた。また、基板５００では、層間電極３０の一方の主面が、基材層５１ｂ、５２ｂ、５３ｂのいずれかと接するように、一部の層間電極３０の形成位置を変更した。
【００９０】
基板５００は、積層体２５が非磁性体セラミックによって作製された基材層５１ｂ、５２ｂ、５３ｂを備えているため、コイルＬの直流重畳特性が改善されている。
【００９１】
また、基板５００は、層間電極３０の一方の主面が、非磁性体セラミックによって作製された基材層５１ｂ、５２ｂ、５３ｂのいずれかと接しているため、層間電極３０が磁性体セラミックのみで囲まれない。したがって層間電極３０に不要なインダクタンスが発生することが抑制されている。
【００９２】
［第６実施形態］
図１２に、第６実施形態にかかるコイル６００を示す。ただし、図１２は、コイル６００の断面図である。
【００９３】
コイル６００は、第１実施形態にかかるコイル１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、コイル１００では、ユニット１に形成された溝７に充填された導電体９ｂ、ユニット２に形成された溝７に充填された導電体９ｄ、ユニット３に形成された溝７に充填された導電体９ｆが、それぞれ、２層分の基材層の厚みと等しい厚みを有していた。コイル６００では、これに代えて、溝７の深さを大きくすることにより、ユニット１に形成された溝７に充填された導電体５９ｂ、ユニット２に形成された溝７に充填された導電体５９ｄ、ユニット３に形成された溝７に充填された導電体５９ｆの厚みを、それぞれ、２．５層分の基材層の厚みと等しくした。つまり、導電体５９ｂ、５９ｄ、５９ｆそれぞれが充填される溝７の底部は、基材層１ａ、２ａ、３ａそれぞれの厚み方向の中間に位置している。
【００９４】
コイル６００は、コイル１００に比べて、導電体５９ｂ、５９ｄ、５９ｆの厚みがさらに大きく、断面積がさらに大きいため、導電体５９ｂ、５９ｄ、５９ｆの単位長さあたりの導電率がさらに大きくなっており、挿入損失がさらに小さくなっている。
【００９５】
以上、第１実施形態にかかるコイル１００、第２実施形態にかかる基板２００、第３実施形態にかかる電子モジュール３００、第４実施形態にかかるコイル４００、第５実施形態にかかる基板５００、第６実施形態にかかるコイル６００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００９６】
たとえば、コイル１００、４００では、ユニット１〜３の上側主面にそれぞれ形成される溝７の深さを、２層分の基材層の厚みと等しくした。また、コイル６００では、ユニット１〜３の上側主面にそれぞれ形成される溝７の深さを、２．５層分の基材層の厚みと等しくした。しかしながら、ユニット１〜３の上側主面にそれぞれ形成される溝７の深さは、１層分の基材層の厚み以上であればよく、上記の大きさには限定されない。
【００９７】
また、上記実施形態では、いずれも、ユニットの数を３つとしたが、ユニットの数は任意であり、増減することができる。
【００９８】
また、上記実施形態では、いずれも、ユニット１〜３、２１〜２３の上側主面に形成される溝７が約３／４ターンの長さであったが、溝７の長さは任意であり、増減することができる。また、形成される溝７の平面方向の形状も任意であり、実施形態の内容には限定されない。
【００９９】
また、上記実施形態では、いずれも、ユニット１〜３、２１〜２３を、それぞれ、３層の基材層１ａ〜１ｃ、２ａ〜２ｃ、３ａ〜３ｃ、２１ａ〜２１ｃ、２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃで構成したが、各ユニットを構成する基材層の層数は任意であり、増減することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１、２、３、２１、２２、２３・・・ユニット
１ａ〜１ｃ、２ａ〜２ｃ、３ａ〜３ｃ、２１ａ〜２１ｃ、２２ａ〜２２ｃ、２３ａ〜２３ｃ・・・基材層（磁性体）
４２ｂ、５１ｂ、５２ｂ、５３ｂ・・・基材層（非磁性体）
４・・・保護層
５・・・積層体
６ａ、６ｂ、２６ａ〜２６ｄ・・・外部電極
７・・・溝
８・・・孔
９ａ〜９ｉ、２９ａ〜２９ｇ、５９ｂ、５９ｄ、５９ｆ・・・導電体
２８ａ〜２８ｉ・・・ランド電極
１’、２’、３’・・・未焼成ユニット
１ａ’〜１ｃ’、２ａ’〜２ｃ’、３ａ’〜３ｃ’、４’・・・セラミックグリーンシート
５’・・・未焼成積層体
１０ａ〜１０ｃ・・・キャリアフィルム
１１・・・導電ペースト
１２・・・導電ペーストパターン
３０・・・層間電極
３１〜３４・・・電子部品
１００、４００、６００・・・コイル
２００、５００・・・基板
３００・・・電子モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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