(57)【要約】【課題】折り曲げ、巻回等の外力に対するＴＦＴの耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる。【解決手段】可撓性基板２０には、薄膜トランジスタが設けられた第１面と反対側の第２面に凹部２３が形成され、凹部２３は、第１面と略直交する第１方向から見て、薄膜トランジスタと重ならない位置に配置される。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板と、
前記可撓性基板の第１面に設けられた薄膜トランジスタと、
を備え、
前記可撓性基板には、前記第１面と反対側の第２面に凹部が形成され、
前記凹部は、前記第１面と略直交する第１方向から見て、前記薄膜トランジスタと重ならない位置に配置される
ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタは、前記第１面に沿った第２方向に略沿って複数設けられ、
前記凹部は、前記第２方向に略沿って帯状に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記凹部は、前記第１方向に沿った面、かつ前記第２方向と略直交する面で切断したときに、前記第１面側が前記第２面側よりも短い略矩形形状である
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記可撓性基板は、前記第１方向から見たときに、前記薄膜トランジスタと重なる部分の厚さが前記凹部が形成された部分の厚さの倍以上である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記可撓性基板は、前記第２面と前記凹部との境界部分及び前記凹部の底面端部に円弧形状が形成される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
支持基板の第１面に凹部及び凸部を形成する第１工程と、
前記凹部及び前記凸部を覆うように前記第１面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する第２工程と、
前記可撓性基板の前記支持基板が設けられた面と反対側の面である第２面の、前記第１工程において前記凸部が形成されていない領域に薄膜トランジスタを形成する第３工程と、
前記可撓性基板を前記支持基板から剥離する第４工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程において、前記凸部を帯状に形成し、
前記第３工程において、前記凸部の長手方向に略沿って複数の前記薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１工程において、前記凹部及び前記凸部の角部に円弧形状を形成する
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１工程において、前記第１面にアライメントマークを形成し、
前記第３工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２工程において、前記第２面にアライメントマークを形成し、
前記第３工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成する
ことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、フレキシブルディスプレイを駆動するための薄膜トランジスタアレイ基板であって、プラスティック基板に応力を緩和する島状の緩衝層を形成し、その上部にＴＦＴを形成することにより、半導体材料を問わず高い湾曲耐性を確保する薄膜トランジスタアレイ基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１３８１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の発明は、プラスティック基板と緩衝層との材質が異なるため、温度変化等により薄膜トランジスタアレイ基板に内部応力が発生する可能性がある。また、プラスティック基板に緩衝層を設けるため、薄膜トランジスタアレイ基板を曲げるときにプラスティック基板と緩衝層との境界部分に力が加わりやすい。その結果、プラスティック基板から緩衝層が剥がれ、薄膜トランジスタアレイ基板に割れや欠けが生じるおそれがある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、折り曲げ、巻回等の外力に対する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、例えば、可撓性基板と、前記可撓性基板の第１面に設けられた薄膜トランジスタと、を備え、前記可撓性基板には、前記第１面と反対側の第２面に凹部が形成され、前記凹部は、前記第１面と略直交する第１方向から見て、前記薄膜トランジスタと重ならない位置に配置されることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る薄膜トランジスタ基板によれば、可撓性基板の薄膜トランジスタと重ならない位置に凹部が形成される。そのため、ＴＦＴと重ならない位置における可撓性基板の厚さは、ＴＴＦと重なる位置における可撓性基板の厚さより薄い。したがって、可撓性基板の厚さの薄い部分が先に湾曲し、ＴＦＴと重なる位置の可撓性基板の変形が抑えられる。これにより、折り曲げ、巻回等の外力に対するＴＦＴの耐久性を向上させることができる。また、凹部を形成することで可撓性基板の一部を変形しやすくするため、内部応力や熱膨張率の差異による基板の割れや欠けを防ぐことができる。
【０００８】
ここで、前記薄膜トランジスタは、前記第１面に沿った第２方向に略沿って複数設けられ、前記凹部は、前記第２方向に略沿って帯状に形成されてもよい。これにより、凹部の延設方向と略直交する方向への薄膜トランジスタ基板の巻き取りが容易となる。また、薄膜トランジスタ基板１が凹部の延設方向に湾曲し難くなり、ＴＦＴに力が加わることを抑制できる。
【０００９】
ここで、前記凹部は、前記第１方向に沿った面、かつ前記第２方向と略直交する面で切断したときに、前記第１面側が前記第２面側よりも短い略矩形形状であってもよい。これにより、薄膜トランジスタ基板を変形させたときに、凹部の対向する壁面が当接し難くなり、塵埃の発生が抑制される。
【００１０】
ここで、前記可撓性基板は、前記第１方向から見たときに、前記薄膜トランジスタと重なる部分の厚さが前記凹部が形成された部分の厚さの倍以上であってもよい。これにより、凹部が形成された部分が変形しやすくなり、ＴＦＴに力が加わることを抑制できる。
【００１１】
ここで、前記可撓性基板は、前記第２面と前記凹部との境界部分及び前記凹部の底面端部に円弧形状が形成されてもよい。これにより、薄膜トランジスタ基板を巻回したとき等にエッジで薄膜トランジスタ基板を削らないようにし、塵埃の発生を防止することができる。
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法は、例えば、支持基板の第１面に凹部及び凸部を形成する第１工程と、前記凹部及び前記凸部を覆うように前記第１面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する第２工程と、前記可撓性基板の前記支持基板が設けられた面と反対側の面である第２面の、前記第１工程において前記凸部が形成されていない領域に薄膜トランジスタを形成する第３工程と、前記可撓性基板を前記支持基板から剥離する第４工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法によれば、支持基板の第１面に凹部及び凸部を形成し、凹部及び凸部を覆うように第１面に樹脂を塗布して可撓性基板を形成する。これにより、追加で加工を行なうことなく、可撓性基板に凹部を形成することができる。また、可撓性基板の凹部の形状を、第１面側が第２面側よりも短い略矩形形状にすることが容易となる。
【００１４】
ここで、前記第１工程において、前記凸部を帯状に形成し、前記第３工程において、前記凸部の長手方向に略沿って複数の前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、可撓性基板の凹部を帯状にし、可撓性基板の凹部と重ならない位置にＴＦＴを形成することができる。
【００１５】
ここで、前記第１工程において、前記凹部及び前記凸部の角部に円弧形状を形成してもよい。これにより、追加で加工を行なうことなく、可撓性基板の凹部に円弧形状を形成することができる。
【００１６】
ここで、前記第１工程において、前記第１面にアライメントマークを形成し、前記第３工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、ＴＦＴの形成時に、凸部及び凹部の位置、すなわちＴＦＴを形成すべき位置が把握可能となる。
【００１７】
ここで、前記第２工程において、前記第２面にアライメントマークを形成し、前記第３工程において、前記アライメントマークに基づいて前記薄膜トランジスタを形成してもよい。これにより、ＴＦＴの形成時に、凸部及び凹部の位置、すなわちＴＦＴを形成すべき位置が把握可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、折り曲げ、巻回等の外力に対するＴＦＴの耐久性を向上させながら、基板の割れや欠けを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態に係る薄膜トランジスタ基板１の概略を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）は、薄膜トランジスタ基板１におけるサブピクセル１０の配置を説明する図であり、（Ｂ）は（Ａ）の部分拡大図である。
【図３】薄膜トランジスタ基板１を模式的に示す断面図である。
【図４】薄膜トランジスタ基板１を湾曲させたときの様子を模式的に示す図である。
【図５】薄膜トランジスタ基板１における薄肉部２４の配置を説明する図であり、（Ａ）は可撓性基板２０の概略を示す側面図であり、（Ｂ）は可撓性基板２０の概略を示す正面図である。
【図６】薄膜トランジスタ基板１の製造方法の流れについて説明するフローチャートである。
【図７】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【図８】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【図９】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【図１０】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【図１１】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【図１２】製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。本発明にかかる薄膜トランジスタ基板は、巻回や折り曲げが可能なフレキシブルディスプレイに用いられる基板であり、フレキシブルディスプレイを駆動するものである。フレキシブルディスプレイには液晶や有機ＥＬを用いることができるが、以下有機ＥＬを用いたフレキシブルディスプレイを例に説明する。
【００２１】
図１は、第１の実施の形態に係る薄膜トランジスタ基板１の概略を示す斜視図である。薄膜トランジスタ基板１はシート状であり、薄膜トランジスタ基板１には複数のサブピクセル１０が形成されている。サブピクセル１０は、薄膜トランジスタ基板１の面方向（ｘ方向及びｙ方向）に略沿って複数設けられる。なお、図１に示すサブピクセル１０の位置及び配置は一例であり、これに限定されるものではない。
【００２２】
フレキシブルディスプレイ（図示省略）のピクセルは、３つのサブピクセル１０で構成される。この３つのサブピクセルは、それぞれ赤、青、緑を発光する有機ＥＬ素子層（図示せず）を有する。
【００２３】
図２（Ａ）は、薄膜トランジスタ基板１におけるサブピクセル１０の配置を説明する図であり、図２（Ｂ）は（Ａ）の部分拡大図である。
【００２４】
サブピクセル１０は、ｘ方向及びｙ方向に略沿って格子状に配置される。サブピクセル１０は、主として、画素電極１１と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２、１３と、保持容量１４と、を有する。また、サブピクセル１０の内部及び隣接するサブピクセル１０の間には、配線１５、１６、１７が形成される。なお、図２に示すサブピクセル１０の構成及び配置は一例であり、これに限定されるものではない。
【００２５】
図３は、薄膜トランジスタ基板１を模式的に示す断面図である。薄膜トランジスタ基板１は、可撓性基板（フレキシブル基板）２０を有する。可撓性基板２０は、例えば、エネルギーの供給により硬化する樹脂、例えば、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等により形成される。本実施の形態では、可撓性基板２０にポリイミド樹脂を用いる。
【００２６】
可撓性基板２０の表面２１には、図示しない配線と電気的に接続されたＴＦＴ１２、１３が設けられる。なお、図３では、サブピクセル１０が有するＴＦＴ１２、１３のうちＴＦＴ１２のみを図示し、ＴＦＴ１３については図示を省略する。
【００２７】
可撓性基板２０の裏面２２には、複数の凹部２３が形成される。凹部２３は、ｘ方向及びｚ方向（ｘ方向及びｙ方向と略直交する方向）に沿った面で切断したときに、表面２１側が裏面２２側よりも短い略矩形形状である。裏面２２と凹部２３との境界部分及び凹部２３の底面端部には、それぞれ円弧形状２３ａ、２３ｂが形成される。
【００２８】
可撓性基板２０には、凹部２３が形成されることにより、厚肉部２５に比べて厚さが薄い薄肉部２４が形成される。厚肉部２５の厚さｔ２は、薄肉部２４の厚さｔ１の倍以上である。凹部２３は、ｚ方向から見て、ＴＦＴ１２と重ならない位置に配置される。
【００２９】
図４は、薄膜トランジスタ基板１を湾曲させたときの様子を模式的に示す図である。薄膜トランジスタ基板１を湾曲させると、薄肉部２４が先に湾曲し、厚肉部２５の湾曲が抑えられる。また、薄膜トランジスタ基板１を湾曲させると、薄肉部２４が大きく変形し、厚肉部２５の変形が抑えられる。その結果、厚肉部２５の上側に設けられたＴＦＴ１２に力が加わることを抑制できる。
【００３０】
また、円弧形状２３ｂが形成されるため、薄膜トランジスタ基板１が湾曲したときに、凹部２３の角部に力が集中して可撓性基板２０にクラック等が入ることを防止できる。さらに、円弧形状２３ａが形成されるため、薄膜トランジスタ基板１を巻回したときに、エッジによりフレキシブルディスプレイの表面（図示省略）が削れて塵埃が発生することを防止できる。
【００３１】
なお、図４では、隣接するＴＦＴ１２の間隔が大きくなる方向に薄膜トランジスタ基板１を湾曲させたときの様子を示したが、隣接するＴＦＴ１２の間隔が小さくなる方向に薄膜トランジスタ基板１を湾曲させることも可能である。
【００３２】
図５は、薄膜トランジスタ基板１における凹部２３の配置を説明する図であり、（Ａ）は可撓性基板２０の概略を示す側面図であり、（Ｂ）は可撓性基板２０の概略を示す正面図である。図５（Ｂ）では、サブピクセル１０が形成される位置を二点鎖線で示す。また、図５（Ｂ）では、凹部２３の位置を網掛け表示している。
【００３３】
ＴＦＴ１２、１３は、ｙ方向に略沿って配置されている。凹部２３は、ＴＦＴ１２、１３と重ならない位置に、ｙ方向に略沿って帯状に形成される。この結果、可撓性基板２０（すなわち薄膜トランジスタ基板１）は、凹部２３の延設方向と略直交する方向、すなわちｘ方向（図４矢印参照）に巻き取り可能となる。また、凹部２３、すなわち厚肉部２５がｙ方向に略沿って帯状に形成されることで、薄膜トランジスタ基板１がｙ方向に湾曲し難くなり、ＴＦＴ１２、１３に力が加わることを抑制できる。
【００３４】
次に、本実施の形態にかかる薄膜トランジスタ基板１の製造方法について説明する。図６は、薄膜トランジスタ基板１の製造方法の流れについて説明するフローチャートである。図７〜１２は、製造過程における薄膜トランジスタ基板１の様子を模式的に示す図である。図７、９〜１２は、ｘｚ平面に沿った面における断面図であり、一部を拡大表示した図である。図８は、平面図である。
【００３５】
＜キャリアガラス準備工程：ステップＳ１＞
薄膜トランジスタ基板１の製造に当たり、支持基板を準備する。本実施の形態では、支持基板としてキャリアガラス５０を用いる。
【００３６】
図７に示すように、キャリアガラス５０の上面に凸部５１と凹部５２とを形成する。凸部５１と凹部５２とを形成する方法は、キャリアガラス５０に印刷を行って凸部５１を形成する方法、キャリアガラス５０の上面をエッチング等で削って凹部５２を形成する方法等が考えられる。印刷は、キャリアガラス５０に樹脂を塗布することによって行なわれる。
【００３７】
本実施の形態では、キャリアガラス５０の上面に凸部５１を印刷することで、キャリアガラス５０の上面に凹凸を形成する。キャリアガラス５０の上面のうち、印刷が行なわれていない部分が凹部５２となる。凸部５１は、角部が円弧形状５１ａ、５１ｂとなるように形成される。
【００３８】
図８に示すように、凸部５１は、ｙ方向に略沿って帯状に形成される。また、キャリアガラス５０に凸部５１を印刷するときに、キャリアガラス５０の上面にアライメントマーク５３を印刷する。本実施の形態では、アライメントマーク５３は略十字形状であるが、アライメントマーク５３の形状はこれに限られない。また、アライメントマーク５３の位置もこれに限られない。
【００３９】
＜可撓性基板形成工程：ステップＳ２＞
図９に示すように、凸部５１及び凹部５２を覆うように、キャリアガラス５０の上面（＋ｚ側の面）に可撓性基板２０となる樹脂を塗布し、可撓性基板２０を形成する。本実施の形態では、まずキャリアガラス５０の上面に粘着層５５となる樹脂を塗布し、その上に可撓性基板２０となる樹脂（ここではポリイミド樹脂）を塗布する。
【００４０】
粘着層５５は、製造後にキャリアガラス５０から可撓性基板２０を剥離しやすくするためのものであり、様々な樹脂材料を用いることができる。なお、粘着層５５は、必須ではない。
【００４１】
粘着層５５となる樹脂やポリイミド樹脂は、溶液状のものを用いる。キャリアガラス５０上に溶液状の樹脂を塗布する工程は、例えば、スピンコート法等のコーティング法や、スクリーン印刷等の印刷法を用いて行うことができる。塗布後、粘着層５５や可撓性基板２０を硬化させる。硬化の方法は樹脂によって異なる（光硬化、熱硬化等）が、ポリイミド樹脂は光硬化性樹脂であるため、本実施の形態では光を照射してポリイミド樹脂を硬化させる。これにより、キャリアガラス５０に可撓性基板２０が形成される。
【００４２】
キャリアガラス５０の上面には凸部５１と凹部５２とが形成されているため、表面（キャリアガラス５０と反対側の面）が平坦になるようにポリイミド樹脂を塗布、硬化することで、可撓性基板２０の裏面に凹凸が形成される。凸部５１の部分が凹部２３となり、凸部５１の上側に塗布された部分が薄肉部２４となる。また、凹部５２の上側に塗布された部分が厚肉部２５となる。
【００４３】
また、凸部５１の角部に円弧形状５１ａ、５１ｂが形成されているため、凹部２３に円弧形状２３ａ、２３ｂが形成される。
【００４４】
＜ＴＦＴ形成工程：ステップＳ３＞
可撓性基板２０の上側にＴＦＴ１２、１３を形成する。なお、可撓性基板２０の上側に下地層を形成し、ＴＦＴを下地層の上に形成してもよい。ＴＦＴ形成工程（ステップＳ３）は既に公知の技術を用いることができるため、各工程の詳細は省略する。
【００４５】
まず、可撓性基板２０の上側にゲート電極６１を成膜し、その上からゲート絶縁層６２を形成する（図６のステップＳ３１、Ｓ３２、図１０参照）。このとき、一部の配線（電源ラインや選択ライン）を形成してもよい。
【００４６】
その後、ゲート絶縁層６２の上にａ−Ｓｉ層を形成し、ａ−Ｓｉ層にレーザ光を照射することによって脱水素処理を行うとともに、非晶質シリコンを結晶化すること（レーザーアニール処理）によって多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）層６３を得る（図６のステップＳ３３、図１０参照）。その上に、ソース電極６４、ドレイン電極６５を形成する（図６のステップＳ３４、図１１参照）。このとき、一部の配線（データライン）を形成してもよい。
【００４７】
次に、ＴＦＴ保護層６６を成膜し（図６のステップＳ３５、図１２参照）、その上にＩＴＯ膜（透明電極膜）６７を成膜する（図６のステップＳ３６、図１２参照）。ＴＦＴ保護層６６には、有機樹脂を用いることができる。ＴＦＴ保護層６６には凹部６６ａが形成され、ＩＴＯ膜６７がドレイン電極６５と当接する。その後、凹部６６ａにより形成された空間にアクリル樹脂６８を注入する（図６のステップＳ３７、図１２参照）
【００４８】
これにより、ＴＦＴ形成工程（ステップＳ３）が終了する。ＴＦＴ形成工程（ステップＳ３）においては、キャリアガラス準備工程（ステップＳ１）において凸部５１が形成されていない領域に、凸部５１の長手方向（ｙ方向）に略沿って複数のＴＦＴを形成する。
【００４９】
ＴＦＴ形成工程（ステップＳ３）においては、キャリアガラス準備工程（ステップＳ１）で形成したアライメントマーク５３に基づいてＴＦＴを形成する。アライメントマーク５３の位置に対する凸部５１の位置は予め分かっているため、凸部５１の位置が見えなくても、アライメントマーク５３を参照することでＴＦＴをどの位置に形成すればよいか明らかになる。
【００５０】
以上の工程により薄膜トランジスタ基板１が形成される。薄膜トランジスタ基板１の形成後、有機ＥＬを成膜し、封止した後、可撓性基板２０をキャリアガラス５０から剥離する。
【００５１】
なお、本実施の形態では、キャリアガラス準備工程（ステップＳ１）においてアライメントマーク５３を形成したが、キャリアガラス準備工程（ステップＳ１）ではアライメントマーク５３を形成せず、可撓性基板形成工程（ステップＳ２）において可撓性基板２０を形成後、可撓性基板２０のキャリアガラス５０が設けられた面と反対側の面（＋ｚ側の面）にアライメントマークを形成してもよい。この場合には、ＴＦＴ形成工程（ステップＳ３）においてアライメントマークが確認しやすく、したがってアライメントマークに基づいてＴＦＴを形成しやすいという利点がある。
【００５２】
本実施の形態によれば、可撓性基板２０にＴＦＴ１２、１３が形成され、ｚ方向から見てＴＦＴ１２、１３と重ならない位置に凹部２３、すなわち薄肉部２４が形成されているため、基板の湾曲、巻回等の外力に対するＴＦＴの耐久性を向上させることができる。
【００５３】
また、本実施の形態では、可撓性基板２０の厚さを変えることで薄肉部２４及び厚肉部２５を形成するため、薄膜トランジスタ基板１の変形や温度変化による内部応力の発生を防ぐことができる。例えば、可撓性を低くする部材を可撓性基板２０に設けて薄膜トランジスタ基板を形成する場合には、異なる材質の部材を接着する必要があるため、熱膨張率の差異等が原因で内部応力が発生し、薄膜トランジスタ基板に割れや欠けが発生するおそれがある。また、部材毎に熱膨張率が異なることで、薄膜トランジスタ基板に皺が発生したり変形したりするおそれがある。それに対し、本実施の形態では、可撓性基板２０に１つの材料のみを用いるため、このような不具合を防ぐ事ができる。
【００５４】
また、本実施の形態によれば、凹部２３をｙ方向に略沿って帯状に形成することで、薄膜トランジスタ基板１のｘ方向への巻回、折り曲げ等の変形が容易となり、フレキシブルディスプレイとしての使い勝手を向上させることができる。また、厚肉部２５の厚さｔ２が薄肉部２４の厚さｔ１の倍以上であるため、厚肉部２５の変形、すなわちＴＦＴ１２、１３に力が加わることを抑制できる。
【００５５】
また、本実施の形態によれば、薄肉部２４及び厚肉部２５の角部に円弧形状２３ａ、２３ｂが形成されるため、薄膜トランジスタ基板１を巻回等したときにエッジで薄膜トランジスタ基板１を削ることがない。また、ｘ方向及びｚ方向に沿った面で切断したときに、凹部２３の表面２１側が裏面２２側よりも短いため、薄膜トランジスタ基板１をｘ方向に略沿って変形させたときに、凹部２３の対向する壁面が当接し難くなり、塵埃の発生を防ぐ事ができる。
【００５６】
また、本実施の形態によれば、薄膜トランジスタ基板１の製造において、キャリアガラス５０の上面に凸部５１及び凹部５２を形成し（ステップＳ１）、凸部５１及び凹部５２を覆うようにキャリアガラス５０の上面に可撓性基板２０となる樹脂膜を形成する（ステップＳ２）ため、可撓性基板２０に追加で加工を行なうことなく、可撓性基板２０に薄肉部２４及び厚肉部２５を形成することができる。また、このように薄膜トランジスタ基板１を製造する事で、ｘ方向及びｚ方向に沿った面で切断したときの凹部２３の形状を、表面２１側が裏面２２側よりも短い略矩形形状としたり、薄肉部２４及び厚肉部２５の角部に円弧形状２３ａ、２３ｂを形成したりすることが容易となる。
【００５７】
また、キャリアガラス５０の上面又は可撓性基板２０にアライメントマークを形成することで、ＴＦＴの形成時に、凸部５１及び凹部５２の位置、すなわちＴＦＴを形成すべき位置が把握可能となる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、ゲート電極６１の上側（可撓性基板２０の反対側）にソース電極６４及びドレイン電極６５を形成したボトムゲート型のＴＦＴを形成したが、ソース電極６４及びドレイン電極６５の上側にゲート電極６１を形成したトップゲート型のＴＦＴを形成してもよい。
【００５９】
また、本実施の形態では、薄膜トランジスタ基板１の上に有機ＥＬを設けた例を用いて説明したが、薄膜トランジスタ基板１の上に液晶を設ける場合には一部の工程が不要となる。例えば、可撓性基板２０の上側に形成する下地層、特にガスバリア層は不要である。また、ＴＦＴ保護層６６の形状も異なる上、アクリル樹脂６８を注入する工程（ステップＳ３７）も不要である。
【００６０】
また、本実施の形態では、薄肉部２４及び厚肉部２５をｙ方向に略沿って帯状に形成したが、薄肉部２４及び厚肉部２５の配置はこれに限られない。例えば、ｚ方向から見て、ＴＦＴ１２、１３と重なる位置に略矩形形状の厚肉部２５を形成し、厚肉部２５をｙ方向に略沿って隣接して配置することで、厚肉部２５を帯状にしてもよい。また、本実施の形態では、ＴＦＴ１２、１３をｙ方向に略沿って設けたが、ＴＦＴ１２、１３の配置もこれに限られない。例えば、ＴＦＴ１２、１３が千鳥配置されていてもよい。
【００６１】
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【００６２】
また、本発明において、「略」とは、厳密に同一である場合のみでなく、同一性を失わない程度の誤差や変形を含む概念である。例えば、略矩形形状とは、厳密に矩形の場合には限られない。また、例えば、単に「ｙ方向に沿って」と表現する場合において、厳密にｙ方向に沿っている場合のみでなく、ｙ方向に略沿っている場合、例えばｙ方向と数度の誤差を含む方向に沿っている場合を含むものとする。
【符号の説明】
【００６３】
１              ：薄膜トランジスタ基板
１０            ：サブピクセル
１１            ：画素電極
１２、１３      ：ＴＦＴ
１４            ：保持容量
１５、１６、１７：配線
２０            ：可撓性基板
２１            ：表面
２２            ：裏面
２３            ：凹部
２３ａ、２３ｂ  ：円弧形状
２４            ：薄肉部
２５            ：厚肉部
５０            ：キャリアガラス
５１            ：凸部
５１ａ、５１ｂ  ：円弧形状
５２            ：凹部
５３            ：アライメントマーク
５５            ：粘着層
６１            ：ゲート電極
６２            ：ゲート絶縁層
６３            ：多結晶シリコン層
６４            ：ソース電極
６５            ：ドレイン電極
６６            ：ＴＦＴ保護層
６６ａ          ：凹部
６７            ：ＩＴＯ膜
６８            ：アクリル樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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