(57)【要約】【課題】画素の開口領域に入射する光を有効に利用可能な電気光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置の液晶パネル１１０は、基材１０ｓにおける画素Ｐの開口領域に設けられた凹部２６と、基材１０ｓ上の開口領域を囲む非開口領域に設けられ基材１０ｓ側から順に基材１０ｓの厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層としての走査線３及び第２遮光層としてのデータ線６と、走査線３とデータ線６との間に、画素Ｐごとに設けられたトランジスター（ＴＦＴ）３０と、開口領域と非開口領域とに亘って設けられ、データ線６を覆うとともに凹部２６に沿って配置された第１絶縁層１７と、開口領域に第１絶縁層１７に接して設けられた、第１絶縁層１７の屈折率ｎ１よりも高い屈折率ｎ２を有する第２絶縁層１３と、を備える。【選択図】図６
2019028207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材における画素の開口領域に設けられた凹部と、
前記基材上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記基材側から順に前記基材の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、
前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基材上に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層における画素の開口領域に設けられた凹部と、
前記第３絶縁層上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記第３絶縁層側から順に前記第３絶縁層の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、
前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記第２絶縁層の底部が前記第１遮光層よりも前記基材側にあることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹部の側部における前記第１絶縁層の膜厚は、前記凹部の底部における前記第１絶縁層の膜厚以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２絶縁層は、前記厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基材における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記基材における前記開口領域に凹部を形成する工程と、
前記基材上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、
前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、
前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基材上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第３絶縁層における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記第３絶縁層における前記開口領域に凹部を形成する工程と、
前記第３絶縁層上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、
前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、
前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の底部における膜厚が前記凹部の深さよりも小さくなるように前記第１絶縁層を形成することを特徴とする請求項７または８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の側部における膜厚が前記凹部の底部における膜厚以下となるように前記第１絶縁層を形成することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記基材の厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含んで前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１遮光層を形成する工程では、前記凹部を形成する工程で前記非開口領域に設けた前記金属マスクを前記第１遮光層とすることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、画素ごとにスイッチング素子であるトランジスターを備えたアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。液晶装置は受光型であるため、見易い表示を実現するために高いコントラストを得るには画素に入射する光を有効に利用することが求められる。特に、プロジェクターなどの投射型表示装置の光変調手段として用いられる液晶装置は、小型であることから画素サイズが小さくなるため、直視型の液晶装置に比べて高い光の利用効率が求められる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、薄膜トランジスターが設けられた非開口領域の第３層間絶縁膜の屈折率をｎ３とし、第３層間絶縁膜を覆うと共に開口領域を埋める第４層間絶縁膜の屈折率をｎ４とすると、ｎ３＜ｎ４の関係を満たす電気光学装置が開示されている。屈折率が異なる第３層間絶縁膜と第４層間絶縁膜とがなす界面は、開口領域を囲む側壁を成しており、側壁に入射する光は反射して開口領域側に導かれる。すなわち、開口領域の光軸に沿って直進する光だけでなく、光軸に対して斜めに入射した光を拡散させずに該側壁で反射して有効に利用できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−８０９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１の電気光学装置は、非開口領域において第３層間絶縁膜上に第３遮光層を有している。第３遮光層の端部に入射した光は回折して第３層間絶縁膜内に入射するため、開口領域に導くことが困難であった。そのため、開口領域に入射した光の利用効率は、まだ改善の余地があるという課題があった。また、第３遮光層の端部で回折した光が薄膜トランジスターに入射して光リーク電流が生じ、表示品質の低下を招くという課題があった。
【０００６】
そこで、例えば、第３遮光層の端部に入射する光を抑えるため、第３遮光層を覆う第４層間絶縁膜における開口領域に凹部を設け、その凹部を第４層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する絶縁膜で埋めて、その絶縁膜と第４層間絶縁膜とがなす界面で入射した光を反射する構成が考えられる。しかしながら、薄膜トランジスターや遮光層等の構造物を覆う絶縁膜に凹部を形成する場合、凹部を形成する工程における構造物の損傷を避けるため、エッチング等の加工条件が制約される。そのため、形成される凹部の側部と素子基板の基材の面方向とがなす角度がばらついたり、側部の表面の平坦性が低下したりする場合がある。また、構造物を形成した後に凹部を形成するため、凹部と遮光層との位置関係にずれが生じ易くなる。これらの場合、入射した光を界面で反射する効果が発揮できなくなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基材における画素の開口領域に設けられた凹部と、前記基材上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記基材側から順に前記基材の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本適用例の構成によれば、開口領域に設けられた凹部に沿って第１絶縁層が配置され、第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層が第１絶縁層に接して設けられている。そのため、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面に斜めに入射した光は、界面で反射されて開口領域内に導かれるので、開口領域に入射した光を有効に利用できる。また、第１絶縁層は非開口領域に設けられた第２遮光層を覆うので、第２遮光層の端部に向かう光も第１絶縁層と第２絶縁層との界面で反射される。つまり、第２遮光層の端部で光の回折が生じ難いので、回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。さらに、第１遮光層、トランジスター、及び第２遮光層等の構造物を形成する前に基材に凹部を形成できるので、これらの構造物を形成した後に基材に凹部を形成する場合と比べて、より好適な条件で凹部を形成することが可能となる。これにより、凹部の側部の角度がばらついたり表面の平坦性が低下したりすることが抑えられるとともに、凹部と第２遮光層との位置関係のずれも抑えられる。これらの結果、明るく優れた表示品質を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、基材上に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層における画素の開口領域に設けられた凹部と、前記第３絶縁層上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記第３絶縁層側から順に前記第３絶縁層の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
本適用例の構成によれば、開口領域に設けられた凹部に沿って第１絶縁層が配置され、第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層が第１絶縁層に接して設けられている。そのため、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面に斜めに入射した光は、界面で反射されて開口領域内に導かれるので、開口領域に入射した光を有効に利用できる。また、第１絶縁層は非開口領域に設けられた第２遮光層を覆うので、第２遮光層の端部に向かう光も第１絶縁層と第２絶縁層との界面で反射される。つまり、第２遮光層の端部で光の回折が生じ難いので、回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。さらに、第１遮光層、トランジスター、及び第２遮光層等の構造物を形成する前に第３絶縁層に凹部を形成できるので、これらの構造物を形成した後に第３絶縁層に凹部を形成する場合と比べて、より好適な条件で凹部を形成することが可能となる。これにより、凹部の側部の角度がばらついたり表面の平坦性が低下したりすることが抑えられるとともに、凹部と第２遮光層との位置関係のずれも抑えられる。これらの結果、明るく優れた表示品質を有する電気光学装置を提供することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置であって、前記第２絶縁層の底部が前記第１遮光層よりも前記基材側にあることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面の基材側の端は、第１遮光層に対して基材側にある。そのため、基材側から第１遮光層の端部に向かって入射する光は、凹部の側部における第１絶縁層と第２絶縁層との界面で開口領域側へ反射される。これにより、基材側から光が入射する場合に、開口領域に入射した光を有効に利用でき、かつ、第１遮光層の端部で回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることを抑制できる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置であって、前記凹部の側部における前記第１絶縁層の膜厚は、前記凹部の底部における前記第１絶縁層の膜厚以下であることが好ましい。
【００１５】
凹部の側部における第１絶縁層の膜厚が厚すぎると、非開口領域に対して第１絶縁層と第２絶縁層との界面が離れすぎてしまい界面で反射される光が少なくなるので、開口領域に入射した光の利用効率が低下するとともに、第２遮光層の端部での光の回折による影響を受け易くなる。この構成によれば、凹部の側部における第１絶縁層の膜厚を、凹部の底部における膜厚以下とすることで、所望の光利用効率を実現できる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置であって、前記第２絶縁層は、前記厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含むことが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、第２絶縁層は凹部において厚み方向に基材から遠ざかるほど屈折率が小さくなるように変化した層を有していることから、例えば第２絶縁層上に第２絶縁層よりも屈折率が小さい他の絶縁層を積層しても、第２絶縁層の屈折率が小さくなった部分と他の絶縁層との界面における反射が抑制される。つまり、開口領域に入射する光の当該界面における反射を抑制し、入射した光をより有効に利用できる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本適用例の構成によれば、画素の開口領域を透過する光を表示に有効に利用可能であることから、明るく優れた表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基材における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記基材における前記開口領域に凹部を形成する工程と、前記基材上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２１】
本適用例の製造方法によれば、開口領域に形成した凹部に沿って第１絶縁層を形成し、第１絶縁層を覆って第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する。そのため、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面に斜めに入射した光は、界面で反射されて開口領域内に導かれるので、開口領域に入射した光を有効に利用できる。また、第１絶縁層は非開口領域に形成した第２遮光層を覆うので、第２遮光層の端部に向かう光も第１絶縁層と第２絶縁層との界面で反射される。つまり、第２遮光層の端部で光の回折が生じ難いので、回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。さらに、第１遮光層、トランジスター、及び第２遮光層等の構造物を形成する前に基材に凹部を形成するので、これらの構造物を形成した後に基材に凹部を形成する場合と比べて、金属マスクを用いてより好適な条件で凹部を形成することができる。これにより、凹部の側部の角度がばらついたり表面の平坦性が低下したりすることが抑えられるとともに、凹部と第２遮光層との位置関係のずれも抑えられる。これらの結果、明るく優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基材上に第３絶縁層を形成する工程と、前記第３絶縁層における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記第３絶縁層における前記開口領域に凹部を形成する工程と、前記第３絶縁層上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２３】
本適用例の製造方法によれば、開口領域に形成した凹部に沿って第１絶縁層を形成し、第１絶縁層を覆って第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する。そのため、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面に斜めに入射した光は、界面で反射されて開口領域内に導かれるので、開口領域に入射した光を有効に利用できる。また、第１絶縁層は非開口領域に形成した第２遮光層を覆うので、第２遮光層の端部に向かう光も第１絶縁層と第２絶縁層との界面で反射される。つまり、第２遮光層の端部で光の回折が生じ難いので、回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。さらに、第１遮光層、トランジスター、及び第２遮光層等の構造物を形成する前に、基材上に形成した第３絶縁層に凹部を形成するので、これらの構造物を形成した後に第３絶縁層に凹部を形成する場合と比べて、金属マスクを用いてより好適な条件で凹部を形成することができる。これにより、凹部の側部の角度がばらついたり表面の平坦性が低下したりすることが抑えられるとともに、凹部と第２遮光層との位置関係のずれも抑えられる。これらの結果、明るく優れた表示品質を有する電気光学装置を製造することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の底部における膜厚が前記凹部の深さよりも小さくなるように前記第１絶縁層を形成することが好ましい。
【００２５】
この製造方法によれば、凹部の底部における第１絶縁層の膜厚が凹部の深さよりも小さいので、第１絶縁層を覆う第２絶縁層の底部は第１遮光層よりも基材側となる。すなわち、凹部の側部に沿った第１絶縁層と第２絶縁層との界面の基材側の端は、第１遮光層に対して基材側となる。そのため、基材側から第１遮光層の端部に向かって入射する光は、凹部の側部における第１絶縁層と第２絶縁層との界面で開口領域側へ反射される。これにより、基材側から光が入射する場合に、開口領域に入射した光を有効に利用でき、かつ、第１遮光層の端部で回折した光がトランジスターに入射して光リーク電流が生ずることを抑制できる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の側部における膜厚が前記凹部の底部における膜厚以下となるように前記第１絶縁層を形成することが好ましい。
【００２７】
凹部の側部における第１絶縁層の膜厚が厚すぎると、非開口領域に対して第１絶縁層と第２絶縁層との界面が離れすぎてしまい界面で反射される光が少なくなるので、開口領域に入射した光の利用効率が低下するとともに、第２遮光層の端部での光の回折による影響を受け易くなる。この製造方法によれば、凹部の側部における第１絶縁層の膜厚を、凹部の底部における膜厚以下となるように形成することで、所望の光利用効率を実現できる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記第２絶縁層を形成する工程では、前記基材の厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含んで前記第２絶縁層を形成することが好ましい。
【００２９】
この製造方法によれば、第２絶縁層を凹部において厚み方向に基材から遠ざかるほど屈折率が小さくなるように変化した層を含んで形成することから、例えば第２絶縁層上に第２絶縁層よりも屈折率が小さい他の絶縁層を積層しても、第２絶縁層の屈折率が小さくなった部分と他の絶縁層との界面における反射が抑制される。つまり、開口領域に入射する光の当該界面における反射を抑制し、入射した光を有効に利用できる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法であって、前記第１遮光層を形成する工程では、前記凹部を形成する工程で前記非開口領域に設けた前記金属マスクを前記第１遮光層とすることが好ましい。
【００３１】
この製造方法によれば、凹部を形成するための金属マスクを第１遮光層とする、すなわち、第１遮光層を金属マスクとして用いるので、第１遮光層と凹部との位置精度をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の非開口領域における構造を示す概略断面図。
【図５】画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図７】素子基板における第１絶縁層の構造を示す部分断面図。
【図８】第１実施形態の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図９】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２０】第２実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２１】第２実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２２】第２実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２３】第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図２４】第３実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２５】第３実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２６】第３実施形態の第２絶縁層の構成と光の透過率との関係を示すグラフ。
【図２７】第４実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図２８】変形例２の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図２９】変形例２の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【図３０】変形例２の素子基板の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００３４】
本実施形態では、電気光学装置として、スイッチング素子である薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素ごとに備えたアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調手段（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３５】
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＨ−Ｈ’線に沿う液晶装置の構造を示す概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３６】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを備えた液晶パネル１１０を有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００３７】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One Drop Fill）法が挙げられる。
【００３８】
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３９】
シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール部４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで遮光性の見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅ１は表示に寄与する有効な画素Ｐ以外に、有効な画素Ｐを囲む複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００４０】
素子基板１０には、複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。該端子部に沿った第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。
【００４１】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００４２】
以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、対向基板２０側から素子基板１０側に向かう方向に沿って見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００４３】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１６及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１６、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。素子基板１０の詳しい構成については、後述する。
【００４４】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられ共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００４５】
見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。
【００４６】
なお、本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール部４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール部４０と重ならないように配置されている。よって、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール部４０の紫外線硬化性とを考慮して、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。
【００４７】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４８】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４９】
画素電極１６を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯx（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００５０】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００５１】
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。
【００５２】
次に図３を参照して、液晶装置１００（液晶パネル１１０）の電気的な構成について説明する。液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向がＸ方向であり、データ線６が延在する方向がＹ方向である。
【００５３】
走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１６と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量３１とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００５４】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１６はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００５５】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００５６】
データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００５７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１６に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１６を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１６と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は、例えば６０Ｈｚである。
【００５８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１６と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量３１が接続されている。蓄積容量３１は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００５９】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００６０】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３を含んでいる。また、周辺回路は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００６１】
＜画素の構造＞
次に、本実施形態の液晶装置１００（液晶パネル１１０）における画素Ｐの構造について説明する。液晶装置１００（液晶パネル１１０）は、画素Ｐの開口領域と、開口領域を囲む非開口領域とを有する。図４は、液晶装置の非開口領域における構造を示す概略断面図である。
【００６２】
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３が形成される。走査線３は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）などの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。走査線３は、本発明における第１遮光層の一例である。
【００６３】
走査線３を覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、第１ソース・ドレイン領域、接合領域、チャネル領域、接合領域、第２ソース・ドレイン領域を有するＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が形成されている。
【００６４】
半導体層３０ａは、遮光性を有する走査線３の上方に設けられているため、基材１０ｓ側から半導体層３０ａに入射する光は遮光される。これにより、当該入射光によるＴＦＴ３０の光誤動作が防止される。
【００６５】
半導体層３０ａを覆うようにゲート絶縁膜１１ｂが形成される。さらにゲート絶縁膜１１ｂを挟んでチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００６６】
ゲート電極３０ｇとゲート絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第１層間絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置にゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃを貫通する２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２が形成される。
【００６７】
そして、２つのコンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ２を埋めると共に第１層間絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第１ソース・ドレイン領域に繋がるデータ線６が形成される。同時にコンタクトホールＣＮＴ２を介して第２ソース・ドレイン領域に繋がる第１中継電極６ｂが形成される。データ線６及び第１中継電極６ｂは、本発明における第２遮光層の一例である。
【００６８】
次に、データ線６及び第１中継電極６ｂと第１層間絶縁膜１１ｃを覆って第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６９】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ３が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ３を被覆すると共に第２層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａと第２中継電極３１ｄとが形成される。
【００７０】
第１容量電極３１ａのうち、後に形成される誘電体層３１ｃを介して第２容量電極３１ｂと対向する部分の外縁を覆うように絶縁膜１４ａがパターニングされて形成される。また、第２中継電極３１ｄのうちコンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分を除いた外縁を覆うように絶縁膜１４ａがパターニングされて形成される。絶縁膜１４ａは、この後に形成される第２容量電極３１ｂのパターニング時に第１容量電極３１ａがエッチングされることを防ぐために設けられるものである。
【００７１】
次に、絶縁膜１４ａと第１容量電極３１ａを覆って誘電体層３１ｃが成膜される。誘電体層３１ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極３１ｄと重なる部分の誘電体層３１ｃはエッチングされて除かれる。誘電体層３１ｃを覆うように例えばＴｉＮ（窒化チタン）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極３１ａに対向配置され、第２中継電極３１ｄに繋がる第２容量電極３１ｂが形成される。
【００７２】
誘電体層３１ｃと、誘電体層３１ｃを挟んで対向配置された第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとにより蓄積容量３１が構成される。第１容量電極３１ａ及び第２容量電極３１ｂは遮光性の導電膜を用いて形成されていることから、蓄積容量３１は遮光性を有し、走査線３を第１遮光層とし、データ線６を第２遮光層とすると、蓄積容量３１は第３遮光層に相当するものである。
【００７３】
次に、第２容量電極３１ｂと誘電体層３１ｃとを覆う第３層間絶縁膜１４ｂが形成される。第３層間絶縁膜１４ｂも例えばシリコンの酸化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第３層間絶縁膜１４ｂの膜厚に比べて、絶縁膜１４ａや誘電体層３１ｃの膜厚は薄い。また、絶縁膜１４ａ及び誘電体層３１ｃは、必ずしも基材１０ｓの全面に亘って形成する必要はなく、蓄積容量３１の構成に係るようにパターニングしてもよい。したがって、本実施形態では、以降、蓄積容量３１を覆う層間絶縁膜を第３層間絶縁膜１４として扱うこととする。
【００７４】
第２容量電極３１ｂのうち第２中継電極３１ｄと接する部分に至るように第３層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。
【００７５】
このコンタクトホールＣＮＴ４を被覆すると共に第３層間絶縁膜１４を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線８ａと、コンタクトホールＣＮＴ４を介して第２中継電極３１ｄに電気的に接続される第３中継電極８ｂとが形成される。
【００７６】
配線８ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６及び蓄積容量３１と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。配線８ａ及び第３中継電極８ｂもまた遮光性の導電膜を用いて形成されていることから、蓄積容量３１を第３遮光層とすると、配線８ａ及び第３中継電極８ｂは第４遮光層に相当するものである。
【００７７】
配線８ａと第３中継電極８ｂとを覆うように第４層間絶縁膜１５が形成される。第４層間絶縁膜１５も、例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができる。第４層間絶縁膜１５を貫通して第３中継電極８ｂに至るコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。
【００７８】
このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆し、第４層間絶縁膜１５を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホールＣＮＴ５を介して第３中継電極８ｂに電気的に繋がる画素電極１６が形成される。
【００７９】
第３中継電極８ｂは、コンタクトホールＣＮＴ４、第２容量電極３１ｂ、第２中継電極３１ｄ、コンタクトホールＣＮＴ３、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ５を介して画素電極１６と電気的に接続している。
【００８０】
第１容量電極３１ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線７として機能している。第１容量電極３１ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０の第２ソース・ドレイン領域を介して画素電極１６に与えられた電位を第１容量電極３１ａと第２容量電極３１ｂとの間において保持することができる。
【００８１】
画素電極１６を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の対向電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させた柱状体１８ａ，２４ａの集合体からなる。
【００８２】
このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対して柱状体１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical Alignment）する。画素電極１６と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１６と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００８３】
次に、画素Ｐにおける主要な構成の平面的な配置について、図５を参照して説明する。図５は、画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図である。
【００８４】
図５に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面視で略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００８５】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の一部が構成されている。
【００８６】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示したデータ線６や容量線７（第１容量電極３１ａ）が設けられている。データ線６や容量線７（第１容量電極３１ａ）もまた遮光性の導電膜が用いられており、これらによって非開口領域の一部が構成されている。
【００８７】
非開口領域の交差部には、図３及び図４に示したＴＦＴ３０が設けられている。本実施形態では、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、非開口領域の交差部においてＹ方向に延在して配置されている。半導体層３０ａとデータ線６との接続を図るコンタクトホールＣＮＴ１や、半導体層３０ａと第１中継電極６ｂとの接続を図るコンタクトホールＣＮＴ２もまた非開口領域に設けられている。このように遮光性を有する非開口領域の交差部にＴＦＴ３０を設けることにより、開口領域における開口率を確保している。
【００８８】
詳しい素子基板１０の構造については後述するが、交差部にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。なお、非開口領域の交差部において半導体層３０ａはＹ方向に延在して配置されることに限定されず、Ｘ方向に延在して配置されてもよい。したがって、非開口領域の交差部の形状は、ＴＦＴ３０の配置に対応したものであればよく、Ｘ方向とＹ方向とに均等に開口領域側にはみ出していなくてもよい。
【００８９】
画素Ｐごとに画素電極１６が設けられている。画素電極１６は平面視で略正方形であり、画素電極１６の外縁が非開口領域と重なるようにして開口領域に設けられている。なお、図５には図示していないが、図４に示した蓄積容量３１や配線８ａなども非開口領域に配置されている。
【００９０】
本実施形態の液晶装置１００は、透過型であって、対向基板２０側から光が入射することを前提として、素子基板１０には、ＴＦＴ３０に入射する光を遮光すると共に、開口領域に入射した光が素子基板１０において拡散することを防いで光の利用効率を改善する構成が取り入れられている。
【００９１】
なお、図５の開口領域内に破線で示した部分は、前述した第２層間絶縁膜１２の側壁１２ａを示すものである。後述するが、本実施形態の液晶装置１００では、基材１０ｓにおける画素Ｐの開口領域に凹部２６（図６参照）が設けられている。図５に破線で示す側壁１２ａは、第２層間絶縁膜１２のうち凹部２６の側部２６ｂ（図６参照）を覆い、平面視における第２絶縁層１３（図６参照）との界面となる部分である。以降、素子基板１０の構造について詳しく説明する。
【００９２】
図６は、図５のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図である。なお、図５のＡ−Ａ’線は、開口領域を挟んで隣り合う２つの半導体層３０ａの第２ソース・ドレイン領域（ＴＦＴ３０のドレインに相当）を横断する線分である。図６では、液晶層５０に接する配向膜１８，２４や対向基板２０の平坦化層２２の図示を省略している。図７は、素子基板における第１絶縁層の構造を示す部分断面図である。
【００９３】
図６に示すように、画素電極１６を有する素子基板１０と対向電極２３を有する対向基板２０とは液晶層５０を介して対向配置されている。前述したように画素電極１６は外縁が非開口領域に重なるようにして開口領域に配置されている。
【００９４】
素子基板１０の基材１０ｓには、画素Ｐの開口領域に凹部２６が設けられている。換言すれば、凹部２６が設けられた領域が開口領域であり、隣り合う凹部２６同士の間が非開口領域である。凹部２６は、基材１０ｓの面方向に沿った底部２６ａと、基材１０ｓの厚み方向に沿った側部２６ｂとを有する。凹部２６の深さは、例えば、０．５μｍ〜２μｍ程度である。凹部２６の平面視における形状は、略四角形（略正方形）である。
【００９５】
基材１０ｓ上には、基材１０ｓ側から順に、第１遮光層としての走査線３、下地絶縁膜１１ａ、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａ、ゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃ、第２遮光層としてのデータ線６、第２層間絶縁膜１２、蓄積容量３１、第３層間絶縁膜１４、シールド層として機能する配線８ａ、第４層間絶縁膜１５、画素電極１６、が積層されている。なお、Ａ−Ａ’線に沿った位置ではないが、ゲート絶縁膜１１ｂを介して半導体層３０ａのチャネル領域に対向するようにゲート電極３０ｇ（図６では破線で示す）が配置されている。ＴＦＴ３０はゲート電極３０ｇを含むものである。
【００９６】
非開口領域には、遮光層として機能する、走査線３、データ線６、蓄積容量３１、配線８ａが配置されている。基材１０ｓ上において、走査線３とデータ線６とは基材１０ｓ側から順に基材１０ｓの厚み方向に間隔を置いて配置され、ＴＦＴ３０は走査線３とデータ線６との間に配置されている。蓄積容量３１を覆う第３層間絶縁膜１４と、配線８ａを覆う第４層間絶縁膜１５とは、非開口領域と開口領域とに亘って形成されている。
【００９７】
また、下地絶縁膜１１ａとゲート絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜１１ｃと第２層間絶縁膜１２とは、基材１０ｓ側からこの順に積層され、非開口領域と開口領域とに亘って形成されている。下地絶縁膜１１ａとゲート絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜１１ｃと第２層間絶縁膜１２とは、本発明における第１絶縁層の一例である。本実施形態では、これらの絶縁膜（第１絶縁層）は、いずれもシリコンの酸化物（ＳｉＯx）を用いて形成されており、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などの形成方法にもよるが、その屈折率ｎ１は、およそ１．４５〜１．４６である。
【００９８】
以下では、積層された下地絶縁膜１１ａとゲート絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜１１ｃと第２層間絶縁膜１２とを、第１絶縁層１７と表記する。第２遮光層としてのデータ線６を覆う第２層間絶縁膜１２の表面が、第１絶縁層１７の表面となる。第１絶縁層１７は、開口領域において、凹部２６に沿って形成されている。したがって、開口領域において、第１絶縁層１７（第２層間絶縁膜１２）の表面には、凹部２６の形状が反映された凹部１２ｂが形成されている。凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における第１絶縁層１７（第２層間絶縁膜１２）の表面を側壁１２ａと呼ぶ。側壁１２ａと基材１０ｓの面方向とがなす角度はおおよそ９０±１０度である。
【００９９】
凹部１２ｂを埋めるように第２絶縁層１３が設けられている。換言すれば、第２絶縁層１３は、開口領域に第１絶縁層１７に接して設けられている。第１絶縁層１７の側壁１２ａは、凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における第２絶縁層１３との界面である。凹部１２ｂの底部（凹部２６の底部２６ａ）において、第２絶縁層１３が第１絶縁層１７と接する部分を第２絶縁層１３の底部と呼ぶ。
【０１００】
本実施形態における第２絶縁層１３は、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を用いて形成されている。第２絶縁層１３の形成方法にもよるが、側壁１２ａに接する第２絶縁層１３の屈折率をｎ２とすると、例えばｎ２は１．６５〜１．８５である。
【０１０１】
本実施形態の液晶装置１００は、後述する投射型表示装置の光変調手段として用いられるものであって、本実施形態では、投射型表示装置の光源から発した光は、対向基板２０側から入射し、素子基板１０の画素電極１６が配置された開口領域を通過して、素子基板１０側から射出される。
【０１０２】
図６に示すように、光軸に沿って画素電極１６の法線方向から入射する光Ｌ0は、開口領域における、第４層間絶縁膜１５、第３層間絶縁膜１４、第２絶縁層１３、第１絶縁層１７、基材１０ｓを透過して射出される。光軸に対して斜め方向から画素電極１６を透過して、素子基板１０の開口領域に入射した光Ｌ1は、第１絶縁層１７の側壁１２ａに到達すると、側壁１２ａで反射して開口領域側に導かれる。
【０１０３】
これは、屈折率がｎ１＜ｎ２の条件を満たし、光Ｌ1が屈折率ｎ２の第２絶縁層１３から屈折率ｎ２よりも小さい屈折率ｎ１の第１絶縁層１７に入射することで、スネルの法則に従って、第２絶縁層１３との界面である側壁１２ａで反射することによるものである。光Ｌ1の側壁１２ａの法線となす入射角が臨界角θｃよりも大きければ、光Ｌ1は側壁１２ａによって全反射される。なお、スネルの法則により、ｎ１＜ｎ２であって、臨界角θｃは、θｃ＝ａｒｃｓｉｎ（ｎ１／ｎ２）で表される。
【０１０４】
また、例えば、光軸に対して斜め方向から画素電極１６を透過して、素子基板１０の開口領域に入射した光Ｌ1が、ＴＦＴ３０の直上に配置される第２遮光層としてのデータ線６の端部に向かって入射したとしても、側壁１２ａで反射されるため、データ線６の端部において光の回折が生じ難い。したがって、データ線６の端部で回折した光がＴＦＴ３０の半導体層３０ａに入射して光リーク電流が生ずることが抑制される。
【０１０５】
さらに、図６には図示していないが、投射型表示装置の光源から発した光が素子基板１０側から入射する場合も、ＴＦＴ３０の直下に配置される走査線３によって遮光されるので、光がＴＦＴ３０の半導体層３０ａに入射して光リーク電流が生ずることが抑制される。
【０１０６】
図７に示すように、凹部１２ｂの底部（凹部２６の底部２６ａ）における第１絶縁層１７の膜厚をＴ１とし、凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における第１絶縁層１７の膜厚をＴ２とする。本実施形態では、凹部１２ｂの側部における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ２は、凹部１２ｂの底部における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ１以下であることが好ましい。
【０１０７】
第１絶縁層１７の膜厚Ｔ２が厚すぎると、非開口領域に対して第１絶縁層１７の側壁１２ａが離れすぎてしまい、第１絶縁層１７と第２絶縁層１３との界面で反射される光が少なくなる。そのため、開口領域に入射した光の利用効率が低下するとともに、データ線６の端部での光の回折による影響を受け易くなる。
【０１０８】
データ線６の端部で回折する光を抑制する観点から、データ線６を覆う第１絶縁層１７の側壁１２ａの位置は、非開口領域から少なくとも０．１μｍ以上離れていることが好ましい。また、スネルの法則を利用して、第１絶縁層１７の側壁１２ａに入射する光を効率的に反射させ、且つ開口領域を透過する光を増やす観点から、第１絶縁層１７の側壁１２ａの位置は、非開口領域から０．１μｍ以上１．０μｍ以内にあることが好ましく、０．２μｍ以上０．５μｍ内にあることがより好ましい。すなわち、凹部１２ｂの側部における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ２は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下であることがより好ましい。
【０１０９】
一方、凹部１２ｂの底部における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ１は、光の利用効率に対してあまり影響しない。しかしながら、第１絶縁層１７の膜厚Ｔ１は、凹部２６の深さよりも小さく、凹部１２ｂの底部における第１絶縁層１７の表面が走査線３よりも基材１０ｓ側（下方側）となるように設定されることが好ましい。すなわち、凹部１２ｂの底部において第１絶縁層１７と接する第２絶縁層１３の底部が走査線３よりも下方側にあることが好ましい。
【０１１０】
第２絶縁層１３の底部が走査線３よりも下方側にあると、第２絶縁層１３との界面である第１絶縁層１７の側壁１２ａの端が走査線３よりも下方側まで延在することとなる。そのため、素子基板１０（基材１０ｓ）側からＴＦＴ３０の直下に配置される第１遮光層としての走査線３の端部に向かって光が入射したとしても、側壁１２ａで反射される。したがって、走査線３の端部において光の回折が生じ難いので、走査線３の端部で回折した光がＴＦＴ３０の半導体層３０ａに入射して光リーク電流が生ずることが抑制される。
【０１１１】
なお、後述する素子基板の製造方法によれば、容易に凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における膜厚Ｔ２が凹部１２ｂの底部（凹部２６の底部２６ａ）における膜厚Ｔ１以下となるように、第１絶縁層１７を形成できる。
【０１１２】
＜液晶装置の製造方法＞
本実施形態の液晶装置における発明の特徴部分は、上述したように、素子基板１０の構造に係る。したがって、第１実施形態の液晶装置の製造方法として素子基板１０の製造方法を図８〜図１８を参照して説明する。図８は、第１実施形態の素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図９〜図１８は、第１実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図である。詳しくは、図９〜図１８は、図６に示した素子基板の構造を示す概略断面図に対応した図である。
【０１１３】
図８に示すように、第１実施形態の素子基板１０の製造方法は、凹部形成工程（ステップＳ０１）、走査線形成工程（ステップＳ０２）、下地絶縁膜形成工程（ステップＳ０３）、トランジスター形成工程（ステップＳ０４）、第１層間絶縁膜形成工程（ステップＳ０５）、データ線形成工程（ステップＳ０６）、第２層間絶縁膜形成工程（ステップＳ０７）、第２絶縁層形成工程（ステップＳ０８）を備えている。
【０１１４】
また、第２絶縁層平坦化工程（ステップＳ０９）、蓄積容量形成工程（ステップＳ１０）、第３層間絶縁膜形成工程（ステップＳ１１）、シールド層形成工程（ステップＳ１２）、第４層間絶縁膜形成工程（ステップＳ１３）、画素電極形成工程（ステップＳ１４）、配向膜形成工程（ステップＳ１５）を備えている。
【０１１５】
ステップＳ０１の凹部形成工程では、図９に示すように、基材１０ｓ上の非開口領域となる領域に、フォトリソグラフィ法を用いて金属マスク６０を形成する。金属マスク６０としては、例えば、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）などの金属材料からなるハードマスクが好適に用いられる。金属マスク６０の材料は、Ｗ（タングステン）、Ｃｒ（クロム）、Ｓｉ（シリコン）などであってもよい。
【０１１６】
そして、異方性エッチングである、例えばドライエッチングにより、金属マスク６０を介して開口領域における基材１０ｓの厚み方向の一部を除去する。これにより、図１０に示すように、画素Ｐごとに対応して基材１０ｓの開口領域に、底部２６ａと側部２６ｂとを有する凹部２６を形成する。図１０には、凹部２６を形成した後、金属マスク６０を除去した状態を示している。
【０１１７】
なお、ステップＳ０１の凹部形成工程において、形成される凹部２６の側部２６ｂと基材１０ｓの面方向とがなす角度がばらつくと、後の工程で形成される第１絶縁層１７（下地絶縁膜１１ａ、ゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃ、第２層間絶縁膜１２）の側壁１２ａと基材１０ｓの面方向とがなす角度もばらついてしまう。そうすると、斜めに入射した光Ｌ1を第２絶縁層１３との界面である側壁１２ａで反射する効果が発揮できなくなるおそれがある。また、形成される凹部２６の側部２６ｂの平坦性が低下すると、後の工程で形成される第１絶縁層１７の側壁１２ａの平坦性も低下してしまい、斜めに入射した光Ｌ1が側壁１２ａで乱反射して、明るさやコントラストが低下したり迷光が生じたりするおそれがある。
【０１１８】
本実施形態では、金属マスク６０を用いて異方性エッチングを行うため、レジストマスクを用いる場合と比べて、側壁１２ａと基材１０ｓの面方向とがなす角度の制御が容易である。また、レジストマスクを用いる場合と比べて、側壁１２ａと基材１０ｓの面方向とがなす角度のばらつきを抑え、側壁１２ａの平坦性を向上することも可能となる。
【０１１９】
続くステップＳ０２からステップＳ０６の工程には公知の方法を用いることができることから、詳細な説明を省略する。ステップＳ０２の走査線形成工程では、図１１に示すように、基材１０ｓ上の非開口領域に、第１遮光層としての走査線３を形成する。そして、ステップＳ０３の下地絶縁膜形成工程では、図１２に示すように、走査線３を覆い開口領域と非開口領域とに亘って下地絶縁膜１１ａを形成する。
【０１２０】
続くステップＳ０４のトランジスター形成工程では、図１３に示すように、下地絶縁膜１１ａ上の非開口領域にＴＦＴ３０の半導体層３０ａを形成した後、半導体層３０ａを覆い開口領域と非開口領域とに亘ってゲート絶縁膜１１ｂを形成する。ゲート絶縁膜１１ｂは、ＴＦＴ３０の電気特性に影響するため膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度となるように制御される。そして、ゲート絶縁膜１１ｂ上の非開口領域にゲート電極３０ｇを形成する。
【０１２１】
続くステップＳ０５の第１層間絶縁膜形成工程では、図１４に示すように、ゲート電極３０ｇを覆い開口領域と非開口領域とに亘って第１層間絶縁膜１１ｃを形成する。第１層間絶縁膜１１ｃは、ＴＦＴ３０を覆うことでその表面に凹凸が生ずることから、成膜後に例えばＣＭＰ処理などの平坦化処理を施すことが好ましい。
【０１２２】
続くステップＳ０６のデータ線形成工程では、図１５に示すように、第１層間絶縁膜１１ｃ上の非開口領域に第２遮光層としてのデータ線６を形成する。ステップＳ０６では、第１中継電極６ｂもデータ線６と同層に形成される。そして、ステップＳ０７の第２層間絶縁膜形成工程で、データ線６及び第１中継電極６ｂを覆い開口領域と非開口領域とに亘って第２層間絶縁膜１２を形成する。図１５に示すように、開口領域と非開口領域とに亘って形成された下地絶縁膜１１ａとゲート絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜１１ｃと第２層間絶縁膜１２とにより、第１絶縁層１７が構成される。
【０１２３】
第１絶縁層１７を構成する各絶縁膜のうち、上述のゲート絶縁膜１１ｂ以外の絶縁膜の膜厚は、被覆対象物の膜厚によって適宜設定される。ゲート絶縁膜１１ｂに比べて、下地絶縁膜１１ａ、第１層間絶縁膜１１ｃ、第２層間絶縁膜１２の膜厚は数百ｎｍ〜１μｍ程度に制御される。これらの絶縁膜を形成する方法としては、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。プラズマＣＶＤ法によれば基材１０ｓを例えば３００℃〜３５０℃に加熱した状態でプラズマ化した原料ガスに暴露して反応させることで、絶縁膜として屈折率が１．４５〜１．４６の酸化シリコン膜（ＳｉＯ2膜）を形成することができる。
【０１２４】
第１絶縁層１７を構成する各絶縁膜は、開口領域と非開口領域とに亘って形成され、開口領域においては凹部２６の形状に沿って形成される。そのため、開口領域において、第１絶縁層１７（第２層間絶縁膜１２）の表面には、凹部２６の形状が反映された凹部１２ｂが形成される。第１絶縁層１７（第２層間絶縁膜１２）の表面のうち、凹部１２ｂにおいて凹部２６の側部２６ｂを覆う部分が側壁１２ａとなる。
【０１２５】
なお、上述したように、凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ２は、凹部１２ｂの底部（凹部２６の底部２６ａ）における第１絶縁層１７の膜厚Ｔ１以下であることが好ましい（図７参照）。本実施形態のように、第１絶縁層１７を構成する各絶縁膜を上述の方法で形成すると、容易に凹部１２ｂの側部（凹部２６の側部２６ｂ）における膜厚Ｔ２を凹部１２ｂの底部（凹部２６の底部２６ａ）における膜厚Ｔ１以下とすることができる。
【０１２６】
また、上述したように、凹部１２ｂの底部における第１絶縁層１７の表面が走査線３よりも基材１０ｓ側（下方側）となることが好ましい。本実施形態では、ステップＳ０１で形成する凹部２６の深さと、ステップＳ０３からステップＳ０７で形成する各絶縁膜の膜厚とを適宜設定することにより、容易に第１絶縁層１７の膜厚Ｔ１を凹部２６の深さよりも小さくして、凹部１２ｂの底部において第１絶縁層１７と接する第２絶縁層１３の底部が走査線３よりも下方側となるようにすることができる。
【０１２７】
ここで、本実施形態とは異なり、基材１０ｓ上に走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物とこれらの構造物を覆う第１絶縁層１７とを形成した後で、第１絶縁層１７に凹部２６を形成して側壁１２ａを構成する方法も考えられる。しかしながら、走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物を形成した後でこれらを覆う第１絶縁層１７に凹部２６を形成する場合は、凹部２６を形成する際のエッチング等の条件が制約される。
【０１２８】
例えば、走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物を形成した後で金属マスク６０を用いて異方性エッチングを行うと、エッチング後に金属マスク６０を除去する際に、構造物が損傷を受けるおそれがある。金属マスク６０の代わりにレジストマスクを用いる場合、第１絶縁層１７の側壁１２ａと基材１０ｓの面方向とがなす角度が制御しにくくなるとともに角度にばらつきが生じ易くなり、側壁１２ａの平坦性も低下する。また、走査線３、ＴＦＴ３０、データ線６等の構造物を形成した後に凹部２６を形成すると、凹部２６と構造物との位置関係にずれが生じ易くなる。そうすると、斜めに入射した光を界面で反射する効果が発揮できなくなるおそれがある。
【０１２９】
本実施形態では、走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物を形成する前に基材１０ｓに凹部２６を形成するので、エッチング等の条件の制約が少なくなり、金属マスク６０を用いてより好適な条件で凹部２６を形成することができる。また、凹部２６を形成した基材１０ｓに走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物を形成していくので、凹部２６と構造物との位置関係のずれを小さくできる。
【０１３０】
さらに、構造物と第１絶縁層１７とを形成した後で凹部２６を形成する場合は、第１絶縁層１７のエッチング量によって膜厚Ｔ１，Ｔ２が決まるため、所望の膜厚Ｔ１，Ｔ２に対してばらつきが生じ易い。本実施形態では、第１絶縁層１７を構成する各絶縁膜を成膜する際の膜厚によって膜厚Ｔ１，Ｔ２が決まるため、より容易に所望の膜厚Ｔ１，Ｔ２を得ることができる。
【０１３１】
次に、ステップＳ０８の第２絶縁層形成工程では、図１６に示すように、凹部１２ｂを埋めるように、開口領域と非開口領域とに亘って、第２絶縁層１３を形成する。第２絶縁層１３の形成方法としては、モノシラン（ＳｉＨ4）ガスと、アンモニア（ＮＨ3）ガスと、酸素（Ｏ2）ガスとを原料ガスに用いたプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。これにより、第２絶縁層１３として、屈折率が１．６５〜１．８５のシリコンの酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を形成することができる。
【０１３２】
続くステップＳ０９の第２絶縁層平坦化工程では、成膜された第２絶縁層１３を平坦化する。具体的には、図１７に示すように、例えばＣＭＰ処理やエッチングを組み合わせて処理することにより、非開口領域において第１絶縁層１７が露出するまで第２絶縁層１３を平坦化する。これにより、非開口領域に第１絶縁層１７が露出すると共に、開口領域において、凹部１２ｂを埋める第２絶縁層１３が形成される。
【０１３３】
以降のステップＳ１０〜ステップＳ１５は、それぞれ公知の方法を用いることができる。具体的には、図１８に示すように、ステップＳ１０では非開口領域に蓄積容量３１を形成し、ステップＳ１１では蓄積容量３１を覆う第３層間絶縁膜１４を形成し、ステップＳ１２では第３層間絶縁膜１４上において非開口領域にシールド層として機能する配線８ａを形成する。
【０１３４】
ステップＳ１３では配線８ａを覆う第４層間絶縁膜１５を形成し、ステップＳ１４では第４層間絶縁膜１５上に画素ごとに画素電極１６を形成する。さらに、ステップＳ１５では画素電極１６を覆う配向膜１８を形成する。なお、図１８には配向膜１８の図示を省略しているが、本実施形態では、酸化シリコンを斜め蒸着することにより柱状体１８ａの集合体である配向膜１８を形成する（図４参照）。以上により、素子基板１０が完成する。
【０１３５】
第１実施形態の液晶パネル１１０の素子基板１０の構成及び製造方法によれば、以下の効果が得られる。
（１）開口領域に形成した凹部２６に沿って第１絶縁層１７を形成し、第１絶縁層１７を覆って第１絶縁層１７の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層１３を形成する。そのため、凹部２６の側部２６ｂに沿った第２絶縁層１３との界面である第１絶縁層１７の側壁１２ａに斜めに入射した光は、側壁１２ａで反射されて開口領域内に導かれるので、開口領域に入射した光を有効に利用できる。また、第１絶縁層１７は非開口領域に形成した第２遮光層としてのデータ線６を覆うので、データ線６の端部に向かう光も第１絶縁層１７の側壁１２ａで反射される。つまり、データ線６の端部で光の回折が生じ難いので、回折した光がＴＦＴ３０に入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。さらに、第１遮光層としての走査線３、ＴＦＴ３０、及びデータ線６等の構造物を形成する前に基材１０ｓに凹部２６を形成するので、これらの構造物を形成した後に基材１０ｓに凹部２６を形成する場合と比べて、金属マスク６０を用いてより好適な条件で凹部２６を形成することができる。これにより、凹部２６の側部２６ｂの角度がばらついたり表面の平坦性が低下したりすることが抑えられるとともに、凹部２６とデータ線６との位置関係のずれも抑えられる。これらの結果、明るく優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供あるいは製造することができる。
【０１３６】
（２）凹部２６の側部２６ｂに沿った側壁１２ａがＴＦＴ３０よりも基材１０ｓ側に形成した走査線３に対して基材１０ｓ側となる。そのため、基材１０ｓ側から走査線３の端部に向かって入射する光は、第１絶縁層１７の側壁１２ａで開口領域側へ反射される。これにより、基材１０ｓ側から光が入射する場合に、開口領域に入射した光を有効に利用でき、かつ、走査線３の端部で回折した光がＴＦＴ３０に入射して光リーク電流が生ずることを抑制できる。
【０１３７】
（３）凹部２６の側部２６ｂにおける第１絶縁層１７の膜厚を、凹部２６の底部２６ａにおける膜厚以下となるように形成することで、第１絶縁層１７の側壁１２ａに入射する光を効率的に反射させて、開口領域に入射した光の利用効率の向上と、データ線６の端部で回折した光がＴＦＴ３０に入射して生ずる光リーク電流の抑制とを図ることができる。
【０１３８】
（第２実施形態）
＜電気光学装置＞
次に、第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１９を参照して説明する。図１９は、第２実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。詳しくは、図１９は、図５のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図に相当する。第２実施形態の液晶装置である液晶パネル１１０Ａは、第１実施形態の液晶パネル１１０に対して、素子基板１０Ａの構成が異なる。ここでは、第２実施形態の素子基板１０Ａの構成及びその製造方法について、第１実施形態との相違点を説明し、第１実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１３９】
図１９に示すように、第２実施形態の素子基板１０Ａは、第１実施形態の素子基板１０に対して、平坦な基材１０ｓ上に第３絶縁層としての絶縁層１９が配置されており、絶縁層１９に凹部２６が設けられている点が異なる。絶縁層１９は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ2膜）で構成される。絶縁層１９には、画素Ｐの開口領域に凹部２６が設けられている。
【０１４０】
なお、図１９では凹部２６の深さが絶縁層１９の厚さよりも浅く（小さく）示されているが、凹部２６の深さは、絶縁層１９の厚さと同じであってもよいし、絶縁層１９の厚さよりも大きくてもよい。すなわち、凹部２６が絶縁層１９を貫通して基材１０ｓの表面が底部２６ａとなっていてもよいし、凹部２６が絶縁層１９を貫通して基材１０ｓに到達し底部２６ａが基材１０ｓに設けられていてもよい。
【０１４１】
絶縁層１９上には、絶縁層１９側から順に、第１遮光層としての走査線３、下地絶縁膜１１ａ、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａ、ゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃ、第２遮光層としてのデータ線６、第２層間絶縁膜１２、蓄積容量３１、第３層間絶縁膜１４、配線８ａ、第４層間絶縁膜１５、画素電極１６、が積層されている。第１実施形態の素子基板１０と同様に、下地絶縁膜１１ａとゲート絶縁膜１１ｂと第１層間絶縁膜１１ｃと第２層間絶縁膜１２とで第１絶縁層１７が構成され、第１絶縁層１７の凹部１２ｂを埋めるように第２絶縁層１３が設けられる。
【０１４２】
＜液晶装置の製造方法＞
第２実施形態の液晶装置の製造方法として、素子基板１０Ａの製造方法を図２０〜図２２を参照して説明する。図２０〜図２２は、第２実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図である。第２実施形態の素子基板１０Ａの製造方法では、図８に示す凹部形成工程（ステップＳ０１）において、基材１０ｓ上に第３絶縁層としての絶縁層１９を形成し、絶縁層１９に凹部２６を形成する点が第１実施形態と異なる。
【０１４３】
ステップＳ０１では、まず、図２０に示すように、基材１０ｓ上に第３絶縁層としての絶縁層１９を形成する。絶縁層１９を形成する方法は、第１絶縁層１７を構成する各絶縁膜を形成する方法を適用できる。続いて、図２１に示すように、絶縁層１９上の非開口領域となる領域に金属マスク６０を形成し、異方性エッチングにより、金属マスク６０を介して開口領域における絶縁層１９の厚み方向の一部を除去する。これにより、図２２に示すように、画素Ｐごとに対応して絶縁層１９の開口領域に、底部２６ａと側部２６ｂとを有する凹部２６を形成する。
【０１４４】
以降のステップＳ０２からステップＳ１５までの工程は、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【０１４５】
第２実施形態の液晶パネル１１０Ａの素子基板１０Ａの構成及び製造方法によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、第３絶縁層としての絶縁層１９は、例えば、基材１０ｓ上にマイクロレンズ等の光学素子を設ける構成等において、光学素子上に形成される保護層や光路長調整層等であってもよい。
【０１４６】
（第３実施形態）
＜電気光学装置＞
次に、第３実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図２３を参照して説明する。図２３は、第３実施形態の液晶装置の構造を示す概略断面図である。詳しくは、図２３は、図５のＡ−Ａ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図に相当する。第３実施形態の液晶装置である液晶パネル１１０Ｂは、第１実施形態の液晶パネル１１０に対して、素子基板１０Ｂの構成が異なる。ここでは、第３実施形態の素子基板１０Ｂの構成及びその製造方法について、第１実施形態との相違点を説明し、第１実施形態と同じ構成要素については同一の符号を付してその説明を省略する。
【０１４７】
図２３に示すように、第３実施形態の素子基板１０Ｂは、第１実施形態の素子基板１０に対して、第２絶縁層１３Ｂが第１絶縁層１７の側壁１２ａを含む凹部１２ｂに接する第１層１３ａと、第１層１３ａに対して順に積層された第２層１３ｂ及び第３層１３ｃで構成されている点が異なる。
【０１４８】
本実施形態における第２絶縁層１３Ｂは、第１実施形態と同様に、例えばシリコンの酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を用いて形成されている。第２絶縁層１３Ｂの形成方法にもよるが、側壁１２ａに接する第１層１３ａの屈折率をｎ２とすると、例えばｎ２は１．６５〜１．８５である。第１層１３ａに接する第２層１３ｂの屈折率をｎ３とすると、例えばｎ３は、１．５５〜１．７０である。第２層１３ｂに接する第３層１３ｃの屈折率をｎ４とすると、例えばｎ４は１．５０〜１．５５である。
【０１４９】
第３層１３ｃの屈折率ｎ４は、側壁１２ａを成す第１絶縁層１７の屈折率ｎ１に近い値である。すなわち、第２絶縁層１３Ｂは、厚み方向に基材１０ｓから遠ざかるほど、屈折率がｎ２から小さくなるように変化した部分を有している。この屈折率がｎ２から小さくなるように変化した部分は、本実施形態では屈折率が段階的に変化する３つの層、つまり第１層１３ａ、第２層１３ｂ、第３層１３ｃが積層された部分となっている。屈折率がｎ１の第３層間絶縁膜１４は、開口領域において、第２絶縁層１３Ｂの第１層１３ａ（屈折率ｎ２）、第２層１３ｂ（屈折率ｎ３）、第３層１３ｃ（屈折率ｎ４）と接している。
【０１５０】
なお、第２絶縁層１３Ｂを構成する層の積層数は３つに限定されるものではなく、第２絶縁層１３Ｂは、屈折率が異なる少なくとも２つ以上の層からなる構成であればよい。あるいは、第２絶縁層１３Ｂは、厚み方向に基材１０ｓから遠ざかるにつれて屈折率がｎ２から連続的に小さくなる構成であってもよい。
【０１５１】
第３実施形態の素子基板１０Ｂにおいても第１実施形態と同様に、光軸に沿って入射する光Ｌ0（図６参照）は、開口領域における第４層間絶縁膜１５、第３層間絶縁膜１４、第２絶縁層１３Ｂ、基材１０ｓを透過して射出される。また、光軸に対して斜め方向から入射する光Ｌ1（図６参照）は、第１絶縁層１７の側壁１２ａで反射して開口領域側に導かれる。
【０１５２】
したがって、第３実施形態の素子基板１０Ｂにおいても、第１実施形態と同様に、開口領域に入射した光を有効に利用でき、データ線６の端部で回折した光がＴＦＴ３０に入射して光リーク電流が生ずることも抑制できる。なお、データ線６の端部で回折する光を抑制する観点から、第１絶縁層１７の側壁１２ａに接する部分の屈折率がｎ２の第１層１３ａの厚みは１μｍ以上であることが好ましい。
【０１５３】
一方、図２３に示すように、例えば、第３層間絶縁膜１４を透過して第２絶縁層１３Ｂの第１層１３ａや第２層１３ｂに入射した光Ｌ2は、屈折率の違いから、第３層間絶縁膜１４と第２絶縁層１３Ｂとの界面で光Ｌ2の一部が破線で示すように反射し、残りが透過する。また、例えば、第３層間絶縁膜１４を透過して第２絶縁層１３Ｂの第３層１３ｃに入射した光Ｌ2は、屈折率の差が小さいことから、第３層間絶縁膜１４と第３層１３ｃとの界面での反射が抑制されて第３層１３ｃを透過する。
【０１５４】
言い換えれば、第３層間絶縁膜１４との界面において第２絶縁層１３Ｂは屈折率がｎ２から小さくなるように変化していることから、当該界面に接する第２絶縁層１３Ｂの屈折率がｎ２である場合に比べて、当該界面での反射が抑えられる。すなわち、素子基板１０Ｂの開口領域に入射した光は、開口領域を透過する際に拡散し難く、効率よく基材１０ｓから射出される。当該界面での反射を抑える観点では、第３層間絶縁膜１４の屈折率と第２絶縁層１３Ｂにおける第３層１３ｃの屈折率とが同じであることがより好ましい。
【０１５５】
＜液晶装置の製造方法＞
第３実施形態の液晶装置の製造方法として、素子基板１０Ｂの製造方法を図２４及び図２５を参照して説明する。図２４及び図２５は、第３実施形態の素子基板の製造方法を示す概略断面図である。第３実施形態の素子基板１０Ｂの製造方法では、図８に示す第２絶縁層形成工程（ステップＳ０８）において、屈折率が異なる層を積層して第２絶縁層１３Ｂを形成する点が第１実施形態と異なる。第１実施形態と同様の工程については、その説明を省略する。
【０１５６】
ステップＳ０８では、図２４に示すように、凹部１２ｂを埋めるように、開口領域と非開口領域とに亘って、屈折率が異なる第１層１３ａ、第２層１３ｂ、第３層１３ｃを順に成膜して積層することにより第２絶縁層１３Ｂを形成する。このような第２絶縁層１３Ｂの形成方法としては、モノシラン（ＳｉＨ4）ガスと、アンモニア（ＮＨ3）ガスと、酸素（Ｏ2）ガスとを原料ガスに用いたプラズマＣＶＤ法を挙げることができる。
【０１５７】
原料ガスの流量に占めるアンモニア（ＮＨ3）ガスの流量を変えることにより、成膜後に得られる酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）膜の屈折率を変えることができる。アンモニア（ＮＨ3）ガスの流量を増やすと、得られる酸窒化シリコン膜の屈折率は窒化シリコン膜の屈折率（およそ１．９）に近づき、屈折率が１．８５程度となる。アンモニア（ＮＨ3）ガスの流量を「０；ゼロ」とすれば、屈折率はＳｉＯxの屈折率の値となる。
【０１５８】
したがって、始めに原料ガスの流量に占めるアンモニア（ＮＨ3）ガスの流量を増やして、まず屈折率がｎ２の第１層１３ａを成膜する。その後、アンモニアガスの流量を減らして、屈折率が第１層１３ａよりも小さい第２層１３ｂを形成する。さらに、アンモニアガスの流量を減らして、屈折率が第２層１３ｂよりも小さくなるように第３層１３ｃを形成する。
【０１５９】
各層の膜厚は、成膜時間で制御する。このような第２絶縁層１３Ｂの総膜厚は、被覆対象の第１絶縁層１７の膜厚にもよるが、おおよそ１μｍ〜３μｍである。なお、アンモニア（ＮＨ3）ガスの流量を時間と共に変化させることで、屈折率がｎ２から連続的に変化した第２絶縁層１３Ｂを形成することも可能である。ただし、成膜条件の制御が難しくなったり、途中で成膜を止めるなどといった弾力的な対応ができ難くなったりすることから、本実施形態のように、第２絶縁層１３Ｂを屈折率が異なる複数層からなるように形成することが、生産性の観点から好ましい。
【０１６０】
続くステップＳ０９の第２絶縁層平坦化工程では、図２５に示すように、成膜された第２絶縁層１３Ｂを平坦化することにより、非開口領域に第１絶縁層１７が露出すると共に、開口領域において屈折率が異なる第１層１３ａ、第２層１３ｂ、第３層１３ｃで構成された第２絶縁層１３Ｂが凹部１２ｂを埋めて形成される。
【０１６１】
＜光の利用効率の改善効果＞
次に、第３実施形態の第２絶縁層１３Ｂの構成と開口領域に入射した光の利用効率の改善効果との関係について図２６を参照して説明する。図２６は、第３実施形態の第２絶縁層の構成と光の透過率との関係を示すグラフである。
【０１６２】
図２６に示した第２絶縁層１３Ｂの構成と光の透過率との関係を示すグラフは、基材１０ｓとして屈折率が１．４６の石英基板を用い、第２絶縁層１３Ｂに積層される第３層間絶縁膜１４として屈折率が同じく１．４６の酸化シリコン膜を用い、第２絶縁層１３Ｂの構成を異ならせた場合の透過率を光学的なシミュレーションによって求めたものである。第２絶縁層１３Ｂの総膜厚はいずれの場合も３０００ｎｍであり、透過率は可視光波長範囲（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の平均値である。
【０１６３】
具体的には、まず、第１実施形態と同様に第２絶縁層１３が単層（１層）の場合の透過率を算出した。屈折率ｎは、１．６５、１．７０、１．７５の３種である。第２絶縁層１３に積層される第３層間絶縁膜１４との屈折率差は、第２絶縁層１３の屈折率ｎが１．６５のとき０．１９であり、第２絶縁層１３の屈折率ｎが１．７０のとき０．２４であり、第２絶縁層１３の屈折率ｎが１．７５のとき０．２９である。これによれば、第２絶縁層１３の屈折率が小さいほど透過率は向上し、ｎ＝１．６５では透過率がおよそ９９．３％、ｎ＝１．７０では透過率がおよそ９８．８％、ｎ＝１．７５では透過率がおよそ９８．４％となる。
【０１６４】
これに対して、第２絶縁層１３Ｂを屈折率が異なる２層構造とする。具体的には第１層１３ａの屈折率を１層の場合と同様に３種とし、膜厚を２９００ｎｍとする。第２層１３ｂの膜厚を１００ｎｍとして、第１層１３ａの屈折率が１．６５であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．５５とした。このときの第２層１３ｂと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．０９である。また、第１層１３ａの屈折率が１．７０であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．５８とした。このときの第２層１３ｂと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．１２である。また、第１層１３ａの屈折率が１．７５であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．６１とした。このときの第２層１３ｂと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．１５である。
【０１６５】
これによれば、第２層１３ｂの屈折率が小さいほど透過率は向上し、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．６５では透過率がおよそ９９．６％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７０では透過率がおよそ９９．３％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７５では透過率がおよそ９９．０％となる。したがって、第１実施形態の第２絶縁層１３が単層（１層）の場合よりも透過率が向上することが分かる。
【０１６６】
次に、第３実施形態と同様に第２絶縁層１３Ｂを屈折率が異なる３層構造とする。具体的には第１層１３ａの屈折率を１層の場合と同様に３種とし、膜厚を２８００ｎｍとする。第２層１３ｂの膜厚を１００ｎｍとし、第３層１３ｃの膜厚を同じく１００ｎｍとする。第１層１３ａの屈折率が１．６５であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．５８とし、第３層１３ｃの屈折率を１．５２とした。このときの第３層１３ｃと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．０６である。
【０１６７】
また、第１層１３ａの屈折率が１．７０であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．６２とし、第３層１３ｃの屈折率を１．５４とした。このときの第３層１３ｃと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．０８である。また、第１層１３ａの屈折率が１．７５であるとき第２層１３ｂの屈折率を１．６５とし、第３層１３ｃの屈折率を１．５５とした。このときの第３層１３ｃと第３層間絶縁膜１４との屈折率差は０．０９である。
【０１６８】
これによれば、第３層１３ｃの屈折率が小さいほど透過率は向上し、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．６５では透過率がおよそ９９．６％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７０では透過率がおよそ９９．４％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７５では透過率がおよそ９９．１％となる。したがって、第２絶縁層１３Ｂを屈折率が異なる２層とする場合よりも透過率がわずかではあるが向上することが分かる。
【０１６９】
以降、同様にして総膜厚を３０００ｎｍに固定して、第２絶縁層１３Ｂを構成する異なる屈折率の層の数を増やし、厚み方向に隣接する層の屈折率差を０．０５以下となるように調整して、層数を４層以上とした例についてシミュレーションして透過率を求めた。４層以上とした場合、３層よりも高屈折率側でわずかに改善されるものの、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．６５では透過率がおよそ９９．６％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７０では透過率がおよそ９９．４％、第１層１３ａの屈折率がｎ＝１．７５では透過率がおよそ９９．２％となった。つまり、４層以上では透過率が横ばいとなった。
【０１７０】
図２６に示された透過率の結果によれば、第２絶縁層１３Ｂの構成として、屈折率が異なる層の数を増やすほど、透過率が改善する。また、層数を４層以上とすることで透過率は横ばいとなる。透過率が横ばいとなったときの厚み方向に隣接する層の屈折率差は０．０５以下である。
【０１７１】
第２絶縁層１３Ｂにおいて、第１層１３ａの屈折率が小さいほど透過率が向上するが、第２絶縁層１３Ｂに積層される第３層間絶縁膜１４との屈折率差を０．２未満とすることが好ましい。一方で、開口領域に入射した光の一部を第１絶縁層１７の側壁１２ａで反射させる観点からは、前述したようにスネルの法則により屈折率がｎ１＜ｎ２の条件を満たし、第１絶縁層１７の屈折率ｎ１と第２絶縁層１３Ｂにおける第１層１３ａの屈折率ｎ２との差を大きくして臨界角θｃを小さくすることが好ましい。すなわち、第１絶縁層の屈折率ｎ１と第１層１３ａの屈折率との差を０．１以上とすることが好ましい。
【０１７２】
より具体的には、第１絶縁層の屈折率と第３層間絶縁膜１４の屈折率とを同じ１．４６とし、第１層１３ａの屈折率ｎ２を１．７５以上として第２絶縁層１３を構成する層数を２層以上とすることが好ましい。第２絶縁層１３Ｂの層数を２層以上とするとき、厚み方向に隣接する層の屈折率差はできるだけ小さいことが望ましいが、生産性を考慮すると実質的に０．０５以上０．１５以下とすることが好ましい。
【０１７３】
第３実施形態の液晶パネル１１０Ｂの素子基板１０Ｂの構成及び製造方法によれば、第２絶縁層１３Ｂが厚み方向に基材１０ｓから遠ざかるほど屈折率が小さくなるように変化した層（第２層１３ｂ、第３層１３ｃ）を有しているので、開口領域に入射する光に対して第３層間絶縁膜１４と第２絶縁層１３Ｂとの界面における反射を抑制することができる。これにより、第１実施形態と比べて、入射した光をより有効に利用できるので、より明るく優れた表示品質を有する液晶装置１００を提供あるいは製造することができる。
【０１７４】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、第４実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図２７は、第４実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１７５】
図２７に示すように、第４実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１７６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１７７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１７８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１７９】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１８０】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０，１１０Ａ，１１０Ｂの色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１８１】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、明るい表示が可能であって高いコントラストを実現できることから、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【０１８２】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１８３】
（変形例１）
素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂの構造は、上記第１実施形態から第３実施形態に限定されるものではなく、非開口領域に配置される第１遮光層は、走査線３であることに限定されず、例えば単なる遮光層であってもよい。また、ＴＦＴ３０の上方に配置される第２遮光層は直上に位置するデータ線６であることに限定されず、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮光する観点から、ＴＦＴ３０への光の入射側であってＴＦＴ３０からできるだけ離れた配線層を第２遮光層とすることが好ましい。
【０１８４】
（変形例２）
素子基板１０，１０Ａ，１０Ｂの製造方法は、上記第１実施形態から第３実施形態のステップＳ０１で凹部２６を形成した後にステップＳ０２で第１遮光層としての走査線３を形成する方法に限定されない。図２８〜図３０は、変形例２の素子基板の製造方法を示す概略断面図である。例えば、図２８に示すように第１遮光層（走査線３）を形成した後に、図２９に示すように第１遮光層（走査線３）を金属マスクとして用いて、基材１０ｓ（または絶縁層１９）に異方性エッチングを行うようにしてもよい。換言すれば、凹部２６を形成する工程で用いた金属マスクを第１遮光層（走査線３）として用いるようにしてもよい。
【０１８５】
このようにすれば、図３０に示すように第１遮光層（走査線３）が配置された非開口領域に囲まれた開口領域に凹部２６が形成されるので、第１遮光層と凹部２６との位置精度をより向上させることができる。ただし、凹部２６を形成する際のエッチングにより第１遮光層の膜厚が減少するため、凹部２６形成後の第１遮光層の膜厚が所望の膜厚となるように、第１遮光層と基材１０ｓ（または絶縁層１９）との選択比等のエッチング条件に対応して、先に形成する第１遮光層の膜厚を調整することが望ましい。
【０１８６】
（変形例３）
上記第１実施形態から第３実施形態の液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記第４実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１８７】
３…第１遮光層としての走査線、６…第２遮光層としてのデータ線、１０ｓ…基材、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、１３…第２絶縁層、１７…第１絶縁層、１９…第３絶縁層としての絶縁層、２６…凹部、６０…金属マスク、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年9月14日(2018.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材における画素の開口領域に設けられた凹部と、
前記基材上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記基材側から順に前記基材の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、
前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基材上に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層における画素の開口領域に設けられた凹部と、
前記第３絶縁層上の前記開口領域を囲む非開口領域に設けられ、前記第３絶縁層側から順に前記第３絶縁層の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に、前記画素ごとに設けられたトランジスターと、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って設けられ、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って配置された第１絶縁層と、
前記開口領域に前記第１絶縁層に接して設けられた、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
画素の非開口領域の基材上において、前記基材側から順に前記基材の厚み方向に間隔を置いて配置された第１遮光層及び第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第２遮光層との間に設けられたトランジスターと、
前記非開口領域により囲まれた開口領域と前記非開口領域に亘って設けられ、前記第２遮光層を覆う第１絶縁層と、
前記開口領域において前記第１絶縁層に接して設けられ、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層と、を備え、
前記基材と前記第１遮光層の間に設けられた第３絶縁層又は前記基材には、凹部が設けられており、
前記第１絶縁層は、前記凹部に沿って設けられてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
前記第２絶縁層の底部が前記第１遮光層よりも前記基材側にあることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記凹部の側部における前記第１絶縁層の膜厚は、前記凹部の底部における前記第１絶縁層の膜厚以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２絶縁層は、前記厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基材における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記基材における前記開口領域に凹部を形成する工程と、
前記基材上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、
前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、
前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
基材上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第３絶縁層における画素の開口領域を囲む非開口領域に金属マスクを設け、前記金属マスクを介して前記第３絶縁層における前記開口領域に凹部を形成する工程と、
前記第３絶縁層上の前記非開口領域に、第１遮光層を形成する工程と、
前記非開口領域における前記第１遮光層の上層に、前記画素ごとにトランジスターを形成する工程と、
前記非開口領域における前記トランジスターの上層に、第２遮光層を形成する工程と、
前記開口領域と前記非開口領域とに亘って、前記第２遮光層を覆うとともに前記凹部に沿って第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層を覆うように、前記第１絶縁層の屈折率よりも高い屈折率を有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の表面を平坦化するとともに前記非開口領域における前記第２絶縁層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の底部における膜厚が前記凹部の深さよりも小さくなるように前記第１絶縁層を形成することを特徴とする請求項８または９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記凹部の側部における膜厚が前記凹部の底部における膜厚以下となるように前記第１絶縁層を形成することを特徴とする請求項８から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記基材の厚み方向に前記基材から遠ざかるにつれて屈折率が小さくなるように段階的に変化した層を含んで前記第２絶縁層を形成することを特徴とする請求項８から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１遮光層を形成する工程では、前記凹部を形成する工程で前記非開口領域に設けた前記金属マスクを前記第１遮光層とすることを特徴とする請求項８から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。