(57)【要約】【課題】スループットの点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置は、前記モールドと前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、前記モールドと前記基板との相対位置を計測する計測部と、前記モールドと前記基板との位置合わせにおいて、前記計測部で計測された前記相対位置と目標相対位置との偏差に応じた第１信号に、前記駆動部の駆動力を瞬間的に増加させる第２信号を時間間隔をあけながら合成した信号に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、を含む。【選択図】図１
2019016656.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドと前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、
前記モールドと前記基板との相対位置を計測する計測部と、
前記モールドと前記基板との位置合わせにおいて、前記計測部で計測された前記相対位置と目標相対位置との偏差に応じた第１信号に、前記駆動部の駆動力を瞬間的に増加させる第２信号を時間間隔をあけながら合成した信号に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記偏差に基づいて前記第１信号を生成する補償器と、前記第２信号を生成する生成器と、前記第１信号に前記第２信号を合成して得られた信号を前記駆動部に供給する加算器とを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記駆動部の駆動力が瞬間的に０．１Ｎ以上増加するように前記第２信号を生成する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、インパルス状の信号を前記第２信号として生成する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記偏差に応じて、前記第２信号の振幅および前記時間間隔の少なくとも一方を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、閾値に対する前記偏差の大小関係に応じて、前記第２信号の振幅および前記時間間隔の少なくとも一方を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記偏差が第２閾値より小さい場合に、前記第２信号の生成を停止する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記モールドと前記基板との相対速度に応じて、前記第２信号の振幅および前記時間間隔の少なくとも一方を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記位置合わせは、前記モールドと前記基板上のインプリント材とが接触している状態で行われる、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
凹凸のパターンが形成されたモールドを用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、モールドのパターンを基板上のインプリント材に精度よく転写するため、モールドと基板との位置合わせを高精度に行うことが求められている。特許文献１には、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態において、モールドと基板との位置合わせを制御する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５２２４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態では、インプリント材の粘性によりモールドと基板との相対位置を変更しづらいため、スループットの点で不利になりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドと前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、前記モールドと前記基板との相対位置を計測する計測部と、前記モールドと前記基板との位置合わせにおいて、前記計測部で計測された前記相対位置と目標相対位置との偏差に応じた第１信号に、前記駆動部の駆動力を瞬間的に増加させる第２信号を時間間隔をあけながら合成した信号に基づいて前記駆動部を制御する制御部と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、スループットの点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】インプリント処理を示すフローチャートである。
【図３】位置合わせ処理の制御系を示すブロック線図である。
【図４】時刻に対する偏差および第２信号を示す図である。
【図５】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態では、基板の面と平行な方向（基板の面に沿った方向）をＸ方向およびＹ方向とし、基板の面に垂直な方向（基板に入射する光の光軸に沿った方向）をＺ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、本実施形態のインプリント装置１００は、基板上にインプリント材３を供給し、凹凸のパターンが形成されたモールド１（型）を基板上のインプリント材３に接触させた状態で当該インプリント材３を硬化させる。そして、モールド１と基板２との間隔を広げて、硬化させたインプリント材３からモールド１を剥離（離型）することにより、インプリント材３のパターンを基板上に形成する。以下では、このようにインプリント装置１００で行われる一連の処理を「インプリント処理」と呼ぶことがある。
【００１２】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１３】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１４】
インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１５】
［インプリント装置の構成］
図１は、本実施形態のインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、インプリントヘッド１１と、基板ステージ１２（ステージ）と、計測部１３と、硬化部１４と、吐出部１５（供給部）と、制御部１６とを含みうる。インプリントヘッド１１、計測部１３、硬化部１４および吐出部１５はそれぞれ構造体５によって支持されており、基板ステージ１２は定盤６の上を移動可能に構成されている。構造体５は、空気ばね等を用いた除振機構７を介して床の上に設置されうる。また、制御部１６は、例えばＣＰＵやメモリ（記憶部）などを有し、インプリント処理を制御する（インプリント装置１００の各部を制御する）。
【００１６】
モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域１ａ）には、基板上のインプリント材３に転写するための凹凸のパターンが形成されている。また、基板２としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板２としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。
【００１７】
インプリントヘッド１１は、例えば、真空吸着などによりモールド１を保持するモールド保持部１１ａと、モールド１と基板２との間隔を変更するようにモールド１（モールド保持部１１ａ）をＺ方向に駆動するモールド駆動部１１ｂとを含みうる。本実施形態のインプリントヘッド１１は、Ｚ方向にモールド１を駆動するように構成されているが、例えば、ＸＹ方向およびθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にモールド１を駆動する機能などを有してもよい。
【００１８】
基板ステージ１２は、例えば、真空吸着などにより基板２を保持する基板保持部１２ａと、ＸＹ方向に基板２（基板保持部１２ａ）を駆動するように定盤６の上を移動可能に構成された基板駆動部１２ｂとを含みうる。本実施形態の基板ステージ１２は、ＸＹ方向に基板２を駆動するように構成されているが、例えば、Ｚ方向およびθ方向に基板２を駆動する機能などを有してもよい。また、基板ステージ１２の位置（ＸＹ方向）は、位置計測部１７によって計測されうる。位置計測部１７としては、例えばエンコーダやレーザ干渉計などが用いられうる。図１に示す例では、定盤６に設けられたスケール１７ａと、基板ステージ１２に設けられ且つ該スケール１７ａを読み取る本体部１７ｂとから成るエンコーダが位置計測部１７として用いられている。本実施形態の位置計測部１７は、基板ステージ１２（基板２）の位置を計測するように構成されているが、インプリントヘッド１１と基板ステージ１２との相対位置を計測可能に構成されてもよい。
【００１９】
ここで、本実施形態では、モールド１と基板２との間隔（Ｚ方向）を変更するためのモールド１と基板２との相対的な駆動がインプリントヘッド１１で行われるが、それに限られず、基板ステージ１２で行われてもよいし、双方で行われてもよい。また、ＸＹ方向におけるモールド１と基板２との相対位置の変更が基板ステージ１２で行われるが、それに限られず、インプリントヘッド１１で行われてもよいし、双方で行われてもよい。つまり、モールド１と基板２とを相対的に駆動する駆動部として、インプリントヘッド１１（モールド駆動部１１ｂ）および基板ステージ１２（基板駆動部１２ｂ）の少なくとも一方が用いられうる。
【００２０】
計測部１３は、例えば撮像素子を含むスコープを有し、モールド１（パターン領域１ａ）に設けられたマークと基板２（ショット領域）に設けられたマークとの位置関係を該スコープで検出することにより、モールド１と基板２との相対位置を計測する。また、硬化部１４は、モールド１と基板上のインプリント材３とが接触している状態で、インプリント材３にモールド１を介して光（例えば紫外線）を照射し、インプリント材３を硬化させる。吐出部１５は、例えばインクジェット方式により、基板上にインプリント材３（未硬化樹脂）を吐出（供給）する。
【００２１】
［インプリント処理］
次に、本実施形態のインプリント装置１００で行われるインプリント処理について、図２を参照しながら説明する。図２は、インプリント処理のフローチャートを示しており、該フローチャートの各工程は制御部１６によって制御されうる。
【００２２】
Ｓ１１では、制御部１６は、基板２における複数のショット領域のうち、インプリント処理を行う対象のショット領域（以下、対象ショット領域）が吐出部１５の下に配置されるように基板ステージ１２を制御する。そして、対象ショット領域上にインプリント材３を吐出するように吐出部１５を制御する。Ｓ１２では、制御部１６は、モールド１のパターン領域１ａの下方に対象ショット領域が配置されるように基板ステージ１２を制御する。Ｓ１３では、制御部１６は、モールド１と基板２との間隔が狭まるようにインプリントヘッド１１を制御し、モールド１と対象ショット領域上のインプリント材３とを接触させる。
【００２３】
Ｓ１４では、制御部１６は、モールド１と対象ショット領域上のインプリント材３とを接触させた状態で、計測部１３での計測結果に基づいて、モールド１と基板２との位置合わせを行う（位置合わせ処理）。例えば、制御部１６は、計測部１３に、パターン領域１ａに設けられたマークと対象ショット領域に設けられたマークとの位置関係を検出させて、パターン領域１ａと対象ショット領域との相対位置を計測させる。そして、制御部１６は、計測部１３により計測された相対位置と目標相対位置との偏差が許容範囲に収まるように、モールド１と基板２との相対位置のフィードバック制御を行う。位置合わせ処理の詳細については後述する。
【００２４】
Ｓ１５では、制御部１６は、モールド１と対象ショット領域上のインプリント材３とが接触している状態において、当該インプリント材３に光（紫外線）を照射するように硬化部１４を制御し、対象ショット領域上のインプリント材３を硬化させる。Ｓ１６では、制御部１６は、モールド１と基板２との間隔が広がるようにインプリントヘッド１１を制御し、硬化したインプリント材３からモールド１を剥離（離型）する。Ｓ１７では、制御部１６は、インプリント処理を行うべきショット領域（次のショット領域）が基板上にあるか否かの判定を行う。次のショット領域がある場合にはＳ１１に進み、次のショット領域がない場合には終了する。
【００２５】
［位置合わせ処理］
次に、Ｓ１４の位置合わせ処理の詳細について説明する。図３は、本実施形態における位置合わせ処理の制御系を示すブロック線図である。図３のブロック線図における減算器１６ａ、補償器１６ｂ、加算器１６ｃ、および生成器１６ｄはそれぞれ、制御部１６の構成要素として機能しうる。また、駆動部２０は、例えば、モールド１と基板２とを相対的に駆動する駆動力（推力）を発生するアクチュエータと、該アクチュエータに電流（または電圧）を供給する供給器（電流ドライバ）とを含みうる。駆動部２０は、上述したように、モールド駆動部１１ｂおよび基板駆動部１２ｂの少なくとも一方を含みうる。
【００２６】
モールド１と基板２との位置合わせ処理の制御系では、まず、計測部１３によってモールド１と基板２との相対位置が計測され、その計測結果（相対位置を示す情報）が減算器１６ａに供給される。減算器１６ａは、計測部１３により計測された相対位置と目標相対位置（例えばゼロ）との偏差３０を算出して、算出した偏差３０を出力する。補償器１６ｂは、例えばＰＩＤ補償器であり、減算器１６ａで算出された偏差３０が低減するように（例えば、許容範囲に収まるように）駆動部２０を制御するための第１信号３１（第１指令値）を生成し、生成した第１信号３１を駆動部２０に供給する。駆動部２０は、補償器１６ｂで生成された第１信号３１に従って、供給器によりアクチュエータに電流を供給し、アクチュエータに駆動力を発生させる。これにより、モールド１と基板２との相対位置が目標相対位置に近づくように、モールド１と基板２とを相対的に駆動することができる。
【００２７】
このような位置合わせ処理は、上述したように、モールド１と基板上のインプリント材３とを接触させた状態において行われる。しかしながら、この状態では、インプリント材３の粘性により、モールド１と基板２との相対位置（ＸＹ方向）の変更を妨げるような抵抗力が働き、該相対位置を変更しづらくなる。その結果、位置合わせ処理に相応の時間を要し、スループットの点で不利になりうる。そこで、本実施形態のインプリント装置１００は、位置合わせ処理において、駆動部２０の駆動力を瞬間的に増加させる第２信号３２（第２指令値）を時間間隔をあけながら第１信号３１に加えて駆動部２０に供給する。例えば、図３のブロック線図に示すように、第２信号３２を生成する生成器１６ｄが制御部１６に設けられる。生成器１６ｄは、時間間隔をあけながら第２信号３２を離散的に生成して出力する。生成器１６ｄから出力された第２信号３２は、補償器１６ｂから出力された第１信号３１に加算器１６ｃで加えられ（合成され）、合成信号として駆動部２０に供給される。これにより、駆動部２０の駆動力が瞬間的に且つ離散的に増加するため、あたかもハンマリングを行っているかのようにモールド１と基板２との相対位置を変更し、位置合わせ処理を効果的（効率的）に行うことができる。
【００２８】
生成器１６ｄは、例えば、駆動部２０の駆動力を瞬間的に０．１Ｎ以上増加（より好ましくは０．５Ｎ以上増加）させる振幅を有するパルス信号（インパルス状の信号）を第２信号３２として生成するとよい。第２信号３２の振幅の最大値は、駆動部２０で発生可能な最大駆動力によって制限されるが、好ましくは、駆動部２０で瞬間的に発生する駆動力が１Ｎ以下となるように第２信号３２を生成するとよい。また、生成器１６ｄは、制御部１６（ＣＰＵ）の制御クロック周期以下、もしくは、フィードバック制御系のサンプリング周期以下のパルス幅を有するように、第２信号３２を生成するとよい。より好ましくは、生成器１６ｄは、制御部１６（ＣＰＵ）の制御クロック周期の１／２以下、もしくは、フィードバック制御系のサンプリング周期の１／２以下のパルス幅を有するように、第２信号３２を生成するとよい。さらに、生成器１６ｄは、第２信号３２を離散的に出力する時間間隔を、第２信号３２のパルス幅以上に設定するとよい。より好ましくは、生成器１６ｄは、第２信号３２を離散的に出力する時間間隔を、制御部１６（ＣＰＵ）の制御クロックの周期以上、もしくは、フィードバック制御系のサンプリング周期以上となるように設定するとよい。ここで、第２信号３２のパルス幅は、振幅がその最大値の５０％以上となる時間（いわゆる半値幅）として定義され、第２信号３２は、三角形状または台形形状の信号を含みうる。
【００２９】
［第２信号の生成方法］
次に、生成器１６ｄによる第２信号の生成方法について具体的に説明する。図４（ａ）は、減算器１６ａで算出された偏差３０の時間変化を示す図であり、図４（ｂ）は、生成器１６ｄから出力される第２信号３２を示す図である。以下では、減算器１６ａで算出された偏差３０を単に「偏差３０」と呼ぶことがあり、生成器１６ｄが第２信号３２を出力する時間間隔（駆動部２０に第２信号３２を供給する時間間隔）を単に「時間間隔」と呼ぶことがある。
【００３０】
生成器１６ｄは、図３のブロック線図に示すように、減算器１６ａで算出された偏差に基づいて、第２信号３２の振幅、および第２信号３２を出力する時間間隔を設定（決定）するように構成されうる。つまり、生成器１６ｄは、減算器１６ａで算出された偏差３０に基づいて、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更しうる。
【００３１】
例えば、生成器１６ｄは、第１閾値Ｅ１に対する偏差３０の大小関係を判定し、その判定結果に応じて、第２信号３２の振幅および時間間隔を変更する。図４に示すように、偏差３０が第１閾値Ｅ１以上である場合には、生成器１６ｄは、第２信号３２の振幅を第１振幅Ａ１に設定するとともに、時間間隔を第１間隔Ｔ１に設定する。そして、偏差３０が第１閾値Ｅ１未満になった場合に、生成器１６ｄは、第２信号３２の振幅を、第１振幅Ａ１より小さい第２振幅Ａ２に設定するとともに、時間間隔を、第１間隔Ｔ１より広い第２間隔Ｔ２に設定する。第１振幅Ａ１、第２振幅Ａ２、第１間隔Ｔ１、および第２間隔Ｔ２は、第２信号の振幅および時間間隔をそれぞれ変化させたときのモールド１と基板２との相対位置の変化量について実験やシミュレーションを行い、その結果に基づいて事前に求められうる。また、偏差３０が、第１閾値Ｅ１より小さい第２閾値Ｅ２未満になった場合には、生成器１６ｄは、第２信号３２の出力を停止する。即ち、偏差３０が第２閾値Ｅ２未満になった場合に駆動部２０（加算器１６ｃ）への第２信号３２の供給が停止され、この後は、補償器１６ｂにより生成された第１信号３１のみが駆動部２０（加算器１６ｃ）に供給される。
【００３２】
ここで、図４に示す例では、第１閾値Ｅ１に対する偏差の大小関係を判定した結果に応じて、第２信号３２の振幅および時間間隔の双方を変更したが、それに限られるものではなく、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更してもよい。また、図４に示す例では、生成器１６ｄは、第１閾値Ｅ１に対する偏差の大小関係に応じて第２信号３２の振幅および時間間隔を変更したが、第１閾値Ｅ１を設定せずに、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更してもよい。例えば、生成器１６ｄは、第１閾値Ｅ１を設定せず、減算器１６ａで算出された偏差３０が小さくなるにつれて第２信号３２の振幅を小さくしたり時間間隔を広げたりし、当該偏差３０が第２閾値Ｅ２未満になった場合に第２信号３２の出力を停止してもよい。この場合、生成器１６ｄは、偏差３０と第２信号３２の振幅および時間間隔との関係を示す情報を用いるとよい。当該情報は、第２信号の振幅および時間間隔をそれぞれ変化させたときのモールド１と基板２との相対位置の変化量について実験やシミュレーションを行い、その結果に基づいて事前に求められうる。
【００３３】
上述したように、本実施形態のインプリント装置１００は、位置合わせ処理において、駆動部の駆動力を瞬間的に増加させるための第２信号（第２指令値）を時間間隔をあけながら第１信号に加えて駆動部に供給する。これにより、駆動部の駆動力を瞬間的に且つ離散的に増加させて、モールド１と基板２との相対位置を効果的に変更することができる。
【００３４】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、減算器１６ａで算出された偏差３０に基づいて、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更する制御について説明した。第２実施形態では、位置合わせ処理中におけるモールド１と基板２との相対速度（ＸＹ方向）に基づいて、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更する制御について説明する。ここで、モールド１と基板２との相対速度とは、単位時間あたりにおける当該相対位置の変化量として定義することができ、以下では単に「相対速度」と呼ぶことがある。また、本実施形態は、第１実施形態のインプリント装置１００の装置構成を引き継ぐものである。そして、本実施形態では、「相対速度に基づく第２信号３２の供給制御」を、第１実施形態で説明した「減算器１６ａで算出された偏差３０に基づく第２信号の供給制御」と併用して行ってもよい。
【００３５】
相対速度が目標速度（規定速度）に達していない場合、位置合わせ処理に相応の時間を要し、スループットの点で不利になりうる。そのため、本実施形態の生成器１６ｄ（制御部１６）は、相対速度に応じて、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更しうる。例えば、生成器１６ｄは、相対速度が目標速度より小さいか否か（大小関係）を判定し、相対速度が目標速度より小さいと判定した場合には、相対速度と目標速度との差に応じて、第２信号の振幅を大きくしたり時間間隔を狭めたりしうる。このとき、生成器１６ｄは、相対速度と目標速度との差と、第２信号の振幅および時間間隔の変更量との関係を示す情報を用いるとよい。当該情報は、第２信号の振幅および時間間隔を変化させたときのモールド１と基板２との相対位置の変化量について実験やシミュレーションを行い、その結果に基づいて事前に求められうる。
【００３６】
ここで、生成器１６ｄ（制御部１６）は、相対速度を、例えば、位置計測部１７での計測結果に基づいて取得することができる。生成器１６ｄは、相対速度を、減算器１６ａで算出された偏差３０の変化量から推定してもよい。また、相対速度は、モールド１と基板上のインプリント材３との押圧力に応じて変わりうる。したがって、生成器１６ｄは、モールド１とインプリント材３との押圧力を検出する検出部をインプリントヘッド１１または基板ステージ１２に設け、当該検出部での検出結果に基づいて、相対速度を推定してもよい。さらに、相対速度は、インプリント処理を行う対象ショット領域の基板上における位置に応じて変わりうる。例えば、基板のエッジ付近は、中心付近と比べて表面処理の状態や凹凸の状態が異なる場合があり、その場合、モールド１と基板２との相対位置を妨げる抵抗力も、基板のエッジ付近と中心付近とで異なりうる。したがって、生成器１６ｄは、基板上における対象ショット領域の位置に基づいて、相対速度を推定してもよい。
【００３７】
上述したように、本実施形態のインプリント装置は、相対速度に応じて、第２信号３２の振幅および時間間隔の少なくとも一方を変更しうる。これにより、モールド１と基板２との相対位置を効果的に変更することができる。
【００３８】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置（インプリント方法）を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３９】
インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４０】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４１】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００４２】
図５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００４３】
図５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００４４】
図５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１：モールド、２：基板、３：インプリント材、１１：インプリントヘッド、１２：基板ステージ、１３：計測部、１４：硬化部、１５：吐出部、１６：制御部、１００：インプリント装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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