(57)【要約】【課題】低温デバイスプロセスにも適したシリコンウェーハを提供する。【解決手段】時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上、２．５×１０１０／ｃｍ３以下である。【選択図】  図１
2019006639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上であるシリコンウェーハ。
【請求項２】
時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であるシリコンウェーハ。
【請求項３】
時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上、２．５×１０１０／ｃｍ３以下であり、且つ、
時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であるシリコンウェーハ。
【請求項４】
表面に、厚さが１〜５μｍのエピタキシャル層が形成された請求項１〜３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ。
【請求項５】
窒素濃度が、１×１０１２〜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が、８×１０１７〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３である請求項１〜４のいずれか一項に記載のシリコンウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハに関し、低温デバイスプロセスにも適したシリコンウェーハに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程中の熱処理が低温であっても、十分なゲッタリング能力が得られるエピタキシャルシリコンウェーハを提供するものとして、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から切り出され、直径が３００ｍｍ以上であり、育成時にシリコン単結晶の各部を８００℃から６００℃まで降温させる所要時間を４５０分以下とし、格子間酸素濃度を１．５×１０１８〜２．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ｏｌｄ  ＡＳＴＭ）とし、窒素濃度と炭素濃度を所定値以下にし、シリコンウェーハの全面がＣＯＰ領域からなり、エピタキシャル層表面のウェーハのバルク部のＢＭＤ密度が、１０００℃×１６時間の熱処理後に１×１０４／ｃｍ２以下となるエピタキシャルシリコンウェーハが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２０１４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来においては、評価熱処理として１０００℃×１６時間といった長時間の熱処理を行い、この熱処理後のＢＭＤ密度により、ゲッタリング能力を保証していたが、半導体デバイスの製造工程中の熱処理の低温化に合わせた、より信頼性のある評価熱処理で保証することが必要とされている。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、低温デバイスプロセスにも適したシリコンウェーハを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第1の観点によれば、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上、２．５×１０１０／ｃｍ３以下であるシリコンウェーハによって上記課題を解決する。
【０００７】
本発明の第2の観点によれば、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であるシリコンウェーハによって上記課題を解決する。
【０００８】
本発明の第3の観点によれば、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上、２．５×１０１０／ｃｍ３以下であり、且つ、
時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、
Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、
赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であるシリコンウェーハによって上記課題を解決する。
【０００９】
上記発明において、表面に厚さが１〜５μｍのエピタキシャル層を形成してもよい。また、シリコンウェーハの窒素濃度が、１×１０１２〜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度が、８×１０１７〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であってもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて評価熱処理するので、比較的低温度かつ短時間の条件でゲッタリング能力が高い信頼性で保証することができ、その結果、低温デバイスプロセスにも適したシリコンウェーハを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例１における評価熱処理温度と熱処理時間との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明に係るシリコンウェーハは、たとえばチョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶をスライスして得られるシリコンウェーハであり、必要に応じてその表面に、好ましくは１〜５μｍの厚さのエピタキシャル層が形成されてなる。シリコン単結晶を育成するにあたっては、結晶中の窒素濃度を好ましくは１×１０１２〜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、酸素濃度を好ましくは８×１０１７〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とする。
【００１３】
上述した製造工程によって得られたシリコンウェーハの酸素析出物（ＢＭＤ）の密度及び平均サイズは、評価のための熱処理を施したのち、たとえば、赤外トモグラフィー法による結晶欠陥測定装置（日本セミラボ社製結晶欠陥測定装置）を用いて評価することができる。そして、その一つの評価指標として、赤外トモグラフィー法による結晶欠陥測定装置のレザーパワーを５０ｍＷ，検出器（ＣＣＤカメラ）の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定し、この測定条件下で、エピタキシャルシリコンウェーハの表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度及び平均ＢＭＤサイズを測定する。
【００１４】
ここで、本発明者らが知見したところによれば、評価のための熱処理の温度Ｘが７００〜１０００℃、熱処理の時間ＹがＹ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす場合に、ＢＭＤ密度が５×１０８／ｃｍ３以上であるときは、半導体デバイスプロセスのたとえば１０００℃以下の低温デバイスプロセスにおいても、十分なゲッタリング能力を有するシリコンウェーハを得ることができる。逆に、同様の評価のための熱処理を施した場合に、ＢＭＤ密度が５×１０８／ｃｍ３未満であるときは、半導体デバイスプロセスのたとえば１０００℃以下の低温デバイスプロセスにおいて十分なゲッタリング能力が発揮されない。
【００１５】
さらに、本発明者らが知見したところによれば、評価のための熱処理の温度Ｘが７００〜１０００℃、Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす熱処理の時間Ｙである場合に、平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であれば、転位の発生がないシリコンウェーハを得ることができる。逆に、同様の評価のための熱処理を施した場合に、平均ＢＭＤサイズが１６ｎｍ未満もしくは２８ｎｍを超えるとき、又は１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たさない熱処理の時間Ｙであるときは、転位が発生する。
【００１６】
したがって、低温デバイスプロセスにおいて十分なゲッタリング能力を発揮し、且つ転位の発生がないシリコンウェーハを得るためには、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上、２．５×１０１０／ｃｍ３以下であり、且つ、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃，ただし７００℃≦Ｘ≦１０００℃）とした場合に、Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５且つ１．０≦Ｙ／Ｙ１≦１．５を満たす時間Ｙと温度Ｘにて熱処理を行なった後に、赤外トモグラフィー法を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定した場合の、ウェーハ表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズが、１６ｎｍ以上、２８ｎｍ以下であるシリコンウェーハであることがより好ましい。
【実施例】
【００１７】
《実施例１》
チョクラルスキー法により、結晶中の窒素ドープ濃度（１×１０１２〜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）と酸素濃度（８×１０１７〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とをそれぞれ変化させた様々なシリコン単結晶を育成して、シリコンウェーハを準備し、これらのシリコンウェーハに同一条件（エピタキシャル層の厚さは、１〜５μｍ）でエピタキシャル成長を行い、エピタキシャルウェーハとした。
【００１８】
これらのエピタキシャルウェーハに種々の温度及び時間の評価熱処理を行い、赤外トモグラフィー法による結晶欠陥測定装置（日本セミラボ社製結晶欠陥測定装置）を用いて、熱処理後のエピタキシャルシリコンウェーハの酸素析出物（ＢＭＤ）密度を測定した。ＢＭＤ密度の測定条件は、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器（ＣＣＤカメラ）の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定し、この測定条件下で、エピタキシャルシリコンウェーハの表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度を測定した。
【００１９】
このＢＭＤ密度の評価結果を図１に示す。同図において、ＢＭＤが５×１０８／ｃｍ３以上検出された熱処理水準を○、検出されなかった熱処理水準を×で示した。上記赤外トモグラフィー法による測定条件にてＢＭＤが５×１０８／ｃｍ３以上検出される熱処理水準は、図１の〇と×との境界を結ぶ直線であって、時間をＹ（ｍｉｎ）， 温度をＸ（℃）とした場合に、Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５（ただし、７００℃≦Ｘ≦１０００℃）を臨界線とする右上の領域であった。
【００２０】
これらの測定を行った同一水準のエピタキシャルシリコンウェーハに、重金属汚染を想定してＮｉを１×１０１２／ｃｍ２汚染し、その後、半導体製造プロセスの低温デバイス処理を模擬した熱処理（下記熱処理１及び熱処理２）を行い、この模擬熱処理後、ライトエッチング液を用いて、ウェーハの表面に形成されたシリサイドをピット化（シャローピット）して、シャローピットの有無を観察した。
【００２１】
＜低温デバイス相当熱処理１＞
第１ステップ：６５０℃で１００分保持
第２ステップ：９００℃で２０分保持
第３ステップ：８２５℃で３０分保持
第４ステップ：７２５℃で１００分保持
（いずれも昇降温速度は５℃／ｍｉｎ）
【００２２】
＜低温デバイス相当熱処理２＞
第１ステップ：６５０℃で１００分保持
第２ステップ：1０００℃で６０分保持
第３ステップ：８７５℃で３０分保持
第４ステップ：８２５℃で１００分保持
（いずれも昇降温速度は５℃／ｍｉｎ）
【００２３】
その結果、図１に示した○の熱処理水準、すなわち、赤外トモグラフィー法による測定条件にてＢＭＤが５×１０８／ｃｍ３以上検出されるエピタキシャルシリコンウェーハは、シャローピットが観察されなかった。これに対し、図１の×の熱処理水準のエピタキシャルシリコンウェーハでは、シャローピットが観察され、ゲッタリング能力が低いことが分かった。
【００２４】
すなわち、半導体製造プロセスの低温デバイスプロセスにおいて、ゲッタリング能力を示すウェーハは、時間をＹ（ｍｉｎ），温度をＸ（℃）とした場合に、Ｙ＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５（ただし、７００℃≦Ｘ≦１０００℃）の熱処理後（つまり、温度Ｘに対してＹがそれ以上となるように時間を設定する）、赤外トモグラフィー法による結晶欠陥測定装置（日本セミラボ社製結晶欠陥測定装置）を用いて、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器（ＣＣＤカメラ）の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定し、エピタキシャルシリコンウェーハの表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲におけるＢＭＤ密度を測定した場合、当該ＢＭＤ密度が、５×１０８／ｃｍ３以上検出されるウェーハである。なお、上記結晶欠陥測定装置の測定上限は、２．５×１０１０／ｃｍ３であるため、当該装置を用いた場合の上限はこの数値となる。
【００２５】
《実施例２》
チョクラルスキー法により、結晶中の窒素ドープ濃度（１×１０１２〜５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）と酸素濃度（８×１０１７〜１５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）とをそれぞれ変化させた様々なシリコン単結晶を育成して、シリコンウェーハを準備し、これらのシリコンウェーハに同一条件（エピタキシャル層の厚さは、１〜５μｍ）でエピタキシャル成長を行い、エピタキシャルウェーハとした。
【００２６】
これらのエピタキシャルシリコンウェーハに実施例1で示した種々の温度及び時間の評価熱処理を行い、赤外トモグラフィー法による結晶欠陥測定装置（日本セミラボ社製結晶欠陥測定装置）を用いて、熱処理後のエピタキシャルシリコンウェーハの酸素析出物（ＢＭＤ）の平均サイズ（ｎｍ）を測定した。ＢＭＤ密度の測定条件は、レザーパワーを５０ｍＷ，検出器（ＣＣＤカメラ）の露光時間を５０ｍｓｅｃに設定し、この測定条件下で、エピタキシャルシリコンウェーハの表面から８０μｍ〜２８５μｍの範囲における平均ＢＭＤサイズ（ｎｍ）を測定した。
【００２７】
このときの評価熱処理は、次のように行った。まず、Ｙ１＝７．８８×１０６７×Ｘ−２．２５（ただし、７００℃≦Ｘ≦１０００℃）で示される関係から、最初に温度Ｘ（℃）を決めて時間Ｙ１を求める。そして、実際の処理時間Ｙは、１．５Ｙ１＞Ｙ＞１．０（つまり、１．５＞Ｙ／Ｙ１＞１．０））の範囲で実施した。
【００２８】
上記の評価熱処理で示される様々なサイズのＢＭＤが成長するようなエピタキシャルシリコンウェーハに実施例１で示した低温デバイス相当熱処理（上記熱処理１及び熱処理２）を行った。その熱処理後に、熱応力負荷試験として、エピタキシャルシリコンウェーハに対して、フラッシュランプアニール熱処理炉を用いて、最高到達温度が１２００℃のミリ秒アニールを５回連続で実施した。その後、エピタキシャルシリコンウェーハの表面に対してライトエッチングを行い、エピタキシャルシリコンウェーハの表面の転位エッチピットの有無を確認した。この結果を表１に示す。表１の「熱応力負荷試験」の欄において、転位エッチピットが見られた（熱応力負荷試験の結果が良好ではなかった）ものを「×」で示し、転位エッチピットが見られなかった（熱応力負荷試験の結果が良好であった）ものを「○」で示す。転位エッチピットが見られたエピタキシャルシリコンウェーハには、大きな反りが生じた。
【００２９】
【表１】
2019006639.tif 000003
【００３０】
Ｙ／Ｙ１が１〜１．５のエピタキシャルシリコンウェーハにおいて、平均ＢＭＤサイズが２８ｎｍを超えるエピタキシャルシリコンウェーハ（サンプル５，８，１０，１３，１４）は、低温デバイス熱処理後のフラッシュランプ熱処理後に転位が発生しており、ウェーハに反りが生じた。これらのサンプルでは、低温デバイスで成長したＢＭＤが起因で、Ｓｌｉｐ転位が発生したものと考えられる。これに対し、平均ＢＭＤサイズが１６ｎｍ〜２８ｎｍに関しては転位の発生が観察されず、良好であった。なお、サンプル１３では、平均ＢＭＤサイズが２８ｎｍ以下であるにも拘らず転位が発生した。これは、Ｙ／Ｙ１が２であり、１．５以下ではないため、ウェーハ強度をあらわす指標として適切でなかったためである。
【図１】
2019006639.tif 000004