(57)【要約】      （修正有）【課題】セル状に形成された光偏向素子をセル毎に精度よくかつ応答性良く駆動することで、高品質な光偏向制御を実現することが可能な光偏向素子を提供する。【解決手段】本発明の光偏向素子は、液晶層と、前記液晶層の一方の面上に延在している第１の高抵抗膜と、前記第１の高抵抗膜に接して配列された第１電極と、前記第１の高抵抗膜に接して前記第１電極と互い違いに配列された第２電極と、前記第１の高抵抗膜に接しかつ互いに隣接する前記第１電極と前記第２電極との間に配された第３電極と、前記第３電極と前記第１電極または前記第２電極との間で前記第１の高抵抗膜が形成する電気的経路と並列な電気的経路を形成する第２の高抵抗膜を含む抵抗部と、を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層と、
前記液晶層の一方の面上に延在している第１の高抵抗膜と、
前記第１の高抵抗膜に接して配列された第１電極と、
前記第１の高抵抗膜に接して前記第１電極と互い違いに配列された第２電極と、
前記第１の高抵抗膜に接しかつ互いに隣接する前記第１電極と前記第２電極との間に配された第３電極と、
前記第３電極と前記第１電極または前記第２電極との間で前記第１の高抵抗膜が形成する電気的経路と並列な電気的経路を形成する第２の高抵抗膜を含む抵抗部と、
を有することを特徴とする光偏向素子。
【請求項２】
前記第１の高抵抗膜と前記第２の高抵抗膜とが離間していることを特徴とする請求項１に記載の光偏向素子。
【請求項３】
前記第１の高抵抗膜と前記第２の高抵抗膜とは同一の材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光偏向素子。
【請求項４】
前記抵抗部は、前記第１電極の各々を互いに電気的に接続する第１の配線または前記第２電極の各々を互いに電気的に接続する第２の配線から伸張しかつ前記第２の高抵抗膜に電気的に接する拡張部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光偏向素子。
【請求項５】
前記抵抗部は、前記第２の高抵抗膜に接しかつ前記第３電極から前記第１電極の配列方向に伸張した第１の拡張部と、前記第２の高抵抗膜に接しかつ前記第１電極または前記第２電極から前記第３電極の方向に伸張した第２の拡張部と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光偏向素子。
【請求項６】
前記第３電極と前記第１電極又は前記第２電極との間の電気的経路において、前記第１の高抵抗膜を経由した電気的経路における抵抗値と前記第２の高抵抗膜を経由した電気的経路における抵抗値と、が異なることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の光偏向素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子、特に光偏向素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば、液体のような流動性を有し、電気光学的特性に異方性を有するネマティック液晶等の液晶を含む液晶層に電圧を印加して、屈折率を変化させることでレンズ効果を生み出す電圧可変型の液晶レンズ素子または光偏向素子等の光学素子が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２４１１６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されているようなセル状になされた光偏向素子においては、動作時に１つのセルの電極によって生成される電界によって、当該１つのセルに隣接するセルの液晶層が影響を受ける。すなわち、当該１のセルの電極によって生成される電界によって、隣接するセルの液晶層の液晶のチルト角を所望の値にできず、所望の屈折率が得られないということが課題の一例としてあげられる。
【０００５】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、セル状に形成された光偏向素子をセル毎に精度よくかつ応答性良く駆動することで、高品質な光偏向制御を実現することが可能な光偏向素子を提供することを課題の１つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、液晶層と、前記液晶層の一方の面上に延在している第１の高抵抗膜と、前記第１の高抵抗膜に接して配列された第１電極と、前記第１の高抵抗膜に接して前記第１電極と互い違いに配列された第２電極と、前記第１の高抵抗膜に接しかつ互いに隣接する前記第１電極と前記第２電極との間に配された第３電極と、前記第３電極と前記第１電極または前記第２電極との間で前記第１の高抵抗膜が形成する電気的経路と並列な電気的経路を形成する第２の高抵抗膜を含む抵抗部と、を有することを特徴とする光偏向素子である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施例１に係る光偏向素子の上面図である。
【図２】実施例１に係る光偏向素子の断面図である。
【図３】実施例１に係る光偏向素子の回路図である。
【図４】実施例１に係る光偏向素子の電圧印加時における断面図及び電位の変化を示すグラフである。
【図５】変形例に係る光偏向素子の上面図である。
【図６】光偏向素子の電圧印加時における断面図及び電位の変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に本発明の実施例について詳細に説明する。以下の説明においては、液晶層としてネマティック液晶を含む液晶層を用いる場合を例に説明する。
【実施例１】
【０００９】
以下、図１及び図２を参照して、本願の実施例１に係る光偏向素子１０の構成を説明する。図１は、実施例１に係る光偏向素子１０の上面図である。図２は、図１の２−２線に沿った断面図である。
【００１０】
図１に示すように、光偏向素子１０は、平面形状が矩形の板形状を有している。光偏向素子１０は、上面から見て、その長手方向に沿った中心線ＡＸを中心に所定の幅を有する機能領域ＡＲ１と機能領域ＡＲ１の両側部に延在する非機能領域ＡＲ２を有する。光偏向素子１０は、機能領域ＡＲ１において屈折率の変化を生起させ、機能領域ＡＲを通過する光を偏向させることが可能となっている。
【００１１】
図１または図２に示すように、光偏向素子１０の最上部には、透明ガラス板等の透光性基板からなる上部基板１１が配されている。
【００１２】
第１の電極構造１３は、上部基板１１の下面に形成されている導電体である。第１の電極構造１３は、透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成されている。図１において、第１の電極構造１３は、本来ならば上部基板１１に隠れているため破線で示すべきだが、その構造を明確にするため実線で示している。
【００１３】
第１の電極構造１３は、上部基板１１または光偏向素子１０の長手方向における一端部ＥＰから上部基板１１の短手方向における両端部の一方（図１における上側の端部）に沿って、上部基板１１の長手方向における他端に向かって伸張している配線部１３Ａを有している。すなわち、配線部１３Ａは、非機能領域ＡＲ２の一方（図１における上側の領域）において、上部基板１１の長手方向に伸張している。
【００１４】
第１の配線としての配線部１３Ａは、例えば、上部基板１１の一端部ＥＰにおいて、電圧可変な電源（図示せず）に接続されている。すなわち、第１の電極構造１３は、様々な電位に設定され得る。
【００１５】
また、第１の電極構造１３は、配線部１３Ａから光偏向素子１０の短手方向に沿って伸張している電極部１３Ｂ及び拡張部１３Ｃを有している。第１電極としての電極部１３Ｂは、上部基板１１の長手方向において等間隔に配列されており、上部基板１１の短手方向に沿って機能領域ＡＲ１横切るように線状に伸張している。拡張部１３Ｃは、隣接する電極部１３Ｂの間において配線部１３Ａから中心線ＡＸに向かって線状に伸張している。拡張部１３Ｃは、機能領域ＡＲ１に達することなく終端する。
【００１６】
第２の電極構造１５は、上部基板１１の下面に形成されている導電体である。第２の電極構造１５は、透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成されている。図１において、第２の電極構造１５は、本来ならば上部基板１１に隠れているため破線で示すべきだが、その構造を明確にするため実線で示している。
【００１７】
第２の電極構造１５は、上部基板１１の長手方向の一端部ＥＰから、上部基板１１の短手方向における両端部の一方（図１における下側の端部）に沿って、上部基板１１の長手方向の他端に向かって伸張している配線部１５Ａを有している。すなわち、配線部１５Ａは、非機能領域ＡＲ２の一方（図１における下側の領域）において、上部基板１１の長手方向に伸張している。
【００１８】
第２の配線としての配線部１５Ａは、例えば、上部基板の一端部ＥＰにおいて、電圧可変な電源（図示せず）に接続されている。すなわち、第２の電極構造１５は、様々な電位に設定され得る。
【００１９】
また、第２の電極構造１５は、配線部１５Ａから光偏向素子１０の短手方向に伸張している電極部１５Ｂ及び拡張部１５Ｃを有している。第２電極としての電極部１５Ｂは、上部基板１１の長手方向において等間隔に配されており、上部基板１１の短手方向に沿って機能領域ＡＲ１横切るように線状に伸張している。拡張部１５Ｃは、配線部１５の隣接する電極部１５Ｂの間において、配線部１５Ａから中心線ＡＸに向かって線状に伸張している。拡張部１５Ｃは、機能領域ＡＲ１に達することなく終端する。
【００２０】
図１に示すように、電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂは、光偏向素子１０の長手方向において、互い違いに機能領域ＡＲ１上に伸張するように設けられている。また、拡張部１３Ｃ及び拡張部１５Ｃは、光偏向素子１０の長手方向において隣接する電極部１３Ｂと電極部１５Ｂとの間において、機能領域ＡＲ１に向かって伸張するように設けられている。
【００２１】
なお、本実施例の光偏向素子１０においては、光偏向素子１０の長手方向において隣接する電極部１３Ｂと電極部１５Ｂとの間が１つのセル領域ＳＲとなっている。
【００２２】
第３電極としての分圧電極１７は、上部基板１１の下面に形成されている導電体である。分圧電極１７は、透光性を有する導電材料、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯで形成されている。図１において、分圧電極１７は、本来ならば上部基板１１に隠れているため破線で示すべきだが、その構造を明確にするため実線で示している。
【００２３】
分圧電極１７は、光偏向素子１０の短手方向に沿って機能領域ＡＲ１全体を横切るように線状に形成されている。分圧電極１７は、第１の電極構造１３の電極部１３Ｂと、光偏向素子１０の長手方向において当該電極部１３Ｂと隣り合う第２の電極構造１５の拡張部１５Ｃとの間に各々設けられている。また、分圧電極１７は、第２の電極構造１５の電極部１５Ｂと、光偏向素子１０の長手方向において当該電極部１５Ｂと隣り合う第１の電極構造１３の拡張部１３Ｃとの間に各々設けられている。
【００２４】
なお、本実施例においては、セル領域ＳＲ内における分圧電極１７と当該分圧電極１７からみて光偏向素子１０の一端部ＥＰ側（以下、近位側ともいう）にある電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの距離Ｌ１は、セル間で共通であるとする。また、セル領域ＳＲ内における分圧電極１７と当該分圧電極１７からみて光偏向素子１０の一端部と反対側（以下、遠位側ともいう）にある電極部１３Ｂまたは１５Ｂとの距離Ｌ２は、セル領域ＳＲ間で共通であるとする。さらに、セル領域ＳＲ内における分圧電極１７と拡張部１３Ｃまたは１５Ｃとの距離Ｌ３は、セル領域ＳＲ間で共通であるとする。
【００２５】
なお、第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７を同一の材料で形成し、上部基板１１の下面に第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７を同時に形成することが可能である。例えば、上部基板１１の表面にマスクパターンを形成し、その後、上部基板の表面に成膜を行い、マスクパターンを除去することで形成されてもよい。すなわち、第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７を、同一工程において同時に形成可能であってもよい
第１の高抵抗膜１９は、上部基板１１の下面に形成された透光性を有する高抵抗材料からなる膜体である。図１において、第１の高抵抗膜１９は、本来ならば上部基板１１に隠れているため破線で示すべきだが、その構造を明確にするため実線で示し、第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７に隠れている部分のみを破線で示している。
【００２６】
第１の高抵抗膜１９は、機能領域ＡＲの全体に亘って形成されている。すなわち、第１の高抵抗膜１９は、光偏向素子１０の長手方向に沿った中心線ＡＸに沿って形成されている。従って、第１の高抵抗膜１９は、電極部１３Ｂ、電極部１５Ｂ、分圧電極１７の一部を覆うように形成されている。すなわち、電極部１３Ｂ、電極部１５Ｂ及び分圧電極１７は、第１の高抵抗膜１９と電気的に接続されている。
【００２７】
第１の高抵抗膜１９の材料としては、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）に酸化銀（Ａｇ2Ｏ）を添加した物を用いることができる。また、例えば、酸化亜鉛系の材料を用いることもできる。また、例えば、抵抗値を高くしたＩＴＯ、酸化チタン、硫化亜鉛、またはこれらの材料を混合したものを第１の高抵抗膜１９の材料として使用可能である。なお、第１の高抵抗膜１９は、表面抵抗値が１×１０5〜１×１０10Ω／ｓｑの高抵抗材料で形成され得る。
【００２８】
第２の高抵抗膜２１は、上部基板１１の下面の第１の高抵抗膜１９から露出した領域、すなわち非機能領域Ｒ２の各々に島状に形成されている透光性を有する高抵抗材料からなる膜体である。図１において、第２の高抵抗膜２１は、本来ならば上部基板１１に隠れているため破線で示すべきだが、その構造を明確にするため実線で示し、第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７に隠れている部分のみを破線で示している。
【００２９】
第２の高抵抗膜２１の各々は、拡張部１３Ｃまたは拡張部１５Ｃ及びこれらとセル領域ＳＲ内において隣接する分圧電極１７を覆うように形成されている。すなわち、第２の高抵抗膜２１は、非機能領域Ｒ２の一方に形成された第２の高抵抗膜２１と他方に形成された第２の高抵抗膜２１が第１の高抵抗膜１９を挟んで長手方向に沿って互い違いに並ぶように配されている。
【００３０】
従って、セル領域ＳＲ内において隣接する拡張部１３Ｃまたは拡張部１５Ｃ並びに分圧電極１７は、第２の高抵抗膜２１の各々に電気的に接続されている。すなわち、セル領域ＳＲ内で互いに隣接する拡張部１３Ｃまたは拡張部１５Ｃと分圧電極１７とが、第２の高抵抗膜２１を介して電気的に接続されている。
【００３１】
第２の高抵抗膜２１の材料としては、第１の高抵抗膜１９の材料と同様の材料、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）に酸化銀（Ａｇ2Ｏ）を添加した物を用いることができる。また、例えば、酸化亜鉛系の材料を用いることもできる。また、例えば、抵抗値を高くしたＩＴＯ、酸化チタン、硫化亜鉛、またはこれらの材料を混合したものを第１の高抵抗膜１９の材料として使用可能である。なお、第１の高抵抗膜１９は、表面抵抗値が１×１０5〜１×１０10Ω／ｓｑの高抵抗材料で形成され得る。
【００３２】
本実施例において、第１の高抵抗膜１９及び第２の高抵抗膜２１は同一の材料によって形成され得る。その場合、第１の高抵抗膜１９及び第２の高抵抗膜２１は、例えば、上部基板１１の表面にマスクパターンを形成し、その後、上部基板の表面に第１の高抵抗膜１９及び２１の材料によって成膜を行い、マスクパターンを除去することで形成されてもよい。すなわち、第１の高抵抗膜１９及び第２の高抵抗膜２１は、同一工程において同時に形成可能であってもよい。
【００３３】
また、第２の高抵抗膜２１並びに分圧電極１７及び拡張部１５Ｃの第２の高抵抗膜２１に電気的に接続されている領域を合わせて抵抗部ＲＰと称する。
【００３４】
液晶層２３は、上部基板１１の下面に面して設けられており、液晶分子ＬＭを含む液晶材料から形成されている層である。液晶材料には、ネマティック液晶（光偏向素子１０の使用温度においてネマティック相）が用いられる。この液晶材料は、正の誘電異方性または負の誘電異方性を有する。本実施例においては、液晶材料が正の誘電異方性を有する場合について説明する。すなわち、本実施例においては、液晶層２３に電圧を印加しない時の液晶分子ＬＭの配列は、図２に示すように、水平配向となっている。
【００３５】
下部基板２５は、光偏向素子１０の最下部に配されたガラス基板等の透光性基板である。下部基板２５の上面には、下部基板２５の上面全体を覆うように共通電極２７形成されている。共通電極層２７は透光性を有し、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透光性導電材料によって形成されている。共通電極層２７は、接地端子（図示せず）を介して接地されている。
【００３６】
なお、液晶層２３を挟み込むように、高抵抗層１９の下面及び共通電極層２７の上面に液晶配向膜を形成してもよい。例えば、上部基板１１の下面に高抵抗層１９を覆うようにかつ下部基板２５の上面共通電極層２７を覆うように、液晶配向膜としてポリイミド系材料からなる膜をスピンコート法等で塗布し、液晶にホモジニアス配向を生じさせるラビング処理がなされていてもよい。
【００３７】
上述のように、光偏向素子１０は、第１の電極構造１３の電極部１３Ｂ及び第２の電極構造１５の電極部１５Ｂ及び分圧電極１７と共通電極層２７とによって、液晶層２３を挟み込む構造となっている。すなわち、光偏向素子１０は、電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂに任意の電圧を印加することで、液晶分子ＬＭの傾きを変化させて偏向効果を生ずる素子である。
【００３８】
図３に、第１の電極構造１３、第２の電極構造１５及び分圧電極１７並びに第１の高抵抗膜１９及び第２の高抵抗膜２１によって形成される回路図を示す。なお、以下の説明においては、第１の電極構造１３に正電圧＋Ｖが印加され、第２の電極構造１５には、負電圧−Ｖが印加されているとして説明する。また、第１の高抵抗膜１９及び第２の高抵抗膜２１の厚さは一定として考え、高抵抗膜内で抵抗値の差は発生しないものとする。上述のように、電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂと分圧電極１７とは、第１の高抵抗膜１９を介して電気的に接続されている。
【００３９】
分圧電極１７と一端部ＥＰ側（以下、近位側とも称する）の電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの間の第１の高抵抗膜１９を介した抵抗をＲ１とし、分圧電極１７と分圧電極１７から見て一端部ＥＰと反対側（以下、遠位側とも称する）にある電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの間の第１の高抵抗膜１９を介した抵抗をＲ２とする。また、各セル領域ＳＲ内における分圧電極１７と拡張部１３Ｃまたは拡張部１５Ｃとの間の第２の高抵抗膜２１を介した抵抗をＲ３とする。
【００４０】
ここで、分圧電極１７と遠位側にある電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂとの間では、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ３が並列して接続されている。従って、分圧電極１７と遠位側にある電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの間の破線で示す合成抵抗Ｒ０は、Ｒ０＝Ｒ２×Ｒ３／（Ｒ２＋Ｒ３）となる。この合成抵抗Ｒ０は、例えば、抵抗Ｒ３の抵抗値が変化することで変化する。
【００４１】
図４に、電極構造１３及び電極構造１５に、図３で説明したように互いに正負が逆転した電圧を印加した場合の光偏向素子１０の断面図及び第１の高抵抗膜１９における電位を示すグラフを示す。
【００４２】
図４に示すように、電極部１３Ｂの近傍において第１の高抵抗膜１９内の電位が負の最大値となり、電極部１５Ｂの近傍において第１の高抵抗膜１９内の電位が正の最大値となる。また、分圧電極１７の各々の近傍において、第１の高抵抗膜１９内の電位が０Ｖとなる。分圧電極１７と電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂとの間においては、電位は略一定の傾きで変化する。
【００４３】
また、分圧電極１７と近位側の電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの間の電位の方が、分圧電極１７と遠位側の電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂとの間に電位よりも急峻に変化する。なお、上述のように、共通電極層２７は、接地されているため電位は０Ｖとなっている。
【００４４】
従って、電圧印加時においては、電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂの直下において第１の高抵抗膜１９と共通電極層２７との間の電位差が最大となり、電界強度が最大となる。また、当該分圧電極１７の各々の遠位側の電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂから当該分圧電極１７の各々に向かって電位差が徐々に小さくなっていく。
【００４５】
上述のように、本実施例の光偏向素子１０においては、液晶分子ＬＭが正の誘電異方性を有している。よって、電位差が最大となる電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂの直下で液晶分子ＬＭが最も大きく傾き、例えば、長軸が垂直に立った状態となる。
【００４６】
また、上述のように、電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂの各々の直下から電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂの各々の近位側にある分圧電極１７に向かってだんだん電位差が小さくなっていく。そのため、電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂの直下から、電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂの各々の近位側にある分圧電極１７に向かって液晶分子ＬＭの傾きが小さくなっていく。そして、分圧電極１７の直下において、液晶分子ＬＭの傾きが最も小さくなり、例えば液晶分子ＬＭの長軸が水平方向に寝た状態になる。
【００４７】
このように、光偏向素子１０に電圧を印加することで、液晶層２３内において液晶分子ＬＭの傾きが変化し、光偏向素子１０に長手方向に沿って光屈折率差が発生する。これによって、光偏向素子１０の上面または下面から入射して液晶層２３を通過し、光偏向素子１０から出射する光が、領域によって変化する偏向態様にて偏向させられる。
【００４８】
上述のように、本実施例の光偏向素子１０においては、共通電極層２７及び当該共通電極層２７と液晶層２３を挟んで対向し、互い違いに配列されており、かつ異なった電圧を印加可能、具体的には正負逆の電圧を印加可能な電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂが設けられている。
【００４９】
また、電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂとの間に分圧電極１７が設けられ、分圧電極１７と当該分圧電極１７と隣接している電極部１３Ｂ（１５Ｂ）とが、液晶の配向の変化に寄与する第１の高抵抗膜１９によって電気的に接続されている。さらに、分圧電極１７と当該分圧電極の遠位側において隣接している電極部１３Ｂ（１５Ｂ）とが第２の高抵抗膜２１によって電気的に接続されている。
【００５０】
すなわち、分圧電極１７と当該分圧電極の遠位側において隣接している電極部１３Ｂ（１５Ｂ）との間において、第１の高抵抗膜１９に並列して接続されている抵抗としての第２の高抵抗膜２１が設けられている。
【００５１】
本実施例の光偏向素子１０においては、このような構成により、セル領域ＳＲの各々において発生する当該セル領域ＳＲ内の各々に隣接するセル領域ＳＲからの電界の影響を低減することが可能である。具体的に言えば、セル領域ＳＲの各々において、隣接するセル領域ＳＲで発生している電界の影響によって液晶分子ＬＭの角度が変化してしまうことを防止することが可能である。
【００５２】
これにより、動作精度及び応答性が高く、セル領域ＳＲ内での屈折率変化を大きくすることができ、かつ偏光角の大きい光偏向素子１０をもたらすことが可能である。
【００５３】
また、本実施例の光偏向素子１０においては、上記電界の影響の低減を、分圧電極１７を形成しかつ当該分圧電極１７を当該分圧電極１７の遠位側において隣接している電極部１３Ｂ（１５Ｂ）と第２の高抵抗膜２１によって電気的に接続することによって達成している。すなわち、第１の高抵抗膜１９と同時形成できる第２の高抵抗膜２１及び電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂと同時形成できる分圧電極１７を設けるのみで、上記電界の影響の低減を達成している。
【００５４】
このように、本実施例の光偏向素子１０においては、製造工程におけるステップ数を増加させることなく、単純な構造で上記電界の影響を低減し、偏光角の大きい光偏向素子１０をもたらすことが可能である。具体的には、例えば、製造工程が少なく低コストで、偏光角が大きな液晶プリズムアレイが実現でき、また良好な光学的特性を有する液晶フレネルレンズを実現可能である。すなわち、高品質な光偏向制御を実現することが可能な光偏向素子を提供することが可能である。
［変形例］
上記実施例１においては、配線部１３Ａから伸張した拡張部１３Ｃ及び配線部１５Ａから伸張した拡張部１５Ｃによって抵抗部ＲＰを形成する場合を例に説明した。しかし、抵抗部ＲＰの抵抗値を調整するために、抵抗部ＲＰを他の態様で形成しても良い。
【００５５】
図５に、上記実施例１の光偏向素子１０と抵抗部ＲＰの部分の構成のみが異なる光偏向素子３０を示す。光偏向素子３０においては、非機能領域ＡＲ２において、第２の高抵抗膜２１に接して電極部１３Ｂ及び電極部１５Ｂから近位側の分圧電極１７に向かって伸張した第１の拡張部としての拡張部１３Ｄ及び第２の拡張部としての拡張部１５Ｄが形成されている。
【００５６】
また、非機能領域ＡＲ２において、第２の高抵抗膜２１に接して分極電極１７から遠位側の電極部１３Ｂまたは電極部１５Ｂに向かって伸張する拡張部１７Ａが形成されている。図５の例において、拡張部１７Ａは、光偏向素子１０の短手方向において、拡張部１３Ｄまたは拡張部１５Ｄを挟み込むように２つ形成されている。
【００５７】
すなわち、図５示す変形例においては、抵抗部ＲＰが、分極電極１７から伸張する拡張部１７Ａ、電極部１３Ｂ（１５Ｂ）から伸張する拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）、及び第２の高抵抗膜２１によって形成されている。
【００５８】
抵抗部ＲＰにおける抵抗値は、第２の高抵抗膜１５の表面抵抗値及び第２の高抵抗膜１５によって電気的に接続される拡張部１７Ａと拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）との間の距離に比例する。また、抵抗部ＲＰにおける抵抗値は、第２の高抵抗膜２１によって電気的に接続される拡張部１７Ａと拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）とが向かい合っている部分の幅に反比例する。
【００５９】
例えば、変形例の光偏向素子３０において、拡張部１７Ａと拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）との間の距離を実施例１の光偏向素子１０の分圧電極１７と拡張部１３Ｃ（１５Ｃ）との距離とを同一にしたとする。この場合、抵抗部ＲＰにおける抵抗値は、拡張部１７Ａと拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）とが向かい合う領域の幅が、分圧電極１７と拡張部１３Ｃ（１５Ｃ）とが向かい合う幅より大きくなっているため、光偏向素子１０よりも光偏向素子３０において小さくなる。
【００６０】
このように、抵抗部ＲＰの態様を変化させることで、抵抗部ＲＰにおける抵抗値を変化させることができる。これによって、電極部１３Ｂ（１５Ｂ）と分圧電極１７との間の電圧の変化態様を調整することが可能となる。
【００６１】
なお、単に、実施例１の光偏向素子１０において、拡張部１３Ｃ（拡張部１５Ｃ）と分極電圧１７との間の距離を変化させることで、抵抗部ＲＰの抵抗値を変化させることも可能である。また、拡張部１３Ｃ（拡張部１５Ｃ）及び分極電圧１７の伸張する長さを変化させることで、拡張部１７Ａと拡張部１３Ｄ（１５Ｄ）とが向かい合う領域の幅を変化させ、抵抗部ＲＰにおける抵抗値を変化させることも可能である。
【００６２】
上記実施例においては、第１の高抵抗膜１９内の電圧が、分圧電極１７の近傍において０Ｖとなる場合を例に説明した。
【００６３】
しかし、例えば、分圧電極１７からみて近位側に配されている電極部１３Ｂ（１５Ｂ）の影響を受けて、分圧電極１７の直下の液晶層２３内において電位が０Ｖからずれてしまう場合がある。そのような電極部１３Ｂ（１５Ｂ）の影響を打ち消すために、第１の高抵抗膜１９内の電圧を、分圧電極１７の近傍において０Ｖから僅かにずらすようにしてもよい。
【００６４】
図６に、分圧電極１７の近傍の電位を０Ｖから僅かにずらした場合の光偏向素子１０の断面図及び第１の高抵抗膜１９における電位を示すグラフを示す。図６に示す様に、例えば、分圧電極１７近傍の電位を０Ｖから僅かにずらし、分圧電極１７からみて近位側に配されている電極部１３Ｂ（１５Ｂ）の電位と正負反対の電位となるようにしてもよい。このような電位の調整は、抵抗部ＲＰにおける抵抗値を変化させることで行うことが可能である。
【００６５】
上述した実施例における種々の構成等は、例示に過ぎず、用途等に応じて適宜選択することができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０、３０  光偏向素子
１１    上部基板
１３    第１の電極構造
１３Ａ  配線部
１３Ｂ  電極部
１３Ｃ  拡張部
１３Ｄ  拡張部
１５    第２の電極構造
１５Ａ  配線部
１５Ｂ  電極部
１５Ｃ  拡張部
１５Ｄ  拡張部
１７    分圧電極
１７Ｄ  拡張部
１９    第１の高抵抗膜
２１    第２の高抵抗膜
２３    液晶層
２５    下部基板
２７    共通電極層
ＲＰ    抵抗部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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