(57)【要約】【課題】配線間での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域への水分の浸入を抑えることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】  表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域と、少なくとも前記表示領域の周縁から前記周辺領域に延在する第１配線と、前記表示領域および前記周辺領域に設けられ、前記第１配線を覆うとともに、前記周辺領域に第１溝を有する有機絶縁層と、前記有機絶縁層の前記第１溝に設けられ、前記有機絶縁層の構成材料の水蒸気透過率よりも低い水蒸気透過率の絶縁材料を含む埋込部と、前記埋込部を間にして前記第１配線に対向するとともに、前記第１配線と電位の異なる第２配線とを備えた表示装置。【選択図】図４
2019016474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域と、
少なくとも前記表示領域の周縁から前記周辺領域に延在する第１配線と、
前記表示領域および前記周辺領域に設けられ、前記第１配線を覆うとともに、前記周辺領域に第１溝を有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の前記第１溝に設けられ、前記有機絶縁層の構成材料の水蒸気透過率よりも低い水蒸気透過率の絶縁材料を含む埋込部と、
前記埋込部を間にして前記第１配線に対向するとともに、前記第１配線と電位の異なる第２配線とを備えた
表示装置。
【請求項２】
更に、前記第１配線と前記有機絶縁層との間に無機絶縁層を有し、
前記第１配線と前記第２配線との間に、前記埋込部とともに前記無機絶縁層が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
更に、基板と、
前記基板上の前記表示領域に設けられ、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極およびソース・ドレイン電極を含むトランジスタとを有し、
前記基板に近い位置から、前記半導体層、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極がこの順に設けられ、前記ソース・ドレイン電極は前記有機絶縁層に設けられた接続孔を介して前記半導体層に電気的に接続されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板に近い位置から、前記第１配線、前記有機絶縁層および前記第２配線がこの順に設けられ、
前記第１配線は前記ゲート電極と同一材料により構成され、
前記第２配線は前記ソース・ドレイン電極と同一材料により構成されている
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記半導体層は酸化物半導体材料を含む
請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
更に、前記基板と前記第１配線との間に、前記ゲート絶縁膜と同一材料の配線下絶縁層を有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
更に、前記ソース・ドレイン電極および前記第２配線を覆う平坦化層を有し、
前記平坦化層は、前記有機絶縁層の前記第１溝と平面視で重なる位置に第２溝を有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
更に、前記表示領域に設けられ、第１電極、有機層および第２電極を含む表示素子を有し、
前記トランジスタ上に、前記平坦化層を介して、前記第１電極、前記有機層および前記第２電極がこの順に設けられている
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２電極は、前記平坦化層の前記第２溝で前記第２配線に電気的に接続されている
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記埋込部は、前記絶縁材料からなる塗布膜を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記絶縁材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化シリコンの誘導体，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：Benzocyclobutene）またはパラキシリレン系ポリマー（パリレン）である
請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、表示領域および周辺領域に有機絶縁層を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子等の表示素子は、水分の影響を受けて劣化しやすいため、表示領域への水分の浸入を防ぐ方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、表示装置では、絶縁層を介して、互いに異なる電位の複数の配線が積層されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５４１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような表示装置では、配線間での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域への水分の浸入を抑えることが望まれている。
【０００６】
したがって、配線間での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域への水分の浸入を抑えることが可能な表示装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る表示装置は、表示領域および表示領域の外側の周辺領域と、少なくとも表示領域の周縁から周辺領域に延在する第１配線と、表示領域および周辺領域に設けられ、第１配線を覆うとともに、周辺領域に第１溝を有する有機絶縁層と、有機絶縁層の第１溝に設けられ、有機絶縁層の構成材料の水蒸気透過率よりも低い蒸気透過率の絶縁材料を含む埋込部と、埋込部を間にして第１配線に対向するとともに、第１配線と電位の異なる第２配線とを備えたものである。
【０００８】
本技術の一実施の形態に係る表示装置では、有機絶縁層に第１溝が設けられているので、有機絶縁層を介した水分の浸入経路が第１溝により遮断される。また、この第１溝に埋込部が設けられているので、第１溝に何も設けない場合に比べて、第１配線と第２配線との間の絶縁性が高まる。
【発明の効果】
【０００９】
本技術の一実施の形態に係る表示装置によれば、有機絶縁層の周辺領域に第１溝を設けるようにしたので、有機絶縁層を介した表示領域への水分の浸入を抑えることができる。また、第１溝に埋込部を設けるようにしたので、第１配線と第２配線との間の短絡の発生を抑えることができる。よって、配線間（第１配線と第２配線との間）での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域への水分の浸入を抑えることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す平面模式図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表すブロック図である。
【図３】図２に示した画素の配置を表す模式図である。
【図４】図１に示したＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面構成を表す模式図である。
【図５】図４に示した有機絶縁層の構成を表す平面模式図である。
【図６】図３に示した有機層の構成の一例を表す断面模式図である。
【図７Ａ】図４に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図８】比較例１に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図９】比較例２に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１０】比較例３に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１１】電子機器の構成を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（有機絶縁層の第１溝に埋込部を有する表示装置）
２．適用例（電子機器の例）
【００１２】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。この表示装置１は、中央の表示領域１Ａと、この表示領域１Ａの外側の周辺領域１Ｂとを有している。表示領域１Ａは、例えば四角形状である。周辺領域１Ｂは、この表示領域１Ａを囲むように枠状に設けられている。
【００１３】
図２は、表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂの機能構成の一例を表している。表示領域１Ａは、２次元配置された複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂを有している。この表示領域１Ａには、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される。周辺領域１Ｂには、例えば、表示領域１Ａを駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）が設けられている。表示領域１Ａから周辺領域１Ｂにわたって、例えば、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、走査線ＷＳＬを介して走査線駆動部３に、信号線ＤＴＬを介して信号線駆動部４に、電源線ＤＳＬを介して電源線駆動部５に各々電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素Ｐｉｘ）を構成する。
【００１４】
図３は、図２に示した画素Ｐｉｘ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）の平面構成の一例を表したものである。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの各面形状は、例えば矩形状を有し、全体としてストライプ状を成して配置されている。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの矩形状の長辺に沿った方向（図３の列方向）では、同じ発光色の画素が並んで配置されている。画素ｐｒは、赤色（Ｒ）の表示を行うものであり、画素ｐｇは、例えば緑色（Ｇ）の表示を行うものであり、画素ｐｂは、例えば青色（Ｂ）の表示を行うものである。これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂはそれぞれ、有機ＥＬ素子２０を含む画素回路ＰＸＬＣを有している（図２）。
【００１５】
以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。
【００１６】
画素回路ＰＸＬＣは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂにおける発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子（表示素子）２０と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示するが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、この２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。
【００１７】
書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子２０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子２０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
【００１８】
書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子２０のアノード（後述の第１電極２１）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子２０側の電極との間に挿入されている。
【００１９】
走査線ＷＳＬは、表示領域１Ａに配置された複数の画素Ｐを行毎に選択するための選択パルスを、各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子２０のカソード（後述の第２電極２４）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。
【００２０】
走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。
【００２１】
以下に、表示装置１の具体的な構成を説明する。
【００２２】
図４は、表示装置１の表示領域１Ａから周辺領域１Ｂにわたる断面構成を模式的に表したものであり、図１に示したＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面構成に対応する。表示装置１では、対向する第１基板１１および第２基板３１の間に複数の有機ＥＬ素子２０が封止されている。第１基板１１上には、トランジスタ１２、第１配線１２３Ｃおよび第２配線１２４Ｃが設けられている。第１配線１２３Ｃと第１基板１１との間には、配線下絶縁層１２２Ｃが設けられている。トランジスタ１２は、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、第１基板１１に近い位置から、半導体層１２１、ゲート絶縁膜１２２およびゲート電極１２３をこの順に有している。これら半導体層１２１、ゲート絶縁膜１２２およびゲート電極１２３は、無機絶縁層１３を間にして有機絶縁層１４に覆われており、有機絶縁層１４上にはソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂが設けられている。このトランジスタ１２のソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂとともに、有機絶縁層１４上には、第２配線１２４Ｃが設けられている。ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃは、平坦化層１５に覆われている。
【００２３】
表示装置１は、この平坦化層１５上に有機ＥＬ素子２０を有している。有機ＥＬ素子２０は、平坦化層１５に近い位置から、第１電極２１、有機層２３および第２電極２４を有している。隣り合う有機ＥＬ素子２０の間には、素子分離膜２２が設けられている。有機ＥＬ素子２０上には、例えば、保護層２５が設けられ、この保護層２５上に封止層３３を介して第２基板３１が貼り合わされている。第２基板３１の、第１基板１１との対向面には、例えばカラーフィルタ層３２が設けられている。
【００２４】
第１基板１１は、例えばガラス，石英，シリコン，樹脂材料または金属板等により構成されている。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。
【００２５】
トランジスタ１２は、例えば図２に示した駆動トランジスタＤｓＴｒに相当するものであり、表示領域１Ａに設けられている。
【００２６】
半導体層１２１は、第１基板１１上にパターン形成されている。この半導体層１２１は、ゲート電極１２３と対向する領域にチャネル領域（活性層）を含んでいる。半導体層１２１は、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。具体的には、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。あるいは、半導体層１２１は、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）または非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていても構わない。
【００２７】
第１基板１１と半導体層１２１との間に、ＵＣ（Under Coat）膜を設けるようにしてもよい。ＵＣ膜は、第１基板１１から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜等の絶縁材料により構成されている。
【００２８】
半導体層１２１とゲート電極１２３との間に設けられたゲート絶縁膜１２２は、例えば、ゲート電極１２３と同一の平面形状を有しており、ゲート絶縁膜１２２の端面は、ゲート電極１２３の端面と平面視で重なる位置に配置されている。即ち、トランジスタ１２はセルフアライン構造を有するＴＦＴである。ゲート絶縁膜１２２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯx）等のうちの１種よりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜から構成されている。
【００２９】
ゲート電極１２３は、ゲート絶縁膜１２２を間にして半導体層１２１に対向している。このゲート電極１２３は、印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層１２１中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。ゲート電極１２３の構成材料は、例えば、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），ネオジウム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種を含む単体および合金が挙げられる。あるいは、それらのうちの少なくとも１種を含む化合物および２種以上を含む積層膜であってもよい。また、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が用いられても構わない。
【００３０】
配線下絶縁層１２２Ｃは例えば、ゲート絶縁膜１２２と、第１配線１２３Ｃは例えば、ゲート電極１２３とそれぞれ同一工程で形成されている。即ち、配線下絶縁層１２２Ｃとゲート絶縁膜１２２とが互いに同一の構成材料からなり、第１配線１２３Ｃとゲート電極１２３とが互いに同一の構成材料からなる。第１配線１２３Ｃは、表示領域１Ａの周縁近傍から周辺領域１Ｂにかけて所定の方向に延在している。例えば、第１配線１２３Ｃは、電源線ＤＳＬであり、図４のＸ方向に延在している。
【００３１】
無機絶縁層１３は、ゲート電極１２３、ゲート絶縁膜１２２および半導体層１２１とともに、第１配線１２３Ｃおよび配線下絶縁層１２２Ｃを覆っており、表示領域１Ａから周辺領域１Ｂにわたって設けられている。この無機絶縁層１３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜，酸化チタン（ＴｉＯ2）膜または酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）膜等により構成されている。無機絶縁層１３は、このような膜の単層膜によって構成してもよく、あるいは、複数の膜を含む積層膜によって構成してもよい。無機絶縁層１３は、例えば、積層膜により構成されており、厚み３０ｎｍの酸化アルミニウム膜および厚み１００ｎｍの酸化シリコン膜を含んでいる。例えば、第１基板１１により位置に酸化アルミニウム膜が配置されている。このような無機絶縁層１３は、外気に対して良好なバリア性を有するので、酸素および水分等に起因する半導体層１２１の電気的特性の変化を抑えることが可能となる。
【００３２】
有機絶縁層１４は、無機絶縁層１３を間にして、ゲート電極１２３および第１配線１２３Ｃを覆っており、無機絶縁層１３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃとの間に設けられている。即ち、有機絶縁層１４は、無機絶縁層１３と同様に、表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂに設けられている。有機絶縁層１４は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ノボラック系樹脂等の有機材料により構成されており、その厚みは２〜３μｍである。このような十分な厚みの有機絶縁層１４で、ゲート電極１２３およびゲート絶縁膜１２２と、第１配線１２３Ｃおよび配線下絶縁層１２２Ｃとを覆うことにより、これらの段差に起因した不具合の発生を抑えることができる。具体的には、ゲート電極１２３およびゲート絶縁膜１２２の段差に起因したソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂの断線および短絡等の発生と、第１配線１２３Ｃおよび配線下絶縁層１２２Ｃの段差に起因した第２配線１２４Ｃの断線および短絡等の発生とが抑えられる。
【００３３】
また、有機絶縁層１４を無機絶縁層１３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃとの間に設けることにより、配線間（例えば、ゲート電極１２３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂとの間、または第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間）の寄生容量を低減することができる。
【００３４】
本実施の形態では、この有機絶縁層１４の周辺領域１Ｂに第１溝Ｇ１が設けられている。上記のような有機絶縁材料は、無機絶縁材料と比較して水蒸気透過率（ＭＶＴＲ：Moisture Vapor Transmission Rate）が高い。このため、比較的、水蒸気透過率の高い有機絶縁層１４に第１溝Ｇ１を設けることにより、第１溝Ｇ１の外側から表示領域１Ａへの水分の浸入経路が遮断される。したがって、有機絶縁層１４に第１溝Ｇ１を設けることにより、有機絶縁層１４を介した表示領域１Ａへの水分の浸入を抑えることができる。第１溝Ｇ１は、周辺領域１Ｂのうち、例えば、表示領域１Ａに近い位置に配置されており、第１溝Ｇ１の内側（周辺領域１Ｂ）と第１溝Ｇ１の外側とに有機絶縁層１４が設けられている。第１溝Ｇ１は、例えば、有機絶縁層１４を貫通して設けられ、第１溝Ｇでは、有機絶縁層１４から無機絶縁層１３が露出される。
【００３５】
表示装置１は、この第１溝Ｇ１により露出された無機絶縁層１３上に、埋込部１４Ｖを有している。有機絶縁層１４の第１溝Ｇ１に設けられた埋込部１４Ｖは、有機絶縁層１４の構成材料の水蒸気透過率よりも低い水蒸気透過率を有する絶縁材料により構成されている。例えば、有機絶縁層１４がポリイミド（水蒸気透過率が約８４ｇ／（ｍ2・ｄａｙ））により構成されているとき、埋込部１４Ｖには、酸化シリコン（ＳｉＯ2，水蒸気透過率が約０．１０〜０．６３ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）），酸化シリコンの誘導体，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：Benzocyclobutene，水蒸気透過率が２４ｇ／（ｍ2・ｄａｙ））またはパラキシリレン系ポリマー（パリレン，水蒸気透過率が＜１．０ｇ／（ｍ2・ｄａｙ））等を用いることができる。酸化シリコンの誘導体としては、例えばスピンオングラス（ＳＯＧ：Spin On Glass）が挙げられる。埋込部１４Ｖには、水蒸気透過率ができるだけ低い絶縁材料、例えば水蒸気透過率が１．０ｇ／（ｍ2・ｄａｙ）よりも小さい絶縁材料を用いることが好ましい。製造工程で所望の特性を維持するため、埋込部１４Ｖは、温度および薬液等に対する耐性の高い絶縁材料により構成されていることが好ましい。埋込部１４Ｖは、例えば、このような絶縁材料の塗布膜を含んでいる。埋込部１４Ｖの厚みは、有機絶縁層１４の厚みよりも小さくてもよいが、例えば３００ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【００３６】
詳細は後述するが、このような埋込部１４Ｖを第１溝Ｇ１に設けることにより、有機絶縁層１４を間にして互いに対向する第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の短絡の発生を抑えることができる。埋込部１４Ｖは、第１溝Ｇ１から外側に多少はみ出して設けられていてもよいが、周辺領域１Ｂ内にとどまっている。
【００３７】
図５は、第１溝Ｇ１および埋込部１４Ｖの平面構成を模式的に表したものである。第１溝Ｇ１および埋込部１４Ｖは、周辺領域１Ｂのうち、表示領域１Ａに近い位置に設けられ、表示領域１Ａを囲んでいる。第１溝Ｇ１および埋込部１４Ｖは、例えば四角形の平面形状を有している。比較的水分透過率の高い有機絶縁層１４に、このような第１溝Ｇ１および埋込部１４Ｖを設けることにより、第１溝Ｇ１の外側からの有機絶縁層１４を介した水分の浸入を抑えることができる。
【００３８】
有機絶縁層１４上に設けられたソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂは、有機絶縁層１４および無機絶縁層１３に設けられた接続孔を通じて半導体層１２１に電気的に接続されている。このソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂは、トランジスタ１２のソースまたはドレインとして機能するものであり、例えば、上記ゲート電極１２３の構成材料として列挙したものと同様の金属または透明導電膜を含んで構成されている。一対のソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂのうちの一方（ソース・ドレイン電極１２４Ａ）は、例えば、平坦化層１５に設けられた接続孔を通じて、有機ＥＬ素子２０の第１電極２１に電気的に接続されている。
【００３９】
第２配線１２４Ｃは、表示領域１Ａの周縁近傍から周辺領域１Ｂにかけて設けられている。この第２配線１２４Ｃは、埋込部１４Ｖ上にも設けられ、無機絶縁層１３および埋込部１４Ｖを間にして第１配線１２３Ｃに対向している。第２配線１２４Ｃは、例えば、ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂと同一工程で形成されており、ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂと同一の構成材料からなる。この第２配線１２４Ｃは、例えば、有機ＥＬ素子２０の第２電極２４に電気的に接続されており、第１配線１２３Ｃとは異なる電位を有している。
【００４０】
平坦化層１５は、ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃを覆うように、有機絶縁層１４上に設けられている。この平坦化層１５は、表示領域１Ａおよび周辺領域１Ｂに設けられ、周辺領域１Ｂに第２溝Ｇ２を有している。この第２溝Ｇ２は、第２配線１２４Ｃと有機ＥＬ素子２０の第２電極２４とを電気的に接続するためのものであり、第２配線１２４Ｃ上に設けられている。第２溝Ｇ２では平坦化層１５から第２配線１２４Ｃが露出され、この露出された第２配線１２４Ｃに第２電極２４が接している。第２溝Ｇ２は、平面（例えば、図４のＸＹ平面）視で、有機絶縁層１４の第１溝Ｇ１と重なる位置に設けられている。第２溝Ｇ２は、第１溝Ｇ１と同様に、表示領域１Ａを囲むように設けられている（図５参照）。平坦化層１５には、例えばポリイミド樹脂，ノボラック樹脂，エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。このような有機絶縁材料を含む平坦化層１５に第２溝Ｇ２を設けることにより、第２溝Ｇ２の外側からの平坦化層１５を介した水分の浸入を抑えることができる。
【００４１】
この平坦化層１５上の表示領域１Ａに、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に有機ＥＬ素子２０が配置されている。有機ＥＬ素子２０の第１電極２１は、平坦化層１５上に複数配置されている。これらの複数の第１電極２１は、互いに分離して設けられている。
【００４２】
第１電極２１は、例えばアノードとして機能する反射電極であり、画素Ｐ毎に設けられている。この第１電極２１の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），クロム，金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステンあるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極２１は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００４３】
素子分離膜２２は、複数の第１電極２１を覆い、各々の第１電極２１の表面から隣り合う第１電極２１の間に設けられている。素子分離膜２２は、各第１電極２１に対向して開口を有している。この開口では、素子分離膜２２から第１電極２１が露出されており、この露出された第１電極２１上に有機層２３が配置される。素子分離膜２２は、各画素Ｐの発光領域を規定すると共に、第１電極２１と第２電極２４との絶縁性を確保するためのものである。素子分離膜２２は、有機層２３がウェットプロセスを用いて成膜される場合には、いわゆる隔壁として機能する。素子分離膜２２は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を含んで構成されている。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。また、素子分離膜２２には、例えば酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン等の無機材料が用いられても構わない。
【００４４】
図６は、有機層２３の具体的な構成の一例を表している。有機層２３は、例えば第１電極２１に近い位置から、正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、発光層２３３、電子輸送層２３４および電子注入層２３５をこの順に有している。有機層１７は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、素子分離膜２２の開口に設けられている。発光層２３３は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に、互いに異なる色の発光層２３３を有している。例えば、画素ｐｒの発光層２３３は赤色を、画素ｐｇの発光層２３３は緑色を、画素ｐｂの発光層２３３は青色を、それぞれ発生させる。
【００４５】
正孔注入層２３１は、リークを防止するための層であり、例えばヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等により構成されている。正孔注入層２３１の厚みは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍである。正孔輸送層２３２は、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕により構成されている。正孔輸送層２３２の厚みは、例えば１５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４６】
発光層２３３は、正孔と電子との結合により、所定の色の光を発するように構成されており、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有している。赤色波長域の光を発する発光層２３３は、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンにより構成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられている。緑色波長域の光を発する発光層２３３は、例えばＡｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。青色波長域の光を発する発光層２３３は、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）により構成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として、正孔輸送層２３２上に例えば厚み２０ｎｍで蒸着され、ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として、相対膜厚比で５％ドーピングされる。
【００４７】
電子輸送層２３４は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）により構成されている。電子輸送層２３４の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子注入層２３５は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成されている。電子注入層２３５の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２７０ｎｍである。
【００４８】
有機層２３を間にして第１電極２１に対向する第２電極２４は、例えばカソードとして機能するものであり、表示領域１Ａの全面にわたって（全画素Ｐに共通の電極として）形成されている。この第２電極２４は、例えば透明導電膜から構成されている。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。第２電極２４の厚みは、特に限定されないが、導電性と光透過性とを考慮して設定されるとよい。第２電極２４には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。
【００４９】
保護層２５は、第２電極２４を覆うように設けられ、例えば、窒化シリコンなどにより構成されている。この保護層２５は、有機ＥＬ素子２０への水分の侵入を防ぎ、発光効率などの特性が変化するのを防止する保護膜としての機能を有している。
【００５０】
封止層３３は、保護層２５と第２基板３１とを貼り合わせると共に、有機ＥＬ素子２０を封止するものである。封止層３３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。
【００５１】
カラーフィルタ層３２は、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを含んでいる。このカラーフィルタ層３２は、例えば、第２基板３１の一面（例えば封止層３３側の面）に設けられている。画素ｐｒの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に赤色フィルタが、画素ｐｇの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に緑色フィルタが、画素ｐｂの有機ＥＬ素子２０に対向する領域に青色フィルタが、それぞれ設けられている。これらの赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。
【００５２】
上記の赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ間の領域（画素間の領域）にブラックマトリクス層を設けるようにしてもよい。このブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００５３】
第２基板３１は、封止層３３と共に有機ＥＬ素子２０を封止するものである。この第２基板３１は、例えば、有機ＥＬ素子２０で発生した光に対して透明なガラスまたはプラスチックなどの材料により構成されている。
【００５４】
[製造方法]
このような表示装置１は、例えば、以下のようにして製造する（図７Ａ，７Ｂ）。
【００５５】
まず、第１基板１１上に、例えば酸化物半導体材料を成膜した後、これをパターニングして半導体層１２１を形成する。次いで、この半導体層１２１を覆うようにして、絶縁材料および導電材料をこの順に成膜する。その後、この導電材料をパターニングすることにより、半導体層１２１に対向するゲート電極１２３を形成する。このとき、ゲート電極１２３と同一工程で第１配線１２３Ｃを形成する。ゲート電極１２３および第１配線１２３Ｃを形成した後、このゲート電極１２３および第１配線１２３Ｃそれぞれをマスクにして、下層の絶縁材料をパターニングする。これにより、ゲート絶縁膜１２２および配線下絶縁層１２２Ｃが同一工程で形成される。
【００５６】
続いて、ゲート電極１２３および第１配線１２３Ｃを覆うように、無機絶縁層１３を形成する。無機絶縁層１３は、例えば積層構造を有しており、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウム膜を成膜した後、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて酸化シリコン膜を成膜することにより形成する。続いて、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法を用いて無機絶縁層１３に、半導体層１２１に達する接続孔を形成する。
【００５７】
次に、図７Ａに示したように、無機絶縁層１３上に、第１溝Ｇ１を有する有機絶縁層１４を形成する。この工程では、例えば感光性を有するポリイミドをスピンコート法またはスリットコート法により成膜した後、フォトリソグラフィ法を用いて、このポリイミド膜に第１溝Ｇ１を形成する。第１溝Ｇ１は、周辺領域１Ｂに形成する。
【００５８】
次に、図７Ｂに示したように、第１溝Ｇ１に埋込部１４Ｖを形成する。埋込部１４Ｖは、例えばスクリーン印刷等の塗布法を用いて形成する。ノズルまたはニードルを用いた塗布法により、埋込部１４Ｖを形成するようにしてもよい。即ち、埋込部１４Ｖは、有機絶縁層１４の構成材料よりも水蒸気透過率の低い絶縁材料からなる塗布膜を含んでいる。このように、塗布法を用いて埋込部１４Ｖを形成することにより、所望の領域、即ち第１溝Ｇ１のみに埋込部１４Ｖを形成することができる。また、塗布法を用いて埋込部１４Ｖを形成することにより、厚みの大きい埋込部１４Ｖを容易に形成することができる。
【００５９】
埋込部１４Ｖを形成した後、有機絶縁層１４上に導電材料を例えばスパッタリング法により成膜する。その後、この導電材料をフォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングする。これにより、ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃが同一工程で形成される。
【００６０】
続いて、ソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃを覆う平坦化層１５を形成する。この工程では、例えば感光性を有するポリイミドを、スピンコート法またはスリットコート法を用いて、有機絶縁層１４上に成膜した後、このポリイミド膜にフォトリソグラフィ法を用いて、ソース・ドレイン電極１２４Ａに達する接続孔を形成する。
【００６１】
次に、平坦化層１５上に、有機ＥＬ素子２０を形成する。有機ＥＬ素子２０は、例えば、以下のようにして形成する。まず、第１電極２１を形成する。第１電極２１は、平坦化層１５に形成した接続孔を埋め込むように、導電材料を例えばスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングして形成する。第１電極２１を形成した後、第１電極２１上に、開口を有する素子分離膜２２を形成する。続いて、素子分離膜２２の開口に有機層２３を形成する。有機層２３は、例えば、インクジェット法などの塗布法を用いて形成する。その後、有機層２３上に、上述した材料よりなる第２電極２４を例えばスパッタリング法により形成する。これにより、有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００６２】
有機ＥＬ素子２０を形成した後、第２電極２４上に保護層２５を例えばＣＶＤ法により成膜する。続いて、この保護層２５上に、封止層３３を間にして第２基板３１を貼り合わせる。例えば、この第２基板３１にはカラーフィルタ層３２を予め形成しておく。このようにして、表示装置１を完成させる。
【００６３】
［作用、効果］
本実施の形態の表示装置１では、走査線駆動部３から各画素Ｐの書き込みトランジスタＷｓＴｒへ選択パルスが供給されることで、画素Ｐが選択される。この選択された画素Ｐに、信号線駆動部４から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＤｓＴｒがオンオフ制御され、有機ＥＬ素子２０に駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子２０（発光層２３３）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第２電極２４、保護層２５、封止層３３、カラーフィルタ層３２および第２基板３１を透過して取り出される。これにより、各画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）から赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
【００６４】
ここで、本実施の形態では、有機絶縁層１４の周辺領域１Ｂに、第１溝Ｇ１が設けられている。これにより、有機絶縁層１４を介した水分の浸入経路が第１溝Ｇ１により遮断される。また、この第１溝Ｇ１に埋込部１４Ｖが設けられている。これにより、第１溝Ｇ１に何も設けない場合に比べ、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の絶縁性が高まる。以下、これについて説明する。
【００６５】
図８は、比較例１に係る表示装置（表示装置１０１）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置１０１では、ゲート電極１２３および第１配線１２３Ｃを無機絶縁層１３が覆い、この無機絶縁層１３に接してソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃが設けられている。つまり、無機絶縁層１３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃとの間に、有機絶縁層（例えば、図４の有機絶縁層１４）が設けられていない。
【００６６】
このような表示装置１０１では、有機絶縁層が設けられていないので、有機絶縁層に起因した水分の浸入を考慮する必要がない。しかし、ゲート絶縁膜１２２およびゲート電極１２３の段差と、配線下絶縁層１２２Ｃおよび第１配線１２３Ｃの段差とを、薄い無機絶縁層１３では十分に覆うことができない。したがって、ゲート電極１２３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂとの間で、あるいは、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間で短絡が生じるおそれがある。また、配線間（例えば、ゲート電極１２３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂとの間、および、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間等）の寄生容量が大きくなりやすい。
【００６７】
無機絶縁層１３に被覆性の高い材料、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）系の材料を用いることも考え得る。しかし、半導体層１２１に接する無機絶縁層１３は、トランジスタ１２の特性に影響を及ぼしやすい。例えば、水素を含む窒化シリコン（ＳｉＮｘ）系の材料を無機絶縁層１３に用いると、酸化物半導体材料を含む半導体層１２１に還元反応が生じ、トランジスタ１２にデプレッションが発生する。また、無機絶縁層１３の厚みを大きくすると、成膜時間が長くなり、かつ、加工も困難である。
【００６８】
図９は、比較例２に係る表示装置（表示装置１０２）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置１０２では、無機絶縁層１３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂおよび第２配線１２４Ｃとの間に、有機絶縁層（有機絶縁層１４０）を設けているので、ゲート電極１２３とソース・ドレイン電極１２４Ａ，１２４Ｂとの間、あるいは、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の短絡の発生を抑えることができる。また、配線間の寄生容量を小さくすることができる。しかし、有機絶縁層１４０は、無機絶縁層１３に比べて水蒸気透過率が高いので、有機絶縁層１４０を介して周辺領域１Ｂから表示領域１Ａに水分が浸入しやすくなる。この水分に起因して、有機ＥＬ素子２０の劣化が生じるおそれがある。
【００６９】
図１０は、比較例３に係る表示装置（表示装置１０３）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置１０３では、有機絶縁層１４０の、周辺領域１Ｂに第１溝（第１溝Ｇ１００）を設けるようにしたので、有機絶縁層１４０を介した水分の浸入経路が遮断される。しかし、第１溝Ｇ１００に何も設けられていないので、第１溝Ｇ１００を間にして対向する第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間には、無機絶縁層１３のみが存在する。この薄い無機絶縁層１３のみでは、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の絶縁性が十分に確保できず、これらの間に短絡が生じるおそれがある。
【００７０】
これに対し、本実施の形態では、有機絶縁層１４の第１溝Ｇ１に埋込部１４Ｖを設けるようにしたので、第１溝Ｇ１を間にして対向する第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間に、無機絶縁層１３とともに、埋込部１４Ｖが存在する。したがって、第１溝Ｇ１により、有機絶縁層１４を介した水分の浸入経路を遮断しつつ、絶縁性の埋込部１４Ｖにより、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の絶縁性が確保される。よって、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域１Ａへの水分の浸入を抑えることができる。
【００７１】
また、埋込部１４Ｖは第１溝Ｇ１に設けるので、半導体層１２１（表示領域１Ａ）に埋込部１４Ｖが影響を及ぼすのを抑えることができる。これにより、トランジスタ１２の特性が安定し、表示品位を安定化させることができる。
【００７２】
以上のように、表示装置１では、有機絶縁層１４の、周辺領域１Ｂに第１溝Ｇ１を設けるようにしたので、有機絶縁層１４を介した第１溝Ｇ１の外側から表示領域１Ａへの水分の浸入を抑えることができる。また、第１溝Ｇ１に埋込部１４Ｖを設けるようにしたので、第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間の短絡の発生を抑えることができる。よって、配線間（第１配線１２３Ｃと第２配線１２４Ｃとの間）での短絡の発生を抑えるとともに、表示領域１Ａへの水分の浸入に起因した表示不良の発生を抑えることが可能となる。
【００７３】
更に、埋込部１４Ｖは、塗布法を用いて形成することにより、容易に厚膜化される。このため、第１溝Ｇ１の幅を狭くしても、水蒸気透過率の低い埋込部１４Ｖにより、水分の浸入が抑えられる。したがって、第１溝Ｇ１の幅を狭くし、狭額縁化を実現することができる。また、厚い埋込部１４Ｖは、配線下絶縁層１２２Ｃおよび第１配線１２３Ｃの段差を安定して覆うことができる。
【００７４】
加えて、有機絶縁層１４を設けることにより、配線間の寄生容量を小さくすることができる。
【００７５】
＜電子機器の例＞
上記実施の形態において説明した表示装置１は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１１に、電子機器６の機能ブロック構成を示す。電子機器６としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００７６】
電子機器６は、例えば上述の表示装置１と、インターフェース部６０とを有している。インターフェース部６０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部６０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００７７】
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料、厚み、または成膜方法および成膜条件等は列挙したものに限定されるものではなく、他の材料、厚みまたは成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００７８】
また、有機層２３は、少なくとも発光層２３３を含んでいればよく、例えば、有機層２３が発光層２３３のみにより構成されていてもよい。発光層２３３は、例えば白色の光を発生するものであってもよい。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが全て同じ色（例えば、白色）の光を発生させる発光層２３３を有していてもよく、あるいは画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが互いに異なる色（例えば、赤色，緑色，青色）の光を発生させる発光層２３３を有していてもよい。
【００７９】
更に、上記実施の形態では、トップゲート構造を有するトランジスタ１２を例示して説明したが、トランジスタ１２はボトムゲート構造を有していてもよい。また、画素回路ＰＸＬＣの構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路ＰＸＬＣの変更に応じて、走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８０】
加えて、表示装置１は、有機ＥＬ素子２０に代えて、無機ＥＬ素子、液晶表示素子および電気泳動素子等の表示素子を有していてもよい。
【００８１】
上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【００８２】
尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
表示領域および前記表示領域の外側の周辺領域と、
少なくとも前記表示領域の周縁から前記周辺領域に延在する第１配線と、
前記表示領域および前記周辺領域に設けられ、前記第１配線を覆うとともに、前記周辺領域に第１溝を有する有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の前記第１溝に設けられ、前記有機絶縁層の構成材料の水蒸気透過率よりも低い水蒸気透過率の絶縁材料を含む埋込部と、
前記埋込部を間にして前記第１配線に対向するとともに、前記第１配線と電位の異なる第２配線とを備えた
表示装置。
（２）
更に、前記第１配線と前記有機絶縁層との間に無機絶縁層を有し、
前記第１配線と前記第２配線との間に、前記埋込部とともに前記無機絶縁層が設けられている
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
更に、基板と、
前記基板上の前記表示領域に設けられ、半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極およびソース・ドレイン電極を含むトランジスタとを有し、
前記基板に近い位置から、前記半導体層、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極がこの順に設けられ、前記ソース・ドレイン電極は前記有機絶縁層に設けられた接続孔を介して前記半導体層に電気的に接続されている
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記基板に近い位置から、前記第１配線、前記有機絶縁層および前記第２配線がこの順に設けられ、
前記第１配線は前記ゲート電極と同一材料により構成され、
前記第２配線は前記ソース・ドレイン電極と同一材料により構成されている
前記（３）に記載の表示装置。
（５）
前記半導体層は酸化物半導体材料を含む
前記（３）または（４）に記載の表示装置。
（６）
更に、前記基板と前記第１配線との間に、前記ゲート絶縁膜と同一材料の配線下絶縁層を有する
前記（３）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
更に、前記ソース・ドレイン電極および前記第２配線を覆う平坦化層を有し、
前記平坦化層は、前記有機絶縁層の前記第１溝と平面視で重なる位置に第２溝を有する
前記（３）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
更に、前記表示領域に設けられ、第１電極、有機層および第２電極を含む表示素子を有し、
前記トランジスタ上に、前記平坦化層を介して、前記第１電極、前記有機層および前記第２電極がこの順に設けられている
前記（７）に記載の表示装置。
（９）
前記第２電極は、前記平坦化層の前記第２溝で前記第２配線に電気的に接続されている
前記（８）に記載の表示装置。
（１０）
前記埋込部は、前記絶縁材料からなる塗布膜を含む
前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記絶縁材料は、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化シリコンの誘導体，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：Benzocyclobutene）またはパラキシリレン系ポリマー（パリレン）である
前記（１）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
【符号の説明】
【００８３】
１…表示装置、１Ａ…表示領域、１Ｂ…周辺領域、ＤｓＴｒ…駆動トランジスタ、ＷｓＴｒ…書き込みトランジスタ、Ｃｓ…保持容量、１１…第１基板、１２…トランジスタ、１２１…半導体層、１２２…ゲート絶縁膜、１２２Ｃ…配線下絶縁層、１２３…ゲート電極、１２３Ｃ…第１配線、１２４Ａ，１２４Ｂ…ソース・ドレイン電極、１２４Ｃ…第２配線、１３…無機絶縁層、１４…有機絶縁層、１５…平坦化層、２０…有機ＥＬ素子、２１…第１電極、２２…素子分離膜、２３…有機層、２４…第２電極、２５…保護層、３１…第２基板、３２…カラーフィルタ層、３３…封止層、３…走査線駆動部、４…信号線駆動部、５…電源線駆動部、６…電子機器、６０…インターフェース部、Ｐ，ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ…画素、Ｇ１…第１溝、Ｇ２…第２溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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