(57)【要約】【課題】できるだけ少ない測定点でウェーハ全面の抵抗率が公差内に収まっていることを保証することが可能なシリコンウェーハの抵抗率評価方法を提供する。【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの抵抗率評価方法は、ＦＺ法により製造されたシリコンウェーハの中心から最外周までの径方向の相対位置が０．５ｒ以上０．９５ｒ以下（ｒはウェーハの半径）の測定範囲内に設定した複数の測定点の抵抗率を測定し（Ｓ１）、前記複数の測定点の抵抗率の近似直線の傾きから前記シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているか否かを評価する（Ｓ２〜Ｓ５）。【選択図】図１
2019016661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＺ法により製造されたシリコンウェーハの中心から最外周までの径方向の相対位置が０．５ｒ以上０．９５ｒ以下（ｒはウェーハの半径）の測定範囲内に設定した複数の測定点の抵抗率を測定し、前記複数の測定点の抵抗率の近似直線の傾きから前記シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているか否かを評価することを特徴とするシリコンウェーハの抵抗率評価方法。
【請求項２】
前記複数の測定点の数は４点である、請求項１に記載のシリコンウェーハの抵抗率評価方法。
【請求項３】
前記近似直線の傾きが−２０以上５以下である場合に前記シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているものと評価する、請求項１又は２に記載のシリコンウェーハの抵抗率評価方法。
【請求項４】
前記シリコンウェーハの直径が１５０ｍｍ以上である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの抵抗率評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）により製造されるシリコンウェーハの抵抗率の面内分布を評価する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶を育成する方法の一つとしてＦＺ（Floating Zone）法が知られている。ＦＺ法では多結晶シリコンからなる原料ロッドの一部を加熱して溶融帯域を作り、溶融帯域を表面張力で支えながら溶融帯域の上方及び下方にそれぞれ位置する原料ロッド及び単結晶を下方に移動させることにより単結晶を徐々に成長させる。ＦＺ法はＣＺ法のようにシリコン融液を支持するための石英ルツボを用いる必要がなく、融液中の酸素濃度が非常に低いことから、格子間酸素濃度が非常に低い高品質なシリコン単結晶を製造することができ、高い絶縁耐圧が要求されるパワー半導体（ディスクリート半導体）の基板材料として好ましく用いられている。
【０００３】
シリコン単結晶を半導体として機能させるためにはｐ型或いはｎ型の不純物のドーピングが必要である。ＦＺ法では溶融帯域にドーパントガスを吹き付けるガスドーピングによってシリコン単結晶への不純物のドーピングが行われている。例えば特許文献１には、単結晶の回転方向を交互に変更するとともに、原料ロッドの回転方向及び／又は回転数を変更することにより、単結晶中に取り込まれるドーパントの面内分布を制御し、単結晶から製造されるウェーハの抵抗率の面内ばらつきを低減する方法が記載されている。
【０００４】
また特許文献２には、単結晶をベース角度で回転させるベース回転と、ベース回転とは逆方向にベース角度よりも小さなカウンター角度で回転させるカウンター回転とを交互に繰り返しながらガスドーピングする際に、固液界面における原料ロッドの直径に応じてベース角度とカウンター角度の組み合わせを定めることにより、単結晶の抵抗率の面内ばらつきを抑え、これにより製造ロット内の単結晶ウェーハの耐圧ばらつきを小さくすることが記載されている。
【０００５】
また特許文献３には、単結晶基板の抵抗率が所定の範囲内であることを効率よく従来よりも高い確度で保証する方法が記載されている。この方法では、単結晶基板の径方向の抵抗率分布を取得して抵抗率の最大値及び最小値が現れる位置を調べ、単結晶基板の抵抗率の最大値及び最小値の出現頻度が最大となる位置を含むように、抵抗率を保証する測定点を決定する。その後、同一の製造条件で製造された単結晶から得られた単結晶基板の抵抗率を測定する際に、抵抗率を保証する測定点の抵抗率を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２２５４５１号公報
【特許文献２】特開２０１５−２２９６１２号公報
【特許文献３】特開２０１６−３９１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
最近、ＦＺ法により製造されるシリコンウェーハの抵抗率の面内分布に対する要求は厳しさを増しており、抵抗率の面内ばらつきが±８％以内、さらには±６％以内に収まっていることが望まれている。このような要求に応えるためには、ウェーハ全面の抵抗率分布を細かく測定することが望ましい。
【０００８】
しかしながら、シリコンウェーハの抵抗率を例えば四探針法で測定する場合、１点の測定に約１３秒の測定時間を費やし、直径２００ｍｍのシリコンウェーハの全面の抵抗率分布を測定するためにウェーハの径方向に２ｍｍピッチでラインスキャンを実施する場合には９７点の測定が必要となるため、ウェーハ一枚当たり約２１分の測定時間が必要となり、スループットが非常に遅いという問題がある。そのため、ウェーハ全面の抵抗率分布を細かく測定して抵抗率を保証する方法は現実的でなく、量産に不向きである。
【０００９】
一方、測定点を単純に少なくした場合には抵抗率分布の面内ばらつきを正確に評価することが難しく、実際の抵抗率保証とのミスマッチが生じ、耐圧特性不良等により半導体デバイスの製造歩留まりが低下する。そのため、できるだけ少ない測定点の測定結果に基づいてウェーハ全面の抵抗率を保証できることが求められている。
【００１０】
特許文献３に記載の抵抗率保証方法は、製品ウェーハと同一の製造条件で製造された複数のサンプルウェーハを用意し、それらのサンプルウェーハの全面の抵抗率分布の測定を予め行って、抵抗率の最大値及び最小値それぞれの出現頻度が最大となる位置を求める必要があるため、抵抗率測定時間の短縮効果が十分とは言えず、さらなる改善が望まれている。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、できるだけ少ない測定点でウェーハ全面の抵抗率が例えば±８％、あるいは±６％の公差内に収まっていることを保証することが可能なシリコンウェーハの抵抗率評価方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明によるシリコンウェーハの抵抗率評価方法は、ＦＺ法により製造されたシリコンウェーハの中心から最外周までの径方向の相対位置が０．５ｒ以上０．９５ｒ以下（ｒはウェーハの半径）の測定範囲内に設定した複数の測定点の抵抗率を測定し、前記複数の測定点の抵抗率の近似直線の傾きから前記シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているか否かを評価することを特徴とする。
【００１３】
本発明によれば、抵抗率分布の面内ばらつきとの相関が大きいウェーハ上の特定の領域の抵抗率を複数点測定するだけでウェーハ全面の抵抗率の評価が可能であり、信頼性の高い抵抗率評価を短時間で実施することができる。
【００１４】
本発明において、前記複数の測定点の数は４点であることが好ましい。このように、０．５ｒ〜０．９５ｒの測定範囲内の４点の抵抗率を測定し、４点の抵抗率の近似直線の傾きからウェーハ全面の抵抗率プロファイルを予測することにより、できるだけ少ない測定点でウェーハ全面の抵抗率が公差内に収まっていることを保証することが可能となり、また抵抗率評価にかかる時間を大幅に短縮することができる。
【００１５】
本発明による抵抗率評価方法は、前記近似直線の傾きが−２０以上５以下である場合に前記シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているものと評価することが好ましい。近似直線の傾きがゼロかあるいはゼロに近い値であれば、ウェーハ中央部の局所的な抵抗率のばらつきが小さいことから、シリコンウェーハの全面の抵抗率が公差内に収まっているものと評価することが可能である。
【００１６】
本発明において、前記シリコンウェーハの直径は１５０ｍｍ以上であることが好ましい。ＦＺ法により製造されるシリコンウェーハの抵抗率の面内ばらつきの問題は、直径１５０ｍｍ以上のウェーハで顕在化し、本発明の効果が得られるからである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、できるだけ少ない測定点でウェーハ全面の抵抗率が公差内に収まっていることを保証することが可能なシリコンウェーハの抵抗率評価方法を提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施の形態によるシリコンウェーハの抵抗率評価方法を説明するためのフローチャートである。
【図２】図２は、直径２００ｍｍの多数のＦＺウェーハの抵抗率プロファイルを示すグラフである。
【図３】図３は、ＦＺ法において発生する融液対流を模式的に説明するための半断面図である。
【図４】図４は、実施例１の結果であって、ウェーハの中心から０．５ｒ〜０．９５ｒの範囲内で４点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られたウェーハの抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフである。
【図５】図５は、実施例３の結果であって、ウェーハの中心から０．５ｒ〜０．９５ｒの範囲内で４点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られたウェーハの抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフである。
【図６】図６は、比較例１の結果であって、ウェーハの中心から０．２ｒ〜０．８ｒの範囲内で４点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られたウェーハの抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフである。
【図７】図７は、比較例２の結果であって、ウェーハの中心から０．２ｒ〜０．４ｒの範囲内で４点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られたウェーハの抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフである。
【図８】図８は、比較例３の結果であって、ウェーハの中心から０．８５ｒ〜０．９５ｒの範囲内で３点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られたウェーハの抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフである。
【図９】図９は、ウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き（１ｄＡ）について説明するための図であって、抵抗率分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明の好ましい実施の形態によるシリコンウェーハの抵抗率評価方法を説明するためのフローチャートである。
【００２１】
図１に示すように、このシリコンウェーハの抵抗率評価方法は、シリコンウェーハの中心から最外周までの径方向の相対位置が０．５ｒ〜０．９５ｒ（ただし、ｒはウェーハの半径）の測定範囲内に設定した複数の測定点の抵抗率を測定するステップＳ１と、複数の測定点の抵抗率から抵抗率分布の近似直線を求めるステップＳ２と、近似直線の傾き１ｄＡが所定の範囲内に収まっているか否かを評価し、近似直線の傾き１ｄＡが所定の範囲内である場合にウェーハ全面の抵抗率が公差内に収まっていると判断し、範囲外である場合には公差内に収まっていないと判断するステップＳ３〜Ｓ５とを備えている。
【００２２】
本実施形態において評価の対象となるシリコンウェーハは、ＦＺ法により育成されたシリコン単結晶インゴットを加工して得られたシリコンウェーハ（ＦＺウェーハ）である。ＦＺウェーハはパワー半導体の基板材料として好ましく用いられ、パワー半導体には絶縁耐圧の向上が強く求められており、その基板材料となるＦＺウェーハには抵抗率の面内ばらつきのさらなる低減が求められているからである。ＦＺウェーハの直径は１５０ｍｍ以上であることが好ましく、２００ｍｍ以上であることが特に好ましい。ＦＺウェーハの抵抗率の面内ばらつきは直径１５０ｍｍ以上の顕在化し、直径２００ｍｍ以上で顕著だからである。
【００２３】
抵抗率を測定するステップＳ１では、複数の測定点の抵抗率を四探針法により測定することが好ましい。また、半径ｒのウェーハの中心からの径方向の位置を相対的に表すとき、抵抗率の測定範囲は、ウェーハの中心からの径方向の位置が０．５ｒ〜０．９５ｒの範囲内であることが好ましく、０．５ｒ〜０．８５ｒの範囲内であることが特に好ましい。したがって、例えば直径２００ｍｍ（半径ｒ＝１００ｍｍ）のウェーハの抵抗率の測定範囲は、ウェーハ中心から径方向に５０ｍｍ〜９５ｍｍの範囲となる。また直径１５０ｍｍ（半径ｒ＝７５ｍｍ）のウェーハの抵抗率の測定範囲は、ウェーハ中心から径方向に３７．５ｍｍ〜７１．２５ｍｍの範囲内となる。
【００２４】
抵抗率の測定点の数は３点以上であり、４点であることが好ましい。４点の抵抗率は、径方向の相対位置が０．５ｒ〜０．５５ｒの範囲内で測定した第１の抵抗率ρ１と、径方向の相対位置が０．５５ｒ〜０．８ｒの範囲内で測定した第２及び第３の抵抗率ρ２，ρ３と、径方向の相対位置が０．８ｒ〜０．９５ｒの範囲内で測定した第４の抵抗率ρ４を用いることが好ましい。この場合、第２の抵抗率ρ２は、径方向の相対位置が０．６〜０．６５以下の範囲内で測定することが好ましく、第３の抵抗率ρ３は、径方向の相対位置が０．７ｒ〜０．７５ｒの範囲内で測定することが好ましい。第１の抵抗率ρ１は、ウェーハの中心から０．５ｒの位置で測定することが特に好ましく、第４の抵抗率ρ４は、ウェーハの中心から０．８ｒ〜０．９５ｒの範囲内で測定することが特に好ましい。したがって、例えば、４点の抵抗率ρ１，ρ２，ρ３，ρ４の測定位置は、"０．５ｒ"、"０．６ｒ"、"０．７ｒ"、"０．８５ｒ"とすることができる。
【００２５】
上記のように、直径２００ｍｍのウェーハに対して２ｍｍピッチで９７点のラインスキャンを実施する場合、一枚のウェーハの抵抗率評価にかかる時間は約２１分となるが、４点の測定であれば一枚のウェーハの抵抗率評価にかかる時間は５２秒であり、抵抗率評価にかかる時間を大幅に短縮することができ、量産工程への導入が可能である。
【００２６】
近似直線の傾き１ｄＡ（1 dimension A）は、半径ｒのウェーハの中心から０．５ｒ〜０．９５ｒの領域の抵抗率分布に１次フィットする直線ｙ＝Ａｘ＋Ｂの傾きＡのことであり（図９参照）、１ｄＡがプラスの値のときには抵抗率分布が凸形状のパターンとなり、１ｄＡがマイナスの値のときには抵抗率分布が凹形状のパターンとなる。
【００２７】
近似直線の傾き１ｄＡが所定の範囲内に収まっているか否かを評価するステップＳ３では、近似直線の傾き１ｄＡがゼロ以下の所定の範囲内、具体的には−２０〜５の範囲内である場合にウェーハ全面の抵抗率が例えば±８％の公差内に収まっているものと判断し、そうでない場合には公差内に収まっていないものと判断する。近似直線の傾き１ｄＡの許容範囲は、所望の公差との関係で決定されるものであり、公差を小さくする場合には傾きの許容範囲も小さくなり、逆に公差を大きくする場合には傾きの許容範囲も大きくなる。
【００２８】
図２は、直径２００ｍｍの多数のＦＺウェーハの抵抗率プロファイルを示すグラフであって、横軸はウェーハ中心からの径方向の距離（ｍｍ）、縦軸は抵抗率偏差（％）をそれぞれ示している。
【００２９】
図２に示すように、ＦＺウェーハの抵抗率プロファイルは、ウェーハの中心から見て概ね左右対称なパターンとなり、ウェーハ間の抵抗率分布のばらつきはウェーハの中心から０〜５０ｍｍまでの内側領域で大きいが、ウェーハの中心から５０〜１００ｍｍの外側領域ではそれほど大きくないことが分かる。特に、ウェーハの中心から８５〜１００ｍｍ、特に９５ｍｍ以上の最外周付近の抵抗率は安定的に高く、ウェーハ間の抵抗率分布のばらつきは小さいと考えられる。
【００３０】
またウェーハ中心から５０〜９５ｍｍの範囲内における抵抗率分布の変化は、ウェーハ中心から０〜５０ｍｍの範囲内における抵抗率のばらつきの影響を受けており、両者の間には一定の相関がある。
【００３１】
ウェーハ中心から５０〜９５ｍｍの範囲内の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡがゼロ付近、特にマイナス側のときには、ウェーハ中央部の局所的な抵抗率のばらつきは比較的小さく、一次近似直線の傾き１ｄＡがゼロのときに極小値を取る。一次近似直線の傾き１ｄＡがゼロから離れるほどウェーハ中央部の局所的な抵抗率のばらつきが大きくなるため、ウェーハ全面の抵抗率分布が極端に悪化する。この傾向はマイナス側よりもプラス側の方が大きく、マイナス側の方が比較的安定している。一次近似直線の傾き１ｄＡがマイナス側のときにウェーハ中央部の抵抗率が安定化する理由は、拡散境界層の厚みが厚くなり、抵抗率が安定してくるためと考えられる。
【００３２】
一次近似直線の傾き１ｄＡがたとえマイナスの値であってもその絶対値が非常に大きい場合にはウェーハ中央部の局所的な抵抗率のばらつきが大きくなり、ウェーハ全面の抵抗率を±８％の公差内に収めることができない。したがって、一次近似直線の傾き１ｄＡはゼロ又はゼロに近いマイナス寄りの値であることが好ましく、より具体的には−２０〜５の範囲内であることが好ましい。一次近似直線の傾き１ｄＡが−２０〜５の範囲内あれば、ウェーハ全面の抵抗率が±８％以内に収まっているものと評価することができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態では、２００ｍｍウェーハの中心から５０〜９５ｍｍの範囲内で測定した複数の抵抗率の測定値を用いてウェーハ全面の抵抗率分布を評価する。２００ｍｍウェーハの中心から５０〜９５ｍｍの測定範囲をウェーハの半径ｒで規格化すると、０．５ｒ〜０．９５ｒとなるが、この範囲内における抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡがウェーハ全面の抵抗率偏差と相関する理由については以下のように考えることができる。
【００３４】
図３は、ＦＺ法において発生する融液対流を模式的に説明するための半断面図である。
【００３５】
図３に示すように、ＦＺ法においては、原料ロッド１と単結晶２との間に融液３が存在し、０．５Ｒ（Ｒは単結晶の半径≒ウェーハの半径ｒ）よりも内側の領域Ａ１では融液３中の対流の変動が大きく、よってドーパント濃度の変動も大きい。単結晶２を時計回りと反時計回りに交互に反転させながら成長させる条件下では融液対流がさら活発になるので、ドーパント濃度の変動はさらに大きくなる。したがって、０．５Ｒよりも内側の領域Ａ１では抵抗率の変動が大きくなり、抵抗率プロファイルの形状によっては抵抗率分布のばらつきがさらに大きくなる。なお、図中の"EM Force"は、Electromagnetism Force（電磁気力）の意味である。
【００３６】
一方、０．５Ｒよりも外側の領域Ａ２ではマランゴニ対流（Marangoni Force）が支配的なため、融液対流の変動が小さく、よってドーパント濃度の変動も小さい。したがって、０．５Ｒよりも外側の領域Ａ２では抵抗率の変動が小さくなる。以上の理由から、ＦＺ法により育成されるシリコン単結晶中の抵抗率は、中心部において変動が大きく、外周部において安定化するものと考えられる。０．９５Ｒ以上の最外周領域の抵抗率は、外周部のマランゴニ対流の影響が強いため、抵抗率プロファイルの形状が変化してもその影響もほとんどなく、抵抗率はほとんど変動しないと考えられる。さらに、最外周領域の抵抗率を四探針法で正確に測定することは非常に困難である。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態によるシリコンウェーハの抵抗率評価方法は、ＦＺ法により製造されたシリコンウェーハの中心から最外周までの径方向の相対位置が０．５ｒ〜０．９５ｒ（ｒはウェーハの半径）の測定範囲内に設定した複数の測定点の抵抗率を測定して抵抗率分布の近似直線を求め、近似直線の傾きがゼロ以下の所定の範囲内（例えば−２０〜５の範囲内）である場合にウェーハ全面の抵抗率が公差内（例えば８％以内）にあると判定するので、できるだけ少ない測定点でウェーハ全面の抵抗率を保証することができる。
【００３８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００３９】
例えば、上記実施形態においては、４点の測定点の抵抗率から抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡを求める場合を例に挙げたが、本発明は４点に限定されるものではなく、上記のように３点であってもよく、５点以上であってもかまわない。ただし、３点では測定値から求める抵抗率分布の近似直線の信頼性が十分とは言えず、また５点以上にしても近似直線の信頼性は４点のときとそれほど変わらない一方で抵抗率の評価にかかる時間が増加するため、４点が特に好ましい。
【実施例】
【００４０】
（実施例１：０．５ｒ〜０．９５ｒ）
直径２００ｍｍのＦＺウェーハサンプルを１６２枚用意し、それらのウェーハ全面の抵抗率プロファイルを四探針法により測定し、抵抗率の最大偏差Ｄを求めた。ウェーハサンプルは、抵抗率プロファイルにばらつきが出るように製造条件が異なる３ロット分のウェーハを用いた。ウェーハ全面の抵抗率プロファイルの測定では、２ｍｍピッチで９７点のラインスキャンを行った。なお抵抗率分布の最大偏差Ｄはウェーハの平均抵抗率ρaveからの偏差の最大値で、ウェーハ面内の抵抗率の最大値をρmax、最小値をρmin、平均値をρaveとすると、（ρmax−ρave）／ρaveまたは、（ρmin−ρave）／ρaveの絶対値の大きいほうの値である。
【００４１】
次に、各ウェーハの中心から０．５ｒ〜０．９５ｒの相対範囲内の４点、具体的には"５０ｍｍ"、"６０ｍｍ"、"７０ｍｍ"、"８４ｍｍ"の位置における抵抗率を四探針法により測定し、４点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求めた。その後、一次近似直線の傾き１ｄＡと抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価した。
【００４２】
図４は、４点測定したウェーハの抵抗率分布の近似直線の傾き１ｄＡと２ｍｍピッチで９７点測定して得られた抵抗率プロファイルの最大偏差Ｄとの相関を示すグラフであり、横軸は近似直線の傾き１ｄＡの値、縦軸は抵抗率分布の最大偏差Ｄをそれぞれ示している。
【００４３】
図４から明らかなように、抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡが−２０〜５となる範囲では、抵抗率の最大偏差Ｄが８％以下となった。しかし、抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡが５よりも大きい範囲では、抵抗率の最大偏差Ｄが８％を超えるウェーハサンプルが存在した。
【００４４】
（実施例２：０．５ｒ〜０．９５ｒの５点）
上記１６２枚のＦＺウェーハサンプルに対してウェーハ中心から０．５〜０．９５の相対範囲内の５点、具体的には"５０ｍｍ"、"６０ｍｍ"、"６４ｍｍ"、"７４ｍｍ"、"８４ｍｍ"の位置における抵抗率を測定し、５点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求め、ウェーハの抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価したところ、実施例１とほぼ同じ結果となった。
【００４５】
（実施例３：０．５ｒ〜０．９５ｒ）
上記１６２枚のＦＺウェーハサンプルに対してウェーハ中心から０．５〜０．９５の相対範囲内の５点、具体的には"５０ｍｍ"、"６４ｍｍ"、"８０ｍｍ"、"９４ｍｍ"の位置における４点の抵抗率を測定し、４点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求め、ウェーハの抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価したところ、図５に示すように、抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡが−２０〜５となる範囲では抵抗率の最大偏差Ｄが８％以下となり、実施例１、２と同様の結果となった。
【００４６】
（比較例１：０．２ｒ〜０．８ｒ）
上記１６２枚のＦＺウェーハサンプルに対してウェーハ中心から"２０ｍｍ"、"４０ｍｍ"、"６０ｍｍ"、"８０ｍｍ"の位置における４点の抵抗率を測定し、４点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求め、ウェーハの抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価したところ、図６に示すように抵抗率の最大偏差Ｄが８％以下となるウェーハの一次近似直線の傾き１ｄＡは−２０〜５の範囲内に収まらなかった。
【００４７】
（比較例２：０．２ｒ〜０．４ｒ）
上記１６２枚のＦＺウェーハサンプルに対してウェーハ中心から"２０ｍｍ"、"２６ｍｍ"、"３４ｍｍ"、"４０ｍｍ"の位置における４点の抵抗率を測定し、４点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求め、ウェーハの抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価したところ、図７に示すように抵抗率の最大偏差Ｄが８％以下となるウェーハの一次近似直線の傾き１ｄＡは−２０〜５の範囲内に収まらなかった。
【００４８】
（比較例３：０．８５ｒ〜０．９５ｒ）
上記１６２枚のＦＺウェーハサンプルに対してウェーハの中心から"８６ｍｍ"、"９０ｍｍ"、"９４ｍｍ"の位置における３点の抵抗率を測定し、３点の抵抗率分布の一次近似直線の傾き１ｄＡを求め、ウェーハの抵抗率の最大偏差Ｄとの相関を評価したところ、図８に示すように抵抗率の最大偏差Ｄが８％以下となるウェーハの一次近似直線の傾き１ｄＡは−２０〜５の範囲内に収まらなかった。
【符号の説明】
【００４９】
１    原料ロッド
２    単結晶
３    融液
Ａ１    単結晶の０．５Ｒよりも内側の領域
Ａ２    単結晶の０．５Ｒよりも外側の領域
Ｓ１    抵抗率測定ステップ
Ｓ２    抵抗率分布の近似直線算出ステップ
Ｓ３    近似直線の傾き評価ステップ
Ｓ４    近似直線の傾き評価ステップ
Ｓ５    近似直線の傾き評価ステップ
【図１】
2019016661.tif 000003
【図２】
2019016661.tif 000004
【図３】
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【図４】
2019016661.tif 000006
【図５】
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【図６】
2019016661.tif 000008
【図７】
2019016661.tif 000009
【図８】
2019016661.tif 000010
【図９】
2019016661.tif 000011