(57)【要約】【課題】金属リッド表面の腐食を抑制する。【解決手段】基板２０と、前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップ１１と、前記デバイスチップ上に設けられ、鉄およびニッケルを含む合金からなり、前記デバイスチップ側の第１面３２ａおよび第１面の反対の面の第２面32bを有し、前記第１面の鉄濃度が前記第２面の鉄濃度より高い金属リッド３２と、前記金属リッドと前記基板との間に設けられ、前記デバイスチップを囲み前記デバイスチップを封止する封止部３０と、を具備する電子部品。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
前記デバイスチップ上に設けられ、鉄およびニッケルを含む合金からなり、前記デバイスチップ側の第１面および第１面の反対の面の第２面を有し、前記第１面の鉄濃度が前記第２面の鉄濃度より高い金属リッドと、
前記金属リッドと前記基板との間に設けられ、前記デバイスチップを囲み前記デバイスチップを封止する封止部と、
を具備する電子部品。
【請求項２】
前記金属リッドの平均の鉄濃度は５５重量％以上である請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記封止部は半田層である請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップであり、前記デバイスチップの下面に前記基板の上面に空隙を挟み対向する弾性波素子を有する請求項１から３のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項５】
母型に前記母型側の面が第１面となり前記第１面の反対の面が第２面となるように、電解めっき法を用い鉄およびニッケルを含む合金からなる金属リッドを形成する工程と、
基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
前記デバイスチップ上に前記デバイスチップ側が前記第１面となるように前記金属リッドを配置し、前記金属リッドと前記基板との間に前記デバイスチップを囲み前記デバイスチップを封止する封止部を形成する工程と、
を含む電子部品の製造方法。
【請求項６】
電解めっき法を用い、前記金属リッドの前記第１面に封止部となる層を形成する工程を含み、
前記封止部を形成する工程は、前記封止部となる層が前記デバイスチップ側となるように前記金属リッドを前記デバイスチップ上に配置し、前記金属リッドを前記デバイスチップに押圧することで、前記封止部となる層から前記封止部を形成する工程を含む請求項５記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記金属リッドを配置する工程の前に、前記金属リッドを５００℃以上で熱処理する工程を含む請求項５または６記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記金属リッドを形成する工程は、
前記母型に接触する第１層を形成する工程と、
前記第１層を形成する工程における前記母型に流す電流より大きい電流を流すことにより、前記第１層に連続して第２層を形成する工程と、
を含む請求項５から７のいずれか一項記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記金属リッドを熱処理する工程の後、前記金属リッドにレーザ印字する工程を含む請求項７記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品およびその製造方法に関し、例えば金属リッドを有する電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の金属リッドには、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ合金であるコバールが用いられている。電子部品の金属リッドにコバールの代わりにＦｅおよびＮｉを含むめっき膜を用いることが知られている（例えば特許文献１）。Ｆｅ−Ｎｉ合金を電解めっき法を用い形成することが知られている（例えば特許文献２）。電解めっき法において、電流プロファイルを変化させることが知られている（例えば特許文献３、４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１７０６６８号公報
【特許文献２】特開２００９−５２０７５号公報
【特許文献３】特表２００８−５０６８４１号公報
【特許文献４】特開２０００−３８６９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１によれば、金属リッドにめっき膜を用いることで、電子部品の低背化が可能となる。しかしながら、電子部品等の反り等を抑制しようとすると、金属リッド表面が腐食しやすくなる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、金属リッド表面の腐食を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップ上に設けられ、鉄およびニッケルを含む合金からなり、前記デバイスチップ側の第１面および第１面の反対の面の第２面を有し、前記第１面の鉄濃度が前記第２面の鉄濃度より高い金属リッドと、前記金属リッドと前記基板との間に設けられ、前記デバイスチップを囲み前記デバイスチップを封止する封止部と、を具備する電子部品である。
【０００７】
上記構成において、前記金属リッドの平均の鉄濃度は５５重量％以上である構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記封止部は半田層である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記デバイスチップは、弾性波デバイスチップであり、前記デバイスチップの下面に前記基板の上面に空隙を挟み対向する弾性波素子を有する構成とすることができる。
【００１０】
本発明は、母型に前記母型側の面が第１面となり前記第１面の反対の面が第２面となるように、電解めっき法を用い鉄およびニッケルを含む合金からなる金属リッドを形成する工程と、基板上にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記デバイスチップ上に前記デバイスチップ側が前記第１面となるように前記金属リッドを配置し、前記金属リッドと前記基板との間に前記デバイスチップを囲み前記デバイスチップを封止する封止部を形成する工程と、を含む電子部品の製造方法である。
【００１１】
上記構成において、電解めっき法を用い、前記金属リッドの前記第１面に封止部となる層を形成する工程を含み、前記封止部を形成する工程は、前記封止部となる層が前記デバイスチップ側となるように前記金属リッドを前記デバイスチップ上に配置し、前記金属リッドを前記デバイスチップに押圧することで、前記封止部となる層から前記封止部を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記金属リッドを配置する工程の前に、前記金属リッドを５００℃以上で熱処理する工程を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記金属リッドを形成する工程は、前記母型に接触する第１層を形成する工程と、前記第１層を形成する工程における前記母型に流す電流より大きい電流を流すことにより、前記第１層に連続して第２層を形成する工程と、を含む構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記金属リッドを熱処理する工程の後、前記金属リッドにレーザ印字する工程を含む構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属リッド表面の腐食を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る電子部品の断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子を示す平面図、図２（ｂ）は、実施例１における弾性波素子を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７（ａ）は、実験１における熱処理温度に対する反り、図７（ｂ）および図７（ｃ）は、Ｆｅ濃度に対する反りを示す図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの４００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの６００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの８００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実験２におけるサンプルＢの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実験２におけるサンプルＣの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、比較例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、比較例２に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す別の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１（ａ）は、実施例１に係る電子部品の断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、電子部品１００において、基板２０上にデバイスチップ１１がフリップチップ実装されている。基板２０の上面に金属層２４および環状金属層２８が設けられ、下面に端子２６が設けられている。金属層２４は、配線およびパッドである、環状金属層２８は、平面視において基板２０の外縁に基板１０を囲むように設けられている。端子２６は、弾性波素子１２を外部と接続するためのフットパッドである。基板２０内に内部配線２２が設けられている。内部配線２２は金属層２４と端子２６とを電気的に接続する。基板２０は、絶縁基板であり、例えばＨＴＣＣ（High Temperature Co-fired Ceramic）またはＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）等のセラミックス基板または樹脂基板である。基板２０は、圧電基板であり、基板２０の上面に弾性波素子が設けられていてもよい。内部配線２２、金属層２４、環状金属層２８および端子２６は、例えば銅層、アルミニウム層、金層またはタングステン層等の金属層である。
【００１９】
デバイスチップ１１は、基板１０、弾性波素子１２および金属層１４を有する。基板１０の下面に弾性波素子１２および金属層１４が設けられている。金属層１４は、配線およびパッドであり、例えば銅層、アルミニウム層、金層またはタングステン層である。金属層１４は弾性波素子１２に電気的に接続されている。弾性波素子１２は空隙１８を挟み基板２０の上面に対向している。基板１０は、バンプ１６を介し基板２０の上面にフリップチップ実装されている。バンプ１６は、金属層１４および２４と接合する。バンプ１６は、例えば半田バンプ、金バンプおよび銅バンプ等の金属バンプである。
【００２０】
基板１０を囲むように封止部３０が設けられている。封止部３０は環状金属層２８の上面に接合されている。基板１０および封止部３０の上面に金属リッド３２が設けられている。金属リッド３２および封止部３０を覆うように保護膜３６が設けられている。このように、封止部３０は、金属リッド３２と基板２０との間においてデバイスチップ１１を囲みデバイスチップ１１を封止する。封止部３０は、半田等の金属層または樹脂層である。金属リッド３２は、Ｆｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）合金である。金属リッド３２は、デバイスチップ１１側の第１面３２ａとデバイスチップ１１の反対側の第２面３２ｂを有する。第１面３２ａにおけるＦｅ濃度は第２面３２ｂにおけるＦｅ濃度より高い。保護膜３６はニッケル膜等の金属膜または絶縁膜である。
【００２１】
図２（ａ）は、実施例１における弾性波素子を示す平面図、図２（ｂ）は、実施例１における弾性波素子を示す断面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）は、それぞれ弾性波素子１２が弾性表面波共振器および圧電薄膜共振器の例である。図２（ａ）に示すように、基板１０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）８０と反射器８２が形成されている。ＩＤＴ８０は、互いに対向する１対の櫛型電極８０ａを有する。櫛型電極８０ａは、複数の電極指８０ｂと複数の電極指８０ｂを接続するバスバー８０ｃとを有する。反射器８２は、ＩＤＴ８０の両側に設けられている。ＩＤＴ８０が基板１０に弾性表面波を励振する。基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板である。ＩＤＴ８０および反射器８２は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板８０は、サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板に接合されていてもよい。ＩＤＴ８０および反射器８２を覆う保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。この場合、保護膜または温度補償膜を含め弾性波素子１２として機能する。
【００２２】
図２（ｂ）に示すように、基板１０上に圧電膜８６が設けられている。圧電膜８６を挟むように下部電極８４および上部電極８８が設けられている。下部電極８４と基板１０との間に空隙８５が形成されている。下部電極８４および上部電極８８は圧電膜８６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。下部電極８４および上部電極８８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜８６は例えば窒化アルミニウム膜である。基板１０は例えばシリコン基板もしくは砒化ガリウム等の半導体基板、またはサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはガラス基板等の絶縁基板である。図２（ａ）および図２（ｂ）のように、弾性波素子１２は弾性波を励振する電極を含む。このため、弾性波の振動を制限しないように、弾性波素子１２は空隙１８に覆われている。
【００２３】
金属リッド３２の線熱膨張係数が大きいと基板２０との熱応力により、電子部品１００が反ってしまう。金属リッド３２に用いられるＦｅ−Ｎｉ合金は、Ｆｅ濃度が６４重量％において、線熱膨張係数が最も小さくなる。このため、金属リッド３２のＦｅ濃度を６４重量％近づけることにより、電子部品１００の反りを抑制できる。しかし、後述するように、金属リッド３２をめっき法を用い形成するときに、Ｆｅ濃度を高くしようとすると、金属リッド３２の初期の膜のＦｅ濃度が高くなってしまう。Ｆｅ濃度の高いＦｅ−Ｎｉ合金は腐食されやすい。例えばＦｅ−Ｎｉ合金が酸化して赤錆が形成される。これにより、金属リッド３２の上面が曇ってしまう。
【００２４】
金属リッド３２の上面と大気との間には保護膜３６が設けられている。保護膜３６は、主に封止部３０の変形を抑制するためのものであり、酸素または水分のバリアの機能は大きくない。このため、金属リッド３２の上面のＦｅ濃度が高いと、金属リッド３２の上面が腐食されてしまう。腐食が進むと、金属リッド３２にピンホールが形成され、空隙１８の気密性が損なわれるおそれがある。
【００２５】
実施例１によれば、金属リッド３２は、ＦｅおよびＮｉを含む合金からなり、第１面３２ａの鉄濃度が第２面３２ｂの鉄濃度より高い。これにより、金属リッド３２の平均のＦｅ濃度を高くし線熱膨張係数を小さくしても、金属リッド３２の上面（第２面３２ｂ）のＦｅ濃度は低いため、金属リッド３２の腐食を抑制できる。金属リッド３２には、ＦｅおよびＮｉ以外に意図的に添加していない元素が含まれていてもよい。
【００２６】
金属リッド３２の線熱膨張係数を小さくするため、金属リッド３２の平均のＦｅ濃度は５５重量％以上が好ましく、５６重量％以上がより好ましく、５７重量％以上がさらに好ましい。低背化のため、金属リッド３２の膜厚は１μｍから１５μｍであることが好ましい。
【００２７】
［実施例１の製造方法］
封止部３０が半田の場合を例に実施例１の製造方法を説明する。図３（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図３（ａ）に示すように、洗浄層４２内の例えば塩酸水溶液、硫酸水溶液、硝酸水溶液等からなる洗浄液４０に、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）等の平坦な金属板からなる母型４４を浸漬し、母型４４を洗浄する。母型４４の洗浄は、例えば母型４４の中心を軸に回転させて行う。これにより、母型４４に付着していた脂分等を取り除く。母型４４は、例えば円板形状であり、直径は２０ｃｍから６０ｃｍ程度であり、厚さは１ｍｍ程度である。
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、母型４４の洗浄が終了した後、母型４４をめっき槽４６内に移す。めっき槽４６内は、金属リッド３２の形成に使用するめっき液４８で満たされている。めっき液４８は、例えば硫酸ニッケルと塩化ニッケルと硫酸第一鉄とを含む混合液である。例えばＮｉ、Ｆｅ、またはＮｉ−Ｆｅからなる陽極５０と陰極としての母型４４との間に電圧を印加して、母型４４の平坦主面に、例えばＮｉ−Ｆｅ合金めっきからなる金属リッド３２を形成する。金属リッド３２の母型４４側の面が第１面３２ａであり、母型４４と反対側の面が第２面３２ｂである。
【００２９】
図３（ｃ）に示すように、金属リッド３２を母型４４から剥離する。母型４４がステンレス板の場合、Ｎｉ−Ｆｅ合金めっきとの密着性がよくないため、金属リッド３２を母型４４から容易に剥がすことができる。このように、母型４４には、金属リッド３２に対して密着性のよくない金属材料を用いることが好ましい。金属リッド３２を不活性ガス雰囲気において熱処理する。熱処理温度は、例えば４００℃から１０００℃である。不活性ガスとしては、窒素ガスおよび／または希ガスである。
【００３０】
図３（ｄ）に示すように、金属リッド３２と母型４４とを重ね合わせる。このとき、第２面３２ｂを母型４４に接触させる。重ね合わせた金属リッド３２と母型４４とを陰極冶具（不図示）に固定する。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、金属リッド３２を貼り付けた母型４４をめっき槽５２内に移す。第２のめっき槽５２内は、半田板３１の形成に使用するめっき液５４で満たされている。半田板３１がＳｎＡｇ半田からなる場合、めっき液５４は、例えばＳｎＡｇめっき液である。例えばＳｎからなる陽極５６と陰極冶具との間に電圧を印加して、金属リッド３２の第１面３２ａに、例えばＳｎＡｇ半田からなる半田板３１を形成する。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、半田板３１の形成が終了した後、母型４４を洗浄槽６０内に移す。洗浄槽６０内は、純水６２で満たされている。母型４４とその主面に形成された金属リッド３２および半田板３１とを、純水６２で洗浄し、その後、乾燥させる。
【００３３】
図４（ｃ）に示すように、金属リッド３２の第１面３２ａに半田板３１が形成されている積層体５８を、例えば型で抜いてまたはダイシングによる切断によって、所望の大きさにする。
【００３４】
図５（ａ）に示すように、単一の基板２０の上面にバンプ１６を用い複数のデバイスチップ１１をフリップチップ実装する。基板２０の上面と弾性波素子１２との間には空隙１８が形成される。図５（ｂ）に示すように、複数のデバイスチップ１１上に、図３（ａ）から図４（ｃ）において形成した積層体５８を、半田板３１がデバイスチップ１１側となるように配置する。
【００３５】
図５（ｃ）に示すように、積層体５８を加熱して半田板３１が溶融した状態とし、この状態で金属リッド３２をデバイスチップ１１側に押圧する。これにより、複数のデバイスチップ１１間の間隙に半田板３１が溶融し充填される。半田板３１は、基板２０上に形成された環状金属層２８上を濡れ広がった後に固化し、環状金属層２８の上面と接合する。半田板３１よりデバイスチップ１１を囲む封止部３０が形成される。封止部３０の上面および複数のデバイスチップ１１の上面に金属リッド３２が配置される。金属リッド３２は、デバイスチップ１１の上面に接してもよいが、金属リッド３２とデバイスチップ１１との間に封止部３０が残存していてもよい。これにより、複数のデバイスチップ１１は、封止部３０と金属リッド３２により、弾性波素子１２が空隙１８に露出した状態で封止される。
【００３６】
図５（ｄ）に示すように、金属リッド３２の上面にレーザ光３９を照射し、金属リッド３２の上面に識別記号を印字する。識別記号は、電子部品を識別するための番号および／または記号である。
【００３７】
図６（ａ）に示すように、基板２０の下面に設けられた端子２６を保護するために、基板２０の下面にフォトレジストからなる保護膜６４を形成する。保護膜６４の下面に、後述するダイシングのためのダイシングテープ６６を貼り付ける。
【００３８】
図６（ｂ）に示すように、複数のデバイスチップ１１間において、金属リッド３２、封止部３０、基板２０および保護膜６４を、ダイシングブレード６８を用い切断する。これにより、複数の電子部品７０に個片化される。複数のデバイスチップ１１を確実に個片化するために、ダイシングテープ６６の一部まで切断することが好ましい。
【００３９】
図６（ｃ）に示すように、ダイシングテープ６６を剥離した後、複数の電子部品７０それぞれをバレル（不図示）に入れた後、バレルをめっき槽７２に投入してバレルめっきを施す。これにより、封止部３０および金属リッド３２を覆う保護膜３６が形成される。その後、保護膜６４を除去することで、実施例１の電子部品１００を形成することができる。
【００４０】
［実験１］
図３（ｂ）のめっき条件および図３（ｃ）の熱処理条件を変えた実験を行った。実験は、図５（ｃ）までの工程を行い、基板２０の反りを測定した。
【００４１】
図３（ｂ）の母型４４はステンレス鋼である。めっき液４８の組成は、硫酸ニッケルが２８９ｇ／Ｌ、塩酸ニッケルが４０ｇ／Ｌ、ホウ酸が３０ｇ／Ｌ、サッカリンナトリウムが１．９ｇ／Ｌ、マロン酸が５．２ｇ／Ｌ、および硫酸鉄（ＩＩ）が７５ｇ／Ｌである。サッカリンナトリウムは添加剤であり、マロン酸は鉄（ＩＩＩ）の沈殿防止剤である。
【００４２】
めっきの電流密度が大きいと、Ｎｉ−Ｆｅ合金のＦｅ濃度が高くなる。しかし、析出初期にはイオン化傾向に反しＦｅの析出量が増える。このため、めっきが不安定となる。これにより、ノジュールと呼ばれる突起が形成される。また、Ｎｉの結晶構造は面心立方格子であり、Ｆｅの結晶構造は体心立方格子であり、これらが混在すると歪が生じ圧縮応力となる。これにより膜剥がれが生じる。
【００４３】
初期の電流密度を小さくすることで、Ｆｅの析出量を抑えノジュールの発生を抑制できる。また、Ｎｉが増え面心立方格子が優勢となるため歪が小さくなり圧縮応力が小さくなると考えられる。そこで、Ｆｅ−Ｎｉ合金めっき工程における、初期の電流密度を小さくし、１μｍ析出後電流密度を約２倍とした。例えば金属リッド３２の平均Ｆｅ濃度が５８重量％の初期の電流密度は１．７５Ａ／ｄｍ２であり、１μｍ析出後の電流密度は３．５Ａ／ｄｍ２である。ｄｍ２は平方デシｍであり、１ｄｍ２＝０．１×０．１ｍ２である。金属リッド３２のＦｅ濃度が異なるサンプルは電流密度を変えることにより作製した。金属リッド３２の平均Ｆｅ濃度はＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）−ＥＤＳ（Energy Dispersive X-ray Spectrometry）により測定した。金属リッド３２の膜厚を約１５μｍとした。
【００４４】
図３（ｃ）の熱処理は、窒素雰囲気で行った。熱処理時間は６０分である。めっきした金属リッド３２をＸＲＤで分析したところほとんど非晶質である。熱処理（アニール）により、面心立法格子が優勢となり金属リッド３２が収縮すると考えられる。その結果、線熱膨張係数が小さくなる。図４（ａ）において、半田板３１をＳｎＡｇ半田とした。
【００４５】
図５（ａ）の基板２０は、線熱膨張係数が７．１ｐｐｍ／℃（室温から４００℃の線熱膨張係数）、大きさが５０ｍｍ×５０ｍｍ、および厚さが０．１２５ｍｍから０．２２ｍｍのＨＴＣＣ基板とした。基板１０は、４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板とした。図５（ｃ）において、半田板３１を溶融させる温度を２６０℃から２８０℃とした。
【００４６】
図５（ｃ）において、金属リッド３２の上面が凹む反りを正、金属リッド３２の上面が膨らむ反りを負とし、５０ｍｍ×５０ｍｍの金属リッド３２および基板２０の反りを測定した。金属リッド３２の線熱膨張係数が大きければ反りは正となり、小さければ０または負となる。
【００４７】
図７（ａ）は、実験１における熱処理温度に対する反り、図７（ｂ）および図７（ｃ）は、Ｆｅ濃度に対する反りを示す図である。図７（ａ）は金属リッド３２の平均Ｆｅ濃度が５８重量％である。図７（ｂ）および図７（ｃ）は、図３（ｃ）の熱処理温度がそれぞれ５００℃および６００℃である。黒丸および黒四角のドットは、基板２０の２つの辺方向（Ｘ方向およびＹ方向）における反りに対応する。
【００４８】
図７（ａ）に示すように、図３（ｃ）の熱処理温度が高くなると反りが小さくなる。熱処理温度が４００℃では反りが正であるが、熱処理温度が５００℃以上で反りが負となる。熱処理温度が８００℃でも反りが負である。これにより、熱処理温度が５００℃以上で金属リッド３２の線熱膨張係数が小さくなっていると考えられる。
【００４９】
図７（ｂ）および図７（ｃ）に示すように、平均Ｆｅ濃度が大きくなると、反りが小さくなる。平均Ｆｅ濃度が５６重量％では反りは正であるが、平均Ｆｅ濃度が５７重量％以上で反りが負となる。これにより、平均Ｆｅ濃度が５７重量％以上で金属リッド３２の線熱膨張係数が小さくなっていると考えられる。
【００５０】
実験１によれば、Ｆｅ濃度が高くなると金属リッド３２の線熱膨張係数が小さくなり、金属リッド３２をめっき法により形成した後に熱処理すると金属リッド３２の線熱膨張係数が小さくなる。平均Ｆｅ濃度は、５７重量％以上が好ましく、５８重量％以下がより好ましい。金属リッド３２の腐食を抑制するため、平均Ｆｅ濃度は６４重量％以下が好ましく、６２重量％以下がより好ましく、６０重量％以下がさらに好ましい。熱処理温度は、５００℃以上かつ８００℃以下が好ましい。
【００５１】
［実験２］
金属リッド３２の組成を、ＧＤ−ＯＥＳ（Glow Discharge Optical Ｅmission Spectrometry)法を用い測定した。金属リッド３２のサンプルは以下の３つである。サンプルＡでは、初期電流密度が１．７５Ａ／ｄｍ２であり、１μｍ析出後の電流密度が３．５Ａ／ｄｍ２である。平均のＦｅ濃度は約５８重量％である。サンプルＢでは、電流密度は一定で４Ａ／ｄｍ２であり、平均のＦｅ濃度は５５重量％である。サンプルＣでは、電流密度は一定で２Ａ／ｄｍ２であり、平均のＦｅ濃度は５５重量％である。金属リッド３２の厚さはいずれも約１５μｍである。
【００５２】
図８（ａ）から図８（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。時間はＧＤ−ＯＥＳ分析における金属リッド３２の処理時間に相当する。ＧＤ−ＯＥＳ分析では、金属リッド３２にプラズマを照射し金属リッド３２の成分をイオン化する。時間が０は金属リッド３２の第１面３２ａに相当し、時間とともに金属リッド３２の第１面３２ａの深さに相当する。信号強度は、ＦｅとＮｉのイオンの量を示す信号の強度である。信号強度が大きいとＦｅまたはＮｉが多いことを示している。Ｆｅ＋Ｎｉに対するＦｅがＦｅ濃度に相当する。Ｆｅ濃度の絶対値は不確かである。
【００５３】
図８（ａ）は、金属リッド３２全体の信号強度を示している。時間が１４００秒で信号強度が急激に小さくなる。これは、金属リッド３が全てエッチングされたことを示している。図８（ｂ）は、時間が２０秒までの信号強度を示し、金属リッド３２の第１面３２ａ側の信号強度を示している。図８（ｃ）は、時間が１秒までの信号強度を示し、金属リッド３２の第１面３２ａの極近傍の信号強度を示している。
【００５４】
図８（ａ）に示すように、時間が１００秒以上の領域９２では、ＦｅとＮｉの信号強度はほぼ一定である。時間が１００秒以下の領域９０ではＮｉの信号強度が大きくＦｅの信号強度が小さい。図８（ｂ）に示すように、時間が０から１２秒の間の領域９４では、Ｎｉの信号強度が小さくなっている。図８（ｃ）に示すように、時間が０から０．６秒の間の領域９６では、Ｆｅの信号強度がＮｉの信号強度より大きい。
【００５５】
領域９０では、めっきの初期電流密度が小さいため、Ｆｅに比べＮｉが析出し、Ｎｉの信号強度が大きくなったものと考えられる。領域９２では領域９０より電流密度が大きく、Ｎｉの析出が減りＮｉの信号強度が小さくなったものと考えられる。領域９４のように、初期の電流密度が小さくても金属リッド３２の第１面３２ａ近くではＮｉ低くＦｅ濃度が高くなる。領域９６のように、第１面３２ａの極近傍では、Ｆｅ濃度は非常に高くなっている。
【００５６】
図９（ａ）から図９（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの４００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。図９（ａ）から図９（ｃ）に示すように、４００℃熱処理後において、領域９０ではＮｉ信号の高さは熱処理前より小さい。領域９４の範囲が熱処理前より大きい。領域９０の範囲は熱処理前より大きい。
【００５７】
図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの６００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。図１０（ａ）から図１０（ｃ）に示すように、６００℃熱処理後において、領域９０ではＮｉ信号の高さは熱処理前と同程度である。領域９４の範囲が熱処理前と同程度である。領域９０の範囲は熱処理前より大きい。
【００５８】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実験２におけるサンプルＡの８００℃で熱処理した後の時間に対する信号強度を示す図である。図１１（ａ）から図１１（ｃ）に示すように、８００℃熱処理後において、領域９０ではＮｉ信号の高さは熱処理前よりかなり小さい。領域９４の範囲はほとんどない。領域９０の範囲は熱処理前より大きい。
【００５９】
このように、４００℃から８００℃の熱処理により、領域９０のＮｉ信号強度の高さ、および領域９４の範囲は変わるものの傾向はほぼ同じである。Ｆｅ信号強度がＮｉ信号強度より大きくなる領域９６は熱処理しても同程度かやや大きい。
【００６０】
以上のように、領域９６において金属リッド３２の第１面３２ａにおけるＦｅ濃度が高くなっている。
【００６１】
図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実験２におけるサンプルＢの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実験２におけるサンプルＣの熱処理前の時間に対する信号強度を示す図である。図１２（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、サンプルＢおよびＣでは電流密度が一定なため、領域９０は観察されない。領域９４および９６は観察される。
【００６２】
以上のように、電流密度が一定の場合においても、領域９６のように金属リッド３２の第１面３２ａにおけるＦｅ濃度が高くなっている。
【００６３】
実験２によれば、Ｆｅ濃度、電流密度および熱処理温度によらず、領域９６のように金属リッド３２の第１面３２ａのＦｅ濃度が高くなる。
【００６４】
実施例１によれば、図３（ｂ）のように、母型４４に母型４４側の面が第１面３２ａとなり第１面３２ａの反対の面が第２面３２ｂとなるように、電解めっき法を用い鉄およびニッケルを含む合金からなる金属リッド３２を形成する。図５（ａ）のように、基板２０上にデバイスチップ１１をフリップチップ実装する。図５（ｂ）のように、デバイスチップ１１上にデバイスチップ１１側が第１面３２ａとなるように金属リッド３２を配置する。図５（ｃ）のように、金属リッド３２と基板２０との間にデバイスチップ１１を囲みデバイスチップ１１を封止する封止部３０を形成する。
【００６５】
これにより、第２面３２ｂよりＦｅ濃度が高い第１面３２ａがデバイスチップ１１側となる。これにより、実験１のように、金属リッド３２のＦｅ濃度を高くして金属リッド３２の線熱膨張係数を小さくしても、金属リッド３２の上面である第２面３２ｂのＦｅ濃度は低いため、金属リッド３２の腐食を抑制できる。
【００６６】
図４（ａ）のように、電解めっき法を用い、金属リッド３２の第１面３２ａに半田板３１（封止部３０となる層）を形成する。図５（ｂ）のように、半田板３１がデバイスチップ１１側となるように金属リッド３２をデバイスチップ１１上に配置する。図５（ｃ）のように、金属リッド３２をデバイスチップ１１に押圧することで、半田板３１から封止部３０を形成する。このように、第１面３２ａに半田板３１を形成することで、第１面３２ａをデバイスチップ１１側とすることができる。
【００６７】
図３（ｃ）のように、金属リッド３２をデバイスチップ１１上に配置する前に、金属リッド３２を４００℃以上で熱処理する。これにより、金属結晶が大きくなり金属リッド３２の線熱膨張係数を小さくできる。熱処理温度は、５００℃以上が好ましく、１０００℃以下が好ましい。
【００６８】
金属リッド３２を熱処理しない場合、レーザ印字において金属リッド３２が歪み、基板２０が反ることがある。図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、比較例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図１４（ａ）に示すように、熱処理していない金属リッド３２にレーザ光３９を照射すると、レーザ光３９が照射された金属リッド３２の箇所の温度が上昇し、金属リッド３２が歪んでしまう。
【００６９】
図１４（ｂ）に示すように、歪んだ金属リッド３２に半田板３１を形成すると積層体５８は反ってしまう。図１４（ｃ）に示すように、半田板３１から封止部３０を形成した後も基板２０が反ってしまう。
【００７０】
比較例１では、半田板３１を形成する前に金属リッド３２にレーザ印字しているが、封止部３０を形成した後に金属リッド３２にレーザ印字しても、同様に基板２０が反ってしまう。
【００７１】
実施例１によれば、レーザ印字の前に、金属リッド３２を熱処理することで、金属リッド３２が収縮する。これにより、その後金属リッド３２にレーザ印字しても基板２０の反りを抑制できる。
【００７２】
図８（ａ）のように、金属リッド３２を形成するときに、母型４４に接触する領域９０（第１層）を形成する。領域９０を形成するときに母型４４に流す電流より大きい電流を流すことにより、領域９０に連続して領域９２（第２層）を形成する。これにより、めっき初期にＦｅの析出量を抑えノジュールの発生を抑制できる。よって、領域９２を形成するときの電流密度を大きくすることができる。これにより、金属リッド３２の平均Ｆｅ濃度を高くでき、金属リッド３２の線熱膨張係数を小さくできる。
【００７３】
実施例１よれば、金属リッド３２をめっきにより形成する初期に、ノジュールが析出してもデバイスチップ１１の破損を抑制できる。以下、比較例２を参照し説明する。
【００７４】
図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、比較例２に係る電子部品の製造方法を示す断面図である。図１５（ａ）に示すように、金属リッド３２をめっき法を用い形成するときノジュール７４が形成される。ノジュール７４の大きさは例えば３０μｍから４０μｍである。ノジュール７４は、第２面３２ｂ側に突出する。図１５（ｂ）に示すように、金属リッド３２を第２面３２ｂがデバイスチップ１１側になるように配置する。ノジュール７４は第２面３２ｂに形成されている。図１５（ｃ）のように、金属リッド３２をデバイスチップ１１に押圧すると、ノジュール７４がデバイスチップ１１を押圧し、デバイスチップ１１にクラック７６が形成される。
【００７５】
図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す別の断面図である。図１６（ａ）に示すように、金属リッド３２を第１面３２ａがデバイスチップ１１側になるように配置する。ノジュール７４は第２面３２ｂに形成されている。図１６（ｂ）のように、金属リッド３２をデバイスチップ１１に押圧してもノジュール７４がデバイスチップ１１に当たらず、デバイスチップ１１にクラック７６が形成されない。
【００７６】
このように、実施例１では、金属リッド３２にノジュール７４が形成されていてもデバイスチップ１１に発生するクラックを抑制できる。
【００７７】
実施例１では、デバイスチップ１１に弾性波素子１２が設けられている例を説明したが、デバイスチップ１１には機能素子が設けられていればよい。機能素子は、例えばキャパシタおよび／またはインダクタ等の受動素子、パワーアンプおよび／またはスイッチ等の能動素子、またはＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子でもよい。
【００７８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００７９】
１０、２０  基板
１１デバイスチップ
１２  弾性波素子
１４  金属層
１６  バンプ
３０  封止部
３１  半田板
３２  金属リッド
３２ａ  第１面
３２ｂ  第２面
４４  母型
９０−９６  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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