(57)【要約】【課題】  配線層のショート不良が抑制された配線基板を提供すること。【解決手段】  第１の配線層と、上記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を内部に有する絶縁層と、上記開口に絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の表面に配置された第２の配線層と、を備えることを特徴とする配線基板。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、前記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を内部に有する絶縁層と、
前記開口に絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体と、
平面視において前記絶縁柱体と重なるように、前記絶縁層の表面に配置された第２の配線層と、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、前記開口を内部に有する下層と、前記下層と前記第２の配線層との間に配置された上層と、を有し、
前記絶縁層の下層の前記開口に前記絶縁柱体が設けられており、
前記第２の配線層は、前記絶縁層の上層の表面に配置されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁層の上層は、前記絶縁層の下層と異なる材料から構成される請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層の上層は、前記絶縁柱体と一体として形成されている請求項２又は３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２の配線層は、前記絶縁柱体と接するように配置されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記絶縁柱体は、前記絶縁層と異なる材料から構成される請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１の配線層は、基板本体の表面に配置されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第１の配線層は、基板本体に積層された他の絶縁層の表面に配置されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記基板本体は、積層された複数のセラミック層を備える請求項７又は８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記絶縁層は、樹脂層である請求項１〜９のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の配線基板を備えることを特徴とするプローブカード。
【請求項１２】
突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層の下層を形成する工程と、
前記絶縁層の下層から突出又は露出している前記突起部を除去することによって、前記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を前記絶縁層の下層の内部に形成する工程と、
前記絶縁層の下層の表面に絶縁材料を塗布することによって、前記開口に前記絶縁材料を充填して前記絶縁柱体を形成するとともに、前記絶縁層の下層の表面に絶縁層の上層を形成する工程と、
平面視において前記絶縁柱体と重なるように、前記絶縁層の上層の表面に第２の配線層を形成する工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層から突出又は露出している前記突起部を除去することによって、前記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を前記絶縁層の内部に形成する工程と、
前記開口に絶縁材料を充填することによって、前記絶縁柱体を形成する工程と、
平面視において前記絶縁柱体と重なるように、前記絶縁層の表面に第２の配線層を前記絶縁柱体と接するように形成する工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、プローブカード、及び、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電気検査には、プローブカードと呼ばれる検査基板が使用される。プローブカードに使用される配線基板は、一般的な配線基板と同様、絶縁層の形成と配線層の形成を繰り返すことによって製造される。
【０００３】
配線基板を製造する際、下層の配線層がバリ等の突起部を有していると、当該配線層を覆うように形成した絶縁層から突起部の一部が突出することがある。その場合、絶縁層から突出した突起部が上層の配線層と導通することでショート不良が発生するおそれがある。特に、プローブカードは非常に高精度な製品であり、１箇所でもショートの可能性があると品質を保証することができなくなるため、高度な管理が必要とされている。
【０００４】
配線層の突起部に関する技術として、例えば、特許文献１には、プロービング痕のような突出部を表面に有する電極パッドの少なくとも一部を覆う第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜の表面から突出した部分を除去した後、第１の絶縁膜上及び電極パッド上に第２の絶縁膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２３８６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、第１の絶縁膜の表面から突出した部分のみを研磨等の方法によって除去し、その上に第２の絶縁膜を配置している。しかし、この構成では、絶縁性は第２の絶縁膜の厚みに起因することになる。すなわち、第２の絶縁膜が厚くなるほど絶縁性は向上し、第２の絶縁膜が薄くなるほど絶縁性は低下する。したがって、絶縁性を確保するためには第２の絶縁膜を厚くする必要があるが、製品全体の厚みが大きくなる等の不具合が生じてしまう。
【０００７】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、配線層のショート不良が抑制された配線基板を提供することを目的とする。本発明はまた、上記配線基板を備えるプローブカード、及び、上記配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、第１の配線層と、上記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を内部に有する絶縁層と、上記開口に絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の表面に配置された第２の配線層と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
一実施形態において、上記絶縁層は、上記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、上記開口を内部に有する下層と、上記下層と上記第２の配線層との間に配置された上層と、を有し、上記絶縁層の下層の上記開口に上記絶縁柱体が設けられており、上記第２の配線層は、上記絶縁層の上層の表面に配置されている。
【００１０】
上記実施形態において、上記絶縁層の上層は、上記絶縁層の下層と異なる材料から構成されていてもよい。
【００１１】
上記実施形態において、上記絶縁層の上層は、上記絶縁柱体と一体として形成されていることが好ましい。
【００１２】
また、一実施形態において、上記第２の配線層は、上記絶縁柱体と接するように配置されている。
【００１３】
上記実施形態において、上記絶縁柱体は、上記絶縁層と異なる材料から構成されていてもよい。
【００１４】
本発明の配線基板において、上記第１の配線層は、基板本体の表面に配置されていてもよいし、基板本体に積層された他の絶縁層の表面に配置されていてもよい。
【００１５】
本発明の配線基板において、上記基板本体は、積層された複数のセラミック層を備えることが好ましい。
【００１６】
本発明の配線基板において、上記絶縁層は、樹脂層であることが好ましい。
【００１７】
本発明のプローブカードは、本発明の配線基板を備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法は、突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層の下層を形成する工程と、上記絶縁層の下層から突出又は露出している上記突起部を除去することによって、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を上記絶縁層の下層の内部に形成する工程と、上記絶縁層の下層の表面に絶縁材料を塗布することによって、上記開口に上記絶縁材料を充填して上記絶縁柱体を形成するとともに、上記絶縁層の下層の表面に絶縁層の上層を形成する工程と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の上層の表面に第２の配線層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層から突出又は露出している上記突起部を除去することによって、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を上記絶縁層の内部に形成する工程と、上記開口に絶縁材料を充填することによって、上記絶縁柱体を形成する工程と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の表面に第２の配線層を上記絶縁柱体と接するように形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、配線層のショート不良が抑制された配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ及び図５Ｅは、図１に示す配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ及び図６Ｅは、図２に示す配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の配線基板、プローブカード、及び、配線基板の製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２３】
［配線基板］
本発明の配線基板は、第１の配線層と、上記第１の配線層を覆うように配置され、かつ、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を内部に有する絶縁層と、上記開口に絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の表面に配置された第２の配線層と、を備えることを特徴とする。
【００２４】
以下、本発明の配線基板の実施形態について説明する。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。なお、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明の配線基板」という。
【００２５】
図１は、本発明の第１実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
図１には全体的な構成が示されていないが、配線基板１は、第１の配線層１１と、第１の配線層１１を覆うように配置された絶縁層２１と、絶縁層２１の表面に配置された第２の配線層１２と、を備えている。絶縁層２１は、第１の配線層１１の上面の一部を露出させる開口３１を内部に有し、絶縁層２１の開口３１には、絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体３０が設けられている。図１に示す配線基板１では、第１の配線層１１は、基板本体２０の表面に配置されている。第２の配線層１２は、平面視において、すなわち、絶縁層２１が積層された方向（図１では上下方向）から見て、絶縁柱体３０と重なるように配置されている。
【００２６】
図１に示す配線基板１では、絶縁層２１は、第１の配線層１１を覆うように配置された下層２１ａと、下層２１ａと第２の配線層１２との間に配置された上層２１ｂと、を有しており、第２の配線層１２は、絶縁層２１の上層２１ｂの表面に配置されている。絶縁層２１の下層２１ａは開口３１を内部に有し、絶縁層２１の下層２１ａの開口３１に絶縁柱体３０が設けられている。また、絶縁層２１の上層２１ｂは、絶縁柱体３０と一体として形成されている。
【００２７】
図１に示す配線基板１は、第２の配線層１２を覆うように絶縁層２１の表面に配置された少なくとも１層の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００２８】
図２は、本発明の第２実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
図２に示す配線基板２は、絶縁層２１が下層と上層とを有さず、第２の配線層１２が絶縁柱体３０と接するように配置されていることを除いて、図１に示す配線基板１と共通の構成を有している。
【００２９】
図２に示す配線基板２は、第２の配線層１２を覆うように絶縁層２１の表面に配置された少なくとも１層の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００３０】
図３は、本発明の第３実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
図３に示す配線基板３は、第１の配線層１１が他の絶縁層２２の表面に配置されていることを除いて、図１に示す配線基板１と共通の構成を有している。
【００３１】
図３には示されていないが、他の絶縁層２２は、基板本体に積層されている。また、他の絶縁層２２は、少なくとも１層であればよく、１層でもよいし、２層以上でもよい。
【００３２】
図３に示す配線基板３は、第２の配線層１２を覆うように絶縁層２１の表面に配置された少なくとも１層の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００３３】
図４は、本発明の第４実施形態に係る配線基板の特徴部分を模式的に示す断面図である。
図４に示す配線基板４は、第１の配線層１１が他の絶縁層２２の表面に配置されていることを除いて、図２に示す配線基板２と共通の構成を有している。
【００３４】
図４には示されていないが、他の絶縁層２２は、基板本体に積層されている。また、他の絶縁層２２は、少なくとも１層であればよく、１層でもよいし、２層以上でもよい。
【００３５】
図４に示す配線基板４は、第２の配線層１２を覆うように絶縁層２１の表面に配置された少なくとも１層の絶縁層をさらに備えてもよい。
【００３６】
本発明の配線基板においては、図１〜図４に示すように、第１の配線層と第２の配線層との間に配置された絶縁層の開口に、絶縁材料が充填されてなる絶縁柱体が設けられていることを特徴としている。絶縁柱体によって、第１の配線層と第２の配線層との導通が防止されるため、ショート不良を抑制することができる。
【００３７】
本発明の配線基板は、積層された複数の絶縁層を備えることが好ましい。
本発明の配線基板が複数の絶縁層を備える場合、各層の絶縁層において、第１実施形態〜第４実施形態のいずれかの構成を有することが好ましく、第１実施形態〜第４実施形態の構成を組み合わせて有してもよい。各層の絶縁層に存在する絶縁柱体の形状、大きさ及び数は、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。ただし、第１実施形態〜第４実施形態の構成を有していない絶縁層が存在してもよく、また、同一層の絶縁層において、絶縁柱体が設けられていない部分が存在してもよい。
【００３８】
本発明の配線基板は、特に、基板本体と、上記基板本体に積層された複数の絶縁層と、を備えることが好ましい。
基板本体は、上記絶縁層とは材料及び厚さの少なくとも一方が異なる絶縁層が複数積層されてなるものであり、例えば、積層された複数のセラミック層を備える。セラミック層は、低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ）材料を含む層であってもよいし、高温焼結セラミック（ＨＴＣＣ）材料を含む層であってもよい。基板本体は、内部配線をさらに備える。
【００３９】
基板本体の厚さは、基板本体に積層された絶縁層の合計厚さよりも厚いことが好ましい。また、基板本体を構成する各絶縁層の厚さは、基板本体に積層された各絶縁層の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００４０】
本発明の配線基板において、第１実施形態及び第３実施形態のように、絶縁層が下層と上層とを有し、絶縁層の上層の表面に第２の配線層が配置される場合には、配線基板の絶縁性をさらに高くすることができる。
【００４１】
絶縁層の上層は、絶縁層の下層と同じ材料から構成されていてもよいし、絶縁層の下層と異なる材料から構成されていてもよい。例えば、絶縁層の上層を、絶縁層の下層と誘電率の異なる材料から構成することにより、配線基板の誘電率を調整することができる。なお、「異なる材料」には、材料の配合が異なる場合も含まれる。
【００４２】
絶縁層の上層は、絶縁柱体と同時に形成することによって、絶縁柱体と一体として形成されていることが好ましい。この場合、絶縁層の上層が下層と同じ材料から構成されていれば、絶縁柱体は絶縁層の下層と同じ材料から構成され、一方、絶縁層の上層が下層と異なる材料から構成されていれば、絶縁柱体は絶縁層の下層と異なる材料から構成される。
【００４３】
なお、絶縁層の上層が下層と同じ材料から構成されている場合であっても、絶縁層の上層と下層との界面、及び、絶縁層の下層と絶縁柱体との界面を区別することは可能である。
【００４４】
絶縁層の上層の厚さは特に限定されないが、絶縁層の下層よりも薄いことが好ましい。絶縁層の上層の厚さは、絶縁層の全体の厚さの５０％以下であることが好ましい。
【００４５】
本発明の配線基板において、第２実施形態及び第４実施形態のように、絶縁柱体と接するように第２の配線層が配置される場合、配線基板の全体を薄くすることができる。
【００４６】
絶縁柱体と接するように第２の配線層が配置される場合、絶縁柱体は、絶縁層と同じ材料から構成されていてもよいし、絶縁層と異なる材料から構成されていてもよい。例えば、絶縁柱体を、絶縁層と誘電率の異なる材料から構成することにより、配線基板の誘電率を調整することができる。なお、「異なる材料」には、材料の配合が異なる場合も含まれる。また、絶縁柱体が絶縁層と同じ材料から構成されている場合であっても、絶縁柱体と絶縁層との界面を区別することは可能である。
【００４７】
本発明の配線基板において、絶縁層を構成する材料は特に限定されず、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサイド樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂が挙げられる。このように、本発明の配線基板において、絶縁層は、樹脂層であることが好ましい。
【００４８】
本発明の配線基板においては、第１の配線層の上面の一部が露出している限り、絶縁層が有する開口の深さは特に限定されない。例えば、本発明の配線基板を後述する方法によって製造する場合、第１の配線層の突起部を除去することによって開口を形成することができるが、第１の配線層の表面に突起部の一部が残存していてもよい。
【００４９】
本発明の配線基板においては、絶縁柱体によって第１の配線層と第２の配線層とが絶縁されている限り、開口の全体を充填するように絶縁柱体が形成されていてもよいし、開口の一部（例えば、第１の配線層と絶縁柱体との間）に空洞が存在するように絶縁柱体が形成されていてもよい。
【００５０】
本発明の配線基板において、絶縁柱体の形状及び大きさは、特に限定されるものではない。また、第１の配線層と第２の配線層との間に、複数の絶縁柱体が設けられていてもよい。この場合、絶縁柱体の形状及び大きさは、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００５１】
本発明の配線基板において、第１の配線層及び第２の配線層を構成する材料は特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ等の金属が挙げられる。
【００５２】
［プローブカード］
本発明のプローブカードは、本発明の配線基板を備えることを特徴とする。
本発明の配線基板がプローブカード用基板として使用される場合、基板本体と、上記基板本体に積層された複数の絶縁層と、を備えることが好ましい。
【００５３】
本発明の配線基板は、絶縁層側の主面に設けられる表面電極にプローブピンを実装することでプローブカードとして使用することができる。
本発明の配線基板はプローブカードの全体であってもよく、本発明の配線基板がプローブカードの一部として使用されてもよい。
本発明の配線基板がプローブカードの一部として使用される場合は、スペーストランスフォーマー又はインターポーザ―と呼ばれる基板として働き、配線ピッチ変換基板として使用されることが好ましい。この場合、本発明の配線基板の基板本体側の表面電極をプローブカード本体となるプリント配線板と電気的に接続して使用する。
【００５４】
本発明の配線基板がプローブカード用基板として使用される場合、絶縁層側の主面に設けられる表面電極（上面電極ともいう）のピッチは、基板本体側の主面に設けられる表面電極（下面電極ともいう）のピッチよりも狭く設定されていて、配線基板の内部に再配線構造が形成される。
【００５５】
各上面電極が形成される配線基板の上部においては、検査対象である半導体素子の端子間隔に合わせるために、微細な配線パターンの形成が可能な薄膜で形成された複数の絶縁層の積層体で構成されていることが好ましい。一方、各下面電極が形成される配線基板の下部においては、絶縁層よりも剛性が高い基板本体で構成されていることが好ましい。したがって、基板本体の厚さは、基板本体に積層された絶縁層の合計厚さよりも厚いことが好ましい。また、基板本体を構成する各絶縁層の厚さは、基板本体に積層された各絶縁層の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００５６】
［配線基板の製造方法］
以下、本発明の配線基板の製造方法の実施形態について説明する。なお、各実施形態を特に区別しない場合、単に「本発明の配線基板の製造方法」という。
【００５７】
本発明の配線基板の製造方法の一実施形態として、本発明の第１実施形態に係る配線基板を製造する方法について説明する。
本発明の第１実施形態に係る配線基板の製造方法は、突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層の下層を形成する工程と、上記絶縁層の下層から突出又は露出している上記突起部を除去することによって、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を上記絶縁層の下層の内部に形成する工程と、上記絶縁層の下層の表面に絶縁材料を塗布することによって、上記開口に上記絶縁材料を充填して上記絶縁柱体を形成するとともに、上記絶縁層の下層の表面に絶縁層の上層を形成する工程と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の上層の表面に第２の配線層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００５８】
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ及び図５Ｅは、図１に示す配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００５９】
図５Ａでは、突起部１５を有する第１の配線層１１が表面に配置された基板本体２０を準備する。
【００６０】
基板本体２０は、例えば、内部配線が形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層した後、焼成することにより作製することができる。
【００６１】
第１の配線層１１は、例えば、スパッタ等の薄膜形成法によって形成することができる。この際、異物等によって、第１の配線層１１に突起部１５が発生することがある。図５Ａでは、第１の配線層が１つの突起部を有しているが、複数の突起部を有していてもよい。第１の配線層が複数の突起部を有する場合、突起部の形状及び大きさは、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６２】
図５Ｂでは、基板本体２０の表面に、第１の配線層１１を覆うように、絶縁層の下層２１ａを形成する。この際、突起部の大きさによって、突起部の上面が絶縁層の下層から突出又は露出する。図５Ｂでは、突起部１５の上面が絶縁層の下層２１ａから突出しているが、絶縁層の下層２１ａから露出する程度でもよい。また、第１の配線層が複数の突起部を有する場合、絶縁層の下層から突出も露出もしていない突起部が存在してもよい。
【００６３】
絶縁層の下層２１ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の樹脂をスピンコート等の塗布法によって塗布した後、熱で硬化させることによって形成することができる。
【００６４】
図５Ｃでは、絶縁層の下層２１ａから突出している突起部１５を除去することによって、第１の配線層１１の上面の一部を露出させる開口３１を絶縁層の下層２１ａの内部に形成する。
【００６５】
例えば、絶縁層の下層２１ａが形成された基板本体２０全体をウェットエッチングすることによって突起部１５を除去することができる。また、レーザー等を用いて物理的に突起部１５を除去してもよい。なお、絶縁層の下層から突出も露出もしていない突起部は、除去されなくてもよい。
【００６６】
図５Ｄでは、絶縁層２１の下層２１ａの表面に絶縁材料を塗布することによって、開口３１に絶縁材料を充填して絶縁柱体３０を形成するとともに、絶縁層２１の下層２１ａの表面に絶縁層２１の上層２１ｂを形成する。これによって、絶縁層２１の上層２１ｂは、絶縁柱体３０と一体として形成される。
【００６７】
絶縁層２１の上層２１ｂは、例えば、ポリイミド樹脂等の樹脂をスピンコート等の塗布法によって塗布した後、熱で硬化させることによって形成することができる。絶縁層２１の上層２１ｂを形成するための材料は、絶縁層２１の下層２１ａを形成するための材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
図５Ｅでは、平面視において絶縁柱体３０と重なるように、絶縁層２１の上層２１ｂの表面に第２の配線層１２を形成する。
【００６９】
第２の配線層１２は、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その場合、第２の配線層１２は、スパッタ等により下地のＴｉ膜を形成した後、同じくスパッタ等によりＴｉ膜上にＣｕ膜を成膜し、さらに、その上にレジストを形成した後、露光・現像し、Ｃｕ膜上にＣｕ電極を電解めっき又は無電解めっきにより形成することで得られる。
【００７０】
必要に応じて、絶縁層２１の表面に、他の絶縁層を形成してもよい。さらに、配線層の形成と絶縁層の形成を繰り返してもよい。
【００７１】
また、最上層の配線層の表面には、表面保護のために、Ｎｉ／Ａｕめっきを施してもよい。
【００７２】
以上により、図１に示す配線基板１が得られる。
【００７３】
本発明の配線基板の製造方法の別の実施形態として、本発明の第２実施形態に係る配線基板を製造する方法について説明する。
本発明の第２実施形態に係る配線基板の製造方法は、突起部を有する第１の配線層を覆うように、絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層から突出又は露出している上記突起部を除去することによって、上記第１の配線層の上面の一部を露出させる開口を上記絶縁層の内部に形成する工程と、上記開口に絶縁材料を充填することによって、上記絶縁柱体を形成する工程と、平面視において上記絶縁柱体と重なるように、上記絶縁層の表面に第２の配線層を上記絶縁柱体と接するように形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００７４】
図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ及び図６Ｅは、図２に示す配線基板の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００７５】
図６Ａでは、突起部１５を有する第１の配線層１１が表面に配置された基板本体２０を準備する。
【００７６】
図６Ａに示す工程は、図５Ａに示す工程と同様である。図６Ａでは、第１の配線層が１つの突起部を有しているが、複数の突起部を有していてもよい。第１の配線層が複数の突起部を有する場合、突起部の形状及び大きさは、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００７７】
図６Ｂでは、基板本体２０の表面に、第１の配線層１１を覆うように、絶縁層２１を形成する。この際、突起部の大きさによって、突起部の上面が絶縁層から突出又は露出する。図６Ｂでは、突起部１５の上面が絶縁層２１から突出しているが、絶縁層２１から露出する程度でもよい。また、第１の配線層が複数の突起部を有する場合、絶縁層から突出も露出もしていない突起部が存在してもよい。
【００７８】
絶縁層２１は、例えば、ポリイミド樹脂等の樹脂をスピンコート等の塗布法によって塗布した後、熱で硬化させることによって形成することができる。
【００７９】
図６Ｃでは、絶縁層２１から突出している突起部１５を除去することによって、第１の配線層１１の上面の一部を露出させる開口３１を絶縁層２１の内部に形成する。
【００８０】
例えば、絶縁層２１が形成された基板本体２０全体をウェットエッチングすることによって突起部１５を除去することができる。また、レーザー等を用いて物理的に突起部１５を除去してもよい。なお、絶縁層から突出も露出もしていない突起部は、除去されなくてもよい。
【００８１】
図６Ｄでは、開口３１に絶縁材料を充填することによって、絶縁柱体３０を形成する。絶縁柱体３０を形成するための材料は、絶縁層２１を形成するための材料と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００８２】
図６Ｅでは、平面視において絶縁柱体３０と重なるように、絶縁層２１の表面に第２の配線層１２を絶縁柱体３０と接するように形成する。図６Ｅに示す工程は、図５Ｅに示す工程と同様である。
【００８３】
必要に応じて、絶縁層２１の表面に、他の絶縁層を形成してもよい。さらに、配線層の形成と絶縁層の形成を繰り返してもよい。
【００８４】
また、最上層の配線層の表面には、表面保護のために、Ｎｉ／Ａｕめっきを施してもよい。
【００８５】
以上により、図２に示す配線基板２が得られる。
【００８６】
なお、本発明の第３実施形態及び第４実施形態に係る配線基板を製造する場合には、突起部を有する第１の配線層が表面に配置された基板本体に代えて、少なくとも１層の絶縁層が積層され、かつ、突起部を有する第１の配線層が上記絶縁層の表面に配置された基板本体を準備することを除いて、それぞれ本発明の第１実施形態及び第２実施形態に係る配線基板と同様に製造すればよい。この場合、第１の配線層は、第２の配線層と同様、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００８７】
本発明の配線基板の製造方法においては、第１の配線層の突起部を完全に除去することによって開口を形成してもよいし、第１の配線層の表面に突起部の一部が残存していてもよい。
【００８８】
本発明の配線基板の製造方法においては、開口の全体を充填するように絶縁柱体を形成してもよいし、開口の一部（例えば、第１の配線層と絶縁柱体との間）に空洞が存在するように絶縁柱体を形成してもよい。
【００８９】
本発明の配線基板、プローブカード、及び、配線基板の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、基板本体の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１，２，３，４  配線基板
１１  第１の配線層
１２  第２の配線層
１５  突起部
２０  基板本体
２１  絶縁層
２１ａ  絶縁層の下層
２１ｂ  絶縁層の上層
２２  他の絶縁層
３０  絶縁柱体
３１  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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