(57)【要約】【課題】スパッタリングが行なわれる薄膜形成室内における成膜材料の粒子分布を調整することにより、ワークに形成される薄膜に変化を与えることのできるスパッタリング装置を提供する。【解決手段】ワークＷが設置される薄膜形成室内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室内に設置された成膜材料を含むターゲットＴの表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子Ｍを弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子をワークの表面に付着させて薄膜Ｆを形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記薄膜形成室内に複数（Ｔ１・Ｔ２）設置されていることを特徴とする。【選択図】図４
2019183213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークが設置される薄膜形成室内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室内に設置された成膜材料を含むターゲットの表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子を弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子をワークの表面に付着させて薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記薄膜形成室内に複数設置されていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記複数のターゲットが、前記イオン化された原子が衝突させられる面が、前記ワークに対して異なる方向から対峙するように設置されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記複数のターゲットが同一の成膜材料によって形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記複数のターゲットが異なる成膜材料によって形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記薄膜形成室が複数設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れかに記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記複数の薄膜形成室間に、前記ワークを前記複数の薄膜形成室間を移送する移送機構が設けられていることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記薄膜形成室が、下方が開口された筒状の反応筒と、この反応筒の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレートとによって構成されていることを請求項１ないし請求項６の何れかに記載のスパッタリング装置。
【請求項８】
前記薄膜形成室が複数設けられ、各薄膜形成室が、下方が開口された筒状の反応筒と、この反応筒の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレートとによって構成され、これらの開閉プレートに、これらの開閉プレートが前記各薄膜形成室を開放する位置に位置させられた状態において、各開閉プレートを異なる前記薄膜形成室の開口に対峙させるように移動させる移送機構が設けられていることを請求項７に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークの表面に薄膜を形成する際に用いられるスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ワークの表面に薄膜を形成する装置として、たとえば、特許文献１に示されるように、真空中に不活性ガス（主に、Ａｒ）を導入し、ターゲット（プレート状の成膜材料）にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させて前記不活性ガス原子をイオン化し、この不活性ガスイオンを高速でターゲットの表面に衝突させて激しく叩き、ターゲットを構成する成膜材料の粒子（原子・分子）を激しく弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子を勢いよく基材・基板(ワーク）の表面に付着・堆積させ薄膜を形成するスパッタリング装置が知られている。
【０００３】
そして、特許文献１に示されるような従来のスパッタリング装置にあっては、単一のターゲットを用い、前記ワーク回りの成膜材料の粒子の分布を極力均一化し、前記ワーク表面に均一な薄膜を形成することが殆どである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−４００５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ワークの種類によっては、ワーク表面の意匠的な効果を高める等を目的として、スパッタリングによって形成される薄膜に変化をつけることが要求される場合がある。
【０００６】
本発明は、前述した要求を実現すべくなされたもので、スパッタリングが行なわれる薄膜形成室内における成膜材料の粒子分布を調整することにより、ワークに形成される薄膜に変化を与えることのできるスパッタリング装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のスパッタリング装置は、前述した課題を解決するために、ワークが設置される薄膜形成室内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室内に設置された成膜材料を含むターゲットの表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子を弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子をワークの表面に付着させて薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記薄膜形成室内に複数設置されていることを特徴とする。
【０００８】
このような構成とすることにより、スパッタリング時に、複数設置されたターゲットのそれぞれから成膜材料の粒子が放出される。
【０００９】
ここで、前記複数のターゲットの、前記成膜形成室に対する設置位置は当然異なることから、複数のターゲット間の間隔が狭い場所と広い場所とで、前記成膜材料の粒子の分布に差が生じる。
【００１０】
この成膜材料の粒子の分布形態は前記ワークに対しても同様であり、これによって、前記ワークへの成膜材料の粒子の付着形態が、前記ワークの部位のよって異なる。
【００１１】
この結果、前記ワークに形成される薄膜の形態に変化をつけて、このワークの意匠的な効果を高めることができる。
【００１２】
前記複数のターゲットを、前記イオン化された原子が衝突させられる面が、前記ワークに対して異なる方向から対峙するように設置することが好ましい。
【００１３】
このような構成とすることにより、複数のターゲットから放出される成膜材料の粒子を交差させることにより、複数のターゲット間が狭い部分における成膜材料の粒子の濃度を効果的に高めて、形成される薄膜の形態の変化を大きくすることができる。
【００１４】
前記複数のターゲットは同一の成膜材料によって形成することができ、また、異なる成膜材料によって形成することができる。
【００１５】
前者の場合には、成膜材料の粒子分布の差によるワークの意匠的な変化を付与し、後者の場合には、異なる成膜材料の粒子の混ざり具合による意匠的変化を付与することができる。
【００１６】
前記薄膜形成室は複数設けることができる。
このような構成とすることにより、複数のワークへのスパッタリングを同時に行なうことができる。
【００１７】
あるいは、複数の薄膜形成室に、それぞれ、異なる成膜材料のターゲットを設置することにより、異なる種類のスパッタリングを同時に行なうことができる。
【００１８】
また、前記複数の薄膜形成室間に、前記ワークを前記複数の薄膜形成室間を移送する移送機構を設けておくことができる。
【００１９】
このような構成とすることにより、一つのワークに複数のスパッタリングを施すことが可能となる。
これによって、形成される薄膜により多彩な変化を付与することができる。
【００２０】
そして、前記薄膜形成室を、下方が開口された筒状の反応筒と、この反応筒の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレートとによって構成することができる。
【００２１】
このような構成とすることにより、前記ワークの前記薄膜形成室内への出し入れを簡便に行なうことができる。
【００２２】
また、前記薄膜形成室を複数設けた場合、前記複数の開閉プレートに、これらの開閉プレートが前記各薄膜形成室を開放する位置に位置させられた状態において、各開閉プレートを異なる前記薄膜形成室の開口に対峙させるように移動させる移送機構を設けることができる。
【００２３】
このような構成とすることにより、一つのワークに対して多種類のスパッタリングを施す際に、前記ワークを、異なる薄膜形成室へ入れ替える操作を簡便なものとすることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のスパッタリング装置によれば、ワークの異なる部位間においてスパッタリングによる薄膜成膜材料の粒子の付着形態を異ならせることができる。
この結果、前記ワークの表面から得られる視覚的効果に変化を持たせて、意匠的な効果を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態を示す正面図である。
【図２】本発明の一実施形態を示す平面図である。
【図３】本発明の一実施形態を示すもので、作用を説明するための正面図である。
【図４】本発明の一実施形態を示す要部の縦断面図である。
【図５】本発明の一実施形態を示すもので、作用を説明するための要部の縦断面図である。
【図６】本発明の一実施形態を示すもので、作用を説明するための正面図である。
【図７】本発明の一実施形態を示すもので、作用を説明するための正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
これらの図において、符号１は、本発明のスパッタリング装置を示す。
【００２７】
本実施形態のスパッタリング装置１は、ワークＷが設置される薄膜形成室Ｒ内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室Ｒ内に設置された成膜材料を含むターゲットＴ(図４参照）の表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子Ｍを弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子ＭをワークＷの表面に付着させて薄膜Ｆを形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットＴが前記薄膜形成室Ｒ内に複数（Ｔ１・Ｔ２）設置されている。
【００２８】
前記スパッタリング装置１は、直方体状に枠組みされた基体２を備え、この基体２の上半部には、この基体２の上端開口を気密覆って設けられた上板３と、この上板３の下方に間隔を置いて配置され、前記基体２の中間部を気密に遮蔽する底板５と、これらの上板３と底板５間を気密に覆う側板４が設けられ、これらの上板３、底板５、および、側板４によって前記基体の上半部に真空室Ａが形成され、この真空室Ａには図示しない真空形成装置が接続されている。
【００２９】
前記底板５の下部には、上下方向に伸縮する複数（本実施形態においては４本）のピストン６が装着されており、これらのピストンロッド６ａが、前記底板５を気密に貫通して前記真空室Ａへ突出させられている。
【００３０】
前記薄膜形成室Ｒは、本実施形態では、前記上板３の略中心回りに９０°の間隔で３箇所に設けられており、各薄膜形成室Ｒは、下方が開口された反応筒７と、この反応筒７の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークＷが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレート８とによって構成されている。
【００３１】
前記反応筒７は、図４に詳述するように、前記上板３に、この上板３を上下に貫通した貫通孔を気密に覆うように固定されている。
【００３２】
そして、前記上板３の下面には、前記反応筒７の中心線と同軸に設けられ、かつ、この中心線を回転中心として回転自在なリングギヤ９が装着されている。
【００３３】
また、前記リングギヤ９の下部には、環状の当接リング１０が同軸上に一体に固着されている。
この当接リング１０には、前記反応筒７と前記真空室Ａとを連通させる貫通孔Ｃが形成されており、この貫通孔Ｃによって前記反応筒７の気圧が前記真空室Ａの気圧に保持されるようになっている。
【００３４】
そして、前記当接リング１０の下面周縁部には、前記開閉プレート８の上面周縁部が当接させられるようになっているとともに、この開閉プレート８の当接部位に前記当接リング１０との当接時の衝撃を吸収する環状のパッキン１１が装着されている。
【００３５】
前記反応筒７の側部で、前記上板３上には、この上板３を上下方向に沿って気密に貫通する駆動軸１２ａを備えたモーター１２が装着されている。
【００３６】
そして、前記駆動軸１２ａの下端部には、前記リングギヤ９に噛合させられたドライブギヤ１３が固着されている。
【００３７】
これによって、前記モーター１２の回転により、前記リングギヤ９および当接リング１０が、前記反応筒７の中心軸線回りに回転させられるようになっている。
【００３８】
前記底板５の上部中央には、図１に示すように、センターギヤ１４が回転自在に装着されており、このセンターギヤ１４の上部には、このセンターギヤ１４とともに回転するセンタープレート１５が装着されている。
【００３９】
そして、前記センタープレート１５には、前述した複数のピストン６のピストンロッド６ａが、上下方向に相対動可能に貫通させられており、それぞれのピストンロッド６ａの先端部が前記センタープレート１５の上方に上昇させられた位置と、前記センタープレート１５の下方へ下降させられた位置との２位置間で昇降させられるようになっている。
【００４０】
そして、前記底板５の上面には、前記センターギヤ１４に噛合させられたドライブギヤ１６が回転自在に装着され、また、前記底板５の下方には、前記ドライブギヤ１６を回転駆動する駆動軸（図示略）を備えたモーター１７が装着されている。
ここで、前記駆動軸は、前記底板５を気密状態を保持した状態で貫通させられている。
【００４１】
これによって、前記モーター１７によって前記ドライブギヤ１６が回転させられると、前記センターギヤ１４、および、前記センタープレート１５が一体的に回転させられるようになっている。
【００４２】
このような前記センタープレート１５の回転は、前記各ピストンロッド６ａの先端が、前記センタープレート１５の下方まで下降させられた状態で行われるようになっている。
【００４３】
一方、前記ピストン６は、その中心線が前記反応筒７の中心線と一致するように設置されており、そのピストンロッド６ａの先端に、前記開閉プレート８が、同一軸線上に、かつ、この軸線回りに回動自在に装着されている。
【００４４】
また、前記ピストンロッド６ａは、前記開閉プレート８の下部に、上下方向に離間可能に嵌合させられている。
【００４５】
そして、前記ピストンロッド６ａの下降に伴い、前記開閉プレート８が前記センタープレート１５の上面に当接させられてこのセンタープレート１５上に保持され、さらなる前記ピストンロッド６ａの下降により、このピストンロッド６ａの先端が前記開閉プレート８から離脱させられて、前記センタープレート１５の下方に位置させられるようになっている。
【００４６】
この状態において前記センタープレート１５が回転させられることにより、前記開閉プレート８が前記センタープレート１５の回転中心周りに旋回移動させられるようになっている。
【００４７】
また、前記ピストン６は、前記複数の薄膜形成室Ｒ毎に設けられており、それぞれの前記開閉プレート８を、前記薄膜形成室Ｒの下部開口を閉塞する位置と、前記センタープレート１５上に載置される位置との間で昇降させるようになっている。
【００４８】
そして、前記開閉プレート８は、前記ピストン６によって前記上板３の貫通孔に装着されている前記当接リング１０の下端に、前記パッキン１１を介して全周に亙って密着させられるようになっている。
【００４９】
また、前記開閉プレート８は、前記当接リング１０の下端に当接させられて前記薄膜形成室Ｒの下部開口を閉塞した状態において、前記当接リング１０と一体的に回転させられるようになっている。
【００５０】
さらに、前記センタープレート１５には上方へ向かって延びる複数のガイド軸１９が一体に突設されている。
【００５１】
また、前記複数のガイド軸１９の上端部は、前記各開閉プレート８が通過させられる複数の開口Ｄ（図４および図５参照）を備えた連結プレート２０によって連結されて、その間隔や姿勢が保持されている。
【００５２】
前記連結プレート２０に形成されている前記開口Ｄは、前記ピストン６の伸縮動作に伴う前記各開閉プレート８の、前記当接リング１０への当接位置から前記センタープレート１５上に載置させられる位置までの移動を可能としている。
【００５３】
一方、前記ターゲットＴ（Ｔ１・Ｔ２）は、図４に示すように、前記反応筒７の側壁と上壁に、その一面を前記薄膜形成室Ｒ内に露出させた状態で装着されている。
【００５４】
さらに、前記各開閉プレート８の上面中央部には、前記ワークＷが装着されるワーク支持具２１が突設されている。
【００５５】
また、本実施形態においては、前記上板３の前記薄膜形成室Ｒが設けられていない部位に、ワーク搬入出機構２２が設けられている。
【００５６】
このワーク搬入出機構２２は、前記上板３上に設置された支持枠２３に装着されたピストン２４を備えている。
【００５７】
このピストン２４は、そのピストンロッド２４ａを前記上板３に向けた状態で装着されている。
【００５８】
そして、前記ピストンロッド２４ａの下端には、下部が開口された筒状のカバー２５が一体に装着され、このカバー２５は、前記ピストンロッド２４ａの伸縮動作によって最下降位置まで下降させられた状態において、下端が、前記上板３に気密に当接させられて、この上板３に形成されている貫通孔を閉塞し、最上昇位置において、前記上板３の上方に、前記ワークＷの出し入れが可能な間隔を形成するように昇降させられるようになっている。
【００５９】
そして、前記カバー２５の下方には、前記ピストン６および開閉プレート８が、前記薄膜形成室Ｒと同様に対峙させられている。
【００６０】
前記カバー２５に対峙させられる前記開閉プレート８は、前記上板３へ向けて上昇させられてこの上板３の下面に当接させられるようになされ、この状態において、前記上板３に前記カバー２５に対応して形成されている貫通孔を、前記パッキン１１を利用して下方から気密に閉塞するようになっている。
【００６１】
このような前記開閉プレート８によって前記貫通孔を閉塞した状態で、前記カバー２５を上昇させることにより、ワークＷの取り付けや取り出しを行う際における、前記真空室Ａの気密性を確保することができる。
【００６２】
このように構成された本実施形態のスパッタリング装置１は、各ピストン６を伸張させて前記開閉プレート８を前記上板３の下部に当接させることにより、前記上板３に前記各反応筒７および前記カバー２５に対応して形成されている各貫通孔を閉塞した状態とする。
【００６３】
ここで、前記カバー２５に対応して形成されている前記上板３の貫通孔は、前記開閉プレート８によって気密に閉塞され、前記カバー２５と前記真空室Ａとの連通が遮蔽されている。
【００６４】
これより、図３に示すように、前記カバー２５を上昇させて、その開閉プレート８の上方に設けられているワーク支持具２１を露出させたのちに、このワーク支持具２１にワークＷを装着する。
【００６５】
ついで、前記カバー２５を下降させて前記上板３に当接させることにより、前記ワークＷを覆うとともに、前記上板３に形成されている貫通孔を上方から機密に閉塞する。
【００６６】
ついで、全てのピストン６を作動させて、前記ピストンロッド６ａの先端部を前記センタープレート１５の下方まで下降させる。
【００６７】
これによって、図６に示すように、全開閉プレート８が前記センタープレート１５上に載置された後に、これらの開閉プレート８から前記各ピストンロッド６ａが離間させられる。
【００６８】
これより、前記モーター１７によってドライブギヤ１６を回転させると、このドライブギヤ１６が噛合させられている前記センターギヤ１４が回転させられ、かつ、このセンターギヤ１４とともに、前記連結プレート２０、および、前記センタープレート１５が回転させられ、この前記センタープレート１５上の前記開閉プレート８が、この前記センタープレート１５の回転軸周りに旋回移動させられる。
【００６９】
このような回転を、前記カバー２５から引き出された前記ワークＷが、図６に矢印で示すように、隣接する前記薄膜形成室Ｒの反応筒７の下部開口と対峙する位置まで継続する。
【００７０】
これより、前記各開閉プレート８を上昇させて、前記ワークＷを前記反応筒７内に挿入するとともに、図４に示すように、この反応筒７の下部開口に前記開閉プレート８を当接させる。
【００７１】
本実施形態においては、このようなワークＷの移送を行なう前記ピストン６やモーター１７等の構成によって、前記ワークＷの移送機構が構成されている。
【００７２】
そして、前記ワークＷの搬入動作が行われる際には、前記真空室Ａ内が真空に保持されており、これとともに、前記各反応筒７内も同様に真空に保持されている。
【００７３】
このように、前記薄膜形成室ＲにワークＷが供給された前記反応筒７においてスパッタリングを開始して、前記ワークＷの表面に薄膜Ｆを形成することができる。
【００７４】
このようにスパッタリングが開始されると、図４に矢印で示すように、薄膜形成用の粒子Ｍが前記側壁のターゲットＴ１から略水平方向に放出され、上壁のターゲットＴ２から薄膜形成用の粒子Ｍが略垂直方向に放出され、これらの粒子が前記ワークＷの表面に付着して薄膜が形成される。
【００７５】
ここで、前記モーター１２によって前記開閉プレート８とともに前記ワークＷを回転させることにより、前記ワークＷに形成される薄膜Ｆを周方向において均一にすることができる。
【００７６】
また、略水平方向に放出される粒子Ｍに、その上方から略垂直方向の粒子が混入させられるが、略垂直方向から放出された粒子Ｍは、前記ワークＷにその上部から付着し、前記ワークＷの下方に行くにしたがい漸次減少する。
【００７７】
これによって、前記薄膜Ｆにグラデーションをつけて意匠的効果を高めることができる。
【００７８】
さらに、前述したように、一つの薄膜形成室Ｒにおいてスパッタリングを施したワークＷを、隣接するつぎの薄膜形成室Ｒへ送り込んで同様のスパッタリングを施すことができる。
【００７９】
このような操作により、形成され得る薄膜Ｆの厚みを変化させることにより、前述したグラデーション効果を調整することができる。
【００８０】
なお、前記実施形態は一例であって、要求される薄膜形態等の変更等に基づき種々変更可能である。
【００８１】
たとえば、前記複数設けるターゲットＴの種類を異ならせることにより、形成される薄膜Ｆの形態を調整することも可能である。
【００８２】
また、各薄膜形成室Ｒに設置する複数のターゲットＴを同一とし、ワークＷを各薄膜形成室Ｒの全てに装填した後に、各薄膜形成室Ｒにおいて同時にスパッタリングを開始することもできる。
これによって、多数のワークＷに同時に薄膜を形成することができる。
【００８３】
また、前述した移送機構やワーク搬入出機構２２を省略することも可能である。
【００８４】
さらに、前記薄膜形成室Ｒを複数設けることにより、それぞれの薄膜形成室Ｒにおいて異なる材料のターゲット（たとえば、金属・酸化物・窒化物）を用い、各薄膜形成室Ｒにおけるスパッタリングの条件を変えることにより、多種類のスパッタリングを同時に扱うことができる。
ただし、この場合には、各薄膜形成室Ｒのそれぞれに未処理のワークＷを供給しておくことが必要となる。
【符号の説明】
【００８５】
１  スパッタリング装置
２  基体
３  上板
４  側板
５  底板
６  ピストン
６ａ  ピストンロッド
７  反応筒
８  開閉プレート
９  リングギヤ
１０  当接リング
１１  パッキン
１２  モーター
１２ａ  駆動軸
１３  ドライブギヤ
１４  センターギヤ
１５  センタープレート
１６  ドライブギヤ
１７  モーター
１９  ガイド軸
２０  連結プレート
２１  ワーク支持具
２２  ワーク搬入出機構
２３  支持枠
２４  ピストン
２４ａ  ピストンロッド
２５  カバー
Ａ  真空室
Ｃ  貫通孔
Ｄ  開口
Ｍ  粒子
Ｆ  薄膜
Ｗ  ワーク
Ｒ  薄膜形成室
Ｔ（Ｔ１・Ｔ２）  ターゲット
【図１】
2019183213.tif 000003
【図２】
2019183213.tif 000004
【図３】
2019183213.tif 000005
【図４】
2019183213.tif 000006
【図５】
2019183213.tif 000007
【図６】
2019183213.tif 000008
【図７】
2019183213.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成31年2月12日(2019.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークが設置される薄膜形成室内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室内に設置された成膜材料を含むターゲットの表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子を弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子をワークの表面に付着させて薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記薄膜形成室内に複数設置され、かつ、これらのターゲットがワークの上方および側方に対峙させられていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記複数のターゲットが同一の成膜材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記複数のターゲットが異なる成膜材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記薄膜形成室が複数設けられていることを特徴とする請求項1ないし請求項３の何れかに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記複数の薄膜形成室間に、前記ワークを前記複数の薄膜形成室間を移送する移送機構が設けられていることを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記薄膜形成室が、下方が開口された筒状の反応筒と、この反応筒の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレートとによって構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項５の何れかに記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記薄膜形成室が複数設けられ、各薄膜形成室が、下方が開口された筒状の反応筒と、この反応筒の軸線方向に往復動可能に設けられ、前記ワークが載置されるとともに前記開口を開閉する開閉プレートとによって構成され、これらの開閉プレートに、これらの開閉プレートが前記各薄膜形成室を開放する位置に位置させられた状態において、各開閉プレートを異なる前記薄膜形成室の開口に対峙させるように移動させる移送機構が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のスパッタリング装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月4日(2019.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ワークが設置される薄膜形成室内を真空にするとともに不活性ガスを導入し、この不活性ガス原子をイオン化して、前記薄膜形成室内に設置された成膜材料を含むターゲットの表面に衝突させることにより、前記成膜材料の粒子を弾き出し、この弾き出された成膜材料の粒子をワークの表面に付着させて薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記薄膜形成室内に複数設置され、かつ、これらのターゲットをワークの上方および側方に対峙させて設置することにより、前記弾き出された成膜材料の粒子の付着量を前記ワークの下方に行くにしたがい減少させて、前記ワークにグラデーションを有する薄膜を形成するように構成されていることを特徴とするスパッタリング装置。