(57)【要約】      （修正有）【課題】高温データ保持損失の問題を有効に解決することのできる抵抗メモリセルおよびその抵抗メモリセルの設定方法を提供する。【解決手段】設定方法は、抵抗メモリセルに対して第１設定操作を行い、第１設定操作が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行うことと、第１検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行うかどうかを判断し、第１リセット操作を実行することを決定し、実行が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第２検証操作を行うことと、第２検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第２リセット操作を行うかどうかを判断し、第２リセット操作を実行することを決定し、実行終了後に、抵抗メモリセルに対して第３検証操作を行うことと、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗メモリセルに対して第１設定操作を行い、前記第１設定操作が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行うことと、
前記第１検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行うかどうかを判断し、前記第１リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第２検証操作を行うことと、
前記第２検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第２リセット操作を行うかどうかを判断し、前記第２リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第３検証操作を行うことと、
を含む抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項２】
前記第３検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第２設定操作を行うかどうかを判断し、前記第２設定操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第４検証操作を行うことをさらに含む請求項１に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項３】
前記抵抗メモリセルに対して前記第２設定操作を行う前記ステップが、
第２設定電圧を提供して、前記抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続し、前記抵抗メモリセルに対して前記第２設定操作を行うこと
を含み、前記第２設定電圧の電圧値が、第１設定電圧の電圧値よりも大きい請求項２に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項４】
前記抵抗メモリセルに対して前記第１検証操作を行う前記ステップが、
検証電圧を提供して、前記抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続するとともに、前記検証電圧に基づいて前記抵抗メモリセルによって生成された検証電流を測定することと、
前記検証電流が所定の値よりも大きいかどうかを判断して、前記第１検証操作の検証結果を生成することと、
を含み、前記第１検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して前記第１リセット操作を行うかどうかを判断する前記ステップが、
前記検証電流が前記所定の値よりも大きくない時、第１リセット電圧を提供して、前記抵抗メモリセルの前記２つの端部を跨いで接続し、前記抵抗メモリセルに対して前記第１リセット操作を行う請求項１〜３のいずれか１項に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項５】
前記第３検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第３リセット操作を行うかどうかを判断し、前記第３リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第４検証操作を行うことと、
前記第４検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第４リセット操作を行うかどうかを判断することと、
をさらに含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項６】
前記第２リセット操作を行う前記ステップが、
第２リセット電圧を提供して、前記抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続し、前記抵抗メモリセルに対して前記第２リセット操作を行うこと
を含み、前記第２リセット電圧の電圧値が、前記第１リセット電圧の電圧値よりも大きい請求項４に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【請求項７】
前記第４検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第３リセット操作を行うかどうかを判断し、前記第３リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、前記抵抗メモリセルに対して第５検証操作を行うことと、
前記第５検証操作の検証結果に基づいて、前記抵抗メモリセルに対して第４リセット操作を行うかどうかを判断することと、
をさらに含む請求項２に記載の抵抗メモリセルの設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗メモリセルおよびその抵抗メモリセルの設定方法に関するものであり、特に、高温データ保持損失（data retention loss）を防ぐことができる抵抗メモリセルおよびその抵抗メモリセルの設定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
抵抗メモリにおいて、設定操作で生成された抵抗メモリセルの酸素空孔領域を回復させ、切換安定性を向上させるために、設定後に無条件で実行されたリセット操作を利用する設定メカニズムが従来の技術で提案されている。しかしながら、従来のこのような設定メカニズムは、設定操作を行った全ての抵抗メモリに対して無条件で設定およびリセット操作を行う。したがって、従来の技術には、図１（ａ）および図１（ｂ）に示したような２つの問題が発生する可能性がある。
【０００３】
図１（ａ）において、正常な抵抗メモリセルは、リセット操作が強すぎる場合、チタン層１１０内の大量の酸素イオンＯＸが酸素空孔領域１２０に押し込まれるため、酸素空孔領域１２０と酸素イオンＯＸの間の再結合作用により、酸素空孔領域１２０とチタン層１１０の接触領域が狭くなり、高温データ保持損失の問題が生じる。
【０００４】
図１（ｂ）において、リセット操作が弱すぎる場合、酸素イオンＯＸが酸素空孔領域１２０から押し出されるため、酸素空孔領域１２０と酸素イオンＯＸの間の再結合作用によって、酸素空孔領域１２０が弱くなり、この場合も高温データ保持損失の問題をもたらす。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高温データ保持損失の問題を有効に解決することのできる様々な抵抗メモリセルおよびその抵抗メモリセルの設定方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の抵抗メモリセルの設定方法は、抵抗メモリセルに対して第１設定操作を行い、第１設定操作が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行うことと；第１検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行うかどうかを判断し、第１リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第２検証操作を行うことと；第２検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第２リセット操作を行うかどうかを判断し、第２リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第３検証操作を行うことを含む。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように、抵抗メモリセルの設定方法は、抵抗メモリセルに対して設定操作を行った後に検証操作を行い、検証操作の検証結果に基づいて、後続のリセット操作を行うかどうかを判断する。したがって、異なる特性を有する抵抗メモリセルに対してこの設定方法を実行した時、本発明は、選択された抵抗メモリセルの特性に関する設定動作に対して適応調整を行うことができる。その結果、抵抗メモリセルに生じる高温データ保持損失の確率を有効に減らし、抵抗メモリ装置の収率を維持することができる。
【０００８】
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点をより分かり易くするため、図面と併せた幾つかの実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
添付図面は、本発明の原理がさらに理解されるために含まれており、本明細書に組み込まれかつその一部を構成するものである。図面は、本発明の実施形態を例示しており、説明とともに、本発明の原理を説明する役割を果たしている。
【００１０】
【図１】図１（ａ）および図１（ｂ）は、従来の技術において設定操作中に発生する可能性のある２つの問題を示す。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリセルの設定動作における波形を示す概略図である。
【図４】本発明の別の実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法を示すフローチャートである。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法の様々な実施を示す概略図である。
【図６】本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリ装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図２を参照すると、図２は、本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法を示すフローチャートである。図面において、抵抗メモリセルに対して設定操作を行う時、まず、ステップＳ２１０を実行することにより、抵抗メモリセルに対して第１設定操作を行い、第１設定操作が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行う。そして、第１検証操作が終了した後、ステップＳ２２０を実行することにより、第１検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行うかどうかを判断し、第１リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第２検証操作を行う。次に、ステップＳ２３０において、第２検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第２リセット操作を行うかどうかを判断し、第２リセット操作を実行することが決定され、実行が終了した後に、抵抗メモリセルに対して第３検証操作を行う。
【００１２】
上記の説明からわかるように、本発明の実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法では、抵抗メモリセルの第１設定操作が終了した後、第１リセット操作は、抵抗メモリセルに対して無条件に実行されない。その代わり、本発明の実施形態では、まず、最初に設定操作が終了した抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行い、第１検証操作によって生じた検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行うかどうかを判断する。具体的に説明すると、第１検証操作は、最初に設定操作が終了した抵抗メモリセルの抵抗を検証することができる。さらに、抵抗メモリセルの抵抗が所定の閾値よりも小さく設定されていると第１検証操作が検証した時は、この抵抗メモリセルの設定操作が完了していることを意味するため、後続の第１リセット操作を実行する必要はない。一方、抵抗メモリセルの抵抗が所定の閾値よりも小さく設定されていないと第１検証操作が検証した時は、この抵抗メモリセルの設定操作がまだ完了していないことを意味するため、後続の第１リセット操作を実行する必要がある。また、本発明の実施形態は、第１リセット操作が終了した後に第２検証操作を行うことによって、第２リセット操作をさらに行うかどうかを判断する。
【００１３】
動作の詳細については、抵抗メモリセルに対して第１設定操作を行う時、第１設定電圧を提供して、抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続することにより、抵抗メモリセルの抵抗を下げることができる。そして、抵抗メモリセルに対して検証操作を行う。抵抗メモリセルに対して第１検証操作を行う時、検証電圧を提供して、抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続するとともに、検証電圧に基づいて抵抗メモリセルによって生成された検証電流を測定し、検証電流の電流値と所定の閾値を比較する。検証電流の電流値が所定の値よりも大きい時は、抵抗メモリセルの設定動作が完了したことを示す。反対に、検証電流の電流値が所定の値よりも大きくない時は、抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないことを示す。
【００１４】
抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないと第１検証操作の検証結果が示す時、抵抗メモリセルの２つの端部に第１リセット電圧を提供して、抵抗メモリセルに対して第１リセット操作を行う。抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないと第２検証操作の検証結果が示す時、再度抵抗メモリセルに対して第２リセット操作を行い、抵抗メモリセルに対して設定操作を行う。
【００１５】
図３を参照すると、図３は、本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリセルの設定動作における波形を示す概略図である。図中のステージＳ１において、設定電圧ＶＳ１を提供して、抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続し、設定操作を行う。次に、設定操作が終了した後（ステージＳ１の後）、抵抗メモリセルに対して検証操作ＶＦＹ１を行う。そして、抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないと検証操作ＶＦＹ１の検証結果が示す時、ステージＲ１において、リセット電圧ＶＲ１を提供して、抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続し、リセット操作を行う。言及すべきこととして、リセット電圧ＶＲ１と設定電圧ＶＳ１の極性は相反するため、リセット電圧ＶＲ１の電圧絶対値は、設定電圧ＶＳ１の電圧絶対値よりも小さい。
【００１６】
一方、本発明の実施形態において、リセット操作が終了した後（ステージＲ１の後）、再度抵抗メモリセルに対して検証操作ＶＦＹ２を行い、抵抗メモリセルの設定動作が完了したかどうかを検証する。抵抗メモリセルの設定動作が完了していることが検証された場合、この抵抗メモリセルは、設定動作を停止することができる。反対に、抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないことが検証された場合、ステージＲ２において、再度抵抗メモリセルに対してリセット操作を行うことができ、ステージＲ２の後に検証操作ＶＦＹ３を行うことができる。これらのうち、ステージＲ２において印加されたリセット電圧ＶＲ２の電圧絶対値は、ステージＲ１において印加されたリセット電圧ＶＲ１の電圧絶対値よりも大きい。
【００１７】
検証操作ＶＦＹ３の検証結果が、依然として、抵抗メモリセルの設定動作がまだ完了していないことを示す場合、本発明の実施形態は、ステージＲ２において、設定電圧ＶＳ２を提供して、抵抗メモリセルの２つの端部を跨いで接続し、再度設定操作を行う。ここで、設定電圧ＶＳ２の電圧値は、設定電圧ＶＳ１の電圧値よりも大きい。また、設定操作が終了した後（ステージＳ２の後）、抵抗メモリセルに対して検証操作ＶＦＹ４を行う。
【００１８】
また、検証操作ＶＦＹ４の後、抵抗メモリセルに対してリセット操作と検証操作を含む循環動作を１回または複数回実行して、抵抗メモリセルの設定動作を完了させてもよい。図３において、ステージＲ３およびＲ４は、それぞれ異なる程度のリセット操作を行う。ステージＲ３のリセット操作によって提供されたリセット電圧ＶＲ２の電圧絶対値は、ステージＲ４のリセット操作によって提供されたリセット電圧ＶＲ３の電圧絶対値よりも小さく、検証操作ＶＦＹ４およびＶＦＹ５は、それぞれステージＲ３およびＲ４の後にすぐに実行される。これらのうち、ステージＲ２において印加されたリセット電圧ＶＲ２の電圧絶対値は、ステージＲ４において印加されたリセット電圧ＶＲ３の電圧絶対値よりも小さい。
【００１９】
言及すべきこととして、本発明の実施形態における検証操作ＶＦＹ１〜ＶＦＹ５は、正または負の検証電圧を抵抗メモリセルに提供し、且つ抵抗メモリセルによって生成された読み出し電流を読み出すことによって実行することができる。
【００２０】
図４を参照すると、図４は、本発明の別の実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法を示すフローチャートである。ステップＳ４１０において、例えば、４．５Ｖ〜１．５Ｖの電圧絶対値を有する設定電圧を抵抗メモリセルに提供して、設定操作を行う。次に、ステップＳ４２０において、検証操作を行い、検証電圧に基づいて抵抗メモリセルによって生成された検証電流が所定の値（例えば、１７ｕＡ）よりも大きいかどうかを判断する。検証電流が１７ｕＡよりも大きい場合は、設定動作が完了したことを意味する（ステップＳ４２１）。反対に、検証電流が１７ｕＡよりも大きくない場合は、ステップＳ４２２を実行する。
【００２１】
ステップＳ４２２において、電圧絶対値（例えば、３．６Ｖ〜０．６Ｖ）を有するリセット電圧ＶＲ１を抵抗メモリセルに提供して、リセット操作を行う。次に、ステップＳ４２３において、抵抗メモリセルに対して検証操作を行い、検証電流が所定の値（例えば、１７ｕＡ）よりも大きいかどうかを判断する。検証電流が１７ｕＡよりも大きい場合は、設定動作が完了したことを意味する（ステップＳ４２４）。反対に、検証電流が１７ｕＡよりも大きくない場合は、ステップＳ４２５を実行する。
【００２２】
ステップＳ４２５において、比較的高い電圧絶対値（例えば、３．８Ｖ〜０．８Ｖ）を有するリセット電圧ＶＲ２（リセット電圧ＶＲ１よりも大きい）を抵抗メモリセルに提供して、再度リセット操作を行う。そして、後続のステップＳ４２６において、抵抗メモリセルに対して検証操作を行い、検証電流が所定の値（例えば、１７ｕＡ）よりも大きいかどうかを判断する。検証電流が１７ｕＡよりも大きい場合は、設定動作が完了したことを意味する（ステップＳ４２７）。反対に、検証電流が１７ｕＡよりも大きくない場合は、ステップＳ４３０を実行する。
【００２３】
ステップＳ４３０において、再度抵抗メモリセルに対して設定操作を行う。ステップＳ４３０において、例えば、５．０Ｖ〜２．０Ｖの電圧絶対値を有する設定電圧ＶＳ２を提供することにより、抵抗メモリセルに対して設定操作を行う。言及すべきこととして、ステップＳ４３０における設定電圧ＶＳ２の電圧絶対値は、ステップＳ４１０における設定電圧ＶＳ１の電圧絶対値よりも大きい。
【００２４】
ステップＳ４３０に続くステップＳ４４０において、抵抗メモリセルに対して検証操作を行い、検証電流が所定の値（例えば、１７ｕＡ）よりも大きいかどうかを判断する。検証電流が１７ｕＡよりも大きい場合は、設定動作が完了したことを意味する（ステップＳ４４１）。反対に、検証電流が１７ｕＡよりも大きくない場合は、ステップＳ４５０を実行する。
【００２５】
ステップＳ４５０において、例えば、３．８Ｖ〜０．８Ｖの電圧絶対値を有するリセット電圧ＶＲ３を抵抗メモリセルに提供することにより、抵抗メモリセルに対してリセット操作を行う。次に、ステップＳ４６０において、抵抗メモリセルに対して検証操作を行い、検証電流が所定の値（例えば、１７ｕＡ）よりも大きいかどうかを判断する。検証電流が１７ｕＡよりも大きい場合は、設定動作が完了したことを意味する（ステップＳ４６１）。反対に、検証電流が１７ｕＡよりも大きくない場合は、ステップＳ４７０を実行する。
【００２６】
ステップＳ４７０において、例えば、４．０Ｖ〜１．０Ｖの電圧絶対値を有するリセット電圧ＶＲ４を抵抗メモリセルに提供することにより、抵抗メモリセルに対してリセット操作を行い、リセット操作が終了した後に、データ出力を行う。ここで、ステップＳ４７０において提供されたリセット電圧ＶＲ４の電圧絶対値は、ステップＳ４５０において提供されたリセット電圧ＶＲ３の電圧絶対値よりも大きい。また、データ出力の動作は、ステップＳ４７０が完了した後に実行される。
【００２７】
設定電圧ＶＳ１およびＶＳ２、リセット電圧ＶＲ１〜ＶＲ４、および検証電流に関する値の大きさは、抵抗メモリセルの実際の電気特性に基づいて適切に調整可能である。本発明の実施形態において提供した値は、単なる例示的な例であって、本発明の範囲を限定するものではない。
【００２８】
図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照すると、図５（ａ）〜図５（ｃ）は、本発明の実施形態に係る抵抗メモリセルの設定方法の様々な実施を示す概略図である。図５（ａ）において、設定操作Ｓ５１１の後に、複数のリセット操作Ｒ５１１およびＲ５１２を継続して行うことができる。リセット操作Ｒ５１１およびＲ５１２の後、再度抵抗メモリセルに対して設定操作Ｓ５１２を行い、設定操作Ｓ５１２の後に、複数のリセット操作Ｒ５１３およびＲ５１４を行うことができる。当然、設定操作Ｓ５１１、Ｓ５１２およびリセット操作Ｒ５１１〜Ｒ５１４の各々の後に、それぞれ検証操作Ｖ５１〜Ｖ５５を行い、検証操作Ｖ５１〜Ｖ５５の検証結果に基づいて、後続の操作を行う必要があるかどうかを判断する必要がある。
【００２９】
言及すべきこととして、図５（ａ）において、順番に実行された設定操作Ｓ５１１およびＳ５１２の設定電圧の絶対値は、順番に上昇してもよい。同様に、順番に実行されたリセット操作Ｒ５１１〜Ｒ５１４のリセット電圧の絶対値も、順番に上昇してもよい。
【００３０】
さらに、図５（ｂ）において、抵抗メモリセルに対してリセット操作Ｒ５２１〜Ｒ５２４を複数回行う前に、まず、抵抗メモリセルに対して設定操作Ｓ５２１およびＳ５２２を複数回行うことができる。順番に実行された設定操作Ｓ５２１およびＳ５２２の設定電圧の絶対値は、順番に上昇してもよい。同様に、順番に実行されたリセット操作Ｒ５２１〜Ｒ５２３のリセット電圧の絶対値も、順番に上昇してもよい。当然、設定操作Ｓ５２１、Ｓ５２２およびリセット操作Ｒ５２１〜Ｒ５２３の各々の後に、それぞれ検証操作Ｖ５１〜Ｖ５４を行い、検証操作Ｖ５１〜Ｖ５４の検証結果に基づいて、後続の操作を行う必要があるかどうかを判断する必要がある。
【００３１】
図５（ｃ）において、抵抗メモリセルに対してリセット操作Ｒ５３１〜Ｒ５３４を複数回行う前に、抵抗メモリセルに対して設定操作Ｓ５３１を１回のみ行うことができる。図面において、順番に実行されたリセット操作Ｒ５３１〜Ｒ５３４のリセット電圧の絶対値は、順番に上昇してもよい。さらに、設定操作Ｓ５３１およびリセット操作Ｒ５３１〜Ｒ５３４の各々の後に、それぞれ検証操作Ｖ５１〜Ｖ５４を行い、検証操作Ｖ５１〜Ｖ５４の検証結果に基づいて、後続の操作を行う必要があるかどうかを判断する必要がある。
【００３２】
図６を参照すると、図６は、本発明の１つの実施形態に係る抵抗メモリ装置を示す概略図である。抵抗メモリ装置６００は、抵抗メモリセルＲＣ１〜ＲＣ３、コントローラ６２０、および電流検証機６３０を含む。抵抗メモリセルＲＣ１〜ＲＣ３は、メモリセルブロック６１０を形成することができ、ソース線ＳＬ１およびビット線ＢＬ１に結合される。コントローラ６２０は、ソース線ＳＬ１およびビット線ＢＬ１に結合される。電流検証機６３０は、ビット線ＢＬ１に結合される。これらのうち、コントローラ６２０は、アドレスデコード（address decoding）動作により抵抗メモリセルＲＣ１〜ＲＣ３から１つまたはそれ以上の選択された抵抗メモリセルを選択し、選択された抵抗メモリセルに設定電圧、リセット電圧、または検証電圧をそれぞれ提供することによって、設定操作、リセット操作、または検証操作を行うことができる。設定操作を行う時、コントローラ６２０は、設定電圧を提供してソース線ＳＬ１およびビット線ＢＬ１を跨いで接続することにより、選択された抵抗メモリセルを設定することができる。リセット操作を行う時、コントローラ６２０は、リセット電圧を提供してソース線ＳＬ１およびビット線ＢＬ１を跨いで接続することにより、選択された抵抗メモリセルをリセットすることができる。リセット電圧の極性と設定電圧は、極性が相反する。検証操作を行う時、コントローラ６２０は、検証電圧をソース線ＳＬ１に提供することができ、電流検証機６３０は、ビット線ＢＬ１により、検証電圧に基づいて選択された抵抗メモリセルにより生成された検証電流を取得することができる。電流検証機６３０は、検証電流の電流値と所定の値を比較し、検証電流の電流値が所定の値よりも大きいかどうかを判断することによって、選択された抵抗メモリセルの設定動作が完了したかどうかを判断する。
【００３３】
コントローラ６２０および電流検証機６３０に関する実施の詳細は、上述した実施形態において詳しく説明しているため、ここでは説明を省略する。
【００３４】
以上のように、本発明が提供する抵抗メモリセルの設定動作は、抵抗メモリセルに対して設定操作を行った後に、検証操作を追加し、検証操作の検証結果に基づいて、抵抗メモリセルに対してリセット操作を行うかどうかを判断する。このように、異なる特性を有する抵抗メモリセルに対して異なるプロセスで設定動作を実行することにより、抵抗メモリセルに高温データ保持損失が生じる確率を減らすことができる。
【００３５】
以上のごとく、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、異なるプロセスを有する設定動作を提供し、異なる特性を有する抵抗メモリセルに対して、異なるプロセスで設定動作を実行することにより、抵抗メモリセルに高温データ保持損失が生じる確率を減らすことができる。抵抗メモリセルの信頼度を上げることができる。
【符号の説明】
【００３７】
１１０  チタン層
１２０  酸素空孔領域
６００  抵抗メモリ装置
６２０  コントローラ
６３０  電流検証機
ＢＬ１  ビット線
ＯＸ  酸素イオン
Ｒ１〜Ｒ４、Ｓ１〜Ｓ２  ステージ
Ｒ５１１、Ｒ５１２、Ｒ５２１〜Ｒ５２３、Ｒ５３１〜Ｒ５３４  リセット操作
ＲＣ１〜ＲＣ３  抵抗メモリセル
Ｓ２１０〜Ｓ２２０、Ｓ４１０〜Ｓ４７０  設定操作のステップ
Ｓ５１１、Ｓ５１２、Ｓ５２１、Ｓ５２２、Ｓ５３１  設定操作
ＳＬ１  ソース線
Ｖ５１〜Ｖ５５  検証操作
ＶＦＹ１〜ＶＦＹ５  検証操作
ＶＲ１〜ＶＲ４  リセット電圧
ＶＳ１、ＶＳ２  設定電圧
【図１】
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【図２】
2019016420.tif 000004
【図３】
2019016420.tif 000005
【図４】
2019016420.tif 000006
【図５Ａ】
2019016420.tif 000007
【図５Ｂ】
2019016420.tif 000008
【図５Ｃ】
2019016420.tif 000009
【図６】
2019016420.tif 000010
【外国語明細書】
2019016420000001.pdf