(57)【要約】【課題】ボンディングワイヤ等の金属線との密着性を高めることが可能なリードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法を提供すること。【解決手段】金属板２０と、金属板２０の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜５と、重合膜５の上に形成された銀膜６とを有するリードフレーム３０による。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板と、
前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、
前記重合膜の上に形成された銀膜と、
を有するリードフレーム。
【請求項２】
前記金属板は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記半導体素子に繋がる金属線が接続されるボンディングパッドとを有することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記金属板の上に形成され、前記ダイパッドと前記ボンディングパッドの各々が露出する開口を備えた樹脂部を更に有し、
前記半導体素子は光を発光する発光素子であり、前記開口の側面は、前記光を反射するリフレクタであることを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
金属板と、前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、前記重合膜の上に形成された銀膜とを有するリードフレームと、
前記リードフレームに搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リードフレームの各々に接続された金属線と、
を有する半導体装置。
【請求項５】
金属板の表面に、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合膜を形成する工程と、
前記重合膜の上にめっき法で銀膜を形成する工程と、
を有するリードフレームの製造方法。
【請求項６】
前記重合膜を形成する工程は、
チタンキレート、チタンオリゴマー、及びジルコニウムキレートのいずれかの溶液の塗膜を前記金属板の前記表面に形成する工程と、
前記塗膜を加熱して重合させることにより前記重合膜にする工程とを有することを特徴とする請求項５に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項７】
前記塗膜を加熱する工程は、不活性ガスの雰囲気中で行われることを特徴とする請求項６に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記銀膜を形成する工程において、光沢剤が排除されためっき液を使用して前記銀膜を形成することを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
LSI(Large Scale Integration)等の半導体素子を備えた半導体装置には様々なタイプがある。なかでも、リードフレームに半導体素子を搭載してなる半導体装置は、エッチングやプレス加工によりリードフレームを安価に製造できるため広く普及している。
【０００３】
その半導体装置においては、半導体素子とリードフレームとをボンディングワイヤにより電気的に接続する。そのため、ボンディングワイヤとリードフレームとの密着性が悪いと、ボンディングワイヤがリードフレームから剥離してしまい、半導体装置の信頼性が低下するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３１１０２号公報
【特許文献１】特開昭６０−２２３１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一側面によれば、本発明は、ボンディングワイヤ等の金属線との密着性を高めることが可能なリードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一側面によれば、金属板と、前記金属板の表面に形成され、酸化チタンと酸化ジルコニウムのいずれかの重合体を含む重合膜と、前記重合膜の上に形成された銀膜とを有するリードフレームが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一側面によれば、重合膜の作用によって銀膜の結晶粒が微細になり、銀膜の表面の凹凸を微細化することができる。これにより、金属線と銀膜との金属結合性に由来した密着力以外に、銀膜の表面の凹凸によるアンカー効果によって金属線と銀膜との密着力を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、調査で使用した銅板の平面図である。
【図２】図２は、重合膜の形成方法を示すフローチャートである。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、サンプルの製造途中の断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、サンプルの製造途中の断面図（その２）である。
【図５】図５は、チタンキレート液、オリゴマー液、及びジルコニウムキレート液の一例を示す図である。
【図６】図６は、溶液中の各成分の一例と、溶液におけるその成分の濃度とを示す図である。
【図７】図７は、比較例に係るサンプルの断面図である。
【図８】図８は、銀膜の光沢度の調査結果を示す図である。
【図９】図９は、各サンプルの外観を模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、銀膜の表面をSEM(Scanning Electron Microscope)で観察して得られた像である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１２】図１２（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その３）である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その４）である。
【図１５】図１５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その５）である。
【図１６】図１６（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の平面図（その１）である。
【図１７】図１７（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の平面図（その２）である。
【図１８】図１８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の平面図（その３）である。
【図１９】図１９（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の平面図（その４）である。
【図２０】図２０は、金属板の第２の主面側から見た本実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が検討した事項について説明する。
【００１０】
リードフレームの表面にはワイヤボンディングにより金線等の金属線が接続されるが、その金属線との密着性を高めるためにリードフレームの表面に銀膜を形成することがある。
【００１１】
銀膜は、リードフレームに用いられる銅等の金属と比較して酸化され難いため、ワイヤボンディング時の熱でリードフレームが酸化するのを防ぐことができ、リードフレームの最上層に形成する膜として好適である。
【００１２】
銀膜はシアン浴を用いた電気めっき法により形成され、その表面には銀の結晶粒を反映した凹凸が形成される。銀膜に対する金属線の密着性はその凹凸の形状に依存し、適度な凹凸形状とすることにより金属線と銀膜との密着力を向上させることができる。
【００１３】
また、LED(Light Emitting Diode)等の発光素子用のリードフレームにおいては、その銀膜は、発光素子から出た光を反射して光の強度を強める反射膜としての機能も兼ねる。この場合に銀膜の表面の凹凸が大きいと銀膜の光沢が失われてしまい、発光素子の光を銀膜で良好に反射させることができない。
【００１４】
よって、金属線との密着性を高めたり、発光素子の光を効率的に反射させたりするには、銀膜に含まれる結晶粒をなるべく小さくすることにより、その銀膜の表面の凹凸を微細化するのが好ましい。
【００１５】
結晶粒の大きさは、銀めっき液に光沢剤を添加することによりある程度は微細化できる。
【００１６】
次の表１は、光沢剤として使用される化合物の一例である。
【００１７】
【表１】
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【００１８】
これらの化合物は、電気めっきの際にリードフレームの表面に強く吸着し、その表面における銀の還元反応を抑制するように作用する。これにより、リードフレームの表面における銀の結晶核の成長がこれらの化合物によって阻害され、銀の結晶粒を微細化することができる。
【００１９】
しかしながら、銀めっき液における光沢剤の濃度は数mg/リットル〜数g/リットルと極めて微量であり、その濃度がわずかに変動しただけでも銀めっきの外観が大きく変化してしまうため、この方法には光沢剤の濃度を管理するのが難しいという問題がある。
【００２０】
本願発明者は、光沢剤を使用せずに銀膜中の結晶粒を微細化するために以下の調査を行った。
【００２１】
図１は、その調査で使用した銅板の平面図である。
【００２２】
銅板１は、リードフレームを模擬した金属板であって、矩形状の平面形状を有する。
【００２３】
そして、この銅板１の表面に以下のようにして酸化チタンの重合膜を形成した。
【００２４】
図２は、その重合膜の形成方法を示すフローチャートである。また、図３〜図４は、銅板１を用いたサンプルの製造途中の断面図である。
【００２５】
まず、図２のステップＳ１において、液温が４０℃〜６０℃程度のアルカリ脱脂剤に銅板１を浸漬し、その状態を５分程度維持することにより銅板１をクリーニングする。
【００２６】
その後に、脱脂剤から銅板１を引き上げる。
【００２７】
次いで、ステップＳ２に移り、２０秒〜６０秒程度の時間だけ銅板１を水洗する。
【００２８】
次に、ステップＳ３に移り、銅板１の表面をエアーで乾燥させる。
【００２９】
続いて、ステップＳ４に移り、IPA(Isopropyl Alcohol)中に銅板１を浸すことにより、銅板１の表面に残留している水分をIPAに置換する。
【００３０】
次いで、ステップＳ５に移り、エアーで銅板１の表面を乾燥させる。
【００３１】
その後に、ステップＳ６に移り、有機金属錯体溶液に銅板１を浸漬する。
【００３２】
図３（ａ）は、ステップＳ６について模式的に示す図である。
【００３３】
図３（ａ）の例では、容器２にチタンキレートの溶液３を入れ、その溶液３に銅板１を浸漬する。なお、溶液３の温度は室温であり、浸漬時間は２０秒〜６０秒程度である。
【００３４】
その溶液３は、市販のチタンキレート液等の有機金属錯体溶液を希釈溶媒で希釈することにより作製される。
【００３５】
図５は、市販のマツモトファインケミカル株式会社製の有機金属錯体溶液の一例を示す図である。
【００３６】
この例では、図５のいずれかの有機金属錯体溶液を使用する。なお、図５に示すように、有機金属錯体溶液はチタンキレート液に限定されず、チタンオリゴマー液やジルコニウムキレート液を有機金属錯体溶液として使用してもよい。
【００３７】
これらの有機金属錯体溶液は、有機物の溶剤を含む溶剤系と、溶剤が水の水系とに分けられる。このうち、溶剤系の有機金属錯体溶液を使用する場合には、ステップＳ４で銅板１の水分をIPAに置換したことにより、銅板１の表面に均一に有機金属錯体溶液を付着させることができる。
【００３８】
図６は、溶液３中の各成分の一例と、溶液３におけるその成分の濃度とを示す図である。
【００３９】
図６に示すように、溶液３は、有機金属錯体溶液、希釈溶媒、界面活性剤、及び増粘剤から作製される。
【００４０】
溶液３における有機金属錯体溶液の濃度は０．１vol%〜１０vol%であり、界面活性剤の濃度は０．０１vol%〜１vol%である。また、溶液３における増粘剤の濃度は０．１wt%〜１wt%である。
【００４１】
なお、図６では希釈溶媒の一例として複数の材料を挙げているが、これらの材料の少なくとも一つを希釈溶媒として使用すればよい。これについては、界面活性剤と増粘剤についても同様である。
【００４２】
再び図２を参照する。
【００４３】
上記のように溶液３に銅板１を浸漬した後は、ステップＳ７に移り、溶液３から銅板１を引き上げる。
【００４４】
図３（ｂ）は、このように溶液３から引き上げたときの銅板１の断面図である。
【００４５】
図３（ｂ）に示すように、銅板１の表面には溶液３の塗膜４が形成される。
【００４６】
このように溶液３に銅板１を浸漬することにより塗膜４を形成する方法はディップコーティングと呼ばれる。塗膜４の形成方法はディップコーティングに限定されず、スピンコーティングやゾルゲル法により塗膜４を形成してもよい。
【００４７】
この例では前述のように溶液３に増粘剤を添加するため、適度な粘度の溶液３により塗膜４の厚さを均一にすることができる。
【００４８】
塗膜４の厚さは、溶液３への銅板１の浸漬時間で制御することができ、その浸漬時間を長くするほど厚い塗膜４を得ることができる。
【００４９】
塗膜４の厚さは特に限定されないが、この例では塗膜４の厚さを５nm〜５０nm程度とする。厚さの下限を５nmとしたのは、これよりも薄いと塗膜４の上に後で形成する銀膜の結晶粒の大きさを制御するのが難しくなるためである。また、厚さの上限を５０nmとしたのは、これよりも厚くするとその銀膜と塗膜４との密着性が低下するためである。
【００５０】
再び図２を参照する。
【００５１】
次いで、ステップＳ８に移り、不図示のオーブンの中で塗膜４を１００℃〜３００℃程度の温度に加熱し、その状態を３０秒程度の時間だけ維持する。
【００５２】
これにより、次の式（１）に示すように、塗膜４に含まれるチタンキレート（Ti(OR)4：Rはアルキル基）が加水分解して加水分解生成物（Ti(OR)3OH）が生成されると共に、塗膜４の溶媒が加熱により除去される。
【００５３】
【化１】
2019016740.tif 000004
【００５４】
以下では、このような熱処理をプリベークとも呼ぶ。
【００５５】
そのプリベークのときに銅板１の表面が酸化するのを防ぐため、窒素ガス等の不活性雰囲気中で本工程を行うのが好ましい。
【００５６】
次に、図２のステップＳ９に移り、不図示のオーブンの中で塗膜４を１００℃〜３００℃程度の温度に加熱し、その状態を１分〜６０分程度の時間だけ維持する。
【００５７】
図４（ａ）は、このように加熱をしたときの銅板１の断面図である。
【００５８】
この加熱により、次の式（２）に示すように、塗膜４に残留しているチタンキレート（Ti(OR)4）と加水分解生成物（Ti(OR)3OH）とが重縮合反応してジアルコキシチタンポリマーが生成される。
【００５９】
【化２】
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【００６０】
そして、このジアルコキシチタンポリマーと空気中の水分とが反応することにより酸化チタンの重合体が生成され、塗膜４はその重合体を含む重合膜５となる。
【００６１】
その重合膜５に含まれる酸化チタンの重合体は、次の式（３）のような三次元網目構造を有する。
【００６２】
【化３】
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【００６３】
なお、溶液３（図３（ａ）参照）に含まれるチタンキレートに代えてジルコニウムキレートを使用する場合には、重合膜５には酸化ジルコニウムの重合体が含まれることになる。
【００６４】
上記のようにして重合膜５を形成した後は、図４（ｂ）に示すように、その重合膜５の上に電気めっき法で銀膜６を形成する。
【００６５】
銀膜６を形成するための銀めっき液の組成は特に限定されない。但し、前述のように光沢剤は濃度の調節が難しいため、表１に示したいずれの光沢剤も銀めっき液には添加しない。
【００６６】
この例では、光沢剤を含まない銀めっき液として、以下の各成分を含む溶液を使用する。
【００６７】
・シアン化銀カリウム（KAg(CN)2）…濃度１２０g/リットル
・シアン化カリウム（KCN）…濃度５g/リットル
・リン酸水素二カリウム（K2HPO4）…濃度２０g/リットル
・ホウ酸（H3BO3）…濃度１０g/リットル
以上により、この調査に使用したサンプルP1が完成した。
【００６８】
本願発明者は、重合膜５の機能を評価するために、重合膜５を形成しない比較例に係るサンプルも作製した。
【００６９】
図７は、その比較例に係るサンプルP2の断面図である。
【００７０】
サンプルP2においては、電気めっき法で銅板１の上に銀膜６を直接形成した。なお、サンプルP1と同様に、サンプルP2においても銀膜６の銀めっき液には光沢剤を添加していない。
【００７１】
そして、ワイヤボンディング時の加熱温度に相当する２００℃の温度に各サンプルP1、P2を加熱する加熱試験を６０分間行い、その加熱試験後の銀膜６の光沢度を調査した。
【００７２】
その調査結果を図８に示す。
【００７３】
なお、その調査では、GDS(Glow Discharge optical emission Spectrometry)により銀膜６の表面に含まれる元素を調べ、銀膜６に銅が含まれるかどうかも調査した。
【００７４】
図８に示すように、サンプルP1においては、銀膜６の光沢度が０．８５と極めて高く、かつ銀膜６には銅が検出されなかった。
【００７５】
光沢度が０．８を超えるめっき膜は光沢めっき膜と呼ばれるが、サンプルP1では銀膜６が光沢めっき膜になることが明らかとなった。
【００７６】
また、銀膜６に銅が検出されなかったことから、重合膜５には銅板１の銅が銀膜６に拡散するのを防ぐ拡散防止膜としての機能があることが明らかとなった。
【００７７】
これに対し、比較例に係るサンプルP2においては、銀膜の光沢度が０．３３と低く、更に銀膜６に銅が検出された。
【００７８】
図９は、各サンプルP1、P2の外観を模式的に示す図である。
【００７９】
図９に示すように、サンプルP1では銀膜６の表面に光沢があるのに対し、比較例に係るサンプルP2では銀膜６の表面がくすんでいる。
【００８０】
更に、本願発明者は、めっき直後の銀膜６と、上記の加熱試験を行った後の銀膜６の表面をSEM(Scanning Electron Microscope)で観察した。
【００８１】
その観察結果を図１０に示す。
【００８２】
図１０に示すように、サンプルP1の銀膜６においては、めっき直後と加熱試験後のいずれの場合でも結晶粒が極めて細かい。
【００８３】
これに対し、比較例に係るサンプルP2の銀膜６においては、めっき直後と加熱試験後のいずれの場合でもサンプルP1よりも結晶粒が大きい。
【００８４】
以上の結果から、銅板１の表面に酸化チタンの重合膜５を形成し、その重合膜５の上に電気めっき法で銀膜６を形成することにより、銀膜６の銀めっき液に光沢剤を添加しなくても、表面の凹凸が微細で光沢のある銀膜６を得られることが明らかとなった。
【００８５】
このように表面の凹凸が微細化されると、銀膜６と金属線との密着力を高めることができる。
【００８６】
また、銅板１の銅が銀膜６に拡散すると金属線と銀膜６との密着力が銅により阻害されるおそれがあるが、前述のように重合膜５は銅の拡散防止膜として機能するため、銀膜６に拡散した銅に起因して金属線と銀膜６との密着力が低下するのを抑制できる。
【００８７】
なお、上記の調査では銅板１の表面に重合膜５を形成したが、本願発明者が行った別の調査によれば、金膜の上に重合膜５を形成しても、その重合膜５の上に光沢のある銀膜６を形成できることが確認された。
【００８８】
以下に、本実施形態について説明する。
【００８９】
（本実施形態）
本実施形態では以下のようにしてリードフレームを製造し、そのリードフレームに発光素子を搭載してなる半導体装置を製造する。
【００９０】
なお、リードフレームに搭載する半導体素子は発光素子に限定されず、LSIをリードフレームに搭載してもよい。
【００９１】
図１１〜図１５は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図であり、図１６〜図１９はその平面図である。なお、図１１〜図１５の各々の断面図は、図１６〜図１９のI-I線に沿う断面図である。
【００９２】
まず、図１１（ａ）、図１６（ａ）に示すように、銅や銅合金の金属板２０を用意する。
【００９３】
金属板２０は、相対する第１の主面２０ａと第２の主面２０ｂとを有し、その厚さは５０μm〜５００μm程度である。
【００９４】
なお、これらの主面２０ａ、２０ｂに、金、白金、パラジウム、ニッケル、鉄ニッケル合金、及びコバルトのいずれかの金属膜が形成されていてもよい。
【００９５】
図１６（ａ）に示すように、その金属板２０は平面視で長尺状であって、複数の矩形状の製品領域Rを備える。製品領域Rは、後で個片化されて製品となる領域である。これ以降の図１６（ｂ）〜図１９（ｂ）は、その製品領域Rの拡大平面図に相当する。
【００９６】
なお、その製品領域Rの外側には、各製品領域Rを内包する矩形状の外枠２０ｚが設けられる。
【００９７】
次に、図１１（ｂ）、図１６（ｂ）に示すように、金属板２０の第１の主面２０ａにフォトレジストを塗布し、それを露光、現像して第１のレジスト層２１とする。そして、これと同様にして第２の主面２０ｂに第２のレジスト層２２を形成する。
【００９８】
続いて、図１２（ａ）、図１７（ａ）に示すように、各レジスト層２１、２２をマスクにして金属板２０をその表裏からウエットエッチングすることにより、金属板２０をダイパッド２０ｃとボンディングパッド２０ｄとに分割する。一例として、ダイパッド２０ｃとボンディングパッド２０ｄは、平面視で矩形状に形成される。
【００９９】
また、第２の主面２０ｂにおいて第２のレジスト層２２が形成されていない領域においては、このウエットエッチングにより段差部２０ｘが形成される。
【０１００】
なお、このウエットエッチングで使用するエッチング液は特に限定されないが、本実施形態では塩化第二鉄水溶液をそのエッチング液として使用する。
【０１０１】
その後に、図１２（ｂ）、図１７（ｂ）に示すように、第１のレジスト層２１と第２のレジスト層２２の各々を除去する。
【０１０２】
図１７（ｂ）に示すように、ダイパッド２０ｃの周縁には連結部２０ｙが設けられる。連結部２０ｙは、隣接する製品領域R（図１６（ａ）参照）におけるダイパッド２０ｃ同士を連結する部材であって、これにより各ダイパッド２０ｃ同士が繋がった状態で金属板２０に種々のプロセスを行うことができる。
【０１０３】
同様に、ボンディングパッド２０ｄの周縁にも、隣接する製品領域Rにおけるボンディングパッド２０ｄ同士を連結するための連結部２０ｙが設けられる。
【０１０４】
なお、外枠２０ｚ（図１６（ａ）参照）に隣接する製品領域においては、各連結部２０ｙは外枠２０ｚに連結される。
【０１０５】
次に、図１３（ａ）に示すように、図２のフローチャートに従ってダイパッド２０ｃとボンディングパッド２０ｄの各々の表面に酸化チタンの重合膜５を５nm〜５０nm程度の厚さに形成する。
【０１０６】
なお、重合膜５の材料は酸化チタンの重合体に限定されない。例えば、図２のステップＳ６においてジルコニウムキレートを使用することにより、酸化ジルコニウムの重合体を含む重合膜５を形成してもよい。
【０１０７】
続いて、図１３（ｂ）に示すように、濃度が８０g/リットル〜２００g/リットルのシアン化銀カリウム水溶液を銀めっき液として使用しながら、電気めっき法で重合膜５の上に銀膜６を１μm〜８μm程度の厚さに形成する。
【０１０８】
なお、その銀めっき液にシアン化カリウム、リン酸水素二カリウム、及びホウ酸を添加してもよい。その場合、シアン化カリウムの濃度は０g/リットル〜５０g/リットル、リン酸水素二カリウムの濃度は０g/リットル〜１００g/リットル、ホウ酸の濃度は０g/リットル〜４０g/リットルとし得る。
【０１０９】
但し、表１に示した光沢剤はその濃度の管理が難しいため、この銀めっき液には表１のいずれの光沢剤も添加しない。
【０１１０】
このように光沢剤を添加しなくても、銀膜６の下地に予め重合膜５を形成しておくことにより、前述のように銀膜６の表面の凹凸を微細化することができ、光沢に富んだ銀膜６を形成することができる。
【０１１１】
更に、前述のように重合膜５は銅の拡散防止膜としても機能するため、金属板２０の銅が銀膜６に拡散するのを重合膜５で防ぐこともできる。
【０１１２】
次に、図１４（ａ）、図１８（ａ）に示すように、トランスファモールドにより金属板２０の両面に熱硬化性樹脂を供給した後、その熱硬化性樹脂を熱硬化させて樹脂部２５とする。
【０１１３】
この例では、第１の主面２０ａの上の樹脂部２５に開口２５ａを形成し、開口２５ａからダイパッド２０ｃとボンディングパッド２０ｄの各々を露出させる。なお、開口２５ａの側面２５ｘは、後でダイパッド２０ｃに搭載される発光素子が出力する光を反射するリフレクタとなる。
【０１１４】
この例では、白色顔料として酸化チタンが添加された熱硬化性のエポキシ樹脂を樹脂部２５の材料として使用することにより樹脂部２５の色彩を白色とし、これにより側面２５ｘにおける光の反射率を高める。
【０１１５】
なお、白色顔料は酸化チタンに限定されず、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、及び酸化ジルコニウムのいずれかを白色顔料として使用してもよい。更に、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、及びシラス等の無機中空粒子を白色顔料として用いてもよい。
【０１１６】
また、樹脂部２５の材料もエポキシ樹脂に限定されず、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、及びフッ素系樹脂のいずれかの熱硬化性樹脂で樹脂部２５を形成してもよい。
【０１１７】
なお、段差部２０ｘは樹脂部２５で埋め込まれており、第２の主面２０ｂ側におけるダイパッド２０ｃとボンディングパッド２０ｄは、樹脂部２５と面一となるように露出する。
【０１１８】
ここまでの工程により、本実施形態に係るリードフレーム３０の基本構造が完成する。
【０１１９】
そのリードフレーム３０においては、金属板２０がリードフレーム本体として機能する。
【０１２０】
なお、この例では金属板２０に樹脂部２５を設けたが、場合によっては図１４（ａ）の工程を省略して樹脂部２５を省いてもよい。この場合には、リードフレーム本体である金属板２０のみからリードフレーム３０が形成されることになる。
【０１２１】
この後は、リードフレーム３０に半導体素子を搭載する工程に移る。
【０１２２】
まず、図１４（ｂ）、図１８（ｂ）に示すように、ダイパッド２０ｃの上に導電性接着剤３１を介して半導体素子３２を固着する。この例では、半導体素子３２としてLED等の発光素子を使用し、半導体素子３２の裏面３２ｂをダイパッド２０ｃに固着する。
【０１２３】
なお、半導体素子３２の裏面３２ｂは接地電極になっており、その接地電極とダイパッド２０ｃとが導電性接着剤３１を介して電気的に接続される。
【０１２４】
その後に、ワイヤボンディングによりボンディングパッド２０ｄと半導体素子３２とを金属線３３で接続する。その金属線３３として、ここでは金線を使用する。
【０１２５】
このとき、本実施形態では重合膜５の作用によって銀膜６の表面の凹凸が微細化されているため、金属線３３の端部３３ａと銀膜６との接続信頼性が向上する。
【０１２６】
更に、金属板２０の銅が銀膜６に拡散するのを重合膜５で防ぐことができるため、銀膜６に拡散した銅に起因して金属線３３と銀膜６との密着力が低下するのを防止できる。
【０１２７】
次に、図１５（ａ）、図１９（ａ）に示すように、樹脂部２５の開口２５ａに封止樹脂３４を充填し、その封止樹脂３４で半導体素子３２と金属線３３とを保護する。
【０１２８】
前述のように本実施形態では半導体素子３２として発光素子を使用するため、その半導体素子３２から出た光を透過する透明樹脂を封止樹脂３４として使用し、封止樹脂３４が光の透過を妨げないようにする。
【０１２９】
そのような透明樹脂としては、シリコーン樹脂やアクリル樹脂がある。なお、光の透過が妨げられない場合には、封止樹脂３４として半透明樹脂を使用してもよい。
【０１３０】
更に、蛍光体や光を拡散する無機充填材を封止樹脂３４に添加してもよい。
【０１３１】
次いで、図１５（ｂ）、図１９（ｂ）に示すように、切断線Lに沿って金属板２０と樹脂部２５とを切断することにより、本実施形態に係る複数の半導体装置４０を得る。
【０１３２】
以上により、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の基本ステップを終了する。
【０１３３】
図２０は、金属板２０の第２の主面２０ｂ側から見た半導体装置４０の平面図である。
【０１３４】
図２０に示すように、樹脂部２５から露出したボンディングパッド２０ｄは外部接続用のリードとして機能すると共に、ダイパッド２０ｃも外部接続端子として機能し、これらの外部接続端子を介して半導体装置４０が不図示の配線基板に接続される。
【０１３５】
なお、この例では金属板２０に樹脂部２５を形成したが、前述のように樹脂部２５を省いてもよい。この場合には、ダイパッド２０ｃに半導体素子３２を固着した後、樹脂部２５と封止樹脂３４に相当する部位を封止樹脂で封止すればよい。
【０１３６】
以上説明した本実施形態によれば、図１３（ｂ）の工程で酸化チタンや酸化ジルコニウムの重合膜５の上に銀膜６を形成するため、銀膜６の銀めっき液に光沢剤を添加しなくても銀膜６の表面の凹凸を微細にすることができる。
【０１３７】
そのため、銀めっき液中の光沢剤の濃度を管理する負担をなくすことができると共に、銀膜６の微細な凹凸によって銀膜６と金属線３３（図１５（ｂ）参照）との密着力を向上させることができる。
【０１３８】
更に、重合膜５は、金属板２０の銅が銀膜６に拡散するのを防止する拡散防止膜としても機能するため、金属板２０の銅が銀膜６に拡散し難くなり、その銅に起因して銀膜６と金属線３３との密着力が低下するのを防止することができる。
【０１３９】
しかも、半導体素子３２として発光素子を使用する場合には、表面の凹凸が微細化されて反射率が向上した銀膜６によって半導体素子３２から出た光を効率的に反射させることができるため、半導体装置４０で得られる光量を増加させることもできる。
【符号の説明】
【０１４０】
１…銅板、２…容器、３…溶液、４…塗膜、５…重合膜、６…銀膜、２０…金属板、２０ａ…第１の主面、２０ｂ…第２の主面、２０ｃ…ダイパッド、２０ｄ…ボンディングパッド、２０ｘ…段差部、２０ｙ…連結部、２１…第１のレジスト層、２２…第２のレジスト層、２５…樹脂部、２５…開口、２５ｘ…側面、３０…リードフレーム、３１…導電性接着剤、３２…半導体素子、３２ｂ…裏面、３３…金属線、３３ａ…端部、３４…封止樹脂、４０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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