(57)【要約】【課題】ボア内における受信コイルの位置に応じて、ＲＦパルスの照射強度を調整すること。【解決手段】本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置１は、位置情報生成部と、パルス強度調整部とを有する。位置情報生成部は、被検体から受信された磁気共鳴信号に基づいて、送信コイルと受信コイルとの間の位置関係に関する位置情報を生成する。パルス強度調整部は、前記位置情報に応じて、前記被検体に照射されるＲＦパルスの照射強度を調整する。【選択図】      図１
2019171036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体から受信された磁気共鳴信号に基づいて、送信コイルと受信コイルとの間の位置関係に関する位置情報を生成する位置情報生成部と、
前記位置情報に応じて、前記被検体に照射されるＲＦパルスの照射強度を調整するパルス強度調整部と、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記位置関係は、前記送信コイルと前記受信コイルとの間の距離である、
請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記パルス強度調整部は、前記ＲＦパルスの送信に関する設定値を用いて、前記照射強度を調整する、
請求項１または２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記パルス強度調整部は、前記送信コイルと前記受信コイルとの間の距離が小さくなるにつれて前記照射強度を下げるように前記照射強度を調整する、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
前記位置情報生成部は、前記磁気共鳴信号を再構成して得られる画像に基づいて、前記位置情報を生成する、
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】
前記磁気共鳴信号に基づいて、前記磁気共鳴信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度を画素値として有する画像情報を生成する画像情報生成部をさらに具備し、
前記位置情報生成部は、前記画像情報を用いて、前記送信コイルから前記受信コイルまでの距離を前記位置情報として、前記画像情報における複数の画素各々に対して計算し、
前記パルス強度調整部は、
前記送信コイルからの複数の距離に対する、前記照射強度の許容の程度を示す複数の許容係数の対応表と前記計算された距離とを用いて、前記複数の画素にそれぞれ対応する複数の許容係数を決定し、
前記決定された複数の許容係数のうち最小の許容係数を用いて、前記照射強度を調整する、
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】
前記磁気共鳴信号に基づいて、前記磁気共鳴信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度に対応する画素値を有する画像情報を生成する画像情報生成部をさらに具備し、
前記位置情報生成部は、ボアを含む領域に関する座標系と前記画像情報とを用いて、前記受信コイルの位置に関する複数の座標を前記位置情報として生成し、
前記パルス強度調整部は、
前記複数の座標を用いて、前記照射強度の許容の程度を示す複数の許容係数を前記座標系における複数の座標にそれぞれ対応付けた許容マップに、前記受信コイルに関する領域を当てはめ、
前記受信コイルに関する領域に含まれる複数の許容係数のうち最小の許容係数を用いて、前記照射強度を調整する、
請求項１乃至５のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項８】
前記位置情報生成部は、傾斜磁場により形成される３軸方向において、前記磁気共鳴信号の１次元プロファイルを求めることにより前記位置情報を生成する、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項９】
前記受信コイルと、前記受信コイルに接続され前記磁気共鳴信号を伝送するケーブルと、前記ケーブルの一端に設けられたコネクタとを有する受信コイル装置と、
前記受信コイル装置に接続可能であって、前記コネクタを介して前記磁気共鳴信号が入力される複数のポートと、
前記受信コイルから前記ケーブルが導出される方向と、前記複数のポートのうち前記コネクタが接続されたポートの位置と、前記位置情報とに基づいて、ボア内における前記ケーブルの取り回しがＵ字形状か否かを判定する判定部と、
をさらに具備し、
前記パルス強度調整部は、
前記取り回しが前記Ｕ字形状であると判定された場合、前記照射強度を調整する、
請求項１乃至８のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１０】
前記照射強度の調整により前記照射強度が前記受信コイルの位置に応じて制限されていることを表示する表示部をさらに具備する、
請求項１乃至９のうちいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】
前記照射強度の調整により前記照射強度が前記ケーブルの前記取り回しの状態に応じて制限されていることを表示する表示部をさらに具備する、
請求項９に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１２】
前記照射強度の調整に応じて変更された撮像条件と変更前の撮像条件とに基づいて撮像時間の延長時間を計算する計算部をさらに具備し、
前記表示部は、前記延長時間を表示する、
請求項１０または１１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１３】
ボア内における受信コイルの位置情報を生成する位置情報生成部と、
前記位置情報に基づいて、被検体に照射されるＲＦパルスの照射強度を調整するパルス強度調整部と、
を具備する磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気共鳴イメージング装置は、送信用ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）コイルにより発生された高周波磁場（以下、ＲＦパルスと呼ぶ）を被検体に照射し、被検体内で発生された磁気共鳴信号を、受信用ＲＦコイル装置における受信コイルで受信する。送信用ＲＦコイルは、磁気共鳴イメージング装置の架台内に設置されている。受信用ＲＦコイル装置としては、磁気共鳴信号を効率よく受信するために撮像部位に対応した専用のＲＦコイル装置がある。このとき、専用のＲＦコイル装置は、被検体の近くに設置される。受信用ＲＦコイル装置は、受信用ＲＦコイル装置におけるケーブルの末端に設けられたコネクタ、および磁気共鳴イメージング装置に設けられたポートを介して磁気共鳴イメージング装置に接続され、受信された磁気共鳴信号を磁気共鳴イメージング装置に送信する。受信用ＲＦコイル装置と磁気共鳴イメージング装置との接続に用いられるポートは、例えば、磁気共鳴イメージング装置における架台、天板等に設けられる。天板上におけるポートは、例えば、天板の長軸方向に沿って、寝台側、天板の中央部分、寝台とは反対側など、様々な位置に設けられる。
【０００３】
送信用ＲＦコイルにより発生されたＲＦパルスは、被検体に照射されるとともに、受信コイルにも照射される。受信用ＲＦコイル装置は、ＲＦパルスによる影響を受けないようにするために、例えば、ＲＦパルスによる影響を受信コイルからデカップリングさせるための回路（以下、デカップリングスイッチと呼ぶ）やバラン（ｂａｌｕｎ：ｂａｌａｎｃｅ  ｔｏ  ｕｎｂａｌａｎｃｅ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ（平衡−不平衡変換器））などを有する。また、送信用ＲＦコイルから送信されるＲＦパルスは、被検体および受信コイルに過度に照射されないようにＳＡＲ（Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｒａｔｅ：比吸収率）、Ｂ１（ＲＦ磁場）の振幅、およびＢ１の実効値に相当しＢ１の二乗平均の平方根を示すＢ１ｒｍｓの値で制限される。
【０００４】
受信用ＲＦコイル装置として、例えば、ボア内において配置される位置が固定されず、被検体の大きさ等に合わせて位置を変更可能な受信用ＲＦコイル装置がある。このような受信用ＲＦコイル装置において、受信コイルが送信コイルに近い場合、受信用ＲＦコイル装置は、ＲＦパルスの影響を大きく受けることがある。また、受信コイルからポートまでのケーブルの取り回しの状態に応じて、受信用ＲＦコイル装置は、ＲＦパルスの影響を大きく受けることがある。このとき、受信用ＲＦコイル装置に搭載されている内部回路、例えばデカップリングスイッチやバランにおいて、発熱が大きくなることがある。また、磁気共鳴イメージング装置において静磁場磁石として円筒形磁石が用いられている場合、静磁場方向に沿ってケーブルが配置されると、受信用ＲＦコイル装置は、ＲＦパルスの影響を受けにくい。一方、ボア内において静磁場方向に対してケーブルがＵ字形状に湾曲している場合、受信用ＲＦコイル装置における内部回路における発熱は、大きくなることがある。
【０００５】
ボア内における受信コイル装置の位置、ケーブルの取り回しなどがどのような場合であっても発熱を抑制するようにＢ１ｒｍｓの値を制限することは、撮像条件の制限につながる。例えば、Ｂ１ｒｍｓの値の制限は、繰り返し時間（ＴＲ：Ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）あたりの撮像に関するスライス枚数の減少につながり、撮像時間の延長が発生する問題がある。また、ＲＦパルスの影響により受信用ＲＦコイル装置が過度に発熱するような受信用ＲＦコイル装置の配置およびケーブルの取り回しは、手引書にて禁止されている。しかしながら、操作者が受信コイル装置を誤使用した場合に受信用ＲＦコイル装置における過度な発熱や破損を起こすリスクが生じる問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１１９７４４号公報
【特許文献２】特開２０１４−６１１７６号公報
【特許文献３】米国特許第４８０６８６７号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１６／０１５４０７４号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２０１７／００９７３９６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、ボア内における受信コイル装置の位置に応じて、ＲＦパルスの照射強度を調整することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、位置情報生成部と、パルス強度調整部とを有する。位置情報生成部は、被検体から受信された磁気共鳴信号に基づいて、送信コイルと受信コイルとの間の位置関係に関する位置情報を生成する。パルス強度調整部は、前記位置情報に応じて、前記被検体に照射されるＲＦパルスの照射強度を調整する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態における磁気共鳴イメージング装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、本実施形態における受信コイル装置の一例を示す図である。
【図３】図３は、本実施形態において、ボア内に挿入された被検体をＺ軸方向から見た図である。
【図４】図４は、本実施形態において、ボア内に挿入された被検体をＸ軸方向から見た図である。
【図５】図５は、ボア内に挿入された被検体をＺ軸方向から見た比較例の一例を示す図である。
【図６】図６は、ボア内に挿入された被検体をＸ軸方向から見た比較例の一例を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態において、ＲＦパルスの照射強度の調整に関する処理の手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】図８は、本実施形態における許容マップの一例を示す図である。
【図９】図９は、本実施形態において、天板と被検体と受信コイル装置との位置関係の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施形態において、アキシャル像の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、本実施形態において、サジタル像の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、本実施形態において、図１０におけるアキシャル像に対して特定された高強度領域の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、本実施形態において、図１１におけるサジタル像における高強度領域の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、本実施形態において、高強度領域に関する位置情報を用いて、高強度領域を許容マップに当てはめた一例を示す図である。
【図１５】図１５は、本実施形態の第１の変形例において、送信コイルからの複数の距離に対する複数の許容係数の対応表の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、本実施形態の第２の変形例における処理回路の構成の一例を示す図である。
【図１７】図１７は、本実施形態の第２の変形例におけるパルス強度調整処理の処理手順の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の第２の変形例において、４つのコイルエレメント各々についてのＸ軸強度分布、Ｙ軸強度分布、およびＺ軸強度分布の一例を示す図である。
【図１９】図１９は、本実施形態の応用例における処理回路の構成の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、本実施形態の応用例において、ボア内に挿入された被検体をＸ軸方向から見た図である。
【図２１】図２１は、本実施形態の応用例において、被検体と受信コイルとケーブルと接続ポートとの位置関係の一例を示す図である。
【図２２】図２２は、本実施形態の応用例において、パルス強度調整処理の処理手順の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、磁気共鳴イメージング装置の本実施形態について説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合に行う。
【００１１】
（実施形態）  
図１は、本実施形態における磁気共鳴イメージング（以下、ＭＲＩ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ｉｍａｇｉｎｇ）と呼ぶ）装置１の全体構成を示すブロック図である。ＭＲＩ装置１は、静磁場磁石１０１と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０５と、寝台１０７と、寝台制御回路１０９と、送信回路１１３と、送信コイル１１５と、受信コイル装置１１７と、受信回路１１９と、撮像制御回路（撮像部）１２１と、インタフェース（入力部）１２５と、ディスプレイ（表示部）１２７と、記憶装置（記憶部）１２９と、処理回路（処理部）１３１とを備える。ＭＲＩ装置１における架台１０は、静磁場磁石１０１と、傾斜磁場コイル１０３と、送信コイル１１５とを有する。なお、架台１０には、傾斜磁場電源１０５、受信回路１１９、撮像制御回路１２１等が搭載されてもよい。また、ＭＲＩ装置１は、静磁場磁石１０１と傾斜磁場コイル１０３との間に、中空の円筒形状のシムコイルを有していてもよい。
【００１２】
静磁場磁石１０１は、例えば中空の略円筒形状に形成された磁石である。静磁場磁石１０１は、被検体Ｐが挿入される空間であるボア１１１に一様な静磁場を発生する。静磁場磁石１０１としては、例えば、超伝導磁石などが使用される。
【００１３】
傾斜磁場コイル１０３は、例えば中空の略円筒形状に形成されたコイルである。傾斜磁場コイル１０３は、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、Ｚの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成される。Ｚ軸方向は、静磁場の方向と同方向であるとする。また、Ｙ軸方向は、鉛直方向とし、Ｘ軸方向は、Ｚ軸方向およびＹ軸方向に垂直な方向とする。傾斜磁場コイル１０３は、静磁場に重畳させる傾斜磁場を発生する。具体的には、傾斜磁場コイル１０３における３つのコイルは、傾斜磁場電源１０５から個別に電流供給を受けて、Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。
【００１４】
傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、周波数エンコード用傾斜磁場（リードアウト傾斜磁場ともいう）、位相エンコード用傾斜磁場およびスライス選択用傾斜磁場を形成する。周波数エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じて磁気共鳴（以下、ＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）と呼ぶ）信号の周波数を変化させるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じてＭＲ信号の位相を変化させるために利用される。スライス選択用傾斜磁場は、撮像断面を決めるために利用される。
【００１５】
傾斜磁場電源１０５は、撮像制御回路１２１による制御のもとで、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する電源装置である。
【００１６】
寝台１０７は、被検体Ｐが載置される天板１０７１を備えた装置である。寝台１０７は、寝台制御回路１０９による制御のもと、被検体Ｐが載置された天板１０７１を、ボア１１１内へ挿入する。寝台１０７は、例えば、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように、検査室内に設置される。
【００１７】
天板１０７１は、受信コイル装置１１７が接続可能な複数のポート１０７３を有する。天板１０７１には、被検体Ｐが配置される。複数のポートのうち１つのポートに、受信コイル装置１１７におけるケーブル１１７３の一端に設けられたコネクタ１１７５が接続される。なお、ポート１０７３の設置場所は天板１０７１に限定されず、寝台１０７または架台１０等にポート１０７３が設けられてもよい。ポート１０７３からの信号線は、受信回路１１９に接続される。なお、受信コイル装置１１７が高周波磁場の送信機能を有する場合、図１には図示されていないが、ポート１０７３からの信号線は、受信回路１１９に加えて送信回路１１３にも接続される。
【００１８】
寝台制御回路１０９は、寝台１０７を制御する回路であり、インタフェース１２５を介した操作者の指示により寝台１０７を駆動することで、天板１０７１を長手方向、上下方向、場合によっては左右方向へ移動させる。
【００１９】
送信回路１１３は、撮像制御回路１２１の制御により、ラーモア周波数などに対応する高周波磁場（以下、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルスと呼ぶ）を発生させるための高周波パルスを送信コイル１１５に供給する。
【００２０】
送信コイル１１５は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置されたＲＦコイルである。送信コイル１１５は、送信回路１１３から高周波パルスの供給を受けて、ＲＦパルスを発生する。送信コイルは、例えば、全身用コイル（以下、ＷＢ（ｗｈｏｌｅ  ｂｏｄｙ）コイルと呼ぶ）である。ＷＢコイルは、送受信コイルとして使用されてもよい。
【００２１】
受信コイル装置１１７は、受信コイル１１７１と、バラン（ｂａｌｕｎ：ｂａｌａｎｃｅ  ｔｏ  ｕｎｂａｌａｎｃｅ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ（平衡−不平衡変換器））およびデカップリングスイッチなどの内部回路と、一端において受信コイル１１７１に接続されたケーブル１１７３と、ケーブル１１７３の他端に設けられたコネクタ１１７５とを有する。受信コイル装置１１７は、ＲＦパルスによって被検体Ｐから放射されたＭＲ信号を受信する。受信コイル装置１１７は、受信されたＭＲ信号を、ケーブル１１７３およびコネクタ１１７５を介して受信回路１１９へ出力する。なお、受信コイル装置１１７は、不図示の無線送信回路により、受信されたＭＲ信号を無線で受信回路１１９に送信してもよい。このとき、受信コイル装置１１７におけるケーブル１１７３およびコネクタ１１７５は不要となる。
【００２２】
受信コイル１１７１は、例えば、１以上、典型的には複数のコイルエレメントを有する。以下、説明を具体的にするために、コイルエレメントは４つであるものとする。４つのコイルエレメントは、例えば、４つの受信チャネルに対応する。４つのコイルエレメント各々は、ループコイルによって構成される。４つのコイルエレメント各々で受信されたＭＲ信号は、４つのコイルエレメント各々に対して設定された順番（以下、出力順序と呼ぶ）で、受信回路１１９に出力される。
【００２３】
なお、図１において送信コイル１１５と受信コイル装置１１７とは別個のＲＦコイルとして記載されているが、送信コイル１１５と受信コイル装置１１７とは、一体化された送受信コイルとして実施されてもよい。送受信コイルは、例えば、頭部コイルのような撮像部位に応じた局所的な送受信ＲＦコイルである。
【００２４】
図２は、受信コイル装置１１７の一例を示す図である。図２に示すように、４つのコイルエレメント（ｃｈ１、ｃｈ２、ｃｈ３、ｃｈ４）各々には、バラン１１７７とデカップリングスイッチ１１７９とが設けられる。受信コイル１１７１において、コイルエレメントｃｈ３側とコイルエレメントｃｈ４側とに近接する一辺には、ケーブル１１７３が接続される。なお、受信コイル１１７１とケーブル１１７３との接続位置ＣＰは、図２に示すような位置に限定されず、受信コイル１１７１に対して任意の位置に設定可能である。
【００２５】
４つのコイルエレメント（ｃｈ１、ｃｈ２、ｃｈ３、ｃｈ４）各々は、デカップリングスイッチ１１７９がＯＦＦ状態のとき、ループ構造を形成する。４つのコイルエレメント各々は、ＲＦパルスの印加によって被検体Ｐから発生されたＭＲ信号を受信する。
【００２６】
バラン１１７７は、４つのコイルエレメント各々に加えて、ケーブル１１７３にも設けられる。バラン１１７７は、例えば、コンデンサとインダクタとを有する共振回路によって構成される。バラン１１７７は、ＲＦパルスにより複数のコイルエレメント各々およびケーブル１１７３に流れる不平衡電流を共振回路により吸収し、４つのコイルエレメント各々およびケーブル１１７３における不平衡電流を抑制する。
【００２７】
デカップリングスイッチ１１７９は、ＲＦパルスが複数のコイルエレメント各々に印加されるとき、すなわちＲＦ送信モードのときに、撮像制御回路１２１による制御のもとでＯＮとなる。このとき、複数のコイルエレメント各々においてループ構造は切断され、複数のコイルエレメント各々における電気的結合は切り離される。また、デカップリングスイッチ１１７９は、ＭＲ信号を受信する受信モードのときに、撮像制御回路１２１による制御のもとでＯＦＦとなる。このとき、ＭＲ信号の受信に用いられる複数のコイルエレメント各々は、ループ構造を形成する。
【００２８】
受信回路１１９は、撮像制御回路１２１による制御のもとで、受信コイル装置１１７から出力されたＭＲ信号に基づいて、デジタル化された複素数データであるデジタルのＭＲ信号を生成する。具体的には、受信回路１１９は、受信コイル装置１１７から出力されたＭＲ信号に対して各種信号処理を施した後、各種信号処理が施されたデータに対してアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ））変換を実行する。受信回路１１９は、Ａ／Ｄ変換されたデータを標本化（サンプリング）することにより、デジタルのＭＲ信号（以下、ＭＲデータと呼ぶ）を生成する。受信回路１１９は、生成されたＭＲデータを、撮像制御回路１２１に出力する。
【００２９】
撮像制御回路１２１は、処理回路１３１から出力された撮像プロトコルに従って、傾斜磁場電源１０５、送信回路１１３および受信回路１１９などを制御し、被検体Ｐに対する撮像を行う。撮像プロトコルは、検査に応じた各種パルスシーケンスを有する。撮像プロトコルには、傾斜磁場電源１０５により傾斜磁場コイル１０３に供給される電流の大きさ、傾斜磁場電源１０５により電流が傾斜磁場コイル１０３に供給されるタイミング、送信回路１１３により送信コイル１１５に供給される高周波パルスの大きさ、送信回路１１３により送信コイル１１５に高周波パルスが供給されるタイミング、受信コイル１１７１によりＭＲ信号が受信されるタイミング、デカップリングスイッチ１１７９のＯＮ／ＯＦＦのタイミングなどが予め設定されている。
【００３０】
インタフェース１２５は、操作者からの各種指示や情報入力を受け付ける回路を有する。インタフェース１２５は、例えば、マウスなどのポインティングデバイス、あるいはキーボードなどの入力デバイスに関する回路を有する。なお、インタフェース１２５が有する回路は、マウス、キーボードなどの物理的な操作部品に関する回路に限定されない。例えば、インタフェース１２５は、本ＭＲＩ装置１とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、受け取った電気信号を種々の回路へ出力するような電気信号の処理回路を有していてもよい。
【００３１】
ディスプレイ１２７は、処理回路１３１におけるシステム制御機能１３１０による制御のもとで、画像情報生成機能１３１１により生成された各種ＭＲ画像、撮像および画像処理に関する各種情報などを表示する。ディスプレイ１２７は、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、プラズマディスプレイ、または当技術分野で知られている他の任意のディスプレイ、モニタなどの表示デバイスである。
【００３２】
記憶装置１２９は、画像情報生成機能１３１１を介してｋ空間に充填されたＭＲデータ、画像情報生成機能１３１１により生成された画像データなどを記憶する。記憶装置１２９は、各種撮像プロトコル、撮像プロトコルを規定する複数の撮像パラメータを含む撮像条件などを記憶する。記憶装置１２９は、処理回路１３１で実行される各種機能に対応するプログラムを記憶する。記憶装置１２９は、例えば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどの半導体メモリ素子、ハードディスクドライブ（ｈａｒｄ  ｄｉｓｋ  ｄｒｉｖｅ）、ソリッドステートドライブ（ｓｏｌｉｄ  ｓｔａｔｅ  ｄｒｉｖｅ）、光ディスクなどである。また、記憶装置１２９は、ＣＤ−ＲＯＭドライブやＤＶＤドライブ、フラッシュメモリなどの可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置などであってもよい。
【００３３】
処理回路１３１は、ハードウェア資源として、図示していないプロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭなどのメモリなどを有し、本ＭＲＩ装置１を制御する。処理回路１３１は、システム制御機能１３１０、画像情報生成機能１３１１、位置情報生成機能１３１３、パルス強度調整機能１３１５、計算機能１３１７を有する。システム制御機能１３１０、画像情報生成機能１３１１、位置情報生成機能１３１３、パルス強度調整機能１３１５、計算機能１３１７にて行われる各種機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２９へ記憶されている。処理回路１３１は、これら各種機能に対応するプログラムを記憶装置１２９から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読みだした状態の処理回路１３１は、図１の処理回路１３１内に示された複数の機能等を有することになる。
【００３４】
なお、図１においては単一の処理回路１３１にてこれら各種機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路１３１を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとしても構わない。換言すると、上述のそれぞれの機能がプログラムとして構成され、１つの処理回路が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。
【００３５】
上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）、或いは、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＰＬＤ）、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ））などの回路を意味する。
【００３６】
プロセッサは、記憶装置１２９に保存されたプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。なお、記憶装置１２９にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路１０９、送信回路１１３、受信回路１１９、撮像制御回路１２１なども同様に、上記プロセッサなどの電子回路により構成される。また、処理回路１３１が有するシステム制御機能１３１０、画像情報生成機能１３１１、位置情報生成機能１３１３、パルス強度調整機能１３１５、計算機能１３１７は、それぞれシステム制御部、画像情報生成部、位置情報生成部、パルス強度調整部、計算部の一例である。
【００３７】
処理回路１３１は、システム制御機能１３１０により、ＭＲＩ装置１における各種回路等を制御する。具体的には、処理回路１３１は、記憶装置１２９に記憶されているシステム制御プログラムを読み出してメモリ上に展開し、展開されたシステム制御プログラムに従って本ＭＲＩ装置１の各回路を制御する。例えば、処理回路１３１は、システム制御機能１３１０により、インタフェース１２５を介して操作者から入力される撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを記憶装置１２９から読み出す。なお、処理回路１３１は、撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを生成してもよい。処理回路１３１は、撮像プロトコルを撮像制御回路１２１に送信し、被検体Ｐに対する各種撮像を制御する。
【００３８】
処理回路１３１は、画像情報生成機能１３１１により、ＭＲデータをｋ空間に充填する。処理回路１３１は、ｋ空間に充填されたＭＲデータに対して例えばフーリエ変換を行うことにより、ＭＲ画像を生成する。画像情報生成機能１３１１、位置情報生成機能１３１３、パルス強度調整機能１３１５、計算機能１３１７については、後述の動作において説明する。
【００３９】
以上が、本実施形態におけるＭＲＩ装置１の全体構成についての概略的な説明である。このような構成に加えて、本実施形態におけるＭＲＩ装置１は、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置に応じて、ＲＦパルスの照射強度を調整することができるように構成されている。
【００４０】
図３は、本実施形態において、ボア１１１内に挿入された被検体ＰをＺ軸方向から見た図である。また、図４は、本実施形態において、ボア１１１内に挿入された被検体ＰをＸ軸方向から見た図である。図５は、ボア１１１内に挿入された被検体ＰをＺ軸方向から見た比較例の一例を示す図である。また、図６は、ボア１１１内に挿入された被検体ＰをＸ軸方向から見た比較例の一例を示す図である。なお、図３乃至図６において、内部回路は不図示としている。
【００４１】
受信コイル装置１１７は、送信コイル１１５に近づいている。図３および図４に示すような場合、受信コイル装置１１７と送信コイル１１５との距離ｉｎｔは、図５および６における受信コイル装置１１７と送信コイル１１５との距離より短い。一方、図５および図６に示すような場合、受信コイル装置１１７は、送信コイル１１５により印加されたＲＦパルスによる影響を受けにくい。これらのことから、図３および図４に示すような状態で受信コイル装置１１７が被検体Ｐに設けられた場合、受信コイル装置１１７に対するＲＦパルスの影響は、図５および図６に示すような場合に比べて強くなる。このため、図３および図４に示す受信コイル装置１１７における内部回路の発熱は、図５および図６に比べて大きくなる。
【００４２】
以下、本実施形態における動作について説明する。図７は、本実施形態において、ＲＦパルスの照射強度の調整に関する処理（以下、パルス強度調整処理と呼ぶ）の手順の一例を示すフローチャートである。パルス強度調整処理は、図３乃至図６に示すように、被検体Ｐに対して受信コイル装置１１７が設置された状態で実行される。
【００４３】
記憶装置１２９は、送信コイル１１５およびボア１１１を含む領域の座標系（以下、架台座標系と呼ぶ）において、ボア１１１の内壁の位置を座標として記憶する。記憶装置１２９は、パルス強度調整処理により用いられる許容マップを記憶する。許容マップは、例えば、Ｚ軸方向に垂直なアキシャル断面においてボア１１１を含む領域における複数の位置、すなわち架台座標系における複数の座標に、複数の許容係数をそれぞれ割り当てたマップに相当する。複数の許容係数各々は、例えば、ＲＦパルスの照射強度の量に対する、本スキャンにおいてＲＦパルスの照射強度が許容される許容量の割合に相当する。許容係数は、実験またはシミュレーションによる内部回路等の発熱の状況に応じて、撮像部位に対応する受信コイル装置ごとに予め設定される。なお、１から許容係数を差分した値は、最大許容量に対して照射強度が制限される割合を示している。
【００４４】
図８は、許容マップの一例を示す図である。図８において、送信コイル１１５は、ボア内壁の外側に位置する。図８において、ボア１１１の中心位置と中心位置の近傍領域とを含む領域における「１」は、ＲＦパルスの照射強度の最大許容量を示している。図８に示すように、ボア内壁に近いほど許容係数の値は小さくなる。すなわち、ボア内壁に近いほど、ＲＦパルスの最大許容量に対する照射強度の許容量の割合は小さくなる。換言すれば、ボア内壁に近いほど、ＲＦパルスの最大許容量に対する照射強度の制限は大きくなる。
【００４５】
（パルス強度調整処理）  
（ステップＳａ１）  
天板１０７１に載置された被検体Ｐに対して、受信コイル装置１１７が設置される。受信コイル装置１１７におけるケーブル１１７３の先端のコネクタ１１７５が天板１０７１におけるポート１０７３に接続される。図９は、天板１０７１と被検体Ｐと受信コイル装置１１７との位置関係の一例を示す図である。以下、図９に示すような位置関係のもとで、各種説明を行う。なお、図９に示す天板１０７１に対する被検体Ｐと受信コイル装置１１７との設置状況は、一例であり、図９における設置状況に限定されない。なお、図９において、内部回路は不図示としている。
【００４６】
撮像制御回路１２１は、本スキャンの実行前に先立って、プリスキャンを実行することにより、ＭＲ信号を収集する。プリスキャンは、例えば、本スキャンに関する撮像領域が設定される位置決め画像を得るための位置決め撮像（ロケータ）、パラレルイメージングにおいて用いられる感度マップを得るための撮像等の事前撮像に相当する。また、プリスキャンは、２次元のマルチスライス撮像または３次元撮像など、被検体Ｐに対するボリューム撮像に関するスキャンである。なお、プリスキャンは、ＭＲ信号の収集を目的としているため、画質に依存せず短時間でＭＲ信号を収集可能であれば、いずれの撮像方法であってもよい。撮像制御回路１２１は、コイルエレメント各々において収集されたＭＲ信号に対して、コイルエレメントを弁別する情報を、出力順序を用いて付帯させる。
【００４７】
（ステップＳａ２）  
処理回路１３１は、画像情報生成機能１３１１により、収集されたＭＲ信号に基づいて画像情報を生成（再構成）する。画像情報は、例えば、ＭＲ信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度を画素値として有する。複数の周波数成分各々は、Ｘ、Ｙ、Ｚ各軸の傾斜磁場における磁場強度に対応する。このため、ＭＲ信号における周波数成分は、架台座標系における位置に相当する。
【００４８】
具体的には、処理回路１３１は、画像情報生成機能１３１１により、ＭＲ信号に基づいて、Ｚ軸方向に垂直な複数のスライスに対応する複数の断面画像（以下、アキシャル像と呼ぶ）を生成する。処理回路１３１は、Ｘ、Ｙ、Ｚ各軸の傾斜磁場に基づいて、複数のアキシャル像における複数の画素値各々に対して架台座標系における座標を付帯させる。
【００４９】
図１０は、アキシャル像ＡｘＩの一例を示す図である。図１０に示す被検体Ｐのアキシャル断面ＡｘＰには、コイルエレメントｃｈ１またはコイルエレメントｃｈ３に関するＭＲ信号の強度の分布（以下、信号分布と呼ぶ）ｓｉｄ１３と、コイルエレメントｃｈ２またはコイルエレメントｃｈ４に関する信号分布ｓｉｄ２４とが示されている。
【００５０】
図１１は、サジタル像ＳｇＩの一例を示す図である。図１１に示す被検体Ｐのサジタル断面ＳｇＰには、コイルエレメントｃｈ１またはコイルエレメントｃｈ２に関する信号分布ｓｉｄ１２と、コイルエレメントｃｈ３またはコイルエレメントｃｈ４に関する信号分布ｓｉｄ３４とが示されている。
【００５１】
図１０および図１１に示すように、複数のコイルエレメント各々に関する信号分布は、架台座標系において分離可能となる。このため、処理回路１３１は、画像情報生成機能１３１１により、複数のアキシャル断面各々において、複数のコイルエレメントに関する複数の信号分布各々に、画素の位置に応じて架台座標系における座標を付帯させる。
【００５２】
（ステップＳａ３）  
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、被検体Ｐから受信されたＭＲ信号に基づいて、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の位置関係に関する位置情報を生成する。換言すれば、処理回路１３１は、被検体Ｐから受信されたＭＲ信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度に基づいて、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成する。すなわち、処理回路１３１は、画像情報に基づいて、ボア１１１内における複数のコイルエレメントの位置情報を生成する。換言すれば、処理回路１３１は、ＭＲ信号を再構成して得られる画像に基づいて、位置情報を生成する。以下、位置情報の生成について具体的に説明する。
【００５３】
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、画像情報において、信号分布におけるピーク値から当該ピーク値の７割乃至８割の値までの値を含む領域（以下、高強度領域と呼ぶ）を特定する。すなわち、処理回路１３１は、信号分布におけるピーク値を用いて、複数のアキシャル像各々における信号分布に対して高強度領域を特定する。高強度領域には、ステップＳａ２における処理により、画素の位置に応じて架台座標系における複数の座標が付帯されている。
【００５４】
図１２は、図１０におけるアキシャル像ＡｘＩに対して特定された高強度領域の一例を示す図である。図１２に示すアキシャル断面ＡｘＰには、コイルエレメントｃｈ１またはコイルエレメントｃｈ３に関する高強度領域ＨＩＲ１３と、コイルエレメントｃｈ２またはコイルエレメントｃｈ４に関する高強度領域ＨＩＲ２４とが示されている。
【００５５】
図１３は、図１１におけるサジタル像ＳｇＩにおける高強度領域の一例を示す図である。図１３に示すサジタル断面ＳｇＰには、コイルエレメントｃｈ３またはコイルエレメントｃｈ４に関する高強度領域ＨＩＲ３４と、コイルエレメントｃｈ１またはコイルエレメントｃｈ２に関する高強度領域ＨＩＲ１２とが示されている。
【００５６】
図３、図４、図９、図１２、および図１３によれば、受信コイル１１７１すなわち複数のコイルエレメントは、高強度領域の近傍に位置している。このため、高強度領域は受信コイル１１７１の位置すなわち複数のコイルエレメントの位置に相当するものとして説明する。
【００５７】
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、複数のアキシャル像各々において、高強度領域に含まれる複数の画素にそれぞれ対応する複数の座標を、架台座標系における受信コイル１１７１の位置情報すなわち複数のコイルエレメント各々の位置情報として生成する。なお、処理回路１３１は、高強度領域を特定することなく、信号分布を受信コイル１１７１の位置に相当するものとして、位置情報を生成してもよい。このとき、処理回路１３１は、図９に示すように、複数のアキシャル像各々において、信号分布に含まれる複数の画素にそれぞれ対応する複数の座標を、受信コイル１１７１の位置情報として生成する。
【００５８】
（ステップＳａ４）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、位置情報を用いて、画像情報における受信コイル１１７１に関する領域を、許容マップに当てはめる。具体的には、処理回路１３１は、複数のアキシャル断面各々において、高強度領域に付帯された複数の座標を用いて、高強度領域を許容マップに当てはめる。すなわち、処理回路１３１は、許容マップへの高強度領域の重畳を、複数のアキシャル断面の総数に亘って位置情報を用いて実行する。
【００５９】
図１４は、高強度領域ＨＩＲ１３に関する位置情報と、高強度領域ＨＩＲ２４に関する位置情報とを用いて、高強度領域ＨＩＲ１３と高強度領域ＨＩＲ２４とを許容マップに当てはめた一例を示す図である。高強度領域ＨＩＲ１３と高強度領域ＨＩＲ２４とに内包される領域における複数の数値は、高強度領域ＨＩＲ１３における複数の許容係数と、高強度領域ＨＩＲ２４における複数の許容係数とを示している。
【００６０】
なお、処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、複数のアキシャル断面に亘る全ての高強度領域を、許容マップに重畳させてもよい。このとき、図１４における高強度領域ＨＩＲ１３はコイルエレメントｃｈ１およびコイルエレメントｃｈ３に関する全ての高強度領域を統合した領域となり、高強度領域ＨＩＲ２４はコイルエレメントｃｈ２およびコイルエレメントｃｈ４に関する全ての高強度領域を統合した領域となる。また、処理回路１３１は、高強度領域の代わりに、信号分布を許容マップに当てはめてもよい。
【００６１】
（ステップＳａ５）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、受信コイル１１７１に関する領域が当てはめられた許容マップ（以下、領域重畳マップと呼ぶ）において、受信コイル１１７１に関する領域に含まれる複数の許容係数のうち最小の許容係数を特定する。具体的には、処理回路１３１は、複数のアキシャル断面にそれぞれ対応する複数の領域重畳マップにおいて、複数の高強度領域に含まれる複数の許容係数のうち最小の許容係数を特定する。
【００６２】
なお、複数のアキシャル断面に亘る全ての高強度領域が許容マップに当てはめられた場合、処理回路１３１は、この許容マップにおける高強度領域に含まれる複数の許容係数のうち最小の許容係数を特定する。例えば、複数のアキシャル断面に亘る全ての高強度領域を許容マップに当てはめた一例が図１４である場合、処理回路１３１は、０．５の許容係数を特定する。なお、特定された許容係数が「１」である場合、本パルス強度調整処理は終了する。
【００６３】
（ステップＳａ６）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、特定された許容係数を用いて、本スキャンに関するＲＦパルスの照射強度を調整する。具体的には、処理回路１３１は、ＲＦパルスの照射強度の最大許容量に、特定された許容係数を乗じることで、本スキャンに関するＲＦパルスの照射強度を決定する。これにより、ＲＦパルスの照射強度の許容量は、低減される。
【００６４】
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、調整された照射強度を用いて、インタフェース１２５等を介して操作者等により予め設定された撮像条件を変更する。具体的には、処理回路１３１は、照射強度の調整に応じて、撮像条件における撮像パラメータを変更する。変更される撮像パラメータは、ＲＦパルスの照射強度に関連するパラメータであって、例えば、繰り返し時間（ＴＲ：ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ  ｔｉｍｅ）、エコートレインレングス（ＥＴＬ：ｅｃｈｏ  ｔｒａｉｎ  ｌｅｎｇｔｈ）、再収束ＲＦパルスのフリップ角（ｒｅｆｏｃｕｓ  ｆｒｉｐ  ａｎｇｌｅ）、脂肪抑制パルスの強度、ＤＥ（Ｄｒｉｖｅｎ  Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ）パルスの強度、ＭＴＣ（ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｃｏｎｔｒａｓｔ）パルスの強度などである。処理回路１３１は、撮像パラメータの変更により、撮像条件を変更する。
【００６５】
ステップＳａ４乃至ステップＳａ６によれは、処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、位置情報に応じて、被検体Ｐに照射されるＲＦパルスの照射強度を調整する。例えば、処理回路１３１は、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の距離が小さくなるにつれて照射強度を下げるように、照射強度を調整する。
【００６６】
（ステップＳａ７）  
処理回路１３１は、計算機能１３１７により、調整された照射強度に伴う撮像条件の変更に基づいて、撮像時間の延長時間を計算する。具体的には、処理回路１３１は、照射強度の調整に応じて変更された撮像条件と変更前の撮像条件とに基づいて、撮像時間の延長時間を計算する。例えば、処理回路１３１は、変更前の撮像条件を用いて本スキャンを実行した場合の撮像時間（以下、変更前時間と呼ぶ）を計算する。次いで、処理回路１３１は、変更後の撮像条件を用いて本スキャンを実行した場合の撮像時間（以下、変更後時間と呼ぶ）を計算する。処理回路１３１は、変更後時間から変更前時間を差分することにより、延長時間を計算する。
【００６７】
（ステップＳａ８）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、照射強度が受信コイル１１７１の位置すなわちコイルエレメントの位置に応じて制限されていることを、メッセージとして、ディスプレイ１２７に出力する。ディスプレイ１２７は、処理回路１３１から出力されたメッセージを表示する。処理回路１３１は、計算された延長時間をディスプレイに出力する。ディスプレイ１２７は、上記メッセージを、延長時間とともに表示する。
【００６８】
なお、処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、変更前後の撮像条件、変更前後の撮像パラメータ、高強度領域を許容マップに当てはめた画像などを、ディスプレイ１２７に出力してもよい。このとき、ディスプレイ１２７は、変更前後の撮像条件、変更前後の撮像パラメータ、高強度領域を許容マップに当てはめた画像などを、上記メッセージおよび延長時間とともに表示する。
【００６９】
本ステップの後、インタフェース１２５を介して本スキャンの開始指示が入力されると、処理回路１３１は、システム制御機能１３１０により、変更後の撮像条件を撮像制御回路１２１に出力する。撮像制御回路１２１は、変更後の撮像条件に従って、本スキャンを実行する。
【００７０】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本実施形態におけるＭＲＩ装置１によれば、被検体Ｐから受信されたＭＲ信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度に基づいて、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成し、位置情報に基づいて被検体Ｐに照射されるＲＦパルスの照射強度を調整することができる。
【００７１】
すなわち、本ＭＲＩ装置１によれば、被検体Ｐから受信されたＭＲ信号に基づいて、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の位置関係に関する位置情報を生成し、位置情報に応じて、被検体Ｐに照射されるＲＦパルスの照射強度を調整することができる。また、本ＭＲＩ装置１によれば、上記位置関係として、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の距離を用いることができる。また、本ＭＲＩ装置１によれば、ＭＲ信号を再構成して得られる画像に基づいて、位置情報を生成することができる。これらにより、本ＭＲＩ装置１によれば、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の距離が近づくにつれて照射強度を下げるように照射強度を調整することができる。
【００７２】
より詳細には、本ＭＲＩ装置によれば、ＭＲ信号に基づいて信号強度に対応する画素値を有する画像情報を生成し、ボア１１１を含む領域に関する座標系と画像情報とを用いて受信コイル１１７１の位置に関する複数の座標を位置情報として生成し、複数の座標を用いて、照射強度の許容の程度を示す複数の許容係数を座標系における複数の座標にそれぞれ対応付けた許容マップに、受信コイル１１７１に関する領域を当てはめ、受信コイル１１７１に関する領域に含まれる複数の許容係数のうち最小の許容係数を用いて、照射強度を調整することができる。
【００７３】
また、本ＭＲＩ装置１によれば、照射強度の調整により、照射強度が前記受信コイルの位置に応じて制限されていることを表示することができる。加えて、本ＭＲＩ装置１によれば、照射強度の調整に応じて変更された撮像条件と変更前の撮像条件とに基づいて撮像時間の延長時間を計算し、計算された延長時間を表示することができる。
【００７４】
これらのことから、本ＭＲＩ装置１によれば、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の位置に応じて、ＲＦパルスの照射強度を過度に制限することなくかつ受信コイル１１７１および内部回路等を破損させるリスクを低減させて、本スキャンにおいて最適な照射強度を決定することができる。
【００７５】
すなわち、本ＭＲＩ装置１によれば、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の様々なセッティング状態を考慮することで、受信コイル１１７１および内部回路における発熱が小さいと予想される受信コイル１１７１の配置では高周波磁場に対するＲＦコイル装置１１１７の保護を過剰にかける必要がなくなるため、高周波磁場に対する制限を緩和させた撮像条件で本スキャンを実行することができる。
【００７６】
また、本ＭＲＩ装置１によれば、受信コイル１１７１および内部回路における発熱が大きいと予想される受信コイル１１７１の配置において、高周波磁場に対する制限を厳しくした撮像条件、すなわちＲＦパルスの照射強度を下げた状態での撮像条件で本スキャンを実行することができる。このため、操作者が受信コイル装置１１７のセッティング方法を間違えた場合であっても、受信コイル装置１１７を破損することなく、安全に本スキャンを実行することができる。
【００７７】
また、本ＭＲＩ装置１によれば、受信コイル装置１１７が高周波磁場の影響を大きく受けるセッティングであることをメッセージで、操作者に提示することができる。加えて、本ＭＲＩ装置１によれば、受信コイル装置１１７の配置により撮像条件の制限が厳しくなったことにより、撮像時間が延長することを、操作者に提示することができる。すなわち、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の再セッティングの目安となるこれらの情報を操作者に提供することにより、操作者は撮像条件を編集するか受信コイル装置１１７を再セッティングするかの選択の判断が出来るようになり、検査のスループットを向上させることができる。
【００７８】
（第１の変形例）  
本変形例と実施形態との相違は、画像情報を用いて送信コイル１１５から受信コイル１１７１までの距離を位置情報として計算し、送信コイル１１５からの複数の距離に対する複数の許容係数の対応表（ルックアップテーブル）と計算された距離とを用いて最小の許容係数を決定することにある。位置関係は、例えば、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の距離である。
【００７９】
記憶装置１２９は、上記対応表を記憶する。記憶装置１２９は、架台座標系において、送信コイル１１５の位置を座標として記憶する。図１５は、上記対応表の一例を示す図である。図１５に示すように、受信コイルの位置が送信コイル１１５に近いほど、許容係数は小さくなる。すなわち、送信コイル１１５に近いほど、ＲＦパルスの照射強度の最大許容量に対する制限は強くなる。図１５に示す対応表は、図８に示す許容マップを送信コイルからの距離に対する許容係数の関係に変換したものに相当する。
【００８０】
以下、本変形例におけるパルス強度調整処理について、上記実施形態におけるステップＳａ３乃至ステップＳａ５の処理と相違する内容について説明する。
【００８１】
（パルス強度調整処理）  
（ステップＳａ３）  
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、画像情報を用いて、送信コイル１１５から受信コイル１１７１までの距離を、画像情報における複数の画素各々に対して計算する。図３、図５に示すように、送信コイル１１５は、ボア内壁の外側において、ボア１１１を取り囲んで配置される。このため、処理回路１３１は、信号分布における複数の画素各々について、送信コイル１１５の座標からこれらの画素各々の座標までの最短距離を計算する。具体的には、処理回路１３１は、送信コイル１１５から画素までの２点間の距離を求める計算式を用いた最適化処理により、画素ごとに最短距離を計算する。
【００８２】
（ステップＳａ４）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、計算された距離と対応表とを照合することにより、信号分布における複数の画素にそれぞれ対応する複数の許容係数を決定する。
【００８３】
（ステップＳａ５）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、決定された複数の許容係数のうち最小の許容係数を特定する。特定された許容係数は、送信コイル１１５に最も近い画素に対応する。
【００８４】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本変形例におけるＭＲＩ装置１によれば、被検体Ｐから受信されたＭＲ信号における複数の周波数成分各々に対応する信号強度を画素値として有する画像情報をＭＲ信号に基づいて生成し、画像情報を用いて、被検体ＰにＲＦパルスを照射する送信コイル１１５から受信コイル１１７１までの距離を、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報として、画像情報における複数の画素各々に対して計算し、送信コイル１１５からの複数の距離に対する照射強度の許容の程度を示す複数の許容係数の対応表と計算された距離とを用いて、複数の画素にそれぞれ対応する複数の許容係数を決定し、決定された複数の許容係数のうち最小の許容係数を用いて照射強度を調整することができる。他の効果については、実施形態と同様なため、説明は省略する。
【００８５】
（第２の変形例）  
本変形例と実施形態との相違は、異なる３軸に関する３つの傾斜磁場各々に対応するＭＲ信号に基づいて、これら３軸にそれぞれ対応する複数の周波数成分各々に対する信号強度の分布を示す１次元強度分布を上記３軸ごとに生成し、３軸ごとの１次元強度分布（１次元プロファイル）に基づいて位置情報を生成することにある。以下、説明を具体的にするために、異なる３軸は、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とであるものとする。なお、異なる３軸は、Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とに限定されない。
【００８６】
本変形例における構成およびパルス強度調整処理について、上記実施形態と相違する内容について説明する。図１６は、本変形例における処理回路１３１の構成の一例を示す図である。処理回路１３１は、強度分布生成機能１３１９をさらに有する。強度分布生成機能１３１９は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２９へ記憶されている。処理回路１３１が有する強度分布生成機能１３１９は、強度分布生成部の一例である。強度分布生成機能１３１９に関する処理内容については、本変形例におけるパルス強度調整処理の処理手順において説明する。
【００８７】
図１７は、本変形例におけるパルス強度調整処理の処理手順の一例を示す図である。パルス強度調整処理において、図１７におけるステップＳｂ１乃至ステップＳｂ４は、本実施形態における図７におけるステップＳａ１乃至ステップＳａ５に置換される。すなわち、図１７において、ステップＳｂ４に続く処理は、図７のステップＳａ６以降の処理となる。
【００８８】
（パルス強度調整処理）  
（ステップＳｂ１）  
本変形例におけるプリスキャンの実行前に、天板１０７１に載置された被検体Ｐに対して、受信コイル装置１１７が設置される。本変形例における受信コイル装置１１７の設置状況は、重複説明を避けるため、図９と同様であるものとする。
【００８９】
撮像制御回路１２１は、プリスキャンとしてＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸に沿った３つの傾斜磁場を被検体Ｐにそれぞれ印加することにより、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸各々に対応するＭＲ信号を収集する。すなわち、撮像制御回路１２１は、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸各々に対して、ラインスキャンを実行する。本変形例におけるプリスキャンは、例えば、複数のコイルエレメントにおいて、本スキャンに用いられるコイルエレメントを選択するために用いられるスキャンに相当する。なお、本変形例におけるプリスキャンは、ＭＲ信号の収集を目的としているため、画質によらず短時間でＭＲ信号を収集可能であれば、いずれの撮像方法であってもよい。
【００９０】
具体的には、撮像制御回路１２１は、Ｘ軸に沿った傾斜磁場（以下、Ｘ軸傾斜磁場と呼ぶ）をリードアウト傾斜磁場として被検体Ｐに印加することにより、ＭＲ信号（以下、Ｘ軸ＭＲ信号と呼ぶ）を収集する。撮像制御回路１２１は、Ｙ軸に沿った傾斜磁場（以下、Ｙ軸傾斜磁場と呼ぶ）をリードアウト傾斜磁場として被検体Ｐに印加することにより、ＭＲ信号（以下、Ｙ軸ＭＲ信号と呼ぶ）を収集する。撮像制御回路１２１は、Ｚ軸に沿った傾斜磁場（以下、Ｚ軸傾斜磁場と呼ぶ）をリードアウト傾斜磁場として被検体Ｐに印加することにより、ＭＲ信号（以下、Ｚ軸ＭＲ信号と呼ぶ）を収集する。
【００９１】
（ステップＳｂ２）  
処理回路１３１は、強度分布生成機能１３１９により、ＭＲ信号に基づいて、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸にそれぞれ対応する複数の周波数成分各々に対する信号強度の分布を示す１次元強度分布を、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸ごとに生成する。具体的には、処理回路１３１は、Ｘ軸ＭＲ信号に対してフーリエ変換を実行することにより、Ｘ軸傾斜磁場に関する周波数（以下、Ｘ軸周波数と呼ぶ）に対するＸ軸ＭＲ信号の強度の分布（以下、Ｘ軸強度分布と呼ぶ）を生成する。処理回路１３１は、Ｙ軸ＭＲ信号に対してフーリエ変換を実行することにより、Ｙ軸傾斜磁場に関する周波数（以下、Ｙ軸周波数と呼ぶ）に対するＹ軸ＭＲ信号の強度の分布（以下、Ｙ軸強度分布と呼ぶ）を生成する。処理回路１３１は、Ｚ軸ＭＲ信号に対してフーリエ変換を実行することにより、Ｚ軸傾斜磁場に関する周波数（以下、Ｚ軸周波数と呼ぶ）に対するＺ軸ＭＲ信号の強度の分布（以下、Ｚ軸強度分布と呼ぶ）を生成する。Ｘ軸強度分布、Ｙ軸強度分布、およびＺ軸強度分布各々は、上記１次元強度分布に対応する。また、Ｘ軸周波数、Ｙ軸周波数、およびＺ軸周波数は、Ｘ軸の位置、Ｙ軸の位置、およびＺ軸の位置にそれぞれ対応する。
【００９２】
図１８は、４つのコイルエレメント（ｃｈ１、ｃｈ２、ｃｈ３、ｃｈ４）各々についてのＸ軸強度分布、Ｙ軸強度分布、およびＺ軸強度分布の一例を示す図である。ボア１１１内における４つのコイルエレメントの位置等に応じて、Ｘ軸強度分布、Ｙ軸強度分布、およびＺ軸強度分布は、コイルエレメントごとに異なるものとなる。
【００９３】
（ステップＳｂ３）  
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸にそれぞれ対応する３つの１次元強度分布を用いて、送信コイル１１５から受信コイル１１７１までの距離を算出する。具体的には、処理回路１３１は、コイルエレメントごとに、Ｘ軸強度分布における信号強度のピークに対応するＸ軸周波数、またはＸ軸強度分布における重心に対応するＸ軸周波数を特定する。処理回路１３１は、コイルエレメントごとに、Ｙ軸強度分布における信号強度のピークに対応するＹ軸周波数、またはＹ軸強度分布における重心に対応するＹ軸周波数を特定する。処理回路１３１は、コイルエレメントごとに、Ｚ軸強度分布における信号強度のピークに対応するＺ軸周波数、またはＺ軸強度分布における重心に対応するＺ軸周波数を特定する。
【００９４】
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、特定されたＸ軸周波数、特定されたＹ軸周波数、特定されたＺ軸周波数を、架台座標系における座標（以下、エレメント座標と呼ぶ）に、それぞれ変換する。複数のコイルエレメント各々に対応するエレメント座標は、複数のコイルエレメント各々の位置に相当する。処理回路１３１は、送信コイル１１５の位置からコイルエレメント各々の位置までの距離を、架台座標系における送信コイル１１５の座標とエレメント座標とを用いて計算する。計算される距離は、第１の変形例における最短距離と同様なため、説明は省略する。以上の処理により、処理回路１３１は、Ｘ軸強度分布、Ｙ軸強度分布、およびＺ軸強度分布を用いて、複数のコイルエレメントにそれぞれ対応する複数の最短距離を、受信コイル１１７１の位置情報として生成する。
【００９５】
（ステップＳｂ４）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、許容係数に関する対応表すなわち図１５に示す対応表と複数のコイルエレメントごとに算出された複数の最短距離とを用いて、最小の許容係数を特定する。具体的には、処理回路１３１は、対応表と複数の最短距離とを照合することにより、複数の最短距離にそれぞれ対応する複数の許容係数を決定する。次いで、処理回路１３１は、決定された複数の許容係数のうち最小の許容係数を特定する。
【００９６】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本変形例におけるＭＲＩ装置１によれば、異なる３軸に関する３つの傾斜磁場各々に対応するＭＲ信号に基づいて、３軸にそれぞれ対応する複数の周波数成分各々に対する信号強度の分布を示す１次元強度分布を、３軸ごとに生成し、３軸ごとの前記１次元強度分布に基づいて、位置情報を生成することができる。すなわち、本ＭＲＩ装置１によれば、傾斜磁場により形成される３軸方向において、磁気共鳴信号の１次元プロファイルを求めることにより位置情報を生成することができる。本変形例におけるＭＲＩ装置によれば、プリスキャンとしてラインスキャンを実行する場合においても、ＲＦパルスの最適な照射強度を決定することができる。他の効果については、実施形態と同様なため、説明は省略する。
【００９７】
（応用例）  
本応用例と実施形態との相違は、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報と、受信コイル１１７１からケーブル１１７３が導出される方向（以下、導出方向と呼ぶ）と、複数のポート１０７３のうちコネクタ１１７５が接続されたポート（以下、接続ポートと呼ぶ）の位置とに基づいて、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状か否かを判定し、取り回しがＵ字形状であると判定された場合、本スキャンで用いられるＲＦパルスの照射強度を調整することにある。
【００９８】
図１９は、本応用例における処理回路１３１の構成の一例を示す図である。処理回路１３１は、判定機能１３２１をさらに有する。判定機能１３２１は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２９へ記憶されている。判定機能１３２１に関する処理内容については、後程説明する。処理回路１３１が有する判定機能１３２１は、判定部の一例である。
【００９９】
図２０は、本応用例に関して、ボア１１１内に挿入された被検体ＰをＸ軸方向から見た図である。また、図２１は、本応用例に関して、被検体Ｐと受信コイル１１７１とケーブル１１７３と接続ポート１０７３ｃとの位置関係を、Ｙ軸方向から見た図である。図２０、図２１に示すように、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しは、Ｕ字形状となっている。なお、図２０および図２１において、内部回路は不図示としている。
【０１００】
記憶装置１２９は、撮像部位に応じた複数の受信コイル装置各々において、導出方向を記憶する。導出方向は、例えば図２において、接続位置ＣＰからケーブル１１７３が導出している方向、すなわち接続位置ＣＰにおけるケーブル１１７３の接線方向のうち受信コイル１１７１から離れる方向に相当する。導出方向は、架台座標系に無関係であって、受信コイル装置１１７に対して設定された方向である。記憶装置１２９は、コネクタ１１７５が接続される複数のポート１０７３の位置を、架台座標系における複数のポート１０７３の座標として記憶する。また、記憶装置１２９は、接続ポート１０７３ｃの位置、すなわち架台座標系における座標を記憶する。天板１０７１がボア内に挿入される場合、記憶装置１２９は、天板１０７１の位置に応じて、接続ポート１０７３ｃの座標を更新させて記憶する。
【０１０１】
記憶装置１２９は、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状である場合、ＲＦパルスの照射強度を制限するための制限係数を、撮像部位に応じた複数の受信コイル装置各々に対応付けて記憶する。制限係数は、１未満の正の小数であって、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状である場合の実験またはシミュレーションによる内部回路等の発熱の状況に応じて、撮像部位に対応する受信コイル装置ごとに予め設定される。
【０１０２】
図２２は、本応用例におけるパルス強度調整処理の処理手順の一例を示す図である。本応用例におけるパルス強度調整処理は、例えば、本実施形態における図７におけるステップＳａ６の後に実行される。なお、図２２におけるステップＳｃ１乃至ステップＳｃ４の処理は、ステップＳａ３の後に実行されてもよい。以下、図２０および図２１に示すケーブル１１７３の取り回しのもとで、本応用例におけるパルス強度調整処理について説明する。
【０１０３】
（パルス強度調整処理）  
（ステップＳｃ１）  
処理回路１３１は、判定機能１３２１により、導出方向と、位置情報と、コネクタ１１７５が接続された接続ポート１０７３ｃの位置とに基づいて、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状か否かを判定する。被検体Ｐに対する４つのコイルエレメントの位置が図２１に示すような場合、Ｚ軸方向（静磁場方向）に沿った信号分布の位置関係は、コイルエレメントｃｈ１とコイルエレメントｃｈ２とは被検体Ｐの頭部側となり、コイルエレメントｃｈ３とコイルエレメントｃｈ４とは被検体Ｐの足側となる。一方、受信コイル装置１１７に関連付けて記憶装置１２９に記憶された導出方向は、図２に示すように、コイルエレメントｃｈ１、ｃｈ２からコイルエレメントｃｈ３、ｃｈ４に向かう方向である。このため、処理回路１３１は、複数のコイルエレメントと接続ポート１０７３ｃとの相対的な位置関係と導出方向とを用いて、Ｕ字形状の有無を判定する。
【０１０４】
複数のコイルエレメントの位置と導出方向とにより、図２０および図２１において、受信コイル１１７１からケーブル１１７３が出ている方向（以下、ケーブル方向と呼ぶ）は、架台座標系において被検体Ｐの足側の方向となる。図２０および図２１に示すように、架台座標系において、接続ポート１０７３ｃは被検体Ｐの頭側であって、ケーブル方向は被検体Ｐの足側であるため、処理回路１３１は、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状であると判定する。
【０１０５】
例えば、処理回路１３１は、判定機能１３２１により、受信コイル１１７１の位置情報、例えばコイルエレメント各々の座標を用いて導出方向を架台座標系に関連付けることにより、ケーブル方向を決定する。また、処理回路１３１は、複数のコイルエレメントにそれぞれ対応する複数の座標を平均化することにより、受信コイル装置１１７の座標を決定する。受信コイル装置１１７の座標は、例えば、複数のコイルエレメントによる重心座標に相当する。処理回路１３１は、受信コイル装置１１７の座標と接続ポート１０７３ｃの座標とを用いて、受信コイル装置１１７から接続ポート１０７３ｃへ向かうポート方向を計算する。ケーブル方向は図２１に示す矢印ｃｄｄに対応し、ポート方向は図２１に示す矢印ｃｔｐに対応する。
【０１０６】
処理回路１３１は、判定機能１３２１により、ケーブル方向を示すベクトルとポート方向を示すベクトルとの内積を計算する。内積が負であるか否かは、ケーブル方向が接続ポート１０７３ｃに向いていないか否かに相当する。計算された内積が負である場合、処理回路１３１は、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状であると判定する。処理回路１３１は、計算された内積が負でない場合、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状ではないと判定する。なお、上記説明は一例であり、ケーブル方向が接続ポート１０７３ｃに向いていないか否かを判定することができれば、上記説明に限定されない。
【０１０７】
ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状であると判定された場合、処理回路１３１は、判定機能１３２１により、接続ポート１０７３ｃに接続された受信コイル装置１１７に対応する制限係数を、記憶装置１２９から読み出す。ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状でないと判定された場合、本パルス強度調整処理は終了する。
【０１０８】
（ステップＳｃ２）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、照射強度をさらに調整する。具体的には、処理回路１３１は、ステップＳａ６の処理において調整された照射強度に、読み出された制限係数を乗じることで、本スキャンに関するＲＦパルスの照射強度をさらに調整する。処理回路１３１は、さらに調整された照射強度を用いて、撮像条件を変更する。
【０１０９】
（ステップＳｃ３）  
処理回路１３１は、計算機能１３１７により、さらに調整された照射強度に伴う撮像条件の変更に基づいて、撮像時間の延長時間を計算する。本ステップにおける処理内容は、ステップＳａ７と同様なため説明は省略する。
【０１１０】
（ステップＳｃ４）  
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、照射強度がケーブル１１７３の取り回しの状態に応じて制限されていることを、メッセージとして、ディスプレイ１２７に出力する。ディスプレイ１２７は、照射強度がケーブル１１７３の取り回しの状態に応じて制限されているメッセージを表示する。処理回路１３１は、計算された延長時間をディスプレイに出力する。ディスプレイ１２７は、上記メッセージを、延長時間とともに表示する。
【０１１１】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本応用例におけるＭＲＩ装置１によれば、受信コイル１１７１と、受信コイル１１７１に接続されＭＲ信号を伝送するケーブル１１７３と、ケーブル１１７３の一端に設けられたコネクタ１１７５とを有する受信コイル装置１１７と、受信コイル装置１１７に接続可能であってコネクタ１１７５を介してＭＲ信号が入力される複数のポート１０７３とを具備し、受信コイル１１７１からケーブル１１７３が導出される方向と、複数のポート１０７３のうちコネクタ１１７５が接続されたポート１０７１ｃの位置と、位置情報とに基づいて、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しがＵ字形状か否かを判定し、取り回しがＵ字形状であると判定された場合、照射強度を調整することができる。
【０１１２】
これにより、本ＭＲＩ装置１によれば、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の位置およびボア内におけるケーブルの取り回しに応じて、受信コイル１１７１および内部回路等を破損させるリスクを低減させて、本スキャンにおいて最適な照射強度を決定することができる。換言すれば、本応用例におけるＭＲＩ装置１によれば、仮に、ボア１１１内におけるケーブル１１７３の取り回しが理想的な取り回し、すなわち内部回路等における発熱のリスクが最も低いケーブル１１７３の配置でなかったとしても、パルス強度調整処理（Ｂ１強度の調整処理）により、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の配置やケーブル１１７３の取り回しを再セッティングすることなく本スキャンを実行することができる。これにより、本ＭＲＩ装置１によれば、本スキャンの実効前におけるワークフローにかかる時間を短縮することができる。
【０１１３】
また、本ＭＲＩ装置１によれば、照射強度の調整により照射強度が取り回しの状態に応じて制限されていることを表示することができる。例えば、本応用例における本ＭＲＩ装置によれば、照射強度がケーブル１１７３の取り回しの状態に応じて制限されていることや照射強度が受信コイル１１７１の位置すなわちコイルエレメントの位置に応じて制限されていることをメッセージとして、延長時間とともに表示することができる。これにより、操作者は、撮像条件の変更、受信コイル装置１１７の設置の変更、ケーブル１１７３の取り回しの変更、高周波磁場の制限の緩和等の判断を、容易に選択することができる。例えば、ディスプレイ１２７に表示された延長時間が５分以内である場合、操作者は、撮像条件を変更することにより、延長時間を短縮することができる。また、ディスプレイ１２７に表示された延長時間が５分以上であって、受信コイル装置１１７とケーブル１１７３の取り回しとのうち少なくとも一方に関して再セッティングが可能であれば、操作者は、受信コイル装置１１７の配置とケーブル１１７３の取り回しとのうち少なくとも一方の再セッティングを実行することができる。
【０１１４】
（第３の変形例）  
本変形例と実施形態との相違は、位置情報に応じて、ＲＦパルスの送信に関する設定値（以下、送信設定値と呼ぶ）を用いて照射強度を調整することにある。送信設定値は、例えば、被検体Ｐの撮像部位に応じて決定されたＲＦパルスの位相とＲＦパルスの振幅とに相当する。送信設定値は、ＲＦパルスの送信強度の空間的な分布（以下、送信強度分布と呼ぶ）に関連している。
【０１１５】
記憶装置１２９は、送信設定値に応じて許容マップを修正するためのマップ（以下、修正マップ）を記憶する。修正マップは、送信強度分布がボア１１１の中心位置に対して非対称である場合、送信強度分布の非対称性を許容マップに反映させるために用いられる。例えば、修正マップは、複数の座標各々において許容マップに乗じられる係数（以下、修正係数と呼ぶ）を有する。なお、修正マップは、修正係数の代わりに、複数の座標各々において、許容マップから差分される係数または許容マップに加算される係数を有していてもよい。以下、説明を具体的にするために、修正マップは、複数の座標各々において修正係数を有するものとして説明する。
【０１１６】
具体的には、記憶装置１２９は、複数の送信設定値にそれぞれ対応する複数の修正マップを記憶する。例えば、送信コイル１１５が複数のコイルエレメントにより構成されている場合、記憶装置１２９は、複数のコイルエレメントにそれぞれ対応する複数の送信設定値の組み合わせに応じた複数の修正マップを記憶する。記憶装置１２９は、撮像部位の形状（身長、体重、撮像部位等で変わる）に対する送信設定値の対応表（以下、部位設定値対応表と呼ぶ）を記憶する。
【０１１７】
インタフェース１２５は、被検体Ｐに対する撮像部位を入力する。本変形例における撮像部位の入力は、パルス強度調整処理におけるステップＳａ１の前段に実施される。
【０１１８】
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、撮像部位を部位設定値対応表と照合することにより、送信設定値を決定する。本変形例における送信設定値の決定は、パルス強度調整処理におけるステップＳａ４より前段の処理において適宜実施される。なお、処理回路１３１は、被検体Ｐに対するプリスキャンにより生成されたＢ１マップを用いて送信強度分布を被検体内において均一にするように（すなわちＢ１シミングにより）、送信設定値を決定してもよい。このとき、部位設定値対応表は不要となり、送信設定値の決定はステップＳａ１の処理より後段であってステップＳａ４より前段の処理において適宜実施される。Ｂ１マップの生成に関するプリスキャンは、撮像制御回路１２１により、受信コイル１１７１に影響が出ないシーケンスを用いて実行される。
【０１１９】
処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、送信コイル１１５と受信コイル１１７１との間の位置関係に関する位置情報と送信設定値とに基づいて、照射強度を調整する。具体的には、処理回路１３１は、記憶装置１２９に記憶された複数の修正マップから、送信設定値に対応する修正マップを特定する。次いで、処理回路１３１は、特定された修正マップを許容マップに乗じることにより、修正後の許容マップ（以下、修正許容マップとよぶ）を生成する。処理回路１３１は、修正許容マップに、受信コイル１１７１に関する領域（または高強度領域）を当てはめる。上述の修正許容マップの生成及び修正許容マップへの領域の当てはめは、パルス強度調整処理におけるステップＳａ４の処理の代わりに実施される。本変形例におけるパルス強度調整処理において、ステップＳａ５以降の処理は、実施形態に記載のパルス強度調整処理と同様なため、説明は省略する。
【０１２０】
なお、処理回路１３１は、パルス強度調整機能１３１５により、送信設定値に基づいて送信強度分布を生成し、生成された送信強度分布に基づいて修正マップを生成してもよい。具体的には、処理回路１３１は、送信コイル１１５における給電点に送信設定値を適用することにより、送信強度分布を計算する。次いで、処理回路１３１は、生成された送信強度分布における中心位置の値を１にするように、送信強度分布の全域の値を規格化することにより、修正マップを生成する。
【０１２１】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本変形例におけるＭＲＩ装置１によれば、ＲＦパルスの送信に関する設定値を用いて、照射強度を調整することができる。これにより、撮像部位ごとまたはＢ１シミングの結果ごとに照射強度を調整することができ、ＲＦパルスの照射強度を過度に制限することなくかつ受信コイル１１７１および内部回路等を破損させるリスクを低減させて、本スキャンにおいてより最適な照射強度を決定することができる。他の効果は、実施形態などと同様なため、説明は省略する。
【０１２２】
（第４の変形例）  
本変形例と実施形態との相違は、ＭＲ信号を用いずに、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成することにある。本変形例におけるＭＲＩ装置１は、例えば、不図示の複数のカメラを有する。複数のカメラ各々は、例えば、ボア１１１内を異なる方向から撮影することができる位置に設けられる。異なる方向は、例えば、３方向である。複数のカメラは、例えば、光学カメラである。
【０１２３】
複数のカメラ各々は、本スキャンに先立ってボア１１１内に挿入された被検体Ｐに設けられた受信コイル装置１１７を撮影する。複数のカメラは、例えば、ボア１１１内において受信コイル装置１１７を含む複数の画像（以下、光学画像と呼ぶ）をそれぞれ生成する。複数のカメラは、複数の光学画像を処理回路１３１にそれぞれ出力する。
【０１２４】
記憶装置１２９は、架台座標系における複数のカメラ各々の座標（以下、カメラ座標と呼ぶ）を記憶する。
【０１２５】
処理回路１３１は、位置情報生成機能１３１３により、複数の光学画像に基づいて、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成する。例えば、処理回路１３１は、複数の光学画像各々において既存のセグメンテーション処理および認識処理などを実行することにより、複数の光学画像における受信コイル装置１１７の領域（以下、コイル装置領域と呼ぶ）を抽出する。次いで、処理回路１３１は、受信コイル装置１１７における複数の受信コイル１１７１の位置と、コイル装置抽出領域と、カメラ座標とを用いて、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成する。
【０１２６】
ボア内における受信コイル装置１１７の撮影とボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報の生成とは、パルス強度調整処理において、ステップＳａ１乃至ステップＳａ３の処理の代わりに実行される。本変形例に関するパルス強度調整処理において、ステップＳａ４以降の処理は、第１変形例に記載のパルス強度調整処理と同様なため、説明は省略する。
【０１２７】
以上に述べた構成によれば、以下に示す効果を得ることができる。  
本変形例におけるＭＲＩ装置１によれば、ボア１１１内における受信コイル１１７１の位置情報を生成し、位置情報に基づいて被検体Ｐに照射されるＲＦパルスの照射強度を調整することができる。他の効果は、第１の変形例などと同様なため、説明は省略する。
【０１２８】
以上述べた実施形態等の磁気共鳴イメージング装置１によれば、ボア１１１内における受信コイル装置１１７の位置に応じて、ＲＦパルスの照射強度を調整することができる。
【０１２９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３０】
１…磁気共鳴イメージング装置
１０…架台
１０１…静磁場磁石
１０３…傾斜磁場コイル
１０５…傾斜磁場電源
１０７…寝台
１０９…寝台制御回路
１１１…ボア
１１３…送信回路
１１５…送信コイル
１１７…受信コイル装置
１１９…受信回路
１２１…撮像制御回路
１２５…インタフェース
１２７…ディスプレイ
１２９…記憶装置
１３１…処理回路
１０７１…天板
１０７３…ポート
１１７１…受信コイル
１１７３…ケーブル
１１７５…コネクタ
１１７７…バラン
１１７９…デカップリングスイッチ
１３１０…システム制御機能
１３１１…画像情報生成機能
１３１３…位置情報生成機能
１３１５…パルス強度調整機能
１３１７…計算機能
１３１９…強度分布生成機能
１３２１…判定機能
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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