(57)【要約】【課題】インプリント材の供給位置の自由度を向上させるのに有利なインプリント方法を提供する。【解決手段】基板Ｗ上の未硬化のインプリント材Ｒを型Ｍで成形して硬化させ、硬化したインプリント材Ｒのパターンを基板Ｗ上に設けられた複数のショット領域に形成するインプリント方法であって、基板Ｗの面に沿う第１方向に基板Ｗを移動させながら、基板Ｗ上の複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域に未硬化のインプリント材Ｒを供給する第１工程と、基板Ｗを基板Ｗの面に沿い、かつ、第１方向と直交する第２方向に移動させながら、ひとつのショット領域に未硬化のインプリント材Ｒを供給する第２工程と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の未硬化のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化した前記インプリント材のパターンを前記基板上に設けられた複数のショット領域に形成するインプリント方法であって、
前記基板の面に沿う第１方向に前記基板を移動させながら、前記基板上の複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域に前記未硬化のインプリント材を供給する第１工程と、
前記基板を前記基板の面に沿い、かつ、前記第１方向と直交する第２方向に移動させながら、前記ひとつのショット領域に前記未硬化のインプリント材を供給する第２工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記第１工程と前記第２工程とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記基板の移動速度または前記未硬化のインプリント材の供給周期を変化させる第３工程を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記第１工程と前記第２工程との間に前記第３工程を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記第１工程の間、または前記第２工程の間に前記第３工程を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記第１工程と前記第２工程との間に、前記未硬化のインプリント材を供給するディスペンサを変更する第４工程を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法
【請求項７】
基板上の未硬化のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化した前記インプリント材のパターンを前記基板上に設けられた複数のショット領域に形成するインプリント装置であって、
前記基板を保持して移動する基板保持部と、
前記基板上に前記未硬化のインプリント材を供給するディスペンサと、を有し、
前記基板保持部は、前記基板の面に沿う第１方向、または前記第１方向に直交する第２方向に前記基板を移動させ、
前記ディスペンサは、前記移動している前記基板上の複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域に前記未硬化のインプリント材を供給する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
前記ディスペンサは前記未硬化のインプリント材を供給する供給口を複数有し、
前記複数の供給口は、前記第１方向に沿った方向に配列されるグループと、前記第２方向に沿った方向に配列されるグループと、を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記ディスペンサは前記未硬化のインプリント材を供給する供給口を複数有し、
前記複数の供給口は、前記第１方向および前記第２方向と交差する方向に配列される、
ことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板上に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
インプリント方法、インプリント装置および、物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造するリソグラフィ方法の一つとしてインプリント方法がある。インプリント方法は、基板上に供給された未硬化のインプリント材に型を接触させて微細パターンの形成を行う方法である。基板上に未硬化のインプリント材を供給する方法として、並列に並んだ複数のノズルを用いて均一な厚みの未硬化のインプリント材を基板の複数のターゲット区域（ショット領域）に供給する方法がある（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２７３９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の方法では、複数のショット領域のそれぞれに対して供給する未硬化のインプリント材の複数の液滴の各ショット領域におけるターゲット供給位置、供給量などの自由度が制限されうる。
【０００５】
本発明は、例えば、インプリント材の供給位置の自由度を向上させるのに有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上の未硬化のインプリント材を型で成形して硬化させ、硬化したインプリント材のパターンを基板上に設けられた複数のショット領域に形成するインプリント方法であって、基板の面に沿う第１方向に基板を移動させながら、基板上の複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域に未硬化のインプリント材を供給する第１工程と、基板を基板の面に沿い、かつ、第１方向と直交する第２方向に移動させながら、ひとつのショット領域に未硬化のインプリント材を供給する第２工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、インプリント材の供給位置の自由度を向上させるのに有利なインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るインプリント方法を用いるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】インプリント材が型端部からはみ出した時の様子を示す。
【図３】複数の吐出口のうち、一部によるインプリント材の吐出を止めた場合を示している。
【図４】一方の吐出部のみを用いてショット領域にインプリント材を供給した様子を示す。
【図５】他方の吐出部のみを用いてショット領域にインプリント材を供給した様子を示す。
【図６】Ｘ方向およびＹ方向に所定の間隔で並ぶ吐出口を有する吐出部を示す。
【図７】Ｌ字に並んだ吐出口を有する吐出部を示す。
【図８】Ｘ方向およびＹ方向と交差するように斜めに吐出口が配置された吐出部を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。なお、各図面において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
〔実施形態〕
【００１０】
（インプリント装置）
図１は、本発明の一実施形態に係るインプリント方法を用いるインプリント装置の構成を示す概略図である。ここでは、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外線硬化型インプリント装置を使用した。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法を用いてもよい。また、以下の図においては、基板上のインプリント材に対して照射される紫外線の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。
【００１１】
インプリント装置１は、光照射部２と、型保持部３と、基板ステージ（基板保持部）４と、供給部（ディスペンサ）５と、制御部６とを備える。光照射部２は、インプリント処理の際に、型Ｍに対して紫外線ＵＶを照射する。この光照射部２は、不図示であるが、光源と、この光源から発せられた紫外線ＵＶをインプリントに適切な光に調整し、型Ｍに照射する照明光学系とを含む。光源は、水銀ランプなどのランプ類を採用可能であるが、型Ｍを透過し、かつ後述のインプリント材Ｒが硬化する波長の光を発する光源であれば、特に限定するものではない。照明光学系は、レンズ、ミラー、アパーチャ、または照射と遮光を切り替えるためのシャッターなどを含み得る。なお、本実施形態では、光硬化法を採用するために光照射部２を設置しているが、例えば、熱硬化法を採用する場合には、この光照射部２に換えて、熱硬化性樹脂を硬化させるための熱源部を設置することとなる。
【００１２】
型（モールド）Ｍは、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、基板Ｗに対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部Ｐを含む。なお、パターンサイズは、製造対象となる物品により様々であるが、微細なものでは十数ナノメートルのパターンも含まれる。また、型Ｍの材質は、紫外線ＵＶを透過させることが可能で、かつ熱膨張率の低いことが望ましく、例えば石英とし得る。さらに、型Ｍは、紫外線ＵＶが照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティを有する場合もある。
【００１３】
型保持部３は、型Ｍを保持するモールドチャック３１と、このモールドチャック３１を移動自在に保持するモールド駆動部３２と、不図示であるが、型Ｍ（パターン部Ｐ）の形状を補正する倍率補正機構とを有する。モールドチャック３１は、型Ｍにおける紫外線ＵＶの照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型Ｍを保持し得る。モールドチャック３１は、例えば、真空吸着力により型Ｍを保持する場合、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプの排気により吸着圧を適宜調整することで、型Ｍに対する吸着力（保持力）を調整し得る。
【００１４】
モールド駆動部３２は、型Ｍと基板Ｗ上のインプリント材Ｒとの押し付け、または引き離しを選択的に行うように型Ｍを各軸方向に移動させる。このモールド駆動部３２に採用可能な動力源としては、例えば、リニアモータまたはエアシリンダがある。また、モールド駆動部３２は、型Ｍの高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成され得る。さらに、モールド駆動部３２は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、型Ｍの傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。
【００１５】
なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離しの各動作は、型ＭをＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、基板ステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。また、モールド駆動部３２の駆動時における型Ｍの位置は、不図示であるが、型Ｍと基板Ｗとの間の距離を計測する光学式変位計などの位置計測部により計測可能である。倍率補正機構は、モールドチャック３１における型Ｍの保持側に設置され、型Ｍの側面に対して外力または変位を機械的に与えることにより型Ｍ（パターン部Ｐ）の形状を補正する。
【００１６】
さらに、モールドチャック３１およびモールド駆動部３２は、平面方向の中心部（内側）に、光照射部２から照射された紫外線ＵＶが基板Ｗに向かい通過可能とする開口領域３３を有する。
【００１７】
基板（ウエハ）Ｗは、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、またはガラス基板である。この基板Ｗ上の複数のパターン形成領域（インプリント装置１に搬入される前に、前工程にて既にパターン（以下「基板側パターン」という）が形成されている）には、パターン部Ｐによりインプリント材Ｒのパターン（パターンを含む層）が成形される。
【００１８】
基板ステージ４は、基板Ｗを移動可能に保持し、例えば、型Ｍと基板Ｗ上のインプリント材Ｒとの押し付けの際のパターン部Ｐと基板側パターンとの位置合わせなどを実施する。この基板ステージ４は、基板Ｗを吸着力により保持するウエハチャック４１と、基板Ｗの外周を取り囲むように設置される補助部材４２と、ウエハチャック４１を機械的に保持し、各軸方向に移動可能とするステージ駆動部４３とを有する。
【００１９】
ウエハチャック４１は、例えば、高さの揃った複数のピンで基板Ｗを支持し、ピン以外の部分を真空排気により減圧することで基板Ｗを保持する。補助部材４２は、ウエハチャック４１に載置された基板Ｗと同等の表面高さを有し、基板Ｗの外周端部における樹脂パターンの厚さの均一化を図るなどのために用いられる。
【００２０】
ステージ駆動部４３は、駆動中および静止中の振動が少ない動力源であり、採用可能な動力源としては、例えば、リニアモータまたは平面モータなどがある。このステージ駆動部４３も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成し得る。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板Ｗのθ方向の位置調整機能、または基板Ｗの傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。
【００２１】
また、基板ステージ４は、その側面に、Ｘ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に対応した複数の参照ミラー４４を備える。これに対して、インプリント装置１は、これらの参照ミラー４４にそれぞれヘリウムネオンなどのビームを照射することで基板ステージ４の位置を測定する複数のレーザー干渉計（計測部）７を備える。なお、図１では、参照ミラー４４とレーザー干渉計７との１つの組のみを図示している。レーザー干渉計７は、基板ステージ４の位置を実時間で計測し、後述する制御部６は、このときの計測値に基づいて基板Ｗ（基板ステージ４）の位置決め制御を実行する。なお、計測部としては、上記のような干渉計測長器の他にも半導体レーザーを用いたエンコーダなどが採用可能である。
【００２２】
供給部５は、型保持部３の近傍に設置され、基板Ｗ上に設けられたパターン形成領域としてのショット（基板側パターン）上に、インプリント材Ｒを供給する。インプリント材Ｒは、紫外線ＵＶを受光することにより硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂（光硬化性樹脂）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。この供給部５は、インクジェット方式でインプリント材Ｒを基板Ｗ上に供給する。供給部５は、未硬化のインプリント材Ｒを収容する容器５１と、吐出部５２とを含む。
【００２３】
容器５１は、インプリント材Ｒが硬化反応を起こさないように管理する。容器５１の内部は、例えば、若干の酸素を含む雰囲気とする。容器５１の材質は、インプリント材Ｒにパーティクルや化学的な不純物を混入させないようなものとすることが望ましい。
【００２４】
吐出部５２は、例えば、複数の吐出口（供給口）を含むピエゾタイプの吐出機構（インクジェットヘッド）を有する。インプリント材Ｒの塗布量（吐出量）は、０．１〜１０ｐＬ／滴の範囲で調整可能であり、通常、約１ｐＬ／滴で使用する場合が多い。なお、インプリント材Ｒの全塗布量は、パターン部Ｐの密度、および所望の残膜厚により決定される。供給部５は、制御部６からの動作指令に基づいて、インプリント材Ｒを液滴としてショット上に分散させて塗布させ、塗布位置や塗布量などを制御する。
【００２５】
制御部６は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部６は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部６は、少なくとも、供給部５、および基板ステージ４と後述する回転機構などの動作を制御する。なお、制御部６は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２６】
また、インプリント装置１は、基板Ｗ上に形成されているアライメントマークを計測するアライメント計測系９を備える。また、インプリント装置１は、基板ステージ４を載置し基準平面を形成する定盤８１と、型保持部３を固定するブリッジ定盤８２と、定盤８１から延設され、床面からの振動を除去する除振器８３を介してブリッジ定盤８２を支持する支柱８４とを備える。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、型Ｍを装置外部と型保持部３との間で搬入出させるモールド搬送機構や、基板Ｗを装置外部と基板ステージ４との間で搬入出させる基板搬送機構などを含み得る。
【００２７】
（インプリント方法）
次に、インプリント装置１によるインプリント方法（インプリント処理）について説明する。まず、制御部６は、基板搬送装置を制御して、基板ステージ４に基板Ｗを載置および固定する。次に、制御部６は、ステージ駆動部４３を駆動させて、基板Ｗの位置を適宜変更させつつ、アライメント計測系９により基板Ｗ上のアライメントマークを順次計測させ、基板Ｗの位置を高精度に検出する。そして、制御部６は、その検出結果から各転写座標を演算し、この演算結果に基づいて所定のショットごとに逐次パターンを形成させる（ステップ・アンド・リピート方式）。
【００２８】
ある１つのショットに対するパターン形成の流れとして、制御部６は、まず、ステージ駆動部４３により、吐出部５２の吐出口の下に基板Ｗ上の塗布位置（ショット上の特定の位置）を位置決めさせる。その後、供給部５は、基板Ｗ上のショットにインプリント材Ｒを塗布する（塗布工程）。
【００２９】
塗布後、制御部６は、ステージ駆動部４３により、パターン部Ｐ直下の押し付け位置にショットが位置するように基板Ｗを移動させ、位置決めさせる。位置決め後、制御部６は、パターン部Ｐとショット上の基板側パターンとの位置合わせや倍率補正機構によるパターン部Ｐの倍率補正などを実施した後、モールド駆動部３２を駆動させ、ショット上のインプリント材Ｒにパターン部Ｐを押し付ける（押型工程）。この押し付けにより、インプリント材Ｒは、パターン部Ｐの凹凸パターンに充填される。なお、制御部６は、押し付け完了の判断を型保持部３の内部に設置された不図示の荷重センサにより行う。
【００３０】
インプリント材Ｒにパターン部Ｐを押し付けた状態で、光照射部２は、硬化工程として型Ｍの背面（上面）から紫外線ＵＶを所定時間照射し、型Ｍを透過した紫外線ＵＶによりインプリント材Ｒを硬化させる。そして、インプリント材Ｒが硬化した後、制御部６は、モールド駆動部３２を再駆動させ、パターン部Ｐを基板Ｗから引き離す（離型工程）。これにより、基板Ｗ上のショットの表面には、パターン部Ｐの凹凸パターンに倣った３次元形状の樹脂パターン（層）が形成される。このような一連のインプリント動作を基板ステージ４の駆動によりショットを変更しつつ複数回実施することで、インプリント装置１は、１枚の基板Ｗ上に複数の樹脂パターンを形成することができる。なお、押型および離型時に、上記のように型Ｍを移動させるのではなく、基板Ｗの方を移動させてもよい。
【００３１】
（インプリント材の塗布方法）
まず、従来の塗布方法における問題を説明する。図２および図３は、基板Ｗ上の複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域に供給されたインプリント材Ｒの配置を示している。インプリント材Ｒは、基板Ｗを移動させながら、複数の吐出口５２１を有する吐出部５２から基板Ｗ上のショット領域に供給される。ここで、基板Ｗの移動方向をＸ方向とする。複数の吐出口５２１は、Ｙ方向に等間隔に配列している。したがって、インプリント材Ｒの液滴もショット領域においてＹ方向に等間隔に配置される。基板ＷをＸ方向に移動させながらインプリント材Ｒを供給することで、インプリント材Ｒの液滴のＹ方向に沿ったラインは、基板Ｗの移動速度や吐出部５２のインプリント材Ｒの滴下周期で決まる間隔をもって並ぶ。
【００３２】
ショット領域には、残膜厚、型Ｍ端部からのインプリント材Ｒのはみ出しなどを考慮してインプリント材Ｒを過不足なく供給することが必要となる。Ｙ方向にインプリント材Ｒを過不足なくショット領域に配置したときの液滴とショット領域の端部との間の距離をａとする。図２は、インプリント材Ｒを想定よりも多く供給、つまり、インプリント材Ｒが型Ｍの端部からはみ出してしまった様子を示している。インプリント材Ｒが型Ｍの端部からはみ出さず、未充填にもならない距離をａとすると、距離ａよりも小さい距離ｂとなっている。
【００３３】
図３は、距離ｂにインプリント材Ｒを供給する吐出口５２１によるインプリント材Ｒの吐出を止めた場合を示している。この場合、インプリント材ＲのＹ方向に沿ったラインの下端とショット領域の端部との距離が距離ａよりも大きい距離ｃとなる。すなわち、ショット領域に供給するインプリント材Ｒが不足し未充填となる。
【００３４】
Ｙ方向のインプリント材Ｒの液滴の配置は、吐出口５２１の間隔によって決まる。したがって、Ｘ方向の配置と異なり、Ｙ方向のインプリント材Ｒの液滴の配置に自由度はない。すなわち、従来の塗布方法では、例えば、型Ｍの端部からインプリント材Ｒのはみ出しと未充填の課題を両立することが困難となりうる。
【００３５】
本実施形態では、吐出部５２は、Ｘ方向に並ぶインプリント材Ｒの液滴のラインを吐出する第１吐出部５２ｘおよびＹ方向に並ぶインプリント材Ｒの液滴のラインを吐出する第２吐出部５２ｙを有する。第１吐出部５２ｘは、Ｘ方向に等間隔に配置された吐出口５３を有する。第２吐出部５２ｙは、Ｙ方向に等間隔に配置された吐出口５４を有する。各吐出部で吐出口の数や間隔は一致させてもよいし、異ならせてもよい。
【００３６】
図４は、第２吐出部５２ｙのみを用いてショット領域にインプリント材Ｒを供給した様子を示す。Ｘ方向にインプリント材Ｒを過不足なくショット領域に配置したときの液滴とショット領域の端部との間の距離を距離ｄとする。図４に示すように、基板ＷのＸ方向の移動速度等を制御することにより、第２吐出部５２ｙのみを用いて、インプリント材ＲがＸ方向において過不足なく供給されている。第２吐出部５２ｙによるインプリント材Ｒの供給を第１工程という。
【００３７】
図５は、第１吐出部５２ｘのみを用いてショット領域にインプリント材Ｒを供給した（第２工程）様子を示す。Ｙ方向にインプリント材Ｒを過不足なくショット領域に配置したときの液滴とショット領域の端部との間の距離を距離ａとする。第１吐出部５２ｘ（第２工程）により配置されたインプリント材Ｒの液滴を黒塗りの丸、第２吐出部５２ｙ（第１工程）により配置されたインプリント材Ｒの液滴を白抜きの丸としている。図５に示すように、基板ＷのＹ方向の移動速度等を制御することにより、第１吐出部５２ｘを用いて、第２吐出部５２ｙだけでは配置できない位置にインプリント材Ｒの液滴が配置できている。
【００３８】
第１工程と第２工程とは、交互に繰り返してもよい。また、第１工程と第２工程との間で、基板Ｗの移動速度、供給部５によるインプリント材Ｒの供給周期を変化させてもよい（第３工程）。当該変化は、第１工程または第2工程の最中に行なってもよい。また、上記実施形態では、第1工程と第２工程とで吐出口を変更する（第４工程）必要があるが、下記の変形例の吐出部によれば、この工程は不要となる。以上の供給方法によれば、インプリント材の供給位置を上下、左右に対称とする上記実施形態に限らず、非対称の供給位置にも対応できる。
【００３９】
本実施形態のインプリント材の供給方法によれば、ショット領域へのインプリント材の供給位置の自由度を向上させて、ショット領域へ過不足なくインプリント材を供給することができる。
〔吐出部の変形例〕
【００４０】
図６〜図８は、吐出部が有する吐出口の配置の変形例を示す。図６は、Ｘ方向およびＹ方向に所定の間隔で並ぶ吐出口６２１のグループを有する吐出部６２を示す。図７は、Ｌ字に並んだ吐出口７２１を有する吐出部７２を示す。図８は、Ｘ方向およびＹ方向と交差するように斜めに吐出口８２１が配置された吐出部８２を示す。いずれの吐出部によっても、上記実施形態と同様の効果を得られる。例えば、吐出部６２によれば、吐出口６２１のうち、Ｙ方向に並んだ吐出口６２１を用いて、Ｘ方向に基板Ｗを移動させてＸ方向に過不足なくインプリント材Ｒを供給することができる。そして、Ｙ方向については、Ｘ方向に並んだ吐出口６２１を用いて、Ｙ方向に基板Ｗを移動させて過不足なくインプリント材Ｒを供給することができる。また、吐出部８２によれば、Ｘ方向に基板Ｗを移動させてＸ方向にインプリント材Ｒを供給する時と、Ｙ方向に基板Ｗを移動させてＹ方向にインプリント材Ｒを供給する時の吐出口８２１の傾斜角度を変えることができる。吐出口８２１を傾けることで、インプリント材Ｒを自由に配置することができる。
【００４１】
（物品製造方法に係る実施形態）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４２】
（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１  インプリント装置
５  供給部
５２ｘ  第１吐出部
５２ｙ  第２吐出部
Ｒ  インプリント材
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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