(57)【要約】【課題】光を照射して硬化させる際に光が直接当たらない部分においても高い反応率が得られ、優れた接着性を得ることができる接着剤組成物、及び接続構造体の製造方法を提供する。【解決手段】ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下である接着剤組成物を使用する。蛍光体が発光することにより、光が直接当たらない部分の光ラジカル重合開始剤がラジカルを発生するため、光が直接当たらない部分においても高い反応率が得られ、優れた接着性を得ることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、アントラセン誘導体、又はクマリン誘導体からなる蛍光体とを含有し、
前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であり、
前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の励起ピーク波長との差が、２０ｎｍ以下である接着剤組成物。
【請求項２】
多官能（メタ）アクリレートからなるラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、
前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下である接着剤組成物。
【請求項３】
前記蛍光体が、アントラセン誘導体、又はクマリン誘導体である請求項２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の励起ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下である請求項２又は３に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
前記蛍光体が、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の励起ピーク波長、及び３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の蛍光ピーク波長を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
前記蛍光体の添加量が、前記光ラジカル重合開始剤１質量部に対し、０．０１質量部以上１質量部以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
第１の支持基板と第２の支持基板とを、ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、アントラセン誘導体、又はクマリン誘導体からなる蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であり、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の励起ピーク波長との差が、２０ｎｍ以下である接着剤組成物を介在させて圧着しながら光照射し、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板とを接着する構造体の製造方法。
【請求項８】
第１の支持基板と第２の支持基板とを、多官能（メタ）アクリレートからなるラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下である接着剤組成物を介在させて圧着しながら光照射し、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板とを接着する構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば回路部材を接続させる接着剤組成物、及構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネルの狭額縁化、ガラス基板の薄型化が図られているため、ＣＯＧ（Chip on Glass）実装時にガラス基板に反りが発生し、ＣＯＧ実装部周辺の液晶画面に色ムラが生じることがある。この色ムラの発生原因は、実装時のＩＣ（Integrated Circuit）とガラス基板との熱膨張量の差であるため、実装温度の低温化が望まれている。低温化実装として、例えば、特許文献１では、紫外線を利用する方法が提案されている。
【０００３】
しかしながら、ガラス基板上の端子上の部分は、紫外線が届き難く、硬化反応が十分に進まないため、優れた接着性が得られないことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３３６０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、光を照射して硬化させる際に光が直接当たらない部分においても高い反応率が得られ、優れた接着性を得ることができる接着剤組成物、及び構造体の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
発明者は、鋭意検討の結果、ラジカル重合型の接着剤組成物に蛍光体を添加することにより、光が直接当たらない部分の反応率を向上させ、優れた接続性が得られることを見出した。
【０００７】
すなわち、本発明に係る接着剤組成物は、ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、アントラセン誘導体、又はクマリン誘導体からなる蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であり、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の励起ピーク波長との差が、２０ｎｍ以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る接着剤組成物は、多官能（メタ）アクリレートからなるラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る構造体の製造方法は、第１の支持基板と第２の支持基板とを、ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、アントラセン誘導体、又はクマリン誘導体からなる蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であり、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の励起ピーク波長との差が、２０ｎｍ以下である接着剤組成物を介在させて圧着しながら光照射し、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板とを接着することを特徴とする。
また、本発明に係る構造体の製造方法は、第１の支持基板と第２の支持基板とを、多官能（メタ）アクリレートからなるラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下である接着剤組成物を介在させて圧着しながら光照射し、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板とを接着することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接着剤組成物に添加された蛍光体が光照射によって発光することにより、光が直接当たらない部分の光ラジカル重合開始剤もラジカルを発生するため、光が直接当たらない部分においても高い反応率が得られ、優れた接着性を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．接着剤組成物
２．接続構造体の製造方法
３．実施例
【００１１】
＜１．接着剤組成物＞
本実施の形態に係る接着剤組成物は、ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の蛍光ピーク波長（発光ピーク波長）との差が、１００ｎｍ以下である。接着剤組成物の形状は、特に限定されないが、フィルム状に成形して接着フィルムとすることが好適な形態として挙げられる。
【００１２】
ラジカル重合性化合物としては、接着剤等の分野で用いられている（メタ）アクリレートから適宜選択して使用することができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリレートとは、アクリル酸エステル（アクリレート）とメタクリル酸エステル（メタクリレート）とを包含する意味である
【００１３】
ラジカル重合性化合物の具体例としては、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ウレタンアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート、２−アクリロイロキシエチルコハク酸、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、イソボルニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ｏ−フタル酸ジグリシジルエーテルアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメタクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、エポキシアクリレート、及びこれらに相当する（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート等が好ましく用いられる。市場で入手可能な具体例としては、東亞合成（株）の商品名「Ｍ−２１５」、新中村化学（株）の商品名「ＤＣＰ」等が挙げられる。
【００１４】
光ラジカル重合開始剤は、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択して使用することができる。光ラジカル重合開始剤としては、例えば、アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
【００１５】
光ラジカル重合開始剤の市場で入手可能な具体例としては、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９、ＢＡＳＦジャパン（株）、吸収ピーク波長：３７０ｎｍ）、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＢＡＳＦジャパン（株）、吸収ピーク波長：３２０ｎｍ）、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９、ＢＡＳＦジャパン（株）、吸収ピーク波長：３２０ｎｍ）、１．２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−,２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］（ＩＲＧＡＣＵＲＥＯＸＥ０１、ＢＡＳＦジャパン（株）、吸収ピーク波長：３６０ｎｍ）、２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＢＡＳＦジャパン（株）、吸収ピーク波長：２４０ｎｍ）、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン（ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３、ＢＡＳＦジャパン（株））、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１、ＢＡＳＦジャパン（株））、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン（ＤＡＲＯＣＵＲ２９５９、ＢＡＳＦジャパン（株））、２−ヒドロキシ−１−｛４−［２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル］−ベンジル｝フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン（イルガキュア（ＩＲＧＡＣＵＲＥ）１２７、ＢＡＳＦジャパン（株））等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
【００１６】
蛍光体としては、例えば、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、アゾール誘導体、チオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、フルオレン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピレン誘導体等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、アントラセン誘導体、クマリン誘導体等が好ましく用いられる。
【００１７】
蛍光体の添加量は、光ラジカル重合開始剤１質量部に対し、０．０１質量部以上１質量部以下であることが好ましい。蛍光体の添加量が少なすぎると光が直接当たらない部分の反応率が低くなり、蛍光体の添加量が多すぎると光ラジカル重合開始剤のラジカル発生を妨げる虞がある。
【００１８】
前述の光ラジカル重合開始剤及び蛍光体は、光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の蛍光ピーク波長との差が、１００ｎｍ以下であるものの中から適宜選択して使用することができる。光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の蛍光ピーク波長との差が１００ｎｍ以下であることにより、蛍光体の発光波長域において、光ラジカル重合開始剤が硬化に十分な量のラジカルを発生させることができるため、光が直接当たらない部分においても高い反応率を得ることができる。
【００１９】
また、光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の励起ピーク波長との差は、１００ｎｍ以下であることが好ましいが、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以下である。光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と蛍光体の励起ピーク波長との差が小さいことにより、長寿命のＬＥＤランプの使用によって、光が直接当たらない部分の硬化が可能となる。
【００２０】
また、蛍光体は、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の励起ピーク波長、及び３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の蛍光ピーク波長を有することが好ましい。３００ｎｍ以上の長波長域は、透過性に優れるため、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の励起ピーク波長を有することにより、接着剤内部に存在する蛍光体も発光させることができる。また、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の蛍光ピーク波長を有することにより、光が直接当たらない部分に存在する光ラジカル重合開始剤を励起させることができる。このような蛍光体の具体例としては、アントラセン（励起ピーク波長：３７５ｎｍ、蛍光ピーク波長：４００ｎｍ）、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン（励起ピーク波長：３２５ｎｍ、蛍光ピーク波長：３８０ｎｍ）等が挙げられる。
【００２１】
また、接着剤組成物に配合する他の添加物として、必要に応じて、膜形成樹脂、シランカップリング剤、アクリルゴム、各種アクリルモノマー等の希釈用モノマー、充填剤、軟化剤、着色剤、難燃化剤、チキソトロピック剤等を配合してもよい。また、導電性フィラーを添加することで導電性接着剤としてもよい。
【００２２】
膜形成樹脂としては、例えば平均分子量が１００００以上の高分子量樹脂に相当し、フィルム形成性の観点から、１００００〜８００００程度の平均分子量であることが好ましい。膜形成樹脂としては、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステルウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂等の種々の樹脂が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、膜形成状態、接続信頼性等の観点からフェノキシ樹脂を好適に用いることが好ましい。
【００２３】
シランカップリング剤としては、エポキシ系、メタクリロキシ系、アミノ系、ビニル系、メルカプト系、スルフィド系、ウレイド系等を挙げることができる。これらの中でも、ガラス、プラスチックに対する接着性の向上の観点から、エポキシ系のシランカップリング剤を好適に用いることができる。市場で入手可能な具体例としては、信越化学工業（株）の商品名「ＫＢＭ−４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）等を挙げることができる。
【００２４】
導電性フィラーとしては、例えば、ニッケル、鉄、銅、アルミニウム、錫、鉛、クロム、コバルト、銀、金等の各種金属や金属合金の粒子、金属酸化物、カーボン、グラファイト、ガラス、セラミック、プラスチック等の粒子の表面に金属をコートしたもの、これらの粒子の表面に更に絶縁薄膜をコートしたもの等が挙げられる。樹脂粒子の表面に金属をコートしたものである場合、樹脂粒子としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の粒子を用いることができる。
【００２５】
＜２．接続構造体の製造方法＞
本実施の形態に係る接続構造体の製造方法は、第１の支持基板上に第１の端子が形成された第１の回路部材と、第２の支持基板上に第２の端子が形成された第２の回路部材とを、ラジカル重合性化合物と、光ラジカル重合開始剤と、蛍光体とを含有し、前記光ラジカル重合開始剤の吸収ピーク波長と前記蛍光体の蛍光ピーク波長（発光ピーク波長）との差が、１００ｎｍ以下である接着剤組成物を介在させて圧着しながら光照射し、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する。
【００２６】
第１の回路部材及び第２の回路部材は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。第１の回路部材としては、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）パネル用途、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用途などのガラス基板、プリント配線板（ＰＷＢ）等を挙げることができる。また、第２の回路部材としては、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＣＯＦ（Chip On Film）などのフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuits）、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）基板等を挙げることができる。
【００２７】
前述の接着剤組成物を用いて、第１の回路部材の第１の端子と第２の回路部材の第２の端子とを接続する場合、例えばヒートツールなどの圧着ツールを用いて、第２の回路部材を押圧しながら紫外線を照射することにより行われる。ここで、所定温度は、圧着時における接着剤組成物の温度をいう。また、所定温度は、８０℃以上１６０℃以下であることが好ましい。
【００２８】
また、圧着ツールにより加熱押圧を開始した後、数秒後に紫外線を照射することが好ましい。これにより、第１の端子と第２の端子との間から接着剤組成物を排除し、端子間で十分な接点を確保した後、接着剤組成物を硬化させることができるため、優れた導通抵抗を得ることができる。
【００２９】
紫外線照射器としては、特に限定されないが、透過性に優れる３００ｎｍ以上の長波長域の紫外線を放射するものであることが好ましい。紫外線照射器としては、３００ｎｍ〜５００ｎｍにピーク波長を有するＬＥＤランプ、３６５ｎｍを主波長とし、２５４ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍの紫外線を放射する水銀ランプ、メタルハライド等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。例えば、蛍光体励起用のランプと、光ラジカル重合開始剤用のランプとを設置してもよい。
【００３０】
また、圧着ツールと第２の回路部材との間に緩衝材を介装して圧着してもよい。緩衝材を介装することにより、押圧ばらつきを低減できると共に、圧着ツールが汚れるのを防止することができる。圧着ツールとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、押圧対象よりも大面積である押圧部材を用いて押圧を１回で行ってもよく、また、押圧対象よりも小面積である押圧部材を用いて押圧を数回に分けて行ってもよい。圧着ツールの先端形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、平面状、曲面状などが挙げられる。なお、先端形状が曲面状である場合、曲面状に沿って押圧することが好ましい。
【実施例】
【００３１】
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、蛍光体を含有する接着フィルムを用いてガラス基板とＩＣとを接続し、接続構造体を作製した。そして、接続構造体のダイシェア強度、及び遮光部の反応率について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３２】
［接着フィルムの作製］
下記より所望の材料を配合した組成物をＰＥＴフィルムに塗布し、乾燥させ、厚み２０μｍの接着フィルムを作製した。
フェノキシ樹脂：ＹＰ５０、新日鉄住金化学（株）
イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート：Ｍ−２１５、東亞合成（株）
トリシクロデカンジメタノールジアクリレート：ＤＣＰ、新中村化学（株）
シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３、信越化学工業（株）
蛍光体Ａ（励起ピーク波長：３７５ｎｍ、蛍光ピーク波長：４００ｎｍ）：アントラセン、和光純薬工業（株）
蛍光体Ｂ（励起ピーク波長：３２５ｎｍ、蛍光ピーク波長：３８０ｎｍ）：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン、和光純薬工業（株）
光ラジカル重合開始剤Ａ（吸収ピーク波長：３７０ｎｍ）：ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９、ＢＡＳＦジャパン（株）
光ラジカル重合開始剤Ｂ（吸収ピーク波長：２４０ｎｍ）：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＢＡＳＦジャパン（株）
光ラジカル重合開始剤Ｃ（吸収ピーク波長：３２０ｎｍ）：ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＢＡＳＦジャパン（株）
光ラジカル重合開始剤Ｄ（吸収ピーク波長：３２０ｎｍ）：ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９、ＢＡＳＦジャパン（株）
光ラジカル重合開始剤Ｅ（吸収ピーク波長：３６０ｎｍ）：ＩＲＧＡＣＵＲＥＯＸＥ０１、ＢＡＳＦジャパン（株）
【００３３】
［接続構造体の作製］
厚み０．５ｍｍのガラス表面にＡｌ端子を形成した評価用のガラス基板を準備した。また、外形１．８ｍｍ×２０ｍｍのＩＣ（バンプ高さ：１５μｍ）を準備した。厚み２０μｍの接着フィルムを、ガラス基板に貼り付け、その上にＩＣを搭載した後、ヒートツールにて１００℃−８０ＭＰａ−５ｓｅｃの条件で押圧しながらガラス基板側からＵＶを照射し、接続構造体を作製した。ＵＶの照射は、３６５ｎｍを主波長とし、２５４ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍの紫外線を放射する水銀ランプを用いて、照度５０ｍＷ／ｃｍ２にて加熱押圧開始から２秒後に開始し、照射開始から３秒後に照射を終了した。
【００３４】
［ダイシェア強度の測定］
ＩＣ／接着フィルム／ガラス基板のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度は、ＩＣをシェアツールで横から水平方向に押し、ＩＣとガラス基板との接合面が破断された時の強度を測定した。ツール速度は、１００μｍ／ｓｅｃとした。
【００３５】
［遮光部の反応率の測定］
接続構造体からＩＣを引き剥がし、端子上の遮光部から接着フィルムのサンプリングを行い、ＨＰＬＣ分析装置を用いて測定した。サンプル０．００５ｍｇをアセトニトリルに溶解し、これを分離カラム（１０ｃｍ、４０℃）に注入し、クロマトグラムを得た。分析条件は以下の通りとした。
アセトニトリル常温抽出−ＨＰＬＣ／ＤＡＤ法
抽出：アセトニトリル  ４０μＬ
機器：ＵＰＬＣ（Ｗａｔｅｒｓ社製）、Ｍｅｔｈｏｄ： Ｈａｎｎｏｕｒｉｔｕ
グラジェント条件：Ａ６０％、Ｂ４０％（１分間保持）→５分後にＡ１％、Ｂ９９％（６分間保持）、Ａは水、Ｂはアセトニトリル
解析波長： ２１０−４００ｎｍ
【００３６】
得られたクロマトグラムからアクリルモノマーの測定強度を求め、予め作成したアクリルモノマーの測定強度と反応率との関係線より、遮光部の反応率を算出した。
【００３７】
＜比較例１＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０ｋｇｆ未満であり、端子上の遮光部の反応率は３％であった。
【００３８】
＜比較例２＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ｂを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は２２ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は１２％であった。
【００３９】
＜実施例１＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．０１質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０２ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８０％であった。
【００４０】
＜実施例２＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．０５質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０３ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８２％であった。
【００４１】
＜実施例３＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．１質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０１ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８８％であった。
【００４２】
＜実施例４＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０５ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は９１％であった。
【００４３】
＜実施例５＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０５ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は９０％であった。
【００４４】
＜実施例６＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを１質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１００ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８９％であった。
【００４５】
＜実施例７＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ｃを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１１１ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８１％であった。
【００４６】
＜実施例８＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ｄを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０７ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８４％であった。
【００４７】
＜実施例９＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ｅを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１００ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８３％であった。
【００４８】
＜実施例１０＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ｂを０．５質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は１０５ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は８５％であった。
【００４９】
＜実施例１１＞
表１に示すように、フェノキシ樹脂を５０質量部、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレートを５０質量部、シランカップリング剤を１質量部、蛍光体Ａを０．００１質量部、光ラジカル重合開始剤Ａを１質量部配合し、接着フィルムを作製した。この接着フィルムを用いて作製した接続構造体のダイシェア強度は３６ｋｇｆであり、端子上の遮光部の反応率は３４％であった。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
比較例１のように蛍光体を添加しなかった場合、端子上の遮光部の反応率が低く、ダイシェア強度も低かった。また、比較例２のように吸収ピーク波長と蛍光ピーク波長とが１００ｎｍ以上離れている場合も、端子上の遮光部の反応率が低く、ダイシェア強度も低かった。
【００５２】
一方、実施例１〜１１のように吸収ピーク波長と蛍光ピーク波長との差が１００ｎｍ以下の場合、端子上の遮光部において反応率が高く、高いダイシェア強度も高かった。また、実施例１〜４，６のように蛍光体の添加量を光ラジカル重合開始剤１質量部に対し、０．０１質量部以上１質量部以下とすることにより、端子上の遮光部において高い反応率を得ることができ、高いダイシェア強度を得ることができた。また、実施例１１のように蛍光体が極少量の場合でも、吸収ピーク波長と蛍光ピーク波長とが１００ｎｍ以上離れている比較例２に比べ、端子上の遮光部の反応率が高く、ダイシェア強度も高く、本発明の効果が確認された。