(57)【要約】【課題】耐タンパー性を向上させた高いセキュリティ対策のなされた電子装置を提供する。【解決手段】電極が形成された第１の回路基板と、複数の電極が形成された第２の回路基板と、前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、を有し、前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置により上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極が形成された第１の回路基板と、
複数の電極が形成された第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、
前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
電極が形成された第１の回路基板と、
第１の電極及び第２の電極が形成された第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の前記第１の電極とを接続する第１のバンプと、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の前記第２の電極とを接続する第２のバンプと、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は直列に接続されており、
前記第１の電極または前記第２の電極のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の電極及び前記第２の電極は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
複数の電極が形成された回路基板と、
複数の電極が形成されたパッケージ基板と、
前記回路基板の電極と前記パッケージ基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、
前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
直列に接続された第１の構造体及び第２の構造体を有し、
前記第１の構造体または前記第２の構造体のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記第２の回路基板には、
直列に接続された前記第１のバンプ及び前記第２のバンプに電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記第２の回路基板には、
直列に接続された前記第１の電極及び前記第２の電極に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の電子装置。
【請求項７】
前記回路基板には、
直列に接続された前記第１のバンプ及び前記第２のバンプに電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
【請求項８】
直列に接続された前記第１の構造体及び前記第２の構造体に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体との間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項９】
熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものは、銅を含む材料と、スズを含む材料とにより形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１０】
熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものは、銅を含む材料と、スズを含む材料との間に、ニッケルを含む材料が設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１１】
制御部と、
電子回路と、
を有し、
前記制御部は、前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された電圧が、所定の範囲内の値である場合には、前記電子回路を動作させ、所定の範囲を超える場合には、前記電子回路を動作させない制御を行うことを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１２】
前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された初期の電圧値を記憶する記憶部を有し、
前記所定の範囲内の値は、前記記憶部に記憶されている初期の電圧値に基づき定められていることを特徴とする請求項１１に記載の電子装置。
【請求項１３】
制御部と、
暗号化データを復号化する復号回路と、
を有し、
前記制御部は、前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された電圧に基づき得られる数値データと、前記暗号化データとともに入力される数値データとが一致している場合には、前記復号回路は、前記暗号化データを復号化して復号化データとして出力することを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子装置と、
前記復号化データの処理を行う情報処理部と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１５】
直列に接続された第１の構造体及び第２の構造体と、電子回路と、を有し、前記第１の構造体または前記第２の構造体のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されている電子装置の制御方法であって、
直列に接続された前記第１の構造体及び前記第２の構造体に電圧を印加する工程と、
前記電圧が印加されている状態で、前記第１の構造体と前記第２の構造体との間の電圧を測定する工程と、
前記測定された電圧が、所定の範囲内の値である場合には、前記電子回路を動作させる工程と、
を有することを特徴とする電子装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、情報処理装置及び電子装置の制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
暗号の秘密鍵といった機密データを内部に保有するようなＩＣ（Integrated  Circuit）では、耐タンパー性を高めることが非常に重要となる。尚、耐タンパー性とは、コンピュータシステム等が持つセキュリティの高さ、外部からの内部解析の困難さを意味する。
【０００３】
ハードウェア的な耐タンパー性を高める方法として、例えば、外部パッドからデータを書き込むＲＯＭ（Read  Only  Memory）回路において、メモリアクセス経路にヒューズ素子を設けておき、一度書き込みを行ったら、そのメモリに至るメモリアクセス経路を切断することで、内部解析を困難にするといった方法が開示されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
また、プロービングによる解析方法を考えた場合、一般にはプローブ針を解析する対象となるＩＣのピンに接触させて、ＩＣを実際に動作させながらオシロスコープで電圧の変化を測定する方法がある。また、ＩＣの内部の露出していない内部ノードの動作を観測するためには、ＩＣをボードから取り外し、内部ノードを露出させてプロービングした後、再度ボードに接続（リワーク）し、動作させながら電圧の測定を行う方法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３３８６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ヒューズ素子をメモリアクセス経路に設けても、プロービングによる内部ノードの電圧の測定を行うことにより解析がなされる場合が考えられるため、セキュリティは万全ではない。
【０００７】
よって、耐タンパー性を向上させた高いセキュリティ対策のなされた電子装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１つの態様では、電子装置は、電極が形成された第１の回路基板と、複数の電極が形成された第２の回路基板と、前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、を有し、前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
１つの側面として、電子装置の耐タンパー性を向上させることにより、セキュリティを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施の形態における電子装置の構造図
【図２】第１の実施の形態における電子装置の構造の説明図
【図３】第１の実施の形態における電子装置の回路図
【図４】不可逆的に電気抵抗が変化する構造体の説明図（１）
【図５】不可逆的に電気抵抗が変化する構造体の説明図（２）
【図６】第１の実施の形態における電子装置の説明図
【図７】第１の実施の形態における電子装置の設定方法のフローチャート
【図８】第１の実施の形態における電子装置の使用方法のフローチャート
【図９】第２の実施の形態における電子装置の構造図
【図１０】第３の実施の形態における電子装置の構造図
【図１１】第３の実施の形態における電子装置の回路図
【図１２】第４の実施の形態における電子装置の構造図
【図１３】第４の実施の形態における電子装置の回路図
【図１４】第５の実施の形態における電子装置の構造図
【図１５】第５の実施の形態における電子装置の設定方法のフローチャート
【図１６】第５の実施の形態における電子装置の使用方法のフローチャート
【図１７】第５の実施の形態における情報処理装置の構造図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
（構造）
第１の実施の形態における電子装置の構造について、図１から図３に基づき説明する。本実施の形態における電子装置は、図１に示されるように、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを有している。
【００１３】
第１の回路基板１０には絶縁体または半導体により形成された基板の一方の面１０ａに金属等により配線１１が形成されている。第１の回路基板１０は、半導体チップ等であってもよく、この場合には、第１の回路基板１０には、半導体素子により論理回路等が形成されているものであってもよい。本願においては、配線１１についても電極と記載する場合がある。
【００１４】
第２の回路基板２０には絶縁体または半導体により形成された基板の一方の面２０ａに金属等により第１の電極２１、第２の電極２２、第３の電極２３が形成されている。第２の回路基板２０は、シリコンにより形成された半導体チップ等であってもよい。第２の回路基板２０には、一方の面２０ａと他方の面２０ｂとを接続するための貫通電極である第１のＴＳＶ（through-silicon  via）２４及び第２のＴＳＶ２５が形成されている。第２の回路基板２０の一方の面２０ａに設けられた第１の電極２１は、第１のＴＳＶ２４の一方の側と接続されており、第２の回路基板２０の一方の面２０ａに設けられた第２の電極２２は、第２のＴＳＶ２５の一方の側と接続されている。
【００１５】
また、第２の回路基板２０には、電圧印加回路３１、電圧測定回路３２、電圧比較部３３等が設けられており、電圧比較部３３には、ＲＯＭ３４、比較回路３５等が設けられている。電圧測定回路３２は、入力された電圧値を測定し、測定した電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換（アナログデジタル変換）機能を有している。ＲＯＭ３４は情報を記憶する記憶部であり、電源を切っても情報の記憶が保持されるＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  Programmable  Read-Only  Memory）やフラッシュメモリ等により形成されている。
【００１６】
電圧印加回路３１の出力は第１のＴＳＶ２４に接続されており、第３の電極２３は電圧測定回路３２の入力に接続されている。電圧測定回路３２の出力は電圧比較部３３に接続されている。電圧比較部３３の出力は制御部６１に接続されており、制御部６１の出力はロジック回路６２に接続されている。
【００１７】
第２の回路基板２０の他方の面２０ｂには、パッケージ基板４０が接続されており、パッケージ基板４０を介し、第１のＴＳＶ２４の他方の面２０ｂ側には、設定用電流源４１が接続されており、第２のＴＳＶ２５の他方の面２０ｂ側は接地電位に接続されている。第１の回路基板１０と第２の回路基板２０は、第１の回路基板１０の一方の面１０ａと第２の回路基板２０の一方の面２０ａとが対向している状態で、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３により接続されている。具体的には、第１の回路基板１０の一方の面１０ａの配線１１と第２の回路基板２０の一方の面２０ａの第１の電極２１とは第１のバンプ５１により接続されている。第１の回路基板１０の一方の面１０ａの配線１１と第２の回路基板２０の一方の面２０ａの第２の電極２２とは第２のバンプ５２により接続されている。第１の回路基板１０の一方の面１０ａの配線１１と第２の回路基板２０の一方の面２０ａの第３の電極２３とは第３のバンプ５３により接続されている。
【００１８】
図２及び図３は、図１に示される電子装置を電子回路として記載したものであり、図２は、図１に示される各々の配置を保った状態での電子回路であり、図３は、更に解りやすくするため、各々の配置を移動した電子回路の回路図である。
【００１９】
本実施の形態においては、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３を形成している材料と、第２のバンプ５２を形成している材料とは異なっている。具体的には、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３に大電流を流した場合、第２のバンプ５２は、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３に比べて、電気抵抗の変化が大きい材料により形成されている。
【００２０】
より詳細に説明すると、大電流を流した場合には、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３は、電気抵抗が殆ど変化しないものにより形成されており、第２のバンプ５２は、不可逆的に電気抵抗が変化するものにより形成されている。即ち、第２のバンプ５２は、熱が加わると不可逆的に電気抵抗が高くなるものにより形成されている。
【００２１】
尚、大電流を流した場合には、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３は不可逆的に電気抵抗は変化するが、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３よりも、第２のバンプ５２は、不可逆的な電気抵抗の変化が大きいものにより形成してもよい。具体的には、熱が加わると、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３よりも、第２のバンプ５２は、不可逆的に電気抵抗が高くなるものにより形成してもよい。
【００２２】
大電流を流した場合、不可逆的に電気抵抗が高くなるものとしては、図４に示されるように、ＣｕとＳｎＡｇ等とを含むバンプ構造体が挙げられる。具体的には、図４（ａ）に示すように、ＣｕとＣｕの間にＳｎＡｇが設けられているバンプ構造体４Ａや、図４（ｂ）に示すように、更に、ＣｕとＳｎＡｇとの間にＮｉが設けられているバンプ構造体４Ｂが挙げられる。バンプ構造体４Ａは、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０との間の一方から他方に向かって、Ｃｕ、ＳｎＡｇ、Ｃｕの順に形成されている。また、バンプ構造体４Ｂは、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０との間の一方から他方に向かって、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕの順に形成されている。
【００２３】
本実施の形態においては、第１の回路基板１０の配線１１や、第２の回路基板２０の第１の電極２１、第２の電極２２、第３の電極２３は、Ａｕにより形成されている。バンプ構造体４ＡにおけるＣｕは、Ａｕの電極パッドの上に形成されたＣｕピラー（柱状構造物）により形成されており、双方から形成されたＣｕピラーの間がＳｎＡｇにより形成されたはんだ材料により接合されているものである。また、バンプ構造体４ＢにおけるＣｕは、Ａｕの電極パッドの上に形成されたＣｕピラーにより形成されており、双方のＣｕピラーの上にはＮｉ膜が形成されており、双方のＮｉ膜の間がＳｎＡｇにより形成されたはんだ材料により接合されているものである。
【００２４】
図５には、図４に示されるバンプ構造体において、電流を流した場合における電気抵抗の不可逆的な変化を示すものである。バンプ構造体４Ａ及びバンプ構造体４Ｂは、大電流を流した場合に、電流の増加に伴い電気抵抗が不可逆的に高くなり、更には、不可逆的な電気抵抗の変化は、バンプ構造体４Ａよりもバンプ構造体４Ｂの方が大きい。これは、バンプ構造体４Ａ及びバンプ構造体４Ｂでは、大電流が流れることにより発熱するため、ＣｕとＳｎＡｇとの間において、電気抵抗が比較的高い金属間化合物Ｃｕ６Ｓｎ５が生成されるからである。更に、バンプ構造体４Ｂでは、ＣｕとＮｉとの間において比較的抵抗の高いＣｕ−Ｎｉ合金が生成されるため、バンプ構造体４Ａよりも、同じ電流を流した場合における不可逆的な電気抵抗の変化は大きくなる。
【００２５】
本実施の形態は、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３は、大電流を流しても電気抵抗の不可逆的な変化が殆どない材料、例えば、ＳｎＡｇにより形成されており、第２のバンプ５２は、電気抵抗の不可逆的な変化があるバンプ構造体４Ａ等により形成されている。尚、本実施の形態は、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３は、バンプ構造体４Ａにより形成されており、第２のバンプ５２は、バンプ構造体４Ａよりも電気抵抗の不可逆的な変化が大きいバンプ構造体４Ｂにより形成されたものであってもよい。また、この逆に、第１のバンプ５１及び第３のバンプ５３は、バンプ構造体４Ｂにより形成されており、第２のバンプ５２は、バンプ構造体４Ｂよりも電気抵抗の不可逆的な変化が小さいバンプ構造体４Ａにより形成されたものであってもよい。更には、大電流を流した場合に電気抵抗が高くなる材料に代えて、大電流を流した場合に電気抵抗が低くなる材料等を用いたものであってもよい。尚、本実施の形態においては、第１のバンプ５１を第１の構造体と記載し、第２のバンプ５２を第２の構造体と記載する場合がある。
【００２６】
（設定方法）
次に、本実施の形態における電子装置の設定方法について説明する。本実施の形態における電子装置は、図１に示されるような電子装置を作製した後、設定用電流源４１より所定の大電流を流した後に使用される。具体的には、第１の回路基板１０の一方の面１０ａの配線１１と、第２の回路基板２０の一方の面２０ａの第１の電極２１、第２の電極２２及び第３の電極２３とを第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３により接続する。具体的には、第１の回路基板１０の配線１１と第２の回路基板２０の第１の電極２１とを第１のバンプ５１により接続し、配線１１と第２の電極２２とを第２のバンプ５２により接続し、配線１１と第３の電極２３とを第３のバンプ５３により接続する。この後、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３の間に、絶縁体の樹脂材料により埋め込んでもよい。
【００２７】
図６は、電圧印加回路３１により印加される電圧Ｖｉｎ及びノードＰにおける電圧Ｖｐの値を示したものである。図６における設定前の状態とは、設定用電流源４１より、第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２に大電流を流す前の状態であり、便宜上、第１のバンプ５１の抵抗Ｒ１と第２のバンプ５２の抵抗Ｒ２は、各々１Ωであるとする。この状態で、電圧印加回路３１により１．２Ｖの電圧を印加すると（Ｖｉｎ＝１．２Ｖ）、第１のバンプ５１と第２のバンプ５２との間のノードＰにおける電圧Ｖｐは、Ｖｐ＝Ｒ２×Ｖｉｎ／（Ｒ１＋Ｒ２）となる。具体的には、Ｒ１＝Ｒ２＝１Ωである場合には、抵抗分割され０．６Ｖとなる。尚、ノードＰにおける電圧Ｖｐは、抵抗Ｒ３の第３のバンプ５３を介し電圧測定回路３２に入力し、電圧測定回路３２より出力され電圧比較部３３に入力する。
【００２８】
この後、設定用電流源４１より、第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２に大電流を流すことにより設定後の状態にする。これにより、第２のバンプ５２の抵抗Ｒ２は高くなり２Ωになったとする。この場合、電圧印加回路３１により１．２Ｖの電圧を印加すると、第１のバンプ５１と第２のバンプ５２との間のノードＰにおける電圧Ｖｐは、Ｒ１＝１Ω、Ｒ２＝２Ωであるため、抵抗分割され０．８Ｖとなる。この状態は、図６における設定後の状態に相当する。このノードＰにおける電圧Ｖｐの値は、電圧測定回路３２においてＡ／Ｄ変換され、この情報は電圧比較部３３におけるＲＯＭ３４に記憶される。
【００２９】
上記における本実施の形態における電子装置の設定方法について、図７に基づき説明する。
【００３０】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３により、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを接続する。
【００３１】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、設定用電流源４１より、第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２に大電流を流すことにより、第２のバンプ５２の抵抗を高くして、ノードＰにおける電圧Ｖｐを設定前の値から変化させ設定後の値にする。
【００３２】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、電圧印加回路３１により電圧を印加し、ノードＰにおける電圧Ｖｐを電圧測定回路３２により測定する。
【００３３】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、ステップ１０６で電圧測定回路３２により測定したバンプ間の電圧であるノードＰにおける電圧Ｖｐを記憶部となるＲＯＭ３４に記憶させる。本願においては、このようにＲＯＭ３４に記憶させる電圧を初期電圧と記載する場合がある。
【００３４】
以上により、本実施の形態における電子装置の設定を行うことができる。
【００３５】
（使用方法）
次に、本実施の形態における電子装置の使用方法について説明する。本実施の形態においては、電子装置を立ち上げた際に、電圧印加回路３１により電圧を印加してノードＰにおける電圧Ｖｐを測定し、測定された電圧ＶｐとＲＯＭ３４に記憶されている設定後の電圧値とが略一致していれば、ロジック回路６２を起動する。この場合、使用等による電気抵抗の変化を考慮し、図６（ａ）の時間経過した場合に示されるように、電圧Ｖｐと設定後の電圧との差が小さい場合にも、ロジック回路６２を起動させてもよい。この電圧変化の差は、Ｖｉｎが１．２Ｖの場合、０．０４Ｖ以下であってもよい。
【００３６】
電子装置の内部情報を取得する方法としては、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３を取り除き、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを分離した後、再度第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを接続することが想定される。具体的には、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３を取り除いた後、同じ材料等のバンプにより、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを接続することによりリワークされた場合を考える。この場合、バンプに設定用電流源４１により所定の大電流が流されていないと、ノードＰにおける電圧Ｖｐの値は、設定前と同じ値となる。即ち、図６（ｂ）のリワーク後に示されるように、電圧Ｖｐの値は設定前の電位Ｖｐの値と同じとなり、設定後のＶｐの値との差が大きくなる。本実施の形態においては、このように測定されたノードＰにおける電圧Ｖｐの値と設定後の電圧Ｖｐとの差が大きい場合、例えば、差が０．３Ｖ以上の場合には、リワークされたものとして、後述するロジック回路６２を起動させないように制御する。これにより、リワークされた電子装置から内部情報を読み取られることを防ぐことができる。
【００３７】
上記における本実施の形態における電子装置の制御について図８に基づき説明する。尚、下記の制御は、制御部６１において行われる。
【００３８】
最初に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、本実施の形態における電子装置を立ち上げた際には、電圧印加回路３１により電圧を印加する。
【００３９】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、第１のバンプ５１と第２のバンプ５２との間のノードＰにおける電圧Ｖｐを測定する。
【００４０】
次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）において、電圧比較部３３の比較回路３５で、測定されたノードＰにおける電圧ＶｐとＲＯＭ３４に記憶されている設定後の電圧値と比較し、その差が所定の範囲内であるか否かを判断する。測定されたノードＰにおける電圧ＶｐとＲＯＭ３４に記憶されている設定後の電圧値との差が所定の範囲内である場合には、ステップ１１８に移行し、差が所定の範囲を超える場合には、ステップ１２０に移行する。
【００４１】
ステップ１１８（Ｓ１１８）では、リワークされていないものと判断し、ロジック回路６２を起動し、このフローは終了する。
【００４２】
ステップ１２０（Ｓ１２０）では、リワークされているものと判断し、ロジック回路６２は起動せず、このフローは終了する。
【００４３】
以上のように、本実施の形態における電子装置は、耐タンパー性を高めることができ、セキュリティを高めることができる。
【００４４】
本実施の形態は、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３等により形成される回路が並列複数設けられているものであってもよい。例えば、１６個の並列回路が設けられているものであって、各々の第２のバンプ５２の抵抗値が異なるように設定されているものであってもよい。
【００４５】
また、本実施の形態における電子装置は、所定の使用時間が経過したら、使用することができないようにすることも可能である。具体的には、本実施の形態における電子装置は、使用の際に第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２に電流が流れ、電流の流れた時間等に伴い電気抵抗の不可逆的な変化が進行するため、抵抗値が変化し、ノードＰにおける電位Ｖｐは徐々に変化する場合がある。このことを用いて、ノードＰにおける電位Ｖｐの電圧値とＲＯＭ３４に記憶されている値との差が所定の範囲を超える場合には、本実施の形態における電子装置を使用することができないような制御を行う。これにより、電子装置が所定の使用時間が経過したら使用できなくなるようにすることも可能である。
【００４６】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態における電子装置の構造について説明する。本実施の形態における電子装置は、図９に示されるように、第１の回路基板１０と第２の回路基板１２０とを有している。
【００４７】
第２の回路基板１２０には絶縁体または半導体により形成された基板の一方の面１２０ａに金属等により第１の電極２１、第２の電極２２、第３の電極２３が形成されている。第２の回路基板１２０は、シリコンにより形成された半導体チップ等であってもよい。第２の回路基板１２０には、一方の面１２０ａと他方の面１２０ｂとを接続するための貫通電極である第１のＴＳＶ１２４及び第２のＴＳＶ１２５が形成されている。第２の回路基板１２０の一方の面１２０ａに設けられた第１の電極２１は、第１のＴＳＶ１２４の一方の側と接続されており、第２の回路基板１２０の一方の面１２０ａに設けられた第２の電極２２は、第２のＴＳＶ１２５の一方の側と接続されている。本実施の形態においては、第１のＴＳＶ１２４を第１の電極または第１の構造体と記載し、第２のＴＳＶ１２５を第２の電極または第２の構造体と記載する場合がある。
【００４８】
また、第２の回路基板１２０には、電圧印加回路３１、電圧測定回路３２、電圧比較部３３等が設けられており、電圧比較部３３には、ＲＯＭ３４、比較回路３５等が設けられている。
【００４９】
電圧印加回路３１の出力は第１のＴＳＶ１２４に接続されており、第３の電極２３は電圧測定回路３２の入力に接続されている。電圧測定回路３２の出力は電圧比較部３３に接続されている。電圧比較部３３の出力は制御部６１に接続されており、制御部６１の出力はロジック回路６２に接続されている。
【００５０】
第２の回路基板１２０の他方の面１２０ｂには、パッケージ基板４０が接続されている。パッケージ基板４０を介し、第１のＴＳＶ１２４の他方の面１２０ｂ側には、設定用電流源４１が接続されており、第２のＴＳＶ１２５の他方の面１２０ｂ側は接地電位に接続されている。第１の回路基板１０と第２の回路基板１２０は、第１の回路基板１０の一方の面１０ａと第２の回路基板１２０の一方の面１２０ａとが対向している状態で、第１のバンプ１５１、第２のバンプ１５２及び第３のバンプ１５３により接続されている。本実施の形態においては、第１のバンプ１５１、第２のバンプ１５２及び第３のバンプ１５３は、同じ材料、例えば、ＳｎＡｇ等により形成されている。
【００５１】
本実施の形態においては、第１のＴＳＶ１２４を形成している材料と、第２のＴＳＶ１２５を形成している材料とは異なっている。即ち、第１のＴＳＶ１２４及び第２のＴＳＶ１２５に大電流を流した場合、第２のＴＳＶ１２５は、第１のＴＳＶ１２４に比べて、電気抵抗の変化が大きい材料により形成されている。
【００５２】
具体的には、第１のＴＳＶ１２４は、大電流を流しても電気抵抗の不可逆的な変化が殆どない材料、例えば、Ｃｕにより形成されており、第２のＴＳＶ１２５は、電気抵抗が不可逆的な変化をするバンプ構造体４Ａ等により形成されている。尚、本実施の形態は、第１のＴＳＶ１２４は、バンプ構造体４Ａにより形成されており、第２のＴＳＶ１２５は、バンプ構造体４Ａよりも電気抵抗の不可逆的な変化が大きいバンプ構造体４Ｂにより形成されたものであってもよい。
【００５３】
本実施の形態は、第１の実施の形態とは異なり、最初に、第２のＴＳＶ１２５の抵抗値を変化させる必要はない。具体的には、本実施の形態における電子装置においてリワークを行う際には、第１のバンプ１５１、第２のバンプ１５２及び第３のバンプ１５３に熱を加え第１の回路基板１０と第２の回路基板１２０とを分離する。この際、加えられた熱は、第１のＴＳＶ１２４及び第２のＴＳＶ１２５にも加わり、これにより、第２のＴＳＶ１２５の抵抗値が変化する。従って、この後、第１のバンプ１５１、第２のバンプ１５２及び第３のバンプ１５３を用いて、第１の回路基板１０と第２の回路基板１２０とを接続しても、第１のＴＳＶ１２４と第２のＴＳＶ１２５との間の電圧Ｖｐは、最初の状態とは異なっている。従って、最初の状態の電圧Ｖｐとの差が所定の範囲内にあるか否かにより、ロジック回路６２を起動するか否かを制御することにより、第１の実施の形態と同様に、耐タンパー性を高めることができ、セキュリティを高めることができる。
【００５４】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００５５】
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態における電子装置の構造について、図１０に基づき説明する。本実施の形態における電子装置は、図１０に示されるように、回路基板２２０とパッケージ基板２４０とを有するものである。
【００５６】
回路基板２２０には絶縁体または半導体により形成された基板の一方の面２２０ａには、金属等により第１の電極２２１、第２の電極２２２、第３の電極２２３が形成されている。回路基板２２０は、シリコンにより形成された半導体チップ等であってもよい。回路基板２２０には、電圧印加回路３１、電圧測定回路３２、電圧比較部３３等が設けられており、電圧比較部３３には、ＲＯＭ３４、比較回路３５等が設けられている。
【００５７】
電圧印加回路３１の出力は第１の電極２２１に接続されており、第２の電極２２２は電圧測定回路３２の入力に接続されている。
【００５８】
パッケージ基板２４０の一方の面２４０ａには、金属等により第１の電極２４１、第２の電極２４２、第３の電極２４３が形成されている。
【００５９】
本実施の形態では、回路基板２２０の一方の面２２０ａとパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａとが対向している状態で、第１のバンプ２５１、第２のバンプ２５２、第３のバンプ２５３、第４のバンプ２５４及び第５のバンプ２５５により接続されている。
【００６０】
具体的には、回路基板２２０の一方の面２２０ａの第１の電極２２１とパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａの第１の電極２４１とは第１のバンプ２５１により接続されている。回路基板２２０の一方の面２２０ａの第１の電極２２１とパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａの第２の電極２４２とは第２のバンプ２５２により接続されている。回路基板２２０の一方の面２２０ａの第２の電極２２２とパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａの第２の電極２４２とは第３のバンプ２５３により接続されている。回路基板２２０の一方の面２２０ａの第３の電極２２３とパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａの第２の電極２４２とは第４のバンプ２５４により接続されている。回路基板２２０の一方の面２２０ａの第３の電極２２３とパッケージ基板２４０の一方の面２４０ａの第３の電極２４３とは第５のバンプ２５５により接続されている。
【００６１】
パッケージ基板２４０の第１の電極２４１には設定用電流源４１が接続されており、第３の電極２４３は接地電位に接続されている。
【００６２】
本実施の形態においては、第１のバンプ２５１、第２のバンプ２５２及び第３のバンプ２５３を形成している材料と、第４のバンプ２５４及び第５のバンプ２５５を形成している材料とは異なっている。具体的には、これらのバンプに大電流を流した場合、第４のバンプ２５４及び第５のバンプ２５５は、第１のバンプ２５１、第２のバンプ２５２及び第３のバンプ２５３に比べて、不可逆的な電気抵抗の変化が大きい材料により形成されている。
【００６３】
より詳細に説明すると、大電流を流した場合、第１のバンプ２５１、第２のバンプ２５２及び第３のバンプ２５３は、電気抵抗が殆ど変化しないものにより形成されている。これに対し、第４のバンプ２５４及び第５のバンプ２５５は、大電流を流した場合に不可逆的に電気抵抗が変化するもの、具体的には、不可逆的に電気抵抗が高くなるものにより形成されている。
【００６４】
尚、本実施の形態は、大電流を流した場合、第１のバンプ２５１、第２のバンプ２５２及び第３のバンプ２５３よりも、第４のバンプ２５４及び第５のバンプ２５５は、不可逆的な電気抵抗の変化が大きいものであってもよい。具体的には、不可逆的に電気抵抗が高くなるものであってもよい。
【００６５】
図１１は、図１０に示される電子装置を電子回路として記載したものである。本実施の形態における電子装置は、抵抗Ｒ１１の第１のバンプ２５１と抵抗Ｒ１２の第２のバンプ２５２とが直列に接続されている部分が、第１の実施の形態における電子装置の第１のバンプ５１に相当する。また、抵抗Ｒ１３の第３のバンプ２５３が、第１の実施の形態における電子装置の第３のバンプ５３に相当する。また、抵抗Ｒ１４の第４のバンプ２５４と抵抗Ｒ１５の第５のバンプ２５５とが直列に接続されている部分が、第１の実施の形態における電子装置の第２のバンプ５２に相当する。
【００６６】
本実施の形態においては、設定の際には、最初に設定用電流源４１よりバンプに大電流を流すことにより、第４のバンプ２５４の抵抗Ｒ１４及び第５のバンプ２５５と抵抗Ｒ１５を高くし、ノードＰにおける電位Ｖｐが高くなるように設定して使用する。
【００６７】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００６８】
〔第４の実施の形態〕
第４の実施の形態における電子装置の構造について、図１２に基づき説明する。本実施の形態における電子装置は、図１２に示されるように、回路基板３２０とパッケージ基板３４０とを有するものである。
【００６９】
回路基板３２０には絶縁体または半導体により形成された基板の一方の面３２０ａには、金属等により第１の電極３２１、第２の電極３２２、第３の電極３２３が形成されている。回路基板３２０は、シリコンにより形成された半導体チップ等であってもよい。回路基板３２０には、電圧印加回路３１、電圧測定回路３２、電圧比較部３３等が設けられており、電圧比較部３３には、ＲＯＭ３４、比較回路３５等が設けられている。
【００７０】
電圧印加回路３１の出力及び設定用電流源４１は第１の電極３２１に接続されており、第２の電極３２２は電圧測定回路３２の入力に接続されている。
【００７１】
パッケージ基板３４０の一方の面３４０ａには、金属等により第１の電極３４１、第２の電極３４２が形成されている。
【００７２】
本実施の形態においては、回路基板３２０の一方の面３２０ａとパッケージ基板３４０の一方の面３４０ａとが対向している状態で、第１のバンプ３５１、第２のバンプ３５２、第３のバンプ３５３及び第４のバンプ３５４により接続されている。
【００７３】
具体的には、回路基板３２０の一方の面３２０ａの第１の電極３２１とパッケージ基板３４０の一方の面３４０ａの第１の電極３４１とは第１のバンプ３５１により接続されている。回路基板３２０の一方の面３２０ａの第２の電極３２２とパッケージ基板３４０の一方の面３４０ａの第１の電極３４１とは第２のバンプ３５２により接続されている。回路基板３２０の一方の面３２０ａの第３の電極３２３とパッケージ基板３４０の一方の面３４０ａの第１の電極３４１とは第３のバンプ３５３により接続されている。回路基板３２０の一方の面３２０ａの第３の電極３２３とパッケージ基板３４０の一方の面３４０ａの第２の電極３４２とは第４のバンプ３５４により接続されている。パッケージ基板３４０の第２の電極３４２は接地電位に接続されている。
【００７４】
本実施の形態においては、第１のバンプ３５１及び第２のバンプ３５２を形成している材料と、第３のバンプ３５３及び第４のバンプ３５４を形成している材料とは異なっている。具体的には、これらのバンプに大電流を流した場合、第３のバンプ３５３及び第４のバンプ３５４は、第１のバンプ３５１及び第２のバンプ３５２に比べて、不可逆的な電気抵抗の変化が大きい材料により形成されている。
【００７５】
より詳細に説明すると、大電流を流した場合、第１のバンプ３５１及び第２のバンプ３５２は、電気抵抗が殆ど変化しないものにより形成されている。これに対し、第３のバンプ３５３及び第４のバンプ３５４は、大電流を流した場合に不可逆的に電気抵抗が変化するもの、具体的には、不可逆的に電気抵抗が高くなるものにより形成されている。
【００７６】
尚、本実施の形態は、大電流を流した場合、第１のバンプ３５１及び第２のバンプ３５２よりも、第３のバンプ３５３及び第４のバンプ３５４は、不可逆的な電気抵抗の変化が大きいものであってもよい。具体的には、不可逆的に電気抵抗が高くなるものであってもよい。
【００７７】
図１３は、図１２に示される電子装置を電子回路として記載したものである。本実施の形態における電子装置は、抵抗Ｒ２１の第１のバンプ３５１が、第１の実施の形態における電子装置の第１のバンプ５１に相当する。また、抵抗Ｒ２２の第２のバンプ３５２が、第１の実施の形態における電子装置の第３のバンプ２５３に相当する。また、抵抗Ｒ２３の第３のバンプ３５３と抵抗Ｒ２４の第４のバンプ３５４とが直列に接続されている部分が、第１の実施の形態における電子装置の第２のバンプ５２に相当する。
【００７８】
本実施の形態においては、設定の際には、最初に設定用電流源４１よりバンプに大電流を流すことにより、第３のバンプ３５３の抵抗Ｒ２３及び第４のバンプ３５４と抵抗Ｒ２４を高くし、ノードＰにおける電位Ｖｐが高くなるように設定して使用する。
【００７９】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００８０】
〔第５の実施の形態〕
次に、第５の実施の形態における電子装置について説明する。本実施の形態における電子装置４００は、図１４に示されるように、第１の実施の形態における電子装置の電圧比較部３３に代えて復号回路４３３が設けられている構造のものである。
【００８１】
本実施の形態においては、電圧測定回路３２において測定された電圧値を秘密鍵として用いるものである。具体的には、電圧測定回路３２において測定された電圧値を秘密鍵のビット列を生成するための数値データとして使用する。外部より入力されたデータの秘密鍵に対応するデータが秘密鍵と一致等した場合には、入力された暗号化データは復号回路４３３において復号され復号化データとして出力される。本実施の形態においては、このような制御を行う制御部４６１が設けられていてもよい。
【００８２】
次に、本実施の形態における電子装置の設定方法について、図１５に基づき説明する。
【００８３】
最初に、ステップ２０２（Ｓ２０２）において、第１のバンプ５１、第２のバンプ５２及び第３のバンプ５３により、第１の回路基板１０と第２の回路基板２０とを接続する。
【００８４】
次に、ステップ２０４（Ｓ２０４）において、設定用電流源４１より、第１のバンプ５１及び第２のバンプ５２に大電流を流すことにより、第２のバンプ５２の電気抵抗を高くして、ノードＰにおける電圧Ｖｐを設定前の値から変化させ設定後の値にする。
【００８５】
次に、ステップ２０６（Ｓ２０６）において、電圧印加回路３１により電圧を印加し、バンプ間の電圧、即ち、ノードＰにおける電圧Ｖｐを電圧測定回路３２により測定する。測定された電圧Ｖｐの値は、外部から暗号化データを入力し復号する際に用いるため、読み取って記録しておいてもよい。
【００８６】
次に、本実施の形態における電子装置の使用方法について、図１６に基づき説明する。
【００８７】
最初に、ステップ２１２（Ｓ２１２）において、暗号化データが入力されると、電圧印加回路３１により電圧を印加する。
【００８８】
次に、ステップ２１４（Ｓ２１４）において、第１のバンプ５１と第２のバンプ５２との間のノードＰにおける電圧Ｖｐを測定する。
【００８９】
次に、ステップ２１６（Ｓ２１６）において、暗号化データとともに入力された秘密鍵に対応するデータが、電圧Ｖｐより得られた秘密鍵となる数値データと一致しているか否かが判断される。入力された秘密鍵に対応するデータが、秘密鍵となる数値データと一致している場合にはステップ２１８に移行し、一致していない場合には入力された暗号化データを復号化することなく終了する。
【００９０】
ステップ２１８（Ｓ２１８）では、復号回路４３３において、入力された暗号化データを復号化し復号化データとして出力する。
【００９１】
次に、本実施の形態における電子装置４００を用いたセキュリティシステムについて、図１７に基づき説明する。このセキュリティシステムは、コンピュータ等の情報処理装置４５０内のボード４７０に、本実施の形態における電子装置４００を搭載したものである。ボード４７０には、本実施の形態における電子装置４００の他、ネットワークチップ４７１、ＣＰＵ４７２、メモリ４７３が搭載されており、ボード４７０にはネットワークケーブル４８０が接続されている。ネットワークケーブル４８０は、インターネット等のネットワークに接続されている。本願においては、ＣＰＵ４７２を情報処理部と記載する場合がある。
【００９２】
本実施の形態においては、ネットワークから入ってくるデータのうち、暗号化されているデータは、暗号化チップとなる本実施の形態における電子装置４００において復号化された後、使用される。具体的には、ネットワークから入ってくるデータのうち、暗号化されているデータについては、本実施の形態における電子装置４００における秘密鍵となる数値データと一致等している対応するデータを有している場合には復号化し、ＣＰＵ４７２に出力する。秘密鍵となる数値データと一致等していない場合には、暗号化されたデータは復号化されない。本実施の形態においては、秘密鍵となる数値データがＲＯＭ等に記憶されてはいないため、耐タンパー性を高めることができる。
【００９３】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態は、第２から第４の実施の形態における電子装置の電圧比較部３３を復号回路４３３に置き換えたものを用いてもよい。第２の実施の形態における電子装置の電圧比較部３３を復号回路４３３に置き換えたものを用いる場合には、上記のような設定を行ってもよい。
【００９４】
以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【００９５】
上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
電極が形成された第１の回路基板と、
複数の電極が形成された第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、
前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
（付記２）
電極が形成された第１の回路基板と、
第１の電極及び第２の電極が形成された第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の前記第１の電極とを接続する第１のバンプと、
前記第１の回路基板の電極と前記第２の回路基板の前記第２の電極とを接続する第２のバンプと、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は直列に接続されており、
前記第１の電極または前記第２の電極のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の電極及び前記第２の電極は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
（付記３）
複数の電極が形成された回路基板と、
複数の電極が形成されたパッケージ基板と、
前記回路基板の電極と前記パッケージ基板の電極とを接続する第１のバンプ及び第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプと前記第２のバンプは直列に接続されており、
前記第１のバンプまたは前記第２のバンプのいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１のバンプ及び前記第２のバンプは、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
（付記４）
直列に接続された第１の構造体及び第２の構造体を有し、
前記第１の構造体または前記第２の構造体のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されていることを特徴とする電子装置。
（付記５）
前記第２の回路基板には、
直列に接続された前記第１のバンプ及び前記第２のバンプに電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする付記１に記載の電子装置。
（付記６）
前記第２の回路基板には、
直列に接続された前記第１の電極及び前記第２の電極に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする付記２に記載の電子装置。
（付記７）
前記回路基板には、
直列に接続された前記第１のバンプ及び前記第２のバンプに電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１のバンプと前記第２のバンプとの間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする付記３に記載の電子装置。
（付記８）
直列に接続された前記第１の構造体及び前記第２の構造体に電圧を印加する電圧印加回路と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体との間の電圧を測定する電圧測定回路と、
を有することを特徴とする付記４に記載の電子装置。
（付記９）
熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものは、銅を含む材料と、スズを含む材料とにより形成されていることを特徴とする付記１から８のいずれかに記載の電子装置。
（付記１０）
熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものは、銅を含む材料と、スズを含む材料との間に、ニッケルを含む材料が設けられていることを特徴とする付記１から８のいずれかに記載の電子装置。
（付記１１）
制御部と、
電子回路と、
を有し、
前記制御部は、前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された電圧が、所定の範囲内の値である場合には、前記電子回路を動作させ、所定の範囲を超える場合には、前記電子回路を動作させない制御を行うことを特徴とする付記５から８のいずれかに記載の電子装置。
（付記１２）
前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された初期の電圧値を記憶する記憶部を有し、
前記所定の範囲内の値は、前記記憶部に記憶されている初期の電圧値に基づき定められていることを特徴とする付記１１に記載の電子装置。
（付記１３）
制御部と、
暗号化データを復号化する復号回路と、
を有し、
前記制御部は、前記電圧印加回路により電圧を印加して、前記電圧測定回路により測定された電圧に基づき得られる数値データと、前記暗号化データとともに入力される数値データとが一致している場合には、前記復号回路は、前記暗号化データを復号化して復号化データとして出力することを特徴とする付記５から８のいずれかに記載の電子装置。
（付記１４）
付記１３に記載の電子装置と、
前記復号化データの処理を行う情報処理部と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
（付記１５）
直列に接続された第１の構造体及び第２の構造体と、電子回路と、を有し、前記第１の構造体または前記第２の構造体のいずれか一方は、熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものにより形成されている、または、前記第１の構造体及び前記第２の構造体は、ともに熱により電気抵抗が不可逆的に変化するものであって、熱による電気抵抗の不可逆的な変化が、一方より他方の方が大きいものにより形成されている電子装置の制御方法であって、
直列に接続された前記第１の構造体及び前記第２の構造体に電圧を印加する工程と、
前記電圧が印加されている状態で、前記第１の構造体と前記第２の構造体との間の電圧を測定する工程と、
前記測定された電圧が、所定の範囲内の値である場合には、前記電子回路を動作させる工程と、
を有することを特徴とする電子装置の制御方法。
【符号の説明】
【００９６】
１０        第１の回路基板
１０ａ      一方の面
１１        配線
２０        第２の回路基板
２０ａ      一方の面
２０ｂ      他方の面
２１        第１の電極
２２        第２の電極
２３        第３の電極
２４        第１のＴＳＶ
２５        第２のＴＳＶ
３１        電圧印加回路
３２        電圧測定回路
３３        電圧比較部
３４        ＲＯＭ
３５        比較回路
４０        パッケージ基板
５１        第１のバンプ
５２        第２のバンプ
５３        第３のバンプ
６１        制御部
６２        ロジック回路
【図１】
2019016950.tif 000003
【図２】
2019016950.tif 000004
【図３】
2019016950.tif 000005
【図４】
2019016950.tif 000006
【図５】
2019016950.tif 000007
【図６】
2019016950.tif 000008
【図７】
2019016950.tif 000009
【図８】
2019016950.tif 000010
【図９】
2019016950.tif 000011
【図１０】
2019016950.tif 000012
【図１１】
2019016950.tif 000013
【図１２】
2019016950.tif 000014
【図１３】
2019016950.tif 000015
【図１４】
2019016950.tif 000016
【図１５】
2019016950.tif 000017
【図１６】
2019016950.tif 000018
【図１７】
2019016950.tif 000019