(57)【要約】【課題】小径ウェーハを容易に入手することを可能とするウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、円盤形状のウェーハからウェーハよりも外径の小さい円盤形状の小径ウェーハを切り出す加工方法であって、ウェーハ両面に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成ステップＳＴ１と、熱酸化膜形成ステップＳＴ１を実施した後に、ウェーハにレーザー光線を照射して複数の小径ウェーハを切り出す切り出しステップＳＴ２と、切り出しステップＳＴ２を実施した後に、小径ウェーハの外周エッジを形成するエッジ形成ステップＳＴ３と、エッジ形成ステップＳＴ３を実施した後に、熱酸化膜を除去する酸化膜除去ステップＳＴ４とを備える。【選択図】図３
2019016736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤形状のウェーハから該ウェーハよりも外径の小さい円盤形状の小径ウェーハを切り出すウェーハの加工方法であって、
該ウェーハ両面に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成ステップと、
該熱酸化膜形成ステップを実施した後に、該ウェーハにレーザー光線を照射して複数の小径ウェーハを切り出す切り出しステップと、
該切り出しステップを実施した後に、小径ウェーハの外周エッジを形成するエッジ形成ステップと、
該エッジ形成ステップを実施した後に、熱酸化膜を除去する酸化膜除去ステップと、
を備えるウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大径ウェーハから複数の小径ウェーハを切り出すウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
円盤形状のウェーハ、例えば、シリコンウェーハは、インゴットから切り出されて製造されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００５／０７６３３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、例えば、外径が３インチ以下の小径ウェーハが望まれている。しかしながら、ウェーハは、外径が２００ｍｍ又は３００ｍｍであるものが主流であるために、前述した小径ウェーハを入手しずらいという問題がある。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、小径ウェーハを容易に入手することを可能とするウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、円盤形状のウェーハから該ウェーハよりも外径の小さい円盤形状の小径ウェーハを切り出すウェーハの加工方法であって、該ウェーハ両面に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成ステップと、該熱酸化膜形成ステップを実施した後に、該ウェーハにレーザー光線を照射して複数の小径ウェーハを切り出す切り出しステップと、該切り出しステップを実施した後に、小径ウェーハの外周エッジを形成するエッジ形成ステップと、該エッジ形成ステップを実施した後に、熱酸化膜を除去する酸化膜除去ステップと、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明のウェーハの加工方法は、ウェーハから複数の小径ウェーハを切り出すので、小径ウェーハを容易に入手することを可能とすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示されたウェーハから切り出される小径ウェーハの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示されたウェーハの加工方法の熱酸化膜形成ステップを示す断面図である。
【図５】図５は、図３に示されたウェーハの加工方法の熱酸化膜形成ステップ後のウェーハの断面図である。
【図６】図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて小径ウェーハの外縁に沿って改質層を形成する状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて改質層が形成されたウェーハの断面図である。
【図８】図８は、図７に示されたウェーハを分割装置に保持した状態を示す断面図である。
【図９】図９は、図８に示された分割装置がウェーハを改質層に沿って分割している状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図８に示された分割装置の押圧手段及び突き上げ手段の位置関係を示す説明図である。
【図１１】図１１は、図８に示された分割装置がウェーハを改質層に沿って分割している状態を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて改質層に沿って分割されたウェーハの断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示されたウェーハから切り出された小径ウェーハの断面図である。
【図１４】図１４は、図３に示されたウェーハの加工方法のエッジ形成ステップを示す断面図である。
【図１５】図１５は、図３に示されたウェーハの加工方法の酸化膜除去ステップ後の小径ウェーハの断面図である。
【図１６】図１６は、実施形態１の変形例３に係るウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて、分割装置がウェーハを分割している状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１０】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハから切り出される小径ウェーハの斜視図である。
【００１１】
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法は、被加工物である１枚の図１に示す円盤状のウェーハ１からウェーハ１よりも外径１１の小さい円盤形状の図２に示す小径ウェーハ１０を複数枚切り出す方法である。実施形態１に係るウェーハの加工対象であるウェーハ１は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などを基板とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコンを基板とする円板状の半導体ウェーハである。また、実施形態１において、小径ウェーハ１０の外径１１は、例えば、１０ｍｍ以上でかつ３インチ以下である。
【００１２】
図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、図３に示すように、熱酸化膜形成ステップＳＴ１と、切り出しステップＳＴ２と、エッジ形成ステップＳＴ３と、酸化膜除去ステップＳＴ４とを備える。
【００１３】
（熱酸化膜形成ステップ）
図４は、図３に示されたウェーハの加工方法の熱酸化膜形成ステップを示す断面図である。図５は、図３に示されたウェーハの加工方法の熱酸化膜形成ステップ後のウェーハの断面図である。
【００１４】
熱酸化膜形成ステップＳＴ１は、ウェーハ１の基板の両面２，３に図５に示す熱酸化膜５を形成するステップである。熱酸化膜形成ステップＳＴ１では、図４に示すように、両面２，３が互いに間隔をあけて平行な状態で複数のウェーハ１を熱酸化炉２０の支持部材２１が支持する。熱酸化膜形成ステップＳＴ１では、複数のウェーハ１を支持部材２１毎、熱酸化炉２０の石英管２２内に収容する。熱酸化膜形成ステップＳＴ１では、酸素ガス又は脱イオン水蒸気を含んだ酸素ガスを石英管２２内に供給し、石英管２２を囲んだヒータである電気炉２３が均熱管２４及び石英チューブ２５を介して石英管２２及び石英管２２内のウェーハ１を加熱する。すると、熱酸化膜形成ステップＳＴ１では、ウェーハ１を構成するシリコンと酸素とが化学反応を起こして、図５に示すように、ウェーハ１の両面２，３にＳｉＯ２からなる熱酸化膜５が生成される。
【００１５】
なお、実施形態１において、熱酸化膜形成ステップＳＴ１では、石英管２２内にウェーハ１を垂直方向に間隔をあけて配置する縦型の熱酸化炉２０を用いているが、本発明では、石英管２２内にウェーハ１を水平方向に間隔をあけて配置する横型の熱酸化炉を用いても良い。なお、縦型の熱酸化炉２０は、横型の熱酸化炉に対して、大径なウェーハ１に熱酸化膜５を形成することに適する点、石英管２２内の酸素ガス又は脱イオン水蒸気を含んだ酸素ガスの流れが均一になる点、ウェーハ１の温度分布が良好で熱酸化膜５の膜厚分布が均一になる点、ウェーハ１の出し入れ時に外部空気の巻き込みが少ない点、及び挿入出時に石英管２２との接触がないので発塵がない点などの利点がある。
【００１６】
また、実施形態１において、石英管２２内の温度は、８００℃以上でかつ１１００℃まで加熱され、熱酸化膜５の厚さ６は、１μｍに形成される。実施形態１において、熱酸化膜５は、ウェーハ１の基板を保護するものである。また、熱酸化膜５は、切り出しステップＳＴ２においてウェーハ１に照射されるレーザー光線３０（図６に示す）の透過率がウェーハ１の基板を構成するシリコンよりも高く、レーザー光線３０の反射率がウェーハ１の基板を構成するシリコンよりも低い。加工方法は、熱酸化膜形成ステップＳＴ１後、切り出しステップＳＴ２に進む。
【００１７】
（切り出しステップ）
図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて小径ウェーハの外縁に沿って改質層を形成する状態を示す斜視図である。図７は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて改質層が形成されたウェーハの断面図である。図８は、図７に示されたウェーハを分割装置に保持した状態を示す断面図である。図９は、図８に示された分割装置がウェーハを改質層に沿って分割している状態を示す断面図である。図１０は、図８に示された分割装置の押圧手段及び突き上げ手段の位置関係を示す説明図である。図１１は、図８に示された分割装置がウェーハを改質層に沿って分割している状態を示す断面図である。図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて改質層に沿って分割されたウェーハの断面図である。図１３は、図１２に示されたウェーハから切り出された小径ウェーハの断面図である。
【００１８】
切り出しステップＳＴ２は、熱酸化膜形成ステップＳＴ１を実施した後に、ウェーハ１にレーザー光線３０を照射してウェーハ１から複数の小径ウェーハ１０を切り出すステップである。切り出しステップＳＴ２では、図６に示すように、ウェーハ１をレーザー加工装置３１のチャックテーブル３２が吸引保持する。切り出しステップＳＴ２では、レーザー加工装置３１は、レーザー光線３０を照射するレーザー光線照射ユニット３３とチャックテーブル３２とをウェーハ１から切り出される複数の小径ウェーハ１０の図６に点線で示す外縁に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット３３からウェーハ１に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ等）のレーザー光線３０を照射する。切り出しステップＳＴ２では、レーザー加工装置３１は、図７に示すように、ウェーハ１の内部に複数の小径ウェーハ１０の外縁に沿って破断起点となる改質層１００を形成する。なお、改質層１００とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
【００１９】
切り出しステップＳＴ２では、図８に示すように、改質層１００が形成されたウェーハ１の一方の面２を環状フレーム２００に装着された保護テープ２０１に貼着し、ウェーハ１を環状フレーム２００で保持する。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０の磁力を有するフレーム保持部材４１の保持面４２に保護テープ２０１を介して環状フレーム２００を載置し、磁力によって環状フレーム２００を保持面４２上に保持する。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、図示しない検出ユニットによってウェーハ１に形成された改質層１００を検出し、フレーム保持部材４１を移動させる図示しない移動ユニットを駆動させて、フレーム保持部材４１とウェーハ１とをＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動させてアライメントを遂行する。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、図８に示すように、アライメントによってウェーハ１の最初に分割される改質層１００の上方に押圧手段４３、下方に突き上げ手段４４を配置し、ウェーハ１を挟んで押圧手段４３と突き上げ手段４４とが対向するように位置付ける。
【００２０】
切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、図９に示すように、突き上げ進退手段４５を駆動させ、突き上げ手段４４を上昇させてウェーハ１に押圧する。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、保護テープ２０１を介してウェーハ１を一方の面２側から突き上げて、他方の面３側が山側となるように改質層１００で折り曲げて、ウェーハ１を改質層１００で分割する力を加える。また、切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、他方の面３側が山側となるようにウェーハ１を折り曲げると同時に、押圧進退手段４６を駆動させ、押圧手段４３を下降させてウェーハ１に押圧する。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、ウェーハ１に上方から押圧する力を加え、突き上げ手段４４と押圧手段４３とでウェーハ１を上下方向から挟むように押圧して改質層１００に沿ってウェーハ１を分割する。このとき、分割装置４０は、押圧手段４３がウェーハ１を上方から押さえ付けるので、突き上げ手段４４による改質層１００での折り曲げ角度を小さくさせ、改質層１００から両面２，３に伸びる亀裂１０１を生じさせ易くすることができる。
【００２１】
なお、分割装置４０は、改質層１００に沿ってウェーハ１を分割する際、図１０に示すように、押圧手段４３の下端に設けられた４体の接触体４７が２行２列となって並ぶ４枚の小径ウェーハ１０に接触するように位置付けられ、これら４つの小径ウェーハ１０を上方から押さえ付ける。分割装置４０は、押圧手段４３の４体の接触体４７に対して、突き上げ手段４４の上端に回転可能に装着されたボール部材４８は、４つの小径ウェーハ１０の外縁によって囲まれる部分１０２に点状に接触する。従って、分割装置４０は、突き上げ手段４４による突き上げによって部分１０２を持ち上げものの、各接触体４７によって上から小径ウェーハ１０を押さえ付けるので、部分１０２を形成する改質層１００に亀裂１０１を生じさせる力を増大させて、亀裂１０１を熱酸化膜５の表面まで生じさせて、ウェーハ１を分割する。なお、小径ウェーハ１０の形成数が図１０に示す状態より１枚ないし３枚少なくなる場合には、これに応じて接触体４７が接触する小径ウェーハ１０も少なくなる。
【００２２】
また、分割装置４０は、図９に示すように、ウェーハ１を押圧している状態で、移動ユニットによってウェーハ１に対して突き上げ手段４４を相対移動させてもよい。例えば、分割装置４０は、図１０の矢印で示すように、ボール部材４８の接触位置の軌跡が部分１０２の外縁に沿うように、ウェーハ１に対して突き上げ手段４４を相対移動させてもよい。この場合、分割装置４０は、改質層１００の近傍でボール部材４８を転動させるので、突き上げ手段４４の相対移動方向に制約を受けずに円滑に突き上げ力を加えることができる。このように、分割装置４０は、改質層１００から亀裂１０１が熱酸化膜５の表面まで生じ易くなるよう種々のボール部材４８の移動方向を採用しても良い。
【００２３】
更に、分割装置４０は、図１１に示すように、突き上げ手段４４と押圧手段４３とでウェーハ１を押圧する間において、フレーム保持部材４１を昇降させる複数のエアシリンダ４９の上下方向の進退量を互いに異ならせて、エアシリンダ４９の進退方向すなわち上下方向に対するウェーハ１の角度を変更してもよい。このとき、突き上げ手段４４及び押圧手段４３の挟み方向となる上下方向に対し、ウェーハ１の角度変化に応じて改質層１００も傾いて押圧力を受ける。分割装置４０は、突き上げ手段４４と押圧手段４３とによって挟み込み力が付与される小径ウェーハ１０の角度を変化させ、改質層１００に加わる力を増大させてより良く分割させることができる。
【００２４】
切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、突き上げ手段４４で突き上げた位置周辺の改質層１００を分割した後、突き上げ進退手段４５及び押圧進退手段４６を駆動させ、突き上げ手段４４及び押圧手段４３をウェーハ１に対して退行させる。切り出しステップＳＴ２では、分割装置４０は、フレーム保持部材４１とウェーハ１とをＸ軸方向及びＹ軸方向に相対的に移動させ、隣接する領域で未分割となる改質層１００を押圧手段４３と突き上げ手段４４との間に位置付け、上述と同様に分割を繰り返し行う。切り出しステップＳＴ２では、図１２に示すように、全ての改質層１００から熱酸化膜５の表面に至る亀裂１０１を形成して、ウェーハ１を複数の図１３に示す小径ウェーハ１０に分割すると、保護テープ２０１から各小径ウェーハ１０を取り外す。加工方法は、切り出しステップＳＴ２後、エッジ形成ステップＳＴ３に進む。
【００２５】
（エッジ形成ステップ）
図１４は、図３に示されたウェーハの加工方法のエッジ形成ステップを示す断面図である。
【００２６】
エッジ形成ステップＳＴ３は、切り出しステップＳＴ２を実施した後に、小径ウェーハ１０の外周エッジ１１０を形成するステップである。実施形態１において、エッジ形成ステップＳＴ３では、軸心方向の中央が最も小径でかつ軸心方向の両端に向かうにしたがって徐々に大径となる研削砥石５０を軸心回りに回転させながら小径ウェーハ１０の外周エッジ１１０の全周に接触させて、研削砥石５０を用いて小径ウェーハ１０の外周エッジ１１０を全周に亘って研削する。なお、実施形態１において、エッジ形成ステップＳＴ３では、小径ウェーハ１０の軸心と研削砥石５０の軸心とを平行にする。実施形態において、エッジ形成ステップＳＴ３では、図１４に示すように、小径ウェーハ１０の外周エッジ１１０を全周に亘って面取りする。加工方法は、エッジ形成ステップＳＴ３後、酸化膜除去ステップＳＴ４に進む。
【００２７】
（酸化膜除去ステップ）
図１５は、図３に示されたウェーハの加工方法の酸化膜除去ステップ後の小径ウェーハの断面図である。
【００２８】
酸化膜除去ステップＳＴ４は、エッジ形成ステップＳＴ３を実施した後に、熱酸化膜５を除去するステップである。実施形態１において、酸化膜除去ステップＳＴ４では、フッ化水素酸中に小径ウェーハ１０を所定時間浸漬して、図１５に示すように、小径ウェーハ１０の両面２，３から熱酸化膜５を除去する。
【００２９】
実施形態１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１にレーザー光線３０を照射して、小径ウェーハ１０の外縁に沿って改質層１００を形成し、分割装置４０を用いて改質層１００に沿ってウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割する。このために、加工方法は、通常入手が困難な外径１１が例えば１０ｍｍ以上でかつ３インチ以下の小径ウェーハ１０を容易に入手することを可能とすることができるという効果を奏する。
【００３０】
また、実施形態１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割する。その結果、加工方法は、平坦度の高いウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割することにより、平坦度の高い小径ウェーハ１０を容易に入手することができる。
【００３１】
また、実施形態１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２及びエッジ形成ステップＳＴ３前に、熱酸化膜形成ステップＳＴ１においてウェーハ１の両面２，３に熱酸化膜５を形成する。このために、加工方法は、切り出しステップＳＴ２及びエッジ形成ステップＳＴ３において、ウェーハ１のシリコンにより構成される基板が保護されて、基板が傷つくことを抑制できるとともに、ウェーハ１の取り扱いを容易にすること即ちハンドリング性を向上することができる。
【００３２】
また、実施形態１に係る加工方法は、レーザー光線３０を照射する切り出しステップＳＴ２前に、熱酸化膜形成ステップＳＴ１においてウェーハ１の両面２，３に熱酸化膜５を形成するので、レーザー光線３０の反射率を低減させることができ、レーザー光線３０の透過率を向上させることができる。このために、実施形態１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２のレーザー光線３０を照射する加工の加工効率を向上させることができる。
【００３３】
また、実施形態１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２で用いられる分割装置４０がウェーハ１を上下両側から挟むように押圧して、複数の小径ウェーハ１０に分割するので、下側からだけ押圧して分割する場合に比べ、改質層１００に加わる力を増大させることができる。このために、加工方法は、改質層１００が円形に形成されても、ウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に良好に分割することができる。
【００３４】
〔変形例１〕
本発明の実施形態１の変形例１に係るウェーハの加工方法を説明する。なお、変形例１において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明する。変形例１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２においてウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザー光線３０を照射したが、変形例１に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、切り出しステップＳＴ２においてウェーハ１に対して吸収性を有しかつ熱酸化膜層を透過する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線３０を照射すること以外、実施形態１に係る加工方法と等しい。
【００３５】
変形例１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２においてウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３０を小径ウェーハ１０の外縁に沿ってウェーハ１に照射して、ウェーハ１に小径ウェーハ１０の外縁に沿ってアブレーション加工を施す。変形例１に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２においてウェーハ１に照射されるレーザー光線３０は、熱酸化膜５を透過し、基板に吸収されて、シリコン爆発を生じさせて熱酸化膜５を同時に破壊して、ウェーハ１に小径ウェーハ１０の外縁に沿ってレーザー加工溝を形成する。
【００３６】
変形例１に係る加工方法は、切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１にレーザー光線３０を照射して、小径ウェーハ１０の外縁に沿ってレーザー加工溝を形成し、分割装置４０を用いて改質層１００に沿ってウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割する。このために、加工方法は、実施形態１と同様に、通常入手が困難な外径１１が例えば１０ｍｍ以上でかつ３インチ以下の小径ウェーハ１０を容易に入手することを可能とすることができるという効果を奏する。
【００３７】
〔変形例２〕
本発明の実施形態１の変形例２に係るウェーハの加工方法を説明する。なお、変形例２において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明する。変形例２に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、切り出しステップＳＴ２において用いる分割装置４０の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態１に係る加工方法と等しい。
【００３８】
実施形態１に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２において用いられる分割装置４０は、突き上げ手段４４のボール部材４８が保護テープ２０１を介してウェーハ１を突き上げる構成としたが、変形例２に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２において用いられる分割装置４０は、突き上げ手段４４の先端側がローラやブレード状となる部材で突き上げる。また、本発明では、押圧手段４３の形態等は、実施形態１と同様の機能を発揮するものであれば、他の形状等に変更してもよい。
【００３９】
変形例２に係る加工方法は、実施形態１と同様に、切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割するために、通常入手が困難な外径１１が例えば１０ｍｍ以上でかつ３インチ以下の小径ウェーハ１０を容易に入手することを可能とすることができるという効果を奏する。
【００４０】
〔変形例３〕
本発明の実施形態１の変形例３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態１の変形例３に係るウェーハの加工方法の切り出しステップにおいて、分割装置がウェーハを分割している状態を示す断面図である。なお、変形例３において、実施形態１と同一部分には、同一符号を付して説明する。変形例３に係るウェーハの加工方法（以下、単に加工方法と記す）は、切り出しステップＳＴ２において用いる分割装置４０の構成が実施形態１と異なる以外、実施形態１に係る加工方法と等しい。
【００４１】
変形例３に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２において用いられる分割装置４０−３の押圧手段４３−３は、図１６に示すように、ボール部材６１と、ボール部材６１を先端に回転可能に支持するボール保持体６２とを備え、突き上げ手段４４−３は、ウェーハ１に貼着された保護テープ２０１に面接触し、保護テープ２０１を介してウェーハ１の一方の面２の全面を支持するゴム等からなる弾性部材６３を備えている。なお、変形例３に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２において用いられる分割装置４０−３は、弾性部材６３によって環状フレーム２００も下側から保持し、フレーム保持手段として機能するように構成したが、弾性部材６３の外周に複数のクランプ機構を設け、かかるクランプ機構によって環状フレーム２００を挟持してもよい。
【００４２】
変形例３に係る加工方法の切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１を分割する場合、改質層１００に押圧手段４３−３のボール部材６１を位置付けた後、改質層１００に沿ってボール部材６１を転動させながらウェーハ１に押圧させる。このとき、ウェーハ１の変形に応じて弾性部材６３が凹むように弾性変形される。分割装置４０−３は、ボール部材６１と弾性部材６３とでウェーハ１を上下方向から挟む押圧力を加え、改質層１００に沿ってウェーハ１を分割する。
【００４３】
変形例３に係る加工方法は、実施形態１と同様に、切り出しステップＳＴ２において、ウェーハ１を複数の小径ウェーハ１０に分割するために、通常入手が困難な外径１１が例えば１０ｍｍ以上でかつ３インチ以下の小径ウェーハ１０を容易に入手することを可能とすることができるという効果を奏する。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  ウェーハ
２，３  両面
５  熱酸化膜
１０  小径ウェーハ
３０  レーザー光線
１１０  外周エッジ
ＳＴ１  熱酸化膜形成ステップ
ＳＴ２  切り出しステップ
ＳＴ３  エッジ形成ステップ
ＳＴ４  酸化膜除去ステップ
【図１】
2019016736.tif 000003
【図２】
2019016736.tif 000004
【図３】
2019016736.tif 000005
【図４】
2019016736.tif 000006
【図５】
2019016736.tif 000007
【図６】
2019016736.tif 000008
【図７】
2019016736.tif 000009
【図８】
2019016736.tif 000010
【図９】
2019016736.tif 000011
【図１０】
2019016736.tif 000012
【図１１】
2019016736.tif 000013
【図１２】
2019016736.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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