(57)【要約】【課題】  本発明は、混色を防止することができる表示装置およびヘッドマウントディスプレイを提供すること。【解決手段】  本発明の一実施例に係る表示装置は、０°よりも大きい角度で光量が最大となる光を発光する複数の画素が配置された基板、および複数の画素を覆うように形成され、四角錐形状または四角錐台形状を有する複数の集光構造物を有する封止膜を含む。【選択図】図２
2019215541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０°よりも大きい角度で光量が最大となる光を発光する複数の画素が配置された基板、および
前記複数の画素を覆うように形成され、四角錐形状または四角錐台形状を有する複数の集光構造物
を有する封止膜を含む
表示装置。
【請求項２】
前記封止膜、
前記複数の画素を覆うように形成された第１無機膜、
前記第１無機膜上に配置された有機膜、および
前記有機膜を覆うように形成された第２無機膜
を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記有機膜が、
前記複数の画素の各々で発生した光の一部を集光させる前記複数の集光構造物を有する高屈折有機膜、および
前記高屈折有機膜上に配置された低屈折有機膜
を含む請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記高屈折有機膜が第１屈折率を有し、前記低屈折有機膜は前記第１屈折率よりも小さい第２屈折率を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１屈折率が１．７と同じか大きく、前記第２屈折率は１．７よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の集光構造物が、前記複数の画素と一対一に対応するように配置されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
各集光構造物の高さが前記有機膜の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の画素が、
前記基板上に配置された第１電極、
前記第１電極の端を覆うように形成され、トレンチが設けられたバンク、
前記第１電極及び前記バンク上に配置された有機発光層、および
前記有機発光層上に配置された第２電極
を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記バンクに設けられたトレンチが、内部にエアギャップが形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記有機発光層が、前記トレンチの側壁および底上に形成されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記トレンチが、前記バンクを貫通することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記有機発光層が、前記複数の画素に共通して形成される白色発光層であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記封止膜上に配置されたカラーフィルタをさらに含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
表示パネル、
前記表示パネルに表示される映像を拡大するための複数のレンズを含むレンズアレイ、および
前記表示パネルおよび前記レンズアレイを収納するための収納ケースを含み、
前記表示パネルは、
０°よりも大きい角度で光量が最大となる光を発光する複数の画素が配置された基板、および
前記複数の画素を覆うように形成され、四角錐形状または四角錐台形状を有する複数の集光構造物を有する封止膜
を含むヘッドマウントディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、映像を表示する表示装置およびヘッドマウントディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（LCD、Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP、Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（OLED、Organic Light Emitting Display）など複数の表示装置が活用されている。
【０００３】
表示装置のうち、有機発光表示装置は自己発光型であって、液晶表示装置(LCD)に比べて視野角、コントラスト比などに優れており、別途のバックライトを必要としないので軽量薄型化が可能であり、消費電力において有利であるという長所がある。また、有機発光表示装置は、直流低電圧駆動が可能であり、応答速度が速く、特に製造コストが安いという長所がある。
【０００４】
最近では、このような有機発光表示装置を含むヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display,HMD）が開発されている。ヘッドマウントディスプレイは、眼鏡やヘルメットの形態で着用して、使用者の目の前の近い距離に焦点を形成する仮想現実（Virtual Reality,VR）または拡張現実（Augmented Reality）のメガネ型モニタ装置である。しかし、超高解像度のヘッドマウントディスプレイの場合、密集した画素の間隔によって、各画素で発光する光が隣接する画素のカラーフィルタに進行することにより、混色が発生するという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、混色を防止することができる表示装置およびヘッドマウントディスプレイを提供することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例に係る表示装置は、０°よりも大きい角度で光量が最大となる光を発光する複数の画素が配置された基板、および複数の画素を覆うように形成され、四角錐形状または四角錐台形状の複数の集光構造物を有する封止膜を含む。
【０００７】
本発明の他の実施例に係るヘッドマウントディスプレイは、表示パネル、表示パネルに表示される映像を拡大するための複数のレンズを含むレンズアレイ、および表示パネルとレンズアレイを収納するための収納ケースを含む。表示パネルは、０°よりも大きい角度で光量が最大となる光を発光する複数の画素が配置された基板、および複数の画素を覆うように形成され、四角錐形状または四角錐台形状の複数の集光構造物を有する封止膜を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数の集光構造物を有する高屈折有機膜および高屈折有機膜上に低屈折有機膜を形成することにより、有機発光層で発光する光の出光角を制限することができる。これにより、本発明は、狭い配光分布を有するようになり、画素間の間隔が小さくなっても混色が発生することを防止することができる。
【０００９】
また、本発明はバンクにトレンチを設け、トレンチ内部にエアギャップを形成することにより、高屈折有機膜と低屈折有機膜の界面で反射した光が再び高屈折有機膜に向かうようにすることができる。これにより、本発明は、有機発光層で発生した光が消失することを最小化して光効率を向上させることができる。
【００１０】
また、本発明は、封止膜を構成する有機膜に集光構造物を形成しているので、装置の厚さを増加させることなしに、光を集光させることができる。
【００１１】
また、本発明は、０°よりも大きい角度で光量が最大になる配光分布を有する光源を適用することにより、集光効果を最大にすることができる。
【００１２】
上述した本出願の効果に加えて、本出願の他の特徴および利点は、以下に記述した内容および、そのような記述と説明から、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解され得るだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’の一例を示す断面図である。
【図３】図２のＡ領域の一例を示す拡大図である。
【図４】図２のＡ領域の他の例を示す拡大図である。
【図５】図２のＡ領域のまた他の例を示す拡大図である。
【図６】図２の変形された実施例を示す断面図である。
【図７Ａ】マイクロキャビティ構造が適用されていない光源の配光分布を示す図である。
【図７Ｂ】マイクロキャビティ構造が適用された光源の配光分布を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施例に係る光源の配光分布を示す図である。
【図８Ａ】図７Ａの光源のシミュレーション結果を示す図である。
【図８Ｂ】図７Ｂの光源のシミュレーション結果を示す図である。
【図８Ｃ】図７Ｃの光源のシミュレーション結果を示す図である。
【図９Ａ】集光構造物の一例を示す図である。
【図９Ｂ】集光構造物の他の例を示す図である。
【図１０Ａ】半球形状を有する集光構造物のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０Ｂ】四角錐形状の集光構造物のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｄ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｅ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｆ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｇ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１２Ｈ】本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す別の断面図である。
【図１３Ａ】本出願の一例による表示装置を適用したヘッドマウントディスプレイを示す例示図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａの収納ケースの一例を示す例示図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本出願の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付される図と共に詳細に後述されている例を参照すると明確になるだろう。しかし、本出願は、以下で開示される例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本例は、本出願の開示が完全になるようにし、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らしめるために提供するものであり、本出願は、請求項の範疇によって定義されるだけである。
【００１５】
本出願の例を説明するために図で開示した形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本出願が示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本出願を説明するにおいて、関連する公知技術に対する詳細な説明が本出願の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本出願で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合は、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数で表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００１６】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００１７】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」などで、２つの部分の位置関係が説明されている場合は、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００１８】
第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１の構成要素は、本出願の技術的思想内で第２の構成要素であることも可能である。
【００１９】
本出願の構成要素を説明するにあたって、第１、第２などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのもので、その用語によって、その構成要素の本質、順序、順番または個数などが限定されない。一構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」または「接続」すると記載されている場合、その構成要素は、その他の構成要素に直接に連結したり、または接続することができるが、各構成要素の間に他の構成要素が「介在」したり、各構成要素が他の構成要素を介して、「連結」、「結合」または「接続」することができると理解されなければならない。
【００２０】
本出願のいくつかの例のそれぞれの特徴が、部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動およびと駆動が可能であり、それぞれの例が互いに独立して実施可能であり得、関連した関係で一緒に実施することもできる。
【００２１】
以下では、本出願による表示装置の例を添付した図を参照して詳細に説明する。各図の構成要素に参照符号を付加するにおいて、同一の構成要素に対しては、たとえ他の図上に表示されていても、可能な限り同一の符号を有することができる。
【００２２】
図１は、本発明の一実施例による表示装置を示す斜視図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’の一例を示す断面図である。図３、図４及び図５は、図２のＡ領域の多様な実施例を示す拡大図であり、図６は、図２の変形された実施例を示す断面図である。
【００２３】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、基板１１０、第１電極１２０、有機発光層１３０、第２電極１４０、バンク（Ｂ）、封止膜１５０および、カラーフィルタ１６０を含む。
【００２４】
基板１１０は、プラスチックフィルム（plastic film）、ガラス基板（glass substrate）、または半導体工程を用いて形成されたシリコンウエハ基板であり得る。基板１１０は、ゲートライン、データライン、およびトランジスタを含むことができる。ゲートラインとデータラインは、互いに交差するように配置することができる。ゲートラインは、ゲート駆動部に接続してゲート信号の供給を受ける。データラインは、データ駆動部に接続し、データ電圧の供給を受ける。
【００２５】
第１電極１２０、有機発光層１３０及び第２電極１４０が順次に積層した領域は、所定の光を発光する画素（Pixel）と定義することができる。画素（P）は、赤色画素（RP）、緑色画素（GP）及び青色画素（BP）を含むことができ、白色画素をさらに含むこともできる。
【００２６】
第１電極１２０は、基板１１０上に所定の間隔で互いに離れて配置されるので、画素（P）は、第１電極１２０によって区分され得る。画素（P）には、Ｎ（Ｎは正の整数）個のトランジスタが配置され得、Ｎ個のトランジスタは、ゲートラインからのゲート信号が入力する場合、データラインのデータ電圧によって、第１電極１２０に所定の電圧を供給する。
【００２７】
第１電極１２０は、基板１１０上に形成される。一例として、第１電極１２０は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質を含んで形成することができる。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pb）、および銅（Cu）の合金である。第１電極１２０は、アノード（Anode）であり得る。
【００２８】
バンク（B）は、画素（P）を区画するために、基板１１０上で第１電極１２０の端を覆うように形成することができる。バンク（B）は、有機発光層１３０よりも小さい屈折率、例えば、１．７よりも小さい屈折率を有することができる。有機発光層１３０で発光する光の一部は、バンク（B）に入射することができる。このような場合、バンク（B）の屈折率が有機発光層１３０よりも小さいので、バンク（B）に入射した光は、全反射して封止膜１５０に進行することができる。
【００２９】
また、バンク（B）には、エアギャップ（air gap,AG）を形成するためにトレンチ（T）を設けることができる。トレンチ（T）は、バンク（B）の上面から有機発光層１３０から第１電極１２０に向かう方向に形成することができる。一例によるトレンチ（T）は、スリット（slit）形態で形成することができるが、これに限定されず、円筒形等の他の形態に形成することもできる。トレンチ（T）は、複数個が互いに離隔するようにバンク（B）に形成することもできる。
【００３０】
このようなトレンチ（T）は、バンク（B）上に有機発光層１３０、第２電極１４０および封止膜１５０を構成する第１無機膜１５１が順次に蒸着されながら、図２に示したように、内部にエアギャップ（AG）を形成することができる。
【００３１】
一方、図２では、トレンチ（T）がバンク（B）を貫通して形成された例を示したが、これに限定されない。他の一実施例において、トレンチ（T）は、図６に示すようにバンク（B）の一部にくぼみを掘るように形成することもできる。
【００３２】
このようなバンク（B）は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【００３３】
有機発光層１３０は、第１電極１２０およびバンク（B）上に形成される。有機発光層１３０は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合、第１電極１２０と第２電極１４０に電圧が印加されると正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動するようになり、発光層で互いに結合して発光することになる。
【００３４】
有機発光層１３０は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、有機発光層１３０は、画素（P）に共通して形成される共通層であり得る。
【００３５】
有機発光層１３０が白色発光層である場合には、２スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
【００３６】
また、スタックの間には、電荷発生層が形成され得る。電荷発生層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷発生層とｎ型電荷発生層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷発生層を含むことができる。ｎ型電荷発生層は下部スタックに電子（electron）を注入し、ｐ型電荷発生層は上部スタックに正孔（hole）を注入する。ｎ型電荷発生層は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓなどのアルカリ金属、またはＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、またはＲａのようなアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。ｐ型電荷発生層は、正孔輸送能力を有する有機物質にドーパントをドーピングして形成することができる。
【００３７】
有機発光層１３０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）上にも形成することができる。有機発光層１３０は、蒸着工程または溶液プロセスで形成することができ、蒸着工程で形成する場合、蒸発蒸着法（evaporation）で形成することができる。蒸発蒸着法で形成された膜は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くない。有機発光層１３０は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くないので、有機発光層１３０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）によって段差が発生する領域で一定の厚さに形成されない。
【００３８】
有機発光層１３０は、バンク（B）の上面からトレンチ（T）の側面に落ち込むところで厚く形成され得る。より詳細には、バンク（B）の上面およびトレンチ（T）の第１側面の境界部の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の第１側面または底の有機発光層１３０の厚さより厚く形成され得る。また、バンク（B）の上面およびトレンチ（T）の第２側面の境界部の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の第２側面または底の有機発光層１３０の厚さよりも厚く形成され得る。前記第１側面および前記第２側面は、互いに向き合うことができる。その結果、トレンチ（T）の内部は、下部から上部に行くほど狭くなり、有機発光層１３０上に第２電極１４０および封止膜１５０が形成され、エアギャップ（AG）が形成され得る。
【００３９】
また、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）の側壁の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の底の有機発光層１３０の厚さよりも薄く形成することができる。本発明の実施例は、バンク（B）を貫通し、またはくぼみを掘ったトレンチ（T）を形成することにより、隣接する画素（P）間で有機発光層１３０を介したリーク電流パスの長さをトレンチ（T）がない場合に比べて長くすることができる。また、本発明の実施例は、トレンチ（T）の側壁の有機発光層１３０の厚さをトレンチ（T）の底の有機発光層１３０の厚さよりも薄く形成することができるので、有機発光層１３０の抵抗を高めることができる。その結果、隣接画素が有機発光層１３０を介したリーク電流により影響を受けることを最小限に抑えることができる。
【００４０】
第２電極１４０は、有機発光層１３０上に形成される。第２電極１４０は、画素（P）に共通して形成される共通層であり得る。このような第２電極１４０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（TCO、Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。
【００４１】
第２電極１４０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）上にも形成することができる。第２電極１４０は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（physics vapor deposition）で形成することができる。スパッタリング法のような物理的気相蒸着法で形成された膜は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が優れている。したがって、第２電極１４０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）によって段差が発生するにもかかわらず、有機発光層１３０に比べて均一な厚さでトレンチ（T）の側壁および底上に蒸着することができる。
【００４２】
図２及び図３は、第２電極１４０がトレンチ（T）の側壁および底上に蒸着されることを例示しているが、これに限定されない。他の一実施例において、第２電極１４０は、図５に示すように、エアギャップ（AG）上のみに形成することもできる。トレンチ（T）上に有機発光層１３０を最初に形成することができる。ここで、有機発光層１３０は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くないので、一定の厚さに形成されず、特に、バンク（B）の上面およびトレンチ（T）の側面の境界部で厚く形成され得る。ここで、トレンチ（T）の内部は、有機発光層１３０によって下部から上部に行くほど狭くなり、エアギャップ（AG）が形成され得る。このような場合、有機発光層１３０上に形成される第２電極１４０は、トレンチ（T）の側壁および底上に蒸着されずに、エアギャップ（AG）上にのみ蒸着され得る。
【００４３】
封止膜１５０は、第２電極１４０を覆うように形成することができる。封止膜１５０は、有機発光層１３０と第２電極１４０に酸素または水分が浸透することを防止する役割をする。このために封止膜１５０は、少なくとも一つの無機膜と、少なくとも一つの有機膜を含むことができる。
【００４４】
詳細には、封止膜１５０は、第１無機膜１５１および有機膜１５２を含むことができる。一実施例において、封止膜１５０は、第２無機膜１５３をさらに含むことができる。
【００４５】
第１無機膜１５１は、第２電極１４０を覆うように形成される。有機膜１５２は、第１無機膜１５１上に形成され、異物（particles）が第１無機膜１５１を突破して有機発光層１３０と第２電極１４０に投入されることを防止するために十分な長さで形成することが好ましい。第２無機膜１５３は、有機膜１５２を覆うように形成される。
【００４６】
第１無機膜１５１および第２無機膜１５３のそれぞれは、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成することができる。第１無機膜１５１および第２無機膜１５３は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で蒸着することができるが、これらに限定されない。
【００４７】
第１無機膜１５１は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）の側壁および底上にも形成することができる。第１無機膜１５１をトレンチ（T）の側壁および底上に形成し、トレンチ（T）の内部にエアギャップ（AG）が形成され得る。
【００４８】
図２及び図３は、第１無機膜１５１がトレンチ（T）の側壁および底上に蒸着されることを例示しているが、これに限定されない。ＣＶＤ法で第１無機膜１５１を蒸着する場合、第１無機膜１５１は、トレンチ（T）の内部で一定の厚さに形成されないことがある。特に、第１無機膜１５１は、トレンチ（T）の側壁および底の境界部で薄く蒸着されてシーム（seam）が発生し得る。第１無機膜１５１に発生したシーム（seam）は、第２電極１４０および、有機発光層１３０に水分が浸透することができる経路を提供し得る。
【００４９】
他の一実施例において、第１無機膜１５１は、図４及び図５に示すように、エアギャップ（AG）上にのみに形成することもできる。より詳細には、トレンチ（T）上に有機発光層１３０を最初に形成することができる。ここで、有機発光層１３０は、ステップカバレッジ（step coverage）特性が良くないので、一定の厚さに形成されず、特に、バンク（B）の上面およびトレンチ（T）の側面の境界部で厚く形成され得る。ここで、トレンチ（T）の内部は、図５に示すように、有機発光層１３０によって下部から上部に行くほど狭くなり、エアギャップ（AG）が形成され得る。またはトレンチ（T）の内部は、図４に示すように、有機発光層１３０及び第２電極１４０によって下部から上部に行くほど狭くなり、エアギャップ（AG）が形成され得る。このような場合、有機発光層１３０上に形成される第１無機膜１５１は、トレンチ（T）の側壁および底上に蒸着されず、エアギャップ（AG）上にのみ蒸着され得る。このように形成された第１無機膜１５１は、トレンチ（T）の内部に蒸着されず、エアギャップ（AG）上にのみ蒸着されるので、シーム（seam）が発生することを防止することができる。
【００５０】
一方、本発明の一実施例に係る封止膜１５０は、各画素（P）で発光する光を集光してカラーフィルタ１６０に伝達することを特徴とする。このために、封止膜１５０を構成する有機膜１５２は、高屈折有機膜１５２ａおよび低屈折有機膜１５２ｂを含む。
【００５１】
高屈折有機膜１５２ａは、第１無機膜１５１上に形成され、異物が第１無機膜１５１を突破して有機発光層１３０と第２電極１４０に投入されることを防止するとともに、有機発光層１３０で発光する光を集光する。
【００５２】
このような高屈折有機膜１５２ａは、有機発光層１３０から入射した光を集光させるために、複数の集光構造物を有する。ここで、複数の集光構造物は、複数の画素（P）と一対一に対応するように配置され、各画素（P）から入射する光を集光する。集光構造物は、四角錐形状または四角錐台形状を有することができる。
【００５３】
このような集光構造物を有する高屈折有機膜１５２ａは、低屈折有機膜１５２ｂよりも大きい屈折率、例えば、１．７と同じか大きい屈折率を有する有機物質からなり得る。
【００５４】
高屈折有機膜１５２ａが低屈折有機膜１５２ｂよりも大きい屈折率を有するため、有機発光層１３０から入射する光は、一部が屈折して、カラーフィルタ１６０に伝達され得る。より詳細には、有機発光層１３０から発光する光が高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射することができる。ここで、高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射した光は、入射角が一定の角度と同じか大きいと屈折し得る。屈折した光は、カラーフィルタ１６０を通過して外部に放出され得る。つまり、有機発光層１３０から発光する光は、集光構造物を有する有機膜１５２によって集光され得る。
【００５５】
一方、高屈折有機膜１５２ａが低屈折有機膜１５２ｂよりも大きい屈折率を有するため、有機発光層１３０から入射する光は、一部が反射し得る。より詳細には、有機発光層１３０から発光する光が高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射し得る。ここで、高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射した光は、入射角が一定角度よりも小さいと、反射し得る。高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面で反射した光は、図２に示すように、エアギャップ（AG）に入射し得る。エアギャップ（AG）に入射した光は、反射して再び第１電極１２０に入射し得る。第１電極１２０に入射した光は、反射して高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に再び入射し得る。ここで、入射した光は、屈折して、カラーフィルタ１６０に伝達され得る。
【００５６】
低屈折有機膜１５２ｂは、高屈折有機膜１５２ａ上に形成することができる。低屈折有機膜１５２ｂは、高屈折有機膜１５２ａを覆うように形成することができる。
【００５７】
このような低屈折有機膜１５２ｂは、高屈折有機膜１５２ａよりも小さい屈折率、例えば、１．７よりも小さい屈折率を有する有機物質からなり得る。例えば、低屈折有機膜１５２ｂは、モノマー（monomer）からなり得る。
【００５８】
カラーフィルタ１６０は、封止膜１５０上に形成することができる。カラーフィルタ１６０は、画素（P）のそれぞれに対応するように配置される。例えば、赤色カラーフィルタ（RCF）は、赤色画素（RP）に対応するように配置され、緑色カラーフィルタ（GCF）は、緑色画素（GP）に対応するように配置され、青色カラーフィルタ（BCF）は青色画素（BP）に対応するように配置され得る。
【００５９】
本発明の一実施例に係る表示装置１００は、複数の集光構造物を有する高屈折有機膜１５２ａおよび高屈折有機膜１５２ａ上に低屈折有機膜１５２ｂを形成することを特徴とする。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、有機発光層１３０で発光する光の出光角を制限することができる。
【００６０】
より詳細には、有機発光層１３０で発光する光は、高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面で屈折または反射する。高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射する光は、入射角が一定角度よりも小さいと反射してカラーフィルタ１６０に出光されない。
【００６１】
一方、高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面に入射する光は、入射角が一定の角度と同じか大きいと屈折して、カラーフィルタ１６０に伝達される。つまり、有機発光層１３０で発光する光の一部は、集光されてカラーフィルタ１６０を通過して外部に放出され得る。
【００６２】
その結果、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、狭い配光分布を有するようになるので、画素（P）間の間隔が小さくなっても混色が発生することを防止することができる。
【００６３】
また、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、バンク（B）にトレンチ（T）を設け、トレンチ（T）の内部にエアギャップ（AG）を形成することを他の技術的特徴とする。本発明の一実施例に係る表示装置１００は、トレンチ（T）の内部に形成されたエアギャップ（AG）を介して高屈折有機膜１５２ａと低屈折有機膜１５２ｂの界面で反射した光が再び高屈折有機膜１５２ａに向かうようにすることができる。本発明の一実施例に係る表示装置１００は、有機発光層１３０で発光した光が消失することを最小化して光効率を向上させることができる。
【００６４】
また、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、封止膜１５０を構成する有機膜１５２に集光構造物を形成しているので、装置の厚さを増加させることなく、光を集光することができる。
【００６５】
図７Ａは、マイクロキャビティ構造が適用されていない光源の配光分布を示す図であり、図７Ｂは、マイクロキャビティ構造が適用された光源の配光分布を示す図であり、図７Ｃは、本発明の一実施例に係る光源の配光分布を示す図である。
【００６６】
マイクロキャビティ（micro cavity）構造が適用されていない光源およびマイクロキャビティ構造が適用された光源は、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、０°から光量が最大になる。
【００６７】
一方、本発明の一実施例に係る光源は、マイクロキャビティ構造が適用されず、図７Ｃに示すように０°よりも大きい角度で光量が最大になることを特徴とする。一実施例において、配光分布は、有機発光層１３０の厚さを調節して得ることができる。有機発光層１３０の厚さは、赤色画素（RP）、緑色画素（GP）及び青色画素（BP）それぞれのマイクロキャビティが最大化されない共振距離を考慮して、互いに異なって形成することができる。ここで、赤色画素（RP）、緑色画素（GP）及び青色画素（BP）は、有機発光層１３０の厚さが互いに異なり得る。
【００６８】
他の実施例において、配光分布は、第１電極１２０の厚さを調節して得ることができる。第１電極１２０の厚さは、赤色画素（RP）、緑色画素（GP）及び青色画素（BP）それぞれのマイクロキャビティが最大化されない共振距離を考慮して、互いに異なって形成することができる。ここで、赤色画素（RP）、緑色画素（GP）及び青色画素（BP）は、第１電極１２０の厚さが互いに異なり得る。
【００６９】
図８Ａは、図７Ａの光源に対するシミュレーション結果を示す図であり、図８Ｂは、図７Ｂの光源のシミュレーション結果を示す図であり、図８Ｃは、図７Ｃの光源のシミュレーション結果を示す図である。
【００７０】
図８Ａには、本発明の一実施例に係る集光構造物を有する有機膜１５２の下に図７Ａの光源を適用してシミュレーションした結果を示す。シミュレーションの結果、検出装置（D）には、光量が3.75mW/cm2が検出された。
【００７１】
図８Ｂには、本発明の一実施例に係る集光構造物を有する有機膜１５２の下に図７Ｂの光源を適用してシミュレーションした結果を示す。シミュレーションの結果、検出装置（D）には、光量が4.12mW/cm2が検出された。
【００７２】
図８Ｃには、本発明の一実施例に係る集光構造物を有する有機膜１５２の下に図７Ｃの光源を適用してシミュレーションした結果を示す。シミュレーションの結果、検出装置（D）には、光量が4.91mW/cm2が検出された。
【００７３】
すなわち、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、図７Ｃに示すように０°よりも大きい角度で光量が最大になる配光分布を示す光源を適用することにより、集光効果を最大にすることができる。
【００７４】
図９Ａ及び図９Ｂは、集光構造物の例を示す図である。図１０Ａは半球形状を有する集光構造物に対するシミュレーション結果を示す図であり、図１０Ｂは、四角錐形状を有する集光構造物のシミュレーション結果を示す図である。
【００７５】
集光構造物は、図９Ａに示すような四角錐形状または図９Ｂに示すような四角錐台形状を有することができる。集光構造物の高さ（h）は、製品の設計時に決定された有機膜１５２の厚さによって変わり得る。集光構造物の高さ（h）は、有機膜１５２の厚さと同じか小さいことが可能である。集光構造物は、高さ（h）が大きいほど集光効率が向上し得る。このような点では、集光構造物の高さ（h）を有機膜１５２の厚さと同一に形成すれば、集光効率を最大に向上させることができる。ただし、製造工程の誤差によって集光構造物の一部が低屈折有機膜１５２ｂに覆われないで突出することがあり得、このような場合には、集光効率が低下して、モアレ（Moire）が発生し得る。これを防止するために、集光構造物の高さ（h）は、有機膜１５２の厚さよりも小さく設計することができる。つまり、集光構造物を有する高屈折有機膜１５２ａが低屈折有機膜１５２ｂによって覆われるように設計することができる。これにより、集光効率を最適化させ、モアレが発生することを防止することができる。
【００７６】
また、集光構造物の底面の幅（W4）は、製品の設計時に決定された画素（P）の幅によって異なり得る。集光構造物の底面の幅（W4）は、画素（P）の幅と同じか大きく設計することができる。これにより、集光構造物が各画素（P）で発光する光を失わずに集光させることができるようになる。
【００７７】
本発明の一実施例に係る集光構造物は、四角錐または四角錐台形状を有することにより、優れた集光効果を有する。図１０Ａには、半球形状を有する集光構造物に対するシミュレーション結果を示す。シミュレーションの結果、検出装置（D）には、光量が4.35mW/cm2が検出された。図１０Ｂには、四角錐形状の集光構造物のシミュレーション結果を示す。シミュレーションの結果、検出装置（D）には、光量が4.91mW/cm2が検出された。つまり、四角錐形状である集光構造物が半球形状である集光構造物と比較して、優れた集光効果を有する。
【００７８】
図１１は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。図１２Ａ〜図１２Ｈは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【００７９】
まず、図１２Ａに示すように、基板１１０上にトランジスタ（未図示）及び第１電極１２０を形成する（S1101）。
【００８０】
詳細には、基板１１０上にトランジスタそれぞれのアクティブ層を形成する。アクティブ層はシリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質料で形成することができる。
【００８１】
そして、アクティブ層上にゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
【００８２】
そして、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。
【００８３】
そして、アクティブ層とゲート電極上に絶縁膜を形成する。第１絶縁膜は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
【００８４】
そして、第１絶縁膜を貫通して、アクティブ層に接続する第１及び第２コンタクトホールを形成する。第１絶縁膜上に第１コンタクトホールを介してアクティブ層に接続するソース電極、及び第２コンタクトホールを介してアクティブ層と接続するドレイン電極を形成する。
【００８５】
そして、ソース電極とドレイン電極上に第１絶縁膜を追加で形成する。追加で形成された第１絶縁膜を貫通してドレイン電極に接続する第３コンタクトホールを形成する。追加で形成された第１絶縁膜上に第３コンタクトホールを介してドレイン電極に接続するＭ３金属層を形成する。
【００８６】
そして、Ｍ３金属層上に第２絶縁膜を形成する。第２絶縁膜は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（SiOx）、シリコン窒化膜（SiNx）、またはそれらの多重膜で形成することができる。
【００８７】
そして、第２絶縁膜を貫通してＭ３金属層に接続する第４コンタクトホールを形成する。第２絶縁膜上に第４コンタクトホールを介してＭ３金属層に接続するＭ４金属層を形成する。
【００８８】
そして、Ｍ４金属層上に第２絶縁膜を追加で形成する。追加で形成された第２絶縁膜を貫通してＭ４金属層に接続する第５コンタクトホールを形成する。前記Ｍ３金属層、前記Ｍ４金属層および前記第２絶縁膜は省略することができる。
【００８９】
そして、第２絶縁膜上に第１電極１２０を形成する。より詳細には、第２絶縁膜上に第１電極膜を形成する。第１電極膜は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ti/Al/Ti)、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ITO/Al/ITO）、ＡＰＣ合金、およびＡＰＣ合金とＩＴＯの積層構造（ITO/APC/ITO）のような反射率の高い金属物質を含んで形成することができる。ＡＰＣ合金は、銀（Ag）、パラジウム（Pb）、および銅（Cu）の合金である。
【００９０】
そして、第１電極膜上にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンは、画素（P）が形成される位置に形成することができる。フォトレジストパターンによって覆われていない第１電極膜をドライエッチングして図１２Ａのように、第１電極１２０を形成し、フォトレジストパターンを除去する。
【００９１】
次に、図１２Ｂに示すように、第１電極１２０の端を覆うようにバンク（B）を形成する（S1102）。
【００９２】
詳細には、第１電極１２０上に充填物質を形成する。充填物質は、有機物質、例えば、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）であり得る。
【００９３】
そして、ドライエッチング（dry etch）してバンク（B）を形成する。ドライエッチング物質は、充填物質をエッチングすることができるが、第１電極１２０をエッチングすることができない物質を選択することが好ましい。
【００９４】
そして、バンク（B）にトレンチ（T）を形成する。トレンチ（T）が形成される領域を除いた残りの領域にフォトレジストパターンを形成する。フォトレジストパターンによって覆われないで露出したバンク（B）をエッチングしてトレンチ（T）を形成し、フォトレジストパターンを除去する。
【００９５】
次に、図１２Ｃに示すように、有機発光層１３０及び第２電極１４０を順に形成する。
【００９６】
詳細には、第１電極１２０とバンク（B）上に有機発光層１３０を形成する。有機発光層１３０は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。有機発光層１３０が蒸着工程で形成される場合には、蒸発蒸着法（Evaporation）を利用して形成することができる。
【００９７】
有機発光層１３０は、白色光を発光する白色発光層であり得る。この場合、有機発光層１３０は、画素（P）に共通して形成される共通層であり得る。
【００９８】
有機発光層１３０が白色発光層である場合には、２スタック（stack）以上のタンデム構造で形成することができる。スタックのそれぞれは、正孔輸送層（hole transporting layer）、少なくとも一つの発光層（light emitting layer）、および電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。
【００９９】
また、スタックの間には、電荷発生層を形成することができる。電荷発生層は、下部スタックと隣接して位置するｎ型電荷発生層とｎ型電荷発生層上に形成されて上部スタックと隣接して位置するｐ型電荷発生層を含むことができる。ｎ型電荷発生層は、下部スタックに電子（electron）を注入し、ｐ型電荷発生層は、上部スタックに正孔（hole）を注入する。ｎ型電荷発生層は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、またはＣｓなどのアルカリ金属、またはＭｇ、Ｓｒ、Ｂａ、またはＲａのようなアルカリ土類金属でドープされた有機層からなり得る。ｐ型電荷発生層は、正孔輸送能力を有する有機物質にドーパントをドーピングして形成することができる。
【０１００】
有機発光層１３０は、蒸発蒸着法（Evaporation）で形成されるので、ステップカバレッジ特性が良くない。従って、有機発光層１３０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）によって段差が発生する領域で一定の厚さに形成されない。
【０１０１】
有機発光層１３０は、バンク（B）の上面からトレンチ（T）の側面に落ち込むところで厚く形成され得る。より詳細には、バンク（B）の上面とトレンチ（T）の第１側面の境界部の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の第１側面または底の有機発光層１３０の厚さより厚く形成され得る。また、バンク（B）の上面およびトレンチ（T）の第２側面の境界部の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の第２側面または底の有機発光層１３０の厚さよりも厚く形成され得る。前記第１側面および前記第２側面は、互いに向き合うことができる。その結果、トレンチ（T）の内部は、下部から上部に行くほど狭くなり得る。
【０１０２】
また、有機発光層１３０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）の側壁の有機発光層１３０の厚さは、トレンチ（T）の底の有機発光層１３０の厚さよりも薄く形成され得る。
【０１０３】
そして、有機発光層１３０上に第２電極１４０を形成する。第２電極１４０は、画素（P）に共通して形成される共通層であり得る。第２電極１４０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのような透明な金属物質（TCO,Transparent Conductive Material）、またはマグネシウム（Mg）、銀（Ag）、またはマグネシウム（Mg）と銀（Ag）の合金のような半透過金属物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成することができる。
【０１０４】
第２電極１４０は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（physics vapor deposition）で形成することができる。スパッタリング法のような物理的気相蒸着法で形成された膜はステップカバレッジ（step coverage）特性が優れている。したがって、第２電極１４０は、バンク（B）に設けられたトレンチ（T）によって段差が発生するにもかかわらず、有機発光層１３０に比べて均一な厚さでトレンチ（T）の側壁および底上に蒸着され得る。
【０１０５】
その後、第２電極１４０上に封止膜１５０を形成する（S1103）。
【０１０６】
詳細には、図１２Ｄに示すように、第１電極（140）上に第１無機膜１５１を形成する。第１無機膜１５１は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第１無機膜１５１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で蒸着することができるが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
そして、第１無機膜１５１上に高屈折有機膜１５２ａを形成する。詳細には、図１２Ｅに示すように、第１無機膜１５１上に屈折率が大きい、例えば、１．７と同じか大きい屈折率を有する高屈折有機物質を形成する。そして、高屈折有機物質上にハードマスク（HM）を配置し、等方性エッチング（isotropic etching）して、図１２Ｆのように集光構造物を有する高屈折有機膜１５２ａを形成する。そして、ハードマスク（HM）を除去する。
【０１０８】
そして、図１２Ｇのように高屈折有機膜１５２ａ上に低屈折有機膜１５２ｂを形成する。低屈折有機膜１５２ｂは、高屈折有機膜１５２ａよりも小さい屈折率は、例えば、１．７よりも小さい屈折率を有する有機物質からなり得る。例えば、低屈折有機膜１５２ｂは、モノマー（monomer）からなり得る。
【０１０９】
そして、低屈折有機膜１５２ｂの上に第２無機膜１５３を形成する。第２無機膜１５３は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第２無機膜１５３は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で蒸着され得るが、これらに限定されるものではない。
【０１１０】
次に、図１２Ｈに示すように封止膜１５０上にカラーフィルタ１６０を形成する。カラーフィルタ１６０は、画素（P）のそれぞれに対応するように配置される。例えば、赤色カラーフィルタ（RCF）は、赤色画素（RP）に対応するように配置され、緑色カラーフィルタ（GCF）は、緑色画素（GP）に対応するように配置され、青色カラーフィルタ（BCF）は青色画素（BP）に対応するように配置され得る。図に示していないが、カラーフィルタ１６０上には封止フィルムを付着することができる。
【０１１１】
図１３Ａは、本出願の一例による表示装置が適用されたヘッドマウントディスプレイを示す例示図であり、図１３Ｂは、図１３Ａの収納ケースの一例を示す例示図である。
【０１１２】
図１３Ａ及び図１３Ｂを参照すると、本出願の一例による表示装置が適用されたヘッドマウントディスプレイ１は、収納ケース１１、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂ、レンズアレイ１２、およびヘッド装着バンド１３を含むことができる。
【０１１３】
収納ケース１１は、表示パネル２を収納し、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂに表示パネル２の映像を提供する。表示パネルは、本発明の一実施例に係る表示装置であり得る。
【０１１４】
収納ケース１１は、図１３Ｂに示すように左眼レンズ２０ａの前に配置される左眼用表示パネル２ａと右眼レンズ２０ｂの前に配置される右眼用表示パネル２ｂを含むことができる。
【０１１５】
左眼用表示パネル２ａと右眼用表示パネル２ｂは、同じ映像を表示することができ、この場合、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、左眼用表示パネル２ａは、左眼映像を表示して右眼用表示パネル２ｂは、右眼映像を表示することができ、この場合、使用者は、立体映像を視聴することができる。
【０１１６】
左眼用表示パネル２ａと右眼用表示パネル２ｂのそれぞれは、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display）であり得る。
【０１１７】
一方、収納ケース１１は、図１３Ｂに示すように左眼用表示パネル２ａと左眼レンズ２０ａとの間と、右眼用表示パネル２ｂと右眼レンズ２０ｂとの間にそれぞれ配置されるレンズアレイ（Lens array）１２をさらに含むことができる。レンズアレイ１２は、マイクロレンズアレイ（Micro Lens array）であり得る。レンズアレイ１２は、ピンホールアレイ（Pin Hole array）に置き換えることができる。レンズアレイ１２により、左眼用表示パネル２ａまたは右眼用表示パネル２ｂに表示される映像は、使用者に拡大して見え得る。
【０１１８】
左眼レンズ２０ａには使用者の左眼（LE）が配置し、右眼レンズ２０ｂには使用者の右眼（RE）が位置することができる。つまり、左眼レンズ２０ａと右眼レンズ２０ｂは、表示パネル２の前方に配置される接眼レンズに該当する。
【０１１９】
ヘッド装着バンド１３は、収納ケース１１に固定される。ヘッド装着バンド１３は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成されたものを例示したが、これに限定されない。ヘッド装着バンド１３は、使用者の頭にヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display,HMD）を固定するためのものであり、メガネ形態またはヘルメット形態に形成することもできる。
【０１２０】
以上で説明した本出願は、前述した実施例及び添付した図に限定されるものではなく、本出願の技術的思想を逸脱しない範囲内で、複数の置換、変形及び変更が可能であることが、本出願が属する技術分野で通常の知識を有する者にとって明らかであろう。したがって、本出願の範囲は、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が本出願の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１２１】
１１０：基板
１２０：第１電極
１３０：有機発光層
１４０：第２電極
Ｂ：バンク
１５０：封止膜
１５１：第１無機膜
１５２a：高屈折有機膜
１５２b：低屈折有機膜
１５３：第２無機膜
１６０：カラーフィルタ
ＡＧ：エアギャップ
【図１】
2019215541.tif 000003
【図２】
2019215541.tif 000004
【図３】
2019215541.tif 000005
【図４】
2019215541.tif 000006
【図５】
2019215541.tif 000007
【図６】
2019215541.tif 000008
【図７Ａ】
2019215541.tif 000009
【図７Ｂ】
2019215541.tif 000010
【図７Ｃ】
2019215541.tif 000011
【図８Ａ】
2019215541.tif 000012
【図８Ｂ】
2019215541.tif 000013
【図８Ｃ】
2019215541.tif 000014
【図９Ａ】
2019215541.tif 000015
【図９Ｂ】
2019215541.tif 000016
【図１０Ａ】
2019215541.tif 000017
【図１０Ｂ】
2019215541.tif 000018
【図１１】
2019215541.tif 000019
【図１２Ａ】
2019215541.tif 000020
【図１２Ｂ】
2019215541.tif 000021
【図１２Ｃ】
2019215541.tif 000022
【図１２Ｄ】
2019215541.tif 000023
【図１２Ｅ】
2019215541.tif 000024
【図１２Ｆ】
2019215541.tif 000025
【図１２Ｇ】
2019215541.tif 000026
【図１２Ｈ】
2019215541.tif 000027
【図１３Ａ】
2019215541.tif 000028
【図１３Ｂ】
2019215541.tif 000029