(57)【要約】【課題】放熱板の付近で絶縁板が損傷することを防止するための技術を提供する。【解決手段】半導体装置２は、一面３０ａに放熱板２４Ｂが露出している半導体モジュール２０と、放熱板２４Ｂを覆っている絶縁板４０と、絶縁板４０を覆っている冷却板５０と、パッケージ３０と絶縁板４０と冷却板５０とを支持している支持部６２を備えている冷却器６０を備えている。支持部６２は、パッケージ３０の外周面と、絶縁板４０の外周面と、冷却板５０の外周面と、冷却板５０の周縁の領域を覆っており、パッケージ３０の外周面３０ｂとパッケージ３０の一面３０ａとの間に段差３２が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製のパッケージの内部に半導体素子を封止しているとともに、前記パッケージの少なくとも一面に金属製の放熱板が露出している半導体モジュールと、
前記放熱板を覆っている絶縁板と、
前記絶縁板を覆っている冷却板と、
前記パッケージと前記絶縁板と前記冷却板とを支持している支持部を備えているとともに、前記冷却板の前記絶縁板を覆っている面と反対側の面に沿って冷媒が流れる流路を備えている樹脂製の冷却器と、
を備えており、
前記支持部は、前記パッケージの外周面と、前記絶縁板の外周面と、前記冷却板の外周面と、前記冷却板の前記反対側の面のうちの周縁の領域と、を覆っており、
前記パッケージの外周面と前記パッケージの前記少なくとも一面との間に段差が設けられている、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、樹脂製のパッケージの内部に半導体素子を封止している半導体モジュールと、樹脂製の冷却器を備えている半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、樹脂製のパッケージの内部に半導体素子を封止している半導体モジュールと、樹脂製の冷却器を備えている半導体装置が開示されている。半導体モジュールのパッケージの一面に、金属製の放熱板が露出している。放熱板は、絶縁シートに覆われている。絶縁シートは、冷却板に覆われている。これにより、冷却板は、絶縁シートによって、放熱板から絶縁される。冷却器は、パッケージと絶縁板と冷却板とを支持している支持部を備えているとともに、冷却板の絶縁板を覆っている面と反対側の面に沿って冷媒を流す流路を備えている。支持部は、パッケージの外周面と、絶縁板の外周面と、冷却板の外周面と、冷却板の上記の反対側の面のうちの周縁の領域を覆っている。半導体装置は低温状態と高温状態を繰り返し、温度が低下していく過程で生じる冷却板の反りは、冷却板の周縁の領域を覆っている支持部によって抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３１１９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように、特許文献１に開示された半導体装置では、支持部によって冷却板の反りを抑制することができる。しかし、支持部は、温度が高温状態から低下していく過程で熱収縮する。支持部は、冷却板の周縁の領域だけでなく、パッケージの外周面も覆っているので、熱収縮による力は、冷却板だけでなく、パッケージの外周面にも作用する。支持部からパッケージの外周面に力が作用すると、パッケージは内側へと圧縮される。パッケージが内側へと圧縮されると、外周方向（即ち、放熱板と平行な方向）におけるパッケージの幅が縮む一方、放熱板の法線方向におけるパッケージの幅が伸びる。ここで、パッケージが内側へと圧縮されることに伴って、放熱板も内側に圧縮される。しかし、金属製の放熱板は、樹脂製のパッケージと比較して変形し難い。このため、放熱板の外周方向における圧縮量は、パッケージの外周方向における圧縮量よりも小さくなり、放熱板の法線方向における伸び量は、パッケージの法線方向における伸び量よりも小さくなる。この結果、放熱板の外周面の付近において、パッケージの表面が放熱板に対して法線方向に盛り上がり、この盛り上がった部分の付近（即ち、放熱板の付近）で絶縁板が損傷する虞がある。
【０００５】
本明細書は、特許文献１に開示された半導体装置を改良して、放熱板の付近で絶縁板が損傷することを防止するための技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する半導体装置は、樹脂製のパッケージの内部に半導体素子を封止しているとともに、パッケージの少なくとも一面に金属製の放熱板が露出している半導体モジュールと、放熱板を覆っている絶縁板と、絶縁板を覆っている冷却板と、パッケージと絶縁板と冷却板とを支持している支持部を備えているとともに、冷却板の絶縁板を覆っている面と反対側の面に沿って冷媒が流れる流路を備えている樹脂製の冷却器と、備えている。支持部は、パッケージの外周面と、絶縁板の外周面と、冷却板の外周面と、冷却板の反対側の面のうちの周縁の領域と、を覆っており、パッケージの外周面とパッケージの少なくとも一面との間に段差が設けられている。
【０００７】
上記の構成によれば、パッケージは、段差を含む外側の部分と、段差と放熱板との間の部分を有する。段差を含む外側の部分は、段差と放熱板との間の部分より薄肉となるので、段差を含む外側の部分の剛性は段差と放熱板との間の部分の剛性よりも低い。このため、段差を含む外側の部分が、段差と放熱板との間の部分よりも伸びやすくなる。この結果、支持部が熱収縮すると、段差を含む外側の部分が段差と放熱板との間の部分の代わりに伸びて、特許文献１に開示された技術と比較して、放熱板の外周面の付近において、パッケージの表面が放熱板に対して法線方向に盛り上がる高さを低減することができる。盛り上がる高さが低減されることによって、放熱板の付近で絶縁板が損傷することを防止することができる。
【０００８】
本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の半導体装置を積層した半導体冷却装置の斜視図である。
【図２】実施例の半導体装置の斜視図である。
【図３】実施例の半導体装置の断面図である。
【図４】図３の破線IVが示す範囲の部分断面図である。
【図５】比較例の半導体装置の部分断面図である。
【図６】放熱板のＹ軸方向における外周面の付近での応力の最大値を示すグラフである。
【図７】放熱板のＺ軸方向における外周面の付近での応力の最大値を示すグラフである。
【図８】段差の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図面を参照して実施例の半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを説明する。半導体装置１００Ａ〜１００Ｇは、互いに同一の構成を有している。半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを積層することによって、半導体冷却装置３００が構成される。以下、半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを総称して、「半導体装置１００」と呼ぶ。図１は、半導体冷却装置３００の斜視図を示し、図２は、半導体装置１００の斜視図を示し、図３は、図２のIII‐III線における半導体装置１００の断面図を示す。各図には、ＸＹＺ座標系が定義されており、以下では、ＸＹＺ座標系を適宜利用して説明を続ける。
【００１１】
半導体冷却装置３００は、各半導体装置１００に収容されている半導体モジュール２０を冷却する装置である。図２に示すように、半導体装置１００は、樹脂製の筒状の樹脂枠６０を備えている。図２では、冷却板５０に隠れて見えないが、樹脂枠６０の内側には、半導体モジュール２０が配置されている。半導体冷却装置３００は、樹脂枠６０の筒の軸線方向（即ち、Ｘ軸方向）に沿って、半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを積層することによって構成される。半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを積層することによって、半導体装置１００Ａ〜１００Ｇの樹脂枠６０の内側の空間が互いに連通する。図１に示すように、半導体装置１００Ａ〜１００Ｇを積層した積層体の積層方向（即ち、Ｘ軸方向）における半導体装置１００Ａ側の一端には、冷媒供給管３０６と冷媒排出管３０８を備えている第１カバー３０２が配置されており、当該積層体の積層方向における半導体装置１００Ｇ側の他端には、第２カバー３０４が配置されている。冷媒供給管３０６と冷媒排出管３０８は、各半導体装置１００の樹脂枠６０の内側の空間と連通する。樹脂枠６０の内側が、冷媒が流れる流路に相当する。冷媒は、冷媒供給管３０６から供給される。冷媒は、各半導体装置１００の樹脂枠６０の内側の空間（流路）を通過して冷却板５０に接触することで半導体モジュール２０から熱を吸収する。冷媒は、冷媒排出管３０８から排出される。冷媒は、水、あるいは、ＬＬＣ（Ｌｏｎｇ  Ｌｉｆｅ  Ｃｏｏｌａｎｔ）などである。
【００１２】
半導体装置１００は、図２、３に示すように、半導体モジュール２０と、２枚の絶縁板４０、４２と、２枚の冷却板５０、５２と、樹脂枠６０を備えている。なお、図２では、半導体モジュール２０と、２枚の絶縁板４０、４２と、冷却板５２が隠れて見えない。半導体モジュール２０は、樹脂製のパッケージ３０の内部に半導体素子２２Ａ、２２Ｂを封止している。半導体素子２２Ａ、２２Ｂの夫々は、例えば、その内部で絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（通称ＩＧＢＴ）とダイオードが逆並列に接続されたチップである。扁平なパッケージ３０のＸ軸正方向における端面３０ａ（即ち、扁平なパッケージ３０の幅広な両面のうちの一方）には、２枚の放熱板２６Ａ、２６Ｂが露出している。Ｘ軸負方向における端面３０ｃ（即ち、扁平なパッケージ３０の幅広な両面のうちの他方）には、１枚の放熱板２８が露出している。各放熱板２６Ａ、２６Ｂ、２８は、金属製（例えば、銅製）の板である。
【００１３】
パッケージ３０のＹ軸負方向における外周面３０ｂとパッケージ３０の端面３０ａ（即ち幅広面）との間には、段差３２が設けられている。別言すれば、外周面３０ｂは、段差３２を介して、端面３０ａに接続している。さらに別言すれば、外周面３０ｂと端面３０ａとの境界に段差３２が設けられている。同様に、外周面３０ｂと端面３０ｃとの間、Ｙ軸正方向における外周面３０ｄと端面３０ｃとの間、外周面３０ｄと端面３０ａとの間に、段差３３、３４、３５が設けられている。なお、図示は省略されているが、パッケージ３０のＺ軸の両方向における外周面と端面３０ａの間、パッケージ３０のＺ軸の両方向における外周面と端面３０ｃの間のそれぞれにも、段差が設けられている。
【００１４】
放熱板２６Ａは、スペーサ２４Ａを介して、半導体素子２２Ａに接続されている。同様に、放熱板２６Ｂは、スペーサ２４Ｂを介して、半導体素子２２Ｂに接続されている。各スペーサ２４Ａ、２４Ｂは、金属製（例えば、銅製）のプロックである。また、放熱板２８は、スペーサ２４Ａ、２４Ｂが配置されている側とは反対側で、スペーサを介さずに、半導体素子２２Ａ、２２Ｂに接続されている。
【００１５】
絶縁板４０は、放熱板２６Ａ、２６Ｂと、パッケージ３０のＸ軸正方向における端面３０ａを覆っている。また、絶縁板４２は、放熱板２８と、パッケージ３０のＸ軸負方向における端面３０ｃを覆っている。
【００１６】
冷却板５０は、絶縁板４０を覆っている。冷却板５０の絶縁板４０を覆っている面と反対側の面には、フィン５１が設けられている。フィン５１は、複数枚の板が櫛状に並んだ構造を有している。絶縁板４２を覆っている冷却板５２も、同様の構造を有しており、フィン５３が設けられている。なお、変形例では、フィン５１、５３は、複数個のピンが縦横に並んだ構造を有していてもよい。
【００１７】
樹脂枠６０は、上記したように、半導体モジュール２０を収容する筒状の枠であり、その内側の空間が、冷媒が流れる流路Ｐに相当する。即ち、樹脂枠６０は、半導体モジュール２０を冷却するための冷却器として機能する。図２に示すように、樹脂枠６０は、Ｚ軸方向における一対の外壁６６、６８の間に架け渡されている一対の支持部６２、６４を備えている。一対の支持部６２、６４は、Ｙ軸方向に沿って、間隔を開けて並んでおり、図３に示すように、半導体モジュール２０のパッケージ３０と、２枚の絶縁板４０、４２と、２枚の冷却板５０、５２を支持している。
【００１８】
半導体装置１００は、半導体モジュール２０と、２枚の絶縁板４０、４２と、２枚の冷却板５０、５２を図３に示すように積層したアセンブリを製造した後に、当該アセンブリを射出成形の金型内に収容しておいて、樹脂を射出成形することによって製造される。この際、一対の支持部６２、６４が、パッケージ３０のＹ軸方向における外周面と、２枚の絶縁板４０、４２のＹ軸方向における外周面と、２枚の冷却板５０、５２のＹ軸方向における外周面と、段差３２〜３５の内面を覆うように成形される。また、一対の外壁６６、６８が、パッケージ３０のＺ軸方向における外周面と、２枚の絶縁板４０、４２のＺ軸方向における外周面と、２枚の冷却板５０、５２のＺ軸方向における外周面と、パッケージ３０のＺ軸の両方向における外周面と両端面との間の各段差の内面と、を覆うように成形される。
【００１９】
図２に示すように、半導体装置１００は、３本の出力端子８０Ａ〜８０Ｃと、複数本の制御端子８２を備えている。半導体素子２２Ａ、２２Ｂは、半導体モジュール２０の内部で直列に接続されており、出力端子８０Ａは、直列接続の高電位側の電極と導通している。出力端子８０Ｂは直列接続の低電位側の電極と導通している。出力端子８０Ｃは、直列接続の中点と導通している。複数本の制御端子８２は、３本の出力端子８０Ａ〜８０Ｃの反対側に延びている。複数本の制御端子８２は、ＩＧＢＴのゲートと接続しているゲート端子、ＩＧＢＴのセンスエミッタと接続しているセンサ端子などである。
【００２０】
放熱板２６Ａは、出力端子８０Ａの一部を構成しており、半導体素子２２Ａの電極と導通している。同様に、放熱板２６Ｂは、出力端子８０Ｂの一部を構成し、放熱板２８は、出力端子８０Ｃの一部を構成している。図３に示されている絶縁板４０は、放熱板２６Ａ、２６Ｂと冷却板５０の間を絶縁し、絶縁板４２は、放熱板２８と冷却板５２の間を絶縁する。
【００２１】
また、図２、図３に示すように、樹脂枠６０の筒の軸線方向（即ち、Ｘ軸方向）の両端面６０ａ、６０ｂには、二重のシール部材７０、７２が配置されている。これにより、各半導体装置１００を積層すると、樹脂枠６０の内側の空間が密閉される。
【００２２】
図４を参照して、支持部６２及びパッケージ３０の詳細について説明する。図４は、パッケージ３０の段差３２の付近の範囲（即ち、図３の破線IVが示す範囲）の部分断面図である。図４に示すように、支持部６２は、各部材３０、４０、５０のＹ軸負方向における外周面と段差３２の内面を覆っていると共に、冷却板５０のフィン５１が設けられている面のうちの周縁の領域５０ａも覆っている。
【００２３】
また、支持部６２は、各部材４０、５０とは反対側に位置している絶縁板４２及び冷却板５２のＹ軸負方向における外周面と段差３３の内面を覆っていると共に、冷却板５２のフィン５３が設けられている面のうちの周縁の領域も覆っている（図３参照）。
【００２４】
また、上記したように、樹脂枠６０の一対の外壁６６、６８は、各部材３０、４０、４２、５０、５２のＺ軸方向における外周面と、パッケージ３０のＺ軸の両方向における外周面と両端面との間の各段差の内面を覆っている。詳細な説明は省略するが、外壁６６、６８も、支持部６２と同様に、冷却板５０、５２のフィン５１、５３が設けられている面のうちの周縁の領域も覆っている。
【００２５】
上記したように、パッケージ３０の外周面３０ｂと端面３０ａとの間には、段差３２が設けられている。段差３２は、段差３２のＸ軸方向における内面と端面３０ａの間の距離Ｈと、段差３２のＹ軸方向における内面と放熱板２６ＢのＹ軸方向における外周面の間の距離Ｌによって規定される。図４に示すように、パッケージ３０は、段差３２を含む外側の部分である外側部分３６と、段差３２と放熱板２６Ｂの間の部分である内側部分３８を有する。
【００２６】
半導体装置１００を含む半導体冷却装置３００は、電力変換装置に適用され、例えば、電気自動車に搭載される。電気自動車の電力変換装置は、電源の直流電力を走行用モータの駆動に適した交流電力に変換する。走行用モータに供給する電力は数十キロワットと大きく、半導体冷却装置３００内の半導体装置１００は発熱量が大きい。発熱量の大きい半導体装置１００は、その内部の樹脂枠６０（即ち、冷却器）の内側の流路Ｐを流れる冷媒によって冷却される。半導体装置１００は、高温状態と低温状態を繰り返すことになる。温度が低下していく過程で、樹脂製の支持部６２、６４は熱収縮する。支持部６２、６４が熱収縮すると、冷却板５０、５２とパッケージ３０の間に挟まれた絶縁板４０、４２に負荷が加わる。以下に述べるが、本実施例の半導体装置１００は、支持部６２、６４が熱収縮して絶縁板４０、４２に負荷が加わる状況で、絶縁板４０、４２の絶縁性能が低下することを防止することができる。
【００２７】
図５に示す比較例を参照して、半導体装置１００の利点を説明する。図５に示す比較例の半導体装置は、パッケージ１３０の構成が異なる点を除いて、本実施例の半導体装置１００と同様の構成を備えている。パッケージ１３０のＸ軸正方向における端面１３０ａとパッケージ１３０のＹ軸負方向における外周面１３０ｂの間には、段差が設けられていない。
【００２８】
支持部６２は、冷却板５０の周縁の領域５０ａだけでなく、パッケージ３０の外周面３０ｂも覆っているので、熱収縮による力は、冷却板５０だけでなく、パッケージ３０の外周面３０ｂにも作用する。支持部６２からパッケージ３０の外周面３０ｂに力が作用すると、パッケージ３０はＹ軸方向において内側へと圧縮される。パッケージ３０が内側へと圧縮されると、パッケージ３０のＹ軸方向における幅が縮む一方、パッケージ３０のＸ軸方向（即ち、放熱板２６Ｂの法線方向）における幅が伸びる。ここで、パッケージ１３０が内側へと圧縮されることに伴って、放熱板２６Ｂも内側に圧縮される。しかし、金属製の放熱板２６Ｂは、樹脂製のパッケージ１３０と比較して変形し難い。このため、放熱板２６ＢのＹ軸方向における圧縮量は、パッケージ１３０のＹ軸方向における圧縮量よりも小さくなり、Ｘ軸方向における放熱板２６Ｂの伸び量は、パッケージ１３０のＹ軸方向における伸び量よりも小さくなる。この結果、図５に示すように、放熱板２６ＢのＹ軸負方向における外周面の付近において、パッケージ１３０の端面１３０ａが放熱板２６Ｂに対してＸ軸正方向に盛り上がる。この盛り上がった部分の付近において絶縁板４０に負荷が集中して加わり、絶縁板４０が放熱板２６Ｂの付近で損傷する虞がある。絶縁板４０が放熱板２６Ｂの付近で損傷すると、絶縁板４０の絶縁性能が低下する虞がある。
【００２９】
これに対して、本実施例の半導体装置１００（図４参照）では、パッケージ３０は、段差３２と放熱板２６Ｂの間の内側部分３８より薄肉な外側部分３６を有し、外側部分３６の剛性は内側部分３８の剛性よりも低い。即ち、外側部分３６が内側部分３８よりも伸びやすくなる。この結果、支持部６２が熱収縮すると、外側部分３６が内側部分３８の代わりに伸びて、上述した比較例と比較して、放熱板２６ＢのＹ軸負方向の外周面の付近においてパッケージ３０の端面３０ａが放熱板２６Ｂに対してＸ軸正方向に盛り上がる高さを低減することができる。盛り上がる高さが低減されることによって、放熱板２６ＢのＹ軸負方向の外周面の付近において絶縁板４０に負荷が集中することを抑制することができる。負荷の集中を抑制することによって、放熱板２６Ｂの付近で絶縁板４０が損傷することを防止することができる。
【００３０】
また、Ｙ軸負方向における外周面３０ｂと端面３０ｃとの間、Ｙ軸正方向における外周面３０ｄと端面３０ｃとの間、外周面３０ｄと端面３０ａとの間にも、段差３３、３４、３５が設けられている。このため、放熱板２８のＹ軸の両方向における外周面の付近及び放熱板２６ＡのＹ軸正方向における外周面の付近において、パッケージ３０の端面が盛り上がる高さが低減され、放熱板２６Ａ及び放熱板２８の付近で絶縁板４０、４２が損傷することが防止される。また、パッケージ３０のＺ軸の両方向における外周面とパッケージ３０のＸ軸方向における両端面の間にも、段差が設けられている。このため、放熱板２６Ａ、２６Ｂ、２８のＺ軸の両方向における外周面の付近でパッケージ３０の端面が盛り上がる高さが低減され、放熱板２６Ａ及び放熱板２８の付近で絶縁板４０、４２が損傷することが防止される。
【００３１】
図６は、放熱板２６ＢのＹ軸負方向における外周面の付近で絶縁板４０に発生する応力の最大値のグラフである。図６に示すように、比較例の応力の最大値に対して、実施例の応力の最大値は、約７０パーセント低下している。また、図７は、放熱板２６ＢのＺ軸正方向における外周面の付近で絶縁板４０に発生する応力の最大値のグラフである。図７に示すように、比較例の応力の最大値に対して、実施例の応力の最大値は、約８０パーセント低下している。図６、図７のグラフからも明らかなように、本実施例の構成では、放熱板２６Ｂの外周面の付近で絶縁板４０に応力が集中することが防止され、放熱板２６Ｂの付近で絶縁板４０が損傷することを防止することができる。
【００３２】
以下、変形例について説明する。段差３２の内面の間の角度は、図４に示すような９０度に限らず、９０度以外の角度（例えば、１００度）であってもよい。また、図８に示すように、段差３２の内面の間に曲面３２ａが設けられてもよい。
【００３３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００３４】
パッケージ３０の端面３０ａ、外周面３０ｂ、段差３２が、それぞれ、請求項の「少なくとも一面」、「外周面」、「段差」の一例である。
【００３５】
冷却板５０、５２は、フィン５１、５３を備えなくてもよい。半導体モジュール２０の両端面のうちの一方の端面（例えば、Ｘ軸正方向の端面）に、放熱板が露出しており、他方の端面に、放熱板が露出していなくてもよい。この場合、絶縁板及び冷却板は、放熱板が露出している一方の端面の側のみに配置されていてもよい。
【００３６】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３７】
２０  ：半導体モジュール
２２Ａ、２２Ｂ  ：半導体素子
２４Ａ、２４Ｂ  ：スペーサ
２６Ａ、２６Ｂ、２８  ：放熱板
３０  ：パッケージ
３０ａ、３０ｃ  ：端面
３０ｂ、３０ｄ  ：外周面
３２、３３、３４、３５  ：段差
３６  ：外側部分
３８  ：内側部分
４０、４２  ：絶縁板
５０、５２  ：冷却板
５１、５３  ：フィン
６０  ：樹脂枠
６０ａ、６０ｂ  ：端面
６２、６４  ：支持部
６６、６８  ：外壁
７０、７２  ：シール部材
８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ  ：出力端子
８２  ：制御端子
１００、１００Ａ〜１００Ｇ  ：半導体装置
３００  ：半導体冷却装置
３０２  ：第１カバー
３０４  ：第２カバー
３０６  ：冷媒供給管
３０８  ：冷媒排出管
Ｐ      ：流路
【図１】
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【図２】
2019091785.tif 000004
【図３】
2019091785.tif 000005
【図４】
2019091785.tif 000006
【図５】
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【図６】
2019091785.tif 000008
【図７】
2019091785.tif 000009
【図８】
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