(57)【要約】【課題】放射線の測定において電離キャリアの再結合に伴う測定結果の劣化を抑制する改良技術を提供する。【解決手段】半導体素子１０は、放射線を受けて電離キャリアを発生する。高速整形回路４０は、電離キャリアによる検出信号に対する短い時定数の処理により高速処理の波高値を得る。低速整形回路５０は、電離キャリアによる検出信号に対する長い時定数の処理により低速処理の波高値を得る。測定処理部６０は、高速処理の波高値と低速処理の波高値が互いに実質的に同等であり電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて、放射線の測定結果を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を受けて電離キャリアを発生する放射線検出部と、
前記電離キャリアによる検出信号に対する短い時定数の処理により高速処理の波高値を得る高速処理部と、
前記電離キャリアによる検出信号に対する前記短い時定数よりも長い時定数の処理により低速処理の波高値を得る低速処理部と、
前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値が互いに実質的に同等であり前記電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて、放射線の測定結果を得る測定処理部と、
を有する、
ことを特徴とする放射線測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線測定装置において、
前記高速処理の波高値を一方軸とし前記低速処理の波高値を他方軸として前記電離キャリアによる検出信号の波高値をマッピングした二次元マップ内において、前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値が互いに同等となる領域が設定され、
前記測定処理部は、前記二次元マップ内に設定された前記領域内の波高値に対応した検出信号を電子の影響が支配的な検出信号とする、
ことを特徴とする放射線測定装置。
【請求項３】
請求項１に記載の放射線測定装置において、
前記測定処理部は、前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値の比較値が、波高値同士を同等とみなす判定条件を満たす場合に、当該判定条件を満たす波高値に対応した検出信号を電子の影響が支配的な検出信号とする、
ことを特徴とする放射線測定装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線測定装置において、
前記電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る分解能モードと、
前記電離キャリアの電子と正孔の両方を対象とした検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る高感度モードと、
を実行する機能を備え、
前記分解能モードと前記高感度モードを選択的に又は並行的に実行して放射線の測定結果を得る、
ことを特徴とする放射線測定装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の放射線測定装置において、
前記電離キャリアによる検出信号に対して、当該検出信号から得られる前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値に基づくバイパラメトリック補正を施し、補正後の当該検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る、
ことを特徴とする放射線測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線測定装置として、サーベイメータや個人線量計等の装置が知られており、これらの装置には、放射線を検出するセンサとして、小型軽量化に適した半導体素子が多く用いられている。半導体素子を利用した放射線測定装置においては、半導体素子にバイアス電圧が印加され、放射線が入射することにより半導体素子内に生じる電離キャリア（電子と正孔）を収集することにより、放射線の検出結果が得られる。
【０００３】
放射線の入射により半導体素子内に発生した電離キャリアは、半導体素子内を移動度（μ）で移動するが寿命（τ）を持つため、電離キャリアの一部は電極に到達する前に再結合により半導体素子内で消滅してしまう。半導体素子の種類によっては、電離キャリアとなる電子と正孔の移動度の差が大きい場合がある。例えば半導体素子の具体例である臭化タリウム（ＴｌＢｒ）等では、正孔の移動度が電子の移動度の１／１０程度と遅いことが知られている。
【０００４】
したがって、移動度の大きい電子は殆どが再結合せずに電極（陽極）まで到達するが、移動度の小さい正孔は電極（陰極）に到達する前の再結合が無視できない。特に、放射線が陽極付近に入射した場合には、その放射線により陽極付近で発生した正孔が陰極に到達するまでの移動距離が長く、再結合により消滅してしまう正孔が多くなり、放射線の検出結果に悪影響を与えてしまう。例えば、測定された放射線のエネルギー分解能を劣化させてしまう場合がある。
【０００５】
こうした、エネルギー分解能の劣化を抑制するための技術として、バイパラメトリック補正（ＢＰ補正）と呼ばれる補正技術が知られている（特許文献１参照）。バイパラメトリック補正では、高速の波形生成回路から得られる波高値と、低速の波形生成回路から得られる波高値に基づいて、正孔（ホール）の再結合により失われる電荷分を補正することにより、例えばエネルギー分解能の劣化等が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第５４２７６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
バイパラメトリック補正により正孔の再結合により失われる電荷分を補正することができる。しかし、正孔が再結合する割合にも揺らぎがあるため、バイパラメトリック補正を施してもエネルギー分解能の劣化等を完全に補正することは困難であり、更なる改良技術の登場が望まれている。
【０００８】
本発明の目的は、放射線の測定において電離キャリアの再結合に伴う測定結果の劣化を抑制する改良技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様として好適な放射線測定装置は、放射線を受けて電離キャリアを発生する放射線検出部と、前記電離キャリアによる検出信号に対する短い時定数の処理により高速処理の波高値を得る高速処理部と、前記電離キャリアによる検出信号に対する前記短い時定数よりも長い時定数の処理により低速処理の波高値を得る低速処理部と、前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値が互いに実質的に同等であり前記電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて、放射線の測定結果を得る測定処理部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
前記放射線測定装置の好適な具体例はサーベイメータや個人線量計等であるが、例えば核医学診断システム（核医学診断装置）に前記放射線測定装置が利用されてもよい。前記放射線測定装置によれば、殆ど再結合しない電子の影響が支配的な検出信号に基づいて放射線の測定結果が得られるため、再結合に伴う測定結果の劣化を抑制することができ、望ましくは再結合に伴う測定結果の劣化を回避できる。
【００１１】
例えば、前記高速処理の波高値を一方軸とし前記低速処理の波高値を他方軸として前記電離キャリアによる検出信号の波高値をマッピングした二次元マップ内において、前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値が互いに同等となる領域が設定され、前記測定処理部は、前記二次元マップ内に設定された前記領域内の波高値に対応した検出信号を電子の影響が支配的な検出信号とすることが望ましい。
【００１２】
また、例えば、前記測定処理部は、前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値の比較値が、波高値同士を同等とみなす判定条件を満たす場合に、当該判定条件を満たす波高値に対応した検出信号を電子の影響が支配的な検出信号とすることが望ましい。
【００１３】
また、例えば、前記電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る分解能モードと、前記電離キャリアの電子と正孔の両方を対象とした検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る高感度モードと、を実行する機能を備え、前記分解能モードと前記高感度モードを選択的に又は並行的に実行して放射線の測定結果を得ることが望ましい。
【００１４】
また、例えば、前記電離キャリアによる検出信号に対して、当該検出信号から得られる前記高速処理の波高値と前記低速処理の波高値に基づくバイパラメトリック補正を施し、補正後の当該検出信号に基づいて放射線の測定結果を得ることが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、放射線の測定において電離キャリアの再結合に伴う測定結果の劣化を抑制する改良技術が提供される。例えば、本発明の好適な態様によれば、殆ど再結合しない電子の影響が支配的な検出信号に基づいて放射線の測定結果が得られるため、再結合に伴う測定結果の劣化を抑制することができ、望ましくは再結合に伴う測定結果の劣化を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施において好適な放射線測定装置の具体例を示す図である。
【図２】放射線による電離キャリアの発生を説明するための図である。
【図３】再結合に伴う検出結果の揺らぎを説明するための図である。
【図４】電離キャリアの発生位置に応じて変化する波高値の具体例を示す図である。
【図５】二次元マップの具体例を示す図である。
【図６】バイパラメトリック補正による測定結果の改善例を示す図である。
【図７】電子のみの信号による測定結果の改善例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施において好適な放射線測定装置の具体例を示す図である。半導体素子１０は、放射線を受けて電離キャリアを発生する。半導体素子１０としては、様々な種類の半導体結晶を利用することができる。例えば、シリコン（Ｓｉ），ゲルマニウム（Ｇｅ），テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ），臭化タリウム（ＴｌＢｒ）等が半導体素子１０として好適な半導体結晶の代表例である。
【００１８】
バイアス電圧発生回路２０は、半導体素子１０に印加されるバイアス電圧を発生する。バイアス電圧発生回路２０は、正極性のバイアス電圧（正バイアス電圧：＋電圧）と、負極性のバイアス電圧（負バイアス電圧：−電圧）を発生する。なお、正極性のバイアス電圧と負極性のバイアス電圧のいずれか一方が接地（グランド）電位であってもよい。
【００１９】
プリアンプ３０は、半導体素子１０から得られる電離キャリアの電荷信号を電圧信号に変換する。プリアンプ３０から出力された信号は、互いに異なる時定数に対応した高速整形回路４０と低速整形回路５０の両方で処理される。
【００２０】
高速整形回路４０は、プリアンプ３０から得られる電圧信号に対してフィルタリング処理と波形整形処理を施して後段へ出力する。高速整形回路４０は、例えば、短い時定数のバンドパスフィルタを備えており、短い時定数（例えば０．５μｓ程度）の処理によりプリアンプ３０から得られる信号の波形を整形する。
【００２１】
アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）４２は、高速整形回路４０から出力される信号波形の波高をデジタルデータに変換する。波高弁別回路（ディスクリミネータ）４４は、高速整形回路４０から出力される信号波形のうち、閾値となるカットレベル以上の波高値を有効パルスとして認識する。
【００２２】
低速整形回路５０は、プリアンプ３０から得られる電圧信号に対してフィルタリング処理と波形整形処理を施して後段へ出力する。低速整形回路５０は、例えば、高速整形回路４０における短い時定数よりも長い時定数のバンドパスフィルタを備えており、長い時定数（例えば３〜５μｓ程度）の処理によりプリアンプ３０から得られる信号の波形を整形する。
【００２３】
アナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）５２は、低速整形回路５０から出力される信号波形の波高をデジタルデータに変換する。波高弁別回路（ディスクリミネータ）５４は、低速整形回路５０から出力される信号波形のうち、閾値となるカットレベル以上の波高値を有効パルスとして認識する。
【００２４】
測定処理部６０は、互いに異なる時定数により得られた波高値に基づいて放射線の測定結果を得る。測定処理部６０は、例えば論理回路等の演算器（演算デバイス）によって構成され、アナログデジタルコンバータ４２から出力されて波高弁別回路４４により有効パルスと認識された高速処理の波高値と、アナログデジタルコンバータ５２から出力されて波高弁別回路５４により有効パルスと認識された低速処理の波高値に基づいて、放射線の測定結果を導出する。
【００２５】
測定処理部６０は、例えば、環境線量率の測定において、放射線の入射エネルギーごとに線量率に応じた重み付け演算、例えばＧ（Ｅ）関数演算等を実行する。また、測定処理部６０は、入射放射線のエネルギーから崩壊核種等を同定する測定において、入射放射線のエネルギーごとの頻度分布であるエネルギースペクトルを形成して表示する。
【００２６】
図１の放射線測定装置の全体構成は以上のとおりである。次に、図１の放射線測定装置により実現される機能等の具体例について詳述する。なお、図１に示した構成（符号を付された各部）については、以下の説明において図１の符号を利用する。
【００２７】
図２は、放射線による電離キャリアの発生を説明するための図である。図２には、放射線を受けた半導体素子１０（図１）内において電離キャリアが発生する様子の具体例が図示されている。
【００２８】
半導体素子１０には、バイアス電圧発生回路２０から得られるバイアス電圧が印加される。図２に示す具体例では、正極性のバイアス電圧（＋電圧）が半導体素子１０の一方の電極（陽極）に印加されており、他方の電極（陰極）が接地され、接地（グランド）電位が負極性のバイアス電圧とされている。
【００２９】
半導体素子１０に放射線が入射すると、入射した放射線により半導体素子１０内において電離キャリアとして電子と正孔が発生する。発生した電離キャリアは、半導体素子１０に印加されたバイアス電圧に伴う電界により両電極に向かって移動する。つまり、電子が陽極に向かって移動し、正孔が陰極に向かって移動する。放射線から得られるエネルギーが大きければ大きいほど電離キャリアは多く検出される。つまり、電離キャリア量と放射線エネルギーは比例関係にある。
【００３０】
放射線の入射により半導体素子１０内に発生した電離キャリアは、半導体素子１０内を移動度（μ）で移動するが寿命（τ）を持つため、電離キャリアの一部は電極に到達する前に再結合により半導体素子１０内で消滅してしまう。半導体素子１０の種類によっては電離キャリアとなる電子と正孔の移動度の差が大きい場合がある。例えば、半導体素子１０の具体例である臭化タリウム（ＴｌＢｒ）等では、正孔の移動度が電子の移動度の１／１０程度と遅いことが知られている。
【００３１】
したがって、移動度の大きい電子は殆どが再結合せずに電極（陽極）まで到達するが、移動度の小さい正孔は電極（陰極）に到達する前の再結合が無視できない。特に、放射線が陽極付近に入射した場合には、その放射線により陽極付近で発生した正孔が陰極に到達するまでの移動距離が長く、再結合により消滅してしまう正孔が多くなり、電極に到達する電子と正孔の個数に差が生じる。その結果、半導体素子１０による放射線の検出結果に揺らぎが生じてしまう場合がある。
【００３２】
図３は、再結合に伴う検出結果の揺らぎを説明するための図である。図３には、放射線の検出結果としてプリアンプ３０の出力波形から得られるチャージ電荷の具体例が図示されている。
【００３３】
図３において、「ｅ：ｈ」は、電子（ｅ）と正孔（ｈ）の移動長の比率を示している。例えば「ｅ：ｈ＝１００：０」は電子の移動長が１００であり正孔の移動長が０（ゼロ）である。つまり「ｅ：ｈ＝１００：０」は半導体素子１０内の陰極近傍で電離キャリアが発生した場合に対応している。
【００３４】
また、「ｅ：ｈ＝７５：２５」，「ｅ：ｈ＝５０：５０」，「ｅ：ｈ＝２５：７５」と正孔の移動長の比率が段階的に大きくなり、電離キャリアの発生位置が段階的に陽極に近くなる。
【００３５】
そして「ｅ：ｈ＝０：１００」は電子の移動長が０（ゼロ）であり正孔の移動長が１００である。つまり「ｅ：ｈ＝０：１００」は半導体素子１０内の陽極近傍で電離キャリアが発生した場合に対応している。
【００３６】
図３に示すように、正孔の移動長の比率が増加するに従い、つまり電離キャリアの発生位置が陰極近傍から陽極近傍に近づくに従い、再結合により消滅する正孔の個数が増加するため、チャージ電荷の大きさが徐々に減少する。また、電子よりも正孔の移動度（μ）が小さいため、正孔の移動長の比率が増加するに従い、チャージ電荷の立ち上がり時間（最大値に到達するまでの時間）が長くなる。
【００３７】
このように、例えば、同じエネルギーの放射線により同じ量の電離キャリアが発生したとしても、電離キャリアの発生位置に応じて、つまり放射線の入射位置に応じて、チャージ電荷が変化してしまう。プリアンプ３０の出力波形から得られるチャージ電荷が変化することにより波高値も変化してしまう。
【００３８】
図４は、電離キャリアの発生位置に応じて変化する波高値の具体例を示す図である。図４（Ａ）は、「ｅ：ｈ＝１００：０」の場合、つまり電子の移動長が１００であり正孔の移動長が０（ゼロ）の場合の具体例を示しており、図４（Ｂ）は、「ｅ：ｈ＝０：１００」の場合、つまり電子の移動長が０（ゼロ）であり正孔の移動長が１００の場合の具体例を示している。
【００３９】
また、図４（Ａ）（Ｂ）において、「入力信号」はプリアンプ３０の出力波形（図３参照）であり、「高速整形」は高速整形回路４０における処理を経て得られる波高値であり、「低速整形」は低速整形回路５０における処理を経て得られる波高値である。
【００４０】
図４（Ａ）に示すように、「ｅ：ｈ＝１００：０」では、「入力信号」であるプリアンプ３０の出力波形のチャージ電荷が比較的急峻に立ち上がるため、「高速整形」の波高値（最大値）と「低速整形」の波高値（最大値）がほぼ同じであり殆ど差がない。
【００４１】
これに対し、図４（Ｂ）に示すように、「ｅ：ｈ＝０：１００」では、「入力信号」であるプリアンプ３０の出力波形のチャージ電荷が比較的なだらかに立ち上がるため、長い時定数の処理により得られる「低速整形」の波高値（最大値）に比べて、短い時定数の処理により得られる「高速整形」の波高値（最大値）が減衰してしまう。
【００４２】
図３，図４に示した具体例のように、例えば同じエネルギーの放射線により同じ量の電離キャリアが発生したとしても、電離キャリアの発生位置に応じて、つまり放射線の入射位置に応じて、チャージ電荷が変化してしまい波高値も変化してしまう。これにより、例えば、測定された放射線のエネルギー分解能を劣化させてしまう場合がある。そこで、以下に、放射線のエネルギー分解能の劣化を抑制する処理の具体例について説明する。
【００４３】
図５は、二次元マップの具体例を示す図である。図５に示す二次元マップは、高速整形回路４０における処理を経て得られる高速処理の波高値（図５では高速処理のＡＤＣのｃｈ）を横軸とし、低速整形回路５０における処理を経て得られる低速処理の波高値（図５では低速処理のＡＤＣのｃｈ）を縦軸とし、多数のイベント（多数の検出タイミング）に亘って得られる検出信号の波高値をマッピングしたものである。図５において、二次元マップ内の各ドット（小さな点）が各イベントごとの波高値に対応している。
【００４４】
エネルギー分解能の劣化を抑制するための技術として、バイパラメトリック補正（ＢＰ補正）と呼ばれる補正技術が知られている。バイパラメトリック補正では、高速処理の波高値と低速処理の波高値に基づいて、正孔の再結合により失われる電荷分が補正される。例えば、特許文献１（特許第５４２７６５５号公報）に説明される次式を利用して、補正後の波高値が算出される。なお、次式において、Ｈｆは高速処理の波高値であり、Ｈｓは低速処理の波高値であり、Ｈｓ´は補正後の波高値である。
【００４５】
Ｈｓ´＝Ｈｓ×ｅｘｐ（０．２２５×（Ｈｓ−Ｈｆ）／Ｈｆ）
【００４６】
図６は、バイパラメトリック補正による測定結果の改善例を示す図である。図６には、バイパラメトリック補正前のエネルギースペクトル（ＢＰ補正前）と、バイパラメトリック補正後のエネルギースペクトル（ＢＰ補正後）の具体例が図示されている。図６の縦軸は計数値、横軸は波高値（ＡＤＣのｃｈ)を表している。
【００４７】
図６に示す具体例では、ＢＰ補正前において横軸の１５〜２５付近まで広がっていたスペクトルが、ＢＰ補正後において横軸の２０近傍に局在化している。つまり、バイパラメトリック補正（ＢＰ補正）によりエネルギー分解能が向上している。
【００４８】
放射線の測定結果として得られるエネルギースペクトルのエネルギー分解能を劣化させる要因は、電子に比べて正孔の移動度が遅いため正孔が移動中に再結合により消滅して波高値を変動させてしまうことにある。しかし、正孔が再結合する割合自体にも揺らぎがあるため、バイパラメトリック補正を施してもエネルギー分解能の劣化等を完全に防ぐことは困難である。
【００４９】
そこで、図１の放射線測定装置は、移動中における再結合が少ない電子に注目し、電子のみの信号（電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号）を利用して放射線の測定結果を得る。これにより、例えば、放射線の測定結果として得られるエネルギースペクトルのエネルギー分解能が更に向上する。
【００５０】
具体的には、例えば、図５に示す二次元マップ内において、高速処理の波高値と低速処理の波高値が互いに同等となる同等エリアが設定され、測定処理部６０が、電子のみの信号として、二次元マップ内に設定された同等エリア内の波高値に対応した検出信号を利用し、電子のみの信号に基づいて放射線の測定結果を導出する。図５に示す具体例おいて、２本の破線直線に挟まれた領域が同等エリアである。
【００５１】
また、測定処理部６０は、高速整形回路４０における処理を経て得られる高速処理の波高値と、低速整形回路５０における処理を経て得られる低速処理の波高値と、を比較して得られる比較値が、波高値同士を同等とみなす判定条件を満たす場合に、その判定条件を満たす波高値に対応した検出信号を電子の影響が支配的な信号としてもよい。例えば、各イベント（各検出タイミング）ごとに得られる高速処理の波高値と低速処理の波高値の差異が閾値以下（閾値より小さい）場合に、そのイベントにおいて得られた検出信号が電子のみの検出信号とされてもよい。
【００５２】
図７は、電子のみの信号による測定結果の改善例を示す図である。図７には、電離キャリアとして電子と正孔の両方を対象とした検出信号に対するバイパラメトリック補正により得られるエネルギースペクトル（通常ＢＰ補正）と、電離キャリアとして電子の影響が支配的な信号に対するバイパラメトリック補正により得られるエネルギースペクトル（電子のみＢＰ補正後）の具体例が図示されている。横軸は波高値（ＡＤＣのｃｈ）を表し、縦軸の左が電子の影響が支配的な領域のみの計数値、縦軸の右が通常ＢＰ補正の計数値を表している。
【００５３】
図７に示す具体例では、通常ＢＰ補正によるエネルギー分解能が６．２４パーセントであるのに対し、電子のみＢＰ補正後においてはエネルギー分解能が５．５４パーセントにまで改善している。
【００５４】
このように、電子のみの信号（電離キャリアとして電子の影響が支配的な検出信号）を利用することにより、放射線の測定結果として得られるエネルギースペクトルのエネルギー分解能が更に向上する。
【００５５】
なお、測定処理部６０は、図７に示す具体例のように、電子の影響が支配的な信号に対するバイパラメトリック補正によりエネルギースペクトルを導出することが望ましいものの、電子の影響が支配的な信号に基づいて、バイパラメトリック補正を省略して、エネルギースペクトル等の測定結果を得るようにしてもよい。
【００５６】
このように、電子の影響が支配的な信号を利用することにより、エネルギースペクトルのエネルギー分解能を向上させることができる。その一方において、放射線の検出感度を高めるためには、電離キャリアとして電子と正孔の両方を対象とした信号を利用することが望ましい。
【００５７】
そこで、図１の放射線測定装置は、電離キャリアの電子の影響が支配的な検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る分解能モードと、電離キャリアの電子と正孔の両方を対象とした検出信号に基づいて放射線の測定結果を得る高感度モードを実行する機能を備えている。そして、分解能モードと高感度モードを選択的に又は並行的に実行して放射線の測定結果を得る。
【００５８】
例えば、ユーザが用途に応じて分解能モードまたは高感度モードを選択できる構成としてもよい。これにより、例えば、通常の環境で放射線測定を行う場合には高感度モードを利用し、異常発生時や特定の試料を測定したい場合に分解能モードを利用することができる。
【００５９】
また、図１の放射線測定装置が分解能モードと高感度モードを適宜に切り替えて利用する構成としてもよい。これにより、例えば、比較的計数値が多い測定時には安定した測定が可能であると判断して分解能モードで測定を行い、比較的計数値が少ない測定時には安定性を向上させるために高感度モードで測定を行うことが可能になる。
【００６０】
また、分解能モードと高感度モードの両モードが同時に実行されてもよい。例えば、図１の放射線測定装置が備える表示画面内において、高感度モードにより得られる線量率を画面上部に表示し、分解能モードにより得られるエネルギースペクトルと高感度モードにより得られるエネルギースペクトルを画面下部に表示する。なお、分解能モードと高感度モードにより得られる２つのエネルギースペクトルを重ねて表示するようにしてもよい。
【００６１】
これにより、例えば、比較的安定した測定状態で線量率等を確認しつつ、分解能を重視したエネルギースペクトルを確認することができる。また、分解能モードによる分解能を重視したエネルギースペクトルと、高感度モードによる安定性を重視したエネルギースペクトルの２つのエネルギースペクトルを比較することにより、例えば２つのエネルギースペクトルの乖離を認識しながら放射線の測定を行うことが可能になる。
【００６２】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、上述した実施形態は、あらゆる点で単なる例示にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。本発明は、その本質を逸脱しない範囲で各種の変形形態を包含する。
【符号の説明】
【００６３】
１０  半導体素子、２０  バイアス電圧発生回路、３０  プリアンプ、４０  高速整形回路、４２  アナログデジタルコンバータ、４４  波高弁別回路、５０  低速整形回路、５２  アナログデジタルコンバータ、５４  波高弁別回路、６０  測定処理部。
【図１】
2019002884.tif 000003
【図２】
2019002884.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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