(57)【要約】【課題】タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能な検出装置及び表示装置を提供する。【解決手段】検出装置は、基板と、複数の検出電極と、駆動回路と、複数の配線と、複数のアナログフロントエンドと、マルチプレクサと、を備える。複数の検出電極は、基板のセンサ領域において、第１方向及び第１方向に交差する第２方向に行列状に配列される。複数の配線は、複数の検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続される。そして、複数の配線のそれぞれは、第２方向に沿って延在し、複数の配線は、第１方向に亘って並んで配置される。アナログフロントエンドは、駆動信号が検出電極に供給された場合における検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取る。マルチプレクサは、１つの検出電極に１つの配線を介して接続され、１つのアナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される配線の数を変更可能である。【選択図】図１３
2019091401.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板のセンサ領域において、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に行列状に配列された複数の検出電極と、
前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、
複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、
前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、
１つの前記検出電極に１つの前記配線を介して接続され、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、
複数の前記配線のそれぞれは、前記第２方向に沿って延在し、
複数の前記配線は、前記第１方向に亘って並んで配置される、
検出装置。
【請求項２】
前記マルチプレクサを制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前記第１方向及び前記第２方向に交差する第３方向において、被検出体と前記検出電極との距離に応じて、電気的に同時接続される前記検出電極の数を変える、請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記マルチプレクサは、前記検出電極がある前記基板と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある請求項１に記載の検出装置。
【請求項４】
前記アナログフロントエンドは、集積回路に内蔵され、かつ前記マルチプレクサとは別に形成されている請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記アナログフロントエンドは、前記検出電極と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項６】
前記検出電極の数は、前記アナログフロントエンドの数よりも多い請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
１つの前記アナログフロントエンドに同時接続可能な前記配線に電気的に接続する複数の前記検出電極は、前記第１方向又は前記第２方向に隣接する少なくとも２つの前記検出電極を含む請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】
前記マルチプレクサは、１つの前記アナログフロントエンドに対して、１つずつ前記配線を順次時分割で電気的に接続する請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を１つとする第１検出モードと、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を複数とする第２検出モードと、のいずれかで前記マルチプレクサを制御する制御回路を有する、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記制御回路は、被検出体と前記検出電極との距離が大きいほど、制御信号により、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を大きくする請求項９に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が第１閾値よりも大きい場合、前記制御回路は、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が小さくなるように変更する請求項９に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が前記第１閾値よりも小さい第２閾値を下回る場合、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が大きくなるように変更する請求項１１に記載の検出装置。
【請求項１３】
前記第２検出モードにおいて、前記第１検出モードを処理する検出電極を決定し、当該検出電極及び当該検出電極に隣接する検出電極を対象として、前記第１検出モードを処理する請求項９に記載の検出装置。
【請求項１４】
前記第１検出モードにおいて、前記第１方向に隣り合う複数の検出電極が、それぞれ複数の前記アナログフロントエンドに接続される、請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え
前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられている、表示装置。
【請求項１６】
表示期間と検出期間とが時分割で交互に実行され、前記表示期間において、全ての前記検出電極には、共通電位が供給される請求項１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている（例えば、特許文献１参照）。このような表示装置において、操作者の手指の画面への接触を検出するタッチ検出機能に加え、画面に手指が触れていない状態でその手指の近接状態やジェスチャ等を検出するホバー検出（近接検出）の機能が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２４４９５８号公報
【特許文献２】特開２０１７−０５９２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
タッチ検出とホバー検出とでは検出対象となる手指等の被検出体と検出電極との距離や、それに伴う要求感度が大きく異なる。このため、タッチ検出用の電極や駆動構成をそのままホバー検出に採用すると、良好にホバー検出を行うことが困難となる可能性がある。
【０００５】
本発明は、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことが可能な検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様の検出装置は、基板と、前記基板のセンサ領域において、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に行列状に配列された複数の検出電極と、前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、１つの前記検出電極に１つの前記配線を介して接続され、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、複数の前記配線のそれぞれは、前記第２方向に沿って延在し、複数の前記配線は、前記第１方向に亘って並んで配置される。
【０００７】
他の態様の表示装置は、検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられ、前記検出装置は、基板と、前記基板のセンサ領域において、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に行列状に配列された複数の検出電極と、前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、前記複数の検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、１つの前記検出電極に１つの前記配線を介して接続され、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、前記複数の配線のそれぞれは、前記第２方向に沿って延在し、前記複数の配線は、前記第１方向に亘って並んで配置される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態１に係る検出装置及び表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、検出回路の一構成例を示すブロック図である。
【図３】図３は、自己静電容量方式の検出の基本原理を説明するための、存在状態を表す説明図である。
【図４】図４は、自己静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図５】図５は、実施形態１の検出装置及び表示装置の概略断面構造を表す断面図である。
【図６】図６は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。
【図８】図８は、検出電極の配置例を示す斜視図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るホバー検出の一例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。
【図１１】図１１は、検出電極と、被検出体との位置関係を示す図である。
【図１２】図１２は、検出電極と、被検出体との距離に応じた容量について説明するための説明図である。
【図１３】図１３は、検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。
【図１４】図１４は、接続回路を説明するための説明図である。
【図１５】図１５は、図１３に示すマルチプレクサの具体的な構成を説明するための説明図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図１７】図１７は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。
【図１８】図１８は、複数の検出電極が１つのアナログフロントエンドに接続された状態の接続回路を説明するための説明図である。
【図１９】図１９は、検出電極ブロックを説明するための説明図である。
【図２０】図２０は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。
【図２１】図２１は、検出電極ブロックと信号強度との関係を模式的に示すグラフである。
【図２２】図２２は、実施形態２に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。
【図２３】図２３は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図２４】図２４は、検出電極が４×４で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。
【図２５】図２５は、検出電極が２×２で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図２６Ｃ】図２６Ｃは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図２６Ｄ】図２６Ｄは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。
【図２７】図２７は、実施形態３に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。
【図２８】図２８は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図２９】図２９は、実施形態３の変形例に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。
【図３０】図３０は、実施形態３の変形例において、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３１】図３１は、タッチ検出を行う領域の一例を示す説明図である。
【図３２】図３２は、実施形態４のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３３】図３３は、実施形態４の接続回路を説明するための説明図である。
【図３４】図３４は、２×２束ねホバー検出において、実施形態４の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３５】図３５は、検出電極が順次切り替わる第１状態において、実施形態４の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３６】図３６は、実施形態５のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３７】図３７は、実施形態５の接続回路を説明するための説明図である。
【図３８】図３８は、検出電極が順次切り替わる第２状態において、実施形態５の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図３９】図３９は、２×２束ねホバー検出において、実施形態５の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図４０】図４０は、検出電極が順次切り替わる第１状態において、実施形態５の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。
【図４１】図４１は、実施形態６に係る検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、本開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本開示と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る検出装置及び表示装置の一構成例を示すブロック図である。図２は、検出回路の一構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御回路１１と、検出回路４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示領域２０と、タッチ入力を検出する検出装置に含まれるセンサ領域３０とを含む。図１及び図２に示すブロック図は、概念的に構成を説明するものであり、他の構成としてもよい。
【００１１】
表示パネル１０は、表示領域２０とセンサ領域３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示領域２０の電極や基板等の部材の一部が、センサ領域３０の電極や基板等に兼用される。
【００１２】
表示領域２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示領域２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示領域２０は、映像信号の入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示領域２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
【００１３】
表示パネル１０は、さらに接続回路１８を備える。接続回路１８は、センサ領域３０と検出回路４０との間に設けられる。接続回路１８は、制御回路１１から供給される制御信号Ｖｓｃ１、Ｖｓｃ２に基づいて、検出駆動の対象となる検出電極ＤＥと検出回路４０との接続と遮断とを切り換える回路である。接続回路１８は、後述するアナログフロントエンドＳＣを有している。
【００１４】
制御回路１１は、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動回路１４を備える。制御回路１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動回路１４、接続回路１８及び検出回路４０に制御信号を供給して、表示動作と検出動作を制御する回路である。
【００１５】
ゲートドライバ１２は、制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。
【００１６】
ソースドライバ１３は、表示領域２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図７参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。ソースドライバ１３の機能の一部は、表示パネル１０に搭載されていてもよい。この場合、制御回路１１が画素信号Ｖｐｉｘを生成し、この画素信号Ｖｐｉｘをソースドライバ１３に供給してもよい。
【００１７】
駆動回路１４は、表示パネル１０の検出電極ＤＥに表示用の駆動信号ＶＣＯＭを供給する回路である。また、駆動回路１４は、接続回路１８を介して、表示パネル１０の共通電極となる検出電極ＤＥに、駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。
【００１８】
本実施形態において、制御回路１１は、表示領域２０により表示を行う表示モードと、センサ領域３０において被検出体を検出する検出モードとを時分割で行う。制御回路１１は、検出モードとして、タッチ検出（第１検出モード）とホバー検出（第２検出モード）との２つの検出モードを有する。あるいは、第１検出モード及び第２検出モードは、自己静電容量方式の検出モードである。本開示において、タッチ検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態（以下、「接触状態」と表す）において、被検出体の位置を検出することを表す。また、ホバー検出は、被検出体が検出面又は表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態（以下、「非接触状態」と表す）において、被検出体の位置や動きを検出することを表す。また、検出面又は表示面に対向する位置に被検出体が存在しない場合、又はホバー検出において被検出体を検出できない程度に被検出体が表示面から離れている状態を「非存在状態」と表す。また、検出面又は表示面に対向する位置に被検出体が存在する場合、又はホバー検出において被検出体を検出できる程度に被検出体が表示面から離れている状態を「存在状態」と表す。
【００１９】
センサ領域３０のタッチセンサは、自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理に基づいて、表示パネル１０の検出面又は表示面に接触又は近接した被検出体の位置を検出する機能を含む。表示パネル１０は、被検出体の接触又は近接を検出した場合、検出信号Ｖｄｅｔを検出回路４０に出力する。
【００２０】
接続回路１８は、検出回路４０と検出電極ＤＥとの間の接続と遮断とを切り換える。これにより、タッチ検出では、検出電極ＤＥが個別に検出回路４０に接続され、ホバー検出では、複数の検出電極ＤＥが検出電極ブロックＤＥＢ（図６参照）としてまとめて検出回路４０に接続される。また、検出電極ＤＥから出力された検出信号Ｖｄｅｔは、接続回路１８を介して、検出回路４０に供給される。
【００２１】
検出回路４０は、自己静電容量方式のタッチ検出において、駆動回路１４から供給される駆動信号Ｖｓｅｌｆと、表示パネル１０から出力される検出信号Ｖｄｅｔとに基づいて、表示パネル１０の表示面を検出面として、検出面に近づいた被検出体を検出する回路である。検出回路４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
【００２２】
図２に示すように、検出回路４０は、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６と、を備える。検出タイミング制御回路４６は、駆動回路１４から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５とが同期して動作するように制御する。
【００２３】
駆動回路１４は、接続回路１８（図１参照）のアナログフロントエンドＳＣを介して、後述する検出電極ＤＥに、駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。検出回路４０は、アナログフロントエンドＳＣを介して、後述する検出電極ＤＥからの検出信号Ｖｄｅｔを供給される。アナログフロントエンドＳＣは、供給された検出信号Ｖｄｅｔのノイズを抑制し、信号成分を増幅するなど信号調整を行う。Ａ／Ｄ変換回路４３は、駆動信号Ｖｓｅｌｆに同期したタイミングで、アナログフロントエンドＳＣから出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
【００２４】
信号処理回路４４は、Ａ／Ｄ変換回路４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧未満であれば、被検出体が非存在状態であると判断する。一方、信号処理回路４４は、絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧以上であれば、被検出体の存在状態と判断する。このようにして、検出回路４０はタッチ検出又はホバー検出が可能となる。
【００２５】
座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において被検出体が検出されたときに、被検出体の座標を求める論理回路である。座標抽出回路４５は、被検出体の座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出回路４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御回路１１に出力してもよい。制御回路１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
【００２６】
なお、検出回路４０のＡ／Ｄ変換回路４３と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、検出タイミング制御回路４６とは、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出回路４０の全部又は一部の機能は外部のプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出回路４５は、表示装置１とは別の外部のプロセッサに搭載されており、検出回路４０は、信号処理回路４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
【００２７】
表示パネル１０は、静電容量型のタッチ検出の基本原理に基づいたタッチ制御がなされる。ここで、図３及び図４を参照して、本実施形態の表示パネル１０の自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理について説明する。図３は、自己静電容量方式の検出の基本原理を説明するための、存在状態を表す説明図である。図４は、自己静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、図３は、検出回路を併せて示している。なお、以下の説明では、被検出体が指の場合を説明するが、被検出体は、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。
【００２８】
非存在状態において、検出電極Ｅ１に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加される。検出電極Ｅ１は、静電容量Ｃ１を有しており、静電容量Ｃ１に応じた電流が流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図４参照））に変換する。
【００２９】
次に、図３に示すように、被検出体の存在状態において、指と検出電極Ｅ１との間の静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１に加わる。したがって、検出電極Ｅ１に交流矩形波Ｓｇが印加されると、静電容量Ｃ１及び静電容量Ｃ２に応じた電流が流れる。図４に示すように、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１）に変換する。そして、波形Ｖ０と波形Ｖ１との差分の絶対値｜ΔＶ｜に基づいて、被検出体の存在が測定される。
【００３０】
具体的には、図４において、時刻Ｔ０１のタイミングで交流矩形波Ｓｇは電圧Ｖ２に相当する電圧レベルに上昇する。このときスイッチＳＷ１はオンとなりスイッチＳＷ２はオフとなるため検出電極Ｅ１の電位も電圧Ｖ２に上昇する。次に時刻Ｔ１１のタイミングの前にスイッチＳＷ１をオフとする。このとき検出電極Ｅ１はフローティング状態であるが、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（又はＣ１＋Ｃ２、図３参照）によって、検出電極Ｅ１の電位はＶ２が維持される。さらに、時刻Ｔ１１のタイミングの前に電圧検出器ＤＥＴのリセット動作が行われる。
【００３１】
続いて、時刻Ｔ１１のタイミングでスイッチＳＷ２をオンさせると、検出電極Ｅ１の静電容量Ｃ１（又はＣ１＋Ｃ２）に蓄積されていた電荷が電圧検出器ＤＥＴ内の容量Ｃ３に移動するため、電圧検出器ＤＥＴの出力が上昇する（図４の検出信号Ｖｄｅｔ参照）。電圧検出器ＤＥＴの出力（検出信号Ｖｄｅｔ）は、非存在状態では、実線で示す波形Ｖ０となり、Ｖｄｅｔ＝Ｃ１×Ｖ２／Ｃ３となる。存在状態では、点線で示す波形Ｖ１となり、Ｖｄｅｔ＝（Ｃ１＋Ｃ２）×Ｖ２／Ｃ３となる。
【００３２】
その後、時刻Ｔ３１のタイミングでスイッチＳＷ２をオフさせ、スイッチＳＷ１及びスイッチＳＷ３をオンさせることにより、検出電極Ｅ１の電位を交流矩形波Ｓｇと同電位のローレベルにするとともに電圧検出器ＤＥＴをリセットさせる。以上の動作を所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）で繰り返す。このようにして、検出回路４０は自己静電容量方式による被検出体の検出基本原理に基づいて、被検出体の存在状態が検出可能となる。
【００３３】
次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図５は、実施形態１の検出装置及び表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図５に示すように、表示パネル１０は、アレイ基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、アレイ基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。また、液晶層６はアレイ基板２と対向基板３との間に設けられる。
【００３４】
アレイ基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、検出電極ＤＥと、絶縁層２４と、偏光板３５Ｂとを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図７では図示を省略する）が設けられる。
【００３５】
検出電極ＤＥは、第１基板２１の上側に設けられる。また、画素電極２２は、絶縁層２４を介して検出電極ＤＥの上側に設けられ、平面視でマトリクス状に複数配置される。画素電極２２は、表示パネル１０の各画素Ｐｉｘ（図７参照）を構成する副画素ＳＰｉｘに対応して設けられ、表示動作を行うための画素信号Ｖｐｉｘが供給される。また、検出電極ＤＥは、表示動作の際に表示用の駆動信号ＶＣＯＭが供給され、複数の画素電極２２に対する共通電極として機能する。偏光板３５Ｂは、第１基板２１の下側に設けられる。
【００３６】
本実施形態において、画素電極２２及び検出電極ＤＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。
【００３７】
なお、本明細書において、第１基板２１に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。
【００３８】
なお、複数の画素電極２２の配列は、第１方向及び該第１方向に直交する第２方向に沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、対向する画素電極２２同士が第１方向又は第２方向にずれて配置される構成を採用することもできる。また、対向する画素電極２２の大きさの違いから、第１方向に配列される画素列を構成する１つの画素電極２２に対し、当該画素電極２２の一側に２又は３の複数の画素電極２２が配列される構成も採用可能である。
【００３９】
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に形成されたカラーフィルタ３２と、第２基板３１の他方の面に設けられた偏光板３５Ａとを有する。カラーフィルタ３２は、第１基板２１と垂直な方向において、液晶層６と対向する。なお、カラーフィルタ３２は第１基板２１の上に配置されてもよい。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。
【００４０】
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、層間に形成される電界の状態に応じて液晶分子の配向状態が変化し、これによって透過光が変調する。かかる電界モードとして、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードが採用される。なお、図５に示す液晶層６に対向するアレイ基板２の最表面、及び対向基板３の最表面には、液晶分子の初期配向状態を定める配向膜（図５では省略して示す）が形成されている。
【００４１】
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、アレイ基板２を通過して、その位置の液晶の配向状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
【００４２】
図６は、アレイ基板を模式的に示す平面図である。図６に示すように、表示装置１において、表示領域１０ａの外側に周辺領域１０ｂが設けられている。本開示において、表示領域１０ａは、画像を表示させるための領域であり、複数の画素Ｐｉｘ（副画素ＳＰｉｘ）と重なる領域である。周辺領域１０ｂは、第１基板２１の外周よりも内側で、かつ、表示領域１０ａよりも外側の領域を示す。なお、周辺領域１０ｂは表示領域１０ａを囲う枠状であってもよく、その場合、周辺領域１０ｂは額縁領域とも言える。
【００４３】
本実施形態において、第１方向Ｄｘは、表示領域１０ａの短辺に沿った方向である。第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交する方向である。これに限定されず、第２方向Ｄｙは第１方向Ｄｘに対して９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとで規定される平面は、第１基板２１の表面と平行となる。また、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する第３方向Ｄｚは、第１基板２１の厚み方向である。
【００４４】
図６に示すように、検出電極ＤＥは、表示領域１０ａにおいて、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに行列状に複数配列される。それぞれの検出電極ＤＥは、平面視で矩形状、又は正方形状である。検出電極ＤＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料で構成されている。
【００４５】
１つの検出電極ＤＥに対応する位置に、複数の画素電極２２が行列状に配置される。画素電極２２は、検出電極ＤＥよりも小さい面積を有している。なお、図６では一部の検出電極ＤＥ及び画素電極２２について示しているが、検出電極ＤＥ及び画素電極２２は表示領域１０ａの全域に亘って配置される。このように、表示領域１０ａと重畳する領域に、検出電極ＤＥが設けられている。また、本開示では、行方向を第１方向Ｄｘともいい、列方向を第２方向Ｄｙともいう。
【００４６】
なお、複数の画素電極２２の配列は、第１方向Ｄｘ及び該第１方向Ｄｘに交差する第２方向Ｄｙに沿って配列されるマトリクス状の配列のみならず、対向する画素電極２２同士が第１方向Ｄｘ又は第２方向Ｄｙにずれて配置される構成を採用することもできる。また、対向する画素電極２２の大きさの違いから、第１方向Ｄｘに配列される画素列を構成する１つの画素電極２２に対し、当該画素電極２２の一側に２又は３の複数の画素電極２２が配列される構成も採用可能である。
【００４７】
周辺領域１０ｂの短辺側には、接続回路１８と集積回路１９とが設けられている。また、周辺領域１０ｂの短辺側には、不図示のフレキシブル基板が接続される。フレキシブル基板７１に検出回路の集積回路が設けられている。集積回路１９は、図２に示すように、制御回路１１及び検出回路４０を含む。また、検出回路４０の機能の一部は、検出用の他の集積回路に含まれていてもよく、外部のＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ−Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の機能として設けられてもよい。なお、集積回路１９は、これに限定されず、例えばモジュール外部の制御基板に備えられていてもよい。
【００４８】
検出電極ＤＥは、配線５１及び接続回路１８を介して、集積回路１９と電気的に接続される。複数の配線５１はそれぞれ、表示領域１０ａに配置された、複数の検出電極ＤＥのそれぞれに電気的に接続され、周辺領域１０ｂまで引き出されている。複数の配線５１のそれぞれは第２方向Ｄｙに沿って延在し、複数の配線５１は第１方向Ｄｘに亘って並んで配置されている。例えば、集積回路１９に内蔵された駆動回路１４（図１参照）は、周辺領域１０ｂに配置された接続回路１８と、配線５１とを介して、複数の検出電極ＤＥにそれぞれ接続される。
【００４９】
次に表示パネル１０の表示動作について説明する。図７は、実施形態１に係る表示領域の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図５参照）には、図７に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。
【００５０】
図７に示す表示領域２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶ＬＣを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と検出電極ＤＥとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図１４に示す保持容量Ｃｓが形成される。
【００５１】
図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【００５２】
この表示動作を行う際、駆動回路１４は、全ての検出電極ＤＥに対して表示用の駆動信号ＶＣＯＭを印加する。表示用の駆動信号ＶＣＯＭは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる電圧信号である。これにより、各検出電極ＤＥは、表示動作時には画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動回路１４は、表示領域１０ａの全ての検出電極ＤＥに対して駆動信号ＶＣＯＭを印加する。
【００５３】
図５に示すカラーフィルタ３２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図７に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【００５４】
図８は、検出電極の配置例を示す斜視図である。図８に示すように、第１基板２１の一方の面２１ａ側の周辺領域１０ｂには、外縁配線ＤＥ−Ｇが設けられている。例えば、外縁配線ＤＥ−Ｇは、表示領域１０ａの長辺と短辺とに沿って連続して設けられており、表示領域１０ａを囲んでいる。表示装置１が被検出体の存在状態の検出を行う際に、外縁配線ＤＥ−Ｇには、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期したガード信号Ｖｇｄが供給されてもよい。又は、外縁配線ＤＥ−Ｇは、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。これによれば、外縁配線ＤＥ−Ｇと、駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給される検出電極ＤＥとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、被検出体の検出感度を高めることができる。
【００５５】
なお、本実施形態では、第１基板２１の他方の面２１ｂ側に、外縁配線２９が設けられていてもよい。裏面の外縁配線２９は、第１基板２１の他方の面２１ｂの一部を覆っていてもよいし、他方の面２１ｂの全体を覆っていてもよい。また、裏面の外縁配線２９は、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料で構成されていてもよいし、図示しない金属フレーム等で構成されていてもよい。表示装置１が被検出体の存在状態の検出を行う際に、裏面の外縁配線２９には、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期したガード信号Ｖｇｄが供給されてもよい。又は、裏面の外縁配線２９は、電気的にどことも接続されていない状態（ハイインピーダンス）に設定されてもよい。これによれば、裏面の外縁配線２９と、駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給される検出電極ＤＥとの間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、ホバー検出の感度を高めることができる。
【００５６】
図９は、実施形態に係るホバー検出の一例を示す説明図である。図１０は、実施形態に係るホバー検出の他の例を示す説明図である。図９に示すように、表示装置１は、被検出体である操作者の手指が検出面ＤＳに対し非接触状態でホバー検出を行う。検出回路４０は、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、検出面ＤＳに垂直な方向における、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１を検出することができる。また、検出回路４０は、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、被検出体の位置Ｒ１を検出することができる。被検出体の位置Ｒ１は、例えば、検出面ＤＳと垂直な方向において、被検出体と対向する位置であり、複数の検出電極ブロックＤＥＢからの検出信号Ｖｄｅｔのうち、最大の値となる検出電極ブロックＤＥＢに対応する位置である。
【００５７】
また、図１０に示すように、表示装置１は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出することができる。検出回路４０は、被検出体が検出面ＤＳに対し非接触状態で矢印Ｄａ方向に移動した場合、検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、被検出体の位置の変化を演算する。これにより、検出回路４０は、被検出体のジェスチャ等の動作を検出する。制御回路１１（図１参照）は、これらのホバー検出の結果に基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行する。
【００５８】
図１１は、検出電極と被検出体との位置関係を示す図である。図１２は、検出電極と被検出体との距離に応じた容量について説明するための説明図である。図１１に示すように、被検出体ＣＱが検出電極ＤＥに対して近づくと、検出信号を得やすくなる。被検出体ＣＱが検出電極ＤＥに対して遠ざかると、検出信号とノイズとのＳＮ比が小さくなり、被検出体ＣＱを検知しづらくなる。
【００５９】
図１２に示すように、第３方向Ｄｚに対する、検出面ＤＳと被検出体ＣＱとの距離が距離Ｄ１の場合（ステップＳＴ１０１）において、被検出体ＣＱは、表示装置１の検出面ＤＳに対して非接触状態である。被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの間に容量Ｃ２ａが形成される。
【００６０】
検出面ＤＳと被検出体ＣＱとの距離が距離Ｄ２の場合（ステップＳＴ１０２）においても、被検出体ＣＱは、表示装置１の検出面ＤＳに対して非接触状態である。ここで、距離Ｄ２は距離Ｄ１よりも小さい。被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの間に容量Ｃ２ｂが形成される。
【００６１】
検出面ＤＳと被検出体ＣＱとの距離が０の場合（ステップＳＴ１０３）において、被検出体ＣＱは、表示装置１の検出面ＤＳに対して接触状態である。また、被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの間に容量Ｃ２ｃが形成される。
【００６２】
検出電極ＤＥの大きさが同じであれば、容量Ｃ２ｂは、容量Ｃ２ａよりも大きい値となる。検出電極ＤＥの大きさが同じであれば、容量Ｃ２ｃは、容量Ｃ２ｂよりも大きい値となる。そこで、検出電極ＤＥと被検出体ＣＱとの距離が大きくなっても、被検出体ＣＱの検出感度を維持するには、検出電極ＤＥの大きさを大きくしてゆけばよい。検出電極ＤＥの大きさを大きくすると、検出面ＤＳに占める１つの検出電極ＤＥの面積が大きくなるため、検出精度が低下する。この課題に対して、本実施形態の表示装置１は、以下の検出電極ＤＥ及び接続回路を備える。
【００６３】
次に、検出電極ＤＥと、接続回路１８との関係について説明する。図１３は、検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。図１３に示すように、検出電極ＤＥは、行列状に複数配列されている。例えば、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、・・・、ＤＥ（１，ｎ）が第２方向Ｄｙに複数配列される。また、検出電極ＤＥ（１，１）、・・・、ＤＥ（ｍ，１）が第１方向Ｄｘに複数配列される。同様に、検出電極ＤＥ（ｍ，１）、・・・、ＤＥ（ｍ，ｎ）が第２方向Ｄｙに複数配列される。なお、検出電極ＤＥ（１，１）、・・・、ＤＥ（ｍ，ｎ）を区別して説明する必要がない場合には、単に検出電極ＤＥと表す。実施形態１においては、ｍが１２であり、ｎが１６である例を示す。しかしながら、ｍ及びｎの値はこれに限定されることはない。ｍの値は、任意であり、ｎの値も任意である。
【００６４】
検出電極ＤＥは、例えば、ＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料で構成されている。また、検出電極ＤＥは、ＩＴＯに限定されず、例えば、酸化スズにより構成されていてもよい。
【００６５】
接続回路１８は、検出電極ＤＥの接続状態を切り換える回路である。実施形態１において、接続回路１８は、マルチプレクサＭｕと、アナログフロントエンドＳＣ１、・・・、ＳＣ４８を備える。なお、複数のアナログフロントエンドＳＣ１、・・・、ＳＣ４８を区別して説明する必要のない場合は、単にアナログフロントエンドＳＣと表す。
【００６６】
マルチプレクサＭｕは、検出電極ＤＥがある第１基板２１上に配置され、かつセンサ領域３０の外側にある。アナログフロントエンドＳＣは、同様に、検出電極ＤＥがある第１基板上に配置され、かつセンサ領域３０の外側にある。マルチプレクサＭｕ及びアナログフロントエンドＳＣは、例えば、多結晶性のシリコンを低温で形成した低温ポリシリコン（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）により、小さな面積となる。
【００６７】
各検出電極ＤＥと接続回路１８のマルチプレクサＭｕとは、各配線５１で電気的に接続されている。図１３の配線５１は、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、・・・、ＤＥ（１，ｎ）のそれぞれに接続しており、他の検出電極ＤＥも同様であるので、配線５１の図示を省略している。マルチプレクサＭｕは、アナログフロントエンドＳＣとも電気的に接続されている。
【００６８】
図１４は、接続回路を説明するための説明図である。図１５は、図１３に示すマルチプレクサの具体的な構成を説明するための説明図である。図１４に示すように、接続回路１８は、図１３に示すマルチプレクサＭｕを構成する複数の選択回路ＥＣが組み合わされて構成される。
【００６９】
図１５に示すように、１つの選択回路ＥＣは、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２及びＳＷ１３を有している。スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２及びＳＷ１３は、例えばｎチャネルのＭＯＳ型のＴＦＴで構成され、第１基板２１に形成される。
【００７０】
スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２及びＳＷ１３がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号ＶＣＯＭの供給配線、ガード信号Ｖｇｄの供給配線及びアナログフロントエンドＳＣのいずれかが、１つの検出電極ＤＥに時分割で接続される。
【００７１】
図１４において、検出電極ＤＥ（１，２）がアナログフロントエンドＳＣ２に接続されている。検出電極ＤＥ（１，４）がアナログフロントエンドＳＣ１に接続されている。検出電極ＤＥ（３，２）がアナログフロントエンドＳＣ４に接続されている。検出電極ＤＥ（３，４）がアナログフロントエンドＳＣ３に接続されている。
【００７２】
図１４において、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，３）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）、ＤＥ（２，３）、ＤＥ（２，４）、ＤＥ（３，１）、ＤＥ（３，３）、ＤＥ（４，１）、ＤＥ（４，２）、ＤＥ（４，３）、ＤＥ（４，４）には、ガード信号Ｖｇｄが供給配線に接続されている。ガード信号Ｖｇｄは、検出電極ＤＥ（１，２）、ＤＥ（１，４）、ＤＥ（３，２）、ＤＥ（３，４）に供給される検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆと同じ波形で、かつ駆動信号Ｖｓｅｌｆと同期している。これによれば、検出電極ＤＥ（１，２）、ＤＥ（１，４）、ＤＥ（３，２）、ＤＥ（３，４）と、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，３）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）、ＤＥ（２，３）、ＤＥ（２，４）、ＤＥ（３，１）、ＤＥ（３，３）、ＤＥ（４，１）、ＤＥ（４，２）、ＤＥ（４，３）、ＤＥ（４，４）との間に静電容量が生じることを防ぐことができるので、被検出体の検出感度を高めることができる。
【００７３】
実施形態１のアナログフロントエンドＳＣの数は４８であり、検出電極ＤＥの数は、１９２である。検出電極ＤＥの数は、アナログフロントエンドＳＣの数よりも多い。マルチプレクサＭｕは、１つの検出電極ＤＥに１つの配線５１を介して接続されている。そこで、マルチプレクサＭｕは、１つのアナログフロントエンドＳＣに対して、１つずつ配線５１を時分割で電気的に順次接続する。
【００７４】
図１６Ａから図１６Ｄは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。図１４及び図１５に示す各選択回路ＥＣの動作により、図１６Ａに示すように、検出電極ＤＥ（１，２）には、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給され、かつアナログフロントエンドＳＣ２（図１４参照）に接続されている。検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）には、ガード信号Ｖｇｄが供給される。
【００７５】
次に、図１４及び図１５に示す各選択回路ＥＣの動作により、図１６Ｂに示すように、検出電極ＤＥ（１，１）には、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給され、かつアナログフロントエンドＳＣ２（図１４参照）に接続されている。検出電極ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）には、ガード信号Ｖｇｄが供給される。
【００７６】
次に、図１４及び図１５に示す各選択回路ＥＣの動作により、図１６Ｃに示すように、検出電極ＤＥ（２，２）には、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給され、かつアナログフロントエンドＳＣ２（図１４参照）に接続されている。検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，１）には、ガード信号Ｖｇｄが供給される。
【００７７】
次に、図１４及び図１５に示す各選択回路ＥＣの動作により、図１６Ｄに示すように、検出電極ＤＥ（２，１）には、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給され、かつアナログフロントエンドＳＣ２（図１４参照）に接続されている。検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，２）には、ガード信号Ｖｇｄが供給される。
【００７８】
以上説明したように、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）に対して、１つのアナログフロントエンドＳＣ２を介して、検出回路４０は、各検出電極ＤＥの自己静電容量を検出できる。なお、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）を例示して説明したが、他の検出電極ＤＥも同様である。その結果、接続回路１８の大きさを小さくすることができる。
【００７９】
次に、図１及び図１３から図２１を参照して、本実施形態の動作例を説明する。図１７は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すタイミング波形図である。図１８は、複数の検出電極が１つのアナログフロントエンドに接続された状態の接続回路を説明するための説明図である。図１９は、検出電極ブロックを説明するための説明図である。図２０は、実施形態１に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図２１は、検出電極ブロックと信号強度との関係を模式的に示すグラフである。図１７から図２１に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。
【００８０】
図１７に示すように、表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが時分割で交互に実行される。検出期間Ｐｔは、ホバー検出期間Ｐｔｓと、タッチ検出期間Ｐｔｍとを含む。表示期間Ｐｄ、ホバー検出期間Ｐｔｓ及びタッチ検出期間Ｐｔｍの実行の順番はあくまで一例であり適宜変更してもよい。例えば、１つの検出期間Ｐｔにホバー検出期間Ｐｔｓ又はタッチ検出期間Ｐｔｍのいずれか一方のみが存在する場合であってもよい。１検出面のタッチ検出を１つのタッチ検出期間Ｐｔｍで実行してもよく、複数のタッチ検出期間Ｐｔｍに分けて実行してもよい。また、表示期間Ｐｄで１フレーム分の画像の表示を行ってもよく、１フレーム分の画像の表示期間中に、複数の表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが交互に配置されていてもよい。
【００８１】
図２０に示すように、制御回路１１は、まず表示データの書き込みを実行する（ステップＳＴ１）。具体的には、上述した表示動作と同様であり、ソースドライバ１３は、各ゲート線ＧＣＬ１、ＧＣＬ２、ＧＣＬ３に対応する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬ１、ＳＧＬ２、ＳＧＬ３を介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。図１７に示すように、表示期間Ｐｄにおいて、駆動回路１４は、検出電極ＤＥに対し、表示用の駆動信号ＶＣＯＭを供給する。また、接続回路１８において、図１５に示すスイッチＳＷ１３を介して、表示用の駆動信号ＶＣＯＭが全検出電極ＤＥに供給される。検出電極ＤＥは、共通電位を与える共通電極となる。
【００８２】
次に、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ２）。具体的には、図１７に示すように、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、制御回路１１は、制御信号Ｖｓｃ１を接続回路１８に供給し、制御信号Ｖｓｃ２を接続回路１８に供給する。制御信号Ｖｓｃ１、Ｖｓｃ２により、スイッチＳＷ１１（図１５参照）がオンになり、スイッチＳＷ１２、ＳＷ１３（図１５参照）がオフになる。これにより、図１３に示すように、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに隣接して配置された４つの検出電極ＤＥが電気的に接続されて１つの検出電極ブロックＤＥＢとして機能する。
【００８３】
例えば、図１８に示すように、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，１）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）は、接続回路１８内において、同じアナログフロントエンドＳＣ２に接続されている。図２に示す検出回路４０からみると、検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，２）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）は、図１９に示すように、１つの検出電極ブロックＤＥＢ（１，１）である。つまり、１つのアナログフロントエンドＳＣに同時接続可能な配線５１に電気的に接続する検出電極ＤＥ（１，１）、ＤＥ（１，１）、ＤＥ（２，１）、ＤＥ（２，２）は、第１基板２１の第１方向Ｄｘ又は第１方向Ｄｘと交差する第２方向Ｄｙに隣接する少なくとも２つの検出電極ＤＥを含む。
【００８４】
図１３に示すように、検出電極ブロックＤＥＢは、行列状に複数配列されている。例えば、検出電極ブロックＤＥＢ（１，１）、・・・、ＤＥＢ（１，Ｎ）が第２方向Ｄｙに複数配列される。また、検出電極ブロックＤＥＢ（１，１）、・・・、ＤＥＢ（Ｍ，１）が第１方向Ｄｘに複数配列される。同様に、検出電極ブロックＤＥＢ（Ｍ，１）、・・・、ＤＥＢ（Ｍ，Ｎ）が第２方向Ｄｙに複数配列される。なお、検出電極ブロックＤＥＢ（１，１）、・・・、ＤＥＢ（Ｍ，Ｎ）を区別して説明する必要がない場合には、単に検出電極ブロックＤＥＢと表す。実施形態１においては、Ｍが６であり、Ｎが８である例を示す。しかしながら、Ｍ及びＮの値はこれに限定されることはない。Ｍの値は、任意であり、Ｎの値も任意である。
【００８５】
実施形態１において、検出電極ブロックＤＥＢは、４８あるので、各検出電極ブロックＤＥＢは、アナログフロントエンドＳＣ１からアナログフロントエンドＳＣ４８のいずれか１つと１対１となるように、マルチプレクサＭｕにより電気的に接続されている。
【００８６】
駆動回路１４は、検出電極ブロックＤＥＢに駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。これにより、表示装置１は、検出電極ブロックＤＥＢ毎に非接触状態の被検出体を検出することができる。例えば、検出回路４０は、各検出電極ブロックＤＥＢからの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、検出面ＤＳに垂直な方向における、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１を検出することができる。また、検出回路４０は、各検出電極ブロックＤＥＢからの検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、被検出体の位置Ｒ１を検出することができる。また、駆動回路１４は、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、外縁配線ＤＥ−Ｇ（図８参照）に対し、ガード信号Ｖｇｄを供給する。
【００８７】
次に、検出回路４０は、検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ３）。図２１に示すように、検出回路４０は、各検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔの信号強度を求め、所定の閾値ΔＶｔｈと比較する。
【００８８】
複数の検出信号Ｖｄｅｔのうち、いずれか１つの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈ以上である場合（ステップＳＴ３、Ｙｅｓ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ４）。検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈ以上である場合、被検出体が接触状態であると判断する。図２１に示す例では、検出電極ブロックＤＥＢ（４，３）において、検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈ以上であり、それ以外の検出電極ブロックＤＥＢにおいて、検出信号Ｖｄｅｔの信号強度は閾値ΔＶｔｈよりも小さい。この場合、検出回路４０は、検出電極ブロックＤＥＢ（４，３）に対応する位置において被検出体が接触状態であると判断する。制御回路１１は、検出回路４０からの情報に基づいて、ホバー検出からタッチ検出に切り換える。
【００８９】
具体的には、図１７に示すように、タッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、制御回路１１は、制御信号Ｖｓｃ１を接続回路１８に供給し、制御信号Ｖｓｃ２を接続回路１８に供給する。制御信号Ｖｓｃ１、Ｖｓｃ２により、スイッチＳＷ１１、ＳＷ１２、ＳＷ１３（図１５参照）が動作し、図１６Ａから図１６Ｄに示すように、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給されている検出電極ＤＥが順次切り替わる状態になる。
【００９０】
駆動回路１４は、検出電極ＤＥに駆動信号Ｖｓｅｌｆを順次供給する。検出電極ＤＥの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔが、アナログフロントエンドＳＣを介して検出回路４０に供給される。これにより、表示装置１は、複数の検出電極ＤＥ毎に接触状態の被検出体を検出することができる。
【００９１】
タッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、１検出面の検出動作が終了した場合、すなわち、全ての検出電極ＤＥに対して、順次、駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給してタッチ検出を実行した場合、制御回路１１は、タッチ検出を終了して表示データの書き込み（ステップＳＴ１）に戻る。
【００９２】
複数の検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が全て閾値ΔＶｔｈよりも小さい場合（ステップＳＴ３、Ｎｏ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行せず、表示データの書き込み（ステップＳＴ１）に戻る。この場合、図１７に示す検出期間Ｐｔにおいて、ホバー検出期間Ｐｔｓのみが実行され、タッチ検出期間Ｐｔｍは実行されない。つまり、１つの検出期間Ｐｔにおいてホバー検出期間Ｐｔｓのみが存在する。
【００９３】
なお、信号線ＳＧＬは、ホバー検出期間Ｐｔｓ及びタッチ検出期間Ｐｔｍにおいて、フローティング状態であることが好ましい。こうすれば、検出電極ＤＥと信号線ＳＧＬとの間の容量を低減することができる。また、ゲート線ＧＣＬは、ホバー検出期間Ｐｔｓにおいてフローティング状態であってもよい。
【００９４】
以上説明したように、実施形態１の検出装置は、第１基板２１と、複数の検出電極ＤＥと、駆動回路１４と、複数のアナログフロントエンドＳＣと、マルチプレクサＭｕと、を備える。複数の検出電極ＤＥは、第１基板２１のセンサ領域３０に設けられている。駆動回路１４は、検出電極ＤＥに駆動信号Ｖｓｅｌｆを供給する。アナログフロントエンドＳＣは、駆動信号Ｖｓｅｌｆが検出電極ＤＥに供給された場合における検出電極ＤＥの容量変化に応じた検出信号Ｖｄｅｔを、当該検出電極ＤＥから受け取る。マルチプレクサＭｕは、１つの検出電極ＤＥに１つの配線５１を介して接続され、１つのアナログフロントエンドＳＣに対して電気的に同時接続される配線５１の数を変更可能である。
【００９５】
本実施形態１によれば、自己静電容量方式のタッチ検出とホバー検出との２つの検出モードで、検出電極ＤＥを共有できる。さらにホバー検出では、検出電極ＤＥと被検出体ＣＱとの距離に応じて、検出電極ＤＥの束ねる数を変えることにより、良好なホバー検出を行うことができる。
【００９６】
上述した構成によれば、検出電極ＤＥと被検出体ＣＱとの距離が大きい場合には、複数の検出電極ＤＥを電気的に繋げ、１つのアナログフロントエンドＳＣに接続することで、検出電極ＤＥを検出電極ブロックＤＥＢとする。これにより、見かけの検出電極ＤＥの大きさが大きくなり、被検出体ＣＱの検出感度が向上する。検出電極ＤＥの大きさを大きくすると、検出面ＤＳに占める１つの検出電極ＤＥの面積が大きくなるため、検出精度が低下するが、１つのアナログフロントエンドＳＣに接続する検出電極ＤＥの数を小さくすることで、存在状態にある被検出体ＣＱの位置座標の精度を高めることができる。このように、実施形態１の検出装置は、タッチ検出とホバー検出とを良好に行うことができる。
【００９７】
（実施形態２）
図２２は、実施形態２に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図２３は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
【００９８】
実施形態１に示す動作例はあくまで一例であり、適宜変更してもよい。例えば、複数回のホバー検出期間Ｐｔｓにおいて、１つの検出電極ブロックＤＥＢを構成する検出電極ＤＥの数を変えてホバー検出を実行してもよい。制御回路１１は、検出面ＤＳと被検出体との距離Ｄ１に応じて、検出電極ブロックＤＥＢに含まれる検出電極ＤＥの数を変更すると、ホバー検出の解像度を変更することができる。
【００９９】
図２２においても、上述した表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが時分割で交互に実行される。表示期間Ｐｄについては、実施形態１と同様であるので、詳細な説明を省略する。実施形態２の検出期間Ｐｔにおいて、接続回路１８により、検出電極が４×４で電気的に束ねられ、検出電極ブロックＤＥＢを構成し、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ１１）。
【０１００】
図２３に示すように、ステップＳＴ１１において、検出電極ブロックＤＥＢの大きさが大きいので、被検出体ＣＱと検出電極ブロックＤＥＢとの距離が大きくても、被検出体ＣＱを検出しやすい。
【０１０１】
図２４は、検出電極が４×４で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。図２４において、１２×１６の検出電極ＤＥが４×４で電気的に束ねられ、検出電極ブロックＤＥＢを構成すると、検出電極ブロックＤＥＢは、３×４に行列状に並ぶことになる。
【０１０２】
図２４において、検出電極ブロックＤＥＢは、検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，１）、ＤＥＢＢ（１，２）、ＤＥＢＢ（１，３）、ＤＥＢＢ（１，４）、ＤＥＢＢ（２，１）、ＤＥＢＢ（２，２）、ＤＥＢＢ（２，３）、ＤＥＢＢ（２，４）、ＤＥＢＢ（３，１）、ＤＥＢＢ（３，２）、ＤＥＢＢ（３，３）、ＤＥＢＢ（３，４）で構成される。
【０１０３】
実施形態２においても、図１３に示すように、接続回路１８は、マルチプレクサＭｕと、アナログフロントエンドＳＣ１、・・・、ＳＣ４８を備える。検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，１）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ３７にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，２）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ２５にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，３）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ１３にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，４）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ１にそれぞれ電気的に接続されている。
【０１０４】
検出電極ブロックＤＥＢＢ（２，１）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ４１にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（２，２）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ２９にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（２，３）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ１７にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（２，４）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ５にそれぞれ電気的に接続されている。
【０１０５】
検出電極ブロックＤＥＢＢ（３，１）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ４５にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（３，２）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ３３にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（３，３）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ２１にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢＢ（３，４）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ９にそれぞれ電気的に接続されている。
【０１０６】
図２３に示すように、ステップＳＴ１１において、４８個のアナログフロントエンドＳＣのうち１２個のアナログフロントエンドＳＣを介して、検出回路４０は、各検出電極ブロックＤＥＢＢ（１，１）、ＤＥＢＢ（１，２）、ＤＥＢＢ（１，３）、ＤＥＢＢ（１，４）、ＤＥＢＢ（２，１）、ＤＥＢＢ（２，２）、ＤＥＢＢ（２，３）、ＤＥＢＢ（２，４）、ＤＥＢＢ（３，１）、ＤＥＢＢ（３，２）、ＤＥＢＢ（３，３）、ＤＥＢＢ（３，４）から供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、自己静電容量を検出する。これにより、検出回路４０は、被検出体ＣＱが複数の検出電極ブロックＤＥＢＢのうち、どの検出電極ブロックＤＥＢＢに対応して位置しているのかを検出する。
【０１０７】
次に、検出回路４０は、供給された検出信号Ｖｄｅｔの強度が、検出信号Ｖｄｅｔの強度と所定の閾値ΔＶｔｈａとを比較し、所定の閾値ΔＶｔｈａ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１２）。
【０１０８】
複数の検出信号Ｖｄｅｔのうち、いずれか１つの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈａを下回る場合（ステップＳＴ１２、Ｎｏ）、制御回路１１は、処理をステップＳＴ１１に戻す。複数の検出信号Ｖｄｅｔのうち、いずれか１つの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈａ以上である場合（ステップＳＴ１２、Ｙｅｓ）、接続回路１８により、検出電極が２×２で電気的に束ねられ、図２３に示すように、ステップＳＴ１１よりも小さい大きさの検出電極ブロックＤＥＢを構成する。そして、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ１３）。
【０１０９】
図２５は、検出電極が２×２で電気的に束ねられ、検出電極ブロックを構成する場合に、各検出電極ブロックが接続されるアナログフロントエンドを説明するための説明図である。図２４において、１２×１６の検出電極ＤＥが２×２で電気的に束ねられ、検出電極ブロックＤＥＢを構成すると、検出電極ブロックＤＥＢは、６×８に行列状に並ぶことになる。
【０１１０】
検出電極ブロックＤＥＢ（１，１）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ３９にそれぞれ電気的に接続されている。検出電極ブロックＤＥＢ（１，２）が含む検出電極ＤＥは、アナログフロントエンドＳＣ３７にそれぞれ電気的に接続されている。以下、他の検出電極ブロックＤＥＢも同様であり、各検出電極ブロックＤＥＢが含む検出電極ＤＥは、図２５の各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣにそれぞれ電気的に接続されている。
【０１１１】
図２５に示すように、ステップＳＴ１３において、４８個のアナログフロントエンドＳＣのうち４８個のアナログフロントエンドＳＣを介して、検出回路４０は、各検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔに基づいて、自己静電容量を検出する。これにより、検出回路４０は、被検出体ＣＱが複数の検出電極ブロックＤＥＢのうち、どの検出電極ブロックＤＥＢＢに対応して位置しているのかを検出する。
【０１１２】
次に、検出回路４０は、図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１４）。図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂを下回る場合（ステップＳＴ１４、Ｙｅｓ）、検出回路４０は、ステップＳＴ１１に処理を戻す。図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂを下回る場合では、被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの距離が大きいと考えられる。被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの距離が大きいほど、制御回路１１が接続回路１８に制御信号を送出し、アナログフロントエンドＳＣに対して電気的に同時接続される配線５１の数を大きくする。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体ＣＱを検出できる可能性が高まる。
【０１１３】
図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上である場合（ステップＳＴ１４、Ｎｏ）、検出回路４０は、処理をステップＳＴ１５に進める。
【０１１４】
次に、検出回路４０は、図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂよりも大きな値の閾値ΔＶｔｈｃ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１５）。図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｃを下回る場合（ステップＳＴ１５、Ｎｏ）、検出回路４０は、ステップＳＴ１３に処理を戻す。
【０１１５】
次に、検出回路４０は、図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、閾値ΔＶｔｈｃ以上である場合（ステップＳＴ１５、Ｙｅｓ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ１６）。図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、閾値ΔＶｔｈｃ以上である場合（ステップＳＴ１５、Ｙｅｓ）では、被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの距離が小さいと考えられる。被検出体ＣＱと検出電極ＤＥとの距離が小さいほど、制御回路１１が接続回路１８に制御信号を送出し、アナログフロントエンドＳＣに対して電気的に同時接続される配線５１の数を小さくする。
【０１１６】
ステップＳＴ１６において、実施形態１と同様に、接続回路１８により、検出用の駆動信号Ｖｓｅｌｆが供給されている検出電極ＤＥが順次切り替わる状態となる。実施形態２においては、図２３に示すように、ステップＳＴ１６１からステップＳＴ１６４まで順次、一行に含まれる検出電極ＤＥを選択してアナログフロントエンドＳＣに接続し、一行に含まれる検出電極ＤＥの選択を順次ずらしていく。本開示では、一行に含まれる検出電極ＤＥの選択を行毎に順次ずらしていくようにしたが、一列に含まれる検出電極ＤＥの選択を列毎に順次ずらしていくようにしてもよい。
【０１１７】
図２６Ａから図２６Ｄは、検出用の駆動信号が供給されている検出電極が順次切り替わる状態を説明するための説明図である。図２６Ａに示すように、接続回路１８が、４行目、８行目、１２行目、１６行目の検出電極ＤＥを選択し、４行目、８行目、１２行目、１６行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ａの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとを、接続回路１８が接続する（図２３、ステップＳＴ１６１参照）。
【０１１８】
図２６Ｂに示すように、接続回路１８が、３行目、７行目、１１行目、１５行目の検出電極ＤＥを選択し、３行目、７行目、１１行目、１５行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｂの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとを、接続回路１８が接続する（図２３、ステップＳＴ１６２参照）。
【０１１９】
図２６Ｃに示すように、接続回路１８が、２行目、６行目、１０行目、１４行目の検出電極ＤＥを選択し、２行目、６行目、１０行目、１４行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｃの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとを、接続回路１８が接続する（図２３、ステップＳＴ１６３参照）。
【０１２０】
図２６Ｄに示すように、接続回路１８が、１行目、５行目、９行目、１３行目の検出電極ＤＥを選択し、１行目、５行目、９行目、１３行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｄの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとを、接続回路１８が接続する（図２３、ステップＳＴ１６４参照）。
【０１２１】
なお、図２６Ａから図２６Ｄにおいて、アナログフロントエンドＳＣの記載のない検出電極ＤＥには、アナログフロントエンドＳＣは、接続されていない。
【０１２２】
以上説明したように、一行に含まれる検出電極ＤＥの選択を順次ずらしていくことで、全検出電極ＤＥの数よりも少ないアナログフロントエンドＳＣでも、検出回路４０は、全検出電極ＤＥの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度を取得することができる。
【０１２３】
次に、検出回路４０は、図２６Ａから図２６Ｄに示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｄ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ１７）。図２６Ａから図２６Ｄに示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｄを下回る場合（ステップＳＴ１７、Ｙｅｓ）、検出回路４０は、ステップＳＴ１３に処理を戻す。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体ＣＱを検出できる可能性が高まる。
【０１２４】
検出回路４０は、図２６Ａから図２６Ｄに示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｄ以上である場合（ステップＳＴ１７、Ｎｏ）、検出回路４０は、被検出体ＣＱの座標を抽出し、その後処理を終了する。
【０１２５】
（実施形態３）
図２７は、実施形態３に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図２８は、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１及び実施形態２で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
【０１２６】
図２７においても、上述した表示期間Ｐｄと検出期間Ｐｔとが時分割で交互に実行される。表示期間Ｐｄについては、実施形態１と同様であるので、詳細な説明を省略する。実施形態３の検出期間Ｐｔにおいて、接続回路１８により、検出電極が４×４で電気的に束ねられ、検出電極ブロックＤＥＢを構成し、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ２１）。ステップＳ２１の処理は、上述したステップＳ１１の処理と同じであるので、詳細な説明を省略する。
【０１２７】
次に、検出回路４０は、供給された検出信号Ｖｄｅｔの強度を求め、検出信号Ｖｄｅｔの強度と所定の閾値ΔＶｔｈａとを比較し、所定の閾値ΔＶｔｈａ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ２２）。
【０１２８】
複数の検出信号Ｖｄｅｔのうち、いずれか１つの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈａを下回る場合（ステップＳＴ２２、Ｎｏ）、制御回路１１は、処理をステップＳＴ１に戻す。複数の検出信号Ｖｄｅｔのうち、いずれか１つの検出信号Ｖｄｅｔの信号強度が閾値ΔＶｔｈａ以上である場合（ステップＳＴ２２、Ｙｅｓ）、接続回路１８により、検出電極が２×２で電気的に束ねられ、図２８に示すように、ステップＳＴ２１よりも小さい大きさの検出電極ブロックＤＥＢを構成する。そして、制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ２３）。
【０１２９】
次に、検出回路４０は、図２７に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるかどうかを判断する（ステップＳＴ２４）。図２７に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂを下回る場合（ステップＳＴ２４、Ｙｅｓ）、検出回路４０は、ステップＳＴ２１に処理を戻す。この処理により、検出感度が向上するので、改めて被検出体ＣＱを検出できる可能性が高まる。
【０１３０】
図２５に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上である場合（ステップＳＴ２４、Ｎｏ）、検出回路４０は、処理をステップＳＴ２５に進める。
【０１３１】
次に、検出回路４０は、図２７に示す検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、閾値ΔＶｔｈｂ以上である場合（ステップＳＴ２４、Ｎｏ）、制御回路１１は、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ２５）。
【０１３２】
実施形態３においては、図２８に示すように、ステップＳＴ２２において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を実行する。
【０１３３】
以上説明したように、制御回路１１は、ホバー検出において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の領域を対象として、タッチ検出を処理する検出電極ＤＥを決定し、制御回路１１は、決定された検出電極ＤＥ及び当該検出電極ＤＥに隣接する検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を処理する。
【０１３４】
これにより、全部の検出電極ＤＥの静電容量の検出を行わなくてもよく、検出期間Ｐｔを短縮する又は、検出対象とした同じ検出電極ＤＥに対し、検出期間Ｐｔ内の検出回数を増やして、検出精度を高めることができる。
【０１３５】
図２９は、実施形態３の変形例に係る表示装置の動作例を示すフローチャートである。図３０は、実施形態３の変形例において、アナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態３で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
【０１３６】
実施形態３の変形例では、被検出体が複数である点が、実施形態３と異なる。図２９のステップＳＴ２１からステップＳＴ２４の処理は、実施形態３の処理と同じであるが、図３０に示すように、被検出体ＣＱ１及び被検出体ＣＱ２が存在状態にある。
【０１３７】
実施形態３の変形例においては、図３０に示すように、ステップＳＴ２４において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥの数が、接続回路１８が有するアナログフロントエンドＳＣの数を超えた場合、２つの領域を対象として、タッチ検出を実行する。
【０１３８】
まず、図３０に示すように、被検出体ＣＱ１の影響と推定される、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の領域を対象として、タッチ検出を実行する。
【０１３９】
図３１は、タッチ検出を行う領域の一例を示す説明図である。図３１に示すように、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックは、検出電極ブロックＤＥＢ（３，７）、ＤＥＢ（３，８）、ＤＥＢ（４，７）、ＤＥＢ（４，８）である。接続回路１８は、検出電極ブロックＤＥＢ（３，７）、ＤＥＢ（３，８）、ＤＥＢ（４，７）、ＤＥＢ（４，８）に含まれる検出電極ＤＥに対し、アナログフロントエンドＳＣ４１、ＳＣ４２、ＳＣ４３、ＳＣ４４、ＳＣ２９、ＳＣ３０、ＳＣ３１、ＳＣ３２、ＳＣ１７、ＳＣ１８、ＳＣ１９、ＳＣ２０、ＳＣ５、ＳＣ６、ＳＣ７、ＳＣ８を接続する。検出電極ＤＥよりも、検出電極ブロックＤＥＢで被検出体ＣＱ１を検出する方が、座標抽出の検出精度が低いので、検出電極ブロックＤＥＢ（３，７）、ＤＥＢ（３，８）、ＤＥＢ（４，７）、ＤＥＢ（４，８）の周りの検出電極ＤＥもタッチ検出することが望ましい。
【０１４０】
接続回路１８は、検出電極ＤＥ（１，１３）、ＤＥ（１，１６）、ＤＥ（１２，１３）、ＤＥ（１２，１６）で囲まれる検出電極ＤＥに対し、図３１の各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣにそれぞれ電気的に接続されている。
【０１４１】
次に、図３０に示すように、ステップＳＴ２５とは異なる領域についても、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の領域を対象として、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ２６）。
【０１４２】
（実施形態４）
図３２は、実施形態４のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図３３は、実施形態４の接続回路を説明するための説明図である。図３４は、２×２束ねホバー検出において、実施形態４の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。図３５は、検出電極が順次切り替わる第１状態において、実施形態４の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１から実施形態３で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。図３３から図３５に示す各検出電極ＤＥ（１，ｎ）から検出電極ＤＥ（１，ｎ−１５）、検出電極ＤＥ（２，ｎ）から検出電極ＤＥ（２，ｎ−１５）は、図１３に示す検出電極ＤＥの一部を例示しており、具体的な形状は図１３のような矩形である。
【０１４３】
図３３に示す接続回路１８は、図３２に示すように、ホバー検出のステップ（ステップＳＴ３２）と、タッチ検出のステップ（ステップＳＴ３３又はステップＳＴ３４）とを切り替える。
【０１４４】
図３３に示す接続回路１８は、スイッチＭｕｘ１、Ｍｕｘ２及びＭｕｘ３を有している。図３３に示す接続回路１８は、検出電極ＤＥ（１，ｎ）にスイッチＭｕｘ１を介して接続する中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）を有する。同様に、検出電極ＤＥ（１，ｎ−１）から検出電極ＤＥ（１，ｎ−１５）は、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１）から中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１５）のそれぞれに、スイッチＭｕｘ１を介して接続されている。検出電極ＤＥ（２，ｎ）から検出電極ＤＥ（２，ｎ−１５）は、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ）から中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−１５）のそれぞれに、スイッチＭｕｘ１を介して接続されている。中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）から中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１５）及び中継配線ＤＥＬ（２，ｎ）から中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−１５）のいずれか１つを単に説明する場合は、中継配線ＤＥＬとして説明する。
【０１４５】
スイッチＭｕｘ１は、各検出電極ＤＥと、表示用の駆動信号ＶＣＯＭの供給配線、ガード信号Ｖｇｄの供給配線、又はアナログフロントエンドＳＣへ接続する中継配線ＤＥＬを接続する。中継配線ＤＥＬは、スイッチＭｕｘ１とスイッチＭｕｘ２とを接続し、スイッチＭｕｘ１とスイッチＭｕｘ３とを接続する。スイッチＭｕｘ１、Ｍｕｘ２及びＭｕｘ３がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号ＶＣＯＭの供給配線、ガード信号Ｖｇｄの供給配線及びアナログフロントエンドＳＣのいずれかが、１つの検出電極ＤＥに時分割で接続される。
【０１４６】
図３２に示すステップＳＴ３２において、スイッチＭｕｘ２が中継配線ＤＥＬとアナログフロントエンドＳＣとの間を非接続とする。図３４に示すように、スイッチＭｕｘ３と中継配線ＤＥＬとは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙにそれぞれ隣り合う検出電極ＤＥを電気的に接続して、２×２の検出電極ＤＥを束ねて、検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）から検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ−７）にする。検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）から検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ−７）は、アナログフロントエンドＳＣ１からアナログフロントエンドＳＣ７にそれぞれ接続される。そして、図１に示す制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ３２）。
【０１４７】
図３４に示す各検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上である場合、検出回路４０は、処理をステップＳＴ３３に進める。
【０１４８】
実施形態４においては、ステップＳＴ３３において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を実行する。
【０１４９】
例えば、ステップＳＴ３３において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）があり、検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）に対応する検出電極ＤＥ（１，ｎ）、検出電極ＤＥ（１，ｎ−１）、検出電極ＤＥ（２，ｎ）及び検出電極ＤＥ（２，ｎ−１）に対して、図３５に示すように、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ３３）。
【０１５０】
スイッチＭｕｘ３が中継配線ＤＥＬとアナログフロントエンドＳＣとの間を非接続とする。スイッチＭｕｘ１は、検出電極ＤＥ（１，ｎ）、ＤＥ（１，ｎ−１）、ＤＥ（１，ｎ−２）及びＤＥ（１，ｎ−３）を、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）、ＤＥＬ（１，ｎ−１）、ＤＥＬ（１，ｎ−２）及びＤＥＬ（１，ｎ−３）にそれぞれ電気的に接続する。スイッチＭｕｘ１は、他の検出電極ＤＥをガード信号Ｖｇｄの供給配線に接続する。
【０１５１】
そして、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ）との間を接続する。次に、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−１）との間を接続する。次に、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−２）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−２）との間を接続する。そして、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−３）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−３）との間を接続する。この処理により、第１方向Ｄｘに隣り合う検出電極ＤＥが同時に選択され、それぞれがアナログフロントエンドＳＣに接続されるようになる。スイッチＭｕｘ２の動作に伴って、アナログフロントエンドＳＣに接続される検出電極ＤＥが順次第２方向Ｄｙに順次切り替わる。
【０１５２】
次に、図３２に示すステップＳＴ３３の処理の後、ステップＳ３２の処理において所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた他の検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ３４）。ステップＳＴ３４の処理は、ステップＳＴ３３において、アナログフロントエンドＳＣに接続される検出電極ＤＥの第２方向Ｄｙの位置が異なるだけであるので、詳細な説明を省略する。
【０１５３】
（実施形態５）
図３６は、実施形態５のアナログフロントエンドに接続される検出電極の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図３７は、実施形態５の接続回路を説明するための説明図である。図３８は、検出電極が順次切り替わる第２状態において、実施形態５の接続回路の状態の変化を説明するための模式的な説明図である。図３９は、２×２束ねホバー検出において、実施形態５の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。図４０は、検出電極が順次切り替わる第１状態において、実施形態５の接続回路の変化を説明するための模式的な説明図である。なお、実施形態１から実施形態４で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
【０１５４】
図３７に示す接続回路１８は、図３６に示すように、タッチ検出のステップ（ステップＳＴ３１）と、ホバー検出のステップ（ステップＳＴ３２）とを切り替える。また実施形態４と同様に、ホバー検出のステップ（ステップＳＴ３２）と、タッチ検出のステップ（ステップＳＴ３３又はステップＳＴ３４）とを切り替える。
【０１５５】
図３７に示す接続回路１８は、スイッチＭｕｘ１、Ｍｕｘ２、Ｍｕｘ３及びＭｕｘ４を有している。中継配線ＤＥＬは、スイッチＭｕｘ１とスイッチＭｕｘ２とを接続し、スイッチＭｕｘ１とスイッチＭｕｘ３とを接続し、スイッチＭｕｘ１とスイッチＭｕｘ３とを接続する。スイッチＭｕｘ１、Ｍｕｘ２、Ｍｕｘ３及びＭｕｘ４がそれぞれ開閉することで、表示用の駆動信号ＶＣＯＭの供給配線、ガード信号Ｖｇｄの供給配線及びアナログフロントエンドＳＣのいずれかが、１つの検出電極ＤＥに時分割で接続される。
【０１５６】
図３６に示すステップＳＴ３１において、図３８に示すように、スイッチＭｕｘ２及びＭｕｘ３が中継配線ＤＥＬとアナログフロントエンドＳＣとの間を非接続とする。スイッチＭｕｘ１は、検出電極ＤＥ（１，ｎ）、ＤＥ（１，ｎ−４）、ＤＥ（１，ｎ−８）及びＤＥ（１，ｎ−１２）を、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）、ＤＥＬ（１，ｎ−４）、ＤＥＬ（１，ｎ−８）及びＤＥＬ（１，ｎ−１２）にそれぞれ電気的に接続する。スイッチＭｕｘ１は、他の検出電極ＤＥをガード信号Ｖｇｄの供給配線に接続する。
【０１５７】
そして、スイッチＭｕｘ４は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）との間を電気的に接続する。同様に、アナログフロントエンドＳＣ２が、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−４）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ３が、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−８）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ４が、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１２）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ５が、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ６が、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−４）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ７が、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−８）に電気的に接続する。アナログフロントエンドＳＣ８が、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−１２）に電気的に接続する。これにより、上述した図２６Ａに示すように、接続回路１８が、４行目、８行目、１２行目、１６行目の検出電極ＤＥを選択し、４行目、８行目、１２行目、１６行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ａの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとを、接続回路１８が接続する。
【０１５８】
スイッチＭｕｘ４が電気的に接続する中継配線ＤＥＬを順次切り替えると、図２６Ｂに示すように、接続回路１８が、３行目、７行目、１１行目、１５行目の検出電極ＤＥを選択する。これにより、図２６Ｂに示す３行目、７行目、１１行目、１５行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｂの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとが接続される。
【０１５９】
さらに、スイッチＭｕｘ４が電気的に接続する中継配線ＤＥＬを順次切り替えると、図２６Ｃに示すように、接続回路１８が、２行目、６行目、１０行目、１４行目の検出電極ＤＥを選択する。これにより、図２６Ｃに示す２行目、６行目、１０行目、１４行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｃの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとが接続される。
【０１６０】
さらに、スイッチＭｕｘ４が電気的に接続する中継配線ＤＥＬを順次切り替えると、図２６Ｄに示すように、接続回路１８が、１行目、５行目、９行目、１３行目の検出電極ＤＥを選択する。これにより、図２６Ｄに示す１行目、５行目、９行目、１３行目の各検出電極ＤＥと、図２６Ｄの各検出電極ＤＥ内に記載した符号のアナログフロントエンドＳＣとが接続される。
【０１６１】
図３６、図２６Ａ、図２６Ｂ、図２６Ｃ及び図２６Ｄに示すように、ステップＳＴ３１において、実施形態５の検出装置は、アナログフロントエンドＳＣの数よりも多い検出電極ＤＥの数を有していても、全面のタッチ検出を順次処理することができる。
【０１６２】
図３６に示すステップＳＴ３２において、スイッチＭｕｘ２及びＭｕｘ４が中継配線ＤＥＬとアナログフロントエンドＳＣとの間を非接続とする。図３９に示すように、スイッチＭｕｘ３と中継配線ＤＥＬとは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙにそれぞれ隣り合う検出電極ＤＥを電気的に接続して、２×２の検出電極ＤＥを束ねて、検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）から検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ−７）にする。検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）から検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ−７）は、アナログフロントエンドＳＣ１からアナログフロントエンドＳＣ７にそれぞれ接続される。そして、図１に示す制御回路１１は、ホバー検出を実行する（ステップＳＴ３２）。
【０１６３】
図３９に示す各検出電極ブロックＤＥＢから供給された検出信号Ｖｄｅｔが、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上である場合、検出回路４０は、処理をステップＳＴ３３に進める。
【０１６４】
実施形態５においては、ステップＳＴ３３において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を実行する。
【０１６５】
例えば、ステップＳＴ３３において、所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）があり、検出電極ブロックＤＥＢ（１，Ｎ）に対応する検出電極ＤＥ（１，ｎ）、検出電極ＤＥ（１，ｎ−１）、検出電極ＤＥ（２，ｎ）及び検出電極ＤＥ（２，ｎ−１）に対して、図４０に示すように、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ３３）。
【０１６６】
スイッチＭｕｘ３及びＭｕｘ４が中継配線ＤＥＬとアナログフロントエンドＳＣとの間を非接続とする。スイッチＭｕｘ３は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ）との間を接続する。次に、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−１）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−１）との間を接続する。次に、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−２）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−２）との間を接続する。そして、スイッチＭｕｘ２は、アナログフロントエンドＳＣ１と、中継配線ＤＥＬ（１，ｎ−３）との間を接続し、アナログフロントエンドＳＣ５と、中継配線ＤＥＬ（２，ｎ−３）との間を接続する。この処理により、第１方向Ｄｘに隣り合う検出電極ＤＥが同時に選択され、アナログフロントエンドＳＣに接続されるようになる。スイッチＭｕｘ２の動作に伴って、アナログフロントエンドＳＣに接続される検出電極ＤＥが順次第２方向Ｄｙに順次切り替わる。
【０１６７】
次に、図３２に示すステップＳＴ３３の処理の後、ステップＳ３２の処理において所定の閾値ΔＶｔｈｂ以上であるとされた他の検出電極ブロックＤＥＢ及び当該検出電極ブロックＤＥＢの周囲の検出電極ＤＥを対象として、タッチ検出を実行する（ステップＳＴ３４）。ステップＳＴ３４の処理は、ステップＳＴ３３において、アナログフロントエンドＳＣに接続される検出電極ＤＥの第２方向Ｄｙの位置が異なるだけであるので、詳細な説明を省略する。
【０１６８】
（実施形態６）
図４１は、実施形態６に係る検出電極と接続回路との関係を模式的に示す平面図である。なお、実施形態１で説明した構成要素については、同じ符号を付して、説明を省略する。
【０１６９】
実施形態６の接続回路１８は、マルチプレクサＭｕを内蔵しているが、アナログフロントエンドＳＣが内蔵されていない。アナログフロントエンドＳＣは、集積回路１９に内蔵されている。アナログフロントエンドＳＣは、マルチプレクサＭｕとは別に形成されているので、第１基板２１上の接続回路１８が含むＴＦＴなどの回路数が減り、接続回路１８の面積を小さくすることができる。その結果、周辺領域１０ｂを他の素子を形成するためのスペースとして有効活用する、あるいは、周辺領域１０ｂを小さくして、狭額縁にすることができる。
【０１７０】
以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。
【０１７１】
例えば、検出電極ＤＥ、画素電極２２等の形状、配置、個数等は、あくまで一例であり、適宜変更することができる。
【０１７２】
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板のセンサ領域において、第１方向及び前記第１方向に交差する第２方向に行列状に配列された複数の検出電極と、
前記検出電極に駆動信号を供給する駆動回路と、
複数の前記検出電極のそれぞれに、それぞれが電気的に接続された複数の配線と、
前記駆動信号が供給された場合における前記検出電極の容量変化に応じた検出信号を、当該検出電極から受け取るアナログフロントエンドと、
１つの前記検出電極に１つの前記配線を介して接続され、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を変更可能なマルチプレクサと、を備え、
複数の前記配線のそれぞれは、前記第２方向に沿って延在し、
複数の前記配線は、前記第１方向に亘って並んで配置される、
検出装置。
（２）前記マルチプレクサを制御する制御回路を備え、前記制御回路は、前記第１方向及び前記第２方向に交差する第３方向において、被検出体と前記検出電極との距離に応じて、電気的に同時接続される前記検出電極の数を変える、上記（１）に記載の検出装置。
（３）前記マルチプレクサは、前記検出電極がある前記基板と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある（１）に記載の検出装置。
（４）前記アナログフロントエンドは、集積回路に内蔵され、かつ前記マルチプレクサとは別に形成されている（３）に記載の検出装置。
（５）前記アナログフロントエンドは、前記検出電極と同じ基板上に配置され、かつ前記センサ領域の外側にある（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（６）前記検出電極の数は、前記アナログフロントエンドの数よりも多い（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の検出装置。
（７）１つの前記アナログフロントエンドに同時接続可能な前記配線に電気的に接続する複数の前記検出電極は、前記第１方向又は前記第２方向に隣接する２つの前記検出電極を含む（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の検出装置。
（８）前記マルチプレクサは、１つの前記アナログフロントエンドに対して、１つずつ前記配線を順次時分割で電気的に接続する（１）乃至（７）のいずれか１つに記載の検出装置。
（９）１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を１つとする第１検出モードと、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を複数とする第２検出モードと、のいずれかで前記マルチプレクサを制御する制御回路を有する、（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１０）前記制御回路は、被検出体と前記検出電極との距離が大きいほど、制御信号により、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数を大きくする（９）に記載の検出装置。
（１１）前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が第１閾値よりも大きい場合、前記制御回路は、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が小さくなるように変更する（９）に記載の検出装置。
（１２）前記アナログフロントエンドを介して、前記検出信号を処理する検出回路と、
前記検出回路が検出した検出信号が前記第１閾値よりも小さい第２閾値を下回る場合、１つの前記アナログフロントエンドに対して電気的に同時接続される前記配線の数が大きくなるように変更する（１１）に記載の検出装置。
（１３）
前記第２検出モードにおいて、前記第１検出モードを処理する検出電極を決定し、当該検出電極及び当該検出電極に隣接する検出電極を対象として、前記第１検出モードを処理する（９）に記載の検出装置。
（１４）前記第１検出モードにおいて、前記第１方向に隣り合う複数の検出電極が、それぞれ複数の前記アナログフロントエンドに接続される、（９）乃至（１３）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１５）（１）乃至（１４）のいずれか１つに記載の検出装置と、表示領域とを備える表示パネルと、を備え
前記表示領域と重畳する領域に、前記検出電極が設けられている、表示装置。
（１６）表示期間と検出期間とが時分割で交互に実行され、前記表示期間において、全ての前記検出電極には、共通電位が供給される（１５）に記載の表示装置。
【符号の説明】
【０１７３】
１  表示装置
６  液晶層
１０  表示パネル
１０ａ  表示領域
１０ｂ  周辺領域
１１  制御回路
１４  駆動回路
１８  接続回路
１９  集積回路
２０  表示領域
２１  第１基板
２２  画素電極
３０  センサ領域
３１  第２基板
４０  検出回路
５１  配線
ＤＥＢ  検出電極ブロック
ＤＥ  検出電極
ＳＣ  アナログフロントエンド
Ｍｕ  マルチプレクサ
【図１】
2019091401.tif 000003
【図２】
2019091401.tif 000004
【図３】
2019091401.tif 000005
【図４】
2019091401.tif 000006
【図５】
2019091401.tif 000007
【図６】
2019091401.tif 000008
【図７】
2019091401.tif 000009
【図８】
2019091401.tif 000010
【図９】
2019091401.tif 000011
【図１０】
2019091401.tif 000012
【図１１】
2019091401.tif 000013
【図１２】
2019091401.tif 000014
【図１３】
2019091401.tif 000015
【図１４】
2019091401.tif 000016
【図１５】
2019091401.tif 000017
【図１６Ａ】
2019091401.tif 000018
【図１６Ｂ】
2019091401.tif 000019
【図１６Ｃ】
2019091401.tif 000020
【図１６Ｄ】
2019091401.tif 000021
【図１７】
2019091401.tif 000022
【図１８】
2019091401.tif 000023
【図１９】
2019091401.tif 000024
【図２０】
2019091401.tif 000025
【図２１】
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【図２２】
2019091401.tif 000027
【図２３】
2019091401.tif 000028
【図２４】
2019091401.tif 000029
【図２５】
2019091401.tif 000030
【図２６Ａ】
2019091401.tif 000031
【図２６Ｂ】
2019091401.tif 000032
【図２６Ｃ】
2019091401.tif 000033
【図２６Ｄ】
2019091401.tif 000034
【図２７】
2019091401.tif 000035
【図２８】
2019091401.tif 000036
【図２９】
2019091401.tif 000037
【図３０】
2019091401.tif 000038
【図３１】
2019091401.tif 000039
【図３２】
2019091401.tif 000040
【図３３】
2019091401.tif 000041
【図３４】
2019091401.tif 000042
【図３５】
2019091401.tif 000043
【図３６】
2019091401.tif 000044
【図３７】
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【図３８】
2019091401.tif 000046
【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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