(57)【要約】      （修正有）【課題】外部汚染の流れ込みが防止された表示パネル及びこれを含む電子装置を提供する。【解決手段】表示パネル１００は、表示領域ＤＡが定義された前面及び背面を含み、表示領域に重畳し、前面及び背面を貫通する第１ホールＭＨ、及び表示領域に重畳し、第１ホールに隣接し、前面から陥没した第２ホールＢＲが定義されたベース基板１０、ベース基板の上に配置された画素層を含み、ベース基板は、ベース基板の背面を含む第１ベース層１１、第１ベース層の上に配置され、第１屈折率を有する複数の第１無機層及び第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む第１バリアー層１２、第１バリアー層の上に配置された第２ベース層１３、第２ベース層の上に配置されてベース基板の前面を含む第２バリアー層１４を含む。【選択図】図４
2019091039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域が定義された前面及び背面を含み、前記表示領域に重畳し、前記前面及び前記背面を貫通する第１ホール、及び前記表示領域に重畳し、前記第１ホールに隣接し、前記前面から陥没した第２ホールが定義されたベース基板と、
前記ベース基板の上に配置された画素層と、を含み、
前記ベース基板は、
前記ベース基板の前記背面を含む第１ベース層と、
前記第１ベース層の上に配置され、第１屈折率を有する複数の第１無機層及び前記第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む第１バリアー層と、
前記第１バリアー層の上に配置された第２ベース層と、
前記第２ベース層の上に配置されて前記ベース基板の前記前面を含む第２バリアー層と、を含み、
前記第２ホールは、前記第２ベース層及び前記第２バリアー層に定義されたことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第１バリアー層の最上層は、前記第１無機層の中のいずれか１つであり、前記第１バリアー層の最下層は、前記第２無機層の中のいずれか１つであり、
前記第２屈折率は、前記第１屈折率より高いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１無機層の中の少なくとも２つ以上は、互いに異なる厚さを有し、前記第２無機層の中の少なくとも２つ以上は、互いに異なる厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１無機層及び前記第２無機層は、互いに異なる厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第２ホールは、前記第２バリアー層を貫通する第１サブホール及び前記第２バリアー層の前記第１サブホールと重畳し、前記第２ベース層に定義された第２サブホールを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第２ベース層の前記第２サブホールの幅は、前記第２バリアー層の前記第１サブホールの幅より大きいことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記画素層は、前記第２バリアー層の上に配置され、前記第２ホールに重畳する第３サブホールが定義されたカバー層を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記カバー層の前記第３サブホールの幅は、前記第２バリアー層の前記第１サブホールの幅より小さいことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記ベース基板には平面上で、前記表示領域に重畳し、前記第１ホールより前記第２ホールにさらに隣接し、前記ベース基板の前記前面から陥没した第３ホールがさらに定義されたことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
平面上で表示領域及び前記表示領域に隣接する周辺領域に区分された前面及び背面を含み、前記表示領域に重畳し、前記前面及び前記背面を貫通する第１ホール、及び前記表示領域に重畳し、前記第１ホールに隣接し、前記前面から陥没した第２ホールが定義されたベース基板を含む表示パネルと、
前記第１ホールに収容され、前記表示パネルに電気的に連結された電子モジュールと、を含み、
前記ベース基板は、
前記ベース基板の前記背面を含む第１ベース層と、
前記第１ベース層の上に配置され、第１屈折率を有する複数の第１無機層及び前記第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む第１バリアー層と、
前記第１バリアー層の上に配置された第２ベース層と、
前記第２ベース層の上に配置されて前記ベース基板の前記前面を含む第２バリアー層と、を含み、
前記第２ホールは、前記第２ベース層及び前記第２バリアー層に定義されたことを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置に係り、より詳細には信頼性が向上した表示パネル及びこれを含む電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置は映像を表示する装置として、最近有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）が注目を浴びている。有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度、及び早い反応速度等の高品位の特性を有する。
【０００３】
有機発光表示装置は有機発光素子を含む。有機発光素子は水分や酸素に脆弱であり容易に損傷する。したがって、有機発光表示装置において、外部から流れ込む水分や酸素を安定的に遮断すると、有機発光表示装置の信頼性、寿命が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第８，５４７，６９５号公報
【特許文献２】米国特許第８，９１５，３６０号公報
【特許文献３】米国特許第９，０７２，３５１号公報
【特許文献４】米国特許第９，４７３，１９２号公報
【特許文献５】米国特許第９，７６８，８１８号公報
【特許文献６】米国特許公開第２０１５／０１８５７６０号明細書
【特許文献７】米国特許公開第２０１５／０３１１９３７号明細書
【特許文献８】米国特許公開第２０１５／０３７８５９２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は外部汚染の流れ込みが防止された表示パネル及びこれを含む電子装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的を達成するための実施形態に係る表示パネルは、表示領域が定義された前面及び背面を含み、前記表示領域に重畳し、前記前面及び前記背面を貫通する第１ホール、及び前記表示領域に重畳し、前記第１ホールに隣接し、前記前面から陥没した第２ホールが定義されたベース基板、前記ベース基板の上に配置された画素層を含み、前記ベース基板は、前記ベース基板の前記背面を含む第１ベース層と、前記第１ベース層の上に配置され、第１屈折率を有する複数の第１無機層及び前記第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む第１バリアー層と、前記第１バリアー層の上に配置された第２ベース層と、前記第２ベース層の上に配置されて前記ベース基板の前記前面を含む第２バリアー層と、を含み、前記第２ホールは前記第２ベース層及び前記第２バリアー層に定義される。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、前記第１バリアー層の最上層は前記第１無機層の中のいずれか１つであり、前記第１バリアー層の最下層は前記第２無機層の中のいずれか１つであり、前記第２屈折率は前記第１屈折率より高いことを特徴とする。
【０００８】
本発明の実施形態によれば、前記第１無機層の中の少なくとも２つ以上は互いに異なる厚さを有し、前記第２無機層の中の少なくとも２つ以上は互いに異なる厚さを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の実施形態によれば、前記第１無機層及び前記第２無機層は互いに異なる厚さを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、前記第１バリアー層の厚さは５５０乃至６００ｎｍであることを特徴とする。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、前記第１無機層はＳｉＯｘを含み、前記第２無機層はＳｉＮｘを含む。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、前記第２ホールは、前記第２バリアー層を貫通する第１サブホール及び前記第２バリアー層の前記第１サブホールと重畳し、前記第２ベース層に定義された第２サブホールを含む。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、前記第２ベース層の前記第２サブホールの幅は前記第２バリアー層の前記第１サブホールの幅より大きい。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、前記画素層は前記第２バリアー層の上に配置され、前記第２ホールに重畳する第３サブホールが定義されたカバー層を含む。
【００１５】
本発明の実施形態によれば、前記カバー層の前記第３サブホールの幅は前記第２バリアー層の前記第１サブホールの幅より小さいことを特徴とする。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、前記画素層は前記ベース基板の上に配置され、薄膜トランジスタを含む薄膜素子層、前記ベース基板の上に配置され、前記薄膜トランジスタに連結される有機発光素子を含む表示素子層を含む。
【００１７】
本発明の実施形態によれば、前記表示領域は前記第１ホールに重畳するホール領域、前記ホール領域を囲み、前記第２ホールに重畳した周辺領域、及び前記周辺領域を囲み、前記有機発光素子が重畳した画素領域を含み、前記周辺領域には前記有機発光素子が非重畳することを特徴とする。
【００１８】
本発明の実施形態によれば、前記ホール領域には前記画素層が非重畳することを特徴とする。
【００１９】
本発明の実施形態によれば、前記ベース基板には平面上で、前記表示領域に重畳し、前記第１ホールより前記第２ホールにさらに隣接し、前記ベース基板の前記前面から陥没した第３ホールがさらに定義される。
【００２０】
本発明の実施形態によれば、前記第３ホールは前記第２バリアー層を貫通する第３サブホール及び前記第２バリアー層の前記第３サブホールと重畳し、前記第２ベース層に定義された第４サブホールを含む。
【００２１】
本発明の実施形態によれば、前記第２ベース層の前記サブ陥没部の幅は前記第２バリアー層の前記サブ貫通部の幅より大きい。
【００２２】
本発明の実施形態によれば、前記第１ベース層及び前記第２ベース層は有機物を含む。
【００２３】
本発明の目的を達成するための本発明の他の実施形態に係る電子装置は、平面上で表示領域及び前記表示領域に隣接する周辺領域に区分された前面及び背面を含み、前記表示領域に重畳し、前記前面及び前記背面を貫通する第１ホール、及び前記表示領域に重畳し、前記第１ホールに隣接し、前記前面から陥没した第２ホールが定義されたベース基板を含む表示パネルと、前記第１ホールに収容され、前記表示パネルに電気的に連結された電子モジュールと、を含み、前記ベース基板は、前記ベース基板の前記背面を含む第１ベース層と、前記第１ベース層の上に配置され、第１屈折率を有する複数の第１無機層及び前記第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む第１バリアー層と、前記第１バリアー層の上に配置された第２ベース層と、前記第２ベース層の上に配置されて前記ベース基板の前記前面を含む第２バリアー層と、を含み、前記第２ホールは前記第２ベース層及び前記第２バリアー層に定義される。
【００２４】
本発明の実施形態によれば、前記電子モジュールは音声出力モジュール、撮影させモジュール、及び受光モジュールの中で少なくともいずれか１つを含む。
【００２５】
本発明の実施形態によれば、前記第２ホールは平面上で前記第１ホールを囲む閉曲線形状を有する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、外部から流れ込む水分や酸素による素子等の損傷が容易に防止できる。したがって、工程及び使用上の信頼性が向上した電子装置を提供できる。
【００２７】
特に、本発明に係る表示パネルはベース基板の下部から浸透する水分や酸素の流れ込みを遮断できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子装置の分解斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る電子装置のブロック図である。
【図４】図２に図示したＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図５】図４に図示した一部を拡大して示した断面図である。
【図６】図５に図示した一部を拡大して示した断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る図４に図示した第１バリアー層を示した断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る第１バリアー層を透過するレーザーの特性を示したグラフである。
【図９】本発明の実施形態に係る図７に図示した第１バリア層の一部を示した断面図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示した断面図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示した断面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示した断面図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示した断面図である。
【図１４】本発明の実施形態に係るベース基板を示す一例である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明は多様な変更が可能で、様々な形態を有することができるので、特定の実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするのではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物あるいは代替物を本発明は含むと理解されるべきである。
【００３０】
各図面を説明しながら、類似の参照符号を類似の構成要素に対して使用した。添付した図面において、構造物の寸法は本発明の明確性のために実際より拡大して図示したものである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用するが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せず、第１構成要素は第２構成要素と称され、同様に第２構成要素も第１構成要素と称される。単数の表現は文脈上明確に区別して表現しない限り、複数の表現を含む。
【００３１】
本出願で、‘‘含む’’等の用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組合せたものが存在することを表現しようするものであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組合せたものの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解されるべきである。
【００３２】
図１は本発明の一実施形態に係る電子装置の斜視図である。図２は本発明の実施形態に係る電子装置の分解斜視図である。図３は本発明の実施形態に係る電子装置のブロック図である。
【００３３】
本発明の実施形態によれば、電子装置ＥＤＤは電気的信号に応じて活性化される装置である。電子装置ＥＤＤは多様な実施形態を含む。例えば、電子装置ＥＤＤはタブレット、ノートブック型コンピューター、コンピュータ、スマートテレビ等を含む。本実施形態において、電子装置ＥＤＤをスマートフォンとして例示的に図示した。
【００３４】
図１乃至図３を参照すれば、電子装置ＥＤＤは前面にイメージＩＭを表示する表示面を提供する。表示面は第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とが定義する面に平行に定義される。
【００３５】
表示面は第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とが定義する面と平行になる。表示面の法線方向は第３方向ＤＲ３を示す。第３方向ＤＲ３は電子装置ＥＤＤの厚さ方向を示す。各部材の前面と背面とは第３方向ＤＲ３によって区分される。しかし、方向ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３が指示する方向は相対的な概念として他の方向に変換できる。
【００３６】
図１によれば、電子装置ＥＤＤは透過領域ＴＡを通じてイメージＩＭを表示する。図１でイメージＩＭの一例としてインターネット検索窓を図示した。透過領域ＴＡは第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する面に平行である長方形状を有する。但し、これは例示的に示したものであり、透過領域ＴＡは多様な形状を有し、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００３７】
ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡに隣接する。ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡを囲む。但し、これは例示的に示したものであり、ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡの一側のみに隣接して配置されてもよく、省略されてもよい。本発明の一実施形態に係る電子装置は多様な実施形態を含み、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００３８】
図２によれば、電子装置ＥＤＤは表示パネル１００、ウインドー部材２００、ハウジング部材３００、及び電子モジュール４００を含む。
【００３９】
図３に図示したように、電子装置ＥＤＤは表示モジュールＤＭ、第１電子モジュールＥＭ１、第２電子モジュールＥＭ２、及び電源供給モジュールＰＭをさらに含む。図２では図３に図示した構成の中の一部の構成を省略した電子装置ＥＤＤを図示した。
【００４０】
表示モジュールＤＭは表示パネル１００及び入力感知ユニットＴＳＵを含む。表示パネル１００はイメージＩＭを表示する。入力感知ユニットＴＳＵは外部から印加される使用者の入力を感知する。使用者の入力は使用者身体の一部、光、熱、又は圧力等多様な形態の外部入力を含む。入力感知ユニットＴＳＵはタッチセンサーをさらに含む。
【００４１】
再び図２を参照すれば、表示パネル１００は表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに区分される。表示領域ＤＡは上述したように、イメージＩＭが表示される領域である。表示領域ＤＡにはイメージＩＭを表示するための複数の画素が配置される。これに対する詳細な説明は後述する。
【００４２】
非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡに隣接する。非表示領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを囲む。非表示領域ＮＤＡには表示領域ＤＡを駆動するための駆動回路や駆動配線等が配置される。
【００４３】
一方、図示しないが、表示パネル１００の中で非表示領域ＮＤＡの一部は曲がり電子装置ＥＤＤの前面に向かい、非表示領域ＮＤＡの他の一部は電子装置ＥＤＤの背面に向かう。又は、本発明の一実施形態に係る表示パネル１００において非表示領域ＮＤＡは省略されてもよい。
【００４４】
本発明の実施形態によれば、表示パネル１００は表示領域ＤＡに重畳する収容部ＯＡを含む。収容部ＯＡは電子モジュール４００が配置される空間である。収容部ＯＡは第１ホールＭＨ及び第２ホールＢＲを含む。
【００４５】
第１ホールＭＨは表示パネル１００を貫通する。第１ホールＭＨは第３方向ＤＲ３の高さを有する円筒形状を有する。第１ホールＭＨは電子モジュール４００を収容する。実施形態によれば、表示パネル１００は第１ホールＭＨを含むことによって薄形の表示装置を具現できる。
【００４６】
第２ホールＢＲは第１ホールＭＨに隣接して配置される。第２ホールＢＲは表示パネル１００の前面から陥没して形成される。表示パネル１００の一部分に第２ホールＢＲは平面上で第１ホールＭＨを囲む閉曲線形状を有する。本実施形態で、第２ホールＢＲは第１ホールＭＨを囲むリング（ｒｉｎｇ）形状を有する。
【００４７】
本発明の実施形態によれば、第１ホールＭＨは表示パネル１００の前面及び背面を貫通する貫通ホールである。第２ホールＢＲは第１ホールＭＨと異なり、表示パネル１００を全体的に貫通せず、第３方向ＤＲ３で表示パネル１００の一部分のみに形成される。その結果、第２ホールＢＲは貫通ホールではない、凹んだ形状を有する。第１ホールＭＨと第２ホールＢＲとに対する詳細な説明は後述する。
【００４８】
ウインドー部材２００は電子装置ＥＤＤの前面を提供する。ウインドー部材２００は表示パネル１００の前面に配置されて表示パネル１００を保護する。例えば、ウインドー部材２００はガラス基板、サファイア基板、又はプラスチックフィルムを含む。ウインドー部材２００は多層又は単層構造を有してもよい。例えば、ウインドー部材２００は接着剤で結合された複数のプラスチックフィルムの積層構造を有するか、或いは接着剤で結合されたガラス基板とプラスチックフィルムとの積層構造を有してもよい。
【００４９】
ウインドー部材２００は透過領域ＴＡ及びベゼル領域ＢＺＡに区分される。透過領域ＴＡは表示領域ＤＡに対応する領域である。例えば、透過領域ＴＡは表示領域ＤＡの全面又は少なくとも一部と重畳する。表示パネル１００の表示領域ＤＡに表示されるイメージＩＭは透過領域ＴＡを通じて外部から視認される。
【００５０】
ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡの形状を定義する。ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡに隣接し、透過領域ＴＡを囲む。ベゼル領域ＢＺＡは所定のカラーを有する。ベゼル領域ＢＺＡは表示パネル１００の非表示領域ＮＤＡをカバーして非表示領域ＮＤＡが外部から視認されることを遮断する。一方、これは例示的に図示したものであり、本発明の一実施形態に係るウインドー部材２００において、ベゼル領域ＢＺＡは省略されてもよい。
【００５１】
ハウジング部材３００はウインドー部材２００と結合される。ハウジング部材３００は電子装置ＥＤＤの背面を提供する。ハウジング部材３００はウインドー部材２００と結合されて内部空間を定義し、表示パネル１００、電子モジュール４００、及び図３に図示した各種構成は内部空間に収容される。ハウジング部材３００は相対的に高い強度を有する物質を含む。例えば、ハウジング部材３００はガラス、プラスチック、メタルで構成された複数のフレーム及び／又はプレートを含む。ハウジング部材３００は内部空間に収容された電子装置ＥＤＤの構成を外部衝撃から安定的に保護する。
【００５２】
電子モジュール４００は電子装置ＥＤＤを動作させるための多様な機能性モジュールを含む。
【００５３】
図３を参照すれば、電子モジュール４００は第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２を含む。
【００５４】
第１電子モジュールＥＭ１は表示モジュールＤＭと電気的に連結されたマザーボードに直接実装されるか、或いは別の基板に実装されてコネクター（図示せず）等を通じてマザーボードに電気的に連結される。
【００５５】
第１電子モジュールＥＭ１は制御モジュールＣＭ、無線通信モジュール５１０、映像入力モジュール５２０、音響入力モジュール５３０、メモリ５４０、及び外部インターフェイス５５０を含む。前記モジュールの中で一部はマザーボードに実装されず、柔軟性回路基板を通じてマザーボードに電気的に連結されてもよい。
【００５６】
制御モジュールＣＭは電子装置ＥＤＤの全般的な動作を制御する。制御モジュールＣＭはマイクロプロセッサである。例えば、制御モジュールＣＭは表示モジュールＤＭを活性化させるか、或は非活性化させる。制御モジュールＣＭは表示モジュールＤＭから受信されたタッチ信号に基づいて映像入力モジュール５２０や音響入力モジュール５３０等の他のモジュールを制御する。
【００５７】
無線通信モジュール５１０はブルートゥース（登録商標）又はＷｉ−Ｆｉ（登録商標）回線を利用して他の端末機と無線信号を送／受信する。無線通信モジュール５１０は一般通信回線を利用して音声信号を送／受信する。無線通信モジュール５１０は送信する信号を変調して送信する送信部５１２と、受信される信号を復調する受信部５１１を含む。
【００５８】
映像入力モジュール５２０は映像信号を処理して表示モジュールＤＭに表示可能な映像データに変換する。音響入力モジュール５３０は録音モード、音声認識モード等でマイクロフォン（Ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ）によって外部の音響信号を受信して音響信号を電気的な音響データに変換する。
【００５９】
外部インターフェイス５５０は外部充電器、有／無線データポート、カードソケット（例えば、メモリカード（Ｍｅｍｏｒｙ  ｃａｒｄ）、ＳＩＭ／ＵＩＭ  ｃａｒｄ）等に連結されるインターフェイスの役割をする。
【００６０】
第２電子モジュールＥＭ２は音響出力モジュール５６０、発光モジュール５７０、受光モジュール５８０、及びカメラモジュール５９０等を含む。構成はマザーボードに直接実装されるか、或いは別の基板に実装されてコネクター（図示せず）等を通じて表示モジュールＤＭと電気的に連結させるか、或いは第１電子モジュールＥＭ１と電気的に連結される。
【００６１】
音響出力モジュール５６０は無線通信モジュール５１０から受信された音響データ又はメモリ５４０に格納された音響データを変換して外部へ出力する。
【００６２】
発光モジュール５７０は光を生成して出力する。発光モジュール５７０は赤外線を出力する。発光モジュール５７０はＬＥＤ素子を含む。受光モジュール５８０は赤外線を感知する。受光モジュール５８０は所定レベル以上の赤外線が感知された時、活性化される。受光モジュール５８０はＣＭＯＳセンサーを含む。発光モジュール５７０で生成された赤外光が出力された後、外部物体（例えば、使用者の手指又は顔）によって反射され、反射された赤外光が受光モジュール５８０に入射される。カメラモジュール５９０は外部のイメージを撮影する。
【００６３】
図２に図示した電子モジュール４００は特に第２電子モジュールＥＭ２の構成の中のいずれか１つである。この時、第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２の中の残りの構成は他の位置に配置されて図示しないこともある。但し、これは例示的に示したものであり、電子モジュール４００は第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２を構成するモジュールの中のいずれか１つ以上であり、いずれの実施形態にも限定されない。
【００６４】
電源供給モジュールＰＭは電子装置ＥＤＤの全般的な動作に必要である電源を供給する。電源供給モジュールＰＭは通常的なバッテリーモジュールを含む。
【００６５】
図４は図２に図示したＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。図５は図４に図示した一部を拡大して示した断面図である。図６は図５に図示した一部を拡大して示した断面図である。
【００６６】
図４に、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを図示する。実施形態によれば、表示領域ＤＡは第１ホールＭＨが形成されたホール領域ＨＡ、ホール領域ＨＡを囲み、第２ホールＢＲが形成された周辺領域ＢＡ、及び周辺領域ＢＡを囲む画素領域ＰＡが配置される。有機発光素子ＥＤは画素領域ＰＡに重畳するように薄膜素子層２０の上に配置される。即ち、ホール領域ＨＡはベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０が全て非重畳する領域であり、周辺領域ＢＡは有機発光素子ＥＤが非重畳する領域である。
【００６７】
図４を参照すれば、表示パネル１００はベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０を含む。
【００６８】
ベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０は第３方向ＤＲ３に順に積層される。
【００６９】
ベース基板１０は第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４を含む。
【００７０】
第１ベース層１１はベース基板１０の下部層を構成する。第１ベース層１１の背面はベース基板１０の背面を定義する。
【００７１】
第１ベース層１１は有機物を含む絶縁層である。第１ベース層１１は軟性プラスチックを含む。例えば、第１ベース層１１はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、又はポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＥＳ）を含む。
【００７２】
第１バリアー層１２は無機物を含み、第１ベース層１１の上に配置される。第１バリアー層１２は無機物を含む絶縁層である。例えば、第１バリアー層１２はシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、又は非晶質シリコン（Ｓｉ）等を含む。
【００７３】
第２ベース層１３は第１バリアー層１２の上に配置され、有機物を含む絶縁層である。第２ベース層１３は第１ベース層１１と同一の物質を含む。
【００７４】
第２バリアー層１４は無機物を含み、第２バリアー層１４の前面はベース基板１０の前面を定義する。
【００７５】
第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４は交互に配置される。第１バリアー層１２と第２バリアー層１４の各々は第１ベース層１１と第２ベース層１３を通じて透過される外部水分や酸素を遮断する。
【００７６】
本発明の実施形態によれば、第１ホールＭＨは第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４を全て貫通する。第２ホールＢＲは第１ホールＭＨを囲み、第２ベース層１３及び第２バリアー層１４に形成され、第１ベース層１１及び第１バリアー層１２には形成されない。
【００７７】
例えば、第２ホールＢＲが第１バリアー層１２及び第１ベース層１１の一部分まで形成される場合、第１ベース層１１の下部から浸透する水分や酸素が第２ホールＢＲを通じて薄膜素子層２０や表示素子層３０に伝達される。上述した外部水分や酸素が無機物を含んだ第１バリアー層１２及び第２バリアー層１４によって遮断される。しかし、第１バリアー層１２及び第２バリアー層１４の全てに第２ホールＢＲが定義される場合、第１ベース層１１の背面から浸透した水分又は酸素が第２ホールＢＲを通じて流れ込む可能性がある。
【００７８】
したがって、本発明に係る第２ホールＢＲは第１ホールＭＨを囲み、第２ベース層１３及び第２バリアー層１４に形成される。
【００７９】
一方、第１ホールＭＨ及び第２ホールＢＲを形成するために、外部のレーザー光が使用される。この場合、第１ホールＭＨは第１波長帯域を有するレーザー光によって形成され、第２ホールＢＲは第２波長帯域を有するレーザー光によって形成される。第１波長帯域のレーザー光はベース基板１０を全般的に陥没させることによって、第１ホールＭＨを形成する。第２波長帯域のレーザー光は第２ベース層１３及び第２バリアー層１４のみを陥没させることによって、第２ホールＢＲを形成する。
【００８０】
本発明の実施形態によれば、第１バリアー層１２は第１屈折率を有する複数の第１無機層及び第１無機層と交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層を含む。第１屈折率と第２屈折率は互いに異なる値を有する。
【００８１】
実施形態によれば、第２波長帯域のレーザー光が第２ホールＢＲを形成するために第１バリアー層１２に入射される場合、第１バリアー層１２は第２波長帯域のレーザー光を反射させる。その結果、第２波長帯域のレーザー光によって第１バリアー層１２及び第１ベース層１１に第２ホールＢＲが形成されない。したがって、第１バリアー層１２によって第１ベース層１１の下部から浸透する水分又は酸素が遮断される。第１バリアー層１２の構造に対してはより詳細に後述する。
【００８２】
薄膜素子層２０はベース基板１０の上に配置される。薄膜素子層２０は複数の絶縁層及び薄膜トランジスタＴＲを含む。絶縁層の各々は無機物及び／又は有機物を含む。絶縁層は第１乃至第３絶縁層２１、２２、２３を含む。
【００８３】
薄膜トランジスタＴＲは半導体パターンＳＬ、制御電極ＣＥ、入力電極ＩＥ、及び出力電極ＯＥを含む。薄膜トランジスタＴＲは制御電極ＣＥを通じて半導体パターンＳＬでの電荷移動を制御して入力電極ＩＥから入力される電気的信号を出力電極ＯＥを通じて出力する。
【００８４】
第１絶縁層２１は半導体パターンＳＬと制御電極ＣＥとの間に配置される。本実施形態で、制御電極ＣＥは半導体パターンＳＬの上に配置されたとして図示した。但し、これは例示的に示したものであり、本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタＴＲは制御電極ＣＥの上に配置される半導体パターンＳＬを含む可能性もあり、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００８５】
第２絶縁層２２は制御電極ＣＥと入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥとの間に配置される。入力電極ＩＥと出力電極ＯＥは第２絶縁層２２の上に配置される。入力電極ＩＥと出力電極ＯＥとは第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２を貫通して半導体パターンＳＬに各々接続される。但し、これは例示的に示したものであり、入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥは半導体パターンＳＬに直接接続されてもよい。
【００８６】
第３絶縁層２３は第２絶縁層２２の上に配置される。第３絶縁層２３は薄膜トランジスタＴＲをカバーする。第３絶縁層２３は薄膜トランジスタＴＲと表示素子層３０とを電気的に絶縁させる。
【００８７】
表示素子層３０は有機発光素子ＥＤ及び複数の絶縁層を含む。絶縁層は第４絶縁層３１及び封止部材ＴＥを含む。
【００８８】
第４絶縁層３１は第３絶縁層２３の上に配置される。第４絶縁層３１には複数の開口部が定義される。開口部の各々には有機発光素子ＥＤが提供される。
【００８９】
有機発光素子ＥＤは画素領域ＰＡに重畳する。有機発光素子ＥＤは第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、発光層ＥＬ、及び電荷制御層ＯＬを含む。第１電極Ｅ１は薄膜素子層２０の上に配置される。第１電極Ｅ１は第３絶縁層２３を貫通して薄膜トランジスタＴＲに電気的に接続される。第１電極Ｅ１は複数提供される。複数の第１電極の各々の少なくとも一部は開口部の各々によって露出される。
【００９０】
第２電極Ｅ２は第１電極Ｅ１の上に配置される。第２電極Ｅ２は複数の第１電極及び第４絶縁層３１に重畳する一体の形状を有する。有機発光素子ＥＤが複数提供される時、第２電極Ｅ２は有機発光素子毎に同一の電圧を有する。したがって、第２電極Ｅ２を形成するために別のパターニング工程が省略できる。一方、これは例示的に示したものであり、第２電極Ｅ２は開口部の各々に対応するように複数提供されてもよい。
【００９１】
発光層ＥＬは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に配置される。発光層ＥＬは複数提供されて開口部の各々に配置されてもよい。有機発光素子ＥＤは第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２の間の電位差によって発光層ＥＬを活性化させて光を生成する。
【００９２】
電荷制御層ＯＬは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に配置される。電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬに隣接して配置される。本実施形態で、電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬと第２電極Ｅ２との間に配置されたとして図示した。但し、これは例示的に示したものであり、電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬと第１電極Ｅ１との間に配置されてもよく、発光層ＥＬを介して第３方向ＤＲ３に沿って積層される複数の層に提供されてもよい。
【００９３】
電荷制御層ＯＬは別のパターニング工程無しでベース基板１０の全面に重畳する一体の形状を有する。電荷制御層ＯＬは第４絶縁層３１に形成された開口部以外の領域にも配置される。
【００９４】
封止部材ＴＥは有機発光素子ＥＤの上に配置される。封止部材ＴＥは無機膜及び／又は有機膜を含む。本実施形態で、封止部材ＴＥは第１無機膜３２、有機膜３３、及び第２無機膜３４を含む。
【００９５】
第１無機膜３２と第２無機膜３４との各々は無機物を含む。例えば、第１無機膜３２と第２無機膜３４との各々はアルミニウム酸化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、シリコン炭化物、チタニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、及び亜鉛酸化物の中の少なくともいずれか１つを含む。第１無機膜３２と第２無機膜３４とは互いに同一であるか、或いは異なる物質を含む。
【００９６】
有機膜３３は第１無機膜３２と第２無機膜３４との間に配置される。有機膜３３は有機物を含む。例えば、有機膜３３はエポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ：ＰＥ）、及びポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）の中の少なくともいずれか１つを含む。
【００９７】
第１無機膜３２と第２無機膜３４は表示パネル１００の全面に配置される一体の形状を有する。第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は有機膜３３と部分的に重畳する。したがって、第１無機膜３２及び第２無機膜３４は一部領域では有機膜３３を介して第３方向ＤＲ３に互いに離隔され、他の一部領域では第３方向ＤＲ３で直接接触する。
【００９８】
一方、表示パネル１００はダム部ＤＭＰをさらに含む。ダム部ＤＭＰは表示領域ＤＡ（図４参照）の縁に沿って非表示領域ＮＤＡに延長される。ダム部ＤＭＰは表示領域ＤＡを囲む。
【００９９】
ダム部ＤＭＰは第１ダムＤＭ１及び第２ダムＤＭ２を含む。第１ダムＤＭ１は第３絶縁層２３と同一の物質を含む。第１ダムＤＭ１は第３絶縁層２３と同時に形成され、第３絶縁層２３と同一層上に配置される。
【０１００】
第２ダムＤＭ２は第１ダムＤＭ１の上に積層される。第２ダムＤＭ２は第４絶縁層３１と同一の物質を含む。第２ダムＤＭ２は第４絶縁層３１と同時に形成され、第４絶縁層３１と同一層上に配置される。一方、これは例示的に示したものであり、ダム部ＤＭＰは単一層構造を有してもよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【０１０１】
ダム部ＤＭＰは有機膜３３を形成する過程で液相の有機物質が広がる領域を定義する。有機膜３３は液相の有機物質をインクジェット方式により第１無機膜３２の上に塗布して形成する。この時、ダム部ＤＭＰは液相の有機物質が配置される領域の境界を設定し、液相の有機物質がダム部ＤＭＰの外側に溢れることを防止する。
【０１０２】
以下、図５及び図６を参照して第１ホールＭＨ及び第２ホールＢＲが定義された領域を詳細に説明する。図６には説明を容易にするために第１無機膜３２及び第２無機膜３４は省略して図示した。第１ホールＭＨは第３方向ＤＲ３に沿って表示パネル１００を貫通する。第１ホールＭＨが表示領域ＤＡ内に定義されることによって、第１ホールＭＨはベース基板１０はもちろん表示領域ＤＡを構成する層の一部を貫通する。
【０１０３】
具体的に、第１ホールＭＨはベース基板１０を貫通する。第１ホールＭＨの内面１０−ＥＧ＿Ｈは複数の層の終端によって定義される。第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４には第１ベース層の終端１１−Ｅ、第１バリアー層の終端１２−Ｅ、第２ベース層の終端１３−Ｅ、及び第２バリアー層の終端１４−Ｅが各々定義される。
【０１０４】
また、第１ホールＭＨは表示領域ＤＡを構成する層の少なくとも一部を貫通する。例えば、第１ホールＭＨは第１絶縁層２１、電荷制御層ＯＬ、第１無機膜３２、及び第２無機膜３４を貫通する。したがって、第１絶縁層２１、電荷制御層ＯＬ、第１無機膜３２、及び第２無機膜３４には第１絶縁層の終端２１−Ｅ、電荷制御層の終端ＯＬ−Ｅ、第１無機膜の終端３２−Ｅ、及び第２無機膜の終端３４−Ｅが各々定義される。
【０１０５】
本実施形態で、第１ベース層の終端１１−Ｅ、第１バリアー層の終端１２−Ｅ、第２ベース層の終端１３−Ｅ、第２バリアー層の終端１４−Ｅ、第１絶縁層の終端２１−Ｅ、電荷制御層の終端ＯＬ−Ｅ、第１無機膜の終端３２−Ｅ、及び第２無機膜の終端３４−Ｅは第３方向ＤＲ３に沿って整列される。したがって、第１ホールＭＨは第３方向ＤＲ３に高さを有する円筒形状を有する。一方、これは例示的に示したものであり、第１ホールＭＨを定義する各層の終端の中の少なくとも一部は互いに整列されなくともよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。また、本発明の説明によれば、第１ホールＭＨの形状が円筒形状で説明したが、これに限定されない。例示的に第１ホールＭＨの形状は方形又は多角形により提供できる。
【０１０６】
第２ホールＢＲは第１ホールＭＨに隣接して定義される。第２ホールＢＲは第１ホールＭＨから第１方向ＤＲ１に離隔される。第２ホールＢＲはベース基板１０の前面から第３方向ＤＲ３に陥没している。したがって、第２ホールＢＲはベース基板１０の前面を貫通するが、背面は貫通しない。
【０１０７】
第２ホールＢＲはベース基板１０の少なくとも一部が除去されて形成される。例えば、第２ホールＢＲは第２ベース層１３及び第２バリアー層１４を除去して形成される。
【０１０８】
本発明の実施形態によれば、第２ホールＢＲはベース基板１０に定義され、アンダーカットされた形状を有する内面を含む。第２ホールＢＲは第２バリアー層１４を貫通する第１サブホール１４−ＯＰ及び第１サブホール１４−ＯＰと重畳し、第２ベース層１３に定義された第２サブホール１３−ＯＰを含む。第１サブホール１４−ＯＰ及び第２サブホール１３−ＯＰは第２ホールＢＲの内面にアンダーカット形状を形成する。
【０１０９】
第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰ及び第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰは第１バリアー層１２からベース基板１０の前面に向かう方向に積層される。この時、第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰと第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰとはアンダーカット形状を形成する。
【０１１０】
詳細に説明すると、第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰは第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰと整列されるか、或いは第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰの内側に突出される。したがって、第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰと第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰとの間にはアンダーカット形状が形成される。
【０１１１】
第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰは第３方向ＤＲ３に沿って異なる平面視上の面積を有する。第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰの第１方向ＤＲ１での幅は前面より背面でさらに小さい。第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰは円錐台形状を有する。但し、これは例示的に示したものであり、第２ベース層１３の第２サブホール１３−ＯＰは第２ホールＢＲの平面上での形状に対応して角錐台形状又は楕円錐台形状を有し、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【０１１２】
薄膜素子層２０及び表示素子層３０は部分的に第２ホールＢＲと重畳する。例えば、第１絶縁層２１は第２ホールＢＲに隣接するように延長されて第２ホールＢＲと部分的に重畳する。第１絶縁層２１は第２ホールＢＲの少なくとも一部をカバーする。第１絶縁層２１は第２ホールＢＲと対応する領域に定義された第３サブホール２１−ＯＰを含む。第１絶縁層の第３サブホール２１−ＯＰは第２ホールＢＲに重畳する。
【０１１３】
本実施形態において、第１絶縁層の第３サブホール２１−ＯＰの第１方向ＤＲ１での幅Ｒ３は第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰの第１方向ＤＲ１での幅Ｒ１以下である。第１絶縁層の第３サブホール２１−ＯＰは第２バリアー層１４の第２サブホール１３−ＯＰと整列されるか、或いは第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰの内側に突出する。したがって、第１絶縁層２１の第３サブホール２１−ＯＰと第２バリアー層１４の第１サブホール１４−ＯＰとの間にはアンダーカット形状が形成される。
【０１１４】
電荷制御層ＯＬは第１ホールＭＨに隣接する領域及び第２ホールＢＲに隣接する領域まで延長されて配置される。電荷制御層ＯＬは第２ホールＢＲと非重畳する。したがって、電荷制御層ＯＬは第２ホールＢＲに隣接して断絶された終端を有する。
【０１１５】
第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は第２ホールＢＲが配置された領域まで延長される。第１無機膜３２及び第２無機膜３４は第２ホールＢＲに隣接する領域及び第２ホールＢＲの内面に沿って配置される。したがって、第２ホールＢＲの内部は第１無機膜３２及び第２無機膜３４によってカバーされる。
【０１１６】
本発明の一実施形態によれば、電荷制御層ＯＬは第２ホールＢＲに隣接する領域で断絶された終端を有し、第２ホールＢＲと非重畳する。電荷制御層ＯＬの中で第２ホールＢＲに隣接して断絶された終端は第１無機膜３２及び第２無機膜３４によってカバーされる。
【０１１７】
図５及び図６に図示したように、第１ホールＭＨに隣接する領域でベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０は各々断絶された終端を有する。断絶された終端は第１ホールＭＨを通じて露出される。表示パネル１００の外部の水分や酸素は露出された終端を通じてベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０へ流れ込む。
【０１１８】
本発明の一実施形態によれば、第１ホールＭＨに隣接して第２ホールＢＲを定義することによって、第１ホールＭＨから流れ込む酸素や水分の浸透経路を遮断させる。具体的に、図５に図示したように、第１ホールＭＨによって終端が露出された電荷制御層ＯＬは第２ホールＢＲまで延長されなく、断絶される。第２ホールＢＲは電荷制御層ＯＬの中で第１ホールＭＨと第２ホールＢＲとの間に配置された部分と第２ホールＢＲの外側に配置された部分を分離させる。したがって、第１ホールＭＨを通じて外部酸素や水分が流れ込んでも、第２ホールＢＲの外側に伝達されないようになって第２ホールＢＲの外側に存在する薄膜素子層２０や表示素子層３０の損傷を安定的に防止できる。
【０１１９】
また、本発明の一実施形態によれば、第１無機膜３２及び第２無機膜３４は第１ホールＭＨと第２ホールＢＲとの間、第２ホールＢＲの内部、及び第２ホールＢＲの外側までカバーする。第２ホールＢＲに隣接して断絶された電荷制御層ＯＬや第１絶縁層２１は第１無機膜３２と第２無機膜３４とによってカバーされる。したがって、水分や酸素の流れ込み遮断の程度が向上できる。
【０１２０】
図７は本発明の実施形態に係る図４に図示した第１バリアー層を示した断面図である。図８は本発明の実施形態に係る第１バリアー層を透過するレーザーの特性を示したグラフである。図９は本発明の実施形態に係る図７に図示した第１バリア層の一部を示した断面図である。
【０１２１】
図７を参照すれば、第１バリアー層１２は複数の反射層ＩＮＬ１・・・ＩＮＬｎを含む。反射層ＩＮＬ１・・・ＩＮｎは特定波長帯のレーザー光を遮断させる。ここで、特定波長帯のレーザー光は先に図４で説明した第２ホールＢＲを形成するために使用された第２波長帯域のレーザー光である。
【０１２２】
図８によれば、一例として、第２波長帯域のレーザー光ＬＳは３００乃至４００ｎｍの間の波長を有する。図８に図示したグラフの横軸は光の波長（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）を示し、縦軸は光の吸収、反射、及び透過比率（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を示す。レーザー光ＬＳは周辺領域ＢＡに重畳した第２ホールＢＲを形成するために、第２バリアー層１４及び第２ベース層１３を除去させる。即ち、第２バリアー層１４及び第２ベース層１３は第２波長帯域のレーザー光ＬＳを吸収する吸収率が高い。特に、本発明に係る第２バリアー層１４は無機物を含む単一層で提供されることによって、レーザー光ＬＳの透過率及び反射率が低い。
【０１２３】
これと反対に、本発明に係る第１バリアー層１２は複数の反射層ＩＮＬ１・・・ＩＮＬｎを含むことによって、第２波長帯域のレーザー光ＬＳを吸収する吸収率及び透過率は低く、反射率が高い。したがって、第１バリアー層１２はレーザー光ＬＳによる第２ホールＢＲが形成されない。その結果、第１ベース層１１の背面を通じて浸透した水分や酸素が第１バリアー層１２によって遮断されることによって、第２ホールＢＲを通じて薄膜素子層２０や表示素子層３０へ水分や酸素の浸透が防止される。
【０１２４】
再び図７を参照すれば、本発明の実施形態によれば、反射層ＩＮＬ１・・・ＩＮＬｎの各々は互いに異なる屈折率を有し、積層された第１無機層及び第２無機層を含む。詳細に説明すると、第１バリアー層１２は第１屈折率を有する複数の第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎ及び第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎと交互に積層され、第２屈折率を有する複数の第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎを含む。また、本発明に係る第１バリアー層１２の全体厚さは一定高さＨ１を有し、一定高さＨ１は５５０乃至６００ｎｍである。
【０１２５】
説明を簡単にするために、図７では第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎの中で４つの無機層ＩＯ１、ＩＯ２、ＩＯｎ−１、ＩＯｎと第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎの中で４つの無機層ＩＮ１、ＩＮ２、ＩＮｎ−１、ＩＮｎのみを図示した。
【０１２６】
また、第１バリアー層１２の最上層は第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎの中の第１番目の無機層ＩＯ１であり、第１バリアー層１２の最下層は第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎの中の最後番目の無機層ＩＮｎである。
【０１２７】
実施形態によれば、第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎはシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）を含む。第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）を含む。また、第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎの第２屈折率は第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎの第１屈折率より高い。
【０１２８】
上述によれば、本発明に係る第１バリアー層１２は高い反射率を有する分布ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）として提供される。反射層ＩＮＬ１・・・ＩＮＬｎの各々は互いに異なる屈折率を有する第１無機層及び第２無機層を含むことによって、外部レーザー光に対する反射率を高める。
【０１２９】
一方、本発明の説明によれば、第１無機層がシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）で形成され、第２無機層がシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）で形成されると説明したが、これに限定されない。他の例として、第１無機層及び第２無機層はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＴｉＯｘ、ＡｌＯｘ、Ａｌ、Ａｇの中の少なくとも１つ以上を含む。また、第１バリアー層１２が金属薄膜として提供される。
【０１３０】
図９を参照すれば、本発明に係る第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎの中の少なくとも２つ以上は互いに異なる厚さを有する。例えば、第１番目の第１無機層ＩＯ１は第１高さＨａを有し、第２番目の第１無機層ＩＯ２は第２高さＨｃを有する。ここで、第２番目の第１無機層ＩＯ２の第２高さＨｃは第１番目の第１無機層ＩＯ１の第１高さＨａより高い。
【０１３１】
また、本発明に係る第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎの中の少なくとも２つ以上は互いに異なる厚さを有する。例えば、第１番目の第２無機層ＩＮ１は第３高さＨｂを有し、第２番目の第２無機層ＩＮ２は第４高さＨｄを有する。ここで、第２番目の第２無機層ＩＮ２の第４高さＨｄは第１番目の第２無機層ＩＮ１の第３高さＨｂより低い。
【０１３２】
また、図９に図示したように、第１高さＨａ及び第３高さＨｂが互いに異なり、第２高さＨｃ及び第４高さＨｄは互いに異なるとして図示した。即ち、本発明に係る第１無機層ＩＯ１・・・ＩＯｎ及び第２無機層ＩＮ１・・・ＩＮｎは互いに異なる厚さを有する。
【０１３３】
図１０乃至図１３は本発明の実施形態に係る表示パネルの製造方法を示した断面図である。図１４は本発明の実施形態に係るベース基板を示す一例である。
【０１３４】
図１０に図示したように、未処理のベース基板１０＿Ｉ１を提供する。未処理のベース基板１０＿Ｉ１は未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉを含む。未処理の第１ベース層１１＿Ｉ及び未処理の第２ベース層１３＿Ｉは、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ及び第２バリアー層１４＿Ｉと交互に配置される。
【０１３５】
未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第２バリアー層１４＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉは上方に向かって順次積層される。未処理の第１ベース層１１＿Ｉは最下層を定義し、未処理の第２バリアー層１４＿Ｉは最上層を定義する。
【０１３６】
その後、図１１に図示したように、未処理の第２バリアー層１４＿Ｉ上にカバー層ＭＳＬが配置される。カバー層ＭＳＬは未処理の第２バリアー層１４＿Ｉをカバーする。
【０１３７】
カバー層ＭＳＬは上述した薄膜素子層２０（図４参照）及び表示素子層３０（図４参照）の中の少なくともいずれか１つを利用して形成される。例えば、カバー層ＭＳＬは第１乃至第４絶縁層２１、２２、２３、３１（図７参照）、電極ＣＥ、ＩＥ、ＯＥ、Ｅ１の中の少なくともいずれか１つで形成される。
【０１３８】
一方、カバー層ＭＳＬには未処理の第１バリアー層１４＿Ｉの少なくとも一部を露出させる貫通部ＭＳＬ−ＯＰが形成される。カバー層の貫通部ＭＳＬ−ＯＰは第１乃至第４絶縁層２１、２２、２３、３１（図７参照）、電極ＣＥ、ＩＥ、ＯＥ、Ｅ１の形成工程で同時に形成される。したがって、本カバー層ＭＳＬは別の工程を追加せず、既存の工程ラインをそのまま利用できるので、工程時間が短縮され、工程費用が節減される。
【０１３９】
その後、図１２に図示したように、カバー層ＭＳＬ上にレーザー光ＬＳを照射する。レーザー光ＬＳは図８で説明した３００乃至４００ｎｍの波長帯域を有する光である。レーザー光ＬＳは蝕刻工程に提供される光である。図１２に図示したように、レーザー光ＬＳは放射状ＷＶに照射される。したがって、各層は上側に行くほど、広くなる幅を有する形状に蝕刻される。
【０１４０】
図１１に図示した未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉはレーザー光ＬＳによって各々熱処理された第１ベース層１１＿Ｔ、熱処理された第１バリアー層１２＿Ｔ、熱処理された第２ベース層１３＿Ｔ、熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔに変化される。
【０１４１】
この場合、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉは熱処理された第２ベース層１３＿Ｔ及び熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔと異なる形状を有する。即ち、図１３に図示したように、熱処理された第２ベース層１３＿Ｔ及び熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔには第２ホールＢＲ＿Ａが形成される。
【０１４２】
これとは反対に、未処理の第１ベース層１１＿Ｉ及び未処理の第１バリアー層１２＿Ｉは熱処理された第１ベース層１１＿Ｔ及び熱処理された第１バリアー層１２＿Ｔと実質的に同一の形状を有する。図１４に図示したように、第１バリアー層１２がレーザー光ＬＳの大部分を反射させることによって、レーザー光ＬＳによって第１バリアー層１２及び第１ベース層１１にホールが形成されない。
【０１４３】
また、図１３に図示したように、レーザー光ＬＳに対する層間吸収率の差によって、第２ホールＢＲ＿Ａの内面は断面上でアンダーカット形状を有する。ＢＢ領域のように、熱処理された第２ベース層１３＿Ｔは熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔに対してアンダーカットされる。したがって、熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔは熱処理された第２ベース層１３＿Ｔの第２サブホール１３−ＯＰの内側に突出する。
【０１４４】
図１５は本発明の他の実施形態に係る電子装置の断面図である。
図１５を参照すれば、図１５に図示した表示パネル１００−１は図４に図示した表示パネル１００と比較して、第３ホールＢＲ２をさらに含む。図１５に図示した表示パネル１００−１の残る構成は実質的に図４に図示した表示パネル１００と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【０１４５】
本発明の実施形態によれば、ベース基板１０には平面上で、ホール領域ＨＡに重畳した第１ホールＭＨより第２ホールＢＲ１にさらに隣接し、ベース基板１０の前面から陥没した第３ホールＢＲ２がさらに定義される。第２ホールＢＲ１は第１ホールＭＨを囲み、平面上で所定間隔に離隔され、第３ホールＢＲ２は第２ホールＢＲ１を囲み、平面上で所定間隔に離隔される。
【０１４６】
第２ホールＢＲ１及び第３ホールＢＲ２の構造は図４に図示した第２ホールＢＲの構造と実質的に同一である。したがって、その構造の説明は省略する。
【０１４７】
上述によれば、第１ホールＭＨを通じて浸透する水分や酸素が第２ホールＢＲ１及び第３ホールＢＲ２によって、薄膜素子層２０や表示素子層３０への伝達がさらに効果的に防止される。
【０１４８】
以上、図面と明細書で実施形態を開示した。ここで、特定の用語を使用したが、これは単に本発明を説明するための目的での使用であり、意味の限定や特許請求範囲に記載された本発明の範囲を制限するための使用ではない。したがって、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これらの多様な変形及び均等な他の実施形態が可能である点を理解できる。したがって、本発明の技術的な保護範囲は添付した特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  ベース基板
１０−ＥＧ＿Ｈ  第１ホールの内面
１０＿Ｉ１  未処理のベース基板
１１  第１ベース層
１１−Ｅ  第１ベース層の終端
１１＿Ｉ  未処理の第１ベース層
１１＿Ｔ  熱処理された第１ベース層
１２  第１バリアー層
１２−Ｅ  第１バリアー層の終端
１２＿Ｉ  未処理の第１バリアー層
１２＿Ｔ  熱処理された第１バリアー層
１３  第２ベース層
１３−Ｅ  第２ベース層の終端
１３＿Ｉ  未処理の第２ベース層
１３−ＯＰ  第２サブホール
１３＿Ｔ  、熱処理された第２ベース層
１４  第２バリアー層
１４−Ｅ  第２バリアー層の終端
１４＿Ｉ  未処理の第２バリアー層
１４−ＯＰ  第１サブホール
１４＿Ｔ  熱処理された第２バリアー層
２０  薄膜素子層
２１  第１絶縁層
２１−Ｅ  第１絶縁層の終端
２１−ＯＰ  第３サブホール
２２  第２絶縁層
２３  第３絶縁層
３０  表示素子層
３１  第４絶縁層
３２  第１無機膜
３２−Ｅ  第１無機膜の終端
３３  有機膜
３４  第２無機膜
３４−Ｅ  第２無機膜の終端
１００、１００−１  表示パネル
２００  ウインドー部材
３００  ハウジング部材
４００  電子モジュール
５１０  無線通信モジュール
５１１  受信部
５１２  送信部
５２０  映像入力モジュール
５３０  音響入力モジュール
５４０  メモリ
５５０  外部インターフェイス
５６０  音響出力モジュール
５７０  発光モジュール
５８０  受光モジュール
５９０  カメラモジュール
ＢＡ  周辺領域
ＢＲ  第２ホール
ＢＲ１、ＢＲ＿Ａ  第２ホール
ＢＲ２  第３ホール
ＢＺＡ  ベゼル領域
ＣＥ  制御電極
ＣＭ  制御モジュール
ＤＡ  表示領域
ＤＭ  表示モジュール
ＤＭ１  第１ダム
ＤＭ２  第２ダム
ＤＭＰ  ダム部
ＤＲ１  第１方向
ＤＲ２  第２方向
ＤＲ３  第３方向
ＥＤ  有機発光素子
Ｅ１  第１電極
Ｅ２  第２電極
ＥＤＤ  電子装置
ＥＬ  発光層
ＥＭ１  第１電子モジュール
ＥＭ２  第２電子モジュール
ＨＡ  ホール領域
ＩＥ  入力電極
ＩＭ  イメージ
ＩＮ  第２無機層ＩＮ
ＩＮＬ  反射層
ＩＯ  第１無機層
ＬＳ  レーザー光
ＭＨ  第１ホール
ＭＳＬ  カバー層
ＭＳＬ−ＯＰ  貫通部
ＮＤＡ  非表示領域
ＯＡ  収容部
ＯＥ  出力電極
ＯＬ  電荷制御層
ＯＬ−Ｅ  電荷制御層の終端
ＰＡ  画素領域
ＰＭ  電源供給モジュール
ＳＬ  半導体パターン
ＴＡ  透過領域
ＴＥ  封止部材
ＴＲ  薄膜トランジスタ
ＴＳＵ  入力感知ユニット
ＷＶ  放射状
【図１】
2019091039.tif 000003
【図２】
2019091039.tif 000004
【図３】
2019091039.tif 000005
【図４】
2019091039.tif 000006
【図５】
2019091039.tif 000007
【図６】
2019091039.tif 000008
【図７】
2019091039.tif 000009
【図８】
2019091039.tif 000010
【図９】
2019091039.tif 000011
【図１０】
2019091039.tif 000012
【図１１】
2019091039.tif 000013
【図１２】
2019091039.tif 000014
【図１３】
2019091039.tif 000015
【図１４】
2019091039.tif 000016
【図１５】
2019091039.tif 000017