(57)【要約】【課題】剥離工程や、フレキシブルな装置の作製工程における歩留まりを向上する。信頼性の高いフレキシブルな装置を提供する。繰り返しの曲げに強いフレキシブルな装置を提供する。【解決手段】フレキシブルな装置を構成する接着層の硬度を、ショアＤ７０より高くし、好ましくはショアＤ８０以上とする。フレキシブルな装置を構成する可撓性基板の膨張係数を、５８ｐｐｍ／℃未満とし、好ましくは３０ｐｐｍ／℃以下とする。シート状の接着剤を用いて、フレキシブルな装置を作製する。【選択図】図１
2019091713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第６の工程を有する剥離方法であって、
前記第１の工程は、第１の基板上に、剥離層を形成する工程を有し、
前記剥離層は、第１の部分を有し、
前記第２の工程は、前記剥離層上に、被剥離層を形成する工程を有し、
前記第３の工程は、接着層を、前記剥離層及び前記被剥離層と重ねて配置する工程を有し、
前記接着層に、シート状の接着剤を用い、
前記第４の工程は、前記接着層を硬化する工程を有し、
前記第５の工程は、前記第１の部分をレーザ光を照射することにより除去する工程を有し、
前記第６の工程は、前記剥離層と前記被剥離層とを分離する工程を有する、剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、又はそれらの作製方法に
関する。特に、本発明の一態様は、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉ
ｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置、表示装置、電子機器、
照明装置、又はそれらの作製方法に関する。特に、本発明の一態様は、剥離方法や、剥離
工程を有する装置の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、
マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため
、より具体的に本明細書で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示
装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法を一
例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
【０００４】
可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に
薄膜トランジスタや有機ＥＬ素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素
子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む被剥離
層を剥離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。
【０００５】
例えば、特許文献１に開示されているレーザアブレーションを用いた剥離技術では、まず
、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥
離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射によ
り分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００６】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許
文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合
が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層
と基板とを分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、剥離工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。本発明
の一態様は、剥離工程における、無機絶縁膜等のクラック（膜割れやひび）の発生を抑制
することを目的の一とする。
【０００９】
また、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等
の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。特に、軽量である
、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又
は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。また
、本発明の一態様は、装置の作製工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制す
ることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、量産性の高い装置の作製方法を提供
することを目的の一とする。
【００１０】
また、本発明の一態様は、信頼性の高い装置を提供することを目的の一とする。また、本
発明の一態様は、繰り返しの曲げに強い装置を提供することを目的の一とする。また、本
発明の一態様は、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の
装置を提供することを目的の一とする。
【００１１】
また、本発明の一態様は、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することを目的の一
とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における不純物の混入を抑制すること
を目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における基板の貼り合わせ
の位置合わせ精度を高めることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な剥離
方法や装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【００１２】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、素子層と、第１の接着層と、第２の接
着層と、絶縁層と、を有する発光装置であって、第１の基板は、可撓性を有し、第２の基
板は、可撓性を有し、素子層は、第１の基板と第２の基板との間に設けられ、素子層は、
発光素子を有し、絶縁層は、第１の基板と素子層との間に設けられ、第１の接着層は、第
１の基板と絶縁層との間に設けられ、第２の接着層は、第２の基板と素子層との間に設け
られ、第１の接着層は、第１の部分を有し、第２の接着層は、第２の部分を有し、第１の
部分の硬度は、ショアＤ（ショアＤ硬度ともいう）７０より高く、第２の部分の硬度は、
ショアＤ７０より高く、第１の基板は、第３の部分を有し、第２の基板は、第４の部分を
有し、第３の部分の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であり、第４の部分の膨張係数は、
５８ｐｐｍ／℃未満である、発光装置である。
【００１４】
上記発光装置において、第１の部分の硬度は、ショアＤ８０以上であり、第２の部分の硬
度は、ショアＤ８０以上であることが好ましい。
【００１５】
上記発光装置において、第３の部分の膨張係数は、３０ｐｐｍ／℃以下であり、第４の部
分の膨張係数は、３０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の一態様は、第１乃至第６の工程を有する剥離方法であって、第１の工程は
、第１の基板上に、剥離層を形成する工程を有し、第２の工程は、剥離層上に、被剥離層
を形成する工程を有し、被剥離層は、第１の層を有し、第１の層は、剥離層と接する領域
を有し、第３の工程は、接着層を、剥離層及び被剥離層と重ねて配置する工程を有し、接
着層に、シート状の接着剤を用い、第４の工程は、接着層を硬化する工程を有し、第５の
工程は、第１の部分を除去する工程を有し、第１の層は、第１の部分を有し、第１の部分
は、剥離層及び接着層と互いに重なる領域を有し、第６の工程は、剥離層と被剥離層とを
分離する工程を有する、剥離方法である。
【００１７】
上記剥離方法の第５の工程において、第１の部分を、レーザ光を照射することにより除去
することが好ましい。
【００１８】
上記剥離方法の第３の工程において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置する
ように、剥離層及び接着層を互いに重ねることが好ましい。
【００１９】
上記剥離方法の第４の工程において硬化された接着層は、硬度がショアＤ７０より高い部
分を有することが好ましい。特に、該接着層は、硬度がショアＤ８０以上である部分を有
することが好ましい。
【００２０】
また、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、発光素
子を含む、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の間の素子層と、第１の可撓性基板及
び素子層の間の絶縁層と、第１の可撓性基板及び絶縁層の間の第１の接着層と、第２の可
撓性基板及び素子層の間の第２の接着層と、を有し、発光素子は、一対の電極間に発光性
の有機化合物を含む層を有する。
【００２１】
上記発光装置において、第１の接着層の硬度及び第２の接着層の硬度の少なくとも一方は
、ショアＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。
【００２２】
上記発光装置において、第１の可撓性基板の膨張係数及び第２の可撓性基板の膨張係数の
少なくとも一方は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であ
ることがより好ましい。
【００２３】
本発明の一態様の剥離方法は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層
上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥
離層と重ねて接着層を硬化する第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一部
を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第５の工
程と、を有し、接着層に、シート状の接着剤を用いる。
【００２４】
上記剥離方法において、剥離の起点を、レーザ光を照射することにより形成することが好
ましい。
【００２５】
上記剥離方法において、被剥離層は、無機絶縁膜を有することが好ましい。例えば、第１
の層が、無機絶縁膜であってもよい。
【００２６】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離
層と接着層とを重ねることが好ましい。
【００２７】
上記剥離方法において、硬化状態の接着層の硬度はショアＤ７０より高いことが好ましく
、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。
【００２８】
なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉ
ｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは発光装置を有する場合がある。さらに、
照明器具等も、発光装置を含む場合がある。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の一態様では、剥離工程における歩留まりを向上することができる。本発明の一態
様では、剥離工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制することができる。
【００３０】
また、本発明の一態様では、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置
等の装置の作製工程における歩留まりを向上することができる。特に、軽量である、薄型
である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明
装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することができる。また、本発明の一態
様では、装置の作製工程における、無機絶縁膜等のクラックの発生を抑制することができ
る。また、本発明の一態様では、量産性の高い装置の作製方法を提供することができる。
【００３１】
また、本発明の一態様では、信頼性の高い装置を提供することができる。また、本発明の
一態様では、繰り返しの曲げに強い装置を提供することができる。また、本発明の一態様
は、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等の装置を提供す
ることができる。
【００３２】
また、本発明の一態様では、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することができる
。また、本発明の一態様では、装置の作製工程における不純物の混入を抑制することがで
きる。また、本発明の一態様では、装置の作製工程における基板の貼り合わせの位置合わ
せ精度を高めることができる。また、本発明の一態様では、新規な剥離方法や装置の作製
方法を提供することができる。
【００３３】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】発光装置の作製方法の一例を示す図。
【図２】発光装置の作製方法の一例を示す図。
【図３】発光装置の一例を示す図。
【図４】発光装置の一例を示す図。
【図５】剥離方法を説明する図。
【図６】剥離方法を説明する図。
【図７】剥離方法を説明する図。
【図８】剥離方法を説明する図。
【図９】剥離方法を説明する図。
【図１０】剥離方法を説明する図。
【図１１】剥離方法を説明する図。
【図１２】剥離層の平面形状を説明する図。
【図１３】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１４】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１５】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１６】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１７】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１８】作製中の発光装置を示す写真。
【図１９】タッチパネルの一例を示す図。
【図２０】タッチパネルの一例を示す図。
【図２１】タッチパネルの一例を示す図。
【図２２】タッチパネルの一例を示す図。
【図２３】電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図２４】電子機器の一例を示す図。
【図２５】曲げ試験を説明する写真及び図。
【図２６】折り曲げ部を説明する図。
【図２７】曲げ試験及び保存試験の結果。
【図２８】曲げ試験及び保存試験の結果。
【図２９】曲げ試験機の写真。
【図３０】剥離試験に用いる装置、及び試料の構成例。
【図３１】ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。
【図３２】ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。
【図３３】剥離性の評価結果。
【図３４】ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。
【図３５】ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。
【図３６】ＴＤＳ分析の結果及び剥離性の評価結果。
【図３７】発光装置の作製方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３６】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００３７】
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００３８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置とその作製方法について図１〜図４を用い
て説明する。
【００３９】
作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して別の基板に転置す
ることができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離
層を、耐熱性の低い基板に転置することができる。このため、被剥離層の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。また、作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性
が高い基板等に被剥離層を転置することが可能であり、半導体装置、発光装置、表示装置
等の各種装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。
【００４０】
また、各種装置を用いた、テレビジョン装置、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカ
メラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置などの電子機器の軽量化、薄型化、フレキシブル化も実現で
きる。
【００４１】
本発明の一態様を適用して作製できる装置は、機能素子を有する。機能素子としては、例
えば、トランジスタ等の半導体素子や、発光ダイオード、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等
の発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを用いた半導体
装置、発光素子を用いた発光装置（ここでは、トランジスタ及び発光素子を用いた表示装
置を含む）等も本発明を適用して作製できる装置の一例である。
【００４２】
例えば、有機ＥＬ素子は水分などにより劣化しやすいため、防湿性が低い有機樹脂基板上
に作製すると、信頼性が不十分である場合がある。ここで、本発明の一態様では、防湿性
の高い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、耐熱性や防湿性が低く、可撓性を有する有
機樹脂基板に転置することができる。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機ＥＬ素子
を形成することで、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。
【００４３】
また、別の例としては、防湿性の高い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、保護膜上に
有機ＥＬ素子を形成した後、保護膜及び有機ＥＬ素子をガラス基板から剥離し、耐熱性や
防湿性が低く、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる。有機樹脂基板に保
護膜及び有機ＥＬ素子を転置することで、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製で
きる。
【００４４】
ここでは、装置の作製方法を簡潔に２通り説明する。なお、本実施の形態において、実施
の形態２で後述する装置の作製方法の詳細も適宜参照できる。
【００４５】
図１（Ａ）〜（Ｆ）に、剥離工程を１回有する装置の作製方法を示す。
【００４６】
まず、図１（Ａ）に示すように、作製基板１０１上に剥離層１０３を介して絶縁層１０４
（例えば、上述の防湿性の高い保護膜）を形成する。必要であれば、さらに絶縁層１０４
上に素子層１０６（例えば、上述のトランジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子）の少な
くとも一部を形成する。そして、接着層１０７を用いて素子層１０６と基板１０９とを貼
り合わせる。なお、素子層１０６は、基板１０９と貼り合わせる前に一部又は全部を形成
してもよいし、基板１１４上に絶縁層１０４を転置した後、絶縁層１０４上に形成しても
よい。
【００４７】
次に、図１（Ｂ）に示すように、剥離層１０３を用いて、作製基板１０１を絶縁層１０４
から剥離する。
【００４８】
そして、図１（Ｃ）に示すように露出した絶縁層１０４と基板１１４とを、接着層１１２
を用いて貼り合わせる。
【００４９】
その後、接着層１０７を溶解又は可塑化させるなどし、基板１０９を取り除く（図１（Ｄ
））。図１（Ｅ）において、素子層１０６を構成する層の一部又は全部を形成する必要が
ある場合は、素子層１０６の一部又は全部を形成する。例えば、図１（Ａ）の時点で、有
機ＥＬ素子の下部電極までを形成しておき、図１（Ｅ）の時点で、該下部電極上にＥＬ層
及び上部電極を形成し、有機ＥＬ素子を完成させてもよい。素子層１０６の形成後は、図
１（Ｆ）に示すように、素子層１０６と基板１７３とを、接着層１７１を用いて貼り合わ
せる。以上により、本発明の一態様の装置を作製できる。
【００５０】
図２（Ａ）〜（Ｅ）に、剥離工程を２回有する装置の作製方法を示す。
【００５１】
まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を介して絶縁層２０４（例えば、上述の防湿性の
高い保護膜）を形成する。さらに、絶縁層２０４上に素子層２０６（例えば、上述のトラ
ンジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子等の素子を含む層）を形成する。また、作製基板
２２１上に剥離層２２３を介して絶縁層２２４（例えば、上述の防湿性の高い保護膜）を
形成する。さらに、絶縁層２２４上に機能層２２６（例えば、着色層、遮光層などを含む
層。また、上述のトランジスタ等の半導体素子や有機ＥＬ素子等の素子を含んでもよい。
）を形成する。そして、２つの作製基板の剥離層が形成されている側の面を対向させ、接
着層２０７を用いて素子層２０６と機能層２２６とを貼り合わせる（図２（Ａ））。
【００５２】
次に、図２（Ｂ）に示すように、剥離層２０３を用いて、作製基板２０１を絶縁層２０４
から剥離する。そして、図２（Ｃ）に示すように、露出した絶縁層２０４と基板２３１と
を、接着層２３３を用いて貼り合わせる。
【００５３】
次に、図２（Ｄ）に示すように、剥離層２２３を用いて、作製基板２２１を絶縁層２２４
から剥離する。そして、図２（Ｅ）に示すように、露出した絶縁層２２４と基板１７３と
を、接着層１７１を用いて貼り合わせる。以上により、本発明の一態様の装置を作製でき
る。
【００５４】
上記２通りの装置の作製方法において、作製基板の剥離時に、絶縁層や素子層、機能層を
構成する膜（代表的には無機絶縁膜）にクラック（膜割れやひび）が発生することがある
。また、剥離時に生じた装置内のクラックが致命的でなくても、その後の作製工程（加熱
処理など）や、作製後の装置の使用等によって、クラックの数や大きさが増していくこと
がある。装置内でのクラックの発生は、素子の動作不良や寿命の低下等につながり、装置
の信頼性を低下させてしまう。
【００５５】
そこで、本発明の一態様では、装置に用いる接着層の硬度を、ショアＤ７０より高くする
。これにより、作製基板の剥離時に、絶縁層や素子層、機能層を構成する膜（代表的には
無機絶縁膜）にクラックが発生することを抑制できる。さらに、この構成が適用された可
撓性を有する装置は、繰り返しの曲げに強いため、好ましい。例えば、本発明の一態様の
装置は、曲げた際の曲率半径の最小値を０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下、好ましくは１ｍ
ｍ以上１００ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、さらに好ましくは２ｍ
ｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。
【００５６】
例えば、上述の接着層１０７、接着層１１２、接着層１７１、接着層２０７、及び接着層
２３３のうち、少なくともいずれか一に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用すれ
ばよい。各接着層の硬度が、いずれもショアＤ７０より高いことが好ましい。
【００５７】
または、本発明の一態様では、装置に用いる可撓性基板の膨張係数を、５８ｐｐｍ／℃未
満とする。これにより、絶縁層や素子層、機能層等を可撓性基板に転置した後、これらの
層にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。
【００５８】
例えば、上述の基板１１４、基板１７３、及び基板２３１のうち、少なくともいずれか一
に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用すればよい。各基板の膨張係数が、いず
れも５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましい。
【００５９】
具体的には、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、
第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の間の素子層と、第１の可撓性基板及び素子層の
間の絶縁層と、第１の可撓性基板及び絶縁層の間の第１の接着層と、第２の可撓性基板及
び素子層の間の第２の接着層と、を有し、素子層は発光素子を含む。
【００６０】
本発明の一態様において、第１の接着層の硬度は、ショアＤ７０より高いことが好ましく
、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。
【００６１】
同様に、本発明の一態様において、第２の接着層の硬度は、ショアＤ７０より高いことが
好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。
【００６２】
本発明の一態様では、第１の接着層及び第２の接着層のいずれの硬度もショアＤ７０より
高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましいが、これに限られない
。第１の接着層又は第２の接着層の一方のみの硬度がショアＤ７０より高くてもよい。ま
た、素子層や絶縁層にクラックの入りやすい層を用いていないときなど、場合によっては
、第１の接着層及び第２の接着層の双方の硬度がショアＤ７０以下であってもよい。
【００６３】
本発明の一態様において、第１の可撓性基板の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満であるこ
とが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００６４】
同様に、本発明の一態様において、第２の可撓性基板の膨張係数は、５８ｐｐｍ／℃未満
であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。
【００６５】
本発明の一態様では、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板のいずれの膨張係数も５８
ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましいが
、これに限られない。第１の可撓性基板又は第２の可撓性基板の一方のみの膨張係数が５
８ｐｐｍ／℃未満であってもよい。また、素子層や絶縁層にクラックの入りやすい層を用
いていないときなど、場合によっては、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の双方の
膨張係数が５８ｐｐｍ／℃以上であってもよい。
【００６６】
以下では、本発明の一態様が適用された、発光素子を用いた発光装置の具体例について説
明する。
【００６７】
＜具体例１＞
図３（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図３（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面
図の一例を図３（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いた
トップエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる
。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、イエロー
、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。
【００６８】
図３（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８を有する。発光部８０４及び駆動回路部
８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、基板８０３、及び接着層８２３
によって封止されている。
【００６９】
図３（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラン
ジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、
接着層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、接
着層８４１、及び基板８０３を有する。接着層８２３、オーバーコート８４９、絶縁層８
４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。
【００７０】
発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。
【００７１】
また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる
遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆
われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接着層８２３で充填されてい
る。
【００７２】
絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。
【００７３】
駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図３（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つ
のトランジスタを示している。
【００７４】
絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８
４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８
４３に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水分等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【００７５】
導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐ
ため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工
程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成す
る電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
【００７６】
図３（Ｃ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５
は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁
層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５は
ＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気
的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する（
又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８
０８を電気的に接続させることができる。
【００７７】
具体例１において、接着層８１１、接着層８４１、及び接着層８２３のうち、少なくとも
いずれか一に、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。接着層８
１１、接着層８４１、及び接着層８２３のそれぞれに、硬度がショアＤ７０より高い接着
層を適用することが特に好ましい。これにより発光装置の作製時に、絶縁層８１３や絶縁
層８４３、トランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、
発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。
【００７８】
また、具体例１において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方
に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板
８０１や基板８０３に転置された絶縁層８１３や絶縁層８４３、トランジスタ、発光素子
等にクラックが発生すること、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さら
に、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。
【００７９】
＜具体例２＞
図３（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図３（Ｂ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面
図の一例を図３（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光装置は、具体例１とは異なる、カラー
フィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。ここでは、具体例１と異
なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。
【００８０】
図３（Ｄ）に示す発光装置は、図３（Ｃ）に示す発光装置と下記の点で異なる。
【００８１】
図３（Ｄ）に示す発光装置は、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８２
７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。
【００８２】
また、図３（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。ＦＰＣ
８０８が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層８
４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層
８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料が
制限されない。
【００８３】
＜具体例３＞
図４（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図４（Ａ）における一点鎖線Ａ５−Ａ６間の断面
図の一例を図４（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光装置は、塗り分け方式を用いたトップ
エミッション型の発光装置である。
【００８４】
図４（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有する
。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、
基板８０３、枠状の接着層８２４、及び接着層８２３によって封止されている。
【００８５】
図４（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラン
ジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、
接着層８２３、枠状の接着層８２４、及び基板８０３を有する。接着層８２３及び基板８
０３は可視光を透過する。
【００８６】
枠状の接着層８２４は、接着層８２３よりも防湿性が高い層であることが好ましい。これ
により、外部から水分等の不純物が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、
信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【００８７】
具体例３では、接着層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光装置から取り出される
。したがって、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて透光性が高いことが好まし
い。また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて屈折率が高いことが好ましい。
また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが
好ましい。
【００８８】
発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。
【００８９】
駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図４（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つ
のトランジスタを示している。
【００９０】
絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水分等の不純物が侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【００９１】
導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。
【００９２】
図４（Ｃ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５
は、基板８０３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介
して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。
接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。
【００９３】
具体例３において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に
、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の
作製時に、絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制で
きる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。
【００９４】
また、具体例３において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方
に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板
８０１に転置された絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生すること
、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの
曲げに対して強くすることができる。
【００９５】
＜具体例４＞
図４（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図４（Ｂ）における一点鎖線Ａ７−Ａ８間の断面
図の一例を図４（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いた
ボトムエミッション型の発光装置である。
【００９６】
図４（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラン
ジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ
、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、接着層８２３、及び基板８０３を有す
る。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶
縁層８１７ｂは可視光を透過する。
【００９７】
発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８
１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部
電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレ
イン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。
上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する
。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁
層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければよ
い。
【００９８】
駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図４（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２つ
のトランジスタを示している。
【００９９】
絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水分等の不
純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【０１００】
導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
【０１０１】
具体例４において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に
、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の
作製時に、絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生することを抑制で
きる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。
【０１０２】
また、具体例４において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方
に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板
８０１に転置された絶縁層８１３やトランジスタ、発光素子等にクラックが発生すること
、又は発生したクラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの
曲げに対して強くすることができる。
【０１０３】
＜具体例５＞
図４（Ｅ）に具体例１〜４とは異なる発光装置の例を示す。
【０１０４】
図４（Ｅ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８１４
、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、接着層８２３、及
び基板８０３を有する。
【０１０５】
導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気
的に接続させることができる。
【０１０６】
発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部
電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッショ
ン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電
極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と
電気的に接続する。
【０１０７】
光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、
凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板
上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を
有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することが
できる。
【０１０８】
導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気
的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設
けてもよい。
【０１０９】
導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、
例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．
５μｍ以下である。
【０１１０】
上部電極８３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いる
と、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く
隙間の多い構成となり、例えば、絶縁層８２１上に該導電層を形成しても、ＥＬ層８３３
が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極と該導電層との電気的な接続をとること
が容易になり好ましい。
【０１１１】
具体例５において、接着層８１１及び接着層８２３の少なくとも一方、好ましくは両方に
、硬度がショアＤ７０より高い接着層を適用することが好ましい。これにより発光装置の
作製時に、絶縁層８１３や発光素子等にクラックが発生することを抑制できる。さらに、
発光装置を、繰り返しの曲げに対して強くすることができる。
【０１１２】
また、具体例５において、基板８０１及び基板８０３の少なくとも一方、好ましくは両方
に、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが好ましい。これにより、基板
８０１に転置された絶縁層８１３や発光素子等にクラックが発生すること、又は発生した
クラックが進行することを抑制できる。さらに、発光装置を、繰り返しの曲げに対して強
くすることができる。
【０１１３】
＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明し
た構成については説明を省略する場合がある。
【０１１４】
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光
素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。
【０１１５】
特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚
さのガラス、金属、合金を用いることができる。
【０１１６】
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【０１１７】
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損
しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは
合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい
発光装置を実現できる。
【０１１８】
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置
の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板
の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であるこ
とがより好ましい。
【０１１９】
金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム
、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適
に用いることができる。
【０１２０】
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制
でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率
の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造とし
てもよい。
【０１２１】
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。
【０１２２】
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。
【０１２３】
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。
【０１２４】
例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板
を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ま
しくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対
する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０
μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機
樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、
機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基
板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることができ
る。
【０１２５】
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（
エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
【０１２６】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０１２７】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０１２８】
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジ
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つ
を含む酸化物半導体を用いてもよい。
【０１２９】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１３０】
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（
Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層
８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
【０１３１】
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機Ｅ
Ｌ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【０１３２】
発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型の
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
【０１３３】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。
【０１３４】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０１３５】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
【０１３６】
下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光
する。
【０１３７】
ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０１３８】
ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
【０１３９】
発光素子は、一対の防湿性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これによ
り、発光素子に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑
制できる。
【０１４０】
防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０１４１】
例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下
、好ましくは１×１０−６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ
／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とする
。
【０１４２】
防湿性の高い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。
【０１４３】
絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低
誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させる
ことで、各絶縁層を形成してもよい。
【０１４４】
絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁
層８２１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。
【０１４５】
絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。
【０１４６】
スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とす
ることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２
７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
【０１４７】
トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光装置に用い
る導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニ
ウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用い
て、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を
用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、
酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２
Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いるこ
とができる。
【０１４８】
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１４９】
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を
遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層
と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発
光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む
樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部な
どの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため
好ましい。
【０１５０】
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オー
バーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いる
ことができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
【０１５１】
また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として
接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
トとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜
を用いることが好ましい。
【０１５２】
接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、
熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例
えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用い
ることが好ましい。
【０１５３】
なお、本実施の形態では、発光素子を用いた発光装置を例に説明したが、本発明の一態様
は、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置に適用することができる。また、本発
明の一態様は、タッチパネルを有する装置であってもよい。
【０１５４】
本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び
発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有
することができる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、ＥＬ素子（
有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ
、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するト
ランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングラ
イトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・
エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイ
ス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、干渉変調（ＩＭＯＤ）素子
、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェ
ッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子
などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的又は磁気的作用により、コ
ントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素
子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用い
た表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ
方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一
例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、
反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがあ
る。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例と
しては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディス
プレイを実現する場合には、画素電極の一部又は全部が、反射電極としての機能を有する
ようにすればよい。例えば、画素電極の一部又は全部が、アルミニウム、銀などを有する
ようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設け
ることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
【０１５５】
例えば、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有する
アクティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用
いることができる。
【０１５６】
アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向
上させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。
【０１５７】
パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コスト
の低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開
口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。
【０１５８】
なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例として
は、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより
、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を
照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バ
ックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのため
の照明装置として活用してもよい。
【０１５９】
以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様では、装置を構成する接着層の硬度
を高くする（具体的には、ショアＤ７０より高くする）。また、本発明の一態様では、そ
れに加えて、装置を構成する可撓性基板の膨張係数を小さくする（具体的には、５８ｐｐ
ｍ／℃未満とする）これにより、装置の作製工程における無機絶縁膜や素子へのクラック
の発生を抑制できる。また、無機絶縁膜や素子にクラックが発生しても、そのクラックの
進行を抑制できる。そして、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い装置を実現でき
る。
【０１６０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１６１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法、及び本発明の一態様の装置の作製方法に
ついて図５〜図１７、図３７を用いて説明する。
【０１６２】
具体的には、本発明の一態様は、第１の基板上に剥離層を形成する、第１の工程と、剥離
層上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する、第２の工程と、剥離層及び
被剥離層と重ねて接着層を硬化する、第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層
の一部を除去し、剥離の起点を形成する、第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する
、第５の工程と、を有し、接着層に、シート状の接着剤を用いる、剥離方法である。
【０１６３】
本発明の一態様では、剥離層、被剥離層、及び硬化状態の接着層が重なる領域において、
第１の層（被剥離層に含まれる、剥離層と接する層）の一部を除去し、剥離の起点を形成
する。上記領域に剥離の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができ
る。
【０１６４】
ここで、図６（Ａ）の断面図に示す点線で囲った領域のように、剥離層１０３と重ならず
に、作製基板１０１及び基板１０９が接着層１１１によって貼り合わされてしまうと、作
製基板１０１と基板１０９の密着性（又は、接着層１１１と接する、作製基板１０１上の
層及び基板１０９上の層の密着性）の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場
合がある。なお、図６（Ａ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一
点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。
【０１６５】
そのため、本発明の一態様では、接着層１１１にシート状の接着剤を用いることが好まし
い。シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができる。し
たがって、剥離層の外側に接着層が広がり、剥離工程の歩留まりが低下することを抑制で
きる。
【０１６６】
また、接着層に流動性の高い材料を用いると、所望の領域からはみ出した材料の無駄や、
ふき取りの手間などが発生する。シート状の接着剤を用いることで、材料のコストや装置
の作製に要する時間を低減でき、好ましい。
【０１６７】
本発明の一態様の装置が接着層を複数有する場合、少なくとも一つの接着層にシート状の
接着剤を用いればよい。特にすべての接着層にシート状の接着剤を用いることが好ましい
。
【０１６８】
また、剥離層１０３が設けられていない側の基板１０９が刃物等で切断できる場合、基板
１０９、接着層１１１、及び被剥離層１０５に切り込みを入れることができる（図６（Ｂ
）の矢印Ｐ２参照）。例えば、カッターなどの鋭利な刃物で切り込みを入れることができ
る。ここでは、接着層１１１と剥離層１０３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れるこ
とで、実線状に剥離の起点を形成する例を示す。この方法によれば、作製基板１０１と基
板１０９の密着性が高くても、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にし
て剥離を行うことができる（図６（Ｃ））ため、剥離工程の歩留まりの低下を抑制できる
。
【０１６９】
しかし、基板１０９や接着層１１１を切り取る方法は、時間を要する、ゴミが発生する、
ゴミ（基板１０９や接着層１１１の残部）が表面に残った作製基板１０１の再利用が困難
である、カッター等の鋭利な刃物が摩耗する、等の問題があり、量産化に適していない場
合がある。また、剥離の起点をより明瞭にするために鋭利な刃物などを剥離の界面に滑り
込ませるなど、剥離の歩留まりを向上させる仕組みが量産化に応用しにくい場合がある。
【０１７０】
そのため、本発明の一態様では、接着層にシート状の接着剤を用い、剥離の起点を、レー
ザ光を照射することにより形成することが好ましい。レーザ光を用いることで、剥離の起
点を形成するために基板の切断等をする必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい
。また、剥離の起点の形成にかかる時間を短縮することができる。また、作製基板１０１
の表面に残るゴミを低減できるため、作製基板１０１の再利用が容易となる。また、接着
層にシート状の接着剤を用いる方法は、カッター等の鋭利な刃物の摩耗がないため、コス
トが抑制できる、量産に適用しやすい、といった利点がある。また、いずれかの基板の端
部を引っ張ることで剥離を開始できるため、量産化に応用しやすい剥離方法である。
【０１７１】
また、本発明の一態様では、硬化状態の接着層の端部近傍であり、かつ、剥離層及び被剥
離層が重なる領域において、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成してもよい。接
着層と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層と被剥離層とを確実に分離で
きるため、剥離の起点の形成位置は、接着層からの距離が近いほど好ましく、具体的には
、接着層の端部からの距離が１ｍｍ以内に剥離の起点を形成することが好ましい。
【０１７２】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離
層と接着層とを重ねることが好ましい。接着層が剥離層と重ならない領域を有すると、そ
の領域の広さや、接着層と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場合
がある。したがって、接着層は剥離層の外側に位置しないように形成することが好ましい
。なお、接着層の端部と剥離層の端部が重なっていてもよい。
【０１７３】
上記剥離方法において、硬化状態の接着層の硬度はショアＤ７０より高いことが好ましく
、ショアＤ８０以上であることがより好ましい。これにより、剥離工程における無機絶縁
膜や素子へのクラックの発生を抑制できる。また、無機絶縁膜や素子にクラックが発生し
ても、そのクラックの進行を抑制できる。そして、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対し
て強い装置を実現できる。
【０１７４】
以下では、本発明の一態様の剥離方法を２つ例示する。
【０１７５】
＜剥離方法１＞
はじめに、作製基板１０１上に剥離層１０３を形成し、剥離層１０３上に被剥離層１０５
を形成する（図５（Ａ））。ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限ら
れない。また、被剥離層１０５を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板１０１
から被剥離層１０５を剥離する際に、作製基板１０１と剥離層１０３の界面、剥離層１０
３と被剥離層１０５の界面、又は剥離層１０３中で剥離が生じるような材料を選択する。
本実施の形態では、被剥離層１０５と剥離層１０３の界面で剥離が生じる場合を例示する
が、剥離層１０３や被剥離層１０５に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られな
い。なお、被剥離層１０５が積層構造である場合、剥離層１０３と接する層を特に第１の
層と記す。
【０１７６】
例えば、剥離層１０３がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、
タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、
被剥離層１０５側に剥離層１０３の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい
。また被剥離層１０５側に残った剥離層１０３は、その後除去してもよい。例えば、酸化
タングステン膜の除去には、水やアルカリ水溶液を用いることができる。また、例えば、
アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液、過酸化水素水、エタノール水溶液等を用いるこ
とができる。水や溶液は温度によって酸化タングステン膜を除去できる速度が変わるため
、適宜選択すればよい。例えば、常温の水に比べて６０℃程度の水は酸化タングステン膜
をより除去しやすい。
【０１７７】
作製基板１０１には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を
用いる。作製基板１０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。
【０１７８】
なお、量産性を向上させるため、作製基板１０１として大型のガラス基板を用いることが
好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×
７２０ｍｍ、又は６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、又は
７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５
００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２
００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３
０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこれよ
りも大型のガラス基板を用いることができる。
【０１７９】
作製基板１０１にガラス基板を用いる場合、作製基板１０１と剥離層１０３との間に、下
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【０１８０】
剥離層１０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材
料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のい
ずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化
インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等
の金属酸化物を用いてもよい。剥離層１０３に、タングステン、チタン、モリブデンなど
の高融点金属材料を用いると、被剥離層１０５の形成工程の自由度が高まるため好ましい
。
【０１８１】
剥離層１０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティ
ング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層１
０３の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下とする。
【０１８２】
剥離層１０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモ
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
【０１８３】
また、剥離層１０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層１０３
の表面状態を変えることにより、剥離層１０３と後に形成される絶縁層との密着性を制御
することが可能である。
【０１８４】
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、
レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして
、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高い
エネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行
うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作
製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。
【０１８５】
当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製
工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタ
は、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。
【０１８６】
なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、
被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。
【０１８７】
または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０１８８】
被剥離層１０５として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層１０５
として、剥離層１０３上に接する絶縁層を作製する。さらに、絶縁層上に機能素子を作製
してもよい。
【０１８９】
剥離層１０３上の絶縁層は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又
は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。
【０１９０】
該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に防湿性の高い膜とすることができる。なお、絶
縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下
が好ましい。
【０１９１】
次に、被剥離層１０５と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせ、接着層１０
７を硬化させる（図５（Ｂ））。本実施の形態では、接着層１０７にシート状の接着剤を
用いる。
【０１９２】
ここで、図５（Ｂ）は図７（Ａ）における一点鎖線Ｃ１−Ｃ２間の断面図に相当する。な
お、図７（Ａ）は、基板１０９（図示しない）側から見た平面図である。
【０１９３】
接着層１０７は、剥離層１０３及び被剥離層１０５と重なるように配置する。そして、図
７（Ａ）に示すように、接着層１０７の端部は、剥離層１０３の端部よりも外側に位置し
ないことが好ましい。接着層１０７が剥離層１０３と重ならない領域を有すると、その領
域の広さや、接着層１０７と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場
合がある。したがって、接着層１０７は剥離層１０３の内側に位置する、もしくは、接着
層１０７の端部と剥離層１０３の端部とが重なることが好ましい。
【０１９４】
本発明の一態様では、接着層１０７にシート状の接着剤を用いる。シート状の接着剤は流
動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができ、剥離層１０３の外側に接着層１
０７が広がること、さらには、剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。そして
、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【０１９５】
また、図６（Ｄ）に示すように、接着層１０７の外側に、樹脂層１１３を設けてもよい。
図６（Ｄ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２
間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。樹脂層１１３を設けることで
、作製工程中の発光装置を大気雰囲気に露出しても、被剥離層１０５に水分等の不純物が
混入することを抑制できる。
【０１９６】
なお、被剥離層１０５と基板１０９の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１９７】
シート状の接着剤としては、所望の領域にのみ配置できる程度に流動性の低い材料を用い
ればよい。例えば、ＯＣＡ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｌｅａｒ  ａｄｈｅｓｉｖｅ）フィルム
を好適に用いることができる。また、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬
化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型の接着シート、粘着シート
、シート状もしくはフィルム状の接着剤等を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、熱硬化型接着剤を用いると、基板１０９の透光性によらず
硬化が可能であるため、光硬化型接着剤を用いる場合に比べて、基板１０９の材料の選択
の幅が広がり好ましい。
【０１９８】
シート状の接着剤は、貼り合わせ前から粘着性を有していてもよく、貼り合わせ後に加熱
や光照射によって粘着性を発現してもよい。
【０１９９】
また、シート状の接着剤として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑
化させることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学
的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を
用いたシート状の接着剤を適用してもよい。
【０２００】
また、本発明の一態様では、シート状の接着剤と基板が積層された粘着フィルム、接着フ
ィルム等を用いてもよい。
【０２０１】
基板１０９としては、作製基板１０１に用いることができる各種基板を適用できる。また
、フィルム等のような可撓性基板を用いてもよい。
【０２０２】
樹脂層１１３には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着
剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としては
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミ
ド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性
が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。
【０２０３】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素
子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０２０４】
また、樹脂層１１３として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化さ
せることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学的も
しくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用い
てもよい。
【０２０５】
樹脂層１１３は、硬化状態であると、作製基板１０１と基板１０９の密着性の高さにより
、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層１１３の少なくと
も一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層１１３に粘度の高い
材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分等の不純物が
被剥離層１０５に混入することを抑制する効果を高めることができる。
【０２０６】
また、例えば、樹脂層１１３として、光硬化樹脂を用い、一部に光を照射することで、樹
脂層１１３の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、工程中に、減
圧雰囲気から大気圧雰囲気に移動した場合でも、作製基板１０１及び基板１０９の間隔及
び位置を一定に保つことができ、好ましい。
【０２０７】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図５（Ｂ）、（Ｃ））。
【０２０８】
レーザ光は、硬化状態の接着層１０７と、被剥離層１０５と、剥離層１０３とが重なる領
域に対して照射する（図５（Ｂ）の矢印Ｐ１参照）。レーザ光は、どちらの基板側から照
射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層１０
３が設けられた作製基板１０１側から照射することが好ましい。なお、レーザ光を照射す
る側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。
【０２０９】
少なくとも第１の層（被剥離層１０５に含まれる、剥離層１０３と接する層）にクラック
を入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を
形成できる（図５（Ｃ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層１０５を構成する各
層の一部を除去する例を示す。）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層１０５の他
の層や、剥離層１０３、接着層１０７の一部を除去してもよい。レーザ光の照射によって
、被剥離層１０５、剥離層１０３、又は接着層１０７に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、
又は熱的に破壊することができる。
【０２１０】
図７（Ａ）の一点鎖線で囲んだ領域Ｅの拡大図を図７（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）に示す。各
拡大図では、レーザ光の照射領域１１５を例示している。図７（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）は
すべて、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射
する例である。
【０２１１】
剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層１０５と剥離層１０３を引き離す力が集中すること
が好ましいため、硬化状態の接着層１０７の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成す
ることが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点
を形成することが好ましい。例えば、図７（Ｂ−１）、（Ｂ−３）に示すように、レーザ
光の照射領域１１５が硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域のみに位置
してもよい。または、図７（Ｂ−２）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）に示すように、レーザ光
の照射領域１１５が、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域だけでなく
、その外側の領域にまで位置してもよい。なお、図７（Ｂ−５）に示すように、レーザ光
を接着層１０７の辺に接して照射することも、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３と
が重なる領域にレーザ光を照射する態様の一つである。
【０２１２】
また、図７（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）に示すように、接着層１０７の端部近傍に断続的にレ
ーザ光を照射することで、破線状に剥離の起点を形成すると、剥離が容易となるため好ま
しい。
【０２１３】
また、図７（Ｃ）に示すように、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域
に連続的もしくは断続的にレーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の剥離の起
点を枠状に形成してもよい。
【０２１４】
剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレ
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板１０１や剥離層１０３の
厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
【０２１５】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図５
（Ｄ）、（Ｅ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置
することができる。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。
例えば、作製基板１０１を吸着ステージに固定し、作製基板１０１から被剥離層１０５を
剥離してもよい。また、基板１０９を吸着ステージに固定し、基板１０９から作製基板１
０１を剥離してもよい。
【０２１６】
例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを
回転させながら分離する処理等）によって被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離すれ
ばよい。
【０２１７】
また、剥離層１０３と被剥離層１０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板１０
１と被剥離層１０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層１０３と被剥離
層１０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層１０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気
により破壊されるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよ
い。液体としては、純水が好ましく、有機溶剤なども用いることができる。例えば、中性
、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。ま
た、過酸化水素水や、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液等を用いてもよい。
【０２１８】
なお、剥離後に、基板１０９上に残った、被剥離層１０５と基板１０９との接着に寄与し
ていない接着層１０７、又は樹脂層１１３等を除去してもよい。除去することで、後の工
程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき好ましい。例えば、
ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。
【０２１９】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し
、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これに
より、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【０２２０】
＜剥離方法２＞
まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被剥離層２０５を形
成する（図８（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３
上に被剥離層２２５を形成する（図８（Ｂ））。
【０２２１】
次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向
するように、接着層２０７を用いて貼り合わせ、接着層２０７を硬化させる（図８（Ｃ）
）。本実施の形態では、接着層２０７にシート状の接着剤を用いる。
【０２２２】
なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。
【０２２３】
なお、図８（Ｃ）では、剥離層２０３との剥離層２２３の大きさが異なる場合を示したが
、図８（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
【０２２４】
接着層２０７は剥離層２０３、被剥離層２０５、被剥離層２２５、及び剥離層２２３と重
なるように配置する。そして、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の
少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これ
により、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程
の歩留まりが低下することを抑制できる。本発明の一態様で用いるシート状の接着剤は流
動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができ、好適である。
【０２２５】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図９（Ａ）、（Ｂ））。
【０２２６】
作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異な
る場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基
板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を
作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離して
もよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。
【０２２７】
レーザ光は、硬化状態の接着層２０７と、被剥離層２０５と、剥離層２０３とが重なる領
域に対して照射する（図９（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。
【０２２８】
第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図９（Ｂ）の点線で囲った
領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２０５の他の層や、剥離層２０３
、接着層２０７の一部を除去してもよい。
【０２２９】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層
２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層２０５及び
被剥離層２２５のうち被剥離層２０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
２０１及び剥離層２０３を剥離することができる（図９（Ｂ）の点線で囲った領域参照）
。ここでは被剥離層２０５を構成する各層の一部を除去する例を示す。
【０２３０】
剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層２０３側の
被剥離層２０５と剥離層２２３側の被剥離層２２５の両方に剥離の起点を形成してしまう
と、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方
の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合があ
る。
【０２３１】
このとき、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の一方の端部よりも内
側に位置し、他方の端部より外側に位置することが好ましい。例えば、図１１（Ａ）では
、接着層２０７が剥離層２０３の端部よりも内側に位置し、剥離層２２３の端部より外側
に位置する。図１１（Ａ）に示した構成であると、レーザ光を、剥離層２０３と重なり、
かつ剥離層２２３と重ならない領域に照射することで、剥離層２０３と剥離層２２３の両
方に剥離の起点が形成されることを防止できる（図１１（Ｂ）、（Ｃ））。したがって、
レーザ光の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は、どちらの基板側
から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離
層２０３が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。
【０２３２】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図９
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から作製基板２２１に
転置することができる。
【０２３３】
次に、露出した被剥離層２０５と基板２３１とを、接着層２３３を用いて貼り合わせ、接
着層２３３を硬化させる（図１０（Ａ））。本実施の形態では、接着層２３３にシート状
の接着剤を用いる。
【０２３４】
なお、被剥離層２０５と基板２３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０２３５】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１０（Ｂ）、（Ｃ））。
【０２３６】
レーザ光は、硬化状態の接着層２３３と、被剥離層２２５と、剥離層２２３とが重なる領
域に対して照射する（図１０（Ｂ）の矢印Ｐ４参照）。第１の層の一部を除去することで
、剥離の起点を形成できる（図１０（Ｃ）の点線で囲った領域参照。ここでは被剥離層２
２５を構成する各層の一部を除去する例を示す。）。このとき、第１の層だけでなく、被
剥離層２２５の他の層や、剥離層２２３、接着層２３３の一部を除去してもよい。
【０２３７】
レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。
【０２３８】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図１
０（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５及び被剥離層２２５を基板２３１に転置するこ
とができる。
【０２３９】
なお、上記では、接着層２０７及び接着層２３３の双方にシート状の接着剤を用いる例を
示したが、本発明の一態様はこれに限られず、例えば、一方にのみシート状の接着剤を用
いてもよい。
【０２４０】
また、図１０（Ａ）〜（Ｄ）では、接着層２３３の端部が接着層２０７の端部よりも外側
に位置する例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。例えば、図３７（Ａ）〜
（Ｄ）に示すように、接着層２３３の端部が接着層２０７の端部よりも内側に位置してい
てもよい。
【０２４１】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が設けられた
一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれ
の剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工
程の歩留まりを向上させることができる。
【０２４２】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。
【０２４３】
＜剥離層の平面形状＞
本発明の一態様で用いる剥離層の平面形状は特に限定されない。剥離層の平面形状の例を
図１２（Ａ）〜（Ｆ）に示す。図１２（Ａ）〜（Ｆ）では、それぞれ剥離開始領域の一例
を示している。剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層と剥離層を引き離す力が集中するこ
とが好ましいため、剥離層の中央部や辺部に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成するこ
とが好ましい。なお、図１２（Ａ）〜（Ｆ）に示す剥離開始領域１１７以外から剥離を開
始してもよい。
【０２４４】
図１２（Ａ）に示すように、作製基板１０１の角部から剥離を始めたい場合は、剥離層１
０３の角部が作製基板１０１の角部に位置するような平面形状とすればよい。図１２（Ｂ
）、（Ｄ）〜（Ｆ）に示すように、作製基板１０１の辺部から剥離を始めたい場合は、剥
離層１０３の角部が作製基板１０１の辺部に位置するような平面形状とすればよい。図１
２（Ｃ）に示すように、剥離層１０３の角部は、丸い角を有していてもよい。
【０２４５】
図１２（Ｇ）に示すように、剥離したい被剥離層１０５の端部は、剥離層１０３の端部よ
りも内側に位置するよう形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高
くすることができる。また、剥離したい被剥離層１０５が複数ある場合、図１２（Ｈ）に
示すように、被剥離層１０５ごとに剥離層１０３を設けてもよいし、図１２（Ｉ）に示す
ように、１つの剥離層１０３上に複数の被剥離層１０５を設けてもよい。
【０２４６】
＜装置の作製方法１＞
本発明の一態様の剥離方法を用いて、各種装置を作製することができる。以下では、本発
明の一態様の剥離方法を用いて、発光素子を有する発光装置を作製する例を示す。本発明
の一態様を適用して作製できる装置はこれに限られず、例えば、実施の形態１に例示した
他の機能素子を用いた装置を作製することができる。
【０２４７】
まずは、上記剥離方法１を用いた発光装置の作製方法を示す。既に用いた符号と同様の符
号で説明する構成について、適用できる材料などは前述を参照できる。
【０２４８】
なお、被剥離層の構成を変えることで、実施の形態１に示した具体例３〜５の発光装置を
同様の方法により作製できる。
【０２４９】
まず、図１３（Ａ）に示すように、作製基板１０１上に剥離層１０３、絶縁層８１３、ト
ランジスタ、絶縁層８１５、導電層８５７、絶縁層８１７を順に形成する。次に、トラン
ジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する下部電極８３１を形成する。そ
して、下部電極８３１の端部を覆う絶縁層８２１と、絶縁層８２１上のスペーサ８２７を
形成する。ここで、絶縁層８１３からスペーサ８２７までが被剥離層に相当する。
【０２５０】
また、図１３（Ｂ）に示すように、仮支持基板である基板１０９上に剥離用接着剤である
接着層１０７と、を形成する。このとき、剥離用接着剤には、基板１０９と被剥離層とを
化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。本実施の形態ではシート
状の接着剤を用いるが、これに限られない。
【０２５１】
次に、基板１０９と作製基板１０１とを接着層１０７により貼り合わせ、接着層１０７を
硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１３（Ｃ））。
少なくとも絶縁層８１３の一部を除去することで剥離の起点を形成できる。ここでは、絶
縁層８１３及び剥離層１０３の一部を除去する例を示す。なお、剥離の起点を形成する工
程を示す各図において、剥離の起点が形成される領域は点線で囲って示す。
【０２５２】
形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板１０１とを分離する。これにより、被剥離
層が作製基板１０１から基板１０９に転置される（図１４（Ａ））。
【０２５３】
次に、作製基板１０１から剥離され、露出した絶縁層８１３と、基板８０１とを接着層８
１１により貼り合わせる（図１４（Ｂ））。本実施の形態では、接着層８１１に、シート
状の接着剤を用いるが、これに限られない。
【０２５４】
その後、接着層１０７を溶解又は可塑化させて、基板１０９を取り除く。そして、被剥離
層（ここではスペーサ８２７など）が露出するように接着層１０７を水や溶媒などで除去
する（図１４（Ｃ））。
【０２５５】
以上により、被剥離層を作製基板１０１から基板８０１上に転置することができる。
【０２５６】
その後、露出した下部電極８３１及びスペーサ８２７上にＥＬ層及び上部電極を形成し、
発光素子と基板とを接着層（例えばシート状の接着剤を用いることができる。）により接
着する。最後に、異方性導電材で入出力端子部の各電極にＦＰＣを貼り付ける。必要があ
ればＩＣチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性基板がたわみやすいと、ＦＰＣや
ＴＣＰを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する場合がある。したがって、ＦＰＣ
やＴＣＰを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシリコーンゴム等で支持してもよい
。これによりＦＰＣ又はＴＣＰと、機能素子との電気的な接続を確実にすることができる
。
【０２５７】
＜装置の作製方法２＞
次に、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図３（Ａ）、図３（Ｃ）に示すカラーフィル
タ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置（上記具体例１）を作製する例を示す
。
【０２５８】
なお、被剥離層の構成を変えることで、実施の形態１に示した具体例２の発光装置を同様
の方法により作製できる。
【０２５９】
まず、図１５（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２
０３上に絶縁層８１３を形成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ（トラン
ジスタ８２０等）、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子（発光
素子８３０等）、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出するように、
絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する。ここでは、露出した導電層
８５７上に、発光素子のＥＬ層と同一材料、同一工程でＥＬ層８６２を形成し、ＥＬ層８
６２上に、発光素子の上部電極と同一材料、同一工程で導電層８６４を形成する。なお、
ＥＬ層８６２及び導電層８６４は設けなくてもよい。ここで、絶縁層８１３から発光素子
までを被剥離層とする。
【０２６０】
また、図１５（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２
２３上に絶縁層８４３を形成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７及び着色層８４
５を形成する（図１１（Ｂ））。なお、ここでは図示しないが、図３（Ｄ）に示すように
、遮光層８４７及び着色層８４５を覆うオーバーコートを設けてもよい。ここで、絶縁層
８４３、遮光層８４７、及び着色層８４５を被剥離層とする。
【０２６１】
次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを接着層８２３により貼り合わせ、接着層８２
３を硬化させる。本実施の形態では、接着層８２３にシート状の接着剤を用いるが、これ
に限られない。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１５（Ｃ））
。ここでは、絶縁層８１３及び剥離層２０３の一部を除去する例を示す。
【０２６２】
本作製方法では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせ
た後に、剥離をし、可撓性基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼
り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板ど
うしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。し
たがって、発光素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い作製方法であ
るといえる。
【０２６３】
次に、形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板２０１とを剥離する。これにより、
被剥離層が作製基板２０１から作製基板２２１に転置される（図１６（Ａ））。
【０２６４】
次に、作製基板２０１から剥離され、露出した絶縁層８１３と、基板８０１とを接着層８
１１により接着する。本実施の形態では、接着層８１１にシート状の接着剤を用いるが、
これに限られない。
【０２６５】
次に、レーザ光の照射により剥離の起点を形成する（図１６（Ｂ））。そして、形成した
剥離の起点から、絶縁層８４３と作製基板２２１とを分離する（図１６（Ｃ））。
【０２６６】
以上により、被剥離層を作製基板２０１及び作製基板２２１から基板８０１上に転置する
ことができる。
【０２６７】
その後、導電層８５７を露出する工程と、絶縁層８４３及び基板８０３を、接着層８４１
を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。本実施の形態
では、接着層８４１にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。
【０２６８】
例えば、絶縁層８４３、接着層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる。な
お、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５７を露出させるために
、基板８０３及び接着層８４１も開口する。
【０２６９】
開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビ
ームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に針やカッターな
どの鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい
。
【０２７０】
例えば、膜の一部を除去した領域をきっかけに、導電層８５７と重なる基板８０３、接着
層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８６２、及び導電層８６４を除去する（
図１７（Ｂ））。例えば、粘着性のローラーを基板８０３に押し付け、ローラーを回転さ
せながら相対的に移動させる。または、粘着性のテープを基板８０３に貼り付け、剥して
もよい。ＥＬ層８６２と導電層８６４の密着性や、ＥＬ層８６２を構成する層どうしの密
着性が低いため、ＥＬ層８６２と導電層８６４の界面、又はＥＬ層８６２中で分離が生じ
る。これにより、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８６
２、又は導電層８６４の導電層８５７と重なる領域を選択的に除去することができる。な
お、導電層８５７上にＥＬ層８６２等が残存した場合は、有機溶剤等により除去すればよ
い。図１８に、実際に、導電層８５７と重なる絶縁層８４３などを除去した様子を示す。
矢印で示すように、部分的に絶縁層８４３等を剥離できていることがわかる。
【０２７１】
なお、導電層８５７が露出し、後の工程でＦＰＣ８０８と電気的に接続することができれ
ば、導電層８５７と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければＥＬ層８６２や
導電層８６４を導電層８５７に重ねて形成しなくてもよい。例えば、ＥＬ層８６２中で分
離が生じる場合は導電層８６４を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、ＥＬ
層８６２と接着層８２３が接することで、２層の材料が混合する、層の界面が不明確にな
る等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制
するため、ＥＬ層８６２と接着層８２３の間に導電層８６４を設けることが好ましい。
【０２７２】
最後に、異方性導電材（接続体８２５）で入出力端子部の各電極（導電層８５７）にＦＰ
Ｃ８０８を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。
【０２７３】
以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、剥離の起点を形成し、剥離層と
被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留ま
りを向上させることができる。したがって、歩留まりよく発光装置を作製できる。
【０２７４】
以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様では、シート状の接着剤を用いて装
置の作製を行う。シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置すること
ができる。したがって、剥離層の外側に接着層が広がり、剥離工程の歩留まりが低下する
ことを抑制できる。また、ゴミが低減できる、工程時間が短縮できる、量産化に好適であ
る、等の利点を有する剥離方法、及び装置の作製方法を提供できる。
【０２７５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２７６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１９〜図２２を用い
て説明する。なお、各層の材料については実施の形態１を参照することができる。なお、
本実施の形態では、発光素子を用いたタッチパネルを例示したが、これに限られない。本
発明の一態様では、例えば、実施の形態１に例示した他の素子を用いたタッチパネルを作
製することができる。
【０２７７】
なお、実施の形態１で詳述した内容と同様に、本実施の形態のタッチパネルには、硬度が
ショアＤ７０より高い接着層や、膨張係数が５８ｐｐｍ／℃未満の基板を適用することが
好ましい。また、実施の形態２で詳述した内容と同様に、本実施の形態のタッチパネルは
、シート状の接着剤を用いて作製することが好ましい。
【０２７８】
＜構成例１＞
図１９（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１９（Ｂ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ａ
−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）の一点鎖線Ｅ
−Ｆ間の断面図である。
【０２７９】
図１９（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。
【０２８０】
表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は
表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用い
てタッチセンサを構成することができる。
【０２８１】
画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発
光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
【０２８２】
画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる
配線と電気的に接続される。
【０２８３】
また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回
路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路
３０３ｓ（１）を備える。
【０２８４】
撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。
【０２８５】
撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することがで
きる配線と電気的に接続される。
【０２８６】
制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することが
できる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知
する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
【０２８７】
タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回
路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。
【０２８８】
図１９（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向す
る基板５７０を有する。
【０２８９】
可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。
【０２９０】
不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、好ましくは１０−６ｇ／ｍ
２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。
【０２９１】
線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。
例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ま
しくは１×１０−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０２９２】
基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、
及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積
層体である。
【０２９３】
基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、
及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である
。
【０２９４】
例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネート又はアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有
する樹脂含む材料を接着層に用いることができる。
【０２９５】
接着層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。接着層５６０は空気より大
きい屈折率を備える。画素回路及び発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）は基板５１０と
基板５７０の間にある。
【０２９６】
画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１９（
Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光
モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。
【０２９７】
例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び発光素子３５０Ｒに電力を供給すること
ができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１９（Ｂ））。また、発光モ
ジュール３８０Ｒは発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３６７Ｒ）を備える。
【０２９８】
発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上部電極
３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１９（Ｃ））。
【０２９９】
ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、第２のＥＬ層３５３ｂ、及び第１のＥＬ層３５
３ａと第２のＥＬ層３５３ｂの間の中間層３５４を備える。
【０３００】
発光モジュール３８０Ｒは、着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定の波長
を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光を選択
的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過す
る領域を設けてもよい。
【０３０１】
例えば、発光モジュール３８０Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する接着層
３６０を有する。
【０３０２】
着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒ
が発する光の一部は、接着層３６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すよ
うに発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。
【０３０３】
タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０３０４】
タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射
防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
【０３０５】
タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを
覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として
用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することが
できる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。
【０３０６】
タッチパネル３９０は、発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する
。
【０３０７】
タッチパネル３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に
有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８
上に有する。
【０３０８】
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。
なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１９（
Ｂ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有して
いてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されて
いてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２
のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ又はトランジスタ３０２ｔ等にそれぞれ設けても
よい。
【０３０９】
撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検
知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含
む。
【０３１０】
例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。
【０３１１】
タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配
線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができ
るＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１
）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０３１２】
同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ
、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。
【０３１３】
また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種
配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッ
ケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステン
などの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば
、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二
層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−ア
ルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、
タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン
膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン
膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモ
リブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにそ
の上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化イン
ジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む
銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
【０３１４】
＜構成例２＞
図２０（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素を示す。図２１は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図であ
る。
【０３１５】
タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図２０（Ｂ））。
また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、
基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。
【０３１６】
表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給する
ことができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）
と電気的に接続する。
【０３１７】
基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の
配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は
端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、
図２０（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設
けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０３１８】
タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量
方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０３１９】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０３２０】
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図２０（Ｂ）を
用いて説明する。
【０３２１】
なお、指等の検知対象の近接又は接触を検知することができるさまざまなセンサを適用す
ることができる。
【０３２２】
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、第１の電極５９１と第２の電極５９２を有
する。第１の電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、第２の電極５
９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０３２３】
第２の電極５９２は、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された
複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
【０３２４】
第１の電極５９１は四辺形であり、第２の電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰
り返し配置されている。
【０３２５】
配線５９４は、第２の電極５９２の１つを挟む２つの第１の電極５９１を電気的に接続す
る。このとき、第２の電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形
状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のム
ラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減すること
ができる。
【０３２６】
なお、第１の電極５９１、第２の電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取り
うる。例えば、帯状の複数の第１の電極をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁
層を介して帯状の複数の第２の電極を、第１の電極と交差するよう配置する。このとき隣
接する２つの第２の電極は離間して設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの
第２の電極の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異な
る領域の面積を低減できるため好ましい。
【０３２７】
タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された第１の電極５９
１及び第２の電極５９２、第１の電極５９１及び第２の電極５９２を覆う絶縁層５９３並
びに隣り合う第１の電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。
【０３２８】
接着層５９７は、図２０（Ｂ）、図２１（Ａ）に示すように、タッチセンサ５９５が表示
部５０１に重なるように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。
【０３２９】
第１の電極５９１及び第２の電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることが
できる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例え
ば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する
方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０３３０】
透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、第１の電極
５９１及び第２の電極５９２を形成することができる。
【０３３１】
また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シ
ロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムな
どの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０３３２】
また、第１の電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する
第１の電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を
高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、第１の電極５
９１及び第２の電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９
４に好適に用いることができる。
【０３３３】
第２の電極５９２のそれぞれは一方向に延在し、複数の第２の電極５９２がストライプ状
に設けられている。
【０３３４】
配線５９４は第２の電極５９２の１つと交差して設けられている。
【０３３５】
一対の第１の電極５９１が第２の電極５９２の１つを挟んで設けられ、配線５９４は一対
の第１の電極５９１を電気的に接続している。
【０３３６】
なお、複数の第１の電極５９１は、第２の電極５９２の１つと必ずしも直交する方向に配
置される必要はない。
【０３３７】
配線５９８は、第１の電極５９１又は第２の電極５９２と電気的に接続される。配線５９
８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白
金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又
はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０３３８】
なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護す
ることができる。
【０３３９】
また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。
【０３４０】
接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０３４１】
接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いること
ができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、又はシロキサン結合を有する樹脂
などの樹脂を用いることができる。
【０３４２】
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。
【０３４３】
本実施の形態では、白色の光を射出する発光素子を表示素子に適用する場合について説明
するが、表示素子はこれに限られない。
【０３４４】
例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる発光素子を副画素毎
に適用してもよい。
【０３４５】
基板５１０、基板５７０、及び接着層５６０は、構成例１と同様の構成が適用できる。
【０３４６】
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。
【０３４７】
副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒ及び発光素子５５０Ｒに電力を供給することができ
るトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光
素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。
【０３４８】
発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。
【０３４９】
発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層５６７Ｒを有する。
【０３５０】
また、接着層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、接着層５６０は、発光素子
５５０Ｒと着色層５６７Ｒに接する。
【０３５１】
着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒ
が発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール
５８０Ｒの外部に射出される。
【０３５２】
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０３５３】
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。
【０３５４】
表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の
低下を抑制できる。
【０３５５】
表示部５０１は、発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する。
【０３５６】
表示部５０１は、下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。また、
基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。
【０３５７】
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお
、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０３５８】
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰ
Ｃ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。
【０３５９】
なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い
。
【０３６０】
表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を
配線に用いることができる。
【０３６１】
なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（Ａ）、（Ｂ）に図示する。
【０３６２】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２１（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３６３】
例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図２１（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。
【０３６４】
また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２１（
Ｃ）に図示する。
【０３６５】
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を
含む半導体層を、図２１（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３
ｔに適用することができる。
【０３６６】
＜構成例３＞
図２２は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル
５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５
０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例
２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の
構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
【０３６７】
着色層５６７Ｒは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図２２（Ａ）に示す発光
素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより
、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。
【０３６８】
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。
【０３６９】
タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図２２（Ａ））
。
【０３７０】
接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９
５を貼り合わせる。
【０３７１】
なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（Ａ）、（Ｂ）に図示する。
【０３７２】
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図２２（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３７３】
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図２２（Ｂ）に図示するトランジスタ５０
２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。
【０３７４】
また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図２２（
Ｃ）に図示する。
【０３７５】
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を
含む半導体層を、図２２（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３
ｔに適用することができる。
【０３７６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０３７７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置について
、図２３及び図２４を用いて説明する。
【０３７８】
電子機器や照明装置に用いることができる発光装置、表示装置、半導体装置等の各種装置
は、本発明の一態様を適用して作製することで、歩留まりよく作製できる。また、本発明
の一態様を適用することで、生産性高く、フレキシブルな電子機器や照明装置を作製でき
る。また、本発明の一態様を適用することで、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強
い電子機器や照明装置を作製できる。
【０３７９】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０３８０】
また、本発明の一態様を適用して作製された装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内
壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能で
ある。
【０３８１】
図２３（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本
発明の一態様を適用して作製された表示装置を表示部７４０２に用いることにより作製さ
れる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩
留まりよく提供できる。
【０３８２】
図２３（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。
【０３８３】
また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
【０３８４】
図２３（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００は
、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７１
０５、入出力端子７１０６などを備える。
【０３８５】
携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インタ
ーネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができ
る。
【０３８６】
表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこ
とができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に
触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７１
０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０３８７】
操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーションシス
テムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。
【０３８８】
また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能で
ある。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで
通話することもできる。
【０３８９】
また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクターを
介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充電
を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により行
ってもよい。
【０３９０】
携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様を適用して作製された発光
装置が組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の
高い携帯情報端末を歩留まりよく提供できる。
【０３９１】
図２３（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７
２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０
１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
【０３９２】
図２３（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０３９３】
図２３（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
【０３９４】
図２３（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
【０３９５】
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０３９６】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０３９７】
ここで、各発光部には、本発明の一態様を適用して作製された発光装置が組み込まれてい
る。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留ま
りよく提供できる。
【０３９８】
図２３（Ｆ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体７
３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５
を備える。
【０３９９】
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。
【０４００】
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえ
る。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０４０１】
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
【０４０２】
図２３（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態の表示
装置７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、
筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図２３（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
【０４０３】
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０４０４】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
【０４０５】
表示部７３０２には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置が組み込まれている
。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく提供できる
。
【０４０６】
図２４（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ａ）に
展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ｂ）に展開した状態又は折りたたん
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図２４（Ｃ）
に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折りたたんだ
状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧
性に優れる。
【０４０７】
表示パネル３１２はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されている
。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３１
０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一
態様を適用して作製された表示装置を表示パネル３１２に用いることができる。例えば、
曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置を適用できる。
【０４０８】
図２４（Ｄ）、（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２０を示す。図２４（Ｄ）に
表示部３２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。図２４
（Ｅ）に、表示部３２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示
す。携帯情報端末３２０を使用しない際に、非表示部３２５を外側に折りたたむことで、
表示部３２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様を適用して作製された表示装
置を表示部３２２に用いることができる。
【０４０９】
図２４（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図２４（Ｇ）は、携
帯情報端末３３０の上面図である。図２４（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明する
斜視図である。
【０４１０】
携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一
つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることがで
きる。
【０４１１】
携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる
。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図２４（Ｆ）、（
Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図２４（
Ｇ）、（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキン
グ・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの
題名又は送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。また
は、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタン３３９、ア
イコンなどを表示してもよい。なお、図２４（Ｆ）、（Ｇ）では、上側に情報３３７が表
示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図２４（Ｈ）
に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。
【０４１２】
例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収納
した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。
【０４１３】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上方
から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出す
ことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０４１４】
携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する表
示部３３３には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置を用いることができる。
本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよ
く提供できる。
【０４１５】
また、図２４（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示してもよ
い。ここでは、情報３５５、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。
【０４１６】
携帯情報端末３４５の筐体３５１が有する表示部３５８には、本発明の一態様を適用して
作製された表示装置を用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備
え、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく提供できる。
【０４１７】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０４１８】
本実施例では、接着層の材料が異なる複数のフレキシブルな試料を作製し、クラックの発
生状況を確認した。
【０４１９】
［試料の作製］
本実施例で作製した試料の作製方法について、図１３及び図１４を用いて説明する。
【０４２０】
まず、作製基板１０１であるガラス基板上に、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を
下地膜（図示しない）として形成した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、
シランガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ１０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電
力３０Ｗ、圧力２２Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。下地膜はガラス基板のエ
ッチングストッパーとしても機能することができる。
【０４２１】
次に、下地膜上に膜厚３０ｎｍのタングステン膜を剥離層１０３として形成した。タング
ステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力６
０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成した。
【０４２２】
次に、Ｎ２Ｏプラズマ処理を行った。Ｎ２Ｏプラズマ処理は、Ｎ２Ｏガスの流量を１００
ｓｃｃｍとし、電源電力５００Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温度３３０℃、２４０秒間の条
件で行った。
【０４２３】
次に、剥離層１０３上に被剥離層を形成した。被剥離層は、図１３（Ａ）に示す絶縁層８
１３、トランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、下部電極８３１、絶
縁層８２１、及びスペーサ８２７を含む。
【０４２４】
絶縁層８１３は、第１の酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、第２の酸化窒化シリコン
膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜を、この順で積層して形成した
。
【０４２５】
具体的には、まず、剥離層１０３上に、厚さ約６００ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜を
形成した。第１の酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ２Ｏガ
スの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０
Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０４２６】
その後、第１の酸化窒化シリコン膜をウェットエッチングにより島状に加工し、剥離層１
０３をドライエッチングにより島状に加工した。
【０４２７】
次に、第１の酸化窒化シリコン膜上に、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。
窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ２ガス及びＮＨ３ガスの流量
をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧
力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０４２８】
次に、窒化シリコン膜上に、厚さ約２００ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜を形成した。
第２の酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ２Ｏガスの流量を
それぞれ５０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板
温度３３０℃の条件で形成した。
【０４２９】
次に、第２の酸化窒化シリコン膜上に、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し
た。窒化酸化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、
ＮＨ３ガス、Ｎ２Ｏガスの流量をそれぞれ１１０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃ
ｃｍ、８００ｓｃｃｍ、７０ｓｃｃｍとし、電源電力３２０Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温
度３３０℃の条件で形成した。
【０４３０】
次に、窒化酸化シリコン膜上に、厚さ約１００ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を形成し
た。第３の酸化窒化シリコン膜は、下地膜と同様の条件で形成した。
【０４３１】
その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０４３２】
本実施例における、タングステン膜、第１の酸化窒化シリコン膜、及び窒化シリコン膜の
３層の積層構造と、加熱処理は、高い歩留まりで剥離を行うための好ましい条件である。
【０４３３】
第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜は、絶
縁層８１３全体の応力を調整し、かつ、防湿層として機能する。
【０４３４】
このように、剥離層及び絶縁層を構成する無機膜は、剥離性と防湿性を両立した構成とな
っており、信頼性の高いフレキシブルな装置を作製するために好適である。
【０４３５】
トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した。
ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質ではないため、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界を有さないため、可撓性を有する装置
を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。
【０４３６】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体の
ことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎ
ａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確
認されている。ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高
い。
【０４３７】
本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。
【０４３８】
プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子
の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では
、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス
基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、
トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。
【０４３９】
そして、被剥離層と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせた（図１３（Ｃ）
）。基板１０９と接着層１０７の材料は試料によって異なる（後に示す表１参照）。各試
料における基板１０９は可撓性を有する。
【０４４０】
試料４以外は、ラミネータを用いて接着層１０７を形成し、接着層１０７の膜厚は、約３
μｍ以上約１０μｍ以下であった。試料４は、スピンコータを用いて接着層１０７を形成
し、接着層１０７の膜厚は、約１０μｍ以上約２０μｍ以下であった。
【０４４１】
基板１０９の膜厚は１２５μｍであった。なお、試料４で基板１０９に用いたＵＤＴ−１
０２５ＭＣ（デンカアドテックス株式会社製）は、紫外線硬化型粘着フィルムであり、膜
厚１２５μｍのうち、２５μｍが粘着層であった。
【０４４２】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成し、被剥離層と作製基板１０１とを分離
した（図１３（Ｃ）、図１４（Ａ））。
【０４４３】
その後、露出した絶縁層８１３の表面を観察し、クラックの発生状況を確認した。
【０４４４】
［実験結果］
表１に、各試料に用いた接着層１０７及び基板１０９の種類と、接着層１０７の硬度を示
す。さらに、表１では、剥離後の絶縁層８１３の表面観察における、クラックの発生状況
の判定結果も示す。ここでは、クラックがほとんど見られなかった場合は○（丸印）、ク
ラックが多数見られた（致命的なクラックが見られた）場合は×（バツ印）で示す。
【０４４５】
【表１】
2019091713.tif 000003
【０４４６】
表面観察の結果から、接着層１０７に硬度がショアＤ７０の材料ｅを用いた試料５、及び
、ショアＤ７０よりも硬度の低いＪＩＳ  Ｋ６２５３  Ｅ２５度の材料ｆを用いた試料６
では、作製工程時にクラックが多数発生したことがわかった。一方、ショアＤ８０以上の
材料ａ〜材料ｄをそれぞれ用いた試料１〜試料４では、作製工程時に致命的なクラックは
発生していなかった。
【０４４７】
このことから、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置に用いる接着層の硬度は、ショ
アＤ７０より高いことが好ましく、ショアＤ８０以上であることがより好ましいとわかっ
た。これにより、作製工程時のクラックの発生を抑制できる。したがって、発光装置の歩
留まりを向上できる。また、発光装置の信頼性を向上できる。
【実施例２】
【０４４８】
本実施例では、可撓性基板の材料が異なる複数のフレキシブルな試料を作製し、該試料に
加熱処理を行い、クラックの発生状況を確認した。
【０４４９】
［試料の作製］
本実施例で作製した試料の作製方法について、図１３及び図１４を用いて説明する。
【０４５０】
まず、作製基板１０１であるガラス基板上に、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を
下地膜（図示しない）として形成した。次に、下地膜上に膜厚３０ｎｍのタングステン膜
を剥離層１０３として形成した。次に、Ｎ２Ｏプラズマ処理を行った。次に、剥離層１０
３上に被剥離層を形成した。被剥離層は、図１３（Ａ）に示す絶縁層８１３、トランジス
タ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、下部電極８３１、絶縁層８２１、及び
スペーサ８２７を含む。絶縁層８１３は、第１の酸化窒化シリコン膜、第１の窒化シリコ
ン膜、第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び第３の酸化窒化シリコン膜
を、この順で積層して形成した。その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を
行った。トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタを適用した。本実施例
では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。こ
こまでは実施例１と同様であるため、詳細は省略する。
【０４５１】
そして、被剥離層と基板１０９とを、接着層１０７を用いて貼り合わせた（図１３（Ｃ）
）。実施例１の試料４と同様、基板１０９には、紫外線硬化型粘着フィルムを用い、接着
層１０７には、水溶性樹脂である材料ｄを用いた。
【０４５２】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成し、被剥離層と作製基板１０１とを分離
した（図１３（Ｃ）、図１４（Ａ））。
【０４５３】
その後、露出した絶縁層８１３の表面に、基板８０１を、接着層８１１を用いて貼り合わ
せた（図１４（Ｂ））。接着層８１１の材料には、実施例１の試料３で接着層１０７に用
いた２液硬化型エポキシ系樹脂である材料ｃを用いた。基板８０１の材料は試料によって
異なる（後に示す表２参照）。
【０４５４】
次に、接着層１０７及び基板１０９を除去し（図１４（Ｂ））、露出した面（図１４（Ｃ
）のスペーサ８２７等が形成されている面）を観察し、クラックの発生状況を確認した。
観察の結果、各試料において、クラックはほとんど見られなかった。
【０４５５】
［加熱処理］
作製した各試料を、６０℃で１時間、加熱した。その後、同じ面を観察し、クラックの発
生状況を確認した。加熱処理後の観察で、致命的なクラック（大きなクラック、多数のク
ラック等）が見られた試料については、その時点で実験を終了し、以降の加熱処理は施さ
なかった。
【０４５６】
次に、観察でクラックがほとんど見られなかった試料を、８０℃で１時間、さらに加熱し
た。その後、同様にクラックの発生状況を確認した。
【０４５７】
そして、観察でクラックがほとんど見られなかった試料を、１００℃で１時間、さらに加
熱した。その後、クラックの発生状況を確認した。
【０４５８】
［実験結果］
表２に、各試料に用いた基板８０１の種類と膨張係数を示す。さらに、表２では、加熱処
理前後の試料の表面観察における、クラックの発生状況の判定結果も示す。ここでは、ク
ラックがほとんど見られなかった場合は○（丸印）、致命的なクラックが見られた場合は
×（バツ印）で示す。
【０４５９】
【表２】
2019091713.tif 000004
【０４６０】
加熱処理後の表面観察の結果から、基板８０１の膨張係数が５８ｐｐｍ／℃以上の試料１
０〜試料１２では、６０℃で１時間、又は８０℃で１時間の加熱処理を行った後に、致命
的なクラックが発生したことがわかった。一方、基板８０１の膨張係数が２７ｐｐｍ／℃
以下の試料７〜試料９では、１００℃で１時間の加熱処理を行った後も、致命的なクラッ
クは発生していなかった。
【０４６１】
このことから、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置に用いる可撓性基板の膨張係数
は、５８ｐｐｍ／℃未満であることが好ましく、２７ｐｐｍ／℃以下であることがより好
ましいとわかった。これにより、加熱処理時のクラックの発生を抑制できる。したがって
、発光装置の信頼性を向上できる。
【実施例３】
【０４６２】
本実施例では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置を作製し、その信頼性を評価し
た。
【０４６３】
本実施例で作製した発光装置は、実施の形態１で示した具体例２の構成（図３（Ｂ）、（
Ｄ））が適用されている。詳細は実施の形態１の説明を参照できる。
【０４６４】
本実施例では、実施の形態２に示す剥離方法２を用いて発光装置を作製した。
【０４６５】
まず、作製基板２０１であるガラス基板上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被
剥離層２０５を形成した（図８（Ａ））。また、作製基板２２１であるガラス基板上に剥
離層２２３を形成し、剥離層２２３上に被剥離層２２５を形成した（図８（Ｂ））。次に
、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向する
ように貼り合わせた（図８（Ｃ））。そして、２つの作製基板をそれぞれ被剥離層から剥
離し、それぞれの被剥離層に可撓性基板を貼り合わせた（図１０（Ｄ））。以下に各層の
材料を示す。
【０４６６】
剥離層２０３及び剥離層２２３としては、タングステン膜と、該タングステン膜上の酸化
タングステン膜の積層構造を形成した。
【０４６７】
剥離層を構成する積層構造は、成膜直後の剥離性は低いが、加熱処理により無機絶縁膜と
の反応が起こることで、界面状態が変化し脆性を示す。そして、剥離の起点を形成するこ
とで、物理的に剥離することができるようになる。
【０４６８】
被剥離層２０５としては、絶縁層８１３と、トランジスタと、発光素子８３０である有機
ＥＬ素子と、を形成した。被剥離層２２５としては、カラーフィルタ（着色層８４５に相
当）等を作製した。
【０４６９】
絶縁層８１３及び絶縁層８４３には、実施例１で作製した絶縁層８１３と同様の構成、作
製方法を適用した。
【０４７０】
トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタを適用した。本実施例では、Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用いた。該トランジ
スタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。
【０４７１】
プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子
の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では
、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス
基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、
トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。
【０４７２】
発光素子８３０には、青色の光を呈する発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の光を
呈する発光層及び赤色の光を呈する発光層を有する燐光発光ユニットと、を有するタンデ
ム型の有機ＥＬ素子を用いた。発光素子８３０は、トップエミッション型である。発光素
子８３０の下部電極８３１としては、アルミニウム膜上にチタン膜を積層し、チタン膜上
に光学調整層として機能するＩＴＯ膜を積層した。光学調整層の膜厚は、各画素の色に応
じて変化させた。カラーフィルタとマイクロキャビティ構造との組み合わせにより、本実
施例で作製した発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。
【０４７３】
基板８０１及び基板８０３としては、厚さ２０μｍ、膨張係数２７ｐｐｍ／℃以下の、有
機樹脂フィルムを用いた。
【０４７４】
また、接着層８２３、接着層８１１、及び接着層８４１には、実施例１の試料３に用いた
材料ｃと同様である、硬度がショアＤ８２の２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた。
【０４７５】
図２６に本実施例で作製した発光装置を示す。作製した発光装置は、発光部（画素部）の
サイズが対角３．４インチ、画素数が５４０×９６０×３（ＲＧＢ）、画素ピッチが０．
０７８ｍｍ×０．０７８ｍｍ、解像度が３２６ｐｐｉ、開口率が５６．９％である。スキ
ャンドライバ（ゲートドライバ）及びソースドライバは内蔵である。発光装置の厚さ１０
０μｍ以下であり、重さは２ｇであった。
【０４７６】
そして、作製した発光装置を、画像を表示させた状態で、繰り返し折り曲げた。図２６に
示すように、折り曲げた部分（Ｂｅｎｔ  ｐｏｒｔｉｏｎ）は発光装置の中央部であり、
発光部（Ｄｉｓｐｌａｙ  Ａｒｅａ）とスキャンドライバ（Ｓｃａｎ  Ｄｒｉｖｅｒ）を
含む。図２５（Ａ）は発光装置が配置された曲げ試験機の外観を示す写真である。図２５
（Ｂ）は、曲げ試験の様子を示す写真である。ＦＰＣ側を固定することで、発光装置を駆
動しながら、曲げ試験を行うことが可能である。図２５（Ｃ）に示すように、発光装置９
９を曲げる際の曲率半径を金属製の棒９８で設定した。棒９８として、直径１０ｍｍ、直
径６ｍｍ、直径４ｍｍ、及び直径２ｍｍの４種類を用いた。つまり、発光装置において、
曲率半径５ｍｍ、曲率半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍ、及び曲率半径１ｍｍの４種類の曲げ
試験を行った。なお、ここでは、発光装置の表示面を外側にした場合を外曲げ、内側にし
た場合を内曲げと記す。例えば、図２５（Ｂ）は、内曲げの試験中の様子を示している。
曲げ試験は１回の曲げを約２秒の速さで行った。曲げ試験の結果、曲率半径５ｍｍでは、
外曲げ、内曲げいずれの場合も、１０万回の曲げを行った後で、表示部に欠陥の発生はな
く、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径３ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったと
ころ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径２ｍｍで
、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作
した。また、曲率半径１ｍｍで、４千回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生は
なく、ドライバも正常に動作した。
【０４７７】
曲率半径５ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２７（Ａ）に外観
を示し、図２７（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２７（Ａ）に示すように、
発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不
良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で、高
温高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２７（Ｃ）に示す。保
存試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等の
クラックも発生していないと考えられる。
【０４７８】
曲率半径２ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２８（Ａ）に外観
を示し、図２８（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２８（Ａ）に示すように、
発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不
良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で高温
高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２８（Ｃ）に示す。保存
試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等のク
ラックも発生していないと考えられる。
【０４７９】
上記で用いた曲げ試験機の結果には、単純な曲げだけでなく、引張応力や押し付け応力、
摩擦等の要因も加わっている。
【０４８０】
以下では、曲げ耐性のみを評価できるブック型の曲げ試験機により、再度評価を行った。
本曲げ試験機はブックの様に開いた状態（図２９（Ａ）参照）と閉じた状態（図２９（Ｂ
）参照）を繰り返すことで曲げ試験を行う。曲げた際の板と板との間の距離を定めること
で、発光装置の曲げの曲率半径を決めている。
【０４８１】
ブック型曲げ試験機を用いて評価した発光装置の曲げ特性を示す。曲率半径５ｍｍ、曲率
半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍのそれぞれで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に
欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径１ｍｍで、９千回、内曲
げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。そして、ブ
ック型曲げ試験機を用いることで、先に用いた曲げ試験機を用いた場合に比べ、曲げ試験
後の曲げ癖は大きく低減しており、曲率半径５ｍｍの試験後では、ほぼ曲げ癖は見られな
かった。
【０４８２】
以上、本実施例により、本発明の一態様である、膨張係数が２７ｐｐｍ／℃以下である基
板を用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。ま
た、本実施例により、本発明の一態様である、硬度がショアＤ８０以上である接着層を用
いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。
【実施例４】
【０４８３】
本実施例では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置を作製し、その信頼性を評価し
た。
【０４８４】
本実施例で作製した発光装置は５種類である。実施例３で作製した発光装置と同様の構成
、作製方法については説明を省略する。
【０４８５】
試料１３及び試料１４は、接着層８１１及び接着層８４１に、シート状の接着剤を用いた
点で、実施例３の発光装置と異なる。試料１３に用いたシート状の接着剤の厚さは１０μ
ｍであり、試料１４に用いたシート状の接着剤の厚さは２０μｍである。
【０４８６】
接着面に気泡が混入するのを抑制するため、減圧下（約１００Ｐａ）で、加圧及び加熱を
行いながら各接着層を用いた貼り合わせを行った。また、試料１３及び試料１４に用いた
シート状の接着剤は、室温における粘着性は低く、６０℃以上に加熱することで高い粘着
性が発現する。本実施例では、８０℃で１時間加熱することで、シート状の接着剤を硬化
させた。
【０４８７】
試料１５は、接着層８１１及び接着層８４１に、実施例１の試料１に用いた材料ａと同様
である、硬度がショアＤ８４〜８６の２液硬化型エポキシ系樹脂を用いた点で、実施例３
の発光装置と異なる。
【０４８８】
試料１６は、接着層８１１及び接着層８４１に、硬度がショアＤ５８〜６２のシート状の
接着剤を用いた点で、実施例３の発光装置と異なる。試料１６に用いたシート状の接着剤
は、高圧水銀ランプを用いて紫外光を両面に照射し（エネルギーは３０００ｍＪ／ｃｍ２
）、１２０℃で１時間加熱することで硬化させた。
【０４８９】
試料１７は、接着層８１１、接着層８２３、及び接着層８４１に、実施例１の試料１に用
いた材料ａと同様である、硬度がショアＤ８４〜８６の２液硬化型エポキシ系樹脂を用い
た点で、実施例３の発光装置と異なる。
【０４９０】
試料１３及び試料１４について、１００時間、６５℃９０％の環境下で、高温高湿保存試
験を行ったところ、表示状態やドライバの動作に不良は見られなかった。
【０４９１】
また、試料１３及び試料１４について、図２５（Ａ）に示す曲げ試験機を用いて、曲率半
径３ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、どちらの試料も、表示部に欠陥の発生は
なく、ドライバも正常に動作した。
【０４９２】
接着層８１１及び接着層８４１の硬度がショアＤ５８〜６２である試料１６は、作製工程
時に既にクラックが発生していた。一方、接着層８１１及び接着層８４１の硬度がショア
Ｄ８４〜８６である試料１５では、作製した発光装置にクラックは見られなかった。試料
１５及び試料１６について、５００時間、６５℃９０％の環境下で、高温高湿保存試験を
行ったところ、試料１５は試料１６に比べてシュリンク（ここでは、発光部端部からの輝
度劣化や、発光部の非発光領域の拡大を指す）が少なかった。このことから、発光装置の
作製工程における無機絶縁膜や素子へのクラックの発生を抑制することで、発光装置の信
頼性を高めることができるとわかった。
【０４９３】
試料１７について、図２５（Ａ）に示す曲げ試験機を用いて、曲率半径５ｍｍで、１０万
回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。さ
らに、曲げ試験後の試料１７について、２４０時間、６５℃９５％の環境下で、高温高湿
保存試験を行ったところ、曲げ部にシュリンクは発生せず、微小なクラックも発生してい
ないことが確認できた。
【０４９４】
以上、本実施例により、本発明の一態様である、硬度がショアＤ８０以上である接着層を
用いたフレキシブルな発光装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。また、
本実施例により、本発明の一態様である、シート状の接着剤を用いたフレキシブルな発光
装置は、曲げ耐性に強く信頼性が高いことがわかった。
【実施例５】
【０４９５】
実施例１で作製した下地膜、剥離層１０３、及び絶縁層８１３の作製に要する時間の一例
について説明する。
【０４９６】
下地膜、剥離層１０３、絶縁層８１３を構成する各層の成膜方式、１バッチあたりの処理
時間、及び基板１枚あたりの処理時間を表３に示す。
【０４９７】
【表３】
2019091713.tif 000005
【０４９８】
ここでは、下地膜、剥離層１０３、及び第１の酸化窒化シリコン膜は、それぞれ単層ごと
の成膜であり、絶縁層８１３を構成する他の４層は一括で成膜した。また、タングステン
膜は枚葉式のスパッタリング装置を用いて成膜し、他の層は、バッチ式のＣＶＤ装置を用
いて成膜した。
【０４９９】
なお、表３に示したタクトタイムには、基板を搬送している時間を含んでいない。バッチ
処理でのタクトタイムに関しては、１バッチあたりのタクトタイムと基板１枚あたりのタ
クトタイム（１バッチあたりのタクトタイムを処理枚数で割った値。ここでは１バッチで
基板１０枚を処理した。）を示す。
【０５００】
本実施例では、量産に好適な装置での作製を行っていないため、装置の仕様により、さら
にタクトタイムを短くできることが示唆される。また、剥離層及び絶縁層を構成する無機
膜に、剥離性と防湿性を両立した構成を適用した場合でも、極端に低いレートでの成膜な
どは不要であり、信頼性の高い装置を、量産性高く作製できることがわかった。
【実施例６】
【０５０１】
本実施例では、本発明の一態様の装置の作製方法における、各工程の歩留まり及び各工程
に要する時間について説明する。
【０５０２】
実施の形態２で例示した本発明の一態様の装置の作製方法（図１５〜図１７参照）は、１
回目の作製基板の剥離及び１回目の可撓性基板の貼り合わせを行う第１の工程、２回目の
作製基板の剥離及び２回目の可撓性基板の貼り合わせを行う第２の工程、及び、ＦＰＣと
電気的に接続する導電層を露出させ、ＦＰＣを圧着させる第３の工程を有する。
【０５０３】
なお、本実施例では、第１の工程で、トランジスタや有機ＥＬ素子が形成された作製基板
２０１を剥離し、第２の工程で、カラーフィルタ等が形成された作製基板２２１を剥離し
た。また、接着層８２３、接着層８１１、及び接着層８４１の硬度はそれぞれショアＤ８
０以上とした。材料としては、シート状の接着剤の代わりに２液硬化型エポキシ系樹脂を
用いた。また、基板８０１及び基板８０３には、膨張係数が２７ｐｐｍ／℃以下の可撓性
基板を用いた。
【０５０４】
まず、５インチ角のサイズの作製基板で３．４インチのフレキシブル有機ＥＬディスプレ
イを作製し、上記３つの工程での歩留まりを確認した。
【０５０５】
表４に示す通り、２２１個のディスプレイを作製したところ、各工程では９０％以上、全
体としては８３％の歩留まりであった。
【０５０６】
【表４】
2019091713.tif 000006
【０５０７】
さらに、３００ｍｍ×３６０ｍｍのサイズの作製基板で５．３インチのフレキシブル有機
ＥＬディスプレイを作製し、上記３つの工程での歩留まりを確認した。なお、該作製基板
における該ディスプレイの取り数は２つである。
【０５０８】
表５に示す通り、作製基板３８枚分、全７６個のディスプレイを作製したところ、各工程
では９０％以上、全体としては８４％の歩留まりであった。
【０５０９】
【表５】
2019091713.tif 000007
【０５１０】
作製工程中に異物が混入することで、剥離時に有機膜で膜剥がれが生じたことなどが、不
良の一態様として挙げられる。本実施例では手作業でディスプレイを作製したため、作製
装置を用いることで歩留まりをより高くできることが示唆される。また、作製基板を大判
化しても歩留まりが低下しにくいことがわかった。
【０５１１】
また、３００ｍｍ×３６０ｍｍのサイズの作製基板を用いて、１３．５インチのフレキシ
ブル有機ＥＬディスプレイを手作業で作製する際に、各工程で要した時間を表６に示す。
【０５１２】
【表６】
2019091713.tif 000008
【０５１３】
本実施例では接着層の材料に２液硬化型エポキシ系樹脂を使用したため、接着層の硬化に
時間を要した。ただし、バッチ処理を行うことで、ディスプレイ１つ当たりの工程に要す
る時間を短くすることができる。また、本発明の一態様のように、シート状の接着剤を用
いると、装置の作製に要する時間を短縮できるため好ましい。
【実施例７】
【０５１４】
本実施例では、薄膜を良好に剥離するための条件について説明する。
【０５１５】
［剥離性の評価方法］
まず、支持基板から薄膜を剥離するための評価方法の一例について説明する。
【０５１６】
剥離に要する力の評価は、例えば図３０（Ａ）に示すような治具を用いて行えばよい。図
３０（Ａ）に示す治具は、複数のガイドローラ７６０６と、サポートローラ７６０５を有
する。測定は、予め支持基板７６０１上に形成された薄膜７６０３上にテープ７６０４を
貼り付け、端部を一部剥離しておく。次いで、支持基板７６０１を治具にテープ７６０４
をサポートローラ７６０５に引っ掛けるように取り付け、テープ７６０４及び薄膜７６０
３が支持基板７６０１に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ７６０４を支
持基板７６０１に対して垂直方向に引っ張り、薄膜７６０３が支持基板７６０１から剥離
する際に、垂直方向に引っ張るのに要する力を測定することで、剥離に要する力を測定す
ることができる。ここで、剥離が進行している間、剥離層７６０２が露出した状態で支持
基板７６０１がガイドローラ７６０６に沿ってその面方向に走行する。サポートローラ７
６０５及びガイドローラ７６０６は、薄膜７６０３及び支持基板７６０１の走行中の摩擦
の影響を無くすために回転可能に設けられている。
【０５１７】
以下で示す剥離試験のための試料は、支持基板を２５ｍｍ×１２６．６ｍｍに分断し、テ
ープ７６０４として紫外光硬化型粘着フィルム（ＵＶフィルムともいう）（電気化学工業
株式会社製  ＵＨＰ−０８１０ＭＣ）をテープマウンタにより貼り付けた後、ＵＶフィル
ムの端部を約２０ｍｍ剥離し、上記治具に取り付けた。また剥離試験には、島津製作所製
の小型卓上試験機（ＥＺ−ＴＥＳＴ  ＥＺ−Ｓ−５０Ｎ）を用いた。剥離試験方法には、
日本工業規格（ＪＩＳ）の規格番号ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準拠する粘着テープ・粘着シー
ト試験方法を参考にした。
【０５１８】
［試料の構成］
評価に用いた試料の構成について説明する。図３０（Ｂ）に試料の断面構成を示す。試料
は、支持基板７６１１上に剥離層７６１２、第１の層７６１３及び第２の層７６１４を順
に積層した構成を有する。剥離は剥離層７６１２と第１の層７６１３との間で生じる。
【０５１９】
［水素の放出性と剥離性の関係］
ここでは、第１の層の水素の放出量と剥離性との関係について説明する。
【０５２０】
〈試料Ａ〜試料Ｃ〉
試料Ａ〜試料Ｃは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形
成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を
スパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として酸化窒化シリコン膜を
プラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒
化シリコン膜、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シ
リコン膜、厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をそれぞれプラズマＣＶＤ法により順
に形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。
【０５２１】
試料Ａは第１の層７６１３の厚さを約６００ｎｍとした。試料Ｂは第１の層７６１３の厚
さを約４００ｎｍとした。試料Ｃは第１の層７６１３の厚さを約２００ｎｍとした。
【０５２２】
ここで、試料Ａに用いた厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜と、試料Ｃに用いた厚さ
約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜について、昇温脱離ガス分光法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍ
ａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により水素分子に相当す
る質量電荷比（ｍ／ｚ）２で検出される強度の温度依存性を評価した結果を図３１（Ａ）
に示す。酸化窒化シリコン膜の厚さが厚いほど、水素の放出量が高い傾向があることが分
かった。
【０５２３】
続いて、試料Ａ〜試料Ｃについて、剥離に要する力を測定した。測定はそれぞれの試料に
ついて、同一の基板を上述のサイズに切り出した６つの試料に対して行った。測定した結
果を図３１（Ｂ）に示す。試料Ａが最も剥離に要する力が小さく、試料Ｃが最も剥離に要
する力が大きい結果となった。
【０５２４】
〈試料Ｄ〜試料Ｆ〉
試料Ｄ〜試料Ｆは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形
成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を
スパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸
化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚
さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃
、１時間の加熱処理を行った。
【０５２５】
ここで、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、シランの流量
を５０ｓｃｃｍとした試料を試料Ｄ、７５ｓｃｃｍとした試料を試料Ｅ、１００ｓｃｃｍ
とした試料を試料Ｆとした。
【０５２６】
試料Ｄ〜試料Ｆについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３２（Ａ）に示す。酸化窒化シリ
コン膜の成膜時のシランの流量が多いほど、水素の放出量が高い傾向があることが確認で
きた。
【０５２７】
続いて、試料Ｄ〜試料Ｆについて、剥離に要する力を測定した結果を図３２（Ｂ）に示す
。試料Ｄでは、測定した６つの試料すべてで良好に剥離することができなかった。試料Ｅ
及び試料Ｆでは、測定した６つの試料すべてで良好に剥離することができた。また試料Ｅ
に比べて試料Ｆの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。
【０５２８】
〈試料Ｍ〜試料Ｏ〉
試料Ｍ〜試料Ｏは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形
成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を
スパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸
化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚
さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃
、１時間の加熱処理を行った。
【０５２９】
ここで、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シ
リコン膜、及び第２の層７６１４に用いた窒化シリコン膜の成膜は、試料Ｄ〜試料Ｆで用
いた装置とは異なる装置を用いて行った。具体的には、試料Ｄ〜試料Ｆで用いた成膜装置
よりも電極面積及びチャンバー容量等が小さい成膜装置を用いた。
【０５３０】
また、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、シランの流量を
５ｓｃｃｍとした試料を試料Ｍ、２７ｓｃｃｍとした試料を試料Ｎ、６０ｓｃｃｍとした
試料を試料Ｏとした。
【０５３１】
試料Ｍ〜試料Ｏについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３５（Ａ）に示す。試料Ｄ〜試料
Ｆの結果と同様、酸化窒化シリコン膜の成膜時のシランの流量が多いほど、水素の放出量
が高い傾向があることが確認できた。
【０５３２】
続いて、試料Ｍ〜試料Ｏについて、剥離に要する力を測定した結果を図３５（Ｂ）に示す
。試料Ｍでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができなかった。試料Ｎ
及び試料Ｏでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。また試料Ｎ
に比べて試料Ｏの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。
【０５３３】
〈試料Ｐ〜試料Ｒ〉
試料Ｐ〜試料Ｒは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が形
成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を
スパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの酸
化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。続いて第２の層７６１４として厚
さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。その後、４５０℃
、１時間の加熱処理を行った。
【０５３４】
ここで、第１の層７６１３に用いた酸化窒化シリコン膜の成膜条件として、電力密度を０
．０４１Ｗ／ｃｍ２とした試料を試料Ｐ、０．０７１Ｗ／ｃｍ２とした試料を試料Ｑ、０
．２０４Ｗ／ｃｍ２とした試料を試料Ｒとした。
【０５３５】
試料Ｐ〜試料Ｒについて、ＴＤＳ分析を行った結果を図３６（Ａ）に示す。酸化窒化シリ
コン膜の成膜時の電力密度が小さいほど、水素の放出量が高い傾向があることが確認でき
た。
【０５３６】
続いて、試料Ｐ〜試料Ｒについて、剥離に要する力を測定した結果を図３６（Ｂ）に示す
。試料Ｒでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができなかった。試料Ｐ
及び試料Ｑでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。また試料Ｑ
に比べて試料Ｐの方が、剥離に要する力が小さい結果となった。
【０５３７】
以上の結果から、第１の層７６１３からの水素の放出量が大きいほど、剥離に要する力が
小さくなることが確認できた。
【０５３８】
また水素の放出量は、第１の層７６１３に用いる酸化窒化シリコン膜の成膜条件によって
制御可能であることが確認できた。具体的には、膜厚、成膜ガスに対するシランの流量比
、又は電力密度等の条件により、水素の放出量が高く、剥離に適した酸化窒化シリコン膜
を作製できることが確認できた。
【０５３９】
［熱処理温度と剥離性の関係］
ここでは、第２の層７６１４を形成した後の加熱処理の温度と剥離性の関係について説明
する。
【０５４０】
〈試料Ｇ〜試料Ｊ〉
試料Ｇ〜試料Ｊは、加熱処理の条件以外は、試料Ａと同様の方法で作製した。
【０５４１】
第２の層７６１４を形成した後、３５０℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｇとした
。同様に４００℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｈ、４５０℃１時間の加熱処理を
行った試料を試料Ｉ、４８０℃１時間の加熱処理を行った試料を試料Ｊとした。
【０５４２】
試料Ｇ〜試料Ｊについて、剥離に要する力を測定した結果を図３３に示す。試料Ｇでは、
測定した３つの試料すべてで良好に剥離することができなかった。試料Ｈ〜試料Ｊでは、
測定した３つの試料すべてで良好に剥離することができた。試料Ｉ及び試料Ｊは、剥離に
要する力が同等であった。試料Ｈは、試料Ｉ及び試料Ｊより剥離に要する力が高い結果と
なった。
【０５４３】
以上の結果から、第２の層７６１４の形成後の加熱処理の温度が高いほど剥離性が向上す
ること、一定以上の温度では、剥離性が飽和することが確認できた。加熱処理の温度が高
いほど第１の層７６１３からの水素の放出量が増大し、剥離性が向上することが示唆され
る。
【０５４４】
［第２の層の水素ブロック性と剥離性との関係］
ここでは、第２の層７６１４の水素ブロック性と剥離性との関係について説明する。
【０５４５】
〈試料Ｋ及び試料Ｌ〉
試料Ｋ及び試料Ｌは、支持基板７６１１として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜が
形成されたガラス基板を用いた。剥離層７６１２として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜
をスパッタリング法により形成した。続いて第１の層７６１３として厚さ約６００ｎｍの
酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成した。
【０５４６】
また、試料Ｋのみ、第２の層７６１４として厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜をプラズ
マＣＶＤ法により順に形成した。その後、４５０℃、１時間の加熱処理を行った。また試
料Ｌでは第２の層７６１４の形成を行わなかった。
【０５４７】
まず、第１の層７６１３に用いた厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜の単層、第２の
層７６１４に用いた厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜の単層、及びこれら酸化窒化シリ
コン膜と窒化シリコン膜の積層について、ＴＤＳ分析を行った結果を図３４（Ａ）に示す
。酸化窒化シリコン膜単層は多くの水素を放出するものの、窒化シリコン膜はこれに比べ
てほとんど水素を放出しないことが確認できた。また酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコ
ン膜を積層することで、水素が上部に拡散する量が低減した。この結果から、窒化シリコ
ン膜は水素に対してブロック性を有していることが確認できた。
【０５４８】
続いて、試料Ｋ及び試料Ｌについて、剥離に要する力を測定した結果を図３４（Ｂ）に示
す。試料Ｋでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離することができた。一方、第２
の層７６１４を形成しない試料Ｌでは、測定した２つの試料どちらも良好に剥離すること
ができなかった。
【０５４９】
この結果から、水素に対してブロック性を有する第２の層７６１４を設けることで、第１
の層７６１３から放出される水素が上方に拡散してしまうことを抑制し、剥離に寄与する
水素の量を増大させることが剥離性を向上させることが分かった。
【符号の説明】
【０５５０】
９８    棒
９９    発光装置
１０１    作製基板
１０３    剥離層
１０４    絶縁層
１０５    被剥離層
１０６    素子層
１０７    接着層
１０９    基板
１１１    接着層
１１２    接着層
１１３    樹脂層
１１４    基板
１１５    照射領域
１１７    剥離開始領域
１７１    接着層
１７３    基板
２０１    作製基板
２０３    剥離層
２０４    絶縁層
２０５    被剥離層
２０６    素子層
２０７    接着層
２２１    作製基板
２２３    剥離層
２２４    絶縁層
２２５    被剥離層
２２６    機能層
２３１    基板
２３３    接着層
３０１    表示部
３０２    画素
３０２Ｂ    副画素
３０２Ｇ    副画素
３０２Ｒ    副画素
３０２ｔ    トランジスタ
３０３ｃ    容量
３０３ｇ（１）    走査線駆動回路
３０３ｇ（２）    撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１）    画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２）    撮像信号線駆動回路
３０３ｔ    トランジスタ
３０４    ゲート
３０８    撮像画素
３０８ｐ    光電変換素子
３０８ｔ    トランジスタ
３０９    ＦＰＣ
３１０    携帯情報端末
３１１    配線
３１２    表示パネル
３１３    ヒンジ
３１５    筐体
３１９    端子
３２０    携帯情報端末
３２１    絶縁層
３２２    表示部
３２５    非表示部
３２８    隔壁
３２９    スペーサ
３３０    携帯情報端末
３３３    表示部
３３５    筐体
３３６    筐体
３３７    情報
３３９    操作ボタン
３４０    携帯情報端末
３４５    携帯情報端末
３５０Ｒ    発光素子
３５１    筐体
３５１Ｒ    下部電極
３５２    上部電極
３５３    ＥＬ層
３５３ａ    ＥＬ層
３５３ｂ    ＥＬ層
３５４    中間層
３５５    情報
３５６    情報
３５７    情報
３５８    表示部
３６０    接着層
３６７ＢＭ    遮光層
３６７ｐ    反射防止層
３６７Ｒ    着色層
３８０Ｂ    発光モジュール
３８０Ｇ    発光モジュール
３８０Ｒ    発光モジュール
３９０    タッチパネル
５０１    表示部
５０２Ｒ    副画素
５０２ｔ    トランジスタ
５０３ｃ    容量
５０３ｇ    走査線駆動回路
５０３ｔ    トランジスタ
５０５    タッチパネル
５０５Ｂ    タッチパネル
５０９    ＦＰＣ
５１０    基板
５１０ａ    絶縁層
５１０ｂ    可撓性基板
５１０ｃ    接着層
５１１    配線
５１９    端子
５２１    絶縁膜
５２８    隔壁
５５０Ｒ    発光素子
５６０    接着層
５６７ＢＭ    遮光層
５６７ｐ    反射防止層
５６７Ｒ    着色層
５７０    基板
５７０ａ    絶縁層
５７０ｂ    可撓性基板
５７０ｃ    接着層
５８０Ｒ    発光モジュール
５９０    基板
５９１    電極
５９２    電極
５９３    絶縁層
５９４    配線
５９５    タッチセンサ
５９７    接着層
５９８    配線
５９９    接続層
８０１    基板
８０３    基板
８０４    発光部
８０６    駆動回路部
８０８    ＦＰＣ
８１１    接着層
８１３    絶縁層
８１４    導電層
８１５    絶縁層
８１６    導電層
８１７    絶縁層
８１７ａ    絶縁層
８１７ｂ    絶縁層
８２０    トランジスタ
８２１    絶縁層
８２２    トランジスタ
８２３    接着層
８２４    接着層
８２５    接続体
８２７    スペーサ
８３０    発光素子
８３１    下部電極
８３３    ＥＬ層
８３５    上部電極
８４１    接着層
８４３    絶縁層
８４５    着色層
８４７    遮光層
８４９    オーバーコート
８５７    導電層
８５７ａ    導電層
８５７ｂ    導電層
８６２    ＥＬ層
８６４    導電層
７１００    携帯情報端末
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    バンド
７１０４    バックル
７１０５    操作ボタン
７１０６    入出力端子
７１０７    アイコン
７２００    照明装置
７２０１    台部
７２０２    発光部
７２０３    操作スイッチ
７２１０    照明装置
７２１２    発光部
７２２０    照明装置
７２２２    発光部
７３００    表示装置
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    操作ボタン
７３０４    部材
７３０５    制御部
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７６０１    支持基板
７６０２    剥離層
７６０３    薄膜
７６０４    テープ
７６０５    サポートローラ
７６０６    ガイドローラ
７６１１    支持基板
７６１２    剥離層
７６１３    第１の層
７６１４    第２の層
【図１】
2019091713.tif 000009
【図２】
2019091713.tif 000010
【図３】
2019091713.tif 000011
【図４】
2019091713.tif 000012
【図５】
2019091713.tif 000013
【図６】
2019091713.tif 000014
【図７】
2019091713.tif 000015
【図８】
2019091713.tif 000016
【図９】
2019091713.tif 000017
【図１０】
2019091713.tif 000018
【図１１】
2019091713.tif 000019
【図１２】
2019091713.tif 000020
【図１３】
2019091713.tif 000021
【図１４】
2019091713.tif 000022
【図１５】
2019091713.tif 000023
【図１６】
2019091713.tif 000024
【図１７】
2019091713.tif 000025
【図１８】
2019091713.tif 000026
【図１９】
2019091713.tif 000027
【図２０】
2019091713.tif 000028
【図２１】
2019091713.tif 000029
【図２２】
2019091713.tif 000030
【図２３】
2019091713.tif 000031
【図２４】
2019091713.tif 000032
【図２５】
2019091713.tif 000033
【図２６】
2019091713.tif 000034
【図２７】
2019091713.tif 000035
【図２８】
2019091713.tif 000036
【図２９】
2019091713.tif 000037
【図３０】
2019091713.tif 000038
【図３１】
2019091713.tif 000039
【図３２】
2019091713.tif 000040
【図３３】
2019091713.tif 000041
【図３４】
2019091713.tif 000042
【図３５】
2019091713.tif 000043
【図３６】
2019091713.tif 000044
【図３７】
2019091713.tif 000045
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月13日(2019.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第６の工程を有する剥離方法であって、
前記第１の工程は、第１の基板上に、剥離層を形成する工程を有し、
前記剥離層は、第１の部分を有し、
前記第２の工程は、前記剥離層上に、被剥離層を形成する工程を有し、
前記第３の工程は、接着層を、前記剥離層及び前記被剥離層と重ねて配置する工程を有し、
前記接着層に、シート状の接着剤を用い、
前記第４の工程は、前記接着層を硬化する工程を有し、
前記第５の工程は、前記第１の部分に対してレーザ光を照射し、除去する工程を有し、
前記第６の工程は、前記剥離層と前記被剥離層とを分離する工程を有する、剥離方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の工程において、前記剥離層の端部より内側に前記接着層の端部が位置するように、前記剥離層及び前記接着層を重ねる剥離方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記被剥離層は、無機絶縁膜を有する剥離方法。