(57)【要約】【課題】シリコンインゴットから効率良くウエーハを生成することができるウエーハ生成方法を提供する。【解決手段】ウエーハ生成方法は、シリコンインゴット２を切断してブロックインゴット６を生成するブロックインゴット生成工程と、ブロックインゴット６の端面６ａを研削して平坦化する平坦化工程と、シリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点をブロックインゴット６の端面６ａから生成すべきウエーハ７０の厚みに相当する深さの内部に位置づけてレーザー光線ＬＢをブロックインゴット６に照射して分離層４０を形成する分離層形成工程と、分離層４０から生成すべきウエーハ７０を分離するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成される。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、
シリコンインゴットを切断してブロックインゴットを生成するブロックインゴット生成工程と、
ブロックインゴットの端面を研削して平坦化する平坦化工程と、
シリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をブロックインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの内部に位置づけてレーザー光線をブロックインゴットに照射して分離層を形成する分離層形成工程と、
分離層から生成すべきウエーハを分離するウエーハ生成工程と、
から少なくとも構成されるウエーハ生成方法。
【請求項２】
結晶方位を示すオリエンテーションフラット又はノッチをシリコンインゴットに形成する結晶方位形成工程を該ブロックインゴット生成工程の前に実施する請求項１記載のウエーハ生成方法。
【請求項３】
生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の内部にシリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を生成すべきウエーハに照射して製造履歴を形成する製造履歴形成工程を含む請求項１記載のウエーハ生成方法。
【請求項４】
該製造履歴形成工程において形成する製造履歴は、ブロックインゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれる請求項３記載のウエーハの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスは、シリコンを素材とするウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、ワイヤーソー、インナーソー等の切断機によってシリコンインゴットをスライスして生成される（たとえば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−９１６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ワイヤーソー、インナーソー等の切断機によってシリコンインゴットをスライスしてウエーハを生成すると、切り代が比較的大きくシリコンインゴットの大部分（６０〜７０％程度）が捨てられることになり生産性が悪いという問題がある。
【０００６】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、シリコンインゴットから効率良くウエーハを生成することができるウエーハ生成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハ生成方法である。すなわち、シリコンインゴットからウエーハを生成するウエーハ生成方法であって、シリコンインゴットを切断してブロックインゴットを生成するブロックインゴット生成工程と、ブロックインゴットの端面を研削して平坦化する平坦化工程と、シリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をブロックインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの内部に位置づけてレーザー光線をブロックインゴットに照射して分離層を形成する分離層形成工程と、分離層から生成すべきウエーハを分離するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成されるウエーハ生成方法である。
【０００８】
好ましくは、結晶方位を示すオリエンテーションフラット又はノッチをシリコンインゴットに形成する結晶方位形成工程を該ブロックインゴット生成工程の前に実施する。生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の内部にシリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を生成すべきウエーハに照射して製造履歴を形成する製造履歴形成工程を含むのが好適である。該製造履歴形成工程において形成する製造履歴は、ブロックインゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれるのが好都合である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明が提供するウエーハ生成方法は、シリコンインゴットを切断してブロックインゴットを生成するブロックインゴット生成工程と、ブロックインゴットの端面を研削して平坦化する平坦化工程と、シリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をブロックインゴットの端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの内部に位置づけてレーザー光線をブロックインゴットに照射して分離層を形成する分離層形成工程と、分離層から生成すべきウエーハを分離するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成されているので、シリコンインゴットの切り代を減少させることができ、したがってシリコンインゴットからウエーハを効率よく生成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】シリコンインゴットの斜視図。
【図２】結晶方位形成工程が実施されたシリコンインゴットの斜視図。
【図３】ブロックインゴット生成工程が実施されたシリコンインゴットの斜視図。
【図４】樹脂層被覆工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図５】研削装置のチャックテーブルにブロックインゴットが載せられる状態を示す斜視図。
【図６】平坦化工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図７】分離層形成工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図８】分離層が形成されたブロックインゴットの上部拡大側面図。
【図９】製造履歴形成工程が実施されている状態を示す斜視図。
【図１０】分離層及び製造履歴が形成されたブロックインゴットの上部拡大側面図。
【図１１】分離装置のチャックテーブルの上方に液槽体が位置している状態を示す斜視図。
【図１２】ウエーハ生成工程が実施されている状態を示す断面図。
【図１３】分離装置によってブロックインゴットからウエーハが分離された状態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のウエーハ生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１２】
図１に示すシリコンインゴット２は、円柱状部２ａと、円柱状部２ａの上端から上方に延びる円錐状部２ｂとを有する。図示の実施形態では、まず、結晶方位を示すオリエンテーションフラット又はノッチをシリコンインゴット２に形成する結晶方位形成工程を実施する。図示の実施形態における結晶方位形成工程では、図２に示すとおり、シリコンインゴット２の円柱状部２ａの周面に上下方向に延びるノッチ４を形成している。結晶方位形成工程を実施した後、インナーソー、ワイヤーソー等の適宜の切断機によりシリコンインゴット２を切断して、図３に示すとおり、円柱状のブロックインゴット６を生成するブロックインゴット生成工程を実施する。ブロックインゴット６の厚み（軸方向寸法）は、たとえば２０〜４０ｍｍ程度でよい。
【００１３】
図示の実施形態では、ブロックインゴット生成工程を実施した後、ブロックインゴット６の切断面である円形状の端面６ａの一方に外面が平坦な樹脂層を被覆する樹脂層被覆工程を実施する。図４を参照して説明すると、樹脂層被覆工程では、まず、ベース部材８の平坦面８ａにエポキシ樹脂等の液状樹脂１０を滴下する。次いで、ベース部材８にブロックインゴット６を載せ、ベース部材８の平坦面８ａとブロックインゴット６の端面６ａの一方とで液状樹脂１０を挟み込んだ状態で、液状樹脂１０を固化させる。次いで、ブロックインゴット６の端面６ａの形状に対応して液状樹脂１０が固化した円板状の樹脂層１２（図５参照。）からベース部材８を剥離する。これによって、ブロックインゴット６の端面６ａの一方に外面が平坦な樹脂層１２を被覆することができる。なお、ベース部材８は、ブロックインゴット６の端面６ａよりも面積が大きい平坦面８ａを有していればよく、図４に示すような円板形状でなくてもよい。また、ベース部材８の材料は、液状樹脂１０が固化した樹脂層１２から剥離可能な材料であればよく、たとえばガラス材料や金属材料を使用することができる。
【００１４】
樹脂層被覆工程を実施した後、ブロックインゴット６の端面６ａを研削して平坦化する平坦化工程を実施する。平坦化工程は、たとえば図５及び図６にその一部を示す研削装置１４を用いて実施することができる。研削装置１４は、インゴットを保持するチャックテーブル１６と、チャックテーブル１６に保持されたインゴットを研削する研削手段１８とを備える。図５に示すとおり、チャックテーブル１６の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック２０が配置されている。吸着チャック２０は流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。そして、チャックテーブル１６においては、吸引手段によって吸着チャック２０の上面に吸引力を生成することにより、吸着チャック２０の上面に載せられたインゴットを吸着して保持することができる。また、円形状のチャックテーブル１６は、チャックテーブル１６の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を回転中心として回転手段（図示していない。）によって回転される。図６に示すとおり、研削手段１８は、モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル２２と、スピンドル２２の下端に固定された円板状のホイールマウント２４とを含む。ホイールマウント２４の下面にはボルト２６によって環状の研削ホイール２８が固定されている。研削ホイール２８の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石３０が固定されている。また、研削砥石３０がチャックテーブル１６の回転中心を通るように、研削ホイール２８の回転中心はチャックテーブル１６の回転中心に対して変位している。このため、チャックテーブル１６と研削ホイール２８とが相互に回転しながら、チャックテーブル１６の上面に保持されたインゴットの上面と研削砥石３０とが接触した場合に、インゴットの上面全体が研削砥石３０によって研削される。
【００１５】
図５に示すとおり、平坦化工程では、まず、樹脂層１２を下に向けて、チャックテーブル１６の上面にブロックインゴット６を載せ、吸着チャック２０に接続された吸引手段を作動させる。そうすると、樹脂層１２の外面が平坦であることから吸着チャック２０の上面と樹脂層１２の外面とが密着し、吸着チャック２０と樹脂層１２との間からエアーが吸い込まれることなく、樹脂層１２の外面が吸着チャック２０によって所定の吸引力で吸着され保持される。次いで、図６に示すとおり、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル１６を回転手段で回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル２２をモータで回転させる。次いで、研削装置１４の昇降手段（図示していない。）でスピンドル２２を下降させ、ブロックインゴット６の端面６ａ（樹脂層１２が被覆されていない方の切断面）に研削砥石３０を接触させる。そして、ブロックインゴット６の端面６ａに研削砥石３０を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル２２を下降させる。これによって、ブロックインゴット６の端面６ａを研削して、後述の分離層形成工程や製造履歴形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢの入射を妨げない程度にブロックインゴット６の端面６ａを平坦化することができる。
【００１６】
平坦化工程を実施した後、シリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をブロックインゴット６の端面６ａから生成すべきウエーハの厚みに相当する深さの内部に位置づけてレーザー光線をブロックインゴット６に照射して分離層を形成する分離層形成工程を実施する。分離層形成工程は、たとえば図７にその一部を示すレーザー加工装置３２を用いて実施することができる。レーザー加工装置３２は、インゴットを保持するチャックテーブル３４と、シリコンに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを発振する発振器（図示していない。）と、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力を調整するアッテネーター（図示していない。）と、アッテネーターによって出力が調整されたパルスレーザー光線ＬＢを集光してチャックテーブル３４に保持されたインゴットに照射する集光器３６とを備える。上面においてインゴットを吸着するように構成されている円形状のチャックテーブル３４は、チャックテーブル３４の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を回転中心として回転手段（図示していない。）によって回転され、Ｘ軸方向移動手段（図示していない。）によってＸ軸方向に進退され、Ｙ軸方向移動手段（図示していない。）によってＹ軸方向に進退される。なお、Ｘ軸方向は図７に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ軸方向は図７に矢印Ｙで示す方向であってＸ軸方向に直交する方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。
【００１７】
図７を参照して説明を続けると、分離層形成工程では、まず、樹脂層１２を下に向けて、端面６ａが平坦化されたブロックインゴット６をチャックテーブル３４の上面に吸着させて保持させる。次いで、レーザー加工装置３２の撮像手段（図示していない。）で上方からブロックインゴット６を撮像する。次いで、撮像手段で撮像した画像に基づいて、Ｘ軸方向移動手段及びＹ軸方向移動手段でチャックテーブル３４を移動させることにより、ブロックインゴット６と集光器３６とのＸＹ平面における位置を調整する。次いで、レーザー加工装置３２の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器３６を光軸方向（上下方向）に移動させ、平坦化されたブロックインゴット６の端面６ａから生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに集光点を位置づける。次いで、Ｘ軸方向移動手段でチャックテーブル３４をＸ軸方向に所定の加工送り速度で移動させながら、シリコンに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３６からブロックインゴット６に照射する分離層形成加工を行う。分離層形成加工を行うと、パルスレーザー光線ＬＢに照射によりブロックインゴット６の内部に直線状の改質層３８が形成される。次いで、Ｙ軸方向移動手段でチャックテーブル３４をＹ軸方向に所定インデックス量Ｌｉだけインデックス送りする。そして、分離層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ軸方向に延びる直線状の改質層３８をＹ軸方向に所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて縞状に複数形成する。これによって図８に示すとおり、ブロックインゴット６の端面６ａから生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層３８からなる、ブロックインゴット６からウエーハを分離するための分離層４０を形成することができる。このような分離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４〜１３００ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：３．２Ｗ
パルス幅                    ：４ｎｓ
集光点の直径                ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．８
集光点のＺ軸方向位置        ：ブロックインゴットの端面から６００μｍ
加工送り速度                ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
インデックス量              ：１０〜３０μｍ
【００１８】
図示の実施形態では、分離層形成工程を実施した後、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域の内部にシリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線を生成すべきウエーハに照射して製造履歴を形成する製造履歴形成工程を実施する。製造履歴形成工程は、上述のレーザー加工装置３２を用いて実施することができる。製造履歴形成工程では、まず、分離層形成工程においてレーザー加工装置３２の撮像手段で撮像したブロックインゴット６の画像に基づいて、Ｘ軸方向移動手段又はＹ軸方向移動手段でチャックテーブル３４を移動させることにより、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない外周余剰領域の上方に集光器３６を位置づける。次いで、集光点位置調整手段で集光器３６を光軸方向に移動させ、ブロックインゴット６の端面６ａから生成すべきウエーハの外周余剰領域の内部に集光点を位置づける。次いで、ブロックインゴット６と集光点とを相対的に適宜移動させながら、シリコンに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器３６から生成すべきウエーハに照射する。これによって、生成すべきウエーハの外周余剰領域の内部に、バーコードの形態によって構成され得る製造履歴４２を形成することができる。製造履歴形成工程において形成する製造履歴４２は、ブロックインゴット６のロットナンバー、ブロックインゴット６から生成されるウエーハの順番、ウエーハの製造年月日、ウエーハの製造工場、ウエーハの生成に寄与した機種のいずれかが含まれるのが好ましい。製造履歴形成工程においてブロックインゴット６と集光点とを相対的に移動させる際は、図示の実施形態では、Ｘ軸方向移動手段、Ｙ軸方向移動手段及び回転手段を用いて、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びブロックインゴット６の周方向においてブロックインゴット６と集光点とを相対的に移動させることができる。生成すべきウエーハの内部に形成する製造履歴４２の深さについては、分離層形成工程において形成した分離層４０から製造履歴４２を離間させることにより、ウエーハが分離された後にウエーハの分離面が研削されて平坦化される際に製造履歴４２が除去されないようにする。製造履歴形成工程においてブロックインゴット６に照射するパルスレーザー光線ＬＢの出力については、発振器が発振したパルスレーザー光線ＬＢの出力をアッテネーターによって適宜調整することにより、分離層形成工程においてブロックインゴット６に照射するパルスレーザー光線ＬＢの出力とは異なる出力としてもよい。このような製造履歴形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４〜１３００ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：１．０Ｗ
パルス幅                    ：４ｎｓ
集光点の直径                ：３μｍ
集光レンズの開口数（ＮＡ）  ：０．８
集光点のＺ軸方向位置        ：ブロックインゴットの端面から１００μｍ
【００１９】
製造履歴形成工程を実施した後、分離層４０から生成すべきウエーハを分離するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程は、たとえば図１１ないし図１３にその一部を示す分離装置４４を用いて実施することができる。分離装置４４は、インゴットを保持するチャックテーブル４６と、チャックテーブル４６に保持されたインゴットの上面を保持し分離層を起点としてインゴットからウエーハを分離する分離手段４８とを備える。円形状のチャックテーブル４６は、上面においてインゴットを吸着するように構成されている。分離手段４８は、チャックテーブル４６と協働して液体を収容する液槽体５０を含む。適宜の昇降手段（図示していない。）によって昇降される液槽体５０は、円形状の天面壁５２と、天面壁５２の周縁から垂下する円筒状の側壁５４とを有し、下端側が開放されている。天面壁５２には液槽体５０の外部と内部とを連通する円筒状の液体供給部５６が付設され、液体供給部５６は流路によって液体供給手段（図示していない。）に接続されている。図１２に示すとおり、側壁５４の下端には環状のパッキン５８が付設されている。そして、液槽体５０が下降されてチャックテーブル４６の上面に側壁５４の下端が密着すると、チャックテーブル４６の上面と液槽体５０の内面とで液体収容空間６０が規定される。液体供給手段から液体供給部５６を通って液体収容空間６０に供給された液体６２は、パッキン５８によって液体収容空間６０から漏れるのが防止される。図１２に示すとおり、液槽体５０の天面壁５２にはエアシリンダ６４が装着され、エアシリンダ６４のシリンダチューブ６４ａは天面壁５２の上面から上方に延びている。天面壁５２の貫通開口５２ａを通過して天面壁５２の下方に突出しているエアシリンダ６４のピストンロッド６４ｂの下端部には、圧電セラミックス等から形成され得る円板状の超音波振動生成部材６６が固定されている。超音波振動生成部材６６の下面には円板状の吸着片６８が固定されている。吸着片６８は、下面においてインゴットを吸着するように構成されている。
【００２０】
ウエーハ生成工程では、まず、樹脂層１２を下に向けて、分離層４０及び製造履歴４２が形成されたブロックインゴット６をチャックテーブル４６の上面に吸着させて保持させる。次いで、図１２に示すとおり、昇降手段で液槽体５０を下降させ、チャックテーブル４６の上面に液槽体５０の側壁５４の下端を密着させる。次いで、エアシリンダ６４のピストンロッド６４ｂを移動させ、ブロックインゴット６の端面６ａに吸着片６８の下面を吸着させて保持させる。次いで、液体供給部５６に接続された液体供給手段を作動させ、超音波振動生成部材６６が浸漬するまで液体収容空間６０に液体６２（たとえば水）を供給する。次いで、超音波振動生成部材６６を作動させ、ブロックインゴット６に超音波振動を付与すると、分離層４０を起点として生成すべきウエーハ７０をブロックインゴット６から分離することができる。次いで、昇降手段で液槽体５０を上昇させ、液体収容空間６０から液体６２を排出する。次いで、図１３に示すとおり、ブロックインゴット６から生成したウエーハ７０が液槽体５０の側壁５４の下端よりも下方に突出するまで、エアシリンダ６４のピストンロッド６４ｂを下降させる。ウエーハ７０とブロックインゴット６との分離面７２は凹凸となっており、分離面７２の凹凸の高さは、たとえば１００μｍ程度である。なお、分離したウエーハ７０は、図１３に示す状態から、上述の研削装置１４の構成要素と同一の構成要素から構成され得るウエーハ研削装置に搬送され、分離面７２が研削されて平坦化された後、ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成される。
【００２１】
そして、ブロックインゴット６に対して、平坦化工程、分離層形成工程、製造履歴形成工程及びウエーハ生成工程を繰り返し実施することにより、ブロックインゴット６から複数枚のウエーハ７０を生成する。ウエーハ生成工程を実施した後の平坦化工程におけるブロックインゴット６の分離面７２の研削量は、分離面７２の凹凸の高さの分（１００μｍ程度）でよいので、ワイヤーソーやインナーソーでブロックインゴット６をスライスしてウエーハを生成する場合のブロックインゴット６の切り代と比較して十分小さい。したがって、上述したとおりの図示の実施形態では、シリコンインゴット２の切り代を減少させることができ、シリコンインゴット２からウエーハ７０を効率よく生成することができる。
【００２２】
図示の実施形態では、生成すべきウエーハ７０のデバイスが形成されない外周余剰領域の内部に製造履歴４２を形成する製造履歴形成工程を含むので、ウエーハ７０にデバイスを形成する過程において、ウエーハ７０の内部に形成されたウエーハ７０の製造履歴４２が確認され得る。したがって図示の実施形態のウエーハ生成方法によって生成されたウエーハ７０においては、ウエーハ７０に形成されたデバイスに欠陥が生じた場合、ウエーハ７０の製造履歴４２を遡ってデバイスの欠陥の原因が追究され得るので、デバイスの欠陥の再発防止につなげることができる。
【００２３】
なお、図示の実施形態では、研削装置１４、レーザー加工装置３２及び分離装置４４のそれぞれのチャックテーブル１６、３４、４６においてブロックインゴット６を吸着させる例を説明したが、研削装置１４、レーザー加工装置３２及び分離装置４４のそれぞれのチャックテーブル１６、３４、４６を１つのチャックテーブルとし、１つのチャックテーブルが研削装置１４、レーザー加工装置３２及び分離装置４４を移動するように構成し、チャックテーブルにエポキシ樹脂系接着剤等の適宜の接着剤を介してブロックインゴット６を固定してもよい。この場合には、ブロックインゴット６の切断面である端面６ａが平坦でなくても、ブロックインゴット６を上記の各チャックテーブル１６、３４、４６に固定することができるので、ブロックインゴット６の端面６ａの一方に外面が平坦な樹脂層１２を被覆する樹脂層被覆工程を実施しなくてもよい。
【００２４】
図示の実施形態では、樹脂層被覆工程においてベース部材８を樹脂層１２から剥離する例を説明したが、ベース部材８を樹脂層１２から剥離することなく、平坦化工程、分離層形成工程、製造履歴形成工程、ウエーハ生成工程を実施してもよい。
【００２５】
図示の実施形態では、分離層形成工程において、レーザー加工装置３２のチャックテーブル３４をＸ軸方向に移動させながらパルスレーザー光線ＬＢをブロックインゴット６に照射する分離層形成加工とチャックテーブル３４のＹ軸方向へのインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、直線状の改質層３８を所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいてブロックインゴット６の内部に縞状に複数形成する例を説明したが、分離層形成工程は上述のとおりの態様に限定されるものではない。たとえば、分離層形成工程において、パルスレーザー光線ＬＢの集光点をブロックインゴット６の径方向中心に位置づけた上で、チャックテーブル３４を回転させると共に集光点に対してチャックテーブル３４を径方向外方に移動さながらパルスレーザー光線ＬＢをブロックインゴット６に照射することにより、渦巻状の改質層からなる分離層を形成してもよい。また、分離層形成工程において、チャックテーブル３４を回転させながらパルスレーザー光線ＬＢをブロックインゴット６に照射する分離層形成加工とチャックテーブル３４の径方向へのインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、同心円状の複数の改質層からなる分離層を形成してもよい。
【符号の説明】
【００２６】
２：シリコンインゴット
４：ノッチ
６：ブロックインゴット
６ａ：端面
４０：分離層
４２：製造履歴
７０：ウエーハ
ＬＢ：パルスレーザー光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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