(57)【要約】【課題】本開示は、綿状塊の発生を抑制することが可能な基板処理装置を説明する。【解決手段】基板処理装置は、基板を保持し、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに所定の回転数で基板を回転させる回転保持部と、表面側に位置する処理液ノズルから処理液を表面に供給させるように構成された処理液供給部と、表面側に位置する少なくとも一つの吐出ノズルから有機溶剤を表面に供給させるように構成された溶剤供給部と、制御部とを備える。制御部は、回転保持部及び処理液供給部を制御して、回転保持部が基板を回転させているときに、処理液ノズルから処理液を表面に供給させる第１の処理と、溶剤供給部を制御して、基板の回転に伴い生ずる遠心力により処理液が基板の外周縁に到達する前に、外周縁よりも外側において吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出させる第２の処理とを実行する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持し、前記基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに所定の回転数で前記基板を回転させる回転保持部と、
前記表面側に位置する処理液ノズルから処理液を前記表面に供給させるように構成された処理液供給部と、
前記表面側に位置する少なくとも一つの吐出ノズルから有機溶剤を前記表面に供給させるように構成された溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記処理液供給部を制御して、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記処理液ノズルから前記処理液を前記表面に供給させる第１の処理と、
前記溶剤供給部を制御して、前記基板の回転に伴い生ずる遠心力により前記処理液が前記基板の外周縁に到達する前に、前記外周縁よりも外側において前記吐出ノズルから前記有機溶剤を下方に吐出させる第２の処理とを実行する、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記表面に前記処理液が供給された後に前記第２の処理を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板の裏面側に位置する洗浄液ノズルから洗浄液を前記裏面に供給させるように構成された洗浄液供給部をさらに備え、
前記制御部は、
前記表面の全体に前記処理液が供給され前記表面に処理膜が形成された後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を回転させて前記処理膜を乾燥させる第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記洗浄液供給部を制御して、前記洗浄液ノズルから前記洗浄液を前記外周縁側に向けて前記裏面に供給する第４の処理とをさらに実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板を加熱するように構成された加熱部をさらに備え、
前記制御部は、
前記表面の全体に前記処理液が供給され前記表面に処理膜が形成された後に、前記加熱部を制御して前記基板を加熱させ、前記処理膜が固化した固化膜を形成する第５の処理と、
前記溶剤供給部を制御して、前記吐出ノズルから前記有機溶剤を前記固化膜の周縁部に供給し、前記周縁部を溶かして前記基板から除去する第６の処理とをさらに実行する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２の処理では、前記回転軸の延在方向から見て、前記吐出ノズルから吐出される有機溶剤と前記外周縁との間の離間距離が０．５ｍｍ以上に設定されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部を制御して、第１の回転数で前記基板を回転させ、前記処理液を前記外周縁に向けて拡げる第７の処理と、
前記第７の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で前記基板を回転させ、前記処理液を前記基板の中央側に寄せる第８の処理と、
前記第８の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記第２の回転数よりも高い第３の回転数で前記基板を回転させ、前記処理液を再び前記外周縁側に向けて拡げる第９の処理とをさらに実行し、
前記第２の処理を前記第７及び第９の処理と共に実行する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液の粘度は２０００ｃＰ以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに所定の回転数で前記基板を回転させつつ、前記基板の上方に位置する処理液ノズルから処理液を前記表面に供給することと、
前記基板の回転に伴い生ずる遠心力により前記処理液が前記基板の外周縁に到達する前に、前記外周縁寄りも外側において、前記基板の上方に位置する吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出することとを含む、基板処理方法。
【請求項９】
前記吐出ノズルから有機溶剤を吐出することは、前記表面に前記処理液が供給された後に行われる、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記表面の全体に前記処理液が供給され前記表面に処理膜が形成された後に、前記回転軸周りに前記基板を回転させて前記処理膜を乾燥させることと、
前記処理膜を乾燥させることの後に、前記基板の裏面側に位置する洗浄液ノズルから洗浄液を前記外周縁側に向けて前記裏面に供給することとをさらに含む、請求項８又は９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記表面の全体に前記処理液が供給され前記表面に処理膜が形成された後に、加熱部により前記基板を加熱して、前記処理膜が固化した固化膜を形成することと、
前記吐出ノズルから前記有機溶剤を前記固化膜の周縁部に供給し、前記周縁部を溶かして前記基板から除去することとをさらに含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記吐出ノズルから有機溶剤を吐出することは、前記回転軸の延在方向から見て、前記吐出ノズルから吐出される有機溶剤と前記外周縁との間の離間距離が０．５ｍｍ以上に設定されていることを含む、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記処理液ノズルから処理液を前記表面に供給することの後に、
第１の回転数で前記基板を回転させて前記処理液を前記外周縁に向けて拡げつつ、前記外周縁寄りも外側において前記吐出ノズルから前記有機溶剤を下方に吐出することと、
前記第１の回転数よりも低い第２の回転数で前記基板を回転させて、前記処理液を前記基板の中央側に寄せることと、
前記第２の回転数よりも高い第３の回転数で前記基板を回転させて前記処理液を再び前記外周縁側に向けて拡げつつ、前記外周縁寄りも外側において前記吐出ノズルから前記有機溶剤を下方に吐出することとをこの順に含む、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液の粘度は２０００ｃＰ以上である、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、基板（例えば、半導体ウエハ）を微細加工して半導体デバイスを製造するにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターンを基板に形成することが広く行われている。例えば、基板に凹凸パターンを形成する工程は、ウエハの表面にレジスト膜を形成することと、このレジスト膜を所定のパターンに沿って露光することと、露光後のレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成することと、レジストパターンを介して基板をエッチングすることを含む。
【０００３】
ウエハの表面にレジスト膜を形成する際には、例えば、スピンコート法が採用されている。スピンコート法は、回転している基板の表面にレジスト液を吐出することで、遠心力によりレジスト液を拡散し、基板の全面にわたってレジスト液を塗布する方法である。スピンコート法によれば、レジスト液の塗布に際して、レジスト液が基板の周縁から基板の裏面に回り込む場合がある。これは、基板が高速回転すると、基板の裏面側に負圧が生じ、基板の裏面側において中心軸側に向かおうとする空気の流れが生ずるためである。そこで、特許文献１は、基板の裏面に対向するベース部材に通気孔を設けることを開示している。これにより、通気孔を通じて空気が流動するので、基板の裏面側が負圧となることが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２８３８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、ＭＥＭＳ（MicroElectro Mechanical Systems）等の製造にあたり、基板を立体的に加工するために、例えば５μｍ〜６０μｍ程度の膜厚の厚いレジスト膜（レジスト厚膜）を基板の表面に形成することがある。レジスト厚膜の材料としては、例えば、粘度が高く且つ基板の表面で流動し難い塗布液（例えばポリイミド）が用いられる。このような塗布液の粘度は、例えば、２０００ｃＰ程度以上である。
【０００６】
当該塗布液を基板の表面に滴下して基板をある程度高回転させた状態でスピンコートすると、当該塗布液が基板の表面全体に塗布され、塗布膜の膜厚の均一性が高まる。ところが、塗布液の多くが基板の外周縁から外方に向けて振り切られてしまうので、形成される塗布膜の膜厚を所望の大きさにし難くなる。
【０００７】
一方、膜厚の厚いレジスト膜を得るために、当該塗布液を基板の表面に滴下して基板をある程度低回転させた状態でスピンコートすると、塗布膜の一部が基板の外周縁から振り切られる。塗布液が高粘度であるので、基板の外周縁から振り切られた塗布膜は、外周縁から紐状に引き延ばされ、外周縁から径方向外方に向けて延びる紐状部が形成される。この過程で、塗布膜及び紐状部は徐々に乾燥してゲル化する。ゲル化した紐状部は、基板の下方に向けて垂れ下がり、互いに絡まり合って綿状の塊（以下、「綿状塊」と称する。）となる。
【０００８】
特許文献１に記載の洗浄装置では、基板の裏面側が負圧になることが抑制されるため、ゲル化した紐状部が基板の裏面側で絡まり合うことが抑制される。しかしながら、綿状塊自体の発生は防げないため、綿状塊を除去するための定期的なメンテナンスを要する。
【０００９】
そこで、本開示は、綿状塊の発生を抑制することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
［１］本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板を保持し、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに所定の回転数で基板を回転させる回転保持部と、表面側に位置する処理液ノズルから処理液を表面に供給させるように構成された処理液供給部と、表面側に位置する少なくとも一つの吐出ノズルから有機溶剤を表面に供給させるように構成された溶剤供給部と、制御部とを備える。制御部は、回転保持部及び処理液供給部を制御して、回転保持部が基板を回転させているときに、処理液ノズルから処理液を表面に供給させる第１の処理と、溶剤供給部を制御して、基板の回転に伴い生ずる遠心力により処理液が基板の外周縁に到達する前に、外周縁よりも外側において吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出させる第２の処理とを実行する。
【００１１】
本開示の一つの観点に係る基板処理装置では、制御部が溶剤供給部を制御して、基板の回転に伴い生ずる遠心力により処理液が基板の外周縁に到達する前に、外周縁よりも外側において吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出させる第２の処理を実行している。そのため、処理液が基板の外周縁に到達して外周縁から振り切られたとしても、当該振り切られた処理液は、吐出ノズルから吐出された有機溶剤に衝突して吹き飛ばされ、その後下方に流される。すなわち、吐出ノズルから吐出される有機溶剤は、あたかも当該振り切られた処理液を切断する機能を発揮する。このように、当該振り切られた処理液が紐状部となる前に有機溶剤で切断されるので、当該振り切られた処理液が基板の裏面側に極めて回り込み難い。従って、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。
【００１２】
［２］上記第１項に記載の基板処理装置において、制御部は、表面に処理液が供給された後に第２の処理を実行してもよい。この場合、基板から処理液が振り切られ得ない状況での有機溶剤の吐出が制限される。そのため、有機溶剤の使用量を削減することが可能となる。
【００１３】
［３］上記第１項又は第２項に記載の基板処理装置は、基板の裏面側に位置する洗浄液ノズルから洗浄液を裏面に供給させるように構成された洗浄液供給部をさらに備え、制御部は、表面の全体に処理液が供給され表面に処理膜が形成された後に、回転保持部を制御して、基板を回転させて処理膜を乾燥させる第３の処理と、第３の処理の後に、洗浄液供給部を制御して、洗浄液ノズルから洗浄液を外周縁側に向けて裏面に供給する第４の処理とをさらに実行してもよい。この場合、処理膜のうち基板の外周縁から若干はみ出る部分が存在したとしても、洗浄液ノズルによって裏面側から供給される洗浄液により、当該はみ出た部分が除去される。そのため、基板の外形に対応し且つより整った形状の処理膜を基板の表面に形成することが可能となる。
【００１４】
［４］上記第１項〜第３項のいずれか一項に記載の基板処理装置は、基板を加熱するように構成された加熱部をさらに備え、制御部は、表面の全体に処理液が供給され表面に処理膜が形成された後に、加熱部を制御して基板を加熱させ、処理膜が固化した固化膜を形成する第５の処理と、溶剤供給部を制御して、吐出ノズルから有機溶剤を固化膜の周縁部に供給し、周縁部を溶かして基板から除去する第６の処理とをさらに実行してもよい。ところで、例えば、粘度の高い処理液を基板の表面に滴下してスピンコートすると、基板の周縁部において凸状の盛り上がり（いわゆるハンプ）が生じてレジスト厚膜が特に厚くなり、レジスト厚膜の面内均一性が低下しうる。そこで、固化した処理膜の周縁部に有機溶剤を供給して、ハンプを除去する技術が知られている。第４項に記載の基板処理装置によれば、このようなハンプの除去処理と、基板から振り切られた処理液の切断処理とが、同じ吐出ノズルにより実行される。そのため、吐出ノズルが複数の機能を併有するので、装置のコンパクト化を図ることが可能となる。
【００１５】
［５］上記第１項〜第４項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、第２の処理では、回転軸の延在方向から見て、吐出ノズルから吐出される有機溶剤と外周縁との間の離間距離が０．５ｍｍ以上に設定されていてもよい。この場合、基板の保持位置にずれが生じたとしても、吐出ノズルから吐出された有機溶剤が基板に供給され難くなる。
【００１６】
［６］上記第１項〜第５項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、制御部は、第１の処理の後に、回転保持部を制御して、第１の回転数で基板を回転させ、処理液を外周縁に向けて拡げる第７の処理と、第７の処理の後に、回転保持部を制御して、第１の回転数よりも低い第２の回転数で基板を回転させ、処理液を基板の中央側に寄せる第８の処理と、第８の処理の後に、回転保持部を制御して、第２の回転数よりも高い第３の回転数で基板を回転させ、処理液を再び外周縁側に向けて拡げる第９の処理とをさらに実行し、第２の処理を第７及び第９の処理と共に実行してもよい。この場合、第７の処理で処理液が基板の表面にある程度拡げられるので、第９の処理における処理液は、既に基板の表面に存在している第７の処理における処理液の上を滑りながら基板の表面を拡がっていく。そのため、基板の表面全体に処理液が行き渡りやすくなるのみならず、基板の表面に形成される処理膜の膜厚が均一になりやすい。しかも、処理液が基板の中央側に寄せられる第８の処理に際して、吐出ノズルから有機溶剤が吐出されないので、基板から処理液が振り切られ難い状況での有機溶剤の吐出が制限される。そのため、有機溶剤の使用量を削減することが可能となる。
【００１７】
［７］上記第１項〜第６項のいずれか一項に記載の基板処理装置において、処理液の粘度は２０００ｃＰ以上であってもよい。この場合、特に綿状塊が生じやすい高粘度の処理液を用いても、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。
【００１８】
［８］本開示の他の観点に係る基板処理方法は、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに所定の回転数で基板を回転させつつ、基板の上方に位置する処理液ノズルから処理液を表面に供給することと、基板の回転に伴い生ずる遠心力により処理液が基板の外周縁に到達する前に、外周縁寄りも外側において、基板の上方に位置する吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出することとを含む。この場合、上記第１項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００１９】
［９］上記第８項に記載の基板処理方法は、吐出ノズルから有機溶剤を吐出することは、表面に処理液が供給された後に行われてもよい。この場合、上記第２項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２０】
［１０］上記第８項又は第９項に記載の基板処理方法は、表面の全体に処理液が供給され表面に処理膜が形成された後に、回転軸周りに基板を回転させて処理膜を乾燥させることと、処理膜を乾燥させることの後に、基板の裏面側に位置する洗浄液ノズルから洗浄液を外周縁側に向けて裏面に供給することとをさらに含んでもよい。この場合、上記第３項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２１】
［１１］上記第８項〜第１０項のいずれか一項に記載の基板処理方法は、表面の全体に処理液が供給され表面に処理膜が形成された後に、加熱部により基板を加熱して、処理膜が固化した固化膜を形成することと、吐出ノズルから有機溶剤を固化膜の周縁部に供給し、周縁部を溶かして基板から除去することとをさらに含んでもよい。この場合、上記第４項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２２】
［１２］上記第８項〜第１１項のいずれか一項に記載の基板処理方法において、吐出ノズルから有機溶剤を吐出することは、回転軸の延在方向から見て、吐出ノズルから吐出される有機溶剤と外周縁との間の離間距離が０．５ｍｍ以上に設定されていてもよい。この場合、上記第５項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２３】
［１３］上記第８項〜第１２項のいずれか一項に記載の基板処理方法は、処理液ノズルから処理液を表面に供給することの後に、第１の回転数で基板を回転させて処理液を外周縁に向けて拡げつつ、外周縁寄りも外側において吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出することと、第１の回転数よりも低い第２の回転数で基板を回転させて、処理液を基板の中央側に寄せることと、第２の回転数よりも高い第３の回転数で基板を回転させて処理液を再び外周縁側に向けて拡げつつ、外周縁寄りも外側において吐出ノズルから有機溶剤を下方に吐出することとをこの順に含んでもよい。この場合、上記第６項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２４】
［１４］上記第８項〜第１３項のいずれか一項に記載の基板処理方法において、処理液の粘度は２０００ｃＰ以上であってもよい。この場合、上記第７項に係る基板処理装置と同様の作用効果が得られる。
【００２５】
［１５］本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記第８項〜第１４項のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録している。本開示の他の観点に係るコンピュータ読み取り可能な記録媒体では、上記の基板処理方法と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
【発明の効果】
【００２６】
本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、基板処理システムを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】図３は、単位処理ブロック（ＢＣＴブロック、ＨＭＣＴブロック、ＣＯＴブロック及びＤＥＶブロック）を示す上面図である。
【図４】図４は、液処理ユニットを示す図である。
【図５】図５は、基板処理システムの主要部を示すブロック図である。
【図６】図６は、コントローラのハードウェア構成を示す概略図である。
【図７】図７は、ウエハの処理手順を説明するためのフローチャートである。
【図８】図８は、ウエハの処理手順を説明するための概略図である。
【図９】図９は、ウエハの処理手順を説明するための概略図である。
【図１０】図１０は、ウエハの処理手順を説明するための概略図である。
【図１１】図１１は、ウエハの裏面側に綿状塊が形成される様子を説明するための概略図である。
【図１２】図１２は、ウエハの裏面側に綿状塊が形成される様子を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２９】
［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、コントローラ１０（制御部）とを備える。基板処理システム１には、露光装置３が併設されている。露光装置３は、基板処理システム１のコントローラ１０と通信可能なコントローラ（図示せず）を備える。露光装置３は、塗布現像装置２との間でウエハＷ（基板）を授受して、ウエハＷの表面Ｗａ（図４等参照）に形成された感光性レジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。
【００３０】
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、レジスト膜Ｒ（図１０参照）をウエハＷの表面Ｗａに形成する処理を行う。レジスト膜Ｒは、感光性レジスト膜及び非感光性レジスト膜を含む。塗布現像装置２は、露光装置３による感光性レジスト膜の露光処理後に、当該感光性レジスト膜の現像処理を行う。
【００３１】
ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。
【００３２】
図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。
【００３３】
キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。
【００３４】
搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００３５】
処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、単位処理ブロック１４〜１７を有する。単位処理ブロック１４〜１７は、床面側から単位処理ブロック１７、単位処理ブロック１４、単位処理ブロック１５、単位処理ブロック１６の順に並んでいる。単位処理ブロック１４〜１７は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１（基板処理装置）と、熱処理ユニットＵ２（加熱部）とを有する。
【００３６】
液処理ユニットＵ１は、各種の処理液又はガスをウエハＷの表面Ｗａ又は裏面Ｗｂ（図４等参照）に供給するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。
【００３７】
単位処理ブロック１４は、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように構成された下層膜形成ブロック（ＢＣＴブロック）である。単位処理ブロック１４は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面Ｗａに塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。
【００３８】
単位処理ブロック１５は、下層膜上に中間膜を形成するように構成された中間膜（ハードマスク）形成ブロック（ＨＭＣＴブロック）である。単位処理ブロック１５は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１５の液処理ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液を下層膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１５の熱処理ユニットＵ２は、中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。
【００３９】
単位処理ブロック１６は、熱硬化性を有するレジスト膜Ｒを中間膜上に形成するように構成されたレジスト膜形成ブロック（ＣＯＴブロック）である。単位処理ブロック１６は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１６の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の塗布液（レジスト剤）を中間膜上に塗布して塗布膜ＣＦ（処理膜）（図４等参照）を形成する。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜Ｒ（硬化膜）の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜ＣＦを硬化させてレジスト膜Ｒとするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。
【００４０】
単位処理ブロック１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成された現像処理ブロック（ＤＥＶブロック）である。単位処理ブロック１７は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、露光後のレジスト膜Ｒに現像液を供給してレジスト膜Ｒを現像する。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、現像後のレジスト膜Ｒにリンス液を供給して、レジスト膜の溶解成分を現像液と共に洗い流す。これにより、レジスト膜Ｒが部分的に除去され、レジストパターンが形成される。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
【００４１】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から単位処理ブロック１５にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。
【００４２】
処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から単位処理ブロック１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００４３】
インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して露光装置３に渡し、露光装置３からウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。
【００４４】
コントローラ１０は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラ１０の詳細については後述する。なお、コントローラ１０は露光装置３のコントローラとの間で信号の送受信が可能であり、各コントローラの連携により基板処理システム１及び露光装置３が制御される。
【００４５】
［液処理ユニットの構成］
続いて、図４を参照して、液処理ユニットＵ１についてさらに詳しく説明する。液処理ユニットＵ１は、回転保持部２０と、カップ３０と、塗布液供給部４０（処理液供給部）と、溶剤供給部５０と、洗浄液供給部６０とを備える。
【００４６】
回転保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを有する。回転部２１は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させる。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源である。保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３上にはウエハＷが配置される。保持部２３は、例えば吸着等によりウエハＷを略水平に保持する。すなわち、回転保持部２０は、ウエハＷの姿勢が略水平の状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な回転軸Ａｘ周りでウエハＷを回転させる。本実施形態では、回転軸Ａｘは、円形状を呈するウエハＷの略中心を通っているので、中心軸でもある。本実施形態では、図４に示されるように、回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを所定の回転数で回転させる。ウエハＷの回転数は、例えば、１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ程度であってもよい。
【００４７】
カップ３０は、回転保持部２０の周囲に設けられている。カップ３０は、ウエハＷの処理のためにウエハＷに供給された液体を受け止める集液容器として機能する。カップ３０は、例えば、ポリプロピレン（ＰＰ：polypropylene）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ： polyvinyl chloride）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：Poly Phenylene Sulfide）樹脂等で形成されていてもよい。カップ３０は、底壁３１と、外周壁３２と、内周壁３３と、仕切壁３４と、排液管３５と、排気管３６と、斜壁３７（内壁部）と、仕切壁３８とを有する。
【００４８】
底壁３１は、回転保持部２０を取り囲む円環状を呈している。外周壁３２は、回転保持部２０に保持されたウエハＷ及び内周壁３３を取り囲む円筒状を呈している。外周壁３２は、底壁３１の外周縁から鉛直上方に向けて延びている。外周壁３２は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁よりも外側に位置する。そのため、外周壁３２は、回転保持部２０によって保持されつつ回転されるウエハＷから振り切られた液体の飛散を防止する機能を有する。外周壁３２の上端３２ａ側の部分は、上方に向かうにつれて内側（回転保持部２０側）に傾斜した傾斜壁３２ｂである。
【００４９】
内周壁３３は、回転保持部２０を取り囲む円筒状を呈している。内周壁３３は、底壁３１の内周縁から鉛直上方に向けて延びている。内周壁３３は、回転保持部２０に保持されたウエハＷの周縁よりも内側に位置する。内周壁３３の上端部３３ａは、仕切壁３８により閉塞されている。仕切壁３８の中央部には貫通孔が設けられており、当該貫通孔内にシャフト２２が挿通されている。
【００５０】
仕切壁３４は、円筒状を呈している。仕切壁３４は、底壁３１のうち外周壁３２と内周壁３３との間から鉛直上方に向けて延びている。すなわち、仕切壁３４は、内周壁３３を囲んでいる。
【００５１】
排液管３５は、底壁３１のうち外周壁３２と仕切壁３４との間に形成された液体排出孔３１ａと接続されている。排気管３６は、底壁３１のうち仕切壁３４と内周壁３３との間の部分に形成された気体排出孔３１ｂと接続されている。
【００５２】
斜壁３７は、仕切壁３４よりも外側に張り出すように、内周壁３３の上端部３３ａに取り付けられている。斜壁３７は、上方に向けて突出する傘状（山型状）を呈している。すなわち、斜壁３７は、回転保持部２０の回転軸の径方向において外方に向かうにつれて下方に傾斜する傾斜面Ｓを含んでいる。傾斜面Ｓは、回転保持部２０に保持されたウエハＷのうち周縁部と対向している。そのため、ウエハＷから外側に振り切られて落下した液体は、傾斜面Ｓを流れて外周壁３２と仕切壁３４との間に導かれ、液体排出孔３１ａ及び排液管３５を通じて排出される。
【００５３】
塗布液供給部４０は、ウエハＷの表面Ｗａに塗布液Ｌ１（処理液）を供給するように構成されている。塗布液Ｌ１は、例えば、感光性レジスト膜となる感光性レジスト材料、非感光性レジスト膜となる非感光性レジスト材料等が挙げられる。例えば５μｍ〜６０μｍ程度の膜厚の厚いレジスト膜Ｒを形成するために、塗布液Ｌ１の粘度が高く且つ塗布液Ｌ１がウエハＷの表面Ｗａで流動し難い材料（例えば、ポリイミド）を用いてもよい。塗布液Ｌ１の粘度の下限は、例えば、２０００ｃＰ程度であってもよいし、３０００ｃＰ程度であってもよいし、４０００ｃＰ程度であってもよい。塗布液Ｌ１の粘度の上限は、例えば、７０００ｃＰ程度であってもよいし、６０００ｃＰ程度であってもよいし、５０００ｃＰ程度であってもよい。
【００５４】
塗布液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズルＮ１（処理液ノズル）と、配管４４と、駆動機構４５とを有する。液源４１は、塗布液Ｌ１の供給源として機能する。ポンプ４２は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、液源４１から塗布液Ｌ１を吸引し、配管４４及びバルブ４３を介してノズルＮ１に送り出す。バルブ４３は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、バルブ４３の前後において配管４４を開放及び閉塞させる。
【００５５】
ノズルＮ１は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズルＮ１は、ポンプ４２から送り出された塗布液Ｌ１を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。配管４４は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズルＮ１を接続している。駆動機構４５は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、ノズルＮ１を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構４５は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、ノズルＮ１の移動速度及び移動位置を制御してもよい。
【００５６】
溶剤供給部５０は、ウエハＷの表面Ｗａに有機溶剤Ｌ２を供給するように構成されている。有機溶剤Ｌ２は、各種のシンナーであるが、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）７０質量％及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）３０質量％が混合されたシンナー（ＯＫ７３シンナー：東京応化工業株式会社製）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）７０質量％及びシクロヘキサノン（ＣＨＮ）３０質量％が混合されたシンナー（ＪＳＲ株式会社製）、α−ブチロラクトン９５質量％及びアニソール５質量％が混合されたシンナー、シクロヘキサノン、アセトン、Ｃ−２６０（Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ社製）、Ａ−５１５（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）等が挙げられる。
【００５７】
溶剤供給部５０は、液源５１と、ポンプ５２と、バルブ５３と、ノズルＮ２（吐出ノズル）と、配管５４と、駆動機構５５とを有する。液源５１は、有機溶剤Ｌ２の供給源として機能する。ポンプ５２は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、液源５１から有機溶剤Ｌ２を吸引し、配管５４及びバルブ５３を介してノズルＮ２に送り出す。バルブ５３は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、バルブ５３の前後において配管５４を開放及び閉塞させる。
【００５８】
ノズルＮ２は、吐出口がウエハＷの表面Ｗａに向かうようにウエハＷの上方に配置されている。ノズルＮ２は、ポンプ５２から送り出された有機溶剤Ｌ２を、ウエハＷの表面Ｗａに吐出可能である。ノズルＮ２から吐出される有機溶剤Ｌ２の流速は、例えば２ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃ程度であってもよい。配管５４は、上流側から順に、液源５１、ポンプ５２、バルブ５３及びノズルＮ２を接続している。駆動機構５５は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、ノズルＮ２を水平方向及び上下方向に移動させる。駆動機構５５は、例えばエンコーダ付きのサーボモータであり、ノズルＮ２の移動速度及び移動位置を制御してもよい。
【００５９】
洗浄液供給部６０は、ウエハＷの裏面Ｗｂに洗浄液Ｌ３を供給するように構成されている。洗浄液Ｌ３は、例えば、各種のシンナーであり、有機溶剤Ｌ２と同じであってもよい。
【００６０】
洗浄液供給部６０は、液源６１と、ポンプ６２と、バルブ６３と、ノズルＮ３（洗浄液ノズル）と、配管６４とを有する。液源６１は、洗浄液Ｌ３の供給源として機能する。ポンプ６２は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、液源６１から洗浄液Ｌ３を吸引し、配管６４及びバルブ６３を介してノズルＮ３に送り出す。バルブ６３は、コントローラ１０からの動作信号に基づいて動作し、バルブ６３の前後において配管６４を開放及び閉塞させる。
【００６１】
ノズルＮ３は、吐出口がウエハＷの裏面Ｗｂに向かうようにウエハＷの下方に配置されている。より詳しくは、ノズルＮ３の吐出口は、ウエハＷの外周縁Ｗｃ側に向かい且つ斜め上方に向かっている。ノズルＮ２は、ポンプ５２から送り出された洗浄液Ｌ３を、ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に吐出可能である。配管６４は、上流側から順に、液源６１、ポンプ６２、バルブ６３及びノズルＮ３を接続している。
【００６２】
［コントローラの構成］
コントローラ１０は、図５に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ１０の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ１０を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
【００６３】
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。
【００６４】
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。
【００６５】
処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１（例えば、回転保持部２０、ポンプ４２，５２，６２、バルブ４３，５３，６３、駆動機構４５，５５等）及び熱処理ユニットＵ２を動作させるための動作信号を生成する。
【００６６】
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。
【００６７】
コントローラ１０のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラ１０は、ハードウェア上の構成として、例えば図６に示される回路１０Ａを有する。回路１０Ａは、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路１０Ａは、具体的には、プロセッサ１０Ｂと、メモリ１０Ｃ（記憶部）と、ストレージ１０Ｄ（記憶部）と、ドライバ１０Ｅと、入出力ポート１０Ｆとを有する。プロセッサ１０Ｂは、メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄの少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポート１０Ｆを介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリ１０Ｃ及びストレージ１０Ｄは、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバ１０Ｅは、基板処理システム１の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポート１０Ｆは、ドライバ１０Ｅと基板処理システム１の各種装置（例えば、回転保持部２０、ポンプ４２，５２，６２、バルブ４３，５３，６３、駆動機構４５，５５等）との間で、信号の入出力を行う。
【００６８】
本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラ１０を備えているが、複数のコントローラ１０で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラ１０によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラ１０の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０が複数のコンピュータ（回路１０Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路１０Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路１０Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラ１０は、複数のプロセッサ１０Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ１０Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ１０Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。
【００６９】
［ウエハ処理方法］
続いて、ウエハＷに塗布液Ｌ１、有機溶剤Ｌ２及び洗浄液Ｌ３を供給して、ウエハＷの表面Ｗａにレジスト膜Ｒを形成する方法（ウエハ処理方法；基板処理方法）について、図７〜図１０を参照して説明する。まず、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷをキャリア１１から液処理ユニットＵ１に搬送する（図７のステップＳ１１参照）。
【００７０】
次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、ウエハＷを保持部２３に保持させると共に、所定の回転数ω１（例えば、２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる（図７のステップＳ１２参照）。この状態で、コントローラ１０は、ポンプ４２、バルブ４３及び駆動機構４５を制御して、ウエハＷの表面Ｗａに対して塗布液Ｌ１をノズルＮ１から吐出させる（第１の処理；図７のステップＳ１３参照）。これにより、塗布液Ｌ１は、ウエハＷの表面Ｗａを外周縁Ｗｃに向けてゆっくりと拡がっていく（図８（ａ），（ｂ）参照）。
【００７１】
次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、回転数ω１よりも高い回転数ω２（例えば、１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ程度）（第１の回転数）でウエハＷを回転させる（第７の処理；図７のステップＳ１４参照）。これにより、塗布液Ｌ１は、ウエハＷの表面Ｗａを外周縁Ｗｃに向けて急速に拡がり始める（図８（ｃ）参照）。
【００７２】
そこで、コントローラ１０は、ポンプ５２、バルブ５３及び駆動機構５５を制御して、回転軸Ａｘ方向から見てノズルＮ２をウエハＷの外周縁Ｗｃよりも外側に位置させた状態で、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を下方（カップ３０内）に吐出させる（第２の処理；図７のステップＳ１５参照）。回転軸Ａｘ方向から見て、ノズルＮ２から吐出される有機溶剤Ｌ２とウエハＷの外周縁Ｗｃとの離間距離は、少なくとも０より大きく、例えば５ｍｍ程度であってもよいし、１ｍｍ程度であってもよい。これにより、ウエハＷの外周縁Ｗｃの近傍において、ノズルＮ２の吐出口と斜壁３７の傾斜面Ｓとの間で柱状の有機溶剤Ｌ２が形成される（図８（ｄ）参照）。この状態で、ウエハＷの表面Ｗａから塗布液Ｌ１が振り切られると、振り切られた塗布液Ｌ１が有機溶剤Ｌ２に衝突し、斜壁３７の傾斜面Ｓに向けて下方に吹き飛ばされる（図９（ａ），（ｂ）参照）。
【００７３】
次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、回転数ω２よりも低い回転数ω３（例えば、２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ程度）（第２の回転数）でウエハＷを回転させる（第８の処理；図７のステップＳ１６参照）。これにより、塗布液Ｌ１は、ウエハＷの中央部に寄せられる。この間、コントローラ１０は、ポンプ５２及びバルブ５３を制御して、ノズルＮ２からの有機溶剤Ｌ２の吐出を停止させる（図７のステップＳ１８参照。）
【００７４】
次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、回転数ω３よりも高い回転数ω４（例えば、５００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ程度）（第３の回転数）でウエハＷを回転させる（第９の処理；図７のステップＳ１９参照）。このとき、コントローラ１０は、ポンプ５２及びバルブ５３を制御して、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を再び吐出させえる（第２の処理；図７のステップＳ２０参照）。これにより、塗布液Ｌ１は、ウエハＷの表面Ｗａを外周縁Ｗｃに向けて再び急速に拡がり始める。ウエハＷの表面Ｗａから振り切られた塗布液Ｌ１は、有機溶剤Ｌ２に衝突し、斜壁３７の傾斜面Ｓに向けて下方に吹き飛ばされる（図９（ａ），（ｂ）参照）。こうして、ウエハＷの表面Ｗａ全体に塗布液Ｌ１が略均一に拡がった状態となる。
【００７５】
次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、回転数ω４よりも高い回転数ω５（例えば、１０００ｒｐｍ〜１５００ｒｐｍ程度）でウエハＷを回転させる（図７のステップＳ１６参照）。これにより、塗布液Ｌ１が乾燥してゲル化し、ウエハＷの表面Ｗａに塗布膜ＣＦが形成される（第３の処理；図７のステップＳ２２及び図９（ｃ），（ｄ）参照）。その後、コントローラ１０は、ポンプ５２及びバルブ５３を制御して、ノズルＮ２からの有機溶剤Ｌ２の吐出を停止させる（図７のステップＳ２３参照。）
【００７６】
次に、コントローラ１０は、ポンプ６２及びバルブ６３を制御して、ウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ近傍に対し、ノズルＮ３から洗浄液Ｌ３を供給する（第４の処理；図７のステップＳ２４参照）。外周縁Ｗｃに到達した洗浄液Ｌ３は、わずかに外周縁Ｗｃを回り込みつつさらに外方に向けて流れる。この際、塗布膜ＣＦのうち外周縁Ｗｃからはみ出た部分が、洗浄液Ｌ３によって除去される（図９（ｃ），（ｄ）参照）。
【００７７】
次に、コントローラ１０は、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを液処理ユニットＵ１から熱処理ユニットＵ２に搬送する（図７のステップＳ２５参照）。次に、コントローラ１０は、熱処理ユニットＵ２を制御して、ウエハＷと共に塗布膜ＣＦを加熱する。これにより、塗布膜ＣＦが固化した固化膜であるレジスト膜Ｒが形成される（第５の処理；図７のステップＳ２６参照）。このとき、所定温度（例えば１２０℃程度）で所定時間（１８０秒程度）にて加熱処理が行われてもよい。以上により、ウエハＷの処理が完了し、レジスト膜ＲがウエハＷの表面Ｗａに形成される。
【００７８】
次に、基板処理システム１の各部を制御して、ウエハＷを熱処理ユニットＵ２から液処理ユニットＵ１に搬送する（図７のステップＳ２７参照）。次に、コントローラ１０は、回転保持部２０を制御して、所定の回転数（例えば、２００ｒｐｍ程度））でウエハＷを回転させる。さらに、コントローラ１０は、ポンプ５２、バルブ５３及び駆動機構５５を制御して、回転軸Ａｘ方向から見てノズルＮ２をウエハＷの周縁部上に位置させた状態で、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を下方（ウエハＷの周縁部）に吐出させる（第６の処理；図７のステップＳ２８参照）。これにより、図１０に示されるように、レジスト膜Ｒの周縁部（ハンプ部）が除去される。
【００７９】
ここで、図７のステップＳ２８において、ノズルＮ２の姿勢は、ノズルＮ２の吐出口がウエハＷの表面Ｗａに対して鉛直下向きであってもよいし、ノズルＮ２の吐出口がウエハＷの中心部から周縁部に向かって斜め下方に傾いた状態であってもよい。この場合、レジスト膜Ｒの周縁部に供給された有機溶剤Ｌ２が、ウエハＷの中心部に向けて跳ね難くなる。そのため、ウエハＷの処理の結果として形成されるレジスト膜Ｒの面内均一性を確保しやすくなる。
【００８０】
［作用］
ところで、塗布液Ｌ１をウエハＷの表面Ｗａに滴下してウエハＷをある程度高回転させた状態でスピンコートすると、塗布液Ｌ１がウエハＷの表面Ｗａ全体に塗布され、塗布膜ＣＦの膜厚の均一性が高まる。しかしながら、塗布液Ｌ１の多くがウエハＷの外周縁Ｗｃから外方に向けて振り切られてしまうので、形成される塗布膜Ｆの膜厚を所望の大きさにし難くなる。一方、膜厚の厚いレジスト膜Ｒを得るために、塗布液Ｌ１をウエハＷの表面Ｗａに滴下してウエハＷをある程度低回転させた状態でスピンコートすると、塗布液Ｌ１の一部がウエハＷの外周縁Ｗｃから振り切られる（図１１（ａ），（ｂ）参照）。塗布液Ｌ１が高粘度であるので、塗布液Ｌ１のうちウエハＷの外周縁Ｗｃから振り切られた部分は、外周縁Ｗｃから紐状に引き延ばされて紐状部Ｌ１ａとなる（図１１（ｃ），（ｄ）参照）。このとき、ウエハＷの裏面Ｗｂ側に回り込むような気流がウエハＷ周りに生ずることがあり、紐状部Ｌ１ａも気流の影響により裏面Ｗｂ側に回り込むことがある（同参照）。ウエハＷのさらなる回転により、塗布液Ｌ１及び紐状部Ｌ１ａが徐々に乾燥してゲル化する過程で紐状部Ｌ１ａがさらに延びて、ゲル化した紐状部ＣＦａが形成される（図１２（ａ），（ｂ）参照）。ゲル化した紐状部ＣＦａの長さは、最大で１０ｍｍ程度になりうる。ゲル化した紐状部ＣＦａは、ウエハＷの裏面Ｗｂ側で相互に絡まり合い、綿状塊となる（同参照）。
【００８１】
しかしながら、以上のような本実施形態では、コントローラ１０が溶剤供給部５０を制御して、ウエハＷの回転に伴い生ずる遠心力により塗布液Ｌ１がウエハＷの外周縁Ｗｃに到達する前に、外周縁Ｗｃよりも外側においてノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を下方に吐出させる処理を実行している。そのため、塗布液Ｌ１がウエハＷの外周縁Ｗｃに到達して外周縁Ｗｃから振り切られたとしても、当該振り切られた塗布液Ｌ１は、ノズルＮ２から吐出された有機溶剤Ｌ２に衝突して吹き飛ばされ、その後下方に流される。すなわち、ノズルＮ２から吐出される有機溶剤Ｌ２は、あたかも当該振り切られた塗布液Ｌ１を切断する機能を発揮する。このように、当該振り切られた塗布液Ｌ１が紐状部Ｌ１ａとなる前に有機溶剤Ｌ２で切断されるので、当該振り切られた塗布液Ｌ１がウエハＷの裏面Ｗｂ側に極めて回り込み難い。従って、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。
【００８２】
本実施形態では、ウエハＷの表面Ｗａに塗布液Ｌ１が供給された後に、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２が吐出される（図７のステップＳ１３，Ｓ１５参照）。そのため、ウエハＷから塗布液Ｌ１が振り切られ得ない状況での有機溶剤Ｌ２の吐出が制限される。従って、有機溶剤Ｌ２の使用量を削減することが可能となる。
【００８３】
本実施形態では、ウエハＷの表面Ｗａに塗布膜ＣＦが形成された後に、ノズルＮ３からウエハＷの裏面Ｗｂで且つ外周縁Ｗｃ側に向けて洗浄液が吐出される（図７のステップＳ２２，Ｓ２４参照）。そのため、塗布膜ＣＦのうちウエハＷの外周縁Ｗｃから若干はみ出る部分が存在したとしても、ノズルＮ３によって裏面Ｗｂ側から供給される洗浄液により、当該はみ出た部分が除去される。従って、ウエハＷの外形に対応し且つより整った形状の塗布膜ＣＦをウエハＷの表面Ｗａに形成することが可能となる。
【００８４】
本実施形態では、熱処理ユニットＵ２における塗布膜ＣＦの固化によりレジスト膜Ｒが形成された後に、ウエハＷの表面Ｗａで且つ周縁部にノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２が吐出される。そのため、ウエハＷの周縁部において生じうるハンプが、有機溶剤Ｌ２によって除去される。しかも、このようなハンプの除去処理と、ウエハＷから振り切られた塗布液Ｌ１の切断処理とが、同じノズルＮ２により実行される。従って、ノズルＮ２がこれらの複数の機能を併有するので、装置のコンパクト化を図ることが可能となる。
【００８５】
本実施形態では、回転軸Ａｘの延在方向から見て、ノズルＮ２から吐出される有機溶剤Ｌ２とウエハＷの外周縁Ｗｃとの間の離間距離が０．５ｍｍ以上に設定されうる。この場合、ウエハＷの保持位置にずれが生じたとしても、ノズルＮ２から吐出された有機溶剤Ｌ２がウエハＷに供給され難くなる。
【００８６】
本実施形態では、ウエハＷを回転数ω２で基板を回転させ、ウエハＷに供給された塗布液Ｌ１を外周縁Ｗｃに向けて拡げると共に、外周縁Ｗｃよりも外側においてノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を下方に吐出させている。続いて、回転数ω２よりも低い回転数ω３で基板を回転させ、塗布液Ｌ１をウエハＷの中央側に寄せると共に、ノズルＮ２からの有機溶剤Ｌ２の吐出を停止させている。続いて、回転数ω３よりも高い回転数ω４でウエハＷを回転させ、塗布液Ｌ１を再び外周縁Ｗｃ側に向けて拡げると共に、外周縁Ｗｃよりも外側においてノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２を下方に再び吐出させている。そのため、ウエハＷが回転数ω２により回転することで塗布液Ｌ１がウエハＷの表面Ｗａにある程度拡げられるので、ウエハＷが回転数ω４で回転する際には、塗布液Ｌ１は既にウエハＷの表面Ｗａに存在している塗布液Ｌ１の上を滑りながらウエハＷの表面Ｗａを拡がっていく。従って、ウエハＷの表面Ｗａ全体に塗布液Ｌ１が行き渡りやすくなるのみならず、ウエハＷの表面Ｗａに形成される塗布膜ＣＦの膜厚が均一になりやすい。しかも、塗布液Ｌ１がウエハＷの中央側に寄せられる際に、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２が吐出されないので、ウエハＷから塗布液Ｌ１が振り切られ難い状況での有機溶剤Ｌ２の吐出が制限される。従って、有機溶剤Ｌ２の使用量を削減することが可能となる。
【００８７】
本実施形態では、粘度が２０００ｃＰ以上の塗布液Ｌ１が用いられうる。この場合、特に綿状塊が生じやすい高粘度の塗布液Ｌ１を用いても、綿状塊の発生を抑制することが可能となる。
【００８８】
［変形例］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、ノズルＮ２からの有機溶剤Ｌ２の吐出は、塗布液Ｌ１がウエハＷの表面Ｗａから振り切られる前に開始されていればよい。
【００８９】
ウエハＷの裏面Ｗｂに洗浄液を供給する処理が実行されなくてもよい。この場合、液処理ユニットＵ１が洗浄液供給部６０を備えていなくてもよい。
【００９０】
上記の実施形態では、熱処理ユニットＵ２による熱処理で塗布膜ＣＦが固化した後のレジスト膜Ｒの周縁部に対して有機溶剤Ｌ２が吐出されていたが、固化する前の塗布膜ＣＦの周縁部に対して有機溶剤Ｌ２が吐出されてもよい。
【００９１】
上記の実施形態では、ウエハＷをいったん低速で回転させて塗布液Ｌ１をウエハＷの中央側に寄せつつその際に有機溶剤Ｌ２の吐出を停止させていたが（図７のステップＳ１４，Ｓ１６，Ｓ１９参照）、塗布液Ｌ１をウエハＷの中央に寄せる処理が実行されなくてもよい。この場合、ノズルＮ２から有機溶剤Ｌ２が継続して吐出されてもよい。
【００９２】
溶剤供給部５０は一つ以上のノズルＮ２を有していてもよい。溶剤供給部５０が複数のノズルＮ２を有している場合、複数のノズルＮ２は、いずれもウエハＷの外周縁Ｗｃの外方において外周縁Ｗｃに沿って並ぶように配置されていてもよい。外周縁Ｗｃに沿う方向において隣り合うノズルＮ２同士の間隔が同程度であってもよい。この場合、ウエハＷの表面Ｗａから振り切られた塗布液Ｌ１を効率的に切断することが可能となる。
【００９３】
ノズルＮ２の吐出口は、ウエハＷの外周縁Ｗｃに対応した環状を呈していてもよい。吐出口がスリット状を呈する複数のノズルＮ２がウエハＷの外周縁Ｗｃに沿って配置されており、複数のノズルＮ２の吐出口が全体として環状を呈していてもよい。これらの場合も、ウエハＷの表面Ｗａから振り切られた塗布液Ｌ１を効率的に切断することが可能となる。
【符号の説明】
【００９４】
１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置（基板処理装置）、１０…コントローラ（制御部）、２０…回転保持部、４０…塗布液供給部（処理液供給部）、５０…溶剤供給部、６０…洗浄液供給部、Ａｘ…回転軸、ＣＦ…塗布膜（処理膜）、Ｌ１…塗布液（処理液）、Ｌ２…有機溶剤、Ｌ３…洗浄液、Ｎ１…ノズル（処理液ノズル）、Ｎ２…ノズル（吐出ノズル）、Ｎ３…ノズル（洗浄液ノズル）、Ｒ…レジスト膜（硬化膜）、ＲＭ…記録媒体、Ｕ１…液処理ユニット（基板処理装置）、Ｕ２…熱処理ユニット（加熱部）、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…外周縁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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