(57)【要約】【課題】  型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】  型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持して移動する型保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、気体を供給する気体供給部と、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも１つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持して移動する型保持部と、
前記基板を保持して移動するステージと、
気体を供給する気体供給部と、
前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも１つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた期間の一部において前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記型と前記インプリント材とを接触させた期間が開始してから一定の期間は前記気体供給部に前記気体の供給を停止させ、または低減させ、前記一定の期間が経過した後、かつ前記型と前記インプリント材とを引き離す前に前記気体供給部に前記気体を供給させるように制御することを特徴とする、請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記型と接触した前記インプリント材を硬化させる硬化部を有し、
前記制御部は、前記硬化部に前記インプリント材の硬化を開始させる前に前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記型と接触した前記インプリント材を硬化させる硬化部を有し、
前記制御部は、前記硬化部に前記インプリント材の硬化を開始させた後に前記気体供給部に前記気体の供給を停止させる、または低減させるように制御することを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記気体供給部は、前記型保持部に保持された型の周囲に配置されることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記インプリント材を前記基板上に供給する供給部を有し、
前記気体供給部は、前記型保持部に保持された型と前記供給部の間に配置され、
前記制御部は、前記ステージに前記基板を前記供給部の下から前記型の下に移動させるときに、前記気体供給部に前記気体を供給させるように制御することを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記気体は、電子に対する平均自由工程が空気よりも長い気体を含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記気体は、単原子分子である希ガスを含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記気体は、ヘリウムを含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材とを接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で気体を供給する供給工程と、
前記供給工程において前記気体の供給を開始した後に前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記供給工程において供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給する工程を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、を有し、
処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上のインプリント材を型で成形し、インプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成しうる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショット領域に光硬化性のインプリント材を供給する。次に、型（原版）のパターン部とショット領域の位置合せを行いながら、型のパターン部とインプリント材とを接触（押印）させ、インプリント材をパターン部に充填させる。そして、光を照射してインプリント材を硬化させた上で型のパターン部とインプリント材とを引き離すことにより、インプリント材のパターンが基板上のショット領域に形成される。
【０００３】
インプリント装置では、硬化したインプリント材から型を引き離すことによって、型が帯電する剥離帯電と呼ばれる現象が起こる。このような剥離帯電が起こると、型の周囲の異物（パーティクル）が型に引き寄せられ型に付着することがある。そして、型に異物が付着した状態で型と基板上のインプリント材とを接触させると、基板上に形成されるパターンが変形したり、型が破損したりする可能性がある。
【０００４】
特許文献１および特許文献２には、イオン化された気体を型と基板との間の空間に供給することにより、型の除電を行う技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−９８７７９号公報
【特許文献２】特許５２３５５０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、型と基板との間の空間は狭いため、イオン化された気体を効率よく型と基板の間に供給して、型と基板との間の空間においてイオン化された気体の濃度を必要な濃度にすることが困難になる。
【０００７】
そこで本発明は、型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の一側面としてのインプリント装置は、型と基板上のインプリント材とを接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持して移動する型保持部と、前記基板を保持して移動するステージと、気体を供給する気体供給部と、前記型と前記インプリント材とを接触させた状態で前記気体供給部に前記気体の供給を開始させ、前記型保持部および前記ステージのうち少なくとも１つを移動させて前記型と前記インプリント材とを引き離すことにより、前記気体供給部により供給された前記気体を前記型と前記基板との間の空間に供給するように制御する制御部と、を有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、帯電した型の除電を効率よく行うために有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】インプリント装置を示す図である。
【図２】インプリント装置の動作を示す図である。
【図３】インプリント処理を示すフローチャートである。
【図４】気体供給部により供給される気体の供給量を示す図である。
【図５】物品の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。各図において、同一の部材については、同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例１】
【００１２】
図１はインプリント装置を示した図である。まず、図１を用いて、インプリント装置の代表的な構成について説明する。インプリント装置１は、基板２上に供給されたインプリント材８と型４とを接触させ、インプリント材８に硬化用のエネルギーを与えることにより、型４の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１３】
ここで、インプリント材８には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１５０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１４】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１５】
インプリント材８は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材８の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１６】
基板２は、ガラス、セラミックス、金属、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英を材料に含むガラスウエハなどである。
【００１７】
型４は、矩形の外周形状を有し、基板に対向する面（パターン面）に３次元状に形成されたパターン（回路パターンなどの基板２に転写すべき凹凸パターン）を備えたパターン部５を有する。型は、光を透過させることが可能な材料、例えば、石英で構成される。
【００１８】
本実施例では、インプリント装置１は、光の照射によりインプリント材８を硬化させる光硬化法を採用するものとして説明する。また、以下では、基板上のインプリント材に対して照射する光の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で互いに直交する２方向をＸ軸方向及びＹ軸方向とする。
【００１９】
インプリント装置１は、照射部２０（硬化部）と、型保持部６と、ステージ３と、供給部７を備えうる。照射部２０は、型４のパターン部５と基板上のインプリント材８が接触している状態で、インプリント材８に対して光２１を照射して、インプリント材８を硬化させる。照射部２０は、不図示の光源と、光源から照射された光２１を適切な光に調整する光学素子とを含みうる。
【００２０】
型保持部６は、型４における光２１の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで型４を保持する。型保持部６は、型４を保持して移動するために駆動機構（不図示）を有する。型保持部６は、型４と基板２上のインプリント材８との押し付け、または引き離しを選択的に行うように型４を各軸方向に移動させる。型保持部６は、型４の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。型保持部６は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、または各軸のθ方向の位置調整機能や、型４の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成としてもよい。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離し動作は、型４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ステージ３をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
【００２１】
ステージ３は、基板２の被処理面と反対の面を真空吸着力や静電力により引き付けることで基板２を保持する。ステージ３は各軸方向に移動可能とする駆動機構（不図示）を有する。ステージ３は、型４とインプリント材８との位置合わせを行うために基板２を保持して移動する。ステージ３の駆動機構は、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、Ｚ軸周りの回転（Ｚθ）方向の位置調整機能、または基板２の傾きを補正するためのチルト調整機能などを有する構成としてもよい。
【００２２】
供給部７は、型保持部６の近傍に設置され、基板２の被処理面上に未硬化のインプリント材８を供給する。基板２上にインプリント材８が供給された後、パターン部５をインプリント材８に押し付ける。そして、インプリント材８を硬化させた後、パターン部５を引き離すことで基板２上にパターンを形成する。
【００２３】
制御部１１は、ＣＰＵやメモリなどを含むコンピュータで構成され、メモリに格納されたプログラムに従ってインプリント装置１の全体を制御する。また、制御部１１は、インプリント装置１の各部の動作及び調整などを制御することで基板２上にパターンを形成するインプリント処理を制御する。また、制御部１１は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。また、制御部１１は、複数のコンピュータからなる構成としてもよい。
【００２４】
ここで、パターンを形成する基板２上のショット領域や型４のパターン部５に異物が付着した状態で、基板２上のインプリント材と型４のパターン部５を接触させると、基板２上に形成されるパターンが変形したり、パターン部５が破損したりしうる。また、異物はインプリント装置１を構成する各部から発生したり、インプリント装置１の外部から侵入したりするため、インプリント装置１内から全ての異物を除去することは困難になりうる。
【００２５】
また、インプリント装置１では、硬化したインプリント材８からパターン部５を引き離す工程でパターン部５が帯電する剥離帯電という現象が起こりうる。このような剥離帯電が起こると、型４の周囲の異物が引き寄せられ、パターン部５に付着しうる。パターン部５のパターン寸法やパターン深さにより異なるが、一般的にハーフピッチ寸法以上の大きさの異物があると、基板２上に形成されるパターンが変形したり、パターン部５が破損したりする可能性が高くなる。
【００２６】
そこで、インプリント装置１は、パターン部５を除電するための気体９を型４の周囲に供給する気体供給部１０を有する。気体９は、空気と比べて、電子に対する平均自由行程が長い気体にする必要がある。例えば、気体９は単原子分子である希ガスであればよいが、単原子分子である希ガスの中でも平均自由行程が長いヘリウムを含むことが望ましい。電界中に存在する電子は、電界によって陽極側に運ばれ、その途中で気体分子に衝突する。このとき電子が十分に加速されて気体の電離電圧以上のエネルギーをもって気体分子に衝突すると電離が起こり、電子−陽イオン対が生成される。さらに、生成された電子も電界で加速され、気体分子を電離させる。このように次々に電離が起こることで大量の電子−陽イオン対が生成される現象を電子雪崩と呼ぶ。ヘリウム等の電子に対する平均自由行程が長い気体は、加速中の電子が途中で気体分子に衝突せず高エネルギー状態まで加速される。よって、空気と比べて、低い電界中でも電子雪崩が起こりやすく、パターン部５に大きな電圧が蓄積されるまえに除電することができる。なお、必ずしも電子雪崩の現象が発生しなくてもパターン部５を除電することはできる。
【００２７】
また、気体９は、一般に拡散性が高いため、パターン部５を基板２上のインプリント材８に押し付ける際にパターン部５とインプリント材８との間を気体９で満たすことで、インプリント材８のパターン部５に対する充填性が向上する。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、気体供給部１０は、型４を取り囲むように型４の周囲に配置される。気体供給部１０は、複数の気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄに分割されている。また、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄから供給される気体９の供給量は、制御部１１によって個別に制御される。
【００２９】
次に、図２、図３を用いて型４のパターン部５の除電方法の一例を説明する。図２は、インプリント装置の動作を示す図である。また、図３は、インプリント処理を示すフローチャートである。
【００３０】
図２（ａ）、図３のＳ１０１に示すように、制御部１１は、ステージ３にインプリント材８を供給する基板２のショット領域を供給部７の下に移動させるように制御する。そして、制御部１１は、ショット領域を供給部７の下に位置している状態で供給部７に基板２のショット領域上にインプリント材８を供給させるように制御する。
【００３１】
次に、図２（ｂ）、図２（ｃ）、図３のＳ１０２に示すように、制御部１１は、ステージ３にインプリント材８が供給されたショット領域を型４のパターン部５の下に移動させるように制御する。このとき、制御部１１は、ステージ３を移動させながら供給部７と型４との間に配置された気体供給部１０ａに気体９を供給させるように制御する。ここで、気体供給部１０ａは基板保持部に保持された型４と供給部７との間に配置されている。型４に対するステージ３の移動方向において上流側の気体供給部１０ａから気体９を供給することで、基板２およびステージ３の表面にクエット流れが発生する。これにより、気体９はパターン部５に向けて引き込まれる。そして、インプリント材８が供給されたショット領域がパターン部５の下に移動したとき、パターン部５とインプリント材８との間の空間は気体９で満たされる。また、本実施例では、気体供給部１０ａのみで気体９の供給を行っているが、制御部１１は、気体供給部１０ａに加えて、気体供給部１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄのうち少なくとも１つから気体９を供給するように制御してもよい。
【００３２】
次に、図２（ｄ）、図３のＳ１０３に示すように、制御部１１は、型保持部６およびステージ３のうち少なくとも１つを移動させるように制御して、型４のパターン部５と基板２上のインプリント材８とを接触させる。このとき、パターン部５に形成されたパターンにインプリント材８が充填される必要があるために、必要な時間だけパターン部５とインプリント材８を接触させた状態を維持する。
【００３３】
ここで、気体供給部１０から供給される気体９の供給量は、コストの観点から可能な限り削減するのが望ましい。また、パターン部５とインプリント材８が接触している状態では、型４の周囲の異物がパターン部５またはインプリント材８に付着する可能性は低い。そこで、制御部１１はパターン部５とインプリント材８とが接触している期間の少なくとも一部において気体供給部１０による気体９の供給を停止、または、供給量を低減するように制御する。これにより、気体供給部１０から供給される気体９の供給量を削減しうる。
【００３４】
次に、図２（ｅ）、図３のＳ１０４に示すように、制御部１１は、照射部２０にパターン部５と接触している状態のインプリント材８に光２１を照射させるように制御する。これにより、インプリント材８が硬化する。ここで、制御部１１は、パターン部５とインプリント材８とを引き離す前に、気体供給部１０に気体９を供給させるように制御する。
【００３５】
次に、図２（ｆ）、図３のＳ１０５に示すように、制御部１１は、型保持部６およびステージ３のうち少なくとも１つを移動させるように制御して、パターン部５とインプリント材８を引き離す。これにより、基板２上に硬化したインプリント材８のパターンが形成される。
【００３６】
次に、図３のＳ１０６に示すように、制御部１１は、基板２上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了したか否かを判定する。制御部１１が基板２上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了していないと判定した場合は、制御部１１はＳ１０１に戻り、次のショット領域に対してインプリント処理を行うように制御する。また、制御部１１が基板２上の全ショット領域に対してインプリント処理が終了したと判定した場合は、制御部１１は基板２に対するインプリント処理を終了する。
【００３７】
ここで、図２（ｅ）、図２（ｆ）について詳細に説明する。図２（ｅ）に示すように、制御部１１は、パターン部５とインプリント材８とを引き離す前に、気体供給部１０に型４の周囲に気体９を供給させるように制御する。パターン部５とインプリント材８とが接触している状態では、型４と基板２との間の空間は狭く、流体抵抗が大きいため、気体９は型４と基板２の間の空間にほとんど引き込まれない。そして、型４の周囲の空間（第１空間）に気体９が供給されている状態で、パターン部５とインプリント材８とを引き離すと、図２（ｆ）に示すように、型４と基板２との間の空間（第２空間）の体積が大きくなる。そして、型４と基板２との間の空間の圧力は型４の周囲の空間の圧力よりも低くなる。よって、型４と基板２の間の空間の気体９は、インプリント材８とパターン部５との間の空間に供給される。そして、気体９により電子雪崩が発生してパターン部５が除電される。これにより、パターン部５とインプリント材８とが引き離された後にパターン部５に異物が付着することを抑制できる。
【００３８】
また、図２（ｅ）において、型４の周囲の空間における気体９の濃度を高くするために、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄから気体９を供給することが望ましい。ただし、図２（ｆ）において、パターン部５とインプリント材８との間の空間において、気体９の濃度が電子雪崩の発生に必要な濃度になっていれば、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄの全てから気体９を供給しなくてもよい。また、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄのいずれかの気体供給部について最適な供給量を個別に設定して、気体９を供給させるように制御してもよい。
【００３９】
また、制御部１１は、パターン部５とインプリント材８との間の空間に十分な濃度の気体９が供給されれば、パターン部５とインプリント材８を引き離す前に、気体供給部１０による気体９の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
【００４０】
次に、気体供給部１０により供給される気体の供給量の一例について説明する。図４は、気体供給部により供給される気体の供給量を示す図である。図４のグラフにおいて、横軸が時間、縦軸が気体９の供給量を表している。また、実線は気体供給部１０ａから供給される気体９の供給量を表し、破線は気体供給部１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄのそれぞれから供給される気体９の供給量を表している。
【００４１】
まず、Ａの期間は図３のＳ１０２において気体９を供給する期間を表している。Ａの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａから供給量Ｑ１の気体９が供給されるように制御する。また、Ａの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を停止させるように制御する。また、Ａの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を低減させるように制御してもよい。
【００４２】
次に、Ｂの期間は、図３のＳ１０３においてパターン部５とインプリント材８とが接触してから、Ｔ１が経過するまでの期間を表している。また、Ｔ１が経過するまでの期間は予め定めた一定の期間であり、パターン部５とインプリント材８とが接触する期間よりも短い。つまり、Ｂの期間はパターン部５とインプリント材８とが接触したときに開始して、パターン部５とインプリント材８とが接触している間に終了する。Ｂの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を停止させるように制御する。また、Ｂの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を低減させるように制御してもよい。
【００４３】
次に、Ｃの期間は、図３のＳ１０３においてＴ１が経過してから、Ｔ２が経過するまでの期間を表している。また、Ｔ１とＴ２とを合わせた期間は、Ｓ１０３においてパターン部５とインプリント材８とが接触する期間と等しい。つまり、Ｃの期間は、Ｂの期間が終了してから、Ｓ１０４の処理を開始するまでの期間である。Ｃの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄから供給量Ｑ２の気体９が供給されるように制御する。供給量Ｑ２、時間Ｔ２はＳ１０５においてパターン部５とインプリント材８を引き離す前に、型４の周囲の空間における気体９の濃度が電子雪崩の発生に必要な濃度になるように調整される。また、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄの供給量を個別に設定して気体９を供給するようにしてもよいし、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄのいずれか１つ以上の気体供給部から気体９を供給するようにしてもよい。
【００４４】
次に、Ｄの期間は、Ｓ１０４においてインプリント材８に光２１を照射してから、Ｓ１０５においてパターン部５とインプリント材８を引き離すまでの期間を表している。Ｄの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を停止させるように制御する。また、Ｄの期間において、制御部１１は、気体供給部１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、および１０ｄによる気体９の供給を低減させるように制御してもよい。また、制御部１１は、Ｓ１０４またはＳ１０５の途中まで気体供給部１０からの気体９の供給を継続するように制御してもよい。また、制御部１１は、おいてパターン部５とインプリント材８を引き離した後も気体供給部１０からの気体９の供給を継続するように制御してもよい。
【００４５】
また、Ｓ１０６において基板２上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了していないと判定された場合、制御部１１は次のショット領域を供給部７の下、および型４のパターン部の下に移動させるよう制御する。このとき、型４のパターン部５は、Ｓ１０４で供給された気体９により除電されている。そのため、パターン部５の下をステージ３が移動してもステージ３の表面に付着している異物がパターン部５に付着することは抑制される。よって、Ｓ１０２において次のショット領域を型４のパターン部５の下に移動させる場合、制御部１１は、気体供給部１０による気体９の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
【００４６】
また、Ｓ１０６において基板２上の全ショット領域に対してインプリント処理が完了したと判定された場合、制御部１１は、基板２を搬出するためにステージ３を移動させるように制御する。このとき、型４のパターン部５は、Ｓ１０４で供給された気体９により除電されている。そのため、パターン部５の下をステージ３が移動してもステージ３の表面に付着している異物がパターン部５に付着することは抑制される。よって、基板２をステージ３から搬出するために移動させる場合、制御部１１は、気体供給部１０による気体９の供給を停止する、または、供給量を低減させるように制御してもよい。
【００４７】
以上により、本実施例に係るインプリント装置によれば、型４と基板２とが接触している状態で気体９を供給した後に型４と基板２とを引き離すことにより、型４と基板２との間に気体９が供給されるので、型４の除電を効率よく行いうる。
【００４８】
（物品の製造方法）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４９】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５０】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図５（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５１】
図５（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図５（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５２】
図５（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５３】
図５（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図５（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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