(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー加工を実施に施す前に、その加工条件で内部に改質層を形成できる被加工物であるか否かを容易に判定するレーザー加工方法を提供する。【解決手段】レーザー光線照射手段２４の集光器２４１をパワーメータ３６に対峙させてレーザー光線ＬＢを照射し、第１のパワーを検出する第１の検出ステップと、集光器とパワーメータとの間に被加工物１００を位置付けてレーザー光線を照射し、第２のパワーを検出する第２の検出ステップと、第１のパワーと第２のパワーから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成される。【選択図】図３
2019033162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第１のパワーを検出する第１の検出ステップと、
該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第２のパワーを検出する第２の検出ステップと、
該第１のパワーと該第２のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、
該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、
該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、
から少なくとも構成されるレーザー加工方法。
【請求項２】
該パワーメータは、該チャックテーブルに隣接して配設されており、該集光器と該保持手段とを相対的に移動して該第１の検出ステップを実施する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
該保持手段のチャックテーブルからはみ出して該パワーメータに至るように被加工物を該チャックテーブルに保持し、該第２の検出ステップを実施する請求項２に記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
被加工物はシリコンウエーハであり、レーザー光線の波長は近赤外線である請求項１に乃至３のいずれかに記載されたレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
被加工物に対して確実に改質層を形成できるレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置等によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
レーザー加工装置は、被加工部に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成して内部加工を施すタイプ（例えば、特許文献１を参照。）と、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の上面に位置付けて照射してアブレーション加工を施すタイプ（例えば特許文献２を参照。）と、に大きく分かれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した被加工部に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成して内部加工を施すタイプのレーザー加工では、例えばシリコン（Ｓｉ）ウエーハを被加工物としてレーザー加工が施される。しかし、シリコンウエーハは、シリコンウエーハを形成する際、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加するいわゆるドーピングが行われている。このシリコンウエーハの基板を形成する製造者に応じて、または、シリコンウエーハに形成されるデバイスの種類に応じてドーピングされる物質の種類、あるいはドーピングされる物質の量が異なり、シリコンに対して透過性を有する波長として設定されたレーザー光線を用いても、照射されたレーザー光線が十分に被加工物を透過せず、予め設定されたとおりの加工条件にてレーザー加工を施したとしても加工不良となる場合がある。
【０００６】
また、上記したドーピングの違いによって透過性の度合いに変化が生じる場合に限らず、例えば、シリコンウエーハが製造されてから時間が経過した場合にも、表面に酸化膜等が形成される等して透過率に変化が生じ、同様の問題が生じ得る。このような問題は、シリコンウエーハに限らず、他の材質で構成される被加工物においても生じ得る問題である。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー加工を実施に施す前に、その加工条件で内部に改質層を形成できる被加工物であるか否かを容易に判定し得るレーザー加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第１のパワーを検出する第１の検出ステップと、該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第２のパワーを検出する第２の検出ステップと、該第１のパワーと該第２のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成されるレーザー加工方法が提供される。
【０００９】
該パワーメータは、該チャックテーブルに隣接して配設されており、該集光器と該保持手段とを相対的に移動して該第１の検出ステップを実施することができる。
【００１０】
該保持手段のチャックテーブルからはみ出して該パワーメータに至るように被加工物を該チャックテーブルに保持し、該第２の検出ステップを実施するようにしてもよい。また、被加工物はシリコンウエーハであり、レーザー光線の波長は近赤外線とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のレーザー加工方法は、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を被加工物の内部に位置付けて照射し改質層を形成する集光器を備えたレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、を少なくとも備えたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、該レーザー光線照射手段の集光器をパワーメータに対峙させてレーザー光線を照射し第１のパワーを検出する第１の検出ステップと、該集光器と該パワーメータとの間に被加工物を位置付けてレーザー光線を照射し第２のパワーを検出する第２の検出ステップと、該第１のパワーと該第２のパワーとから被加工物の透過率を表す指標を算出する透過率算出ステップと、該透過率を表す指標から被加工物の内部に改質層が形成できるか否かを判定する改質層形成判定ステップと、該改質層形成判定ステップによって改質層が形成できると判定された被加工物に対してレーザー光線の集光点を内部に位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、から少なくとも構成されていることにより、被加工物が改質層を形成し得るものであるのかを容易に判定し、改質層が確実に形成されるレーザー加工を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施に使用されるレーザー加工装置の全体を示す斜視図、および被加工物のシリコンウエーハ示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の検出ステップの動作を説明する概略図（ａ）、第２の検出ステップの動作を説明する概略図（ｂ）である。
【図３】本発明に基づき実施されるレーザー加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】本発明の改質層形成ステップを説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に基づいて構成されたレーザー加工方法について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明に基づいて構成されるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置２の全体斜視図、および被加工物としてのシリコンウエーハ（１００、１１０）の斜視図が示されている。なお、本発明によって透過率が検出される被加工物は、表面にデバイス等が形成される前のシリコンウエーハ１００（図中（ａ）を参照、以下「ダミーウエーハ」という。）でもよいし、該ダミーウエーハ１００の表面１１０ａ上の分割予定ライン１１２によって区画された領域にデバイス１１４が形成されたシリコンウエーハ１１０（図中（ｂ））であってもよい。
【００１５】
図１に示すレーザー加工装置２は、被加工物を保持する保持手段２２と、静止基台２ａ上に配設され保持手段２２を移動させる移動手段２３と、保持手段２２に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２４と、静止基台２ａ上の移動手段２３の側方に矢印Ｚで示すＺ方向に立設される垂直壁部５１、及び垂直壁部５１の上端部から水平方向に延びる水平壁部５２からなる枠体５０とを備えている。枠体５０の水平壁部５２内部には、本発明のレーザー加工装置２の主要部を構成するレーザー光線照射手段２４の光学系が内蔵されており、水平壁部５２の先端部下面側には、レーザー光線照射手段２４を構成する集光器２４１が配設されると共に、集光器２４１に対して図中矢印Ｘで示す方向で隣接する位置に撮像手段２６が配設される。該撮像手段２６は、可視光線により撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む。
【００１６】
保持手段２２は、図中に矢印Ｘで示すＸ方向において移動自在に基台２ａに搭載された矩形状のＸ方向可動板３０と、図中に矢印Ｙで示すＹ方向において移動自在にＸ方向可動板３０に搭載された矩形状のＹ方向可動板３１と、Ｙ方向可動板３１の上面に固定された円筒状の支柱３２と、支柱３２の上端に固定された矩形状のカバー板３３とを含む。カバー板３３には該カバー板３３上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状の被加工物を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されたチャックテーブル３４が配設されている。チャックテーブル３４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック３５からなる吸引保持手段が配置されている。吸着チャック３５は、支柱３２を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。カバー板３３においてチャックテーブル３４のＸ方向に隣接した位置に、レーザー光線照射手段２４から照射されるレーザー光線のパワー（出力）を検出するパワーメータ３６が配設されている。パワーメータ３６は、後述する制御装置２０に図示しないケーブルによって接続されており、測定すべきレーザー光線の全光量を受光できる面積に配置された複数の受光素子で構成され、受光したレーザー光線のパワーを制御装置２０に出力する。なお、Ｘ方向は図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１７】
制御装置２０は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略）。
【００１８】
移動手段２３は、制御装置２０によって制御されるものであり、Ｘ方向移動手段４０と、Ｙ方向移動手段４２と、を含む。Ｘ方向移動手段４０は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換してＸ方向可動板３０に伝達し、基台２ａ上の案内レールに沿ってＸ方向可動板３０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段４２は、モータの回転運動を、ボールねじを介して直線運動に変換し、Ｙ方向可動板３１に伝達し、Ｘ方向可動板３０上の案内レールに沿ってＹ方向可動板３１をＹ方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２には、それぞれ位置検出手段が配設されており、チャックテーブル３４のＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、制御装置２０から指示される信号に基づいてＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２、及び図示しない回転駆動手段が駆動され、任意の位置および角度にチャックテーブル３４を正確に位置付けることが可能になっている。なお、上記したレーザー加工装置２全体、及び移動手段２３等は、通常の加工状態では、説明の都合上省略された図示しないカバー、蛇腹等により覆われており、内部に粉塵や埃等が入らないように構成される。
【００１９】
本発明を実施するレーザー加工装置２は、概ね以上のように構成されており、以下に、本発明のレーザー加工方法について説明する。
【００２０】
図２は、本発明によって実施されるレーザー加工方法の手順をフローチャートで示したものである。このフローチャートを参照しながら本発明のレーザー加工方法について説明する。
【００２１】
（第１の検出ステップ）
本発明のレーザー加工方法を実施するに際し、まず第１の検出ステップ（Ｓ１）を実施する。第1の検出ステップを実施するためには、最初にカバー板３３上に配設されたパワーメータ３６とレーザー光線照射手段２４の集光器２４１との位置合わせを行う。この位置合わせは保持手段２２をＸ方向、Ｙ方向に移動させるＸ方向移動手段４０、Ｙ方向移動手段４２を制御することにより、撮像手段２６によりパワーメータ３６の中心位置を撮像してその位置を検出し、集光器２４１とパワーメータ３６とを相対的に移動させることにより集光器２４１をパワーメータに対峙させる。なお、集光器２４１とパワーメータ３６との位置合わせは、必ずしも撮像手段２６を使用して実施することに限定されず、集光器２４１から照射されるレーザー光線の照射位置をオペレータが目視により確認しながら行ってもよい。
【００２２】
集光器２４１とパワーメータ３６との位置合わせを実施したならば、図３（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段２４の図示しないレーザー発振器からレーザー光線ＬＢを発振し、集光器２４１からパワーメータ３６に対して照射して、レーザー光線ＬＢのパワーを制御装置２０に出力する。この際、レーザー光線ＬＢの集光位置Ｐは、パワーメータ３６の受光素子の高さに合わせるのではなく、所定の距離だけ上方に位置付ける（デフォーカス）。これにより、パワーメータ３６において計測される集光スポットのパワー密度が過剰に大きくならないようにし、パワーメータ３６の劣化を抑制する。また、レーザー光線ＬＢの上記デフォーカス量は、パワーメータ３６に照射されるレーザー光線ＬＢの全光量がパワーメータ３６にて受光されるようにする。なお、この際に照射されるレーザー光線ＬＢのパワーは、実際に被加工物に加工を施す際のパワーと比して低くすることが好ましい。
【００２３】
上記した第１検出ステップにて照射されるレーザー光線の照射条件は、例えば、以下のように設定することができる。
波長                        ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数              ：９０ｋＨｚ
平均出力                    ：１０００ｍＷ
【００２４】
図３（ａ）から理解されるように、第１の検出ステップで検出されるレーザー光線のパワーは、レーザー光線照射手段２４から照射されるレーザー光線ＬＢのパワーであり、本実施形態では、１０００ｍＷ（１Ｗ）が検出される。検出されたパワーは、制御装置２０のメモリに「第１のパワー（Ｐ１）」として記憶される。なお、レーザー光線照射手段２４に搭載された図示しないレーザー発振器のパワーは、経年変化等で低下したり、レーザー発振器の品質ばらつき等で変化したりする場合があり、この第１検出ステップを実施することにより正確にレーザー光線ＬＢの第１のパワー（Ｐ１）が検出される。
【００２５】
（第２の検出ステップ）
上記したように、第１の検出ステップが実施され第１のパワー（Ｐ１）を制御装置２０のメモリに記憶したならば、図２に示す第２の検出ステップ（Ｓ２）を実施する。具体的には、図１に示したダミーウエーハ１００を用意し、図３（ｂ）に示すように、ダミーウエーハ１００が、パワーメータ３６の受光素子を覆うように位置付ける。この際、チャックテーブル３４からはみ出してパワーメータ３６に至るようにダミーウエーハ１００を載置し、吸着チャック３５に接続された図示しない吸引手段を作動してダミーウエーハ１００がずれないように保持することが好ましい。このようにダミーウエーハ１００を位置付けたならば、上記した第１の検出ステップと同じ照射条件でレーザー光線ＬＢをパワーメータ３６に照射する。なお、上記したダミーウエーハ１００は、被加工物として加工されるシリコンウエーハ１１０の基板となるものであり、シリコンウエーハ１１０の基板と同一のインゴットから、同一の製造過程を経て生産されるものである。よってダミーウエーハ１００の透過率を知ることで、シリコンウエーハ１１０の基板の透過率を知ることができる。
【００２６】
上記したようにダミーウエーハ１００を保持した状態でパワーメータ３６に向けてレーザー光線ＬＢが照射されると、ダミーウエーハ１００に吸収されずに透過したレーザー光線ＬＢがパワーメータ３６にて受光される。本実施形態では、６００ｍＷが検出され、検出されたパワーは、制御装置２０のメモリに「第２のパワー（Ｐ２）」として記憶される。
【００２７】
（透過率算出ステップ）
上記したように、第１の検出ステップ（Ｓ１）、第２の検出ステップ（Ｓ２）が実行されたならば、図２に示す透過率算出ステップ（Ｓ３）が実施される。この透過率算出ステップ（Ｓ３）では、制御装置２０に記憶された第１のパワー（Ｐ１＝１０００ｍＷ）と第２のパワー（Ｐ２＝６００ｍＷ）とから、被加工物の透過率を表す指標を算出する。具体的には以下のような演算を実施する。
透過率（Ｒ）＝（第２のパワー（Ｐ２）／第１のパワー（Ｐ１））×１００
＝（６００（ｍＷ）／１０００（ｍＷ））×１００＝６０（％）
【００２８】
上記した透過率算出ステップ（Ｓ３）が実行されることにより、本実施形態のダミーウエーハ１００の透過率（Ｒ＝６０％）が算出され、制御装置２０のメモリに記憶される。なお、透過率算出ステップ（Ｓ３）で算出される透過率（Ｒ）は、透過率を表す指標であればよく、上記した演算により算出されることに限定されない。例えば、ダミーウエーハ１００によりレーザー光線ＬＢが吸収される吸収率を演算するものであってもよい。吸収率を算出する場合は、第１のパワー（Ｐ１）から第２のパワー（Ｐ２）を引いた値（Ｐ１−Ｐ２）を分子とし、第１のパワー（Ｐ１）を分母とすることで吸収率を算出することができる。該吸収率は、透過率が高いほど低く、透過率が低いほど高い値を示すものであり、実質的に透過率を表す指標として本発明に利用することができる。
【００２９】
（改質層形成判定ステップ）
上記した透過率算出ステップ（Ｓ３）が実行されたならば、改質層形成可能か否かを判定する改質層形成判定ステップ（Ｓ４）を実施する。具体的には、透過率に関する所定の判定基準、例えば、レーザー光線照射手段２４から照射されるレーザー光線ＬＢの波長（１３４２ｎｍ）に対して透過率３０％以上であるか否かを判定するステップであり、本実施形態で計測した透過率は、Ｒ＝６０％（≧３０％）であることから、この判定基準を満たす、すなわち改質層形成判定ステップ（Ｓ４）において改質層形成可能（Ｙｅｓ）と判定される。なお、透過率を表す指標として吸収率を使用する場合は、吸収率が７０％以下であるか否かを判定基準とすればよい。また、この判定基準は、使用するレーザー加工装置の加工条件、被加工物の物性、厚み等を考慮して適宜決定されてよい。
【００３０】
（改質層形成ステップ）
上記した改質層形成判定ステップ（Ｓ４）においてＹｅｓと判定されたならば、次に改質層形成ステップ（Ｓ５）を実施する。上記したように、透過率（Ｒ）の算出は、ダミーウエーハ１００に基づいて算出したものであるが、実際の改質層の形成はデバイス１４が形成されたシリコンウエーハ１１０に対して実施される。具体的には、複数のシリコンウエーハ１１０が収容されたカセット（図示は省略する。）から搬送され、チャックテーブル３４に載置されたシリコンウエーハ１１０に対してレーザー加工が実施される。この際に照射されるレーザー光線ＬＢ’は、第１の検出ステップ（Ｓ１）、第２の検出ステップ（Ｓ２）において照射されたレーザー光線ＬＢと同一の波長を有するレーザー光線であるが、実際に改質層を形成するため透過率を算出する際のレーザー光線ＬＢよりも高い出力が設定される。
【００３１】
この改質層形成ステップ（Ｓ５）は、先ず上述した図１に示すレーザー加工装置２のチャックテーブル３４上にシリコンウエーハ１１０の裏面１１０ｂ側を上面にして載置する。そして、図４に示すように、図示しない吸引手段を作用させることによってチャックテーブル３４の吸着チャック３５上にシリコンウエーハ１１０を吸引保持する。なお、シリコンウエーハ１１０の表面１１０ａ側に保護テープを貼着し、保護テープを介して吸着チャック３５上に吸着させてもよい。このようにして、シリコンウエーハ１１０を吸引保持したチャックテーブル３４は、移動手段２３によって撮像手段２６の直下に位置付けられる。
【００３２】
シリコンウエーハ１１０が保持されたチャックテーブル３４が撮像手段２６の直下に位置付けられると、撮像手段２６および制御装置２０によってシリコンウエーハ１１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段２６および制御装置２０は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン１１２と、分割予定ライン１１２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２４の集光器２４１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、シリコンウエーハ１１０に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン１１２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、シリコンウエーハ１１０の分割予定ライン１１２が形成されている表面１１０ａは下側に位置しているが、上述したように、撮像手段２６は、赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、裏面１１０ｂ側から透かして表面１１０ａ側の分割予定ライン１１２を撮像することができる。
【００３３】
以上のようにしてチャックテーブル３４上に保持されたシリコンウエーハ１１０に形成されている分割予定ライン１１２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４に示すようにチャックテーブル３４を、集光器２４１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１１２の一端をレーザー光線照射手段２４の集光器２４１の直下に位置付ける。次に、集光器２４１から照射されるレーザー光線ＬＢ’の集光点を半導体ウエーハ２の表面１１０ｂから所定の深さ位置に位置付ける。そして、集光器２４１からシリコンウエーハ１１０に対して第１の検出ステップ（Ｓ１）、第２の検出ステップ（Ｓ２）において照射したレーザー光線ＬＢと同一波長であって出力が大きいレーザー光線ＬＢ’を照射しつつ、チャックテーブル３４を図４において矢印Ｘで示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。そして、分割予定ライン１１２の他端が集光器２４１の照射位置に達したら、レーザー光線ＬＢ’の照射を停止するとともにチャックテーブル３４の移動を停止する。このようにして改質層１２０を形成するレーザー加工を、移動手段２２によりチャックテーブル３４の回転、及び移動を実施しながら、シリコンウエーハ１１０の内部に、図４に示すような改質層１２０を形成し、最終的には、全ての分割予定ライン１１２に沿って改質層１２０を形成する。
【００３４】
上記改質層形成ステップ（Ｓ５）において実施されるレーザー加工条件は、例えば次のように設定される。
波長                              ：１３４２ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数                    ：９０ｋＨｚ
平均出力                          ：１．７Ｗ
加工送り速度                      ：７００ｍｍ／秒
【００３５】
なお、上記した第１の検出ステップ（Ｓ１）、第２の検出ステップ（Ｓ２）、改質層形成ステップ（Ｓ５）では、波長が１３４２ｎｍのレーザー光線ＬＢ、ＬＢ’を照射したが、本発明は、波長が１３４２ｎｍのレーザー光線であることに限定されず、被加工物の物性や、選択したレーザー光線照射手段２４に応じて、近赤外線の波長域、例えば、１０００ｎｍ〜２５００ｎｍ波長のレーザー光線から、任意の波長を選択することができる。
【００３６】
（レーザー加工中止ステップ）
図３に戻り説明を続けると、改質層形成判定ステップ（Ｓ４）において、算出された透過率（Ｒ）が所定の条件（３０％以上）を満たさず、Ｎｏと判定されたならば、改質層形成ステップ（Ｓ５）に進まず、レーザー加工中止ステップ（Ｓ６）に進む。このような透過率（Ｒ）のシリコンウエーハ１１０では、透過率が低すぎるため、設定された条件である加工条件に基づいてレーザー加工を実施しても、シリコンウエーハ１１０の内部に良好な改質層１２０を形成することができないと判断される。よって、その後に設定されたレーザー加工を中止する。なお、このレーザー加工中止ステップ（Ｓ６）によりレーザー加工を中止した場合であっても、レーザー加工条件を変更することにより対応できる場合は、レーザー加工条件の再設定（レーザー光線の波長、出力の変更等）を行ったうえで、改質層１２０の形成を行う改質層形成ステップを実行することとしてもよい。
【００３７】
本発明は、上記した実施形態に限定されず、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の変形例を想定することができる。
【００３８】
例えば、上記した実施形態では、被加工物であるシリコンウエーハ１１０を構成するダミーウエーハ１００を用いて透過率を算出し、シリコンウエーハ１１０が改質層の形成に適するか否かを判定したが、本発明はこれに限定されない。シリコンウエーハ１１０には、デバイス１１４が形成されていない外周領域１１０ｃがあり、上記した第２の検出ステップにてダミーウエーハ１００に代えてシリコンウエーハ１１０を載置し、その際に外周領域１１０ｃがパワーメータ３６の受光素子を覆うように配置し、保持する。そして、シリコンウエーハ１１０の外周領域１１０ｃにレーザー光線ＬＢを照射して透過するレーザー光線をパワーメータ３６により受光して第２のパワーを検出することにより実際に加工が施されるシリコンウエーハ１１０の透過率を算出してもよい。このようにすれば、実際にデバイス１１４を基板上に形成する過程において生じた透過率の変化も加味した透過率となり、より精密に透過率を把握でき、改質層形成判定に反映させることができる。
【符号の説明】
【００３９】
２：レーザー加工装置
２０：制御装置
２２：保持手段
２３：移動手段
３３：カバー板
３４：チャックテーブル
３５：吸着チャック
３６：パワーメータ
４０：Ｘ方向移動手段
４２：Ｙ方向移動手段
１００：ダミーウエーハ
１１０：シリコンウエーハ
１１０ａ：表面
１１０ｂ：裏面
１１０ｃ：外周余剰領域
１１２：分割予定ライン
１１４：デバイス
【図１】
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【図２】
2019033162.tif 000004
【図３】
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【図４】
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