(57)【要約】      （修正有）【課題】新規なスチルベン誘導体と、それを含む有機電界発光素子の提供。【解決手段】式（１）で表される化合物。2019218298.tif 000029式中、Ｒａ、ＲｂはＨ等；Ｘａ、ＸｂはＯ、Ｓ等；Ｒ１〜Ｒ４はベンゼン環上の置換基、ｏ〜ｒはその数；Ａｒ１及びＡｒ２は（ヘテロ）アリール基；Ｌ１及びＬ２は単結合等。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
【化１】
2019218298.tif 000026
（式（１）中、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、又は置換もしくは非置換のビフェニル基を表し；Ｘａ及びＸｂはそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、又はＳｅ原子を表し；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４はそれらが存在する場合には式１においてそれぞれが結合しているベンゼン環上の置換基を表し、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、置換又は非置換の炭素数１〜８アルキル基、置換又は非置換の環構成原子数６〜３０のアリール基、及び置換又は非置換の環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選択され；ｏ、ｐ、ｑ、及びｒはそれぞれ置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の数を表し、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に環構成原子数６〜３０の置換又は非置換アリール基及び環構成原子数５〜３０の置換又は非置換ヘテロアリール基からなる群から選択される基であり；Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に単結合であるか、あるいは環構成原子数６〜３０の置換又は非置換アリーレン基を表し；２つのＮ原子はそれらが結合しているベンゼン環にそれぞれ独立にメタ又はパラ位で結合している）
で表される化合物。
【請求項２】
前記式（１）が下記式（２）：
【化２】
2019218298.tif 000027
（式（２）中の各記号は請求項１で式（１）について定義したものと同じ意味を有する。）
で表される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
下記式（３）：
【化３】
2019218298.tif 000028
（式（３）中の各記号は請求項１で式（１）について定義したものと同じ意味を有する。）
で表される、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式（１）又は（２）において、Ｒａ及びＲｂが水素原子又は重水素原子であり；Ｘａ及びＸｂが共に酸素原子、硫黄原子、又はセレン原子であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から選択される基であり、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２が、独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル、ナフチル基、ジベンゾフラン−１−イル基、ジベンゾフラン−２−イル基、ジベンゾフラン−３−イル基、ジベンゾフラン−４−イル基、ジベンゾチオフェン−１−イル基、ジベンゾチオフェン−２−イル基、ジベンゾチオフェン−３−イル基、ジベンゾチオフェン−４−イル基、ジベンゾセレノフェン−１−イル基、ジベンゾセレノフェン−２−イル基、ジベンゾセレノフェン−３−イル基、ジベンゾセレノフェン−４−イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基であり；Ｌ１及びＬ２は独立に、単結合、又はメタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、及びこれらの基が重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から選択される１つ以上の基で置換された基からなる群から選択される基である、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項５】
式（３）において、Ｒａ及びＲｂが水素又は重水素原子であり；Ｘａ及びＸｂが共に酸素原子であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基から選択される基であり、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２が、独立に、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラン−１−イル基、ジベンゾフラン−２−イル基、ジベンゾフラン−３−イル基、ジベンゾフラン−４−イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基である、請求項３に記載の化合物。
【請求項６】
アノード、カソード、及び前記アノードとカソードの間に配置された少なくとも１つの有機層を含み、前記有機層が請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物を含む、有機電界発光素子。
【請求項７】
前記有機層が発光層であり、前記化合物が青色発光材料である、請求項６に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な化学構造を有する、芳香族アミノ基で置換されたスチルベン誘導体と、それを含む有機電界発光素子に関する。特に、本発明の芳香族アミノ基で置換されたスチルベン誘導体は、有機電界発光素子のための発光材料、特に青色発光材料として用いることができる。したがって、本発明は、本発明の芳香族アミノ基で置換されたスチルベン誘導体の、有機電界発光素子のための発光材料、特に青色発光材料としての使用にも関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（以下、有機ＥＬデバイスともいう）は、通常、アノードとカソードおよびこれらの電極間に配置された、発光層を含めた有機物層を含む構造を有する。有機ＥＬデバイスでは、アノード及びカソードからそれぞれ注入された正孔及び電子が再結合して生じる励起子のエネルギーを利用して発光材料から発光が生じる。ここで、一般に、有機ＥＬデバイスの有機物層は、その有機ＥＬデバイスの特性、例えば、発光効率を高めるためにそれぞれ異なる機能を備えた異なる物質を含んでなる複数の層からなる多層構造を有し、それら複数の層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層などからなる。しかし、これらの層はそのうちのいくつかの機能を１つの層が担うことができ、したがって、これらの層のいくつかは省略してもよい。さらに、これらの有機物層に加えて、電極表面の平坦性を高めるための平坦化層、発光層に正孔、電子、及び／又は励起子を閉じ込めるための、正孔阻止層、電子阻止層、及び／又は正孔阻止層を有機ＥＬデバイスの有機層に含めることもできる。
【０００３】
このような構造を有する有機ＥＬデバイスにおいて、二つの電極の間に電圧を印加した場合、アノードからは正孔が、カソードからは電子が有機物層に注入され、注入された正孔と電子が結合した時に発光性分子においてその分子の基底状態エネルギーよりも高いエネルギーを有する励起子が形成され、この励起子が基底状態に戻る時に発光が生じる。このような有機ＥＬデバイスは、自発光型の発光デバイスであって、従来のバックライトを用いる液晶デバイスと比較して、高輝度、高効率、低い駆動電圧、広い視野角、高いコントラスト、及び高速応答などの特性を有しうることが知られている。
【０００４】
有機ＥＬデバイスにおいて用いられる発光材料は、発光色に応じて、青色、緑色、赤色の発光材料と、より良い天然色を実現するために必要な黄色および橙色の発光材料に分類することができる。また、発光層を一つの物質だけから形成した場合、分子間相互作用によって最大発光波長が長波長に移動して色純度が低下したり、発光減衰効果によって素子の効率が低下したりする問題が発生しうるので、発光の高い色純度及び発光効率の向上のために、発光材料及びホスト材料を含むホスト／ドーパント系を発光層に用いることができる。
【０００５】
有機ＥＬデバイスの青色発光材料として用いることができる化合物として、例えば、ペリレン系化合物、ピレン系化合物、クリセン系化合物などの多環式芳香族炭化水素、スチレン又はビススチリルベンゼンなどのスチレン系炭化水素化合物、及びそれらの芳香族アミノ基置換体などが知られている。特開２０１２−１５８５８７号公報には、蛍光青色発光材料として用いることができる化合物として、N-ジベンゾフラン-2-イル-N-フェニルアミノ基で置換されたスチルベン誘導体が記載されている。
【０００６】
しかし、有機ＥＬデバイスに用いた場合に、これまでに知られている材料よりも高い発光効率を示す青色発光材料、あるいはより寿命の長い、すなわち経時的な発光効率又は輝度の低下が少ない青色発光材料が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１５８５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、新規な化学構造を有する、有機電界発光素子（有機ＥＬデバイスと記す）のための青色発光材料として用いることができる化合物を提供することである。本発明のさらなる目的は、その化合物を含む有機ＥＬデバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の化合物は、下記式（１）で表される芳香族アミノ基で置換されたスチルベン誘導体である。式（１）の化合物は有機ＥＬデバイスのための青色発光材料として用いるのに適している。本発明はさらに、式（１）の化合物を含む発光層を有する有機ＥＬデバイスを提供する。
【００１０】
【化１】
2019218298.tif 000002
（式（１）中、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、又は置換もしくは非置換のビフェニル基を表し；Ｘａ及びＸｂはそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、又はＳｅ原子を表し；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４はそれらが存在する場合には式１においてそれぞれが結合しているベンゼン環上の置換基を表し、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、置換又は非置換の炭素数１〜８アルキル基、置換又は非置換の環構成原子数６〜３０のアリール基、及び置換又は非置換の環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選択され；ｏ、ｐ、ｑ、及びｒはそれぞれ置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の数を表し、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に環構成原子数６〜３０の置換又は非置換アリール基、及び環構成原子数５〜３０の置換又は非置換ヘテロアリール基からなる群から独立に選択される基であり；Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に単結合であるか、あるいは環構成原子数６〜３０の置換又は非置換アリーレン基を表し；２つのＮ原子はそれらが結合しているベンゼン環にそれぞれ独立にメタ又はパラ位で結合している）。
【００１１】
上記式（１）で表される化合物は、下記式（２）で表される化合物であることが好ましい。
【化２】
2019218298.tif 000003
（式（２）中の各記号は式（１）について定義したものと同じ意味を有する。）
【００１２】
さらに、上記式（１）で表される化合物は下記式（３）で表される化合物であることが好ましい。
【化３】
2019218298.tif 000004
（式（３）中の各記号は式（１）について定義したものと同じ意味を有する。）
【００１３】
上記式（１）又は（２）においては、Ｒａ及びＲｂが水素原子又は重水素原子であり；Ｘａ及びＸｂが共に酸素原子、硫黄原子、又はセレン原子であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８アルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から選択される基であり、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２が、独立に、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラン-1-イル基、ジベンゾフラン-2-イル基、ジベンゾフラン-3-イル基、ジベンゾフラン-4-イル基、ジベンゾチオフェン-1-イル基、ジベンゾチオフェン-2-イル基、ジベンゾチオフェン-3-イル基、ジベンゾチオフェン-4-イル基、ジベンゾセレノフェン-1-イル基、ジベンゾセレノフェン-2-イル基、ジベンゾセレノフェン-3-イル基、ジベンゾセレノフェン-4-イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基であり；Ｌ１及びＬ２は独立に、単結合、又はメタフェニレン基、パラフェニレン基、ビフェニレン基、及びこれらの基が重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から選択される１つ以上の基で置換された基からなる群から選択される基であることがさらに好ましい。
【００１４】
また、上記式（３）においては、Ｒａ及びＲｂが水素原子又は重水素原子であり；Ｘａ及びＸｂが共に酸素原子であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基から選択される基であり、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２が、独立に、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、ジベンゾフラン-1-イル基、ジベンゾフラン-2-イル基、ジベンゾフラン-3-イル基、ジベンゾフラン-4-イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基であることが好ましい。
【００１５】
本発明は、さらに、アノード、カソード、及びアノードとカソードの間に配置された少なくとも１つの有機層を含み、その有機層が上記のいずれかの化合物を含む、有機ＥＬデバイス（すなわち有機電界発光素子）を提供する。
【００１６】
上記有機ＥＬデバイスにおいて、有機層は発光層であり、上記化合物は青色発光材料であることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、有機ＥＬデバイスの典型的な構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
【００１９】
本明細書において「アルキル基」には、直鎖状アルキル基、分枝状アルキル基、及び環状アルキル基が含まれる。炭素数１〜８の直鎖状又は分枝状アルキル基の例としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、及び2-エチルヘキシル基などが挙げられるがこれらに限定されない。環状アルキル基の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びこれらの環状アルキル部分構造を含むアルキル基、例えばメチルシクロプロピル及びメチルシクロヘキシル基などが挙げられるがこれらに限定されない。
【００２０】
本明細書において「アリール基」は芳香族炭化水素基をいい、例えば、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、アセナフチレニル、フルオランテニル、ピレニル、クリセニル、トリフェニレニル、及びペリレニル基が挙げられるが、これらに限定されない。本明細書においてはフルオレニル基も広義のアリール基もしくは置換アリール基に含む。本明細書において「アリーレン基」は上記「アリール基」からさらに水素原子１つが除かれた２価の基をいう。
【００２１】
本明細書において「ヘテロアリール基」はヘテロ原子を環構成原子として１個以上含む芳香族複素環基をいい、例えば、インデニル基、ベンゾインデニル基、ピロリル基、インドリル基、カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基（特に、ジベンゾフラン-1-イル基、ジベンゾフラン-2-イル基、ジベンゾフラン-3-イル基、及びジベンゾチオフェン-4-イル基）、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基（特に、ジベンゾチオフェン-1-イル基、ジベンゾチオフェン-2-イル基、ジベンゾチオフェン-3-イル基、及びジベンゾチオフェン-4-イル基）、セレノフェニル基、ベンゾセレノフェニル基、ジベンゾセレノフェニル基（特に、ジベンゾセレノフェン-1-イル、ジベンゾセレノフェン-2-イル、ジベンゾセレノフェン-3-イル基、及びジベンゾセレノフェン-4-イル基）、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、キノリニル基、及びキノキサリニル基が挙げられるがこれらに限定されない。
【００２２】
本発明の化合物は、下記式（１）で表される。
【化４】
2019218298.tif 000005
【００２３】
式（１）中、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に、水素原子、重水素原子、炭素数１〜８のアルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、又は置換もしくは非置換のビフェニル基を表す。前記アルキル基の例は、例えば、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル、ペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられるがこれらに限定されない。フェニル基及びビフェニル基が有していてもよい置換基としては、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ（シアノ）基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基、からなる群からそれぞれ独立に選択される１つ以上の基が好ましい。Ｒａ及びＲｂは水素原子又は重水素原子であることが特に好ましい。
【００２４】
式（１）中、Ｘａ及びＸｂはそれぞれ独立に、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）、又はＳｅ（セレン）原子を表す。Ｘａ及びＸｂは同じでも異なっていてもよい。Ｘａ及びＸｂはそれぞれＯ（酸素原子）であることが特に好ましい。式（１）の化合物においては、Ｘａ又はＸｂを含む三環縮合芳香族環がその３位又は７位においてＬ１基と、あるいはＬ１が単結合である場合にはＮ原子と結合している。なお、本明細書において用いるこの三環縮合芳香族環の環原子の番号は下に示すとおりである。
【化５】
2019218298.tif 000006
【００２５】
式（１）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４はそれらが存在する場合には式（１）においてそれぞれが結合しているベンゼン環上の置換基を表し、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、置換又は非置換の炭素数１〜８のアルキル基、置換又は非置換の環構成原子数６〜３０のアリール基、及び置換又は非置換の環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から選択される。式（1）中、ｏ、ｐ、ｑ、及びｒはそれぞれ置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の数を表し、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数である。したがって、ｏ、ｐ、ｑ、又はｒが０である場合には、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、又はＲ４は存在せず、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、又はＲ４が結合したそれぞれのベンゼン環部分は置換基を有しない。ここで、上記アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、環構成原子数６〜３０のアリール基、及び環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択される１つ以上の置換基が挙げられ、特に、重水素、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、及びtert-ブチル基）、及び炭素数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群からそれぞれ独立して選択される１つ以上の基が好ましい。
【００２６】
式（１）中、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に環構成原子数６〜３０の置換又は非置換アリール基、及び環構成原子数５〜３０の置換又は非置換ヘテロアリール基からなる群から選択される基である。アリール基としては、例えば、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、フルオレニル、スピロビフルオレニル、ナフチル、アントラセニル、フェナントリル、アセナフチレニル、フルオランテニル、ピレニル、クリセニル、トリフェニレニル、及びペリレニル基が挙げられるが、これらに限定されない。また、ヘテロアリール基としては、例えば、インデニル、ベンゾインデニル、ピロリル、インドリル、カルバゾリル、フラニル、ベンゾフラニル、ジベンゾフラニル（特に、ジベンゾフラン-1-イル、ジベンゾフラン-2-イル、ジベンゾフラン-3-イル、及びジベンゾフラン-4-イル）、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル（特に、ジベンゾチオフェン-1-イル、ジベンゾチオフェン-2-イル、ジベンゾチオフェン-3-イル、及びジベンゾチオフェン-4-イル）、セレノフェニル、ベンゾセレノフェニル、ジベンゾセレノフェニル（特に、ジベンゾセレノフェン-1-イル、ジベンゾセレノフェン-2-イル、ジベンゾセレノフェン-3-イル、及びジベンゾセレノフェン-4-イル）、イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、トリアゾリル、オキサゾリル、オキサジアゾリル、チアゾリル、チアジアゾリル、ピリジル、ピリミジル、トリアジニル、キノリニル、及びキノキサリニル基が挙げられるがこれらに限定されない。好ましくは、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立に、置換又は非置換のフェニル基、ビフェニル基、及びナフチル基から選択される置換又は非置換のアリール基であるか、置換又は非置換のジベンゾフラニル基（特に、ジベンゾフラン-1-イル、ジベンゾフラン-2-イル、ジベンゾフラン-3-イル、及びジベンゾフラン-4-イル基）、ジベンゾチオフェニル基（特に、ジベンゾチオフェン-1-イル、ジベンゾチオフェン-2-イル、ジベンゾチオフェン-3-イル、及びジベンゾチオフェン-4-イル基）、及びジベンゾセレノフェニル基（特に、ジベンゾセレノフェン-1-イル、ジベンゾセレノフェン-2-イル、ジベンゾセレノフェン-3-イル、及びジベンゾセレノフェン-4-イル基）から選択される置換又は非置換のヘテロアリー
ル基であることが好ましい。Ａｒ１とＡｒ２は同じでも異なっていてもよい。Ａｒ１及びＡｒ２のアリール又はヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、環構成原子数６〜３０のアリール基、及び環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択される１つ以上の置換基が挙げられ、特に、重水素、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、tert-ブチル基）、及び環構成原子数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群からそれぞれ独立して選択される１つ以上の基が好ましい。
【００２７】
式（１）中、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ、三環式縮合芳香族環とアリールアミノ基の窒素原子を連結する連結基であり、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に、単結合であるか、環構成原子数６〜３０の置換又は非置換のアリーレン基を表す。アリーレン基としては、置換又は非置換の、フェニレン（特に、メタフェニレン及びパラフェニレン）、ビフェニレン（特に、4,4’-ビフェニレン、2,4’-ビフェニレン）、ターフェニレン、フルオレニレン、スピロビフルオレニレン、ナフチレン、アントラセニレン、フェナントレニレン、フルオランテニレン、ピレニレン、クリセニレン、トリフェニレニレン、及びペリレニレン基からなる群から選択される基が好ましい。特に好ましくは、Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立に、単結合、あるいは、置換又は非置換の、特に非置換のメタフェニレン基、パラフェニレン基、又はビフェニレン基である。アリーレン基が有していてもよい置換基としては、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、環構成原子数６〜３０のアリール基、及び環構成原子数５〜３０のヘテロアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基が挙げられ、特に、重水素、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、tert-ブチル基）、及び炭素数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群からそれぞれ独立して選択される１つ以上の基が好ましい。Ｌ１とＬ２は同じでも異なっていてもよい。好ましくはＬ１及びＬ２は同一の基を表す。
【００２８】
式（１）中、式の中央のスチルベン部分の２つのベンゼン環にそれぞれ結合しているＮ（窒素）原子は、独立に、中央のエテニル基部分に対してオルト、メタ、又はパラ位で結合できるが、好ましくはメタ位又はパラ位、さらに好ましくはパラ位で結合する。したがって、２つのＮ原子は共にスチルベン部分の２つのベンゼン環それぞれのパラ位（すなわちスチルベン部分の４及び４’位）に結合していることが最も好ましい。
【００２９】
なお、スチルベン及びその誘導体は、励起状態を介してトランス（Ｅ）及びシス（Ｚ）異性体の間で相互に異性化しうることが知られている。したがって、本発明の式（１）の化合物を示す化学式はトランス（Ｅ）異性体として記載しているが、トランス（Ｅ）異性体から異性化したシス（Ｅ）異性体も本発明の式（１）の化合物の範囲に含まれることが理解されるべきである。
【００３０】
上記式（１）においてＬ１及びＬ２が単結合である、下記式（２）で表される化合物が好ましい。
【００３１】
【化６】
2019218298.tif 000007
（式中の各記号の意味は、上記式（１）について定義した通りである。）
【００３２】
本発明の好ましい一つの態様では、上記式（１）の化合物は下記式（３）で表される化合物であることが好ましい。
【化７】
2019218298.tif 000008
【００３３】
式（３）中の各記号は式（１）について定義したものと同じ意味を有する。式（３）で表される化合物は式（１）において、スチルベン部分の２つのベンゼン環に置換したジアリールアミノ基がベンゼン環の４及び４’位にそれぞれ結合したものである。
【００３４】
上記式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物のうち特に好ましいものは、上記式（１）〜（３）において、各記号が以下のものを意味する場合である。Ｒａ及びＲｂは水素原子又は重水素原子である。Ｘａ及びＸｂは共に酸素原子、硫黄原子、又はセレン原子であり、特に好ましくは酸素原子である。存在していてもよい置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から選択される基である。ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数である。Ａｒ１及びＡｒ２は、独立に、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、ナフチル、ジベンゾフラン-1-イル、ジベンゾフラン-2-イル、ジベンゾフラン-3-イル、ジベンゾフラン-4-イル、ジベンゾチオフェン-1-イル、ジベンゾチオフェン-2-イル、ジベンゾチオフェン-3-イル、ジベンゾチオフェン-4-イル、ジベンゾセレノフェン-1-イル、ジベンゾセレノフェン-2-イル、ジベンゾセレノフェン-3-イル、及びジベンゾセレノフェン-4-イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群からそれぞれ独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基である。特に好ましくは、Ａｒ１及びＡｒ２は、フェニル、ビフェニル、及びジベンゾフラン-3-イル基、並びにこれらの基が重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基である。Ｌ１及びＬ２は独立に、単結合、又はメタフェニレン、パラフェニレン、及びビフェニレン基（例えば、2,4’-ビフェニレン基、4,4’-ビフェニレン基）からなる群から選択される基、及びこれらの基が重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、及びtert-ブチル基）、及び環構成原子数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群から独立に
選択される１つ以上の置換基で置換された基である。
【００３５】
式（１）で表される化合物のうち、特に好ましい化合物は、下記式（４）で表される化合物である。
【化８】
2019218298.tif 000009
【００３６】
式（４）中の各記号は式（１）について定義したものと同じ意味を有する。式（４）の化合物は、式（３）の化合物においてさらにＬ１及びＬ２が単結合の化合物に該当する。
【００３７】
式（４）においては特に、Ｒａ及びＲｂは水素又は重水素原子であり；Ｘａ及びＸｂが共に酸素原子であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、それぞれ独立に、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基、及び環構成原子数６〜３０のアリール基から選択される基であり、ｏ及びｒはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、ｐ及びｑはそれぞれ独立に０〜３の整数であり；Ａｒ１及びＡｒ２が、独立に、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ジベンゾフラン-1-イル、ジベンゾフラン-2-イル、ジベンゾフラン-3-イル、ジベンゾフラン-4-イル基、特に、フェニル、ビフェニル、ジベンゾフラン-3-イル基、並びにこれらの基が、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、及びtert-ブチル基）、及び環構成原子数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群から独立に選択される１つ以上の置換基で置換された基からなる群から選択される基であることが好ましい。
【００３８】
式（１）、（２）、（３）、及び（４）において、１つの好ましい態様では、ＲａとＲｂ、Ａｒ１とＡｒ２、ＸａとＸｂ、Ｌ１とＬ２、Ｒ１とＲ４、Ｒ２とＲ３、ｏとｒ、及びｐとｑがそれぞれ同じ基を表す。
【００３９】
本発明の式（１）の化合物の特に好ましい例として、下記式
【化９】
2019218298.tif 000010
で表される化合物を挙げることができる。
この式中、Ｘａ、Ｘｂ、Ａｒ１、及びＡｒ２は上記式（１）について定義したとおりである。Ｘａ及びＸｂは酸素原子であることが特に好ましい。Ａｒ１及びＡｒ２は、特に好ましくは、独立に、置換又は非置換の、フェニル、ビフェニル、ナフチル、及びジベンゾフラン-3-イル基から選択される基である。Ａｒ１とＡｒ２は同じであるか異なっていてよく、同じであることが好ましい。ここで、フェニル、ビフェニル、ナフチル、及びジベンゾフラン-3-イル基が有していてもよい置換基は、重水素原子、フッ素原子、ＣＮ基、炭素数１〜８のアルキル基（例えば、メチル、エチル、及びtert-ブチル基）、及び環構成原子数６〜３０のアリール基（例えば、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラセニル、フェナンスリル、アセナフチレニル、ピレニル、クリセニル、及びトリフェニレニル基）からなる群からそれぞれ独立に選択される１つ以上の基であることが好ましい。
【００４０】
上記式（１）の化合物の一つの態様は、下記式（６）〜（９）のいずれかで表される化合物である。
【００４１】
【化１０】
2019218298.tif 000011
【００４２】
【化１１】
2019218298.tif 000012
【００４３】
【化１２】
2019218298.tif 000013
【００４４】
【化１３】
2019218298.tif 000014
【００４５】
式（６）〜（９）において、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、及びＲ４’は、式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の定義と同じであり、ｏ’、ｐ’、ｑ’、及びｒ’は、式（１）のｏ、ｐ、ｑ、及びｒの定義と同じである。また、Ｘａ’及びＸｂ’は、式（１）のＸａ及びＸｂの定義と同じである。その他の式中の記号は式（１）について定義したとおりである。また、式（６）及び（８）において、２つのＮ原子は中央のエテニル基部分に対してベンゼン環上のオルト、メタ、又はパラ位で結合できるが、好ましくはメタ位又はパラ位、さらに好ましくはパラ位で結合する。したがって、２つのＮ原子は共にスチルベン部分の２つの各ベンゼン環のパラ位（すなわちスチルベン部分の４及び４’位）に結合していることが最も好ましい。これらの式（６）〜（９）は、式（１）〜（４）においてＡｒ１及びＡｒ２が置換又は非置換のジベンゾフラン-3-イル基、置換又は非置換のジベンゾチオフェン-3-イル基、及び置換又は非置換のジベンゾセレノフェン-3-イル基からなる群から選択される基である場合に相当する。また、式（８）及び（９）の化合物は、式（６）及び（７）中のＬ１及びＬ２が単結合である場合に相当する。
【００４６】
本発明の化合物の具体例を下に挙げるが、本発明の化合物はこれらに限定されない。
【００４７】
【化１４】
2019218298.tif 000015
【化１５】
2019218298.tif 000016
【化１６】
2019218298.tif 000017
【００４８】
上記各式中、Ｘａ、Ｘａ’、Ｘｂ、及びＸｂ’はそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、及びセレン原子から選択される原子を表す。Ｘａ及びＸｂは同じ種類の原子であることが好ましく、Ｘａ及びＸｂはともに酸素原子であることがさらに好ましい。また、Ｘａ’及びＸｂ’は同じ種類の原子であることが好ましく、Ｘａ’及びＸｂ’はともに酸素原子であることがさらに好ましい。特に好ましくはＸａ、Ｘａ’、Ｘｂ、及びＸｂ’が全て酸素原子である。
【００４９】
上述した本発明の化合物は、有機ＥＬデバイスのための材料、特に青色発光材料として用いることができる。
【００５０】
したがって、本発明は、さらに、アノード、カソード、及びアノードとカソードの間に配置された少なくとも１つの有機層を含み、その有機層が上記のいずれかの化合物を含む、有機ＥＬデバイス（すなわち有機電界発光素子）を提供する。その有機層は発光層であり、本発明の化合物は青色発光材料であることが好ましい。
【００５１】
［有機エレクトロルミネッセンスデバイス（有機ＥＬデバイス）］
有機ＥＬデバイスは、一般に、第１電極と第２電極およびこの間に配置された１つ以上の有機物層を含み、第１電極及び第２電極のうち少なくとも１つが光透過性電極である。これら２つの電極の間に電圧を印加して、有機層にアノードから正孔を注入し、カソードから電子を注入すると、正孔と電子が有機物層中で再結合し、再結合によって生じる励起子のエネルギーを利用して有機物層中に含まれる発光体すなわち発光材料が発光する。有機ＥＬデバイスは、その有機物層からの発光を、光透過性電極側から取り出す構造を有する。有機ＥＬデバイスのデバイス構造は一つに限定されず、様々なデバイス構造が提案されている。発光方式についても、トップ・エミッション型、ボトム・エミッション型、及び両面エミッション（両面発光）型などが知られている。本発明の有機ＥＬデバイスの有機物層は１層からなる単層構造であってもよいが、発光層を含む２層以上の多層構造であってもよい。本発明の有機ＥＬデバイスの有機物層が多層構造を有する場合は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などが積層された構造であってもよい。さらに、電極表面を平坦化するための平坦化層、正孔阻止層、電子阻止層、及び励起子阻止層などの様々な層を設けて、有機ＥＬデバイスの特性を向上させることができることが知られている。上述した本発明の化合物は、全ての発光方式及び構造の有機ＥＬデバイスにおいて用いることができる。したがって、本発明の化合物を含む有機ＥＬデバイスは、その発光の方式及びデバイス構造は特定のものに限定されない。また、本発明の上記化合物は、有機ＥＬデバイスのための青色発光材料として特に有用である。
【００５２】
有機ＥＬデバイスの典型的な構造を図１に示す。図１において、１は基板、２はアノード、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は有機発光層、６は電子輸送層、そして、７はカソードを示している。通常、図１のような構造の有機ＥＬデバイスを正方向構造の有機ＥＬデバイスという。本発明の有機ＥＬデバイスは、このような正方向構造であることができるが、この構造のものに限定されず、逆方向構造の有機ＥＬデバイス、すなわち、基板、カソード、電子輸送層、有機発光層、正孔輸送層、正孔注入層および正極が順次積層された構造を有していてもよい。また、これらの複数の有機層からいくつかを省略することもできる。また、本発明の有機ＥＬデバイスは、上述したデバイス構造のものに限定されず、有機ＥＬデバイスの構造として公知のどのようなデバイス構造を有していてもよい。
【００５３】
本発明に係る有機ＥＬデバイスは、本発明の化合物を有機層に含むことを条件とするほかは、公知の有機ＥＬデバイスの製造方法および有機ＥＬデバイスに用いられる材料を用いて製造することができる。例えば、本発明に係る有機ＥＬデバイスは、スパッタリングや電子ビーム蒸着などの物理蒸着（ＰＶＤ）法を利用して、基板上に金属、合金、または導電性を有する金属酸化物、及びそれらの組み合わせを蒸着してアノードを形成し、その上に正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層などから選択される発光層を含めた１つ以上の層を含む有機物層を形成した後、その上にカソードとして用いることのできる物質を蒸着することによって製造することができる。このような方法の他にも、前述したように逆方向構造の有機ＥＬデバイスを製作するために、基板上にカソード物質から有機物層、アノード物質を順次蒸着して有機ＥＬデバイスを作ることもできる。また、上述した有機物層のいくつかを省略すること及び上述したもの以外の有機物層を追加することもできる。
【００５４】
有機物層を形成する方法として、溶液法、例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、ドクターブレードコーティング、スクリーン印刷、又はインクジェット印刷、あるいは熱転写法などの方法を用いることもできる。さらに、異なる有機層に対して、溶液法と蒸着法を組み合わせて用いることもできる。
【００５５】
アノードのための材料としては、通常、有機物層への正孔注入が円滑になるように仕事関数の大きい物質を用いることが好ましい。本発明で用いられるアノード材料の具体例としては、バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金などの金属、またはこれらの合金；亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの金属酸化物；ＺｎＯ：ＡｌまたはＳｎＯ２：Ｓｂなどの金属と酸化物の組み合わせ；ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ［３，４−（エチレン−１，２−ジオキシ）チオフェン］（ＰＥＤＯＴ）、ポリピロールおよびポリアニリンなどの導電性高分子などが挙げられるが、これらには限定されない。
【００５６】
カソードのための材料としては、通常、有機物層への電子注入が容易になるように仕事関数の小さい物質を用いることが好ましい。カソード材料の具体例としては、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛などの金属またはこれらの合金；ＬｉＦ／ＡｌまたはＬｉＯ２／Ａｌなどの多層構造の物質などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
正孔注入材料は、低い電圧においてアノードからの正孔の注入を円滑に受けられる物質であって、正孔注入材料の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）が、アノード材料の仕事関数と正孔注入層に隣接するアノードと反対側の有機物層のＨＯＭＯとの間であることが好ましい。正孔注入材料の具体的な例としては、金属ポルフィリン、オリゴチオフェン、アリールアミン系の有機物、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン系の有機物、キナクリドン系の有機物、ペリレン系の有機物、アントラキノンおよびポリアニリンとポリチオフェン系の導電性高分子などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５８】
正孔輸送層の材料としては、アノードや正孔注入層から正孔の輸送を受けて発光層に正孔を移動させることができる材料であって、正孔移動度の大きい材料が好適である。具体的な例としてはアリールアミン系の化合物；カルバゾール系の化合物；アントラセン系の化合物；ピレン系の化合物；導電性高分子、および共役部分と非共役部分が共に存在するブロック共重合体などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５９】
発光層を構成する発光材料として本発明の化合物を用いることができる。発光層は本発明の化合物を単独で用いて構成してもよいが、本発明の化合物を発光ドーパント材料として用いて、ホスト材料と組み合わせて発光層を形成することが好ましい。本発明の化合物とホスト材料を組み合わせて用いる場合、本発明の化合物の量は、本発明の化合物とホスト材料の合計量を基準にして、本発明の化合物が０．０１〜５０質量％、好ましくは０．５〜２０質量％であることが好ましい。
【００６０】
発光層においてホスト材料として用いることができる化合物は特に限定されないが、例えば、カルバゾール基を有する化合物、アントラセン誘導体、ビフルオレン誘導体、ピレン誘導体、ホスフィンオキシド誘導体、アリールアミノ基置換ベンゾジフラン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、アルミニウムヒドロキシキノリナートなどが挙げられる。ホスト材料の具体例としては、9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン、2-tert-ブチル-9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン、2-メチル-9,10-ビス(2-ナフチル)アントラセン、9,10-ビス(1-ナフチル)アントラセン、9,10-ジフェニルアントラセン、9-(１-ナフチル)-10-(2-ナフチル)アントラセン、9,9’,10,10’-テトラフェニル-2,2’-ビアントラセン、9,9’-ビアントラセン、9,9’-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジイルビス[3,6-ビス(1,1-ジメチルエチル)]-9H-カルバゾール、3,6-ビス(N-カルバゾリル)-N-フェニルカルバゾール、3,6-ビス(3-エチル-N-カルバゾリル)-N-フェニルカルバゾール、3,3”,6,6”-テトラキス(1,1-ジメチルエチル)-9’-エチル-9,3’:6’,9”-テル-9H-カルバゾール、4,4’-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)ビフェニル、4,4’-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)-2,2’-ジメチルビフェニル、2,6-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリジン、2,8-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)ジベンゾチオフェン、2,6-ビス(9H-カルバゾール-9-イル)ピリジン、1,3-ジ-9-カルバゾリルベンゼン、3,3’-ジ(9H-カルバゾール-9-イル)-1,1’-ビフェニル、9,9’-ジフェニル-9H,9’H-3,3’-ビカルバゾール、3,3”-ジ(9H-カルバゾール-9-イル)-1,1’:3’,1”-ターフェニル、9-[3-(ジベンゾフラン-2-イル)フェニル]-9H-カルバゾール、1,3,5-トリ(9H-カルバゾール-9-イル)ベンゼン、4,4’,4”-トリ-9-カルバゾリルトリフェニルアミン、4,4’-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ビフェニル、9,9-ビス[4-(1-ピレニル)フェニル]フルオレン、1,4-ジ(1-ピレニル)ベンゼン、2,7-ジ(1-ピレニル)-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]、2,2”:7”,2””-テル-9,9’-スピロビ[9H-フルオレン]、1,3,5-トリ(1-ナフチル)ベンゼン、4-(1-ナフチル)-3,5-ジフェニル-1,2,4-トリアゾール、9-フェニル-3,6-ビス]4-(1-フェニルベンゾイミダゾール-2-イル)フェニル]カルバゾール、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、2-(9,9’-スピロビ[フルオレン]-2-イル)-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン、ビス[2-[(オキソ)ジフェニルホスフィノ]フェニル]エーテル、2,8-ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[b,d]フラン、3,7-ビス[4-(N-カルバゾリル)-フェニル]-2,6-ジフェニル]ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジフラン(CZBDF)、及びトリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウムが挙げられるが、本発明の化合物と組み合わせて用いるホスト材料はこれらに限定されない。また、ホスト材料として特開２０１２−１５８５８７号公報に記載されたホスト材料を用いることもできる。
【００６１】
電子輸送材料としては、カソードから電子の注入を円滑に受けて、それを発光層に移動させることができる材料であって、電子移動度の大きい物質を用いることが好ましい。電子輸送材料の具体例としては８−ヒドロキシキノリンのＡｌ錯体；Ａｌｑ３を含む錯体；有機ラジカル化合物；ヒドロキシフラボン−金属錯体；アントラセン系の化合物；ピレン系の化合物；ベンゾオキサゾール、ベンズチアゾールおよびベンズイミダゾール系の化合物；ピリジン系の化合物；フェナントロリン系の化合物；キノリン系の化合物；キナゾリン系の化合物などが挙げられるが、これらに限定されない。また、これらの化合物に金属または金属化合物をドーピングすることによって電子輸送層を形成してもよい。
【００６２】
上述した各層の他に、必要に応じて、電極表面を平坦化するための平坦化層；正孔、電子、及び励起子を目的とする有機層に閉じ込めるための、正孔阻止層、電子阻止層、及び励起子阻止層から選択される層を、有機ＥＬデバイスに用いることもでき、そのような技術は公知の技術である。そのほかにも、有機ＥＬデバイスに関する公知の技術を、本発明の化合物を含む有機ＥＬデバイスに適用することができる。
【００６３】
以下に、本発明の理解を助けるために比較例と好ましい実施例の結果を示すが、本発明は以下の実施例に限定されない。
【実施例】
【００６４】
［合成例１］
１）化合物Aの合成
【化１７】
2019218298.tif 000018
【００６５】
100 mlの三口フラスコに、3.7 g（15 mmol）の3-ブロモジベンゾフラン（Springchem & Jadetextile Group Limitedによって製造されたもの、カタログ番号710）、2.0 g（20 mmol）のアニリン、45 mg（0.1 mmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、及び3.0 g（30 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び30 mlの無水キシレンを添加した。次に、泡が現れなくなるまで、3分間、脱気を行った。この溶液に0.5 ml（0.3 mmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％のヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を120℃にて5時間、窒素雰囲気下で加熱及び撹拌して反応をさせた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物を、フロリジル（和光純薬工業社によって製造されたもの、カタログ番号540-00135）、アルミナ、及びセライト（和光純薬工業社によって製造されたもの、カタログ番号531-16855）を通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次にメタノールをそこに添加し、混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して、36%の収率で1.4 gの白色粉末（化合物A）を得た。（電界脱離質量分析；m/z = 259が観測された。）
【００６６】
２）化合物Bの合成
【化１８】
2019218298.tif 000019
【００６７】
100 mlの三口フラスコに、3.7 g（15 mmol）の3-ブロモジベンゾフラン（Springchem & Jadetextile Group Limitedによって製造されたもの、カタログ番号710）、2.9 g（20 mmol）の2-アミノナフタレン、45 mg（0.1 mmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、及び3.0 g（30 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び30 mlの無水キシレンを添加した。次に、泡が現れなくなるまで、3分間、脱気を行った。この溶液に0.5 ml（0.3 mmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％のヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を120℃にて5時間、窒素雰囲気下で加熱及び撹拌して反応をさせた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物を、フロリジル、アルミナ、及びセライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次にメタノールをそこに添加し、混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して、35%の収率で1.6 gの白色粉末（化合物B）を得た。（電界脱離質量分析；m/z = 309が観測された。）
【００６８】
３）化合物Cの合成
【化１９】
2019218298.tif 000020
【００６９】
100 mlの三口フラスコに、3.7 g（15 mmol）の3-ブロモジベンゾフラン（Springchem & Jadetextile Group Limitedによって製造されたもの、カタログ番号710）、3.7 g（20 mmol）の3-アミノジベンゾフラン（Springchem & Jadetextile Group Limitedによって製造されたもの、カタログ番号710）、45 mg（0.1 mmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、及び3.0 g（30 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び30 mlの無水キシレンを添加した。次に、泡が現れなくなるまで、3分間、脱気を行った。この溶液に0.5 ml（0.3 mmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％のヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を120℃にて5時間、窒素雰囲気下で加熱及び撹拌して反応をさせた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物を、フロリジル、アルミナ、及びセライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次にメタノールをそこに添加し、混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して、34%の収率で1.8 gの白色粉末（化合物C）を得た。（電界脱離質量分析；m/z = 349観測された。）
【００７０】
４）化合物1の合成
【化２０】
2019218298.tif 000021
【００７１】
50 mlの三口フラスコ中で、1.0 g（4.2 mmol）の化合物A、680 mg（2.0 mmol）の4,4’-ジブロモスチルベン、23 mg（40μmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、1.0 g（10 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び20 mlの無水キシレンを、泡が現れるのが止まるまで、3分間脱気した。この懸濁液に、100μl（50μmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％ヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を窒素雰囲気下で120℃において6時間加熱し撹拌して、反応させた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液を、フロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次に、アセトン及びメタノールをそこに添加し、その混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して1.1 gの淡黄色粉末（化合物1）を79%の収率で得た。（電界脱離質量分析；m/z = 694が観測された。）
【００７２】
５）化合物2の合成
【化２１】
2019218298.tif 000022
【００７３】
50 mlの三口フラスコ中で、1.3g（4.2 mmol）の化合物B、680 mg（2.0 mmol）の4,4’-ジブロモスチルベン、23 mg（40μmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、1.0 g（10 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び20 mlの無水キシレンを、泡が現れるのが止まるまで、3分間脱気した。この懸濁液に、100μl（50μmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％ヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を窒素雰囲気下で120℃において6時間加熱し撹拌して、反応させた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液を、フロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次に、アセトン及びメタノールをそこに添加し、その混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して1.3gの淡黄色粉末（化合物2）82%の収率で得た。（電界脱離質量分析；m/z = 794が観測された。）
【００７４】
６）化合物3の合成
【化２２】
2019218298.tif 000023
【００７５】
50 mlの三口フラスコ中で、1.4g（4.2 mmol）の化合物C、680 mg（2.0 mmol）の4,4’-ジブロモスチルベン、23 mg（40μmol）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（0）、1.0 g（10 mmol）のナトリウム-t-ブトキシド、及び20 mlの無水キシレンを、泡が現れるのが止まるまで、3分間脱気した。この懸濁液に、100μl（50μmol）のトリ-t-ブチルホスフィン（10質量％ヘキサン溶液として）を添加し、その混合物を窒素雰囲気下で120℃において6時間加熱し撹拌して、反応させた。約200 mlのトルエンをその反応懸濁液に添加し、その混合物をフロリジル、アルミナ、及びセライトを通して濾過した。得られた濾液を水で洗い、そこに硫酸マグネシウムを添加して水分を吸収させた。この懸濁液を、フロリジル、アルミナ、及びセライトを通してさらに濾過し、得られた濾液を濃縮した。次に、アセトン及びメタノールをそこに添加し、その混合物に超音波を照射した。生成した固体を濾過によって集め、乾燥して1.3gの淡黄色粉末（化合物3）を74%の収率で得た。（電界脱離質量分析；m/z = 875が観測された。）
【００７６】
［実施例１］
最初に、予めパターン形成をし、洗浄したITOガラス基板に対して、UV-オゾン（O3）を用いた表面処理を行った。ITOガラス基板のITO層（第一電極）の厚さは約150 nmだった。表面処理の後、有機層を形成するためにそのガラス基板を蒸着装置に入れ、正孔注入層、正孔輸送層（HTL）、発光層、及び電子輸送層を、約10-4〜約10-5 Paの真空度において一つずつ堆積させた。
【００７７】
正孔注入層は、4,4’,4’’-トリス(N,N-2-ナフチルアミノ)トリフェニルアミン（2-TNATA）を用いて、約60 nmの層の厚さに形成した。正孔輸送層（HTL）は、N,N’-ビス(ナフタレン-1-イル)-N,N’-ジフェニル-4,4’-ベンジジン（NPD）を用いて、約30 nmの層の厚さに形成した。発光層は、発光ホスト材料として9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン（AND）及びドーパント材料として化合物1を用いて、約25 nmの層の厚さに形成した。ドーパント材料のドーピング量は、ホスト材料の総量に基づいて3質量％だった。電子輸送層は、Alq3（トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム）を用いて、約25 nmの層の厚さに形成した。
【００７８】
次に、その基板を、金属層を形成するための蒸着装置に移し、電子注入層と第二の電極を、約10-4〜約10-5 Paの真空度において堆積させ、それによって有機ＥＬデバイスを作製した。電子注入層はフッ化リチウム（LiF）を用いて約1 nmの層の厚さに形成し、第二の電極はアルミニウム（Al）を用いて約100 nmの層の厚さに形成した。そうして、例１による有機ＥＬデバイスを上述した方法にしたがって製造した。
【００７９】
［実施例２］
化合物1に代えて化合物2を用いて発光層を形成したこと以外は、実施例１に記載したものと実質的に同じ工程を行うことによって、実施例２の有機ＥＬデバイスを製造した。
【００８０】
［実施例３］
化合物1に代えて化合物3を用いて発光層を形成したこと以外は、実施例１に記載したものと実質的に同じ工程を行うことによって、実施例３の有機ＥＬデバイスを製造した。
【００８１】
［比較例１］
化合物1に代えてRef-1を用いて発光層を形成したこと以外は、実施例１に記載したものと実質的に同じ工程を行うことによって、比較例１による有機ＥＬデバイスを製造した。Ref-1と本発明の化合物１の化学構造の違いは、化合物１ではジベンゾフラン環の３位でＮ原子と結合しているのに対して、Ref-1ではジベンゾフラン環の２位でＮ原子と結合している点である。
【化２３】
2019218298.tif 000024
【００８２】
［評価結果］
実施例１〜３及び比較例１による有機ＥＬデバイスの評価結果を表１に示してある。
【００８３】
上述したように製造した有機ＥＬデバイスの発光特性を、浜松ホトニクス株式会社のC9920-11輝度配光特性測定装置を使用して評価した。
【００８４】
【表１】
2019218298.tif 000025
【００８５】
表１中、LT95は、有機ＥＬデバイスの初期の輝度が95%に低下するまでの時間を実施例１の値を1.0として相対値で示したものである。相対的な時間が長いほど、時間経過に伴うデバイスの輝度の低下が小さい。
【００８６】
表１に示した結果を参照すると、その発光層（EML）が本発明による化合物1〜3を発光ドーパント材料として用いて形成されている実施例１〜３の有機ＥＬデバイスの寿命が、比較例１のデバイスの寿命と比較して改善されていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明の化合物は、有機ＥＬデバイスのための青色発光材料、特に青色発光ドーパント材料として用いることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１  ・・・基板
２  ・・・アノード
３  ・・・正孔注入層
４  ・・・正孔輸送層
５  ・・・有機発光層
６  ・・・電子輸送層
７  ・・・カソード
【図１】
2019218298.tif 000030