(57)【要約】【課題】  リード処理及びライト処理の設定に関わる性能を向上可能な磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置の制御方法を提供することである。【解決手段】  本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ディスクを半径方向に区分した複数の記録領域にそれぞれ対応する複数のパラメータの内の前記複数の記録領域にそれぞれ対応する複数の上位領域にそれぞれ対応する複数の上位パラメータ群と、前記複数の上位領域を前記半径方向にそれぞれ区分した複数の下位領域にそれぞれ対応する前記複数のパラメータの内の前記複数の上位パラメータ群と異なる複数の下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御するコントローラと、を備える。【選択図】図１
2019164871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクと、
前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、
前記ディスクを半径方向に区分した複数の記録領域にそれぞれ対応する複数のパラメータの内の前記複数の記録領域にそれぞれ対応する複数の上位領域にそれぞれ対応する複数の上位パラメータ群と、前記複数の上位領域を前記半径方向にそれぞれ区分した複数の下位領域にそれぞれ対応する前記複数のパラメータの内の前記複数の上位パラメータ群と異なる複数の下位パラメータ群と、に基づいて前記ヘッドを制御するコントローラと、を備える磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記複数の上位領域の内の第１上位領域に対応する前記複数の下位領域の内の第１下位領域において前記第１上位領域に対応する前記複数の上位パラメータ群の内の第１上位パラメータ群と前記第１下位領域に対応する前記複数の下位パラメータ群の内の第１下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御する、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記第１下位領域から前記第１上位領域に対応する前記複数の下位領域の内の第２下位領域に前記ヘッドが移動する場合に、前記第１下位パラメータ群を前記第２下位領域に対応する前記複数の下位パラメータ群の内の第２下位パラメータ群に変更する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記第２下位領域において前記第１上位パラメータ群と前記第２下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御する、請求項３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前第１下位領域から前記複数の上位領域の内の第２上位領域に対応する前記複数の下位領域の内の第２下位領域に前記ヘッドが移動する場合に、前記第１上位パラメータ群を前記第２上位領域に対応する前記複数の上位パラメータの内の第２上位パラメータ群に変更する、請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記第２上位領域において前記第２上位パラメータ群と前記第１下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御する、請求項５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記第１下位パラメータ群を前記第２下位領域に対応する前記複数の下位パラメータの内の第２下位パラメータ群に変更する、請求項５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記コントローラは、前記第２上位パラメータ群と前記第２下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御する、請求項７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第１上位領域において前記第１下位パラメータ群を変更せずに前記第１上位パラメータ群を調整する請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記複数の上位パラメータ群及び前記複数の下位パラメータ群は、前記ヘッドのライト処理及びリード処理に関連する電流値を設定する際に使用される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、を備える磁気ディスク装置の制御方法であって、
前記ディスクを半径方向に区分した複数の記録領域にそれぞれ対応する複数のパラメータ群の内の前記複数の記録領域にそれぞれ対応する複数の上位領域にそれぞれ対応する複数の上位パラメータ群と、前記複数の上位領域を前記半径方向にそれぞれ区分した複数の下位領域にそれぞれ対応する前記複数のパラメータ群の内の前記複数の上位パラメータ群と異なる複数の下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御する、磁気ディスク装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、ディスクの記録領域は、半径方向に複数のゾーンに区分されている。ディスクに効率的にデータをライトするためには、さらにゾーンを細かく区分する必要があるが、ゾーン毎に設定された各ヘッドに対応する複数のパラメータの容量が増加し得る。ゾーンを細かく区分することで、磁気ディスク装置において、メモリの使用量やリード処理及びライト処理の設定に関わる性能が低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第６１９５２１８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態が解決しようとする課題は、リード処理及びライト処理の設定に関わる性能を向上可能な磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置の制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態に係る磁気ディスク装置は、ディスクと、前記ディスクに対してデータをライトし、前記ディスクからデータをリードするヘッドと、前記ディスクを半径方向に区分した複数の記録領域にそれぞれ対応する複数のパラメータの内の前記複数の記録領域にそれぞれ対応する複数の上位領域にそれぞれ対応する複数の上位パラメータ群と、前記複数の上位領域を前記半径方向にそれぞれ区分した複数の下位領域にそれぞれ対応する前記複数のパラメータの内の前記複数の上位パラメータ群と異なる複数の下位パラメータ群とに基づいて前記ヘッドを制御するコントローラと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施形態に係るディスクの半径位置とヘッドによるディスクへの記録周波数との関係の一例を示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係る所定のゾーンの階層構造の一例を示す模式図である。
【図４】図４は、実施形態に係る所定のゾーンの階層構造のテーブルの一例を示す模式図である。
【図５】図５は、実施形態に係る各階層と各パラメータ群との関係を示すテーブルの一例を示す模式図である。
【図６】図６は、実施形態に係る各階層の各パラメータの格納方法の一例を示すブロック図である。
【図７】図７は、実施形態に係るヘッドの半径位置に応じた各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。
【図８】図８は、実施形態に係る中位モードに設定された場合の変更可能な各パラメータ群と各階層に対応する複数の半径範囲との関係を示すテーブルの一例を示す模式図である。
【図９】図９は、実施形態に係る中位モードに設定された場合のヘッドの半径位置に応じて各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。
【図１０】図１０は、実施形態に係る最上位モードに設定された場合の変更可能な各パラメータ群と各階層との関係を示すテーブルの一例を示す模式図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係る最上位モードに設定された場合のヘッドの半径位置に応じて各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。
【図１２】図１２は、実施形態に係るヘッドの制御方法の一例を示すフローチャートである。
【図１３】図１３は、実施形態に係る各階層の各パラメータの調整方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面は、一例であって、発明の範囲を限定するものではない。  
（実施形態）  
図１は、実施形態に係る磁気ディスク装置１の構成を示すブロック図である。  
磁気ディスク装置１は、後述するヘッドディスクアセンブリ（ＨＤＡ）と、ドライバＩＣ２０と、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ、又はプリアンプ）３０と、不揮発性メモリ７０と、揮発性メモリ８０と、バッファメモリ（バッファ）９０と、１チップの集積回路であるシステムコントローラ１３０とを備える。また、磁気ディスク装置１は、ホストシステム（ホスト）１００と接続される。
【０００８】
ＨＤＡは、磁気ディスク（以下、ディスク）１０と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、ヘッド１５を搭載しているアーム１３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１４とを有する。ディスク１０は、スピンドルモータ１２に取り付けられ、スピンドルモータ１２の駆動により回転する。アーム１３及びＶＣＭ１４は、アクチュエータを構成している。アクチュエータは、ＶＣＭ１４の駆動により、アーム１３に搭載されているヘッド１５をディスク１０上の所定の半径方向の位置（以下、単に、半径位置と称する）まで移動制御する。ディスク１０およびヘッド１５は、２つ以上の数が設けられてもよい。
【０００９】
ディスク１０は、その記録領域に、ユーザから利用可能なユーザデータ領域１０ａと、システム管理に必要な情報をライトするシステムエリア１０ｂとが割り当てられている。以下、ディスク１０の半径方向に直交する方向を円周方向と称する。半径方向において、ディスク１０の外周に向かう方向を外方向（外側）と称し、外方向と反対方向を内方向（内側）と称する。また、「アクセス」とは「ディスク１０にデータをライトする」ことと「ディスク１０からデータをリードする」こととの両方の意味を含むものとして使用する。ディスク１０（ユーザデータ領域１０ａ）は、半径方向の範囲毎に複数のゾーンに区分されている。ゾーンは、複数のトラック（シリンダ）を含む記録領域である。  
ヘッド１５は、スライダを本体として、当該スライダに実装されているライトヘッド１５Ｗとリードヘッド１５Ｒとを備える。ライトヘッド１５Ｗは、ディスク１０上にデータをライトする。リードヘッド１５Ｒは、ディスク１０上のデータトラックに記録されているデータをリードする。
【００１０】
図２は、実施形態に係るディスク１０の半径位置とヘッド１５によるディスク１０への記録周波数との関係の一例を示す図である。図２において、横軸がゾーンを示し、縦軸が記録周波数を示している。図２には、半径方向の外方向から内方向に連続して並ぶゾーンＸ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、及びＸ４を示している。また、図２には、実際の半径位置に対するヘッド１５によるディスク１０への記録周波数（以下、単に記録周波数と称する）の変化Ｌ１と、ゾーン毎に記録周波数が一定に設定された場合の半径位置に対する記録周波数の変化Ｌ２とを示している。以下、「実際の半径位置に対する記録周波数の変化Ｌ１」を「実際の記録周波数の変化Ｌ１」と称する。また、「ゾーン毎に記録周波数を一定に設定された場合の半径位置に対する記録周波数の変化Ｌ２」を「設定された記録周波数の変化Ｌ２」と称する。
【００１１】
ディスク１０がＳＰＭ１２により一定の回転速度で回転しているため、記録周波数は、ディスク１０の外方向と内方向とで異なる。図２に示した例のように、実際の記録周波数の変化Ｌ１は、内方向から外方向に向かって大きくなる。つまり、ディスク１０の外側の記録領域は、ディスク１０の内側の記録領域よりも記録できる容量（以下、単に記録容量と称する）が大きい。また、磁気ディスク装置１では、設定された記録周波数の変化Ｌ２で示すように各ゾーンで記録周波数が一定に設定される。設定された記録周波数の変化Ｌ２の段差部分は、実際の記録周波数の変化Ｌ１よりも小さくなっている。つまり、設定された記録周波数の変化Ｌ２に応じてライトされた各ゾーンの記録容量は、実際の記録周波数の変化Ｌ１に応じてライトされた各ゾーンの記録容量よりも小さくなり得る。そのため、設定された記録周波数の変化Ｌ２を実際の記録周波数の変化Ｌ１に近似させることでディスク１０に効率的にデータをライトすることが可能となる。言い換えると、各ゾーンをさらに細かく区分することにより、ディスク１０に効率的にデータをライトすることができる。
【００１２】
ドライバＩＣ２０は、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するＭＰＵ６０）の制御に従って、ＳＰＭ１２およびＶＣＭ１４の駆動を制御する。  
ヘッドアンプＩＣ（プリアンプ）３０は、リードアンプ及びライトドライバを備えている。リードアンプは、ディスク１０からリードされたリード信号を増幅して、システムコントローラ１３０（詳細には、後述するリード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０）に出力する。ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル５０から出力されるライトデータに応じたライト電流をヘッド１５に出力する。
【００１３】
不揮発性メモリ７０は、電力供給が断たれても保存しているデータを記録する半導体メモリである。不揮発性メモリ７０は、例えば、ＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型のフラッシュＲＯＭ（Flash Read Only Memory :ＦＲＯＭ）である。不揮発性メモリ７０は、例えば、保存領域ＲＡ１を有する。なお、保存領域ＲＡ１は、他のメモリ、例えば、後述する揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、又はシステムエリア１０ｂ等に設けられていてもよい。
【００１４】
揮発性メモリ８０は、電力供給が断たれると保存しているデータが失われる半導体メモリである。揮発性メモリ８０は、磁気ディスク装置１の各部での処理に必要なデータ等を格納する。揮発性メモリ８０は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、又はＳＤＲＡＭ（Synchronous Dynamic Random Access Memory）である。揮発性メモリ８０は、例えば、保存領域ＲＡ２を有する。なお、保存領域ＲＡ２は、他のメモリ、例えば、不揮発性メモリ７０や後述するバッファメモリ９０等に設けられていてもよい。
【００１５】
バッファメモリ９０は、磁気ディスク装置１とホスト１００との間で送受信されるデータ等を一時的に記録する半導体メモリである。なお、バッファメモリ９０は、揮発性メモリ８０と一体に構成されていてもよい。バッファメモリ９０は、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、ＳＤＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ（Ferroelectric Random Access memory）、又はＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）等である。
【００１６】
システムコントローラ（コントローラ）１３０は、例えば、複数の素子が単一チップに集積されたSystem-on-a-Chip(ＳｏＣ)と称される大規模集積回路（ＬＳＩ）を用いて実現される。システムコントローラ１３０は、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）４０と、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル５０と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）６０と、を含む。ＨＤＣ４０、Ｒ／Ｗチャネル５０、及びＭＰＵ６０は、それぞれ、互いに電気的に接続されている。システムコントローラ１３０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ヘッドアンプＩＣ６０、不揮発性メモリ７０、揮発性メモリ８０、バッファメモリ９０、及びホストシステム１００等に電気的に接続されている。
【００１７】
ＨＤＣ４０は、後述するＭＰＵ６０からの指示に応じて、ホスト１００とＲ／Ｗチャネル５０との間のデータ転送を制御する。ＨＤＣ４０は、例えば、不揮発性メモリ７０、揮発性メモリ８０、及びバッファメモリ９０等に電気的に接続されている。  
Ｒ／Ｗチャネル５０は、ＭＰＵ６０からの指示に応じて、リードデータ及びライトデータの信号処理を実行する。Ｒ／Ｗチャネル５０は、リードデータの信号品質を測定する回路、又は機能を有している。Ｒ／Ｗチャネル５０は、例えば、ヘッドアンプＩＣ３０等に電気的に接続されている。
【００１８】
ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部を制御するメインコントローラである。ＭＰＵ６０は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御を実行する。ＭＰＵ６０は、ディスク１０へのデータのライト動作を制御すると共に、ホスト１００から転送されるライトデータの保存先を選択する。また、ＭＰＵ６０は、ディスク１０からのデータのリード動作を制御すると共に、ディスク１０からホスト１００に転送されるリードデータの処理を制御する。ＭＰＵ６０は、磁気ディスク装置１の各部に接続されている。ＭＰＵ６０は、例えば、ドライバＩＣ２０、ＨＤＣ４０、及びＲ／Ｗチャネル５０等に電気的に接続されている。
【００１９】
ＭＰＵ６０は、リード／ライト制御部６１と、管理部６２と、設定部６３とを備えている。ＭＰＵ６０は、これら各部、例えば、リード／ライト制御部６１、管理部６２、及び設定部６３等の処理をファームウェア上で実行する。なお、ＭＰＵ６０は、これら各部を回路として備えていてもよい。  
リード／ライト制御部６１は、ホスト１００からのコマンドに従って、データのリード処理及びライト処理を制御する。リード／ライト制御部６１は、ドライバＩＣ２０を介してＶＣＭ１４を制御し、ヘッド１５をディスク１０上の所定の半径位置に位置決めし、データをディスク１０からリード又はデータをディスク１０にライトする。
【００２０】
管理部６２は、各ゾーンに対応するヘッド１５のリード／ライト処理に関連する複数のパラメータを複数の階層で管理する。言い換えると、管理部６２は、各ゾーンを幾つかの階層で規定し、各ゾーンの各階層を幾つかの異なる半径方向の範囲（以下、半径範囲又は半径領域と称する）で規定し、各ゾーンに対応するリード／ライト処理に関連する複数のパラメータを幾つかパラメータ（以下、パラメータ群と称する）毎に区分し、各ゾーンにおいてパラメータ群毎に異なる半径範囲で管理する。つまり、管理部６２は、各ゾーンにおいて各パラメータ群を各半径範囲に対応する各階層で管理する。複数のパラメータは、ゾーンや記録周波数等の区切りを示すパラメータを含む。複数のパラメータは、ゾーンや記録周波数等の区切りに半径位置に対応するヘッド１５、ヘッドアンプＩＣ３０、及びＲ／Ｗチャネル５０等の信号や電流、例えば、ライトヒータ、リードヒータ、及びＤＦＨ（Dynamic Flying Height）に対応する電流に関連するパラメータを含んでいてもよい。また、複数のパラメータは、ヘッドアンプＩＣ３０のレジスタ等に数値を設定する際に参照されるパラメータを含んでいてもよい。以下、各ゾーンで最も大きい半径範囲を最上位ゾーンと称し、最も小さい半径範囲を最下位ゾーンと称し、最上位ゾーンと最下位ゾーンとの間の半径範囲を中位ゾーンと称する。最上位ゾーンは、各ゾーンに対応している。中位ゾーンは、最上位ゾーンを幾つかに区分した半径範囲であり、最下位ゾーンは、中位ゾーンを幾つかに区分した半径範囲である。なお、中位ゾーンは、複数設けられていてもよい。最上位ゾーンに対応する階層を最上位階層と称し、中位ゾーンに対応する階層を中位階層と称し、最下位ゾーンに対応する階層を最下位層と称する。なお、中位階層は、複数設けられていてもよい。管理部６２は、各ゾーンで規定した複数の階層にそれぞれ対応する複数の半径範囲と、複数の階層及び複数のパラメータ群のそれぞれの関係とを、例えば、テーブルとして保存領域ＲＡ１に記録している。
【００２１】
例えば、管理部６２は、各ゾーンで最上位階層と、中位階層と、最下位階層とを規定し、最上位ゾーンで最上位階層を規定し、中位ゾーンで中位階層を規定し、最下位ゾーンで最下位階層を規定し、最上位ゾーン毎に複数のパラメータの内のパラメータ群（以下、最上位パラメータ群と称する）を管理し、中位ゾーン毎に複数のパラメータの内の最上位パラメータ群以外のパラメータ群（以下、中位パラメータ群と称する）を管理し、最下位ゾーン毎に複数のパラメータの内の最上位パラメータ群及び中位パラメータ群以外のパラメータ群（以下、最下位パラメータ群と称する）を管理する。管理部６２は、各ゾーンで規定した最上位階層に対応する複数の最上位ゾーン、中上位階層に対応する複数の中位ゾーン、及び最下位階層に対応する複数の最下位ゾーンと、最上位ゾーン、中位ゾーン、及び最下位ゾーンと最上位パラメータ群、中位パラメータ群、及び最下位パラメータ群とのそれぞれの関係とをテーブルとして保存領域ＲＡ１に記録している。
【００２２】
図３は、本実施形態に係る所定のゾーンの階層構造の一例を示す模式図である。図３には、最上位階層Ｘと、中位階層Ｙと、最下位階層Ｚとを示している。最上位階層Ｘは、外方向から内方向に連続して配置された最上位ゾーンＸ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４…Ｘｎを含む。  
図３に示した例では、管理部６２は、各ゾーンに対応する最上位階層Ｘを最上位ゾーンＸで規定し、各ゾーンに対応する中位階層Ｙを中位ゾーンＹで規定し、各ゾーンに対応する最下位階層Ｚを最下層ゾーンＺで規定している。以下で、最上位階層Ｘという意味を含めて単に最上位ゾーンＸと称し、中位階層Ｙという意味を含めて単に中位ゾーンＹと称し、最下位階層Ｚという意味を含めて最下層ゾーンＺと称する場合もある。また、管理部６２は、各ゾーンに対応する最上位ゾーンＸを中位ゾーンＹに区分し、各ゾーンに対応する中位ゾーンを最下位ゾーンＺに区分している。一例では、管理部６２は、所定のゾーンに対応する最上位ゾーンＸ０を中位ゾーンＸ０Ｙ０、Ｘ０Ｙ１、Ｘ０Ｙ２、Ｘ０Ｙ３、及びＸ０Ｙ４に区分し、中位ゾーンＸ０Ｙ０を最下位ゾーンＸ０Ｙ０Ｚ０及びＸ０Ｙ０Ｚ１に区分する。なお、中位ゾーンＸ０Ｙ０と同様に、管理部６２は、中位ゾーンＸ０Ｙ２乃至Ｘ０Ｙ４をそれぞれ２つの最下位ゾーンに区分する。また、最上位ゾーンＸ０と同様に、管理部６２は、最上位ゾーンＸ１乃至Ｘ４をそれぞれ５つの中位ゾーンに区分し、最上位ゾーンＸ１乃至Ｘ４にそれぞれ対応する５つの中位ゾーンをそれぞれ２つの最下位ゾーンに区分する。
【００２３】
図４は、本実施形態に係る所定のゾーンの階層構造のテーブルＴＢ１の一例を示す模式図である。  
管理部６２は、例えば、テーブルＴＢ１を保存領域ＲＡ１に記録している。図４に示した例では、管理部６２は、テーブルＴＢ１において最上位ゾーンＸ０を中位ゾーンＸ０Ｙ０、Ｘ０Ｙ１、Ｘ０Ｙ２、Ｘ０Ｙ３、Ｘ０Ｙ４に区分し、最上位ゾーンＸ１を中位ゾーンＸ１Ｙ０、Ｘ１Ｙ１、Ｘ１Ｙ２、Ｘ１Ｙ３、Ｘ１Ｙ４に区分し、最上位ゾーンＸｎを中位ゾーンＸｎＹ０、ＸｎＹ１、ＸｎＹ２、ＸｎＹ３、ＸｎＹ４に区分している。管理部６２は、テーブルＴＢ１において中位ゾーンＸ０Ｙ０を最下位ゾーンＸ０Ｙ０Ｚ０及びＸ０Ｙ０Ｚ１に区分し、中位ゾーンＸ０Ｙ１を最下位ゾーンＸ０Ｙ１Ｚ０及びＸＹ１Ｚ１に区分し、中位ゾーンＸ０Ｙ２を最下位ゾーンＸ０Ｙ２Ｚ０及びＸ０Ｙ２Ｚ１に区分し、中位ゾーンＸ０Ｙ３を最下位ゾーンＸ０Ｙ３Ｚ０及びＸ０Ｙ３Ｚ１に区分し、中位ゾーンＸ０Ｙ４を最下位ゾーンＸ０Ｙ４Ｚ０及びＸ０Ｙ４Ｚ１に区分している。中位ゾーンＸ０Ｙ０乃至Ｘ０Ｙ４と同様に、管理部６２は、テーブルＴＢ１において、中位ゾーンＸ１Ｙ０乃至Ｘ１Ｙ４をそれぞれ最下位ゾーンＸ１Ｙ０Ｚ０、Ｘ１Ｙ０Ｚ１、Ｘ１Ｙ１Ｚ０、Ｘ１Ｙ１Ｚ１、Ｘ１Ｙ２Ｚ０、Ｘ１Ｙ２Ｚ１、Ｘ１Ｙ３Ｚ０、Ｘ１Ｙ３Ｚ１、Ｘ１Ｙ４Ｚ０、及びＸ１Ｙ４Ｚ１に区分している。また、中位ゾーンＸ０Ｙ０乃至Ｘ０Ｙ４と同様に、管理部６２は、テーブルＴＢ１において、中位ゾーンＸｎＹ０乃至ＸｎＹ４をそれぞれ最下位ゾーンＸｎＹ０Ｚ０、ＸｎＹ０Ｚ１、ＸｎＹ１Ｚ０、ＸｎＹ１Ｚ１、ＸｎＹ２Ｚ０、ＸｎＹ２Ｚ１、ＸｎＹ３Ｚ０、ＸｎＹ３Ｚ１、ＸｎＹ４Ｚ０、及びＸｎＹ４Ｚ１に区分している。
【００２４】
図５は、本実施形態に係る各階層と各パラメータ群との関係を示すテーブルＴＢ２の一例を示す模式図である。図５には、各ゾーンに対応するパラメータＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、及びＦを示している。パラメータＡ乃至Ｆは、それぞれ、異なるリード／ライト処理に関連するパラメータである。図５において、最上位パラメータ群は、パラメータＡ及びＢを含む。中位パラメータ群は、パラメータＣ及びＤを含む。最下位パラメータ群は、パラメータＥ及びＦを含む。以下、最上位パラメータ群に含まれるパラメータを最上位パラメータと称し、中位パラメータ群に含まれるパラメータを中位パラメータと称し、最下位パラメータ群に含まれるパラメータを最下位パラメータと称する。なお、最上位パラメータ群、中位パラメータ群、及び最下位パラメータ群は、それぞれ、１つのみのパラメータ又は３つ以上のパラメータを含んでいてもよい。図５では、パラメータＡは、パラメータＡ０、Ａ１、…、Ａｎを含む。パラメータＢは、パラメータＢ０、Ｂ１、…、Ｂｎを含む。パラメータＣは、パラメータＣ０、Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８、Ｃ９、…、Ｃｋ−４、Ｃｋ−３、Ｃｋ−２、Ｃｋ−１、及びＣｋを含む。パラメータＤは、パラメータＤ０、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９、…、Ｄｋ−４、Ｄｋ−３、Ｄｋ−２、Ｄｋ−１、及びＤｋを含む。パラメータＥは、パラメータＥ０、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８、Ｅ９、Ｅ１０、Ｅ１１、Ｅ１２、Ｅ１３、Ｅ１４、Ｅ１５、Ｅ１６、Ｅ１７、Ｅ１８、Ｅ１９、…、Ｅｍ−９、Ｅｍ−８、Ｅｍ−７、Ｅｍ−６、Ｅｍ−５、Ｅｍ−４、Ｅｍ−３、Ｅｍ−２、Ｅｍ−１、及びＥｍを含む。パラメータＦは、パラメータＦ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８、Ｆ９、Ｆ１０、Ｆ１１、Ｆ１２、Ｆ１３、Ｆ１４、Ｆ１５、Ｆ１６、Ｆ１７、Ｆ１８、Ｆ１９、…、Ｆｍ−９、Ｆｍ−８、Ｆｍ−７、Ｆｍ−６、Ｆｍ−５、Ｆｍ−４、Ｆｍ−３、Ｆｍ−２、Ｆｍ−１、及びＦｍを含む。
【００２５】
管理部６２は、例えば、テーブルＴＢ２を保存領域ＲＡ１に記録している。図５に示した例では、管理部６２は、テーブルＴＢ２において、最上位階層Ｘで最上位ゾーン毎にパラメータＡ及びＢを管理し、中位階層Ｙで中位ゾーン毎にパラメータＣ及びＤを管理し、最下位階層Ｚで最下位ゾーン毎にパラメータＥ及びＦを管理している。一例では、管理部６２は、テーブルＴＢ２において、最上位ゾーンＸ０でパラメータＡ０及Ｂ０を管理し、中位ゾーンＸ０Ｙ０乃至Ｘ０Ｙ４でそれぞれパラメータＣ０乃至Ｃ４及びパラメータＤ０乃至Ｄ４を管理し、最下位ゾーンＸ０Ｙ０Ｚ０乃至Ｘ０Ｙ４Ｚ１でそれぞれパラメータＥ０乃至Ｅ９及びパラメータＦ０乃至Ｆ９を管理している。管理部６２は、テーブルＴＢ２において、最上位ゾーンＸ１でパラメータＡ１及Ｂ１を管理し、中位ゾーンＸ１Ｙ０乃至Ｘ１Ｙ４でそれぞれパラメータＣ５乃至Ｃ９及びパラメータＤ５乃至Ｄ９を管理し、最下位ゾーンＸ１Ｙ０Ｚ０乃至Ｘ１Ｙ４Ｚ１でそれぞれパラメータＥ１０乃至Ｅ１９及びパラメータＦ１０乃至Ｆ１９を管理している。管理部６２は、テーブルＴＢ２において、最上位ゾーンＸｎでパラメータＡｎ及Ｂｎを管理し、中位ゾーンＸｎＹ０乃至ＸｎＹ４でそれぞれパラメータＣｋ−４乃至Ｃｋ及びパラメータＤｋ−４乃至Ｄｋを管理し、最下位ゾーンＸｎＹ０Ｚ０乃至ＸｎＹ４Ｚ１でそれぞれパラメータＥｍ−９乃至Ｅｍ及びパラメータＦｍ−９乃至Ｆｍを管理している。
【００２６】
また、管理部６２は、ヘッド１５の半径位置に応じて階層毎にパラメータ群を変更する。例えば、管理部６２は、磁気ディスク装置１が起動した場合に保存領域ＲＡ１に記録されたテーブルＴＢ１及びＴＢ２から各階層の各パラメータ群をリードし、リードした各階層の各パラメータ群を保存領域ＲＡ２の所定の格納領域に格納（又は、展開若しくは複製）し、ヘッド１５の半径位置に応じて各階層の各パラメータ群の一部を保存領域ＲＡ２の所定の格納領域から保存領域ＲＡ２のシステムコントローラ１３０等からアクセス可能、例えば、高速でアクセス可能な所定の格納領域と異なる格納領域（以下、展開領域と称する場合もある）に格納（又は、展開若しくは複製）する。展開領域は、システムコントローラ１３０、例えば、ＨＤＣ４０やＭＰＵ６０を介してＲ／Ｗチャネル５０やヘッドアンプＩＣ３０のレジスタ等に数値を設定する際に参照されるパラメータ等が格納される。なお、管理部６２は、ヘッド１５を他のヘッド１５に変更した場合、全ての階層のパラメータ群を変更してもよい。
【００２７】
図６は、本実施形態に係る各階層の各パラメータの格納方法の一例を示すブロック図である。図６において、保存領域ＲＡ１は、テーブルＴＢ１及びＴＢ２を含む。保存領域ＲＡ２は、格納領域ＳＡ１及び展開領域ＳＡ２を含む。  
図６に示した例では、管理部６２は、磁気ディスク装置１が起動した場合、保存領域ＲＡ１のテーブルＴＢ１及びＴＢ２から最上位階層Ｘに対応する最上位パラメータＡ及びＢと、中位階層Ｙに対応する中位パラメータＣ及びＤと、最下位階層Ｚに対応する最下位パラメータＥ及びＦとをリードし、パラメータＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、及びＦをそれぞれ格納領域ＳＡ１に格納する。管理部６２は、ヘッド１５の半径位置に応じて、最上位階層Ｘにおいて格納領域ＳＡ１に格納した最上位パラメータＡ及びＢから中位パラメータＡｎ及びパラメータＢｎを展開領域ＳＡ２に展開し、中位階層Ｙにおいて格納領域ＳＡ１に格納した中位パラメータＣ及びＤから中位パラメータＣｋ−２及び中位パラメータＤｋ−２を展開領域ＳＡ２に展開し、最下位階層Ｚにおいて格納領域ＳＡ３に格納した最下位パラメータＥ及びＦから最下位パラメータＥｍ−４及び最下位パラメータＦｍ−４を展開領域ＳＡ２に展開する。
【００２８】
図７は、本実施形態に係るヘッド１５の半径位置に応じた各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。図７において、ディスク１０の所定のゾーンの記録領域と最上位ゾーンＸ、中位ゾーンＹ、及び最下位ゾーンＺとの対応関係を示している。説明の便宜上、最上位ゾーンＸ、中位ゾーンＹ、及び最下位ゾーンＺにそれぞれ対応するディスク１０の所定のゾーンの記録領域をそれぞれ単に最上位ゾーンＸ、中位ゾーンＹ、及び最下位ゾーンＺと称する場合もある。図７において、シーク１、シーク２、シーク３、及びシーク４は、ディスク１０上の所定の半径位置から所定の半径位置への移動をそれぞれ示している。
【００２９】
図７に示した例において、シークＳＫ１で示すようにヘッド１５が最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１をトラッキングしている場合、管理部６２は、ヘッド１５が最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１から移動していないため、例えば、図５に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８と、最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１に対応する最下位パラメータＥ１７及びＦ１７とを変更しない。シークＳＫ２で示すようにヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３において最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１から最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ０に移動する場合、管理部６２は、例えば、図５に示したテーブルＴＢ２に基づいて最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１に対応する最下位パラメータＥ１７及びＦ１７から最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ０に対応する最下位パラメータＥ１６及びＦ１６に変更する。シークＳＫ３で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１において最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１から最下位ゾーンＸ１Ｙ０Ｚ０に移動する場合、管理部６２は、例えば、図５に示したテーブルＴＢ２に基づいて中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８から中位ゾーンＸ１Ｙ０に対応する中位パラメータＣ５及びＤ５に変更し、最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１に対応する最下位パラメータＥ１７及びＦ１７から最下位ゾーンＸ１Ｙ０Ｚ０に対応する最下位パラメータＥ１０及びＦ１０に変更する。シークＳＫ４で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１に対応する最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１から最上位ゾーンＸ２０に対応する最下位ゾーンＸ０Ｙ４Ｚ０に移動する場合、管理部６２は、例えば、図５に示したテーブルＴＢ２に基づいて最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１から最上位ゾーンＸ０に対応する最上位パラメータＡ０及びＢ０に変更し、中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８から中位ゾーンＸ０Ｙ４に対応する中位パラメータＣ４及びＤ４に変更し、最下位ゾーンＸ１Ｙ３Ｚ１に対応する最下位パラメータＥ１７及びＦ１７から最下位ゾーンＸ０Ｙ４Ｚ０に対応する最下位パラメータＥ８及びＦ８に変更する。
【００３０】
設定部６３は、各ゾーンにおいて変更可能なパラメータ群の階層を設定する。例えば、設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が最下位ゾーンを跨いで移動する場合に最下位パラメータと中位パラメータと最上位パラメータとを変更可能に設定する。言い換えると、設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が現在の最下位ゾーン外に移動する場合に最下位パラメータと中位パラメータと最上位パラメータとを変更可能に設定する。設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が中位ゾーンを跨いで移動する場合に最上位パラメータと中位パラメータとを変更可能に設定する。言い換えると、設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が現在の中位ゾーン外に移動する場合に最上位パラメータと中位パラメータとを変更可能に設定する。また、設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が最上位ゾーンを跨いで移動する場合に最上位パラメータを変更可能に設定する。言い換えると、設定部６３は、各ゾーンにおいてヘッド１５が現在の最上位ゾーン外に移動する場合に最上位パラメータを変更可能に設定する。以下、ヘッド１５が最下位ゾーンを跨いで移動する場合に最下位パラメータと中位パラメータと最上位パラメータとを変更可能にする設定を最下層モードと称し、ヘッド１５が中位ゾーンを跨いで移動する場合に中位パラメータと最上位パラメータとを変更可能にする設定を中位モードと称し、ヘッド１５が最上位ゾーンを跨いで移動する場合に最上位パラメータを変更可能にする設定を最上位モードと称する。各ゾーンにおいて変更可能なパラメータ群の階層を設定した場合、設定部６３は、各ゾーンにおいて変更できない階層の所定のパラメータ群（以下、ベースパラメータと称する）を設定する。ベースパラメータは、例えば、各ゾーンの各階層で最も内側に位置する半径範囲（以下、最内周範囲と称する）に対応するパラメータ（以下、最内周パラメータと称する場合もある）であることが望ましい。所定のゾーンの各半径範囲において高い周波数に対応するパラメータに基づいてリード／ライト処理を実行すると、所定のゾーンの各半径範囲の内側でリード／ライト処理が実行できない可能性がある。そのため、最内周パラメータをベースパラメータとすることで、所定のゾーンの各半径範囲において低い周波数に対応するパラメータに基づいてリード／ライト処理を確実に実行することができる。なお、ベースパラメータは、例えば、最内周パラメータでなくてもよい。設定部６３は、例えば、製造工程時に、各階層に対応する各パラメータ群を調整する際に、各ゾーンにおいて変更可能なパラメータ群の階層を設定する。  
設定部６３により最下位モードに設定された場合、管理部６２は、図７で説明したようにヘッド１５が最下位ゾーンを跨いで移動する際に図５に示したテーブルＴＢ２に基づいて最上位パラメータ、中位パラメータ、及び最下位パラメータを変更する。
【００３１】
図８は、本実施形態に係る中位モードに設定された場合の変更可能な各パラメータ群と各階層に対応する複数の半径範囲との関係を示すテーブルＴＢ２の一例を示す模式図である。図８において、右斜め斜線部分は、変更可能な半径範囲及びパラメータを示している。  
図８に示した例では、設定部６３は、中位モードに設定した場合、各中位ゾーンに対応する複数の最下位ゾーンの内の最も内側に位置する最下位ゾーンに対応する最下位パラメータ（以下、内側最下位パラメータと称する）をベースパラメータ（以下、最下位ベースパラメータと称する）に設定する。一例では、設定部６３は、中位モードに設定した場合、中位ゾーンＸ０Ｙ０に対応する最下位ゾーンＸ０Ｙ０Ｚ１に対応する内側最下位パラメータＥ１及びＦ１を最下位ベースパラメータに設定する。なお、設定部６３は、中位モードに設定した場合、各中位ゾーンに対応する複数の最下位ゾーンの内の１つの最下位ゾーンに対応する最下位パラメータを最下位ベースパラメータに設定すれば、内側最下位パラメータを最下位ベースパラメータに設定しなくともよい。
【００３２】
図９は、本実施形態に係る中位モードに設定された場合のヘッド１５の半径位置に応じて各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。図９において、図８で示したように、設定部６３が中位モードに設定している。  
図９に示した例では、シークＳＫ１で示すようにヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３をトラッキングしている場合、管理部６２は、ヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３から移動していないため、例えば、図８に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８と、最下位ベースパラメータＥ１７及びＦ１７とを変更しない。シークＳＫ２で示すようにヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３内で移動する場合、管理部６２は、ヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３から移動していないため、例えば、図８に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８と、最下位ベースパラメータＥ１７及びＦ１７とを変更しない。シークＳＫ３で示すようにヘッド１５が中位ゾーンＸ１Ｙ３から中位ゾーンＸ１Ｙ０に移動する場合、管理部６２は、例えば、図８に示したテーブルＴＢ２に基づいて中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８から中位ゾーンＸ１Ｙ０に対応する中位パラメータＣ５及びＤ５に変更し、最下位ベースパラメータＥ１７及びＦ１７から最下位ベースパラメータＥ１１及びＦ１１に変更する。シークＳＫ４で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１に対応する中位ゾーンＸ１Ｙ３から最上位ゾーンＸ０に対応する中位ゾーンＸ０Ｙ４に移動する場合、管理部６２は、例えば、図８に示したテーブルＴＢ２に基づいて最上位ゾーンＸ１に対応するパラメータＡ１及びＢ１から最上位ゾーンＸ０に対応する最上位パラメータＡ０及びＢ０に変更し、中位ゾーンＸ１Ｙ３に対応する中位パラメータＣ８及びＤ８から中位ゾーンＸ０Ｙ４に対応する中位パラメータＣ４及びＤ４に変更し、最下位ベースパラメータＥ１７及びＦ１７から最下位ベースパラメータＥ９及びＦ９に変更する。
【００３３】
図１０は、本実施形態に係る最上位モードに設定された場合の変更可能な各パラメータ群と各階層との関係を示すテーブルＴＢ２の一例を示す模式図である。図８において、右斜め斜線部分は、変更可能なゾーン及びパラメータを示している。  
図１０に示した例では、設定部６３は、最上位モードに設定した場合、各最上位ゾーンに対応する複数の中位ゾーンの内の最も内側に位置する中位ゾーンに対応する中位パラメータ（以下、内側中位パラメータ）をベースパラメータ（以下、中位ベースパラメータと称する）に設定し、各中位ゾーンに対応する複数の最下位ゾーンの内の内側最下位パラメータを最下位ベースパラメータに設定する。一例では、設定部６３は、最上位モードに設定した場合、最上位ゾーンＸ０に対応する中位ゾーンＸ０Ｙ４に対応する内側中位パラメータＣ４及びＤ４を中位ベースパラメータに設定し、中位ゾーンＸ０Ｙ４に対応する最下位ゾーンＸ０Ｙ４Ｚ１に対応する内側最下位パラメータＥ１及びＦ１を最下位ベースパラメータに設定する。なお、設定部６３は、最上位モードに設定した場合、各最上位ゾーンに対応する複数の中位ゾーンの内の１つの中位ゾーンに対応する中位パラメータを中位ベースパラメータに設定すれば、内側中位パラメータを中位ベースパラメータに設定しなくともよい。また、設定部６３は、最上位モードに設定した場合、各中位ゾーンに対応する複数の最下位ゾーンの内の１つの最下位ゾーンに対応する最下位パラメータを最下位ベースパラメータに設定すれば、内側最下位パラメータを最下位ベースパラメータに設定しなくともよい。
【００３４】
図１１は、本実施形態に係る最上位モードに設定された場合のヘッド１５の半径位置に応じて各階層の各パラメータの変更方法の一例を示す模式図である。図１１において、図１０で示したように、設定部６３が最上位モードに設定している。  
図１１に示した例では、シークＳＫ１で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１をトラッキングしている場合、管理部６２は、ヘッド１５が最上位ゾーンＸ１から移動していないため、例えば、図１０に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ベースパラメータＣ９及びＤ９と、最下位ベースパラメータＥ１９及びＦ１９とを変更しない。シークＳＫ２で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１内で移動する場合、管理部６２は、ヘッド１５が最上位ゾーンＸ１から移動していないため、例えば、図１０に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ベースパラメータＣ９及びＤ９と、最下位ベースパラメータＥ１９及びＦ１９とを変更しない。シークＳＫ３で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１内で移動する場合、管理部６２は、ヘッド１５が最上位ゾーンＸ１から移動していないため、例えば、図１０に示したテーブルＴＢ２に基づいて、展開領域ＳＡ２に展開した最上位ゾーンＸ１に対応する最上位パラメータＡ１及びＢ１と、中位ベースパラメータＣ９及びＤ９と、最下位ベースパラメータＥ１９及びＦ１９とを変更しない。シークＳＫ４で示すようにヘッド１５が最上位ゾーンＸ１から最上位ゾーンＸ０に移動する場合、管理部６２は、例えば、図１０に示したテーブルＴＢ２に基づいて最上位ゾーンＸ１に対応するパラメータＡ１及びＢ１から最上位ゾーンＸ０に対応する最上位パラメータＡ０及びＢ０に変更し、中位ベースパラメータＣ９及びＤ９から中位ベースパラメータＣ４及びＤ４に変更し、最下位ベースパラメータＥ１９及びＦ１９から最下位ベースパラメータＥ９及びＦ９に変更する。
【００３５】
図１２は、本実施形態に係るヘッド１５の制御方法の一例を示すフローチャートである。  
ＭＰＵ６０は、ヘッド１５を所定の半径位置にシークし（Ｂ１２０１）、シークするヘッド１５が同じであるか同じでないかを判定する（Ｂ１２０２）。ＭＰＵ６０は、ヘッド１５が同じであると判定した場合（Ｂ１２０２のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、ヘッド１５が現在の最上位ゾーン内で移動するか現在の最上位ゾーン外に移動するかを判定する（Ｂ１２０３）。ヘッド１５が現在の最上位ゾーン外に移動すると判定した場合（Ｂ１２０３のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、全ての階層の各パラメータ群を変更し（Ｂ１２０４）し、処理を終了する。ヘッド１５が現在の最上位ゾーン内で移動すると判定した場合（Ｂ１２０３のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、ヘッド１５が現在の中位ゾーン内で移動するか現在の中位ゾーン外に移動するかを判定する（Ｂ１２０５）。ヘッド１５が現在の中位ゾーン外に移動すると判定した場合（Ｂ１２０５のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、中位パラメータ群と最下位パラメータ群とを変更し（Ｂ１２０６）し、処理を終了する。ヘッド１５が現在の中位ゾーン内で移動すると判定した場合（Ｂ１２０５のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、ヘッド１５が現在の最下位ゾーン内で移動するか現在の最下位ゾーン外に移動するかを判定する（Ｂ１２０７）。ヘッド１５が現在の最下位ゾーン外に移動すると判定した場合（Ｂ１２０７のＮＯ）、ＭＰＵ６０は、最下位パラメータ群を変更し（Ｂ１２０８）し、処理を終了する。ヘッド１５が現在の最下位ゾーン内で移動すると判定した場合（Ｂ１２０７のＹＥＳ）、ＭＰＵ６０は、処理を終了する。
【００３６】
図１３は、本実施形態に係る各階層の各パラメータの調整方法の一例を示すフローチャートである。  
ＭＰＵ６０は、最上位モードに設定し（Ｂ１３０１）、各最上位パラメータ群を調整し（Ｂ１３０２）、中位モードに設定し（Ｂ１３０３）、各中位パラメータ群を調整し（Ｂ１３０４）、最下位モードに設定し（Ｂ１３０５）、各最下位パラメータ群を調整する（Ｂ１３０６）。
【００３７】
本実施形態によれば、磁気ディスク装置１は、各ゾーンに対応するリード／ライト処理に関連する複数のパラメータを複数の階層で管理している。磁気ディスク装置１は、ゾーンや記録周波数等の区切りを示すパラメータを小さい半径範囲毎に区分することでディスク１０に効率的にデータをライトすることができる。磁気ディスク装置１は、各ゾーンで複数のパラメータの内の小さい半径範囲毎に設定する必要のあるパラメータのみを区分できるため、パラメータを区分することによる容量の増大を抑制できる。磁気ディスク装置１は、階層毎にパラメータ群を変更可能であるため、リード処理及びライト処理の設定に関わる性能が向上し得る。磁気ディスク装置１は、製造工程において、階層毎にパラメータ群を調整できるため、試験時間を短縮可能であり、調整の精度が向上し得る。
【００３８】
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３９】
１…磁気ディスク装置、１０…磁気ディスク、１０ａ…ユーザデータ領域、１０ｂ…システムエリア、１２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、１３…アーム、１４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１５…ヘッド、１５Ｗ…ライトヘッド、１５Ｒ…リードヘッド、２０…ドライバＩＣ、３０…ヘッドアンプＩＣ、４０…ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）、５０…リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル、６０…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、７０…不揮発性メモリ、８０…揮発性メモリ、９０…バッファメモリ、１００…ホストシステム（ホスト）、１３０…システムコントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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