(57)【要約】【課題】ゲインディスパージョンを広げた電力増幅回路を提供する。【解決手段】電力増幅回路１０Ａは、ＲＦ信号が供給されるベースと、ＲＦ信号のレベルに応じた可変電源電圧Ｖｃｃが供給されるコレクタとを有する第１のトランジスタＱ１であって、ＲＦ信号を増幅する第１のトランジスタＱ１と、第１のトランジスタＱ１のベースにバイアス電流Ｉｂｉａｓを供給する第２のトランジスタＱ２０を有するバイアス回路２０と、可変電源電圧Ｖｃｃが低い程、第２のトランジスタＱ２０のベースに供給される電流を減少させることにより、第１のトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓを減少させる調整回路３０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ信号が供給されるベースと、前記ＲＦ信号のレベルに応じた可変電源電圧が供給されるコレクタとを有する第１のトランジスタであって、前記ＲＦ信号を増幅する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのベースにバイアス電流を供給する第２のトランジスタを有するバイアス回路と、
前記可変電源電圧が低い程、前記第２のトランジスタのベースに供給される電流を減少させることにより、前記第１のトランジスタのベースに供給される前記バイアス電流を減少させる調整回路と、を備える電力増幅回路。
【請求項２】
前記調整回路は、前記第２のトランジスタのベースに接続されたベースと、前記可変電源電圧に応じた電圧が供給されるエミッタとを有する第３のトランジスタを備える、請求項１に記載の電力増幅回路。
【請求項３】
前記調整回路は、更に、一端が前記第３のトランジスタのエミッタに接続され、他端に前記可変電源電圧に応じた電圧が供給される抵抗素子を備える、請求項２に記載の電力増幅回路。
【請求項４】
前記調整回路は、一端が前記第２のトランジスタのベースに接続され、他端に前記可変電源電圧に応じた電圧が供給される抵抗素子を備える、請求項１に記載の電力増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話などの移動通信端末においては、基地局へ送信するＲＦ（Radio Frequency）信号を増幅する電力増幅回路が用いられている。電力増幅回路は、ＲＦ信号を増幅するトランジスタと、トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路とを備えている。この種のバイアス回路として、例えば、特許文献１に記載されているように、トランジスタにバイアス電流を供給するエミッタフォロワトランジスタと、このエミッタフォロワトランジスタのコレクタに供給される定電圧を生成するための定電圧生成回路とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７１１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、電力増幅回路の効率を向上させるために、ＲＦ信号のレベルに応じて電源電圧を制御するエンベロープトラッキング（ＥＴ）制御が知られている。ＥＴ制御においては、ＲＦ信号のレベルに応じて、電源電圧の値が、電力負荷効率（ＰＡＥ）等の効率が高くなるように制御される。このとき、トランジスタに供給される電源電圧の変化に対するゲインの変化の大きさ（ゲインディスパージョン）が大きいほど、ゲインのフラットネスを保ちつつ、効率が高い電源電圧値を採用することが可能となる。したがって、ＥＴ制御においては、電力増幅回路のゲインディスパージョンが大きい方が好ましい。
【０００５】
そこで、本発明は、電源電圧の変化に合わせてゲインディスパージョンを広げた電力増幅回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る電力増幅回路は、ＲＦ信号が供給されるベースと、ＲＦ信号のレベルに応じた可変電源電圧が供給されるコレクタとを有する第１のトランジスタであって、ＲＦ信号を増幅する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタのベースにバイアス電流を供給する第２のトランジスタを有するバイアス回路と、前記可変電源電圧が低い程、前記第２のトランジスタのベースに供給される電流を減少させることにより、前記第１のトランジスタのベースに供給される前記バイアス電流を減少させる調整回路と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電源電圧の変化に合わせてゲインディスパージョンを広げた電力増幅回路を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態１に係る電力増幅回路１０Ａの回路図である。
【図２】比較例の電力増幅回路１００の回路図である。
【図３】バイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す図である。
【図４Ａ】第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａにおける出力電力とゲインとの関係を示す図である。
【図４Ｂ】比較例の電力増幅回路１００における出力電力とゲインとの関係を示す図である。ゲインのシミュレーション結果を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂの回路図である。
【図６】バイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。
【００１０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態１に係る電力増幅回路１０Ａの回路図である。電力増幅回路１０Ａは、携帯電話などの移動通信端末において、入力信号ＲＦｉｎの電力を基地局に送信するために必要なレベルまで増幅し、これを増幅信号ＲＦｏｕｔとして出力する。入力信号ＲＦｉｎは、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）等により所定の通信方式に応じて変調されたＲＦ信号である。
【００１１】
電力増幅回路１０Ａは、トランジスタＱ１（第１のトランジスタ）と、バイアス回路２０と、バイアス調整回路３０と、チョークインダクタＬ１と、容量素子Ｃ１と、抵抗素子Ｒ１とを備えている。トランジスタＱ１は、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタである。トランジスタＱ１は、エミッタを接地した、エミッタ接地増幅器を構成し、トランジスタＱ１のベースには、容量素子Ｃ１を通じて入力信号ＲＦｉｎが供給され、そのコレクタからは出力信号ＲＦｏｕｔが出力される。トランジスタＱ１のコレクタには、ＲＦ信号の電源側への漏出を抑制するチョークインダクタＬ１を通じて可変電源電圧Ｖｃｃが供給されるための端子５０に接続される。端子５０には、図示されていない、可変電源電圧Ｖｃｃが接続されている。可変電源電圧ＶｃｃはＲＦ信号の振幅レベルに応じた電圧である。すなわち、電力増幅回路１０Ａでは、エンベロープトラッキング（ＥＴ）制御が行われる。可変電源電圧Ｖｃｃは、例えば、ＥＴ電源回路（図示せず）から供給される。
【００１２】
バイアス回路２０は、バイアス電流Ｉｂｉａｓを、抵抗素子Ｒ１を通じて、トランジスタＱ１のベースに供給する。バイアス回路２０は、トランジスタＱ２０（第２のトランジスタ）と、ダイオードＤ２１，Ｄ２２を備えている。トランジスタＱ２０のコレクタには、電源電圧Ｖｂａｔが供給される。トランジスタＱ２０のベースは、ダイオードＤ２１のアノードに接続されるとともに、容量素子Ｃ２０を通じてグランドに接続されている。また、トランジスタＱ２０のエミッタは、抵抗素子Ｒ１を通じてトランジスタＱ１のベースに接続されている。ダイオードＤ２１のアノードは、抵抗素子Ｒ２０を通じて、電源端子２１に接続されている。電源端子２１には、制御ＩＣ等からバイアス制御電圧又はバイアス制御電流が供給される。ダイオードＤ２２のアノードは、ダイオードＤ２１のカソードに接続されている。ダイオードＤ２２のカソードは、グランドに接続されている。なお、ダイオードＤ２１，Ｄ２２は、例えば、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタである。但し、ダイオードＤ２１，Ｄ２２は、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタに限られるものではなく、例えば、ＰＮ接合ダイオードでもよい。
【００１３】
バイアス調整回路３０は、トランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓを、可変電源電圧Ｖｃｃに応じて調整する。具体的には、バイアス調整回路３０は、可変電源電圧Ｖｃｃが低い程、バイアス電流Ｉｂｉａｓを減少させる。バイアス調整回路３０は、トランジスタＱ３０（第３のトランジスタ）と、抵抗素子Ｒ３０とを備えている。トランジスタＱ３０のコレクタには、電源電圧Ｖｂａｔが供給される。トランジスタＱ３０のベースは、上述したバイアス回路２０に含まれるトランジスタＱ２０のベースと接続されている。トランジスタＱ３０のエミッタには、抵抗素子Ｒ３０の一端に接続されている。抵抗素子Ｒ３０の他端は、端子５０を通じて、可変電源電圧Ｖｃｃに接続されている。したがって、抵抗素子Ｒ３０の他端には、可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給される。なお、抵抗素子Ｒ３０の他端は、端子５０に接続されていなくても、可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給されればよく、例えば、トランジスタＱ１のコレクタにローパスフィルタ回路等を通じて接続されていてもよい。
【００１４】
次に、電力増幅回路１０Ａの動作について説明する。可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、端子５０を通じてトランジスタＱ３０のエミッタの電圧が下がると共に、トランジスタＱ３０のベース−エミッタ間電圧が上昇していく。そして、トランジスタＱ３０のベース−エミッタ間電圧が所定の電圧になると、トランジスタＱ３０がＯＮすることにより、トランジスタＱ３０のベースには電流Ｉ３ｂが流入し、トランジスタＱ３０のエミッタからは電流Ｉ３ｅが流出する。これにより、トランジスタＱ２０のベースに流入していた電流の一部が、電流Ｉ３ｂとしてトランジスタＱ３０のベースに流入する。そして、可変電源電圧Ｖｃｃが更に下がると、トランジスタＱ３０のベースに流入する電流Ｉ３ｂが増加するため、トランジスタＱ２０のベースに流入する電流が相対的に減少する。すると、トランジスタＱ２０のエミッタから流出し、トランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するため、トランジスタＱ１のゲインが減少する。
【００１５】
図２は、比較例の電力増幅回路１００の回路図である。比較例の電力増幅回路１００は、バイアス調整回路３０を備えていない点で、第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａとは異なる。比較例の電力増幅回路１００は、バイアス調整回路３０を備えていないため、トランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓは、可変電源電圧Ｖｃｃに応じて調整されない。
【００１６】
図３は、バイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す図である。図３において、横軸は可変電源電圧Ｖｃｃ（Ｖ）、縦軸はバイアス電流Ｉｂｉａｓ（Ａ）である。図３において、実線は、第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａのバイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示し、破線は、比較例の電力増幅回路１００のバイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す。
【００１７】
図３に示すとおり、比較例の電力増幅回路１００では、可変電源電圧Ｖｃｃが約０．４Ｖに下がるまで、バイアス電流Ｉｂｉａｓの減少幅は小さいことが分かる。これは、比較例の電力増幅回路１００は、バイアス調整回路３０を備えていないため、可変電源電圧Ｖｃｃの減少に伴って、ほぼ一定の割合でバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するからであるものと考えられる。一方、図３に示すとおり、第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａでは、可変電源電圧Ｖｃｃが約１．５Ｖに下がるまで、バイアス電流Ｉｂｉａｓの減少幅は小さいが、可変電源電圧Ｖｃｃが約１．５Ｖより小さくなると、バイアス電流Ｉｂｉａｓが急激に減少することが分かる。これは、上述したとおり、可変電源電圧Ｖｃｃが約１．５Ｖ以下では、バイアス調整回路３０のトランジスタＱ３０のベースに電流Ｉ３ｂが流入するため、トランジスタＱ２０のエミッタから流出するバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するためであるものと考えられる。以上より、比較例の電力増幅回路１００と比較して、第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａは、可変電源電圧Ｖｃｃが小さくなると、バイアス電流Ｉｂｉａｓがより大きく減少するといえる。
【００１８】
図４Ａは、第１実施形態に係る電力増幅回路１０Ａにおける出力電力とゲインとの関係を示す図であり、図４Ｂは、比較例の電力増幅回路１００における出力電力とゲインとの関係を示す図である。図４Ａ及び図４Ｂにおいて、横軸は出力電力Ｐｏｕｔ（ｄＢｍ）、縦軸はゲイン（ｄＢ）である。図４Ａにおいて、符号３０１、３０２、３０３、３０４、３０５、３０６、３０７は、可変電源電圧Ｖｃｃをそれぞれ４．５Ｖ、３．５Ｖ、３．０Ｖ、２．０Ｖ、１．５Ｖ、１．０Ｖ、０．５Ｖとしたときの出力電力とゲインとの関係を示す。また、図４Ｂにおいて、符号４０１、４０２、４０３、４０４、４０５、４０６、４０７は、可変電源電圧Ｖｃｃをそれぞれ４．５Ｖ、３．５Ｖ、３．０Ｖ、２．０Ｖ、１．５Ｖ、１．０Ｖ、０．５Ｖとしたときの出力電力とゲインとの関係を示す。
【００１９】
図４Ａに示すとおり、電力増幅回路１０Ａについては、出力電力が０ｄＢｍ付近では、可変電源電圧Ｖｃｃが４．５Ｖの場合のゲイン３０１は、約３１．４ｄＢであり、可変電源電圧Ｖｃｃが０．５Ｖの場合のゲイン３０７は、約２１．９ｄＢである。したがって、電力増幅回路１０Ａについては、出力電力が０ｄＢｍ付近では、可変電源電圧Ｖｃｃが４．５Ｖから０．５Ｖまで変化した場合のゲインの変化は、約９．５ｄＢ（３１．４ｄＢ−２１．９ｄＢ）である。また、図４Ｂに示すとおり、電力増幅回路１００については、出力電力が０ｄＢｍ付近では、可変電源電圧Ｖｃｃが４．５Ｖの場合のゲイン４０１は、約３１．４ｄＢであり、可変電源電圧Ｖｃｃが０．５Ｖの場合のゲイン４０７は、約２７．７ｄＢである。したがって、電力増幅回路１００については、出力電力が０ｄＢｍ付近では、可変電源電圧Ｖｃｃが４．５Ｖから０．５Ｖまで変化した場合のゲインの変化は、約３．７ｄＢ（３１．４ｄＢ−２７．７ｄＢ）である。以上より、電力増幅回路１０Ａにおける可変電源電圧Ｖｃｃの変化に対するゲインの変化は、電力増幅回路１００における可変電源電圧Ｖｃｃの変化に対するゲインの変化より大きい。すなわち、電力増幅回路１０Ａは、電力増幅回路１００と比較して、ゲインディスパージョンが広がっているといえる。
【００２０】
［第２実施形態］
図５は、本発明の第２の実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂの回路図である。以下では、電力増幅回路１０Ｂのうち、電力増幅回路１０Ａと異なる部分について説明し、電力増幅回路１０Ａと同一の部分については適宜説明を省略する。
【００２１】
電力増幅回路１０Ｂは、電力増幅回路１０Ａが備えるバイアス調整回路３０とは異なる、バイアス調整回路４０を備える。バイアス調整回路４０は、トランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓを、可変電源電圧Ｖｃｃに応じて調整する。具体的には、バイアス調整回路４０は、可変電源電圧Ｖｃｃが低い程、バイアス電流Ｉｂｉａｓを減少させる。バイアス調整回路４０は、抵抗素子Ｒ４０を備えている。抵抗素子Ｒ４０の一端は、バイアス回路２０に含まれるトランジスタＱ２０のベースに接続され、抵抗素子Ｒ４０の他端は、端子５０を通じて、可変電源電圧Ｖｃｃに接続されている。したがって、抵抗素子Ｒ４０の他端には、可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給される。
【００２２】
次に、電力増幅回路１０Ｂの動作について説明する。トランジスタＱ２０のベースには、電源端子２１から抵抗素子Ｒ２０を通じて電流が流入する。また、可変電源電圧Ｖｃｃが充分に大きい場合、可変電源電圧Ｖｃｃからも、端子５０及び抵抗素子Ｒ４０を通じて、トランジスタＱ２０のベースに電流が流入する。そして、可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、端子５０を通じて抵抗素子Ｒ４０の他端の電圧が下がると、端子５０及び抵抗素子Ｒ４０を通じてトランジスタＱ２０のベースに流入する電流が減少する。やがて、可変電源電圧Ｖｃｃが所定の電圧まで下がると、端子５０及び抵抗素子Ｒ４０を通じてトランジスタＱ２０のベースに流入する電流がゼロとなる。更に可変電源電圧Ｖｃｃが下がると、電源端子２１から抵抗素子Ｒ２０を通じてトランジスタＱ２０のベースに流入していた電流の一部が、抵抗素子Ｒ４０に流れ始める。その後、可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、トランジスタＱ２０のベースから抵抗素子Ｒ４０側に引き抜かれる電流が増加する。以上より、可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、トランジスタＱ２０のベースに流入する電流が相対的に減少する。したがって、トランジスタＱ２０のエミッタから流出し、トランジスタＱ１のベースに入力されるバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するため、トランジスタＱ１のゲインが減少する。
【００２３】
図６は、バイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す図である。図６において、横軸は可変電源電圧Ｖｃｃ（Ｖ）、縦軸はバイアス電流Ｉｂｉａｓ（Ａ）である。図６において、実線は、第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂのバイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示し、破線は、比較例の電力増幅回路１００のバイアス電流Ｉｂｉａｓのシミュレーション結果を示す。
【００２４】
図６に示すとおり、比較例の電力増幅回路１００では、可変電源電圧Ｖｃｃが０．４Ｖ付近に下がるまで、バイアス電流Ｉｂｉａｓの減少幅は小さいことが分かる。これは、比較例の電力増幅回路１００は、バイアス調整回路３０を備えていないため、可変電源電圧Ｖｃｃの減少に伴って、ほぼ一定の割合でバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するからであるものと考えられる。一方、図６に示すとおり、第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂでは、可変電源電圧Ｖｃｃが約４．５Ｖから約０．４Ｖまで下がるにつれて、バイアス電流Ｉｂｉａｓが、比較例の電力増幅回路１００における減少幅よりも大きく減少することが分かる。これは、上述のとおり、可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、抵抗素子Ｒ４０に流入する電流Ｉ４が増加するため、トランジスタＱ２０のベースに流入する電流が相対的に減少するためであるものと考えられる。以上より、比較例の電力増幅回路１００と比較して、第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂは、可変電源電圧Ｖｃｃが小さくなると、バイアス電流Ｉｂｉａｓがより大きく減少するといえる。
【００２５】
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。なお、電力増幅回路１０Ａ及び電力増幅回路１０Ｂはいずれも、ドライバ段増幅器とパワー段増幅器とから成る二段構成の増幅モジュールのうち、ドライバ段増幅器のみ、パワー段増幅器のみ、又はドライバ段増幅器とパワー段増幅器との両方に適用してもよい。ドライバ段増幅器とパワー段増幅器との両方に適用した場合は、ドライバ段増幅器のみ又はパワー段増幅器のみに適用した場合よりも、ゲインディスパージョンの効果が高まる。また、電力増幅回路１０Ａ及び電力増幅回路１０Ｂはいずれも、三段以上の増幅器から成る増幅モジュールのうち、少なくとも一の増幅器に適用してもよい。
【００２６】
第１実施形態で示したように、電力増幅回路１０Ａは、ＲＦ信号が供給されるベースと、ＲＦ信号のレベルに応じた可変電源電圧Ｖｃｃが供給されるコレクタとを有する第１のトランジスタＱ１であって、ＲＦ信号を増幅する第１のトランジスタＱ１と、第１のトランジスタＱ１のベースにバイアス電流Ｉｂｉａｓを供給する第２のトランジスタＱ２０を有するバイアス回路２０と、可変電源電圧Ｖｃｃが低い程、第２のトランジスタＱ２０のベースに供給される電流を減少させることにより、第１のトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓ減少させるバイアス調整回路３０と、を備える。これにより、可変電源電圧Ｖｃｃが下がると、第２のトランジスタＱ２０のベースに流入する電流が減少する。すると、第２のトランジスタＱ２０のエミッタから流出し、第１のトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するため、第１のトランジスタＱ１のゲインが減少する。以上より、電力増幅回路１０Ａのゲインディスパージョンが広がる。
【００２７】
また、電力増幅回路１０Ａでは、バイアス調整回路３０は、第２のトランジスタＱ２０のベースに接続されたベースと、可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給されるエミッタとを有する第３のトランジスタＱ３０を備える。これにより、可変電源電圧Ｖｃｃが所定の電圧まで下がると、第３のトランジスタＱ３０がＯＮし、第３のトランジスタＱ３０のベースに電流Ｉ３ｂが流入し、第３のトランジスタＱ３０のエミッタから電流Ｉ３ｅが流出する。そして、可変電源電圧Ｖｃｃが当該所定の電圧から下がるにつれて、第３のトランジスタＱ３０のエミッタの電圧が下がり、第３のトランジスタＱ３０のエミッタから流出する電流Ｉ３ｅが増加するため、第３のトランジスタＱ３０のベースに流入する電流Ｉ３ｂも増加する。これにより、第２のトランジスタＱ２０のベースに流入していた電流の一部が、第３のトランジスタＱ３０のベースに流入するため、第２のトランジスタＱ２０のエミッタから流出し、第１のトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少する。
【００２８】
また、電力増幅回路１０Ａでは、バイアス調整回路３０は、更に、一端が第３のトランジスタＱ３０のエミッタに接続され、他端に可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給される抵抗素子Ｒ３０を備える。これにより、第３のトランジスタＱ３０がＯＮする上記所定の電圧の値を調整することが可能となる。
【００２９】
また、第２実施形態で示したように、電力増幅回路１０Ｂは、バイアス調整回路４０は、一端が第２のトランジスタＱ２０のベースに接続され、他端に可変電源電圧Ｖｃｃに応じた電圧が供給される抵抗素子Ｒ４０を備える。これにより、可変電源電圧Ｖｃｃが下がるにつれて、抵抗素子Ｒ４０の他端の電圧が下がる。すると、抵抗素子Ｒ４０に流れる電流Ｉ４が増加する。これにより、第２のトランジスタＱ２０のベースに流入していた電流の一部が、抵抗素子Ｒ４０側に流入するため、第２のトランジスタＱ２０のベースに流入する電流が減少する。すると、第２のトランジスタＱ２０のエミッタから流出し、第１のトランジスタＱ１のベースに供給されるバイアス電流Ｉｂｉａｓが減少するため、第１のトランジスタＱ１のゲインが減少する。以上より、電力増幅回路１０Ｂのゲインディスパージョンが広がる。
【００３０】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００３１】
１０Ａ、１０Ｂ、１００…電力増幅回路、２０…バイアス回路、３０、４０…バイアス調整回路、Ｑ１、Ｑ２０、Ｑ３０…トランジスタ、Ｒ１、Ｒ２０、Ｒ３０…抵抗素子、Ｃ１、Ｃ２０…容量素子、Ｄ２１、Ｄ２２…ダイオード、Ｌ１…チョークインダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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