(57)【要約】【課題】基板を効率的に処理する基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットを提供する。【解決手段】本発明は基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットに係る。本発明の一実施形態に係る基板処理装置は基板が処理される処理空間を提供するハウジングと、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、前記チャンバーの外部に配置され、ガスからプラズマを励起させ、励起されたプラズマを前記処理空間に供給するプラズマ発生ユニットと、制御器と、を含み、前記プラズマ発生ユニットは、ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線へ電源に連結された第１アンテナと、前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線へ前記電源に連結される第２アンテナと、前記補助導線をオン／オフするスイッチと、を含む。【選択図】図１
2019033059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が処理される処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
前記チャンバーの外部に配置され、ガスからプラズマを励起させ、励起されたプラズマを前記処理空間に供給するプラズマ発生ユニットと、
制御器と、を含み、
前記プラズマ発生ユニットは、
ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線へ電源に連結された第１アンテナと、
前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線へ前記電源に連結される第２アンテナと、
前記補助導線をオン／オフするスイッチと、を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記制御器は、
前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマ開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと並列に連結される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと同じ方向に巻線された請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
チャンバーの上部に巻線された第１アンテナを電源に連結してプラズマの点火を開始する段階と、
プラズマの点火が開始された後、設定時間が経過されれば、第２アンテナを前記第１アンテナと並列に連結する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項１２】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと同じ方向に巻線された請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線される請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線へ電源に連結された第１アンテナと、
前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線へ前記電源に連結される第２アンテナと、
前記補助導線をオン／オフするスイッチと、
制御器と、を含むプラズマ発生ユニット。
【請求項２０】
前記制御器は、
前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマ開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１９に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２１】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１９に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２２】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１９に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２３】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１９に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２４】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１９に記載のプラズマ発生ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットに係る。
【背景技術】
【０００２】
プラズマはイオンや電子、ラジカル(Ｒａｄｉｃａｌ)等からなされたイオン化されたガス状態である。プラズマは非常に高い温度や、強い電界或いは高周波電磁界(ＲＦ  Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｆｉｅｌｄｓ)によって生成される。
【０００３】
このようなプラズマは半導体素子を製造するための基板処理に使用される。例えば、プラズマはフォトレジスト(ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ)を使用するリソグラフィー(ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ)工程で活用されることができる。一例として、基板上にライン（ｌｉｎｅ）又はスペース（ｓｐａｃｅ）パターン等のような各種の微細回路パターンを形成するか、或いはイオン注入（ｉｏｎ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ）工程でマスク（ｍａｓｋ）として利用されたフォトレジスト膜を除去するアッシング（ａｓｈｉｎｇ）工程で活用されることができる。
【０００４】
一般的に基板処理装置はプラズマ発生装置を含む。プラズマ発生装置はアンテナ部材を含む。アンテナ部材は電磁気場を発生させる。発生された電磁気場は工程ガスをプラズマ状態に励起させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２０１６−００３９５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は基板を効率的に処理する基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットを提供することにある。
また、本発明の目的はプラズマを効率的に励起できる基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットを提供することにある。
また、本発明の目的はプラズマを励起する過程で発生される熱を制御できる基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によれば、基板が処理される処理空間を提供するハウジングと、前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、前記チャンバーの外部に配置され、ガスからプラズマを励起させ、励起されたプラズマを前記処理空間に供給するプラズマ発生ユニットと、制御器と、を含み、前記プラズマ発生ユニットは、ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線へ電源に連結された第１アンテナと、前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線へ前記電源に連結される第２アンテナと、前記補助導線をオン／オフするスイッチと、を含む基板処理装置が提供されることができる。
【０００８】
また、請求項１に記載された前記制御器は、前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマの開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【０００９】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記導線に位置される電流計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００１０】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記導線に位置される電流計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００１１】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００１２】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００１３】
また、前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供されることができる。
【００１４】
また、前記第２アンテナは前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線されることができる。
【００１５】
また、前記第２アンテナは前記第１アンテナと並列に連結されることができる。
【００１６】
また、前記第２アンテナは前記第１アンテナと同じ方向に巻線されることができる。
【００１７】
本発明の他の側面によれば、チャンバーの上部に巻線された第１アンテナを電源に連結してプラズマの点火を開始する段階と、プラズマの点火が開始された後、設定時間が経過されれば、第２アンテナを前記第１アンテナと並列に連結する段階と、を含む基板処理方法が提供されることができる。
【００１８】
また、前記第２アンテナはプラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結されることができる。
【００１９】
また、前記第２アンテナはプラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結されることができる。
【００２０】
また、前記第２アンテナはプラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結されることができる。
【００２１】
また、前記第２アンテナはプラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結されることができる。
【００２２】
また、前記第２アンテナは前記第１アンテナと同じ方向に巻線されることができる。
【００２３】
また、前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供されることができる。
【００２４】
また、前記第２アンテナは前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線されることができる。
【００２５】
本発明のその他の側面によれば、ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線へ電源に連結された第１アンテナと、前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線へ前記電源に連結される第２アンテナと、前記補助導線をオン／オフするスイッチと、制御器を含むプラズマ発生ユニットとが提供されることができる。
【００２６】
また、前記制御器は、前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマ開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００２７】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記導線に位置される電流計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開示した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００２８】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記導線に位置される電流計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００２９】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【００３０】
また、前記プラズマ発生ユニットは前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、前記制御器はプラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理できる基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットが提供されることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、プラズマを効率的に励起できる基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットが提供されることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、プラズマを励起する過程で発生される熱を制御できる基板処理装置、基板処理方法、及びプラズマ発生ユニットが提供されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】図１の工程チャンバーに提供される工程モジュールを示す図面である。
【図３】工程モジュールの一部制御関係を示す図面である。
【図４】アンテナユニットの調節過程を示す図面である。
【図５】プラズマ点火の後、第１アンテナを流れる電流を示した図面である。
【図６】正常状態に対する電流の偏差値を示す図面である。
【図７】第２実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【図８】第３実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【図９】第４実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【図１０】第５実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。
【００３４】
図１は本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００３５】
図１を参照すれば、基板処理装置１は設備前方端部モジュール(ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ｆｒｏｎｔ  ｅｎｄ  ｍｏｄｕｌｅ、ＥＦＥＭ)２０及び工程処理部３０を有する。設備前方端部モジュール２０と工程処理部３０とは一方向に配置される。以下、設備前方端部モジュール２０と工程処理部３０とが配列された方向を第１方向１１と称し、上部から見る時、第１方向１１に垂直である方向を第２方向１２と称する。
【００３６】
設備前方端部モジュール２０はロードポート(ｌｏａｄ  ｐｏｒｔ)１０及び移送フレーム２１を有する。ロードポート１０は第１方向１１に設備前方端部モジュール２０の前方に配置される。ロードポート１０は複数の支持部６を有する。各々の支持部６は第２方向１２に一列に配置され、工程に提供される基板Ｗ及び工程処理が完了された基板Ｗが収納されたキャリヤー４（例えば、カセット、ＦＯＵＰ等)が位置される。キャリヤー４には工程に提供される基板Ｗ及び工程処理が完了された基板Ｗが収納される。移送フレーム２１はロードポート１０と工程処理室３０との間に配置される。移送フレーム２１はその内部に配置され、ロードポート１０と工程処理部３０との間に基板Ｗを移送する第１移送ロボット２５を含む。第１移送ロボット２５は第２方向１２に具備された移送レール２７に沿って移動してキャリヤー４と工程処理室３０との間に基板Ｗを移送する。
【００３７】
工程処理室３０はロードロックチャンバー４０、トランスファーチャンバー５０、及び工程チャンバー６０を含む。
【００３８】
ロードロックチャンバー４０は移送フレーム２１に隣接するように配置される。一例として、ロードロックチャンバー４０はトランスファーチャンバー５０と設備前方端部モジュール２０との間に配置される。ロードロックチャンバー４０は工程に提供される基板Ｗが工程チャンバー６０に移送される前、又は工程処理が完了された基板Ｗが設備前方端部モジュール２０に移送される前に待機する空間を提供する。
【００３９】
トランスファーチャンバー５０はロードロックチャンバー４０に隣接するように配置される。トランスファーチャンバー５０は上部から見る時、多角形の本体を有する。図１を参照すれば、トランスファーチャンバー５０は上部から見る時、五角形の本体を有する。本体の外側にはロードロックチャンバー４０と複数の工程チャンバー６０とが本体の周辺に沿って配置される。本体の各側壁には基板Ｗが出入する通路（図示せず)が形成され、通路はトランスファーチャンバー５０とロードロックチャンバー４０又は工程チャンバー６０とを連結する。各通路には通路を開閉して内部を密閉させるドア（図示せず)が提供されている。トランスファーチャンバー５０の内部空間にはロードロックチャンバー４０と工程チャンバー６０との間に基板Ｗを移送する第２移送ロボット５３が配置される。第２移送ロボット５３はロードロックチャンバー４０で待機する未処理された基板Ｗを工程チャンバー６０に移送するか、或いは工程処理が完了された基板Ｗをロードロックチャンバー４０に移送する。そして、複数の工程チャンバー６０に基板Ｗを順次的に提供するために工程チャンバー６０との間に基板Ｗを移送する。図１のように、トランスファーチャンバー５０が五角形の本体を有する時、設備前方端部モジュール２０と隣接する側壁にはロードロックチャンバー４０が各々配置され、残りの側壁には工程チャンバー６０が連続して配置される。トランスファーチャンバー５０は前記形状のみならず、要求される工程モジュールに応じて多様な形態に提供されることができる。
【００４０】
工程チャンバー６０はトランスファーチャンバー５０の周辺に沿って配置される。工程チャンバー６０は複数提供されることができる。各々の工程チャンバー６０内では基板Ｗに対する工程処理が進行される。工程チャンバー６０は第２移送ロボット５３から基板Ｗが移送され、工程処理をし、工程処理が完了された基板Ｗを第２移送ロボット５３に提供する。各々の工程チャンバー６０で進行される工程処理は互いに異なることができる。工程チャンバー６０が遂行する工程は基板Ｗを利用して半導体素子又はディスプレイパネルを生産する過程のうち一工程である。例えば、工程チャンバー６０が遂行する工程は蒸着工程、蝕刻工程、洗浄工程、現像工程、アッシング工程、及びベーク工程等のような工程のうち１つを遂行することができる。以下、工程チャンバー６０がプラズマを利用して基板Ｗを処理する工程モジュール１００（図２の１００)を含む場合を例として説明する。
【００４１】
図２は図１の工程チャンバーに提供されることができる工程モジュールを示す図面である。
【００４２】
図２を参照すれば、工程モジュール１００は工程チャンバー６０に位置される。工程モジュール１００はプラズマを利用して基板Ｗを処理する。一例として、工程モジュール１００は基板Ｗ上の薄膜を蝕刻する。薄膜はポリシリコン膜、シリコン酸化膜、及びシリコン窒化膜等の多様な種類の膜である。また、薄膜は自然酸化膜や化学的に生成された酸化膜である。
【００４３】
工程モジュール１００はハウジング１２０、プラズマ発生室１４０、支持ユニット(ｓｕｐｐｏｒｔ  ｕｎｉｔ)２００、工程ガス供給部２８０を含む。
【００４４】
ハウジング１２０はプラズマによって基板Ｗが処理される処理空間１２２を提供する。ハウジング１２０は内部に上部が開放された空間１２２を有する。ハウジング１２０は大体に円筒形状に提供される。ハウジング１２０の側壁には開口１２１が提供される。基板Ｗは開口１２１を通じてハウジング１２０の内部に出入する。開口１２１はドア（図示せず)のような開閉部材によって開閉される。開閉部材はハウジング１２０内で基板Ｗの処理が遂行される間に開口１２１を閉鎖し、基板Ｗがハウジング１２０の内部に搬入される時／外部へ搬出される時に開口１２１を開放する。
【００４５】
ハウジング１２０の底面には排気ホール１２４が形成される。排気ホール１２４には排気ライン１２６が連結される。排気ライン１２６にはポンプ１２８が設置される。ポンプ１２８はハウジング１２０内の圧力を工程圧力に調節する。ハウジング１２０内の残留ガス及び反応副産物は排気ライン１２６を通じてハウジング１２０外部へ排出される。この時、ハウジング１２０の内部に留まるガス及び反応副産物は排気プレート２６０のホールを経て排気ホール１２４に流れ込まれる。ハウジング１２０の外側にウォールヒーター１２９が提供される。ウォールヒーター１２９はコイル形状に提供される。選択的にウォールヒーター１２９は工程チャンバー６０の側壁の内部に提供される。
【００４６】
プラズマ発生室１４０は工程ガスからプラズマが発生される空間１４９を提供する。プラズマ発生室１４０はアンテナユニット４００と共にプラズマ発生ユニットとして機能する。プラズマ発生室１４０はハウジング１２０の外部に位置する。一例によれば、プラズマ発生室１４０はハウジング１２０の上部に位置され、ハウジング１２０に結合される。プラズマ発生室１４０はガスポート１４２、放電室１４４、及び拡散室１４６を有する。ガスポート１４２、放電室１４４、及び拡散室１４６は上から下に向かう方向に順次的に提供される。ガスポート１４２は外部からガスが供給される。放電室１４４は中空の円筒形状を有する。上部から見る時、放電室１４４内の空間１４９はハウジング１２０内の空間１２１より狭く提供される。放電室１４４内でガスからプラズマが発生される。拡散室１４６は放電室１４４で発生されたプラズマをハウジング１２０に供給する。拡散室１４６内の空間は下に行くほど、漸進的に広くなる部分を有する。拡散室１４６の下端はハウジング１２０の上端と結合され、これらの間には外部との密閉のためにシーリング部材（図示されない)が提供される。
【００４７】
ハウジング１２０とプラズマ発生室１４０とは全て導電性材質で提供される。一例として、ハウジング１２０とプラズマ発生室１４０とはアルミニウム材質で提供される。選択的に、ハウジング１２０とプラズマ発生室１４０とは金属材質と非金属材質とから共になされてもよい。一例として、金属材質はアルミニウム(Ａｌ)であり、非金属材質は酸化アルミニウム(Ａｌ２Ｏ３)である。
【００４８】
支持ユニット２００は基板Ｗを支持する。支持ユニット２００は支持板２２０と支持軸２４０とを有する。支持板２２０は処理空間１２２の内に位置され、円板形状に提供される。支持板２２０は支持軸２４０によって支持される。基板Ｗは支持板２２０の上面に置かれる。支持板２２０の内部には電極（図示せず)が提供され、基板Ｗは靜電気力によって支持板２２０に固定される。選択的に、基板Ｗは機械的クランプによって支持板２２０に固定されるか、或いは別の固定無しで支持板２２０の上に置かれる。支持板２２０の内部には加熱部材２２２が提供される。一例によれば、加熱部材２２２は熱線で提供される。また、支持板２２０の内部には冷却部材２２４が提供される。冷却部材２２４は冷却水が流れる冷却ラインで提供される。加熱部材２２２は基板Ｗを既設定された温度に加熱し、冷却部材２２４は基板Ｗを強制冷却させる。選択的に、工程モジュール１００には加熱部材２２２又は冷却部材２２４が提供されないこともあり得る。支持ユニット２００にはリフトホール（図示せず)が形成される。リフトホールにはリフトピン（図示せず)が各々提供される。リフトピンは基板Ｗが支持ユニット２００の上にローディング／アンローディングされる場合、リフトホールに沿って昇降する。
【００４９】
また、ハウジング１２０の処理空間１２２には排気プレート２６０が位置される。一例として、排気プレート２６０は支持ユニット２００とハウジング１２０との内側面を連結するように提供される。これと異なりに、排気プレート２６０はハウジング１２０の内側面とリフトピン（図示せず)とを連結するように提供されてもよい。排気プレート２６０はホールを含む。排気プレート２６０はハウジング１２０内に残留するガス及び反応部産物等を排気ホール１２４に排出する。選択的に、ハウジング１２０の処理空間１２２には排気プレート２６０が提供されないことがあり得る。
【００５０】
工程ガス供給部２８０はガス供給ユニット３００（ｇａｓ  ｓｕｐｐｌｙ  ｕｎｉｔ)とプラズマソース４００(ｐｌａｓｍａ  ｓｏｕｒｃｅ)とを有する。工程ガス供給部２８０はプラズマ状態の工程ガスを工程モジュール１００の内部に供給する。
【００５１】
ガス供給ユニット３００はガス供給部材３２０と追加ガス供給部材３４０とを有する。
【００５２】
ガス供給部材３２０はガス供給ライン３２２及びガス格納部３２４を有する。ガス供給ライン３２２はガスポート１４２に結合される。ガスポート１４２を通じて供給されたガスは放電室１４４に流れ込まれ、放電室１４４でプラズマに励起される。ガスはジフルオロメタン(ＣＨ２Ｆ２、Ｄｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ)、窒素(Ｎ２)、及び酸素(Ｏ２)を含む。選択的に、ガスは四フッ化炭素(ＣＦ４、Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ)等の他の種類のガスをさらに含むことができる。
【００５３】
追加ガス供給部材３４０は追加ガス供給ライン３４２及び追加ガス格納部３４４を有する。追加ガスはガスから発生されたプラズマがハウジング１２０に流れる経路上に供給される。一例によれば、追加ガス供給ライン３４２は後述するアンテナ４２０より下の領域で放電室１４４に結合される。第２ソースガスは三ブッ化窒素(ＮＦ３、Ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｔｒｉｆｌｕｏｒｉｄｅ)を含む。
【００５４】
上述した構造によってガスは電力によって直接プラズマに励起され、追加ガスはガスとの反応によってプラズマに励起される。
上述した例でガスと追加ガスの種類は多様に変更されることができる。また、追加ガス供給部材３４０の提供無しでガス供給部材３２０のみが提供されることができる。
【００５５】
アンテナユニットは第１ガスをプラズマ状態に励起する。
【００５６】
バッフル５００はハウジング１２０とプラズマ発生室１４０との間に位置される。バッフル５００はバッフルホール５２２を含む。バッフル５００はプラズマが基板Ｗに供給される時、ハウジング１２０内の全体領域でプラズマの密度と流れを均一に維持する。プラズマはバッフルホール５２２を通じて供給される。バッフル５００は接地される。一例によれば、バッフル５００は工程チャンバー６０に接触されるように提供されて、工程チャンバー６０を通じて接地される。選択的に、バッフル５００は別の接地ラインに直接連結されることができる。したがって、バッフル５００によってラジカルはハウジング１２０に供給され、イオンと電子はハウジング１２０内への流入が妨害される。バッフル５００は工程チャンバー６０に固定される。一例によれば、バッフル５００はプラズマ発生室１４０の下端に結合されることができる。
【００５７】
アンテナユニット４００は第１アンテナ４１０及び第２アンテナ４２０を含む。
第１アンテナ４１０はプラズマ発生室１４０の外側周辺を複数回囲む形態に提供される。第１アンテナ４１０は導線４１１を通じて電源４３０に連結される。第１アンテナ４１０は等間隔を置いて巻線される。導線４１１にはマッチング回路４５０が位置される。マッチング回路４５０はインピーダンス整合を遂行する。
【００５８】
第２アンテナ４２０はプラズマ発生室１４０の外側周辺を複数回囲む形態に提供される。第２アンテナ４２０は等間隔を置いて巻線される。第２アンテナ４２０は第１アンテナ４１０が巻線された領域と一部の領域にわたって重畳されるように巻線されることができる。一例として、第２アンテナ４２０はプラズマ発生室１４０の外側に第１アンテナ４１０と相互交互に位置される形態に巻線される。第２アンテナ４２０は第１アンテナ４１０と同じ方向に巻線されるように提供される。したがって、第１アンテナ４１０及び第２アンテナ４２０に電源４３０が印加されれば、同じ方向に磁束が形成される。
【００５９】
第２アンテナ４２０は補助導線４２１を通じて電源４３０に連結される。一例として、補助導線４２１は導線４１１で分岐される形態に提供されることができる。その他の例として、補助導線４２１の一端又は両端は電源４３０に直接連結される形態に提供されることができる。第２アンテナ４２０は第１アンテナ４１０と並列連結をなすように電源４３０に連結される。
【００６０】
図３は工程モジュールの一部制御関係を示す図面である。
【００６１】
導線４１１には第１アンテナ４１０の状態を感知するセンサー４４０が提供される。センサー４４０は電流計である。電流計は高周波を有する電源４３０で動作可能であるように高周波電流計である。補助導線４２１が導線４１１で分枝される時、センサー４４０は補助導線４２１が分枝されるノードを基準に第１アンテナ４１０の方向又は第１アンテナ４１０の反対方向に位置される。
【００６２】
補助導線４２１には補助導線４２１をオン／オフするスイッチ４２２が位置される。制御器７０はセンサー４４０が提供する情報に基づいてスイッチ４２２をオン／オフする。
【００６３】
図４はアンテナユニットの調節過程を示す図面である。
【００６４】
図４を参照すれば、処理された基板が搬入されて支持ユニットに位置されれば、プラズマ点火が行われる(Ｓ１０)。プラズマ点火のために、ガス供給部材３２０はガス供給を開始し、電源４３０はアンテナユニット４００に電力を供給する。電源４３０はガス供給部材３２０がガス供給を開始することと同時に、電力供給を開始する。また、電源４３０はガス供給部材３２０のガス供給より設定時間の先に電力供給を開始するか、或いはガス供給部材３２０のガス供給が開始され、設定時間が経過された後、電力供給を開始することができる。アンテナユニット４００に電力に供給されれば、ガスはアンテナユニット４００によって形成された電磁気場によってプラズマ状態に点火が開始される。プラズマ点火の時、制御器７０はスイッチ４２２をオフさせて、電力が第１アンテナ４１０のみに供給されるようにする。プラズマ点火が開始される時、アンテナユニット４００に印加される電圧の大きさが小さければ、プラズマが円滑に生成されない。反面、本発明に係る基板処理装置は、プラズマ点火が開始される時、第２アンテナ４２０は連結されない状態に提供されて、アンテナユニット４００の等価インピーダンスが大きくなって、アンテナユニット４００に印加される電圧が大きくなる。したがって、プラズマ点火の時、プラズマの生成が円滑に開始されることができる。
【００６５】
図５はプラズマ点火の後、第１アンテナを流れる電流を示した図面であり、図６は正常状態に対する電流の偏差値を示す図面である。
【００６６】
プラズマの点火が開始されれば、プラズマが電荷を帯びる粒子を含んで、アンテナユニット４００とプラズマとの間に相互インダクタンスが発生する。プラズマによる相互インダクタンスによって、第１アンテナ４１０に流れる電流はプラズマの状態に影響を受ける。プラズマの点火が開始された直後、プラズマの量、密度、分布等は不安定であって、第１アンテナ４１０に流れる電流も不安定な状態になる。そして、時間の経過によってプラズマの状態が安定化されれば、第１アンテナ４１０に流れる電流も正常状態になる。
【００６７】
制御器７０はプラズマの点火が開始された後、第１アンテナ４１０を流れる電流の状態を考慮して、スイッチ４２２をオン(ｏｎ)する。スイッチ４２２がオンされれば、第２アンテナ４２０は第１アンテナ４１０と並列に連結された状態になって、アンテナユニット４００の等価インピーダンスは減少される(Ｓ２０)。
【００６８】
一例として、制御器７０は第１アンテナ４１０を流れる電流の正常状態電流に対する偏差(θ)が設定値の以下になれば、プラズマの状態が安定化されたことと判断して、スイッチ４２２をオンする。また、制御器７０は第１アンテナ４１０を流れる電流の正常状態電流に対する偏差(θ)が設定値の以下になった後、このような状態が設定時間の間に維持されれば、スイッチ４２２をオンする。
【００６９】
アンテナユニット４００の等価インピーダンスが減少されれば、アンテナユニット４００を通じて流れる電流の大きさが大きくなる。アンテナユニット４００を通じて流れる電流の大きさが増加されれば、これによって誘導される電磁気場の大きさが増加されて、プラズマを励起する効率が向上され、励起されるプラズマの密度を増加させる。
【００７０】
アンテナユニット４００に印加される電圧の大きさが増加されれば、励起されたプラズマを通じた基板処理でパーティクル発生が高くなる。これはプラズマが必要以上に高いエネルギーを有すること等が原因である。反面に本発明に係る基板処理装置は、第２アンテナ４２０が連結されてアンテナユニット４００の等価インピーダンスが減少されれば、電源４３０が有する内部抵抗、導線４１１の抵抗等によってアンテナユニット４００に印加される電圧の大きさが減少される。したがって、プラズマイオンスパッタリング等によって発生されるパーティクルを減少させることができる。
【００７１】
図７は第２実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【００７２】
図７を参照すれば、アンテナユニット４００ａは第１アンテナ４１０ａ及び第２アンテナ４２０ａを含む。
【００７３】
第１アンテナ４１０ａはプラズマ発生室１４０の外側周辺を複数回囲む形態に提供される。
【００７４】
第２アンテナ４２０ａはプラズマ発生室１４０の外側周辺を複数回囲む形態に提供される。第２アンテナ４２０ａが巻線された上端である第３位置と下端である第４位置との間の長さは第１アンテナ４１０ａが巻線された上端である第１位置と下端である第２位置との間の長さより長く提供される。一例として、第２アンテナ４２０ａは第１アンテナ４１０ａが巻線された領域を含む形態に巻線されるように提供されることができる。また、第２アンテナ４２０ａの上端は第１アンテナ４１０ａの上端より上方に位置され、第２アンテナ４２０ａの下端は第１アンテナ４１０ａの下端より下方に位置される。
【００７５】
プラズマが最初に点火される時には狭い領域で第１アンテナ４１０ａによってプラズマの励起が開始されて、プラズマが効果的に点火されることができる。
【００７６】
第２アンテナ４２０ａは第１アンテナ４１０ａより相対的に広い領域にわたって分布される。したがって、第２アンテナ４２０ａが連結されれば、アンテナユニット４００ａによってプラズマが励起される領域が分散される。したがって、プラズマを励起する過程で発生される熱が分散されて、プラズマ及びプラズマ発生室１４０ａの温度があまりにも高くなることが防止されることができる。
【００７７】
第１アンテナ４１０ａを電源４３０ａに連結する導線４１１ａ、第２アンテナ４２０ａを電源４３０ａに連結する補助導線４２２ａ、補助導線４２２ａに位置されるスイッチ４２２ａ、導線４１１ａに位置されるセンサー４４０ａ、マッチング回路４５０ａは図２のアンテナユニット４４０と同一又は類似であるので、繰り返された説明は省略する。
【００７８】
図８は第３実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【００７９】
図８を参照すれば、アンテナユニット４００ｂは第１アンテナ４１０ｂ及び第２アンテナ４２０ｂを含む。
【００８０】
第１アンテナ４１０ｂはプラズマ発生室１４０の外側周辺を複数回囲む形態に提供される。
【００８１】
第２アンテナ４２０ｂはプラズマ発生室１４０ｂの外側周辺を複数回囲む形態に提供される。第２アンテナ４２０ｂが巻線された上端と下端との間の長さは第１アンテナ４１０ｂが巻線された上端と下端との間の長さより短く提供される。一例として、第２アンテナ４２０ｂは第１アンテナ４１０ｂが巻線された領域に含まれる形態に提供されることができる。また、第２アンテナ４２０ｂの上端は第１アンテナ４１０ｂの上端より下方に位置され、第２アンテナ４２０ｂの下端は第１アンテナ４１０ｂの下端より上方に位置される。
【００８２】
第１アンテナ４１０ｂを電源４３０ｂに連結する導線４１１ｂ、第２アンテナ４２０ｂを電源４３０ｂに連結する補助導線４２２ｂ、補助導線４２２ｂに位置されるスイッチ４２２ｂ、導線４１１ｂに位置されるセンサー４４０ｂ、マッチング回路４５０ｂは図２のアンテナユニット４４０と同一又は類似であるので、繰り返された説明は省略する。
【００８３】
図９は第４実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【００８４】
図９を参照すれば、アンテナユニット４００ｃは第１アンテナ４１０ｃ、第２アンテナ４２０ｃ、及びセンサー４４０ｃを含む。
【００８５】
センサー４４０ｃは第１アンテナ４１０ｃに並列に連結される電圧計で提供される。電圧計は高周波を有する電源４３０ａで動作可能であるように高周波電圧計である。したがって、制御器７０は、プラズマの点火を開始した後、第１アンテナ４１０ｃに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差が設定値の以下になれば、プラズマの状態が安定化されたことと判断して、スイッチ４２２ｃをオンする。また、制御器７０は第１アンテナ４１０ｃに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差が設定値の以下になった後、これのような状態が設定時間維持されれば、スイッチ４２２ｃをオンする。
【００８６】
第１アンテナ４１０ｃ、第２アンテナ４２０ｃ、第１アンテナ４１０ｃを電源４３０ｃに連結する導線４１１ｃ、マッチング回路４５０ｃ、第２アンテナ４２０ｃを電源４３０ｃに連結する補助導線４２２ｃ、補助導線４２２ｃに位置されるスイッチ４２２ｃは図２のアンテナユニット４４０、図７のアンテナユニット４４０ａ、又は図８のアンテナユニット４４０ｂと同一又は類似であるので、繰り返された説明は省略する。
【００８７】
図１０は第５実施形態に係るアンテナユニットを示す図面である。
【００８８】
図１０を参照すれば、アンテナユニット４００ｄは第１アンテナ４１０ｄ、第２アンテナ４２０ｄ、及びマッチング回路４５０ｄを含む。
【００８９】
マッチング回路４５０ｄはインピーダンス整合を遂行する。マッチング回路４５０ｄはセンサーとして機能する。
【００９０】
プラズマの点火が開始されれば、プラズマが電荷を帯びる粒子を含んで、アンテナユニット４００ｄとプラズマとの間に相互インダクタンスが発生する。プラズマの点火が開始された後、プラズマの状態が安定化される前には相互インダクタンスの値の時間に応じる変化程度が大きく形成される。したがって、アンテナユニット４００ｄのインピーダンス変化幅が大きくなって、マッチング回路４５０ｄのインピーダンス値を時間に応じて変化させる程度が大きくなって、マッチング回路４５０ｄのマッチングポジション変化が大きくなる。制御器７０はマッチング回路４５０ｄのマッチングポジションの変化が設定値の以下になれば、プラズマの状態が安定化されたことと看做され、スイッチ４２２ｄがオンされるように制御する。
【００９１】
第１アンテナ４１０ｄを電源４３０ｄに連結する導線４１１ｄ、第２アンテナ４２０ｄを電源４３０ｄに連結する補助導線４２２ｄ、補助導線４２２ｄに位置されるスイッチ４２２ｄは図２のアンテナユニット４４０、図７のアンテナユニット４００ａ、図８のアンテナユニット４００ｂと同一又は類似であるので、繰り返された説明は省略する。
【００９２】
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されるべきである。
【符号の説明】
【００９３】
１０      ロードポート
２０      設備前方端部モジュール
２１      移送フレーム
２５      第１移送ロボット
２７      移送レール
３０      工程処理室
４０      ロードロックチャンバー  
５０      トランスファーチャンバー
５３      第２移送ロボット
６０      工程チャンバー
７０      制御器
１００    工程モジュール
１２０    ハウジング
２２０    支持板
２８０    工程ガス供給部
３００    ガス供給ユニット
【図１】
2019033059.tif 000003
【図２】
2019033059.tif 000004
【図３】
2019033059.tif 000005
【図４】
2019033059.tif 000006
【図５】
2019033059.tif 000007
【図６】
2019033059.tif 000008
【図７】
2019033059.tif 000009
【図８】
2019033059.tif 000010
【図９】
2019033059.tif 000011
【図１０】
2019033059.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月30日(2018.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が処理される処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間内で基板を支持する支持ユニットと、
チャンバーの外部に配置され、ガスからプラズマを励起させ、励起されたプラズマを前記処理空間に供給するプラズマ発生ユニットと、
制御器と、を含み、
前記プラズマ発生ユニットは、
ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線で電源に連結された第１アンテナと、
前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線で前記電源に連結される第２アンテナと、
前記補助導線をオン／オフするスイッチと、を含む基板処理装置であって、
前記制御器は、
前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマ開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)する、
基板処理装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと並列に連結される請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと同じ方向に巻線された請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
チャンバーの上部に巻線された第１アンテナを電源に連結してプラズマの点火を開始する段階と、
プラズマの点火が開始された後、設定時間が経過されれば、第２アンテナを前記第１アンテナと並列に連結する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項１１】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに流れる電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、連結される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記第２アンテナは、プラズマの点火が開始された後、前記第１アンテナに印加される電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、連結される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナと同じ方向に巻線された請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記第２アンテナの上端と下端との間の長さは、前記第１アンテナの上端と下端との間の長さより長く提供される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記第２アンテナは、前記第１アンテナが巻線された領域を含む形態に巻線される請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
ガスが流れ込まれる空間を有するプラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室を囲むように巻線され、導線で電源に連結された第１アンテナと、
前記プラズマ発生室に巻線され、補助導線で前記電源に連結される第２アンテナと、
前記補助導線をオン／オフするスイッチと、
制御器と、を含むプラズマ発生ユニットであって、
前記制御器は、
前記スイッチをオフした状態にプラズマの点火を開始し、プラズマ開始の後、設定時間が経過した後、前記スイッチをオン(ｏｎ)する、
プラズマ発生ユニット。
【請求項１９】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１８に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２０】
前記プラズマ発生ユニットは、前記導線に位置される電流計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電流計で感知された電流の正常状態電流に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１８に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２１】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１８に記載のプラズマ発生ユニット。
【請求項２２】
前記プラズマ発生ユニットは、前記第１アンテナに並列に連結される電圧計をさらに含み、
前記制御器は、プラズマの点火を開始した後、前記電圧計で感知された電圧の正常状態電圧に対する偏差値が設定値の以下になり、設定時間が経過されれば、前記スイッチをオン(ｏｎ)する請求項１８に記載のプラズマ発生ユニット。