(57)【要約】【課題】  微細かつ高密度な開口パターンをに有する微細パターンニッケル薄膜と、その簡便な製造方法を提供することである。【解決手段】  クロム膜２２でパターン形成されたガラス基材に、無電解ニッケルめっきと電解ニッケルめっきにより、微細パターンニッケル薄膜１を形成し、その上に十分な厚さの銅めっきをして、ガラス基材から剥離をし、銅だけを選択的にエッチングして、微細パターンニッケル薄膜１を得る。この微細パターンニッケル薄膜１は、厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜１１と、ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口１２を有し、ニッケル薄膜１１の厚さＴと、開口１２間の最短間隔Ｇと、開口１２の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある。【選択図】図１
2019094520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜と、
前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、
前記開口間の最短間隔Ｇと、前記厚さＴと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜。
【請求項２】
表面に導電性物質がコーティングされている、
ことを特徴とする、請求項１に記載の微細パターンニッケル薄膜。
【請求項３】
厚さ１〜１０ｍｍの平板状のガラスの片面に、厚さ０．０５〜１μｍのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、ｐＨを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、
前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第１水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第１乾燥工程と、
無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第１ニッケル層を１〜２μｍ析出する無電解ニッケルめっき工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第２水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第２乾燥工程と、
電解ニッケルめっきにより、前記第１ニッケル層上に第２ニッケル層を１〜８μｍ積層する電解ニッケルめっき工程と、
前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、
を備え、
前記ニッケル薄膜の厚さＴと、開口間の最短間隔Ｇと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記ｐＨは５．５〜６．５である、
ことを特徴とする、請求項３に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記第２乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、
を備えることを特徴とする、請求項３または４のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第２ニッケル層の上に１０μｍ以上の厚さで銅めっきを形成   する、銅めっき工程と、
前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、
を備えることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、
備えることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、
備えることを特徴とする、請求項６に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密機器の防塵フィルタなどに使われる、極薄のシートに微小な開口を高密度に有する微細パターンニッケル薄膜とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
微小開口を有する金属メッシュは、電子機器や精密機器の防塵フィルタをはじめ、幅広い用途で使用されており、一般には開口が微小かつ高密度に形成されているのが望ましいとされている。ここで、従来、金属メッシュは、主にフォトリソグラフィ法により形成されたレジストパターンを有する導電性基材に電解めっきで薄膜を形成することで作製されていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この方法では、金属メッシュのパターンの細かさや密度は、専らフォトリソグラフィの精度に依存する。すなわち、金属メッシュのパターンを微小かつ高密度に形成しようとすると、フォトリソグラフィにおいて、微細なレジストパターンを形成する必要がある。
【０００４】
ここで、例えば使用されるフォトレジスト層が厚い場合、形成可能なレジストパターンの精細さは粗くなる傾向にあり、高精細にするためにはフォトレジスト層を薄くすることがその手段の一つとして考えられる。しかしながら、フォトレジストを薄くすると、めっきにより形成できるメッシュの厚さも薄くなるため、基材から剥離する工程で、破損する危険性が増すこととなっていた。
【０００５】
なお、図４の様に、導電性基材１０１の上に形成した薄いフォトレジスト層１０２により高精細パターンを確保しつつ、フォトレジスト層１０２の厚さ以上に厚くめっき１０３を形成して強度をも備えようとした場合、フォトレジスト層１０２の上にめっき１０３が乗り上げるオーバーハングという現象が発生し、そのため、パターンの開口の大きさが設定されていたものからずれるうえ、開口同士の間隔が広がるため、開口の密度が低くなるので一般には好ましくないとされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３２３５９２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明の目的は、上記事情に鑑み、微細かつ高密度な開口パターンを有する微細パターンニッケル薄膜と、その簡便な製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜と、前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、前記開口間の最短間隔Ｇと、前記厚さＴと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の微細パターンニッケル薄膜において、表面に導電性物質がコーティングされている、ことを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、厚さ１〜１０ｍｍの平板状のガラスの片面に、厚さ０．０５〜１μｍのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、ｐＨを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、前記ガラス基材を水で洗う第１水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第１乾燥工程と、無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第１ニッケル層を１〜２μｍ析出する無電解ニッケルめっき工程と、前記ガラス基材を水で洗う第２水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第２乾燥工程と、電解ニッケルめっきにより、前記第１ニッケル層上に第２ニッケル層を１〜８μｍ積層する電解ニッケルめっき工程と、前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、を備え、前記ニッケル薄膜の厚さＴと、開口間の最短間隔Ｇと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、ことを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記ｐＨは５．５〜６．５である、ことを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項３または４のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記第２乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、を備えることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第２ニッケル層の上に１０μｍ以上の厚さで銅めっきを形成する、銅めっき工程と、前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、を備えることを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記剥離工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記エッチング工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１〜４の発明によれば、専らクロム膜上にのみ第１ニッケル層を形成することと、ニッケル薄膜の厚さが２〜１０μｍと薄いため、無電解ニッケルめっき・電解ニッケルめっきにおいて、殆どが縦方向（ガラス基材のパターン面と垂直方向）に析出し、横方向への析出が少ない異方性めっきが促進されるので、隣接する開口間の最小距離を短くすることが可能であり、結果として微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となり、精密機器の防塵フィルタをはじめとした各種フィルタとしてのフィルタリング機能向上が図れる。
【００１０】
また、クロム膜によりパターン形成されたガラス基材を母型として用いるため、従来のフォトレジストでパターン形成をしたものよりも精度が高く、さらに繰り返し使用が可能となるので経済的である。
【００１１】
請求項５の発明によれば、ガラス基材のパターン面全体に撥水性皮膜を形成することで、第１ニッケル層上における縦方向以外のめっきの析出が抑制され、さらに異方性めっきが促進されるので、さらに隣接する開口間の最小距離を短くすることが可能であり、さらに微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となる。
【００１２】
請求項６の発明によれば、電解ニッケルめっき工程の後、第２ニッケル層の上に、開口を塞いで一体化する程度にまで厚く銅めっき層を形成し、ガラス基材から一体的に剥離することで、銅めっき層が補強板の役割をし、剥離時における微細パターンニッケル薄膜の永久変形や破損を防止することが可能となる。
【００１３】
請求項３、請求項７、請求項８の発明によれば、微細パターンニッケル薄膜は、微細かつ高密度なパターンで開口が形成されていることで、比表面積が従来のフィルタに比べて極めて大きくなっているため、表面に、導電性物質層などをコーティングした場合、その相乗作用による機能向上が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る、微細パターンニッケル薄膜の概略の正面図（ａ）と、Ｘ１−Ｘ１の断面図（ｂ）である。
【図２】本発明の実施の形態に係る、微細パターンニッケル薄膜の概略製造フロー図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る、微細パターンニッケル薄膜の概略製造工程図である。
【図４】従来の金属メッシュの概略製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図面において、図面中の各部の構成の大きさ、間隔、数、その他詳細は、視認と理解の助けのために、実際の物とから大幅に簡略化・省略化して表現している。
【００１６】
図１は、実施の形態にかかる、微細パターンニッケル薄膜１の概略の正面図（ａ）と、側面断面図（ｂ）である。
【００１７】
微細パターンニッケル薄膜１は、厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜１１と、ニッケル薄膜１１の面内に形成された複数の開口１２のパターンから構成されている。
【００１８】
ここで、隣接する開口１２間の最短間隔Ｇと開口１２の最小寸法Ｄの関係は、Ｇに対するＤの比が１以上（Ｄ／Ｇ≧１）となるように設定されている。すなわち、Ｄが５μｍのとき、Ｇは５μｍ以下である。このようにすることで、金属メッシュをフィルタに使用したときに、高いフィルタリング機能を発揮することができる。Ｄ／Ｇが１未満の場合には、開口１２に比べて、開口１２間の間隔が広くなるので、開口１２の密度が低くなり、金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
【００１９】
また、開口１２の最小寸法Ｄとニッケル薄膜１１の厚さＴの関係は、Ｄに対するＴの比が１以上（Ｔ／Ｄ≧１）となるように設定されている。すなわち、Ｔが５μｍのときＤは５μｍ以下であり、Ｄの最大値は１０μｍとなる。ここで、本実施形態では開口１２は、円形をしており、この場合Ｄは円の直径のことをいう。Ｔ／Ｄが１未満の場合には、ニッケル薄膜１１の厚さにＴに比べて開口１２が大きくなり、やはり金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
【００２０】
さらに、Ｇと、Ｔの関係は、Ｇに対するＴの比が以上（Ｔ／Ｇ≧１）となるように設定されている。すなわち、Ｔが２μｍのときＧは２μｍ以下であり、Ｇの最大値は１０μｍとなるＴ／Ｇが１未満のとき、ニッケル薄膜１１の厚さにＴに比べて開口１２の間の間隔が大きくなり、やはり金属メッシュのフィルタリング機能が低下するので好ましくない。
【００２１】
なお、本実施の形態において、Ｇ、Ｄの最小値はそれぞれ１μｍである。それ以上小さいと以下に述べる製造工程において、適正に作製をすることが著しく困難になる。すなわち、Ｔ／ＧとＴ／Ｄの最大値は１０となり、Ｄ／Ｇの最大値も１０となる。
【００２２】
以上より、微細パターンニッケル薄膜１は、ニッケル薄膜１１の面内に、開口１２が高密度にかつ数多く形成されているものである。また、Ｔが２〜１０μｍと薄いので、ＤもＧも相応に微小に設定されている。
【００２３】
次に、図２、図３に基づいて、微細パターンニッケル薄膜１の製造方法について説明をする。
【００２４】
まず、ガラス基材２を準備する（図２のステップＳ１、図３の（ａ））。ガラス基材２は、厚さ１〜１０ｍｍの平板状のガラス２１の片面に、厚さ０．０５〜１μｍのクロム膜２２が所定のパターンで形成されたパターン面を有する。ガラス基材２の表面には、汚れや異物の付着なきよう、事前に酸性・アルカリ性水溶液及び水で、十分に洗浄をしておく。
【００２５】
次に、パターン面に、塩化パラジウム水溶液を塗布する（ステップＳ２）。このとき、塩化パラジウム水溶液の濃度は、０．０３ｗｔ％であり、水酸化カリウム水溶液にて、そのｐＨを５．５〜６．５に調整することで、クロム膜２２上に選択的に塩化パラジウムが吸着される。
【００２６】
次に、ガラス基材２のパターン面に還元剤の水溶液を塗布して、塩化パラジウムをパラジウムに還元する（ステップＳ３）。還元剤としては、本実施形態では次亜リン酸ソーダを使用する。
【００２７】
次に、ガラス基材を水洗し、ホットプレートや乾燥機を用いて、ガラス基材２を乾燥させる（第１乾燥工程  ステップＳ４）。乾燥条件は、６０〜８０℃、２〜５分である。これにより、ガラス板２１状に残留したパラジウムを洗い流し、パラジウムが吸着された部分と、吸着されていない部分を明確にする。
【００２８】
次に、無電解ニッケルめっきにより、クロム膜２２上に、第１ニッケル層３１を１〜２μｍの厚さで析出する（無電解ニッケルめっき工程  図２のステップＳ５、図３の（ｂ））。無電解ニッケルめっきは、硫酸ニッケルまたは塩化ニッケルを金属塩とするめっき浴を、ｐＨを４〜６、温度を７０〜８０℃に保ちながら、ガラス基材２を５〜１０分浸漬する。このとき、クロム膜２２上のパラジウムが触媒として働き、金属塩を還元してニッケルとリンの合金をパラジウム上に析出させる。さらに処理を続けると、ニッケルそのものが触媒として働き、ニッケルを析出・堆積させる。
【００２９】
次に、ガラス基材２を水洗し、ホットプレートや乾燥機を用いて、ガラス基材２を乾燥させる（第２乾燥工程  ステップＳ６）。乾燥条件は、６０〜８０℃、２０分以上である。これにより、無電解ニッケルめっきとクロム膜２２との密着性を高めて、層間剥離を防止する。
【００３０】
次に、電解ニッケルめっきにより、第１ニッケル層３１上に、第２ニッケル層３２を１〜８μｍ積層する（電解ニッケルめっき工程  図２のステップＳ７、図３の（ｃ））。電解ニッケルめっきは、スルファミン酸ニッケル浴または硫酸ニッケル浴を用いる。
【００３１】
ここで、無電解ニッケルめっきと電解ニッケルめっきを併用した理由について説明する。まず、クロム膜２２はニッケルに比べて電気伝導性が低く電解ニッケルめっきの電極としては適さないため、はじめに無電解ニッケルめっきを施して、第１ニッケル層３１を形成した。また、無電解ニッケルめっきは、電解ニッケルめっきに比べて、ニッケルの析出速度が遅いため、生産性を高めるために第２ニッケル層は電解ニッケルめっきで形成した。
【００３２】
次に、第２ニッケル層３２の上に１０μｍ以上の厚さで電解銅めっきを形成する（銅めっき工程  図２のステップＳ８、図３の（ｄ））。このとき、めっきの厚さは、めっきの積層と同時に銅めっき皮膜が横に広がり、開口１２を塞いで一体化する程度にまで行う。
【００３３】
次に、銅めっき層４と、第１ニッケル層３１、第２ニッケル層３２とともにガラス基材２から剥離する（剥離工程  図２のステップＳ９、図３の（ｅ））
【００３４】
次に、ガラス基材２から剥離しためっき皮膜を、銅だけを選択的に溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチングを行う（エッチング工程  図２のステップＳ１０）。このとき、銅選択性エッチング液としては、アンモニアアルカリ性液や、主成分が過酸化水素水及び硫酸の混合液をエッチング液として用いる。
【００３５】
この発明によれば、専らクロム膜２２上にのみ第１ニッケル層３１を形成することと、ニッケル薄膜１１の厚さＴが２〜１０μｍと薄いため、無電解ニッケルめっき・電解ニッケルめっきにおいて、殆どが縦方向（ガラス基材２のパターン面と垂直方向）に析出し、横方向への析出が少ない異方性めっきが促進されるので、隣接する開口１２間の最小距離を短くすることが可能であり、結果として高密度に多くの開口１２を形成することが可能となり、精密機器の防塵フィルタをはじめとした各種フィルタとしての機能向上が図れる
【００３６】
また、クロム膜２２によりパターン形成されたガラス基材２を母型として用いるため、従来のフォトレジストでパターン形成をしたものよりも精度が高く、さらに繰り返し使用が可能となるので経済的である。
【００３７】
また、電解ニッケルめっき工程の後、第２ニッケル層３２の上に、開口１２を塞いで一体化する程度にまで厚く銅めっき層４を形成し、ガラス基材２から一体的に剥離することで、銅めっき層が補強板の役割をし、剥離時における微細パターンニッケル薄膜１の永久変形や破損を防止することが可能となる。
【００３８】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本願発明の範囲は以上の実施の形態に限られるものではなく、これと同視しうる他の形態に対しても及ぶ。
【００３９】
例えば、第２乾燥工程の後、電解ニッケルめっき工程の前に、パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程を行う。これによれば、ガラス基材のパターン面全体に撥水性皮膜を形成することで、第１ニッケル層上における縦方向以外のめっきの析出が抑制され、さらに異方性めっきが促進されるので、さらに隣接する開口１２間の最小距離を短くすることが可能であり、さらに微細かつ高密度な開口パターンを形成することが可能となる。
【００４０】
また、銅めっき工程（ステップＳ８）からエッチング工程（ステップＳ１０）までは、もし単体で微細パターンニッケル薄膜１を安全にガラス基材２から剥離することができれば、必ずしも実施なければならないものではない。
【００４１】
また、本実施の形態では、開口１２は円形であったが、これに限られるものではなく、三角四角その他多角形でもよい。
【００４２】
また、無電解ニッケルめっき工程で使用する還元剤は、次亜リン酸ソーダに限らず、その他還元作用のある物質、例えばジメチルアミンボランやホルムアルデヒドも使用できる。ここで、次亜リン酸ソーダを使用した場合に析出するめっきは、ニッケルとホウ素の合金となる。
【００４３】
また、微細パターンニッケル薄膜１は、微細かつ高密度なパターンで開口１１が形成されていることで、比表面積が従来のフィルタに比べて極めて大きくなっているため、表面に、導電性物質層などをコーティングした場合、その相乗効果で非常に大きな効果が得られる。例えば、銀、Ｔｉ、または銅を被覆した場合には抗菌機能が、酸化チタンを被覆した場合には光活性機能が得られる。
【００４４】
また、クロム膜２２は一般的にはクロム単体ではなく、クロムの表面に保護皮膜として酸化クロムが被覆されている場合がある。そこで、ステップＳ２の前に酸化クロム膜をフッ素系の処理液で除去することで、より塩化パラジウムの吸着の選択性が高まり、また第１ニッケル層３１の密着性を向上させることが可能となる。
【００４５】
本発明の微細パターンニッケル薄膜１は、電気機器や精密機器の防塵フィルタをはじめ、燃料電池のフィルタ、各種液体の精密ろ過用フィルタ、電気泳動による電解質の分離用フィルタ、バクテリアやウィルスの除去などに用いる医療用フィルタ、静電気的吸着力を利用するバイオフィルタ、さらに電磁波シールドなどに広く用いることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１            微細パターンニッケル薄膜
１１          ニッケルシート
１２          開口
２            ガラス基材
２１          ガラス板
２２          クロム膜
３１          第１ニッケル層
３２          第２ニッケル層
４            銅めっき層
【図１】
2019094520.tif 000003
【図２】
2019094520.tif 000004
【図３】
2019094520.tif 000005
【図４】
2019094520.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月5日(2018.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜と、
前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、
前記開口間の最短間隔Ｇと、前記厚さＴと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜。
【請求項２】
表面に銀、Ｔｉ、銅、または酸化チタンがコーティングされている、
ことを特徴とする、請求項１に記載の微細パターンニッケル薄膜。
【請求項３】
厚さ１〜１０ｍｍの平板状のガラスの片面に、厚さ０．０５〜１μｍのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、ｐＨを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、
前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第１水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第１乾燥工程と、
無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第１ニッケル層を１〜２μｍ析出する無電解ニッケルめっき工程と、
前記ガラス基材を水で洗う第２水洗工程と、
前記ガラス基材を乾燥させる第２乾燥工程と、
電解ニッケルめっきにより、前記第１ニッケル層上に第２ニッケル層を１〜８μｍ積層する電解ニッケルめっき工程と、
前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、
を備え、
前記ニッケル薄膜の厚さＴと、開口間の最短間隔Ｇと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、
ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記ｐＨは５．５〜６．５である、
ことを特徴とする、請求項３に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記第２乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、
を備えることを特徴とする、請求項３または４のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第２ニッケル層の上に１０μｍ以上の厚さで銅めっきを形成  する、銅めっき工程と、
前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、
を備えることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、
備えることを特徴とする、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、銀、Ｔｉ、銅、または酸化チタンをコーティングするコーティング工程を、
備えることを特徴とする、請求項６に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、厚さＴが２〜１０μｍのシート状のニッケル薄膜と、前記ニッケル薄膜の面内に形成された複数の開口と、を備え、前記開口間の最短間隔Ｇと、前記厚さＴと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、ことを特徴とする、微細パターンニッケル薄膜である。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の微細パターンニッケル薄膜において、表面に銀、Ｔｉ、銅、または酸化チタンがコーティングされている、ことを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、厚さ１〜１０ｍｍの平板状のガラスの片面に、厚さ０．０５〜１μｍのクロム膜が、所定のパターンで形成されたパターン面を有するガラス基材の、前記パターン面に、ｐＨを所定の範囲に調整した塩化パラジウム水溶液を塗布し、前記クロム膜上に選択的に吸着させる工程と、前記塩化パラジウムを、還元剤でパラジウムに還元する還元工程と、前記ガラス基材を水で洗う第１水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第１乾燥工程と、無電解ニッケルめっきにより、前記クロム膜上に、第１ニッケル層を１〜２μｍ析出する無電解ニッケルめっき工程と、前記ガラス基材を水で洗う第２水洗工程と、前記ガラス基材を乾燥させる第２乾燥工程と、電解ニッケルめっきにより、前記第１ニッケル層上に第２ニッケル層を１〜８μｍ積層する電解ニッケルめっき工程と、前記第１ニッケル層と前記第２ニッケル層からなるニッケル薄膜を前記ガラス基材から剥離する、剥離工程と、を備え、前記ニッケル薄膜の厚さＴと、開口間の最短間隔Ｇと、前記開口の最小寸法Ｄが、Ｔ／Ｇ≧１、Ｔ／Ｄ≧１、Ｄ／Ｇ≧１の関係にある、ことを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記ｐＨは５．５〜６．５である、ことを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項３または４のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記第２乾燥工程の後、前記電解ニッケルめっき工程の前に、前記パターン面全体に撥水性皮膜を形成する撥水処理工程と、を備えることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記電解ニッケルめっき工程の後、前記剥離工程の前に、前記第２ニッケル層の上に１０μｍ以上の厚さで銅めっきを形成する、銅めっき工程と、前記剥離工程の後に、銅だけを溶解させ、ニッケルを溶解させないエッチング工程と、を備えることを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項３から５のいずれか１項に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記剥離工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、導電性物質をコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の微細パターンニッケル薄膜の製造方法において、前記エッチング工程の後に、前記第１ニッケル層及び前記第２ニッケル層の表面に、銀、Ｔｉ、銅、または酸化チタンをコーティングするコーティング工程を、備えることを特徴とする。