(57)【要約】【課題】サイドリンスのリンスしぶきに起因するレジスト膜の膜質低下を防ぐこと。【解決手段】塗布対象上にレジスト膜を形成する工程と、第一の溶解液によって除去可能な保護材料の層を、前記レジスト膜の上面に形成する工程と、上面に前記保護材料の層が存在していない領域の前記レジスト膜を、前記レジスト膜を溶解する第二の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程と、前記レジスト膜の上面に残存する前記保護材料を、前記第一の溶解液によって除去する工程と、を含む成膜方法を提供する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布対象上にレジスト膜を形成する工程と、
第一の溶解液によって除去可能な保護材料の層を、前記レジスト膜の上面に形成する工程と、
上面に前記保護材料の層が存在していない領域の前記レジスト膜を、前記レジスト膜を溶解する第二の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程と、
前記レジスト膜の上面に残存する前記保護材料を、前記第一の溶解液によって除去する工程と、
を含むことを特徴とする、成膜方法。
【請求項２】
前記保護材料の層を形成する工程は、
有効領域外に形成されている前記保護材料を、前記第一の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程を含む、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記レジスト膜を除去する工程は、有効領域内の前記レジスト膜が前記保護材料で覆われている状態で行われる、請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記レジスト膜は有機材料で構成され、前記保護材料は水溶性の材料で構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記第一の溶解液は、水系材料である、請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記保護材料の層および前記レジスト膜は、スピンコート法で形成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記保護材料の層および前記レジスト膜は、スリットノズル法で形成される、請求項１から６のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項８】
ドライフィルムの製造方法であって、
ベースフィルム上にレジスト膜を形成する工程と、
第一の溶解液によって除去可能な保護材料の層を、前記レジスト膜の上面に形成する工程と、
上面に前記保護材料の層が存在していない領域の前記レジスト膜を、前記レジスト膜を溶解する第二の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程と、
前記レジスト膜の上面に残存する前記保護材料を前記第一の溶解液によって除去する工程と、
を含むことを特徴とする、ドライフィルムの製造方法。
【請求項９】
液体吐出ヘッドの製造方法であって、
供給口が形成されている基板を用意する工程と、
ベースフィルム上にレジスト膜を形成する工程と、
第一の溶解液によって除去可能な保護材料の層を、前記レジスト膜の上面に形成する工程と、
上面に前記保護材料の層が存在していない領域の前記レジスト膜を、前記レジスト膜を溶解する第二の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程と、
前記レジスト膜の上面に残存する前記保護材料を前記第一の溶解液によって除去する工程と、
前記ベースフィルム上に形成された前記レジスト膜を前記基板に転写する工程と、
前記レジスト膜が転写された基板にパターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする、液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術のコア技術の一つとして、基板またはベースフィルム上にレジスト材料の塗布を行う工程がある。
【０００３】
レジスト材料を塗布する一般的な技術としてスピンコート法が知られている。スピンコート法は、平滑な基材を高速回転させることにより遠心力で薄膜を形成する方法である。塗布によって形成される膜厚の精度は、製品の寸法精度に直接影響するため、高精度が要求される。一般的に、ウエハやベースフィルムなどにおける有効領域外の部分に対して、サイドリンス(またはエッジリンス)と呼ばれる、レジスト材料を除去する工程が実施される。ここで、有効領域内とは、基板やドライフィルムにおいて、その後、実際に製品などに用いられ得る部分のことであり、有効領域外とは、実際に製品に用いられない部分のことである。
【０００４】
サイドリンスは、サイドリンスノズルと呼ばれる機構を有する装置を用いて行われる。サイドリンスノズルから有効領域外に溶剤を噴射することで、有効領域外のレジスト材料の除去が行われる。サイドリンスを行う上で、レジストの平坦性を維持するためには、基板やフィルムをある程度以上の回転数で回し続ける必要がある。一方、サイドリンスは、その回転による遠心力があっても溶剤が十分レジストに塗布されるように、高圧力である必要がある。
【０００５】
サイドリンスを実施する際、塗布しているサイドリンス液が飛散してリンスしぶきが発生することがある。そして、飛散したリンスしぶきが、本来溶剤を塗布したくない有効領域内のレジスト膜を溶解してしまうことがある。特許文献１には、リンス液しぶきが処理基板上に付着するのを防止するための付着防止板が、リンス液用ノズルに近接した位置に配置される技術が記載されている。特許文献２には、サイドリンスノズルからウエハ中心部側にガードリングが着脱自在に設けられ、ガードリングが、基板と対向する位置に所定のクリアランスを保った形で固定される技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−３０３１０１号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１および特許文献２に開示される方法では、基板やベースフィルムと付着防止板やガードリングとを接触させることができず、隙間が生じてしまう。そのため、リンスしぶきによるレジスト膜への影響が依然として残ってしまう。
【０００８】
本発明は、サイドリンスのリンスしぶきに起因するレジスト膜の膜質低下を防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る成膜方法は、塗布対象上にレジスト膜を形成する工程と、第一の溶解液によって除去可能な保護材料の層を、前記レジスト膜の上面に形成する工程と、上面に前記保護材料の層が存在していない領域の前記レジスト膜を、前記レジスト膜を溶解する第二の溶解液を用いたサイドリンスによって除去する工程と、前記レジスト膜の上面に残存する前記保護材料を、前記第一の溶解液によって除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、サイドリンスのリンスしぶきに起因するレジスト膜の膜質低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】液体吐出ヘッドの構成を示す図である。
【図２】ドライフィルムの製造方法を含むフローチャートである。
【図３】ドライフィルムの製造方法を説明する図である。
【図４】実施形態に係るドライフィルムの製造方法を含むフローチャートである。
【図５】実施形態に係るドライフィルムの製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態は本発明を限定するものではなく、また、本実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。なお、同一の構成については、同じ符号を付して説明する。また、実施形態に記載されている構成要素の相対配置、形状等は、あくまで例示であり、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下の実施形態に示す数値は一例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。また、本発明は実施形態に限ったものではなく、これらをさらに組み合わせるもの、他の技術分野に応用したものも含む。
【００１３】
＜レジスト材料の塗布対象＞
レジスト材料が塗布される対象は、シリコン基板であってもよいし、ベースフィルムであってもよい。つまり、以下で説明する実施形態は、基板上にレジスト膜が形成される基板の加工方法と、ベースフィルムにレジスト膜が形成されるドライフィルムの製造方法とを含むものである。ドライフィルムとは、ベースフィルム上にレジスト材料の薄膜が形成され、ベークと呼ばれる加熱処理がなされたもののことである。
【００１４】
一般に、基板にレジスト材料の薄膜を積層する場合、スピンコート法を用いて基板上に直接レジスト材料の塗布を行う。その後、露光工程および現像工程などが行われることで基板上に所望のパターンが形成される。一方、基板上に直接レジスト材料の塗布を行うことができない場合、予めベースフィルム上にスピンコート法を用いてレジスト材料を塗布したドライフィルムを作製する。そして作製したドライフィルムを、真空ラミネートによって基板に転写する。そして、ドライフィルムが転写された基板に対して露光工程および現像工程などが行われることで所望のパターンが基板上に形成される。
【００１５】
基板上に直接レジスト材料の塗布を行うことができない例として、インクジェット記録装置等の液体吐出装置に用いる液体吐出ヘッドに搭載される基板が挙げられる。このような基板には、貫通インク供給口が開いており、基板が平坦ではない。このため、基板にレジスト材料の薄膜を積層する場合、基板に直接レジスト材料の塗布を行うことができない。そこで、ドライフィルムを基板に転写することで基板上にレジスト膜を形成することが行われる。
【００１６】
ここで、ドライフィルムの全面にレジスト膜が形成されていると、転写装置で転写する際に装置内汚染が生じることがある。よって、ドライフィルムを作製する場合にも、サイドリンスを行って不要なレジスト膜の除去が行われる。
【００１７】
なお、ドライフィルムを作製するに際し、基板よりもサイズが大きいベースフィルム上にレジスト膜を形成したドライフィルムが作製される。このドライフィルムを基板に転写し、その後、フィルムを基板の形状にカットして不要なフィルムが剥がされることになる。上述したように、ベースフィルムは基板よりもサイズが大きいので、ベースフィルム上のサイドリンスでは、基板のウエハエッジ部のサイドリンスよりも広い領域でレジストを除去することになる。また、インクジェットの吐出口に用いるレジスト材料の場合、スピンコート法を用いて作製するドライフィルム上に形成するレジスト材料の膜厚は５〜７５μｍ程度と厚い。したがって、スピンコート法を用いたドライフィルムの作製の際には、サイドリンスは多量の溶剤を高圧力かつ長時間噴射する必要があるため、より多くのリンスしぶきが発生する。このため、ドライフィルムを作製する際には、リンスしぶきによるレジスト膜の膜質劣化を低減させることがより一層求められている。以下で説明する実施形態では、主にドライフィルムの製造方法（作製方法）に主眼を当てて説明する。なお、基板に対するサイドリンスを行う工程においても、以下で説明する実施形態は適用可能である。
【００１８】
＜＜実施形態１＞＞
図１は、液体吐出装置に用いる液体吐出ヘッド５および記録素子基板６の一例を示す図である。本実施形態で説明するドライフィルムは、液体吐出ヘッド５（記録素子基板６）を製造するための材料として用いられるものである。
【００１９】
図１（ａ）は、一般的な記録素子基板６を示した斜視図である。記録素子基板６は、エネルギー発生素子１２を備えた液体吐出ヘッド用基板３と、液体吐出ヘッド用基板３の上に形成された吐出口形成部材１とにより構成されている。液体吐出ヘッド用基板３には、エネルギー発生素子１２が設けられている。吐出口形成部材１は、エネルギー発生素子１２が設けられた液体吐出ヘッド用基板３の面と対向する対向部を貫通して設けられた複数の貫通孔を有している。このような吐出口形成部材１は樹脂材料で構成されており、複数の貫通孔はフォトリソグラフィー技術やエッチング技術を用いて一括して設けられている。
【００２０】
吐出口形成部材１に設けられた貫通孔は、エネルギー発生素子１２が設けられた液体吐出ヘッド用基板３の面と対向する位置に開口する第１の開口部と、液体を吐出する側に設けられた第２の開口部と、を貫通することで設けられている。複数の貫通孔はエネルギー発生素子１２により発生されるエネルギーを利用して液体を吐出する吐出口２として用いられ、これらが所定のピッチで一列に配列し、吐出口列を構成している。
【００２１】
液体吐出ヘッド用基板３に設けられるエネルギー発生素子１２としては、電気熱変換素子（ヒーター）または、圧電素子（ピエゾ素子）等を用いることができる。吐出口列に対向する位置には、複数のエネルギー発生素子１２が設けられており、複数配列することで素子列となっている。素子列の間の位置には、液体吐出ヘッド用基板３を貫通して設けられ、エネルギー発生素子１２に液体を供給するインク供給口１１が設けられている。インク供給口１１は同一の液体吐出ヘッド用基板３の中に一つ存在する形態の他、同一の液体吐出ヘッド用基板３の中に複数存在する形態もある。
【００２２】
さらに吐出口形成部材１と液体吐出ヘッド用基板３とが接することで、その間の空間はインク流路１９となる。記録素子基板６には、エネルギー発生素子１２に電気を供給するための接続端子４が存在している。
【００２３】
図１（ｂ）は液体吐出ヘッド５の構成の概略を示している。液体吐出ヘッド５には記録素子基板６が接着され、フレキシブル配線基板８を介してコンタクトパッド７から記録素子基板６に電気が供給されて液体吐出の動作が行われる。
【００２４】
次に、図２から図５を用いて具体的なドライフィルムの製造方法を説明する。なお、図２および図３は、従来の製造方法の例を対比のために示している。図４および図５は、本実施形態のドライフィルムの製造方法を説明するための図である。本実施形態のドライフィルムの製造方法では、レジスト膜上に、保護材料の層（保護膜）をさらに形成する工程が加えられることになる。詳細は後述する。
【００２５】
＜比較対象の製造方法＞
本実施形態のドライフィルムの製造方法を説明するに先立ち、理解を容易にするために、比較対象のドライフィルムの製造方法（成膜方法）について説明する。
【００２６】
図２は、スピンコート法を用いたドライフィルムの製造工程を示している。図３は、ドライフィルムが製造される様子を模式的に示す図である。図３（ａ）〜（ｆ）のそれぞれは、上面図および断面図を含んでいる。製造工程は、図３（ａ）〜（ｆ）の順に進む。以下、図２と図３を参照しながら、比較対象のドライフィルムの製造方法について説明する。その後に、本実施形態のドライフィルムの製造方法について説明する。
【００２７】
図２のステップＳ２００は、スピンコート法を用いてレジスト材料の層（レジスト膜）を形成するドライフィルムの製造工程（作製工程）である。ステップＳ２００は、ステップＳ２０５〜Ｓ２２５に細分化できる。
【００２８】
ステップＳ２０５では、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、支持体２１にベースフィルムが固定される。ベースフィルム２２の固定は、レジスト材料の塗布精度や、後の基板への転写時の影響を考え、ヨレやシワが無いように実施する。支持体２１にベースフィルム２２を固定する際には、両面テープや接着剤を用いて貼り合わせる（不図示）。ベースフィルムを固定した支持体２１は、不図示の回転チャックに固定される。
【００２９】
ステップＳ２１０では、図３（ｃ）に示すように、支持体２１に固定されたベースフィルム２２の表面（塗布対象上）に、レジスト材料２３を滴下する。そして、ステップＳ２１５において、スピンコート法によって、レジスト材料２３をベースフィルム２２の表面に塗布し、レジスト膜を形成する。即ち、支持体２１を高速回転することで、ベースフィルム２２の表面に滴下されているレジスト材料２３が、遠心力によって広がり、レジスト膜が形成される。レジスト材料２３は、後に示す保護材料２４の除去に用いる溶剤、例えば水（第一の溶解液）などによって溶解などが生じにくい材料である。例えばレジスト材料２３は、有機材料であり、具体的には、レジスト材料２３は感光性樹脂（例えばエポキシ樹脂）が挙げられる。
【００３０】
ステップＳ２２０では、図３（ｄ）に示すように、サイドリンス機構を有する塗布機等（不図示）を用いて、サイドリンスが実施される。この工程では、支持体２１を回転させながら有効領域外にレジスト材料に対する溶解性のある溶剤（第二の溶解液）を塗布することでサイドリンスを実施することにより、所望の位置のレジスト材料２３が除去される。このとき、図３（ｄ）に示すように、サイドリンスに用いたサイドリンス液の一部はリンスしぶき２５となって飛散し、レジスト材料２３の表面に付着してしまう。レジスト材料の塗布が完了した段階で一旦高精度に膜が形成できていても、図３（ｅ）に示すように、付着したリンスしぶき２５によってレジスト材料２３の一部が溶解され、レジスト膜に溶解部２６が形成されてしまう。尚、第二の溶解液は第一の溶解液よりもレジスト材料２３を溶解しやすい溶解液である。
【００３１】
ステップＳ２２５では、ベークが行われることで、図３（ｆ）のようにドライフィルムは完成する。ベークとは、レジストが塗布されたフィルムを加熱することでレジスト中の溶剤を除去し、レジスト分子を均一に分散させて、安定化させる工程である。
【００３２】
その後、製造されたドライフィルムは、ステップＳ２３０にて、基板に転写される。そして、ステップＳ２３５では、転写されたドライフィルムのレジスト膜を利用して、パターン露光、ＰＥＢ(Post exposure bake：露光後ベーク)、現像などの工程を経て基板上にパターンが形成される。以上説明したように、製造されたドライフィルムは、基板にそのまま転写されることになるので、結果的に溶解部２６は液体吐出ヘッドの一部となってしまう。溶解部２６では、膜質が劣化してしまい、所望のパターンが形成されず、品質の低下した状態となってしまう可能性がある。
【００３３】
＜本実施形態の製造方法＞
次に、図４および図５を用いて、本実施形態のドライフィルムの製造方法（成膜方法）を説明する。図４は、本実施形態における、スピンコート法を用いたドライフィルムの製造工程を示している。図５は、本実施形態の製造方法によってドライフィルムが作製される様子を模式的に示す図である。図５（ａ）〜（ｆ）のそれぞれは、上面図および断面図を含んでいる。図５（ａ）〜（ｆ）の順に製造工程が進むものである。以下、図４と図５を参照しながら、本実施形態のドライフィルムの製造方法について説明する。本実施形態では、ベースフィルム２２の上にレジスト材料２３の膜を形成する過程で、保護材料２４の膜の形成や除去の工程を付加している。
【００３４】
図４のステップＳ４００は、スピンコート法を用いてレジスト膜を形成するドライフィルムの製造工程（作製工程）である。ステップＳ４００は、ステップＳ４０５〜Ｓ４４５に細分化できる。なお、図４に示す工程は一例に過ぎず、他の工程を含んでもよい。
【００３５】
ステップＳ４０５〜Ｓ４１５は、図２のステップＳ２０５〜Ｓ２１５と同じ工程である。図５（ａ）〜（ｃ）は、図３（ａ）〜（ｃ）に示したものと同様であり、支持体２１へのベースフィルム２２（フィルム層）の固定と、スピンコート法による液体吐出ヘッドの材料となるレジスト材料２３の塗布までを行う。
【００３６】
次にステップＳ４２０にて、レジスト材料２３で形成されているレジスト層の上面の上に、保護材料を滴下する。そして、ステップＳ４２５にて、図５（ｄ）に示すように、レジスト材料２３上に更にスピンコート法によって保護材料２４の層を形成する。保護材料２４は、レジスト材料２３に影響を及ぼすことがなるべく無く膜の形成や除去ができる材料である。一例として水溶性の材料である。この状態のフィルム材を保管する場合、保護材料２４の膜の効果により、フィルム近傍に浮遊する異物等がフィルムの帯電の影響によって付着することや、レジスト材料２３の溶媒揮発等を抑えることができる。よって、フィルムの汚染や乾燥による露光感度低下など、保管時におけるドライフィルムの品質低下を抑えることができる。このように、レジスト材料２３の上に保護材料２４の層を形成した状態のフィルム材を保管してもよい。
【００３７】
次に、ステップＳ４３０にて、図５（ｅ）に示すように、保護材料２４の層の有効領域外に対してサイドリンスを行い、保護材料２４を除去する。このとき、サイドリンスは、保護材料２４のみを除去し、レジスト材料２３には影響を及ぼさないサイドリンス液（第一の溶解液）を用いて行われる。即ち、第一の溶解液はレジスト材料２３を溶解しないことが好ましい。前述の通り保護材料２４が水溶性の材料であれば、サイドリンス液は水系材料を用いる。なお、図５（ｅ）に示すように、保護材料２４のサイドリンス時にもリンスしぶき２７は発生する。しかしながら、保護材料のサイドリンス液のリンスしぶき２７は、保護材料２４の表面に付着するのみであり、レジスト材料２３に対して溶解は生じにくい。また、リンスしぶき２７が保護材料２４の表面に付着することで、保護材料２４の層の表面の一部が部分的に溶解することがある。しかしながら、図５（ｅ）に示すように、保護材料２４の層自体は、レジスト材料２３の有効領域上に依然として維持されている。
【００３８】
次に、ステップＳ４３５にて、レジスト材料２３に対するサイドリンスを行う。ステップＳ４３５は、ステップＳ２２０と同じ工程である。ステップＳ４３５では、図５（ｆ）に示すように、有効領域外のレジスト材料２３の除去が行われる。レジスト材料２３の除去は、保護材料２４に影響を及ぼさずレジスト材料２３を選択的に除去可能な溶剤等（第二の溶解液）を用いて行われる。なお、図５（ｆ）に示すように、保護材料２４には、溶解部２８が部分的に形成されているものの、レジスト材料２３の有効領域を覆うように保護材料２４の層が形成されている。サイドリンスを行うことで溶剤のリンスしぶき２５が一部発生するが、図５（ｆ）に示すように、レジスト材料２３の有効領域内の上面には保護材料２４が存在する。このため、溶剤のリンスしぶき２５はレジスト材料２３に直接触れることは無く、保護材料２４の上面に付着する。そのため、レジスト材料２３の有効領域内に対しては溶解などの膜質低下は生じにくい。
【００３９】
その後、ステップＳ４４０にて、図５（ｇ）に示すように、レジスト材料２３の上面に残存する保護材料２４の除去が行われる。ステップＳ４４０では、ステップＳ４３０の保護材料２４のサイドリンスのときと同様に、レジスト材料２３には影響を及ぼさないサイドリンス液（第一の溶解液）を用いて保護材料２４の除去が行われる。前述の通り保護材料２４が水溶性の材料であれば、サイドリンス液は水系材料を用いて行う。このとき、サイドリンス液として水を用い、フィルム表面に対して多量の水を流すことによって保護材料２４を除去することで、ベースフィルム２２に帯電した静電気を除去する効果も得ることができる。
【００４０】
これらの製造工程を経ることによって、所望の高品質なレジスト材料２３の膜（レジスト膜）を形成することができる。最後に、ステップＳ４４５にて、ドライフィルムに対してベークを行うことで、図５（ｈ）に示すような高品質なスピンコート法を用いたドライフィルムを得ることができる。図５（ｈ）のドライフィルムは、図３（ｆ）のドライフィルムと比べて、レジスト材料２３のエッジの平坦性が維持されている。
【００４１】
なお、ステップＳ４３０において、保護材料２４に対するサイドリンスが行われる領域は、レジスト材料に対するサイドリンスが行われる領域と略同じであることが好ましい。保護材料２４に対するサイドリンスが行われる領域が、レジスト材料に対するサイドリンスが行われる領域よりも大きい場合、保護材料２４の層で覆われない領域が生じてしまう。この結果、リンスしぶき２５がレジスト材料２３に付着してしまう領域が存在してしまうことになる。一方、保護材料２４に対するサイドリンスが行われる領域が、レジスト材料に対するサイドリンスが行われる領域よりも小さい場合、有効領域外にも保護材料２４の層が残ってしまう。この結果、レジスト材料２３の層の有効領域外の領域に対するサイドリンスが十分に行われなくなってしまうことになる。従って、保護材料２４に対するサイドリンスが行われる領域も、有効領域外であることが好ましい。
【００４２】
また、図４のフローチャートにおいては、保護材料２４の層を形成した後に、保護材料２４のサイドリンスを行う形態を説明したが、保護材料２４の層を形成しながら、サイドリンスを並行して行なってもよい。即ち、ステップＳ４２０からＳ４３０の工程は、並行して行なわれてもよく、支持体２１を回転させながら、保護材料２４の滴下とサイドリンス液の付与とを併せて行ってよい。
【００４３】
液体吐出ヘッドを製造する際は、ステップＳ４００で示した製造方法によって製造されたドライフィルムを用意する。また、貫通インク供給口が形成されている基板を用意する。次に、ステップＳ４５０にて、貫通インク供給口の開いた基板上へのドライフィルムの転写を行う。そして、その後ステップＳ４５５にて、露光、ＰＥＢ、現像などを行うことで、所望のドライフィルム材料を用いたパターンを得ることができる。これらの工程を繰り返し、パターンを積層することで、高精度な液体吐出ヘッドを製造することができる。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、レジスト材料を除去するためにサイドリンスで多量の溶剤を高圧力で長時間当てる場合においても、サイドリンスのリンスしぶきに起因するレジスト膜の膜質低下を防ぐことができる。このため、ベースフィルム上に高精度なレジスト膜が形成されたドライフィルムを得ることができる。このドライフィルムを用いることで、高精度な液体吐出ヘッドを提供することが可能となる。
【００４５】
また、本実施形態のように、ベースフィルム２２の上に保護材料２４の層を設けることで、レジスト膜の乾燥を抑制し、ベースフィルム２２の長期保存が可能となる。また、保護膜の形成中はレジスト膜へのゴミの接触・付着を抑制される。また、保管時に生じた帯電は、保護材料２４の層を除去する際に用いる水流によって除電することができるため、ドライフィルムの帯電も抑制することができる。
【００４６】
＜＜実施形態２＞＞
実施形態１では、スピンコート法によってレジスト材料および保護材料を塗布する形態を説明した。本実施形態では、スリットノズル法によってレジスト材料および保護材料を塗布する形態を説明する。スリットノズル法は、スピンコート法のように、滴下したレジスト材料を高速回転させて遠心力で表面に膜を形成するのではなく、スリットノズルから吐出されるレジスト材料を塗布する形態である。ベースフィルム上にスピンコート法を用いることができない制約がある場合などにはスリットノズル法でレジスト材料が塗布される。実施形態１で説明したように、転写装置での汚染を回避するため、ベースフィルム全面にレジスト材料が塗布されたドライフィルムではなく、部分的にレジスト材料を除去したドライフィルムが求められることがある。よって、スリットノズル法でレジスト材料を塗布した場合にも、実施形態１で説明したように、サイドリンスを行うことが好ましい。
【００４７】
スリットノズル法の場合も、実施形態１と同様に、図５のように支持体２１にベースフィルムを固定し、回転チャック上に固定する。そして、チャックは回転させずにスリットノズルからレジスト材料を塗布し、次いで、保護材料を塗布する。その後は、回転チャックを回転させて、実施形態１で説明したように、保護材料に対するサイドリンスを行い、次いで、レジスト材料に対するサイドリンスを行う。
【００４８】
このように、ドライフィルムの製造方法は、レジスト材料および保護材料をスリットノズル法で塗布する形態にも適用可能である。
【００４９】
＜＜変形例１＞＞
これまで説明した形態は、ドライフィルムの製造方法を説明した。ドライフィルムの場合、サイドリンスで除去される面積が、基板よりも大きく、また、除去される膜厚も厚いので、基板に対するサイドリンスと比べて高圧力で長時間、サイドリンスが行われることがある。このため、リンスしぶきが生じやすい。よって、上述した実施形態によるレジスト膜の保護効果が高い。しかしながら、本発明は、ドライフィルムの製造方法に限定されるものではない。例えば、シリコン基板（ウェハ基板）上にレジスト材料を直接塗布する形態に適用してもよい。この場合であっても、サイドリンスのリンスしぶきによるレジスト材料の膜質劣化を抑制することができる。
【００５０】
＜＜変形例２＞＞
レジスト材料および保護材料の塗布方法は、上述したスピンコート法やスリットノズル法に限られない。例えば、スリットダイ法やグラビアロール法など、様々なコーティング方法を適用することができる。
【００５１】
＜＜変形例３＞＞
これまで説明した形態は、保護材料をレジスト材料の上面全体に塗布し、有効領域外の保護材料をサイドリンスする例を説明した。ところで、上述したように保護材料の層は、レジスト材料のサイドリンス後に除去されることになる。このように保護材料の層は、最終的には除去されることになるので、レジスト膜とは異なり、膜が均一に形成されていなくてもよい。よって、保護材料の塗布方法は、膜厚を均一にしない任意の塗布方法であってもよい。そして、保護材料の層を、有効領域上のみに形成することが可能な場合には、保護材料のサイドリンスを行う工程を省略してもよい。
【００５２】
＜＜実施例＞＞
以下、実施例を説明する。本実施例は、支持体２１として外形：３２０ｍｍ×２９０ｍｍ、内寸：２７０ｍｍ×２３９ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍ、材質：ＳＵＳ４２０Ｊ２のステンレス製の角フレームを使用した。ベースフィルム２２として、膜厚：１００μｍ、幅：２５４ｍｍのロール状のＰＥＴ薄膜フィルム上に離型処理が施された離型膜付きフィルムを、支持体２１の長さに合わせてカットして用いた。ベースフィルム２２の固定はフィルム固定装置（タカトリ製、商品名：ＦＴＭ-３２０）を用いて実施した。ベースフィルム２２の上へレジスト材料２３の塗布、保護材料２４の塗布、およびサイドリンスの実施、保護材料２４の除去は全てフレーム対応塗布装置（東京応化工業製、商品名：ＳＵＳフレーム対応コーター）を用いた。ベースフィルム２２の上へレジスト材料２３の塗布、保護材料２４の塗布、およびサイドリンスの実施、保護材料２４の除去は、全て５００〜１０００ｒｐｍの回転数で実施した。レジスト材料２３は感光性エポキシ樹脂を用いた。保護材料２４はＰＶＡ（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）を用いた。保護材料２４のサイドリンス液は、水を用いた。レジスト材料２３のサイドリンス液は、ＰＧＭＥＡ（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ ａｃｅｔａｔｅ）を用いて行い、０．５Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で６０〜１２０秒程度、レジスト材料２３に対して当てた。塗布後のベークはフレーム対応塗布装置（東京応化工業製、商品名：ＳＵＳフレーム対応コーター）を用い、９０℃２０分実施した。以上により、所望のスピンコート法を用いたドライフィルムを得ることができた。１５μｍ程度のレジスト材料２３の膜厚が形成された。
【００５３】
作製したドライフィルムの基板への転写は真空接合装置（タカトリ製、商品名：ＶＴＭ-２００Ｆ）を用いて実施した。基板へ転写したレジスト膜の露光はｉ線ステッパー（キヤノン製、商品名：ｉＶ）を用いて行った。ホットプレートでＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を実施し、現像を行うことで所望の高精度なパターンを得ることができた。
【符号の説明】
【００５４】
２１  支持体
２２  ベースフィルム
２３  レジスト材料
２４  保護材料
２５  リンスしぶき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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