(57)【要約】      （修正有）【課題】外部補償画素を適用する際に、センシング信号を受信するＴＦＴを利用してＯＬＥＤの発光区間を制御する。【解決手段】アノード電極とカソード電極を含む有機発光ダイオード、前記有機発光ダイオードを経由する駆動電流を供給する第１トランジスター、スキャン信号に応答してデータを前記第１トランジスターのゲートに供給する第２トランジスター、前記データと前記第１トランジスターのしきい値電圧の差を貯蔵するキャパシター及びセンシング信号に応答して前記第１トランジスターのしきい値電圧の変化をセンシングするが、前記センシング信号が活性化されると基準電圧を前記アノード電極が連結されたノードに伝達する第３トランジスターを含み、前記基準電圧は前記有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定される。【選択図】図４ｂ
2019091044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード電極とカソード電極を含む有機発光ダイオード；
前記有機発光ダイオードを経由する駆動電流を供給する第１トランジスター；
スキャン信号に応答してデータを前記第１トランジスターのゲートに供給する第２トラ
ンジスター；
前記データと前記第１トランジスターのしきい値電圧の差を貯蔵するキャパシター；及
び
センシング信号に応答して前記第１トランジスターのしきい値電圧の変化をセンシング
し、前記センシング信号が活性化されると基準電圧を前記アノード電極が連結されたノー
ドに伝達する第３トランジスターを含み、
前記基準電圧は前記有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定される
画素。
【請求項２】
前記有機発光ダイオードは、前記センシング信号を利用して前記有機発光ダイオードを
経由する電流の流れの可否を決定することを特徴とする、請求項１に記載の画素。
【請求項３】
前記センシング信号が活性化されると、前記基準電圧によって前記有機発光ダイオード
がターンオフされるように制御されることを特徴とする、請求項２に記載の画素。
【請求項４】
前記センシング信号が非活性化されると、前記第１トランジスターから前記有機発光ダ
イオードに前記駆動電流が流れて前記有機発光ダイオードが発光されることを特徴とする
、請求項２に記載の画素。
【請求項５】
前記センシング信号の活性化区間は加減が可能なことを特徴とする、請求項３に記載の
画素。
【請求項６】
センシング動作可能であるセンシングトランジスター、有機発光ダイオード及び前記有
機発光ダイオードが発光されるように電流を制御する駆動トランジスターを含むディスプ
レイ装置の制御方法において、
前記センシングトランジスターがターンオンされる間、前記有機発光ダイオードはター
ンオフされるように制御するとき、
前記センシングトランジスターが受信する基準電圧のレベルを前記有機発光ダイオード
のしきい値電圧より低く設定し、
前記センシングトランジスターをターンオンさせるセンシング信号を活性化させ、
前記センシング信号に応答して前記基準電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極
に印加させるディスプレイ装置の制御方法。
【請求項７】
前記駆動トランジスターは、前記有機発光ダイオードと接続されて連結され、
前記センシングトランジスターがターンオンされると、前記駆動トランジスターからの
電流経路は前記センシングトランジスターに流れるように変更されることを特徴とする、
請求項６に記載のディスプレイ装置の制御方法。
【請求項８】
前記センシング信号に応答して前記基準電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極
に印加すれば、
前記有機発光ダイオードはターンオフされることを特徴とする、請求項６に記載のディ
スプレイ装置の制御方法。
【請求項９】
データラインとスキャンラインの交差地点に配列される複数の画素を含み、前記画素は
有機発光ダイオードを含むパネル；
前記スキャンラインにスキャン信号を提供し、外部の補償のためのセンシング信号を前
記パネルに提供するスキャン駆動部；
前記データラインにデータを提供するデータ駆動部；及び
前記パネルに高電位電圧、低電位電圧及び基準電圧を提供する電源部を含み、
前記パネルは前記センシング信号を利用して前記有機発光ダイオードの発光区間を制御
するディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記パネルは、
アノード電極とカソード電極を含む前記有機発光ダイオード；
前記有機発光ダイオードを経由する駆動電流を供給する第１トランジスター；
スキャン信号に応答してデータを前記第１トランジスターのゲートに供給する第２トラ
ンジスター；
前記データと前記第１トランジスターのしきい値電圧の差を貯蔵するキャパシター；及
び
前記センシング信号に応答して前記第１トランジスターのしきい値電圧の変化をセンシ
ングするが、前記センシング信号が活性化されると、基準電圧を前記アノード電極が連結
されたノードに伝達する第３トランジスターを含み、
前記基準電圧は前記有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定されることを特徴
とする、請求項９に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記有機発光ダイオードは、前記センシング信号を利用して前記有機発光ダイオードを
経由する電流の流れの可否を決定することを特徴とする、請求項１０に記載のディスプレ
イ装置。
【請求項１２】
前記センシング信号が活性化されると、前記基準電圧によって前記有機発光ダイオード
がターンオフされるように制御されることを特徴とする、請求項１１に記載のディスプレ
イ装置。
【請求項１３】
前記センシング信号が非活性化されると、前記第１トランジスターから前記有機発光ダ
イオードに前記駆動電流が流れて前記有機発光ダイオードが発光されることを特徴とする
、請求項１１に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置に係り、より詳しくは、外部補償画素を適用する際に、センシング信号を受信するＴＦＴを利用してＯＬＥＤの発光区間を制御することができる画素、これを含むディスプレイ装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
自発光素子であるＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｏｄｅ）を適用したディスプレイ装置において、画素それぞれはＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御することで階調を表現することができる。ディスプレイ装置は、工程偏差などの原因により、画素別ＴＦＴ、特に駆動ＴＦＴのしきい値電圧（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ｖｏｌｔａｇｅ）及び移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）のような電気的特性が不均一となり、輝度偏差が発生することがある。  
【０００３】
これを解決するために、各画素から駆動ＴＦＴの特性パラメーター（例えば、しきい値電圧及び移動度）の変化をセンシングして、そのセンシング結果によって入力データを適切に補償することで駆動トランジスターの電気的特性変化に応じる輝度の不均一特性を改善することができる。これを外部補償方式という。  
【０００４】
外部補償方式を利用する画素は、駆動ＴＦＴの他、データを受信するデータＴＦＴ、ＯＬＥＤの電流量を制御する発光制御ＴＦＴ及びセンシングのためのセンシングＴＦＴを含む。  
【０００５】
現在、高集積ディスプレイが求められており、画素の大きさは次第に小さくなる傾向にある。輝度の変化及び画質の改善のために補償するためのＴＦＴは必要であり、最近の傾向によって高集積、小さい画素の大きさを実現することも求められる。このように、画素の面積を増加しないと同時に、画素を補償できる方案が切実に求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、画素の面積を減少しながらも画素補償できるディスプレイ装置を提供することを目的とする。  
【０００７】
また、本発明は、小さい画素の大きさを実現して高集積ディスプレイを実現しながらも、画素の電気的特性に対する補償ができるディスプレイ装置を提供することを他の目的とする。  
【０００８】
また、本発明は、既存の画素構造からさほど変更することなく、簡単な制御方法として輝度変化及び画質改善ができ、高集積ディスプレイを実現できるディスプレイ装置を提供することを他の目的とする。  
【０００９】
本発明の目的は以上で言及した目的に制限されなく、言及されていない本発明の他の目的及び長所は下記説明によって理解されることができ、本発明の実施形態によってより明らかに理解されるはずである。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせによって実現できることが容易に分かることができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するための本発明の画素は、アノード電極とカソード電極を含む有機発光ダイオード、有機発光ダイオードを経由する駆動電流を供給する第１トランジスター、スキャン信号に応答してデータを第１トランジスターのゲートに供給する第２トランジスター、データと第１トランジスターのしきい値電圧の差を貯蔵するキャパシター及びセンシング信号に応答して第１トランジスターのしきい値電圧の変化をセンシングするが、センシング信号が活性化されると、基準電圧を前記アノード電極が連結されたノードに伝達する第３トランジスターを含み、この際の基準電圧は前記有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定する。  
【００１１】
本発明の目的を達成するための、センシング動作可能なセンシングトランジスター、有機発光ダイオード、及び前記有機発光ダイオードが発光されるように電流を制御する駆動トランジスターを含むディスプレイ装置の制御方法は、センシングトランジスターがターンオンされる間に有機発光ダイオードはターンオフされるように制御するとき、センシングトランジスターが受信する基準電圧のレベルを前記有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定する。その後、センシングトランジスターをターンオンさせるセンシング信号を活性化させ、センシング信号に応答して基準電圧を前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加することで達成することができる。  
【００１２】
本発明のディスプレイ装置は、データラインとスキャンラインの交差地点に配列される複数の画素を含み、前記画素は有機発光ダイオードを含むパネル、スキャンラインでスキャン信号を提供し、外部補償のためのセンシング信号を前記パネルに提供するスキャン駆動部、データラインでデータを提供するデータ駆動部及びパネルに高電位電圧、低電位電圧及び基準電圧を提供する電源部を含む。それにより、パネルはセンシング信号を利用して有機発光ダイオードの発光区間を制御することができる。  
【００１３】
本発明では、小さい画素の大きさを実現して高集積ディスプレイを実現しながらも画素の電気的特性に対する補償ができるように、センシング信号を利用して有機発光ダイオードを経由する電流の流れを決定する。センシング信号が活性化されれば、有機発光ダイオードのしきい値電圧より低く設定された基準電圧によって有機発光ダイオードがターンオフされるように制御する。センシング信号が非活性化されれば、駆動ＴＦＴから有機発光ダイオードに電流が流れるようにして有機発光ダイオードが発光することができる。  
【００１４】
言い換えれば、本発明では、有機発光ダイオードの発光が遮断されるべき区間を、別の発光制御信号、または発光制御ＴＦＴを備えなくても制御するようにセンシング動作を制御するセンシングＴＦＴを利用する。センシング信号によってセンシングＴＦＴがターンオンされれば、予め決められた基準電圧によって有機発光ダイオードがターンオフされるようにすることができる。これによって、従来よりＴＦＴの数を減少することができ、画素の集積度を向上させることができる。  
【００１５】
結局、本発明によると、既存の画素構造からさほど変更せずに、簡単な制御方法によって輝度変化及び画質改善をすることができ、高集積ディスプレイを実現できるディスプレイ装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１６】
前述のような本発明によれば、画素の面積を減少しながらも画素を補償できる長所がある。  
【００１７】
また、本発明によれば、小さい画素の大きさを実現して高集積ディスプレイを実現しながらも画素の電気的特性に対して補償できる長所がある。  
【００１８】
また、本発明によれば、既存の画素構造からさほど変更せずに、簡単な制御方法によって輝度変化及び画質改善をすることができ、高集積ディスプレイを実現できる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来技術による外部補償方式を適用する画素の基本構造を示す回路図である。
【図２】図１による動作を示すタイミング図である。
【図３】本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の構成図である。
【図４ａ】サブ画素ＰＸの等価回路図である。
【図４ｂ】サブ画素ＰＸの等価回路図である。
【図５】図４ａ及び図４ｂによるタイミング図である。
【図６】図４ｂによるサブ画素の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
前述した目的、特徴及び長所は添付の図面を参照して詳しく後述し、これによって本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が本発明の技術的思想を容易に実施することができる。本発明を説明するにあたり、本発明と係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができると判断される場合は、詳細な説明を省略する。以下、添付の図面を参照して本発明による好ましい実施形態を詳しく説明する。図面において同一な参照符号は同一または類似の構成要素を示すものとして使われる。  
【００２１】
図１は従来技術による外部補償方式を適用する画素の基本構造を示した回路図で、図２は図１による動作を示すタイミング図である。  
【００２２】
図１及び図２を参照すれば、画素は、発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）、駆動ＴＦＴ（Ｍ２）、データＴＦＴ（Ｍ３）、センシングＴＦＴ（Ｍ４）、キャパシター（Ｃｓ）及び有機発光ダイオード（以下、ＯＬＥＤという）を含む。  
【００２３】
発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）は、発光制御信号ＥＭを受信するゲート、電源電圧ＶＤＤを受信するドレーン及び駆動ＴＦＴ（Ｍ２）と連結されたソースを含む。発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）は、発光制御信号ＥＭが活性化される間にターンオン（ｔｕｒｎ ｏｎ）され、駆動ＴＦＴ（Ｍ２）を通じて電流が流れるように制御することができる。  
【００２４】
駆動ＴＦＴ（Ｍ２）は、ノードａと連結されたゲート、ノードｂと連結されたソース及び発光制御トランジスターＭ１と連結されたドレーンを含む。駆動ＴＦＴ（Ｍ２）がターンオンされれば、ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。駆動電流が大きくなるほどＯＬＥＤの発光量が多くなることができる。これによって、所望の階調の実現が可能である。ここで、駆動電流は駆動ＴＦＴ（Ｍ２）の ＶＧＳ（ゲート−ソース間電圧）と係ることがある。つまり、駆動ＴＦＴ（Ｍ２）の ＶＧＳが大きいほど駆動電流が大きくなることができる。  
【００２５】
データＴＦＴ（Ｍ３）は、スキャン信号（ｓｃａｎ）を受信するゲート、データ（Ｄａｔａ）を印加されるソース、及びノードａと連結されたドレーンを含む。データＴＦＴ（Ｍ３）は、スキャン信号（ｓｃａｎ）が活性化される間、データ（Ｄａｔａ）をノードａに印加する。  
【００２６】
センシングＴＦＴ（Ｍ４）は、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）を受信するゲート、基準電圧（Ｒｅｆ）を受信するソース及びノードｃと連結されたドレーンを含む。センシングＴＦＴ（Ｍ４）は、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化される間、ノードｃの電圧変化をセンシングすることができる。例えば、センシングＴＦＴ（Ｍ４）は、ノードｃの電圧をセンシングして駆動ＴＦＴ（Ｍ２）のしきい値電圧をセンシングすることができる。  
【００２７】
キャパシター（Ｃｓ）はノードａとノードｂの間に連結される。キャパシター（Ｃｓ）は駆動ＴＦＴ（Ｍ２）のノードａとノードｂの両端の間の電圧差を貯蔵する。  
【００２８】
ＯＬＥＤはノードｃに連結されたアノード及び接地電圧（ＶＳＳ）に連結されたカソードを含み、アノード及びカソードの間に有機化合物を含む。  
【００２９】
ここで、説明の便宜上、発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）、駆動ＴＦＴ（Ｍ２）、データＴＦＴ（Ｍ３）、センシングＴＦＴ（Ｍ４）をＮＭＯＳ ＴＦＴで例示したが、これに制限されるものではない。ＰＭＯＳ ＴＦＴで構成できることは勿論である。  
【００３０】
t１区間では、スキャン信号（ｓｃａｎ）及びセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化され、発光制御信号ＥＭは非活性化される。この区間では、活性化されたスキャン信号（ｓｃａｎ）に応答し、データＴＦＴ（Ｍ３）を通じてノードｄのデータ（Ｄａｔａ）がノードａに提供される。キャパシター（Ｃｓ）は駆動ＴＦＴ（Ｍ２）のＶＧＳ電圧を貯蔵する。  
【００３１】
活性化されたセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）に応答してセンシングＴＦＴ（Ｍ４）がターンオンされ、ノードｃに基準電圧（Ｒｅｆ）を提供する。一方、非活性化された発光制御信号ＥＭに応答して、発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）がターンオフになり、駆動ＴＦＴ（Ｍ２）からＯＬＥＤを経由する駆動電流は流れない。t１区間は階調に必要なデータ（Ｄａｔａ）を印加する区間として理解することができる。  
【００３２】
t２区間では、スキャン信号（ｓｃａｎ）及びセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）が非活性化され、発光制御信号ＥＭは活性化される。活性化された発光制御信号ＥＭに応答して発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）はターンオンされ、キャパシター（Ｃｓ）に貯蔵された電圧に応答して駆動ＴＦＴ（Ｍ２）もターンオンさ
れるので、キャパシター（Ｃｓ）に貯蔵された電圧の大きさに比例してＯＬＥＤを経由する電流が流れる。t２区間はＯＬＥＤ発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）区間、つまり、ディスプレイオン（ｄｉｓｐｌａｙ ｏｎ）区間となる。  
【００３３】
t３区間では、スキャン信号（ｓｃａｎ）及び発光制御信号ＥＭは非活性化され、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化される。よって、データＴＦＴ（Ｍ３）及び発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）はターンオフ（ｔｕｒｎ ｏｆｆ）されるし、センシングＴＦＴ（Ｍ４）はターンオンされる。t３区間において、発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）がターンオフされて駆動ＴＦＴ（Ｍ２）からＯＬＥＤを経由する電流が流れない間、活性化されたセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）に応答してセンシング動作が行われる。  
【００３４】
図示はされていないが、センシングした電圧を比べて別途の回路部を通じて補償された電圧を求めることができ、これにより補償動作を完了することができる。  
【００３５】
このような従来の技術によると、発光が不必要な区間でＯＬＥＤを通じて駆動電流が流れないようにするためには、ＯＬＥＤの発光区間を制御できる発光第語信号ＥＭ及び発光制御ＴＦＴ（Ｍ１）が必要である。また、外部補償のためには、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）及びセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）によって制御されるセンシングＴＦＴ（Ｍ４）が必要である。画素領域内にそれぞれの機能のために多数のＴＦＴを含むことは、限られたディスプレイ装置内に画素の数を制限する要素として台頭されるしかない。  
【００３６】
本発明は、このような従来の問題を克服するためのもので、センシングＴＦＴを利用して発光区間を制御することにより、限られたディスプレイ装置内に画素の集積度を向上しながらも、画素の補償及び画素の輝度現象を改善することができる。  
【００３７】
以下では、図３ないし図６を通じて本発明によるディスプレイ装置の構成及び制御方法がより詳しく記述される。  
【００３８】
図３は本発明の実施形態によるディスプレイ装置の構成図である。  
【００３９】
図３を参照すれば、本発明の実施形態によるディスプレイ装置は、パネル１０、タイミング制御部１１、スキャン駆動部１２、データ駆動部１３及び電源部１４を含む。  
【００４０】
パネル１０は、データライン（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄm-１、Ｄm）とスキャンライン（Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓn-１、Ｓn）が交差する部分にマトリックス状に配列された複数のサブ画素ＰＸを含む。サブ画素の動作は、スキャン信号（Ｓi；i=１〜n）及びデータ（Ｄｊ）に制御されて発光することができる。スキャン信号（Ｓｉ）は、スキャン駆動部１２からスキャンライン（Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓn-１、Ｓn）を通じて供給される信号である。データ（Ｄｊ；ｊ=１〜m）はデータ駆動部１３からデータライン（Ｄ１、Ｄ２・・・、Ｄm-１、Ｄm）を通じて供給される信号である。また、サブ画素ＰＸはスキャン駆動部１２からスキャン信号（Ｓｉ）だけでなく、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）を受信することができる。  
【００４１】
サブ画素ＰＸは、有機発光ダイオード及びこれを駆動するための複数のＴＦＴ及びキャパシターを含むが、本発明の実施形態では、外部補償のためのセンシングＴＦＴとしてセンシング動作の他の発光区間を制御することができる。これについては、図４ａ及び図４ｂで詳しく説明する。  
【００４２】
タイミング制御部１１は、外部から垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）、水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、クロック信号（ＣＬＫ）、イメージデータ信号（Ｉｍｓ）を受信する。タイミング制御部１１は、スキャン制御信号（ＣＯＮＴ１）及びデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）をスキャン駆動部１２及びデータ駆動部１３に提供し、スキャン駆動部１２及びデータ駆動部１３それぞれの動作タイミングを制御することができる。また、タイミング制御部１１は、外部から入力されたイメージデータ信号（Ｉｍｓ）をパネル１０の動作条件にしたがって適切に処理した後、ＲＧＢ信号としてデータ駆動部１３に提供することができる。  
【００４３】
スキャン駆動部１２は、タイミング制御部１１から供給されたスキャン制御信号（ＣＯＮＴ１）によってパネル１０内に備えられたスキャンライン（Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓn-１、Ｓn）にゲートターンオン電圧を印加する。これを通じて、各サブ画素に印加される階調電圧が該当画素に印加されるように該当セルトランジスターのターンオン可否を制御することができる。また、スキャン駆動部１２は、外部補償のためのセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）をパネル１０内のサブ画素ＰＸに提供する。  
【００４４】
データ駆動部１３は、タイミング制御部１１から生成されたデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）及びＲＧＢ信号を受信して、データライン（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄm-１、Ｄm）を通じてデータ（Ｄｊ）をパネル１０内のサブ画素ＰＸに提供する。  
【００４５】
電源部１４は、高電位電圧（ＥＬＶＤＤ）、低電位電圧（ＥＬＶＳＳ）及び基準電圧（Ｖｒｅｆ）をパネル１０に供給する。  
【００４６】
以下では、本発明の実施形態によるサブ画素の構成及び動作について詳しく説明する。  
【００４７】
図４ａないし図５を参照してサブ画素の動作を説明する。図４ａ及び図４ｂはサブ画素ＰＸの等価回路図で、図５は図４ａ及び図４ｂによるタイミング図である。  
【００４８】
まず、サブ画素ＰＸは駆動ＴＦＴ（ＤＴ）、データＴＦＴ（ＳＴ１）、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）、キャパシター（ＣＳＴ）及びＯＬＥＤを含む。  
【００４９】
駆動ＴＦＴ（ＤＴ）は、ノードＡと連結されたゲート、ノードＢと連結されたソース、及び高電位電圧（ＥＬＶＤＤ）と連結されたドレーンを含む。駆動ＴＦＴ（ＤＴ）がターンオンされ、ＯＬＥＤに駆動電流（ＩＯＬＥＤ）を流れるように制御する。駆動電流（ＩＯＬＥＤ）が大きくなるほど、ＯＬＥＤの発光量が多くなりえる。これを通じて、所望の階調を実現することができる。ここで、駆動電流（ＩＯＬＥＤ）は駆動ＴＦＴ（Ｍ２）のＶＧＳが大きいほど大きくなることができる。  
【００５０】
データＴＦＴ（ＳＴ１）は、スキャンライン（Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓn-１、Ｓn）を通じて受信されるゲートオン電圧信号、つまり、スキャン信号（Ｓｉ）を受信するゲート、データライン（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄm-１、Ｄm）を通じて受信されるデータ（Ｄｊ）を印加されるソース、及びノードＡと連結されたドレーンを含む。データＴＦＴ（ＳＴ１）は、スキャン信号（Ｓｉ）が活性化される間、データ（Ｄｊ）をノードＡに印加する。  
【００５１】
次に、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）は、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）を受信するゲート、基準電圧（Ｖｒｅｆ）を印加されるソース（ノードＥを通じて）及びノードＣと連結されたドレーンを含む。センシングＴＦＴ（ＳＴ２）は、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化されると、基準電圧（Ｖｒｅｆ）をノードＣに提供することができる。  
【００５２】
本発明の実施形態において、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）は、ＯＬＥＤに駆動電流（ＩＯＬＥＤ）の流れの可否を制御することができる。すなわち、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）を利用してセンシングＴＦＴ（ＳＴ２）のターンオンの可否を制御することで、データ（Ｄｊ）の大きさに比例する駆動電流（ＩＯＬＥＤ）を流れるようにする場合（図４ａ）と流れないようにする場合（図４ｂ）を決定することができる。後述するが、ＯＬＥＤを発光させないためには、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）をターンオンさせ、所定レベルを有する基準電圧（Ｖｒｅｆ）をノードＣに印加して制御することができる。  
【００５３】
キャパシター（ＣＳＴ）はノードＡとノードＢの間に連結される。キャパシター（ＣＳＴ）は駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のノードＡとノードＢの両端間の電圧差を貯蔵する。  
【００５４】
ＯＬＥＤはノードＣに連結されたアノード、及び低電位電圧（ＥＬＶＳＳ）に連結されたカソードを含み、アノード及びカソードの間に有機化合物を含む。ＯＬＥＤは、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうち、一つの光を出すことができる。基本色は、赤色、緑色、青色でありえる。本発明の他の実施形態において、基本色は、赤色、白色、緑色、青色でありえる。  
【００５５】
例えば、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）、データＴＦＴ（ＳＴ１）、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）はＮＭＯＳ ＴＦＴであることができ、このような場合、これらをターンオンさせる信号レベルは、「ロジックハイ（ｌｏｇｉｃ ｈｉｇｈ）」でありえる。しかし、これに制限されず、ＰＭＯＳ ＴＦＴとして構成されることができることは勿論であり、このような場合、これらをターンオンさせる信号レベルは「ロジックロー（ｌｏｇｉｃ ｌｏｗ）」でありえる。  
【００５６】
図４ａ及び図５におけるＴ２区間を参照して、発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ）区間を説明すれば、スキャン信号（Ｓｉ）及びセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）はローレベルである。よって、データＴＦＴ（ＳＴ１）及びセンシングＴＦＴ（ＳＴ２）はいずれもターンオフ状態である。Ｔ２区間も前にキャパシター（ＣＳＴ）に貯蔵されていた電圧に応答して駆動ＴＦＴ（ＤＴ）はターンオンされる。そのようにして、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）からＯＬＥＤを経由する駆動電流（ＩＯＬＥＤ）が発生される。よって、ＯＬＥＤは駆動ＴＦＴ（ＤＴ）の ＶＧＳに比例する大きさの電流程発光されることができる。  
【００５７】
図４ｂ及び図５のＴ１、Ｔ３区間を参照して発光オフ（ディスプレイオフ区間）区間を説明する。  
【００５８】
まず、Ｔ１区間において、スキャン信号（Ｓｉ）及びセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）はハイレベルである。よって、データＴＦＴ（ＳＴ１）及びセンシングＴＦＴ（ＳＴ２）はいずれもターンオン状態である。この区間には活性化されたスキャン信号（Ｓｉ）に応答し、データＴＦＴ（ＳＴ１）を通じてノードＤのデータ（Ｄｊ）がノードＡに提供される。キャパシター（ＣＳＴ）は駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のＶＧＳ電圧を貯蔵する。すなわち、キャパシター（ＣＳＴ）は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲートに印加された電圧で、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のしきい値電圧程、差し引かれた電圧を貯蔵することができる。活性化されたセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）に応答してセンシングＴＦＴ（ＳＴ２）がターンオンされ、ノードＣに基準電圧（Ｖｒｅｆ）を提供する。  
【００５９】
ここで、基準電圧（Ｖｒｅｆ）はＯＬＥＤが発光しない条件の電圧範囲で決定することができる。例えば、ＯＬＥＤのしきい値電圧が０.７Ｖとすると、基準電圧（Ｖｒｅｆ）は０.６Ｖでありえる。よって、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化されると、ＯＬＥＤのしきい値電圧より低い基準電圧がＯＬＥＤのアノード電極に印加されるので、ＯＬＥＤがターンオフされる。  
【００６０】
本実施形態においては、Ｔ１区間に、電流経路は駆動ＴＦＴ（ＤＴ）からノードＣ、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）、及びノードＥを経由して基準電圧（Ｖｒｅｆ）の方向に決定される。  
【００６１】
言い換えれば、Ｔ１区間にキャパシター（ＣＳＴ）にデータ（Ｄｊ）の大きさによる電圧が貯蔵される間、ＯＬＥＤに駆動電流（ＩＯＬＥＤ）が流れないので、ＯＬＥＤの発光動作を遮断することができる。結局、本発明によればＯＬＥＤの発光が遮断しなければならない区間を、別途の発光制御信号または発光制御ＴＦＴを備えなくても制御することができる。  
【００６２】
次に、Ｔ３区間でスキャン信号（Ｓｉ）はローレベルで、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）はハイレベルである。データＴＦＴ（ＳＴ１）はターンオフ状態で、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）はターンオン状態である。この区間で、ＯＬＥＤのしきい値電圧より低い電圧の基準電圧（Ｖｒｅｆ）が提供されるとき、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）からノードＣ及びノードＥを経由して基準電圧（Ｖｒｅｆ）の方向に電流が流れる。よって、活性化されたセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）に応答してセンシング動作を安定的にすることができ、センシング動作の正確度が必要な分、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）の持続区間（ｄｕｒａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）を加減することができる。図示はされていないが、センシングした電圧を比べて別
途の回路部を通じて補償された電圧を求めることができ、これにより補償動作を完了することができる。  
【００６３】
従来はセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）をパルス状の信号として提供した。これは、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）をセンシングの活性化のためのスイチング信号として利用したからである。しかし、本実施形態では、従来と違い、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）をパルス状の信号にのみ提供しない。センシング信号（ｓｅｎｓｅ）の持続区間を調節することで、発光区間における活性化の可否及び発光時間を調節することができる。また、センシングＴＦＴ（ＳＴ２）を通じて伝達することができる基準電圧（Ｖｒｅｆ）をＯＬＥＤのしきい値電圧より低いように設定することができるし、必要な場合に基準電圧（Ｖｒｅｆ）の電圧は固定的ではなく、可変的でありえる。  
【００６４】
図６は図４ｂによるサブ画素の動作を示すフローチャートである。  
【００６５】
図４ｂ及び図６を参照すれば、ＯＬＥＤのしきい値電圧より低い電圧で基準電圧（Ｖｒｅｆ）を設定する（Ｓ１０）。  
【００６６】
これによって、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）が活性化される間、ＯＬＥＤの発光動作を停止することができる。すなわち、データ（Ｄｊ）信号が印加される間、またはセンシングが動作する間にＯＬＥＤの発光動作を停止することで、ＯＬＥＤに対する不必要なストレスを減少させることができる。  
【００６７】
次に、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）を活性化させる（Ｓ２０）。  
【００６８】
データ（Ｄｊ）信号が印加される場合は、スキャン信号（Ｓｉ）は活性化させ、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）はパルス状に提供する。しかし、センシング動作をしなければならない場合は、スキャン信号（Ｓｉ）は非活性化させ、センシング信号（ｓｅｎｓｅ）は所定の持続区間を有する信号として提供する。センシング信号（ｓｅｎｓｅ）はセンシング動作に必要な時間を満たせるほどの持続区間を有することができる。  
【００６９】
次に、活性化されたセンシング信号（ｓｅｎｓｅ）に応答して基準電圧（Ｖｒｅｆ）がＯＬＥＤのアノード電極に印加される（Ｓ３０）。  
【００７０】
ＯＬＥＤのしきい値電圧より低い電圧がＯＬＥＤのアノード電極に印加されることで、ＯＬＥＤはターンオフ状態である。したがって、ＯＬＥＤは発光することができない。  
【００７１】
本発明によると、外部補償のために備えられたＴＦＴを利用してＯＬＥＤの発光区間を調節することができるので、従来に発光区間を制御するために使われたＴＦＴを除去することができる。  
【００７２】
これによって、より少ない数のＴＦＴを使うにもかかわらず、従来のＤｕｔｙ駆動を実現することができる。また、このようなＤｕｔｙ駆動によって、フリッカー（Ｆｌｉｃｋｅｒ）のような画質低下現象を改善することができる。  
【００７３】
また、本発明によると、小さい画素の大きさを実現して高集積ディスプレイを実現しながら、画素の電気的特性を補償することができる。  
【００７４】
ひいては、本発明によると、既存の画素構造を大きく変更せず、簡単な制御方法で輝度変化及び画質改善が可能であり、高集積ディスプレイを実現することができる。  
【００７５】
前述した本発明は、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって、本発明の技術的思想を脱しない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能なので、前述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではない。
【図１】
2019091044.tif 000003
【図２】
2019091044.tif 000004
【図３】
2019091044.tif 000005
【図４ａ】
2019091044.tif 000006
【図４ｂ】
2019091044.tif 000007
【図５】
2019091044.tif 000008
【図６】
2019091044.tif 000009