(57)【要約】      （修正有）【課題】ＥＵＶマスクブランクに必要な基板の平坦性を提供する。【解決手段】統合化極端紫外線（ＥＵＶ）ブランク製造システムは、真空中で基板を配置するための真空チャンバと、基板上に平坦化された上面を有する平坦化層２０４を堆積させるための第１堆積システムと、真空から基板を除去することなく、平坦化層上に多層スタック２０６を堆積させるための第２堆積システムを含む。ＥＵＶブランクは、極端紫外線光源と、ＥＵＶ光源からの光を導くためのミラーと、平坦化層を有するＥＵＶマスクブランク２００を配置するためのレチクルステージと、ウェハを配置するウェハステージを含むＥＵＶリソグラフィシステム内にある。ＥＵＶブランクは、基板と、基板の表面に関連する欠陥２０３を補償するための平坦な上面を有する平坦化層と、平坦化層上の多層スタックを含む。【選択図】図２
2019164362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空中で基板を配置するための真空チャンバと、
基板上に平坦化された上面を有する平坦化層を堆積させるための第１堆積システムと、
真空から基板を除去することなく、平坦化層上に多層スタックを堆積させるための第２堆積システムを含む統合化極端紫外線ブランク製造システム。
【発明の詳細な説明】
【関連出願への相互参照】
【０００１】
本出願は、２０１３年３月１２日に出願された米国仮特許出願第６１／７７８，３３５号の利益を主張し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００２】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，３７１号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００３】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，４１５号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００４】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，４５７号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【０００５】
本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された同時出願の米国特許出願第１４／１３９，５０７号に関連し、その内容は参照により本明細書内に援用される。
【技術分野】
【０００６】
本発明は、概して、極端紫外線リソグラフィブランク及びそのような極端紫外線リソグラフィブランクのための製造及びリソグラフィシステムに関する。
【背景】
【０００７】
極端紫外線リソグラフィ（ＥＵＶ、軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られている）は、０．１３ミクロン及びそれよりも小さい最小フィーチャーサイズの半導体デバイスの製造のための遠紫外線リソグラフィに代わる候補である。
【０００８】
しかしながら、概して５〜４０ナノメートルの波長範囲内にある極端紫外光は、実質的に全ての材料に強く吸収される。そのため、極端紫外線システムは、光の透過によってではなく、反射によって動作する。一連のミラー、又はレンズ要素、及び反射要素、又は非反射吸収体マスクパターンでコーティングされたマスクブランクの使用を介して、パターニングされた化学光は、レジストがコーティングされた半導体ウェハ上へ反射される。
【０００９】
極端紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素及びマスクブランクは、多層反射コーティング材料（例えば、モリブデンとシリコン）でコーティングされる。極端紫外線の狭帯域（例えば、１３ナノメートルの紫外光に対して１２〜１４ナノメートルのバンドパス）内の実質的に単一の波長で光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することによって、レンズ要素又はマスクブランク毎に約６５％の反射値が得られている。
【００１０】
問題を引き起こす半導体加工技術の欠陥には、様々なクラスがある。不透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部又はマスクパターン上の粒子によって引き起こされ、光を反射すべきときに、光を吸収する。透明欠陥は、典型的には、多層コーティングの最上部の上のマスクパターン内のピンホールによって引き起こされ、光が吸収されるべきときに、光が反射される。位相欠陥は、典型的には、多層コーティングの下の傷及び表面変動によって引き起こされ、反射光の位相遷移を引き起こす。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面上のレジスト内に露光されるパターンを歪ませる、又は変える光波干渉効果をもたらす。サブ０．１３ミクロンの最小フィーチャーサイズ用に用いられるに違いないより短波長の照射のために、以前は重要ではなかった傷及び表面変動が、今では許容できなくなっている。
【００１１】
粒子欠陥の低減又は除去において進歩がなされてきて、マスク内の不透明欠陥及び透明欠陥の修復において研究がなされてきたが、位相欠陥の問題に対処するためには、今まで何もなされてきていない。遠紫外線リソグラフィに対しては、６０度以下の位相遷移を維持するように、表面は処理される。極端紫外線リソグラフィのための同様の処理は、まだ開発されていない。
【００１２】
１３ナノメートルの化学線波長に対して、多層コーティングから反射される光の中での１８０度の位相遷移は、下地表面内の深さがわずか３ナノメートルの傷に対して発生する可能性がある。この深さは、より短い波長ではより浅くなる。同様に、同じ波長で、１００ナノメートルの距離上で１ナノメートルよりも急激な表面変動は、同様の位相遷移を引き起こす可能性がある。これら位相遷移は、半導体ウェハの表面に位相欠陥を引き起こし、半導体デバイスに修復不可能な損傷を与える可能性がある。
【００１３】
過去において、遠紫外線リソグラフィ用マスクブランクは、一般的にガラス製であったが、シリコン又は超低熱膨張材料が、極端紫外線リソグラフィ用の代替として提案されてきている。ブランクが、ガラス、シリコン、又は超低熱膨張材料であるかどうかにかかわらず、マスクブランクの表面は、化学機械研磨、磁性流体仕上げ、又はイオンビーム研磨などのプロセスによって可能な限り平滑にされる。このようなプロセスに残されている傷は、しばしば「スクラッチディグ」マークと呼ばれ、それらの深さと幅は、マスクブランクを研磨するために使用される研磨剤中の粒子の大きさに依存する。可視及び遠紫外線リソグラフィでは、これらの傷は、半導体ウェハ上のパターン内に位相欠陥を引き起こすには小さ過ぎる。しかしながら、極端紫外線リソグラフィに対しては、スクラッチディグマークは、位相欠陥として現れるので、重要な問題である。
【００１４】
ＥＵＶリソグラフィ用に要求される短い照明波長のため、使用されるパターンマスクは、現在のリソグラフィで使用される透過型マスクの代わりに反射型マスクでなければならない。反射型マスクは、モリブデンとシリコンの交互の薄い層の正確なスタックで構成され、ブラッグ屈折器又はミラーを作る。多層スタックの性質及び小さいフィーチャーサイズのため、多層スタックが堆積される基板の表面内の任意の欠陥は拡大され、最終製品に影響を与える。数ナノメートルのスケールの欠陥は、完成したマスク上に印刷可能な欠陥となって表れ、多層スタックの堆積前にマスクブランクの表面から除去する必要がある可能性がある。
【００１５】
一般的な欠陥は、ピット、傷、及び粒子を含む。一般的な洗浄技術は、粒子の多くを除去するが、新しいピットを生成するか、既存のピットを増幅するかのいずれかである。ピットは、研磨又は洗浄プロセスから発生する可能性があるか、又は切断及び研磨プロセス中に露出される基板材料自体内の内包物又は欠陥に由来する可能性がある。更に、研磨は、表面でピットを除去するために使用することができるが、プロセス内で新たなピットが露出又は発生するリスクがあり、これは、基板表面を平滑化及び平坦化するために研磨のみを用いる有用性を制限する。基板の平滑化のための別の方法は、レーザ又はプラズマアニーリングである。これらの技術は、ガラス基板の薄い表面層を溶融し、リフローで接合し、局所的な欠陥を除去する。問題は、基板の表面に、より長い範囲の凹凸又はリップルを誘発するので、ＥＵＶマスクブランクに必要な基板の平坦性を提供しないことである。
【００１６】
電子部品のますます小さいフィーチャーサイズの必要性を考慮すると、これらの問題に対して答えを見つけることがますます重要である。消費者の期待を成長させるとともに、増え続ける商業競争圧力を考慮すると、これらの問題に対する答えを見つけることが重要である。また、コストを削減し、効率とパフォーマンスを向上させ、競争圧力を満たすための必要性は、これらの問題に対する答えを見つけるための重要な必要性に更に大きな緊急性を追加する。
【００１７】
これらの問題に対する解決策は、長い間求められてきたが、先行開発は、何の解決策も教示又は示唆してこなかった。したがって、これらの問題に対する解決策は、長い間、当業者には手に入らないものであった。
【概要】
【００１８】
本発明の一実施形態は、真空中で基板を配置するための真空チャンバと、基板上に平坦化された上面を有する平坦化層を堆積させるための第１堆積システムと、真空から基板を除去することなく、平坦化層上に多層スタックを堆積させるための第２堆積システムを含む統合化極端紫外線（ＥＵＶ）ブランク製造システムである。
【００１９】
本発明の一実施形態は、極端紫外線光源と、ＥＵＶ光源からの光を導くためのミラーと、平坦化層を有するＥＵＶマスクブランクを配置するためのレチクルステージと、ウェハを配置するウェハステージを含むＥＵＶリソグラフィシステムである。
【００２０】
本発明の一実施形態は、基板と、基板の表面に関連する欠陥を補償するための平坦な上面を有する平坦化層と、平坦化層上の多層スタックを含むＥＵＶブランクである。
【００２１】
本発明の特定の実施形態は、上記のものに加えて、又は上記のものの代わりに、他の工程又は要素を有する。工程又は要素は、添付の図面を参照して以下の詳細な説明を読むことにより当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】統合化された極端紫外線（ＥＵＶ）マスクの製造システムである。
【図２】本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスクブランクである。
【図３】ＥＵＶマスクである。
【図４】超低欠陥のＥＵＶマスクブランクの製造するための方法である。
【図５】超低欠陥のＥＵＶマスクブランクを製造するための別の方法である。
【図６】ＥＵＶリソグラフィシステムの光学トレインである。
【図７】ＥＵＶリソグラフィシステムである。
【詳細な説明】
【００２３】
以下の実施形態は、当業者が本発明を行い、使用することを可能にするために、十分に詳細に記載されている。他の実施形態が、本開示に基づいて明らかとなり、本発明の範囲から逸脱することなく、システム、プロセス、又は機械的な変更を行うことができることを理解すべきである。
【００２４】
以下の説明において、多数の特定の詳細が、本発明の完全な理解を提供するために与えられる。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細なしに実施できることは明らかであろう。本発明を不明瞭にすることを避けるために、いくつかの周知の回路、システム構成、及びプロセスステップは、詳細には開示されない。
【００２５】
システムの実施形態を示す図面は、半概略であり、縮尺通りではなく、特に、寸法のいくつかは、提案説明を明確にするためのものであり、描画図内で誇張して示されている。同様に、説明を容易にするため、図面内の図は、概して、同様の方向を示すが、図面内のこの描写は、ほとんどの部分に対して任意である。一般的に、本発明は、任意の向きで動作させることができる。
【００２６】
いくつかの構成を共通して有する複数の実施形態が開示され、記載されている場合は、それらの図説、記述、及び理解を明瞭かつ容易にするために、類似の構成は、同様の参照番号で記述される。
【００２７】
解説の目的のために、本明細書で使用する用語「水平」は、マスクブランクの平面又は表面に対して平行な平面として定義され、その向きには関係ない。用語「垂直」は、まさに定義されたような水平に対して垂直な方向を指す。用語（例えば、「上方」、「下方」、「底部」、「最上部」、（「側壁」内のような）「側」、「より高い」、「より低い」、「上部」、「上に」、及び「下に」）は、図面内に図示されるように、水平面に対して定義される。用語「上」は、要素間の直接的な接触があることを示す。
【００２８】
本明細書で使用する用語「処理」は、材料又はフォトレジストの堆積、記載された構造を形成するのに必要とされる材料又はフォトレジストのパターニング、露光、現像、エッチング、洗浄、及び／又は除去を含む。
【００２９】
本発明の実施形態は、ピットを充填し、欠陥を埋めるために、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、及び流動性ＣＶＤによって、シリコン、酸化ケイ素、及び互換性のある熱膨張係数の関連する膜を堆積するための様々な確立された技術を使用する。いったん堆積されると、膜表面は、更なる多層スタックの堆積用に十分平滑かつ平坦とすることができ、又はその後、ＣＭＰ、アニーリング、又はイオンビーム研磨を含む多様な確立された平滑化又は研磨技術を更に用いて、平滑化することができる。
【００３０】
ここで、図１を参照すると、統合化された極端紫外線（ＥＵＶ）マスク製造システム１００がここに図示される。統合化ＥＵＶマスク製造システム１００は、内部でマスクブランク１０４がロードされるマスクブランクローディング・キャリアハンドリングシステム１０２を含む。エアロック１０６は、ウェハハンドリング真空チャンバ１０８へのアクセスを提供する。図示の実施形態では、ウェハハンドリング真空チャンバ１０８は、２つの真空チャンバ（第１真空チャンバ１１０と第２真空チャンバ１１２）を含む。第１ウェハハンドリングシステム１１４は、第１真空チャンバ１１０内にあり、第２ウェハハンドリングシステム１１６は、第２真空チャンバ１１２内にある。
【００３１】
ウェハハンドリング真空チャンバ１０８は、様々な他のシステムの取り付け用に、その周囲に複数のポートを有する。第１真空チャンバ１１０は、脱ガスシステム１１８、第１物理蒸着システム１２０、第２物理蒸着システム１２２、及び前洗浄システム１２４を有する。
【００３２】
第２真空チャンバ１１２は、それに接続された第１マルチカソード源１２６、流動性化学蒸着（ＦＣＶＤ）システム１２８、補修（キュア）システム１３０、及び第２マルチカソード源１３２を有する。
【００３３】
第１ウェハハンドリングシステム１１４は、エアロック１０６及び第１真空チャンバ１１０の周囲の様々なシステム間で、連続真空内でスリットバルブを介して、ウェハ（例えば、ウェハ１３４）を移動させることができる。第２ウェハハンドリングシステム１１６は、連続的な真空内にウェハを維持しながら、第２真空チャンバ１１２の周囲に、ウェハ（例えば、ウェハ１３６）を移動させることができる。
【００３４】
統合化ＥＵＶマスク製造システム１００は、ＥＵＶマスクブランクを製造するための理想的な環境を提供することが発見された。
【００３５】
ここで図２を参照すると、本発明の一実施形態に係るＥＵＶマスクブランク２００がここに図示される。ＥＵＶマスクブランク２００は、ガラス、シリコン、又は他の超低熱膨張材料からできた超低熱膨張ガラス基板２０２である。超低熱膨張材料は、溶融シリカ、溶融石英、フッ化カルシウム、炭化ケイ素、酸化ケイ素−酸化チタン合金、又はこれらの材料の範囲内の熱膨張係数を有する他の材料を含む。
【００３６】
超低膨張基板２０２の上面は、研磨剤を用いた化学的機械研磨（ＣＭＰ）から生じる欠陥２０３（例えば、バンプ、ピット、及び粒子）を有する。このようなプロセス内で残された傷は、しばしば「ピット」及び／又は「スクラッチディグ」マークと呼ばれ、それらの深さと幅は、ＥＵＶマスクブランク２００を研磨するために使用される研磨剤中の粒子のサイズに依存する。
【００３７】
ＥＵＶマスクブランク２００内のピット及びスクラッチの欠陥（一般的に、ピットと呼ばれる）は、平坦化層２０４の堆積によって充填されることにより除去可能であることが発見された。平坦化層２０４又は流動性膜は、１００Å〜１００００Åの厚さの範囲内で、流動性ＣＶＤ膜を堆積させる、又はシリコン、酸化ケイ素、又は関連する膜をＣＶＤ、ＰＶＤ、又は同様のプロセスにより堆積させることによって形成することができる。
【００３８】
膜の堆積は、問題を引き起こすであろう、基板の表面内にある表面欠陥（例えば、１：６〜３０：１のアスペクト比と、最大３２ｎｍの深さ及び２２０ｎｍの幅を有するピット）内を充填し、平らにすることが見出された。
【００３９】
また、他の表面欠陥（例えば、超低膨張基板２０２上にある粒子、バンプ、及び他の欠陥）は、それらが引き起こす可能性のある問題を解消するために平坦化することができることが見出された。平坦化層２０４は、バンプを平らにする、又は１０ｎｍ〜３００ｎｍの粒子を完全にカプセル化することができる。
【００４０】
平坦化層２０４は、ＥＵＶアプリケーションに対して十分な平坦な上面又は平坦化層２０４の下の欠陥２０３を有する表面よりも高い平坦性を有する平坦化層２０４の滑らかな上面２０５を提供することができることが発見された。
【００４１】
流動性ＣＶＤ膜の場合には、ＥＵＶマスクブランク２００用に超低膨張基板２０２上に許容できる平滑で平坦な表面を達成するために、更なる処理は必要とされなくてもよい。シリコン、酸化ケイ素、又は関連する膜に対しては、堆積後の平滑化が必要となる場合がある。この平滑化は、ＣＭＰ、化学研磨、イオンビーム研磨、又はアニーリングを含むがこれらに限定されない種々の研磨方法により行うことができる。これらの平滑化技術はまた、更なる平滑化が必要とされる場合に、流動性ＣＶＤ膜に適用することもできる。
【００４２】
本発明における平坦化層２０４の滑らかな上面２０５の平滑度は、０．５ｎｍ（ナノメートル）ＲＭＳ未満とすることができることが見出された。
【００４３】
このように、平坦化層２０４は、下地の層又は基板内のピット及び／又は欠陥を充填する、下地の層又は基板の上の粒子を覆う、又は既に平坦化された下地の層又は基板を平滑化するために使用することができる。
【００４４】
多層スタック２０６は、ブラッグ反射器を形成するように、平坦化層２０４の上方に形成される。ＥＵＶで使用される光学系の透過性及び照明波長に起因して、反射光学系が使用され、多層スタック２０６は、高Ｚ材料と低Ｚ材料（例えば、モリブデンとシリコン）の交互の層から作ることができ、これらは反射器を形成する。
【００４５】
キャッピング層２０８は、多層スタック２０６の上方に形成される。キャッピング層は、ルテニウム（Ｒｕ）又はその非酸化化合物などの材料とすることができ、これによって多層スタック２０６を酸化、及びマスク処理中にＥＵＶマスクブランク２００を曝露させる可能性のある任意の化学エッチャントから保護するのを助ける。他の材料（例えば、窒化チタン、炭化ホウ素、窒化ケイ素、酸化ルテニウム、及び炭化ケイ素）もまた、キャッピング層２０８内で使用することができる。
【００４６】
吸収体層２１０は、キャッピング層２０８の上に配置される。吸収体層２１０は、ＥＵＶ光の特定の周波数（約１３．５ｎｍ）に対して高い吸収係数を有する材料でできており、クロム、タンタル、又はそれらの窒化物などの材料とすることができる。
【００４７】
反射防止コーティング（ＡＲＣ）２１２は、吸収体層２１０上に堆積される。ＡＲＣ２１２は、酸窒化タンタル又はタンタルホウ素酸化物などの材料とすることができる。
【００４８】
裏面チャッキング層２１４は、静電チャック（図示せず）上に又は静電チャックによって基板をチャッキングするために、超低膨張基板２０２の裏面上に形成される。
【００４９】
ここで、図３を参照すると、ＥＵＶマスク３００がここに図示される。ＥＵＶマスク３００は正方形であり、その上面上にパターン３０２を有する。
【００５０】
ここで、図４を参照すると、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を製造するための方法４００がここに図示される。超低欠陥は、実質的にゼロ欠陥である。方法４００は、ステップ４０２で供給されるガラスブランクを含む。ガラスブランクは、ステップ４０４で、裏面洗浄され、ステップ４０６で、脱ガスされ、前洗浄される。
【００５１】
図２の裏面チャッキング層２１４は、ステップ４０８で塗布され、ステップ４１０で前面洗浄が実行される。いくつかのステップ４１２は、周囲条件からの汚染を回避するために連続真空下を保ちながら、図１の統合化ＥＵＶマスク製造システム１００内でより良好に実行される。
【００５２】
脱ガス及び前洗浄が、ステップ４１４で実行され、ステップ４１６で平坦化が実行される。平坦化層は、平坦化層の平坦化層補修ステップ４１８内で補修され、ステップ４２０で多層堆積が実行される。キャッピング層２０８は、キャッピング層ステップ４２２で堆積される。
【００５３】
その後、統合化ＥＵＶマスク製造システム１００を出て、遠紫外線（ＤＵＶ）／化学線検査がステップ４２４で実行される。オプションとして、ステップ４２６において、マスクブランクは洗浄され、吸収層及び反射防止コーティングが、ステップ４２８で堆積される。
【００５４】
ここで、図５を参照すると、超低欠陥のＥＵＶマスクブランク２００を製造するための別の方法５００がここに図示される。超低欠陥は、実質的にゼロ欠陥である。別の方法５００は、ステップ５０２でガラスブランクが供給されることから始まる。ガラスブランクは、ステップ５０４で、裏面洗浄され、ステップ５０６で、前面洗浄される。
【００５５】
いくつかのステップ５０８は、周囲条件からの汚染を回避するために連続真空下を保ちながら、図１の統合化ＥＵＶマスク製造システム１００内でより良好に実行される。
【００５６】
マスクブランクは、ステップ５１０で脱ガスされ、前洗浄される。裏面チャッキング層２１４は、ステップ５１２で堆積され、平坦化がステップ５１４で行われる。平坦化層は、ステップ５１６で補修される。多層堆積がステップ５１６で実行され、キャッピング層がステップ５２０で塗布される。
【００５７】
ＤＵＶ／化学線検査は、統合化ＥＵＶマスク製造システム１００の内部で実行できるが、それは、ステップ５２２で外部でもまた実行できる。マスクブランクは、オプションとして、ステップ５２４で洗浄され、吸収層及び反射防止コーティングは、ステップ５２６で堆積させることができる。
【００５８】
ここで、図６を参照すると、ＥＵＶリソグラフィシステム用の光学トレイン６００がここに図示される。光学トレイン６００は、ＥＵＶ光を生成し、それをコレクタ６０４内に収集するための極端紫外線光源（例えば、プラズマ源６０２）を有する。コレクタ６０４は、照明システム６０６の一部であるフィールドファセットミラー６０８に光を提供し、照明システム６０６は、瞳ファセットミラー６１０を更に含む。照明システム６０６は、（図１のマスクブランク１０４の完全に処理されたバージョンである）レチクル６１２にＥＵＶ光を提供し、レチクル６１２は、投影光学系６１４を介してウェハ６１６上にＥＵＶ光を反射する。
【００５９】
ここで、図７を参照すると、ＥＵＶリソグラフィシステム７００がここに図示される。ＥＵＶリソグラフィシステム７００は、光学トレイン６００の付属物として、ＥＵＶ光源領域７０２、レチクルステージ７０４、及びウェハステージ７０６を含む。
【００６０】
本発明の実施形態は、ＥＵＶブランクを平坦化及び平滑化し、これによって基板表面上のすべてのピット、欠陥及び粒子を除去し、これによって表面は、原子レベルで平坦かつ平滑となる。アイデアは、原子レベルで平坦で平滑な表面を達成するために、いかなる欠陥をも誘発することなく、その後処理することができるＥＵＶブランク基板の表面上に欠陥のない材料を堆積させることである。図３のＥＵＶマスク３００は、ＥＵＶリソグラフィシステム７００の重要な構成要素であり、ＥＵＶリソグラフィシステム７００は、適切に平坦化された平坦で平滑なＥＵＶブランク上のＥＵＶマスク無しでその機能を実行することはできない。
【００６１】
第１工程は、存在する任意のピットを充填することであり、これは、流動性ＣＶＤ膜である平坦化層を堆積させることによって、又はＣＶＤ、ＰＶＤ、又は同様のプロセスを介して、シリコン、酸化ケイ素、又は関連する膜を堆積させることによって行うことができる。この平坦化工程はまた、粒子、バンプ、ピット、及びＥＵＶブランク基板表面上又は表面内にある他の欠陥を埋めるだろう。流動性ＣＶＤ膜の場合には、ＥＵＶブランク基板上に許容できる平滑で平坦な表面を達成するために、更なる処理は必要とされないかもしれない。
【００６２】
シリコン、酸化ケイ素、又は関連する膜にとって、堆積後の平滑化は、おそらく必要とされるだろう。この平滑化は、ＣＭＰ、化学研磨、イオンビーム研磨、又はアニーリングを含むがこれらに限定されない多様な研磨方法によって行うことができる。これらの技術はまた、更なる平滑化が必要な場合は、流動性ＣＶＤ膜に適用することもできる。
【００６３】
この方法の１つの利点は、基板とは独立しているので、それは、多様な基板及び様々な品質の基板上で使用することができることである。それは、ＥＵＶブランクに必要な特性を有するが、研磨後に原子レベルで平坦で滑らかな表面を有していないガラス基板を使用することを可能にする潜在力を有する。この独立性は、異なる基板サプライヤーを使用することを可能にし、サプライヤーによる基板の準備及び研磨への予想外の変更の影響を最小限に抑えることができる。
【００６４】
本発明の実施形態は、ＥＵＶマスクブランクの製造のために原子レベルで平坦で平滑な基板表面を提供することを主に対象としているが、原子レベルで平坦で平滑な表面を必要とする任意のアプリケーション（例えば、ＥＵＶミラー６０８、６１０、他）用に使用することができる。
【００６５】
別のアプローチは、多層スタックを上に成長させるために平坦な伝熱性の高い表面を用いることであろう。歴史的に、ガラスは、光学系の透過性及び使用される照明波長のために、マスク用の基板として使用される。ＥＵＶは、すべての材料によって吸収され、こうして、反射光学系が用いられる。しかしながら、反射率は１００％ではなく（現在のＭｏ／Ｓｉのスタックで７０％未満）、放射線の吸収された部分は、基板を加熱する。
【００６６】
現在のマスクガラス基板組成物は、動作温度で、ゼロ熱膨張係数を与えるように最適化されており、これによってレジスト露光時にパターンの歪みを回避する。ガラスよりも熱伝導性の基板（例えば、金属又はシリコン）が使用されるならば、ＥＵＶ露光からの熱は、冷却されたチャック内に伝達され、こうして特殊なガラスに対する必要性を除去することができる。更に、マスク基板表面は、半導体互換プロセス（例えば、上記したような（シリコン、二酸化ケイ素）層の堆積又はＣＭＰ又は両方の組み合わせを使用して平滑化させることができる。
【００６７】
得られた方法、プロセス、装置、デバイス、製品、及び／又はシステムは、直接的で、費用対効果が高く、複雑でなく、汎用性が高く、正確で、敏感で、かつ効果的であり、準備のできた、効率的で、経済的な、製造、応用、及び使用に対して公知の構成要素を適合させることによって実施することができる。
【００６８】
本発明のもう一つの重要な側面は、コストを削減し、システムを簡素化し、パフォーマンスを向上させるという歴史的傾向を有益に支持し、提供することである。
【００６９】
本発明のこれらの及び他の有益な側面は、その結果、技術の状態を少なくとも次のレベルに更に進める。
【００７０】
本発明は、特定の最良の態様に関連して説明されてきたが、多くの代替、修正、及び変形が前述の説明に照らして当業者には明らかとなるであろうことが理解されるべきである。したがって、付属の特許請求の範囲内に入るそのような代替、修正、及び変形のすべてを包含することが意図される。本明細書に記載又は添付の図面に図示されるすべての事項は、例示的かつ非限定的な意味で解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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