(57)【要約】【課題】蒸着法によって蒸着領域に均一な厚さの薄膜を形成するために好適な、精度の高い蒸着マスク及びその製造方法を提供することを課題の一つとする。【解決手段】蒸着マスクの製造方法は、基板の上に第１膜を形成し、前記第１膜の上にマスク部材を形成し、前記マスク部材をマスクとして前記第１膜をエッチングして第１パターンを形成し、前記第１パターンの側面及び前記マスク部材の側面に接する蒸着マスク部材を形成し、前記第１膜及び前記マスク部材を除去する。【選択図】図６
2019094528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に第１膜を形成し、
前記第１膜の上にマスク部材を形成し、
前記マスク部材を用いて前記第１膜をエッチングして第１パターンを形成し、
前記第１パターンの側面及び前記マスク部材の側面に接する蒸着マスク部材を形成し、
前記第１膜及び前記マスク部材を除去する蒸着マスクの製造方法。
【請求項２】
前記第１膜を形成する前に前記基板の上に導電層を形成し、
前記導電層に通電するめっき法で前記蒸着マスク部材を形成する、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項３】
前記第１膜をドライエッチングすることで前記第１パターンを形成する、請求項２に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングによって前記第１パターンを逆テーパ形状に形成する、請求項３に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項５】
前記ドライエッチングによって前記マスク部材の前記基板側の面を露出する、請求項４に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項６】
前記導電層を形成する前に、前記基板上に剥離層を形成し、
前記第１膜及び前記マスク部材が除去された後に、前記蒸着マスク部材から前記剥離層及び前記基板を剥離する、請求項５に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項７】
前記蒸着マスク部材からの前記剥離層及び前記基板の剥離は、
前記基板を前記剥離層から剥離した後に、前記剥離層を前記蒸着マスク部材から剥離する、請求項６に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項８】
前記導電層に対する前記ドライエッチングのエッチングレートは、前記第１膜に対する前記ドライエッチングのエッチングレートより小さい、請求項７に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項９】
前記剥離層は樹脂層である、請求項６乃至請求項８のいずれか一に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記第１膜は金属からなる、請求項２乃至請求項８のいずれか一に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記第１膜は、チタン、アルミニウム、タングステン、タンタル、及びモリブデンの何れかを含む、請求項１０に記載の蒸着マスクの製造方法。
【請求項１２】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口が設けられた蒸着マスクであって、
前記開口の側壁は、前記第１面から前記第２面に向かって第１側壁、第２側壁及び第３側壁に区分され、
前記第１面を水平面に置いたとき、水平方向に対する前記第２側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より小さく、水平方向に対する前記第３側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より大きい蒸着マスク。
【請求項１３】
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口が設けられた蒸着マスクであって、
前記開口の側壁は、断面視において、前記開口の前記第１面側の第１開口端と第１点との間の、水平方向に対して第１角度をなす第１側壁と、平面視において前記第１点よりも外側の第２点と前記開口の前記第２面側の第２開口端との間の、水平方向に対して前記第１角度よりも大きい第２角度をなす第２側壁と、を有する蒸着マスク。
【請求項１４】
前記第１面から前記第２面まで連続した同一部材である、請求項１２又は１３に記載の蒸着マスク。
【請求項１５】
前記第１面から前記第２面まで１つの層からなる、請求項１２又は１３に記載の蒸着マスク。
【請求項１６】
前記第２側壁は、略水平である、請求項１２又は１３に記載の蒸着マスク。
【請求項１７】
基板上に複数の画素電極を形成し、
材料が充填された蒸着源上に、前記画素電極が前記基板と前記蒸着源との間に位置するように前記基板を配置し、
前記蒸着源と前記基板との間に蒸着マスクを配置し、
前記材料を気化して、前記画素電極の上に前記材料の膜を形成する表示装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口を有し、
前記開口の側壁は、前記第１面から前記第２面に向かって第１側壁、第２側壁及び第３側壁に区分され、
前記第１面を水平面に置いたとき、水平方向に対する前記第２側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より小さく、水平方向に対する前記第３側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より大きい、表示装置の製造方法。
【請求項１８】
基板上に複数の画素電極を形成し、
材料が充填された蒸着源上に、前記画素電極が前記基板と前記蒸着源との間に位置するように前記基板を配置し、
前記蒸着源と前記基板との間に蒸着マスクを配置し、
前記材料を気化して、前記画素電極の上に前記材料の膜を形成する表示装置の製造方法であって、
前記蒸着マスクは、
第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口を有し、
前記開口の側壁は、断面視において、前記開口の前記第１面側の第１開口端と第１点との間の、水平方向に対して第１角度をなす第１側壁と、平面視において前記第１点よりも外側の第２点と前記開口の前記第２面側の第２開口端との間の、水平方向に対して前記第１角度よりも大きい第２角度をなす第２側壁と、を有する、表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の一つは、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、又は蒸着マスクを利用した表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル型表示装置の一例として、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、絶縁体、半導体、導電体などの様々な材料を含む薄膜が基板上に積層された構造体であり、これらの薄膜が適宜パターニングされ、接続されて、表示装置としての機能が実現される。
【０００３】
薄膜を形成する方法は、大別すると気相法、液相法、固相法に分類される。気相法は物理的気相法と化学的気相法に分類され、前者の代表的な例として蒸着法が知られている。蒸着法のうち最も簡便な方法が真空蒸着法である。真空蒸着法は、高真空化において材料を加熱することで材料を昇華、あるいは蒸発させて材料の蒸気を生成し（以下、これらを総じて気化という）、この材料を堆積することを目的とする領域（以下、蒸着領域）で固化、堆積することで材料の薄膜を得ることができる。真空蒸着を行う際に、蒸着領域に対して選択的に薄膜を形成し、それ以外の領域（以下、非蒸着領域）には材料を堆積させないために、マスク（蒸着マスク）が用いられる（特許文献１及び２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８７８４０号公報
【特許文献２】特開２０１３−２０９７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１及び２では、蒸着領域に均一な厚さの薄膜を形成するために、蒸着マスクの開口側壁をテーパ形状にしている。このテーパ形状を形成するためにはレジストマスクを用いたウェットエッチングによって形成する必要があるため、微細ピッチで開口を形成することが困難である。蒸着マスクの開口側壁をテーパ形状にするために、蒸着マスクの型となるレジストマスクのテーパ形状を調整する方法があるが、蒸着マスクの製造工程のばらつきが大きいため、蒸着マスクの開口サイズにばらつきが生じてしまう。
【０００６】
本発明の実施形態の一つは、蒸着法によって蒸着領域に均一な厚さの薄膜を形成するために好適な、精度の高い蒸着マスク及びその製造方法を提供することを課題の一つとする。又は、この蒸着マスクを用いた薄膜の形成方法、およびこれを利用する表示装置の製造方法を提供することを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、基板の上に第１膜を形成し、前記第１膜の上にマスク部材を形成し、前記マスク部材を用いて前記第１膜をエッチングして第１パターンを形成し、前記第１膜の側面及び前記マスク部材の側面に接する蒸着マスク部材を形成し、前記第１膜及び前記マスク部材を除去する。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口が設けられた蒸着マスクであって、前記開口の側壁は、前記第１面から前記第２面に向かって第１側壁、第２側壁及び第３側壁に区分され、前記第１面を水平面に置いたとき、水平方向に対する前記第２側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より小さく、水平方向に対する前記第３側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より大きい。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口が設けられた蒸着マスクであって、前記開口の側壁は、断面視において、前記開口の前記第１面側の第１開口端と第１点との間の、水平方向に対して第１角度をなす第１側壁と、平面視において前記第１点よりも外側の第２点と前記開口の前記第２面側の第２開口端との間の、水平方向に対して前記第１角度よりも大きい第２角度をなす第２側壁と、を有する。
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板上に複数の画素電極を形成し、材料が充填された蒸着源上に、前記画素電極が前記基板と前記蒸着源との間に位置するように前記基板を配置し、前記蒸着源と前記基板との間に蒸着マスクを配置し、前記材料を気化して、前記画素電極の上に前記材料の膜を形成する表示装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口を有し、前記開口の側壁は、前記第１面から前記第２面に向かって第１側壁、第２側壁及び第３側壁に区分され、前記第１面を水平面に置いたとき、水平方向に対する前記第２側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より小さく、水平方向に対する前記第３側壁の角度は水平方向に対する前記第１側壁の角度より大きい。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板上に複数の画素電極を形成し、材料が充填された蒸着源上に、前記画素電極が前記基板と前記蒸着源との間に位置するように前記基板を配置し、前記蒸着源と前記基板との間に蒸着マスクを配置し、前記材料を気化して、前記画素電極の上に前記材料の膜を形成する表示装置の製造方法であって、前記蒸着マスクは、第１面と、前記第１面とは反対側の第２面とを備え、前記第１面から前記第２面へ貫通する開口を有し、前記開口の側壁は、断面視において、前記開口の前記第１面側の第１開口端と第１点との間の、水平方向に対して第１角度をなす第１側壁と、平面視において前記第１点よりも外側の第２点と前記開口の前記第２面側の第２開口端との間の、水平方向に対して前記第１角度よりも大きい第２角度をなす第２側壁と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る蒸着源の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの拡大上面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の上面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の断面図である。
【図１８Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２０Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２０Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２１Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図２１Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１５】
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行って複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１６】
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１７】
〈第１実施形態〉
図１〜図１２を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク、及びそれを用いる蒸着装置と薄膜の形成方法について説明する。
【００１８】
［蒸着装置１０の構成］
図１〜図３を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着装置１０の構成について説明する。蒸着装置１０は多様な機能を有する複数のチャンバを備えており、以下に示す例は複数のチャンバのうち１つの蒸着チャンバ１００を示すものである。図１は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の上面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る蒸着装置の側面図である。
【００１９】
図１に示すように、蒸着チャンバ１００は、隣接するチャンバとロードロック扉１０２で仕切られている。蒸着チャンバ１００は、その内部を高真空の減圧状態、又は窒素やアルゴンなどの不活性ガスで満たされた状態に維持することができる。したがって、図示しない減圧装置やガス吸排気機構などが蒸着チャンバ１００に接続される。
【００２０】
蒸着チャンバ１００は、蒸着膜を形成する対象物を収納可能な構成を有する。以下、この対象物として板状の被蒸着基板１０４が用いられる例について説明する。図１及び図２に示すように、被蒸着基板１０４の下に蒸着源１１２が配置される。蒸着源１１２は、概ね長方形の形状を有し、被蒸着基板１０４の一つの辺に沿って配置されている。このような蒸着源１１２をリニアソース型という。リニアソース型の蒸着源１１２が用いられる場合、蒸着チャンバ１００は被蒸着基板１０４と蒸着源１１２とが相対的に移動する構成を有する。図１では、蒸着源１１２が固定され、その上を被蒸着基板１０４が移動する例が示されている。
【００２１】
蒸着源１１２には蒸着される材料が充填される。蒸着源１１２は、当該材料を加熱する加熱部１２２（後述する図３参照）を有する。蒸着源１１２の加熱部１２２によって材料が加熱されると、加熱された材料は気化し、蒸気となって蒸着源１１２から被蒸着基板１０４に向かう。材料の蒸気が被蒸着基板１０４の表面へ到達すると、当該蒸気は冷却されて固化し、被蒸着基板１０４の表面に材料が堆積する。このようにして被蒸着基板１０４の上（図２では被蒸着基板１０４の下側の面上）に当該材料の薄膜が形成される。
【００２２】
図２に示すように、蒸着チャンバ１００は、さらに被蒸着基板１０４及び蒸着マスク１０６を保持するためのホルダ１０８、ホルダ１０８を移動するための移動機構１１０、及びシャッタ１１４などが備える。ホルダ１０８によって被蒸着基板１０４及び蒸着マスク１０６の互いの位置関係が維持される。移動機構１１０によって被蒸着基板１０４及び蒸着マスク１０６が蒸着源１１２の上を移動する。シャッタ１１４は蒸着源１１２の上に移動可能に設けられている。シャッタ１１４が蒸着源１１２の上に移動することで、シャッタ１１４は蒸着源１１２によって加熱された材料の蒸気を遮蔽する。シャッタ１１４が蒸着源１１２と重畳しない位置に移動することで、当該材料の蒸気はシャッタ１１４によって遮蔽されず、被蒸着基板１０４に到達することができる。シャッタ１１４の開閉は、図示しない制御装置によって制御される。
【００２３】
図１に示す例では、リニアソース型の蒸着源１１２を示したが、蒸着源１１２は上記の形状に限定されず、任意の形状を有することができる。例えば、蒸着源１１２の形状は、蒸着に用いられる材料が被蒸着基板１０４の重心及びその付近に選択的に配置された、いわゆるポイントソース型と呼ばれる形状であってもよい。ポイントソース型の場合には、被蒸着基板１０４と蒸着源１１２の相対的な位置は固定され、被蒸着基板１０４を回転するための機構が設けられてもよい。
【００２４】
図３は、本発明の一実施形態に係る蒸着源の断面図である。蒸着源１１２は、収納容器１２０、加熱部１２２、蒸着ホルダ１２４、メッシュ状の金属板１２８、及び一対のガイド板１３２を有する。
【００２５】
収納容器１２０は蒸着する材料を保持する部材である。収納容器１２０として、例えば坩堝などの部材を用いることができる。収納容器１２０は加熱部１２２の内部において、取り外し可能に保持されている。収納容器１２０は、例えばタングステンやタンタル、モリブデン、チタン、ニッケルなどの金属やその合金を含むことができる。又は、アルミナや窒化ホウ素、酸化ジリコニウムなどの無機絶縁物を含むことができる。
【００２６】
加熱部１２２は蒸着ホルダ１２４の内部において、取り外し可能に保持されている。加熱部１２２は、抵抗加熱方式で収納容器１２０を加熱する構成を有する。具体的には、加熱部１２２はヒータ１２６を有する。ヒータ１２６に通電することで、加熱部１２２が加熱され、収納容器１２０内の材料が加熱されて気化する。気化した材料は、収納容器１２０の開口部１３０から収納容器１２０の外に出射される。開口部１３０を覆うように配置されたメッシュ状の金属板１２８は、突沸した材料が収納容器１２０の外に放出されることを抑制する。加熱部１２２及び蒸着ホルダ１２４は、収納容器１２０と同様の材料を含むことができる。
【００２７】
一対のガイド板１３２は、蒸着源１１２の上部に設けられる。ガイド板１３２の少なくとも一部は、収納容器１２０の側面又は鉛直方向に対して傾いている。ガイド板１３２の傾きによって、材料の蒸気の広がる角度（以下、射出角度）が制御され、蒸気の飛翔方向に指向性を持たせることができる。射出角度は二つのガイド板１３２のなす角度θｅ（単位°）によって決まる。角度θｅは被蒸着基板１０４の大きさ及び蒸着源１１２と被蒸着基板１０４との距離などによって適宜調整され、例えば４０°以上８０°以下、５０°以上７０°以下、典型的には６０°である。ガイド板１３２の傾いた表面によって形成される面が臨界面１６０ａ、１６０ｂであり、材料の蒸気は、ほぼこの臨界面１６０ａ、１６０ｂに挟まれる空間を飛翔する。図示しないが、蒸着源１１２がポイントソースの場合、ガイド板１３２は円錐の表面の一部を構成する形状を有していてもよい。
【００２８】
蒸着する材料は種々の材料から選択することができ、有機化合物又は無機化合物のいずれであってもよい。有機化合物としては、例えば発光性の材料又はキャリア輸送性の有機化合物を用いることができる。無機化合物としては、金属、その合金、又は金属酸化物などを用いることができる。一つの収納容器１２０に複数の材料を充填し、成膜を行ってもよい。図示しないが、複数の蒸着源を用い、異なる材料を同時に加熱できるよう、蒸着チャンバ１００を構成してもよい。
【００２９】
［蒸着マスク１０６の構成］
図４〜図６を用いて、本発明の一実施形態係る蒸着マスク１０６の構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの上面図である。蒸着マスク１０６は金属プレート１４０、フレーム１４２、接続部１４４を有する。なお、以下において、蒸着マスク１０６が被蒸着基板１０４の下に配置された状態であることを前提として、蒸着マスク１０６について説明する。なお、被蒸着基板１０４は蒸着マスク１０６を構成する部材ではないため、点線で示されている。
【００３０】
金属プレート１４０には、金属プレート１４０を貫通する複数の開口１４６が設けられている。金属プレート１４０の開口１４６以外の領域を非開口部という。非開口部は各々の開口１４６を囲む。フレーム１４２は複数の開口１４６が設けられた領域の外側において、金属プレート１４０の外周に沿って設けられている。接続部１４４は複数の開口１４６を囲み、金属プレート１４０及びフレーム１４２と接してこれらを互いに接続する。
【００３１】
蒸着時には、蒸着対象の被蒸着基板１０４における蒸着領域と開口１４６が重なり、被蒸着基板１０４における非蒸着領域と非開口部が重なるように蒸着マスク１０６と被蒸着基板１０４が位置合わせされる。材料の蒸気が開口１４６を通過し、被蒸着基板１０４の蒸着領域に材料が堆積する。
【００３２】
図４の点線で囲まれた領域を拡大した図を図５に示す。図５に示すように、被蒸着基板１０４の蒸着領域がマトリクス状である場合、蒸着マスク１０６の開口１４６もマトリクス状に設けられる。ただし、開口１４６の配置は必ずしも図４及び図５のマトリクス状に限定されず、蒸着領域の位置に合わせて適宜調整される。
【００３３】
金属プレート１４０及び接続部１４４はニッケル、銅、チタン、及びクロムなどの０価の金属を含み、例えばニッケルを含むことが好ましい。金属プレート１４０及び接続部１４４の材料の組成は同じでもよく異なっていてもよい。フレーム１４２も上記の０価の金属を含み、ニッケル、鉄、コバルト、クロム、及びマンガンなどから選択される。例えばフレーム１４２は鉄及びクロムを含む合金、並びに、鉄、ニッケル、及びマンガンを含む合金でもよく、合金には炭素が含まれていてもよい。
【００３４】
図５の一点鎖線Ａ１−Ａ２に沿った断面図を図６に示す。図６には、被蒸着基板１０４の下に蒸着マスク１０６が配置される状態が図示されている。この場合、蒸着マスク１０６は被蒸着基板１０４と蒸着源１１２（図２参照）との間に配置される。ここで、蒸着マスク１０６の互いに対向する主面（上面及び下面）のうち、蒸着時に被蒸着基板１０４に近い位置に配置される主面を上面（又は第１面）１４８、被蒸着基板１０４から遠い位置に配置される主面を下面（又は第２面）１５０と定義する。接続部１４４においても、互いに対向する主面のうち、蒸着時に被蒸着基板１０４に近い位置に配置される主面を上面（又は第１面）、被蒸着基板１０４から遠い位置に配置される主面を下面（又は第２面）と定義する。蒸着マスク１０６の上面１４８と接続部１４４の上面は同一平面に位置する。
【００３５】
一つの開口１４６に着目すると、開口１４６は上面１４８から下面１５０へ貫通する貫通孔である。開口１４６の側壁は、上面１４８側から下面１５０側に向かって第１側壁１５２ａ、第２側壁１５２ｂ、及び第３側壁１５２ｃに区分される。第１側壁１５２ａは上面１４８に対して角度θａで傾斜している。第２側壁１５２ｂは上面１４８及び下面１５０とおおよそ平行である。第３側壁１５２ｃは上面１４８及び下面１５０に対しておおよそ直交する。換言すれば、第２側壁１５２ｂと第３側壁１５２ｃとがなす角は、およそ９０°である。後述する蒸着マスク１０６の製造工程において、開口１４６の大きさのばらつきを低減させることを考慮すると、当該なす角は、８５°以上９０°以下であることが望ましい。上記の通り、上面１４８を水平面に置いたとき、水平方向に対して、第２側壁１５２ｂの角度は第１側壁１５２ａの角度θａより小さく、第３側壁１５２ｃの角度は第１側壁１５２ａの角度θａより大きい。なお、θａは６０°以上９０°未満、好ましくは７０°以上８０°以下である。
【００３６】
上記の構成を換言すると、第１側壁１５２ａは、開口１４６の上面１４８側の第１開口端１４７と第１点１５１との間の側壁である。第２側壁１５２ｂは、第１点１５１と第２点１５３との間の側壁である。第３側壁１５２ｃは、第２点１５３と開口１４６の下面１５０側の第２開口端１４９との間の側壁である。ここで、平面視において、第２点１５３は第１点１５１より外側にある。
【００３７】
図６に示す蒸着マスク１０６は、１つの層で構成される。つまり、蒸着マスク１０６は、上面１４８から下面１５０まで連続した同一部材である。ただし、蒸着マスク１０６は、２つ以上の層で構成されていてもよく、上面１４８から下面１５０まで連続した同一部材でなくてもよい。
【００３８】
第１側壁１５２ａ及び第３側壁１５２ｃの高さは任意に調整することができる。つまり、上面１４８を水平面に置いた場合の鉛直方向において、上面１４８から第２側壁１５２ｂまでの第１側壁１５２ａの高さＴａは、第２側壁１５２ｂから下面１５０までの第３側壁１５２ｃの高さＴｃと同じであってもよく、異なっていてもよい。後者の場合、高さＴａは高さＴｃよりも小さくても大きくてもよい。高さＴａは、１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上３μｍ以下である。高さＴｃは、２μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００３９】
第１開口端１４７から第２点１５３までの水平方向の幅Ｔｂも任意に調整することができる。幅Ｔｂは、１μｍ以上５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上４μｍ以下である。
【００４０】
平面視において、第２開口端１４９が、第１側壁１５２ａの延長線と下面１５０又は下面１５０の同一平面とが交差する位置よりも内側に存在すると、開口１４６によって露出された被蒸着基板１０４に対して、斜め方向から飛んでくる蒸気の一部が第２開口端１４９によって遮蔽されてしまう。したがって、平面視において、第２開口端１４９は、第１側壁１５２ａの延長線が下面１５０又は下面１５０の同一平面に交差する位置と同じ又はそれよりも外側に存在することが好ましい。
【００４１】
例えば、θａが約７５°の場合、以下の条件を満たすように設計することが好ましい。
・幅Ｔｂが約２μｍの場合
高さＴａが約２μｍ、高さＴｃが約５．５μｍであるとよい。
・幅Ｔｂが約３μｍの場合
高さＴａが約２μｍの場合は高さＴｃが９μｍ以下、高さＴａが約３μｍの場合は高さＴｃが８μｍ以下であるとよい。
・幅Ｔｂが約４μｍの場合
高さＴａが約２μｍの場合は高さＴｃが１２μｍ以下、高さＴａが約３μｍの場合は高さＴｃが１１μｍ以下であるとよい。
【００４２】
収納容器１２０に収納された材料がヒータ１２６によって加熱されて気化し、得られた蒸気が蒸着マスク１０６の開口１４６を通過した後に被蒸着基板１０４に到達し、固化、堆積する。これにより、材料の薄膜を蒸着領域に選択的に形成することができる。
【００４３】
上記の実施形態では、第２側壁１５２ｂがおおよそ水平であり、第３側壁１５２ｃがおおよそ鉛直である構成を例示したが、この構成に限定されない。後述するように、第２側壁１５２ｂが水平方向に対して有限の角度で傾斜していてもよく、第３側壁１５２ｃが水平方向に対して鋭角（つまり、鉛直よりも小さい角度）をなしていてもよい。
【００４４】
［蒸着マスク１０６の製造方法］
図７〜図１２を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク１０６の製造方法について説明する。図７〜図１２は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。
【００４５】
図７に示すように、剛性を有する基板３００（ベース基板ともいう）の上に、剥離層３０２、導電層３０４、及び金属層３０６（第１膜）をこの順で形成し、これらの上にレジストマスク３０８を形成する。本実施形態では、レジストマスク３０８は金属層３０６に接している。
【００４６】
基板３００として、ガラス基板、ステンレス基板、シリコン基板、及び石英基板などの剛性を有する基板が用いられる。例えば、基板３００の板厚は、３００μｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは５００μｍ以上２ｍｍ以下である。
【００４７】
剥離層３０２は、後の工程で基板３００と導電層３０４及び金属層３０６とを分離するための層である。剥離層３０２として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、及びシロキサン樹脂などの樹脂層が用いられる。剥離層３０２として樹脂層が用いられる場合、例えば剥離層３０２にレーザ照射を行うことで、基板３００と導電層３０４及び金属層３０６とを分離することができる。剥離層３０２として、樹脂層以外に金属層、酸化金属層、又は無機絶縁層などの無機層が用いられてもよい。
【００４８】
導電層３０４は、後の工程で蒸着マスク１０６を電鋳めっき法で形成する際のシード層として機能する層である。ただし、蒸着マスク１０６を電鋳めっき法以外の方法で形成する場合は、導電層３０４を省略することができる。導電層３０４は、例えば、電鋳めっき法におけるシード層として機能を担える公知の材料にて形成される。導電層３０４として、これらの材料が単層で用いられてもよく、積層で用いられてもよい。又は、導電層３０４として、これらの材料から選択された合金が用いられてもよい。導電層３０４の厚さは１μｍ以上１０μｍ以下の範囲で適宜調整することができる。なお、導電層３０４は後の工程で金属層３０６のエッチングの際にエッチングストッパとしても機能する。したがって、導電層３０４の表面に存在する材料のエッチングレートは、後述する金属層３０６のエッチングレートに比べて小さい。
【００４９】
金属層３０６（第１膜）は、後の工程でエッチングされ、蒸着マスク１０６の第１側壁１５２ａを形成するためのパターンを提供する。金属層３０６として、チタン、アルミニウム、タングステン、タンタル、及びモリブデンなどの材料が用いられる。金属層３０６として、これらの材料が単層で用いられてもよく、積層で用いられてもよい。又は、金属層３０６として、これらの材料から選択された合金が用いられてもよい。金属層３０６の厚さは、例えば２μｍ以上５μｍ以下の範囲で適宜調整することができる。金属層３０６の厚さによって、蒸着マスク１０６の第１側壁１５２ａの高さＴａが決まる。なお、本実施形態では、金属層３０６としてチタン＼アルミニウム＼チタンの構造体が用いられる。なお、金属層３０６の代わりに、例えば窒化シリコンなどの絶縁層が用いられてもよい。
【００５０】
レジストマスク３０８（マスク部材）は、金属層３０６をエッチングするためのマスクである。さらに、レジストマスク３０８は、蒸着マスク１０６の第３側壁１５２ｃを形成するためのパターンを提供する。レジストマスク３０８は、蒸着マスク１０６に開口１４６が設けられる位置に形成される。本実施形態では、レジストマスク３０８の側壁３０７は鉛直である。この側壁３０７の形状が第３側壁１５２ｃの形状を決める。レジストマスク３０８として、ネガ型又はポジ型のフォトレジストが用いられる。なお、本実施形態では、ネガ型のフォトレジストが用いられる。ポジ型のフォトレジストよりもネガ型のフォトレジストの方が、オーバー露光しても形状が安定する傾向がある、即ち露光、現像のマージンが広い傾向があるためである。レジストマスク３０８の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下の範囲で適宜調整することができる。レジストマスク３０８の厚さは、第３側壁１５２ｃの高さＴｃよりも大きくする必要がある。
【００５１】
図８に示すように、レジストマスク３０８をマスクとして金属層３０６をエッチングして、第１側壁形成パターン３１０（第１パターン）を形成する。このエッチングは、ドライエッチングによって行われる。このドライエッチングとして、等方性のドライエッチング条件が採用される。つまり、このドライエッチング条件は、金属層３０６をその膜厚方向にエッチングするだけでなくその横方向にもサイドエッチングする条件である。つまり、このドライエッチングによって、レジストマスク３０８の基板３００側の下面３０９が露出される。第１側壁形成パターン３１０は側壁３１２が水平方向に対して鈍角をなしている。つまり、第１側壁形成パターン３１０は逆テーパ形状のパターンである。金属層３０６を等方性のドライエッチング条件でエッチングすると、レジストマスク３０８から遠いほど横方向のエッチングが進むため、図８に示すように、第１側壁形成パターン３１０が逆テーパ形状のパターンになる。第１側壁形成パターン３１０を逆テーパ形状のパターンにするためには、例えばドライエッチング条件を、ラジカルによる化学反応性エッチングを促進し、反対にイオンアシストエッチングが少ない条件にすることが望ましい。
【００５２】
図９に示すように、第１側壁形成パターン３１０の側壁３１２、並びにレジストマスク３０８の側壁３０７及び下面３０９に接する蒸着マスク部材３１４を形成する。蒸着マスク部材３１４は電鋳めっき法によって形成される。つまり、蒸着マスク部材３１４は、導電層３０４に通電するめっき法で形成される。なお、図９では、蒸着マスク部材３１４がレジストマスク３０８の側壁３０７の途中の高さまで形成された製造方法を例示したが、この製造方法に限定されない。例えば、蒸着マスク部材３１４をレジストマスク３０８よりも高く形成し、所望の高さまで研磨又は研削してもよい。
【００５３】
図１０に示すように、レジストマスク３０８及び第１側壁形成パターン３１０を除去することで、開口１４６が設けられた蒸着マスク部材３１４にが形成される。第１側壁形成パターン３１０の側壁３１２に対応する箇所に第１側壁１５２ａが形成される。レジストマスク３０８の下面３０９に対応する箇所に第２側壁１５２ｂが形成される。レジストマスク３０８の側壁３０７に対応する箇所に第３側壁１５２ｃが形成される。つまり、第１側壁１５２ａ〜第３側壁１５２ｃの形状はレジストマスク３０８及び第１側壁形成パターン３１０の形状によって制御される。
【００５４】
図１１に示すように、蒸着マスク部材３１４の周辺部にフレーム１４２を接合し、電鋳めっき法によって接続部１４４を形成する。そして、基板３００を剥離層３０２から剥離する。
【００５５】
フレーム１４２の接合は、例えば、樹脂接着層又は金属接着層を用いて行う。金属接着層を用いて接合する場合、例えば亜鉛又はスズなどの融点が比較的低い金属若しくはその合金を含む金属と、数％（例えば、３％以上１０％以下、又は５％以上８％以下）のリンと、を含む金属接着層を用いることができる。このような金属接着層を介して蒸着マスク部材３１４とフレーム１４２とを加熱しながら加圧することで、両者を接合することができる。電鋳めっきは、接続部１４４を形成する以外の領域にレジストマスクを形成した状態で行われる。なお、フレーム１４２の接合は、上述の方法に限定されるものではない。
【００５６】
基板３００としてガラス基板又は石英基板が用いられる場合、基板３００の剥離は、例えば、基板３００の下方からレーザ光を照射することで行われる。基板３００の下方からレーザ光を照射すると、レーザ光は基板３００を透過し、剥離層３０２で吸収される。レーザ光によって剥離層３０２が発熱し、その熱エネルギーによって基板３００が剥離層３０２から剥離する。
【００５７】
図１２に示すように、剥離層３０２及び導電層３０４を蒸着マスク部材３１４から剥離することで、蒸着マスク１０６を得る。剥離層３０２及び導電層３０４の剥離は、物理的な外力によって行われてもよく、熱処理によって行われてもよい。剥離の代わりに、エッチングなどによって剥離層３０２及び導電層３０４を除去してもよい。
【００５８】
蒸着マスク１０６（蒸着マスク部材３１４）は基板３００に比べて薄く剛性が低いため、基板３００を蒸着マスク１０６から剥離する際に、剥離の衝撃で蒸着マスク１０６が破損する場合がある。しかし、上記のように２段階の剥離によって蒸着マスク１０６を形成することで、蒸着マスク１０６の破損を抑制することができる。
【００５９】
上記のように、第１側壁形成パターン３１０がドライエッチングによって形成されることで、微細な第１側壁形成パターン３１０を高い精度で形成することができる。それに伴い、蒸着マスク１０６の微細な開口１４６パターンを精度よく実現することができる。また、レジストマスク３０８及び第１側壁形成パターン３１０を型として電鋳めっきを行うことで、１つの層で蒸着マスク１０６を形成することができる。
【００６０】
なお、本実施形態では蒸着マスク部材３１４を電鋳めっき法によって形成する製造方法について説明したが、蒸着マスク部材３１４の形成は電鋳めっき法に限定されない。例えば、図８に示す状態の構造体に対して、蒸着マスク部材３１４となる材料を塗布法によって形成してもよい。また、剥離層３０２及び導電層３０４を蒸着マスク部材３１４から剥離しやすくするために、蒸着マスク部材３１４を形成する前に、導電層３０４の表面に対して、導電層３０４と蒸着マスク部材３１４との接着力を低下させる処理を行ってもよい。具体的には、導電層３０４の表面に電流が流れる程度の薄い水酸化層を形成してもよい。
【００６１】
〈第２実施形態〉
図１３〜図１５を用いて、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク及びその製造方法について説明する。第２実施形態に係る蒸着マスク１０６は、第１実施形態に係る蒸着マスク１０６と比較して開口１４６の形状が異なる。以下、第２実施形態の蒸着マスク１０６について、第１実施形態との相違点について説明する。
【００６２】
［蒸着マスク１０６の構成］
図１３は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。図１３に示すように、蒸着マスク１０６の上面１４８を水平面に置いたとき、第２側壁１５２ｂは水平ではなく水平方向に対して角度θｂで傾斜している。また、第３側壁１５２ｃは鉛直ではなく水平方向に対して角度θｃで傾斜している。ここで、角度θｂは角度θａより小さく、角度θｃは角度θａより大きい。角度θａ、θｂ、及びθｃはいずれも順テーパ形状である。
【００６３】
［蒸着マスク１０６の製造方法］
図１４及び図１５は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。図１４及び図１５の工程は、それぞれ第１実施形態における図７及び図８の工程に相当する。
【００６４】
図１４に示すように、レジストマスク３０８の側壁３０７は鉛直ではなく水平方向に対して鈍角に傾斜している。つまり、本実施形態のレジストマスク３０８は逆テーパ形状である。このレジストマスク３０８の形状はレジストマスク３０８のパターンを形成する際の露光条件によって調整することができる。
【００６５】
図１５に示すように、レジストマスク３０８をマスクとして金属層３０６をエッチングして第１側壁形成パターン３１０を形成する。このエッチングの際にドライエッチング条件を調整し、等方性の高い条件でエッチングすることによって、レジストマスク３０８の下面３０９をエッチングしながら金属層３０６をサイドエッチングする。このエッチングによって、下面３０９は水平方向に対して傾斜した形状になる。
【００６６】
図１５に示す構造体に対して、図９〜図１２に示すように、蒸着マスク部材３１４を形成し、レジストマスク３０８及び第１側壁形成パターン３１０を除去することで、図１３に示す蒸着マスク１０６を形成することができる。
【００６７】
〈第３実施形態〉
本実施形態では、第１及び第２実施形態で説明した蒸着マスク１０６を用いた薄膜形成法を応用した表示装置２００の製造方法について説明する。第３実施形態に係る表示装置２００として、それぞれ有機発光素子（以下、発光素子）を有する複数の画素が絶縁基板２０２上に形成された有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。なお第１及び第２実施形態で述べた内容については省略することがある。
【００６８】
［アレイ基板の構成］
図１６は、本発明の一実施形態に係る表示装置の上面図である。表示装置２００は絶縁基板２０２を有し、その上に複数の画素２０４及び画素２０４を駆動するための駆動回路２０６（ゲート側駆動回路２０６ａ、ソース側駆動回路２０６ｂ）が設けられている。絶縁基板２０２は、例えば、ガラス基板や樹脂基板である。複数の画素２０４は周期的に配置され、これらによって表示領域２０５が定義される。後述するように、各画素２０４には発光素子２６０が設けられる。
【００６９】
駆動回路２０６は、表示領域２０５の周囲の周辺領域に配置される。パターニングされた導電膜で形成される種々の配線（図示しない）が、表示領域２０５及び駆動回路２０６から絶縁基板２０２の一辺へ延び、絶縁基板２０２の端部付近で表面に露出されて端子２０７を形成する。これらの端子２０７は図示しないフレキシブル印刷回路基板（ＦＰＣ）と電気的に接続され、表示装置２００を駆動するための各種信号が端子２０７を介して駆動回路２０６及び画素２０４に入力される。図示しないが、駆動回路２０６とともに、あるいはその一部の替わりに集積回路を有する駆動ＩＣがさらに搭載されてもよい。
【００７０】
図１７は、隣接する二つの画素２０４（２０４ａ及び２０４ｂ）にわたる断面模式図である。各画素２０４には画素回路が形成される。画素回路の構成は任意であり、図１７では駆動トランジスタ２１０、保持容量２３０、付加容量２５０、及び発光素子２６０が示されている。
【００７１】
画素回路に含まれる各素子はアンダーコート２０８を介して絶縁基板２０２の上に設けられる。駆動トランジスタ２１０は、半導体膜２１２、ゲート絶縁膜２１４、ゲート電極２１６、ドレイン電極２２０、及びソース電極２２２を含む。ゲート電極２１６は、ゲート絶縁膜２１４を介して半導体膜２１２の少なくとも一部と交差するように配置される。半導体膜２１２は、ソース領域２１２ａ、ドレイン領域２１２ｂ、及びチャネル２１２ｃを有する。チャネル２１２ｃは、半導体膜２１２とゲート電極２１６とが重なる領域である。チャネル２１２ｃはソース領域２１２ａとドレイン領域２１２ｂとの間に設けられる。
【００７２】
容量電極２３２はゲート電極２１６と同一の層に存在し、ゲート絶縁膜２１４を介してソース領域２１２ａと重なる。ゲート電極２１６及び容量電極２３２の上には層間絶縁膜２１８が設けられる。層間絶縁膜２１８及びゲート絶縁膜２１４には、ドレイン領域２１２ｂ及びソース領域２１２ａに達する開口がそれぞれ形成され、これらの開口の内部にドレイン電極２２０及びソース電極２２２が配置される。ソース電極２２２は、層間絶縁膜２１８を介して容量電極２３２と重なる。ソース領域２１２ａ、容量電極２３２、及びそれらの間のゲート絶縁膜２１４、並びに容量電極２３２、ソース電極２２２、及びそれらの間の層間絶縁膜２１８によって保持容量２３０が形成される。
【００７３】
駆動トランジスタ２１０や保持容量２３０の上には平坦化膜２４０が設けられる。平坦化膜２４０は、ソース電極２２２に達する開口を有し、この開口と平坦化膜２４０の上面の一部を覆う接続電極２４２がソース電極２２２と接するように設けられる。平坦化膜２４０上には付加容量電極２５２が設けられ、接続電極２４２と付加容量電極２５２を覆うように容量絶縁膜２５４が形成される。容量絶縁膜２５４は、平坦化膜２４０の開口において接続電極２４２の一部を露出する。これにより、接続電極２４２を介し、発光素子２６０の画素電極２６２とソース電極２２２とが電気的に接続される。容量絶縁膜２５４には、その上に設けられる隔壁２５８と平坦化膜２４０の接触を許容するための開口２５６が設けられている。開口２５６を通して平坦化膜２４０中の不純物を除去することができ、これによって画素回路や発光素子２６０の信頼性を向上させることができる。なお、接続電極２４２や開口２５６の形成は任意である。
【００７４】
容量絶縁膜２５４の上には、接続電極２４２と付加容量電極２５２を覆うように、画素電極２６２が設けられる。容量絶縁膜２５４は付加容量電極２５２と画素電極２６２との間に配置され、この構造によって付加容量２５０が構成される。画素電極２６２は、付加容量２５０及び発光素子２６０によって共有される。画素電極２６２の上には、画素電極２６２の端部を覆う隔壁２５８が設けられる。絶縁基板２０２及びアンダーコート２０８から隔壁２５８までの構造をアレイ基板ということがある。アレイ基板の製造は、公知の材料や方法を適用することで行うことができるため、その説明は省略する。
【００７５】
［発光素子２６０の構成］
図１７に示すように、発光素子２６０は、画素電極２６２、ＥＬ層２６４、及び対向電極２７２を含む。ＥＬ層２６４及び対向電極２７２は、画素電極２６２及び隔壁２５８を覆うように設けられている。図１７に示す例では、ＥＬ層２６４は、ホール注入・輸送層２６６、発光層２６８（発光層２６８ａ、２６８ｂ）、及び電子注入・輸送層２７０を有している。ホール注入・輸送層２６６及び電子注入・輸送層２７０は全ての画素２０４に共通に設けられ、全ての画素２０４に共有される。同様に、対向電極２７２は複数の画素２０４を覆い、複数の画素２０４によって共有される。一方、発光層２６８は各画素２０４に対して個別に設けられている。
【００７６】
画素電極２６２及び対向電極２７２、並びにＥＬ層２６４の各々の構造及び材料としては、公知のものを適用することができる。例えばＥＬ層２６４は、上記の構成以外にホールブロック層、電子ブロック層、及び励起子ブロック層など、種々の機能層を有していてもよい。
【００７７】
ＥＬ層２６４の構造は、すべての画素２０４間で同一でも良く、隣接する画素２０４間で一部の構造が異なっていてもよい。例えば隣接する画素２０４間で発光層２６８の構造又は材料が異なり、他の層は同一の構造を有するよう、画素２０４が構成されていてもよい。
【００７８】
［発光素子２６０の形成方法］
ＥＬ層２６４及び対向電極２７２は、第１及び第２実施形態の蒸着マスク１０６を用いて形成することができる。以下、図１８Ａから図２１Ｂを用いてＥＬ層２６４及び対向電極２７２の形成方法を説明する。これらの図ではＥＬ層２６４及び対向電極２７２が隔壁２５８及び画素電極２６２の上に形成されている。しかし、ＥＬ層２６４及び対向電極２７２の蒸着時には、絶縁基板２０２の下に蒸着源１１２が配置され、蒸着領域が蒸着源１１２に面するように絶縁基板２０２が配置される。つまり、隔壁２５８や画素電極２６２が絶縁基板２０２よりもより蒸着源１１２に近くなるように配置される。
【００７９】
図１８Ａ及び図１８Ｂに示すように、アレイ基板上にホール注入・輸送層２６６を蒸着法を用いて形成する。ホール注入・輸送層２６６は全ての画素２０４によって共有されるため、ホール注入・輸送層２６６の蒸着に用いられる蒸着マスク１０６は、表示領域２０５全体と重なる一つの開口１４６を有する。詳細は省略するが、この開口１４６が表示領域２０５と重なるように蒸着マスク１０６をアレイ基板と蒸着源１１２の間に配置し、ホール注入・輸送層２６６に含まれる材料を蒸着源１１２において気化させることでホール注入・輸送層２６６が形成される。
【００８０】
次に、ホール注入・輸送層２６６の上に発光層２６８を形成する。フルカラー表示を行う場合、表示領域２０５には赤色に発光する画素２０４ａ、青色に発光する画素２０４ｂ、及び緑色に発光する画素２０４ｃがそれぞれ複数配置される。なお、画素２０４ａ、２０４ｂ、及び２０４ｃを特に区別しない場合、単に画素２０４という。画素２０４がマトリクス状に配列される場合、通常、発光色の異なる画素２０４が順に周期的に配列される。発光層２６８は発光色ごとに、異なる工程で形成される。例えば、赤色発光する画素２０４ａを形成する場合、図１９に示すように、蒸着マスク１０６の開口１４６が画素２０４ａと重なり、非開口部が画素２０４ｂ及び２０４ｃと重なるよう、蒸着マスク１０６が配置される。
【００８１】
このように、開口１４６が画素２０４ａと重なり、非開口部が他の画素２０４ｂ及び２０４ｃと重なる位置で、開口１４６が設けられた蒸着マスク１０６を、その上面１４８が下面１５０よりも絶縁基板２０２に近くなるように配置し（図１９及び図２０Ａ）、画素２０４ａの発光層２６８ａの材料を蒸着する。これにより、画素２０４ａの画素電極２６２の上に発光層２６８ａが選択的に形成される（図２０Ｂ）。なお、図２０Ａでは、蒸着時に蒸着マスク１０６がホール注入・輸送層２６６に接するように配置されているが、蒸着マスク１０６は隔壁２５８と接するように配置されてもよく、又は隔壁２５８やホール注入・輸送層２６６から離れて配置されてもよい。
【００８２】
次に、発光層２６８ａの形成と同様に、発光層２６８ｂが形成される。図２１Ａ及び図２１Ｂに示すように、開口１４６が画素２０４ｂと重なり、非開口部が他の画素２０４ａ及び２０４ｃと重なる位置で、蒸着マスク１０６を、その上面１４８が下面１５０よりも絶縁基板２０２に近くなるように配置し（図２１Ａ）、画素２０４ｂの発光層２６８ｂの材料を蒸着する。これにより、画素２０４ｂの画素電極２６２の上に発光層２６８ｂが選択的に形成される（図２１Ｂ）。画素２０４ｃ上における発光層２６８ｃの形成も同様の方法で行われる。
【００８３】
次に、電子注入・輸送層２７０及び対向電極２７２を形成する。電子注入・輸送層２７０及び対向電極２７２は全ての画素２０４によって共有されるため、ホール注入・輸送層２６６の蒸着と同様の蒸着マスク１０６を用いて形成することができる。これにより、図１７に示した構造を得ることができる。図示しないが、対向電極２７２の上には、発光層２６８からの光を調製する光学調整層及び偏光板、並びに発光素子２６０を保護するための保護膜及び対向基板が設けられてもよい。
【００８４】
第１実施形態で述べたように、本発明の実施形態に係る蒸着マスク１０６を用いることで、微細な発光層２６８のパターンを高い精度で形成することができる。これにより、微細な画素を実現することができ、表示装置を高精細化することができる。
【００８５】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８６】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００８７】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８８】
１０：蒸着装置、  １００：蒸着チャンバ、  １０２：ロードロック扉、  １０４：被蒸着基板、  １０６：蒸着マスク、  １０８：ホルダ、  １１０：移動機構、  １１２：蒸着源、  １１４：シャッタ、  １２０：収納容器、  １２２：加熱部、  １２４：蒸着ホルダ、  １２６：ヒータ、  １２８：金属板、  １３０：開口部、  １３２：ガイド板、  １４０：金属プレート、  １４２：フレーム、  １４４：接続部、  １４６：開口、  １４７：第１開口端、  １４８：上面、  １４９：第２開口端、  １５０：下面、  １５１：第１点、  １５２ａ：第１側壁、  １５２ｂ：第２側壁、  １５２ｃ：第３側壁、  １５３：第２点、  １６０ａ、１６０ｂ：臨界面、  ２００：表示装置、  ２０２：絶縁基板、  ２０４：画素、  ２０５：表示領域、  ２０６：駆動回路、  ２０７：端子、  ２０８：アンダーコート、  ２１０：駆動トランジスタ、  ２１２：半導体膜、  ２１２ａ：ソース領域、  ２１２ｂ：ドレイン領域、  ２１２ｃ：チャネル、  ２１４：ゲート絶縁膜、  ２１６：ゲート電極、  ２１８：層間絶縁膜、  ２２０：ドレイン電極、  ２２２：ソース電極、  ２３０：保持容量、  ２３２：容量電極、  ２４０：平坦化膜、  ２４２：接続電極、  ２５０：付加容量、  ２５２：付加容量電極、  ２５４：容量絶縁膜、  ２５６：開口、  ２５８：隔壁、  ２６０：発光素子、  ２６２：画素電極、  ２６４：ＥＬ層、  ２６６：ホール注入・輸送層、  ２６８：発光層、  ２７０：電子注入・輸送層、  ２７２：対向電極、  ３００：基板、  ３０２：剥離層、  ３０４：導電層、  ３０６：金属層、  ３０７：側壁、  ３０８：レジストマスク、  ３０９：下面、  ３１０：第１側壁形成パターン、  ３１２：側壁、  ３１４：蒸着マスク部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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