(57)【要約】【課題】Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥が少なく、かつ、Ｎｉ−Ｐめっき表面の膨れも少ないアルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法、ならびに、これを用いた磁気ディスクを提供する。【解決手段】所定の組成のアルミニウム合金からなるアルミニウム合金基材と、その表面に形成された無電解Ｎｉ−Ｐめっき層とを備え、前記アルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面において、３〜６μｍの最大径を有する化合物の存在密度が３００個／ｍｍ２以下であり、かつ、開口径を（Ｘ）μｍ及び深さを（Ｙ）μｍとしたときのＹ／Ｘが０．８〜３．０となる孔が半径位置に８０個／ｃｍ以上存在することを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金製の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスク。【選択図】図１
2019091515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００３〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％及びＢｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％を含有し、Ｃｒ：０．３０ｍａｓｓ％以下及びＭｎ：０．５０ｍａｓｓ％以下に規制され、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるアルミニウム合金基材と、当該アルミニウム合金基材の表面に形成された無電解Ｎｉ−Ｐめっき層とを備え、前記アルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面において、３〜６μｍの最大径を有する化合物の存在密度が３００個／ｍｍ２以下であり、かつ、開口径を（Ｘ）μｍ及び深さを（Ｙ）μｍとしたときのＹ／Ｘが０．８〜３．０となる孔が半径位置に８０個／ｃｍ以上存在することを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板。
【請求項２】
前記深さＹが１．０〜５．０μｍである、請求項１に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金の鋳造段階、熱間圧延段階及び冷間圧延段階をこの順序で含むアルミニウム合金板の調製工程と；当該アルミニウム合金板を円環状に打ち抜いた円環状アルミニウム合金板の加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階をこの順序で含むアルミニウム合金基材の調製工程と；当該アルミニウム合金基材のアルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階をこの順序で含むめっき前処理工程と；当該めっき前処理工程を実施したアルミニウム合金基材表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を実施する無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理工程と；を備え、前記切削・研削加工段階の後であってジンケート処理段階の前において、１０〜３０℃の１０〜６０ｍａｓｓ％のＨＮＯ３溶液であって１０〜８０ｇ／ＬのＨＦを含有するＨＮＯ３／ＨＦの混合溶液に前記アルミニウム合金基材を５〜６０秒浸漬する化合物除去工程を更に備えることを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項４】
前記鋳造段階と熱間圧延段階の間に均質化処理段階と、前記冷間圧延段階の前又は途中の焼鈍処理段階との一方、或いは、両方を更に備える、請求項３に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層上に磁性体層を備えることを特徴とする磁気ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板に関し、詳細には、めっきの密着力に優れ、かつ、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と膨れを低減したアルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金製の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータやデータセンターの記憶装置に用いられるアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、良好なめっき性を有すると共に機械的特性や加工性に優れる基板を用いて製造される。例えばＪＩＳ５０８６（３．５ｍａｓｓ％以上４．５ｍａｓｓ％以下のＭｇ、０．５０ｍａｓｓ％以下のＦｅ、０．４０ｍａｓｓ％以下のＳｉ、０．２０ｍａｓｓ％以上０．７０ｍａｓｓ％以下のＭｎ、０．０５ｍａｓｓ％以上０．２５ｍａｓｓ％以下のＣｒ、０．１０ｍａｓｓ％以下のＣｕ、０．１５ｍａｓｓ％以下のＴｉ、０．２５ｍａｓｓ％以下のＺｎ、残部Ａｌ及び不可避的不純物）からなるアルミニウム合金を基本とした基板から製造されている。
【０００３】
一般的なアルミニウム合金製の磁気ディスクは、まず円環状アルミニウム合金基板を作製し、このアルミニウム合金基板にめっきを施し、次いで、その表面に磁性体を付着させることにより製造されている。
【０００４】
例えば、前記ＪＩＳ５０８６合金からなるアルミニウム合金製の磁気ディスクは、以下の製造工程により製造される。まず、所望の化学成分としたアルミニウム合金を鋳造し、その鋳塊に均質化処理を施した後に熱間圧延し、次いで冷間圧延を施し、磁気ディスクとして必要な厚さを有する圧延材を作製する。この圧延材には、必要に応じて冷間圧延の途中等に焼鈍を施すことが好ましい。次に、この圧延材を円環状に打抜き、それまでの製造工程により生じた歪み等を除去するために、円環状に打抜いたアルミニウム合金板を積層し、上下の両面から加圧しつつ焼鈍を施して平坦化する加圧焼鈍を行うことにより、円環状のアルミニウム合金のディスクブランクが作製される。このようにして作製されたディスクブランクに、前処理として切削加工、研削加工、歪取り加熱加工を順次施すことにより、磁気ディスク用のアルミニウム合金基板が製造される。
【０００５】
次いで、このようにして製造された磁気ディスク用アルミニウム合金基板に、脱脂処理、エッチング処理、デスマット処理、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を順次施す。更に、下地処理として硬質非磁性金属であるＮｉ−Ｐを無電解めっきすることによって、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板が製造される。
【０００６】
最後に、Ｎｉ−Ｐ無電解めっき表面を研磨により平滑とした後に、磁性体をスパッタリングしてアルミニウム合金製の磁気ディスクが製造される。
【０００７】
ところで、近年では新しい記憶装置であるＳＳＤが登場し、特にノートＰＣではＨＤＤからＳＳＤへの置き換えが進みつつある。ＨＤＤは大容量化、高密度化、高速化を図り、記憶容量を年々増やしているデータセンター等への適用を進め、ＳＳＤに対抗している。ＨＤＤの大容量化には、記憶装置に搭載する磁気ディスクの枚数の増加、磁気ディスク１枚当たりの記憶容量の増加等の手法がある。無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面に、例えばピットのような欠陥が存在すると、欠陥周辺部を除外してデータの読み書きを行わなければならない。その結果、欠陥の数に比例して磁気ディスク１枚当たりの記憶容量が低下する。このように、磁気ディスク１枚当たりの記憶容量を増加させるためには、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥を低減することが必要不可欠である。
【０００８】
また、最近では磁気ディスクの表面品質の新たな課題として、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の微小膨れの防止が挙げられる。微小膨れが存在すると、読み取り部であるヘッドがその膨れ形状に追従できずに接触してしまい、読み書きが不可能となりＨＤＤの故障となる。特に高速化に伴う高速回転時に影響が大きいため、今後のＨＤＤの需要を伸ばすためには、微小膨れを解決することが必要不可欠である。
【０００９】
以上のような実情から、最近では無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と微小膨れの低減を同時に達成する事が強く望まれている。両課題を解決するためには、ＦｅやＳｉの含有量を低減することが効果的である。しかしながら、これら元素の低減はコスト増を避けることができず、また、含有量を低減することで例えば研削性の低下等の悪影響が無視できなくなる。よって、合金組成だけでは対策に限界があり、新たな手法の開発が必要である。
【００１０】
例えば特許文献１には、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の研磨工程を省くために、エッチング溶液を調整し、平滑な無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面が得られる技術が開示されている。また、特許文献２には、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程中の洗浄水に硫酸イオンを添加することで、めっき欠陥を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平５−２４７６５９号公報
【特許文献２】特許５８７２３２２号公報
【００１２】
しかしながら、特許文献１に開示されているアルミニウム合金基板では、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の研磨工程を省くことが目的の処理であり、現在の問題である微小な欠陥や膨れを解決できるものではない。また、特許文献２の技術は化合物を除去する技術ではないため、微小膨れに対する効果は無く、加えて化合物数が多くなった場合には全ての化合物の除去効果が期待できない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と膨れの発生を同時に抑制したアルミニウム合金製の磁気ディスク基板と及びその製造方法、ならびに、当該アルミニウム合金製の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、アルミニウム合金基材中の化合物と、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と膨れの関係及び化合物の除去性について鋭意研究を重ねた。その結果、化合物除去工程によりアルミニウム合金基材の化合物を除去することで、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥を低減し、化合物が除去された孔により無電解Ｎｉ−Ｐめっきの密着性が向上することで膨れが抑制できることを見出した。本発明者らは研究を重ねる中で、化合物数が多い場合であっても化合物除去工程により、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と膨れを抑制できることを更に見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
即ち、本発明は請求項１において、Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００３〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０ｍａｓｓ％及びＢｅ：０．００００１〜０．００２００ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．５００ｍａｓｓ％を含有し、Ｃｒ：０．３０ｍａｓｓ％以下及びＭｎ：０．５０ｍａｓｓ％以下に規制され、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるアルミニウム合金基材と、当該アルミニウム合金基材の表面に形成された無電解Ｎｉ−Ｐめっき層とを備え、前記アルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面において、３〜６μｍの最大径を有する化合物の存在密度が３００個／ｍｍ２以下であり、かつ、開口径を（Ｘ）μｍ及び深さを（Ｙ）μｍとしたときのＹ／Ｘが０．８〜３．０となる孔が半径位置に８０個／ｃｍ以上存在することを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板とした。
【００１６】
本発明は請求項２では請求項１において、前記深さＹが１．０〜５．０μｍであるものとした。
【００１７】
本発明は請求項３において、請求項１又は２に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法であって、前記アルミニウム合金の鋳造段階、熱間圧延段階及び冷間圧延段階をこの順序で含むアルミニウム合金板の調製工程と；当該アルミニウム合金板を円環状に打ち抜いた円環状アルミニウム合金板の加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階をこの順序で含むアルミニウム合金基材の調製工程と；当該アルミニウム合金基材のアルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階をこの順序で含むめっき前処理工程と；当該めっき前処理工程を実施したアルミニウム合金基材表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を実施する無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理工程と；を備え、前記切削・研削加工段階の後であってジンケート処理段階の前において、１０〜３０℃の１０〜６０ｍａｓｓ％のＨＮＯ３溶液であって１０〜８０ｇ／ＬのＨＦを含有するＨＮＯ３／ＨＦの混合溶液に前記アルミニウム合金基材を５〜６０秒浸漬する化合物除去工程を更に備えることを特徴とするアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法とした。
【００１８】
本発明は請求項４では請求項３において、前記鋳造段階と熱間圧延段階の間に均質化処理段階と、前記冷間圧延段階の前又は途中の焼鈍処理段階との一方、或いは、両方を更に備えるものとした。
【００１９】
本発明は請求項５において、請求項１又は２に記載のアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層上に磁性体層を備えることを特徴とする磁気ディスクとした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥と膨れが低減され、且つ、Ｆｅ及びＳｉの含有量について上限が緩和できるという特徴を有する。これにより、本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスクは、１枚当たりの記憶容量の増加と不良率の低減を可能とし、ＨＤＤの高容量化に寄与し、また安価に提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】アルミニウム合金製の磁気ディスク基板のめっき前処理及び無電解Ｎｉ−Ｐめっきの工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板（以下、単に「磁気ディスク基板」と記す場合がある）、化合物除去工程によって表面に存在する化合物を除去したアルミニウム合金基材の表面に無電解Ｎｉ−Ｐめっき層を設けたものであり、アルミニウム合金基材表面の化合物を除去したことにより、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面における欠陥の発生が抑制され、同時に化合物除去に伴って所定の構造を有する孔が形成されることで無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面における膨れの発生を抑制することを可能とするものである。以下に、これらについての効果と詳細なメカニズムについて説明する。なお、以下において、「無電解Ｎｉ−Ｐめっき」を単に「Ｎｉ−Ｐめっき」と記す場合がある。
【００２３】
１．アルミニウム合金基材表面の化合物
めっき表面の欠陥は、アルミニウム合金基材の溶解と関連する。アルミニウム合金基材の溶解は、後述する無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の工程において、化合物と化合物周辺の母相との電池反応が原因となる。アルミニウム合金基材表面に存在するＡｌ−Ｆｅ系化合物及びＡｌ−Ｓｉ系化合物は、母相よりも電位が貴である。即ち、これらの化合物がカソードサイトとなり、化合物周辺の母相がアノードサイトとなる局部電池が形成される。このような局部電池の反応が無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程中に発生すると、めっき表面の欠陥となる。無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程中にアルミニウム合金基材が露出していると、局部電池反応により化合物周辺の母相の溶解が進行し、局部的なガス発生が連続的に起こることにより、アルミニウム合金基材からＮｉ−Ｐめっき表面まで延びるアスペクト比の大きいめっき表面の欠陥となる。
【００２４】
アルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面に存在する化合物の最大径が３μｍ未満の場合は、カソードサイトとして機能するには十分な大きさではなく、局部電池反応の速度は小さい。よって、化合物周辺の母相の溶解を進行させ、局部的なガス発生が連続的に起こることによるアスペクト比の大きいめっき表面の欠陥を形成するには至らない。一方、化合物の最大径が６μｍを超える場合は、カソードサイトとして機能するのに十分な大きさであり、化合物と母相との局部電池反応の速度が大きく化合物周辺の母相の溶解が進行するが、前記化合物除去工程を設けることにより、このような大きな最大径を有する化合物は容易に除去される。このようなことから、上記化合物は、最大径３〜６μｍのものを対象とする。なお、本発明で規定する最大径とは、金属間化合物の平面画像において、まず、輪郭線上における一点と輪郭線上の他の点との距離の最大値を計測し、次に、この最大値を輪郭線上における全ての点について計測し、最後に、これら全最大値のうちから選択される最も大きなものによって定義されるものである。
【００２５】
このような最大径３〜６μｍの化合物の存在密度が３００個／ｍｍ２以下であれば、アルミニウム合金基材として適用することに問題はない。この存在密度は、好ましくは１５０個／ｍｍ２以下である。なお、この存在密度の下限値は特に限定されるものではないが、用いるアルミニウム合金の組成や製造方法に依存する。存在密度は小さいほどよいが、約８０個／ｍｍ２が下限値となる。
【００２６】
２．アルミニウム合金基材表面の凹凸
例えば後述の化合物除去工程において、化合物が除去されるとアルミニウム合金基材の表面には孔が形成される。形成された孔の内部においても、ジンケート皮膜が生成すればＮｉ−Ｐが析出しめっきとなる。このような孔の内部にめっきが施されると、通常、アンカー効果によりめっきとアルミニウム合金基材との密着性が向上し、これは磁気ディスク基板においても同様である。磁気ディスク基板では、Ｎｉ−Ｐめっきとアルミニウム合金基材との密着性が高ければ膨れ欠陥を抑制することができるため、アンカー効果を高めることが効果的である。
【００２７】
本発明では、アルミニウム合金基材表面の孔については、上述のようにＮｉ−Ｐめっきのアンカー効果が作用するので、アルミニウム合金基材とＮｉ−Ｐめっき層との界面における構造と存在密度を規定するものである。前述の通り、孔の内部にもめっきが施されている必要があることから、めっき後において孔内部にもめっきが施されていることを断面から確認する必要がある。この時、半径位置において単位長さ当たりの孔の個数を定義すればよい。すなわち、前記アルミニウム合金基材のＮｉ−Ｐめっき層側の表面における半径位置に存在する開口径（Ｘ）μｍと深さ（Ｙ）μｍの関係Ｙ／Ｘが０．８〜３．０である孔が、８０個／ｃｍ以上存在するものと規定する。なお、本発明で規定するアルミニウム合金基材のＮｉ−Ｐめっき層側の表面における半径位置とは、円盤状のアルミニウム合金基材の円中心を通り、かつ厚さ方向に沿った断面において、円中心から一方の円周端部にわたって延出する、アルミニウム合金基材のＮｉ−Ｐめっき層側の表面として定義される。また、本発明で規定する開口径（Ｘ）とは、上記断面において測定される各孔の最大幅によって定義されるものである。また、本発明で規定する深さ（Ｙ）とは、上記断面において測定される各孔における最大深さによって定義されるものである。
【００２８】
Ｙ／Ｘの値が０．８未満の場合は、上記アンカー効果が十分に発現しない。一方、Ｙ／Ｘの値が３．０を超えると、孔の底部においてジンケート反応が進行せず、その結果、ジンケート皮膜が形成されないことによりＮｉ−Ｐめっきが析出せず、孔の底部に空洞が形成されることになる。このような空洞が存在すると、加熱された際に膨張してＮｉ−Ｐめっき表面が膨れることになる。従って、Ｙ／Ｘは０．８〜３．０の範囲とし、好ましくは
１．０〜２．５の範囲とする。
【００２９】
なお、Ｙについては、１．０μｍ未満の場合は浅いためアンカー効果の発現には十分でないために、また、５．０μｍを超える場合は、深いため孔内部のめっきの析出が不均一となり空洞が発生し膨れの原因となるために、上記Ｙ／Ｘの関係を満たしていても十分なアンカー効果が得られない場合がある。したがって、Ｙは１．０〜５．０μｍの範囲とするのが好ましい。
【００３０】
また、上記の半径位置に存在するＹ／Ｘが０．８〜３．０である孔の存在密度は、好ましくは１２０個／ｃｍ以上である。この存在密度が８０個／ｃｍ未満の場合は、上記アンカー効果によるめっきとアルミニウム合金基材との十分な密着性が得られない。なお、この存在密度の上限値は特に規定するものではない。
【００３１】
３．アルミニウム合金基材の合金組成
本発明で用いるアルミニウム合金基材は、Ｍｇ：２．５〜１０．０ｍａｓｓ％（以下、単に「％」と略記する）、Ｃｕ：０．００３〜０．２００％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０％及びＢｅ：０．００００１〜０．００２００％、Ｓｉ：０．０００５〜０．５００％、Ｆｅ：０．０００５〜０．５００％を含有し、Ｃｒ：０．３０％以下及びＭｎ：０．５０％以下に規制され、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。
【００３２】
Ｍｇ：２．５〜１０．０％
Ｍｇは、主としてアルミニウム合金基材の強度を向上させる効果を有する。また、Ｍｇは、ジンケート処理時のジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させる作用を奏するので、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しＮｉ−Ｐめっき表面の平滑性を向上させる。Ｍｇ含有量は、２．０〜１０．０ｍａｓｓ％と規定する。Ｍｇ含有量が２．５％未満では強度が不十分であり、１０．０％を超えると圧延が困難となり工業的に生産できない。好ましいＭｇ含有量は、強度と製造の容易さの兼合いから４．０〜６．０％である。
【００３３】
Ｃｕ：０．００３〜０．２００％
Ｃｕはジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しＮｉ−Ｐめっき表面の平滑性が向上する。Ｃｕ含有量は、０．００３〜０．２００％と規定する。Ｃｕ含有量が０．００３％未満では上記効果が十分に得られない。一方、Ｃｕ含有量が０．２００％を超えると母相の電位が貴になり、化合物除去工程において化合物と母相との電位差が小さくなることで、局部電池反応の速度が小さくなり、母相の溶解が進行せず大きな化合物の除去が困難となる。好ましいＣｕ含有量は、０．０１０〜０．１００％である。
【００３４】
Ｚｎ：０．０５〜０．６０％
ＺｎはＣｕと同様にジンケート皮膜を均一に、薄く、緻密に付着させる効果を有する。その結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程において、めっき表面の欠陥の発生を抑制しＮｉ−Ｐめっき表面の平滑性が向上する。Ｚｎ含有量は、０．０５〜０．６０％と規定する。Ｚｎ含有量が、０．０５％未満では上記効果が十分に得られない。一方、Ｚｎ含有量が０．６０％を超えると、母相の電位が卑になり、化合物除去工程において化合物と母相との電位差が大きくなり過ぎることで、局部電池反応の速度が大きくなり、母相の溶解が進行し過ぎることに加え全面溶解が進行するために、形成する孔が深くならず前記関係式を満足できなくなる。好ましいＺｎ含有量は、０．１０〜０．３５％である。
【００３５】
Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００％
Ｂｅは鋳造時に、Ｍｇの溶湯酸化を抑制する効果を有する。しかしながら、ＢｅはＡｌよりも電位が卑な金属であるため、アルミニウム合金基材表面にＢｅ濃縮相が形成されると、Ｂｅ濃縮相とマトリクスとで局部電池が形成される。その結果、Ｂｅ濃縮相が溶解することでＮｉ−Ｐの置換反応が不均一となり、局部的なガス発生が連続的に起こることによりめっき表面の欠陥が発生する。Ｂｅ含有量は、０．００００１〜０．００２００％と規定する。Ｂｅ含有量が０．００００１％未満では、鋳造時にＭｇの溶湯酸化を抑制する効果が十分得られず鋳造が困難となる。一方、Ｂｅ含有量が０．００２００％を超えると、Ｂｅ濃縮相が多量に形成され、めっき表面の欠陥が発生する原因となる。好ましいＢｅ含有量は０．００００３〜０．００１００％である。
【００３６】
Ｃｒ：０．３０％以下
Ｃｒは鋳造時に微細なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与する。また、切削性と研削性を高め、更に再結晶組織を微細にして、めっき層の密着性を向上させる効果を有する。Ｃｒ含有量は、０．３０％以下に規制する。Ｃｒ含有量が０．３０％を超えると、鋳造時において過剰分が晶出すると同時に粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成する。そして、晶出した過剰分がジンケート処理時における反応の不均一性を招き、めっき表面における欠陥発生の原因となる。好ましいＣｒ含有量は、０．２０％以下である。
【００３７】
Ｓｉ：０．００１〜０．５００％
ＳｉはＡｌと結合し、めっき表面における欠陥発生の原因となるＡｌ−Ｓｉ系金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にＳｉが含有されることは好ましくないが、本発明の化合物除去工程を適用することで除去可能である。しかしながら、Ｓｉ含有量が０．５００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｓｉ系金属間化合物が生成され、切削加工及び研削加工に悪影響を及ぼす。一方、Ｓｉ含有量が０．００１％未満では、製造コストが高額となり工業的な製造が困難となる。従って、Ｓｉ含有量を０．００１〜０．５００％と規定する。Ｓｉ含有量は、０．０１０〜０．２００％とするのが好ましい。
【００３８】
Ｆｅ：０．００１〜０．５００％
ＦｅはＡｌと結合し、めっき表面における欠陥発生の原因となるＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にＦｅが含有されることは好ましくない。しかし、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物は砥石の目詰りを抑制するドレッシング効果を有するため、研削加工速度を向上させる効果がある。従って、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物を分散させておくことで、研削加工速度を向上させ、研削加工後に本発明の化合物除去工程によりＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物を除去すれば、この金属間化合物の悪影響を排除することができる。しかしながら、Ｆｅ含有量が０．５００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が生成してしまい、この化合物が除去されることで形成される孔は、Ｎｉ−Ｐめっきで埋めきれず、めっき表面の欠陥となる。一方、Ｆｅ含有量が０．００１％未満では、製造コストが高額となり工業的な製造が困難となる。また、研削性が確保できなくなる。従って、Ｆｅ含有量を０．００１〜０．５００％と規定する。Ｆｅ含有量は、０．０１０〜０．２００％とするのが好ましい。
【００３９】
Ｍｎ：０．５０％以下
Ｍｎは、アルミニウム合金基材中に析出するＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物及びＡｌ−Ｓｉ系金属間化合物を、それぞれＡｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系金属間化合物及びＡｌ−Ｓｉ−Ｍｎ系金属間化合物として析出させる。これら金属間化合物は母相との電位差が小さいため、Ｎｉ−Ｐめっき工程中の局部電池反応により形成される、アスペクト比の大きいめっき欠陥の発生を抑制する。また、これら化合物と母相との電位差は化合物除去工程中の反応には影響しない程度である。Ｍｎ含有量が０．５０％を超えると、粗大な上記金属間化合物が生成してしまい、この化合物が除去されることで形成される孔は、Ｎｉ−Ｐめっきで埋めきれずめっき表面の欠陥となる。従って、Ｍｎ含有量を０．５０％以下に規制する。Ｍｎ含有量は、０．３５％未満に規制するのが好ましく、０％であっても良い。
【００４０】
その他の元素
本発明の実施形態に係るアルミニウム合金基材の残部は、Ａｌと不可避的不純物とからなる。不可避的不純物としては、Ｐｂ、Ｇａ、Ｓｎなどが挙げられ、各々が０．１％未満で、且つ、合計で０．２％未満であれば、本発明で用いるアルミニウム合金基材としての特性を損なうことはない。
【００４１】
４．無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理
アルミニウム合金製の磁気ディスク基板におけるめっき前処理の工程を、図１に示す。段階−０の処理前サンプルは、アルミニウム合金基材の円環状ディスクブランクに加圧平坦化焼鈍を施し、次いで、切削加工・研削加工を施し、更に、歪取り加熱処理を施した状態のものである。この処理前サンプルでは表面に汚れが付着し、また、サンプル毎に酸化皮膜の厚さが異なっている。
【００４２】
次に、段階−１のアルカリ脱脂処理の段階において、材料表面に付着している汚れを除去する。段階−２の酸エッチング処理の段階では、アルミニウム合金基材の表面の酸化皮膜を除去する。段階−３のデスマット処理の段階では、アルミニウム合金基材の表面に薄い酸化皮膜を生成させ、サンプル毎における酸化皮膜の厚さをほぼ一定にする。ここまでの段階により、各アルミニウム合金基材の表面を一律に調整する。
【００４３】
次に、段階−４の１ｓｔジンケートの段階では、微細なＦｅをアルミニウム合金基材の表面に析出させた後に、Ｆｅとアルミニウム合金基材との電池反応によりアルミニウム合金基材を溶解し、置換反応によりＺｎを析出させる（ジンケート皮膜）。段階−５のＺｎ剥離の段階では、段階−４で析出させたＺｎを溶解させてＦｅを残存させる。段階−６の２ｎｄジンケートの段階では、１ｓｔジンケートの段階と同じ反応が生起するが、Ｆｅが再度析出することで電池反応の起点が増え、それによって、析出するＺｎは微細になり均一なジンケート皮膜が形成される。最後の工程−７の無電解Ｎｉ−Ｐめっきの工程において、アルミニウム合金基材の表面のＺｎとＮｉ−Ｐの置換反応が最初に進行し、表面がＮｉ−Ｐで覆われると自己触媒反応によりＮｉ−Ｐ上にＮｉ−Ｐが析出する。
【００４４】
５．化合物除去工程
上記段階−２の酸エッチング段階では、アルミニウム合金基板の表面の酸化皮膜を除去し、母相を少量溶解する程度のエッチング力しか発揮されない。Ｆｅ及びＳｉの添加量が極めて少ない従来のアルミニウム合金基材では、化合物は小さく、かつ、存在密度が低いために、このような酸エッチング段階で化合物を除去していれば、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥や膨れの問題は発生しなかった。
【００４５】
しかしながら、最近ではディスク表面検査器の高精度化に伴い、これまで検出することができなかった欠陥や膨れを検出することが可能となったことで、高容量化等の磁気ディスクの性能の向上が進んでいる。従って、前記エッチング工程だけでは化合物除去が不十分であり、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥を低減するためには、アルミニウム合金基材の表面に残存する化合物を少なくする必要があるため、化合物除去工程を備える必要がある。ここで、本発明でいう化合物とは、Ａｌ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎなどの金属間化合物をいう。
【００４６】
化合物除去工程では、アルミニウム合金基材の表面に残存する化合物を薬液によって除去する。使用する薬液としては、１０〜３０℃の１０〜６０ｍａｓｓ％（以下、「％」と略記する）のＨＮＯ３溶液であって１０〜８０ｇ／ＬのＨＦを含有するＨＮＯ３／ＨＦの混合溶液（以下、単に「混合溶液」と略記する）が用いられる。この混合溶液は、エッチング力が強く特に化合物周辺のアルミニウム合金基材の溶解速度を大きくする。化合物周辺のアルミニウム合金基材が溶解することで化合物が除去され、アルミニウム合金基材の表面の化合物のみを選択的に除去することができる。
【００４７】
上記混合溶液において、ＨＦの濃度が１０ｇ／Ｌ未満、ならびに、ＨＮＯ３の濃度が１０％未満の場合は、エッチング力が弱くアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、ＨＦの濃度が８０ｇ／Ｌを超え、ならびに、ＨＮＯ３の濃度が６０％を超える場合は、エッチング力が強過ぎアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行する。その結果、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなり、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の平滑性が得られない。ＨＦ濃度は、好ましくは２０〜６０ｇ／Ｌであり、ＨＮＯ３濃度は、好ましくは２５〜５０％である。
【００４８】
また、混合溶液の温度は１０〜３０℃とする。１０℃未満では反応速度が遅くアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、３０℃を超えると反応速度が速過ぎてアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行することで、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなる。混合溶液の温度は、好ましくは１５〜２５℃である。更に、化合物除去工程における処理時間は５〜６０秒とする。５秒未満では反応時間が短過ぎてアルミニウム合金基材表面の化合物を十分に除去できない。一方、６０秒を超えると反応時間が長過ぎてアルミニウム合金基材の母相の溶解が進行することで、アルミニウム合金基材表面の凹凸が大きくなる。処理時間は、好ましくは１０〜３０秒である。
【００４９】
化合物除去工程は、前記切削・研削加工の段階の後であってジンケート処理段階の前において実施される。例えば、図１における前記１ｓｔジンケート段階の前であって、前記段階−３のデスマット段階の後に実施しても良く、又は、このデスマット段階に代えて実施しても良い。更に、例えば、前記切削・研削加工の段階の後から前記段階−１のアルカリ脱脂処理段階の前までに実施しても良い。この場合には、化合物除去工程の前に前記段階−２の酸エッチング段階と同じ段階を設けることで、アルミニウム合金基材表面の酸化皮膜を除去しても良い。
【００５０】
６．磁気ディスク基板及び磁気ディスクの製造方法
次に、本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板の製造方法について説明する。本発明に係るアルミニウム合金製の磁気ディスク基板は、まず、所定の合金組成となるように調整した溶湯を鋳造し、任意の均質化処理段階、熱間圧延段階、冷間圧延段階及び任意の焼鈍段階含む工程を施すことによりアルミニウム合金板を作製する。次いで、これを円環状に打ち抜いて円環状のアルミニウム合金板とし、これに、加圧平坦化焼鈍段階、切削・研削加工段階及び歪取り加熱処理段階を含む工程を施すことにより磁気ディスク用のアルミニウム合金基材を作製する。次いで、これに、アルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階及びジンケート処理段階を含むめっき前処理の工程を施す。更に、めっき前処理したアルミニウム合金基材表面に、下地めっき処理として無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理の工程を施して、アルミニウム合金製の磁気ディスク基板が得られる。以下に、各工程について詳細に説明する。
【００５１】
６−１．鋳造段階
まず、所定の合金組成範囲となるようにアルミニウム合金溶湯を常法にしたがって加熱・溶融することによって調製する。このようにして調製したアルミニウム合金溶湯を、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法などの常法に従って鋳造する。鋳造時の冷却速度は、好ましくは０．１〜１０００℃／ｓの範囲である。
【００５２】
６−２．均質化処理段階
次に、鋳造されたアルミニウム合金に必要に応じて均質化処理を実施する。均質化処理の条件は特に限定されるものではなく、例えば４５０℃以上で０．５時間以上の１段加熱処理を用いることができる。均質化処理時の加熱温度の上限は特に限定されるものではないが、６５０℃を超えるとアルミニウム合金の溶融が発生する虞があるため、上限は６５０℃とする。
【００５３】
６−３．熱間圧延段階
均質化処理を施した、又は施さないアルミニウム合金の鋳塊は、熱間圧延によって板材に加工する。熱間圧延工程では、均質化処理を行っている場合は熱間圧延開始温度を３００〜５５０℃とするのが好ましく、熱間圧延終了温度については３８０℃未満とするのが好ましく、３００℃以下とするのがより好ましい。熱間圧延終了温度の下限は特に限定されるものではないが、耳割れ等の不具合の発生を防止するため下限は１００℃とする。一方、均質化処理を行っていない場合は熱間圧延開始温度を３８０℃未満とするのが好ましく、３５０℃未満とするのがより好ましい。熱間圧延終了温度については特に限定されるものではないが、耳割れ等の不具合の発生を防止するため下限は１００℃とする。
【００５４】
６−４．冷間圧延段階
次いで、熱間圧延板を冷間圧延によって０．４５〜１．８ｍｍ程度の冷間圧延板に加工する。このように、熱間圧延板を冷間圧延によって所要の製品板厚に仕上げる。冷間圧延段階の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めれば良く、圧延率については１０〜９５％とするのが好ましい。冷間圧延の前又は冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために焼鈍処理段階を設けても良い。焼鈍処理を実施する場合には、例えばバッチ式焼鈍では２００℃以上４５０℃未満の温度で０．１〜１０時間の条件で行うことが好ましい。一方、連続式の焼鈍では、４００〜５００℃で０〜６０秒間保持の条件で行うのが好ましく、４５０〜５００℃で０〜３０秒間保持の条件で行うのがより好ましい。この場合の０秒とは、所望の焼鈍温度に達した後、直ちに冷却することを意味する。
【００５５】
６−５．磁気ディスク基板の製造
上記のようにして作製したアルミニウム合金板を円環状に打ち抜いて、円環状のアルミニウム合金板を調製する。次いで、この円環状のアルミニウム合金板に２５０〜４５０℃、３０分以上の加圧平坦化焼鈍段階を実施して、平坦化したディスクブランクを調製する。次いで、平坦化したディスクブランクに、切削・研削加工段階、ならびに、好ましくは２５０〜４００℃の温度で５〜３０分の条件での歪取り加熱処理段階からなる加工処理工程をこの順序で施す。このようにして、磁気ディスク用のアルミニウム合金基材が調製される。
【００５６】
次に、この磁気ディスク用のアルミニウム合金基材に、めっき前処理として、アルカリ脱脂処理段階、酸エッチング処理段階、デスマット処理段階、ジンケート処理段階をこの順序で実施する。
【００５７】
脱脂処理段階は市販のＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）脱脂液等を用い、温度４０〜７０℃、処理時間３〜１０分、濃度２００〜８００ｍＬ／Ｌの条件で脱脂を行うことが好ましい。酸エッチング処理段階は、市販のＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）エッチング液等を用い、温度５０〜７５℃、処理時間０．５〜５分、濃度２０〜１００ｍＬ／Ｌの条件で酸エッチングを行うことが好ましい。酸エッチング処理の後、化合物除去工程が既に適用された場合では、通常のデスマット処理として、ＨＮＯ３を用い、温度１５〜４０℃、処理時間１０〜１２０秒、濃度：１０〜６０％の条件でデスマット処理を行うことが好ましい。化合物除去工程が適用されていない場合には、デスマット処理に代えて、又は、これに加えて上述の化合物除去処理を実施しても良い。
【００５８】
１ｓｔジンケート処理段階は市販のＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘ（上村工業製）のジンケート処理液等を用い、温度１０〜３５℃、処理時間０．１〜５分、濃度１００〜５００ｍＬ／Ｌの条件で行うことが好ましい。１ｓｔジンケート処理段階の後、ＨＮＯ３を用い、温度１５〜４０℃、処理時間１０〜１２０秒、濃度：１０〜６０％の条件でＺｎ剥離処理を行うことが好ましい。その後、１ｓｔジンケート処理と同じ条件で２ｎｄジンケート処理段階を実施する。２ｎｄジンケート処理したアルミニウム合金基材表面に、下地めっき処理として無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理工程が施される。無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理は、市販のニムデンＨＤＸ（上村工業製）めっき液等を用い、温度８０〜９５℃、処理時間３０〜１８０分、Ｎｉ濃度３〜１０ｇ／Ｌの条件でめっき処理を行うことが好ましい。
【００５９】
上記のめっき前処理工程と無電解でのＮｉ−Ｐめっき処理工程によって、下地めっき処理した磁気ディスク基板が得られる。
【００６０】
７．磁気ディスクの製造
最後に、下地めっき処理した磁気ディスク基板の表面を研磨により平滑し、表面に下地層、磁性層、保護膜及び潤滑層等からなる磁性媒体をスパッタリングにより付着させ磁気ディスクとする。
【実施例】
【００６１】
以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６２】
まず、表１に示す成分組成の各アルミニウム合金を常法に従って溶解し、アルミニウム合金溶湯を溶製した。次に、アルミニウム合金溶湯をＤＣ鋳造法により鋳造し鋳塊を作製した。上記鋳塊の両面１５ｍｍを面削し５２０℃で１時間の均質化処理を施した。次に、熱間圧延開始温度４６０℃、熱間圧延終了温度２８０℃で熱間圧延を行ない、板厚３．０ｍｍの熱間圧延板とした。熱間圧延板は中間焼鈍を行なわずに冷間圧延（圧延率７３．３％）により板厚０．８ｍｍまで圧延して最終圧延板とした。このようにして得たアルミニウム合金板を外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状に打抜き、円環状アルミニウム合金板を作製した。
【００６３】
【表１】
2019091515.tif 000003
【００６４】
上記のようにして得た円環状アルミニウム合金板に、１．５ＭＰａの圧力下において３００℃で３時間の加圧平坦化焼鈍を施しディスクブランクとした。このディスクブランクの端面に切削加工を施して外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍとした。更に、表面を１０μｍ研削する研削加工を行い、３５０℃で１０分間の歪取り加熱処理を行なった。
【００６５】
その後、歪取り加熱処理を行なったアルミニウム合金基材に、表２に示す条件で無電解Ｎｉ−Ｐめっきまで処理を実施した。最後に羽布により仕上げ研磨（研磨量４μｍ）を行い磁気ディスク基板の評価用サンプルとした。表２において、工程Ｎｏ．Ｃ１〜Ｃ９及びＤ１〜Ｄ８では、アルカリ脱脂処理段階の前に化合物処理工程を設けた。一方、工程Ｎｏ．Ｃ１０〜Ｃ１８及びＤ９〜Ｄ１６では、１Ｓｔジンケート処理段階の前であってデスマット処理段階の後に化合物処理工程を設けた。Ｄ１７では、化合物処理工程を実施しなかった。
【００６６】
【表２】
2019091515.tif 000004
【００６７】
上記のようにして作製した評価用サンプルを用いて以下の評価を行った。
評価１：アルミニウム合金基材表面の化合物密度
化合物除去工程後のサンプルを短冊状に切り出し、サンプル表面を上面からＳＥＭにより倍率を５００倍として組成像で１５視野撮影を行なった（１視野の面積は５３６００μｍ２とした）。測定した写真について、画像解析ソフトである「Ａ像くん」により、化合物の最大径と個数を測定し、１ｍｍ２当たりの個数として密度を算出した。１５視野の算術平均値をもって、測定密度とした。結果を表３〜５に示す。
【００６８】
【表３】
2019091515.tif 000005
【００６９】
【表４】
2019091515.tif 000006
【００７０】
【表５】
2019091515.tif 000007
【００７１】
評価２：断面観察によるアルミニウム合金基材のＮｉ−Ｐめっき層側の表面における孔の形状と密度
上記の磁気ディスク基板の評価用サンプルを樹脂埋めし、断面観察用の樹脂サンプルを作製した。樹脂サンプルを鏡面研磨し、ＳＥＭによりアルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面における半径位置の断面観察サンプルを得た。断面観察は、５０００倍の二次電子像で１０視野撮影した（１視野の面積は５３６μｍ２とした）。撮影した各視野の画像について、アルミニウム合金基材の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層側の表面における半径位置に存在する孔の開口径と深さを測定した。次いで、上記関係式を満足する孔の個数をカウントし、１ｍｍ当たりの個数として存在密度を算出した。１０視野の算術平均値をもって、測定存在密度とした。結果を表３〜５に示す。
【００７２】
評価３：めっき平滑性（欠陥）
評価用サンプルを５０℃の５０ｖｏｌ％硝酸に３分間浸漬して、Ｎｉ−Ｐめっき表面をエッチングした。エッチング後のＮｉ−Ｐめっき表面を、ＳＥＭを用いて５０００倍の倍率で５視野撮影した（１視野の面積は５３６μｍ２とした）。５視野撮影した画像からめっき欠陥数を測定し、５視野の算術平均値を求めた。この算術平均値が、５個未満／視野を◎、５個以上１０個未満／視野を○、１０個以上／視野を×とした。◎と○を合格とし、×を不合格とした。結果を表３〜５に示す。
【００７３】
評価４：めっき平滑性（膨れ）
評価用サンプルを切り出し、ＡＦＭ（ＪＥＯＬ製：ＪＳＰＭ−５２００）を用いて表面形状を測定した。任意で５箇所の測定を実施し（１箇所の面積は６２５μｍ２とした）、１０ｎｍを超える凸部の個数を各箇所でカウントした。この個数の５箇所の算術平均を求め、０個を◎、１個以上５個未満を○、５個以上を×とした。◎と○を合格とし、×を不合格とした。結果を表３〜５に示す。
【００７４】
実施例１〜３６及び比較例１〜２８は、アルミニウム合金基材に用いたアルミニウム合金組成を変化させた実施例であり、実施例３７〜５２及び比較例２９〜４５は、アルミニウム合金基材の処理工程の条件を変えた実施例である。
【００７５】
実施例１〜５２は、合金組成及び化合物除去工程の条件が本発明範囲内であるので、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥及び膨れの両方について評価結果が合格となった。
【００７６】
これに対して比較例１〜４５では、無電解Ｎｉ−Ｐめっき表面の欠陥及び膨れの少なくともいずれか一方の評価結果が不合格となった。
【００７７】
具体的には、比較例１及び比較例１５では、めっき平滑性は合格であったが、Ｍｇの含有量が少なく強度が不足したため，取扱時のディスク変形を抑制できず，磁気ディスクとして使用することができなかった。
【００７８】
比較例２及び比較例１６では、Ｍｇの含有量が多いため圧延時に割れが発生しサンプルを製造することができなかった。
【００７９】
比較例３と比較例１７では、Ｃｕの含有量が少ないためジンケート皮膜が不均一でとなり、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００８０】
比較例４と比較例１８では、Ｃｕの含有量が多いため母相の電位が貴となり、化合物との電位差が小さくなったことで化合物が除去され難くなった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００８１】
比較例５と比較例１９では、Ｚｎの含有量が少ないためジンケート皮膜が不均一となり、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００８２】
比較例６と比較例２０では、Ｚｎの含有量が多いため母相の電位が卑となり、母相の溶解速度が大きくなった。その結果、アンカー効果を発揮する孔が形成され難くなり、めっき表面に欠陥および膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００８３】
比較例７と比較例２１では、Ｂｅを含有しなかったため、鋳造時に溶湯表面が酸化してしまい、健全な鋳塊を製造することができず、サンプルを製造することができなかった。
【００８４】
比較例８と比較例２２では、Ｂｅの含有量が多いため母相の溶解が激しくアンカー効果を発揮する孔が形成され難くなった。その結果、めっき表面に欠陥および膨れが多く発生し、いずれもめっき平滑性も不合格であった。
【００８５】
比較例９と比較例２３では、Ｃｒの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００８６】
比較例１０と比較例２４では、Ｓｉの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００８７】
比較例１１と比較例２５では、Ｆｅの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００８８】
比較例１２と比較例２６では、Ｍｎの含有量が多いため粗大な化合物が生成し、化合物除去工程により形成した孔がめっきで埋められなかった。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００８９】
比較例１３と比較例２７では、Ｓｉの含有量が少ないため、欠陥のめっき平滑性は合格であったが、孔の形成が少なく膨れが発生して膨れのめっき平滑性は不合格であった。また、原料中のＳｉ含有量を極度に低くすることから、工業的にはコスト高となり量産への適用は困難である。
【００９０】
比較例１４と比較例２８では、Ｆｅの含有量が少ないため、欠陥のめっき平滑性は合格であったが、孔の形成が少なく膨れが発生して膨れのめっき平滑性は不合格であった。また、原料中のＳｉ含有量を極度に低くすることから、工業的にはコスト高となり量産への適用は困難である。
【００９１】
比較例２９と比較例３７では、化合物除去工程に使用した薬液のＨＦ濃度が低かったため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００９２】
比較例３０と比較例３８では、化合物除去工程に使用する薬液のＨＦ濃度が高過ぎたため、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の欠陥が多く発生し、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００９３】
比較例３１と比較例３９では、化合物除去工程に使用する薬液のＨＮＯ３濃度が低かったため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００９４】
比較例３２と比較例４０では、化合物除去工程に使用する薬液のＨＮＯ３濃度が高過ぎたため化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００９５】
比較例３３と比較例４１では、化合物除去工程に使用する薬液の温度が低かったために反応速度が遅く、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００９６】
比較例３４と比較例４２では、化合物除去工程に使用する薬液の温度が高かったために反応速度が速く、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の膨れ矢印が多く発生し、めっき平滑性（膨れ）が不合格であった。
【００９７】
比較例３５と比較例４３では、化合物除去工程の時間が短かったために反応時間が十分でなく、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【００９８】
比較例３６と比較例４４では、化合物除去工程の時間が長かったために反応が進行しすぎにより、基板の溶解が激しく凹凸が多数発生した。その結果、めっき表面の欠陥が多く生じ、めっき平滑性（欠陥）が不合格であった。
【００９９】
比較例４５では、化合物除去工程を適用しない従来の無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程であったために、化合物が十分に除去されなかった。その結果、めっき表面に欠陥及び膨れが多く発生し、いずれのめっき平滑性も不合格であった。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明により、１枚当たりの記憶容量の増加と不良率の低減を可能とし、ＨＤＤの高容量化に寄与し、また安価に製造可能なアルミニウム合金製の磁気ディスクが得られる。
【図１】
2019091515.tif 000008