(57)【要約】      （修正有）【課題】電子写真感光体の感度特性を向上できるビスブタジエン誘導体の提供。【解決手段】式（１）で表される化合物。2019218294.tif 000049式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表す。ｌ及びｍは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｎは、０以上４以下の整数を表す。複数のＲa、Ｒb、Ｒcは、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｌ、ｍ、ｎは互いに同一でも異なっていてもよい。複数の互いに同一でも異なっていてもよい。【選択図】図１
2019218294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるビスブタジエン誘導体。
【化１】
2019218294.tif 000039
（前記一般式（１）中、
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表し、
ｌ及びｍは、各々独立に、０以上５以下の整数を表し、
ｎは、０以上４以下の整数を表し、
複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のｌは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のｍは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記一般式（１）中、
Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基を表し、
ｌ及びｍは、各々独立に、０以上２以下の整数を表し、
ｎは、０を表す、請求項１に記載のビスブタジエン誘導体。
【請求項３】
前記一般式（１）で表されるビスブタジエン誘導体は、下記化学式（ＨＴＭ−１）、（ＨＴＭ−２）、（ＨＴＭ−３）、（ＨＴＭ−４）又は（ＨＴＭ−５）で表される、請求項１又は２に記載のビスブタジエン誘導体。
【化２】
2019218294.tif 000040
【請求項４】
下記反応式（Ｐ）で表される反応を行う工程を含む、請求項１〜３の何れか一項に記載のビスブタジエン誘導体の製造方法。
【化３】
2019218294.tif 000041
（前記反応式（Ｐ）中、
Ｒa、Ｒb、Ｒc、ｎ、ｍ及びｌは、各々、前記一般式（１）中のＲa、Ｒb、Ｒc、ｎ、ｍ及びｌと同義であり、
Ｘは、ハロゲン原子を表し、
複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
【請求項５】
導電性基体と、前記導電性基体上に直接的又は間接的に設けられた感光層とを備える電子写真感光体であって、
前記感光層は、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを少なくとも含有し、
前記電荷輸送剤は、請求項１〜３の何れか一項に記載のビスブタジエン誘導体を含む、電子写真感光体。
【請求項６】
前記バインダー樹脂は、
下記一般式（ｒ−１）で表される繰り返し単位を有するポリアリレート樹脂、又は
下記一般式（ｒ−２）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂を含む、請求項５に記載の電子写真感光体。
【化４】
2019218294.tif 000042
（前記一般式（ｒ−１）及び（ｒ−２）中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表し、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、又はフェニル基を表し、
Ｒ3及びＲ4は、互いに結合して下記一般式（Ｗ）で表される２価の基を表してもよく、
Ｒ13及びＲ14は、互いに結合して下記一般式（Ｗ）で表される２価の基を表してもよく、
Ｙは、下記化学式（Ｙ１）、（Ｙ２）、（Ｙ３）、（Ｙ４）、（Ｙ５）又は（Ｙ６）で表される２価の基を表す。）
【化５】
2019218294.tif 000043
（前記一般式（Ｗ）中、
ｔは、１以上３以下の整数を表し、
＊は、結合手を表す。）
【化６】
2019218294.tif 000044
【請求項７】
前記バインダー樹脂は、下記化学式（Ｒ−１）、（Ｒ−２）若しくは（Ｒ−３）で表されるポリアリレート樹脂、又は
下記化学式（Ｒ−４）若しくは（Ｒ−５）で表されるポリカーボネート樹脂を含む、請求項６に記載の電子写真感光体。
【化７】
2019218294.tif 000045
【請求項８】
前記感光層は、電荷発生層と電荷輸送層とを有し、
前記電荷発生層は、前記電荷発生剤を含有し、
前記電荷輸送層は、前記電荷輸送剤及び前記バインダー樹脂を少なくとも含有する、請求項５〜７の何れか一項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記電荷輸送層は、下記一般式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４）で表される化合物を更に含有する、請求項８に記載の電子写真感光体。
【化８】
2019218294.tif 000046
（前記一般式（Ｅ−１）中、Ｒ21及びＲ22は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表し、
前記一般式（Ｅ−２）中、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、
前記一般式（Ｅ−３）中、Ｒ27及びＲ28は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表し、Ｒ29は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表し、
前記一般式（Ｅ−４）中、Ｒ30及びＲ31は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。）
【請求項１０】
前記一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、下記化学式（ＥＴＭ−１）で表され、前記一般式（Ｅ−２）で表される化合物は、下記化学式（ＥＴＭ−２）又は（ＥＴＭ−３）で表され、前記一般式（Ｅ−３）で表される化合物は、下記化学式（ＥＴＭ−４）で表され、前記一般式（Ｅ−４）で表される化合物は、下記化学式（ＥＴＭ−５）で表される、請求項９に記載の電子写真感光体。
【化９】
2019218294.tif 000047
【請求項１１】
下記一般式（１０）で表される、ビスブタジエンハライド化合物。
【化１０】
2019218294.tif 000048
（前記一般式（１０）中、
Ｒaは、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表し、
ｎは、０以上４以下の整数を表し、
Ｘは、ハロゲン原子を表し、
複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよく、
複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビスブタジエン誘導体及びその製造方法、電子写真感光体、並びにビスブタジエンハライド化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体は、電子写真方式の画像形成装置に用いられる。電子写真感光体としては、例えば、積層型電子写真感光体又は単層型電子写真感光体が用いられる。積層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能を有する電荷発生層と、電荷輸送の機能を有する電荷輸送層とを備える。単層型電子写真感光体は、感光層として、電荷発生の機能と電荷輸送の機能とを有する単層の感光層を備える。
【０００３】
特許文献１に記載の電子写真感光体は、感光層を備える。この感光層は、電荷輸送物質として、例えば、下記化学式（ｈ−３）で表されるビススチルベン構造を有する化合物を含有する。
【０００４】
【化１】
2019218294.tif 000003
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０６−１１８６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の化合物は、電子写真感光体の感度特性の向上において改善の余地があることが本発明者の検討により判明した。
【０００７】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、電子写真感光体の感度特性を向上できるビスブタジエン誘導体及びその製造方法を提供することである。また、本発明の別の目的は、感度特性に優れる電子写真感光体を提供することである。更に、本発明の別の目的は、上述のビスブタジエン誘導体の製造方法に用いることができるビスブタジエンハライド化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のビスブタジエン誘導体は、下記一般式（１）で表される。
【０００９】
【化２】
2019218294.tif 000004
【００１０】
前記一般式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表す。ｌ及びｍは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｎは、０以上４以下の整数を表す。複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｌは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｍは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００１１】
本発明のビスブタジエン誘導体の製造方法は、下記反応式（Ｐ）で表される反応を行う工程を含む、上述のビスブタジエン誘導体の製造方法である。
【化３】
2019218294.tif 000005
【００１２】
前記反応式（Ｐ）中、Ｒa、Ｒb、Ｒc、ｎ、ｍ及びｌは、各々、前記一般式（１）中のＲa、Ｒb、Ｒc、ｎ、ｍ及びｌと同義である。Ｘは、ハロゲン原子を表す。複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００１３】
本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上に直接的又は間接的に設けられた感光層とを備える。前記感光層は、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを少なくとも含有する。前記電荷輸送剤は、上述のビスブタジエン誘導体を含む。
【００１４】
本発明のビスブタジエンハライド化合物は、下記一般式（１０）で表される。
【００１５】
【化４】
2019218294.tif 000006
【００１６】
前記一般式（１０）中、Ｒaは、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表す。ｎは、０以上４以下の整数を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のビスブタジエン誘導体は、電子写真感光体の感度特性を向上できる。本発明のビスブタジエン誘導体の製造方法は、上述のビスブタジエン誘導体を効率的に製造することができる。本発明の電子写真感光体は、感度特性に優れる。本発明のビスブタジエンハライド化合物は、上述のビスブタジエン誘導体の製造方法に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の別の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の別の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の別の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の別の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る電子写真感光体の別の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は、以下の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的の範囲内で、適宜変更を加えて実施できる。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合があるが、発明の要旨は限定されない。
【００２０】
以下、化合物名の後に「系」を付けて、化合物及びその誘導体を包括的に総称する場合がある。また、化合物名の後に「系」を付けて重合体名を表す場合には、重合体の繰り返し単位が化合物又はその誘導体に由来することを意味する。
【００２１】
以下、ハロゲン原子、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、炭素原子数１以上３以下のアルキル基、炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基、炭素原子数６以上１０以下のアリール基、炭素原子数７以上１５以下のアラルキル基、炭素原子数７以上１１以下のアラルキル基及び複素環基は、何ら規定していなければ、各々次の意味である。
【００２２】
ハロゲン原子（ハロゲン基）としては、例えば、フッ素原子（フルオロ基）、塩素原子（クロロ基）、臭素原子（ブロモ基）及びヨウ素原子（ヨード基）が挙げられる。
【００２３】
炭素原子数１以上８以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基及び炭素原子数１以上３以下のアルキル基は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上８以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、直鎖状又は分枝鎖状のヘキシル基、直鎖状又は分枝鎖状のヘプチル基、及び直鎖状又は分枝鎖状のオクチル基が挙げられる。炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、炭素原子数１以上４以下のアルキル基及び炭素原子数１以上３以下のアルキル基の例は、炭素原子数１以上８以下のアルキル基の例として述べた基のうち、各々、炭素原子数が１以上６以下の基、炭素原子数が１以上５以下の基、炭素原子数１以上４以下の基及び炭素原子数が１以上３以下の基である。
【００２４】
炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基は、各々、直鎖状又は分枝鎖状で非置換である。炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、イソペントキシ基、ネオペントキシ基、ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、及びオクトキシ基が挙げられる。炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基及び炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基の例は、炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基の例として述べた基のうち、各々、炭素原子数が１以上６以下の基、及び炭素原子数が１以上３以下の基である。
【００２５】
炭素原子数６以上１４以下のアリール基、及び炭素原子数６以上１０以下のアリール基は、各々、非置換である。炭素原子数６以上１４以下のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、インダセニル基、ビフェニレニル基、アセナフチレニル基、アントリル基及びフェナントリル基が挙げられる。炭素原子数６以上１０以下のアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。
【００２６】
炭素原子数７以上１５以下のアラルキル基、及び炭素原子数７以上１１以下のアラルキル基は、各々、非置換である。炭素原子数７以上１５以下のアラルキル基としては、例えば、炭素原子数６以上１４以下のアリール基で置換された炭素原子数１以上６以下のアルキル基が挙げられる。炭素原子数７以上１１以下のアラルキル基としては、例えば、炭素原子数６以上１０以下のアリール基で置換された炭素原子数１以上３以下のアルキル基が挙げられる。
【００２７】
複素環基として、例えば、５員以上１４員以下の複素環基が挙げられる。５員以上１４員以下の複素環基は、炭素原子以外にヘテロ原子を少なくとも１個含み、非置換である。ヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子からなる群から選択される１種以上である。５員以上１４員以下の複素環基は、例えば、炭素原子以外に１個以上３個以下のヘテロ原子を含む５員又は６員の単環の複素環（以下、複素環（Ｈ）と記載することがある）を含む複素環基；複素環（Ｈ）が２個縮合した複素環基；複素環（Ｈ）と、５員又は６員の単環の炭化水素環とが縮合した複素環基；複素環（Ｈ）が３個縮合した複素環基；複素環（Ｈ）２個と、５員又は６員の単環の炭化水素環１個とが縮合した複素環基；又は複素環（Ｈ）１個と、５員又は６員の単環の炭化水素環２個とが縮合した複素環基が挙げられる。５員以上１４員以下の複素環基の具体例としては、ピペリジニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、チオフェニル基、フラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、イソチアゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、インドリル基、１Ｈ−インダゾリル基、イソインドリル基、クロメニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、プテリジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、４Ｈ−キノリジニル基、ナフチリジニル基、ベンゾフラニル基、１，３−ベンゾジオキソリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンズイミダゾリル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基及びフェナントロリニル基が挙げられる。
【００２８】
＜第１実施形態：ビスブタジエン誘導体＞
本発明の第１実施形態に係るビスブタジエン誘導体は、下記一般式（１）で表される（以下、ビスブタジエン誘導体（１）と記載することがある）。
【００２９】
【化５】
2019218294.tif 000007
【００３０】
一般式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表す。ｌ及びｍは、各々独立に、０以上５以下の整数を表す。ｎは、０以上４以下の整数を表す。複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＲbは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＲcは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｌは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｍは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３１】
ビスブタジエン誘導体（１）は、電子写真感光体（以下、感光体と記載することがある）の感光層形成において、電荷輸送剤（特に正孔輸送剤）として用いることができる。ビスブタジエン誘導体（１）は、感光体の電荷輸送剤として用いることで、その感度特性を向上できる。その理由は以下のように推測される。
【００３２】
ビスブタジエン誘導体（１）は、空間的広がりが比較的大きいπ共役系を有する。そのため、ビスブタジエン誘導体（１）は、キャリア（正孔）の受容性に優れる傾向にある。また、ビスブタジエン誘導体（１）はπ共役系が比較的大きいため、分子内のキャリア（正孔）の移動距離が比較的長く、一方で分子間におけるキャリア（正孔）の移動距離が比較的短い。そのため、ビスブタジエン誘導体（１）は、キャリア（正孔）の輸送性に優れる傾向にある。このように、ビスブタジエン誘導体（１）は、キャリア（正孔）の受容性及び輸送性に優れる傾向があるため、感光体の感度特性を向上させることができると考えられる。
【００３３】
なお、ビスブタジエン誘導体（１）は、従来の合成方法では合成が困難である。例えば、従来の電荷輸送物質である上述の化学式（ｈ−３）で表される化合物であれば、ｏ−キシリレンジホスホン酸テトラエチルと４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）ベンズアルデヒドとの反応により得ることができる。一方、このような従来公知の合成経路では、収率等の観点から、ビスブタジエン誘導体（１）を得ることはできない。これに対し、本発明者らは、後述する反応式（Ｐ）で表される反応を含む合成経路を用いることでビスブタジエン誘導体（１）を効率的に合成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００３４】
一般式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcで表される炭素原子数１以上８以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルキル基がより好ましく、メチル基が更に好ましい。
【００３５】
一般式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcで表される炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基としては、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基が好ましく、炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基が更に好ましい。
【００３６】
一般式（１）中、ｍ及びｌは、各々独立に、０以上２以下の整数を表すことが好ましい。ｍ及びｌは、一方が０を表す場合、他方が１以上５以下の整数を表すことが好ましく、他方が１又は２を表すことがより好ましい。
【００３７】
一般式（１）中、ｎは、０以上２以下の整数を表すことが好ましく、０を表すことがより好ましい。
【００３８】
一般式（１）中、Ｒa、Ｒb及びＲcは、各々独立に炭素原子数１以上３以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上３以下のアルコキシ基を表すことが好ましい。また、ｌ及びｍは、各々独立に０以上２以下の整数を表すことが好ましい。更に、ｎは、０を表すことが好ましい。
【００３９】
一般式（１）中、複数のＲaは、互いに同一であることが好ましい。一般式（１）中、複数のＲbは、互いに同一であることが好ましい。一般式（１）中、複数のＲcは、互いに同一であることが好ましい。一般式（１）中、複数のｌは、互いに同一であることが好ましい。一般式（１）中、複数のｍは、互いに同一であることが好ましい。一般式（１）中、複数のｎは、互いに同一であることが好ましい。
【００４０】
ビスブタジエン誘導体（１）としては、例えば、下記一般式（１−ａ）、（１−ｂ）又は（１−ｃ）で表される化合物が挙げられ、これらの中で、下記一般式（１−ａ）又は（１−ｂ）で表される化合物が好ましい。
【００４１】
【化６】
2019218294.tif 000008
【００４２】
一般式（１−ａ）、（１−ｂ）及び（１−ｃ）中、Ｒa、Ｒb、Ｒc、ｌ、ｍ及びｎは、各々、一般式（１）中のＲa、Ｒb、Ｒc、ｌ、ｍ及びｎと同義である。
【００４３】
ビスブタジエン誘導体（１）としては、下記化学式（ＨＴＭ−１）、（ＨＴＭ−２）、（ＨＴＭ−３）、（ＨＴＭ−４）又は（ＨＴＭ−５）で表される化合物（以下、それぞれビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）、（ＨＴＭ−２）、（ＨＴＭ−３）、（ＨＴＭ−４）又は（ＨＴＭ−５）と記載することがある）が好ましい。
【００４４】
【化７】
2019218294.tif 000009
【００４５】
＜第２実施形態：ビスブタジエン誘導体（１）の製造方法＞
本発明の第２実施形態に係るビスブタジエン誘導体（１）の製造方法は、下記反応式（Ｐ）で表される反応（以下、反応（Ｐ）と記載することがある）を行う工程を含む。以下、反応式（Ｐ）中の一般式（１０）及び（１１）で表される化合物を、それぞれビスブタジエンハライド化合物（１０）、及びジフェニルアミン化合物（１１）と記載することがある。本発明の第２実施形態に係るビスブタジエン誘導体（１）の製造方法によれば、ビスブタジエンハライド化合物（１０）を原料化合物とする合成径路を用いることにより、ビスブタジエン誘導体（１）を効率的に得ることができる。具体的には、この合成径路では、非常に高い収率でビスブタジエン誘導体（１）を合成でき、かつ合成されたビスブタジエン誘導体（１）を容易に精製できるため、低コストでビスブタジエン誘導体（１）を製造することができる。
【００４６】
【化８】
2019218294.tif 000010
【００４７】
反応式（Ｐ）中、Ｒa、Ｒb、Ｒc、ｌ、ｍ及びｎは、各々、一般式（１）中のＲa、Ｒb、Ｒc、ｌ、ｍ及びｎと同義である。Ｘは、ハロゲン原子を表す。複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
反応（Ｐ）では、１モル当量のビスブタジエンハライド化合物（１０）と、２モル当量のジフェニルアミン化合物（１１）とを反応させて、１モル当量のビスブタジエン誘導体（１）を得る。反応（Ｐ）では、触媒としてパラジウム化合物を用いることが好ましい。触媒としてパラジウム化合物を用いることにより、反応（Ｐ）における活性化エネルギーが低下する傾向がある。その結果、ビスブタジエン誘導体（１）の収率を向上できると考えられる。
【００４９】
パラジウム化合物としては、例えば、四価パラジウム化合物、二価パラジウム化合物、又はその他のパラジウム化合物が挙げられる。四価パラジウム化合物としては、例えば、ヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸ナトリウム四水和物、又はヘキサクロルパラジウム（ＩＶ）酸カリウム四水和物が挙げられる。二価パラジウム化合物としては、例えば、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、パラジウムアセチルアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）、ジクロルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロテトラミンパラジウム（ＩＩ）、又はジクロロ（シクロオクタ−１，５−ジエン）パラジウム（ＩＩ）が挙げられる。その他のパラジウム化合物としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムクロロホルム錯体（０）、又はテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）が挙げられる。パラジウム化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。パラジウム化合物としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）が好ましい。
【００５０】
反応（Ｐ）においてパラジウム化合物を触媒として用いる場合、その添加量としては、ビスブタジエンハライド化合物（１０）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下が好ましく、０．００１モル以上１モル以下が更に好ましい。
【００５１】
パラジウム化合物を触媒として用いる場合、反応（Ｐ）の反応性を更に向上させるため、配位子を更に添加してもよい。配位子としては、例えば、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフリルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン、２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、及び２，２’−ビス［（ジフェニルホスフィノ）ジフェニル］エーテルが挙げられる。配位子は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。配位子としては、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。
【００５２】
反応（Ｐ）において配位子を添加する場合、その添加量としては、ビスブタジエンハライド化合物（１０）１モルに対して、０．０００５モル以上２０モル以下が好ましく、０．００１モル以上１モル以下がより好ましい。
【００５３】
反応（Ｐ）は、塩基の存在下で行われることが好ましい。これにより、反応系中で発生するハロゲン化水素（例えば、塩化水素）をすみやかに中和し、触媒活性を向上できると考えられる。その結果、ビスブタジエン誘導体（１）の収率を向上できると考えられる。塩基は、無機塩基であってもよいし、有機塩基であってもよい。有機塩基としては、例えば、アルカリ金属アルコキシド（より具体的には、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、及びカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等）が挙げられ、これらの中で、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシドが好ましい。無機塩基としては、例えば、リン酸三カリウム及びフッ化セシウムが挙げられる。
【００５４】
反応（Ｐ）において触媒としてのパラジウム化合物と塩基とを用いる場合、塩基の添加量は、パラジウム化合物の添加量に応じて適宜調整すればよい。具体的には、ビスブタジエンハライド化合物（１０）１モルに対してパラジウム化合物０．０００５モル以上２０モル以下を添加する場合には、塩基の添加量としては、ビスブタジエンハライド化合物（１０）１モルに対して、１モル以上１０モル以下が好ましく、１モル以上５モル以下がより好ましい。
【００５５】
反応（Ｐ）は、溶剤中で行われてもよい。溶剤としては、例えば、キシレン（より具体的には、混合キシレン等）、トルエン、テトラヒドロフラン、及びジメチルホルムアミドが挙げられる。溶剤としては、キシレンが好ましく、混合キシレンがより好ましい。
【００５６】
反応（Ｐ）におけるジフェニルアミン化合物（１１）の添加量としては、ビスブタジエンハライド化合物（１０）１モルに対して、０．５モル以上１０モル以下が好ましく、１．５モル以上４モル以下が好ましい。
【００５７】
反応（Ｐ）の反応温度としては、１２０℃以上１８０℃以下が好ましい。反応（Ｐ）の反応時間としては、１時間以上１０時間以下が好ましい。
【００５８】
反応（Ｐ）により得られるビスブタジエン誘導体（１）は、必要に応じて精製してもよい。精製方法としては、例えば、公知の方法（例えば、ろ過、シリカゲルクロマトグラフィー又は晶析）が挙げられる。
【００５９】
＜第３実施形態：電子写真感光体＞
本発明の第３実施形態は、感光体に関する。第３実施形態に係る感光体は、導電性基体と、導電性基体上に直接的又は間接的に設けられた感光層とを備える。感光体としては、例えば、単層型電子写真感光体（以下、単層型感光体と記載することがある）及び積層型電子写真感光体（以下、積層型感光体と記載することがある）が挙げられる。
【００６０】
［単層型感光体］
以下、図１〜図３を参照して、単層型感光体の構造について説明する。図１〜図３は、第３実施形態に係る感光体１の一例を示す概略断面図である。
【００６１】
図１では、感光体１は単層型感光体を示す。図１に示すように、単層型感光体は、例えば、導電性基体２と感光層３とを備える。単層型感光体は、感光層３として単層の感光層３ａを備える。単層の感光層３ａは、一層の感光層３である。図１のように、感光層３は導電性基体２上に直接的に配置されてもよい。
【００６２】
図２に示すように、単層型感光体は、導電性基体２と、単層の感光層３ａと、中間層４（下引き層）とを備えてもよい。中間層４は、導電性基体２と単層の感光層３ａとの間に設けられる。図２に示すように、感光層３は、中間層４を介して導電性基体２上に間接的に配置されてもよい。また、図３に示すように、単層の感光層３ａ上に保護層５が設けられてもよい。
【００６３】
単層の感光層３ａの厚さは、その機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。単層の感光層３ａの厚さとしては、５μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。
【００６４】
［積層型感光体］
積層型感光体では、感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層とを備える。以下、図４〜図６を参照して、積層型感光体の構造について説明する。図４〜図６は、第３実施形態に係る感光体１の別の例を示す概略断面図である。
【００６５】
図４では、感光体１は、積層型感光体を示す。図４に示すように、積層型感光体は、例えば、導電性基体２と感光層３とを備える。感光層３は、電荷発生層３ｂと電荷輸送層３ｃとを備える。積層型感光体の耐摩耗性を向上させるためには、図４に示すように、導電性基体２上に電荷発生層３ｂが設けられ、電荷発生層３ｂ上に電荷輸送層３ｃが設けられることが好ましい。図５に示すように、積層型感光体では、導電性基体２上に電荷輸送層３ｃが設けられ、電荷輸送層３ｃ上に電荷発生層３ｂが設けられてもよい。
【００６６】
図６に示すように、積層型感光体は、導電性基体２と感光層３と中間層４（下引き層）とを備えていてもよい。中間層４は、導電性基体２と感光層３との間に備えられる。また、感光層３上には、保護層５（図３参照）が設けられていてもよい。
【００６７】
電荷発生層３ｂ及び電荷輸送層３ｃの厚さは、それぞれの層としての機能を十分に発現できる限り、特に限定されない。電荷発生層３ｂの厚さとしては、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。電荷輸送層３ｃの厚さとしては、２μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。
【００６８】
第３実施形態に係る感光体１が備える感光層３は、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを少なくとも含有する。電荷輸送剤は、第１実施形態に係るビスブタジエン誘導体（１）を含む。単層型感光体では、単層の感光層３ａは、例えば、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。積層型感光体では、電荷発生層３ｂは、例えば、電荷発生剤と、電荷発生層用バインダー樹脂（以下、ベース樹脂と記載することがある）とを含有する。電荷輸送層３ｃは、例えば、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを含有する。単層の感光層３ａ、電荷発生層３ｂ及び電荷輸送層３ｃは、添加剤を更に含有してもよい。第３実施形態に係る感光体１は、上述のビスブタジエン誘導体（１）が感光層３に電荷輸送剤として含まれるため、感度特性に優れる。
【００６９】
［導電性基体］
導電性基体２は、少なくともその表面部が導電性を有する材料（以下、導電性材料と記載することがある）で形成されていればよい。導電性基体２の一例としては、導電性材料で形成される導電性基体が挙げられる。導電性基体２の別の例としては、導電性材料で被覆されている導電性基体が挙げられる。導電性材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、錫、白金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム又はインジウムが挙げられる。これらの導電性材料を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。２種以上の組合せとしては、例えば、合金（より具体的には、アルミニウム合金、ステンレス鋼又は真鍮等）が挙げられる。これらの導電性材料の中でも、感光層３から導電性基体２への電荷の移動が良好であることから、アルミニウム又はアルミニウム合金が好ましい。また、導電性基体２は、その表面にこれら導電性材料の酸化皮膜を有してもよい。
【００７０】
導電性基体２の形状は、画像形成装置の構造に合わせて適宜選択される。導電性基体２の形状としては、例えば、シート状又はドラム状が挙げられる。また、導電性基体２の厚さは、その形状に応じて適宜選択される。
【００７１】
（電荷発生剤）
感光体１が単層型感光体である場合、単層の感光層３ａは、電荷発生剤を含有する。感光体１が積層型感光体である場合、電荷発生層３ｂは、電荷発生剤を含有する。
【００７２】
電荷発生剤としては、例えば、フタロシアニン系顔料、ペリレン系顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、ジチオケトピロロピロール顔料、無金属ナフタロシアニン顔料、金属ナフタロシアニン顔料、スクアライン顔料、インジゴ顔料、アズレニウム顔料、シアニン顔料、無機光導電材料（より具体的には、セレン、セレン−テルル、セレン−ヒ素、硫化カドミウム、又はアモルファスシリコン等）の粉末、ピリリウム顔料、アンサンスロン系顔料、トリフェニルメタン系顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔料、又はキナクリドン系顔料が挙げられる。電荷発生剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７３】
フタロシアニン系顔料としては、例えば、金属フタロシニアン顔料又は無金属フタロシニン顔料が挙げられる。金属フタロシアニン顔料としては、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料又は化学式（ＣＧＭ−Ａ）で表されるチタニルフタロシアニン顔料が挙げられる。無金属フタロシアニン顔料は、化学式（ＣＧＭ−Ｂ）で表される。フタロシアニン系顔料の結晶形状（例えば、Ｘ型、α型、β型、Ｙ型、Ｖ型又はＩＩ型）については特に限定されず、種々の結晶形状を有するフタロシアニン系顔料が使用される。
【００７４】
【化９】
2019218294.tif 000011
【００７５】
無金属フタロシアニン顔料の結晶としては、例えば、無金属フタロシアニンのＸ型結晶（以下、Ｘ型無金属フタロシアニンと記載することがある）が挙げられる。チタニルフタロシアニン顔料の結晶としては、例えば、チタニルフタロシアニン顔料のα型、β型又はＹ型結晶（以下、それぞれα型チタニルフタロシアニン結晶、β型チタニルフタロシアニン結晶、及びＹ型チタニルフタロシアニン結晶と記載することがある）が挙げられる。ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料の結晶としては、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料のＶ型結晶が挙げられる。クロロガリウムフタロシアニンの結晶としては、クロロガリウムフタロシアニン顔料のＩＩ型結晶が挙げられる。
【００７６】
例えば、デジタル光学式の画像形成装置には、７００ｎｍ以上の波長領域に感度を有する感光体を用いることが好ましい。デジタル光学式の画像形成装置としては、例えば、半導体レーザーのような光源を使用したレーザービームプリンター又はファクシミリが挙げられる。７００ｎｍ以上の波長領域で高い量子収率を有することから、電荷発生剤としては、フタロシアニン系顔料が好ましく、チタニルフタロシアニン顔料がより好ましく、Ｙ型チタニルフタロシアニン顔料が更に好ましい。
【００７７】
Ｙ型チタニルフタロシアニン結晶は、ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおいて、例えば、ブラッグ角（２θ±０．２°）の２７．２°に主ピークを有する。ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルにおける主ピークとは、ブラッグ角（２θ±０．２°）が３°以上４０°以下である範囲において、１番目又は２番目に大きな強度を有するピークである。
【００７８】
（ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法）
ＣｕＫα特性Ｘ線回折スペクトルの測定方法の一例について説明する。試料（Ｙ型チタニルフタロシアニン顔料）をＸ線回折装置（例えば、株式会社リガク製「ＲＩＮＴ（登録商標）１１００」）のサンプルホルダーに充填して、Ｘ線管球Ｃｕ、管電圧４０ｋＶ、管電流３０ｍＡ、かつＣｕＫα特性Ｘ線の波長１．５４２Åの条件で、Ｘ線回折スペクトルを測定する。測定範囲（２θ）は、例えば３°以上４０°以下（スタート角３°、ストップ角４０°）であり、走査速度は、例えば１０°／分である。
【００７９】
感光体１が積層型感光体である場合、電荷発生層３ｂにおける電荷発生剤の含有量としては、ベース樹脂１００質量部に対して、５質量部以上１０００質量部以下が好ましく、３０質量部以上５００質量部以下がより好ましい。
【００８０】
（電荷輸送剤）
感光層３は、電荷輸送剤を含有する。電荷輸送剤としては、例えば、電子輸送剤及び正孔輸送剤が挙げられる。電荷輸送剤は、上述のビスブタジエン誘導体（１）を含む。ビスブタジエン誘導体（１）は、感光層３において、通常、正孔輸送剤として機能する。単層型感光体では、ビスブタジエン誘導体（１）は、単層の感光層３ａに含まれる。積層型感光体では、ビスブタジエン誘導体（１）は、電荷輸送層３ｃに含まれる。
【００８１】
感光体１が積層型感光体である場合、電荷輸送層３ｃにおけるビスブタジエン誘導体（１）の含有量としては、バインダー樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上２００質量部以下が好ましく、２０質量部以上１００質量部以下がより好ましい。
【００８２】
感光層３は、ビスブタジエン誘導体（１）に加え、ビスブタジエン誘導体（１）以外の正孔輸送剤（以下、その他の正孔輸送剤と記載することがある）を更に含んでもよい。その他の正孔輸送剤としては、例えば、トリフェニルアミン誘導体、ジアミン誘導体（例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェニレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルナフチレンジアミン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルフェナントリレンジアミン誘導体又はジ（アミノフェニルエテニル）ベンゼン誘導体）、オキサジアゾール系化合物（例えば、２，５−ジ（４−メチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、スチリル系化合物（例えば、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン）、カルバゾール系化合物（例えば、ポリビニルカルバゾール）、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン系化合物（例えば、１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン）、ヒドラゾン系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物及びトリアゾール系化合物が挙げられる。その他の正孔輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８３】
感光層３は、正孔輸送剤としてビスブタジエン誘導体（１）のみを含有してもよい。正孔輸送剤の合計質量に対するビスブタジエン誘導体（１）の含有量としては、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、１００質量％が特に好ましい。
【００８４】
単層型感光体の単層の感光層３ａは、電荷輸送剤として、電子輸送剤を更に含有してもよい。
【００８５】
電子輸送剤としては、例えば、キノン系化合物、ジイミド系化合物、ヒドラゾン系化合物、マロノニトリル系化合物、チオピラン系化合物、トリニトロチオキサントン系化合物、３，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン系化合物、ジニトロアントラセン系化合物、ジニトロアクリジン系化合物、テトラシアノエチレン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、ジニトロベンゼン、ジニトロアクリジン、無水コハク酸、無水マレイン酸、又はジブロモ無水マレイン酸が挙げられる。キノン系化合物としては、例えば、ジフェノキノン系化合物、アゾキノン系化合物、アントラキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、ニトロアントラキノン系化合物、又はジニトロアントラキノン系化合物が挙げられる。これらの電子輸送剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８６】
電子輸送剤としては、下記一般式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４）で表される化合物が好ましい。
【００８７】
下記一般式（Ｅ−１）で表される電子輸送剤について説明する。
【００８８】
【化１０】
2019218294.tif 000012
【００８９】
一般式（Ｅ−１）中、Ｒ21及びＲ22は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数６以上１４以下のアリール基又は炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基を表す。
【００９０】
一般式（Ｅ−１）中、Ｒ21及びＲ22は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましい。一般式（Ｅ−１）中のＲ21及びＲ22が表す炭素原子数１以上６以下のアルキル基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基が好ましく、１，１−ジメチルプロピル基がより好ましい。
【００９１】
一般式（Ｅ−１）で表される化合物としては、下記化学式（ＥＴＭ−１）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴＭ−１）と記載することがある）が好ましい。
【００９２】
【化１１】
2019218294.tif 000013
【００９３】
下記一般式（Ｅ−２）で表される化合物について説明する。
【００９４】
【化１２】
2019218294.tif 000014
【００９５】
一般式（Ｅ−２）中、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。
【００９６】
一般式（Ｅ−２）中、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましい。
【００９７】
一般式（Ｅ−２）で表される化合物としては、下記化学式（ＥＴＭ−２）又は（ＥＴＭ−３）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴＭ−２）又は（ＥＴＭ−３）と記載することがある）が好ましい。
【００９８】
【化１３】
2019218294.tif 000015
【００９９】
下記一般式（Ｅ−３）で表される化合物について説明する。
【０１００】
【化１４】
2019218294.tif 000016
【０１０１】
一般式（Ｅ−３）中、Ｒ27及びＲ28は、各々独立に、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を表す。Ｒ29は、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。
【０１０２】
一般式（Ｅ−３）中、Ｒ27及びＲ28は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表すことが好ましい。一般式（Ｅ−３）中、Ｒ29は、ハロゲン原子で置換されたフェニル基を表すことが好ましく、塩素原子で置換されたフェニル基を表すことがより好ましい。
【０１０３】
一般式（Ｅ−３）で表される化合物としては、下記化学式（ＥＴＭ−４）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴＭ−４）と記載することがある）が好ましい。
【０１０４】
【化１５】
2019218294.tif 000017
【０１０５】
下記一般式（Ｅ−４）で表される化合物について説明する。
【０１０６】
【化１６】
2019218294.tif 000018
【０１０７】
一般式（Ｅ−４）中、Ｒ30及びＲ31は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基で置換されていてもよい炭素原子数６以上１４以下のアリール基を表す。
【０１０８】
一般式（Ｅ−４）中、Ｒ30及びＲ31は、各々独立に、炭素原子数１以上４以下のアルキル基で置換されたフェニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基で２つの水素原子が置換されたフェニル基を表すことがより好ましい。
【０１０９】
一般式（Ｅ−４）で表される化合物としては、下記化学式（ＥＴＭ−５）で表される化合物（以下、化合物（ＥＴＭ−５）と記載することがある）が好ましい。
【０１１０】
【化１７】
2019218294.tif 000019
【０１１１】
積層型感光体の電荷輸送層３ｃは、上述の電子輸送剤を更に含有してもよい。この場合、電子輸送剤は、電荷輸送層３ｃにおいて、電子アクセプター化合物として機能する。電子アクセプター化合物としては、一般式（Ｅ−１）〜（Ｅ−４）で表される化合物が好ましく、化合物（ＥＴＭ−１）、（ＥＴＭ−２）、（ＥＴＭ−３）、（ＥＴＭ−４）又は（ＥＴＭ−５）がより好ましい。
【０１１２】
感光体１が積層型感光体である場合、電荷輸送層３ｃにおける電子アクセプター化合物の含有量としては、バインダー樹脂１００質量部に対して、０．１質量部以上２０質量部以下が好ましく、０．５質量部以上５質量部以下がより好ましく、１質量部以上３質量部以下が特に好ましい。
【０１１３】
（バインダー樹脂）
バインダー樹脂としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂及び光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、アクリル酸重合体、スチレン−アクリル酸共重合体、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリエステル樹脂及びポリエーテル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂及びメラミン樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物のアクリル酸付加物及びウレタン化合物のアクリル酸付加物が挙げられる。感光層３は、これらのバインダー樹脂の１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
【０１１４】
これらの樹脂の中では、ポリアリレート樹脂又はポリカーボネート樹脂が好ましく、下記一般式（ｒ−１）で表される繰り返し単位を有するポリアリレート樹脂、又は下記一般式（ｒ−２）で表される繰り返し単位を有するポリカーボネート樹脂がより好ましい。
【０１１５】
【化１８】
2019218294.tif 000020
【０１１６】
一般式（ｒ−１）及び（ｒ−２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数１以上４以下のアルキル基を表す。Ｒ3、Ｒ4、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１以上４以下のアルキル基、又はフェニル基を表す。Ｒ3及びＲ4は、互いに結合して下記一般式（Ｗ）で表される２価の基を表してもよい。Ｒ13及びＲ14は、互いに結合して下記一般式（Ｗ）で表される２価の基を表してもよい。Ｙは、下記化学式（Ｙ１）、（Ｙ２）、（Ｙ３）、（Ｙ４）、（Ｙ５）又は（Ｙ６）で表される２価の基を表す。
【０１１７】
【化１９】
2019218294.tif 000021
【０１１８】
一般式（Ｗ）中、ｔは、１以上３以下の整数を表す。＊は、結合手を表す。
【０１１９】
【化２０】
2019218294.tif 000022
【０１２０】
一般式（ｒ−１）及び（ｒ−２）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ11及びＲ12は、各々独立に、水素原子又はメチル基を表すことが好ましい。また、Ｒ1及びＲ2は、互いに同一であることが好ましい。更に、Ｒ11及びＲ12は、互いに同一であることが好ましい。
【０１２１】
一般式（ｒ−１）及び（ｒ−２）中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に、メチル基又はエチル基を表すことが好ましい。この場合、Ｒ3及びＲ4は、一方がメチル基を表し、他方がエチル基を表すことがより好ましい。また、Ｒ13及びＲ14は、一方がメチル基を表し、他方がエチル基を表すことがより好ましい。Ｒ3及びＲ4は、互いに結合して一般式（Ｗ）で表される２価の基を表すことも好ましい。また、Ｒ13及びＲ14は、互いに結合して一般式（Ｗ）で表される２価の基を表すことも好ましい。
【０１２２】
一般式（Ｗ）中、ｔは、２を表すことが好ましい。
【０１２３】
一般式（ｒ−１）中、Ｙは、化学式（Ｙ１）、（Ｙ２）又は（Ｙ３）で表される２価の基を表すことが好ましい。
【０１２４】
一般式（ｒ−１）で表される繰り返し単位としては、下記化学式（ｒ−１ａ）〜（ｒ−１ｅ）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位（ｒ−１ａ）〜（ｒ−１ｅ）と記載することがある）が好ましい。
【０１２５】
【化２１】
2019218294.tif 000023
【０１２６】
ポリアリレート樹脂としては、
繰り返し単位（ｒ−１ａ）及び繰り返し単位（ｒ−１ｂ）を有するポリアリレート樹脂、
繰り返し単位（ｒ−１ｃ）及び繰り返し単位（ｒ−１ｄ）を有するポリアリレート樹脂、又は
繰り返し単位（ｒ−１ｃ）及び繰り返し単位（ｒ−１ｅ）を有するポリアリレート樹脂が好ましい。
【０１２７】
一般式（ｒ−２）で表される繰り返し単位としては、下記化学式（ｒ−２ａ）又は（ｒ−２ｂ）で表される繰り返し単位（以下、繰り返し単位（ｒ−２ａ）又は（ｒ−２ｂ）と記載することがある）が好ましい。
【０１２８】
【化２２】
2019218294.tif 000024
【０１２９】
バインダー樹脂は、下記化学式（Ｒ−１）、（Ｒ−２）若しくは（Ｒ−３）で表されるポリアリレート樹脂（以下、それぞれポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）と記載することがある）、又は下記化学式（Ｒ−４）若しくは（Ｒ−５）で表されるポリカーボネート樹脂（以下、それぞれポリカーボネート樹脂（Ｒ−４）又は（Ｒ−５）と記載することがある）を含むことが好ましい。なお、下記化学式（Ｒ−１）〜（Ｒ−５）中、繰り返し単位の右下に付した数字は、ポリアリレート樹脂又はポリカーボネート樹脂が有する全繰り返し単位の数に対する、数字が付された繰り返し単位の数の百分率を示す。ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）と、ポリカーボネート樹脂（Ｒ−４）及び（Ｒ−５）とは、ランダム共重合体、ブロック共重合体、周期的共重合体及び交互共重合体の何れでもよい。
【０１３０】
【化２３】
2019218294.tif 000025
【０１３１】
バインダー樹脂の粘度平均分子量は、２５，０００以上であることが好ましく、３０，０００以上７０，０００以下であることがより好ましく、４５，０００以上５４，０００以下であることが更に好ましい。バインダー樹脂の粘度平均分子量が３０，０００以上であると、感光体１の耐摩耗性を向上させ易い。バインダー樹脂の粘度平均分子量が７０，０００以下であると、感光層３の形成時にバインダー樹脂が溶剤に溶解し易くなり、電荷輸送層用塗布液又は単層の感光層用塗布液の粘度が適度に低下する傾向にある。その結果、電荷輸送層３ｃ又は単層の感光層３ａを形成し易くなる。
【０１３２】
（ベース樹脂）
感光体１が積層型感光体である場合、電荷発生層３ｂは、ベース樹脂を含有する。ベース樹脂は、感光体１に適用できるベース樹脂である限り、特に制限されない。ベース樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン−アクリロニトリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、スチレン−アクリル酸樹脂、アクリル酸系樹脂、ポリエチレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリプロピレン樹脂、アイオノマー、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエーテル樹脂又はポリエステル樹脂が挙げられる。熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、又はその他架橋性の熱硬化性樹脂が挙げられる。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ−アクリル酸系樹脂（より具体的には、エポキシ化合物のアクリル酸誘導体付加物等）又はウレタン−アクリル酸系樹脂（より具体的には、ウレタン化合物のアクリル酸誘導体付加物等）が挙げられる。ベース樹脂は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１３３】
電荷発生層３ｂが含有するベース樹脂は、電荷輸送層３ｃが含有するバインダー樹脂と異なることが好ましい。ここで、積層型感光体の製造では、導電性基体２上に電荷発生層３ｂを形成し、電荷発生層３ｂ上に電荷輸送層３ｃを形成することが一般的である。このような積層型感光体の製造では、電荷輸送層３ｃを形成するために、電荷発生層３ｂ上に電荷輸送層用塗布液を塗布する。そのため、電荷発生層３ｂが含有するベース樹脂と、電荷輸送層３ｃが含有するバインダー樹脂とを異なるものとすることで、電荷発生層３ｂ上に電荷輸送層用塗布液を塗布する際に、電荷輸送層用塗布液の溶剤に対する電荷発生層３ｂの溶解を抑制できる。
【０１３４】
（添加剤）
感光体１の感光層３の各層（電荷発生層３ｂ、電荷輸送層３ｃ又は単層の感光層３ａ）は、必要に応じて、各種の添加剤を更に含有してもよい。添加剤としては、例えば、劣化防止剤（より具体的には、酸化防止剤、ラジカル捕捉剤、消光剤又は紫外線吸収剤等）、軟化剤、表面改質剤、増量剤、増粘剤、分散安定剤、ワックス、ドナー、界面活性剤、可塑剤、増感剤又はレベリング剤が挙げられる。電荷輸送層３ｃは、添加剤として、酸化防止剤を更に含有することが好ましい。
【０１３５】
感光体１が積層型感光体であり、その電荷輸送層３ｃが酸化防止剤を含有する場合、電荷輸送層３ｃにおける酸化防止剤の含有量としては、バインダー樹脂１００質量部に対して、０．０５質量部以上１０質量部以下が好ましく、０．１質量部以上３質量部以下がより好ましい。
【０１３６】
（組み合わせ）
感光層３における正孔輸送剤及びバインダー樹脂の組み合わせとしては、下記表１に示す組み合わせ（ｊ−１）〜（ｊ−９）が好ましい。感光層３における正孔輸送剤、バインダー樹脂及び電子輸送の組み合わせとしては、下記表２に示す組み合わせ（ｋ−１）〜（ｋ−１３）が好ましい。
【０１３７】
【表１】
2019218294.tif 000026
【０１３８】
【表２】
2019218294.tif 000027
【０１３９】
［中間層］
中間層４（下引き層）は、例えば、無機粒子及び樹脂（中間層用樹脂）を含有する。中間層４が存在することにより、電流リークの発生を抑制し得る程度の絶縁状態を維持しつつ、感光体１を露光した時に発生する電流の流れを円滑にして、抵抗の上昇が抑えられると考えられる。
【０１４０】
無機粒子としては、例えば、金属（より具体的には、アルミニウム、鉄又は銅等）の粒子、金属酸化物（より具体的には、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化スズ又は酸化亜鉛等）の粒子、又は非金属酸化物（より具体的には、シリカ等）の粒子が挙げられる。これらの無機粒子は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１４１】
中間層用樹脂としては、中間層４を形成する樹脂として用いることができる限り、特に限定されない。中間層４は、各種の添加剤を含有してもよい。添加剤は、感光層３の添加剤と同様である。
【０１４２】
［感光体の製造方法］
単層型感光体である感光体１は、例えば、単層の感光層用塗布液を導電性基体２上に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥させることによって製造される。単層の感光層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、ビスブタジエン誘導体（１）を含む電荷輸送剤と、バインダー樹脂と、必要に応じて添加される添加剤とを溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。
【０１４３】
積層型感光体である感光体１は、例えば、以下のように製造される。まず、電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液を調製する。そして、この電荷発生層用塗布液を導電性基体２上に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥させることによって電荷発生層３ｂを形成する。続いて、電荷輸送層用塗布液を電荷発生層３ｂ上に塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜を乾燥させることによって電荷輸送層３ｃを形成する。これにより、積層型感光体が製造される。
【０１４４】
電荷発生層用塗布液は、例えば、電荷発生剤と、ベース樹脂と、必要に応じて添加される添加剤とを溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。電荷輸送層用塗布液は、ビスブタジエン誘導体（１）を含む電荷輸送剤と、バインダー樹脂と、必要に応じて添加される添加剤とを溶剤に溶解又は分散させることにより調製される。
【０１４５】
単層の感光層用塗布液、電荷発生層用塗布液及び電荷輸送層用塗布液（以下、これら３つの塗布液を合わせて塗布液と記載することがある）に含有される溶剤は、塗布液に含まれる各成分を溶解又は分散でき、かつ塗布膜から除去され得る限り特に限定されない。溶剤としては、例えば、アルコール（より具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパノール又はブタノール等）、脂肪族炭化水素（より具体的には、ｎ−ヘキサン、オクタン又はシクロヘキサン等）、芳香族炭化水素（より具体的には、ベンゼン、トルエン又はキシレン等）、ハロゲン化炭化水素（より具体的には、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素又はクロロベンゼン等）、エーテル（より具体的には、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテル等）、ケトン（より具体的には、アセトン、メチルエチルケトン又はシクロヘキサノン等）、エステル（より具体的には、酢酸エチル又は酢酸メチル等）、ジメチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、及びジメチルスルホキシドが挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。感光体１の製造時の作業性を向上させるためには、塗布液の溶剤としては、非ハロゲン溶剤（ハロゲン化炭化水素以外の溶剤）が好ましい。
【０１４６】
塗布液は、各成分を混合し、溶剤に分散することにより調製される。混合又は分散には、例えば、ビーズミル、ロールミル、ボールミル、アトライター、ペイントシェーカー又は超音波分散機を用いることができる。
【０１４７】
塗布液は、各成分の分散性を向上させるために、例えば、界面活性剤を含有してもよい。
【０１４８】
塗布液を塗布する方法としては、導電性基体上に均一に塗布できる方法である限り、特に限定されない。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、スプレーコート法、スピンコート法又はバーコート法が挙げられる。
【０１４９】
塗布膜を乾燥させる方法としては、塗布液中の溶剤を蒸発させ得る限り、特に限定されない。塗布膜を乾燥させる方法としては、例えば、高温乾燥機又は減圧乾燥機を用いて、熱処理（熱風乾燥）する方法が挙げられる。熱処理温度としては、例えば、４０℃以上１５０℃以下とすることができる。熱処理時間としては、例えば、３分間以上１２０分間以下とすることができる。
【０１５０】
なお、感光体１の製造方法は、必要に応じて、中間層４を形成する工程及び保護層５を形成する工程の一方又は両方を更に含んでもよい。中間層４を形成する工程及び保護層５を形成する工程では、公知の方法が適宜選択される。
【０１５１】
＜第４実施形態：ビスブタジエンハライド化合物＞
本発明の第４実施形態に係るビスブタジエンハライド化合物は、下記一般式（１０）で表される（以下、ビスブタジエンハライド化合物（１０）と記載することがある）。
【０１５２】
【化２４】
2019218294.tif 000028
【０１５３】
一般式（１０）中、Ｒaは、炭素原子数１以上８以下のアルキル基、又は炭素原子数１以上８以下のアルコキシ基を表す。ｎは、０以上４以下の整数を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。複数のＲaは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のｎは、互いに同一でも異なっていてもよい。複数のＸは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１５４】
ビスブタジエンハライド化合物（１０）は、本発明の第２実施形態に係るビスブタジエン誘導体（１）の製造方法に用いることができる。即ち、ビスブタジエンハライド化合物（１０）は、本発明の第１実施形態に係るビスブタジエン誘導体（１）の原料化合物として用いることができる。
【０１５５】
一般式（１０）中、Ｒa及びｎの好ましい基及び数値は、各々、第１実施形態において説明した一般式（１）中のＲa及びｎの好ましい基及び数値と同様である。
【０１５６】
一般式（１０）中、Ｘとしては、塩素原子又は臭素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１５７】
ビスブタジエンハライド化合物（１０）としては、例えば、下記一般式（１０−ａ）、（１０−ｂ）又は（１０−ｃ）で表される化合物が挙げられ、これらの中で、下記一般式（１０−ａ）又は（１０−ｂ）で表される化合物が好ましい。
【０１５８】
【化２５】
2019218294.tif 000029
【０１５９】
一般式（１０−ａ）、（１０−ｂ）及び（１０−ｃ）中、Ｒa、ｎ及びＸは、各々、一般式（１０）中のＲa、ｎ及びＸと同義である。
【０１６０】
ビスブタジエンハライド化合物（１０）としては、下記化学式（１０−１）又は（１０−２）で表される化合物（以下、それぞれビスブタジエンハライド化合物（１０−１）又は（１０−２）と記載することがある）が好ましい。
【０１６１】
【化２６】
2019218294.tif 000030
【０１６２】
［ビスブタジエンハライド化合物（１０）の製造方法］
ビスブタジエンハライド化合物（１０）は、例えば、下記反応式（Ｑ−１）及び（Ｑ−２）で表される反応（以下、それぞれ反応（Ｑ−１）及び（Ｑ−２）と記載することがある）を行う工程を含む製造方法により得ることができる。以下、下記反応式（Ｑ−１）及び（Ｑ−２）中の一般式（２０）、（２２）及び（２３）で表される化合物を、それぞれ化合物（２０）、（２２）及び（２３）と記載することがある。
【０１６３】
【化２７】
2019218294.tif 000031
【０１６４】
反応式（Ｑ−１）及び（Ｑ−２）中、Ｒa、Ｘ及びｎは、一般式（１０）中のＲa、Ｘ及びｎと同義である。Ｚは、ハロゲン原子である。
【０１６５】
［反応（Ｑ−１）］
反応（Ｑ−１）では、１モル当量の化合物（２０）と、化学式（２１）で表される２モル当量の亜リン酸トリエチルとを反応させて、１モル当量の化合物（２２）を得る。反応（Ｑ−１）において、化合物（２０）及び亜リン酸トリエチルの添加量のモル比（化合物（２０）／亜リン酸トリエチル）としては、１／１．５以上１／２．５以下が好ましい。反応（Ｑ−１）の反応温度としては、１６０℃以上２００℃以下が好ましい。反応（Ｑ−１）の反応時間としては、２時間以上１０時間以下が好ましい。反応（Ｑ−１）は、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下等）で行うことが好ましい。
【０１６６】
［反応（Ｑ−２）］
反応（Ｑ−２）では、１モル当量の化合物（２２）と、２モル当量の化合物（２３）とを反応させて、１モル当量のビスブタジエンハライド化合物（１０）を得る。反応（Ｑ−２）では、反応（Ｑ−１）により得られた化合物（２２）に対し、精製せずに化合物（２３）を加えてもよい。この場合、反応（Ｑ−１）に用いる化合物（２０）の添加量と、反応（Ｑ−２）に用いる化合物（２３）添加量とのモル比（化合物（２０）／化合物（２３））としては、１／２以上１／６以下が好ましい。反応（Ｑ−２）の反応温度としては、０℃以上５０℃以下が好ましい。反応（Ｑ−２）の反応時間としては、２時間以上２４時間以下が好ましい。
【０１６７】
反応（Ｑ−２）は、塩基の存在下で行われてもよい。塩基としては、例えば、ナトリウムアルコキシド（より具体的には、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド及びナトリウムブトキシド等）、金属水素化物（より具体的には、水素化ナトリウム及び水素化カリウム等）、又は金属塩（より具体的には、ｎ−ブチルリチウム等）が挙げられる。塩基としては、ナトリウムアルコキシドが好ましく、ナトリウムブトキシドがより好ましい。これらの塩基は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。塩基の添加量としては、化合物（２３）１モルに対して、０．５モル以上１．５モル以下が好ましい。
【０１６８】
溶剤としては、例えば、上述の反応（Ｐ）に用いてもよい溶剤として例示したものと同様の溶剤が挙げられ、ジメチルホルムアミドが好ましい。
【０１６９】
反応（Ｑ−２）により得られるビスブタジエンハライド化合物（１０）は、必要に応じて精製してもよい。精製方法としては、例えば、公知の方法（例えば、ろ過、シリカゲルクロマトグラフィー又は晶析）が挙げられる。
【実施例】
【０１７０】
以下、実施例を用いて本発明を更に具体的に説明する。しかし、本発明は実施例の範囲に何ら限定されない。
【０１７１】
積層型感光体の電荷輸送層を形成するための材料として、以下の正孔輸送剤、バインダー樹脂及び電子受容化合物を準備した。
【０１７２】
（正孔輸送剤）
正孔輸送剤として、第１実施形態で述べたビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）を準備した。合成方法を以下に示す。
【０１７３】
ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の合成では、第４実施形態で述べたビスブタジエンハライド化合物（１０−１）を原料化合物として用いた。まず、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）の合成方法を記載する。
【０１７４】
（ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）の合成）
５００ｍＬ二つ口フラスコに、下記化学式（２０−１）で表されるα，α’−ジクロロ−ｍ−キシレン１７．５１ｇ（０．１ｍｏｌ）と、下記化学式（２１）で表される亜リン酸トリエチル３４．８９ｇ（０．２１ｍｏｌ）とを添加した。この反応溶液を窒素置換下にて１８０℃で４時間攪拌した後、室温まで冷却した。これにより、下記化学式（２２−１）で表される化合物が得られた。この反応溶液に脱水ジメチルホルムアミド（脱水ＤＭＦ）９４．７ｇを添加した後、−２０℃まで冷却した。この反応溶液にナトリウムブトキシド３１．６８ｇ（０．３３ｍｏｌ）を添加した後、−２０℃以上０℃以下を維持しながら１０分間攪拌した。
【０１７５】
攪拌後、反応溶液に下記化学式（２３−１）で表される４−クロロシンナムアルデヒドのＤＭＦ溶液１５５．２７ｇ（４−クロロシンナムアルデヒド６９．９７ｇ（０．４２ｍｏｌ）を脱水ＤＭＦ約８５ｇにあらかじめ溶解させた溶液）を加え、室温で１２時間攪拌した。得られた混合物を、１Ｌ三角フラスコに入れた塩酸水溶液２５２．３ｇ（３５％塩酸３１．３ｇ（０．３ｍｏｌ）及びイオン交換水２２１ｇの混合液）に注いだ。その後、反応溶液の入っていた二つ口フラスコをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で洗浄し、洗浄に用いたＴＨＦを上述の三角フラスコに更に注いだ。
【０１７６】
析出した固体をろ過し、ろ液の色が透明になるまで残渣をメタノールで洗浄した。洗浄後の残渣を真空オーブンにて７０℃で２４時間乾燥させることで、下記化学式（１０−１）で表されるビスブタジエンハライド化合物（１０−１）１９．９ｇを得た（収率４９．３％）。一連の反応を下記反応式（Ｑ−１）及び（Ｑ−２）に示す。
【０１７７】
【化２８】
2019218294.tif 000032
【０１７８】
次に、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）を原料化合物とするビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の合成方法を記載する。
【０１７９】
（ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の合成）
５００ｍＬ二口フラスコに、上述の方法で得たビスブタジエンハライド化合物（１０−１）８．０６７ｇ（０．０２ｍｏｌ）と、下記式（１１−１）で表される４−メチルジフェニルアミン８．４２９ｇ（０．０４６ｍｏｌ）と、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル０．２２９ｇ（０．０００４８ｍｏｌ）と、酢酸パラジウム０．０２７ｇ（０．０００１２ｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド４．９９２ｇ（０．０５２ｍｏｌ）と、混合キシレン７５ｇとを加えた後、内部を窒素ガスで置換した。その後、二口フラスコ内の反応液を１５０℃で５時間攪拌し、攪拌後に７０℃まで冷却した。更に、この反応液に活性白土（東新化成株式会社製「ＳＡ−１」）を４．２ｇ添加し、７０℃に維持したまま１０分間攪拌した。そして、反応液を７０℃に保ったまま熱時ろ過（１回目）し、上述の活性白土及び不溶解物が除去されたろ液を回収した。その後、ろ液に活性白土（東新化成株式会社製「ＳＡ−１」）１６．８ｇを再度添加し、７０℃で１０分間攪拌した。攪拌後のろ液について、再びろ過（２回目）を実施し、ろ液を回収した。
【０１８０】
その後、２回目のろ過後に回収したろ液から、エバポレーターでキシレンを除去した。得られた残渣をＴＨＦ５０ｇに溶解し、これをイソフロパノール２５０ｇに滴下し、析出物をろ取した。ろ取した析出物を、展開溶媒としてトルエン及びｎ−ヘキサンを用いたカラムクロマトによって精製し、下記化学式（ＨＴＭ−１）で表されるビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）１０．０ｇを得た（収率７１．７％）。一連の反応を下記反応式（Ｐ−１）に示す。
【０１８１】
【化２９】
2019218294.tif 000033
【０１８２】
（ビスブタジエンハライド化合物（１０−２）の合成）
以下の点を変更した以外は、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）の合成と同様の方法で、下記化学式（１０−２）で表されるビスブタジエンハライド化合物（１０−２）を合成した。具体的には、ビスブタジエンハライド化合物（１０−２）の合成では、α，α’−ジクロロ−ｍ−キシレンの代わりに、下記化学式（２０−２）で表されるα，α’−ジクロロ−ｏ−キシレン１７．５１ｇ（０．１ｍｏｌ）用いた。その結果、ビスブタジエンハライド化合物（１０−２）１７．５ｇを得た（収率４３．４％）。
【０１８３】
なお、ビスブタジエンハライド化合物（１０−２）の合成において使用される各原料は、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）の合成において使用される対応する原料のモル数と同じモル数とした。
【０１８４】
【化３０】
2019218294.tif 000034
【０１８５】
（ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−２）〜（ＨＴＭ−５）の合成）
以下の点を変更した以外は、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の合成と同様の方法で、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−２）〜（ＨＴＭ−５）を合成した。具体的には、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−２）〜（ＨＴＭ−５）の合成では、化学式（１０−１）及び（１１−１）で表される化合物を、必要に応じ、下記表３に示す種類及び添加量の化合物に変更した。下記表３には、各反応の収量及び収率を示す。
【０１８６】
なお、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−２）〜（ＨＴＭ−５）の合成において添加される各原料は、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の合成において添加される対応する原料のモル数と同じモル数とした。
【０１８７】
【表３】
2019218294.tif 000035
【０１８８】
【化３１】
2019218294.tif 000036
【０１８９】
次に、1Ｈ−ＮＭＲ（プロトン核磁気共鳴分光計）を用いて、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）及び（１０−２）、並びにビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定した。磁場強度は３００ＭＨｚに設定した。溶媒として、重水素化クロロホルム（ＣＤＣｌ3）を使用した。内部標準物質としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を使用した。ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）及び（１０−２）のうちの代表例として、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値を以下に示す。ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）のうちの代表例として、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値を以下に示す。測定された1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値から、ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）及びビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）が得られていることを確認した。ビスブタジエンハライド化合物（１０−２）及びビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−２）〜（ＨＴＭ−５）についても、測定された1Ｈ−ＮＭＲスペクトルの化学シフト値から、各々の化合物が得られていることを確認した。
【０１９０】
ビスブタジエンハライド化合物（１０−１）：1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝７．４４（ｓ，１Ｈ），７．２０−７．３６（ｍ，１５Ｈ），６．９４−７．０９（ｍ，２Ｈ），６．６５−６．８０（ｍ，２Ｈ）
ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）：1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ＝７．４６（ｓ，１Ｈ），７．２１−７．３１（ｍ，１１Ｈ），６．９５−７．１１（ｍ，２０Ｈ），６．７９−６．９３（ｍ，３Ｈ），６．５８−６．６５（ｍ，３Ｈ），２．３２（ｓ，６Ｈ）
【０１９１】
比較例で使用する正孔輸送剤として、下記化学式（ｈ−１）〜（ｈ−３）で表される化合物（以下、正孔輸送剤（ｈ−１）〜（ｈ−３）と記載することがある）を準備した。
【０１９２】
【化３２】
2019218294.tif 000037
【０１９３】
（バインダー樹脂）
バインダー樹脂として、第３実施形態で述べたポリアリレート樹脂（Ｒ−１）〜（Ｒ−３）並びにポリカーボネート樹脂（Ｒ−４）及び（Ｒ−５）を準備した。各樹脂の粘度平均分子量を以下に示す。
ポリアリレート樹脂（Ｒ−１）：５０，５００
ポリアリレート樹脂（Ｒ−２）：５０，１００
ポリアリレート樹脂（Ｒ−３）：４８，３００
ポリカーボネート樹脂（Ｒ−４）：５３，４００
ポリカーボネート樹脂（Ｒ−５）：５０，９００
【０１９４】
（電子アクセプター化合物）
電子アクセプター化合物として、第３実施形態で述べた化合物（ＥＴＭ−１）〜（ＥＴＭ−５）を準備した。
【０１９５】
［感光体（Ａ−１）の製造］
以下、実施例１に係る感光体（Ａ−１）の製造方法について説明する。
【０１９６】
（中間層の形成）
まず、表面処理された酸化チタン（テイカ株式会社製「試作品ＳＭＴ−Ａ」、数平均一次粒径１０ｎｍ）を準備した。詳しくは、アルミナとシリカとを用いて酸化チタンを表面処理し、更に、表面処理された酸化チタンを湿式分散しながらメチルハイドロジェンポリシロキサンを用いて表面処理したものを準備した。次いで、表面処理された酸化チタン（２質量部）と、ポリアミド樹脂（東レ株式会社製「アミラン（登録商標）ＣＭ８０００」）（１質量部）とを、混合溶剤に対して添加した。混合溶剤は、メタノール（１０質量部）と、ブタノール（１質量部）と、トルエン（１質量部）とを含んでいた。ポリアミド樹脂は、ポリアミド６、ポリアミド１２、ポリアミド６６及びポリアミド６１０の四元共重合ポリアミド樹脂であった。ビーズミルを用いて、これらを５時間混合し、混合溶剤中に材料（表面処理された酸化チタン及びポリアミド樹脂）を分散させた。これにより、中間層用塗布液を調製した。
【０１９７】
得られた中間層用塗布液を、目開き５μｍのフィルターを用いてろ過した。次いで、ディップコート法を用いて、導電性基体の表面に中間層用塗布液を塗布し、塗布膜を形成した。導電性基体は、アルミニウム製のドラム状支持体（直径３０ｍｍ及び全長２４６ｍｍ）であった。続いて、塗布膜を１３０℃で３０分間乾燥させ、導電性基体上に中間層（膜厚２μｍ）を形成した。
【０１９８】
（電荷発生層の形成）
Ｙ型チタニルフタロシアニン（１．５質量部）と、ベース樹脂としてのポリビニルアセタール樹脂（積水化学工業株式会社製「エスレックＢＸ−５」）（１質量部）とを、混合溶剤に対して添加した。混合溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（４０質量部）と、テトラヒドロフラン（４０質量部）とを含んでいた。ビーズミルを用いて、これらを２時間混合し、混合溶剤中に材料（Ｙ型チタニルフタロシアニン及びポリビニルアセタール樹脂）を分散させた。これにより、電荷発生層用塗布液を調整した。
【０１９９】
得られた電荷発生層用塗布液を、目開き３μｍのフィルターを用いてろ過した。次いで、得られたろ過液を、上述のようにして形成された中間層上にディップコート法を用いて塗布し、塗布膜を形成した。塗布膜を５０℃で５分間乾燥させた。これにより、中間層上に電荷発生層（膜厚０．３μｍ）を形成した。
【０２００】
（電荷輸送層の形成）
正孔輸送剤としてのビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）６０質量部と、添加剤としての酸化防止剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）１０１０」）０．５質量部と、電子アクセプター化合物としての化合物（ＥＴＭ−１）２質量部と、バインダー樹脂としてのポリアリレート樹脂（Ｒ−１）（粘度平均分子量５０，５００）１００質量部と、レベリング剤としてのジメチルシリコーンオイル（信越化学工業株式会社製「Ｋ−９６−５０ＣＳ」）０．０５質量部とを、混合溶剤に対して添加した。混合溶剤は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）３５０質量部及びトルエン３５０質量部を含んでいた。これらを混合し、混合溶剤中に材料（正孔輸送剤、添加剤、電子アクセプター化合物及びポリアリレート樹脂）を分散させて、電荷輸送層用塗布液を調製した。
【０２０１】
電荷発生層用塗布液と同様の操作により、電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に塗布し、塗布膜を形成した。次いで、塗布膜を１２０℃にて４０分間乾燥させて、電荷発生層上に電荷輸送層（膜厚２０μｍ）を形成した。その結果、感光体（Ａ−１）が得られた。感光体（Ａ−１）は、導電性基体上に、中間層、電荷発生層及び電荷輸送層が、この順で積層された構成を有していた。
【０２０２】
［感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の製造］
次の点を変更した以外は、感光体（Ａ−１）の製造と同じ方法で、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々を製造した。具体的には、感光体（Ａ−１）の製造においては正孔輸送剤としてビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）を使用したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−１）の各々の製造においては下記表４に示す種類の正孔輸送剤を使用した。また、感光体（Ａ−１）の製造においてはバインダー樹脂としてポリアリレート樹脂（Ｒ−１）を使用したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々の製造においては下記表４に示す種類の樹脂を使用した。更に、感光体（Ａ−１）の製造においては電子輸送剤として化合物（ＥＴＭ−１）を使用したが、感光体（Ａ−２）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々の製造においては下記表４に示す種類の電子輸送剤を使用した。下記表４の「正孔輸送剤」の種類におけるＨＴＭ−１〜ＨＴＭ−５は、それぞれビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）を示す。
【０２０３】
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々について、以下に示す方法により電気特性（帯電特性及び感度特性）を測定した。測定結果を下記表４に示す。
【０２０４】
＜帯電特性の測定＞
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々に対して、温度１０℃及び相対湿度２０％ＲＨの環境下で、帯電特性を測定した。詳しくは、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いて、積層型感光体の回転数３１ｒｐｍ及び積層型感光体への流れ込み電流−１０μＡの条件下で感光体を帯電させた。帯電させた感光体の表面電位を測定した。測定した表面電位を感光体の帯電電位Ｖ0（単位：−Ｖ）とした。
【０２０５】
＜感度特性の測定＞
感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１３）及び（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の各々に対して、温度１０℃及び相対湿度２０％ＲＨの環境下で、感度特性を評価した。詳しくは、ドラム感度試験機（ジェンテック株式会社製）を用いて、感光体の表面を−６００Ｖに帯電させた。次いで、単色光（波長：７８０ｎｍ、露光量：０．２６μＪ／ｃｍ2）をハロゲンランプの光からバンドパスフィルターを用いて取り出し、感光体の表面に照射した。単色光の照射終了から５０ミリ秒が経過した時点の感光体の表面電位を測定した。測定した表面電位を、感光体の露光後電位ＶL（単位：−Ｖ）とした。
【０２０６】
【表４】
2019218294.tif 000038
【０２０７】
ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）は、一般式（１）で表される化合物であった。感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１３）は、導電性基体と、導電性基体上に間接的に設けられた感光層を備えていた。この感光層は、電荷発生剤と、電荷輸送剤と、バインダー樹脂とを含有していた。この電荷輸送剤は、ビスブタジエン誘導体（ＨＴＭ−１）〜（ＨＴＭ−５）を含んでいた。
【０２０８】
一方、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の感光層は、ビスブタジエン誘導体（１）を含有していなかった。具体的には、感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の感光層は化合物（ｈ−１）〜（ｈ−３）を含有しているが、化合物（ｈ−１）〜（ｈ−３）は一般式（１）で表される化合物ではなかった。
【０２０９】
表４から明らかなように、感光体（Ａ−１）〜（Ａ−１３）は、比較例の感光体（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）と比較し、露光後電位ＶLが絶対値で小さい値であり、感度特性が優れていた。
【０２１０】
以上のことから、本発明に係るビスブタジエン誘導体は、従来の正孔輸送剤よりも感光体の感度特性を向上できると判断される。また、本発明に係る感光体は、従来の感光体よりも感度特性に優れていると判断される。更に、本発明に係るビスブタジエン誘導体の製造方法は、上述のビスブタジエン誘導体を効率的に製造することができると判断される。更に、本発明のビスブタジエンハライド化合物は、上述のビスブタジエン誘導体の製造方法に用いることができると判断される。
【産業上の利用可能性】
【０２１１】
本発明に係るビスブタジエン誘導体及び感光体は、画像形成装置に利用することがきる。本発明に係るビスブタジエン誘導体の製造方法及びビスブタジエンハライド化合物は、上述のビスブタジエン誘導体の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【０２１２】
１    電子写真感光体
２    導電性基体
３    感光層
３ａ  単層の感光層
３ｂ  電荷発生層
３ｃ  電荷輸送層
４    中間層
５    保護層
【図１】
2019218294.tif 000050
【図２】
2019218294.tif 000051
【図３】
2019218294.tif 000052
【図４】
2019218294.tif 000053
【図５】
2019218294.tif 000054
【図６】
2019218294.tif 000055