(57)【要約】【課題】被加工物を破損させることなく分割しうる分割方法を提供する。【解決手段】分割方法は、パルスレーザビームＬＢの照射方向に伸長する細孔３を分割予定ラインＳに沿って複数形成するレーザ加工ステップと、その後、押圧部材１８で分割予定ラインＳを押圧してウェーハＷを分割予定ラインＳに沿って分割する分割ステップとを備え、細孔３はウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂの少なくとも一方に開口する一端３ａを有するとともに一端３ａから他端３ｂへ向かって縮径しており、分割ステップでは、ウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのうち細孔３の一端３ａが開口していない面に対して押圧部材１８で押圧するように構成したため、他端３ｂよりも拡径した一端３ａ側が押し拡げられやすくなり、ウェーハＷを破損させることなく良好に分割することができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物に設定された分割予定ラインに沿って被加工物を分割する分割方法であって、
該分割予定ラインに沿って被加工物にレーザビームを照射して、該レーザビームの照射方向に伸長する細孔を該分割予定ラインに沿って複数形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施した後、押圧部材で該分割予定ラインを押圧して被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、
該細孔は被加工物の表面または裏面の少なくとも一方に開口する一端を有するとともに該一端から他端へ向かって縮径しており、
該分割ステップでは、被加工物の表面または裏面のうち該細孔の該一端が開口していない面に対して該押圧部材で押圧する分割方法。
【請求項２】
請求項１に記載の分割方法であって、
少なくとも前記分割ステップを実施する前に、前記細孔の前記一端または前記他端が被加工物の表面または裏面のどちらに形成されているかを確認する確認ステップを更に備えた分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に設定された分割予定ラインに沿って被加工物を分割する分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハなどの被加工物は、その表面にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され形成されている。被加工物を個々のチップに分割する方法として、例えば、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を分割予定ラインに対応する被加工物の内部に位置づけ、レーザビームと被加工物とを相対的に走査させることにより、ウェーハの内部に分割予定ラインに沿って複数のシールドトンネルを形成し、その後、分割予定ラインに沿って外力を加えて被加工物を分割する方法がある（例えば、下記の特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２２１４８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、被加工物に外力を加える際に、押圧部材を押し当てる面によっては被加工物が破損してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、被加工物を破損させることなく分割しうる分割方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、被加工物に設定された分割予定ラインに沿って被加工物を分割する分割方法であって、該分割予定ラインに沿って被加工物にレーザビームを照射して、該レーザビームの照射方向に伸長する細孔を該分割予定ラインに沿って複数形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、押圧部材で該分割予定ラインを押圧して被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備え、該細孔は被加工物の表面または裏面の少なくとも一方に開口する一端を有するとともに該一端から他端へ向かって縮径しており、該分割ステップでは被加工物の表面または裏面のうち該細孔の該一端が開口していない面に対して該押圧部材で押圧することができる。
【０００７】
または、本発明は、上記分割方法であって、少なくとも上記分割ステップを実施する前に、上記細孔の上記一端または上記他端が被加工物の表面または裏面のどちらに形成されているかを確認する確認ステップを更に備えた構成となっている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る分割方法は、分割予定ラインに沿って被加工物にレーザビームを照射して、レーザビームの照射方向に伸長する細孔を分割予定ラインに沿って複数形成するレーザ加工ステップと、レーザ加工ステップを実施した後、押圧部材で分割予定ラインを押圧して被加工物を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップとを備え、細孔は被加工物の表面または裏面の少なくとも一方に開口する一端を有するとともに一端から他端へ向かって縮径しており、分割ステップでは、被加工物の表面または裏面のうち細孔の一端が開口していない面に対して押圧部材で押圧するように構成したため、他端よりも拡径した一端側が押し拡げられやすくなり、ウェーハの分割性が向上し、ウェーハを破損させることなく良好に分割することができる。
【０００９】
また、本発明に係る分割方法は、少なくとも上記分割ステップを実施する前に、細孔の一端または他端が被加工物の表面または裏面のどちらに形成しているかを確認する確認ステップを更に備えたため、分割ステップのときに上記押圧部材で外力を加えるべき細孔の一端を把握した上で分割ステップに進むことができ、被加工物を確実に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ウェーハの一例の構成を示す斜視図である。
【図２】レーザ加工ステップの第１例を示す断面図である。
【図３】第１例のパルスレーザビームの集光点位置を説明するための部分拡大断面図である。
【図４】レーザ加工ステップの第１例を実施した後のウェーハの状態を示す一部拡大断面図である。
【図５】分割ステップの第１例を示す断面図である。
【図６】レーザ加工ステップの第２例を示す断面図である。
【図７】第２例のパルスレーザビームの集光点位置を説明するための部分拡大断面図である。
【図８】レーザ加工ステップの第２例を実施した後のウェーハの状態を示す一部拡大断面図である。
【図９】分割ステップの第２例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
１  分割方法の第１例
図１に示すウェーハＷは、円形板状の基板を有する被加工物の一例であって、その表面Ｗａには、格子状の分割予定ラインＳが設定されている。この分割予定ラインＳで区画された各領域にそれぞれデバイスＤが形成されている。一方、ウェーハＷの表面Ｗａと反対側にある面は、レーザビームが入射する裏面Ｗｂとなっている。ウェーハＷの材質は、例えば、ガラス、LT/LN（タンタル酸リチウム/ニオブ酸リチウム）、SiC（シリコンカーバイド）、Si（シリコン）、水晶、サファイア、セラミックス等によって形成されている。
【００１２】
ウェーハＷを個々のデバイスＤを有するチップに分割するためには、中央が開口した環状のフレーム１の下面に伸張可能なテープ２を貼着し、フレーム１の中央から露出したテープ２にウェーハＷの表面Ｗａ側を貼着して裏面Ｗｂを上向きに露出させる。このようにして、テープ２を介してフレーム１とウェーハＷとを一体に形成する。テープ２は、特に限定されないが、例えばポリオレフィンやポリ塩化ビニル等からなる基材層に粘着層が積層された２層構造のエキスパンドシートを用いる。以下に、ウェーハＷを個々のチップに分割する分割方法の第１例について説明する。
【００１３】
（１）  レーザ加工ステップ
図２に示すように、フレーム１と一体となったウェーハＷを保持する保持手段１０によってウェーハＷを保持するとともに、保持手段１０の上方に配設されたレーザビーム照射手段１６で分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷをレーザ加工する。保持手段１０は、ウェーハＷを保持する保持面１１ａを有する保持テーブル１１と、保持テーブル１１の周縁に配設されたフレーム保持手段１２とを備えている。
【００１４】
フレーム保持手段１２は、フレーム１が載置されるフレーム載置台１３と、フレーム載置台１３に接続された軸部１４と、軸部１４を支点に回転しフレーム載置台１３に載置されたフレーム１の上面を押さえるクランプ部１５とを備えている。レーザビーム照射手段１６は、分割予定ラインＳに沿って細孔を形成するための波長を有するパルスレーザビームＬＢを集光する集光レンズが内蔵された集光器１７と、パルスレーザビームＬＢを発振する発振器と、発振器から発振されたパルスレーザビームＬＢの出力を調整する出力調整器とを少なくとも備えている。レーザビーム照射手段１６は、上下方向に移動可能となっており、上下に集光器１７を移動させてパルスレーザビームＬＢの集光位置を調整することができる。集光レンズは、例えば球面収差を有する集光レンズであり、パルスレーザビームＬＢの集光点をウェーハＷの厚み方向に延在するように位置づけられる。なお、光軸方向に収差が生じた状態でウェーハＷにパルスレーザビームＬＢを照射できればよく、集光レンズの発振器側やウェーハＷ側にレンズを配置することで収差を形成してもよいし、所定の拡がり角を持っているパルスレーザビームＬＢを発振器から発振し、集光レンズで集光するようにしてもよい。
【００１５】
ウェーハＷをレーザ加工する際には、テープ２が貼着されたウェーハＷの表面Ｗａ側を保持テーブル１１の保持面１１ａに載置するとともに、フレーム１をフレーム載置台１３に載置する。クランプ部１５が軸部１４を中心に回転し、フレーム１の上面を押さえて固定する。第１例のレーザ加工ステップは、例えば下記の加工条件１に設定されて実施される。
【００１６】
［加工条件１］
ウェーハの材質                      ：ＬＴ（タンタル酸リチウム）
波長                                ：１０３０ｎｍ
平均出力                            ：３Ｗ
繰り返し周波数                      ：５０ｋＨｚ
パルス幅                            ：１０ｐｓ
スポット径                          ：φ１０μｍ
加工送り速度                        ：５００ｍｍ／ｓ
集光レンズの開口数／ウェーハの屈折率：０．０５〜０．２０
【００１７】
レーザビーム照射手段１６は、集光器１７をウェーハＷに接近する方向に下降させ、レーザビームＬＢの集光点の位置をウェーハＷの厚み方向に延在するように位置づける。例えば、図３に示すように、集光器１７の最も内側にある光軸Ｏ上を通過するパルスレーザビームＬＢ１の集光点Ｐ１の位置をウェーハＷの裏面Ｗｂ側に位置づけるとともに、集光器１７の最も外側を通過するパルスレーザビームＬＢｎの集光点Ｐｎの位置を保持テーブル１１側（ウェーハＷの表面Ｗａ側）に位置づけるように設定する。これにより、集光器１７の集光レンズを通るパルスレーザビームＬＢの集光点は、ウェーハＷの裏面Ｗｂから表面Ｗａにかけて延在するように位置づけられる。
【００１８】
例えば、ウェーハＷの厚みが３００μｍの場合は、表面Ｗａから裏面Ｗｂまでの厚み、すなわち、３００μｍにわたって集光点Ｐ１〜Ｐｎが延在するように集光点の位置を設定することが好ましい。集光点Ｐ１〜Ｐｎの長さは、必ずしもウェーハＷの厚みよりも大きく設定する必要はないが、ウェーハＷの表面Ｗａから裏面Ｗｂまでの全体の厚みにわたって設定することで、より良好ないわゆるシールドトンネル（細孔とこの周囲が変質した変質領域）をウェーハＷの内部に形成することができる。なお、図３の例では、パルスレーザビームＬＢの集光点位置を説明するために、パルスレーザビームＬＢをＬＢ１〜ＬＢｎに分けるとともに、集光点をＰ１〜Ｐｎに分けて説明しているが、実際にこのように分解された状態で見えるものではない。
【００１９】
次いで、図２に示すウェーハＷを所定の加工送り速度（５００ｍｍ／ｓ）で例えば矢印Ｘ方向に加工送りしながら、レーザビーム照射手段１６は、図１に示した分割予定ラインＳに沿って、所定の波長（１０３０ｎｍ）を有するパルスレーザビームＬＢをウェーハＷの裏面Ｗｂ側から照射して、パルスレーザビームＬＢの照射方向に伸長する図４に示す細孔３を分割予定ラインＳに沿って複数形成する。細孔３は、ウェーハＷの裏面Ｗｂにおいて少なくとも開口４が形成された一端３ａを有するとともに一端３ａから他端３ｂへ向かって縮径した微細な孔となっている。開口４は、パルスレーザビームＬＢの入射面側（裏面Ｗｂ側）に形成されている。ウェーハＷの内部に細孔３が形成されることで、後述する分割ステップを実施するときに、比較的小さな外力を他端３ｂ側から加えるだけで、細孔３の他端３ｂ側よりも拡径した一端３ａ側が押し拡がりやすく、ウェーハＷを良好に分割しうる。
【００２０】
細孔３の周囲には、変質した変質領域５が細孔３を囲繞して形成されている。レーザビームＬＢの照射による細孔３の形成を分割予定ラインＳに沿って間欠的に繰り返し行って、細孔３を複数形成する。隣接する細孔３間には一部でクラックが形成される。そして、図１に示した全ての分割予定ラインＳに沿って複数の細孔３および変質領域５を形成したら、レーザ加工ステップが完了する。細孔３は例えばφ１μｍとなっており、第１例では、ウェーハＷの加工送り速度を５００ｍｍ／ｓ、パルスレーザビームＬＢの繰り返し周波数を５０ｋＨｚに設定することで、１０μｍピッチで分割予定ラインＳに沿って細孔３が形成される。
【００２１】
（２）  確認ステップ
少なくとも分割ステップを実施する前に、細孔３の一端３ａ（開口４）または他端３ｂ（一端３ａよりも小さい開口）がウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのどちらに形成されているかを確認する。確認の仕方としては、例えば、図示しない顕微鏡を用いて、ウェーハＷの表面Ｗａ及び裏面Ｗｂを観察してもよい。ウェーハＷの表面Ｗａ側の細孔３のサイズと裏面Ｗｂ側の細孔３のサイズとを比較すると、第１例では、ウェーハＷの裏面Ｗｂに細孔３の一端３ａが形成され、ウェーハＷの表面Ｗａに細孔３の他端３ｂが形成されていることが確認できる。ウェーハＷの表裏面を観察しても細孔３の一端３ａ，他端３ｂを確認できない場合は、例えば、分割ステップに進む前に、ウェーハＷの不要領域やウェーハＷと同材質のダミーワークを切削ブレードで切削加工してウェーハＷの表裏面を完全切断し、ウェーハＷの断面を観察することにより、細孔３の一端３ａまたは他端３ｂがウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのどちらに形成されているかを確認してもよい。なお、第１例では、説明の便宜上、図４、後述の図５に細孔３や変質領域５を模式的に示して明瞭に図示したが、実際に加工で形成された細孔３や変質領域５は明瞭ではなく判然としていない。このように判然としてなくても、少なくともウェーハＷの表裏面側を観察すれば、細孔３の一端３ａ（開口４）と他端３ｂ（一端３ａよりも小さい開口）とがウェーハＷの表面Ｗａと裏面Ｗｂとのどちらの面に形成されているのかを判別することができる。
【００２２】
（３）  分割ステップ
図５に示すように、ウェーハＷの表裏を反転させ、例えば支持部材１９においてウェーハＷの細孔３の一端３ａ側、即ち開口４が形成されている側を支持して、支持部材１９の上方側に配設された押圧部材１８によって分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを分割する。支持部材１９は、間隙１９０を有しており、テープ２を介してウェーハＷを支持することができる。押圧部材１８は、例えばブレーキングブレ−ドであり、その先端部１８０が図１に示した分割予定ラインＳの直線に沿って直線形状に形成されており、ウェーハＷの内部に外力を加えることができる。押圧部材１８は、図示しない昇降機構によって上下方向に移動可能となっている。
【００２３】
ウェーハＷの分割予定ラインＳと押圧部材１８との位置合わせを行うために、図示しないアライメントカメラにより分割予定ラインＳを検出する。続いて、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側を下向きにした状態で支持部材１９の上にウェーハＷを載置する。このとき、１本の分割予定ラインＳを支持部材１９の間隙１９０の内側に移動させることにより、間隙１９０の上方側に１本の分割予定ラインＳに沿って形成された細孔３の開口４を位置づける。
【００２４】
また、分割ステップでは、ウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのうち細孔３の一端３ａが開口していない面（他端３ｂが形成された側の面）に対して押圧部材１８を位置づける。第１例では、押圧部材１８の先端部１８０を、ウェーハＷの表面Ｗａであって、分割予定ラインＳの真上の位置に位置づける。次いで、押圧部材１８をウェーハＷに接近する方向に下降させ、先端部１８０によってテープ２を介して所定の深さだけウェーハＷの表面Ｗａを下方に押圧して外力（曲げ応力）を加える。所定の深さは、例えば、ウェーハＷの上面高さ位置から２０μｍに設定される。このようにウェーハＷを押圧することにより、細孔３の縮径した他端３ｂ側から拡径した一端３ａ側が押し拡がって間隙１９０の上方に位置する部分が下方に押され、外力に耐えられなくなったウェーハＷは分割される。
【００２５】
１本の分割予定ラインＳに沿って分割した後、ウェーハＷを例えば矢印Ｙ方向にインデックス送りして、隣接する分割予定ラインＳを支持部材１９の間隙１９０の内側に移動させて押圧部材１８の先端部１８０を分割予定ラインＳに当接できる位置に位置合わせを行ったら、隣接する分割予定ラインＳに沿って押圧部材１８で上記同様に押圧してウェーハＷの表面Ｗａ側から下方に押圧して外力を加える。このようにして、押圧部材１８により、全ての分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを個々のチップに分割したら、分割ステップが完了する。
【００２６】
このように、本発明に係る分割方法の第１例では、レーザ加工ステップを実施してパルスレーザビームＬＢの照射方向に伸張する細孔３を分割予定ラインＳに沿って形成した後、分割ステップを実施するときに、ウェーハＷの表裏面のうち、細孔３の縮径した他端３ｂが形成された面（例えば表面Ｗａ）を押圧部材１８で押圧するように構成したため、他端３ｂよりも拡径した一端３ａ側が押し拡げられやすくなり、一端３ａ側を押圧する場合と比較してウェーハＷの分割性が向上し、ウェーハＷを破損させることなく良好に分割することができる。また、本発明では、少なくとも分割ステップを実施する前に、確認ステップを実施して細孔３の一端３ａまたは他端３ｂがウェーハＷの表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのどちらに形成しているかを確認するため、分割ステップのときに押圧部材１８で外力を加えるべき細孔３の一端３ａを把握した上で、分割ステップに進むことができ、ウェーハＷを確実に分割することができる。
【００２７】
２  分割方法の第２例
次に、図６−８を参照しながら、ウェーハＷ１を個々のチップに分割する分割方法の第２例について説明する。
【００２８】
（１）  レーザ加工ステップ
図６に示すように、第１例と同様に、テープ２が貼着されたウェーハＷ１の表面Ｗａ側を保持テーブル１１の保持面１１ａに載置するとともに、フレーム１をフレーム載置台１３に載置する。クランプ部１５が軸部１４を中心に回転し、フレーム１の上面を押さえて固定する。第２例のレーザ加工ステップは、例えば下記の加工条件２に設定されて実施される。ウェーハＷ１は、上記ウェーハＷと材質以外は同様の構成であるため、共通の符号を付している。
【００２９】
［加工条件２］
ウェーハの材質                      ：ＳｉＣ（シリコンカーバイド）
波長                                ：５３０ｎｍ
平均出力                            ：３Ｗ
繰り返し周波数                      ：５０ｋＨｚ
パルス幅                            ：１０ｐｓ
スポット径                          ：φ１０μｍ
加工送り速度                        ：５００ｍｍ／ｓ
集光レンズの開口数／ウェーハの屈折率：０．０５〜０．２０
【００３０】
レーザビーム照射手段１６は、集光器１７をウェーハＷ１に接近する方向に下降させ、レーザビームＬＢ’の集光点の位置をウェーハＷ１の厚み方向に延在するように位置づける。例えば、図７に示すように、集光器１７の最も内側にある光軸Ｏ上を通過するパルスレーザビームＬＢ１の集光点Ｐ１の位置を、図６に示した保持テーブル１１側（ウェーハＷ１の表面Ｗａ側）に位置づけるとともに、集光器１７の最も外側を通過するパルスレーザビームＬＢｎの集光点Ｐｎの位置をウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側に位置づけるように設定する。これにより、集光器１７の集光レンズを通るパルスレーザビームＬＢ’の集光点は、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂから表面Ｗａにかけて延在するように位置づけられる。次いで、ウェーハＷ１を所定の加工送り速度（５００ｍｍ／ｓ）で例えば矢印Ｘ方向に加工送りしながら、レーザビーム照射手段１６は、図１に示した分割予定ラインＳに沿って、所定の波長（５３０ｎｍ）を有するパルスレーザビームＬＢ’をウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側から照射して、パルスレーザビームＬＢ’の照射方向に伸長する図８に示す細孔６を分割予定ラインＳに沿って複数形成する。
【００３１】
細孔６は、ウェーハＷ１の表面Ｗａにおいて少なくとも開口７が形成された一端６ａを有するとともに一端６ａから他端６ｂへ向かって縮径した微細な孔であり、第１例の細孔３と逆向きに形成されている。つまり、開口７は、パルスレーザビームＬＢ’の入射面と反対側（表面Ｗａ側）に形成され、細孔６の他端６ｂが裏面Ｗｂ側のウェーハＷ１内部に形成されている。集光レンズの中心側を通過する図７に示したパルスレーザビームＬＢ１の方がパルスレーザビームＬＢｎよりもパワーがある加工性が高いため、第２例では、パルスレーザビームＬＢ１の集光点Ｐ１側に開口７が形成される。ウェーハＷ１の内部に細孔６が形成されることで、後述する分割ステップを実施するときに、比較的小さな外力を他端６ｂ側から加えるだけで、細孔６の他端６ｂ側よりも拡径した一端６ａ側が押し拡がりやすく、ウェーハＷ１を良好に分割しうる。細孔６の周囲には、変質した変質領域８が細孔６を囲繞して形成されている。隣接する細孔６間には一部でクラックが形成される。全ての分割予定ラインＳに沿って複数の細孔６および変質領域８を形成したら、レーザ加工ステップが完了する。細孔６は例えばφ１μｍとなっており、第２例においても、ウェーハＷ１の加工送り速度を５００ｍｍ／ｓ、パルスレーザビームＬＢ’の繰り返し周波数を５０ｋＨｚに設定することで、１０μｍピッチで分割予定ラインＳに沿って細孔６が形成される。
【００３２】
（２）  確認ステップ
少なくとも分割ステップを実施する前に、細孔６の一端６ａ（開口７）または他端６ｂ（一端６ｂよりも小さい開口）がウェーハＷ１の表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのどちらに形成されているかを確認する。第２例では、ウェーハＷ１の表面Ｗａに開口７、即ち細孔６の一端６ａが形成され、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側に細孔６の他端６ｂが形成されていることが確認できる。確認の仕方は、第１例と同様である。なお、第２例においても、説明の便宜上、図８、後述の図９に細孔６や変質領域８を模式的に示して明瞭に図示したが、実際に加工で形成された細孔６や変質領域８は明瞭ではなく判然としていない。
【００３３】
（３）  分割ステップ
図９に示すように、例えば支持部材１９においてウェーハＷ１の細孔６の一端６ａ側、即ち開口７が形成されている側を支持して、支持部材１９の上方側に配設された押圧部材１８によって分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷ１を分割する。第１例と同様、図示しないアライメントカメラにより分割予定ラインＳを検出する。続いて、テープ２側を下向きにした状態で支持部材１９の上にウェーハＷを載置する。このとき、１本の分割予定ラインＳを支持部材１９の間隙１９０の内側に移動させることにより、間隙１９０の上方側に１本の分割予定ラインＳに沿って形成された細孔６の開口７を位置づける。
【００３４】
また、第２例においても、ウェーハＷ１の表面Ｗａまたは裏面Ｗｂのうち細孔６の一端６ａが開口していない面（他端６ｂが形成された側の面）に対して押圧部材１８を位置づける。第２例では、押圧部材１８の先端部１８０を、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂであって、分割予定ラインＳの真上の位置に位置づける。押圧部材１８をウェーハＷ１に接近する方向に下降させ、先端部１８０によって所定の深さだけウェーハＷ１の裏面Ｗｂを下方に押圧して外力（曲げ応力）を加える。所定の深さは、例えば、ウェーハＷ１の上面高さ位置から２０μｍに設定される。このようにウェーハＷ１を押圧することにより、細孔６の縮径した他端６ｂ側から拡径した一端６ａ側が押し拡がって間隙１９０の上方に位置する部分が下方に押され、外力に耐えられなくなったウェーハＷ１は分割される。なお、本実施形態では、ウェーハＷ１の裏面Ｗｂを押圧部材１８で直接押圧しているが、テープ等を介して裏面Ｗｂを押圧してもよい。
【００３５】
１本の分割予定ラインＳに沿って分割した後、ウェーハＷ１を例えば矢印Ｙ方向にインデックス送りして、隣接する分割予定ラインＳを支持部材１９の間隙１９０の内側に移動させて押圧部材１８の先端部１８０を分割予定ラインＳに当接できる位置に位置合わせを行ったら、隣接する分割予定ラインＳに沿って押圧部材１８で上記同様に押圧してウェーハＷ１の裏面Ｗｂ側から下方に押圧して外力を加える。このようにして、押圧部材１８により、全ての分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷ１を個々のチップに分割したら、分割ステップが完了する。このように、本発明に係る分割方法の第２例においても、分割ステップを実施するときに、ウェーハＷ１の表裏面のうち、細孔６の縮径した他端６ｂが形成された面（例えば裏面Ｗｂ）を押圧部材１８で押圧するように構成したため、他端６ｂよりも拡径した一端６ａ側が押し拡げられやすくなり、一端６ａ側を押圧する場合と比較してウェーハＷ１の分割性が向上し、ウェーハＷ１を破損させることなく良好に分割することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１：フレーム  ２：テープ  ３：細孔  ３ａ：一端  ３ｂ：他端  ４：開口
５：変質領域  ６：細孔  ６ａ：一端  ６ｂ：他端  ７：開口  ８：変質領域
１０：保持手段  １１：保持テーブル  １１ａ：保持面  １２：フレーム保持手段
１３：フレーム載置台  １４：軸部  １５：クランプ部
１６：レーザビーム照射手段  １７：集光器
１８：押圧部材  １８０：先端部  １９：支持部材  １９０：間隙
【図１】
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【図２】
2019033212.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2019033212.tif 000007
【図６】
2019033212.tif 000008
【図７】
2019033212.tif 000009
【図８】
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【図９】
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