(57)【要約】    【課題】  高い信頼性を有するプリント配線板の製造方法の提供    【解決手段】  実施形態のプリント配線板１０の製造方法は、コア基板３０を形成することと、コア基板３０上にビルドアップ層Ｂｕ１，Ｂｕ２を形成することを含む。そして、コア基板３０を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みは、ビルドアップ層Ｂｕ１、Ｂｕ２を形成している内側の導体層５８Ｆ、５８Ｓの厚みより厚い。【選択図】  図１
2019091775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア層と前記第１面上に積層されている第１金属箔と前記第２面上に積層されている第２金属箔とからなる出発基板を準備すること、と
前記出発基板にスルーホール導体用の貫通孔を形成すること、と
前記第１金属箔上に第１シード層を形成すること、と
前記第２金属箔上に第２シード層を形成すること、と
前記貫通孔の側壁上にシード層を形成すること、と
前記第１シード層上に第１電解めっき膜を形成すること、と
前記第２シード層上に第２電解めっき膜を形成すること、と
前記貫通孔の側壁上のシード層上に電解めっき膜を形成することで、前記貫通孔にスルーホール導体を形成すること、と
前記第１電解めっき膜上に第１エッチングレジストを形成することと、
前記第２電解めっき膜上に第２エッチングレジストを形成することと、
前記第１エッチングレジストから露出する前記第１電解めっき膜、前記第１シード層と前記第１金属箔を除去すること、と
前記第２エッチングレジストから露出する前記第２電解めっき膜、前記第２シード層と前記第２金属箔を除去すること、と
前記第１エッチングレジストを除去することで、前記第１面上に前記第１金属箔と前記第１金属箔上の前記第１シード層と前記第１シード層上の前記第１電解めっき膜とからなる第１導体層を形成すること、と
前記第２エッチングレジストを除去することで、前記第２面上に前記第２金属箔と前記第２金属箔上の前記第２シード層と前記第２シード層上の前記第２電解めっき膜とからなる第２導体層を形成すること、と
前記第１面と前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成すること、と
前記第２面と前記第２導体層上に第２樹脂絶縁層を形成すること、と
前記第１樹脂絶縁層上に第３金属箔を積層すること、と
前記第２樹脂絶縁層上に第４金属箔を積層すること、と
前記第３金属箔と前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体層に至る第３開口を形成すること、と
前記第４金属箔と前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層に至る第４開口を形成すること、と
前記第３金属箔上と前記第３開口内に第３シード層を形成すること、と
前記第４金属箔上と前記第４開口内に第４シード層を形成すること、と
前記第３シード層上に第１めっきレジストを形成すること、と
前記第４シード層上に第２めっきレジストを形成すること、と
前記第１めっきレジストから露出する前記第３シード層上に第３電解めっき膜を形成すること、と
前記第２めっきレジストから露出する前記第４シード層上に第４電解めっき膜を形成すること、と
前記第１めっきレジストと前記第２めっきレジストを除去すること、と
前記第３電解めっき膜から露出する前記第３シード層と前記第３金属箔を除去することで、前記第１樹脂絶縁層上に前記第３金属箔と前記第３金属箔上の前記第３シード層と前記第３シード層上の前記第３電解めっき膜とからなる第３導体層を形成すること、と
前記第４電解めっき膜から露出する前記第４シード層と前記第４金属箔を除去することで、前記第２樹脂絶縁層上に前記第４金属箔と前記第４金属箔上の前記第４シード層と前記第４シード層上の前記第４電解めっき膜とからなる第４導体層を形成すること、と
前記第１樹脂絶縁層と前記第３導体層上に最外の第１樹脂絶縁層を形成すること、と
前記第２樹脂絶縁層と前記第４導体層上に最外の第２樹脂絶縁層を形成すること、と
前記最外の第１樹脂絶縁層上に最外の第１金属箔を積層すること、と
前記最外の第２樹脂絶縁層上に最外の第２金属箔を積層すること、と
前記最外の第１金属箔と前記最外の第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第３導体層に至る最外の第１開口を形成すること、と
前記最外の第２金属箔と前記最外の第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第４導体層に至る最外の第２開口を形成すること、と
前記最外の第１金属箔上と前記最外の第１開口内に最外の第１シード層を形成すること、と
前記最外の第２金属箔上と前記最外の第２開口内に最外の第２シード層を形成すること、と
前記最外の第１シード層上に最外の第１電解めっき膜を形成すること、と
前記最外の第２シード層上に最外の第２電解めっき膜を形成すること、と
前記最外の第１電解めっき膜上に最外の第１エッチングレジストを形成すること、と
前記最外の第２電解めっき膜上に最外の第２エッチングレジストを形成すること、と
前記最外の第１エッチングレジストから露出する前記最外の第１電解めっき膜と前記最外の第１シード層と前記最外の第１金属箔を除去すること、と
前記最外の第２エッチングレジストから露出する前記最外の第２電解めっき膜と前記最外の第２シード層と前記最外の第２金属箔を除去すること、と
前記最外の第１エッチングレジストを除去することで、前記最外の第１樹脂絶縁層上に前記最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の前記最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の前記最外の第１電解めっき膜とからなる最外の第１導体層を形成すること、と
前記最外の第２エッチングレジストを除去することで、前記最外の第２樹脂絶縁層上に前記最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の前記最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の前記最外の第２電解めっき膜とからなる最外の第２導体層を形成すること、とからなるプリント配線板の製造方法であって、
前記第１導体層の厚みと前記第３導体層の厚みとの比（第１導体層の厚み／第３導体層の厚み）は１．２以上、３以下であり、前記第１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みと前記最外の第１導体層の厚みと前記最外の第２導体層の厚みは略等しく、前記第３導体層の厚みと前記第４導体層の厚みは略等しい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第１シード層を形成することと前記第２シード層を形成することと前記シード層を形成することは同時に行われ、前記第１電解めっき膜を形成することと前記第２電解めっき膜を形成することと前記電解めっき膜を形成することは同時に行われ、前記第１エッチングレジストを形成することと前記第２エッチングレジストを形成することは同時に行われ、前記第１導体層を形成することと前記第２導体層を形成することは同時に行われ、前記第１樹脂絶縁層を形成することと前記第２樹脂絶縁層を形成することと前記第３金属箔を積層することと前記第４金属箔を積層することは同時に行われ、前記第３シード層を形成することと前記第４シード層を形成することは同時に行われ、前記第１めっきレジストを形成することと前記第２めっきレジストを形成することは同時に行われ、前記第３電解めっき膜を形成することと前記第４電解めっき膜を形成することは同時に行われ、前記第３導体層を形成することと前記第４導体層を形成することは同時に行われ、前記最外の第１シード層を形成することと前記最外の第２シード層を形成することは同時に行われ、前記最外の第１電解めっき膜を形成することと前記最外の第２電解めっき膜を形成することは同時に行われ、前記最外の第１エッチングレジストを形成することと前記最外の第２エッチングレジストを形成することは同時に行われ、前記最外の第１導体層を形成することと前記最外の第２導体層を形成することは同時に行われる。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第３金属箔の厚みは、前記第１金属箔の厚みと前記第２金属箔の厚みと前記第３金属箔の厚みと前記最外の第１金属箔の厚みと前記最外の第２金属箔の厚みの中で最も小さく、前記第４金属箔の厚みは、前記第１金属箔の厚みと前記第２金属箔の厚みと前記第４金属箔の厚みと前記最外の第１金属箔の厚みと前記最外の第２金属箔の厚みの中で最も小さい。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記第１金属箔は、前記第１面と前記第１金属箔との間の界面に第１マット面を有し、前記第２金属箔は、前記第２面と前記第２金属箔との間の界面に第２マット面を有し、前記第３金属箔は、前記第１樹脂絶縁層と前記第３金属箔との間の界面に第３マット面を有し、前記第４金属箔は、前記第２樹脂絶縁層と前記第４金属箔との間の界面に第４マット面を有し、前記最外の第１金属箔は、前記最外の第１樹脂絶縁層と前記最外の第１金属箔との間の界面に最外の第１マット面を有し、前記最外の第２金属箔は、前記最外の第２樹脂絶縁層と前記最外の第２金属箔との間の界面に最外の第２マット面を有し、前記第３マット面の粗面の大きさは、前記第１マット面の粗面の大きさ、前記第２マット面の粗面の大きさ、前記最外の第１マット面の粗面の大きさと前記最外の第２マット面の粗面の大きさより小さく、前記第３マット面の粗面の大きさと前記第４マット面の粗面の大きさは略等しい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア層とコア層上に交互に積層されている導体層と樹脂絶縁層とを有するプリント配線板を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は図２Ａに多層プリント配線板を開示している。そのプリント配線板では、絶縁層と導体層が交互に積層されていて、隣接する導体層は絶縁層に形成されているバイアホールで接続されている。また、特許文献１は、図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに多層プリント配線板の製造方法を示している。特許文献１の図９Ｂによれば、特許文献１は、銅箔に至るバイアホール形成用の開口を絶縁層に形成している。その後、特許文献１は、その開口内にバイアホールを形成している。それから、図９Ｅに示されるように、絶縁層の両面に導体層が形成されている。そして、図９Ｅの回路基板の両面に絶縁層と導体層を交互に積層することで、特許文献１は、図１２Ａに示される多層プリント配線板を製造している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１５６５２５号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
図９Ａ〜９Ｅ、及び、図１０Ａ〜１０Ｅ、図１１、図１２Ａ〜１２Ｂに示されている製造方法によれば、特許文献１では、図９Ｅの回路基板はコア基板と考えられる。そして、そのコア基板は銅箔に至るバイアホールを有している。例えば、特許文献１の図１２Ａに示される多層プリント配線板はヒートサイクルでストレスを受けると、図９Ｅに示される回路基板（コア基板）が大きなストレスを受けると考えられる。特に、特許文献１の図９Ｅに示される回路基板（コア基板）に形成されているバイアホールの底面とその底面と接続している銅箔（導体回路）との間の界面に働くストレスが大きいと考えられる。そのストレスで図９Ｅに示される回路基板（コア基板）内のバイアホールの底面と銅箔（導体回路）との間の接続信頼性が低下すると予想される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有するコア層と前記第１面上に積層されている第１金属箔と前記第２面上に積層されている第２金属箔とからなる出発基板を準備することと、前記出発基板にスルーホール導体用の貫通孔を形成することと、前記第１金属箔上に第１シード層を形成することと、前記第２金属箔上に第２シード層を形成することと、前記貫通孔の側壁上にシード層を形成することと、前記第１シード層上に第１電解めっき膜を形成することと、前記第２シード層上に第２電解めっき膜を形成することと、前記貫通孔の側壁上のシード層上に電解めっき膜を形成することで、前記貫通孔にスルーホール導体を形成することと、前記第１電解めっき膜上に第１エッチングレジストを形成することと、前記第２電解めっき膜上に第２エッチングレジストを形成することと、前記第１エッチングレジストから露出する前記第１電解めっき膜、前記第１シード層と前記第１金属箔を除去することと、前記第２エッチングレジストから露出する前記第２電解めっき膜、前記第２シード層と前記第２金属箔を除去することと、前記第１エッチングレジストを除去することで、前記第１面上に前記第１金属箔と前記第１金属箔上の前記第１シード層と前記第１シード層上の前記第１電解めっき膜とからなる第１導体層を形成することと、前記第２エッチングレジストを除去することで、前記第２面上に前記第２金属箔と前記第２金属箔上の前記第２シード層と前記第２シード層上の前記第２電解めっき膜とからなる第２導体層を形成することと、前記第１面と前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第２面と前記第２導体層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層上に第３金属箔を積層することと、前記第２樹脂絶縁層上に第４金属箔を積層することと、前記第３金属箔と前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体層に至る第３開口を形成することと、前記第４金属箔と前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体層に至る第４開口を形成することと、前記第３金属箔上と前記第３開口内に第３シード層を形成することと、前記第４金属箔上と前記第４開口内に第４シード層を形成することと、前記第３シード層上に第１めっきレジストを形成することと、前記第４シード層上に第２めっきレジストを形成することと、前記第１めっきレジストから露出する前記第３シード層上に第３電解めっき膜を形成することと、前記第２めっきレジストから露出する前記第４シード層上に第４電解めっき膜を形成することと、前記第１めっきレジストと前記第２めっきレジストを除去することと、前記第３電解めっき膜から露出する前記第３シード層と前記第３金属箔を除去することで、前記第１樹脂絶縁層上に前記第３金属箔と前記第３金属箔上の前記第３シード層と前記第３シード層上の前記第３電解めっき膜とからなる第３導体層を形成することと、前記第４電解めっき膜から露出する前記第４シード層と前記第４金属箔を除去することで、前記第２樹脂絶縁層上に前記第４金属箔と前記第４金属箔上の前記第４シード層と前記第４シード層上の前記第４電解めっき膜とからなる第４導体層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層と前記第３導体層上に最外の第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層と前記第４導体層上に最外の第２樹脂絶縁層を形成することと、前記最外の第１樹脂絶縁層上に最外の第１金属箔を積層することと、前記最外の第２樹脂絶縁層上に最外の第２金属箔を積層することと、前記最外の第１金属箔と前記最外の第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第３導体層に至る最外の第１開口を形成することと、前記最外の第２金属箔と前記最外の第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第４導体層に至る最外の第２開口を形成することと、前記最外の第１金属箔上と前記最外の第１開口内に最外の第１シード層を形成することと、前記最外の第２金属箔上と前記最外の第２開口内に最外の第２シード層を形成することと、前記最外の第１シード層上に最外の第１電解めっき膜を形成することと、前記最外の第２シード層上に最外の第２電解めっき膜を形成することと、前記最外の第１電解めっき膜上に最外の第１エッチングレジストを形成することと、前記最外の第２電解めっき膜上に最外の第２エッチングレジストを形成することと、前記最外の第１エッチングレジストから露出する前記最外の第１電解めっき膜と前記最外の第１シード層と前記最外の第１金属箔を除去することと、前記最外の第２エッチングレジストから露出する前記最外の第２電解めっき膜と前記最外の第２シード層と前記最外の第２金属箔を除去することと、前記最外の第１エッチングレジストを除去することで、前記最外の第１樹脂絶縁層上に前記最外の第１金属箔と前記最外の第１金属箔上の前記最外の第１シード層と前記最外の第１シード層上の前記最外の第１電解めっき膜とからなる最外の第１導体層を形成することと、前記最外の第２エッチングレジストを除去することで、前記最外の第２樹脂絶縁層上に前記最外の第２金属箔と前記最外の第２金属箔上の前記最外の第２シード層と前記最外の第２シード層上の前記最外の第２電解めっき膜とからなる最外の第２導体層を形成すること、とからなる。そして、前記第１導体層の厚みと前記第３導体層の厚みとの比（第１導体層の厚み／第３導体層の厚み）は１．２以上、３以下であり、前記第１導体層の厚みと前記第２導体層の厚みと前記最外の第１導体層の厚みと前記最外の第２導体層の厚みは略等しく、前記第３導体層の厚みと前記第４導体層の厚みは略等しい。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、コア層上の導体層（コア基板を形成する第１導体層と第２導体層）と最外の導体層（最外の第１導体層と最外の第２導体層）は、サブトラクティブ法で形成され、コア基板の導体層と最外の導体層との間に位置する導体層（第３導体層と第４導体層）はＭＳＡＰ法で形成されている。そして、最外の第１導体層の厚みと最外の第２導体層の厚みは、第３導体層の厚みと第４導体層の厚みより厚い。従って、厚い厚みを有する最外の導体層でプリント配線板が補強される。プリント配線板は、最も外に位置する導体層で補強される。そのため、プリント配線板の反りを低減することができる。
また、コア基板の導体層（第１導体層と第２導体層）の厚みは、第３導体層の厚みと第４導体層の厚みより厚い。そのため、コア基板は厚い厚みを有するコア基板の導体層で補強される。従って、スルーホール導体に働くストレスを小さくすることができる。スルーホール導体を介する第１導体層と第２導体層間の接続信頼性を高くすることができる。
第３導体層の厚みと第４導体層の厚みは、最外の導体層の厚みやコア基板の導体層の厚みより薄い。そのため、コア基板と最外の導体層の間に位置する導体層に微細な導体回路を形成することができる。導体層の数と樹脂絶縁層の数を少なくすることができる。スルーホール導体の直上に形成されるビア導体の数を少なくすることができる。そのため、スルーホール導体に働くストレスを小さくすることができる。スルーホール導体を介する第１導体層と第２導体層間の接続信頼性を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は半田バンプを有するプリント配線板の断面図である。
【図２】図２（Ａ）は実施形態のプリント配線板の拡大図であり、図２（Ｂ）は貫通孔の説明図である。
【図３】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図７】実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図８】実施形態のプリント配線板の説明図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図７に示される。
図３（Ａ）に示される出発基板２０ｚが準備される。出発基板２０ｚは、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆに積層されている第１金属箔３２ｔｆと第２面Ｓに積層されている第２金属箔３２ｔｓで形成されている。第１金属箔３２ｔｆは、コア層２０の第１面Ｆと第１金属箔３２ｔｆとの間の界面に第１マット面３２ｔｆｍを有する。第１マット面３２ｔｆｍの粗面の十点平均粗さＲｚ１は３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。第２金属箔３２ｔｓは、コア層２０の第２面Ｓと第２金属箔３２ｔｓとの間の界面に第２マット面３２ｔｓｍを有する。第２マット面３２ｔｓｍの粗面の十点平均粗さＲｚ２は３．５μｍ以上、５．０μｍ以下である。コア層２０は樹脂と補強材で形成されている。コア層２０は無機粒子を有しても良い。コア層２０の樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。コア層２０の補強材の例はガラスクロスやアラミド繊維である。コア層２０の無機粒子の例はシリカやアルミナである。
【０００９】
図３（Ｂ）に示されるように、第１金属箔３２ｔｆにＣＯ２レーザが照射される。コア層２０の第１面Ｆ側に第１開口２８Ｆが形成される。第１開口２８Ｆは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。第１開口２８Ｆは、ダイレクト法、もしくは、コンフォーマル法で形成される。ダイレクト法では、金属箔にレーザが直接照射される。コンフォーマル法では、金属箔に開口が形成され、その後、その開口により露出されるコア層や樹脂絶縁層にレーザが照射される。
【００１０】
図３（Ｃ）に示されるように、第２金属箔３２ｔｓにＣＯ２レーザが照射される。コア層２０の第２面Ｓ側に第２開口２８Ｓが形成される。第２開口２８Ｓは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている。テーパーが形成されるように、レーザの条件が設定される。レーザの条件はショット数やパルス幅、出力等である。第２ショットの径を第１ショットの径より小さくすることが出来る。コア層２０内で第２開口２８Ｓが第１開口２８Ｆに繋がる。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓで貫通孔２８が形成される。第１開口と第２開口の接合箇所に接合エリア２８Ｐが形成される。接合エリア２８Ｐの外周がネック部２８Ｃを形成する。接合エリア２８Ｐは図２（Ｂ）に示されている。図２（Ｂ）では、接合エリア２８Ｐに斜線が描かれている。第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓはダイレクト法で形成される。
【００１１】
第１金属箔３２ｔｆと第２金属箔３２ｔｓ、貫通孔２８の側壁上に無電解めっき処理により第１シード層４２ｔｆと第２シード層４２ｔｓとシード層４２ｔｔが形成される（図３（Ｄ））。第１シード層４２ｔｆと第２シード層４２ｔｓとシード層４２ｔｔは同時に形成されている。第１シード層４２ｔｆは第１金属箔３２ｔｆ上に形成されている。第２シード層４２ｔｓは第２金属箔３２ｔｓ上に形成されている。シード層４２ｔｔは貫通孔２８の側壁上に形成されている。
第１シード層４２ｔｆを用いて、第１シード層上に第１電解めっき膜４４ｔｆが形成され、第２シード層４２ｔｓを用いて、第２シード層上に第２電解めっき膜４４ｔｓが形成される。シード層４２ｔｔを用いて貫通孔２８内に電解めっき膜４４ｔｔが形成される（図４（Ａ））。第１電解めっき膜４４ｔｆと第２電解めっき膜４４ｔｓと電解めっき膜で４４ｔｔは同時に形成される。
第１電解めっき膜４４ｔｆ上に第１エッチングレジスト４８ｔｆが形成される。第２電解めっき膜４４ｔｓ上に第２エッチングレジスト４８ｔｓが形成される（図４（Ｂ））。第１エッチングレジスト４８ｔｆと第２エッチングレジスト４８ｔｓは同時に形成される。
第１エッチングレジスト４８ｔｆから露出する第１電解めっき膜４４ｔｆと第１シード層４２ｔｆ、第１金属箔３２ｔｆがエッチングで除去される。第２エッチングレジスト４８ｔｓから露出する第２電解めっき膜４４ｔｓと第２シード層４２ｔｓ、第２金属箔３２ｔｓがエッチングで除去される。第１電解めっき膜４４ｔｆと第１シード層４２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆの除去と第２電解めっき膜４４ｔｓと第２シード層４２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓの除去は同時に行われる。
第１エッチングレジスト４８ｔｆと第２エッチングレジスト４８ｔｓが同時に除去され、第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓが形成される。同時に、貫通孔２８にスルーホール導体３６が形成される。コア基板３０が完成する（図４（Ｃ））。第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓはサブトラクティブ法で形成される。
実施形態では、貫通孔２８の略中央部分に接合エリア２８Ｐやネック部２８Ｃが形成される。そのため、めっきでスルーホール導体３６が形成される時、スルーホール導体３６内にボイドが発生し難い。スルーホール導体３６の信頼性が高い。第１導体層３４Ｆは、第１金属箔３２ｔｆと第１金属箔３２ｔｆ上の第１シード層４２ｔｆと第１シード層４２ｔｆ上の第１電解めっき膜４４ｔｆから成る。第２導体層３４Ｓは第２金属箔３２ｔｓと第２金属箔３２ｔｓ上の第２シード層４２ｔｓと第２シード層４２ｔｓ上の第２電解めっき膜４４ｔｓから成る。第１導体層３４Ｆの厚みＴｆは１５μｍ以上、３５μｍ以下であり、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓは１５μｍ以上、３５μｍ以下であり、第１導体層３４Ｆの第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１は２μｍ以上、１５μｍ以下であり、第２導体層３４Ｓの第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２は２μｍ以上、１５μｍ以下である。第１導体層３４Ｆの第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みｔ１は１μｍ以上、１２μｍ以下であり、第２導体層３４Ｓの第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みｔ２は１μｍ以上、１２μｍ以下である。
第１導体層３４Ｆはスルーホール導体直上に形成されている第１スルーホールランド３６Ｆを含む。第１スルーホールランド３６Ｆはスルーホール導体３６に直接繋がっている。第２導体層３４Sはスルーホール導体直上に形成されている第２スルーホールランド３６Sを含む。第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６に直接繋がっている。
【００１２】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に第１樹脂絶縁層５０Ｆと第３金属箔３２ｓｆが順に積層される。第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に第２樹脂絶縁層５０Ｓと第４金属箔３２ｓｓが順に積層される（図４（Ｄ））。第３金属箔３２ｓｆは、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第３金属箔３２ｓｆとの間の界面に第３マット面３２ｓｆｍを有する。第３マット面３２ｓｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＩ１は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。第４金属箔３２ｓｓは、第２樹脂絶縁層５０Ｓと第４金属箔３２ｓｓとの間の界面に第４マット面３２ｓｓｍを有する。第４マット面３２ｓｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＩ２は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層５０Ｓは、ガラスクロス等の補強材とシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成されている。
ＣＯ２ガスレーザにて第１樹脂絶縁層５０Ｆと第３金属箔３２ｓｆを貫通し第１導体層３４Ｆへ至る第３開口５１Ｆが形成される。第２樹脂絶縁層５０Ｓと第４金属箔３２ｓｓを貫通し第２導体層３４Ｓに至る第４開口５１Ｓが形成される（図５（Ａ））。第３開口と第４開口はダイレクト法、もしくは、コンフォーマル法で形成される。コンフォーマル法が好ましい。
【００１３】
第３金属箔３２ｓｆと第３開口５１Ｆの内壁上に第３シード層４２ｓｆが形成される。第４金属箔３２ｓｓと第４開口５１Ｓの内壁上に第４シード層４２ｓｓが形成される。第３シード層４２ｓｆと第４シード層４２ｓｓは同時に形成される。
第３シード層４２ｓｆ上に第１めっきレジスト４８ｓｆが形成され、第４シード層４２ｓｓ上に第２めっきレジスト４８ｓｓが形成される（図５（Ｂ））。第１めっきレジスト４８ｓｆと第２めっきレジスト４８ｓｓは同時に形成される。
第１めっきレジスト４８ｓｆから露出する第３シード層４２ｓｆ上に第３電解めっき膜４４ｓｆが形成される。第２めっきレジスト４８ｓｓから露出する第４シード層４２ｓｓ上に第４電解めっき膜４４ｓｓが形成される。この時、第３開口５１Ｆは第３電解めっき膜４４ｓｆで充填される。第４開口５１Ｓは第４電解めっき膜４４ｓｓで充填される。第３開口５１Ｆに第１導体層３４Ｆと接続する第１ビア導体６０Ｆが形成され。第４開口５１Ｓに第２導体層３４Ｓと接続する第２ビア導体６０Ｓが形成される（図５（Ｃ））。めっきレジスト４８ｓｆ、４８ｓｓが除去される。第１めっきレジスト４８ｓｆと第２めっきレジスト４８ｓｓは同時に除去される。
第３電解めっき膜４４ｓｆから露出する第３シード層４２ｓｆと第３金属箔３２ｓｆが除去される。第４電解めっき膜４４ｓｓから露出する第４シード層４２ｓｓと第４金属箔３２ｓｓが除去される。第３シード層４２ｓｆと第３金属箔３２ｓｆと第４シード層４２ｓｓと第４金属箔３２ｓｓは同時に除去される。第３導体層５８Ｆと第４導体層５８ＳがＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）法で形成される（図５（Ｄ））。
【００１４】
第３導体層５８Ｆは、第３金属箔３２ｓｆと第３金属箔３２ｓｆ上の第３シード層４２ｓｆと第３シード層４２ｓｆ上の第３電解めっき膜４４ｓｆとから成る。第４導体層５８Ｓは、第４金属箔３２ｓｓと第４金属箔３２ｓｓ上の第４シード層４２ｓｓと第４シード層４２ｓｓ上の第４電解めっき膜４４ｓｓとから成る。
第３導体層５８Ｆの厚みＳｆは５μｍ以上、２５μｍ以下であり、第４導体層５８Ｓの厚みＳｓは５μｍ以上、２５μｍ以下である。第３金属箔３２ｓｆの厚みＳ１は２μｍ以上、５μｍ以下であり、第３電解めっき膜４４ｓｆの厚みｓ１は５μｍ以上、２５μｍ以下である。第４金属箔３２ｓｓの厚みＳ２は２μｍ以上、５μｍ以下であり、第４電解めっき膜４４ｓｓの厚みｓ２は５μｍ以上、２５μｍ以下である。
【００１５】
図４（Ｄ）〜図５（Ｄ）の工程が繰り返される。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆが第１樹脂絶縁層５０Ｆと第３導体層５８Ｆ上に形成される。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓが第２樹脂絶縁層５０Ｓと第４導体層５８Ｓ上に形成される。
第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第５導体層１５８ＦがＭＳＡＰ法で形成される。同時に、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第３導体層５８Ｆと第５導体層１５８Ｆを接続する第３ビア導体１６０Ｆが形成される。第５導体層１５８Ｆは、第５金属箔３２ｇｆと第５金属箔３２ｇｆ上の第５シード層４２ｇｆと第５シード層４２ｇｆ上の第５電解めっき膜４４ｇｆとから成る。
第５金属箔３２ｇｆは、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと第５金属箔３２ｇｆとの間の界面に第５マット面３２ｇｆｍを有する。第５マット面３２ｇｆｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＵＩ１は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。
第５導体層１５８Ｆの厚みＧｆは５μｍ以上、２５μｍ以下である。第５導体層１５８Ｆを形成する第５金属箔３２ｇｆの厚みＧ１は２μｍ以上、５μｍ以下であり、第５電解めっき膜４４ｇｆの厚みｇ１は５μｍ以上、２５μｍ以下である。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第６導体層１５８ＳがＭＳＡＰ法で形成される。同時に、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第４導体層５８Ｓと第６導体層１５８Ｓを接続する第４ビア導体１６０Ｓが形成される（図６（Ａ））。第６導体層１５８Ｓは、第６金属箔３２ｇｓと第６金属箔３２ｇｓ上の第６シード層４２ｇｓと第６シード層４２ｇｓ上の第６電解めっき膜４４ｇｓとから成る。
第６金属箔３２ｇｓは、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第６金属箔３２ｇｓとの間の界面に第６マット面３２ｇｓｍを有する。第６マット面３２ｇｓｍの凹凸の十点平均粗さＲｚＵＩ２は１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。
第６導体層１５８Ｓの厚みＧｓは５μｍ以上、２５μｍ以下である。第６導体層１５８Ｓを形成する第６金属箔３２ｇｓの厚みＧ２は２μｍ以上、５μｍ以下であり、第６電解めっき膜４４ｇｓの厚みｇ２は５μｍ以上、２５μｍ以下である。
【００１６】
第３樹脂絶縁層１５０Ｆと第５導体層１５８Ｆ上に最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆが順に積層される。
第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第６導体層１５８Ｓ上に最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓが順に積層される。
ダイレクト法で最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと最外の第１金属箔３２ｕｆを貫通し、第５導体層１５８Ｆに至る第５開口（最外の第１開口）２５１Ｆが形成される。
ダイレクト法で最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと最外の第２金属箔３２ｕｓを貫通し、第６導体層１５８Ｓに至る第６開口（最外の第２開口）２５１Ｓが形成される。
最外の第１金属箔３２ｕｆと第５開口２５１Ｆの内壁上に第７シード層（最外の第１シード層）４２ｕｆが形成される。最外の第２金属箔３２ｕｓと第６開口２５１Ｓの内壁上に第８シード層（最外の第２シード層）４２ｕｓが形成される。第７シード層４２ｕｆと第８シード層４２ｕｓは同時に形成される。
第７シード層４２ｕｆ上に第７電解めっき膜（最外の第１電解めっき膜）４４ｕｆが形成される。第８シード層４２ｕｓ上に第８電解めっき膜（最外の第２電解めっき膜）４４ｕｓが形成される。第７電解めっき膜４４ｕｆと第８電解めっき膜４４ｕｓは同時に形成される。
第７電解めっき膜４４ｕｆ上に第７エッチングレジスト（最外の第１エッチングレジスト）４８ｕｆが形成される。第８電解めっき膜４４ｕｓ上に第８エッチングレジスト（最外の第２エッチングレジスト）４８ｕｓが形成される。第７エッチングレジスト４８ｕｆと第８エッチングレジスト４８ｕｓは同時に形成される。
第７エッチングレジスト４８ｕｆから露出する第７電解めっき膜４４ｕｆと第７シード層４２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆがサブトラクティブ法で除去される。
第８エッチングレジスト４８ｕｓから露出する第８電解めっき膜４４ｕｓと第８シード層４２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓがサブトラクティブ法で除去される。
第７電解めっき膜４４ｕｆと第７シード層４２ｕｆと最外の第１金属箔３２ｕｆと第８電解めっき膜４４ｕｓと第８シード層４２ｕｓと最外の第２金属箔３２ｕｓは同時に除去される。
【００１７】
実施形態のプリント配線板１０では、コア基板を形成している導体層３４Ｆ、３４Ｓと最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓはサブトラクティブ法で形成される。そして、コア基板と最外の導体層との間に位置する導体層が複数の場合、少なくとも１つの導体層はＭＳＡＰ法で形成される。
コア基板と最外の導体層との間に位置する導体層の数が３以上の場合、２／３以上の導体層はＭＳＡＰ法で形成される。
【００１８】
サブトラクティブ法で形成される導体層の厚みとＭＳＡＰ法で形成される導体層の厚みとの比（サブトラクティブ法で形成される導体層の厚み／ＭＳＡＰ法で形成される導体層の厚み）ＳＭは、１．２以上、３以下である。サブトラクティブ法で形成される各導体層の厚みは略等しい。従って、第１導体層の厚みと第２導体層の厚みと最外の第１導体層の厚みと最外の第２導体層の厚みは略等しい。
ＭＳＡＰ法で形成される各導体層の厚みは略等しい。従って、第３導体層の厚みと第４導体層の厚みと第５導体層の厚みと第６導体層の厚みは略等しい。第３導体層と第４導体層がＭＳＡＰ法で形成され、第５導体層と第６導体層がサブトラクティブ法で形成されていると、第３導体層の厚みと第４導体層の厚みは略等しく、第１導体層の厚みと第２導体層の厚みと第５導体層の厚みと第６導体層の厚みと最外の第１導体層の厚みと最外の第２導体層の厚みは略等しい。
【００１９】
比ＳＭは１より大きいので、サブトラクティブ法で形成される導体層の厚みはＭＳＡＰ法で形成される導体層の厚みより厚い。サブトラクティブ法で形成される導体層の厚みは相対的に厚く、ＭＳＡＰ法で形成される導体層の厚みは相対的に薄い。従って、サブトラクティブ法で形成される導体層は厚い厚みを有する導体層で形成される。ＭＳＡＰ法で形成される導体層は薄い厚みを有する導体層で形成される。
【００２０】
実施形態では、コア基板の導体層がサブトラクティブ法で形成されるので、コア基板は厚い厚みを有する導体層で形成される。そのため、実施形態によれば、コア基板の強度を高くすることができる。その後、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層が交互に積層される。つまり、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とからなるビルドアップ層が形成される。その時、コア基板の強度が高いので、ビルドアップ層に微細な配線を形成することができる。
比ＳＭが１．２以上であると、ビルドアップ層の平坦性が高い。比ＳＭが３を超えると、ビルドアップ層の平坦性が低い。
【００２１】
実施形態では、最外の導体層がサブトラクティブ法で形成されるので、最外の導体層は厚い厚みを有する導体層で形成される。従って、実施形態によれば、プリント配線板１０は最外の導体層で補強される。そのため、プリント配線板１０の導体層の数を多くすることができる。例えば、導体層の数が１４以上でも、プリント配線板１０の反りを小さくすることができる。
【００２２】
プリント配線板の厚みは薄いことが好ましい。そのため、コア基板と最外の導体層との間に位置する導体層は、ＭＳＡＰ法で形成される。プリント配線板の厚みを薄くすることができる。
【００２３】
図１（Ａ）は、実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０を有する。コア基板は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア層２０と、コア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと、コア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３４Ｓと、コア層２０を貫通し第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６で形成されている。コア層２０は、樹脂と補強材と無機粒子で形成されている。樹脂の例はエポキシであり、補強材の例はガラスクロスであり、無機粒子の例はシリカである。コア層２０は、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパーしている第１開口２８Ｆと第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパーしている第２開口２８Ｓとからなる貫通孔２８を有する。貫通孔２８内にめっきを充填することで、スルーホール導体３６が形成されている。コア基板３０の第１面Ｆとコア層２０の第１面Ｆは同じ面であり、コア基板３０の第２面Ｓとコア層２０の第２面Ｓは同じ面である。
プリント配線板１０は、さらに、コア基板３０の第１面Ｆ上に第１ビルドアップ層Ｂｕ１有する。第１ビルドアップＢｕ１層は、コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている内側の第１導体層（第３導体層）５８Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し、第１導体層３４Ｆと内側の第１導体層５８Ｆとを接続する第１ビア導体６０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆと内側の第１導体層５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層１５０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている内側の第３導体層（第５導体層）１５８Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆとを接続する第３ビア導体１６０Ｆと、第３樹脂絶縁層１５０Ｆと内側の第３導体層１５８Ｆ上に形成されている最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆと、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆ上に形成されている最外の第１導体層２５８Ｆと、最外の第１樹脂絶縁層２５０Ｆを貫通し、内側の第３導体層１５８Ｆと最外の第１導体層２５８Ｆとを接続する最外の第１ビア導体２６０Ｆとを有する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２は、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に形成されている第２樹脂絶縁層５０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている内側の第２導体層（第４導体層）５８Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓを貫通し、第２導体層３４Ｓと内側の第２導体層５８Ｓとを接続する第２ビア導体６０Ｓと、第２樹脂絶縁層５０Ｓと内側の第２導体層５８Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている内側の第４導体層（第６導体層）１５８Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、内側の第２導体層５８Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓとを接続する第４ビア導体１６０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓと内側の第４導体層１５８Ｓ上に形成されている最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓと、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓ上に形成されている最外の第２導体層２５８Ｓと、最外の第２樹脂絶縁層２５０Ｓを貫通し、内側の第４導体層１５８Ｓと最外の第２導体層２５８Ｓとを接続する最外の第２ビア導体２６０Ｓとを有する。
【００２４】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１と第２ビルドアップ層Ｂｕ２に属する樹脂絶縁層は、樹脂と補強材と無機粒子で形成されている。それらの例はコア層の例と同じである。
【００２５】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１上に第１開口７１Ｆを有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第１開口７１Ｆから露出する最外の第１導体層２５８Ｆは、電子部品を実装するための第１パッド７３Ｆを形成する。
第２ビルドアップ層Ｂｕ２上に第２開口７１Ｓを有する第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。第２開口７１Ｓから露出する最外の第２導体層２５８Ｓは、電子部品を実装するための第２パッド７３Ｓを形成する。
【００２６】
図３（Ｃ）に示されるように、貫通孔２８は、第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓで形成されていて、第１開口２８Ｆと第２開口２８Ｓは接合エリア２８Ｐで繋がっている。接合エリア２８Ｐの外周はネック部２８Ｃと称される。実施形態のスルーホール導体３６は、このような貫通孔２８内に形成されている。そのため、スルーホール導体３６はネック部２８Ｃで屈曲する。従って、実施形態のスルーホール導体３６がストレスを受けると、接続信頼性が低下しやすい。しかしながら、導体層の厚みの観点から、実施形態のスルーホール導体３６は劣化しがたい。
【００２７】
第１導体層３４Ｆはスルーホール導体３６に直接繋がっている第１スルーホールランド３６Ｆを有する。第１スルーホールランド３６Ｆはスルーホール導体３６の直上に位置し、スルーホール導体３６から延びている。
第２導体層３４Sはスルーホール導体３６に直接繋がっている第２スルーホールランド３６Sを有する。第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６の直上に位置し、スルーホール導体３６から延びている。
スルーホール導体３６は第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓを接続している。
【００２８】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１と第２ビルドアップ層Ｂｕ２に属する導体層は、最外の導体層と内側の導体層に分類される。内側の導体層は、コア基板と最外の導体層との間に位置する導体層である。第１導体層と第２導体層はコア基板の導体層である。最外の導体層は、最外の第１導体層２５８Ｆと最外の第２導体層２５８Ｓである。図２では、内側の導体層は、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓと内側の第３導体層１５８Ｆと内側の第４導体層１５８Ｓである。
【００２９】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の少なくとも１つの内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓより薄い。
【００３０】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１が複数の内側の導体層を有すると、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層は、薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層に分類される。そして、薄い厚みを有する内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓより薄い。また、厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓと略等しい。
薄い厚みを有する内側の導体層の数は厚い厚みを有する内側の導体層の数より大きい。
【００３１】
第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の少なくとも１つの内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓより薄い。
【００３２】
第２ビルドアップ層Ｂｕ２が複数の内側の導体層を有すると、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層は、薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層に分類される。そして、薄い厚みを有する内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓより薄い。また、厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓと略等しい。
薄い厚みを有する内側の導体層の数は厚い厚みを有する内側の導体層の数より大きい。
【００３３】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層が薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層で形成され、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層が薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層で形成される。その場合、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の薄い厚みを有する内側の導体層の厚みと第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の薄い厚みを有する内側の導体層の厚みは略等しい。第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の厚い厚みを有する内側の導体層の厚みと第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは略等しい。ビルドアップ層Ｂｕ１、Ｂｕ２内の厚い厚みを有する内側の導体層の厚みは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆ、第２導体層３４Ｓの厚みＴｓ、最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓと略等しい。
【００３４】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層が薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層で形成されると、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層は薄い厚みを有する内側の導体層と厚い厚みを有する内側の導体層で形成される。その場合、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の薄い厚みを有する内側の導体層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の薄い厚みを有する内側の導体層はコア基板に関して対称に形成される。同様に、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の厚い厚みを有する内側の導体層と第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の厚い厚みを有する内側の導体層はコア基板に関して対称に形成される。その例が図８に示される。図８では導体層に番号が順に付けられている。コア基板３０に最も近い内側の導体層に１が付与され、最外の導体層２５８Ｆ、２５８Ｓに最も近い内側の導体層に最も大きな数字が付与される。
図８に示されるように、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の番号１で示される内側の導体層が厚い厚みを有する内側の導体層ＭＢＣであれば、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の番号１で示される内側の導体層は厚い厚みを有する内側の導体層ＭＢＣである。それら以外の内側の導体層２、３は、薄い厚みを有する導体層ＭＦＣである。
【００３５】
図２に示されるプリント配線板１０の例では、内側の第１導体層５８Ｆと内側の第２導体層５８Ｓは薄い厚みを有する内側の導体層に属し、内側の第３導体層１５８Ｆと内側の第４導体層１５８Ｓは、厚みを有する内側の導体層に属する。そして、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと第２導体層３４Ｓの厚みＴｓと最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓは略等しい。内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆは第１導体層３４Ｆの厚みＴｆより薄い。内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓは第１導体層３４Ｆの厚みＴｆより厚い。内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆと内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓは略等しい。内側の第３導体層１５８Ｆの厚みＧｆと内側の第４導体層１５８Ｓの厚みＧｓは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと略等しい。
内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと第２導体層３４Ｓの厚みＴｓと内側の第１導体層５８Ｆの厚みＳｆと最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓの中で最も小さい。内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓは、第１導体層３４Ｆの厚みＴｆと第２導体層３４Ｓの厚みＴｓと内側の第２導体層５８Ｓの厚みＳｓと最外の第１導体層２５８Ｆの厚みＵｆと最外の第２導体層２５８Ｓの厚みＵｓの中で最も小さい。
【００３６】
導体層を形成する金属箔の厚みは導体層の厚みに関連している。即ち、厚い厚みを有する導体層を形成する金属箔の厚みは薄い厚みを有する導体層を形成する金属箔の厚みより厚い。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは、厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みより薄い。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは、最外の導体層（最外の第１導体層２５８Ｆ、最外の第２導体層２５８Ｓ）を形成する金属箔（最外の第１金属箔３２ｕｆ、最外の第２金属箔３２ｕｓ）の厚みより薄い。薄い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みは、コア基板の導体層（第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓ）を形成する金属箔（第１金属箔３２ｔｆ、第２金属箔３２ｔｓ）の厚みより薄い。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みと最外の導体層を形成する金属箔の厚みは略等しい。厚い厚みを有する内側の導体層を形成する金属箔の厚みとコア基板の導体層を形成する金属箔の厚みは略等しい。
例えば、第３金属箔３２ｓｆの厚みＳ１は、第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１と第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２と第３金属箔３２ｓｆの厚みＳ１と最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１と最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２の中で最も小さい。第４金属箔３２ｓｓの厚みＳ２は、第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１と第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２と第４金属箔３２ｓｓの厚みＳ２と最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１と最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２の中で最も小さい。
【００３７】
導体層を形成する電解銅めっき膜の厚みと金属箔の厚みとの比（電解銅めっき膜の厚み／金属箔の厚み）Ｒは導体層を形成する金属箔の厚みに関連している。金属箔の厚みが厚いと、比Ｒは１より小さい。金属箔の厚みが薄いと、比Ｒは１より大きい。即ち、薄い厚みを有する導体層では、比Ｒは１より大きい。厚い厚みを有する導体層では、比Ｒは１より小さい。
【００３８】
第１導体層３４Ｆを形成する第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みは厚みｔ１で、第２導体層３４Ｓを形成する第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みは厚みｔ２である。第３導体層５８Ｆを形成する第３電解めっき膜４４ｓｆの厚みは厚みｓ１で、第４導体層５８Ｓを形成する第４電解めっき膜４４ｓｓの厚みは厚みｓ２である。第５導体層１５８Ｆを形成する第５電解めっき膜４４ｇｆの厚みは厚みｇ１で、第６導体層１５８Ｓを形成する第６電解めっき膜４４ｇｓの厚みは厚みｇ２である。最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１電解めっき膜４４ｕｆの厚みは厚みｕ１で、最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２電解めっき膜４４ｕｓの厚みは厚みｕ２である。
【００３９】
例えば、第１電解めっき膜４４ｔｆの厚みｔ１と第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１との比（ｔ１／Ｔ１）は１より小さい。第２電解めっき膜４４ｔｓの厚みｔ２と第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２との比（ｔ２／Ｔ２）は１より小さい。最外の第１電解めっき膜４４ｕｆの厚みｕ１と最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１との比（ｕ１／Ｕ１）は１より小さい。最外の第２電解めっき膜４４ｕｓの厚みｕ２と最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２との比（ｕ２／Ｕ２）は１より小さい。第３電解めっき膜４４ｓｆの厚みｓ１と第３金属箔３２ｓｆの厚みＳ１との比（ｓ１／Ｓ１）は１より大きい。第４電解めっき膜４４ｓｓの厚みｓ２と第４金属箔３２ｓｓの厚みＳ２との比（ｓ２／Ｓ２）は１より大きい。
薄い厚みを有する導体層では、導体層を形成する電解銅めっき膜の厚みと導体層を形成する金属箔の厚みとの比（電解銅めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は、１．５以上、４以下である。また、厚い厚みを有する導体層では、導体層を形成する電解銅めっき膜の厚みと導体層を形成する金属箔の厚みとの比（電解銅めっき膜の厚み／金属箔の厚み）は、０．６以上、０．９以下である。例えば、比（ｔ１／Ｔ１）と比（ｔ２／Ｔ２）、比（ｕ１／Ｕ１）、比（ｕ２／Ｕ２）は０．７以上、０．８５以下であり、比（ｓ１／Ｓ１）と比（ｓ２／Ｓ２）は２．５以上、３．５以下である。
【００４０】
実施形態のプリント配線板では、最外の第１導体層２５８Ｆと最外の第２導体層２５８Ｓが厚い厚みを有する導体層に属する。そのため、最外の第１導体層２５８Ｆを形成する最外の第１金属箔３２ｕｆの厚みＵ１と最外の第２導体層２５８Ｓを形成する最外の第２金属箔３２ｕｓの厚みＵ２を厚くすることができる。それらでプリント配線板１０が補強される。プリント配線板は、最も外に位置する導体層で補強される。そのため、プリント配線板１０の反りを低減することができる。スルーホール導体３６を介する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。最外の第１導体層２５８Ｆに実装される電子部品とプリント配線板１０との間の接続信頼性を高くすることができる。最外の第２導体層２５８Ｓに実装される電子部品とプリント配線板１０との間の接続信頼性を高くすることができる。
【００４１】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１に属し、最外の第１導体層以外の導体層は、第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層と称される。第２ビルドアップ層Ｂｕ２に属し、最外の第２導体層以外の導体層は、第２ビルドアップ層内の内側の導体層と称される。
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内の内側の導体層は薄い厚みを有する導体層を有し、第２ビルドアップ層Ｂｕ２内の内側の導体層は薄い厚みを有する導体層を有する。そのため、内側の導体層内に微細な導体回路を形成することができる。例えば、第３導体層５８Ｆ、第４導体層５８Ｓ、第５導体層１５８Ｆと第６導体層１５８Ｓが薄い厚みを有する導体層で形成されると、第３導体層５８Ｆ、第４導体層５８Ｓ、第５導体層１５８Ｆと第６導体層１５８Ｓは微細な導体回路を有することができる。そのため、実施形態のプリント配線板１０の配線密度を高くすることができる。プリント配線板のサイズや厚みを小さくすることができる。この例では、第１ビルドアップ層Ｂｕ１と第２ビルドアップ層Ｂｕ２が共に複数の内側の導体層を含む。そして、全ての内側の導体層が薄い厚みを有する導体層に属する。
【００４２】
コア基板３０はプリント配線板１０の厚み方向の略中心に位置する。そのため、プリント配線板１０がヒートサイクルを受けると、発生する熱応力はコア基板３０に集中しやすい。しかしながら、実施形態のプリント配線板１０では、コア基板３０を形成する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓが厚い厚みを有する導体層で形成されている。そのため、第１導体層３４Ｆを形成する第１金属箔３２ｔｆの厚みＴ１と第２導体層３４Ｓを形成する第２金属箔３２ｔｓの厚みＴ２を厚くすることができる。これにより、コア基板３０が補強される。従って、スルーホール導体３６を介する接続信頼性を高くすることができる。
【００４３】
導体層を形成する金属箔はマット面を有する。マット面の粗面により、導体層はコア層２０や樹脂絶縁層に接着される。
導体層の厚みや金属箔の厚みは、金属箔のマット面の粗面の大きさと関連している。厚い厚みを有する導体層を形成する金属箔のマット面の粗面の大きさは、薄い厚みを有する導体層を形成する金属箔のマット面の粗面の大きさより大きい。相対的に厚い厚みを有する金属箔のマット面の粗面の大きさは相対的に薄い厚みを有する金属箔のマット面の粗面の大きさより大きい。
第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓは厚い厚みを有する導体層なので、コア層２０と第１金属箔３２ｔｆ間の密着強度やコア層２０と第２金属箔３２ｔｓ間の密着強度を高くすることができる。熱応力で第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓがコア層２０から剥離し難い。
【００４４】
実施形態のプリント配線板１０では、コア基板３０に形成されている第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓがスルーホール導体３６で接続されている。第１導体層３４Ｆはスルーホール導体３６の周りとスルーホール導体の直上にスルーホール導体３６の第１スルーホールランド３６Ｆを有する。スルーホール導体３６の周りに形成されている第１スルーホールランド３６Ｆはコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている。また、第２導体層３４Ｓはスルーホール導体３６の周りとスルーホール導体３６の直上にスルーホール導体の第２スルーホールランド３６Ｓを有する。スルーホール導体３６の周りに形成されている第２スルーホールランド３６Ｓはコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている。第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６から延びている。第１スルーホールランド３６Ｆと第２スルーホールランド３６Ｓはスルーホール導体３６と直接接続している。第１スルーホールランド３６Ｆとスルーホール導体３６は一体的に形成されている。第２スルーホールランド３６Ｓとスルーホール導体３６は一体的に形成されている。そのため、スルーホール導体３６と第１導体層３４Ｆ間の接続信頼性やスルーホール導体３６と第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。
【００４５】
第１ビルドアップ層Ｂｕ１内に薄い厚みを有する内側の導体層が形成されている。第２ビルドアップ層Ｂｕ２内に薄い厚みを有する内側の導体層が形成されている。例えば、第３導体層５８Ｆの厚みＳｆ、第４導体層５８Ｓの厚みＳｓ、第５導体層１５８Ｆの厚みＧｆと第６導体層１５８Ｓの厚みＧｓが薄い。そのため、内側の導体層に微細な導体回路を形成することができる。導体層の数と樹脂絶縁層の数を少なくすることができる。スルーホール導体３６の直上に形成されるビア導体の数を少なくすることができる。そのため、スルーホール導体３６に働くストレスを小さくすることができる。スルーホール導体３６を介する第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓ間の接続信頼性を高くすることができる。
【００４６】
第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓ、最外の第１導体層２５８Ｆ、最外の第２導体層２５８Ｓでは、導体層を形成する金属箔の厚みが電解めっき膜の厚みより大きい。そのため、これらの導体層の厚みのバラツキを小さくすることができる。これらの導体層の厚みを均一にすることができる。なぜなら、金属箔の厚みのバラツキは電解めっき膜の厚みのバラツキより小さいからである。最外の導体層の厚みのバラツキが小さいので、例えば、部品を実装する面や他の回路基板と接続するための面の平坦度を高くすることができる。従って、実施形態のプリント配線板と電子部品との間の接続信頼性や実施形態のプリント配線板と他の回路基板との間の接続信頼性を高くすることが出来る。
【００４７】
コア基板３０を形成している第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓが厚い厚みを有する導体層であっても、実施形態では、それらを形成する金属箔の厚みが電解めっき膜の厚みより厚い。そのため、第１導体層３４Ｆの厚みのバラツキや第２導体層３４Ｓの厚みのバラツキを小さくすることができる。例えば、コア基板の平坦度を高くすることができる。実施形態のプリント配線板では、コア基板上にビルドアップ層が積層されるので、コア基板の平坦度を高くすることで、例えば、部品を実装する面や他の回路基板と接続するための面の平坦度を高くすることができる。第１ビルドアップ層Ｂｕ１に含まれる導体層の数が７以上であっても、プリント配線板１０の反りを小さくすることができる。第２ビルドアップ層Ｂｕ２に含まれる導体層の数が７以上であっても、プリント配線板１０の反りを小さくすることができる。
【００４８】
図２（Ａ）の１例が次に示される。内側の第１導体層５８Ｆ、内側の第２導体層５８Ｓ、内側の第３導体層１５８Ｆと内側の第４導体層１５８Ｓでは、電解めっき膜の厚みが金属箔の厚みより厚い。そのため、第１ビア導体６０Ｆ、第２ビア導体６０Ｓ、第３ビア導体１６０Ｆと第４ビア導体１６０Ｓの各ビアランドの上面の平坦度を高くすることができる。電解めっき膜の厚みが薄いと、ビア導体用の開口を充填することが難しい。しかしながら、実施形態では、電解めっき膜の厚みが厚いので、ビア導体用の開口を充填することができる。ビアランドの上面が平坦であると、ビア導体の直上にビア導体を形成することができる。高密度なプリント配線板を提供することができる。また、樹脂絶縁層や導体層の数を少なくすることが出来るので、プリント配線板の反りを小さくすることができる。コア基板のビア導体に働くストレスを小さくすることができる。
【００４９】
ビア導体用の開口やスルーホール導体用の開口がダイレクト法で形成されると、ビア導体やスルーホール導体は、サブトラクティブ法で形成される。ビア導体用の開口やスルーホール導体用の開口がコンフォーマル法で形成されると、ビア導体やスルーホール導体は、ＭＳＡＰ法で形成される。
【００５０】
薄い厚みを有する導体層を形成している金属箔は小さな凹凸を有するマット面を有する。厚い厚みを有する導体層を形成している金属箔は大きな凹凸を有するマット面を有する。
小さな凹凸の粗さ（大きさ）Ｒｚは１．５μｍ以上、２．５μｍ以下である。大きな凹凸の粗さ（大きさ）Ｒｚは３μｍ以上、５μｍ以下である。
【００５１】
大きな凹凸を有するマット面の大きさと小さな凹凸を有するマット面の大きさとの比（大きな凹凸を有するマット面の大きさ／小さな凹凸を有するマット面の大きさ）１．５以上、２．０以下である。高速伝送に適するプリント配線板を提供することができる。
【符号の説明】
【００５２】
２０  コア層
２８  貫通孔
２８Ｆ  第１開口
２８Ｓ  第２開口
３０  コア基板
３２ｔｆ、３２ｓｆ、３２ｇｆ、３２ｕｆ  金属箔
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  第１樹脂絶縁層
５０Ｓ  第２樹脂絶縁層
５８Ｆ  内側の第１導体層
５８Ｓ  内側の第２導体層
２５０Ｆ  最外の第１樹脂絶縁層
２５０Ｓ  最外の第２樹脂絶縁層
２５８Ｆ  最外の第１導体層
２５８Ｓ  最外の第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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