(57)【要約】【課題】基板の表面に形成された有機被膜に対するアッシング処理の均一性向上に有効な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、有機被膜を表面Ｗａに有するウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、ウェハＷの表面に有機被膜のアッシング用の光を照射する光照射部４０と、ウェハＷと光照射部４０との間を通過するように酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部５０と、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に上記気流を形成している状態にてウェハＷの表面Ｗａに上記光を照射するように光照射部４０を制御する照射制御部１１４と、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に上記気流を形成しており光照射部４０がウェハＷの表面に上記光を照射している状態にてウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御する回転制御部１１５と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機被膜を表面に有する基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により保持された前記基板の表面に前記有機被膜のアッシング用の光を照射する光照射部と、
前記回転保持部により保持された前記基板と前記光照射部との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該基板の表面に前記アッシング用の光を照射するように光照射部を制御する照射制御部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流を形成しており、前記光照射部が当該基板の表面に前記アッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を回転させるように前記回転保持部を制御する回転制御部と、を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記基板の裏面に対向するように前記回転保持部に設けられ、当該基板と共に回転する熱板と、
前記基板の径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように前記熱板を制御する加熱制御部と、を更に備える、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記照射制御部は、前記基板の径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、前記アッシング用の光の照射量を調節するように前記光照射部を制御する、請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記回転保持部に保持された前記基板と、前記光照射部との間の距離を変更する距離変更部と、
前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該基板と前記光照射部との距離が互いに異なる複数条件下で前記アッシング用の光が照射されるように、当該基板と前記光照射部との間の距離を変更するように前記距離変更部を制御する距離変更制御部と、を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記酸素含有ガスに酸素を添加する酸素添加部と、
前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流を形成しており、前記光照射部が当該基板の表面に光を照射している状態にて、前記基板と前記光照射部との間に進入する前の前記酸素含有ガスに酸素を添加するように酸素添加部を制御する添加制御部と、を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記酸素添加部は、酸素の添加用のガスを供給する供給口を有し、前記供給口は、前記基板と前記光照射部との間の中央に向かって開口している、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記光照射部は、前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該基板と前記光照射部との間に進入する前の前記酸素含有ガスにも前記アッシング用の光を照射するように構成されている、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記回転制御部は、前記基板への前記アッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記基板の回転速度を低下させるように前記回転保持部を制御する、請求項１〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記照射制御部は、前記基板への前記アッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、前記アッシング用の光の照射量を増やすように前記光照射部を制御する、請求項１〜８のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記回転制御部は、前記気流形成部が前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流を形成しており、前記光照射部が当該基板の表面に前記アッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を二回転以上回転させるように前記回転保持部を制御する、請求項１〜９のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１１】
有機被膜を表面に有する基板と、アッシング用の光を照射する光照射部との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流が形成されている状態にて、当該光照射部から当該基板の表面に前記アッシング用の光を照射することと、
前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流が形成されており、前記光照射部が当該基板の表面に前記アッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を回転させることと、を含む基板処理方法。
【請求項１２】
前記基板と前記光照射部との間に前記酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該基板と前記光照射部との距離が互いに異なる複数条件下で前記アッシング用の光が照射されるように、前記基板と前記光照射部との間の距離を変更することを更に含む、請求項１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、被処理膜が形成された基板を、気体の流速が１０ｃｍ／秒以下である酸素含有雰囲気の処理室内に配置し、当該基板に紫外線を照射して被処理膜の一部を除去する基板処理方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２７６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の表面に形成された有機被膜に対するアッシング処理の均一性向上に有効な基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、有機被膜を表面に有する基板を保持して回転させる回転保持部と、回転保持部により保持された基板の表面に有機被膜のアッシング用の光を照射する光照射部と、回転保持部により保持された基板と光照射部との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部と、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該基板の表面にアッシング用の光を照射するように光照射部を制御する照射制御部と、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部が当該基板の表面にアッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を回転させるように回転保持部を制御する回転制御部と、を備える。
【０００６】
この基板処理装置によれば、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該基板の表面にアッシング用の光が照射される。このため、アッシング用の光の照射中に、基板と光照射部との間に継続的に酸素が供給されるので、所望のレベルまで容易にアッシングを進行させることができる。更に、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部が当該基板の表面にアッシング用の光を照射している状態にて、当該基板が回転する。このため、気流に起因するアッシングの斑が抑制される。従って、アッシングの均一性向上に有効である。
【０００７】
基板処理装置は、基板の裏面に対向するように回転保持部に設けられ、当該基板と共に回転する熱板と、基板の径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように熱板を制御する加熱制御部と、を更に備えていてもよい。気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部が当該基板の表面にアッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を回転させる構成によれば、特に、基板の周方向におけるアッシングの均一性向上に有効である。これに加え、基板の径方向に並ぶ領域ごとに温度分布を調節する構成により、基板の径方向におけるアッシングの均一性も向上させることができる。
【０００８】
照射制御部は、基板の径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、アッシング用の光の照射量を調節するように光照射部を制御してもよい。この場合、基板の径方向に並ぶ領域ごとにアッシング用の光の照射量を調節する構成により、基板の径方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【０００９】
基板処理装置は、回転保持部に保持された基板と、光照射部との間の距離を変更する距離変更部と、基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該基板と光照射部との距離が互いに異なる複数条件下でアッシング用の光が照射されるように、当該基板と光照射部との間の距離を変更するように距離変更部を制御する距離変更制御部と、を更に備えていてもよい。この場合、基板と光照射部との間の距離を変更することにより、気流方向における酸素濃度の分布を変更し、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【００１０】
基板処理装置は、酸素含有ガスに酸素を添加する酸素添加部と、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部が当該基板の表面に光を照射している状態にて、基板と光照射部との間に進入する前の酸素含有ガスに酸素を添加するように酸素添加部を制御する添加制御部と、を更に備えていてもよい。この場合、酸素の添加により、気流の下流側における酸素の不足を抑制し、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。このため、例えば中央部のアッシングの進行が外周部のアッシングの進行より小さくなる条件において、その差異を酸素の添加により低減することができる。
【００１１】
酸素添加部は、酸素の添加用のガスを供給する供給口を有し、供給口は、基板と光照射部との間の中央に向かって開口していてもよい。この場合、酸素の添加用のガスが供給される際の流速により、気流の下流側への酸素の添加がより促進される。
【００１２】
光照射部は、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該基板と光照射部との間に進入する前の酸素含有ガスにもアッシング用の光を照射するように構成されていてもよい。この場合、基板と光照射部との間に酸素含有ガスが進入する前に酸素を活性化し、酸素含有ガスの進入直後における活性酸素の不足を抑制することで、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【００１３】
回転制御部は、基板へのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、基板の回転速度を低下させるように回転保持部を制御してもよい。同一条件下におけるアッシングの進行速度（以下、単に「アッシングの進行速度」という。）は、時間の経過に伴って低下する傾向がある。基板の回転中にアッシングの進行速度が変化すると、基板の回転による均一性向上の作用が縮小する。これに対し、基板へのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて基板の回転速度を低下させることにより、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００１４】
照射制御部は、基板へのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、アッシング用の光の照射量を増やすように光照射部を制御してもよい。この場合、基板へのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じてアッシング用の光の照射量を増やすことにより、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００１５】
回転制御部は、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部が当該基板の表面にアッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を二回転以上回転させるように回転保持部を制御してもよい。この場合、基板が一回転する間におけるアッシングの進行速度の低下が小さくなる。これにより、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００１６】
本開示の他の側面に係る基板処理方法は、有機被膜を表面に有する基板と、アッシング用の光を照射する光照射部との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成することと、基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態にて、当該光照射部から当該基板の表面にアッシング用の光を照射することと、気流形成部が基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流が形成されており、光照射部が当該基板の表面にアッシング用の光を照射している状態にて、当該基板を回転させることと、を含む。
【００１７】
基板処理方法は、基板と光照射部との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該基板と光照射部との距離が互いに異なる複数条件下でアッシング用の光が照射されるように、当該基板と光照射部との間の距離を変更することを更に含んでもよい。
【００１８】
本開示の更に他の側面に係る記憶媒体は、上記基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。
【発明の効果】
【００１９】
本開示によれば、基板の表面に形成された有機被膜に対するアッシング処理の均一性向上に有効な基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】基板処理装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】アッシングユニットの構成を模式的に示す断面図である。
【図４】熱板の模式的平面図である。
【図５】照射部の模式的斜視図である。
【図６】制御部のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図７】アッシングユニットによる処理手順を示すフローチャートである。
【図８】ウェハの搬入時におけるアッシングユニットの状態を示す模式図である。
【図９】アッシング処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】アッシング用の光の照射時におけるアッシングユニットの状態を示す模式図である。
【図１１】アッシング処理手順の変形例を示すフローチャートである。
【図１２】アッシング処理手順の他の変形例を示すフローチャートである。
【図１３】アッシング処理手順の更に他の変形例を示すフローチャートである。
【図１４】アッシング処理手順の更に他の変形例を示すフローチャートである。
【図１５】ウェハと光照射部との間の距離を変更する際におけるアッシングユニットの状態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２２】
〔基板処理装置〕
本実施形態に係る基板処理装置１は、基板に対し、保護膜（有機被膜）の形成と、エッチングによる保護膜表面の平滑化とを行う装置である。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。保護膜は、例えばスピンオンカーボン（ＳＯＣ）等の所謂ハードマスクである。図１及び２に示すように、基板処理装置１は、互いに隣接するキャリアブロック２及び処理ブロック３と、制御部１００とを備える。
【００２３】
キャリアブロック２は、基板処理装置１内へのウェハＷの導入及び基板処理装置１内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック２は、ウェハＷ用の複数のキャリア１１を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリア１１は、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウェハＷを取り出して処理ブロック３に渡し、処理ブロック３からウェハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。
【００２４】
処理ブロック３は、複数の液処理ユニットＵ１と、複数のアッシングユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とを有する。液処理ユニットＵ１は、ハードマスク形成用の処理液をウェハＷの表面に供給して被膜を形成する処理（以下、「塗布処理」という。）を行う。アッシングユニットＵ２は、上記被膜をハードマスク化するための熱処理と、エッチングによりハードマスクの表面を平滑化する処理（以下、「エッチング処理」という。）とを行う。処理ブロック３内におけるキャリアブロック２側には棚部Ｕ１０が設けられている。棚部Ｕ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００２５】
制御部１００は、ウェハＷに対する塗布処理、熱処理、及びエッチング処理を実行するようにキャリアブロック２及び処理ブロック３を制御する。例えば制御部１００は、まずキャリア１１内のウェハＷを棚部Ｕ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御する。次に、制御部１００は、棚部Ｕ１０のウェハＷを液処理ユニットＵ１に搬送するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウェハＷに塗布処理を施すように液処理ユニットＵ１を制御する。次に、制御部１００は、ウェハＷを液処理ユニットＵ１からアッシングユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウェハＷに熱処理及びエッチング処理を施すようにアッシングユニットＵ２を制御する。次に、制御部１００は、ウェハＷをアッシングユニットＵ２から棚部Ｕ１０に搬送するように搬送アームＡ２を制御し、当該ウェハＷを棚部Ｕ１０からキャリア１１内に戻すように受け渡しアームＡ１を制御する。以上で一枚のウェハＷに対する塗布処理、熱処理及びエッチング処理が完了する。
【００２６】
〔アッシングユニット〕
続いて、アッシングユニットＵ２について詳細に説明する。図３に示すように、アッシングユニットＵ２は、上記保護膜を表面Ｗａに有するウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、回転保持部３０により保持されたウェハＷの表面Ｗａに保護膜のアッシング用の光を照射する光照射部４０と、回転保持部３０により保持されたウェハＷと光照射部４０との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部５０と、を有する。より具体的な例として、アッシングユニットＵ２は、ケース２０と、回転保持部３０と、光照射部４０と、気流形成部５０と、支持部６０と、距離変更部７０と、酸素添加部８０とを有する。
【００２７】
ケース２０は、アッシングユニットＵ２の各構成要素を収容する。ケース２０は、隔壁２３と、出入口２５と、シャッター２６とを含む。隔壁２３は、ケース２０の内部を上側の第一空間２１及び下側の第二空間２２に区画する。第一空間２１は、後述の光源４１を収容し、第二空間２２は、後述の気流形成部５０、支持部６０、距離変更部７０及び酸素添加部８０を収容する。出入口２５は、第二空間２２の側壁に設けられており、第二空間２２内へのウェハＷの搬入及び第二空間２２内からのウェハＷの搬出に用いられる。シャッター２６は、例えば電動モータ又はエアシリンダ等を動力源として、出入口２５の状態を開状態又は閉状態に切り替える。開状態は、出入口２５を通したウェハＷの搬入・搬出が可能な状態であり、閉状態は、出入口２５を通したウェハＷの搬入・搬出が不可となる状態である。シャッター２６は、閉状態においても、出入口２５を通した通気を可能とする。すなわちシャッター２６は、通気用の開口を残した状態で出入口２５を閉じる。
【００２８】
回転保持部３０は、保持部３１と、回転駆動部３２とを有する。保持部３１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷを下方から保持する。保持部３１は熱板３３を含む。熱板３３はウェハＷの裏面Ｗｂに対向するように設けられている。図４に示すように、熱板３３は、ウェハＷの径方向に並ぶ複数の加熱領域を含む。例えば熱板３３は、ウェハＷの中心から外周側に向って同心円状に並ぶ複数（図示では四つ）の加熱領域３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄを含む。加熱領域３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄは個別にヒータを内蔵している。これにより、加熱領域３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄごとに温度分布を調節することが可能となっている。
【００２９】
回転駆動部３２は、保持部３１が保持するウェハＷ及び熱板３３を共に回転させる。例えば回転駆動部３２は、電動モータ等を動力源とし、ウェハＷ及び熱板３３の中心を通る鉛直な軸線回りに保持部３１を回転させる。
【００３０】
図３に戻り、光照射部４０は、光源４１と、窓部４２とを有する。光源４１は、上述した第一空間２１内に収容され、保持部３１に保持されたウェハＷの表面Ｗａに有機被膜のアッシング用の光を照射する。アッシング用の光は、例えば波長１０〜３００ｎｍの紫外線である。光源４１は、ウェハＷの表面Ｗａにおいて、少なくとも周方向に照度斑が生じるように配置されている。例えば光照射部４０は、保持部３１に保持されたウェハＷに対向する面に沿った少なくとも一本の直管型の光源４１を有する。図５に示すように、光照射部４０は、水平面に沿って互いに平行に並ぶ複数本の光源４１を有してもよい。図示において、光照射部４０は４本の光源４１を有しているがこれに限られない。例えば光照射部４０は、より多くの光源４１を有してもよい。窓部４２は、隔壁２３において保持部３１に対応する位置に設けられており、光源４１からの光を第二空間２２側に透過させる。
【００３１】
図３に戻り、気流形成部５０は、回転保持部３０により保持されたウェハＷと光照射部４０との間を通過するように、酸素含有ガス（例えば空気）の気流を形成する。例えば気流形成部５０は、第二空間２２内において、窓部４２とウェハＷとの間を横切るように気流を形成する。具体的に、気流形成部５０は、開口５１と、排気口５２とを有する。開口５１は、上記シャッター２６を閉じた状態にて出入口２５に残される開口である。排気口５２は、第二空間２２の側壁において、出入口２５の逆側に設けられている。気流形成部５０は複数の排気口５２を有してもよい。例えば気流形成部５０は、出入口２５の逆側において上下に並ぶ２つの排気口５２を有する。各排気口５２は、排気用のダクト５３に接続されており、第二空間２２内から第二空間２２外に排気を導く。これにより、第二空間２２内には、出入口２５側から第二空間２２の奥側に向う気流が形成される。この気流の一部が、窓部４２とウェハＷとの間を通過し、アッシングによる昇華物と共に排気口５２から排出される。
【００３２】
ここで、上記光照射部４０は、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷと光照射部４０との間に進入する前の酸素含有ガスにも光を照射するように構成されている。例えば、窓部４２の周縁のうち、少なくとも開口５１側の部分は、ウェハＷの外周よりも外に張り出している。これにより、開口５１からウェハＷと光照射部４０との間に向う酸素含有ガスに光源４１からの光が照射される。なお、図３に示すように、窓部４２の周縁は、全周に亘ってウェハＷの外周よりも外に張り出していてもよい。
【００３３】
支持部６０は、第二空間２２内において保持部３１の下方に設けられている。支持部６０は、上方に突出しする複数の支持ピン６１を含む。支持ピン６１の先端部は、保持部３１を通って熱板３３の上に出没し、第二空間２２内へのウェハＷの搬入・搬出に際してウェハＷを支持する。
【００３４】
距離変更部７０は、回転保持部３０に保持されたウェハＷと、光照射部４０との間の距離を変更する。例えば距離変更部７０は、電動モータ又はエアシリンダ等を動力源として回転保持部３０を昇降させる。距離変更部７０が回転保持部３０を上昇させるとウェハＷと光照射部４０との間の距離が小さくなり、距離変更部７０が回転保持部３０を下降させるとウェハＷと光照射部４０との間の距離が大きくなる。なお、距離変更部７０は、支持部６０の支持ピン６１の先端部を熱板３３の上に出没させる機構としても機能する。具体的に、距離変更部７０が回転保持部３０を下降させると、支持ピン６１が保持部３１を貫通し、支持ピン６１の先端部が熱板３３の上に突出する。
【００３５】
酸素添加部８０は、開口５１からウェハＷと光照射部４０との間に向う酸素含有ガスに酸素を添加する。例えば酸素添加部８０は、開口５１と、ウェハＷの外周との間に開口するノズル８１と、ノズル８１に酸素を供給する酸素供給源８２と、酸素供給源８２からノズル８１への流路を開閉するバルブ８３とを含む。ノズル８１の開口（供給口）は、ウェハＷと光照射部４０との間の中央に向かって開口していてもよい。なお、酸素供給源８２は、少なくとも上記酸素含有ガスよりも酸素濃度の高いガスを酸素の添加用のガスとしてノズル８１に供給するように構成されていることが好ましい。
【００３６】
このように構成されたアッシングユニットＵ２は、上述の制御部１００により制御される。制御部１００は、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射するように光照射部４０を制御することと、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射している状態（以下、「気流有りの照射状態」という。）にて、当該ウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御することと、を実行するように構成されている。
【００３７】
制御部１００は、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように熱板３３を制御することを更に実行するように構成されていてもよく、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、アッシング用の光の照射量を調節するように光照射部４０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。制御部１００は、ウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該ウェハＷと光照射部４０との距離が互いに異なる複数条件下でアッシング用の光が照射されるように、ウェハＷと光照射部４０の間の距離を変更するように距離変更部７０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。
【００３８】
制御部１００は、気流有りの照射状態にて、ウェハＷと光照射部４０との間に進入する前の酸素含有ガスに酸素を添加するように酸素添加部８０を制御することを更に実行するように構成されていてもよい。制御部１００は、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、ウェハＷの回転速度を低下させるように光照射部４０を制御するように構成されていてもよく、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、アッシング用の光の照射量を増やすように光照射部４０を制御するように構成されていてもよい。制御部１００は、気流有りの照射状態にて、当該ウェハＷを二回転以上回転させるように回転保持部３０を制御するように構成されていてもよい。
【００３９】
例えば制御部１００は、アッシングユニットＵ２を制御するための機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、加熱制御部１１１と、搬入・搬出制御部１１２と、距離変更制御部１１３と、照射制御部１１４と、回転制御部１１５と、添加制御部１１６と、レシピ記憶部１１７とを有する。
【００４０】
加熱制御部１１１は、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように熱板３３を制御する。例えば加熱制御部１１１は、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が高くなる領域に対応する加熱領域の温度を低くし、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が低くなる領域に対応する加熱領域の温度を高くするように熱板３３を制御する。搬入・搬出制御部１１２は、第二空間２２内へのウェハＷの搬入及び搬出を行うようにシャッター２６、距離変更部７０及び搬送アームＡ２を制御する。
【００４１】
距離変更制御部１１３は、ウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該ウェハＷと光照射部４０との距離が互いに異なる複数条件下でアッシング用の光が照射されるように、ウェハＷと光照射部４０との間の距離を変更するように距離変更部７０を制御する。気流形成部５０と光照射部４０との間の距離が大きくなると、気流の下流側に酸素が届きやすくなる。このため、気流形成部５０と光照射部４０との間の距離が大きくなると、気流の下流側におけるアッシングの進行が速くなる傾向がある。距離変更制御部１１３は、ウェハＷの外周部（外周の近傍部分）に比較して中央部（中心を含む部分）におけるアッシングの進行が大きくなる第一距離と、ウェハＷの外周部に比較して中央部におけるアッシングの進行が小さくなる第二距離とを含む範囲で、気流形成部５０と光照射部４０との間の距離を変更する。
【００４２】
照射制御部１１４は、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射するように光照射部４０を制御する。照射制御部１１４は、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、アッシング用の光の照射量を調節するように光照射部４０を制御してもよい。例えば照射制御部１１４は、照射量が均一である場合にアッシングの進行速度が高くなる領域への照射量を少なくし、照射量が均一である場合にアッシングの進行速度が低くなる領域への照射量を多くするように光照射部４０を制御する。照射制御部１１４は、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、アッシング用の光の照射量を増やすように前記光照射部を制御する。
【００４３】
回転制御部１１５は、気流有りの照射状態にて、当該ウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御する。回転制御部１１５は、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、ウェハＷの回転速度を低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。回転制御部１１５は、気流有りの照射状態にて、当該ウェハＷを二回転以上回転させるように回転保持部３０を制御してもよい。
【００４４】
添加制御部１１６は、気流有りの照射状態にて、ウェハＷと光照射部４０との間に進入する前の酸素含有ガスに酸素を添加するように酸素添加部８０を制御する。
【００４５】
レシピ記憶部１１７は、予め設定された制御用パラメータを記憶する。当該制御用パラメータは、加熱制御部１１１の制御用に予め設定された熱板３３の制御目標値（例えば、各加熱領域の温度目標値等）、距離変更制御部１１３の制御用に予め設定された距離変更部７０の制御目標値（例えば、保持部３１の高さ目標値等）、照射制御部１１４の制御用に予め設定された光照射部４０の制御目標値（例えば、各光源４１の光量目標値等）、回転制御部１１５の制御用に予め設定された回転保持部３０の制御目標値（例えば、保持部３１の回転速度目標値、回転回数等）、等を含む。
【００４６】
制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御部１００は、図６に示す回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理手順をアッシングユニットＵ２に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、熱板３３、シャッター２６、搬送アームＡ２、回転保持部３０、光照射部４０、距離変更部７０、酸素添加部８０との間で信号の入出力を行う。なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御部１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００４７】
〔基板処理方法〕
続いて、基板処理方法の一例として、アッシングユニットＵ２が実行する基板処理手順を説明する。この基板処理手順は、ウェハＷと光照射部４０との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成することと、ウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態にて、当該光照射部４０から当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射することと、気流有りの照射状態にて、当該ウェハＷを回転させることと、を含む。以下、図７〜１５を参照し、基板処理手順を具体的に例示する。なお、図７〜１５の手順は、気流形成部５０による気流の形成が継続された状態（すなわち、排気口５２からの排気が継続された状態）で実行されるものとする。
【００４８】
図７に示すように、制御部１００は、まずステップＳ０１，Ｓ０２を実行する。ステップＳ０１では、加熱制御部１１１が、レシピ記憶部１１７に記憶された熱処理用の温度目標値に従って、各加熱領域の温度調節を開始するように熱板３３を制御する。ステップＳ０２では、搬入・搬出制御部１１２が、ウェハＷを第二空間２２内に搬入するための制御を実行する。
【００４９】
例えば、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を閉状態から開状態に切り替えるようにシャッター２６を制御し、支持ピン６１の先端部が熱板３３上に突出する位置（以下、「搬入・搬出用の位置」という。）まで保持部３１を下降させるように距離変更部７０を制御する。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５を通してウェハＷを第二空間２２内に搬入し、表面Ｗａを上にして支持ピン６１の上に水平に配置するように搬送アームＡ２を制御する（図８の（ａ）参照）。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を開状態から閉状態に切り替えるようにシャッター２６を制御し、支持ピン６１の先端が熱板３３よりも下に位置するまで保持部３１を上昇させるように距離変更部７０を制御する（図８の（ｂ）参照）。これにより、ウェハＷが熱板３３上に配置され、熱板３３によるウェハＷの加熱が開始される。
【００５０】
次に、制御部１００は、ステップＳ０３，Ｓ０４，Ｓ０５を実行する。ステップＳ０３では、加熱制御部１１１が、レシピ記憶部１１７に記憶された所定時間の経過を待機する。所定時間は、上記有機被膜のハードマスク化を十分に進行させる観点にて予め設定されている。ステップＳ０４は、ウェハＷの表面Ｗａの有機被膜にアッシング用の光を照射するアッシング処理を含む。アッシング処理の具体的手順については後述する。次に、制御部１００はステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、処理対象の全ウェハＷの処理が完了したか否かを搬入・搬出制御部１１２が確認する。
【００５１】
ステップＳ０５において、全ウェハＷの処理が完了していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、搬入・搬出制御部１１２が、ウェハＷを第二空間２２内から搬出し、次のウェハＷを第二空間２２内に搬入するための制御を実行する。例えば、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を閉状態から開状態に切り替えるようにシャッター２６を制御し、上記搬入・搬出用の位置まで保持部３１を下降させるように距離変更部７０を制御する。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５を通してウェハＷを第二空間２２内から搬出し、出入口２５を通して次のウェハＷを第二空間２２内に搬入し、表面Ｗａを上にして支持ピン６１の上に水平に配置するように搬送アームＡ２を制御する。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を開状態から閉状態に切り替えるようにシャッター２６を制御し、支持ピン６１の先端が熱板３３よりも下に位置するまで保持部３１を上昇させるように距離変更部７０を制御する（図８の（ｂ）参照）。ステップＳ０６の次に、制御部１００は処理をステップＳ０３に戻す。以後、全ウェハＷの処理が完了するまで、熱処理及びアッシング処理が繰り返される。
【００５２】
ステップＳ０５において、全ウェハＷの処理が完了したと判定した場合、制御部１００はステップＳ０７，Ｓ０８を実行する。ステップＳ０７では、搬入・搬出制御部１１２が、ウェハＷを第二空間２２内から搬出するための制御を実行する。例えば、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を閉状態から開状態に切り替えるようにシャッター２６を制御し、上記搬入・搬出用の位置まで保持部３１を下降させるように距離変更部７０を制御する。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５を通してウェハＷを第二空間２２内から搬出するように搬送アームＡ２を制御する。その後、搬入・搬出制御部１１２は、出入口２５の状態を開状態から閉状態に切り替えるようにシャッター２６を制御する。ステップＳ０８では、加熱制御部１１１が、加熱を停止するように熱板３３を制御する。以上で、制御部１００によるアッシングユニットＵ２の制御手順が完了する。
【００５３】
（アッシング処理手順）
続いて、上記ステップＳ０４のアッシング処理の具体的手順を例示する。図９に示すように、制御部１００は、まずステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を実行する。ステップＳ１１では、加熱制御部１１１が、レシピ記憶部１１７に記憶されたアッシング処理用の温度目標値に従って、各加熱領域の温度を変更するように熱板３３を制御する。アッシング処理用の温度目標値は、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が高くなる領域に対応する加熱領域の温度を低くし、温度分布が均一である場合にアッシングの進行速度が低くなる領域に対応する加熱領域の温度を高くするように予め設定されている。ステップＳ１２では、回転制御部１１５が、回転駆動部３２による保持部３１の回転駆動を開始するように回転保持部３０を制御する。これにより、ウェハＷ及び熱板３３の回転が開始される。ステップＳ１３では、照射制御部１１４が、光源４１を点灯させるように光照射部４０を制御する。
【００５４】
次に、制御部１００はステップＳ１４を実行する。ステップＳ１４では、回転制御部１１５が、光源４１の点灯開始の後にウェハＷが一回転したか（ウェハＷの回転角度が３６０°に達したか）否かを確認する。ステップＳ１４において、ウェハＷは未だ一回転していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ１５を実行する。ステップＳ１５では、回転制御部１１５が、レシピ記憶部１１７に記憶された減速ピッチにて保持部３１の回転速度を低下させるように回転保持部３０を制御する。
【００５５】
ここで、同一条件下におけるアッシングの進行速度（以下、単に「アッシングの進行速度」という。）は、時間の経過に伴って低下する傾向がある。ウェハＷの回転中にアッシングの進行速度が低下すると、ウェハＷの回転による均一性向上の作用が縮小する。これに対し、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じてウェハＷの回転速度を低下させることにより、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。上記減速ピッチは、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し得るように予め設定されている。
【００５６】
ステップＳ１５の次に、制御部１００は処理をステップＳ１４に戻す。以後、ウェハＷが一回転するまで、回転制御部１１５は、上記気流有りの照射状態にて、回転速度を徐々に低下させながら回転駆動部３２によるウェハＷの回転を継続するように回転保持部３０を制御する（図１０参照）。
【００５７】
ステップＳ１４において、ウェハＷは一回転したと判定した場合、制御部１００はステップＳ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９を実行する。ステップＳ１６では、照射制御部１１４が、光源４１を消灯させるように光照射部４０を制御する。ステップＳ１７では、回転制御部１１５が、回転駆動部３２による保持部３１の回転駆動を停止するように回転保持部３０を制御する。ステップＳ１８では、回転制御部１１５が、ステップＳ１２の実行前の位置まで保持部３１を逆回転させるように回転保持部３０を制御する。ステップＳ１９では、加熱制御部１１１が、各加熱領域の温度を上記熱処理用の温度に戻すように熱板３３を制御する。以上でアッシング処理が完了する。
【００５８】
なお、ステップＳ１５では、保持部３１の回転速度の低下に代えて、照射制御部１１４が、レシピ記憶部１１７に記憶された増加ピッチにてアッシング用の光の照射量を増やすように光照射部４０を制御してもよい。この増加ピッチは、上述のアッシングの進行速度低下の影響を抑制し得るように予め設定されている。また、ステップＳ１５では、レシピ記憶部１１７に記憶された減速ピッチにて保持部３１の回転速度を低下させることと、レシピ記憶部１１７に記憶された増加ピッチにてアッシング用の光の照射量を増やすこととの両方が実行されてもよい。更に、回転制御部１１５は、ステップＳ１５を実行せずに、実質的に一定の回転速度で回転駆動部３２によるウェハＷの回転を継続するように回転保持部３０を制御してもよい。以下、アッシング処理手順の他の変形例を更に示す。
【００５９】
（第一変形例）
図１１のステップＳ３１〜Ｓ３７は、図９のアッシング手順から温度調節に係るステップＳ１１，Ｓ１９を省略し、代わりに光量分布を調節して光源４１を点灯させるようにした手順を示している。ステップＳ３１〜Ｓ３７は、ステップＳ１２〜Ｓ１８にそれぞれ対応している。
【００６０】
光源４１の点灯に係るステップＳ３２では、照射制御部１１４が、レシピ記憶部１１７に記憶されたアッシング処理用の光量分布にて、各光源４１を点灯させるように光照射部４０を制御する。アッシング処理用の光量分布は、照射量が均一である場合にアッシングの進行速度が高くなる領域への照射量を少なくし、照射量が均一である場合にアッシングの進行速度が低くなる領域への照射量を多くするように設定されている。ステップＳ３１及びステップＳ３３〜Ｓ３７は、ステップＳ１２及びステップＳ１４〜Ｓ１８と同じである。なお、温度調節に係るステップＳ１１，Ｓ１９と、照射量調節に係るステップＳ３２とを組み合わせて実行してもよい。
【００６１】
（第二変形例）
図１２のステップＳ４１〜Ｓ４９は、図９のアッシング手順から温度調節に係るステップＳ１１，Ｓ１９を省略し、代わりに酸素添加部８０による酸素の添加に係るステップＳ４１，Ｓ４８を追加した手順を示している。ステップＳ４２〜Ｓ４７及びステップＳ４９は、ステップＳ１２〜Ｓ１８と同じである。酸素の添加開始に係るステップＳ４１では、添加制御部１１６が、バルブ８３を開くように酸素添加部８０を制御する。これにより、酸素含有ガスへの酸素の添加が開始される。酸素の添加停止に係るステップＳ４８では、添加制御部１１６が、バルブ８３を閉じるように酸素添加部８０を制御する。これにより、酸素含有ガスへの酸素の添加が停止される。
【００６２】
図１２は、ウェハＷの回転開始に係るステップＳ４２の前に酸素の添加開始に係るステップＳ４１を実行し、ウェハＷの回転停止に係るステップＳ４７とウェハＷの逆回転に係るステップＳ４９との間でステップＳ４８を実行する場合を例示しているが、これに限られない。酸素の添加開始に係るステップＳ４１は、少なくとも光源４１の点灯に係るステップＳ４３以前に実行されればよく、酸素の添加停止に係るステップＳ４８は、少なくとも光源４１の消灯に係るステップＳ４６以後に実行されればよい。なお、温度調節に係るステップＳ１１，Ｓ１９と、第一変形例の照射量調節に係るステップＳ３２と、第二変形例の酸素の添加に係るステップＳ４１，Ｓ４８とを組み合わせて実行してもよい。
【００６３】
（第三変形例）
図１３のステップＳ５１〜Ｓ５９は、光源４１の点灯中においてウェハＷを二回転以上回転させるように、図９のステップＳ１１〜Ｓ１９を改変した手順を示している。図１３に示すように、制御部１００は、まずステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３と同様のステップＳ５１，Ｓ５２，Ｓ５３を実行する。ステップＳ５１では、加熱制御部１１１が、レシピ記憶部１１７に記憶されたアッシング処理用の温度目標値に従って、各加熱領域の温度を変更するように熱板３３を制御する。ステップＳ５２では、回転制御部１１５が、回転駆動部３２による保持部３１の回転駆動を開始するように回転保持部３０を制御する。ステップＳ５３では、照射制御部１１４が、光源４１を点灯させるように光照射部４０を制御する。
【００６４】
次に、制御部１００はステップＳ５４を実行する。ステップＳ５４では、光源４１の点灯開始の後にウェハＷが一回転するのを回転制御部１１５が待機する。次に、制御部１００は、ステップＳ１６，Ｓ１７と同様のステップＳ５５，Ｓ５６を実行する。ステップＳ５５では、照射制御部１１４が、光源４１を消灯させるように光照射部４０を制御する。ステップＳ５６では、回転制御部１１５が、回転駆動部３２による保持部３１の回転駆動を停止するように回転保持部３０を制御する。
【００６５】
次に、制御部１００はステップＳ５７を実行する。ステップＳ５７では、ウェハＷの回転回数がレシピ記憶部１１７に記憶された設定回数に達したか否かを回転制御部１１５が確認する。設定回数は、二回以上の値に予め設定されている。ステップＳ５７において、ウェハＷの回転回数は上記設定回数に達していないと判定した場合、制御部１００はステップＳ５８を実行する。ステップＳ５８では、回転制御部１１５が、回転方向を逆転させ、回転駆動部３２による保持部３１の回転駆動を開始するように回転保持部３０を制御する。ステップＳ５８の次に、制御部１００は処理をステップＳ５３に戻す。以後、ウェハＷの回転回数が上記設定回数に達するまで、光源４１の点灯中においてウェハＷを一回転させることが繰り返される。
【００６６】
ステップＳ５７において、ウェハＷの回転回数が上記設定回数に達したと判定した場合、制御部１００はステップＳ１９と同様のステップＳ５９を実行する。ステップＳ５９では、加熱制御部１１１が、各加熱領域の温度を上記熱処理用の温度に戻すように熱板３３を制御する。以上でアッシング処理が完了する。
【００６７】
なお、ステップＳ５１〜５９にて例示した改変と同様に、第一変形例に係る手順においてウェハＷの回転回数を二回転以上にしてもよいし、第二変形例に係る手順においてウェハＷの回転回数を二回転以上にしてもよい。更に、温度調節に係るステップＳ１１，Ｓ１９と、第一変形例の照射量調節に係るステップＳ３２と、第二変形例の酸素の添加に係るステップＳ４１，Ｓ４８とを組み合わせた手順においてウェハＷの回転回数を二回転以上にしてもよい。また、回転制御部１１５は、一回転ごとに回転駆動部３２による保持部３１の回転速度を小さくするように回転保持部３０を制御してもよい。更に、照射制御部１１４は、一回転ごとにアッシング用の光の照射量を増やすように光照射部４０を制御してもよい。
【００６８】
（第四変形例）
図１４のステップＳ６１〜Ｓ６８は、図１３のアッシング手順から温度調節に係るステップＳ５１，Ｓ５９を省略し、代わりにウェハＷと光照射部４０との間の距離を一回転ごとに変更するステップＳ６７を追加した手順を示している。ステップＳ６１〜ステップＳ６６及びステップＳ６８は、図１３のステップＳ５２〜Ｓ５８と同じである。制御部１００は、ウェハＷの回転停止に係るステップＳ６５と、ウェハＷの逆回転開始に係るステップＳ６８との間でステップＳ６７を実行する。ステップＳ６７では、距離変更制御部１１３が、レシピ記憶部１１７に記憶された制御目標値に従って、ウェハＷと光照射部４０との間の距離を変更するように距離変更部７０を制御する（図１５の（ａ）及び（ｂ）参照）。当該制御目標値は、上記第一距離及び第二距離を含む範囲でウェハＷと光照射部４０との間の距離を変更させるように予め設定されている。なお、距離変更に係るステップＳ６７は、第三変形例において例示したいずれの手順にも組み合わせ可能である。
【００６９】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、基板処理装置１は、有機被膜を表面Ｗａに有するウェハＷを保持して回転させる回転保持部３０と、回転保持部３０により保持されたウェハＷの表面Ｗａに有機被膜のアッシング用の光を照射する光照射部４０と、回転保持部３０により保持されたウェハＷと光照射部４０との間を通過するように、酸素含有ガスの気流を形成する気流形成部５０と、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射するように光照射部４０を制御する照射制御部１１４と、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射している状態にて、当該ウェハＷを回転させるように回転保持部３０を制御する回転制御部１１５と、を備える。
【００７０】
この基板処理装置１によれば、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光が照射される。このため、アッシング用の光の照射中に、ウェハＷと光照射部４０との間に継続的に酸素が供給されるので、所望のレベルまで容易にアッシングを進行させることができる。更に、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射している状態にて、当該ウェハＷが回転する。このため、気流に起因するアッシングの斑が抑制される。従って、アッシングの均一性向上に有効である。
【００７１】
基板処理装置１は、ウェハＷの裏面Ｗｂに対向するように回転保持部３０に設けられ、当該ウェハＷと共に回転する熱板３３と、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、温度分布を調節するように熱板３３を制御する加熱制御部１１１と、を更に備えていてもよい。気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射している状態にて、当該ウェハＷを回転させる構成によれば、特に、ウェハＷの周方向におけるアッシングの均一性向上に有効である。これに加え、ウェハＷの径方向に並ぶ領域ごとに温度分布を調節する構成により、ウェハＷの径方向におけるアッシングの均一性も向上させることができる。
【００７２】
照射制御部１１４は、ウェハＷの径方向に並ぶ領域間におけるアッシングの進行の差異を削減する条件にて、アッシング用の光の照射量を調節するように光照射部４０を制御してもよい。この場合、ウェハＷの径方向に並ぶ領域ごとにアッシング用の光の照射量を調節する構成により、ウェハＷの径方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【００７３】
基板処理装置１は、回転保持部３０に保持されたウェハＷと、光照射部４０との間の距離を変更する距離変更部７０と、ウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流が形成されている状態において、当該ウェハＷと光照射部４０との距離が互いに異なる複数条件下でアッシング用の光が照射されるように、ウェハＷと光照射部４０との間の距離を変更するように距離変更部７０を制御する距離変更制御部１１３と、を更に備えていてもよい。この場合、ウェハＷと光照射部４０との間の距離を変更することにより、気流方向における酸素濃度の分布を変更し、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【００７４】
基板処理装置１は、酸素含有ガスに酸素を添加する酸素添加部８０と、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａに光を照射している状態にて、ウェハＷと光照射部４０との間に進入する前の酸素含有ガスに酸素を添加するように酸素添加部８０を制御する添加制御部１１６と、を更に備えていてもよい。この場合、酸素の添加により、気流の下流側における酸素の不足を抑制し、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。このため、例えば中央部のアッシングの進行が外周部のアッシングの進行より小さくなる条件において、その差異を酸素の添加により低減することができる。
【００７５】
酸素添加部８０は、酸素の添加用のガスを供給する供給口を有し、供給口は、ウェハＷと光照射部４０との間の中央に向かって開口していてもよい。この場合、酸素の添加用のガスが供給される際の流速により、気流の下流側への酸素の添加がより促進される。
【００７６】
光照射部４０は、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成している状態にて、当該ウェハＷと光照射部４０との間に進入する前の酸素含有ガスにもアッシング用の光を照射するように構成されていてもよい。この場合、ウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスが進入する前に酸素を活性化し、酸素含有ガスの進入直後における活性酸素の不足を抑制することで、気流方向におけるアッシングの均一性を向上させることができる。
【００７７】
回転制御部１１５は、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、ウェハＷの回転速度を低下させるように回転保持部３０を制御してもよい。同一条件下におけるアッシングの進行速度（以下、単に「アッシングの進行速度」という。）は、時間の経過に伴って低下する傾向がある。ウェハＷの回転中にアッシングの進行速度が低下すると、ウェハＷの回転による均一性向上の作用が縮小する。これに対し、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じてウェハＷの回転速度を低下させることにより、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００７８】
照射制御部１１４は、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じて、アッシング用の光の照射量を増やすように光照射部４０を制御してもよい。この場合、ウェハＷへのアッシング用の光の照射開始時からの時間の経過に応じてアッシング用の光の照射量を増やすことにより、アッシングの進行速度低下の影響を抑制し、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００７９】
回転制御部１１５は、気流形成部５０がウェハＷと光照射部４０との間に酸素含有ガスの気流を形成しており、光照射部４０が当該ウェハＷの表面Ｗａにアッシング用の光を照射している状態にて、当該ウェハＷを二回転以上回転させるように回転保持部３０を制御してもよい。この場合、ウェハＷが一回転する間におけるアッシングの進行速度の低下が小さくなる。これにより、上記均一性向上の作用の縮小を抑制することができる。
【００８０】
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。基板処理装置１における処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１…基板処理装置、３０…回転保持部、３３…熱板、４０…光照射部、５０…気流形成部、７０…距離変更部、８０…酸素添加部、１１１…加熱制御部、１１３…距離変更制御部、１１４…照射制御部、１１５…回転制御部、１１６…添加制御部、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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