(57)【要約】【課題】開口状態に優れた配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の配線基板の製造方法は、高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、回路基板の表面に形成された導電パターンをソルダーレジスト膜で埋め込むように、回路基板の表面にキャリア基材付き樹脂シートのソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、キャリア基材を分離することにより、ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、ソルダーレジスト膜の露出した表面に、マスクを形成する工程と、マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、パターニングしたマスクを介して、ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、マスクを除去する工程と、を含む。【選択図】図１
2019033205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、
回路基板の表面に形成された導電パターンを前記ソルダーレジスト膜で埋め込むように、前記回路基板の前記表面に前記キャリア基材付き樹脂シートの前記ソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、
前記キャリア基材を分離することにより、前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、
前記ソルダーレジスト膜の露出した前記表面に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクを介して、前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、前記導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記開口部形成工程において、前記ソルダーレジスト膜はＢステージ状態である、配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去した後、前記ソルダーレジスト膜を加熱により硬化する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜は、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む、配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクの厚さが、３μｍ以上５０μｍ以下である、配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクを形成する工程の後、前記開口部形成工程の前に、前記マスクおよび前記ソルダーレジスト膜を加熱する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記マスクがドライフィルムレジストである、配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記高分子フィルムの表面粗さＲａは、０．０１μｍ以上３０μｍ以下である、配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記開口部形成工程の後、前記開口部内を中和する工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程の後、前記マスクを形成する工程の前に、前記ソルダーレジスト膜の表面に、プラズマ処理、コロナ処理、火炎処理、プライマー処理からなる群から選択される一種以上を含む表面処理を施す工程をさらに含む、配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ソルダーレジスト膜の厚さが、３μｍ以上５０μｍ以下である、配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記導電パターンを構成する金属が、銅、金、銀からなる群から選択される一種以上を含む、配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法で得られた配線基板の上に半導体素子を実装する工程、を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の製造方法において、最外層のソルダーレジストに開口部を形成する方法について様々な開発がなされてきた。
ソルダーレジストに所定の開口パターンを形成する方法としては、例えば、露光現像法が知られている。露光現像法では、まず、ソルダーレジストの開口部にパターンが形成されたフォトマスクを積層して、写真法により露光する。その後、炭酸ナトリウムや水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）などの現像液で現像して、ソルダーレジストに開口部を形成する。
【０００３】
ただし、写真法に用いられる感光性樹脂は、熱硬化性樹脂に比べ、多層プリント配線板の薄型・高密度化に伴い要求される、剛性、耐熱性、絶縁信頼性が十分ではない。
そこで、剛性、耐熱性、絶縁信頼性向上のため、ソルダーレジストを構成する材料として熱硬化性樹脂を用い、当該ソルダーレジストに対してマスク使用せずにレーザーで開口部を形成する方法が用いられている（例えば、特許文献１の図１、実施例参照。）。
【０００４】
しかしながら、近年、半導体装置の軽薄短小化を目的として、半導体素子や多層プリント配線板の高密度化が進んでおり、より一層配線の微細化が必要となっている。レーザーにより、ソルダーレジストに開口部を形成する場合、ソルダーレジストに用いられる樹脂の組成によっては、十分に微細且つ精密な開口部を形成することが困難になってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−７５９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、本発明者が検討した結果、上記文献に記載のソルダーレジストをマスク使用せずにレーザーで開口する技術においては、開口状態の点で改善の余地があることが判明した。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意研究したところ、パターニングしたマスクを介してソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、開口状態を良好なものとすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明によれば、
高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、
回路基板の表面に形成された導電パターンを前記ソルダーレジスト膜で埋め込むように、前記回路基板の前記表面に前記キャリア基材付き樹脂シートの前記ソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、
前記キャリア基材を分離することにより、前記ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、
前記ソルダーレジスト膜の露出した前記表面に、マスクを形成する工程と、
前記マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、
パターニングした前記マスクを介して、前記ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、前記導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、
前記マスクを除去する工程と、を含む、配線基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明によれば、上記配線基板の製造方法で得られた配線基板の上に半導体素子を実装する工程、を含む、半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、開口状態に優れた配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る配線基板の製造工程の一例を示す断面模式図である。
【図２】実施形態に係る配線基板の製造工程の一例を示す断面模式図である。
【図３】実施形態における半導体パッケージの構造の例を示す模式図である。
【図４】実施形態に係る配線基板の製造工程の変形例の一例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１３】
本実施形態に係る配線基板の製造方法の概要について説明する。
【００１４】
本実施形態の配線基板の製造方法は、高分子フィルムで構成されるキャリア基材上にソルダーレジスト膜が形成されたキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、回路基板の表面に形成された導電パターンをソルダーレジスト膜で埋め込むように、回路基板の表面にキャリア基材付き樹脂シートのソルダーレジスト膜を配向配置する工程と、キャリア基材を分離することにより、ソルダーレジスト膜の表面を露出させる工程と、ソルダーレジスト膜の露出した表面に、マスクを形成する工程と、マスクを、選択的に除去することによりパターニングする工程と、パターニングしたマスクを介して、ソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、導電パターンの一部が露出した開口部を形成する開口部形成工程と、マスクを除去する工程と、を含むことができる。
【００１５】
本実施形態によれば、パターニングしたマスクを介してソルダーレジスト膜を選択的に除去することにより、開口状態を良好なものとすることが可能である。具体的には、開口部の形状が良好であり、また、開口部内の導電パターン上に樹脂残渣がなく、基板ダメージを抑制することができる。
【００１６】
また、本発明者がさらに検討したところ、液状ソルダーレジストを使用した場合について検討した結果、液状レジストの塗膜とマスクとの密着性が低くなること、また、この塗膜表面に発生した凹凸によって、マスクを介した開口時において開口不良が生じることがあることが判明した。
これに対して、本発明者は、回路基板の表面に形成された導電パターンをソルダーレジスト膜で埋め込むように、キャリア基材付き樹脂シートの回路基板にラミネートした後、当該キャリア基材付き樹脂シートから高分子フィルムで構成されるキャリア基材を剥離することによって、ソルダーレジスト膜の露出面を平坦化できることが判明した。このように平坦化されたソルダーレジスト膜の表面に対してマスクを形成することにより、マスクとソルダーレジスト膜との密着性を高められるため、ソルダーレジスト膜に開口部を形成するときに、マスク剥離が抑制できることが分かった。したがって、本実施形態の配線基板の製造方法によれば、製造安定性を向上させることができる。
【００１７】
また、本実施形態の配線基板の製造方法によれば、マスク剥離を抑制することによって、ソルダーレジスト膜に良好な開口部形状を実現することができる。これによって、回路基板上の導電パターンへのダメージを抑制できる等により、接続信頼性に優れた配線基板の構造を実現できる。
【００１８】
［配線基板の製造方法］
本実施形態の配線基板の製造方法の各工程について、図１、２、４を用いて詳述する。
図１、２、４は、実施形態に係る配線基板の製造工程の一例を示す断面模式図である。
【００１９】
本実施形態の配線基板２０の製造方法は、例えば、構造体準備工程、マスクパターニング工程、開口部形成工程、およびマスク除去工程を含むことができる。
【００２０】
まず、上記の構造体準備工程としては、図１（ａ）に示す第１金属で構成される導電パターン２４を表面に有するコア基板２２（回路基板）と、ソルダ−レジスト膜１０と、マスク１２と、をこの順番で積層した構造を有する、図１（ｂ）に示す構造体を準備する。
【００２１】
上記構造体準備工程は、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すように、高分子フィルムで構成されるキャリア基材８上にソルダ−レジスト膜１０が形成されている、不図示のキャリア基材付き樹脂シートを準備する工程と、図１（ａ）に示すような回路基板（コア基板２２）の表面に形成された導電パターン２４をソルダ−レジスト膜１０で埋め込むように、回路基板（コア基板２２）の表面にキャリア基材付き樹脂シートのソルダ−レジスト膜１０を配向配置する工程と（図４（ａ））、キャリア基材８を分離することにより、ソルダ−レジスト膜１０の表面（面１１、面１３）を露出させる工程と（図４（ｂ））、ソルダ−レジスト膜１０の露出した表面（面１１、面１３）に、マスク１２を形成する工程と（図４（ｃ））と、を含むことができる。
【００２２】
上記構造体準備工程に用いられる回路基板は、図１（ａ）に示すように、表裏の少なくとも一方の最外面に導電パターン２４が設けられたコア基板２２を有することができる。コア基板２２は、例えば、プリント配線基板のコア層を構成することができる。コア層としては、例えば、繊維基材を含浸したプリプレグを硬化させた樹脂基板を用いることができるが、繊維基材を有しない樹脂基板を用いてもよい。本実施形態において、コア基板２２としては、コア層に複数のビルドアップ層（不図示）が形成されてもよく、コア層が単独で形成されていてもよい。コア基板２２が熱硬化性樹脂を含む樹脂基板材料で構成されている場合、Ｂステージ状態のコア基板２２は、ソルダ−レジスト膜１０を対向配置する前に硬化されていてもよいが、ソルダ−レジスト膜１０の硬化時に一緒に硬化してもよい。
【００２３】
本実施形態において、導電パターン２４を構成する第１金属は、銅、金、銀からなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、導電パターン２４は、第１金属を主成分とする、合金または多層の金属膜で構成されていてもよい。また、導電パターン２４は、不可避に混入する不純物金属を許容できる。この第１金属は、例えば、導電パターン２４の主成分とすることができ、この場合、導電パターン２４全体の８０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以上であり、より好ましくは９５質量％以上であり、一方で１００質量％以下でもよい。この中でも、導電パターン２４は、銅で構成された銅回路とすることができる。
【００２４】
上記キャリア基材付き樹脂シートとしては、図４（ａ）に示すように、キャリア基材８およびソルダ−レジスト膜１０がこの順番で積層された積層体を用いることができる。キャリア基材付き樹脂シートは、枚葉状でもよく、巻き取り可能なロール形状でもよい。この場合、キャリア基材付き樹脂シートのソルダ−レジスト膜１０の表面には、例えば、表面を保護するためにカバーフィルムが配置されていてもよい。カバーフィルムとしては、ポリエチレンやポリプロピレン等の高分子フィルムなどが挙げられる。カバーフィルムを積層体から剥離することにより、上記キャリア基材付き樹脂シートを得てもよい。
【００２５】
また、キャリア基材付き樹脂シートを得る方法としては、特に限定されないが、キャリア基材上にソルダーレジスト用樹脂組成物を乾燥させてなるフィルム状の樹脂膜（ソルダ−レジスト膜１０）を形成してもよいし、フィルム状の樹脂膜（ソルダ−レジスト膜１０）をキャリア基材上にラミネートしてもよい。このとき、複数のソルダ−レジスト膜１０を貼り合わせてもよい。
【００２６】
フィルム状のソルダ−レジスト膜１０の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、ソルダーレジスト用樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを、キャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置を用いて樹脂ワニスを、キャリア基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。
【００２７】
上記ソルダ−レジスト膜１０の膜厚の下限値は、例えば、３μｍ以上としてもよい、５μｍ以上としてもよく、１０μｍ以上としてもよい。これにより、導電パターン２４に対する埋め込み性を高めることができる。また、機械的強度を向上させることができる。ソルダ−レジスト膜１０の膜厚の上限値は、例えば、５０μｍ以下としてもよく、４０μｍ以下としてもよく、３０μｍ以下としてもよい。これにより、加工性を高めて、プロセス効率を高めることができる。
【００２８】
上記キャリア基材としては、例えば、高分子フィルムを用いることができる。上記の高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂シート等が挙げられる。これらの中でも、安価および剥離強度の調節が簡便なため、ポリエチレンテレフタレートを用いることができる。これにより、キャリア基材付き樹脂シートから、キャリア基材を適度な強度で剥離することが容易となる。
【００２９】
上記高分子フィルムの表面粗さＲａの下限値は、例えば、０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．０３μｍ以上であり、さらに好ましくは０．０５μｍ以上である。これにより、マスク１２とソルダ−レジスト膜１０との密着性と剥離性のバランスを図ることができる。一方で、高分子フィルムの表面粗さＲａの上限値は、例えば、３０μｍ以下であり、好ましくは２０μｍ以下であり、さらに好ましくは１０μｍ以下である。これにより、マスク１２とソルダ−レジスト膜１０との密着性を向上させることができる。
本実施形態において、表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は、例えば、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準じて測定することが可能である。
【００３０】
本実施形態において、下記のソルダーレジスト用樹脂組成物を高分子フィルム上に塗工することによって、ソルダーレジスト用樹脂組成物を乾燥してなるソルダ−レジスト膜１０をキャリア基材８上に形成することができる。このソルダ−レジスト膜１０は、例えば、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含む場合、キャリア基材８が表面から剥離されたとき、Ｂステージ状態とすることができる。
【００３１】
このように、本実施形態の配線基板の製造方法は、高分子フィルムで構成されるキャリア基材８上にソルダ−レジスト膜１０が形成されている、不図示のキャリア基材付き樹脂シートを準備することができる。
【００３２】
続いて、本実施形態の配線基板の製造方法は、図４（ａ）示すように、回路基板（コア基板２２）の表面に形成された導電パターン２４をソルダ−レジスト膜１０で埋め込むように、回路基板（コア基板２２）の表面にキャリア基材付き樹脂シートのソルダ−レジスト膜１０を配向配置することができる。具体的には、キャリア基材８付きのソルダ−レジスト膜１０を、コア基板２２の、片面または両面に貼り付けることができる。
【００３３】
上記の貼り付ける方法としては、例えば、キャリア基材付き樹脂シートを回路基板上に積層した後、これらの積層体を真空加熱加圧成形することにより行うことができる。このとき、ソルダ−レジスト膜１０はＢステージ状態とすることができる。
【００３４】
続いて、本実施形態の配線基板の製造方法は、図４（ｂ）に示すように、キャリア基材８を分離することにより、ソルダ−レジスト膜１０の表面（面１１、面１３）を露出させることができる。このソルダ−レジスト膜１０の表面（面１１、面１３）は、上記高分子フィルムの表面粗さが転写された転写面で構成されており、平坦化面を有することができる。
【００３５】
また、本実施形態の配線基板の製造方法は、ソルダ−レジスト膜１０の表面を露出させる工程の後、マスク１２を形成する工程の前に、ソルダ−レジスト膜１０の表面に、プラズマ処理、コロナ処理、火炎処理、プライマー処理からなる群から選択される一種以上を含む表面処理を施す工程をさらに含むことができる。これにより、ソルダ−レジスト膜１０とマスク１２との密着性を向上させることができる。
【００３６】
続いて、本実施形態の配線基板の製造方法は、図４（ｃ）に示すように、ソルダ−レジスト膜１０の露出した表面に、マスク１２を形成することができる。
【００３７】
本実施形態におけるマスク１２としては、例えば、ドライフィルムレジストまたは金属層を用いることができる。この中でも、ドライフィルムレジストを使用することにより、ソルダ−レジスト膜１０との密着性と剥離性のバランスを図ることができる。
【００３８】
上記ドライフィルムレジストとしては、耐薬品性があれば特に限定されず、公知のものを使用することができ、例えば、感光性樹脂組成物を乾燥してなるドライフィルムを使用することができる。
上記ドライフィルムレジストは、例えば、光重合開始剤および光架橋性成分を含有することにより、露光処理によって光架橋構造を有することができる。
また、上記ドライフィルムレジストは、アルカリ水溶液等の現像液に対して溶解性を有する現像性成分を含有することにより、アルカリ溶解液等を用いた現像処理によってパターン構造を有することができる。この現像性成分は、例えば、カルボキシル基等の現像性基を含有することで、アルカリ溶解性を向上させることができる。
【００３９】
上記ドライフィルムレジストにおいて、光架橋性成分（アルカリ可溶性組成物）は、光架橋性基とともに現像性基を有していてもよい。また、光架橋性成分や光架橋性成分とは別の現像性成分は、エポキシ基やカルボキシル基などの熱架橋性基を有していてもよい。また、ドライフィルムレジストは、当該現像性成分と架橋反応する官能基（例えばイソシアネート基など）を備える熱硬化剤を含有することができる。これにより、加熱処理によって、ドライフィルムレジスト中に熱架橋構造を形成することができ、有機溶剤などに対する耐溶剤性を付与することができる。
【００４０】
上記ドライフィルムレジストは、必要に応じて、光重合性単量体、熱重合禁止剤、可塑剤、着色剤（染料、顔料）、光発色剤、熱発色防止剤、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱硬化剤、表面張力調整剤、撥水剤及び撥油剤等の添加剤を含有していてもよい。
【００４１】
本実施形態において、上記マスク１２がドライフィルムレジストの場合、上記マスク１２の厚さの下限値は、３μｍ以上としてもよく、５μｍ以上としてもよく、１０μｍ以上としてもよい。これにより、開口部を形成するときマスク機能を十分に保持できる。一方で、マスク１２の厚さの上限値は、例えば、５０μｍ以下としてもよく、４０μｍ以下としてもよく、３０μｍ以下としてもよい。これにより、エッチング性を高めることが可能である。
【００４２】
本実施形態において、図１（ｂ）に示すように、ソルダ−レジスト膜１０上に、ドライフィルムレジスト（マスク１２）を形成する方法としては、フィルム状のドライフィルムレジストを、公知のラミネート方法を用いることができる。ラミネート方法としては、常圧ラミネート、真空ラミネート、常圧プレス、真空プレス等の方法で積層する方法が挙げられる。真空ラミネーターを用いる場合、例えば、所定真空度の真空チャンバー内において、所定の圧力の貼り付けロールを用いて、所定の温度のテーブル上で、ラミネートを実施することができる。なお、ラミネート方法としては、とくに限定されないが、例えばバッチ式であってもよいし、ドライフィルムレジストを連続的に供給して、連続的にソルダ−レジスト膜１０上に積層してもよい。ラミネート工程中、ドライフィルムレジストを加熱する加熱処理（加熱ラミネート工程）を行ってもよい。例えば、４０℃以上１５０℃以下で加熱ラミネートを実施してもよい。
【００４３】
また、上記金属層としては、上記第１金属と同一または異なる第２金属を使用することができるが、例えば、第１金属よりもイオン化傾向が大きい金属種を使用してもよい。イオン化傾向が大きい金属種としては、例えば、ニッケル、アルミニウム、鉄、亜鉛、錫、鉛、からなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。マスク１２は、単独の金属膜、多層の金属膜、合金膜であってもよい。なお、第２金属は、例えば、マスク１２の主成分であり、この場合、マスク１２全体の８０質量％以上であり、好ましくは９０質量％以上であり、より好ましくは９５質量％以上であり、一方で１００質量％以下でもよい。
【００４４】
本実施形態において、上記マスク１２が金属層の場合、上記マスク１２の膜厚の下限値は、例えば、０．５μｍ以上としてもよい、１μｍ以上としてもよく、５μｍ以上としてもよい。これにより、開口部を形成するときマスク機能を十分に保持できる。マスク１２の膜厚の上限値は、例えば、３５μｍ以下としてもよく、３０μｍ以下としてもよく、２５μｍ以下としてもよい。上記下限値以上とすることにより、これにより、加工性を高めて、プロセス効率を高めることができる。
【００４５】
また、本実施形態において、図４（ｂ）に示すように、キャリア基材８を分離したソルダ−レジスト膜１０上に、マスク１２として、薄膜状の金属層を形成することができる。金属層の形成方法としては、公知のラミネート方法を用いることができるが、真空ラミネートを用いることが好ましい。これにより、図４（ｃ）（図１（ｂ））に示すように、ソルダ−レジスト膜１０上に、マスク１２として金属層が形成された構造を得ることができる。
【００４６】
本実施形態の配線基板の製造方法は、マスク１２を形成する工程の後、開口部形成工程の前に、マスク１２およびソルダ−レジスト膜１０を加熱する工程をさらに含むことができる。加熱処理によって、マスク１２とソルダ−レジスト膜１０との密着性を向上させることができる。この加熱処理は、マスク１２のラミネート時に同時に実施してもよいが、ラミネート工程とは別に実施してもよい。
【００４７】
続いて、上記マスクパターニング工程は、図１（ｃ）に示すように、マスク１２を選択的に除去することにより、マスク１２をパターニングすることができる。具体的には、導電パターン２４上のマスク１２の所定の領域に対して、選択的にマスク１２を除去することにより、開口部２１を形成することができる。開口部２１には下層のソルダ−レジスト膜１０の表面が露出している。本実施形態によれば、ソルダ−レジスト膜１０とマスク１２との密着性を高めているため、マスク１２のパターニング工程においてマスク１２が剥離することを抑制することができる。
【００４８】
上記開口部２１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザー加工法や露光現像法などの公知の方法を用いることができる。
【００４９】
例えば、ドライフィルムレジストを露光現像する場合、例えば、パターンの露光を実施し、アルカリ現像液などの現像液で現像することにより、マスク１２を選択的に除去することができる。このとき、パターン状のドライフィルムレジストを光硬化させることができる。これにより、マスク特性を調整することができる。また、必要に応じて、パターン状のドライフィルムレジストに対して、再び露光処理または熱硬化処理をしてもよい。これにより、優れたエッチング耐性を付与できる。なお、上記アルカリ現像液としては、例えば炭酸アルカリ金属塩の水溶液を用いることができる。
【００５０】
続いて、上記開口部形成工程は、図１（ｄ）に示すように、パターニングしたマスク１２を介して、導電パターン２４の一部を露出させるように開口部２８をソルダ−レジスト膜１０に形成することができる。具体的には、開口部２１が形成されたマスク１２を介して、ソルダ−レジスト膜１０の所定領域に開口部２８を形成する。開口部２８は主に導電パターン２４のランド２４４を露出させるように形成する。
上記開口部２８の形成方法としては、特に限定されず、例えば、レーザー加工法、ウェットエッチング等のエッチング処理またはブラスト工法、などの公知の方法を用いることができる。
【００５１】
本実施形態の配線基板の製造方法によれば、マスク１２とソルダ−レジスト膜１０との密着性を高められるため、ソルダ−レジスト膜１０に開口部２８を形成するときに、マスク剥離を抑制できる。これにより、配線基板の製造方法の製造安定性を向上させることができる。
【００５２】
また、本実施形態に係る開口部形成工程は、Ｂステージ状態のソルダ−レジスト膜１０を使用することができるので、硬化物を用いた場合と比較して、ソルダ−レジスト膜１０の加工性を高めることができる。
本実施形態において、ソルダ−レジスト膜１０の半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、ＤＳＣ（示差走査熱量計）の測定結果から算出される反応率が、０％を超え７０％以下であり、好ましくは０．５％以上５５％以下であり、さらに好ましくは１％以上５０％以下の状態であることを意味する。
【００５３】
また、Ｂステージ状態におけるソルダ−レジスト膜１０の溶剤含有量は、ソルダーレジスト用樹脂組成物全体に対して５重量％以下とすることができる。上述の溶剤含有量の範囲内とするために、ソルダーレジスト用樹脂組成物に対して、たとえば１００℃〜１５０℃、１分〜５分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。これにより、熱硬化性樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
【００５４】
一方、本実施形態において、ソルダ−レジスト膜１０の硬化物の硬化状態（Ｃステージ状態）とは、上記のように、ＤＳＣの測定結果から算出される反応率が、７５％より大きく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは９５％以上の状態であることを意味する。
【００５５】
また、本実施形態の配線基板の製造方法は、上記開口部２８を形成した後、ソルダ−レジスト膜１０を熱硬化する工程を含むことができる。このソルダ−レジスト膜１０を熱硬化する工程は、例えば、ドライフィルムレジスト（マスク１２）を除去した後に実施してもよい。これにより、ソルダ−レジスト膜１０を硬化してなる硬化膜１４から、ドライフィルムレジスト（マスク１２）が剥離しにくくなることを抑制できる。この場合、ソルダーレジスト膜は、例えば、熱硬化性樹脂と無機充填材とを含むことができる。これにより、硬化膜１４の耐熱性や機械的強度を高めることができる。
本実施形態において、硬化温度の下限値は、特に限定されないが、例えば、２００℃以上でもよく、２１０℃以上でもよく、２２０℃以上でもよい。硬化温度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、２５０℃以下とすることができる。
【００５６】
また、必要に応じて、デスミア処理を行うことができる（デスミア処理する工程）。デスミア処理では、開口部の形成などで生じたスミアを除去できる。
【００５７】
上記デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下のように行うことができる。まず、導電パターン２４やソルダ−レジスト膜１０を積層したコア基板２２を、有機溶剤を含有する膨潤液に浸漬し、次いでアルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬して処理する。過マンガン酸塩としてはたとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。過マンガン酸塩として過マンガン酸カリウムを用いる場合、浸漬させる過マンガン酸カリウム水溶液の温度は、例えば、５０℃以上でもよく、１００℃以下でもよい。また、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液への浸漬時間は、例えば、１分間以上でもよく、３０分間以下でもよい。
【００５８】
デスミア処理する工程では、上記の湿式のデスミア処理のみを行うことができるが、上記の湿式の処理に代えて、もしくは加えて、デスミア処理としてプラズマ照射を行っても良い。このとき、処理ガスとしてはたとえばアルゴンガス、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。プラズマ処理時間は、例えば、３０秒以上でもよく、１分以上でもよい。また、プラズマ処理時間は、例えば、１０分以下でもよく、５分以下でもよい。
【００５９】
本実施形態において、ブラスト工法としては、たとえば、粒子を吹き付けて該当箇所を研磨加工するサンドブラスト処理を用いることができる。粒子としては、平均粒径（Ｄ５０）が１μｍ以上７０μｍ以下としてもよい。サンドブラスト処理では、吹き付ける粒子の粒径を大きくすることにより、該当箇所を研磨する力（研磨力）が大きくなる。したがって、サンドブラスト処理により吹き付ける粒子の粒径を大きくすることにより、該当箇所を所定の深さまで短時間で研磨することができる。一方、吹き付ける粒子の粒径を小さくすることにより、研磨される開口部２８の深さや、開口部２８を規定する側壁部分の形状を、高い精度で制御することができる。すなわち、高い研磨精度（加工精度）で開口部２８を形成することができる。
【００６０】
上記サンドブラスト処理においては、例えば、吹き付ける微細粒子の平均粒径（Ｄ５０）は、開口部２８の加工精度を高める観点から、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、７μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましく、１０．５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００６１】
また、サンドブラスト処理に用いる研磨材（ブラスト材）としては、特に限定されないが、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ等で構成された粒子を用いることができる。これらの粒子は１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６２】
また、サンドブラスト処理におけるブラストの圧力は、０．１〜１．０ＭＰａ程度としてもよく、０．１５〜０．８ＭＰａ程度としてもよい。これにより、ソルダ−レジスト膜１０の保護領域をより確実に保護しつつ、開口部２８をより短時間で形成することができる。
【００６３】
本実施形態の配線基板の製造方法は、上記開口部形成工程の後、開口部２８内を中和する工程をさらに含むことができる。これにより、開口部２８内部に、デスミア処理に由来するアルカリ成分などを中和することができるため、接続信頼性を高めることが可能になる。
【００６４】
また、本実施形態の配線基板の製造方法は、ソルダ−レジスト膜１０を選択的に除去した後、ソルダ−レジスト膜１０を加熱により硬化する工程をさらに含むことができる。これにより、耐熱性や機械的強度に優れたソルダ−レジスト膜１０とすることができる。なお、この硬化する工程は、マスク１２の除去前に実施してもよいし、マスク１２の除去後に実施してもよい。
【００６５】
続いて、上記マスク除去工程は、図２（ａ）に示すように、開口部２８において導電パターン２４の一部が露出した状態で、マスク１２を除去することができる。
【００６６】
本実施形態において、マスク１２を除去する方法としては、物理的に剥離する方法や、マスク１２を選択的にエッチングする方法等を用いることができる。エッチングする方法としては、特に限定されないが、例えば、ソルダ−レジスト膜１０に対して、マスク１２を選択的にエッチングできる剥離液を用いて、マスク１２を除去することができる。この剥離液としては、例えば、アミン化合物および、約３〜１０％程度の水酸化ナトリウムを含有する有機アルカリ剥離液を用いることができる。この有機アルカリ剥離液の一例としては、アミノエタノール等のアミン化合物の他に、エーテル類や水酸化テトラメチルアンモニウム等の酸化第四級アンモニウム化合物を含むことができる。剥離液をスプレー方式で使用する場合、液温：約４０℃〜５０℃、スプレー圧：約０．１〜０．２ＭＰａの条件を採用してもよい。
【００６７】
続いて、図２（ｂ）に示すように、開口部２８に露出した導電パターン２４の上にめっき膜２４６を形成するめっき処理を行うことができる。ただし、めっき膜２４６を形成せずに配線基板２０としてもよい。めっき膜２４６は、たとえば半田めっき膜や、錫めっき膜や、ニッケルめっき膜の上に金めっき膜を積層した２層構造のめっき膜とすることができる。めっき膜２４６は開口部２８に露出した導電パターン２４の導電部を覆うように形成される。また、めっき膜２４６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、ランド２４４部分を、配線基板２０を用いた実装工程においてワイヤボンディングや半田付けに適した接続部とすることができる。
【００６８】
めっき処理の方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。たとえば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。たとえば無電解めっき法を用いる場合、次の様にめっき膜２４６を形成することが出来る。ここではニッケルと金の２層構造のめっき膜２４６を形成する例について説明するが、これに限定されない。まず、ニッケルめっき膜を形成する。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液にコア基板２２を浸漬する。これにより、開口部２８に露出した導電パターン２４の導電部の上に、ニッケルめっき膜を形成できる。めっき液は、ニッケル鉛、および還元剤としてたとえば次亜リン酸塩を含んだものを用いることができる。続いて、ニッケルめっき膜の上に無電解金めっきを行う。無電解金めっきの方法は特に限定されないが、たとえば金イオンと下地金属のイオンとの置換により行う置換金めっきで行うことができる。
なお、めっき処理の前に、必要に応じて、露出した導電パターン２４の導電部を洗浄する工程や、粗化する工程を行っても良い。
【００６９】
以上により、図２（ｂ）に示す配線基板２０を得ることができる。
【００７０】
［電子装置の製造方法］
次に、半導体パッケージ１０２の製造方法について説明する。
本実施形態に係る電子装置（半導体パッケージ１０２）の製造方法は、次のような配線基板の製造方法で得られた配線基板２０上に、半導体素子６０（電子素子）を実装する工程を含むものである。
【００７１】
まず、上述のように配線基板２０を準備し（配線基板を準備する工程）、配線基板２０の上に、半導体素子６０を配設する（半導体素子を配設する工程）。このとき半導体素子６０は、たとえばダイアタッチ材６２を介して配線基板２０上に搭載する。半導体素子６０と配線基板２０を接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば配線基板２０の上面の開口部２８に露出した導電パターン２４へボンディングする。次いで、配線基板２０の上面、半導体素子６０、およびボンディングワイヤ５０を封止樹脂層４０によって封止する（封止する工程）。封止樹脂としてはたとえばエポキシ樹脂組成物を用いることができる。封止樹脂でモールドする方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂層４０を加熱することにより硬化させる。
【００７２】
また、配線基板２０に外部接続端子である半田ボール３０が設けられる例においては、たとえば下面側の開口部２８に露出した導電パターン２４上に、半田ボール３０を形成する。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、半導体パッケージ１０２はこれに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ接続されるパッケージでもよい。
【００７３】
［配線基板］
本実施形態に係る配線基板について説明する。
図２（ｂ）は、実施形態における配線基板２０の構造の例を示す模式図である。
本実施形態の配線基板は、基板（コア基板２２）と、基板上に形成された導電回路（導電パターン２４）と、基板の最外層に形成された硬化膜１４と、を含むことができる。当該硬化膜１４は、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物を硬化させることにより得られる。例えば、上記硬化膜１４は、本実施形態の樹脂シートの硬化物で構成することができる。
【００７４】
図２（ｂ）に示す配線基板２０は、コア基板２２、導電パターン２４、および硬化膜１４を備える。導電パターン２４は、コア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。硬化膜１４は、配線基板２０の最外層を構成する。硬化膜１４は、半導体素子などと接続するために必要な開口部が設けられている。
【００７５】
上記コア基板２２は、リジッドな基板でも良いし、フレキシブルな基板でも良い。コア基板２２の厚さは、とくに限定されないが、たとえば１０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
【００７６】
また、上記コア基板２２は、１つの絶縁層のみを有し、その片面のみに導電パターン２４が形成された片面板でも良いし、１つの層のみを有し、その表裏面の両方に導電パターン２４が設けられた両面板でも良いし、２層以上の絶縁層を有する多層板でもよい。コア基板２２が多層板である場合、コア基板２２内には２つの絶縁層に挟まれた配線層が一層以上形成される。
また、コア基板２２が両面板もしくは多層板である場合、コア基板２２の１つの表面（最外面）に設けられた導電パターン２４は、反対側の表面（最外面）に設けられた導電パターン２４やコア基板２２の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホール（不図示）を介して互いに電気的に接続されている。
【００７７】
上記導電パターン２４は、コア基板２２のおもて面と裏面の少なくとも一方の表面（最外面）に設けられている。導電パターン２４は、たとえばコア基板２２に積層された銅膜を選択エッチングして形成されたパターンである。導電パターン２４は、導電部として少なくともランド２４４とライン２４２とを含む。ランド２４４は主に、配線基板２０に実装される素子や部品と導電パターン２４とを電気的に接続する接続部であり、たとえば導電パターン２４の他の部分もしくはコア基板２２内の配線層に接続された円形や四角形の部分である。なお、ランド２４４の中心には電子部品の端子等を挿入するホールが設けられていても良い。そして、ライン２４２は主に、ランド２４４同士を互いに電気的に接続する線状の部分である。
【００７８】
上記硬化膜１４が、導電パターン２４上に積層されている。硬化膜１４が絶縁性を維持することができるので、信頼性の高い配線基板を得ることができる。また、上下の最外層に、上記硬化膜１４が配置されているため、例えば、黒色に呈することができ、配線基板の下面においても美観性を高めることができる。また、上記硬化膜１４の下面に、例えば、ＹＡＧレーザー等のレーザーによりマークを捺印することもできる。
【００７９】
硬化膜１４には、主にランド２４４が設けられた領域に開口部が設けられており、ランド２４４は硬化膜１４に被覆されていない。すなわち、ランド２４４の上には硬化膜１４が設けられておらず、ランド２４４が露出している。なお、ランド２４４の上には、たとえばニッケルおよび金のめっき膜や半田のめっき膜などの導電膜が積層されていてもよい。本実施形態に係る配線基板２０では、開口部に位置するランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられている。硬化膜１４にはさらにランド２４４以外の部分に開口部が設けられていても良いし、ライン２４２の一部を露出させるような開口部があってもよい。また、ランド２４４の全てが開口部に位置する必要は無く、硬化膜１４に覆われたランド２４４があってもよい。
【００８０】
配線基板２０はたとえばインターポーザもしくはマザーボードとして用いることができる。なお、パッケージとは、配線基板上に種々のパーツが搭載され、一括封止されたものをいう。半導体パッケージはパッケージの一例であり、パッケージには、一括封止されたＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）等も含む。
【００８１】
［電子装置］
次に、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２について説明する。
図３は本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の構造の一例を示す断面模式図である。
本実施形態の電子装置（半導体パッケージ１０２）は、上記配線基板（配線基板２０）と、配線基板上に実装された電子素子（半導体素子６０）と、を含むことができる。すなわち、当該電子装置は半導体装置として利用できる。
【００８２】
図３に示す半導体パッケージ１０２は、配線基板２０、半導体素子６０、および封止樹脂層４０を備える。半導体素子６０は配線基板２０上に配設されている。封止樹脂層４０は、配線基板２０の少なくともひとつの面および半導体素子６０を覆っている。配線基板２０は、コア基板２２、導電パターン２４、および硬化膜１４を備える。導電パターン２４はコア基板２２の少なくともひとつの最外面に設けられている。硬化膜１４は、配線基板２０の最外層であり、導電パターン２４の周囲に設けられている。
【００８３】
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、上述した配線基板２０の一方の面（以下では「上面」と呼ぶ）の硬化膜１４の上に、少なくとも１つの半導体素子６０が配設されている。半導体パッケージ１０２において、配線基板２０はたとえばインターポーザであり、半導体素子６０はたとえば半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップである。また、配線基板２０の上面には半導体素子６０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。半導体素子６０はダイアタッチ材６２を介して硬化膜１４の上に固定されている。
【００８４】
半導体素子６０にはその表面に電気的な接続パッド（不図示）が設けられており、接続パッドはたとえば半導体素子６０の内部に作り込まれた回路に接続されている。配線基板２０に設けられた導電パターン２４の一部分であるランド２４４は、硬化膜１４の開口部２８に設けられている。そして、ランド２４４と、半導体素子６０の接続パッドとは、ボンディングワイヤ５０によって接続されている。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、ランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられており、ランド２４４はめっき膜２４６を介してボンディングワイヤ５０に接続されているが、これに限定されない。また、ボンディングワイヤ５０で接続される代わりにリード線や半田により接続されていても良い。
【００８５】
封止樹脂層４０は、配線基板２０の上面の表面に露出した硬化膜１４と、コア基板２２と、めっき膜２４６（めっき膜２４６を設けない場合はランド２４４）と、半導体素子６０のうちダイアタッチ材６２で配線基板２０と接合された面以外の面と、ボンディングワイヤ５０とを覆っている。なお、封止樹脂層４０は配線基板２０の半導体素子６０が設けられた面の全面を覆っていても良いし、当該面の一部を露出させて覆っていても良い。
【００８６】
半導体パッケージ１０２の配線基板２０には、上面とは反対側の面（以下では「下面」と呼ぶ）にさらに複数の開口部２８と、開口部２８の内部のランド２４４が設けられている。そして、それぞれのランド２４４はめっき膜２４６に覆われ、さらにめっき膜２４６を覆う半田ボール３０が設けられている。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてフリップチップ接続のパッケージの例について説明したが、これに限定されず、ワイヤボンディングやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。
【００８７】
また、硬化膜１４の表面には、例えば、ＹＡＧレーザー等のレーザーによりマークが捺印される。このマークは、例えば、直線または曲線からなる文字、数字、または記号の少なくとも１種類以上により構成される。また、上記マークは、例えば、半導体パッケージの製品名、製品番号、ロット番号、またはメーカー名等を示すものである。また、上記マークは、例えば、ＹＶＯ４レーザー、炭酸レーザー等により捺印されてもよい。
【００８８】
本実施形態の半導体装置としては、特に限定されないが、例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＦ−ＢＧＡ（Ｌｅａｄ  Ｆｌａｍｅ  ＢＧＡ）等が挙げられる。
【００８９】
また、上記半導体素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００９０】
［ソルダーレジスト用樹脂組成物］
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物について、以下詳述する。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。当該ソルダーレジスト用樹脂組成物をフィルム状とすることにより、樹脂シートを得ることができる。かかる樹脂シートを硬化させることにより、上記硬化膜１４が得られる。また、ソルダーレジスト用樹脂組成物の塗布膜を硬化させることにより、硬化膜１４を得てもよい。
【００９１】
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を用いることができる。
【００９２】
上記熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、シアネート樹脂、メタクリロイル基を有する樹脂等が挙げられる。例えば、熱硬化性樹脂が、室温（２５℃）で液状である液状樹脂であってもよい。これらは、１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。この中でも、熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００９３】
（エポキシ樹脂（Ａ））
本実施形態に係るエポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４’−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４’−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジスト膜の埋め込み性や、表面平滑性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト膜の低線膨貼化および高弾性率化を図ることもできる。また、配線基板の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージにおける耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、ソルダーレジスト膜の埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
【００９４】
本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜の埋め込み性や平滑性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して４０重量％以下であることが好ましく、３５重量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、熱硬化性樹脂組成物の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
【００９５】
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂と反応する硬化剤を含むことができる。
上記硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤等を挙げることができる。これらは１種又は２種以上を使用することができる。この中でも、フェノール系硬化剤またはナフトール系硬化剤を用いることができる。
【００９６】
また、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含んでもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン等が挙げられる。これらは１種又は２種以上を使用することができる。
【００９７】
（充填材（Ｂ））
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、上記熱硬化性樹脂に加えて、充填材（Ｂ）をさらに含んでもよい。
本実施形態に係る充填材（Ｂ）としては、無機充填材を用いることができる。上記無機充填剤としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。
【００９８】
また、無機充填材の表面は、表面処理剤などにより表面処理が施されていてもよい。表面処理剤としては、例えば、シラン系カップリング剤等が挙げられる。
【００９９】
本実施形態に係るシリカは、特に限定されないが、例えば、球状シリカ、および破砕シリカのうちの少なくとも一方を含んでもよい。ソルダーレジスト膜の埋め込み性や表面平滑性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、シリカは、たとえば、溶融球状シリカでもよい。
【０１００】
上記充填材（Ｂ）の平均粒径Ｄ５０の下限値は、とくに限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。上記充填材の平均粒径Ｄ５０の上限値は、とくに限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。
【０１０１】
上記充填材（Ｂ）の平均粒径Ｄ５０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。本実施形態において、充填材は１種または２種以上を含んでもよい。
【０１０２】
また、熱硬化性樹脂組成物の調製に際しては、シリカとして、たとえばシリカ濃度が１０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用することがより好ましい。配線基板の機械的強度を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用することがとくに好ましい。また、配線基板のたわみの抑制や、半導体装置の吸湿信頼性を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料と、シリカ濃度が１０重量％以上５０重量％以下であるシリカ原料と、を併用することがとくに好ましい。
【０１０３】
上記充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３０重量％以上であることが好ましく、５０重量％以上であることがより好ましい。充填材（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジスト膜の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、ソルダーレジスト膜を低線膨張化および高弾性率化させ、得られる半導体パッケージの反り低減に寄与することも可能である。一方で、充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましい。充填材（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト膜の埋め込み性をより効果的に向上させることが可能となる。
【０１０４】
（シアネート樹脂（Ｃ））
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、シアネート樹脂（Ｃ）をさらに含むことができる。これにより、ソルダーレジスト膜について、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
【０１０５】
本実施形態に係るシアネート樹脂（Ｃ）は、分子内にシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂であり、シアネート基を分子内に２個以上を有する樹脂を用いることができる。上記シアネート樹脂（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、及びナフトールアラルキル型シアネート樹脂などが挙げられる。
【０１０６】
また、上記シアネート樹脂（Ｃ）は、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物と、フェノール類またはナフトール類と、を反応させて得ることができる。このような前記シアネート樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂などが挙げられる。上記シアネート樹脂（Ｃ）は、一種または二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、ソルダーレジスト膜の低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、フェノールノボラック型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、またはナフトールアラルキル型シアネート樹脂を含むことがより好ましく、フェノールノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。
【０１０７】
上記シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜のより効果的な低線膨張化、高弾性率化を図ることができる。また、埋め込み性や平滑性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して４０重量％以下であることが好ましく、３５重量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジスト膜の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
【０１０８】
（硬化促進剤（Ｄ））
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）をさらに含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を向上させることができる。
【０１０９】
本実施形態に係る硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させるものを用いることができ、その種類はとくに限定されない。
上記硬化促進剤（Ｄ）としては、例えば、イミダゾール系化合物、ピリジン系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。また、硬化促進剤（Ｄ）として、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２．２．２］オクタンなどの３級アミン類、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４−メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ−ＭＫ）のような四級ホスホニウム系化合物、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物が挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。
【０１１０】
上記硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して０．１重量％以上であることが好ましく、０．３重量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方で、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物の全固形分に対して１０重量％以下であることが好ましく、５重量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物の保存性を向上させることができる。
【０１１１】
（着色剤（Ｅ））
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば、着色剤（Ｅ）をさらに含むことができる。本実施形態の着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料な等の顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことができるが、緑色染料を含めてもよい。当該緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
【０１１２】
（その他の成分（Ｆ））
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、ゴム粒子、増粘剤およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
【０１１３】
上記カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。上記難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。また、上記ゴム粒子としては、固体状のゴム粒子であり、熱硬化性樹脂組成物中の成分とも相溶せず、分散状態で存在するものであり、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリルニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。
【０１１４】
本実施形態において、上記熱硬化性樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。ワニス状の熱硬化性樹脂組成物をフィルム状とすることにより、本実施形態の樹脂シートが得られる。
本実施形態の樹脂シートは、たとえばワニス状の熱硬化性樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜（樹脂膜）に対して、溶剤除去処理を行うことにより得ることができる。上記樹脂シートは、溶剤含有率が熱硬化性樹脂組成物全体に対して５重量％以下と定義することができる。本実施形態においては、たとえば１００℃〜１５０℃、１分〜５分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。これにより、熱硬化性樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
【０１１５】
本実施形態において、熱硬化性樹脂組成物をキャリア基材に形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置を用いて樹脂ワニスをキャリア基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂シートの厚みを有するキャリア基材付き樹脂シートを効率よく製造することができる。
【０１１６】
（溶剤）
本実施形態において、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば溶剤を含むことができる。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
【０１１７】
熱硬化性樹脂組成物がワニス状である場合において、熱硬化性樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば３０重量％以上８０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以上７０重量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物が得られる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
【０１１８】
なお、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、たとえばガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含まないものとすることができる。これにより、ソルダーレジスト膜を形成するためにとくに適した熱硬化性樹脂組成物を実現することができる。
【０１１９】
［樹脂シート］
本実施形態に係る樹脂シートは、上記熱硬化性樹脂組成物から得られたフィルムを含むことができる。本実施形態において、樹脂シートは、シート形状でもよく、巻き取り可能なロール形状でもよい。かかる樹脂シートを硬化することによりソルダーレジスト膜を得ることができる。また、上記熱硬化性樹脂組成物の塗布膜を硬化させることにより、ソルダーレジスト膜を得てもよい。
【０１２０】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【０１２１】
（実施例１）
［１］熱硬化性樹脂組成物の調製
エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）１４．５質量％、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、ＰＴ−３０）１４．５質量％、フィラーとして球状シリカ粒子（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１．０μｍ、フェニルアミノシラン処理）７０質量％、硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウム・テトラキス（４−メチルフェニル）ボレート（ＴＰＰ−ＭＫ）０．５質量％、カップリング剤としてエポキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−４０３）０．５質量％を、メチルエチルケトンに溶解、分散させた後、高速撹拌装置を用いて１時間撹拌した。これにより、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
【０１２２】
［２］キャリア基材付き樹脂シートの作製
上記［１］で調整した樹脂ワニスを、キャリア基材であるＰＥＴフィルム上に塗布した。その後、ＰＥＴフィルム上の樹脂ワニスを、１４０℃において２分間乾燥して、溶剤を除去し、樹脂シートの厚さが３０μｍのキャリア基材付き樹脂シート（絶縁性樹脂膜）を得た。
なお、上記ＰＥＴフィルムの絶縁性樹脂膜と対向する面の表面粗さを、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用いて測定した。その結果、表面粗さＲａは０．０７μｍであった。
【０１２３】
［３］構造体の作製
コア基板の両面に銅箔が積層された銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）を準備した。この銅張積層板の両面の表面の銅箔をエッチングによりパターニングして、導電体パターンを形成した。これにより、両面の表面に導電体パターンが設けられたコア基板を作製した。
次に、上記［２］で作製したキャリア基材付き樹脂シートの絶縁性樹脂膜を、得られたコア基板の導電体パターンが設けられた上面・下面のそれぞれの面に対向させて、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた後、１２０℃の乾燥装置で６０分間乾燥した。その後、キャリア基材を除去することにより、絶縁性樹脂膜、コア基板、絶縁性樹脂膜がこの順番で積層された構造体を作製した。
【０１２４】
［４］マスクの形成
ロールラミネーターを用いて、温度８０℃、速度０．５ｍ／ｍｉｎ、圧力０．５ＭＰａの条件で、マスクとしてドライフィルムレジスト（ＤＦＲ、厚み：３０μｍ、旭化成社製、ＡＱ３０５８）を、上面側の絶縁性樹脂膜上にラミネートした。その後、露光によりパターニングし、炭酸ナトリウム水溶液にて現像し、マスクに開口パターンを形成した。開口パターンを形成した後、マスクに対して１０００ｍＪの露光処理を行った。
【０１２５】
［５］絶縁性樹脂膜への開口部の形成
次に、開口部が形成されたドライフィルムレジストをマスクとして、絶縁性樹脂膜に対して、液温が４０℃のヒドラジン系薬液（三菱ガス化学社製、ＥＬＭ−Ｅ３）を使用して浸漬処理を行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。開口部を形成した後、ドライフィルムレジストを剥離し、その後、構造体を２２０℃の乾燥装置で６０分間加熱することにより、Ｂステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。
【０１２６】
［６］めっき処理
次に、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン（ランド）上にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。これにより、プリント配線板を得た。
【０１２７】
（実施例２）
［１］熱硬化性樹脂組成物の調製
実施例１の［１］と同様にして、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
【０１２８】
［２］キャリア基材付き樹脂シートの作製
実施例１の［２］と同様にして、キャリア基材付き樹脂シートを得た。
【０１２９】
［３］構造体の作製
実施例１の［３］と同様にして、コア基板を作製した。
次に、上記［２］で作製したキャリア基材付き樹脂シートの絶縁性樹脂膜を、得られたコア基板の導電体パターンが設けられた上面・下面のそれぞれの面に対向させて、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。その後、キャリア基材を除去することにより、絶縁性樹脂膜、コア基板、絶縁性樹脂膜がこの順番で積層された構造体を作製した。
【０１３０】
［４］マスクの形成
次に、得られた構造体の絶縁性樹脂膜上に、厚さ３μｍの金属層（三井金属鉱業株式会社製、銅箔、ＭＴ１８ＳＤ−Ｈ）を配置した。その後、１００℃、０．８ＭＰａ、真空３０秒、加圧３０秒の条件にて、真空ラミネートを実施することにより、金属層を絶縁性樹脂膜に密着させた。次に、絶縁性樹脂膜を１２０℃の乾燥装置で６０分間乾燥した。その後、構造体の金属箔に対して、エッチング処理を行い、金属層の所定の領域（コア基板の導電体パターンのランドに対応する領域）に開口部を形成した。
【０１３１】
［５］絶縁性樹脂膜への開口部の形成
次に、開口部が形成された金属層をマスクとして、絶縁性樹脂膜に対して、液温が４０℃のヒドラジン系薬液（三菱ガス化学社製、ＥＬＭ−Ｅ３）を使用して浸漬処理を行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。開口部を形成した後、構造体を２２０℃の乾燥装置で６０分間加熱することにより、Ｂステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。次に、構造体の金属層に対して、フラッシュエッチングを行い、ソルダーレジスト膜の表面上の金属層を除去した。
【０１３２】
［６］めっき処理
次に、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン（ランド）上にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。これにより、プリント配線板を得た。
【０１３３】
（比較例１）
上記実施例１と同様にして、構造体を準備した。その後、絶縁性樹脂膜上にマスクを形成せずに、絶縁性樹脂膜に対して直接レーザー照射によるエッチングを行い、コア基板上のランドが露出するように、絶縁性樹脂膜に開口部を形成した。その後、構造体を２２０℃の乾燥装置で６０分間加熱することにより、Ｂステージ状態の絶縁性樹脂膜を硬化させて、ソルダーレジスト膜を形成した。
その後、実施例１と同様にして、ソルダーレジスト膜の開口部に露出した導電体パターン（ランド）上にめっき層を形成して、プリント配線板を得た。
【０１３４】
（ソルダーレジスト膜の開口部周辺の状態観察）
各実施例および比較例のプリント配線板において、２００μｍの開口径を有するＳｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＳＭＤ）構造の開口部Ａ、および３００μｍの開口径を有するＮｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ（ＮＳＭＤ）構造の開口部Ｂを、それぞれ１０個、レーザー顕微鏡を用いて観察し評価を行った。
【０１３５】
実施例１，２では、ＳＭＤ構造の開口部Ａの１０個全てにおいて、開口部内の導電パターン上に樹脂残渣が無く、断面カットしたときの開口部Ａにおけるテーパー角は１０個全て８０°以上であった。また、実施例１，２では、ＮＳＭＤ構造の開口部Ｂの１０個全てにおいて、開口部内の導電パターン上に樹脂残渣が無く、断面カットしたときの開口部Ａにおけるテーパー角は１０個全て８０°以上であった。
【０１３６】
一方、比較例１では、上記レーザー照射のエネルギー条件が０．７ｍＪの場合、ＳＭＤ構造の開口部Ａの１０個全てにおいて、開口部内の導電パターン上に樹脂残渣が生じるこが分かった。また、比較例１では、上記レーザー照射のエネルギー条件が１．５ｍＪの場合、ＮＳＭＤ構造の開口部Ｂの１０個全てにおいて、開口部内のコア基板にダメージが生じることが分かった。
【０１３７】
また、各実施例のプリント配線板では、開口部周辺のソルダーレジスト膜にレーザー焼けが全くなかった。一方、比較例のプリント配線板では、開口部周辺のソルダーレジスト膜にレーザー焼けが観察された。
【０１３８】
以上の結果から、各実施例のプリント配線板では、マスクを介さずに直接レーザー照射により開口部を形成する比較例に比べて、微細かつ精密な開口部をソルダーレジスト膜に形成することができることが分かった。
【０１３９】
以上、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明したが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１４０】
８  キャリア基材
１０  ソルダ−レジスト膜
１１  面
１２  マスク
１３  面
１４  硬化膜
２０  配線基板
２１  開口部
２２  コア基板
２４  導電パターン
２８  開口部
３０  半田ボール
４０  封止樹脂層
５０  ボンディングワイヤ
６０  半導体素子
６２  ダイアタッチ材
１０２  半導体パッケージ
２４２  ライン
２４４  ランド
２４６  めっき膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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