(57)【要約】【課題】生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ部品の製造方法を提供する。【解決手段】大判基板１０の表面に表電極２と抵抗体３および保護膜４を形成した後、レーザー光を照射して大判基板１０の表裏両面に第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成し、しかる後、大判基板１０を超音波洗浄機２０の洗浄液２１に浸漬した状態で、振動子２３から洗浄液２１に所定周期数の超音波振動を付与することにより、大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割するようにした。【選択図】図２
2019087554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視矩形状の大判基板の表面における複数のチップ形成領域に電極と機能素子を形成した後、前記大判基板を前記チップ形成領域毎に分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るチップ部品の製造方法において、
前記大判基板に互いに直交する方向に延びる第１分割溝と第２分割溝を形成した後、前記大判基板に超音波を印加することにより、前記第１分割溝と前記第２分割溝に沿って分割して多数のチップ単体を得ることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記超音波で前記大判基板を分割する際に、洗浄液を入れた洗浄槽に前記大判基板を浸漬した状態で、前記洗浄液に４０ｋＨｚ以下の周波数にて超音波振動を付与することを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１の記載において、前記第１分割溝と前記第２分割溝は、前記大判基板の表裏両面の対向位置にそれぞれ形成されていることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項４】
請求項１の記載において、前記第１分割溝と前記第２分割溝は、前記大判基板の板厚に対して半分以上の深さに形成されていることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４の記載において、前記大判基板は、前記第１分割溝と前記第２分割溝の形成後に、厚みが２０μｍ〜７０μｍの残り代を有していることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項６】
請求項１の記載において、前記電極と前記機能素子を覆う保護膜を形成した後、この保護膜の上からレーザー光を照射して前記第１分割溝と前記第２分割溝を形成することを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項７】
請求項１の記載において、前記大判基板の表面に前記第１分割溝を予め形成しておき、この大判基板の表面に前記第１分割溝を跨ぐように前記電極を形成した後に、前記電極と前記機能素子を覆う保護膜を形成し、しかる後、この保護膜の上からレーザー光を照射して前記第２分割溝を形成することを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７の記載において、前記レーザー光はＵＶ波長（３５５ｎｍ）以下の波長で照射されることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項９】
請求項１の記載において、前記大判基板の周縁部に製品とならないダミー領域が設定されていると共に、前記第１分割溝と前記第２分割溝は前記チップ形成領域と前記ダミー領域を横切って前記大判基板の周端まで達しており、前記チップ形成領域と前記ダミー領域で分割されるチップ単体の平面視の大きさが１．３倍以上の差を有していることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項１の記載において、前記大判基板の周縁部に製品とならない枠状領域が設定されており、前記第１分割溝と前記第２分割溝は前記枠状領域の内側にだけ形成されていることを特徴とするチップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大判基板に複数組の電極や抵抗体等を形成した後、その大判基板を格子状に分割して個片化するようにしたチップ部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ部品の一例であるチップ抵抗器は、アルミナやジルコニア等からなる直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝に沿って分割（ブレイク）することにより、個片化されたチップ単体を多数個取りするようになっている。これら１次分割溝と２次分割溝は大判基板に予め形成されたものであり、その形成方法としては、焼成前の大判基板（グリーンシート）に断面Ｖ字状の金型を型押してから焼成するという方法や、焼成後の大判基板にレーザー光を照射するという方法（レーザースクライブ法）が知られている。
【０００４】
また、大判基板を個々のチップ単体にブレイクする分割方法としては、１次分割後の短冊状基板を搬送ベルト上に搭載したまま大径ローラと小径ローラの配置方向へ移送し、この短冊状基板が上下方向で対向する両ローラ間を通過するときに発生する曲げ応力により、短冊状基板を２次分割溝に沿ってチップ単体にブレイクするという手法が広く採用されている。
【０００５】
近年、チップ部品の小型化が促進されており、それに伴って大判基板における１次分割溝や２次分割溝のピッチ（間隔）が狭くなると、ローラの直径を小さくしても十分な曲げ応力を加えることが困難となり、ブレイク作業を容易に行うことができなくなる。なお、大判基板に対して分割溝を深く形成すれば、分割溝のピッチが狭くなっても容易にブレイクできるが、その場合、大判基板に電極や抵抗体等を印刷する印刷作業時や、大判基板を所要のステージに移送する搬送時などに、大判基板が不用意に割れてしまうという別の問題が発生する。
【０００６】
そこで、このような分割溝を用いたブレイク方法の代わりに、特許文献１に記載されているように、ダイシングによって大判基板を切断するというブレイク方法が提案されている。特許文献１に記載されたダイシング方法は、分割溝が設けられていない大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を支持台に固定した状態で、ダイシングブレードを用いて大判基板を格子状に切断することによって、個片化されたチップ単体を多数個取りするという分割方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２６８３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１等に開示されたダイシングによる分割方法では、高速回転するダイヤモンドブレード等を用いて大判基板を切断するようになっているため、チップ部品の小型化に伴って大判基板における１次分割溝や２次分割溝のピッチが狭くなっても、１次分割溝や２次分割溝を高い寸法精度で加工することができる。しかし、高速回転するブレードを大判基板の一辺から対向辺まで走査することで１本の切断線が形成され、このような切断工程を１次分割と２次分割のそれぞれについて複数回行う必要があるため、全ての切断工程を終了させるのに多くのタクト時間が掛かってしまうという難点がある。また、ダイシングする前に大判基板を支持台に固定し、切断後に支持台から剥がす必要があるため、これら固定・剥がしを行う工程が増加するという問題がある。さらに、ダイシングによってブレードの厚みに相当する切断代が大判基板から切除され、このような切断代を１次分割と２次分割のダイシング本数に合わせて大判基板に確保しておく必要があるため、製品として利用できない部分が増えて生産効率を低下させるという問題もある。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明によるチップ部品の製造方法は、平面視矩形状の大判基板の表面における複数のチップ形成領域に電極と機能素子を形成した後、前記大判基板を前記チップ形成領域毎に分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るチップ部品の製造方法において、前記大判基板に互いに直交する方向に延びる第１分割溝と第２分割溝を形成した後、前記大判基板に超音波を印加することにより、前記第１分割溝と前記第２分割溝に沿って分割して多数のチップ単体を得ることを特徴としている。
【００１１】
このように大判基板の表面に電極や機能素子を形成した後、この大判基板を互いに直交する方向に延びる第１分割溝と第２分割溝に沿って分割する際に、大判基板に超音波を印加することで個片化された多数のチップ単体を得るようにすると、曲げ応力で分割するブレイクやブレードで切断するダイシングを用いなくても、超音波振動による衝撃波で大判基板が第１分割溝と第２分割溝に沿って分割するため、生産効率が良く小型化にも好適なチップ部品を提供することができる。
【００１２】
上記の製造方法において、超音波で大判基板を分割する際に、有機溶媒や水等の洗浄液を入れた洗浄槽に大判基板を浸漬した状態で、洗浄液に４０ｋＨｚ以下の周波数にて超音波振動を付与することが好ましい。
【００１３】
また、上記の製造方法において、第１分割溝と第２分割溝は大判基板の表面だけに形成されていても良いが、第１分割溝と第２分割溝が大判基板の表裏両面の対向位置にそれぞれ形成されていると、超音波振動を付与した際に大判基板が分割しやすくなって好ましい。
【００１４】
また、上記の製造方法において、第１分割溝と第２分割溝が大判基板の板厚に対して半分以上の深さに形成されていると、超音波振動を付与した際に大判基板が分割しやすくなる。この場合において、大判基板は、第１分割溝と第２分割溝の形成後に、厚みが２０μｍ〜７０μｍの残り代を有していることが好ましい。
【００１５】
また、上記の製造方法において、電極と機能素子を覆う保護膜を形成した後、この保護膜の上からレーザー光を照射して第１分割溝と第２分割溝を形成すると、超音波を印加する直前に第１分割溝と第２分割溝の両方を形成することができる。
【００１６】
また、上記の製造方法において、大判基板の表面に第１分割溝だけを予め形成しておき、この大判基板の表面に第１分割溝を跨ぐように電極を形成した後に、電極と機能素子を覆う保護膜を形成し、しかる後、この保護膜の上からレーザー光を照射して第２分割溝を形成すると、第１分割溝に沿って分割されたチップ単体の端面に電極の一部が露出するため、その後にチップ単体の端面に端面電極を形成するとき、端面電極と電極との接続性が良好になる。
【００１７】
これらの場合において、レーザー光をＵＶ波長（３５５ｎｍ）以下の波長で保護膜に照射すると、保護膜がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減することができる。
【００１８】
また、上記の製造方法において、大判基板の周縁部に製品とならないダミー領域が設定されていると共に、第１分割溝と第２分割溝はチップ形成領域とダミー領域を横切って大判基板の周端まで達しており、チップ形成領域とダミー領域で分割されるチップ単体の平面視の大きさが１．３倍以上の差を有していると、大判基板を第１分割溝と第２分割溝に沿って個々のチップ単体に分割した後、チップ形成領域とダミー領域に対応するチップ単体の大きさの違いに基づいて、製品と非製品とを容易に選別することができる。
【００１９】
あるいは、上記の製造方法において、大判基板の周縁部に製品とならない枠状領域が設定されており、第１分割溝と第２分割溝は枠状領域の内側にだけ形成されていると、大判基板を第１分割溝と第２分割溝に沿って個々のチップ単体に分割した後、枠状領域とチップ単体の形状や大きさの違いに基づいて、製品と非製品とを容易に選別することができ、しかも、枠状領域を把持しながら大判基板に超音波を印加することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。
【図２】該チップ抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。
【図３】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図４】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図５】第１分割溝と第２分割溝の形成後の大判基板を示す説明図である。
【図６】該チップ抵抗器の製造工程で用いられる超音波洗浄機の説明図である。
【図７】分割された製品と非製品のチップ単体を示す説明図である。
【図８】第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程の要部平面図である。
【図９】第３実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図である。
【図１０】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図１１】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明をチップ部品の代表例であるチップ抵抗器に適用した実施の形態を、図１〜図１１を参照しつつ説明する。
【００２３】
図１に示すように、第１実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２と、これら表電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体（機能素子）３と、両表電極２と抵抗体３を被覆する絶縁性の保護膜４と、絶縁基板１の長手方向両端部に設けられた一対の端面電極５と、これら端面電極５の表面に被着された一対の外部電極６とによって主に構成されている。
【００２４】
絶縁基板１はアルミナを主成分とするセラミックス基板であり、この絶縁基板１は後述する大判基板を縦横に延びる第１分割溝と第２分割溝に沿って分割して多数個取りされたものである。
【００２５】
一対の表電極２はＡｇペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、抵抗体３は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。この抵抗体３の長手方向の両端部はそれぞれ表電極２に重なっており、図示省略されているが、抵抗体３には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。
【００２６】
保護膜４はアンダーコート層とオーバーコート層の２層構造からなり、そのうちアンダーコート層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、オーバーコート層はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。
【００２７】
一対の端面電極５はＡｇペーストをディップして乾燥・焼成させたものであり、これら端面電極５は断面コ字状に形成されて表電極２の端面に接続されている。
【００２８】
一対の外部電極６はバリヤー層と外部接続層の２層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解メッキによって形成されたＮｉメッキ層であり、外部接続層は電解メッキによって形成されたＳｎメッキ層である。
【００２９】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器の製造方法について、図２〜図４を参照しながら説明する。なお、図２はチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート、図３はその製造工程で用いられる大判基板の平面図、図４は図３のＹ−Ｙ線に沿った断面図を示している。
【００３０】
まず、絶縁基板１が多数個取りされる大判基板１０を準備する。大判基板１０は厚さ１００μｍのセラミックス基板からなり、この大判基板１０に第１分割溝や第２分割溝は形成されていないが、図３（ｄ）と図４（ｄ）に示す後工程で、大判基板１０に縦横方向へ延びる第１分割溝と第２分割溝が形成され、これら両分割溝によって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。なお、大判基板１０の周縁部は製品とならずに破棄されるダミー領域Ｅ２となっており、このダミー領域Ｅ２で囲まれた内側が各チップ形成領域Ｅ１となっている。
【００３１】
そして、このような大判基板１０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図３（ａ）と図４（ａ）に示すように、大判基板１０の表面のチップ形成領域Ｅ１に所定間隔を存し複数の表電極２を形成する（図２のステップＳ１）。
【００３２】
次に、大判基板１０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図３（ｂ）と図４（ｂ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する（図２のステップＳ２）。なお、表電極２と抵抗体３の形成順序は上記と逆であっても良い。
【００３３】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後（図２のステップＳ３）、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する（図２のステップＳ４）。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図３（ｃ）と図４（ｃ）に示すように、各表電極２と抵抗体３を覆う保護膜４を形成する（図２のステップＳ５）。
【００３４】
次に、大判基板１０の表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を保護膜４の上から縦横方向に延びる１次分割ラインと２次分割ラインに沿って走査することにより、図３（ｄ）と図４（ｄ）に示すように、大判基板１０の表面側に格子状に延びる第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成する（図２のステップＳ６）。これら第１分割溝１１と第２分割溝１２はチップ形成領域Ｅ１とダミー領域Ｅ２を縦断して大判基板１０の周端まで達しており、チップ形成領域Ｅ１内で第１分割溝１１と第２分割溝１２によって区切られたマス目の１つ１つが製品となるチップ単体となり、ダミー領域Ｅ２内で第１分割溝１１と第２分割溝１２によって区切られたマス目の１つ１つが製品とならずに破棄されるチップ単体となる。
【００３５】
次に、大判基板１０の裏面側からレーザー光を照射し、大判基板１０の裏面における表面側の第１分割溝１１および第２分割溝１２と対向する位置に、同様の第１分割溝１１と第２分割溝１２を格子状に形成する。これら第１分割溝１１と第２分割溝１２は、レーザー光の照射によるレーザースクライブ法によって形成されたものであるため、大判基板１０の表裏両面における所定位置（１次分割ラインと２次分割ライン）に短時間で高精度に形成することができる。その際、保護膜４がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減するために、レーザー光はＵＶ波長（３５５ｎｍ）以下の波長で照射されることが好ましく、本実施形態例では、ＵＶ−ＹＡＧ（波長３５５ｎｍ）またはＤＵＶ−ＹＡＧ（波長２６６ｎｍ）が用いられている。
【００３６】
ここで、図５に示すように、大判基板１０の厚みをＴ、表面側に形成された第１分割溝１１と第２分割溝１２の深さをＤ１、裏面側に形成された第１分割溝１１と第２分割溝の深さをＤ２とすると、これらはＤ１＋Ｄ２≧Ｔ／２の関係、すなわち、大判基板１０の表裏両面に形成された両分割溝の深さ（Ｄ１＋Ｄ２）が大判基板１０の板厚Ｔに対して半分以上に設定されている。また、大判基板１０に第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成した後に残った残り代１０ａの厚みをＴ１とすると、Ｔ１＝２０μｍ〜７０μｍに設定されている。本実施形態例の場合、厚み（Ｔ）が１００μｍの大判基板１０を用い、表面側の分割溝の深さＤ１＝４０±５μｍ、裏面側の分割溝の深さＤ２＝２０±５μｍに設定されている。
【００３７】
次に、超音波洗浄機を用いて大判基板１０に超音波を印加することにより、大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割して多数のチップ単体を得る（図２のステップＳ７）。
【００３８】
図６に示すように、超音波洗浄機２０は、有機溶媒や水等の洗浄液２１が収容された洗浄槽２２と、洗浄槽２２の下側に配設された振動子２３とを備えており、振動子２３から洗浄液２１に超音波振動が付与されるようになっている。そして、大判基板１０を洗浄液２１に浸漬し、この状態で振動子２３から洗浄液２１に所定周期数の超音波振動を付与すると、洗浄液２１に発生するキャビテーションにより大判基板１０が第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って個々のチップ単体に分割される。その際、大判基板１０の超音波分割を確実に行うためには、振動子２３の発振周波数を２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚにすることが好ましいが、比較的低い４０ｋＨｚ以下に設定すると衝撃力が大きいため、より分割をスムーズに行うことができる。また、２０ｋＨｚ以下にすると、抵抗体３に形成したトリミング溝のマイクロクラックが伸長して抵抗値変化をしてしまうなど、機能素子にダメージを与えてしまう可能性があるため、振動子２３の発振周波数は２０ｋＨｚ〜４０ｋＨｚが最適である。なお、図７に示すように、チップ形成領域Ｅ１で分割されたチップ単体１０Ａ（製品）とダミー領域Ｅ２で分割されたチップ単体１０Ｂ（非製品）とは、平面視の大きさが１．３倍以上の差を有するように設定されており、本実施形態例の場合、製品とならないチップ単体１０Ｂの平面視の大きさが製品となるチップ単体１０Ａの１．３倍以上になっている。
【００３９】
次に、分割された各チップ単体を洗浄槽２２から取り出し、製品となるチップ単体１０Ａと製品とならずに破棄されるチップ単体１０Ｂとに選別する（図２のステップＳ８）。かかる選別工程には画像認識法等を用いることも可能であるが、チップ単体１０Ａとチップ単体１０Ｂの大きさの違いに基づいて、製品と非製品とを選別するようにしている。具体的には、小さい方のチップ単体１０Ａだけが通過可能な網目を有するメッシュ体（不図示）を準備し、該メッシュ体上に洗浄槽２２から取り出した各チップ単体を供給すると、形状の小さいチップ単体１０Ａはメッシュ体の網目を通過して落下するが、形状の大きいチップ単体１０Ｂは網目を通過できずにメッシュ体上に残るため、製品と非製品とを容易に選別することができる。
【００４０】
次に、製品として選別されたチップ単体１０Ａの端面に樹脂Ａｇペーストをディップして乾燥・焼き付けさせることにより、チップ単体１０Ａの両端面から保護膜４の上面まで回り込む端面電極を形成する（図２のステップＳ９）。最後に、個々のチップ単体１０Ａに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極を被覆する外部電極を形成し（図２のステップＳ１０）、図１に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００４１】
以上説明したように、第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、大判基板１０の表面に表電極２と抵抗体３および保護膜４を形成した後、レーザー光を照射して大判基板１０の表裏両面に第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成し、しかる後、超音波の印加によって大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割するようにしたので、曲げ応力で分割するブレイクやブレードで切断するダイシングを用いなくても、超音波振動による衝撃波で大判基板１０から個々のチップ単体を得ることができ、生産効率が良く小型化にも好適なチップ部品を提供することができる。
【００４２】
また、第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、第１分割溝１１と第２分割溝１２が大判基板１０の板厚に対して半分以上の深さに形成されているため、超音波振動の付与によって大判基板１０を容易に分割することができ。しかも、第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成した後の大判基板１０が厚さ２０μｍ〜７０μｍの残り代１０ａを有しているため、大判基板１０を超音波洗浄機２０まで搬送する運搬時などに、大判基板１０が不用意に破損してしまうことを防止できる。
【００４３】
なお、第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法において、前述したように表電極２と抵抗体３の形成順序を逆にし、抵抗体３を形成した後に表電極２を形成するようにしても良く、その場合、抵抗体３を図３の縦方向に沿って帯状に印刷しておくと、後工程の超音波で分割した際に、分割面（第１分割溝１１に沿う断面）に抵抗体３が露出することになるため、端面電極５との接続性を向上させることができる。
【００４４】
また、第１実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法において、大判基板１０に形成される分割溝の表裏の深さの関係には特に規定はないが、例えば、表面側の分割溝の深さＤ１＝３０±５μｍ、裏面側の分割溝の深さＤ２＝３０±５μｍといったように、表裏の深さを均等にしておくと、超音波振動が付与された時に、方向性がなくなるので満遍なく分割される。また、表面側の分割溝の深さＤ１＝２０±５μｍ、裏面側の分割溝の深さＤ２＝４０±５μｍといったように、保護膜４の形成されている表面側の分割溝の方が浅く設定されていると、分割溝をレーザー光にて形成する際に、弱いパワーで分割溝を形成することができ、保護膜４がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減できる。
【００４５】
図８は第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程の要部平面図であり、図３（ｄ）に対応する部分には同一符号を付してある。この第２実施形態例が前述した第１実施形態例と相違する点は、第１分割溝１１と第２分割溝１２がダミー領域の途中までしか形成されておらず、大判基板１０の周縁部に第１分割溝１１と第２分割溝１２の形成されない枠状領域Ｅ３が設定されていることにあり、それ以外は基本的に同様である。
【００４６】
このように大判基板１０の周縁部に製品とならない枠状領域Ｅ３が設定されており、第１分割溝１１と第２分割溝１２が枠状領域Ｅ３で囲まれた内側の領域にだけ形成されていると、超音波の印加によって大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割した後、製品と非製品（枠状領域Ｅ３）とを容易に選別することができる。しかも、枠状領域Ｅ３を治具等で把持した状態で大判基板１０に超音波を印加して上下や左右に揺動することにより、超音波が強く印加される場所や弱く印加される場所のバラツキをなくすことができる、また、製品となるチップ単体だけが超音波洗浄機の洗浄槽の内底面に落下するため、製品と非製品と選別作業が非常に簡素化される。
【００４７】
図９は第３実施形態例に係るチップ抵抗器の断面図であり、図１に対応する部分には同一符号を付してある。
【００４８】
図９に示すように、第３実施形態例に係るチップ抵抗器では、絶縁基板１の端面における表面と裏面の境界にそれぞれ面取部１ａ，１ｂが形成されており、絶縁基板１の表面に形成された表電極２の一部が面取部１ａ内に充填されて拡張部２ａとなっている。端面電極５は拡張部２ａを含めて表電極２の端面に接続されており、それ以外の構成は第１実施形態例に係るチップ抵抗器と基本的に同様である。
【００４９】
次に、上記の如く構成された第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について、図１０と図１１を参照しながら説明する。なお、図１１（ａ）〜（ｄ）は図１０（ａ）〜（ｄ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図を、図１１（ｅ）は図１０（ｅ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図をそれぞれ示している。
【００５０】
まず、図１０（ａ）と図１１（ａ）に示すように、表面と裏面の対向位置に断面Ｖ字状の第１分割溝１１が形成されている大判基板１０を準備する。これら第１分割溝１１は、焼成後の大判基板１０にレーザー光を照射して形成されたものであるが、焼成前の大判基板（グリーンシート）に断面Ｖ字状の金型を型押してから焼成するという方法を採用することも可能である。なお、第１分割溝１１は大判基板１０の周端まで達していないが、第１分割溝１１を大判基板１０の周端まで延ばしても良い。
【００５１】
次に、このような大判基板１０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図１０（ｂ）と図１１（ｂ）に示すように、大判基板１０の表面側の第１分割溝１１を縦断するように複数の表電極２を形成する。これにより、表電極２の一部が断面Ｖ字状の第１分割溝１１内に充填される。
【００５２】
次に、大判基板１０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図１０（ｃ）と図１１（ｃ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する（図２のステップＳ２）。
【００５３】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１０（ｄ）と図１１（ｄ）に示すように、表電極２と抵抗体３を覆う保護膜４を形成する。
【００５４】
次に、大判基板１０の表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を保護膜４の上から第１分割溝１１と直交する方向へ走査することにより、図１０（ｅ）と図１１（ｅ）に示すように、大判基板１０の表面側に格子状に延びる第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成する。また、これに前後して大判基板１０の裏面側からレーザー光を照射し、大判基板１０の裏面側にも格子状に延びる第１分割溝１１と第２分割溝１２を形成する。
【００５５】
次に、超音波洗浄機を用いて大判基板１０に超音波を印加することにより、大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割して多数のチップ単体を得る。その際、大判基板１０の表面に形成された表電極２が第１分割溝１１に沿って２分されることにより、チップ単体の端面に表電極２の拡張部２ａ（図９参照）が露出する。
【００５６】
次に、分割された各チップ単体を製品となるチップ単体と破棄されるチップ単体とに選別した後、製品となるチップ単体の端面に樹脂Ａｇペーストをディップして乾燥・焼き付けさせることにより、チップ単体の両端面から保護膜４の上面まで回り込む端面電極を形成する。このとき、端面電極はチップ単体の端面に露出する表電極２の拡張部２ａを覆うように形成されるため、端面電極と表電極２の接触面積が増えて両者の接続性が向上する。最後に、個々のチップ単体１０Ａに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極を被覆する外部電極を形成し、図９に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００５７】
以上説明したように、第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、予め大判基板１０の表面に第１分割溝１１だけを形成しておき、この大判基板１０の表面に第１分割溝１１を跨ぐように表電極２を形成した後に、表電極２と抵抗体３を覆う保護膜４の上からレーザー光を照射することにより、大判基板１０に第１分割溝１１と直交する第２分割溝１２を形成し、しかる後、超音波の印加により大判基板１０を第１分割溝１１と第２分割溝１２に沿って分割するようにしたので、第１分割溝１１に沿って分割されたチップ単体の端面に表電極２の拡張部２ａが露出することになる。したがって、その後にチップ単体の端面に端面電極５を形成するとき、端面電極５が表電極２の拡張部２ａを覆うように形成されるため、端面電極５と表電極２との接続性を高めることができる。
【００５８】
また、第３実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、第２分割溝１２を形成するタイミングが超音波を印加する直前にしているため、大判基板１０に表電極２や抵抗体３等を印刷する印刷作業時や、大判基板１０を所要のステージに移送する搬送時などに、大判基板１０が不用意に割れてしまうことを防止できる。
【符号の説明】
【００５９】
１  絶縁基板
１ａ，１ｂ  面取部
２  表電極（電極）
２ａ  拡張部
３  抵抗体（機能素子）
４  保護膜
５  端面電極
６  外部電極
１０  大判基板
１０Ａ  製品となるチップ単体
１０Ｂ  製品とならないチップ単体
１１  第１分割溝
１２  第２分割溝
Ｅ１  チップ形成領域
Ｅ２  ダミー領域
Ｅ３  枠状領域
２０  超音波洗浄機
２１  洗浄液
２２  洗浄槽
２３  振動子
【図１】
2019087554.tif 000003
【図２】
2019087554.tif 000004
【図３】
2019087554.tif 000005
【図４】
2019087554.tif 000006
【図５】
2019087554.tif 000007
【図６】
2019087554.tif 000008
【図７】
2019087554.tif 000009
【図８】
2019087554.tif 000010
【図９】
2019087554.tif 000011
【図１０】
2019087554.tif 000012
【図１１】
2019087554.tif 000013