(57)【要約】【課題】半導体ウエハから半導体素子を生成する過程での、ダイシングソーを用いたダイシング工程時、分離パターンを形成することによって半導体層の破壊は抑制できるが、ダイシング及びバックグラインド工程で発生する、半導体素子の角での欠けなどについては抑制が困難であった。【解決手段】  発光部１０５が配置された半導体素子１０１において、半導体素子１０１は、ドライエッチングによりカットされて長手方向に伸びる側面１０１ｂ，１０１ｃと、ダイシングによりカットされて側面１０１ｂ，１０１ｃと略直交する短手方向に伸びる対向面１０１ａと、側面１０１ｂ，１０１ｃと対向面１０１ａとの間に形成され、ドライエッチングによってカットされた面取り部１５０，１５１とによって外形の一部が形成される構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部が配置された半導体素子であって、
ドライエッチングによりカットされて第１の方向に伸びる第１の切断部と、
ダイシングによりカットされて前記第１の切断部と略直交する第２の方向に伸びる第２の切断部と、
前記第１の切断部と前記第２の切断部との間に形成され、前記ドライエッチングによってカットされた面取り部と
によって外形の一部が形成されることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記発光部は、前記第１の方向に沿って複数配置されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２の方向に沿って配置される複数のタイル部を有し、
前記複数のタイル部は、
前記第２の方向において、前記発光部の幅よりも広い領域にわたって配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記面取り部は、Ｒ形状であることを特徴とする請求項１から３までの何れかに記載の半導体素子。
【請求項５】
請求項１から４までの何れかに記載の半導体素子を、前記第１の方向に沿って、ＣＯＢ基板上に複数配置したことを特徴とする発光基板。
【請求項６】
請求項５の発光基板と、
前記発光部からの光を集光するレンズと、
前記レンズと前記発光部を保持するホルダとを有することを特徴とする光プリントヘッド。
【請求項７】
請求項６の光プリントヘッドを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
複数の発光部が第１の方向に沿って複数形成された半導体素子領域を、半導体ウエハ上に複数形成する工程と、
前記半導体素子領域の、前記第１の方向に沿った第１の切断部と前記第１の切断部と略直交する第２の方向に伸びる第２の切断部の間に、ドライエッチングによって面取り部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体素子の形成方法。
【請求項９】
前記第２の切断部に沿ってダイシングソーによるダイシングを行う工程を有することを特徴とする請求項８記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１０】
前記ドライエッチングは、前記面取り部との境界部である第１の境界部と前記第１の切断部との境界部である第２の境界部を含むドライエッチング領域で実施されることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１１】
前記ドライエッチング領域の深さに応じて、前記半導体ウエハの裏面からバックグラインドを実施する工程を有することを特徴とする請求項１０記載の半導体素子の形成方法。
【請求項１２】
前記半導体素子領域の前記第１の方向における端部には、前記第２の方向に沿って配置される複数のタイル部が形成され、
前記複数のタイル部は、
前記第２の方向において、前記発光部の幅よりも広い領域にわたって配置されていることを特徴とする請求項８から１１までの何れかに記載の半導体素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光プリントヘッドにおける半導体素子の構造、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハから半導体素子を生成する過程での、ダイシングソーを用いたダイシング工程時、下地基板に外力がかかることから半導体層の破断が起こる。従来技術では、ダイシングを行う半導体層の端部に、下地基板回路とは独立した、分離パターンと呼称される導電体層を有した形状が提案されている（例えば、特許文献１参照）。分離パターンは、ダイシング時に外力を受けて破断することで外力を分散し、半導体層が破壊されるのを防ぐことが出来る。また、分離パターンを設けることで、下地絶縁膜層の平坦性を確保することが可能となり、半導体層を薄膜で張り付けることが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１０５７１号公報（第４頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の構成では、分離パターンによって半導体層の破壊は抑制できるが、ダイシング及びバックグラインド工程で発生する、半導体素子の角での欠けなどについては抑制が困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による半導体素子は、発光部が配置された半導体素子であって、
ドライエッチングによりカットされて第１の方向に伸びる第１の切断部と、ダイシングによりカットされて前記第１の切断部と略直交する第２の方向に伸びる第２の切断部と、前記第１の切断部と前記第２の切断部との間に形成され、前記ドライエッチングによってカットされた面取り部とによって外形の一部が形成されることを特徴とする。
【０００６】
本発明による半導体素子の形成方法は、複数の発光部が第１の方向に沿って複数形成された半導体素子領域を、半導体ウエハ上に複数形成する工程と、
前記半導体素子領域の、前記第１の方向に沿った第１の切断部と前記第１の切断部と略直交する第２の方向に伸びる第２の切断部の間に、ドライエッチングによって面取り部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体素子の角部にドライエッチングにより面取り部が形成されるため、製造工程での角部の欠け等を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明による実施の形態１の半導体素子の要部構造を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体素子のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１に示す半導体素子のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】半導体素子の形成過程における段階での形状を示す製造工程図であり、半導体素子を複数形成する半導体ウエハの一部を平面的に示している。
【図５】半導体素子の形成過程における別段階での形状を示す製造工程図であり、半導体素子を複数形成する半導体ウエハの一部を平面的に示している。
【図６】半導体素子の形成過程における更に別段階での形状を示す製造工程図であり、半導体素子を複数形成する半導体ウエハの一部を平面的に示している。
【図７】実施の形態１の半導体素子の変形例の要部構成を示す平面図である。
【図８】本発明による実施の形態２の光プリントヘッドの要部構成を示す構成図である。
【図９】発光素子ユニットの一構成例を示す平面配置図である。
【図１０】本発明による実施の形態３の画像形成装置の要部構成を模式的に示す要部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、本発明による実施の形態１の半導体素子１０１の要部構造を示す平面図であり、図２は、図１に示す半導体素子１０１のＡ−Ａ断面図であり、図３は、図１に示す半導体素子１０１のＢ−Ｂ断面図である。尚、図１において、パッシベーション膜１１０、絶縁膜１１８を省略し、図２において絶縁膜１１８を省略している。更に図１、図２では、発光部１０５を簡略化した形状で示している。
【００１０】
図１〜図３に示すように、半導体素子１０１は、第１の方向としての長手方向（矢印Ａ方向）に延在する駆動回路基板１２０、駆動回路基板１２０上に形成されたパッシベーション膜１１０、平坦化膜１０２、導電層１０３を備え、導電層１０３上には、長手方向に沿って所定の間隔で配置された複数の発光部１０５が形成されている。
【００１１】
図２に示すように、駆動回路基板１２０は、下地基板１２１とその上に配置された３層からなる配線形成層１２２によって形成されている。各配線形成層１２２は、集積回路領域１０６（図１）に形成された配線層１０７と集積回路領域１０６外の後述する所定領域に形成された分離パターン１０８のタイル部としての分離片１０８ａと、これらの隙間を埋めると共に各層間の短絡を防ぐ層間絶縁層１０９を備える。尚、配線層１０７及び分離パターン１０８を形成する複数の分離片１０８ａは、金属、例えばＡｌＳｉＣｕで形成されている。
【００１２】
パッシベーション膜１１０は、駆動回路基板１２０の上面全体に形成され、平坦化膜１０２は、図１の平面において、駆動回路基板１２０の長手方向に延在する集積回路領域１０６内にあって、同方向に延在するように形成され、導電層１０３は、平坦化膜１０２上に形成され、導電層１０３上には、所定数（複数）の発光部１０５が、長手方向に沿って等間隔Ｌ２に形成されている。
【００１３】
以上のように、半導体素子１０１は、集積回路領域１０６内において、長手方向に等間隔Ｌ２で配列された複数の発光部１０５を備え、且つ集積回路領域１０６外の長手方向の両端部において、後述するように所定のパターンで配列され複数の分離片１０８ａからなる分離パターン１０８を配設した構成を有するものであるが、図１、図２には、長手方向に延在する半導体素子１０１の一端部周辺の構成のみを示す。
【００１４】
図３は、発光部１０５の断面を示す。発光部１０５は、ここではＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）によって形成され、エピタキシャル層の積層構造を取っている。即ち、導電層１０３上に、ｎ−ＧａＡｓからなるｎ型コンタクト層１１１が形成され、その上にｎ−ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層１１２が形成され、その上にｎ−ＡｌＧａＡｓからなる活性層１１３が形成され、その上にｐ−ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層１１４が形成され、更にその上にｐ−ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１５が形成されている。ｐ型コンタクト層１１５と接続パッド１１６は、接続配線１１７で接続されており、発光部１０５は、各層間で短絡しないように絶縁膜１１８で覆われている。
【００１５】
以上のように構成された各発光部１０５では、接続パッド１１６と導電層１０３との間に、電流が流れることによって、活性層１１３が発光する。
【００１６】
尚、発光部１０５のｎ型コンタクト層１１１〜ｐ型コンタクト層１１５は、後述するように、導電層１０３上に接合された半導体薄膜１０４（図４参照）に対して、フォトリソグラフィやエッチングなどの半導体プロセスによって分離形成される。
【００１７】
図１、図２に示すように、半導体素子１０１の、長手方方向における集積回路領域１０６外の端部には、分離パターン１０８が形成されている。分離パターン１０８は、互いに分離して配置された複数の直方体状の分離片１０８ａで形成され、前記したように３層に分けて配置された分離片１０８ａ間を層間絶縁層１０９で覆った多層構造となっている。尚、ここでは、各層の分離片１０８ａは、同一の位置関係で配置されているものとする。
【００１８】
半導体素子１０１は、多数の半導体素子１０１が形成された半導体ウエハを、ダイシングにより分割して生成される。図１に示すＣ−Ｃ´ラインは、後述するようにダイシングソーによるダイシングのカットラインを示している。その他のカット方法については後述する。
【００１９】
図１に示すように、半導体素子１０１には、複数の発光部１０５が所定の間隔Ｌ２で長手方向に配列されている。また、後述するように、この半導体素子１０１を例えば光プリントヘッド１２００（図８参照）に採用する場合、その発光素子ユニット１２３０（図９参照）において、ＣＯＢ基板１２０２上に、複数の半導体素子１０１（図９では発光部ユニット１２３１に相当）をアレイ状に配置する。
【００２０】
この場合、印字の均一性を保持するために、発光部１０５のピッチを等間隔にする必要がある。そのためには、半導体素子１０１の端部の発光部１０５と、隣接する他の半導体素子１０１の対向する端部の発光部１０５のピッチも等間隔にする必要がある。一方で、信頼性向上のために、集積回路領域１０６とダイシングライン（Ｃ−Ｃ´ライン）を離す必要がある。
【００２１】
例えば、６００ｄｐｉ（ｄｏｔ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）の場合だと、間隔Ｌ２は４２．３μｍ（２５４００μｍ／６００ｄｏｔ）となる。この場合、発光部１０５の長手方向（配列方向）の寸法Ｌ３を１０μｍ、発光部１０５の端と平坦化膜１０２の端の距離Ｌ４を２μｍ、平坦化膜１０２の端と半導体素子１０１の端との寸法をＬ１としたとき、
Ｌ２／２＝（Ｌ１＋Ｌ４）＋Ｌ３／２
となり、
Ｌ１＝（Ｌ２−Ｌ３）／２−Ｌ４
＝（４２．３−１０）／２−２＝１４．１４μｍ
となる。
【００２２】
更に、ここでの分離パターン１０８は、長手方向において分離片１０８ａを３列に配置しているため、分離片１０８ａ間の隙間を１μｍ確保すると、分離片１０８ａ１つあたりのサイズの限界値Ｌ５は、
（Ｌ５＋１μｍ）×３＝Ｌ１
となり、
Ｌ５＝Ｌ１／３−１μｍ
≒３．７１μｍ
となる。実際には、発光部１０５のサイズは２μｍ〜５０μｍ程度であるため、分離片１０８ａが取りうるサイズは０．５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００２３】
尚、図１に示すように、各分離片１０８ａは、半導体素子１０１の第２の方向としての短手方向（矢印Ｂ方向）においても複数列配置され、同方向において、少なくとも発光部１０５の存在領域を越える領域にわたって配置されるように構成されている。
【００２４】
概ね直方体状となる半導体素子１０１の長手方向における両端部において、隣接する半導体素子１０１と対向し、短手方向（矢印Ｂ方向）に伸びる第２の切断部としての対向面１０１ａと、これと直角に交わり、長手方向（矢印Ａ方向）に伸びる第１の切断部としての側面１０１ｂ、側面１０１ｃとによって形成される角部には、各面に対して約４５°傾斜して形成された面取り部１５０，１５１が形成されている。
【００２５】
尚、図１、図２には、半導体素子１０１の長手方向における一方の端部近傍の構成を示したが、他方の端部も同様に構成されているものである。即ち、他方の端部にある発光部１０５から端に向かって、距離Ｌ４の位置に平坦化膜１０２の端が形成され、平坦化膜１０２の端から距離Ｌ１の位置に半導体素子１０１の他端が形成され、幅Ｌ１の分離パターン１０８の領域に、分離片１０８ａが３列に配置され、一対の角部には面取り部が、面取り部１５０，１５１とは逆向きに形成されている。
【００２６】
次に、半導体素子１０１の形成方法について説明する。図４〜図６は、半導体素子１０１の形成過程における各段階での形状を示す製造工程図であり、半導体素子１０１を複数形成する半導体ウエハ１６０の一部を同位置で示す平面図である。尚、図４〜図６の各図では、パッシベーション膜１１０及び絶縁膜１１８（図１）を省略している。
【００２７】
先ず図４に示すように、予め半導体ウエハ１６０に形成された集積回路領域１０６及び分離パターン１０８上に、パッシベーション膜１１０（図３）、平坦化膜１０２、及び導電層１０３を順次重ねて形成する。ここでは、集積回路領域１０６上、及び集積回路領域１０６の配線層１０７（図２）と同じ層の分離片１０８ａを持つ分離パターン１０８上に平坦化膜１０２と導電層１０３を形成することで、導電層１０３上は、良好な平坦性を得ることが出来る。
【００２８】
次に図５に示すように、導電層１０３上に、分子間力を用いて半導体薄膜１０４をボンディングする。上記したように、導電層１０３の上平面は、良好な平坦性が保たれているため、このボンディングを可能にしている。尚、分離パターン１０８上にも半導体薄膜１０４をボンディングしておくことで、集積回路領域１０６の端部付近にまで発光部１０５を形成することが可能となる。
【００２９】
その後、フォトリソグラフィやエッチングなどの半導体プロセスを用いて半導体薄膜１０４に発光部１０５を形成し、図６に示すように、発光部１０５のｐ型コンタクト層１１５（図３）と接続パッド１１６とを接続配線で接続し、分離パターン１０８上の平坦化膜１０２及び導電層１０３を除去する。尚、半導体薄膜１０４は、図３に示すように、ｎ型コンタクト層１１１〜ｐ型コンタクト層１１５までの多層構造となっており、ここでは、上記の半導体プロセス工程によって、複数の発光部１０５に分離される。
【００３０】
更にフォトリソグラフィ技術を用いて、半導体素子１０１の角に面取り部１５０，１５１（図１）を形成する形状に、ドライエッチング領域１１９をパターン形成し、ドライエッチングでダイシングを行う。ドライエッチング領域１１９は、面取り部１５０，１５１（図１）が、端部から５μｍ〜２０μｍ程度となるように設定する。
【００３１】
尚、半導体ウエハ１６０において、分離される前の半導体素子１０１（図１）が存在する領域を半導体素子領域１０１´と称す場合がある。
【００３２】
ドライエッチング領域１１９は、図６に示すように、短手方向（矢印Ｂ方向）で隣接する半導体素子領域１０１´間にあって、その両端部には、面取り部１５０，１５１（図１）を形成する傾斜した第１の境界部としての面取り境界部１１９ａと、この面取り境界部１１９ａに続いて長手方向に延在し、図１に示す半導体素子１０１の両側面１０１ｂ，１０１ｃを形成する第２の境界部としての側面境界部１１９ｂを有する。尚、図６では、一端部近傍の構成のみを示している。
【００３３】
ドライエッチング深さは、半導体素子１０１の仕様に応じて変えることが可能で、例えば５０μｍ〜７００μｍ程度である。その後、カットラインＣ−Ｃ´に沿って、ダイシングソーによるダイシングを行う。更に、ドライエッチング領域１１９の深さに応じて、各半導体素子１０１が分割されるようにバックグラインド工程で裏面から基板を削る。これにより、図１に示すような形状の半導体素子１０１を得ることが出来る。尚、ここでは互いに分離された複数の半導体素子１０１は、全て同一形状となるように設定されている。
【００３４】
尚、上記した図１に示す半導体素子１０１では、発光部１０５にＬＥＤを形成した例を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば３端子素子である発光サイリスタを用いてもよい。その場合、半導体薄膜は、例えば上面から順に、ｐ型アノード層、ｎ型ゲート層、ｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層、ｎ型カソード層が形成されたサイリスタ構造とすることができる。
【００３５】
以上のように、本実施の形態の半導体素子１０１においては、四隅に面取り部１５０等が形成され、更に長手方向における端部に、同方向において、前記したように例えば３．７μｍ幅の分離片１０８ａを、３層にわたって１μｍの隙間を介して３列に配した分離パターン１０８が形成される。
【００３６】
これにより、カットラインＣ−Ｃ´でのダイシングを行う際に、ダイシングソーから外力が下地基板１２１に加わり、層間絶縁層１０９やパッシベーション膜１１０が剥離した場合でも、分離パターン１０８の領域で各分離片１０８ａが剥離して外力を分散することで、各素子や配線層が形成された集積回路領域１０６への外力の進展を防ぐことが出来る。更に、半導体素子１０１の角が面取りされているため、半導体素子１０１を分割するバックグラインド工程において、角からのクラック進展や角欠けを抑制することが出来る。
【００３７】
（変形例１）
図７は、実施の形態１の半導体素子の変形例の要部構成を示す平面図である。この変形例１の半導体素子２０１が、前記した図１に示す半導体素子１０１と主に異なる点は、半導体素子２０１の４角に図１に示すように、平面的な面取り部１５０，１５１を形成するかわりに、断面円弧状のＲ面取り部２５０，２５１を形成した点である。
【００３８】
従って、この変形例１の半導体素子２０１の場合も、半導体素子１０１の場合と同様に、ダイシングを行う際に、層間絶縁層１０９やパッシベーション膜１１０が剥離した場合でも、分離パターン１０８が剥離して外力を分散することで、基板回路領域への進展を防ぐことが出来る。更に、半導体素子２０１の角がＲ面取りされているため、半導体素子２０１を分割するバックグラインド工程において、角からのクラック進展や角欠けを抑制することが出来る。また、Ｒ面取りの場合、面と面が交わる角がなくなるため、クラック進展や角欠けを抑制する効果が顕著となる。
【００３９】
実施の形態２．  
図８は、本発明による実施の形態２の光プリントヘッド１２００の要部構成を示す構成図である。
【００４０】
同図に示すように、ベース部材１２０１上には、発光基板としての発光素子ユニット１２３０が搭載されている。この発光素子ユニット１２３０は、実施の形態１の半導体素子１０１，２０１の何れかが発光部ユニット１２３１としてＣＯＢ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｂｏａｒｄ）基板１２０２上にアレイ状に搭載されたものである。
【００４１】
図９は、この発光素子ユニット１２３０の一構成例を示す平面配置図で、ＣＯＢ基板１２０２上には、前記した実施の形態１で説明した例えば半導体素子１０１が、発光部ユニット１２３１として長手方向に沿って複数配設されている。ＣＯＢ基板１２０２上には、その他に、発光部ユニット１２３１を駆動制御する電子部品が配置されて配線が形成されている、電子部品実装、配線及び接続のためのエリア１２０２ａ、１２０２ｂ、及び外部から制御信号や電源などを供給するためのコネクタ１２０２ｃ等が設けられている。
【００４２】
発光部ユニット１２３１の発光部１０５（図１参照）の上方には、発光部１０５から出射された光を集光するロッドレンズアレイ１２０３が配設されている。このロッドレンズアレイ１２０３は、柱状の光学レンズを発光部ユニット１２３１の概ね直線に沿って配列された発光部１０５（ここでは、図１における発光部１０５の配列）に沿って多数配列したもので、レンズホルダ１２０４によって所定位置に保持されている。
【００４３】
このレンズホルダ１２０４は、同図に示すように、ベース部材１２０１及び発光素子ユニット１２３０を覆うように形成されている。そして、ベース部材１２０１、発光素子ユニット１２３０、及びレンズホルダ１２０４は、ベース部材１２０１及びレンズホルダ１２０４に形成された開口部１２０１ａ，１２０４ａを介して配設されるクランパ１２０５によって一体的に挟持されている。従って、発光素子ユニット１２３０で発生した光は、ロッドレンズアレイ１２０３を通して所定の外部部材に照射される。この光プリントヘッド１２００は、例えば電子写真プリンタや電子写真コピー装置等の露光装置として用いられる。
【００４４】
以上のように、本実施の形態の光プリントヘッド１２００によれば、発光部ユニット１２３１として、例えば実施形態１で説明した半導体素子１０１を配列した構成を備えているため、製造過程での歩留まりの低下を防止でき、また信頼性の高い光プリントヘッド１２００を提供できる。
【００４５】
実施の形態３．
図１０は、本発明による実施の形態３の画像形成装置１３００の要部構成を模式的に示す要部構成図である。
【００４６】
同図に示すように、画像形成装置１３００内には、イエロー、マゼンダ、シアン、ブラックの各色の画像を、各々に形成する四つのプロセスユニット１３０１〜１３０４が記録媒体１３０５の搬送経路１３２０に沿ってその上流側から順に配置されている。これらのプロセスユニット１３０１〜１３０４の内部構成は共通しているため、例えばシアンのプロセスユニット１３０３を例にとり、これらの内部構成を説明する。
【００４７】
プロセスユニット１３０３には、像担持体として感光体ドラム１３０３ａが矢印方向に回転可能に配置され、この感光体ドラム１３０３ａの周囲にはその回転方向上流側から順に、感光体ドラム１３０３ａの表面に電気供給して帯電させる帯電装置１３０３ｂ、帯電された感光体ドラム１３０３ａの表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光装置１３０３ｃが配設される。
【００４８】
更に、静電潜像が形成された感光体ドラム１３０３ａの表面に、所定色（シアン）のトナーを付着させて顕像を発生させる現像装置１３０３ｄ、及び感光体ドラム１３０３ａの表面に残留したトナーを除去するクリーニング装置１３０３ｅが配設される。尚、これら各装置に用いられているドラム又はローラは、図示しない駆動源及びギアによって回転させられる。
【００４９】
また、画像形成装置１３００は、その下部に、紙等の記録媒体１３０５を重ねた状態で収納する用紙カセット１３０６を装着し、その上方には記録媒体１３０５を１枚ずつ分離させて搬送するためのホッピングローラ１３０７を配設している。更に、記録媒体１３０５の搬送方向における、このホッピングローラ１３０７の下流側には、ピンチローラ１３０８，１３０９と共に記録媒体１３０５を挟持することによって、記録媒体１３０５の斜行を修正し、プロセスユニット１３０１〜１３０４に搬送するレジストローラ１３１０，１３１１を配設している。これ等のホッピングローラ１３０７及びレジストローラ１３１０，１３１１は、図示しない駆動源及びギアによって連動回転する。
【００５０】
プロセスユニット１３０１〜１３０４の各感光体ドラムに対向する位置には、それぞれ半導電性のゴム等によって形成された転写ローラ１３１２が配設されている。そして、感光体ドラム１３０１ａ〜１３０４ａ上のトナーを記録媒体１３０５に転写させるために、感光体ドラム１３０１ａ〜１３０４ａの表面とこれらの各転写ローラ１３１２の表面との間に所定の電位差が生じるように構成されている。
【００５１】
定着装置１３１３は、加熱ローラとバックアップローラとを有し、記録媒体１３０５上に転写されたトナーを加圧、加熱することによって定着させる。また、排出ローラ１３１４，１３１５は、定着装置１３１３から排出された記録媒体１３０５を、排出部のピンチローラ１３１６，１３１７と共に挟持し、記録媒体スタッカ部１３１８に搬送する。尚、排出ローラ１３１４，１３１５は、図示されない駆動源及びギアによって連動回転する。ここで使用される露光装置１３０３ｃとしては、実施形態２で説明した光プリントヘッド１２００が用いられる。
【００５２】
次に、前記構成の画像形成装置の動作について説明する。
まず、用紙カセット１３０６に堆積した状態で収納されている記録媒体１３０５がホッピングローラ１３０７によって、上から１枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体１３０５は、レジストローラ１３１０，１３１１及びピンチローラ１３０８，１３０９に挟持されて、プロセスユニット１３０１の感光体ドラム１３０１ａ及び転写ローラ１３１２に搬送される。その後、記録媒体１３０５は、感光体ドラム１３０１ａ及び転写ローラ１３１２に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム１３０１ａの回転によって搬送される。
【００５３】
同様にして、記録媒体１３０５は、順次プロセスユニット１３０２〜１３０４を通過し、その通過過程で、各露光装置１３０１ｃ〜１３０４ｃにより形成された静電潜像を、現像装置１３０１ｄ〜１３０４ｄによって現像した各色のトナー像がその記録画面に順次重ねて転写される。その後、定着装置１３１３によってトナー像が定着された記録媒体１３０５は、排出ローラ１３１４，１３１５及びピンチローラ１３１６，１３１７に挟持されて、画像形成装置１３００の外部の記録媒体スタッカ部１３１８に排出される。以上の過程を経て、カラー画像が記録媒体１３０５上に形成される。
【００５４】
以上のように、本実施の形態の画像形成装置によれば、前記した実施の形態３で説明した光プリントヘッド１２００を採用するため、製造時の歩留まりが改善されるなど生産性に優れ、また信頼性の高い画像形成装置を提供できる。
【００５５】
また、特許請求の範囲、及び実施の形態の説明において、「上」、「下」といった言葉を使用したが、これらは便宜上であって、対象物を配置する状態における絶対的な位置関係を限定するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
上記した実施の形態では、本発明を、カラープリンタを例にして説明したが、本発明はこれ等に限定されるものではなく、発光アレイ素子を用いた複写機、ファクシミリ、ＭＦＰ等の画像装置にも利用可能である。またカラープリンタについて説明したが、モノクロプリンタであってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０１  半導体素子、  １０１ａ  対向面、  １０１ｂ，１０１ｃ  側面、  １０１´  半導体素子領域、  １０２  平坦化膜、  １０３  導電層、  １０４  半導体薄膜、  １０５  発光部、  １０６  集積回路領域、  １０７  配線層、  １０８  分離パターン、  １０８ａ  分離片、  １０９  層間絶縁層、  １１０  パッシベーション膜、  １１１  ｎ型コンタクト層、  １１２  ｎ型クラッド層、  １１３  活性層、  １１４  ｐ型クラッド層、  １１５  ｐ型コンタクト層、  １１６  接続パッド、  １１７  接続配線、  １１８  絶縁膜、  １１９  ドライエッチング領域、  １１９ａ  面取り境界部、  １１９ｂ  側面境界部、  １２０  駆動回路基板、  １２１  下地基板、  １２２  配線形成層、  １５０，１５１  面取り部、  １６０  半導体ウエハ、  ２０１  半導体素子、  ２５０，２５１  Ｒ面取り部、  １２００  光プリントヘッド、  １２０１  ベース部材、  １２０２  ＣＯＢ基板、  １２０３  ロッドレンズアレイ、  １２０４  レンズホルダ、  １２０５  クランパ、  １２３０  発光素子ユニット、  １２３１  発光部ユニット、  １３００  画像形成装置、  １３０１〜１３０４  プロセスユニット、  １３０３ａ  感光体ドラム、  １３０３ｂ  帯電装置、  １３０３ｃ  露光装置、  １３０３ｄ  現像装置、  １３０３ｅ  クリーニング装置、  １３０１ａ〜１３０４ａ  感光体ドラム、  １３０５  記録媒体、  １３０６  用紙カセット、  １３０７  ホッピングローラ、  １３０８，１３０９  ピンチローラ、  １３１０，１３１１  レジストローラ、  １３１２  転写ローラ、  １３１３  定着装置、  １３１４，１３１５  排出ローラ、  １３１６，１３１７  ピンチローラ、  １３１８  記録媒体スタッカ部、  １３２０  搬送経路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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