(57)【要約】【課題】本発明は、ヒステリシスを小さくすることができる磁気センサの提供を目的とする。【解決手段】本発明の磁気センサは、長尺とされ、磁気抵抗効果を有し、短手方向を感度軸方向とする素子部を備え、前記素子部は、短手方向及び長手方向と直交する直交方向から見ると、前記長手方向の両端を結ぶ線分を長径としかつ前記長手方向の中央位置での短手方向の両端を結ぶ線分を短径とする仮想楕円内に配置可能な非楕円形状とされている。【選択図】図１Ｃ
2019087688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺とされ、磁気抵抗効果を有し、短手方向を感度軸方向とする素子部を備え、
前記素子部は、短手方向及び長手方向と直交する直交方向から見ると、前記長手方向の両端を結ぶ線分を長径としかつ前記長手方向の中央位置での短手方向の両端を結ぶ線分を短径とする仮想楕円内に配置可能な非楕円形状とされている、
磁気センサ。
【請求項２】
前記素子部の短手方向の幅は、前記長手方向の中央位置から前記長手方向の前記両端に向けて徐々に狭くなる、
請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記長手方向における前記幅の変化率は、前記長手方向の中央位置から前記長手方向の両端に向けて離れるに従い徐々に大きくなる、
請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記直交方向から見た前記素子部の周縁の少なくとも一部は、前記直交方向から見ると、前記仮想楕円の周縁の一部に重なっている、
請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記素子部は、前記直交方向から見ると、前記仮想楕円の長軸に対して線対称の形状とされている、
請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記素子部は、前記直交方向から見ると、前記仮想楕円の短軸に対して線対称の形状とされている、
請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記素子部の近傍に配置され、シールドとしての軟磁性体をさらに備えた、
請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記素子部の近傍に配置され、ヨークとしての軟磁性体をさらに備えた、
請求項１〜６の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記素子部は、トンネル磁気抵抗効果を有する、
請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気センサ。
【請求項１０】
前記素子部は、巨大磁気抵抗効果を有する、
請求項１〜８の何れか１項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
移動体の位置を検出するためのセンサとして、磁気抵抗効果を有する素子を備えた磁気センサが知られている（特許文献１参照）。磁気センサは、磁石に対して相対移動することで磁石が発生する外部磁場の変化を検出し、更に検出した外部磁場の変化に基づいて移動体の移動量を算出する。
【０００３】
特許文献１に開示されている磁気センサは、その図１に示すように、磁気抵抗効果を有する巨大磁気抵抗薄膜と、一対の軟磁性薄膜とを備えている。この磁気センサでは、巨大磁気抵抗薄膜は長尺とされ、一対の軟磁性薄膜は巨大磁気抵抗薄膜の短手方向の両側に配置されている。また、巨大磁気抵抗薄膜は、その膜厚方向から見ると、矩形とされている。そして、この磁気センサでは、巨大磁気抵抗薄膜の両側に配置されている軟磁性薄膜により巨大磁気抵抗薄膜の感度軸方向以外の方向に向く磁束の遮断性を向上させて、感度軸方向の感度を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−８７８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、磁気センサでは、その出力にヒステリシスが生じる。ここで、ヒステリシスとは、ある磁界強度に対する出力が、外部磁界が増加するときと、外部磁界が減少するときとで一致せず、前者と後者との間に生じる差を意味する。ヒステリシスが大きいと磁気センサの精度が低下する。
【０００６】
本発明は、ヒステリシスを小さくすることができる磁気センサの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の磁気センサは、長尺とされ、磁気抵抗効果を有し、短手方向を感度軸方向とする素子部を備え、前記素子部は、短手方向及び長手方向と直交する直交方向から見ると、前記長手方向の両端を結ぶ線分を長径としかつ前記長手方向の中央位置での短手方向の両端を結ぶ線分を短径とする仮想楕円内に配置可能な非楕円形状とされている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の磁気センサは、ヒステリシスを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】第１実施形態の磁気センサの要部の平面図である。
【図１Ｂ】第１実施形態の磁気センサの回路構成図である。
【図１Ｃ】第１実施形態の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図１Ｄ】第１実施形態の磁気センサの要部を構成する素子部の断面図である。
【図２Ａ】比較形態の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図２Ｂ】比較形態のヒステリシス曲線である。
【図３】第１実施形態のヒステリシス曲線である。
【図４Ａ】第２実施形態の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図４Ｂ】第２実施形態のヒステリシス曲線である。
【図５Ａ】第１変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図５Ｂ】第２変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図５Ｃ】第３変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図５Ｄ】第４変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図５Ｅ】第５変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【図５Ｆ】第６変形例の磁気センサを構成する素子部と、仮想楕円とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、第１実施形態並びに第２実施形態及び変形例についてこれらの記載順で説明する。
【００１１】
≪第１実施形態≫
＜構成＞
本実施形態の磁気センサ１０は、一例として、磁石を有する移動体（図示省略）の位置を検出するためのセンサ、すなわち、位置センサとされている。本実施形態の磁気センサ１０は、上記磁石に対して相対移動することで磁石が発生する外部磁場の変化を検出し、更に検出した当該変化に基づいて移動体の移動量を算出するようになっている。この場合、本実施形態の磁気センサ１０は、後述する主軸（図１ＡのＸ軸）を感度軸として、移動体が発生する主軸に沿った方向（主軸に平行な方向）からの磁場の変化を検出するようになっている。
以下の説明では、図１Ａにおいて、素子部２０及び軟磁性体３０の短手方向に沿った軸（主軸）をＸ軸とし、素子部２０及び軟磁性体３０の長手方向に沿った軸（他軸）をＹ軸とする。また、Ｘ軸及びＹ軸と直交する軸をＺ軸とする。
【００１２】
本実施形態の磁気センサ１０は、図１Ａに示すように、素子部２０と、軟磁性体３０とで構成される磁気抵抗効果素子部１００を備えている。また、本実施形態の磁気センサ１０は、図１Ｂに示すように、複数の磁気抵抗効果素子部１００がブリッジ接続されているセンサ部２００と、センサ部２００と電気接続された入力端子３１０、グランド端子３２０、外部出力端子３３０、３４０等を有する集積回路３００とを備えている。
【００１３】
〔素子部〕
本実施形態の素子部２０は、図１Ａ及び図１Ｃに示すように、長尺とされ、その長手方向をＹ軸方向に沿わせた状態で配置されている。素子部２０は、後述するように、磁気抵抗効果を有する材料で構成されている。
素子部２０を厚み方向から見た形状、すなわち、Ｚ軸方向から見た形状は、一例として、後述する形状とされている。具体的には、素子部２０は、図１Ｃに示すように、その厚み方向から見て、長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂを結ぶ線分Ｌ１を長径とし、かつ、長手方向の中央位置２４での短手方向の両端２６Ａ、２６Ｂを結ぶ線分Ｌ２を短径とする仮想楕円ＥＰ内に配置可能な形状とされている。そして、素子部２０の両端２２Ａ、２２Ｂ及び両端２６Ａ、２６Ｂ以外のすべての部分の周縁Ｃ１は、仮想楕円ＥＰの周縁から離間している。すなわち、素子部２０の形状は、その厚み方向から見て、非楕円形状とされている。ここで、本明細書では、素子部２０の厚み方向、すなわち、Ｚ軸方向は、素子部２０の長手方向及び短手方向と直交する直交方向と同義である。
素子部２０の短手方向の幅は、図１Ｃに示すように、長手方向の中央位置２４から長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂに向けて離れるに従い徐々に狭くなっている。
また、その厚み方向から見た素子部２０は、図１Ｃに示すように、仮想楕円ＥＰの長軸（図１ＣではＹ軸）に対して線対称とされ、短軸（図１ＣではＸ軸）に対して線対称とされている。
なお、図１ＣのＸＹ平面座標系において、素子部２０の長手方向の中央位置２４は、一例としてＹ＝０の位置とされている。
【００１４】
また、素子部２０は、図１Ｄに示すように、一例として、一般的なスピンバルブ型の膜構成を有している。具体的には、素子部２０は、外部磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層１５１と、外部磁場に対して磁化方向が固定されたピンド層１５３と、フリー層１５１とピンド層１５３との間に位置し、フリー層１５１及びピンド層１５３に接するスペーサ層１５２と、スペーサ層１５２の反対側でピンド層１５３に隣接する反強磁性層１５４と、を有している。フリー層１５１、スペーサ層１５２、ピンド層１５３及び反強磁性層１５４は、上記基板上に積層されている。反強磁性層１５４は、ピンド層１５３との交換結合によってピンド層１５３の磁化方向を固定している。ピンド層１５３は、非磁性中間層を挟んで２つの強磁性層が設けられたシンセティック構造を有していてもよい。スペーサ層１５２は、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性絶縁体からなるトンネルバリア層とされている。そのため、本実施形態の素子部２０は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子として機能する。すなわち、本実施形態の素子部２０は、トンネル磁気抵抗効果を有する。なお、ＴＭＲ素子は、例えば、ＧＭＲ素子に比べて、ＭＲ変化率が大きく、ブリッジ回路の出力電圧を大きくすることができる。
【００１５】
〔軟磁性体〕
本実施形態の軟磁性体３０は、図１Ａに示すように、一例として、一対とされ、素子部２０を挟んで素子部２０の短手方向の両側の近傍に配置されている。各軟磁性体３０は、素子部２０の厚み方向から見て、長尺とされ、それぞれ素子部２０の長手方向に自身の長手方向を沿わせた姿勢で配置されている。なお、本実施形態の軟磁性体３０は、いわゆるシールドとしての機能（他軸方向の外部磁場を吸収して当該外部磁場の素子部２０への到達を遮断する機能）を有する。軟磁性体３０は、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＳｉＢ、ＣｏＺｒＮｂ等で形成されている。
【００１６】
以上が、本実施形態の磁気センサ１０の構成についての説明である。
【００１７】
＜作用効果＞
次に、本実施形態の作用効果について、本実施形態（図１Ａ、図１Ｂ等参照）と、比較形態（図２Ａ参照）とを比較して説明する。なお、比較形態の説明において、本実施形態と同じ要素について説明する場合、本実施形態と同じ名称及び符号を用いる。
【００１８】
〔比較形態〕
比較形態の磁気センサ１０Ａは、その厚み方向から見た素子部２０Ａの形状が図１Ｂにおける仮想楕円ＥＰとされている（図２Ａ参照）。比較形態の磁気センサ１０Ａは、上記以外は本実施形態と同様の構成とされている。なお、図２Ａでは、比較形態の素子部２０Ａ及び本実施形態の素子部２０の一部（ＸＹ平面座標系における第１及び第２象限）のみが図示されて、残り全部の図示は省略されている。
【００１９】
図２Ｂは、比較形態の磁気センサ１０Ａを用いて測定したヒステリシス曲線である。これに対して、図３は、本実施形態の磁気センサ１０を用いて測定したヒステリシス曲線である。図２Ｂと図３とを比較すると、本実施形態は比較形態に比べてヒステリシス曲線の出力の差が小さい。なお、図２Ｂ及び図３のグラフでは、横軸が規格化した磁場とされ、縦軸が規格化した出力とされている。
【００２０】
この理由は、以下のように考えられる。すなわち、図１Ｂ及び図２Ａに示すように、比較形態の素子部２０Ａの形状は楕円形状であり、かつ、比較形態の素子部２０Ａは本実施形態の素子部２０の周縁Ｃ１よりも外側にはみ出している（図２Ａ中の破線Ｃ１と実線ＥＰとの間の部分が前述のはみ出している部分）。別の見方をすると、本実施形態の素子部２０は、長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂ及び短手方向の両端２６Ａ、２６Ｂがそれぞれ比較形態の素子部２０Ａの長径の両端及び短径の両端に重なりつつ長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂ及び短手方向の両端２６Ａ、２６Ｂ以外の周縁Ｃ１の少なくとも一部が素子部２０Ａの周縁の内側に位置している。すなわち、本実施形態の素子部２０は、少なくとも仮想楕円ＥＰの長径の両端及び短径の両端に重なって仮想楕円ＥＰ内に配置される非楕円形状とされている。
そのため、本実施形態の素子部２０における、長手方向の中央位置２４と長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂとの間での短手方向の幅は、比較形態の素子部２０Ａの場合に比べて狭い。その結果、本実施形態の素子部２０は、比較形態の素子部２０Ａに比べて、素子部２０Ａの長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂ側付近で短手方向の内側から外側に向く不安定な磁場成分が発生し難い。
したがって、本実施形態の磁気センサ１０は、比較形態の場合に比べて、ヒステリシス曲線の出力の差を小さくすることができる。すなわち、本実施形態の磁気センサ１０は、比較形態に比べて、ヒステリシスを小さくすることができる。これに伴い、本実施形態の磁気センサ１０は、比較形態に比べて、出力の精度が高い。
なお、本実施形態では、素子部２０における長手方向の中央位置２４と長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂとの間での短手方向の幅が、単に仮想楕円ＥＰよりも狭いだけではなく長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に狭くなる構成とされている。そのため、本実施形態は、上記の効果を奏し易い形状といえる。
さらに、本実施形態では、素子部２０の長手方向における短手方向の幅の変化率が、単に一定ではなく長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に大きくなる構成とされている。そのため、本実施形態は、上記の効果を奏し易い形状といえる。
【００２１】
以上が、本実施形態の磁気センサ１０の作用効果についての説明である。また、以上が、本実施形態の磁気センサ１０についての説明である。
【００２２】
≪第２実施形態≫
次に、第２実施形態の磁気センサ１０Ｂについて図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ説明する。図４Ａは、本実施形態の磁気センサ１０Ｂの素子部２０Ｂと、仮想楕円ＥＰ（比較形態の素子部２０Ａ）及び第１実施形態の素子部２０とのＸＹ平面座標系での関係を示す図である。ここで、図４Ａ中、実線Ｃ２は、本実施形態の素子部２０Ｂの周縁を示している。図４Ｂは、本実施形態の磁気センサ１０Ｂを用いて測定したヒステリシス曲線である。なお、図４Ｂのグラフでは、横軸が規格化した磁場とされ、縦軸が規格化した出力とされている。
【００２３】
本実施形態の磁気センサ１０Ｂは、第１実施形態の場合と同様に、その厚み方向から見た素子部２０Ｂの長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂ及び長手方向の中央位置２４における短手方向の両端２６Ａ、２６Ｂがそれぞれ仮想楕円ＥＰの長径の両端及び短径の両端に重なっている（図４Ａ参照）。本実施形態の磁気センサ１０Ｂは、図４Ａに示すように、仮想楕円ＥＰよりも内側に配置される非楕円形状とされている。そして、図４Ａに示すように、本実施形態の素子部２０Ｂにおける、長手方向の中央位置２４と長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂとの間のすべての範囲での短手方向の幅は、第１実施形態の場合よりも狭い。ただし、本実施形態の素子部２０Ｂの長手方向における短手方向の幅の変化率は、第１実施形態の場合のように、長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に狭くなっている。本実施形態は、上記の点以外は第１実施形態と同様の構成とされている。なお、図４Ａでは、仮想楕円ＥＰ、第１実施形態の素子部２０及び本実施形態の素子部２０Ｂの一部（ＸＹ平面座標系における第１及び第２象限）のみが図示されて、残り全部の図示は省略されている。
【００２４】
図４Ｂは、本実施形態の磁気センサ１０Ｂを用いて測定したヒステリシス曲線である。図４Ｂのグラフでは、横軸が規格化した磁場とされ、縦軸が規格化した出力とされている。図２Ｂ（比較形態）と図４Ｂ（本実施形態）とを比較すると、本実施形態は比較形態に比べてヒステリシス曲線の出力の差が小さい。この理由は、前述した、第１実施形態と比較形態との比較の場合と同様と考えられる。
【００２５】
また、図４Ｂ（本実施形態の測定結果）と、図３（第１実施形態の測定結果）とを比較すると、本実施形態は比較形態に比べてヒステリシス曲線の出力の差が小さい。すなわち、第１実施形態で説明した作用効果は、その作用効果を奏する構成を前提として、長手方向の中央位置２４と長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂとの間のすべての範囲での短手方向の幅がより狭い方が奏し易いと考えられる。ここで、第１実施形態で説明した作用効果を奏する構成とは、その厚み方向から見た素子部２０Ｂにおける長手方向の両端及び短手方向の両端以外のすべての周縁Ｃ２は、第１実施形態の素子部２０の周縁Ｃ１よりも内側に位置していることを意味する。
【００２６】
以上が、本実施形態の磁気センサ１０Ｂについての説明である。
【００２７】
以上のとおり、本発明について第１実施形態及び第２実施形態を用いて説明したが、本発明は前述した各実施形態に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
【００２８】
各実施形態では、長手方向における素子部２０、２０Ｂの幅の変化率が長手方向の中央位置２４から長手方向に離れる従い徐々に大きくなるとして説明した（図１Ｃ、図２Ａ及び図４Ａ参照）。しかしながら、素子部の幅が長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に小さくなれば、例えば、図５Ａの第１変形例の磁気センサ１０Ｄ（素子部２０Ｄ）のように、当該変化率は一定であってもよい。
また、素子部の幅が長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に小さくなれば、例えば、図５Ｂの第２変形例の磁気センサ１０Ｅ（素子部２０Ｅ）のように、当該変化率が長手方向の中央位置２４から長手方向に離れる従い徐々に小さくなるようにしてもよい。
また、素子部の幅が長手方向の中央位置２４から長手方向に離れるに従い徐々に小さくなれば、例えば、図５Ｃの第３変形例の磁気センサ１０Ｆ（素子部２０Ｆ）のように、当該変化率は、長手方向の中央位置２４から長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂに亘って変化してもよい。さらに、例えば、図５Ｄの第４変形例の磁気センサ１０Ｇ（素子部２０Ｇ）のように、当該変化率は、長手方向の中央位置２４から長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂに至る途中まで一定で当該途中から長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂに亘って変化してもよい。
なお、図５Ａ〜図５Ｄの素子部２０Ｄ〜２０Ｇは第３及び第４象限の図示が省略されているが、第３及び第４象限はそれぞれの第１及び第２象限を仮想楕円ＥＰの短軸に対して線対称としたものである。
【００２９】
各実施形態では、長手方向における素子部２０、２０Ｂは、仮想楕円ＥＰの短軸に対して線対称であるとして説明した。しかしながら、素子部が少なくとも仮想楕円ＥＰの長径の両端及び短径の両端に重なって仮想楕円ＥＰ内に配置される非楕円形状とされていれば、例えば、図５Ｅの第５変形例の磁気センサ１０Ｈ（素子部２０Ｈ）のように、素子部２０Ｈが仮想楕円ＥＰの短軸に対して非対称であってもよい。
【００３０】
各実施形態（第１及び第２実施形態）及び前述の変形例（第１〜第４変形例）では、各素子部の長手方向の両端２２Ａ、２２Ｂ及び短手方向の両端２６Ａ、２６Ｂ以外のすべての周縁が仮想楕円ＥＰの周縁の内側に位置しているとして説明した（図１Ｃ、図２Ａ、図５Ａ〜図５Ｄ等参照）。しかしながら、その厚み方向から見た素子部が少なくとも仮想楕円ＥＰの長径の両端及び短径の両端に重なって仮想楕円ＥＰ内に配置される非楕円形状とされていれば、例えば、図５Ｆの第６変形例の磁気センサ１０Ｉ（素子部２０Ｉ）のように、素子部２０Ｉの周縁の一部とされる曲線（端部２６Ａから端部２２Ａよりも長手方向中央側とされる点ＰＡに亘る部分、端部２６Ｂから端部２２Ａよりも長手方向中央側とされる点ＰＢに亘る部分）が仮想楕円ＥＰの周縁を構成する曲線の一部に重なっていてもよい。すなわち、素子部２０Ｉの周縁の一部は、Ｚ軸方向から見ると、仮想楕円ＥＰの周縁の一部に重なっていてもよい。  なお、第６変形例の場合、厚み方向から見た素子部の周縁のうち仮想楕円ＥＰの周縁と重なる曲線部分以外の部分は、直線とされているが、当該直線は曲線であってもよい（図示省略）。
【００３１】
各実施形態では、素子部２０を構成するスペーサ層をトンネルバリア層とし、素子部２０をＴＭＲ素子であるとして説明した。しかしながら、素子部２０を構成するスペーサ層をＣｕなどの非磁性金属からなる非磁性導電層とし、素子部２０を巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）としてもよい。また、素子部２０を異方性磁気抵抗素子（ＡＭＲ素子）としてもよい。
【００３２】
各実施形態では、磁気センサ１０が、一例として、位置センサであるとして説明した。しかしながら、主軸方向に印加される磁場を検出する構成であれば、本実施形態の磁気センサ１０は位置センサでなくてもよい。例えば、磁気センサ１０は、角度センサ、エンコーダその他のセンサであってもよい。
【００３３】
以上のとおり、各実施形態の変形例についてそれぞれ別個に説明したが、第１並びに第２実施形態及び第１〜第５変形例のうちの一形態に他の形態の要素を組み合せた形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。例えば、第５変形例（図５Ｅ）の磁気センサ１０Ｈの素子部２０ＨのＸＹ平面座標系の第１及び第２象限をそのままとし、第３及び第４象限を第２変形例（図５Ｃ）の第３及び第４象限に置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００３４】
１０                 磁気センサ（第１実施形態）
１０Ｂ               磁気センサ（第２実施形態）
１０Ｄ               磁気センサ（第１変形例）
１０Ｅ               磁気センサ（第２変形例）
１０Ｆ               磁気センサ（第３変形例）
１０Ｇ               磁気センサ（第４変形例）
１０Ｈ               磁気センサ（第５変形例）
１０Ｉ               磁気センサ（第６変形例）
２０                 第１実施形態の素子部
２０Ｂ               素子部（第２実施形態）
２０Ｄ               素子部（第１変形例）
２０Ｅ               素子部（第２変形例）
２０Ｆ               素子部（第３変形例）
２０Ｇ               素子部（第４変形例）
２０Ｈ               素子部（第５変形例）
２０Ｉ               素子部（第６変形例）
２２Ａ、２２Ｂ       素子部の長手方向の両端
２４                 素子部の長手方向の中央位置
２６Ａ、２６Ｂ       素子部の短手方向の両端
３０                 軟磁性体
１００               磁気抵抗効果素子部
１５１               フリー層
１５２               スペーサ層
１５３               ピンド層
１５４               反強磁性層
２００               センサ部
３００               集積回路
３１０               入力端子
３２０               グランド端子
３３０               外部出力端子
３４０               外部出力端子
Ｃ１                 第１実施形態の素子部の周縁
Ｃ２                 第２実施形態の素子部の周縁
ＥＰ                 仮想楕円
Ｌ１                 素子部の長手方向の両端を結ぶ線分
Ｌ２                 素子部の短手方向の両端を結ぶ線分
【図１Ａ】
2019087688.tif 000003
【図１Ｂ】
2019087688.tif 000004
【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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