(57)【要約】【課題】接続ピンの傾きを抑制すること。【解決手段】配線基板１は、接続パッド１２Ｐを備えた第１基板１０と、円柱状の接続ピン３０とを有する。第１基板１０は、配線層１２と、配線層１２の一部を覆うソルダーレジスト層１７とを有している。ソルダーレジスト層１７は、配線層１２の一部を露出する円形状の開口部１７Ｘと、開口部１７Ｘの中に配線層１２の一部を覆う支持部１７Ｓとを有し、開口部１７Ｘと支持部１７Ｓとの間から露出する配線層１２の一部が接続パッド１２Ｐである。接続ピン３０の第１端部は、開口部１７Ｘに配置された接合部材７１により接続パッド１２Ｐに接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１接続パッドを備えた第１基板と、
円柱状の接続ピンと、
を有し、
前記第１基板は、配線層と、前記配線層の一部を覆うソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層は、前記配線層の一部を露出する円形状の開口部と、前記開口部の中に前記配線層の一部を覆う支持部とを有し、前記開口部と前記支持部との間から露出する前記配線層の一部が前記第１接続パッドであり、
前記接続ピンの第１端部は、前記開口部に配置された接合部材により前記第１接続パッドに接続されていること、
を特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部の直径は、前記接続ピンの直径よりも大きく、
前記接合部材は、前記接続ピンの側面にフィレットを有すること、
を特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記支持部は円形状であり、前記支持部の直径は、前記接続ピンの直径よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記支持部の側面と前記開口部の内側面との間の最短距離は、前記接続ピンの直径の５０％未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記接続ピンの端面は、前記支持部に当接していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記開口部の中には、１つの前記支持部が配設されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記開口部の中には、複数の前記支持部が配設されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記ソルダーレジスト層は、前記開口部の周囲に前記配線層を覆う被覆部を備え、前記支持部の厚さは、前記被覆部の厚さと等しいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
第２接続パッドを備えた第２基板を有し、
前記接続ピンの第２端部は前記第２接続パッドに接続されていること、
を特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１０】
第１接続パッドを備えた第１基板と、
第２接続パッドを備えた第２基板を有し、
前記第１基板と前記第２基板との間に配設され、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に搭載された電子部品と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配設され、前記第１接続パッドに第１端部が接続され、前記第２接続パッドに第２端部が接続された円柱状の接続ピンと、
前記第１基板と前記第２基板の間に充填され、前記電子部品及び前記接続ピンを封止する封止樹脂と、
を有し、
前記第１基板は、配線層と、前記配線層の一部を覆うソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層は、前記配線層の一部を露出する円形状の開口部と、前記開口部の中に前記配線層の一部を覆う支持部とを有し、前記開口部と前記支持部との間から露出する前記配線層の一部が前記第１接続パッドであり、
前記接続ピンの前記第１端部は、前記開口部に配置された接合部材により前記第１接続パッドに接続されていること、
を特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
配線基板、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下側の半導体パッケージの上に上側の半導体パッケージを積層した積層型の半導体装置がある。そのような積層型の半導体装置では、下側の半導体パッケージと上側の半導体パッケージとが金属ポストによって接続される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４６３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、金属ピンが位置ずれすると、金属ピンが傾いて接続パッドに接続されてしまう場合がある。この場合、下側配線基板の金属ピンに上側配線基板の接続パッドを信頼性よく接続することが困難になり、製造歩留りの低下の要因になる。このため、金属ピンの傾きを抑制することが求められる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
開示の一観点によれば、配線基板は、第１接続パッドを備えた第１基板と、円柱状の接続ピンと、を有し、前記第１基板は、配線層と、前記配線層の一部を覆うソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層は、前記配線層の一部を露出する円形状の開口部と、前記開口部の中に前記配線層の一部を覆う支持部とを有し、前記開口部と前記支持部との間から露出する前記配線層の一部が前記第１接続パッドであり、前記接続ピンの第１端部は、前記開口部に配置された接合部材により前記第１接続パッドに接続されている。
【０００６】
開示の別の一観点によれば、電子部品は、第１接続パッドを備えた第１基板と、第２接続パッドを備えた第２基板を有し、前記第１基板と前記第２基板との間に配設され、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方に搭載された電子部品と、前記第１基板と前記第２基板との間に配設され、前記第１接続パッドに第１端部が接続され、前記第２接続パッドに第２端部が接続された円柱状の接続ピンと、前記第１基板と前記第２基板の間に充填され、前記電子部品及び前記接続ピンを封止する封止樹脂と、を有し、前記第１基板は、配線層と、前記配線層の一部を覆うソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層は、前記配線層の一部を露出する円形状の開口部と、前記開口部の中に前記配線層の一部を覆う支持部とを有し、前記開口部と前記支持部との間から露出する前記配線層の一部が前記第１接続パッドであり、前記接続ピンの前記第１端部は、前記開口部に配置された接合部材により前記第１接続パッドに接続されている。
【発明の効果】
【０００７】
開示の一観点によれば、接続ピンの傾きを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】配線基板の概略断面図。
【図２】（ａ）はソルダーレジスト層を示す概略平面図、（ｂ）は配線層とソルダーレジスト層と接続ピンを示す概略断面図。
【図３】（ａ）は位置ずれの無い接続ピンと位置ずれした接続ピンの接続状態を示す概略断面図、（ｂ）はソルダーレジスト層及び接続ピンを示す概略平面図。
【図４】比較例の配線基板の一部概略断面図を示し、接続ピンの傾きを示す概略断面図。
【図５】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、ソルダーレジスト層の形成工程を示す概略断面図。
【図７】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）（ｂ）は接続ピンの実装を示す概略断面図。
【図９】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は、変更例の支持部の形状を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、一実施形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から視ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から視た形状のことを言う。
【００１０】
図１に示すように、配線基板１は、第１基板１０、第２基板２０、接続ピン３０、電子部品４１，４２，４３、封止樹脂５０を有している。
第１基板１０と第２基板２０は、接続ピン３０を介して互いに接続されている。接続ピン３０は、導電性を有する柱状の金属ピンである。接続ピン３０の形状は、例えば円柱状である。本実施形態において、電子部品４１〜４３は、第１基板１０の下面に搭載されている。封止樹脂５０は、第１基板１０と第２基板２０との間に充填されている。封止樹脂５０は、接続ピン３０及び電子部品４１〜４３を封止する。外部接続端子６０は、第２基板２０の下面に形成されている。外部接続端子６０は、この配線基板１を実装するマザーボードなどの実装基板の接続電極に接続される。
【００１１】
第２基板２０は、配線層２１，２２，２３、絶縁層２４，２５、ソルダーレジスト層２６，２７を有している。
配線層２１は、絶縁層２４の下面に積層されている。配線層２２は、絶縁層２４の上面に積層されている。配線層２２は、絶縁層２４を厚さ方向に貫通するビア配線と、ビア配線を介して配線層２１と接続された配線パターンとを有している。絶縁層２５は、絶縁層２４の上面に、配線層２２を被覆するように形成されている。配線層２３は、絶縁層２５の上面に積層されている。配線層２３は、絶縁層２５を厚さ方向に貫通するビア配線と、ビア配線を介して配線層２２と接続された配線パターンとを有している。配線層２１〜２３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。絶縁層２４，２５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
【００１２】
ソルダーレジスト層２６は、絶縁層２４の下面と配線層２１の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２６は、配線層２１の下面の一部を外部接続パッド２１Ｐとして露出する開口部２６Ｘを有している。ソルダーレジスト層２６の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１３】
外部接続パッド２１Ｐには外部接続端子６０が接続されている。外部接続端子６０は、例えば、はんだバンプである。なお、外部接続端子６０として、はんだボールやリードピン等としてもよい。
【００１４】
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層２６の開口部２６Ｘから露出する配線層２１の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に外部接続端子６０を接続するようにしてもよい。また、開口部２６Ｘから露出する配線層２１の表面上に金属層を形成し、その金属層に外部接続端子６０を接続するようにしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部２６Ｘから露出する配線層２１（あるいは、配線層２１にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００１５】
ソルダーレジスト層２７は、絶縁層２５の上面と配線層２３の一部を覆うように形成されている。ソルダーレジスト層２７は、配線層２３の上面の一部を接続パッド２３Ｐとして露出する開口部２７Ｘを有している。開口部２７Ｘは、平面視で円形状に形成されている。開口部２７Ｘの大きさ（直径）は、接続ピン３０の大きさに応じて設定されている。例えば、開口部２７Ｘの大きさ（直径）は、接続ピン３０の外径と等しく設定されている。ソルダーレジスト層２７の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１６】
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層２７の開口部２７Ｘから露出する配線層２３の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部２７Ｘから露出する配線層２３の表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部２７Ｘから露出する配線層２３（あるいは、配線層２３にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、接続パッド２３Ｐとしてもよい。
【００１７】
第１基板１０は、配線層１１，１２、絶縁層１４，１５、保護絶縁層１６、ソルダーレジスト層１７を有している。
配線層１１は、絶縁層１４の下面に積層されている。絶縁層１５は、絶縁層１４の下面に、配線層１１を被覆するように形成されている。配線層１２は、絶縁層１５の下面に積層されている。配線層１２は、絶縁層１５を厚さ方向に貫通するビア配線と、ビア配線を介して配線層１１と接続された配線パターンとを有している。配線層１１，１２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。絶縁層１４，１５の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの有機樹脂、又はこれら樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
【００１８】
保護絶縁層１６は、絶縁層１４の上面を覆うように形成されている。保護絶縁層１６の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１９】
図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層１７は、配線層１２の一部を接続パッド１２Ｐとして露出する開口部１７Ｘと、配線層１２の一部をパッド１２Ｙとして露出する開口部１７Ｙを有している。パッド１２Ｙは電子部品４１〜４３の接続に用いられる。接続パッド１２Ｐは、接続ピン３０の接続に用いられる。ソルダーレジスト層１７の材料としては、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、開口部１７Ｘは、平面視で円形状である。開口部１７Ｘの大きさ（直径）は、接続ピン３０の大きさに応じて設定されている。図２（ｂ）に示すように、例えば、開口部１７Ｘの大きさ（直径）は、接続ピン３０の外径より大きく設定されている。
【００２１】
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ソルダーレジスト層１７は、開口部１７Ｘの内部に支持部１７Ｓを有している。本実施形態において、支持部１７Ｓは、開口部１７Ｘの内部に１つ設けられている。支持部１７Ｓは、開口部１７Ｘの高さ、つまりソルダーレジスト層１７において配線層１２を覆う被覆部１７Ｃの厚さと等しい。
【００２２】
支持部１７Ｓの形状は、任意の形状とすることができる。支持部１７Ｓの形状は、接続ピン３０の傾きの抑制及びはんだ７１の接合面積を確保することを考慮すると、円形状が好ましい。本実施形態の支持部１７Ｓは円形状である。本実施形態において、支持部１７Ｓの中心は、開口部１７Ｘの中心と一致している。開口部１７Ｘの直径（内径）をＤ１、支持部１７Ｓの直径（外径）をＤ２とすると、開口部１７Ｘの直径は接続ピン３０の直径よりも大きな値に設定され、支持部１７Ｓの直径Ｄ２は、接続ピン３０の直径よりも小さな値に設定される。なお、支持部１７Ｓの直径Ｄ２は、開口部１７Ｘの直径Ｄ１及び接続ピン３０の直径に応じて設定する。支持部１７Ｓの直径Ｄ１は、支持部１７Ｓの側面から開口部１７Ｘの内面までの最短距離を、接続ピンの直径の５０％未満に設定することが好ましい。このように設定した場合、接続ピン３０が大きく位置ずれしても、その接続ピン３０の傾きを抑制できる。
【００２３】
なお、必要に応じて、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘから露出する配線層１２の表面上にＯＳＰ処理を施してＯＳＰ膜を形成してもよい。また、開口部１７Ｘから露出する配線層１２の表面上に金属層を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。なお、開口部１７Ｘから露出する配線層１２（あるいは、配線層１２にＯＳＰ膜や金属層が形成されている場合には、それらＯＳＰ膜又は金属層）自体を、接続パッド１２Ｐとしてもよい。
【００２４】
第１基板１０の下面には電子部品４１〜４３が実装されている。電子部品４１は、例えば半導体素子である。この電子部品４１は、はんだ４１ａによって第１基板１０のパッド１２Ｙに接続されている。電子部品４１と第１基板１０との間にはアンダーフィル樹脂４１ｂが充填されている。電子部品４２，４３は、例えばキャパシタ素子である。電子部品４２，４３は、はんだ４２ａ，４３ａによって第１基板１０のパッド１２Ｙに接続されている。
【００２５】
第１基板１０の接続パッド１２Ｐと、第２基板２０の接続パッド２３Ｐは、接続ピン３０とはんだ７１，７２により互いに接続されている。接続ピン３０の第１端部（上端）は、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘの内部のはんだ７１を介して第１基板１０の接続パッド１２Ｐに接続されている。また、接続ピン３０の第２端部（下端）は、ソルダーレジスト層２７の開口部２７Ｘ内のはんだ７２により接続パッド２３Ｐに接続されている。第１基板１０において、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘ内には、支持部１７Ｓが配設され、その支持部１７Ｓは、ソルダーレジスト層１７において、配線層１２を覆う被覆部１７Ｃの厚さと同じ厚さである。したがって、接続ピン３０の端面３０ａは、支持部１７Ｓに当接している。
【００２６】
接続ピン３０は、導電性を有する金属ピンである。また、接続ピン３０の形状は、円柱状である。接続ピン３０の材料としては、例えば、銅、アルミニウム等の金属又はそれら金属の少なくとも一つを含む合金を用いることができる。
【００２７】
封止樹脂５０は、第１基板１０と第２基板２０との間に充填されている。封止樹脂５０は、第１基板１０に実装された電子部品４１〜４３、及び接続ピン３０を封止する。封止樹脂５０としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂にシリカや酸化チタンなどのフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。
【００２８】
（比較例の説明）
ここで、本実施形態に対する比較例を説明する。なお、比較例の記載は、発明者の個人的な検討内容であり、公知技術ではない技術内容も含む場合がある。比較例の説明において、上述した実施形態の配線基板１と同じ部材について同じ符号を用いる場合がある。
【００２９】
図４は、比較例の配線基板に含まれる第１基板１１０、第２基板２０、及び接続ピン３０を示し、第１基板１１０に接続ピン３０を接続し、その接続ピン３０に第２基板２０を接続する場合を示している。なお、図４は、上述した本実施形態に対して、上下を反転して示している。
【００３０】
比較例において、ソルダーレジスト層１１１は、円形の開口部１１１Ｘを有し、その開口部１１１Ｘにより配線層１２の一部が接続パッド１２Ｐとして露出される。開口部１１１Ｘの外径は、接続ピン３０の外径よりも小さく形成される。接続ピン３０は、開口部１１１Ｘ内のはんだ７１により接続パッド１２Ｐに接続される。
【００３１】
図４の右側に示すように、接続ピン３０がソルダーレジスト層１１１の開口部１１１Ｘの内壁よりも右側に位置ずれして配置されると、接続ピン３０の下端の一部がソルダーレジスト層１１１の開口部１１１Ｘ内に落ち込む。この結果、接続ピン３０は、傾いた状態で、はんだ７１により接続パッド１２Ｐに接続される。
【００３２】
次に、接続ピン３０の上端に接続する第２基板２０が用意される。第２基板２０は、接続される。第２基板２０のソルダーレジスト層２７は、配線層２３の一部を露出する開口部２７Ｘを有し、その開口部２７Ｘ内にはんだ７２が塗布されている。接続ピン３０の上端に第２基板２０の接続パッド２３Ｐがはんだ７２により接続される。
【００３３】
このとき、第１基板１１０に対して接続ピン３０が傾いて接続されていると、接続ピン３０の上端が第２基板２０の接続パッド２３Ｐに対して位置ずれしたり、接続ピン３０がはんだ７２によって接続され難い場合がある。このため、第１基板１１０と第２基板２０との間の接続信頼性の低下や、配線基板の歩留まり低下を招く。開口部１１１Ｘの直径をより小さくすることにより接続ピン３０が開口部１１１Ｘ内に落ち込んで傾くことを抑制できるものの、開口部１１１Ｘ内のはんだ７１の量が減って接続ピン３０の接続強度を十分に確保できなくなる虞がある。
【００３４】
（本実施形態の説明）
次に、本実施形態の配線基板１の作用を説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本実施形態の配線基板１に含まれる第１基板１０、第２基板２０、及び接続ピン３０を示し、第１基板１０に接続ピン３０を接続し、その接続ピン３０に第２基板２０を接続する場合を示している。なお、図３（ａ）は、上述した本実施形態に対して、上下を反転して示している。
【００３５】
第１基板１０のソルダーレジスト層１７は、配線層１２の一部を露出する開口部１７Ｘと、開口部１７Ｘの中であって、配線層１２の上面の支持部１７Ｓを有している。この開口部１７Ｘと支持部１７Ｓとから露出する配線層１２の上面が接続パッド１２Ｐとなる。この接続パッド１２Ｐに対して接続ピン３０がはんだ７１により接続される。接続ピン３０が支持部１７Ｓに当接するため、接続ピン３０の傾きが抑制される。また、支持部１７Ｓは、配線層１２を覆う被覆部１７Ｃの厚さと同じ厚さである。位置ずれが生じた接続ピン３０についても、その傾きが抑制される。これらについて、詳述する。
【００３６】
図３（ａ）及び図３（ｂ）において、左側には位置ずれの無い接続ピン３０を示し、右側には、開口部１７Ｘに対して右方向に位置ずれした接続ピン３０を示す。これらを区別するため、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、左側の接続ピンを符号「３０Ｌ」として示し、右側の接続ピンを符号「３０Ｒ」として示し、それらについて説明する。
【００３７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、位置ずれの無い接続ピン３０Ｌは、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘの直上であって、この開口部１７Ｘの中心と中心が一致するように配置される。ソルダーレジスト層１７は、開口部１７Ｘ内に支持部１７Ｓを有し、その支持部１７Ｓは、配線層１２を被覆する被覆部１７Ｃの厚さと同じである。そして、接続ピン３０Ｌは、開口部１７Ｘ内部のはんだ７１により接続パッド１２Ｐに接続され、接続ピン３０Ｌの端面３０ａは、支持部１７Ｓの上面に当接する。
【００３８】
このとき、接続ピン３０Ｌを接続するはんだ７１は、接続ピン３０の側面３０ｂの全周において這い上がりによるフィレット７１Ｆを有する。このフィレット７１Ｆは、はんだ７１と接続ピン３０との接触面積を、接続ピン３０の端面のみがはんだ７１に接する場合よりも大きくする。このように接触面積を増加することで、接合強度を増大できる。
【００３９】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、接続ピン３０Ｒは位置ずれしている。接続ピン３０Ｒに大きな位置ずれ（例えば、支持部１７Ｓの半径以上の位置ずれ）が生じた場合、接続ピン３０Ｒの下面は、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘ内の支持部１７Ｓの上面に当接する。この支持部１７Ｓは、配線層１２を覆う被覆部１７Ｃの厚さと同じ厚さである。したがって、接続ピン３０Ｒは、被覆部１７Ｃと支持部１７Ｓとによって傾くこと無く、はんだ７１によって接続パッド１２Ｐに接続される。このように位置ずれが生じた接続ピン３０Ｒにおける傾きが抑制される。
【００４０】
このとき、接続ピン３０Ｒを接続するはんだ７１は、接続ピン３０Ｒの側面３０ｂを這い上がってフィレット７１Ｆを形成する。このように、はんだ７１が接続ピン３０Ｒの側面３０ｂを這い上がることで、接続ピン３０の端面のみがはんだ７１により接続される場合と比べてはんだ７１と接続ピン３０との間の接触面積が増加する。位置ずれが生じた接続ピン３０Ｒでは、位置ずれ量に応じてその接続ピン３０Ｒとソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘの周囲の部分、つまり被覆部１７Ｃとが重なることで、開口部１７Ｘ内において露出する接続ピン３０Ｒの面積が減少する場合がある。このような場合でも、はんだ７１が接続ピン３０Ｒの側面３０ｂを這い上がることで、接続ピン３０Ｒとはんだ７１との間の接続面積の減少を抑制でき、はんだ７１による接合強度を確保できる。
【００４１】
次に、接続ピン３０Ｌ，３０Ｒの上端に第２基板２０を接続する。位置ずれのある接続ピン３０Ｒにおいても、接続ピン３０Ｒに傾きが抑制されているため、接続ピン３０Ｒの端面３０ｃは、第２基板２０の接続パッド２３Ｐにはんだ７２を介して接続される。この場合、位置ずれの無い接続ピン３０Ｌは、接続ピン３０Ｌの端面３０ｃの全体がはんだ７２を介して接続パッド２３Ｐに接続される。したがって、各接続ピン３０Ｌ，３０Ｒが第２基板２０の接続パッド２３Ｐに接続されるため、第１基板１０と第２基板２０との間の接続信頼性の低下を抑制でき、歩留まりの低下を抑制できる。
【００４２】
また、位置ずれの無い接続ピン３０Ｌの場合、接続ピン３０Ｌの端面３０ｃの全体がはんだ７２を介して接続パッド２３Ｐに接続される。
一方、位置ずれのある接続ピン３０Ｒの場合、接続ピン３０Ｒの端面３０ｃとソルダーレジスト層１７とが重なりあう。この接続ピン３０Ｒの側面３０ｂにはんだ７２が這い上がり、はんだ７２はフィレット７２Ｆを形成する。このフィレット７２Ｆにより、上述のフィレット７１Ｆと同様に、接続ピン３０Ｒとはんだ７２との間の接続面積の減少を抑制できる。
【００４３】
（製造方法の説明）
次に、本実施形態の配線基板１の製造方法を説明する。
なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【００４４】
図５に示す第１基板１０を用意する。なお、図５では、図１に示す第１基板を上下反転して示している。
第１基板１０は、公知の方法により製造することが可能である。上述したように、第１基板１０は、配線層１１，１２、絶縁層１４，１５、保護絶縁層１６、ソルダーレジスト層１７を有している。絶縁層１４，１５は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により硬化することで形成することができる。なお、絶縁層１４，１５は、ペースト状や液状の樹脂を塗布し、加熱により樹脂を硬化することにより形成することもできる。絶縁層１５には、公知の方法により開口部を形成する。配線層１１，１２は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。保護絶縁層１６は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。ソルダーレジスト層１７は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。
【００４５】
ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘ及び支持部１７Ｓの形成について説明する。
図６（ａ）に示すように、絶縁層１５の上面に配線層１２が形成されている。図６（ｂ）に示すように、絶縁層１５の上面及び配線層１２を覆う樹脂層１７を形成する。樹脂層１７は、例えばネガ型の感光性樹脂からなる。なお、ポジ型の感光性樹脂を用いることもできる。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘ及び支持部１７Ｓの形状を得るためのフォトマスク（図示略）を用意し、そのフォトマスクの開口部から樹脂層１７を露光し、現像することにより、図６（ｃ）に示す樹脂層１７に開口部１７Ｘ及び支持部１７Ｓを形成する。ネガ型の感光性樹脂を用いた場合、未露光部分が現像で除去され、開口部１７Ｘ及び開口部１７Ｘ内の支持部１７Ｓを形成する。ポジ型の感光性樹脂を用いた場合、露光部分が現像で除去され、開口部１７Ｘ及び開口部１７Ｘ内の支持部１７Ｓを形成する。
【００４６】
図７に示すように、接続ピン３０の下端面を、はんだ７１によって接続パッド１２Ｐに接続する。接続ピン３０の配置には、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すピン振込治具２００が用いられる。
【００４７】
図８（ａ）に示すように、第１基板１０の開口部１７Ｘにはんだペースト７１を塗布する。次に、ピン振込治具２００を用意する。ピン振込治具２００には、複数の開口部２００Ｘが形成されている。開口部２００Ｘは、第１基板１０の接続パッド１２Ｐの平面配置に合わせて形成されている。
【００４８】
次に、ソルダーレジスト層１７に形成された位置合わせマーク（不図示）を画像認織することにより、ピン振込治具２００の開口部２００Ｘを第１基板１０のソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘに位置合わせする。そして、ピン振込治具２００の上側から開口部２００Ｘに接続ピンを挿入する。
【００４９】
図８（ｂ）に示すように、接続ピン３０は、ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘに落下し、支持部１７Ｓの上面に当接する。また、接続ピン３０の下面は、開口部１７Ｘ内に塗布されたはんだペースト７１に接触する。
【００５０】
ピン振込治具２００を取り外した後、リフロー処理によってはんだペースト７１を加熱する。これにより、図７に示すように、はんだ７１により接続パッド１２Ｐに接続ピン３０を接続する。
【００５１】
次に、図７に示すように、電子部品４１〜４３を用意する。そして、第１基板１０のパッド１２Ｙに、電子部品４１〜４３をはんだ４１ａ〜４３ａにより接続する。そして、電子部品４１と第１基板１０との間にアンダーフィル樹脂４１ｂを充填する。
【００５２】
以上により、第１基板１０に接続ピン３０が接続されるとともに、電子部品４１〜４３が搭載された配線基板２１０が得られる。この配線基板２１０は、第１基板１０、接続ピン３０、電子部品４１〜４３を含んで構成される。
【００５３】
次に、図９に示すように、第２基板２０を用意する。
第２基板２０は、公知の方法により製造することが可能である。上述したように、第２基板２０は、配線層２１，２２，２３、絶縁層２４，２５、ソルダーレジスト層２６，２７を有している。絶縁層２４，２５は、例えば、樹脂フィルムを真空ラミネートし、加熱により硬化することで形成することができる。なお、絶縁層２４，２５は、ペースト状や液状の樹脂を塗布し、加熱により樹脂を硬化することにより形成することもできる。絶縁層２４，２５には、公知の方法により開口部を形成する。配線層２１〜２３は、例えばセミアディティブ法により形成することができる。なお、金属箔（例えば銅箔）をエッチングして配線層を形成することもできる。ソルダーレジスト層２６は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。ソルダーレジスト層２７は、例えば、感光性のソルダーレジストフィルムをラミネートし、又は液状のソルダーレジストを塗布し、当該レジストをフォトリソグラフィ法により露光・現像して所要の形状にパターニングすることにより形成することができる。
【００５４】
次に、図１０に示すように、図９に示す第２基板２０の接続パッド２３Ｐの上にはんだペースト７２を塗布し、第２基板２０を上下反転させる。そして、第２基板２０の接続パッド２３Ｐを接続ピン３０に位置合せする。
【００５５】
図１１に示すように、第２基板２０のはんだペースト７２を接続ピン３０の上端に接触させ、リフロー処理によってはんだペースト７２を加熱する。これにより、はんだ７２により接続ピン３０を第２基板２０の接続パッド２３Ｐに接続する。
【００５６】
図１２に示すように、第１基板１０と第２基板２０との間に封止樹脂５０を充填する。これにより、接続ピン３０、電子部品４１〜４３を封止樹脂５０により封止する。
図１３に示すように、第１基板１０の外部接続パッド２１Ｐにはんだボールを搭載するなどして外部接続端子６０を形成する。
【００５７】
以上により、図１に示す実施形態の配線基板１が完成する。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）配線基板１は、接続パッド１２Ｐを備えた第１基板１０と、円柱状の接続ピン３０とを有する。第１基板１０は、配線層１２と、配線層１２の一部を覆うソルダーレジスト層１７とを有している。ソルダーレジスト層１７は、配線層１２の一部を露出する円形状の開口部１７Ｘと、開口部１７Ｘの中に配線層１２の一部を覆う支持部１７Ｓとを有し、開口部１７Ｘと支持部１７Ｓとの間から露出する配線層１２の一部が接続パッド１２Ｐである。接続ピン３０の第１端部は、開口部１７Ｘに配置された接合部材７１により接続パッド１２Ｐに接続されている。したがって、その接続ピン３０は支持部１７Ｓに当接するため、接続ピン３０の傾きを抑制できる。そして、第１基板１０と第２基板２０との間の接続信頼性の低下を抑制でき、歩留まりの低下を抑制できる。
【００５８】
（２）接続ピン３０の傾きが抑制されるため、接続ピン３０の配列を狭ピッチ化することができ、配線基板の高密度化や高性能化に対応することができる。
（３）ソルダーレジスト層１７の開口部１７Ｘの直径は、接続ピン３０の直径より大きい。したがって、接続ピン３０を接続するはんだ７１は、接続ピン３０の側面３０ｂを這い上がり、フィレット７１Ｆを有する。このフィレット７１Ｆにより、接続ピン３０とはんだ７１との間の接続面積を増加して接続強度を増大できる。また、位置ずれが生じた接続ピン３０Ｒにおいても、はんだ７１がフィレット７１Ｆを有することで、接続面積の減少を抑制でき、接続強度を確保できる。
【００５９】
（４）支持部１７Ｓの直径は、支持部１７Ｓの側面と開口部１７Ｘの内周面との間、つまり支持部１７Ｓと被覆部１７Ｃとの間の最短距離が接続ピン３０の直径の５０％未満である。位置ずれにより接続ピン３０が支持部１７Ｓの端部から水平方向に飛び出すと、接続ピン３０に傾きが生じ易くなる。しかし、上記のように最短距離を設定することで、接続ピン３０は、支持部１７Ｓに当接することで傾き難く、また大きく位置ずれした場合でも支持部１７Ｓと開口部１７Ｘの周囲の被覆部１７Ｃとに当接して接続ピン３０の傾きを抑制できる。
【００６０】
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態に対し、支持部１７Ｓの数や形状を適宜変更してもよい。
図１４（ａ）に示すように、開口部１７Ｘの中に４つの支持部９１を形成してもよい。支持部９１の数は、２つ、３つ、又は５つ以上としてもよい。これらの支持部９１の場合、支持部９１の直径Ｄ３は、図１、図２（ｂ）等に示す接続ピン３０の直径と開口部１７Ｘの直径とに応じて設定することができる。
【００６１】
図１４（ｂ）に示すように、開口部１７Ｘの中に環状（円環状）の支持部９２を配設してもよい。
図１４（ｃ）に示すように、開口部１７Ｘの中に、円形以外、例えば扇型の支持部９３を配置してもよい。
【００６２】
・上記実施形態に対し、第２基板２０のソルダーレジスト層２７に、第１基板１０のソルダーレジスト層１７と同様に支持部を形成してもよい。
・上記実施形態に対し、電子部品は、第２基板２０に搭載されてもよく、また第１基板１０と第２基板２０とに搭載されてもよい。
【００６３】
また、第１基板１０を電子部品が搭載されていないものとしてもよいし、第１基板１０の上面側に電子部品が搭載されてもよい。
電子部品は、第１基板１０と第２基板２０の少なくとも一方に埋め込んで配置されてもよい。また、上述の電子部品４１〜４３以外の電子部品が搭載又は埋め込まれて配置されてもよい。
【００６４】
また、第１基板１０及び第２基板２０を、電子部品が搭載されていない配線基板やインターポーザなどであってもよい。
・上記実施形態において、接合部材７１による接続ピン３０の接合強度が十分に確保できれば開口部１７Ｘの大きさを適宜変更してもよく、例えば、開口部１７Ｘの直径を接続ピン３０の直径以下の値としてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
１  配線基板
１０  第１基板
１２  配線層
１２Ｐ  接続パッド（第１接続パッド）
１７  ソルダーレジスト層
１７Ｘ  開口部
１７Ｓ  支持部
２０  第２基板
２３Ｐ  接続パッド（第２接続パッド）
３０  接続ピン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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