(57)【要約】【課題】ハイサイドの基準電位のラインに長時間のｄＶ／ｄｔノイズが発生した場合の誤動作を防止する。【解決手段】レベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２に直列接続したＰチャネルのトランジスタＰＭ１，ＰＭ１ＸおよびＰＭ２，ＰＭ２Ｘを並列に接続する。一方のトランジスタＰＭ１，ＰＭ２は、ラッチ回路１１３の出力に応じてそのラッチ状態が変化しづらい方向にオン・オフされる。他方のトランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４がｄＶ／ｄｔの発生を検出している間、オンされ、セット側のレベルシフト抵抗ＬＳＲ１を含む並列回路のインピーダンスを下げて接続点ｓｅｔｄｒｎの電位をプルアップし、リセット側の接続点ｒｅｓｄｒｎの電位を相対的に低下させて、ラッチ状態が変化しづらいようにする。ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４がｄＶ／ｄｔの終了を検出すると、トランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘは、オフされる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローサイドの接地電位を基準に生成された信号をレベルシフトしてハイサイドのスイッチ素子を駆動するハイサイドドライバに伝達するレベルシフト回路であって、
前記信号を前記ハイサイドドライバに入力可能なレベルにレベルシフトするトランジスタと、
基準電圧との比較により、前記ハイサイドの基準電位がｄＶ／ｄｔノイズにより上昇する期間を検出するｄＶ／ｄｔ期間検出回路と、
を備えるレベルシフト回路。
【請求項２】
前記トランジスタは、前記スイッチ素子をオンする前記信号をレベルシフトする第１のトランジスタと、前記スイッチ素子をオフする前記信号をレベルシフトする第２のトランジスタとを有し、
前記第１のトランジスタのドレインに接続される第１の信号ラインと、
前記第２のトランジスタのドレインに接続される第２の信号ラインと、
を更に備える請求項１に記載のレベルシフト回路。
【請求項３】
前記第１の信号ラインおよび前記第２の信号ラインは、前記ハイサイドの基準電位に接続されている請求項２に記載のレベルシフト回路。
【請求項４】
前記ｄＶ／ｄｔ期間検出回路は、前記第１の信号ラインおよび第２の信号ラインの電位と、前記基準電圧とを比較する請求項３に記載のレベルシフト回路。
【請求項５】
前記ｄＶ／ｄｔ期間検出回路の出力を受けて、前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第１の信号ラインとの間または前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第２の信号ラインとの間のインピーダンスを変化させる誤動作防止手段を更に備える請求項２から４のいずれか１項に記載のレベルシフト回路。
【請求項６】
前記誤動作防止手段は、前記ハイサイドドライバの出力状態を維持するように、前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第１の信号ラインとの間または前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第２の信号ラインとの間のいずれか一方のインピーダンスを低下させる請求項５に記載のレベルシフト回路。
【請求項７】
前記誤動作防止手段は、前記第１の信号ラインまたは前記第２の信号ラインの電位が低下すると、前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第１の信号ラインとの間および前記ハイサイドの高電圧側電源ラインと前記第２の信号ラインとの間の双方のインピーダンスを低下させる請求項５または６に記載のレベルシフト回路。
【請求項８】
前記ｄＶ／ｄｔ期間検出回路は、前記ハイサイドの基準電位の上昇期間終了を検出すると、前記誤動作防止手段に前記インピーダンスの変化をリセットさせる信号を出力する、請求項５から７のいずれか１項に記載のレベルシフト回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレベルシフト回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
高電位系電源で駆動されるハーフブリッジ回路では、直列接続されたハイサイドおよびローサイドのスイッチ素子が、それぞれ基準電位の異なる駆動回路によって駆動される。ハイサイド用の駆動回路として、ＨＶドライバＩＣ（ＨＶＩＣ）が知られている。ＨＶドライバＩＣでは、ハイサイドのスイッチ素子をオンまたはオフさせる信号は、ローサイドの接地電位を基準に生成された信号を直接使用することができないので、レベルシフト回路によりレベルシフトして使用される（たとえば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５４０２８５２号公報（段落〔０１２０〕〜〔０１３３〕，図１５）
【特許文献２】特許第５３５４４１７号公報（段落〔００３３〕〜〔００４１〕，図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レベルシフト回路のハイサイド側には、ｄＶ／ｄｔノイズが発生する場合がある。そして、このようなｄＶ／ｄｔノイズは、長時間印加される場合がある。しかし、レベルシフト回路は、ｄＶ／ｄｔノイズが長時間印加されることをまったく考慮していない。
【０００５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ｄＶ／ｄｔノイズが発生している期間を検出可能にしたレベルシフト回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、上記の課題を解決するために、１つの案では、ローサイドの接地電位を基準に生成された信号をレベルシフトしてハイサイドのスイッチ素子を駆動するハイサイドドライバに伝達するレベルシフト回路が提供される。このレベルシフト回路は、前記信号を前記ハイサイドドライバに入力可能なレベルにレベルシフトするトランジスタと、基準電圧との比較により、前記ハイサイドの基準電位がｄＶ／ｄｔノイズにより上昇する期間を検出するｄＶ／ｄｔ期間検出回路と、を備えている。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、ｄＶ／ｄｔノイズが発生している期間を検出可能にしたレベルシフト回路を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施の形態に係るレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の構成例を示す回路図である。
【図２】論理積回路の構成例を示す回路図である。
【図３】ｄＶ／ｄｔ期間検出回路の構成例を示す回路図である。
【図４】レベルシフト回路の動作波形を示す図である。
【図５】比較例のレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の構成例を示す図である。
【図６】比較例のレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の別の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、接続点およびラインとその接続点およびラインにおける電位、電圧、信号などは、同じ符号を用いることがある。
【００１０】
図５は比較例のレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の構成例を示す図である。
図５において、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１およびローサイドのスイッチ素子ＸＤ２は、直列に接続されて出力回路１００を構成し、両端には高電圧の電源Ｅ（以下、その電圧もＥで表す。）が接続されている。ここで、スイッチ素子ＸＤ１，ＸＤ２は、図示の例では、ＮチャネルのパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）を用いている。
【００１１】
ハーフブリッジ回路では、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がハイサイド駆動回路１１０の出力信号ＨＯによって制御され、ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２がローサイド駆動回路１２０の出力信号ＬＯによって制御されるよう構成されている。
【００１２】
ハイサイド駆動回路１１０は、スイッチ素子ＸＤ１を駆動するハイサイドドライバ１１１と、電源Ｅ１（以下、その電圧もＥ１で表す。）と、それ以外の構成要素からなるレベルシフト回路とを備えている。
【００１３】
レベルシフト回路は、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴの高耐圧トランジスタＨＶＮ１との直列回路およびレベルシフト抵抗ＬＳＲ２とＮチャネルＭＯＳＦＥＴの高耐圧トランジスタＨＶＮ２との直列回路を有している。これらの直列回路の一端は、それぞれ、電源Ｅ１の高電位側端子に接続された電源ラインＶＢ（以下、その電位もＶＢで表す。）に接続され、他端はそれぞれローサイドの基準電位である接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。高耐圧トランジスタＨＶＮ１のゲートには、スイッチ素子ＸＤ１のオン期間の開始タイミングを指示するセット信号ＳＥＴが入力される。また、高耐圧トランジスタＨＶＮ２のゲートには、スイッチ素子ＸＤ１のオン期間の終了タイミングを指示するリセット信号ＲＳＥＴが入力される。なお、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２のソース・ドレイン間に接続されているコンデンサは、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２が有する寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２を表している。
【００１４】
レベルシフト抵抗ＬＳＲ１と高耐圧トランジスタＨＶＮ１との接続点ｓｅｔｄｒｎ（以下、その信号もセットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎで表す。）は、ラッチ誤動作保護回路１１２に接続されている。また、レベルシフト抵抗ＬＳＲ２と高耐圧トランジスタＨＶＮ２との接続点ｒｅｓｄｒｎ（以下、その信号もリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎで表す。）も、ラッチ誤動作保護回路１１２に接続されている。ここで、ラッチ誤動作保護回路１１２は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの一方がＬレベル、他方がＨレベルのときだけ、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎおよびリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎをそのまま通過させる働きをする。
【００１５】
ラッチ誤動作保護回路１１２の出力は、ラッチ回路１１３に接続され、ラッチ回路１１３の出力は、ハイサイドドライバ１１１に接続されている。ラッチ回路１１３の出力は、また、インバータ回路ＩＮＶ１の入力に接続され、インバータ回路ＩＮＶ１の出力は、インバータ回路ＩＮＶ２の入力に接続されている。インバータ回路ＩＮＶ１の出力は、また、抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１２からなる直列回路の一端に接続され、この直列回路の他端は、接続点ｓｅｔｄｒｎに接続されている。抵抗Ｒ１１および抵抗Ｒ１２の中点は、レベルシフト抵抗ＬＳＲ２に並列に接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ２のゲートに接続されている。インバータ回路ＩＮＶ２の出力は、抵抗Ｒ１３および抵抗Ｒ１４からなる直列回路の一端に接続され、この直列回路の他端は、接続点ｒｅｓｄｒｎに接続されている。抵抗Ｒ１３および抵抗Ｒ１４の中点は、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１に並列に接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ１のゲートに接続されている。
【００１６】
レベルシフト回路は、また、ダイオードＤ１，Ｄ２を有し、これらのアノードは、スイッチ素子ＸＤ１とスイッチ素子ＸＤ２との接続点ＶＳ（以下、この電位もハイサイド基準電位ＶＳで表す。）に接続されている。ダイオードＤ１のカソードは、接続点ｓｅｔｄｒｎに接続され、ダイオードＤ２のカソードは、接続点ｒｅｓｄｒｎに接続されている。このダイオードＤ１，Ｄ２は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電圧がハイサイド基準電位ＶＳを超えないようクランプしてラッチ誤動作保護回路１１２に過電圧が入力されることを防止するためのものである。
【００１７】
ローサイド駆動回路１２０は、スイッチ素子ＸＤ２を駆動するローサイドドライバ１２１と、電源Ｅ２とを備えている。ローサイドドライバ１２１は、電源Ｅ２から電源の供給を受け、ローサイドの制御信号を入力してスイッチ素子ＸＤ２をオン・オフ駆動するための出力信号ＬＯを出力する。
【００１８】
出力回路１００のスイッチ素子ＸＤ１とスイッチ素子ＸＤ２との接続点ＶＳ、すなわち、ハイサイドの基準電位となる電源ラインには、負荷Ｌの一端が接続され、負荷Ｌの他端は、ローサイド駆動回路１２０の基準電位である接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。
【００１９】
このようなハーフブリッジ回路において、ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２がオンの状態からハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオンの状態に切り替わる場合について考えてみる。
【００２０】
ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２がオフし、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオンの状態になると、接続点ＶＳのハイサイド基準電位ＶＳは、接地電位から高電圧の電圧Ｅに急激に切り替わる。これにより、ハイサイド駆動回路１１０の電源ラインＶＢの電位ＶＢは電源Ｅ１の電圧Ｅ１が加わって、接地電位からの電圧は（Ｅ＋Ｅ１）となる。このとき、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２がオフしていると、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎは、いずれもレベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２を介して電位ＶＢが印加されていることになる。このため、ラッチ誤動作保護回路１１２は、２つの入力信号が２つともＨレベルになっているので、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎおよびリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎの通過をブロックし、ラッチ回路１１３は、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１をオンさせる状態を維持させる。
【００２１】
ところが、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２は、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２をそれぞれ有しているため、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２と寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２とによるＣＲ回路が形成されることになる。そのＣＲ回路には、電圧（Ｅ＋Ｅ１）が印加されるため、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の充電が完了するまで、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎにｄＶ／ｄｔノイズと呼ばれる誤信号が重畳される。
【００２２】
寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の充電の間、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位は、Ｌレベルになり、ラッチ誤動作保護回路１１２は、２つの入力信号が２つともＬレベルになっているので、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎおよびリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎの通過をブロックするはずである。しかし、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量値は、製造ばらつきによって差が生じやすいものになっている。両者の差がある程度大きいと、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位がＬレベルからＨレベルになるタイミングが異なり、ラッチ誤動作保護回路１１２は、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎまたはリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎを通過させてしまうことになる。しかも、ハイサイドにおけるｄＶ／ｄｔノイズの大きさは、Ｖ（ｔ）をＣＲ回路に印加される電圧、ＶｘをＣＲの接続点の電圧、ｋをＶ（ｔ）の立ち上がりの傾きとすると、
Ｖ（ｔ）−Ｖｘ＝ｋＣＲ（１−ｅｘｐ（−ｔ／ＣＲ））
で表される（たとえば、特許文献１の（１３）式）。この式から、レベルシフト回路の容量や抵抗値が大きいほど、また、Ｖｘの変化が急であるほどｄＶ／ｄｔノイズの大きさが大きいので、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量の差が大きいとそれによる影響も大きいことがわかる。したがって、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量の差が大きい場合、結果的に、セット信号ＳＥＴまたはリセット信号ＲＳＥＴが入力されたときと同様の動作をするようになり、ハーフブリッジ回路の誤動作につながる。
【００２３】
この誤動作を解消するために、ラッチ回路１１３の出力信号の状態によって、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２の抵抗値を、ラッチ回路１１３の出力信号の状態が維持される方向に変化させることにしている。すなわち、ラッチ回路１１３の出力信号がＨレベルのとき、インバータ回路ＩＮＶ１によって反転されたＬレベルが抵抗Ｒ１１に印加される。このインバータ回路ＩＮＶ１の出力のＬレベルは、ハイサイド基準電位ＶＳに等しいので、トランジスタＰＭ２は、そのゲート電圧がプルダウンされてオン状態になる。同時に、インバータ回路ＩＮＶ２によってさらに反転されたＨレベルが抵抗Ｒ１３に印加される。このインバータ回路ＩＮＶ２の出力のＨレベルは、電位ＶＢに等しいので、トランジスタＰＭ１は、そのゲート電圧がプルアップされてオフ状態になる。これにより、（レベルシフト抵抗ＬＳＲ１とトランジスタＰＭ１のソース・ドレイン間抵抗との合成抵抗）＞（レベルシフト抵抗ＬＳＲ２とトランジスタＰＭ２のオン抵抗の合成抵抗）となり、ｄＶ／ｄｔノイズが発生していても、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎの電位に比べてリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎの電位が下降しにくくなる。ｄＶ／ｄｔノイズにより単独にＬレベルとなるのはセットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎの電位側となるので、ラッチ回路１１３が誤ってリセットされて出力信号の状態が変化してしまうことがない。なお、レベルシフト抵抗ＬＳＲ２と合成抵抗を形成するトランジスタＰＭ２のオン抵抗（インピーダンス）は、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との抵抗比によって決められる。ラッチ回路１１３の出力信号がＬレベルのときは、逆に、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎの方が下降しにくくなるため、ラッチ回路１１３が誤ってセットされて出力信号の状態が変化してしまうことがないようにしている。
【００２４】
図６は比較例のレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の別の構成例を示す図である。この図６において、図５に示した構成要素と同じまたは均等の構成要素については同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００２５】
図６に示したレベルシフト回路では、論理和回路ＯＲ１とレベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２に並列に接続されたＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ３，ＰＭ４とを有している。論理和回路ＯＲ１の入力は、レベルシフト出力の接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎに接続され、論理和回路ＯＲ１の出力は、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４のゲートに接続されている。
【００２６】
ここで、ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２がオフし、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオンして電源ラインＶＢの電位ＶＢが上がるときに、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２がオフしていると、その寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の存在のために接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が低下する。論理和回路ＯＲ１は、両方の接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が共にロジック閾値より低下したことを検出すると、Ｌレベルを出力し、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２に並列に接続されたトランジスタＰＭ３，ＰＭ４をオンにする。
【００２７】
これにより、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が共にＨレベルにプルアップされる。詳細な説明は省略するが、この構成により、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量値に差がある状態でｄＶ／ｄｔノイズが発生しても、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎのうち正規の信号が入力された側がＬレベルになるか、両者が一緒にＬレベルもしくはＨレベルになるだけなので、ラッチ回路１１３が誤ってセットもしくはリセットされることがない。
【００２８】
ところで、ハイサイド基準電位ＶＳは、ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２がオフし、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオフ状態からオン状態に切り替えられたときに上昇するが、これ以外にも、ハイサイド基準電位ＶＳが上昇する場合がある。たとえば、負荷Ｌが誘導性負荷の場合であって、スイッチ素子ＸＤ１，ＸＤ２が共にオフするデッドタイムの期間に、負荷Ｌから出力回路１００に流れ込んでいた電流が急には切れない場合である。この場合、負荷Ｌから出力回路１００に流れ込んでいた電流は、ハイサイド基準電位ＶＳのラインの浮遊容量に充電されることになり、ハイサイド基準電位ＶＳが急速に立ち上がってｄＶ／ｄｔノイズが発生する。このようなｄＶ／ｄｔノイズは、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオフ状態からオン状態に切り替えられたときに瞬間的に発生するｄＶ／ｄｔノイズと比べ、負荷Ｌによって長く持続されることが多い。
【００２９】
しかしながら、図５および図６のレベルシフト回路は、接続点ＶＳにｄＶ／ｄｔノイズが長時間印加されることをまったく考慮していないので、長時間の印加時に寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の製造ばらつきによる影響で誤動作に至ることが確認されている。これは、たとえば寄生容量Ｃｄｓ２の容量値がＣｄｓ１の容量値よりも小さい場合に、接続点ｒｅｓｄｒｎおよび接続点ｓｅｔｄｒｎに関する、上述のＶ（ｔ）−Ｖｘ＝ｋＣＲ（１−ｅｘｐ（−ｔ／ＣＲ））の式で表されるｄＶ／ｄｔノイズの影響量の差が対策回路の効果より大きいと、接続点ｒｅｓｄｒｎの電位の方が高くなり、時間が経過すると接続点ｒｅｓｄｒｎの電位が接続点ｓｅｔｄｒｎよりも先にＨレベルとなり、ラッチ保護の条件が解除され、ラッチが誤ってセットされてスイッチ素子ＸＤ１がオンされてしまうことによるものと考えられる。
【００３０】
図１は本発明の一実施の形態に係るレベルシフト回路を用いたハーフブリッジ回路の構成例を示す回路図、図２は論理積回路の構成例を示す回路図、図３はｄＶ／ｄｔ期間検出回路の構成例を示す回路図、図４はレベルシフト回路の動作波形を示す図である。図１において、レベルシフト回路を除く部分は、図５および図６に示した構成要素と同じであるので、対応する構成要素については同じ符号を付してある。
【００３１】
図１のハーフブリッジ回路において、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１およびローサイドのスイッチ素子ＸＤ２は、直列に接続されて出力回路１００を構成し、両端には高電圧の電源Ｅが接続されている。ここで、スイッチ素子ＸＤ１，ＸＤ２は、図示の例では、ＮチャネルのパワーＭＯＳＦＥＴを用いている。
【００３２】
ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１は、ゲートがハイサイド駆動回路１１０の出力に接続され、ハイサイド駆動回路１１０の出力信号ＨＯによって駆動されることによりオン・オフ制御される。ローサイドのスイッチ素子ＸＤ２は、そのゲートがローサイド駆動回路１２０の出力に接続され、ローサイド駆動回路１２０の出力信号ＬＯによって駆動されることによりオン・オフ制御される。
【００３３】
ハイサイド駆動回路１１０は、スイッチ素子ＸＤ１を駆動するハイサイドドライバ１１１と、ハイサイド用の電源Ｅ１と、それ以外の構成要素からなるレベルシフト回路とを備えている。
【００３４】
レベルシフト回路は、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１とＮチャネルＭＯＳＦＥＴの高耐圧トランジスタＨＶＮ１との直列回路およびレベルシフト抵抗ＬＳＲ２とＮチャネルＭＯＳＦＥＴの高耐圧トランジスタＨＶＮ２との直列回路を有している。これらの直列回路の一端は、それぞれ、電源Ｅ１の高電位側端子に接続された電源ラインＶＢに接続され、他端はそれぞれローサイドの基準電位である接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。レベルシフト抵抗ＬＳＲ１は、２段直列構成のＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ１，ＰＭ１Ｘが並列に接続されている。レベルシフト抵抗ＬＳＲ２は、２段直列構成のＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ２，ＰＭ２Ｘが並列に接続されている。レベルシフト抵抗ＬＳＲ１には、さらに、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ３が並列に接続され、レベルシフト抵抗ＬＳＲ２には、さらに、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ４が並列に接続されている。
【００３５】
高耐圧トランジスタＨＶＮ１のゲートには、スイッチ素子ＸＤ１のオン期間の開始タイミングを指示するセット信号ＳＥＴが図示しない制御回路から入力される。また、高耐圧トランジスタＨＶＮ２のゲートには、スイッチ素子ＸＤ１のオン期間の終了タイミングを指示するリセット信号ＲＳＥＴが図示しない制御回路から入力される。高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２のソース・ドレイン間に接続されているコンデンサは、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２が有する寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２である。
【００３６】
レベルシフト抵抗ＬＳＲ１と高耐圧トランジスタＨＶＮ１との接続点ｓｅｔｄｒｎおよびレベルシフト抵抗ＬＳＲ２と高耐圧トランジスタＨＶＮ２との接続点ｒｅｓｄｒｎは、それぞれラッチ誤動作保護回路１１２に接続されている。このラッチ誤動作保護回路１１２は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの信号の状態が誤動作を引き起こす条件であるかどうかを判断し、誤動作を引き起こす条件であると判断したとき、信号の通過をブロックする働きをする。誤動作を引き起こす条件としては、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が両方共にＨまたはＬレベルになる場合である。誤動作を引き起こす条件でないと判断したときには、ラッチ誤動作保護回路１１２は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの信号をそのまま通過させる。
【００３７】
ラッチ誤動作保護回路１１２の出力は、ラッチ回路１１３に接続され、ラッチ回路１１３の出力は、ハイサイドドライバ１１１に接続されている。ラッチ回路１１３の出力は、また、トランジスタＰＭ１のゲートに接続されている。ラッチ回路１１３の出力は、さらに、インバータ回路ＩＮＶの入力に接続され、インバータ回路ＩＮＶの出力は、トランジスタＰＭ２のゲートに接続されている。
【００３８】
レベルシフト回路は、また、論理和回路ＯＲ１、論理積回路ＡＮＤ１、論理積回路ＡＮＤ２およびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４を有している。論理和回路ＯＲ１の入力は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎにそれぞれ接続され、論理和回路ＯＲ１の出力は、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４のゲートにそれぞれ接続されている。論理積回路ＡＮＤ１の入力は、接続点ｓｅｔｄｒｎおよびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ１にそれぞれ接続され、論理積回路ＡＮＤ１の出力は、トランジスタＰＭ２ＸのゲートおよびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ１にそれぞれ接続されている。論理積回路ＡＮＤ２の入力は、接続点ｒｅｓｄｒｎおよびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ２にそれぞれ接続され、論理積回路ＡＮＤ２の出力は、トランジスタＰＭ１ＸのゲートおよびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ２にそれぞれ接続されている。ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４では、入力ＩＮ３は、接続点ｓｅｔｄｒｎに接続され、入力ＩＮ４は、接続点ｒｅｓｄｒｎに接続され、入力ＰＯＲは、パワーオンリセット信号ＰＯＲを受けるように図示しない制御回路に接続されている。
【００３９】
レベルシフト回路は、また、ダイオードＤ１，Ｄ２を有し、これらのアノードは、スイッチ素子ＸＤ１とスイッチ素子ＸＤ２との接続点ＶＳに接続されている。ダイオードＤ１のカソードは、接続点ｓｅｔｄｒｎに接続され、ダイオードＤ２のカソードは、接続点ｒｅｓｄｒｎに接続されている。これにより、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電圧がハイサイド基準電位ＶＳを超えない（下回らない）ようにダイオードＤ１，Ｄ２でクランプされてラッチ誤動作保護回路１１２に過電圧が入力されないようにしている。
【００４０】
ローサイド駆動回路１２０は、スイッチ素子ＸＤ２を駆動するローサイドドライバ１２１と、電源Ｅ２とを備えている。ローサイドドライバ１２１は、電源Ｅ２から電源の供給を受け、図示しない制御装置からローサイドの制御信号を入力してスイッチ素子ＸＤ２をオン・オフ駆動するための出力信号ＬＯを出力する。
【００４１】
出力回路１００は、その出力部であるスイッチ素子ＸＤ１とスイッチ素子ＸＤ２との接続点ＶＳが負荷Ｌの一端が接続され、負荷Ｌの他端は、接地電位（ＧＮＤ）に接続されている。
【００４２】
次に、上記の論理積回路ＡＮＤ１、論理積回路ＡＮＤ２およびｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の具体例について説明する。
論理積回路ＡＮＤ１および論理積回路ＡＮＤ２は、同じ構成を有している。このため、図２では、論理積回路ＡＮＤ１に対応する論理積回路ＡＮＤ２の端子の符号は、かっこ書きで示している。論理積回路ＡＮＤ１（ＡＮＤ２）は、３つのＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３と１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＮＭ１１と抵抗Ｒｔとを有している。トランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２は、ソース・ドレインを互いに接続し、ソースを電源ラインＶＢに接続している。トランジスタＰＭ１１のゲートは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ１（ＯＵＴ２）に接続される入力を構成し、トランジスタＰＭ１２のゲートは、接続点ｓｅｔｄｒｎ（ｒｅｓｄｒｎ）に接続される入力を構成している。トランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２のドレインは、抵抗Ｒｔを介してハイサイド基準電位ＶＳのラインに接続されている。トランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２のドレインと抵抗Ｒｔとの接続点は、ＣＭＯＳインバータ回路を構成するトランジスタＰＭ１３，ＮＭ１１のゲートに接続されている。トランジスタＰＭ１３のソースは、電源ラインＶＢに接続され、トランジスタＮＭ１１のソースは、ハイサイド基準電位ＶＳのラインに接続されている。トランジスタＰＭ１３，ＮＭ１１のドレインは、互いに接続され、この論理積回路ＡＮＤ１（ＡＮＤ２）の出力ＡＮＤ１＿ＯＵＴ（ＡＮＤ２＿ＯＵＴ）を構成している。
【００４３】
この論理積回路ＡＮＤ１（ＡＮＤ２）において特徴的なところは、入力用のトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２の負荷を抵抗Ｒｔで構成している点である。すなわち、一般的なＣＭＯＳ論理和回路では、入力用のトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２の負荷は、２つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタをそれぞれ直列に接続し、それぞれのゲートをトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２のゲートにそれぞれ接続した構成である。これに対し、この実施の形態では、入力用のトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２の負荷を抵抗Ｒｔで構成し、トランジスタＰＭ１３，ＮＭ１１からなるＣＭＯＳインバータ回路の出力をＬレベルからＨレベルに反転させるとき、トランジスタＰＭ１３，ＮＭ１１のゲート容量に蓄積されていた電荷を抵抗Ｒｔがゆっくり放電することにしている。したがって、この論理積回路ＡＮＤ１（ＡＮＤ２）は、２つの入力にＨレベルの信号が同時に印加されたとき、出力ＡＮＤ１＿ＯＵＴ（ＡＮＤ２＿ＯＵＴ）の論理状態が即座にＨレベルに変化するのではなく、所定の時間だけ遅れてＨレベルに変化する。この遅延時間は、抵抗Ｒｔの値を調整することによって変更される。なお、出力がＨレベルのときに２つの入力の一方がＬレベルになると、出力ＡＮＤ１＿ＯＵＴ（ＡＮＤ２＿ＯＵＴ）は即座にＬレベルとなる。
【００４４】
ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４は、図３に示したように、２つのラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２、比較器ＣＯＭＰ１、抵抗Ｒ１，Ｒ２、基準電圧Ｖｒｅｆおよび論理和回路ＯＲ２を有している。
【００４５】
ラッチ回路ＬＴ１のリセット入力Ｒおよびラッチ回路ＬＴ２のセット入力Ｓは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ１に接続され、ラッチ回路ＬＴ１のセット入力Ｓおよびラッチ回路ＬＴ２のリセット入力Ｒは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ２に接続されている。ラッチ回路ＬＴ１の反転出力ＺＱは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ１を構成し、ラッチ回路ＬＴ２の反転出力ＺＱは、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ２を構成している。ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２のクリア入力ＣＬＲは、論理和回路ＯＲ２の出力に接続されている。
【００４６】
ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２は、そのセット入力Ｓとリセット入力Ｒの一方がＨレベルになると、Ｈレベルになった方がセット入力Ｓであるかリセット入力Ｒであるかに応じてセットまたはリセットされる。ただし、２つの入力が同時にＬレベルもしくはＨレベルになると、状態の変化はない。また、２つの入力が同時にＨレベルになるタイミング、または同時にＨレベルから同時にＬレベルに変わるタイミングが僅かにずれても、内部回路の応答遅れで状態は変化しない。
【００４７】
ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２の出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２は、それぞれラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２の状態を反転させた信号であり、クリア入力ＣＬＲがＨレベルになると、出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２は、それぞれＨレベルになる。
【００４８】
比較器ＣＯＭＰ１の非反転入力（＋）は、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との一方の端子を互いに接続した接続点に接続されている。抵抗Ｒ１の他方の端子は、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ３を構成し、抵抗Ｒ２の他方の端子は、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＩＮ４を構成している。比較器ＣＯＭＰ１の反転入力（−）は、基準電圧Ｖｒｅｆの正極端子に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆの負極端子は、ハイサイド基準電位ＶＳに接続されている。比較器ＣＯＭＰ１の出力は、論理和回路ＯＲ２の一方の入力に接続され、論理和回路ＯＲ２の他方の入力は、パワーオンリセット信号ＰＯＲを受けるｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の入力ＰＯＲを構成している。
【００４９】
比較器ＣＯＭＰ１の非反転入力に接続されている抵抗Ｒ１，Ｒ２の回路は、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎの電位とリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎの電位の重みづけ平均をとる回路になっている。この回路による加重平均は、（ｓｅｔｄｒｎ×Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２））＋（ｒｅｓｄｒｎ×Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２））で表される。抵抗Ｒ１，Ｒ２の抵抗値が等しければ、単純平均となる。この実施の形態では、Ｒ１＝Ｒ２としている。
【００５０】
また、比較器ＣＯＭＰ１の反転入力に入力されている基準電圧Ｖｒｅｆは、かなり高めの値（電位ＶＢの近傍値）となっている。このため、ハイサイド基準電位ＶＳにｄＶ／ｄｔが印加されている状態では、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎの電位とリセットドレイン信号ｒｅｓｄｒｎの電位は抵抗の電位降下により必ず電位ＶＢより低くなり、両者の単純平均が基準電圧Ｖｒｅｆを超えることはない。したがって、ｄＶ／ｄｔが発生している状態では、比較器ＣＯＭＰ１は、必ずＬレベルの信号を出力し、ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２をクリアすることもない。
【００５１】
次に、以上のようなハーフブリッジ回路において、制御装置からセット信号ＳＥＴを受けてハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオンの状態に切り替わるときの動作（通常動作）について説明する。
【００５２】
まず、高耐圧トランジスタＨＶＮ１がオンして、セットドレイン信号ｓｅｔｄｒｎが接地電位になると、ラッチ誤動作保護回路１１２を介してラッチ回路１１３がセットされ、ハイサイドドライバ１１１がスイッチ素子ＸＤ１を駆動してオンさせる。これにより、ハイサイド基準電位ＶＳが接地電位から高電圧の電圧Ｅに切り替わり、ハイサイド駆動回路１１０の電源ラインＶＢの電位ＶＢが電圧（Ｅ＋Ｅ１）となる。このとき、高耐圧トランジスタＨＶＮ１は、既にオフしているので、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎは、いずれもレベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２を介して電位ＶＢが印加される。電位ＶＢの印加時に、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２の寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の存在により、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が、一瞬接地電位まで低下し、その後、電位ＶＢまで上昇しようとする。このとき、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量値に差があると、上昇するタイミングがずれて、ラッチ誤動作保護回路１１２の誤動作保護の条件が崩れ、ラッチ回路１１３が誤動作を起こす可能性がある。
【００５３】
このレベルシフト回路では、ラッチ回路１１３がＨレベルの信号を出力し、スイッチ素子ＸＤ１が立ち上がるまでの間、インバータ回路ＩＮＶを介してＬレベルの信号がトランジスタＰＭ２に入力されることでトランジスタＰＭ２がオンする。このとき、接続点ｒｅｓｄｒｎの電位が高いので論理和回路ＯＲ１がＨレベルの信号を出力し、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４をオフする。また、入力ＩＮ１，ＩＮ２がそれぞれＬレベル、Ｈレベルとなるので出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２がそれぞれＬレベル、Ｈレベルとなり、これより論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２は、それぞれＬレベル、Ｈレベルの信号を出力し、トランジスタＰＭ１Ｘをオフし、トランジスタＰＭ２Ｘをオンする。これにより、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１を含む並列回路のインピーダンスＺ１よりもレベルシフト抵抗ＬＳＲ２を含む並列回路のインピーダンスＺ２が低くなる。
【００５４】
スイッチ素子ＸＤ１が立ち上がってハイサイド基準電位ＶＳが高電圧の電圧Ｅになり、電位ＶＢが電圧（Ｅ＋Ｅ１）になると、セット側およびリセット側のインピーダンスＺ１，Ｚ２を介して寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の充電が開始される。このとき、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量値に差があったとしても、トランジスタＰＭ２とＰＭ２Ｘが共にオンしていて、リセット側のインピーダンスＺ２が非常に低いため、寄生容量Ｃｄｓ２が先に充電完了して接続点ｒｅｓｄｒｎの電位が先に上昇する。セット側の寄生容量Ｃｄｓ１は、高耐圧トランジスタＨＶＮ１がオフした後に、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１を介して充電されるため、接続点ｓｅｔｄｒｎは、遅れて上昇する。つまり、トランジスタＰＭ１とＰＭ１Ｘの直列抵抗と、トランジスタＰＭ２とＰＭ２Ｘの直列抵抗との差が非常に大きい（一方は２つのトランジスタが共にオン、他方は共にオフとなる）ので、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２の容量値に差があったとしてもその影響は無視できるものになる。これにより、ハイサイドのスイッチ素子ＸＤ１がオンしたときに発生するｄＶ／ｄｔノイズの影響を抑制することができる。
【００５５】
次に、ハイサイド基準電位ＶＳにｄＶ／ｄｔノイズが長時間印加されたときのレベルシフト回路の動作について図４を参照しながら説明する。なお、図４では、上から、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４のゲート、トランジスタＰＭ２Ｘのゲート、トランジスタＰＭ１Ｘのゲート、ハイサイド基準電位ＶＳ、接続点ｓｅｔｄｒｎ、接続点ｒｅｓｄｒｎおよび出力信号ＨＯの動作波形を示している。ラッチ回路１１３の出力および出力信号ＨＯの初期値はＬレベルである。また、これらの動作波形は、ハイサイド基準電位ＶＳを基準にして変化している。さらに、ここでは、寄生容量Ｃｄｓ１が寄生容量Ｃｄｓ２より大きな容量値を有している（Ｃｄｓ１＞Ｃｄｓ２）とする。
【００５６】
まず、ｄＶ／ｄｔノイズが印加される前の、出力回路１００のスイッチ素子ＸＤ１，ＸＤ２がオフしているときには、高耐圧トランジスタＨＶＮ１，ＨＶＮ２がオフし、ラッチ回路１１３がＬレベルの信号を出力している。このため、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎは、それぞれレベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２を介して電位ＶＢが印加されているので、高い電位に保持されている。ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４では、比較器ＣＯＭＰ１がＨレベルの信号を出力してラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２をクリアし、ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２の出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２がＨレベルの信号を出力している。これにより、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２は、それぞれ２つの入力がＨレベルであるため、Ｈレベルの信号を出力する。これにより、トランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘ，ＰＭ３，ＰＭ４は、それらのゲートがＨレベルにあるので（図４にて時刻ｔ１以前の状態）、オフにされている。なお、トランジスタＰＭ１Ｘに直列接続されたトランジスタＰＭ１は、そのゲートがＬレベルになっているので、オンになっている。トランジスタＰＭ２Ｘに直列接続されたトランジスタＰＭ２は、そのゲートがインバータ回路ＩＮＶによりＨレベルになっているので、オフにされている。
【００５７】
時刻ｔ１にて、ハイサイド基準電位ＶＳのラインに＋ｄＶ／ｄｔノイズが印加されると、まず、レベルシフト抵抗ＬＳＲ１，ＬＳＲ２に電流が流れて接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が低下する。これにより、ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４では、比較器ＣＯＭＰ１が接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位の加重平均が一定レベル（例：電位ＶＢの９５％程度）以下に低下することで、Ｌレベルの信号を出力する。接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２の閾値Ｖｔｈ＿ＡＮＤ１，Ｖｔｈ＿ＡＮＤ２を下回ると、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２は、Ｌレベルの信号を出力する。これにより、トランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘは、そのゲートがＬレベルになることで、オンする。このとき、トランジスタＰＭ１がオンしていて接続点ｓｅｔｄｒｎの側のＣＲ回路のＲの値が小さい（トランジスタＰＭ１，ＰＭ１Ｘのオン抵抗レベルになる）ので、ｄＶ／ｄｔの影響は小さい。一方、接続点ｒｅｓｄｒｎの側は、ＣＲ回路のＲの値が大きい（トランジスタＰＭ２がオフしているためレベルシフト抵抗ＬＳＲ２の値になる）ので、ｄＶ／ｄｔの影響が大きくなっている。このｄＶ／ｄｔの影響が大きいのは、リセット側であるため、レベルシフト回路は、予期しないセットがかかりづらい状況になっている。すなわち、セット側のＣＲ回路のＲの値が非常に小さい（トランジスタのオン抵抗レベル）ことが、Ｃｄｓ１＞Ｃｄｓ２であること以上の効果をもたらしている。なお、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２の閾値Ｖｔｈ＿ＡＮＤ１，Ｖｔｈ＿ＡＮＤ２は、ＣＭＯＳ構成の場合のようにＰチャネルＭＯＳＦＥＴとＮチャネルＭＯＳＦＥＴとの釣り合いで決まるのではなく、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２を構成するＰチャネルＭＯＳＦＥＴのトランジスタＰＭ１１，ＰＭ１２の閾値だけで決まるので、電位ＶＢに近い値となっている。
【００５８】
時間の経過と共に接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位がさらに低下し、両者の電位が論理和回路ＯＲ１の閾値Ｖｔｈ＿ＯＲ１を下回ると、論理和回路ＯＲ１は、Ｌレベルの信号を出力する。これにより、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４は、そのゲートがＬレベルになることで、オンする。トランジスタＰＭ３，ＰＭ４がオンすることで、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２は、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４のオン抵抗が並列に接続されたインピーダンスＺ１，Ｚ２によって充電される。このときのセット側およびリセット側のインピーダンスＺ１，Ｚ２が共に非常に小さくなるので、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２は、瞬間的に充電が完了し、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が上昇する。接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位のいずれかが論理和回路ＯＲ１の閾値Ｖｔｈ＿ＯＲ１を上回ると、論理和回路ＯＲ１は、Ｈレベルの信号を出力し、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４をオフする。すなわち、トランジスタＰＭ３，ＰＭ４は、ｄＶ／ｄｔノイズが印加された直後だけ瞬間的にオンされて、寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２が急速充電される。
【００５９】
トランジスタＰＭ３，ＰＭ４が一瞬オンして接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が一旦上昇しても、ｄＶ／ｄｔの印加が継続していることにより、時刻ｔ２にて再び接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が減少する。これらの電位の低下は、ｄＶ／ｄｔの影響が大きいリセット側の接続点ｒｅｓｄｒｎの電位の低下が大きくなる。
【００６０】
この場合、接続点ｓｅｔｄｒｎの側の電位の低下が小さく、しかも、寄生容量Ｃｄｓ１が低いインピーダンスＺ１で充電されるため、接続点ｓｅｔｄｒｎの電位が高くなっていく。このため、ラッチ誤動作保護回路１１２の入力閾値に対し、接続点ｒｅｓｄｒｎの電位がＬレベルのまま入力されるので、ラッチ誤動作保護回路１１２は、接続点ｓｅｔｄｒｎのＨレベル、接続点ｒｅｓｄｒｎのＬレベルの信号をブロックしない。ただし、Ｌレベルとなっているのがリセット側なので、レベルシフト回路は、出力信号ＨＯがＬレベルをキープし、Ｈレベルに反転するような誤動作が生じることはない。
【００６１】
時刻ｔ２以降は、ハイサイド基準電位ＶＳへのｄＶ／ｄｔノイズの印加が継続していることにより、接続点ｓｅｔｄｒｎの電位と接続点ｒｅｓｄｒｎの電位とのレベル関係は、変わらずにそのまま継続する。
【００６２】
時刻ｔ３にて接続点ｓｅｔｄｒｎの電位が論理積回路ＡＮＤ１の閾値Ｖｔｈ＿ＡＮＤ１に達すると論理積回路ＡＮＤ１の出力がＨレベルになる。このときの論理積回路ＡＮＤ２の出力はＬレベルである。これは、ＩＮ１＝ＩＮ２＝Ｌレベルの状態からＩＮ１＝Ｈレベル、ＩＮ２＝Ｌレベルの状態に変化するということであり、ＩＮ１＝Ｈレベル、ＩＮ２＝Ｌレベルの信号がラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２に入力されることで、ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２の出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２がそれぞれＨレベル、Ｌレベルに確定される（後から論理積回路ＡＮＤ２の出力がＨレベルになってもラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２の出力は変化しない）。出力ＯＵＴ２がＬレベルに確定するので、論理積回路ＡＮＤ２の出力もＬレベルが確定し、その後、接続点ｒｅｓｄｒｎの電位が論理積回路ＡＮＤ２の閾値Ｖｔｈ＿ＡＮＤ２より大きくなることがあっても、論理積回路ＡＮＤ２の出力がＨレベルになることはなく、トランジスタＰＭ１Ｘのオン状態（すなわち、電位ＶＢと接続点ｒｅｓｄｒｎがトランジスタＰＭ１，ＰＭ１Ｘのオン抵抗で接続されている状態）が継続される。
【００６３】
時刻ｔ４にてハイサイド基準電位ＶＳへのｄＶ／ｄｔノイズの印加が終了すると、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位が上昇していく。なお、ｄＶ／ｄｔノイズが印加され続けている状態では、電源Ｅ１から寄生容量Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２に電流が流れ続け（ＣＲ回路におけるＣとＲの接続点の電位は、ＣＲ回路に印加される上昇電圧に絶対追いつかない）、この電流による電圧ドロップが生じている。セット側においても、トランジスタＰＭ１，ＰＭ１Ｘが共にオンしているものの、オン抵抗はゼロではないので電圧ドロップは生じている。これにより、ｄＶ／ｄｔノイズが継続されている期間は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの加重平均電位が基準電圧Ｖｒｅｆ（電位ＶＢの近傍値）以下となる。ｄＶ／ｄｔが終了すると、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの加重平均電位と電位ＶＢとの電位差がなくなり、最終的には、電位ＶＢに等しくなる。このため、比較器ＣＯＭＰ１は、接続点ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎの電位の加重平均を基準電圧Ｖｒｅｆ（電位ＶＢの近傍値）と比較して、ｄＶ／ｄｔが終了したと判断したときには、Ｈレベルの信号を出力する。この信号は、論理和回路ＯＲ２を介してラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２のクリア入力ＣＬＲに供給され、ラッチ回路ＬＴ１，ＬＴ２は、その反転出力ＺＱにＨレベルの信号を出力する。ｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４の出力ＯＵＴ１，ＯＵＴ２がＨレベルになることにより、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２の２つの入力は、共にＨレベルになる。これにより、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２の出力は、Ｈレベルに変化しようとする。
【００６４】
しかし、トランジスタＰＭ１３，ＮＭ１１のゲート容量に蓄積されていた電荷の放電が抵抗Ｒｔによりゆっくり行われることにより、論理積回路ＡＮＤ１，ＡＮＤ２の出力は、所定の遅延時間後にＨレベルになる。したがって、トランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘのゲートは、所定の遅延時間後の時刻ｔ５以降にＨレベルとなり、トランジスタＰＭ１Ｘ，ＰＭ２Ｘがオフする。
【００６５】
以上のように、レベルシフト回路にｄＶ／ｄｔ期間検出回路１１４を備えたことにより、長いｄＶ／ｄｔノイズが発生したとしても、そのｄＶ／ｄｔノイズの発生が終了するまで、ラッチ回路１１３の誤動作防止機能を持続させることができる。
【００６６】
上記については単に本発明の原理を示すものである。さらに、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成および応用例に限定されるものではなく、対応するすべての変形例および均等物は、添付の請求項およびその均等物による本発明の範囲とみなされる。
【符号の説明】
【００６７】
１００  出力回路
１１０  ハイサイド駆動回路
１１１  ハイサイドドライバ
１１２  ラッチ誤動作保護回路
１１３  ラッチ回路
１１４  ｄＶ／ｄｔ期間検出回路
１２０  ローサイド駆動回路
１２１  ローサイドドライバ
ＡＮＤ１，ＡＮＤ２  論理積回路
ＣＯＭＰ１  比較器
Ｃｄｓ１，Ｃｄｓ２  寄生容量
Ｄ１，Ｄ２  ダイオード
ＨＶＮ１，ＨＶＮ２  高耐圧トランジスタ
ＩＮＶ  インバータ回路
Ｌ  負荷
ＬＳＲ１，ＬＳＲ２  レベルシフト抵抗
ＬＴ１，ＬＴ２  ラッチ回路
ＯＲ１，ＯＲ２  論理和回路
ＰＭ１，ＰＭ１Ｘ，ＰＭ２，ＰＭ２Ｘ，ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＮＭ１１，ＰＭ３，ＰＭ４  トランジスタ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒｔ  抵抗
ＶＢ  ハイサイド電源ラインの電位
ＶＳ  ハイサイド基準電位
Ｖｒｅｆ  基準電圧
ＸＤ１，ＸＤ２  スイッチ素子
ｓｅｔｄｒｎ，ｒｅｓｄｒｎ  接続点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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