(57)【要約】【課題】動作の安定性を向上できる磁気記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶装置は、第１方向に延びる第１磁性部を含む。第１磁性部は、第１面を有する。第１面は、複数の底部と、複数の頂部と、を含む。複数の底部と、複数の頂部と、は、第１方向において、交互に並ぶ。複数の底部は、第１底部と、第１方向において第１底部の隣の第２底部と、第３底部と、第１方向において第３底部の隣の第４底部と、を含む。複数の頂部は、第１底部と第２底部との間に位置する第１頂部と、第３底部と第４底部との間に位置する第２頂部と、を含む。第１底部と第２底部との間の第１方向に沿う第１距離は、第３底部と第４底部との間の第１方向に沿う第２距離とは異なる。【選択図】図１
2019003989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延びる第１磁性部と、
第１磁性層と、
前記第１磁性部の一部と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性部は、第１面を有し、
前記第１面は、
複数の底部と、
複数の頂部と、を含み、
前記複数の底部と、前記複数の頂部と、は、前記第１方向において、交互に並び、
前記複数の底部は、
第１底部と、
前記第１方向において前記第１底部の隣の第２底部と、
第３底部と、
前記第１方向において前記第３底部の隣の第４底部と、
を含み、
前記複数の頂部は、
前記第１底部と前記第２底部との間に位置する第１頂部と、
前記第３底部と前記第４底部との間に位置する第２頂部と、
を含み、
前記第１底部と前記第２底部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３底部と前記第４底部との間の前記第１方向に沿う第２距離とは異なる、磁気記憶装置。
【請求項２】
前記第１方向に対して垂直で前記第１頂部を通る第１平面で前記第１磁性部を切断した第１断面積は、前記第１方向に対して垂直で前記第２頂部を通る第２平面で前記第１磁性部を切断した第２断面積よりも小さく、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記第１磁性部は、第２面をさらに含み、
前記第２面から前記第１面に向かう方向は、前記第１方向と交差する第２方向に沿い、
前記第２面は、第１裏面位置と、第２裏面位置と、を有し、
前記第１裏面位置から前記第１頂部に向かう方向は前記第２方向に対して平行で、
前記第２裏面位置から前記第２頂部に向かう方向は前記第２方向に対して平行で、
前記第１裏面位置と前記第１頂部との間の前記第２方向に沿う第１長さは、前記第２裏面位置と前記第２頂部との間の前記第２方向に沿う第２長さよりも短く、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記第１方向に対して垂直で前記第１頂部を通る第１平面で前記第１磁性部を切断した第１径は、前記第１方向に対して垂直で前記第２頂部を通る第２平面で前記第１磁性部を切断した第２径よりも小さく、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
基体をさらに備え、
前記第１方向において、前記第１頂部は、前記第２頂部と前記基体との間に位置し、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項６】
第１方向に延びる第１磁性部と、
第１絶縁部と、
を備え、
前記第１磁性部から前記第１絶縁部に向かう第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第１絶縁部は、第１〜第６絶縁層を含み、
前記第５絶縁層は、前記第１方向において前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と接し、
前記第３絶縁層から前記第１絶縁層に向かう方向は前記第１方向に沿い、
前記第６絶縁層は、前記第１方向において前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に位置し、前記第３絶縁層及び前記第４絶縁層と接し、
前記第５絶縁層及び前記第６絶縁層の材料は、前記第１〜第４絶縁層の材料とは異なり、
前記第５絶縁層の前記第１方向に沿う第１厚さは、前記第６絶縁層の前記第１方向に沿う第２厚さとは異なる、磁気記憶装置。
【請求項７】
前記第１磁性部は、前記第１絶縁部と対向する第１面を有し、
前記第１面は、第１〜第４頂部、及び、第１底部及び第２底部を含み、
前記第１頂部から前記第１絶縁層に向かう方向、前記第２頂部から前記第２絶縁層に向かう方向、前記第３頂部から前記第３絶縁層に向かう方向、前記第４頂部から前記第４絶縁層に向かう方向、前記第１底部から前記第５絶縁層に向かう方向、及び、前記第２底部から前記第６絶縁層に向かう方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、請求項６記載の磁気記憶装置。
【請求項８】
基体をさらに備え、
前記第１方向において、前記第５絶縁層は、前記第６絶縁層と前記基体との間に位置し、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、請求項６または７に記載の磁気記憶装置。
【請求項９】
第１処理と、前記第１処理の後の第２処理と、を実施して第１絶縁部に第１方向に延びる孔を形成する工程であって、
前記第１処理は、
前記第１絶縁部の第１除去部分を第１エッチングにより除去する工程と、
前記第１エッチングの後に第１保護膜を形成する工程と
前記第１保護膜の一部を除去して露出した前記第１絶縁部の第２除去部分を第２エッチングにより除去する工程と、
を含み、
前記第２処理は、
前記第１処理の後に前記第１絶縁部の第３除去部分を第３エッチングにより除去する工程と、
前記第３エッチングの後に第２保護膜を形成する工程と、
前記第２保護膜の一部を除去して露出した前記第１絶縁部の第４除去部分を第４エッチングにより除去する工程と、
を含み、
前記第３除去部分及び前記第４除去部分の前記第１方向に沿う厚さは、前記第１除去部分及び前記第２除去部分の前記第１方向に沿う厚さよりも厚い、前記孔を形成する前記工程と、
前記孔の側壁に磁性膜を形成して第１磁性部を形成する工程と、
を備えた磁気記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
面を有する基体の前記面の上に第１絶縁部を形成する工程であって、前記第１絶縁部は、複数の第１膜と、複数の第２膜と、を含み、前記複数の第１膜及び前記複数の第２膜は、前記面と交差する第１方向に交互に並び、前記複数の第１膜の材料は、前記複数の第２膜の材料とは異なり、前記複数の第１膜は、第１層及び第２層を含み、前記第２層と前記面との間に前記第１層が位置し、前記第１層の前記第１方向の厚さは前記第２層の厚さよりも厚い、前記第１絶縁部を形成する前記工程と、
前記第１絶縁部に前記第１方向に延びる孔を形成し、
前記孔の側壁に磁性膜を形成して第１磁性部を形成する工程と、
を備えた磁気記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記憶装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁性材料を含むトラックに電流を流すことによりトラックの磁区をシフトする磁気記憶装置がある。磁気記憶装置において、安定した動作が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５５８３６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、動作の安定性を向上できる磁気記憶装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気記憶装置は、第１方向に延びる第１磁性部と、第１磁性層と、前記第１磁性部の一部と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含む。前記第１磁性部は、第１面を有する。前記第１面は、複数の底部と、複数の頂部と、を含む。前記複数の底部と、前記複数の頂部と、は、前記第１方向において、交互に並ぶ。前記複数の底部は、第１底部と、前記第１方向において前記第１底部の隣の第２底部と、第３底部と、前記第１方向において前記第３底部の隣の第４底部と、を含む。前記複数の頂部は、前記第１底部と前記第２底部との間に位置する第１頂部と、前記第３底部と前記第４底部との間に位置する第２頂部と、を含む。前記第１底部と前記第２底部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３底部と前記第４底部との間の前記第１方向に沿う第２距離とは異なる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。
【図２】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図３】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図４】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図５】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式図である。
【図８】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図９】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図１０】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図１１】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。
【図１２】第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜図１４（ｆ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の別の製造方法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）  
図１（ａ）〜図１（ｄ）は、第１実施形態に係る磁気記憶装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は側面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ３−Ａ４線断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｂ）及び図１（ｃ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１１０は、第１磁性部１０と、第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎと含む。
【００１０】
第１非磁性層４１ｎは、第１磁性部１０の一部と第１磁性層４１との間に設けられる。第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎは、例えば、書き込み読み出し部４０に含まれる。書き込み読み出し部４０は、例えば、ＭＴＪ素子の少なくとも一部を含む。
【００１１】
第１磁性部１０は、第１方向に延びる。
【００１２】
第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１３】
この例では、第１導電層５１及び第２導電層５２が設けられている。第２導電層５２は、Ｚ軸方向において、第１導電層５１から離れる。第１磁性部１０は、第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２を含む。第１部分ｐ１から第２部分ｐ２に向かう方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿っている。第１導電層５１は、第１磁性部１０の第１部分ｐ１と電気的に接続される。第２導電層５２は、第１磁性部１０の第２部分ｐ２と電気的に接続される。
【００１４】
この例では、基体５０ｓが設けられている。基体５０ｓは、例えば、Ｘ−Ｙ平面に沿っている。例えば、基体５０ｓの上に第１導電層５１が設けられ、その上に、第１磁性部１０が設けられる。
【００１５】
後述するように、磁気記憶装置１１０において制御部７０（図１（ｄ）参照）が設けられる。制御部７０は、例えば、第１導電層５１及び第２導電層５２と電気的に接続される。制御部７０は、例えば、第１部分ｐ１から第２部分ｐ２に向かう第１電流Ｉ１を第１磁性部１０に供給する。第１磁性部１０に含まれる磁化情報（例えば磁化の状態）は、第１電流Ｉ１に応じて第１方向（Ｚ軸方向）に沿って移動する。制御部７０は、第２部分ｐ２から第１部分ｐ１に向かう第２電流Ｉ２を第１磁性部１０に供給しても良い。第１磁性部１０に含まれる磁化情報（例えば磁化の状態）は、第２電流Ｉ２に応じて第１方向（Ｚ軸方向）に沿って移動しても良い。例えば、電流により、第１磁性部１０中を磁壁が移動する。これらの電流は、第１導電層５１及び第２導電層５２を介して、第１磁性部１０に供給される。
【００１６】
磁気記憶装置１１０において、第１磁性部１０はメモリ部となる。磁気記憶装置１１０は、例えばトラック型の記憶装置である。
【００１７】
図１（ｄ）に示すように、この例では、第１磁性部１０は、第１方向（Ｚ軸方向）に延びる管状である。管状の第１磁性部１０の内側に、コア絶縁部５５が設けられる。第１方向に沿って延びるコア絶縁部５５の周りに、第１磁性部１０が設けられる。
【００１８】
この例では、第１磁性部１０に複数の「くびれ」が設けられる。
【００１９】
例えば、第１磁性部１０は、第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、第１磁性部１０の側面である。第１面１０ａは、例えば、外側の側面である。第１磁性部１０は、第２面１０ｂをさらに有しても良い。第２面１０ｂは、第１磁性部１０の側面である。第２面１０ｂは、例えば、内側の側面である。第１面１０ａ及び第２面１０ｂは、第１方向（Ｚ軸方向）に対して垂直な方向と交差する。
【００２０】
第１面１０ａは、第１方向に並ぶ複数の凹凸を含む。複数の凹凸は、第１面１０ａの、第１方向と交差する第２方向に沿う高さが異なる部分（凹凸）である。この例では、第１磁性部１０が管状であるため、凹凸は、Ｘ−Ｙ平面に沿う任意の方向に沿った凹凸である。
【００２１】
例えば、第１面１０ａは、複数の底部１０ｄ、及び、複数の頂部１０ｐを含む。複数の底部１０ｄのそれぞれは、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する第２方向における、第１面１０ａの底部に対応する。複数の頂部１０ｐのそれぞれは、この第２方向における、第１面１０ａの頂部に対応する。
【００２２】
１つの断面（例えば、図１（ｄ））において、上記の第２方向は、Ｘ軸方向に対応する。例えば、第１磁性部１０は、第１方向に延びる軸を有する。軸は、例えば、第１磁性部１０の中心を通過する。第１面１０ａにおける凹凸は、第１面１０ａの複数の位置と上記の軸との間のＸ軸方向に沿う距離の増減の繰り返しに対応する。
【００２３】
複数の底部１０ｄにおいて、第１面１０ａと、上記の軸と、の間の距離は、極小となる。複数の頂部１０ｐにおいて、第１面１０ａと、上記の軸と、の間の距離は、極大となる。
【００２４】
複数の底部１０ｄと、複数の頂部１０ｐと、は、第１方向（Ｚ軸方向）において、交互に並ぶ。
【００２５】
例えば、複数の底部１０ｄは、第１〜第４底部１１〜１４を含む。第２底部１２は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１底部１１の隣りである。第２底部１２と第１底部１１との間のＺ軸方向に沿った距離は、他の底部１０ｄと第１底部１１との間のＺ軸方向に沿った距離よりも短い。
【００２６】
この例では、第２底部１２は、第１底部１１と第３底部１３との間に位置している。第１底部１１が、第２底部１２と第３底部１３との間に位置しても良い。
【００２７】
第４底部１４は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第３底部１３の隣りである。第４底部１４と第３底部１３との間のＺ軸方向に沿った距離は、他の底部１０ｄと第３底部１３との間のＺ軸方向に沿った距離よりも短い。
【００２８】
この例では、第３底部１３は、第４底部１４と第２底部１２との間に位置している。第４底部１４が、第３底部１３と第２底部１２との間に位置しても良い。
【００２９】
複数の頂部１０ｐは、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。第１頂部２１は、第１方向において、第１底部１１と第２底部１２との間に位置する。第２頂部２２は、第１方向において、第３底部１３と第４底部１４との間に位置する。
【００３０】
実施形態において、第１磁性部１０は、構造部１０Ｐを含む。構造部１０Ｐは、上記の第１〜第４底部１１〜１４、第１頂部２１及び第２頂部２２などを含む。後述するように、第１磁性部１０は、複数の構造部１０Ｐを含んでも良い。
【００３１】
このように、第１面１０ａにおいて、複数の凹凸が繰り返して設けられる。例えば、複数の底部１０ｄは、例えば、「くびれ」に対応する。複数の頂部１０ｐは、例えば「拡大部」に対応する。
【００３２】
既に説明したように、第１磁性部１０に流れる電流に応じて、第１磁性部１０の磁化情報が、第１磁性部１０中をシフトする。例えば、磁壁が第１磁性部１０中をシフトする。上記の複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐを設けることで、磁化情報のシフト（磁壁のシフト）の制御性が向上する。例えば、磁化情報のシフト位置の精度が、上記の複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐにより、高まる。
【００３３】
実施形態においては、複数の底部１０ｄの内の隣り合う２つの間の距離が、一定ではない。
【００３４】
例えば、図１（ｄ）に示すように、第１底部１１と第２底部１２との間の第１方向（Ｚ軸方向）に沿う距離を第１距離ｚ１とする。第３底部１３と第４底部１４との間の第１方向に沿う距離を第２距離ｚ２とする。第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２とは異なる。これにより、後述するように、動作の安定性を向上できる。
【００３５】
この例では、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。
【００３６】
図１（ｃ）は、第１頂部２１を通るＸ−Ｙ平面（第１平面ＰＬ１）で第１磁性部１０を切断した断面図である。第１平面ＰＬ１は、第１方向（Ｚ軸方向）に対して垂直である。
【００３７】
図１（ｂ）は、第２頂部２２を通るＸ−Ｙ平面（第２平面ＰＬ２）で第１磁性部１０を切断した断面図である。第２平面ＰＬ２は、第１方向（Ｚ軸方向）に対して垂直である。
【００３８】
図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、第１平面ＰＬ１で第１磁性部１０を切断した第１断面積は、第２平面ＰＬ２で第１磁性部１０を切断した第２断面積よりも小さい。
【００３９】
この例では、第１平面ＰＬ１で第１磁性部１０を切断した第１径ｄ１は、第２平面ＰＬ２で第１磁性部１０を切断した第２径ｄ２よりも小さい。一方、第１磁性部１０（例えば複数の頂部１０ｐ）の厚さ（Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向における第１磁性部１０の厚さ）は、Ｚ軸方向に沿って、実質的に一定である。
【００４０】
例えば、径の差（第１径ｄ１と第２径ｄ２との間の差など）により、上記の断面積の差（第１断面積と第２断面積との間の差など）が生じている。
【００４１】
実施形態においては、第１断面積が第２断面積よりも小さいときに、上記の第１距離ｚ１を上記の第２距離ｚ２よりも長くする。これらの距離は、第１磁性部１０における１つのビットの移動距離に対応する。
【００４２】
これにより、例えば、電流に応じた磁化情報のシフト（磁壁のシフト）において、さらに高い制御性が得られる。
【００４３】
例えば、第１磁性部１０において、磁壁の移動速度は、第１磁性部１０を流れる電流の電流密度に依存する。例えば、１つの第１磁性部１０において、電流密度が異なる部分が存在すると、その部分において、磁壁の移動速度（ビットの移動速度）が、他の部分とは異なる。このような場合、ビットの移動速度の差異により、エラーが生じやすくなる。
【００４４】
実施形態においては、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２とは異ならせる。例えば、ビットの移動速度の差異に対応して、これらの距離（ビットの移動距離）を変化させる。例えば、第１断面積が第２断面積よりも小さいときに、上記の第１距離ｚ１を上記の第２距離ｚ２よりも長くする。
【００４５】
これにより、電流密度の差に起因するビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。動作の安定性を向上できる磁気記憶装置を提供できる。
【００４６】
例えば、第１断面積が第２断面積よりも小さいときに、第１頂部２１における電流密度は、第２頂部２２における電流密度よりも高くなる。この場合に、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２よりも長くする。動作の安定性を向上できる。
【００４７】
例えば、第１断面積と第１距離ｚ１との第１積は、第２断面積と第２距離ｚ２との第２積と実質的に同じでも良い。例えば、第１積は、第２積の０．８倍以上１．２倍以下である。
【００４８】
図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように、第１磁性部１０の少なくとも一部における磁化は、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する。例えば、第１磁性部１０の磁化は、第１磁性部１０の膜面に対して実質的に垂直である。例えば、第１頂部２１における第１磁化２１Ｍ、及び、第２頂部２２における第２磁化２２Ｍは、Ｘ−Ｙ平面に実質的に沿う。この例では、第１磁化２１Ｍは、外側から内側に向かう。この例では、第２磁化２２Ｍは、内側から外側に向かう。このような磁化の方向の差異が、記憶される情報の差異に対応する。
【００４９】
図２は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図２は、図１（ｄ）に対応する断面図である。  
図２に示すように、磁気記憶装置１１１においても、第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１１においては、第１磁性部１０の厚さが、Ｚ軸方向において変化している。磁気記憶装置１１１におけるこれ以外の構成は、例えば、磁気記憶装置１１０と同様である。以下、磁気記憶装置１１１における第１磁性部１０について説明する。
【００５０】
この例においても、第１磁性部１０は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って延びる管状である。
【００５１】
第１磁性部１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。既に説明したように、第１面１０ａは、複数の底部１０ｄと、複数の頂部１０ｐと、を含む。この場合も、複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐは、第１方向において交互に並ぶ。複数の底部１０ｄは、上記の第１〜第４底部１１〜１４を含む。複数の頂部１０ｐは、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。
【００５２】
第２面１０ｂから第１面１０ａに向かう方向は、上記の第２方向（第１方向（Ｚ軸方向）と交差する方向）に沿っている。図２に示す断面では、第２方向は、Ｘ軸方向に対応する。
【００５３】
第２面１０ｂは、第１裏面位置２１ｐと、第２裏面位置２２ｐと、を有する。第１裏面位置２１ｐから第１頂部２１に向かう方向は、第２方向に対して平行である。第２裏面位置２２ｐから第２頂部２２に向かう方向は、第２方向に対して平行である。
【００５４】
第１裏面位置２１ｐと第１頂部２１との間の第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う長さを第１長さｔ１とする。第２裏面位置２２ｐと第２頂部２２との間の第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う長さを第２長さｔ２とする。これらの長さは、第１磁性部１０の膜厚に対応する。
【００５５】
磁気記憶装置１１１においては、第１長さｔ１は、第２長さｔ２よりも短い。すなわち、第１頂部２１における厚さは、第２頂部２２における厚さよりも薄い。このような場合において、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。
【００５６】
例えば、磁気記憶装置１１１においては、第１磁性部１０の厚さが場所によって異なる。厚さが薄い部分においては、電流密度が高くなる。このときに、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２よりも長くする。電流密度の差に起因するビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。動作の安定性を向上できる磁気記憶装置を提供できる。
【００５７】
この例では、第１径ｄ１は、第２径ｄ２よりも小さい。このため、断面積の差が大きい。このような場合に、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２とは異ならせることで、安定した動作が得られる。
【００５８】
磁気記憶装置１１１において、第１長さｔ１が第２長さｔ２とは異なり、第１径ｄ１が第２径ｄ２と実質的に同じでも良い。
【００５９】
図３〜図５は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  これらの図は、図１（ｄ）に対応する断面図である。これらの図において、制御部７０（図１（ｄ）参照）は、省略されている。
【００６０】
図３に示すように、磁気記憶装置１１２においても、第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１２においては、第１磁性部１０の第１面１０ａにおける凹凸（複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐ）の形状が、磁気記憶装置１１０とは異なる。
【００６１】
磁気記憶装置１１２においては、第１磁性部１０の第１面１０ａの凹凸は、繰り返し、波状に変化する。磁気記憶装置１１２においても、第１径ｄ１は、第２径ｄ２よりも小さい。そして、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。第１径ｄ１が第２径ｄ２よりも小さいため、第１断面積が第２断面積よりも小さい。これにより、電流密度の差に起因するビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００６２】
図４に示すように、磁気記憶装置１１３においても、第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１３においても、第１磁性部１０の第１面１０ａにおける凹凸（複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐ）の形状が、繰り返し、波状に変化する。第１長さｔ１（厚さ）は、第２長さｔ２（厚さ）よりも短い。そして、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。厚さの差により電流密度が異なる。電流密度の差に起因してするビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００６３】
図５に示すように、磁気記憶装置１１４においても、第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１４においては、第１径ｄ１は、第２径ｄ２よりも小さい。さらに、第１長さｔ１（厚さ）は、第２長さｔ２（厚さ）よりも短い。そして、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。そして、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。径の差及び厚さの差により電流密度が異なる。電流密度の差に起因してするビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００６４】
磁気記憶装置１１２〜１１４においても、動作の安定性を向上できる磁気記憶装置を提供できる。
【００６５】
磁気記憶装置１１１〜１１４において、第１径ｄ１及び第２径ｄ２のそれぞれは、例えば、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。このような場合に、例えば、高い記憶密度が得られる。このような場合に、例えば、十分な電流密度が得られる。このような場合に、例えば、十分な磁気的な安定性が得られる。第１距離ｚ１及び第２距離ｚ２のそれぞれは、例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。このような場合に、例えば、安定した記憶動作が得易くなる。このような場合に、例えば、高い記録密度が得易くなる。
【００６６】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図６（ａ）は、図６（ａ）及び図６（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ３−Ａ４線断面図である。図６（ｃ）は、図６（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。これらの図において、制御部７０（図１（ｄ）参照）は、省略されている。
【００６７】
図６（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１１５においても第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１５においては、第１磁性部１０は、第１方向（Ｚ軸方向）に延びる柱状（実質的な円柱状）である。磁気記憶装置１１５におけるこれ例外の構成は、例えば磁気記憶装置１１０と同様である。以下、磁気記憶装置１１５における第１磁性部１０の例について説明する。
【００６８】
磁気記憶装置１１５において、第１磁性部１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。既に説明したように、第１面１０ａは、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する第２方向における複数の底部１０ｄと、この第２方向における複数の頂部１０ｐと、を含む。この場合も、複数の底部１０ｄ及び複数の頂部１０ｐは、第１方向において交互に並ぶ。複数の底部１０ｄは、上記の第１〜第４底部１１〜１４を含む。複数の頂部１０ｐは、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。
【００６９】
第２面１０ｂから第１面１０ａに向かう方向は、上記の第２方向（Ｚ軸方向と交差する方向）に沿っている。図６（ａ）〜図６（ｃ）に示す断面では、第２方向は、Ｘ軸方向に対応する。
【００７０】
第２面１０ｂは、第１裏面位置２１ｐと、第２裏面位置２２ｐと、を有する。第１裏面位置２１ｐから第１頂部２１に向かう方向は、第２方向に対して平行である。第２裏面位置２２ｐから第２頂部２２に向かう方向は、第２方向に対して平行である。
【００７１】
第１裏面位置２１ｐと第１頂部２１との間の第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う長さを第１長さＬ１とする。第２裏面位置２２ｐと第２頂部２２との間の第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う長さを第２長さＬ２とする。これらの長さは、第１磁性部１０の幅（例えばＸ軸方向の幅）に対応する。
【００７２】
磁気記憶装置１１５においては、第１長さＬ１は、第２長さＬ２よりも短い。すなわち、第１頂部２１における幅は、第２頂部２２における幅よりも狭い。このような場合において、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。
【００７３】
図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、第１頂部２１における断面積（第１平面ＰＬ１における断面積）は、第２頂部２２における断面積（第２平面ＰＬ２における断面積）よりも小さい。このような断面積の差により、電流密度に差が生じる。このとき、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２とは異ならせることで、電流密度の差に起因してするビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００７４】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式図である。  
図７（ａ）は、斜視図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ３−Ａ４線断面図である。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。これらの図において、制御部７０（図１（ｄ）参照）は、省略されている。
【００７５】
図７（ｃ）に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置１１６においても第１磁性部１０及び書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）が設けられる。磁気記憶装置１１６においては、第１磁性部１０は、第１方向（Ｚ軸方向）に延びる柱状（実質的な多角柱状）である。磁気記憶装置１１６におけるこれ例外の構成は、例えば磁気記憶装置１１５と同様である。
【００７６】
磁気記憶装置１１６においても、第１磁性部１０は、第１面１０ａ及び第２面１０ｂを含む。第１長さＬ１は、第２長さＬ２よりも短い。第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。
【００７７】
図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、第１頂部２１における断面積（第１平面ＰＬ１における断面積）は、第２頂部２２における断面積（第２平面ＰＬ２における断面積）よりも小さい。このような断面積の差により、電流密度に差が生じる。このとき、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２とは異ならせることで、電流密度の差に起因してするビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００７８】
磁気記憶装置１１５及び１１６においても、動作の安定性を向上できる磁気記憶装置を提供できる。
【００７９】
上記の磁気記憶装置１１０〜１１６においては、基体５０ｓが設けられている。第１方向（Ｚ軸方向）において、第１頂部２１は、第２頂部２２と基体５０ｓとの間に位置する。このとき、第１距離ｚ１は、第２距離ｚ２よりも長い。
【００８０】
後述するように、例えば、基体５０ｓの上に、絶縁部が設けられ、この絶縁部にＺ軸方向に延びる孔が設けられる。孔の側壁に磁性膜を形成することで、第１磁性部１０が形成される。
【００８１】
孔の形成において、例えば、基体５０ｓに近い位置（孔の底部）における孔の径は、基体５０ｓから遠い位置（孔の開口部）における孔の径よりも小さくなる場合がある。このため、孔の側壁に形成された磁性膜の径がＺ軸方向において変化する場合がある。このような場合に、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２よりも長くする。これにより、孔の径の変化に起因して第１磁性部１０の断面積に変化が生じる場合がある。このような場合においても、シフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００８２】
例えば、孔の側壁に上記の磁性膜を形成する際に、基体５０ｓに近い位置（孔の底部）における磁性膜の厚さが、基体５０ｓから遠い位置（孔の開口部）における磁性膜の厚さよりも薄くなる場合がある。このような場合に、第１距離ｚ１を第２距離ｚ２よりも長くする。これにより、磁性膜の厚さの変化に起因して第１磁性部１０の断面積に変化が生じる場合がある。このような場合においても、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【００８３】
図８は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図８においては、制御部７０（図１（ｄ）参照）が省略されている。  
図８に示すように、本実施形態に係る別の磁気記憶装置１２０においては、第１磁性部１０と、第１絶縁部６０と、が設けられる。例えば、書き込み読み出し部４０（第１磁性層４１及び第１非磁性層４１ｎ）、第１導電層５１、第２導電層５２及び基体５０ｓがさらに設けられている。既に説明したように、第１非磁性層４１ｎは、第１磁性部１０の一部と第１磁性層４１との間に設けられる。基体５０ｓの上に、第１導電層５１及び絶縁膜６０Ｘが設けられる。絶縁膜６０Ｘは省略されても良い。
【００８４】
制御部７０は、例えば、第１部分ｐ１から第２部分ｐ２に向かう第１電流Ｉ１（図１（ａ）参照）、または、第２部分ｐ２から第１部分ｐ１に向かう第２電流Ｉ２（図１（ａ）参照）を、第１磁性部１０に供給する。第１磁性部１０に含まれる磁化情報（例えば磁化の状態）は、これらの電流に応じて第１方向（Ｚ軸方向）に沿って移動する。例えば、磁壁が移動する。
【００８５】
第１磁性部１０から第１絶縁部６０に向かう第２方向は、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する。図８に示す断面図では、第２方向は、Ｘ軸方向に対応する。
【００８６】
第１絶縁部６０は、複数の第１膜６０ａ、及び、複数の第２膜６０ｂを含む。複数の第１膜６０ａ、及び、複数の第２膜６０ｂは、Ｚ軸方向に沿って交互に並ぶ。複数の第１膜６０ａの材料は、複数の第２膜６０ｂの材料とは異なる。
【００８７】
第１絶縁部６０は、第１〜第６絶縁層６１〜６６を含む。この例では、第１〜第４絶縁層６１〜６４は、複数の第１膜６０ａのいずれかに対応する。この例では、第５絶縁層６５及び第６絶縁層６６は、複数の第２膜６０ｂのいずれかに対応する。
【００８８】
第５絶縁層６５は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１絶縁層６１と第２絶縁層６２との間に位置する。第５絶縁層６５は、第１絶縁層６１及び第２絶縁層６２と接する。
【００８９】
第３絶縁層６３から第１絶縁層６１に向かう方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿っている。
【００９０】
第６絶縁層６６は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第３絶縁層６３と第４絶縁層６４との間に位置する。第６絶縁層６６は、第３絶縁層６３及び第４絶縁層６４と接する。
【００９１】
この例では、第２絶縁層６２は、第１絶縁層６１と第３絶縁層６３との間に位置する。第１絶縁層６１が、第２絶縁層６２と第３絶縁層６３との間に位置しても良い。この例では、第３絶縁層６３は、第２絶縁層６２と第４絶縁層６４との間に位置する。第４絶縁層６４が、第２絶縁層６２と第３絶縁層６３との間に位置しても良い。
【００９２】
第５絶縁層６５及び第６絶縁層６６の材料は、第１〜第４絶縁層６１〜６４の材料とは異なる。
【００９３】
磁気記憶装置１２０においては、第５絶縁層６５の第１方向（Ｚ軸方向）に沿う第１厚さｔ６５は、第６絶縁層６６の第１方向に沿う第２厚さｔ６６とは異なる。
【００９４】
後述するように、第１磁性部１０の１つの製造方法において、上記の第１絶縁部６０に孔が形成される。第１絶縁部６０には、複数の第１膜６０ａ及び複数の第２膜６０ｂが含まれる。複数の第１膜６０ａの材料が複数の第２膜６０ｂの材料とは異なるため、これらの２種類の膜において、エッチング速度が互いに異なる。このため、孔の側壁に凹凸が形成される。この凹凸の表面に磁性膜を形成することで、第１磁性部１０が形成される。これにより、例えば、第１磁性部１０の第１面１０ａ（外側の側面）に、複数の底部１０ｄと複数の頂部１０ｐとが形成される。
【００９５】
この例では、複数の第１膜６０ａは、複数の底部１０ｄに対向する。複数の第２膜６０ｂは、複数の頂部１０ｐに対向する。例えば、複数の第１膜６０ａのエッチング速度が、複数の第２膜６０ｂのエッチング速度よりも低い（遅い）ときに、このような構造が形成される。
【００９６】
実施形態においては、第５絶縁層６５の第１厚さｔ６５と、第６絶縁層６６の第２厚さｔ６６とが、互いに異なる。これにより、例えば、複数の底部１０ｄどうしのＺ軸方向に沿う距離が互いに異なる。
【００９７】
例えば、第１磁性部１０は、第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、第１絶縁部６０と対向する。第１面１０ａは、第１〜第４底部１１〜１４、及び、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。第１底部１１から第１絶縁層６１に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第２底部１２から第２絶縁層６２に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第３底部１３から第３絶縁層６３に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第４底部１４から第４絶縁層６４に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第１頂部２１から第５絶縁層６５に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。第２頂部２２から第６絶縁層６６に向かう方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。
【００９８】
この場合に、第１厚さｔ６５は、第２厚さｔ６６よりも厚い。この場合、例えば、第１底部１１と第２底部１２との間の距離（例えば第１距離ｚ１、図１（ｄ）参照）が、第３底部１３と第４底部１４との間の距離（例えば第２距離ｚ２、図１（ｄ）参照）よりも長くなる。
【００９９】
磁気記憶装置１２０において、例えば、第１径ｄ１は、第２径ｄ２よりも小さい。第１磁性部１０において、第５絶縁層６５に対応する部分の第１断面積が、第６絶縁層６６に対応する部分の第２面積よりも小さくなる場合がある。これにより、電流密度が不均一になる場合がある。このとき、第１厚さｔ６５を第２厚さｔ６６よりも厚くする。これにより、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【０１００】
図９は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図９においては、制御部７０（図１（ｄ）参照）が省略されている。  
図９に示すように、本実施形態に係る別の磁気記憶装置１２１においても、第１磁性部１０と、第１絶縁部６０と、が設けられる。磁気記憶装置１２１においては、第１磁性部１０の第１面１０ａの形状が、磁気記憶装置１２０におけるそれとは異なる。磁気記憶装置１２１におけるこれ以外の構成は、磁気記憶装置１２０と同様である。
【０１０１】
磁気記憶装置１２１においては、第１面１０ａの凹凸は、繰り返し、波状に変化する。磁気記憶装置１２１においても、第１面１０ａは、第１〜第４底部１１〜１４、及び、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。第１厚さｔ６５は、第２厚さｔ６６よりも厚い。これにより、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【０１０２】
磁気記憶装置１２０及び１２１においては、複数の第１膜６０ａのそれぞれの厚さは、複数の第２膜６０ｂのそれぞれの厚さよりも薄い。
【０１０３】
図１０は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図１０においては、制御部７０（図１（ｄ）参照）が省略されている。  
図１０に示すように、本実施形態に係る別の磁気記憶装置１２２においても、第１磁性部１０と、第１絶縁部６０と、が設けられる。第１絶縁部６０は、複数の第１膜６０ａと、複数の第２膜６０ｂと、を含む。
【０１０４】
第１絶縁部６０は、第１〜第６絶縁層６１〜６６を含む。この例では、第１〜第４絶縁層６１〜６４は、複数の第２膜６０ｂのいずれかに対応する。この例では、第５絶縁層６５及び第６絶縁層６６は、複数の第１膜６０ａのいずれかに対応する。
【０１０５】
第１磁性部１０は、第１絶縁部６０と対向する第１面１０ａを有する。第１面１０ａは、第１〜第４頂部２１〜２４、及び、第１底部１１及び第２底部１２を含む。
【０１０６】
第１頂部２１から第１絶縁層６１に向かう方向、第２頂部２２から第２絶縁層６２に向かう方向、第３頂部２３から第３絶縁層６４に向かう方向、第４頂部２４から第４絶縁層６４に向かう方向は、第２方向（図１０の例ではＸ軸方向）に沿う。第１底部１１から第５絶縁層６５に向かう方向、及び、第２底部１２から第６絶縁層６６に向かう方向は、第２方向（図１０の例ではＸ軸方向）に沿う。
【０１０７】
磁気記憶装置１２２においては、第５絶縁層６５の第１方向（Ｚ軸方向）に沿う第１厚さｔ６５は、第６絶縁層６６の第１方向に沿う第２厚さｔ６６よりも厚い。
【０１０８】
磁気記憶装置１２２においても、少なくとも２つ絶縁層の厚さ（第５絶縁層６５の厚さ及び第６絶縁層６６の厚さ）が互いに異なる。
【０１０９】
磁気記憶装置１２２において、例えば、第１径ｄ１は、第２径ｄ２よりも小さい。第１磁性部１０において、第５絶縁層６５に対応する部分の第１断面積が、第６絶縁層６６に対応する部分の第２面積よりも小さくなる場合がある。第１厚さｔ６５が第２厚さｔ６６よりも厚いことで、例えば、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【０１１０】
磁気記憶装置１２０〜１２２において、第１膜６０ａは、例えば、酸化シリコンを含む。第２膜６０ｂは、例えば、窒化シリコンを含む。第１膜６０ａが窒化シリコンを含み、第２膜６０ｂが酸化シリコンを含んでも良い。第１絶縁部６０の加工に用いられるエッチャントに応じて、これらの膜の材料が、選択される。
【０１１１】
上記の磁気記憶装置１２０〜１２２においては、基体５０ｓが設けられている。第１方向（Ｚ軸方向）において、第５絶縁層６５は、第６絶縁層６６と基体５０ｓとの間に位置する。上記の第１厚さｔ６５は、上記の第２厚さｔ６６よりも長い。例えば、基体５０ｓに近い部分における絶縁層の厚さが、基体５０ｓから遠い部分における絶縁層の厚さよりも厚くされる。既に説明したように、孔の形成において、例えば、基体５０ｓに近い位置（孔の底部）における孔の径が、基体５０ｓから遠い位置（孔の開口部）における孔の径よりも小さくなる場合がある。例えば、孔の側壁に磁性膜を形成する際に、基体５０ｓに近い位置（孔の底部）における磁性膜の厚さが、基体５０ｓから遠い位置（孔の開口部）における磁性膜の厚さよりも薄くなる場合がある。このような場合に、第１厚さｔ６５を第２厚さｔ６５よりも厚くする。これにより、磁性膜の厚さの変化に起因して第１磁性部１０の断面積に変化が生じる場合がある。このような場合においても、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。
【０１１２】
図１１は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的断面図である。  
図１１においては、制御部７０（図１（ｄ）参照）が省略されている。  
図１１に示すように、磁気記憶装置１３０において、第１磁性部１０は、複数の構造部１０Ｐを含む。複数の構造部１０Ｐは、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って並ぶ。複数の構造部１０Ｐのそれぞれにおいて、上記の第１〜第４底部１１〜１４、第１頂部２１及び第２頂部２２（図１（ｄ）などを参照）が設けられる。例えば、複数の構造部１０Ｐの少なくとも１つは、第１〜第４底部１１〜１４、第１頂部２１及び第２頂部２２を含む。
【０１１３】
例えば、基体５０ｓの上に、絶縁部が設けられ、この絶縁部にＺ軸方向に延びる孔が設けられ、孔の側壁に磁性膜を形成することで、１つの構造部１０Ｐが形成される。このような工程を複数回繰り返し実施することで、複数の構造部１０Ｐが形成できる。複数の構造部１０Ｐにより、第１磁性部１０の長さが長くできる。
【０１１４】
磁気記憶装置１３０において、第１磁性部１０に設けられる複数の構造部１０Ｐの少なくとも１つが、第１〜第４底部１１〜１４、第１頂部２１及び第２頂部２２を含み、第１距離ｚ１が第２距離ｚ２とは異なる。これにより、例えば、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。動作の安定性を向上できる。
【０１１５】
上記の実施形態において、第１磁性部１０は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性部１０は、希土類元素の少なくとも１つを含んでも良い。例えば、第１磁性部１０は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅからなる群から選択された少なくとも１つと、希土類元素の少なくとも１つと、を含んでも良い。
【０１１６】
第１磁性層４１は、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性層４１は、例えば、積層された複数の磁性膜を含んでも良い。第１磁性層４１は、反強磁性結合した複数の磁性膜を含んでも良い。
【０１１７】
第１非磁性層４１ｎは、例えば、例えば、ＭｇＯ、ＭｇＡｌＯ及びＡｌＯからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層４１ｎは、これらの材料を含む複数の膜を含む積層膜を含んでも良い。第１非磁性層４１ｎは、他の非磁性金属を更に含んでも良い。
【０１１８】
コア絶縁部５５は、例えば、酸化シリコン（例えばＳｉＯ２）、及び、酸化アルミニウム（例えばＡｌ２Ｏ３など）からなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【０１１９】
第１導電層５１及び第２導電層５２のそれぞれの少なくとも一部は、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。
【０１２０】
第１導電層５１及び第２導電層５２の少なくともいずれかは、磁性体を含んでも良い。
【０１２１】
図１２は、第１実施形態に係る別の磁気記憶装置を例示する模式的斜視図である。  
図１２においては、制御部７０（図１（ｄ）参照）が省略されている。
【０１２２】
図１２に示すように、磁気記憶装置１４０は、複数の磁性部１０Ｘを含む。第１磁性部１０は、複数の磁性部１０Ｘの１つである。複数の磁性部１０は、例えば、第１磁性部１０、及び、磁性部１０Ａ〜１０Ｅなどを含む。複数の磁性部１０Ｘのそれぞれは、第１方向（例えば、Ｚ軸方向）に沿って延びる。例えば、複数の磁性部１０Ｘは、互いに平行である。複数の磁性部１０Ｘは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に沿って並ぶ。複数の磁性部１０Ｘは、例えば、マトリクス状に並ぶ。
【０１２３】
この例では、１つの第１導電層５１が設けられている。第１導電層５１は、複数の磁性部１０Ｘのそれぞれの一部（例えば、端部）と電気的に接続される。複数の磁性部１０Ｘのそれぞれに第２導電層５２〜５２Ｅが設けられる。複数の磁性部１０Ｘのそれぞれに書き込み読み出し部４０〜４０Ｅが設けられる。
【０１２４】
例えば、複数の磁性部１０Ｘのそれぞれ（例えば、第１磁性部１０）に電流（第１電流Ｉ１または第２電流Ｉ２）が供給される。この電流は、制御部７０（図１（ｄ）参照）から供給される。例えば、制御部７０と、複数の第２導電層５２、５２Ａ〜５２Ｅのそれぞれと、の間にスイッチが設けられ、電流の供給が制御される。
【０１２５】
例えば、電流に応じて、第１磁性部１０に記憶された磁化情報（”１”及び”０”など）がＺ軸方向に沿ってシフトする。
【０１２６】
磁気記憶装置１４０において、例えば、第１距離ｚ１及び第２距離ｚ２（図１（ｄ）参照）が互いに異なる。例えば、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。動作の安定性を向上できる。
【０１２７】
磁気記憶装置１４０において、第１絶縁部６０（図８参照）が設けられても良い。この場合、第１厚さｔ６５及び第２厚さｔ６６が互いに異なっても良い。例えば、ビットシフト速度の差によって生じるエラーを抑制できる。動作の安定性を向上できる。
【０１２８】
（第２実施形態）  
本実施形態は、磁気記憶装置の製造方法に係る。  
図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１３（ａ）に示すように、第１絶縁部６０が用意される。この例では、基体５０ｓの一部の上に、第１導電層５１が設けられる。第１導電層５１の上、及び、基体５０ｓの上に、第１絶縁部６０が設けられる。第１絶縁部６０は、例えば、金属酸化物、金属窒化物及び金属酸窒化物からなる群から選択された少なくとも１つを含む。この金属は、例えば、シリコン及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１絶縁部６０は、例えば、酸化シリコンを含む。
【０１２９】
図１３（ｂ）に示すように、第１絶縁部６０の上面６０Ｕから、孔６０Ｈを形成する。孔６０Ｈの形成において、例えば、エッチングと、保護膜の形成とを含む処理が複数回繰り返される。これにより、第１絶縁部６０にアスペクト比の高い孔６０Ｈが形成できる。
【０１３０】
実施形態においては、基体５０ｓに近い遠い位置における処理におけるエッチングの深さが、基体５０ｓから遠い位置における処理におけるエッチングの深さよりも深くされる。
【０１３１】
すなわち、実施形態において、第１絶縁部６０に第１方向（Ｚ軸方向）に延びる孔６０Ｈを形成する工程が実施される。孔６０Ｈの側面には、Ｚ軸方向に沿って並ぶ凹凸が形成される。
【０１３２】
図１３（ｃ）に示すように、孔６０Ｈの側壁に磁性膜１０ｆを形成して第１磁性部１０を形成する。この例では、孔６０Ｈの残余の空間にコア絶縁部５５を形成する。コア絶縁部５５の形成を省略しても良い。
【０１３３】
図１３（ｄ）に示すように、第２導電層５２、及び、書き込み読み出し部４０を形成する。さらに、層間絶縁層５７及び配線５８を形成する。これにより、例えば、磁気記憶装置１１０が製造される。
【０１３４】
例えば、孔６０Ｈの径が、基体５０ｓに近い領域では小さく、基体５０ｓから遠い領域では大きくなる場合がある。磁性膜１０ｆの厚さが、基体５０ｓに近い領域では薄く、基体５０ｓから遠い領域では厚くなる場合がある。このような場合に、孔６０Ｈの凹凸の幅（Ｚ軸方向に沿った長さ）を変更する。
【０１３５】
以下、凹凸の幅の変更の例について説明する。例えば、孔６０Ｈを形成する工程は、第１処理と、第２処理と、を含む。第２処理は、第１処理の後に実施される。第１処理は、基体５０ｓから遠い位置における処理に対応する。第２処理は、基体５０ｓに近い位置における処理に対応する。
【０１３６】
図１４（ａ）〜図１４（ｆ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１４（ａ）〜図１４（ｃ）は、第１処理を例示している。図１４（ｄ）〜図１４（ｆ）は、第２処理を例示している。
【０１３７】
図１４（ａ）に示すように、第１絶縁部６０の上面６０ＵにマスクＭ１が形成される。マスクＭ１は、開口部ＭＯ１を有する。マスクＭ１を用いて、エッチング（ドライエッチング）により、孔６０Ｈの一部を形成する。第１絶縁部６０が酸化シリコンを含む場合、例えば、ＳＦ６を用いたエッチング（例えば等方性エッチング）が行われる。
【０１３８】
図１４（ｂ）に示すように、エッチングの後に、孔６０Ｈの内側に保護膜６８を形成する。保護膜６８の形成においては、例えば、Ｃ４Ｆ８ガスを用いた処理が行われる。保護膜６８により、孔６０Ｈの側面が保護される。
【０１３９】
図１４（ｃ）に示すように、例えば異方性エッチングが行われる。孔６０Ｈの底部の保護膜６８が除去され、孔６０Ｈの側面の保護膜６８は、残る。この後、上記の等方性エッチング、保護膜６８の形成、及び、異方性エッチングを含む処理が繰り返される。これにより、孔６０Ｈを掘り続けることができる。
【０１４０】
このように、第１処理は、第１絶縁部６０の第１除去部分６７Ａを第１エッチングにより除去する工程（図１４（ａ））を含む。第１処理は、第１エッチングの後に第１保護膜６８ａを形成する工程（図１４（ｂ））をさらに含む。第１処理は、第１保護膜６８ａの一部を除去して露出した第１絶縁部６０の第２除去部分６７Ｂを第２エッチングにより除去する工程（図１４（ｃ））をさらに含む。
【０１４１】
第１エッチングにより除去される第１除去部分６７Ａの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う厚さを第１除去厚Ｄ１とする。第２エッチングにより除去される第２除去部分６７Ｂの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う厚さを第２除去厚Ｄ２とする。第１処理により掘られた厚さは、第１除去厚Ｄ１と第２除去厚Ｄ２との和である。
【０１４２】
図１４（ｄ）に示すように、第１絶縁部６０の孔６０Ｈに、例えば、ＳＦ６を用いたエッチング（例えば等方性エッチング）が行われる。
【０１４３】
図１４（ｅ）に示すように、エッチングの後に、孔６０Ｈの内側に保護膜６８を形成する。例えば、Ｃ４Ｆ８ガスを用いた処理が行われる。
【０１４４】
図１４（ｆ）に示すように、例えば異方性エッチングが行われる。孔６０Ｈの底部の保護膜６８が除去され、孔６０Ｈの側面の保護膜６８は、残る。
【０１４５】
このように、第２処理は、第１処理の後に、第１絶縁部６０の第３除去部分６７Ｃを第３エッチングにより除去する工程（図１４（ｃ）と、第３エッチングの後に第２保護膜６８ｂを形成する工程（図１４（ｅ）と、第２保護膜６８ｂの一部を除去して露出した第１絶縁部６０の第４除去部分６７Ｄを第４エッチングにより除去する工程（図１４（ｆ）と、を含む。
【０１４６】
第３エッチングにより除去される第３除去部分６７Ｃの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う厚さを第３除去厚Ｄ３とする。第４エッチングにより除去される第４除去部分６７Ｄの第１方向（Ｚ軸方向）に沿う厚さを第４除去厚Ｄ４とする。第２処理により掘られた厚さは、第３除去厚Ｄ３と第４除去厚Ｄ４との和である。
【０１４７】
実施形態においては、第３除去部分６７Ｃ及び第４除去部分６７Ｄの第１方向に沿う厚さ（第３除去厚Ｄ３と第４除去厚Ｄ４との和）は、第１除去部分６７Ａ及び第２除去部分６７Ｂの第１方向に沿う厚さ（第１除去厚Ｄ１と第２除去厚Ｄ２との和）よりも厚い。
【０１４８】
例えば、第３エッチング及び第４エッチングの少なくともいずれかにおける時間を第１エッチング及び第２エッチングの少なくともいずれかにおける時間よりも長くする。第３エッチング及び第４エッチングの少なくともいずれかにおけるパワーを第１エッチング及び第２エッチングの少なくともいずれかにおけるパワーよりも長くする。これらの組み合わせを実施しても良い。
【０１４９】
これにより、孔６０Ｈの側面に形成されるＺ軸方向に沿って並ぶ凹凸の幅（Ｚ軸方向に沿った距離）が変更できる。
【０１５０】
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記憶装置の別の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１５（ａ）に示すように、基体５０ｓは、面５０ｓａを有している。面の上に、第１絶縁部６０を形成する。第１絶縁部６０は、複数の第１膜６０ａと、複数の第２膜６０ｂと、を含む。複数の第１膜６０ａ及び複数の第２膜６０ｂは、面５０ｓａと交差する第１方向（Ｚ軸方向）に交互に並ぶ。複数の第１膜６０ａの材料は、複数の第２膜６０ｂの材料とは異なる。
【０１５１】
例えば、複数の第１膜６０ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、基体５０ｓに近い部分では厚く、基体５０ｓから遠い部分では厚くされる。複数の第１膜６０ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って変化する。
【０１５２】
複数の第１膜６０ａは、第１層６９Ａ及び第２層６９Ｂを含む。第２層６９Ｂと面５０ｓａとの間に、第１層６９Ａが位置する。
【０１５３】
第１層６９Ａの第１方向の厚さｔａは、第２層６９Ｂの厚さｔｂよりも厚い。
【０１５４】
図１５（ｂ）に示すように、第１絶縁部６０に第１方向（Ｚ軸方向）に延びる孔６０Ｈを形成する。例えば、エッチングが行われる。複数の第１膜６０ａの材料が複数の第２膜６０ｂの材料とは異なるため、エッチング速度に差が生じる。これにより、孔６０Ｈの側壁に凹凸が形成される。複数の第１膜６０ａの厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿って変化するため、厚さの差に応じて、凹凸の幅（Ｚ軸方向に沿った長さ）に変化が生じる。
【０１５５】
この後、孔６０Ｈの側壁に磁性膜１０ｆ（図１３（ｃ）参照）を形成して第１磁性部１０（図１３（ｃ）参照）を形成する。
【０１５６】
これにより、例えば、磁気記憶装置１２０などが製造できる。
【０１５７】
本実施形態に係る磁気記憶装置の製造方法によれば、動作の安定性を向上できる磁気記憶装置を製造できる。
【０１５８】
実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）  
第１方向に延びる第１磁性部と、
第１磁性層と、
前記第１磁性部の一部と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を備え、
前記第１磁性部は、第１面を有し、
前記第１面は、
複数の底部と、
複数の頂部と、を含み、
前記複数の底部と、前記複数の頂部と、は、前記第１方向において、交互に並び、
前記複数の底部は、
第１底部と、
前記第１方向において前記第１底部の隣の第２底部と、
第３底部と、
前記第１方向において前記第３底部の隣の第４底部と、
を含み、
前記複数の頂部は、
前記第１底部と前記第２底部との間に位置する第１頂部と、
前記第３底部と前記第４底部との間に位置する第２頂部と、
を含み、
前記第１底部と前記第２底部との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第３底部と前記第４底部との間の前記第１方向に沿う第２距離とは異なる、磁気記憶装置。
（構成２）  
前記第１方向に対して垂直で前記第１頂部を通る第１平面で前記第１磁性部を切断した第１断面積は、前記第１方向に対して垂直で前記第２頂部を通る第２平面で前記第１磁性部を切断した第２断面積よりも小さく、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、構成１記載の磁気記憶装置。
（構成３）  
前記第１断面積と前記第１距離との第１積は、前記第２断面積と前記第２距離との第２積の０．８倍以上１．２倍以下である、構成２記載の磁気記録媒体。
（構成４）  
前記第１磁性部は、第２面をさらに含み、
前記第２面から前記第１面に向かう方向は、前記第１方向と交差する第２方向に沿い、
前記第２面は、第１裏面位置と、第２裏面位置と、を有し、
前記第１裏面位置から前記第１頂部に向かう方向は前記第２方向に対して平行で、
前記第２裏面位置から前記第２頂部に向かう方向は前記第２方向に対して平行で、
前記第１裏面位置と前記第１頂部との間の前記第２方向に沿う第１長さは、前記第２裏面位置と前記第２頂部との間の前記第２方向に沿う第２長さよりも短く、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、構成１記載の磁気記憶装置。
（構成５）  
前記第１方向に対して垂直で前記第１頂部を通る第１平面で前記第１磁性部を切断した第１径は、前記第１方向に対して垂直で前記第２頂部を通る第２平面で前記第１磁性部を切断した第２径よりも小さく、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、構成１記載の磁気記憶装置。
（構成６）  
前記第１径及び前記第２径のそれぞれは、１００ｎｍ以下であり、
前記第１距離及び前記第２距離のそれぞれは、１００ｎｍ以下である、構成５記載の磁気記憶装置。
（構成７）  
前記第１磁性部は、前記第１方向に延びる管状である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成８）  
基体をさらに備え、
前記第１方向において、前記第１頂部は、前記第２頂部と前記基体との間に位置し、
前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、構成１記載の磁気記憶装置。
（構成９）  
前記第１磁性部は、前記第１方向に沿って並ぶ複数の構造部を含み、
前記複数の構造部の少なくとも１つは、前記第１〜第４底部、前記第１頂部及び前記第２頂部を含む、構成１〜８のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１０）  
第１方向に延びる第１磁性部と、
第１絶縁部と、
を備え、
前記第１磁性部から前記第１絶縁部に向かう第２方向は、前記第１方向と交差し、
前記第１絶縁部は、第１〜第６絶縁層を含み、
前記第５絶縁層は、前記第１方向において前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に位置し、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層と接し、
前記第３絶縁層から前記第１絶縁層に向かう方向は前記第１方向に沿い、
前記第６絶縁層は、前記第１方向において前記第３絶縁層と前記第４絶縁層との間に位置し、前記第３絶縁層及び前記第４絶縁層と接し、
前記第５絶縁層及び前記第６絶縁層の材料は、前記第１〜第４絶縁層の材料とは異なり、
前記第５絶縁層の前記第１方向に沿う第１厚さは、前記第６絶縁層の前記第１方向に沿う第２厚さとは異なる、磁気記憶装置。
（構成１１）  
前記第１磁性部は、前記第１絶縁部と対向する第１面を有し、
前記第１面は、第１〜第４底部、及び、第１頂部及び第２頂部を含み、
前記第１底部から前記第１絶縁層に向かう方向、前記第２底部から前記第２絶縁層に向かう方向、前記第３底部から前記第３絶縁層に向かう方向、前記第４底部から前記第４絶縁層に向かう方向、前記第１頂部から前記第５絶縁層に向かう方向、及び、前記第２頂部から前記第６絶縁層に向かう方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、構成１０記載の磁気記憶装置。
（構成１２）  
前記第１磁性部は、前記第１絶縁部と対向する第１面を有し、
前記第１面は、第１〜第４頂部、及び、第１底部及び第２底部を含み、
前記第１頂部から前記第１絶縁層に向かう方向、前記第２頂部から前記第２絶縁層に向かう方向、前記第３頂部から前記第３絶縁層に向かう方向、前記第４頂部から前記第４絶縁層に向かう方向、前記第１底部から前記第５絶縁層に向かう方向、及び、前記第２底部から前記第６絶縁層に向かう方向は、前記第２方向に沿い、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、構成１０記載の磁気記憶装置。
（構成１３）  
基体をさらに備え、
前記第１方向において、前記第５絶縁層は、前記第６絶縁層と前記基体との間に位置し、
前記第１厚さは、前記第２厚さよりも厚い、構成１０〜１２のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１４）  
第１磁性層と、
前記第１磁性部の一部と前記第１磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
をさらに備えた構成１０〜１３のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１５）  
制御部をさらに備え、
前記第１磁性部は、第１部分と第２部分とを含み、
前記第１部分から前記第２部分に向かう方向は、前記第１方向に沿い、
前記制御部は、前記第１部分から前記第２部分に向かう第１電流を前記第１磁性部に供給し、
前記第１磁性部に含まれる磁化情報は、前記第１電流に応じて前記第１方向に沿って移動する、構成１〜１４のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１６）  
前記第１磁性部は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＦｅからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１〜１５のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１７）  
前記第１磁性部は、希土類元素の少なくとも１つを含む、構成１〜１６のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１８）  
前記第１磁性部の少なくとも一部における磁化は、前記第１方向と交差する、構成１〜１７のいずれか１つに記載の磁気記憶装置。
（構成１９）  
第１処理と、前記第１処理の後の第２処理と、を実施して第１絶縁部に第１方向に延びる孔を形成する工程であって、
前記第１処理は、
前記第１絶縁部の第１除去部分を第１エッチングにより除去する工程と、
前記第１エッチングの後に第１保護膜を形成する工程と、
前記第１保護膜の一部を除去して露出した前記第１絶縁部の第２除去部分を第２エッチングにより除去する工程と、
を含み、
前記第２処理は、
前記第１処理の後に前記第１絶縁部の第３除去部分を第３エッチングにより除去する工程と、
前記第３エッチングの後に第２保護膜を形成する工程と、
前記第２保護膜の一部を除去して露出した前記第１絶縁部の第４除去部分を第４エッチングにより除去する工程と、
を含み、
前記第３除去部分及び前記第４除去部分の前記第１方向に沿う厚さは、前記第１除去部分及び前記第２除去部分の前記第１方向に沿う厚さよりも厚い、前記孔を形成する前記工程と、
前記孔の側壁に磁性膜を形成して第１磁性部を形成する工程と、
を備えた磁気記憶装置の製造方法。
（構成２０）  
面を有する基体の前記面の上に第１絶縁部を形成する工程であって、前記第１絶縁部は、複数の第１膜と、複数の第２膜と、を含み、前記複数の第１膜及び前記複数の第２膜は、前記面と交差する第１方向に交互に並び、前記複数の第１膜の材料は、前記複数の第２膜の材料とは異なり、前記複数の第１膜は、第１層及び第２層を含み、前記第２層と前記面との間に前記第１層が位置し、前記第１層の前記第１方向の厚さは前記第２層の厚さよりも厚い、前記第１絶縁部を形成する前記工程と、
前記第１絶縁部に前記第１方向に延びる孔を形成し、
前記孔の側壁に磁性膜を形成して第１磁性部を形成する工程と、
を備えた磁気記憶装置の製造方法。
【０１５９】
実施形態によれば、動作の安定性を向上できる磁気記憶装置及びその製造方法が提供できる。
【０１６０】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１６１】
本願明細書において、電気的に接続される状態は、第１導体と第２導体とが互いに接する状態を含む。電気的に接続される状態は、第１導体と第２導体との間の電流経路に第３導体が設けられ、この電流経路に電流が流れる状態を含む。電気的に接続される状態は、第１導体と第２導体との間の電流経路にスイッチなどの制御素子が設けられ、制御素子の動作により、電流経路に電流が流れる状態を形成可能である状態を含む。
【０１６２】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記憶装置に含まれる磁性部、磁性層、非磁性層、導電層、絶縁部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１６３】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１６４】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記憶装置及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記憶装置及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１６５】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１６６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１６７】
１０…第１磁性部、  １０Ａ〜１０Ｅ…磁性部、  １０Ｐ…構造部、  １０Ｘ…磁性部、  １０ａ…第１面、  １０ｂ…第２面、  １０ｄ…底部、  １０ｆ…磁性膜、  １０ｐ…頂部、  １１〜１４…第１〜第４底部、  ２１〜２４…第１〜第４頂部、  ２１Ｍ…第１磁化、  ２１ｐ…第１裏面位置、  ２２Ｍ…第２磁化、  ２２ｐ…第２裏面位置、  ４０…書き込み読み出し部、  ４０Ａ〜４０Ｅ…書き込み読み出し部、  ４１…第１磁性層、  ４１ｎ…第１非磁性層、  ５０ｓ…基体、  ５０ｓａ…面、  ５１…第１導電層、  ５２…第２導電層、  ５２Ａ〜５２Ｅ…第２導電層、  ５５…コア絶縁部、  ５７…層間絶縁層、  ５８…配線、  ６０…第１絶縁部、  ６０Ｈ…孔、  ６０Ｕ…上面、  ６０Ｘ…絶縁膜、  ６０ａ、６０ｂ…第１、第２膜、  ６１〜６６…第１〜第６絶縁層、  ６７Ａ〜６７Ｄ…第１〜第４除去部分、  ６８…保護膜、  ６８ａ、６８ｂ…第１、第２保護膜、  ６９Ａ、６９Ｂ…第１、第２層、  ７０…制御部、  １１０〜１１６、１２０〜１２２、１３０、１４０…磁気記憶装置、  Ｄ１〜Ｄ４…第１〜第４除去厚、  Ｉ１、Ｉ２…第１、第２電流、  Ｌ１、Ｌ２…第１、第２長さ、  Ｍ１…マスク、  ＭＯ１…開口部、  ＰＬ１、ＰＬ２…第１、第２平面、  ｄ１、ｄ２…第１、第２径、  ｐ１、ｐ２…第１、第２部分、  ｔ１、ｔ２…第１、第２長さ、  ｔ６５、ｔ６６…第１、第２厚さ、  ｔａ、ｔｂ…厚さ、  ｚ１、ｚ２…第１、第２距離
【図１】
2019003989.tif 000003
【図２】
2019003989.tif 000004
【図３】
2019003989.tif 000005
【図４】
2019003989.tif 000006
【図５】
2019003989.tif 000007
【図６】
2019003989.tif 000008
【図７】
2019003989.tif 000009
【図８】
2019003989.tif 000010
【図９】
2019003989.tif 000011
【図１０】
2019003989.tif 000012
【図１１】
2019003989.tif 000013
【図１２】
2019003989.tif 000014
【図１３】
2019003989.tif 000015
【図１４】
2019003989.tif 000016
【図１５】
2019003989.tif 000017