(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージ工程の全般において取り扱いが容易であり、パッケージ収率の向上された支持体付着プリント回路基板を提供する。【解決手段】支持体付着プリント回路基板１０００において、基板部１００は、第１外層導体パターン層１１と、第１外層導体パターン層上に形成され、第１外層導体パターン層１１の少なくとも一部を露出させる第１開口３１０が形成されている第１ソルダーレジスト層２１と、を含む。支持体２００は、第１ソルダーレジスト層上に形成され、第１開口３１０と連通する第２開口３２０が形成されているマスクパターン層２１０と、マスクパターン層上に形成され、第２開口３２０と連通する第３開口３３０が形成されている支持絶縁層２２０と、を含む。第１開口３１０及び第３開口３３０のそれぞれの直径は、下部に行くほど減少する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部と、前記基板部に付着された支持体と、を含み、
前記基板部は、
第１外層導体パターン層と、
前記第１外層導体パターン層上に形成され、前記第１外層導体パターン層の少なくとも一部を露出させる第１開口が形成されている第１ソルダーレジスト層と、を含み、
前記支持体は、
前記第１ソルダーレジスト層上に形成され、前記第１開口と連通する第２開口が形成されているマスクパターン層と、
前記マスクパターン層上に形成され、前記第２開口と連通する第３開口が形成されている支持絶縁層と、を含み、
前記第１開口及び前記第３開口のそれぞれの直径は、下部に行くほど減少する、支持体付着プリント回路基板。
【請求項２】
前記第３開口は、
前記支持絶縁層に接触する前記マスクパターン層の一面の少なくとも一部を露出させる、請求項１に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項３】
前記マスクパターン層は、
前記第１ソルダーレジスト層と接触する第１金属層と、前記第１金属層上に形成される第２金属層と、を含む請求項１または請求項２に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項４】
前記第１金属層及び前記第２金属層は、それぞれ銅（Ｃｕ）を含む請求項３に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項５】
前記第１金属層は、ニッケル（Ｎｉ）またはチタン（Ｔｉ）を含む請求項３に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項６】
前記マスクパターン層は、
前記第１金属層と前記第２金属層との間に介在された離型層をさらに含む請求項３に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項７】
前記マスクパターン層は、
前記第１ソルダーレジスト層と接触する離型層と、前記離型層に形成される金属層とを含む請求項１または請求項２に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項８】
前記基板部は、
前記第１外層導体パターン層の下部に形成される第２外層導体パターン層と、
前記第１外層導体パターン層と前記第２外層導体パターン層との間に形成される層間絶縁層と、をさらに含む請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項９】
前記第２外層導体パターン層の平坦度は、前記第１外層導体パターン層の平坦度よりも高い請求項８に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項１０】
前記第２外層導体パターン層は、
前記層間絶縁層に埋め込まれ、一面が前記層間絶縁層の一面から露出する請求項８に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項１１】
前記基板部は、
前記第２外層導体パターン層をカバーするために、前記第２外層導体パターン層に形成される第２ソルダーレジスト層をさらに含む請求項８に記載の支持体付着プリント回路基板。
【請求項１２】
外層導体パターン層のパッドを露出させる開口が形成されているソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層上に形成され、前記開口と連通される貫通孔が形成されている支持体と、
前記ソルダーレジスト層と前記支持体との間に介在され、前記開口と前記貫通孔とを互いに連通する貫通パターンが形成され、前記支持体と接触する一面の少なくとも一部が前記貫通孔から露出するマスクパターン層と、
を含む支持体付着プリント回路基板。
【請求項１３】
キャリア基板の一面に導体パターン層及び層間絶縁層を形成する段階と、
最外層の前記導体パターン層をカバーするソルダーレジスト層を形成する段階と、
前記ソルダーレジスト層にマスクパターン層を形成する段階と、
前記マスクパターン層及び前記ソルダーレジスト層をカバーする支持絶縁層を形成する段階と、
前記ソルダーレジスト層及び前記支持絶縁層のそれぞれの一部を除去して最外層の前記導体パターン層の一部を露出させる開口部を形成する段階と、
を含む支持体付着プリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記支持絶縁層を形成する段階の後に、前記キャリア基板を除去する段階をさらに含む請求項１３に記載の支持体付着プリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記開口部は、
前記ソルダーレジスト層に形成される第１開口と、
前記マスクパターン層に形成され、前記第１開口と連通する第２開口と、
前記支持絶縁層に形成され、前記第２開口と連通し、前記マスクパターン層の少なくとも一部を露出させる第３開口と、
を含む請求項１３または請求項１４に記載の支持体付着プリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記開口部を形成する段階において、
前記第１開口及び前記第３開口は、
前記マスクパターン層をマスクとして用いてブラストにより形成される請求項１５に記載の支持体付着プリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持体付着プリント回路基板（ｓｕｐｐｏｒｔ  ａｔｔａｃｈｅｄ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）及び支持体付着プリント回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品の薄型化及び小型化に伴って、電子製品に用いられるパッケージも薄型化及び小型化されている。例として、モバイル機器の薄型化及び小型化により、モバイル機器に用いられるメモリー等の電子素子をパッケージするプリント回路基板の厚さも薄型化及び小型化されている。
【０００３】
プリント回路基板の厚さが薄型化される場合は、パッケージング工程において不良の発生する可能性が増加する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−００６６０４４号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例によれば、パッケージ工程の全般において取り扱いが容易であり、パッケージ収率の向上された支持体付着プリント回路基板が提供される。
【０００６】
また、本発明の他の実施例によれば、パッケージ工程の前に電気検査が可能である支持体付着プリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の第３実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【図４】本発明の第４実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【図５】本発明の一実施例に係る支持体付着プリント回路基板の製造方法の一工程を示す図である。
【図６】図５の工程の次の工程を示す図である。
【図７】図６の工程の次の工程を示す図である。
【図８】図７の工程の次の工程を示す図である。
【図９】図８の工程の次の工程を示す図である。
【図１０】図９の工程の次の工程を示す図である。
【図１１】図１０の工程の次の工程を示す図である。
【図１２】図１１の工程の次の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。
【０００９】
本願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合せたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合せたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。
【００１０】
また、明細書の全般において、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素の間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１２】
図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであり、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。
【００１３】
以下、本発明に係る支持体付着プリント回路基板及び支持体付着プリント回路基板の製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１４】
＜支持体付着プリント回路基板＞
【００１５】
（第１実施例）
【００１６】
図１は、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【００１７】
図１を参照すると、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００は、基板部１００と、支持体２００とを含む。
【００１８】
基板部１００は、第１外層導体パターン層１１と、第１ソルダーレジスト層２１とを含み、第２外層導体パターン層１２、層間絶縁層３０及び第２ソルダーレジスト層２２をさらに含むことができる。
【００１９】
支持体２００は、マスクパターン層２１０と、支持絶縁層２２０とを含む。
【００２０】
基板部１００は、通常のパッケージ用プリント回路基板であることができる。基板部１００は、コアレス工法により製造されたプリント回路基板であってもよいが、これに限定されない。
【００２１】
第１外層導体パターン層１１は、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及びソルダーパッドのうちの少なくとも１つを含む。
【００２２】
第１外層導体パターン層１１は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等で形成できる。
【００２３】
第１ソルダーレジスト層２１は、第１外層導体パターン層１１上に形成され、第１ソルダーレジスト層２１には、第１外層導体パターン層１１の少なくとも一部を露出させる第１開口３１０が形成される。
【００２４】
第１ソルダーレジスト層２１は、ソルダーレジストフィルムを積層することにより形成できる。
【００２５】
第１ソルダーレジスト層２１は、感光性のソルダーレジストフィルムで形成できるが、これに限定されない。すなわち、本発明において第１開口３１０は、通常の場合とは異なって、フォトリソグラフィ工程により形成されるものではないので、第１ソルダーレジスト層２１は、感光性絶縁物質を含まなくてもよい。例として、第１ソルダーレジスト層２１は、無機フィラーが熱硬化性絶縁樹脂に分散された熱硬化性ソルダーレジストフィルムで形成されることもできる。第１開口３１０の形成方法については、後述する。
【００２６】
第１開口３１０は、第１外層導体パターン層１１のソルダーパッドの少なくとも一部を露出させる。図１等には、ソルダーパッドの形態がＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプに示されているが、ソルダーパッドは、ＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプに形成されることもできる。すなわち、第１開口３１０は、第１外層導体パターン層１１のいずれか１つのソルダーパッドのすべてを露出させる形態に形成されることもできる。
【００２７】
第１開口３１０の直径は、下部に行くほど減少することができる。すなわち、第１開口３１０の直径は、基板部１００の外側から基板部１００の厚さ方向の中心を向く方向に沿って減少することができる。
【００２８】
後述する支持体２００が基板部１００から分離されると、第１外層導体パターン層１１のソルダーパッド上にソルダーが形成されるように、第１開口３１０内にソルダーを形成できる。
【００２９】
支持体２００は、基板部１００に付着される。支持体２００は、マスクパターン層２１０及び支持絶縁層２２０を含む。支持体２００は、本実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００の基板部１００にメモリー等の電子部品がパッケージングされた後に、基板部１００から除去される。
【００３０】
マスクパターン層２１０は、第１ソルダーレジスト層２１上に形成され、マスクパターン層２１０には、第１開口３１０と連通する第２開口３２０が形成される。第２開口３２０は、マスクパターン層２１０を貫通する。
【００３１】
マスクパターン層２１０は、第１ソルダーレジスト層２１に第１開口３１０を形成するに当たって、マスクとして機能する。すなわち、マスクパターン層２１０のパターニングの形態が第１ソルダーレジスト層２１に転写される。つまり、第１開口３１０と第２開口３２０の数は、互いに同一であり、第１開口３１０と第２開口３２０とは互いに連通する。
【００３２】
マスクパターン層２１０は、第１ソルダーレジスト層２１と接触する第１金属層２１１と、第１金属層２１１上に形成される第２金属層２１２とを含む。第１金属層２１１及び第２金属層２１２のそれぞれは、銅を含むことができる。例として、第１金属層２１１及び第２金属層２１２のそれぞれは、銅箔で形成できる。
【００３３】
第１金属層２１１及び第２金属層２１２は、互いに厚さが異なってもよいが、これに限定されない。第１金属層２１１及び第２金属層２１２は、相互間の界面で分離が容易に生じるように、それぞれの低粗度面（Ｓｈｉｎｙ  ｓｕｒｆａｃｅ）が互いに接触できるが、これに限定されない。
【００３４】
本実施例の場合は、第１金属層２１１と第２金属層２１２との間の界面で分離が生じることにより、支持体２００を基板部１００から除去できる。
【００３５】
ここで、第１金属層２１１は、ニッケル（Ｎｉ）またはチタン（Ｔｉ）を含むことができる。例として、第１金属層２１１をニッケル箔（Ｎｉｃｋｅｌ  Ｆｏｉｌ）で形成し、第２金属層２１２を銅箔（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｆｏｉｌ）で形成できる。この場合、第１外層導体パターン層１１と第１金属層２１１とは互いに異なる金属物質を含むので、支持体２００の除去の後に、第１ソルダーレジスト層２１に残存する第１金属層２１１をエッチングにより除去するとき、第１外層導体パターン層１１は影響を受けない。
【００３６】
支持絶縁層２２０はマスクパターン層２１０上に形成されており、支持絶縁層２２０には第２開口３２０と連通する第３開口３３０が形成される。第３開口３３０は支持絶縁層２２０を貫通する。
【００３７】
支持絶縁層２２０は、基板部１００を支持する。これにより、本実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００をパッケージ工程の間に容易に取り扱うことができる。また、支持絶縁層２２０は、パッケージ工程の間に、外部から衝撃が加えられても基板部１００の変形を防止できる。
【００３８】
支持絶縁層２２０は、エポキシ樹脂等の電気絶縁性樹脂を含むことができる。また、支持絶縁層２２０は、電気絶縁性樹脂に含有された補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクローズ、グラスファイバー、無機フィラー及び有機フィラーのうちの少なくともいずれか１つを用いることができる。補強材は、支持絶縁層２２０の剛性を補強し、熱膨脹係数を低くすることができる。
【００３９】
第３開口３３０は、第２開口３２０と連通する。第１開口３１０、第２開口３２０及び第３開口３３０は、互いに連通して一つの開口部３００を形成する。開口部３００により、第１外層導体パターン層１１の少なくとも一部が外部に露出される。
【００４０】
第３開口３３０は、ブラスト工程により第２開口３２０と連通する。すなわち、研磨粒子が支持絶縁層２２０に第３開口３３０を形成し、既に形成されている第２開口３２０を通過して第１ソルダーレジスト層２１に第１開口３１０を形成する。
【００４１】
支持絶縁層２２０に第３開口３３０をブラスト工程により形成するに当たって、マスクとして機能するレジストパターン層２３０を支持絶縁層２２０上に形成することができる。レジストパターン層２３０には、レジストパターン層２３０を貫通して第３開口３３０と連通する第４開口３４０が形成される。
【００４２】
第３開口３３０は、支持絶縁層２２０と接触するマスクパターン層２１０の一面の少なくとも一部を露出させることができる。ブラスト工程において、金属材を含むマスクパターン層２１０と、有機材を含む支持絶縁層２２０とは、エッチングの速度が異なり得る。したがって、マスクパターン層２１０の一面は、第３開口３３０から露出することができる。
【００４３】
第３開口３３０の直径は、下部に行くほど減少することができる。すなわち、第３開口３３０の直径は、基板部１００の外側から基板部１００の厚さ方向の中心を向く方向に沿って減少することができる。
【００４４】
本実施例によれば、基板部１００の第１外層導体パターン層１１の少なくとも一部が、第１開口３１０、第２開口３２０、第３開口３３０及び第４開口３４０により外部に露出される。よって、支持体２００は、基板部１００を支持しながらも、基板部１００に対する電気検査を可能とする。
【００４５】
第２外層導体パターン層１２は、第１外層導体パターン層１１の下部に形成される。第２外層導体パターン層１２は、第１外層導体パターン層１１とともに基板部１００の最外層導体パターン層を構成する。
【００４６】
第２外層導体パターン層１２は、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及びソルダーパッドのうちの少なくとも１つを含む。
【００４７】
第２外層導体パターン層１２は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等で形成できる。
【００４８】
パッケージ工程において、第２外層導体パターン層１２にはメモリーまたはＡＰ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の電子部品が配置されることができる。第２外層導体パターン層１２と電子部品とは、ワイヤーボンディングまたはフリップチップボンディングにより結合できる。
【００４９】
第２外層導体パターン層１２は、第１外層導体パターン層１１に比べて、より微細な線幅及び微細なピッチで形成できる。
【００５０】
層間絶縁層３０は、第１外層導体パターン層１１と第２外層導体パターン層１２との間に形成される。
【００５１】
層間絶縁層３０は、エポキシ樹脂等の電気絶縁性樹脂を含むことができる。層間絶縁層３０は、感光性絶縁樹脂を含む感光性絶縁層であってもよい。
【００５２】
層間絶縁層３０は、電気絶縁性樹脂に含有された補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクローズ、グラスファイバー、無機フィラー及び有機フィラーのうちの少なくともいずれか１つを用いることができる。
【００５３】
層間絶縁層３０は、複数形成することができる。層間絶縁層３０が複数に形成される場合は、隣接する層間絶縁層３０間には、内層導体パターン層４０を形成できる。基板部１００に形成されている層間絶縁層３０の数に応じて内層導体パターン層４０を単数または複数に形成できる。
【００５４】
内層導体パターン層４０は、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン及びグラウンドパターンのうちの少なくとも１つを含む。内層導体パターン層４０は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等で形成できる。
【００５５】
第２ソルダーレジスト層２２は、第２外層導体パターン層１２をカバーするために、第２外層導体パターン層１２に形成される。
【００５６】
第２ソルダーレジスト層２２には、第２外層導体パターン層１２の少なくとも一部を露出させる開口Ｏを形成できる。
【００５７】
図１等には、ソルダーパッドの形態をＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプに示したが、ソルダーパッドは、ＮＳＭＤ（Ｎｏｎ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅｄ）タイプに形成されることもできる。すなわち、開口Ｏは、第２外層導体パターン層１２のいずれか１つのソルダーパッドのすべてを露出する形態に形成されることもできる。
【００５８】
図１に付した図面符号Ｖ１は、第１外層導体パターン層１１と内層導体パターン層４０との層間を接続するためのビアであり、図面符号Ｖ２は、第２外層導体パターン層１２と内層導体パターン層４０との層間を接続するためのビアである。
【００５９】
このようにすることで、本実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００は、パッケージ工程の間に、支持体２００により基板部１００を支持することができる。よって、基板部１００をより容易に取り扱うことができる。また、パッケージ工程の間に、基板部１００の変形を防止することができる。また、第１開口３１０、第２開口３２０、第３開口３３０及び第４開口３４０により基板部１００の第１外層導体パターン層１１が露出するので、パッケージ工程の前に基板部１００の不良の可否を電気的に検査することができる。
【００６０】
（第２実施例）
【００６１】
図２は、本発明の第２実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【００６２】
本実施例に係る支持体付着プリント回路基板２０００の場合、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００に比べて、第２外層導体パターン層１２が異なり、以下ではこれを中心に説明する。
【００６３】
第２外層導体パターン層１２は、層間絶縁層３０に埋め込まれ、一面が層間絶縁層３０の一面に露出することができる。すなわち、図２に基づいて、第２外層導体パターン層１２は、最外層に形成された層間絶縁層３０に埋め込まれ、下面が最外層の層間絶縁層３０の下面から露出することができる。
【００６４】
このとき、第２外層導体パターン層１２の一面には、溝が形成され得る。
【００６５】
また、第２外層導体パターン層１２の平坦度は、第１外層導体パターン層１１の平坦度よりも高くすることができる。ここで、平坦度とは、図２に基づいて、第２外層導体パターン層１２の下面間の高さの散布が第１外層導体パターン層１１の上面間の高さの散布よりも低いという意味に解釈できる。
【００６６】
上述した本実施例の支持体付着プリント回路基板の特徴は、キャリア基板（図５のＣ参照）を用いて基板部１００を製造することにある。
【００６７】
すなわち、キャリア基板の一面に、層間絶縁層３０ではなく第２外層導体パターン層１２が先に形成されることにより、キャリア基板が除去された場合、第２外層導体パターン層１２の一面が最外層の層間絶縁層３０の一面から露出する。また、キャリア基板の除去時にキャリア基板の極薄銅箔が基板部に残存することになるが、極薄銅箔をエッチングにより除去するとき、第２外層導体パターン層１２の一部がともに除去されて、第２外層導体パターン層１２の一面に溝が形成され得る。また、製造工程上、第２外層導体パターン層１２が先に形成された後に第１外層導体パターン層１１が形成されるので、第２外層導体パターン層１２の平坦度が、工程誤差等の変数の累積した第１外層導体パターン層１１の平坦度よりも高くすることができる。
【００６８】
（第３実施例）
【００６９】
図３は、本発明の第３実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【００７０】
本実施例に係る支持体付着プリント回路基板３０００の場合、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００に比べて、マスクパターン層２１０が異なり、以下ではこれを中心に説明する。
【００７１】
本実施例に適用するマスクパターン層２１０は、第１金属層２１１と第２金属層２１２との間に介在されている離型層２１３をさらに含む。
【００７２】
離型層２１３は、支持体２００を基板部１００から除去する過程において、分離を容易にするために粘着性のない物質で形成することができる。すなわち、本実施例に係る支持体付着プリント回路基板３０００の場合、第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００とは異なって、第１金属層２１１と離型層２１３との間の界面で分離が生じる。
【００７３】
離型層２１３には、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂を用いることができる。
【００７４】
（第４実施例）
【００７５】
図４は、本発明の第４実施例に係る支持体付着プリント回路基板を示す図である。
【００７６】
本実施例に係る支持体付着プリント回路基板４０００の場合、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００に比べて、マスクパターン層２１０が異なり、以下ではこれを中心に説明する。
【００７７】
マスクパターン層２１０は、第１ソルダーレジスト層２１と接触する離型層２１３と、離型層２１３に形成される金属層２１４とを含む。
【００７８】
したがって、本実施例の場合、支持体２００と基板部１００とを分離するに当たり、第１ソルダーレジスト層２１と離型層２１３との間の界面で分離が生じ得る。
【００７９】
つまり、第１実施例とは異なって、本実施例の場合は、支持体２００分離後に基板部１００に残存する支持体２００の一部構成を除去する工程が不要となる。
【００８０】
本実施例に適用される離型層２１３及び金属層２１４については、第１から第３実施例での離型層２１３、第１金属層２１１及び第２金属層２１２に関する説明をそのまま適用できる。
【００８１】
＜支持体付着プリント回路基板の製造方法＞
【００８２】
図５から図１２は、本発明の一実施例に係る支持体付着プリント回路基板の製造方法を順次に示す図である。
【００８３】
本発明の一実施例に係る支持体付着プリント回路基板の製造方法は、キャリア基板の一面に導体パターン層と層間絶縁層とを形成する段階と、最外層の導体パターン層をカバーするソルダーレジスト層を形成する段階と、ソルダーレジスト層にマスクパターン層を形成する段階と、マスクパターン層及びソルダーレジスト層をカバーする支持絶縁層を形成する段階と、ソルダーレジスト層及び支持絶縁層のそれぞれの一部を除去して最外層の導体パターン層の一部を露出する開口部を形成する段階と、を含み、キャリア基板を除去する段階をさらに含むことができる。
【００８４】
図５を参考すると、キャリア基板の一面に第１層間絶縁層及び第１導体パターン層を順次形成する。
【００８５】
キャリア基板Ｃは、コアレス工法を行うために使用される通常の副資材であることができる。すなわち、キャリア基板Ｃは、支持コアＳと、支持コアＳの両面に形成されたキャリア金属箔ＣＦ１と、キャリア金属箔ＣＦ１に形成された極薄金属箔ＣＦ２と、を含むことができる。
【００８６】
第１層間絶縁層３０は、キャリア基板Ｃに感光性絶縁フィルムを積層することで形成できる。または、第１層間絶縁層３０は、キャリア基板ＣにＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄｕｐ  Ｆｉｌｍ）等のビルドアップ絶縁フィルムを積層することで形成できる。本段階において、第１層間絶縁層３０が感光性絶縁フィルムで形成された場合、後述する第１導体パターン層と第３導体パターン層とを層間接続するビアを形成するために必要なビアホールの形成工程は、フォトリソグラフィ工程により行われることができる。
【００８７】
第１導体パターン層４０は、キャリア基板Ｃに積層された第１層間絶縁層３０の一面上に形成される。第１導体パターン層４０は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはサブトラックティブ法のうちのいずれか１つの方法により形成できる。
【００８８】
第１導体パターン層４０がＳＡＰ法により形成された場合、本段階において第１導体パターン層４０は、第１層間絶縁層３０に形成された無電解めっき層と、無電解めっき層に形成された電解めっき層とを含む構造に形成されることができる。第１導体パターン層４０がＭＳＡＰ法により形成された場合、本段階において第１導体パターン層４０は、第１層間絶縁層３０に形成された金属箔と、金属箔上に形成された電解めっき層とを含む構造に形成されることができる。
【００８９】
第１導体パターン層４０及び第１層間絶縁層３０は、それぞれ上述した本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００の内層導体パターン層４０及び最外層層間絶縁層３０に該当する。
【００９０】
次に、図６を参考すると、第２層間絶縁層及び第２導体パターン層を順次形成する。
【００９１】
第２層間絶縁層３０は、感光性絶縁フィルムを積層して形成することができる。または、第２層間絶縁層３０は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄｕｐ  Ｆｉｌｍ）等のビルドアップ絶縁フィルムを積層して形成することができる。
【００９２】
第２導体パターン層１１は、第２層間絶縁層３０の一面に形成される。第２導体パターン層１１は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはサブトラックティブ法のうちのいずれか１つの方法により形成できる。
【００９３】
第２導体パターン層１１がＳＡＰ法により形成された場合、第２導体パターン層１１は、第２層間絶縁層３０に形成された無電解めっき層と、無電解めっき層に形成された電解めっき層とを含む構造に形成されることができる。
【００９４】
第２導体パターン層１１がＭＳＡＰ法により形成された場合、第２導体パターン層１１は、第２層間絶縁層３０に形成された金属箔と、金属箔に形成された無電解めっき層と、無電解めっき層に形成された電解めっき層とを含む構造に形成されることができる。
【００９５】
一方、第２導体パターン層１１を形成する段階において、第１導体パターン層４０と第２導体パターン層１１とを層間接続する第１ビアＶ１が、第２導体パターン層１１とともに形成されることができる。
【００９６】
第１ビアＶ１は、第２層間絶縁層３０にレーザードリルにより第１ビアホールを形成し、第１ビアホール内に無電解めっき層及び電解めっき層を順次形成することにより形成できる。第２層間絶縁層３０が感光性物質を含む場合は、第１ビアホールは、フォトリソグラフィ工程により形成できる。
【００９７】
第２導体パターン層１１及び第２層間絶縁層３０は、それぞれ上述した本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００の第１外層導体パターン層１１及び最外層層間絶縁層３０に該当する。
【００９８】
次に、図７を参考すると、第２導体パターン層をカバーするために、第１ソルダーレジスト層を形成する。
【００９９】
第１ソルダーレジスト層２１は、ソルダーレジストフィルムを第２層間絶縁層３０に積層することにより形成できる。第１ソルダーレジスト層２１は感光性物質を含むことができるが、これに限定されない。
【０１００】
次に、図８を参考すると、第１ソルダーレジスト層にマスクパターン層を形成する。
【０１０１】
マスクパターン層２１０は、第１ソルダーレジスト層２１にマスクパターン層の形成用の資材２１０'を積層した後に、マスクパターン層の形成用の資材２１０'を貫通する第２開口３２０を形成することにより形成できる。
【０１０２】
マスクパターン層の形成用の資材２１０'は、本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００において説明した第１金属層２１１及び第２金属層２１２を含む構造であることができる。この場合、第１金属層２１１が第１ソルダーレジスト層２１に接するようにマスクパターン層の形成用の資材２１０'を積層する。または、マスクパターン層の形成用の資材２１０'は、本発明の第３実施例に係る支持体付着プリント回路基板３０００において説明した第１金属層２１１、第２金属層２１２、及び離型層２１３を含む構造であることができる。この場合、第１金属層２１１が第１ソルダーレジスト層２１に接するようにマスクパターン層の形成用の資材２１０'を積層する。または、マスクパターン層の形成用の資材２１０'は、本発明の第４実施例に係る支持体付着プリント回路基板4０００において説明した離型層２１３及び金属層２１４を含む構造であることができる。この場合、離型層２１３が第１ソルダーレジスト層２１に接するようにマスクパターン層の形成用の資材２１０'を積層する。
【０１０３】
マスクパターン層２１０に形成された第２開口３２０は、マスクパターン層の形成用の資材２１０'にドライフィルム等を積層した後に、フォトリソグラフィ工程を経てエッチングレジストパターンを形成し、エッチングレジストパターンに形成されたオープニングを介してエッチング液をマスクパターン層の形成用の資材２１０'に接触させることにより形成できる。
【０１０４】
第２開口３２０は、第１ソルダーレジスト層２１に第１開口３１０の形成される位置に対応するように、マスクパターン層２１０に形成される。
【０１０５】
マスクパターン層の形成用の資材２１０'は、第１ソルダーレジスト層２１の積層と同時にキャリア基板Ｃに積層されることができ、第１ソルダーレジスト層２１がキャリア基板Ｃに先に積層された後に、第１ソルダーレジスト層２１に積層されることもできる。
【０１０６】
次に、図９を参考すると、マスクパターン層をカバーするために、マスクパターン層及び第１ソルダーレジスト層に支持絶縁層を積層する。
【０１０７】
このとき、支持絶縁層２２０とともにレジストパターン層の形成用の資材２３０'を積層することができる。または、支持絶縁層２２０の積層の後に、レジストパターン層の形成用の資材２３０'を積層することもできる。
【０１０８】
次に図１０を参考すると、第１層間絶縁層からキャリア基板を除去し、第１層間絶縁層に第３導体パターン層を形成する。
【０１０９】
キャリア基板Ｃは、キャリア金属箔ＣＦ１と極薄金属箔ＣＦ２との間の界面で分離が生じ、第１層間絶縁層３０から除去できる。
【０１１０】
以後に、第１層間絶縁層３０に残存する極薄金属箔ＣＦ２をフラッシュエッチングまたはハーフエッチングにより除去する。このとき、極薄金属箔ＣＦ２及び第１導体パターン層４０が同一の導電性物質を含む場合、本段階において、第１導体パターン層４０の一部が極薄金属箔ＣＦ２とともに除去され得る。これにより、第１層間絶縁層３０の一面から露出する第１導体パターン層４０の一面には、溝が形成され得る。
【０１１１】
以後に、第１層間絶縁層３０の一面に第３導体パターン層１２を形成する。第３導体パターン層１２は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）またはサブトラックティブ法のうちのいずれか１つの方法により形成できる。
【０１１２】
以後に、第３導体パターン層１２の少なくとも一部を露出する第２ソルダーレジスト層２２を、第１層間絶縁層３０の一面に積層する。
【０１１３】
第３導体パターン層１２は、上述した本発明の第１実施例に係る支持体付着プリント回路基板１０００の第２外層導体パターン層１２に該当する。
【０１１４】
次に、図１１を参考すると、レジストパターン層の形成用の資材をパターニングし、支持絶縁層の一部を露出させる。すなわち、レジストパターン層２３０には、第４開口３４０がパターニングされる。
【０１１５】
第４開口３４０は、第１開口３１０、第２開口３２０及び第３開口３３０との整合性を考慮して、第１開口３１０、第２開口３２０及び第３開口３３０よりも大きく形成することが好ましい。
【０１１６】
次に、図１２を参考すると、レジストパターン層及びマスクパターン層をマスクとして、支持絶縁層及び第１ソルダーレジスト層にそれぞれ第３開口及び第１開口を形成する。
【０１１７】
本段階は、ブラスト工程により行われることができる。すなわち、研磨粒子が支持絶縁層２２０を研磨して支持絶縁層２２０に第３開口３３０を形成するが、このとき、レジストパターン層２３０がマスクとして機能する。また、研磨粒子は、第４開口３４０、第３開口３３０及び第２開口３２０により露出した第１ソルダーレジスト層２１を研磨して第１ソルダーレジスト層２１に第１開口３１０を形成するが、このとき、マスクパターン層２１０がマスクとして機能する。
【０１１８】
一方、上述とは異なって、第３開口３３０及び第１開口３１０は、レーザードリリングにより形成することもできる。
【０１１９】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１２０】
１１      第１外層導体パターン層
１２      第２外層導体パターン層
２１      第１ソルダーレジスト層
２２      第２ソルダーレジスト層
３０      層間絶縁層
４０      内層導体パターン層
１００    基板部
２００    支持体
２１０    マスクパターン層
２１０'  マスクパターン層の形成用の資材
２１１    第１金属層
２１２    第２金属層
２１３    離型層
２１４    金属層
２２０    支持絶縁層
２３０    レジストパターン層
２３０'  レジストパターン層の形成用の資材
３００    開口部
３１０    第１開口
３２０    第２開口
３３０    第３開口
３４０    第４開口
Ｃ        キャリア基板
ＣＦ１    キャリア金属箔
ＣＦ２    極薄金属箔
Ｖ１、Ｖ２    ビア
Ｏ        開口
１０００、２０００、３０００、４０００    支持体付着プリント回路基板
【図１】
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【図２】
2019087717.tif 000004
【図３】
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【図４】
2019087717.tif 000006
【図５】
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【図６】
2019087717.tif 000008
【図７】
2019087717.tif 000009
【図８】
2019087717.tif 000010
【図９】
2019087717.tif 000011
【図１０】
2019087717.tif 000012
【図１１】
2019087717.tif 000013
【図１２】
2019087717.tif 000014