(57)【要約】【課題】デバイスに付着するコンタミを抑制することができること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップＳＴ１と、保護テープを保持し、ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップＳＴ２と、保護テープを保持してウェーハの裏面から切削ブレードを切り込ませ、ウェーハの表面側にウェーハの仕上げ厚さより薄い残存部を残した切削溝を分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップＳＴ３と、切削溝が形成されたウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにダイシングテープの外周縁を環状フレームに固定し、ウェーハの表面から保護テープを剥離する貼り替えステップＳＴ４と、ウェーハの表面から分割予定ラインに沿ってダイシングテープに切り込まない深さに切削ブレードを切り込ませ個々のデバイスチップに分割する分割ステップＳＴ５とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割予定ラインで区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、
該ウェーハの表面に貼着された該保護テープをチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、
該保護テープ貼着ステップを実施した後で該研削ステップを実施する前または後に、該保護テープをチャックテーブルで保持して該ウェーハの裏面から切削ブレードを切り込ませ、該ウェーハの表面側に該ウェーハの仕上げ厚さより薄い残存部を残した切削溝を該分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝が形成された該ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに該ダイシングテープの外周縁を環状フレームに固定してフレームユニットを形成し、該ウェーハの表面から該保護テープを剥離する貼り替えステップと、
該貼り替えステップを実施した該ウェーハの表面から、該分割予定ラインに沿って該ダイシングテープに切り込まない深さに切削ブレードを切り込ませ、該残存部を切削してウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
【請求項２】
該保護テープは、ウェーハの直径と同径である請求項１記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該切削溝形成ステップで形成する切削溝又は研削ステップ後に残存する切削溝の深さは、ウェーハの仕上げ厚さの１／２以下である請求項１又は２記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などのデバイスが形成されたウェーハを、仕上げ厚さまで薄化した後、切削ブレードで切削して分割し、個々のデバイスチップに加工する加工技術が広く使われている。ウェーハは、切削による分割後もハンドリングがしやすいように、通常、環状のフレームにダイシングテープで固定された状態で切削される（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４５４４６号公報
【特許文献２】特許第４８８０２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来のウェーハの加工方法は、ダイシングテープまで切削ブレードを切り込ませて分割するため、粘着テープの糊層が切削屑（コンタミと呼ぶ）と共にデバイスに付着し、デバイスの作動に影響してしまう。そのため、コンタミの付着を抑えるように、加工方法の変更、加工点に供給する切削液を噴射するノズルの変更が試みられえている。しかしながら、従来のウェーハの加工方法は、コンタミの付着を完全に抑制することが難しい。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスに付着するコンタミを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、複数の分割予定ラインで区画された複数の領域にデバイスが形成された表面を備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着ステップと、該ウェーハの表面に貼着された該保護テープをチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚さまで薄化する研削ステップと、該保護テープ貼着ステップを実施した後で該研削ステップを実施する前または後に、該保護テープをチャックテーブルで保持して該ウェーハの裏面から切削ブレードを切り込ませ、該ウェーハの表面側に該ウェーハの仕上げ厚さより薄い残存部を残した切削溝を該分割予定ラインに沿って形成する切削溝形成ステップと、該切削溝が形成された該ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに該ダイシングテープの外周縁を環状フレームに固定してフレームユニットを形成し、該ウェーハの表面から該保護テープを剥離する貼り替えステップと、該貼り替えステップを実施した該ウェーハの表面から、該分割予定ラインに沿って該ダイシングテープに切り込まない深さに切削ブレードを切り込ませ、該残存部を切削してウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記ウェーハの加工方法において、該保護テープは、ウェーハの直径と同径であっても良い。
【０００８】
前記ウェーハの加工方法において、該切削溝形成ステップで形成する切削溝又は研削ステップ後に残存する切削溝の深さは、ウェーハの仕上げ厚さの１／２以下でも良い。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明のウェーハの加工方法は、デバイスに付着するコンタミを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図３】図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護テープ貼着ステップを示す斜視図である。
【図４】図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側面図である。
【図５】図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削溝ステップを示す断面図である。
【図６】図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の貼り替えステップにおいてウェーハの裏面にダイシングテープを貼着する状態を示す斜視図である。
【図７】図７は、図６の後に保護テープが剥離されるウェーハを示す斜視図である。
【図８】図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の分割工程後を示す断面図である。
【図９】図９は、図８中のＩＸ部を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１３】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、複数の分割予定ライン４で区画された複数の領域にデバイス５が形成された表面３を備える。
【００１４】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１を加工する加工方法であって、ウェーハ１を個々のデバイスチップ６に分割する方法である。なお、デバイスチップ６は、デバイス５と基板２とを含んで構成される。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護テープ貼着ステップＳＴ１と、研削ステップＳＴ２と、切削溝形成ステップＳＴ３と、貼り替えステップＳＴ４と、分割ステップＳＴ５とを備える。
【００１５】
（保護テープ貼着ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法の保護テープ貼着ステップを示す斜視図である。保護テープ貼着ステップＳＴ１は、ウェーハ１の表面３に保護テープ１０を貼着するステップである。実施形態１において、保護テープ貼着ステップＳＴ１は、図３に示すように、ウェーハ１の直径７（図１に示す）と同径である保護テープ１０を表面３側に貼着する。実施形態１では、保護テープ１０は、合成樹脂からなる基材層１１と基材層１１に積層されかつウェーハ１の表面３に貼着する粘着層１２とを備える。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の表面３に保護テープ１０を貼着すると、研削ステップＳＴ２に進む。
【００１６】
（研削ステップ）
図４は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側面図である。研削ステップＳＴ２は、ウェーハ１の表面３に貼着された保護テープ１０を研削装置２０のチャックテーブル２１で保持し、ウェーハ１の裏面９を研削して仕上げ厚さ８まで薄化するステップである。研削ステップＳＴ２では、研削装置２０は、チャックテーブル２１の保持面２２に保護テープ１０を介してウェーハ１の表面３側を保持する。実施形態１では、仕上げ厚さ８は、５０μｍ以上でかつ５００μｍ以下である。
【００１７】
研削ステップＳＴ２では、研削装置２０は、図４に示すように、スピンドル２３により研削ホイール２４を軸心回りに回転しかつチャックテーブル２１を軸心回りに回転しながら研削水を供給する。研削ステップＳＴ２において、研削装置２０は、研削砥石２５をチャックテーブル２１に所定の送り速度で近づけることによって、ウェーハ１の裏面９を研削する。ウェーハの加工方法は、研削ステップＳＴ２後、切削溝形成ステップＳＴ３に進む。
【００１８】
（切削溝形成ステップ）
図５は、図２に示されたウェーハの加工方法の切削溝ステップを示す断面図である。切削溝形成ステップＳＴ３は、保護テープ貼着ステップＳＴ１を実施した後で研削ステップＳＴ２を実施した後に、保護テープ１０を切削装置３０のチャックテーブル３１で保持してウェーハ１の裏面９から切削ブレード３５を切り込ませ、ウェーハ１の表面３側にウェーハ１の仕上げ厚さ８より薄い残存部１００を残した切削溝１０１を分割予定ライン４に沿って形成するステップである。切削溝形成ステップＳＴ３では、切削装置３０は、まず、ウェーハ１の表面３側に貼着された保護テープ１０側をチャックテーブル３１の保持面３２に吸引、保持する。
【００１９】
切削溝形成ステップＳＴ３では、切削装置３０が、赤外線カメラでウェーハ１の裏面９を撮像して、分割予定ライン４と切削ブレード３５とを位置合わせするアライメントを遂行する。切削溝形成ステップＳＴ３では、切削装置３０が、切削水ノズル３３からチャックテーブル３１に保持されたウェーハ１に切削水を供給しながら、切削ユニット３４に装着した切削ブレード３５をウェーハ１の裏面９側から表面３に至らない深さ１０２分、分割予定ライン４に切り込ませて、ウェーハ１の各分割予定ライン４に裏面９側から切削溝１０１を形成する。実施形態１では、切削溝形成ステップＳＴ３で形成する切削溝１０１の深さ１０２は、ウェーハ１の仕上げ厚さ８の１／２であるが、本発明では、２０μｍ以上かつ仕上げ厚さ８の１／２以下であれば良い。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の全ての分割予定ライン４に切削溝１０１を形成すると、貼り替えステップＳＴ４に進む。
【００２０】
（貼り替えステップ）
図６は、図２に示されたウェーハの加工方法の貼り替えステップにおいてウェーハの裏面にダイシングテープを貼着する状態を示す斜視図である。図７は、図６の後に保護テープが剥離されるウェーハを示す斜視図である。
【００２１】
貼り替えステップＳＴ４は、切削溝１０１が形成されたウェーハ１の裏面９にダイシングテープ１３を貼着するとともにダイシングテープ１３の外周縁を環状フレーム１４に固定してフレームユニット１５を形成し、ウェーハ１の表面３から保護テープ１０を剥離するステップである。貼り替えステップＳＴ４では、図６に示すように、環状フレーム１４の開口１６内にウェーハ１を位置付けて、ウェーハ１の直径７よりも大径なダイシングテープ１３をウェーハ１の裏面９に貼着するとともにダイシングテープ１３の外周縁を環状フレーム１４に固定して、図７に示すフレームユニット１５を形成する。フレームユニット１５は、環状フレーム１４の開口１６内にウェーハ１を支持したユニットである。また、ダイシングテープ１３は、合成樹脂からなる基材層１７と基材層１７に積層されかつウェーハ１の裏面９及び環状フレーム１４に貼着する粘着層１８とを備える。
【００２２】
貼り替えステップＳＴ４では、図７に示すように、保護テープ１０をウェーハ１の表面３から剥離する。ウェーハの加工方法は、貼り替えステップＳＴ４後、分割ステップＳＴ５に進む。
【００２３】
（分割ステップ）
図８は、図２に示されたウェーハの加工方法の分割工程後を示す断面図である。図９は、図８中のＩＸ部を拡大して示す断面図である。分割ステップＳＴ５は、貼り替えステップＳＴ４を実施したウェーハ１の表面３から、分割予定ライン４に沿ってダイシングテープ１３に切り込まない深さに切削装置４０の切削ブレード４６を切り込ませ、残存部１００を切削してウェーハ１を個々のデバイスチップ６に分割するステップである。分割ステップＳＴ５では、切削装置４０は、まず、ウェーハ１の裏面９側に貼着されたダイシングテープ１３側をチャックテーブル４１の保持面４２に吸引、保持し、環状フレーム１４をクランプ部４３でクランプする。
【００２４】
分割ステップＳＴ５では、切削装置４０が、撮像ユニットでウェーハ１の表面３を撮像して、分割予定ライン４と切削ブレード４６とを位置合わせするアライメントを遂行する。分割ステップＳＴ５では、切削装置４０が、切削水ノズル４４からチャックテーブル４１に保持されたウェーハ１に切削水を供給しながら、図８及び図９に示すように、切削ユニット４５に装着した切削ブレード４６をウェーハ１の表面３側から切削溝１０１の溝底に到達しかつダイシングテープ１３に至らない深さ分、分割予定ライン４に切り込ませて、ウェーハ１を個々のデバイスチップ６に分割する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１を個々のデバイスチップ６に分割すると終了する。
【００２５】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、裏面９から切削溝１０１を形成した後に、表面３から切削溝１０１の溝底を切削して、個々のデバイスチップ６に分割するため、保護テープ１０及びダイシングテープ１３を切削する事がない。その結果、ウェーハの加工方法は、粘着層１２，１８がデバイスチップ６に付着することを抑制でき、デバイス５に付着するコンタミを抑制することができる。また、ウェーハの加工方法は、ウェーハ１が必ず研削される事を利用し、研削で用いる保護テープ１０（ウェーハ１のデバイス５が形成された表面３を保護するテープ）を利用して裏面９側に切削溝１０１を形成するため、保護テープ１０等のテープの無駄を抑制できるという効果を奏する。
【００２６】
次に、本発明者は、前述した実施形態のウェーハの加工方法の効果を確認した。結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１では、ウェーハ１の仕上げ厚さ８を６０μｍとして、切削溝１０１の深さ１０２を５μｍとしたものを比較例１とし、切削溝１０１の深さ１０２を２０μｍとしたものを本発明品１とし、切削溝１０１の深さ１０２を仕上げ厚さ８の１／２としたものを本発明品２とし、切削溝１０１の深さ１０２を４０μｍとしたものを比較例２とした。表１では、比較例１、２、本発明品１及び２のデバイスチップ６に分割後のデバイス５へのコンタミの付着状況を確認し、コンタミの付着が無いもの、ほとんど無いもの及び加工工程中でウェーハ１の破損が無いものを丸で示し、コンタミの付着が有る又は加工工程中でウェーハ１の破損があるものをバツで示す。
【００２９】
表１によれば、比較例１及び比較例２は、コンタミの付着があるのに対して、本発明品１及び本発明品２は、コンタミの付着が無い又はほとんど無い及び加工工程中でウェーハ１の破損が無かった。よって、表１によれば、切削溝１０１の深さ１０２を２０μｍ以上でかつ仕上げ厚さ８の１／２以下とすることで、デバイス５へのコンタミの付着を抑制できることが明らかとなった。
【００３０】
なお、本発明は、上記実施形態１に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。実施形態１では、保護テープ貼着ステップＳＴ１を実施した後で研削ステップＳＴ２を実施した後に、切削溝形成ステップＳＴ３を実施したが、本発明は、保護テープ貼着ステップＳＴ１を実施した後で研削ステップＳＴ２を実施する前に、切削溝形成ステップＳＴ３を実施しても良い。この場合、切削溝形成ステップＳＴ３で形成する切削溝１０１の深さを、研削ステップＳＴ２後に残存する切削溝１０１の深さ１０２−１が２０μｍ以上かつウェーハ１の仕上げ厚さ８の１／２以下となるように形成する。
【符号の説明】
【００３１】
１  ウェーハ
３  表面
４  分割予定ライン
５  デバイス
６  デバイスチップ
７  直径
８  仕上げ厚さ
１０  保護テープ
１３  ダイシングテープ
１４  環状フレーム
１５  フレームユニット
２１  チャックテーブル
３１  チャックテーブル
３５  切削ブレード
１００  残存部
１０１  切削溝
１０２  深さ
ＳＴ１  保護テープ貼着ステップ
ＳＴ２  研削ステップ
ＳＴ３  切削溝形成ステップ
ＳＴ４  貼り替えステップ
ＳＴ５  分割ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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