(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、電子素子が挿入されるキャビティ構造の形成工程においての回路に損傷を与えずにキャビティ構造を精密に加工できるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプリント回路基板は、第１絶縁層１０と、第１絶縁層に形成され、第１絶縁層の一面に露出した回路パターン１５と、第１絶縁層の一面に積層され、回路パターンを露出させる、貫通されたキャビティ領域が形成された第２絶縁層２０と、第１絶縁層と第２絶縁層との間に介在し、キャビティ領域の内部に延長し、キャビティ領域の底面から突出する絶縁体パターン４０と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成され、前記第１絶縁層の一面に露出した回路パターンと、
前記第１絶縁層の一面に積層され、前記回路パターンを露出させる、貫通されたキャビティ領域が形成された第２絶縁層と、
一方側が前記第１絶縁層と前記第２絶縁層との間に介在され、他方側が前記キャビティ領域の底面から突出し、前記キャビティ領域の境界に沿って形成される絶縁体パターンと、
を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記絶縁体パターンで取り囲まれた領域に、前記第１絶縁層の一部及び前記回路パターンが露出する請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記回路パターンは、
前記第１絶縁層に埋め込まれ、前記第１絶縁層の一面上に上面が露出する、埋め込まれた回路パターンを含む請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記絶縁体パターンは、
前記第２絶縁層とは異なる材質で形成された請求項１から３のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記絶縁体パターンは、
前記第２絶縁層よりも耐磨耗性または靭性（ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）の高い材質で形成された請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記絶縁体パターンは、感光性樹脂で形成された請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記キャビティ領域は、第１絶縁層に近くなるほど狭くなるように形成される請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記第２絶縁層上に形成された第３絶縁層と、
前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通して形成され、前記回路パターンに接続する導電性ポストと、をさらに含む請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記絶縁体パターンは、前記回路パターンの少なくとも一部を覆う請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
第１絶縁層の一面に回路パターンを形成する段階と、
前記第１絶縁層上に、キャビティ領域の境界を設定し、前記境界に沿って絶縁体パターンを形成する段階と、
前記キャビティ領域を覆う保護層を形成する段階と、
前記第１絶縁層の一面に第２絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁体パターンに沿って前記第２絶縁層を除去し、前記キャビティ領域を形成する段階と、
前記保護層を除去して前記回路パターンを露出させる段階と、
を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁体パターンを形成する段階では、
前記絶縁体パターンが前記キャビティ領域の境界上に配置される請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁体パターンを形成する段階は、
前記キャビティ領域の境界上に、感光性樹脂を選択的に塗布して硬化する段階を含む請求項１１に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記キャビティ領域を形成する段階は、
サンドブラスト（Ｓａｎｄ  ｂｌａｓｔ）加工により前記第２絶縁層を選択的に除去する段階を含む請求項１０から１２のいずれか一項に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記サンドブラスト加工段階は、
前記第２絶縁層において加工しない領域を選択的にカバーする加工防止層を形成する段階をさらに含む請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話を始めとしてＩＴ分野の電子機器が軽薄短小化されることにより、これに対する技術的要求に応えるために、ＩＣ、能動素子または受動素子等の電子部品を基板内に挿入する技術が要求されており、最近様々な方式により基板内に部品を内蔵する技術が開発されている。
【０００３】
基板内に様々な部品を挿入するために、様々なキャビティ構造を形成している。これにより、様々な加工技術が要求されている。また、加工による回路の損傷を防止するための技術も要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７８８６４３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、電子素子が挿入されるキャビティ構造の形成過程においての回路に損傷を与えずにキャビティ構造を精密に加工できるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層と、第１絶縁層に形成され、第１絶縁層の一面に露出した回路パターンと、第１絶縁層の一面に積層され、回路パターンを露出させる、貫通されたキャビティ領域が形成されている第２絶縁層と、一方側が第１絶縁層と第２絶縁層との間に介在され、他方側がキャビティ領域の底面から突出し、キャビティ領域の境界に沿って形成される絶縁体パターンと、を含む。
【０００７】
また本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、第１絶縁層の一面に回路パターンを形成する段階と、第１絶縁層上にキャビティ領域の境界を設定し、境界に沿って絶縁体パターンを形成する段階と、キャビティ領域を覆う保護層を形成する段階と、第１絶縁層の一面に第２絶縁層を形成する段階と、絶縁体パターンに沿って第２絶縁層を除去してキャビティ領域を形成する段階と、保護層を除去して回路パターンを露出させる段階と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施例に係るプリント回路基板を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。
【図３】本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。
【図４】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の他の実施例に係るプリント回路基板を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明に係るプリント回路基板、電子素子パッケージ及びその製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１０】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１２】
＜プリント回路基板及び電子素子パッケージ＞
図１は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を説明するための図であり、図２及び図３は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板のキャビティ領域を拡大した図である。
【００１３】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１０と、回路パターン１５と、第２絶縁層２０と、絶縁体パターン４０と、を含む。
【００１４】
第１絶縁層１０は、内部または外層に形成される回路パターン１５を電気的に絶縁する。  第１絶縁層１０は、樹脂材であることができる。第１絶縁層１０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂を含むことができ、プリプレグ（ＰＰＧ）やビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  ｆｉｌｍ）で形成することができる。
【００１５】
回路パターン１５は、第１絶縁層１０に形成され、電気的信号を伝達できる銅等の金属で形成される。回路パターン１５は、第１絶縁層１０の一面、他面または内部にも形成されることができる。例えば、回路パターン１５は、第１絶縁層１０を貫通して第１絶縁層１０の一面と他面とを接続するビアと、第１絶縁層１０の一面または他面に形成され、ビアに接続するパッドと、を含むことができる。
【００１６】
図１及び図２を参照すると、本実施例において第１絶縁層１０の一面には、第１絶縁層１０の内部に埋め込まれた構造の回路パターン１６が形成される。例えば、埋め込まれた回路パターン１６は、微細な回路が基板に埋め込まれるエンベデッドトレース基板（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ｔｒａｃｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の回路構造を有することができる。埋め込まれた回路パターン１６の上面は、第１絶縁層１０の一面と略同じ面をなすことになるので、第１絶縁層１０の一面を介して、埋め込まれた回路パターン１６の上面が露出する構造となり得る。エンベデッドトレース構造の微細な回路パターン１６は、キャビティ領域Ｃに挿入する電子素子の微細なパッドにも対応可能である。
【００１７】
第２絶縁層２０は、第１絶縁層１０の一面に積層されて回路パターン１５を電気的に絶縁することになり、キャビティ領域Ｃを形成できるように一部が貫通された構造を有する。
【００１８】
第２絶縁層２０は、第１絶縁層１０と類似の材質により、プリプレグ（ＰＰＧ）やビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  ｆｉｌｍ）等の形態に形成してもよく、第１絶縁層１０とは異なる材質または異なる方法により形成してもよい。
【００１９】
第２絶縁層２０には、埋め込まれた回路パターン１６を露出する貫通ホール２２が形成される。貫通ホール２２により形成されたキャビティ領域Ｃには電子素子が挿入され、挿入された電子素子は、埋め込まれた回路パターン１６と接続することができる。
【００２０】
図１及び図２を参照すると、第１絶縁層１０の一面に、貫通ホール２２が形成されている第２絶縁層２０を積層し、第１絶縁層１０の一面が底となり、第２絶縁層２０の貫通ホール２２の壁面が側壁となるキャビティ領域Ｃを形成することができる。
【００２１】
また、第２絶縁層２０上に第３絶縁層３０を形成し、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を連続して貫通する貫通ホール２２、３２を形成して、キャビティ領域Ｃを深く形成することもできる。
【００２２】
このとき、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を貫通して回路パターン１５と接続する導電性ポスト３５をさらに含むことができる。例えば、銅材質のポスト３５が回路パターン１５のパッド１７に結合することができる。導電性ポスト３５を用いると、ＰＯＰ（ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｐａｃｋａｇｅ）構造のパッケージにおいて他の基板と容易に電気的に接続することができる。
【００２３】
一方、キャビティ領域Ｃは、第１絶縁層１０で近くなるほど狭くなる形状を有することができる。レーザーまたはドリリングにより第２絶縁層２０または第３絶縁層３０に貫通ホール２２、３２を形成する場合は、図２に示すように、キャビティ領域Ｃの境界Ｂが略直角に近い構造に形成される。すなわち、キャビティ領域Ｃの内壁は、垂直の壁状に形成されることができる。
【００２４】
これに対して、サンドブラスト加工により第２絶縁層２０または第３絶縁層３０に貫通ホール２２′、３２′を形成する場合は、図３に示すように、キャビティ領域Ｃの境界Ｂが傾いて形成される。すなわち、キャビティ領域Ｃの内壁が下方に行くほど狭くなる構造に形成され得る。
【００２５】
また、図１を参照すると、第１絶縁層１０の他面または第３絶縁層３０の一面は、プリント回路基板の外層となり、ここにソルダーレジスト層５０、６０をさらに形成することができる。ソルダーレジスト層５０、６０のオープニングを介して導電性ポスト３５または回路パターン１５の一部が露出し、外部と電気的に接続することができる。
【００２６】
絶縁体パターン４０は、一方側が第１絶縁層１０と第２絶縁層２０との間に介在され、他方側がキャビティ領域Ｃの内部に延長してキャビティ領域Ｃの底面から突出する構造を有する。絶縁体パターン４０は、第１絶縁層１０の一面上に形成され、キャビティ領域Ｃの内部に延長するので、キャビティ領域Ｃの底面から突出する形状を有する。
【００２７】
図２及び図３を参照すると、絶縁体パターン４０の一方側端部は、第１絶縁層１０と第２絶縁層２０との間に位置し、他方側端部はキャビティ領域Ｃの底面の上に位置することができる。    絶縁体パターン４０は、キャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って第１絶縁層１０の一面上に形成されることができる。具体的に、キャビティ領域Ｃの境界Ｂ（キャビティの内壁である貫通ホール２２、３２の壁面を延長した仮想の面）と第１絶縁層１０の一面とが交わる位置に絶縁体パターン４０を配置することができる。キャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って形成された絶縁体パターン４０は、閉ルーフ構造を有し、内側から第１絶縁層１０の一部及び回路パターン１５が露出することができる。例えば、キャビティ領域Ｃが六面体状に形成される場合、絶縁体パターン４０が四角フレーム状に第１絶縁層１０上に形成され、四角フレームの内側から、キャビティ領域Ｃの底となる第１絶縁層１０の一面及び埋め込まれた回路パターン１６が露出することになる。
【００２８】
一方、図１２を参照すると、絶縁体パターン４０′は、回路パターン１５の少なくとも一部を覆う形態に形成されることもできる。例えば、絶縁体パターン４０′の一部が、埋め込まれた回路パターン１６の上面と接触する構造を有することができる。
【００２９】
このとき、絶縁体パターン４０を第１絶縁層１０の一面に選択的に容易に形成できるように、絶縁体パターン４０は、感光性樹脂で形成されることができる。例えば、第１絶縁層１０の一面にキャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って感光性樹脂を選択的に塗布し、硬化して絶縁体パターン４０を容易に形成することができる。
【００３０】
また、絶縁体パターン４０は、第２絶縁層２０とは異なる材質で形成することができる。例えば、絶縁体パターン４０は、貫通ホール２２、３２が形成される第２絶縁層２０または第３絶縁層３０よりも耐磨耗性または靱性（ｔｏｕｇｈｎｅｓｓ）の高い材質で形成することができる。これにより、第２絶縁層２０または第３絶縁層３０にサンドブラスト工程により貫通ホール２２、３２を形成するとき、絶縁体パターン４０が加工においてのストッパの役割をすることができる。サンドブラスト及びストッパ機能に関する具体的な内容は、後述する。
【００３１】
＜プリント回路基板の製造方法＞
図４から図１１は、本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【００３２】
本発明の一実施例に係るプリント回路基板の製造方法は、第１絶縁層１０に回路パターン１５を形成する段階と、絶縁体パターン４０を形成する段階と、保護層４５を形成する段階と、第２絶縁層２０を形成する段階と、キャビティ領域Ｃを形成する段階と、保護層４５を除去する段階と、を含む。
【００３３】
第１絶縁層１０に回路パターン１５を形成する段階では、第１絶縁層１０の一面に回路パターン１５を形成する。回路パターン１５は、第１絶縁層１０の他面または内部にも形成されることができる。回路パターン１５は、埋め込まれた回路パターン１６を含み、埋め込まれた回路パターン１６は、微細な回路が基板に埋め込まれるエンベデッドトレース基板の回路構造を有することができる。エンベデッドトレース構造の微細な回路は、電子素子の微細なパッドにも対応可能である。
【００３４】
図４を参照すると、離型層を有するキャリア基板５の両面に第１絶縁層１０及び回路パターン１５を形成することができる。例えば、メッキにより金属層を形成し、選択的エッチングによりパターニング工程を行うことができる。また、キャリア基板５の離型層上に導電性の金属物質を塗布した後にパターニング工程等を行って回路パターン１５を形成することができる。  パターニング工程には、テンティング法（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、ＭＳＡＰ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）、またはＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）等を用いることができる。
【００３５】
キャリア基板５に回路パターン１５を形成した後には、キャリア基板５に第１絶縁層１０を圧着して積層することにより、第１絶縁層１０に回路パターン１５を埋め込むことができる。このとき、第１絶縁層１０は、半硬化状態のプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）であってもよい。または、絶縁性樹脂をキャリア基板５に塗布して、回路パターン１５が埋め込まれた第１絶縁層１０を形成することができる。
【００３６】
一方、キャリア基板５に積層された第１絶縁層１０の内部または他面にも回路パターン１５を追加に形成することができる。このとき、キャリア基板５に位置した回路パターン１５は、第１絶縁層１０により覆われて、埋め込まれた構造を有することができる。
【００３７】
図５を参照すると、キャリア基板５から回路パターン１５の形成された第１絶縁層１０を分離すると、回路パターン１５が第１絶縁層１０の一面に露出する、埋め込まれた回路パターン１６を有することができる。キャリア基板５において、第１絶縁層１０の一面にシード層が形成された場合は、エッチングによりシード層を除去することで、第１絶縁層１０の一面に埋め込まれた回路パターン１６を露出することができる。
【００３８】
絶縁体パターン４０を形成する段階では、第１絶縁層１０上にキャビティ領域Ｃの境界Ｂを設定し、境界Ｂに沿って絶縁体パターン４０を形成する。このとき、絶縁体パターン４０は、第２絶縁層２０とは異なる材質で形成することができる。例えば、絶縁体パターン４０は、以後に積層される第２絶縁層２０または第３絶縁層３０よりも耐磨耗性または靭性の高い材質で形成することができる。これにより、第２絶縁層２０または第３絶縁層３０にサンドブラスト工程により貫通ホール２２、３２を形成するとき、絶縁体パターン４０が加工においてのストッパの役割をすることができる。
【００３９】
図６を参照すると、絶縁体パターン４０は、第１絶縁層１０の一面において、キャビティ領域Ｃの境界Ｂ上に形成することができる。具体的に、キャビティ領域Ｃの境界Ｂ（キャビティ内壁が形成される仮想の面）が設定され、境界Ｂと第１絶縁層１０の一面とが交わる位置に絶縁体パターン４０が配置されることができる。キャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って形成された絶縁体パターン４０は、閉ルーフ構造を有し、内側から第１絶縁層１０の一部及び回路パターン１５が露出することができる。例えば、キャビティ領域Ｃが六面体状に形成される場合、四角フレーム状の絶縁体パターン４０が第１絶縁層１０上に形成され、四角フレームの内側からキャビティ領域Ｃの底となる第１絶縁層１０の一面及び回路パターン１５が露出することになる。
【００４０】
このとき、絶縁体パターン４０を第１絶縁層１０の一面に選択的に容易に形成するために、絶縁体パターン４０は感光性樹脂で形成されることができる。例えば、第１絶縁層１０の一面にキャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って感光性樹脂を選択的に塗布し、硬化して絶縁体パターン４０を容易に形成することができる。
【００４１】
保護層４５を形成する段階では、以後のキャビティ領域Ｃを加工する工程においてキャビティ領域Ｃの底を保護する臨時の保護層４５を形成する。例えば、保護層４５は、キャビティ領域Ｃの底を覆い、埋め込まれた回路パターン１６を保護することができる。保護層４５は、回路パターン１５と異種の物質で形成することができる。
【００４２】
図７を参照すると、第１絶縁層１０の一面に、キャビティ領域Ｃの底を覆う絶縁物質の保護層４５を付着することができる。このとき、保護層４５は、キャビティ領域Ｃの境界Ｂに形成された絶縁体パターン４０とオーバーラップされ、キャビティ領域Ｃの底を隙間なく覆うことが好ましい。保護層４５は、後述するキャビティ領域Ｃの加工工程において、埋め込まれている回路パターン１６の損傷を効果的に防止することができる。特に、エンベデッドトレース構造の微細な回路パターン１６は、その厚さや幅が非常に小さいため、加工時の小さい誤差でも大きな損傷を受けることになる。よって、保護層４５によりキャビティ領域Ｃの回路パターン１５をカバーすると、プリント回路基板の製造時の信頼性や効率性を向上できる。
【００４３】
第２絶縁層２０を形成する段階では、第２絶縁層２０を第１絶縁層１０の一面に形成する。  第２絶縁層２０は、第１絶縁層１０と類似の材質により、プリプレグ（ＰＰＧ）やビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  ｆｉｌｍ）等の形態に形成してもよく、第１絶縁層１０とは異なる材質または異なる方法により形成してもよい。
【００４４】
図８を参照すると、第１絶縁層１０の一面に、絶縁体パターン４０及び保護層４５を埋め込む第２絶縁層２０を積層することができる。そして、第２絶縁層２０上には第３絶縁層３０をさらに積層することができる。このとき、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を貫通して回路パターン１５と接続する導電性ポスト３５をさらに形成してもよい。例えば、銅材質のポスト３５が回路パターン１５のパッドと結合することができる。
【００４５】
キャビティ領域Ｃを形成する段階では、絶縁体パターン４０に沿って第２絶縁層２０を除去してキャビティ領域Ｃを形成する。つまり、設定されたキャビティ領域Ｃの境界Ｂに沿って第２絶縁層２０を除去する。
【００４６】
具体的に、第２絶縁層２０に貫通ホール２２を形成することで、電子素子等が内部に挿入され配置され得る凹状の溝構造のキャビティ領域Ｃを形成する。第２絶縁層２０に第３絶縁層３０が形成された場合は、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を連続して貫通する貫通ホール２２、３２を形成することができる。貫通ホール２２、３２を介して保護層４５が露出することにより、後述する保護層４５の除去段階の後に、露出した埋め込まれている回路パターン１６と電子素子とを電気的に接続することができる。
【００４７】
このとき、キャビティ領域Ｃの加工は、第２絶縁層２０を選択的に除去するサンドブラスト加工により実施できる。
【００４８】
図９を参照すると、キャビティ領域Ｃを加工するとき、絶縁体パターン４０は加工の深さを制限するストッパの役割をすることができる。例えば、キャビティ領域Ｃの加工がサンドブラスト工程により実施され、サンドブラスト加工でのストッパの役割をする絶縁体パターン４０は、第２絶縁層２０または第３絶縁層３０よりも耐磨耗性または靭性の高い材質で形成されることができる。
【００４９】
サンドブラスト加工は、ノズルから研磨材を噴射して素材の表面を整えたり切削したりする加工方法である。過去には砂を研削材として噴射したためサンドブラストと名付けたが、現在は、アルミナ（酸化アルミニウム）または炭化ケイ素等のセラミック粉末、ガラスビーズ、プラスチックパウダー等の様々な粒子を研削材として用いることができる。サンドブラストの種類には、研磨材と水とを混合した後にノズルを介して噴射して加工する湿式サンドブラスト（Ｗｅｔ  ｂｌａｓｔ）と、エアを用いて研磨材のみをノズルを介して噴射して加工する乾式サンドブラスト（Ａｉｒ  ｂｌａｓｔ）がある。
【００５０】
本実施例では、第３絶縁層３０の加工しない領域を選択的にカバーする加工防止層７０を形成し、サンドブラスト加工により第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０を加工して絶縁体パターン４０及び保護層４５の上部を露出させる。このとき、絶縁体パターン４０は、耐磨耗性が高いか靭性が高い材質から形成されるので、第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０に比べてサンドブラスト加工による摩耗または切削が少ない。これにより、キャビティ領域Ｃの中心部分から保護層４５が露出するまでサンドブラスト加工が充分に行われても、キャビティ領域Ｃの境界Ｂ部分が損傷することを防止することができる。
【００５１】
保護層４５を除去する段階では、保護層４５を除去し、埋め込まれた回路パターン１６を露出させる。保護層４５は、その材質に応じて、化学的または物理的方法のうち容易な方法により除去することができる。
【００５２】
図１０を参照すると、絶縁物質で形成された保護層４５を第１絶縁層１０から取り外して除去することができる。
【００５３】
図１１を参照すると、第１絶縁層１０の他面または第３絶縁層３０の一面は、プリント回路基板の外層となり、ここにソルダーレジスト層５０、６０をさらに形成することができる。  ソルダーレジスト層５０、６０のオープニングを介して導電性ポスト３５または回路パターン１５の一部が露出し、外部と電気的に接続することができる。
【００５４】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加などにより本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【００５５】
Ｃ      キャビティ領域
１０    第１絶縁層
１５    回路パターン
１６    埋め込まれた回路パターン
２０    第２絶縁層
２２、３２    貫通ホール
３０    第３絶縁層
４０    絶縁体パターン
４５    保護層
５０、６０    ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019087722.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2019087722.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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