(57)【要約】【課題】高い熱伝導性と熱応力に対する高い信頼性とを有する絶縁基板及び放熱装置を提供すること。【解決手段】絶縁基板６は、発熱性素子２１が搭載される搭載面１ａを有する配線層１と、配線層１の下側に配線層１に対して積層状に配置された絶縁層４と、を備える。搭載面１ａは配線層１の上表面からなる。配線層１の上部がアルミニウム−炭素粒子複合材層２を有する。配線層１における複合材層２よりも下側の部分が純度９９％以上の純アルミニウム層３を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上表面からなる発熱性素子用搭載面を有する配線層と、前記配線層の下側に前記配線層に対して積層状に配置された絶縁層と、を備え、
前記配線層の上部がアルミニウム−炭素粒子複合材層を有し、
前記配線層における前記複合材層よりも下側の部分が純度９９％以上の純アルミニウム層を有している絶縁基板。
【請求項２】
前記純アルミニウム層のアルミニウムの純度が９９．９９％以上である請求項１記載の絶縁基板。
【請求項３】
前記複合材層の厚さが１００μｍ以上である請求項１又は２記載の絶縁基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁基板と放熱部材を具備する放熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子素子等の発熱性素子が搭載される絶縁基板及び放熱装置に関する。
【０００２】
なお、本発明に係る絶縁基板及び放熱装置の上下方向は限定されるものではないが、本明細書及び特許請求の範囲では、絶縁基板及び放熱装置の構成を理解し易くするため、発熱性素子が搭載される絶縁基板の搭載面側を絶縁基板及び放熱装置の上側、並びに、その反対側を絶縁基板及び放熱装置の下側とそれぞれ定義する。
【０００３】
また本明細書及び特許請求の範囲では、純度９９％以上のアルミニウムを「純アルミニウム」という。したがって、「純アルミニウム」の語は、特に明示する場合を除いて、高純度アルミニウム（純度４Ｎ）及び超高純度アルミニウム（純度５Ｎ以上）を含む。なお、純度４Ｎとは純度が９９．９９％、純度５Ｎ以上とは純度が９９．９９９％以上の意味である。
【背景技術】
【０００４】
例えばパワーデバイスに用いられる絶縁基板には一般に冷熱サイクル試験（例：パワーサイクル試験）による熱応力に対して高い信頼性が要求される。
【０００５】
この絶縁基板は、発熱性素子として例えば半導体チップが搭載される搭載面を有する配線層を備えている。配線層における搭載面とは反対面には一般に絶縁層（セラミック層）が接合される。
【０００６】
この配線層には高い熱伝導性（高い熱伝導率）が要求される。そのため、従来の配線層は一般に純アルミニウムで形成されていた。
【０００７】
特許第５１５０９０５号（特許文献１）は、高い熱伝導性を有する材料として、アルミニウム−炭素粒子複合材を開示している。そこで、高い熱伝導性を有する配線層を得るため、特開２０１７−７１７２号公報（特許文献２）は配線層の材料としてこの複合材を用いることを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第５１５０９０５号
【特許文献２】特開２０１７−７１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等を用いた高温で動作可能な半導体チップが開発されている。このような半導体チップが配線層の搭載面に搭載される場合、絶縁基板には高い熱伝導性と更に従来の絶縁基板に要求される熱応力に対する信頼性よりも高い信頼性とが要求される。
【００１０】
本発明は、上述した技術背景に鑑みてなされたもので、その目的は、高い熱伝導性と熱応力に対する高い信頼性とを有する絶縁基板及び放熱装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は以下の手段を提供する。
【００１２】
［１］  上表面からなる発熱性素子用搭載面を有する配線層と、前記配線層の下側に前記配線層に対して積層状に配置された絶縁層と、を備え、
前記配線層の上部がアルミニウム−炭素粒子複合材層を有し、
前記配線層における前記複合材層よりも下側の部分が純度９９％以上の純アルミニウム層を有している絶縁基板。
【００１３】
［２］  前記純アルミニウム層のアルミニウムの純度が９９．９９％以上である前項１記載の絶縁基板。
【００１４】
［３］  前記複合材層の厚さが１００μｍ以上である前項１又は２記載の絶縁基板。
【００１５】
［４］  前項１〜３のいずれかに記載の絶縁基板と放熱部材を具備する放熱装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は以下の効果を奏する。
【００１７】
前項１では、配線層の上部がアルミニウム−炭素粒子複合材層を有しているので、配線層の熱伝導性が高い。したがって、絶縁基板は高い熱伝導性を有している。
【００１８】
また、配線層の上部が上述の複合材層を有することにより、配線層の上部の線膨張係数が発熱性素子やはんだ層の線膨張係数に近づく。これにより、はんだ層の耐久性及び信頼性を向上させるとともに発熱性素子への応力を緩和することができる。さらに、配線層における複合材層よりも下側の部分が純度９９％以上の純アルミニウム層を有することにより、冷熱サイクル負荷時に配線層と絶縁層との間に発生する熱応力が純アルミニウム層で緩和される。したがって、絶縁基板は、熱応力に対して高い信頼性を有している。
【００１９】
さらに、配線層の上部が上述の複合材層を有することにより、配線層の純アルミニウム層と絶縁層との間の熱応力に起因する搭載面のしわの発生を抑制することができる。
【００２０】
前項２では、純アルミニウム層のアルミニウムの純度が９９．９９％以上であることにより、絶縁基板について熱応力に対する信頼性をより一層高めることができる。
【００２１】
前項３では、複合材層が１００μｍ以上であることにより、搭載面のしわの発生を確実に抑制することができる。
【００２２】
前項４では、前項１〜３のいずれかの効果を奏する放熱装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る放熱装置の断面図である。
【図２】図２は、複数のプリフォーム箔と純アルミニウム層とを積層する途中の状態の断面図である。
【図３】図３は、複数のプリフォーム箔と純アルミニウム層との積層体を焼結する途中の状態の断面図である。
【図４】図４は、配線層と絶縁層と第１緩衝層をろう付けにより接合一体化する途中の状態の断面図である。
【図５】図５は、配線層と絶縁層と第１緩衝層が接合一体化されて形成された、本発明の第１実施形態に係る絶縁基板の断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２実施形態に係る放熱装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
次に、本発明の幾つかの実施形態について図面を参照して以下に説明する。
【００２５】
図１〜５は、本発明の第１実施形態を説明する図である。
【００２６】
図１に示すように、本第１実施形態に係る放熱装置１０Ａは、パワーデバイス（例：ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ）等の放熱に用いられるものであり、上から下へ順に、配線層１、絶縁層４、第１緩衝層５、第２緩衝層７Ａ及び放熱部材（冷却部材を含む）８を積層状に備えている。そして、これらが所定の接合手段で積層状に接合一体化されることにより放熱装置１０Ａが形成されている。本発明の第１実施形態に係る絶縁基板６は、配線層１と絶縁層４と第１緩衝層５で構成されている。
【００２７】
配線層１は、その上表面からなる搭載面１ａを有している。この搭載面１ａ上には発熱性素子として例えば半導体チップ（二点鎖線で示す）２１がはんだ層（二点鎖線で示す）２２を介して接合される。
【００２８】
絶縁層４は電気絶縁性を有しており、通常、窒化アルミニウム板（ＡｌＮ）等のセラミック板からなる。
【００２９】
第１緩衝層５及び第２緩衝層７Ａは、絶縁基板６や放熱装置１０Ａに発生する熱応力等の応力を緩和するものである。第１緩衝層５は、金属板からなり、例えば純アルミニウム板からなる。第２緩衝層７Ａは、金属板からなり、詳述すると複数の貫通孔７Ａａを有するアルミニウムパンチングメタル板からなる。
【００３０】
放熱部材８は液冷式のものであり、ケース８ａとケース８ａ内に配置されたコルゲート状インナーフィン８ｂとを備えている。ケース８ａの内部には、インナーフィン８ｂで仕切られた、冷却流体としての冷却液（図示せず）が流れる複数の流路８ｃが形成されている。
【００３１】
放熱部材８は金属製であり詳述するとアルミニウム製である。更に詳述すると、放熱部材８のケース８ａは、外面及び内面のうち少なくとも内面にろう材層（図示せず）が設けられたアルミニウムブレージングシートからなり、放熱部材８のインナーフィン８ｂはアルミニウム板からなるか又は両面のうち少なくとも片面にろう材層（図示せず）が設けられたアルミニウムブレージングシートからなる。インナーフィン８ｂの波頂部及び波底部はケース８ａの内面にろう付け接合されている。
【００３２】
この放熱装置１０Ａでは、半導体チップ２１に発生した熱は、配線層１、絶縁層４、第１緩衝層５、第２緩衝層７Ａ及び放熱部材８へ順次伝導して流路８ｃを流れる冷却液へ放散される。その結果、半導体チップ２１の温度が低下する。
【００３３】
配線層１の構成について以下に詳述する。
【００３４】
配線層１の上部はアルミニウム−炭素粒子複合材層２を有している。配線層１における複合材層２よりも下側の部分は純度９９％（単位：質量％）以上の純アルミニウム層（ドットハッチングで示す）３を有している。
【００３５】
詳述すると、配線層１は複合材層２と純アルミニウム層３で構成されている。すなわち、配線層１の上部は複合材層２からなり、搭載面１ａは複合材層２の上表面からなる。配線層１における複合材層２よりも下側の部分の全体は純アルミニウム層３からなる。
【００３６】
複合材層２と純アルミニウム層３は所定の接合手段で接合されており、詳述すると両層２、３は焼結接合されており、即ち両層２、３は互いに焼結により接合（固着）されている。図１中の符号「Ｘ」は、複合材層２と純アルミニウム層３との接合面（詳述すると焼結接合面）（二点鎖線で示す）である。
【００３７】
また、配線層１の純アルミニウム層３と配線層１の下側に配置された絶縁層４とは積層状にろう付け接合されている。
【００３８】
このように、配線層１の上部が複合材層２からなることにより、配線層１の熱伝導性（熱伝導率）を高めることができるし、配線層１の線膨張係数を半導体チップ２１やはんだ層２２の線膨張係数に近づけることができ、これにより、はんだ層２２の耐久性及び信頼性を向上させるとともに半導体チップ２１への応力を緩和することができる。
【００３９】
配線層１における複合材層２よりも下側の部分が純アルミニウム層３からなることにより、放熱装置１０Ａ（絶縁基板６）に冷熱サイクル負荷が加わった時（例：冷熱サイクル試験時）に配線層１と絶縁層４との間に発生する熱応力を純アルミニウム層３で緩和することができる。
【００４０】
配線層１の厚さは限定されるものではないが、配線層１の厚さの下限は２００μｍであることが望ましく、配線層１の厚さの上限は３ｍｍであることが望ましく、特に配線層１の厚さの上限は２ｍｍであることが良い。
【００４１】
配線層１において、複合材層２の厚さと純アルミニウム層３の厚さの比率は限定されるものではないが１：１０〜１０：１であることが望ましく、特に１：５〜５：１であることが良い。
【００４２】
複合材層２の厚さは限定されるものではないが、なるべく厚い方が望ましい。その理由は、配線層１の熱伝導性を確実に高めることができるし、配線層１の線膨張係数を半導体チップ２１やはんだ層２２の線膨張係数に確実に近づけることができ、しかも、純アルミニウム層３と絶縁層４との間の熱応力に起因する搭載面１ａのしわの発生を抑制することができるからである。そのため、複合材層２の厚さは１００μｍ以上であることが望ましい。特に複合材層２の厚さは２００μｍ以上であることが良い。この場合、搭載面１ａのしわの発生を確実に抑制することができる。複合材層２の厚さの上限は限定されるものではなく、通常１ｍｍである。
【００４３】
純アルミニウム層３の厚さは限定されるものではない。しかるに、純アルミニウム層３が厚すぎると純アルミニウム層３が熱抵抗になり、一方、純アルミニウム層３が薄すぎると上述した熱応力の緩和の効果が少なくなる。この観点から、純アルミニウム層３の厚さは１００μｍ〜１．５ｍｍの範囲であることが望ましい。純アルミニウム層３の厚さが１００μｍ以上であることにより、上述した熱応力の緩和の効果を確実に発揮できる。純アルミニウム層３の厚さが１．５ｍｍ以下であることにより、純アルミニウム層３による配線層１の熱伝導性の低下を確実に抑制することができて、配線層１を高い熱伝導性に確実に維持することができる。特に望ましい純アルミニウム層３の厚さの上限は１ｍｍである。
【００４４】
純アルミニウム層３のアルミニウムの純度は上述したように９９％以上である。そのようなアルミニウムとしてＡ１１００、Ａ１０５０、Ａ１Ｎ３０などが好適に用いられる。絶縁基板６及び放熱装置１０Ａについて熱応力に対する信頼性を更に高めるためには、アルミニウムの純度は９９．９％以上であることが望ましく、特に９９．９９％以上であることが良い。そのようなアルミニウムとして高純度アルミニウム、超高純度アルミニウムなどが用いられる。アルミニウムの純度の上限は限定されるものではなく例えば９９．９９９％である。
【００４５】
複合材層２の複合材は、上述したようにアルミニウム−炭素粒子複合材であり、詳述すると、アルミニウムマトリックス１１とアルミニウムマトリックス１１中に分散した多数の炭素粒子１２とを含むものである。アルミニウムマトリックス１１のアルミニウムの材質は限定されるものではなく、例えばＡ１１００、Ａ１０５０、Ａ１Ｎ３０などの純度９９％の純アルミニウム系のアルミニウム合金であっても良い。絶縁基板６及び放熱装置１０Ａについて熱応力に対する信頼性を高めるためには、アルミニウムマトリックス１１のアルミニウムの純度は９９．９％以上であることが望ましく、特に９９．９９％以上であることが良い。
【００４６】
炭素粒子１２の種類は限定されるものではない。特に、炭素粒子１２として、炭素繊維、カーボンナノチューブ、天然黒鉛粒子及びグラフェンからなる群より選択される一種又は二種以上のものを用いることが望ましい。その理由は、このような炭素粒子は高い熱伝導性を有し且つアルミニウムとの複合化が容易だからである。
【００４７】
炭素繊維としては、ピッチ系炭素繊維、ＰＡＮ系炭素繊維などが好適に用いられる。
【００４８】
カーボンナノチューブとしては、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ（登録商標）を含む）などが好適に用いられる。
【００４９】
天然黒鉛粒子としては、鱗片状黒鉛粒子（特に、高熱伝導性鱗片状黒鉛粒子）などが好適に用いられる。
【００５０】
グラフェンとしては、単層グラフェン、多層グラフェンなどが好適に用いられる。
【００５１】
炭素粒子１２の大きさは限定されるものではなく、通常、炭素粒子１２の最長軸方向の平均長さは１μｍ〜１ｍｍの範囲である。
【００５２】
複合材層２の線膨張係数は純アルミニウム層３の線膨張係数よりも小さく、具体的には１８ｐｐｍ／Ｋ以下であることが望ましく、特に１５ｐｐｍ／Ｋ以下であることが良い。さらに、複合材層２の線膨張係数は２ｐｐｍ／Ｋ以上であることが望ましい。この場合、複合材層２の線膨張係数がはんだ層２２の線膨張係数よりも小さすぎることによる複合材層２とはんだ層２２との間の熱応力の発生を確実に抑制することができる。
【００５３】
複合材層２の製造方法は限定されるものでない。その製造方法として、特開２０１５−２５１５８号公報などに記載のように、アルミニウム箔上に多数の炭素粒子が付着したプリフォーム箔が複数積層された状態の積層体（プリフォーム体）を、プリフォーム箔の積層方向に加圧しながら板状に加熱焼結することにより、複合材層を製造する方法（この製法を説明の便宜上「プリフォーム箔積層焼結法」という）、及び、アルミニウム粉末と炭素粒子としての炭素粉末との混合物を一方向に加圧しながら板状に加熱焼結することにより、複合材層を製造する方法（この製法を説明の便宜上「粉末焼結法」という）が挙げられる。
【００５４】
本実施形態では、複合材層２は前者の方法（プリフォーム箔積層焼結法）で製造されており、さらに、複合材層２と純アルミニウム層３は複合材層２の製造と同時に焼結接合されている。この方法について以下に説明する。
【００５５】
図２に示すように、アルミニウム箔１３上に多数の炭素粒子１２が付着した複数のプリフォーム箔１４を準備する。本実施形態では、炭素粒子１２はアルミニウム箔１３の下表面にバインダー樹脂（図示せず）により付着している。アルミニウム箔１３の厚さは通常５〜１００μｍの範囲である。そして、複数のプリフォーム箔１４を積層して積層体本体１７ａを形成するとともに、この積層体本体１７ａの下側に純度９９％以上の純アルミニウム板からなる純アルミニウム層３を積層体本体１７ａに対して積層することで、積層体本体１７ａと純アルミニウム層３とからなる積層体１７を形成する。
【００５６】
次いで、積層体１７をプリフォーム箔１４の積層方向（即ち積層体１７の厚さ方向）に加圧しながら所定の焼結雰囲気中にて加熱焼結することにより、複合材層２を製造すると同時に複合材層２と純アルミニウム層３を焼結接合する。
【００５７】
焼結雰囲気は非酸化雰囲気であることが望ましい。非酸化雰囲気は、不活性ガス雰囲気（例：窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気）、真空雰囲気などを含む。
【００５８】
このような積層体１７の焼結は、真空ホットプレス焼結法、放電プラズマ焼結法などにより行われることが望ましい。積層体１７を真空ホットプレス焼結法により焼結する場合の具体例を以下に説明する。
【００５９】
図３に示すように、受け型３１、押圧パンチ３２、筒状の周型３３、ヒーター（図示せず）などを具備する真空ホットプレス焼結装置３０を準備する。そして、周型３内に積層体１７を配置するとともに、積層体１７をその下側から受け型３１で受ける。
【００６０】
次いで、積層体１７をプリフォーム箔１４の積層方向に押圧パンチ３２で加圧（その加圧方向Ｐ）しながら真空雰囲気中にて積層体１７をヒーターにより加熱することにより、積層体１７の積層体本体１７ａを焼結して複合材層２を得ると同時に複合材層２と純アルミニウム層３とを焼結接合する。これにより、上述の配線層１が得られる。
【００６１】
配線層１の複合材層２では、積層体１７が上述のように加圧加熱されることにより、アルミニウム箔１３の材料がアルミニウムマトリックス１１になるとともに炭素粒子１２、１２間に浸透して炭素粒子１２、１２間の空隙が消滅する。その結果、複合材層２では炭素粒子１２がアルミニウムマトリックス１１中に分散した状態になる。
【００６２】
積層体１７中に含まれるバインダー樹脂は、積層体１７の温度が略室温から焼結温度まで上昇するように積層体１７を加熱する途中で昇華、分解などによる消失して積層体１７から除去される。
【００６３】
真空ホットプレス焼結法で焼結を行う場合における望ましい焼結条件は次のとおりである。
【００６４】
焼結温度は４５０〜６４０℃、焼結時間（即ち焼結温度の保持時間）は１０〜３００ｍｉｎ、積層体への加圧力は１〜４０ＭＰａ、真空度は１０-4〜１０Ｐａである。
【００６５】
次に、放熱装置１０Ａの製造方法について以下に説明する。
【００６６】
図４に示すように、配線層１と絶縁層４と第１緩衝層５を積層する。この際に、配線層１と絶縁層４との間、及び、絶縁層４と第１緩衝層５との間にそれぞれろう材箔１８を介在させる。次いで、これらの層１、４、５をろう付けにより積層状に接合一体化する。これにより、図５に示した絶縁基板６が得られる。
【００６７】
次いで、絶縁基板６と第２緩衝層７Ａと放熱部材８を積層する。そして、これらをろう付けにより積層状に接合一体化する。これにより、図１に示した放熱装置１０Ａが得られる。
【００６８】
図６は、本発明の第２実施形態に係る放熱装置１０Ｂを説明する図である。なお、この図では、上記第１実施形態の放熱装置１０Ａの要素と同じ作用を奏する要素に、上記第１実施形態の放熱装置１０Ａの要素に付された符号と同じ符号が付されている。
【００６９】
本第２実施形態の放熱装置１０Ｂでは、第２緩衝層７Ｂはアルミニウムパンチングメタル板からなるものではなく、両面にそれぞれろう材層（図示せず）が設けられた両面アルミニウムブレージングシートからなるものである。そして、第２緩衝層７Ｂがブレージングシートの一方のろう材層で第１緩衝層５と接合されるとともに、第２緩衝層７Ｂがブレージングシートの他方のろう材層で放熱部材８と接合されている。その他の構成は上記第１実施形態の放熱装置１０Ａと同じである。
【００７０】
以上で本発明の幾つかの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で様々に変更可能である。
【００７１】
例えば、上記実施形態では放熱部材８は液冷式のものであるが、本発明では放熱部材はその他に例えば空冷式のもの（例：ヒートシンク）であっても良い。
【００７２】
また、上記実施形態では配線層１における複合材層２と純アルミニウム層３は焼結接合されているが、本発明では両層２、３はその他に例えばろう付け接合されていても良い。
【実施例】
【００７３】
次に、本発明の具体的な実施例及び比較例を以下に示す。
【００７４】
＜実施例１＞
本実施例１では、図６に示した放熱装置１０Ｂを準備した。
【００７５】
放熱装置１０Ｂの配線層１の平面視形状は縦２８ｍｍ×横２８ｍｍの方形状であり、配線層１の厚さは６００μｍであった。
【００７６】
配線層１における搭載面１ａを含む上部は厚さ４００μｍのアルミニウム−炭素粒子複合材層２からなる。複合材層２のアルミニウムマトリックス１１のアルミニウムの材質は純度９９．９９％の純アルミニウムであった。配線層１における複合材層２よりも下側の部分の全体は厚さ２００μｍで純度９９．９９％の純アルミニウム層からなる。
【００７７】
絶縁層４は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）板からなり、その平面視形状は縦３０ｍｍ×横３０ｍｍの方形状であり、その厚さは６４０μｍであった。
【００７８】
第１緩衝層５は純度９９．９９％の純アルミニウム板からなり、その平面視形状は縦２８ｍｍ×横２８ｍｍの方形状であり、その厚さは６００μｍであった。
【００７９】
第２緩衝層７Ｂは両面アルミニウムブレージングシートからなり、その平面視形状は縦２９ｍｍ×横２９ｍｍの方形状であり、その厚さは６００μｍであった。
【００８０】
放熱部材８はアルミニウム製であり、その厚さは１０ｍｍであった。
【００８１】
放熱装置１０Ｂについて冷熱サイクル試験を−４０℃〜２００℃の試験温度範囲で５００サイクル行った。そして、配線層１の搭載面１ａの状態を観察したところ、搭載面１ａにしわは発生していなかった。
【００８２】
＜実施例２＞
本実施例２で準備した放熱装置１０Ｂでは、配線層１における搭載面１ａを含む上部は厚さ２００μｍのアルミニウム−炭素粒子複合材層からなり、配線層１における複合材層２よりも下側の部分の全体は厚さ４００μｍで純度９９．９９％の純アルミニウム層３からなる。その他の構成は実施例１の放熱装置１０Ｂと同じである。
【００８３】
放熱装置１０Ｂについて冷熱サイクル試験を実施例１と同じ試験条件で行った。そして、配線層１の搭載面１ａの状態を観察したところ、搭載面１ａにしわは殆ど発生していなかった。
【００８４】
＜実施例３＞
本実施例３で準備した放熱装置１０Ｂでは、配線層１における搭載面１ａを含む上部は厚さ１００μｍのアルミニウム−炭素粒子複合材層からなり、配線層１における複合材層２よりも下側の部分の全体は厚さ５００μｍで純度９９．９９％の純アルミニウム層３からなる。その他の構成は実施例１の放熱装置１０Ｂと同じである。
【００８５】
放熱装置１０Ｂについて冷熱サイクル試験を実施例１と同じ試験条件で行った。そして、配線層１の搭載面１ａの状態を観察したところ、搭載面１ａにしわが僅かに発生していた。
【００８６】
＜比較例＞
本比較例で準備した放熱装置では、配線層の全体が厚さ６００μｍで純度９９．９９％の純アルミニウム層からなる。その他の構成は実施例１の放熱装置１０Ｂと同じである。
【００８７】
放熱装置について冷熱サイクル試験を実施例１と同じ試験条件で行った。そして、配線層の搭載面の状態を観察したところ、搭載面にしわが少し発生していた。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、電子素子（例：半導体チップ）等の発熱性素子が搭載される絶縁基板及び放熱装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００８９】
１：配線層
１ａ：搭載面
２：アルミニウム−炭素粒子複合材層
３：純アルミニウム層
４：絶縁層
５：第１緩衝層
６：絶縁基板
７Ａ、７Ｂ：第２緩衝層
８：放熱部材
１０Ａ、１０Ｂ：放熱装置
２１：半導体チップ（発熱性素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2019096841.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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