(57)【要約】      （修正有）【課題】より好ましい電子装置を提供することをその主たる課題とする。【解決手段】表面１１を有する基材１と、基材１の表面１１に形成され、導電部位３３を含む導電部分３と、導電部分３に配置された光学素子４１と、光学素子４１および導電部位３３にボンディングされたワイヤ４２と、導電部分３に形成された保護層と、を備え、基材１の表面１１は、保護層に直接接する領域１１１と、導電部分３および保護層のいずれもから露出する区域１１７１と、を含み、区域１１７１は、基材１の厚さ方向視において、導電部位３３および領域１１１のいずれにも隣り合っており、且つ、厚さ方向視において、導電部位３３および領域１１１の間に位置する。【選択図】図７
2019096645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する基材と、
前記基材の前記表面に形成され、第１導電部位を含む導電部分と、
前記導電部分に配置された光学素子と、
前記光学素子および前記第１導電部位にボンディングされた第１ワイヤと、
前記導電部分に形成された保護層と、を備え、
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第１領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第１区域と、を含み、
前記第１区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域の間に位置する、電子装置。
【請求項２】
前記保護層には、少なくとも１つの開口が形成されており、
前記少なくとも１つの開口のいずれか１つは、閉じた線となっている縁を有し、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１区域と重なっている、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの開口は、第１開口および第２開口を含み、
前記第１開口は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位と重なっており、
前記第２開口は、前記厚さ方向視において、前記光学素子と重なっており、
前記第１開口および前記第２開口の各々の縁は、閉じた線となっている、請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第１中間区域を含み、
前記導電部分は、前記光学素子がボンディングされた第２導電部位を含み、
前記第１中間区域は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２導電部位の間に位置している、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子装置。
【請求項５】
前記導電部分は、前記保護層が形成された第１部位を有し、前記第１領域は、前記厚さ方向視において、前記第１部位および前記第１区域の間に位置している、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子装置。
【請求項６】
前記導電部分における前記第１部位は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している、請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記第１領域は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している部位を有する、請求項５または請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第２領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第２区域と、を含み、
前記第２区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２領域の間に位置する、請求項１に記載の電子装置。
【請求項９】
前記第１領域は、前記第１導電部位から第１方向側に位置し、前記第２領域は、前記第１導電部位から第２方向側に位置し、
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、９０度以上１８０度以下である、請求項８に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、９０度であり、
前記第２領域は、前記第１領域につながっている、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記第１領域は、前記第２方向に沿って延びており、前記第２領域は、前記第１方向に沿って延びている、請求項９に記載の電子装置。
【請求項１２】
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、１８０度であり、
前記第２領域は、前記第１領域から離間している、請求項１１に記載の電子装置。
【請求項１３】
前記第１ワイヤは、前記第１導電部位にボンディングされた端部を含み、
前記第１導電部位は、前記厚さ方向視において、前記端部および前記第１領域の間に位置する縁を含み、
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記端部との距離は、前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記第１領域との距離の２倍以下である、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記端部との前記距離は、５０〜１００μｍである、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記第１領域との前記距離は、１０〜１３０μｍである、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１６】
前記基材の前記表面に形成された透光部を更に備え、
前記保護層は、前記基材の表面から起立する側面を含み、
前記側面は、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記透光部は、前記側面および前記表面の間に位置する部位を有する、請求項１ないし請求項１５のいずれかに記載の電子装置。
【請求項１７】
前記導電部分は、第３導電部位を含み、
前記光学素子および前記第３導電部位にボンディングされた第２ワイヤを更に備える、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１８】
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する追加領域を含み、
前記追加領域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第３導電部位の間に位置している、請求項１７に記載の電子装置。
【請求項１９】
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する追加区域を含み、
前記追加区域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第１導電部位の間、あるいは、前記光学素子および前記第３導電部位の間に位置している、請求項１７に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置の一例は、基板、半導体発光素子、配線パターン、接合層、および、封止樹脂を備えている。配線パターンは、基板に形成されている。半導体発光素子は、接合層を介して配線パターンに配置されている。封止樹脂は、基材上に配置され、半導体発光素子および配線パターンを覆っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１３０５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、より好ましい電子装置を提供することをその主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の第１の側面によれば、表面を有する基材と、前記基材の前記表面に形成され、第１導電部位を含む導電部分と、前記導電部分に配置された光学素子と、前記光学素子および前記第１導電部位にボンディングされた第１ワイヤと、前記導電部分に形成された保護層と、を備え、前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第１領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第１区域と、を含み、前記第１区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域の間に位置する電子装置が提供される。
【０００６】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態の電子装置の斜視図である。
【図２】第１実施形態の電子装置の正面図である。
【図３】第１実施形態の電子装置の左側面図である。
【図４】第１実施形態の電子装置の右側面図である。
【図５】第１実施形態の電子装置の平面図である。
【図６】図５から透光部を省略した図である。
【図７】図６から保護層を省略した図である。
【図８】図７から領域の図示を省略した図である。
【図９】第１実施形態の電子装置の裏面図である。
【図１０】第１実施形態の電子装置の断面図である。
【図１１】第１実施形態の電子装置の部分拡大断面図である。
【図１２】第１実施形態の電子装置の部分拡大断面図である。
【図１３】第１実施形態の電子装置の製造方法の一工程を示す図である。
【図１４】第１実施形態の電子装置の製造方法の一工程を示す図である。
【図１５】第１実施形態の第１変形例の電子装置の断面図である。
【図１６】第１実施形態の第２変形例の電子装置の平面図である。
【図１７】第１実施形態の第２変形例の電子装置の断面図である。
【図１８】第１実施形態の第３変形例の電子装置の断面図である。
【図１９】第２実施形態の電子装置の平面図である。
【図２０】図１９から透光部を省略した図である。
【図２１】図２０から保護層を省略した図である。
【図２２】図２１から一部の図示を省略した図である。
【図２３】第２実施形態の電子装置の断面図である。
【図２４】第２実施形態の第１変形例の電子装置の断面図である。
【図２５】第２実施形態の第２変形例の電子装置の平面図である。
【図２６】第２実施形態の第２変形例の電子装置の断面図である。
【図２７】第２実施形態の第３変形例の電子装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【０００９】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」との用語がある場合、これらの用語は、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」との用語がある場合、これらの用語は、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに積層されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に積層されている」との用語がある場合、これらの用語は、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接積層されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに積層されていること」を含む。多角形状とは、完全な多角形および多角形に類似する形状を含んでいてもよい。円形状とは、完全な円形および円形に類似する形状を含んでいてもよい。
【００１０】
＜第１実施形態＞
図１〜図１９を用いて、本開示の第１実施形態について説明する。
【００１１】
図１は、第１実施形態の電子装置の斜視図である。図２は、第１実施形態の電子装置の正面図である。図３は、第１実施形態の電子装置の左側面図である。図４は、第１実施形態の電子装置の右側面図である。図５は、第１実施形態の電子装置の平面図である。
【００１２】
これらの図に示す電子装置Ａ１は、基材１と、導電部分３と、光学素子４１と、ワイヤ４２と、ワイヤ４３と、接合層５（図１０参照）と、保護層６と、透光部７と、を含む。図５では、透光部７を、二点鎖線を用いて示している。
【００１３】
基材１は、例えば絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、例えば、絶縁性の樹脂もしくはセラミックなどが挙げられる。絶縁性の樹脂としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。セラミックとしては、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＣ，またはＡｌＮなどが挙げられる。基材１は、アルミニウムなどの金属よりなる基板に、絶縁膜が形成されたものであってもよい。本実施形態では、基材１は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、矩形状を呈する。
【００１４】
基材１は、表面１１、裏面１３、第１側面１５Ａ、第２側面１５Ｂ、第３側面１５Ｃ、および第４側面１５Ｄを有する。
【００１５】
表面１１および裏面１３は、基材１の厚さ方向Ｚ１において、離間しており、互いに反対側を向く。表面１１および裏面１３はともに、平坦である。
【００１６】
第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂは、方向Ｘ１に離間しており、互いに反対側を向く。第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂはともに、表面１１および裏面１３につながっている。第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂはともに、平坦である。
【００１７】
基板１には、第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂが形成されている。第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂはそれぞれ、平面視において、第１側面１５Ａおよび第２側面１５Ｂから基材１の内側に向け凹んでいる。第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂはともに、表面１１から裏面１３にわたって形成されている。本実施形態においては、第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂは、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、半円形状をなす。
【００１８】
第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄは、方向Ｙ１に離間しており、互いに反対側を向く。第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄはともに、表面１１および裏面１３につながっている。第３側面１５Ｃおよび第４側面１５Ｄはともに、平坦である。
【００１９】
図６は、図５から透光部を省略した図である。図７は、図６から保護層を省略した図である。図８は、図７から領域１１１等の図示を省略した図である。図９は、第１実施形態の電子装置の裏面図である。図１０は、第１実施形態の電子装置の断面図である。
【００２０】
図６〜図８等に示す導電部分３は、光学素子４１に電力を供給するための電流経路を構成する。導電部分３は導電材料よりなる。導電部分３は光学素子４１に導通している。導電部分３は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、およびＡｕの少なくともいずれかからなる。導電部分３は基材１に形成されている。本実施形態においては、導電部分３は、Ｃｕ上にＡｕめっきされて形成されている。導電部分３の材質はここに挙げたものに特に限定されない。導電部分３は、表面１１および裏面１３に形成されている。本実施形態では更に導電部分３は第１凹部１６Ａおよび第２凹部１６Ｂに形成されている。
【００２１】
導電部分３は、導電部位３１と、導電部位３３と、導電部位３４と、第１端縁部３５Ａと、第２端縁部３５Ｂと、導電部３６Ａと、導電部３６Ｂと、第１側面部３７Ａと、第２側面部３７Ｂと、第１裏面部３８Ａと、第２裏面部３８Ｂと、を含む。
【００２２】
図６に示すように、導電部位３１と、導電部位３３，３４と、第１端縁部３５Ａと、第２端縁部３５Ｂと、導電部３６Ａと、導電部３６Ｂとは、基材１における表面１１に形成されている。導電部位３１と、導電部位３３，３４と、第１端縁部３５Ａと、第２端縁部３５Ｂとは、保護層６から露出している。
【００２３】
導電部位３１には光学素子４１がボンディングされている（配置されている）。導電部位３３には、ワイヤ４２がボンディングされている。導電部位３３は、導電部位３１とは異なる部位である。本実施形態においては、導電部位３３および導電部位３１は互いにつながっている。導電部位３４には、ワイヤ４３がボンディングされている。導電部位３４は、導電部位３１とは異なる部位である。導電部位３４および導電部位３１は互いに離間している。
【００２４】
図７に示すように、第１端縁部３５Ａは、第１凹部１６Ａの縁１６１Ａに沿って延びている。第２端縁部３５Ｂは、第２凹部１６Ｂの縁１６１Ｂに沿って延びている。
【００２５】
図６、図７等に示すように、導電部３６Ａは、第１端縁部３５Ａにつながっている。導電部３６Ａは、方向Ｙ１に沿って延びている。導電部３６Ａ（本実施形態にて導電部分３における第１部位３９１とも言うこともある）は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３を挟んで、光学素子４１とは反対側に位置している。導電部３６Ｂは第２端縁部３５Ｂにつながっている。導電部３６Ｂは方向Ｙ１に沿って延びている。導電部３６Ｂは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３４を挟んで、光学素子４１とは反対側に位置している。
【００２６】
第１側面部３７Ａは、第１凹部１６Ａの内側面に形成され、且つ、第１端縁部３５Ａにつながっている。第２側面部３７Ｂは、第２凹部１６Ｂの内側面に形成され、且つ、第２端縁部３５Ｂにつながっている。
【００２７】
図９に示すように、第１裏面部３８Ａおよび第２裏面部３８Ｂは、基材１の裏面１３に形成されている。
【００２８】
第１裏面部３８Ａは、第１側面部３７Ａにつながっている。第１裏面部３８Ａは、縁３８１Ａ〜３８７Ａを含む。縁３８１Ａは、方向Ｘ１に沿って延びる。縁３８２Ａは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ａにつながっている。縁３８３Ａは、方向Ｘ１に沿って延び、縁３８２Ａにつながっている。縁３８４Ａは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ａにつながっている。縁３８４Ａは、縁３８２Ａよりも短い。縁３８５Ａは、円弧状であり、縁３８４Ａにつながっている。縁３８５Ａは、基材１の裏面１３の方向Ｘ１における端に至っている。縁３８６Ａは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８３Ａにつながっている。縁３８６Ａは、縁３８２Ａよりも短い。縁３８７Ａは、円弧状であり、縁３８６Ａにつながっている。縁３８７Ａは、基材１の裏面１３の方向Ｘ１における端に至っている。
【００２９】
第２裏面部３８Ｂは、第２側面部３７Ｂにつながっている。第２裏面部３８Ｂは、縁３８１Ｂ〜３８７Ｂを含む。縁３８１Ｂは、方向Ｘ１に沿って延びる。縁３８２Ｂは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ｂにつながっている。縁３８３Ｂは、方向Ｘ１に沿って延び、縁３８２Ｂにつながっている。縁３８４Ｂは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８１Ｂにつながっている。縁３８４Ｂは、縁３８２Ｂよりも短い。縁３８５Ｂは、円弧状であり、縁３８４Ｂにつながっている。縁３８５Ｂは、基材１の裏面１３の方向Ｘ１における端に至っている。縁３８６Ｂは、方向Ｙ１に沿って延び、縁３８３Ｂにつながっている。縁３８６Ｂは、縁３８２Ｂよりも短い。縁３８７Ｂは、円弧状であり、縁３８６Ｂにつながっている。縁３８７Ｂは、基材１の裏面１３の方向Ｘ１における端に至っている。
【００３０】
図７、図８に示すように、上述の基材１の表面１１は、領域（第１領域）１１１と、領域（第２領域）１１２と、領域１１３と、領域１１４と、追加領域１１５と、（複数の）領域１１６と、区域（第１区域）１１７１と、区域（第２区域）１１７２と、区域１１８１と、区域１１８２と、を含む。領域１１１と、領域１１２と、領域１１３と、領域１１４と、追加領域１１５と、（複数の）領域１１６とはいずれも、保護層６に直接接する。領域１１１と、領域１１２と、領域１１３と、領域１１４と、追加領域１１５と、（複数の）領域１１６の各々と、保護層６との間には、導電部分３が介在していない。区域１１７１と、区域１１７２と、区域１１８１と、区域１１８２とは、導電部分３および保護層６のいずれもから露出している。本実施形態では、区域１１７１と、区域１１７２と、区域１１８１と、区域１１８２とは、透光部７に直接接している。
【００３１】
図７に示すように、区域１１７１は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１１のいずれにも隣り合っている。区域１１７１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１１の間に位置する。区域１１７１は、方向Ｙ１に沿って延びている。
【００３２】
図７に示すように、区域１１７２は、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１２のいずれにも隣り合っている。区域１１７２は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１２の間に位置する。区域１１７２は、方向Ｘ１に沿って延びている。区域１１７２は、区域１１７１につながっている。
【００３３】
領域１１１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部３６Ａ（導電部分３の第１部位３９１ともいう）および区域１１７１の間に位置している。領域１１１は、部位１１１１を有する。部位１１１１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３を挟んで、光学素子４１とは反対側に位置している。領域１１１は、方向Ｙ１に沿って延びている。領域１１１は、導電部位３３から第１方向Ｄ１（図６参照）側に位置する。本実施形態では、第１方向Ｄ１は方向Ｘ１の一方に一致する。
【００３４】
領域１１２は、方向Ｘ１に沿って延びている。領域１１２は領域１１１につながっている。領域１１２は第３側面１５Ｃにつながっている。領域１１２は、導電部位３３から第２方向Ｄ２（図６参照）側に位置する。本実施形態では、第２方向Ｄ２は、方向Ｙ１の一方に一致する。第２方向Ｄ２および第１方向Ｄ１のなす角度は、９０度以上１８０度以下であることが好ましい。本実施形態では、第２方向Ｄ２および第１方向Ｄ１のなす角度は、９０度である。本実施形態では、領域１１１は、第２方向Ｄ２に沿って延びており、領域１１２は、第１方向Ｄ１に沿って延びているといえる。
【００３５】
領域１１３、領域１１４、区域１１８１、および区域１１８２は、領域１１１、領域１１２、区域１１７１、および区域１１７２を点対称とした形状であるので、同様の説明を適用できるので、符号を付すのみにとどめ、説明を省略する。
【００３６】
追加領域１１５は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３１および導電部位３４の間に位置している。追加領域１１５は、第３側面１５Ｃから第４側面１５Ｄまで至っている。複数の領域１１６は各々、表面１１の四隅のいずれか１つに位置している。
【００３７】
保護層６は、絶縁性を有する材質からなる。保護層６は、例えばレジスト層と称されることがある。保護層６は、半透明あるいは透明でない材料よりなりうる。保護層６は、表面１１および導電部分３に形成されている。図３、図４に示すように、保護層６は、基材１および透光部７の間に介在しており、且つ、基材１および透光部７に接している。
【００３８】
図６に示すように、保護層６には、少なくとも１つの開口が形成されている。本実施形態では、少なくとも１つの開口は、第１開口６１と、第２開口６２と、第３開口６３と、を含む。少なくとも１つの開口のいずれか１つは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および区域１１７１と重なっている。第１開口６１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３、区域１１７１、および区域１１７２と重なっている。第２開口６２は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３１および光学素子４１と重なっている。第３開口６３は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３４、区域１１８１、および区域１１８２と重なっている。第１開口６１の縁６１１、第２開口６２の縁６２１、および、第３開口６３の縁３３１は各々、閉じた線となっている。
【００３９】
図１１は、第１実施形態の電子装置の部分拡大断面図であり、導電部位３３近傍を示している。図１２は、第１実施形態の電子装置の部分拡大断面図であり、導電部位３４近傍を示している。
【００４０】
これらの図に示すように、保護層６は、基材１の表面１１から起立する側面６１Ａを含む。本実施形態では、側面６１Ａは、厚さ方向Ｚ１に対し傾斜している。本実施形態とは異なり、側面６１Ａが厚さ方向Ｚ１に対し傾斜していなくてもよい。
【００４１】
図５等に示す光学素子４１は、導電部分３における導電部位３１に配置されている。本実施形態では、光学素子４１は、半導体素子でありうる。光学素子には発光素子および受光素子が含まれる。本実施形態では光学素子４１は発光素子であり、電子装置Ａ１の光源となる。本実施形態においては更に、光学素子４１は、ＬＥＤチップである。本実施形態における光学素子４１は、ｎ型半導体層と活性層とｐ型半導体層とを有する。ｎ型半導体層は活性層に積層されている。活性層はｐ型半導体層に積層されている。よって、活性層はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に位置する。ｎ型半導体層、活性層、および、ｐ型半導体層は、例えば、ＧａＮよりなる。光学素子４１は、互いに反対側を向く表面電極パッドおよび裏面電極パッドを有する。これらの表面電極パッドおよび裏面電極パッドの図示は省略する。光学素子４１は、基材１に搭載されている。光学素子４１の発光色は特に限定されない。光学素子４１の発光色は、たとえば、白色、赤色、緑色、あるいは、青色でありうる。
【００４２】
ワイヤ（第１ワイヤ）４２は光学素子４１および導電部位３３にボンディングされている。ワイヤ４２は導電性の材料よりなる。ワイヤ４２は光学素子４１および導電部位３３を導通させている。
【００４３】
図７に示すように、ワイヤ４２は、導電部位３３にボンディングされた端部４２１を含む。導電部位３３は、厚さ方向Ｚ１視において、領域１１１および端部４２１の間に位置する縁３３１を含む。厚さ方向Ｚ１視における、導電部位３３における縁３３１と、端部４２１との距離Ｌ１（図６参照）は、厚さ方向Ｚ１視における、導電部位３３における縁３３１と、領域１１１との距離Ｌ２（図６参照）の２倍以下でありうる。あるいは、厚さ方向Ｚ１視における、導電部位３３における縁３３１と、端部４２１との距離Ｌ１は、５０〜１００μｍでありうる。あるいは、厚さ方向Ｚ１視における、導電部位３３における縁３３１と、領域１１１との距離Ｌ２は、１０〜１３０μｍでありうる。
【００４４】
図６等に示すように、ワイヤ（第２ワイヤ）４３は光学素子４１および導電部位３４にボンディングされている。ワイヤ４３３は導電性の材料よりなる。ワイヤ４３は光学素子４１および導電部位３４を導通させている。
【００４５】
図１０に示すように、接合層５は光学素子４１および導電部分３の間に介在する。本実施形態では接合層５は導電性の材料よりなる。接合層５は例えば銀ペーストに由来する。本実施形態とは異なり接合層５は絶縁性の材料よりなっていてもよい。
【００４６】
図１０等に示す透光部７は、基材１、光学素子４１、導電部分３、保護層６、ワイヤ４２、およびワイヤ４３を覆っている。本実施形態では、透光部７は、光を透過させる樹脂からなる。このような樹脂としては、例えば、透明あるいは半透明の、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂などが挙げられる。透光部７は、光学素子４１からの光によって励起されることにより異なる波長の光を発する蛍光材料を含むものであってもよい。本実施形態では、樹脂部がいわゆる黒樹脂である場合と異なり、透光部７にはフィラーが混入していない。図１〜図４等に示すように、透光部７は縁７１を含む。透光部７の縁７１は方向Ｙ１に沿って延びる。縁７１は電子装置Ａ１の方向Ｙ１の一端から他端にまで至る。
【００４７】
透光部７は、モールド成形により形成されうる。透光部７の方向Ｘ１の寸法は、基材１の方向Ｘ１の寸法よりも小さい。本実施形態においては、透光部７は、四角錐台状である。透光部７は、四角錐台状に限らず、基材１の厚さ方向Ｚ１に突き出る半球体状であってもよい。本実施形態とは異なり、透光部７および光学素子４１を包囲するリフレクタが基材１に配置されていてもよい。図１１、１２に示すように、透光部７は、側面６１Ａおよび表面１１の間に位置する部位を有していてもよい。このような構成によると、透光部７が基材１から脱離することを防止できる。
【００４８】
次に、本実施形態に係る電子装置Ａ１の製造方法について、図１３、図１４を参照し、説明する。本実施形態においては、複数の電子装置Ａ１を製造する場合を例に説明する。なお、以下の説明では、上記と同一または類似の構成については上記と同一の符号を付す。
【００４９】
まず、複数の貫通孔１６がマトリクス状に形成された、矩形状の基材１００（図１３参照）を用意する。基材１００は、図２等に示す基材１を複数個形成可能なサイズである。基材１００には、複数の円形状の貫通孔１６が形成されている。基材１００は、上記基材１の材質と同じ材料（すなわちガラスエポキシ樹脂）からなる。次に、基材１００に導電部分３を形成する。導電部分３は、Ｃｕ箔にＡｕめっきを施すことにより、形成される。
【００５０】
次に、図１３に示すように、導電部分３が形成された基材１００に保護層６を形成する。例えば、基材１００にフィルム状のレジストを圧着し貼り付けてもよいし、ペースト状のレジストを塗布してもよい。
【００５１】
次に、図１４に示すように、光学素子４１を、導電部分３に配置する。次に、ワイヤ４２およびワイヤ４３を各々、光学素子４１と導電部分３とにワイヤボンディングする。これにより、光学素子４１と導電部分３とが導通する。
【００５２】
次に、図示を省略するが、上述の透光部７をモールド成型により形成した後に、透光部７が形成された中間品をダイシングすることにより、図１等に示す電子装置Ａ１が複数個製造される。なお、上記電子装置Ａ１の製造方法において、複数の電子装置Ａ１を製造する場合を例に説明したが、１つずつ製造してもよい。
【００５３】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００５４】
本実施形態においては、図５等に示すように、基材１の表面１１は、保護層６に直接接する領域１１１を含む。このような構成によると、基材１の表面１１のうち、保護層６から露出している領域をより少なくすることができる。これにより、基材１の表面１１にて光が反射することを抑制できる。例えば、光学素子４１が発光素子である場合、電子装置Ａ１に流れる電流を極端に小さくすることなく、電子装置Ａ１から放たれる光をより暗くすることができる。
【００５５】
本実施形態においては、ワイヤ４２を導電部位３３にボンディングする際に用いるキャピラリが、領域１１１上の保護層６に接触しにくい。このことは、導電部位３３の小面積化に有利である。
【００５６】
本実施形態においては、区域１１７１が、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１１のいずれにも隣り合っており、且つ、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１１の間に位置する。このような構成によると、電子装置Ａ１の使用時に、保護層６や導電部分３が熱膨張したとしても、領域１１１が導電部位３３に接触することにより応力を付与することを抑制できる。これにより、応力に起因する導電部位３３の表面１１からの剥離を抑制できる。
【００５７】
本実施形態においては、保護層６に形成された開口６１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および区域１１７１と重なっている。開口６１の縁６１１は、閉じた線となっている。このような構成によると、保護層６によって表面１１上のより多くの領域を覆うことができる。このことによって、より好適に、電子装置Ａ１に流れる電流を極端に小さくすることなく、電子装置Ａ１から放たれる光をより暗くすることができる。その他の開口６２，６３についても同様のことがいえる。
【００５８】
本実施形態においては、領域１１１は、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３を挟んで、光学素子４１とは反対側に位置している部位１１１１を有する。上述のキャピラリは、ワイヤ４２を導電部位３３にボンディングした後、厚さ方向Ｚ１視において領域１１１側に移動しつつ、徐々に上昇する。したがって、本実施形態の構成は、領域１１１上の保護層６の表面をより低くできるので、上述のキャピラリが領域１１１上の保護層６に接触することを防止するのに適する。
【００５９】
上述の領域１１１に関する利点は、領域１１２、領域１１３、領域１１４についても同様に享受されうる。また、上述の区域１１７１に関する利点は、区域１１７２、区域１１８１、区域１１８２についても同様に享受されうる。
【００６０】
＜第１実施形態の第１変形例＞
図１５を用いて、本開示の第１実施形態の第１変形例について説明する。
【００６１】
本変形例の電子装置Ａ２は、透光部７が四角錐台状ではなく、直方体状である点において、上述の電子装置Ａ１とは異なる。
【００６２】
＜第１実施形態の第２変形例＞
図１６、図１７を用いて、本開示の第１実施形態の第２変形例について説明する。
【００６３】
本変形例の電子装置Ａ３は、ワイヤ４２を備えていない点において、上述の電子装置Ａ１とは異なる。そのため、電子装置Ａ３では、区域（第１区域）１１８１、区域（第２区域）１１８２、領域（第１領域）１１３、領域（第２領域）１１４、および開口６３等が形成されているが、区域１１７１，１１７２、領域１１１，１１２、開口６１等が形成されていない。
【００６４】
＜第１実施形態の第３変形例＞
図１８を用いて、本開示の第１実施形態の第３変形例について説明する。
【００６５】
本変形例の電子装置Ａ４は、透光部７が四角錐台状ではなく、直方体状である点において、上述の電子装置Ａ２とは異なる。
【００６６】
＜第２実施形態＞
図１９〜図２７を用いて、本開示の第２実施形態について説明する。
【００６７】
図１９は、第２実施形態の電子装置の平面図である。図２０は、図１９から透光部を省略した図である。図２１は、図２０から保護層を省略した図である。図２２は、図２１から領域の図示を省略した図である。図２３は、第２実施形態の電子装置の断面図である。
【００６８】
図１９〜図２３に示す電子装置Ａ４は、主として、厚さ方向Ｚ１視における、表面１１における領域および区域の形状、および、厚さ方向Ｚ１視における導電部分３の形状が、電子装置Ａ１におけるものとは異なる。
【００６９】
本実施形態では、導電部位３３は、導電部位３１から離間している。導電部位３３および導電部３６Ａの間に、導電部３６Ｃが形成されている。導電部３６Ｃは、導電部位３３および導電部３６Ａにつながっている。
【００７０】
本実施形態においても、導電部位３４は、導電部位３１から離間している。導電部位３４および導電部３６Ｂの間に、導電部３６Ｄが形成されている。導電部３６Ｄは、導電部位３４および導電部３６Ｂにつながっている。
【００７１】
基材１の表面１１は、領域（第１領域）１１Ａと、領域（第２領域）１１Ｂと、領域１１Ｃと、領域１１Ｄと、（複数の）領域１１Ｆと、区域（第１区域）１１Ｊと、区域（第２区域）１１Ｋと、区域１１Ｍと、区域１１Ｎと、中間区域１１Ｐと、中間区域１１Ｑと、を含む。領域１１Ａと、領域１１Ｂと、領域１１Ｃと、領域１１Ｄと、追加領域１１５と、（複数の）領域１１Ｆとはいずれも、保護層６に直接接する。領域１１Ａと、領域１１Ｂと、領域１１Ｃと、領域１１Ｄと、（複数の）領域１１Ｆの各々と、保護層６との間には、導電部分３が介在していない。区域１１Ｊと、区域１１Ｋと、区域１１Ｍと、区域１１Ｎと、中間区域１１Ｐと、中間区域１１Ｑとは、導電部分３および保護層６のいずれもから露出しており、透光部７に直接接している。
【００７２】
区域１１Ｊは、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１Ａのいずれにも隣り合っている。区域１１Ｊは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１Ａの間に位置する。区域１１Ｊは、方向Ｘ１に沿って延びている。
【００７３】
区域１１Ｋは、基材１の厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１Ｂのいずれにも隣り合っている。区域１１Ｋは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および領域１１Ｂの間に位置する。
【００７４】
領域１１Ａは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部分３の第１部位３９２および区域１１Ｊの間に位置している。区域１１Ｊは第３側面１５Ｃにつながっている。領域１１Ａは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３を挟んで、光学素子４１とは反対側に位置している部位１１Ａ１を有する。領域１１Ａは、方向Ｘ１に沿って延びている。領域１１Ａは、導電部位３３から第１方向Ｄ３側に位置する。本実施形態では、第１方向Ｄ３は方向Ｙ１の一方に一致する。
【００７５】
領域１１Ｂは、方向Ｘ１に沿って延びている。領域１１Ｂは領域１１Ａにつながっている。領域１１Ｂは、導電部位３３から第２方向Ｄ４側に位置する。本実施形態では、第２方向Ｄ４は、方向Ｙ１の一方に一致する。第２方向Ｄ４および第１方向Ｄ３のなす角度は、９０度以上１８０度以下であることが好ましい。本実施形態では、第２方向Ｄ４および第１方向Ｄ３のなす角度は、１８０度である。
【００７６】
領域１１Ｃ、領域１１Ｄ、区域１１Ｍ、および区域１１Ｎは、領域１１Ａ、領域１１Ｂ、区域１１Ｊ、および区域１１Ｋを点対称とした形状であるので、符号を付すのみにとどめ、説明を省略する。複数の領域１１６は各々、表面１１の四隅のいずれか１つに位置している。
【００７７】
中間区域１１Ｐは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３３および導電部位３１の間に位置している。中間区域１１Ｐは、区域１１Ｊおよび区域１１Ｋのいずれともつながっている。中間区域１１Ｐは、厚さ方向Ｚ１視において、ワイヤ４２と重なっている。中間区域１１Ｑは、厚さ方向Ｚ１視において、導電部位３４および導電部位３１の間に位置している。中間区域１１Ｑは、区域１１Ｍおよび区域１１Ｎのいずれともつながっている。中間区域１１Ｑは、厚さ方向Ｚ１視において、ワイヤ４３と重なっている。
【００７８】
本実施形態では、保護層６には、１つの開口６５が形成されている。開口６５の縁６５１は閉じた線となっている。
【００７９】
このような構成によっても、電子装置Ａ１で述べた利点を享受できる。更に、本実施形態では、中間区域１１Ｐが形成されていることにより、導電部位３３や導電部位３１が保護層６から受ける応力に起因する、導電部位３３や導電部位３１の剥離を抑制できる。同様に、中間区域１１Ｑが形成されていることにより導電部位３４や導電部位３１が保護層６から受ける応力に起因する、導電部位３４や導電部位３１の剥離を抑制できる。
【００８０】
＜第２実施形態の第１変形例＞
図２４を用いて、本開示の第２実施形態の第１変形例について説明する。
【００８１】
本変形例の電子装置Ａ６は、透光部７が四角錐台状ではなく、直方体状である点において、上述の電子装置Ａ５とは異なる。
【００８２】
＜第２実施形態の第２変形例＞
図２５〜図２６を用いて、本開示の第２実施形態の第２変形例について説明する。
【００８３】
本変形例の電子装置Ａ７は、ワイヤ４２を備えていない点において、上述の電子装置Ａ５とは異なる。そのため、電子装置Ａ７では、電子装置Ａ３では、区域（第１区域）１１Ｍ、区域（第２区域）１１Ｎ、領域（第１領域）１１Ｃ、および領域（第２領域）１１Ｄ等が形成されているが、区域１１Ｊ，１１Ｋ等が形成されていない。
【００８４】
＜第２実施形態の第３変形例＞
図２７を用いて、本開示の第２実施形態の第３変形例について説明する。
【００８５】
本変形例の電子装置Ａ８は、透光部７が四角錐台状ではなく、直方体状である点において、上述の電子装置Ａ５とは異なる。
【００８６】
本開示は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００８７】
本開示は以下の付記にかかる実施形態を含む。
［付記１］
表面を有する基材と、
前記基材の前記表面に形成され、第１導電部位を含む導電部分と、
前記導電部分に配置された光学素子と、
前記光学素子および前記第１導電部位にボンディングされた第１ワイヤと、
前記導電部分に形成された保護層と、を備え、
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第１領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第１区域と、を含み、
前記第１区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１領域の間に位置する、電子装置。
［付記２］
前記保護層には、少なくとも１つの開口が形成されており、
前記少なくとも１つの開口のいずれか１つは、閉じた線となっている縁を有し、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第１区域と重なっている、付記１に記載の電子装置。
［付記３］
前記少なくとも１つの開口は、第１開口および第２開口を含み、
前記第１開口は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位と重なっており、
前記第２開口は、前記厚さ方向視において、前記光学素子と重なっており、
前記第１開口および前記第２開口の各々の縁は、閉じた線となっている、付記２に記載の電子装置。
［付記４］
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第１中間区域を含み、
前記導電部分は、前記光学素子がボンディングされた第２導電部位を含み、
前記第１中間区域は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２導電部位の間に位置している、付記１ないし付記３のいずれかに記載の電子装置。
［付記５］
前記導電部分は、前記保護層が形成された第１部位を有し、前記第１領域は、前記厚さ方向視において、前記第１部位および前記第１区域の間に位置している、付記１ないし付記４のいずれかに記載の電子装置。
［付記６］
前記導電部分における前記第１部位は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している、付記５に記載の電子装置。
［付記７］
前記第１領域は、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位を挟んで、前記光学素子とは反対側に位置している部位を有する、付記５または付記６に記載の電子装置。
［付記８］
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する第２領域と、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する第２区域と、を含み、
前記第２区域は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２領域のいずれにも隣り合っており、且つ、前記厚さ方向視において、前記第１導電部位および前記第２領域の間に位置する、付記１に記載の電子装置。
［付記９］
前記第１領域は、前記第１導電部位から第１方向側に位置し、前記第２領域は、前記第１導電部位から第２方向側に位置し、
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、９０度以上１８０度以下である、付記８に記載の電子装置。
［付記１０］
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、９０度であり、
前記第２領域は、前記第１領域につながっている、付記９に記載の電子装置。
［付記１１］
前記第１領域は、前記第２方向に沿って延びており、前記第２領域は、前記第１方向に沿って延びている、付記９に記載の電子装置。
［付記１２］
前記第１方向および前記第２方向のなす角度は、１８０度であり、
前記第２領域は、前記第１領域から離間している、付記１１に記載の電子装置。
［付記１３］
前記第１ワイヤは、前記第１導電部位にボンディングされた端部を含み、
前記第１導電部位は、前記厚さ方向視において、前記端部および前記第１領域の間に位置する縁を含み、
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記端部との距離は、前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記第１領域との距離の２倍以下である、付記１に記載の電子装置。
［付記１４］
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記端部との前記距離は、５０〜１００μｍである、付記１３に記載の電子装置。
［付記１５］
前記厚さ方向視における、前記第１導電部位における前記縁と、前記第１領域との前記距離は、１０〜１３０μｍである、付記１３に記載の電子装置。
［付記１６］
前記基材の前記表面に形成された透光部を更に備え、
前記保護層は、前記基材の表面から起立する側面を含み、
前記側面は、前記厚さ方向に対し傾斜しており、前記透光部は、前記側面および前記表面の間に位置する部位を有する、付記１ないし付記１５のいずれかに記載の電子装置。
［付記１７］
前記導電部分は、第３導電部位を含み、
前記光学素子および前記第３導電部位にボンディングされた第２ワイヤを更に備える、付記１に記載の電子装置。
［付記１８］
前記基材の前記表面は、前記保護層に直接接する追加領域を含み、
前記追加領域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第３導電部位の間に位置している、付記１７に記載の電子装置。
［付記１９］
前記基材の前記表面は、前記導電部分および前記保護層のいずれもから露出する追加区域を含み、
前記追加区域は、前記厚さ方向視において、前記光学素子および前記第１導電部位の間、あるいは、前記光学素子および前記第３導電部位の間に位置している、付記１７に記載の電子装置。
【符号の説明】
【００８８】
１  基材
１１  表面
１１１〜１１４，１１６，１１Ａ〜１１Ｄ，１１Ｆ  領域
１１１１  部位
１１５  追加領域
１１７１，１１７２，１１８１，１１８２，１１Ｊ，１１Ｋ，１１Ｍ，１１Ｎ  区域
１１Ａ１  部位
１１Ｐ，１１Ｑ  中間区域
１３  裏面
１５Ａ  第１側面
１５Ｂ  第２側面
１５Ｃ  第３側面
１５Ｄ  第４側面
１６１Ａ，１６２Ａ  縁
１６Ａ  第１凹部
１６Ｂ  第２凹部
３  導電部分
３１  導電部位
３３  導電部位
３３１  縁
３４  導電部位
３５Ａ  第１端縁部
３５Ｂ  第２端縁部
３６Ａ  導電部
３６Ｂ  導電部
３７Ａ  第１側面部
３７Ｂ  第２側面部
３８Ａ  第１裏面部
３８Ｂ  第２裏面部
４１  光学素子
４２  ワイヤ
４２１  端部
４３  ワイヤ
５  接合層
６  保護層
６１〜６３，６５  開口
６１１，６２１，６３１，６５１  縁
６１Ａ  側面
７  透光部
Ａ１〜Ａ８  電子装置
Ｌ１，Ｌ２  距離
Ｘ１，Ｙ１  方向
Ｚ１  厚さ方向
【図１】
2019096645.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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