(57)【要約】【課題】外部制御装置でダミー基板収容部内の基板の交換時期を判断することが可能な基板処理装置を提供すること。【解決手段】一実施形態の基板処理装置は、外部制御装置と通信可能な基板処理装置であって、製品基板を収容した搬送容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部とは別に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板収容部と、前記製品基板及び前記ダミー基板を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記搬送機構により搬送された前記製品基板及び前記ダミー基板を収容した状態で前記製品基板及び前記ダミー基板を処理する処理室と、前記ダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板のうち使用不可の前記ダミー基板の枚数が設定値以上であるか否かを判定し、前記枚数が前記設定値以上である場合、前記外部制御装置に警告を通知する制御部と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部制御装置と通信可能な基板処理装置であって、
製品基板を収容した搬送容器を載置する容器載置部と、
前記容器載置部とは別に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板収容部と、
前記製品基板及び前記ダミー基板を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、
前記搬送機構により搬送された前記製品基板及び前記ダミー基板を収容した状態で前記製品基板及び前記ダミー基板を処理する処理室と、
前記ダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板のうち使用不可の前記ダミー基板の枚数が設定値以上であるか否かを判定し、前記枚数が前記設定値以上である場合、前記外部制御装置に警告を通知する制御部と、
を有する、
基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記枚数が前記設定値以上である場合、前記ダミー基板収容部からの前記ダミー基板の搬出を禁止する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記ダミー基板収容部から搬出された前記ダミー基板の全てが前記ダミー基板収容部に回収されている場合、前記外部制御装置に前記ダミー基板の交換が可能であることを通知する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記外部制御装置から前記ダミー基板の交換を指示する信号を受けた場合、前記ダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板を交換する、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記ダミー基板の交換が完了し、前記枚数が前記設定値未満である場合、前記ダミー基板収容部からの前記ダミー基板の搬出の禁止を解除する、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
使用不可の前記ダミー基板は、前記ダミー基板の累積膜厚が所定膜厚以上であるダミー基板、又は前記処理室において所定回数以上の処理が行われたダミー基板である、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記ダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板の枚数が前記設定値未満である場合、前記ダミー基板の全てが使用不可の前記ダミー基板であるか否かを判定し、前記ダミー基板の全てが使用不可である場合、前記外部制御装置に警告を通知する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
外部制御装置と通信可能な基板処理装置におけるダミー基板の交換時期を通知する方法であって、
製品基板を収容した搬送容器を載置する容器載置部とは別に設けられダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板のうち使用不可の前記ダミー基板の枚数が設定値以上であるか否かを判定し、前記枚数が前記設定値以上である場合、前記外部制御装置に警告を通知する、
通知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び通知方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空容器内に設けられた回転テーブルの回転方向に複数枚の基板を載置し、回転テーブルを回転させた状態で回転テーブルの径方向に沿って設けられたガス供給部からガスを供給することで、基板に膜を形成する処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この処理装置では、回転テーブルの上面に形成された基板を載置する載置部の全てに製品ウエハが載置されていないと、製品ウエハに均一な膜を形成できない虞がある。そのため、製品ウエハが載置されていない載置部にダミーウエハを載置して載置部の全てにウエハが載置された状態で成膜処理が行われる。ダミーウエハは、常圧搬送室に配置されたダミーウエハ格納エリアに載置された搬送容器に収容され、成膜処理に繰り返し使用された結果、累積膜厚規定値を超える膜が成膜されると交換される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−６６７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の処理装置では、ホストコンピュータ等の外部制御装置でダミー基板収容部内の基板の交換時期を判断することができない。
【０００６】
そこで、本発明の一態様では、外部制御装置でダミー基板収容部内の基板の交換時期を判断することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、外部制御装置と通信可能な基板処理装置であって、製品基板を収容した搬送容器を載置する容器載置部と、前記容器載置部とは別に設けられ、ダミー基板を収容するダミー基板収容部と、前記製品基板及び前記ダミー基板を搬送する搬送機構が設けられた搬送室と、前記搬送機構により搬送された前記製品基板及び前記ダミー基板を収容した状態で前記製品基板及び前記ダミー基板を処理する処理室と、前記ダミー基板収容部に収容された前記ダミー基板のうち使用不可の前記ダミー基板の枚数が設定値以上であるか否かを判定し、前記枚数が前記設定値以上である場合、前記外部制御装置に警告を通知する制御部と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
開示の基板処理装置によれば、外部制御装置でダミー基板収容部内の基板の交換時期を判断することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図
【図２】本発明の実施形態に係る制御装置のハードウェア構成例を示す図
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート
【図４】本発明の実施形態に係る交換時期通知処理を示すシーケンス図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
（基板処理装置）
本発明の実施形態に係る基板処理装置について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。図２は、本発明の実施形態に係る制御装置のハードウェア構成例を示す図である。
【００１２】
図１に示されるように、基板処理装置１は、ロードポート１０と、ダミーストレージ２０と、アライナ３０と、常圧搬送室４０と、ロードロック室５０と、真空搬送室６０と、チャンバ７０と、制御装置１００と、を有する。
【００１３】
ロードポート１０は、常圧搬送室４０に隣接するように配置される。ロードポート１０には、複数枚の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）を収容、搬送可能な搬送容器１１が載置される。ウエハは、製品ウエハ、ダミーウエハ等を含む。製品ウエハは、デバイスを形成するために使用されるウエハである。ダミーウエハは、製品ウエハの代わりに使用されるウエハであって、製品ウエハを用いる必要のない処理を行う場合、後述するチャンバ７０内に設けられる回転テーブルの上面に形成された載置部に製品ウエハが載置されていない場合等に使用されるウエハである。搬送容器１１は、例えばＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）であってよい。なお、図１では、ロードポート１０が４つである場合を例示しているが、例えばロードポート１０は３つ以下であってもよく、５つ以上であってもよい。
【００１４】
ダミーストレージ２０は、ロードポート１０とは別に常圧搬送室４０に隣接するように配置される。ダミーストレージ２０には、複数枚のダミーウエハが所定間隔を有して略水平に収容される。図１では、ダミーストレージ２０が２つの場合を例示しているが、例えばダミーストレージ２０は１つであってもよく、３つ以上であってもよい。
【００１５】
アライナ３０は、常圧搬送室４０に隣接するように配置される。アライナ３０は、ロードロック室５０に対するウエハの搬送位置の調整のために用いられる。具体的には、アライナ３０は、ウエハの中心位置及び中心に対するノッチ方向を検出し、ロードロック室５０内においてウエハの中心位置及びノッチ方向がそれぞれ所定位置及び所定方向となるようにウエハの搬送位置を調整する。
【００１６】
常圧搬送室４０は、ロードポート１０とロードロック室５０とを連結する。また、常圧搬送室４０は、ダミーストレージ２０と、ロードポート１０及びロードロック室５０とを連結する。常圧搬送室４０には、第１搬送アーム４１が設けられている。第１搬送アーム４１は、例えば多関節アームからなる搬送アームであり、製品ウエハをロードポート１０又はロードロック室５０に搬入又は搬出する。また、第１搬送アーム４１は、ダミーウエハをロードポート１０、ダミーストレージ２０又はロードロック室５０に搬入又は搬出する。
【００１７】
ロードロック室５０は、常圧搬送室４０と真空搬送室６０とを連結し、ウエハを常圧搬送室４０又は真空搬送室６０に搬入又は搬出する。ロードロック室５０は、ゲートバルブＧ１を介して常圧搬送室４０と接続され、ゲートバルブＧ２を介して真空搬送室６０と接続されている。ロードロック室５０は、内部を真空、大気圧に切り換え可能な内圧可変室からなり、内部に配置された円柱状のステージ５１を有する。ロードロック室５０は、ウエハＷを常圧搬送室４０から真空搬送室６０へ搬入する際、内部を大気圧に維持して常圧搬送室４０からウエハを受け取った後、内部を減圧して真空搬送室６０へウエハを搬入する。また、ウエハを真空搬送室６０から常圧搬送室４０へ搬出する際、内部を真空に維持して真空搬送室６０からウエハを受け取った後、内部を大気圧まで昇圧して常圧搬送室４０へウエハを搬入する。ステージ５１は、上面から突出自在な複数の細棒状の３つのリフトピン（図示せず）を有する。各リフトピンは平面視において同一円周上に配置され、ステージ５１の上面から突出することによってウエハを支持して持ち上げ、ステージ５１の内部へ退出することによって支持するウエハをステージ５１へ載置させる。図１では、ロードロック室５０が３つの場合を例示しているが、例えばロードロック室５０は２つ以下であってもよく、４つ以上であってもよい。
【００１８】
真空搬送室６０は、ロードロック室５０と各チャンバ７０とを連結する。真空搬送室６０は、ゲートバルブＧ３を介して各チャンバ７０と接続されている。また、真空搬送室６０は、その室内雰囲気が真空状態に維持されている。真空搬送室６０には、第２搬送アーム６１が設けられている。第２搬送アーム６１は、例えば、多関節アームからなる搬送アームであり、ウエハを各チャンバ７０又はロードロック室５０に搬入又は搬出する。
【００１９】
チャンバ７０は、真空搬送室６０の周りに配置されて、ゲートバルブＧ３を介して真空搬送室６０と接続されている。チャンバ７０内に設けられた回転テーブルの回転方向に沿って形成された載置部７１のそれぞれにウエハを載置し、回転テーブルを回転させた状態で回転テーブルの径方向に沿って設けられたガス供給部からガスを供給する。これにより、チャンバ７０内においてウエハに膜が形成される。
【００２０】
図２に示されるように、制御装置１００は、それぞれバスＢで相互に接続されているドライブ装置１０１、補助記憶装置１０２、メモリ装置１０３、ＣＰＵ１０４、及びインタフェース装置１０５等を有するコンピュータである。制御装置１００での処理を実現するプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体１０６によって提供される。プログラムを記憶した記録媒体１０６がドライブ装置１０１にセットされると、プログラムが記録媒体１０６からドライブ装置１０１を介して補助記憶装置１０２にインストールされる。但し、プログラムのインストールは必ずしも記録媒体１０６より行う必要はなく、ネットワークを介して他のコンピュータからダウンロードするようにしてもよい。補助記憶装置１０２は、インストールされたプログラム、レシピ等の必要なデータを格納する。メモリ装置１０３は、プログラムの起動指示があった場合に、補助記憶装置１０２からプログラムを読み出して格納する。ＣＰＵ１０４は、メモリ装置１０３に格納されたプログラムに従って基板処理装置１に係る機能を実行する。インタフェース装置１０５は、ネットワークに接続するためのインタフェースとして用いられる。
【００２１】
制御装置１００は、基板処理装置１の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御装置１００が基板処理装置１の外部に設けられている場合、制御装置１００は、有線又は無線等の通信手段によって、基板処理装置１を制御することができる。制御装置１００は、有線又は無線等の通信手段によって、基板処理装置１を含む複数の装置を一元管理するホストコンピュータ１１０に接続され、ホストコンピュータ１１０と相互に通信可能となっている。
【００２２】
（基板処理装置の動作）
次に、図３を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理方法の一例について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１を用いた基板処理方法の一例を示すフローチャートである。以下の説明において、基板処理装置１を構成する各部の動作は、制御装置１００により制御される。
【００２３】
ステップＳ１では、制御装置１００は、処理内容（例えば、補助記憶装置１０２に記憶されているレシピ）が特定されているか否かを判定する。処理内容が特定されていない場合（ステップＳ１：Ｎｏ）、処理内容が特定されるまでステップＳ１を繰り返す。処理内容が特定されている場合（ステップＳ１：Ｙｅｓ）、ステップＳ２へ進む。
【００２４】
ステップＳ２では、制御装置１００は、特定された処理内容に応じて使用する製品ウエハ及びダミーウエハを特定する。例えば、制御装置１００は、ロードポート１０に載置された搬送容器１１に収容されている未処理の製品ウエハから処理を行う製品ウエハを特定する。また、制御装置１００は、ダミーストレージ２０に収容されているダミーウエハから処理に使用するダミーウエハを特定する。
【００２５】
ステップＳ３では、制御装置１００は、ステップＳ２で特定した製品ウエハ及びダミーウエハをチャンバ７０内に設けられた回転テーブルの載置部７１に搬入する。例えば、第１搬送アーム４１により、特定された製品ウエハを搬送容器１１からアライナ３０に搬送し、ロードロック室５０に対する製品ウエハの搬送位置を調整する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送位置が調整された製品ウエハをロードロック室５０に搬送する。また、制御装置１００は、第１搬送アーム４１により、特定されたダミーウエハをダミーストレージ２０からアライナ３０に搬送し、ロードロック室５０に対するダミーウエハの搬送位置を調整する。続いて、ゲートバルブＧ１を開き、搬送位置が調整されたダミーウエハをロードロック室５０に搬送する。続いて、ゲートバルブＧ１を閉じた後、ロードロック室５０を真空状態にする。その後、ゲートバルブＧ２及びゲートバルブＧ３を開いた後、第２搬送アーム６１により、ロードロック室５０に搬送した製品ウエハ及びダミーウエハをチャンバ７０内に設けられた回転テーブルの載置部７１に載置する。
【００２６】
ステップＳ４では、制御装置１００は、ゲートバルブＧ３を閉じた後、特定されたレシピに沿って、基板処理装置１の各部を制御することにより、特定した処理を実行する。例えば、回転テーブルによりウエハを公転させながらウエハに処理ガスを供給することによって、ウエハに均一な薄膜を形成する、ウエハの成膜処理を実行する。
【００２７】
ステップＳ５では、制御装置１００は、成膜処理が行われた製品ウエハ及びダミーウエハをチャンバ７０から搬出する。例えば、制御装置１００は、ゲートバルブＧ３及びゲートバルブＧ２を開いた後、第２搬送アーム６１により、成膜処理が行われた製品ウエハ及びダミーウエハをロードロック室５０に搬送する。続いて、制御装置１００は、ゲートバルブＧ２を閉じた後、ロードロック室５０内を常圧状態にする。ロードロック室５０内が常圧状態になると、制御装置１００は、ゲートバルブＧ１を開いた後、第１搬送アーム４１により、ロードロック室５０に搬送された製品ウエハをロードポート１０に載置された搬送容器１１に収容する。また、制御装置１００は、第１搬送アーム４１により、ロードロック室５０に搬送されたダミーウエハをダミーストレージ２０に収容する。
【００２８】
ステップＳ６では、制御装置１００は、ダミーストレージ２０に収容されたダミーウエハの使用回数、累積膜厚等を算出し、算出したダミーウエハの使用回数、累積膜厚等を補助記憶装置１０２に記憶（更新）する。
【００２９】
ステップＳ７では、制御装置１００は、全ての処理が完了したか否かを判定する。全ての処理が完了していない場合（ステップＳ７：Ｎｏ）、ステップＳ３に戻り、再び、特定した製品ウエハ及びダミーウエハをチャンバ７０内に設けられた回転テーブルの載置部７１に搬入する。一方、全ての処理が完了した場合（ステップＳ７：Ｙｅｓ）、基板処理を終了する。
【００３０】
ところで、ダミーウエハは繰り返し使用されることが多く、繰り返し使用されるとダミーウエハに成膜される膜の累積膜厚が大きくなる。累積膜厚が大きくなると、パーティクルの発生原因となり得る。
【００３１】
そこで、ダミーウエハに成膜された膜の累積膜厚が所定膜厚以上となった場合、基板処理装置１のモニタにダミーウエハが使用不可である旨の警告を表示している。オペレータは、基板処理装置１のモニタに表示された警告を確認すると、ロードポート１０に新たなダミーウエハが収容された搬送容器を載置し、新たなダミーウエハとダミーストレージ２０に収容された使用不可のダミーウエハとの交換を行う。
【００３２】
しかしながら、基板処理装置１を含む複数の装置を一元管理するホストコンピュータ１１０でダミーストレージ２０に収容されたダミーウエハの交換時期を判断することができなかった。
【００３３】
そこで、以下では、ホストコンピュータ１１０でダミーストレージ２０に収容されたダミーウエハの交換時期を判断することが可能な本発明の実施形態に係る基板処理装置１におけるダミーウエハの交換時期を通知する処理（通知方法）について説明する。
【００３４】
（交換時期通知処理）
次に、図４を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１におけるダミーウエハの交換時期を通知する処理（以下「交換時期通知処理」という。）について説明する。図４は、本発明の実施形態に係る交換時期通知処理を示すシーケンス図である。
【００３５】
ステップＳ１１では、制御装置１００は、ダミーストレージ２０に収容された複数枚のダミーウエハのうち使用不可のダミーウエハの枚数が設定値以上であるか否かを判定する。使用不可のダミーウエハとは、例えばダミーウエハの累積膜厚が所定膜厚以上であるダミーウエハ、チャンバ７０において所定回数以上の処理が行われたダミーウエハであってよい。設定値は、基板処理装置１のユーザ等が制御装置１００又はホストコンピュータ１１０を介して入力することにより設定される。例えば、ダミーストレージ２０に収容可能なダミーウエハの枚数が２５枚である場合、設定値は１枚から２５枚までの範囲で設定可能である。使用不可のダミーウエハの枚数が設定値未満である場合（ステップＳ１１：Ｎｏ）、ステップＳ１１を繰り返す。使用不可のダミーウエハの枚数が設定値以上である場合（ステップＳ１１：Ｙｅｓ）、ステップＳ１２へ進む。また、制御装置１００は、ダミーストレージ２０に収容されているダミーウエハの枚数が設定値未満である場合、ダミーストレージ２０に収容された全てのダミーウエハが使用不可のダミーウエハであるか否かを判定する。そして、ダミーウエハの全てが使用不可である場合、ステップＳ１２へ進む。
【００３６】
ステップＳ１２では、制御装置１００は、ダミーストレージ２０からのダミーウエハの搬出を禁止し、且つホストコンピュータ１１０に対し、ダミーストレージ２０が使用不可であることを示す信号を送信する。また、制御装置１００は、基板処理装置１のモニタにダミーウエハが使用不可である旨の警告を表示してもよい。
【００３７】
ステップＳ１３では、制御装置１００は、ダミーストレージ２０から搬出されたダミーウエハの全てがダミーストレージ２０に回収されているか否かを判定する。ダミーウエハの一部がダミーストレージ２０に回収されていない場合（ステップＳ１３：Ｎｏ）、ダミーウエハの全てがダミーストレージ２０に回収されるまでステップＳ１３を繰り返す。ダミーウエハの全てがダミーストレージ２０に回収されている場合（ステップＳ１３：Ｙｅｓ）、ステップＳ１４へ進む。
【００３８】
ステップＳ１４では、制御装置１００は、ホストコンピュータ１１０に対し、ダミーストレージ２０内のダミーウエハの交換が可能であることを示す信号を送信する。
【００３９】
ステップＳ１５では、ホストコンピュータ１１０は、制御装置１００からの信号を受けて、制御装置１００に対し、ダミーウエハの交換を指示する信号を送信する。
【００４０】
ステップＳ１６では、制御装置１００は、ホストコンピュータ１１０からダミーウエハの交換を指示する信号を受けて、基板処理装置１の各構成要素の動作を制御し、ダミーストレージ２０に収容された使用不可のダミーウエハの交換を行う。
【００４１】
ステップＳ１７では、制御装置１００は、ダミーウエハの交換の結果、ダミーストレージ２０に収容された複数枚のダミーウエハのうち使用不可のダミーウエハの枚数が設定値未満となったか否かを判定する。使用不可のダミーウエハの枚数が設定値以上である場合（ステップＳ１７：Ｎｏ）、ステップＳ１６へ戻り、ダミーウエハの交換を継続する。ステップＳ１７において使用不可のダミーウエハの枚数が設定値未満である場合（ステップＳ１７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１８へ進む。
【００４２】
ステップＳ１８では、制御装置１００は、ホストコンピュータ１１０に対し、ダミーストレージ２０からのダミーウエハの搬出の禁止を解除する信号を送信する。
【００４３】
以上に説明したように、本発明の実施形態に係る基板処理装置では、制御装置１００が、ダミーストレージ２０に収容されたダミーウエハのうち使用不可のダミーウエハの枚数が設定値以上であるか否かを判定する。そして、制御装置１００は、使用不可のダミーウエハの枚数が設定値以上である場合、ホストコンピュータ１１０に警告を通知する。これにより、ホストコンピュータ１１０でダミーストレージ２０内のダミーウエハの交換時期を判断することができる。
【００４４】
なお、本発明の実施形態において、ロードポート１０は容器載置部の一例であり、ダミーストレージ２０はダミー基板収容部の一例であり、第１搬送アーム４１は搬送機構の一例であり、チャンバ７０は処理室の一例である。また、制御装置１００は制御部の一例であり、ホストコンピュータ１１０は外部制御装置の一例である。また、ウエハは基板の一例であり、製品ウエハは製品基板の一例であり、ダミーウエハはダミー基板の一例である。
【００４５】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００４６】
上記の実施形態では、基板処理装置として、チャンバ７０に設けられた回転テーブルの回転方向に複数枚のウエハを載置し、回転テーブルを回転させた状態で回転テーブルの径方向に沿って設けられたガス供給部からガスを供給することで、ウエハに膜を形成する装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。基板処理装置としては、ダミーウエハを使用して処理が可能な装置であればよく、例えばウエハを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であってもよく、多数のウエハに対して一括で処理を行うバッチ式の装置であってもよい。
【００４７】
上記の実施形態では、基板がウエハである場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、基板はガラス基板、ＬＣＤ基板等であってもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１      基板処理装置
１０    ロードポート
１１    搬送容器
２０    ダミーストレージ
４０    常圧搬送室
４１    第１搬送アーム
７０    チャンバ
１００  制御装置
１１０  ホストコンピュータ
【図１】
2019087614.tif 000003
【図２】
2019087614.tif 000004
【図３】
2019087614.tif 000005
【図４】
2019087614.tif 000006