(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示パネルの表示領域を囲む周辺領域における電源線の腐食を防止する。【解決手段】多層配線層１２０は、有機ＥＬ素子アレイ１３００が配されており、複数の絶縁層中、最上階層に位置する樹脂絶縁層１２０ｇが存在する第１部分１２０ｐ１と、平面視において第１部分１２０ｐ１の周囲にあり樹脂絶縁層１２０ｇが堤状に存在する第２部分１２０ｐ２と、平面視において第１部分１２０ｐ１と第２部分１２０ｐ２との間にあり樹脂絶縁層１２０ｇが周溝１２０ｇｃｈ状に存在しない第３部分１２０ｐ３とを有し、電源線１６１は、第３部分１２０ｐ３では樹脂絶縁層１２０ｇよりひとつ下の階層に位置する無機絶縁層１２０ｆ上にあり、当該無機絶縁層上にある電源線の部分１６１ｃｅｄは第２部分１２０ｐ２に存在する樹脂絶縁層１２０ｇと離間している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配され、複数の絶縁層と電源線とを含む多層配線層と、
前記多層配線層上に配され、有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイと、を備え、
前記多層配線層は、
前記有機ＥＬ素子アレイが配されており、前記複数の絶縁層中、最上階層に位置する樹脂絶縁層が存在する第１部分と、
平面視において前記第１部分の周囲にあり前記樹脂絶縁層が堤状に存在する第２部分と、
平面視において前記第１部分と前記第２部分との間にあり前記樹脂絶縁層が周溝状に存在しない第３部分とを有し、
前記電源線は、前記第３部分では前記樹脂絶縁層よりひとつ下の階層に位置する無機絶縁層上にあり、当該無機絶縁層上にある前記電源線の部分は前記第２部分に存在する前記樹脂絶縁層と離間している
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記無機絶縁層を第１の無機絶縁層としたとき、さらに、少なくとも前記有機ＥＬ素子アレイ上に配された第２の無機絶縁層とを備え、
前記第２の無機絶縁層は、平面視において前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分では、前記電源線と前記第２部分に存在する前記樹脂絶縁層との間隙を通して、前記第１の無機絶縁層と接触している
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記第２の無機絶縁層は、平面視において前記多層配線層の第３部分よりも外方まで延在している
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記各有機ＥＬ素子は、
画素電極と、前記画素電極に対向する共通電極と、前記画素電極および前記共通電極に挟まれた有機発光層とを含む発光部と、
前記画素電極にソースが接続され前記発光部を駆動するトランジスタとを含み、
前記電源線は前記共通電極、又は前記各有機ＥＬ素子における前記トランジスタのソース、ドレイン、ゲート、又は電源ラインの何れかと接続されている
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記電源線は前記共通電極又は前記電源ラインに接続されているとき、
前記多層配線層において、前記電源線は、平面視において前記各有機ＥＬ素子から前記第１部分の外周近傍まで延在する複数の支線と、前記第１部分の外周近傍において前記複数の支線に接続された幹線とを含み、
前記幹線は、前記第１部分では前記多層配線層の最上の階層にあり、前記幹線の外周縁は前記第３部分に存在している
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記多層配線層において、前記電源線は、前記第３部分では前記最上の階層のひとつ以上下の階層にコンタクトホールを介して延出されている
請求項１から５の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記共通電極は金属からなり、平面視において前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分に存在する前記樹脂絶縁層部分と離間している
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記共通電極は金属酸化物からなり、平面視において少なくとも前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分に存在する前記樹脂絶縁層部分と接触している
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記基板を第１基板としたとき、
さらに、少なくとも前記有機ＥＬ素子アレイ上に配された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記有機ＥＬ素子アレイの周囲に配され、前記第２の無機絶縁層を部分的に被覆する封止構造体とを備えた
請求項１から８の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記第２の無機絶縁層は、前記多層配線層の第１部分では前記有機ＥＬ素子アレイ、前記電源線又は前記樹脂絶縁層を被覆している
請求項１から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルに関し、特に、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ素子を複数含む有機ＥＬ表示パネルが知られている。有機ＥＬ素子は、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、平坦化絶縁層に覆われたＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）基板上に、少なくとも、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた有機発光層とを備える。画素電極と有機発光層の間、または、共通電極と有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などが設けられる。これらの層は、水分と反応すると発光特性が劣化する材料を含むことがある。有機ＥＬ表示パネルの表示品質の経時的な劣化を抑制するために、外部環境に存在する水分の浸入を抑制するための封止技術が重要となる。
【０００３】
これに対し、特許文献１では、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域を囲む位置に、平坦化絶縁層を除去した周溝部（分離部）が開設された表示装置が提案されている。特許文献１では、この周溝部で、表示領域の平坦化絶縁層を、周溝部の外側の平坦化絶縁層から隔離することによって、周溝部の外側の周辺領域の平坦化絶縁層に残存する水分が、表示領域に浸入することを抑制できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９０１５３号公報
【特許文献２】特開２００９−１２３５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、有機ＥＬ表示パネルは、通常、第１基板と有機ＥＬ素子アレイとの間に、外部から各有機ＥＬ素子に信号および電力を供給するための多層配線層を備える。例えば、多層配線層は、有機ＥＬ素子の駆動回路や共通電極に接続された複数の電源線を含み、有機ＥＬ表示パネルを平面視したとき、これらの電源線は、何れも、有機ＥＬ素子アレイが配された表示領域からその周囲にある領域まで引き出され外部駆動回路に接続されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
そのため、特許文献１に記載されるように、表示領域を囲む位置に平坦化絶縁層を除去して形成された周溝部を設けた場合でも、電源線の一部が周溝部の外側の周辺領域の平坦化絶縁層まで延在する場合には、周辺領域の平坦化絶縁に残存又は外部から進入する水分により電源線の一部に腐食が生じて、表示領域内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれるおそれがあった。
【０００７】
本開示は、上記課題に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ表示パネルにおいて、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域を囲む周辺領域における、当該素子に信号および電力を供給する電源線の腐食を防止する有機ＥＬ表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に配され、複数の絶縁層と電源線とを含む多層配線層と、前記多層配線層上に配され、有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイと、を備え、前記多層配線層は、前記有機ＥＬ素子アレイが配されており、前記複数の絶縁層中、最上階層に位置する樹脂絶縁層が存在する第１部分と、平面視において前記第１部分の周囲にあり前記樹脂絶縁層が堤状に存在する第２部分と、平面視において前記第１部分と前記第２部分との間にあり前記樹脂絶縁層が周溝状に存在しない第３部分とを有し、前記電源線は、前記第３部分では前記樹脂絶縁層よりひとつ下の階層に位置する無機絶縁層上にあり、当該無機絶縁層上にある前記電源線の部分は前記第２部分に存在する前記樹脂絶縁層と離間していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域を囲む周辺領域における、当該素子に信号および電力を供給する電源線の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の平面レイアウト図であり、（ｂ）は分割領域の拡大図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１００の等価回路図である。
【図３】表示領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図である。
【図４】周辺領域における有機ＥＬ表示パネル１００の構造を示す一部切欠き斜視図である。
【図５】周辺領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
【図６】周辺領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図であり、図３及び図４のＹ２−Ｙ２線での断面を示している。
【図７】（ａ）は、表示パネル１００のコーナ部分における周辺領域の概略構成を示す平面図であり、（ｂ）は比較例における同様の平面図であり、多層配線層１２０上面から視した状態を示している。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程を説明するための断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程を説明するための断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程を説明するための断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造工程を説明するための断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、比較例における、それぞれ、０時間、６００時間、１０００時間経過後における、表示パネルのコーナ部分における多層配線層１２０上面から視した平面写真である。
【図１３】は、表示パネル１００の実施例における、１０００時間経過後における、表示パネルのコーナ部分における多層配線層１２０上面から視した平面写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板上に配され、複数の絶縁層と電源線とを含む多層配線層と、前記多層配線層上に配され、有機ＥＬ素子を複数含み、各有機ＥＬ素子が前記電源線にそれぞれ接続された有機ＥＬ素子アレイと、を備え、前記多層配線層は、前記有機ＥＬ素子アレイが配されており、前記複数の絶縁層中、最上階層に位置する樹脂絶縁層が存在する第１部分と、平面視において前記第１部分の周囲にあり前記樹脂絶縁層が堤状に存在する第２部分と、平面視において前記第１部分と前記第２部分との間にあり前記樹脂絶縁層が周溝状に存在しない第３部分とを有し、前記電源線は、前記第３部分では前記樹脂絶縁層よりひとつ下の階層に位置する無機絶縁層上にあり、当該無機絶縁層上にある前記電源線の部分は前記第２部分に存在する前記樹脂絶縁層と離間していることを特徴とする。
【００１２】
係る構成により、周辺領域部において、第２電源線の一部が周溝部の外側の第２部分に位置する層間絶縁層まで延在していないので、当該層間絶縁層に残存又は外部から進入する水分があった場合でも第２電源線の一部に腐食が生じて、表示領域部内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記無機絶縁層を第１の無機絶縁層としたとき、さらに、少なくとも前記有機ＥＬ素子アレイ上に配された第２の無機絶縁層とを備え、前記第２の無機絶縁層は、平面視において前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分では、前記電源線と前記第２部分に存在する前記樹脂絶縁層との間隙を通して、前記第１の無機絶縁層と接触している構成であってもよい。
【００１３】
係る構成により、第２部分に位置する層間絶縁層に残存又は外部から進入する水分により第２電源線の一部に腐食が生じて、表示領域部内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる構造を実現できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２の無機絶縁層は、平面視において前記多層配線層の第３部分よりも外方まで延在している構成であってもよい。
【００１４】
係る構成により、樹脂からなり水分を吸着しやすい性質を有する層間絶縁層を、水分を吸着しない無機材料からなる保護層により、その外縁まで被覆することにより、周溝部の外側（第２部分）の層間絶縁層に、例えば、基板の外縁方向から水分が進入することを防止できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記各有機ＥＬ素子は、画素電極と、前記画素電極に対向する共通電極と、前記画素電極および前記共通電極に挟まれた有機発光層とを含む発光部と、前記画素電極にソースが接続され前記発光部を駆動するトランジスタとを含み、前記電源線は前記共通電極、又は前記各有機ＥＬ素子における前記トランジスタのソース、ドレイン、ゲート、又は電源ラインの何れかと接続されている構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記電源線は前記共通電極又は前記電源ラインに接続されているとき、前記多層配線層において、前記電源線は、平面視において前記各有機ＥＬ素子から前記第１部分の外周近傍まで延在する複数の支線と、前記第１部分の外周近傍において前記複数の支線に接続された幹線とを含み、前記幹線は、前記第１部分では前記多層配線層の最上の階層にあり、前記幹線の外周縁は前記第３部分に存在している構成であってもよい。また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記多層配線層において、前記電源線は、前記第３部分では前記最上の階層のひとつ以上下の階層にコンタクトホールを介して延出されている構成であってもよい。
【００１５】
係る構成により、幹線の実質的な断面積が増加し、幹線での電圧降下を抑制することができる。また、幹線の断面積をより増加することができる。さらに、第２電源線の一部に腐食が生じて、表示領域部内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる構造を実現できる。
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極は金属からなり、平面視において前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分に存在する前記樹脂絶縁層部分と離間している構成であってもよい。
【００１６】
係る構成により、周辺領域部において、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成される共通電極の一部が周溝部の外側の第２部分に位置する層間絶縁層まで延在していないので、当該層間絶縁層に残存又は外部から進入する水分により金属材料である共通電極の一部に腐食が生じて、表示領域部内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる。
【００１７】
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記共通電極は金属酸化物からなり、平面視において少なくとも前記多層配線層の第２部分まで延在しており、前記第３部分に存在する前記樹脂絶縁層部分と接触している構成であってもよい。
係る構成により、周辺領域部において、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いた金属酸化物である共通電極の一部が周溝部の外側の第２部分に位置する層間絶縁層まで延在していても、当該層間絶縁層に残存又は外部から進入する水分により金属酸化物である共通電極は腐食が生じることはなく、表示領域部内まで腐食が進行することはない。
【００１８】
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記基板を第１基板としたとき、さらに、少なくとも前記有機ＥＬ素子アレイ上に配された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記有機ＥＬ素子アレイの周囲に配され、前記第２の無機絶縁層を部分的に被覆する封止構造体とを備えた構成であってもよい。
係る構成により、複数の有機ＥＬ素子が配置された表示領域を囲む周辺領域における、当該素子に信号および電力を供給する電源線の腐食を防止する有機ＥＬ表示パネルを実現できる。
【００１９】
また、別の態様では、上記何れかの態様において、前記第２の無機絶縁層は、前記多層配線層の第１部分では前記有機ＥＬ素子アレイ、前記電源線又は前記樹脂絶縁層を被覆している構成であってもよい。
係る構成により、封止層に外部から仮に水分が進入した場合でも、有機ＥＬ素子が配置された表示領域への水分の進入を遮断できる。
【００２０】
以下、本発明の各態様である表示パネルの実施の形態について、図を用いて説明する。
≪実施の形態１≫
１．表示パネルの構成
１．１  構成概要
図１（ａ）は、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の平面レイアウト図であり、（ｂ）は分割領域の拡大図である。有機ＥＬ表示パネル１００（以後、「表示パネル１００」とする）は、平面視したとき、表示領域１０と、表示領域１０を囲繞する周辺領域２０とを有する。
【００２１】
表示領域１０には、複数の画素がマトリクス状に配列されている。例えば、表示パネル１００が４Ｋ解像度のパネルである場合は、水平ラインに３８４０個、垂直ラインに２１６０個の画素が配列されている。それぞれの画素は色の異なる複数のサブ画素を含み、本実施の形態では、画素が赤色サブ画素、緑色サブ画素、および青色サブ画素を含んでいる。１つのサブ画素が１つの有機ＥＬ素子から構成されている。
【００２２】
周辺領域２０は、長方形の枠状であり、長辺に沿ってＶ１〜Ｖ１６の分割領域を有し、短辺に沿ってＨ１〜Ｈ１２の分割領域を有する。分割領域Ｖ１〜Ｖ１６、Ｈ１〜Ｈ１２はそれぞれ、外部のドライブ回路に電気的に接続される領域である。
図１の（ｂ）は、分割領域Ｖ１を拡大して示している。分割領域Ｖ１には、第１電源線である１本の第１電源線１５０と、第１電源線と異なる電位が与えられる第２電源線である１本の第２電源線１６０と、複数本のデータ信号線１２４が存在する。
【００２３】
分割領域Ｖ２〜Ｖ１６も、分割領域Ｖ１と同様の構成であり、第１電源線１５０および第２電源線１６０は、分割領域Ｖ毎に、複数本の垂直ラインに沿って配列する複数の画素の有機ＥＬ素子に電力を供給する。
データ信号線１２４は、第１電源線１５０および第２電源線１６０から電力が供給される有機ＥＬ素子の各々の輝度に対応した電圧信号を伝達する。
【００２４】
また、分割領域Ｈ１〜Ｈ１２も分割領域Ｖ１〜Ｖ１６と類似の構成であり、領域内に存在する配線の種類のみ相違する。具体的には、分割領域Ｈ１〜Ｈ１２にはそれぞれ、表示領域１０の水平ラインを選択するための選択信号を伝達する複数のスキャン信号線が存在する。
なお、スキャン信号線が伝達する選択信号により水平ラインが選択され、選択された水平ラインの有機ＥＬ素子に、データ信号線１２４から輝度に対応した電圧信号が伝達されることで、有機ＥＬ素子の輝度が設定される。これにより、データ信号線１２４およびスキャン信号線は、有機ＥＬ素子の輝度を設定するための信号を伝達する信号線としての役割を果たしている。
【００２５】
１．２  回路構成
図２は、表示パネル１００の等価回路図である。表示パネル１００は、水平方向（図中Ｘ方向）および垂直方向（図中Ｙ方向）に並んだ複数の画素１２を有する。本実施の形態では、ひとつの画素１２は、水平方向に並ぶ３つのサブ画素１１からなる。サブ画素１１は、有機ＥＬ素子１３０と、有機ＥＬ素子１３０に接続された薄膜トランジスタＴｒ2及びＴｒ1からなるサブ画素駆動回路１２３とを含む。
【００２６】
表示パネル１００は、さらに、垂直方向に延在する複数のデータ信号線１２４と、水平方向に延在する複数のスキャン信号線１２５とを含む。データ信号線１２４とスキャン信号線１２５は、有機ＥＬ素子１３０をそれぞれ所望の輝度で点灯させるための信号を伝達する。データ信号線１２４およびスキャン信号線１２５は公知なので、ここでは説明を省略する。
【００２７】
表示パネル１００は、さらに、第１電源線１５０と第２電源線１６０とを含む。第１電源線１５０は、幹線１５１と、幹線１５１に接続された複数の支線１５２とを含む。第２電源線１６０は、幹線１６１と、幹線１６１に接続された複数の支線１６２とを含む。幹線１５１、１６１は、それぞれ表示パネル１００の周辺領域２０内で水平方向に延在する。支線１５２、１６２は、それぞれ表示パネル１００の表示領域１０内で垂直方向に延在する。なお、幹線１５１、１６１が水平方向に延在するのは、図２が、周辺領域２０が水平方向に延在する部分を示しているからである。周辺領域２０が垂直方向（Ｙ方向）に延在する部分では、幹線１５１、１６１は垂直方向に延在する。
【００２８】
本実施形態では、第１電源線１５０は、有機ＥＬ素子１３０のアノードに接続され、第２電源線１６０は、有機ＥＬ素子１３０のカソードに接続されている。第１電源線１５０には、第１電圧（例えば、２０Ｖ）が印加され、第２電源線１６０には、第１電圧とは異なる第２電圧（例えば、０Ｖ）が印加される。
１．３  表示領域の構成
図３は、表示領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図であり、図１のＸ１−Ｘ１線での断面を図示している。表示パネル１００の表示領域１０は、基板１１０上に、多層配線層１２０および有機ＥＬ素子１３０を、この順番で積層させた構造である。本図では、１つのサブ画素を構成する有機ＥＬ素子１つ分の範囲だけ示している。
【００２９】
１．３．１．基板１１０
基板１１０は、無機材料或いは有機材料からなる。基板１１０の材料としては、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、又はアルミナ等の絶縁性材料が挙げられる。
また、有機樹脂フィルムを用いることもできる。樹脂材料として、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂等を用いることができ、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。可撓性を有する材料からなるフィルムであってもよい。さらに、透光性を有するフィルムであってもよい。具体的に、基板に用いることが可能な樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリイミドベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾイミダゾールのほかにポリイミドを単位構造として含む共重合体、ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンナフタレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。また、これらの材料のうち１種または２種以上を組み合わせた多層構造であってもよい。
【００３０】
１．３．２．多層配線層１２０
基板１１０上には、ゲート電極１０２、１０３が互いに間隔を開けて形成されている。ゲート電極１０２、１０３は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金のいずれかからなる。また、ゲート電極１０２、１０３は、アルミニウム層、アルミニウム合金層、銅層、銅合金層の何れかの単層で構成してもよいし、これらの層に他の金属層を積層した積層構造にしてもよい。例えば、銅層とチタン層の積層構造、銅層とモリブデン層の積層構造、アルミニウム層とチタン層の積層構造としてもよい。
【００３１】
基板１１０上にはさらに、データ信号線１２４、および第１電源線１５０の支線１５２が形成されている。データ信号線１２４は、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、同じ垂直ラインに属する同色の全てのサブ画素で有機ＥＬ素子１３０のドレイン電極１０９１とコンタクトホールを通して電気的に接続しており、周辺領域２０まで引き出されている。
【００３２】
第１電源線１５０の支線１５２は、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、同じ垂直ラインに属する同色の全てのサブ画素で有機ＥＬ素子１３０のドレイン電極１０９２とコンタクトホールを通して電気的に接続しており、周辺領域２０まで引き出されている。
ゲート電極１０２、１０３、データ信号線１２４、第１電源線１５０の支線１５２、および基板１１０の表面を被覆するように、ゲート絶縁層１０５が形成されている。ゲート絶縁層１０５は、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の公知のゲート絶縁体材料からなる。
【００３３】
ゲート絶縁層１０５上であって、ゲート電極１０２に対応する部分には、チャネル層１０６が形成されている。また、ゲート絶縁層１０５上であって、ゲート電極１０３に対応する部分には、チャネル層１０７が形成されている。
チャネル層１０６、１０７およびゲート絶縁層１０５の表面を被覆するように、チャネル保護層１０８が形成されている。
【００３４】
チャネル保護層１０８上には、ドレイン電極１０９１、１０９２、ソース電極１１１１、１１１２が形成されている。ドレイン電極１０９１、ソース電極１１１１は、チャネル保護層１０８に挿通されたコンタクトホールを通して、チャネル層１０６に電気的に接続されている。ドレイン電極１０９２、ソース電極１１１２は、チャネル保護層１０８に挿通されたコンタクトホールを通して、チャネル層１０７に電気的に接続されている。ドレイン電極１０９１、１０９２、ソース電極１１１１、１１１２は、モリブデン、タングステン、モリブデンタングステン、バナジウム、ルテニウム、金、銅のいずれか、または、これらの合金からなる。
【００３５】
チャネル保護層１０８上にはさらに、スキャン信号線１２５が形成されている。スキャン信号線１２５は、表示パネル１００の水平ライン方向に延伸し、同じ水平ラインに属する全てのサブ画素でゲート電極１０２にコンタクトホールを通して電気的に接続されており、周辺領域２０まで引き出されている。
ドレイン電極１０９１、１０９２、ソース電極１１１１、１１１２、スキャン信号線１２５、およびチャネル保護層１０８上を被覆するように、下部パッシベーション層１１５が形成されている。下部パッシベーション層１１５は、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機材料からなる。下部パッシベーション層１１５には、ソース電極１１１２の上方にコンタクトホールが開設されている。
【００３６】
コンタクトホールの側壁に沿うように接続電極１１６が形成されている。接続電極１１６は、下部においてソース電極１１１２に電気的に接続され、上部が下部パッシベーション層１１５の上に乗り上げた状態となっている。接続電極１１６は、ソース電極１１１２と共通の材料からなることとしてもよい。
接続電極１１６および下部パッシベーション層１１５の表面を被覆するように、上部パッシベーション層１１７が形成されている。上部パッシベーション層１１７上には、多層配線層の配線による凹凸を吸収して表面を平坦化する機能を有する平坦化層１１８（層間絶縁層ｇ）が堆積されている。平坦化層１１８は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。平坦化層１１８の厚みは、３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４μｍ以下であることがより好ましい。
【００３７】
上部パッシベーション層１１７および平坦化層１１８には、コンタクトホール１１８ａが開設されている。コンタクトホール１１８ａの内部において接続電極１１６が露出している。
平坦化層１１８上には、第２電源線１６０の支線１６２が配線されている。支線１６２は、表示パネル１００の垂直ライン方向に延伸し、水平ライン方向に並ぶ３つのサブ画素毎に１本設けられている。
【００３８】
このように構成された多層配線層１２０において、ゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０５と、チャネル層１０６と、ドレイン電極１０９１、ソース電極１１１１によってサブ画素駆動回路１２３の薄膜トランジスタＴｒ1が構成されている。またゲート電極１０３と、ゲート絶縁層１０５と、チャネル層１０７と、ドレイン電極１０９２、ソース電極１１１２によってサブ画素駆動回路１２３の薄膜トランジスタＴｒ2が構成されている。薄膜トランジスタＴｒ1は選択トランジスタとして用いられ、薄膜トランジスタＴｒ2は駆動トランジスタとして用いられる。
【００３９】
１．３．３．有機ＥＬ素子１３０
有機ＥＬ素子１３０は、多層配線層１２０上に、画素電極１３２、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層から構成される機能層１３３、および共通電極１３４を積層させた積層構造となっている。画素電極１３２は、有機ＥＬ素子１３０のアノードとして機能する。共通電極１３４は、有機ＥＬ素子１３０のカソードとして機能する。機能層１３３は、画素電極１３２から注入された正孔と共通電極１３４から注入された電子を再結合させることで発光する機能を有する。
【００４０】
本開示における第１電極である画素電極１３２は、多層配線層１２０の平坦化層１１８上に、ライン状またはマトリックス状に形成され、コンタクトホール１１８ａを通して多層配線層１２０の接続電極１１６と電気的に接続されている。さらに、透明導電層を積層してもよい。
画素電極１３２は、金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成することができる。アルミニウムなどの金属層の他、合金層としては、例えば、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。透明導電層の構成材料としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを用いることができる。さらに、コスト面からアルミニウムを主成分として含む金属層、合金層を用いることが好ましい。画素電極１３２の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下が好ましく、透明電極層を積層する場合に、その厚みは、数ｎｍであることが好ましい。
【００４１】
平坦化層１１８、第２電源線１６０の支線１６２、および画素電極１３２の表面は、正孔注入層１３３１に被覆されている。正孔注入層１３３１は、遷移金属元素を含有する金属、あるいは合金の酸化物からなる遷移金属元素の酸化物で構成されている。表示パネル用の正孔注入層用の金属、あるいは合金として好ましい。
垂直方向に隣接する画素電極１３２間に現われる平坦化層１１８の表面を被覆するように絶縁層１３５が形成されている。絶縁層１３５は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。
【００４２】
垂直方向に隣接する画素電極１３２間に現われる平坦化層１１８の表面を被覆するようにバンク１２２が形成されている。バンク１２２は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機材料、または、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機材料等で構成されており、サブピクセルを規定している。平坦化層１１８の上面からバンク１２２の上面までの高さは、約１μｍであり、バンク１２２により規定された領域がサブ画素領域である。画素領域は、水平ライン方向に並ぶ３つのサブ画素領域からなる。
【００４３】
バンク１２２及び絶縁層１３５で規定されたサブ画素領域内には、正孔輸送層１３３２、および有機発光層１３３３が、この順に積層されている。
正孔輸送層１３３２は、例えば、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの誘導体（共重合体等）等からなり、正孔注入層１３３１から注入された正孔を有機発光層１３３３へ輸送する機能を有する。
【００４４】
有機発光層１３３３は、例えば、有機高分子であるＦ８ＢＴ(poly(9,9-di-n-octylfluorene-alt-benzothiadiazole))からなり、電界発光現象を利用して発光する機能を有する。なお、有機発光層１３３３は、Ｆ８ＢＴからなる構成に限定されず、公知の有機材料を含むように構成することが可能である。例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質からなることが好ましい。
【００４５】
電子輸送層１３３４、共通電極１３４、および保護層１４０は、バンク１２２で規定された領域を超えて、この順で一様に積層されている。
電子輸送層１３３４は、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、またはこれらの混合物等で構成されており、共通電極１３４から注入された電子を有機発光層１３３３へ輸送する機能を有する。
【００４６】
本開示における第２電極である共通電極１３４は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等からなり、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合は、光透過性の材料からなることが好ましい。共通電極１３４の材料として、銀（Ａｇ）、または銀を含む合金を用いる場合は、光を透過する程度の厚みで共通電極１３４を形成する。具体的には、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００４７】
なお、有機ＥＬ素子１３０は、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の少なくともひとつを含んでいてもよい。また、画素電極１３２、有機発光層１３３３および共通電極１３４は、それぞれ、単層構造でも多層構造でもよい。本実施形態では、各有機ＥＬ素子１３０の共通電極１３４は、それぞれ連結された共通の電極となっている。絶縁層１３５、バンク１２２は、各有機ＥＬ素子１３０の有機発光層１３３３を電気的に絶縁する機能を果たす。
【００４８】
１．３．４．保護層１４０
保護層１４０は、機能層１３３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成される。また、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。有機ＥＬ素子１３０がトップエミッション型である場合は、保護層１４０が光透過性の材料で構成されることが必要である。保護層１４０の厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上６μｍ以下であることがより好ましい。本例では、材料に窒化シリコン（ＳｉＮ）を用い、厚みは約５．５μｍとした。
【００４９】
１．４  周辺領域の構成
１．４．１  構  成
以下、表示パネル１００の周辺領域の構造について説明する。図４は、周辺領域における表示パネル１００の構造を示す一部切欠き斜視図である。同図には、図１のＡ部分の周辺領域２０が現れている。図５および図６は、それぞれ周辺領域における表示パネルの概略構成を示す部分断面図である。図５は、図３及び図４におけるＹ１−Ｙ１断面を示し、図６は、図３及び図４におけるＹ２−Ｙ２断面を示す。
【００５０】
図４、５に示す通り、表示パネル１００は、第１基板１１０、多層配線層１２０、有機ＥＬ素子アレイ１３００、保護層１４０、第２基板１７０、封止構造体１８０、封止層１９０を備える。
第１基板１１０は、上述のとおり、例えば、ガラスまたは樹脂からなる。
多層配線層１２０は、第１基板１１０上に配されている。多層配線層１２０は、配線層１２０ａ〜１２０ｄと層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｇとを含む。配線層１２０ａ〜１２０ｄは、それぞれ、金属材料からなる。層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｇは、それぞれ、無機材料または有機材料からなる。配線層１２０ａ〜１２０ｄ、層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｇと、図３に示したサブ画素駆動回路１２３を構成する薄膜トランジスタＴｒ1、Ｔｒ2の各要素との対応関係は以下のとおりである。ゲート電極１０２、１０３、データ信号線１２４、第１電源線１５０の支線１５２は、配線層１２０ａに存在する。ゲート絶縁層１０５、チャネル保護層１０８は、層間絶縁層１２０ｅに含まれる。ドレイン電極１０９１、１０９２、ソース電極１１１１、１１１２、スキャン信号線１２５は、配線層１２０ｂに存在する。下部パッシベーション層１１５は、層間絶縁層１２０ｆに対応する。層間絶縁層１２０ｆは、上述のとおり、無機材料からなる。第２電源線１６０の支線１６２、配線層１２０ｄに存在する。平坦化層１１８は、層間絶縁層１２０ｇに対応する。層間絶縁層１２０ｇは、上述のとおり、樹脂材料からなる。接続電極１１６は、配線層１２０ｃに存在する。
【００５１】
配線層１２０ａ〜１２０ｄは、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。同様に、層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｇも、それぞれ単層構造でも多層構造でもよい。多層配線層１２０の配線構造は、表示パネル１００の表示領域１０に対応する表示領域部１２０１と表示パネル１００の周辺領域２０に対応する周辺領域部１２０２とで異なる。多層配線層１２０の表示領域部１２０１は、第１電源線１５０の支線１５２、サブ画素駆動回路１２３および第２電源線１６０の支線１６２（図５参照）を含む。多層配線層１２０の周辺領域部１２０２は、第１電源線１５０の幹線１５１および第２電源線１６０の幹線１６１を含む。
【００５２】
有機ＥＬ素子アレイ１３００は、多層配線層１２０上に配されている。有機ＥＬ素子アレイ１３００は、複数の有機ＥＬ素子１３０と、各有機ＥＬ素子１３０の間に配された絶縁層１３５、バンク１２２とを含む。有機ＥＬ素子１３０は、上述のとおり、各種材料の薄膜を積層した多層構造を有し、画素電極１３２と、画素電極１３２上に配された機能層１３３と、機能層１３３上に配された共通電極１３４とを含む。
【００５３】
保護層１４０は、上述のとおり、有機ＥＬ素子アレイ１３００および多層配線層１２０を被覆している。保護層１４０は、単層構造でも多層構造でもよい。保護層１４０は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性材料を用い形成されており、機能層１３３などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。
【００５４】
このような機能を有する保護層１４０が、周辺領域部１２０２では、平面視において樹脂材料からなる層間絶縁層１２０ｇの外縁より外方まで延在しており、無機材料からなる層間絶縁層１２０ｅ、ｆと密着している。これにより、保護層１４０の封止性を高めることができ、基板外方から層間絶縁層１２０ｇ内部への水分の進入を防止できる。また、保護層１４０は、表示領域部１２０１では、有機ＥＬ素子アレイ１３００、電源線１６０、又は層間絶縁層１２０ｇを被覆している。これにより、仮に封止構造体１８０を超えて封止層１９０に水分が浸入した場合でも、封止層１９０から層間絶縁層１２０ｇ内部への水分の進入を防止できる。
【００５５】
第２基板１７０は、有機ＥＬ素子アレイ１３００上に間隔を空けて配されている。第２基板１７０には、表示パネル１００がトップエミッション型であるため、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、第２基板１７０により、表示パネル１００、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
封止構造体１８０は、第１基板１１０と第２基板１７０との間において有機ＥＬ素子アレイ１３００の周囲に配されている。封止構造体１８０は、基板１１０から保護層１４０までの各層からなる背面パネルと第２基板１７０とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。封止構造体１８０は、多層配線層１２０の周辺領域部１２０２を部分的に被覆し、多層配線層１２０の表示領域部１２０１を被覆していない。封止構造体１８０の多層配線層１２０を被覆する外周部分１２０３の下面は、保護層１４０に密着しており、封止構造体１８０の多層配線層１２０を被覆する部分の上面は、第２基板１７０に密着している。これにより、封止構造体１８０の封止性を高めることができ外部から封止構造体１８０内方の封止層１９０への水分の進入を防止できる。
【００５６】
封止層１９０は、第１基板１１０と第２基板１７０との間において、封止構造体１８０に囲まれた領域に配され、有機ＥＬ素子アレイ１３００を被覆している。表示パネル１００がトップエミッション型であるため、封止層１９０の材料には光透過性の樹脂が用いられる。封止層１９０の材料として、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂を利用してもよい。
【００５７】
１．４．２  層間絶縁層１２０ｇ（平坦化層１１８）の構成
以下、層間絶縁層１２０ｇの構成について説明する。
図４、図５および図６に示す通り、多層配線層１２０には、有機ＥＬ素子アレイ１３００が配置された表示領域部１２０１を囲む周辺領域部１２０２内に、層間絶縁層１２０ｇを除去して形成された堀構造の周溝部１２０ｇｃｈを有する。具体的には、多層配線層１２０は、複数の層間絶縁層１２０ｅ、ｆ、ｇ中、最上階層に位置する樹脂の層間絶縁層１２０ｇが存在し有機ＥＬ素子アレイ１３００が配されている第１部分１２０ｐ１、平面視において第１部分１２０ｐ１の周囲にあり層間絶縁層１２０ｇが堤状に存在する第２部分１２０ｐ２と、第１部分１２０ｐ１の外周と第２部分１２０ｐ２の内周との間にあり層間絶縁層１２０ｇが周溝状に存在しない堀構造の周溝部１２０ｇｃｈが開設された第３部分１２０ｐ３とを有する。層間絶縁層１２０ｇが除去された周溝部１２０ｇｃｈの間隙幅は、３００μｍ以上８００μｍ以下であることが好ましく、４００μｎ以上６００μｍ以下であることがより好ましい。本例では、約５００μｍとした。
【００５８】
上述のとおり、層間絶縁層１２０ｇは、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、水分を吸着しやすい性質を有する。しかしながら、周溝部１２０ｇｃｈを設けることにより、仮に、周溝部１２０ｇｃｈの外側（第２部分１２０ｐ２）の層間絶縁層１２０ｇに基板の外縁方向から水分が進入した場合でも、表示領域部１２０１への水分の浸入を抑制できる。すなわち、周溝部１２０ｇｃｈにより、周溝部１２０ｇｃｈの内側（第１部分１２０ｐ１）の層間絶縁層１２０ｇを、周溝部１２０ｇｃｈの外側（第２部分１２０ｐ２）の層間絶縁層１２０ｇから隔離させることによって、周溝部１２０ｇｃｈの外側（第２部分１２０ｐ２）の層間絶縁層１２０ｇ中に含まれる水分が、周溝部１２０ｇｃｈの内側（第１部分１２０ｐ１）の層間絶縁層１２０ｇを介して、表示領域部１２０１に浸入することを抑制できる。
【００５９】
１．４．３  多層配線層１２０内の配線構造
以下、多層配線層１２０内の配線構造を説明する。
図５および図６に示す通り、データ信号線１２４は、配線層１２０ａに配されており、表示領域部１２０１にあるサブ画素駆動回路１２３から周辺領域部１２０２の外周縁まで垂直方向（Ｙ方向）に延在している。
【００６０】
スキャン信号線１２５は、配線層１２０ｂに配されており、表示領域部１２０１にあるサブ画素駆動回路１２３から周辺領域部１２０２の外周縁まで水平方向（Ｘ方向）に延在している。
第１電源線１５０の支線１５２は、配線層１２０ａに配されており、表示領域部１２０１にあるサブ画素駆動回路１２３から周辺領域部１２０２まで延出され幹線１５１に接続されている。第１電源線１５０の幹線１５１は、配線層１２０ａに配された配線１５１ａと、配線層１２０ｂに配された配線１５１ｂとを含む。図５に示す通り、各配線１５１ａ、１５１ｂは、それぞれ垂直方向（Ｙ方向）に延在しており、コンタクトプラグ１５１ｃｐで互いに接続されている。コンタクトプラグ１５１ｃｐは、水平方向の適切な間隔で複数存在する。すなわち、第１電源線１５０は、周溝部１２０ｇｃｈが開設された多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３及びその外方に位置する第２部分１２０ｐ２では最上の階層（１２０ｇ）のひとつ以上下の階層（１２０ｅ、１２０ｆ）にコンタクトホール中のコンタクトプラグ１５１ｃｐを介して延出されている。このように、幹線１５１が、ふたつの配線１５１ａ、１５１ｂを含むので、幹線１５１の実質的な断面積が増加し、幹線１５１での電圧降下を抑制することができる。
【００６１】
第２電源線１６０の支線１６２は、配線層１２０ｄに配されており、表示領域部１２０１にある共通電極１３４と接続され、周辺領域部１２０２まで延出されて幹線１６１に接続されている。第２電源線１６０の幹線１６１は、配線層１２０ｂに配された配線１６１ｂと、配線層１２０ｃに配された配線１６１ｃと、配線層１２０ｄに配された配線１６１ｄとを含む。図３に示す通り、各配線１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄは、それぞれ垂直方向（Ｙ方向）に延在しており、コンタクトプラグ１６１ｃｐで互いに接続されている。コンタクトプラグ１６１ｃｐは、水平方向の適切な間隔で複数存在する。このように、幹線１６１は、３つの配線１６１ｂ、１６１ｃ、１６１ｄを含むので、幹線１６１の実質的な断面積が増加し、幹線１６１での電圧降下を抑制することができる。また、幹線１６１の配線１６１ｄの幅は、配線１６１ｂ、１６１ｃの幅よりも広い。これにより、幹線１６１の断面積をより増加することができる。
【００６２】
１．４．４  層間絶縁層１２０ｇに開設された周溝部１２０ｇｃｈの構成
第２電源線１６０は、周溝部１２０ｇｃｈが開設された多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３及びその外方に位置する第２部分１２０ｐ２では、最上の階層にある樹脂からなる層間絶縁層１２０ｇよりひとつ下の階層に位置する無機材料からなる層間絶縁層１２０ｆ上にある。そして、層間絶縁層１２０ｆ上にある第２電源線１６０の外縁１６１ｃｅｄは多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２に存在する層間絶縁層１２０ｇと離間している。その結果、保護層１４０は、少なくとも平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在しており、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの底面の第２電源線１６０不存在領域１２０ｃｎｅを通して第３部分１２０ｐ３では層間絶縁層１２０ｆと接触している構成を実現している。
【００６３】
具体的には、本実施の形態では、図５及び図６に示すように、第２電源線１６０は共通電極１３４に接続され、第２電源線１６０は、平面視において各有機ＥＬ素子アレイ１３００から多層配線層１２０の第１部分１２０ｐ１の外周近傍まで延在する複数の支線１６２と、第１部分１２０ｐ１の外周近傍において複数の支線１６２に接続された幹線１６１とを含む。そして、複数の支線１６２及び幹線１６１は、多層配線層１２０の第１部分１２０ｐ１では層間絶縁層１２０ｇ上の配線層２０ｄにあり、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの側壁上の傾斜電極部１６１ｇｒｄを介して配線層２０ｃに接続されている。そして、幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３（周溝部１２０ｇｃｈ内）に存在している構成を採る。
【００６４】
図７（ａ）は、表示パネル１００のコーナ部分における周辺領域の概略構成を示す平面図であり、多層配線層１２０上面から視した状態を示している。第２電源線の幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは、多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３とその外方に位置する第２部分１２０ｐ２との境界よりも基板内方に位置していることが確認できる。
以上の構成により、周辺領域部１２０２において、第２電源線１６０の一部が周溝部１２０ｇｃｈの外側の第２部分１２０ｐ２に位置する層間絶縁層１２０ｇまで延在していないので、当該層間絶縁層１２０ｇに残存又は外部から進入する水分が存在した場合でも第２電源線１６０の一部に腐食が生じて、表示領域部１２０１内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる。
【００６５】
さらに、保護層１４０は、平面視において多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３よりも外方まで延在しており、保護層１４０が、層間絶縁層１２０ｅ、ｆ又は基板１１０を被覆している構成としてもよい。
これにより、樹脂からなり水分を吸着しやすい性質を有する層間絶縁層１２０ｇを、水分を吸着しない無機材料からなる保護層１４０により外縁まで被覆することにより、周溝部１２０ｇｃｈの外側（第２部分１２０ｐ２）の層間絶縁層１２０ｇに、例えば、基板の外縁方向から水分が進入することを防止できる。
【００６６】
２．表示パネルの製造方法
次に、表示パネル１００の製造方法を説明する。図８〜図１１は、表示パネル１００の製造工程を説明するための断面図であり、図３及び図４のＹ１−Ｙ１線での断面を示している。
まず、第１基板１１０を供給し（図８（ａ））、第１基板１１０上に、配線層１２０ａ〜１２０ｃ、層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｆを順次形成して多層配線層１２０を形成する（図８（ｂ））。配線層１２０ａ〜１２０ｃ、層間絶縁層１２０ｅ〜１２０ｆは、公知のＴＦＴの製造方法により製造することができる。本実施形態では、有機ＥＬ素子の画素電極１３２は、第２電源線１６０に属する配線１６１、１６２と同じ工程で形成される。
【００６７】
次に、層間絶縁層１２０ｆ及び配線層１２０ｃ上を被覆するように、上述の層間絶縁層１２０ｇの構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより層間絶縁層１２０ｇ（平坦化層１１８）を形成する（図８（ｃ））。
コンタクトホール１１８ａ１、１１８ｂ、周溝部１２０ｇｃｈの形成は、以下のプロセスにより行う。先ず、層間絶縁層１２０ｇを形成した後、所定の開口部が施されたフォトマスクを重ね、その上から紫外線照射を行い層間絶縁層１２０ｇを露光し、フォトマスクが有するパターンを転写する。その後、現像によって、コンタクトホール１１８ａ１、１１８ｂ、及び周溝部１２０ｇｃｈをパターニングした層間絶縁層１２０ｇを形成する（図９（ａ））。コンタクト孔の底部において、層間絶縁層１２０ｆ上の配線層１２０ｃが露出する。
【００６８】
多層配線層１２０は、複数の層間絶縁層１２０ｅ、ｆ、ｇ中、最上階層に位置する樹脂の層間絶縁層１２０ｇが除去された周溝部１２０ｇｃｈである第３部分１２０ｐ３、周溝部１２０ｇｃｈよりも内方に位置し層間絶縁層１２０ｇが存在する第１部分１２０ｐ１、及び周溝部１２０ｇｃｈよりも外方に位置し層間絶縁層１２０ｇが存在する第２部分１２０ｐ２が形成される。
【００６９】
次に、層間絶縁層１２０ｇの表面にドライエッチング処理を施し製膜前洗浄を行い、画素電極１３２、第２電源線１６０の幹線１６１ｄ及び支線（不図示）を形成するための金属層をスパッタリング法、又は真空蒸着法などの気相成長法により層間絶縁層１２０ｇの表面に製膜する。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により製膜する。
【００７０】
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層を塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する。次に、フォトレジスト層を現像によってパターニングする。その後、パターニングされたフォトレジスト層を介して、金属層にエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１３２、第２電源線１６０の幹線１６１及び支線（不図示）を形成する（図９（ｂ））。
【００７１】
このとき、第２電源線１６０の支線１６２及び幹線１６１は、多層配線層１２０の第１部分１２０ｐ１では少なくとも層間絶縁層１２０ｇ上の配線層２０ｄにあり、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの側壁上の傾斜電極部１６１ｇｒｄが形成され配線層２０ｃ上に形成されている幹線１６１ｃに接続される。そして、幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３（周溝部１２０ｇｃｈ内）に位置するとともに、層間絶縁層１２０ｆ上にある幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは第２部分１２０ｐ２に存在する層間絶縁層１２０ｇと離間するようパターニングされている。
【００７２】
次に、多層配線層１２０上に絶縁層１３５及びバンク１２２（不図示）を形成し、画素電極１３２上に機能層１３３を形成し、機能層１３３上に共通電極１３４を形成する（図９（ｃ））。これにより、多層配線層１２０上に有機ＥＬ素子アレイ１３００が形成される。
このとき、絶縁層１３５及びバンク１２２の形成に先立って、正孔注入層１３３１（不図示）を形成するための金属層を気相成長法により画素電極１３２、第２電源線１６０、及び層間絶縁層１２０ｇの表面に製膜してもよい。この場合、タングステンをスパッタリング法により製膜することが好ましい。
【００７３】
次に、有機ＥＬ素子アレイ１３００および多層配線層１２０を被覆する保護層１４０を、少なくとも平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在するように、例えば、ＣＶＤ法、スパッタリング法により形成する（図１０（ａ））。このとき、保護層１４０は、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの底面の幹線１６１ｃの不存在領域１２０ｃｎｅを通して層間絶縁層１２０ｆと接触している。これにより、第１基板１１０、多層配線層１２０、有機ＥＬ素子アレイ１３００および保護層１４０を含むパネル中間品１００Ｘが得られる。
【００７４】
次に、パネル中間品１００Ｘ上に、封止構造体材料１８０Ｘを塗布する（図１０（ｂ））。封止構造体材料１８０Ｘは、未硬化の状態の樹脂材料であり、低い粘性を有する液体である。封止構造体材料１８０Ｘの塗布方法として、例えば、ディスペンス法、スクリーン印刷法、インクジェット法を利用してもよい。封止構造体材料１８０Ｘは、保護層１４０の外周縁１４０ａを含む多層配線層１２０の外周部分１２０３に被覆される。
【００７５】
次に、パネル中間品１００Ｘ上の外周部分１２０３に囲まれる領域１２０４に、封止材料１９０Ｘを塗布する（図１１（ａ））。封止材料１９０Ｘは、未硬化の状態の封止層１９０の材料であり、比較的高い粘性を有する液体である。封止材料１９０Ｘの塗布方法として、例えば、ディスペンス法、スクリーン印刷法、インクジェット法を利用してもよい。
【００７６】
次に、パネル中間品１００Ｘ上に第２基板１７０を配し（図１１（ａ））、第２基板１７０を真空圧着する（図１１（ｂ））。このとき、真空圧着と並行して、あるいは、真空圧着の後に、封止材料１９０Ｘを硬化させるための処理を実施する。例えば、これらの材料が熱硬化性を有すれば加熱し、これらの材料が紫外線硬化性を有すれば紫外線を照射する。これにより、表示パネル１００が完成する。
【００７７】
３．評価試験
実施の形態に係る表示パネル１００の実施例と比較例とを用いて、評価試験を行った。
３．１  供試サンプル
図７（ａ）は、評価試験に用いた表示パネル１００の実施例のコーナ部分における周辺領域の概略構成を示す平面図であり、図７（ｂ）は比較例における同様の平面図であり、多層配線層１２０上面から視した状態を示している。
【００７８】
図７（ａ）に示すように、実施例では、第２電源線の幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは、多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３とその外方に位置する第２部分１２０ｐ２との境界よりも基板内方に位置している。他方、比較例では、第２電源線の幹線１６１の外縁１６１ｃｅｄは、多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３とその外方に位置する第２部分１２０ｐ２との境界よりも基板外方に位置しており、幹線１６１は２部分１２０ｐ２の層間絶縁層１２０ｇに乗り上げた構造を有する。
【００７９】
３．２  試験方法
両サンプルを６０℃９０％ＲＨ環境下に保存し、６００時間、１０００時間経過時の電源線への水分浸食を観察した。
３．３  試験結果
図１２（ａ）〜（ｃ）は比較例における、それぞれ、０時間、６００時間、１０００時間経過後における、表示パネルのコーナ部分における多層配線層１２０上面から視した平面写真であり、図１３は、同様の条件における１０００時間経過後の実施例の平面写真である。
【００８０】
比較例では、図１２（ｂ）（ｃ）に示すように、６００時間経過後において第２電源線１６０の幹線１６１のコーナ部分において水分浸食に伴う腐食が観察され、１０００時間経過後において、幹線１６１、支線１６２の腐食、及び表示領域部１２０１における画素電極１３２に腐食が進行していることが観察された。
これに対し、実施例では、図１３に示すように、１０００時間経過後において、幹線１６１、支線１６２及び表示領域部１２０１内の画素電極１３２に腐食は観察されなかった。
【００８１】
比較例の構造と実施例とを対比したとき、実施例では、層間絶縁層１２０ｆ上にある第２電源線１６０の外縁１６１ｃｅｄは多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２に存在する層間絶縁層１２０ｇと離間おり、周溝部１２０ｇｃｈの底面の第２電源線１６０不存在領域１２０ｃｎｅを通して第３部分１２０ｐ３では層間絶縁層１２０ｆと接触している点で比較例と相違する。この相違により、実施例において、第２部分１２０ｐ２に存在する層間絶縁層１２０ｇに残存又は外部から進入する水分により第２電源線１６０の一部に腐食が生じなかったものと考えられる。
【００８２】
４．効  果
以上説明したように、本開示に係る表示パネル１００では、第２電源線１６０は、周溝部１２０ｇｃｈが開設された多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３及びその外方に位置する第２部分１２０ｐ２では、最上の階層にある樹脂からなる層間絶縁層１２０ｇよりひとつ下の階層に位置する無機材料からなる層間絶縁層１２０ｆ上にあり、層間絶縁層１２０ｆ上にある第２電源線１６０の外縁１６１ｃｅｄは多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２に存在する層間絶縁層１２０ｇと離間している。その結果、保護層１４０は、少なくとも平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在しており、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの底面の第２電源線１６０不存在領域１２０ｃｎｅを通して第３部分１２０ｐ３では層間絶縁層１２０ｆと接触している構成を実現している。
【００８３】
以上の構成により、周辺領域部１２０２において、第２電源線１６０の一部が周溝部１２０ｇｃｈの外側の第２部分１２０ｐ２に位置する層間絶縁層１２０ｇまで延在していないので、当該層間絶縁層１２０ｇに残存又は外部から進入する水分により第２電源線１６０の一部に腐食が生じて、表示領域部１２０１内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる。
【００８４】
さらに、保護層１４０は、少なくとも平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在しており、層間絶縁層１２０ｇの周溝部１２０ｇｃｈの底面の第２電源線１６０不存在領域１２０ｃｎｅを通して第３部分１２０ｐ３では層間絶縁層１２０ｆと接触している。保護層１４０は、平面視において多層配線層１２０の第３部分１２０ｐ３よりも外方まで延在しており、保護層１４０が、層間絶縁層１２０ｅ、ｆ又は基板１１０を被覆している構成としてもよい。
【００８５】
これにより、樹脂からなり水分を吸着しやすい性質を有する層間絶縁層１２０ｇを、水分を吸着しない無機材料からなる保護層１４０により外縁まで被覆することにより、周溝部１２０ｇｃｈの外側（第２部分１２０ｐ２）の層間絶縁層１２０ｇに、例えば、基板の外縁方向から水分が進入することを防止できる。
５．  変形例
実施の形態に係る表示パネル１００を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１００の変形例を説明する。
【００８６】
（１）変形例１に係る表示パネルでは、実施の形態に係る表示パネル１００の構成に加えて、共通電極１３４は金属からなる場合には、平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在しており、第３部分１２０ｐ３に存在する樹脂絶縁層１２０ｇの部分と離間している構成としてもよい。係る構成により、周辺領域部１２０２において、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成される共通電極１３４が周溝部１２０ｇｃｈの外側の第２部分１２０ｐ２に位置する層間絶縁層１２０ｇまで延在していない構造を実現できる。その結果、第２部分１２０ｐ２の層間絶縁層１２０ｇに含まれる水分により金属材料である共通電極１３４の一部に腐食が生じて、表示領域部１２０１内まで腐食が進行し配線の機能が損なわれることを防止できる。
【００８７】
（２）変形例２に係る表示パネルでは、実施の形態に係る表示パネル１００の構成に加えて、共通電極１３４が酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの金属酸化物からなる場合には、平面視において多層配線層１２０の第２部分１２０ｐ２まで延在しており、第３部分１２０ｐ３に存在する樹脂絶縁層１２０ｇの部分と離間している構成としてもよい。係る構成においては、周辺領域部１２０２において、金属酸化物である共通電極１３４の一部が周溝部１２０ｇｃｈの外側の第２部分１２０ｐ２に位置する層間絶縁層１２０ｇまで延在していても腐食は生じない。第２部分１２０ｐ２の層間絶縁層１２０ｇに含まれる水分により金属酸化物である共通電極１３４に腐食が生じることはなく、表示領域部１２０１内まで腐食が進行することはないためである。
【００８８】
（３）その他の変形例
表示パネルでは、発光層は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
実施の形態に係る表示パネルでは、画素には、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
【００８９】
また、上記実施の形態では、単位画素が、マトリクス状に並んだ構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素領域の間隔を１ピッチとするとき、隣り合う間隙同士で画素領域が列方向に半ピッチずれている構成に対しても効果を有する。高精細化が進む表示パネルにおいて、多少の列方向のずれは視認上判別が難しく、ある程度の幅を持った直線上（あるいは千鳥状）に膜厚むらが並んでも、視認上は帯状となる。したがって、このような場合も輝度むらが上記千鳥状に並ぶことを抑制することで、表示パネルの表示品質を向上できる。
【００９０】
また、上記実施の形態では、画素電極と共通電極層の間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層及び電子輸送層が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層、ホール輸送層及び電子輸送層を用いずに、画素電極と共通電極層との間に発光層のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【００９１】
また、上記実施の形態では、発光層の形成方法としては、印刷法、スピンコート法、インクジェット法などの湿式成膜プロセスを用いる構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法、気相成長法等の乾式成膜プロセスを用いることもできる。さらに、各構成部位の材料には、公知の材料を適宜採用することができる。
【００９２】
また、上記の形態では、ＥＬ素子部の下部にアノードである画素電極が配され、ＴＦＴのソース電極に接続された配線に画素電極を接続する構成を採用したが、ＥＬ素子部の下部に共通電極層、上部にアノードが配された構成を採用することもできる。この場合には、ＴＦＴにおけるドレインに対して、下部に配されたカソードを接続することになる。
また、上記実施の形態では、一つのサブ画素に対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、一つのサブピクセルに対して一つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
【００９３】
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【００９４】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００９５】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００９７】
１００  有機ＥＬ表示パネル
１１０  第１基板
１１８  平坦化層（層間絶縁層ｇ）
１２０  多層配線層
１２０ａ−ｄ  配線層
１２０ｅ−ｇ  層間絶縁層
１２０ｐ１  第１部分
１２０ｐ２  第２部分
１２０ｐ３  第３部分
１２０ｇｃｈ  周溝部
１２０ｃｎｅ  不存在部
１２２  バンク
１２３  サブ画素駆動回路
１２４  データ信号線
１２５  スキャン信号線
１３０  有機ＥＬ素子
１３２  画素電極
１３３  機能層
１３４  共通電極
１３５  絶縁層
１４０  保護層
１７０  第２基板
１８０  封止構造体
１９０  封止層
１５０  第１電源線
１５１  第１電源線の幹線
１５２  第１電源線の支線
１６０  第２電源線
１６１  第２電源線の幹線
１６１ｃｅｄ  外縁
１６１ｇｒｄ  傾斜電極部
１６２  第２電源線の支線
１２０１  表示領域
１２０２  周辺領域
１３００  有機ＥＬ素子アレイ
【図１】
2019003720.tif 000003
【図２】
2019003720.tif 000004
【図３】
2019003720.tif 000005
【図４】
2019003720.tif 000006
【図５】
2019003720.tif 000007
【図６】
2019003720.tif 000008
【図７】
2019003720.tif 000009
【図８】
2019003720.tif 000010
【図９】
2019003720.tif 000011
【図１０】
2019003720.tif 000012
【図１１】
2019003720.tif 000013
【図１２】
2019003720.tif 000014
【図１３】
2019003720.tif 000015