(57)【要約】【課題】外部電子部品の熱による電子部品への影響を低減することが可能な電子部品内蔵構造体及び電子部品内蔵構造体の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品内蔵構造体１では、外部電子部品５０において熱が発生すると、その熱は、第２電極端子４４、電子部品１０、第１電極端子４２の順に伝わるが、第２の主面１ｂ側に位置する第２電極層１２を構成する材料の熱伝導率が、第１の主面１ａ側に位置する第１電極層１１を構成する材料の熱伝導率より低くなっているため、第２電極層１２における熱移動よりも、第１電極層１１における熱移動のほうが速い。また、第２電極層１２が、熱伝導率が相対的に低い材料で構成されていることにより、外部電子部品５０で発生した熱が急激に電子部品１０に伝導されることが抑制されている。したがって、外部電子部品５０の熱による電子部品１０への影響を低減することが可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、前記第２の主面側に外部電子部品が搭載される電子部品内蔵構造体であって、
前記第１の主面を構成する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に対して積層された接続部と、
前記接続部に対して搭載され、積層方向において前記第１の主面側に位置すると共に前記接続部と電気的に接続された第１電極層と、積層方向において前記第２の主面側に位置する第２電極層とを有する電子部品と、
前記第１絶縁層及び前記電子部品を一体的に覆う第２絶縁層と、
前記第１の主面に設けられた複数の第１電極端子と、
前記第２の主面に設けられ、前記外部電子部品と接続されるべき複数の第２電極端子と、
前記積層方向に延びて前記第１絶縁層を貫通し、前記接続部と前記第１電極端子とを電気的に接続する複数の第１ビア導体と、
前記積層方向に延びて前記第２絶縁層を貫通し、前記電子部品の前記第２電極層と前記第２電極端子とを電気的に接続する複数の第２ビア導体と、を備え、
前記第２電極層を構成する材料の熱伝導率は、前記第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低い、電子部品内蔵構造体。
【請求項２】
前記第２電極層の厚さは、前記第１電極層の厚さより大きい、請求項１に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項３】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層の側から順に積層された第１層と第２層とで構成されており、
前記第１層が、前記接続部が露出するように開口したキャビティ部を有し、該キャビティ部内に前記電子部品が配置されている、請求項１又は２に記載の電子部品内蔵構造体。
【請求項４】
第１電極端子が形成された第１の主面と、前記第１の主面とは反対側に位置し、第２電極端子が形成された第２の主面とを有し、前記第２の主面側において前記第２電極端子と接続されるように外部電子部品が搭載される電子部品内蔵構造体の製造方法であって、
前記第１電極端子に接続されるべき第１ビア導体、及び前記第１ビア導体に接続された接続部が形成され、前記第１の主面を構成する第１絶縁層を準備する第１工程と、
第１電極層及び前記第１電極層とは反対側に設けられた第２電極層を有する電子部品を、前記第１電極層が前記第１の主面側に位置すると共に前記接続部と電気的に接続されるように前記接続部に対して搭載する第２工程と、
前記第１絶縁層及び前記電子部品を一体的に覆い、前記第２の主面を構成する第２絶縁層を形成する第３工程と、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第２電極端子に接続されるべき第２ビア導体を形成する第４工程と、を含み、
前記第２電極層を構成する材料の熱伝導率は、前記第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低い、電子部品内蔵構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵構造体及び電子部品内蔵構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品を内蔵する電子部品内蔵構造体の一つとして、構造体の両面に電極端子を設けた電子部品内蔵構造体が知られている。たとえば特許文献１には、一方の主面に形成されて外部の基板等と接続されるべき複数の第１電極端子と、他方の主面上に形成された該主面に搭載された外部電子部品（たとえば半導体チップ）と接続されるべき複数の第２電極端子とを備え、内蔵する電子部品（内蔵電子部品）を介して第１電極端子と第２電極端子とが接続された電子部品内蔵構造体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２１３１９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の電子部品内蔵構造体では、電子部品内蔵構造体に搭載される外部電子部品において熱が発生すると、電子部品内蔵構造体では、その熱が、第２電極端子、内蔵電子部品、第１電極端子の順に伝わる。発明者らは、鋭意研究の末、外部電子部品の熱が内蔵電子部品に及ぼす影響を低減することができる技術を新たに見出した。
【０００５】
本発明は、外部電子部品の熱による電子部品への影響を低減することが可能な電子部品内蔵構造体及び電子部品内蔵構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る電子部品内蔵構造体は、第１の主面と、第１の主面とは反対側の第２の主面とを有し、第２の主面側に外部電子部品が搭載される電子部品内蔵構造体であって、第１の主面を構成する第１絶縁層と、第１絶縁層に対して積層された接続部と、接続部に対して搭載され、積層方向において第１の主面側に位置すると共に接続部と電気的に接続された第１電極層と、積層方向において第２の主面側に位置する第２電極層とを有する電子部品と、第１絶縁層及び電子部品を一体的に覆う第２絶縁層と、第１の主面に設けられた複数の第１電極端子と、第２の主面に設けられ、外部電子部品と接続されるべき複数の第２電極端子と、積層方向に延びて第１絶縁層を貫通し、接続部と第１電極端子とを電気的に接続する複数の第１ビア導体と、積層方向に延びて第２絶縁層を貫通し、電子部品の第２電極層と第２電極端子とを電気的に接続する複数の第２ビア導体と、を備え、第２電極層を構成する材料の熱伝導率は、第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低い。
【０００７】
この電子部品内蔵構造体においては、電子部品内蔵構造体に搭載される外部電子部品において熱が発生すると、その熱は、第２電極端子、電子部品、第１電極端子の順に伝わるが、第２の主面側に位置する第２電極層を構成する材料の熱伝導率が、第１の主面側に位置する第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低くなっているため、第２電極層における熱移動よりも、第１電極層における熱移動のほうが速い。また、第２電極層が、熱伝導率が相対的に低い材料で構成されていることにより、第２電極層における熱移動は相対的に遅く、外部電子部品で発生した熱が急激に電子部品に伝導されることが抑制されている。したがって、外部電子部品の熱による電子部品への影響を低減することが可能である。
【０００８】
一形態において、第２電極層の厚さは、第１電極層の厚さより大きい。この場合、第１電極層に比べ、第２電極層の熱容量が大きくなっている。したがって、外部電子部品で発生した熱による第２電極層の急激な温度上昇が抑制され、それにより、電子部品の急激な温度上昇も抑制され得る。
【０００９】
一形態において、第２絶縁層は、第１絶縁層の側から順に積層された第１層と第２層とで構成されており、第１層が、接続部が露出するように開口したキャビティ部を有し、該キャビティ部内に電子部品が配置されている。電子部品を第２絶縁層のキャビティ部内に配置することで、電子部品内蔵構造体の低背化が図られている。
【００１０】
本発明の一形態に係る電子部品内蔵構造体の製造方法は、第１電極端子が形成された第１の主面と、第１の主面とは反対側に位置し、第２電極端子が形成された第２の主面とを有し、第２の主面側において第２電極端子と接続されるように外部電子部品が搭載される電子部品内蔵構造体の製造方法であって、第１電極端子に接続されるべき第１ビア導体、及び第１ビア導体に接続された接続部が形成され、第１の主面を構成する第１絶縁層を準備する第１工程と、第１電極層及び第１電極層とは反対側に設けられた第２電極層を有する電子部品を、第１電極層が第１の主面側に位置すると共に接続部と電気的に接続されるように接続部に対して搭載する第２工程と、第１絶縁層及び電子部品を一体的に覆い、第２の主面を構成する第２絶縁層を形成する第３工程と、第２絶縁層を貫通し、第２電極端子に接続されるべき第２ビア導体を形成する第４工程と、を含み、第２電極層を構成する材料の熱伝導率は、第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低い。
【００１１】
この電子部品内蔵構造体の製造方法では、電子部品の第１電極層及び第２電極層が、積層方向に関して、第１の主面側及び第２の主面側にそれぞれ位置し、かつ、第２電極層を構成する材料の熱伝導率は、第１電極層を構成する材料の熱伝導率より低い電子部品内蔵構造体が製造される。電子部品内蔵構造体に搭載される外部電子部品において熱が発生すると、その熱は、第２電極端子、電子部品、第１電極端子の順に伝わるが、第２電極層における熱移動よりも、第１電極層における熱移動のほうが速い。また、第２電極層が、熱伝導率が相対的に低い材料で構成されていることにより、第２電極層における熱移動は相対的に遅く、外部電子部品で発生した熱が急激に電子部品に伝導されることが抑制される。したがって、外部電子部品の熱による電子部品への影響を低減することが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、外部電子部品の熱による電子部品への影響を低減することが可能な電子部品内蔵構造体及び電子部品内蔵構造体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品内蔵構造体を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示した電子部品内蔵構造体の実装状態の一例を示した断面図である。
【図３】図１に示した電子部品内蔵構造体の電子部品の一部を拡大して示した断面図である。
【図４】図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の各工程を示した図である。
【図５】図１に示した電子部品内臓構造体の製造方法の各工程を示した図である。
【図６】図１に示した電子部品内臓構造体の製造方法の各工程を示した図である。
【図７】図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の各工程を示した図である。
【図８】図１に示した電子部品内蔵構造体の製造方法の変形例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態にかかる電子部品内蔵構造体を概略的に示す断面図である。図１に示されるように、電子部品内蔵構造体１は、後述する電子部品１０を内蔵する構造体であり、例えば通信端末等に使用される。電子部品内蔵構造体１は、第１絶縁層２０上に第２絶縁層３０が積層された積層構造を有している。第１絶縁層２０及び第２絶縁層３０は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はフェノール樹脂等の絶縁性材料によって構成される。なお、第２絶縁層３０を構成する絶縁性材料は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂等といった、特定の処理によって硬度が変化する材料であってもよい。第１絶縁層２０の下面が、電子部品内蔵構造体１の一方の主面（第１の主面）１ａを構成し、第２絶縁層３０の上面が、第１の主面１ａとは反対側の主面（第２の主面）１ｂを構成している。
【００１６】
電子部品内蔵構造体１の第１の主面１ａには、複数の第１電極端子４２が設けられている。第１電極端子４２は、例えばＣｕ等の導電性材料によって構成される。本実施形態では、各第１電極端子４２は、主面１ａに重なるように設けられているが、第１絶縁層２０内に埋め込まれた状態で設けられていてもよい。各第１電極端子４２には、図２に示すように、例えば半田バンプ４３が設けられる。そして、各第１電極端子４２は、電子部品内蔵構造体１の第１の主面１ａと対面する外部の基板（図示せず）と、半田バンプ４３を介して接続される。
【００１７】
図１に戻って、電子部品内蔵構造体１の第２の主面１ｂにも、複数の第２電極端子４４が設けられている。第２電極端子４４は、第１電極端子４２同様、例えばＣｕ等の導電性材料によって構成される。本実施形態では、各第２電極端子４４は、主面１ｂに重なるように設けられているが、第２絶縁層３０内に埋め込まれた状態で設けられていてもよい。各第２電極端子４４には、図２に示すように、例えば半田バンプ４５が設けられる。そして、各第２電極端子４４は、電子部品内蔵構造体１の第２の主面１ｂ上に搭載されるＩＣ等の外部電子部品５０と、半田バンプ４５を介して接続される。
【００１８】
図１に示されるように、第１絶縁層２０上には、配線４６及び接続部４８が形成されている。配線４６及び接続部４８はいずれも、後述のとおり、導電層のパターニングにより形成されるため、配線４６及び接続部４８は同一層内に存在するとともに同一厚さを有する。配線４６及び接続部４８は、例えばＣｕ等の導電性材料により構成される。本実施形態では、電子部品内蔵構造体１は一対の接続部４８を有する。配線４６及び接続部４８のそれぞれは、第１絶縁層２０の厚さ方向（すなわち、電子部品内蔵構造体１の積層方向）に延びるように第１絶縁層２０に貫設された複数の第１ビア導体６２を介して、第１電極端子４２と電気的に接続されている。
【００１９】
電子部品１０は、一対の接続部４８上において一対の接続部４８にまたがるように設けられている。電子部品１０は、一対の接続部４８それぞれに対応するように下側に設けられた一対の第１電極層１１と、上側に設けられた一対の第２電極層１２とを有している。本実施形態では、電子部品１０は、一対の第１電極層１１と一対の第２電極層１２との間に配置された誘電体層１３を含む薄膜コンデンサであり、コンデンサ構造を２つ含んでいる。誘電体層１３は、電子部品１０の機能層として含まれている。電子部品１０は、半田層などの導電材料層１５を介して接続部４８と接続されている。
【００２０】
図３に示されるように、電子部品１０の第２電極層の厚さＴ２は、第１電極層の厚さＴ１より大きくなっている。一例として、電子部品１０の全体厚さが１０μｍ〜８０μｍ、第１電極層１１の厚さを０．１μｍ〜２０μｍ、第２電極層１２の厚さを０．１μｍ〜３０μｍ、誘電体層１３の厚さが０．０５μｍ〜０．４μｍとなるように設計され得る。
【００２１】
第２電極層１２を構成する材料の熱伝導率は、第１電極層１１を構成する材料の熱伝導率より低くなっている。図３において矢印に示されるように、外部電子部品５０で発生した熱はまず第２電極層１２に伝導され、その後誘電体層１３、第１電極層１１の順に伝導される。第１電極層１１の材料としては、例えばＣｕ又はＣｕ合金が用いられ得る。本実施形態では、第１電極層１１はＣｕによって構成され、その熱伝導率は例えば３５０〜３７２Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。第２電極層１２の材料としては、例えばＮｉ又はＮｉ合金が用いられうる。本実施形態では、第２電極層１２はＮｉよって構成され、その熱伝導率は例えば５９Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度である。誘電体層１３の材料には、一例として、ペロブスカイト系の誘電体材料が用いられる。特にチタン酸バリウム(ＢａＴｉＯ３)等のような、比較的低温にキュリー点を持つ強誘電体材料を誘電体層１３に使用した薄膜コンデンサは、温度によるキャパシタンス等の特性変化が大きいため、本発明の埋め込み方法による効果がより顕著に得られる傾向がある。なお、電子部品１０の機能層は、複数の誘電体層１３及び複数の内部電極層が交互に積層された積層構造を有する、いわゆる多層薄膜コンデンサであってもよい。
【００２２】
図１に戻り、第２絶縁層３０は、第１層３２と第２層３４とからなる２層構造を有する。すなわち、第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０の側から順に積層された第１層３２と第２層３４とで構成されている。
【００２３】
第２絶縁層３０の第１層３２は、第１絶縁層２０上に形成された各配線４６を覆うとともに、第１絶縁層２０上に形成された接続部４８に対応する領域にキャビティ部３３を有する。キャビティ部３３は、積層方向において第１層３２を貫通しており、第１絶縁層２０上の接続部４８が露出するように開口している。キャビティ部３３の開口寸法は、電子部品１０の寸法よりも大きくなるように設計されており、電子部品１０はキャビティ部３３内に収容されるとともに、キャビティ部３３内において電子部品１０の第１電極層１１が接続部４８に接続される。
【００２４】
電子部品１０の下方には、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０と第１絶縁層２０とで画成された空間Ｖが存在する。空間Ｖは、絶縁性樹脂７０で充たされている。絶縁性樹脂７０は、例えば低誘電率材料（フィラーを含むエポキシ樹脂）やアンダーフィル材で構成される。電子部品１０の下方に位置する配線４６それぞれは絶縁性樹脂７０で覆われている。
【００２５】
第２絶縁層３０の第２層３４は、第１層３２、及び、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０を一体的に覆っている。第２層３４には、その厚さ方向（すなわち、電子部品内蔵構造体１の積層方向）に延びるように複数の第２ビア導体６４が貫設されており、これらの第２ビア導体６４を介して、電子部品１０の第２電極層１２が第２電極端子４４と電気的に接続されている。なお、複数の第２ビア導体６４には、図１及び図２に示した第２層３４のみを貫通する第２ビア導体６４以外に、図１及び図２では示されていないが第２絶縁層３０（第１層３２および第２層３４）を貫通して配線４６と第２電極端子４４とを接続する第２ビア導体６４も含み得る。
【００２６】
次に、図４〜図７を参照して、電子部品内蔵構造体１の製造方法について説明する。
【００２７】
図４〜図７では、一つの電子部品内蔵構造体１を製造する製造方法を示しているが、実際には一枚のウェハ上において電子部品内蔵構造体１の構造を複数形成した後に個片化して一度に複数の電子部品内蔵構造体１が製造される。そのため、図４〜図７では、ウェハの一部（一つの電子部品内蔵構造体１に相当する部分）を拡大して示している。
【００２８】
電子部品内蔵構造体１を製造する際には、まず、第１電極端子４２に接続されるべき第１ビア導体６２、及び第１ビア導体６２に接続された接続部４８が形成され、第１の主面１ａを構成する第１絶縁層２０を準備する（第１工程）。具体的には、図４（ａ）に示されるように、支持基板としての機能を有するウェハＷを準備し、ウェハＷ上に仮接着層Ｌを形成する。ウェハＷの材料は特に限定されず、例えばガラスウェハ等を用いることができる。仮接着層Ｌは、スピンコート等の公知の方法によって形成され得る。なお、仮接着層Ｌが予め形成されたウェハＷを準備してもよい。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示されるように、仮接着層Ｌ上にシード層Ｓを形成する。シード層Ｓは、例えばＣｕ等の導電性材料で構成される。さらに、図４（ｃ）に示されるように、シード層Ｓ上に第１絶縁層２０を積層するとともに第１絶縁層２０を公知のパターニング技術を用いてパターニングして、上述した各第１ビア導体６２を形成する位置の第１絶縁層２０に貫通孔２０ａを設ける。そして、パターニングされた第１絶縁層２０に、電解めっきによりめっき層を形成する。めっき層のうち、第１絶縁層２０の貫通孔２０ａ内に形成されためっき層が第１ビア導体６２を構成し、第１絶縁層２０上に形成されためっき層が配線４６及び接続部４８を構成する。
【００３０】
次に、図５（ａ）に示されるように、めっき層が形成された第１絶縁層２０を全体的に覆うように、第２絶縁層３０の第１層３２を形成する。第２絶縁層３０の第１層３２は、公知のパターニング技術を用いてパターニングされて、第１絶縁層２０上に形成された接続部４８に対応する領域にキャビティ部３３が設けられる。
【００３１】
次に、第１電極層１１及び第１電極層１１とは反対に設けられた第２電極層１２を有する電子部品１０を、第１電極層１１が第１の主面１ａ側に位置するとともに接続部４８と電気的に接続されるように接続部４８に対して搭載する（第２工程）。具体的には、図５（ｂ）に示されるように、電子部品１０がキャビティ部３３内に設置され、キャビティ部３３内において電子部品１０となるべき部品１８が導電材料層１５を介して接続部４８に接続される。電子部品１０となるべき部品１８は、一対の第２電極層１２となるべき１つのＮｉ厚膜電極１２Ａを有する。電子部品１０となるべき部品１８が設置される前又は設置された後に、電子部品１０となるべき部品１８と第１絶縁層２０とで画成された空間Ｖを絶縁性樹脂７０で充たす。それにより、電子部品１０となるべき部品１８の下方に位置する配線４６それぞれが絶縁性樹脂７０で覆われる。
【００３２】
そして、図５（ｃ）に示されるように、電子部品１０となるべき部品１８の周囲を囲むようにレジスト８２を設けてエッチング処理をおこない、Ｎｉ厚膜電極１２Ａの厚さを薄くする。そして、図６（ａ）に示されるように、レジスト８２及びＮｉ厚膜電極１２Ａのうちの第２電極層１２となるべき領域を覆うようにレジスト８４を設けてエッチング処理をおこなう。その結果、図６（ｂ）に示されるように、一対の第２電極層１２を有する電子部品１０が得られる。なお、上記エッチング処理の後、レジスト８２、８４は除去される。
【００３３】
次に、図７（ａ）に示されるように、第１層３２、及び、キャビティ部３３内に収容された電子部品１０を一体的に覆い、第２の主面１ｂを構成する第２絶縁層の第２層３４を形成する（第３工程）。そして、第２層３４を公知のパターニング技術を用いてパターニングして、上述した各第２ビア導体６４を形成する位置の第２層３４に貫通孔３４ａを設ける。これにより、第２絶縁層３０が形成された状態となる。
【００３４】
そして、第２絶縁層３０（第２層３４）を貫通し、第２電極端子４４に接続されるべき第２ビア導体６４を形成する（第４工程）。具体的には、図７（ｂ）に示されるように、パターニングされた第２絶縁層３０の第２層３４に、電解めっきによりめっき層を形成する。めっき層のうち、第２絶縁層３０の第２層３４の貫通孔３４ａ内に形成されためっき層が第２ビア導体６４を構成し、第２絶縁層３０の第２層３４上に形成されためっき層が第２電極端子４４を構成する。
【００３５】
最後に、仮接着層Ｌ及びウェハＷを除去し、除去により露出した第１の主面１ａ上に第１電極端子４２を設けることで、上述した電子部品内蔵構造体１が完成する。その後、電子部品内蔵構造体１に対して外部電子部品５０（図２参照）を搭載する。このとき、外部電子部品５０は、半田バンプ４５を介して第２電極端子４４に電気的に接続される。そして、樹脂などを用いて外部電子部品５０を封止する。
【００３６】
なお、上述した製法とは異なり、図７（ｂ）に示した第２電極端子４４の形成工程の後に、図８に示されるように、第２の主面１ｂ上に外部電子部品５０を搭載して樹脂封止を行った後に、仮接着層Ｌ及びウェハＷを除去してもよい。その後、除去により露出した第１の主面１ａ上に第１電極端子４２を設けることで、電子部品内蔵構造体１が完成する。
【００３７】
以上説明したように、この電子部品内蔵構造体１においては、電子部品内蔵構造体１に搭載される外部電子部品５０において熱が発生すると、その熱は、第２電極端子４４、電子部品１０、第１電極端子４２の順に伝わるが、第２の主面１ｂ側に位置する第２電極層１２を構成する材料の熱伝導率が、第１の主面１ａ側に位置する第１電極層１１を構成する材料の熱伝導率より低くなっている。このため、第２電極層１２における熱移動よりも、第１電極層１１における熱移動のほうが速い。これにより、電子部品１０においては第２電極層１２、誘電体層１３、第１電極層１１の順に熱が伝わる（図３参照）が、第２電極層１２から誘電体層１３への熱移動に比べ、誘電体層１３から第１電極層１１への熱移動は速くなっている。また、第２電極層１２が、熱伝導率が相対的に低い材料で構成されていることにより、第２電極層１２における熱移動は相対的に遅く、外部電子部品５０で発生した熱が急激に電子部品１０に伝導されることが抑制されている。したがって、外部電子部品５０の熱による電子部品１０への影響を低減することが可能である。
【００３８】
また、電子部品内蔵構造体１では、第２電極層１２の厚さＴ２は、第１電極層１１の厚さＴ１より大きくなっている。これにより、第１電極層１１に比べ、第２電極層１２の熱容量が大きくなっている。したがって、外部電子部品５０で発生した熱による第２電極層１２の急激な温度上昇が抑制され、それにより、電子部品１０の急激な温度上昇も抑制され得る。
【００３９】
また、電子部品内蔵構造体１では、第２絶縁層３０は、第１絶縁層２０の側から順に積層された第１層３２と第２層３４とで構成されている。そして、第１層３２が、接続部４８が露出するように開口したキャビティ部３３を有し、そのキャビティ部３３内に電子部品１０が配置されている。このように電子部品１０を第２絶縁層３０のキャビティ部３３内に配置することで、電子部品内蔵構造体１の低背化が図られている。
【００４０】
また、電子部品内蔵構造体１の製造方法では、電子部品１０の第１電極層１１及び第２電極層１２が、積層方向に関して、第１の主面１ａ側及び第２の主面１ｂ側にそれぞれ位置し、かつ、第２電極層１２を構成する材料の熱伝導率は、第１電極層１１を構成する材料の熱伝導率より低い電子部品内蔵構造体１が製造される。電子部品内蔵構造体１に搭載される外部電子部品５０において熱が発生すると、その熱は、第２電極端子４４、電子部品１０、第１電極端子４２の順に伝わるが、第２の主面１ｂ側に位置する第２電極層１２を構成する材料の熱伝導率が、第１の主面１ａ側に位置する第１電極層１１を構成する材料の熱伝導率より低くなっている。このため、第２電極層１２における熱移動よりも、第１電極層１１における熱移動のほうが速い。これにより、電子部品１０においては第２電極層１２、誘電体層１３、第１電極層１１の順に熱が伝わる（図３参照）が、第２電極層１２から誘電体層１３への熱移動に比べ、誘電体層１３から第１電極層１１への熱移動は速くなっている。また、第２電極層１２が、熱伝導率が相対的に低い材料で構成されていることにより、第２電極層１２における熱移動は相対的に遅く、外部電子部品５０で発生した熱が急激に電子部品１０に伝導されることが抑制されている。したがって、外部電子部品５０の熱による電子部品１０への影響を低減することが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１…電子部品内蔵構造体、１ａ…第１の主面、１ｂ…第２の主面、１０…電子部品、１１…第１電極層、１２…第２電極層、１３…誘電体層、２０…第１絶縁層、３０…第２絶縁層、３２…第１層、３３…キャビティ部、３４…第２層、４２…第１電極端子、４４…第２電極端子、４８…接続部、６２…第１ビア導体、６４…第２ビア導体、Ｔ１，Ｔ２…厚さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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