(57)【要約】【課題】被はんだ接合面に、これより面積の大きなはんだ接合面を備えた部品をはんだ接合する際の、はんだの飛び出しや付着を防止する。【解決手段】第１部品の上に第２部品が接合された半導体モジュールが、表面に第１メタライズを備えた第１部品と、裏面および側面に連続して設けられた第２メタライズを備えた第２部品と、第１メタライズと、第２メタライズと、を接合するはんだとを含み、第２部品の裏面を、第１部品の表面に垂直投影した投影領域に、第１メタライズが含まれ、第２部品の側面に設けられた第２メタライズの上に、はんだが濡れ広がる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部品の上に第２部品が接合された半導体モジュールであって、
表面に第１メタライズを備えた第１部品と、
裏面および側面に連続して設けられた第２メタライズを備えた第２部品と、
前記第１メタライズと、前記第２メタライズと、を接合するはんだと、を含み、
前記第２部品の裏面を、前記第１部品の表面に垂直投影した投影領域に、前記第１メタライズが含まれ、
前記第２部品の側面に設けられた前記第２メタライズの上に、前記はんだが濡れ広がったことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第１部品は、サーモモジュールまたは絶縁基板であり、
前記第２部品は、サブマウントにはんだ接合された光半導体素子が、表面または側面にはんだ接合された半導体キャリアであることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記第１部品の第１メタライズが第１領域および第２領域に形成され、
前記第２部品が接合された前記第１領域とは異なる前記第２領域に、裏面および側面に連続して設けられた第３メタライズを備えた第３部品が、はんだで接合され、
前記第３部品の裏面を、前記第１部品の表面に垂直投影した投影領域に、前記第１メタライズの前記第２領域が含まれ、
前記第３部品の側面に設けられた前記第３メタライズの上に、前記はんだが濡れ広がったことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記第１部品は、サーモモジュールまたは絶縁基板であり、
前記第２部品は、サブマウントに固定された光半導体素子が表面または側面にはんだ接合された半導体キャリアであり、
前記第３部品は、表面にレンズが固定されたベースブロックであることを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第２部品の側面の第２メタライズは、前記第２部品の側面の少なくとも一部に設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記第３部品の側面の第３メタライズは、前記第３部品の側面の少なくとも一部に設けられたことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記第２部品の側面に、表面から裏面まで貫通した凹部を備え、その内部にも前記第２メタライズが設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記第２部品の側面に、表面から裏面まで貫通した凹部を備え、その内部にも前記第２メタライズが設けられ、および／または、
前記第３部品の側面に、表面から裏面まで貫通した凹部を備え、その内部にも前記第３メタライズが設けられたことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記第２部品の裏面の一方向の幅が、表面の同一方向の幅より狭くなるように、前記第２部品の対向する２つの側面にそれぞれ凹部が設けられ、その内部にも前記第２メタライズが設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記第２部品の裏面の一方向の幅が、表面の同一方向の幅より狭くなるように、前記第２部品の対向する側面にそれぞれ凹部が設けられ、その内部にも前記第２メタライズが設けられ、および／または、
前記第３部品の裏面の一方向の幅が、表面の同一方向の幅より狭くなるように、前記第３部品の対向する側面にそれぞれ凹部が設けられ、その内部にも前記第３メタライズが設けられたことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体モジュール。
【請求項１１】
前記第１メタライズと前記第２メタライズとのを接合するはんだの融点は、前記半導体キャリアと前記サブマウントとを接合するはんだ、および前記サブマウントと前記光半導体素子とを接合するはんだ、の融点より低いことを特徴とする請求項２または４に記載の半導体モジュール。
【請求項１２】
ケースと、
前記ケースの底面に設けられた分波器と、をさらに含み、
前記光半導体素子から出射された光が、前記レンズを通って前記分波器に入射することを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項１３】
表面に第１メタライズを備えた絶縁基板またはサーモモジュールを準備する工程と、
光半導体素子がはんだ接合されたサブマウントが表面または側面に接合され、裏面および側面に第２メタライズが連続して設けられた半導体キャリアを準備する工程と、
前記第１メタライズの上にはんだを供給する工程と、
前記はんだを溶融する工程と、
前記半導体キャリアの裏面を前記はんだに接触させて前記第１メタライズの方向に加圧することで、前記半導体キャリアの側面に設けられた前記第２メタライズの上まで前記はんだを濡れ広がらせる工程と、
前記絶縁基板またはサーモモジュールの表面に前記半導体キャリアの裏面を垂直投影した投影領域に、前記第１メタライズが含まれる位置で前記はんだを凝固させる工程と、を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁基板またはサーモモジュールの前記前記第１メタライズが、第１領域と第２領域に設けられ、前記第１領域に前記半導体キャリアが接合され、さらに、
レンズが表面に固定され、裏面および側面に第３メタライズが連続して設けられたベースブロックを準備する工程と、
前記第２領域の前記第１メタライズの上にはんだを供給する工程と、
前記はんだを溶融する工程と、
前記ベースブロックの裏面を前記はんだに接触させて前記第１メタライズの方向に加圧することで、前記ベースブロックの側面に設けられた前記第３メタライズの上まで前記はんだを濡れ広がらせる工程と、
前記絶縁基板またはサーモモジュールの表面に前記半導体キャリアの裏面を垂直投影した投影領域に、前記第１メタライズの前記第２領域が含まれる位置で前記はんだを凝固させる工程と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記第１メタライズの上に供給されるはんだの融点は、他のはんだの融点より低いことを特徴とする請求項１３または１４に記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールおよびその製造方法に関し、特に、光通信に用いられる光半導体モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチメディア社会の進展に伴い、１本の光ファイバケーブルに複数の異なる波長の光信号を同時に乗せる波長分割多重通信方式が採用されている。波長分割多重通信には、例えば、複数の集積型光変調素子の出射光を、対応するレンズで光合分波器に光結合して合波し、その合波光を出力する光半導体モジュールが用いられる（特許文献１参照）。
【０００３】
この光半導体モジュールでは、複数の集積型光変調素子それぞれの出射光を合波器に光結合するためのレンズが、集積型光変調素子と光合分波器の間に配置され、このレンズは、例えば絶縁基板の電極パターン上にはんだで固定される。このとき、レンズベースのはんだ接合面の面積より、絶縁基板の電極パターンの面積を小さくすることで、絶縁基板自体も小さくでき、光半導体モジュールをさらに小型化できる。
【０００４】
しかし、レンズベースと電極パターンとの間に過剰にはんだが供給された場合、はんだ接合時にはんだが電極パターンの外側に飛び出したり飛散することで、例えば光合分波器の載置エリアに付着し、光合分波器の組立てができなくなったり、位置ズレを生じさせる。これを防止するために、はんだ接合時にはんだ接合の境界部にノズルを近づけて移動させ、過剰なはんだを吸い取ることが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１７−０５９６２８公報
【特許文献２】特開２００７−３２４４１４公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、複数の集積型光変調素子を備えた光半導体モジュールでは、従来の光半導体モジュールと比較して搭載しなければならない部品が多く、部品の耐熱温度も異なるため、一度に全ての部品を搭載することができず、融点の異なる複数のはんだや、樹脂接着剤等の複数の接合材を用いて、複数の工程で部品が組立てられる。また、光半導体モジュールを小型化するためには、部品間の距離を小さくする必要がある。このため、レンズベースのはんだ接合時には、その近傍には既に別の部品が設置されており、ノズルを近づけて過剰はんだを吸引することができず、はんだの飛び出しや付着が依然問題となっていた。
【０００７】
そこで、本発明は、光半導体モジュールにおいて、被はんだ接合面に、これより面積の大きなはんだ接合面を備えた部品をはんだ接合する際の、はんだの飛び出しや飛散による付着を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
第１部品の上に第２部品が接合された半導体モジュールであって、
表面に第１メタライズを備えた第１部品と、
裏面および側面に連続して設けられた第２メタライズを備えた第２部品と、
第１メタライズと、第２メタライズと、を接合するはんだと、を含み、
第２部品の裏面を、第１部品の表面に垂直投影した投影領域に、第１メタライズが含まれ、
第２部品の側面に設けられた第２メタライズの上に、はんだが濡れ広がったことを特徴とする半導体モジュールである。
【０００９】
また、本発明は、
表面に第１メタライズを備えた絶縁基板またはサーモモジュールを準備する工程と、
光半導体素子がはんだ接合されたサブマウントが表面または側面に接合され、裏面および側面に第２メタライズが連続して設けられた半導体キャリアを準備する工程と、
第１メタライズの上にはんだを供給する工程と、
はんだを溶融する工程と、
半導体キャリアの裏面をはんだに接触させて第１メタライズ方向に加圧することで、半導体キャリアの側面に設けられた第２メタライズの上まではんだを濡れ広がらせる工程と、
絶縁基板またはサーモモジュールの表面に半導体キャリアの裏面を垂直投影した投影領域に、第１メタライズが含まれる位置ではんだを凝固させる工程と、を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法、でもある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様によれば、被はんだ接合面に、これより面積の大きなはんだ接合面を備えた部品をはんだ接合する場合に、接合される部品の側面までメタライズを設けて、はんだを濡れ広がらせることにより、過剰に供給されたはんだが飛び出したり、はんだボールとなって周囲に飛散するのを防止できる。
【００１１】
また、接合される部品より、被はんだ接合面の面積を小さくでき、この結果、被接合部品を小型化して、光半導体モジュールの小型化、低コスト化が可能となる。
【００１２】
加えて、接合部品の側面に漏れ広がったはんだを観察することで、はんだの接合状態の外観検査が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる光半導体モジュールの断面図である。
【図２】図１の半導体モジュールをＩＩ−ＩＩ方向に見た場合の断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールに用いられるレンズベースの斜視図である。
【図３Ｂ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールに用いられる他のレンズベースの斜視図である。
【図３Ｃ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールに用いられる他のレンズベースの斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる他の光半導体モジュールの断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールに用いられるレンズベースの平面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールに用いられるレンズベースの側面図である。
【図６Ａ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図６Ｄ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図６Ｅ】本発明の実施の形態１かかる光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図７Ａ】従来の光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図７Ｂ】従来の光半導体モジュールの製造工程の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかる光半導体モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施の形態にかかる光半導体モジュールについて、図を参照しながら以下に説明する。各図において、同一または相当箇所には同じ符号を付している。また、説明が不必要に冗長になるのを避けて理解を容易にするために、既によく知られた事項の詳細な説明および実質的に同一の構成に対する重複した説明は省略する場合がある。なお、以下の説明および図面の内容は、特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。
【００１５】
各図の間では、対応する各構成部分のサイズあるいは縮尺はそれぞれ独立している。例えば、構成の一部を変更した図と変更していない図において、同一構成部分のサイズあるいは縮尺が異なっている場合もある。また、光半導体モジュールについて、実際に実施する場合は、さらにいくつかの構成を備える必要があるが、説明を簡単にするために、説明に必要な部分のみを記載しその他の部分については説明を省略している。
【００１６】
なお、以下においては、光半導体モジュールを例に説明するが、光以外にも、同様の課題を有する電力用の半導体モジュールや通常電流を扱う半導体モジュールに対しても、本発明を適用することは可能である。
【００１７】
実施の形態１．
図１は、全体が１００で表される、本発明の実施の形態１にかかる光半導体モジュールの断面図であり、図２は、図１をＩＩ−ＩＩ方向に見た場合の断面図である。
【００１８】
図１、２に示すように、光半導体モジュール１００は、半導体キャリアとして、金属ブロック３０を含む。金属ブロック３０の上には、サブマウント２１、２２、２３、２４が、はんだ６１で一定間隔に接合されている。サブマウント２１、２２、２３、２４の上には、はんだ６２により、半導体レーザチップ（ＬＤ）１１、１２、１３、１４がそれぞれ接合されている。金属ブロック３０は、サーモモジュール４０の上に、はんだ６３で接合されている。
【００１９】
また、図１に示すように、サーモモジュール４０の上には、はんだ６３によりレンズベース５０が接合されている。レンズベース５０の上には、樹脂接着剤７１によりレンズ５１が接合されている。図１では、１つのレンズ５１のみが示されているが、半導体レーザチップ１１、１２、１３、１４のそれぞれに対応して４つのレンズが一定間隔で接合されている。
【００２０】
サーモモジュール４０は、ケース８０の底面にはんだ６４により接合されて、ケース８０に収納される。また、ケース８０の底面には、樹脂接着剤７２により合波器９０が接合されている。なお、図１、２では、光半導体モジュール１００の基本的な構成のみを図示し、コンデンサ、ケース、ワイヤ等、その他の構成については省略している。
【００２１】
次に、光半導体モジュール１００の各構成部品について説明する。
【００２２】
（１）半導体レーザチップ１１〜１４
半導体レーザチップ１１〜１４は、電気信号を光信号に変換し、またはその逆の変換を行う。半導体レーザチップ１１〜１４には、例えばＬＤ（Laser Diode）やＰＤ（Photo Diode）が用いられる。実施の形態１では、ＬＤを使用している。また、実施の形態１において、各半導体レーザチップ１１〜１４には、それぞれ１つのレーザ光発生部が形成されているが、複数のレーザ光発生部が形成されてもよい。実施の形態１において、半導体レーザチップ１１〜１４の個数は４個であるが、半導体レーザチップ１１〜１４の個数はこれに限定されない。
【００２３】
（２）サブマウント２１〜２４
サブマウント２１〜２４は、セラミック基材と、このセラミック基材の表面に形成された電極と、裏面に形成された電極パターンとを有する（図示せず）。セラミック基材は電気的絶縁物であり、半導体レーザチップ１１〜１４を効果的に冷却するため、熱伝導率の大きい材料が好ましく、例えば厚さ０．３ｍｍのＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等のセラミック板が用いられる。実施の形態１では、各サブマウント２１〜２４には、半導体レーザチップ１１〜１４が１つずつ接合されているが、１つのサブマウントに複数の半導体レーザチップを接合してもよい。実施の形態１において、サブマウント２１〜２４の個数は４個であるが、これに限定されるものではない。
【００２４】
サブマウント２１〜２４の表面側および裏面側の電極パターンには、一般に同じ材料が用いられる。回路側に相当する表面側の電極パターンには、半導体レーザチップ１１〜１４がはんだ６２によってはんだ接合される。さらに、電極パターンにＡｕワイヤ等で接合部を形成することで、周囲の部材や半導体レーザチップ１１〜１４の表面と電気的に接続される。このように、表面側の電極パターンは、半導体レーザチップ１１〜１４と、外部の回路とを電気接続するための配線部材でもあるため、電気抵抗の小さい金属が好ましく、一般的には例えば厚さ３．０μｍ以下のＡｕ等によるメタライズが用いられる。
【００２５】
一方、放熱面側に相当する裏面側の電極パターンには、金属ブロック３０が、はんだ６１によって接合される、この場合、表面に等間隔で接合された半導体レーザチップ１１〜１４のレーザ出力方向が合波器９０を向き、かつ合波器９０から半導体レーザチップ１１〜１４までの距離が等しくなるように接合される。
【００２６】
（３）金属ブロック３０
半導体キャリアである金属ブロック３０は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ等の金属、セラミック、樹脂等の絶縁体に金属が被覆されたもの等、熱および電気をよく伝達する材料が用いられる。金属ブロック３０は、サブマウント２１〜２４がはんだ接合される面を表面（主面）として、表面が図１のＺ軸正方向を向くように、サーモモジュール４０にはんだ６３によって接合される。ここでは、金属ブロック３０の全ての面にメタライズ３０ａが形成されているが、これに限られるものではない。
【００２７】
メタライズ３０ａには、はんだを効果的に濡れ広がらせるために、例えば厚さ３．０μｍ以下のＡｕ等が用いられる。実施の形態１では、金属ブロック３０の側面をメタライズ３０ａで覆うことにより、金属ブロック３０をサーモモジュール４０にはんだ接合する際に、金属ブロック３０の底面から、底面に接する側面に、過剰なはんだ６３が濡れ上がる。
【００２８】
（４）サーモモジュール４０
サーモモジュール４０は、上部の吸熱部が受けた熱を、ペルチェ素子を介して下部の放熱部へ伝達し、放熱部から放出する。吸熱板および放熱板は、例えば表面にメタライズを備えたセラミックからなる。実施の形態１では、サーモモジュール４０は、金属ブロック３０およびレンズベース５０が接合される面を表面として、表面が図１のＺ軸正方向を向くように、ケース８０にはんだ６４によって接合される。これにより、半導体レーザチップ１１〜１４は、サーモモジュール４０によって温度が制御され、継続した安定動作が可能になる。
【００２９】
また、サーモモジュール４０の、金属ブロック３０とのはんだ接合面（第１領域）には、メタライズ４０ａが、レンズベース５０とのはんだ接合面（第２領域）にはメタライズ４０ｂが、それぞれ形成され、さらにケース８０とのはんだ接合面にはメタライズ４０ｃが形成されている。メタライズ４０ａ、４０ｂ、４０ｃには、同じ材料が用いられるのが好ましい。メタライズ４０ａ、４０ｂ、４０ｃは、はんだを効果的に濡れ広がらせるため、例えば厚さ３．０μｍ以下のＡｕ等が用いられる。
【００３０】
実施の形態１では、メタライズ４０ａ、４０ｂ、４０ｃは、それぞれがはんだ接合される金属ブロック３０、レンズベース５０、およびケース８０のはんだ接合面の、ＸＹ平面への投影面積より小さい面積で形成される。はんだ６３は、メタライズ４０ａ、メタライズ４０ｂの全面に濡れ広がり、過剰なはんだはそれぞれ金属ブロック３０とレンズベース５０の側面に濡れ広がる。一方、はんだ６４は、メタライズ４０ｃの全面に濡れ広がり、過剰なはんだはケース８０の底面に濡れ広がる。
【００３１】
（５）レンズベース５０
レンズベース５０には、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ等の金属、セラミック、樹脂等の絶縁体が用いられる。金属ブロック３０と異なり、電気や熱の伝導経路ではないため、熱および電気をよく伝達する材料でなくても問題ない。しかし、レンズベース５０は、レンズ５１〜５４が接着される面を表面として、この表面が図１のＺ軸正方向を向き、かつ半導体レーザチップ１１〜１４のレーザ出力方向に、はんだ６３によって接合される。
【００３２】
レンズベース５０のはんだ接合面にはメタライズ５０ａが形成され、さらにメタライズ５０ａと接する側面にもメタライズ５０ａと接するようメタライズ５０ｂが形成される。メタライズ５０ａおよびメタライズ５０ｂは、同じ材料から形成されることが好ましい。メタライズ５０ａおよびメタライズ５０ｂには、はんだを効果的に濡れ広がらせるために、例えば厚さ３．０μｍ以下のＡｕ等が用いられる。実施の形態１においては、レンズベース５０のメタライズ５０ａと接する側面には、メタライズ５０ａの全周に渡って、メタライズ５０ａと接する位置から０．５ｍｍの高さまでメタライズ５０ｂが形成され、はんだ６３が濡れ上がって、サーモモジュール４０と接合される。
【００３３】
（６）レンズ５１〜５４
レンズ５１〜５４（レンズ５２〜２４は図示せず）は、ガラスまたは透明な樹脂により形成され、各半導体レーザチップ１１〜１４から出射したレーザ光を、それぞれ集光する。実施の形態１において、レンズ５１〜５４の個数は、４個であるが、これに限定されるものではない。
【００３４】
（７）はんだ６１、６２、６３、６４
はんだ６１は、サブマウント２１〜２４の裏面に形成された電極パターン（図示せず）と、金属ブロック３０の表面とをそれぞれ接合する。光半導体モジュール１００の製造工程において、はんだ６１によってサブマウント２１〜２４が金属ブロック３０に接合される時点で、金属ブロック３０はサーモモジュール４０にまだ接合されていない。よって、はんだ６３の接合時にはんだ６１が再溶融しないように、はんだ６１の材料は、融点がはんだ６３より高く、熱伝導率の大きい金属が好ましい。一般のはんだには、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｇｅ等を含有し、その融点が４５０℃未満の合金が用いられるが、はんだ６１には、主にＡｕにＳｎやＧｅ等を含有し、その融点が２５０℃以上の合金を用いるのが好ましい。また、はんだ６１の厚さは、良好な放熱性を得るために、０．１ｍｍ以下とするのが好ましい。
【００３５】
はんだ６２は、サブマウント２１〜２４の表面に形成された電極パターン２１ｂ〜２４ｂと、半導体レーザチップ１１〜１４とを接合する。はんだ６２によって半導体レーザチップ１１〜１４がサブマウント２１〜２４に接合される時点では、サブマウント２１〜２４は金属ブロック３０にまだ接合されていないか、金属ブロック３０に接合された直後である。よって、はんだ６２の材料は、はんだ６３の接合時にはんだ６２が再溶融しないように、融点がはんだ６３より高く、熱伝導率の大きい金属が好ましい。はんだ材料切換えの手間を省くため、はんだ６１と同じ材料を用いるのが好ましい。
【００３６】
なお、サブマウント２１〜２４が金属ブロック３０に接合される前に、半導体レーザチップ１１〜１４をサブマウント２１〜２４にそれぞれ接合する場合は、はんだ６２の融点ははんだ６１より高いことが好ましい。このため、はんだ６２には、Ａｕに、ＳｎやＧｅ等を含有し、その融点が２５０℃以上の合金を用いるのが好ましい。また、はんだ６２の厚さは、良好な放熱性を得るために、はんだ６１と同様、０．１ｍｍ以下とするのが好ましい。
【００３７】
はんだ６３は、金属ブロック３０およびレンズベース５０を、サーモモジュール４０の表面に形成されたメタライズ４０ａ、４０ｂにそれぞれ接合する。はんだ６３によって金属ブロック３０が接合される時点では、半導体レーザチップ１１〜１４はサブマウント２１〜２４にはんだ６２によって既に接続され、またサブマウント２１〜２４も金属ブロック３０の表面にはんだ６１によって既に接合されている。よって、はんだ６３の接合時にはんだ６１およびはんだ６２が再溶融しないように、はんだ６３の材料は、融点がはんだ６１、６２より低く、熱伝導率の大きい金属が好ましい。このため、はんだ６３には、Ｓｎに、ＡｇやＣｕ等を含有し、その融点が２５０℃未満の合金を用いるのが好ましい。
【００３８】
はんだ６４は、ケース８０の底面に、サーモモジュール４０の裏面に形成されたメタライズ４０ｃを接合する。はんだ６４によってサーモモジュール４０がケース８０に接合される時点では、金属ブロック３０とレンズベース５０は、まだサーモモジュール４０に接合されていない。よって、はんだ６３の接合時にはんだ６４が再溶融しないように、はんだ６４の材料は、融点がはんだ６３より高く、熱伝導率の大きい金属が好ましい。このため、はんだ６４には、Ａｕに、ＳｎやＧｅ等を含有し、その融点が２５０℃以上の合金を用いるのが好ましい。はんだ６４の厚さは良好な放熱性を得るために、はんだ６１やはんだ６２と同様に、０．１ｍｍ以下とするのが好ましい。なお、はんだ材料切換えの手間を省くために、はんだ６１や６２と同じ材料を用いるのが好ましい。
【００３９】
（８）樹脂接着剤７１、７２
樹脂接着剤７１は、レンズベース５０とレンズ５１〜５４とを接着し、また樹脂接着剤７２は、ケース８０と合波器９０とを接着する。樹脂接着剤７１、７２によってそれぞれの部材が接着される時点では、はんだ６１〜６４によって既にサブマウント等の他の部品が接合されている。よって、樹脂接着剤７１、７２の材料は、接着時にはんだ６１〜６４が再溶融したり、接合されている部品が破壊しないように、接着に必要な加熱温度が、はんだ６１〜６４の融点やはんだ６１〜６４によって接合されている部品の耐熱温度より低い樹脂であることが好ましい。紫外線の照射等の加熱以外の方法で硬化、接着できる樹脂であればより好ましい。また、実施の形態１において樹脂接着剤７１、７２によって接着されるレンズベース５０とレンズ５１〜５４との間、およびケース８０と合波器９０との間は、導通経路ではないため、樹脂接着剤７１、７２が導電性である必要はない。
【００４０】
（９）ケース８０
ケース８０は、はんだ６４によってサーモモジュール４０が接合される平板状の底部と、底部の外縁に設けられた複数の側部とを備える。また、図１に示すように、ケース８０の１つの側部には、合波器９０によって合波され、波長多重化されたレーザ光を、光ファイバ（図示しない）に導くための出射部が設けられ、出射部は、レンズ８１により封止されている。
【００４１】
（１０）合波器９０
合波器９０は、半導体レーザチップ１１〜１４からの出射光を合波し、その合波光を出力する。合波器９０から出力された合波光は、波長多重信号としてケース８０に備えられたレンズ８１を通して、光ファイバ等の光導波路を通って伝送される。合波器に替えて分波器を用いる場合もある。
【００４２】
続いて、以上のように構成された実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００で得られる特有の効果について、図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図１、２に示すような、複数の半導体レーザチップ１１〜１４を備えた光半導体モジュール１００では、上述のように、従来の光半導体モジュールと比較して、レンズベース５０やレンズ５１〜５４、合波器９０等、搭載しなければならない部品が多い。加えて、ケース８０、サーモモジュール４０、金属ブロック３０、サブマウント２１〜２４、半導体レーザチップ１１〜１４のように、積み重ねて接合しなければならない部品も多い。
【００４４】
特に、光半導体モジュール１００では、複数の半導体レーザチップ１１〜１４の出射光を合波して、その合波光を出力する必要があるため、半導体レーザチップ１１〜１４とレンズ５１〜５４と合波器９０との相対的な距離が常に一定となるように組立てることが非常に重要であり、特に高い精度が要求される。このため、複数の半導体レーザチップ１１〜１４を備えた光半導体モジュール１００は、接合するために必要な加熱温度の異なる複数の種類の接合材であるはんだ６１〜６４、樹脂接着剤７１、７２等を使用することで、複数の工程で順番に部品を組立てるのが一般的である。
【００４５】
また、従来の光半導体モジュールでは、はんだ接合時に搭載する部品は、搭載される部品つまりはんだ接合時に下部になる部品より小さいのが一般的である。しかし、実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００では、可能な限り光半導体モジュール１００を小型化するために、サーモモジュール４０を小さくするため、サーモモジュール４０のはんだ接合面であるメタライズ４０ａ、４０ｂより、これに搭載される金属ブロック３０およびレンズベース５０のはんだ接合面の面積の方が大きい。つまり、サブマウント２１〜２４の接合およびレンズ５１〜５４を搭載するのに必要な金属ブロック３０およびレンズベース５０の最低限の大きさよりも、サーモモジュール４０を小型化し、光半導体モジュール１００全体の小型化を図っている。
【００４６】
しかしながら、一方で、金属ブロック３０およびレンズベース５０のはんだ接合面の面積を、メタライズ４０ａ、４０ｂより大きくすることで、メタライズ４０ａ、４０ｂと金属ブロック３０およびレンズベース５０との間に、過剰なはんだ６３が濡れ広がるスペースがなくなる。このため、過剰に供給されたはんだ６３が、サーモモジュール４０の上にはみ出したり、はんだボールとなり、周囲に飛散する可能性がある。
【００４７】
メタライズ４０ａ、４０ｂと、金属ブロック３０およびレンズベース５０との間からはみ出したり周囲に飛散したはんだボールは、ケース８０の側壁に付着してメタライズ４０ａと導通したり、ケース８０の底面の、後の工程で合波器９０を接着する予定の空きスペースに付着して、合波器９０が接着できなくなったりするため、問題である。
【００４８】
しかも、光半導体モジュール１００を小型化するために、金属ブロック３０、レンズベース５０、ケース８０の側壁の間は、最低限必要な距離しか離れておらず、部品間の距離が従来に比較して狭いため、メタライズ４０ａ、４０ｂと金属ブロック３０およびレンズベース５０の間にはみ出た過剰なはんだ６３を吸引するためのノズル等を挿入できない。
【００４９】
加えて、過剰に供給されたはんだ６３がはんだボールとして周囲にはみ出したり飛散したりしないように、はんだ６３の供給量を少なくすると、はんだ接合部の接合状態を確認するためには、はんだ接合部の真横か下側から接合部を観察する必要があるが、はんだ６３の真横や下側にはケース８０の底面や側壁が存在するため、はんだ接合部を目視で観察できない。このため、メタライズ４０ａ、４０ｂと金属ブロック３０およびレンズベース５０との間にはんだ６３が十分に濡れ広がり、はんだ濡れ不良が生じていないかを外観検査できなくなり、はんだ濡れ不良品を発見できない。
【００５０】
これに対して、実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００では、金属ブロック３０の全面にメタライズ３０ａを、レンズベース５０のはんだ接合面に接する側面にメタライズ５０ｂを、それぞれ形成することで、過剰に供給されたはんだ６３が、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面まで濡れ広がる。このため、過剰に供給されたはんだ６３がはんだボールとなって周囲にはみ出したり飛散したりするのを防ぐことができる。
【００５１】
特に、実施の形態１に示すように、はんだ接合工程の後に樹脂接着剤７２で接着する合波器９０のような部品が、はんだ接合部の近傍に存在する場合は、過剰に供給されたはんだ６３がはんだボールとなって飛散し、ケース８０の底面の、合波器９０の接着予定領域に付着し、合波器９０が接着できなくなる。このため、金属ブロック３０等の部品の側面にはんだが濡れ広がるメタライズを設けて、側面にはんだを濡れ広がらせることで、過剰なはんだがはんだボールとなって周囲に飛散し、合波器９０の接着予定領域に付着するのを防止できる。
【００５２】
さらに、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面に濡れ広がったはんだ６３は、ケース８０の上方の開口部から目視で観察可能になる。このため、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面へのはんだ６３の濡れ広がりの有無を目視で検査することで、メタライズ４０ａ、４０ｂと金属ブロック３０およびレンズベース５０との間のはんだ接合部に、十分なはんだ濡れが得られているかを確認することができる。
【００５３】
なお、実施の形態１では、金属ブロック３０の全面にメタライズ３０ａを形成し、レンズベース５０でははんだ接合面に接する側面にメタライズ５０ｂをそれぞれ形成した。しかしながら、メタライズの形成領域はこれに限るものではなく、過剰に供給されたはんだ６３が全てメタライズに濡れ広がれば、別の形状でもかまわない。
【００５４】
図３Ａは、図１に示す光半導体モジュール１００に用いられる、他のレンズベース５０の斜視図である。図３Ａでは、レンズベース５０の底面と４つの側面にそれぞれメタライズ５０ａ、５０ｂが設けられているが、過剰はんだが漏れ広がる構成であればこれに限られるものではない。
【００５５】
例えば、図３Ｂに示すように、レンズベース５０の底面と、はんだ接合面に接する側面の対向する２面のみにメタライズ５０ｂを形成しても良い。
【００５６】
また、図３Ｃに示すように、レンズベース５０のはんだ接合面に接する側面全面ではなく、はんだ接合面に接する部分から数ｍｍ（図３Ｃでは１ｍｍ）の高さまで、メタライズ５０ｂを形成しても良い。特に、レンズベース５０の接合面に接する側面の、図１のＹ方向に対向する両面のみに、はんだ接合面に接する側から半分程度の高さまでメタライズ５０ｂを形成すると、メタライズ５０ｂに濡れ広がったはんだ６３がケース８０の側部に付着するのを防止できると共に、レンズ５１〜５４を透過するレーザ光の経路が、濡れ広がったはんだによって妨げられるのを防止できる。
【００５７】
このようなレンズベース５０の側面のメタライズの構成は、金属ブロック３０の側面のメタライズの構成に適用しても良い。
【００５８】
また、実施の形態１では、金属ブロック３０とレンズベース５０のはんだ接合面の面積をメタライズ４０ａ、４０ｂの面積より大きくしたが、光半導体モジュールを小型化するためには、他の構成であっても良い。図４は、全体が１５０で表される、本発明の実施の形態１にかかる、他の光半導体モジュールの、図１のＩＩ−ＩＩ方向に見た場合の断面図であり、図４中、図１と同一符合は、同一または相当箇所を示す。光半導体モジュール１５０では、一部のサブマウント２１、２４を金属ブロック３０から飛び出してはんだ接合することで、金属ブロック３０を小型化し、光半導体モジュール１５０の小型化を図っている。
【００５９】
なお、搭載する部品の大きさを、下部の部品より大きくすることによって、はんだ接合面積が搭載する部品より小さくなるため、搭載する部品の熱を下部の部品に伝えにくくなる。このため、実施の形態１のレンズベース５０のように、レンズベース５０に搭載されるレンズ５１〜５４が発熱せず、接合部が放熱経路になっていない部品や、金属ブロック３０のように、金属ブロック３０内で熱が広がることで、これに搭載されたサーモモジュール４０でのはんだ接合面積の減少が、全体の熱抵抗に大きな影響を与えない部品に、この構成を適用することが好ましい。
【００６０】
また、実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００、１５０では、金属ブロック３０、レンズベース５０の双方を直方体形状としたが、金属ブロック３０やレンズベース５０の形状はこれに限るものではない。
【００６１】
図５Ａ、５Ｂは、サーモモジュール４０に搭載されたレンズベース５０を上から見た平面図である。図５Ａに示すように、はんだ接合面と接する側面に、メタライズ４０ｂの一部が見えるように、表面から裏面まで貫通した凹部５５を形成しても良い。ここでは、凹部５５は、中心軸がＺ軸方向に延びた半円柱形状であるが、角柱形状等、これに限定されるものではない。
【００６２】
また、図５Ｂに示すように、レンズベース５０の下方に凹部５７を設け、レンズベース５０のＹＺ断面形状を、下に凸の形状にして、レンズベース５０の裏面の一方向の幅が、表面の同一方向の幅より狭くなるように、レンズベース５０の対向する２つの側面にそれぞれ凹部５７を設けることで、レンズベース５０の、はんだ接合面方向（図１のＺ軸方向）の投影面積がメタライズ４０ｂより大きくなるようにしつつ、実際のはんだ接合面であるメタライズ５０ａの面積はメタライズ４０ｂより小さくなるようにしてもよい。
【００６３】
図５Ａの構造のように、Ｚ軸方向に見た場合に、メタライズ４０ｂの一部が露出するように凹部５５を形成した場合、過剰はんだ６３は優先的に凹部５５内に濡れ広がるため、凹部５５の内部とメタライズ４０ｂとで、はんだ６３によるはんだフィレットが形成される。これによって、レンズベース５０とサーモモジュール４０との間のはんだ接合部の強度が増し、耐熱衝撃性が向上し、光半導体モジュール１００の長寿命化が可能となる。
【００６４】
また、図５Ｂの構造のように、レンズベース５０のＹＺ断面の形状を、下に凸の形状にすることで、メタライズ４０ｂとレンズベース５０との間のはんだ接合面積は、レンズベース５０が直方体の場合と比べて小さくなるが、レンズベース５０のように放熱経路にならない部品では問題とならない。反対に、レンズベース５０の凹部５７の側面にはんだが濡れ広がり、レンズベース５０の凹部５７とメタライズ４０ｂとではんだ６３によるはんだフィレットが形成され、レンズベース５０とサーモモジュール４０との間のはんだ接合部の耐熱衝撃性が大きくなり、光半導体モジュール１００の長寿命化が可能となる。さらに、レンズベース５０とサーモモジュール４０との間のはんだ接合部をケース８０の開口部から目視で観察できるように凹部５７の寸法を設計することで、メタライズ４０ｂとレンズベース５０間のはんだ接合部の良否を目視で確認することができる。
【００６５】
以上で説明したように、実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００、１５０では、金属ブロック３０およびレンズベース５０のはんだ接合面のＸＹ平面における投影面積より、サーモモジュール４０上に形成されたメタライズ４０ａ、４０ｂの面積を小さくすると共に、金属ブロック３０の側面にメタライズ３０ａを形成し、レンズベース５０の側面にメタライズ５０ｂをそれぞれ形成する。これにより、過剰に供給されたはんだ６３がメタライズ３０ａやメタライズ５０ｂに濡れ広がることで、メタライズ４０ａ、４０ｂと、金属ブロック３０、レンズベース５０との間からはみ出したり、飛散したはんだボールが、周囲に付着することで、部品間が導通したり、後の部品の接合領域に付着して接合の不具合が発生するのを防止できる。
【００６６】
また、メタライズ３０ａやメタライズ５０ｂに濡れ広がったはんだ６３をケース８０の開口部から外観検査できるため、目視により、メタライズ４０ａ、４０ｂと金属ブロック３０、レンズベース５０と間のはんだ接合部の濡れ性の良否を判定できる。
【００６７】
さらに、金属ブロック３０およびレンズベース５０より、メタライズ４０ａ、４０ｂを小さくすることで、従来の光半導体モジュールと比較して、サーモモジュール４０を小型化できる。これにより、ケース８０にサーモモジュール４０をはんだ接合するために必要な面積を小さくでき、光半導体モジュール１００全体を小型化できると共に、低コスト化、高品質化が可能となる。
【００６８】
続いて、図６Ａ〜図６Ｅを用いて、本発明の実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００の製造方法について説明する。この製造方法は以下の工程（ａ）〜（ｅ）を含む。
【００６９】
工程（ａ）
ケース８０と、サーモモジュール４０を準備する。サーモモジュール４０の表面にはメタライズ４０ａ、４０ｂが設けられ、一方、裏面にはメタライズ４０ｃが設けられている。そして、Ｎ２雰囲気下で、ケース８０の底面の上に、はんだ６４を用いてサーモモジュール４０を接合する。
【００７０】
次に、サーモモジュール４０のメタライズ４０ａ、４０ｂに、はんだ６３を載置または供給する。はんだ６３はサーモモジュール４０のメタライズ４０ａ、４０ｂ上に予め蒸着やめっき等で形成してもかまわない。続いて、図６Ａに示すように、ホットプレート１の上にケース８０を載置する。
【００７１】
工程（ｂ）
図６Ｂに示すように、光半導体モジュール１００の全体を、ケース８０の底部から、ホットプレート１で、はんだ６３の融点以上、はんだ６４の融点未満の温度まで加熱して、はんだ６３を溶融させる。例えば、はんだ６４に融点２８０℃のＡｕＳｎはんだ、はんだ６３に融点２３０℃のＳｎＡｇＣｕはんだを使用した場合、ホットプレート１の加熱温度は２７０℃とする。
【００７２】
工程（ｃ）
図６Ｃに示すように、溶融したはんだ６３の上にコレット３０１、３０２でそれぞれ保持された金属ブロック３０とレンズベース５０を載置し、サーモモジュール４０の方向に加圧する。これにより、メタライズ４０ａとメタライズ３０ａ、メタライズ４０ｂとメタライズ５０ａにはんだ６３が濡れ広がり、はんだ接合される。
【００７３】
さらに、金属ブロック３０のメタライズ３０ａ、レンズベース５０のメタライズ５０ａの面積より、サーモモジュール４０上に形成されたメタライズ４０ａ、４０ｂの面積の方が小さいため、過剰に供給されたはんだ６３はメタライズ３０ａ、メタライズ５０ａの、それぞれメタライズ４０ａ、４０ｂの存在しない領域まで濡れ広がる。このとき、光半導体モジュール１００では、金属ブロック３０の全面にメタライズ３０ａが、レンズベース５０のメタライズ５０ａと接する側面にはメタライズ５０ｂが、それぞれ形成されているため、過剰なはんだ６３は、金属ブロック３０の側面のメタライズ３０ａ、レンズベース５０の側面のメタライズ５０ｂの上にそれぞれ濡れ広がる。これによって、過剰なはんだ６３が金属ブロック３０やレンズベース５０、サーモモジュール４０の外側に飛び出して、ケース８０の側面や底面に付着することはない。
【００７４】
工程（ｄ）
図６Ｄに示すように、ホットプレート１の上からケース８０を取り外し、周囲の温度まで冷却した後、サーモモジュール４０とレンズ８１の間のケース８０の底面上に樹脂接着剤７２を供給する。この製造方法では、過剰に供給されたはんだ６３がケース８０の底面に付着することはないので、問題なく樹脂接着剤７２を供給できる。
【００７５】
工程（ｅ）
図６Ｅに示すように、樹脂接着剤７２上に合波器９０を載置する。合波器９０が載置されたケース８０は、恒温槽等に入れてはんだ６３の融点未満まで加熱して樹脂接着剤７２を硬化させる。恒温槽等の温度は、例えば１３０℃である。ケース８０の底面にはんだ６３が付着していないため、図７Ｂに示すように、合波器９０が傾くことなく接着することができる。
【００７６】
ここで、図７Ａ、図７Ｂは、従来の光半導体モジュールの製造工程を示す断面図であり、それぞれ、本発明の図６Ｄ、図６Ｅに対応する。図７Ａに示すように、金属ブロック３０、レンズベース５０の側面にはメタライズが設けられていないため、過剰なはんだ６３は、サーモモジュール４０の上からはみ出して、ケース８０の側壁に付着する。また、過剰なはんだ６３は、はんだボールとなり、ケース８０の底面の、合波器９０の設置予定領域に付着する。このため、樹脂接着剤７２は、はんだ６３の上に乗ってしまう。この結果、図７Ｂに示すように、合波器９０を樹脂接着剤７２で接着した場合、はんだ６３の影響で合波器９０が傾斜したり、接着できなかったりする。
【００７７】
このように、本発明の製造方法では、過剰なはんだ６３は、金属ブロック３０の側面のメタライズ３０ａ、レンズベース５０の側面のメタライズ５０ｂの上にそれぞれ濡れ広がるため、過剰なはんだ６３が金属ブロック３０やレンズベース５０、サーモモジュール４０の外側に飛び出して、ケース８０の側面や底面に付着することはなく、金属ブロック３０とケース８０との導通や、ケース８０の底面に付着したはんだ６３のために、合波器９０を樹脂接着剤７２によって接着したときに、合波器９０が傾く等の不具合を防止できる。
【００７８】
また、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面に濡れ広がったはんだ６３は、ケース８０の上方の開口部から目視で観察することができる。図６Ｅに示したように、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面に濡れ広がるはんだ６３は、はんだ６３がメタライズ４０ａとメタライズ３０ａ、メタライズ４０ｂとメタライズ５０ａの全面に濡れ広がった後に、メタライズ４０ａ、４０ｂの存在しない領域まで濡れ広がった、過剰なはんだ６３である。このため、逆にはんだ６３が過少に供給され、はんだ６３が全て溶融して濡れ広がっても、メタライズ４０ａとメタライズ３０ａ、メタライズ４０ｂとメタライズ５０ａの全面に濡れ広がらなかった場合は、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面まではんだ６３が濡れ広がることはない。このため、メタライズ４０ａとメタライズ３０ａ、メタライズ４０ｂとメタライズ５０ａの全面にはんだ６３が濡れ広がるために必要なはんだ量よりも過剰な量のはんだ６３を供給して、金属ブロック３０およびレンズベース５０の側面へはんだ６３が濡れ広がらせることで、接合面に十分にはんだが広がっているかを外観で検査することで、はんだ接合の良否を判定できる。
【００７９】
実施の形態２．
図８は、全体が２００で表される、本発明の実施の形態２にかかる光半導体モジュールの断面図であり、図１と同一符合は、同一または相当箇所を示す。実施の形態２にかかる光半導体モジュール２００は、基本的には実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００と同じ構成を有するが、以下の点において相違する。ここでは、相違点について説明を行い、同じ構成部分についてはその説明を省略する。なお、図８では、光半導体モジュール２００の基本的な構成部分のみを図示し、その他の構成部分については図示を省略している。
【００８０】
本実施の形態２では、図８に示すように、半導体ダイオードチップ１５〜１８（半導体ダイオードチップ１６〜１８は図示せず）をはんだ６２によってはんだ接合したサブマウント２１〜２４（サブマウント２２〜２４は図示せず）が、金属ブロック３０の側面に、はんだ６１によってはんだ接合されている点で、実施の形態１にかかる光半導体モジュール１００と構成が相違する。また、図８では、サーモモジュール４０に替えて、絶縁基板４１が用いられている。
【００８１】
本実施の形態２の光半導体モジュール２００では、半導体レーザチップ１１〜１４をＬＤ（Laser Diode）ではなく、ＰＤ（Photo Diode）から構成される半導体ダイオードチップ１５〜１８とすることで、ＬＤに比較して動作中に温度が上昇しなくなる。このため、半導体レダイオードチップ１５〜１８の温度をサーモモジュール４０によって制御する必要がなくなり、メタライズ４１ａと金属ブロック３０との間のはんだ接合面積を小さくても問題はない。また、サーモモジュール４０を、サーモモジュール４０から絶縁基板４１に替えても良い。
【００８２】
加えて、サブマウント２１〜２４を金属ブロック３０の側面に接合したことで、金属ブロック３０の上面（図５のＺ軸方向の面）にコンデンサやアンプのような、光半導体モジュール２００に必要な他の部品２８を接合できる。このように、金属ブロック３０の上に部品２８を配置することにより、光半導体モジュール２００全体をより小型化することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１１、１２、１３、１４  半導体レーザチップ、１５、１６、１７、１８  半導体ダイオードチップ、２１、２２、２３、２４  サブマウント、３０  金属ブロック、３０ａ  メタライズ、４０  サーモモジュール、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ  メタライズ、４１  絶縁基板、４１ａ  メタライズ、５０  レンズベース、５０ａ、５０ｂ  メタライズ、５１、５２、５３、５４  レンズ、６１、６２、６３、６４  はんだ、７１、７２  樹脂接着剤、８０  ケース、８１  レンズ、９０  合波器、１００、１５０、２００  光半導体モジュール。
【図１】
2019186328.tif 000003
【図２】
2019186328.tif 000004
【図３Ａ】
2019186328.tif 000005
【図３Ｂ】
2019186328.tif 000006
【図３Ｃ】
2019186328.tif 000007
【図４】
2019186328.tif 000008
【図５Ａ】
2019186328.tif 000009
【図５Ｂ】
2019186328.tif 000010
【図６Ａ】
2019186328.tif 000011
【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
2019186328.tif 000017
【図８】
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