(57)【要約】【課題】基板の凸形状部側を良好に保持して分割できるようにすること。【解決手段】半導体パッケージ基板（Ｗ）は、裏面に複数のバンプ（Ｗ５）、表面側に複数の分割予定ライン（Ｗ２）が形成され、保持手段（１２）によって保持される。保持手段は、分割予定ラインに対応する位置に形成された逃げ溝（２４）によって区画された複数の保持面（２１ａ）を有する保持部（２１）と、保持部を囲繞して立設して保持部に液体（Ｌ）を貯水する貯水壁（２２）とを備える。バンプを保持面に当接させて載置してから、保持部に液体を少なくともバンプを覆い配線基板（Ｗ１）の表面（Ｗａ）に到達するまで供給して半導体パッケージ基板を冷凍吸着する。そして、凍結した液体の融点より低い温度の雰囲気中で加工工具を逃げ溝まで切り込み、半導体パッケージ基板を分割予定ラインに沿って個々の半導体パッケージに分割する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板裏面に複数の凸形状部が形成され基板表面側に複数の分割予定ラインが形成された基板を保持手段に保持し、加工工具によって該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割装置であって、
該保持手段は、該分割予定ラインに対応する位置に形成された該加工工具の逃げ溝と、該逃げ溝によって区画された該チップに対応した複数の保持面とを有する保持部と、該保持部を囲繞して立設して該保持部に液体を貯水する貯水壁と、を備え、
該基板の該凸形状部を該保持面に当接させて該保持部に載置し、液体を少なくとも該凸形状部を覆い該基板表面に到達するまで供給して冷凍吸着された該基板に対し、凍結した該液体の融点より低い温度の雰囲気中で該加工工具を該逃げ溝まで切り込み該基板を該分割予定ラインに沿って分割する分割装置。
【請求項２】
該基板は、配線基板表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域に半導体チップが配設され封止剤により封止され且つ該配線基板裏面にバンプが形成された半導体パッケージ基板であり、
該半導体パッケージ基板の該バンプを該保持面に当接させて該保持部に載置し、液体を少なくとも該バンプを覆い該配線基板に到達するまで供給して冷凍吸着された該配線基板に対し、凍結した該液体の融点より低い温度の雰囲気中で該加工工具を該逃げ溝まで切り込み該半導体パッケージ基板を該分割予定ラインに沿って分割する請求項１記載の分割装置。
【請求項３】
基板裏面に複数の凸形状部が形成され基板表面側に複数の分割予定ラインが形成された基板を保持手段に保持し、加工工具によって該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割方法であって、
該保持手段は、該分割予定ラインに対応する位置に形成された該加工工具の逃げ溝と、該逃げ溝によって区画された該チップに対応した複数の保持面とを有する保持部と、該保持部を囲繞して立設して該保持部に液体を貯水する貯水壁と、を備え、
該基板の該凸形状部を該保持面に当接させて該保持部に載置し、液体を少なくとも該凸形状部を覆い該基板表面に到達するまで供給して冷凍吸着する冷却吸着ステップと、
該冷却吸着ステップにて冷凍吸着された該基板に対し、凍結した該液体の融点より低い温度の雰囲気中で加工工具を該逃げ溝まで切り込み該基板を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップとを実施することを特徴とする分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持手段で保持して複数のチップに分割する分割装置及び分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、携帯電話等の携帯通信機器に用いられる半導体パッケージには、通信特性への悪影響を防止するために外部への不要電磁波の漏洩を抑制することが求められている。このため、半導体パッケージにて半導体チップを封止する樹脂層の外面に沿ってシールド層を形成する構造が知られている。一方、半導体パッケージにあっては、配線基板の表面が交差する分割予定ラインで格子状に区画され、区画された複数の領域に複数の半導体チップがマウントされている。また、樹脂層の形成面とは反対面となる配線基板の裏面において、複数の凸形状部となるバンプが電極として形成される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−０３９１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の半導体パッケージでは、バンプによって配線基板の裏面が凹凸に形成されるため、テーブル等の保持手段により半導体パッケージをバンプ側で保持することが困難になる。このため、高速回転する切削ブレード等により、半導体パッケージの樹脂層を切削加工したり、分割予定ラインに沿う位置で半導体パッケージを切断して分割したりすることも難しくなる、という問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、バンプ等の凸形状部を有する基板の凸形状部側を良好に保持して分割することができる分割装置及び分割方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の分割装置は、基板裏面に複数の凸形状部が形成され基板表面側に複数の分割予定ラインが形成された基板を保持手段に保持し、加工工具によって分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割装置であって、保持手段は、分割予定ラインに対応する位置に形成された加工工具の逃げ溝と、逃げ溝によって区画されたチップに対応した複数の保持面とを有する保持部と、保持部を囲繞して立設して保持部に液体を貯水する貯水壁と、を備え、基板の凸形状部を保持面に当接させて保持部に載置し、液体を少なくとも凸形状部を覆い基板表面に到達するまで供給して冷凍吸着された基板に対し、凍結した液体の融点より低い温度の雰囲気中で加工工具を逃げ溝まで切り込み基板を分割予定ラインに沿って分割することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、加工工具で加工するときに、保持手段に供給された液体によって基板を冷凍吸着するので、基板の裏面が凸形状部により凸凹していても、基板の裏面側での保持力を十分に得ることができる。これにより、基板の分割予定ラインに沿ってチップに分割する際の歩留まりを向上でき、基板に対して精度良く良好な加工を実施することができる。
【０００８】
本発明の分割装置は、基板は、配線基板表面の交差する分割予定ラインによって区画された領域に半導体チップが配設され封止剤により封止され且つ配線基板裏面にバンプが形成された半導体パッケージ基板であり、半導体パッケージ基板のバンプを保持面に当接させて保持部に載置し、液体を少なくともバンプを覆い配線基板に到達するまで供給して冷凍吸着された配線基板に対し、凍結した液体の融点より低い温度の雰囲気中で加工工具を逃げ溝まで切り込み半導体パッケージ基板を分割予定ラインに沿って分割するとよい。
【０００９】
また、本発明の一態様の分割方法は、基板裏面に複数の凸形状部が形成され基板表面側に複数の分割予定ラインが形成された基板を保持手段に保持し、加工工具によって分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割方法であって、保持手段は、分割予定ラインに対応する位置に形成された加工工具の逃げ溝と、逃げ溝によって区画されたチップに対応した複数の保持面とを有する保持部と、保持部を囲繞して立設して保持部に液体を貯水する貯水壁と、を備え、基板の凸形状部を保持面に当接させて保持部に載置し、液体を少なくとも凸形状部を覆い基板表面に到達するまで供給して冷凍吸着する冷却吸着ステップと、冷却吸着ステップにて冷凍吸着された基板に対し、凍結した液体の融点より低い温度の雰囲気中で加工工具を逃げ溝まで切り込み基板を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップとを実施することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、バンプ等の凸形状部側を覆うように液体を供給してから冷凍吸着するので、基板の凸形状部側を良好に保持して分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係る分割装置の斜視図である。
【図２】半導体パッケージ基板の概略断面図である。
【図３】半導体パッケージ基板及び保持手段の概略斜視図である。
【図４】半導体パッケージ基板を保持手段が保持した状態の概略斜視図である。
【図５】冷却吸着ステップの一例を示す図である。
【図６】分割ステップの一例を示す図である。
【図７】分割ステップの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態に係る分割装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割装置は、図１に示す構成に限定されない。本発明は、保持手段で冷凍吸着された基板を分割可能な分割装置であれば、どのような分割装置にも適用可能である。また、以下の説明では、基板として半導体パッケージ基板を例示して説明するが、基板の種類は半導体パッケージ基板に限定されるものではない。
【００１３】
図１に示すように、分割装置１は、保持手段１２に保持された基板としての半導体パッケージ基板Ｗと加工工具１４とを相対的に移動させることによって半導体パッケージ基板Ｗを切削するように構成されている。ここで、半導体パッケージ基板Ｗは、複数の半導体パッケージ（チップ）ＷＡを形成するための基板であり、本実施の形態では、長方形となる平面形状に形成されている。半導体パッケージ基板Ｗは、配線基板（インターポーザ基板）Ｗ１の表面（上面）Ｗａにて格子状に交差する複数の分割予定ラインＷ２で区画されている。
【００１４】
図２は、半導体パッケージ基板の概略断面図である。図２に示すように、半導体パッケージ基板Ｗにおいて区画された各領域には半導体チップＷ３が配設され、各半導体チップＷ３は樹脂層（封止剤）Ｗ４で封止されている。配線基板Ｗ１の裏面（下面）Ｗｂには電極として機能するバンプ（凸形状部）Ｗ５が複数形成されている。なお、特に限定されるものでないが、半導体パッケージ基板Ｗを分割予定ラインＷ２に沿って分割することで形成される半導体パッケージＷＡは、いわゆるＥＭＩ（Electro-Magnetic  Interference）で遮断を要する全てのパッケージの半導体装置とすることが例示できる。この場合、半導体パッケージＷＡの外面にシールド層を設けて周囲への電磁ノイズの漏洩を抑制するように構成される。
【００１５】
図３は、半導体パッケージ基板及び保持手段の概略斜視図であり、図４は、半導体パッケージ基板を保持手段が保持した状態の概略斜視図である。図３及び図４に示すように、保持手段１２は、矩形状をなすテーブル部材の上面側を凹ませて液体Ｌ（図４にて網点で図示、図３では不図示）を貯水する貯水空間２０を形成するように構成されている。保持手段１２は、貯水空間２０を形成すべく凹ませた領域の底面により形成される保持部２１と、保持部２１を四方から囲繞する位置に立設される貯水壁２２とを備え、保持部２１の上方に液体Ｌを貯水する。貯水壁２２の内周面は、上方へ向かうに従って保持部２１から離れる方向に傾斜している。また、保持部２１と貯水壁２２との交差位置では、図５の断面視で円弧に沿う形状をなすように形成されている（図５参照）。
【００１６】
保持部２１には、格子状に逃げ溝２４が形成されている。逃げ溝２４は、半導体パッケージ基板Ｗの分割予定ラインＷ２に対応する位置、言い換えると、保持部２１で保持した半導体パッケージ基板Ｗの分割予定ラインＷ２と上面視で重なる位置に形成されている。保持部２１において、逃げ溝２４によって区画される複数の方形状の面が保持面２１ａとされている。各保持面２１ａは、半導体パッケージ基板Ｗから形成される半導体パッケージＷＡの位置及び大きさに対応しており、それぞれの半導体パッケージＷＡと保持面２１ａとの外周位置が上下方向に概略揃うようになる。
【００１７】
図１に戻り、切削装置１の基台１１上には、保持手段１２をＸ方向に切削送りする切削送り手段１３が設けられている。切削送り手段１３は、基台１１上に配置されたＸ方向に平行な一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル３２とを有している。Ｘ軸テーブル３２の背面側には、図示しないナット部が形成され、このナット部にボールネジ３３が螺合されている。そして、ボールネジ３３の一端部に連結された駆動モータ３４が回転駆動されることで、保持手段１２が一対のガイドレール３１に沿って、切削ブレード７１の切削方向となるＸ方向に切削送りされる。
【００１８】
Ｘ軸テーブル３２の上部には、半導体パッケージ基板Ｗを保持する保持手段１２がＺ軸回りに回転可能に設けられている。また、基台１１の上面には、保持手段１２の移動経路を跨ぐように立設した門型の立壁部８１が設けられている。
【００１９】
立壁部８１には、加工工具１４をＹ方向にインデックス送りするインデックス送り手段１５と、加工工具１４をＺ方向に切込み送りする切込み送り手段１６とが設けられている。インデックス送り手段１５は、立壁部８１の前面に配置されたＹ方向に平行な一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に設置された一対のＹ軸テーブル５２とを有している。切込み送り手段１６は、Ｙ軸テーブル５２上に配置されたＺ方向に平行な一対のガイドレール６１と、一対のガイドレール６１にスライド可能に設置されたＺ軸テーブル６２とを有している。一対となるＺ軸テーブル６２それぞれの下部には、ウエーハＷを切削する加工工具１４が設けられている。
【００２０】
Ｙ軸テーブル５２及びＺ軸テーブル６２の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ５３、６３が螺合されている。Ｙ軸テーブル５２用のボールネジ５３、Ｚ軸テーブル６２用のボールネジ６３の一端部には、それぞれ駆動モータ５４、６４が連結されている。これら駆動モータ５４、６４により、それぞれのボールネジ５３、６３が回転駆動されることで、加工工具１４がガイドレール５１に沿ってＹ方向にインデックス送りされ、加工工具１４がガイドレール６１に沿ってＺ方向に切込み送りされる。
【００２１】
加工工具１４は、ハウジング７０から突出したスピンドル７２の先端に切削ブレード７１を装着して構成される。ハウジング７０には、切削ブレード７１の回転軸となるスピンドル７２が回転可能に支持されると共に、スピンドル７２を回転させるモータ（不図示）が設置されている。また、ハウジング７０の先端側には、切削ブレード７１が半導体パッケージ基板Ｗに切込む領域を露出させるように、切削ブレード７１を囲繞するブレードカバー７３が設けられている。
【００２２】
ここで、２体の加工工具１４のうち、一方の加工工具１４の切削ブレード７１は、先端がＶ字形状の切削ブレード７１ａ（以下、Ｖブレードと称する。図６参照）とされ、他方の切削ブレード７１は、先端が矩形状をなす通常の切削ブレード７１ｂ（以下、ストレートブレードと称する。図７参照）とされる。Ｖブレード７１ａ及びストレートブレード７１ｂは、ダイヤモンド砥粒等を結合剤で固めて、先端が上述の形状に成形されている。
【００２３】
続いて、本実施の形態における半導体パッケージ基板Ｗの分割方法について、図５ないし図７を参照して説明する。図５は、冷却吸着ステップの一例を示す図である。図６及び図７は、分割ステップの一例を示す図である。なお、図５ないし図７の断面図においては、半導体チップＷ３の図示を省略する。
【００２４】
図５に示すように、先ず冷却吸着ステップが実施される。冷却吸着ステップでは、半導体パッケージ基板ＷがバンプＷ５を下方に向けた状態とされて保持手段１２の貯水空間２０内に配置される。そして、バンプＷ５の下端が保持部２１の保持面２１ａに当接するよう保持面２１ａ上に半導体パッケージ基板Ｗが載置される。かかる載置後、貯水空間２０内に液体Ｌが供給される。この液体Ｌの供給量は、液体Ｌが少なくともバンプＷ５を全体的に覆い、且つ、液体Ｌの液面が配線基板Ｗ１の表面Ｗａに到達するまでに設定される。
【００２５】
貯水空間２０内に液体Ｌが供給された状態で、保持手段１２が液体Ｌの凝固点以下の雰囲気にさらされ、液体Ｌが凝固されて凍結体Ｃとされる。これにより、凍結体ＣにバンプＷ５が入り込んだ状態とされて凍結体Ｃにより半導体パッケージ基板Ｗが固定され、凍結体Ｃが保持部２１及び貯水壁２２と凍結によって固定される。つまり、半導体パッケージ基板Ｗが保持手段１２に冷凍吸着されて固定される。
【００２６】
液体Ｌが供給されてから凝固されるまでの間、半導体パッケージ基板Ｗは押さえ部材９０で上方から押さえ力が加えられる。この押さえ力は、図示しないエアシリンダ等の駆動機構を介して加えたり、押さえ部材９０の自重を加えたりすることが例示できる。押さえ部材９０は下面が平面に形成された剛体とされ、半導体パッケージ基板Ｗの上面側の樹脂層Ｗ４と面接触した状態が維持される。言い換えると、液体Ｌが凍結される間、保持部２１と押さえ部材９０とで半導体パッケージ基板Ｗが厚さ方向から挟まれた状態が保たれる。これにより、半導体パッケージ基板Ｗの上下両面における温度差や構造等の相違があっても、冷凍吸着中に半導体パッケージ基板Ｗに反りが生じることを防ぐことができる。
【００２７】
なお、液体Ｌを凝固点以下の雰囲気にさらす方法としては、例えば半導体パッケージ基板Ｗが載置された保持手段１２に液体Ｌを供給してから、保持手段１２を冷凍庫内に入れる方法が考えられる。この場合、保持手段１２をＸ軸テーブル３２から取り外して冷凍庫内に投入する他、分割装置１全体を冷凍庫や凝固点以下の温度に設定された室内に設置するようにしてもよい。
【００２８】
冷却吸着ステップが実施された後、いわゆるステップカットによって半導体パッケージ基板Ｗが分割される分割ステップが実施される。図６に示すように、分割ステップでは、先ず、保持手段１２に冷凍吸着された半導体パッケージ基板Ｗの外側で分割予定ラインＷ２に対し、二点鎖線で示すようにＶブレード７１ａが位置合わせされ、配線基板Ｗ１の厚み方向途中までの深さまで下降される。
【００２９】
その後、高速回転するＶブレード７１ａに対して半導体パッケージ基板Ｗが切削送りされ、分割予定ラインＷ２に沿って半導体パッケージ基板Ｗがハーフカットされる。かかるハーフカットによって樹脂層Ｗ４の上面側にＶ溝Ｗ６が形成され、ハーフカットが繰り返されることで、半導体パッケージ基板Ｗの上面に分割予定ラインＷ２に沿って複数のＶ溝Ｗ６が形成される。
【００３０】
このようにＶ溝Ｗ６を形成した後、図７に示すように、保持手段１２に冷凍吸着された半導体パッケージ基板Ｗの外側で分割予定ラインＷ２に対し、二点鎖線で示すようにストレートブレード７１ｂが位置合わせされ、その下端が逃げ溝２４の深さ方向途中まで下降される。その後、高速回転するストレートブレード７１ｂに対して半導体パッケージ基板Ｗが切削送りされ、Ｖ溝Ｗ６（分割予定ラインＷ２）に沿って半導体パッケージ基板Ｗがフルカットされる。
【００３１】
このとき、ストレートブレード７１ｂの下端が逃げ溝２４まで切り込む、言い換えると、ストレートブレード７１ｂの下端が逃げ溝２４の内周面と非接触に保たれつつ逃げ溝２４内の凍結体Ｃを切削して半導体パッケージ基板Ｗを切断する。かかるフルカットによって分割予定ラインＷ２に沿って半導体パッケージ基板Ｗが完全切断され、フルカットが繰り返されることで、半導体パッケージ基板Ｗが個々の半導体パッケージＷＡに分割される。
【００３２】
なお、上記の分割ステップは、凍結した液体Ｌつまり凍結体Ｃの融点より低い温度の雰囲気中で実施される。例えば、空調設備を用いたり分割装置１全体を冷凍庫内に設置したりすることで低温での実施が実現される。また、分割ステップにおける加工では、切削部分に切削水を供給しながら実施するが、雰囲気が氷点下以下に維持されるため、切削水には不凍液を混入して切削水の凍結を防止する必要がある。
【００３３】
以上のように、本実施の形態によれば、保持手段１２にて供給された液体Ｌを凍結して半導体パッケージ基板Ｗを冷凍吸着するので、複数のバンプＷ５で配線基板Ｗ１の裏面Ｗｂが凸凹していても、保持面２１ａ上で半導体パッケージ基板Ｗを保持する力を十分に発揮することができる。これにより、例えば、半導体パッケージＷＡにて裏面全体にバンプＷ５が形成されると、従来の負圧による吸引保持では吸引できる部分が狭くて保持が困難となるが、本実施の形態では、バンプＷ５の形成領域が広くなっても、半導体パッケージＷＡの裏面全体で保持力を十分に得られるようになる。
【００３４】
また、バンプを有する基板を吸着する従来方法としては、基板の裏面にテープを貼着し、かかるテープの粘着層にバンプをめり込ませるようにしてテープを平滑に保ち、テープを介して基板を吸引保持する方法がある。この場合、テープを貼着及び剥離する作業負担だけでなく、バンプに付着した粘着層の粘着材洗浄する作業負担が強いられるが、本実施の形態のように冷凍吸着することで、かかる作業負担をなくすことができる。
【００３５】
また、本実施の形態では、分割ステップでのＶ溝Ｗ６の形成時に、保持部２１と配線基板Ｗ１との間には凍結体Ｃが充填されるように介在し、更には逃げ溝２４の内部も凍結体Ｃで充填されるようになる。従って、Ｖ溝Ｗ６を形成すべくＶブレード７１ａから押し下げるような力が半導体パッケージ基板Ｗに作用しても、かかる力に抗する支持力を凍結体Ｃを介して安定して発揮でき、半導体パッケージ基板Ｗが変形したり割れ等の損傷が生じたりすることを防ぐことができる。これにより、Ｖ溝Ｗ６によって半導体パッケージＷＡの側面を傾斜面として容易に形成でき、かかる傾斜面に対してスクリーン印刷法やスプレー塗布法、インクジェット法、スパッタ法等によって上方からシールド層を形成し易くすることができる。この結果、半導体パッケージＷＡにシールド機能を持たせる必要がある場合に、板金シールドを不要にでき、板金シールド自体の厚さに起因する機器全体の厚さの増大化、大型化を回避することができる。
【００３６】
なお、本発明においては、加工対象の基板として、例えば、他のパッケージ基板、半導体デバイスウェーハ、光デバイスウェーハ、半導体基板、無機材料基板、圧電基板等の各種基板が用いられてもよい。半導体デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のシリコンウェーハや化合物半導体ウェーハが用いられてもよい。光デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のサファイアウェーハやシリコンカーバイドウェーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはＣＳＰ（Chip  Size  Package）基板、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  package）等の矩形状のパッケージ基板、半導体基板としてはシリコンやガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。
【００３７】
また、本実施の形態では、加工手段１４として半導体パッケージ基板Ｗ等の基板を切り込む切削ブレード７１を用いた場合を例示して説明したが、この構成に限定されない。本発明での加工手段１４は、分割予定ラインＷ２に沿って基板を分割可能であれば、レーザー加工ヘッド等を用いた構成としてもよい。
【００３８】
また、基板に形成される凸形状部は、バンプに限定されるものでなく、電極として機能しない突起物等に代替することが例示できる。
【００３９】
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４０】
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【００４１】
また、本実施の形態では、本発明の保持手段を分割装置に適用した構成について説明したが、基板を保持して各種の加工を実施する他の装置に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上説明したように、本発明は、基板の凸形状部側を良好に保持して分割できるという効果を有し、特に、配線基板裏面にバンプが形成された半導体パッケージ基板を加工する装置に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１  分割装置
１２  保持手段
１４  加工工具
２１  保持部
２１ａ  保持面
２２  貯水壁
２４  逃げ溝
Ｌ  液体
Ｗ  半導体パッケージ基板（基板）
ＷＡ  半導体パッケージ（チップ）
Ｗａ  表面
Ｗｂ  裏面
Ｗ１  配線基板
Ｗ２  分割予定ライン
Ｗ３  半導体チップ
Ｗ４  樹脂層（封止剤）
Ｗ５  バンプ（凸形状部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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