(57)【要約】【課題】バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現する。【解決手段】バンドパスフィルタ（１）は、誘電体基板（１１）と、誘電体基板（１１）の一方の主面に形成された第１広壁（１２ａ）と、誘電体基板（１１）の他方の主面に形成された第２広壁（１２ｂ）と、誘電体基板（１１）の内部に形成されたポスト壁（１３）と、を備えている。誘電体基板（１１）の内部には、第１広壁（１２ａ）、第２広壁（１２ｂ）、及びポスト壁（１３）によって、方形導波領域（Ｄ１）が構成されている。第１広壁（１２ａ）と第２広壁（１２ｂ）とに挟まれた領域（Ｄ）から方形導波領域（Ｄ１）を除いた非導波領域（Ｄ２〜Ｄ３）の平面視形状は、方形導波領域（Ｄ１）の中心軸（Ｌ）に対して非対称である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の主面に形成された第１広壁と、上記誘電体基板の他方の主面に形成された第２広壁と、上記誘電体基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、
上記第１広壁、上記第２広壁、及び上記ポスト壁によって、上記誘電体基板の内部に複数の共振領域を含む方形導波領域が構成されており、
上記第１広壁と上記第２広壁とに挟まれた領域から上記方形導波領域を除いた非導波領域の形状が上記方形導波領域の中心軸に対して非対称である、
ことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
上記非導波領域の形状は、非直方体である、
ことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項３】
上記非導波領域は、外側面が波型に湾曲している、
ことを特徴とする請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】
上記非導波領域は、外側面に凹部が形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項５】
上記誘電体基板の一方の主面の一部のみが上記第１広壁に覆われているか、又は、上記誘電体基板の他方の主面の一部のみが上記第２広壁に覆われている、
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のバンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
通過帯域内の電磁波を通過させると共に、通過帯域外の電磁波を遮断するバンドパスフィルタが広く用いられている。ミリ波帯で動作するバンドパスフィルタは、直列結合された複数の共振器を含む導波管又は導波路として実現されることが一般的である。
【０００３】
非特許文献１には、金属導波管型のバンドパスフィルタが開示されている。また、非特許文献２には、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタが開示されている。ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタには、金属導波管型のバンドパスフィルタと比べて、安価であり、小型であり、軽量であるという利点がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】吉田和明、”マイクロ波フィルタの技術と応用”、日本無線技術技法  Ｎｏ．６４、２０１３年１２月
【非特許文献２】Y. Uemichi, O. Nukage, K. Nakamura, X. Han, R. Hosono, and S. Amakawa, "Compact and low-loss bandpass filter realized in silica-based post-wall waveguide for 60-GHz application", IEEE MTT-S IMS, ２０１５年５月
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタにおいては、後述する非導波領域がバイパス導波路として機能することによって、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過する現象が起こり得ることを、本願発明者らは発見した。このような現象（以下、「バイパス現象」と呼ぶ）が起こると、バンドパスフィルタのアイソレーション性能が劣化する。
【０００６】
ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタにおいて起こり得るバイパス現象について、図１０及び図１１を参照してより具体的に説明すれば、以下のとおりである。
【０００７】
図１０は、ポスト壁導波路型のバンドパスフィルタ５の構成を示す斜視図である。図１０に示すように、バンドパスフィルタ５は、誘電体基板５１と、誘電体基板５１の両面を覆う広壁対５２と、誘電体基板５１の内部に形成されたポスト壁５３と、を備えている。ポスト壁５３は、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の集合であり、１組の狭壁対５３０と、６組の隔壁対５３１〜５３６と、を含んでいる。なお、以下の説明においては、図示した座標系において、ｘ軸正方向を「右」、ｘ軸負方向を「左」、ｙ軸正方向を「前」、ｙ軸負方向を「後」、ｚ軸正方向を「上」、ｚ軸負方向を「下」と呼ぶ。
【０００８】
図１１の（ａ）は、バンドパスフィルタ５の平面図である。図１０に示すように、広壁対５２を構成する第１広壁５２ａ及び第２広壁５２ｂによって上下を挟まれた直方体状の領域Ｄは、図１１の（ａ）に示すように、狭壁対５３０を構成する右狭壁５３０ａ及び左狭壁５３０ｂによって３つの領域Ｄ１〜Ｄ３に区画されている。
【０００９】
第１領域Ｄ１は、上述した領域Ｄのうち、左右を狭壁対５３０で挟まれた直方体状の領域である。第１領域Ｄ１は、バンドパスフィルタ５に入力された電磁波を導波する方形導波路として機能する。本明細書においては、この領域Ｄ１を「方形導波領域」と呼ぶ。方形導波領域Ｄ１は、６組の隔壁対５３１〜５３６によって７つの小領域Ｄ１１〜Ｄ１７に区画される。これら７つの小領域Ｄ１１〜Ｄ１７のうち、両端の小領域Ｄ１１，Ｄ１７を除く５個の小領域Ｄ１２〜Ｄ１６の各々は、共振器として機能する。本明細書においては、これらの５個の小領域Ｄ１２〜Ｄ１６の各々を「共振領域」と呼ぶ。第２領域Ｄ２は、上述した領域Ｄのうち、右狭壁５３０ａよりも右側を占める領域である。第３領域Ｄ３は、上述した領域Ｄのうち、左狭壁５３０ｂよりも左側を占める領域である。本明細書においては、これら２つの領域Ｄ２〜Ｄ３の各々を「非導波領域」と呼ぶ。
【００１０】
図１１の（ｂ）は、バンドパスフィルタ５における電界分布であって、通過帯域外の電磁波を前方から入力した場合に得られる電界分布を示すグラフである。
【００１１】
図１１の（ｂ）に示すグラフによれば、バンドパスフィルタ５に入力された通過帯域外の電磁波は、５段目の共振領域Ｄ１６に入射する前に、４段目までの共振領域Ｄ１２〜Ｄ１５において反射されることが見て取れる。これは、５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１６を含む方形導波領域Ｄ１が、通過帯域外の電磁波を遮断するバンドパスフィルタとして機能していることを意味する。
【００１２】
また、図１１の（ｂ）に示すグラフによれば、２つの非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の各々に、無視できない大きさの周期的な電界分布が存在していることが見て取れる。これは、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能することによって、バンドパスフィルタ５に入力された通過帯域外の電磁波の一部がバンドパスフィルタ５を通過していること、すなわち、バイパス現象が起こっていることを意味する。
【００１３】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係るバンドパスフィルタは、誘電体基板と、上記誘電体基板の一方の主面に形成された第１広壁と、上記誘電体基板の他方の主面に形成された第２広壁と、上記誘電体基板の内部に形成されたポスト壁と、を備えており、上記第１広壁、上記第２広壁、及び上記ポスト壁によって、上記誘電体基板の内部に複数の共振領域を含む方形導波領域が構成されており、上記第１広壁と上記第２広壁とに挟まれた領域から上記方形導波領域を除いた非導波領域の平面視形状が上記方形導波領域の中心軸に対して非対称である、ことを特徴とする。
【００１５】
上記の構成によれば、非導波領域がバイパス導波路として機能し難くなる。その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難くなる。すなわち、上記の構成によれば、バイパス現象が生じ難いバンドパスフィルタを実現することができる。
【００１６】
本発明に係るバンドパスフィルタにおいて、上記非導波領域の形状が非直方体である、ことが好ましい。
【００１７】
上記の構成によれば、非導波領域が更にバイパス導波路として機能し難くなる。その結果、通過帯域外の電磁波が更にバンドパスフィルタを通過し難くなる。すなわち、上記の構成によれば、バイパス現象が更に生じ難いバンドパスフィルタを実現することができる。
【００１８】
なお、上記非導波領域は、その外側面を波型に湾曲させることによって、非直方体化されていてもよい。或いは、上記非導波領域は、その外側面に凹部を形成することによって、非直方体化されていてもよい。何れの場合であっても、バイパス現象が生じ難いバンドパスフィルタを実現することができる。
【００１９】
本発明に係るバンドパスフィルタにおいては、上記誘電体基板の一方の主面の一部のみが上記第１広壁に覆われているか、又は、上記誘電体基板の他方の主面の一部のみが上記第２広壁に覆われている、ことが好ましい。
【００２０】
上記の構成を採用しなかった場合、すなわち、上記誘電体基板の一方の主面全体が過不足なく上記第１広壁に覆われていると共に、上記誘電体基板の他方の主面全体が過不足なく上記第２広壁に覆われている構成を採用する場合、誘電体基板を非導波領域の形状に合わせて加工する必要がある。これに対して、上記の構成を採用した場合、誘電体基板を非導波領域の形状に合わせて加工する必要がない。したがって、上記の構成を採用した場合の方が、上記の構成を採用しなかった場合よりも、バンドパスフィルタの製造が容易になる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、バイパス現象が生じ難いポスト壁導波路型のバンドパスフィルタを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバンドパスフィルタの構成を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すバンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、図１に示すバンドパスフィルタの断面図である。
【図３】図１に示すバンドパスフィルタの変形例を示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るバンドパスフィルタの構成を示す斜視図である。
【図５】図４に示すバンドパスフィルタの変形例を示す斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るバンドパスフィルタの構成を示す斜視図である。
【図７】図６に示すバンドパスフィルタの変形例を示す斜視図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るバンドパスフィルタの構成を示す斜視図である。
【図９】図８に示すバンドパスフィルタの変形例を示す斜視図である。
【図１０】従来のバンドパスフィルタの構成を示す斜視図である。
【図１１】（ａ）は、図１０に示すバンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、図１０に示すバンドパスフィルタにおける電界分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
〔第１の実施形態〕
（バンドパスフィルタの構成）
本発明の第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、バンドパスフィルタ１の斜視図である。図２の（ａ）は、バンドパスフィルタ１の平面図であり、図２の（ｂ）は、バンドパスフィルタ１の断面図である。なお、図２の（ｂ）に示す断面は、図２の（ａ）に示すＡ−Ａ’線におけるバンドパスフィルタ１の断面である。
【００２４】
バンドパスフィルタ１は、図１に示すように、誘電体基板１１と、誘電体基板１１の両面を覆う広壁対１２と、誘電体基板１１の内部に形成されたポスト壁１３と、を備えている。
【００２５】
誘電体基板１１は、誘電体により構成された板状部材である。本実施形態においては、誘電体基板１１として、石英基板を用いている。ただし、誘電体基板１１の材料は、誘電体であればよく、石英に限定されない。例えば、誘電体基板１１の材料は、樹脂（例えば、テフロン（登録商標）系樹脂や液晶ポリマー樹脂など）であっても構わない。
【００２６】
なお、以下の説明においては、誘電体基板１１の表面を構成する６つの面のうち、面積が最も大きな２つの面を「主面」と呼ぶ。特に、これら２つの主面を区別する必要がある場合は、第１の主面を「上面」と呼び、第１の主面に対向する第２の主面を「下面」と呼ぶ。また、誘電体基板１１の表面を構成する６つの面のうち、主面以外の４つの面を「側面」と呼ぶ。特に、これら４つの側面を区別する必要がある場合には、第１の側面を「右側面」と呼び、第１の側面に対向する第２の側面を「左側面」と呼び、第１の側面及び第２の側面に直交する第３の側面を「前側面」と呼び、第３の側面に対向する第４の側面を「後側面」と呼ぶ。ただし、これらの呼称は、説明の便宜上のものであり、バンドパスフィルタ１の配置に制約を課すものではない。また、以下の説明においては、誘電体基板１１の左側面から右側面に向かう方向をｘ軸正方向とし、誘電体基板１１の後側面から前側面に向かう方向をｙ軸正方向とし、誘電体基板１１の下面から上面に向かう方向をｚ軸正方向とする直交座標系を利用する。
【００２７】
広壁対１２は、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂにより構成される。第１広壁１２ａは、誘電体基板１１の上面全体を覆う膜状導体であり、第２広壁１２ｂは、誘電体基板１１の下面全体を覆う膜状導体である。本実施形態においては、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂとして、銅膜を用いる。ただし、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂの材料は、導体であればよく、銅に限定されない。例えば、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂの材料は、銅以外の金属（例えば、アルミニウムや金など）であっても構わない。また、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂは、板状導体であっても構わない。
【００２８】
ポスト壁１３は、誘電体基板１１の内部に形成された複数の導体ポストＰ１，Ｐ２，…の集合である。各導体ポストＰｉ（ｉ＝１，２，…）は、図２の（ｂ）に示すように、誘電体基板１１を上下に貫通する貫通孔の内壁を覆う膜状（円筒状）導体である。各導体ポストＰｉの上端及び下端は、それぞれ、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂに接触しており、各導体ポストＰｉは、第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂとを短絡している。本実施形態においては、各導体ポストＰｉの材料として、銅を用いている。ただし、各導体ポストＰｉの材料は、導体であればよく、銅に限定されない。例えば、各導体ポストＰｉの材料は、銅以外の金属（例えば、アルミニウムや金など）であっても構わない。また、各導体ポストＰｉは、誘電体基板１１を上下に貫通する貫通孔に充填された塊状（円柱状）の導体であっても構わない。これらの導体ポストＰ１，Ｐ２，…は、柵状に並べられており、これらの導体ポストＰ１，Ｐ２，…により構成されるポスト壁１３は、ポスト間隔よりも十分に長い波長を有する電磁波を反射する導体壁として機能する。
【００２９】
ポスト壁１３は、図２の（ａ）に示すように、１組の狭壁対１３０と、６組の隔壁対１３１〜１３６と、を含んでいる。
【００３０】
狭壁対１３０は、右狭壁１３０ａ及び左狭壁１３０ｂにより構成される。右狭壁１３０ａ及び左狭壁１３０ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｙ軸に沿って柵状に並べられた複数の導体ポストからなる。右狭壁１３０ａは、ｙｚ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、左狭壁１３０ｂは、ｙｚ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。
【００３１】
上下を広壁対１２で挟まれた領域Ｄは、狭壁対１３０によって３つの領域Ｄ１〜Ｄ３に区画される。第１領域Ｄ１は、上述した領域Ｄのうち、左右を狭壁対１３０で挟まれた直方体状の領域である。第１領域Ｄ１は、バンドパスフィルタ１に入力された電磁波を導波する方形導波路として機能する。以下、第１領域Ｄ１のことを、「方形導波領域」と呼ぶ。第２領域Ｄ２は、上述した領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域のうち、右狭壁１３０ａよりも右側（ｘ軸正方向側）に位置する領域である。第３領域Ｄ３は、上述した領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域のうち、左狭壁１３０ｂよりも左側（ｘ軸負方向側）に位置する領域である。以下、第２領域Ｄ２及び第３領域Ｄ３のことを、「非導波領域」と呼ぶ。なお、第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂとがバンドパスフィルタ１を平面視したときに過不足なく重ならない場合、上述した領域Ｄは、第１広壁１２ａのうち、バンドパスフィルタ１を平面視したときに第２広壁１２ｂに重なる領域と、第２広壁１２ｂのうち、バンドパスフィルタ１を平面視したときに第１広壁１ａに重なる領域とに挟まれた領域として定義される。
【００３２】
第１隔壁対１３１は、第１右隔壁１３１ａ及び第１左隔壁１３１ｂにより構成される。第１右隔壁１３１ａ及び第１左隔壁１３１ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｘ軸に沿って柵状に並べられた複数（本実施形態においては２つ）の導体ポストからなる。第１右隔壁１３１ａは、誘電体基板１１の前側壁の後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、第１左隔壁１３１ｂは、誘電体基板１１の前側壁の後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。誘電体基板１１の前側壁から第１右隔壁１３１ａまでの距離と誘電体基板１１の前側壁から第１左隔壁１３１ｂまでの距離とは、互いに一致している。また、第１右隔壁１３１ａの左端（ｘ軸負方向側の端部）と第１左隔壁１３１ｂの右端（ｘ軸正方向側の端部）とは、互いに離間している。
【００３３】
第２隔壁対１３２は、第２右隔壁１３２ａ及び第２左隔壁１３２ｂにより構成される。第２右隔壁１３２ａ及び第２左隔壁１３２ｂは、それぞれ、導体ポストＰ１，Ｐ２，…の部分集合であって、ｘ軸に沿って柵状に並べられた複数（本実施形態においては３つ）の導体ポストからなる。第２右隔壁１３２ａは、第１右隔壁１３１ａの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも右側（ｘ軸正方向側）に配置されている。一方、第２左隔壁１３２ｂは、第１左隔壁１３１ｂの後方において、ｚｘ面と平行に、誘電体基板１１の中心軸よりも左側（ｘ軸負方向側）に配置されている。誘電体基板１１の前側壁から第２右隔壁１３２ａまでの距離と誘電体基板１１の前側壁から第２左隔壁１３２ｂまでの距離とは、互いに一致している。また、第２右隔壁１３１ａの左端（ｘ軸負方向側の端部）と第２左隔壁１３２ｂの右端（ｘ軸正方向側の端部）とは、互いに離間している。
【００３４】
第３隔壁対１３３は、第２隔壁対１３２の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第４隔壁対１３４は、第３隔壁対１３３の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第５隔壁対１３５は、第４隔壁対１３４の後方において、第２隔壁対１３２と同様に構成されている。第６隔壁対１３６は、第５隔壁対１３５の後方において、第１隔壁対１３１と同様に構成されている。これら６組の隔壁対１３１〜１３６は、ｙ軸に沿って等間隔に並べられている。
【００３５】
上述した方形導波領域Ｄ１は、これら６組の隔壁対１３１〜１３６によって、７つの小領域Ｄ１１〜Ｄ１７に区画される。
【００３６】
方形導波領域Ｄ１のうち、前後を第１隔壁対１３１と第２隔壁対１３２とで挟まれた小領域Ｄ１２は、第１共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１２のことを、「第１共振領域」と呼ぶ。第１共振領域Ｄ１２は、第１右隔壁１３１ａと第１左隔壁１３１ｂとの間の隙間を結合窓として、第１隔壁対１３１よりも前側（ｙ軸正方向側）の小領域Ｄ１１と結合している。
【００３７】
方形導波領域Ｄ１のうち、前後を第２隔壁対１３２と第３隔壁対１３３とで挟まれた小領域Ｄ１３は、第２共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１３のことを、「第２共振領域」と呼ぶ。第２共振領域Ｄ１３は、第２右隔壁１３２ａと第２左隔壁１３２ｂとの間の隙間を結合窓として、第１共振領域Ｄ１２と結合している。
【００３８】
方形導波領域Ｄ１のうち、前後を第３隔壁対１３３と第４隔壁対１３４とで挟まれた小領域Ｄ１４は、第３共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１４のことを、「第３共振領域」と呼ぶ。第３共振領域Ｄ１４は、第３右隔壁１３３ａと第３左隔壁１３３ｂとの間の隙間を結合窓として、第２共振領域Ｄ１３と結合している。
【００３９】
方形導波領域Ｄ１のうち、前後を第４隔壁対１３４と第５隔壁対１３５とで挟まれた小領域Ｄ１５は、第４共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１５のことを、「第４共振領域」と呼ぶ。第４共振領域Ｄ１５は、第４右隔壁１３４ａと第４左隔壁１３４ｂとの間の隙間を結合窓として、第３共振領域Ｄ１４と結合している。
【００４０】
方形導波領域Ｄ１のうち、前後を第５隔壁対１３５と第６隔壁対１３６とで挟まれた小領域Ｄ１６は、第５共振器として機能する。以下、この小領域Ｄ１６のことを、「第５共振領域」と呼ぶ。第５共振領域Ｄ１６は、第５右隔壁１３５ａと第５左隔壁１３５ｂとの間の隙間を結合窓として、第４共振領域Ｄ１５と結合している。また、第５共振領域Ｄ１６は、第６右隔壁１３６ａと第６左隔壁１３６ｂとの間の隙間を結合窓として、第６隔壁対１３６よりも後側（ｙ軸負方向側）の小領域Ｄ１７と結合している。
【００４１】
以上のように、方形導波領域Ｄ１は、直列結合された５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１６を含んでいる。このため、方形導波領域Ｄ１は、予め定められた通過帯域内の電磁波を通過させると共に、通過帯域外の電磁波を遮断（反射）するチェビシェフ型のバンドパスフィルタとして機能する。
【００４２】
なお、本実施形態においては、方形導波領域Ｄ１を６組の隔壁対１３１〜１３６で区画することによって、５個の共振領域Ｄ１２〜Ｄ１５を含むバンドパスフィルタを実現しているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、ｎを３以上の任意の自然数として、方形導波領域Ｄ１をｎ組の隔壁対で区画することによって、ｎ−１個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現することができる。例えば、（１）方形導波領域Ｄ１を３組の隔壁対で区画することによって、２個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよいし、（２）方形導波領域Ｄ１を４組の隔壁対で区画することによって、３個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよいし、（３）方形導波領域Ｄ１を５組の隔壁対で区画することによって、４個の共振領域を含むバンドパスフィルタを実現してもよい。
【００４３】
（バンドパスフィルタの特徴）
本実施形態に係るバンドパスフィルタ１の第１の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３（広壁対１２に挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域）の平面視形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１においては、図１に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である。より具体的には、非導波領域Ｄ２の幅を非導波領域Ｄ３の幅よりも広くすることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。なお、本明細書において、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状とは、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３を第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂに直交する方向から見た形状（図示した座標系においてｚ軸正方向又はｚ軸負方向から見た形状）のことを指す。
【００４４】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００４５】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ１の第２の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１においては、図１に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が非直方体である。より具体的には、非導波領域Ｄ２の外側面（右側面）を波型に湾曲させると共に、非導波領域Ｄ３の外側面（左側面）を波型に湾曲させることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非直方体化している。
【００４６】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が非直方体である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ１のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００４７】
なお、本実施形態においては、第１広壁１２ａが誘電体基板１１の上面全体を覆っており、第２広壁１２ｂが誘電体基板１１の下面全体を覆っている。したがって、第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定される非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の外側面は、誘電体基板１１の側面と一致する。
【００４８】
このため、本実施形態においては、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂの平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することに加えて、誘電体基板１１の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。また、第１広壁１２ａの右端面及び第２広壁１２ｂの右端面を波型に湾曲させることに加えて、誘電体基板１１の右側面を波型に湾曲させることによって、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化している。また、本実施形態においては、第１広壁１２ａの左端面及び第２広壁１２ｂの左端面を波型に湾曲させることに加えて、誘電体基板１１の左側面を波型に湾曲させることによって、非導波領域Ｄ３の形状を上記のように非直方体化している。
【００４９】
しかしながら、第１広壁１２ａ及び第２広壁１２ｂの少なくとも何れか一方の平面視形状さえ方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化すれば、誘電体基板１１の平面視形状まで方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化せずとも、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することができる。また、第１広壁１２ａの右端面及び第２広壁１２ｂの右端面の少なくとも何れか一方さえ波型に湾曲させれば、誘電体基板１１の右側面まで波型に湾曲させずとも、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化することができる。また、第１広壁１２ａの左端面及び第２広壁１２ｂの左端面の少なくとも何れか一方さえ波型に湾曲させれば、誘電体基板１１の左側面まで波型に湾曲させずとも、非導波領域Ｄ３の形状を上記のように非直方体化することができる。なぜなら、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３は、誘電体基板１１の形状に依らず、第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定されるからである。この場合、（１）誘電体基板１１の上面の一部のみが第１広壁１２ａに覆われ、かつ、誘電体基板１１の下面全体が第２広壁１２ｂに覆われる構成、（２）誘電体基板１１の上面全体が第１広壁１２ａに覆われ、かつ、誘電体基板１１の下面の一部のみが第２広壁１２ｂに覆われる構成、又は、（３）誘電体基板１１の上面の一部のみが第１広壁１２ａに覆われ、かつ、誘電体基板１１の下面の一部のみが第２広壁１２ｂに覆われる構成の何れかが採用される。なお、誘電体基板１１の上面の一部のみが第１広壁１２ａに覆われるとは、誘電体基板１１の上面の一部が第１広壁１２ａに覆われ、残りの部分が第１広壁１２ａに覆われることなく露出することを指す。また、誘電体基板１１の下面の一部のみが第２広壁１２ｂに覆われるとは、誘電体基板１１の下面の一部が第２広壁１２ｂに覆われ、残りの部分が第２広壁１２ｂに覆われることなく露出することを指す。
【００５０】
図３は、このようにして非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非対称化・非直方体化したバンドパスフィルタ１Ａの斜視図である。バンドパスフィルタ１Ａは、図１に示すバンドパスフィルタ１が備える誘電体基板１１を、方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称な直方体の誘電体基板１１Ａに置き換えたものである。ただし、バンドパスフィルタ１Ａにおける第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂの形状は、バンドパスフィルタ１における第１広壁１２ａと第２広壁１２ｂの形状と同一であり、したがって、バンドパスフィルタ１Ａにおける非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状は、バンドパスフィルタ１における非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状と同一である。
【００５１】
形状が直方体の誘電体基板１１Ａは、形状が非直方体の誘電体基板１１よりも製造が容易である。したがって、バンドパスフィルタ１Ａは、バンドパスフィルタ１よりも製造が容易である。
【００５２】
〔第２の実施形態〕
（バンドパスフィルタの構成）
本発明の第２の実施形態に係るバンドパスフィルタ２の構成について、図４を参照して説明する。図４は、バンドパスフィルタ２の斜視図である。
【００５３】
バンドパスフィルタ２は、図４に示すように、誘電体基板２１と、誘電体基板２１の両面に形成された広壁対２２と、誘電体基板２１の内部に形成されたポスト壁２３と、を備えている。
【００５４】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ２は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１と同様に構成されている。すなわち、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２の備える誘電体基板２１及び広壁対２２は、その形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備える誘電体基板１１及び広壁対１２と同様に構成されており、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２の備えるポスト壁２３は、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備えるポスト壁１３と同様に構成されている。
【００５５】
（バンドパスフィルタの特徴）
本実施形態に係るバンドパスフィルタ２の第１の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３（広壁対１２に挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域）の平面視形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２においては、図４に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である。より具体的には、非導波領域Ｄ２の外側面（右側面）に直方体状の凹部Ｃ１〜Ｃ２を設けると共に、非導波領域Ｄ３の外側面（左側面）に、凹部Ｃ１〜Ｃ２とは個数、位置、及びサイズの異なる直方体状の凹部Ｃ３を設けることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。
【００５６】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００５７】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ２の第２の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２においては、図４に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が非直方体である。より具体的には、非導波領域Ｄ２の外側面（右側面）に凹部Ｃ１〜Ｃ２を設けると共に、非導波領域Ｄ３の外側面（左側面）に凹部Ｃ３を設けることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非直方体化している。
【００５８】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が非直方体である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ２のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、第１広壁２２ａが誘電体基板２１の上面全体を覆っており、第２広壁２２ｂが誘電体基板２１の下面全体を覆っている。したがって、第１広壁２２ａと第２広壁２２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定される非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の外側面は、誘電体基板２１の側面と一致する。
【００６０】
このため、本実施形態においては、第１広壁２２ａ及び第２広壁２２ｂの平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することに加えて、誘電体基板２１の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。また、本実施形態においては、第１広壁２２ａの右端面及び第２広壁２２ｂの右端面に凹部を形成することに加えて、誘電体基板２１の右側面に凹部を形成することによって、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化している。また、本実施形態においては、第１広壁２２ａの左端面及び第２広壁２２ｂの左端面に凹部を形成することに加えて、誘電体基板２１の左側面に凹部を形成することによって、非導波領域Ｄ３の形状を上記のように非直方体化している。
【００６１】
しかしながら、第１広壁２２ａ及び第２広壁２２ｂの少なくとも何れか一方の平面視形状さえ方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化すれば、誘電体基板２１の平面視形状まで方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化せずとも、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することができる。また、第１広壁２２ａの右端面及び第２広壁２２ｂの右端面の少なくとも何れか一方にさえ凹部を形成すれば、誘電体基板２１の右側面にまで凹部を形成せずとも、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化することができる。また、第１広壁２２ａの左端面及び第２広壁２２ｂの左端面の少なくとも何れか一方にさえ凹部を形成すれば、誘電体基板２１の左側面にまで凹部を形成せずとも、非導波領域Ｄ３の形状を上記のように非直方体化することができる。なぜなら、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３は、誘電体基板２１の形状に依らず、第１広壁２２ａと第２広壁２２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定されるからである。
【００６２】
図５は、このようにして非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非対称化・非直方体化したバンドパスフィルタ２Ａの斜視図である。バンドパスフィルタ２Ａは、図４に示すバンドパスフィルタ２が備える誘電体基板２１を、方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称な直方体の誘電体基板２１Ａに置き換えたものである。ただし、バンドパスフィルタ２Ａにおける第１広壁２２ａと第２広壁２２ｂの形状は、バンドパスフィルタ２における第１広壁２２ａと第２広壁２２ｂの形状と同一であり、したがって、バンドパスフィルタ２Ａにおける非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状は、バンドパスフィルタ２における非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状と同一である。
【００６３】
形状が直方体の誘電体基板２１は、形状が非直方体の誘電体基板２１よりも製造が容易である。したがって、バンドパスフィルタ２Ａは、バンドパスフィルタ２よりも製造が容易である。
【００６４】
なお、本実施形態においては、一方の非導波領域Ｄ２の外側面に設ける凹部Ｃ１〜Ｃ２の個数と他方の非導波領域Ｄ３に設ける凹部Ｃ３の個数とが異なっているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、一方の非導波領域Ｄ２に設ける凹部の位置又は形状と他方の非導波領域Ｄ３に設ける凹部の位置又は形状が異なっていれば、一方の非導波領域Ｄ２に設ける凹部の個数と他方の非導波領域Ｄ３に設ける凹部の個数は同一であってもよい。また、本実施形態においては、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３に設ける凹部Ｃ１〜Ｃ３の形状を直方体（底面が長方形の四角柱）としているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３に設ける凹部Ｃ１〜Ｃ３の形状は、任意であり、例えば、底面が長方形以外の四角柱（例えば、底面が台形の四角柱）であってもよいし、底面が三角形の三角柱であってもよい。
【００６５】
〔第３の実施形態〕
（バンドパスフィルタの構成）
本発明の第３の実施形態に係るバンドパスフィルタ３の構成について、図６を参照して説明する。図６は、バンドパスフィルタ３の斜視図である。
【００６６】
バンドパスフィルタ３は、図６に示すように、誘電体基板３１と、誘電体基板３１の両面に形成された広壁対３２と、誘電体基板３１の内部に形成されたポスト壁３３と、を備えている。
【００６７】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ３は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１と同様に構成されている。すなわち、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３の備える誘電体基板３１及び広壁対３２は、その形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備える誘電体基板１１及び広壁対１２と同様に構成されており、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３の備えるポスト壁３３は、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備えるポスト壁１３と同様に構成されている。
【００６８】
（バンドパスフィルタの特徴）
本実施形態に係るバンドパスフィルタ３の第１の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３（広壁対１２に挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域）の平面視形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３においては、図６に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である。より具体的には、非導波領域Ｄ２の形状を底面が台形の四角柱にすると共に、非導波領域Ｄ３の形状を直方体（底面が長方形の四角柱）とすることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。
【００６９】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００７０】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ３の第２の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、両方の非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３においては、図６に示すように、一方の非導波領域Ｄ２の形状が非直方体である。より具体的に言うと、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３においては、一方の非導波領域Ｄ２の形状が底面が台形の四角柱である。
【００７１】
従来のバンドパスフィルタ５のように、両方の非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が直方体である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３のように、一方の非導波領域Ｄ２の形状が非直方体である場合、非導波領域Ｄ２がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ３のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、第１広壁３２ａが誘電体基板３１の上面全体を覆っており、第２広壁３２ｂが誘電体基板３１の下面全体を覆っている。したがって、第１広壁３２ａと第２広壁３２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定される非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の外側面は、誘電体基板３１の側面と一致する。
【００７３】
このため、本実施形態においては、第１広壁３２ａ及び第２広壁３２ｂの平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することに加えて、誘電体基板３１の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。また、本実施形態においては、第１広壁３２ａ及び第２広壁３２ｂを、その右端面とその前端面との成す角が鋭角になるように形成することに加えて、誘電体基板３１を、その右側面とその前側面との成す角が鋭角になるように形成することによって、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化している。
【００７４】
しかしながら、第１広壁３２ａ及び第２広壁３２ｂの少なくとも何れか一方の平面視形状さえ方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化すれば、誘電体基板３１の平面視形状まで方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化せずとも、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することができる。また、第１広壁３２ａ及び第２広壁３２ｂの少なくとも何れか一方さえ、その右端面とその前端面との成す角が鋭角になるように形成すれば、誘電体基板３１まで、その右側面とその前側面との成す角が鋭角になるように形成せずとも、非導波領域Ｄ２の形状を上記のように非直方体化することができる。なぜなら、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３は、誘電体基板３１の形状に依らず、第１広壁３２ａと第２広壁３２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定されるからである。
【００７５】
図７は、このようにして非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非対称化・非直方体化したバンドパスフィルタ３Ａの斜視図である。バンドパスフィルタ３Ａは、図６に示すバンドパスフィルタ３が備える誘電体基板３１を、方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称な直方体の誘電体基板３１Ａに置き換えたものである。ただし、バンドパスフィルタ３Ａにおける第１広壁３２ａと第２広壁３２ｂの形状は、バンドパスフィルタ３における第１広壁３２ａと第２広壁３２ｂの形状と同一であり、したがって、バンドパスフィルタ３Ａにおける非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状は、バンドパスフィルタ３における非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状と同一である。
【００７６】
形状が直方体の誘電体基板３１は、形状が非直方体の誘電体基板３１よりも製造が容易である。したがって、バンドパスフィルタ３Ａは、バンドパスフィルタ３よりも製造が容易である。
〔第４の実施形態〕
（バンドパスフィルタの構成）
本発明の第４の実施形態に係るバンドパスフィルタ４の構成について、図８を参照して説明する。図８は、バンドパスフィルタ４の斜視図である。
【００７７】
バンドパスフィルタ４は、図８に示すように、誘電体基板４１と、誘電体基板４１の両面に形成された広壁対４２と、誘電体基板４１の内部に形成されたポスト壁４３と、を備えている。
【００７８】
本実施形態に係るバンドパスフィルタ４は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１と同様に構成されている。すなわち、本実施形態に係るバンドパスフィルタ４の備える誘電体基板４１及び広壁対４２は、その形状を除き、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備える誘電体基板１１及び広壁対１２と同様に構成されており、本実施形態に係るバンドパスフィルタ４の備えるポスト壁４３は、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタ１の備えるポスト壁１３と同様に構成されている。
【００７９】
（バンドパスフィルタの特徴）
本実施形態に係るバンドパスフィルタ４の第１の特徴は、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３（広壁対１２に挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域）の平面視形状にある。すなわち、従来のバンドパスフィルタ５においては、図１０に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ４においては、図８に示すように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である。より具体的には、一方の非導波領域Ｄ３の幅を他方の非導波領域Ｄ２の幅よりも狭くすることによって、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。なお、非導波路領域Ｄ２〜Ｄ３の形状は、いずれも直方体である。
【００８０】
従来のバンドパスフィルタ５のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し易く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し易い。これに対して、本実施形態に係るバンドパスフィルタ４のように、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状が方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称である場合、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３がバイパス導波路として機能し難く、その結果、通過帯域外の電磁波がバンドパスフィルタを通過し難い。したがって、本実施形態に係るバンドパスフィルタ４のアイソレーション性能は、従来のバンドパスフィルタ５のアイソレーション性能よりも良好になる。
【００８１】
なお、本実施形態においては、第１広壁４２ａが誘電体基板４１の上面全体を覆っており、第２広壁４２ｂが誘電体基板４１の下面全体を覆っている。したがって、第１広壁４２ａと第２広壁４２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定される非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の外側面は、誘電体基板４１の側面と一致する。このため、本実施形態においては、第１広壁４２ａ及び第２広壁４２ｂの平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することに加えて、誘電体基板４１の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化している。
【００８２】
しかしながら、第１広壁４２ａ及び第２広壁４２ｂの少なくとも何れか一方の平面視形状さえ方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化すれば、誘電体基板４１の平面視形状まで方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化せずとも、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の平面視形状を方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して非対称化することができる。なぜなら、非導波領域Ｄ２〜Ｄ３は、誘電体基板４１の形状に依らず、第１広壁４２ａと第２広壁４２ｂとに挟まれた領域Ｄから方形導波領域Ｄ１を除いた領域として規定されるからである。
【００８３】
図９は、このようにして非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状を非対称化したバンドパスフィルタ４Ａの斜視図である。バンドパスフィルタ４Ａは、図８に示すバンドパスフィルタ４が備える誘電体基板４１を、方形導波領域Ｄ１の中心軸Ｌに対して対称な直方体の誘電体基板４１Ａに置き換えたものである。ただし、バンドパスフィルタ４Ａにおける第１広壁４２ａと第２広壁４２ｂの形状は、バンドパスフィルタ４における第１広壁４２ａと第２広壁４２ｂの形状と同一であり、したがって、バンドパスフィルタ４Ａにおける非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状は、バンドパスフィルタ４における非導波領域Ｄ２〜Ｄ３の形状と同一である。
【００８４】
〔付記事項〕
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８５】
１，２，３，４                    バンドパスフィルタ
１１，２１，３１，４１            誘電体基板
１２，２２，３２，４２            広壁対
１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ    第１広壁
１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ    第２広壁
１３，２３，３３，４３            ポスト壁
Ｄ１                              方形導波領域
Ｄ１２〜Ｄ１６                    共振領域
Ｄ２，Ｄ３                        非導波領域
【図１】
2019087808.tif 000003
【図２】
2019087808.tif 000004
【図３】
2019087808.tif 000005
【図４】
2019087808.tif 000006
【図５】
2019087808.tif 000007
【図６】
2019087808.tif 000008
【図７】
2019087808.tif 000009
【図８】
2019087808.tif 000010
【図９】
2019087808.tif 000011
【図１０】
2019087808.tif 000012
【図１１】
2019087808.tif 000013