(57)【要約】【課題】製造歩留まりを向上し生産コストを低減できる物理量センサーおよび物理量センサー装置の製造方法を提供する。【解決手段】ベース基板２と、ベース基板２上に固定された固定電極部３８，３９と、ベース基板２上に変位可能に設けられた可動電極部３６，３７とを有する素子片３と、ベース基板２上に配置された配線４１，４２，４３とを備えた物理量センサー１の製造方法は、基板１０２に配線４１，４２，４３と配線４１，４２，４３に電気的に接続される共有配線４７とを形成する工程と、基板１０２に基板１０３を接合し基板１０３を配線４１，４２，４３に電気的に接続する工程と、基板１０３をエッチングすることにより素子片３を形成する工程と、配線４１，４２，４３を共有配線４７から分断する工程と、基板１０２上の素子片３を配線４１，４２，４３を介して素子片３毎に検査する工程と、基板１０２を個片化する工程とを備える。【選択図】図２１
2019052989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に固定された固定電極部と、前記ベース基板上に変位可能に設けられ前記固定電極部に対向して配置された可動電極部と、を有する素子片と、
前記ベース基板上に配置され、前記固定電極部に電気的に接続された第１配線と前記可動電極部に電気的に接続された第２配線と、を備えた物理量センサーの製造方法であって、
前記ベース基板の母材となる第１基板に、前記第１配線と、前記第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とに電気的に接続される共有配線と、を形成する導体パターン形成工程と、
前記第１基板に前記素子片の母材となる第２基板を接合し、前記第２基板を前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続する接合工程と、
前記第２基板をエッチングすることにより、前記固定電極部と前記可動電極部とを有する前記素子片を形成する素子片形成工程と、
前記第１配線と前記第２配線とを前記共有配線から分断する分断工程と、
前記第１基板上の前記素子片を前記第１配線と前記第２配線とを介して前記素子片毎に検査する検査工程と、
前記第１基板を前記素子片毎に個片化して複数の前記物理量センサーを得る個片化工程と、を備えることを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項２】
前記分断工程では、前記第１配線と前記第２配線とをレーザー光で切断することを特徴とする請求項１に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項３】
前記分断工程の前に、前記ベース基板上に前記素子片を覆う蓋部材を接合する蓋部配設工程をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の物理量センサーの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の物理量センサーの製造方法で製造した物理量センサーと電子部品とを電気的に接続する工程と、
前記物理量センサーと前記電子部品とをモールドまたはパッケージする工程と、を備えることを特徴とする物理量センサー装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサーの製造方法および物理量センサー装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
物理量センサーとしては、変位可能に設けられた可動電極と、可動電極に対して間隔を隔てて対向するとともに固定配置された固定電極と、を有し、可動電極と固定電極との間の静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出する物理量センサーが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の物理量センサーは、可動電極を有するチップ部が複数形成されたウエハーと、可動電極に対向配置される固定電極を有し各チップ部を封止する封止部が複数形成された封止ガラスとを接合した後、スクライブラインに沿って切断して個片化することにより得られる。ウエハーと封止ガラスとを接合する際に可動電極と固定電極との間に静電気が生じて両者の貼り付きが生じることを防止するため、チップ部毎に可動電極と固定電極とを導通する共有導通配線が設けられている。この共有導通配線はスクライブラインのライン幅内に設けられており、個片化する際に除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１４５２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の物理量センサーは、ウエハーから個片化されるまでは、可動電極と固定電極とが共有導通配線で導通（短絡）されているため各物理量センサーの電気的特性等の検査を行なうことができない。すなわち、物理量センサーが個片化された時点では、物理量センサーが正常に動作するか否かを判別できない。そのため、例えば、後工程で物理量センサーを電子部品と接続しモールドまたはパッケージ等を行った状態で検査を行う場合に、正常に動作しない物理量センサーも後工程の対象となることで、製造歩留まりの低下や生産コストの増大を招くおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る物理量センサーの製造方法は、ベース基板と、前記ベース基板上に固定された固定電極部と、前記ベース基板上に変位可能に設けられ前記固定電極部に対向して配置された可動電極部と、を有する素子片と、前記ベース基板上に配置され、前記固定電極部に電気的に接続された第１配線と前記可動電極部に電気的に接続された第２配線と、を備えた物理量センサーの製造方法であって、前記ベース基板の母材となる第１基板に、前記第１配線と、前記第２配線と、前記第１配線と前記第２配線とに電気的に接続される共有配線と、を形成する導体パターン形成工程と、前記第１基板に前記素子片の母材となる第２基板を接合し、前記第２基板を前記第１配線および前記第２配線に電気的に接続する接合工程と、前記第２基板をエッチングすることにより、前記固定電極部と前記可動電極部とを有する前記素子片を形成する素子片形成工程と、前記第１配線と前記第２配線とを前記共有配線から分断する分断工程と、前記第１基板上の前記素子片を前記第１配線と前記第２配線とを介して前記素子片毎に検査する検査工程と、前記第１基板を前記素子片毎に個片化して複数の前記物理量センサーを得る個片化工程と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
本適用例に係る製造方法によれば、第２基板から形成される素子片において第１配線に電気的に接続される固定電極部と第２配線に電気的に接続される可動電極部とが、第１基板上に形成された共有配線と同電位となるので、第１基板に第２基板を接合する接合工程と第２基板から素子片を形成する素子片形成工程とにおいて、可動電極部の第１基板への貼り付きの発生を抑止することができる。また、個片化工程で第１基板を個片化して物理量センサーを得る前に、検査工程で第１配線と第２配線とを共有配線から分断して素子片毎に検査するので、個片化した時点で正常に動作する物理量センサーと正常に動作しない物理量センサーとを選別することができる。
【０００８】
［適用例２］本適用例に係る物理量センサーの製造方法であって、前記分断工程では、前記第１配線と前記第２配線とをレーザー光で切断することが好ましい。
【０００９】
本適用例に係る製造方法によれば、レーザー光で第１配線と第２配線とを切断して共有配線から分断するので、第１基板から発生する粉塵が抑えられるとともに切断箇所の位置精度を向上できる。
【００１０】
［適用例３］本適用例に係る物理量センサーの製造方法であって、前記分断工程の前に、前記ベース基板上に前記素子片を覆う蓋部材を接合する蓋部配設工程をさらに備えることが好ましい。
【００１１】
本適用例に係る製造方法によれば、第１配線と第２配線とを切断する前に素子片を覆う蓋部材をベース基板に接合するので、分断工程において素子片が損傷を受けないよう保護できる。また、分断工程において塵埃等が発生した場合でも、素子片に塵埃等が付着することを抑止できる。
【００１２】
［適用例４］本適用例に係る物理量センサー装置の製造方法は、上記の物理量センサーの製造方法で製造した物理量センサーと電子部品とを電気的に接続する工程と、前記物理量センサーと前記電子部品とをモールドまたはパッケージする工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
本適用例に係る製造方法によれば、検査で正常に動作した物理量センサーを対象として物理量センサー装置を製造するので、物理量センサーを電子部品と接続しモールドまたはパッケージしてから検査する場合と比べて、製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る物理量センサーの概略構成を示す斜視図。
【図２】第１実施形態に係る物理量センサーの平面図。
【図３】図２中のＡ−Ａ’線断面図。
【図４】図２中のＢ−Ｂ’線断面図。
【図５】図２中のＣ−Ｃ’線断面図。
【図６】第１実施形態に係る物理量センサー装置の一例を示す概略断面図。
【図７】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図８】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図９】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１０】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１１】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１２】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１３】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１４】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１５】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１６】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１７】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１８】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図１９】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図２０】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図２１】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図２２】第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図。
【図２３】本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。
【図２４】本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。
【図２５】本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図。
【図２６】本実施形態に係る物理量センサーを適用した移動体の例を模式的に示す概略図。
【図２７】第２実施形態に係る物理量センサーの平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の物理量センサーとその製造方法、および物理量センサー装置とその製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る物理量センサーの概略構成を示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図３は、図２中のＡ−Ａ’線断面図である。図４は、図２中のＢ−Ｂ’線断面図である。図５は、図２中のＣ−Ｃ’線断面図である。
【００１７】
なお、以下では、説明の便宜上、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１〜図５では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されている。以下では、Ｘ軸に平行な方向（左右方向）を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向（上下方向）を「Ｚ軸方向」と言う。また、物理量センサーをＺ軸方向の上方側から見ることを「平面視」と言う。
【００１８】
［物理量センサー］
本実施形態では、物理量センサーを、加速度、角速度等の物理量を測定するための物理量センサー素子として用いる場合の例について説明する。図１に示すように、第１実施形態に係る物理量センサー１は、ベース基板２と、ベース基板２に接合・支持された素子片３と、ベース基板２上に設けられた導体パターン４と、素子片３を覆うように設けられた蓋部材５とを有する。なお、図１では、蓋部材５の一部を透視している。
【００１９】
詳細は後述するが、蓋部材５には、下方に開口する凹部が形成されている（図３参照）。これにより、ベース基板２と蓋部材５との間に内部空間が形成され、この内部空間に素子片３が収容されている。導体パターン４は、配線４１，４２，４３と、電極４４，４５，４６と、孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａとを有する。配線４１と配線４２とは、本実施形態における第１配線である。また、配線４３は、本実施形態における第２配線である。
【００２０】
配線４１，４２，４３は、ベース基板２上の蓋部材５に覆われた領域から蓋部材５に覆われていない領域まで延在するように配置されている。電極４４，４５，４６は、蓋部材５に覆われていないベース基板２上に配置されている。電極４４，４５，４６は、それぞれ配線４１，４２，４３に電気的に接続されており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは、蓋部材５に覆われていないベース基板２上に、それぞれ電極４４，４５，４６と対向するように配置されている。
【００２１】
以下、図２〜図５を参照して、物理量センサー１を構成する各部を順次詳細に説明する。なお、図２では、蓋部材５を透視している。
【００２２】
（ベース基板）
ベース基板２は、素子片３を支持する機能を有する。ベース基板２は、絶縁性を有する基板である。ベース基板２は、後述する製造工程で、母材となる１つの基板１０２（図７参照）をダイシングすることより形成されたものである。ベース基板２は、板状をなし、その上面（一方の面）には、空洞部２１が設けられている（図３〜図５参照）。
【００２３】
図３〜図５に示すように、空洞部２１は、ベース基板２を平面視したときに、後述する素子片３の可動部３３、可動電極部３６，３７および連結部３４，３５を包含するように形成されていて、内底を有する。空洞部２１は、素子片３の可動部３３、可動電極部３６，３７および連結部３４，３５がベース基板２に接触するのを防止する逃げ部を構成する。これにより、素子片３の可動部３３の変位を許容することができる。
【００２４】
なお、この逃げ部は、空洞部２１（凹部）に代えて、ベース基板２をその厚さ方向に貫通する開口部であってもよい。また、本実施形態では、空洞部２１の平面視形状は、四角形（具体的には長方形）をなしているが、これに限定されるものではない。
【００２５】
図２に示すように、ベース基板２の上面には、空洞部２１の外側に、その外周に沿って、凹部２２，２３，２４が設けられている。凹部２２，２３，２４は、平面視で導体パターン４に対応した形状をなしている。具体的には、凹部２２は配線４１、電極４４、および孤立パターン４１ａに対応した形状をなし、凹部２３は配線４２、電極４５、および孤立パターン４２ａに対応した形状をなし、凹部２４は配線４３、電極４６、および孤立パターン４３ａに対応した形状をなしている。
【００２６】
また、図５に示すように、凹部２４における電極４６が設けられた部位の深さは、凹部２４にける配線４３が設けられた部位よりも深くなっている。図示しないが、同様に、凹部２２における電極４４が設けられた部位の深さは配線４１が設けられた部位よりも深くなっており、凹部２３における電極４５が設けられた部位の深さは配線４２が設けられた部位よりも深くなっている。
【００２７】
このように凹部２２，２３，２４の一部の深さを深くすることにより、後述する物理量センサー１の製造工程において、素子片３の母材となる基板１０３を基板１０２に接合したとき（図１３参照）、基板１０３が電極４４，４５，４６と接合してしまうのを防止することができる。
【００２８】
ベース基板２の構成材料としては、具体的には、高抵抗なシリコン材料、ガラス材料を用いることが好ましく、特に、素子片３がシリコン材料を主材料として構成されている場合、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス材料（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いることが好ましい。これにより、素子片３がシリコンを主材料として構成されている場合、ベース基板２と素子片３とを陽極接合することができる。
【００２９】
また、ベース基板２の構成材料は、素子片３の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいものが好ましく、具体的には、ベース基板２の構成材料と素子片３の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であるものが好ましい。これにより、ベース基板２と素子片３との接合時等に高温化に晒されても、ベース基板２と素子片３との間の残留応力を低減することができる。
【００３０】
（素子片）
図２に示すように、素子片３は、固定部３１，３２と、可動部３３と、連結部３４，３５と、可動電極部３６，３７と、固定電極部３８，３９とで構成されている。なお、連結部３４，３５と可動電極部３６，３７とは、可動部３３に含まれる。
【００３１】
素子片３は、例えば、加速度、角速度等の物理量の変化に応じて、可動部３３および可動電極部３６，３７が、連結部３４，３５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の隙間の大きさ、および、可動電極部３７と固定電極部３９との間の隙間の大きさがそれぞれ変化する。すなわち、このような変位に伴って、可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量の大きさ、および、可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の大きさがそれぞれ変化する。したがって、物理量センサー１では、これらの静電容量に基づいて、加速度、角速度等の物理量を検出することができる。
【００３２】
固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、および可動電極部３６，３７は、一体的に形成されている。固定部３１，３２は、それぞれ、ベース基板２の上面に接合されている。具体的には、固定部３１は、ベース基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｘ方向側（図２中左側）の部分に接合され、固定部３２は、ベース基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｘ方向側（図２中右側）の部分に接合されている。
【００３３】
また、固定部３１，３２は、平面視したときに、それぞれ、空洞部２１の外周縁を跨ぐように設けられている。なお、固定部３１，３２の位置および形状等は、連結部３４，３５や導体パターン４等の位置および形状等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。
【００３４】
固定部３１と固定部３２との間には、可動部３３が設けられている。本実施形態では、可動部３３は、Ｘ軸方向に延びる長手形状をなしている。なお、可動部３３の形状は、素子片３を構成する各部の形状、大きさ等に応じて決められるものであり、上述したものに限定されない。
【００３５】
可動部３３は、固定部３１に対して連結部３４を介して連結されるとともに、固定部３２に対して連結部３５を介して連結されている。より具体的には、可動部３３の左側（−Ｘ方向側）の端部が連結部３４を介して固定部３１に連結されるとともに、可動部３３の右側（＋Ｘ方向側）の端部が連結部３５を介して固定部３２に連結されている。
【００３６】
連結部３４，３５は、可動部３３を固定部３１，３２に対して変位可能に連結している。本実施形態では、連結部３４，３５は、図２に矢印ａで示すように、Ｘ軸方向（＋Ｘ方向または−Ｘ方向）に可動部３３を変位し得るように構成されている。
【００３７】
具体的に説明すると、連結部３４は、２つの梁３４１，３４２で構成されている。そして、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなしている。言い換えると、梁３４１，３４２は、それぞれ、Ｙ軸方向に複数回（本実施形態では３回）折り返された形状をなしている。なお、各梁３４１，３４２の折り返し回数は、１回または２回であってもよいし、４回以上であってもよい。
【００３８】
同様に、連結部３５は、Ｙ軸方向に蛇行しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁３５１，３５２で構成されている。なお、連結部３４，３５は、可動部３３をベース基板２に対して変位可能に支持するものであれば、上述したものに限定されず、例えば、可動部３３の両端部から＋Ｙ方向および−Ｙ方向にそれぞれ延出する１対の梁で構成されていてもよい。
【００３９】
このようにベース基板２に対してＸ軸方向に変位可能に支持された可動部３３の幅方向での一方側（＋Ｙ方向側）には、可動電極部３６が設けられ、他方側（−Ｙ方向側）には、可動電極部３７が設けられている。
【００４０】
可動電極部３６は、可動部３３から＋Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３６１〜３６５を備えている。可動電極指３６１，３６２，３６３，３６４，３６５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。同様に、可動電極部３７は、可動部３３から−Ｙ方向に突出し、櫛歯状をなすように並ぶ複数の可動電極指３７１〜３７５を備える。可動電極指３７１，３７２，３７３，３７４，３７５は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。
【００４１】
このように複数の可動電極指３６１〜３６５および複数の可動電極指３７１〜３７５は、それぞれ、可動部３３の変位する方向（すなわちＸ軸方向）に並んで設けられている。これにより、後述する固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、および、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。
【００４２】
同様に、後述する固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３６との間の静電容量、および、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３６との間の静電容量を可動部３３の変位に応じて効率的に変化させることができる。そのため、物理量センサー１を物理量センサー素子として用いた場合に検出精度を優れたものとすることができる。
【００４３】
可動電極部３６は、固定電極部３８に対して間隔を隔てて対向する。また、可動電極部３７は、固定電極部３９に対して間隔を隔てて対向する。固定電極部３８は、可動電極部３６の複数の可動電極指３６１〜３６５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３８１〜３８８を備える。複数の固定電極指３８１〜３８８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の空洞部２１に対して＋Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３８１〜３８８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が−Ｙ方向へ延びている。
【００４４】
固定電極指３８１〜３８８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３８１，３８２は、対をなし、可動電極指３６１，３６２の間に、固定電極指３８３，３８４は、対をなし、可動電極指３６２，３６３の間に、固定電極指３８５，３８６は、対をなし、可動電極指３６３，３６４の間に、固定電極指３８７，３８８は、対をなし、可動電極指３６４，３６５の間に臨むように設けられている。
【００４５】
ここで、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７は、それぞれ、ベース基板２上で当該第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して離間した第２固定電極指である。このように、複数の固定電極指３８１〜３８８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指および複数の第２固定電極指で構成されている。言い換えれば、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００４６】
第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上で互いに分離している。言い換えると、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とは、ベース基板２上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７とを電気的に絶縁することができる。そのため、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量、および、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００４７】
本実施形態では、固定電極指３８１〜３８８がベース基板２上で互いに分離している。言い換えると、固定電極指３８１〜３８８は、それぞれ、ベース基板２上において、互いに連結されておらず、島状に孤立している。これにより、固定電極指３８１〜３８８のＹ軸方向での長さを揃えることができる。そのため、各固定電極指３８１〜３８８とベース基板２との各接合部の十分な接合強度を得るのに必要な面積を確保しつつ、固定電極指３８１〜３８８の小型化を図ることができる。これにより、物理量センサー１の耐衝撃性を優れたものとしつつ、物理量センサー１の小型化を図ることができる。
【００４８】
同様に、固定電極部３９は、可動電極部３７の複数の可動電極指３７１〜３７５に対して間隔を隔てて噛み合う櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指３９１〜３９８を備える。複数の固定電極指３９１〜３９８の可動部３３とは反対側の端部は、それぞれ、ベース基板２の上面の空洞部２１に対して−Ｙ方向側の部分に接合されている。そして、各固定電極指３９１〜３９８は、その固定された側の端を固定端とし、自由端が＋Ｙ方向へ延びている。
【００４９】
固定電極指３９１〜３９８は、−Ｘ方向側から＋Ｘ方向側へ、この順に並んでいる。そして、固定電極指３９１，３９２は、対をなし、可動電極指３７１，３７２の間に、固定電極指３９３，３９４は、対をなし、可動電極指３７２，３７３の間に、固定電極指３９５，３９６は、対をなし、可動電極指３７３，３７４の間に、固定電極指３９７，３９８は、対をなし、可動電極指３７４，３７５の間に臨むように設けられている。
【００５０】
ここで、固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８は、それぞれ、第１固定電極指であり、固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７は、それぞれ、ベース基板２上で当該第１固定電極指に対して空隙（間隙）を介して離間した第２固定電極指である。このように、複数の固定電極指３９１〜３９８は、交互に並ぶ複数の第１固定電極指および複数の第２固定電極指で構成されている。言い換えれば、可動電極指の一方の側に第１固定電極指が配置され、他方の側に第２固定電極指が配置されている。
【００５１】
第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７とは、固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量、および、第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量を検出することができる。
【００５２】
本実施形態では、複数の固定電極指３９１〜３９８は、固定電極部３８と同様、ベース基板２上で互いに分離している。これにより、各固定電極指３９１〜３９８とベース基板２との各接合部の面積を十分なものとしつつ、固定電極指３９１〜３９８の小型化を図ることができる。そのため、物理量センサー１の耐衝撃性を優れたものとしつつ、物理量センサー１の小型化を図ることができる。
【００５３】
素子片３（すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５）は、後述する製造工程で、母材となる１つの基板１０３（図１３参照）をエッチングすることにより形成されたものである。
【００５４】
これにより、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５の厚さを厚くすることができる。また、これらの厚さを簡単かつ高精度に揃えることができる。このようなことから、物理量センサー１の高感度化を図ることができるとともに、物理量センサー１の耐衝撃性を向上させることができる。
【００５５】
また、素子片３の構成材料としては、前述したような静電容量の変化に基づく物理量の検出が可能であれば、特に限定されないが、半導体が好ましく、具体的には、例えば、単結晶シリコン、ポリシリコン等のシリコン材料を用いることが好ましい。すなわち、固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、複数の固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８および複数の可動電極指３６１〜３６５，３７１〜３７５は、それぞれ、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
【００５６】
シリコンは、エッチングにより高精度に加工することができる。そのため、素子片３をシリコンを主材料として構成することにより、素子片３の寸法精度を優れたものとし、その結果、物理量センサー素子である物理量センサー１の高感度化を図ることができる。そして、シリコンは疲労が少ないため、物理量センサー１の耐久性を向上させることもできる。素子片３を構成するシリコン材料には、リン、ボロン等の不純物がドープされていることが好ましい。これにより、素子片３の導電性を優れたものとすることができる。
【００５７】
また、素子片３は、前述したように、ベース基板２の上面に固定部３１，３２および固定電極部３８，３９が接合されることにより、ベース基板２に支持されている。本実施形態では、ベース基板２と素子片３とが、後述する突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０が配置された部分を除いて、図示しない絶縁膜を介して接合されている。
【００５８】
素子片３（具体的には、固定部３１，３２および各固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８）とベース基板２との接合方法は、特に限定されないが、陽極接合法を用いることが好ましい。これにより、固定部３１，３２および固定電極部３８，３９（各固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８）をベース基板２に強固に接合することができる。そのため、物理量センサー１の耐衝撃性を向上させることができる。
【００５９】
また、固定部３１，３２および固定電極部３８，３９（各固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８）をベース基板２の所望の位置に高精度に接合することができる。そのため、物理量センサー素子である物理量センサー１の高感度化を図ることができる。この場合、前述したようにシリコンを主材料として素子片３を構成し、かつ、アルカリ金属イオンを含むガラス材料でベース基板２を構成する。
【００６０】
（導体パターン）
導体パターン４は、ベース基板２の上面（素子片３を支持する側の面）上に設けられている。導体パターン４は、配線４１，４２，４３と、電極（端子）４４，４５，４６と、孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａとで構成されている。
【００６１】
配線４１は、ベース基板２の空洞部２１の外側に設けられ、空洞部２１の外周に沿うように形成されている。配線４１は、素子片３の第１固定電極指である各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８および各固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に電気的に接続されている。配線４１は、ベース基板２の上面の外周部（蓋部材５の外側の部分）上において、電極４４に電気的に接続されている。配線４１は、電極４４からベース基板２の端部側（蓋部材５とは反対側）に延出していてもよい。
【００６２】
また、配線４２は、配線４１の内側、かつ、ベース基板２の空洞部２１の外側でその外周縁に沿って設けられている。配線４２は、素子片３の第２固定電極指である各固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７および各固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に電気的に接続されている。配線４２は、ベース基板２の上面の外周部（蓋部材５の外側の部分）上において、電極４４に対して間隔を隔てて並ぶように配置された電極４５に電気的に接続されている。配線４２は、電極４５からベース基板２の端部側に延出していてもよい。
【００６３】
配線４３は、ベース基板２上の固定部３１との接合部から、ベース基板２の上面の外周部（蓋部材５の外側の部分）上に延びるように設けられている。配線４３は、素子片３の可動部３３（可動電極部３６，３７）と一体的に形成された固定部３１に電気的に接続されている。配線４３は、固定部３１とは反対側で、ベース基板２の上面の外周部（ベース基板２上の蓋部材５の外側の部分）上において、電極４４，４５に対して間隔を隔てて並ぶように配置された電極４６に電気的に接続されている。配線４３は、電極４６からベース基板２の端部側に延出していてもよい。
【００６４】
配線４１〜４３の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、Ｉｎ3Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６５】
配線４１〜４３の構成材料としては、中でも、透明電極材料（特にＩＴＯ）を用いることが好ましい。配線４１，４２がそれぞれ透明電極材料で構成されていると、ベース基板２が透明基板である場合、ベース基板２の固定電極部３８，３９側の面上に存在する異物等をベース基板２の固定電極部３８，３９とは反対の面側から容易に視認することができる。そのため、高感度な物理量センサー素子として物理量センサー１をより確実に提供することができる。
【００６６】
また、電極４４，４５，４６の構成材料としては、それぞれ、配線４１〜４３と同様、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができる。本実施形態では、電極４４，４５，４６の構成材料として、後述する突起４７１，４７２，４８１，４８２の構成材料と同じものが用いられている。
【００６７】
配線４１がベース基板２の上面に設けられていることにより、配線４１を介して第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量および第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。そして、配線４２がベース基板２の上面に設けられていることにより、配線４２を介して第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量および第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。
【００６８】
本実施形態では、電極４４および電極４６を用いることにより、第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と可動電極部３６との間の静電容量および第１固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。また、電極４５および電極４６を用いることにより、第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と可動電極部３６との間の静電容量および第２固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と可動電極部３７との間の静電容量を測定することができる。
【００６９】
また、図３〜図５に示すように、配線４１，４２は、ベース基板２の上面上（すなわち固定電極部３８，３９側の面上）に設けられているので、固定電極部３８，３９に対する電気的接続およびその位置決めが容易である。そのため、物理量センサー１の信頼性（特に、耐衝撃性および検出精度）を向上させることができる。
【００７０】
また、配線４１および電極４４は、ベース基板２の凹部２２内に設けられ、配線４２および電極４５は、ベース基板２の凹部２３内に設けられ、配線４３および電極４６は、ベース基板２の凹部２４内に設けられている（図５参照）。これにより、配線４１〜４３がベース基板２の板面から上方に突出するのを防止することができる。
【００７１】
これにより、各固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８とベース基板２との接合（固定）を確実なものとしつつ、固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続および固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２との電気的接続を行うことができる。同様に、固定部３１とベース基板２との接合（固定）を確実なものとしつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。ここで、配線４１〜４３の厚さをそれぞれｔとし、凹部２２〜２４の配線４１が設けられた部分の深さをそれぞれｄとしたとき、ｄ＞ｔとなる関係を満たす。
【００７２】
図２に示すように、配線４１上には、導電性を有する複数の突起４８１および複数の突起４８２が設けられている。複数の突起４８１は、複数の第１固定電極指である固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８に対応して設けられ、複数の突起４８２は、複数の第１固定電極指である固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８に対応して設けられている。
【００７３】
そして、複数の突起４８１を介して固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８と配線４１とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４８２を介して固定電極指３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１とが電気的に接続されている。これにより、配線４１と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止しつつ、各固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続を行うことができる。
【００７４】
同様に、配線４２上には、導電性を有する複数の突起４７１および複数の突起４７２が設けられている（図４参照）。複数の突起４７１は、複数の第２固定電極指である固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７に対応して設けられ、複数の突起４７２は、複数の第２固定電極指である固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７に対応して設けられている。
【００７５】
そして、複数の突起４７１を介して固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７と配線４２とが電気的に接続されるとともに、複数の突起４７２を介して固定電極指３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２とが電気的に接続されている。これにより、配線４２と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）を防止しつつ、各固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２との電気的接続を行うことができる。
【００７６】
このような突起４７１，４７２，４８１，４８２の構成材料としては、それぞれ、導電性を有するものであれば、特に限定されず、各種電極材料を用いることができるが、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の金属単体またはこれらを含む合金等の金属が好適に用いられる。このような金属を用いて突起４７１，４７２，４８１，４８２を構成することにより、配線４１，４２と固定電極部３８，３９との間の接点抵抗を小さくすることができる。
【００７７】
また、配線４１〜４３の厚さをそれぞれｔとし、凹部２２〜２４の配線４１が設けられた部分の深さをそれぞれｄとし、突起４７１，４７２，４８１，４８２の高さをそれぞれｈとしたとき、ｄ≒ｔ＋ｈなる関係を満たす。
【００７８】
配線４３上には、導電性を有する突起５０が設けられている（図５参照）。突起５０を介して固定部３１と配線４３とが電気的に接続される。突起５０の構成材料としては、突起４７１，４７２，４８１，４８２と同じ構成材料を用いることができる。
【００７９】
孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは、ベース基板２の蓋部材５に覆われていない領域に設けられている。孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは、ベース基板２の端部側に島状に孤立して、電極４４，４５，４６とそれぞれ対向するように配置されている。孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは、配線４１，４２，４３および電極４４，４５，４６と電気的に絶縁されるとともに、互いに電気的に絶縁されている。
【００８０】
孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは、後述する物理量センサー１の製造工程において、電極４４，４５，４６よりもベース基板２の端部側に延在する配線４１，４２，４３が途中で切断されて、その一部が残留したものである。
【００８１】
なお、配線４１〜４３上には、図示しない絶縁膜が設けられている。この絶縁膜は、導体パターン４と素子片３との不本意な電気的接続（短絡）を防止する機能を有する。この絶縁膜は、各突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０上には形成されず、各突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０の表面が露出している。
【００８２】
この絶縁膜により、配線４１，４２と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）をより確実に防止しつつ、各第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８と配線４１との電気的接続および各第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７と配線４２との電気的接続を行うことができる。また、配線４３と他の部位との不本意な電気的接続（短絡）をより確実に防止しつつ、固定部３１と配線４３との電気的接続を行うことができる。
【００８３】
本実施形態では、絶縁膜が、後述する突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０および電極４４，４５，４６の形成領域を除いて、ベース基板２の上面の略全域に亘って形成されている。なお、絶縁膜の形成領域は、配線４１〜４３を覆うことができれば、これに限定されず、例えば、ベース基板２の上面の素子片３との接合部位や蓋部材５との接合部位を除くような形状をなしていてもよい。
【００８４】
上述したように、配線４１〜４３の厚さをそれぞれｔとし、凹部２２〜２４の配線４１が設けられた部分の深さをそれぞれｄとしたとき、ｄ＞ｔなる関係を満たす。これにより、例えば、固定電極指３９１と配線４１上の絶縁膜との間に隙間が形成されている。図示しないが、この隙間と同様の隙間が他の各固定電極指と配線４１，４２上の絶縁膜との間にも形成されている。このような隙間は、後述する物理量センサー１の製造において、基板１０２と基板１０３との間にも同様に形成され、陽極接合時に生じるガスを排出することができる。
【００８５】
また、図示しないが、蓋部材５と配線４３上の絶縁膜との間にも隙間が形成されている。この隙間と同様の隙間が蓋部材５と配線４１，４２上の絶縁膜との間にも形成されている。これらの隙間により、蓋部材５内を減圧したり、不活性ガスを充填したりすることができる。なお、これらの隙間は、蓋部材５とベース基板２とを接着剤により接合する場合に、接着剤により塞いでもよい。
【００８６】
絶縁膜の構成材料としては、特に限定されず、絶縁性を有する各種材料を用いることができるが、ベース基板２がガラス材料（特に、アルカリ金属イオンが添加されたガラス材料）で構成されている場合、二酸化珪素（ＳｉＯ2）を用いることが好ましい。これにより、前述したような不本意な電気的接続を防止するとともに、ベース基板２の上面の素子片３との接合部位に絶縁膜が存在していても、ベース基板２と素子片３とを陽極接合することができる。
【００８７】
（蓋部材）
蓋部材５は、素子片３を保護する機能を有する。図３〜図５に示すように、蓋部材５は、板状をなし、その一方の面（下面）に凹部５１が設けられている。凹部５１は、素子片３の可動部３３および可動電極部３６，３７等の変位を許容するように形成されている。蓋部材５の構成材料としては、前述したような機能を発揮し得るものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料等を好適に用いることができる。
【００８８】
蓋部材５の下面の凹部５１よりも外側の部分は、ベース基板２の上面に接合されている。本実施形態では、前述した絶縁膜を介してベース基板２と蓋部材５とが接合されている。蓋部材５とベース基板２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、接着剤を用いた接合方法、陽極接合法、直接接合法等を用いることができる。
【００８９】
［物理量センサー装置］
次に、第１実施形態の物理量センサーを備えた物理量センサー装置を説明する。図６は、第１実施形態に係る物理量センサー装置の一例を示す概略断面図である。図６に示すように、本実施形態に係る物理量センサー装置２００は、基板２０１と、物理量センサー１と、電子部品としてのＩＣチップ２０２と、を備えている。
【００９０】
基板２０１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、シリコン材料、ガラス材料、セラミック材料、樹脂材料、ガラス基板、ガラスエポキシ材料等を用いることができる。基板２０１上の物理量センサー１が載置された側の面を上面とし、その反対側の面を下面とする。基板２０１の上面には複数の端子２０７が配置されており、下面には実装端子２０８が配置されている。実装端子２０８は、図示しない内部配線を介して端子２０７に接続されている。
【００９１】
物理量センサー１は、接着層２０３を介して基板２０１の上面に固定されている。ＩＣチップ２０２は、接着層２０４を介して物理量センサー１の上面に固定されている。接着層２０３，２０４としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤（ダイアタッチ剤）等を用いることができる。
【００９２】
ＩＣチップ２０２には、例えば、物理量センサー１を駆動する駆動回路や、物理量センサー１からの信号に基づいて加速度や角速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。ＩＣチップ２０２は、ボンディングワイヤー２０５を介して物理量センサー１の電極４４，４５，４６に電気的に接続されており、ボンディングワイヤー２０６を介して基板２０１の端子２０７に電気的に接続されている。
【００９３】
物理量センサー１とＩＣチップ２０２とは、モールド材２０９によってモールドされている。モールド材２０９としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。なお、モールド材２０９でモールドする代わりに、セラミック材料等により物理量センサー１とＩＣチップ２０２とをパッケージする構成としてもよい。
【００９４】
［物理量センサーの製造方法］
次に、第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する。なお、以下では、上述した物理量センサー１を製造する場合の一例を説明する。
【００９５】
図７〜図２２は、第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法を説明する図である。図７〜図９、図１３〜図１６、および図１８、図２１は、図２中のＡ−Ａ’線断面図に対応する断面を示している。図１０は、図２中のＢ−Ｂ’線断面図に対応する断面を示している。図１１、図１２、図１７、図１９、図２０、図２２は、図２に対応する平面を示している。以下では、ベース基板２がアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成され、かつ、素子片３がシリコンで構成されている場合を例に説明する。
【００９６】
なお、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法では、ベース基板２、素子片３、および蓋部材５は、それぞれ複数枚取りできる母材（所謂マザー基板）で加工がおこなわれる。そして、最終的に母材から切り出して個片化することにより複数の物理量センサー１が得られる。
【００９７】
［１］ベース基板製造工程
まず、図７に示すように、第１基板としての基板１０２を用意する。基板１０２は、ベース基板２を複数枚取りできる母材である。基板１０２は、アルカリ金属を含むガラス材料で構成されている。続いて、図８に示すように、基板１０２の上面をエッチングすることにより、ベース基板２となる領域毎に、空洞部２１と凹部２２，２３とを形成する。このとき、図８には図示しないが、上記エッチングにより凹部２４（図５参照）も形成する。
【００９８】
空洞部２１および凹部２２〜２４の形成方法（エッチング方法）としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング、等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、以下の各工程におけるエッチングにおいても、同様の方法を用いることができる。
【００９９】
上述したようなエッチングに際しては、例えば、フォトリソグラフィー法により形成されたマスクを好適に用いることができる。また、マスク形成、エッチング、マスク除去を複数回繰り返し、空洞部２１と凹部２２〜２４とを順に形成することができる。そして、このマスクは、エッチング後に、除去される。マスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液等を用いることができる。なお、マスクとして、例えば、グレースケールマスクを用いることにより、空洞部２１と凹部２２〜２４（深さの異なる複数の凹部）とを一括形成してもよい。
【０１００】
［２］導体パターン形成工程
次に、基板１０２の上面上に、導体パターン４を形成する。導体パターン４の形成に際しては、まず、図９に示すように、凹部２２内に配線４１（第１配線）を形成するとともに、凹部２３内に配線４２（第１配線）を形成する。このとき、図９では図示しないが、凹部２４内に配線４３（第２配線）を形成するとともに、基板１０２の上面上に共有配線４７を形成する（図１１参照）。
【０１０１】
図１１は、導体パターン４が形成された基板１０２の平面図である。図１１に２点鎖線で示す範囲が、後の個片化工程で切り出されてベース基板２となる領域（すなわち、物理量センサー１となる領域）である。図１１に示すように、配線４１，４２，４３は、ベース基板２となる領域毎に形成される。共有配線４７は、基板１０２上のベース基板２となる領域の外に、複数のベース基板２となる領域に亘って形成される。共有配線４７は、基板１０２上に複数形成される。なお、これらの複数の共有配線４７は、互いに電気的に接続されていてもよい。
【０１０２】
ベース基板２となる領域毎に形成された配線４１，４２，４３は、ベース基板２となる領域の外まで延在しており、共有配線４７に接続されている。共有配線４７には、基板１０２上に配置された（１枚の基板１０２から切り出される）複数のベース基板２の配線４１，４２，４３が電気的に接続されている。したがって、共有配線４７に接続されたすべてのベース基板２の配線４１，４２，４３が共有配線４７と同電位となっている。
【０１０３】
配線４１，４２，４３および共有配線４７の形成方法（成膜方法）としては、特に限定されないが、例えば、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、薄膜の接合等が挙げられる。なお、以下の各工程における成膜においても、同様の方法を用いることができる。
【０１０４】
続いて、配線４１，４２，４３上に、電極４４，４５，４６と突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０とを形成（成膜）する。図１０に示す図２中のＢ−Ｂ’線断面図に対応する断面においては、配線４２上に複数の突起４７１，４７２を形成する。このとき、図１２に示すように、配線４２上には、複数の突起４７１，４７２とともに、電極４５を形成する。また、配線４１上に、複数の突起４８１，４８２および電極４４を形成する。そして、配線４３上に突起５０および電極４６を形成する。
【０１０５】
その後、図示しないが、導体パターン４を覆うように、基板１０２の上面に絶縁膜を形成（成膜）する。そして、形成した絶縁膜のうち電極４４，４５，４６および突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０に対応する部分を除去する。これにより、電極４４，４５，４６を露出するとともに、各突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０が露出する絶縁膜が得られる。
【０１０６】
［３］接合工程（第２基板載置工程）
次に、図１３に示すように、第２基板としての基板１０３を用意し、基板１０２の上面に載置する。基板１０３は、基板１０２から得られるベース基板２のそれぞれに対応して素子片３を複数枚取りできる母材である。本実施形態では、基板１０３はシリコン基板である。基板１０３の厚さは、例えば、素子片３の厚さよりも厚くなっている。これにより、製造工程における基板１０３の取り扱い性を向上させることができる。
【０１０７】
続いて、図示しない絶縁膜を介して基板１０３を基板１０２に陽極接合法により接合する。これにより、基板１０３と、絶縁膜から露出する各突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０（図１２参照）とが接続される。したがって、基板１０３は、各突起４７１，４７２，４８１，４８２，５０を介して、配線４１，４２，４３に電気的に接続される。
【０１０８】
そして、図１４に示すように、基板１０３をその上面側から薄肉化する。この薄肉化は、基板１０３の厚さが素子片３の厚さと同じになるように行われる。基板１０３を薄肉化する方法は、特に限定されないが、例えば、ＣＭＰ法、ドライポリッシュ法を好適に用いることができる。なお、基板１０２に載置する際の基板１０３の厚さが素子片３の厚さと同じであってもよい。この場合、前述の薄肉化の工程を省略することができる。
【０１０９】
［４］素子片形成工程（エッチング工程）
次に、図１５に示すように、基板１０３をエッチングすることにより、素子片３を形成する。これにより、図１７に示すように、ベース基板２毎に（すなわち、物理量センサー１毎に）一体的に形成された固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、および可動電極部３６，３７と、これらと分離された状態で形成された固定電極部３８，３９と、を備えた素子片３が得られる。
【０１１０】
一体的に形成された固定部３１，３２、可動部３３、連結部３４，３５、および可動電極部３６，３７は、固定部３１と接続された突起５０を介して配線４３に電気的に接続される。固定電極部３８，３９のうち、第１固定電極指（図２に示す３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８）は、突起４８１，４８２を介して配線４１に電気的に接続され、第２固定電極指（図２に示す３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７）は、突起４７１，４７２を介して配線４２に電気的に接続される。
【０１１１】
エッチング方法としては、特に限定されないが、例えば、プラズマエッチング、ビームエッチング、等の物理的エッチング法、リアクティブイオンエッチング、光アシストエッチング、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらエッチング方法の中でも、加工精度の観点から、リアクティブイオンエッチングを好適に用いることができる。
【０１１２】
ここで、導体パターンが共有配線４７を有していない場合、すなわち、配線４１，４２，４３が互いに電気的に接続されていない場合を想定する。図１６に示す基板３０２では、配線４１，４２および配線４３（図１６には図示しない）は、互いに電気的に絶縁されている。上述した接合工程において、このような基板３０２に基板１０３を陽極接合法により接合すると、接合時に発生する静電気により基板３０２が帯電する。
【０１１３】
また、エッチング工程において、リアクティブイオンエッチングを用いる場合、基板１０３からエッチングにより可動部３３と固定電極部３８，３９（各固定電極指３８１〜３８８，３９１〜３９８）とが分離された素子片３が形成される際に、可動部３３と固定電極部３８，３９との隙間を介してプラズマが基板３０２に照射されて基板３０２が帯電する。
【０１１４】
基板３０２が帯電すると、エッチングにより形成された素子片３の可動部３３と基板３０２とが電気的に絶縁されているため、可動部３３と基板３０２との間に電位差が生じることとなる。この電位差によって、図１６に示すように、可動部３３が基板３０２に引き付けられて空洞部２１の底面に接触し、可動部３３（可動電極部３６，３７）が基板３０２（空洞部２１の底面）に貼り付く貼り付き（所謂スティッキング）が発生することがあった。
【０１１５】
これに対して、本実施形態では、図１７に示すように、可動部３３（可動電極部３６，３７）と一体的に形成された固定部３１が、突起５０を介して配線４３に電気的に接続されている。また、固定電極部３８，３９は、突起４７１，４７２，４８１，４８２を介して、配線４１，４２に電気的に接続されている。そして、配線４１，４２，４３は、共有配線４７に電気的に接続されている。
【０１１６】
したがって、形成された素子片３の固定電極部３８，３９と、固定電極部３８，３９から分離された可動部３３（可動電極部３６，３７）と、基板１０２上に配置された共有配線４７とが同電位となる。これにより、基板１０２の帯電が抑えられるので、可動部３３（可動電極部３６，３７）の基板１０２への貼り付きの発生を抑止することができる。
【０１１７】
［５］蓋部配設工程
次に、図１８に示すように、基板１０２の上面に蓋部材１０５を陽極接合法により接合する。蓋部材１０５は、蓋部材５（図３〜図５参照）を複数枚取りできる母材である。図１９に示すように、蓋部材１０５には、ベース基板２毎に（すなわち、物理量センサー１毎に）複数の凹部５１が形成されており、各凹部５１が各空洞部２１と各素子片３とに対応するように配置される。これにより、基板１０２と蓋部材１０５とが素子片３を収容するようにして接合された接合体１０１が得られる。
【０１１８】
この蓋部配設工程においても、従来の物理量センサーの製造方法では、基板３０２と蓋部材１０５とを接合する際に発生する静電気により基板３０２が帯電し、可動部３３が基板３０２に引き付けられて貼り付きが発生する場合があった。これに対して、本実施形態では、蓋部配設工程においても、素子片３の固定電極部３８，３９および可動部３３（可動電極部３６，３７）と、基板１０２上に配置された共有配線４７とが同電位となり基板１０２の帯電が抑えられるので、可動部３３（可動電極部３６，３７）の貼り付きの発生を抑止することができる。
【０１１９】
［６］分断工程（配線切断工程）
次に、図１９に示すように、接合体１０１の状態において配線４１，４２，４３を共有配線４７から分断する。分断工程では、配線４１，４２，４３のうち、電極４４，４５，４６から共有配線４７側に延出する部分を、図１９に示す切断ライン９２に沿って切断する。切断方法としては、例えば、レーザー光（レーザーパターニング）を用いる方法があげられる。レーザーパターニングを用いることで、基板１０２からの粉塵の発生を抑えて配線４１，４２，４３を選択的に切断することができる。また、レーザーパターニングを用いることで、所望の切断位置で精度良く配線４１，４２，４３を切断することができる。
【０１２０】
なお、本実施形態では、蓋部配設工程で基板１０２の上面に素子片３を覆う蓋部材１０５を接合した後で分断工程を行うので、分断工程において素子片３が損傷を受けないよう保護できる。また、分断工程において塵埃等が発生した場合でも、塵埃等が素子片３に付着することを抑止できる。
【０１２１】
図２０は、配線４１，４２，４３が切断された状態を示す平面図である。図２０に示すように、配線４１，４２，４３は、電極４４，４５，４６と共有配線４７との間で切断されて、共有配線４７から分断される。したがって、各ベース基板２において、配線４１，４２，４３は互いに電気的に絶縁される。また、図１９に示す配線４１，４２，４３のうち、切断ライン９２よりも共有配線４７側の部分４１ｂ，４２ｂ，４３ｂが残留する。なお、配線４１，４２，４３のうち、電極４４，４５，４６から共有配線４７側に延出する部分の一部が残留していてもよい。
【０１２２】
これにより、ベース基板２毎に（すなわち、物理量センサー１毎に）、配線４３に電気的に接続された可動電極部３６，３７と、配線４１に電気的に接続された第１固定電極指３８２，３８４，３８６，３８８，３９２，３９４，３９６，３９８（図２参照）と、配線４２に電気的に接続された第２固定電極指３８１，３８３，３８５，３８７，３９１，３９３，３９５，３９７（図２参照）とが互いに電気的に絶縁される。
【０１２３】
［７］検査工程
次に、図示を省略するが、接合体１０１の状態において、ベース基板２（すなわち、各物理量センサー１）毎に素子片３の検査を行う。ここでの検査としては、電気的特性の検査等があげられる。例えば、検査装置により電極４４，４５，４６に検査用駆動信号を印加し、素子片３の可動電極部３６と固定電極部３８との間の静電容量の変化量、および、可動電極部３７と固定電極部３９との間の静電容量の変化量を検出すること等により、物理量センサーとして正常に動作するか否かを判定する。
【０１２４】
本実施形態では、接合体１０１に含まれる各物理量センサー１において、先に分断工程で配線４１，４２，４３が共有配線４７から分断されて互いに電気的に絶縁されているので、複数の物理量センサー１が配列された接合体１０１の状態で物理量センサー１毎の検査を行うことができる。そのため、接合体１０１から個片化した後に物理量センサー１毎に検査を行う場合と比べて、検査装置へのセット等の検査時の取り扱いが容易であり、検査の自動化も容易となる。検査工程において正常に動作しないものが検出された場合は、対象となる物理量センサー１が特定されて検査装置に記憶される。
【０１２５】
［８］個片化工程
次に、接合体１０１を個片化（ダイシング）する。図２１に示すように、蓋部材１０５と基板１０２とをスクライブライン（ダイシング溝）９４に沿って切断し、接合体１０１を個片化して、物理量センサー１を得る。
【０１２６】
図２２に示すように、スクライブライン９４は、共有配線４７と、分断工程において配線４１，４２，４３のうち残留した部分４１ｂ，４２ｂ，４３ｂの一部と平面視で重なるように設定される。したがって、ダイシングにより共有配線４７と配線４１，４２，４３のうち残留した部分４１ｂ，４２ｂ，４３ｂの一部とが除去されて、個片化された物理量センサー１のベース基板２の領域内には、残留した部分４１ｂ，４２ｂ，４３ｂのうち除去されなかった部分が孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａとして残留する。
【０１２７】
なお、スクライブライン９４を、分断工程において配線４１，４２，４３のうち残留した部分４１ｂ，４２ｂ，４３ｂの全体と平面視で重なるように設定してもよい。換言すれば、スクライブライン９４を、分断工程における切断ライン９２（図１９参照）の少なくとも一部と重なるように設定してもよい。この場合、個片化された物理量センサー１のベース基板２の領域内に孤立パターン４１ａ，４２ａ，４３ａは残留しない。
【０１２８】
本実施形態に係る物理量センサーの製造方法によれば、個片化工程の前に各物理量センサー１の検査を行っているので、接合体１０１から個片化された各物理量センサー１について、検査工程において正常に動作すると判定されたものと正常に動作しないと判定されたものとを選別することができる。すなわち、検査工程において正常に動作しないと判定された物理量センサー１については、後の物理量センサー装置の製造工程における加工の対象から除外することができる。
【０１２９】
［物理量センサー装置の製造方法］
続いて、第１実施形態に係る物理量センサー装置２００の製造方法を図６を参照して説明する。図６に示すように、上面に複数の端子２０７が配置され、下面に実装端子２０８が配置された基板２０１を用意する。そして、基板２０１の上面に接着層２０３を介して上述の製造方法で製造した物理量センサー１を固定し、物理量センサー１の上面に接着層２０４を介してＩＣチップ２０２を固定する。
【０１３０】
続いて、ＩＣチップ２０２を、ボンディングワイヤー２０５を介して物理量センサー１の電極４４，４５，４６に電気的に接続するとともに、ボンディングワイヤー２０６を介して基板２０１の端子２０７に電気的に接続する工程を行う。そして、物理量センサー１とＩＣチップ２０２とをモールド材２０９によってモールドする工程を行う。これにより、物理量センサー装置２００を得る。なお、モールド材２０９でモールドする代わりに、セラミック材料等により物理量センサー１とＩＣチップ２０２とをパッケージしてもよい。
【０１３１】
ところで、特許文献１に記載の物理量センサーでは、物理量センサーが個片化された時点では正常に動作するか否かの検査が行われていないため、個片化工程の後で検査を行う必要がある。物理量センサー装置になった状態で検査を行う場合は、正常に動作しない物理量センサーも対象として物理量センサーと電子部品とが固定されボンディングワイヤーを介して電気的に接続されてモールドされるため、物理量センサー装置の製造歩留まりの低下や生産コストの増大を招くおそれがある。また、物理量センサー装置を製造する前に、個片化された状態の物理量センサーに対して個別に検査を行う場合は、検査時の取り扱いが煩雑となり工数が増大するおそれがある。
【０１３２】
本実施形態では、個片化する前に接合体１０１の状態で物理量センサー１の検査を行うので、検査時の取り扱いが容易であり、正常に動作しないと判定された物理量センサー１を個片化された時点で除外することができる。そのため、特許文献１に記載の物理量センサーの製造方法と比べて、検査工程において正常に動作すると判定された物理量センサー１を対象として物理量センサー装置２００を製造することができるので、物理量センサー装置２００の製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。
【０１３３】
次に、本実施形態に係る物理量センサー１を適用した電子機器や移動体の例を説明する。図２３、図２４、および図２５は、本実施形態に係る物理量センサーを適用した電子機器の例を模式的に示す概略図である。図２６は、本実施形態に係る物理量センサーを適用した移動体の例を模式的に示す概略図である。
【０１３４】
［電子機器］
図２３に示すように、電子機器の一例としてのパーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とを備えている。表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。パーソナルコンピューター１１００には、上記実施形態の物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３５】
図２４に示すように、電子機器の一例としての携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２と、受話口１２０４および送話口１２０６とを備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。携帯電話機１２００には、上記実施形態の物理量センサー１が内蔵されている。
【０１３６】
図２５に示すように、電子機器の一例としてのデジタルスチルカメラ１３００は、ケース（ボディー）１３０２と、受光ユニット１３０４と、表示部１３１０とを備えている。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラが被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１３７】
受光ユニット１３０４は、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）に設けられ、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含んでいる。表示部１３１０は、ケース１３０２の背面に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１３８】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。
【０１３９】
ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。デジタルスチルカメラ１３００には、上記実施形態の物理量センサー１が内蔵されている。
【０１４０】
なお、上記実施形態の物理量センサー１は、上記の電子機器の他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどの電子機器に適用することができる。
【０１４１】
［移動体］
図２６に示すように、移動体の一例としての自動車１５００は車体１５０２とタイヤ１５０６とを備え、タイヤ１５０６などを制御する電子制御ユニット１５０４が車体１５０２に搭載されている。電子制御ユニット１５０４には、上記実施形態の物理量センサー１が内蔵されている。
【０１４２】
なお、上記実施形態の物理量センサー１は、上記の移動体の他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、などの電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に適用することができる。
【０１４３】
＜第２実施形態＞
［物理量センサー］
次に、第２実施形態に係る物理量センサーを説明する。第２実施形態に係る物理量センサーは、第１実施形態に係る物理量センサーの構成に対して、素子片の構成が異なる点、および、それに伴い導体パターン等一部の構成が異なる点以外はほぼ同様の構成を有している。ここでは、第１実施形態に対する相違点を説明し、第１実施形態と共通する構成要素については同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１４４】
図２７は、第２実施形態に係る物理量センサーの平面図である。図２７に示すように、第２実施形態に係る物理量センサー６は、ベース基板２Ａと、ベース基板２Ａに接合・支持された素子片７と、ベース基板２Ａ上に設けられた導体パターン４Ａと、素子片７を覆うように設けられた蓋部材５とを有する。物理量センサー６は、Ｚ軸方向（鉛直方向）の加速度を測定できる加速度センサーである。なお、図２７では、蓋部材５を透視している。
【０１４５】
ベース基板２Ａは、第１実施形態と同様に、その上面に空洞部２１が設けられている。素子片７は、ベース基板２Ａの上方に設けられている。素子片７は、可動部７３と、可動部７３を揺動可能に支持する連結部７４，７５と、連結部７４，７５を支持する支持部７１，７２と、を有する。そして、可動部７３が、連結部７４，７５を軸として、連結部７４，７５を捩り変形させつつ、支持部７１，７２に対してシーソー揺動可能となっている。
【０１４６】
可動部７３は、Ｘ方向に延びる長手形状をなし、連結部７４，７５よりも−Ｘ方向（一方）側が第１可動部７３１となっており、連結部７４，７５よりも＋Ｘ方向（他方）側が第２可動部７３２となっている。また、第２可動部７３２は、第１可動部７３１よりもＸ軸方向に長く、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わったときの回転モーメントが第１可動部７３１よりも大きくなっている。この回転モーメントの差によって、鉛直方向の加速度が加わると、可動部７３が軸となる連結部７４，７５まわりにシーソー揺動する。
【０１４７】
なお、第１、第２可動部７３１，７３２の形状としては、互いに異なる回転モーメントを有していれば、特に限定されず、例えば、平面視での形状が同じであって、厚みが異なっていてもよい。また、同じ形状であって、いずれか一方に錘部が配置されていてもよい。また、シーソー揺動時の抵抗を低減するために、第１、第２可動部７３１，７３２にスリット（厚さ方向に貫通する貫通孔）を形成してもよい。
【０１４８】
可動部７３の下面（空洞部２１の底面と対向する面）には、図示しない導電膜が設けられている。この導電膜は、可動部７３に電気的に接続されており可動部７３と同電位となっている。本実施形態では、可動部７３が可動電極部である。この導電膜は、例えば、Ｐｔ（白金）で構成されている。導電膜の構成材料としては、他にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等、Ｐｔ以外の金属材料（合金も含む）や、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、Ｉｎ3Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物系導電材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４９】
支持部７１，７２は、可動部７３を挟んだ両側に配置されており、ベース基板２Ａの上面に接合されている。また、連結部７４，７５は、Ｙ軸に沿って延在し、連結部７４が支持部７１と可動部７３とを連結し、連結部７５が支持部７２と可動部７３とを連結している。なお、支持部７１，７２や連結部７４，７５の構成としては、可動部７３をシーソー揺動させることができれば、特に限定されない。
【０１５０】
第２実施形態に係る素子片７も、第１実施形態と同様に、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。このような構成によれば、素子片７の各部分をエッチングにより高精度に加工することができる。
【０１５１】
導体パターン４Ａは、第１検出電極４１１と、第２検出電極４２１と、ダミー電極４３１と、配線４１２，４２２，４３２と、電極（端子）４１３，４２３，４３３と、孤立パターン４１２ａ，４２２ａ，４３２ａとを有する。第１検出電極４１１と第２検出電極４２１とは、本実施形態における固定電極部である。配線４１２，４２２は、本実施形態における第１配線である。また、配線４３２は、本実施形態における第２配線である。
【０１５２】
第１検出電極４１１と第２検出電極４２１とは空洞部２１の底面に設けられている。第１検出電極４１１は、第１可動部７３１と対向して配置されており、これにより、第１検出電極４１１と第１可動部７３１との間に静電容量が形成される。第２検出電極４２１は、第２可動部７３２と対向して配置されており、これにより、第２検出電極４２１と第２可動部７３２との間に静電容量が形成される。これら第１、第２検出電極４１１，４２１は、Ｚ軸方向から見た平面視にて、連結部７４，７５に対して対称的に配置され、加速度が加わらない状態でのそれぞれの静電容量の大きさが互いにほぼ等しくなっている。
【０１５３】
ダミー電極４３１は、空洞部２１の底面のうち、第１、第２検出電極４１１，４２１が配置されていない領域に広がって配置されている。ダミー電極４３１は、可動部７３と同電位となっており、これにより、素子片７となるシリコン基板（図１３に示す基板１０３）とベース基板２Ａ（図１３に示す基板１０２）とを陽極接合する際に、基板１０２の帯電を抑えることができる。これにより、シリコン基板から形成された可動部７３のベース基板２Ａへの貼り付きを効果的に抑制することができる。
【０１５４】
第１配線としての配線４１２は、第１検出電極４１１に電気的に接続されている。第１配線としての配線４２２は、第２検出電極４２１に電気的に接続されている。第２配線としての配線４３２は、ダミー電極４３１に電気的に接続されると共に導電性のバンプを介して素子片７（可動部７３）に電気的に接続されている。電極４１３は配線４１２に電気的に接続され、電極４２３は配線４２２に電気的に接続され、電極４３３は配線４３２に電気的に接続されている。
【０１５５】
また、電極４１３，４２３，４３３は、ベース基板２Ａの上面の外周部（ベース基板２Ａ上の蓋部材５の外側の部分）に配置されており、外部機器との電気的な接続が可能となっている。孤立パターン４１２ａ，４２２ａ，４３２ａは、蓋部材５に覆われていないベース基板２Ａ上に、それぞれ電極４１３，４２３，４３３と対向するように配置されている。
【０１５６】
第２実施形態に係る物理量センサー６では、次のようにして鉛直方向の加速度を検知することができる。物理量センサー６に鉛直方向の加速度が加わっていない場合、可動部７３は、水平状態を維持している。そして、物理量センサー６に鉛直方向上向き（＋Ｚ軸方向）の加速度Ｇ１が加わると、可動部７３は、連結部７４，７５を軸として時計回りにシーソー揺動する。反対に、物理量センサー６に鉛直方向下向き（−Ｚ軸方向）の加速度Ｇ２が加わると、可動部７３は、連結部７４，７５を軸として反時計回りにシーソー揺動する。
【０１５７】
このような可動部７３のシーソー揺動によって、第１可動部７３１と第１検出電極４１１との離間距離、および、第２可動部７３２と第２検出電極４２１との離間距離が変化し、これに応じて第１可動部７３１と第１検出電極４１１との間の静電容量の大きさと、第２可動部７３２と第２検出電極４２１と間の静電容量の大きさとが変化する。これにより、双方の静電容量の大きさの差に基づいて（差動検出方式により）、加速度の大きさや向きを検出することができる。特に、差動検出方式を用いることで、より精度よく加速度を検出することができる。
【０１５８】
［物理量センサーの製造方法］
第２実施形態に係る物理量センサー６も、第１実施形態に係る物理量センサーの製造方法と同様の製造方法で製造されるので、各工程の説明は省略する。
【０１５９】
図示を省略するが、第２実施形態に係る物理量センサー６においても、導体パターン形成工程において基板１０２の上面上に導体パターン４Ａを形成する際に、第１実施形態と同様に共有配線４７（図１１参照）が形成される。そして、配線４１２，４２２，４３２は、ベース基板２Ａとなる領域の外まで延在して共有配線４７に接続するように形成される。したがって、分断工程で切断されるまでは、配線４１２，４２２，４３２は、共有配線４７に電気的に接続されている。すなわち、素子片７の可動部７３は、ダミー電極４３１だけでなく、ベース基板２Ａ上に設けられた第１検出電極４１１、第２検出電極４２１、および共有配線４７とも同電位となる。
【０１６０】
配線４１２，４２２，４３２は、分断工程において電極４１３，４２３，４３３と共有配線４７との間で切断されて、共有配線４７から分断される。これにより、配線４１２，４２２，４３２は互いに電気的に絶縁され、孤立パターン４１２ａ，４２２ａ，４３２ａが残留する。
【０１６１】
第２実施形態に係る物理量センサー６においても、接合工程、エッチング工程、および蓋部配設工程において、基板１０２に形成された第１検出電極４１１、第２検出電極４２１、およびダミー電極４３１と、これらの電極に対向配置される可動部７３と、が同電位となり基板１０２の帯電が抑えられるので、可動部７３の貼り付きの発生を抑止することができる。
【０１６２】
また、分断工程において配線４１２，４２２，４３２が互いに電気的に絶縁されるので、物理量センサー６に個片化する前に、検査工程において正常に動作すると判定されたものと正常に動作しないと判定されたものとを選別することができる。そのため、検査工程において正常に動作すると判定された物理量センサー６を用いて物理量センサー装置を製造することができるので、物理量センサー装置の製造歩留まりの向上および生産コストの低減を図ることができる。
【０１６３】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形および応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１６４】
（変形例１）、
可動部や固定電極部の構成は上記実施形態に限定されない。例えば、固定電極部は、櫛歯状をなすように並ぶ複数の固定電極指の少なくとも１つの固定電極指がその他の固定電極指に対してベース基板上で分離していれば、第１実施形態と異なる形態であってもよい。また、固定電極部の複数の固定電極指と、これに噛み合うように設けられた可動電極部の複数の可動電極指との本数、配置および大きさ等の形態が第１実施形態と異なっていてもよい。さらに、可動部をＹ軸方向に変位させるように構成してもよいし、可動部をＸ軸に平行な軸線まわりに回動させるように構成してもよい。この場合、可動電極指と固定電極指との対向面積の変化による静電容量変化に基づいて物理量を検出すればよい。
【０１６５】
（変形例２）
上記実施形態では、分断工程において配線４１，４２，４３または配線４１２，４２２，４３２をレーザー光で切断することとしたが、このような形態に限定されない。分断工程において配線４１，４２，４３または配線４１２，４２２，４３２をハーフダイシングにより切断することとしてもよい。ハーフダイシングでは、基板１０２の厚さ方向の途中まで切り込みを入れることにより、配線４１，４２，４３または配線４１２，４２２，４３２を切断することができる。また、分断工程においてハーフダイシングにより塵埃等が発生した場合でも、塵埃等が素子片３，７に付着することを抑止できる。
【符号の説明】
【０１６６】
１…物理量センサー、２，２Ａ…ベース基板、５…蓋部材、６…物理量センサー、３３…可動部、３６…可動電極部、３７…可動電極部、３８…固定電極部、３９…固定電極部、４１…配線（第１配線）、４２…配線（第１配線）、４３…配線（第２配線）、４７…共有配線、７３…可動部、１０２…基板（第１基板）、１０３…基板（第２基板）、２００…物理量センサー装置、２０２…ＩＣチップ（電子部品）、４１１…第１検出電極（固定電極部）、４１２…配線（第１配線）、４２１…第２検出電極（固定電極部）、４２２…配線（第１配線）、４３２…配線（第２配線）。
【図１】
2019052989.tif 000003
【図２】
2019052989.tif 000004
【図３】
2019052989.tif 000005
【図４】
2019052989.tif 000006
【図５】
2019052989.tif 000007
【図６】
2019052989.tif 000008
【図７】
2019052989.tif 000009
【図８】
2019052989.tif 000010
【図９】
2019052989.tif 000011
【図１０】
2019052989.tif 000012
【図１１】
2019052989.tif 000013
【図１２】
2019052989.tif 000014
【図１３】
2019052989.tif 000015
【図１４】
2019052989.tif 000016
【図１５】
2019052989.tif 000017
【図１６】
2019052989.tif 000018
【図１７】
2019052989.tif 000019
【図１８】
2019052989.tif 000020
【図１９】
2019052989.tif 000021
【図２０】
2019052989.tif 000022
【図２１】
2019052989.tif 000023
【図２２】
2019052989.tif 000024
【図２３】
2019052989.tif 000025
【図２４】
2019052989.tif 000026
【図２５】
2019052989.tif 000027
【図２６】
2019052989.tif 000028
【図２７】
2019052989.tif 000029