(57)【要約】【課題】デバイスやデバイスチップを損傷させるおそれを低減する。【解決手段】交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれ形成されたデバイスとを有したウエーハと、該ウエーハの裏面に形成されたＤＡＦと、を備えたＤＡＦ付きウエーハの加工方法であって、ＤＡＦ付きウエーハのウエーハ側にダイシングテープを貼着してＤＡＦを露出させるテープ貼着ステップＳ１と、ＤＡＦ付きウエーハの外周のＤＡＦを除去して該ウエーハの該裏面を露出させた露出部を形成する接着剤層除去ステップＳ２と、該ウエーハを透過する赤外線カメラからなる第２撮像手段を用いて該露出部を介して分割予定ラインを検出するストリート検出ステップＳ３と、検出した該分割予定ラインに沿って、ＤＡＦ付きウエーハのＤＡＦから切削ブレードでＤＡＦ付きウエーハを切削する切削ステップＳ４と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数のストリートと該ストリートで区画された表面の各領域にそれぞれ形成されたデバイスとを有したウエーハと、該ウエーハの裏面に形成された接着剤層と、を備えた被加工物の加工方法であって、
被加工物の該表面側にテープを貼着して該接着剤層を露出させるテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、被加工物の外周の該接着剤層を除去して該ウエーハの該裏面を露出させた露出部を形成する接着剤層除去ステップと、
該接着剤層除去ステップを実施した後、該ウエーハを透過する赤外線カメラを用いて該露出部を介してストリートを検出するストリート検出ステップと、
該ストリート検出ステップを実施した後、検出した該ストリートに沿って被加工物の裏面から切削ブレードで被加工物を切削する切削ステップと、
を備えた被加工物の加工方法。
【請求項２】
表面に交差する複数のストリートと該ストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を有したウエーハと、少なくとも該デバイス領域に対応した該ウエーハの裏面に形成されウエーハのサイズより小さいサイズを有した接着剤層と、を備えた被加工物の加工方法であって、
被加工物の該表面側にテープを貼着して該接着剤層を露出させる、テープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップを実施した後、該ウエーハを透過する赤外線カメラを用いて該接着剤層の外周で該ウエーハの裏面が露出した領域を介してストリートを検出するストリート検出ステップと、
該ストリート検出ステップを実施した後、検出した該ストリートに沿って被加工物の裏面から切削ブレードで被加工物を切削する切削ステップと、
を備えた被加工物の加工方法。
【請求項３】
該切削ステップは、第１の切削ブレードで該ウエーハに至る深さに切り込むことで該接着剤層を分断するとともに該ウエーハの表面側に切り残し部を形成する第１切削ステップと、
該第１切削ステップを実施した後、該第１の切削ブレードよりも刃厚の薄い第２の切削ブレードを該テープに至る深さに切り込ませつつ該ストリートに沿って該切り残し部を切削する第２切削ステップと、
を備えた、請求項１または２に記載の被加工物の加工方法。
【請求項４】
該第２切削ステップで用いられる該第２の切削ブレードは、該第１の切削ブレードが含む砥粒よりも細かい砥粒を含む、請求項３に記載の被加工物の加工方法。
【請求項５】
該接着剤層は、金属粒子と樹脂とからなる、請求項１から４のいずれか一項に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面に接着剤層が形成された被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体ウエーハの裏面にダイアタッチフィルム（Die  Attach  Film：ＤＡＦ）と呼ばれるダイボンディング用の接着剤層が形成された接着剤層付きのウエーハ（被加工物）が知られている。この種の被加工物の切削時には、一般に基材と基材上に形成された糊層とからなるテープに、被加工物の接着剤層側を貼着し、テープに至る深さに切削ブレードを切り込ませて被加工物を切削して接着剤層付きの半導体デバイスが形成される（例えば、特許文献１参照）。一方、電力用半導体デバイスや車載用半導体デバイスは半田によって基板に実装される。近年、鉛の使用が規制されはじめたことにより、例えば、銀等の金属粒子を混入させた導電性接着剤層としてのダイアタッチフィルムも使用され始めている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０６３０６０号公報
【特許文献２】特開２０１７−００２１８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記した接着剤層は、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等の延性を有する樹脂材料（延性材）で形成されている。このため、延性を有する接着剤層を切削ブレードで切削すると、切削ブレードの回転に伴って接着剤層が引き延ばされてウエーハとの界面にクラックが生じることがある。クラックが生じると、接着剤層が剥離したり、クラックが伸長してデバイスを損傷させる問題が生じるおそれもある。特に、接着剤層が、延性を有する樹脂材料中に同じく延性を有する金属粒子（延性材）が混入された導電性接着剤層の場合には、上記した問題が顕著に生じることが想定される。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、デバイスやデバイスチップを損傷させるおそれを低減しうる被加工物の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、交差する複数のストリートと該ストリートで区画された表面の各領域にそれぞれ形成されたデバイスとを有したウエーハと、該ウエーハの裏面に形成された接着剤層と、を備えた被加工物の加工方法であって、被加工物の該表面側にテープを貼着して該接着剤層を露出させるテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、被加工物の外周の該接着剤層を除去して該ウエーハの該裏面を露出させた露出部を形成する接着剤層除去ステップと、該接着剤層除去ステップを実施した後、該ウエーハを透過する赤外線カメラを用いて該露出部を介してストリートを検出するストリート検出ステップと、該ストリート検出ステップを実施した後、検出した該ストリートに沿って被加工物の裏面から切削ブレードで被加工物を切削する切削ステップと、を備えたものである。
【０００７】
この構成によれば、被加工物の裏面側の接着剤層を上にした状態で該接着剤層から切削ブレードで被加工物を切削するため、この接着剤層はウエーハによって支持されることにより、切削ブレードの回転に伴って接着剤層が引き延ばされ難く、ウエーハへのクラックの発生を抑えることができる。このため、デバイスやデバイスチップの損傷のおそれを低減することができる。また、被加工物の外周の該接着剤層を除去して該ウエーハの該裏面を露出させた露出部を形成する接着剤層除去ステップを備えるため、ストリート検出ステップにおいて、赤外線カメラを用いて露出部を透過することによりストリートを容易に検出することができる。
【０００８】
また、本発明は、表面に交差する複数のストリートと該ストリートで区画された各領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を有したウエーハと、少なくとも該デバイス領域に対応した該ウエーハの裏面に形成されウエーハのサイズより小さいサイズを有した接着剤層と、を備えた被加工物の加工方法であって、被加工物の該表面側にテープを貼着して該接着剤層を露出させる、テープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップを実施した後、該ウエーハを透過する赤外線カメラを用いて該接着剤層の外周で該ウエーハの裏面が露出した領域を介してストリートを検出するストリート検出ステップと、該ストリート検出ステップを実施した後、検出した該ストリートに沿って被加工物の裏面から切削ブレードで被加工物を切削する切削ステップと、を備えたものである。
【０００９】
この構成によれば、被加工物の裏面側の接着剤層を上にした状態で該接着剤層から切削ブレードで被加工物を切削するため、この接着剤層はウエーハによって支持されることにより、切削ブレードの回転に伴って接着剤層が引き延ばされ難く、ウエーハへのクラックの発生を抑えることができる。このため、デバイスやデバイスチップの損傷のおそれを低減することができる。また、被加工物は、少なくともデバイス領域に対応したウエーハの裏面に形成されウエーハより小さいサイズを有した接着剤層を備えるため、被加工物の外周の接着剤層を除去する接着剤層除去ステップを実施することなく、ストリート検出ステップにおいて、赤外線カメラを用いてウエーハの外周部を透過することによりストリートを容易に検出することができる。
【００１０】
上記した構成において、該切削ステップは、第１の切削ブレードで該ウエーハに至る深さに切り込むことで該接着剤層を分断するとともに該ウエーハの表面側に切り残し部を形成する第１切削ステップと、該第１切削ステップを実施した後、該第１の切削ブレードよりも刃厚の薄い第２の切削ブレードを該テープに至る深さに切り込ませつつ該ストリートに沿って該切り残し部を切削する第２切削ステップと、を備えてもよい。
【００１１】
また、該第２切削ステップで用いられる該第２の切削ブレードは、該第１の切削ブレードが含む砥粒よりも細かい砥粒を含んでもよい。また、該接着剤層は、金属粒子と樹脂とからなる構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、被加工物の裏面側の接着剤層を上にした状態で該接着剤層から切削ブレードで被加工物を切削するため、この接着剤層はウエーハによって支持されることにより、切削ブレードの回転に伴って接着剤層が引き延ばされ難く、ウエーハへのクラックの発生を抑えることができる。このため、デバイスやデバイスチップの損傷のおそれを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、加工対象である被加工物の一例であるダイアタッチフィルム付きウエーハの表面側の斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すダイアタッチフィルム付きウエーハの裏面側の斜視図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る被加工物の加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、テープ貼着ステップの概要を示す斜視図である。
【図５】図５は、被加工物を加工する切削装置の一例を示す斜視図である。
【図６】図６は、接着剤層除去ステップの概要を示す側面図である。
【図７】図７は、ストリート検出ステップの概要を示す側面図である。
【図８】図８は、第１切削ステップの概要を示す側面図である。
【図９】図９は、第１切削ステップで形成された第１切削溝を示すＤＡＦ付きウエーハの部分断面図である。
【図１０】図１０は、第２切削ステップの概要を示す側面図である。
【図１１】図１１は、第２切削ステップで第１切削溝に重ねて形成された第２切削溝を示すＤＡＦ付きウエーハの部分断面図である。
【図１２】図１２は、加工対象である被加工物の変形例であるダイアタッチフィルム付きウエーハの表面側の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１５】
本実施形態に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、加工対象である被加工物の一例であるダイアタッチフィルム付きウエーハの表面側の斜視図である。図２は、図１に示すダイアタッチフィルム付きウエーハの裏面側の斜視図である。
【００１６】
本実施形態に係る被加工物の加工方法は、被加工物としてのダイアタッチフィルム付きウエーハ（以下、ＤＡＦ付きウエーハと称する）２００を切削加工して個々のデバイスチップに分割するものである。ＤＡＦ付きウエーハ２００は、ウエーハ２０１と、このウエーハ２０１に積層された接着剤層としてのダイアタッチフィルム（以下、ＤＡＦと称する）２０２とを備えて構成される。ウエーハ２０１は、例えば、シリコン、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等を母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ、ガラスやサファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の板状の無機材料基板等、板状の各種加工材料である。ウエーハ２０１の表面には、図１に示すように、交差する複数の分割予定ライン（ストリート）２０４により区画された複数の領域に、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）やＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等のデバイス２０５が形成されている。
【００１７】
ＤＡＦ２０２は、例えば、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等の延性を有する樹脂材料中に混入された金属粒子（導電性粒子）を含み、ウエーハ２０１の裏面２０６側に形成される。本実施形態では、ＤＡＦ２０２は、ウエーハ２０１と同等の大きさの円板状に形成されている。金属粒子は、例えば、銀フィラー（銀粒子）であり、上記した樹脂材料中の含有率が７０〜９０［重量％］に設定されている。また、金属粒子の平均粒径は１〜１０［μｍ］であることが好ましい。なお、金属粒子が混入された樹脂材料をフィルム状（シート状）にしたＤＡＦ２０２を形成し、このＤＡＦ２０２をウエーハ２０１の裏面２０６に貼着する構成としてもよいし、金属粒子が混入された樹脂材料をウエーハ２０１の裏面２０６にコーティングすることで、ＤＡＦ２０２を形成する構成としてもよい。
【００１８】
図３は、本実施形態に係る被加工物の加工方法の手順を示すフローチャートである。図４は、テープ貼着ステップの概要を示す斜視図である。まず、被加工物としてのＤＡＦ付きウエーハ２００の表面２０３側にダイシングテープ（テープ）２０７を貼着する（テープ貼着ステップＳ１）。具体的には、図４に示すように、フレームユニット２０９を形成する。フレームユニット２０９は、ＤＡＦ付きウエーハ２００と、このＤＡＦ付きウエーハ２００の表面２０３（図１参照）側に貼着されたダイシングテープ２０７と、このダイシングテープ２０７を介して、ＤＡＦ付きウエーハ２００を支持する環状フレーム２０８とを備える。すなわち、ＤＡＦ付きウエーハ２００は、ダイシングテープ２０７を介して、環状フレーム２０８に支持されており、ＤＡＦ付きウエーハ２００のＤＡＦ２０２が露出する。
【００１９】
図５は、被加工物を加工する切削装置の一例を示す斜視図である。本実施形態では、切削装置１００は、フレームユニット２０９のＤＡＦ付きウエーハ２００に対して、接着剤層除去ステップＳ２と、ストリート検出ステップＳ３と、切削ステップＳ４とを実行する。切削装置１００は、図５に示すように、チャックテーブル１と、切削ブレード２１を有する切削手段２と、Ｘ軸移動手段３と、門型フレーム４と、Ｙ軸移動手段５と、Ｚ軸移動手段６と、カセットエレベータ７と、洗浄手段８とを備えている。
【００２０】
チャックテーブル１は、円板状に形成されており、保持面１１と、複数のフレームチャック１２とを備えている。チャックテーブル１は、装置本体１０１に対して、切削送り方向（Ｘ軸方向）に相対移動可能である。また、チャックテーブル１は、保持面１１の中心軸線を中心に回転可能に構成されており、切削手段２に対して、任意の回転角度に調整することができる。保持面１１は、ＤＡＦ付きウエーハ２００を保持するものである。保持面１１は、チャックテーブル１の鉛直方向の上端面であり、水平面に対して平坦に形成されている。保持面１１は、例えばポーラスセラミック等で構成されており、図示しない真空吸引源の負圧により、フレームユニット２０９のＤＡＦ付きウエーハ２００を、ダイシングテープ２０７を介して吸引保持する。複数のフレームチャック１２は、保持面１１の周囲に４箇所配設され、フレームユニット２０９の環状フレーム２０８を挟持して固定する。
【００２１】
切削手段２は、チャックテーブル１に保持されたＤＡＦ付きウエーハ２００に切削ブレード２１で加工を施すものである。切削手段２は、門型フレーム４に配置されたＹ軸移動手段５及びＺ軸移動手段６を介して、割り出し方向（Ｙ軸方向）及び切り込み送り方向（Ｚ軸方向）に移動可能に固定されている。切削手段２は、切削ブレード２１の他に、スピンドル２２と、ハウジング２３と、ノズル２４と、第１撮像手段２５と、第２撮像手段（赤外線カメラ）２６とを備えている。
【００２２】
切削ブレード２１は、ダイヤモンド砥粒やＣＢＮ（Cubic  Boron  Nitride）砥粒を金属や樹脂等のボンド材で固めた切り刃を有し、極薄の円板状かつ環状に形成された切削砥石である。スピンドル２２は、刃厚の異なる切削ブレード２１を着脱可能に装着している。ハウジング２３は、モータ等の駆動源を有しており、割り出し送り方向の回転軸周りに回転自在にスピンドル２２を支持している。ノズル２４は、切削ブレード２１及びＤＡＦ付きウエーハ２００に切削水を供給する。第１撮像手段２５は、例えばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）イメージセンサ等の撮像素子を有するカメラである。第２撮像手段２６は、例えば、赤外線を照射する図示しない赤外線照射部と、赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等を有する赤外線カメラである。第１撮像手段２５または第２撮像手段２６により取得した画像に基づいて、分割予定ライン２０４を検出することができる。
【００２３】
Ｘ軸移動手段３は、チャックテーブル１と切削手段２とを切削送り方向に相対的に加工送りする。Ｘ軸移動手段３は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成されている。Ｘ軸移動手段３は、チャックテーブル１が固定された移動基台３１を装置本体１０１に対して切削送り方向に相対移動させる。
【００２４】
門型フレーム４は、割り出し送り方向及び切り込み送り方向のそれぞれに移動可能に切削手段２を支持する。門型フレーム４は、割り出し送り方向において、Ｘ軸移動手段３を跨いで装置本体１０１に立設している。
【００２５】
Ｙ軸移動手段５は、門型フレーム４に配設され、チャックテーブル１と切削手段２とを割り出し送り方向に相対移動させる。Ｙ軸移動手段５は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成され、切削手段２をチャックテーブル１に対して割り出し送り方向に相対移動させる。
【００２６】
Ｚ軸移動手段６は、門型フレーム４に配設され、チャックテーブル１と切削手段２とを切り込み送り方向に相対移動させる。Ｚ軸移動手段６は、例えばパルスモータやボールねじ、ガイドレール等を含んで構成されている。Ｚ軸移動手段６は、切削手段２が固定された移動基台６１をチャックテーブル１に対して切り込み送り方向に相対移動させる。
【００２７】
カセットエレベータ７は、装置本体１０１に対して、複数のフレームユニット２０９が収容されるカセット７１を鉛直方向に昇降可能に支持している。洗浄手段８は、切削手段２により切削されたフレームユニット２０９をスピンナテーブル８１で保持して洗浄する。
【００２８】
再び、図３のフローチャートに戻って被加工物の加工方法の手順の続きを説明する。図６は、接着剤層除去ステップの概要を示す側面図である。図７は、ストリート検出ステップの概要を示す側面図である。図８は、第１切削ステップの概要を示す側面図である。図９は、第１切削ステップで形成された第１切削溝を示すＤＡＦ付きウエーハの部分断面図である。図１０は、第２切削ステップの概要を示す側面図である。図１１は、第２切削ステップで第１切削溝に重ねて形成された第２切削溝を示すＤＡＦ付きウエーハの部分断面図である。
【００２９】
上記したテープ貼着ステップＳ１を実施した後、ＤＡＦ付きウエーハ２００におけるＤＡＦ２０２の外周部を除去する（接着剤層除去ステップＳ２）。具体的には、図６に示すように、ＤＡＦ付きウエーハ２００を、ダイシングテープ２０７を介して切削装置１００のチャックテーブル１で保持するとともに、環状フレーム２０８をフレームチャック１２で固定する。この状態で、チャックテーブル１をＺ軸方向と平行な軸心回り（矢印Ｒ１方向）に回転させながら、研削用ブレード２１ＡをＤＡＦ付きウエーハ２００の外周縁のＤＡＦ２０２に切り込ませて、外周縁のＤＡＦ２０２を除去する。これにより、ウエーハ２０１の裏面側を露出させた露出部２０１Ａが形成される。この研削用ブレード２１Ａは、後述する切削ステップＳ４で使用する切削ブレードよりも刃厚が厚く形成されており、ＤＡＦ付きウエーハ２００の外周縁に、所定幅（例えば３ｍｍ）の露出部２０１Ａが形成される。この露出部２０１Ａは、後述するストリート検出ステップＳ３において、分割予定ライン２０４が検出できる程度の幅を備えていればよく、ウエーハ２０１上の分割予定ライン２０４及びデバイス２０５の配置関係によって適宜変更することができる。また、露出部２０１Ａは、一度のチャックテーブル１の回転で形成せずに、複数回転させつつ切削することで形成してもよい。例えば、１ｍｍ幅の研削用ブレード２１Ａを用いて、チャックテーブル１を一回転させて環状に切削した後、この研削用ブレード２１ＡをＤＡＦ付きウエーハ２００の半径方向に移動させる。そして、再度チャックテーブル１を回転させて環状に切削する動作を繰り返すことで、所定幅（例えば３ｍｍ）の露出部２０１Ａを形成するができる。
【００３０】
次に、露出部２０１Ａを介して分割予定ライン２０４を検出する（ストリート検出ステップＳ３）。具体的には、図７に示すように、外周縁に露出した露出部２０１Ａ越しに第２撮像手段２６を用いて、表面２０３側の分割予定ライン２０４を検出する。第２撮像手段２６は、上述のように赤外線カメラであり、ウエーハ２０１の表面２０３に形成された分割予定ライン２０４をウエーハ２０１の裏面側から撮像する。一般に、赤外線カメラは、撮像対象物の厚みが薄いほど鮮明な撮像画像を得ることができる。ウエーハ２０１の裏面２０６にＤＡＦを設けた構成では、このＤＡＦが金属粒子を混入しない非導電性のＤＡＦであっても、該ＤＡＦの分、赤外線カメラで透過しようとする厚みが厚くなるため、ウエーハ２０１の表面２０３に形成された分割予定ライン２０４の検出が困難となる。更に、本実施形態のように、樹脂材料中に金属粒子が混入されて導電性を有するＤＡＦ２０２を設けた構成では、赤外線がＤＡＦ２０２、特にＤＡＦ２０２中の金属粒子を透過しない。このため、ＤＡＦ２０２越しに赤外線カメラで分割予定ライン２０４を検出することがより困難となる。本実施形態では、ＤＡＦ付きウエーハ２００の外周縁のＤＡＦ２０２を除去してウエーハ２０１が露出する露出部２０１Ａを形成することにより、赤外線がウエーハ２０１の一部である露出部２０１Ａを透過するため、分割予定ライン２０４を容易に検出することができる。この検出された分割予定ライン２０４の位置によって、ＤＡＦ付きウエーハ２００と切削手段２の切削ブレード２１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００３１】
次に、検出した分割予定ライン２０４に沿ってＤＡＦ付きウエーハ２００をＤＡＦ２０２側から切削する（切削ステップＳ４）。本実施形態では、切削ステップＳ４は、第１切削ステップＳ４Ａと第２切削ステップＳ４Ｂとの２段階で実施される。第１切削ステップＳ４Ａは、図８に示すように、第１の切削ブレード２１Ｂを所定方向（図中矢印Ｒ１方向）に回転させながら、チャックテーブル１を切削送り方向（図中Ｘ１方向）に送る。これにより、第１の切削ブレード２１ＢがＤＡＦ付きウエーハ２００に対して下向きに切り込みながら加工が進行する所謂ダウンカットで、該ＤＡＦ付きウエーハ２００を分割予定ライン２０４（図９）に沿って切削する。
【００３２】
第１の切削ブレード２１Ｂは、例えば、♯１７００〜♯３０００のメッシュサイズの砥粒を電鋳によって基台に固定したブレードである。この第１切削ステップＳ４Ａでは、図９に示すように、ＤＡＦ付きウエーハ２００に対して、分割予定ライン２０４に相当する位置にＤＡＦ２０２側から切り込む。この図９において、ダイシングテープ２０７は、基材層２０７Ａと粘着層２０７Ｂとが積層されて形成され、粘着層２０７Ｂがウエーハ２０１に接着されている。
【００３３】
この構成では、第１の切削ブレード２１Ｂは、ウエーハ２０１に至る深さＤ１に切り込むことにより、ＤＡＦ２０２を分断する第１切削溝２１０を形成する。これにより、ウエーハ２０１の表面側には、第１切削溝２１０の下方に深さ（厚さ）Ｄ２の切り残し部２１２が形成される。上述のように、ＤＡＦ２０２は、樹脂材料に金属粒子を混入させて形成されているため、ＤＡＦ２０２を第１の切削ブレード２１Ｂで切削する際に、樹脂材料や金属粒子による第１の切削ブレード２１Ｂの目詰まりを生じることが想定される。本実施形態では、第１の切削ブレード２１Ｂは、ウエーハ２０１に至る深さＤ１まで充分にウエーハ２０１に切り込むことにより、砥粒に付着した樹脂や金属の一部が取り除かれるとともに、ボンドが適度に摩耗して樹脂や金属が固着した砥粒は脱粒し、新たな砥粒が突出する自生発刃が促進される。すなわち、第１の切削ブレード２１Ｂは、ドレス効果を得ることができ、樹脂材料や金属粒子による第１の切削ブレード２１Ｂの目詰まりを防止することができる。ここで、第１切削溝２１０の切り込み深さＤ１が深すぎると、切り残し部２１２の剛性が不十分となり、ウエーハ２０１の表面側にクラックが発生するおそれがある。このため、第１切削溝２１０の深さＤ１は、ウエーハ２０１へのクラックの発生防止と、第１の切削ブレード２１Ｂのドレス効果とを満たす範囲で、ＤＡＦ付きウエーハ２００のウエーハ２０１の厚みに応じて設定される。例えば、第１切削溝２１０の深さＤ１は、２０〜３００［μｍ］程度、切り残し部２１２の深さＤ２は、２０〜５００［μｍ］程度に設定される。
【００３４】
第２切削ステップＳ４Ｂは、図１０に示すように、第２の切削ブレード２１Ｃを所定方向（図中矢印Ｒ１方向）に回転させながら、チャックテーブル１を切削送り方向（図中Ｘ１方向）に送る。これにより、第２の切削ブレード２１ＣがＤＡＦ付きウエーハ２００に対して下向きに切り込みながら加工が進行する所謂ダウンカットで、該ＤＡＦ付きウエーハ２００を分割予定ライン２０４（図１１）に沿って切削する。
【００３５】
第２の切削ブレード２１Ｃは、上記した第１の切削ブレード２１Ｂよりも細かい砥粒、例えば、♯２０００〜♯５０００のメッシュサイズの砥粒を電鋳によって基台に固定したブレードである。第２切削ステップＳ４Ｂでは、図１１に示すように、第１切削溝２１０の溝底に、ダイシングテープ２０７の粘着層２０７Ｂに至る深さの第２切削溝２１１を形成する。この第２切削溝２１１は、上記した切り残し部２１２を切削して形成され、ＤＡＦ付きウエーハ２００を分割予定ライン２０４に沿って切断する。これにより、ＤＡＦ付きウエーハ２００をデバイスチップに容易に分割することができる。
【００３６】
第２切削溝２１１の溝幅Ｗ２は、第１切削溝２１０の溝幅Ｗ１よりも小さい。これは、第２の切削ブレード２１Ｃは、第１の切削ブレード２１Ｂよりも刃厚の薄いブレードが用いられるためである。この第２の切削ステップＳ４Ｂでは、比較的切削しやすいウエーハ２０１を切削する工程であるため、第２の切削ブレード２１Ｃの刃厚を第１の切削ブレード２１Ｂよりも薄くしても容易にウエーハ２０１を切削することができる。第２の切削ブレード２１Ｃの刃厚は、分割予定ライン２０４の幅等に応じて、適宜変更することができる。また、一般に、切削ブレードが被加工物に対して下向きに切り込みながら加工が進行する所謂ダウンカットでは、被加工物の下面側がダイシングテープの糊で支持されているため、被加工物の上面側に比べて、下面側でチッピングが大きく発生する傾向にある。本実施形態では、デバイス２０５が形成されたウエーハ２０１の表面２０３側が下面になるので、下面（表面２０３側）のチッピングを抑えることが重要となる。また、シリコン単体のウエーハを切削（ダイシング）するのに比べて、ＤＡＦとウエーハとを同時に切削すると、ＤＡＦを切削する際の切削ブレードの目詰まり等の影響により、チッピングが大きく発生する。本実施形態にように、第１の切削ブレード２１Ｂでウエーハ２０１に至る深さＤ１に切り込むことでＤＡＦ２０２を分断するとともにウエーハ２０１の表面側に切り残し部２１２を形成する第１切削ステップＳ４Ａと、第１切削ステップＳ４Ａを実施した後、第１の切削ブレード２１Ｂよりも刃厚の薄い第２の切削ブレード２１Ｃをダイシングテープ２０７に至る深さＤ２に切り込ませつつ該分割予定ライン２０４に沿って切り残し部２１２を切削する第２切削ステップＳ４Ｂとを実行することにより、第１切削ステップＳ４Ａ及び第２切削ステップＳ４Ｂにおける見かけ上の切削対象物（ワーク）の厚みが薄くなるため、加工負荷が下がり、ウエーハ２０１の表面２０３に発生するチッピングを抑えることができる。
【００３７】
以上、説明したように、本実施形態は、交差する複数の分割予定ライン２０４と該分割予定ライン２０４で区画された表面２０３の各領域にそれぞれ形成されたデバイス２０５とを有したウエーハ２０１と、該ウエーハ２０１の裏面２０６に形成されたＤＡＦ２０２と、を備えたＤＡＦ付きウエーハ２００の加工方法であって、ＤＡＦ付きウエーハ２００のウエーハ２０１側にダイシングテープ２０７を貼着してＤＡＦ２０２を露出させるテープ貼着ステップＳ１と、該テープ貼着ステップＳ１を実施した後、ＤＡＦ付きウエーハ２００の外周のＤＡＦ２０２を除去して該ウエーハ２０１の該裏面を露出させた露出部２０１Ａを形成する接着剤層除去ステップＳ２と、該接着剤層除去ステップＳ２を実施した後、該ウエーハ２０１を透過する赤外線を照射する第２撮像手段２６を用いて該露出部２０１Ａを介して分割予定ライン２０４を検出するストリート検出ステップＳ３と、該ストリート検出ステップＳ３を実施した後、検出した該分割予定ライン２０４に沿って、ＤＡＦ付きウエーハ２００のＤＡＦ２０２から切削ブレード２１でＤＡＦ付きウエーハ２００を切削する切削ステップＳ４と、を備える。
【００３８】
本実施形態によれば、ＤＡＦ２０２を上にした状態でＤＡＦ付きウエーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませている。従来のように、ＤＡＦ２０２を下にした状態でＤＡＦ付きウエーハ２００を切削すると、ＤＡＦ２０２は、ダイシングテープの軟質な糊によって支持されているため、ＤＡＦ２０２に含まれる金属粒子と樹脂材料とがそれぞれ引き延ばされてウエーハ２０１にクラックが生じるおそれがある。一方、ＤＡＦ２０２を上にした状態でＤＡＦ付きウエーハ２００に切削ブレード２１を切り込ませた場合には、ＤＡＦ２０２はウエーハ２０１によって支持された状態となるため、切削ブレード２１の回転に伴って金属粒子や樹脂材料が引き延ばされ難く、ウエーハ２０１へのクラックの発生を抑えることができる。このため、デバイス２０５やデバイスチップの損傷のおそれを低減することができる。また、本実施形態では、ＤＡＦ付きウエーハ２００の外周のＤＡＦ２０２を除去してウエーハ２０１の裏面を露出させた露出部２０１Ａを形成する接着剤層除去ステップＳ２を備えるため、赤外線カメラである第２撮像手段２６を用いて露出部２０１Ａを透過することにより、分割予定ライン２０４を容易に検出することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、切削ステップＳ４は、第１の切削ブレード２１Ｂでウエーハ２０１に至る深さＤ１に切り込むことでＤＡＦ２０２を分断するとともにウエーハ２０１の表面側に切り残し部２１２を形成する第１切削ステップＳ４Ａと、第１切削ステップＳ４Ａを実施した後、第１の切削ブレード２１Ｂよりも刃厚の薄い第２の切削ブレード２１Ｃをダイシングテープ２０７に至る深さＤ２に切り込ませつつ該分割予定ライン２０４に沿って切り残し部２１２を切削する第２切削ステップＳ４Ｂと、を備える。本実施形態によれば、第１切削ステップＳ４Ａにより、ＤＡＦ２０２を切削する第１の切削ブレード２１Ｂの目詰まりと、切り残し部２１２の剛性不良に伴うウエーハ２０１の表面側へのクラック発生の防止とを実現するともに、第２切削ステップＳ４Ｂにより、切り残し部２１２を切削し、ＤＡＦ付きウエーハ２００を分割予定ライン２０４に沿って容易に切断することができる。
【００４０】
更に、第２切削ステップＳ４Ｂで用いられる第２の切削ブレード２１Ｃは、第１の切削ブレード２１Ｂが含む砥粒よりも細かい砥粒を含むため、切り残し部２１２を滑らかに切削することができ、切り残し部２１２の切削時にクラックが発生することを防止できる。
【００４１】
次に、変形例について説明する。図１２は、加工対象である被加工物の変形例であるダイアタッチフィルム付きウエーハの表面側の斜視図である。この被加工物であるＤＡＦ付きウエーハ２５０は、ＤＡＦ２２２の大きさがウエーハ２０１よりも小径に形成される点で上記したＤＡＦ付きウエーハ２００と構成を異にしている。ＤＡＦ付きウエーハ２００と同一の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
ＤＡＦ付きウエーハ２５０は、図１２に示すように、上記したウエーハ２０１と、このウエーハ２０１の裏面２０６側に形成されるＤＡＦ２２２とを備える。ＤＡＦ２２２は、ウエーハ２０１のサイズよりも小径の円板状に形成される。また、ＤＡＦ２２２は、ウエーハ２０１の表面２０３に形成されるデバイス領域２２１に対応するウエーハ２０１の裏面２０６に形成されている。このデバイス領域２２１は、上述した複数のデバイス２０５が形成された領域である。このように、ＤＡＦ２２２は、デバイス領域２２１に対応するウエーハ２０１の裏面２０６に形成され、ウエーハ２０１のサイズよりも小径の円板状に形成されるため、ウエーハ２０１の裏面２０６の外周部には、ＤＡＦ２２２が形成されておらず、ウエーハ２０１が露出した露出部２０１Ａが当初から存在する。
【００４３】
このＤＡＦ付きウエーハ２５０では、上記した実施形態のような接着剤層除去ステップＳ２を実施することなく、赤外線カメラである第２撮像手段２６を用いて露出部２０１Ａを透過することにより、分割予定ライン２０４を容易に検出することができる。また、ＤＡＦ（接着剤層）を下にして、すなわちＤＡＦ（接着剤層）側をダイシングテープに貼着してＤＡＦ付きウエーハを切削（ダイシング）する場合、普通にテープマウントしただけではウエーハの外周側でＤＡＦが形成されていない露出部のダイシングテープへの接着は甘く、切削時に分割されたデバイスチップのチップ飛びが発生し易い。この変形例では、ＤＡＦ２２２を上にした状態でＤＡＦ付きウエーハ２５０に切削ブレード２１を切り込ませることにより、ウエーハ２０１の表面２０３とダイシングテープに強固に接着できるため、分割されたデバイスチップのチップ飛びを抑制できる。
【００４４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本実施形態では、切削ステップＳ４を第１切削ステップＳ４Ａと、第２切削ステップＳ４Ｂとに分けて実施しているが、１回の切削によってＤＡＦ付きウエーハ２００を切断することもできる。
【符号の説明】
【００４５】
１  チャックテーブル
２  切削手段
２１  切削ブレード
２１Ａ  研削用ブレード
２１Ｂ  第１の切削ブレード
２１Ｃ  第２の切削ブレード
２５  第１撮像手段
２６  第２撮像手段
１００  切削装置
２００、２５０  ダイアタッチフィルム付きウエーハ（ＤＡＦ付きウエーハ；被加工物）
２０１  ウエーハ
２０１Ａ  露出部
２０２、２２２  ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ；接着剤層）
２０３  表面
２０４  分割予定ライン（ストリート）
２０５  デバイス
２０６  裏面
２０７  ダイシングテープ（テープ）
２０７Ａ  基材層
２０７Ｂ  粘着層
２０８  環状フレーム
２０９  フレームユニット
２１０  第１切削溝
２１１  第２切削溝
２１２  切り残し部
２２１  デバイス領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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