(57)【要約】【課題】製品エリアの識別が容易であり、製品エリアの半導体チップの抜けが生じにくい半導体チップの保持構造を提供する。【解決手段】半導体チップの保持構造は、複数の半導体チップ１２，１３をシート１７上に保持するものであり、複数の半導体チップ１２，１３は、第１主面Ｓ１１と、第１主面Ｓ１１の反対側に位置する第２主面Ｓ１２とを有し、複数の半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１には電極１５が形成され、シート１７は複数の半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１に貼付され、複数の半導体チップ１２，１３は、シート１７上の第１領域Ａ２１および第２領域Ａ２２に配置され、第１領域Ａ２１と第２領域Ａ２２を区分するシート１７上の第３領域Ａ２３に配置されていない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップをシート上に保持する半導体チップの保持構造であって、
前記複数の半導体チップは、第１主面と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、
前記複数の半導体チップの前記第１主面には電極が形成され、前記シートは前記複数の半導体チップの前記第１主面に貼付され、
前記複数の半導体チップは、前記シート上の第１領域および第２領域に配置され、前記第１領域と前記第２領域を区分する前記シート上の第３領域に配置されていない、半導体チップの保持構造。
【請求項２】
前記第２領域は前記第１領域を取り囲んでいる、請求項１に記載の半導体チップの保持構造。
【請求項３】
第１主面と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面を有する複数の半導体チップの転写方法であって、
ダイシングシートに前記複数の半導体チップの前記第２主面が貼付され、前記ダイシングシート上の第１領域および第２領域に配置された前記複数の半導体チップの前記第１主面に電極が形成され、前記第１領域と前記第２領域とを区分する前記ダイシングシート上の第３領域に配置された前記複数の半導体チップの前記第１主面に電極が形成されていない状態の前記複数の半導体チップを用意する第１の工程と、
前記複数の半導体チップの前記第１主面を転写シートに貼付する第２の工程と、
前記複数の半導体チップのうち、前記第１領域および前記第２領域に配置された前記複数の半導体チップから前記ダイシングシートを剥離して、前記第１領域および前記第２領域に配置された前記複数の半導体チップを前記転写シートに転写する第３の工程とを、この順で実施する、半導体チップの転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップの保持構造および転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体チップの転写方法として、例えば、特許文献１に記載のものがある。当該転写方法では、まず、ダイシングテープに複数の半導体チップの裏面が貼付されてダイシングテープ上に複数の半導体チップが保持されたダイシングテープ構造体を用意する。次に、半導体チップの表面に表面保護テープを貼付した後、ダイシングテープを半導体チップの裏面から剥離する。次に、半導体チップの裏面に転写シートを貼付した後、表面保護テープを半導体チップの表面から剥離する。これにより、半導体チップが転写シートに転写されて、転写シート上に半導体チップが保持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２２９１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、一般的に、転写シート上には、製品として使用する半導体チップと、製品として使用しない半導体チップの両方が保持される。このため、半導体チップの基板への実装時（ピックアップ時）に、製品として使用する半導体チップが占める製品エリアと、製品として使用しない半導体チップが占める製品外エリアとを識別してピックアップを行う必要があるが、製品エリアの識別が難しいという問題がある。
【０００５】
ここで、製品エリアの識別を行わないで済むように、製品として使用する半導体チップだけを転写シートに転写することも考えられる。言い換えれば、製品として使用しない半導体チップが転写されないようにすることが考えられる。しかし、製品として使用しない半導体チップのすべてが転写されないようにするのは、工法上の難易度が高く、転写工程でシートの折れ曲がり等の問題が生じうる。
【０００６】
その結果、例えば製品として使用する半導体チップの一部が転写されない（半導体チップの一部が抜けてしまう）、という支障が出るおそれがある。
【０００７】
従って、好適に製品エリアを識別でき、シートの折れ曲がりによる半導体チップの抜けが生じにくい技術が求められている。
【０００８】
本発明の目的は、製品エリアの識別が容易であり、製品エリアの半導体チップの抜けが生じにくい半導体チップの保持構造、および当該保持構造を得るために使用する半導体チップの転写方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体チップの保持構造は、複数の半導体チップをシート上に保持する保持構造であって、前記複数の半導体チップは、第１主面と、前記第１主面の反対側に位置する第２主面とを有し、前記複数の半導体チップの前記第１主面には電極が形成され、前記シートは前記複数の半導体チップの前記第１主面に貼付され、前記複数の半導体チップは、前記シート上の第１領域および第２領域に配置され、前記第１領域と前記第２領域を区分する前記シート上の第３領域に配置されていない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製品エリアの識別が容易であり、製品エリアの半導体チップの抜けが生じにくい半導体チップの保持構造を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）から図１（Ｄ）は、本発明の実施形態に係る半導体チップの転写方法を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は構造体１０の平面図である。図２（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体チップ１２，１３の平面図である。
【図３】図３（Ａ）は構造体１８の平面図である。図３（Ｂ）は構造体１９の平面図である。
【図４】図４（Ａ）から図４（Ｆ）は、構造体１０の製造方法を示す断面図である。
【図５】図５は半導体ウエハ２１の平面図である。
【図６】図６（Ａ）から図６（Ｄ）は、構造体１０，１８の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）から図７（Ｄ）は、比較例に係る半導体チップの転写方法を示す断面図である。
【図８】図８は比較例に係る半導体チップの構造体６０の平面図である。
【図９】図９（Ａ）は、本実施形態の変形例に係る構造体３８の平面図である。図９（Ｂ）は、本実施形態の変形例に係る構造体４８の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各々の実施形態では、既に説明した実施形態と異なる点について説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１３】
図１（Ａ）から図１（Ｄ）は、本発明の実施形態に係る半導体チップの転写方法を示す断面図である。図２（Ａ）は構造体１０の平面図である。図２（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す半導体チップ１２，１３の平面図である。図３（Ａ）は構造体１８の平面図である。図３（Ｂ）は構造体１９の平面図である。図２（Ａ）、図３（Ａ）および図３（Ｂ）では、個々の半導体チップの図示を省略している。
【００１４】
なお、図１（Ａ）に示す状態における、半導体チップ１２の第１主面Ｓ１１に垂直な方向、半導体１２の第１主面Ｓ１１の短手方向、および半導体１２の第１主面Ｓ１１の長手方向を、それぞれｚ軸方向、ｘ軸方向およびｙ軸方向とする。
【００１５】
本実施形態に係る半導体チップの転写方法では、図１（Ａ）に示すように、まず、ダイシングシート１１上に複数の半導体チップ１２，１３，１４が保持される構造体１０を用意する。ダイシングシート１１は、例えば、紫外線の照射により粘着力が低下するＵＶテープである。半導体チップ１２〜１４は、第１主面Ｓ１１と、第１主面Ｓ１１の反対側の第２主面Ｓ１２とを有する。ダイシングシート１１に半導体チップ１２〜１４の第２主面Ｓ１２が貼付されている。ダイシングシート１１上の領域Ａ１１，Ａ１２に配置された半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１に電極１５が形成されている。領域Ａ１１と領域Ａ１２との間にあり、領域Ａ１１と領域Ａ１２とを区分するダイシングシート１１上の領域Ａ１３に配置された複数の半導体チップ１４の第１主面Ｓ１１には、電極が形成されていない。領域Ａ１１は本発明の「ダイシングシート上の第１領域」の一例である。領域Ａ１２は本発明の「ダイシングシート上の第２領域」の一例である。領域Ａ１３は本発明の「ダイシングシート上の第３領域」の一例である。図１（Ａ）に示すように、半導体チップ１４の厚み（ｚ軸方向の寸法）は、電極が形成されていない分だけ半導体チップ１２，１３の厚み（ｚ軸方向の寸法）より薄い。すなわち、領域Ａ１１，Ａ１２に配置された半導体チップ１２，１３と、領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４との間には、電極１５の厚み分だけ、段差が形成される。
【００１６】
図２（Ａ）に示すように、領域Ａ１２は領域Ａ１１を取り囲んでいる。領域Ａ１１は略円形状である。領域Ａ１２，Ａ１３は略円環状である。領域Ａ１２，Ａ１３は領域Ａ１１に対して同心円状に配置される。領域Ａ１３は、領域Ａ１１と領域Ａ１２との境界をなし、領域Ａ１１と領域Ａ１２とを分離する。領域Ａ１１に配置された半導体チップ（図１（Ａ）に示した半導体チップ１２）は製品エリアの半導体チップ（製品として使用するチップ）である。領域Ａ１２，Ａ１３に配置された半導体チップ（図１（Ａ）に示した半導体チップ１３，１４）は製品外エリアの半導体チップ（製品として使用されないチップ）である。
【００１７】
半導体チップ１２〜１４は略直方体状である。図１（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、半導体チップ１２，１３は、半導体基板１６と、半導体基板１６上に形成された電極１５とを有する。電極１５は半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１の両端に形成されている。半導体チップ１２，１３は、例えば、ＥＳＤ保護デバイスである。
【００１８】
次に、図１（Ｂ）に示すように、構造体１０の上下を反転して半導体チップ１２〜１４の第１主面Ｓ１１を転写シート１７に対向させる。転写シート１７は、例えばＵＶテープである。転写シート１７は本発明の「シート」の一例である。次に、図１（Ｃ）に示すように、半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１を転写シート１７に貼付する。領域Ａ１１，Ａ１２に配置された半導体チップ１２，１３と、領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４との間に段差が形成されているので、転写シート１７は半導体チップ１４に接触しない。次に、図１（Ｄ）に示すように、半導体チップ１２〜１４のうち、領域Ａ１１，Ａ１２に配置された半導体チップ１２，１３からダイシングシート１１を剥離して、領域Ａ１１，Ａ１２に配置された半導体チップ１２，１３を転写シート１７に転写する。領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４は転写シート１７に転写されない。
【００１９】
これにより、転写シート１７上に半導体チップ１２，１３が保持される構造体１８が形成される。また、ダイシングシート１１上に半導体チップ１４が保持される構造体１９が形成される。構造体１８は本発明の「保持構造」の一例である。
【００２０】
構造体１８において、転写シート１７は半導体チップ１２，１３の第１主面Ｓ１１に貼付される。半導体チップ１２，１３は、転写シート１７上の領域Ａ２１，Ａ２２に配置され、領域Ａ２１と領域Ａ２２との間にあり、領域Ａ２１と領域Ａ２２とを区分する転写シート１７上の領域Ａ２３に配置されていない。領域Ａ２１は本発明の「シート上の第１領域」の一例である。領域Ａ２２は本発明の「シート上の第２領域」の一例である。領域Ａ２３は本発明の「シート上の第３領域」の一例である。
【００２１】
図３（Ａ）に示すように、領域Ａ２２は領域Ａ２１を取り囲んでいる。領域Ａ２１は略円形状である。領域Ａ２２，Ａ２３は略円環状である。領域Ａ２２，Ａ２３は領域Ａ２１に対して同心円状に配置される。領域Ａ２３は、領域Ａ２１と領域Ａ２２との境界をなし、領域Ａ２１と領域Ａ２２とを分離（区分）する。領域Ａ２１に配置された半導体チップ（図１（Ｄ）に示した半導体チップ１２）は製品エリアの半導体チップである。領域Ａ２２に配置された半導体チップ（図１（Ｄ）に示した半導体チップ１３）は製品外エリアの半導体チップである。
【００２２】
図３（Ｂ）に示すように、ダイシングシート１１上には、略円環状の領域Ａ１３に配置された半導体チップ（図１（Ｄ）に示した半導体チップ１４）が残る。
【００２３】
図４（Ａ）から図４（Ｆ）は、構造体１０の製造方法を示す断面図である。図５は半導体ウエハ２１の平面図である。図６（Ａ）から図６（Ｄ）は、構造体１０，１８の製造方法を示す断面図である。図６（Ａ）では、個々の電極の図示を省略している。図６（Ｃ）および図６（Ｄ）では、個々の半導体チップの図示を省略している。
【００２４】
図４（Ａ）および図６（Ａ）に示すように、構造体１０の製造方法では、まず、半導体ウエハ２１上に複数の電極１５を形成する。半導体ウエハ２１は、第１主面Ｓ２１と、第１主面Ｓ２１の反対側の第２主面Ｓ２２とを有する。第１主面Ｓ２１の領域Ａ３１，Ａ３２に電極１５が形成される。領域Ａ３１と領域Ａ３２との間にあり、領域Ａ３１と領域Ａ３２とを区分する第１主面Ｓ２１の領域Ａ３３には電極が形成されない。
【００２５】
図５および図６（Ａ）に示すように、領域Ａ３２は領域Ａ３１を取り囲んでいる。領域Ａ３１は略円形状である。領域Ａ３２，Ａ３３は略円環状である。領域Ａ３２，Ａ３３は領域Ａ３１に対して同心円状に配置される。領域Ａ３３は、領域Ａ３１と領域Ａ３２との境界をなし、領域Ａ３１と領域Ａ３２とを分離する。
【００２６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ２１の電極１５をバックグラインドシート２４に貼付する。バックグラインドシート２４は、例えばＵＶテープである。バックグラインドシート２４はリング（フレーム）２５に張着されている（図６（Ｂ）参照）。次に、図４（Ｃ）および図６（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ２１の第２主面Ｓ２２を研削して半導体ウエハ２１を所定の厚さまで薄くする。次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体ウエハ２１の第２主面Ｓ２２にダイシングシート１１を貼付する。ダイシングシート１１はリング２６に張着されている（図６（Ｃ）参照）。次に、図４（Ｅ）に示すように、半導体ウエハ２１の電極１５からバックグラインドシート２４を剥離する。次に、図４（Ｆ）および図６（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ２１を切削して半導体チップ１２〜１４に分割（個片化）する。これにより、構造体１０が形成される。
【００２７】
さらに、既に述べたことであるが、図１（Ａ）から図１（Ｄ）に示す工程を経て、図６（Ｄ）に示す構造体１８が形成される。
【００２８】
本実施形態では、構造体１０において、電極が形成されない半導体チップ１４の両側に、電極１５が形成された半導体チップ１２，１３が位置する。このため、半導体チップ１２，１３の転写シート１７への貼付工程において、転写シート１７が変形しにくい。その結果、製品エリアの半導体チップ１２は転写シート１７に良好に転写される。換言すると、構造体１８において、製品エリアの半導体チップ１２の抜けが生じにくい。
【００２９】
ここで、比較例として、領域Ａ１２に、電極１５が形成された半導体チップ１２が存在しない例を示す。比較例の転写方法としては、図７（Ａ）から図７（Ｄ）に示すものが考えられる。当該転写方法では、図７（Ａ）に示すように、まず、ダイシングシート１１上に複数の半導体チップ１２，１４が保持される構造体６０を用意する。半導体チップ１２，１４は、第１主面Ｓ１１と、第１主面Ｓ１１の反対側の第２主面Ｓ１２とを有する。半導体チップ１２，１４の第２主面Ｓ１２はダイシングシート１１に貼付されている。ダイシングシート１１上の領域Ａ１１に配置された半導体チップ１２の第１主面Ｓ１１には電極１５が形成されている。ダイシングシート１１上の領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４の第１主面Ｓ１１には電極が形成されていない。領域Ａ１１に配置された半導体チップ１２は製品エリアの半導体チップである。領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４は製品外エリアの半導体チップである。図８に示すように、領域Ａ１１は領域Ａ１３に取り囲まれている。図８では、個々の半導体チップの図示を省略している。
【００３０】
次に、図７（Ｂ）に示すように、構造体６０の上下を反転して半導体チップ１２，１４の第１主面Ｓ１１を転写シート１７に対向させる。次に、図７（Ｃ）に示すように、転写シート１７に半導体チップ１２を貼付する。領域Ａ１１に配置された半導体チップ１２と、領域Ａ１３に配置された半導体チップ１４との間に段差が形成されるので、半導体チップ１４は転写シート１７に貼付されない。次に、図７（Ｄ）に示すように、ダイシングシート１１を半導体チップ１２の第２主面Ｓ１２から剥離する。これにより、製品エリアの半導体チップ１２だけが転写シート１７に転写される。
【００３１】
しかし、図７（Ａ）から図７（Ｄ）に示す転写方法では、図７（Ｃ）に示すように、電極が形成されいない分だけ半導体チップ１２より薄い半導体チップ１４が存在することで、半導体チップ１２の転写シート１７への貼付工程において転写シート１７が折れ曲がる。その結果、例えば製品エリアの半導体チップ１２の一部が転写されない（製品エリアの半導体チップ１２の一部が抜けてしまう）、という支障が出るおそれがある。
【００３２】
一方、本実施形態では、電極１５が形成された半導体チップ１３により、転写シート１７の折れ曲がり等が防止される結果、半導体チップ１２の転写が好適に実施され、製品エリアの半導体チップ１２の抜けが生じにくくなる。
【００３３】
また、本実施形態では、構造体１０において半導体チップ１２と半導体チップ１３との境界に位置する半導体チップ１４は、転写シート１７に転写されない。このため、構造体１８において、製品エリアの半導体チップ１２と製品外エリアの半導体チップ１３との間には半導体チップが配置されないので、製品エリアの識別が容易になる。また、構造体１８において、製品エリアの視認性が向上するので、製品エリアの半導体チップ１２の抜けを目視確認しやすくなる。
【００３４】
また、本実施形態において、構造体１８では、転写シート１７上の半導体チップ１２のピックアップ処理において、製品エリアと製品外エリアとの境界を基準にしてアライメント（位置決め）を行うことができる。
【００３５】
また、本実施形態において、構造体１８では、製品エリアの光学的な視認性が向上する。このため、転写シート１７上の半導体チップ１２のピックアップ処理において、半導体チップ１２，１３が配置された転写シート１７を撮像して得られる画像データを使用する場合、当該画像データに対する画像処理が容易となる。
【００３６】
次に、本実施形態の変形例について説明する。図９（Ａ）は、本実施形態の変形例に係る構造体３８の平面図である。図９（Ｂ）は、本実施形態の変形例に係る構造体４８の平面図である。図９（Ａ）および図９（Ｂ）では、個々の半導体チップの図示を省略している。構造体３８，４８は構造体１８（図３（Ａ）参照）の変形例である。構造体３８，４８と構造体１８とでは、半導体チップの配置が異なる。
【００３７】
図９（Ａ）に示すように、構造体３８では、転写シート１７の領域Ａ４１１，Ａ４１２，Ａ４１３，Ａ４１４，Ａ４２に複数の半導体チップが配置される。転写シート１７の領域Ａ４３１，Ａ４３２，Ａ４３３，Ａ４３４には半導体チップが配置されていない。領域Ａ４１１〜Ａ４１４に配置された半導体チップは製品エリアの半導体チップである。領域Ａ４２に配置された半導体チップは製品外エリアの半導体チップである。領域Ａ４１１〜Ａ４１４は略正方形状である。領域Ａ４２は領域Ａ４３１〜Ａ４３４を取り囲んでいる。領域Ａ４３１〜Ａ４３４は、それぞれ、領域Ａ４１１〜Ａ４１４を取り囲み、領域Ａ４１１〜Ａ４１４と領域Ａ４２とを区分している。
【００３８】
図９（Ｂ）に示すように、構造体４８では、転写シート１７の領域Ａ５１１，Ａ５１２，Ａ５２に複数の半導体チップが配置される。転写シート１７の領域Ａ５３には半導体チップが配置されていない。領域Ａ５１１，Ａ５１２に配置された半導体チップは製品エリアの半導体チップである。領域Ａ５２に配置された半導体チップは製品外エリアの半導体チップである。領域Ａ５１１，Ａ５１２は略半円形状である。領域Ａ５２は略円環状である。領域Ａ５２は領域Ａ５１１，Ａ５１２を取り囲んでいる。領域Ａ５３は領域Ａ５１１，Ａ５１２，Ａ５２を互いに区分している。
【００３９】
本実施形態の変形例においても本実施形態の上記効果を得ることができる。
【００４０】
上記の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。本発明の範囲は、上記の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００４１】
例えば、上記の実施形態では、構造体１８，３８，４８において、製品エリアが１つ、２つ、または４つである例を示したが、これに限られない。３つであってもよく、４つ以上であってもよい。
【００４２】
また、上記の実施形態では、図９（Ａ）および図９（Ｂ）のように、転写シートの平面視で、各製品エリアが点対称、または線対称に配置される例を示したが、これに限られない。各製品エリアが、転写シートの平面視で、非対称に配置されていてもよい。
【００４３】
また、例えば、上記の実施形態では、略直方体状の半導体チップに関する例を示したが、必ずしも半導体チップに限定されるものではない。チップの主面に電極を形成したものであれば、いかなるチップについても、適用することができ、また、チップの形状が多角形やその他の形状であってもよい。
【００４４】
また、例えば、上記の実施形態では、領域Ａ１２，Ａ２２，Ａ３２，Ａ４２，Ａ５２が、完全に内側の領域を取り囲んでいる例を示したが、これに限られない。領域Ａ１２，Ａ２２，Ａ３２，Ａ４２，Ａ５２は必ずしも内側の領域を完全に取り囲んでいなくてもよい。
【符号の説明】
【００４５】
Ａ１１，Ａ１２，Ａ１３，Ａ２１，Ａ２２，２３，Ａ３１，Ａ３２，Ａ３３，Ａ４１１，Ａ４１２，Ａ４１３，Ａ４１４，Ａ４２，Ａ４３１，Ａ４３２，Ａ４３３，Ａ４３４，Ａ５１１，Ａ５１２，Ａ５２，Ａ５３…領域
Ｓ１１，Ｓ２１…第１主面
Ｓ１２，Ｓ２２…第２主面
１０，１８，１９，３８，４８，６０…構造体
１１…ダイシングシート
１２，１３，１４…半導体チップ
１５…電極
１６…半導体基板
１７…転写シート
２１…半導体ウエハ
２４…バックグラインドシート
２５，２６…リング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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