(57)【要約】【課題】耐熱衝撃性を向上させることが可能な電気抵抗体、当該電気抵抗体を用いたハニカム構造体、当該ハニカム構造体を用いた電気加熱式触媒装置を提供する。【解決手段】電気抵抗体１は、ホウケイ酸塩１０と、Ｓｉ含有粒子１１と、β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種１２と、を含んでいる。電気抵抗体１の熱膨張率は、０．５ｐｐｍ／Ｋ以上３ｐｐｍ／Ｋ以下とすることができる。ハニカム構造体２は、電気抵抗体１を含んで構成される。電気加熱式触媒装置３は、ハニカム構造体２を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウケイ酸塩（１０）と、
Ｓｉ含有粒子（１１）と、
β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種（１２）と、
を含む、電気抵抗体（１）。
【請求項２】
上記ホウケイ酸塩は、アルミノホウケイ酸塩である、請求項１に記載の電気抵抗体。
【請求項３】
２５℃〜５００℃までの温度範囲において、電気抵抗率が０．０００１Ω・ｍ以上１Ω・ｍ以下、かつ、電気抵抗上昇率が０／Ｋ以上５．０×１０−４／Ｋ以下である、請求項１または２に記載の電気抵抗体。
【請求項４】
上記電気抵抗体におけるＬｉ含有量が０．１質量％以上４質量％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気抵抗体。
【請求項５】
熱膨張率が０．５ｐｐｍ／Ｋ以上３ｐｐｍ／Ｋ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気抵抗体。
【請求項６】
上記ホウケイ酸塩におけるＢ含有量が０．１質量％以上５質量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気抵抗体。
【請求項７】
電気加熱式触媒装置におけるハニカム構造体に使用されるように構成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気抵抗体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気抵抗体を含んで構成されている、ハニカム構造体（２）。
【請求項９】
請求項８に記載のハニカム構造体を有する、電気加熱式触媒装置（３）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気抵抗体、ハニカム構造体、および、電気加熱式触媒装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、様々な分野において、通電加熱に電気抵抗体が用いられている。例えば、車両分野では、アルミノケイ酸塩、シリコン等を含む電気抵抗体から構成したハニカム構造体に触媒を担持させ、これを通電加熱によって発熱させる電気加熱式触媒装置が公知である。
【０００３】
なお、先行する特許文献１には、アルミノケイ酸塩とガラス成分を主成分とする耐熱性絶縁材４５〜９５重量％に導電材としてのＳｉまたはＦｅＳｉが５〜６０重量％含有されている電気抵抗体をハニカム構造体に適用する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−１４４８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通電加熱に用いられる電気抵抗体は、加熱と冷却が繰り返される。そのため、それに伴う膨張・収縮によって電気抵抗体にクラックが生じ、破壊が起こりやすい。特に、内燃機関の排ガス浄化装置に用いられる電気加熱式触媒装置のハニカム構造体は、内燃機関の後部に配置されて非常に過酷な加熱・冷却環境下に曝されるため、上記の問題が顕著である。
【０００６】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、耐熱衝撃性を向上させることが可能な電気抵抗体、当該電気抵抗体を用いたハニカム構造体、当該ハニカム構造体を用いた電気加熱式触媒装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、ホウケイ酸塩（１０）と、
Ｓｉ含有粒子（１１）と、
β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種（１２）と、
を含む、電気抵抗体（１）にある。
【０００８】
本発明の他の態様は、上記電気抵抗体を含んで構成されている、ハニカム構造体（２）にある。
【０００９】
本発明のさらに他の態様は、上記ハニカム構造体を有する、電気加熱式触媒装置（３）にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記電気抵抗体は、上記構成を有している。そのため、上記電気抵抗体は、熱膨張率を低減することができる。それ故、上記電気抵抗体によれば、耐熱衝撃性を向上させることができる。
【００１１】
上記ハニカム構造体は、上記電気抵抗体を含んで構成されている。そのため、上記ハニカム構造体は、通電加熱や熱環境下での使用による加熱と冷却とが繰り返された場合でも、それに伴う膨張収縮を抑制することができる。そのため、上記ハニカム構造体によれば、構造信頼性を高めることができる。
【００１２】
上記電気加熱式触媒装置は、上記ハニカム構造体を有している。そのため、上記電気加熱式触媒装置は、加熱と冷却とが繰り返された場合でもハニカム構造体が割れ難く、信頼性を向上させることができる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１の電気抵抗体の微構造を模式的に示した説明図である。
【図２】実施形態２のハニカム構造体を模式的に示した説明図である。
【図３】実施形態３の電気加熱式触媒装置を模式的に示した説明図である。
【図４】実験例における、試料１の電気抵抗体についての結晶構造解析結果である。
【図５】実験例における、試料１の電気抵抗体および試料１Ｃの電気抵抗体の温度と膨張による変位（％）との関係を示したグラフである。
【図６】実験例における、試料１の電気抵抗体および試料１Ｃの電気抵抗体の温度と電気抵抗率との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施形態１）
実施形態１の電気抵抗体について、図１を用いて説明する。図１に例示されるように、本実施形態の電気抵抗体１は、ホウケイ酸塩１０と、Ｓｉ含有粒子１１と、β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種１２と、を含んで構成されている。
【００１６】
ホウケイ酸塩１０は、非晶質であってもよいし、結晶質であってもよい。ホウケイ酸塩１０は、Ｂ（ホウ素）、Ｓｉ（シリコン）、Ｏ（酸素）等の原子以外にも、例えば、Ａｌ（アルミニウム）原子を含むことができる。この場合、ホウケイ酸塩１０は、アルミノホウケイ酸塩となる。この構成によれば、熱膨張率の低減による耐熱衝撃性の向上が図られた電気抵抗体１を確実なものとすることができる。また、ホウケイ酸塩１０は、他にも、Ｎａ（ナトリウム）、Ｋ（カリウム）等のアルカリ金属原子、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）等のアルカリ土類金属原子を含むことができる。これらは１種または２種以上含まれていてもよい。なお、図１では、ホウケイ酸塩１０は、粒子状とされている。
【００１７】
電気抵抗体１は、ホウケイ酸塩１０を含んでいることから、Ｂを含有している。ホウケイ酸塩１０におけるＢ含有量は、０．１質量％以上５質量％以下とすることができる。この構成によれば、電気抵抗率の温度依存性を小さくしやすくなる。
【００１８】
上記Ｂ含有量は、電気抵抗体１の低電気抵抗化を図りやすくなるなどの観点から、好ましくは、０．２質量％以上、より好ましくは、０．３質量％以上、さらに好ましくは、０．５質量％以上、さらにより好ましくは、０．６質量％以上、さらに一層好ましくは、０．８質量％以上、さらにより一層好ましくは、電気抵抗率の温度依存性が小さく、かつ、電気抵抗率がＰＴＣ特性（温度が高くなるにつれて電気抵抗率が増加する特性）を示しやすい等の観点から、１質量％以上とすることができる。また、上記Ｂ含有量は、ケイ酸塩へのドープ量に限界があり、ドープされない場合は絶縁体であるＢ２Ｏ３として材料中に偏在して導電性低下の原因となるなどの観点から、好ましくは、４質量％以下、より好ましくは、３．５質量％以下、さらに好ましくは、３質量％以下とすることができる。なお、上記Ｂ含有量については、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）分析装置を用いて測定される。もっとも、ＩＣＰ分析によると、電気抵抗体１全体におけるＢ含有量が測定されるため、得られた測定結果は、ホウケイ酸塩１０におけるＢ含有量に換算される。
【００１９】
Ｓｉ含有粒子１１は、Ｓｉ原子を含有する電子伝導性の粒子である。したがって、Ｓｉ含有粒子１１には、ＳｉＯ２粒子などは含まれない。Ｓｉ含有粒子としては、具体的には、Ｓｉ粒子、Ｓｉ−Ｆｅ系粒子（ＦｅＳｉ粒子、ＦｅＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｔｉ系粒子（ＴｉＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｔａ系粒子（ＴａＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｃｒ系粒子（ＣｒＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｖ系粒子（ＶＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｍｏ系粒子（ＭｏＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｗ系粒子（ＷＳｉ２粒子等）、Ｓｉ−Ｃ系粒子（ＳｉＣ粒子等）などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていてもよい。この構成によれば、電子伝導性の粒子であるＳｉ含有粒子がホウケイ酸塩１０間を電気的に橋渡ししやすくなるなどの利点がある。
【００２０】
これらＳｉ含有粒子１１のうち、融点が比較的低い、ペスト現象が起こり難いなどの観点から、好ましくは、Ｓｉ−Ｆｅ系粒子、Ｓｉ−Ｔｉ系粒子、Ｓｉ−Ｔａ系粒子、Ｓｉ−Ｃｒ系粒子、Ｓｉ−Ｖ系粒子などであるとよい。なお、上記ペスト現象とは、ＭｏＳｉ２やＷＳｉ２で観察される５００℃程度の比較的低温において酸化により多結晶体が粉化する現象のことである。Ｓｉ含有粒子１１は、より好ましくは、３００℃〜８００℃の温度域での体積膨張が少なく、電気抵抗体１の構造強度を確保しやすいなどの観点から、ＴｉＳｉ２粒子、ＴａＳｉ２粒子、ＣｒＳｉ２粒子、および、ＶＳｉ２粒子からなる群より選択される少なくとも１種より構成することができる。
【００２１】
電気抵抗体１は、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体のうち、いずれか一方、または、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体の両方を含むことができる。β−スポジュメン固溶体は、具体的には、Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２（８≧ｎ≧４）で表すことができる。なお、本明細書では、β−スポジュメン固溶体は、β−スポジュメン（Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−４ＳｉＯ２）を含むものとする。一方、β−石英固溶体は、具体的には、Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ｎＳｉＯ２（４＞ｎ≧２）で表すことができる。なお、電気抵抗体１は、ｎ数の異なるβ−スポジュメン固溶体を２種以上含むことができ、また、ｎ数の異なるβ−石英固溶体を２種以上含むことができる。
【００２２】
電気抵抗体１は、β−スポジュメン固溶体およびβ−石英固溶体のうち、少なくとも１種を含んでいることから、Ｌｉ（リチウム）を含有している。電気抵抗体１におけるＬｉ含有量は、０．１質量％以上４質量％以下とすることができる。この構成によれば、β−スポジュメン固溶体やβ−石英固溶体の確保による膨張収縮の低減を確実なものとすることができる。
【００２３】
電気抵抗体１におけるＬｉ含有量は、β−スポジュメン固溶体等の確保などの観点から、好ましくは、０．２質量％以上、より好ましくは、０．５質量％以上、さらに好ましくは、１質量％以上とすることができる。また、電気抵抗体１におけるＬｉ含有量は、β−スポジュメン固溶体が多量に含有されると導電性を低下させる傾向が見られるなどの観点から、好ましくは、３質量％以下、より好ましくは、２質量％以下、さらに好ましくは、１．５質量％以下とすることができる。なお、電気抵抗体１に含まれるＬｉの含有量は、上述したＢ含有量と同様に、ＩＣＰ分析装置を用いて測定することができる。
【００２４】
電気抵抗体１は、上記以外にも、例えば、フィラー、熱膨張率を低下させる材料、熱伝導率を上昇させる材料、強度を向上させる材料、カオリンなどを必要に応じて１種または２種以上含むことができる。
【００２５】
また、電気抵抗体１は、図１に例示されるように、気孔１３を含む多孔質に構成することができる。この構成によれば、ホウケイ酸塩１０、Ｓｉ含有粒子１１、β−スポジュメン固溶体１２等の間に形成された気孔１３がガラスで塞がれている電気抵抗体に比べ、嵩密度および熱容量を低減することができる。また、この構成によれば、気孔１３によって電気抵抗体１の表面に凹凸が形成されるため、排ガス浄化触媒等の触媒の担持性を向上させることができる。
【００２６】
電気抵抗体１は、２５℃〜５００℃までの温度範囲において、電気抵抗率が０．０００１Ω・ｍ以上１Ω・ｍ以下、かつ、電気抵抗上昇率が０／Ｋ以上５．０×１０−４／Ｋ以下であるとよい。この構成によれば、電気抵抗体１の温度依存性が小さいため、通電加熱時に内部に温度分布が生じ難く、熱膨収縮によるクラックが生じ難い電気抵抗体１が得られる。また、上記構成によれば、通電加熱時に、電気抵抗体１を、より低温で早期に発熱させることができるので、触媒の早期活性化のために早期に温めることが求められるハニカム構造体の材料として有用である。
【００２７】
電気抵抗体１の電気抵抗率は、電気抵抗体１を用いるシステムの要求仕様等によっても異なるが、電気抵抗体１の低電気抵抗化などの観点から、例えば、好ましくは、０．５Ω・ｍ以下、より好ましくは、０．１Ω・ｍ以下、さらに好ましくは、０．０５Ω・ｍ以下とすることができる。電気抵抗体１の電気抵抗率は、通電加熱時の発熱量増大などの観点から、好ましくは、０．０００２Ω・ｍ以上、より好ましくは、０．０００５Ω・ｍ以上、さらに好ましくは、０．００１Ω・ｍ以上とすることができる。
【００２８】
電気抵抗体１の電気抵抗上昇率は、通電加熱による温度分布の抑制を図りやすくなるなどの観点から、好ましくは、０．００１×１０−６／Ｋ以上、より好ましくは、０．０１×１０−６／Ｋ以上、さらに好ましくは、０．１×１０−６／Ｋ以上とすることができる。電気抵抗体１の電気抵抗上昇率は、電気回路において通電加熱に最適な電気抵抗値が存在するという観点からは、電気抵抗上昇率は変化しないことが理想的であり、好ましくは、１００×１０−６／Ｋ以下、より好ましくは、１０×１０−６／Ｋ以下、さらに好ましくは、１×１０−６／Ｋ以下とすることができる。
【００２９】
なお、電気抵抗体１の電気抵抗率は、四端子法により測定される測定値（ｎ＝３）の平均値である。また、電気抵抗体１の電気抵抗上昇率は、上記方法により電気抵抗体１の電気抵抗率を測定した後、次の計算方法によって算出することができる。先ず、５０℃、２００℃、４００℃の３点で電気抵抗率を測定する。４００℃の電気抵抗率から５０℃の電気抵抗率を引き算して導出した値を、４００℃と５０℃の温度差３５０℃で割り算して電気抵抗上昇率を算出する。
【００３０】
電気抵抗体１の熱膨張率は、０．５ｐｐｍ／Ｋ以上３ｐｐｍ／Ｋ以下であるとよい。この構成によれば、電気抵抗体１の耐熱衝撃性の向上を確実なものとすることができる。また、この構成によれば、内燃機関の排ガス浄化装置に用いられる電気加熱式触媒装置のハニカム構造体の材料として使用した場合に、繰り返しの加熱、冷却によってハニカム構造体にクラックが生じ難くなる。
【００３１】
電気抵抗体１の熱膨張率は、導電性確保などの観点から、好ましくは、０．６ｐｐｍ／Ｋ以上、より好ましくは、０．７ｐｐｍ／Ｋ以上、さらに好ましくは、０．８ｐｐｍ／Ｋ以上とすることができる。また、電気抵抗体１の熱膨張率は、耐熱衝撃性向上などの観点から、好ましくは、２．９ｐｐｍ／Ｋ以下、より好ましくは、２．８ｐｐｍ／Ｋ以下、さらに好ましくは、２．７ｐｐｍ／Ｋ以下とすることができる。
【００３２】
なお、電気抵抗体１の熱膨張率は、室温から４００℃までの温度範囲で試験片（５ｍｍ×５ｍｍ×１０ｍｍ）を加温したときに、温度が１ケルビン上昇した際に試験片が膨張した長さ（変位）を求めることにより測定することができる。
【００３３】
本実施形態の電気抵抗体１は、ホウケイ酸塩１０と、Ｓｉ含有粒子１１と、β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種１２と、を含んでいる。そのため、本実施形態の電気抵抗体１は、熱膨張率を低減することができる。それ故、本実施形態の電気抵抗体１によれば、耐熱衝撃性を向上させることができる。
【００３４】
（実施形態２）
実施形態２のハニカム構造体について、図２を用いて説明する。なお、実施形態２以降において用いられる符号のうち、既出の実施形態において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、既出の実施形態におけるものと同様の構成要素等を表す。
【００３５】
図２に例示されるように、本実施形態のハニカム構造体２は、実施形態１の電気抵抗体１を含んで構成されている。本実施形態では、具体的には、ハニカム構造体２は、実施形態１の電気抵抗体１より構成されている。図２では、具体的には、ハニカム構造体２の中心軸に垂直なハニカム断面視で、互いに隣接する複数のセル２０と、セル２０を形成するセル壁２１と、セル壁２１の外周部に設けられてセル壁２１を一体に保持する外周壁２２と、を有する構造が例示されている。なお、ハニカム構造体２には、公知の構造を適用することができ、図２の構造に限定されるものではない。図２は、セル２０を断面四角形状とした例であるが、他にもセル２０を断面六角形状等にすることもできる。
【００３６】
本実施形態のハニカム構造体２は、実施形態１の電気抵抗体１を含んで構成されている。そのため、本実施形態のハニカム構造体２は、通電加熱や熱環境下での使用による加熱と冷却とが繰り返された場合でも、それに伴う膨張収縮を抑制することができる。そのため、本実施形態のハニカム構造体２によれば、構造信頼性を高めることができる。
【００３７】
（実施形態３）
実施形態３の電気加熱式触媒装置について、図３を用いて説明する。図３に例示されるように、本実施形態の電気加熱式触媒装置３は、実施形態３のハニカム構造体２を有している。本実施形態では、具体的には、電気加熱式触媒装置３は、ハニカム構造体２と、ハニカム構造体２のセル壁２１に担持された排ガス浄化触媒（不図示）と、ハニカム構造体２の外周壁２２に対向配置された一対の電極３１、３２と、電極３１、３２に電圧を印加する電圧印加部３３とを有している。なお、電気加熱式触媒装置３には、公知の構造を適用することができ、図３の構造に限定されるものではない。
【００３８】
本実施形態の電気加熱式触媒装置３は、実施形態２のハニカム構造体２を有している。そのため、本実施形態の電気加熱式触媒装置３は、例えば、内燃機関の排ガス浄化装置に適用されて加熱と冷却とが繰り返された場合でもハニカム構造体２が割れ難く、信頼性を向上させることができる。
【００３９】
＜実験例＞
（試料の作製）
−試料１−
ペタライトとスポジュメン（原料段階でβ型に調製されたもの、以下省略）とホウ酸（粉砕品、以下省略）とシリコン粒子とを２６．５：２６．５：６：４１の質量比で混合した。なお、ペタライト、スポジュメンは、いずれもリチウム含有鉱物である。その他のリチウム含有鉱物としては、ユークリプタイト等を用いることもできる。次いで、この混合物にバインダーとしてメチルセルロースを２質量％添加し、水を加え、混練した。次いで、得られた混合物を押し出し成形機にてペレット状に成形し、一次焼成した。一次焼成の条件は、焼成温度７００度、昇温時間１００℃／時間、保持時間１時間、大気雰囲気・常圧とした。次いで、一次焼成した焼成体を二次焼成した。二次焼成の条件は、Ｎ２ガス雰囲気下・常圧、焼成温度１２５０℃、焼成時間３０分、昇温速度２００℃／時間とした。これにより、５ｍｍ×５ｍｍ×１８ｍｍの形状を有する試料１の電気抵抗体を得た。
【００４０】
−試料２−
ペタライトとホウ酸とシリコン粒子とを５３：６：４１の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料１と同様にして、試料２の電気抵抗体を得た。
【００４１】
−試料３−
カオリンとスポジュメンとホウ酸とシリコン粒子とを２６．５：２６．５：６：４１の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料１と同様にして、試料３の電気抵抗体を得た。
【００４２】
−試料４−
スポジュメンとホウ酸とシリコン粒子とを５３：６：４１の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料１と同様にして、試料４の電気抵抗体を得た。
【００４３】
−試料１Ｃ−
カオリンとホウ酸とシリコン粒子とを５３：６：４１の質量比で混合した混合物を用いた点以外は、試料１と同様にして、試料１Ｃの電気抵抗体を得た。なお、試料１Ｃの電気抵抗体は、リチウム含有鉱物であるペタライト、スポジュメンを用いず、リチウム含有鉱物ではないカオリンを用いた比較試料である。
【００４４】
（結晶構造解析）
試料１の電気抵抗体について、ＸＲＤによる結晶構造解析を行った。その結果を、図４に示す。図４に示されるように、試料１の電気抵抗体には、β−スポジュメン固溶体が生成していることが確認された。なお、試料２〜４の電気抵抗体についても、同様に、β−スポジュメン固溶体が生成していた。
【００４５】
（Ｂ含有量、Ｌｉ含有量の測定）
ＩＣＰ分析装置（日立ハイテクサイエンス社製、「ＳＰＳ−３５２０ＵＶ」）を用い、試料１の電気抵抗体について、Ｂ含有量、Ｌｉ含有量を測定した。その結果、試料１の電気抵抗体は、ホウケイ酸塩におけるＢ含有量が０．６８％であった。また、試料１の電気抵抗体におけるＬｉ含有量は１．３％であった。
【００４６】
（熱膨張率の測定）
試料１の電気抵抗体、試料１Ｃの電気抵抗体について、上述した方法により熱膨張率を測定した。熱膨張率の測定には、ＮＥＴＺＳＣＨ社製、「ＴＭＡ４０００」を用いた。その結果を、図５、表１に示す。図５、表１に示されるように、試料１Ｃの電気抵抗体は、熱膨張率が３．４ｐｐｍ／Ｋであったのに対し、試料１の電気抵抗体は、熱膨張率が１．４ｐｐｍ／Ｋであった。この結果から、電気抵抗体中にβ−スポジュメン固溶体を含むことにより、熱膨張率を低減できることが確認された。また、表１に、試料２〜試料４の電気抵抗体の熱膨張率を併せて示す。試料２〜試料４の電気抵抗体も、試料１の電気抵抗体と同様に、試料１Ｃの電気抵抗体に比べ、熱膨張率が低減された。
【００４７】
（電気抵抗率の測定）
試料１の電気抵抗体、試料１Ｃの電気抵抗体について、電気抵抗率を測定した。なお、電気抵抗率は、５ｍｍ×５ｍｍ×１８ｍｍの角柱サンプルについて、熱電特性評価装置（アルバック理工社製、「ＺＥＭ−２」）を用い、四端子法で測定した。その結果を、図６に示す。図６に示されるように、試料１の電気抵抗体は、試料１Ｃの電気抵抗体と同様に、電気抵抗率の温度依存性が小さく、ＰＴＣ特性を維持していることがわかる。また、試料１の電気抵抗体は、試料１Ｃの電気抵抗体に比べ、２５℃〜５００℃までの温度範囲において電気抵抗率が小さく、電気抵抗率は０．０００１Ω・ｍ以上１Ω・ｍ以下であった。また、試料１の電気抵抗体は、上述の算出方法による電気抵抗上昇率が５．０×１０−４／Ｋ以下であることが確認された。また、表１に、試料１〜４の電気抵抗体の室温（２５℃）における電気抵抗率を示す。なお、試料２〜４の電気抵抗体も、試料１の電気抵抗体と同様に、２５℃〜５００℃までの温度範囲において、電気抵抗率が０．０００１Ω・ｍ以上１Ω・ｍ以下、かつ、電気抵抗上昇率が５．０×１０−４／Ｋ以下であった。
【００４８】
【表１】
2019186100.tif 000003
【００４９】
本発明は、上記各実施形態、各実験例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、各実施形態、各実験例に示される各構成は、それぞれ任意に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  ホウケイ酸塩
１１  Ｓｉ含有粒子
１２  β−スポジュメン固溶体、および、β−石英固溶体のうち、少なくとも１種
２  ハニカム構造体
３  電気加熱式触媒装置
【図１】
2019186100.tif 000004
【図２】
2019186100.tif 000005
【図３】
2019186100.tif 000006
【図４】
2019186100.tif 000007
【図５】
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【図６】
2019186100.tif 000009