(57)【要約】      （修正有）【課題】整合に優れたポストを含むプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、絶縁層１００上に形成された金属パッド１１０と、金属パッド１１０の少なくとも一部を露出する開口部を備え、絶縁層１００上に積層されるソルダーレジスト層２００と、開口部内の金属パッド１１０上に形成され、上面がソルダーレジスト層２００の表面の上に突出する第１金属ポスト３００と、を含む。第１金属ポスト３００の側面全体及び下面に無電解メッキ層が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に形成された金属パッドと、
前記金属パッドの少なくとも一部を露出する開口部を備え、前記絶縁層上に積層されるソルダーレジスト層と、
前記開口部内の前記金属パッド上に形成され、上面が前記ソルダーレジスト層の表面の上に突出する第１金属ポストと、を含み、
前記第１金属ポストの側面全体及び下面に無電解メッキ層が形成されたプリント回路基板。
【請求項２】
前記第１金属ポスト上に形成される第２金属ポストをさらに含み、
前記第２金属ポストを形成する金属の溶融点が第１金属ポストを形成する金属の溶融点よりも低い請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記無電解メッキ層は、前記第２金属ポストの側面の少なくとも一部に延在する請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第２金属ポストの一部は前記無電解メッキ層上に形成される請求項２または３に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記ソルダーレジスト層は、前記第１金属ポストの側面に形成された前記無電解メッキ層と接触する請求項１から４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記第１金属ポストの下面の幅は、前記金属パッドの幅よりも小さい請求項１から５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記第１金属ポストの横断面積は、前記第１金属ポストの上面から下面に行くほど小さくなる請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記第１金属ポストの上面の面積は、前記金属パッドの横断面積以上である請求項７に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記第１金属ポストの横断面積は、前記第１金属ポストの上面から下面に行くほど大きくなる請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記第１金属ポストの横断面積は、前記第１金属ポストの上面から下面に行くほど大きくなってから小さくなる請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
前記第１金属ポストの横断面積は、前記第１金属ポストの上面から前記ソルダーレジスト層の表面に行くほど大きくなり、前記ソルダーレジスト層の表面から前記第１金属ポストの下面に行くほど小さくなる請求項１０に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
前記ソルダーレジスト層の表面においての前記第１金属ポストの幅は、前記金属パッドの幅以上である請求項１０または１１に記載のプリント回路基板。
【請求項１３】
前記第１金属ポストは、上面で横断面積の最小値を有する請求項１０から１２のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記第１金属ポストの横断面積は、前記第１金属ポストの上面から下面まで一定である請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記第２金属ポストの上面は、上に膨らんだ曲面を含む請求項２から４のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
前記ソルダーレジスト層の表面に対する前記第１金属ポストの側面の傾きは、０よりも大きい請求項１から１５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
前記第１金属ポストの周辺領域においての前記ソルダーレジスト層の高さは、他の領域の前記ソルダーレジスト層の高さよりも大きい請求項１から１６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、プリント回路基板においてチップを実装するバンプが微細ピッチに形成されている。バンプを形成する方法には、ＢＳＰまたはＵボール（Ｕ−ｂａｌｌ）技術があるが、この技術では、技術的限界のためにバンプピッチの限界が制限的であった。このため、バンプピッチを小さくするためには従来方式とは異なる方法が求められる。これにより、バンプを、金属柱を含む形状に形成する試みが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１３−０１３５２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、整合に優れたポストを含むプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、絶縁層上に形成された金属パッドと、上記金属パッドの少なくとも一部を露出する開口部を備え、上記絶縁層上に積層されるソルダーレジスト層と、上記開口部内の上記金属パッド上に形成され、上面が上記ソルダーレジスト層の表面上に突出する第１金属ポストと、を含み、上記第１金属ポストの側面全体と下面に無電解メッキ層が形成されたプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図４】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図５】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図６】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図７】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１６】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１７】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１８】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１９】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２０】本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２１】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２２】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２４】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２５】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２６】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２７】本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２８】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図２９】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３０】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３１】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３２】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３３】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３４】本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３５】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３６】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３７】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３８】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３９】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４０】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４１】本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４２】本発明の第６実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【０００８】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【０００９】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。
【００１０】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００１１】
図１を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層１００と、金属パッド１１０と、ソルダーレジスト層２００と、第１金属ポスト３００と、を含み、第２金属ポスト４００をさらに含むことができる。
【００１２】
プリント回路基板は、多層に形成されることができる。プリント回路基板を形成する層のうち、コア１００'は、プリント回路基板の中心に位置し、絶縁層１００、１００''は、上記コアの上下に積層されるビルドアップ層であり得る。コア１００'の上部に積層された絶縁層１００上には、金属ポスト３００、４００が形成され、上記金属ポスト３００、４００上にチップ等の素子が実装される。コア１００'の下部に積層された絶縁層１００''の下には、ソルダーボール５００等の接合剤が形成され、プリント回路基板とメインボードとが接合される。
【００１３】
プリント回路基板は、コアのないコアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）基板であってもよい。この場合にも、プリント回路基板の最上層に位置した絶縁層上に金属ポストが形成されてチップが実装され、プリント回路基板の最下層に位置した絶縁層にソルダーボールが形成されてメインボードと接合することができる。
【００１４】
コア１００'及び／または絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材であって、薄い板状である。コア１００'及び／または絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な素材を用いることができ、具体的には、エポキシ樹脂またはポリイミドなどが挙げられる。ここで、エポキシ樹脂には、例えば、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環式脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００１５】
コア１００'及び／または絶縁層１００は、上記樹脂にガラス繊維（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含まれたプリプレグ（ＰｒｅｐｒｅｇまたはＰＰＧ）であってもよい。絶縁層１００は、上記樹脂にシリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が充填された形態のビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）であってもよい。このビルドアップフィルムには、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）などが挙げられる。
【００１６】
絶縁層１００は、複数で構成されることができる。各絶縁層１００内には回路１２０が形成される。回路１２０は、電気信号を伝達するためにパターン化されている伝導体である。この回路１２０は、ビア１３０を介して電気的に接続することができる。また、最上部に位置した絶縁層１００上には最外層回路１２０'が形成されており、他の回路１２０とビア１３０を介して電気的に接続する。この最外層回路１２０'の位置は限定されず、その一部は、後述する複数の第１金属ポスト３００の間に位置することも可能である。
【００１７】
回路１２０、１２０'は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）  等の金属またはこれらの合金で形成することができる。
【００１８】
金属パッド１１０は、最外層回路１２０'の端部に形成されたものであって、最外層回路１２０'の幅よりも大きい幅を有することができる。金属パッド１１０は、ビア１３０上に形成され、他の層に形成されている回路１２０と電気的に接続することができる。
【００１９】
ソルダーレジスト層２００は、絶縁層１００上に積層されており、金属パッド１１０の少なくとも一部を露出する開口部２１０を備える。すなわち、ソルダーレジスト層２００の開口部２１０は、上記金属パッド１１０上に形成されており、金属パッド１１０の開口部２１０から露出する領域の幅は、金属パッド１１０の幅よりも小さいことが可能である。この場合、後述する第１金属ポスト３００の下面の幅は、金属パッド１１０の幅よりも小さい。
【００２０】
ソルダーレジスト層２００は、シリカ等の無機フィラーが含有された感光性樹脂で形成可能であり、感光性樹脂としてはエポキシ系樹脂を用いることができる。しかし、この材料に限定されず、プリント回路基板において使用可能な一般の材料をすべて使用できる。
【００２１】
一方、ソルダーレジスト層２００は、ポジ型またはネガ型であってもよく、以下の説明では、主にネガ型について説明するが、ポジ型を排除することではない。
【００２２】
プリント回路基板においてソルダーレジスト層２００'は、コア１００'の下部に積層された絶縁層１００''の下にも積層される。
【００２３】
第１金属ポスト３００は、ソルダーレジスト層２００の開口部２１０内の上記金属パッド１１０上に形成される柱状の金属である。第１金属ポスト３００は、素子を実装する役割を担い、複数形成されることができる。
【００２４】
第１金属ポスト３００の上面は、ソルダーレジスト層２００の表面（上面）上に突出する。すなわち、ソルダーレジスト層２００は、第１金属ポスト３００よりも低く形成される。
【００２５】
第１金属ポスト３００は、ソルダーレジスト層２００の表面（上面）と接触しない。
【００２６】
第１金属ポスト３００の側面の傾きは、ソルダーレジスト層２００の表面に対して０°よりも大きい。すなわち、第１金属ポスト３００の側面には、ソルダーレジスト層２００の表面に対する傾きが０となる区間（ソルダーレジスト層２００の表面に平行な区間）がない。
【００２７】
第１金属ポスト３００の側面全体と下面には、無電解メッキ層３１０が形成される。すなわち、第１金属ポスト３００の外周面全体に無電解メッキ層３１０が形成され、第１金属ポスト３００の下面にも無電解メッキ層３１０が形成される。
【００２８】
第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、ソルダーレジスト層２００と接触する。よって、ソルダーレジスト層２００の表面においてのソルダーレジスト層２００の開口部２１０の幅（面積）と、無電解メッキ層３１０を含む第１金属ポスト３００の幅（面積）とは、同一である。
【００２９】
また、第１金属ポスト３００の下面に形成された無電解メッキ層３１０は、金属パッド１１０の上面に形成される。すなわち、第１金属ポスト３００と金属パッド１１０との間に無電解メッキ層３１０が介在される。この場合、第１金属ポスト３００は、無電解メッキ層３１０を引込線とする電解メッキ層であってもよい。
【００３０】
第１金属ポスト３００は、ソルダーレジスト層２００よりも突出し、第１金属ポスト３００の側面全体には無電解メッキ層３１０が形成されるので、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は外部に露出する。
【００３１】
無電解メッキ層３１０は、第１金属ポスト３００と同じ金属で形成可能である。例えば、第１金属ポスト３００と無電解メッキ層３１０とをすべて銅（Ｃｕ）で形成することができる。無電解メッキ層３１０が必ずしも第１金属ポスト３００と同じ金属で形成される必要はなく、２層に形成されることが可能である。無電解メッキ層３１０は、第１金属ポスト３００と同じ金属を含んで２層に形成されることもできる。例えば、第１金属ポスト３００が銅（Ｃｕ）で形成され、無電解メッキ層３１０がチタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層の２層構造に形成されることが可能である。ここで、チタン無電解メッキ層３１０が最外層に形成され、外部に露出することができるが、銅（Ｃｕ）が最外層に形成されることを排除することではない。
【００３２】
無電解メッキ層３１０は、無電解メッキにより形成され、２μｍ以下の厚さを有することができる。
【００３３】
第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００上に形成される。第２金属ポスト４００を形成する金属の溶融点は、第１金属ポスト３００を形成する金属の溶融点よりも低い。
【００３４】
例えば、第１金属ポスト３００は、銅で形成され、第２金属ポスト４００は、錫（Ｓｎ）で形成されることができる。
【００３５】
第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００と素子とを接合する役割を担い、リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程において第１金属ポスト３００よりも先に溶融するように、相対的に低い溶融点を有する金属で形成される。
【００３６】
第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００の厚さよりも小さい厚さに形成され、メッキにより形成可能である。リフロー工程を経て第２金属ポスト４００が左右にフローされ、第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり得る。
【００３７】
以下、第１金属ポスト３００の形状及び第２金属ポスト４００の位置により、第１実施例から第５実施例を区分して説明する。図２から図４１には、プリント回路基板の最上部に位置している絶縁層１００が示されており、その下に形成された層は省略した。
【００３８】
図２は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００３９】
図２を参照すると、第１実施例に係るプリント回路基板において第１金属ポスト３００の横断面積は、第１金属ポスト３００の上面から下面まで実質的に一定である。第１金属ポスト３００の幅も、第１金属ポスト３００の上面から下面まで実質的に一定である。ここで、「実質的に一定である」とは許容誤差を含んで一定であることを意味する。この第１金属ポスト３００は、円柱または多角柱の形状を有することができる。
【００４０】
金属パッド１１０の幅をＡ、ソルダーレジスト層２００表面での第１金属ポスト３００の幅をＢ、第１金属ポスト３００の上面の幅をＣ、第１金属ポスト３００の下面の幅をＤとすると、次の不等号が成り立ち、上記の「幅」を「面積」に代替しても同様である。
【００４１】
Ａ＞Ｂ＝Ｃ＝Ｄ
【００４２】
また、上記のＢ、Ｃ、Ｄに、無電解メッキ層３１０の厚さを含めると、次の不等号が成り立つことができる。
【００４３】
Ａ≧Ｂ＝Ｃ＝Ｄ
【００４４】
一方、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００上に形成され、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面に延在することができる。ただし、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の少なくとも一部をカバーすることができる。すなわち、図２に示すように、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部のみをカバーすることができる。この場合、第２金属ポスト４００の一部は無電解メッキ層３１０の上部に位置し、第２金属ポスト４００が無電解メッキ層３１０よりも突出する。ここで、第２金属ポスト４００はきのこ形状を有する。
【００４５】
または、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面全体をカバーすることができ、この場合は、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０より突出しない。
【００４６】
図３は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００４７】
図３を参照すると、第２実施例に係るプリント回路基板において第１金属ポスト３００の横断面積は、第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど小さくなる。第１金属ポスト３００の幅も第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど小さくなる。この第１金属ポスト３００は、横断面が逆台形である柱状に形成されることができる。この場合、素子の実装の面積が広くなり、安定的に素子を実装することができる。
【００４８】
金属パッド１１０の幅をＡ、ソルダーレジスト層２００表面での第１金属ポスト３００の幅をＢ、第１金属ポスト３００の上面の幅をＣ、第１金属ポスト３００の下面の幅をＤとすると、次の不等号が成り立ち、上記の「幅」を「面積」に代替しても同様である。
【００４９】
Ｃ＞Ｂ＞Ｄ、Ａ＞Ｄ
【００５０】
ＡとＣの関係は、限定されないので、Ａ＝Ｃ、Ａ＜Ｃ、Ａ＞Ｃであることが可能である。
【００５１】
また、上記不等号は、上記  Ｂ、Ｃ、Ｄに無電解メッキ層３１０の厚さを含めても同様である。
【００５２】
一方、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００上に形成されており、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は第２金属ポスト４００の側面に延在することができる。ただし、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の少なくとも一部をカバーすることができる。すなわち、図３に示すように、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部のみをカバーすることができる。この場合、第２金属ポスト４００の一部は、無電解メッキ層３１０の上部に位置し、第２金属ポスト４００が無電解メッキ層３１０よりも突出する。ここで、第２金属ポスト４００はきのこ形状を有する。
【００５３】
または、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面全体をカバーすることができ、この場合は、第２金属ポスト４００は第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０より突出しない。
【００５４】
図４は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００５５】
図４を参照すると、第３実施例に係るプリント回路基板において第１金属ポスト３００の横断面積は、第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど大きくなる。第１金属ポスト３００の幅も第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど大きくなる。この第１金属ポスト３００は、横断面が（正）台形である柱状に形成されることができる。この場合、第１金属ポスト３００と金属パッド１１０との結合面積が大きくなり、安定的な結合を図ることができる。
【００５６】
金属パッド１１０の幅をＡ、ソルダーレジスト層２００表面での第１金属ポスト３００の幅をＢ、第１金属ポスト３００の上面の幅をＣ、第１金属ポスト３００の下面の幅をＤとすると、次の不等号が成り立ち、上記の「幅」を「面積」に代替しても同様である。
【００５７】
Ａ＞Ｄ＞Ｂ＞Ｃ
【００５８】
また、上記Ｂ、Ｃ、Ｄに無電解メッキ層３１０の厚さを含めると、次の不等号が成り立つことができる。
【００５９】
Ａ≧Ｄ＞Ｂ＞Ｃ
【００６０】
一方、第２金属ポスト４００は第１金属ポスト３００上に形成されており、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面に延在することができる。ただし、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の少なくとも一部をカバーすることができる。すなわち、図４に示すように、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部のみをカバーすることができる。この場合、第２金属ポスト４００の一部は、無電解メッキ層３１０の上部に位置し、第２金属ポスト４００が無電解メッキ層３１０よりも突出する。ここで、第２金属ポスト４００はきのこ形状を有する。
【００６１】
または、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面全体をカバーすることが可能であり、この場合は、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０より突出しない。
【００６２】
図５は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００６３】
図５を参照すると、第４実施例に係るプリント回路基板において、第１金属ポスト３００の横断面積は、第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど大きくなってから小さくなる。第１金属ポスト３００の幅も第１金属ポスト３００の上面から下面に行くほど大きくなってから小さくなる。ここで、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）の増減は、ソルダーレジスト層２００の表面で変わることができる。すなわち、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）は、上記第１金属ポスト３００の上面から上記ソルダーレジスト層２００の表面に行くほど大きくなり、上記ソルダーレジスト層２００の表面から上記第１金属ポスト３００の下面に行くほど小さくなる。
【００６４】
ただし、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）の増減が必ずしもソルダーレジスト層２００の表面で変わることではなく、変曲地点（第１金属ポスト３００の横断面積（幅）の増減が変わる地点）はソルダーレジスト層２００の表面よりも高くても低くてもよい。
【００６５】
本実施例において、第１金属ポスト３００の微細ピッチを実現しながら第１金属ポスト３００の体積を確保することができる。
【００６６】
金属パッド１１０の幅をＡ、変曲地点での第１金属ポスト３００の幅をＢ、第１金属ポスト３００の上面の幅をＣ、第１金属ポスト３００の下面の幅をＤとすると、次の不等号が成り立ち、上記の「幅」を「面積」に代替しても同様である。
【００６７】
Ｂ＞Ｃ、Ｂ＞Ｄ
【００６８】
変曲地点での第１金属ポスト３００の幅は、金属パッド１１０の幅以上であってもよい。すなわち、Ｂ＞Ａになることができる。
【００６９】
また、第１金属ポスト３００は、上面で横断面積の最小値を有することができる。すなわち、Ｂ＞Ｄ＞Ｃになることができる。
【００７０】
上記の不等式は、Ｂ、Ｃ、Ｄに無電解メッキ層３１０の厚さを含めても同様である。
【００７１】
変曲地点がソルダーレジスト層２００の表面に存在する場合、上記Ｂは、ソルダーレジスト層２００の表面においての第１金属ポストの幅となる。
【００７２】
一方、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００上に形成され、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面に延在することができる。ただし、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の少なくとも一部をカバーすることができる。すなわち、図５に示すように、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部のみをカバーすることができる。この場合、第２金属ポスト４００の一部は無電解メッキ層３１０の上部に位置し、第２金属ポスト４００が無電解メッキ層３１０よりも突出する。ここで、第２金属ポスト４００はきのこ形状を有する。
【００７３】
または、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面全体をカバーすることができ、この場合は、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０よりも突出しない。
【００７４】
図６は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００７５】
図６を参照すると、第５実施例に係るプリント回路基板において、第２金属ポスト４００は第１金属ポスト３００上に形成され、第２金属ポスト４００は、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０上に位置する。すなわち、上述の他の実施例とは異なって、第１金属ポスト３００の側面に形成された無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面をカバーしない。
【００７６】
ただし、図６では、第１金属ポスト３００の横断面積が第１金属ポスト３００の上面から下面まで実質的に一定に示されているが、この形状に限定されず、実施例２から実施例４で説明した第１金属ポスト３００の横断面のように変更可能である。
【００７７】
図４２は、本発明の第６実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００７８】
図４２を参照すると、第６実施例に係るプリント回路基板においてはソルダーレジスト層２００の高さが一定ではない。第１金属ポスト３００の周辺領域のソルダーレジスト層２００の高さは、他の領域のソルダーレジスト層２００の高さよりも大きいことが可能である。すなわち、ソルダーレジスト層２００が第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０と接する領域でのソルダーレジスト層２００の高さは、ソルダーレジスト層２００の平均高さより大きくてもよい。これは、後述するプリント回路基板の製造工程において、ソルダーレジスト層２００の高さを低くするデスミアまたはデスカム工程で第１金属ポスト３００の周辺部のソルダーレジスト層２００が相対的に少なく除去された結果であるか、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０とソルダーレジスト層２００との密着力が大きい場合であり得るが、これに制限されない。
【００７９】
一方、図４２において第１金属ポスト３００の形状及び第２金属ポスト４００の位置が第１実施例と同様に示されているが、本実施例の第１金属ポスト３００の形状及び第２金属ポスト４００の位置が第１実施例と同様に制限されることではなく、第１実施例から第５実施例等に変更可能である。
【００８０】
以下では、上述した第１実施例から第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法について説明する。
【００８１】
図７から図１３は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【００８２】
図７を参照すると、絶縁層１００上に、最外層回路１２０'及び金属パッド１１０が形成され、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０をカバーするソルダーレジスト層２００が積層される。また、ソルダーレジスト層２００には開口部２１０が形成される。ソルダーレジスト層２００は感光性であり、開口部２１０はフォトリソグラフィ工程の露光及び現像工程を経て形成されることができる。ソルダーレジスト層２００がネガ型である場合は、開口部２１０の形成される領域にマスク（ｍａｓｋ）を位置させ、開口部２１０の形成される領域以外の領域にのみ選択的に露光することができる。開口部２１０は金属パッド１１０上に形成され、開口部２１０を介して金属パッド１１０の少なくとも一部が露出することができる。
【００８３】
図８を参照すると、開口部２１０の内部及びソルダーレジスト層２００上に無電解メッキ層Ｓが形成される。無電解メッキ層Ｓは、無電解メッキにより２μｍ以下の厚さを有するように形成することができ、銅等の単層、チタン及び銅等の二重層に形成することができるが、これらの金属に制限されない。
【００８４】
図９を参照すると、開口部２１０内に第１金属ポスト３００を形成するための電解メッキ層Ｐが形成される。すなわち、第１金属ポスト３００は、無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキ層Ｐにより形成される。第１金属ポスト３００の高さは、ソルダーレジスト層２００の高さよりも低く形成される。
【００８５】
図１０を参照すると、第１金属ポスト３００の電解メッキ層Ｐ上に第２金属ポスト４００が形成される。第２金属ポスト４００も無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキにより形成可能である。第２金属ポスト４００は、ソルダーレジスト層２００の高さを超えないように形成できる。
【００８６】
図１１を参照すると、ソルダーレジスト層２００上に形成された無電解メッキ層Ｓが除去される。無電解メッキ層Ｓは、エッチングにより除去できる。ここで、残留する無電解メッキ層Ｓは、第２金属ポスト４００の側面をカバーする。
【００８７】
図１２を参照すると、ソルダーレジスト層２００の高さが低くなる。ソルダーレジスト層２００は、デスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）またはデスカム（ｄｅｓｃｕｍ）等の方式により一部除去することにより、ソルダーレジスト層２００の高さを低くすることができる。ソルダーレジスト層２００の高さが低くなることにより、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０が外部に露出される。ここで、除去されるソルダーレジスト層２００の高さは、デスミアまたはデスカムのパワー（ｐｏｗｅｒ）を調整することにより調整できる。
【００８８】
図１３を参照すると、リフロー工程を経て第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり、第２金属ポスト４００の一部が無電解メッキ層３１０上へ水平方向にフロー（ｆｌｏｗ）することになる。結果的に、無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部をカバーし、第２金属ポスト４００の一部は無電解メッキ層３１０上に位置することになる。
【００８９】
一方、本実施例では、ソルダーレジストの開口部２１０の横断面積（幅）が上面から下面まで実質的に一定であり、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）も上面から下面まで実質的に一定である。
【００９０】
図１４から図２０は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【００９１】
図１４を参照すると、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０が形成され、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０をカバーするソルダーレジスト層２００が積層される。また、ソルダーレジスト層２００には開口部２１０が形成される。ソルダーレジスト層２００は感光性であり、開口部２１０はフォトリソグラフィ工程の露光及び現像工程により形成することができる。ソルダーレジスト層２００がネガ型である場合、開口部２１０の形成される領域にマスクを位置させ、開口部２１０の形成される領域以外の領域にのみ選択的に露光することができる。開口部２１０は金属パッド１１０上に形成され、開口部２１０を介して金属パッド１１０の少なくとも一部が露出可能となる。
【００９２】
開口部２１０は、上面から下面に行くほどその横断面積及び幅が低減する。この開口部２１０の形状は、露光に使用する光の波長を調整することにより実現可能である。例えば、露光に使用する光の波長は、加工面にて吸収を少なく起こすものであり得る。具体的に、一般的な光は、加工面での吸収率が高くて加工面にて光反応を活発に起こすＩ−ｌｉｎｅ、これに対して、加工面にて光反応を少なく起こすＨ−ｌｉｎｅ等の波長からなることができ、本実施例で露光に使用する光の主波長は、Ｈ−ｌｉｎｅに含まれるものであることができる。
【００９３】
図１５を参照すると、開口部２１０の内部及びソルダーレジスト層２００上に無電解メッキ層Ｓが形成される。無電解メッキ層Ｓは、無電解メッキにより２μｍ以下の厚さに形成可能であり、銅等の単層、チタン及び銅等の二重層に形成可能である。
【００９４】
図１６を参照すると、開口部２１０内に第１金属ポスト３００を形成するための電解メッキ層Ｐが形成される。すなわち、第１金属ポスト３００は無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキ層Ｐにより形成される。第１金属ポスト３００の高さはソルダーレジスト層２００の高さよりも低く形成される。
【００９５】
図１７を参照すると、第１金属ポスト３００の電解メッキ層Ｐ上に第２金属ポスト４００が形成される。第２金属ポスト４００も無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキにより形成可能である。第２金属ポスト４００はソルダーレジスト層２００の高さを超えないように形成できる。
【００９６】
図１８を参照すると、ソルダーレジスト層２００上に形成された無電解メッキ層Ｓが除去される。無電解メッキ層Ｓはエッチングにより除去可能である。ここで、残留する無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面をカバーする。
【００９７】
図１９を参照すると、ソルダーレジスト層２００の高さが低くなる。ソルダーレジスト層２００はデスミアまたはデスカム等の方式により一部除去されることによりソルダーレジスト層２００の高さを低くすることができる。ソルダーレジスト層２００の高さが低くなることにより、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０が外部に露出される。
【００９８】
図２０を参照すると、リフロー工程を経て、第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり、第２金属ポスト４００の一部が無電解メッキ層３１０上へ水平方向にフローされる。結果的に、無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面の一部をカバーし、第２金属ポスト４００の一部は、無電解メッキ層３１０上に位置することになる。
【００９９】
一方、本実施例では、ソルダーレジストの開口部２１０の横断面積（幅）が上面から下面に行くほど小さくなり、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）も上面から下面に行くほど小さくなる。
【０１００】
図２１から図２７は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【０１０１】
図２１を参照すると、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０が形成され、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０をカバーするソルダーレジスト層２００が積層される。また、ソルダーレジスト層２００には開口部２１０が形成される。ソルダーレジスト層２００はネガ型の感光性であり、開口部２１０はフォトリソグラフィ工程の露光及び現像工程により形成できる。開口部２１０は、金属パッド１１０上に形成され、開口部２１０を介して金属パッド１１０の少なくとも一部が露出可能となる。
【０１０２】
開口部２１０は上面から下面に行くほどその横断面積及び幅が増加する。この開口部２１０の形状は、露光に使用する光の波長を調整することにより実現可能である。例えば、露光に使用する光の波長は、加工面にて吸収が最も大きいものであり得る。具体的に、一般的な光は、加工面での吸収率が高くて加工面にて光反応を活発に起こすＩ−ｌｉｎｅ、これに対して、加工面にて光反応を少なく起こすＨ−ｌｉｎｅ等の波長からなり、本実施例において露光に使用する光の主波長は、Ｉ−ｌｉｎｅに含まれるものであることができる。
【０１０３】
図２２を参照すると、開口部２１０の内部及びソルダーレジスト層２００上に無電解メッキ層Ｓが形成される。無電解メッキ層Ｓは、無電解メッキにより２μｍ以下の厚さに形成可能であり、銅等の単層、チタン及び銅等の二重層で形成可能である。
【０１０４】
図２３を参照すると、開口部２１０内に第１金属ポスト３００を形成するための電解メッキ層Ｐが形成される。すなわち、第１金属ポスト３００は無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキ層Ｐにより形成される。第１金属ポスト３００の高さは、ソルダーレジスト層２００の高さより低く形成される。
【０１０５】
図２４を参照すると、第１金属ポスト３００の電解メッキ層Ｐ上に第２金属ポスト４００が形成される。第２金属ポスト４００も無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキにより形成可能である。第２金属ポスト４００はソルダーレジスト層２００の高さを超えないように形成できる。
【０１０６】
図２５を参照すると、ソルダーレジスト層２００上に形成された無電解メッキ層Ｓが除去される。無電解メッキ層Ｓは、エッチングにより除去できる。ここで、残留する無電解メッキ層３１０は、第２金属ポスト４００の側面をカバーする。
【０１０７】
図２６を参照すると、ソルダーレジスト層２００の高さが低くなる。ソルダーレジスト層２００はデスミアまたはデスカム等の方式で一部除去することによりソルダーレジスト層２００の高さを低くすることができる。ソルダーレジスト層２００の高さが低くなることにより、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０が外部に露出される。
【０１０８】
図２７を参照すると、リフロー工程を経て、第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり、第２金属ポスト４００の一部が無電解メッキ層３１０上へ水平方向にフローされる。結果的に、無電解メッキ層３１０は第２金属ポスト４００の側面の一部をカバーし、第２金属ポスト４００の一部は無電解メッキ層３１０上に位置することになる。
【０１０９】
一方、本実施例では、ソルダーレジストの開口部２１０の横断面積（幅）が上面から下面に行くほど大きくなり、第１金属ポスト３００の横断面積（幅）も上面から下面に行くほど大きくなる。
【０１１０】
図２８から図３４は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【０１１１】
図２８を参照すると、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０が形成され、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０をカバーするソルダーレジスト層２００が積層される。また、ソルダーレジスト層２００には開口部２１０が形成される。ソルダーレジスト層２００はネガ型の感光性であり、開口部２１０はフォトリソグラフィ工程の露光及び現像工程により形成することができる。開口部２１０は金属パッド１１０上に形成され、開口部２１０を介して金属パッド１１０の少なくとも一部が露出可能となる。
【０１１２】
開口部２１０は上面から下面に行くほどその横断面積と幅が増加してから減少する。この開口部２１０の形状は、露光に使用する光の波長を調整することにより実現可能である。
【０１１３】
例えば、光の波長を特定地点で変更するか、ソルダーレジスト層２００の中間地点で光反応を少なく起こす波長の光を使用することができる。または、加工面にて光反応を活発に起こすＩ−ｌｉｎｅ及び加工面にて光反応を少なく起こすＨ−ｌｉｎｅのそれぞれに含まれる波長が約１：１の割合で混合されたものを使用することができる。
【０１１４】
または、波長による光吸収率が互いに異なる２つのソルダーレジスト層２００を用いることにより、上記の開口部２１０の形状を実現することができる。
【０１１５】
図２９を参照すると、開口部２１０の内部及びソルダーレジスト層２００上に無電解メッキ層Ｓが形成される。無電解メッキ層Ｓは無電解メッキにより２μｍ以下の厚さに形成可能であり、銅等の単層、チタン及び銅等の二重層に形成可能である。
【０１１６】
図３０を参照すると、開口部２１０内に第１金属ポスト３００を形成するための電解メッキ層Ｐが形成される。すなわち、第１金属ポスト３００は無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキ層Ｐにより形成される。第１金属ポスト３００の高さは、ソルダーレジスト層２００の高さより低く形成される。
【０１１７】
図３１を参照すると、第１金属ポスト３００の電解メッキ層Ｐ上に第２金属ポスト４００が形成される。第２金属ポスト４００も無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキにより形成可能である。第２金属ポスト４００はソルダーレジスト層２００の高さを超えないように形成できる。
【０１１８】
図３２を参照すると、ソルダーレジスト層２００上に形成された無電解メッキ層Ｓが除去される。無電解メッキ層Ｓはエッチングにより除去できる。ここで、残留する無電解メッキ層３１０は第２金属ポスト４００の側面をカバーする。
【０１１９】
図３３を参照すると、ソルダーレジスト層２００の高さが低くなる。ソルダーレジスト層２００はデスミアまたはデスカム等の方式で一部除去することによりソルダーレジスト層２００の高さを低くすることができる。ソルダーレジスト層２００の高さが低くなることにより、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０が外部に露出される。
【０１２０】
デスミアまたはデスカム処理されたソルダーレジスト層２００の高さは、第１金属ポスト３００の横断面積が最も大きい地点（変曲地点）まで低くなることができるが、これに限定されず、最終的なソルダーレジスト層２００の高さは第１金属ポスト３００の横断面積が最も大きい地点よりも高いか低くてもよい。
【０１２１】
図３４を参照すると、リフロー工程を経て、第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり、第２金属ポスト４００の一部が無電解メッキ層３１０上へ水平方向にフローされる。結果的に、無電解メッキ層３１０は第２金属ポスト４００の側面の一部をカバーし、第２金属ポスト４００の一部は無電解メッキ層３１０上に位置することになる。
【０１２２】
一方、本実施例では、ソルダーレジストの開口部２１０の横断面積（幅）が上面から下面に行くほど大きくなってから小さくなり, 第１金属ポスト３００の横断面積（幅）も 上面から下面に行くほど大きくなってから小さくなる。
【０１２３】
図３５から図４１は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【０１２４】
図３５を参照すると、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０が形成され、絶縁層１００上に最外層回路１２０'及び金属パッド１１０をカバーするソルダーレジスト層２００が積層される。また、ソルダーレジスト層２００には開口部２１０が形成される。ソルダーレジスト層２００はネガ型の感光性であり、開口部２１０はフォトリソグラフィ工程の露光及び現像工程により形成可能である。開口部２１０は金属パッド１１０上に形成され、開口部２１０を介して金属パッド１１０の少なくとも一部が露出可能となる。
【０１２５】
図３５には、開口部２１０が上面から下面までその横断面積及び幅が一定に示されているが、この形状に限定されず、上述の第２実施例から第４実施例で説明した開口部２１０の形状に代替可能である。
【０１２６】
図３６を参照すると、開口部２１０の内部及びソルダーレジスト層２００上に無電解メッキ層Ｓが形成される。無電解メッキ層Ｓは無電解メッキにより２μｍ以下の厚さに形成可能であり、銅等の単層、チタン及び銅等の二重層に形成可能である。
【０１２７】
図３７を参照すると、開口部２１０内に第１金属ポスト３００を形成するための電解メッキ層Ｐが形成される。すなわち、第１金属ポスト３００は無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキ層Ｐにより形成される。電解メッキ層Ｐは、ソルダーレジスト層２００の高さよりも高く形成される。
【０１２８】
図３８を参照すると、第１金属ポスト３００の電解メッキ層Ｐ上に第２金属ポスト４００が形成される。第２金属ポスト４００も無電解メッキ層Ｓを引込線とする電解メッキにより形成可能である。第２金属ポスト４００はソルダーレジスト層２００の高さよりも高く形成されることができる。
【０１２９】
図３９を参照すると、ソルダーレジスト層２００上に形成された無電解メッキ層Ｓが除去される。無電解メッキ層Ｓはエッチングにより除去できる。
【０１３０】
図４０を参照すると、ソルダーレジスト層２００の高さが低くなる。ソルダーレジスト層２００は、デスミアまたはデスカム等の方式で一部除去することによりソルダーレジスト層２００の高さを低くすることができる。ソルダーレジスト層２００の高さが低くなることにより、第１金属ポスト３００の無電解メッキ層３１０が外部に露出される。また、第２金属ポスト４００の側面も外部に露出される。
【０１３１】
図４１を参照すると、リフロー工程を経て、第２金属ポスト４００の上面が上に膨らんだ曲面となり、第２金属ポスト４００が無電解メッキ層３１０上へ水平方向にフローされる。
【０１３２】
本実施例では、無電解メッキ層３１０が第２金属ポスト４００の側面をカバーせず、第２金属ポスト４００全体は無電解メッキ層３１０よりも突出して形成される。
【０１３３】
以上、本発明の実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１３４】
１００、１００'、１００''    絶縁層
１１０    金属パッド
１２０、１２０'    回路
１３０    ビア
２００、２００'    ソルダーレジスト層
２１０    開口部
３００    第１金属ポスト
３１０    無電解メッキ層
４００    第２金属ポスト
５００    ソルダーボール
【図１】
2019080042.tif 000003
【図２】
2019080042.tif 000004
【図３】
2019080042.tif 000005
【図４】
2019080042.tif 000006
【図５】
2019080042.tif 000007
【図６】
2019080042.tif 000008
【図７】
2019080042.tif 000009
【図８】
2019080042.tif 000010
【図９】
2019080042.tif 000011
【図１０】
2019080042.tif 000012
【図１１】
2019080042.tif 000013
【図１２】
2019080042.tif 000014
【図１３】
2019080042.tif 000015
【図１４】
2019080042.tif 000016
【図１５】
2019080042.tif 000017
【図１６】
2019080042.tif 000018
【図１７】
2019080042.tif 000019
【図１８】
2019080042.tif 000020
【図１９】
2019080042.tif 000021
【図２０】
2019080042.tif 000022
【図２１】
2019080042.tif 000023
【図２２】
2019080042.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2019080042.tif 000026
【図２５】
2019080042.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
2019080042.tif 000029
【図２８】
2019080042.tif 000030
【図２９】
2019080042.tif 000031
【図３０】
2019080042.tif 000032
【図３１】
2019080042.tif 000033
【図３２】
2019080042.tif 000034
【図３３】
2019080042.tif 000035
【図３４】
2019080042.tif 000036
【図３５】
2019080042.tif 000037
【図３６】
2019080042.tif 000038
【図３７】
2019080042.tif 000039
【図３８】
2019080042.tif 000040
【図３９】
2019080042.tif 000041
【図４０】
2019080042.tif 000042
【図４１】
2019080042.tif 000043
【図４２】
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