(57)【要約】【課題】特性のばらつきを低減すること。【解決手段】電子部品１では、第１の側面１３を有する素体１０と、第１の側面１３と平行な主面に沿って巻回されたコイル導体層４１ａ〜４１ｆと、第１の側面１３と平行な板状のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊと、を備える。コイル導体層４１ａ〜４１ｆ及びコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、第１の側面１３と垂直な幅方向Ｗに配列される。コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊには、幅方向Ｗにおいて互いに隣り合うコンデンサ導体層５１ｄ及びコンデンサ導体層５１ｃが含まれる。コイル導体層４１ａ〜４１ｆには、コンデンサ導体層５１ｄと同層に位置するコイル導体層４１ｂと、コンデンサ導体層５１ｃと同層に位置するコイル導体層４１ａと、が含まれる。コイル導体層４１ｂとコンデンサ導体層５１ｄとの最短間隔が、コイル導体層４１ａとコンデンサ導体層５１ｃとの最短間隔よりも大きい。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側面を有する素体と、
前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面に沿って巻回された複数のコイル導体層と、
前記素体内に設けられ、前記第１の側面と平行な板状の複数のコンデンサ導体層と、
を備え、
前記複数のコイル導体層及び前記複数のコンデンサ導体層は、前記第１の側面と垂直な積層方向に配列され、
前記複数のコンデンサ導体層には、前記積層方向において互いに隣り合う第１コンデンサ導体層及び第２コンデンサ導体層が含まれ、
前記複数のコイル導体層には、前記第１コンデンサ導体層と同層に位置する第１コイル導体層と、前記第２コンデンサ導体層と同層に位置する第２コイル導体層と、が含まれ、
前記第１コイル導体層と前記第１コンデンサ導体層との最短間隔が、前記第２コイル導体層と前記第２コンデンサ導体層との最短間隔よりも大きい電子部品。
【請求項２】
前記第１コンデンサ導体層は、一定の第１間隔を空けて前記第１コイル導体層に沿った形状を有し、
前記第２コンデンサ導体層は、一定の第２間隔を空けて前記第２コイル導体層に沿った形状を有し、
前記第１間隔が、前記第２間隔よりも大きい請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記複数のコイル導体層のそれぞれは、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、
前記コイル導体層と同層に位置する前記コンデンサ導体層は、一定の間隔を空けて当該コイル導体層に沿った形状を有し、前記一定の間隔が、前記積層方向に沿って、交互に前記第１間隔、前記第２間隔となっている請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記複数のコイル導体層は、互いに電気的に並列に接続された並列部を有する請求項１〜３の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記複数のコイル導体層のそれぞれは、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、１周未満に巻回され、両端部の間の切り欠き部が同層に位置する前記コンデンサ導体層に向いている請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記複数のコイル導体層には、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、１周未満に巻回され、両端部の間の切り欠き部が同層に位置する前記コンデンサ導体層に向いていないコイル導体層が含まれる請求項１〜４の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記素体から露出する第１外部電極及び第２外部電極をさらに備え、
前記第１外部電極、前記複数のコイル導体層、前記第２外部電極が、この順に電気的に直列接続され、
前記複数のコンデンサ導体層のそれぞれは、前記第１外部電極と前記第２外部電極のいずれか一方と電気的に接続され、前記第１外部電極と接続されたコンデンサ導体層と、前記第２外部電極と接続されたコンデンサ導体層とが、前記積層方向に沿って交互に配列された請求項１〜６の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記素体は、前記第１の側面と直交し、前記第１外部電極及び前記第２外部電極が露出する実装面を有し、
前記実装面と直交する方向に沿って、前記実装面、前記第１コンデンサ導体層、前記第１コイル導体層が、この順に並ぶ請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
前記素体は、前記第１の側面及び前記実装面と直交する第１の端面及び第２の端面を有し、前記第１の端面からは前記第１外部電極のみが露出し、前記第２の端面からは前記第２外部電極のみが露出する請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面に沿って延び、前記複数のコイル導体層の少なくとも一つと、前記第１外部電極とを電気的に接続する第１引出導体層と、
前記第１引出導体層と同層に位置し、前記複数のコイル導体層、前記複数のコンデンサ導体層、前記第１外部電極、前記第２外部電極及び前記第１引出導体層のいずれにも接続されていないダミー導体層と、
をさらに備え、
前記積層方向から視て、前記ダミー導体層は、前記複数のコンデンサ導体層のいずれかと重なる請求項７〜９の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記複数のコンデンサ導体層には、前記第１引出導体層と同層に位置する第３コンデンサ導体層と、前記第３コンデンサ導体層と前記積層方向において隣り合う第４コンデンサ導体層と、が含まれ、
前記積層方向から視て、前記第１引出導体層及びダミー導体層は、前記第４コンデンサ導体層とは重ならない請求項１０に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記複数のコンデンサ導体層は、一定の第３間隔を空けて前記第１外部電極及び前記第２外部電極の少なくとも一方に沿った形状を有する請求項７〜１１の何れか１項に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記第１コンデンサ導体層の前記第３間隔が、前記第２コンデンサ導体層の前記第３間隔よりも大きい請求項１２に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の通信機器のキャリヤ周波数の高周波数化にともない、これらの機器の信号送信部及び信号受信部には、ＧＨｚ帯の高周波に対応したＬＣ共振回路が使用される。ＬＣ共振回路として、コイルとコンデンサとを含む電子部品が利用される（例えば、特許文献１参照）場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１３４７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の電子部品において、コイルとコンデンサという２つの素子を含むことから、コイル部品及びコンデンサ部品を用いたＬＣ共振回路と比較して、共振周波数がばらつく虞がある。
【０００５】
本開示の目的は、特性のばらつきを低減することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様である電子部品は、第１の側面を有する素体と、前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面に沿って巻回された複数のコイル導体層と、前記素体内に設けられ、前記第１の側面と平行な板状の複数のコンデンサ導体層と、を備え、前記複数のコイル導体層及び前記複数のコンデンサ導体層は、前記第１の側面と垂直な積層方向に配列され、前記複数のコンデンサ導体層には、前記積層方向において互いに隣り合う第１コンデンサ導体層及び第２コンデンサ導体層が含まれ、前記複数のコイル導体層には、前記第１コンデンサ導体層と同層に位置する第１コイル導体層と、前記第２コンデンサ導体層と同層に位置する第２コイル導体層と、が含まれ、前記第１コイル導体層と前記第１コンデンサ導体層との最短間隔が、前記第２コイル導体層と前記第２コンデンサ導体層との最短間隔よりも大きい。
【０００７】
この構成によれば、特性のばらつきを低減できる。
上記の電子部品において、前記第１コンデンサ導体層は、一定の第１間隔を空けて前記第１コイル導体層に沿った形状を有し、前記第２コンデンサ導体層は、一定の第２間隔を空けて前記第２コイル導体層に沿った形状を有し、前記第１間隔が、前記第２間隔よりも大きいことが好ましい。
【０００８】
この構成によれば、特性のばらつきをより抑制することができる。
上記の電子部品において、前記複数のコイル導体層のそれぞれは、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、前記コイル導体層と同層に位置する前記コンデンサ導体層は、一定の間隔を空けて当該コイル導体層に沿った形状を有し、前記一定の間隔が、前記積層方向に沿って、交互に前記第１間隔、前記第２間隔となっていることが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、特性のばらつきをさらに抑制することができる。
上記の電子部品において、前記複数のコイル導体層は、互いに電気的に並列に接続された並列部を有することが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、並列部によって、電子部品の特性を調整できる。
上記の電子部品において、前記複数のコイル導体層のそれぞれは、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、１周未満に巻回され、両端部の間の切り欠き部が同層に位置する前記コンデンサ導体層に向いていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、素体内の導体層の配置の偏りを低減できるため、素体内の熱応力の差を小さくできる。
上記の電子部品において、前記複数のコイル導体層には、前記複数のコンデンサ導体層のいずれか一つと同層に位置し、１周未満に巻回され、両端部の間の切り欠き部が同層に位置する前記コンデンサ導体層に向いていないコイル導体層が含まれることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、取得できる容量値の調整範囲をより大きくすることができる。
上記の電子部品において、前記素体から露出する第１外部電極及び第２外部電極をさらに備え、前記第１外部電極、前記複数のコイル導体層、前記第２外部電極が、この順に電気的に直列接続され、前記複数のコンデンサ導体層のそれぞれは、前記第１外部電極と前記第２外部電極のいずれか一方と電気的に接続され、前記第１外部電極と接続されたコンデンサ導体層と、前記第２外部電極と接続されたコンデンサ導体層とが、前記積層方向に沿って交互に配列されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、第１外部電極と第２外部電極との間で並列ＬＣ共振回路を構成できる。
上記の電子部品において、前記素体は、前記第１の側面と直交し、前記第１外部電極及び前記第２外部電極が露出する実装面を有し、前記実装面と直交する方向に沿って、前記実装面、前記第１コンデンサ導体層、前記第１コイル導体層が、この順に並ぶことが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、電子部品の特性を向上できる。
上記の電子部品において、前記素体は、前記第１の側面及び前記実装面と直交する第１の端面及び第２の端面を有し、前記第１の端面では前記第１外部電極のみが露出し、前記第２の端面では前記第２外部電極のみが露出することが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、電子部品の実装性を向上できる。
上記の電子部品は、前記素体内において、前記第１の側面と平行な主面に沿って延び、前記複数のコイル導体層の少なくとも一つと、前記第１外部電極とを電気的に接続する第１引出導体層と、前記第１引出導体層と同層に位置し、前記複数のコイル導体層、前記複数のコンデンサ導体層、前記第１外部電極、前記第２外部電極及び前記第１引出導体層のいずれにも接続されていないダミー導体層と、をさらに備え、前記積層方向から視て、前記ダミー導体層は、前記複数のコンデンサ導体層のいずれかと重なることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、素体内の導体層の配置の偏りを低減できるため、素体内の熱応力の差を小さくできる。
上記の電子部品において、前記複数のコンデンサ導体層には、前記第１引出導体層と同層に位置する第３コンデンサ導体層と、前記第３コンデンサ導体層と前記積層方向において隣り合う第４コンデンサ導体層と、が含まれ、前記積層方向から視て、前記第１引出導体層及びダミー導体層は、前記第４コンデンサ導体層とは重ならないことが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、容量値へ影響を与えずにコイル導体層とコンデンサ導体層との間のショート発生率を低減できる。
上記の電子部品において、前記複数のコンデンサ導体層は、一定の第３間隔を空けて前記第１外部電極及び前記第２外部電極の少なくとも一方に沿った形状を有することが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、この構成によれば、第３間隔によって、取得できる容量値を調整することができる。
上記の電子部品において、前記第１コンデンサ導体層の前記第３間隔が、前記第２コンデンサ導体層の前記第３間隔よりも大きいことが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、容量値のばらつきをさらに抑制することができる。
なお、本明細書において「同層に位置する」とは、コイル導体層、コンデンサ導体層、引出導体層、ダミー導体層などの層が、比較する層に対して、積層方向と垂直な層内方向、すなわち第１の側面と平行な方向に位置することを指す。
【発明の効果】
【００２０】
本開示の一態様によれば、共振周波数のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】電子部品の概略斜視図。
【図２】電子部品の概略平面図。
【図３】電子部品の概略正面図。
【図４】電子部品の概略透視斜視図。
【図５】電子部品の分解斜視図。
【図６】変形例の絶縁体層及び導体層を示す斜視図。
【図７】変形例の絶縁体層及び導体層を示す正面図。
【図８】変形例の絶縁体層及び導体層を示す正面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本開示の一態様である実施形態を説明する。
なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、または別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図では、理解を容易にするためにハッチングを付しているが、一部の構成要素についてはハッチングを省略している場合がある。
【００２３】
図１は、電子部品１の外観を示す概略斜視図である。電子部品１は、素体１０を備えている。素体１０は、電子部品１の各部材を配置する基体であり、概略で直方体状である。なお、本明細書において、「直方体状」には、角部や稜線部が面取りされた直方体や、角部や稜線部が丸められた直方体が含まれるものとする。また、「直方体状」は、主面及び側面の一部又は全部に凹凸などが形成された形状であってもよく、対向する面が完全に平行となっておらず、多少の傾きがある形状であってもよい。
【００２４】
素体１０は、実装面１１を有している。この実装面１１は、電子部品１を回路基板に実装する際に、回路基板と対向する面を意味する。素体１０は、実装面１１と平行な上面１２を有している。また、素体１０は、実装面１１に対して直交する二対の面を有している。この二対の面のうちの一方の一対の面を第１の側面１３及び第２の側面１４とし、二対の面のうちの他方の一対の面を第１の端面１５及び第２の端面１６とする。なお、第１の端面１５及び第２の端面１６は、第１の側面１３及び第２の側面１４と直交する。
【００２５】
本明細書において、上面１２及び実装面１１と垂直な方向を「高さ方向」、第１の側面１３と第２の側面１４と垂直な方向を「幅方向」、第１の端面１５と第２の端面１６と垂直な方向を「長さ方向」とする。具体的な例示として、「長さ方向Ｌ」、「高さ方向Ｔ」、「幅方向Ｗ」を図１に図示する。そして、「幅方向」の大きさを「幅寸法」、「高さ方向」の大きさを「高さ寸法」、「長さ方向」の大きさを「長さ寸法」とする。なお、以下では電子部品１の高さ方向における実装面１１側を下側、上面１２側を上側とする。
【００２６】
素体１０において、長さ方向Ｌの大きさ（長さ寸法Ｌ１）は、０ｍｍよりも大きく、１．０ｍｍ以下が好ましい。本実施形態では、例えば、長さ寸法Ｌ１は、０．６ｍｍである。また、素体１０において、幅方向Ｗの大きさ（幅寸法Ｗ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。幅寸法Ｗ１は、０．３６ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．３３ｍｍ以下であることがより好ましい。本実施形態では、例えば、素体１０の幅寸法Ｗ１は、０．３ｍｍである。また、素体１０において、高さ方向Ｔの大きさ（高さ寸法Ｔ１）は、０ｍｍよりも大きく、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。本実施形態では、例えば、素体１０の高さ寸法Ｔ１は、０．４ｍｍである。また、本実施形態において、素体１０は、幅寸法Ｗ１に対して高さ寸法Ｔ１が大きい（Ｔ１＞Ｗ１）。
【００２７】
図２、図３及び図４は、電子部品１の内部構造を含む各部の構成を説明するための図である。電子部品１は、第１外部電極２０及び第２外部電極３０と、コイル４０と、コンデンサ５０とをさらに備えている。図２、図３及び図４では、素体１０内に位置するコイル４０と、コンデンサ５０と、後述する第１外部電極２０及び第２外部電極３０の外部端子電極２１，３１とを実線にて示すとともに、素体１０と、素体１０外に位置する後述の第１外部電極２０及び第２外部電極３０の被覆層２２，３２とを二点鎖線にて示すことにより、素体１０の内外を判り易くしている。また、図２では、コイル４０とコンデンサ５０とが重なっているため、コイル４０のコイル部４０ａを塗り潰し、コンデンサ５０と区別して判り易くしている。また、コンデンサ５０の上端（最も上面１２に近い端部）の部分にハッチングを付し、第１外部電極２０，第２外部電極３０と区別して判り易くしている。
【００２８】
図５に示すように、素体１０は、第１の側面１３と平行な主面を有する長方形の板状の複数の絶縁体層６０を含み、複数の絶縁体層６０が第１の側面１３と垂直な幅方向Ｗに積層されて構成された直方体状である。従って、幅方向Ｗは、絶縁体層６０の積層方向である。また、幅方向Ｗと垂直な長さ方向Ｌ及び高さ方向Ｔは、積層方向と垂直な層内方向の一つである。個々の絶縁体層には、それぞれを区別する符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を付している。以下の説明において、複数の絶縁体層を区別しない場合には符号「６０」を用い、個々を区別する場合には符号「６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５」を用いる。
【００２９】
なお、絶縁体層６０の主面は、導体層形成、積層、焼成、硬化などの製造プロセスによって、第１の側面１３とは完全に平行とはならず、多少の傾きを有する場合や、面内に凹凸を含む場合がある。このような場合も、絶縁体層６０の主面は、第１の側面１３と実質的に平行とする。また、焼成や硬化等の製造プロセスによって、絶縁体層６０同士の界面が明確となっていない場合がある。
【００３０】
絶縁体層６０の材料としては、例えば、比透磁率が「２」以下の材料が好ましく、例えば、硼珪酸ガラスなどのガラス、アルミナ、ジルコニア、ポリイミド樹脂等の非磁性材料を用いることができる。なお、絶縁体層６０の材料は、比透磁率が「１」に近いことがより好ましい。ただし、電子部品１の使用態様によって、絶縁体層６０は磁性体材料からなってもよく、フェライトや磁性粉含有樹脂などを材料に用いてもよい。
【００３１】
絶縁体層６１，６５の色は、他の絶縁体層６２，６３ａ〜６３ｊ，６４の色と異なる。図１では、これらの絶縁体層６１，６５をハッチング及び実線にて他の絶縁体層と区別して示している。これにより、電子部品１の実装時に、電子部品１の横転等の検出が可能となる。
【００３２】
第１外部電極２０及び第２外部電極３０は、電子部品１内のコイル４０及びコンデンサ５０に対する電気信号の入出力端子であり、電子部品１を回路基板に実装する際の回路配線との接続部分となる。第１外部電極２０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第１外部電極２０は、素体１０の第１の端面１５においても露出している。
【００３３】
同様に、第２外部電極３０は、素体１０の実装面１１において露出している。また、第２外部電極３０は、素体１０の第２の端面１６においても露出している。
つまり、素体１０の実装面１１では、第１外部電極２０及び第２外部電極３０が露出している。言い換えると、素体１０において、第１外部電極２０及び第２外部電極３０が露出する面を実装面１１としている。
【００３４】
本実施形態において、第１外部電極２０は、外部端子電極２１と被覆層２２とを含む。外部端子電極２１は、素体１０に埋め込まれている。外部端子電極２１は、幅方向Ｗから視てＬ字状に形成されている。この外部端子電極２１は、素体１０の第１の端面１５から露出する端面電極２３ａと、素体１０の実装面１１から露出する下面電極２３ｂとを含み、端面電極２３ａと、下面電極２３ｂとが第１の端面１５と実装面１１との間の稜線上で一体化した構造を有する。被覆層２２は、素体１０の第１の端面１５及び実装面１１から露出する外部端子電極２１を覆うように形成されている。従って、第１外部電極２０は、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗと平行な面のみから露出しており、具体的には実装面１１及び第１の端面１５の２面のみから露出する。
【００３５】
本実施形態において、第２外部電極３０は、外部端子電極３１と被覆層３２とを含む。外部端子電極３１は、素体１０に埋め込まれている。外部端子電極３１は、幅方向Ｗから視てＬ字状に形成されている。この外部端子電極３１は、素体１０の第２の端面１６から露出する端面電極３３ａと、素体１０の実装面１１から露出する下面電極３３ｂとを含み、端面電極３３ａと、下面電極３３ｂとが第２の端面１６と実装面１１との間の稜線上で一体化した構造を有する。被覆層３２は、素体１０の第２の端面１６及び実装面１１から露出する外部端子電極３１を覆うように形成されている。従って、第２外部電極３０は、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗと平行な面のみから露出しており、具体的には実装面１１及び第２の端面１６の２面のみから露出する。
【００３６】
上記の構成では、第１，第２外部電極２０，３０は、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗと平行な面のみから露出しているため、コイル４０の中心を幅方向Ｗに通過する磁束が、第１，第２外部電極２０，３０に遮られない。また、電子部品１を回路基板に実装した場合に、上記磁束は回路基板の主面と平行となり、回路基板の回路配線に遮られ難くなる。従って、電子部品１のＱ値を向上できる。
【００３７】
特に、第１，第２外部電極２０，３０は、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗと平行な２面（第１の端面１５及び実装面１１、並びに、第２の端面１６及び実装面１１）のみから露出しており、３面以上から露出している場合と比較して、コイル４０の外側を通過する磁束が、第１，第２外部電極２０，３０に遮られる割合を低減することができ、電子部品１のＱ値を向上できる。一方で、第１，第２外部電極２０，３０が、実装面１１に加えて、第１の端面１５、第２の端面１６からも露出していることにより、実装面１１のみから露出している場合と比較して、回路基板に電子部品１を実装する際の実装性が向上する。
【００３８】
第１外部電極２０は、第１の端面１５において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さ寸法Ｔ１の略１／２の長さに形成されている。第１外部電極２０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成されている。本実施形態において、幅方向Ｗにおける第１外部電極２０の大きさ（幅寸法）は、素体１０の幅寸法Ｗ１より小さい。すなわち、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗの両端にある第１の側面１３及び第２の側面１４からは第１外部電極２０は露出していない。なお、第１外部電極２０の幅寸法は、適宜変更されてもよく、例えば素体１０の幅方向Ｗの全体に亘って形成されて第１の側面１３及び第２の側面１４から露出していてもよい。また、第１外部電極２０は、実装面１１からは露出するが第１の端面１５からは露出しない構成であってもよく、その逆であってもよい。
【００３９】
第２外部電極３０は、第２の端面１６において、素体１０の実装面１１から、素体１０の高さ寸法Ｔ１の略１／２の長さに形成されている。第２外部電極３０は、幅方向Ｗにおいて、素体１０の略中央に形成されている。本実施形態において、幅方向Ｗにおける第２外部電極３０の大きさ（幅寸法）は、素体１０の幅寸法Ｗ１より小さい。すなわち、素体１０の表面のうち、幅方向Ｗの両端にある第１の側面１３及び第２の側面１４からは第２外部電極３０は露出していない。なお、第２外部電極３０の幅寸法は、適宜変更されてもよく、例えば素体１０の幅方向Ｗの全体に亘って形成されて第１の側面１３及び第２の側面１４から露出していてもよい。また、第２外部電極３０は、実装面１１からは露出するが第２の端面１６からは露出しない構成であってもよく、その逆であってもよい。
【００４０】
第１外部電極２０及び第２外部電極３０の実装面１１から露出する部分の長さ方向Ｌの大きさ、第１の端面１５、第２の端面１６から露出する部分の高さ方向Ｔの大きさはそれぞれ、０．１ｍｍ以上、０．２ｍｍ以下であることが好ましく、本実施形態では、例えば０．１５ｍｍである。
【００４１】
外部端子電極２１，３１は、低い電気抵抗かつ広い表面積によって、コイル４０及びコンデンサ５０に対する電気信号の入出力を円滑に行う比較的厚みの大きい導体部分である。外部端子電極２１，３１は、それぞれ絶縁体層６３ａ〜６３ｊを幅方向Ｗに貫通し、幅方向Ｗから視てＬ字板状の外部導体層２１ａ〜２１ｊ、外部導体層３１ａ〜３１ｊの積層によって構成されている。外部導体層２１ａ〜２１ｊは、絶縁体層６３ａ〜６３ｊの実装面１１及び第１の端面１５に相当する部分が交差する角部に設けられている。また、外部導体層３１ａ〜３１ｊは、外部導体層２１ａ〜２１ｊと対称となるように、絶縁体層６３ａ〜６３ｊの実装面１１及び第２の端面１６に相当する部分が交差する角部に設けられている。
【００４２】
詳述すると、外部導体層２１ａ，３１ａは、絶縁体層６３ａの主面上に位置する。外部導体層２１ｂ〜２１ｊ，３１ｂ〜３１ｊはそれぞれ、絶縁体層６３ｂ〜６３ｊの主面上に位置する平面部と、絶縁体層６３ｂ〜６３ｊ内を貫通する接続部とを含む。図２では、平面部と平面部よりややＬ方向の厚みが小さい接続部とが幅方向Ｗに交互に配置された状態が示されている。外部導体層２１ａ〜２１ｊは接続部を介して互いに接続されて外部端子電極２１を形成し、外部導体層３１ａ〜３１ｊは接続部を介して互いに接続されて外部端子電極３１を形成する。ただし、外部端子電極２１，３１はこの形状に限られず、平面部と接続部が全く同じ形状の外部導体層２１ａ〜２１ｊ，３１ａ〜３１ｊが接続された構成であってもよいし、接続部を有さず互いに接続されていない外部導体層２１ａ〜２１ｊ，３１ａ〜３１ｊが被覆層２２，３２を介して電気的に接続される構成であってもよい。
【００４３】
外部端子電極２１（外部導体層２１ａ〜２１ｊ）の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料などを用いることができる。外部端子電極３１（外部導体層３１ａ〜３１ｊ）の材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料などを用いることができる。
【００４４】
被覆層２２，３２は、外部端子電極２１，３１を保護するとともに、外部端子電極２１，３１と回路基板の回路配線との接続を確保する比較的薄い膜状の部分である。被覆層２２，３２の材料としては、耐はんだ性やはんだ濡れ性の高い材料を用いることができる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）等の金属、又はこれらの金属を含む合金などを用いることができる。また、被覆層２２，３２は、複数の層により構成されていてもよい。本実施形態では、被覆層２２，３２は、外部端子電極２１，３１の素体１０からの露出部分を覆うＮｉめっきと、Ｎｉめっきの表面を覆うＳｎめっきの２層構成である。Ｎｉめっきの膜厚は、３．０μｍ以上、９．０μｍ以下であることが好ましく、本実施形態では、Ｎｉめっきの膜厚は、例えば、４．５μｍである。Ｓｎめっきの膜厚は、２．０μｍ以上、６．０以下であることが好ましく、本実施形態では、Ｓｎめっきの膜厚は、例えば、３．５μｍである。なお、被覆層２２，３２は、省略されてもよい。その場合、外部端子電極２１を第１外部電極２０、外部端子電極３１を第２外部電極３０とすることができる。
【００４５】
コイル４０及びコンデンサ５０は、電子部品１の機能を担う素子であり、図４に示すように、コイル４０とコンデンサ５０は、素体１０内に設けられている。コイル４０の第１端は第１外部電極２０に接続され、コイル４０の第２端は第２外部電極３０に接続されている。コンデンサ５０は、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間、つまりコイル４０に電気的に並列に接続されている。コイル４０とコンデンサ５０は、ＬＣ並列共振回路を構成する。電子部品１は、回路基板に実装される際、コイル４０及びコンデンサ５０が、第１外部電極２０及び第２外部電極３０を介して、回路基板の回路配線に電気的に接続される。
【００４６】
図３に示すように、コイル４０は、第１外部電極２０及び第２外部電極を介して入出力される電流により発生する磁束を集中させ、大きなインダクタンスを発生させるコイル部４０ａと、コイル部４０ａの両端を第１外部電極２０，第２外部電極３０に電気的に接続する第１引出導体層４０ｂ，第２引出導体層４０ｃとを有している。図２、図４に示すように、コイル部４０ａは、素体１０内において幅方向Ｗに配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆと、コイル導体層４１ａ〜４１ｆを幅方向Ｗに接続するビア導体層４２ａ〜４２ｆを含む。
【００４７】
図３に示すように、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、幅方向Ｗから視て、一部が互いに重なりあって略円形状の軌道を形成している。従って、コイル部４０ａは、幅方向Ｗから視て、略円形状に形成されている。なお、「互いに重なる」とは、製造ばらつき等により、僅かに重ならない場合も含む。なお、コイル部４０ａの形状はこの形状に限定されず、例えば、外形が楕円形、矩形、又はその他の多角形、これら複数の図形の組み合わせ、等の形状の軌道を形成してもよい。
【００４８】
本実施形態のコイル部４０ａにおいて、コイル部４０ａの内周のうちの最も低い、つまり実装面１１に近い点を最下点ＰＤとする。また、コイル部４０ａの内周のうちの最も高い、つまり実装面１１から最も遠い点を最上点ＰＵとする。なお、コイル部４０ａの内周とは、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆが互いに重なり合った略円形状の軌道の内周である。例えば、図３において、破線にて示されるコイル導体層４１ｆに重なるコイル導体層４１ｃ，４１ｄ（図５参照）の内周がコイル部４０ａの内周である。そして、最下点ＰＤと最上点ＰＵの中間の点を、コイル部４０ａの中間点ＰＣとする。本実施形態において、コイル部４０ａの中間点ＰＣは、高さ方向Ｔにおいて素体１０の中心よりも上方に位置している。つまり、コイル部４０ａの中間点ＰＣは、素体１０の中心より上方にオフセットされている。
【００４９】
素体１０の高さ寸法をＴ１、コイル部４０ａの中間点ＰＣの実装面１１からの高さをＤ１とする。高さ寸法Ｔ１に対する高さＤ１の比Ｄ１／Ｔ１は、例えば０．５１≦Ｄ１／Ｔ１≦０．７１の範囲であることが好ましい。比Ｄ１／Ｔ１が０．５１以上であると、電子部品１を回路基板に実装した際に、コイル部４０ａにより発生する磁束が回路基板の回路配線に遮られ難くなる。また、比Ｄ１／Ｔ１が０．７１以下であると、コイル部４０ａの内径を確保し易く、よってコイル４０のＬ値、Ｑ値を確保し易い。
【００５０】
本実施形態において、第１外部電極２０と第２外部電極３０は、それぞれの上端が素体１０の高さ方向Ｔにおいて、素体１０の高さ寸法の１／２の高さに位置している。従って、本実施形態において、コイル部４０ａの中間点ＰＣは、第１外部電極２０と第２外部電極３０の上端よりも上方（素体１０の実装面１１とは反対側）に位置している。
【００５１】
コイル４０のコイル導体層４１ａ〜４１ｆ、ビア導体層４２ａ〜４２ｆ及び第１引出導体層４０ｂ、第２引出導体層４０ｃの材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料などを用いることができる。
【００５２】
図５に示すように、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、素体１０内において、絶縁体層６３ｃ〜６３ｈの主面に沿って１周未満に巻回された平面状の導体層である。各コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、絶縁体層６３ｄ〜６３ｈを幅方向Ｗに貫通するビア導体層４２ａ〜４２ｆを介して電気的に直列に接続されている。なお、図５では、ビア導体層４２ａ〜４２ｆが一点鎖線にて示されている。このように、１周未満に巻回された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆがビア導体層４２ａ〜４２ｆを介して、互いに電気的に直列に接続されることにより、コイル部４０ａは、立体螺旋状（ヘリカル状）に周回する螺旋を構成する。
【００５３】
なお、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間で全体的に直列に接続されていればよい。例えば、コイル導体層４１ｃ、４１ｄは部分的に互いに並列に接続された並列部を有するが、コイル導体層４１ｂと接続されたコイル導体層４１ｃの端部から、コイル導体層４１ｅと接続されたコイル導体層４１ｄの端部までの経路で見るとコイル導体層４１ｃ、４１ｄは直列に接続されていると言える。従って、コイル部４０ａは、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆが電気的に直列に接続されたものである。
【００５４】
第１引出導体層４０ｂは、素体１０内において、絶縁体層６３ｃの主面上を直線状に延びる形状であり、コイル部４０ａの第１端側となるコイル導体層４１ａと、第１外部電極２０のうち、コイル導体層４１ａと同層にある外部導体層２１ｃとを電気的に接続する。本実施形態では、第１引出導体層４０ｂは、絶縁体層６３ｃの主面の上方かつコイル部４０ａの略円形状の軌道の上部付近から、外部導体層２１ｃの上端に向かって直線状に延びる形状である。第２引出導体層４０ｃは、素体１０内において、絶縁体層６３ｈの主面上を直線状に延びる形状であり、コイル部４０ａの第２端側となるコイル導体層４１ｆと、第２外部電極３０のうち、コイル導体層４１ｆと同層にある外部導体層３１ｈとを電気的に接続する。本実施形態では、第２引出導体層４０ｃは、絶縁体層６３ｈの主面の上方かつコイル部４０ａの略円形状の軌道の上部付近から、外部導体層３１ｈの上端に向かって直線状に延びる形状である。
【００５５】
図３に示すように、コンデンサ５０は、素体１０の少なくとも実装面１１とコイル４０との間に設けられている。本実施形態において、コンデンサ５０は、素体の実装面１１と第１の端面１５及び第２の端面１６とコイル４０との間に設けられている。
【００５６】
コンデンサ５０は、素体１０の実装面１１とコイル４０との間に設けられた第１容量部５０ａと、素体１０の第１の端面１５とコイル４０との間に設けられた第２容量部５０ｂと、素体１０の第２の端面１６とコイル４０との間に設けられた第３容量部５０ｃとを含む。従って、コンデンサ５０は、幅方向Ｗから視て、コイル部４０ａと重ならない。このため、コンデンサ５０は、コイル部４０ａにより発生する磁束を遮らないため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率を向上でき、コイル４０のＱ値の低下を抑制できる。なお、本実施形態では、コンデンサ５０において、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃは一体化しており、明確な区別はない。
【００５７】
図５に示すように、コンデンサ５０は、素体１０内に設けられ、絶縁体層６３ａ〜６３ｊの主面上に沿った板状の複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊを含む。
絶縁体層６３ａの主面上において、コンデンサ導体層５１ａは外部導体層２１ａに接続されている。コンデンサ導体層５１ａは、長方形の一部を円により切り欠いた略Ｕ字状である。具体的には、コンデンサ導体層５１ａは、幅方向Ｗから視て、一定の間隔を空けてコイル部４０ａの略円形状に沿った形状を有する。つまり、コンデンサ導体層５１ａは、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含む。また、コンデンサ導体層５１ａは、一定の間隔を空けて同層に位置する外部導体層２１ａ，３１ａに沿った形状を有する。
【００５８】
絶縁体層６３ｂの主面上において、コンデンサ導体層５１ｂは、外部導体層３１ｂに接続されている。コンデンサ導体層５１ｂは、外部導体層２１ａ，３１ｂとの接続部分を除いて、コンデンサ導体層５１ａと同様の略Ｕ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｂは、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含む。また、コンデンサ導体層５１ｂは、幅方向Ｗから視て、一定の間隔を空けてコイル部４０ａの略円形状に沿った形状を有し、一定の間隔を空けて同層に位置する外部導体層２１ｂ，３１ｂに沿った形状を有する。
【００５９】
絶縁体層６３ｃの主面上において、コンデンサ導体層５１ｃは外部導体層２１ｃに接続されている。コンデンサ導体層５１ｃは、同層に位置するコイル４０の第１引出導体層４０ｂと接触しておらず、外部導体層３１ｃが形成された角部を挟む２つの辺に沿って延びる略Ｌ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｃは、第１容量部５０ａ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含み、第２容量部５０ｂに相当する部分を含まない。また、コンデンサ導体層５１ｃは、一定の間隔を空けて同層に位置するコイル導体層４１ａ及び外部導体層２１ｃ，３１ｃに沿った形状を有する。
【００６０】
絶縁体層６３ｄの主面上において、コンデンサ導体層５１ｄは、外部導体層３１ｄに接続されている。コンデンサ導体層５１ｄは、外部導体層２１ｃ，３１ｄとの接続部分を除いて、コンデンサ導体層５１ｃと同様の略Ｌ字状である。つまり、コンデンサ導体層５１ｄは、幅方向Ｗから視て、第１引出導体層４０ｂと重ならない。また、コンデンサ導体層５１ｄは、第１容量部５０ａ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含み、第２容量部５０ｂに相当する部分を含まない。さらに、コンデンサ導体層５１ｄは、一定の間隔を空けて同層に位置するコイル導体層４１ｂ及び外部導体層２１ｄ，３１ｄに沿った形状を有する。
【００６１】
絶縁体層６３ｅの主面上において、コンデンサ導体層５１ｅは外部導体層２１ｅに接続されている。コンデンサ導体層５１ｅは、コンデンサ導体層５１ａと同様の略Ｕ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｅは、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含む。また、コンデンサ導体層５１ｅは、一定の間隔を空けて同層に位置するコイル導体層４１ｃ及び外部導体層２１ｅ，３１ｅに沿った形状を有する。
【００６２】
絶縁体層６３ｆの主面上において、コンデンサ導体層５１ｆは外部導体層３１ｆに接続されている。コンデンサ導体層５１ｆは、コンデンサ導体層５１ｂと同様の略Ｕ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｆは、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含む。また、コンデンサ導体層５１ｆは、一定の間隔を空けて同層に位置するコイル導体層４１ｄ及び外部導体層２１ｆ，３１ｆに沿った形状を有する。
【００６３】
絶縁体層６３ｇの主面上において、コンデンサ導体層５１ｇは外部導体層２１ｇに接続されている。コンデンサ導体層５１ｇは、外部導体層２１ｇが形成された角部を挟む２つの辺に沿って延びる略Ｌ字状である。このコンデンサ導体層５１ｇは、幅方向Ｗから視て、後述する絶縁体層６３ｈの第２引出導体層４０ｃと重ならない。また、コンデンサ導体層５１ｇは、第１容量部５０ａ及び第２容量部５０ｂに相当する部分を含み、第３容量部５０ｃに相当する部分を含まない。さらに、コンデンサ導体層５１ｇは、一定の間隔を空けて、同層に位置するコイル導体層４１ｅ及び外部導体層２１ｇ，３１ｇに沿った形状を有する。
【００６４】
絶縁体層６３ｈの主面上において、コンデンサ導体層５１ｈは、外部導体層３１ｈに接続されている。コンデンサ導体層５１ｈは、絶縁体層６３ｈに形成された第２引出導体層４０ｃと接触しておらず、外部導体層２１ｈが形成された角部を挟む２つの辺に沿って延びる略Ｌ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｈは、第１容量部５０ａ及び第２容量部５０ｂに相当する部分を含み、第３容量部５０ｃに相当する部分を含まない。また、コンデンサ導体層５１ｈは、一定の間隔を空けて、同層に位置するコイル導体層４１ｆ及び外部導体層２１ｈ，３１ｈに沿った形状を有する。
【００６５】
絶縁体層６３ｉ，６３ｊの主面上において、コンデンサ導体層５１ｉは外部導体層２１ｉに接続され、コンデンサ導体層５１ｊは外部導体層３１ｊに接続されている。コンデンサ導体層５１ｉ，５１ｊはそれぞれ、コンデンサ導体層５１ａ，５１ｂと同様のＵ字状である。従って、コンデンサ導体層５１ｉ，５１ｊは、第１容量部５０ａ、第２容量部５０ｂ及び第３容量部５０ｃに相当する部分を含む。また、コンデンサ導体層５１ｉ，５１ｊは、幅方向Ｗから視て、一定の間隔を空けてコイル部４０ａの略円形状に沿った形状を有し、一定の間隔を空けて同層に位置する外部導体層２１ｉ，３１ｉ，２１ｊ，３１ｊに沿った形状を有する。
【００６６】
以上のように、複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、第１外部電極２０と第２外部電極３０のいずれか一方と電気的に接続され、第１外部電極２０と接続されたコンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉと、第２外部電極３０と接続されたコンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ，５１ｈ，５１ｊとが、幅方向Ｗに沿って交互に配列されている。これにより、コンデンサ５０は、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間において、電気的に並列に接続された複数のコンデンサを構成する。
【００６７】
各コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊの材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の電気抵抗の小さい金属や、これらの金属を主成分とする合金等の導電性材料などを用いることができる。
【００６８】
ここで、図２、図３に示すように、電子部品１では、幅方向Ｗにおいて、互いに隣り合うコンデンサ導体層５１ｃ，５１ｄについて、同層に位置するコイル導体層４１ｂとコンデンサ導体層５１ｄとの最短間隔が、同じく同層に位置するコイル導体層４１ａとコンデンサ導体層５１ｃとの最短間隔よりも大きい。
【００６９】
また、電子部品１では、上記最短間隔だけでなく、コンデンサ導体層５１ｄのコイル導体層４１ｂに沿った形状部分におけるコイル導体層４１ｂとの一定の間隔（第１間隔）は、コンデンサ導体層５１ｃのコイル導体層４１ａに沿った形状部分におけるコイル導体層４１ａとの一定の間隔（第２間隔）よりも大きい。
【００７０】
また、図２に示すように、電子部品１では、コンデンサ導体層５１ｃとコンデンサ導体層５１ｄとの間において、上記最短間隔、一定の間隔の関係を満たすだけでなく、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈのうち、幅方向Ｗにおいて、互いに隣り合うどの２つのコンデンサ導体層についても、同様の関係を満たしている。特に、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈは、一定の間隔を空けて当該コイル導体層４１ａ〜４１ｆに沿った形状を有し、その一定の間隔が、幅方向Ｗに沿って、交互に上記の第１間隔、上記の第２間隔となっている。
【００７１】
なお、上記の最短間隔、一定の間隔の大きさの差異は、例えば、５μｍである。
コイル導体層４１ａ〜４１ｆの幅は、例えば、１２μｍ以上、２０μｍ以下が好ましい。例えば、幅は１６μｍである。コイル導体層４１ａ〜４１ｆの厚さは、例えば、６μｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。例えば、厚さは８μｍである。絶縁体層の厚さは、例えば、５．５μｍ以上、１１μｍ以下が好ましい。例えば、絶縁体層の厚さは、例えば８μｍである。なお、ここで示す絶縁体層の厚さは、例えば、図２に示すコイル導体層４１ａとコイル導体層４１ｂとに挟まれた絶縁体層の厚さである。コイル４０のコイル長（図２において、コイル部４０ａの幅方向Ｗの下端から上端までの長さ）は、例えば８０μｍ以上、８５μｍ以下が好ましい。例えば、コイル４０のコイル長さは、例えば８２μｍである。
【００７２】
コンデンサ５０の対向面の面積は、例えば、０．０１ｍｍ２以上、０．４ｍｍ２が好ましい。コンデンサ５０の対向面の面積は、例えば０．２５ｍｍ２である。
最外層厚さは、例えば２７．５μｍ以上、３２．５μｍ以下が好ましい。最外層厚さは、例えば、３０μｍである。サイドギャップは、２０μｍ以上、５０μｍ以下が好ましい。サイドギャップは、例えば３５μｍである。なお、サイドギャップは、内部導体（コイル導体層４１ａ〜４１ｆ、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊ）の最も外側の点から、絶縁体層６０の外周（素体１０の上面１２等）までの間隔を言う。
【００７３】
図２、図３及び図５に示すように、コイル部４０ａ及び第１，第２引出導体層４０ｂ，４０ｃは、実装面１１と直交する軸線に対して、対称（１８０度回転）な構造を有している。このため、第１外部電極２０及び第２外部電極３０と、第１外部電極２０及び第２外部電極３０が接続される基板配線の接続関係を逆にしても、同様の特性が得られる。
【００７４】
（製造方法）
次に、上述の電子部品１の製造方法について、図５を参照して説明する。
先ず、マザー絶縁体層を形成する。マザー絶縁体層とは、複数の素体１０となる部分が行列状に繋がった状態の絶縁体層である。具体的には、例えばフィルム上に硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布してシート化した絶縁体シート（グリーンシート）を複数枚用意する。
【００７５】
次に、上記絶縁体シートにおいて、図５に示す外部導体層２１ａ〜２１ｉ，３１ａ〜３１ｊ、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊ、コイル導体層４１ａ〜４１ｆ、及びビア導体層４２ａ〜４２ｆを形成すべき部分に上述したコイル４０に用いる導電性材料を含む導電ペーストをスクリーン印刷により塗布する。詳述すると、図５に示す絶縁体層６３ａを形成する絶縁シートの主面上において、外部導体層２１ａ，３１ａ及びコンデンサ導体層５１ａを形成すべき部分に導電ペーストを塗布する。また、絶縁体層６３ｂを形成する絶縁シートにおいて、外部導体層２１ｂ，３１ｂを形成すべき部分にレーザー等で貫通孔を形成し、当該貫通孔内及び絶縁シートの主面上において、外部導体層２１ｂ，３１ｂ及びコンデンサ導体層５１ｂを形成すべき部分に導電ペーストを塗布する。また、絶縁体層６３ｃを形成する絶縁シートにおいて、外部導体層２１ｃ，３１ｃを形成すべき部分に貫通孔を形成し、当該貫通孔内及び絶縁シートの主面上において、外部導体層２１ｃ，３１ｃ及びコイル導体層４１ａ及びコンデンサ導体層５１ｂを形成すべき部分に導電ペーストを塗布する。また、絶縁体層６３ｄ〜６３ｈを形成する絶縁シートにおいて、外部導体層２１ｄ〜２１ｈ，３１ｄ〜３１ｈ及びビア導体層４２ａ〜４２ｈを形成すべき部分に貫通孔を形成し、当該貫通孔内及び絶縁シートの主面上において、外部導体層２１ｄ〜２１ｈ，３１ｄ〜３１ｈ、コイル導体層４１ｂ〜４１ｆ、コンデンサ導体層５１ｄ〜５１ｈ、及びビア導体層４２ａ〜４２ｆを形成すべき部分に導電ペーストを塗布する。また、絶縁体層６３ｉ，６３ｊを形成する絶縁シートにおいて、外部導体層２１ｉ，２１ｊ，３１ｉ，３１ｊを形成すべき部分に貫通孔を形成し、当該貫通孔内及び絶縁シートの主面上において、外部導体層２１ｉ，２１ｊ，３１ｉ，３１ｊ及びコンデンサ導体層５１ｉ，５１ｊを形成すべき部分に導電ペーストを塗布する。このように導電性ペーストを塗布した絶縁体シート、及び絶縁体層６１，６２，６４，６５を形成する絶縁シートを積層した後、圧着することにより、マザー絶縁体層を形成する。
【００７６】
次に、マザー絶縁体層をダイシングやギロチン等で切断し、素体１０となる絶縁体層に個片化する。さらに、個片化した絶縁体層を焼成炉などで焼成することで、外部導体層２１ａ〜２１ｊ，３１ａ〜３１ｊ、コイル導体層４１ａ〜４１ｆ、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊ及びビア導体層４２ａ〜４２ｆが埋め込まれた素体１０が形成される。なお、焼成の際に絶縁体層が収縮することを考慮し、個片化する絶縁体層のサイズは素体１０よりも大きく切断される。
【００７７】
次に、上記素体１０にバレル加工を施し素体１０の角をＲ面取りする。この際、バレルめっきにより、素体１０の表面にニッケル、銅、錫の順に被覆層２２，３２を形成し、第１，第２外部電極２０，３０を形成すれば、電子部品１が完成する。
【００７８】
なお、上記の製造方法は例示であって、電子部品１の構造が実現できるのであれば、他の公知の製造方法で置き換えたり、追加したりしてもよい。
（作用）
次に、上記の電子部品１の作用を説明する。
【００７９】
電子部品１では、上記のように、第１の側面１３を有する素体１０と、素体１０内において、第１の側面１３と平行な主面に沿って巻回された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆと、素体１０内に設けられ、第１の側面１３と平行な板状の複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊと、を備える。また、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆ及び複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、第１の側面１３と垂直な幅方向Ｗ（積層方向）に配列される。複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊには、幅方向Ｗにおいて互いに隣り合うコンデンサ導体層５１ｄ（第１コンデンサ導体層の一例）及びコンデンサ導体層５１ｃ（第２コンデンサ導体層の一例）が含まれる。複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆには、コンデンサ導体層５１ｄと同層に位置するコイル導体層４１ｂ（第１コイル導体層の一例）と、コンデンサ導体層５１ｃと同層に位置するコイル導体層４１ａ（第２コイル導体層の一例）と、が含まれる。そして、コイル導体層４１ｂとコンデンサ導体層５１ｄとの最短間隔が、コイル導体層４１ａとコンデンサ導体層５１ｃとの最短間隔よりも大きい。
【００８０】
この構成により、図２〜４に示すように、コンデンサ導体層５１ｃのコイル導体層４１ａ側の端部は、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄとは重なっていない。従って、例えば、製造プロセスにおいて、コンデンサ導体層５１ｃのコイル導体層４１ａ側の端部の形成位置がずれたとしても、元々コンデンサ導体層５１ｄと対向しない部分の位置が変動するだけであり、コンデンサ導体層５１ｃとコンデンサ導体層５１ｄとの間に発生する容量値に与える影響は小さい。よって、この構成によれば、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｃ，５１ｄの間の容量値のばらつきを抑制できる。
【００８１】
また、電子部品１では、コンデンサ導体層５１ｄは、一定の第１間隔を空けてコイル導体層４１ｂに沿った形状を有し、コンデンサ導体層５１ｃは、一定の第２間隔を空けてコイル導体層４１ａに沿った形状を有し、第１間隔が、第２間隔よりも大きい。
【００８２】
この構成により、図２〜４に示すように、コンデンサ導体層５１ｃのコイル導体層４１ａに沿った形状部分についても、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄとは重なっていない。従って、上記最短距離と同様の理由により、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｃ，５１ｄの間の容量値のばらつきをより抑制できる。
【００８３】
また、電子部品１では、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆのそれぞれは、複数のコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈのいずれか一つと同層に位置し、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈは、一定の間隔を空けて当該コイル導体層４１ａ〜４１ｆに沿った形状を有する。そして、上記一定の間隔が、幅方向Ｗに沿って、交互に上記第１間隔、上記第２間隔となっている。
【００８４】
この構成により、コンデンサ導体層５１ｃだけでなく、コンデンサ導体層５１ｅ，５１ｇも、コイル導体層４１ｃ，４１ｅに沿った形状部分について、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄ，５１ｆ，５１ｈとは重なっていないため、上記と同様の理由により、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｄ〜５１ｈの間の容量値のばらつきを抑制できる。
【００８５】
以上より、電子部品１では、容量値のばらつきを抑制できる。
なお、電子部品１において、容量値は、コイル４０とコンデンサ５０が構成するＬＣ共振回路の共振周波数に影響する。従って、電子部品１では、上記のように容量値のばらつきを抑制することにより、共振周波数のばらつきを抑制できる。
【００８６】
なお、上述の構成を有する電子部品１の実施例と、比較例として同層に位置するコイル導体層４１ａ〜４１ｆとコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈとの間隔がすべて一定である電子部品とを所定個数ｎ（例えばｎ＝５００）作製し、それぞれの特性を測定した。
【００８７】
上述の実施例及び比較例において、コイル４０は、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して、２．７ｎＨのインダクタンス値（Ｌ値）、１４．０のＱ値を示すように設定した。同じく、実施例及び比較例において、コンデンサ５０は、周波数が５００ＭＨｚの入力信号に対して、１．５８ｐＦの容量値Ｃを示すように設定した。このとき、実施例は、狙い値である２．４ＧＨｚの共振周波数ｆ０に対して、そのばらつきは、±５４ＭＨｚであった。一方、比較例では、狙い値である２．４ＧＨｚの共振周波数ｆ０に対して、そのばらつきは±１３０ＭＨｚであった。従って、上述の電子部品１の構成によれば、特性（共振周波数）のばらつきを低減できる。
【００８８】
また、電子部品１では、図５に示すように、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、ビア導体層４２ｃとビア導体層４２ｄとの間において、コイル導体層４１ｃとコイル導体層４１ｄとが互いに電気的に並列に接続された並列部を有している。このような並列部は、コイル４０の電気抵抗値を低減し、コイル４０のＱ値、つまりＬＣ共振回路のＱ特性を高くすることができる。
【００８９】
また、電子部品１では、図３及び図５に示すように、コンデンサ５０のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、長方形状の外形を有し、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと重ならないように切り欠かれている。従って、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、一定の第３間隔を空けて第１外部電極２０及び第２外部電極３０に沿った形状を有する。このため、第１，第２外部電極２０，３０とコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊとの間においても容量値を発生させ、容量値の取得効率を向上できる。このため、定められた電子部品１の外形寸法に対しても、共振周波数をより低周波側とすることができ、電子部品１の設計範囲を拡げることができる。
【００９０】
また、電子部品１では、図２〜４に示すように、コンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ、５１ｈ，５１ｊの上記第３間隔が、コンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉの上記第３間隔よりも大きい。この構成により、電子部品１では、容量値のばらつきをさらに抑制することができる。
【００９１】
また、電子部品１では、図５に示すように、コイル導体層４１ａ〜４１ｆのそれぞれは、巻回数（ターン数）が１周未満に巻回され、円環の一部を切り欠いた形状である。このコイル導体層４１ａ〜４１ｆの両端部の間の切り欠き部分において、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、他の層のコイル導体層４１ａ〜４１ｆに接続される。つまり、この切り欠き部は、形成する層を切り替える切替部となる。そして、コイル導体層４１ａ〜４１ｆの切り欠き部は、同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈに向いている。この場合、素体１０において、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊが配置されていない上面１２側に各コイル導体層４１ａ〜４１ｆの切り欠き部が来ない。従って、素体１０内の導体層の配置の偏りを低減できるため、素体１０内の熱応力の差を小さくできる。上記熱応力の差は電子部品１の信頼性に影響するため、上記構成により、電子部品１では信頼性を向上できる。
【００９２】
また、電子部品１は、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する実装面１１を回路基板に向けて実装される。コイル４０は、実装面１１と直交する第１の側面１３及び第２の側面１４と垂直な方向に配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続した螺旋状のコイルである。従って、コイル４０のコイル軸は、実装された回路基板に対し平行となる。このため、コイル４０により生じる磁束は、回路基板の回路配線によって遮られ難い。このため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上し、コイル４０及び電子部品１のＱ値の低下が抑制される。
【００９３】
また、電子部品１では、第１外部電極２０、コイル４０（第１引出導体層４０ｂ、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆ、第２引出導体層４０ｃ）、第２外部電極３０が、この順に電気的に直列接続され、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊのそれぞれは、第１外部電極２０と第２外部電極３０のいずれか一方と電気的に接続されている。そして、第１外部電極２０と接続されたコンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉと、第２外部電極３０と接続されたコンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ，５１ｈ，５１ｊとが、幅方向Ｗに沿って交互に配列されている。この構成によれば、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間で並列ＬＣ共振回路を構成できる。
【００９４】
また、電子部品１では、実装面１１と直交する高さ方向Ｔに沿って、実装面１１、コンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈ、コイル導体層４１ａ〜４１ｆが、この順に並ぶ。この構成によれば、回路基板（回路配線）に対して、相対的にコイル４０が遠く、コンデンサ５０が近くなり、コイル４０のＱ値、コンデンサ５０の容量値を共に向上でき、電子部品の特性を向上できる。
【００９５】
また、電子部品１では、第１の端面１５からは第１外部電極２０のみが露出し、第２の端面１６からは第２外部電極３０のみが露出する。この構成によれば、第１外部電極２０、第２外部電極３０が、回路基板に対して垂直な第１の端面１５及び第２の端面１６からも露出し、実装時に実装はんだがフィレットを形成するため、電子部品の実装性を向上できる。
【００９６】
また、電子部品１では、図５に示すように、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊには、第１引出導体層４０ｂと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃと、コンデンサ導体層５１ｃ（第３コンデンサ導体層の一例）と幅方向Ｗにおいて隣り合うコンデンサ導体層５１ｄ（第４コンデンサ導体層の一例）とが含まれる。そして、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄは、コンデンサ導体層５１ｃと重ならない。第１引出導体層４０ｂの線幅は細い（例えば、１５μｍ）ため、第１引出導体層４０ｂと重なるコンデンサ導体層５１ｄによる容量値はばらつきとなりやすい。このため、コンデンサ導体層５１ｄを第１引出導体層４０ｂと重ならないように形成することで、容量値のばらつきを抑制できる。これは、図５に示すように、第２引出導体層４０ｃとコンデンサ導体層５１ｇとの間についても同様である。
【００９７】
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）電子部品１では、第１の側面１３を有する素体１０と、第１の側面１３と平行な主面に沿って巻回されたコイル導体層４１ａ〜４１ｆと、第１の側面１３と平行な板状のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊと、を備える。コイル導体層４１ａ〜４１ｆ及びコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、第１の側面１３と垂直な幅方向Ｗに配列される。コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊには、幅方向Ｗにおいて互いに隣り合うコンデンサ導体層５１ｄ及びコンデンサ導体層５１ｃが含まれる。コイル導体層４１ａ〜４１ｆには、コンデンサ導体層５１ｄと同層に位置するコイル導体層４１ｂと、コンデンサ導体層５１ｃと同層に位置するコイル導体層４１ａと、が含まれる。コイル導体層４１ｂとコンデンサ導体層５１ｄとの最短間隔が、コイル導体層４１ａとコンデンサ導体層５１ｃとの最短間隔よりも大きい。これにより、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｃ，５１ｄの間の容量値のばらつきを抑制できる。電子部品１において、容量値は、コイル４０とコンデンサ５０が構成するＬＣ共振回路の共振周波数に影響する。
【００９８】
（２）電子部品１では、コンデンサ導体層５１ｄは、一定の第１間隔を空けてコイル導体層４１ｂに沿った形状を有し、コンデンサ導体層５１ｃは、一定の第２間隔を空けてコイル導体層４１ａに沿った形状を有し、第１間隔が、第２間隔よりも大きい。コンデンサ導体層５１ｃのコイル導体層４１ａに沿った形状部分についても、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄとは重なっていない。従って、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｃ，５１ｄの間の容量値のばらつきをより抑制できる。
【００９９】
（３）電子部品１では、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆのそれぞれは、複数のコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈのいずれか一つと同層に位置し、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈは、一定の間隔を空けて当該コイル導体層４１ａ〜４１ｆに沿った形状を有する。そして、上記一定の間隔が、幅方向Ｗに沿って、交互に上記第１間隔、上記第２間隔となっている。この構成により、幅方向Ｗに対向するコンデンサ導体層５１ｄ〜５１ｈの間の容量値のばらつきを抑制できる。
【０１００】
（４）電子部品１において、容量値は、コイル４０とコンデンサ５０が構成するＬＣ共振回路の共振周波数に影響する。従って、電子部品１では、上記のように容量値のばらつきを抑制することにより、共振周波数のばらつきを抑制できる。
【０１０１】
（５）電子部品１では、コイル導体層４１ａ〜４１ｆは、ビア導体層４２ｃとビア導体層４２ｄとの間において、コイル導体層４１ｃとコイル導体層４１ｄとが互いに電気的に並列に接続された並列部を有している。このような並列部は、コイル４０の電気抵抗値を低減し、コイル４０のＱ値、つまりＬＣ共振回路のＱ特性を高くすることができる。
【０１０２】
（６）コンデンサ５０のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、長方形状の外形を有し、コイル導体層４１ａ〜４１ｆと重ならないように切り欠かれている。従って、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊは、一定の第３間隔を空けて第１外部電極２０及び第２外部電極３０に沿った形状を有する。このため、第１，第２外部電極２０，３０とコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊとの間においても容量値を発生させ、容量値の取得効率を向上できる。そして、電子部品１の共振周波数を低周波側とすることができ、電子部品１の設計範囲を拡げることができる。
【０１０３】
（７）コイル導体層４１ａ〜４１ｆのそれぞれは、巻回数（ターン数）が１周未満に巻回され、円環の一部を切り欠いた形状である。このコイル導体層４１ａ〜４１ｆの両端部の間の切り欠き部分は、同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈと対向しており、素体１０において、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊが配置されていない上面１２側に各コイル導体層４１ａ〜４１ｆの切り欠き部がこない。従って、素体１０内の導体層の配置の偏りを低減できるため、素体１０内の熱応力の差を小さくできる。上記熱応力の差は電子部品１の信頼性に影響するため、上記構成により、電子部品１では信頼性を向上できる。
【０１０４】
（８）電子部品１では、コンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ、５１ｈ，５１ｊの第３間隔が、コンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉの第３間隔よりも大きい。この構成により、電子部品１では、容量値のばらつきをさらに抑制することができる。
【０１０５】
（９）電子部品１は、素体１０において、第１外部電極２０と第２外部電極３０とが露出する実装面１１を回路基板に向けて実装される。コイル４０は、実装面１１と直交する第１の側面１３及び第２の側面１４と垂直な方向に配列された複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆを直列に接続した螺旋状のコイルである。従って、コイル４０のコイル軸は、実装された回路基板に対し平行となる。このため、コイル４０により生じる磁束は、回路基板のグランド配線やパッドによって磁束が遮られ難い。このため、コイル４０のインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上し、コイル４０及び電子部品１のＱ値の低下を抑制できる。
【０１０６】
（１０）電子部品１では、第１外部電極２０、コイル４０（第１引出導体層４０ｂ、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆ、第２引出導体層４０ｃ）、第２外部電極３０が、この順に電気的に直列接続され、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊのそれぞれは、第１外部電極２０と第２外部電極３０のいずれか一方と電気的に接続されている。そして、第１外部電極２０と接続されたコンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉと、第２外部電極３０と接続されたコンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ，５１ｈ，５１ｊとが、幅方向Ｗに沿って交互に配列されている。このため、第１外部電極２０と第２外部電極３０との間で並列ＬＣ共振回路を構成できる。
【０１０７】
（１１）電子部品１では、実装面１１と直交する高さ方向Ｔに沿って、実装面１１、コンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈ、コイル導体層４１ａ〜４１ｆが、この順に並ぶ。このため、回路基板（回路配線）に対して、相対的にコイル４０が遠く、コンデンサ５０が近くなり、コイル４０のＱ値、コンデンサ５０の容量値を共に向上でき、電子部品の特性を向上できる。
【０１０８】
（１２）電子部品１では、図５に示すように、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊには、第１引出導体層４０ｂと同層に位置するコンデンサ導体層５１ｃと、コンデンサ導体層５１ｃと幅方向Ｗにおいて隣り合うコンデンサ導体層５１ｄとが含まれる。そして、幅方向Ｗから視て、コンデンサ導体層５１ｄは、コンデンサ導体層５１ｃと重ならない。このように、コンデンサ導体層５１ｄを第１引出導体層４０ｂと重ならないように形成することで、容量値のばらつきを抑制できる。第２引出導体層４０ｃとコンデンサ導体層５１ｇとの間についても同様に、容量値のばらつきを抑制できる。
【０１０９】
（１３）電子部品１では、第１の端面１５からは第１外部電極２０のみが露出し、第２の端面１６からは第２外部電極３０のみが露出する。この構成によれば、第１外部電極２０、第２外部電極３０が、回路基板に対して垂直な第１の端面１５及び第２の端面１６からも露出し、実装時に実装はんだがフィレットを形成するため、電子部品の実装性を向上できる。
【０１１０】
尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・図６に示すように、第１引出導体層４０ｂと同層に位置し、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆ、複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊ、第１外部電極２０、第２外部電極３０及び第１引出導体層４０ｂ、第２引出導体層４０ｃのいずれにも接続されていないダミー導体層１０１を形成してもよい。この際、幅方向Ｗから視て、ダミー導体層１０１は、複数のコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊのいずれかと重なることが好ましい。なお、図は省略するが、図５に示す第２引出導体層４０ｃと同層にも、同様のダミー導体層を形成してもよい。ダミー導体層１０１により、素体１０内の導体層の配置の偏りを低減できるため、素体１０内の熱応力の差を小さくできる。このため、容量値へ影響を与えずにコイル導体層４１ａ〜４１ｆとコンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊとの間のショート発生率を低減できる。
【０１１１】
・上記実施形態に対し、複数のコイル導体層４１ａ〜４１ｆには、両端部の間の切り替え部が同層に位置するコンデンサ導体層（５１ｃ〜５１ｈのいずれか）に向いていないコイル導体層が含まれていてもよい。
【０１１２】
例えば、図７に示すように、絶縁体層１１１のコイル導体層１１２の切替部（切り欠き部）は、コンデンサ導体層１１３と反対側に向いている。この場合、コイル導体層１１２とコンデンサ導体層１１３とが対向する部分が、実施形態（例えば図５に示すコイル導体層４１ｂ）と比べて多くなる。このため、コイルとコンデンサとの間で発生する容量値を大きくすることができ、電子部品１において、取得できる容量値の調整範囲をより大きくすることができる。
【０１１３】
・上記実施形態に対し、並列部を有していないコイルとしてもよい。
図８に示すように、絶縁体層６３ｅには、コイル導体層１２１が形成されている。このコイル導体層１２１は、図５に示すコイル導体層４１ｃと比べ、ビア導体層４２ｃを接続するためのビアパッドが省略されている。このコイル導体層１２１を用いた場合、例えば、図５に示す絶縁体層６３ｆには、ビア導体層４２ｄが接続されるビアパッドから、ビア導体層４２ｅが接続されるビアパッドまでコイル導体層を形成する。
【０１１４】
・上記実施形態において、絶縁体層、コイル導体層、コンデンサ導体層、外部導体層の層数を適宜変更してもよい。
例えば、図５に示す絶縁体層６３ｂ，６３ｉにコイル導体層を形成してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂ，６３ｉ，６３ｊにコイル導体層を形成してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂにコイル導体層を形成してもよい。また、絶縁体層６３ｉ，６３ｊにコイル導体層を形成してもよい。このようにすると、同じ数の絶縁体層６０を積層した素体において、コイル４０の巻回数を増やすことができ、インダクタンス値Ｌ値を大きくすることができる。つまり、同じ大きさの素体を含む電子部品において、Ｌ値の取得範囲を大きくすることができる。
【０１１５】
また、絶縁体層６３ａ，６３ｊのコンデンサ導体層５１ａ，５１ｊを省略してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂ，６３ｉ，６３ｊのコンデンサ導体層５１ａ，５１ｂ，５１ｉ，５１ｊを省略してもよい。また、絶縁体層６３ａ，６３ｂのコンデンサ導体層５１ａ，５１ｂを省略してもよい。また、絶縁体層６３ｉ，６３ｊのコンデンサ導体層５１ｉ，５１ｊを省略してもよい。
【０１１６】
・上記実施形態において、第１外部電極２０の外部端子電極２１と第２外部電極３０の外部端子電極３１とを素体１０に埋め込みとしたが、素体１０の外部に設けるようにしてもよい。
【０１１７】
・上記実施形態において、コンデンサ導体層５１ｃ〜５１ｈのうち、幅方向Ｗにおいて、互いに隣り合うどの２つのコンデンサ導体層についても、最短間隔、一定の間隔について、同様の関係を満たしたが、これは必須ではなく、幅方向Ｗにおいて、少なくとも１つの互いに隣り合うコンデンサ導体層の組み合わせにおいて、最短間隔、一定の間隔が異なればよい。
【０１１８】
・上記実施形態において、コンデンサ導体層５１ｂ，５１ｄ，５１ｆ、５１ｈ，５１ｊの上記第３間隔が、コンデンサ導体層５１ａ，５１ｃ，５１ｅ，５１ｇ，５１ｉの上記第３間隔よりも大きい構成であったが、これに限られない。例えば、幅方向Ｗにおいて、互いに隣り合うコンデンサ導体層の第３間隔は等しくてもよいし、コンデンサ導体層５１ａ〜５１ｊすべてにおいて第３間隔が一定であってもよいし、特定の関係を持たないようにばらばらに設定されていてもよい。
【符号の説明】
【０１１９】
１０…素体、２０…第１外部電極、３０…第２外部電極、４０…コイル、４０ａ…コイル部、４０ｂ…第１引出導体層、４０ｃ…第２引出導体層、４１ａ〜４１ｆ…コイル導体層、５０…コンデンサ、５１ａ〜５１ｊ…コンデンサ導体層、６０，６１，６２，６３ａ〜６３ｊ，６４，６５…絶縁体層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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