(57)【要約】【課題】圧力及び温度の両方が検出可能であると共にウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させること。【解決手段】モールド樹脂部１４０は、側面の一部が円柱側面状の外周側面１４５を有している。ハウジング１１０の圧力導入孔１１４は、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５が嵌合する径に形成された内周側面１１７を有している。そして、ハウジング１１０及び成形樹脂部１２０は、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５が圧力導入孔１１４の内周側面１１７に嵌合する共に、センサチップ１５０の圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔１１４のうち先端部１１６に位置する状態で、モールド樹脂部１４０を保持している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハレベルパッケージとして複数の層（１５１〜１５５）が積層されて構成された板状の積層基板（１５６）と、前記複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象の圧力が印加されるダイヤフラム（１５７）と、前記ダイヤフラムに設けられた圧力検出部（１５８）と前記積層基板に設けられた温度検出部（１５８）と、を有し、前記ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を前記圧力検出部から出力する一方、前記積層基板が測定対象から受ける熱に応じた温度信号を前記温度検出部から出力するセンサチップ（１５０）と、
一端部（１４１）と、前記一端部とは反対側の他端部（１４２）と、を有する柱状であって、前記センサチップのうち前記圧力検出部及び前記温度検出部に対応する部分が露出するように、前記センサチップを前記一端部側に封止したモールド樹脂部（１４０）と、
圧力導入孔（１１４）が形成された筒状の圧力導入部（１１２）を有し、前記圧力導入部の一部が取付対象である配管の肉厚部に固定されることで前記圧力導入部の先端部（１１６）を前記配管の内部に位置させる保持部（１１０、１２０、１３０）と、
を備え、
前記モールド樹脂部は、側面の一部が円柱側面状の外周側面（１４５）を有し、
前記保持部の前記圧力導入孔は、前記モールド樹脂部の前記外周側面が嵌合する径に形成された内周側面（１１７）を有し、
前記保持部は、前記モールド樹脂部の前記外周側面が前記圧力導入孔の前記内周側面に嵌合する共に、前記センサチップの前記圧力検出部及び前記温度検出部が前記圧力導入孔のうち前記先端部に位置する状態で、前記モールド樹脂部を保持する圧力温度センサ。
【請求項２】
前記外周側面は、前記他端部側の径が前記一端部側に向かって小さくなる外周側テーパ部（１４６）を有し、
前記内周側面は、前記先端部側に向かって径が小さくなると共に、前記外周側テーパ部に対応する内周側テーパ部（１１８）を有し、
前記保持部は、前記モールド樹脂部の前記外周側面の前記外周側テーパ部と、前記圧力導入孔の前記内周側面の前記内周側テーパ部と、が嵌合した状態で、前記モールド樹脂部を保持する請求項１に記載の圧力温度センサ。
【請求項３】
前記外周側テーパ部は、前記外周側面のうち前記センサチップが配置されていない位置に形成されている請求項２に記載の圧力温度センサ。
【請求項４】
前記モールド樹脂部は、前記外周側面のうち前記センサチップが配置されていない位置に形成されたＯリング溝（１４７）と、前記Ｏリング溝に配置されたＯリング（１４８）と、を有し、
前記圧力導入孔は、前記Ｏリングによってシールされている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力温度センサ。
【請求項５】
前記先端部は、前記圧力導入部の延設方向に沿って開口した複数の開口部（１１６ｂ）を有し、
前記複数の開口部は、前記先端部のうち前記延設方向において前記先端部の先端から前記圧力検出部に至らない範囲に形成されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の圧力温度センサ。
【請求項６】
前記圧力導入部は、前記先端部の先端が前記延設方向に開口していることによる開口端（１１６ａ）を有し、
前記開口端は、前記圧力導入孔の壁面側が前記モールド樹脂部側に傾斜したテーパ状に形成されている請求項５に記載の圧力温度センサ。
【請求項７】
前記モールド樹脂部は、前記外周側面を有する円筒状の外周部（１４０ａ）と、前記外周部に差し込まれた状態で前記外周部に一体化されていると共に前記センサチップを封止した本体部（１４０ｂ）と、に分かれて構成されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の圧力温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定対象の圧力及び温度を検出可能に構成された圧力温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、温度センサと圧力センサとを備えた複合センサが、例えば特許文献１で提案されている。具体的には、圧力センサは本体部に設けられ、温度センサは本体部から突出した温度アームの先端部に設けられた構成が提案されている。本体部は、圧力センサに通じる圧力導入通路を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１０９５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術では、圧力センサと温度センサとが別体の構成になっている。そこで、圧力センサと温度センサとをウェハレベルパッケージとして一体的に構成することが考えられる。この場合、圧力センサ及び温度センサは平面構造を持つ１つのセンサチップとして構成される。したがって、複合センサは１つのセンサチップを備えた構成となる。
【０００５】
しかしながら、ウェハレベルパッケージのセンサチップは、平板状であるので、剛性が低く、複合センサが外力を受けたときに動圧を受けやすいという問題がある。このため、複合センサが配管に固定され、センサチップが配管の中空部に突き出すように配置される場合、配管に流れる流体からセンサチップが動圧の影響を受けやすくなる。このため、圧力測定精度が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、センサチップが配管内の肉厚部側に位置するように複合センサを構成することが考えられる。しかし、センサチップが流体の流れの中心から外れた位置に配置されるので、センサチップ側の流体が滞留してしまい、温度応答性が低下しまう。このため、実際の流体温度と測定温度との乖離が大きくなってしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は上記点に鑑み、圧力及び温度の両方が検出可能であると共にウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、圧力温度センサは、ウェハレベルパッケージとして複数の層（１５１〜１５５）が積層されて構成された板状の積層基板（１５６）と、複数の層のうちの一つに形成されていると共に測定対象の圧力が印加されるダイヤフラム（１５７）と、ダイヤフラムに設けられた圧力検出部（１５８）と積層基板に設けられた温度検出部（１５８）と、を有し、ダイヤフラムの歪みに応じた圧力信号を圧力検出部から出力する一方、積層基板が測定対象から受ける熱に応じた温度信号を温度検出部から出力するセンサチップ（１５０）を備えている。
【０００９】
圧力温度センサは、一端部（１４１）と、一端部とは反対側の他端部（１４２）と、を有する柱状であって、センサチップのうち圧力検出部及び温度検出部に対応する部分が露出するように、センサチップを一端部側に封止したモールド樹脂部（１４０）を備えている。
【００１０】
圧力温度センサは、圧力導入孔（１１４）が形成された筒状の圧力導入部（１１２）を有し、圧力導入部の一部が取付対象である配管の肉厚部に固定されることで圧力導入部の先端部（１１６）を配管の内部に位置させる保持部（１１０、１２０、１３０）を備えている。
【００１１】
モールド樹脂部は、側面の一部が円柱側面状の外周側面（１４５）を有し、保持部の圧力導入孔は、モールド樹脂部の外周側面が嵌合する径に形成された内周側面（１１７）を有している。
【００１２】
保持部は、モールド樹脂部の外周側面が圧力導入孔の内周側面に嵌合する共に、センサチップの圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔のうち先端部に位置する状態で、モールド樹脂部を保持する。
【００１３】
これによると、モールド樹脂部の外周側面が円柱側面状に構成されているので、センサチップを保持部の先端部に位置させるために柱状に構成されたモールド樹脂部の剛性を向上させることができる。
【００１４】
また、モールド樹脂部の外周側面が圧力導入孔の内周側面に嵌合しているので、保持部が外力を受けたときのモールド樹脂部のがたつきを抑制することができる。
【００１５】
さらに、モールド樹脂部が保持部に保持された状態では、センサチップの圧力検出部が保持部の先端部に位置しているので、圧力検出部が測定対象の影響を直接受けることがない。このため、圧力検出部が測定対象から受ける動圧の影響を低減することができる。したがって、センサチップの圧力測定精度を確保することができる。
【００１６】
一方、温度検出部が配管の中央部に配置されるので、温度検出部が配管の肉厚部に配置される場合よりも測定対象の熱が温度検出部に伝わりやすくなる。したがって、センサチップの温度応答性を確保することができる。
【００１７】
以上により、ウェハレベルパッケージとして構成されたセンサチップを備えた圧力温度センサにおいて、圧力測定精度と温度応答性とを両立させることができる。
【００１８】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。
【図２】センサチップの一部断面図である。
【図３】圧力導入部の先端部の拡大断面図である。
【図４】圧力導入部の先端部の斜視図である。
【図５】第２実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。
【図６】第３実施形態に係る圧力温度センサの断面図である。
【図７】第４実施形態に係るモールド樹脂部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２１】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る圧力温度センサは、測定対象の圧力及び温度の両方を検出可能に構成されたものである。圧力温度センサは配管に固定され、配管内の測定対象の圧力及び温度を検出する。測定対象は、例えばオイルである。もちろん、測定対象は他の液体や気体等の他の流体の場合もある。
【００２２】
図１に示されるように、圧力温度センサ１００は、ハウジング１１０、成形樹脂部１２０、ポッティング樹脂部１３０、モールド樹脂部１４０、及びセンサチップ１５０を備えている。
【００２３】
ハウジング１１０は、ＳＵＳ等の金属材料が切削等により加工された中空形状のケースである。ハウジング１１０の外周面には、取付対象である配管にネジ結合可能な雄ネジ部１１１が形成されている。
【００２４】
ハウジング１１０は、一端側に圧力導入部１１２を有し、他端側に開口部１１３を有している。圧力導入部１１２は圧力導入孔１１４が形成された筒状の部分であり、圧力導入孔１１４は開口部１１３に連通している。ハウジング１１０の開口部１１３は周壁１１５に囲まれることで構成されている。ハウジング１１０は、圧力導入部１１２の一部が取付対象である配管の肉厚部に設けられた貫通ネジ穴に固定される。これにより、圧力導入部１１２の先端部１１６が配管の内部に位置することになる。
【００２５】
成形樹脂部１２０は、圧力温度センサ１００と外部装置とを電気的に接続するためのコネクタを構成する部分である。成形樹脂部１２０は、例えばＰＰＳ等の樹脂材料で形成されており、一端側がハウジング１１０の開口部１１３に固定される固定部１２１として形成され、他端側がコネクタ部１２２として形成されている。固定部１２１はコネクタ部１２２側に凹んだ凹部１２３を有している。
【００２６】
また、成形樹脂部１２０は、ターミナル１２４がインサート成形により一体成形されている。ターミナル１２４の一端側は固定部１２１に封止され、他端側はコネクタ部１２２の内側に露出するように成形樹脂部１２０にインサート成形されている。ターミナル１２４の一端側は、モールド樹脂部１４０の一部が凹部１２３に収容されることでモールド樹脂部１４０の電気的部品に接続される。
【００２７】
そして、成形樹脂部１２０は、固定部１２１がＯリング１２５を介してハウジング１１０の開口部１１３に嵌め込まれた状態で、ハウジング１１０の周壁１１５の端部が当該固定部１２１を押さえるようかしめ固定されている。
【００２８】
ポッティング樹脂部１３０は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂材料で形成されており、成形樹脂部１２０の凹部１２３とモールド樹脂部１４０との隙間に充填されている。ポッティング樹脂部１３０は、測定対象であるオイルからモールド樹脂部１４０の一部やターミナル１２４の接合部等をシール・保護する役割を果たす。
【００２９】
モールド樹脂部１４０は、センサチップ１５０を保持する部品である。モールド樹脂部１４０は、一端部１４１と、一端部１４１とは反対側の他端部１４２と、を有する柱状に構成されている。モールド樹脂部１４０は、一端部１４１側にセンサチップ１５０を封止している。
【００３０】
また、モールド樹脂部１４０は、リードフレーム１４３の一部及び回路チップ１４４を封止している。リードフレーム１４３は、センサチップ１５０及び回路チップ１４４が実装されるベースとなる部品である。リードフレーム１４３の一端側にはセンサチップ１５０が実装され、他端側には回路チップ１４４が実装されている。
【００３１】
リードフレーム１４３の他端側の先端部分は、モールド樹脂部１４０の他端部１４２から露出していると共に、ターミナル１２４の一端側に接続されている。なお、リードフレーム１４３は、複数に分割されていても良い。この場合、ボンディングワイヤによって電気的接続を行えば良い。リードフレーム１４３とターミナル１２４ともボンディングワイヤで接続されていても良い。
【００３２】
回路チップ１４４は、メモリ等の半導体集積回路が形成されたＩＣチップである。回路チップ１４４は、半導体基板等を用いて形成されている。回路チップ１４４は、センサチップ１５０への電源（定電流）の供給、センサチップ１５０から圧力信号及び温度信号を入力し、予め設定された信号処理値に基づいて各信号の信号処理を行う。信号処理値とは、各信号の信号値を増幅や演算等するための調整値である。回路チップ１４４は、図示しないボンディングワイヤによってリードフレーム１４３を介してセンサチップ１５０と電気的に接続されている。
【００３３】
センサチップ１５０は、測定対象の圧力及び温度を検出する電子部品である。センサチップ１５０は、例えば銀ペースト等でリードフレーム１４３に実装されている。
【００３４】
図２に示されるように、センサチップ１５０は、複数の層１５１〜１５５が積層されて構成された板状の積層基板１５６を有して構成されている。複数の層１５１〜１５５は、ウェハレベルパッケージとして複数のウェハが積層され、半導体プロセス等で加工された後、センサチップ１５０毎にダイシングカットされる。
【００３５】
複数の層１５１〜１５５は、第１層１５１、第２層１５２、第３層１５３、第４層１５４、及び第５層１５５が積層されて構成されている。例えば、第１層１５１、第２層１５２、及び第３層１５３によってＳＯＩ基板が構成され、第４層１５４及び第５層１５５によってキャップ基板が構成されている。
【００３６】
第２層１５２及び第３層１５３は、薄肉状のダイヤフラム１５７として構成されている。第３層１５３は例えばシリコン等の半導体層であり、複数のゲージ抵抗１５８が形成されている。各ゲージ抵抗１５８は、第３層１５３に対するイオン注入により形成された拡散抵抗である。各ゲージ抵抗１５８はダイヤフラム１５７の上に形成された薄膜抵抗として構成されていても良い。なお、第３層１５３には、各ゲージ抵抗１５８に接続された図示しない配線部やパッド等も形成されている。
【００３７】
各ゲージ抵抗１５８は、ダイヤフラム１５７の歪みに応じて抵抗値が変化する抵抗素子である。また、各ゲージ抵抗１５８は温度に応じて抵抗値が変化する素子である。各ゲージ抵抗１５８は、ホイートストンブリッジ回路を構成するように電気的に接続されている。ホイートストンブリッジ回路は、回路チップ１４４から定電流の電源が供給される。これにより、各ゲージ抵抗１５８のピエゾ抵抗効果を利用して、ダイヤフラム１５７の歪みや温度に応じた電圧をセンサ信号として検出することができる。
【００３８】
具体的には、センサチップ１５０は、ダイヤフラム１５７の歪みに応じた複数のゲージ抵抗１５８の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路の中点電圧の変化として検出し、当該中点電圧を圧力信号として出力する。一方、センサチップ１５０は、積層基板１５６が測定対象から受ける熱に応じた複数のゲージ抵抗１５８の抵抗変化をホイートストンブリッジ回路のブリッジ電圧として検出し、当該ブリッジ電圧を温度信号として出力する。
【００３９】
したがって、本実施形態では、各ゲージ抵抗１５８は、圧力検出部及び温度検出部の両方の機能を有すると言える。センサチップ１５０は、圧力検出部及び温度検出部に対応した部分が露出するように、モールド樹脂部１４０の一端部１４１側に封止されている。
【００４０】
また、第１層１５１は、ダイヤフラム１５７のうち各ゲージ抵抗１５８が設けられたセンシング領域に対応する開口部１５９を有する。これにより、ダイヤフラム１５７のセンシング領域が第１層１５１の開口部１５９に露出する。測定対象の圧力は、この開口部１５９に露出するダイヤフラム１５７の受圧面１６０に印加される。
【００４１】
一方、第４層１５４及び第５層１５５は、ダイヤフラム１５７のセンシング領域に対応した部分が凹んだ凹部１６１を有する。この凹部１６１は、第３層１５３、第４層１５４、及び第５層１５５が積層されることで密閉された空間部１６２を構成している。空間部１６２は、例えば真空室になっている。したがって、センサチップ１５０によって測定される圧力は絶対圧である。
【００４２】
なお、第１層１５１は例えば半導体基板であり、第２層１５２及び第４層１５４は例えば絶縁層である。第５層１５５は、半導体基板やガラス基板等で構成されている。以上が、圧力温度センサ１００の全体構成である。
【００４３】
次に、モールド樹脂部１４０及び圧力導入部１１２の具体的な構成及びその効果について説明する。
【００４４】
まず、図１に示されるように、モールド樹脂部１４０は、一端部１４１と他端部１４２との間の側面の一部が円柱側面状の外周側面１４５を有している。外周側面１４５は、他端部１４２側の径が一端部１４１側に向かって小さくなる外周側テーパ部１４６を有している。つまり、外周側面１４５は一端部１４１側の径が他端部１４２側の径よりも細くなっている。
【００４５】
外周側テーパ部１４６は、外周側面１４５のうちセンサチップ１５０が配置されていない位置に形成されている。すなわち、外周側テーパ部１４６は、センサチップ１５０を避けるようにモールド樹脂部１４０に封止されている。
【００４６】
一方、圧力導入孔１１４は、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５が嵌合する径に形成された内周側面１１７を有している。内周側面１１７は、圧力導入部１１２の先端部１１６側に向かって径が小さくなると共に、外周側テーパ部１４６に対応する内周側テーパ部１１８を有している。
【００４７】
上記の形状に基づき、モールド樹脂部１４０の一端部１４１側からモールド樹脂部１４０が圧力導入孔１１４に差し込まれる。そして、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５が圧力導入孔１１４の内周側面１１７に嵌合する共に、センサチップ１５０の圧力検出部及び温度検出部が圧力導入孔１１４のうち先端部１１６に位置する。このとき、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５の外周側テーパ部１４６と、圧力導入孔１１４の内周側面１１７の内周側テーパ部１１８と、が嵌合した状態で、モールド樹脂部１４０を保持する。
【００４８】
このような状態で、モールド樹脂部１４０の他端部１４２が成形樹脂部１２０の固定部１２１の凹部１２３に押し込まれると共に、ハウジング１１０の周壁１１５の端部が固定部１２１にかしめられることで、モールド樹脂部１４０が成形樹脂部１２０及びハウジング１１０に保持される。
【００４９】
このように、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５は圧力導入部１１２の内周側面１１７に嵌合されているので、柱状に構成されたモールド樹脂部１４０の剛性を向上させることができる。このため、センサチップ１５０を圧力導入部１１２の先端部１１６に位置させるために、モールド樹脂部１４０を圧力導入部１１２の延設方向に長さを持った形状に構成することができる。
【００５０】
また、配管を介してハウジング１１０が外力を受けた場合やハウジング１１０が測定対象から外力を受けた場合に、モールド樹脂部１４０のがたつきを抑制することができる。外周側面１４５及び内周側面１１７にテーパ形状が採用されているので、圧力導入部１１２の保持力を強固にすることができ、がたつきの抑制効果を高めることができる。
【００５１】
そして、モールド樹脂部１４０の外周側テーパ部１４６は、外周側面１４５のうちセンサチップ１５０が配置されていない位置に形成されているので、センサチップ１５０に対してモールド樹脂部１４０の外周側テーパ部１４６に掛かる応力の影響が抑制される。したがって、当該応力によるセンサチップ１５０へのピエゾ抵抗効果を防止することができる。
【００５２】
さらに、モールド樹脂部１４０が圧力導入部１１２に収容された状態では、センサチップ１５０の圧力検出部が圧力導入部１１２の先端部１１６に位置するので、圧力検出部が測定対象の影響を直接受けることがない。このため、圧力検出部が測定対象から受ける動圧の影響を低減することができる。モールド樹脂部１４０は外周側テーパ部１４６が内周側テーパ部１１８に接触することによって圧力導入孔１１４における位置が規制されるので、先端部１１６におけるセンサチップ１５０の位置決めを容易にすることができる。
【００５３】
図３及び図４に示されるように、圧力導入部１１２は、先端部１１６の先端が圧力導入部１１２の延設方向に開口している。これにより、圧力導入部１１２は、開口端１１６ａを有している。開口端１１６ａは、圧力導入孔１１４の壁面側がモールド樹脂部１４０側に傾斜したテーパ状に形成されている。このテーパ状の開口端１１６ａの形状により、測定対象が圧力導入部１１２の先端から圧力導入孔１１４に入り込みやすくなるので、測定対象の滞留防止による温度応答性を確保することができる。
【００５４】
また、先端部１１６は、複数の開口部１１６ｂを有している。各開口部１１６ｂは、圧力導入部１１２の延設方向に沿って開口している。先端部１１６の先端は開口しているので、各開口部１１６ｂはスリット状に形成されている。
【００５５】
さらに、各開口部１１６ｂは、圧力導入部１１２の先端部１１６のうち延設方向において先端部１１６の先端からセンサチップ１５０の圧力検出部に至らない範囲に形成されている。言い換えると、延設方向に垂直な方向においてセンサチップ１５０の圧力検出部が開口部１１６ｂから露出しないように、各開口部１１６ｂが先端部１１６に形成されている。つまり、延設方向におけるモールド樹脂部１４０側の開口部１１６ｂの端部が延設方向においてセンサチップ１５０の圧力検出部よりも先端部１１６の先端側に位置している。
【００５６】
これによると、測定対象が延設方向に垂直な方向から開口部１１６ｂを介して圧力導入孔１１４に入り込む際にセンサチップ１５０の圧力検出部に直接当たらないので、動圧の影響を抑制することができる。また、測定対象が開口部１１６ｂを介して圧力導入孔１１４に入り込むことで、測定対象が圧力導入孔１１４に滞留することを抑制し、温度応答性を確保することができる。このような位置関係は、上記の外周側テーパ部１４６及び内周側テーパ部１１８によって容易に実現できる。
【００５７】
以上のように、センサチップ１５０の圧力検出部が動圧の影響を受けにくくなるので、センサチップ１５０の圧力測定精度を確保することができる。
【００５８】
一方、センサチップ１５０の温度検出部が圧力導入部１１２の先端部１１６に配置されることにより配管の中央部に位置することになるので、温度検出部が配管の肉厚部に位置する場合よりも測定対象の熱が温度検出部に伝わりやすくなる。したがって、センサチップ１５０の温度応答性を確保することができ、圧力温度センサ１００において圧力測定精度と温度応答性とを両立させることができる。
【００５９】
なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、ハウジング１１０、成形樹脂部１２０、及びポッティング樹脂部１３０が特許請求の範囲の「保持部」に対応する。また、複数のゲージ抵抗１５８が特許請求の範囲の「圧力検出部」及び「温度検出部」に対応する。
【００６０】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、圧力導入部１１２の先端部１１６の先端は開口していない構造になっている。すなわち、圧力導入部１１２は有底筒状になっており、先端が塞がっている。
【００６１】
しかしながら、図５に示されるように、先端部１１６は、圧力導入部１１２の延設方向に沿って開口した複数の開口部１１６ｂを有している。各開口部１１６ｂは窓状に形成されていると言える。圧力導入部１１２を以上のような形状としても良い。
【００６２】
（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、モールド樹脂部１４０は、当該モールド樹脂部１４０の径方向に凹んだＯリング溝１４７と、Ｏリング溝１４７に配置されたＯリング１４８と、を有している。これにより、圧力導入孔１１４は、Ｏリング１４８によってシールされている。
【００６３】
また、Ｏリング溝１４７は、モールド樹脂部１４０の外周側面１４５のうちセンサチップ１５０が配置されていない位置に形成されている。これにより、センサチップ１５０に対してＯリング１４８からモールド樹脂部１４０に掛かる応力の影響が抑制される。したがって、当該応力によるセンサチップ１５０へのピエゾ抵抗効果を防止することができる。
【００６４】
なお、Ｏリング１４８によって圧力導入孔１１４がシールされるので、固定部１２１に設けられていたＯリング１２５を廃止することができる。もちろん、Ｏリング１２５を採用する構成としても良い。モールド樹脂部１４０を以上のような構成としても良い。
【００６５】
（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されたモールド樹脂部１４０は外周側面１４５において圧力導入部１１２の延設方向に垂直な方向の断面であるが、外周部１４０ａと本体部１４０ｂとに分かれて構成されている。
【００６６】
外周部１４０ａは、外周側面１４５を有する円筒状の部分である。本体部１４０ｂは、外周部１４０ａに差し込まれた状態で外周部１４０ａに一体化されていると共にセンサチップ１５０を封止した部分である。モールド樹脂部１４０を以上のように複数の部品で構成しても良い。
【００６７】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された圧力温度センサ１００の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、センサチップ１５０の構成は５つの層１５１〜１５５に限られず、ウェハレベルパッケージとして構成されていれば層の数は適宜変更しても構わない。
【００６８】
また、上記各実施形態では、複数のゲージ抵抗１５８が圧力と温度の両方を検出するように構成されているが、圧力を検出する素子と温度を検出する素子とは別々に構成されていても良い。つまり、圧力検出部と温度検出部とがセンサチップ１５０に別々に設けられていても良い。
【符号の説明】
【００６９】
１１０  ハウジング、１１２  圧力導入部、１１４  圧力導入孔、１１６  先端部、１１７  内周側面、１２０  成形樹脂部、１３０  ポッティング樹脂部、１４０  モールド樹脂部、１４１  一端部、１４２  他端部、１４５  外周側面、１５０  センサチップ、１５１〜１５５  層、１５６  積層基板、１５７  ダイヤフラム、１５８  ゲージ抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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