(57)【要約】      （修正有）【課題】エピタキシャル成長時の温度分布を均一にできるＳｉＣエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００は、ウェハを載置できる載置面を有するサセプタ１０と、サセプタの載置面と反対側に、サセプタと離間して設けられたヒータ１２と、を備える。平面視でサセプタに載置されるウェハの外周部と重なる位置において、ヒータのサセプタ側の第１面と対向する被放射面に凹凸が形成されている。【選択図】図１
2019096765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを載置できる載置面を有するサセプタと、
前記サセプタの前記載置面と反対側に、前記サセプタと離間して設けられたヒータと、を備え、
平面視で前記サセプタに載置されるウェハの外周部と重なる位置において、前記ヒータの前記サセプタ側の第１面と対向する被放射面に凹凸が形成されている、ＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項２】
前記ヒータと前記サセプタに載置されるウェハとが平面視で同心円状に配置され、
前記ヒータの外周端と前記サセプタに載置されるウェハの外周端との径方向の距離が、前記ウェハの直径の１／１２以下である、請求項１に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項３】
前記凹凸が形成された部分の表面積をＳ１とし、前記凹凸が形成された部分を平坦面とした場合の面積をＳ０とした際に、面積比率（Ｓ１／Ｓ０）が２以上である、請求項１又は２に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項４】
前記凹凸が基準面に対して凹む複数の凹部により構成され、前記凹部のアスペクト比が１以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項５】
平面視で前記サセプタに載置されるウェハの外周部と重なる位置における前記サセプタの裏面に、放射部材をさらに備え、
前記放射部材の前記ヒータ側の一面に凹凸を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項６】
前記サセプタの中央部を前記載置面と対向する裏面から支持する中央支持部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項７】
前記凹凸が形成された部分の径方向の幅が、前記サセプタに載置されるウェハの半径の１／２５以上６／２５以下である、請求項６に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項８】
前記サセプタの外周端を前記載置面と対向する裏面から支持する外周支持部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【請求項９】
前記凹凸が形成された部分の径方向の幅が、前記サセプタに載置されるウェハの半径の１／５０以上１／５以下である、請求項８に記載のＳｉＣエピタキシャル成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャル成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、また、バンドギャップが３倍大きく、さらに、熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。そのため、炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
【０００３】
ＳｉＣデバイスの実用化の促進には、高品質のＳｉＣエピタキシャルウェハ、及び高品質のエピタキシャル成長技術の確立が不可欠である。
【０００４】
ＳｉＣデバイスは、昇華再結晶法等で成長させたＳｉＣのバルク単結晶から加工して得られたＳｉＣ単結晶基板上に、化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）等によってデバイスの活性領域となるエピタキシャル層（膜）を成長させたＳｉＣエピタキシャルウェハを用いて作製される。なお、本明細書において、ＳｉＣエピタキシャルウェハはエピタキシャル膜を形成後のウェハを意味し、ＳｉＣウェハはエピタキシャル膜を形成前のウェハを意味する。
【０００５】
ＳｉＣのエピタキシャル膜は、１５００℃程度の極めて高温で成長する。成長温度は、エピタキシャル膜の膜厚、性質に大きな影響を及ぼす。例えば、特許文献１には、熱伝導率の違いによりエピタキシャル成長時のウェハの温度分布を均一にできる半導体製造装置が記載されている。また特許文献２には、ウェハを支持部で支持することで、エピタキシャル成長時のウェハの温度分布を均一にできることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１２９７６４号公報
【特許文献２】特開２０１２−４４０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＳｉＣエピタキシャルウェハを６インチ以上のサイズに大型化する試みが進められている。このような大型のＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する際に、特許文献１及び２に記載の半導体装置では、ウェハの面内方向の温度差を十分抑制できなかった。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、エピタキシャル成長時の温度分布を均一にできるＳｉＣエピタキシャル成長装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ウェハの外周部の温度が中央部の温度より低くなることを見出した。そこで、ウェハが載置されるサセプタの裏面の所定の位置に凹凸を形成することで、当該部分の実効的な放射率を高めることで入熱量を増加させて温度低下を抑制し、エピタキシャル成長時の温度分布を均一にできることを見出した。
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
【００１０】
（１）第１の態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置は、ウェハを載置できる載置面を有するサセプタと、前記サセプタの前記載置面と反対側に、前記サセプタと離間して設けられたヒータと、を備え、平面視で前記サセプタに載置されるウェハの外周部と重なる位置において、前記ヒータの前記サセプタ側の第１面と対向する被放射面に凹凸が形成されている。
【００１１】
（２）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記ヒータと前記サセプタに載置されるウェハとが平面視で同心円状に配置され、前記ヒータの外周端と前記サセプタに載置されるウェハの外周端との径方向の距離が、前記ウェハの直径の１／１２以下であってもよい。
【００１２】
（３）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記凹凸が形成された部分の表面積をＳ１とし、前記凹凸が形成された部分を平坦面とした場合の面積をＳ０とした際に、面積比率（Ｓ１／Ｓ０）が２以上であってもよい。
【００１３】
（４）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記凹凸が基準面に対して凹む複数の凹部により構成され、前記凹部のアスペクト比が１以上であってもよい。
【００１４】
（５）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、平面視で前記サセプタに載置されるウェハの外周部と重なる位置における前記サセプタの裏面に、放射部材をさらに備え、前記放射部材の前記ヒータ側の一面に凹凸を有してもよい。
【００１５】
（６）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記サセプタの中央部を前記載置面と対向する裏面から支持する中央支持部をさらに備えてもよい。
【００１６】
（７）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記凹凸が形成された部分の径方向の幅が、前記サセプタに載置されるウェハの半径の１／２５以上６／２５以下であってもよい。
【００１７】
（８）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記サセプタの外周端を前記載置面と対向する裏面から支持する外周支持部をさらに備えてもよい。
【００１８】
（９）上記態様にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、前記凹凸が形成された部分の径方向の幅が、前記サセプタに載置されるウェハの半径の１／５０以上１／５以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１９】
また本発明の一態様に係るＳｉＣエピタキシャル成長装置によれば、エピタキシャル成長時の温度分布を均一にできる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【図２】第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の要部を拡大した断面模式図である。
【図３】被放射面に形成された凹部を平面視した図である。
【図４】第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタの裏面に放射部材を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【図５】第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタの裏面に放射部材が嵌合したＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【図６】第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の要部を拡大した断面模式図である。
【図７】第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタの裏面に放射部材を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【図８】第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタと外周支持部の間に放射部材を保持するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【図９】実施例１及び比較例１のウェハ表面の温度分布を示す図である。
【図１０】実施例２及び比較例１のウェハ表面の温度分布を示す図である。
【図１１】実施例３及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。
【図１２】実施例４及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２２】
「第１実施形態」
図１は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１００の断面模式図である。図１に示すＳｉＣエピタキシャル成長装置１００は、成膜空間Ｋを形成するチャンバー１を備える。チャンバー１は、ガスを供給するガス供給口２と、ガスを排出するガス排出口３とを有する。成膜空間Ｋ内には、サセプタ１０とヒータ１２とが設けられている。またサセプタ１０は、中央支持部１６によって支持される。以下、サセプタ１０の載置面に対して垂直な方向をｚ方向、載置面で直交する任意の二方向をｘ方向、ｙ方向とする。
【００２３】
図２は、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００の要部を拡大した断面模式図である。図２では、理解を容易にするためにウェハＷを一緒に図示している。
【００２４】
サセプタ１０は、載置面１０ａにウェハＷを載置できる。サセプタ１０は、公知のものを用いることができる。サセプタ１０は、１５００℃を超える高温に対して耐熱性を有し、原料ガスと反応性が低い材料により構成される。例えば、Ｔａ、ＴａＣ、ＴａＣコートカーボン、ＴａＣコートＴａ、黒鉛等が用いられる。成膜温度領域において、ＴａＣ及びＴａＣコートカーボンの放射率は０．２〜０．３程度であり、黒鉛の放射率は０．７程度である。
【００２５】
ヒータ１２は、サセプタ１０の載置面１０ａと対向する裏面１０ｂ側に離間して設けられている。ヒータ１２は公知のものを用いることができる。ヒータ１２は、ｚ方向からの平面視で、サセプタ１０及びウェハＷに対して同心円状に配置されていることが好ましい。サセプタ１０及びウェハＷに対して同じ中心軸に対して同心円状に配置されることで、ウェハＷの均熱性を高めることができる。
【００２６】
ヒータ１２の外周端１２ｃとウェハＷの外周端Ｗｃとの径方向の距離は、ウェハＷの直径の１／１２以下であることが好ましい。またヒータ１２の外周端１２ｃとウェハＷの外周端Ｗｃとは、z方向からの平面視で一致していることがより好ましい。ヒータ１２の径方向の大きさがウェハＷより小さいと、ウェハＷの表面温度の均熱性が低下する。またヒータ１２の径方向の大きさがウェハＷより大きいと、z方向からの平面視でヒータ１２が外周方向に突出することになり、ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００が大型化する。装置を大型化することは、費用が増大するため望ましくない。
【００２７】
ＳｉＣエピタキシャル成長装置１００において、ヒータ１２のサセプタ１０側の第１面１２ａと対向する被放射面Ｒには凹凸が形成されている。被放射面Ｒは、ヒータ１２のサセプタ１０側の第１面１２ａと対向する最表面であって、ヒータ１２からの輻射を直接受ける面である。
【００２８】
図２においては、サセプタ１０の裏面１０ｂが被放射面Ｒに対応する。また図２において凹凸は、基準面に対して凹む複数の凹部１５により構成される。基準面は、サセプタ１０の最もヒータ１２側の面（裏面１０ｂ）を通りｘｙ平面と平行な面である。
【００２９】
凹凸は、ｚ方向からの平面視でウェハＷの外周部と重なる位置にある。ここで、ウェハＷの外周部とは、ウェハＷの外周端Ｗｃから１０％内側の領域を意味する。凹凸が形成された部分とウェハＷの外周部とは、ｚ方向からの平面視で少なくとも一部と重なっていればよい。
【００３０】
被放射面Ｒに凹凸が形成されると、凹凸が形成された部分の実効的な放射率が増加する。これは、ヒータ１２からの放射光（輻射熱）を吸収する面積が広がるためである。放射率は吸熱率と等しく、実効放射率が高まると当該部分の吸熱性が高まる。実効的な放射率が高い凹凸がウェハＷの外周側に位置すると、当該部分がヒータ１２からの輻射熱を効率的に吸収し、ウェハＷの外周部の温度が中央部に対して低くなることを抑制できる。
【００３１】
図３は、被放射面Ｒを平面視した図である。図３の座標で示すｒ方向が径方向であり、θ方向が周方向である。図３に示すように、凹部１５の形状は特に問わない。例えば、図３（ａ）に示す凹部１５Ａは同心円状に形成されている。図３（ｂ）に示す凹部１５Ｂは、中心から放射状に形成されている。図３（ｃ）に示す凹部１５Ｃは、周方向及び径方向に点在している。図３（ｄ）に示す凹部１５Ｄは、外周に向うほど間隔が狭くなる同心円状に形成されている。凹部１５Ｄの間隔が外周側ほど狭いと、外周端の温度を効率的に高めることができる。また凹凸は基準面に対して凹む凹部１５に限られず、ランダムな凹凸面でもよい。
【００３２】
凹凸が形成された部分の表面積をＳ１とし、凹凸が形成された部分を平坦面とした場合の面積をＳ０とした際に、面積比率（Ｓ１／Ｓ０）が２以上であることが好ましく、１６以上であることがより好ましい。また面積比率（Ｓ１／Ｓ０）は、２０以下であることが好ましい。ここで、凹凸が形成された部分とは、凹凸が形成されている部分に外接する外接円と、当該部分に内接する内接円と、の間の領域を意味する。
【００３３】
面積比率と実効放射率との間には、以下の一般式（１）に示す関係性が成り立つ。そのため、面積比率（Ｓ１／Ｓ０）が当該関係を満たすと、凹凸が形成された部分の実効放射率を十分高めることができる。例えば、物質固有の放射率εが０．２、面積比率（Ｓ１／Ｓ０）が２．０の場合は、実効放射率が０．３３となる。
【００３４】
【数１】
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【００３５】
また図１に示すように、凹凸が基準面に対して凹む複数の凹部１５により構成される場合、凹部１５のアスペクト比は、１以上であることが好ましく、５以上であることがより好ましい。またアスペクト比は、２０以下であることが好ましい。凹部１５のアスペクト比が大きいと、凹部１５内に入射した放射光が凹部１５から抜け出すことができなくなり、吸熱効率をより高めることができる。例えば、アスペクト比が１の場合、凹部１５に入射した放射光の８割を利用でき、アスペクト比が１０の場合、凹部１５に入射した放射光の９割以上を利用できる。
【００３６】
凹部１５の深さは、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、１ｍｍ以上であることがより好ましい。また凹部の深さは、３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
凹部１５の幅は、３ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ以下であることがより好ましい。また凹部の幅は、０．０１ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３８】
凹部１５の間隔は、３ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ以下であることがより好ましい。また凹部の間隔は、０．０１ｍｍ以上であることが好ましい。ここで、凹部１５の間隔とは、隣接する凹部１５の径方向の中心間距離を意味する。
【００３９】
凹凸が形成された部分の径方向の幅Ｌ１は、サセプタ１０に載置されるウェハＷの半径の１／２５以上６／２５以下であることが好ましい。凹凸が形成された部分の径方向の幅Ｌ１が当該範囲内であれば、ウェハＷの面内方向の温度をより均一にすることができる。
【００４０】
またＳｉＣエピタキシャル成長装置は、平面視でサセプタ１０に載置されるウェハＷの外周部と重なる位置におけるサセプタ１０の裏面１０ｂに、放射部材１４をさらに備えてもよい。図４は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタの裏面に放射部材を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。放射部材１４を備える場合、サセプタ１０の裏面１０ｂ及び放射部材１４のヒータ１２側の一面１４ｂが被放射面Ｒに対応する。放射部材１４の一面１４ｂには、基準面に対する複数の凹部１７により凹凸が形成されている。
【００４１】
放射部材１４は、サセプタ１０より放射率が高い材料により構成されている。放射部材１４の放射率は、サセプタ１０の放射率の１．５倍以上であることが好ましく、７倍以下であることが好ましい。例えば、サセプタ１０がＴａＣコートカーボン（放射率０．２）の場合、放射部材１４には黒鉛（放射率０．７）、ＳｉＣコートカーボン（放射率０．８）、ＳｉＣ（放射率０．８）等を用いる。
【００４２】
放射部材１４は、ヒータ１２から見て一部が露出した状態で、サセプタ１０の裏面１０ｂに接触している。放射部材１４の一部が露出していることで、ヒータ１２からの輻射熱を効率的に吸熱できる。また放射部材１４は、サセプタ１０の裏面１０ｂと接触していることで、熱伝導によりウェハＷの外周部の温度を高めることができる。放射部材１４がサセプタ１０の裏面１０ｂと接触していないと、外周部の温度を充分に高めることができない。放射部材１４がサセプタ１０の裏面１０ｂに放射される放射光を遮蔽し、熱吸収効率が低下するためと考えられる。またサセプタ１０と放射部材１４とが非接触であることで、放射部材１４が吸熱した熱を効率的にサセプタ１０へ伝えることができないためと考えられる。
【００４３】
放射部材１４は、サセプタ１０の裏面１０ｂに接着してもよいし、サセプタ１０に嵌合してもよい。図５は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、放射部材１４がサセプタ１０に嵌合した一例の要部を拡大した模式図である。
【００４４】
図５に示すサセプタ１０は、第１部材１０Ａと第２部材１０Ｂとからなる。第１部材１０Ａは、主要部１０Ａ１と突出部１０Ａ２とを有する。突出部１０Ａ２は、主要部１０Ａ１から径方向に突出する。第２部材１０Ｂは、主要部１０Ｂ１と突出部１０Ｂ２とを有する。突出部１０Ｂ２は、主要部１０Ｂ１からｚ方向に突出する。
【００４５】
また放射部材１４も第１部１４Ａと第２部１４Ｂからなる。第１部１４Ａは放射部材１４の主要な部分であり、第２部１４Ｂは第１部１４Ａから径方向に延在する。放射部材１４の第２部１４Ｂは、第１部材１０Ａの突出部１０Ａ２と第２部材１０Ｂの主要部１０Ｂ１との間の隙間に嵌合される。放射部材１４は、放射部材１４の自重でサセプタ１０に支持されている。この場合、放射部材１４の径方向の幅は、放射部材１４のサセプタ１０の裏面１０ｂに露出している部分の幅を意味する。接着剤を用いずに放射部材１４とサセプタ１０とを接触させると、接着剤が不要になる。接着剤を使用することも可能だが、線熱膨張率の差により応力が発生し、剥離する場合がある。そのため、接着剤によらない方法で、放射部材１４は固定されることが望ましい。
【００４６】
中央支持部１６は、サセプタ１０の中央をサセプタ１０の裏面１０ｂ側から支持する。中央支持部１６は、エピタキシャル成長温度に対して耐熱性のある材料により構成される。中央支持部１６は中央からｚ方向に延在する軸として回転可能でもよい。中央支持部１６を回転させることで、ウェハＷを回転させながらエピタキシャル成長を行うことができる。
【００４７】
上述のように、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１００は、ヒータ１２のサセプタ１０側の第１面１２ａと対向する被放射面Ｒに凹凸が形成されている。ＳｉＣエピタキシャル成長装置が、当該構成を有することで、当該部分の実効放射率を高め、ウェハＷの外周部の温度が低下することを抑制できる。
【００４８】
「第２実施形態」
図６は、第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１０１の要部を拡大した断面模式図である。第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１０１は、サセプタ１０が中央支持部１６ではなく、外周支持部１８によって支持されている点のみが異なる。その他の構成は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１００と同様であり、同様の構成については、同一の符号を付し、説明を省く。
【００４９】
外周支持部１８は、サセプタ１０の外周をサセプタ１０の裏面１０ｂ側から支持する。外周支持部１８は、中央支持部１６と同様の材料により構成される。
【００５０】
第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１０１は、ヒータ１２のサセプタ１０側の第１面１２ａと対向する被放射面Ｒに凹凸が形成されている。図６において凹凸は、基準面に対して凹む複数の凹部１５により構成されている。
【００５１】
凹凸の形成されている部分の径方向の幅Ｌ２の好ましい範囲は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１００と異なる。サセプタ１０が外周支持部１８によって支持されることにより、外周支持部１８もヒータからの輻射を受けるためである。
【００５２】
サセプタ１０が外周支持部１８により支持されている場合において、凹凸の形成されている部分の径方向の幅Ｌ２は、ウェハＷの半径の１／５０以上１／５であることが好ましい。凹凸の形成されている部分の径方向の幅Ｌ２が当該範囲内であれば、ウェハＷの面内方向の温度をより均一にすることができる。外周支持部１８は、ヒータ１２からの輻射を受け、発熱する。そのため、中央支持部１６によりサセプタ１０を支持する場合と比較して、凹凸の形成されている部分の径方向の幅Ｌ２を小さくすることができる。
【００５３】
図７は、第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタ１０の裏面１０ｂに放射部材１４を有するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。放射部材１４の一面１４ｂには、基準面に対する複数の凹部１７により凹凸が形成されている。放射部材１４は、第１実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１００と同様のものを用いることができる。
【００５４】
図８は、第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置の別の例であって、サセプタ１０と外周支持部１８の間に放射部材１４を保持するＳｉＣエピタキシャル成長装置の模式図である。
【００５５】
図８に示す外周支持部１８は、支柱１８Ａと突出部１８Ｂとを有する。支柱１８Ａは、ｚ方向に延在する部分であり、外周支持部１８の主要部である。突出部１８Ｂは、支柱１８Ａから面内方向に突出した部分である。突出部１８Ｂには嵌合溝１８Ｂ１が設けられている。
【００５６】
外周支持部１８でサセプタ１０を支持すると、外周支持部１８でサセプタ１０との間に嵌合溝１８Ｂ１により隙間ができる。この隙間に放射部材１４を挿入することで、放射部材１４は、自重でサセプタ１０と外周支持部１８との間に支持される。凹部１７は、放射部材１４のヒータ１２側に露出した面に形成される。
【００５７】
上述のように、第２実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャル成長装置１０１によれば、ウェハＷの面内方向の均熱性を高めることができる。被放射面Ｒに凹凸が形成されることで、当該部分の実効放射率が高まるためである。
【００５８】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【実施例】
【００５９】
（実施例１）
図２に示す構成のＳｉＣエピタキシャル成長装置を用いた際のウェハ表面の温度状態をシミュレーションにより求めた。シミュレーションには、汎用FEM熱解析ソフトウエアANSYS Mechanicalを用いた。
【００６０】
シミュレーションの条件は、サセプタ１０の放射率を０．２（ＴａＣコートカーボン相当）とした。サセプタ１０の裏面１０ｂには、同心円状に複数の凹部１５を設けた。複数の凹部１５の外周端の位置は、ウェハＷの外周端及びヒータ１２の外周端の位置と一致させた。複数の凹部１５の溝幅及び溝間隔は０．２ｍｍ、深さは１．０ｍｍとした。複数の凹部１５の外周端と内周端との幅（凹凸が形成された部分の幅Ｌ１）は、１２ｍｍとした。当該条件の基、ウェハの表面温度の面内分布を測定した。
【００６１】
（実施例２）
実施例２は、凹凸が形成された部分の幅Ｌ１を４ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。
【００６２】
（実施例３）
実施例３は、凹凸が形成された部分の幅Ｌ１を２４ｍｍとした点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。
【００６３】
（比較例１）
比較例１は、被放射面Ｒに凹凸を設けなかった点が実施例１と異なる。その他の条件は実施例１と同様にした。
【００６４】
図９は、実施例１〜３及び比較例１のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハの中央からの径方向の位置であり、縦軸がその地点でのウェハの表面温度である。図９に示すように、被放射面Ｒに凹凸を設けることで、ウェハの外周側での温度低下が抑制された。
【００６５】
（実施例４）
実施例４は、図４に示す構成のＳｉＣエピタキシャル成長装置を用い、シミュレーションを行った。すなわち、サセプタ１０の裏面１０ｂに放射部材１４を設けた。また複数の凹部１７は、放射部材１４の一面１４ｂに設けた。放射部材１４の外周端の位置は、ウェハＷの外周端及びヒータ１２の外周端の位置と一致させた。放射部材１４の外周端と内周端の幅は、１０ｍｍとした。複数の凹部１７は、放射部材１４の一面１４ｂ全面に同心円状に配設した。複数の凹部１５の溝幅及び溝間隔は０．２ｍｍ、深さは１．０ｍｍとした。当該条件の基、ウェハの表面温度の面内分布を測定した。
【００６６】
図１０は、実施例４及び比較例１のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハの中央からの径方向の位置であり、縦軸がその地点でのウェハの表面温度である。図１０に示すように、放射率の小さい放射部材１４を用い、放射部材１４の被放射面Ｒに凹凸形状を設けることで、ウェハの外周側での温度低下が抑制された。
【００６７】
表１に、これらの結果をまとめた。なお、面内温度差ｄＴは、ウェハ面内における温度の最大値と最小値との温度差を意味する。
【００６８】
【表１】
2019096765.tif 000004
【００６９】
（実施例５）
図６に示す構成のＳｉＣエピタキシャル成長装置を用いた際のウェハ表面の温度状態をシミュレーションにより求めた。シミュレーションは実施例１と同様の手段を用いた。
【００７０】
シミュレーションの条件は、サセプタ１０の放射率を０．２（ＴａＣコートカーボン相当）とした。サセプタ１０の裏面１０ｂには、同心円状に複数の凹部１５を設けた。複数の凹部１５の外周端の位置は、ウェハＷの外周端及びヒータ１２の外周端の位置と一致させた。複数の凹部１５の溝幅及び溝間隔は０．５ｍｍ、深さは０．５ｍｍとした。複数の凹部１５の外周端と内周端との幅（凹凸が形成された部分の幅Ｌ２）は、１０ｍｍとした。当該条件の基、ウェハの表面温度の面内分布を測定した。
【００７１】
（実施例６）
実施例６は、凹凸が形成された部分の幅Ｌ２を２ｍｍとした点が実施例５と異なる。その他の条件は実施例５と同様にした。
【００７２】
（実施例７）
実施例７は、凹凸が形成された部分の幅Ｌ２を２０ｍｍとした点が実施例５と異なる。その他の条件は実施例５と同様にした。
【００７３】
（比較例２）
比較例２は、被放射面Ｒに凹凸を設けなかった点が実施例５と異なる。その他の条件は実施例２と同様にした。
【００７４】
図１１は、実施例５〜７及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハの中央からの径方向の位置であり、縦軸がその地点でのウェハの表面温度である。図１１に示すように、被放射面Ｒに凹凸を設けることで、ウェハの外周側での温度低下が抑制された。
【００７５】
（実施例８）
実施例８は、図７に示す構成のＳｉＣエピタキシャル成長装置を用い、シミュレーションを行った。すなわち、サセプタ１０の裏面１０ｂに放射部材１４を設けた。また複数の凹部１７は、放射部材１４の一面１４ｂに設けた。放射部材１４の外周端の位置は、ウェハＷの外周端及びヒータ１２の外周端の位置と一致させた。放射部材１４の外周端と内周端の幅は、２ｍｍとした。複数の凹部１７は、放射部材１４の一面１４ｂ全面に同心円状に配設した。複数の凹部１５の溝幅及び溝間隔は０．５ｍｍ、深さは０．５ｍｍとした。当該条件の基、ウェハの表面温度の面内分布を測定した。
【００７６】
図１２は、実施例８及び比較例２のウェハ表面の温度分布を示す図である。横軸がウェハの中央からの径方向の位置であり、縦軸がその地点でのウェハの表面温度である。図１２に示すように、放射率の小さい放射部材１４を用い、放射部材１４の被放射面Ｒに凹凸形状を設けることで、ウェハの外周側での温度低下が抑制された。
【００７７】
表２に、これらの結果をまとめた。
【００７８】
【表２】
2019096765.tif 000005
【符号の説明】
【００７９】
１  チャンバー
２  ガス供給口
３  ガス排出口
１０  サセプタ
１０ａ  載置面
１０ｂ  裏面
１０Ａ  第１部材
１０Ａ１  主要部
１０Ａ２  突出部
１０Ｂ  第２部材
１０Ｂ１  主要部
１０Ｂ２  突出部
１２  ヒータ
１４  放射部材
１４Ａ  第１部
１４Ｂ  第２部
１４ｂ  一面
１５、１５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１７  凹部
１２ｃ、１４ｃ、Ｗｃ  外周端
１６  中央支持部
１８  外周支持部
１８Ａ  支柱
１８Ｂ  突出部
１８Ｂ１  嵌合溝
１００、１０１  ＳｉＣエピタキシャル成長装置
Ｗ  ウェハ
Ｋ  成膜空間
Ｒ  被放射面
【図１】
2019096765.tif 000006
【図２】
2019096765.tif 000007
【図３】
2019096765.tif 000008
【図４】
2019096765.tif 000009
【図５】
2019096765.tif 000010
【図６】
2019096765.tif 000011
【図７】
2019096765.tif 000012
【図８】
2019096765.tif 000013
【図９】
2019096765.tif 000014
【図１０】
2019096765.tif 000015
【図１１】
2019096765.tif 000016
【図１２】
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