(57)【要約】      （修正有）【課題】導電性接着剤層だけでなく、絶縁保護層を含む複数の層を積層するとともに、埋め込み性の向上、及び、エッジ切れの抑制をも図ることが出来る電磁波シールドフィルムを提供する。【解決手段】電磁波シールドフィルム１０１は、導電性接着剤層１１１と絶縁保護層１１２とを備える。また更に、導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に金属箔あるいは金属蒸着膜層を備えても良く、電磁波シールドフィルム１０１の引張弾性率は４００ＭＰａ以上であり、破断伸びは３％以上である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、
引張弾性率が４００ＭＰａ以上であり、
破断伸びが３％以上である、電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に設けられた金属箔をさらに備えている、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層との間に設けられた金属蒸着層をさらに備え、
破断伸びが１０％以上である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項４】
前記導電性接着剤層と前記絶縁保護層とが接しており、
破断伸びが１０％以上である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項５】
グランド回路と、前記グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールドフィルムとを備え、
前記導電性接着剤層は、前記開口部において前記グランド回路と導通するように前記絶縁フィルムと接着されている、シールドプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電磁波シールドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波シールドフィルムは、プリント配線基板の表面に圧着されることにより、導電性接着剤層がプリント配線基板の表面を覆う絶縁フィルムに設けられた開口部に埋め込まれ、導電性接着剤層とプリント配線基板のグランドパターンとを導通させる。近年、電子機器の小型化が進むにつれて、導電性接着剤層を埋め込む開口部の大きさも縮小されている。このため、導電性接着剤層には、優れた埋め込み性が求められている。また、導電性接着剤層は、プリント配線基板に設けられた段差によってエッジ切れが生じないようにすることも求められている。このため、導電性接着剤層の流動性を制御して、埋め込み性を良好にすることが検討されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０１０５２４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、埋め込み性や、エッジ切れには流動性以外の物性も影響を与えるが、流動性以外の物性についてはほとんど考慮されていない。また、電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層だけでなく、絶縁保護層を含む複数の層が積層されて形成されている。このため、埋め込み性の向上や、エッジ切れの抑制のためには、電磁波シールドフィルム全体の物性を最適化する必要がある。
【０００５】
本開示の課題は、全体的な物性を最適化した電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、導電性接着剤層と絶縁保護層とを備え、引張弾性率が４００ＭＰａ以上であり、破断伸びが３％以上である。
【０００７】
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層との間に設けられた金属箔をさらに備えていてもよい。
【０００８】
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層との間に設けられた金属蒸着層をさらに備え、破断伸びが１０％以上とすることができる。
【０００９】
電磁波シールドフィルムの一態様において、導電性接着剤層と絶縁保護層とが接しており、破断伸びが１０％以上とすることができる。
【００１０】
本開示のシールドプリント配線基板の一態様は、グランド回路と、グランド回路を露出する開口部を有する絶縁フィルムとを有するプリント配線基板と、本開示の電磁波シールドフィルムとを備え、導電性接着剤層は、開口部においてグランド回路と導通するように絶縁フィルムと接着されている。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の電磁波シールドフィルムによれば、埋め込み性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを示す断面図である。
【図２】電磁波シールドフィルムの変形例を示す断面図である。
【図３】一実施形態に係るシールドプリント配線基板を示す断面図である。
【図４】電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する工程を示す断面図である。
【図５】埋め込み性の評価方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、図１に示すように、絶縁保護層１１２と導電性接着剤層１１１とを有する。このような電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層１１１をシールドとして機能させることができる。なお、図２に示すように、絶縁保護層１１２と導電性接着剤層１１１の間にシールド層１１３を設けることもできる。シールド層１１３は、導電性であればよく、金属箔、金属蒸着フィルム及び導電性フィラーの層等とすることができる。
【００１４】
本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、図３に示すようにプリント配線基板１０２と組み合わせてシールドプリント配線基板１０３とすることができる。電磁波シールドフィルム１０１は、シールド層１１３を有するものであってもよい。
【００１５】
プリント配線基板１０２は、例えば、ベース部材１２２と、ベース部材１２２の上に設けられたグランド回路１２５を含むプリント回路を有している。ベース部材１２２の上には接着剤層１２３により絶縁フィルム１２１が接着されている。絶縁フィルム１２１にはグランド回路１２５を露出する開口部が設けられている。グランド回路１２５の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板１０２は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。
【００１６】
電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に接着する際には、図４に示すように、導電性接着剤層１１１が開口部１２８の上に位置するように、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２上に配置する。そして、所定の温度（例えば１２０℃）に加熱した２枚の加熱板（図示せず）により、電磁波シールドフィルム１０１とプリント配線基板１０２とを、上下方向から挟んで所定の圧力（例えば０．５ＭＰａ）で短時間（例えば５秒間）押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１はプリント配線基板１０２に仮止めされる。
【００１７】
続いて、２枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度（例えば、１７０℃）とし、所定の圧力（例えば３ＭＰａ）で所定時間（例えば３０分）加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層１１１が開口部１２８に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム１０１が必要とする強度及び導電性を実現することができる。
【００１８】
導電性接着剤層１１１の流動性を高くしても、導電性接着剤層１１１は、加圧した際に開口部１２８に流れ込むのではなく、周囲へ押し出されて拡がってしまう。このため、埋め込み性を向上させるには、導電性接着剤層１１１が変形して開口部１２８に押し込まれるようにすることが重要である。このため、導電性接着剤層１１１に加えられた応力が周囲に逃げないようにすることが好ましい。このため、電磁波シールドフィルム１０１全体の弾性率を高くして、導電性接着剤層１１１に大きな応力が加わるようにすることが好ましい。具体的には、電磁波シールドフィルム１０１全体の弾性率を４００ＭＰａ以上、好ましくは５００ＭＰａ以上、より好ましくは６００ＭＰａ以上とする。
【００１９】
一方、導電性接着剤層１１１が開口部１２８に押し込まれる際には、導電性接着剤層１１１だけでなく、絶縁保護層１１２等を含む電磁波シールドフィルム１０１全体が変形する。このため、電磁波シールドフィルム１０１全体がある程度の柔軟性を有するように、破断伸びを３％以上、好ましくは４％以上、より好ましくは５％以上とする。また、弾性率を好ましくは１５０００ＭＰａ以下、より好ましくは１４９００ＭＰａ以下、さらに好ましくは１４８００ＭＰａ以下とする。
【００２０】
電磁波シールドフィルム１０１の破断伸びは、シールド層１１３の有無及びその材質によって大きく変化する。金属箔からなるシールド層１１３を有している場合には、破断伸びを大きくすることは困難であり、通常は１０％以下程度である。金属蒸着層からなるシールド層１１３を有している場合には、より大きい破断伸びを確保することが可能であり、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上の破断伸びを確保することができる。シールド層１１３を有していない場合にも、好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上の破断伸びを確保することが可能である。また、シールド層１１３を有していない場合には、弾性率を好ましくは２０００ＭＰａ以下、より好ましくは１０００ＭＰａ以下とすることもできる。なお、弾性率及び破断伸びは、実施例において説明する方法により測定することができる。
【００２１】
電磁波シールドフィルム１０１の弾性率及び破断伸びをこのような値とすることにより、埋め込み性だけでなく、段差におけるエッジ切れの発生も抑えることが可能となる。
【００２２】
本実施形態において、導電性接着剤層１１１は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の樹脂成分と、導電性フィラーとを含んでいる。
【００２３】
導電性接着剤層１１１が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、及びアクリル系樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
導電性接着剤層１１１が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂及びアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２５】
熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第１の官能基を有する第１樹脂成分と、第１の官能基と反応する第２樹脂成分とを含む。第１の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第２の官能基は、第１の官能基に応じて選択すればよく、例えば第１官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第１樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第１樹脂成分が水酸基である場合には、第２樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。
【００２６】
熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第１の官能基と第２の官能基とを有する場合、硬化剤は、第１の官能基及び第２の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第１の官能基がエポキシ基であり、第２の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは１種を単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。
【００２７】
導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。
【００２８】
導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。
【００２９】
導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは６０質量％以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは４０質量％以下、より好ましくは３５質量％以下である。
【００３０】
本実施形態において、絶縁保護層１１２は、充分な絶縁性を有し、導電性接着剤層１１１及び必要な場合にはシールド層１１３を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等を用いて形成することができる。
【００３１】
熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも２個の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、２種以上の材料から形成されていてもよい。
【００３２】
絶縁保護層１１２は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる２層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム１０１をプリント配線基板１０２に加熱加圧する工程においてシールド層１１３に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線基板１０２に設けられた段差によってシールド層１１３が破壊されることを抑えることができる。
【００３３】
絶縁保護層１１２には、必要に応じて、硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、顔料、染料、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の少なくとも１つが含まれていてもよい。
【００３４】
絶縁保護層１１２の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは４μｍ以上、そして好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下とすることができる。絶縁保護層１１２の厚さを１μｍ以上とすることにより導電性接着剤層１１１及びシールド層１１３を充分に保護することができる。絶縁保護層１１２の厚さを２０μｍ以下とすることにより、電磁波シールドフィルム１０１の弾性率及び破断伸びを所定の値とすることが容易となる。
【００３５】
シールド層１１３を設ける場合、シールド層１１３は、金属箔、金属蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。
【００３６】
金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は２つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。
【００３７】
金属箔の厚さは、特に限定されないが、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましい。金属箔の厚さが０．５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板に１０ＭＨｚ〜１００ＧＨｚの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。
【００３８】
また、金属箔の厚さは１２μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、７μｍ以下がさらに好ましい。金属層の厚さが１２μｍ以下であると、原材料コストを抑えることが出来るとともに、シールドフィルムの判断伸びが良好となる。
【００３９】
金属蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積（ＣＶＤ）法、又はメタルオーガニック堆積（ＭＯＣＶＤ）法等を用いることができる。
【００４０】
金属蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上がより好ましい。金属蒸着膜の厚さが０．０５μｍ以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。
【００４１】
また、金属蒸着膜の厚さは０．５μｍ未満が好ましく、０．３μｍ未満であることがより好ましい。金属蒸着膜の厚さが０．５μｍ未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。
【００４２】
導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層１１２の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層１１３を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。
【００４３】
本実施形態においてシールド層１１３の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から１２μｍ以下とすることが好ましい。
【００４４】
本実施形態の電磁波シールドフィルム１０１は、例えば以下のようにして形成することができる。まず、支持基材の上に、絶縁保護層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、絶縁保護層１１２を形成する。支持基材は例えばフィルム状とすることができる。支持基材は、特に限定されず、例えばポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリイミド系、又はポリフェニレンサルファイド系等の材料により形成することができる。支持基材と保護層用組成物との間に、離型剤層を設けてもよい。
【００４５】
絶縁保護層用組成物は、絶縁保護層用の樹脂組成物に溶剤及びその他の配合剤を適量加えて調製することができる。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。その他の配合剤としては、架橋剤や重合用触媒、硬化促進剤、及び着色剤等を加えることができる。その他の配合剤は必要に応じて加えればよく、加えなくてもよい。支持基材に保護層用組成物を塗布する方法は、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等の、公知の技術を採用することができる。
【００４６】
次に、必要に応じて絶縁保護層１１２の上に、シールド層１１３を形成する。シールド層１１３の形成方法は、シールド層１１３の種類に応じて適宜選択することができる。電磁波シールドフィルム１０１がシールド層１１３を有さない構成である場合には、この工程を省略することができる。
【００４７】
次に、絶縁保護層１１２又はシールド層１１３の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布した後、加熱乾燥して溶剤を除去し、導電性接着剤層１１１を形成する。
【００４８】
導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤と溶剤とを含む。溶剤は、例えば、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、プロパノール及びジメチルホルムアミド等とすることができる。導電性接着剤層用組成物中における導電性接着剤の比率は、導電性接着剤層１１１の厚さ等に応じて適宜設定すればよい。
シールド層１１３の上に導電性接着剤層用組成物を塗布する方法としては、特に限定されず、リップコーティング、コンマコーティング、グラビアコーティング、又はスロットダイコーティング等を用いることができる。
【００４９】
導電性接着剤層１１１の厚さは、電磁波シールドフィルム１０１の弾性率及び破断伸びを制御する観点から、１μｍ〜５０μｍとすることが好ましい。
【００５０】
なお、必要に応じて、導電性接着剤層１１１の表面に剥離基材（セパレートフィルム）を貼り合わせてもよい。剥離基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のベースフィルム上に、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、導電性接着剤層１１１が形成される側の表面に塗布されたものを使用することができる。なお、剥離基材の厚さは特に限定されるものではなく、適宜、使い易さを考慮して決定することができる。
【実施例】
【００５１】
以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。
【００５２】
＜電磁波シールドフィルムの作製＞
支持基材である表面に剥離層を設けたＰＥＴフィルム（厚さ２５μｍ）の表面に、所定の絶縁保護層用樹脂組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、所定の厚さの絶縁保護層を形成した。この後、シールド層を有する場合には所定の方法により絶縁保護層の上にシールド層を形成した。次に、絶縁保護層又はシールド層の上に所定の導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、１００℃×３分の乾燥を行い電磁波シールドフィルムを作製した。
【００５３】
＜物性の測定＞
得られた電磁波シールドフィルムから、ダンベル試験片（１００ｍｍ×１０ｍｍ、標線間２０ｍｍ）を作成し、引張試験機（ＡＧＳ−Ｘ５０Ｓ、島津製作所製）を用いて、弾性率、破断伸び及び最大応力を測定した。測定条件は、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、ロードセル：５０Ｎとし、弾性率は応力(２〜３ＭＰａ)と破断伸びの傾斜から算出した。
【００５４】
＜埋め込み性の評価＞
図５に示すように、試験用プリント配線基板１４０にプレス機を用いて温度：１７０℃、時間：３０分、圧力：２〜３ＭＰａの条件で、電磁波シールドフィルム１０１を接着し、シールドプリント配線基板を作製した。試験用プリント配線基板１４０は、ベースフィルム（図示せず）の上に設けられた互いに間隔をおいて平行に延びる２本の銅箔パターン１４１と、銅箔パターンを覆うポリイミドからなる絶縁層（厚さ：２５μｍ）１４２とを有しており、絶縁層１４２には、直径が１ｍｍのグランド接続部を模擬した開口部１４３を設けた。
【００５５】
試験用プリント配線板１４０に形成された２本の銅箔パターン１４１間の電気抵抗値を抵抗計１５１により測定し、銅箔パターン１４１と電磁波シールドフィルム１０１との接続抵抗値を測定し、開口部１４３への樹脂の埋め込み性を評価した。開口部１箇所あたりの接続抵抗値が３００ｍΩ未満の場合を埋め込み性が良好（○）とし、３００ｍΩ以上となった場合を埋め込み性が不良（×）とした。
【００５６】
（実施例１）
絶縁保護層用樹脂組成物をＵＶ硬化性アクリル樹脂からなる第１絶縁保護層用樹脂組成物と、ゴム変性エポキシ樹脂からなる第２絶縁保護層用樹脂組成物とし、ＰＥＴフィルムの表面に厚さが２μｍの第１絶縁保護層を形成した後、第１絶縁保護層の上に厚さが３μｍの第２絶縁保護層を形成した。
【００５７】
シールド層は、第２絶縁保護層の表面に真空蒸着により形成した、厚さが０．１５μｍの銀蒸着膜とした。導電性接着剤層は、樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂（８７質量部）とし、フィラーを銀コート銅粉（１３質量部）とし、厚さを１７μｍとした。
【００５８】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は１３１１ＭＰａ、破断伸びは４５％、最大応力は１９ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００５９】
（実施例２）
第１絶縁保護層を厚さが２μｍのエポキシ変性ポリエステル樹脂とし、シールド層を厚さが０．３μｍの銀蒸着膜としたこと以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００６０】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は１４４２ＭＰａ、破断伸びは４７％、最大応力は１８ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００６１】
（実施例３）
導電性接着剤層の厚さを５μｍとしたこと以外は、実施例２と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００６２】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は１２３５ＭＰａ、破断伸びは９４％、最大応力は１８ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００６３】
（実施例４）
第１絶縁保護層を厚さが２μｍのエポキシ変性ポリエステル樹脂としたこと以外は、実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００６４】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は８２５ＭＰａ、破断伸びは６９％、最大応力は１６ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００６５】
（実施例５）
導電性接着剤層の厚さを５μｍとしたこと以外は、実施例４と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００６６】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は７１５ＭＰａ、破断伸びは８３％、最大応力は１５ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００６７】
（実施例６）
第２絶縁保護層の厚さを５μｍとし、導電性接着剤層の樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂（４０質量部）、フィラーを銀コート銅粉（６０質量部）とし、シールド層を設けなかったこと以外は、実施例２と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００６８】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は４０４ＭＰａ、破断伸びは１１９％、最大応力は２５ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００６９】
（実施例７）
第２絶縁保護層の厚さを３μｍとし、導電性接着剤層の樹脂成分をゴム変性エポキシ樹脂及びポリエステル樹脂の混合物（重量比で９９：１）としたこと以外は実施例６と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００７０】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は６８５ＭＰａ、破断伸びは７１％、最大応力は５５ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００７１】
（実施例８）
第１絶縁保護層を厚さが２μｍのフェノール変性エポキシ樹脂とし、第２絶縁保護層を厚さが５μｍのゴム変性エポキシ樹脂とし、シールド層を厚さが５μｍの圧延銅箔としたこと以外は実施例１と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００７２】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は１４７０９ＭＰａ、破断伸びは４％、最大応力は５３ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００７３】
（実施例９）
圧延銅箔の厚さを２μｍとしたこと以外は、実施例８と同様にして電磁波シールドを作製した。
【００７４】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は５９１６ＭＰａ、破断伸びは６％、最大応力は２８ＭＰａであり、埋め込み性は良好であった。
【００７５】
（比較例１）
第１絶縁保護層を、厚さが７μｍのウレタン変性エポキシ樹脂とし、第２の絶縁保護層及びシールド層は設けなかった。導電性接着剤層は、樹脂成分をウレタン変性エポキシ樹脂（８７質量部）とし、フィラーを銀コート銅粉（１３質量部）とし、厚さを１７μｍとした。
【００７６】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は３８９ＭＰａ、破断伸びは１６４％、最大応力は１７ＭＰａであり、埋め込み性は不良であった。
（比較例２）
第１絶縁保護層の厚さを５μｍとし、シールド層を厚さが２μｍの圧延銅箔とし、導電性接着剤層の厚さを１２μｍとしたこと以外は、比較例１と同様にして電磁波シールドフィルムを作製した。
【００７７】
得られた電磁波シールドフィルムの弾性率は１５３９４ＭＰａ、破断伸びは２％、最大応力は１００ＭＰａであり、埋め込み性は不良であった。
【００７８】
表１に各実施例及び比較例についてまとめて示す。
【００７９】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００８０】
本開示の電磁波シールドフィルムは、埋め込み性に優れ、プリント配線基板用の電磁波シールドフィルム等として有用である。
【符号の説明】
【００８１】
１０１      電磁波シールドフィルム
１０２      プリント配線基板
１０３      シールドプリント配線基板
１１１      導電性接着剤層
１１２      絶縁保護層
１１３      シールド層
１２１      絶縁フィルム
１２２      ベース部材
１２３      接着剤層
１２５      グランド回路
１２８      開口部
１４０      試験用プリント配線基板
１４１      銅箔パターン
１４２      絶縁層
１４３      開口部
１５１      抵抗計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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