(57)【要約】      （修正有）【課題】高周波信号の伝送時に発生する信号損失を低減するプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、下面に第１回路１１０が埋め込まれた絶縁層１００と、絶縁層と第１回路との間に介在された第１接着層１２０と、絶縁層の上面に形成された第２接着層１３０と、を含む。第２接着層の誘電損失は、絶縁層の誘電損失よりも小さく、第１回路の上面の粗さは０．１μｍより小さい。【選択図】図１ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に第１回路が埋め込まれた絶縁層と、
前記絶縁層と前記第１回路との間に介在された第１接着層と、
前記絶縁層の上面に形成された第２接着層と、を含み、
前記第２接着層の誘電損失は、前記絶縁層の誘電損失よりも小さく、
前記第１回路の上面の粗さは、０．１μｍより小さいプリント回路基板。
【請求項２】
前記第２接着層上に形成される第２回路をさらに含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記第２回路の下面の粗さは、０．１μｍより小さい請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第１回路と前記第２回路とを接続するために、前記絶縁層、前記第１接着層及び前記第２接着層を貫通するビアをさらに含む請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記ビアは，
前記第１回路に接続する第１金属層と、
前記第１金属層上に形成され、前記第２回路に接続する第２金属層と、を含み、
前記第２金属層の溶融点は、前記第１金属層の溶融点よりも低い請求項４に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記第１接着層及び第２接着層のそれぞれの厚さは、前記絶縁層の厚さよりも薄い請求項１から５のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記第１接着層と前記第２接着層とは、互いに離隔している請求項１から６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記第１接着層の厚さは、前記第２接着層の厚さよりも薄い請求項１から７のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記第１接着層は、シランカップリングを含む有機薄膜である請求項１から８のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記第２接着層は、シリコン系樹脂材で形成される請求項１から９のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
前記第１接着層は、前記絶縁層の下面上に延長する請求項１から１０のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
複数の単位層で形成されるプリント回路基板において、
前記複数の単位層のうち、上下に積層される隣接した２つの単位層のそれぞれは、
下面に回路が埋め込まれた絶縁層と、
前記絶縁層と前記回路との間に介在された第１接着層と、
前記絶縁層の上面に形成された第２接着層と、を含み、
前記第２接着層の誘電損失は、前記絶縁層の誘電損失よりも小さく、
前記回路の上面の粗さは、０．１μｍより小さいプリント回路基板。
【請求項１３】
前記回路の下面の粗さは、０．１μｍより小さい請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記複数の単位層のそれぞれは、
前記回路との接続のために前記絶縁層を貫通するビアをさらに含み、
前記ビアは、前記第１接着層及び前記第２接着層を貫通する請求項１２または１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記ビアは、
前記回路の上面に接続する第１金属層と、
前記第１金属層上に形成される第２金属層と、を含み，
前記第２金属層の溶融点は、前記第１金属層の溶融点よりも低い請求項１４に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
互いに異なる単位層に形成されたビアは、スタック（ｓｔａｃｋ）構造を形成する請求項１４または１５に記載のプリント回路基板。
【請求項１７】
上部に位置した単位層に形成されている前記第１接着層は、下部に位置した単位層に形成されている前記第２接着層と接触する請求項１２から１６のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信技術の発展により、単なる音声送受信を主とした通信サービスから、動画放送、画像電話、ファイル伝送等の様々なマルチメディア応用サービスが増大している。この様々な無線通信サービスの利用の裏面には、使用周波数帯域のバンド多重化やＧＨｚ以上の高周波帯域の利用があった。特に、無線通信技術に使用される高周波帯域は６０ＧＨｚ以上が検討されている。これにより、高周波信号の伝送時に発生する信号損失を低減できるプリント回路基板の開発が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１１−０００２１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、信号損失を低減したプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、下面に第１回路が埋め込まれた絶縁層と、上記絶縁層と上記第１回路との間に介在された第１接着層と、上記絶縁層の上面に形成された第２接着層と、を含み、上記第２接着層の誘電損失が上記絶縁層の誘電損失よりも小さく、上記第１回路の上面の粗さは、０．１μｍよりも小さいプリント回路基板が提供される。
【０００６】
本発明の他の側面によれば、複数の単位層で構成されるプリント回路基板において、上記複数の単位層のうち、上下に積層される隣接した２つの単位層のそれぞれは、下面に回路が埋め込まれた絶縁層と、上記絶縁層と上記回路との間に介在された第１接着層と、上記絶縁層の上面に形成された第２接着層と、を含み、上記第２接着層の誘電損失が上記絶縁層の誘電損失よりも小さく、上記回路の上面粗さは、０．１μｍよりも小さいプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１ａ】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図１ｂ】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図１ｃ】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図１ｄ】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【０００９】
また、以下で使用される「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【００１０】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に、構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用される。
【００１１】
図１ａから図１ｄは、本発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【００１２】
図１ａから図１ｄを参照すると、本発明の一実施例に係るプリント回路基板は、絶縁層１００と、第１接着層１２０と、第２接着層１３０と、を含む。
【００１３】
絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。絶縁層１００の樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な材料を用いることができる。例えば、絶縁層１００には、エポキシ系樹脂またはポリイミドを用いることができる。ここで、エポキシ系樹脂には、ナフタレン系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック系エポキシ樹脂、クレゾールノボラック系エポキシ樹脂、ゴム変性型エポキシ樹脂、環型脂肪族系エポキシ樹脂、シリコン系エポキシ樹脂、窒素系エポキシ樹脂、リン系エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００１４】
絶縁層１００は、上記のエポキシ系樹脂またはポリイミドにガラス繊維（ｇｌａｓｓ  ｃｌｏｔｈ）等の繊維補強材が含まれるか、シリカ等の無機フィラー（ｆｉｌｌｅｒ）が含有されたものであることができる。前者の例として、プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ；  ＰＰＧ）があり、後者の例として、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）等のビルドアップフィルム（ｂｕｉｌｄ  ｕｐ  ｆｉｌｍ）がある。
【００１５】
一方、絶縁層１００の誘電損失は比較的小さくてもよい。例えば、絶縁層１００の誘電正接は、０．００４以下であってもよい。ここで、誘電正接とは、信号伝送時に絶縁層１００により損失される電力（誘電損失）の度合いを意味する。誘電正接が大きいほど誘電損失が大きい。
【００１６】
絶縁層１００には、回路１１０が形成される。回路１１０は、絶縁層１００の一面に形成され、絶縁層１００の一面に埋め込まれることができる。回路１１０が絶縁層１００の一面に埋め込まれることは、キャリアを用いて回路１１０を形成した結果であり得る。
【００１７】
回路１１０は、電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。回路１１０には、１０ＧＨｚ以上の周波数を有する電気信号が伝送され得る。回路１１０は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金により形成することができる。
【００１８】
回路１１０において、絶縁層１００と接触する表面の粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍよりも小さくてもよい。すなわち、絶縁層１００の一面に埋め込まれる回路１１０の上面及び／または側面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍよりも小さくてもよい。また、回路１１０の下面の表面粗さも０．１μｍより小さくてもよい。好ましくは、回路１１０は表面粗さを有さなくてもよい（Ｒａ＝０）。これは、回路１１０の表面に粗さ処理を施さないという意味を含むことができる。
【００１９】
回路１１０の表面粗さが小さいと、表皮効果（ｓｋｉｎ  ｅｆｆｅｃｔ）を低減することができる。表皮効果は、回路の表面粗さにより大きくなることがあり、この表皮効果は、信号損失を引き起こす。表面粗さが０．１μｍより小さい場合は、表面粗さが０．１μｍ以上である場合に比べて、表皮効果を格段に低減することができ、その結果、信号損失を格段に低減することができる。
【００２０】
実験結果から、回路表面に粗さ処理（ＣＺ８１０１を使用）を行って回路の表面粗さを０．４μｍより大きくした場合に比べて、粗さ処理を行わず表面粗さが０．１μｍ未満である回路の場合が、信号損失が２０〜３０％低減した。
【００２１】
絶縁層１００は、回路１１０との接続のために、絶縁層１００を貫通するビア１４０をさらに含むことができる。ビア１４０は、互いに異なる層に形成された回路１１０を互いに電気的に接続するものであって、回路１１０の一部分上に位置することができる。
【００２２】
ビア１４０は、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成可能である。ビア１４０の溶融点は、回路１１０の溶融点より低くてもよい。ビア１４０は、めっきまたは金属ペーストの充填により形成可能である。
【００２３】
ビア１４０の縦断面の形状は様々な形状を有することができ、図面にはビア１４０の縦断面の形状を四角形に示したが、製造工程に応じて、ビア１４０の縦断面の形状は逆台形を有することができる。すなわち、ビア１４０の横断面の面積は、絶縁層１００の他面から一面に行くほど小さくなることが可能である。
【００２４】
絶縁層１００と接する回路１１０の表面に粗さがほとんどないため、回路１１０と絶縁層１００との密着力の問題を解決するために、第１接着層１２０が絶縁層１００と回路１１０との間に形成される。すなわち、第１接着層１２０を介して絶縁層１００と回路１１０とが互いに強く接着できるようになる。
【００２５】
第１接着層１２０により、回路１１０と絶縁層１００との間の剥離強度は、０．５ｋｇｆ／ｃｍよりも大きくなることができる。
【００２６】
第１接着層１２０は、絶縁層１００と回路１１０とが接する面積に形成される。第１接着層１２０は、それだけではなく、絶縁層１００の一面において絶縁層１００と回路１１０とが接しない部分に延長することができる。ただし、第１回路１１０の表面において絶縁層１００と接しない部分には形成されなくてもよいが、これに限定されない。回路１１０が絶縁層１００の一面に埋め込まれる場合は、第１接着層１２０は、絶縁層１００の一面及び回路１１０の表面に沿って凸凹に形成され得る。
【００２７】
第１接着層１２０は、有機薄膜であることができる。例えば、第１接着層１２０は、シランカップリングを含む有機薄膜であってもよい。また、この第１接着層１２０は、ｎｍの厚さを有することができる。
【００２８】
絶縁層１００にビア１４０が形成される場合、ビア１４０は、第１接着層１２０を貫通することができる。
【００２９】
第２接着層１３０は、絶縁層１００の他面に形成される。第２接着層１３０は、絶縁層１００と他の層に位置した回路との密着力を確保するために必要である。
【００３０】
第２接着層１３０の誘電損失は、絶縁層１００の誘電損失よりも小さい。特に、第２接着層１３０の誘電正接は、絶縁層１００の誘電正接よりも小さい。絶縁層１００の誘電正接が０．００４以下である場合、第２接着層１３０の誘電正接が０．００３であり得る。
【００３１】
第２接着層１３０の誘電正接が絶縁層１００の誘電正接よりも小さいので、信号損失を低減することができる。
【００３２】
第２接着層１３０は、シリコン系樹脂材により形成可能であり、第２接着層１３０は無機フィラーを含有することができる。無機フィラーの種類及び含有量を調整することにより、第２接着層１３０の誘電正接を絶縁層１００の誘電正接よりも小さくすることができる。
【００３３】
第２接着層１３０の厚さは、第１接着層１２０の厚さより厚く、絶縁層１００の厚さより薄くすることができる。第１接着層１２０と第２接着層１３０とは、互いに離隔して接しなくてもよい。
【００３４】
一方、絶縁層１００にビア１４０が形成される場合、ビア１４０は、第２接着層１３０を貫通することができる。
【００３５】
図１ａを参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、下面に第１回路１１０ａが埋め込まれた絶縁層１００と、絶縁層と第１回路１１０ａとの間に介在された第１接着層１２０と、絶縁層１００の上面に形成された第２接着層１３０と、を含み、第２接着層１３０上に形成され、第１回路１１０ａに電気的に接続する第２回路１１０ｂをさらに含むことができる。
【００３６】
また、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、ビア１４０をさらに含み、第１回路１１０ａと第２回路１１０ｂとがビア１４０により接続することができる。
【００３７】
ビア１４０は、絶縁層１００を貫通して第１回路１１０ａと第２回路１１０ｂとに接続され、第１接着層１２０と第２接着層１３０をすべて貫通する。この場合、ビア１４０の下面が第１回路１１０ａに、上面が第２回路１１０ｂに接続される。
【００３８】
第１回路１１０ａ及び第２回路１１０ｂは、上述した回路１１０と同一である。
【００３９】
特に、第１回路１１０ａの上面及び／または側面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍより小さく、第２回路１１０ｂの下面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍより小さくてもよい。第１回路１１０ａの側面の表面粗さも０．１μｍより小さくてもよい。第１回路１１０ａの下面の表面粗さも０．１μｍより小さくてもよい。
【００４０】
第１接着層１２０を、表面粗さのほとんどない第１回路１１０ａの表面に形成することにより、絶縁層１００との密着力を確保することができる。第１接着層１２０は、絶縁層１００の下面上に延長することができる。
【００４１】
第２接着層１３０は、表面粗さのほとんどない第２回路１１０ｂと絶縁層１００との密着力を確保する役割をするために、絶縁層１００と第２回路１１０ｂとの間に介在される。
【００４２】
第２接着層１３０の誘電正接は、絶縁層１００の誘電正接よりも小さく、これにより、高周波信号が流れる回路１１０ａ、１１０ｂの周辺の誘電損失を低減することができる。
【００４３】
第１接着層１２０及び第２接着層１３０のそれぞれの厚さは、絶縁層１００の厚さよりも薄く、特に、第１接着層１２０の厚さは、第２接着層１３０の厚さよりも薄くてもよく、第１接着層１２０と第２接着層１３０とは絶縁層１００を隔てて互いに離隔することができる。
【００４４】
第１接着層１２０は、有機薄膜であって、シランカップリングを含むことができ、第２接着層１３０は、シリコン系列の樹脂材であってもよい。
【００４５】
図１ｂを参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板に含まれているビア１４０は、第１金属層１４１及び第２金属層１４２を含むことができる。
【００４６】
第１金属層１４１は、第１回路１１０ａに接触及び接続され、第２金属層１４２は、第１金属層１４１上に形成されることができる。第２金属層１４２は、第２回路１１０ｂに接触及び接続されることができる。
【００４７】
第２金属層１４２の溶融点は、第１金属層１４１の溶融点より低くてもよい。例えば、第１金属層１４１が銅（Ｃｕ）を、第２金属層１４２が錫（Ｓｎ）を主成分とすることができる。第１金属層１４１及び第２金属層１４２は、めっきまたは金属ペーストの充填により形成可能である。
【００４８】
図１ｃ及び図１ｄを参照すると、プリント回路基板は複数の単位層（図９の図面符号１０参照）で形成されることができる。複数の単位層のうち、上下に積層される隣接した少なくとも２つの単位層のそれぞれは、一面（例えば、下面）に回路１１０が形成された絶縁層１００と、上記絶縁層１００と上記回路１１０との間に形成された第１接着層１２０と、上記絶縁層の他面（例えば、上面）に形成された第２接着層１３０と、を含むことができる。
【００４９】
絶縁層１００は、樹脂等の絶縁物質で組成される資材である。絶縁層１００の樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の様々な材料で構成されることができる。例えば、絶縁層１００として、エポキシ系樹脂またはポリイミドを用いることができる。これに関する説明は、上述した通りである。
【００５０】
絶縁層１００には回路１１０が形成される。回路１１０は、絶縁層１００の一面に形成され、絶縁層１００の一面に埋め込まれることができる。回路１１０は電気信号を伝達するためにパターン化された伝導体である。回路１１０は、電気伝導特性を考慮して、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成することができる。
【００５１】
回路１１０の絶縁層１００と接する上面及び／または側面の表面粗さ（Ｒａ）は、０．１μｍよりも小さくてもよい。好ましくは、回路１１０の絶縁層１００と接する表面には粗さを有さなくてもよい。さらに、回路１１０の下面の表面粗さも０．１μｍよりも小さくてもよい。
【００５２】
絶縁層１００は、回路１１０との接続のために、絶縁層１００を貫通するビア１４０をさらに含むことができる。ビア１４０は、他の単位層に形成された回路１１０を互いに電気的に接続させるものであり、回路１１０の一部分上に位置することができる。ビア１４０も、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属またはこれらの合金で形成可能であり、めっきまたは金属ペーストの充填により形成可能である。ビア１４０の溶融点は、回路１１０の溶融点より低くてもよい。
【００５３】
特に、図１ｄを参照すると、ビア１４０は、第１金属層１４１及び第２金属層１４２を含むことができる。第１金属層１４１は、回路１１０の上面に接触及び接続され、第２金属層１４２は、第１金属層１４１上に形成されることができる。第２金属層１４２は、他の単位層に形成された回路に接触及び接続される。
【００５４】
第２金属層１４２の溶融点は、第１金属層１４１の溶融点より低くてもよい。例えば、第１金属層１４１は銅（Ｃｕ）を、第２金属層１４２は錫（Ｓｎ）を主成分とすることができる。第１金属層１４１及び第２金属層１４２は、めっきまたは金属ペーストの充填により形成可能である。
【００５５】
互いに異なる単位層に形成されているビア１４０は、互いにスタック（ｓｔａｃｋ）構造を形成することができる。スタック構造は、１つのビアを他のビア側に投映（またはビアを、プリント回路基板に平行なある仮想の同一平面上に投映）したとき、互いに重なる構造であり、さらに中心線が垂直に一列に配置され得る。
【００５６】
回路１１０の絶縁層１００と接触する上面及び／または側面の表面粗さがほとんどないため、回路１１０と絶縁層１００との密着力の問題を解決するために、第１接着層１２０が絶縁層１００と回路１１０との間に形成される。すなわち、第１接着層１２０を介して絶縁層１００と回路１１０とが互いに強く接着することができる。例えば、絶縁層１００と回路１１０との剥離強度は、０．５ｋｇｆ／ｃｍよりも大きくなることが可能である。
【００５７】
第１接着層１２０は、絶縁層１００と回路１１０とが接する面積（回路１１０の上面及び／または側面）に形成される。第１接着層１２０は、それだけでなく、絶縁層１００の一面において、絶縁層１００と回路１１０とが接しない部分（絶縁層１００の下面）に延長することができる。回路１１０が絶縁層１００の一面に埋め込まれる場合、第１接着層１２０は、絶縁層１００の一面及び回路１１０の表面に沿って凸凹に形成され得る。
【００５８】
第１接着層１２０は、有機薄膜であることができる。例えば、第１接着層１２０は、シランカップリングを含む有機薄膜であることができる。また、この第１接着層１２０は、ｎｍの厚さを有することができる。
【００５９】
絶縁層１００にビア１４０が形成される場合、ビア１４０は第１接着層１２０を貫通することができる。
【００６０】
第２接着層１３０は、絶縁層１００の他面に形成される。第２接着層１３０は、絶縁層１００と他の層に位置している回路１１０との密着力を確保するために必要である。
【００６１】
第２接着層１３０の誘電損失は、絶縁層１００の誘電損失よりも小さい。特に、第２接着層１３０の誘電正接は、絶縁層１００の誘電正接よりも小さい。誘電正接とは、信号伝送時に絶縁層１００により損失される電力（誘電損失）の度合いを意味する。誘電正接が大きいほど誘電損失が大きい。
【００６２】
第２接着層１３０の誘電正接が絶縁層１００の誘電正接よりも小さいので、信号損失を低減することができる。
【００６３】
第２接着層１３０は、シリコン系樹脂材で形成可能であり、第２接着層１３０の無機フィラーの含量は、絶縁層１００の無機フィラーの含量より大きくてもよい。
【００６４】
第２接着層１３０の厚さは、第１接着層１２０の厚さより厚く、絶縁層１００の厚さより薄くてもよい。
【００６５】
１つの単位層内では、第１接着層１２０と第２接着層１３０とが互いに離隔して接しなくてもよい。ただし、異なる単位層に位置した第１接着層１２０と第２接着層１３０とは互いに接触することができる。ある１つの単位層に形成された第１接着層１２０は、隣接した他の１つの単位層に形成された第２接着層１３０と接触することができる。具体的に、上部に位置した単位層に形成されている第１接着層１２０は、下部に位置した単位層に形成されている上記第２接着層１３０と接触することができる。
【００６６】
一方、絶縁層１００にビア１４０が形成される場合、ビア１４０は、第２接着層１３０を貫通することができる。すなわち、ある１つの単位層に形成されたビア１４０は、上記単位層に形成された第１及び第２接着層１２０、１３０を貫通して、隣接した他の１つの単位層に形成されている回路１１０と接続することができる。
【００６７】
図２から図１０は、本発明の実施例に係るプリント回路基板の製造方法を示す図である。
【００６８】
図２に示すように、キャリア上に回路１１０を形成し、有機薄膜等の第１接着層１２０を形成する。キャリアは、絶縁材Ｃ０の両面に厚膜金属箔Ｃ１及び薄膜金属箔Ｃ２が形成されているものであり、厚膜金属箔Ｃ１と薄膜金属箔Ｃ２との間には離型剤が介在される。この金属箔Ｃ１、Ｃ２は、銅で形成してもよい。
【００６９】
回路１１０は、ＳＡＰ、ＭＳＡＰ、Ｔｅｎｔｉｎｇ等様々な方式により形成可能である。
【００７０】
第１接着層１２０は、蒸着またはディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）の方式により形成可能である。回路１１０が形成された後に第１接着層１２０を形成するので、第１接着層１２０は、回路１１０の露出された表面は勿論、薄膜金属箔Ｃ２の表面上にも形成されることができる。
【００７１】
図３に示すように、回路１１０上に絶縁層１００が形成される。絶縁層１００は、塗布またはシート付着の方式により形成可能である。絶縁層１００の厚さは、回路１１０の厚さより厚くてもよい。
【００７２】
図４に示すように、第２接着層１３０が形成される。第２接着層１３０は、絶縁層１００上に積層されることができる。絶縁層１００の厚さが回路１１０の厚さよりも厚いので、第２接着層１３０と第１接着層１２０とは、互いに離隔することができる。
【００７３】
図５に示すように、ビア１４０が形成される。ビア１４０は、第１接着層１２０及び第２接着層１３０を貫通することができる。ビア１４０は、金属をめっきするか、または金属ペーストを充填することにより形成可能であり、ビア１４０の溶融点は、回路１１０の溶融点より低くてもよい。例えば、回路１１０は銅を、ビア１４０は錫を主成分とする金属により形成することができる。
【００７４】
図６に示すように、第２接着層１３０上に保護フィルムＦが付着される。保護フィルムＦは、ＰＥＴであってもよい。
【００７５】
図７及び図８に示すように、単位層１０は、保護フィルムＦが付着された状態にキャリアから分離される。保護フィルムＦは、キャリアから単位層１０が分離されるときに単位層１０を保護する。
【００７６】
図８に示された単位層１０は、同じ方式により複数形成されることができる。
【００７７】
図９及び図１０では、複数の単位層１０の仮付け後に、３００℃以上の高温環境下で一括積層される。最上部に、最外層回路２１０及び最外層絶縁層２００が形成された層２０を位置し、複数の単位層１０を一括積層することができる。最外層絶縁層２００にも、必要によって第１接着層（図示せず）を形成することができ、この場合は、最外層絶縁層２００と最外層回路２１０との間に第１接着層を介在することができ、特に、最外層回路２１０の側面に第１接着層を形成することができる。
【００７８】
以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【００７９】
１００、２００  絶縁層
１１０、２１０  回路
１２０  第１接着層
１３０  第２接着層
１４０  ビア
Ｆ  保護フィルム
１０  単位層
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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