(57)【要約】【課題】アライメントや寸法のずれによる暗電流の増減を抑制する。【解決手段】固体撮像素子は、撮像面に複数の画素が２次元配列され、複数の画素の各々に、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部と、信号電荷を検出する電荷検出部と、光電変換部から電荷検出部に信号電荷を転送する転送トランジスタとが設けられるアクティブ領域と、アクティブ領域の周囲に形成される分離領域と、光電変換部の周囲の一部に設けられ、アクティブ領域と分離領域との境界部に形成されるガード層と、を有し、光電変換部は、第１端に転送トランジスタが接続され、ガード層は、境界部のうち、第１端に対向する光電変換部の第２端の周辺の一部には形成されないことを特徴とする固体撮像素子。【選択図】図１２
2019080081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像面に複数の画素が２次元配列され、
前記複数の画素の各々に、
入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部と、前記信号電荷を検出する電荷検出
部と、前記光電変換部から前記電荷検出部に前記信号電荷を転送する転送トランジスタと
が設けられるアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の周囲に形成される分離領域と、
前記光電変換部の周囲の一部に設けられ、前記アクティブ領域と前記分離領域との境界
部に形成されるガード層と、を有し、
前記光電変換部は、第１端に前記転送トランジスタが接続され、
前記ガード層は、前記境界部のうち、前記第１端に対向する前記光電変換部の第２端の
周辺の一部には形成されないことを特徴とする固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラや電子スチルカメラが広く一般に普及している。これらのカメラに
は、ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型などの増幅型の固体撮像素子が使用されており、一般的な半導
体プロセスを通じて製造される。
【０００３】
固体撮像素子は、画素が二次元状に複数配置された画素領域と、画素から光信号を外部
に出力する周辺回路とを有している。各画素に配置される光電変換部（たとえば、フォト
ダイオード）などで入射光に応じた電荷が蓄積され、転送トランジスタにより電荷検出部
に転送された後、周辺回路を通じて外部へ読み出される。
【０００４】
固体撮像素子は、入射光に応じた出力が読み出される事が望ましいが、入射光が無くて
も出力が生ずる現象が起きることが知られている。この現象は、一般に暗電流と呼ばれて
いる。暗電流は、蓄積時間に応じて増大するため、たとえば夜景撮影において長時間露光
するときなどに特に問題となる。
【０００５】
暗電流の主な原因は、半導体と絶縁体との界面（境界）に存在する結晶の未結合手（ダ
ングリングボンド）から発生する電子の流入である。たとえば、光電変換部の周囲に絶縁
体である素子分離領域を設けた場合、光電変換部と素子分離領域との境界は大きな暗電流
発生源となる。この暗電流成分の対策として、光電変換部と素子分離領域との境界付近に
逆導電型のガード層を設け、光電変換部の空乏層が界面に到達するのを防ぐ技術が知られ
ている（特許文献１）。
【０００６】
ガード層は、光電変換部と素子分離領域との境界に設けるものであり、光電変換部の外
周のうち素子分離領域が形成されない転送トランジスタの近傍にはガード層を形成させる
必要がない。そのため、特許文献１では、光電変換部の外周のうち転送トランジスタの周
囲にだけガード層が形成されておらず、非対称な形状となっている。以降、転送方向をＹ
軸方向と称し、転送方向に直交する方向をＸ軸方向と称する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−４４２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
固体撮像素子では、素子特性が均一となるように、アライメントや寸法のずれに対して
ロバスト性を有する設計にしておくことが望まれる。たとえば、光電変換部やガード層注
入時のアライメントや寸法のずれに対してもロバスト性を有する設計にしておくことが望
まれている。
【０００９】
ガード層は、光電変換部と素子分離領域との境界を跨ぐように設けられるが、ガード層
の幅全体（Ａ０とする）のうち境界から光電変換部側の幅に応じて暗電流の抑制能力が変
化する。この境界から光電変換部側の幅（Ａ１とする）は、ガード層注入時のアライメン
トや寸法のずれにより変化する。たとえば、Ｙ軸方向にアライメントのずれが発生すると
、Ｙ軸方向の片側では境界から光電変換部側の幅Ａ１が増加し暗電流が減少するが、その
反対側では境界から光電変換部側の幅Ａ１が減少し暗電流が増加する。
【００１０】
特許文献１のように、転送トランジスタの周囲にガード層が形成されておらずガード層
が非対称な形状である場合、非対称な形状がＹ軸方向にアライメントや寸法のずれが発生
すると、幅Ａ１の変化に伴い光電変換部に流入する暗電流の総量が増減してしまう。この
暗電流の総量の増減は、素子特性のばらつきとして現れる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様による固体撮像素子は、撮像面に複数の画素が２次元配列され、前記複数の画素の各々に、入射光量に応じた信号電荷を蓄積する光電変換部と、前記信号電荷を検出する電荷検出部と、前記光電変換部から前記電荷検出部に前記信号電荷を転送する転送トランジスタとが設けられるアクティブ領域と、前記アクティブ領域の周囲に形成される分離領域と、前記光電変換部の周囲の一部に設けられ、前記アクティブ領域と前記分離領域との境界部に形成されるガード層と、を有し、前記光電変換部は、第１端に前記転送トランジスタが接続され、前記ガード層は、前記境界部のうち、前記第１端に対向する前記光電変換部の第２端の周辺の一部には形成されないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、アライメントや寸法のずれによる暗電流の増減を抑制することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子カメラを示す概略ブロック図である。
【図２】固体撮像素子の構成を示す概略回路図である。
【図３】固体撮像素子に設けられる画素の概略回路図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図５】従来の固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図１１】本発明の第７の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図１２】本発明の第８の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図１３】本発明の第９の実施の形態に係る固体撮像素子に設けられる画素の拡大画素平面図である。
【図１４】固体撮像素子の構成を示す概略回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電子カメラ１を示す概略ブロック図である。
電子カメラ１には撮影レンズ２が装着される。この撮影レンズ２は、レンズ制御部２ａに
よってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ２の像空間には、固体撮像装置３
の構成の一つであるイメージセンサ３０の撮像面が配置される。
【００１５】
固体撮像装置３は、撮像制御部４から出力される駆動信号によって駆動され、信号を出
力する。固体撮像装置３から出力される信号は、信号処理部５、及び、Ａ／Ｄ変換部６を
介して処理された後、メモリ７に一旦蓄積される。
【００１６】
メモリ７は、バス８に接続される。バス８には、レンズ制御部２ａ、撮像制御部４、マ
イクロプロセッサ９、焦点演算部１０、記録部１１、画像圧縮部１２及び画像処理部１３
なども接続される。撮像制御部４は、図面には示していないがタイミングジェネレータ等
で構成され、固体撮像装置３の各部に駆動信号等を供給する。マイクロプロセッサ９には
、レリーズ釦などの操作部９ａが接続される。また、上記の記録部１１には記録媒体１１
ａが着脱自在に装着される。
【００１７】
図２は、本固体撮像装置３に搭載されるイメージセンサ３０の構成の一部を示す概略回
路図である。イメージセンサ３０は、シリコン基板で形成されており、ＣＭＯＳ型のイメ
ージセンサとして構成されている。イメージセンサ３０は、入射光量に対応する電気信号
を出力する複数の画素２０と、画素２０から信号を出力するための周辺回路とを有してい
る。複数の画素２０は、イメージセンサ３０の画素領域３１に二次元状に配置される。
【００１８】
図２には、画素２０から信号を出力するための周辺回路として、垂直走査回路２１と、
水平走査回路２２と、これらと接続されている駆動信号線２３および２４と、画素列ごと
に画素２０と接続され、各画素２０からの電気信号を受け取る垂直信号線２５と、垂直信
号線２５ごとに設けられ垂直信号線２５に一定電流を供給する画素電流源２６と、垂直信
号線２５ごとに設けられる相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）２７と、相関二重サンプ
リング回路２７から出力される信号を受け取る水平信号線２８と、出力アンプ２９とが図
示されている。
【００１９】
垂直走査回路２１および水平走査回路２２は、電子カメラ１の撮像制御部４からの指令
に基づいて駆動信号を出力する。各画素２０は、垂直走査回路２１から出力される駆動信
号を所定の駆動信号線２３から受け取って駆動され、入射光に対応する信号を垂直信号線
２５に出力する。垂直走査回路２１から出力される駆動信号は複数あり、それに伴い駆動
信号線２３も複数ある。
【００２０】
画素２０から出力された信号は、相関二重サンプリング回路２７にて所定のノイズ除去
が施される。そして、水平走査回路２２から駆動信号が駆動信号線２４を介して出力され
、信号は水平信号線２８および出力アンプ２９を介して外部に出力される。
【００２１】
垂直信号線２５に出力された電気信号は、垂直信号線２５ごとに配置されるＣＤＳ回路
２７にて周知の相関二重サンプリングが行われて、ノイズが除去される。ＣＤＳ回路２７
は、水平走査回路２２から駆動信号線２４を介して入力される駆動信号によって動作され
る。
【００２２】
ノイズが除去され、真の画像信号の成分にされた後の電気信号は、順次垂直信号線２５
から水平信号線２８に出力され、出力アンプ２９を介してイメージセンサ３０の外部に出
力される。なお、図２には図示されていないが、実際には水平信号線２８をリセットする
リセット部が水平信号線２８に接続され、出力アンプ２９から信号が外部に出力される毎
に水平信号線２８がリセットされる。
【００２３】
図３は、画素２０の等価回路図である。画素２０は、図３に示すように、フォトダイオ
ードＰＤと、フローティングディフュージョンＦＤと、転送トランジスタＴａと、ソース
フォロアの増幅トランジスタＴｂと、リセットトランジスタＴｃと、選択トランジスタＴ
ｄとを有している。
【００２４】
転送トランジスタＴａ、増幅トランジスタＴｂ、リセットトランジスタＴｃ、および選
択トランジスタＴｄは、ＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成されている。各トランジス
タは、そのゲートがＨレベル（ハイレベル）になるとオン状態となり、そのゲートがＬレ
ベル（ローレベル）になるとオフ状態となる。なお、ＶＤＤは電源である。
【００２５】
フォトダイオードＰＤは、入射光量に応じた電荷を生成し蓄積する。転送トランジスタ
Ｔａがオン状態となると、フォトダイオードＰＤに蓄積された電荷は、フローティングデ
ィフュージョンＦＤに転送される。
【００２６】
フローティングディフュージョンＦＤは、転送トランジスタＴａを介して転送された電
荷を電圧に変換する。その電圧は、増幅トランジスタＴｂのゲートに印加される。増幅ト
ランジスタＴｂは、その電圧に応じた電気信号を生成し出力する。
【００２７】
転送トランジスタＴａは、そのゲートに入力される駆動信号φＴＧによってオン・オフ
される。駆動信号φＴＧは、垂直走査回路２１から出力され駆動信号線２３を介して転送
トランジスタＴａのゲートに印加される。
【００２８】
選択トランジスタＴｄは、オン状態とされることによって当該画素と垂直信号線とを電
気的に接続状態にする。そして、選択トランジスタＴｄは、増幅トランジスタＴｂにて生
成された電気信号を垂直信号線に出力させる。選択トランジスタＴｄは、そのゲートに入
力される駆動信号φＳによってオン・オフされる。駆動信号φＳは、垂直走査回路２１か
ら出力され駆動信号線２３を介して選択トランジスタＴｄのゲートに印加される。
【００２９】
リセットトランジスタＴｃは、オン状態とされることによってフローティングディフュ
ージョンＦＤや増幅トランジスタＴｂのゲートに転送された電荷を排出し、リセット状態
にする。リセットトランジスタＴｃは、そのゲートに入力される駆動信号φＦＤＲによっ
てオン・オフされる。駆動信号φＦＤＲは、垂直走査回路２１から出力され駆動信号線２
３を介してリセットトランジスタＴｃのゲートに印加される。
【００３０】
画素２０に配置される転送トランジスタＴａのゲートは、行方向で共通接続される。リ
セットトランジスタＴｃ、及び、選択トランジスタＴｄの各ゲートも同様に行方向でそれ
ぞれ共通接続される。そして、行方向の画素２０は同時に駆動される。したがって、行方
向に配置される画素２０は、対応する垂直信号線２５に同時に電気信号を出力する。
【００３１】
図４（ａ）は、画素２０の拡大画素平面図である。図４（ａ）には、イメージセンサ３
０の撮像面に並べて配置されている二つの画素２０が並べて図示されている。図４（ｂ）
は、図４（ａ）のＹ０−Ｙ０断面図である。
【００３２】
画素２０は、図４（ａ）にて太線で囲われているアクティブ領域４１を有する。アクテ
ィブ領域４１の内側には、Ｎ型のフォトダイオードＰＤと、Ｎ型のフローティングディフ
ュージョンＦＤと、フォトダイオードＰＤからフローティングディフュージョンＦＤへ電
荷をＹ軸方向に転送する転送トランジスタＴａとが設けられている。
【００３３】
図４（ｂ）に示されるように、イメージセンサ３０は、半導体基板の上にエピタキシャ
ル層が形成され、そのエピタキシャル層の上にＰ型ウエルが形成されている。フォトダイ
オードＰＤは、Ｐ型ウエルにＮ型の不純物を注入することにより形成されている。Ｎ型の
フォトダイオードＰＤの上には、Ｐ型の表面層４２が形成されている。表面層４２のＰ型
の不純物濃度は、Ｐ型ウエルよりも高い。表面層４２は、半導体表面に存在する結晶の未
結合手（タングリングボンド）からフォトダイオードＰＤへ暗電流が流入することを防ぐ
。
【００３４】
図４（ａ）および（ｂ）に示すように、アクティブ領域４１の周囲には、酸化膜による
分離領域４３が形成され、複数の画素２０の間が電気的に分離されている。図４（ａ）に
おいて、分離領域４３とアクティブ領域４１との境界は太線で表されている。酸化膜によ
る分離領域４３は絶縁体であって、分離領域４３とアクティブ領域４１との境界はフォト
ダイオードＰＤへの暗電流の流入の原因となり得る。
【００３５】
分離領域４３とアクティブ領域４１との境界からフォトダイオードＰＤへ暗電流が流入
することを抑制するため、分離領域４３とアクティブ領域４１との境界のうち、フォトダ
イオードＰＤの近傍には、一部を除いてＰ型のガード層４４が注入される。
【００３６】
分離領域４３とアクティブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの近傍にあ
る境界の中でガード層４４が注入されないのは、たとえば、転送トランジスタＴａの近傍
である。転送トランジスタＴａの近傍には、電荷の転送不良を防止するため、ガード層４
４が注入されない。
【００３７】
また、分離領域４３とアクティブ領域４１との境界のうち、転送トランジスタＴａに接
続されるフォトダイオードＰＤの第１端５１に対向する第２端５２の近傍の一部にもガー
ド層４４が注入されない。第２端５２の近傍側においてガード層４４が注入されない境界
の部分は、第１端５１においてフォトダイオードＰＤが転送トランジスタＴａに接続され
る接続部に対向する位置に設けられる。
【００３８】
ガード層４４が暗電流を抑制する能力は、分離領域４３とアクティブ領域４１との境界
からアクティブ領域４１側に注入されているガード層４４の幅Ａ１が大きくなるほど高く
なる。ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向（転送方向）にずれた場合、
ガード層４４の全体の幅Ａ０は変化しないが、境界からアクティブ領域４１側に注入され
ているガード層４４の幅Ａ１は変化する。
【００３９】
図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１では、ガード層４４は、分離領域４３とアクティ
ブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界と第２端５２側
の境界の両方に設けられている。ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向に
ΔＡだけずれた場合、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界と第２端５２側の境界
のいずれか片方のガード層４４の幅Ａ１がΔＡだけ小さくなり、他方のガード層４４の幅
Ａ１がΔＡだけ大きくなる。換言すると、ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ
軸方向にずれた場合、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界と第２端５２側の境界
のいずれか片方から流入する暗電流は増加し、他方から流入する暗電流は減少する。すな
わち、断面Ｙ１−Ｙ１においてフォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する
暗電流と、第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する
際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。
【００４０】
図４（ａ）に示された断面Ｙ２−Ｙ２では、ガード層４４は、分離領域４３とアクティ
ブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界には無く、第２
端５２側の境界には設けられている。フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流
入する暗電流は、第１端５１側の境界にガード層４４が無いため、ガード層４４を注入す
る際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。フォトダイオードＰＤの第２
端５２側の境界から流入する暗電流は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメ
ントのずれによって変化する。すなわち、断面Ｙ２−Ｙ２においてフォトダイオードＰＤ
の第１端５１側の境界から流入する暗電流と、第２端５２側の境界から流入する暗電流と
の合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化する
。
【００４１】
断面Ｙ０−Ｙ０では、フォトダイオードＰＤの第１端５１の近傍にアクティブ領域４１
と分離領域４３との境界が存在しない。すなわち、断面Ｙ０−Ｙ０において、フォトダイ
オードＰＤの第１端５１側からはフォトダイオードＰＤに暗電流が流入しない。そして、
分離領域４３とアクティブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの第２端５２
側の境界には、ガード層４４が設けられていない。すなわち、断面Ｙ０−Ｙ０において、
フォトダイオードＰＤの第２端５２側から流入する暗電流はＹ軸方向のアライメントのず
れによって変化しない。したがって、断面Ｙ０−Ｙ０においてフォトダイオードＰＤに流
入する暗電流の合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによ
って変化しない。
【００４２】
従来は、図５（ａ）に示す拡大画素平面図のように、第２端５２の近傍にガード層４４
が注入されていた。すなわち、図５（ａ）の断面Ｙ３−Ｙ３のように、フォトダイオード
ＰＤの第２端５２側の境界にガード層４４が設けられていない箇所がない。
【００４３】
図５（ａ）に示された断面Ｙ４−Ｙ４は、図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１と同一
である。そして、断面Ｙ５−Ｙ５は、図４（ａ）に示された断面Ｙ２−Ｙ２と同一である
。すなわち、ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向にずれた場合、第１端
５１側の境界から流入する暗電流と第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、
断面Ｙ４−Ｙ４に関しては変化せず、断面Ｙ５−Ｙ５に関しては変化する。
【００４４】
従来の固体撮像素子の断面Ｙ３−Ｙ３は、図４（ａ）に示されたイメージセンサ３０の
断面Ｙ０−Ｙ０と異なっており、断面Ｙ２−Ｙ２と同一である。すなわち、断面Ｙ３−Ｙ
３では、ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向にずれた場合に、フォトダ
イオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流と、第２端５２側の境界から流入
する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによ
って変化してしまう。
【００４５】
なお、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＹ３−Ｙ３断面図である。分離領域４３とフォトダ
イオードＰＤとの間にＰ型のガード層４４が注入されている点が図４（ｂ）と異なってい
る。
【００４６】
図４（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第１の実施の形態によるイメージセンサ３０
によれば、図５（ａ）および（ｂ）に示した従来の固体撮像素子と比べて次の作用効果が
得られる。
本発明の第１の実施の形態によるイメージセンサ３０では、第２端５２の近傍の一部に
ガード層４４を注入しないようにすることで、図５（ａ）の断面Ｙ３−Ｙ３のようにガー
ド層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれにより暗電流の合計が変化する箇
所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を低減することができる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
図６（ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡大
画素平面図である。図６（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置されてい
る二つの画素２０が並べて図示されている。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＹ６−Ｙ６断面
図である。
【００４８】
第２の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０は、第１の実施の形態と比べて
、第２端５２の近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域が拡大している点が異な
る。具体的には、第２端５２の近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域の長さＢ
１を転送トランジスタＴａの近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域の長さＢ０
と同一にする。
【００４９】
第２端５２の近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域を拡大することにより、
図４の断面Ｙ２−Ｙ２のように、第２端５２の近傍側にのみガード層４４が設けられてい
る箇所がなくなっている。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流
入する暗電流と第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計がガード層４４を注入す
る際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化する箇所がなくなっている。
【００５０】
図６（ａ）に示された断面Ｙ７−Ｙ７は、図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１と同一
である。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流と、
第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方
向のアライメントのずれによって変化しない。
【００５１】
図６（ａ）に示された断面Ｙ８−Ｙ８では、ガード層４４は、分離領域４３とアクティ
ブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側と第２端５２側の境界
の両方に設けられていない。そのため、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から
流入する暗電流も、第２端５２側の境界から流入する暗電流も、ガード層４４を注入する
際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。したがって、断面Ｙ８−Ｙ８に
おいて、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流と、第２端５２
側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライ
メントのずれによって変化しない。
【００５２】
図６（ａ）に示された断面Ｙ６−Ｙ６は、図４（ａ）に示された断面Ｙ０−Ｙ０と同一
である。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側からは暗電流が流入せず、第２
端５２側から流入する暗電流はＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。した
がって、断面Ｙ６−Ｙ６においてフォトダイオードＰＤに流入する暗電流の合計は、ガー
ド層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。
【００５３】
なお、フォトダイオードＰＤの第２端５２側の境界からフォトダイオードＰＤに流入す
る暗電流そのものの大きさは、ガード層４４を注入しない領域を拡大したため、第１の実
施の形態におけるイメージセンサ３０より増加する。イメージセンサ３０の設計段階にお
いて、暗電流の総量と、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによ
る暗電流の総量の変化との双方を考慮して第２端５２の近傍に設けられたガード層４４を
注入しない領域の長さＢ１を定めることが好ましい。
【００５４】
図６（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第２の実施の形態によるイメージセンサ３０
によれば、図４（ａ）および（ｂ）に示した第１の実施の形態と比べて次のような作用効
果が得られる。
本発明の第２の実施の形態によるイメージセンサ３０では、第２端５２の近傍に設けら
れたガード層４４を注入しない領域を第１の実施の形態と比べて拡大することで、図４（
ａ）の断面Ｙ２−Ｙ２のようにガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのず
れによって暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を
さらに低減することができる。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図７（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡大
画素平面図である。図７（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置されてい
る二つの画素２０が並べて図示されている。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＹ９−Ｙ９断面
図である。
【００５６】
第３の実施の形態に係るイメージセンサ３０の各画素２０は、各々のアクティブ領域４
１がフォトダイオードＰＤの第２端５２側の一部から各画素２０に隣接する画素２０のフ
ローティングディフュージョンＦＤまで延在している点が異なっている。換言すると、図
７（ａ）を見て明らかなように、第３の実施の形態に係るイメージセンサ３０では、Ｙ軸
方向に並べて配置された画素２０のアクティブ領域４１が一体となっている。以降、各画
素２０のフォトダイオードＰＤの第２端５２側の一部から各画素２０に隣接する画素２０
まで延在するこのアクティブ領域４１の部分領域６１を非分離領域６１と称する。
【００５７】
図７（ａ）において、非分離領域６１は、Ｐ型ウエルの一部である。非分離領域６１は
、第２端５２上の位置であって第１端５１に設けられているフォトダイオードＰＤと転送
トランジスタＴａとの接続部に対向する位置から隣接画素に向けて延在する。
【００５８】
非分離領域６１は、Ｙ軸方向に互いに隣接する画素２０の間のアクティブ領域４１を物
理的に接続するが、電気的には二つの画素２０の間を分離している。なお、非分離領域６
１が二つの画素２０の間を電気的に分離する性能は、分離領域４３などのような絶縁体に
は劣る。
【００５９】
フォトダイオードＰＤの第２端５２と非分離領域６１との境界は、アクティブ領域４１
と分離領域４３との境界ではないため、ガード層４４は設けられない。
【００６０】
図７（ａ）に示された断面Ｙ１０−Ｙ１０は、図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１と
同一である。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流
と、第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ
軸方向のアライメントのずれによって変化しない。
【００６１】
断面Ｙ１１−Ｙ１１は、図４（ａ）に示された断面Ｙ２−Ｙ２と同一である。すなわち
、断面Ｙ１１−Ｙ１１において、ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向に
ずれた場合、第１端５１側の境界から流入する暗電流と第２端５２側の境界から流入する
暗電流との合計は変化する。
【００６２】
断面Ｙ９−Ｙ９は、図４（ａ）に示されたイメージセンサ３０の断面Ｙ０−Ｙ０と異な
っており、フォトダイオードＰＤの第１端５１と第２端５２の双方にアクティブ領域４１
と分離領域４３との境界が存在しない。すなわち、断面Ｙ９−Ｙ９においては、フォトダ
イオードＰＤに暗電流が流入しない。
【００６３】
断面Ｙ１２−Ｙ１２において、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界からはフォ
トダイオードＰＤに暗電流が流入せず、フォトダイオードＰＤの第２端５２側から流入す
る暗電流はＹ軸方向のアライメントのずれによって変化する。したがって、断面Ｙ１２−
Ｙ１２においてフォトダイオードＰＤに流入する暗電流の合計は、ガード層４４を注入す
る際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化する。
【００６４】
図７（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第３の実施の形態によるイメージセンサ３０
によれば、図４（ａ）および（ｂ）に示した第１の実施の形態と比べて次のような作用効
果が得られる。
第３の実施の形態によるイメージセンサ３０は、転送トランジスタＴａに接続される接
続部に対向する第２端５２上の位置から隣接画素に向けて延在する非分離領域６１を有す
る。第３の実施の形態によるイメージセンサ３０は、非分離領域６１を有することにより
、フォトダイオードＰＤの第２端５２側からフォトダイオードＰＤに流入する暗電流の総
量を第１の実施の形態よりも低減することができる。
また、第３の実施の形態によるイメージセンサ３０は、第２端５２の近傍のうち非分離
領域６１が設けられた領域にガード層４４を注入しないようにすることで、図５（ａ）の
断面Ｙ３−Ｙ３のようにガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによ
って暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化を低減す
ることができる。
【００６５】
（第４の実施の形態）
図８（ａ）は、本発明の第４の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡大
画素平面図である。図８（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置されてい
る二つの画素２０が並べて図示されている。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＹ１３−Ｙ１３
断面図である。
【００６６】
第４の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０は、第３の実施の形態と比べて
、非分離領域６１の長さＣ１を拡大する。具体的には、非分離領域６１の長さＣ１を転送
トランジスタＴａのゲート幅Ｗと同一にしている。
【００６７】
非分離領域６１の長さＣ１を転送トランジスタＴａのゲート幅Ｗまで拡大することによ
り、図７の断面Ｙ１１−Ｙ１１のように、第２端５２の近傍側にのみガード層４４が設け
られている箇所を無くす。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流
入する暗電流と第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計がガード層４４を注入す
る際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化する箇所をなくしている。
【００６８】
図８（ａ）に示された断面Ｙ１４−Ｙ１４は、図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１と
同一である。そして、断面Ｙ１５−Ｙ１５は、図４（ａ）に示された断面Ｙ２−Ｙ２と同
一である。すなわち、ガード層４４を注入する際にアライメントがＹ軸方向にずれた場合
、第１端５１側の境界から流入する暗電流と第２端５２側の境界から流入する暗電流との
合計は、断面Ｙ１４−Ｙ１４に関しては変化せず、断面Ｙ１５−Ｙ１５に関しては変化す
る。
【００６９】
図８（ａ）に示された断面Ｙ１３−Ｙ１３は、図７（ａ）に示された断面Ｙ９−Ｙ９と
同一である。すなわち、断面Ｙ１３−Ｙ１３においては、フォトダイオードＰＤに暗電流
が流入しない。
【００７０】
図８（ａ）に示された断面Ｙ１６−Ｙ１６は、図７（ａ）に示された断面Ｙ１２−Ｙ１
２と異なり、図７（ａ）に示された断面Ｙ９−Ｙ９と同一である。すなわち、断面Ｙ１３
−Ｙ１３においても、フォトダイオードＰＤに暗電流が流入しない。
【００７１】
図８（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第４の実施の形態によるイメージセンサ３０
によれば、図７（ａ）および（ｂ）に示した第３の実施の形態と比べて次のような作用効
果が得られる。
第４の実施の形態によるイメージセンサ３０は、非分離領域６１の長さＣ１を第３の実
施の形態と比べて拡大することで、図７（ａ）の断面Ｙ１２−Ｙ１２のようにガード層４
４を注入する際のＹ軸方向のアライメントのずれによってフォトダイオードＰＤに流入す
る暗電流が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変化をさらに低減する
ことができる。
【００７２】
（第５の実施の形態）
図９（ａ）は、本発明の第５の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡大
画素平面図である。図９（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置されてい
る二つの画素２０が並べて図示されている。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＹ１７−Ｙ１７
断面図である。
【００７３】
第５の実施の形態は、第２の実施の形態と第４の実施の形態の組み合わせである。すな
わち、第５の実施の形態は、第４の実施の形態に対して、フォトダイオードＰＤの第２端
５２の近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域の長さＢ１を転送トランジスタＴ
ａの近傍に設けられたガード層４４を注入しない領域の長さＢ０と同一にしたものである
。
【００７４】
図９（ａ）に示された断面Ｙ１８−Ｙ１８は、図４（ａ）に示された断面Ｙ１−Ｙ１と
同一である。すなわち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流
と、第２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ
軸方向のアライメントのずれによって変化しない。
【００７５】
図９（ａ）に示された断面Ｙ１９−Ｙ１９では、ガード層４４は、分離領域４３とアク
ティブ領域４１との境界のうち、フォトダイオードＰＤの第１端５１側と第２端５２側の
境界の両方に設けられていない。そのため、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界
から流入する暗電流も、第２端５２側の境界から流入する暗電流も、ガード層４４を注入
する際のＹ軸方向のアライメントのずれによって変化しない。したがって、断面Ｙ１９−
Ｙ１９において、フォトダイオードＰＤの第１端５１側の境界から流入する暗電流と、第
２端５２側の境界から流入する暗電流との合計は、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向
のアライメントのずれによって変化しない。
【００７６】
図９（ａ）に示された断面Ｙ１７−Ｙ１７および断面Ｙ２０−Ｙ２０は、図８（ａ）に
示された断面Ｙ１３−Ｙ１３と同一である。すなわち、断面Ｙ１７−Ｙ１７および断面Ｙ
２０−Ｙ２０においては、フォトダイオードＰＤに暗電流が流入しない。
【００７７】
図９（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第５の実施の形態によるイメージセンサ３０
によれば、図８（ａ）および（ｂ）に示した第４の実施の形態と比べて次のような作用効
果が得られる。
本発明の第２の実施の形態によるイメージセンサ３０では、第２端５２の近傍に設けら
れたガード層４４を注入しない領域を第４の実施の形態と比べて拡大することで、図８（
ａ）の断面Ｙ１５−Ｙ１５のようにガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメント
のずれによって暗電流の合計が変化する箇所を減らし、そのずれによる暗電流の総量の変
化を第４の実施の形態よりもさらに低減することができる。
【００７８】
（第６の実施の形態）
図１０（ａ）は、本発明の第６の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡
大画素平面図である。図１０（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置され
ている二つの画素２０が並べて図示されている。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＹ２１
−Ｙ２１断面図である。
【００７９】
第６の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０は、非分離領域６１にＰ型の不
純物を注入して、Ｐ型注入層６２を形成する。Ｐ型注入層６２は、不純物の濃度がＰ型ウ
エルよりも高く、Ｐ型ウエルよりも二つの画素２０の間を電気的に分離する性能が高い。
【００８０】
図１０（ａ）および（ｂ）に示した本発明の第６の実施の形態によるイメージセンサ３
０によれば、第３〜５の実施の形態と比べて次のような作用効果が得られる。
イメージセンサ３０を小型化する場合や画素密度を高くする場合に、非分離領域６１を
挟んで向かい合うフォトダイオードＰＤとフローティングディフュージョンＦＤとの間の
距離を短くすることが考えられる。導電型が共にＮ型であるフォトダイオードＰＤとフロ
ーティングディフュージョンＦＤとの間の距離を短くすると、フォトダイオードＰＤとフ
ローティングディフュージョンＦＤとの間に予期せぬリーク電流が流れる確率が上がる。
非分離領域６１に不純物濃度がＰ型ウエルよりも高いＰ型注入層６２を設けることにより
、非分離領域６１を挟んで向かい合うフォトダイオードＰＤとフローティングディフュー
ジョンＦＤとの間のリーク電流の発生確率を低減することができる。
【００８１】
（第７の実施の形態）
図１１（ａ）は、本発明の第７の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡
大画素平面図である。図１１（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置され
ている二つの画素２０が並べて図示されている。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＹ２２
−Ｙ２２断面図である。
【００８２】
第７の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０では、フォトダイオードＰＤの
上に形成されていた表面層４２を非分離領域６１まで延伸させる。非分離領域６１の上の
表面層４２は、非分離領域６１の半導体表面に存在する未結合手（タングリングボンド）
からフォトダイオードＰＤへの暗電流の流入を防ぐと共に、非分離領域６１を挟んで向か
い合うフォトダイオードＰＤとフローティングディフュージョンＦＤとの間のリーク電流
の発生確率を低減することができる。
【００８３】
（第８の実施の形態）
図１２（ａ）は、本発明の第８の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡
大画素平面図である。図１２（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置され
ている二つの画素２０が並べて図示されている。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＹ２３
−Ｙ２３断面図である。
【００８４】
第８の実施の形態は、第５の実施の形態と第６の実施の形態の組み合わせである。すな
わち、第８の実施の形態は、第５の実施の形態の非分離領域６１にＰ型注入層６２を設け
たものである。このようにすることで、ガード層４４を注入する際のＹ軸方向のアライメ
ントのずれによる暗電流の総量の変化を第５の実施の形態と同様に低減することができる
と共に、非分離領域６１を挟んで向かい合うフォトダイオードＰＤとフローティングディ
フュージョンＦＤとの間のリーク電流の発生確率を第６の実施の形態と同様に低減するこ
とができる。
【００８５】
（第９の実施の形態）
図１３（ａ）は、本発明の第９の実施の形態に係るイメージセンサ３０の画素２０の拡
大画素平面図である。図１３（ａ）には、イメージセンサ３０の撮像面に並べて配置され
ている二つの画素２０が並べて図示されている。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＹ２４
−Ｙ２４断面図である。
【００８６】
第９の実施の形態に係るイメージセンサ３０では、第５の実施の形態におけるフォトダ
イオードＰＤの形状をＹ軸方向に対称（左右対称）な形状とすると共に、アクティブ領域
４１におけるフォトダイオードＰＤの位置を変更している。具体的には、フォトダイオー
ドＰＤの第１端５１側の境界から第１端５１までのＸ軸寸法Ｄ１と第２端５２側の境界か
ら第２端５２までのＸ軸寸法Ｄ２とが同一になる位置にフォトダイオードＰＤを設けてい
る。このようにすることで、フォトダイオードＰＤを注入する際のＹ軸方向のアライメン
トのずれによる暗電流の総量の変化を低減することができる。
【００８７】
以上で説明した実施形態は、以下のように変形して実施できる。
【００８８】
（変形例１）
上記の各実施の形態では、イメージセンサ３０の画素２０は、転送トランジスタＴａ、
増幅トランジスタＴｂ、リセットトランジスタＴｃ、および選択トランジスタＴｄをそれ
ぞれ有していた。しかし、複数の画素の間で一または複数のトランジスタを共用すること
にしてもよい。増幅トランジスタＴｂ、リセットトランジスタＴｃ、および選択トランジ
スタＴｄを二つの画素で共有する場合の等価回路図を図１４に示す。
【００８９】
（変形例２）
上記の各実施の形態では、イメージセンサ３０の画素２０は、フローティングディフュ
ージョンＦＤをそれぞれ有していた。しかし、複数の画素でフローティングディフュージ
ョンＦＤを共用することにしてもよい。たとえば、二つの画素の転送トランジスタＴａを
向い合せに配置し、それら二つの転送トランジスタＴａの間にフローティングディフュー
ジョンＦＤを配置して、そのフローティングディフュージョンＦＤを二つの画素間で共用
することにしてもよい。
【００９０】
本発明の特徴を損なわない限り、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、
本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の形態についても、本発明の範囲内に含
まれる。
【符号の説明】
【００９１】
１：電子カメラ、３：固体撮像装置、２０：画素、３０：イメージセンサ、３１：非分離
領域、４１：アクティブ領域、４２：表面層、４３：分離領域、４４：ガード層、５１：
第１端、５２：第２端、６１：非分離領域、６２：Ｐ型注入層
【図１】
2019080081.tif 000003
【図２】
2019080081.tif 000004
【図３】
2019080081.tif 000005
【図４】
2019080081.tif 000006
【図５】
2019080081.tif 000007
【図６】
2019080081.tif 000008
【図７】
2019080081.tif 000009
【図８】
2019080081.tif 000010
【図９】
2019080081.tif 000011
【図１０】
2019080081.tif 000012
【図１１】
2019080081.tif 000013
【図１２】
2019080081.tif 000014
【図１３】
2019080081.tif 000015
【図１４】
2019080081.tif 000016