(57)【要約】【課題】金属部材とガラス部材とを強固に接合できるとともに接合され得る金属部材の材料の適用範囲が広い保護カバー及びその製造方法並びに光デバイスを提供する。【解決手段】保護カバー５は、金属部材９に光透過性のガラス部材２０が低融点ガラス４０により接合された保護カバーであって、金属部材９と低融点ガラス４０との境界には誘電体層３０が配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材に光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材が低融点ガラスにより接合された保護カバーであって、
前記金属部材と前記低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されていることを特徴とする保護カバー。
【請求項２】
前記金属部材は、金属構造体とこの金属構造体に被覆された被膜とから構成されており、
前記被膜と前記低融点ガラスとの境界には前記誘電体層が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の保護カバー。
【請求項３】
前記誘電体層は金属ハロゲン化物又は金属酸化物を主成分とする層であることを特徴とする請求項１または２に記載の保護カバー。
【請求項４】
前記金属ハロゲン化物はＭｇＦ２であり又は前記金属酸化物はＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２の少なくとも１つであることを特徴とする請求項３に記載の保護カバー。
【請求項５】
前記誘電体層は前記被膜よりも薄いことを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の保護カバー。
【請求項６】
前記被膜はＡｕめっき被膜又はＡｕＳｎ合金めっき被膜であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の保護カバー。
【請求項７】
金属構造体に被膜を被覆する工程と、
前記被膜上に誘電体膜を施す工程と、
前記誘電体膜を介して前記金属構造体と光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とを低融点ガラスにより接合する工程とを含むことを特徴とする保護カバーの製造方法。
【請求項８】
前記被膜は金属であって、前記誘電体膜は蒸着により前記被膜上に形成されることを特徴とする請求項７に記載の保護カバーの製造方法。
【請求項９】
光素子と、前記光素子を支持する支持基体と、その開口部が光透過性の光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材により閉塞されるとともに前記支持基体に取り付けられ前記光素子を覆う保護カバーとを備え、前記保護カバーは金属部材により形成され、前記保護カバーに前記光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とが低融点ガラスにより封着された光デバイスであって、
前記金属部材と前記低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されていることを特徴とする光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材を用いた保護カバー及びその製造方法並びに光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
波長１５０ｎｍから７０００ｎｍの赤外光、可視光、紫外光等を発光ないし受光する光デバイスには、ＬＥＤ(Light Emitting Diode)、ＬＤ(Laser Diode)等の半導体素子（光素子）が用いられており、これら半導体素子は窓部が設けられ金属製の保護カバーにより覆われ外部から保護されている。保護カバーはその外周にＡｕめっき被膜が被覆されており、はんだ等により支持基体に強固に固定できるようになっている。窓部は、保護カバーの開口を塞ぐように光透過性を有するガラス部材が低融点ガラスにより封着されて構成されている。
【０００３】
しかしながら、Ａｕめっき被膜は低融点ガラスによる接着性が良くないために、低融点ガラスの開発・研究がなされている。
【０００４】
例えば、低融点ガラスとして、ビスマス系の材料を採用し、低融点ガラスに含まれるビスマスＢｉとＡｕめっき被膜のＡｕとの共晶合金層を介して保護カバーのＡｕめっき被膜にガラス部材を封着している（例えば、特許文献１参照）。また、低融点ガラスとして、リン酸錫系の材料を採用し、低融点ガラスに含まれる錫ＳｎとＡｕめっき被膜のＡｕとにより形成された金属間化合物層を介して保護カバーのＡｕめっき被膜にガラス部材を封着している（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６５５９１６号公報（[0018]、図１、図２）
【特許文献２】特開２００７−１６５５５１号公報（[0030]、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１にあっては、ビスマス系の低融点ガラスは窒素等の中性雰囲気では還元されやすく流動性や濡れ性が著しく低下するとともに、550°Ｃ以上の比較的高い温度による加熱が必要とされる。また、ＢｉとＡｕの共晶を利用しているため、低融点ガラスによって封着され得る被膜の材料には制限があった。また、ビスマス系の低融点ガラスは耐酸性に弱い一方、Ａｕめっき被膜は酸雰囲気で成膜されるものである。そのため、Ａｕめっき被膜とガラス部材との接合にビスマス系の低融点ガラスを用いるとＡｕめっき被膜に残留していた酸により低融点ガラスが劣化する虞もあった。
【０００７】
また、特許文献２にあっては、リン酸錫系ガラスは、耐候性が悪く、吸湿性が高いために保管時等に変質しやすい問題があった。また、ＳｎとＡｕの金属間化合物を利用しているため、低融点ガラスによって封着され得る被膜の材料には制限があった。上述と同様の理由から、低融点ガラスが劣化する虞もあった。
【０００８】
本発明は、このような問題点に着目してなされたもので、金属部材と光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とを強固に接合できるとともに接合され得る金属部材の材料の適用範囲が広い保護カバー及びその製造方法並びに光デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明の保護カバーは、
金属部材に光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材が低融点ガラスにより接合された保護カバーであって、
前記金属部材と前記低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されていることを特徴としている。
この特徴によれば、金属部材と低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されることにより、低融点ガラスによって誘電体層を介して非晶材又は結晶材を金属部材に強固に接合できるとともに接合され得る金属部材の材料の適用範囲が広い。
【００１０】
前記金属部材は、金属構造体とこの金属構造体に被覆された被膜とから構成されており、
前記被膜と前記低融点ガラスとの境界には前記誘電体層が配置されていることを特徴としている。
この特徴によれば、低融点ガラスによって誘電体層を介して金属部材の被膜に非晶材又は結晶材を強固に接合できるとともに接合され得る金属部材の被膜の材料の適用範囲が広い。
【００１１】
前記誘電体層は金属ハロゲン化物又は金属酸化物を主成分とする層であることを特徴としている。
この特徴によれば、低融点ガラスと誘電体層との間にはハロゲン又は酸素を用いた結合が存在しているため、誘電体層を介して被膜に低融点ガラスを強固に接合できる。
【００１２】
前記金属ハロゲン化物はＭｇＦ２であり又は前記金属酸化物はＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２の少なくとも１つであることを特徴としている。
この特徴によれば、低融点ガラスとの接合性に優れる。
【００１３】
前記誘電体層は前記被膜よりも薄いことを特徴としている。
この特徴によれば、被膜自体の性状を保ちつつ、誘電体層自体が剥離しにくい。
【００１４】
前記被膜はＡｕめっき被膜又はＡｕＳｎ合金めっき被膜であることを特徴としている。
この特徴によれば、Ａｕめっき被膜又はＡｕＳｎ合金めっき被膜に非晶材又は結晶材を接合できる。
【００１５】
本発明の保護カバーの製造方法は、
金属構造体に被膜を被覆する工程と、
前記被膜上に誘電体膜を施す工程と、
前記誘電体膜を介して前記金属構造体と光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とを低融点ガラスにより接合する工程とを含むことを特徴としている。
この特徴によれば、被膜上に誘電体膜を施した後に、低融点ガラスにより接合する手順であるため、誘電体膜と被膜との接合強度に優れる。
【００１６】
前記被膜は金属であって、前記誘電体膜は蒸着により前記被膜上に形成されることを特徴としている。
この特徴によれば、金属の被膜に強固に接合した状態で誘電体膜を形成することができる。
【００１７】
本発明の光デバイスは、
光素子と、前記光素子を支持する支持基体と、その開口部が光透過性の光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材により閉塞されるとともに前記支持基体に取り付けられ前記光素子を覆う保護カバーとを備え、前記保護カバーは金属部材により形成され、前記保護カバーに前記光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とが低融点ガラスにより封着された光デバイスであって、
前記金属部材と前記低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されていることを特徴としている。
この特徴によれば、金属部材と低融点ガラスとの境界には誘電体層が配置されることにより、低融点ガラスによって誘電体層を介して金属部材に強固に非晶材又は結晶材を封着できるとともに封着され得る金属部材の材料の適用範囲が広い。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体レーザ装置の概略断面図である。
【図２】実施例１の保護カバーを示す分解斜視図である。
【図３】実施例１の保護カバーの製造方法を説明する模式図である。
【図４】実施例１の封着部を観察した電子顕微鏡写真を説明する図である。
【図５】実施例１の封着部の材料分析結果を示す図である。
【図６】比較例の封着部の材料分析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
発明者らは金属部材に誘電体膜を設けることで低融点ガラスを用いて金属部材と光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材とを好適に接合できることを見出した。以下、本発明に係る保護カバー及びその製造方法並びに光デバイスについて実施の形態に基づいて説明する。
【００２０】
光デバイスは、光素子（発光素子又は受光素子）と、光素子を支持する支持基体と、支持基体に取り付けられ光素子を保護する金属部材からなる保護カバーとから主に構成されている。保護カバーの支持基体への取り付け方法は問わないが、ロウ付け、溶接等による接合が好ましい。また、金属部材には、誘電体を主成分とする誘電体膜が施されており、金属部材の開口部を塞ぐように光を透過するガラス部材が誘電体膜（誘電体層）を介して低融点ガラスにより封着されている。
【００２１】
また、保護カバーを構成する金属部材としては、単一の金属部品から構成されてもよいし、金属構造体に金属被膜が被覆されたものでもよく、さらに、樹脂成形品等の構造部材に金属被膜が被膜されたものでもよい。要するに、低融点ガラスにより直接接合される部位が金属であればよい。以下の説明では、特に断りがない限り、金属構造体に金属被膜が被膜された形態について説明する。
【００２２】
光透過性の非晶材は、外部の大気等の侵入を遮って光素子を保護するとともに、光素子の発光する光又は受光する光を透過するものであればよく、代表的な非晶材として、ホウ珪酸系ガラス、石英ガラス、ソーダガラスなどがあげられる。ここで、ガラスの材料は、発光する光又は受光する光、例えば波長１５０ｎｍから３０００ｎｍの光であって、用途に応じて赤外光、可視光、紫外光等から適宜選択すればよい。
【００２３】
光透過性の結晶材は、外部の大気等の侵入を遮って光素子を保護するとともに、光素子の発光する光又は受光する光を透過するものであればよく、代表的な結晶材として、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｓｉ（シリコン）、サファイアなどがあげられる。ここで、光透過性の結晶材は、発光する光又は受光する光、例えば波長１５０ｎｍから１５０００ｎｍの光であって、用途に応じて赤外光、可視光、紫外光等から適宜選択すればよい。
【００２４】
低融点ガラスは、ガラス転移温度が低く６００℃以下で軟化するガラスであればよい。この温度が低すぎると封止温度域でガラスが流動し過ぎること、一方この温度が高すぎると封止温度域でガラスが軟化しにくいため、ガラス転移温度は３５０〜５００℃、特に４００〜４５０℃が好ましい。例えば、ガラス転移温度が４５０℃以下のテルル系ガラス、ビスマス系ガラス、錫−リン酸系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス等の低融点ガラスが用いられる。また、低融点ガラスは、タブレットに粉末成形したガラスを用いてもよいし、ペースト状のものを塗布してもよい。
【００２５】
金属構造体は、その材料は問わないが、機械的強度を有する観点、ガラス部材との熱膨張係数が近いという観点等からＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金であることが好ましい。
【００２６】
金属被膜は、その材料は問わないが、耐食性に優れる観点、美観の観点、金属製の支持基体との接合性の観点等からＡｕ被膜やＡｕを主成分とする被膜であることが好ましい。さらに、被膜の製法は問わないが、ピンホール等のポーラスの少ない膜を短時間で得ることができることからウェットめっき処理が好ましい。
【００２７】
誘電体膜は、その材料は問わないが、金属被膜との接合強度の観点、低融点ガラスとの接合強度の観点及び封着性の観点から鋭意研究をしたところ、金属ハロゲン化物や金属酸化物が好適であることが判明した。特に、金属ハロゲン化物としてＭｇＦ２、金属酸化物としてＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３及びＺｒＯ２が優れることを見出した。これは、誘電体膜に含まれるフッ素を用いた結合や酸素を用いた結合が生じ、この結合の存在により誘電体膜と金属被膜との間や誘電体膜と低融点ガラスとの間は強固に接合されていると考えられる。
【００２８】
また、誘電体膜の成膜方法は、真空蒸着、ＣＶＤ、ＰＶＤ、溶射、スクリーン印刷等問わないが、ドライプロセスの成膜方法が好ましく、その中でもピンホール等のポーラスが少なく均質な膜が得られる観点から、真空蒸着、ＣＶＤが好ましく、これらのエネルギー源としてはイオンビーム、電子ビームが好ましいことが判明した。さらに、金属構造体に金属被膜が被覆される金属部材の場合、誘電体膜を金属構造体の上に直接成膜してもよいが、マスキングやエッチング等が不要となることや金属構造体の材質は問わないこととなるから、金属被膜の上に成膜することが好ましい。
【実施例１】
【００２９】
以下、実施例１について説明する。
図１〜図３を参照し、半導体レーザ装置１（光デバイス）は、レーザチップ２（光素子）と、レーザチップ２がマウントされる円板状の金属製のステム３（支持基体）と、ステム３の貫通孔に配設・固定されるとともに不図示のワイヤによってレーザチップ２に電気接続されている端子４と、ステム３に封着・固定されたキャップ５（保護カバー）とから主に構成されている。
【００３０】
キャップ５は、底部中央に開口部７を有する略倒立カップ形状の金属製のシェル９（金属部材）と、シェル９の内側から開口部７を塞ぐようにガラス部材２０が低融点ガラス４０によりＡｌ２Ｏ３被膜３０（誘電体膜、誘電体層）を介して封着されている。ガラス部材２０は光透過性の材料で形成されているため、開口部７及びガラス部材２０によりいわゆる窓を構成している。
【００３１】
次いで、シェル９へのガラス部材２０の封着について製造方法とともに説明する。
【００３２】
実施試料ａについて
（１）金属構造体
Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金薄板（株式会社日立金属ネオマテリアル製、商品名：ＫＶ−２、板厚０．２ｍｍ）を、プレス加工及び打ち抜き加工により形成し、金属構造体６（図３（ａ））を準備する。金属構造体６は円筒部１１の軸方向両端に、略直交して内径側及び外径側に延びる内鍔部１０及び外鍔部１２がそれぞれ形成されている。
【００３３】
（２）Ａｕめっき処理
金属構造体６に下地のＮｉめっきを被覆した後、バレルに入れ、Ａｕめっき処理により、全面にＡｕめっき被膜８を被覆し（図３（ｂ））、シェル９を得る。このＡｕめっき被膜８の厚さは特に限定されないものの、後述するＡｌ２Ｏ３被膜３０（誘電体膜）との良好な接合を得るためには、０．５μｍ以上、好ましくは３μｍ以上であることがよいことが判明した。さらに、Ａｕめっき被膜８の厚さはＡｕめっきによる光沢を得るためには１μｍ以上であることが好ましい。
【００３４】
（３）Ａｌ２Ｏ３被膜処理
シェル９を倒立させた状態で、図示しないチャンバー内にセットし、外鍔部１２の図３中上面部分をマスキングした後、真空蒸着によりＡｌ２Ｏ３被膜３０をシェル９の内部に施す。Ａｌ２Ｏ３被膜３０は、開口部７よりも外径側の内鍔部１０のリング状の内底面１３の被膜８Ａ上に施される（図３（ｃ））。このとき、内底面１３から直交して立ち上がる内側面１４の被膜８Ｂ上にも僅かであるがＡｌ２Ｏ３被膜３０が施される。なお、被膜８ＢへのＡｌ２Ｏ３被膜３０は必須ではないので当該内側面１４の被膜８Ｂをマスキングしておいてもよい。被膜８Ａ上に施されるＡｌ２Ｏ３被膜３０の厚さは、０．０１μｍ〜１μｍ未満、好ましくは０．２〜０．６μｍである。Ａｌ２Ｏ３被膜３０の厚さが薄すぎると低融点ガラス４０との接合強度が十分に得られず、一方、厚すぎると長い成膜時間を要するばかりかＡｌ２Ｏ３被膜３０自体が剥離しやすくなるからである。
【００３５】
（４）ガラス部材の封着
ガラス部材２０として、クアーズテック株式会社製、商品名：Ｔ−４０４２、外径φ：７．６ｍｍ、厚さｔ：０．２５ｍｍの円板状の石英ガラスを用意した。
また、低融点ガラス４０として、テルル系低融点ガラス、外径φ：７．７５ｍｍ、内径φ：６ｍｍ、厚さｔ：０．３ｍｍのリング状のタブレットに成形したガラスを用いた。
【００３６】
シェル９の内側に低融点ガラス４０とガラス部材２０とを入れ、図示しない封着用の治具によってこれらを一体に保持する。低融点ガラス４０の径方向寸法は内底面１３の径方向寸法と略同径であり、その厚さは封着前に０．３ｍｍ程度であり、封着後には０．１ｍｍ程度である。ガラス部材２０の外径はシェル９の内径と略同径であり、その厚さは０．２５ｍｍ程度である。
【００３７】
次いで、シェル９、ガラス部材２０等を治具によって一体に保持した状態で図示しない加熱炉に入れ、窒素ガス雰囲気中で５００度まで加熱した状態で１０分間保持し、低融点ガラス４０を溶融させてシェル９、詳しくはＡｌ２Ｏ３被膜３０にガラス部材２０を接合して封着する（図３（ｄ））。なお、シェル９はＡｕめっきにより全面が被膜されているため、大気雰囲気中で加熱してもよい。
【００３８】
実施試料ｂについて
実施試料ｂは誘電体膜としてＡｌ２Ｏ３被膜３０ではなくＭｇＦ２被膜３１（誘電体膜、誘電体層）を採用した以外は実施試料ａと同様であるのでその説明を省略する。
【００３９】
比較試料ｃについて
比較試料ｃは誘電体膜を被膜せず、Ａｕめっき被膜８に低融点ガラス４０を直接接合した以外は実施試料ａと同様であるのでその説明を省略する。
【００４０】
［接合断面について］
図４の電子顕微鏡像を参照して加熱接合後の断面について図５，６に示す分析結果とともに説明する。なお、実施試料ｂの接合部の分析結果を示す測定データは、特段の特徴もないため省略し、結果のみを下述する。
【００４１】
図５はＡｌ２Ｏ３被膜３０を施した接合部の組成の分析結果である。図５において、符号５０はＡｕ（金）の元素を意味し、同様に、５１はＡｌ（アルミニウム）、５２はＯ（酸素）、５３はＴｅ（テルル）を意味する。Ｆｅは０〜８．５μｍの区間に亘ってほぼ均等に存在することが確認された（図５（ｂ））。同様に、Ｎｉは０〜３．８μｍの区間（図５（ｃ））、Ａｕは０〜３．８μｍの区間（図５（ｄ））、Ａｌは３．７〜４．２μｍの区間（図５（ｅ））、Ｏは３．７〜８．５μｍ〜（図５（ｆ））、Ｔｅは４．２〜８．５μｍ（図５（ｇ））の区間にそれぞれ多く存在することが確認された。
【００４２】
図６はＡｕめっき被膜８に直接低融点ガラスを接合した接合部の組成の分析結果である。図６において、符号５０’はＡｕの元素を意味し、同様に、５２’はＯ、５３’はＴｅを意味する。Ｆｅは０〜８．５μｍの区間に亘ってほぼ均等に存在することが確認された（図６（ｂ））。同様に、Ｎｉは０〜３．８μｍの区間（図６（ｃ））、Ａｕは０〜４．３μｍの区間に多く（図６（ｄ））、Ｏは４．３〜８．５μｍの区間に多く（図６（ｆ））、Ｔｅは４．３〜８．５μｍの区間に多く（図６（ｇ））存在することが確認された。尚、Ａｌは存在が確認されなかった。
【００４３】
ここで、図５において、ＡｕはＡｕめっき被膜８、ＡｌはＡｌ２Ｏ３被膜３０、ＯはＡｌ２Ｏ３被膜３０及び低融点ガラス４０、Ｔｅは低融点ガラス４０に含まれる成分であることから、図４（ａ）中、界面乃至隙間のようにも見えるこれらの箇所を、Ｎｉ膜６Ａ、Ａｌ２Ｏ３被膜３０と推定した。
このようにして、実施試料ａは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる金属構造体６、厚さ約０．３μｍのＮｉ膜６Ａ、厚さ約３．８μｍのＡｕめっき被膜８、厚さ約０．５μｍのＡｌ２Ｏ３被膜３０、低融点ガラス４０の順に積層されていることが確認された。
【００４４】
同様にして、実施試料ｂは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる金属構造体６、厚さ約０．３μｍのＮｉ膜６Ａ、厚さ約３．８μｍのＡｕめっき被膜８、厚さ約０．５μｍのＭｇＦ２被膜３１、低融点ガラス４０の順に積層されていることが確認された。
また、比較試料ｃは、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金からなる金属構造体６、厚さ約０．３μｍのＮｉ膜６Ａ、厚さ約４．３μｍのＡｕめっき被膜８、低融点ガラス４０の順に積層されていることが確認された。
【００４５】
比較試料ｃは、Ａｕめっき被膜８において低融点ガラス４０との封着界面側から金属構造体６側に伸びる微小のクラックが観察される一方、実施試料ａ，ｂではこのようなクラックは観察されなかった。
これは、実施試料ａ，ｂは、低融点ガラス４０とＡｕめっき被膜８との間に、熱膨張係数がＡｕめっき被膜８よりも低融点ガラス４０に近いＡｌ２Ｏ３被膜３０やＭｇＦ２被膜３１が介在しているためと考えられる。そして、実施試料ａ，ｂはクラックが生じていないため、比較試料ｃよりも封着強度や耐久性に優れる。
【００４６】
また、図５（ｅ）のＡｌは、分布はピーク中心である約３．８μｍを中心に僅かに左側に多く分布する山形の形状をなしている。これは、Ａｕめっき被膜８の表面のピンホール等のポーラスにＡｌ２Ｏ３被膜３０の一部が入り込んでいるためと考えられる。この構造により、Ａｕめっき被膜８上にＡｌ２Ｏ３被膜３０が強固に接合されていると言える。
【００４７】
また、以下の試験条件により窓部押し抜き試験（破壊試験）を行った。
試験条件：実施試料ａ，ｂ、比較試料ｃのキャップ５について、封着直後の初期、温度５００サイクル（−５５℃〜１２５℃）、恒温恒湿５００時間（８５℃、８５％）について、いわゆる静荷重による窓部押し抜き試験（各サンプル１０個）を行った。ガラス部材２０の中心部にφ１ｍｍの棒を０．１４ｍｍ／秒の速度で押し付け、ガラス部材２０が破壊または金属構造体６から剥離した荷重を測定した。
【００４８】
実施試料ａのほとんどのサンプルは、ガラス部材２０がシェル９に接合した状態で破壊していた。
実施試料ｂの多くのサンプルは、ガラス部材２０がシェル９に接合した状態で破壊していており、わずかなサンプルはガラス部材２０がシェル９から剥離した。
比較試料ｃのわずかなサンプルは、ガラス部材２０がシェル９に接合した状態で破壊していており、多くのサンプルはガラス部材２０がシェル９から剥離した。
【００４９】
上述のことから、実施試料ａ，ｂは比較試料ｃよりも低融点ガラスによる接合強度である封着強度に優れることが確認された。実施試料ａは実施試料ｂよりも封着強度に優れることから特に好ましいことが判明した。
このことから、Ａｕめっき被膜８に誘電体膜を施すと低融点ガラス４０によるガラス部材２０と誘電体膜３０との間の封着強度が高いことが確認された。さらに、誘電体膜として金属酸化物の被膜であるＡｌ２Ｏ３被膜３０はより封着強度が高いことが確認された。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態及びその実施例を説明してきたが、具体的な構成はこれら発明の実施の形態及びその実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更や追加があっても本発明に含まれる。
【００５１】
例えば、実施例では、保護カバーとして、レーザチップ単体を保護する光透過性窓を有する保護カバーを例として説明したが、レーザチップを含むモジュラ部品全体を保護する透過性窓を有する保護カバーにも適用できる。
【００５２】
また、実施例では、保護カバーとして、レーザチップを覆うキャップを例に説明したが、他の形状であってもよい。例えば、保護カバーはレーザチップを内部に収容する筐体の開口部を塞ぐ板状のガラス部材であってもよく、この場合には躯体の開口部周辺に誘電体膜を被膜しておき、ガラス部材を躯体に低融点ガラスによって封着すればよい。さらに、保護カバーの形状は矩形、角箱形状等他の形態であってもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１            半導体レーザ装置（光デバイス）
２            レーザチップ（光素子）
３            ステム（支持基体）
５            キャップ（保護カバー）
６            金属構造体
７            開口部
８            Ａｕめっき被膜（被膜）
９            シェル（金属部材）
２０          ガラス部材（光透過性又は光反射性の非晶材又は結晶材）
３０          Ａｌ２Ｏ３被膜（誘電体膜、誘電体層）
３１          ＭｇＦ２被膜（誘電体膜、誘電体層）
４０          低融点ガラス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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