(57)【要約】【課題】ウェハーのエッジ領域のベベル部のプロファイルを測定して形状を分析する方法を提供する。【解決手段】実施例は複数のウェハーの断面形状を測定する段階；前記ウェハーのエッジ領域で最大曲率を有する第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度を求める段階；前記それぞれのウェハーの表面に薄膜層を形成する段階；前記それぞれの薄膜層の形成された前記ウェハーのエッジ領域の厚さプロファイルを測定する段階；及び前記複数のウェハーのうち前記薄膜層の厚さプロファイルの最大値が最も小さいウェハーを確認する段階を含むウェハーの形状分析方法を提供する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェハーの断面形状を測定する段階；
前記ウェハーのエッジ領域で最大曲率を有する第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度を求める段階；
前記それぞれのウェハーの表面に薄膜層を形成する段階；
前記それぞれの薄膜層の形成された前記ウェハーのエッジ領域の厚さプロファイルを測定する段階；及び
前記複数のウェハーのうち前記薄膜層の厚さプロファイルの最大値が最も小さいウェハーを確認する段階を含むウェハーの形状分析方法。
【請求項２】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第２地点は前記ウェハーの前面と１０％以内の高さ差を有する、請求項１に記載のウェハーの形状分析方法。
【請求項３】
前記第２地点は、前記ウェハーのエッジ領域のベベル部の開始点から水平方向で５０ないし９０マイクロメートルの距離に位置する、請求項１に記載のウェハーの形状分析方法。
【請求項４】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第１地点は前記ウェハーの前面と２．０％以内の高さ差を有する、請求項１に記載のウェハーの形状分析方法。
【請求項５】
バルク（ｂｕｌｋ）領域；
互いに向かい合って平行な、前記バルク領域の前面と後面；及び
前記バルク領域の端部に配置されるエッジ領域を含み、
前記エッジ領域はベベル（ｂｅｖｅｌ）部と端部の頂点（ａｐｅｘ）を含み、
前記ベベル部は、前記前面から前記頂点方向に順に配置される、最大曲率を有する第１地点と、前記第１地点から前記頂点方向で離隔する第２地点を含み、
前記第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度が２２度以下であるウェハー。
【請求項６】
前記第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度が１８度以上である、請求項５に記載のウェハー。
【請求項７】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第２地点は前記ウェハーの前面と１０％以内の高さ差を有する、請求項５に記載のウェハー。
【請求項８】
前記第２地点は、前記ウェハーのエッジ領域のベベル部の開始点から水平方向で５０ないし９０マイクロメートルの距離に位置する、請求項５に記載のウェハー。
【請求項９】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第１地点は前記ウェハーの前面と２％以内の高さ差を有する、請求項５に記載のウェハー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施例は、ウェハー及びその形状分析方法に関するものであり、より詳細には、ウェハーの製造工程でフォトレジストなどが適切に形成されるウェハーの形状を確認する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、ウェハー上に形成される。このとき、半導体素子の高集積化及び高歩留まりのために、ウェハーのエッジは高純度（ｈｉｇｈ−ｐｕｒｉｔｙ）を有し、半導体素子の製造工程に見合う適切な形状を有することが要求されている。このために、ウェハーのエッジの形状を分析することができる実用的で簡便な方法が要求される。例えば、ウェハーエッジの形状のうち、最も重要な数学的パラメーターの一つは曲率（ｃｕｒｖａｔｕｒｅ）であり、ウェハーのエッジとウェハーの前面が形成する全体の曲率はできる限り小さくしなければならない。それは、曲率が小さくないとウェハーの前面とウェハーのエッジが互いに境界なしに滑らかに形成されないためである。
【０００３】
しかし、ウェハーのエッジと前面が形成する曲率が小さくない場合、ウェハー上に半導体素子を製作するための工程において、フォトレジスト（ＰＲ）などがウェハー上に不均一にコーティングされ得るなど、致命的な問題が発生する可能性がある。
【０００４】
ウェハーのエッジの形状を分析するための既存の方法の中の一つは、レーザー散乱などの光学的原理を通じてウェハー表面の粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を分析した。しかし、このような既存の方法は精巧に整列（ａｌｉｇｎ）された高価の装備を要求するだけでなく、エッジの曲率計算に該当する極めて精密な分析のために、レーザー焦点（ｓｐｏｔ）の大きさをさらに小さくしなければならない技術的な負担が伴う。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施例は、特に、ウェハーのエッジ領域のベベル部のプロファイルを測定して形状を分析する方法を提供するためのものである。
【０００６】
実施例は、薄膜層の除去工程後に残存する薄膜層が最小化されて品質に優れるウェハーを提供するためのものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施例は、複数のウェハーの断面形状を測定する段階；前記ウェハーのエッジ領域で最大曲率を有する第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面とが成す第１角度を求める段階；前記それぞれのウェハーの表面に薄膜層を形成する段階；前記それぞれの薄膜層が形成された前記ウェハーのエッジ領域の厚さプロファイルを測定する段階；及び前記複数のウェハーのうち前記薄膜層の厚さプロファイルの最大値が最も小さいウェハーを確認する段階を含むウェハーの形状分析方法を提供する。
【０００８】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第２地点は前記ウェハーの前面と１０％以内の高さ差を有し得る。
【０００９】
前記第２地点は、前記ウェハーのエッジ領域のベベル部の開始点から水平方向に５０ないし９０マイクロメートルの距離に位置し得る。
【００１０】
前記ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、前記第１地点は前記ウェハーの前面と２．０％以内の高さ差を有し得る。
【００１１】
他の実施例において、ウェハーは、バルク（ｂｕｌｋ）領域；互いに向かい合って平行な、前記バルク領域の前面と後面；及び前記バルク領域の端部に配置されるエッジ領域を含み、前記エッジ領域はベベル（ｂｅｖｅｌ）部とその端部の頂点（ａｐｅｘ）とを含み、前記ベベル部は、前記前面から前記頂点方向に順に配置される、最大曲率を有する第１地点と、前記第１地点から前記頂点方向に離隔する第２地点を含み、前記第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面とが成す第１角度が２２度以下であり得る。
【００１２】
前記第１地点から第２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度が１８度以上であり得る。
【発明の効果】
【００１３】
実施例によるウェハーの形状分析方法は、ベベル部のうちで最大曲率を有する第１地点での接線の勾配を正確に測定することが困難であるので、その代わりに、第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２とを連結した接線を求め、前記接線がウェハーのバルク領域の前面と成す角度を求めて、第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２とを連結した接線がウェハーのバルク領域の前面と成す角度である第１角度θ１１が１８度ないし２２度(°)の場合、ウェハーの薄膜層が薄く形成されることを確認した。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例による方法によって形状が分析されるウェハー及びその拡大断面図である。
【図２】実施例による方法によって形状が分析されるウェハー及びその拡大断面図である。
【図３】ウェハーのベベル部の基準点と第１ないし第３地点を示した図である。
【図４】ウェハーのベベル部の第１角度を求めることを示した図である。
【図５】ウェハーのベベル部の第２角度を求めることを示した図である。
【図６】Ｆ−タイプ基板で第２地点Ｐ２の位置と、第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係を示した図である。
【図７】Ｒ−タイプ基板で第２地点Ｐ２の位置と、第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係を示した図である。
【図８】図４の第１角度と図５の第２角度との相関関係を示した図である。
【図９】ウェハーの薄膜蒸着及びエッチング工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて説明し、発明に対する理解の一助とするために添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
しかし、本発明に係る実施例は、多様な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は後述される実施例に限定されるものと解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１７】
また、以下で利用される「第１」及び「第２」「上部」及び「下部」などのような関係的用語は、その実体または要素などの間におけるどのような物理的または論理的関係または順序も必ずしも要求したり内包せずに、ある一つの実体または要素を他の実体または要素と区別するためにのみ利用されることがある。
【００１８】
先ず、実施例によるウェハーの製造方法を説明する。詳細には、チョクラルスキー法でインゴット（Ｉｎｇｏｔ）を作るための単結晶成長工程と、単結晶インゴットをスライシング（Ｓｌｉｃｉｎｇ）して薄い円板形のウェハーを得るスライシング工程と、前記スライシング工程によって得られたウェハーの割れ、歪みを防止するためにその外周部を加工するグラインディング（Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程と、前記ウェハーに残存する機械的加工による損傷（Ｄａｍａｇｅ）を除去するラッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）工程と、前記ウェハーを鏡面化する研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程と、研磨されたウェハーに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄等を通じてシリコン単結晶基板を製造する。
【００１９】
そして、実施例によるウェハーの形状分析方法によってウェハーの形状を分析する。以下では、イメージで獲得できるウェハーのエッジ、ウェハー表面及びウェハー背面などのようなウェハーの形状のうち、ウェハーのエッジを例示として実施例を説明するが、本実施例はウェハーのエッジの他に、ウェハー表面及び背面などのような他のウェハーの形状に対しても適用され得る。
【００２０】
図１及び図２は、実施例による方法によって形状が分析されるウェハー及びその拡大断面図を示す。
【００２１】
図１を参照すると、ウェハー（Ｗａｆｅｒ、Ｗ）は、バルク（ｂｕｌｋ）領域Ｂと前面ｆ及び後面ｂ、そしてバルク領域Ｂの端部に配置されるエッジ領域Ｅに区分することができる。
【００２２】
ウェハーＷの一部分である‘Ａ’領域を図１の下で詳細に示している。
【００２３】
バルク領域Ｂは、ウェハーの大部分を占める領域であり、バルク領域の上部表面を前面ｆとし、下部表面を後面ｂとすることができる。
【００２４】
そして、エッジ領域Ｅは、ベベル（ｂｅｖｅｌ）部（ＷＢ：Ｗａｆｅｒ  Ｂｅｖｅｌ）及び頂点（ＷＡ：Ｗａｆｅｒ  Ａｐｅｘ）に区分され得る。ベベル部ＷＢの上部表面をベベル部前面ＷＢｆとし、ベベル部ＷＢの下部表面をベベル部後面ＷＢｂとすることができる。
【００２５】
図２において、ウェハーＷのバルク領域の厚さを‘ｔ’とし、エッジ領域で頂点ＷＡの厚さないし高さを‘Ｂ３’とし、ベベル部前面ＷＢｆの高さないし厚さを‘Ｂ１’とし、ベベル部後面ＷＢｂの高さないし厚さを‘Ｂ２’とすることができる。
【００２６】
そして、ベベル部前面ＷＢｆの横方向の長さないし幅を‘Ａ１’とし、ベベル部後面ＷＢｂの横方向の長さないし幅を‘Ａ２’とすることができる。このとき、Ｂ１とＢ２の大きさは互いに同一であり、Ａ１とＡ２の大きさは互いに同一であり得るが、製造工程上の誤差を考慮すると、必ずしも１００％一致しないこともある。
【００２７】
そして、ウェハーＷの前面ｆとベベル部前面ＷＢｆが成す第１角度（ａｎｇｌｅ １、θ１）と、ウェハーＷの後面ｂとベベル部前面ＷＢｆが成す第２角度（ａｎｇｌｅ ２、θ２）が図２に示されている。ここで、第１角度（ａｎｇｌｅ １、θ１）と第２角度（ａｎｇｌｅ ２、θ２）は互いに同じ大きさであり得るが、製造工程上の誤差を考慮すると必ずしも１００％一致しないこともある。
【００２８】
図２において、ウェハーＷのベベル部前面ＷＢｆと後面ＷＢｂから延びた点線はそれぞれ、ウェハーのベベル部前面ＷＢｆと後面ＷＢｂでの接線であり得る。そして、前記接線は、それぞれウェハーＷのベベル部前面ＷＢｆと後面ＷＢｂの一定の地点での接線であり得るが、２個の地点を連結する接線であり得、図４ないし図５で後述する。
【００２９】
上述した工程で製造されたウェハーの断面形状を下記のように測定するが、複数のウェハーの断面形状を同じ方法で測定することができる。
【００３０】
図３は、ウェハーのベベル部の基準点と第１ないし第３地点を示した図である。
【００３１】
図３には、ウェハーのバルク領域Ｂの前面ｆの一部とエッジ領域Ｅのベベル部前面ＷＢｆの一部が共に示されている。ウェハーのバルク領域Ｂの前面ｆはフラット（ｆｌａｔ）であり得、前面ｆから延びた仮想の線を点線で示されている。
【００３２】
エッジ領域Ｅでベベル部前面ＷＢｆは曲面を成している。ベベル部前面ＷＢｆでバルク領域Ｂから近い地点から基準点Ｐ０と第１ないし第３地点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が図３に示されている。
【００３３】
前記基準点Ｐ０は、高さが前記バルク領域Ｂの前面ｆとほぼ同一であるか、または若干低く配置され得、ベベル部の開始点とすることもできる。
【００３４】
図２でベベル部前面ＷＢｆの高さないし厚さを‘Ｂ１’とするとき、図３でバルク領域Ｂの前面ｆとベベル部前面ＷＢｆの基準点Ｐ０との高さ差は、ゼロ（ｚｅｒｏ）に近いか、または１マイクロメートル以内であり得、例えば０．６マイクロメートルであり得る。
【００３５】
第１地点Ｐ１は、ベベル部前面ＷＢｆの中で最大曲率を有する地点であり得る。最大曲率を有する地点は、各地点の曲率をすべて測定して把握するか、またはベベル部前面ＷＢｆのプロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）の２次微分値が最大になる地点であり得る。
【００３６】
図２でベベル部前面ＷＢｆの高さないし厚さを‘Ｂ１’とするとき、図３でバルク領域Ｂの前面ｆとベベル部前面ＷＢｆの第１地点Ｐ１との高さ差ｄ１は、前記‘Ｂ１’の２．０％以内であり得、例えば１．２％であり得る。
【００３７】
第２地点Ｐ２は、ベベル部前面ＷＢｆで第１地点Ｐ１と隣接した地点であり得る。図２でベベル部前面ＷＢｆの高さないし厚さを‘Ｂ１’とするとき、図３でバルク領域Ｂの前面ｆとベベル部前面ＷＢｆの第２地点Ｐ２との高さ差ｄ２は、前記‘Ｂ１’の１０％以内であり得る。
【００３８】
第３地点Ｐ３は、ベベル部前面ＷＢｆで第２地点Ｐ２と隣接した地点であり得る。図２でベベル部前面ＷＢｆの高さないし厚さを‘Ｂ１’とするとき、図３でバルク領域Ｂの前面ｆとベベル部前面ＷＢｆの第３地点Ｐ３との高さ差ｄ３は、前記‘Ｂ１’の３０％以内であり得る。
【００３９】
そして、図３でエッジ領域Ｅのベベル部で基準点Ｐ０から第１地点Ｐ１の間の領域を第１領域（ｒｅｇｉｏｎ１）とし、第１地点Ｐ１から第２地点Ｐ２の間の領域を第２領域（ｒｅｇｉｏｎ２）とすることができ、第２地点Ｐ２から第３地点Ｐ３の間の領域を第３領域（ｒｅｇｉｏｎ３）とすることができる。
【００４０】
第１領域（ｒｅｇｉｏｎ１）の横方向の距離ないし幅は、１０マイクロメートルないし４０マイクロメートルであり得る。第１領域（ｒｅｇｉｏｎ１）と第２領域（ｒｅｇｉｏｎ２）の横方向の距離ないし幅の合計は、６０マイクロメートルないし９０マイクロメートルであり得る。
【００４１】
図４でウェハーのエッジ領域Ｅの前面ＷＢｆで曲率半径が最も小さい地点、すなわち最大曲率を有する地点である第１地点Ｐ１から第２地点Ｐ２を連結する第１ラインを測定して示している。そして、前記の第１ラインとウェハーのバルク領域Ｂの前面ｆが成す第１角度θ１１を測定して示している。
【００４２】
図５では、ウェハーのエッジ領域Ｅの前面ＷＢｆで第２地点Ｐ２から第３地点Ｐ３を連結する第２ラインを測定して示している。そして、前記第２ラインとウェハーのバルク領域Ｂの前面ｆが成す第２角度θ１２を測定して示している。
【００４３】
図２で第１角度（ａｎｇｌｅ １、θ１）及び第２角度（ａｎｇｌｅ ２、θ２）と混同を避けるために、図４と図５での第１、２角度をそれぞれ第１−１角度θ１１と第１−２角度θ１２とすることもできる。図２で第１角度（ａｎｇｌｅ １、θ１）を多様な方法で測定することができ、図４では第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２を通じて測定し、図５では第２地点Ｐ２と第３地点Ｐ３を通じて測定することができる。
【００４４】
そして、それぞれのウェハーの表面に薄膜層を蒸着などの方法で形成することができる。
【００４５】
そして、それぞれの薄膜層が形成された前記ウェハーのエッジ領域の厚さプロファイルを測定することができる。
【００４６】
そして、複数のウェハーのうち前記薄膜層の厚さプロファイルの最大値が最も小さいウェハーを確認することができる。ウェハーの表面に蒸着された薄膜層は、特に上述したベベル部や、またはベベル部と隣接したバルク領域の前面で厚さプロファイルが最大値を示すことができるが、厚さプロファイルの最大値が相対的に少ないほど製造されたウェハーの品質が優れ、半導体素子の欠陥が発生する可能性も小さいこともある。
【００４７】
このとき、上述したベベル部の中で最大曲率を有する第１地点Ｐ１の形状が上述した薄膜層の厚さプロファイルに最も大きい影響を及ぼすと予想できるが、第１地点Ｐ１での接線の勾配は正確に測定することが困難であるので、その代わりに第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２を連結した接線を救って前記接線がウェハーのバルク領域の前面と成す角度を求めることができる。
【００４８】
測定結果、第１地点Ｐ１と第２地点Ｐ２を連結した接線を求めて前記接線がウェハーのバルク領域の前面と成す角度である第１角度θ１１が２２度（°）以上の場合、薄膜層の厚さが増加することを確認した。
【００４９】
そして、上述した第２領域（ｒｅｇｉｏｎ２）ないし第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係を確認した。
【００５０】
図６は、Ｆ−タイプ基板で第２地点Ｐ２の位置と、前記第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係を示す。
【００５１】
Ｆ−タイプの基板は、図１などに示されたようにエッジ領域のベベル部の頂点がフラット（ｆｌａｔ）な形状のウェハーであり得る。
【００５２】
横軸は、第２地点Ｐ２の前記第１領域（ｒｅｇｉｏｎ１）と第２領域（ｒｅｇｉｏｎ２）の横方向の距離ないし幅の合計を示し、図３で基準点Ｐ０から第２地点Ｐ２の間の横方向の距離であり得る。
【００５３】
第２地点Ｐ２の基準点Ｐ０からの距離が６０マイクロメートルないし９０マイクロメートルに位置するとき、上述した第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係が８０％以上であることがわかる。
【００５４】
図７は、それぞれのＲ−タイプの基板で第２地点Ｐ２の位置と、前記第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係を示す。
【００５５】
Ｒ−タイプの基板は、図１などに示されたものと異なり、エッジ領域のベベル部の頂点がラウンド（ｒｏｕｎｄ）形状のウェハーであり得る。
【００５６】
第２地点Ｐ２の基準点Ｐ０からの距離が５０マイクロメートルないし８０マイクロメートルに位置するとき、上述した第２区間で測定された第１角度θ１１と薄膜層の厚さとの相関関係が８０％以上であることがわかる。
【００５７】
図８は、図４の第１角度と図５の第２角度との相関関係を示す。
【００５８】
一つのウェハーで第２地点Ｐ２を基準点Ｐ０からの距離が８０マイクロメートルの位置に配置した場合、横軸は第１角度θ１１を示し、縦軸は第２角度θ１２を示し得る。
【００５９】
図８には、第１、２角度の相関性が０．９５程度に測定されている。そして、横軸の第１角度θ１１の大きさが１８度以下である場合、薄膜層の厚さとの相関性が低くなることを確認することができた。
【００６０】
したがって、第１角度θ１１すなわち第１地点Ｐ１から第２地点Ｐ２を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）とウェハーのバルク領域の前面が成す角度が１８度ないし２２度になり、第２地点Ｐ２が基準点Ｐ０からの６０ないし９０マイクロメートルの距離に位置するとき、薄膜層の厚さ特に厚さの最大値が小さくなり、したがってウェハーの品質が向上することがわかる。
【００６１】
これは、ウェハーの製造工程で、エッジグラインディング（ｅｄｇｅ  ｇｒｉｎｄｉｎｇ）、エッジ研磨加工（ｅｄｇｅ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）あるいは両面研磨（ｄｏｕｂｌｅ  ｓｉｄｅ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を通じて第１角度θ１１を制御することによって達成できる。
【００６２】
上述した方法でウェハーの形状を分析して後工程で薄膜を蒸着するとき、厚さが薄く特に厚さの最大値が最も小さいウェハーを下記のように定義することができる。
【００６３】
ウェハーは、バルク（ｂｕｌｋ）領域の上／下に互いに向かい合って平行な前面と後面が備えられ、バルク領域の端部に配置されるエッジ領域が備えられ得る。エッジ領域はベベル（ｂｅｖｅｌ）部と端部の頂点（ａｐｅｘ）を含み、ベベル部は、前面から前記頂点方向に順に配置される、最大曲率を有する第１地点と、前記第１地点から前記頂点方向に離隔する第２地点とを含むことができる。
【００６４】
そして、第１、２地点を連結する第１ライン（ｌｉｎｅ）と前記ウェハーの前面が成す第１角度が１８度以上であり、２２度以下であり得る。
【００６５】
このとき、ウェハーのエッジ領域内のベベル（ｂｅｖｅｌ）部の高さをＢ１とするとき、第１地点はウェハーの前面と２．０％以内の高さ差を有し得る。
【００６６】
図９は、ウェハーの薄膜蒸着及びエッジ工程を示した図である。
【００６７】
ウェハーの薄膜層（ｆｉｌｍ）を蒸着とフォトレジスト（ＰＲ）をコーティングした後、蝕刻（Ｅｔｃｈｉｎｇ）などの方法で除去することができる。蝕刻工程後に、ウェハーのエッジ領域と隣接した領域ないしベベル部に薄膜層（ｆｉｌｍ）が一部残存することを確認することができる。上述したベベル部のプロファイルを有するウェハーの場合、エッジ領域と隣接する領域ないしベベル部に残存する薄膜層が最小化され得る。
【符号の説明】
【００６８】
Ｗ：ウェハー                      f：前面
ｂ：後面                          Ｂ：バルク領域
Ｅ：エッジ領域                    ＷＡ：頂点
ＷＢ：ベベル部                    ＷＢｆ：ベベル部の前面
ＷＢｂ：ベベル部の後面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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