(57)【要約】【課題】反りを有する基板を支持台に保持する場合に、基板と静電チャックとの密着性を向上する技術を提供する。【解決手段】一実施形態に係る静電チャックは、基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と基板が載置される表面とを備え、複数の電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている。一実施形態に係る基板処理装置は、複数の電極と基板が載置される表面とを備える静電チャックと、複数の電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置とを備え、複数の電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって基板を吸着する静電気力を発生し、複数の電極のそれぞれは径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックであって、
基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面を備え、
複数の前記電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている、
静電チャック。
【請求項２】
基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面を備える静電チャックと、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置と、
を備え、
複数の前記電極のそれぞれは、直流電圧が印加されることによって、前記基板を吸着する静電気力を発生し、
複数の前記電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている、
基板処理装置。
【請求項３】
前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する測定システムを更に備え、
前記測定システムは、
複数の前記電極毎に前記距離を測定し、
前記制御装置は、
前記距離の長さ順に、該電極に直流電圧を印加する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する測定システムを更に備え、
前記測定システムは、
複数の前記電極毎に前記距離を測定し、
前記制御装置は、
前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を前記距離に基づいて特定し、特定した該反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加する、
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御装置は、
前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定した場合に、
前記表面の中央にある前記電極に最初に直流電圧を印加し、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御装置は、
前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定した場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加し、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す、
請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御装置は、複数の前記電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち前記基板と前記静電チャックとの密着性が最も高い一の該印加シーケンスを選定し、選定した該印加シーケンスを用いて前記タイミングを制御する、
請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御装置は、複数の前記電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する、
請求項２〜７の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
静電チャックを用いて基板を保持する基板保持方法であって、該静電チャックは、該基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と該基板が載置される表面とを備え、複数の該電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、複数の該電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって該基板を吸着する静電気力を発生し、該方法は、
複数の前記電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する工程を備える、
基板保持方法。
【請求項１０】
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の該電極毎に前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する工程と、
前記距離の長さ順に、該電極に直流電圧を印加する工程と、
を備える、
請求項９に記載の基板保持方法。
【請求項１１】
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の該電極毎に前記静電チャックと該静電チャックの前記表面に載置される前記基板との間の距離を測定する工程と、
前記距離に基づいて、前記静電チャックの前記表面に載置される前記基板の反り状態を特定する工程と、
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する工程と、
を備える、
請求項９に記載の基板保持方法。
【請求項１２】
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加する前記工程は、
反り状態を特定する前記工程において、前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定された場合に、
前記表面の中央にある前記電極に最初に直流電圧を印加する工程と、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、
を備える、
請求項１１に記載の基板保持方法。
【請求項１３】
前記反り状態に基づいて前記電極に直流電圧を印加する前記工程は、
反り状態を特定する前記工程において、前記基板の反り状態が、該基板の中央から外縁に向けて該基板と前記静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合に、
複数の前記電極のうち前記距離が最も長い該電極に最初に直流電圧を印加する工程と、
直流電圧が既に印加されている前記電極に隣接する一又は複数の該電極のうち前記距離が最も長い該電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、
を備える、
請求項１１または１２に記載の基板保持方法。
【請求項１４】
前記タイミングを制御する前記工程は、
複数の前記電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち前記基板と前記静電チャックとの密着性が最も高い一の該印加シーケンスを選定し、選定した該印加シーケンスを用いて前記タイミングを制御する、
請求項１０に記載の基板保持方法。
【請求項１５】
前記タイミングを制御する前記工程では、複数の前記電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する、
請求項９〜１４の何れか一項に記載の基板保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、静電チャック、基板処理装置、及び、基板保持方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては基板処理装置を用いて基板が処理される。基板は、基板処理装置のチャンバの中で支持台上に載置された状態で処理される。支持台は、基台及び静電チャックを備える。静電チャックは、基台上に設けられている。
【０００３】
静電チャックは、誘電体及び電極を有する。電極は誘電体内に設けられている。静電チャック上に基板が載置される。直流電圧が電極に印加されると、基板と静電チャックとの間で静電引力が発生する。基板は、発生した静電引力によって静電チャックに引き付けられて、静電チャックによって支持台に保持される。このような静電チャックに係る技術については、例えば特許文献１〜４に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１２４２９９号公報
【特許文献２】特開２００７−２８８１５７号公報
【特許文献３】特開２００２−９１４０号公報
【特許文献４】米国特許第４６９２８３６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板は平坦ではなく反りを有することがある。一方、基板が載置される静電チャックの表面は当該反りに適合した形状を有しない場合があり、例えば平坦な形状を有し得る。反りを有する基板が静電チャックによって保持されると、静電チャックに接する基板の面において、静電チャックの表面に接しない箇所が生じ、静電チャックと基板との密着性が低下する場合がある。この結果、基板処理の面内均一性が損なわれ得る。かかる背景から、反りを有する基板を支持台に保持する場合に、基板と静電チャックとの密着性を向上する技術が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様においては、静電チャックが提供される。この静電チャックは、（１）基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と基板が載置される表面を備え、（２）複数の電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている。このように、静電チャックが複数の電極を備え、複数の電極が分散して配置されているので、複数の電極に対する直流電圧の印加タイミングを調整することによって、基板を静電チャックに良好に密着させ得る。
【０００７】
一実施形態では、基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と基板が載置される表面を備える静電チャックと、複数の電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する制御装置と、を備え、複数の電極のそれぞれは、直流電圧が印加されることによって、基板を吸着する静電気力を発生し、複数の電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置されている。このように、基板処理装置が備える静電チャックが複数の電極を備え、複数の電極が分散して配置されているので、制御装置が複数の電極に対する直流電圧の印加タイミングを調整することによって、基板を静電チャックに良好に密着させ得る。
【０００８】
一実施形態では、静電チャックと静電チャックの表面に載置される基板との間の距離を測定する測定システムを更に備え、測定システムは、複数の電極毎に距離を測定し、制御装置は、距離の長さ順に、電極に直流電圧を印加する。従って、距離が長い順に電極に直流電圧を印加することによって、基板が静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【０００９】
一実施形態では、静電チャックと静電チャックの表面に載置される基板との間の距離を測定する測定システムを更に備え、測定システムは、複数の電極毎に距離を測定し、制御装置は、静電チャックの表面に載置される基板の反り状態を距離に基づいて特定し、特定した反り状態に基づいて電極に直流電圧を印加する。従って、基板の反り状態に応じて、電極に直流電圧を印加するタイミングを制御するので、基板の反り状態毎に、基板と静電チャックとの密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板が静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【００１０】
一実施形態において、制御装置は、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定した場合に、表面の中央にある電極に最初に直流電圧を印加し、直流電圧が既に印加されている電極に隣接する一又は複数の電極のうち距離が最も長い電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す。このように、基板の反り状態が基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定された場合には、まず、表面の中央が静電チャックに吸着され、その後順次当該中央から静電チャックに吸着が行われるので、基板の静電チャックへの吸着が安定して行え得る。
【００１１】
一実施形態において、制御装置は、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定した場合に、複数の電極のうち距離が最も長い電極に最初に直流電圧を印加し、直流電圧が既に印加されている電極に隣接する一又は複数の電極のうち距離が最も長い電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す。このように、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合には、まず、複数の電極のうち距離が最も長い電極に最初に静電チャックが吸着され、その後、吸着された箇所の周囲から静電チャックに吸着が順次行われるので、基板の静電チャックへの吸着が安定して行え得る。
【００１２】
一実施形態において、制御装置は、複数の電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち基板と静電チャックとの密着性が最も高い一の印加シーケンスを選定し、選定した印加シーケンスを用いてタイミングを制御する。このように、複数の電極に対する直流電圧の印加順序を規定しており予め作製された複数の印加シーケンスのうち、基板と静電チャックとの密着性の高い印加シーケンスを選定し、当該選定した印加シーケンスを用いて、電極に直流電圧を印加するタイミングを制御するので、基板と静電チャックとの密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板が静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【００１３】
一実施形態において、制御装置は、複数の電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する。このように、基板と静電チャックとの間の距離に応じて、電極毎に印加する直流電圧の値が調整され得るので、基板と静電チャックとの密着性をより向上させ得る。
【００１４】
一態様においては、静電チャックを用いて基板を保持する基板保持方法が提供される。静電チャックは、基板を吸着する静電気力を発生させる複数の電極と基板が載置される表面とを備え、複数の電極のそれぞれは、径方向及び周方向に区画された複数の領域のそれぞれに配置され、複数の電極のそれぞれは直流電圧が印加されることによって基板を吸着する静電気力を発生する。当該基板保持方法は、複数の電極のそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する工程を備える。このように、基板処理装置が備える静電チャックが複数の電極を備え、複数の電極が分散して配置されているので、複数の電極に対する直流電圧の印加タイミングが調整されることによって、基板が静電チャックに良好に密着され得る。
【００１５】
一実施形態において、タイミングを制御する工程は、複数の電極毎に静電チャックと静電チャックの表面に載置される基板との間の距離を測定する工程と、距離の長さ順に、電極に直流電圧を印加する工程と、を備える。従って、距離が長い順に電極に直流電圧を印加することによって、基板が静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【００１６】
一実施形態において、タイミングを制御する工程は、複数の電極毎に静電チャックと静電チャックの表面に載置される基板との間の距離を測定する工程と、距離に基づいて、静電チャックの表面に載置される基板の反り状態を特定する工程と、反り状態に基づいて電極に直流電圧を印加するタイミングを制御する工程と、を備える。従って、基板の反り状態に応じて、電極に直流電圧を印加するタイミングを制御するので、基板の反り状態毎に、基板と静電チャックとの密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【００１７】
一実施形態において、反り状態に基づいて電極に直流電圧を印加する工程は、反り状態を特定する工程において、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定された場合に、表面の中央にある電極に最初に直流電圧を印加する工程と、直流電圧が既に印加されている電極に隣接する一又は複数の電極のうち距離が最も長い電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、を備える。このように、基板の反り状態が基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態である、と特定された場合には、まず、表面の中央が静電チャックに吸着され、その後順次当該中央から静電チャックに吸着が行われるので、基板の静電チャックへの吸着が安定して行え得る。
【００１８】
一実施形態において、反り状態に基づいて電極に直流電圧を印加する工程は、反り状態を特定する工程において、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合に、複数の電極のうち距離が最も長い電極に最初に直流電圧を印加する工程と、直流電圧が既に印加されている電極に隣接する一又は複数の電極のうち距離が最も長い電極に直流電圧を印加する処理を繰り返す工程と、を備える。このように、基板の反り状態が、基板の中央から外縁に向けて基板と静電チャックとの距離が増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定された場合には、まず、複数の電極のうち距離が最も長い電極に最初に静電チャックが吸着され、その後、吸着された箇所の周囲から静電チャックに吸着が順次行われるので、基板の静電チャックへの吸着が安定して行い得る。
【００１９】
一実施形態において、タイミングを制御する工程は、複数の電極に対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスのうち基板と静電チャックとの密着性が最も高い一の印加シーケンスを選定し、選定した印加シーケンスを用いてタイミングを制御する。このように、複数の電極に対する直流電圧の印加順序を規定しており予め作製された複数の印加シーケンスのうち、基板と静電チャックとの密着性の高い印加シーケンスを選定し、当該選定した印加シーケンスを用いて、電極に直流電圧を印加するタイミングを制御するので、基板と静電チャックとの密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板が静電チャックに良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。
【００２０】
一実施形態において、タイミングを制御する工程では、複数の電極毎に、印加する直流電圧の値を調整する。このように、基板と静電チャックとの間の距離に応じて、電極毎に印加する直流電圧の値が調整され得るので、基板と静電チャックとの密着性をより向上させ得る。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、反りを有する基板を支持台に保持する場合に、基板と静電チャックとの密着性を向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図２は、静電チャックが備える複数の電極の配置の一例を示す図である。
【図３】図３は、静電チャックが備える複数の電極の配置の他の一例を示す図である。
【図４】図４は、基板と静電チャックとの間の距離の測定方法を説明するために用いる図である。
【図５】図５は、一実施形態に係る基板保持方法の一実施例を示す図である。
【図６】図６の（ａ）は、図５の流れ図に示す方法を用いて基板を静電チャックに吸着させる様子の一例を示す。図６の（ｂ）は、図７の流れ図に示す方法を用いて反り状態の基板を静電チャックに吸着させる様子の一例を示す。図６の（ｃ）は、図７の流れ図に示す方法を用いて他の反り状態の基板を静電チャックに吸着させる様子の一例を示す。
【図７】図７は、一実施形態に係る基板保持方法の他の一実施例を示す図である。
【図８】図８は、一実施形態に係る基板保持方法の他の一実施例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００２４】
以下、一実施形態に係る基板処理装置及び静電チャックについて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１及び静電チャック１４を概略的に示す断面図である。図１に示す基板処理装置１は、支持台１０、チャンバ１８、測定システムＤＴＣ、直流電源ＤＣＰ、制御装置ＣＮＴを備えている。
【００２５】
支持台１０はチャンバ１８によって提供される内部空間１８ｓの中に設けられている。支持台１０は、基板Ｗを支持するように構成される。支持台１０は、基台１２及び静電チャック１４を備えている。
【００２６】
基台１２は、静電チャック１４を支持する機能及び静電チャック１４と熱交換を行う。基台１２の材料は、例えばアルミニウムである。
【００２７】
一実施形態において、基台１２内には、流路１２ｐが形成されている。流路１２ｐは、基台１２内において例えば渦巻状に延在し得る。流路１２ｐにチャンバ１８の外部に設けられた供給装置（例えばチラーユニット）から冷媒等の熱交換媒体が供給され、基板Ｗの温度が調整される。
【００２８】
静電チャック１４は、基台１２上に設けられている。静電チャック１４は、本体１４ｍ、基板Ｗを吸着する静電気力を発生させる複数の電極１４ｅ、及び基板Ｗが載置される表面１４ｓを備える。表面１４ｓは、静電チャック１４の上に載置される基板Ｗの裏面ＷＲが接触する領域である。本体１４ｍは、略板状の形状を有する。本体１４ｍの材料は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムといったセラミック等の誘電体である。
【００２９】
電極１４ｅは、本体１４ｍの中に設けられている。図２に示すように、複数の電極１４ｅのそれぞれは、本体１４ｍを紙面に垂直方向に見て、径方向及び周方向に区画された（設定された）複数の領域ＥＲのそれぞれに配置されている。複数の電極１４ｅは、表面１４ｓに、表面１４ｓに沿って分散して配置される。
【００３０】
このように、静電チャック１４が複数の電極１４ｅを備え、複数の電極１４ｅが分散して配置されているので、複数の電極１４ｅに対する直流電圧の印加タイミングを調整することによって、基板Ｗを静電チャック１４に良好に密着させ得る。
【００３１】
なお、領域ＥＲの形状、電極１４ｅの形状は、図２に示すものに限らない。複数の電極１４ｅは、径方向及び周方向に区画された（設定された）複数の領域ＥＲに配置され、表面１４ｓに沿って分散して配置されるものであればよく、例えば図３に示す態様の領域ＥＲ及び電極１４ｅであり得る。図３は、静電チャック１４が備える複数の電極１４ｅの配置の他の一例を示す図である。図３には、６角形のハニカム状の領域ＥＲ及び電極１４ｅが例示されている。
【００３２】
基板処理装置１は、直流電源ＤＣＰを備える。直流電源ＤＣＰは、複数の電極１４ｅに直流電圧を印加する。複数の電極１４ｅのそれぞれは、直流電源ＤＣＰから直流電圧が印加される電極である。
【００３３】
測定システムＤＴＣは、一実施形態において、例えば、複数の電極１４ｅ毎に、静電チャック１４と静電チャック１４の表面１４ｓに載置された基板Ｗとの間の距離（以下、距離Ｌｇａｐという）を測定する。より具体的に、測定システムＤＴＣは、複数の電極１４ｅ毎に、静電チャック１４の表面１４ｓと静電チャック１４の表面１４ｓに載置された基板Ｗの裏面ＷＲとの間の距離Ｌｇａｐを測定する。
【００３４】
例えば、図４に示すように、測定システムＤＴＣが複数の電極１４ｅ毎に行う距離Ｌｇａｐの測定は、電極１４ｅと、基板Ｗのうち当該電極１４ｅ上にある領域ＥＲＷとの間の静電容量Ｃｇａｐを測定し、測定した静電容量Ｃｇａｐを用いて行い得る。この場合、測定システムＤＴＣは、測定システムＤＴＣによって測定された静電容量Ｃｇａｐの値から、静電チャック１４と静電チャック１４の表面１４ｓに載置された基板Ｗとの間の距離Ｌｇａｐを算出する。静電容量Ｃｇａｐの値が大きいほど、距離Ｌｇａｐの値が小さい、すなわち、静電チャック１４の表面１４ｓと静電チャック１４の表面１４ｓに載置された基板Ｗの裏面ＷＲとの間の距離Ｌｇａｐが小さい。距離Ｌｇａｐが基板Ｗの裏面ＷＲの面内の全てでゼロとなることが望ましく、この場合、基板Ｗと静電チャック１４との密接性は最も高い。
【００３５】
なお、測定システムＤＴＣによる距離Ｌｇａｐの測定は、上記したような静電容量Ｃｇａｐを用いる方法だけではなく、他に様々な方法が用いられ得る。
【００３６】
例えば、測定システムＤＴＣが光学距離計を備えてもよく、この場合、当該光学距離計を用いて距離Ｌｇａｐを実測する方法が用いられ得る。また、測定システムＤＴＣが電極１４ｅ毎に基板Ｗの熱容量を測定し、当該測定した熱容量を用いて距離Ｌｇａｐを算出する方法が用いられ得る。また、測定システムＤＴＣが電極１４ｅ毎に基板Ｗと静電チャック１４との間の電気抵抗の値を測定し、当該測定した電気抵抗の値を用いて距離Ｌｇａｐを算出する方法が用いられ得る。
【００３７】
直流電源ＤＣＰは、制御装置ＣＮＴから送られる制御信号によって、複数の電極１４ｅのそれぞれに直流電圧を印加する。
【００３８】
制御装置ＣＮＴは、基板処理装置１の各部を制御する装置である。制御装置ＣＮＴは、直流電源ＤＣＰと、測定システムＤＴＣと、基板処理装置１が備える他の各部とに接続され、直流電源ＤＣＰと、測定システムＤＴＣと、基板処理装置１が備える他の各部との間において各種の制御信号及び測定データの送受信を行う。
【００３９】
制御装置ＣＮＴは、ＣＰＵ、メモリ、記憶装置（例えば記憶装置ＭＥ）を備える。制御装置ＣＮＴは、記憶装置ＭＥに格納される各種のプログラムをメモリにロードしＣＰＵに実行させることによって各種の制御信号を生成し、当該制御信号を基板処理装置１の各部に送る。この各種のプログラムは、例えば、図５、図７、図８の何れかの流れ図に示す基板保持方法ＭＴを実行するプログラムである。制御装置ＣＮＴは、測定システムＤＴＣから送信される各種の測定データを用いて、基板処理装置１の各部の動作を制御する。
【００４０】
特に、制御装置ＣＮＴは、測定システムＤＴＣから送信される各種の測定データを用いて直流電源ＤＣＰの動作を制御することによって、複数の電極１４ｅのそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する。
【００４１】
基板処理装置１では、制御装置ＣＮＴが、例えば、図５の流れ図に示す基板保持方法ＭＴ（第１実施例）、図７の流れ図に示す基板保持方法ＭＴ（第２実施例）、図８の流れ図に示す基板保持方法ＭＴ（第３実施例）の何れかを実行する。これによって、静電チャック１４に載置された基板Ｗと静電チャック１４との密着性が向上され得る。
【００４２】
このように、基板処理装置１が備える静電チャック１４が複数の電極１４ｅを備え、複数の電極１４ｅが分散して配置されている。従って、制御装置ＣＮＴが複数の電極１４ｅに対する直流電圧の印加タイミングを調整することによって、基板Ｗを静電チャック１４に良好に密着させ得る。
【００４３】
一実施形態において、基板処理装置１は、ガス供給部２２を更に備え得る。ガス供給部２２は、基板Ｗに対する処理、即ち基板処理において用いられるガスを内部空間１８ｓに供給する。一実施形態において、基板処理装置１は、排気装置２４を更に備え得る。排気装置２４は、内部空間１８ｓの中のガスを排気して、内部空間１８ｓの中の圧力を減圧するように構成されている。排気装置２４は、例えば、圧力調整弁及び減圧ポンプを有する。
【００４４】
基板処理装置１において基板Ｗに対して行われる処理は任意の基板処理であり得る。一実施形態において、基板処理装置１は、プラズマ処理を基板Ｗに対して行うように構成される。この実施形態において、基板処理装置１は、プラズマ生成部２６を有する。プラズマ生成部２６は、内部空間１８ｓの中でガスを励起させるためのエネルギーを供給するように構成されている。プラズマ生成部２６は、任意のタイプのプラズマ生成部であり得る。プラズマ生成部２６は、例えば、容量結合型のプラズマ生成部、誘導結合型のプラズマ生成部、又はマイクロ波といった表面波によりプラズマを生成するプラズマ生成部である。
【００４５】
以下、図５、図７、図８、及び図６を参照して、一実施形態に係る基板保持方法ＭＴの複数の実施例（第１実施例、第２実施例、第３実施例）を説明する。図５は、一実施形態に係る基板保持方法ＭＴの第１実施例を示す図である。図７は、一実施形態に係る基板保持方法ＭＴの第２実施例を示す図である。図８は、一実施形態に係る基板保持方法ＭＴの第３実施例を示す図である。
【００４６】
図６の（ａ）は、図５の流れ図に示す基板保持方法ＭＴを用いて基板Ｗを静電チャック１４に吸着させている様子の一例を示す。図６の（ｂ）は、図７の流れ図に示す基板保持方法ＭＴを用いて反り状態の基板Ｗを静電チャック１４に吸着させている様子の一例を示す。図６の（ｃ）は、図７の流れ図に示す基板保持方法ＭＴを用いて他の反り状態の基板Ｗを静電チャック１４に吸着させている様子の一例を示す。
【００４７】
図６の（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）のそれぞれには、説明簡略化のため、静電チャック１４の一例として、５個の電極１４ｅ（電極１４ｅ１、電極１４ｅ２、電極１４ｅ３、電極１４ｅ４、電極１４ｅ５）を備える構成が示されている。黒塗りによって示されている電極１４ｅは、直流電圧が印加されている状態の電極１４ｅである。電極１４ｅ１、電極１４ｅ２、電極１４ｅ３、電極１４ｅ４、電極１４ｅ５は、この順に表面１４ｓに沿って配置されている。
【００４８】
電極１４ｅ１は、表面１４ｓの外縁に配置されている。電極１４ｅ５は、電極１４ｅ１とは反対側にある表面１４ｓの外縁に配置されている。電極１４ｅ３は、表面１４ｓの中央に配置されている。電極１４ｅ２は、電極１４ｅ１と電極１４ｅ３との間に配置されている。電極１４ｅ４は、電極１４ｅ３と電極１４ｅ５との間に配置されている。
【００４９】
第１実施例、第２実施例、第３実施例の何れにおいても、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を備える。工程ＳＴ１は、基板Ｗをチャンバ１８内の内部空間１８ｓに搬入し、静電チャック１４の表面１４ｓ上に載置する。工程ＳＴ２は、工程ＳＴ１に引き続き、複数の電極１４ｅのそれぞれに直流電圧を印加するタイミングを制御する。
【００５０】
基板Ｗが備える静電チャック１４は複数の電極１４ｅを備え、複数の電極１４ｅは分散して配置されている。従って、第１実施例〜第３実施例の工程ＳＴ２によれば、制御装置ＣＮＴが複数の電極１４ｅに対する直流電圧の印加タイミングを調整することによって、基板Ｗを静電チャック１４に良好に密着させ得る。
【００５１】
図５の流れ図に示す基板保持方法ＭＴ及び図７の流れ図に示す基板保持方法ＭＴ何れも、制御装置ＣＮＴが測定システムＤＴＣを含む基板処理装置１の各部を制御することによって実行される。図８の流れ図に示す基板保持方法ＭＴは、制御装置ＣＮＴが記憶装置ＭＥに格納された複数の印加シーケンスＳＱを用いて基板処理装置１の各部を制御することによって実行される。
【００５２】
また、第１実施例〜第３実施例において、制御装置ＣＮＴは、直流電源ＤＣＰから電極１４ｅに印加する直流電圧の値を全ての電極１４ｅに対して同一とすることができる。または、第１実施例〜第３実施例において、距離Ｌｇａｐがより均一となるように、複数の電極１４ｅ毎に、直流電源ＤＣＰから印加する直流電圧の値を調整することができる。このように、基板Ｗと静電チャック１４との間の距離Ｌｇａｐに応じて、電極１４ｅ毎に印加する直流電圧の値が調整され得るので、基板Ｗと静電チャック１４との密着性をより向上させ得る。
【００５３】
（第１実施例）
図５を参照して、第１実施例に係る基板保持方法ＭＴを説明する。制御装置ＣＮＴは、図５の流れ図に示す第１実施例に係る基板保持方法ＭＴを実行する。第１実施例において、制御装置ＣＮＴは、距離Ｌｇａｐの長さ順に、電極１４ｅに直流電圧を印加する。
【００５４】
工程ＳＴ１に引き続く図５に示す工程ＳＴ２は、工程ＳＴ２１ａ、工程ＳＴ２１ｂ、工程ＳＴ２１ｃを備える。
【００５５】
工程ＳＴ１に引き続く工程ＳＴ２１ａは、複数の電極１４ｅ毎に静電チャック１４の表面１４ｓと静電チャック１４の表面１４ｓに載置される基板Ｗの裏面ＷＲとの間の距離Ｌｇａｐを、測定システムＤＴＣを用いて測定する。
【００５６】
工程ＳＴ２１ａに引き続く工程ＳＴ２１ｂは、距離Ｌｇａｐの長さ順に、電極１４ｅに直流電圧を印加する。
【００５７】
工程ＳＴ２１ｂに引き続く工程ＳＴ２１ｃは、工程ＳＴ２１ａの処理及び工程ＳＴ２１ｂの処理が、静電チャック１４の全ての電極１４ｅに行われたか否か、換言すれば、静電チャック１４の全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されたか否か、が判定される。
【００５８】
工程ＳＴ２１ｃにおいて、静電チャック１４の全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されていない（直流電圧が未印加の電極１４ｅが存在する）と判定された場合には（工程ＳＴ２１ｃ：ＮＯ）、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂが再度実行される。工程ＳＴ２１ｃにおいて、直流電圧が未印加の電極１４ｅが最後に残った一つのみである場合には、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂは行われない。この場合、当該最後に残った一の電極１４ｅに直流電圧が印加された後に全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されたと判定され（工程ＳＴ２１ｃ：ＹＥＳ）、基板保持方法ＭＴが終了される。
【００５９】
図６の（ａ）を参照して、図５の流れ図に示す第１実施例に係る基板保持方法ＭＴについて、より具体的に説明する。図６の（ａ）に示す基板Ｗは、基板Ｗの外縁から中央に向けて、基板Ｗの裏面ＷＲと静電チャック１４の表面１４ｓとの距離Ｌｇａｐが増加する反り状態を有している。この反り状態は、換言すれば、基板Ｗの中央部が静電チャック１４の表面１４ｓの上方に向けて隆起している状態であり、以下では反り状態ＷＳという。まず、状態Ｋａ１では、基板Ｗが静電チャック１４の表面１４ｓ上に載置される。
【００６０】
状態Ｋａ１に引き続く状態Ｋａ２では、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂが実行され、距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ３に直流電圧が最初に印加される。
【００６１】
状態Ｋａ２に引き続く状態Ｋａ３では、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂが再度実行され、状態Ｋａ３の開始時点で距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ２に直流電圧が更に印加される。
【００６２】
状態Ｋａ３に引き続く状態Ｋａ４では、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂが再度実行され、状態Ｋａ４の開始時点で距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ４に直流電圧が更に印加される。状態Ｋａ４に引き続く状態Ｋａ５では、工程ＳＴ２１ａ及び工程ＳＴ２１ｂが再度実行され、状態Ｋａ５の開始時点で距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ１に直流電圧が更に印加される。状態Ｋａ５に引き続く状態Ｋａ６では、直流電圧が印加されていない最後に残った電極１４ｅ５に直流電圧が更に印加される。
【００６３】
上記したように、距離Ｌｇａｐが長い順に電極１４ｅに直流電圧を印加することによって、基板Ｗが静電チャック１４に良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。更に、このように比較的に高い密着性の下で処理された基板Ｗには、比較的に高い面内均一性が実現され得る。
【００６４】
（第２実施例）
図７を参照して、第２実施例に係る基板保持方法ＭＴを説明する。制御装置ＣＮＴは、図７の流れ図に示す第２実施例に係る基板保持方法ＭＴを実行する。第２実施例において、制御装置ＣＮＴは、静電チャック１４の表面１４ｓに載置される基板Ｗの反り状態を距離Ｌｇａｐに基づいて特定し、特定した反り状態に基づいて電極１４ｅに直流電圧を印加する。
【００６５】
工程ＳＴ１に引き続く図７に示す工程ＳＴ２は、工程ＳＴ２２ａ、工程ＳＴ２２ｂ、工程ＳＴ２２ｃ、工程ＳＴ２２ｄ、工程ＳＴ２２ｅを備える。工程ＳＴ２２ｃは、工程ＳＴｃ１、工程ＳＴｃ２を備え、工程ＳＴｃ２は、工程ＳＴｃ２１、工程ＳＴｃ２２を備える。工程ＳＴ２２ｄは、工程ＳＴｄ１、工程ＳＴｄ２を備え、工程ＳＴｄ２は、工程ＳＴｄ２１、工程ＳＴｄ２２を備える。
【００６６】
工程ＳＴ１に引き続く工程ＳＴ２２ａは、複数の電極１４ｅ毎に静電チャック１４と静電チャック１４の表面１４ｓに載置される基板Ｗの裏面ＷＲとの間の距離Ｌｇａｐを測定する。工程ＳＴ２２ａに引き続く工程ＳＴ２２ｂは、距離Ｌｇａｐに基づいて、静電チャック１４の表面１４ｓに載置される基板Ｗの反り状態を特定する。
【００６７】
図７に示す工程ＳＴ２は、工程ＳＴ２２ｂによって特定された基板Ｗの反り状態に基づいて工程ＳＴ２２ｃ、工程ＳＴ２２ｄ、工程ＳＴ２２ｅのそれぞれを実行する。工程ＳＴ２２ｃ、工程ＳＴ２２ｄ、工程ＳＴ２２ｅのそれぞれは、電極１４ｅに直流電圧を印加するタイミングを制御する。
【００６８】
工程ＳＴ２２ｂにおいて、基板Ｗの反り状態が、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）であると特定されると、工程ＳＴ２２ｃに移行する。
【００６９】
工程ＳＴ２２ｂにおいて、基板Ｗの反り状態が、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）ではなく且つ平坦ではない、という反り状態であると特定されると、工程ＳＴ２２ｄに移行する。工程ＳＴ２２ｅにおいて、基板Ｗが平坦であると特定されると、工程ＳＴ２２ｅに移行する。
【００７０】
工程ＳＴ２２ｃについて説明する。工程ＳＴ２２ｂにおいて、基板Ｗの反り状態が、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）であると特定された場合に、工程ＳＴ２２ｃでは、工程ＳＴｃ１が実行され、工程ＳＴｃ１に引き続き工程ＳＴｃ２が実行される。
【００７１】
工程ＳＴｃ１は、表面１４ｓの中央にある電極１４ｅに最初に直流電圧を印加する。
【００７２】
工程ＳＴｃ２は、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅに隣接する一又は複数の電極１４ｅのうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに直流電圧を印加する処理（工程ＳＴｃ２１）を繰り返す。この処理は、全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されるまで工程ＳＴｃ２２を実行することによって繰り返される。
【００７３】
工程ＳＴｃ２１では、複数の電極１４ｅ毎に距離Ｌｇａｐが測定システムＤＴＣを用いて測定され、この測定された距離Ｌｇａｐが直流電圧の印加対象の電極１４ｅの選定に用いられる。
【００７４】
工程ＳＴｃ２２において、静電チャック１４の全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されていない（直流電圧が未印加の電極１４ｅが存在する）と判定された場合には（工程ＳＴｃ２２：ＮＯ）、工程ＳＴｃ２１が再度実行される。工程ＳＴｃ２２において、直流電圧が未印加の電極１４ｅが最後に残った一つのみである場合には、工程ＳＴｃ２１は行われない。この場合、当該最後に残った一の電極１４ｅに直流電圧が印加された後に全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されたと判定され（工程ＳＴｃ２２：ＹＥＳ）、基板保持方法ＭＴが終了される。
【００７５】
図６の（ｂ）を参照して、図７の流れ図に示す第２実施例に係る基板保持方法ＭＴの工程ＳＴ２２ｃについて、より具体的に説明する。図６の（ｂ）に示す基板Ｗは、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）を有している。まず、状態Ｋｂ１では、基板Ｗが静電チャック１４の表面１４ｓ上に載置される。
【００７６】
状態Ｋｂ１に引き続く状態Ｋｂ２では、工程ＳＴｃ１が実行され、表面１４ｓの中央にある電極１４ｅ３に最初に直流電圧が印加される。
【００７７】
状態Ｋｂ２に引き続く状態Ｋｂ３では、工程ＳＴｃ２１が実行される。状態Ｋｂ３の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ３に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ２、電極１４ｅ４）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ２に直流電圧が印加される。
【００７８】
状態Ｋｂ３に引き続く状態Ｋｂ４では、工程ＳＴｃ２１が再度実行される。状態Ｋｂ４の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ２、電極１４ｅ３に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ１、電極１４ｅ４）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ４に直流電圧が印加される。
【００７９】
状態Ｋｂ４に引き続く状態Ｋｂ５では、工程ＳＴｃ２１が再度実行される。状態Ｋｂ５の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ２、電極１４ｅ３、電極１４ｅ４に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ１、電極１４ｅ５）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ１に直流電圧が印加される。
【００８０】
状態Ｋｂ５に引き続く状態Ｋｂ６では、直流電圧が印加されていない最後に残った電極１４ｅ５に直流電圧が更に印加される。
【００８１】
工程ＳＴ２２ｃによれば、基板Ｗの反り状態が基板Ｗの中央から外縁に向けて距離Ｌｇａｐが増加する反り状態であると特定された場合、まず裏面ＷＲの中央が静電チャック１４に吸着され、その後順次当該中央から静電チャック１４に吸着が行われる。従って、基板Ｗの静電チャック１４への吸着が安定して行え得る。
【００８２】
工程ＳＴ２２ｄについて説明する。工程ＳＴ２２ｂにおいて、基板Ｗの反り状態が、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）ではなく且つ平坦ではない、という反り状態であると特定され得る。この場合に、工程ＳＴ２２ｄでは、工程ＳＴｄ１が実行され、工程ＳＴｄ１に引き続き工程ＳＴｄ２が実行される。工程ＳＴｄ１は、複数の電極１４ｅのうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに最初に直流電圧を印加する。
【００８３】
工程ＳＴｄ２は、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅに隣接する一又は複数の電極１４ｅのうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに直流電圧を印加する処理（工程ＳＴｄ２１）を繰り返す。この処理は、全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されるまで工程ＳＴｄ２２を実行することによって繰り返される。
【００８４】
工程ＳＴｄ２１では、複数の電極１４ｅ毎に距離Ｌｇａｐが測定システムＤＴＣを用いて測定され、この測定された距離Ｌｇａｐが直流電圧の印加対象の電極１４ｅの選定に用いられる。
【００８５】
工程ＳＴｄ２２において、静電チャック１４の全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されていない（直流電圧が未印加の電極１４ｅが存在する）と判定された場合には（工程ＳＴｄ２２：ＮＯ）、工程ＳＴｄ２１が再度実行される。工程ＳＴｄ２２において、直流電圧が未印加の電極１４ｅが最後に残った一つのみとなっている場合があり得る。この場合、工程ＳＴｄ２１は行われず、当該最後に残った一の電極１４ｅに直流電圧が印加された後に全ての電極１４ｅに直流電圧が印加されたと判定され（工程ＳＴｄ２２：ＹＥＳ）、基板保持方法ＭＴが終了される。
【００８６】
図６の（ｃ）を参照して、図７の流れ図に示す第２実施例に係る基板保持方法ＭＴの工程ＳＴ２２ｄについて、より具体的に説明する。図６の（ｃ）に示す基板Ｗは、基板Ｗの中央から基板Ｗの外縁に向けて増加する反り状態（反り状態ＷＳ）ではなく且つ平坦ではない、という反り状態を有している。まず、状態Ｋｃ１では、基板Ｗが静電チャック１４の表面１４ｓ上に載置される。
【００８７】
状態Ｋｃ１に引き続く状態Ｋｃ２では、工程ＳＴｄ１が実行され、複数の電極１４ｅのうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅ５に最初に直流電圧が印加される。
【００８８】
状態Ｋｃ２に引き続く状態Ｋｃ３では、工程ＳＴｄ２１が実行される。状態Ｋｃ３の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ５に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ４）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに直流電圧が印加される。図６の（ｃ）において、状態Ｋｃ２の後に直流電圧の印加対象となる電極１４ｅは電極１４ｅ４のみである。
【００８９】
状態Ｋｃ３に引き続く状態Ｋｃ４では、工程ＳＴｄ２１が再度実行される。状態Ｋｃ４の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ５、電極１４ｅ４に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ３）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに直流電圧が印加される。図６の（ｃ）において、状態Ｋｃ３の後に直流電圧の印加対象となる電極１４ｅは電極１４ｅ３のみである。
【００９０】
状態Ｋｃ４に引き続く状態Ｋｃ５では、工程ＳＴｄ２１が再度実行される。状態Ｋｃ５の開始時点で、直流電圧が既に印加されている電極１４ｅ５、電極１４ｅ４、電極１４ｅ３に隣接する一又は複数の電極１４ｅ（電極１４ｅ２）のうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに直流電圧が印加される。図６の（ｃ）において、状態Ｋｃ４の後に直流電圧の印加対象となる電極１４ｅは電極１４ｅ２のみである。状態Ｋｃ５に引き続く状態Ｋｃ６では、直流電圧が印加されていない最後に残った電極１４ｅ１に直流電圧が更に印加される。
【００９１】
工程ＳＴ２２ｄによれば、基板Ｗの反り状態が、基板Ｗの中央から外縁に向けて距離Ｌｇａｐが増加する反り状態ではなく、且つ、平坦ではない、という反り状態であると特定され得る。この場合には、まず、複数の電極１４ｅのうち距離Ｌｇａｐが最も長い電極１４ｅに最初に静電チャック１４が吸着され、その後、吸着された箇所の周囲から静電チャック１４に吸着が順次行われるので、基板Ｗの静電チャック１４への吸着が安定して行い得る。
【００９２】
工程ＳＴ２２ｅについて説明する。工程ＳＴ２２ｂにおいて、基板Ｗが、平坦であり、反りが生じていな状態であると特定された場合に、工程ＳＴ２２ｅが実行される。工程ＳＴ２２ｅは、静電チャック１４に設けられた全ての電極１４ｅに同時に直流電圧を印加する。
【００９３】
上記したように、第２実施例では、基板Ｗの反り状態に応じて、電極１４ｅに直流電圧を印加するタイミングを制御するので、基板Ｗの反り状態毎に、基板Ｗと静電チャック１４との密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板Ｗが静電チャック１４に良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。更に、このように比較的に高い密着性の下で処理された基板Ｗには、比較的に高い面内均一性が実現され得る。
【００９４】
（第３実施例）
図８を参照して、第３実施例に係る基板保持方法ＭＴを説明する。制御装置ＣＮＴは、図８の流れ図に示す第３実施例に係る基板保持方法ＭＴを実行する。第３実施例において、制御装置ＣＮＴは工程ＳＴ２において複数の電極１４ｅに対する直流電圧の印加順序を規定した複数の印加シーケンスＳＱのうち基板Ｗと静電チャック１４との密着性が最も高い一の印加シーケンスＳＱを距離Ｌｇａｐに基づいて選定する。制御装置ＣＮＴは、選定した印加シーケンスＳＱを用いて、直流電圧を電極１４ｅに印加するタイミングを制御する。複数の印加シーケンスＳＱのそれぞれは、予め作製されており、相互に区別し得るような例えば識別記号が付与されている。
【００９５】
工程ＳＴ１に引き続く図８に示す工程ＳＴ２は、工程ＳＴ２３ａ、工程ＳＴ２３ｂ、工程ＳＴ２３ｃ、工程ＳＴ２３ｄを備える。工程ＳＴ１に引き続く工程ＳＴ２３ａは、制御装置ＣＮＴの記憶装置ＭＥに格納された複数の印加シーケンスＳＱのうち、工程ＳＴ２において未だ実行されていない一又は複数の印加シーケンスＳＱのうち一の印加シーケンスＳＱを選定する。工程ＳＴ２３ａは、当該選定した印加シーケンスＳＱを用いて、電極１４ｅに直流電圧を印加するタイミングを制御する。工程ＳＴ２３ａによって、基板Ｗは静電チャック１４に吸着された状態となる。
【００９６】
工程ＳＴ２３ａに引き続く工程ＳＴ２３ｂは、工程ＳＴ２３ａによって基板Ｗが静電チャック１４に吸着された状態において、基板Ｗと静電チャック１４との間の距離Ｌｇａｐを測定する。より具体的に、工程ＳＴ２３ｂは、測定システムＤＴＣを用いて、静電チャック１４に設けられた全ての電極１４ｅに対し、基板Ｗの裏面ＷＲと静電チャック１４の表面１４ｓとの間の距離Ｌｇａｐを測定する。
【００９７】
工程ＳＴ２３ｂは、測定した距離Ｌｇａｐから基板Ｗと静電チャック１４との密着性を示す数値を算出し、当該算出した密着性を示す数値を印加シーケンスＳＱの識別番号と共に、制御装置ＣＮＴのメモリに格納する。
【００９８】
工程ＳＴ２３ｂに引き続く工程ＳＴ２３ｃは、未だ実行されていない印加シーケンスＳＱの有無を判定する。工程ＳＴ２３ｃにおいて、未だ実行されていない印加シーケンスＳＱがあると判定された場合には（工程ＳＴ２３ｃ：ＮＯ）、工程ＳＴ２３ａ、工程ＳＴ２３ｂを再度実行する。
【００９９】
工程ＳＴ２３ｃにおいて、未だ実行されていない印加シーケンスＳＱが無い（換言すれば、記憶装置ＭＥに格納された全ての印加シーケンスＳＱが実行された）と判定された場合には（工程ＳＴ２３ｃ：ＹＥＳ）、工程ＳＴ２３ｄに移行する。
【０１００】
工程ＳＴ２３ｄは、印加シーケンスＳＱ毎にメモリに格納された密着性を示す複数の数値のなかから、最も高い数値の印加シーケンスＳＱを選定し、当該選定した印加シーケンスＳＱを用いて、電極１４ｅに直流電圧を印加するタイミングを制御する。
【０１０１】
上記したように、第３実施例では、複数の電極１４ｅに対する直流電圧の印加順序を規定しており予め作製された複数の印加シーケンスＳＱのうち、基板Ｗと静電チャック１４との密着性の高い印加シーケンスＳＱを選定する。第３実施例では、当該選定した印加シーケンスＳＱを用いて、電極１４ｅに直流電圧を印加するタイミングを制御する。このため、基板Ｗと静電チャック１４との密着性が良好となる態様で直流電圧が印加され得る。従って、基板Ｗが静電チャック１４に良好に密着し得ることとなり、高い密着性が実現され得る。更に、このように比較的に高い密着性の下で処理された基板Ｗには、比較的に高い面内均一性が実現され得る。
【０１０２】
上記した実施形態において、基板Ｗと静電チャック１４との密着性の評価（密着性を示す数値）は、様々な方法によって得られる。例えば、距離Ｌｇａｐを用いて当該密着性を示す値を得ることができる。この場合、当該密着性を示す値としては、全ての電極１４ｅについて測定された距離Ｌｇａｐの値のバラつき（例えば標準偏差）であり得る。また、基板Ｗの温度を用いて当該密着性を示す値を得ることができる。この場合、当該密着性を示す値としては、全ての電極１４ｅについて測定された基板Ｗの温度のバラつき（例えば標準偏差）であり得る。また、基板Ｗに対し実際にプロセス処理を行った結果を用いて当該密着性を示す値を得ることができる。プロセス処理がエッチング処理の場合、エッチングレートのバラつき（例えば標準偏差）であり得る。プロセス処理が成膜処理の場合、成膜された膜の膜厚のバラつき（例えば標準偏差）、または、膜質の評価値、であり得る。いずれの方法を用いても、密着性が高いほど、密着性を示す値のバラつきが低くなる。
【０１０３】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置及び詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲及びその精神の範囲から来る全ての修正及び変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【０１０４】
１…基板処理装置、１０…支持台、１２…基台、１２ｐ…流路、１４…静電チャック、１４ｅ…電極、１４ｅ１…電極、１４ｅ２…電極、１４ｅ３…電極、１４ｅ４…電極、１４ｅ５…電極、１４ｍ…本体、１４ｓ…表面、１８…チャンバ、１８ｓ…内部空間、２２…ガス供給部、２４…排気装置、２６…プラズマ生成部、ＣＮＴ…制御装置、ＤＣＰ…直流電源、ＤＴＣ…測定システム、ＥＲ…領域、ＥＲＷ…領域、ＭＥ…記憶装置、ＭＴ…基板保持方法、ＳＱ…印加シーケンス、Ｗ…基板、ＷＲ…裏面。
【図１】
2019186433.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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