(57)【要約】【課題】簡易な構成で熱抵抗測定の高精度化を図る。【解決手段】実施形態にかかる熱抵抗測定装置は、制御端子としての第１端子並びに第２端子及び第３端子を備え、第２端子と第３端子間に第１端子の制御状態に応じた電流を双方向に流すことが可能な半導体素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置であって、第２端子から第３端子に向けて電流が流れている状態における第２端子−前記第３端子間の電圧と半導体素子のジャンクション温度との関係を予め記憶したテーブルと、第２端子から第３端子に向けて流れる加熱用電流により半導体素子を加熱し、加熱の前後において第３端子から第２端子に向けて計測用電流が流れている状態で第２端子−第３端子間の電圧を測定する電圧測定部と、電圧測定部で測定した加熱前後の電圧差及びテーブルに基づいて半導体素子の熱抵抗値を算出する熱抵抗算出部と、を備える。【選択図】図１
2019052855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子としての第１端子並びに第２端子及び第３端子を備え、前記第２端子と前記第３端子間に前記第１端子の制御状態に応じた電流を双方向に流すことが可能な半導体素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置であって、
前記第２端子から前記第３端子に向けて電流が流れている状態における前記第２端子−前記第３端子間の電圧と前記半導体素子のジャンクション温度との関係を予め記憶したテーブルと、
前記第２端子から前記第３端子に向けて流れる加熱用電流により前記半導体素子を加熱し、前記加熱の前後において前記第３端子から前記第２端子に向けて計測用電流が流れている状態で前記第２端子−前記第３端子間の電圧を測定する電圧測定部と、
前記電圧測定部で測定した前記加熱前後の電圧差及び前記テーブルに基づいて前記半導体素子の熱抵抗値を算出する熱抵抗算出部と、
を備えた熱抵抗測定装置。
【請求項２】
前記計測用電流を流すための第１定電流回路と、
前記加熱用電流を流すための第２定電流回路と、
前記温度計測電流及び前記加熱用電流が流れている状態で前記第１端子−前記第３端子間の電圧を測定する第２の電圧測定回路と、
前記第２の電圧測定回路により測定された電圧、前記計測用電流の電流値及び前記加熱用電流の電流値に基づいて、前記半導体素子の消費電力を算出する消費電力算出部と、を備え、
前記熱抵抗算出部は、前記消費電力に基づいて前記半導体素子の熱抵抗値を算出する、
請求項１記載の熱抵抗測定装置。
【請求項３】
前記第１端子にカソードが接続され、前記第３端子にアノードが接続されて、前記第１端子の印加電圧が所定電圧を超えないようにする端子保護ダイオードを備えた、
請求項１又は請求項２記載の熱抵抗装置。
【請求項４】
前記半導体素子は、ＧａＮ半導体素子であり、
前記第１端子は、ゲート端子、
前記第２端子は、ドレイン端子、
前記第３端子は、ソース端子である、
請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載の熱抵抗測定装置。
【請求項５】
制御端子としての第１端子並びに第２端子及び第３端子を備え、前記第２端子と前記第３端子間に前記第１端子の制御状態に応じた電流を双方向に流すことが可能な半導体素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置で実行される熱抵抗測定方法あって、
前記熱抵抗測定装置は、前記第２端子から前記第３端子に向けて電流が流れている状態における前記第２端子−前記第３端子間の電圧と前記半導体素子のジャンクション温度との関係を予め記憶したテーブルを備え、
前記第２端子から前記第３端子に向けて流れる加熱用電流により前記半導体素子を加熱し、前記加熱の前後において前記第３端子から前記第２端子に向けて計測用電流のみが流れている状態で前記第２端子−前記第３端子間の電圧を測定する電圧測定過程と、
前記電圧測定過程において測定した前記加熱前後の電圧差を算出する電圧差算出過程と、
前記電圧差及び前記テーブルに基づいて前記半導体素子の熱抵抗値を算出する熱抵抗算出過程と、
を備えた熱抵抗測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、熱抵抗測定装置及び熱抵抗測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の放熱能力を測定するために熱抵抗測定が行われていた。
例えば、半導体素子としてＭＯＳＦＥＴの熱抵抗を測定するに際して、当該ＭＯＳＦＥＴの消費電力が一定となるようにゲート電圧を制御し、ゲート電圧閾値の温度特性を利用して熱抵抗を測定するΔＶｇｓ法及びＭＯＳＦＥＴのゲート電圧を一定に制御し、ＭＯＳＦＥＴのオン抵抗の温度特性を利用して熱抵抗を測定するΔＶｄｓ法が用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２２１９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したΔＶｇｓ法及びΔＶｄｓ法を用いて熱抵抗測定を行う場合、ΔＶｇｓ法による素子加熱前後の素子温度計測電流と、ΔＶｄｓ法による素子加熱のための加熱電流と、はいずれも正極性であり、同一方向に電流が流れるため、素子の加熱直後に電流が発振等により収束しない場合には、いずれの電流であるかの判定が困難となる。
このため収束を待つために加熱してから計測に至るまでの時間を長くとる必要があり、素子の冷却が進んでしまい、測定しようとした素子温度と実際の素子温度とが乖離し、誤差が発生する虞があった。
そこで、本発明は、簡易な構成で熱抵抗測定の高精度化を図ることが可能な熱抵抗測定装置及び熱抵抗測定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態にかかる熱抵抗測定装置は、制御端子としての第１端子並びに第２端子及び第３端子を備え、前記第２端子と前記第３端子間に前記第１端子の制御状態に応じた電流を双方向に流すことが可能な半導体素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置であって、第２端子から第３端子に向けて電流が流れている状態における第２端子−前記第３端子間の電圧と半導体素子のジャンクション温度との関係を予め記憶したテーブルと、第２端子から第３端子に向けて流れる加熱用電流により半導体素子を加熱し、加熱の前後において第３端子から第２端子に向けて計測用電流が流れている状態で第２端子−第３端子間の電圧を測定する電圧測定部と、電圧測定部で測定した加熱前後の電圧差及びテーブルに基づいて半導体素子の熱抵抗値を算出する熱抵抗算出部と、を備える。
上記構成によれば、加熱用電流と計測用電流とを容易に識別できるため、加熱してから計測に至るまでの時間を短くすることができ、熱抵抗測定の高精度化を図ることができる。
【０００６】
また実施形態に係る熱抵抗測定装置において、計測用電流を流すための第１定電流回路と、加熱用電流を流すための第２定電流回路と、温度計測電流及び前記加熱用電流が流れている状態で第１端子−第３端子間の電圧を測定する第２の電圧測定回路と、第２の電圧測定回路により測定された電圧、計測用電流の電流値及び加熱用電流の電流値に基づいて、半導体素子の消費電力を算出する消費電力算出部と、を備え、熱抵抗算出部は、消費電力に基づいて半導体素子の熱抵抗値を算出するようにしてもよい。
上記構成によれば、簡易な構成で熱抵抗測定の高精度化を図ることができる。
【０００７】
また、実施形態に係る熱抵抗測定装置において、第１端子にカソードが接続され、第３端子にアノードが接続されて、第１端子の印加電圧が所定電圧を超えないようにする端子保護ダイオードを備えるようにしてもよい。
上記構成によれば、熱抵抗測定対象の半導体素子を確実に保護しつつ、熱抵抗測定の高精度化を図ることができる。
また、実施形態に係る熱抵抗測定装置において、半導体素子は、ＧａＮ半導体素子であり、第１端子は、ゲート端子、第２端子は、ドレイン端子、第３端子は、ソース端子であるようにしてもよい。
上記構成によれば、ボディダイオード（寄生ダイオード）を有しないＧａＮ半導体素子においても、簡易な構成で熱抵抗測定の高精度化を図ることができる。
【０００８】
本発明の実施形態にかかる熱抵抗測定方法は、制御端子としての第１端子並びに第２端子及び第３端子を備え、第２端子と第３端子間に第１端子の制御状態に応じた電流を双方向に流すことが可能な半導体素子の熱抵抗を測定する熱抵抗測定装置で実行される熱抵抗測定方法あって、熱抵抗測定装置は、前記第２端子から前記第３端子に向けて電流が流れている状態における前記第２端子−前記第３端子間の電圧と前記半導体素子のジャンクション温度との関係を予め記憶したテーブルを備え、第２端子から第３端子に向けて流れる加熱用電流により半導体素子を加熱し、加熱の前後において第３端子から第２端子に向けて計測用電流のみが流れている状態で第２端子−第３端子間の電圧を測定する電圧測定過程と、電圧測定過程において測定した加熱前後の電圧差を算出する電圧差算出過程と、電圧差及びテーブルに基づいて半導体素子の熱抵抗値を算出する熱抵抗算出過程と、を備える。
上記構成によれば、加熱用電流と計測用電流とを容易に識別できるため、加熱してから計測に至るまでの時間を短くすることができ、熱抵抗測定の高精度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
【図２】図２は、実施形態の熱抵抗測定動作処理フローチャートである。
【図３】図３は、実施形態の熱抵抗測定動作の説明図である。
【図４】図４は、規格化したドレイン−ソース間電圧とジャンクション温度との関係説明図である。
【図５】図５は、第２実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
【図６】図６は、第３実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用、結果、および効果は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能であるとともに、基本的な構成に基づく種々の効果や、派生的な効果のうちの少なくとも一つを得ることが可能である。
【００１１】
まず実施形態の説明に先立ち、実施形態の原理について説明する。
窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いた半導体素子としてのＧａＮトランジスタの熱抵抗を測定するに際し、出願人らは、ＧａＮトランジスタのドレイン端子とソース端子間に負バイアスを印加したソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄとソース端子からドレイン端子に向かって流れるソース−ドレイン間電流Ｉｓｄとの関係に温度依存性があることを見いだした。
【００１２】
そこで、実施形態においては、ＧａＮトランジスタの加熱用の電流は、正バイアスを印加することによりドレイン端子側からソース端子側に流すとともに、熱抵抗測定時の測定用電流を流す際には負バイアスを印加することによりソース端子側からドレイン端子側に流すことで、加熱用電流と測定用電流とを容易に識別でき、測定精度を向上することができるようにしている。
【００１３】
［１］第１実施形態
図１は、第１実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
図１においては、熱抵抗測定対象の半導体素子としてＧａＮトランジスタＴＲの場合を一例として説明する。
図１において、熱抵抗測定対象の半導体素子としてＧａＮトランジスタＴＲは、第１端子Ｔ１（＝ゲート端子ｇ）と、第２端子Ｔ２（＝ドレイン端子ｄ）と、第３端子Ｔ３（＝ソース端子ｓ）とを備えている。
【００１４】
第１実施形態の熱抵抗測定装置１０は、一端に熱抵抗測定対象の半導体素子であるＧａＮトランジスタＴＲの第２端子Ｔ２が接続され、他端が接地された計測電流用定電流源１１と、ＧａＮトランジスタＴＲに加熱用電力を供給する加熱用電源１２と、一端が第２端子Ｔ２に接続され、他端が加熱用電源１２に接続され加熱用電源１２をＧａＮトランジスタＴＲに接続する加熱用スイッチ１３と、アノードがＧａＮトランジスタＴＲの第２端子Ｔ２に接続され、カソードがＧａＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１に接続された逆流防止用ダイオード１４と、一端が逆流防止用ダイオード１４のアノードに接続され、他端が接地されたバイアス電圧印加用のバイアス抵抗１５と、一端が第３端子Ｔ３に接続され、他端が接地された加熱電流用定電流源１６と、第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３との間の電圧であるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを測定するゲート−ソース間電圧測定器１７と、第２端子Ｔ２と第３端子Ｔ３との間の電圧であるドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓを測定するドレイン−ソース間電圧測定器１８と、を備えている。
【００１５】
次に第１実施形態における熱抵抗測定動作について説明する。
図２は、実施形態の熱抵抗測定動作処理フローチャートである。
図３は、実施形態の熱抵抗測定動作の説明図である。
【００１６】
熱抵抗測定を行うに際しては、まず、熱抵抗測定装置１０は、第１フェーズＰＨ１（＝時刻ｔ０〜時時刻ｔ１）において計測スタンバイ状態となる（ステップＳ１１）。
具体的には、図３における時刻ｔ０〜時刻ｔ１の期間である第１フェーズＰＨ１においては、加熱用電源１２を起動し、一定の加熱用電圧を印加できるように調整を行う。
【００１７】
この場合において、ＧａＮトランジスタＴＲの熱抵抗測定時に第３端子Ｔ３から第２端子へ流れる電流に対する第３端子Ｔ３−第２端子間電圧の温度特性及び温度係数、すなわち、ソース−ドレイン間電流Ｉｓｄに対するソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄの温度特性及びその温度係数Ｋ（Ｋファクタ）は予め取得されているものとする。
【００１８】
続いて熱抵抗測定装置１０は、第２フェーズＰＨ２（＝時刻ｔ１〜時時刻ｔ２）においては、計測電流用定電流源１１を用いて、ＧａＮトランジスタＴＲの第３端子Ｔ３から第２端子Ｔ２方向へ、すなわち、ＧａＮトランジスタＴＲのソース端子ｓからドレイン端子ｄ方向へ計測用電流Ｉｍを流す。
【００１９】
そして計測用電流Ｉｍを流し始めてから計測用電流Ｉの電流量が安定な状態となる所定の時間Δｔ１が経過すると、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓをドレイン−ソース間電圧測定器１８により測定する（ステップＳ１２）。
【００２０】
図４は、規格化したドレイン−ソース間電圧とジャンクション温度との関係説明図である。
測定したドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓを電圧Ｖｍ１とする。
この時のドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓとジャンクション温度との関係は図４に示すようになっている。
そしてドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓを計測した後も、計測用電流Ｉｍを流し続けておく。
【００２１】
ここで、計測用電流Ｉmの電流量は、半導体素子であるＧaＮトランジスタＴＲが加熱されることがない、すなわち、ＧaＮトランジスタＴＲの温度が変化することはないような微小電流に設定されている。
【００２２】
さらに熱抵抗測定装置１０は、第３フェーズＰＨ３（＝時刻ｔ２〜時時刻ｔ３）においては、加熱用スイッチ１３がオン状態（閉状態）とされる。
これにより、ＧaＮトランジスタＴＲの第２端子Ｔ２、すなわち、ドレイン端子dに所定電圧ＶＨが印加される。
【００２３】
この結果、逆流防止用ダイオード１４を介して、ＧaＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１、すなわち、ゲート端子gに電圧ＶＨから逆流防止用ダイオードの順方向電圧Ｖfを差し引いた電圧ＶＨ−Ｖfが印加される。
そして、ＧaＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１に印加される電圧が、ＧaＮトランジスタＴＲの閾値電圧以上となると、ＧaＮトランジスタＴＲがオン状態（閉状態）となる。
【００２４】
このとき、ＧaＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１と第３端子Ｔ３との間の電圧、すなわち、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓをゲート−ソース間電圧測定器１７により測定する（ステップＳ１３）。
【００２５】
このゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの測定時には、加熱用電流ＩＨがドレイン端子dからソース端子s側に向かって流れており、かつ、ソース端子sからドレイン端子d側に向かって計測用電流Ｉｍが流れているため、実効的には、第２端子Ｔ２であるドレイン端子dから第３端子Ｔ３であるソース端子sに流れる最大電流は、それらの電流の差分であるＩＨ−Ｉｍとなる。
【００２６】
したがって、ＧaＮトランジスタＴＲにおける消費電力ＰＷは、次式により求める（ステップＳ１４）。
ＰＷ＝ＶＨ・（ＩＨ−Ｉｍ）
【００２７】
さらに熱抵抗測定装置１０は、第４フェーズＰＨ４（＝時刻ｔ３〜時時刻ｔ４）においては、加熱用スイッチ１３がオフ状態（開状態）とされる。
この結果、ＧaＮトランジスタＴＲへの加熱用電源１２による電圧印加は遮断されるので第１端子Ｔ１、すなわち、ゲート端子gの電位は、バイアス抵抗１５を介して接地レベルとなり、ＧaＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１に印加される電圧が、ＧaＮトランジスタＴＲの閾値電圧未満となると、ＧaＮトランジスタＴＲがオフ状態（開状態）となる。
【００２８】
そして、第２端子Ｔ２から第３端子Ｔ３に流れる電流は、計測用電流Ｉｍに収束してゆくこととなる。
その後、加熱を停止することによる温度低下が無視できる（所定範囲内）とともに、計測用電流Ｉｍの電流量が安定な状態とみなせる所定の時間Δｔ２が経過すると、ドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓをドレイン−ソース間電圧測定器１８により測定する。測定したドレイン−ソース間電圧Ｖｄｓを電圧Ｖｍ２とする（ステップＳ１５）。
【００２９】
このときＧａＮトランジスタＴＲのジャンクション温度は、加熱用電流ＩＨにより上昇しているため、
Ｖｍ１≠Ｖｍ２    （∴｜Ｖｍ１−Ｖｍ２｜≠０）
となっている。
【００３０】
そこで、電圧Ｖｍ１と電圧Ｖｍ２との差である電圧差ΔＶｍを次式により算出する（ステップＳ１６）。
ΔＶｍ＝Ｖｍ１−Ｖｍ２
【００３１】
これにより、差電圧ΔＶｍ及び温度係数Ｋ（Ｋファクタ）に基づいて、加熱前のＧａＮトランジスタＴＲのジャンクション温度（Ｔｊ１）と加熱後のＧａＮトランジスタＴＲのジャンクション温度（Ｔｊ２）との差であるジャンクション温度差ΔＴｊを次式により算出する（ステップＳ１７）。
ΔＴｊ＝Ｔｊ１−Ｔｊ２
【００３２】
そしてジャンクション温度差ΔＴｊ及び消費電力ＰＷに基づいて次式によりＧａＮトランジスタＴＲの熱抵抗ＲＴを算出する（ステップＳ１８）。
ＲＴ＝ΔＴｊ／ＰＷ
【００３３】
そして熱抵抗測定装置１０は、第５フェーズＰＨ５（＝時刻ｔ４〜時時刻ｔ５）においては、待機状態となり、ＧaＮトランジスタＴＲは放熱により徐々に冷却され、第２端子Ｔ２から第３端子Ｔ３との間の電圧であるドレイン−ソース電圧Ｖdsは徐々に電圧Ｖm１へと収束していくこととなる（ステップＳ１９）。
【００３４】
そして熱抵抗測定装置１０は、第６フェーズＰＨ６（＝時刻ｔ５〜時時刻ｔ６）おいては、加熱用電源１２はオフされ（ステップＳ２０）、熱抵抗測定が終了する。
【００３５】
以上の説明のように、本第１実施形態によれば、半導体装置の加熱前後の温度測定（Ｖｄｓ法）に用いる計測用電流Ｉｍは、ソース端子ｓからドレイン端子ｄ側に流れ、加熱用電流ＩＨは、ドレイン端子ｄからソース端子ｓ側に流れるので、計測用電流Ｉｍであるのか加熱用電流ＩＨであるのかを容易に判別することができ、加熱後の半導体装置の温度を所望の温度範囲内でジャンクション温度を測定することができ、熱抵抗測定の高精度化を図ることが可能となる。
また、従来の半導体装置の構成に加えて、定電流源（測定用定電流源及び加熱用定電流源）及び加熱用スイッチを設けるだけの簡易な構成とすることができる。
【００３６】
［２］第２実施形態
図５は、第２実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
図５において、第２実施形態の熱抵抗測定装置１０Ａが図１の第１実施形態の熱抵抗測定装置１０と異なる点は、逆流防止用ダイオード１４のアノードとバイアス抵抗１５との接続点にカソードが接続され、アノードが接地されたゲート保護ダイオード（ツェナーダイオード）２１が接続されている点である。
半導体素子としてのＧａＮトランジスタＴＲを、シリコン（Ｓｉ）をベースとしたＭＯＳＦＥＴと比較した場合にゲート端子ｇの耐圧（ゲート耐圧）が低いことが知られている。
【００３７】
そのため、第１端子Ｔ１であるゲート端子ｇを保護するために保護電圧以上の電圧がゲート端子ｇに印加された場合には、ゲート保護ダイオード（ツェナーダイオード）２１は、ＧａＮトランジスタＴＲのゲート端子ｇの電圧を一定に保つ（ツェナー電圧に保つ）ように動作する。
【００３８】
したがって、本第２実施形態によれば、ＧａＮトランジスタＴＲの第１端子Ｔ１であるゲート端子ｇを確実に保護することができる。
【００３９】
［３］第３実施形態
図６は、第３実施形態の熱抵抗測定装置の概要構成説明図である。
図６において、第３実施形態の熱抵抗測定装置１０Ｂが図１の第１実施形態の熱抵抗測定装置１０と異なる点は、計測電流用定電流源１１、加熱用電源１２、加熱用スイッチ１３及び加熱電流用定電流源１６を制御するとともに、ゲート−ソース間電圧測定器１７及びドレイン−ソース間電圧測定器１８からの測定結果を受け取って熱抵抗測定処理を行うコントローラ２２を備えた点である。
【００４０】
本構成によれば、上記第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、上記第１実施形態で説明した熱抵抗測定における一連の動作を自動的に行うことができる。
したがって、簡易な構成で高精度に、かつ、自動的に熱抵抗測定を行うことができる。
【００４１】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、以上の説明においては、半導体素子として、ＧａＮトランジスタについて説明したが、ＳｉＣトランジスタ等の他の半導体素子に対しても同様に適用が可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１０、１０Ａ、１０Ｂ…熱抵抗測定装置、１１…計測電流用定電流源、１２…加熱用電源、１３…加熱用スイッチ、１４…逆流防止用ダイオード、１５…バイアス抵抗、１６…加熱電流用定電流源、１７…ゲート−ソース間電圧測定器（第２の電圧測定部）、１８…ドレイン−ソース間電圧測定器（電圧測定部）、２１…ゲート保護ダイオード、２２…コントローラ、Ｖｄｓ…ドレイン−ソース間電圧、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｉｍ…計測用電流、ＩＨ…加熱用電流、ＰＷ…消費電力、Ｔ１…第１端子（ゲート端子ｇ）、Ｔ２…第２端子（ドレイン端子ｄ）、Ｔ３…第３端子〜第３端子、ＴＲ…ＧａＮトランジスタ（半導体素子）、Ｖｍ１…電圧（加熱前ドレイン−ソース間電圧）、Ｖｍ２…電圧（加熱後ドレイン−ソース間電圧）  ΔＴｊ…ジャンクション温度差、ΔＶｍ…差電圧。
【図１】
2019052855.tif 000003
【図２】
2019052855.tif 000004
【図３】
2019052855.tif 000005
【図４】
2019052855.tif 000006
【図５】
2019052855.tif 000007
【図６】
2019052855.tif 000008