(57)【要約】【課題】型の除電性能と装置のスループットの両立の点で有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から前記型を引き離すことで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型の除電を行う除電部と、前記インプリント処理の回数と前記型の表面電位との関係を表す帯電特性に基づいて、前記除電部により前記型の除電を行うタイミングを決定する処理部とを備える。【選択図】  図１
2019096696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材と前記型とを引き離すことで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型の除電を行う除電部と、
前記インプリント処理の回数と前記型の表面電位との関係を表す帯電特性に基づいて、前記除電部により前記型の除電を行うタイミングを決定する処理部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型の表面電位を計測する計測部を更に備え、
前記処理部は、前記インプリント処理が行われる毎に前記計測部により前記型の表面電位を計測することと、該計測された表面電位が所定値を超えた場合は前記除電部により前記型の除電を行うこととを、第１基板の複数のショット領域で繰り返すことにより、前記帯電特性を取得する
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記取得された帯電特性に基づいて、前記第１基板における前記表面電位が前記所定値を超えた時のショット領域とショットレイアウトにおいて同じ位置の前記第１基板とは異なる第２基板のショット領域に対して前記インプリント処理が行われる時を、前記型の除電を行うタイミングとして決定することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記型の表面電位を計測する計測部を更に備え、
前記処理部は、前記インプリント処理が行われる毎に前記計測部により前記型の表面電位を計測することと、該計測された表面電位が所定値を超えた場合は前記除電部により前記型の除電を行うこととを、第１基板の複数のショット領域のうちの一部のショット領域において繰り返すことにより、前記一部のショット領域についての前記帯電特性を取得する
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記一部のショット領域は、前記複数のショット領域に対して予め定められたインプリント処理順における最初から所定数のショット領域であり、
前記処理部は、前記所定数のショット領域に対して前記インプリント処理が行われるときの前記帯電特性に基づいて、前記第１基板とは異なる第２基板に対して前記インプリント処理を行う際に前記表面電位が前記所定値を超えるショット領域を推定し、該推定されたショット領域に対して前記インプリント処理が行われる時を、前記型の除電を行うタイミングとして決定する
ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記一部のショット領域は、前記複数のショット領域に対して予め定められたインプリント処理順における所定数間隔のショット領域の集合であり、
前記処理部は、前記所定数間隔のショット領域の集合に対して前記インプリント処理が行われるときの前記帯電特性に基づいて、前記第１基板とは異なる第２基板に対して前記インプリント処理を行う際に前記表面電位が前記所定値を超えるショット領域を推定し、該推定されたショット領域に対して前記インプリント処理が行われる時を、前記型の除電を行うタイミングとして決定する
ことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記取得した帯電特性の情報を出力する出力部を備えることを特徴とする請求項２または４に記載のインプリント装置。
【請求項８】
基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材と前記型とを引き離すことで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型の除電を行う除電部と、
前記インプリント処理の回数と前記型の除電を行うタイミングとの関係に基づいて、前記型の除電を行うように前記除電部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記インプリント処理の回数に対する前記型の除電の頻度は、前記インプリント処理の累積回数に応じて変化する、ことを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記インプリント処理の回数と前記型の除電を行うタイミングとの関係は、前記インプリント処理の累積回数が増えると、前記インプリント処理の回数に対する前記型の除電の頻度が高くなる関係である、ことを特徴とする請求項８または９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
基板の上のインプリント材に型を接触させる接触工程と、
前記接触工程により前記基板の上の前記インプリント材に前記型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させる硬化工程と、
前記硬化したインプリント材と前記型とを引き離す離型工程と、
前記離型工程の回数と前記型の表面電位との関係を表す帯電特性に基づいて、前記型の除電を行うタイミングを決定する決定工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１２】
基板の上のインプリント材に型を接触させる接触工程と、
前記接触工程により前記基板の上の前記インプリント材に前記型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させる硬化工程と、
前記硬化したインプリント材と前記型とを引き離す離型工程と、
前記離型工程の回数と前記型の除電を行うタイミングとの関係に基づいて、前記型の除電を行う除電工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を有し、前記加工された基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は、基板の上のインプリント材と型とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことによって基板上にパターンを形成する。
【０００３】
硬化したインプリント材から型を引き離す際に、型が帯電する剥離帯電が起こりうる。これは、型に静電気が発生する現象である。型の材質は、石英ガラスなどの紫外線を透過させる誘電体であるため、一度帯電すると発生した静電気は消滅することなく帯電状態が維持される。
【０００４】
このような剥離帯電が起こると、周囲の異物（パーティクル）が型に引き寄せられて付着する。型に異物が付着した状態で型と基板上のインプリント材とを接触させてしまうと、形成されたパターンに欠陥が生じたり型が破損したりしうる。
【０００５】
特許文献１は、型の表面電位を計測し、計測された型の表面電位に応じて除電を行う技術が開示されている。ここでは、ショット毎に除電を行うのではなく、計測された型の表面電位が型に異物が付着している可能性が高いと考えられる値を超えた場合に型の除電を行うことで、スループットの低下を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２８６０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、引用文献１の技術では依然としてショット毎に型の表面電位を計測する必要があり、これがパターン転写におけるスループットを低下させる要因となっている。
【０００８】
本発明は、例えば、型の除電性能と装置のスループットの両立に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面によれば、基板の上のインプリント材に型を接触させた状態で該インプリント材を硬化させ、該硬化したインプリント材から前記型を引き離すことで前記基板の上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型の除電を行う除電部と、前記インプリント処理の回数と前記型の表面電位との関係を表す帯電特性に基づいて、前記除電部により前記型の除電を行うタイミングを決定する処理部とを備えることを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、例えば、型の除電性能と装置のスループットの両立に有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成を示す図。
【図２】実施形態における、第１基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャート。
【図３】実施形態における、第２基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャート。
【図４】実施形態における除電タイミングを決定する処理のフローチャート。
【図５】実施形態における、第１基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャート。
【図６】実施形態における除電タイミングを決定する処理のフローチャート。
【図７】型の表面電位が所定値を超えるまでのショット数を推定する処理を説明する図。
【図８】実施形態における、第１基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャート。
【図９】実施形態における除電タイミングを決定する処理のフローチャート。
【図１０】型の表面電位が所定値を超えるまでのショット数を推定する処理を説明する図。
【図１１】実施形態における除電タイミングテーブルのデータ構造例を示す図。
【図１２】実施形態における物品製造方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。なお、図面中、同一の部材、同一の処理ブロックには同一の参照符号を付し、それにより重複する説明は省略する。
【００１３】
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
【００１４】
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。
【００１５】
図１は、本実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す図である。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置を例示するが、熱硬化法を採用してもよい。また、以下の図においては、基板上のインプリント材に対して紫外線を照射する照明系の光軸と平行な方向にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内において互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸をとるものとする。
【００１６】
図１において、基板チャック２は、基板１を保持する。θステージ３及びＸＹステージ４を含む基板ステージは、基板チャック２を支持することで基板１を保持して移動する。ここで、θステージ３は、基板１のθ（Ｚ軸回りの回転）方向に関して位置を補正するもので、ＸＹステージ４上に配置される。ＸＹステージ４は、基板１をＸＹ方向の位置に関して位置決めを行うためのもので、リニアモータ１９により駆動される。ＸＹステージ４は、ベース定盤５上に載置される。リニアエンコーダ６は、ベース定盤５上に、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに取り付けられ、ＸＹステージ４の位置を計測する。支柱８は、ベース定盤５上に屹立し、天板９を支えている。
【００１７】
型１０を保持する型チャック１１は、インプリントヘッド１２によって保持されている。インプリントヘッド１２は、型チャック１１（すなわち型１０）のＺ位置の調整機能、及び、型１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。アクチュエータ１５は、型チャック１１に保持された型１０をＺ軸方向に駆動して、型１０のパターン部を基板１の上のインプリント材６０に対して接触させ又は引き離すことを行う。アクチュエータ１５は、例えばエアシリンダ又はリニアモータでありうる。
【００１８】
計測部７０は、型１０のパターン部における表面電位を計測する。計測部７０は、例えばＸＹステージ４に設置された表面電位センサでありうる。なお、このような表面電位センサは別の場所に取り付けられていてもかまわない。例えば、アームあるいはステー等を介して天板９に取り付けられていてもよい。
【００１９】
光源１６は、コリメータレンズ１７を通して、インプリント材６０を感光させるための紫外光を照射する。インプリント材供給装置であるディスペンサ１８は、基板１の表面にインプリント材６０を供給する。ビームスプリッタ２０は、光源１６の光路中に配置され、光源１６からの光の一部を撮像系２１に導く。撮像系２１は、型１０のインプリント材６０との接触状態を観察するために使用される。なお、型チャック１１及びインプリントヘッド１２は、光源１６から照射される光を型１０へと通過させる開口（不図示）をそれぞれ有する。
【００２０】
除電部３０は、型１０の除電を行う。除電部３０は例えば、インプリントヘッド１２に設けられた、除電用の気体を供給する気体供給ノズルを含みうる。除電用の気体は、電子に対する平均自由工程が空気よりも長い気体を含む必要がある。除電用の気体としては、具体的には、単原子分子である希ガスがよいが、特に、希ガスのうちでも最も長い平均自由工程を有するヘリウム（Ｈｅ）がよい。電界中に存在する電子は、電界によって陽極側に運ばれ、その途中で気体分子に衝突する。この際、電子が十分に加速されて気体の電離電圧以上のエネルギーを有して気体分子に衝突すると電離が起こり、電子−陽イオン対が生成される。ここで生成された電子も電界で加速され、気体分子を電離させる。このように、電離が次々に起こることで大量の電子−陽イオン対が生成される現象を電子雪崩と呼ぶ。電子に対する平均自由工程が長い気体は、加速中の電子が途中で気体分子に衝突せず、高エネルギー状態まで加速される。従って、電子に対する平均自由工程が長い気体は、空気と比べて、低い電界中でも電子雪崩が起こりやすく、型１０に大きな電圧が蓄積される前に除電することができる。
【００２１】
制御部８０は、インプリント装置１００の動作を統括的に制御する。制御部８０は、例えば、ＣＰＵ８１およびメモリ８２を含むコンピュータで構成されうる。そして、以下に示すように、制御部８０は、除電部３０により型１０の除電を行うタイミングを決定する処理部として機能しうる。
【００２２】
なお、除電部３０は、このようなヘリウムを供給するものに限定されず、他のタイプの除電部を使用してもよい。例えば、除電部３０は、軟Ｘ線を型１０に照射する、いわゆるイオナイザであってもよい。あるいは、除電部３０は、α線を型１０に照射する除電装置であってもよい。また、図１の例では、除電部３０はインプリントヘッド１２に取り付けらているが、別の場所、例えば、天板９やＸＹステージ４に設けられてもよい。
【００２３】
図２は、インプリント装置１００による、第１基板としての基板１に対するインプリント処理および型１０の除電処理のフローチャートである。なお、本明細書において、「第１基板」とは、１ロット内で最初に処理される基板、装置起動時に最初に処理される基板等、所定の処理単位において最初に処理される基板をいう。また、「第２基板」とは、第１基板とは異なる基板をいう。
【００２４】
まず、制御部８０は、ＸＹステージ４を制御して、基板１のショット領域がディスペンサ１８によるインプリント材の供給が行われる位置に来るように基板１を搬送する（Ｓ１）。次に、制御部８０は、ディスペンサ１８を制御して、基板１のショット領域にインプリント材を供給する（Ｓ２）。次に、制御部８０は、ＸＹステージ４を制御して、基板１のショット領域が型１０のパターン部の下に来るように基板１を搬送する。その後、制御部８０は、インプリントヘッド１２（アクチュエータ１５）を制御して、型チャック１１のＺ方向の高さと傾きを調整し、型１０のパターン部と基板１のショット領域との位置合わせを行う（Ｓ３）。
【００２５】
続いて、制御部８０は、インプリントヘッド１２（アクチュエータ１５）を制御して、型１０を下降させ基板１のショット領域上のインプリント材６０に接触させる（Ｓ４）。この接触により、インプリント材６０は型１０のパターン部に形成されている溝に充填される。型チャック１１又はインプリントヘッド１２には、複数のロードセル（不図示）が取り付けられており、制御部８０は、これらロードセルの値に基づいて、型１０のインプリント材６０への押し付け力が所定値となるように、インプリントヘッド１２を制御する。この制御より、型１０の押し付け力が調整される（Ｓ５，Ｓ６）。
【００２６】
型１０の押し付け力が調整された後、制御部８０は、光源１６に紫外光を発生させる（Ｓ７）。光源１６からの紫外光は、コリメータレンズ１７、ビームスプリッタ２０を介して型１０を通過し、インプリント材６０に入射する。こうして紫外線を照射されたインプリント材６０は硬化する。硬化したインプリント材６０には、型１０のパターンの反転パターンが形成されることになる。
【００２７】
紫外線の照射が開始されてからインプリント材６０の硬化が硬化するものとして予め定められた時間が経過した後、制御部８０は、インプリントヘッド１２を制御して型１０を上昇させ、硬化したインプリント材６０から型１０を引き離す（離型）（Ｓ８）。
【００２８】
ここまでが、１つのショット領域に対するインプリント処理（ショット）であるが、この離型の際に型１０が帯電する剥離帯電が生じうる。除電部３０により型１０の除電を行うことにより、剥離帯電を解消することができる。しかし、この除電部３０による除電をインプリント処理毎に実行する場合にはスループットが低下する。加えて、除電部３０による除電をインプリント処理毎に実行する場合には、Ｈｅの消費量も増大することになる。また、計測部７０で型１０の表面電位を計測することもスループット低下の要因となりうる。そこで本実施形態では、型の除電性能を維持できる範囲で、除電部３０による除電および計測部７０による計測の回数を低減させる。したがって、本実施形態では除電タイミングを適切に決める必要がある。型１０に帯電する静電気は、使用するインプリント材や離型速度などのプロセス条件により変動するので、プロセス条件に適した除電タイミングを求める必要がある。本実施形態では、この除電タイミングを以下のようにして決定する。
【００２９】
Ｓ８での離型の後、制御部８０は、ＸＹステージ４を制御して、計測部７０を型１０のパターン部の下に移動させ、型１０のパターン部の表面電位を計測する（Ｓ９）。制御部８０は、計測された表面電位の値をショット番号等と関連付けて、メモリ８２に記憶されている除電タイミングテーブル８３に書き込む（Ｓ１０）。図１１に、除電タイミングテーブル８３のデータ構造例を示す。図１１において、除電タイミングテーブル８３は、ロットを識別するロットＩＤ、基板を識別する基板ＩＤと、１枚の基板において処理されるショット領域の順番を示すショット番号と、累積ショット数と、表面電位と、除電フラグ、のフィールドを有する。ここで、除電フラグは、そのショットで型１０の除電を行うか否かを示すフラグである。例えば、除電フラグが０であれば、そのショットでは除電は行わず、除電フラグが１であればそのショットで除電を行うべきことを示している。この時点では、除電フラグは全て０で初期化されている。
【００３０】
制御部８０は、計測された表面電位が所定値以下であるか否かを判定する（Ｓ１１）。所定値は、事前の試験により、型１０の表面電位がこれ以下であれば型１０に異物が付着する可能性は低いものとして許容される上限の値に設定されている。計測された表面電位が所定値以下である場合は、制御部８０は、ＸＹステージ４を制御して、次のショット領域がディスペンサ１８によるインプリント材の供給が行われる位置に来るように基板を搬送する（Ｓ１２）。一方、計測された表面電位が所定値を超えている場合は、制御部８０は、Ｓ１２の前に、除電部３０を制御して、型１０の除電を行う（Ｓ１３）。本実施形態では、型１０の除電方法としてＨｅを供給する方法を用いており、Ｓ１３では、図１に示されるように、除電部３０はＨｅを型１０に向けて供給する。これにより型１０に帯電した静電気を除去することができる。
【００３１】
その後、制御部８０は、全てのショット領域に対するインプリント処理が終わったかを判定する（Ｓ１４）。全てのショット領域に対するインプリント処理が終わっていなければ、Ｓ２に戻って次のショット領域に対する処理が行われる。全てのショット領域に対するインプリント処理が終わった場合は、制御部８０は、ＸＹステージ４を制御して、基板１を所定の位置に移動し（Ｓ１５）、基板１に対するパターン転写が終了する。以上の処理により、作成された除電タイミングテーブル８３は少なくとも、第１基板に対してインプリント処理が複数回行われる間におけるインプリント処理の回数と型の表面電位との関係を示す帯電特性を表している。
【００３２】
こうして、制御部８０は、インプリント処理が行われる毎に計測部７０により型１０の表面電位を計測することと、計測された表面電位が所定値を超えた場合は除電部３０により型１０の除電を行うこととを、第１基板の複数のショット領域で繰り返す。これにより、型１０の帯電特性が取得される。
【００３３】
その後、制御部８０は、除電タイミングテーブル８３に記述されている型１０の表面電位の計測結果に基づいて除電を行うタイミングを決定し、除電タイミングテーブル８３を更新する（Ｓ１６）。図４は、Ｓ１６における除電タイミングを決定する処理のフローチャートである。この処理は、除電タイミングテーブル８３における、各ショットの表面電位の値を順次検査して除電を行うべきショットを特定する処理を含む。具体的には、制御部８０は、除電タイミングテーブル８３から、現在着目しているショット番号に対応する型１０の表面電位が所定値以下であるか否かを判定する（Ｓ２０１）。ここで、型１０の表面電位が所定値以下である場合は、着目するショット番号を次のショット番号にしてＳ２０１を繰り返す。型１０の表面電位が所定値を超えている場合、制御部８０は、Ｓ２０２で、現在着目しているショット番号の除電フラグを「１」にする（Ｓ２０２）。その後、制御部８０は、現在着目しているショット番号が最後かどうかを判断する。現在着目しているショット番号が最後でなければ、着目するショット番号を次のショット番号にして、Ｓ２０１に戻って処理を繰り返す。
【００３４】
こうしてＳ１６の処理においては、帯電特性に基づいて、型の表面電位が所定値を超えるショット番号の除電フラグを１とするように、除電タイミングテーブル８３が更新される。なお、除電タイミングテーブル８３は、インプリント装置１００のコンソール画面（不図示）を介して作成することも可能である。また、作成された除電タイミングテーブル８３は、他のインプリント装置に転送（出力）することも可能である。そのために、例えば制御部８０はこのような帯電特性の情報である除電タイミングテーブル８３を出力する出力部を備えていてもよい。
【００３５】
制御部８０は、この除電タイミングテーブル８３に記述されたショット番号と除電フラグに基づいて、第２基板に対してインプリント処理を行う際の除電タイミングを決定することができる。すなわち制御部８０は、第１基板における型１０の表面電位が所定値を超えた時のショット領域とショットレイアウトにおいて同じ位置の第２基板のショット領域に対してインプリント処理が行われる時を、除電を行うタイミングとして決定することができる。この処理を図３を参照して以下で詳しく説明する。
【００３６】
第２基板に対するインプリント処理、および型１０の除電処理を説明する。上記のように、第１基板に対しては、ショット毎に型１０の表面電位を計測したが、第２基板に対しては、第１基板の処理において作成された除電タイミングテーブル８３に基づいて、型１０の表面電位の計測を行うことなく特定のショットのみで除電を行う。まず、コンソール画面の操作等に応答して、除電タイミングテーブル８３がインプリント装置１００に入力される。除電タイミングテーブル８３は、上記の処理によってインプリント装置１００で生成されたものでもよいし、別のインプリント装置で生成されたものでもよい。また、インプリント装置１００により自動で作成されたものでなく、実験等により手動で生成されたものであってもよい。
【００３７】
図３は、インプリント装置１００による、第２基板である基板１に対するインプリント処理、および型１０の除電処理のフローチャートである。図３のフローチャートでは、図２のフローチャートと比較して、Ｓ９、Ｓ１０及びＳ１６が省略され、Ｓ１１の代わりにＳ１１１が設けられている。Ｓ１１１では、制御部８０は、除電タイミングテーブル８３に基づき、除電のタイミングが来たか否かを判定する。具体的には、制御部８０は、除電タイミングテーブル８３において、処理対象のショット領域のショット番号の除電フラグが１であれば、除電のタイミングであると判定する。ここで、制御部８０は、除電のタイミングと判定したときは、除電部３０により型１０の除電を行う。そうでなければ除電は行わない。このようにして、制御部８０は、例えばインプリント処理の回数と型の除電を行うタイミングとの関係に基づいて、型の除電を行うように除電部３０を制御する。このように、第２基板においては、第１基板のときのように計測部７０による計測を毎回行う必要がない。これにより、スループットが向上する。また、除電は、インプリント処理が所定回数行われる毎に１回行われるだけなので、従来のように除電をインプリント処理の都度行う場合に比べて、スループットが向上するのみならず、Ｈｅの消費量を削減することもできる。
【００３８】
なお、除電のタイミングが１枚の基板や１ロット（フープ）を跨いでしまう場合もありうる。そのような場合は、前回の除電からのインプリント処理の回数を次の基板に引き継ぐようにすればよい。あるいは、１枚の基板または１ロット（フープ）毎に、インプリント処理回数をリセットしてもよい。ただしその場合は、所定のショット領域（例えば、１枚の基板の最終ショット領域または１ロットの最終基板の最終ショット領域）で、型１０の除電も行う必要がある。
【００３９】
ところで、インプリント装置には、例えば型１０のパターン部へのインプリント材６０の充填を促進するために型１０と基板上のインプリント材６０との間の空間にパージガスを供給する構成が別途設けられうる。このときのパージガスにもヘリウムが使用されうる。このパージガスとしてのヘリウムが型１０のパターン部およびその周辺の空間に残存すると、除電タイミングに影響を及ぼし、除電タイミングを一定時間間隔としたのでは不適当になることも考えられる。言い換えると、インプリント処理の回数に対する型の除電の頻度は、インプリント処理の累積回数に応じて変化しうる。例えば、インプリント処理の回数と型の除電を行うタイミングとの関係は、インプリント処理の累積回数が増えると、インプリント処理の回数に対する型の除電の頻度が高くなる関係でありうる。上述の実施形態では、第１基板に形成された複数のショット領域の全てについての帯電特性を取得し、全てのショット領域に対して除電フラグを設定する。したがって、除電タイミングがパージガスの影響等によって一定周期とならない場合に特に有効である。
【００４０】
＜第２実施形態＞
図２に示した例では、第１基板の複数のショット領域の全てにおいて型１０の表面電位を計測し、全ショット領域についての帯電特性を取得するものであった。これに対し第２実施形態では、更なるスループットの向上を図るため、第１基板の複数のショット領域のうちの一部のショット領域についての帯電特性が取得される。例えば、複数のショット領域に対して予め定められたインプリント処理順における最初から所定数のショット領域について帯電特性が取得される。制御部８０は、この帯電特性に基づいて、表面電位の増加傾向を推定し、除電タイミングを決定する。以下、具体例を示す。
【００４１】
図５は、本実施形態における、第１基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャートである。図５のフローチャートは、図２のフローチャートと比較して、Ｓ１４の代わりにＳ１１４が設けられ、Ｓ１６の代わりにＳ１１６が設けられている。Ｓ１１４は、全てのショットではなく所定のショット数が終了したか否かを判定するステップである。Ｓ１１６は、所定のショット数までの除電タイミングテーブル８３から除電タイミングを生成するステップである。
【００４２】
図６は、Ｓ１１６における除電タイミングを決定する処理のフローチャートである。ここでは、制御部８０は、インプリント処理順における最初から所定数のショット領域に対してインプリント処理が行われるときの帯電特性に基づいて、第２基板に対してインプリント処理を行う際に型１０の表面電位が所定値を超えるショット領域、を推定する。そして制御部８０は、その推定されたショット領域に対してインプリント処理が行われる時を、型１０の除電を行うタイミングとして決定する。例えば、制御部８０は、所定のショット数に関する帯電特性が記述された除電タイミングテーブル８３に基づいて、型１０の表面電位が所定値を超えるまでのショット数（インプリント処理回数）を推定する（Ｓ３０１）。例えば、図７に示すように、所定のショット領域までの型の表面電位の変化を線形近似または多項式近似して、外挿により、型１０の表面電位が所定値を超えるショット数を推定する。続いて、推定したショット数毎に除電タイミングテーブル８３の除電フラグを「１」にする（Ｓ３０２）。これにより、全ショットで型の表面電位の計測を行うことなく、除電タイミングテーブル８３を生成することができ、スループットを向上させることができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
本実施形態は、第１基板の複数のショット領域のうちの一部のショット領域についての帯電特性から、第２基板に対してインプリント処理を行う際に表面電位が所定値を超えるショット領域を推定する第２実施形態の変形例である。
【００４４】
図８は、本実施形態における、第１基板に対するインプリント処理、および型の除電処理のフローチャートである。図８のフローチャートは、図２のフローチャートと比較して、Ｓ９の前に、Ｓ２００の処理が追加されている。Ｓ２００では、制御部８０は、現在着目しているショットが所定の計測対象のショットか否かを判定している。ここで所定の計測対象のショットであると判定された場合にのみ、Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１，およびＳ１３の処理が行われる。このように、この例では、型の表面電位の計測を、全ショット領域で行うのではなく、予め定められたインプリント処理順における所定数間隔のショット領域の集合に対して行う。
【００４５】
図９は、Ｓ２１６における除電タイミングを決定する処理のフローチャートである。ここで制御部８０は、インプリント処理順における所定数間隔のショット領域の集合に対してインプリント処理が行われるときの帯電特性に基づき、第２基板に対してインプリント処理を行う際に型１０の表面電位が所定値を超えるショット領域、を推定する。そして制御部８０は、その推定されたショット領域に対してインプリント処理が行われる時を、型１０の除電を行うタイミングとして決定する。例えば、制御部８０は、上記所定数間隔のショット領域の集合に対するインプリント処理に関する帯電特性が記述された除電タイミングテーブル８３に基づいて、型１０の表面電位が所定値を超えるまでのショット数を推定する（Ｓ４０１）。例えば、図１０に示すように、上記所定数間隔のショット領域の集合に対してインプリント処理が行われたときに計測された表面電位の変化を線形近似または多項式近似して、内挿により、型１０の表面電位が所定値を超えるショット数を推定する。続いて、推定したショット数毎に除電タイミングテーブル８３の除電フラグを「１」にする（Ｓ４０２）。これにより、全ショットの離型を行う度に表面電位の計測を行うことなく、除電タイミングテーブル８３を生成することができ、スループットを向上させることができる。
【００４６】
なお、除電タイミングテーブル８３の生成方法は、上記のようなインプリント装置１００を用いた自動による生成方法だけでなく、手動による実験結果や、シミュレーションによる予測、あるいは、経験値を用いて生成する方法もありうる。
【００４７】
＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４８】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００４９】
次に、図１２を参照して、物品製造方法について説明する。工程ＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００５０】
工程ＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。工程ＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００５１】
工程ＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００５２】
工程ＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。工程ＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００５３】
（他の実施形態）
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１：基板、１０：型、３０：除電部、７０：計測部、８０：制御部、１００：インプリント装置
【図１】
2019096696.tif 000003
【図２】
2019096696.tif 000004
【図３】
2019096696.tif 000005
【図４】
2019096696.tif 000006
【図５】
2019096696.tif 000007
【図６】
2019096696.tif 000008
【図７】
2019096696.tif 000009
【図８】
2019096696.tif 000010
【図９】
2019096696.tif 000011
【図１０】
2019096696.tif 000012
【図１１】
2019096696.tif 000013
【図１２】
2019096696.tif 000014