(57)【要約】      （修正有）【課題】塗布装置において、待機時のノズル先端で塗布剤が乾燥することを効果的に防止する。【解決手段】塗布処理の休止時においてノズル２１を待機させる待機室３１と、キャリアガス中に溶剤ＳＬを含ませるバブリング処理を行なうバブリング室３２とを備え、バブリング室３２が待機室３１の外部に設けられるとともに、バブリング室３２においてバブリング処理を行なうことによって溶剤ＳＬを含ませたキャリアガスが接続経路を介して待機室３１に供給される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶剤を含んだ塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置であって、
前記ノズルが前記塗布剤を塗布しない塗布処理の休止時において前記ノズルを待機させる待機室と、
液体として貯められた前記溶剤、その貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタ、および前記フィルタに対して接続して設けられ、前記気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路を備えることにより、前記キャリアガス中に前記溶剤を含ませるバブリング処理を行なうバブリング室とを備え、
前記バブリング室は、前記待機室の外部に設けられ、前記バブリング室においてバブリング処理が行なわれることによって前記溶剤を含ませた前記キャリアガスが、前記バブリング室と前記待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、前記待機室に供給されることを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
前記溶剤を含ませた前記キャリアガスを前記待機室へ供給するタイミングについて管理する制御機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記制御機構として、計時機能を備え、前記溶剤を含ませた前記キャリアガスを前記待機室へ供給するタイミングについて、所定時間の一定間隔で行なうか、前記塗布処理の休止時間が所定時間を超えた場合に行なうかの何れかにより行なうことを特徴とする請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記待機室の外部に塗布装置内で発生した前記塗布剤や前記溶剤の廃液を回収し貯めて置く廃液タンクを備え、前記廃液タンク内に貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタと、前記フィルタに対して接続して設けられ、前記気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路と、を備えることにより、前記廃液タンクにより前記バブリング室を兼ね、当該廃液タンク内においてバブリング処理が行なわれることによって前記溶剤を含ませた前記キャリアガスが、前記廃液タンクと前記待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、前記待機室に供給されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記バブリング室に供給されるキャリアガスについて、少なくとも一部において前記待機室内の雰囲気が導入されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記待機室の外部に塗布装置内で発生した前記塗布剤や前記溶剤の廃液を回収し貯めて置く廃液タンクを備え、前記バブリング室に供給されるキャリアガスについて、少なくとも一部において前記廃液タンク内の雰囲気が供給されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記バブリング室において、加熱機構を備え、前記待機室内の温度よりも高い温度の溶剤中において、バブリング処理が行なわれることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項８】
前記供給経路の途中において、加熱機構を備え、前記待機室内の温度よりも高い温度の前記キャリアガスが供給されることにより、バブリング処理が行なわれることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項９】
前記加熱機構に加えて、前記待機室内の温度について測定する測定手段と、前記加熱機構による加熱状態を調整する温度調節機構と、前記測定手段により測定された前記待機室内の温度に対して、前記溶剤或いは前記キャリアガスの温度について、３度未満の範囲で高い温度に調整するよう、前記温度調節機構を制御する制御機構を備えたことを特徴とする請求項７或いは請求項８に記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記待機室においては、中空の箱状の筺体部と、当該筺体部の上面に設けられ前記ノズルが挿入される開口部と、前記開口部に設けられ前記ノズルの前記待機室への挿抜状態に同期して開閉動作する開閉シャッタと、前記ノズルが挿入された状態で、前記待機室の開口部を封止する封止機構とを備えることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の塗布装置。
【請求項１１】
前記ノズルが、前記塗布剤を平面状に塗布することが可能なスリット状の吐出口を有することを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の塗布装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や半導体装置などの電子機器などを製造する際において、製造途中のワークである基板などの表面に溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤（例えば、レジスト）をノズルより吐出して塗布する塗布装置では、塗布動作が一定時間以上なされずに放置される待機時において、ノズル先端の塗布剤中の溶剤が気化し、塗布剤の粘度が変化する。その状態で塗布すると吐出不良の問題や塗布剤の膜厚精度が不安定になる問題が発生する場合があることから、これら塗布装置においては、塗布を再開する前にノズル先端に残された塗布剤を排出し廃液するダミーディスペンス処理など行なう方法が採られる場合や、溶剤貯めを設けるなどにより溶剤雰囲気を有した待機室を設けて、この待機時にノズル先端を当該待機室内に退避することで、ノズル先端の塗布剤の粘度変化、つまり、乾燥を防止しようとする方法が採られる場合が多かった。後者の方法では、溶剤雰囲気における溶剤の蒸気圧を所定範囲とするために溶剤貯めに温度調節（加熱）機能が設けられる場合もある。
【０００３】
また、上記説明したダミーディスペンス処理を行なう場合には、廃液される材料が無駄になること、一方、溶剤雰囲気を有した待機室を設ける方法を採った場合にも、待機室内での乾燥防止が不充分であることにより、吐出不良や膜厚精度が不安定となることが発生する場合があること、結局、ダミーディスペンス処理と併用されることとなり、廃液される材料が無駄になることなどを問題点として挙げて、待機室内での乾燥防止を更に進めることを意図した塗布装置が幾つか提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、溶剤貯めを設けるなどにより溶剤雰囲気を有した待機室内の溶剤濃度の変動を防ぐために、ノズルと待機室間にＯリングなどを配すことで密閉度を上げたうえで、待機室内へのパージガスの供給と、溶剤貯めに対する溶剤の供給をプログラムにより、タイミング、シーケンスなどを管理した構成とした塗布装置や、特許文献２においては、既存の塗布装置と同様に待機室内に溶剤貯めを設けて溶剤雰囲気とするとともに、溶剤貯めの溶剤中において窒素ガスをバブリングさせることにより、待機室内の溶剤濃度を高めることを意図した塗布装置が提案されている。この特許文献２に開示された塗布装置では、溶剤中でバブリングさせることで気泡状態のガスと溶剤の接触面積が増大されることから、供給されるガス中の溶剤濃度が概ね飽和濃度となり、待機室内の溶剤雰囲気を飽和濃度に近づけることができる点で乾燥防止に対しては効果的な方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２０３１５１号公報
【特許文献２】特開平５−６８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
然しながら、上記特許文献１に開示された塗布装置においては、待機室内の溶剤雰囲気の変動を少なくすることに対しては、ある程度効果が得られるかもしれないが、待機室の雰囲気に対する溶剤の供給については、溶剤貯め内の溶剤表面からの揮発に任されている。一方、塗布処理が行われている間は、待機室は外部に開放された状態であり、待機室内の溶剤濃度は低下することになり、パージガスの供給時においても、溶剤濃度は低下することになる。従って、これらの溶剤濃度の低下要因により一度下がった溶剤濃度について、溶剤表面からの揮発によって溶剤が雰囲気に対して供給飽和濃度に至るまでに時間差を生じる。つまり、待機室内にノズルが待機されている間において、待機室内の溶剤雰囲気が飽和濃度になっていない状態が存在することとなる。その間には、ノズル先端に付着した塗布剤からも溶剤が揮発することとなり、当該塗布剤の粘度変化と、それに伴う不具合を生ずることとなり、結局、乾燥防止は充分でないことになる。
【０００７】
また、特許文献１の塗布装置、特許文献２の塗布装置の両者ともに、他の既存技術と同様に溶剤貯めが待機室内に設けられることから、溶剤貯めに対する溶剤供給が待機室内に設けられる溶剤貯めに対して行なわれることとなり、特にノズルが待機されている間において、溶剤供給が行われると、ノズルに溶剤が付着し塗布不良を引き起こす可能性がある。特に、特許文献２の塗布装置においては、待機室内に設けられる溶剤貯めに対してバブリングがされることから、特にバブリング時に飛沫が飛び易く、より以上にノズルに溶剤が付着し塗布不良を引き起こす可能性が高いことになる。また、特許文献１の塗布装置、特許文献２の塗布装置の両者ともに、塗布処理が行われている間は、待機室は外部に開放された状態であり、その開放された状態で待機室内に設けられる溶剤貯めからは溶剤が揮発され続けることとなり、溶剤使用量の増加を招く問題もある。
【０００８】
本発明は、上記説明の様な課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置において、ノズル先端で塗布剤が乾燥することによる吐出不良やノズルに溶剤が付着することによる塗布不良を防ぐこと、塗布剤の膜厚精度の安定を維持すること、ノズルの待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤の使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤の使用量を削減することなどを可能とする塗布装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の塗布装置においては、溶剤を含んだ塗布剤を吐出して塗布するノズルによる塗布処理の休止時において、当該ノズルを待機させる待機室と、液体として貯められた溶剤、その貯められた溶剤内に配置され、導入されたキャリアガスを前記貯められた溶剤内において発生する気泡に変換するフィルタ、およびそのフィルタに対して接続して設けられ、気泡に変換されるキャリアガスを供給する供給経路を備えることにより、前記のキャリアガス中に溶剤を含ませるバブリング処理を行なうバブリング室とを備え、このバブリング室は、待機室の外部に設けられるとともに、当該バブリング室においてバブリング処理を行なうことによって溶剤を含ませた前記のキャリアガスが、バブリング室と待機室間を接続して設けられる接続経路を介して、待機室に供給されるものである。
【発明の効果】
【００１０】
溶剤を含んだ液体やペーストなどの塗布剤をノズルより吐出して塗布する塗布装置において、ノズル待機室の外部より、溶剤中でバブリングすることで溶剤濃度を高めたガスを供給することにより、ノズル待機中においてノズル先端で塗布剤が乾燥することを効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１のレジスト塗布装置の概略図である。
【図２】本発明の実施の形態１のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１の第１の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１の第２の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１の第３の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２の変形例のレジスト塗布装置の要部説明図である。
【図８】本発明の変形例のレジスト塗布装置のノズルの形態と塗布動作を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
本発明を適用した実施の形態１のレジスト塗布装置の構成について図１及び図２を用いて説明する。ここで、図１は本実施の形態１のレジスト塗布装置の全体図を示した説明図、図２は発明の要部となるノズル待機部の詳細を示した説明図である。なお、図は模式的なものであり、示された構成要素の正確な大きさなどを反映するものではない。また、図中、既出の図において説明したものと同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。以下の図においても同様とする。
【００１３】
本実施の形態１のレジスト塗布装置は、図１に示されるとおり、塗布処理部１０と、レジスト供給部２０と、ノズル待機部３０と、廃液系統部４０とで構成されている。
【００１４】
まず、塗布処理部１０は、レジストＲＥ（塗布剤）の塗布対象となるワークとなる基板Ｗを真空吸着して保持する真空チャック１１と、真空チャック１１の背面側の中央部に連結され、真空チャック１１の下側面に対して垂直方向、下方側に延在して設けられる回転軸１２と、真空チャック１１上に保持された基板Ｗを側方より覆うよう設けられるカップ１３と、回転軸１２に連結され、真空チャック１１および保持された基板Ｗを回転動作するモータ（図示省略）などにより構成されている。また、カップ１３の下部には、塗布処理部１０内でのレジストＲＥ（塗布剤）の塗布処理が行なわれた際に、基板Ｗ上に塗布されず不要となったレジストＲＥ（塗布剤）を排液（排出）するために排出口１３ｄが設けられ、廃液配管４２に接続される。
【００１５】
また、レジスト供給部２０は、塗布剤であるレジストＲＥを吐出するノズル２１と、ノズル２１について、上下方向、或いは、水平方向に動作する駆動機構（図示省略）と、レジストＲＥの新液を収容するレジスト収容タンク２２と、レジスト収容タンク２２からノズル２１までレジストＲＥを供給するレジスト供給配管２３と、レジスト供給配管２３の途中に設けられ、レジストＲＥをノズル２１まで送出する手段となるベローズポンプ２４などにより構成されている。なお、この送出する手段としては、ベローズポンプ２４を設ける方法に限られず、例えば、レジスト収容タンク２２を密閉構造として、窒素ガスや乾燥空気などを供給することにより昇圧し、レジスト供給配管２３の途中に供給バルブを配置して、供給バルブの開閉動作により、ノズル２１からのレジストＲＥの吐出動作を制御するようにしても良い。
【００１６】
また、ノズル待機部３０は、レジスト塗布装置において、塗布剤であるレジストＲＥを塗布しない塗布処理の休止時においてノズル２１が待機動作される部分であって、図１に示されるとおり、基板Ｗの上方から外れた位置に設けられる。また、その構成としては、ノズル待機室３１と、バブリング室３２などよりなるが、本実施の形態１のレジスト塗布装置の特徴的な構成となることから、ノズル待機部３０を構成する各構成について、図２を用いて詳細に説明する。図２では、ノズル２１が待機動作を行う途中の状態を示しており、ノズル２１がノズル待機室３１に一部挿入された状態である。まず、ノズル待機室３１は、樹脂からなる中空の箱状の筺体部３１ａを備えており、この筺体部３１ａの底部に溶剤ＳＬが貯められる。また、筺体部３１ａの底部には、適宜、溶剤ＳＬを外部に排出させることができるように、排出口３１ｄが設けられ、廃液配管４２に接続される。溶剤ＳＬは、適宜、上記排出動作されることなどにより、液面が管理され、ノズル２１がノズル待機室３１内の所定位置まで挿入された際にもノズル２１先端が溶剤ＳＬに触れることが無い程度に、ノズル２１先端と液面の距離が設定される。なお、溶剤ＳＬは、レジストＲＥを構成する溶剤として一般的な溶剤を用いることができるが、具体的には、例えば、乳酸エチル、ペグミア、酢酸ブチルなどを用いることができる。
【００１７】
筺体部３１ａの上面には、ノズル２１が挿入される開口部となるノズル挿入口３１ｏと、ノズル挿入口３１ｏを取り囲む円筒状の周壁部３１ｂが設けられる。周壁部３１ｂの内径はノズル２１の外径より、若干程度大きく形成されている。それにより、ノズル２１がノズル待機室３１の周壁部３１ｂに接触することなく進入することができる。一方、挿入されるノズル２１には、ノズル２１がノズル待機室３１内の所定位置まで挿入された際に、上記の周壁部３１ｂを外側より覆うように、ゴム材などによりなる蓋部材２１ｃが取り付けられている。蓋部材２１ｃは、図示されるとおり、カップ形状、或いは、はかま形状に設けられ、その内径は周壁部３１ｂの外径と概ね同等に形成されている。待機中、つまり、ノズル２１がノズル待機室３１内の所定位置まで挿入された状態で、蓋部材２１ｃとノズル２１本体との隙間にノズル待機室３１の周壁部３１ｂが嵌合され、蓋部材２１ｃは周壁部３１ｂと協働してノズル挿入口３１ｏを封止する役割をする。つまり、蓋部材２１ｃと周壁部３１ｂにより、ノズル２１がノズル待機室３１内に挿入された状態において、ノズル挿入口３１ｏを封止する封止機構として機能する。
【００１８】
ノズル挿入口３１ｏの下側には、開閉動作が可能な開閉シャッタ３１ｓが設けられる。更に、開閉シャッタ３１ｓが閉まった状態で、ノズル挿入口３１ｏが外部に対して封止されるように、ノズル挿入口３１ｏの下側にゴム材などによるパッキング材３１ｐが設けられる。なお、開閉シャッタ３１ｓは、基本的にはノズル２１がノズル待機部３０に無い状態、つまり、ノズル２１の待機中以外では閉まった状態となり、ノズル２１が待機される前後において、ノズル２１の挿抜状態に同期して開閉動作するように機能するものである。開閉シャッタ３１ｓの開閉動作については、メカ的にノズル２１の挿抜状態に同期する機構を設けても良いし、開閉シャッタ３１ｓに駆動系を有した動作機構を持たせて、ノズル２１の挿抜状態を別途センサなどにより認識させて、当該情報によって、挿抜状態に同期して開閉シャッタ３１ｓを開閉動作させても良い。
【００１９】
また、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ側面には、バブリング室３２とノズル待機室３１間を接続して設けられる接続経路となる配管であって、バブリング室３２内で溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスをノズル待機室３１に供給するキャリアガス供給配管３５（以下、キャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５と呼ぶ）が接続される。また、バブリング室３２の構成としては、液体として貯められた溶剤ＳＬと、この溶剤ＳＬ内の底部に配置され、導入された気体を気泡ＢＢに変換するフィルタであるバブリングフィルタ３３と、このバブリングフィルタ３３に対して接続され、気泡ＢＢに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管３６を備えている。また、バブリング室３２内で生成された溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスを採取するために、バブリング室３２の上部において、キャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５の一端が接続されている。
【００２０】
バブリングフィルタ３３を構成するフィルタ材としては、ある程度、微細な網目構造を有したメッシュ体、微細孔を有したスポンジ材、或いは、微細孔を有した焼結体などを用いることができる。キャリアガス供給配管３６から供給されるキャリアガスより、ある程度微細な径の気泡ＢＢを生成し、バブリング効果が得られるバブリングフィルタ３３を用いることが望ましい。特に、気泡ＢＢの径が５０μｍ以下となるマイクロバブリングができることが、バブリング室３２を経たキャリアガスに対して、より高濃度（限界まで、その温度における飽和濃度に近づく程度の高濃度）の溶剤ＳＬを含ませることができる点で望ましい。その為には、バブリングフィルタ３３を構成するフィルタ材の微細な網目構造、微細孔の径についても、少なくとも１００μｍ以下とすることが望ましい。
【００２１】
また、キャリアガス供給配管３６には、バブリング室３２の外部に設けられるキャリアガス供給源３４が接続される。キャリアガス供給源３４としては、キャリアガスに窒素ガスを用いるのであれば、窒素ガスボンベを用いても良い。或いは、キャリアガスに乾燥空気を用いるのであれば、乾燥空気の供給源として一般的な構成となる昇圧ポンプと、各種フィルタ（乾燥フィルタ、ダスト除去フィルタ、ケミカルフィルタなど）などを組み合わせた構成を用いると良い。
【００２２】
また、図示されるとおり、キャリアガス供給配管３６の途中には、バブリング室３２に供給するキャリアガスについて、供給状態と供給停止状態を制御できるように、エアオペレーションバルブや電磁弁などの制御バルブ３６ａを設けると良い。或いは、キャリアガス供給源３４自体に供給状態と供給停止状態を制御する制御機構を備える構成としても良い。更に、ノズル待機室３１内の溶剤ＳＬの濃度を所望の濃度に管理できるように、これら制御バルブ３６ａやキャリアガス供給源３４が備える制御機構における供給状態と供給停止状態の切り替え動作（つまり、バブリング室３２内において溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスをノズル待機室３１内に導入するか否かに対応）を管理する制御システム（図示省略）を備えていても良い。
【００２３】
当該制御システムの機能としては、例えば、タイマー機能（計時機能）を備え、供給状態（バブリング室３２内のキャリアガスをノズル待機室３１内に導入する状態）とする際の１回の所定時間について管理する機能、供給状態（バブリング室３２内のキャリアガスをノズル待機室３１内に導入する状態）とする所定の頻度を管理する機能、具体的には、所定の頻度として、一定の時間間隔で行なう運用とし、その時間間隔により供給状態とするタイミングを管理する機能、或いは、所定の頻度として、ノズルの待機時間（休止時間）の長さを計測するとともに、その待機時間が所定時間を超えたか否かにより供給状態（バブリング室３２内のキャリアガスをノズル待機室３１内に導入する状態）とするタイミングを管理する（具体的には待機時間が所定時間を超えた場合に供給を開始する）機能などが挙げられる。
【００２４】
また、ノズル待機室３１の筺体部３１ａにおいては、その底部に貯められた溶剤ＳＬの液面よりも少なくとも上部となる何れかの部分に、排気配管３７が接続される。この排気配管３７により、上記のキャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５を介して筺体部３１ａ内に導入された溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスの導入量に応じて、筺体部３１ａ内の気体が排出されるように機能する。排気配管３７には、適宜、逆止弁（逆流防止弁）３７ａが設けられることにより、上記溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスの導入量の大小に応じて、筺体部３１ａ内の気体を必要量排出させることができる。
【００２５】
なお、上記の筺体部３１ａ内の気体の排気配管３７による排出先については、適当な排気先に接続すれば良いが、例えば以下のとおりとすれば良い。つまり、塗布処理部１０においても、レジストＲＥの塗布処理時において、レジストＲＥ内の溶剤が揮発されることで、溶剤の混入された気体が発生されることから、当該溶剤の混入された気体が塗布装置の外部に漏れないように排気される構成が採られている。従って、上記の排気配管３７による排気と塗布処理部１０からの排気とを併せて、所定の排気先に接続すれば良い。
【００２６】
続いて、廃液系統部４０について説明する。廃液系統部４０においては、図１に示されるとおり、塗布処理部１０のカップ１３の下部より排液（排出）されるレジストＲＥ（塗布剤）よりなる廃液ＤＬや、ノズル待機部３０のノズル待機室３１より排液（排出）される溶剤ＳＬよりなる廃液ＤＬなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液ＤＬについて、回収し一旦貯めて置く廃液タンク４１と、これらカップ１３やノズル待機室３１の下部に設けられる排出口３１ｄと上記廃液タンク４１間を接続し、廃液ＤＬを廃液タンク４１に向けて排液（排出）する経路となる廃液配管４２とを備えている。
【００２７】
なお、レジストＲＥ（塗布剤）と溶剤ＳＬを分けて回収する必要がある場合には、廃液タンク４１をレジストＲＥ（塗布剤）回収用と溶剤ＳＬ回収用と、それぞれ別途設けても良い。その場合には、廃液配管４２についても、塗布処理部１０のカップ１３から排液されるレジストＲＥ（塗布剤）用の系統と、ノズル待機室３１より排液（排出）される溶剤ＳＬ用の系統と、それぞれ分けて接続すれば良い。
【００２８】
また、廃液タンク４１には、下部に廃液タンク４１内に貯められた廃液ＤＬを排出する排出口４１ｄを設けておくと良い。廃液ＤＬについて再生処理して再利用する場合や、そのまま廃棄物として廃棄処理する場合など、運用方法に応じて、排出口４１ｄよりも後段の処理について適宜設定すれば良い。例えば、排液口の後段に運搬可能な排液容器を配して、排液容器を別所に搬出し、再利用や廃棄などの処理に進めることも可能である。或いは、排液口の後段に再生処理システムを直結して配置しても良いし、後段に他の装置からの排液もまとめて保管する大型の排液タンクを配置して接続されるようにしても良い。
【００２９】
また、廃液タンク４１の構成としては、図示されるような、廃液タンク４１内に廃液ＤＬを直接貯め置いて、上記説明の排出口４１ｄを設けて排出可能とする構成ではなく、廃液タンク４１内に、別途、運搬可能な排液容器を収納し、その排液容器中に廃液ＤＬを回収し、排液容器を別所に搬出することにより、廃液タンク４１内に回収した廃液ＤＬを以降の処理に進める構成としても良い。
【００３０】
続いて、本実施の形態１のレジスト塗布装置の動作について説明する。このレジスト塗布装置によりレジストＲＥを塗布する動作については、従来と同様であるので、簡単に説明する。レジストＲＥの塗布動作時においては、図１中にて、ノズル２１が２ヵ所に図示されているうちの右側の位置、つまり、塗布処理部１０の位置に示される位置で塗布動作が行われる。
【００３１】
この塗布動作時においては、レジストＲＥ（塗布剤）の塗布対象のワークとなる基板Ｗを真空チャック１１により真空吸着することにより保持し、図示されるとおり、この基板Ｗの中央部にノズル２１が配置された状態で、ノズル２１の先端より、レジストＲＥが滴下される。ノズル２１よりレジストＲＥが滴下される動作においては、レジスト供給部２０において、レジスト収容タンク２２よりレジストＲＥを送出する手段として設けられる構成となるベローズポンプ２４などが動作することにより、レジスト供給配管２３を経由して、ノズル２１先端までレジストＲＥが供給される。そして、ノズル２１先端より基板Ｗの中央部に向ってレジストＲＥが吐出され、レジストＲＥの基板Ｗ上への滴下動作が行われる。
【００３２】
その後、基板Ｗを保持したままで、真空チャック１１が回転軸１２に連結されて設けられるモータにより駆動され、回転動作することにより、基板Ｗ上の中央部に滴下されたレジストＲＥが基板Ｗの表面全体に拡がり、概ね均一な厚みに塗布される。また、基板Ｗ上に塗布されるに際して、余剰のレジストＲＥについては、基板Ｗ上より遠心力により振り飛ばされ、基板Ｗの周囲に設けられたカップ１３の壁面などに付着した後、カップ１３の下部に設けられる排出口１３ｄを介して、廃液配管４２に流れることで、廃液ＤＬとして廃液タンク４１まで排出される。
【００３３】
本実施の形態１のレジスト塗布装置におけるレジストＲＥの塗布動作については、以上説明のとおりであるが、本実施の形態１のレジスト塗布装置の動作としては、特に上記説明したレジストＲＥの塗布動作の合間に発生する待機時の動作に特徴がある。この待機時においては、図１中にて、ノズル２１が２ヵ所に図示されているうちの左側の位置、つまり、ノズル待機部３０の位置に示される位置で、この待機時における動作が行われる。待機時においては、図示されるとおり、ノズル２１はノズル待機部３０におけるノズル待機室３１内に挿入された状態となる。
【００３４】
なお、レジストＲＥの塗布動作より、この待機時の動作に切り替わる際においては、先に説明したレジストＲＥの塗布動作時の位置より、図１中に左右方向の矢印により動作方向が示されるとおり、ノズル２１の駆動機構が動作することによって塗布処理部１０の位置よりノズル待機部３０の位置までノズル２１が移動される。このノズル２１の移動の際には、この駆動機構の動作により、適宜、上下方向の移動動作を行いながら、水平方向に移動動作される。これらノズル２１の移動動作を経て、ノズル２１の待機時の動作が行なわれることになるが、その詳細については、図２のノズル待機部３０の構成説明図を用いて以下説明を行う。
【００３５】
図２においては、先にも説明したとおり、ノズル２１が待機動作を行う途中の状態を示しており、ノズル２１がノズル待機室３１に一部挿入された状態であるが、例えば、本実施の形態１のレジスト塗布装置においては、この図２の状態に至る少し前における塗布処理部１０の位置よりノズル待機部３０の位置までノズル２１が移動動作を開始した時点において、キャリアガス供給配管３６の途中に設けられた制御バルブ３６ａを動作させることで、キャリアガス供給源３４からバブリング室３２へのキャリアガスの供給を開始する。バブリング室３２に供給されたキャリアガスは、図２に示されるとおり、バブリング室３２内のバブリングフィルタ３３を介してバブリング室３２内の溶剤ＳＬ内でバブリング処理されることにより、溶剤ＳＬ内で微細な径の気泡ＢＢの状態のキャリアガスとして供給される。その結果、キャリアガスと溶剤ＳＬの接触面積が気泡ＢＢの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ溶剤ＳＬが高濃度に含まれるように調整されることになる。
【００３６】
そして、上記のとおり、溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整されたキャリアガスが、バブリング室３２内の溶剤ＳＬの液面の上部に生成され、バブリング室３２とノズル待機室３１間の接続経路となるキャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５を介して、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に導入される。このノズル待機室３１の筺体部３１ａの容積に比べて、数倍程度の容積を占める高濃度に溶剤ＳＬが含まれるキャリアガスが供給されることで、筺体部３１ａ内の雰囲気は、この溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整されたキャリアガスにより置換されて、充分に高濃度化される。
【００３７】
この筺体部３１ａ内の雰囲気が溶剤ＳＬによって充分に高濃度化された状態で、図２に示される状態を経て、ノズル２１がノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に完全に挿入されることにより、ノズル２１の待機動作が行われる。ノズル２１が待機動作に入る前におけるキャリアガスの導入だけであっても、筺体部３１ａの雰囲気は溶剤ＳＬにより高濃度化され、ノズル２１の待機動作中における乾燥を防止する点で顕著な効果が得られるが、ノズル２１が筺体部３１ａ内に挿入動作される際に、開閉シャッタ３１ｓの開閉動作を伴うこともあり、多少、筺体部３１ａ内の雰囲気が外部に漏れると共に、筺体部３１ａ内に外部の雰囲気が混入する場合も想定されることになる。その結果、ノズル２１が筺体部３１ａ内に挿入された直後においては、筺体部３１ａ内の雰囲気において、溶剤ＳＬの濃度が若干低下することが懸念される。
【００３８】
以上を踏まえると、キャリアガス供給源３４からのバブリング室３２へのキャリアガスの供給、つまり、バブリング室３２からのノズル待機室３１への溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整されたキャリアガスの供給については、ノズル２１の待機動作中も継続されることが望ましい。ノズル２１が挿入動作される際に溶剤ＳＬ濃度が低下した筺体部３１ａ内の雰囲気が、バブリング室３２よりキャリアガスが供給されることによって完全に置換され、再び高濃度まで戻るまでは、少なくとも継続されることが望ましい。また、それも難しい場合には、ノズル２１が筺体部３１ａ内に挿入される動作が完了するまで、ノズル待機室３１へバブリング室３２よりキャリアガスの供給が行われることにより、筺体部３１ａ内は外部雰囲気に対して、多少、陽圧にすることができ、ノズル２１が筺体部３１ａ内に挿入動作される際に外部雰囲気が侵入することを殆ど生じ無くする効果が得られる。
【００３９】
以上説明を行った本実施の形態１のレジスト塗布装置においては、ノズル待機室３１の外部に別途設けられたバブリング室３２内において、溶剤ＳＬ内に設けられたバブリングフィルタ３３を介することで導入されたキャリアガスが微細な径の気泡ＢＢの状態のキャリアガスとして溶剤ＳＬ内に供給されることにより、キャリアガスと溶剤ＳＬの接触面積が気泡ＢＢの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ溶剤ＳＬが高濃度に含まれるように調整される。特に、バブリングフィルタ３３について、気泡ＢＢとして、その径が５０μｍ以下となるマイクロバブリングができるものとすることにより、キャリアガス中の溶剤ＳＬの濃度を飽和蒸気圧程度まで効果的に高めることができる。
【００４０】
そして、その溶剤ＳＬが高濃度に含まれるキャリアガスがノズル待機室３１内に導入されて、ノズル待機室３１内の雰囲気について、当該溶剤ＳＬが高濃度に含まれるキャリアガスにより置換される。そのノズル待機室３１内の雰囲気が溶剤ＳＬによって充分に高濃度化され、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、ノズル２１が待機動作されることから、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。
【００４１】
従って、ノズル２１の待機後においては、基本的には従来行なっていたダミーディスペンス処理を省略することも可能となる。或いは、ダミーディスペンス処理を行なうとしても、その回数について大幅に削減することができる。何れにしても、ダミーディスペンス処理を行なう際に廃棄されることになるレジストＲＥの使用量を大幅に削減することができる。
【００４２】
また、キャリアガス中の溶剤ＳＬの濃度を高濃度化するバブリング処理がノズル待機室３１と別途設けられたバブリング室３２内において行われることから、バブリング処理の際に生ずる溶剤ＳＬの飛沫がノズル２１に影響することも無い。従って、ノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を生ずることも無い。更に、キャリアガスの入出部分を除いて外部に対して閉じた空間となるバブリング室３２内においてバブリング処理が行われることから、溶剤ＳＬが無駄に揮発され続けて、使用量の増加を招くことも無い。
【００４３】
更に、本実施の形態１では、バブリング室３２よりノズル待機室３１内に対してキャリアガスを供給するタイミングについて、管理する制御機構を設け、適宜、その機能を用いることによって、溶剤ＳＬの使用量を削減することもできる。特に、バブリング室３２よりノズル待機室３１内に対してキャリアガスを供給するタイミングの管理に関して、先に具体的に説明したように、供給するタイミングについて、所定時間の一定間隔で行なう設定、或いは前記塗布処理の休止時間が所定時間を超えた場合に行なう設定などを用いることにより、溶剤ＳＬを含んだキャリアガスの供給について、乾燥を防ぐ効果が得られるために必要最小限とし、乾燥を防ぐ効果と溶剤ＳＬの使用量を削減する効果について両立して得られるよう最適化することも可能である。
【００４４】
以上説明のとおり、本実施の形態１のレジスト塗布装置においては、ノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬの使用量を削減することなどが可能となる。
【００４５】
上記のとおり説明を行なった実施の形態１のレジスト塗布装置においては、バブリング室３２において、溶剤ＳＬを高濃度に含ませるキャリアガスについて、バブリング室３２の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源３４により供給する構成について説明を行った。また、バブリング室３２内で溶剤ＳＬを高濃度に含ませたキャリアガスを流し続けることにより、溶剤ＳＬが浪費されることも懸念して、バブリング室３２よりノズル待機室３１内に対してキャリアガスを供給するタイミングについて管理する制御機構を設けて、適宜、ノズル待機室３１への溶剤ＳＬを高濃度に含ませたキャリアガスの供給について必要最小限化する構成を用いた例について説明した。そこで、実施の形態１のレジスト塗布装置を少し変形した変形例として、ノズル待機部３０における特にバブリング室３２へキャリアガスを供給する構成について変更を加えた２例の変形例となるレジスト塗布装置について、以下、それぞれ、第１の変形例については図３を用いて、第２の変形例については図４を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１からの変更点に重点をおいて説明を行う。
【００４６】
先ず、実施の形態１の第１の変形例のレジスト塗布装置について、図３を用いて説明を行う。この実施の形態１からの変更点の要部を示す図３は、実施の形態１における図２に対応し、ノズル待機部３０より変更されたノズル待機部３０Ａの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態１の第１の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部３０Ａにおいては、図３に示されるとおり、バブリング室３２においてバブリングフィルタ３３に対して接続され、気泡ＢＢに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管３６について、その一端がノズル待機室３１の筺体部３１ａに接続されている。筺体部３１ａにおけるキャリアガス供給配管３６が接続される部分には、排気口３７ｄが設けられ、キャリアガス供給配管３６が接続されている。また、キャリアガス供給配管３６の途中には、ポンプ３６ｐが設けられる。つまり、以上の構成を備えることにより、バブリング室３２に供給されるキャリアガスとして、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気が導入されることとなる。
【００４７】
実施の形態１の第１の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態１からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態１の第１の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第１の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル２１の待機時以外の動作については、実施の形態１で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル２１の待機時に関係する動作について説明する。先ず、図中のポンプ３６ｐが動作されることにより、キャリアガス供給配管３６に沿って矢印が付されているとおり、矢印の向きにキャリアガス供給配管３６中を気体が流れる。具体的には、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気、つまり、筺体部３１ａ内の気体がキャリアガス供給配管３６中を通り、キャリアガス供給配管３６が接続されるバブリング室３２内のバブリングフィルタ３３に流れることになる。そして、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の気体がキャリアガスとしてバブリングフィルタ３３に導入されることにより、気泡ＢＢに変換され、気泡ＢＢの状態でバブリング室３２内の溶剤ＳＬと接触され、溶剤ＳＬが高濃度に含むよう調整される。
【００４８】
その後、バブリング室３２とノズル待機室３１間の接続経路となるキャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５を介して、溶剤ＳＬが高濃度に含むよう調整されたノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の気体が、再びノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に導入される。つまり、ノズル待機室３１内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させることになる。また、更にポンプ３６ｐの動作が継続されると、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に導入された溶剤ＳＬが高濃度に含むよう調整された気体は、再び、キャリアガス供給配管３６中を通って、バブリングフィルタ３３に導入されることになる。つまり、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気に対して、何度もバブリング処理が行なわれ、溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整がされることにより、効果的にノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めることができる。
【００４９】
以上のとおり、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル２１をノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態１と同様に、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気に対して、何度もバブリング処理が行なわれ、溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整がされること、或いは、予め溶剤ＳＬを高濃度に含んだキャリアガスに対して、更にバブリング処理が行なわれ、キャリアガス中への溶剤ＳＬの更なる高濃度化が行なわれることにより、実施の形態１の構成よりも、更に効果的に上記のレジストＲＥが乾燥することを防止できることになる。
【００５０】
また、この第１の変形例の場合には、ノズル待機室３１内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させることから、ノズル２１の待機中も含めて、絶えず、バブリング室３２よりノズル待機室３１中へのキャリアガスの供給を続けても、既に溶剤ＳＬを高濃度に含んだノズル待機室３１内の雰囲気（気体）に対して、バブリング室３２内でバブリング処理した際において、当該気体に対して追加して混入されるバブリング室３２内の溶剤ＳＬの量は僅かである。従って、このバブリング室３２内の溶剤ＳＬが消費されることは殆ど無く、使用量について顕著に増加することは無い。また、ノズル待機室３１中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。
【００５１】
なお、この第１の変形例では、バブリング室３２の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源３４の設置を省略することが可能となり、省略した場合には、更に装置構成を単純化することが可能となる。また、逆に、バブリング室３２に供給するキャリアガスとして、実施の形態１において用いた窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源３４と、ノズル待機室３１内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させる構成を併用しても良い。
【００５２】
例えば、キャリアガス供給配管３６の途中において、キャリアガス供給源３４に接続される配管と、ノズル待機室３１に接続される配管の２系統を備え、途中に系統を切り替える切り替え機構を備える構成とする。装置動作としては、最初はキャリアガス供給源３４に接続される配管系統より、バブリング室３２に窒素ガスや乾燥空気よりなるキャリアガスを供給し、これらのキャリアガスをバブリング室３２中でバブリング処理することにより、溶剤ＳＬを含ませたうえ、ノズル待機室３１に導入する。その後、切り替え機構により、ノズル待機室３１に接続される配管系統に切り替えることで、ノズル待機室３１内の雰囲気をキャリアガスとして再循環させる動作とする。以降は、例えば、ノズル２１の待機動作中において、継続してバブリング室３２よりノズル待機室３１中へのキャリアガスの供給を続けてもノズル待機室３１内の雰囲気が再循環されることとなり、溶剤ＳＬの使用量の増加を伴わない。また、キャリアガスとして、最初は窒素ガスや乾燥空気など、ある程度、管理された気体をベースとして、ノズル待機室３１内の雰囲気を構成することができ、ノズル待機室３１内の雰囲気を所望の状態に管理し易い点で望ましいことになる。
【００５３】
また、この第１の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態１と共通していることから、実施の形態１のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
【００５４】
続いて、実施の形態１の第２の変形例のレジスト塗布装置について、図４を用いて説明を行う。この実施の形態１からの変更点の要部を示す図４は、実施の形態１における図２、或いは、先に説明した第１の変形例における図３に対応し、ノズル待機部３０より変更されたノズル待機部３０Ｂの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態１の第２の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部３０Ｂにおいては、図４に示されるとおり、バブリング室３２においてバブリングフィルタ３３に対して接続され、気泡ＢＢに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管３６について、その一端が廃液タンク４１に接続されている。また、キャリアガス供給配管３６の途中には、ポンプ３６ｐが設けられる。つまり、以上の構成を備えることにより、バブリング室３２に供給されるキャリアガスとして、廃液タンク４１内の雰囲気が導入されることとなる。
【００５５】
また、廃液タンク４１内の雰囲気をキャリアガスとして導入するため、廃液タンク４１内における気体の存在する部分より雰囲気を採取できるように、キャリアガス供給配管３６は廃液タンク４１の筺体における廃液ＤＬの液面よりも少なくとも上部となる壁面の何れかの部分に接続されている。なお、廃液タンク４１は、実施の形態１の図１を用いて説明したとおり、塗布処理部１０のカップ１３の下部より排液（排出）されるレジストＲＥ（塗布剤）よりなる廃液ＤＬや、ノズル待機部３０のノズル待機室３１より排液（排出）される溶剤ＳＬよりなる廃液ＤＬなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液ＤＬについて、回収し一旦貯めて置く構成である。
【００５６】
実施の形態１の第２の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態１からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態１の第２の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第２の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル２１の待機時以外の動作については、実施の形態１で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル２１の待機時に関係する動作について説明する。先ず、図中のポンプ３６ｐが動作されることにより、キャリアガス供給配管３６に沿って矢印が付されているとおり、矢印の向きにキャリアガス供給配管３６中を気体が流れる。具体的には、廃液タンク４１内の雰囲気、つまり、廃液タンク４１内の気体がキャリアガス供給配管３６中を通り、キャリアガス供給配管３６が接続されるバブリング室３２内のバブリングフィルタ３３に流れることになる。この廃液タンク４１内の雰囲気としては、レジストＲＥよりなる廃液ＤＬや溶剤ＳＬよりなる廃液ＤＬが廃液タンク４１内に貯められていることから、これらの廃液ＤＬより、揮発成分である溶剤ＳＬが気体となって大気中に混入された状態となる。つまり、予め、比較的高濃度の溶剤ＳＬが混入された気体により構成される。
【００５７】
そして、この溶剤ＳＬが混入された気体によりなる廃液タンク４１内の気体がキャリアガスとしてバブリングフィルタ３３に導入されることにより、気泡ＢＢに変換され、気泡ＢＢの状態でバブリング室３２内の溶剤ＳＬと接触され、予め、比較的高濃度の溶剤ＳＬが混入された気体よりなる廃液タンク４１内の気体に対して、更に溶剤ＳＬの濃度が高濃度化される。その後、バブリング室３２とノズル待機室３１間の接続経路となるキャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５を介して、溶剤ＳＬについて、より高濃度に含むようバブリング処理された廃液タンク４１内の気体が、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に導入される。従って、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気について、予め、比較的高濃度の溶剤ＳＬが混入された気体に対して、更にバブリング処理が行なわれ、溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整がされることにより、効果的にノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めることができる。
【００５８】
以上のとおり、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル２１をノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態１と同様に、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内の雰囲気について、予め溶剤ＳＬを高濃度に含んだ廃液タンク４１内の気体よりなるキャリアガスに対して、更にバブリング処理が行なわれ、キャリアガス中への溶剤ＳＬの更なる高濃度化が行なわれることにより、実施の形態１の構成よりも、更に効果的に上記のレジストＲＥが乾燥することを防止できることになる。
【００５９】
また、この第２の変形例の場合には、キャリアガスとして、予め溶剤ＳＬを高濃度に含んだ廃液タンク４１内の雰囲気が利用されることから、ノズル２１の待機中も含めて、絶えず、バブリング室３２よりノズル待機室３１中へのキャリアガスの供給を続けても、予め溶剤ＳＬを高濃度に含んだ気体に対して、バブリング室３２内でバブリング処理した際において、当該気体に対して追加して混入されるバブリング室３２内の溶剤ＳＬの量は僅かである。従って、このバブリング室３２内の溶剤ＳＬが消費されることは殆ど無く、使用量について顕著に増加することは無い。また、ノズル待機室３１中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。また、バブリング室３２の外部に設けられる窒素ガスボンベや乾燥空気の供給源などよりなるキャリアガス供給源３４の設置を省略することが可能となり、更に装置構成を単純化することが可能となる。
【００６０】
また、この第２の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態１と共通していることから、実施の形態１のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
【００６１】
上記のとおり説明を行なった実施の形態１のレジスト塗布装置からの２つの変形例においては、特にバブリング室３２内に設けられる溶剤ＳＬの浪費を防ぐ観点で、ノズル待機部３０におけるバブリング室３２へキャリアガスを供給する構成について変更を行ったものであった。同じく、バブリング室３２内に設けられる溶剤ＳＬの浪費を防ぐ観点からの別の方法としては、キャリアガスの供給方法を変更するのではなく、溶剤ＳＬを貯め置いてバブリング処理を行なうバブリング室３２自体について、溶剤ＳＬを高濃度に含んだ液体である廃液ＤＬが貯め置かれる構成となる廃液タンク４１に置き換えることによっても、溶剤ＳＬの使用量を削減することにつながる。そこで、実施の形態１のレジスト塗布装置より、バブリング室３２について、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂにより代替する変更を加えたレジスト塗布装置の第３の変形例について、以下、図５を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１からの変更点に重点をおいて説明を行う。
【００６２】
この実施の形態１からの変更点の要部を示す図５は、実施の形態１における図２に対応し、ノズル待機部３０より変更されたノズル待機部３０Ｃの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態１の第３の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部３０Ｃにおいては、図５に示されるとおり、実施の形態１におけるバブリング室３２の代わりに設けられた廃液タンク４１Ｂを備えており、その廃液タンク４１Ｂの構成としては、貯められた廃液ＤＬ内の底部にバブリングフィルタ３３を配置することでバブリング処理が可能な構成としている。つまり、廃液タンク４１Ｂはバブリング室３２の機能を兼ねていることになる。また、廃液タンク４１Ｂ内でバブリング処理されることにより生成された溶剤ＳＬを高濃度に含むよう調整されたキャリアガスを採取するために、廃液タンク４１Ｂの上部において、キャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５の一端が接続されている。なお、廃液タンク４１Ｂは、上記のとおり、バブリングフィルタ３３や、キャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５の一端が接続される構成であること以外については、実施の形態１の図１を用いて説明したとおり、塗布処理部１０のカップ１３の下部より排液（排出）されるレジストＲＥ（塗布剤）よりなる廃液ＤＬや、ノズル待機部３０のノズル待機室３１より排液（排出）される溶剤ＳＬよりなる廃液ＤＬなどのレジスト塗布装置内で発生した各廃液ＤＬについて、回収し一旦貯めて置く構成となる。
【００６３】
また、バブリングフィルタ３３は、導入された気体を気泡ＢＢに変換するフィルタであること、バブリングフィルタ３３を構成するフィルタ材の構成、更に、このバブリングフィルタ３３に対して接続され、気泡ＢＢに変換される気体であるキャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管３６を備えていること、更に、キャリアガス供給配管３６には、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂの外部に設けられるキャリアガス供給源３４が接続されること、キャリアガス供給配管３６の途中には制御バルブ３６ａが設けられることなどについては、実施の形態１と同様の構成を備えていれば良い。
【００６４】
実施の形態１の第３の変形例のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態１からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態１の第３の変形例のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。この第３の変形例のレジスト塗布装置の動作としては、ノズル２１の待機時以外の動作については、実施の形態１で説明したとおりであることから説明を省略し、以下、ノズル２１の待機時に関係する動作について説明する。先ず、初めの動作としては、実施の形態１と同様であるが、この図５の状態に至る少し前における塗布処理部１０の位置よりノズル待機部３０の位置までノズル２１が移動動作を開始した時点において、キャリアガス供給配管３６の途中に設けられた制御バルブ３６ａを動作させることで、キャリアガス供給源３４からバブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂへのキャリアガスの供給を開始する。バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂに供給されたキャリアガスは、図５に示されるとおり、廃液タンク４１Ｂ内のバブリングフィルタ３３を介して廃液タンク４１Ｂ内の廃液ＤＬ内でバブリング処理されることにより、廃液ＤＬ内で微細な径の気泡ＢＢの状態のキャリアガスとして供給される。その結果、キャリアガスと溶剤ＳＬの接触面積が気泡ＢＢの径の細かさの程度に応じて飛躍的に大きくなり、キャリアガス中へ廃液ＤＬ中に混在される揮発成分となる溶剤ＳＬが高濃度に含まれるように調整されることになる。
【００６５】
そして、上記のとおり、溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整されたキャリアガスが、廃液タンク４１Ｂ内の廃液ＤＬの液面の上部に生成され、廃液タンク４１Ｂとノズル待機室３１間の接続経路となるキャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管３５を介して、ノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に導入される。以降については、基本的には実施の形態１と同様の動作となるが、このノズル待機室３１の筺体部３１ａの容積に比べて、数倍程度の容積を占める高濃度に溶剤ＳＬが含まれるキャリアガスが供給されることで、筺体部３１ａ内の雰囲気は、この溶剤ＳＬを高濃度に含むように調整されたキャリアガスにより置換されて、充分に高濃度化される。
【００６６】
以上のとおり、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度まで高めた状態で、適宜、ノズル２１をノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態１と同様に、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。
【００６７】
また、この第３の変形例の場合には、バブリング処理に用いられ、キャリアガスに含ませる溶剤ＳＬについては、バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂ内における廃液ＤＬ中に混在される揮発成分となる溶剤ＳＬが再利用されることから、ノズル２１の待機中も含めて、絶えず、当該バブリング処理を行なう機能を有した廃液タンク４１Ｂよりノズル待機室３１中へのキャリアガスの供給を続けても、そもそも通常は廃棄される廃液ＤＬ内の溶剤ＳＬが消費されるだけであり、バブリング処理を行なうために新規に準備された溶剤が消費されることは無い。また、ノズル待機室３１中にキャリアガスを供給するタイミングなどを管理する制御機構を設ける必要も無くなることとなり、装置構成を単純化することも可能となる。
【００６８】
また、この第３の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態１と共通していることから、実施の形態１のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。なお、この第３の変形例では、乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬについては、廃液ＤＬ内の溶剤ＳＬを代用していることから、新規に乾燥防止のために溶剤ＳＬを用いることが不要となり、新規に準備する溶剤ＳＬという観点では消費自体が無いとも言えることになる。
【００６９】
実施の形態２．
以上説明を行った実施の形態１およびその変形例のレジスト塗布装置においては、バブリング処理を行いキャリアガス中に溶剤ＳＬを含ませるバブリング室３２や廃液タンク４１Ｂと、ノズル待機室３１内とで、それぞれの温度について特に管理することなく、基本的には両者ともに室温であることを想定した構成であった。溶剤ＳＬの乾燥（気化）のし易さや結露（液化、或いは凝縮）のし易さに相関する雰囲気中の溶剤ＳＬの濃度および飽和蒸気圧については、温度により変動し、ある温度において、その雰囲気が含むことのできる溶剤ＳＬの最大濃度については、その温度における飽和蒸気圧により決まる。つまり、バブリング処理を行いキャリアガス中に溶剤ＳＬを含ませるバブリング室３２や廃液タンク４１Ｂと、ノズル待機室３１内とで、両者の温度の関係により、ノズル待機室３１内の雰囲気が溶剤ＳＬの乾燥（気化）が進む雰囲気であるか、逆に溶剤ＳＬの結露（液化、或いは凝縮）が進む雰囲気であるかが決まることになる。
【００７０】
先に説明した実施の形態１およびその変形例のレジスト塗布装置においては、両者の温度が概ね室温であって、同等であることから、バブリング処理により溶剤ＳＬの濃度において高濃度化されたキャリアガスの状態、つまり、溶剤ＳＬが乾燥し難いキャリアガスの状態であることが、ノズル待機室３１内の雰囲気として導入された後でも、概ね変動が無く、大きく問題となることは無い。然しながら、両者の温度の関係を適正に制御、管理することにより、ノズル待機室３１内の雰囲気について、溶剤ＳＬの乾燥について、より発生し難くするとともに、悪影響を生ずるような結露を生じない雰囲気とすることも可能である。そこで、バブリング処理を行うバブリング室３２の構成について、温度制御を行う機能を有するように変更を行った実施の形態２のレジスト塗布装置について、以下、図６を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態１からの変更点に重点をおいて説明を行う。
【００７１】
先ず、実施の形態２のレジスト塗布装置の構成について、図６を用いて説明を行う。この実施の形態１からの変更点の要部を示す図６は、実施の形態１における図２に対応し、ノズル待機部３０より変更されたノズル待機部３０Ｄの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態２のレジスト塗布装置のノズル待機部３０Ｄにおいては、図６に示されるとおり、バブリング室３２内に、ハブリング室３２内の溶剤ＳＬについて温度管理する機能として、加熱機構の一例となる加熱ヒータ３８が備えられる。なお、加熱ヒータ３８は、溶剤ＳＬの温度を測定する温度センサと連動して、溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構に接続される構成とされることが望ましい。つまり、加熱ヒータ３８に加えて、溶剤ＳＬの温度を測定する温度センサと、溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構を備えていることが望ましい。
【００７２】
また、図示されるとおり、更に、ノズル待機室３１内の温度を測定する温度センサＳＭを備えて、上記説明した溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構については、この温度センサＳＭにより測定されたノズル待機室３１内の温度との相対比較により、溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理する機能を有することが望ましい。なお、レジスト塗布装置がクリンルーム内などの室温の温度管理がされる環境に置かれていて、ノズル待機室３１内の温度の変動などが殆ど無い場合には、上記の温度センサＳＭを省略することも可能である。その場合には、上記説明した溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構は、温度センサＳＭが測定したノズル待機室３１内の温度の代わりに、その変動が少なく管理されたノズル待機室３１内の通常の温度を用いて、その温度との相対比較により、溶剤ＳＬの温度を所定の温度範囲に管理すれば良いことになる。
【００７３】
また、温度調節機構により管理される対象となる溶剤ＳＬの温度についての所定の温度範囲については、具体的には、ノズル待機室３１内の温度に比べて、少なくとも高い温度範囲に溶剤ＳＬの温度が管理されることが望ましい。なお、ノズル待機室３１内の温度に比べて、溶剤ＳＬの温度について、高い温度範囲とするだけであれば、加熱ヒータ３８のみを備え、最低限、過剰な昇温が防止されるよう、所定の時間周期で加熱ヒータ３８による加熱のオンオフがされる構成のみが配置されるようにし、上記の温度調節機構の設置を省略することもできる。
【００７４】
また、より好ましい所定の温度範囲としては、溶剤ＳＬの温度がノズル待機室３１内の温度に比べて、少なくとも高い温度範囲とされるとともに、その高い温度の範囲としては、３度未満の範囲とされることが好ましい。
【００７５】
実施の形態２のレジスト塗布装置の構成、特に実施の形態１からの変更点については、以上説明のとおりであり、続いて、実施の形態２のレジスト塗布装置の動作および作用について説明する。本実施の形態２のレジスト塗布装置の動作としては、上記のとおり、加熱ヒータ３８と温度調節機構が動作することにより、ハブリング室３２内の溶剤ＳＬの温度について、ノズル待機室３１内の温度より、或いは室温よりも高い所定の温度範囲に調整されることを除いて、実施の形態１で説明したとおりであることから説明を省略する。
【００７６】
実施の形態２のレジスト塗布装置の作用としては、上記説明のとおり、ハブリング室３２内の溶剤ＳＬの温度について、少なくとも加熱機構となる加熱ヒータ３８が設けられ、ノズル待機室３１内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高い温度範囲に調整される。その結果、ハブリング室３２内でバブリング処理される際において、溶剤ＳＬが昇温されていることにより、溶剤ＳＬの飽和蒸気圧が高くなり、それに伴って、キャリアガス或いは気泡ＢＢが含むことのできる溶剤ＳＬの最大濃度についても高くすることができる。つまり、キャリアガス中の溶剤ＳＬの濃度について、より高濃度化することができる。
【００７７】
また、バブリング処理されたことにより、キャリアガス中の溶剤ＳＬの濃度について、その温度における飽和蒸気圧まで高めることができなかったとしても、ハブリング室３２内の温度よりも低い温度となる室温相当のノズル待機室３１にキャリアガスが導入されることより、飽和蒸気圧が下がり、ノズル待機室３１内の温度においては、キャリアガス中における溶剤ＳＬの濃度は飽和蒸気圧に対して、より近づくように高められることなる。つまり、ノズル待機室３１の雰囲気について、より溶剤ＳＬの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。
【００７８】
更に、温度調節機構を設け、ハブリング室３２内における溶剤ＳＬの温度について、ノズル待機室３１内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、３度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることによって、先に説明したとおり、当該温度の溶剤ＳＬ内で行なわれるバブリング処理を経て、当該温度における飽和蒸気圧に近づく程度まで高濃度化されたキャリアガス中における溶剤ＳＬの濃度について、ノズル待機室３１内において、数度程度、キャリアガスの温度が下がることにより、更に、飽和蒸気圧に対して近づくように、或いは、飽和蒸気圧を少し超えて、若干、結露（液化、或いは凝縮）が発生する程度まで高められることとなる。また、ハブリング室３２内における溶剤ＳＬの温度と、ノズル待機室３１内の温度の差が３度未満の範囲の程度に制御、或いは管理されていることから、上記のとおり、ノズル待機室３１との温度差が比較的高く、結果として、飽和蒸気圧を少し超えて、若干、結露（液化、或いは凝縮）が発生した際においても、過剰に結露（液化、或いは凝縮）することは無い。従って、ノズル２１の表面などから結露した溶剤ＳＬが落下することや、レジストＲＥが結露した溶剤ＳＬにより薄まることによって塗布不良などが発生することも無い。つまり、確実に乾燥を生じない雰囲気であるとともに過剰に結露（液化、或いは凝縮）することも生じない適切な雰囲気に安定化することができる。
【００７９】
以上のとおり、本実施の形態２では、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度、或いは飽和蒸気圧を少し超えた程度まで高めた状態で、適宜、ノズル２１をノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態１と同様に、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ハブリング室３２内における溶剤ＳＬの温度について、ノズル待機室３１内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高く設定されること、更に、３度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることにより、ノズル待機室３１の雰囲気について、より溶剤ＳＬの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。更に、確実に乾燥を生じない雰囲気である一方、過剰な結露が生ずることもない適切な雰囲気に安定化することができる。
【００８０】
また、本実施の形態２では、基本的な装置構成については、実施の形態１と共通していることから、実施の形態１のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
【００８１】
上記のとおり説明を行なった実施の形態２のレジスト塗布装置においては、ハブリング室３２内の溶剤ＳＬの温度について、加熱機構となる加熱ヒータ３８や温度調節機構が設けられ、ノズル待機室３１内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高い温度範囲に調整することが可能な構成した例について説明を行ったが、バブリング処理される際におけるキャリアガスの温度について、ノズル待機室３１内の温度に比べて同様の温度調整が行うことにより、実施の形態２と同様の効果が得られる。そこで、実施の形態２のレジスト塗布装置を少し変形した変形例として、ノズル待機部３０Ｄにおける特にバブリング室３２へキャリアガスを供給する構成について変更を加えたレジスト塗布装置の変形例について、以下、図７を用いて説明を行う。なお、ここでは、実施の形態２からの変更点に重点をおいて説明を行う。
【００８２】
先ず、実施の形態２の変形例のレジスト塗布装置の構成について、図７を用いて説明を行う。この実施の形態２からの変更点の要部を示す図７は、実施の形態２における図６に対応し、ノズル待機部３０Ｄより変更されたノズル待機部３０Ｅの詳細を示した説明図である。ここで説明を行う実施の形態２の変形例のレジスト塗布装置のノズル待機部３０Ｅにおいては、図７に示されるとおり、バブリング室３２には、特に加熱機構や温度調節機構を設けることなく、キャリアガス供給源３４とバブリングフィルタ３３との間を接続し、キャリアガスを供給する供給経路であるキャリアガス供給配管３６の途中において、加熱機構や温度調節機構を設けた構成に変更することとした。より具体的には、キャリアガス供給配管３６の途中に、加熱機構として、加熱ヒータ３８と、加熱ヒータ３８を収容する加熱室３９を設けた構成とした。また、実施の形態２と同様に、加熱ヒータ３８には、加熱室３９内の温度を測定する温度センサと連動して、加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構に接続される構成とされることが望ましい。つまり、加熱ヒータ３８に加えて、加熱室３９内のキャリアガスの温度を測定する温度センサと、加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構を備えていることが望ましい。
【００８３】
また、実施の形態２と同様に、図示されるとおり、更に、ノズル待機室３１内の温度を測定する温度センサＳＭを備えて、上記説明した加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構については、この温度センサＳＭにより測定されたノズル待機室３１内の温度との相対比較により、加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する機能を有することが望ましい。なお、レジスト塗布装置がクリンルーム内などの室温の温度管理がされる環境に置かれていて、ノズル待機室３１内の温度の変動などが殆ど無い場合には、上記の温度センサＳＭを省略することも可能である。その場合には、上記説明した加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理する温度調節機構は、温度センサＳＭが測定したノズル待機室３１内の温度の代わりに、その変動が少なく管理されたノズル待機室３１内の通常の温度を用いて、その温度との相対比較により、加熱室３９内のキャリアガスの温度を所定の温度範囲に管理すれば良いことになる。
【００８４】
また、加熱室３９内のキャリアガスの温度を管理する際に目安となる所定の温度範囲と、その作用については、実施の形態２における溶剤ＳＬの温度を管理する際の目安となる所定の温度範囲と、その作用と同様であることから、ここでは重複説明を省略することにする。
【００８５】
以上のとおり、この実施の形態２の変形例においても、実施の形態２と同様に、ノズル待機室３１内の溶剤雰囲気を飽和蒸気圧程度、或いは飽和蒸気圧を少し超えた程度まで高めた状態で、適宜、ノズル２１をノズル待機室３１の筺体部３１ａ内に挿入し、待機動作を行うことで、実施の形態２と同様に、待機時におけるノズル２１の先端部において、塗布剤であるレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止することができる。また、ハブリング室３２内に供給されるキャリアガスの温度について、ノズル待機室３１内の温度に比べて、或いは、室温に比べて、少なくとも高く設定されること、更に、３度未満の範囲で高くなる所定範囲に管理されることにより、ノズル待機室３１の雰囲気について、より溶剤ＳＬの乾燥が発生し難い雰囲気とすることができる。更に、確実に乾燥を生じない雰囲気である一方、過剰な結露を生ずることもない適切な雰囲気に安定化することができる。
【００８６】
また、この実施の形態２の変形例では、基本的な装置構成については、実施の形態１或いは実施の形態２と共通していることから、実施の形態１或いは実施の形態２のレジスト塗布装置で得られる基本的な効果となるノズル２１に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良を防ぐこと、待機時においてノズル２１の先端部でレジストＲＥが乾燥することを効果的に防止すること、その結果として、塗布されるレジストＲＥの膜厚精度の安定を維持すること、更に、ノズル２１の待機後のダミーディスペンス処理の回数の削減や省略により塗布剤であるレジストＲＥの使用量を削減すること、或いは乾燥防止のために用いられる溶剤ＳＬの使用量を削減することなどが可能となるといった効果についても得られることになる。
【００８７】
以上説明を行なった実施の形態１、２、およびそれら変形例においては、先端部に１つの円形の塗布剤の吐出口を有したノズル２１より、塗布剤としてレジストＲＥを基板Ｗの中央部に滴下塗布し、基板Ｗを保持する真空チャック１１を回転動作することにより、基板Ｗ上の中央部に滴下されたレジストＲＥが基板Ｗの表面全体に拡がり塗布する中央滴下方式のレジスト塗布装置に適用した例により説明を行った。一方、本発明は、図８に示すように、スリット状の塗布剤の吐出口２５ｏを有したノズル２５を水平方向（図中に矢印にてノズル２５の動作方向を示す）に移動動作することにより、基板Ｗ上に、塗布剤であるレジストＲＥを平面状に塗布するスリットコータ方式のレジスト塗布装置に適用しても良く、上記説明を行った実施の形態１、２、およびそれら変形例で得られる効果と同様の効果が得られる。特に、このスリットコータ方式のレジスト塗布装置においては、上記のとおり、比較的広い面積のスリット状の吐出口２５ｏを有することから、ノズル２５の先端部のレジストが乾燥することによる吐出不良についても、ノズル２５の先端部に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良についても発生し易いことから、本発明を適用した際における改善効果が高く、より好適に適用することができる。
【００８８】
また、以上説明を行なった実施の形態１、２、およびそれら変形例においては、塗布剤としてレジストＲＥを対象とするレジスト塗布装置に適用した例により説明を行なったが、塗布装置の用途、塗布剤などについてもレジスト塗布装置に限られない。つまり、液晶表示装置や半導体装置などの電子機器などを製造する際において、製造途中のワークである基板Ｗ等の表面に溶剤ＳＬを含んだ液体やペーストなどの塗布剤（例えば、シール剤、接着剤など）をノズルより吐出して塗布する塗布装置であれば、ノズルの先端部で塗布剤が乾燥することによる吐出不良が発生すること、ノズルの先端部に溶剤ＳＬが付着することによる塗布不良が発生することといった課題は共通していることから、本発明を好適に適用することが可能である。つまり、実施の形態１、２、およびそれら変形例のレジスト塗布装置において得られる効果と同様の効果が得られることになる。
【００８９】
また、本発明は上記説明を行った実施の形態１、２およびそれら変形例或いは変形を示唆した構成に限られたものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、一部構成について適宜公知の構成に変更することが可能である。また、上記説明を行った実施の形態１、２およびそれら変形例或いは変形を示唆したそれぞれの構成は、矛盾を生じない範囲で互いに組み合わせて適用することができ、それぞれの構成により生ずるそれぞれの効果や複合効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００９０】
１０  塗布処理部、
１１  真空チャック、１２  回転軸、１３  カップ、１３ｄ  排出口、
２０  レジスト供給部、２１，２５  ノズル、２１ｃ  蓋部材、
２２  レジスト収容タンク、２３  レジスト供給配管、２４  ベローズポンプ、
２５ｏ  吐出口、
３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ  ノズル待機部、
３１  ノズル待機室、３１ａ  筺体部、３１ｄ  排出口、３１ｏ  ノズル挿入口、
３１ｂ  周壁部、３１ｓ  開閉シャッタ、３１ｐ  パッキング材、
３２  バブリング室、３３  バブリングフィルタ、３４  キャリアガス供給源、
３５  キャリアガス（高濃度溶剤混入）供給用配管、
３６  キャリアガス供給配管、３６ａ  制御バルブ、３６ｐ  ポンプ、
３７  排気配管、３７ａ  逆止弁（逆流防止弁）、３７ｄ  排気口、
３８  加熱ヒータ、３９  加熱室、
４０  廃液系統部、４１，４１Ｂ  廃液タンク、４１ｄ  排出口、４２  廃液配管、
Ｗ  基板、ＲＥ  レジスト、ＳＬ  溶剤、ＤＬ  廃液、ＢＢ  気泡、
ＳＭ  温度センサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2019096640.tif 000010