(57)【要約】【課題】良好な面内均一性を有するシリコン膜を基板上に形成することのできる基板処理装置と基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、処理容器の近傍において処理容器の内壁に沿って上下方向に延設するとともに長手方向に複数のガス孔を有するインジェクタと、を備えている基板処理装置であって、ガス孔が処理容器の近傍の内壁に配向している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って上下方向に延設するとともに長手方向に複数のガス孔を有するインジェクタと、を備えている基板処理装置であって、
前記ガス孔が、前記処理容器の近傍の内壁に配向していることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置の平面視において、前記ボートに搭載される前記基板の中心と前記インジェクタの中心を通る径方向線が前記内壁と交差する点を基準点とした際に、該インジェクタの軸心周りの該基準点からの角度範囲として、時計周り及び反時計周りにそれぞれ６０度以下の角度範囲に前記ガス孔が配向していることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記角度範囲が、時計周り及び反時計周りにそれぞれ４５度以下の角度範囲であることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記インジェクタの有する前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスが、前記内壁に反射された後に該処理容器内に拡散されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
長手方向の長さが相互に異なる複数のインジェクタ、もしくは、長手方向の長さが同一の複数のインジェクタ、もしくは、上方に延設して上部で折り返された後に下方に延設する単数もしくは高さの異なる複数の折り返し型のインジェクタ、のいずれかを有していることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記インジェクタの有する前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスが、前記内壁に反射され、隣接する前記インジェクタに反射された後に前記処理容器内に拡散されることを特徴とする、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記インジェクタの有する前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスが、前記内壁に反射され、該インジェクタ自身に反射された後に前記処理容器内に拡散されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスが成膜のための原料ガスであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスがエッチングガスであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板が搭載されるボートを収容する処理容器の内部において、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って上下方向に延設するインジェクタの有する複数のガス孔から処理ガスを供給して基板を処理する基板処理方法であって、
前記インジェクタの前記ガス孔から該インジェクタの近傍の前記内壁に前記処理ガスを吐出し、該内壁に反射させた後に前記処理容器内に該処理ガスを拡散させながら前記基板を処理することを特徴とする、基板処理方法。
【請求項１１】
前記インジェクタは、手方向の長さが相互に異なる複数のインジェクタ、もしくは、長手方向の長さが同一の複数のインジェクタ、もしくは、上方に延設して上部で折り返された後に下方に延設する単数もしくは高さの異なる複数の折り返し型のインジェクタ、のいずれかであり、
前記インジェクタの前記ガス孔から該インジェクタの近傍の前記内壁に前記処理ガスを吐出し、該内壁に反射させ、隣接する前記インジェクタに反射させた後に前記処理容器内に該処理ガスを拡散させながら前記基板を処理することを特徴とする、請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記インジェクタの前記ガス孔から該インジェクタの近傍の前記内壁に前記処理ガスを吐出し、該内壁に反射させ、該インジェクタ自身に反射させた後に前記処理容器内に該処理ガスを拡散させながら前記基板を処理することを特徴とする、請求項１０又は１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記処理容器の平面視において、前記ボートに搭載される前記基板の中心と前記インジェクタの中心を通る径方向線が前記内壁と交差する点を基準点とした際に、該インジェクタの軸心周りの該基準点からの角度範囲として、時計周り及び反時計周りにそれぞれ６０度以下の角度範囲に前記処理ガスを吐出することを特徴とする、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記角度範囲が、時計周り及び反時計周りにそれぞれ４５度以下の角度範囲であることを特徴とする、請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスが成膜のための原料ガスであることを特徴とする、請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記ガス孔から前記処理容器内に供給される処理ガスがエッチングガスであることを特徴とする、請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置と基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理容器内において、基板の側方に沿って延びるとともに長手方向に間欠的にガス孔を有するガスノズル（インジェクタ）を具備する熱処理装置において、ガスノズルの中心と基板の中心を結ぶ中心線方向を基準として、基準線からのガス孔の配向角度θを、ガスノズル中心から基板の外周端部を結ぶ接線までの角度以上の範囲に設定する熱処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、インジェクタの長手方向に設けられた多数のガス噴出口を、支持体に載置された基板の中心に向かう方向とは異なる方向、例えば、基板の中心方向に対して９０度の方向に向けた反応装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−２１８９１６号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の熱基板処理装置や特許文献２に記載の反応装置では、基板に成膜されるシリコン膜の面内均一性に改善の余地がある。また、特許文献２に記載の反応装置のように、ガス噴出口を基板の中心方向に対して９０度の方向に向けた装置では、複数のインジェクタが間隔を置いて処理容器の内壁の内側においてその周方向に並設する場合に、一方のインジェクタのガス噴出口から９０度方向に吐出されたガスが隣接する他方のインジェクタに対して直接衝突してしまい、ガスを処理容器内に行き渡らせることができ難くなる。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、良好な面内均一性及び面間均一性を有するシリコン膜を基板上に形成することのできる基板処理装置と基板処理方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成すべく、本発明による基板処理装置の一態様は、基板が搭載されるボートを収容する処理容器と、該処理容器の近傍において該処理容器の内壁に沿って上下方向に延設するとともに長手方向に複数のガス孔を有するインジェクタと、を備えている基板処理装置であって、
前記ガス孔が、前記処理容器の近傍の内壁に配向していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の基板処理装置と基板処理方法によれば、良好な面内均一性及び面間均一性を有するシリコン膜を基板に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置を含む基板処理システムの全体構成の一例を示す断面図である。
【図２】図１のII−II矢視図であって、最も長さの長いインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図である。
【図３】図１のIII−III矢視図であって、中間の長さのインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図である。
【図４】図１のIV−IV矢視図であって、最も長さの短いインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図である。
【図５】基板処理システムを構成する制御装置のハードウェア構成の一例を示す図である。
【図６】基板処理システムを構成する制御装置の機能構成の一例を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基板処理方法の一例を説明する工程断面図である。
【図８】ウエハ中心方向にエッチングガスを流す比較例１と、チューブ方向（ウエハ中心反対方向）にエッチングガスを流す実施例１に関するエッチングガスの濃度に関する解析結果とエッチング量に関する実験結果を示す図である。
【図９】（ａ）は、ウエハボートの中央領域における比較例１のエッチング量に関する実験結果を示す図であり、（ｂ）は、比較例１の面内均一性に関する実験結果を示す図である。
【図１０】（ａ）は、ウエハボートの中央領域における実施例１のエッチング量に関する実験結果を示す図であり、（ｂ）は、実施例１の面内均一性に関する実験結果を示す図である。
【図１１】（ａ）は、ウエハボートの下方領域から上方領域に亘る比較例２の膜厚及び膜厚の面内均一性に関する実験結果を示す図であり、（ｂ）は、ウエハボートの下方領域から上方領域に亘る実施例２の膜厚及び面内均一性に関する実験結果を示す図である。
【図１２】処理容器の上方領域において、原料ガスの吐出方向を変化させた際の原料ガスの流速分布を示す気流解析の結果を示す図である。
【図１３】処理容器の中央領域において、原料ガスの吐出方向を変化させた際の原料ガスの流速分布を示す気流解析の結果を示す図である。
【図１４】処理容器の下方領域において、原料ガスの吐出方向を変化させた際の原料ガスの流速分布を示す気流解析の結果を示す図である。
【図１５】インジェクタ付近の原料ガスの流線を示す気流解析の結果を示す図である。
【図１６】インジェクタからウエハに亘る原料ガスの流線を示す気流解析の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る基板処理装置と基板処理装置を含む基板処理システム、及び基板処理方法について、添付の図面を参照しながら説明する。尚、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１１】
［実施形態］
＜基板処理システム＞
はじめに、本発明の実施形態に係る基板処理装置を含む基板処理システムの全体構成を概説する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理システムの全体構成の一例を示す断面図である。
【００１２】
図１に示すように、基板処理システム３００は、バッチ式の縦型成膜装置である基板処理装置１００と、制御装置２００とを有する。制御装置２００は、基板処理装置１００を構成する各部と有線もしくは無線にて接続されており、制御装置２００内に格納されている各種のプロセスレシピに基づく指令信号が基板処理装置１００の各部に送信され、基板処理装置１００による基板への成膜が実行されるようになっている。また、基板処理装置１００を構成する各種のセンサ情報等が制御装置２００に送信され、制御装置２００はこの受信したセンサ情報等に基づいて各種プロセスの継続や停止、基板処理装置１００内の温度条件や圧力条件等の変更等を実行するようになっている。
【００１３】
＜基板処理装置＞
次に、図１を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置について説明する。基板処理装置１００は、処理容器１０と、処理容器１０の外側で処理容器１０を包囲するヒータ８０と、処理容器１０内に各種ガスを供給するガス供給部６０と、処理容器１０からガスを排気するガス排気部９０を有する。更に、複数の基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）を上下方向に所定の間隔で保持するウエハボート７０と、ウエハボート７０をＸ１方向に昇降させることにより複数のウエハＷを処理容器１０内にロード及びアンロードするボートエレベータ５０とを有する。
【００１４】
処理容器１０は、下端部が開放された有天井で円筒状のインナーチューブ１１（内側処理管）と、下端部が開放されてインナーチューブ１１の外側を覆う有天井で円筒状のアウターチューブ１２（外側処理管）とを有する。インナーチューブ１１とアウターチューブ１２はいずれも、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造を呈している。
【００１５】
インナーチューブ１１の天井は例えば平坦に形成されており、円筒状のインナーチューブ１１の内壁面の内側の一方領域にはインジェクタが配設されるインジェクタ配設領域１１ａが設けられており、このインジェクタ配設領域１１ａに対向する他方領域には、インナーチューブ１１外へガスを排気するガス排気口１３が形成されている。ガス排気口１３は、主としてインナーチューブ１１内の処理ガスを排気するための排気口であり、その鉛直方向の長さは適宜設定でき、例えば、図示例のようにウエハボート７０の鉛直方向長さと同程度の長さの開口が適用される。
【００１６】
処理容器１０を形成するインナーチューブ１１とアウターチューブ１２のそれぞれの下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒状のマニホールド２０により支持されている。円筒状のマニホールド２０の上端には、アウターチューブ１２を支持する環状フランジ２１が外側に突出するようにして形成されており、更に、マニホールド２０の下方には、インナーチューブ１１を支持する環状フランジ２２が内側に突出するようにして形成されている。環状フランジ２２上にインナーチューブ１１の下端が載置され、環状フランジ２１上にアウターチューブ１２の下端の環状フランジ１４が載置されてそれぞれ支持されている。そして、マニホールド２０の環状フランジ２１とアウターチューブ１２の環状フランジ１４の間にはＯリング等のシール部材２３が介在し、アウターチューブ１２とマニホールド２０が気密状態に接続されている。
【００１７】
円筒状のマニホールド２０の下端の開口には、蓋体４０がＯリング等のシール部材４１を介して気密に取り付けられており、処理容器１０の下端の開口を気密に塞いでいる。この蓋体４０は、例えばステンレス鋼により形成されている。
【００１８】
蓋体４０の中央部には磁性流体シール部材５３が取り付けられており、この磁性流体シール部材５３には回転軸５２が回転自在でかつ気密状態に貫通（遊嵌）している。回転軸５２の下端は、昇降機構であるボートエレベータ５０から側方に延びる支持アーム５１に回転自在に支持されており、モータ等のアクチュエータによってＸ２方向に回転自在となっている。
【００１９】
回転軸５２の上端には回転プレート５４が配設されており、回転プレート５４には石英製の保温筒５５が搭載されている。そして、保温筒５５には、上下方向に所定間隔を置いて並ぶ複数のウエハＷを保持するウエハボート７０が載置されている。この構成により、ボートエレベータ５０をＸ１方向に昇降させると、支持アーム５１、回転プレート５４及び保温筒５５を介してウエハボート７０が一体に昇降し、ウエハボート７０を処理容器１０内に対して搬出入することができる。また、回転軸５２の回転により、ウエハボート７０を回転させることができる。
【００２０】
ガス供給部６０は、不図示の複数のガス供給源と、これら複数のガス供給源に対して不図示の制御バルブを介して流体連通する複数（例えば、図示例のように３本）のインジェクタ６２，６４，６６とを有する。各インジェクタ６２，６４，６６は、インナーチューブ１１の内壁内側において、インナーチューブ１１の長手方向（鉛直方向）に沿って配設されると共に、それらの基端部はＬ字状に屈曲されてマニホールド２０の側面を貫通し、対応するガス供給源に延びている。
【００２１】
インジェクタ６２，６４，６６は、インナーチューブ１１の内壁内側のインジェクタ配設領域１１ａにおいて、周方向に沿って一列になるように相互に間隔を置いて配設されており、インジェクタ６２，６４，６６の順に鉛直方向の長さが短くなっている。
【００２２】
長さの最も長いインジェクタ６２には、インナーチューブ１１の上方領域に処理ガスを供給するべく、その上方の所定範囲内において長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔６２ａが開設されており、このガス孔６２ａはインナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向している。そして、インナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向しているガス孔６２ａを介して水平方向に吐出された各種処理ガスを、内壁面に反射させた後、ウエハＷ側へＹ１方向に供給できるようになっている。
【００２３】
ここで、図２を参照して、ガス孔６２ａの配向角度について説明する。図２は、図１のII−II矢視図であって、最も長さの長いインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図（基板処理装置の平面図）である。
【００２４】
図２に示すように、基板処理装置１００の平面視において、ボートに搭載されるウエハＷの中心Ｃ１とインジェクタ６２の中心Ｃ２を通る径方向線Ｌ１がインナーチューブ１１の内壁と交差する点を基準点Ｓ１とする。インジェクタ６２の中心Ｃ２を通る軸心周りの基準点Ｓ１からの角度範囲は、時計周りの角度θ１と反時計周りの角度θ２として、それぞれ６０度以下の角度範囲にガス孔６２ａが配向している。すなわち、インナーチューブ１１側に向いて、基準点Ｓ１周りに１２０度の範囲内にガス孔６２ａが配向している。
【００２５】
このように、基準点Ｓ１周りに１２０度の範囲内にガス孔６２ａが配向していることにより、まず、インジェクタ６２のガス孔６２ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、ウエハＷ側へＹ１方向に拡散することができる。又、インジェクタ６２のガス孔６２ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６２自身に反射してウエハＷ側へＹ１方向に拡散することができる。又、インジェクタ６２のガス孔６２ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、隣接するインジェクタ６４に反射し、場合によってはインジェクタ６２自身に更に反射して、ウエハＷ側へＹ１方向に拡散することができる。尚、従来の基板処理装置を構成するインジェクタのように、ガス孔がウエハ側に配向している形態では、後述する本発明者等による解析結果及び実験結果より、ガス孔に近い領域のエッチング量が相対的に少なくなり、面内均一な膜厚のシリコン膜をウエハ表面に形成し難い。ガス孔６２ａから吐出された各種の処理ガスは、インナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６２自身や更には隣接するインジェクタ６４に反射することにより、複数反射後の処理ガスは水平方向のみならず鉛直方向にも拡散され、処理容器１０内に拡散される。
【００２６】
また、インナーチューブ１１内を所定の高温雰囲気として処理ガスをインナーチューブ１１内に供給するプロセスにおいて、図２に示すようにインナーチューブ１１の内壁に処理ガスを衝突させ、反射させてウエハＷ側へ拡散させるＹ１方向の処理ガスの流れにより、ウエハＷに処理ガスが到達するまでの時間を可及的に長くすることができる。その結果、ウエハＷに到達する過程で処理ガスが所定温度まで昇温され易くなり、昇温によって分解した状態でウエハＷに提供され易くなる。そのため、分解した処理ガスによる十分な作用が奏される。具体的には、処理ガスが例えば塩素（Ｃｌ２）ガス等のエッチングガスの場合は、昇温して分解した塩素ガスにより、高いエッチング効果が奏される。また、処理ガスがＳｉ２Ｈ６（ジシラン）ガス等の原料ガスの場合は、昇温して分解したジシランガスにより、良好な膜付き性（インキュベーションタイムの短縮化）が奏される。これに対し、従来のインジェクタのようにウエハＷに処理ガスを直接吐出する場合は、処理ガスが昇温して分解するまでにウエハＷに到達してしまい、各種の処理ガスに期待される作用が十分に奏され難い。
【００２７】
上記するように、インジェクタ６２のガス孔６２ａの配向角度範囲は、基準点Ｓ１から時計周りと反時計周りにそれぞれ６０度以下の角度範囲であるが、時計周りと反時計周りにそれぞれ４５度以下の角度範囲がより好ましい。すなわち、インナーチューブ１１側に向いて、基準点Ｓ１周りに９０度の範囲内にガス孔６２ａを配向させるのが好ましい。この角度範囲では、ガス孔６２ａから吐出された処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に対してより強い衝撃力で衝突して反射する。その結果、処理ガスの乱流状態が一層助長され、処理ガスがウエハＷに到達するまでの時間が一層長くなると共に、ウエハＷの全面に一層均等な量の処理ガスを供給することが可能になる。
【００２８】
一方、中間の長さのインジェクタ６４には、インナーチューブ１１の中央領域に処理ガスを供給するべく、その上方の所定範囲内において長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔６４ａが開設されており、インジェクタ６２と同様に、複数のガス孔６４ａはインナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向している。そして、インナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向しているガス孔６４ａを介して水平方向に吐出された各種処理ガスを、内壁面に反射させた後、ウエハＷ側へＹ２方向に供給できるようになっている。又、インジェクタ６４のガス孔６４ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６４自身に反射してウエハＷ側へＹ２方向に拡散することができる。又、インジェクタ６４のガス孔６４ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、隣接するインジェクタ６２，６６に反射し、場合によっては更にインジェクタ６４自身に反射して、ウエハＷ側へＹ２方向に拡散することができる。ガス孔６４ａから吐出された各種の処理ガスは、インナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６４自身や更には隣接するインジェクタ６２，６６に反射することにより、複数反射後の処理ガスは水平方向のみならず鉛直方向にも拡散され、処理容器１０内に拡散される。
【００２９】
ここで、図３は、図１のIII−III矢視図であって、中間の長さのインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図（基板処理装置の平面図）である。ガス孔６４ａに関しても、ガス孔６２ａと同様の角度範囲内に配向するようにインジェクタ６４が設置される。
【００３０】
更に、最も長さの短いインジェクタ６６には、インナーチューブ１１の下方領域に処理ガスを供給するべく、その上方の所定範囲内において長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔６６ａが開設されており、インジェクタ６２、６４と同様に、最も長さの短いインジェクタ６６においても、複数のガス孔６６ａはインナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向している。そして、インナーチューブ１１の近傍の内壁側に配向しているガス孔６６ａを介して水平方向に吐出された各種処理ガスを、内壁面に反射させた後、ウエハＷ側へＹ３方向に供給できるようになっている。又、インジェクタ６６のガス孔６６ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６６自身に反射してウエハＷ側へＹ３方向に拡散することができる。又、インジェクタ６６のガス孔６６ａから吐出された各種の処理ガスがインナーチューブ１１の内壁に反射した後、隣接するインジェクタ６４に反射し、場合よっては更にインジェクタ６６自身に反射して、ウエハＷ側へＹ３方向に拡散することができる。ガス孔６６ａから吐出された各種の処理ガスは、インナーチューブ１１の内壁に反射した後、インジェクタ６６自身や更には隣接するインジェクタ６４に反射することにより、複数反射後の処理ガスは水平方向のみならず鉛直方向にも拡散され、処理容器１０内に拡散される。
【００３１】
ここで、図４は、図１のIV−IV矢視図であって、最も長さの短いインジェクタのガス孔を通る水平面で切断した断面図（基板処理装置の平面図）である。ガス孔６６ａに関しても、ガス孔６２ａ、６４ａと同様の角度範囲内に配向するようにインジェクタ６６が設置される。
【００３２】
尚、図示する基板処理装置１００は、処理容器１０内において、インナーチューブ１１の内側の側方から水平方向に各種の処理ガスを供給する、所謂サイドフロー形式の基板処理装置であるが、例えば、インナーチューブ１１の下方から上方に各種の処理ガスを吹上げるようにして供給するインジェクタとの組み合わせであってもよい。サイドフロー形式の基板処理装置を適用して各ウエハＷに処理ガスを供給する際には、ウエハボートを回転させることにより、各ウエハＷに対して全面に処理ガスを供給する制御が一般に行われる。しかしながら、図示例の基板処理装置１００においては、ウエハボート７０を回転させなくても、インナーチューブ１１の内壁にて反射し、ウエハＷ側へ拡散される処理ガスの流れにより、ウエハＷの全面に均等量の処理ガスを供給することが可能になる。
【００３３】
また、図示する基板処理装置１００と異なり、鉛直方向の長さが同一の複数本のインジェクタを有し、各インジェクタがウエハボート７０の下端から上端まで処理ガスを供給できる複数のガス孔を所定間隔に有し、各インジェクタの各ガス孔から一斉に処理ガスを供給するサイドフロー形式の基板処理装置であってもよい。また、一本のインジェクタのみを有する基板処理装置であってもよい。また、上方に延設して上部で折り返された後に下方に延設する１本の折り返し型のインジェクタを有する基板処理装置であってもよいし、高さの異なる複数の折り返し型のインジェクタを有する基板処理装置であってもよい。折り返し型のインジェクタの場合は、下方に延設する領域から供給された原料ガスがインナーチューブの内壁に反射した後、隣接して並ぶ上方に延設する領域に反射し易くなる。また、複数のインジェクタからは、プロセス毎に同一の処理ガスが供給される制御方法が適用されてもよい。更に、同じ長さの複数のインジェクタを有する制御装置においては、各プロセスにおいて各インジェクタから異種の処理ガスが供給される制御方法が適用されてもよい。
【００３４】
インジェクタ６２，６４，６６の各ガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａから供給される処理ガスとしては、成膜ガス（原料ガス）やエッチングガス、パージガス、酸化ガス、窒化ガス、還元ガス等の各種の処理ガスが挙げられる。処理ガスの具体例については、以下の基板処理方法の説明の際に詳説する。
【００３５】
図１に戻り、マニホールド２０の側壁の上方には、ガス排気口１６が形成されており、ガス排気口１６は、インナーチューブ１１とアウターチューブ１２の間のガス流通空間１５に連通している。例えば、インジェクタ６２のガス孔６２ａ等から供給された処理ガスは、インナーチューブ１１の内壁にて反射してウエハＷ側に流通した後、ガス流通空間１５をＹ４方向に流れ、ガス排気口１６内にＹ５方向に流入して装置外へ排気される。このガス排気口１６には、ガス排気部９０が設けられている。ガス排気部９０は、ガス排気口１６に連通する排気流路９２と、排気流路９２の下流端にて処理ガスの真空吸引を実行する真空ポンプ９１と、排気流路９２の途中位置において吸引時の圧力調整を実行する圧力調整弁９３とを有する。
【００３６】
＜制御装置＞
次に、基板処理システムを構成する制御装置について説明する。図５は、制御装置のハードウェア構成の一例を示す図であり、図６は、制御装置の機能構成の一例を示す図である。
【００３７】
制御装置２００はコンピュータにて構成されており、図５に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２０１、ＲＡＭ（Random Access Memory）２０２、ＲＯＭ（Read Only Memory）２０３、ＮＶＲＡＭ（Non-Volatile RAM）２０４、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）２０５、Ｉ／Ｏポート２０６等を有する。そして、各部は、情報伝達可能にバス２０７にて接続されている。
【００３８】
ＲＯＭ２０３には、各種のプログラムやプログラムによって利用されるデータ等が記憶されている。ＲＡＭ２０２は、プログラムをロードするための記憶領域や、ロードされたプログラムのワーク領域として用いられる。ＣＰＵ２０１は、ＲＡＭ２０２にロードされたプログラムを処理することにより、各種の機能を実現する。ＨＤＤ２０５には、プログラムやプログラムが利用する各種のデータ等が記憶される。ＮＶＲＡＭ２０４には、各種の設定情報等が記憶される。
【００３９】
ＨＤＤ２０５には、各種のレシピ情報、例えば、成膜工程、エッチング工程、パージ工程等のプロセスごとの温度条件や圧力条件、プロセス時間等に関するシーケンス情報等が記憶されている。そして、基板処理装置１００に所定枚数のウエハＷがロードされてから、処理済みのウエハＷがアンロードされるまでの例えばインナーチューブ１１内の各領域の温度変化や圧力変化、処理ガスの供給の開始のタイミングや停止のタイミング、処理ガスの供給量等が詳細に規定されている。
【００４０】
Ｉ／Ｏポート２０６は、操作パネル２２０、温度センサ２３０、圧力センサ２４０、ガス供給源２５０、ＭＦＣ（Mass Flow Controller、マスフローコントローラー）２６０、バルブ制御部２７０、真空ポンプ２８０、ボートエレベータ駆動機構２９０等に接続され、各種のデータや信号の入出力を制御する。
【００４１】
ＣＰＵ２１０は、制御装置２００の中枢を構成し、ＲＯＭ２０３等に記憶された制御プログラムを実行する。また、ＣＰＵ２１０は、操作パネル２２０からの指示信号に基づき、ＨＤＤ２０５内に格納されているレシピ（プロセスレシピ）に沿って基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御する。すなわち、ＣＰＵ２１０は、温度センサ（群）２３０、圧力センサ（群）２４０、ガス供給源（群）２５０、ＭＦＣ２６０等に内側処理管１１内及び排気流路９２内等の各部の温度や圧力、流量等を測定させる。そして、この測定データに基づいて、ＭＦＣ２６０やバルブ制御部２７０、真空ポンプ２８０等に制御信号を出力し、上記各部がプロセスレシピに従うように制御する。
【００４２】
また、制御装置２００は、図６に示すように、成膜部２１０、エッチング部２１２、パージ部２１４、温度調整部２１６及び圧力調整部２１８等を有する。
【００４３】
成膜部２１０は、ウエハＷの表面に各種の原料ガスを供給し、アモルファスシリコン等からなるシリコン膜（Ｓｉ膜）や、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の絶縁膜を形成する。これらＳｉ膜や絶縁膜等の成膜方法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法や、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）法等が適用され得る。成膜部２１０による成膜では、設定されたプロセスレシピに従い、異なるシリコン含有ガス（Ｓｉ原料ガス）がウエハＷに順次供給され、シリコン膜が順次形成され得る。
【００４４】
エッチング部２１２は、例えばウエハＷの表面に所定のＳｉ膜が形成された段階で、プロセスレシピに従い、ハロゲンガス等からなるエッチングガスをウエハＷに供給してＳｉ膜の一部もしくは全部をエッチングする。
【００４５】
パージ部２１４は、成膜工程やエッチング工程等、主要な工程の間に、又は、全工程を通じて、プロセスレシピに従い、供給された原料ガスやエッチングガス等を処理容器１０外へパージする。パージ部２１４により、例えばエッチング工程と成膜工程以外の全工程に亘ってチッ素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスが処理容器１０内に供給されてもよい。
【００４６】
温度調整部２１６は、処理容器１０内、より厳密にはウエハボート７０に載置された各ウエハＷの温度を、各種プロセスごとにプロセスレシピに従った温度となるように調整する。例えば成膜工程においては、異なる原料ガスを順次供給してシリコン膜を成膜する場合には、ウエハＷが原料ガスごとにプロセスレシピに応じた温度となるように温度調整部２１６にて処理容器１０内の温度が調整される。
【００４７】
圧力調整部２１８は、処理容器１０内の圧力を、各種プロセスごとにプロセスレシピに応じた圧力となるように調整する。例えば成膜工程においては、異なる原料ガスを順次供給してシリコン膜を成膜する場合に、処理容器１０内が原料ガスごとにプロセスレシピに応じた圧力となるように圧力調整部２１８にて処理容器１０内の圧力が調整される。また、パージ工程では、前工程にて処理容器１０内に供給された原料ガスやエッチングガス等を所定時間内でパージするべく、真空ポンプ２８０による真空吸引力が圧力調整部２１８にて調整される。
【００４８】
＜基板処理方法＞
次に、本発明の実施形態に係る基板処理方法について説明する。図７は、基板処理方法の一例を説明する工程断面図であり、図７の左上の工程（ａ）から左下の工程（ｆ）までが一連のシーケンスとなる。
【００４９】
まず、工程（ａ）に示すように、トレンチやホール等の凹部４０４が所定パターンで形成された、ＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜等からなる絶縁膜４０２を有しているウエハ４００を処理容器１０内にロードする。尚、凹部４０４の寸法の一例を挙げると、例えば、開口径もしくは開口幅が５乃至４０ｎｍであり、深さが５０乃至３００ｎｍ程度である。
【００５０】
次に、工程（ｂ）に示すように、処理容器１０内に最初の原料ガスを供給する第１成膜工程を実行し、凹部４０４の表面にアモルファスシリコンからなる第１シリコン膜４０６（シード層）を成膜する。各インジェクタ６２，６４，６６のガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａは上記する所定の角度範囲内に配向されており、各ガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａから吐出された原料ガスは、インナーチューブ１１の内壁で反射して対応するボート領域の各ウエハＷに提供される。
【００５１】
ここで、アモルファスシリコンからなる第１シリコン膜４０６を形成する原料ガスとしては、シラン系化合物やアミノシラン系化合物を用いることができる。シラン系化合物としては、例えば、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等を挙げることができる。また、アミノシラン系化合物としては、例えば、ＢＡＳ（ブチルアミノシラン）、ＢＴＢＡＳ（ビスターシャリブチルアミノシラン）、ＤＭＡＳ（ジメチルアミノシラン）、ＢＤＭＡＳ（ビスジメチルアミノシラン）、ＤＰＡＳ（ジプロピルアミノシラン）、ＤＩＰＡＳ（ジイソプロピルアミノシラン）等を挙げることができる。凹部４０４を可及的にボイド等が介在しない状態にてアモルファスシリコン膜等で埋める場合に、ジメチルアミノシランやジシラン等から形成される、所謂シード層を凹部４０４の表面に形成するのが好ましい。
【００５２】
次に、工程（ｃ）に示すように、処理容器１０内に第２の原料ガスを供給する第２成膜工程を実行し、第１シリコン膜４０６の表面にアモルファスシリコンからなる第２シリコン膜４０８（シード層）を成膜する。例えば、第１シリコン膜４０６をジメチルアミノシランから形成した後、第２シリコン膜をジシランから形成することができる。凹部４０４に２つのシード層である第１シリコン膜４０６と第２シリコン膜４０８が形成された段階では、凹部４０４はシリコン膜にて完全に閉塞されていない。
【００５３】
そこで、工程（ｄ）により、第３の原料ガスをウエハ４００に供給して、シード層に比べて厚みのある第３のシリコン膜４１０を成膜する。例えば、第１シリコン膜４０６をジメチルアミノシランから形成し、第２シリコン膜をジシランから形成した後、第３シリコン膜をモノシラン（ＳｉＨ４）から形成できる。ここで、工程（ｂ）乃至（ｄ）の成膜工程におけるプロセス条件としては、処理容器１０内の温度が２００乃至６００℃程度の範囲であり、圧力が０．５乃至３０Ｔｏｒｒ（６７乃至４００２Ｐａ）程度の範囲が挙げられる。
【００５４】
次に、工程（ｅ）に示すように、ハロゲンガスからなるエッチングガスＥＧをウエハＷに供給し、第１シリコン膜４０６乃至第３シリコン膜４１０の一部をエッチングする（エッチング工程）。ハロゲンガスからなるエッチングガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＨＣｌ、Ｆ２、Ｂｒ２、ＨＢｒ等を用いることができ、これらの中でも、エッチング制御性が良好なＣｌ２ガスやＨＢｒガスが好ましい。各インジェクタ６２，６４，６６のガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａは上記する所定の角度範囲内に配向されており、各ガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａから吐出されたエッチングガスも原料ガスと同様に、インナーチューブ１１の内壁で反射して対応するボート領域の各ウエハＷに提供される。ここで、エッチング工程におけるプロセス条件としては、処理容器１０内の温度が２００乃至５００℃程度の範囲であり、圧力が０．１乃至１０Ｔｏｒｒ（１３乃至１３３４Ｐａ）程度の範囲が挙げられる。
【００５５】
次に、工程（ｆ）に示すように、凹部４０４を完全に閉塞するべく、第３の原料ガスを再度ウエハ４００に供給して、第３のシリコン膜４１０上に更に第３のシリコン膜４１２を成膜することにより、凹部４０４をシリコン膜にて完全に閉塞することができる。
【００５６】
図示する基板処理方法によれば、インジェクタ６２，６４，６６のガス孔６２ａ，６４ａ，６６ａから近傍のインナーチューブ１１の内壁に各種の処理ガスを吐出し、反射させた後に処理容器１０内に処理ガスを拡散させながらウエハＷに成膜処理やエッチング処理等が実行される。そのため、各種の処理ガスによる作用が十分に奏された各種プロセスを実行することができる。すなわち、成膜工程においては、膜付き性が良好になり、インキュベーションタイムを可及的に短くすることができる。また、エッチング工程においては、良好なエッチング性が得られる。そして、いずれのプロセスにおいても、各ウエハＷにおいて、面内均一な成膜処理やエッチング処理を実行することができ、従って膜厚に関して面内均一性と面間均一性が共に良好なシリコン膜を各ウエハＷ上に形成することができる。
【００５７】
＜ウエハ面内におけるエッチングガス濃度に関する解析とその結果、及び、エッチング量に関する実験とその結果＞
本発明者等は、図１乃至４に示すインジェクタを有する基板処理装置と従来の基板処理装置をコンピュータ内でモデル化し、塩素ガスからなるエッチングガスを用いて、アモルファスシリコン膜が成膜されているウエハに対してエッチング処理を実行した際の、ウエハ面内におけるエッチングガス濃度に関する解析を行った。
【００５８】
また、コンピュータモデルと同様の実機を用いて、アモルファスシリコン膜が成膜されているウエハに対してエッチング処理を実行した際の、ウエハ面内におけるエッチング量に関する実験を行った。
【００５９】
エッチング条件として、基板処理装置内の温度を３５０℃、圧力を０．３Ｔｏｒｒ（４０Ｐａ）とし、インジェクタは１本（１系統）で１０００ｓｃｃｍの塩素ガスを約５分間供給した。図８は、ウエハ中心方向にエッチングガスを流す比較例１と、チューブ方向（基準点Ｓ１乃至Ｓ３から反時計周りに４５度の向き）にエッチングガスを流す実施例１に関するエッチングガスの濃度に関する解析結果とエッチング量に関する実験結果を示す図である。尚、エッチングガスの濃度は、時間の経過と共に徐々に同等の濃度に収束していくが、図８に示す解析結果は、比較例１と実施例１における濃度変化を分かり易く示すために、エッチングガスを供給し始めてから約１．８秒後の状態を示している。また、図９（ａ）は、ウエハボートの中央領域における比較例１のエッチング量に関する実験結果を示す図であり、図９（ｂ）は、比較例１の面内均一性に関する実験結果を示す図である。更に、図１０（ａ）は、ウエハボートの中央領域における実施例１のエッチング量に関する実験結果を示す図であり、図１０（ｂ）は、実施例１の面内均一性に関する実験結果を示す図である。尚、比較例１及び実施例１では、ウエハナンバー９２のところだけインジェクタのガス孔とウエハ位置が一致しており、その他はインジェクタのガス孔とウエハナンバーの位置は一致していない。
【００６０】
図８より、塩素ガスの濃度に関する解析結果では、比較例１に比べて実施例１の塩素ガス濃度がウエハ面内の全体に亘って高くなることが分かる。
【００６１】
更に、エッチング量に関する実験結果より、比較例１に比べて実施例１のエッチング量は格段に大きくなっていることに加えて、比較例１ではエッチング量がウエハ面内でばらついているのに対して、実施例１ではエッチング量が面内均一であることが実証されている。尚、エッチング量の範囲に関し、比較例１はウエハ面内で３．４ｎｍの範囲であったのに対して、実施例１はウエハ面内で１ｎｍ程度の範囲となり、面内均一性が良好になっていることが確認されている。
【００６２】
また、図９（ａ）より、比較例１のエッチング量は１２ｎｍ程度であることが分かり、図９（ｂ）より、比較例１のエッチング量はスロットごとに５乃至２０％と大きくばらついていることが分かる。このようにばらつきが大きい要因としては、ウエハナンバー９２付近の面内均一性に特異点が発生しているためであると考えられる。つまり、ウエハナンバー９２に対応する位置にガス孔が設けられ、エッチングガスがウエハ中心向きに供給されるため、エッチングガスが十分に分解されずにウエハ表面のアモルファスシリコン膜と反応できなかったためであると推察される。
【００６３】
これに対して、図１０（ａ）より、実施例１のエッチング量は１４ｎｍ程度と比較例１の１０乃至２０％程度も高くなっていることが分かり、図１０（ｂ）より、実施例１のエッチング量は各スロットで５％前後にまとまっており、ばらつきが少ないことが分かる。エッチング量が大きくなった要因としては、エッチングガスがインナーチューブの内壁に反射し、拡散する過程で加熱され、分解され易くなったためであると推察される。また、エッチングガスがインナーチューブの内壁に反射して拡散することにより、ウエハ面に対して全体的にエッチングガスが供給され、ばらつきが少なくなったものと推察される。
【００６４】
本解析及び実験の結果より、本発明の実施形態に係る基板処理装置と基板処理方法を適用することにより、面内均一性の良好なシリコン膜をウエハ上に形成できることが実証されている。
【００６５】
＜膜厚とその面内均一性に関する実験とその結果＞
本発明者等は、図１乃至４に示すインジェクタ（ガス孔の配向角度がインナーチューブ側の基準点から４５度配向した角度）を有する実施例２に係る基板処理装置と、従来構成のインジェクタ（ガス孔がウエハ中心方向に配向）を有する比較例２に係る基板処理装置を用意した。そして、２００枚程度のウエハをボートに搭載して各基板処理装置内に収容し、ジシランガスを原料ガスとしてウエハに提供した際に成膜されるアモルファスシリコン膜の膜厚と、ウエハ間における膜厚の均一性（面間均一性）を検証する実験を行った。
【００６６】
基板処理装置はインジェクタを３本（３系統）有し、基板処理装置内を１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）の圧力雰囲気とし、各インジェクタから２００ｓｃｃｍの原料ガスを提供した。図１１（ａ）は、ウエハボートの下方領域から上方領域に亘る比較例２の膜厚及び膜厚の面内均一性に関する実験結果を示す図であり、図１１（ｂ）は、ウエハボートの下方領域から上方領域に亘る実施例２の膜厚及び面内均一性に関する実験結果を示す図である。尚、図１１（ａ）、（ｂ）の横軸は蓋体４０の上面からの高さ位置を示しており、図示する実験結果は、その間の４００ｍｍ乃至１４００ｍｍの範囲（ウエハボートに対応する領域）の結果を抽出したものである。インジェクタのガス孔とウエハの位置は、高さが１８８０ｍｍと８８０ｍｍのところだけが一致しており、その他は完全には一致していない。
【００６７】
図１１（ａ）より、比較例２では、ウエハボートの高さ方向で膜厚にばらつきがあり、面間均一性も最大で６％程度になることが実証されている。これに対し、図１１（ｂ）より、実施例２では、ウエハボートの高さ方向で膜厚にばらつきが殆ど無く、面間均一性も２％未満の極めて少ない値になることが実証されている。
【００６８】
本実験により、本発明の実施形態に係る基板処理装置と基板処理方法を適用することにより、縦型バッチ炉における複数のウエハに関し、面間均一性の良好なシリコン膜を各ウエハ上に形成できることが実証されている。
【００６９】
＜インジェクタのガス孔の角度範囲を規定する解析とその結果＞
本発明者等は、インジェクタのガス孔の角度範囲を規定する解析を行った。解析モデルでは、鉛直方向に所定間隔を置いてウエハボートに１５６枚のウエハを搭載し、３枚のウエハごとに１つのガス孔から処理ガスが供給されるモデルとした。処理容器内の温度は３８０℃、圧力は１．５Ｔｏｒｒ（２００Ｐａ）とし、原料ガスとしてジシランガスを各ガス孔から１０ｓｃｃｃｍ提供することとした。図１２乃至図１４はそれぞれ、処理容器の上方領域、中央領域、及び下方領域において、原料ガスの吐出方向を変化させた際の原料ガスの流速分布を示す気流解析の結果を示す図である。また、図１５は、インジェクタ付近の原料ガスの流線を示す気流解析の結果を示す図であり、図１６は、インジェクタからウエハに亘る原料ガスの流線を示す気流解析の結果を示す図である。図１２に示す上方領域は、チューブ方向（基準点方向）を中心に、反時計周りにチューブ方向（０度）、３０度、４５度、６０、１３５度、ウエハ中心方向の解析結果を求めた。図１３，１４に示す中央領域と下方領域に関しては、ウエハ中心方向と４５度方向、及びチューブ方向の３方向の解析結果を求めた。
【００７０】
図１２より、上方領域においては、ウエハ中心方向と１３５度方向に原料ガスを吐出する場合に、原料ガスの流速分布が大きくなり、面内で大きなばらつきがあることが分かる。これに対し、他の６０度、４５度、３０度、及びチューブ方向では、原料ガスの流速分布が極めて小さく、面内でばらつきが少ないことが分かる。
【００７１】
図１３，１４においても、ウエハ中心方向に原料ガスを吐出する場合に、原料ガスの流速分布が大きくなり、面内で大きなばらつきがあるのに対して、４５度、チューブ方向では、原料ガスの流速分布が極めて小さく、面内でばらつきが少ないことが分かる。
【００７２】
また、図１２乃至図１４より、ウエハ上に供給される原料ガスの流速は、ウエハ中心方向よりも、６０度以下の範囲で供給した方が低下することが分かる。原料ガスの流速が低下することにより、ガスが加熱・分解され易くなり、面内均一性及び面間均一性が向上する。
【００７３】
また、図１５及び図１６より、ウエハ中心方向に原料ガスを供給すると、上下方向への原料ガスの拡散は殆どなく、１枚のウエハ上に向かって原料ガスが流れることが分かる。これに対して、６０度以下の範囲で原料ガスを供給した場合、原料ガスがインナーチューブの内壁に反射した後、隣接するインジェクタに反射して上下方向に拡散することが分かる。或いは、原料ガスがインナーチューブの内壁に反射した後、隣接するインジェクタに反射し、更に原料ガスを供給したインジェクタ自身に反射して上下方向に拡散することが分かる。また、チューブ方向（０度）で原料ガスを供給した場合、原料ガスはインナーチューブの内壁に反射した後、原料ガスを供給したインジェクタ自身に反射して上下方向に拡散することが分かる。
【００７４】
これらの解析結果より、インジェクタのガス孔の角度範囲、すなわち、ボートに搭載されるウエハの中心とインジェクタの中心を通る径方向線が内壁と交差する点を基準点とした際に、インジェクタの軸心周りの基準点からの角度範囲は、時計周り及び反時計周りにそれぞれ６０度以下の角度範囲が好ましいことが分かる。特に、原料ガスをインナーチューブの内壁に反射した後、隣接するインジェクタに反射させて拡散させる場合、ガス孔の角度は、隣接するインジェクタとの間隔に応じて設定されるものの、インナーチューブの内壁に確実に反射させることができる角度範囲としては、上記する６０度以下の角度範囲が好ましく、より強く反射させるには４５度以下の角度範囲が好ましい。
【００７５】
上記実施形態に挙げた構成等に対し、その他の構成要素が組み合わされるなどした他の実施形態であってもよく、また、本発明はここで示した構成に何等限定されるものではない。この点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１０                      処理容器
１１                      インナーチューブ（内側処理管）
１１ａ                    インジェクタ配設領域
１２                      アウターチューブ（外側処理管）
４０                      蓋体
５０                      ボートエレベータ
６０                      ガス供給部
６２，６４，６６          インジェクタ
６２ａ，６４ａ，６６ａ    ガス孔
８０                      ヒータ
９０                      ガス排気部
１００                    基板処理装置
２００                    制御装置
２１０                    成膜部
２１２                    エッチング部
２１４                    パージ部
２１６                    温度調整部
２１８                    圧力調整部
３００                    基板処理システム
４００、Ｗ                ウエハ
４０２                    絶縁膜
４０４                    凹部（トレンチ、ホール）
４０６                    第１シリコン膜（シード層）
４０８                    第２シリコン膜（シード層）
４１０、４１２            第３シリコン膜
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３          径方向線
Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３          基準点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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