(57)【要約】      （修正有）【課題】基板を乾燥させる際のパターン倒れを抑制する。【解決手段】ウェハを液処理ユニットに搬入し（第1搬入処理Ｓ１０）、洗浄処理Ｓ１１を行った後、ウェハの上面及び下面に液体状のＩＰＡを供給し、基板の両面に残存するＤＩＷをＩＰＡに置換する（液膜形成処理Ｓ１２）。その後ＩＰＡの液膜が形成されたウェハを乾燥ユニットに搬送し（第２搬送処理Ｓ１３）、ＩＰＡ気体を供給してウェハの周囲の気体密度を空気よりも大きくした状態で、ウェハを加熱して乾燥させた後、Ｎ２ガスを供給してウェハの周囲をＩＰＡ気体からＮ２ガスに置換する（乾燥処理Ｓ１４）。乾燥が終了したウェハを搬出する（搬出処理Ｓ１５）。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に有機溶剤の液膜を形成する形成工程と、
前記液膜が形成された前記基板の周囲の気体密度を、空気の気体密度よりも大きくした状態で前記基板を加熱して前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記乾燥工程は、
有機溶剤ガス雰囲気で、前記基板を乾燥させる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記乾燥工程は、
前記基板を乾燥させた後に、前記有機溶剤ガスを不活性ガスに置換する置換工程
を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記乾燥工程は、
前記基板を静止させた状態で乾燥させる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記形成工程および前記乾燥工程は、
同一チャンバ内で行われる
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
【請求項６】
基板の表面に有機溶剤の液膜を形成する形成部と、
前記液膜が形成された前記基板の周囲の気体密度を、空気の気体密度よりも大きくした状態で前記基板を加熱して前記基板を乾燥させる乾燥部と
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の表面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の液膜を形成した状態で、基板を回転させて基板の表面上のＩＰＡを振り切り、基板を乾燥させる基板処理方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２２７４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した基板処理方法によって基板を乾燥させた場合には、乾燥時に基板に形成されたパターンが倒れるパターン倒れが発生するおそれがある。
【０００５】
実施形態の一態様は、基板を乾燥させる際のパターン倒れを抑制する基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の一態様に係る基板処理方法は、形成工程と、乾燥工程とを含む。形成工程は、基板の表面に有機溶剤の液膜を形成する。乾燥工程は、液膜が形成された基板の周囲の気体密度を、空気の気体密度よりも大きくした状態で基板を加熱して基板を乾燥させる。
【発明の効果】
【０００７】
実施形態の一態様によれば、パターン倒れを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。
【図２】図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。
【図３】図３は、液処理ユニットの構成例を示す図である。
【図４】図４は、乾燥ユニットの構成例を示す図である。
【図５】図５は、ウェハのパターンの一部を拡大した模式図である。
【図６】図６は、気体密度と、表面張力との関係を示す図である。
【図７】図７は、基板処理の手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本願に係る基板処理方法および基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本願に係る基板処理方法および基板処理装置が限定されるものではない。
【００１０】
〔１．基板処理システム１の構成〕
まず、実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１を上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システム１を側方から見た模式的な断面図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。基板処理システム１は、基板処理装置を構成する。
【００１１】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１２】
（搬入出ステーション２について）
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１３】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。
【００１４】
搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１５】
（処理ステーション３について）
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。
【００１６】
（搬送ブロック４について）
搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、例えば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。
【００１７】
搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１８】
（処理ブロック５の配置について）
複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）および他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。
【００１９】
また、図２に示すように、複数の処理ブロック５は、鉛直方向に沿って多段に配置される。本実施形態において、複数の処理ブロック５の段数は３段であるが、複数の処理ブロック５の段数は３段に限定されない。
【００２０】
このように、実施形態に係る基板処理システム１において、複数の処理ブロック５は、搬送ブロック４の両側において多段に配置される。そして、各段に配置された処理ブロック５と受渡部１４との間のウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１台の搬送装置１６によって行われる。なお、搬送装置１６は、１台に限定されない。
【００２１】
（処理ブロック５の内部構成について）
各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥ユニット１８と、供給ユニット１９とを備える。
【００２２】
液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面（表面）に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。液処理ユニット１７は、形成部を構成する。
【００２３】
乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷの周囲を有機溶剤ガス雰囲気とした状態で加熱することによってウェハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１８の構成については後述する。
【００２４】
なお、有機溶剤ガスは、空気よりも密度が大きく、例えば、ＩＰＡ、メタノール、エタノールなどを含むガスである。本実施形態では、有機溶剤ガスとして、気体のＩＰＡを含むガス（以下、「ＩＰＡ気体」という。）が用いられる。
【００２５】
供給ユニット１９は、乾燥ユニット１８に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット１９は、処理流体タンク、流量計、流量調整器、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。本実施形態において、供給ユニット１９は、処理流体として、ＩＰＡ気体を乾燥ユニット１８に供給する。また、供給ユニット１９は、処理流体として不活性ガスであるＮ２ガスを乾燥ユニット１８に供給する。
【００２６】
液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９は、搬送エリア１５に沿って（すなわち、Ｘ軸方向に沿って）並べられる。液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９のうち、液処理ユニット１７は、搬入出ステーション２に最も近い位置に配置され、供給ユニット１９は、搬入出ステーション２から最も遠い位置に配置される。
【００２７】
このように、各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と乾燥ユニット１８と供給ユニット１９とをそれぞれ１つずつ備える。すなわち、基板処理システム１には、液処理ユニット１７と搬送装置１６と供給ユニット１９とが同じ数だけ設けられる。
【００２８】
また、乾燥ユニット１８は、乾燥処理が行われる処理エリア１８１と、搬送ブロック４と処理エリア１８１との間でのウェハＷの受け渡しが行われる受渡エリア１８２とを備える。これら処理エリア１８１および受渡エリア１８２は、搬送エリア１５に沿って並べられる。
【００２９】
具体的には、処理エリア１８１および受渡エリア１８２のうち、受渡エリア１８２は、処理エリア１８１よりも液処理ユニット１７に近い側に配置される。すなわち、各処理ブロック５には、液処理ユニット１７、受渡エリア１８２、処理エリア１８１および供給ユニット１９が、搬送エリア１５に沿ってこの順番で配置される。
【００３０】
（制御装置６について）
基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、例えばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。
【００３１】
制御部６１は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３，１６、液処理ユニット１７、乾燥ユニット１８および供給ユニット１９等の制御を実現する。
【００３２】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００３３】
記憶部６２は、例えば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash  Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
【００３４】
（液処理ユニット１７について）
次に、液処理ユニット１７の構成について図３を参照し説明する。図３は、液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、例えば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。
【００３５】
液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの上面の洗浄処理を行う。なお、ノズルアーム２６は、複数設けられてもよい。
【００３６】
また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部にも薬液供給路２５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路２５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。
【００３７】
洗浄処理は、例えば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized  Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted  HydroFluoric  acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。
【００３８】
上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。
【００３９】
液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス洗浄処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面に液体状のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」という。）を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。
【００４０】
液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。
【００４１】
（乾燥ユニット１８について）
次に、乾燥ユニット１８の構成について、図４を参照し説明する。図４は、乾燥ユニット１８の構成例を示す図である。
【００４２】
乾燥ユニット１８は、処理容器３１と、載置台３２と、蓋体３３と、供給部３４とを備える。
【００４３】
処理容器３１は、処理エリア１８１（図１参照）に配置される。受渡エリア１８２（図１参照）に面する処理容器３１の側面には、ウェハＷを出し入れするための開口３１ａが形成される。また、処理容器３１には、処理流体を排出する排出口３１ｂが形成される。排出口３１ｂは、例えば、開口３１ａが形成された側面と対峙する側面の下方側に形成される。
【００４４】
載置台３２は、蓋体３３とともに処理エリア１８１（処理容器内）と、受渡エリア１８２との間を水平移動する。載置台３２は、ウェハＷを加熱するためのヒータ３２ａ（例えば、電熱線）と、ウェハＷを下面側から支持する支持部３２ｂとを備える。支持部３２ｂは、搬送装置１６によってウェハＷを受け渡し可能となるように形成される。
【００４５】
蓋体３３は、受渡エリア１８２から処理エリア１８１へ移動することにより、処理容器３１に形成された開口３１ａを塞ぐ。
【００４６】
供給部３４は、例えば、処理容器３１内の上面に設けられ、供給ユニット１９（図１参照）から処理流体を処理容器３１内に供給する。具体的には、供給部３４は、乾燥処理において、ＩＰＡ気体を供給し、ウェハＷが乾燥した後に、Ｎ２ガスを供給する。
【００４７】
乾燥ユニット１８は、載置台３２にウェハＷを載置した状態、すなわち、ウェハＷを回転させずに、静止させた静止状態で乾燥処理を行う。
【００４８】
ウェハＷにＩＰＡ液体の液膜を形成した後に、例えば、空気雰囲気の状態でウェハＷを乾燥させた場合には、パターン倒れが生じるおそれがある。
【００４９】
パターン倒れについて、図５を参照し説明する。図５は、ウェハＷのパターンＷｐの一部を拡大した模式図である。
【００５０】
ウェハＷに形成されたパターンＷｐの間には、ＩＰＡ液体が存在しており、乾燥処理を行うことで、パターンＷｐの間のＩＰＡ液体が気化し、ウェハＷは乾燥する。このとき、パターンＷｐの両側に存在するＩＰＡ液体の乾燥状態が異なると、ＩＰＡ液体の液面差に起因するラプラス圧により、パターン倒れが生じる。パターン倒れを生じさせる力（圧力差）は式（１）で示すことができる。
【００５１】
ＰＡ−ＰＲ＝２γｃｏｓθ／Ｄ      （１）
【００５２】
ＰＡ、ＰＲは、パターンＷｐの両側における圧力である。γは、表面張力である。θは、液面の接触角である。Ｄは、パターンＷｐ間の幅である。
【００５３】
パターン倒れを生じさせる力は、表面張力γを小さくすることで、小さくなる。すなわち、表面張力γを小さくすることで、パターン倒れを抑制することができる。表面張力γは、式（２）で示すことができる。
【００５４】
γ＝ｋ（Ｔｃ−Ｔ）Ｍ-2/3（ｄＬ2/3−ｄＧ2/3）      （２）
【００５５】
ｋは、定数である。Ｔｃは、液体の臨界温度である。Ｔは、液体の温度である。Ｍは、分子量である。ｄＬは、液体密度である。ｄＧは、気体密度である。
【００５６】
表面張力γは、液体の温度Ｔが一定である場合には、液体密度ｄＬと、気体密度ｄＧとの差を小さくすることで、小さくすることができる。すなわち、図６に示すように、ウェハＷの周囲の気体密度ｄＧを大きくすることで、表面張力γを小さくし、パターン倒れを抑制することができる。図６は、気体密度ｄＧと、表面張力γとの関係を示す図である。図６では、液体の温度Ｔおよび液体密度ｄＬは一定である。
【００５７】
そこで、本実施形態に係る基板処理システム１は、乾燥ユニット１８において、ＩＰＡ気体を供給し、ウェハＷの周囲の気体密度ｄＧを大きく、例えば、空気よりも大きくし、ＩＰＡ気体雰囲気でウェハＷの乾燥処理を行う。これにより、乾燥処理時の表面張力γを小さくし、パターン倒れを抑制することができる。
【００５８】
〔２．基板処理〕
次に、本実施形態に係る基板処理の手順について図７を参照し説明する。図７は、基板処理の手順を示すフローチャートである。
【００５９】
基板処理システム１は、第１搬入処理を行う（Ｓ１０）。具体的には、基板処理システム１は、搬送装置１３によってキャリアＣからウェハＷを取り出し、ウェハＷを受渡部１４に載置する。そして、基板処理システム１は、搬送装置１６によって受渡部１４からウェハＷを取り出し、ウェハＷを液処理ユニット１７に搬入する。
【００６０】
基板処理システム１は、洗浄処理を行う（Ｓ１１）。具体的には、基板処理システム１は、液処理ユニット１７によって、ウェハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給し、ウェハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。
【００６１】
基板処理システム１は、液膜形成処理を行う（Ｓ１２）。具体的には、基板処理システム１は、洗浄処理後のウェハＷの上面にＩＰＡ液体を供給し、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。
【００６２】
基板処理システム１は、第２搬入処理を行う（Ｓ１３）。具体的には、基板処理システム１は、搬送装置１６によって、液処理ユニット１７からＩＰＡ液体による液膜が形成されたウェハＷを取り出し、ウェハＷを乾燥ユニット１８に搬送する。
【００６３】
なお、乾燥ユニット１８では、処理容器３１内に、ＩＰＡ気体が供給された状態となっている。すなわち、液膜が形成されたウェハＷは、ＩＰＡ気体が供給された処理容器３１内に搬送される。これにより、例えば、処理容器３１内が空気の場合と比較して、乾燥処理前に、ＩＰＡ液体が気化することを抑制し、パターン倒れが生じることを抑制することができる。
【００６４】
基板処理システム１は、乾燥処理を行う（Ｓ１４）。具体的には、基板処理システム１は、ＩＰＡ気体を供給部３４から供給し、ウェハＷの周囲の気体密度ｄＧを空気よりも大きくした状態で、ヒータ３２ａによってウェハＷを加熱し、ウェハＷを乾燥させる。そして、基板処理システム１は、例えば、予め設定された所定時間が経過すると、供給部３４からＮ２ガスを供給し、ウェハＷの周囲をＩＰＡ気体からＮ２ガスに置換する。所定時間は、ウェハＷの乾燥が終了する時間である。なお、乾燥処理は、排出口３１ｂから処理流体（ＩＰＡ気体、Ｎ２ガス）を排出しながら行われる。
【００６５】
基板処理システム１は、搬出処理を行う（Ｓ１５）。具体的には、基板処理システム１は、搬送装置１６によって、乾燥処理が終了したウェハＷを乾燥ユニット１８から取り出し、ウェハＷを受渡部１４に載置する。そして、基板処理システム１は、搬送装置１３によって、ウェハＷを受渡部１４からキャリアＣへ搬送する。
【００６６】
このようにして、基板処理システム１は、ウェハＷに対する基板処理を行う。
【００６７】
〔３．効果〕
基板処理システム１は、ウェハＷの表面にＩＰＡ液体の液膜を形成し、液膜を形成したウェハＷの周囲の気体密度ｄＧを空気の気体密度よりも大きくした状態でウェハＷを加熱し、ウェハＷを乾燥させる。具体的には、基板処理システム１は、ウェハＷの周囲をＩＰＡ気体雰囲気として、ウェハＷを乾燥させる。これにより、ウェハＷを乾燥させる乾燥処理時に、ウェハＷのパターンＷｐの間に存在するＩＰＡ液体の表面張力γを小さくすることができる。そのため、乾燥処理時にパターン倒れが生じることを抑制することができる。
【００６８】
基板処理システム１は、乾燥処理において、ウェハＷの乾燥が終了した後に、ＩＰＡ気体をＮ２ガスに置換する。これにより、乾燥させたウェハＷを乾燥ユニット１８から取り出す場合に、ＩＰＡ気体が乾燥ユニット１８から漏れることを防止することができる。
【００６９】
基板処理システム１は、ウェハＷを静止させた状態で乾燥処理を行う。これにより、例えば、ウェハＷを回転させながら乾燥処理を行う場合と比較して、ウェハＷの乾燥状態にむらが生じることを抑制し、パターン倒れの発生を抑制することができる。
【００７０】
〔４．変形例〕
変形例に係る基板処理システム１は、液膜形成処理と、乾燥処理とを同一のユニット、すなわち同一のチャンバ内で行ってもよい。例えば、変形例に係る基板処理システム１は、乾燥処理を、液処理ユニット１７で行ってもよい。これにより、基板処理システム１を小型化し、ＩＰＡ液体の液膜を形成したウェハＷの搬送処理を省くことができ、基板処理を短時間で行うことができる。
【００７１】
また、変形例に係る基板処理システム１は、乾燥ユニット１８において、例えば、加熱したＩＰＡ気体を供給することで、ウェハＷを加熱してもよい。なお、変形例に係る基板処理システム１は、ＩＰＡ気体の加熱を、供給ユニット１９で行ってもよい。また、変形例に係る基板処理システム１は、乾燥ユニット１８において、処理容器３１内にお湯を流通させることで、ウェハＷを加熱してもよい。
【００７２】
また、変形例に係る基板処理システム１は、例えば、供給ユニット１９によって、液体のＩＰＡを気化器（不図示）によって気化させて、ＩＰＡ気体を生成して供給部３４から処理容器３１内に供給してもよい。これにより、ＩＰＡ気体の濃度を容易に制御することができる。
【００７３】
また、上記実施形態に係る基板処理システム１は、ウェハＷを静止させた状態で乾燥処理を行ったが、これに限られることはない。変形例に係る基板処理システム１は、ウェハＷを回転させながら乾燥処理を行ってもよい。
【００７４】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１  基板処理システム（基板処理装置）
１７  液処理ユニット（形成部）
１８  乾燥ユニット（乾燥部）
１９  供給ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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