(57)【要約】【課題】生成されるウエーハの履歴をインゴットに紐付けてウエーハに確実に残すことができるウエーハの生成方法を提供する。【解決手段】ウエーハの生成方法は、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを生成すべきウエーハ５６の厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射し剥離層２８を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハ５６のデバイスが形成されない領域にレーザー光線ＬＢ’の集光点ＦＰ’を位置づけてレーザー光線ＬＢ’をインゴット２に照射し製造履歴２９をインゴット２の平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程と、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハ５６を剥離してウエーハ５６を生成するウエーハ生成工程とから少なくとも構成される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、
インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、
平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、
生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域にレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をインゴットの平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程と、
インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの生成方法。
【請求項２】
該製造履歴形成工程において形成される製造履歴は、インゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれる請求項１記載のウエーハの生成方法。
【請求項３】
インゴットは、第一の端面と、該第一の端面と反対側の第二の端面と、該第一の端面から該第二の端面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、該第一の端面の垂線に対して該ｃ軸が傾き該ｃ面と該第一の端面とでオフ角が形成されており、
該剥離層形成工程において、
単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成する請求項２記載のウエーハの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ等のデバイスは、Ｓｉ（シリコン）やＡｌ２Ｏ３（サファイア）等を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。また、パワーデバイス、ＬＥＤ等は単結晶ＳｉＣ（炭化ケイ素）を素材としたウエーハの表面に機能層が積層され分割予定ラインによって区画されて形成される。デバイスが形成されたウエーハは、切削装置、レーザー加工装置によって分割予定ラインに加工が施されて個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話やパソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
デバイスが形成されるウエーハは、一般的に円柱形状のインゴットをワイヤーソーで薄く切断することにより生成される。切断されたウエーハの表面および裏面は、研磨することにより鏡面に仕上げられる（たとえば特許文献１参照。）。しかし、インゴットをワイヤーソーで切断し、切断したウエーハの表面および裏面を研磨すると、インゴットの大部分（７０〜８０％）が捨てられることになり不経済であるという問題がある。特に単結晶ＳｉＣインゴットにおいては、硬度が高くワイヤーソーでの切断が困難であり相当の時間を要するため生産性が悪いと共に、インゴットの単価が高く効率よくウエーハを生成することに課題を有している。
【０００４】
そこで、単結晶ＳｉＣに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を単結晶ＳｉＣインゴットの内部に位置づけて単結晶ＳｉＣインゴットにレーザー光線を照射して切断予定面に剥離層を形成し、剥離層が形成された切断予定面に沿って単結晶ＳｉＣインゴットからウエーハを剥離する技術が提案されている（たとえば特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−９４２２１号公報
【特許文献２】特開２０１３−４９１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インゴットから生成されたウエーハの履歴は必ずしも明確ではなく、ウエーハにデバイスが形成される過程においてデバイスに欠陥が生じても、ウエーハの履歴を遡ってデバイスの欠陥の原因を追究することができないという問題がある。
【０００７】
かかる問題は、インゴットをワイヤーソーで切断してウエーハを生成する場合、又はインゴットをインナーソーで切断してウエーハを生成する場合にも起こり得るがバラバラになったウエーハとインゴットとを紐付けることが難しいという問題がある。
【０００８】
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、生成されるウエーハの履歴をインゴットに紐付けてウエーハに確実に残すことができるウエーハの生成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明が提供するのは以下のウエーハの生成方法である。すなわち、インゴットからウエーハを生成するウエーハの生成方法であって、インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域にレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をインゴットの平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程と、インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成されるウエーハの生成方法である。
【００１０】
好ましくは、該製造履歴形成工程において形成される製造履歴は、インゴットのロットナンバー、生成されるウエーハの順番、製造年月日、製造工場、生成に寄与した機種のいずれかが含まれる。インゴットは、第一の端面と、該第一の端面と反対側の第二の端面と、該第一の端面から該第二の端面に至るｃ軸と、該ｃ軸に直交するｃ面とを有する単結晶ＳｉＣインゴットであり、該第一の端面の垂線に対して該ｃ軸が傾き該ｃ面と該第一の端面とでオフ角が形成されており、該剥離層形成工程において、単結晶ＳｉＣインゴットに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点を該第一の端面から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけると共に該オフ角が形成される方向と直交する方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動してＳｉＣがＳｉとＣとに分離し次に照射されるパルスレーザー光線が前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離して形成される直線状の改質層およびクラックを形成し、該オフ角が形成される方向に単結晶ＳｉＣインゴットと該集光点とを相対的に移動して所定量インデックスして剥離層を形成するのが好適である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明が提供するウエーハの生成方法は、インゴットの端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴットに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し剥離層を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域にレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴットに照射し製造履歴をインゴットの平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程と、インゴットから剥離層を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成されているので、生成されるウエーハの履歴をインゴットに紐付けてウエーハに確実に残すことができ、デバイスが形成される過程においてウエーハの履歴を確認することが可能になる。また、デバイスに欠陥が生じた場合にインゴットまで遡ってデバイスの欠陥の原因を追究することができ、再発防止につなげることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）インゴットの正面図、（ｂ）インゴットの平面図。
【図２】（ａ）インゴットおよびサブストレートの斜視図、（ｂ）インゴットにサブストレートが装着された状態を示す斜視図。
【図３】レーザー加工装置のチャックテーブルにインゴットが載せられる状態を示す斜視図。
【図４】（ａ）剥離層形成工程が実施されている状態を示す斜視図、（ｂ）剥離層形成工程が実施されている状態を示す正面図。
【図５】（ａ）剥離層が形成されたインゴットの平面図、（ｂ）（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図。
【図６】（ａ）製造履歴形成工程が実施されている状態を示す斜視図、（ｂ）製造履歴形成工程が実施されている状態を示す正面図。
【図７】剥離装置の斜視図。
【図８】ウエーハ生成工程が実施されている状態を示す剥離装置の断面図。
【図９】インゴットからウエーハが剥離された状態を示す斜視図。
【図１０】平坦化工程が実施されている状態を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係るウエーハの生成方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
図１には、本発明に係るウエーハの生成方法が実施され得るインゴット２が示されている。インゴット２は、六方晶単結晶ＳｉＣから全体として円柱形状に形成され、円形状の第一の端面４と、第一の端面４と反対側の円形状の第二の端面６と、第一の端面４および第二の端面６の間に位置する周面８と、第一の端面４から第二の端面６に至るｃ軸（＜０００１＞方向）と、ｃ軸に直交するｃ面（｛０００１｝面）とを有する。インゴット２においては、第一の端面４の垂線１０に対してｃ軸が傾いており、ｃ面と第一の端面４とでオフ角α（たとえばα＝１、３、６度）が形成されている。オフ角αが形成される方向を図１に矢印Ａで示す。また、インゴット２の周面８には、結晶方位を示す矩形状の第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されている。第一のオリエンテーションフラット１２は、オフ角αが形成される方向Ａに平行であり、第二のオリエンテーションフラット１４は、オフ角αが形成される方向Ａに直交している。図１（ｂ）に示すとおり、上方からみて、第二のオリエンテーションフラット１４の長さＬ２は、第一のオリエンテーションフラット１２の長さＬ１よりも短い（Ｌ２＜Ｌ１）。なお、本発明に係るウエーハの生成方法が実施され得るインゴットは、上記インゴット２に限定されず、第一の端面の垂線に対してｃ軸が傾いておらず、ｃ面と第一の端面とのオフ角αが０度である（すなわち、第一の端面の垂線とｃ軸とが一致している）ＳｉＣインゴットでもよく、あるいはＳｉ（シリコン）やＧａＮ（窒化ガリウム）等の単結晶ＳｉＣ以外の素材から形成されているインゴットでもよい。
【００１５】
図示の実施形態では、まず、図２に示すとおり、インゴット２の第二の端面６に適宜の接着剤を介して円板状のサブストレート１６を装着させるサブストレート装着工程を実施する。サブストレート装着工程を実施するのは、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたインゴット２を後述する各装置の円形の吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持するためである。サブストレート１６の直径は後述する各装置の吸着チャックの直径よりも若干大きいことから、サブストレート１６を下に向けてインゴット２を吸着チャックに載せた際に吸着チャックがサブストレート１６で覆われるため、第一のオリエンテーションフラット１２および第二のオリエンテーションフラット１４が形成されたインゴット２を吸着チャックによって所定の吸引力で吸引保持することができる。なお、インゴット２の直径が吸着チャックよりも大きく、インゴット２が吸着チャックに載せられた際に吸着チャックの上面全部がインゴット２で覆われる場合には、吸着チャックによる吸引の際に吸着チャックの露出部分からエアーが吸込まれることがなく、吸着チャックによって所定の吸引力でインゴット２を吸着可能なため、インゴット２にサブストレート１６を装着させなくてもよい。
【００１６】
サブストレート装着工程を実施した後、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに位置づけてレーザー光線をインゴット２に照射し剥離層を形成する剥離層形成工程を実施する。インゴット２は、通常、剥離層形成工程におけるレーザー光線の入射を妨げない程度に第一の端面４および第二の端面６が平坦化されているので、インゴット２に対して最初の剥離層形成工程を実施する前には、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程を実施しなくてもよい。剥離層形成工程は、たとえば図３および図４に一部を示すレーザー加工装置１８を用いて実施することができる。レーザー加工装置１８は、インゴット２を保持する円形状のチャックテーブル２０と、チャックテーブル２０に保持されたインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器２２（図４参照。）とを備える。チャックテーブル２０の上端部分には、吸引手段（図示していない。）に接続された多孔質の円形の吸着チャック２４（図３参照。）が配置され、チャックテーブル２０においては、吸引手段で吸着チャック２４の上面に吸引力を生成することにより上面に載せられたインゴット２を吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル２０は上下方向に延びる軸線を中心としてチャックテーブル用モータ（図示していない。）によって回転される。集光器２２は、レーザー加工装置１８のパルスレーザー光線発振器（図示していない。）が発振したパルスレーザー光線ＬＢを集光してインゴット２に照射するための集光レンズ（図示していない。）を含む。また集光器２２は、Ｘ軸方向（図４に矢印Ｘで示す方向）にＸ軸方向移動手段（図示していない。）によって進退されると共に、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向（図４に矢印Ｙで示す方向）にＹ軸方向移動手段（図示していない。）によって進退される。Ｘ軸方向およびＹ軸方向が規定する平面は実質上水平である。なお、チャックテーブル２０がＸ軸方向に進退されると共にＹ軸方向に進退されるようになっていてもよい。
【００１７】
図３に示すとおり剥離層形成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル２０の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１８の撮像手段（図示していない。）で上方からインゴット２を撮像する。次いで、撮像手段で撮像したインゴット２の画像に基づいて、チャックテーブル２０を回転させると共に集光器２２を移動させることにより、インゴット２の向きを所定の向きに調整すると共にインゴット２と集光器２２とのＸＹ平面における位置を調整する。インゴット２の向きを所定の向きに調整する際は、図４（ａ）に示すとおり、第二のオリエンテーションフラット１４をＸ軸方向に整合させることによって、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向をＸ軸方向に整合させると共に、オフ角αが形成される方向ＡをＹ軸方向に整合させる。次いで、レーザー加工装置１８の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器２２を昇降させ、図４（ｂ）に示すとおり、インゴット２の第一の端面４から、生成すべきウエーハの厚みに相当する深さ（たとえば７００μｍ）に集光点ＦＰを位置づける。次いで、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に整合しているＸ軸方向に集光器２２を所定の送り速度で移動させながら、インゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを集光器２２からインゴット２に照射する剥離層形成加工を行う。剥離層形成加工を行うと、図５に示すとおり、パルスレーザー光線ＬＢの照射によりＳｉＣがＳｉ（シリコン）とＣ（炭素）とに分離し次に照射されるパルスレーザー光線ＬＢが前に形成されたＣに吸収されて連鎖的にＳｉＣがＳｉとＣとに分離した改質層２４が、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に連続的に直線状に形成されると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６が形成される。なお、剥離層形成加工を行う際は、集光器２２に代えてチャックテーブル２０を所定の送り速度でＸ軸方向に移動させてもよい。
【００１８】
図４および図５を参照して説明を続けると、剥離層形成加工に続いて、Ｙ軸方向移動手段で集光器２２を移動させ、オフ角αが形成される方向Ａに整合しているＹ軸方向に、クラック２６の幅を超えない範囲で所定インデックス量Ｌｉだけ、インゴット２と集光点ＦＰとを相対的にインデックス送りする。なお、インデックス送りの際は集光器２２に代えてチャックテーブル２０を移動させてもよい。そして、剥離層形成加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に連続的に延びる直線状の改質層２４を、オフ角αが形成される方向Ａに所定インデックス量Ｌｉの間隔をおいて複数形成すると共に、改質層２４からｃ面に沿って等方的に延びるクラック２６を順次形成して、オフ角αが形成される方向Ａにおいて隣接するクラック２６とクラック２６とが上下方向にみて重なるようにする。これによって、インゴット２の第一の端面４から生成すべきウエーハの厚みに相当する深さに、複数の改質層２４およびクラック２６からなる、インゴット２からウエーハを剥離するための強度が低下した剥離層２８を形成することができる。なお、剥離層形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：３．２Ｗ
パルス幅                    ：４ｎｓ
集光点の直径                ：３μｍ
焦点距離                    ：１０ｍｍ
インデックス量              ：２５０〜４００μｍ
送り速度                    ：１２０〜２６０ｍｍ／ｓ
【００１９】
剥離層形成工程を実施した後、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域にレーザー光線の集光点を位置づけてレーザー光線をインゴット２に照射し製造履歴をインゴット２の平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程を実施する。製造履歴形成工程は、たとえば図６に一部を示すレーザー加工装置１８’を用いて実施することができる。製造履歴形成工程を実施するためのレーザー加工装置１８’は、剥離層形成工程を実施するためのレーザー加工装置１８とほぼ同様の構成であるが、レーザー加工装置１８のパルスレーザー光線ＬＢとは異なるパルスレーザー光線ＬＢ’を被加工物に対して照射するようになっている。レーザー加工装置１８’は、インゴット２を吸引保持するチャックテーブル２０’と、チャックテーブル２０’に保持されたインゴット２にパルスレーザー光線ＬＢ’を照射する集光器２２’とを備える。チャックテーブル２０’は回転自在に構成され、集光器２２’はＸ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されている。なお、チャックテーブル２０’はＸ軸方向およびＹ軸方向に進退自在に構成されていてもよい。
【００２０】
図６を参照して説明を続けると、製造履歴形成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル２０’の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、レーザー加工装置１８’の撮像手段（図示していない。）でインゴット２を撮像し、撮像手段で撮像したインゴット２の画像に基づいて集光器２２’の位置を調整する。次いで、レーザー加工装置１８’の集光点位置調整手段（図示していない。）で集光器２２’を昇降させ、図６（ｂ）に示すとおり、インゴット２の第一の端面４における、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない外周余剰領域に集光点ＦＰ’を位置づける。次いで、インゴット２と集光点ＦＰ’とを相対的に適宜移動させながらパルスレーザー光線ＬＢ’を集光器２２’からインゴット２に照射する。これによってインゴット２の平坦化された第一の端面４における、生成すべきウエーハのデバイスが形成されない外周余剰領域にアブレーション加工を施し、バーコードの形態によって構成され得る製造履歴２９を形成することができる。製造履歴形成工程において形成される製造履歴２９は、インゴット２のロットナンバー、インゴット２から生成されるウエーハの順番、ウエーハの製造年月日、ウエーハの製造工場、ウエーハの生成に寄与した機種のいずれかが含まれる。図示の実施形態では第一のオリエンテーションフラット１２に沿って製造履歴２９を形成しているが、第一の端面４であって生成すべきウエーハのデバイスが形成されない領域であれば、第二のオリエンテーションフラット１４に沿って製造履歴２９を形成してもよく、あるいは弧状周縁に沿って製造履歴２９を形成してもよい。また、製造履歴２９の深さについては、インゴット２から剥離されたウエーハの表面および裏面が研削および研磨されてウエーハが薄化された際に、製造履歴２９が除去されないような深さ（たとえば２００〜３００μｍ程度）とする。このような製造履歴形成工程は、たとえば以下の加工条件で実施することができる。
パルスレーザー光線の波長    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数              ：８０ｋＨｚ
平均出力                    ：２．０Ｗ
パルス幅                    ：１０ｎｓ
集光点の直径                ：１００μｍ
焦点距離                    ：１５０ｍｍ
なお、製造履歴形成工程における加工条件例のパルスレーザー光線ＬＢ’の波長は、剥離層形成工程における加工条件例のパルスレーザー光線ＬＢの波長と同一であり、インゴット２に対して透過性を有する波長（１０６４ｎｍ）であるが、インゴット２の第１の端面４（上端面）に集光点ＦＰ’を位置づけることによって、インゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢ’であってもアブレーション加工を施すことができる。また、集光器２２’の集光レンズから集光点ＦＰ’までの焦点距離を上記加工条件例のように１５０ｍｍ程度とすることにより、集光点ＦＰ’の直径を上記加工条件例のように１００μｍ程度と比較的大きいサイズにすることができ、これによってインゴット２の第1の端面４にアブレーションが発生する領域を大きくして効率的に製造履歴２９を形成することができる。
【００２１】
製造履歴形成工程を実施した後、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハを剥離してウエーハを生成するウエーハ生成工程を実施する。ウエーハ生成工程は、たとえば図７ないし図９に一部を示す剥離装置３０を用いて実施することができる。剥離装置３０は、インゴット２を吸引保持する円形状のチャックテーブル３２と、チャックテーブル３２に保持されたインゴット２の上面を保持し剥離層２８を起点としてインゴット２からウエーハを剥離する剥離手段３４とを備える。剥離手段３４は、インゴット２からウエーハを剥離する際にチャックテーブル３２と協働して液体を収容する液槽体３６を含む。昇降自在に構成されている液槽体３６は、円形状の天面壁３８と、天面壁３８の周縁から垂下する円筒状の側壁４０とを有し、下端側が開放されている。天面壁３８には液槽体３６の外部と内部とを連通する液体供給部４２が付設され、液体供給部４２は流路によって液体供給手段（図示していない。）に接続されている。側壁４０の外径はチャックテーブル３２の直径以下に形成され、液槽体３６が下降されると側壁４０の下端がチャックテーブル３２の上面に接触するようになっている。また、側壁４０の下端には環状のパッキン４４が付設されている。そして、液槽体３６を下降させてチャックテーブル３２の上面に側壁４０の下端を密着させると、チャックテーブル３２の上面と液槽体３６の内面とで液体収容空間４６が規定される。液体供給手段から液体供給部４２を通って液体収容空間４６に供給された液体４８は、パッキン４４によって液体収容空間４６から漏れるのが防止される。
【００２２】
図７ないし図９に示すとおり、液槽体３６の天面壁３８にはエアシリンダ５０が装着され、エアシリンダ５０のシリンダチューブ５０ａは天面壁３８の上面から上方に延びている。図８に示すとおり、エアシリンダ５０のピストンロッド５０ｂの下端部は、天面壁３８の貫通開口３８ａを通過して天面壁３８の下方に突出している。ピストンロッド５０ｂの下端部には圧電セラミックス等から形成され得る円板状の超音波発振部材５２が固定されている。この超音波発振部材５２の下面には円板状の吸着片５４が固定されている。下面に複数の吸引孔（図示していない。）が形成されている吸着片５４は、流路によって吸引手段（図示していない。）に接続されている。吸引手段で吸着片５４の下面に吸引力を生成することにより、吸着片５４はインゴット２を吸引保持することができる。
【００２３】
図７に示すとおりウエーハ生成工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル３２の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、図８に示すとおり、昇降手段（図示していない。）で液槽体３６を下降させ、チャックテーブル３２の上面に液槽体３６の側壁４０の下端を密着させる。次いで、エアシリンダ５０のピストンロッド５０ｂを移動させ、インゴット２の第一の端面４に吸着片５４の下面を密着させる。次いで、吸着片５４の下面に吸引力を生成し、第一の端面４を吸着片５４で吸引保持する。次いで、超音波発振部材５２が浸漬するまで液体供給部４２から液体収容空間４６に液体４８（たとえば水）を供給する。次いで、超音波発振部材５２から超音波を発振することにより、剥離層２８を刺激してクラック２６を伸長させ剥離層２８を破壊する。次いで、吸着片５４でインゴット２を吸引保持した状態で液槽体３６を上昇させることにより、図９に示すとおり、剥離層２８を起点として、製造履歴２９を有するウエーハ５６をインゴット２から剥離して生成することができる。なお、超音波発振部材５２から超音波を発振する際は、インゴット２の上面と吸着片５４の下面との間に間隙（たとえば２〜３ｍｍ）を設けてもよい。
【００２４】
ウエーハ生成工程を実施した後、インゴット２の端面（剥離面５８）を平坦化する平坦化工程を実施する。平坦化工程は、たとえば図１０に一部を示す研削装置６０を用いて実施することができる。研削装置６０は、インゴット２を吸引保持する円形状のチャックテーブル６２と、チャックテーブル６２に吸引保持されたインゴット２の端面を研削して平坦化する研削手段６４とを備える。チャックテーブル６２は、チャックテーブル６２の径方向中心を通って上下方向に延びる軸線を中心としてチャックテーブル用モータ（図示していない。）によって回転される。研削手段６４は、スピンドル用モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル６６と、スピンドル６６の下端に固定された円板状のホイールマウント６８とを含む。ホイールマウント６８の下面にはボルト７０により環状の研削ホイール７２が固定されている。研削ホイール７２の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石７４が固定されている。研削装置６０においては、研削砥石７４がチャックテーブル６２の回転中心を通るように、研削ホイール７２の回転中心がチャックテーブル６２の回転中心に対して変位しており、チャックテーブル６２と研削ホイール７２とが相互に回転しながら、チャックテーブル６２の上面に保持されたインゴット２の端面と研削砥石７４とが接触した場合に、インゴット２の端面全体が研削砥石７４によって研削される。
【００２５】
図１０を参照して説明を続けると、平坦化工程では、まず、サブストレート１６を下に向けてチャックテーブル６２の上面でインゴット２を吸引保持する。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブル６２を回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル６６を回転させる。次いで、研削装置６０の昇降手段（図示していない。）でスピンドル６６を下降させ、剥離面５８に研削砥石７４を接触させる。そして、剥離面５８に研削砥石７４を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル６６を下降させる。これによって、剥離層形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢや製造履歴形成工程におけるパルスレーザー光線ＬＢ’の入射を妨げない程度に、インゴット２の剥離面５８を研削して平坦化することができる。そして、剥離層形成工程、製造履歴形成工程、ウエーハ生成工程および平坦化工程を繰り返し実施することにより、製造履歴２９を有するウエーハ５６をインゴット２から複数生成する。
【００２６】
以上のとおり図示の実施形態では、インゴット２の端面を平坦化する平坦化工程と、平坦化された端面からインゴット２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢの集光点ＦＰを生成すべきウエーハ５６の厚みに相当する深さに位置づけてパルスレーザー光線ＬＢをインゴット２に照射し剥離層２８を形成する剥離層形成工程と、生成すべきウエーハ５６のデバイスが形成されない領域にパルスレーザー光線ＬＢ’の集光点ＦＰ’を位置づけてパルスレーザー光線ＬＢ’をインゴット２に照射し製造履歴２９をインゴット２の平坦化された端面に形成する製造履歴形成工程と、インゴット２から剥離層２８を起点として生成すべきウエーハ５６を剥離してウエーハ５６を生成するウエーハ生成工程と、から少なくとも構成されているので、生成されるウエーハ５６の履歴をインゴット２に紐付けてウエーハ５６に確実に残すことができ、デバイスが形成される過程においてウエーハ５６の履歴を確認することが可能になる。また、デバイスに欠陥が生じた場合にインゴット２まで遡ってデバイスの欠陥の原因を追究することができ、再発防止につなげることができる。
【００２７】
なお、図示の実施形態における剥離層形成工程では、オフ角αが形成される方向Ａと直交する方向に改質層２４を連続的に形成し、オフ角αが形成される方向Ａにインデックス送りする例を説明したが、改質層２４を形成する方向はオフ角αが形成される方向Ａと直交する方向でなくてもよく、インデックス送りする方向はオフ角αが形成される方向Ａでなくてもよい。
【符号の説明】
【００２８】
２：インゴット
４：第一の端面
６：第二の端面
８：周面
１０：垂線
２４：改質層
２６：クラック
２８：剥離層
２９：製造履歴
５６：ウエーハ
α：オフ角
Ａ：オフ角が形成される方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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